(57)【要約】  【課題】  層間誘電体層２を薄層化した場合でも、８５℃でのバイアス特性の向上が期待できる積層セラミックコンデンサ１を提供すること。  【解決手段】  内部電極層３と、３．５μｍ以下の厚みを持つ層間誘電体層２とを有する積層セラミックコンデンサ１であって、前記層間誘電体層２は、前記内部電極層と接している接触誘電体粒子２ａと、前記内部電極層と接していない非接触誘電体粒子２ｂとで構成されており、該接触誘電体粒子２ａの平均粒径をＤ５０ｅとし、該非接触誘電体粒子２ｂの平均粒径をＤ５０ｄとしたとき、Ｄ５０ｅ＜０．４５０μｍ、かつ（Ｄ５０ｅ／Ｄ５０ｄ）＝１．２０〜３．００（但し、１．２０及び３．００を除く）を満足する、積層セラミックコンデンサ１。  【選択図】  図２
2005159224.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部電極層と、３．５μｍ以下の厚みを持つ誘電体層とを有する積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体層は、前記内部電極層と接している接触誘電体粒子と、前記内部電極層と接していない非接触誘電体粒子とで構成されており、
該接触誘電体粒子の平均粒径をＤ５０ｅとし、該非接触誘電体粒子の平均粒径をＤ５０ｄとしたとき、Ｄ５０ｅ＜０．４５０μｍ、かつ（Ｄ５０ｅ／Ｄ５０ｄ）＝１．２０〜３．００（但し、１．２０及び３．００を除く）を満足する、ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、積層セラミックコンデンサは、小型大容量化を実現するために、対向する内部電極層間の誘電体層（層間誘電体層）の薄層化が進み、該層間誘電体層を構成する誘電体粒子の数は少なくなってきており、粒子構造の制御がコンデンサの特性に大きく影響するようになってきている。
【０００３】
たとえば特許文献１では、誘電体層と内部電極層とからなる積層セラミックコンデンサにおいて、層間誘電体層の構造を制御し、電気特性を悪化させることなく高誘電率化を実現することができる技術が提案されている。この技術では、層間誘電体層は、複数の誘電体粒子を含み、この複数の誘電体粒子は、内部電極層と接している接触誘電体粒子と、内部電極層と接していない非接触誘電体粒子とで構成されており、接触誘電体粒子の平均粒径Ｄ５０ｅは、非接触誘電体粒子の平均粒径Ｄ５０ｄと比較して大きく、好ましくは（Ｄ５０ｅ／Ｄ５０ｄ）＝１．０５〜１．２０を満足する構造を採ることとしている。なお、特許文献１では、粒成長を促進させる添加成分を添加した内部電極層用ペーストを用いる旨が示されているが、添加成分の組成は、誘電体粒子の組成とは異なるものである。
【０００４】
特許文献１記載の技術では、層間誘電体層をたとえば３．５μｍ以下に薄層化した場合に、得られるコンデンサの特性（８５℃でのバイアス特性）が劣る傾向があった。
【特許文献１】特開２００３−１２４０４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、層間誘電体層を薄層化した場合でも、８５℃でのバイアス特性の向上が期待できる積層セラミックコンデンサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明によれば、
内部電極層と、３．５μｍ以下の厚みを持つ誘電体層とを有する積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体層は、前記内部電極層と接している接触誘電体粒子と、前記内部電極層と接していない非接触誘電体粒子とで構成されており、
該接触誘電体粒子の平均粒径をＤ５０ｅとし、該非接触誘電体粒子の平均粒径をＤ５０ｄとしたとき、Ｄ５０ｅ＜０．４５０μｍ、かつ（Ｄ５０ｅ／Ｄ５０ｄ）＝１．２０〜３．００（但し、１．２０及び３．００を除く）を満足する、ことを特徴とする積層セラミックコンデンサが提供される。
【０００７】
本発明に係る積層セラミックコンデンサは、たとえば次に示す方法により製造することができる。ただし、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、下記方法に限定されるものではない。
【０００８】
その方法は、誘電体原料を含む誘電体層用ペーストと、前記誘電体原料と同じ組成であって０．０１〜０．２μｍの平均粒径と７．５以上のｐＨを持つ添加用誘電体原料の主成分を含む内部電極層用ペーストとを、用いて得られた積層体を焼成する工程を有する。
【０００９】
