(57)【要約】【課題】  いわゆる空焚きの発生によるタンクの破損や処理液の発火を未然に防止する。【解決手段】  基板処理装置は、タンクに貯溜される処理液をこのタンクに組付けられる温調用ヒータにより間接的に加熱するように構成される。タンクにはサーモスタット２６が取り付けられている。また、温調用ヒータ（ヒータ本体３１）と電源５０との間には電磁接触器５４が介設され、この電磁接触器５４のコイル５４ａへの電力供給用の回路に前記サーモスタット２６が介設されている。そして、タンクが特定温度を超えるとサーモスタット２６が働いて電磁接触器５４への電力供給が遮断され、その結果、該接触器５４がオンからオフに切り替わり温調用ヒータ３０が停止するように構成されている。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒータを組付けたタンク内に貯溜される基板処理液を前記ヒータにより間接的に加熱することにより処理液を特定温度に温調し、この温調された処理液を基板に供給して該基板を処理する基板処理装置の前記タンクの過熱防止装置であって、
前記タンクの温度を検出するタンク温度検出手段と、このタンク温度検出手段による検出温度に基づき前記タンクが予め設定された過熱温度に達したときに前記ヒータを停止させるヒータ制御手段とを備えていることを特徴とする処理液タンクの過熱防止装置。
【請求項２】
ヒータを組付けたタンク内に貯溜される基板処理液を前記ヒータにより間接的に加熱することにより処理液を特定温度に温調し、この温調された処理液を基板に供給して該基板を処理する基板処理装置の前記タンクの過熱防止装置であって、
前記タンクの温度を検出するタンク温度検出手段と、前記タンクに貯溜されている処理液の液位を検出する液位検出手段と、前記ヒータの温度を検出するヒータ温度検出手段と、これらタンク温度検出手段、液位検出手段およびヒータ温度検出手段による検出値に基づいて前記ヒータを停止させるヒータ制御手段とを備え、
このヒータ制御手段は、前記タンク温度検出手段による検出温度が予め設定された過熱温度に達する第１条件、前記液位検出手段による検出液位が予め設定された下限液位まで低下する第２条件、および前記ヒータ温度検出手段による検出温度が予め設定された過熱温度に達する第３条件のうち、少なくとも前記第１条件を含む複数の条件のうち何れか一の条件が満たされたときに前記ヒータを停止させることを特徴とする処理液タンクの過熱防止装置。
【請求項３】
請求項２に記載の処理液タンクの過熱防止装置において、
前記タンク温度検出手段、液位検出手段およびヒータ温度検出手段として上記の条件がそれぞれ満たされたときに回路を開く保護素子を有し、
前記ヒータ制御手段は、ヒータに電力を供給する第１電力供給回路と、この第１電力供給回路に介設され、かつ励磁状態で前記第１電力供給回路を閉じてヒータへの電力供給を可能とする電磁式開閉器と、この電磁式開閉器に対して励磁用電力を供給する第２電力供給回路とを有し、かつこの第２電力供給回路に、前記タンク温度検出手段、液位検出手段又はヒータ温度検出手段としての前記保護素子のうち少なくともタンク温度検出手段に対応する保護素子を含む複数の保護素子を直列に有していることを特徴とする処理液タンクの過熱防止装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の処理液タンクの過熱防止装置において、
前記タンク内の処理液の温度を検出する処理液温度検出手段と、ヒータによる前記処理液の加熱開始からの時間を計時する計時手段とをさらに有し、前記ヒータ制御手段は、前記計時手段による計時時間が一定時間経過したときの前記処理液温度検出手段による検出温度が予め設定された温度に達していないときに前記ヒータを停止させることを特徴とする処理液タンクの過熱防止装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＣＤ、ＰＤＰ用ガラス基板および半導体基板等の基板に処理液を供給して各種処理を施す基板処理装置に適用される処理液タンクの過熱防止装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＬＣＤ、ＰＤＰ用ガラス基板等の基板に処理液を供給することにより基板に各種処理液により処理を施すようにした基板処理装置が一般に知られている。
