(57)【要約】【課題】  微細な凸凹形状の撥水性構造の製造工程数を少なくする。【解決手段】  基材１の上面にＳｉＯ2からなる柱状突起形成用膜を成膜する。次に、柱状突起形成用膜の上面に、蒸着法により、Ａｌ2Ｏ3からなる多数の粒子４をランダムに形成する。すなわち、柱状突起形成用膜の上面に蒸着法により形成されるＡｌ2Ｏ3の膜厚が５０〜１００Åになるようにすると、Ａｌ2Ｏ3が膜状に形成されず、Ａｌ2Ｏ3からなる島状の多数の粒子４がランダムに形成される。次に、粒子４をマスクとして柱状突起形成用膜をハーフエッチングすると、粒子４下に柱状突起３が形成されるとともに、柱状突起３を支持する柱状突起支持層２が形成される。次に、粒子４および柱状突起３を含む柱状突起支持層２の表面に撥水膜５を形成する。この場合、マスクとなる粒子４を蒸着法によりＡｌ2Ｏ3で島状に形成しているため、フォトリソグラフィ法による場合と比較して、製造工程数を少なくすることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に多数の柱状突起が一体的に形成された柱状突起支持層と、前記柱状突起上に設けられた粒子と、該粒子および前記柱状突起を含む前記柱状突起支持層の表面に設けられた撥水膜とを具備することを特徴とする撥水性構造。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記柱状突起の高さはほぼ同じであることを特徴とする撥水性構造。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記柱状突起の高さは異なることを特徴とする撥水性構造。
【請求項４】
請求項１に記載の発明において、前記柱状突起を含む前記柱状突起支持層、前記粒子および前記撥水膜は透明な材料からなることを特徴とする撥水性構造。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、前記柱状突起を含む前記柱状突起支持層、前記粒子および前記撥水膜は絶縁性材料からなることを特徴とする撥水性構造。
【請求項６】
請求項１に記載の発明において、前記柱状突起を含む前記柱状突起支持層はＳｉＯ2またはＳｉＮからなることを特徴とする撥水性構造。
【請求項７】
請求項１に記載の発明において、前記粒子はＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、Ｔａ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3のいずれかからなることを特徴とする撥水性構造。
【請求項８】
請求項１に記載の発明において、前記柱状突起支持層は基材上に設けられていることを特徴とする撥水性構造。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、前記柱状突起支持層と前記基材との間に電極が設けられていることを特徴とする撥水性構造。
【請求項１０】
請求項９に記載の発明において、前記電極はＩＴＯからなることを特徴とする撥水性構造。
【請求項１１】
請求項９に記載の発明において、前記柱状突起支持層と前記電極との間に絶縁膜が設けられていることを特徴とする撥水性構造。
【請求項１２】
請求項１１に記載の発明において、前記絶縁膜はＡｌ2Ｏ3からなることを特徴とする撥水性構造。
【請求項１３】
基材上に柱状突起形成用膜を形成し、前記柱状突起形成用膜上に多数の粒子を形成し、前記粒子をマスクとして前記柱状突起形成用膜をハーフエッチングして前記粒子下に柱状突起を形成するとともに、前記柱状突起を支持する柱状突起支持層を形成し、前記粒子および前記柱状突起を含む前記柱状突起支持層の表面に撥水膜を形成することを特徴とする撥水性構造の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の発明において、前記柱状突起形成用膜上に多数の粒子を形成した後に、その上に少なくとも１層の上層柱状突起形成用膜を形成し、前記上層柱状突起形成用膜上に多数の上層粒子を形成し、前記上層粒子をマスクとして前記上層柱状突起形成用膜をエッチングし、次いで前記上層粒子および前記粒子をマスクとして前記柱状突起形成用膜をハーフエッチングして前記上層粒子下および前記粒子下に柱状突起を形成するとともに、これらの柱状突起を支持する柱状突起支持層を形成することを特徴とする撥水性構造の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３または１４に記載の発明において、前記柱状突起形成用膜を蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法のいずれかによりＳｉＯ2またはＳｉＮを成膜して形成することを特徴とする撥水性構造の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３または１４に記載の発明において、前記粒子を蒸着法によりＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、Ｔａ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3のいずれかで島状に形成することを特徴とする撥水性構造の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の発明において、前記粒子の高さを５０〜１００Åとすることを特徴とする撥水性構造の製造方法。
