(57)【要約】【課題】  導通不良等を生じさせることなく生産性を向上させる。【解決手段】  基板１６上に複数配列して形成され、基板１６から剥離して転写される。平面視が円形またはｎ角形（ｎは６以上の整数）の多角形の形状を有する。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数配列して形成され、前記基板から剥離して転写される転写用素子であって、
平面視が円形またはｎ角形（ｎは６以上の整数）の多角形の形状を有することを特徴とする転写用素子。
【請求項２】
基板上に複数配列して形成され、前記基板から剥離して第２基板に転写される転写用素子であって、
前記第２基板と電気的に接続される接続用端子を有し、
前記接続用端子が、外周部から離間した内側に配置されることを特徴とする転写用素子。
【請求項３】
請求項２記載の転写用素子において、
前記接続用端子は、間隔をあけて複数環状に配置されることを特徴とする転写用素子。
【請求項４】
ベース上に設けられた請求項１から３のいずれかに記載の複数の転写用素子と、
前記ベースと前記転写用素子との間に介装され、前記転写用素子を前記ベースから剥離させる剥離層とを有することを特徴とする転写用基板。
【請求項５】
請求項４記載の転写用基板において、
前記転写用素子が薄膜トランジスタであることを特徴とする転写用基板。
【請求項６】
請求項４または５記載の転写用基板において、
前記転写用素子が千鳥状に配列されることを特徴とする転写用基板。
【請求項７】
請求項４または５記載の転写用基板において、
前記転写用素子が格子状に配列されることを特徴とする転写用基板。
【請求項８】
基板上に所定パターンで配線が形成された回路基板と、該回路基板に電気的に接続された電気光学パネルとを備える電気光学装置であって、
前記回路基板には、請求項１から３のいずれかに記載の転写用素子が転写され接着剤を介して前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
所定パターンで配線が形成された回路基板の前記配線に転写用素子を接合する方法であって、
前記配線上に接着剤を塗布する工程と、
請求項４から７のいずれかに記載された転写用基板上の転写用素子を、前記接着剤を介して前記配線と電気的に接続する工程と、
前記転写用基板から前記転写用素子を剥離する工程とを有することを特徴とする転写用素子の接合方法。
【請求項１０】
請求項９記載の転写用素子の接合方法において、
前記転写用基板に形成された複数の転写用素子のうち、一部の転写用素子を選択して剥離することを特徴とする転写用素子の接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写用素子とその接合方法、転写用基板及び電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示器（ＬＣＤ）パネル、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示器のような半導体応用装置では、変形や落下による壊れ防止、コスト引き下げ等の理由により下地基板としてプラスチック基板を使用することが望ましい場合がある。
ところが、パネル型の表示器に使用される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ素子）の製造では高温プロセスを使用するため、プラスチック基板や、ＥＬ素子等の回路素子には、高温に耐えられないものがある。
【０００３】
そこで、本出願人は、高温プロセスを含む従来の半導体製造技術によってＴＦＴ素子等の薄膜素子を耐熱の基礎基板上に製造した後に、当該基板から薄膜素子が形成されている素子形成膜（層）を剥離し、これを接着剤によりプラスチック基板（配線基板）に貼り付け・転写することによって半導体応用装置を製造する転写技術を提案している。これらの転写技術は、例えば特許文献１〜特許文献３に詳細に説明されている。
【特許文献１】特開平１０−１２５９２９号公報
【特許文献２】特開平１０−１２５９３０号公報
【特許文献３】特開平１０−１２５９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
薄膜素子、例えばＴＦＴ素子の多くは平面視矩形（長方形）を呈しており、接合用接着剤もこの形状に応じて塗布される。そして、接合工程においては、加熱しながらこの接着剤に薄膜素子を加圧して接合するが、接着剤は加圧されることで、薄膜素子の外形よりも大きく拡がることが多い。この場合、接着剤は等方的に拡がるために略円形や略楕円形状となるが、ＴＦＴ素子が矩形であることから部分的（例えばＴＦＴ素子の長辺部や短辺部）に接着剤が大きくはみ出した状態となる。その結果、ＴＦＴ素子が複数配列される基礎基板上では、隣り合う薄膜素子まで接着剤が到達する虞があるため、薄膜素子の配置間隔を大きくする必要が生じ、歩留まり（１枚の基礎基板から得られる薄膜素子の数）が悪化して生産性が低下してしまう。