【０００３】
この種の基板処理装置においては、処理液をその処理に最適な温度に温調した状態で基板に供給するようにしており、例えば特許文献１に開示されるように、処理液を貯溜するタンクにヒータを組込み付け、タンクの熱伝導を利用して間接的にタンク内の処理液を加熱することが行われている。
【０００４】
このように間接的にタンク内の処理液を加熱する場合の温度制御の方法としては種々考えられるが、例えばヒータ温度と処理液温度とを検出し、これら検出温度に基づき処理液温度を制御することが多く行われている（カスケード制御）。例えば図６に示すように、加熱の初期段階ではヒータを処理液の目標温度Ｔよりも十分に高い温度Ｔ１に設定して処理液の加熱を促進し、処理液の温度が目標温度Ｔの近傍（例えば目標温度Ｔの７０〜８０％）に達するとヒータの制御温度を目標温度Ｔまで下げ、これにより処理液の温度をほぼ目標温度Ｔに保つことが行われている。
【特許文献１】特開２００３−１５１８９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のようにタンク内の処理液を間接的に加熱する場合、万一タンクから処理液が漏洩するなどしてタンクが空、あるいはそれに近い状態まで処理液が減少し、この異常状態で継続的にヒータ加熱が行われると、いわゆる空焚き状態となってタンクを破損し、あるいは処理液の種類によっては自己発火して最悪の場合には火災を誘発することが考えられる。
【０００６】
一般的にはタンク内にフロート型の液位センサを設けてタンク内の液位を監視し、液位が異常に低下している場合にヒータを停止させるか、あるいは漏液により処理液が減少すると処理液が過熱されることを利用し、処理液の検出温度を監視してその温度が特定温度を超えた時点でヒータを停止させるといった措置を執ることが行われており、タンクが空焚き状態に陥ることは殆どないと考えられる。
【０００７】
しかしながら、例えば液位センサを用いる場合には、使用する処理液の種類によっては処理液がフロートに付着するなどしてその動きを阻害し正確な液位を検出できない場合が考えられる。また、処理液の温度を検出する場合も、漏液により処理液と温度センサが非接触状態となっていると処理液の検出温度が殆ど上昇しない状況が発生し得るため、このような場合には空焚きを検知するのが難しくなる。従って、この点を改善し、いわゆる空焚き状態が発生するのをより高度に防止することが望まれる。
【０００８】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであって、空焚きの発生をより確実に防止することにより、タンクの破損や処理液の発火を未然に防止することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に係る処理系液の過熱防止装置は、ヒータを組付けたタンク内に貯溜される基板処理液を前記ヒータにより間接的に加熱することにより処理液を特定温度に温調し、この温調された処理液を基板に供給して該基板を処理する基板処理装置の前記タンクの過熱防止装置であって、前記タンクの温度を検出するタンク温度検出手段と、このタンク温度検出手段による検出温度に基づき前記タンクが予め設定された過熱温度に達したときに前記ヒータを停止させるヒータ制御手段とを備えているものである。
【００１０】
この過熱防止装置によると、タンクそのもの温度を検出し、いわゆる空焚きに陥る過程でタンクが過熱される状態を検知してヒータを停止させるため、処理液の液位や温度に基づいてヒータを停止させるものに比べると検出値に対する不安定要素が少なく、そのため、より確実に、タンクが空焚き状態に陥る前によりヒータを停止させることが可能となる。
【００１１】
