(57)【要約】      （修正有）【課題】広い帯域で、ＮＦ値の劣化が少なく、リニアなゲイン制御が可能な高周波増幅回路を提供する。【解決手段】高周波入力信号（Ｆ２）がゲートに供給されドレイン側に増幅された信号（Ｆout）を生成する増幅トランジスタ（Ｑ３０）と、入力端子とゲートとの間の信号伝播経路（２６）と電源（ＧＮＤ）との間に減衰用キャパシタ（Ｃ４１〜Ｃ４４）とスイッチトランジスタ（Ｑ４１〜Ｑ４４）とを直列接続した減衰ユニットが複数並列に設けられ、スイッチトランジスタを導通制御して減衰率が可変制御される可変減衰器（２４）とを有する。この可変減衰器（２４）によれば、入力端子から増幅トランジスタのゲートとの間の高周波入力信号の伝播経路（２６）中に、抵抗素子やスイッチが挿入されていないので、抵抗素子によるノイズフィギュアの劣化や寄生容量の問題、スイッチによる高周波特性の劣化がない。【選択図】    図４
2005159803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲインを可変制御可能な増幅回路において、
高周波入力信号が供給される入力端子と、
前記入力端子に供給された高周波入力信号がゲートに供給され、ドレイン側に増幅された信号を生成する増幅トランジスタと、
前記入力端子と増幅トランジスタのゲートとの間の信号伝播経路に設けられ、当該信号伝播経路と電源との間に減衰用キャパシタとスイッチトランジスタとを直列接続した減衰ユニットが複数並列に設けられ、前記スイッチトランジスタを導通制御して減衰率が可変制御される可変減衰器と
を有することを特徴とする増幅回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数の減衰カップリング用キャパシタの容量比が、少なくと２：４：８：１６の関係を含み、
前記複数のスイッチトランジスタのゲート幅比が、前記容量比と同じ関係を含むことを特徴とする増幅回路。
【請求項３】
請求項１において、
前記可変減衰器は、前記入力端子と信号伝播経路との間に入力カップリングキャパシタユニットを有し、
当該入力カップリングキャパシタユニットは、入力カップリング用キャパシタと入力スイッチトランジスタとを直列接続した入力ユニットが複数並列に設けられ、当該入力スイッチトランジスタを導通制御して入力カップリング容量が可変制御されることを特徴とする増幅回路。
【請求項４】
請求項３において、
前記複数の入力カップリング用キャパシタの容量比が、少なくと２：４：８：１６の関係を含み、
前記複数の入力スイッチトランジスタのゲート幅比が、前記容量比と同じ関係を含むことを特徴とする増幅回路。
【請求項５】
請求項１において、
前記入力端子の前段に所定のインピーダンス素子が設けられ、前記減衰用キャパシタと共に整合回路を構成することを特徴とする増幅回路。
【請求項６】
高周波入力信号を減衰させる可変減衰器において、
高周波入力信号が供給される入力端子と、
高周波出力信号が出力される出力端子と、
前記入力端子と出力端子との間の信号伝播経路に設けられ、当該信号伝播経路と電源との間にキャパシタとスイッチトランジスタとを直列接続した減衰ユニットとを有し、
前記減衰ユニットが複数並列に設けられ、前記スイッチトランジスタを導通制御して減衰率が可変制御されることを特徴とする可変減衰器。
【請求項７】
請求項６において、
前記複数の減衰カップリング用キャパシタの容量比が、少なくと２：４：８：１６の関係を含み、
前記複数のスイッチトランジスタのゲート幅比が、前記容量比と同じ関係を含むことを特徴とする可変減衰器。
【請求項８】
請求項６において、
更に、前記入力端子と信号伝播経路との間に入力カップリングキャパシタユニットを有し、
