(57)【要約】  【課題】  絶縁層と配線導体層との密着性が高く耐湿信頼性に優れ、配線導体層が微細化されても絶縁性に優れた配線基板を提供すること。  【解決手段】  コア基板１の表面に形成された絶縁層２と、絶縁層２の表面に被着された配線導体層３とを具備して成る配線基板において、絶縁層２は、ラジカル重合体ラジカル重合体の末端の基にチオール化合物が結合した熱硬化性樹脂から成る。【選択図】  図１
2005101336.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板と、該コア基板の表面に形成された絶縁層と、該絶縁層の表面に被着された配線導体層とを具備して成る配線基板において、前記絶縁層は、ラジカル重合体の末端の基にチオール化合物が結合した熱硬化性樹脂から成ることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記絶縁層の表面の算術平均粗さＲａが０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板とコア基板の表面に形成された絶縁層と絶縁層の表面に被着された配線導体層とを具備して成る配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、一般に電子機器は、移動体通信機器に代表されるように小型，薄型，軽量，高信頼性が要求されてきており、このような電子機器に搭載される電子装置も小型，高密度化が要求されるようになってきている。そのため、電子装置を構成する配線基板にも小型，薄型，多端子化が求められてきており、それを実現するために信号用配線導体等を含む配線導体層の幅を細くするとともにその間隔を狭くし、さらに配線導体層の多層化により高密度配線化が図られている。
【０００３】
このような高密度配線が可能な配線基板として、ビルドアップ法を採用して製作された配線基板が知られている。このビルドアップ型の配線基板は、例えば、次に述べる方法により製作される。
【０００４】
まず、ガラスクロスやアラミド不布織等の補強材に、耐熱性や耐薬品性を有するエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂に代表される熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁シートを準備し、次にこの表面に銅箔を積層するとともに熱硬化して銅張り板を製作する。次に、銅張り板の表面の銅箔をエッチングして所定パターンの配線導体を形成する。次に、マイクロドリルを用いて、銅張り板を貫通する貫通孔を所定の位置に形成する。その後、貫通孔の内壁にめっき膜を被着して、貫通孔の内壁に上下の配線導体を電気的に接続する貫通導体を形成し、さらに内壁にめっき膜が被着された貫通孔の内部に樹脂を充填してコア基板を得る。
【０００５】
次に、このコア基板上にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂の前駆体に無機絶縁性フィラーを分散させた樹脂フィルムを貼着するとともに加熱硬化して、コア基板上に厚みが２０〜２００μｍの絶縁層を形成する。次に、配線導体上に位置する絶縁層に直径が５０〜２００μｍの貫通孔をレーザで穿設し、さらに絶縁層の表面および貫通孔の内壁を過マンガン酸カリウム溶液等の粗化液で化学的に粗化した後に、絶縁層の表面および貫通孔の内壁に無電解めっき層を被着する。次に、無電解めっき層上に配線導体のパターン形状に電解めっき層を被着させる開口部を有するように耐めっき樹脂層を形成し、しかる後、耐めっき樹脂層の開口部に電解めっき層を被着する。その後、耐めっき樹脂層を剥離し、さらに露出した無電解めっき層をエッチングして除去することにより配線導体層を形成する。そしてさらに、これら絶縁層や配線導体層の上に次層の絶縁層や配線導体層の形成を複数回繰り返すことによって、ビルドアップ型の配線基板が製作される。
【０００６】
このようなビルドアップ型の配線基板においては、配線導体層と絶縁層との密着性が不足している場合、温度サイクル試験や湿中負荷試験等の信頼性試験において配線導体層と絶縁層との間に隙間が生じ、この隙間に空気中の水分が浸入して電気絶縁性が低下することがある。
【０００７】
