(57)【要約】【課題】  入射光の損失を抑え、入射光が入射される面と電磁波が放射される面を異ならせたアンテナ集積素子を、半導体プロセス技術を用いて、再現性や制御性良く作製する。【解決手段】  半導体基板１上に、受光素子２，平面アンテナ４，配線６を形成し、その上に高誘電体膜７を形成して平坦化し、絶縁体基板８を接着し、最後に半導体基板１を除去する。かくして、半導体プロセス技術を用いてアンテナ集積素子を作製することができる。このようにして形成したアンテナ集積素子では、下面側から光が入射し上面側から電磁波が放射される。【選択図】        図１
2005176156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体基板上に形成された半導体からなる受光素子、および前記受光素子と配線により電気的に接続された平面アンテナとを少なくとも含み、かつ、前記絶縁体基板の前記平面アンテナが形成された側から前記受光素子へ光信号を入射させる構成のアンテナ集積素子の作製方法において、
半導体基板上に受光素子，平面アンテナ，配線を形成する工程と、
前記半導体基板表面に高誘電体膜を形成する工程と、
前記高誘電体膜表面の凹凸を平坦化する工程と、
前記高誘電体膜上に絶縁体基板を接着する工程と、
前記半導体基板を除去する工程とを含んでいることを特徴とするアンテナ集積素子の作製方法。
【請求項２】
絶縁体基板上に形成された半導体からなる受光素子、および前記受光素子と配線により電気的に接続された平面アンテナとを少なくとも含み、かつ、前記絶縁体基板の前記平面アンテナが形成された側から前記受光素子へ光信号を入射させる構成のアンテナ集積素子であって、
半導体基板上に受光素子，平面アンテナ，配線を形成し、
前記半導体基板表面に高誘電体膜を形成し、
前記高誘電体膜表面の凹凸を平坦化し、
前記高誘電体膜上に絶縁体基板を接着し、
前記半導体基板を除去することにより構成されていることを特徴とするアンテナ集積素子。
【請求項３】
光入射面側が空間に露出した受光素子と、
一面が空間に露出した平面アンテナと、
前記空間とは反対側において前記受光素子と前記平面アンテナとを電気的に接続する配線と、
前記空間とは反対側において前記受光素子，平面アンテナ及び配線を覆う状態で形成された高誘電体膜と、
前記高誘電体膜を覆う状態で形成された絶縁体基板とで構成されていることを特徴とするアンテナ集積素子。
【請求項４】
絶縁体基板上に形成された半導体からなる受光素子、および前記受光素子と配線により電気的に接続された平面アンテナとを少なくとも含み、かつ、前記絶縁体基板の前記平面アンテナが形成された側から前記受光素子へ光信号を入射させる構成のアンテナ集積素子の作製方法において、
半導体基板上に受光素子，平面アンテナ，配線を形成する工程と、
前記半導体基板表面に半導体用絶縁性接着剤を塗布する工程と、
前記半導体基板上に絶縁体基板を接着する工程と、
前記半導体基板を除去する工程とを含んでいることを特徴とするアンテナ集積素子の作製方法。
【請求項５】
絶縁体基板上に形成された半導体からなる受光素子、および前記受光素子と配線により電気的に接続された平面アンテナとを少なくとも含み、かつ、前記絶縁体基板の前記平面アンテナが形成された側から前記受光素子へ光信号を入射させる構成のアンテナ集積素子であって、
半導体基板上に受光素子，平面アンテナ，配線を形成し、
前記半導体基板表面に半導体用絶縁性接着剤を塗布し、
前記半導体基板上に絶縁体基板を接着し、
前記半導体基板を除去することにより構成されていることを特徴とするアンテナ集積素子。
【請求項６】
光入射面側が空間に露出した受光素子と、
一面が空間に露出した平面アンテナと、
前記空間とは反対側において前記受光素子と前記平面アンテナとを電気的に接続する配線と、
前記空間とは反対側において前記受光素子，平面アンテナ及び配線を覆う状態で形成された半導体用絶縁性接着材と、