当該入力カップリングキャパシタユニットは、入力カップリング用キャパシタと入力スイッチトランジスタとを直列接続した入力ユニットが複数並列に設けられ、当該入力スイッチトランジスタを導通制御して入力カップリング容量が可変制御されることを特徴とする可変減衰器。
【請求項９】
請求項６において、
前記複数の入力カップリング用キャパシタの容量比が、少なくと２：４：８：１６の関係を含み、
前記複数の入力スイッチトランジスタのゲート幅比が、前記容量比と同じ関係を含むことを特徴とする可変減衰器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ゲインの可変制御可能な高周波増幅器に関し、特に、ゲインの線形性を保ちつつノイズフィギュアの劣化を防止し、更に、素子数を減らすことができる高周波増幅回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンや化合物の半導体チップにより高周波回路を実現することが提案されている。特に、携帯電話や携帯情報端末などの普及に伴い、例えば２〜４０GHzなどのマイクロ波帯域で使用可能な高周波回路を搭載した低コストのシリコンチップの開発が進められている。
【０００３】
高周波回路には様々なところで可変ゲインのパワーアンプが使用されるが、かかるパワーアンプをシリコンチップで実現するためには、ノイズフィギュア（ＮＦ）の劣化抑制、リニアなゲイン特性、素子数の低減などをクリアする必要がある。
【０００４】
図１は、一般的な高周波回路の構成例を示す図である。高周波信号Ｆ０に対して所定の処理を行う高周波回路１０の出力Ｆ１が、整合回路１２を介して、ゲインコントロール可能な増幅回路１４に入力される。そして、ゲインコントロール信号GCNTにより制御されたゲインで増幅された信号Ｆ３が出力される。整合回路１２は、高周波回路１０の出力Ｆ１のインピーダンスマッチングのための回路であり、高周波回路１０と増幅回路１４との関係にしたがって最適化され、高周波信号の反射が防止される。
【０００５】
図２は、ゲインコントロール増幅回路の従来例を示す回路図である。この従来例は、ＮチャネルトランジスタＱ３０，Ｑ３１からなる増幅回路１８の前段に、可変減衰器１６を設けて、可変減衰器１６により整合回路１２からの入力Ｆ２の振幅を可変減衰させ、全体で増幅器のゲインを制御する。トランジスタＱ３１のゲートには第１のバイアス電圧Vbias1が抵抗Ｒ１を介して接続され、トランジスタＱ３０のゲートには第２のバイアス電圧Vbias2が抵抗Ｒ２を介して接続され、増幅回路１８のゲインは一定に保たれる。可変減衰器１６は、それぞれ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ３、Ｒ４〜Ｒ６で構成された複数のパイ型減衰回路２０，２２から構成され、スイッチＳＷ１１，ＳＷ１２により、減衰量が可変制御される。スイッチＳＷ１１，ＳＷ１２はそれぞれ、例えば、Ｎチャネルトランジスタで構成したスイッチよりなる。スイッチＳＷ１１，ＳＷ１２が共に減衰回路２０側に接続されると、減衰回路２０の減衰率で信号が減衰され、スイッチＳＷ１１，ＳＷ１２が共に減衰回路２２側に接続されると、減衰回路２２の減衰率で信号が減衰される。
【０００６】
上記のように、増幅回路の前段に設けられる減衰器は、例えば以下の特許文献１にも開示されている。
【特許文献１】特開平８−２８８７９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図２に示した減衰器付きの増幅回路では、高周波入力信号Ｆ２が減衰器１６にてスイッチＳＷ１１，ＳＷ１２により選択された減衰回路２０，２２の減衰率で減衰され、増幅回路１８のトランジスタＱ３０のゲートに供給され、固定のゲインで増幅される。したがって、スイッチＳＷ１１，ＳＷ１２で制御することで減衰器の減衰率をリニアに制御することができ、その結果、入力信号Ｆ２に対してはリニアなゲインで増幅することができる。