そこで、絶縁層を粗化して表面に算術平均粗さＲａが０．６〜２μｍの凹凸を形成することにより絶縁層の表面のアンカー効果を高め、配線導体層と絶縁層との密着性を高めることが行なわれている。また近年、配線導体層と絶縁層とのより高い密着性を得るために、粗化面にチオール化合物を主材料とするプライマー層を形成させる方法が提案されている。
【特許文献１】特開２００３−５３８７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、絶縁層の表面を算術平均粗さＲａが０．６〜２μｍの粗化面とした場合、粗さが大きいために無電解めっき層をエッチングし除去して配線導体層を形成する際に絶縁層の表面の凹部に無電解めっき層の一部が残ってしまい、配線導体層の線幅や間隔が１５μｍ程度に微細化されると、隣接する配線導体層間が電気的に短絡してしまうという問題点を有していた。
【０００９】
また、チオール化合物を主材料とするプライマー層はチオール化合物の極性が高いために吸水性が高く水分が滞留してしまい、この滞留した水分が電子部品を実装する際の高温下で急激に蒸発して絶縁層と配線導体層との界面で膨れや剥れが生じてしまうという問題点を有していた。
【００１０】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、絶縁層と配線導体層との密着性が高く、耐湿信頼性に優れ、配線導体層が微細化されても絶縁性に優れた配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の配線基板は、コア基板と、該コア基板の表面に形成された絶縁層と、該絶縁層の表面に被着された配線導体層とを具備して成る配線基板において、前記絶縁層は、ラジカル重合体の末端の基にチオール化合物が結合した熱硬化性樹脂から成ることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の配線基板は、好ましくは前記絶縁層の表面の算術平均粗さＲａが０．０１〜０．５μｍであることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の配線基板によれば、絶縁層をラジカル重合体の末端に基にチオール化合物が結合した熱硬化性樹脂から成るものとしたことから、疎水性のラジカル重合体は、絶縁層内において、末端に親水性のチオール化合物が結合した基が絶縁層の表面側に位置するように配列することとなる。すなわち、絶縁層内部は疎水性のラジカル重合体が占め、絶縁層の表面側に親水性のチオール化合物を押し出すようにラジカル重合体が配列することとなる。その結果、チオール化合物は金属との馴染みがよいので、チオール化合物が絶縁層の表面に被着された配線導体層に吸着するようにラジカル重合体が配列されることとなり、絶縁層と配線導体層との密着性を良好なものとすることができる。また、チオール化合物がラジカル重合体と化学的に結合しているので極性が低くなって吸水性が低下し、絶縁層と配線導体層との間に水分が滞留することはなく、電子部品を実装する際の高温下でも絶縁層と配線導体層との界面で水分が蒸発して膨れや剥れが生じることはない。
【００１４】
また、本発明の配線基板によれば、絶縁層の表面の算術平均粗さＲａを０．０１〜０．５μｍとした場合には、配線導体層の高密度化により線幅や配線導体層間の間隔を１５μｍ程度に微細化したとしても、絶縁層の表面の凹部が浅いので無電解めっき層を容易にエッチング除去することができ、隣接する配線導体層間が短絡してしまうことはなく、その結果、微細配線でも絶縁性に優れた配線基板とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の配線基板を添付の図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図であり、１はコア基板、２は絶縁層、３は配線導体層であり、主にこれらで本発明の配線基板が構成されている。
【００１６】
コア基板１は、例えばガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成り、絶縁層２および配線導体層３の支持体としての機能を有する。コア基板１は、その厚みが０．２〜１．５ｍｍ程度であり、上面から下面にかけて直径が０．１〜１．０ｍｍ程度の複数の貫通孔１ａを有している。また、貫通孔１ａの内壁には銅等のめっき膜を被着して成る貫通導体１ｂが形成されており、さらにコア基板１の上下面には貫通導体１ｂに電気的に接続される配線導体１ｃが被着形成されている。
【００１７】
