(57)【要約】【課題】画質向上を実現しながら、半導体素子の発熱体の熱を効率的に放熱器に伝えることができ、均熱性能の向上が図れるディスプレイ装置の放熱構造を提供する。【解決手段】剥き出しの放熱フィン２３と一体になった半導体素子２を、前記放熱フィンがプリント基板に密着導通するように固定し、前記半導体素子２を冷却する放熱器１と前記半導体素子２と前記放熱器１との間に挟んで熱伝導絶縁物３とを設け、前記放熱フィン２３と前記放熱器１が前記熱伝導絶縁物３を介して密着するように構成する。【選択図】図１ 
2005109139.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
剥き出しの放熱フィンと一体になった半導体素子であって、前記放熱フィンがプリント基板に密着導通するように固定し、放熱器が前記放熱フィンと前記放熱器との間に挟んだ熱伝導絶縁物を介して前記放熱フィンに密着する構成としたことを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
剥き出しの放熱フィンと一体となって複数個配列した半導体素子であって、放熱器を前記複数個配列された半導体素子の前記放熱フィンの上部のみを覆うように配置して構成したことを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項３】
剥き出しの放熱フィンと一体となった半導体素子を複数個配列し、放熱器を前記複数個配列された半導体素子の全体を覆うように配置して構成したことを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項４】
剥き出しの放熱フィンと一体となった半導体素子を、前記放熱フィンが互いに向きあうように複数個配列し、放熱器を前記放熱フィンの上部のみを覆うように配置して構成したことを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項５】
剥き出しの放熱フィンと一体となった半導体素子を、前記放熱フィンが互いに向きあうように複数個配列し、前記放熱器を前記放熱フィン部で凸の形状として、前記複数個配列された半導体素子の全体を覆うように配置して構成したことを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項６】
放熱器が前記剥き出しの放熱フィンと一体となった半導体素子が複数個配列されている放熱フィン部に密着する部分と、前記半導体素子の筐体を覆う部分とで分離した構成としたことを特徴とする請求項３または請求項５記載の半導体素子。
【請求項７】
画像を表示するディスプレイ素子と、前記ディスプレイ素子を駆動する回路を搭載したプリント基板を備え、前記駆動回路を構成する半導体素子が、剥き出しの放熱フィンと一体となった構造であり、前記放熱フィンがプリント基板に密着導通するように固定され、前記半導体素子を冷却する放熱器が、前記放熱フィンと前記放熱器との間に挟んだ熱伝導絶縁物を介して、前記放熱フィンに密着する構成となされたことを特徴とするディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子およびそれを用いたディスプレイ装置に関するものであり、特にディスプレイ装置が備える半導体素子などの発熱部品の放熱構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、一般的な半導体素子の放熱構造は、トランジスタやＦＥＴなどの発熱部品の回路基板への実装構造において、発熱部品と回路基板との接触部に少なくとも接触部以上の面積を有する導体パターンを形成し、この導体パターンに発熱部品を密着固定する実装構造を備えている。図１１に従来の半導体素子の構造を説明する。
【０００３】
図１１において、ＦＥＴ７０は、端子リード７２を備えており、この端子リード７２を介してプリント基板７４と電気的に接続されている。またＦＥＴ７０は、プリント基板７４上に設けられた銅パターン７３上に接触して固定される。特にＦＥＴ７０の発熱部分を銅パターンと接触させ、ビス７１によって、銅パターン７３を介してＦＥＴ７０とプリント基板７４を固定して密着させることで、ＦＥＴ７０の熱は銅パターン７３に伝導され、放熱が行われる。（例えば、特許文献１参照）。
また他の半導体素子の放熱構造の例として図１０を用いてその概略を説明する。