焼成工程は、雰囲気温度を、焼成保持温度Ｔ２に向けて上昇させ、該Ｔ２を所定時間、保持させた後、下降させる工程であればよく、昇温、Ｔ２保持、降温の各工程についての詳細は特に限定されない。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、層間誘電体層を薄層化した場合でも、８５℃でのバイアス特性（室温での容量と比較し、８５℃での所定のバイアス電圧を印加したときの容量の変化量）の向上が期待できる積層セラミックコンデンサが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。ここにおいて、図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの概略断面図、図２は図１に示す誘電体層の要部拡大断面図、図３は実施例における脱バインダ処理、焼成およびアニールの各温度変化を示すグラフ、である。
【００１２】
本実施形態では、内部電極層と誘電体層を有する積層セラミックコンデンサとして、内部電極層と誘電体層とが交互に複数積層してある積層セラミックコンデンサを例示して説明する。
【００１３】
積層セラミックコンデンサ
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、層間誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体１０を有する。このコンデンサ素子本体１０の両側端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。内部電極層３は、各側端面がコンデンサ素子本体１０の対向する２端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対の外部電極４は、コンデンサ素子本体１０の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層３の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。
【００１４】
コンデンサ素子本体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、縦（０．６〜５．６ｍｍ）×横（０．３〜５．０ｍｍ）×高さ（０．３〜１．９ｍｍ）程度である。
【００１５】
コンデンサ素子本体１０において、内部電極層３および層間誘電体層２の積層方向の両外側端部には、外側誘電体層２０が配置してあり、素子本体１０の内部を保護している。
【００１６】
層間誘電体層および外側誘電体層
層間誘電体層２および外側誘電体層２０の組成は、本発明では特に限定されないが、たとえば以下の誘電体磁器組成物で構成される。  
本実施形態の誘電体磁器組成物は、たとえばチタン酸バリウムを主成分として有する誘電体磁器組成物である。  
誘電体磁器組成物中に主成分と共に含まれる副成分としては、Ｍｎ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ，Ｖ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｒ（ＲはＹ、希土類元素の１種以上）及びＳｉの酸化物及び焼成により酸化物になる化合物を一種類以上含有するものが例示される。副成分を添加することにより、還元雰囲気焼成においてもコンデンサとしての特性を得ることができる。なお、不純物として、Ｃ，Ｆ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｐ，Ｓ，Ｃｌなどの微量成分が０．１重量％以下程度、含有されてもよい。ただし、本発明では、層間誘電体層２及び外側誘電体層２０の組成は、上記に限定されるものではない。
【００１７】
本実施形態では、層間誘電体層２および外側誘電体層２０として、以下の組成のものを用いることが好ましい。その組成は、主成分としてチタン酸バリウムを含有し、副成分として酸化マグネシウムと希土類元素の酸化物とを含有し、更に他の副成分として酸化バリウム及び酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素、酸化マンガン、酸化バナジウム及び酸化モリブデンから選択される少なくとも１種とを含有するものである。そして、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３  に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、希土類元素の酸化物をＲ２  Ｏ３  に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２  に、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化バナジウムをＶ２  Ｏ５  に、酸化モリブデンをＭｏＯ３  にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３  １００モルに対する比率がＭｇＯ：０．