(57)【要約】【課題】  常に最適な記録速度を選択して情報を記録できる光ディスク装置を提供する。【解決手段】  ＣＰＵ９０は所定再生パワーで発光する半導体レーザー７９の周囲温度ｔ°Ｃを再生レーザー電流Ｉｒａｃから推定する（ＳＴ１０６）。更にこの周囲温度ｔ°Ｃから、最高記録速度Ｖ２を計算又はルックアップテーブルにより決定する（ＳＴ１０７）。この最高記録速度Ｖ２以下の速度で情報が前記光ディスクに記録されるよう、光ディスクを回転するスピンドルモータ６３の回転数及び半導体レーザー７９の発光パワーが制御される（ＳＴ１０８〜ＳＴ１１０）。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクを回転駆動するモータと、
記録及び再生用レーザ光を発生する発光部と、
再生時又は記録時に、前記発光部を流れる電流から前記発光部の周囲温度を判断する判断手段と、
前記判断手段により判断された周囲温度から、記録速度を決定する決定手段と、
前記決定手段により決定された記録速度以下で情報が前記光ディスクに記録されるよう、前記モータの回転速度を制御する制御手段と、
を具備することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
前記判断手段は、前記光ディスク装置の最高記録記録速度をＶｍａｘ、αを前記発光部の電流／温度特性を含む要因により決まる温度係数とすると、温度ｔ°Ｃにおける前記記録速度Ｖ２(倍速)を、次式
Ｖ２＝Ｖｍａｘ−α(ｔ−２０)  （ｔ＞２０）
ｔ≦２０のとき、Ｖ２＝Ｖｍａｘ  
に従って決定することを特徴とする請求項1記載の光ディスク装置。
【請求項３】
光ディスクに対して情報を記録再生する光ディスク装置における記録速度制御方法であって、
再生時又は記録時に、レーザ光を発生する発光部の周囲温度を判断するステップと、
前記判断された周囲温度から、記録速度を決定するステップと、
前記決定された記録速度以下で情報が前記光ディスクに記録されるよう、前記光ディスクを回転駆動するモータの回転数を制御するステップ、
を具備することを特徴とする記録速度制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光ディスクに対して情報の記録再生をレーザ光を用いて行う光ディスク装置に関し、特に情報の記録速度制御技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクに記録された情報を再生する際は、再生に適した比較的小さいパワーの光ビームが用いられる。この光ビームにより光ディスクを走査し、反射光の強度変化に基づいて、光ディスク上に形成されたマークあるいはピットを検出することにより、記録された情報が再生される。
【０００３】
光ディスクに情報を記録するには光ディスク上にスパイラル状に形成されたトラックに沿って、マークを光ビーム照射により形成する。このマークは書き込みレーザ照射により反射率等の光学的特性が変化した領域を示す。マークは再生時より大きなレーザパワーのビームを照射することにより記録される。
【０００４】
ＣＡＶ(constant angulre velocity)方式では、光ディスクを回転するスピンドルモータの回転数は一定で、線速度はディスク内周から外周にかけて徐々に増加する。ＺＣＬＶ(zoned constant liner velocity)方式では、光ディスクの記録領域を半径に応じて複数のゾーンに分割し、各ゾーンにおいて同一線速度となるようにスピンドルモータの回転速度が制御される。
【０００５】
光ディスクに情報を記録する際は、ＡＴＩＰ(absolute time in pre-groove)を読み込み、ディスク上の位置を確認しながら行う。記録速度が徐々に増加し、ＡＴＩＰが読めなくなった場合、つまりエラーレートが所定値を超えた場合、確実に情報が記録されるように記録倍速を例えば２０倍速から４倍速に下げる。
【０００６】
