(57)【要約】【課題】  キャパシタの薄膜化を実現することができる新規な技術を提供する。【解決手段】  所定のトリアジンチオールの一種又は二種以上からなるモノマーを準備し、このモノマーに対して電解重合、熱重合又は紫外線重合を施すことにより、無機物と同等の高い誘電性を示し、膜状に形成して誘電体として使用可能な所定のトリアジンジスルフィドポリマーを得る。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
【化１】
2005247977.tif 000006
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種である）で示されるポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）。
【請求項２】
【化２】
2005247977.tif 000007
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種である）で示される、誘電体用ポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）。
【請求項３】
【化３】
2005247977.tif 000008
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種である）で示されるポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）から構成されることを特徴とする、誘電体。
【請求項４】
前記誘電体は、アルミニウム基板上に存在することを特徴とする、請求項３に記載の誘電体。
【請求項５】
前記アルミニウム基板の、前記誘電体を形成すべき主面には、ヒドラジン及びAl2O3からなる混合膜が形成されたことを特徴とする、請求項４に記載の誘電体。
【請求項６】
【化４】
2005247977.tif 000009
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種であり、MはLi, Na, K, Ceから選ばれる少なくとも一種である）で示される6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジチオール。
【請求項７】
【化５】
2005247977.tif 000010
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種であり、MはLi, Na, K, Ceから選ばれる少なくとも一種である）で示される6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジチオールの少なくとも一種と、亜硝酸塩とを含む電解重合溶液を形成する工程と、
前記電解重合溶液に電流を印加し、前記6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジチオールを電解重合させて、
【化６】
2005247977.tif 000011
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種である）で示されるポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）を形成する工程と、
を具えることを特徴とする、ポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【請求項８】
前記電解重合は、定電流法で行うことを特徴とする、請求項７に記載のポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【請求項９】
前記電解重合は、定電圧法で行うことを特徴とする、請求項７に記載のポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【請求項１０】
前記電解重合は定電流法及び定電圧法を併用して行い、前記定電流法及び前記定電圧法をこの順に実施することを特徴とする、請求項７に記載のポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【請求項１１】
前記電解重合は磁場の存在下において実施することを特徴とする、請求項７〜１０のいずれか一に記載のポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【請求項１２】
前記磁場の強度が０．０１Ｔ〜１０Ｔであることを特徴とする、請求項１１に記載のポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【請求項１３】
前記ポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）は誘電体を構成し、所定の基板上に形成することを特徴とする、請求項７〜１２のいずれか一に記載のポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【請求項１４】
前記基板はアルミニウム基板であって、前記アルミニウム基板に対してヒドラジン及びヒドラジン誘導体の少なくとも一方を用いて表面処理を行い、前記アルミニウム基板の、前記誘電体を形成すべき主面において、ヒドラジン及びAl2O3からなる混合膜を形成することを特徴とする、請求項１３に記載のポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【請求項１５】
【化７】
2005247977.tif 000012