１〜３モル、Ｒ２  Ｏ３  ：０モル超５モル以下、ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、ＳｉＯ２  ：２〜１２モル、ＭｎＯ：０モル超０．５モル以下、Ｖ２  Ｏ５  ：０〜０．３モル、ＭｏＯ３  ：０〜０．３モル、である。
【００１８】
層間誘電体層２の厚みは、好ましくは３．５μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以下と薄層化されている。本実施形態では、このように層間誘電体層２の厚みを薄層化したときでも、コンデンサ１の８５℃でのバイアス特性が改善されている。
【００１９】
なお、層間誘電体層２の積層数は、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、通常は５０層以上に多層化されることが多い。
【００２０】
図２に示すように、層間誘電体層２は、内部電極層３と接している誘電体粒子（接触誘電体粒子）２ａと、内部電極層と接していない誘電体粒子（非接触誘電体粒子）２ｂと、粒界相２ｃとを少なくとも有する。接触誘電体粒子２ａは、該接触誘電体粒子２ａを含む層間誘電体層２を挟んでいる一対の内部電極層３のうちの一方に対して接触しており、双方に対しては接触していない。ここで、接触誘電体粒子２ａの平均粒径をＤ５０ｅとし、非接触誘電体粒子２ｂの平均粒径をＤ５０ｄとする。このとき、本実施形態では、Ｄ５０ｅとＤ５０ｄの比（Ｄ５０ｅ／Ｄ５０ｄ）が、１．２０〜３．００（但し、１．２０及び３．００を除く）を満足する。好ましくは１．３０〜２．５０、より好ましくは１．３０〜２．３２を満足する。（Ｄ５０ｅ／Ｄ５０ｄ）の値が小さすぎると、層間誘電体層２を薄層化した場合に、十分な、８５℃でのバイアス特性の向上効果を得ることができず、大きすぎると初期絶縁抵抗（ＩＲ）の不良率が増大するなどの不都合を生じる。
【００２１】
Ｄ５０ｅは、０．４５０μｍ未満、好ましくは０．３００μｍ以下である。Ｄ５０ｅとＤ５０ｄの比（Ｄ５０ｅ／Ｄ５０ｄ）が適正範囲にあってもＤ５０ｅが大きすぎると、８５℃でのバイアス特性の向上効果が悪化する。その一方で、Ｄ５０ｅが小さすぎると、（Ｄ５０ｅ／Ｄ５０ｄ）の値を適正範囲にすることが困難になるため、Ｄ５０ｅの下限は、好ましくは０．１５０μｍである。
【００２２】
Ｄ５０ｄは、好ましくは０．０５０〜０．３００μｍ、より好ましくは０．１００〜０．２００μｍである。Ｄ５０ｄが大きすぎると、誘電体層の薄層化において、絶縁抵抗不良率が高くなるなどの不都合を生じることがある。Ｄ５０ｄが小さすぎると、コンデンサとして十分な静電容量が得られない。
【００２３】
Ｄ５０ｅ及びＤ５０ｄは、以下のように定義される。「Ｄ５０ｅ」とは、誘電体積層方向に切断し、図２に示す断面において内部電極と接点のある誘電体粒子２ａの３００個以上の平均面積を測定し、円相当径として直径を算出し１．５倍した値である。「Ｄ５０ｄ」とは、図２に示す断面において内部電極と接点のない誘電体粒子２ｂの３００個以上の平均面積を測定し、円相当径として直径を算出し１．５倍した値である。
【００２４】
なお、ここでのＤ５０ｅ及びＤ５０ｄは、内部電極層３の間に挟まれた層間誘電体層２（静電容量に寄与する部分）における接触誘電体粒子２ａ及び非接触誘電体粒子２ｂの平均粒径を意味する。
【００２５】
粒界相２ｃは、通常、誘電体材料あるいは内部電極材料を構成する材質の酸化物や、別途添加された材質の酸化物、さらには工程中に不純物として混入する材質の酸化物を成分としている。
【００２６】
内部電極層
図１に示す内部電極層３は、実質的に電極として作用する卑金属の導電材で構成される。導電材として用いる卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＷなどから選ばれる１種以上とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ、Ｃ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｃｌ、Ｂ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｆ、Ｓ等の各種微量成分が０．１重量％以下程度含まれていてもよい。