【０００８】
しかしながら、図２に示された増幅回路は、低周波帯域において使用されるものであり、高周波帯域、例えば、２〜４０GHz、では、パイ型減衰回路の抵抗素子が高周波信号Ｆ２に対してノイズ源になり、入力のＳＮ比と出力のＳＮ比との比率であるノイズフィギュア（ＮＦ）が劣化する。また、シリコン基板上に抵抗素子を形成する場合、一般にシリコン基板表面に不純物領域を形成するが、そのシリコン基板と不純物領域との間の寄生容量が、高周波信号に影響を与えることになり、高周波特性の劣化を招くことになる。更に、高周波信号の伝播経路にスイッチＳＷ１，ＳＷ１２が設けられており、それらのスイッチを構成するトランジスタの特性がプロセス依存性を有するなど、減衰器のリニアリティに何らかの悪影響を与えることになる。また、図２に示されるように、減衰器１６の前段に整合回路１２を設ける必要があり、素子数の増大を招いている。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、高周波信号に対してノイズフィギュアの劣化が少なくリニアが可変ゲイン特性を有する増幅回路を提供することにある。
【００１０】
更に、本発明の別の目的は、リニアな減衰特性を有する減衰器を前段に設けた増幅回路を提供することにある。
【００１１】
更に、本発明の別の目的は、リニアな減衰特性を有する高周波用可変減衰器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の側面は、ゲインを可変制御可能な増幅回路において、
高周波入力信号が供給される入力端子と、
前記入力端子に供給された高周波入力信号がゲートに供給され、ドレイン側に増幅された信号を生成する増幅トランジスタと、
前記入力端子と増幅トランジスタのゲートとの間の信号伝播経路に設けられ、当該信号伝播経路と電源との間に減衰用キャパシタとスイッチトランジスタとを直列接続した減衰ユニットが複数並列に設けられ、前記スイッチトランジスタを導通制御して減衰率が可変制御される可変減衰器と
を有することを特徴とする。
【００１３】
上記の目的を達成するために、本発明の第２の側面は、高周波入力信号を減衰させる可変減衰器において、
高周波入力信号が供給される入力端子と、
高周波出力信号が出力される出力端子と、
前記入力端子と出力端子との間の信号伝播経路に設けられ、当該信号伝播経路と電源との間に減衰用キャパシタとスイッチトランジスタとを直列接続した減衰ユニットとを有し、
前記減衰ユニットが複数並列に設けられ、前記スイッチトランジスタを導通制御して減衰率が可変制御されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
上記の可変減衰器によれば、入力端子から増幅トランジスタのゲートとの間の高周波入力信号の伝播経路中に、抵抗素子やスイッチが挿入されていないので、抵抗素子によるノイズフィギュアの劣化や寄生容量の問題、スイッチによる高周波特性の劣化がない。したがって、高周波信号に対してノイズフィギュアの劣化が少なくリニアな可変ゲイン特性を有する増幅回路を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。
【００１６】
図３は、本実施の形態における増幅回路の回路図である。この増幅回路は、増幅トランジスタユニット１８の前段に可変減衰器２４が設けられている。増幅トランジスタユニット１８の構成は、図２の例と同じであり、同じ引用番号を与えている。この増幅回路は、シリコン基板に設けられたＭＯＳトランジスタと容量素子、抵抗素子、インダクタンス素子などにより構成される。
【００１７】