また、本発明の請求項２に係る処理系液の過熱防止装置は、ヒータを組付けたタンク内に貯溜される基板処理液を前記ヒータにより間接的に加熱することにより処理液を特定温度に温調し、この温調された処理液を基板に供給して該基板を処理する基板処理装置の前記タンクの過熱防止装置であって、前記タンクの温度を検出するタンク温度検出手段と、前記タンクに貯溜されている処理液の液位を検出する液位検出手段と、前記ヒータの温度を検出するヒータ温度検出手段と、これらタンク温度検出手段、液位検出手段およびヒータ温度検出手段による検出値に基づいて前記ヒータを停止させるヒータ制御手段とを備え、このヒータ制御手段が、前記タンク温度検出手段による検出温度が予め設定された過熱温度に達する第１条件、前記液位検出手段による検出液位が予め設定された下限液位まで低下する第２条件、および前記ヒータ温度検出手段による検出温度が予め設定された過熱温度に達する第３条件のうち、少なくとも前記第１条件を含む複数の条件のうち何れか一の条件が満たされたときに前記ヒータを停止させるように構成されているものである。
【００１２】
この過熱防止装置の場合も、タンクそのもの温度を検出し、いわゆる空焚きに陥る過程でタンクが過熱される状態を検知してヒータを停止させるため、請求項１の装置と同様に、タンクが空焚き状態に陥る前によりヒータを適切に停止させることが可能となる。特に、請求項２に係る装置によると、タンク温度、タンク内の液位およびヒータ温度を監視しながら、上記のようにタンクの温度を含む複数の条件のうち一の条件が成立した時点でヒータを停止させるため、例えばいずれかの検出手段に誤動作が生じるといった異常事態が発生した場合でも、他の検出手段が正常に作動している限り、確実にヒータを停止させることが可能となる。
【００１３】
請求項２に係る過熱防止装置のより具体的な構成としては、例えば前記タンク温度検出手段、液位検出手段およびヒータ温度検出手段として上記の条件がそれぞれ満たされたときに回路を開く保護素子を有し、前記ヒータ制御手段が、ヒータに電力を供給する第１電力供給回路と、この第１電力供給回路に介設され、かつ励磁状態で前記第１電力供給回路を閉じてヒータへの電力供給を可能とする電磁式開閉器と、この電磁式開閉器に対して励磁用電力を供給する第２電力供給回路とを有し、かつこの第２電力供給回路に、前記タンク温度検出手段、液位検出手段又はヒータ温度検出手段としての前記保護素子のうち少なくともタンク温度検出手段に対応する保護素子を含む複数の保護素子を直列に有した構成が考えられる（請求項３）。
【００１４】
なお、請求項２又は３に係る過熱防止装置においては、タンク内の処理液の温度を検出する処理液温度検出手段と、ヒータによる前記処理液の加熱開始からの時間を計時する計時手段とをさらに有し、前記ヒータ制御手段が、前記計時手段による計時時間が一定時間経過したときの前記処理液温度検出手段による検出温度が予め設定された温度に達していないときに前記ヒータを停止させるように構成されているのが好ましい（請求項４）。
【００１５】
すなわち、タンクが空焚き状態に陥る徴候としては、漏液等により処理液と処理液温度検出手段とが非接触状態となって処理液の検出温度が殆ど上昇しない状況が発生し得る。そのため、このような状況をさらに検知してヒータを停止させることにより、タンクが空焚き状態に陥るのをより確実に防止することが可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１〜４に係る処理液タンクの過熱防止装置によると、タンクそのものの過熱状態を検知してヒータを停止させるため、従来のように処理液の液位や温度に基づいてヒータを停止させるものに比べると信頼性が高い。従って、タンクがいわゆる空焚き状態に陥るのをより確実に防止することができ、当該空焚きによるタンクの破損や処理液の発火等による火災の発生といったトラブルを未然に防止することが可能となる。特に、請求項２〜４に係る過熱防止装置によると、タンクの温度以外の要素を併用してタンクが空焚き状態に陥る状況を検知してヒータを停止させるので、より一層信頼性が高いものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の最良の実施形態について図面を用いて説明する。
【００１８】
図１は、本発明に係る処理液タンクの過熱防止装置が適用される基板処理装置の一例を模式的に示している。
【００１９】
この図に示す基板処理装置は、例えば、ガラス基板Ｗ（以下、基板Ｗと略す）を搬送しながらこの基板Ｗに薬液や純水等の処理液を供給して当該処理液による所定の処理を基板Ｗに施すものである。この装置は、主に基板Ｗを処理する上層部２と、処理液の供給系統および装置の制御系を収納した下層部３との上下二層構造とされている。