【００２７】
本実施形態では、内部電極層３の厚さは、好ましくは２．０μｍ以下、より好ましくは１．２μｍ以下と薄層化されている。
【００２８】
外部電極
図１に示す外部電極４としては、通常Ｎｉ，Ｐｄ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ等の少なくとも１種又はそれらの合金を用いることができる。通常は、Ｃｕ，Ｃｕ合金、Ｎｉ又はＮｉ合金等や、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ合金、Ｉｎ−Ｇａ合金等が使用される。外部電極４の厚さは用途に応じて適時決定されればよいが、通常１０〜２００μｍ程度であることが好ましい。
【００２９】
積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１の製造方法の一例を説明する。
【００３０】
（１）まず、焼成後に図１に示す層間誘電体層２及び外側誘電体層２０を構成することとなる誘電体層用ペーストと、焼成後に図１に示す内部電極層３を構成することとなる内部電極層用ペーストとを準備する。  
誘電体層用ペースト
誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練して調製する。
【００３１】
誘電体原料としては、複合酸化物や酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択され、混合して用いることができる。誘電体原料は、通常、平均粒子径が０．４μｍ以下、好ましくは０．１〜３．０μｍ程度の粉体として用いられる。
【００３２】
有機ビヒクルは、バインダおよび溶剤を含有するものである。バインダとしては、例えばエチルセルロース、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂などの通常の各種バインダを用いることができる。溶剤も、特に限定されるものではなく、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン、キシレン、エタノールなどの有機溶剤が用いられる。
【００３３】
誘電体層用ペーストは、誘電体原料と、水中に水溶性バインダを溶解させたビヒクルを混練して、形成することもできる。水溶性バインダは、特に限定されるものではなく、ポリビニルアルコール、メチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、水溶性アクリル樹脂、エマルジョンなどが用いられる。
【００３４】
誘電体層用ペースト中の各成分の含有量は、特に限定されるものではなく、たとえば、約１〜約５０重量％の溶剤を含むように、誘電体層用ペーストを調製することができる。
【００３５】
誘電体層用ペースト中には、必要に応じて、各種分散剤、可塑剤、誘電体、副成分化合物、ガラスフリット、絶縁体などから選択される添加物が含有されていてもよい。誘電体層用ペースト中に、これらの添加物を添加する場合には、総含有量を、約１０重量％以下にすることが望ましい。
【００３６】
内部電極層用ペースト
本実施形態では、内部電極層用ペーストは、導電材と、添加用誘電体原料の主成分と、有機ビヒクルとを混練して調製する。
【００３７】
導電材としては、ＮｉやＮｉ合金、さらにはこれらの混合物を用いる。このような導電材は、球状、リン片状等、その形状に特に制限はなく、また、これらの形状のものが混合したものであってもよい。また、導電材の粒子径は、通常、球状の場合、平均粒子径が０．５μｍ以下、好ましくは０．０１〜０．４μｍ程度のものを用いることとする。より高度な薄層化を実現できるようにするためである。導電材は、内部電極層用ペースト中に、好ましくは３５〜６０重量％、含まれる。
【００３８】
添加用誘電体原料の主成分は、焼成過程においてに内部電極（導電材）の焼結を抑制する作用を奏する。この添加用誘電体原料の主成分は、上記誘電体層用ペーストに含まれる誘電体原料と同じ組成を持つことが好ましい。同じ組成にすることにより、内部電極層から誘電体層への拡散による誘電体層の組成を変化させることがない。この添加用誘電体原料の主成分は、特定範囲のｐＨを持つことが好ましい。特定のｐＨを持つ誘電体原料を添加用として用いることにより、Ｄ５０ｅ／Ｄ５０ｄの比が大きくなり、最終的に得られるコンデンサ１の８５℃でのバイアス特性を向上させることができることが本発明者らにより見出された。添加用誘電体原料の主成分（特に誘電体原料に含まれる主成分原料）のｐＨは、好ましくは７．５以上、より好ましくは８〜１１である。ｐＨが低すぎると８５℃でのバイアス特性の向上効果を図ることができない。また、添加用誘電体原料の主成分の平均粒径は、誘電体層用ペーストに含まれる誘電体原料の粒径と同じでも良いが、より小さいことが好ましく、より好ましくは０．０１〜０．２μｍ、特に好ましくは０．０１〜０．１５μｍである。添加用誘電体原料の主成分は、内部電極層用ペースト中に、導電材に対して、好ましくは５〜３０重量％、より好ましくは１０〜２０重量％で含まれる。添加用誘電体原料の主成分が少なすぎると導電材の焼結抑制効果が低下し、多すぎると内部電極の連続性が低下する。すなわち添加用誘電体原料の主成分が少なすぎても多すぎても、いずれもコンデンサとしての十分な静電容量を確保できないなど不都合を生じうる。