増幅トランジスタユニット１８には、増幅用トランジスタとして、入力端子ＩＮからの高周波入力信号Ｆ２がゲートに供給されソースが接地されたＮチャネルトランジスタＱ３０が設けられている。このトランジスタＱ３０のゲートには、抵抗Ｒ２を介して第２のバイアス電圧Vbias2が供給される。更に、トランジスタＱ３０のドレイン側に、ゲートに抵抗Ｒ１を介して第１のバイアス電圧Vbias1が供給されるＮチャネルトランジスタＱ３１が設けられている。そして、トランジスタＱ３１のドレインが負荷インダクタンスＬを介して電源Ｖddに接続されている。また、トランジスタＱ３１のドレインからは、出力カップリングキャパシタCoutを介して出力端子ＯＵＴに出力信号Foutが出力される。
【００１８】
増幅トランジスタＱ３０が、ゲートに供給される入力信号Ｆ２を増幅し、そのドレインに増幅された信号を生成し、更に、トランジスタＱ３０にカスコード接続されたトランジスタＱ３１は、そのゲート・ソース間の増幅された信号を更に増幅し、ドレイン端子に出力信号Foutを生成する。このように、トランジスタＱ３０，Ｑ３１をカスコード接続させることで、より高いゲインを提供することができる。
【００１９】
本実施の形態の増幅回路は、増幅ユニット１８の増幅トランジスタＱ３０のゲートと入力端子ＩＮとの間に可変減衰器２４が設けられている。この可変減衰器２４の減衰量を可変制御することで、増幅回路のゲインを可変制御する。
【００２０】
減衰器２４は、入力端子ＩＮとトランジスタＱ３０のゲートとの間の信号伝播経路２６に、減衰用のキャパシタＣ４１〜Ｃ４４とスイッチトランジスタＱ４１〜Ｑ４４とを直列接続した減衰ユニットが、複数並列設けられている。図３の例では、４つの減衰ユニットが信号伝播経路２６とグランド電源GNDとの間に並列に設けられている。そして、各スイッチトランジスタＱ４１〜Ｑ４４のゲートには、減衰量制御信号ＧＣ１〜ＧＣ４が供給され、それぞれ導通・非導通制御される。
【００２１】
入力端子ＩＮに供給された高周波入力信号Ｆ２は、入力カップリングキャパシタCin及び信号伝播経路２６を介して増幅トランジスタＱ３０のゲートに供給される。仮に、減衰量制御信号ＧＣ１がＨレベルに制御されてトランジスタＱ４１が導通状態にされると、信号伝播経路２６を伝播する高周波信号のエネルギーの一部が減衰用キャパシタＣ４１とトランジスタＱ４１とを介してグランド電源GNDに吸収される。つまり、減衰用キャパシタＣ４１は、高周波信号の交流成分に対してグランドＧＮＤにショートする機能を有し、減衰用キャパシタＣ４１の容量値に応じて、吸収されるエネルギーの量が決定する。別のトランジスタを導通制御して減衰用キャパシタの数を増やすことで、吸収されるエネルギーの量が増加し、その結果、減衰量が増加制御される。
【００２２】
そこで、減衰用キャパシタＣ４１〜Ｃ４４の容量値を１：２：４：８などバイナリに増加するように設計し、更に、スイッチトランジスタＱ４１〜Ｑ４４のゲート幅もそれと同じ比率にすることで、減衰量制御信号ＧＣ１〜ＧＣ４を適宜組み合わせることで、減衰器２４の減衰量をリニアに増加させることができる。すなわち、トランジスタＱ４１〜Ｑ４４が全て非導通状態で、減衰量ゼロに制御され、トランジスタＱ４１〜Ｑ４４の導通状態を組み合わせることで、減衰量がリニアに増加するように制御される。したがって、入力された高周波入力信号の振幅が、この減衰器２４によりリニアに可変減衰され、それが増幅トランジスタユニット１８で固定のゲインで増幅される。その結果、増幅回路全体のゲインがリニアに可変制御される。しかも、増幅トランジスタユニット１８に、カスコード接続した２つのトランジスタＱ３０，Ｑ３１を利用してゲインを大きくしているので、ゲインの可変制御範囲を広くすることができる。
【００２３】
この減衰器２４では、高周波信号の伝播経路２６中に、抵抗素子やスイッチングトランジスタを設ける必要がないので、図２に示した従来例のようなノイズフィギュアの劣化や、高周波特性の劣化の問題はない。また、抵抗素子の寄生容量による高周波特性への悪影響の問題もない。
【００２４】