光ディスクの記録速度制御に関する技術が下記特許文献１に記載されている。この文献では、記録時の線速度に応じて半導体レーザーの最適記録パワーが設定される。ＣＡＶ方式等において線速度が徐々に増加し、半導体レーザーの最適記録パワーが該半導体レーザの定格出力を超えるような場合、記録方式が線速度一定のＣＬＶ方式に変更される。
【特許文献１】特開２００１−３４４７５４号公報（第１０頁、図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
読み取ったＡＴＩＰのエラーレートが所定値を超えた場合に記録速度を下げると、全体の記録時間は増加する。記録倍速が低い場合、特に大きな問題は生じないが、２０倍あるいは２４倍速等、高倍速記録になるにしたがい、４倍速に下げるのでは記録時間が大幅に増加する問題が顕著に現れる。
【０００８】
上記特許文献１の場合、半導体レーザーの出力を定格出力以下に抑えるために、線速度を制限しても、半導体レーザの周囲温度が、光ディスク装置又は光ディスクの定格温度を超える場合がある。このような場合、ディスクに記録される信号の品質が低下し、光ディスク装置又は光ディスクにダメージを与えることがある。
【０００９】
従って本発明は半導体レーザーの周囲温度に応じて、常に最適な記録速度を選択して情報を記録できる光ディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために本発明による光ディスク装置は、光ディスクを回転駆動するモータと、記録及び再生用レーザ光を発生する発光部と、再生時又は記録時に、前記発光部を流れる電流から前記発光部の周囲温度を判断する判断手段と、前記判断手段により判断された周囲温度から、記録速度を決定する決定手段と、前記決定手段により決定された記録速度以下で情報が前記光ディスクに記録されるよう、前記モータの回転速度を制御する制御手段とを具備する。
【発明の効果】
【００１１】
前記発光部としての半導体レーザの周囲温度を、該半導体レーザの電流／温度特性に応じて求め、この周囲温度から記録速度を決定するので、常に最適な記録速度で情報を記録できる光ディスク装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１３】
図１は本発明が適用される光ディスク記録再生装置の構成を示すブロック図である。
【００１４】
光ディスク６１の表面にはスパイラル状にランドトラック及びグルーブトラックが形成されており、このディスク６１はスピンドルモータ６３によって回転駆動される。光ディスク６１に対する情報の記録、再生は、光ピックアップ６５によって行われる。光ピックアップ６５は、スレッドモータ６６とギアを介して連結されており、このスレッドモータ６６はスレッドモータ制御回路６８により制御される。
【００１５】
スレッドモータ制御回路６８に速度検出回路６９が接続され、この速度検出回路６９により検出される光ピックアップ６５の速度信号がスレッドモータ制御回路６８に送られる。スレッドモータ６６の固定部に、図示しない永久磁石が設けられており、駆動コイル６７がスレッドモータ制御回路６８によって励磁されることにより、光ピックアップ６５が光ディスク６１の半径方向に移動する。
【００１６】
光ピックアップ６５には、図示しないワイヤ或いは板バネによって支持された対物レンズ７０が設けられている。対物レンズ７０は駆動コイル７２の駆動によりフォーカシング方向（レンズの光軸方向）への移動が可能で、又駆動コイル７１の駆動によりトラッキング方向（レンズの光軸と直交する方向）への移動が可能である。
【００１７】
変調回路７３は情報記録時にホスト装置９４からインターフェース回路９３を介して供給されるユーザデータを例えば８−１４変調（ＥＦＭ）して、ＥＦＭデータを提供する。レーザ制御回路７５は情報記録時(マーク形成時）に、変調回路７３から供給されるＥＦＭデータに基づいて、書き込み用信号を半導体レーザ７９に提供する。又、レーザ制御回路７５は情報読取り時に、前記書き込み信号より小さい読取り用信号を半導体レーザ７９に提供する。