【００３９】
有機ビヒクルは、バインダおよび溶剤を含有するものである。
【００４０】
バインダとしては、例えばエチルセルロース、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリオレフィン、ポリウレタン、ポリスチレン、または、これらの共重合体などが例示される。バインダは、内部電極層用ペースト中に、導電材と添加用誘電体原料の主成分との混合粉末に対して、好ましくは１〜５重量％、含まれる。バインダが少なすぎると強度が低下する傾向にあり、多すぎると、焼成前の電極パターンの金属充填密度が低下し、焼成後に、内部電極層３の平滑性を維持することが困難になることがある。
【００４１】
溶剤としては、例えばテルピネオール、ジヒドロテルピネオール、ブチルカルビトール、ケロシン等公知のものはいずれも使用可能である。溶剤含有量は、ペースト全体に対して、好ましくは２０〜５０重量％程度とする。
【００４２】
内部電極層用ペーストには、可塑剤が含まれていてもよい。可塑剤としては、フタル酸ベンジルブチル（ＢＢＰ）などのフタル酸エステル、アジピン酸、燐酸エステル、グリコール類などが例示される。
【００４３】
（２）次に、誘電体層用ペーストと内部電極層用ペーストとを用いて、グリーンチップを作製する。印刷法を用いる場合は、誘電体層用ペースト及び所定パターンの内部電極層用ペーストをキャリアシート上に積層印刷し、所定形状に切断した後、キャリアシートから剥離してグリーンチップとする。シート法を用いる場合は、誘電体層用ペーストをキャリアシート上に所定厚みで形成して得られたグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを所定パターンで印刷した後、これらを積層してグリーンチップとする。
【００４４】
（３）次に、得られたグリーンチップを脱バインダする。脱バインダは、雰囲気温度Ｔ０を、たとえば図３に示すように、たとえば室温（２５℃）から脱バイ保持温度Ｔ１に向けて所定の昇温速度で上昇させ、該Ｔ１を所定時間、保持させた後、所定の降温速度で下降させる工程である。
【００４５】
本実施形態では、昇温速度は、好ましくは５〜３００℃／時間、より好ましくは１０〜１００℃／時間である。
【００４６】
脱バイ保持温度Ｔ１は、好ましくは２００〜４００℃、より好ましくは２２０〜３８０℃であり、該Ｔ１の保持時間は、好ましくは０．５〜２４時間、より好ましくは２〜２０時間である。
【００４７】
降温速度は、好ましくは５〜３００℃／時間、より好ましくは１０〜１００℃／時間である。
【００４８】
脱バインダの処理雰囲気は、好ましくは空気もしくは還元雰囲気である。還元雰囲気における雰囲気ガスとしては、たとえばＮ２  とＨ２  との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。処理雰囲気中の酸素分圧は、好ましくは１０−４５  〜１０５  Ｐａである。酸素分圧が低すぎると脱バインダ効果が低下し、高すぎると内部電極層が酸化する傾向にある。
【００４９】
（４）次に、グリーンチップを焼成する。焼成は、雰囲気温度Ｔ０を、たとえば図３に示すように、たとえば室温（２５℃）から焼成保持温度Ｔ２に向けて所定の昇温速度で上昇させ、該Ｔ２を所定時間、保持させた後、所定の降温速度で雰囲気温度を下降させる工程である（図３の実線部分参照）。
【００５０】
本実施形態では、昇温速度は、好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは１００〜３００℃／時間である。
【００５１】
焼成保持温度Ｔ２は、好ましくは１１００〜１３００℃、より好ましくは１１５０〜１２５０℃であり、該Ｔ２の保持時間は、好ましくは０．５〜８時間、より好ましくは１〜３時間である。Ｔ２が低すぎると、該Ｔ２の保持時間を長くしても緻密化が不十分となり、高すぎると、内部電極層の異常焼結による電極の途切れや、内部電極層を構成する導電材の拡散による容量温度特性の悪化、誘電体層を構成する誘電体磁器組成物の還元が生じやすくなる。