【請求項１８】
請求項１３または１４に記載の発明において、前記エッチングは、１Ｐａ以下の真空状態でＣＦ4とＯ2の混合プラズマを発生することができるヘリコン式プラズマエッチング装置を用いて行なうことを特徴とする撥水性構造の製造方法。
【請求項１９】
請求項１３または１４に記載の発明において、前記基材上にＩＴＯ膜を形成し、前記ＩＴＯ膜上に前記柱状突起形成用膜を形成することを特徴とする撥水性構造の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の発明において、前記ＩＴＯ膜上にＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に前記柱状突起形成用膜を形成することを特徴とする撥水性構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は撥水性構造およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェットプリンタや表示素子の電極表面に撥水性をもたせインクとの摩擦抵抗あるいは集滴性を向上する検討がなされている。基材の撥水性、親水性を示す接触角に関して成り立つヤングの式によれば、基材の表面が滑らかでなく微細な凹凸構造を有し、その実表面積が大きくなるとその大きくなった倍率に比例して接触角が増大する。このことは接触角が正（９０度以下）の場合も負（９０度以上）の場合も成立するため、親水性を示す基材はより親水性を示し、撥水性を示す基材はより撥水性を示すようになる。図１１（ａ）において、基材である固体Ｓの表面が滑らかな場合、固体Ｓ上でほぼ半球状となる液滴Ｌはその接触角θが９０度程度であるが、図１１（ｂ）に示すように、固体Ｓの表面に微細な凹凸が形成され表面積がｒ倍とされた固体Ｓ上では、液滴Ｌはその接触角θが大きい、球状に近い状態となり、撥水性の大きいものとなる。このような撥水性の大きい撥水体構造を得る従来の方法として、基材の表面にフォトリソグラフィ法により凸凹を形成し、この凸凹の表面に撥水膜を形成したものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２２９４１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の撥水性構造では、基材の表面にフォトリソグラフィ法により凸凹を形成しているため、パターン形成用マスクを必要とする上、レジスト塗布、プリベーク、露光、現像、リンス、ポストベーク、エッチング、レジスト剥離などの工程が必要となり、製造工程数が多いという問題があった。
【０００５】
そこで、この発明は、製造工程数を少なくすることができる撥水性構造およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、上面に多数の柱状突起が一体的に形成された柱状突起支持層と、前記柱状突起上に設けられた粒子と、該粒子および前記柱状突起を含む前記柱状突起支持層の表面に設けられた撥水膜とを具備することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記柱状突起の高さはほぼ同じであることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記柱状突起の高さは異なることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記柱状突起を含む前記柱状突起支持層、前記粒子および前記撥水膜は透明な材料からなることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記柱状突起を含む前記柱状突起支持層、前記粒子および前記撥水膜は絶縁性材料からなることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記柱状突起を含む前記柱状突起支持層はＳｉＯ2またはＳｉＮからなることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記粒子はＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、Ｔａ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3のいずれかからなることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記柱状突起支持層は基材上に設けられていることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、前記柱状突起支持層と前記基材との間に電極が設けられていることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の発明において、前記電極はＩＴＯからなることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明は、請求項９に記載の発明において、前記柱状突起支持層と前記電極との間に絶縁膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明は、請求項１１に記載の発明において、前記絶縁膜はＡｌ2Ｏ3からなることを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明は、基材上に柱状突起形成用膜を形成し、前記柱状突起形成用膜上に多数の粒子を形成し、前記粒子をマスクとして前記柱状突起形成用膜をハーフエッチングして前記粒子下に柱状突起を形成するとともに、前記柱状突起を支持する柱状突起支持層を形成し、前記粒子および前記柱状突起を含む前記柱状突起支持層の表面に撥水膜を形成することを特徴とするものである。
請求項１４に記載の発明は、請求項１３に記載の発明において、前記柱状突起形成用膜上に多数の粒子を形成した後に、その上に少なくとも１層の上層柱状突起形成用膜を形成し、前記上層柱状突起形成用膜上に多数の上層粒子を形成し、前記上層粒子をマスクとして前記上層柱状突起形成用膜をエッチングし、次いで前記上層粒子および前記粒子をマスクとして前記柱状突起形成用膜をハーフエッチングして前記上層粒子下および前記粒子下に柱状突起を形成するとともに、これらの柱状突起を支持する柱状突起支持層を形成することを特徴とするものである。
請求項１５に記載の発明は、請求項１３または１４に記載の発明において、前記柱状突起形成用膜を蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法のいずれかによりＳｉＯ2またはＳｉＮを成膜して形成することを特徴とするものである。
請求項１６に記載の発明は、請求項１３または１４に記載の発明において、前記粒子を蒸着法によりＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、Ｔａ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3のいずれかで島状に形成することを特徴とするものである。
請求項１７に記載の発明は、請求項１６に記載の発明において、前記粒子の高さを５０〜１００Åとすることを特徴とするものである。
請求項１８に記載の発明は、請求項１３または１４に記載の発明において、前記エッチングは、１Ｐａ以下の真空状態でＣＦ4とＯ2の混合プラズマを発生することができるヘリコン式プラズマエッチング装置を用いて行なうことを特徴とするものである。
請求項１９に記載の発明は、請求項１３または１４に記載の発明において、前記基材上にＩＴＯ膜を形成し、前記ＩＴＯ膜上に前記柱状突起形成用膜を形成することを特徴とするものである。
請求項２０に記載の発明は、請求項１９に記載の発明において、前記ＩＴＯ膜上にＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に前記柱状突起形成用膜を形成することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、柱状突起形成用膜上に形成された多数の粒子をマスクとして柱状突起形成用膜をハーフエッチングすると、粒子下に柱状突起を形成することができる。この場合、マスクとなる粒子を蒸着法によりＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、Ｔａ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3のいずれかで島状に形成すると、フォトリソグラフィ法による場合と比較して、製造工程数を少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての撥水性構造の一部の断面図を示す。この撥水性構造では、基材１の上面にＳｉＯ2からなる柱状突起支持層２が設けられている。柱状突起支持層２の上面には多数の柱状突起３が一体的に形成されている。この場合、柱状突起３はランダムに配置されている。柱状突起３の上面にはＡｌ2Ｏ3からなる粒子４が設けられている。粒子４および柱状突起３を含む柱状突起支持層２の表面には撥水膜５が設けられている。
【０００９】
次に、この撥水性構造の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、基材１の上面に、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、ＳｉＯ2からなる柱状突起形成用膜６を膜厚１０００〜１００００Åに成膜する。次に、柱状突起形成用膜６の上面に、蒸着法により、Ａｌ2Ｏ3からなる多数の粒子４をランダムに形成する。すなわち、柱状突起形成用膜６の上面に蒸着法により形成されるＡｌ2Ｏ3の膜厚が５０〜１００Åになるようにすると、Ａｌ2Ｏ3が膜状に形成されず、Ａｌ2Ｏ3からなる島状の多数の粒子４がランダムに形成される。したがって、粒子４の高さは５０〜１００Åである。
【００１０】