【００１８】
半導体レーザ７９はレーザ制御回路７５から供給される信号に応じてレーザ光を発生する。半導体レーザ７９から発せられるレーザ光は、コリメータレンズ８０、ハーフプリズム８１、対物レンズ７０を介して光ディスク６１上に照射される。光ディスク６１からの反射光は、対物レンズ７０、ハーフプリズム８１、集光レンズ８２、およびシリンドリカルレンズ８３を介して、光検出器８４に導かれる。
【００１９】
光検出器８４は、例えば４分割の光検出セルから成り、これら光検出セルの検知信号はＲＦアンプ８５に出力される。ＲＦアンプ８５は光検知セルからの信号を処理し、ジャストフォーカスからの誤差を示すフォーカスエラー信号ＦＥ、レーザ光のビームスポット中心とトラック中心との誤差を示すトラッキングエラー信号ＴＥ、及び光検知セル信号の全加算信号であるＲＦ信号を生成する。
【００２０】
フォーカスエラー信号ＦＥはフォーカシング制御回路８７に供給される。フォーカシング制御回路８７はフォーカスエラー信号ＦＥに応じてフォーカス駆動信号を生成する。フォーカス駆動信号はフォーカシング方向の駆動コイル７１に供給される。これにより、レーザ光が光ディスク６１の記録膜上に常時ジャストフォーカスとなるフォーカスサーボが行われる。
【００２１】
トラッキングエラー信号ＴＥはトラッキング制御回路８８に供給される。トラッキング制御回路８８はトラッキングエラー信号ＴＥに応じてトラック駆動信号を生成する。トラッキング制御回路８８から出力されるトラック駆動信号は、トラッキング方向の駆動コイル７２に供給される。これによりレーザ光が光ディスク６１上に形成されたトラック上を常にトレースするトラッキングサーボが行われる。
【００２２】
上記フォーカスサーボおよびトラッキングサーボがなされることで、光検出器８４の各光検出セルの出力信号の全加算信号ＲＦには、記録情報に対応して光ディスク６１のトラック上に形成されたピットなどからの反射光の変化が反映される。この信号は、データ再生回路７８に供給される。データ再生回路７８は、ＰＬＬ回路７６からの再生用クロック信号に基づき、記録データを再生する。
【００２３】
上記トラッキング制御回路８８によって対物レンズ７０が制御されているとき、スレッドモータ制御回路６８により、対物レンズ７０がＰＵＨ６５内の所定位置近傍に位置するようスレッドモータ６６つまりＰＵＨ６５が制御される。
【００２４】
モータ制御回路６４、スレッドモータ制御回路６８、レーザ制御回路７３、ＰＬＬ回路７６、データ再生回路７８、フォーカシング制御回路８７、トラッキング制御回路８８、エラー訂正回路６２等は、バス８９を介してＣＰＵ９０によって制御される。ＣＰＵ９０はインターフェース回路９３を介してホスト装置９４から提供される動作コマンドに従って、この記録再生装置を総合的に制御する。又ＣＰＵ９０は、ＲＡＭ９１を作業エリアとして使用し、ＲＯＭ９２に記録された本発明によるプログラムを含む制御プログラムに従って所定の動作を行う。
【００２５】
上記トラッキング制御回路８８によって対物レンズ７０が制御されているとき、スレッドモータ制御回路６８により、対物レンズ７０が光ピックアップ５内の中心位置近傍に位置するようスレッドモータ６６つまり光ピックアップ６５が制御される。
【００２６】
モータ制御回路６４、スレッドモータ制御回路６８、変調回路７３、レーザ制御回路７５、ＰＬＬ回路７６、データ再生回路７８、フォーカシング制御回路８７、トラッキング制御回路８８等は、サーボ制御回路として１つのＬＳＩチップ内に構成することができ、又これら回路はバス８９を介してＣＰＵ９０によって制御される。ＣＰＵ９０はインターフェース回路９３を介してホスト装置９４から提供される動作コマンドに従って、この光ディスク記録再生装置を総合的に制御する。またＣＰＵ９０は、ＲＡＭ９１を作業エリアとして使用し、ＲＯＭ９２に記録された本発明によるプログラムを含む制御プログラムに従って所定の動作を行う。
【００２７】
