(57)【要約】【課題】  Ａｌスパッタ処理時間を短縮し全体のスパッタ処理時間を短縮しつつ、十分なホールカバレッジを確保する半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。【解決手段】  ホール１３のような段差部分は、一般にスパッタ成膜が均等になり難い。通常なら、カバレッジ（段差被覆性）の保証されるスパッタパワーで時間をかけて成膜する。ここではＡｌ層１４３の成膜は、ホール１３のカバレッジよりもスパッタレートを優先したスパッタパワーで短時間に達成する（図１（ａ））。次に、図１（ｂ）に示すように、ホール１３とその周辺を含む領域を選択的に加熱する部分加熱工程を実施する。部分加熱工程は、レーザーマスク１５を介在させホール１３とその周辺を含む領域のみにレーザーを照射する。これにより、ホール１３とその周辺を含む領域のＡｌを流動させ、カバレッジの回復を図る。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に多層の金属配線を構成する半導体装置の製造方法において、
前記金属配線のための少なくとも段差部分を含む領域への金属のスパッタ工程と、
前記段差部分を含む領域に選択的にレーザー照射して前記金属を流動させる工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上に少なくとも上下層間を導通させるホールを有する多層の回路パターンを形成する半導体装置の製造方法において、
前記ホールとその周辺を含む領域への少なくともＡｌを主成分とする金属のスパッタ工程と、
前記ホールとその周辺を含む領域を選択的に加熱して前記金属を流動させる部分加熱工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板上に少なくとも上下層間を導通させるホールを有する多層の回路パターンを形成する半導体装置の製造方法において、
前記ホールとその周辺を含む領域への少なくともＡｌを主成分とする金属のスパッタ工程と、
前記ホールとその周辺を含む領域を選択的にレーザー照射して前記金属を加熱流動させる部分加熱工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記部分加熱工程の後さらに別の金属膜を被覆するスパッタ工程を具備する請求項２または３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記部分加熱工程の後さらに別の金属膜を被覆するスパッタ工程と、  前記回路パターンを実現するためのエッチング工程と、
を具備する請求項２または３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記Ａｌを主成分とする金属のスパッタ工程は、前記ホールのカバレッジよりもスパッタレートを優先したスパッタパワーで達成する請求項２〜５いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板においてホールが形成された層間絶縁膜上に密着層となる第１金属膜を形成する第１スパッタ工程と、
前記第１金属膜上を含んでバリア層となる第２金属膜を形成する第２スパッタ工程と、
前記第２金属膜上を含んで主配線金属となる第３金属膜を形成する第３スパッタ工程と、
前記第３金属膜上において前記ホールとその周辺を含む領域を選択的に加熱して前記第３金属膜を流動させる部分加熱工程と、
前記第３金属膜上を含んでキャップ層となる第４金属膜を形成する第４スパッタ工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項８】
半導体基板においてホールが形成された層間絶縁膜上に第１金属膜を形成する第１スパッタ工程と、
前記第１金属膜上を含んで第２金属膜を形成する第２スパッタ工程と、
前記第２金属膜上を含んで主配線金属となる第３金属膜を形成する第３スパッタ工程と、
前記第３金属膜上において前記ホールとその周辺を含む領域を選択的に加熱して前記第３金属膜を流動させる部分加熱工程と、
前記第３金属膜上を含んで第４金属膜を形成する第４スパッタ工程と、
を具備し、