また、前段に設けられる高周波回路１０（図１参照）の構成によっては、何らかのインピーダンスマッチングのための整合回路１２を設ける必要がある場合がある。しかし、本実施の形態の可変減衰器２４は、減衰用キャパシタＣ４１〜Ｃ４４を有するので、これらの減衰用キャパシタに加えて、入力端子ＩＮの前段にインダクタンスＬｍなどの素子を追加するだけで、必要な整合回路を構成することができる。かかる場合は、あらためて別の整合回路を設ける必要がなく、素子数の増大を抑制することができる。更に、整合回路のための追加の素子として、微少な抵抗素子を設けても良い。微少な抵抗素子であれば、それに伴うノイズフィギュアの劣化を最小限に抑えることができる。
【００２５】
本実施の形態における可変減衰器２４の減衰用キャパシタ及び入力カップリングキャパシタの容量値の一例は、以下の通りである。
Ｃ４１＝２８０ｆＦ、Ｃ４２＝５６０ｆＦ、Ｃ４３＝１１２０ｆＦ、Ｃ４４＝２２４０ｆＦ、Ｃｉｎ＝１１２０ｆＦ
更に、スイッチトランジスタのゲート長は、例えばＬｇ＝０．２４μｍ、ゲート幅は、例えば以下の通りである。
Ｑ４１のＷｇ＝８μｍ、Ｑ４２のＷｇ＝１６μｍ、Ｑ４３のＷｇ＝３２μｍ、
Ｑ４４のＷｇ＝６４μｍ
上記の例によれば、減衰量制御信号の切り替えで、減衰量を４ビットで制御することができる。また、カップリングキャパシタＣ５をある程度大きく設定することで、入力端子ＩＮの前段に適宜インダクタンス素子などを設けることと相まって、スイッチングトランジスタＱ４１〜Ｑ４４を適宜導通制御して減衰用キャパシタＣ４１〜Ｃ４４の数を変化させても、前段の高周波回路から見た入力インピーダンスの変化を抑制して、広い周波数帯域においてインピーダンスマッチングさせることができる。
【００２６】
図４は、本実施の形態における増幅回路の第１の変形例の回路図である。この変形例では、増幅トランジスタユニット１８が、増幅用トランジスタＱ３０，Ｑ３１に並列に、更に増幅用トランジスタＱ３２，Ｑ３３が追加されている。図４に示した増幅トランジスタユニット１８の回路は、２つのトランジスタＱ３０，Ｑ３１をカスコード接続した単層回路であるのに対して、図５の増幅用トランジスタユニット１８の回路は、カスコード接続トランジスタを並列に設けた差動回路である。そして、差動入力信号F2a、F2bがそれぞれの減衰器２４ａ、２４ｂを介して増幅用トランジスタＱ３０、Ｑ３２のゲートに入力され、それぞれ増幅され、差動出力信号Fouta、Foutbが出力される。かかる差動回路にすることでノイズ特性を向上させることができる。
【００２７】
図５は、本実施の形態における増幅回路の第２の変形例の回路図である。この変形例における減衰器２６では、図３の増幅回路において、更に、入力カップリングキャパシタＣｉｎを可変制御可能にするために、複数のキャパシタＣ５１〜Ｃ５４とＮチャネルのスイッチ用トランジスタＱ５１〜Ｑ５４を有し、これらトランジスタはカップリング容量制御信号ＧＣ５１〜ＧＣ５４により適宜導通・非導通の制御が行われる。
【００２８】
減衰用キャパシタＣ４１〜Ｃ４４と入力カップリングキャパシタＣ５１〜Ｃ５４との関係を次の通りにすることで、入力端子ＩＮから見た入力インピーダンスを一定にすることができ、広い周波数帯域でマッチングを取ることが可能になる。すなわち、減衰用キャパシタＣ４１〜Ｃ４４による合計の容量値が小さい場合（減衰量小）は、入力カップリングキャパシタＣ５１〜Ｃ５４による合計の容量値を大きくし、逆に、減衰用キャパシタＣ４１〜Ｃ４４による合計の容量値が大きい場合（減衰量大）は、入力カップリングキャパシタＣ５１〜Ｃ５４による合計の容量値を小さくする。更に、第１の周波数帯に対しては、上記キャパシタを第１の組合せにして、当該周波数帯に整合した入力インピーダンスを選択し、第１の周波数帯よりも高い第２の周波数帯に対しては、上記キャパシタを第２の組合せにして、当該周波数帯に整合した入力インピーダンスを選択する。それぞれの周波数帯においては、その所望の減衰量に応じて、減衰用キャパシタＣ４１〜Ｃ４４と入力カップリングキャパシタＣ５１〜Ｃ５４とを上記の組合せにして、入力インピーダンスを一定に保つ。このように、入力インピーダンスを減衰量と共に最適値に可変制御するようにすることで、より広い周波数帯域において使用することができる。
