(57)【要約】      （修正有）【課題】ウエーハに形成されるストリート幅が狭くても平行四辺形や台形のチップに加工することができるレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。【解決手段】表面に格子状に配列されたストリートによって多数の領域が区画され、この区画された領域に素子が形成されたウエーハ１０に透過性を有するレーザー光線を照射しつつ該ウエーハ１０を相対的に加工送りし、ウエーハ１０の内部にストリートに沿って変質層１１０を形成するレーザー加工方法であって、レーザー光線は、ウエーハ１０のレーザー光線照射面に垂直な方向に対して該加工送り方向Ｙと直交する方向に所定角度をもって照射する。【選択図】図６
2005101416.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に格子状に配列されたストリートによって多数の領域が区画され、この区画された領域に素子が形成されたウエーハに透過性を有するレーザー光線を照射しつつ該ウエーハを相対的に加工送りし、該ウエーハの内部に該ストリートに沿って変質層を形成するレーザー加工方法であって、
該レーザー光線は、該ウエーハのレーザー光線照射面に垂直な方向に対して該加工送り方向と直交する方向に所定角度をもって照射する、
ことを特徴とするレーザー加工方法。
【請求項２】
該レーザー光線をストリートに沿って線対称の２方向からから照射し、Ｖ字状の変質層を形成する、請求項１記載のレーザー加工方法。
【請求項３】
該レーザー光線は、ウエーハの裏面側から照射する、請求項１又は２記載のレーザー加工方法。
【請求項４】
被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該集光器と該チャックテーブルを相対的に加工送りする加工送り手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該集光器は、該チャックテーブルの被加工物保持面に垂直な方向に対して該加工送り方向と直交する方向に傾斜可能に構成されている、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に素子が形成されたウエーハのストリートに沿って透過性を有するレーザー光線を照射して内部に変質層を形成するレーザー加工方法およびレーザー加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路（素子）を形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することにより回路が形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
【０００３】
半導体チップや光デバイス等のチップは、一般に直方体に加工されるが、チップの特性を向上させるため、またチップの表裏を揃えるために平行四辺形または台形に形成する場合がある。
【０００４】
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を備えたスピンドルユニットを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている。
【０００５】
しかるに、上記切削装置によってウエーハに形成された素子を平行四辺形や台形に切削する場合、上記チャックテーブルを傾斜させたり、上記スピンドルユニットを傾斜させて加工している。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開平２００３−１２４１５５号公報
【０００６】
一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有するレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する赤外光領域のレーザー光線を照射し、被加工物の内部にストリートに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものである。（例えば、特許文献２参照。）
【特許文献２】特開平２００２−１９２３６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
而して、切削装置によってチャックテーブルやスピンドルユニットを傾斜させて加工するためには、チャックテーブルやスピンドルユニットを傾斜させるための大掛かりな機構が必要となる。
また、サファイヤ基板、炭化珪素基板、リチウムタンタレート基板等はモース硬度が高いため、上記切削ブレードによる切断は必ずしも容易ではない。更に、切削ブレードは２０μｍ程度の厚さを有するため、デバイスを区画するストリートとしては幅が５０μｍ程度必要となる。このため、例えば大きさが３００μｍ×３００μｍ程度のデバイスの場合には、ストリートが占める面積比率が大きく、生産性が悪いという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、レーザー加工技術を用いることによりウエーハに形成されるストリート幅が狭くても平行四辺形や台形のチップに加工することができるレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に配列されたストリートによって多数の領域が区画され、この区画された領域に素子が形成されたウエーハに透過性を有するレーザー光線を照射しつつ該ウエーハを相対的に加工送りし、該ウエーハの内部に該ストリートに沿って変質層を形成するレーザー加工方法であって、
該レーザー光線は、該ウエーハのレーザー光線照射面に垂直な方向に対して該加工送り方向と直交する方向に所定角度をもって照射する、
ことを特徴とするレーザー加工方法が提供される。
【００１０】
上記レーザー光線をストリートに沿って線対称の２方向からから照射し、Ｖ字状の変質層を形成する。また、上記レーザー光線はウエーハの裏面側から照射することが望ましい。
【００１１】
また、本発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該集光器と該チャックテーブルを相対的に加工送りする加工送り手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該集光器は、該チャックテーブルの被加工物保持面に垂直な方向に対して該加工送り方向と直交する方向に傾斜可能に構成されている、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明においては、レーザー光線をウエーハのレーザー光線照射面に垂直な方向に対して加工送り方向と直交する方向に所定角度をもって照射して内部に変質層を形成するので、ウエーハに形成されるストリート幅が狭くても平行四辺形や台形のチップに分割することができる。また、本発明によるレーザー加工装置においては、レーザー光線照射手段の集光器のみを傾斜可能に構成すればよいので、傾斜させるための機構が簡単となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工方法およびレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示されたレーザー加工装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す方向と直角な矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構４と、該レーザー光線ユニット支持機構４に矢印Ｚで示す方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット５とを具備している。