前記各工程は複数の処理室を有する一装置内で順次処理される半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記部分加熱工程はマスクを介在させたレーザー照射を利用する請求項７または８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第３スパッタ工程は、前記ホールのカバレッジよりもスパッタレートを優先したスパッタパワーで達成する請求項７〜９いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板上にそれぞれ所定の成膜を達成する複数のスパッタ処理室と、
前記半導体基板上の所定部への選択的なレーザー照射を可能とする部分加熱処理室と、
を含む半導体製造装置。
【請求項１２】
前記部分加熱処理室は、少なくとも前記レーザー照射の光源と、前記半導体基板の支持部と、レーザーを遮断する前記半導体基板上方のマスクと、位置合わせ機構と、前記レーザー照射の光源の移動機構と、前記半導体基板の移動機構とを具備する請求項１１記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に微細化が要求されるアルミニウムを主成分とする多層配線のホールカバレッジを改善する半導体装置の製造方法及び半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の大規模集積化に伴い、ＬＳＩプロセスでは金属配線の微細化、多層化が進められる。金属配線の形成にはＡｌ系配線材料が有用である。Ａｌ系配線材料は、一般に純ＡｌまたはＣｕやＳｉを僅かに含有するＡｌ合金が使用される。このようなＡｌ系配線材料をここでは単にＡｌ配線と称する。
【０００３】
Ａｌ配線のためのＡｌスパッタ時、ホール及びその周辺は最も被膜が困難な箇所である。対策として、Ａｌのスパッタレートはなるべく抑える傾向にする。これにより、半導体ウェハのステージ加熱時間を長くし、ホールにより多くのＡｌが流れ込むようにする。
また、別工程で、水素を含む雰囲気において加熱処理を施すことによってＡｌ配線材料に流動性を与え、確実なコンタクトを実現する方法もある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−１８９４８１号公報（第４頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
Ａｌ配線は、その底部にバリア膜、例えばＴｉ／ＴｉＮ積層膜、また、最上部は反射防止膜としてＴｉＮ膜が形成される多層スパッタ処理が知られている。この多層スパッタ処理の中で、上述のＡｌスパッタ時のスパッタレートを抑えるスパッタ処理時間は大きく、時間短縮を妨げている。特に、多層スパッタ処理は、Ｔｉ→バリアＴｉＮ→Ａｌ→キャップＴｉＮと、マルチチャンバ方式で連続的に積層が達成されることが一般化されている。この処理中、Ａｌスパッタ処理時間は長くなり、全体のスパッタ処理時間を律速することになる。２層目以降の多層配線でＡｌ膜厚が厚くなると、Ａｌスパッタ処理時間はより長くなり、短縮が望まれる。
【０００５】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、Ａｌスパッタ処理時間を短縮し全体のスパッタ処理時間を短縮しつつ、十分なホールカバレッジを確保する半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に多層の金属配線を構成する半導体装置の製造方法において、前記金属配線のための少なくとも段差部分を含む領域への金属のスパッタ工程と、前記段差部分を含む領域に選択的にレーザー照射して前記金属を流動させる工程と、を含む。
【０００７】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、段差部分を含む領域に選択的にレーザー照射し、スパッタ金属を流動させる。これにより、金属のスパッタ工程によるカバレッジの不安な箇所、すなわち段差部分を含む領域において金属が流動してカバレッジを良好にする。従って、金属のスパッタ工程ではカバレッジを配慮しない速いスパッタリングでも対処可能である。レーザー照射も選択的に行うので広範囲にならず、処理の時間短縮、信頼性に寄与する。
【０００８】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に少なくとも上下層間を導通させるホールを有する多層の回路パターンを形成する半導体装置の製造方法において、前記ホールとその周辺を含む領域への少なくともＡｌを主成分とする金属のスパッタ工程と、前記ホールとその周辺を含む領域を選択的に加熱して前記金属を流動させる部分加熱工程と、を含む。
