(57)【要約】【課題】本発明は、上記問題を解決するために、鍍金反応開始時から一定時間電流を印加することで鍍金反応を促進させることができるような構成を具備した無電解鍍金装置を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも鍍金反応開始から一定時間電流を印加できる外部電源と、該外部電源と被鍍金対象物の一部と電気的に接続する部材と、該被鍍金対象物と対極する電極と、を有する無電解鍍金装置である。また、該被鍍金対象物が磁気ディスク用基板であって、該電気的に接続する部材は、ディスク支持軸の該磁気ディスク用基板と接する部分にのみ配置された導電性部材であり、該導電性部材は該外部電源と接続されている無電解鍍金装置である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも鍍金反応開始から一定時間電流を印加できる外部電源と、該外部電源と被鍍金対象物の一部と電気的に接続する部材と、該被鍍金対象物と対極する電極と、を有する無電解鍍金装置。
【請求項２】
該被鍍金対象物が磁気ディスク用基板であって、該電気的に接続する部材は、ディスク支持軸の該磁気ディスク用基板と接する部分にのみ配置された導電性部材であり、該導電性部材は該外部電源と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の無電解鍍金装置。
【請求項３】
該鍍金成膜対象物と対極する電極が鍍金浴槽内壁に設けられた金属板である請求項１〜２記載の無電解鍍金装置。
【請求項４】
鍍金液を７０℃以上に調整できる温度調整装置を具備した請求項１〜２記載の無電解鍍金装置。
【請求項５】
鍍金反応開始時に一定時間電流を印加して軟磁性膜を基板表面に電解鍍金する工程と、
次いで、印加電流を断って無電解下で軟磁性膜を前記基板表面に鍍金する工程と、を有する鍍金方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無電解鍍金による鍍金膜、特に磁気記憶装置用薄膜磁気ヘッド、磁気ディスク、さらには薄膜インダクタや薄膜トランスなどの磁気デバイスの磁性材料として好適な鍍金膜を得るための無電解鍍金装置と、その装置を用いた軟磁性膜の製造方法に関わる。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会の進展とともに、情報記憶装置の中心的役割を担うハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の高密度化が求められている。特に近年では、ＨＤＤの記録密度は年率１００％以上という猛烈なスピードで向上している。より高い記録密度を実現するためには、従来の水平磁気記録方式に対し、隣接するビットの磁化が対向せず、互いにビットを強め合う性質がある垂直磁気記録方式が有効と考えられている。垂直磁気記録では、記録膜下部に裏打ち層となる軟磁性膜を形成した垂直２層媒体と単磁極ヘッドを組み合わせることで、急峻な磁化遷移領域が形成できる。
【０００３】
この軟磁性膜を付与することは垂直磁気記録用媒体では必須であるが、その膜厚が約０．２μｍと記録層と比較して厚い。従来の記録媒体各層の成膜に用いられるスパッタリング法で、そのすべてを成膜すると、製造コストが非常に割高となってしまう問題があった。これに対し、無電解鍍金法はその成膜スピードが速く、厚膜を容易に得ることができ、なおかつバッチ処理が可能であるので、非常に量産性に優れている（非特許文献１を参照）。
【０００４】
垂直磁気記録用軟磁性膜として電解鍍金法を用いて成膜した場合、その成膜原理から、膜厚分布を確保するために対極であるアノード電極の構造、配置、カソード電極との距離などを正確に制御することを要求されるため、鍍金装置自体複雑な構造が必要となる。従って、垂直磁気記録用軟磁性膜は、一般に膜厚分布が確保でき、成膜が容易である無電界鍍金法を用いる（特許文献１を参照）。