【００２０】
上層部２には、基板Ｗの処理用チャンバ１０が設けられている。この処理用チャンバ１０には、その一方側の側面（左側面）に基板Ｗの搬入部１０ａが、他方側の側面（右側面）に基板Ｗの搬出部１０ｂが設けられている。また、これら搬入部１０ａと搬出部１０ｂとの間には、複数のローラ１１を並列に備えたローラコンベア１２が配設されおり、搬入部１０ａから処理用チャンバ１０内に搬入された基板Ｗが水平又は傾斜姿勢に支持された状態で前記各ローラ１１の駆動により搬出部１０ｂに向って搬送されるようになっている。
【００２１】
処理用チャンバ１０内には、さらに基板Ｗに対して処理液を供給するための複数のノズル１４が配設されている。これらのノズル１４は前記コンベア１２の上部に所定の配列で設けられており、例えば処理液をシャワー状に吐出するようになっている。
【００２２】
一方、下層部３には、タンク１５、処理液の供給通路Ｌ１および回収通路Ｌ２等の処理液の供給系統および制御系としてのコントローラ６が配設されている。
【００２３】
タンク１５は、下層部３のフレーム４（図２に示す）に支持されており、図示の例では２つのタンク１５が左右に並べて支持されている。これらのタンク１５の底部には温調用ヒータ３０が組付けられおり、タンク１５を介して間接的に処理液を加熱することにより処理液をその処理に最適な温度に温度調整するように構成されている。なお、この温調用ヒータ３０の構成については後に詳述する。
【００２４】
処理液の供給通路Ｌ１は、その上流端がタンク１５に、下流端が上記ノズル１４にそれぞれ連通接続されており、その途中部分にはポンプ２０，フィルタ２１および電磁バルブ２２等が介設されている。また、処理液の回収通路Ｌ２は、その上流端が処理用チャンバ１０の底部に、下流端がタンク１５にそれぞれ連通接続されている。つまり、タンク１５に貯溜された処理液をポンプ２０の作動により供給通路Ｌ１を通じて各ノズル１４に供給し、各ノズル１４から基板Ｗに吹き付けて処理に供した後、処理用チャンバ１０の底部から回収通路Ｌ２を介してタンク１５に回収することにより処理液を循環使用するように前記供給系統が構成されている。なお、図１では、一方側のタンク１５の供給通路Ｌ１および回収通路Ｌ２を図示しているが、勿論、他方側のタンク１５についても同様に供給通路Ｌ１および回収通路Ｌ２が設けられている。
【００２５】
コントローラ６は、この基板処理装置を統括的に制御するもので、コンベア１２、供給通路Ｌ１の電磁バルブ２２、ポンプ２０および後述するガス供給通路Ｌ３の電磁バルブ２３等は全てこのコントローラ６に電気的に接続されている。なお、図示を省略するが、このコントローラ６はタンク１５等の処理液の供給系統から離間した位置に区画形成された収納室内に配置されることによりタンク１５等から隔離されており、これによって処理液のミスト等から完全に遮蔽されている。
【００２６】
この基板処理装置において、基板Ｗは、搬入部１０ａを介して処理用チャンバ１０内に導入され、コンベア１２により水平又は傾斜姿勢に支持された状態で一定の速度で搬送される。その一方で、最適温度に温調された処理液がポンプ２０の作動によりタンク１５から各ノズル１４に供給され、これにより各ノズル１４から基板Ｗに処理液が吹き付けられる。そして、基板Ｗが搬出部１０ｂから搬出されるまでの間、基板Ｗに処理液が吹き付けられることにより基板Ｗに対して処理液による所定の処理が施されることとなる。
【００２７】
次に、前記タンク１５内の処理液を加熱するための構成について説明する。
【００２８】
図２は、図１におけるＡ−Ａ断面図である。この図に示すように、タンク１５はその幅方向両側（図２では紙面に直交する方向両側）に設けられる脚部１６（同図では片側のみ図示）を介してフレーム４上に支持されている。
【００２９】