【００５２】
降温速度は、好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは１５０〜３００℃／時間である。
【００５３】
焼成の処理雰囲気は、好ましくは還元雰囲気である。還元雰囲気における雰囲気ガスとしては、たとえばＮ２  とＨ２  との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。特に、焼成に際しては、脱バインダ時の保持温度Ｔ１までＮ２  ガスあるいは加湿したＮ２  ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、アニール時の保持温度Ｔ３まで冷却した後は、再びＮ２  ガスあるいは加湿したＮ２  ガス雰囲気に変更して冷却を続けることが好ましい。
【００５４】
焼成雰囲気中の酸素分圧は、好ましくは６×１０−９〜１０−４Ｐａである。酸素分圧が低すぎると内部電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがあり、高すぎると内部電極層が酸化する傾向にある。
【００５５】
本実施形態では、図３の波線で示すように、焼成保持温度Ｔ２に到達前の所定温度Ｔ４で所定時間、保持させた後、Ｔ２まで雰囲気温度Ｔ０を昇温させてもよい。このようにＴ２到達前のＴ４で所定時間キープすることで、Ｄ５０ｅ／Ｄ５０ｄの値を大きくする効果（８５℃でのバイアス特性の改善）と、ｐＨが８未満の添加用誘電体原料の主成分を用いた場合でも所望の構造が得られる効果とを、得ることができる。ｐＨが８以上の添加用誘電体原料の主成分を用いた場合でもこのような処理施すと、より一層所望の構造に調整しやすく、その結果、８５℃でのバイアス特性がより一層改善される。すなわち、Ｔ２到達前のＴ４で所定時間キープすることで、所望の構造を得ることができ、その結果、得られる積層セラミックコンデンサ１の８５℃でのバイアス特性を向上させることができる。
【００５６】
この場合のＴ４は、好ましくは４００〜１０５０℃、より好ましくは６００〜１０００℃である。このＴ４の保持時間は、好ましくは０．５〜１０時間、より好ましくは１〜２時間である。
【００５７】
（５）次に、グリーンチップを還元雰囲気で焼成した場合には、これに引き続き熱処理（アニール）を施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これにより、最終物たるコンデンサの特性が得られる。
【００５８】
アニールは、雰囲気温度Ｔ０を、たとえば図３に示すように、たとえば室温（２５℃）からアニール保持温度Ｔ３に向けて所定の昇温速度で上昇させ、該Ｔ３を所定時間、保持させた後、所定の降温速度で雰囲気温度Ｔ０を下降させる工程である。
【００５９】
本実施形態では、昇温速度は、好ましくは１００〜３００℃／時間、より好ましくは１５０〜２５０℃／時間である。
【００６０】
アニール保持温度Ｔ３は、好ましくは８００〜１１００℃、より好ましくは９００〜１１００℃であり、該Ｔ３の保持時間は、好ましくは０〜２０時間、より好ましくは２〜１０時間である。Ｔ３が低すぎると、誘電体層２の酸化が不十分となるので、ＩＲが低く、またＩＲ寿命が短くなりやすい。Ｔ３が高すぎると、内部電極層３が酸化して容量が低下するだけでなく、内部電極層３が誘電体素地と反応してしまい、容量温度特性の悪化、ＩＲの低下、ＩＲ寿命の低下が生じやすくなる。
【００６１】
降温速度は、好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは１００〜３００℃／時間である。
【００６２】
アニールの処理雰囲気は、好ましくは中性雰囲気である。中性雰囲気における雰囲気ガスとしては、たとえば、加湿したＮ２  ガスを用いることが好ましい。アニールに際しては、Ｎ２  ガス雰囲気下で保持温度Ｔ３まで昇温した後、雰囲気を変更してもよく、アニールの全過程を加湿したＮ２  ガス雰囲気としてもよい。アニール雰囲気中の酸素分圧は、好ましくは２×１０−４〜１Ｐａである。酸素分圧が低すぎると誘電体層２の再酸化が困難であり、高すぎると内部電極層３が酸化する傾向にある。
【００６３】
本実施形態では、アニールは、昇温過程と降温過程とだけから構成してもよい。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場合、保持温度Ｔ３は最高温度と同義である。
【００６４】
上記した脱バインダ処理、焼成およびアニールにおいて、Ｎ２  ガスや混合ガス等を加湿するには、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は０〜７５℃程度が好ましい。