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種であり、MはLi, Na, K, Ceから選ばれる少なくとも一種である）で示される6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジチオールの少なくとも一種からなるモノマーを準備する工程と、
前記モノマーを加熱して重合させ、
【化８】
2005247977.tif 000013
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種である）で示されるポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）を形成する工程と、
を具えることを特徴とする、ポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【請求項１６】
前記加熱は９０℃〜２００℃の温度で行うことを特徴とする、請求項１５に記載のポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【請求項１７】
前記モノマーを所定の基板上に膜状に形成する工程を具え、前記ポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）は前記加熱を通じ、前記基板上に誘電体として形成することを特徴とする、請求項１５又は１６に記載のポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【請求項１８】
前記基板はアルミニウム基板であって、前記アルミニウム基板に対してヒドラジン及びヒドラジン誘導体の少なくとも一方を用いて表面処理を行い、前記アルミニウム基板の、前記誘電体を形成すべき主面において、ヒドラジン及びAl2O3からなる混合膜を形成することを特徴とする、請求項１７に記載のポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【請求項１９】
【化９】
2005247977.tif 000014
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種であり、MはLi, Na, K, Ceから選ばれる少なくとも一種である）で示される6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジチオールの少なくとも一種からなるモノマーを準備する工程と、
前記モノマーに紫外線を照射することによって重合させ、
【化１０】
2005247977.tif 000015
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種である）で示されるポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）を形成する工程と、
を具えることを特徴とする、ポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【請求項２０】
前記紫外線の強度が１０Ｗ／ｃｍ２〜２０００Ｗ／ｃｍ２であることを特徴とする、請求項１９に記載のポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【請求項２１】
前記紫外線の照射は、前記モノマーを加熱した状態で行うことを特徴とする、請求項１９又は２０に記載のポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【請求項２２】
前記加熱は２０℃〜６０℃の温度で行うことを特徴とする、請求項２１に記載のポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【請求項２３】
前記モノマーを所定の基板上に膜状に形成する工程を具え、前記ポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）は前記紫外線の照射を通じ、前記基板上に誘電体として形成することを特徴とする、請求項１９〜２２のいずれか一に記載のポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【請求項２４】
前記基板はアルミニウム基板であって、前記アルミニウム基板に対してヒドラジン及びヒドラジン誘導体の少なくとも一方を用いて表面処理を行い、前記アルミニウム基板の、前記誘電体を形成すべき主面において、ヒドラジン及びAl2O3からなる混合膜を形成することを特徴とする、請求項２３に記載のポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）、誘電体用ポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）、誘電体、6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジチオール、及びポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、キャパシタはその誘電体として酸化アルミニウム、酸化チタン誘導体、酸化タンタルなどの無機化合物が使用されてきた。このような無機物が使用される理由としては、無機物に匹敵するような高い誘電性を有する有機物が今だ発見されておらず、さらに粗化によって生成した広大な表面積の金属表面上に有機物皮膜を形成させる方法が存在しなかったためである。
【０００３】