次に、図３に示すように、１Ｐａ以下の真空状態でＣＦ4とＯ2の混合プラズマを発生することができるヘリコン式プラズマエッチング装置を用い、粒子４をマスクとして柱状突起形成用膜６をハーフエッチングする。エッチング量は５００〜２０００Åである。すると、粒子４下に柱状突起３が形成される。
【００１１】
ここで、柱状突起形成用膜６の膜厚を２０００Åとし、粒子４の高さを５０Åとし、上記ヘリコン式プラズマエッチング装置を用いてドライエッチングを行なった。エッチング条件は、ソースＲＦ２５０Ｗ、バイアス１５０Ｗ、プロセス圧力０．５Ｐａ、ガス流量ＣＦ4５０ｓｃｃｍ、Ｏ2１０ｓｃｃｍ、処理時間２分３０秒、エッチング量１０００Åとした。
【００１２】
上記ヘリコン式プラズマエッチング装置では、高真空状態でプラズマを発生することができるため、原子、イオン等の平均自由行程が長くとれ、且つ、基材１側にバイアスを印加することで、プラズマ内に発生したイオンを被エッチング膜つまり柱状突起形成用膜６の下面に当て、その部分を改質しながらラジカルでさらにエッチングを促進するため、垂直形状（高アスペク比）の加工が可能となる。
【００１３】
このため、図３に示すように、粒子４下に微細で垂直形状の良好な柱状突起３が形成される。この場合、柱状突起形成用膜６の膜厚は２０００Åであり、エッチング量は１０００Åであるので、柱状突起３の高さは１０００Åである。また、粒子４間の間隔つまり柱状突起３間の間隔は４００〜８００Åである。
【００１４】
次に、図１に示すように、粒子４および柱状突起３を含む柱状突起支持層２の表面に、撥水剤をコーティングして、撥水膜５を形成する。この場合、撥水剤としてシラザンオリゴマー［ＣＦ3（ＣＥ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＮＨ3/2］を用いると、透明で高絶縁性の撥水膜５を形成することができる。かくして、図１に示す撥水性構造が得られる。
【００１５】
以上のように、上記製造方法では、柱状突起形成用膜６の上面に形成された多数の粒子４をマスクとして柱状突起形成用膜６をハーフエッチングすると、粒子４下に柱状突起３を形成することができる。この場合、マスクとなる粒子４を蒸着法によりＡｌ2Ｏ3で島状に形成しているため、フォトリソグラフィ法による場合と比較して、製造工程数を少なくすることができる。
【００１６】
また、ＳｉＯ2からなる柱状突起支持層２、Ａｌ2Ｏ3からなる粒子４およびシラザンオリゴマーからなる撥水膜５は透明であるため、基材１をガラス等の透明な材料によって形成すると、図１に示す撥水性構造全体を透明とすることができる。
【００１７】
（第２実施形態）
図４はこの発明の第２実施形態としての撥水性構造の一部の断面図を示す。この撥水性構造では、基材１１の上面にＳｉＯ2からなる柱状突起支持層１２が設けられている。柱状突起支持層１２の上面には多数の第１、第２の柱状突起１３、１４が一体的に且つランダムに形成されている。この場合、第２の柱状突起１４は第１の柱状突起１３よりも高くなっている。
【００１８】
第１、第２の柱状突起１３、１４の上面にはＡｌ2Ｏ3からなる第１、第２の粒子１５、１６が設けられている。両粒子１５、１６および両柱状突起１３、１４を含む柱状突起支持層１２の表面には撥水膜１７が設けられている。なお、第２の柱状突起１４の所定の途中に第１の粒子１５が存在することもある。
【００１９】
次に、この撥水性構造の製造方法の一例について説明する。まず、図５に示すように、基材１１の上面に、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、ＳｉＯ2からなる第１の柱状突起形成用膜１８を膜厚１０００〜１００００Åに成膜する。次に、第１の柱状突起形成用膜１８の上面に、蒸着法により、Ａｌ2Ｏ3からなる多数の第１の粒子１５を高さ５０〜１００Åでランダムに形成する。
【００２０】
次に、図６に示すように、第１の粒子１５を含む第１の柱状突起形成用膜１８の上面に、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、ＳｉＯ2からなる第２の柱状突起形成用膜１９を膜厚５００〜１００００Åに成膜する。次に、第２の柱状突起形成用膜１９の上面に、蒸着法により、Ａｌ2Ｏ3からなる多数の第２の粒子１６を高さ５０〜１００Åでランダムに形成する。この場合、第１の粒子１５上における第２の柱状突起形成用膜１９の上面に第２の粒子１６が形成されることもある。
【００２１】
次に、上記ヘリコン式プラズマエッチング装置を用い、まず、第２の粒子１６をマスクとして第２の柱状突起形成用膜１９をエッチングすると、図７に示すように、第２の粒子４下に上部柱状突起１４ａが形成され、続いて、第１、第２の１５、１６をマスクとして第１の柱状突起形成用膜１８をハーフエッチングすると、図８に示すように、第１の粒子１５下に第１の柱状突起１３が形成され、第２の粒子１６下に第２の柱状突起１４が形成される。
【００２２】
この場合の全体のエッチング量は（５００〜２０００Å）×（１＋上層追加形成回数）である。ここで、上層追加形成回数とは、第１の粒子１５を含む第１の柱状突起形成用膜１８上に上層柱状突起形成用膜および上層粒子を追加して形成する回数であり、２回以上でもよいが、図６に示す場合は１回であるので、この場合の全体のエッチング量は１０００〜４０００Åとなる。
【００２３】