このようなコア基板１は、ガラスクロスに未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させることにより未硬化のシートを製作し、このシートを１８０〜２００℃の温度で数分〜数時間かけて熱硬化させることにより製作される。また、貫通孔１ａは、コア基板１の上面から下面にかけてドリル加工やレーザ加工を施すことにより形成される。
【００１８】
また、コア基板１の上下面に形成される配線導体１ｃは、例えば銅や銀，アルミニウム，ニッケル等の金属箔上に銅等のめっき膜を被着させて成り、その幅が１０〜１００μｍ、厚みが５〜５０μｍであり、後述する配線導体層３とともに搭載する半導体素子等の電子部品（図示せず）の各電極を外部電気回路基板に電気的に接続する導電路の一部として機能する。
【００１９】
配線導体１ｃは、その幅が１０μｍ未満となると、配線導体１ｃの変形や断線が発生しやすくなる傾向があり、１００μｍを超えると高密度配線が形成できなくなる傾向がある。また、配線導体１ｃの厚みが５μｍ未満になると、配線導体１ｃの強度が低下して変形や断線が発生しやすくなる傾向がある。配線導体１ｃの厚みが５０μｍを超えると、コア基板１に積層する絶縁層２の表面の凹凸が大きくなり、配線基板表面の平坦度が低下し、搭載する電子部品を実装することが困難となる傾向がある。従って、配線導体１ｃは、その幅を１０〜１００μｍ、厚みを５〜５０μｍの範囲とすることが好ましい。なお、金属箔やめっき膜の材料としては、安価および低導電性という観点からは銅を用いることが好ましい。
【００２０】
なお、配線導体１ｃは、絶縁基板１用の未硬化のシートの上下面全面に厚みが３〜５０μｍの銅箔等の金属箔を被着し、シートの硬化後に銅等のめっき膜を被着しエッチング加工することにより、コア基板１の上下面に所定パターンに形成される。また、貫通導体１ｂは、コア基板１の上下面に被着された配線導体１ｃ同士を電気的に接続する機能を有し、コア基板１に貫通孔１ａを設けた後に、この貫通孔１ａにめっき法により例えば厚みが３〜５０μｍ程度の銅等から成るめっき膜を形成させることにより形成される。
【００２１】
さらに、コア基板１は、内壁にめっき膜が被着された貫通孔１ａの内部にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と無機絶縁性フィラーとから成る樹脂１ｄが充填されている。樹脂１ｄは、貫通孔１ａを塞ぐことにより貫通孔１ａの直上および直下に絶縁層２を形成可能とするためのものであり、未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を内壁にめっき膜が被着された貫通孔１ａの内部にスクリーン印刷法により充填し、これを加熱することにより硬化される。そして樹脂１ｄの硬化後、通常樹脂１ｄの上下端はコア基板１の上下面と略同一面となるように研磨される。
【００２２】
また、コア基板１の上下面には絶縁層２が積層されている。絶縁層２は、それぞれの厚みが１０〜１００μｍ程度であり、各層の上面から下面にかけて直径が２０〜１００μｍ程度のビア孔２ａが穿孔されている。さらに、各絶縁層２の表面には配線導体層３が、ビア孔２ａ内壁にはビア導体２ｂ被着されており、配線導体１ｃと配線導体層３とを、また絶縁層２の上下に位置する配線導体層３同士をビア導体２ｂを介して接続することにより立体的な高密度配線が形成可能となっている。
【００２３】
そして、本発明の配線基板においては、絶縁層２はラジカル重合体の末端の基にチオール化合物が結合した熱硬化性樹脂から成る。この構成により、ラジカル重合体は、絶縁層２内において、末端にチオール化合物が結合した基が絶縁層２の表面側に位置するように配列することができ、さらにチオール化合物は金属との馴染みがよいことから、絶縁層２と配線導体層３との密着性を良好なものとすることができる。また、チオール化合物がラジカル重合体と化学的に結合しているので極性が低くなって吸水性が低下し、絶縁層２と配線導体層３との間に水分が滞留することはなく、電子部品を実装する際の高温下でも絶縁層２と配線導体層３との界面で水分が蒸発して膨れや剥れが生じることはない。
【００２４】