【０００５】
そこで、加圧時の拡がりを考慮して接着剤の塗布量を減らすことも考えられるが、薄膜素子と配線基板との接続端子は薄膜素子の最外周部近傍に配置されることが多いため、特に、接着剤として導電性接着剤を用いる場合には、接着剤が接続端子まで到達せずに導通不良になる可能性がある。
【０００６】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、導通不良等を生じさせることなく生産性を向上させることが可能な転写用素子とその接合方法、転写用基板及び電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の転写用素子は、基板上に複数配列して形成され、前記基板から剥離して転写される転写用素子であって、平面視が円形またはｎ角形（ｎは６以上の整数）の多角形の形状を有することを特徴とするものである。
従って、本発明では、接合時に接着剤が略円形状や略楕円形状で拡がった場合でも、転写用素子の外形よりもはみ出る量を小さくすることが可能になる。そのため、接着剤の塗布量を減らすことなく、基板上での転写用素子の配列ピッチを微小化することができ、歩留まりを向上させることができる。その結果、導通不良を生じさせることなく、歩留まりの悪化により生産性が低下してしまうことを防止できる。
【０００８】
また、本発明の転写用素子は、基板上に複数配列して形成され、前記基板から剥離して第２基板に転写される転写用素子であって、前記第２基板と電気的に接続される接続用端子を有し、前記接続用端子が、外周部から離間した内側に配置されることを特徴とするものである。
従って、本発明では、接続用端子が配置される領域に接着剤（例えばＡＣＰ等の導電性接着剤）を塗布した後に転写用素子を接合する際に接着剤が拡がった場合でも、転写用素子の平面形状に依存することなく、転写用素子の外形よりもはみ出ることを防止できる。そのため、接着剤の塗布量を減らすことなく、基板上での転写用素子の配列ピッチを微小化することができ、歩留まりを向上させることができる。その結果、導通不良を生じさせることなく、歩留まりの悪化により生産性が低下してしまうことを防止できる。
【０００９】
この場合、前記接続用端子としては、間隔をあけて複数環状に配置されることが望ましい。
これにより、接着剤が円形状に拡がった場合に、均等に接続用端子に接着剤を塗布することが可能となる。
【００１０】
一方、本発明の転写用基板は、ベース上に設けられた上記の複数の転写用素子と、前記ベースと前記転写用素子との間に介装され、前記転写用素子を前記ベースから剥離させる剥離層とを有することを特徴とするものである。
これにより、本発明では微小の配列ピッチで転写用素子を配置形成することが可能となり、転写用基板により多くの転写用素子を形成することができる。そのため、転写用基板のコストを低減することができるとともに、接合工程においても転写用基板の使用枚数を減らして生産性を向上させることが可能になる。
【００１１】
なお、転写用素子としては、薄膜トランジスタとする構成を採用できる。
また、前記転写用素子が千鳥状または格子状に配列される構成も好適に採用できる。
この場合、転写用基板上に効率的により多くの転写用素子を配列することができ、コスト低減に寄与することが可能である。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置は、基板上に所定パターンで配線が形成された回路基板と、該回路基板に電気的に接続された電気光学パネルとを備える電気光学装置であって、前記回路基板には、上記の転写用素子が転写され接着剤を介して前記配線に電気的に接続されていることを特徴とするものである。
従って、本発明では、導通不良が生じず、生産性に優れた電気光学装置を得ることができる。
【００１３】
そして、本発明の転写用素子の接合方法所定は、パターンで配線が形成された回路基板の前記配線に転写用素子を接合する方法であって、前記配線上に接着剤を塗布する工程と、上記の転写用基板上の転写用素子を、前記接着剤を介して前記配線と電気的に接続する工程と、前記転写用基板から前記転写用素子を剥離する工程とを有することを特徴としている。
これにより、本発明では、転写用素子を回路基板に接合する際に用いる転写用基板に微小ピッチでより多くの転写用素子が形成されていることになるので、接合に係るコストを低減できるとともに、接合工程における基板交換の頻度を減らして生産性を高めることが可能になる。
また、転写用素子の転写に際しては、前記転写用基板に形成された複数の転写用素子のうち、一部の転写用素子を選択して剥離する構成も採用可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の転写用素子とその接合方法、転写用基板及び電気光学装置の実施の形態を、図１ないし図１０を参照して説明する。