無機材料を誘電体として用いたキャパシタは、複数組み合わせて使用することにより多様な要求にこたえることが可能であるが、各キャパシタを構成する材料が異なるため、同一の製造方法でそれらの諸特性を調整して多様な要求にこたえることが困難であった。一方、製造方法の単一化は製造設備の有効稼動を促進し、生産コストの低減に有効である。
【０００４】
しかしながら、従来のキャパシタはチップタイプへの加工は容易であるが薄膜タイプに加工することが困難であった。このため、プリント基板などの電気回路では、多数のコンデンサーチップを搭載する必要が生じ、その体積を増大させている。電気・電子製品やデバイスなどの小型化を達成するためにはキャパシタの薄膜化と特性の改良は不可欠である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、キャパシタの薄膜化を実現することができる新規な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成すべく、本発明は、
【０００７】
【化１】
2005247977.tif 000002
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種である）で示されるポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）（以下、「トリアジンジスルフィドポリマー」と略す場合がある）に関する。
【０００８】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討を行い、上述のような化学式１で示される新規な高分子化合物の合成に成功した。この高分子化合物は無機物に匹敵するような高い誘電性を有し、形成すべき金属基板などの表面粗さに大きく依存することなく膜状に形成することが可能である。したがって、前記トリアジンジスルフィドポリマーは、所定の基板上に誘電体として簡易に形成することができ、前記誘電体上に適宜電極などを形成することによって、前記トリアジンジスルフィドポリマーの高誘電性に起因し、優れた特性の膜状キャパシタを形成することができる。
【０００９】
このように、前記トリアジンジスルフィドポリマーを用いることによって膜状のキャパシタを簡易に形成できるので、これらの膜状キャパシタを集積させても得られた集積物の体積を狭小化することができる。したがって、電気・電子製品やデバイスなどの小型化を達成することができる。
【００１０】
なお、上記トリアジンジスルフィドポリマーは、
【００１１】
【化２】
2005247977.tif 000003
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種であり、MはLi, Na, K, Ceから選ばれる少なくとも一種である）で示される6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジチオール（以下、「トリアジンチオール」と略す場合がある）からなるモノマーを準備し、このモノマーを電解重合、熱重合、又は紫外線重合させることによって得ることができる。
【００１２】
また、前記トリアジンジスルフィドポリマーを誘電体として用いる場合、前記トリアジンジスルフィドポリマーを所定の基板上に膜状に形成する必要があるが、前記基板としては例えばキャパシタへの実用を考慮して、アルミニウム基板などを用いることができる。この場合、前記アルミニウム基板の、前記誘電体を形成すべき主面に対してヒドラジン及びヒドラジン誘導体の少なくとも一方を用いて表面処理を行い、前記アルミニウム基板の、前記誘電体を形成すべき主面において、ヒドラジン及びAl2O3からなる混合膜を形成することが好ましい。
【００１３】
前記混合膜は極めて緻密であるため、前記アルミニウム基板の前記主面上に前記混合膜を形成することにより、前記アルミニウム基板の前記主面の影響を抑制することができ、前記トリアジンジスルフィドポリマー誘電体を含むキャパシタを形成した場合において、その特性に対する前記アルミニウム基板の影響を除去することができる。
【発明の効果】
【００１４】
以上説明したように、本発明によれば、従来の無機物と同等の誘電性を有する有機物からキャパシタを構成することができ、その結果、前記キャパシタの薄膜化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の詳細、並びにその他の特徴及び利点について、最良の形態に基づいて詳細に説明する。
【００１６】
本発明のトリアジンジスルフィドポリマーは上述したような化学式１で示される。分子量などは特に限定されるものではないが、キャパシタなどの誘電体への適用を考慮し、十分高い誘電性を実現し、薄膜化して誘電体とした場合において十分な高い強度を実現するためには、５０００〜１００，０００の範囲であることが好ましい。
【００１７】
このようなトリアジンジスルフィドポリマーの製造方法は特に限定されないが、上述したように、電解重合法、熱重合法又は紫外線重合法などによって製造することができる。
【００１８】
電解重合法による場合、最初に上述した化学式２で示されるトリアジンチオールの一種又は二種以上からなるモノマーを準備し、このモノマーと亜硝酸塩とを水に溶解して電解重合溶液を作製する。次いで、前記電解重合溶液中に電極を配置し、所定の電流を流すことによって前記モノマーを重合させ、目的とする前記トリアジンジスルフィドポリマーを得る。
【００１９】
前記電解重合溶液中における前記モノマーの濃度は、０．０１−１００ｍｍｏｌ／Ｌであることが好ましく、さらには０．１−１０ｍｍｏｌ／Ｌであることが好ましい。前記濃度が０．０１ｍｍｏｌ／Ｌ未満では前記トリアジンジスルフィドポリマーの生成測度が小さく、その生成が困難となる場合がある。前記濃度が１００ｍｍｏｌ／Ｌを超えると非溶解性のトリアジン誘導体が生成し、得られた前記トリアジンジスルフィドポリマーの表面が粗くなってしまう場合がある。