【０００９】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、部分加熱工程により、ホールとその周辺を含む領域を選択的に加熱してＡｌが主成分のスパッタ金属を流動させる。これにより、カバレッジの不安なホールとその周辺の金属が流動してカバレッジを良好にする。従って、Ａｌを主成分とする金属のスパッタ工程ではカバレッジを配慮しない速いスパッタリングでも対処可能である。加熱も選択的に行うので広範囲にならず、処理の時間短縮、信頼性に寄与する。
【００１０】
なお、上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、好ましくは次のような特徴をいずれか有することにより、多層の回路パターンにおける信頼性、精度の維持や処理時間の短縮を図る。
前記部分加熱工程の後さらに別の金属膜を被覆するスパッタ工程を具備する。
前記部分加熱工程の後さらに別の金属膜を被覆するスパッタ工程と、前記回路パターンを実現するためのエッチング工程と、を具備する。
前記Ａｌを主成分とする金属のスパッタ工程は、前記ホールのカバレッジよりもスパッタレートを優先したスパッタパワーで達成する。
【００１１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に少なくとも上下層間を導通させるホールを有する多層の回路パターンを形成する半導体装置の製造方法において、前記ホールとその周辺を含む領域への少なくともＡｌを主成分とする金属のスパッタ工程と、前記ホールとその周辺を含む領域を選択的にレーザー照射して前記金属を加熱流動させる部分加熱工程と、を含む。
【００１２】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、部分加熱工程により、ホールとその周辺を含む領域を選択的にレーザー照射して、Ａｌが主成分のスパッタ金属を加熱流動させる。これにより、カバレッジの不安なホールとその周辺の金属が流動してカバレッジを良好にする。従って、Ａｌを主成分とする金属のスパッタ工程ではカバレッジを配慮しない速いスパッタリングでも対処可能である。レーザー照射も選択的に行うので広範囲にならず、処理の時間短縮、信頼性に寄与する。
【００１３】
なお、上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、好ましくは次のような特徴をいずれか有することにより、多層の回路パターンにおける信頼性、精度の維持や処理時間の短縮を図る。
前記部分加熱工程の後さらに別の金属膜を被覆するスパッタ工程を具備する。
前記部分加熱工程の後さらに別の金属膜を被覆するスパッタ工程と、前記回路パターンを実現するためのエッチング工程と、を具備する。
前記Ａｌを主成分とする金属のスパッタ工程は、前記ホールのカバレッジよりもスパッタレートを優先したスパッタパワーで達成する。
【００１４】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板においてホールが形成された層間絶縁膜上に密着層となる第１金属膜を形成する第１スパッタ工程と、前記第１金属膜上を含んでバリア層となる第２金属膜を形成する第２スパッタ工程と、前記第２金属膜上を含んで主配線金属となる第３金属膜を形成する第３スパッタ工程と、前記第３金属膜上において前記ホールとその周辺を含む領域を選択的に加熱して前記第３金属膜を流動させる部分加熱工程と、前記第３金属膜上を含んでキャップ層となる第４金属膜を形成する第４スパッタ工程と、を含む。
【００１５】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、スパッタ工程間の要所に部分加熱工程を付加する。これにより、ホールとその周辺を含む領域を選択的に加熱して、主配線金属となる第３金属膜を流動させる。この結果、カバレッジの不安なホールとその周辺の第３金属膜が流動してカバレッジを良好にする。従って、本来なら処理時間が長くなる第３スパッタ工程は、カバレッジを配慮しない速いスパッタリングを実施することができる。部分加熱工程においても広範囲ではないので、処理の時間短縮、信頼性に寄与する。
【００１６】
なお、上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、好ましくは次のような特徴をいずれか有することにより、金属膜のホールカバレッジ、ひいては多層配線層の信頼性、精度の維持や処理時間の短縮を図る。
前記部分加熱工程はマスクを介したレーザー照射を利用する。