【００１５】
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持された支持テーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成され被加工物保持面３６１ａを備えた吸着チャック３６１を具備しており、被加工物保持面３６１ａ上に被加工物である例えば円盤状のウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。
【００１６】
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられる。
【００１７】
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動させるための第１の割り出し送り手段３８を具備している。第１の割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
【００１８】
上記レーザー光線照射ユニット支持機構４は、静止基台２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面に矢印Ｚで示す方向に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿って割り出し送り方向である矢印Ｙで示す方向に移動させるための第２の割り出し送り手段４３を具備している。第２の割り出し送り手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ねじロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
【００１９】
図示の実施形態のおけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザー光線照射手段５２を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向に移動可能に支持される。
【００２０】
図示のレーザー光線照射手段５２は、上記ユニットホルダ５１に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング５２１を含んでいる。ケーシング５２１内には図２に示すようにパルスレーザー光線発振手段５２２と伝送光学系５２３とが配設されている。パルスレーザー光線発振手段５２２は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器５２２ａと、これに付設された繰り返し周波数設定手段５２２ｂとから構成されている。伝送光学系５２３は、ビームスプリッタの如き適宜の光学要素を含んでいる。上記ケーシング５２１の先端部には、それ自体は周知の形態でよい組レンズから構成される集光レンズ（図示せず）を収容した集光器５２４が装着されている。
【００２１】
上記パルスレーザー光線発振手段５２２から発振されたレーザー光線は、伝送光学系５２３を介し、更に偏向ミラー５２５によって９０度偏向されて集光器５２４に至り、集光器５２４から上記チャックテーブル３６に保持される被加工物に所定の集光スポット径Ｄで照射される。この集光スポット径Ｄは、図３に示すようにガウス分布を示すパルスレーザー光線が集光器５２４の対物レンズ５２４ａを通して照射される場合、Ｄ（μｍ）＝４×λ×ｆ／（π×Ｗ）、ここでλはパルスレーザー光線の波長、Ｗは対物レンズ５２４ａに入射されるパルスレーザー光線の直径（ｍｍ）、ｆは対物レンズ５２４ａの焦点距離（ｍｍ）、で規定される。
【００２２】
上記集光器５２４は、図４において２点鎖線で示すようにチャックテーブル３６の被加工物保持面３６１ａに垂直な方向に対して加工送り方向（図４において紙面に垂直な方向）と直交する方向（割り出し送り方向Ｙ）に傾斜可能に構成されている、従って、２点鎖線で示す位置に位置付けられた集光器５２４から照射されるレーザー光線は、その光軸Ｌが被加工物保持面３６１ａに垂直な方向に対して加工送り方向と直交する方向（割り出し送り方向Ｙ）に所定角度αをもって照射される。
【００２３】
図１に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の前端部には、撮像手段６が配設されている。この撮像手段６は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２４】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動させるための移動手段５３を具備している。移動手段５３は、上記各移動手段と同様に一対の案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザビーム照射手段５２を案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動せしめる。
【００２５】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下図５に示す半導体ウエーハ１０を加工する動作について説明する。
図５に示す半導体ウエーハ１０は、表面に格子状に配列された複数のストリート１０１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路１０２（素子）が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ１０は、表面に保護テープ１１を貼着し、チャックテーブル３６上に裏面を上側にして載置され吸引保持される。半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６は、加工送り手段３７の作動により案内レール３１、３１に沿って移動せしめられレーザー光線照射ユニット５に配設された撮像手段６の直下に位置付けられる。
【００２６】
チャックテーブル３６が撮像手段６の直下に位置付けられると、撮像手段６および図示しない制御手段によってチャックテーブル３６上に保持された半導体ウエーハ１０に形成されているストリート１０１と、ストリート１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２４との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このアライメントは、集光器５２４が図４において２点鎖線で示す所定角度傾斜した一方の位置に対応して実施する。なお、上記アライメント作業時において、半導体ウエーハ１０のストリート１０１が形成されている表面は下側に位置しているが、撮像手段６が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面から透かしてストリート１０１を撮像することができる。