【特許文献１】特開平５−３４２５７７号公報
【非特許文献１】第２５回日本応用磁気学会学術講演会概要集、２６ａＡ−２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
無電解鍍金法は、電解鍍金法と異なり外部電源を使用せず、鍍金液中に含まれる還元剤によって、金属イオンを還元析出させる純粋な化学反応に基づいた方法である。鍍金成長開始のきっかけとなる要因は、主に鍍金液温度の調整と触媒による。
【０００６】
無電解鍍金法では、一般的に鍍金反応を開始させるために、例えば塩化スズによる感受性化と、塩化パラジウムによる活性化工程からなる触媒活性化プロセスを経て、鍍金液に浸漬し鍍金反応を開始させる（例えば、特開昭６２−２２３８１２号公報）。被鍍金対象物である磁気ディスク用基板を鍍金液に浸漬した後、鍍金液に浸漬し膜成長を行うが、鍍金反応開始までの時間は、早くて数秒、長い場合は数分を必要とする場合がある（この反応が開始するまでの時間をインダクションタイムという）。インダクションタイムは触媒活性化プロセスを全く同一条件で鍍金成膜を行っても、鍍金設定時間と実際の鍍金反応時間に誤差が生じ、鍍金膜厚制御が困難になる問題がある。このインダクションタイムは、鍍金液の経時変化、基板の活性化状態、還元剤の反応性など制御不可能な種々の要因が複合して決定すると考えられる。従って、インダクションタイムのバラツキを抑制することは非常に困難であった。
【０００７】
また、このインダクションタイムを制御する方法として鍍金液温度を調整する方法がある。通常、液温は鍍金反応を促すため７０℃以上に設定されているが、インダクションタイムを短くするために液温を変化させると所望の膜組成が得られない場合があり、液温を調整することはインダクションタイムを制御することには適していない。
【０００８】
本発明は、上記問題を解決するために、鍍金反応開始時から一定時間電流を印加することで鍍金反応を促進させることができるような構成を具備した無電解鍍金装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１０】
第１の手段は、
少なくとも鍍金反応開始から一定時間電流を印加できる外部電源と、この外部電源と被鍍金対象物の一部と電気的に接続する部材と、被鍍金対象物と対極する電極と、を有する無電解鍍金装置である。
【００１１】
第１の手段によれば、
本来無電解鍍金装置としては具備していない電解鍍金用外部電源と、この外部電源と被鍍金対象物とを接続する部材と、被鍍金対象物と対極する電極と、を有することで、少なくとも鍍金反応開始から一定時間電流を印加することができる。従来前述したように鍍金反応の開始までの時間が長いことで、成膜膜厚の制御性及び鍍金された膜の諸特性に悪影響を与えている。そこで無電解鍍金装置に電解鍍金成膜ができるような機能を持たせることで、鍍金成膜の初期段階において鍍金成長を促進させることができ、良好な膜厚分布及び膜特性をもつ鍍金膜が得られる。被鍍金対象物との電気的接続は、電解鍍金法のように鍍金膜厚分布を確保するための高精度な接続を必要とせず、被鍍金対象物の任意の場所において接していればよく、非常に簡単な構造で目的を達成することができる。
【００１２】
第２の手段は、被鍍金対象物が磁気ディスク用基板であって、前記電気的に接続する部材は、ディスク支持軸の磁気ディスク用基板と接する部分にのみ配置された導電性部材であり、導電性部材は前記外部電源と接続されていることを特徴とする第１の手段の無電解鍍金装置である。
【００１３】
第２の手段によれば、