前記第３スパッタ工程は、前記ホールのカバレッジよりもスパッタレートを優先したスパッタパワーで達成する。
【００１７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板においてホールが形成された層間絶縁膜上に第１金属膜を形成する第１スパッタ工程と、前記第１金属膜上を含んで第２金属膜を形成する第２スパッタ工程と、前記第２金属膜上を含んで主配線金属となる第３金属膜を形成する第３スパッタ工程と、前記第３金属膜上において前記ホールとその周辺を含む領域を選択的に加熱して前記第３金属膜を流動させる部分加熱工程と、前記第３金属膜上を含んで第４金属膜を形成する第４スパッタ工程と、を具備し、前記各工程は複数の処理室を有する一装置内で順次処理される。
【００１８】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、一装置内で順次処理されるスパッタ工程間の要所にこの装置内で行える部分加熱工程を付加する。これにより、ホールとその周辺を含む領域を選択的に加熱して、主配線金属となる第３金属膜を流動させる。この結果、カバレッジの不安なホールとその周辺の第３金属膜が流動してカバレッジを良好にする。従って、本来なら処理時間が長くなる第３スパッタ工程は、カバレッジを配慮しない速いスパッタリングを実施することができる。部分加熱工程においても広範囲ではないので、処理の時間短縮、信頼性に寄与する。
【００１９】
なお、上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、好ましくは次のような特徴をいずれか有することにより、金属膜のホールカバレッジ、ひいては多層配線層の信頼性、精度の維持や処理時間の短縮を図る。
前記部分加熱工程はマスクを介したレーザー照射を利用する。
前記第３スパッタ工程は、前記ホールのカバレッジよりもスパッタレートを優先したスパッタパワーで達成する。
【００２０】
本発明に係る半導体製造装置は、半導体基板上にそれぞれ所定の成膜を達成する複数のスパッタ処理室と、前記半導体基板上の所定部への選択的なレーザー照射を可能とする部分加熱処理室と、を含む。
【００２１】
上記本発明に係る半導体製造装置によれば、複数のスパッタ処理室と共に部分加熱処理室が設けられている。部分加熱処理室は、カバレッジの不安な段差部分、ホールとその周辺等、スパッタ金属膜を流動させカバレッジを回復させることができる。一装置内で順次処理されるスパッタ工程間の要所に部分加熱工程を入れることができる。これにより、長い時間をかけてカバレッジを保証するようなスパッタ処理を、カバレッジの低下を容認した高速のスパッタ処理に代えることができる。後で部分加熱工程を入れることができるからである。
【００２２】
また、上記本発明に係る半導体製造装置において、前記部分加熱処理室は、少なくとも前記レーザー照射の光源と、前記半導体基板の支持部と、レーザーを遮断する前記半導体基板上方のマスクと、位置合わせ機構と、前記レーザー照射の光源の移動機構と、前記半導体基板の移動機構とを具備する。これにより、部分加熱処理の時間短縮、信頼性に寄与する。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図１（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を工程順に示す断面図である。半導体装置における多層配線層を形成する配線工程の一部である。
図１（ａ）に示すように、半導体基板１０上の多層配線層のうち、任意の層間の絶縁層を形成する一つである絶縁層１２上に下層の電気的接続部１１と繋がるホール１３が設けられている。電気的接続部１１は、ここでは下層の金属配線とする。ホール１３は、例えば、異方性エッチングによる垂直に近い内壁１３ａと、等法性エッチングにより間口を広げ段差を緩和した内壁１３ｂからなる。このようなホール１３の領域を含んで絶縁層１１上にスパッタ法によって、配線用の金属膜１４を形成する。この金属膜１４は、まず最下層に密着層／バリア層となる例えばＴｉ層１４１／ＴｉＮ層１４２の各スパッタ工程を経て、主配線金属となるＡｌ層１４３のスパッタ工程に移行する。ここでのＡｌ層１４３のスパッタ工程は、純ＡｌまたはＣｕやＳｉを僅かに含有するＡｌ合金のスパッタ工程いずれかを含むものとする。Ｔｉ層１４１／ＴｉＮ層１４２の厚さは例えば１００ｎｍ／４０ｎｍ程度に対し、Ａｌ層１４３は９００ｎｍ程度と、厚い分スパッタ処理時間が長い。