次に、本発明に係るレーザパワー制御について説明する。
【００２８】
図２はレーザ制御回路７５の構成を示すブロック図である。
【００２９】
リードＤＡＣ１５はＣＰＵ９０からのリードパワーデータをＤＡ変換して、リードパワー電圧ＶｒｐをリードＡＰＣ(auto-power controller)１４に出力する。リードＡＰＣ１４は、サンプルホールド回路１６の出力電圧Ｖｒｓとリードパワー電圧Ｖｒｐを比較し、該比較結果に基づいてリード出力電流Ｉｒａを発生する。出力電流Ｉｒａの値は電流モニタ１４Ｍによりモニタできる。
【００３０】
尚、リードＡＰＣ１４の出力は電圧でもよいが、ここでは電流を出力するものとして説明する。この電流Ｉｒａは加算器１８によりライトＡＰＣ１２からの電流Ｉｗａと加算され半導体レーザ７９に供給される。半導体レーザ７９は供給された電流に対応する電力でレーザ光を発生する。
【００３１】
フォトダイオードにより構成されるフロントモニターＦＭは半導体レーザ７９が発生するレーザ光の光強度を検出し、検出信号をサンプルホールド回路１３、１６に供給する。サンプルホールド回路１６は情報記録時に、フロントモニタＦＭからの信号を所定タイミングでサンプルし、サンプルした電圧ＶｗｓをライトＡＰＣ１４に出力する。又、サンプルホールド回路１６は情報記録時以外の期間中に、フロントモニタＦＭからの信号を所定タイミングでサンプルし、サンプルした電圧ＶｒｓをリードＡＰＣ１４に出力する。
【００３２】
リードＡＰＣ１４はサンプルされた電圧Ｖｒｓとリードパワー電圧Ｖｒｐが一致するように、リード出力電流Ｉｒａを発生する。従って、リードパワーは常にリードパワーデータに対応する値に制御される。又、リードＡＰＣ１４は情報の記録時、再生時に関わらず、装置に電源が投入されている限りリード出力電流Ｉｒａを発生する。
【００３３】
ライトＤＡＣ１１はＣＰＵ９０からのライトパワーデータをＤＡ変換して、ライトパワー電圧ＶｗｐをライトＡＰＣ１２に出力する。ライトＡＰＣ１２はライトゲート信号がＨレベル及びＥＦＭデータ（ユーザデータ）がＨレベルのとき、サンプルホールド回路１３の出力電圧Ｖｗｓとライトパワー電圧Ｖｗｐを比較し、両者が一致するように出力電流Ｉｗａを発生する。従って、記録時のライトパワーは常にライトパワーデータに対応する値に制御される。出力電流Ｉｗａの値は電流モニタ１２Ｍによりモニタできる。
【００３４】
次に本発明による記録速度制御について説明する。
【００３５】
図３は本発明の第１の実施形態に係る記録速度制御を示すフローチャートである。本実施形態では半導体レーザ７９の周囲温度に応じて、ディスク６１に対する情報の最高記録速度が決定される。以下の説明において記録速度は倍速を単位として表現する。この倍速とは、音楽ＣＤの再生データレートで情報を記録するために必要な線速度を”１倍速の線速度”として、その何倍の線速度であるかを示す。１倍速の線速度は約１７６．４Ｋｂｉｔ／Ｓで情報を記録するための線速度である。レーザービームのディスク上線速度とデータレートは常に一定の関係を有し、データレートに応じて線速度が決定される。従って、例えば８倍速の記録速度は１４１１．２Ｋｂｉｔ／Ｓのデータレートで情報を記録するときの線速度を意味する。尚、線速度とデータレートの比はＣＤとＤＶＤでは異なっているが、同一種の光ディスクにおいては一定である。
【００３６】
ホスト装置９４から記録指示を受けると、ＣＰＵ９０はディスク内周または内周及び外周の所定試し書き領域において、例えば８倍速でＯＰＣ(optimum power control)を行なう（Ｓ１）。即ち、半導体レーザー７９の記録パワーを変えながらテストデータの試し書き及び再生を行い、ＯＰＣ実行時の記録速度（ここでは８倍速）における最適パワーを、再生データのエラーレートに基づいて判断する。
【００３７】
次にＣＰＵ９０は、ホスト装置９４により指定された記録速度Ｖ１を入力する（ＳＴ１０１）。この指定記録速度Ｖ１は特別なユーザ指示がない限り、光ディスク装置の定格最高記録速度Ｖｍａｘ（例えばＤＶＤの場合で４８倍速）を示す。ここで、使用される光ディスクは定格最高記録速度で記録可能なディスクとする。