このような熱硬化性樹脂は、スチレン，α−メチルスチレン，ジビニルベンゼン，ノルボルネン，シクロペンタジエン，ブタジエン，アクリレート，メタクリレート，ビニルマレイミド，エチレン，プロピレン等のビニル単量体を単独あるいは共重合したラジカル重合体ラジカル重合体の末端の基に、２個以上のチオール（ＳＨ）基を有するビス−（2−メルカプトエチル）サルファイド，トリグリコールジメルカプタン，2,5−ジメルカプト−1,3,4−チアジアゾール，2,4,6−トリメルカプト−ｓ−トリアジン，2−ジ−ｎ−ブチルアミノ−4,6−トリメルカプト−ｓ−トリアジン等のチオール化合物を反応させて結合させることにより得られる。
【００２５】
なお、このようなラジカル重合体の末端の基にチオール化合物が結合した熱硬化性樹脂は、例えば二重結合およびエポキシ基を有するビニル単量体がラジカル重合している最中に、これにチオール化合物を添加して重合させてラジカル重合を停止させることにより生成することができる。
【００２６】
なお、絶縁層２には、弾性を付与するためにエラストマーを、熱膨張係数を小さくするために無機絶縁フィラーをそれぞれ添加しても良い。
【００２７】
エラストマーとしては、アクリロニトリル−ブタジエン共重合ゴム，スチレン−ブタジエン共重合ゴム，スチレン−ブタジエン−イソプレン共重合ゴム等のジエン系ゴムおよびこれらの水素添加物、エチレン−プロピレン共重合ゴム、ウレタンゴム、ポリエーテルゴム、アクリルゴム、プロピレオキサイドゴム、エチレンアクリルゴム、スチレン系熱可塑性エラストマー、ウレタン系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー、フッ素系熱可塑性エラストマー等が用いられる。このようなエラストマーは、絶縁層２に可とう性や弾性を付与し、絶縁層２のクラックの生成を防止する機能を有する。
【００２８】
エラストマーの含有率は５〜３０質量％が好ましく、５質量％未満であると、絶縁層２の可とう性が小さくなりクラックが発生し易くなる傾向があり、３０質量％を超えると、絶縁層２の剛性が低下して反りが発生し易くなる傾向がある。
【００２９】
無機絶縁フィラーとしては、シリカ，アルミナ，窒化アルミニウム等が用いられる。その平均粒子径は０．０１〜２μｍで含有量は１０〜６０質量％程度である。このような無機絶縁フィラーは、絶縁層２の熱膨張係数を調整し配線導体層３の熱膨張係数と整合させるとともに、絶縁層２の表面に適度な凹凸を形成し、配線導体層３と絶縁層２との密着性を良好となす機能を有する。
【００３０】
このような絶縁層２は、例えば熱硬化性樹脂とエラストマーに１０〜６０質量％のシリカを添加してペーストを作製し、このペーストをフィルム状に成形し、熱硬化することにより形成される。
【００３１】
なお、無機絶縁フィラーは、その平均粒子径が０．０１μｍ未満であると、無機絶縁フィラー同士が凝集して均一な厚みの絶縁層２を形成することが困難となる傾向があり、２μｍを超えると、絶縁層２の表面の凹凸が大きくなり過ぎて配線導体層３と絶縁層２との密着性を低下させてしまう傾向がある。従って、無機絶縁フィラーの平均粒子径は０．０１〜２μｍの範囲が好ましい。また、無機絶縁フィラーの含有量が１０質量％未満であると、絶縁層２の熱膨張係数を調整する作用が小さくなる傾向があり、６０質量％を超えると、熱硬化性樹脂の量が減少し絶縁層２を成形することが困難となる傾向がある。従って、無機絶縁フィラーの含有量は１０〜６０質量％が好ましい。
【００３２】
また、本発明の配線基板は、絶縁層２の表面の算術平均粗さＲａが０．０１〜０．５μｍであることが好ましい。この場合、配線導体層３の高密度化によりその線幅や間隔を１５μｍ程度に微細化しても、絶縁層２表面の凹凸の凹部が浅いので無電解めっき層を容易にエッチング除去することができ、隣接する配線導体層３間が短絡することはなく、その結果、微細配線でも絶縁性に優れた配線基板とすることができる。また、配線導体層３に１０ＧＨｚ以上の高周波信号を伝播させた場合、Ｒａが０．０１〜０．５μｍと小さいことから、高周波信号の表面経路を短くでき損失が少なくなり、その結果、高周波信号を正確に伝播できる配線基板とすることができる。
【００３３】
なお、Ｒａが０．０１μｍ未満になると、絶縁層２にラジカル重合体とチオール化合物とが反応した熱硬化性樹脂を用いても、密着性が低下して絶縁層２と配線導体層３とが剥れてしまう傾向にあり、０．５μｍを超えると、配線導体層３の線幅や間隔が１５μｍ程度の微細配線を形成することが困難となる傾向にある。
【００３４】
なお、絶縁層２は、上記ペーストのフィルムをコア基板１の上下面に積層した後、減圧しながら１００〜２００℃の温度を数分間保持し、その後圧力が０．５〜５ＭＰａの条件で数分間加圧加熱し、さらに１００〜２００℃の温度で３０分〜２時間熱処理を行なうことによって製作される。