【００２０】
前記亜硝酸塩としては、ＬｉＮＯ２，ＮａＮＯ２，ＫＮＯ２，ＣｅＮＯ２，ＮＨ４ＮＯ２などを例示することができ、前記トリアジンジスルフィドポリマーの生成速度や特性を制御する目的で、これら亜硝酸塩の二種以上を混合させて用いることも可能である。
【００２１】
また、前記電解重合溶液中における前記亜硝酸塩の濃度は０．００１−５ｍｏｌ／Ｌであることが好ましく、さらには０．０１−０．５ｍｏｌ／Ｌであることが好ましい。前記濃度が０．０１ｍｏｌ／Ｌ未満では前記トリアジンジスルフィドポリマーの生成速度が小さく、また三次元的に重合しない場合がある。また、前記濃度が０．５ｍｏｌ／Ｌを超えると、電解重合溶液が白濁化し、電解重合を良好に行うことができず、良好な特性の前記トリアジンジスルフィドポリマーを得ることができない場合がある。
【００２２】
なお、前記電解重合は、例えば定電流法又は定電圧法により実行することができる。前記定電流法は、電解重合工程において、前記電解重合溶液中に一定の電流を流しがら電解重合を行うものであり、前記定電圧法は、前記電解重合工程において、前記電解重合溶液中の電位（電極間の電位）を一定に保った状態で電流を流すことにより電解重合を行うものである。
【００２３】
定電流法においては、例えば電流密度を０．００５−５０ｍＡ／ｃｍ２、さらには０．０５−５ｍＡ／ｃｍ２に設定して電解重合を行うことが好ましい。前記電流密度が０．００５ｍＡ／ｃｍ２未満では、前記トリアジンジスルフィドポリマーの生成に長時間を要する場合がある。また、前記電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ２を超えると、前記トリアジンジスルフィドポリマーの表面状態が粗くなってしまう場合がある。
【００２４】
定電位法においては、例えば前記電解重合溶液の電位を−２−１００Ｖｖｓ．ＳＣＥ、さらには０．５−２０Ｖｖｓ．ＳＣＥに設定して電解重合を行うことが好ましい。前記電位が−２Ｖｖｓ．ＳＣＥ未満では前記トリアジンジスルフィドポリマーが成長しない場合がある。また、前記電位が２０Ｖｖｓ．ＳＣＥを超えると、得られた前記トリアジンジスルフィドポリマーが破壊してしまう場合がある。
【００２５】
なお、前記定電流法及び前記定電圧法はそれぞれ単独で用いることもできるが、両者を組み合わせて用いることもできる。この場合、最初に前記定電流法を実施し、その後前記定電圧法を実施する。これによって、前記トリアジンジスルフィドポリマーの配向性制御の自由度を増大させることができる。
【００２６】
また、上述した電解重合は、所定の磁場下で行うこともできる。これによって、前記トリアジンジスルフィドポリマーの形態や密度などを制御することができる。前記磁場の強度は例えば０．０１−１０Ｔに設定する。このような磁場の範囲では、磁場強度が増大するにつれて、前記トリアジンジスルフィドポリマーの密度が増大する。
【００２７】
なお、電解重合は上述した定電流法及び定電圧法の他に、電位走査法やパルス低電位法などによっても実行することができる。
【００２８】
熱重合法による場合、最初に上述した化学式２で示されるトリアジンチオールの一種又は二種以上からなるモノマーを準備し、このモノマーに対して加熱処理を施し、前記モノマーを熱的に重合させて、目的とする前記トリアジンジスルフィドポリマーを得るものである。
【００２９】
前記加熱処理は、好ましくは９０℃〜２００℃、さらに好ましくは１３０℃〜１８０℃の温度で行う。加熱処理温度が９０℃未満では、前記トリアジンジスルフィドポリマーの生成速度（重合速度）が小さくなってしまい、前記トリアジンジスルフィドポリマーの生成に長時間を要してしまう場合がある。また、加熱処理温度が２００℃を超えると、前記モノマーが部分的に分解及び揮発してしまい、良好な熱重合を実施することができない場合がある。
【００３０】
また、前記加熱処理の時間は、１分間〜１２０分間、好ましくは３０分間〜９０分間とする。加熱処理時間が１分未満であると、前記トリアジンジスルフィドポリマーの重合度が不十分となり、さらには生成自体が困難になる場合がある。また、加熱処理時間が１２０分を超えると、生成した前記トリアジンジスルフィドポリマーが部分的に分解してしまう場合がある。
【００３１】
なお、前記加熱処理は、例えば空気中で行うことができる。
【００３２】
紫外線重合法による場合、最初に上述した化学式２で示されるトリアジンチオールの一種又は二種以上からなるモノマーを準備し、このモノマーに対して紫外線を照射し、前記モノマーを光化学的に重合させて、目的とする前記トリアジンジスルフィドポリマーを得るものである。
【００３３】
紫外線照射源としては、高圧水銀ランプなどの汎用の光源を用いることができる。このとき、紫外線の照射強度は１０Ｗ／ｃｍ２〜２０００Ｗ／ｃｍ２とすることが好ましく、さらには１００Ｗ／ｃｍ２〜１０００Ｗ／ｃｍ２とすることが好ましい。前記照射強度が１０Ｗ／ｃｍ２未満であると、前記トリアジンジスルフィドポリマーの生成速度（重合速度）が小さくなってしまい、前記トリアジンジスルフィドポリマーの生成に長時間を要してしまう場合がある。また、前記照射強度が２０００Ｗ／ｃｍ２を超えると、前記モノマーが部分的に分解及び揮発してしまい、良好な光重合を実施することができない場合がある。
【００３４】
また、紫外線の照射時間は、１分間〜１２０分間、好ましくは３０分間〜９０分間とする。前記照射時間が１分未満であると、前記トリアジンジスルフィドポリマーの重合度が不十分となり、さらには生成自体が困難になる場合がある。また、前記照射時間が１２０分を超えると、生成した前記トリアジンジスルフィドポリマーが部分的に分解してしまう場合がある。