被鍍金対象物として磁気ディスク用基板の場合についての発明であり、第１の手段における被鍍金対象物との電気的接続手段として、ディスク支持軸を用いた実施例である。ディスク支持軸と磁気ディスク用基板と電気的に接する部分にのみ導電性部材を配置している。電気的接続を確保するには、ディスク支持軸を利用することが最も部品点数を少なく装置を構成することが可能であり、安価な無電解鍍金装置を得ることができる。磁気ディスク用基板と接する部分以外に導電性部材を配置した場合、接していない部分より鍍金液に直接電流が漏れてしまい、電流密度等の不安定を招き、制御性が低下する。従って、導電性部材は磁気ディスク用基板と接する面積と同程度であることが望ましい。導電性部材は外部電源と接続されており、電解鍍金成膜時には電流が印加できるような構成となっている。
【００１４】
第３の手段は、
鍍金成膜対象物と対極する電極が鍍金浴槽内壁に設けられた金属板である第１〜２の手段の無電解鍍金装置である。
【００１５】
第３の手段によれば、
本発明による電解鍍金成膜は、鍍金反応の開始時のみの非常に短い時間での使用であるので、従来の電解鍍金法において重要な成膜条件であったアノード電極は、形状、位置などの鍍金膜厚分布調整ファクターを気にせず、鍍金液内なら自由に配置することができる。従って、単に鍍金液にアノード電極を浸漬させておいても良いし、鍍金浴槽の内壁をアノード電極の代わりとして用いることも可能である。この場合、鍍金槽内壁への鍍金膜析出を防止させる目的で、鍍金反応の開始時の鍍金成長後の無電解鍍金成膜時においても鍍金浴槽に適当な微小電流を流すこともできる。
【００１６】
第４の手段は、
鍍金液を７０℃以上に調整できる温度調整装置を具備した第１〜２の手段の無電解鍍金装置である。
【００１７】
第４の手段によれば、
鍍金液の液温は、通常使用し得る無電解鍍金における温度である７０℃以上に温度調整可能な装置を具備している。無電解鍍金では、電解鍍金のように印加電流を駆動力として鍍金反応が進む場合と異なり、温度を反応の駆動力として鍍金を行うため、電解鍍金装置とは異なる温度範囲の制御が可能な温度調整装置を具備することが必要となる。
【００１８】
第５の手段は、
鍍金反応開始時に一定時間電流を印加して軟磁性膜を基板表面に電解鍍金する工程と、次いで、印加電流を断って無電解下で軟磁性膜を前記基板表面に鍍金する工程とを有する鍍金方法である。
【００１９】
第５の手段によれば、
第１〜４の手段による無電解鍍金装置を用いて、先ず鍍金成膜の開始時においては、電解鍍金成膜を行う。このときの電流印加は非常に短い時間の直流電流あるいはパルス電流を用いる。本発明の鍍金装置としては直流電流あるいはパルス電流双方とも印加できる外部電源を搭載している。鍍金成長が開始した後は電流印加を断ち、所定の鍍金膜厚を得るまで無電解鍍金成膜を行う。被鍍金対象物として磁気ディスク用基板を用いた場合膜厚分布を確保するため、無電解鍍金中はディスク支持軸回転モーターを回転している。以上の工程により、良好な特性をもった軟磁性膜を得る。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明による電解鍍金成膜が可能な構成を有した簡単な構成により無電解鍍金装置を提供するものであり、本装置により得られた垂直磁気記録用軟磁性膜を成膜した場合、良好な軟磁気特性を得ることができる。この結果、情報記録時の垂直方向の発生記録磁界が強められ、かつ急峻な記録磁界勾配を有する記録が可能となり、得られる磁化遷移領域もより急峻となり、より高い記録密度向上を実現できる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明は、鍍金反応開始時から一定時間電流を印加することができる無電解鍍金装置を提供するものであり、以下において実施例に則した無電解鍍金装置と本装置を用いた軟磁性膜の鍍金方法について説明する。
【実施例】
【００２２】