ここで、第１の柱状突起形成用膜１８の膜厚を２０００Åとし、第２の柱状突起形成用膜１９の膜厚を５００Åとし、第１、第２の粒子１５、１６の高さを５０Åとし、上記ヘリコン式プラズマエッチング装置を用いてドライエッチングを行なった。エッチング条件は、ソースＲＦ２５０Ｗ、バイアス１５０Ｗ、プロセス圧力０．５Ｐａ、ガス流量ＣＦ4５０ｓｃｃｍ、Ｏ2１０ｓｃｃｍ、処理時間５分、エッチング量２０００Åとした。
【００２４】
すると、図８に示すように、第１、第２粒子１５、１６下に微細で垂直形状の良好な第１、第２の柱状突起１３、１４が形成される。この場合、第１の柱状突起形成用膜１８の膜厚は２０００Åであり、第２の柱状突起形成用膜１９の膜厚は５００Åであり、全体のエッチング量は２０００Åであるので、第１の柱状突起１３の高さは１５００Åであり、第２の柱状突起１４の高さは２０００Åである。また、第１の柱状突起１３間の間隔および第２の柱状突起１４間の間隔は４００〜８００Åである。
【００２５】
次に、図４に示すように、第１、第２の粒子１５、１６および第１、第２の柱状突起１３、１４を含む柱状突起支持層１２の表面に、シラザンオリゴマーをコーティングして、撥水膜１７を形成する。かくして、図４に示す撥水性構造が得られる。
【００２６】
このようにして得られた撥水性構造では、第１の柱状突起１３の他に第２の柱状突起１４を備え、第１、第２の柱状突起１３、１４を別工程で形成した第１、第２の粒子１５、１６をマスクとして形成しているため、図１に示す撥水性構造の場合と比較して、実表面積をかなり大きくすることができる。
【００２７】
ところで、図６（図７も同じ）では、図示の都合上、第１の柱状突起形成用膜１８と第２の柱状突起形成用膜１９とをその間に記入した実線で分けているが、実際には、両柱状突起形成用膜１８、１９をＳｉＯ2によって形成しているため、その間に両者を分ける界面は存在しない。したがって、図４および図８に示すように、第２の柱状突起１４は１本の柱状突起となる。
【００２８】
（第３実施形態）
図９はこの発明の第３実施形態としての撥水性構造の一部の断面図を示す。この撥水性構造では、マクスウェル応力によるインク等の流体流動に適用するため、基材１と柱状突起支持層２との間に電極２１が設けられている。この場合、電極２１をＩＴＯ等の透明導電材料によって形成し、基材１もガラス等の透明な材料によって形成すると、図９に示す撥水性構造全体を透明とすることができる。
【００２９】
（第４実施形態）
図１０はこの発明の第４実施形態としての撥水性構造の一部の断面図を示す。マクスウェル応力によるインク等の流体流動では、対向する電極間に電場を印加するが、電池反応を抑えるため、電極を絶縁する必要がある。その際、ＳｉＯ2からなる柱状突起支持層２のみでは、絶縁性が弱い。そこで、図１０に示す撥水性構造では、柱状突起支持層２と電極２１との間に絶縁膜２２が設けられている。この場合、絶縁膜２２をＡｌ2Ｏ3等の透明絶縁材料によって形成し、基材１もガラス等の透明な材料によって形成すると、図１０に示す撥水性構造全体を透明とすることができる。Ａｌ2Ｏ3からなる絶縁膜２２の場合には、その膜厚は１０００〜１００００Åである。
【００３０】
（その他の実施形態）
粒子を形成するための材料は、Ａｌ2Ｏ3に限らず、Ｓｉ3Ｎ4、Ｔａ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3等であってもよい。また、撥水膜を形成するための材料は、シラザンオリゴマーに限らず、長鎖アルキルトリエトキシシラン、フルオルアルキルトリメトキシシラン（ＦＡＳ）等であってもよく、特に、臨界表面張力が２０ｄｙｎ／ｃｍ2以下の撥水剤が好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】この発明の第１実施形態としての撥水性構造の一部の断面図。
【図２】図１に示す撥水性構造の製造に際し、当初の工程の断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】この発明の第２実施形態としての撥水性構造の一部の断面図。
【図５】図４に示す撥水性構造の製造に際し、当初の工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】この発明の第３実施形態としての撥水性構造の一部の断面図。
【図１０】この発明の第４実施形態としての撥水性構造の一部の断面図。
【図１１】（ａ）および（ｂ）は、滑らかな表面および微細な凹凸が形成された表面を有する基材上に搭載された液滴の接触角の変化を説明するための概念図。
【符号の説明】
【００３２】
１  基材
２  柱状突起支持層
３  柱状突起
４  粒子
５  撥水膜
６  柱状突起形成用膜
１１基材
１２  柱状突起支持層
１３  第１の柱状突起
１４  第２の柱状突起
１５  第１の粒子
１６  第２の粒子
１７  撥水膜
１８  第１の柱状突起形成用膜
１９  第２の柱状突起形成用膜
２１  電極
２２  絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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