【００２９】
前段に設けられる高周波回路によっては、減衰器２６の前段にインダクタンスなどを追加して、減衰器２６内のキャパシタとの組合せによる整合回路を構成することもできる。
【００３０】
図６は、本実施の形態における第３の変形例の回路図である。図５の減衰器２６は、図４に示した差動回路型の増幅トランジスタユニットに接続してもよい。すなわち、図６の回路図に示されるとおりである。差動回路の動作は、図４と同じであり、１対の増幅トランジスタに対して、それぞれ減衰器２６ａ、２６ｂが設けられている。減衰器の構成は図５と同じである。
【００３１】
図５，６の変形例の減衰器２６における各キャパシタの容量値は、例えば、以下の通りである。
Ｃ４１＝２８０ｆＦ、Ｃ４２＝５６０ｆＦ、Ｃ４３＝１１２０ｆＦ、Ｃ４４＝２２４０ｆＦ、Ｃ５１＝２８０ｆＦ、Ｃ５２＝５６０ｆＦ、Ｃ５３＝１１２０ｆＦ、Ｃ５４＝２２４０ｆＦ
更に、スイッチトランジスタのゲート長は、例えばＬｇ＝０．２４μｍ、ゲート幅は、例えば以下の通りである。
Ｑ４１のＷｇ＝８μｍ、Ｑ４２のＷｇ＝１６μｍ、Ｑ４３のＷｇ＝３２μｍ、
Ｑ４４のＷｇ＝６４μｍ
Ｑ５１のＷｇ＝８μｍ、Ｑ５２のＷｇ＝１６μｍ、Ｑ５３のＷｇ＝３２μｍ、
Ｑ５４のＷｇ＝６４μｍ
このように、減衰用キャパシタＣ４１〜Ｃ４４も、入力カップリングキャパシタＣ５１〜Ｃ５４も、容量値をそれぞれバイナリの関係にすることで、それぞれの容量値を制御信号によりリニアに制御することができる。
【００３２】
上記の実施の形態では、増幅トランジスタユニット１８において、１対のＮチャネルトランジスタをカスコード接続したものを示したが、本発明はそれに限定されず、ゲートに入力信号Ｆ２を供給される１個のＮチャネルトランジスタからなる構成にしても良い。
【００３３】
以上の実施の形態をまとめると以下の付記の通りである。
【００３４】
（付記１）ゲインを可変制御可能な増幅回路において、
高周波入力信号が供給される入力端子と、
前記入力端子に供給された高周波入力信号がゲートに供給され、ドレイン側に増幅された信号を生成する増幅トランジスタと、
前記入力端子と増幅トランジスタのゲートとの間の信号伝播経路に設けられ、当該信号伝播経路と電源との間に減衰用キャパシタとスイッチトランジスタとを直列接続した減衰ユニットが複数並列に設けられ、前記スイッチトランジスタを導通制御して減衰率が可変制御される可変減衰器と
を有することを特徴とする増幅回路。
【００３５】
（付記２）付記１において、
前記複数の減衰カップリング用キャパシタの容量比が、少なくと２：４：８：１６の関係を含み、
前記複数のスイッチトランジスタのゲート幅比が、前記容量比と同じ関係を含むことを特徴とする増幅回路。
【００３６】
（付記３）付記１において、
前記可変減衰器は、前記入力端子と信号伝播経路との間に入力カップリングキャパシタを有することを特徴とする増幅回路。
【００３７】
（付記４）付記１において、
前記可変減衰器は、前記入力端子と信号伝播経路との間に入力カップリングキャパシタユニットを有し、
当該入力カップリングキャパシタユニットは、入力カップリング用キャパシタと入力スイッチトランジスタとを直列接続した入力ユニットが複数並列に設けられ、当該入力スイッチトランジスタを導通制御して入力カップリング容量が可変制御されることを特徴とする増幅回路。
【００３８】
（付記５）付記４において、
前記複数の入力カップリング用キャパシタの容量比が、少なくと２：４：８：１６の関係を含み、