以下に本発明の被鍍金対象物として磁気ディスク用基板を用いた場合のディスク用無電解鍍金装置の実施例を説明する。
【００２３】
図１参照。
【００２４】
図１は本発明の実施例に則した磁気ディスク用無電解鍍金装置の断面図である。図１において、１は鍍金浴槽、２は鍍金液面、３はディスク支持軸、４は磁気ディスク用基板、５はアノード電極、６はディスク支持軸回転モーター、７は鍍金液温度調節装置、８は外部電源、９は鍍金液供給管、１０は循環ポンプ、１１はフィルタ、１２は切替器、１３は導電性部材である。
【００２５】
磁気ディスク用基板４はディスク支持軸３の環状溝Ａに設置される。この環状溝Ａは、鍍金成膜中に個々の磁気ディスク用基板が接触しないようにするものであり、ディスク支持軸３に設置された状態で鍍金液に浸漬する。ディスク支持軸３は鍍金膜厚の均一性を確保するため回転できるようにディスク支持軸回転モーター６に接続されている。
また、本発明の特徴である磁気ディスク用基板４とディスク支持軸３とを電気的に接続が取れるように環状溝Ａには部分的に導電性部材１３が設けられ、ディスク支持軸３の内部を通り、外部電源８に接続されている。
【００２６】
外部電源８は、鍍金成長開始時に非常に短い時間に電流を印加できる電流発生源を持っている。アノード電極５としては、図示するように棒状のものを液に浸漬する簡易なもので十分である。その理由は、本来電解鍍金におけるアノード電極は、鍍金膜厚分布を確保することを目的に鍍金対象物と対向するように配置する必要があるが、本発明の実施例に則したアノード電極は、鍍金成長開始時に非常に短い時間に電流を印加することができればよく、鍍金膜厚分布を考慮する必要がないためである。従って、本発明の実施例に則したアノード電極は別の用途を付加させる構成とすることが可能である。具体的には図に示すように鍍金浴槽内壁に導電性部材を配置した構造とすることであり、使用する鍍金液組成や鍍金条件によって切替器１２によりどちらかを選択できるようになっている。即ち、鍍金液組成や鍍金条件によっては、鍍金浴槽内壁に鍍金膜が析出する場合があり、これが鍍金成膜レートが不安定とし、膜厚や組成のバラツキを発生させる原因となる。そこで、無電解鍍金成膜時に鍍金浴槽内壁に電流を印加することで、内壁に鍍金膜の析出をしないようにし、安定した鍍金成膜が可能となる。
【００２７】
鍍金液は鍍金液供給管９、フィルター１１を通して循環ポンプ１０により循環できるようになっており、常にクリーンな状態に保たれている。
【００２８】
本発明の実施例に則した鍍金装置は、無電解鍍金装置であり、電解鍍金装置に比べて、液温を高く設定しなければならない。例えば、電解鍍金では室温〜４０℃程度であるのに対して、無電解鍍金装置では、７０℃以上の液温にて鍍金成長を行う。従って、無電解鍍金装置には、その温度範囲で調整可能な鍍金液温度調節装置７が具備されている。
本発明の実施例に則した無電解鍍金装置で磁性膜を成膜する場合、所望の磁気異方性を得るために被鍍金対象物に対して、均一な磁場を印加できるような永久磁石あるいは電磁コイルを具備することも可能である（図示していない）。
【００２９】
また、環状溝Ａにおいて磁気ディスク用基板４との電気的導通を確保するような構成となっているが、磁気ディスク用基板４との電気的接続は磁気ディスク用基板４表面上の任意の位置で接続をとることが可能であり、図示しないが別の手法として複数の磁気ディスク用基板４の外周部に電気的に接続するような導電性部材を具備することができる。
【００３０】
図２参照。
図２に本発明の実施例に則したディスク支持軸３の詳細構造を示す。（ａ）図は上面図、（ｂ）図は側面図、（ｃ）図は（ａ）図のＡ−Ａ'方向の断面図、（ｄ）図は磁気ディスク用基板４を設置したときの本発明の実施例に則したディスク支持軸３の斜視図である。図２において、３はディスク支持軸，４は磁気ディスク用基板，１３は導電性部材，１５は非導電性部材である。