【００３８】
ＣＰＵ９０は指定記録速度Ｖ１を基に、ディスクの記録領域最内周から最外周までの記録速度ＶＲ１を算出する（ＳＴ１０３）。この記録速度ＶＲ１は、ディスクの半径位置に応じた速度であって、図４Ａ〜４Ｃのように表すことができる。図４ＡはＣＡＶの場合で、記録線速度ＶＲ１はディスク最内周の半径Ｒ１から最外周の半径Ｒ２にかけて直線的に増加する。最外周半径Ｒ２における記録速度が上記指定記録速度Ｖ１である。図４ＢはＺＣＬＶの場合で、記録線速度ＶＲ１はディスク最内周の半径Ｒ１から最外周の半径Ｒ２にかけて段階的に増加する。最外周ゾーンにおける記録線速度が上記指定記録速度Ｖ１である。図４ＣはＣＬＶの場合で、記録線速度ＶＲ１は常に上記指定記録速度Ｖ１である。ＣＰＵ９０は、このようにして決定された記録線速度ＶＲ１をモータ制御回路６４に設定する。
【００３９】
尚、半導体レーザの記録パワーは記録線速度の増加に応じて増加する必要がある。従って、ステップＳＴ１０１のＯＰＣにより決定した８倍速での最適パワーに基づいて、記録線速度ＶＲ１に応じた最適な記録パワーも決定される。
【００４０】
次にＣＰＵ９０はステップＳＴ１０４のように、光ピックアップヘッド６５を移動して、ディスク上の記録開始位置にアクセスする。このとき、モータ制御回路６４は、光ピックアップヘッド６５の位置に応じた線速度ＶＲ１でディスク６１が回転するようスピンドルモータ６３を制御する。
【００４１】
前述したように半導体レーザ７９は情報記録時を除き、情報を再生するためのリードパワーで常に発光している。ＣＰＵ９０はステップＳＴ１０５のように、半導体レーザー７９に流れている現在の電流、即ち再生レーザー電流Ｉｒａｃを測定する。この測定は、リードＡＰＣ１４の電流モニタ１４Ｍを用いて行う。
【００４２】
ＣＰＵ９０は測定した再生レーザー電流Ｉｒａｃ及び基準レーザー電流Ｉｒｅｆｒから半導体レーザー７９の周囲温度を推定する（ＳＴ１０６）。この基準レーザー電流Ｉｒｅｆｒは、例えば周囲温度２０°Ｃにおいて所定のリードパワーで発光する半導体レーザー７９に流れる再生電流を、装置の出荷前に予め測定した値であって、例えばＲＯＭ９２に記録されている電流値である。
【００４３】
図５は所定のリードパワーで発光する半導体レーザー７９の再生レーザー電流（ＬＤ電流）と周囲温度の関係を示す図である。このように半導体レーザーは各半導体レーザーに応じて、固有の再生レーザー電流／温度特性を有している。従って、この電流値から周囲温度を推定することができる。この電流／温度特性はＲＯＭ９２等の不揮発性メモリに、ルックアップテーブルとして予め格納されいる。ＣＰＵ９０は再生レーザー電流に対応するアドレス値をＲＯＭ９２に供給し、温度値を読み出す。
【００４４】
しかし、半導体レーザの電流／温度特性は複数の装置間で同一ではなくバラツキがある。従ってＣＰＵ９０は、上記電流／温度特性における２０°Ｃの電流値と、装置の基準再生レーザー電流Ｉｒｅｆｒとの差を求め、この差を基に、ＲＯＭ９２から読み出した温度値を補正する。この補正した温度値を周囲温度ｔ°Ｃとする。
【００４５】
半導体レーザーの駆動電流は、再生時より記録時の方が遥かに大きい。従って、周囲温度は再生時より記録時の方が高い。記録時のレーザーパワーは、記録速度の増加に応じて大きくしなければならない。ＣＰＵ９０は、この周囲温度が光ディスク装置及び光ディスクの許容定格温度を超えないように、半導体レーザーの記録時の最大出力を決定し、該最大出力に対応する最高記録速度Ｖ２を計算する（ＳＴ１０７）。
【００４６】
以下、最高記録速度Ｖ２の計算方法の一例を説明する。
【００４７】
光ディスク装置の最高記録記録速度をＶｍａｘとすると、温度ｔ°Ｃにおける最高記録速度Ｖ２(倍速)は以下のように表すことができる。
【００４８】
Ｖ２＝Ｖｍａｘ−α(ｔ−２０)  （ｔ＞２０）