図１０（ａ）はプリント基板上に配置された横置き型のＦＥＴを示す上面図であり、図１０（ｂ）はその側面図である。半導体素子である横置き型のＦＥＴは樹脂パッケージ２１の内部に供えられており、プリント基板４上の配線パターン５とは端子リード２２と接続されている。この樹脂パッケージ２１には熱伝導性の絶縁物３を介して放熱器８０１が備えられ、ＦＥＴの冷却を行うことが知られている。
【特許文献１】特開平２−５８２５６号公報（第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のプラズマディスプレイ装置において、駆動回路を構成する半導体素子の端子リードの持つインダクタンスにより、パルス状の電圧波形にリンギングが発生し、画質が劣化するという課題がある。これを低減する構成として、図１０で示す構成のように、横置き型のＦＥＴ等をプリント基板上に平面実装し、プリント基板上の配線パターンとＦＥＴの背面に内装されたドレイン端子を直接半田付けすることでインダクタンス成分を低減し、画質劣化を低減する。
【０００５】
このとき、（特許文献１）や、または横置き型ＦＥＴを平面実装しその上部に放熱器を備える従来技術では、確かに放熱器によって半導体素子の樹脂パッケージは冷却されるが、この放熱器と半導体素子内部の発熱体（半導体チップ）は樹脂パッケージによりその距離が遠くなり、発熱体と放熱器間の熱抵抗が大きな状態で冷却する構成となるので、十分な冷却効果が得られない。特に半導体素子を並列接続して多数個の半導体素子を使用する場合などにおいては、発熱量がかなり大きくなることから、半導体素子から発生する熱を十分に放熱できないという課題が発生する。
さらには、ディスプレイ装置の駆動回路が複数の発熱する回路ブロックを有する場合、特定の回路ブロックの発熱が大きいと、その回路ブロックのみ温度が高くなりすぎ、熱バランス設計が難しくなる課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の放熱構造は、放熱フィンと一体になった半導体素子の冷却を、半導体素子を冷却する放熱器と半導体と放熱器との間に熱伝導絶縁物とを設け、前記放熱フィンと前記放熱器が前記熱伝導絶縁物を介して接触する構成としたことを特徴とする半導体素子の放熱構造である。
また、本発明の放熱構造は、放熱フィンと一体となった半導体素子が、放熱フィンが向き合うように複数個配列され、前記放熱フィンが向き合うように複数個配列された半導体素子の全体を覆う放熱器とから構成されていることを特徴とする半導体素子の放熱構造である。
【０００７】
また、本発明の放熱構造は前記放熱器が、前記半導体素子の放熱フィンが向きあうように配列されている放熱フィン部で凸の形状をしている放熱器から構成されていることを特徴とする半導体素子の放熱構造である。
【０００８】
また、本発明の放熱構造は前記半導体素子の放熱フィンが向きあうように配列されている放熱フィン部のみを冷却する放熱器から構成されていることを特徴とする半導体素子の放熱構造である。
【０００９】
さらに本発明は、半導体素子の放熱フィンが向きあうように配列されている放熱フィン部に半導体素子の筐体とのスペースを埋めるように金属片を設ける構成とし、前記金属片と前記半導体素子の全体を覆う放熱器とから構成されていることを特徴とする半導体素子の放熱構造である。
【００１０】
また前記半導体素子の放熱フィンが向きあうように配列されている放熱フィン部に半導体素子の筐体とのスペースを埋めるように金属片を設ける構成とし、前記金属片と前記半導体素子の全体を覆う放熱器とから構成されていることを特徴とする半導体素子の放熱構造である。
【００１１】
さらに本発明は、以上のような放熱構造を備える半導体素子、すなわち放熱フィンと一体になり、放熱器とこの放熱フィンとの間に熱伝導絶縁物を挟み、放熱フィンと放熱器が前記熱伝導絶縁物を介して密着する構成とした放熱構造をそなえている半導体素子を用いたディスプレイ装置に関するものである。
【発明の効果】
【００１２】
この構成により、半導体素子は発熱体の熱を樹脂を介さずに放熱器に伝えることができるので、効率よく放熱を実現できる。
また、画質向上を実現しながら、半導体素子の発熱体の熱を効率的に放熱器に伝えることができ、熱の均熱性能の向上と、部品点数削減、および組立工数の低減によるコストの低減が図れる。
【００１３】
また、この半導体素子を活用したディスプレイ装置全体でも、熱の均熱性能の向上と、部品点数削減、および組立工数の低減によるコストの低減が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
【００１５】