【００２４】
ホール１３のような段差部分は、一般にスパッタ成膜が均等になり難い。通常なら、用いられるスパッタ装置の仕様を参照して、ある程度カバレッジ（段差被覆性）が保証されるスパッタパワーで成膜する。スパッタパワーとは、図示しないスパッタリング・ターゲットと半導体基板の間に加えられる電力である。Ｔｉ層１４１／ＴｉＮ層１４２に関してはカバレッジが保証されるスパッタパワーで成膜するが、時間のかかるＡｌ層１４３の成膜は、ホール１３のカバレッジよりもスパッタレートを優先したスパッタパワーで達成する。これにより、Ａｌ層１４３のスパッタ工程は、従来よりも短時間で終了する。その結果、この時点でのＡｌ層１４３は、図１（ａ）のようなカバレッジの確保が十分でない形状となる。
【００２５】
次に、図１（ｂ）に示すように、ホール１３とその周辺を含む領域を選択的に加熱する部分加熱工程を実施する。部分加熱工程は、例えばアニール用途のエキシマレーザーを用い、レーザーマスク１５を介在させホール１３とその周辺を含む領域のみにレーザーを照射する。レーザー照射は、例えば６００℃くらいで極短時間のスキャン照射とする。これにより、ホール１３とその周辺を含む領域のＡｌを流動させ、カバレッジの回復を図る。
【００２６】
次に、図１（ｃ）に示すように、配線用の金属膜１４の最上層としてＡｌ層１４３上にキャップ層、例えばＴｉＮ層１４４を１００ｎｍ程度スパッタ形成する。ＴｉＮ層１４４はフォトリソグラフィ工程の反射防止膜としても知られている。このスパッタ工程で金属膜１４のスパッタ工程は終了する。これら部分加熱工程を含む一連のスパッタ工程は、マルチチャンバ方式の一装置内で実施されることが望ましい。その後、図示しないフォトリソグラフィ工程を経て、レジストパターンを形成し、レジストパターンに従って配線用の金属膜１４をエッチングする。これにより、上下層間を導通させるホール１３を有し、ホール１３における金属膜１４のカバレッジも十分な多層の回路パターンが形成される。
【００２７】
上記実施形態の方法によれば、部分加熱工程により、ホール１３とその周辺を含む領域を選択的にレーザー照射して、Ａｌ層１４３のスパッタ金属を加熱流動させる。これにより、カバレッジの不安なホール１３とその周辺のＡｌが流動してカバレッジを良好にする。従って、Ａｌ層１４３のスパッタ工程ではカバレッジを配慮しない速いスパッタリングでも対処可能である。また、レーザー照射も選択的に行うので広範囲にならず、処理の時間短縮、信頼性に寄与する。
【００２８】
なお、上記実施形態の方法では部分加熱工程に関し、レーザーマスク１５を介在させたレーザー照射を行ったが、急速加熱可能なランプがあれば、そのようなランプ光源を利用することも考えられる。また、レーザー光源もエキシマレーザーのような気体レーザーに限らず、固体レーザーをレーザー光源として用いてもよい。レーザー光の照射によって金属膜（Ａｌ）の表面層を選択的に極短時間（数十ｎｓ〜数十μｓ）加熱し、レーザー照射された領域のＡｌをカバレッジが良好となるよう流動させることが重要である。
【００２９】
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体製造装置の要部を示す構成図である。製造方法の要部を工程順に示す断面図である。ロードロック室２０１は、半導体基板の搬送経路に介在する。半導体基板の搬送室２０２は、ロードロック室２０１及び各処理室２１〜２５と隣接する。これにより、各処理に応じ図示しない真空ロボットを駆使して半導体基板を移送する。各処理室２１〜２５に関し、順不同であるが、例えばスパッタ処理室２１、２２、２３、２５、及び部分加熱処理室２４が設けられている。第１実施形態に従って構成する場合、例えば、処理室２１はＴｉスパッタ処理室、処理室２２はバリアＴｉＮスパッタ処理室、処理室２３はＡｌスパッタ処理室、処理室２５はキャップＴｉＮスパッタ処理室として利用する。そして、部分加熱処理室２４はレーザー照射を利用する処理室となる。もちろん、各処理室２１〜２５は別の配置関係にあってもよい。
【００３０】
図２において、Ｓ１〜Ｓ６は、配線層形成処理に関する半導体基板の移送順を示しており、例えば図１の配線用の金属膜１４を形成するための一連の処理順序である。図１に示す半導体基板１０は、ロードロック室２０１から搬送室２０２を介して、Ｔｉスパッタ処理室２１→バリアＴｉＮスパッタ処理室２２→Ａｌスパッタ処理室２３→部分加熱処理室２４→キャップＴｉＮスパッタ処理室２５へと各処理を経ながら順次移送される（Ｓ１〜Ｓ５）。
【００３１】
