(57)【要約】【課題】外部電極膜中や外部電極膜と内部電極層の接続部分に残留する陰イオン量を短時間で全数について精度良く測定・制御でき、且つ構造欠陥を防止できる積層セラミックコンデンサの洗浄方法を提供する。【解決手段】矩形状をなす複数の誘電体層２を間に内部電極層３、４を介し積層してコンデンサ素体１を形成するとともに、コンデンサ素体１の端面に内部電極層３、４に電気的に接続される外部電極膜５ａ、６ａを厚膜手法にて形成し、外部電極膜５ａ、６ａの表面に湿式メッキ法にて金属メッキ膜５ｂ〜６ｃを被着させることにより積層セラミックコンデンサ１０を得る工程Ａと、工程Ａで得た積層セラミックコンデンサ１０を洗浄水１１中で煮沸しつつ、洗浄水中１１の陰イオン濃度をイオンクロマトグラフ法にて測定し、測定値が所定値に達した時点で煮沸洗浄を終了する工程Ｂと、を含む積層セラミックコンデンサ１０の洗浄方法である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状をなす複数の誘電体層を間に内部電極層を介し積層してコンデンサ素体を形成するとともに、該コンデンサ素体の端面に前記内部電極層に電気的に接続される外部電極膜を厚膜手法にて形成し、該外部電極膜の表面に湿式メッキ法にて金属メッキ膜を被着させることにより積層セラミックコンデンサを得る工程Ａと、
前記工程Ａで得た積層セラミックコンデンサを洗浄水中で煮沸しつつ、洗浄水中の陰イオン濃度をイオンクロマトグラフ法にて測定し、該測定値が所定値に達した時点で煮沸洗浄を終了する工程Ｂと、を含む積層セラミックコンデンサの洗浄方法。
【請求項２】
前記工程Bで煮沸洗浄された積層セラミックコンデンサに４０℃以下の条件下で遠心力を加えることによって、その表面に残存するメッキ成分を含む洗浄水を分離除去する工程Cをさらに含む請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は積層セラミックコンデンサの洗浄方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサは、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などを主成分とし、矩形状をなす複数の誘電体層を間に内部電極層を介し積層したコンデンサ素体と、コンデンサ素体の端面に形成されるとともに、内部電極層に電気的に接続されるＮｉ、Ｃｕなどからなる外部電極膜と、外部電極膜の表面に被着させるＮｉメッキ、Ｓｎメッキなどの金属メッキ膜とからなる。また、外部電極膜は、厚膜手法にて形成されるとともに、金属メッキ膜は、各種イオンを含有するメッキ液中に、湿式メッキ法にて外部電極膜が形成されたコンデンサ素体を浸漬することにより、外部電極膜の表面に被着させる。
【０００３】
しかしながら、上記金属メッキ膜の形成方法において、メッキ液中に含有されるＳＯ４２−イオン、Ｃｌ−イオンなどの陰イオンが、外部電極膜中や外部電極膜と内部電極層の接続部分に残留し、湿中負荷試験などの信頼性が低下するという問題点があった。またこのとき、残留した陰イオン量を測定するために、実際に各ロット毎に一部を抜き取り湿中負荷試験などを行う場合、測定に長時間要するとともに、全数測定が不可能であるという問題点があった。
【０００４】
そこで、金属メッキ膜形成後の積層セラミックコンデンサを洗浄水中に浸漬しつつ、洗浄液中の陰イオン濃度をイオンクロマトグラフ法にて測定する積層セラミックコンデンサの洗浄方法が提案されている（例えば、特許文献１，２参照。）。
【０００５】
また、金属メッキ膜形成後の積層セラミックコンデンサを洗浄水中で超音波洗浄しつつ、洗浄液中の陰イオン濃度をイオンクロマトグラフ法にて測定する積層セラミックコンデンサの洗浄方法が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
【特許文献１】特開平５−２９１０７４号公報  （３−８頁、図１）
【特許文献２】特開平９−８００１６号公報  （３−５頁、図１）