【００６５】
以上の各処理により、焼結体で構成されるコンデンサ素子本体１０が形成される。
【００６６】
（６）次に、得られたコンデンサ素子本体１０に外部電極４を形成する。外部電極４の形成は、上記焼結体で構成されるコンデンサ素子本体１０の端面を、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより研磨した後、その両端面に、通常Ｎｉ，Ｐｄ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ等の少なくとも１種又はそれらの合金を含む外部電極用ペーストを焼き付けるか、あるいはＩｎ−Ｇａ合金を塗布する等、公知の方法にて形成することができる。必要に応じて、外部電極４表面に、めっき等により被覆層を形成してもよい。
【００６７】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。
【００６８】
たとえば、上述した実施形態では、脱バインダ処理、焼成およびアニールは、それぞれ独立して行っているが、本発明ではこれに限定されず、少なくとも２つの工程を連続して行なってもよい。連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度Ｔ２まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、アニールの保持温度Ｔ３に達したときに雰囲気を変更してアニールを行なうことが好ましい。
【実施例】
【００６９】
以下、本発明をさらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【００７０】
誘電体層用ペーストの作製 
まず、誘電体原料と、バインダーとしてのＰＶＢ（ポリビニルブチラール）樹脂と、可塑剤としてのＤＯＰ（フタル酸ジオクチル）と、溶媒としてのエタノールを準備した。誘電体原料は、主成分原料としての平均粒径が約０．２μｍのＢａＴｉＯ３  に対して、副成分原料としての、ＭｎＣＯ３  ：０．２モル％、ＭｇＯ：０．５モル％、Ｖ２  Ｏ５  ：０．３モル％、Ｙ２  Ｏ３  ：２モル％、ＣａＣＯ３  ：３モル％、ＢａＣＯ３  ：３モル％、ＳｉＯ２  ：３モル％を、ボールミルで１６時間湿式混合し、乾燥して製造した。
【００７１】
次に、誘電体原料に対して、１０重量％のバインダーと、５重量％の可塑剤と、１５０重量％の溶媒とをそれぞれ秤量し、ボールミルで混練し、スラリー化して誘電体層用ペーストを得た。
【００７２】
内部電極層用ペーストの作製 
導電材としての平均粒径が０．２μｍのＮｉ粒子と、前記誘電体層用ペーストに含まれる誘電体原料と同じ組成であって表１に示す平均粒径とｐＨを持つ添加用誘電体原料の主成分と、バインダーとしてのエチルセルロース樹脂と、溶媒としてのターピネオールとを準備した。表１での添加用誘電体原料の主成分の平均粒径とｐＨは、いずれも該誘電体原料の製造に用いた主成分原料としてのＢａＴｉＯ３  の値（平均粒径０．０２５〜０．３μｍ、ｐＨ７．５〜１１）である。なお、表１でのｐＨの値は、原料粉のＢａＴｉＯ３  ：３０ｇをイオン交換水：１００ｍｌに添加し、これを超音波分散により５分撹拌し、１００時間放置後の上澄み部分をｐＨメーターで測定した値である。
【００７３】
次に、導電材に対して２０重量％の添加用誘電体原料の主成分を添加した。導電材及び添加用誘電体原料の主成分の混合粉末に対して、５重量％のバインダーと、３５重量％の溶媒とを秤量して添加し、ボールミルで混練し、スラリー化して内部電極層用ペーストを得た。
【００７４】
積層セラミックチップコンデンサ試料の作製 
得られた誘電体層用ペースト及び内部電極層用ペーストを用い、以下のようにして、図１に示す積層セラミックチップコンデンサ１を製造した。
【００７５】
まず、ＰＥＴフィルム上に誘電体層用ペーストをドクターブレード法によって、所定厚みで塗布し、乾燥することで、厚みが１．５μｍのセラミックグリーンシートを形成した。本実施例では、このセラミックグリーンシートを第１グリーンシートとし、これを複数枚、準備した。
【００７６】
得られた第１グリーンシートの上に、内部電極層用ペーストをスクリーン印刷法によって所定パターンで形成し、厚さ１．５μｍの電極パターンを持つセラミックグリーンシートを得た。本実施例では、このセラミックグリーンシートを第２グリーンシートとし、これを複数枚、準備した。
【００７７】