ここでは、配線基板にＴＦＴ素子を転写し、この配線基板に有機ＥＬ基板を接合して電気光学装置として有機ＥＬ表示体を製造する場合の例を用いて説明する。
【００１５】
（第１実施形態）
図１において、符号１は有機ＥＬ表示体（電気光学装置）である。
この有機ＥＬ表示体１は、回路基板としての配線基板２と、電気光学パネルとしてのＥＬ基板（有機ＥＬ素子基板）３とを接合部４において電気的に接合した構成となっており、これら配線基板２とＥＬ基板３との間は封止樹脂２５で封止されている。
【００１６】
配線基板２は、ガラス等の絶縁物なる基板５の表面に絶縁層２ａが設けられ、絶縁層２ａ上に有機ＥＬ表示体１の画素の位置に対応して転写用素子としてのＴＦＴ素子（薄膜トランジスタ素子）６が後述する転写により導電性接着層１８及びバンプ７を介して実装された構成となっている。
【００１７】
接合部４は、ここでは接合材料として異方性導電ペースト（ＡＣＰ；Anisotropic Conductive Paste）が用いられており、接続パッド（配線）８上に、ＴＦＴ素子６よりも突出する高さに形成されている。異方性導電ペーストは、接合用樹脂等のバインダに導電性粒子（フィラー）が分散されたもので、分散剤が添加される場合もある。導電性粒子は、略球形の樹脂性粒子（樹脂ボール）の表面に金メッキ等の導電性金属メッキを施したものが用いられている。なお、接合部４としては、分散媒に金属微粒子を分散させたものを用いたり、合金接合としてもよい。また、上記メッキ材料、金属微粒子としては、鉛フリー材料とすることが、地球環境保護の観点から好ましい。
【００１８】
ＥＬ基板３は、ガラス等の透明基板１１の表面全体に亘って透明電極層１２が形成されており、透明電極層１２の上面には絶縁物からなるバンク１３で相互に分離された画素形成領域に位置して、正孔注入層及び有機ＥＬ層からなる発光層１４と、陰極層（カソード電極層）１５が積層されている。陰極層１５は、バンク１３上に到るように延設されており、この画素形成領域の外側において接合部４（導電性粒子）を介して配線基板２（及びＴＦＴ素子６）と電気的に接続される。
なお、透明電極層１２、発光層１４、陰極層１５を形成する材料は、公知の有機ＥＬ表示体に用いられている材料と同じものが適用可能である。
【００１９】
ＴＦＴ素子６は、図２（ａ）に示すように、転写用基板としてのＴＦＴ基板１６上に複数形成される。ＴＦＴ基板１６は、例えば、１０００℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板（ベース）１９上に剥離層２０が形成され、剥離層２０上に複数のＴＦＴ素子６が形成された構成となっている。透光性耐熱基板１９の厚さには、大きな制限要素はないが、基板の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基板の透過率が低い場合に後述する照射光の減衰を招くため、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることがより好ましい。
【００２０】
剥離層２０は、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）を生ずる。即ち、一定の強度の照射光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層２０に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層２が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
剥離層２０の組成としては、例えば、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を使用することができる。この非晶質シリコン中には、水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０％ａｔ％であることが更に好ましい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層２０に内圧が発生し、これが剥離を促進する。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。この他の剥離層材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
【００２１】