タンク１５には、これに貯溜される処理液の液位を検出するためのフロート型の液位センサ１７が設けられている。液位センサ１７は、タンク１５内に立設される軸１８ａと、処理液の液面高さに応じてこの軸１８ａに沿って昇降するフロート１８ｂと、フロート１８ｂが特定位置に達するとオフするリードスイッチ１８ｃ（液位検出手段としての保護素子；図５に示す）とを有しており、タンク内の処理液の液面が下限値まで下がるとオフするように構成されている。なお、タンク１５には、この液位センサ１７とは別に定量検知、オバーフロー検知およびドレン検知などの液位センサが設けられているが図１、図２においては便宜上図示を省略している。
【００３０】
タンク１５にはさらに、処理液の温度を検出するための例えば測温抵抗体からなる液温センサ２５（処理液温度検出手段）と、サーモスタット２６（タンク温度検出手段としての保護素子）とが設けられている。サーモスタット２６はタンク下方部に設けられており、処理液の通常温度（すなわち、処理液が適切に温調されたときのタンク温度）よりも高温で、かつ過熱によりタンク１５が破損する虞れのある温度および処理液の自己発火温度よりも低い温度に設定された特定の温度で働くように温度設定がなされている。
【００３１】
タンク１５の下面１５ａには温調用ヒータ３０が組付けられている。温調用ヒータ３０は、図３および図４に示すように複数本（図示の例では９本）のヒータ本体３１を備えている。これらヒータ本体３１は一端側に一対の接続用導線３１ａが導出された棒状のもので、幅方向（タンク１５の幅方向）に並列に並べられた状態で、熱伝導性に優れた金属材料、例えばアルミニウムからなる厚板状のホルダ３２により一体に保持されている。
【００３２】
前記ホルダ３２の端面であって前記導線３１ａが並ぶ側の端面には、方形断面を有し、かつヒータ本体３１の配列方向に延びる細長のケース３６が一体に結合されており、前記ホルダ３２に保持された各ヒータ本体３１の端部、具体的には導線３１ａの導出側の端部がこのケース３６内に挿入されている。なお、ホルダ３２とケース３６との結合面にはシール部材３３が介装されている。
【００３３】
また、ケース３６において前記ホルダ３２との結合面に対向する面には筒状のロック部材３８が固定されている。ロック部材３８は、各ヒータ本体３１に対応する位置に上下２個ずつ設けらており、各ヒータ本体３１に対する電力供給用電線４０（以下、電力線４０という）がロック部材３８を通じてケース３６内に挿入され、このケース３６内でそれぞれ対応するヒータ本体３１の前記導線３１ａに電気的に接続されている。
【００３４】
また、ケース３６においてその下面には、同ケース３６内に連通するホースジョイントからなるポート部４８が設けられており、図１に示すように、窒素ガスの供給源２４から導出されるガス供給通路Ｌ３の先端がこのポート部４８に接続されている。これによりヒータ本体３１の作動中は、このケース３６内に窒素ガスが供給されることによってヒータ本体３１と電力線４０との接続部分が外気から遮蔽されるようになっている。つまり、漏液や引火性の高いガス等が処理液から発生しているような異常事態で、万一ヒータ本体３１と電力線４０との接続部分で火花（スパーク）が生じた場合でも、これが前記ガス等に引火することがないように構成されている。なお、ガス供給通路Ｌ３の途中部分には、電磁バルブ２３が介設されており、基板Ｗの処理時にはこのバルブ２３がコントローラ６により開閉制御されるようになっている。
【００３５】
温調用ヒータ３０には、さらに、図３及び図４に示すように温度ヒューズ４２（ヒータ温度検出手段としての保護素子）およびヒータ温度センサ４６が設けられている。
【００３６】
温度ヒューズ４２は、その配線、つまり前記コントローラ６に接続される導線４５との接続部分であるヒューズコネクタ４３と共にケース３６内に収納されている。この温度ヒューズ４２は、ヒータ本体３１が通常使用時の温度を超える所定の過熱温度に達したときに働くもので、ケース３６の内面のうちホルダ３２が結合される側の側面に、固定金具４４によってヒューズコネクタ４３と一体に固定されている。一方、ヒータ温度センサ４６は配線一体型の熱電対からなり、温調用ヒータ３０の幅方向略中央にヒータ本体３１と平行に配置され、ケース３６を貫通して先端測温部がホルダ３２内に挿入された状態で設けられている。
【００３７】
温度ヒューズ４２の導線４５およびヒータ温度センサ４６は、ケース３６に固定された前記ロック部材３８と同一構造のロック部材（図４中は、ヒータ温度センサ４６のロック部材３９のみ図示）を通じてケース３６外に導出され、コントローラ６に電気的に接続されている。