前記複数の入力スイッチトランジスタのゲート幅比が、前記容量比と同じ関係を含むことを特徴とする増幅回路。
【００３９】
（付記６）付記１において、
更に、前記増幅トランジスタのドレイン側に接続され、ゲートが所定のバイアス電圧に接続された第２の増幅トランジスタを有し、当該第２の増幅トランジスタのドレインに、増幅された出力信号が生成されることを特徴とする増幅回路。
【００４０】
（付記７）付記１または４において、
更に、前記増幅トランジスタとそれに接続された前記第２の増幅トランジスタからなるカスコード接続構造を、１対並列に接続し、それぞれに差動信号を入力し増幅された差動信号を出力する差動回路構成にされていることを特徴とする増幅回路。
【００４１】
（付記８）付記１において、
前記入力端子の前段に所定のインピーダンス素子が設けられ、前記減衰用キャパシタと共に整合回路を構成することを特徴とする増幅回路。
【００４２】
（付記９）高周波入力信号を減衰させる可変減衰器において、
高周波入力信号が供給される入力端子と、
高周波出力信号が出力される出力端子と、
前記入力端子と出力端子との間の信号伝播経路に設けられ、当該信号伝播経路と電源との間にキャパシタとスイッチトランジスタとを直列接続した減衰ユニットとを有し、
前記減衰ユニットが複数並列に設けられ、前記スイッチトランジスタを導通制御して減衰率が可変制御されることを特徴とする可変減衰器。
【００４３】
（付記１０）付記９において、
前記複数の減衰カップリング用キャパシタの容量比が、少なくと２：４：８：１６の関係を含み、
前記複数のスイッチトランジスタのゲート幅比が、前記容量比と同じ関係を含むことを特徴とする可変減衰器。
【００４４】
（付記１１）付記９において、
更に、前記入力端子と信号伝播経路との間に入力カップリングキャパシタを有することを特徴とする可変減衰器。
【００４５】
（付記１２）付記９において、
更に、前記入力端子と信号伝播経路との間に入力カップリングキャパシタユニットを有し、
当該入力カップリングキャパシタユニットは、入力カップリング用キャパシタと入力スイッチトランジスタとを直列接続した入力ユニットが複数並列に設けられ、当該入力スイッチトランジスタを導通制御して入力カップリング容量が可変制御されることを特徴とする可変減衰器。
【００４６】
（付記１３）付記９において、
前記複数の入力カップリング用キャパシタの容量比が、少なくと２：４：８：１６の関係を含み、
前記複数の入力スイッチトランジスタのゲート幅比が、前記容量比と同じ関係を含むことを特徴とする可変減衰器。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】一般的な高周波回路の構成例を示す図である。
【図２】ゲインコントロール増幅回路の従来例を示す回路図である。
【図３】本実施の形態における増幅回路の回路図である。
【図４】本実施の形態における増幅回路の第１の変形例の回路図である。
【図５】本実施の形態における増幅回路の第２の変形例の回路図である。
【図６】本実施の形態における増幅回路の第３の変形例の回路図である。
【符号の説明】
【００４８】
１４：増幅回路、１８：増幅トランジスタユニット、２４、２６：可変減衰器
Ｑ３０，Ｑ３２：増幅トランジスタ、Ｑ３１，Ｑ３３：第２の増幅トランジスタ
Ｃ４１〜Ｃ４４：減衰用キャパシタ、Ｑ４１〜Ｑ４４：スイッチトランジスタ
Ｃ５１〜Ｃ５４：入力カップリング用キャパシタ、
Ｑ５１〜Ｑ５４：入力用スイッチトランジスタ
【図１】
2005159803.tif 000003
【図２】
2005159803.tif 000004
【図３】
2005159803.tif 000005
【図４】
2005159803.tif 000006
【図５】
2005159803.tif 000007
【図６】
2005159803.tif 000008