剥離層２０の厚さとしては、剥離層２０の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じ、剥離層２０の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層２０の残渣を除去するのに時間を要したりするため、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍ程度であるのが更に好ましい。
【００２２】
剥離層２０の形成方法としては、均一な厚みで剥離層２０を形成可能な方法であればよく、剥離層２０の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
【００２３】
特に剥離層２０の組成が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また、剥離層２０をゾル−ゲル（sol-gel）法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
【００２４】
図２（ｂ）は、本実施の形態において用いられるＴＦＴ素子６の一例を示す断面図であり、このＴＦＴ素子６は、例えば、ＳｉＯ２膜（中間層）３６上に形成されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を含んで構成され、このＴＦＴは、ポリシリコン層にｎ型不純物を導入して形成されたソース，ドレイン領域３７と、チャネル領域３８と、ゲート絶縁膜３９と、ゲート電極４０と、層間絶縁膜４１と、例えばアルミニウムからなる電極４２とを具備する。なお、ＴＦＴ素子６としては、前記ＴＦＴに限定されることなく、シリコンベースのトランジスタやＳＯＩ（silicon on insulator）などの種々の素子を適用し得る。
また、ＴＦＴ素子６は、ここでは図３に示すように、平面視が円形の形状を有しており、図４に示すように、ＴＦＴ基板１６上に互いに略等間隔の隙間をあけて千鳥状に複数配列されている。
【００２５】
続いて、上記構成の有機ＥＬ表示体の製造手順について図５を参照して説明する。なお、これらの図においては、理解を容易にするため、各層や各部材毎に簡略化して図示するとともに縮尺を異ならせてある。
【００２６】
まず、図５（ａ）に示すように、スパッタリングやフォトリソ等の公知の技術を用いて、基板５上に絶縁層２ａ、バンプ７及び接続パッド８等の配線を形成する。
次に、図５（ｂ）に示すように、複数のＴＦＴ素子６が形成されたＴＦＴ基板１６をスペーサー１７を介して対向配置する。
このとき、バンプ７上には予め導電性接着剤１８が塗布され、ＴＦＴ基板１６は、ＴＦＴ素子６とバンプ７とが対向し、これらの間に導電性接着剤１８が充填されるようにセットさる。そして、導電性接着剤１８を図中縦方向に加熱及び加圧しつつ硬化させる。これにより、ＴＦＴ素子６とバンプ７とが導電性接着剤１８を介して接着されるとともに、この導電性接着剤１８中の図示しない導電粒子が図中縦方向につながり（接触し）、ＴＦＴ素子６とバンプ７とが前記導電粒子を介して電気的に接続される。
【００２７】
ここで、導電性接着剤１８はＴＦＴ素子６の大きさに応じて、その外形よりも内側の範囲で塗布されているが、ＴＦＴ素子６により加圧されることでＴＦＴ素子６の外形よりも大きく拡がる（図１は拡がった状態を示している）。導電性接着剤１８の拡がり方は等方的であるので、導電性接着剤１８は略円形や略楕円形状となるが、ＴＦＴ素子６が円形状なので、図３に示すように、導電性接着剤１８は、局所的に大きくはみ出すのではなく、ＴＦＴ素子６の外形からほぼ一定量が少量はみ出すだけになる。そのため、複数のＴＦＴ素子６は、配置間隔を必要以上に大きくすることなく抑えた状態で配列される。
【００２８】
続いて、複数のＴＦＴ素子の中、所定のＴＦＴ素子６に対して、透光性耐熱基板１９の裏面側（照射光入射面１９ａ側）から照射光２１を選択的（局所的）に照射する（図５（ｂ）参照）。この照射光２１は、基板１９を透過した後、界面側から剥離層２０に照射される。
照射光２１としては、剥離層２０に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α線、β線、γ線）等が挙げられるが、そのなかでも、分離層２の剥離（アブレーション）を生じさせ易いという点で、レーザ光が好ましい。このレーザ光を発生させるレーザ装置としては、各種気体レーザ、固体レーザ（半導体レーザ）等が挙げられるが、エキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ２レーザ、ＣＯレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が好適に用いられ、その中でもエキシマレーザが特に好ましい。エキシマレーザは、短波長域で高エネルギーを出力するため、極めて短時間で剥離層２０にアブレーションを生じさせることができ、よって、隣接するまたは近傍のＴＦＴ素子６、基板１９等に温度上昇をほとんど生じさせることなく、すなわち劣化、損傷を生じさせることなく剥離層２０を剥離することができる。