図１は、本発明の第一の実施の形態である半導体素子および放熱器の配置を示す図であり、図１（ａ）は上から見た上面図、図１（ｂ）はその側面図である。
【００１６】
図1（ａ）と図1（ｂ）に示すように、本実施の形態の半導体素子の放熱構造は、発熱部品である半導体素子２本体とその発熱を放熱する放熱器１と、半導体素子２と放熱器１との間に熱伝導絶縁物３を設けた構成となっている。また、半導体素子２は樹脂パッケージ２１と端子リード２２と剥き出しの放熱フィン２３とから構成され、放熱フィン２３は端子リードも兼ねている。放熱フィン２３およびそれ以外の端子リード２２はプリント基板４上に配線された配線パターン５に接続され回路を構成する。
【００１７】
図１（ｂ）のように、横置きにした半導体素子２の放熱フィン２３と、半導体素子２から発熱される熱を放熱する放熱器１とは、放熱フィン２３と放熱器１との間に挟まれて設置される熱伝導絶縁物３とで密着する構成となっている。このため樹脂パッケージ２１内部に埋め込まれている発熱体、すなわち半導体チップ（図示せず）からの発熱は、樹脂パッケージ２１内部から直接接続されている端子リードも兼ねている放熱フィン２３を伝わって、放熱器１へ導かれ、放熱されることになる。
【００１８】
したがって、本発明の構成により、従来の構成の図１１、図１０に示すような構成、すなわち、発熱部品であるＦＥＴ７０をプリント基板７４へ横置きで実装し、ＦＥＴ７０とプリント基板７４との接触部に銅パターン７３を形成しこの銅パターン７３にＦＥＴ７０を密着固定するようにする構成（図１１）や、横置き型ＦＥＴの樹脂パッケージ２１のみを熱伝導絶縁物３を介して放熱器８０１で冷却する構成（図１０）と比較して、発熱体からの熱の伝わりやすさを表す熱抵抗を極めて小さくできる。
【００１９】
したがって、非常に放熱効率のよい放熱構造となるため、放熱器１を小さくすることが可能となり、実装容積の小さいコンパクトで低コストな構造にできる。
【００２０】
また、放熱フィン２３が端子リードも兼ねているため、配線パターン５との接触面積を広くできるので、端子リードの持つインダクタンスを、極めて小さくすることができる。この半導体素子２がFETであるとすれば、放熱フィン２３をドレイン端子とすることにより、ドレインからソースへと流れる交流電流に対して、低インピーダンスの経路が形成できることになる。これによって、半導体素子２での電圧波形のドロップ（歪み）が極めて小さくなるのである。
【００２１】
（実施の形態２）
図２（ａ）は、本発明の第二の実施の形態である半導体素子および放熱器の配置を示す上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）における本発明の第二の実施の形態である半導体素子の放熱構造の側面図である。
【００２２】
図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように本発明による放熱構造は発熱部品である半導体素子２とその発熱を放熱する放熱器１１と半導体素子２と放熱器１１との間に熱伝導絶縁物３を設けた構成である。また、半導体素子２は樹脂パッケージ２１と端子リード２２と剥き出しの放熱フィン２３とから構成され、放熱フィン２３は端子リードも兼ねている。放熱フィン２３およびそれ以外の端子リード２２はプリント基板４上に配線された配線パターン５に接続され回路を構成する。
図２（ｂ）において横置きにした半導体素子２と、この半導体素子２の熱を放熱する放熱器１１とは、半導体素子２の全体を覆うように放熱器１１との間に挟まれ設置される熱伝導絶縁物３とで密着する構成となっている。このため樹脂パッケージ２１の内部に埋め込まれている発熱体、すなわち半導体チップ（図示せず）と樹脂パッケージ２１の内部で接続されている端子リードも兼ねている放熱フィン２３を直接冷却すると同時に、樹脂パッケージ２１を介しても同時に冷却することになる。したがって、本発明の構成であると、（実施の形態１）で説明したのと同様の理由に加えて、樹脂パッケージ２１を介しての放熱も可能となるので、従来例よりも発熱体からの熱の伝わりやすさを表す熱抵抗を極めて小さくできる。
【００２３】
また、放熱フィン２３が端子リードを兼ねている点も、（実施の形態１）と同様であるため、半導体素子２での電圧波形のドロップ（歪み）が極めて小さくなるのである。なお、図１および図２では複数個の半導体素子２を並列に実装した例を示しているが、個数は１個以上何個であってもよいことは言うまでもない。
【００２４】
（実施の形態３）