【特許文献３】特許第３０９７７７９１号公報  （２−３頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１、２に記載の洗浄方法によれば、金属メッキ膜表面に残留した陰イオンを洗浄することは可能であるが、外部電極膜中や外部電極膜と内部電極層の接続部分に残留した陰イオンを洗浄するには限界があり、精度の良い測定ができなかった。
【０００７】
一方、特許文献３に記載の洗浄方法によれば、超音波洗浄時間を正確に制御することは困難であり、超音波洗浄時間が長すぎる場合、超音波洗浄により誘電体層の一部が物理的に削り落とされてしまい、誘電体層と内部電極層間の剥離などの構造欠陥が生じるという問題点があった。
【０００８】
本発明は以上のような課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、外部電極膜中や外部電極膜と内部電極層の接続部分に残留する陰イオン量を短時間で全数について精度良く測定・制御でき、且つ構造欠陥を防止できる積層セラミックコンデンサの洗浄方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の積層セラミックコンデンサの洗浄方法は、矩形状をなす複数の誘電体層を間に内部電極層を介し積層してコンデンサ素体を形成するとともに、該コンデンサ素体の端面に前記内部電極層に電気的に接続される外部電極膜を厚膜手法にて形成し、該外部電極膜の表面に湿式メッキ法にて金属メッキ膜を被着させることにより積層セラミックコンデンサを得る工程Ａと、前記工程Ａで得た積層セラミックコンデンサを洗浄水中で煮沸しつつ、洗浄水中の陰イオン濃度をイオンクロマトグラフ法にて測定し、該測定値が所定値に達した時点で煮沸洗浄を終了する工程Ｂとを含むことを特徴とする。
【００１０】
また本発明の積層セラミックコンデンサの洗浄方法は、前記工程Bで煮沸洗浄された積層セラミックコンデンサに４０℃以下の条件下で遠心力を加えることによって、その表面に残存するメッキ成分を含む洗浄水を分離除去する工程Cをさらに含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、積層セラミックコンデンサを洗浄水中で煮沸しつつ、洗浄水中の陰イオン濃度をイオンクロマトグラフ法にて測定するため、外部電極膜中や外部電極膜と内部電極層の接続部分に残留した陰イオン量を短時間で全数について測定できる。
【００１２】
また、誘電体層の一部が物理的に削り落とされてしまい、誘電体層と内部電極層間の剥離などの構造欠陥に至ることがない。
【００１３】
さらに、陰イオン濃度が所定の値に達することにより煮沸を終了するため、残留する陰イオン量を精度良く制御でき、外部電極膜中や外部電極膜と内部電極層の接続部分に残留する陰イオン量をある一定量以下にすることができることから、湿中負荷試験などの信頼性が低下するという問題点を解決できる。
【００１４】
また本発明によれば、工程Bで煮沸洗浄された積層セラミックコンデンサに４０℃以下の条件下で遠心力を加えることによって、その表面に残存するメッキ成分を含む洗浄水を分離除去する工程Cをさらに含めたことから、積層セラミックコンデンサ表面に付着した導電性を有する残存メッキ成分が斑点やしみとして残ることを防ぐことによって、各電極間で短絡が生じることを有効に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を図面に基づいて詳説する。
【００１６】
図１は、本発明の積層セラミックコンデンサの洗浄方法を示す図である。図２は、図１の積層セラミックコンデンサを示す図であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は縦断面図である。
【００１７】