これにより、剥離層２０に層内剥離および／または界面剥離が生じ、結合力が減少または消滅するので、基板１９とＴＦＴ素子６とを離間させると、図５（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子６が基板１９から離脱して、配線基板２へ転写される。
【００２９】
この後、図５（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子６及びバンプ７から離間した接続パッド８上に、印刷等によって異方性導電ペーストを所定高さに塗布して接合部４を形成する。ここでは、接合部４がＴＦＴ素子６よりも高くなるように塗布している。そして、図１に示したように、ＥＬ基板３を配線基板２に対して位置決めしながら、図中縦方向に加熱及び加圧しつつ硬化させる。これにより、接合部４において陰極層１５が接合され、配線基板２とＥＬ基板３とが前記導電粒子を介して電気的に接続される。この後、ＥＬ基板３と配線基板２との隙間を封止樹脂２５で封止することにより、有機ＥＬ表示体１が完成する。
【００３０】
このように、本実施の形態では、ＴＦＴ素子６が平面視円形状であるので、導通不良を避けるためにＴＦＴ素子６の最外周部まで導電性接着剤１８を塗布する場合であっても、ＴＦＴ素子６からはみ出す導電性接着剤１８を少量、且つ一様に抑えることができ、ＴＦＴ基板１６上に形成するＴＦＴ素子６の配置間隔を必要以上に大きくする必要がなくなる。結果として、ＴＦＴ基板１６上により多くのＴＦＴ素子６を形成することが可能となり、歩留まりが向上し生産効率を上げることができるとともに、コストダウンを図ることができる。
また、本実施の形態では、導電性接着剤を実装する際の拡がりに起因する不具合を考慮しなくてもよいため、印刷等の実装条件にマージンを付加することができ、実装工程を安定して行うことができる。
【００３１】
（第２実施形態）
上記第１実施形態では、ＴＦＴ素子が平面視円形状を有するものとして説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、等方的に拡がった導電性接着剤がＴＦＴ素子からはみ出る量が微小であれば多角形、より詳細にはｎ角形（ｎは６以上の整数）であってもよい。図６には、平面視６角形（ｎ＝６）のＴＦＴ素子６が図示されており、図示されるように、このＴＦＴ素子６からはみ出る導電性接着剤１８は微少量に抑えられるため、第１実施形態と同様の作用・効果を得ることができる。
また、このようにＴＦＴ素子６が多角形である場合も、図７に示すように、ＴＦＴ基板１６上にＴＦＴ素子６を千鳥状に配置することが、デッドスペースを最小限にしてより多くのＴＦＴ素子を形成する点から好適である。
なお、図６及び図７では６角形の素子を例示したが、７角形以上であっても同様の作用・効果を奏する。また、図６及び図７では正６角形の素子を図示したが、必ずしも正多角形である必要はない。
【００３２】
（第３実施形態）
上記第１、第２実施形態では、ＴＦＴ素子が円形または６角形以上の多角形である構成を用いて説明したが、従来と同様に矩形、例えば正方形とすることも可能である。
具体的には、本実施の形態では、図８に示すように、外部接続用の端子（接続用端子）２６は、平面視正方形状のＴＦＴ素子６の外周部から離間した内側に、ＴＦＴ素子６の中心を通る軸周りに互いに間隔をあけて環状（放射状）に複数配置されている。
このＴＦＴ素子の場合、上記と同様に千鳥状に配置してもよいし、図９に示すように、格子状に配置することも可能であり、いずれの場合であってもデッドスペースを最小限にしてより多くのＴＦＴ素子を形成することができる。
【００３３】
上記の構成では、素子の外周と端子２６との隙間を大きくすることができるため、端子２６をカバーできるように塗布した導電性接着剤が拡がった場合でも、ＴＦＴ素子６からはみ出すことを防止することも可能となる。そのため、従来と同様の外形形状（矩形状）を有するＴＦＴ素子を用いる場合であっても、ＴＦＴ基板１６上により多くのＴＦＴ素子６を形成することが可能となり、歩留まりが向上し生産効率を上げることができるとともに、コストダウンを図ることができる。
特に、端子２６が環状に配置されているため、加圧により導電性接着剤が等方的に拡がった場合に、端子２６よりも外側にはみ出す接着剤の量を最小限に抑えることが可能になり、結果として導電性接着剤がＴＦＴ素子６からはみ出す可能性を低くすることができる。
また、本実施の形態では、導電性接着剤を実装する際の素子からのはみ出しを考慮しなくてもよいため、印刷等の実装条件により多くのマージンを付加することができ、実装工程を一層安定して行うことが可能となる。
【００３４】
