(57)【要約】      （修正有）【課題】  比較的容易に所望の特性が得られる圧電素子及び圧電素子を具備する液体噴射ヘッド、並びに比較的容易に圧電体層の結晶配向を制御することができる圧電素子の製造方法を提供する。【解決手段】  基板の一方面側に設けられた下電極６０と、下電極上に設けられた圧電体層７０と、圧電体層上に設けられた上電極とからなる圧電素子であって、下電極の少なくとも最上層６３は（１１１）面に優先配向し、且つ（１１１）面以外の配向が存在するイリジウム層からなり、圧電体層が下電極上に直接形成されていると共に（１００）面に優先配向しているようにする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方面側に設けられた下電極と、該下電極上に設けられた圧電体層と、該圧電体層上に設けられた上電極とからなる圧電素子であって、
前記下電極の少なくとも最上層は（１１１）面に優先配向し且つ（１１１）面以外の配向が存在するイリジウム層からなり、前記圧電体層が前記下電極上に直接形成されていると共に（１００）面に優先配向していることを特徴とする圧電素子。
【請求項２】
請求項１において、前記イリジウム層は、その表面に対して直交する面に（１１１）面配向した結晶面が存在することを特徴とする圧電素子。
【請求項３】
請求項１又は２の圧電素子を具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項４】
基板の一方面側に設けられ少なくとも最上層がイリジウム層からなる下電極と、該下電極上に設けられた圧電体層と、該圧電体層上に設けられた上電極とからなる圧電素子の製造方法であって、
前記基板上に前記下電極を形成する工程と、前記下電極上に前記圧電体層を直接形成する工程とを有し、且つ前記下電極を形成する工程では、前記イリジウム層が（１１１）面に優先配向し且つ（１１１）面以外の配向が存在するように形成することを特徴とする圧電素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電材料からなる圧電体層を具備する圧電素子、及び圧電素子を具備する液体噴射ヘッド、並びに圧電素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電素子は、電気機械変換機能を呈する圧電材料からなる圧電体層を２つの電極（下電極、上電極）で挟んだ素子であり、圧電体層は、例えば、結晶化した圧電性セラミックスにより構成されている。
【０００３】
また、このような圧電素子を用いた液体噴射ヘッドとしては、例えば、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッドがある。インクジェット式記録ヘッドには、圧電素子の軸方向に伸長、収縮する縦振動モードの圧電アクチュエータを使用したものと、たわみ振動モードの圧電アクチュエータを使用したものの２種類が実用化されている。たわみ振動モードのアクチュエータを使用したものとしては、例えば、振動板の表面全体に亙って成膜技術により均一な圧電体層を形成し、この圧電体層をリソグラフィ法により圧力発生室に対応する形状に切り分けることによって各圧力発生室毎に独立するように圧電素子を形成したものが知られている。
【０００４】
ここで、圧電体層（圧電体薄膜）としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電体が用いられている。強誘電体は、結晶方位によって特性が変化する場合が多いため、圧電素子を構成する圧電体層として用いるためには結晶配向の制御が必要になる。このため、例えば、白金／イリジウムの積層構造である下部電極上に、所定厚さのチタン層を介して強誘電体薄膜（圧電体層）を形成し、チタン層の厚さを調整することで強誘電体薄膜の結晶配向を制御したものがある（特許文献１参照）。
【０００５】
このようにチタン層を設けることで圧電体層の結晶配向をある程度制御することはできる。しかしながら、圧電体層の結晶配向を安定して制御することは難しいという問題がある。また、製造工程が煩雑化すると共にコストが増加してしまうという問題がある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−８８２９４号公報（第９〜１０頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑み、比較的容易に所望の特性が得られる圧電素子及び圧電素子を具備する液体噴射ヘッド、並びに比較的容易に圧電体層の結晶配向を制御することができる圧電素子の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、基板の一方面側に設けられた下電極と、該下電極上に設けられた圧電体層と、該圧電体層上に設けられた上電極とからなる圧電素子であって、前記下電極の少なくとも最上層は（１１１）面に優先配向し且つ（１１１）面以外の配向が存在するイリジウム層からなり、前記圧電体層が前記下電極上に直接形成されていると共に（１００）面に優先配向していることを特徴とする圧電素子にある。
かかる第１の態様では、（１００）面に優先配向する圧電体層を下電極上に直接形成することができるため、良好な特性を有する圧電素子を比較的容易に形成することができる。
【０００９】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記イリジウム層は、その表面に対して直交する面に（１１１）面配向した結晶面が存在することを特徴とする圧電素子にある。
かかる第２の態様では、圧電体層が（１００）面に確実に優先配向する。
【００１０】
本発明の第３の態様は、第１又は２の態様の圧電素子を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる第３の態様では、液滴の吐出特性を向上した液体噴射ヘッドを実現することができる。
【００１１】
本発明の第４の態様は、基板の一方面側に設けられ少なくとも最上層にイリジウム層を有する下電極と、該下電極上に設けられた圧電体層と、該圧電体層上に設けられた上電極とからなる圧電素子の製造方法であって、前記基板上に前記下電極を形成する工程と、前記下電極上に前記圧電体層を直接形成する工程とを有し、且つ前記下電極を形成する工程では、前記イリジウム層が（１１１）面に優先配向し且つ（１１１）面以外の配向が存在するように形成することを特徴とする圧電素子の製造方法にある。