【００３８】
温調用ヒータ３０は、図２および図３に示すようにヒータ本体３１がタンク１５の幅方向に並ぶ状態で同下面１５ａにボルトナット（図示省略）で固定されている。なお、図３および図４において符号３４は、例えばボルトナットによりホルダ３２に固定されている断熱カバーであって、温調用ヒータ３０の前記ホルダ３２のうちタンク１５に対する当接面以外の部分を覆うように設けられている。
【００３９】
図５は、前記コントローラ６のうちタンク１５内の処理液温度を制御する部分の電気的回路構成を示している。
【００４０】
同図に示すように、前記温調用ヒータ３０の９本のヒータ本体３１は、それぞれ３本ずつＳＳＲ５２を介して共通の電磁接触器５４（電磁式開閉器）に接続され、さらにこの電磁接触器５４を介して三相交流電源（ＡＣ２００Ｖ）５０に接続されている。
【００４１】
ＳＳＲ５２はヒータ本体３１への電力供給を個別にオンオフするもので、後記温調器５８から出力される制御信号に基づき作動する。一方、電磁接触器５４は、電源５０とＳＳＲ５２との間に介設されており、励磁状態のときにオンして、すなわち電源５０から温調用ヒータ３０への電力供給用の回路を閉じてヒータ本体３１への電力供給を可能とし、非励磁状態のときにオフして各ヒータ本体３１への電力供給を一括して遮断するようになっている。
【００４２】
前記電源５０には、三相交流の電圧を直流の電圧（ＤＣ２４Ｖ）に変換する電源回路５６が接続されおり、温調器５８がこの電源回路５６に接続されている。
【００４３】
温調器５８は、処理液の温度を予め設定された温度に調整すべく前記ヒータ温度センサ４６および液温センサ２５の検出温度に基づきＳＳＲ５２に制御信号を出力するもので、この制御信号の出力により各ヒータ本体３１への電力供給をオンオフ制御する。
【００４４】
また、電源回路５６の出力端子間には電磁接触器５４のコイル５４ａが接続されるとともに、このコイル５４ａに対して前記サーモスタット２６、温度ヒューズ４２および液位センサ１７の前記リードスイッチ１８ｃが直列に接続されている。つまり、通常は、電源回路５６から前記コイル５４ａに電圧が印加され、これにより電磁接触器５４が励磁状態とされる一方で、サーモスタット２６又は温度ヒューズ４２が働いた場合、あるいはリードスイッチ１８ｃがオフに切り替った場合には、電源回路５６から電磁接触器５４への電力供給用の回路が開いてコイル５４ａへの電圧の印加が遮断され、その結果、電磁接触器５４が非励磁状態に切り替るように構成されている。
【００４５】
以上のようなタンク１５および温調用ヒータ３０等の構成において、基板Ｗの処理時には、電源回路５６からコイル５４ａに電圧が印加されて電磁接触器５４が励磁状態（オン）となり、その結果、電源５０から温調用ヒータ３０の各ヒータ本体３１に電力が供給される。そして、この電力供給により各ヒータ本体３１が発熱し、この熱がタンク１５を介してタンク内の処理液に伝達されることにより処理液が加熱されることとなる。
【００４６】
この際、液温センサ２５およびヒータ温度センサ４６による検出温度に基づいて温調器５８からＳＳＲ５２に制御信号が出力されることにより各ヒータ本体３１がオンオフ制御され、その結果、温調器５８における設定温度に処理液の温度が制御される。この場合の温度制御は、例えば、背景技術で説明した図６の制御方法と同様に行われる。すなわち、加熱初めの段階（初期段階）では温調用ヒータ３０の温度が目標温度Ｔよりも十分に高い温度Ｔ１となるように各ヒータ本体３１がオンオフ制御される。そして、処理液温度が目標温度Ｔの近傍（目標温度Ｔの７０〜８０％）に達すると温調用ヒータ３０の温度が目標温度Ｔとなるように各ヒータ本体３１がオンオフ制御され、これにより処理液の温度が設定温度に制御されることとなる。
【００４７】
なお、このような処理液の加熱動作に際して、例えばタンク１５から処理液が漏洩する等の異常事態が発生した場合には、サーモスタット２６又は温度ヒューズ４２が働き、あるいはリードスイッチ１８ｃがオフに切り替ることにより温調用ヒータ３０（ヒータ本体３１）への電力供給が遮断される。
【００４８】
すなわち、漏液によりタンク内の処理液が減少すると、