従来、Ａｌスパッタ処理室２３での成膜工程に時間がかかり、処理高率を上げられないでいた。そこで上述したように、Ａｌ層（１４３）は、ホールカバレッジよりもスパッタレートを優先したスパッタパワーでより短時間で成膜する。よって、その時点でのＡｌ層のホールカバレッジは十分とはいえないが、次の部分加熱処理室２４でカバレッジを回復させる（図１（ｂ）参照）。次処理の、キャップＴｉＮスパッタ処理室２５では、ホールカバレッジの良好になったＡｌ層（１４３）表面上にキャップＴｉＮ層を形成し、配線用の金属膜１４のスパッタ処理を終了する（Ｓ６）。
【００３２】
図３（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ図２中の部分加熱処理室の室内概略を示す構成図である。部分加熱処理室２４は、レーザー光源３１、支持ステージ３５、これらの間に介在するレーザーマスク３４、位置合わせ機構４０を少なくとも有する。レンズ系統は図示しないが要所で構成される。
レーザー光源３１はレーザー発振装置３２及びＸ−Ｙ移動機構３３を有し、ビームスポットが位置合わせ機構４０により制御される。レーザーマスク３４は、例えばレチクルと同様に露光１ショット分の領域におけるマスクである。または、複数チップ領域の所定範囲を網羅したものであってもよい。レーザーマスク３４は、処理されるべき配線層のすべてのホール位置、または、カバレッジを改善すべきホール位置を中心としたレーザー透過領域３４１を有し、それ以外はレーザーを透過させないメタルマスク形成層３４２で覆われている（図３（ｂ））。レーザーマスク３４のセット位置も位置合わせ機構４０により把握される。半導体基板１０の支持ステージ３５は、水平を保持し、Ｘ−Ｙ移動機構３６を有する。支持ステージ３５の移動も位置合わせ機構４０により制御される。支持ステージ３５は、位置合わせ機構４０の制御により、レーザー照射されるべき領域とレーザーマスク３４が正確に位置合わせされるように移動する。レーザー光源３１のレーザースポットがレーザーマスク３４上をスキャン移動することにより、ホール１３とその周辺を含む領域を選択的に極短時間に加熱する。これにより、ホール１３とその周辺部分のＡｌ層１４３は加熱流動しカバレッジが良好になる（図３（ｃ））。
【００３３】
上記実施形態の構成によれば、複数のスパッタ処理室２１、２２、２３、２５と共に部分加熱処理室２４が設けられる。これにより、一装置内で順次処理されるスパッタ工程間の要所に部分加熱工程を入れることができる。長い時間をかけてカバレッジを保証するようなスパッタ処理を、カバレッジの低下を容認した高速のスパッタ処理に代えることができる。つまり、後で部分加熱工程を入れればよいからである。もちろん、部分加熱工程は処理効率を律速するような時間であってはならず、他の処理室と同様、短時間で処理可能と考えられる。
【００３４】
以上説明したように本発明によれば、特に一装置内で順次処理されるスパッタ工程間の要所にこの装置内で行える部分加熱工程を付加する。これにより、カバレッジの不安なホールとその周辺を含む領域を選択的に加熱して、主配線金属となる金属膜を流動させる。この結果、ホールとその周辺の金属膜が流動してカバレッジを良好にする。従って、本来ならカバレッジを配慮して処理時間が長くなるスパッタ工程は、カバレッジを配慮しない速いスパッタリングを実施することができる。部分加熱工程においても広範囲ではないので、処理の時間短縮、信頼性に寄与する。この結果、Ａｌスパッタ処理時間を短縮し全体のスパッタ処理時間を短縮しつつ、十分なホールカバレッジを確保する半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す各断面図。
【図２】第２実施形態に係る半導体製造装置の要部を示す構成図。
【図３】図２中の部分加熱処理室の室内概略を示す構成図。
【符号の説明】
【００３６】
１０…半導体基板、１１…電気的接続部、１２…絶縁層、１３…ホール、１４…金属膜１４１…Ｔｉ層、１４２，１４４…ＴｉＮ層、１４３…Ａｌ層、１５，３４…レーザーマスク、２０１…ロードロック室、２０２…搬送室、２１，２２，２３，２５…スパッタ処理室、３１…レーザー光源、３２…レーザー発振装置、３３、３６…Ｘ−Ｙ移動機構、３４１…レーザー透過領域、３４２…メタルマスク形成層、３５…支持ステージ、４０…位置合わせ機構。
【図１】
2005209917.tif 000003
【図２】
2005209917.tif 000004
【図３】
2005209917.tif 000005