図において、積層セラミックコンデンサ１０は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などを主成分とし、矩形状をなす複数の誘電体層２を間に内部電極層３、４を介し積層したコンデンサ素体１と、コンデンサ素体１の端面に形成されるとともに、内部電極層３、４に電気的に接続されるＮｉ、Ｃｕなどからなる外部電極膜５ａ、６ａと、外部電極膜５ａ、６ａの表面に被着させる金属メッキ膜（Ｎｉメッキ５ｂ、６ｂ、Ｓｎメッキ５ｃ、６ｃ）とからなる。また、図中、外部電極膜５ａ、６ａ、Ｎｉメッキ５ｂ、６ｂ、Ｓｎメッキ５ｃ、６ｃを合わせて、外部電極５、６とする。
【００１８】
以下、本発明の積層セラミックコンデンサ１０の洗浄方法について説明する。なお、図番は、焼成の前後で区別しないことにする。
【００１９】
まず、誘電体層となるセラミックグリーンシート２の所定の領域に、内部電極層３、４となる金属粉末を含有する導電ペーストをスクリーン印刷で形成する。
【００２０】
そして、このようなセラミックグリーンシート２を、内部電極層３、４が互いに対向し、且つ内部電極層３、４が互いに異なる端面に延出するように所定の積層枚数重ねた後、切断して未焼成状態のコンデンサ素体１とし、所定の雰囲気、温度、時間を加えて焼成する。これにより、焼成後のコンデンサ素体１の一対の端面には、内部電極層３、４が露出している。
【００２１】
次に、上記コンデンサ素体１の一対の端面に外部電極５、６を形成する。具体的には、コンデンサ素体１の両端面に、卑金属、ホウケイ酸系ガラス及び有機バインダを含む導電性ペーストを厚膜手法により塗布・焼き付けすることにより、外部電極膜５ａ、６ａを形成する。
【００２２】
次に、工程Ａとして、湿式メッキ法、例えばＮｉＳＯ４、ＮｉＣｌ２、Ｈ３ＢＯ３を主成分とするワット浴などのメッキ液中に、外部電極膜５ａ、６ａが形成されたコンデンサ素体１を浸漬することにより、外部電極膜５ａ、６ａ上にＮｉメッキ膜５ｂ、６ｂを被着させた後、Ｓｎメッキ膜５ｃ、６ｃを被着させる。
【００２３】
次に、工程Ｂとして、Ｓｎメッキ膜５ｃ、６ｃの表面に付着したメッキ液を除去した後で、図１に示すようように、金属メッキ膜５ｂ〜６ｃ形成後の積層セラミックコンデンサ１０を水槽１２中の超純水（洗浄水）１１中で煮沸することにより内部に残留した陰イオンを洗浄するとともに、超純水１１中の陰イオン濃度をオンラインでイオンクロマトグラフ法により測定し、測定値が所定値に達した時点で煮沸洗浄を終了する。このとき、イオンクロマトグラフ法による測定が精度良く行われるように、洗浄水１１は超純水であるとともに、水槽１２は石英製などであることが望ましい。さらに、Ｓｎメッキ膜５ｃ、６ｃの変色を防止するために、Ｓｎメッキ膜５ｃ、６ｃの表面に付着したメッキ液を除去した後で、煮沸を行うことが望ましい。
【００２４】
また、外部電極膜５ａ、６ａ中や外部電極膜５ａ、６ａと内部電極層３、４の接続部分に残留した陰イオンは、完全に除去されるべきでなく、陰イオンがある一定量残留することにより、外部電極膜５ａ、６ａと内部電極層３、４の接続部分がイオン的に活性化し、外部電極膜５ａ、６ａと内部電極層３、４との接続が良好になると考えられる。すなわち、本発明は測定値が所定値に達した時点で煮沸洗浄を終了するため、外部電極膜５ａ、６ａ中や外部電極膜５ａ、６ａと内部電極層３、４の接続部分に、陰イオンをある一定量残留させることができる。
【００２５】
次に、工程Ｃとして、工程Bで煮沸洗浄された積層セラミックコンデンサ１０に４０℃以下の条件下で遠心力を加えることによって、その表面に残存するメッキ成分を含む洗浄水１１を分離除去する。具体的には、図３に示すように、複数の孔１４が設けられた脱水槽１３に積層セラミックコンデンサ１０を入れ、高速回転させる方法などが用いられる。これにより、積層セラミックコンデンサ１０表面に付着した導電性を有する残存メッキ成分が斑点やしみとして残ることを防ぐことによって、各電極間で短絡が生じることを有効に防止することができる。
【００２６】
ここで、４０℃を超える条件下で遠心力を加えた場合、洗浄水１１のみが乾燥し、メッキ成分がコンデンサ素体１表面に残存することから、４０℃以下の条件下で遠心力を加えることが望ましい。一方、０℃以下とする場合、洗浄水１１が凍結して、コンデンサ素体１表面に残存するメッキ成分を含む洗浄水１１を十分に分離除去することができないため、０℃を超える条件下で遠心力を加えることが望ましい。