前記半導体用絶縁性接着剤を覆う状態で形成された絶縁体基板とで構成されていることを特徴とするアンテナ集積素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光素子と平面アンテナを絶縁体基板の平面上に集積化したアンテナ集積素子及びその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、無線通信や高速信号計測、あるいは電波天文などにおける基準信号源として、広帯域なミリ波・サブミリ波源が求められている。このなかで、高周波信号を長距離伝送できることから、ビート光を利用したミリ波・サブミリ波発生方法が注目されている。この方法では、ミリ波・サブミリ波の発生は、光・電気変換を担う受光素子と、変換された電気信号を空間に放射するアンテナとを集積化したアンテナ集積素子によって実現される。
【０００３】
アンテナ集積素子の構成例としては、受光素子であるフォトダイオードと、平面アンテナとの組み合わせが、広く確立された半導体プロセス技術の適用による量産に向いていることから好適である。
【０００４】
図３は従来例１のアンテナ集積素子を示す図である（例えば、H. Ito et al., Electron. Lett., Vol. 38, No. 17, pp. 989-990, 2001等参照）。
即ち、図３（ａ）は、アンテナ集積素子の中心部分を直上から見た図であり、図３（ｂ），図３（ｃ）はそれぞれ図３（ａ）図におけるＡ−Ａ′およびＢ−Ｂ′で示された部位の断面図である。
【０００５】
作製方法は、まずエピタキシャル成長によって、半導体基板１１に受光素子１３のエピタキシャル層を形成する。フォトレジストをマスクに用いたエッチングによりメサ構造を形成した後、ｐ型およびｎ型層へそれぞれオーミックコンタクト電極を形成する。次に平面アンテナ１２を形成する。さらに絶縁膜１５を形成した後、配線１４を平面アンテナ１２と受光素子１３を繋ぐように形成する。最後に基板裏面に反射膜１６を形成することで、アンテナ集積素子が完成する。
【０００６】
こうして作製されたアンテナ集積素子において、光は図３（ａ）の紙面手前方向（図３（ｂ），（ｃ）の上方）から入射する。図３（ｂ），（ｃ）に示すように、入射光の一部は配線１４および平面アンテナ１２の表面で反射され、その残りが基板１１へ侵入する。半導体基板１１に侵入した光は、裏面に形成してある反射膜１６で反射され、受光素子１３の吸収層で焦点を結んで受光する。受光素子１３で光から電気に変換された信号は配線１４によって平面アンテナ１２に伝送される。図３（ｃ）で示すように、この構成の場合、平面アンテナ１２の直上が空間（空気）であるため、電磁波はより高い誘電率を有する半導体基板１１側（図３（ｃ）下側）へ主に放射される。
【０００７】
図３（ａ）紙面手前方向から光を入射した場合、配線１４および平面アンテナ１２で覆われている部分で光の反射が起こり、入射光の一部しか半導体基板１１の中に侵入できない。例えば前記従来例１で示したように平面アンテナに広帯域用のログペリオディックアンテナを採用した場合、半導体基板１１はその表面積の約半分をアンテナによって覆われているため、この部分で少なくとも５０％程度の損失があり、問題となっていた。
【０００８】
この入射光の損失を解決するため、配線１４および平面アンテナ１２に覆われていない半導体基板１１の裏面から光を入射する方法も考えられるが、上述したように電磁波は誘電率の高い半導体基板１１の裏面側に主に放射され光の入射と同一方向となってしまう。
【０００９】
このとき、光入射のためのレンズあるいはファイバ等が電磁波放射面に位置し、電磁波の放射にとって障害となるという問題もあった。
【００１０】
一方、基板と受光素子の間に配線が形成されていれば、入射光の損失を低く抑え、かつ、光入射と電磁波放射方向を従来通り互いに逆方向にでき、これらの問題は解決する。
【００１１】
従来例２ではフリップチップ接続を用いてこのような構造の素子を作製している（特開２００２−４３８３９）。図４（ａ）は、この素子を直上から見た図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＣ−Ｃ′で示された部位の断面図である。
【００１２】
チップ表面２６に形成された受光素子２０と受光素子チップ上伝送路２２を具えた裏面入射型の受光素子チップ２１と、平面アンテナチップ上伝送路２５と平面アンテナ２４を具えた平面アンテナチップ２３を用意し、受光素子チップ２１と平面アンテナチップ２３上のそれぞれの伝送路が向かい合ってパッド２８で接続するようにフリップチップ接続する構成となっている。この構成では、光は受光素子チップ裏面２７から入射され、光・電気変換された信号は伝送路を伝わり平面アンテナ２４から平面アンテナチップ２３下方へ主に放射される。ここでは、平面アンテナとしてスロットアンテナが例示されている。