ｔ≦２０のとき、Ｖ２＝Ｖｍａｘ              …（１）
αは温度要因係数であって、半導体レーザの温度特性及び光ディスクの温度特性、その他温度変化要因によって経験的及び実験的に決まる係数である。例えば、光ディスク装置の最高記録速度Ｖｍａｘが４８倍速で、温度要因係数αが０．５２の場合、周囲温度５０°Ｃおける最高記録速度Ｖ２は、以下のように算出できる。
【００４９】
Ｖ２＝４８−０．５２＊（５０−２０）＝３２．４（倍速）
実際に設定する記録速度Ｖ２は、光ディスク装置に設定可能でＶ２を超えない線速度を選択するように制御するため、３２倍速となる。尚、温度に対応する最高記録速度はルックアップテーブルを用いても良い。即ち、温度に対応する最高記録速度Ｖ２をＲＯＭ９２に格納しておき、現在の周囲温度に対応するＲＯＭアドレスから最高記録速度Ｖ２を読み出しても良い。更に、再生時のレーザー電流Ｉｒａｃに対応する最高記録速度Ｖ２をルックアップテーブルを用いて求めても良い。
【００５０】
図３の説明に戻り、ステップＳＴ１０８でＣＰＵ９０は、現在の記録位置に対応する記録速度ＶＲ１ｃと、現在の温度ｔ°Ｃにおける最高記録速度Ｖ２を比較する。記録速度ＶＲ１ｃは例えばＣＡＶの場合、図４Ａのように現在の記録位置Ｒｃにおける線速度ＶＲ１ｃである。記録速度ＶＲ１ｃが最高記録速度Ｖ２より大きい場合（Ｙｅｓの場合）、ＣＰＵ９０は記録速度を最高記録速度Ｖ２と決定し、モータ制御回路６４に設定されている記録速度ＶＲ１をＶ２に制限する（ＳＴ１０９）。この結果、記録速度Ｖ２で情報が記録されるようスピンドルモータの回転数が制御される。記録速度ＶＲ１ｃが最高記録速度Ｖ２以下の場合（Ｎｏの場合）、ＣＰＵ９０は現在設定されている記録速度ＶＲ１を変更せずに記録を続行する（ＳＴ１１０）。
【００５１】
以上説明したように本実施形態によれば、半導体レーザーの周囲温度に応じて記録速度が決定されるので、常に効率よく情報を光ディスクに記録することができる。尚、ステップＳＴ１０３〜ＳＴ１０５により決定される半導体レーザーの周囲温度は、部品点数の増加及びコスト上昇を許容できる場合、サーミスタ等の温度測定用素子を用いて測定しても良い。
【００５２】
次に本発明の第２の実施形態を説明する。
【００５３】
図６は第２の実施形態の動作を示すフローチャートである。本実施形態では、半導体レーザーの記録時に流れている電流を基に周囲温度が推定され、記録速度が決定される。
【００５４】
ステップＳＴ２０１のように情報記録を実行している際に、ＣＰＵ９０は半導体レーザ７９を流れている電流（Ｉｗａ＋Ｉｒａ）を、電流モニタ１２Ｍ及び１４Ｍを用いて、記録レーザー電流１ｗｃとして測定する（ＳＴ２０２）。
【００５５】
ステップＳＴ２０３でＣＰＵ９０は記録レーザー電流１ｗｃから半導体レーザー７９の周囲温度ｔ°Ｃを推定する。図７は所定のライトパワーで発光する半導体レーザー７９の駆動電流（ＬＤ電流）と周囲温度の関係を示す図である。このように半導体レーザーは各半導体レーザーに応じて固有の記録レーザー電流／温度特性を有している。従って、記録レーザー電流値から周囲温度を推定することができる。この電流／温度特性はＲＯＭ９２等の不揮発性メモリに予め格納されいる。ＣＰＵ９０は記録レーザー電流に対応するアドレス値をＲＯＭ９２に供給し、温度値を読み出す。
【００５６】
この場合も、記録レーザー電流／温度特性は複数の装置間で同一ではなくバラツキがある。従ってＣＰＵ９０は、上記電流／温度特性における２０°Ｃの電流値と、装置の基準記録レーザー電流Ｉｒｅｆｗとの差を求め、この差を基に、ＲＯＭ９２から読み出した温度値を補正する。この補正した温度値を周囲温度ｔ°Ｃとする。
【００５７】
次にＣＰＵ９０は周囲温度が本光ディスク装置及び光ディスクの定格温度範囲を超えないように、周囲温度ｔ°Ｃにおける最高記録速度Ｖ３を計算する（ＳＴ２０４）。この計算は上記式（１）と同様に行われる。
【００５８】