かかる第４の態様では、下電極を構成するイリジウム層の結晶配向を制御することで圧電体層の結晶配向を制御できる。したがって、所望の特性を有する圧電素子を比較的容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及び断面図である。図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ１〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。流路形成基板１０には、複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、連通部１３と各圧力発生室１２とが、各圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４を介して連通されている。なお、連通部１３は、後述する保護基板のリザーバ部と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバの一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
【００１３】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、後述するマスク膜を介して接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば、０．０１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０-6／℃］であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又は不錆鋼などからなる。
【００１４】
一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、厚さが例えば約１．０μｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、厚さが例えば、約０．４μｍの酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜５５が形成されている。また、この絶縁体膜５５上には、厚さが例えば、約０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約１．０μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、下電極膜６０は圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室毎に圧電体能動部が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせて圧電アクチュエータと称する。なお、本実施形態では、弾性膜、絶縁体膜及び下電極膜が振動板として作用するが、勿論、弾性膜及び絶縁体膜のみが振動板として作用するようにしてもよい。
そして、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０がそれぞれ接続され、このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。
【００１５】
また、流路形成基板１０上の圧電素子３００側の面には、圧電素子３００に対向する領域に圧電素子保持部３１を有する保護基板３０が接合されている。圧電素子３００は、この圧電素子保持部３１内に形成されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。さらに、保護基板３０には、流路形成基板１０の連通部１３に対応する領域にリザーバ部３２が設けられている。このリザーバ部３２は、本実施形態では、保護基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の並設方向に沿って設けられており、上述したように流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００を構成している。
【００１６】
また、保護基板３０の圧電素子保持部３１とリザーバ部３２との間の領域には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられ、この貫通孔３３内に下電極膜６０の一部及びリード電極９０の先端部が露出され、これら下電極膜６０及びリード電極９０には、図示しないが、駆動ＩＣから延設される接続配線の一端が接続される。
なお、保護基板３０の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられるが、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることがより好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００１７】
また、保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３２の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００１８】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、図示しない駆動ＩＣからの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、絶縁体膜５５、下電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
【００１９】
ここで、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図３〜図６を参照して説明する。なお、図３〜図６は、圧力発生室１２の長手方向の断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板１０として、膜厚が約６２５μｍと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。
【００２０】