【００１３】
しかし、前記従来例１で使用しているようなサブミリ波帯の広帯域用のログペリオディックアンテナの場合、図３（ａ）に示すようにアンテナ全体の中心位置から、ある周波数の電磁波に対応する歯の中心部分までの距離をアンテナ半径とすると、このアンテナ半径は電磁波の実効波長の１／４に対応しているので、周波数が高くなるとアンテナ構造が小さくなる。例えばアンテナを形成する基板がＳｉで１ＴＨｚの電磁波を扱う場合には、アンテナ半径は３０μｍ程度になる。上述したように、従来例２の素子構造において発生した電磁波を効率良く基板方向に放射させるには、フリップチップ接続する受光素子のチップサイズをアンテナ半径よりも小さくする必要があるが、現在の技術ではせいぜい数百μｍ程度が限界である。このため、発生させる電磁波の帯域の上限が受光素子のチップサイズで決まってしまう。
【００１４】
また、サブミリ波帯の超高周波を扱う際には、受光素子と平面アンテナ間のフリップチップ接続部の伝送損失が大きくなり、同一平面上で形成したアンテナ集積素子に及ばない。また、フリップチップ接続方法は、民生用の安定した技術として定着しているものの、半導体プロセスと比較した場合量産向きであるとはいえない。さらに、フリップチップ接続の際に、平面アンテナを形成した基板と受光素子の間に僅かに隙間が残り、放射効率が悪くなって定格にも問題がある。
【００１５】
【特許文献１】特開２００２−４３８３９
【非特許文献１】H. Ito et al., Electron. Lett., Vol. 38, No. 17, pp. 989-990, 2001
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明の課題は、上述の光入射効率および電磁波放射方向の問題点を解決したサブミリ波帯域にも対応可能なアンテナ集積素子を、量産向きである広く確立された半導体プロセス技術を利用して、再現性，制御性良く作製できるアンテナ集積素子及びその作製方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の課題を解決するため、本発明で提案するアンテナ集積素子の作製方法は、絶縁体基板上に形成された半導体からなる受光素子、および前記受光素子と配線により電気的に接続された平面アンテナとを少なくとも含み、かつ、前記基板の前記平面アンテナが形成された側から前記受光素子へ光信号を入射させる構成のアンテナ集積素子の作製方法において、半導体基板上に受光素子，平面アンテナ，配線を形成する工程と、前記半導体基板表面に高誘電体膜を形成する工程と、前記高誘電体膜表面の凹凸を平坦化する工程と、前記高誘電体膜上に絶縁体基板を接着する工程と、前記半導体基板を除去する工程とを含んでいることを特徴とする。
このような工程により、入射光の損失を低く抑えたアンテナ集積素子を、再現性，制御性良く作製できる。
【００１８】
また本発明のアンテナ集積素子は、絶縁体基板上に形成された半導体からなる受光素子、および前記受光素子と配線により電気的に接続された平面アンテナとを少なくとも含み、かつ、前記絶縁体基板の前記平面アンテナが形成された側から前記受光素子へ光信号を入射させる構成のアンテナ集積素子であって、半導体基板上に受光素子，平面アンテナ，配線を形成し、前記半導体基板表面に高誘電体膜を形成し、前記高誘電体膜表面の凹凸を平坦化し、前記高誘電体膜上に絶縁体基板を接着し、前記半導体基板を除去することにより構成されていることを特徴とする。
【００１９】
また本発明のアンテナ集積素子は、光入射面側が空間に露出した受光素子と、一面が空間に露出した平面アンテナと、前記空間とは反対側において前記受光素子と前記平面アンテナとを電気的に接続する配線と、前記空間とは反対側において前記受光素子，平面アンテナ及び配線を覆う状態で形成された高誘電体膜と、前記高誘電体膜を覆う状態で形成された絶縁体基板とで構成されていることを特徴とする。
【００２０】
また本発明のアンテナ集積素子の作製方法は、絶縁体基板上に形成された半導体からなる受光素子、および前記受光素子と配線により電気的に接続された平面アンテナとを少なくとも含み、かつ、前記基板の前記平面アンテナが形成された側から前記受光素子へ光信号を入射させる構成のアンテナ集積素子の作製方法において、半導体基板上に受光素子，平面アンテナ，配線を形成する工程と、前記半導体基板表面に半導体用絶縁性接着剤を塗布する工程と、前記半導体基板上に絶縁体基板を接着する工程と、前記半導体基板を除去する工程とを含んでいることを特徴とする。