【００３５】
さらに、絶縁層２の一方の最外層の表面に形成された配線導体層３の一部は、電子部品（図示せず）の各電極に導体バンプ６ａを介して接合される電子部品接続用の接続電極４ａが形成され、絶縁層２の他方の最外層の表面に形成された配線導体層３の一部は、外部電気回路基板（図示せず）の各電極に導体バンプ６ｂを介して接続される外部接続用の接続電極４ｂが形成されている。
【００３６】
このような配線導体層３およびビア導体２ｂは、次ぎに述べる方法によって形成される。まず、絶縁層２にレーザでビア孔２ａを形成した後、絶縁層２表面およびビア孔２ａ内壁を過マンガン酸塩類の水溶液等の粗化液に浸漬し粗化した後、無電解めっき用のパラジウム触媒の水溶液中に浸漬し絶縁層２表面およびビア孔２ａ内壁にパラジウム触媒を付着させる。次に、硫酸銅，ロッセル塩，ホルマリン，ＥＴＡナトリウム塩，安定剤等から成る無電解めっき液に約３０分間浸漬して、絶縁層２表面およびビア孔２ａ内壁に１〜２μｍ程度の無電解銅めっき層を析出させる。
【００３７】
次に、絶縁層２表面の無電解銅めっき層上に耐めっき樹脂層を被着し露光し現像することにより、配線導体層３のパターン形状に電解銅めっき層を被着させるための開口部を形成し、さらに、硫酸，硫酸銅５水和物，塩素，光沢剤等から成る電解銅めっき液に数Ａ／ｄｍ２の電流を流しながら数時間浸漬することにより、ビア孔２ａの内壁および開口部に電解銅めっき層を被着させる。その後、耐めっき樹脂層を水酸化ナトリウムで剥離し、さらに、耐めっき樹脂層を剥離したことにより露出する無電解銅めっき層を硫酸，過酸化水素水等の硫酸系水溶液によりエッチング除去し、しかる後、水酸化ナトリウムで耐めっき樹脂層を剥離することにより、絶縁層２の表面に配線導体層３が、ビア孔２ａの内壁にビア導体２ｂが形成される。
【００３８】
なお、電極４ａ，４ｂの表面には、その酸化腐蝕を防止するとともに導体バンプ６ａ，６ｂとの接続を良好とするために、半田との濡れ性が良好で耐腐蝕性に優れたニッケル−金等のめっき層が被着されている。
【００３９】
また、最外層の絶縁層２および接続電極４ａ，４ｂには、必要に応じて接続電極４ａ，４ｂの中央部を露出させる開口を有する耐半田樹脂層５が被着されている。耐半田樹脂層５は、その厚みが１０〜５０μｍであり、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性樹脂と光開始剤等とから成る混合物に３０〜７０質量％のシリカやタルク等の無機粉末フィラーを含有させた絶縁材料から成り、隣接する接続電極４ａ，４ｂ同士が導体バンプ６ａ，６ｂにより電気的に短絡することを防止するとともに、接続電極４ａ，４ｂと絶縁層２との接合強度を向上させる機能を有する。
【００４０】
このような耐半田樹脂層５は、感光性樹脂と光開始剤と無機粉末フィラーとから成る未硬化樹脂フィルムを最外層の絶縁層２表面に被着させる、あるいは、熱硬化性樹脂と無機粉末フィラーとから成る未硬化樹脂ワニスを最外層の絶縁層２表面に塗布するとともに乾燥し、しかる後、露光，現像により開口部を形成し、これをＵＶ硬化および熱硬化させることにより形成される。
【００４１】
かくして、本発明の配線基板によれば、絶縁層２をラジカル重合体とチオール化合物とが反応した熱硬化性樹脂から成るものとしたことから、チオール化合物が樹脂と化学的に結合しているので吸水性が低く、絶縁層２と配線導体層３との間に水分が滞留することはなく、電子部品を実装する際の高温下でも絶縁層と配線導体層との界面で膨れや剥れが生じてしまうことはない。また、チオール化合物が樹脂と化学的に結合しているので配線導体層３との密着性を向上させることができ、その結果、耐湿信頼性に優れた配線基板とすることができる。
【００４２】
また、本発明の配線基板によれば、絶縁層２の表面の算術平均粗さＲａを０．０１〜０．５μｍとしたことから、配線導体層３の高密度化による線幅（Ｌ）と間隔（Ｓ）とがＬ／Ｓ＝１５／１５μｍ程度以下に微細化されても、絶縁層２の凹凸の凹部が浅いので無電解めっき層を容易にエッチング除去でき、隣接する配線導体層３間が短絡することはない。その結果、微細配線でも絶縁性に優れた配線基板とすることができる。さらに、本発明の配線基板によれば、配線導体層３に１０ＧＨｚ以上の高周波信号を伝播させても、Ｒａが０．０１〜０．５μｍと小さいため、高周波信号の表面経路を短くでき、高周波信号の損失が少なくなり、その結果、高周波信号を正確に伝播できる配線基板とすることができる。