【００２７】
また、加圧条件下で遠心力を加えた場合、コンデンサ素体１の表面に残存するメッキ成分を含む洗浄水１１を分離除去することが阻害されるとともに、洗浄水１１のみが分離除去される傾向があるため、常圧条件下で遠心力を加えることが望ましい。
【００２８】
さらに、積層セラミックコンデンサ１０を、積層セラミックコンデンサ１０の寸法より目が小さいメッシュ状の袋の中に入れてから脱水槽１３に入れるようにしても良い。このことにより、脱水槽１３の貫通孔１４の寸法を積層セラミックコンデンサ１０の寸法より大きくできるため、メッキ成分を含む洗浄水１１の分離除去が効率的になるとともに、積層セラミックコンデンサ１０を袋の中に入れた状態で遠心力を加えるため、積層セラミックコンデンサ１０に加わる衝撃を緩和させることができ、積層セラミックコンデンサ１０の欠け、クラックなどを抑制できる。
【００２９】
また、積層セラミックコンデンサ１０を洗浄水１１中で煮沸洗浄する工程Ｂと、コンデンサ素体１の表面に残存するメッキ成分を含む洗浄水１１を分離除去する工程Ｃを同一の槽内にて行うようにしても良い。このことにより、工程が簡略化するとともに、洗浄水１２のみが乾燥して残存メッキ成分が斑点やしみとして残ることなく、コンデンサ素体１の表面に残存するメッキ成分を含む洗浄水１１を確実に分離除去することができる。
【００３０】
さらに、コンデンサ素体１の表面に残存するメッキ成分を含む洗浄水１１を分離除去する工程Ｃの直前に、積層セラミックコンデンサ１０に洗浄水１１をかけても良く、工程Ｃの直前まで、積層セラミックコンデンサ１０を洗浄液１１中に保管するようにしても良い。このことにより、洗浄水１１が一部乾燥し、メッキ成分が外部電極５、６の表面に析出していた場合も、再度メッキ成分を洗浄水１１に溶解させ、分離除去することができる。
【００３１】
なお、必要に応じて、工程Ｃの後、積層セラミックコンデンサ１０を８０℃以上×１０分以上の条件下で、乾燥するようにしても良い。
【００３２】
なお、本発明は上記の実施の形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内での種々の変更や改良などは何ら差し支えない。
【００３３】
例えば、上記煮沸洗浄を一定時間（例えば１時間）行った後、超純水１１中の陰イオン濃度を連続的にイオンクロマトグラフ法により測定し、外部電極膜５ａ、６ａ中や外部電極膜５ａ、６ａと内部電極層３、４の接続部分に残留した陰イオン量を間接的に測定するようにしても良い。このとき、上記洗浄水１１中の陰イオン濃度は、外部電極膜５ａ、６ａ：１ｇ当たり０．０１μｇ〜０．０８ｍｇの範囲にあることが望ましい。すなわち、陰イオン濃度が、外部電極膜５ａ、６ａ：１ｇ当たり０．０１μｇ以上であるため、陰イオンにより外部電極膜５ａ、６ａと内部電極層３、４の接続部分がイオン的に活性化することから、外部電極５、６と内部電極層３、４との接続が良好になる。一方、陰イオン濃度が、外部電極膜５ａ、６ａ：１ｇ当たり０．０８ｍｇ以下であるため、湿中負荷試験などの信頼性が良好になる。このときの煮沸時間は、メッキ条件にもよるが、約１時間であることが望ましい。
【００３４】
そして、陰イオン濃度が外部電極膜５ａ、６ａ：１ｇ当たり０．０８ｍｇ以下である場合、良品として出荷される。一方、陰イオン濃度が外部電極膜５ａ、６ａ：１ｇ当たり０．０８ｍｇを超える場合、内部に残留した陰イオンを再洗浄するとともに、再度積層セラミックコンデンサ１０を超純水１１中で煮沸後、超純水１１中の陰イオン濃度をイオンクロマトグラフ法により測定し、陰イオン濃度が外部電極膜５ａ、６ａ：１ｇ当たり０．０８ｍｇ以下になるまでこれらの工程を繰り返す。
【００３５】
一方、陰イオン濃度が、外部電極膜５ａ、６ａ：１ｇ当たり０．０１μｇ未満である場合、外部電極膜５ａ、６ａ中や外部電極膜５ａ、６ａと内部電極層３、４の接続部分に残留する陰イオン量がある一定量以上になるように、メッキ条件を変更する。
【００３６】