このような工程により、入射光の損失を低く抑えたアンテナ集積素子を、再現性，制御性良く作製できる。
【００２１】
また本発明のアンテナ集積素子は、絶縁体基板上に形成された半導体からなる受光素子、および前記受光素子と配線により電気的に接続された平面アンテナとを少なくとも含み、かつ、前記絶縁体基板の前記平面アンテナが形成された側から前記受光素子へ光信号を入射させる構成のアンテナ集積素子であって、半導体基板上に受光素子，平面アンテナ，配線を形成し、前記半導体基板表面に半導体用絶縁性接着剤を塗布し、前記半導体基板上に絶縁体基板を接着し、前記半導体基板を除去することにより構成されていることを特徴とする。
【００２２】
また本発明のアンテナ集積素子は、光入射面側が空間に露出した受光素子と、一面が空間に露出した平面アンテナと、前記空間とは反対側において前記受光素子と前記平面アンテナとを電気的に接続する配線と、前記空間とは反対側において前記受光素子，平面アンテナ及び配線を覆う状態で形成された半導体用絶縁性接着材と、前記半導体用絶縁性接着剤を覆う状態で形成された絶縁体基板とで構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のアンテナ集積素子及びその作製方法によれば、光入射の損失を低く抑えたサブミリ波帯域にも対応可能なアンテナ集積素子を、量産向きである広く確立された半導体プロセス技術を利用して、再現性，制御性良く作製できる。
また、本発明では、受光素子をチップ化する必要がないため、アンテナの帯域上限は素子サイズのみを考慮すればよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下で説明する図面で同一機能を有する物は同一記号を付けその繰返しの説明を省略する。
【００２５】
［実施の形態１］
図１（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態１の断面図である。
断面方向は従来例の図３（ａ）のＢ−Ｂ′に相当する。
【００２６】
まず、図１（ａ）で示すように、ＩｎＰからなる半導体基板１にエピタキシャル成長によって、ＩｎＰ基板に格子整合させたＩｎＧａＡｓＰ層をエッチングストッパ層３として形成する。その後、エピタキシャル成長によって、受光素子２のエピタキシャル層を形成する。受光素子としては、例えば、特開平９−２７５２２４号公報に記載された高出力フォトダイオードが好適である。主としてｎ型ＩｎＰ層，ノンドープＩｎＰ層，ｐ型ＩｎＧａＡｓ層からなる。ＩｎＰ，ＩｎＧａＡｓ層はそれぞれ塩酸系エッチング液，クエン酸系エッチング液によってエッチングされ、受光素子２のメサ構造を形成する。その後、Ｐ型およびｎ型層にそれぞれオーミックコンタクト電極を形成する。
【００２７】
次に、フォトレジストを用いたリフトオフ法によりＴｉ／Ａｕからなる平面アンテナ４を図１（ｂ）のように形成する。
【００２８】
さらに、図１（ｃ）に示すように、絶縁膜５を形成した後、Ｔｉ／Ａｕからなる配線６をフォトレジストを用いたリフトオフ法により形成する。
【００２９】
次に、図１（ｄ）に示すように、半導体基板１表面側に高誘電体膜７を形成する。
形成方法には、スパッタ法，ＣＶＤ法を用いることができる。
【００３０】
高誘電体膜７にはなるべく誘電率の高い材料が好ましい。例えば、酸化チタン（８０），チタン酸ストロンチウム（３００），タンタル酸ビスマスストロンチウム（２５０），チタン酸バリウムストロンチウム（５００），チタン酸ジルコン鉛（１０００）等が、高誘電体膜として好適である。括弧内は比誘電率を示す。
【００３１】
また、アンテナに接する部位の誘電率を大きくすると、電磁波の実効波長は短くなる。従って、平面アンテナのサイズが小さくなる。これによって基板上の素子密度を上げることができ量産性が上がるが、その一方でアンテナサイズが小さくなりすぎるとアンテナ加工精度が問題となってくる。発生させる電磁波の最大周波数，高誘電体膜の誘電率，加工限界寸法の中で最適な設計を行う必要がある。
【００３２】
その後、図１（ｅ）に示すように、表面研磨を行うことにより、高誘電体膜７表面の凹凸を平坦化する。