【００３１】
非導電性部材１５で構成されたディスク支持軸３において、磁気ディスク用基板４と電気的に接触ができるように環状溝Ａの一部あるいは全部に導電性部材１３を設け、磁気ディスク用基板４が環状溝Ａに配置されたときに導電性部材１３とは電気的に接続される。ディスク支持軸３に磁気ディスク用基板４を設置し鍍金液に浸漬したとき、導電性部材１３が上面になるようにディスク支持軸３を回転し位置を調整しておく。鍍金初期の段階でディスク支持軸３は回転せず、導電性部材１３が上面になるように静止した状態で磁気ディスク用基板４は電気的に接続され電解鍍金を行う。所定の時間電解鍍金を行った後に、無電解鍍金に切り替え、所望の膜厚になるまで無電解鍍金を行う。
【００３２】
図３参照。
【００３３】
図３（ａ）〜（ｃ）に本発明の実施例に則したディスク支持軸３のそれぞれの実施例の断面形状を示す。図３において、３はディスク支持軸，４は磁気ディスク用基板，１３は導電性部材，１４は中心孔である。
【００３４】
図３（ａ）に示す第１の実施例では、磁気ディスク用基板４の中心孔１４の直径よりも小さい直径を持ったディスク支持軸３に磁気ディスク用基板４を配置した場合である。このとき導電性部材１３は、磁気ディスク用基板４との接触部近傍のみ、即ち点接触に近い状態に接触しており、他の部分は非導電性部材で、鍍金中にはできるだけ鍍金液に触れないようになっている。
【００３５】
図３（ｂ）は、ディスク支持軸３の形状に関する第２の実施例である。より確実な接触状態を確保する手段として、導電性部材１３の形状が、磁気ディスク用基板の中心孔１４の周縁弧と同じ弧を持っており、接する面積を大きくした場合である。その他の接していない部分は、磁気ディスク用基板４の回転時に支障がない程度に自由な形状であるが、導電性部材１３は設けられていないか、あるいは絶縁性材料にて被覆されていることが望ましい。即ち、磁気ディスク用基板４と接していない導電性部材から、鍍金液に電流が流れてしまい、電流密度が不安定となり、制御性が低下することを防止している。
【００３６】
図３（ｃ）は、ディスク支持軸の形状に関する第３の実施例である。磁気ディスク用基板４の中心孔１４の全部とディスク支持軸３が接している場合の第３の実施例である。磁気ディスク用基板４の中心孔１４の全部と導電性部材１３が接触していることで、鍍金液に電流が流れてしまうこともなくなる。
【００３７】
図２に描かれるディスク支持軸の構造によれば、磁気ディスク用基板４をディスク支持軸３に乗せているだけであるため、磁気ディスク用基板４の中心孔１４の周縁部側壁が導電性部材１３と接するような実施例であるが、接触部分を中心孔１４近傍で記録情報が書き込まれていない領域の磁気ディスク用基板表面において接するようにしてもよい。
【００３８】
磁気ディスク用基板４の材質は、Ａｌ（アルミニウム）／ＮｉＰ（ニッケル・リン）基板などの導電性材料を用いる場合の他に、非導電性基板であるガラス基板を用いる場合がある。この場合は、ディスク支持軸３との導電性を確保するために、上述したように磁気ディスク用基板４の表面で電気的導通を確保するため、磁気ディスク用基板表面及び磁気ディスク用基板４の中心孔１４の周縁部側面に導電性材料をスパッタリング法などにより成膜することで本発明を実施することができる。
【００３９】
図４参照。
図４は磁気ディスク用基板４の表面で電気的導通をとる場合の実施例を説明する図である。（ａ）図は磁気ディスク用基板をディスク指示軸にセットする前の図、（ｂ）図は、磁気ディスク用基板をディスク指示軸にセットした後の図である。図４において、３はディスク支持軸，４は磁気ディスク用基板，１３は導電性部材である。
【００４０】