図３（ａ）は、本発明の第三の実施の形態である半導体素子および放熱器の配置を示す上面図であり、また図３（ｂ）は図３（ａ）における本実施の形態である半導体素子の放熱構造の側面図である。
【００２５】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、本実施の形態による放熱構造は、放熱フィン２３と一体となった半導体素子２の放熱フィン２３が互いに向き合うように複数個配列され、それらの半導体素子２の放熱フィン２３の部分の上部にのみ設置された放熱器２０１とから構成され、発熱部品である半導体素子２と半導体素子２の発熱を冷却する放熱器２０１と半導体素子２との間に熱伝導絶縁物３を放熱フィン２３の部分に挟み設置した構成となっている。
【００２６】
また、半導体素子２は樹脂パッケージ２１と端子リード２２と放熱フィン２３とから構成され、放熱フィン２３は端子リードも兼ねている。放熱フィン２３および端子リード２２はプリント基板４上に配線された配線パターン５に接続され回路を構成する。
【００２７】
図３（ｂ）において、横置きにした放熱フィン２３と一体となった半導体素子２の発熱を冷却する放熱器２０１とは放熱フィン２３との間に設置される熱伝導絶縁物３で密着する構成となっている。このため樹脂パッケージ２１内部に埋め込まれている発熱体、すなわち半導体チップ（図示せず）と、樹脂パッケージ２１内部で接続されている端子リードも兼ねている放熱フィン２３を直接冷却することになる。このとき、放熱器２０１が放熱フィン２３を向かい合わせに多数配列された半導体素子２の全ての放熱フィン２３を直接冷却することができる。
【００２８】
したがって、本実施の形態例の構成であると、極めて多数の半導体素子２の発熱体からの熱の伝わりやすさを表す熱抵抗を極めて小さくできる。また、放熱フィン２３が端子リードを兼ねている点も、（実施の形態２）と同様であるため、半導体素子２での電圧波形のドロップ（歪み）が極めて小さくなるのである。
【００２９】
あわせて、一つの放熱器で全体を冷却および放熱するので、部品点数削減、および組立工数の低減ができ、コスト低下が図れる。
【００３０】
（実施の形態４）
図４（ａ）は、本発明の第四の実施の形態である半導体素子および放熱器の配置を示す上面図であり、図４（ｂ）、図４（ｃ）は本発明の第三の実施の形態である半導体素子の放熱構造の側面図である。
【００３１】
図４に示すように、本発明による放熱構造は、剥き出しの放熱フィン２３と一体となった半導体素子２の放熱フィン２３同士が、互いに向き合うように複数個配列され、それら半導体素子２の全体を覆う放熱器１０１とから構成され、発熱部品である半導体素子２とその発熱を放熱する放熱器１０１との間に熱伝導絶縁物３を設けた構成であり、前記放熱器１０１は放熱フィン２３部で凸の形状をしている。
【００３２】
図４（ｂ）は、熱伝導絶縁物３を放熱フィン２３の部分だけに設置した例であり、一方、図４（ｃ）は、熱伝導絶縁物３を放熱フィン２３と樹脂パッケージ２１の部分に設けた例を示している。
【００３３】
図４（ｂ）の場合においては、樹脂パッケージ２１と放熱器１０１との間には、シリコングリス等の熱伝導物質を挟むことにしてもよい（図示せず）。また、半導体素子２は樹脂パッケージ２１と端子リード２２と放熱フィン２３とから構成され、放熱フィン２３は端子リードも兼ねている。放熱フィン２３およびそれ以外の端子リード２２はプリント基板４上に配線された配線パターン５に接続され回路を構成する。
【００３４】
図４において、横置きにした放熱フィン２３と一体となった半導体素子２と、この半導体素子２の熱を放熱する放熱器１０１とは、半導体素子２の全体を覆うように放熱器１０１との間に挟まれ設置される熱伝導絶縁物３とで密着する構成となっている。すなわち、樹脂パッケージ２１と放熱フィン２３とは高さが異なるため、放熱フィン２３の上には、凸状に突き出した放熱器１０１が配置されている。
【００３５】
このため樹脂パッケージ２１内部に埋め込まれている発熱体、すなわち半導体チップ（図示せず）と、樹脂パッケージ２１の内部で接続されている端子リードも兼ねている放熱フィン２３を直接冷却すると同時に、樹脂パッケージ２１を介しても同時に冷却することになる。
【００３６】
またこのとき、放熱器１０１が放熱フィン２３を向かい合わせに複数個配列された半導体素子２の全てを覆う構成となっているので、１個の放熱器１０１で、多数の配列された半導体素子２の全ての放熱フィン２３および全ての樹脂パッケージ２１も同時に冷却することができる。
【００３７】