なお、上記実施の形態では、配線基板２にＥＬ基板３を接合して有機ＥＬ表示体１を製造する構成として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の機能性基板、例えば液晶表示素子基板を配線基板２に接合して液晶表示体（電気光学装置）を製造する構成としてもよい。この場合、ＴＦＴ素子６は、液晶表示素子の駆動のためのスイッチング素子として機能することになる。
【００３５】
図１０に、本発明の電気光学装置を適用した電子機器の具体例について説明する。
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の有機ＥＬ表示体１や液晶表示体を備えた表示部を示している。
図１０（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の有機ＥＬ表示体１や液晶表示体を備えた表示部を示している。
図１０（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の有機ＥＬ表示体１や液晶表示体を備えた表示部を示している。
図１０（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の有機ＥＬ表示体１や液晶表示体を備えたものであるので、小型化、薄型化及び高品質化が可能となる。
なお、本実施形態の電子機器は有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備えるものとしたが、液晶装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００３６】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００３７】
例えば、上記実施の形態では、ＴＦＴ基板１６上の一部のＴＦＴ素子６を配線基板２に転写する構成としたが、予めＴＦＴ基板上の画素領域に対応した位置にＴＦＴ素子を複数形成しておき、全てのＴＦＴ素子を一括して配線基板２に転写する構成としてもよい。
さらに、上記実施の形態では、転写用素子としてＴＦＴ素子を配線基板２に転写する構成としたが、ＴＦＴ素子以外にも、薄膜ダイオード、その他の薄膜半導体デバイス、電極（例：ＩＴＯ、メサ膜のような透明電極）、太陽電池やイメージセンサ等に用いられる光電変換素子、スイッチング素子、メモリー、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セラミックス）、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体等の記録媒体、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクター、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、ダイクロイックミラー、偏光素子等の光学薄膜、半導体薄膜、超伝導薄膜（例：ＹＢＣＯ薄膜）、磁性薄膜、金属多層薄膜、金属セラミック多層薄膜、金属半導体多層薄膜、セラミック半導体多層薄膜、有機薄膜と他の物質の多層薄膜等が挙げられる。
このなかでも、特に、薄膜デバイス、マイクロ磁気デバイス、マイクロ三次元構造物の構成、アクチュエータ、マイクロミラー等に適用することの有用性が高いことから好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】配線基板とＥＬ基板とが接合された有機ＥＬ表示体の部分断面図である。
【図２】ＴＦＴ基板の部分断面図である。
【図３】ＴＦＴ素子の平面図である。
【図４】ＴＦＴ基板上に配列されたＴＦＴ素子の部分平面図である。
【図５】有機ＥＬ表示体の製造手順を示す図である。
【図６】第２実施形態のＴＦＴ素子を示す平面図である。
【図７】図６のＴＦＴ素子がＴＦＴ基板上に配列された部分平面図である。
【図８】第３実施形態のＴＦＴ素子を示す平面図である。
【図９】図８のＴＦＴ素子がＴＦＴ基板上に配列された部分平面図である。
【図１０】本発明の電気光学装置を適用した電子機器の具体例を示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１…有機ＥＬ表示体（電気光学装置）、  ２…配線基板（回路基板）、  ３…ＥＬ基板（電気光学パネル、有機ＥＬ素子基板）、  ６…ＴＦＴ素子（転写用素子、薄膜トランジスタ素子）、  ８…接続パッド（配線）、  １６…ＴＦＴ基板（転写用基板、基板）、  １８…接着剤、  １９…透光性耐熱基板（ベース）、  ２０…剥離層、  ２６…端子（接続用端子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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