【００２７】
以上のようにしてチャックテーブル３６上に保持された半導体ウエーハ１０に形成されているストリート１０１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル３６をレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット５の集光器５２４が位置するレーザー光線照射領域に移動し、図６に示すように半導体ウエーハ１０のストリート１０１に沿ってレーザー光線照射手段５２の集光器５２４からレーザー光線を照射する。即ち、図６において実線で示すように一方に傾斜された集光器５２４から照射されるレーザー光線の光軸Ｌは、半導体ウエーハ１０の裏面（上面即ちレーザー光線照射面）に垂直な方向に対して加工送り方向と直交する方向（矢印Ｙ方向）に所定角度α（例えば１０度）をもって照射する。このとき、レーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ１０の内部即ち表面（下面）の近傍に合わせることにより、半導体ウエーハ１０の内部に一方に傾斜しストリート１０１に沿って連続した第１の変質層１１０ａが形成される。なお、半導体ウエーハ１０の厚さが厚い場合には、集光点Ｐをレーザー光線照射方向に段階的に変えてレーザー光線を複数回照射することにより、複数の変質層を形成する。この結果、半導体ウエーハ１０の内部に形成される変質層１１０ａは、表面１０ａおよび裏面１１ｂに露出する。この変質層は、溶融再固化状態で強度が著しく低下せしめられ、外力を加えることにより極めて容易に破断することができる。
【００２８】
ここで、上記レーザー加工における加工条件について説明する。
レーザー光線照射手段５２の集光器５２４から半導体ウエーハ１０の裏面側より所定のストリート１０１に向けてパルスレーザー光線を照射しながら、チャックテーブル３６を矢印Ｘ（図１参照）で示す方向に所定の送り速度（例えば、１００ｍｍ／秒）で移動せしめる。なお、照射するレーザー光線としては、例えば以下に示す赤外レーザー光線が用いられる。
光源                ；Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザー
波長                ；１０６４ｎｍ
パルスエネルギー    ；１０μＪ
繰り返し周波数      ：１００ｋＨｚ
パルス幅            ；２５ｎｓ
集光スポット径      ；φ１μｍ
集光点エネルギー密度；５．１×１０Ｅ１０Ｗ／ｃｍ２  
【００２９】
このようにして、半導体ウエーハ１０に形成された全てのストリート１０１に沿って第１の変質層１１０ａを形成する。
次に、レーザー光線照射手段５２の集光器５２４を図６において２点鎖線で示すように、上記実線の位置と反対側（他方）即ち実線で示す位置と線対称にレーザー光線の光軸Ｌが半導体ウエーハ１０の裏面（上面即ちレーザー光線照射面）に垂直な方向に対して加工送り方向と直交する方向（矢印Ｙ方向）に所定角度α（例えば１０度）傾斜して位置付ける。そして、集光器５２４から照射されるレーザー光線の集光点Ｐを上記第１の変質層１１０ａを形成したときと同じ位置に合わせて上述したレーザー加工作業を実施することにより、半導体ウエーハ１０の内部には他方に傾斜しストリート１０１に沿って連続した第２の変質層１１０ｂが形成される。このようにして、全てのストリート１０１に沿って第２の変質層１１０ｂを形成することにより、半導体ウエーハ１０にはストリート１０１に沿って第１の変質層１１０ａと第２の変質層１１０ｂとからなるＶ字状の変質層が形成される。
【００３０】
上述したように半導体ウエーハ１０に形成された全てのストリート１０１に沿って第１の変質層１１０ａおよび第２の変質層１１０ｂを形成したならば、変質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加えることにより、半導体ウエーハ１０は図７に示すように台形のチップ１００に分割される。このように図示の実施形態においては半導体ウエーハ１０に形成されたストリート１０１に沿って第１の変質層１１０ａおよび第２の変質層１１０ｂを形成することにより台形のチップ１００に分割する例を示したが、平行四辺形のチップに分割する場合には、第１の変質層１１０ａまたは第２の変質層１１０ｂだけを形成すればよい。
【００３１】
以上のように本発明によるレーザー加工方法によれば、レーザー光線をウエーハのレーザー光線照射面に垂直な方向に対して加工送り方向と直交する方向に所定角度をもって照射して内部に変質層を形成するので、平行四辺形や台形のチップに分割することができる。そして、レーザー光線を照射することによって形成される上記変質層の幅は１μｍ程度であるため、ストリート１０１の幅を狭くすることが可能となる。また、本発明によるレーザー加工装置においては、レーザー光線照射手段５２の集光器５２４のみを傾斜可能に構成すればよいので、傾斜されるための機構が簡単となる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。
【図２】図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザ光線照射手段の構成を簡略に示すブロック図。
【図３】パルスレーザー光線の集光スポット径を説明するための簡略図。
【図４】図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段の集光器の傾斜した状態を示す説明図。
【図５】被加工物としての半導体ウエーハの斜視図。
【図６】本発明によりるレーザー加工方法の説明図。
【図７】本発明によりるレーザー加工方法によって分割されたチップの斜視図。
【符号の説明】
【００３３】
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３６：チャックテーブル
３７：加工送り手段
３８：第１の割り出し送り手段
４：レーザー光線照射ユニット支持機構
５：レーザー光線照射ユニット
５１：ユニットホルダ
５２：レーザー光線照射手段
５２４：集光器
６：撮像手段
１０：半導体ウエーハ（被加工物）
１０１：ストリート
１０２：回路
１１：保護テープ
【図１】
2005101416.tif 000003
【図２】
2005101416.tif 000004
【図３】
2005101416.tif 000005
【図４】
2005101416.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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