したがって、本発明の構成であると、（実施の形態２）で説明したのと同様の理由で、極めて多数の半導体素子２の発熱体からの熱の伝わりやすさを表す熱抵抗を極めて小さくできる。また、放熱フィン２３が端子リードを兼ねている点も、（実施の形態２）と同様であるため、半導体素子２での電圧波形のドロップ（歪み）が極めて小さくなるのである。あわせて、一つの放熱器で全体を冷却するので、部品点数削減、および組立工数の低減ができ、コスト低下が図れる。
【００３８】
（実施の形態５）
図５（ａ）は本発明の第五の実施の形態例である、半導体素子および放熱器の配置を示す上面図であり、また図５（ｂ）は、本実施の形態である半導体素子の放熱構造の側面図である。図５（ａ）に示すように本実施の形態は、半導体素子２と一体となっている剥き出しの放熱フィン２３が向きあうように配列されている放熱フィン２３部に前記半導体素子２の樹脂パッケージ２１との高さの相違で生じるスペースを埋めるように金属片６を設ける構成とし、前記金属片６と前記半導体素子２の全体を覆う放熱器７０１とから構成されている。また、前記半導体素子２は樹脂パッケージ２１と端子リード２２と放熱フィン２３とから構成され、前記放熱フィン２３は端子リードも兼ねている。
【００３９】
放熱フィン２３および端子リード２２は、プリント基板４上に配線された配線パターン５に接続され回路を構成する。ここで、図５（ｂ）と図５（ｃ）との違いは、熱伝導絶縁物３を放熱フィン２３の上部のみに配置するか、樹脂パッケージ２１の上部まで覆うように配置するかの違いである。
【００４０】
この構成により、特殊な形状でない汎用的な放熱器で複数の半導体素子の発熱体の熱を効率的に放熱器に伝えることができ、部品点数削減、および組立工数の低減によるコスト低下が図る。
【００４１】
（実施の形態６）
図６は本発明の第六の実施の形態である半導体素子の放熱構造の側面図である。図６に示すように（実施の形態６）は、半導体素子３０の発熱を放熱する放熱器４０１と半導体素子３０との間に熱伝導絶縁物３を設けた構成で構成される。また、半導体素子３０は樹脂パッケージ３１と端子リード３２と放熱フィン３３とから構成され、放熱フィン３３は端子リードも兼ねている。放熱フィン３３の樹脂パッケージ３１に内包される部分（破線で図示している）および端子リード２２はプリント基板４上に配線された配線パターン５に接続され回路を構成する。
【００４２】
図６に示すように半導体素子３０と一体になっている剥き出しの放熱フィン３３の形状が樹脂パッケージ３１の面と高さが一致する構造となっている。これにより樹脂パッケージ３１と放熱フィン３３が均一面で構成されるため、汎用形状の放熱器で効果的に半導体素子を冷却できる。
【００４３】
（実施の形態７）
図７は本発明の第七の実施の形態である半導体素子の放熱構造の側面図である。図７に示すように本実施の形態は、半導体素子４０の発熱を冷却する放熱器５０１と半導体素子４０との間に熱伝導絶縁物３を設けた構成で構成される。また、半導体素子４０は樹脂パッケージ４１と端子リード４２と放熱フィン４３とから構成され、放熱フィン４３は端子リードも兼ねている。放熱フィン４３および端子リード４２はプリント基板４上に配線された配線パターン５に接続され回路を構成する。
【００４４】
図７に示すように半導体素子４０と一体になっている放熱フィン４３の形状が樹脂パッケージ４１の表面側を覆う構造となっている（図７では破線で図示している）。これにより放熱フィン４３が汎用形状の放熱器で効果的に半導体素子を冷却できる。
【００４５】
次に上述した実施の形態をプラズマディスプレイ装置に適用した具体例を説明する。図９は本発明の実施例であるプラズマディスプレイ装置の構成図である。プラズマディスプレイ装置５０は、映像信号から同期信号を分離する同期分離回路５１と、映像信号を処理する信号処理回路５２と、プラズマパネル６２を駆動させるタイミング発生回路５３と、画像の階調表示を変換する階調表示変換回路５４と、データをデータ電極６１へ出力するデータ駆動回路５５と、プラズマディスプレイの初期化放電および書き込み放電を実現するため走査電極６０へ出力する初期化・維持駆動回路５６および走査駆動回路５７と維持電極５９へ出力をする維持駆動回路５８とパネル６２とから構成される。
【００４６】
このプラズマディスプレイ装置５０を構成する初期化・維持駆動回路５６と走査駆動回路５７と維持駆動回路５８は複数の半導体素子で構成され、特に充放電に必要な大電力のスイッチング回路として複数のＦＥＴを使用している。このＦＥＴにはプラズマディスプレイの放電を行うため最大約５００Ｖの交流電圧が電極に印加され、ＦＥＴのスイッチング時には最大ピーク値で１００Ａ以上の電流が流れる。そのため、スイッチングにおいて、あるいはＦＥＴがオンしているときに損失が発生し、それが発熱として半導体素子の外部へ出てくる。