【００３３】
次に図１（ｆ）に示すように、高誘電体膜７の表面側に絶縁体基板８を接着する。
接着には、絶縁性の半導体用接着剤等を用いるのが好適であるが、他の接着方法であっても良い。
【００３４】
絶縁体基板８には放射される電磁波の吸収を防ぐために、例えば石英やサファイア等の高い絶縁性を有する材料が好ましい。あるいは、電磁波を効率良く空間に放出する際に良く用いられることの多いシリコン超半球レンズとの親和性を考えて高絶縁性のＳｉ基板でも良い。さらに効率良く電磁波を放射させるために誘電率の高い絶縁体材料である酸化チタン，チタン酸ストロンチウム，タンタル酸ビスマスストロンチウム，チタン酸バリウムストロンチウム，チタン酸ジルコン鉛等からなる基板を用いることができる。このとき、絶縁基板８の材料が高誘電体膜７の材料と一致していれば、更に損失が少なくなることは言うまでもない。
また、高誘電体膜７と絶縁体基板８との間には隙間が存在しないため放熱の問題を回避できる。
【００３５】
次に図１（ｇ）に示すように、半導体基板１を除去する。
まず、半導体基板１を研磨プロセスにより、厚さを２００μｍまで薄くする。次に、塩酸系エッチング液でエッチングして残りの部分を除去する。
このとき、ＩｎＧａＡｓＰからなるエッチングストッパ層３でエッチングの進行が止まる。
【００３６】
最後に図１（ｈ）に示すように、エッチングストッパ層３のＩｎＧａＡｓＰを硫酸系エッチング液でエッチングする。このとき上記のエッチャントはＩｎＰに対して大きな選択性を持つことから受光素子２がエッチングによって損傷を受けることをほぼ防ぐことができる。損傷が問題となる場合には、受光素子２のｎ−ＩｎＰ層を厚く積めばよい。
【００３７】
このような作製工程により実施の形態１のアンテナ集積素子が作製される。実施の形態１のアンテナ集積素子は、光入射面側（光吸収層側）が空間に露出した受光素子２と、一面（下側面）が空間に露出した平面アンテナ４と、前記空間とは反対側において受光素子２と平面アンテナ４とを電気的に接続する配線６と、前記空間とは反対側において受光素子２，平面アンテナ４及び配線６を覆う状態で形成された高誘電体膜７と、この高誘電体膜７を覆う状態で形成された絶縁体基板８とで構成されている。
【００３８】
これによって光を図１（ｈ）の下側から入射させると、配線６および平面アンテナ４に遮られることなく受光素子２の光吸収層に到達し損失が少ない。
【００３９】
また、平面アンテナ４の下側（光の入射方向）が空間（普通は空気）に露出し、アンテナから放射される電磁波は誘電率の高い上側（絶縁体基板８側）に主に放射される。放射電力は誘電率の１／２乗に比例するため、高い誘電率を有する材料を選択することで電磁波放射の効率を改善できる。従来例では比誘電率１２．５のＩｎＰ基板を用いていたが、本発明の作製方法においてこれより高い比誘電率を持つ材料、たとえば、比誘電率が１０００のチタン酸ジルコン鉛材料を高誘電体膜７および絶縁体基板８に用いれば、基板が電磁波の波長より充分大きいと仮定するとＩｎＰのときの効率７８％から９７％に改善する。
【００４０】
このようなことから、入射光の損失を低く抑え、かつ、光入射と電磁波放射の方向が互いに逆方向であるアンテナ集積素子を、半導体プロセス技術を使って再現性，制御性良く作製できる。
【００４１】
また、平面アンテナ４と受光素子２を同一基板上に形成するため、前記従来例１と同様に受光素子２，平面アンテナ４，配線６の位置合わせがリソグラフィーの精度で可能であり、サブミリ波帯の超高周波信号でも伝送損失を小さくできる。したがって本発明による作製方法は、超高周波の電磁波を扱うアンテナ集積素子の作製に好適である。
また、受光素子をチップ化する必要がないため、アンテナの帯域上限は素子サイズのみを考慮すればよい。
【００４２】
［実施の形態２］
図２（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施の形態２の断面図である。
まず、図２（ａ）で示すように、実施の形態１で記した方法で受光素子２をＩｎＰ基板上に形成する。
【００４３】
次に、フォトレジストを用いたリフトオフ法によりＴｉ／Ａｕからなる平面アンテナ４を図２（ｂ）のように形成する。
【００４４】
さらに、図２（ｃ）に示すように、絶縁膜５を形成した後、Ｔｉ／Ａｕからなる配線６をフォトレジストを用いたリフトオフ法により形成する。