（１）処理液が無い状態、あるいはこれに近い状態で継続的に温調用ヒータ３０が作動することによりタンク１５が過熱され、これによりサーモスタット２６が働く（第１条件）
（２）タンク１５内の処理液の液面が下限値以下まで下がり液位センサ１７のリードスイッチ１８ｃがオフに切り替る（第２条件）、
（３）処理液が無い状態、あるいはこれに近い状態で継続的に温調用ヒータ３０が作動することによりヒータ本体３１が過熱され、これにより温度ヒューズ４２が働く（第３条件）、
という状況（条件）のうち何れか一又は複数の状況が発生し、これにより前記コイル５４ａへの電圧の印加が遮断される。その結果、電磁接触器５４が非励磁状態に切換わりヒータ本体３１への電力供給が遮断され、温調用ヒータ３０が停止されることとなる。
【００４９】
このように漏液等によりタンク１５内に処理液が無い状態、あるいはこれに近い状態となった場合には強制的に温調用ヒータ３０が停止され、これによってタンク１５がいわゆる空焚き状態となるのが防止されることとなる。
【００５０】
以上のような基板処理装置によると、タンク１５自体にサーモスタット２６が設けられ、漏液等によりタンク１５内の処理液が減少してタンク１５が過熱された状況が生じると、サーモスタット２６が働いて速やかに温調用ヒータ３０が停止されるので、例えばタンク内の液位のみを監視してヒータを停止させる従来装置に比べると、いわゆる空焚き状態の発生をより確実に防止することが可能になる。すなわち、従来装置では、使用する処理液の種類によっては処理液がフロートに付着硬化する等して正確な液位を検出できないような場合も考えられ、このような場合には適切にヒータを停止させることができず、いきおいタンク１５が空焚き状態に陥ることが考えられる。これに対して、上記のようにタンク１５にサーモスタット２６を設けた構成によると、いわゆる空焚き状態に至る過程で生じるタンク１５の過熱状態を検知して温調用ヒータ３０を停止させるので、処理液の種類などに左右されることなく、タンク１５が過熱されている場合には温調用ヒータ３０を確実に停止させることができる。従って、従来装置に比べると信頼性が高く、タンク１５がいわゆる空焚き状態に陥るのを確実に防止することができる。
【００５１】
特に、この基板処理装置では、タンク１５から処理液が漏洩するという異常事態が発生した場合には、上述の通り、上記（１）〜（３）の複数の状況（条件）のうち少なくも一の状況が発生した時点で強制的に温調用ヒータ３０を停止させるように構成されているので、より確実にタンク１５が空焚き状態に陥るのを防止することができる。すなわち、サーモスタット２６、温度ヒューズ４２又はリードスイッチ１８ｃの何れかに誤動作が生じ、上記（１）〜（３）の何れかの状況を検知できないような異常事態が生じた場合でも、それ以外のものが正常に作動している限り温調用ヒータ３０を確実に停止させることができる。従って、いわゆる空焚きによりタンク１５の破損、あるいは残った処理液の発火といったトラブルの発生をより確実に防止することが可能となる。
【００５２】
なお、以上説明した実施形態の基板処理装置は、本発明に係る過熱防止装置が適用された基板処理装置の一例であって、その具体的な構成はもとより過熱防止装置の具体的な構成も本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００５３】
例えば、上記実施形態では、タンク１５の温度以外に、タンク１５内の処理液の液位やヒータ本体３１の温度を検出し、いずれかの検出値が特定値に達した時点で温調用ヒータ３０を停止させるようにしているが、勿論、タンク１５の温度のみに基づいて温調用ヒータ３０を停止させるように構成してもよい。これによれば処理液の温度制御系の構成を簡略化することができる。但し、タンク１５内の液位およびヒータ本体３１の温度といった他の要素を併用し、上記第１〜第３の何れかの条件が満たされたときに温調用ヒータ３０を停止させるようにすれば、上述の通り空焚きを防止する上での信頼性を高めることができる。従って、タンク１５内の液位又はヒータ本体３１の温度のいずれか一方、あるいは双方の要素を併用してタンク１５が空焚き状態に陥る徴候を検知し、その検知に基づいて温調用ヒータ３０を停止させるのが好ましい。要するに、第１条件と第２条件の何れか一方の条件が満たされたときに温調用ヒータ３０を停止させる構成、第１条件と第３条件のいずれか一方の条件が満たされたときに温調用ヒータ３０を停止させる構成、あるいは第１〜第３のうち何れか一の条件が満たされたときに温調用ヒータ３０を停止させる構成のいずれかであるのが好ましい。