【００４７】
この発熱を放熱するため、本実施の形態例では図８に示すように、回路ブロックＡと回路ブロックＢにおいて、剥き出しの放熱フィンと一体型になったＦＥＴを放熱フィンが互いに向かい合うように配列し、回路ブロックＡと回路ブロックＢ全体を一枚の放熱器で覆うように放熱器３０１を設置している。本実施の形態例ではＦＥＴと放熱器３０１との構成は図７および図８に示す構成とした。したがって、複数のＦＥＴの放熱フィン２３部を直接かつ全てを均一に放熱できる構成となっている。また、あわせて樹脂パッケージ２１も冷却できるのでその効果は非常に大きい。
【００４８】
さらに図８に示す構成の回路基板の放熱フィンの方向を、プラズマディスプレイ装置の垂直方向になるように配置させることで、プラズマディスプレイ装置の内部に発生する熱を、プラズマディスプレイ装置の上部に流れやすくするので、半導体素子の放熱とあわせてディスプレイ装置の放熱の効果をあげることができる。
【００４９】
また、放熱器を一枚で構成したことで、ビスなどの部品点数が削減できる。あわせて、取り付け放熱器がどんなに半導体素子が増えても一つ構成されるので、組立工数は半導体素子の数量に依存しないので、工数削減も実現でき、部品点数削減および組立工数削減とコスト低減が実現できる。
【００５０】
また、複数のＦＥＴの放熱フィンが直接プリント基板に接続されるので、リード端子の持つインダクタンスが極めて小さくなり、１００Ａ以上のピーク電流が流れた場合にも、電圧波形のドロップ、すなわち波形歪みが極めて小さくなり、プラズマ放電特性に与える影響がなく、ディスプレイの画質に影響を与えることがないのである。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
以上のように本発明によれば、放熱構造を必要とする半導体、またはこのような半導体を利用して開発される表示装置において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施の形態例である半導体素子と放熱器の上面図と側面図
【図２】本発明の一実施の形態例である半導体素子と放熱器の上面図と側面図
【図３】本発明の一実施の形態例である半導体素子と放熱器の上面図と側面図
【図４】本発明の一実施の形態例である半導体素子と放熱器の上面図と側面図
【図５】本発明の一実施の形態例である半導体素子と放熱器の上面図と側面図
【図６】本発明の一実施の形態例である半導体素子と放熱器の側面図
【図７】本発明の一実施の形態例である半導体素子と放熱器の側面図
【図８】本発明の一実施の形態例である半導体素子の放熱構造側面図
【図９】本発明の具体例であるプラズマディスプレイ装置の構成図
【図１０】従来の半導体素子の放熱構造側面図
【図１１】従来の半導体素子の放熱構造側面図
【符号の説明】
【００５３】
１    放熱器
２    半導体素子
３    熱伝導絶縁物
４    プリント基板
５    配線パターン
６    金属片
１１    放熱器
２１    樹脂パッケージ
２２    端子リード
２３    放熱フィン
３０    半導体素子
３１    樹脂パッケージ
３２    端子リード
３３    放熱フィン
４０    半導体素子
４１    樹脂パッケージ
４２    端子リード
４３    放熱フィン
５０    プラズマディスプレイ装置
５１    同期分離回路
５２    信号処理回路
５３    パネル駆動タイミング発生回路
５４    階調表示変換回路
５５    データ駆動回路
５６    初期化・維持駆動回路
５７    走査駆動回路
５８    維持駆動回路
【図１】
2005109139.tif 000003
【図２】
2005109139.tif 000004
【図３】
2005109139.tif 000005
【図４】
2005109139.tif 000006
【図５】
2005109139.tif 000007
【図６】
2005109139.tif 000008
【図７】
2005109139.tif 000009
【図８】
2005109139.tif 000010
【図９】
2005109139.tif 000011
【図１０】
2005109139.tif 000012
【図１１】
2005109139.tif 000013