【００４３】
なお、本発明は上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で変更，改良を施すことは何ら差し支えない。
【実施例】
【００４４】
本発明の配線基板の実施例について以下に説明する。
【００４５】
（１）熱硬化性樹脂のチオール化合物との反応の確認
熱硬化性樹脂のチオール化合物の反応は、13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを測定し、炭素−硫黄結合の存在および位置を確認することによって確認した。なお、13Ｃ−ＮＭＲスペクトル測定法は、分子鎖中の結合している原子の種類および結合の位置によって出現するスペクトルの位置および高さが異なるので、このスペクトルの位置および高さを既知のデータと比較することにより分子鎖中のどの位置にどのような原子結合が存在するのかを特定することが可能な測定方法である。
【００４６】
（２）熱硬化性樹脂の分子量（重量平均分子量Ｍｗ，数平均分子量Ｍｎ）の特定
テトロヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶媒とするゲル  パーミエーション  クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算値として算出した。
【００４７】
（３）絶縁層の算術平均粗さ（Ｒａ）の測定
絶縁層を粗化した表面をＡＦＭ（原子間表面粗さ測定器）を用いて測定を行なった。
【００４８】
（４）配線導体間の絶縁抵抗の測定
Ｌ／Ｓ＝１５／１５μｍの絶縁抵抗測定用パターンを四端子抵抗計を用いて、プレッシャークッカーテストを行って１６８時間経過後の絶縁抵抗を測定した。
【００４９】
（５）絶縁層と配線導体層との密着性
プレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ；温度１２１℃，気圧約２１３ｋＰａ，相対湿度１００％）を行って１６８時間経過後および３３６時間経過後に、絶縁層と配線導体層との間での膨れや剥がれの有無を確認した。
【００５０】
試験用の配線基板は以下の方法により製作した。まず、コア基板上に表１に示すラジカル重合体とチオール化合物とが反応した熱硬化性樹脂にエラストマーや無機絶縁性フィラーを分散させた樹脂フィルムを貼着するとともに加熱硬化して、コア基板上に厚みが４０μｍの絶縁層を形成した。次に、配線導体上に位置する絶縁層に直径が５０μｍの貫通孔をレーザで穿設し、さらに絶縁層の表面および貫通孔の内面を過マンガン酸カリウム溶液等の粗化液で、表１に示すＲａになるように化学粗化した後に、絶縁層の表面および貫通孔の内面に厚みが1μｍの無電解めっき層を被着した。次に、無電解めっき層上に配線導体層のパターン形状に電解めっき層を被着させる開口部を有するように耐めっき樹脂層を形成し、しかる後、耐めっき樹脂層の開口部に厚みが２５μｍの電解めっき層を被着した。その後、耐めっき樹脂層を剥離し、さらに露出した無電解めっき層をエッチングして除去することにより、Ｌ／Ｓ＝１５／１５μｍの配線導体層を形成した。そしてさらに、これら絶縁層や配線導体層の上に次層の絶縁層や配線導体層の形成を複数回繰り返すことによって製作した。結果を表１に示す。
【表１】
2005101336.tif 000003
表１から、絶縁層がラジカル重合体とチオール化合物とが結合した熱硬化性樹脂からなる試料（Ｎｏ．１〜３，５〜９）では、プレッシャークッカーテスト１６８時間経過後では、剥れや膨れは観察されず、絶縁層と配線導体層との密着性が良好であることがわかった。それに対して、絶縁層がチオール化合物を含まない試料（Ｎｏ．３）では、プレッシャークッカーテスト１６８時間経過後で、配線導体層の剥れや膨れが発生した
また、絶縁層のＲａが０．１〜０．５μｍの試料（Ｎｏ．１〜３，６〜８）では、プレッシャークッカーテスト３３６時間経過後でも剥れや膨れは観察されなかった。それに対して、Ｒａが０．００９μｍの試料（Ｎｏ．５）では、プレッシャークッカーテスト３３６時間経過後で膨れが発生し、Ｒａが０．６μｍの試料（Ｎｏ．９）では、絶縁抵抗が５×１０８Ωと低下した。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１・・・コア基板
２・・・絶縁層
３・・・配線導体層
【図１】
2005101336.tif 000004