ディスク支持用治具３は、図に示すように磁気ディスク用基板４を挟むようになっており、ディスク表面と接する部分に導電性部材１３が配置されており電気的接触を確保する。本実施例は、非導電性基板であるガラス基板を用いる場合に有効である。図示していないが磁気ディスク用基板４の中心孔１４の側壁も電気的に接する構成にしてもよい。導電性部材１３は、鍍金液に触れないようにディスク支持軸３の内部を通り、個々のディスク支持軸３同士は電気的に接続され、さらにこれらは外部電源８に接続される。
【００４１】
次に図１に示す本発明の実施例に則した無電解鍍金装置を用いて垂直磁気記録媒体の軟磁性膜の製造方法を説明する。先ず、磁気ディスク用基板４をディスク支持軸３にセッティングした後に鍍金液に浸漬し、電解鍍金成膜を行う。通常、磁気ディスク用基板４は回転を停止したまま成膜を開始する。回転を停止する位置は前述したように、導電性部材１３が上面にくる位置で静止させ、磁気ディスク用基板と導通を確保させる。電解鍍金成膜の場合、電流が印加された瞬間から鍍金反応が開始する。ここでの電解鍍金成膜は、その反応を開始する手段として用いているため、電流印加時間は数秒〜５秒程度で十分である。また、印加電流は直流電流あるいはパルス電流どちらでもよい。印加する電流密度は、磁気ディスク用基板表面における電流密度に換算して、通常のＮｉ（ニッケル），Ｆｅ（鉄），Ｃｏ（コバルト）系の電解鍍金成膜で適用される５〜２０ｍＡ／ｃｍ2が適当である。鍍金温度は７０℃以上で、所望の特性が得られる温度に適宜調整する。
【００４２】
本発明の実施例に則した無電解鍍金装置の通電システムは、通常の電解鍍金装置の通電システムと以下の点で異なる。一般的な電解鍍金法では、電流を駆動力として鍍金成膜を行っているため、膜厚分布制御を目的として電流密度分布を極力均一化する必要があり、このためカソード電極となる被鍍金物と、対極となるアノード電極は形状、配置位置などの装置設計が非常に重要になってくる。しかし、本発明の実施例に則した鍍金装置では、電流印加は反応開始を促進させることにのみ用いられるため、電流印加時間が非常に短い。従って、上記で述べた電流密度分布が生じても問題とはならず、アノード電極としては、任意の形状、任意の位置に配置することができる。ゆえに図１に示すように棒状のアノード電極５を、任意の場所の鍍金液に浸漬する場合や、鍍金浴槽内壁を導電性材料で覆い、アノード電極とする場合などが有効な手段である。
【００４３】
次に電解鍍金により鍍金反応が開始された後は、磁気ディスク用基板４上に均一な鍍金膜を得るために、電流印加を切り、ディスク支持軸３及び磁気ディスク用基板４が回転運動を開始し、無電解鍍金成膜に切り替える。回転速度は所定の特性を得るため任意に設定してよい。
【００４４】
その際、鍍金浴槽内壁に設けたアノード電極へ鍍金膜析出防止として無電解鍍金成膜中にも適当な微小電流を印加することも可能である。
【００４５】
本発明の実施例に則した磁気ディスク用無電解鍍金装置では、良好な磁気異方性を確保するために、任意の磁場を印加できるような構造を付加して、磁場中鍍金成膜を行うことが可能である。
【００４６】
また、無電解鍍金成膜では、反応の進行に伴い、ｐＨ、金属塩濃度、還元剤濃度の低下が見られるので、量産ラインにおいては通常、この調整、補給を行うための自動浴管理システムが採用されている。
【００４７】
表１に本発明の実施例に則して得られた膜の特性結果を示す。比較例として電解鍍金をしない無電解鍍金のみ（触媒浸漬あり）で成膜した場合も示す。
【００４８】
鍍金反応開始条件としては、５〜１０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で、１〜５秒間電流を印加している。比較例として、無電解鍍金による成膜例を挙げており、触媒として、ＰｄＣｌ2溶液を用い、５〜１０秒成膜する。得られた鍍金膜の保磁力Ｈｃは無電解鍍金に比べて１／５．３〜１／１６に低下し、非常に良好な軟磁気特性を示す。
【００４９】
【表１】