【００５４】
また、実施形態では、電源回路５６の出力端子間に電磁接触器５４のコイル５４ａ、サーモスタット２６、温度ヒューズ４２およびリードスイッチ１８ｃを直列に接続し、サーモスタット２６、温度ヒューズ４２又はリードスイッチ１８ｃの何れかが作動すると電磁接触器５４が自ずとオフに切り替わって温調用ヒータ３０への電力供給が遮断されるように本発明のヒータ制御手段が構成されているが、例えばコントローラ６には通常ＣＰＵが搭載されるためこれをヒータ制御手段として利用して電磁接触器５４を切り替えるように構成してもよい。すなわち、センサを使ってタンク１５の温度、ヒータ本体３１の温度およびタンク１５内の液位をリアルタイムで検出し、何れかのセンサの検出値が特定の値に達したときにＣＰＵから制御信号を出力して電磁接触器５４を切り替えるように構成してもよい。
【００５５】
また、加熱開始から一定時間後の処理液の温度を液温センサ２５により検出し、その検出温度が目標温度の一定範囲内に無い場合に温調用ヒータ３０を停止させるようにしてもよい。すなわち、上記実施形態の構成において、液漏れ等が発生していない正常状態では、例えば図６に示すように加熱を開始してから一定時間後には処理液の温度が概ね目標温度Ｔに到達するが、液漏れが発生して処理液が減少している場合には液温が目標温度Ｔを大幅に越えるか、あるいは逆に処理液と液温センサ２５とが非接触状態となっていて液温が目標温度Ｔに対して極端に低い状況が発生する。従って、処理液の検出温度が一定時間経過後に目標温度Ｔの一定範囲内にない場合に温調用ヒータ３０を停止させるようにすれば、この場合にも、タンク１５がいわゆる空焚き状態に陥るのを未然に防止することが可能となる。なお、この場合の具体的な構成としては、例えば図５において前記サーモスタット２６等と直列にリードスイッチを設け、タイマにより時間を計測して加熱開始から一定時間後の液温センサ２５の検出値を調べ、このときの処理液の温度が一定範囲内に無い場合に、前記リードスイッチをオフするように構成すればよい。
【００５６】
また、上記実施形態では、ガス供給通路Ｌ３の途中部分に電磁バルブ２３を介設し、このバルブ２３の開閉によりケース３６に対する窒素ガスの供給制御を行うようにしているが、このバルブ２３を省略し、窒素ガスを常時ケース３６内に供給するように構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明に係る処理液タンクの過熱防止装置が適用される基板処理装置を示す模式図である。
【図２】基板処理装置の下層部（特にタンク）の構成を示す図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】タンクに組付けられる温調用ヒータの構成を示す縦断面図である。
【図４】温調用ヒータの構成を示す図３のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】コントローラのうちタンク内の処理液温度を制御する部分に対応する電気回路図である。
【図６】処理液の温度制御の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００５８】
１５  タンク
１８  液位センサ
２５  液温センサ
２６  サーモスタット
３０  温調用ヒータ
３１  ヒータ本体
４２  温度ヒューズ
５０  電源
５２  ＳＳＲ
５４  電磁接触器
５４ａ  コイル
５６  電源回路
５８  温調器
Ｌ１  処理液供給通路
Ｌ２  処理液回収通路
Ｌ３  ガス供給通路
【図１】
2005310940.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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