また、陰イオン濃度が外部電極膜５ａ、６ａ：１ｇ当たり０．０８ｍｇを超える場合、水槽１２中の超純水１１を交換し、再度同一条件で煮沸を繰り返し、陰イオン濃度が上記範囲に入った時点で、良品として出荷するようにしても良い。このことにより、積層セラミックコンデンサ１０を超音波洗浄する必要がなくなるため、構造欠陥をさらに効果的に防止することができる。
【００３７】
さらに、金属メッキ膜が２層以上被着しているとともに、外部電極膜５ａ、６ａ上に被着している金属メッキ膜（本実施例ではＮｉメッキ膜５ｂ、６ｂ）を形成するためのメッキ液に含有される陰イオンと、上記金属メッキ膜上に被着されているメッキ層（本実施例ではＳｎメッキ膜５ｃ、６ｃ）形成するためのメッキ液に含有される陰イオンが異なる場合、外部電極膜５ａ、６ａ上に被着している金属メッキ膜（本実施例ではＮｉメッキ膜５ｂ、６ｂ）を形成するためのメッキ液中に含有される陰イオンの量を測定することが望ましい。すなわち、Ｎｉメッキ膜５ｂ、６ｂを形成するためのメッキ液中に含有される陰イオンが、外部電極膜５ａ、６ａ中や外部電極膜５ａ、６ａと内部電極層３、４の接続部分に残留するとともに、Ｓｎメッキ膜５ｃ、６ｃを形成するためのメッキ液は、Ｎｉメッキ膜５ｂ、６ｂの存在により、外部電極膜５ａ、６ａ中や外部電極膜５ａ、６ａと内部電極層３、４の接続部分に入りこむ割合が少ないことによる。
【００３８】
また、本発明は、外部電極膜５ａ、６ａとして導電性樹脂を用いた場合にも適用できる。
【００３９】
さらに、金属メッキ膜は、Ｎｉメッキ膜５ｂ、６ｂ、Ｓｎメッキ膜５ｃ、６ｃ以外の金属メッキ膜であっても良い。
【実施例】
【００４０】
本発明者は、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体層２を積層してなるとともに、一対の端面に内部電極層３、４が露出している焼成後のコンデンサ素体１を作製後、コンデンサ素体１の端面に内部電極層３、４に電気的に接続される外部電極膜５ａ、５ｂを厚膜手法にて形成し、外部電極膜５ａ、６ａの表面に湿式メッキ法にて、Ｎｉメッキ膜５ｂ、６ｂ、Ｓｎメッキ膜５ｃ、６ｃを順次被着させることにより、図２に示すような３２２５型の積層セラミックコンデンサ１０を作製した。
【００４１】
得られた積層セラミックコンデンサ１０について、金属メッキ膜５ｂ〜６ｃ形成直後に、試料１００個（５ｇ）を５０ｍｌの超純水１１中で１時間煮沸した場合（試料番号１〜１０）において、超純水１１中の陰イオン（ＳＯ４２−イオン）量をイオンクロマトグラフ法により測定した。このとき、ＳＯ４２−イオン量（ｍｇ）は、外部電極膜５ａ、６ａ：１ｇ当たりの量に換算した。すなわち、外部電極膜５ａ、６ａの重量は、コンデンサ素体１の端面に外部電極膜５ａ、５ｂを厚膜手法にて形成した後の重量から、コンデンサ素体１の重量を引くことにより算出した。また、誘電体層２の一部が物理的に削り落とされているかどうかを確認するために、洗浄液中のＴｉ４＋イオンの有無も測定した。すなわち、イオンクロマトグラフ法の検出限界（外部電極膜５ａ、６ａ：１ｇ当たり０．００１μｇ未満）において、Ｔｉ４＋イオンが検出されなかった場合を良品として○印、検出された場合を不良品として×印とした。さらに、積層セラミックコンデンサ１０を超純水１１中から取り出し、湿中負荷試験を行った。湿中負荷試験は、温度８５℃、相対湿度８５％の条件で１０００時間保持し、絶縁抵抗値が４０ｍΩを超えるものを良品、４０ｍΩ以下であるものを不良品とし、試料１００個の内、不良品の割合を測定した。比較例として、超純水１１中に１時間浸漬した場合（試料番号１１）、超純水１１中で１時間超音波洗浄した場合（試料番号１２）について、同様の評価を行った。結果を表１に示す。
【表１】
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【００４２】