第１グリーンシートを厚さが３００μｍになるまで積層してグリーンシート群を形成した。このグリーンシート群の上に、第２グリーンシートを５枚積層し、この上にさらに、前記同様のグリーンシート群を積層、形成し、温度８０℃及び圧力１トン／ｃｍ２  の条件で加熱・加圧してグリーン積層体を得た。
【００７８】
次に、得られた積層体を縦３．２ｍｍ×横１．６ｍｍ×高さ１．０ｍｍのサイズに切断した後、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記の条件にて行い、焼結体を得た。脱バインダ処理、焼成およびアニールの各温度変化を示すグラフを図３に示す。
【００７９】
脱バインダは、昇温速度：３０℃／時間、保持温度Ｔ１：２５０℃、保持時間：８時間、降温速度：２００℃／時間、処理雰囲気：空気雰囲気、の条件で行った。
【００８０】
焼成は、昇温速度：２００℃／時間、保持温度Ｔ２：１２４０℃、保持時間：２時間、降温速度：２００℃／時間、処理雰囲気：還元雰囲気（酸素分圧：１０−６ＰａにＮ２  とＨ２  との混合ガスを水蒸気に通して調整した）、の条件で行った。
【００８１】
アニールは、昇温速度：２００℃／時間、保持温度Ｔ３：１０５０℃、保持時間：２時間、降温速度：２００℃／時間、処理雰囲気：中性雰囲気（酸素分圧：０．１ＰａにＮ２  ガスを水蒸気に通して調整した）、の条件で行った。
【００８２】
なお、試料３−１，５，６，１０，１３については、図３の波線で示すように、保持温度Ｔ２（本実施例では１２２０〜１３００℃）に到達前の温度Ｔ４（本実施例では８００〜１０００℃）で所定時間（本実施例では１〜２時間）、保持させた後、Ｔ２まで雰囲気温度を上昇させた。
【００８３】
粒径Ｄについては、得られた焼結体を、内部電極層の積層方向に対して垂直な面で切断研磨し、サーマルエッチング処理（１２００℃、１０分）を施し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて粒を観察し、粒面積を円の面積に換算して、その直径を１．５倍し、粒径として求めた。
【００８４】
電気特性の測定については、得られた焼結体の端面をサンドブラストにて研磨した後、Ｉｎ−Ｇａ合金を塗布して、試験用電極を形成し、積層セラミックチップコンデンサ試料を得た。コンデンサ試料のサイズは、縦３．２ｍｍ×横１．６ｍｍ×高さ１．０ｍｍであり、誘電体層２の厚みは１．０μｍ、内部電極層３の厚みは１．２μｍであった。
【００８５】
得られたコンデンサ試料の８５℃でのバイアス特性を評価した。コンデンサの８５℃でのバイアス特性は、８５℃に保持した恒温槽中で、得られたコンデンサ資料をＬＣＲメーターにて、１ｋＨｚ、０．７Ｖｒｍｓ、２．６Ｖのバイアス電圧で測定し、２０℃のバイアス電圧無印加中の測定値からの容量変化率を算出して評価した。評価基準は、−２１．０％より大きくなるのを良好であるとした。結果を表１に示す。
【表１】
2005159224.tif 000003
表１に示すように、（Ｄ５０ｅ／Ｄ５０ｄ）＝１．２０超３．００未満の範囲を外れる試料７〜９及び１１〜１２では、８５℃でのバイアス特性が劣る。（Ｄ５０ｅ／Ｄ５０ｄ）が本発明の範囲内であっても、Ｄ５０ｅ＝０．４５０μｍ未満の範囲を外れる試料１０についても、同様に８５℃でのバイアス特性が劣る。なお、試料１３では、（Ｄ５０ｅ／Ｄ５０ｄ）の値が３．００と大きすぎたため、初期絶縁抵抗（ＩＲ）の不良率が増大し、このＩＲ不良が極めて多かったため、８５℃でのバイアス特性を評価しなかった。  
これに対し、本発明の範囲内の試料１〜６では、いずれも２０℃基準で２５℃〜８５℃での静電容量変化率が±１０％以内を示し、８５℃でのバイアス特性に優れることが確認できた。特に、試料３−１では、試料３と比較して、（Ｄ５０ｅ／Ｄ５０ｄ）の値が大きくなっており、バイアス特性の改善効果が大きいことが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの概略断面図である。
【図２】図２は図１に示す誘電体層の要部拡大断面図である。
【図３】図３は実施例における脱バインダ処理、焼成およびアニールの各温度変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８７】
１…  積層セラミックコンデンサ
１０…  コンデンサ素子本体
２…  層間誘電体層
２ａ…  接触誘電体粒子
２ｂ…  非接触誘電体粒子
２ｃ…  粒界相
２０…  外側誘電体層
３…  内部電極層
４…  外部電極
【図１】
2005159224.tif 000004
【図２】
2005159224.tif 000005
【図３】
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