次いで、図３（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。具体的には、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、例えば、スパッタ法等によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜５５を形成する。
【００２１】
次いで、図４（ａ）に示すように、絶縁体膜５５上に下電極膜６０を形成する。ここで、下電極膜６０は、少なくとも最上層がイリジウム層からなり、例えば、本実施形態では、イリジウムからなる第１層６１、白金からなる第２層６２及びイリジウムからなる第３層６３の３層で構成されている。そして、このような下電極膜６０は、絶縁体膜５５上に、第１〜第３層６１，６２，６３を、例えば、スパッタ法により順次積層し、これら第１〜３層６１，６２，６３を所定形状にパターニングすることで形成される。またこのとき、下電極膜６０の最上層、本実施形態では、第３層６３は、（１１１）面に優先配向し且つ（１１１）面以外の配向が存在するように形成する。
【００２２】
なお、第３層６３が（１１１）面に優先配向していることは、第３層６３をＸ線回折広角法により測定することで容易に確認することができる。また、第３層６３に（１１１）面以外の配向が存在することは、第３層６３をＸ線インプレーン回折法により測定することで確認することができる。第３層６３に（１１１）面以外の配向が存在する場合には、第３層６３の表面に直交する面に（１１１）面に配向する結晶面が存在するからである。ここで図７に、第３層６３をＸ線インプレーン回折法により測定した結果を示す。図７に示すように、第３層６３は（２２０）面に相当する位置に最も高い配向強度のピークが存在するが、（１１１）面に相当する位置にもピークが存在していることが分かる。すなわち、第３層６３の表面に対して直交する面に、（１１１）面に配向する結晶面が存在していることが分かる。したがって、この結果から、第３層６３に（１１１）面以外の配向が存在するのを確認することができる。
【００２３】
次に、このように形成した下電極膜６０上に、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる圧電体層７０を直接形成する。本実施形態では、金属有機物を触媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層７０を形成した。
具体的には、まず図４（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上にＰＺＴ前駆体膜である圧電体前駆体膜７１を成膜する。すなわち、流路形成基板用ウェハ１１０上に金属有機化合物を含むゾル（溶液）を塗布する。次いで、圧電体前駆体膜７１を、所定温度に加熱して一定時間乾燥させ、ゾルの溶媒を蒸発させることで圧電体前駆体膜７１を乾燥させる。さらに、大気雰囲気下において一定の温度で一定時間、圧電体前駆体膜７１を脱脂する。なお、ここで言う脱脂とは、ゾル膜の有機成分を離脱させることである。
【００２４】
このような塗布・乾燥・脱脂の工程を、所定回数、例えば、本実施形態では、２回繰り返すことで、図４（ｃ）に示すように、圧電体前駆体膜７１を所定厚に形成し、この圧電体前駆体膜７１を拡散炉で加熱処理することによって結晶化させて圧電体膜７２を形成する。例えば、本実施形態では、約７００℃で３０分間加熱を行って圧電体前駆体膜７１を焼成して圧電体膜７２を形成した。
さらに、上述した塗布・乾燥・脱脂・焼成の工程を、複数回繰り返すことにより、図４（ｄ）に示すように、複数層、本実施形態では、５層の圧電体膜７２からなる所定厚さの圧電体層７０を形成する。例えば、ゾルの塗布１回あたりの膜厚が０．１μｍ程度の場合には、圧電体層７０全体の膜厚は約１μｍとなる。
【００２５】
このように、下電極膜６０の最上層である第３層６３を（１１１）面に優先配向し且つ（１１１）面以外の配向が存在するように形成し、この下電極膜６０上に圧電体層７０を直接形成することにより、圧電体層は（１００）面に優先配向する。ここで、下電極膜上に厚さ２〜４ｎｍのチタン層を介して形成した圧電体層と、下電極膜上にチタン層を形成することなく（チタン層厚０ｎｍ）形成した本実施形態に係る圧電体層とを、それぞれＸ線回折広角法によって測定し、（１００）面に相当する位置の配向強度（ピーク強度）を比較した。その結果を図８に示す。図８に示すように、チタン層を設けた場合、（１００）面に相当する位置の圧電体層の配向強度は約５０〜７０（ｃｐｓ）程度であった。一方、チタン層を設けていない場合、（１００）面に相当する位置の圧電体層の配向強度は約６０（ｃｐｓ）であり、各圧電体層の配向強度に大きな差は見られなかった。この結果からも明らかなように、下電極膜６０の最上層である第３層６３の結晶配向を制御することで、下電極膜上にチタン層を設けた場合と同程度に、圧電体層７０を（１００）面に優先配向させることができる。
【００２６】
なお、圧電体層７０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料に、ニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイッテルビウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等を用いてもよい。その組成は、圧電素子の特性、用途等を考慮して適宜選択すればよいが、例えば、ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）、ＰｂＺｒＯ３（ＰＺ）、Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３（ＰＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＭＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＮＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｉｎ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＩＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｔａ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＴ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＮ−ＰＴ）、ＢｉＳｃＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＳ−ＰＴ）、ＢｉＹｂＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＹ−ＰＴ）等が挙げられる。また、圧電体層７０の製造方法は、ゾル−ゲル法に限定されず、例えば、ＭＯＤ(Metal-Organic Decomposition)法等を用いてもよい。