表１に示す通り、金属メッキ膜５ｂ〜６ｃ形成直後に、超純水１１中で１時間煮沸した本実施例（試料番号１〜１０）では、Ｔｉ４＋イオンは検出されなかった。また、超純水１中のＳＯ４２−イオン量が外部電極膜５ａ、６ａ：１ｇ当たり０．０１μｇ〜０．０８ｍｇである場合（試料番号１〜５）は、湿中負荷試験における不良率は０％となるとともに、ＳＯ４２−イオン量が外部電極膜５ａ、６ａ：１ｇ当たり０．０８ｍｇを超える場合（試料番号６〜１０）は、湿中負荷試験における不良が発生し、超純水１中のＳＯ４２−イオン量を測定することにより、外部電極膜５ａ、６ａ中や外部電極膜５ａ、６ａと内部電極層３、４の接続部分に残留する陰イオン量を間接的に測定できた。
【００４３】
これに対し、超純水１１中に１時間浸漬した比較例（試料番号１１）では、イオンクロマトグラフ法の検出限界において、ＳＯ４２−イオンが検出されなかった場合も、湿中負荷試験における不良が発生し、外部電極膜５ａ、６ａ中や外部電極膜５ａ、６ａと内部電極層３、４の接続部分に残留する陰イオン量を間接的に測定できなかった。
【００４４】
一方、超純水１１中で１時間超音波洗浄した比較例（試料番号１２）では、超純水１中にＴｉ４＋イオンが検出され、誘電体層２の一部が物理的に削り落とされたことが示唆された。
【００４５】
次に、工程Ｃとして、工程Bで煮沸洗浄された試料番号１の積層セラミックコンデンサ１０に４０℃以下の条件下で遠心力を加えることによって、その表面に残存するメッキ成分を含む洗浄水１１を分離除去した。具体的には、図３に示すように、複数の孔１４が設けられた、直径４０ｃｍ×深さ３０ｃｍの円筒状の脱水槽１３に積層セラミックコンデンサ１０を４万個入れ、２５℃で、１０００ｒｐｍ×６分以上の条件下で高速回転させた（試料番号１３）。比較例として、工程Bで煮沸洗浄された試料番号１の積層セラミックコンデンサ１０を２５℃で自然乾燥させた（試料番号１４）。得られた試料について、コンデンサ素体１表面を金属顕微鏡で観察することにより、しみや斑点の発生率を確認した。
【００４６】
実験の結果、工程Bの後、工程Ｃを行った本実施例（試料番号１３）については、しみや斑点は発生しなかった。一方、工程Bの後、２５℃で自然乾燥させた比較例（試料番号１４）については、しみや斑点が２％発生し、外部電極間の短絡が０．５％の割合で発生した。
【００４７】
これらの結果から、本発明の積層セラミックコンデンサ１０の洗浄方法によれば、積層セラミックコンデンサ１０を超純水１１中で煮沸しつつ、超純水１１中の陰イオン濃度をイオンクロマトグラフ法にて測定するため、外部電極膜５ａ、６ａ中や外部電極膜５ａ、６ａと内部電極層３、４の接続部分に残留した陰イオン量を短時間で全数について間接的に測定でき、且つ誘電体層２の一部が超純水１１中に溶解していないことがわかった。また、煮沸洗浄された積層セラミックコンデンサ１０に４０℃以下の条件下で遠心力を加えることによって、その表面に残存するメッキ成分を含む洗浄水１１を分離除去する工程Cをさらに含むため、
積層セラミックコンデンサ１０表面に付着した導電性を有する残存メッキ成分が斑点やしみとして残ることを防ぐことによって、各電極間で短絡が生じることを有効に防止することができることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の積層セラミックコンデンサの洗浄方法を示す図である。
【図２】図１の積層セラミックコンデンサを示す図であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は縦断面図である。
【図３】本発明の積層セラミックコンデンサの洗浄方法を示す図であり、洗浄水を分離除去する工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０・・・・積層セラミックコンデンサ
１・・・・・コンデンサ素体
２・・・・・誘電体層
３、４・・・内部電極層
５、６・・・外部電極
５ａ、６ａ・外部電極膜
５ｂ、６ｂ・Ｎｉメッキ膜
５ｃ、６ｃ・Ｓｎメッキ膜
１１・・・・超純水（洗浄水）
１２・・・・水槽
【図１】
2005159250.tif 000004
【図２】
2005159250.tif 000005
【図３】
2005159250.tif 000006