【００４５】
次に図２（ｄ）に示すように、半導体基板１の表面側と絶縁体基板８を絶縁性の半導体用絶縁性接着剤９により接着する。
【００４６】
このとき、半導体基板１表面の平面アンテナ４および受光素子２による凹凸を完全に埋め込むことが出来るように十分な接着剤の厚さを確保する。絶縁体基板８に関しては前記実施の形態１で述べたとおりである。
【００４７】
次に図２（ｅ）に示すように、半導体基板１を除去する。
まず、半導体基板１を研磨プロセスにより、厚さを２００μｍまで薄くする。次に、塩酸系エッチング液でエッチングして残りの部分を除去する。
このとき、ＩｎＧａＡｓＰからなるエッチングストッパ層３でエッチングの進行が止まる。
【００４８】
最後に図２（ｆ）に示すように、エッチングストッパ層３のＩｎＧａＡｓＰを硫酸系エッチング液でエッチングする。このとき上記のエッチャントはＩｎＰに対して大きな選択性を持つことから受光素子２がエッチングによって損傷を受けることをほぼ防ぐことができる。
【００４９】
このような作製工程により実施の形態２のアンテナ集積素子が作製される。実施の形態２のアンテナ集積素子は、光入射面側（光吸収層側）が空間に露出した受光素子２と、一面（下側面）が空間に露出した平面アンテナ４と、前記空間とは反対側において受光素子２と平面アンテナ４とを電気的に接続する配線６と、前記空間とは反対側において受光素子２，平面アンテナ４及び配線６を覆う状態で形成された半導体用絶縁性接着剤９と、この半導体用絶縁性接着剤９を覆う状態で形成された絶縁体基板８とで構成されている。
【００５０】
実施の形態２では、入射光の損失を低く抑え、かつ、光入射と電磁波放射の方向が互いに逆方向であるアンテナ集積素子を、半導体プロセス技術を使って再現性，制御性良く作製できることは、実施の形態１と同様である。
【００５１】
さらに実施の形態２では、平面アンテナ直上の高誘電膜形成のプロセスを省くことによって、電磁波放射効率の低減が起こる欠点はある一方、製造工程数が減り、より短時間，低コストでアンテナ集積素子を作製できる利点がある。
また、受光素子をチップ化する必要がないため、アンテナの帯域上限は素子サイズのみを考慮すればよい。
【００５２】
以上本発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定される物ではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【００５３】
例えば、上記実施の形態では、受光素子としてフォトダイオードの例について述べたが、他の受光素子例えばフォトトランジスタなどを用いても良い。
【００５４】
また、基板１についてはＩｎＰ，ＧａＡｓ等受光素子を形成できる材料である限り、
様々な半導体基板を用いても良い。
【００５５】
また、エッチング液に関しても公知の他の溶液を用いることができる。
さらに、平面アンテナ４を構成する膜としては、金属膜以外にグラファイトなどの導電膜を用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態１のアンテナ集積素子の作製方法の工程を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２のアンテナ集積素子の作製方法の工程を示す断面図である。
【図３】従来例１のアンテナ集積素子の構成を示す構成図である。
【図４】従来例２のアンテナ集積素子の構成を示す構成図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  半導体基板
２  受光素子
３  エッチングストッパ層
４  平面アンテナ
５  絶縁膜
６  配線
７  高誘電体膜
８  絶縁体基板
９  半導体用絶縁性接着剤
１１  半導体基板
１２  平面アンテナ
１３  受光素子
１４  配線
１５  絶縁膜
１６  反射膜
２０  受光素子
２１  受光素子チップ
２２  受光素子チップ上伝送路
２３  平面アンテナチップ
２４  平面アンテナ
２５  平面アンテナチップ上伝送路
２６  チップ表面
２７  チップ裏面
２８  パッド
【図１】
2005176156.tif 000003
【図２】
2005176156.tif 000004
【図３】
2005176156.tif 000005
【図４】
2005176156.tif 000006