ステップＳＴ２０５でＣＰＵ９０は、予め設定された図４Ａ〜４Ｃのような記録速度ＶＲ１から求められる現在の記録速度ＶＲ１ｃと、ステップＳＴ２０３で求めた周囲温度ｔ°Ｃにおける最高記録速度Ｖ３を比較する。記録速度ＶＲ１ｃが最高記録速度Ｖ３より大きい場合（Ｙｅｓの場合）、ＣＰＵ９０は記録速度を最高記録速度Ｖ３と決定し、モータ制御回路６４に設定されている記録速度をＶ３に制限する（ＳＴ２０６）。この結果、記録速度Ｖ３で情報が記録されるようスピンドルモータの回転数が制御される。記録速度ＶＲ１ｃが最高記録速度Ｖ３以下の場合（Ｎｏの場合）、ＣＰＵ９０は現在設定されている記録速度を変更せずに記録を続行する。
【００５９】
図８Ａ〜８Ｃはディスク半径位置Ｒ３に情報を記録中に、ステップＳＴ２０６のように記録速度が制限された場合を示す。このように記録速度が制限されると、図８ＡのＣＡＶの場合、半径Ｒ３の位置から例えばＣＬＶに変更され、図８ＢのＺＣＬＶ又は図８ＣのＣＬＶの場合、半径Ｒ３の位置から例えば１ステップ低い線速度に設定される。
【００６０】
以上説明したように本実施形態によれば、情報記録中の半導体レーザー周囲温度に応じて記録速度が決定されるので、常に効率よく情報を光ディスクに記録することができる。本実施形態の場合も、部品点数の増加及びコスト上昇を許容できる場合、周囲温度をサーミスタ等の温度測定用素子を用いて測定しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明が適用される光ディスク記録再生装置の構成を示すブロック図である。
【図２】レーザ制御回路７５の構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る記録速度制御を示すフローチャートである。
【図４Ａ】ＣＡＶ方式の場合に設定される記録線速度の一例示す図である。
【図４Ｂ】ＺＣＬＶ方式の場合に設定される記録線速度の一例示す図である。
【図４Ｃ】ＣＬＶ方式の場合に設定される記録線速度の一例を示す図である。
【図５】所定のリードパワーで発光する半導体レーザー７９の再生レーザー電流と周囲温度の関係を示す図である。
【図６】第２の実施形態の動作を示すフローチャートである。
【図７】所定のライトパワーで発光する半導体レーザー７９の駆動電流と周囲温度の関係を示す図である。
【図８Ａ】ＣＡＶ方式でディスク半径位置Ｒ３に情報を記録中に、ステップＳＴ２０６のように記録速度が制限された場合を示す図である。
【図８Ｂ】ＺＣＬＶ方式でディスク半径位置Ｒ３に情報を記録中に、ステップＳＴ２０６のように記録速度が制限された場合を示す図である。
【図８Ｃ】ＣＬＶ方式でディスク半径位置Ｒ３に情報を記録中に、ステップＳＴ２０６のように記録速度が制限された場合を示す図である。
【符号の説明】
【００６２】
６１…光ディスク、６３…スピンドルモータ、７０…対物レンズ、７１、７２…レンズ駆動コイル、７９…半導体レーザ、８０…コリメータレンズ、８１…ハーフプリズム、８２…集光レンズ、８３…シリンドリカルレンズ。
【図１】
2005078777.tif 000003
【図２】
2005078777.tif 000004
【図３】
2005078777.tif 000005
【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
2005078777.tif 000007
【図４Ｃ】
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【図５】
2005078777.tif 000009
【図６】
2005078777.tif 000010
【図７】
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【図８Ａ】
2005078777.tif 000012
【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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