【００３５】
紫外線重合法による場合、前記モノマーを所定温度に加熱した状態で前記紫外線を照射することが好ましい。これによって、上述した光重合反応がより促進され、良好な前記トリアジンジスルフィドポリマーを短時間で生成することができる。この場合の加熱温度は２０℃〜６０℃とする。
【００３６】
上述のようにして得たトリアジンジスルフィドポリマーを実際のキャパシタの誘電体として使用する場合には、前記トリアジンジスルフィドポリマーを所定の基板上に膜状に形成する。
【００３７】
前記基板としては、キャパシタへの応用を考慮して例えばアルミニウム基板を用いることができる。この場合、前記アルミニウム基板の、前記誘電体を形成すべき主面に対してヒドラジン及びヒドラジン誘導体の少なくとも一方を用いて表面処理を行い、前記アルミニウム基板の、前記誘電体を形成すべき主面において、ヒドラジン及びAl2O3からなる混合膜を形成することが好ましい。
【００３８】
前記混合膜は極めて緻密であるため、前記アルミニウム基板の前記主面上に前記混合膜を形成することにより、前記アルミニウム基板の前記主面の影響を抑制することができ、前記トリアジンジスルフィドポリマー誘電体を含むキャパシタを形成した場合において、その特性に対する前記アルミニウム基板の影響を除去することができる。
【００３９】
具体的には、例えば０．１−２０重量％ヒドラジン水溶液を準備し、この水溶液を約０℃〜１００℃の温度に保持するとともに、前記水溶液中に前記アルミニウム基板を浸漬することによって行う。浸漬時間は例えば１秒〜６０分間、好ましくは１分間〜１０分間とする。なお、前記ヒドラジン誘導体としては、Ｎ，Ｎ’−ジメチルヒドラジン、メチルヒドラジン、及びフェニルヒドラジンを例示することができる。
【００４０】
また、アルミニウム基板とは、金属アルミニウム単体から構成される狭義のアルミニウム基板の他に、アルミニウム合金、並びに高分子材料、金属材料、及びセラミックスなどの基材上にアルミニウムが蒸着されたような複合基板をも含むものである。したがって、上述した処理は、このような基板におけるアルミニウム部分に対して行う。
【００４１】
基板上に電解重合法によって前記トリアジンジスルフィドポリマーからなる誘電体を形成する場合、前記基板を前述した電解重合溶液中に浸漬させた状態で電解重合を行うことにより、前記基板上に直接的に前記誘電体を形成することができる。
【００４２】
一方、基板上に熱重合法又は紫外線重合法によって前記トリアジンジスルフィドポリマーからなる誘電体を形成する場合、前記基板上に前述したモノマーからなる薄膜を形成し、この薄膜に対して上述した熱重合法又は紫外線重合法を施すことにより、前記基板上に前記誘電体を形成することができる。
【００４３】
なお、前記薄膜は公知の手段によって形成することができる。
【実施例】
【００４４】
（実施例１〜６）
５％ヒドラジン水溶液にアセトン脱脂したアルミニウム箔（３０μｍ×５０ｍｍ×３０ｍｍ）を５０℃で１分間浸漬し、乾燥後電解重合に供した。電解重合に使用する電解重合溶液は、表１に示すようなトリアジンチオールモノマーの３ｍｍｏｌ／Ｌと、ＮａＮＯ２の０．１ｍｏｌ／Ｌとを含み、電解重合は０．１５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で２０秒間実施した。いずれの場合においても、前記アルミニウム箔上にトリアジンジスルフィドポリマーからなる膜体（誘電体）が形成されていることが確認された。
【００４５】
【表１】
2005247977.tif 000004
【００４６】
（実施例７〜１０）
実施例１〜６と同様にヒドラジン処理したアルミニウム箔を準備し、このアルミニウム箔上に表２に示すようなトリアジンチオールモノマーからなる薄膜を形成した。なお、膜形成は、前記アルミニウム箔を４Ｘ１０−４Ｐａの真空雰囲気中に配置するとともに１３０℃に加熱し、真空蒸着装置（（株）アルバックＳＯＬＣＩＥ）を用いて４０〜４５分間蒸着することにより行った。なお、いずれの場合においても、得られた前記薄膜の厚さは約５０ｎｍであった。
【００４７】
次いで、前記薄膜を含む前記アルミニウム箔をオーブン（Ｙａｍａｔｏ製Ｄｒｙｉｎｇ  Ｏｖｅｎ  ＤＸ６００）中に配置し、１７０℃で６０分間空気中加熱して前記モノマーを重合させた。いずれの場合においても、前記アルミニウム箔上にトリアジンジスルフィドポリマーからなる膜体（誘電体）が形成されていることが確認された。
【００４８】
【表２】
2005247977.tif 000005
【００４９】
（実施例１１〜１４）
実施例７〜１０と同様にしてヒドラジン処理したアルミニウム箔を準備し、表２に示すようなトリアジンチオールモノマーからなる薄膜を形成した。次いで、高圧紫外線ランプから５００Ｗ／ｃｍ２の強度で前記薄膜に対して６０分間紫外線を照射し、前記モノマーを重合させた。いずれの場合においても、前記アルミニウム箔上にトリアジンジスルフィドポリマーからなる膜体（誘電体）が形成されていることが確認された。
【００５０】
以上、具体例を挙げながら発明の実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明によれば、従来の無機物と同等の誘電性を有する有機物からキャパシタを構成することができ、その結果、前記キャパシタの薄膜化を実現することができる。したがって、このキャパシタを用いて、小型化及び薄型の高周波回路、デジタル回路、ノイズリミット回路、カップリング回路、フィルター回路、電源回路、オーディオ回路、タイマ回路、バックアップ回路、アナログ回路、スイッチング回路などを提供することができる。