【００２７】
また、このように圧電体層７０を形成した後は、図５（ａ）に示すように、例えば、イリジウムからなる上電極膜８０を流路形成基板用ウェハ１１０の全面に形成する。次いで、図５（ｂ）に示すように、圧電体層７０及び上電極膜８０を、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。次に、リード電極９０を形成する。具体的には、図５（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って、例えば、金（Ａｕ）等からなる金属層９１を形成する。その後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン（図示なし）を介して金属層９１を各圧電素子３００毎にパターニングすることでリード電極９０が形成される。
【００２８】
次に、図５（ｄ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の圧電素子３００側に、シリコンウェハであり複数の保護基板３０となる保護基板用ウェハ１３０を接合する。なお、この保護基板用ウェハ１３０は、例えば、４００μｍ程度の厚さを有するため、保護基板用ウェハ１３０を接合することによって流路形成基板用ウェハ１１０の剛性は著しく向上することになる。
【００２９】
次いで、図６（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで研磨した後、更に弗化硝酸によってウェットエッチングすることにより流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚みにする。例えば、本実施形態では、約７０μｍ厚になるように流路形成基板用ウェハ１１０をエッチング加工した。次いで、図６（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるマスク膜５２を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、このマスク膜５２を介して流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることにより、図６（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４等を形成する。
【００３０】
なお、その後は、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによってインクジェット式記録ヘッドとする。
【００３１】
以上説明したように、本実施形態では、下電極膜６０の最上層である第３層６３を（１１１）面に優先配向し且つ（１１１）面以外の配向が存在するように形成し、この下電極膜６０上に圧電体層７０を直接形成するようにしたので、圧電体層７０が（１００）面に良好に優先配向する。すなわち、下電極膜６０上にチタン層を設けることなく圧電体層７０の結晶配向を良好に制御することができる。したがって、良好な変位特性を有する圧電素子３００を比較的容易に形成することができる。また、製造工程を簡略化でき、コストを削減することができるという効果もある。
【００３２】
（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、上述の実施形態では、下電極膜が、イリジウムからなる第１層、白金からなる第２層及びイリジウムからなる第３層が構成されているが、これに限定されるものではない。例えば、下電極膜は、白金からなる第１層とイリジウムからなる第２とで構成されていてもよいし、イリジウムからなる第１層のみで構成されていてもよい。何れにしても、下電極膜は、最上層がイリジウム層で構成され、このイリジウム層が所定の配向となるように形成されていればよい。
【００３３】
また、上述した実施形態においては、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを例示したが、本発明は、広く液体噴射ヘッドの全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射するものにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。さらに、本発明は、液体噴射ヘッドに利用される圧電素子だけでなく、他のあらゆる装置に搭載される圧電素子にも適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図。
【図３】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す拡大断面図。
【図５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図６】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図７】下電極膜のＸ線インプレーン回折測定結果を示す図。
【図８】圧電体層の配向強度を比較するグラフ。
【符号の説明】
【００３５】
１０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  保護基板、  ４０  コンプライアンス基板、  ５０  弾性膜、  ５５  絶縁体膜、  ６０  下電極膜、  ６５  種チタン層、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  ３００  圧電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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