2005089773.tif 000003
図５参照。
【００５０】
図５に本発明の実施例に則して得られた垂直磁気記録媒体の軟磁性膜の周方向及び径方向のヒステリシスループに示す。（ａ）図が表１における実施例１、(ｂ)図が表１における比較例１に相当する。基板にはＡｌ／ＮｉＰディスク用基板（周方向にテクスチャつき）を用い、鍍金液には、特開２００２−２７０４２６号公報などで用いているＣｏＮｉＦｅＢ（コバルト・ニッケル・鉄・ボロン）浴を使用している。浴組成は、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオン、錯化剤、ホウ素含有還元剤を含有し、Ｃｏイオン濃度を０．０２〜０．２モル／リットル、Ｆｅイオン濃度を０．００５〜０．０５モル／リットル、Ｎｉイオン濃度を０．００１〜０．０１モル／リットルとし、総金属塩濃度が０．５モル／リットル以下である無電解鍍金液を用いる。各金属イオン濃度は、目的とする膜組成や要求される膜形成速度などに応じて適宜決定する。金属イオンの供給源は、水溶性の硫酸塩を用いる。ホウ素含有還元剤としては、ジメチルアミンボランを用い、０．０１〜０．５モル／リットルの濃度とする。錯化剤としては、酒石酸ナトリウムおよびクエン酸ナトリウムを用いる。磁気特性の測定には振動試料型磁力計を用いた。従来法により得られる鍍金膜では、径方向の保磁力が約１０  Ｏｅ（エルステッド）であるのに対し、本発明の実施例に則して得られる鍍金膜では、約１  Ｏｅと良好な軟磁気特性と磁化方向の揃ったヒステリシスループを得ることができる。
（付記１）少なくとも鍍金反応開始から一定時間電流を印加できる外部電源と、
該外部電源と磁気ディスク用基板の一部とを電気的に接続する導電性部材と、
該磁気ディスク用基板と対極する電極と、
を有する無電解鍍金装置。
（付記２）前記磁気ディスク用基板に磁界を印加する部材を付加した付記１記載の無電解鍍金装置。
（付記３）前記磁気ディスク用基板に磁界を印加する部材が永久磁石を用いていることを特徴とする付記２記載の無電解鍍金装置。
（付記４）前記磁気ディスク用基板に磁界を印加する部材が電磁石を用いていることを特徴とする付記２記載の無電解鍍金装置。
（付記５）前記磁気ディスク用基板と対極する電極が、棒状電極であることを特徴とする付記１または２記載の無電解鍍金装置。
（付記６）前記導電性部材は、磁気ディスク用基板の中心孔の周縁弧と同一の弧形状を持つディスク支持軸を有している付記１または２記載の無電解鍍金装置。
（付記７）前記電気的に接続する導電性部材は、磁気ディスク用基板の外周部の接するように配置され、該導電性部材は該外部電源と接続されていることを特徴とする付記１または２記載の無電解鍍金装置。
（付記８）前記電気的に接続する導電性部材は、磁気ディスク用基板の表面に接するように配置され、該導電性部材は該外部電源と接続されていることを特徴とする付記１または２記載の無電解鍍金装置。
（付記９）前記外部電源が直流電流源またはパルス電流源あるいはその両方の電流源を備えた付記１または２記載の無電解鍍金装置。
（付記１０）鍍金反応開始時に被鍍金対象物に一定時間電流を印加して軟磁性膜を対象物表面に電解鍍金する工程と、
次いで、印加電流を断って無電解下で、かつ磁界印加して軟磁性膜を前記被鍍金対象物表面に鍍金する工程と、
を有する鍍金方法。
（付記１１）前記被鍍金対象物が磁気ディスク用基板であって、無電解下での鍍金工程時に、磁気ディスク用基板を周方向に回転することを特徴とする付記１０記載の鍍金方法。
（付記１２）少なくとも前記電解鍍金する工程で、被鍍金対象物に一定時間電流を印加して軟磁性膜を対象物表面に電解鍍金する工程と、
次いで、無電解下で磁界印加して軟磁性膜を前記被鍍金対象物表面に鍍金する工程と、
を有する鍍金方法。
（付記１３）前記無電解下であって、鍍金浴槽内壁に電流を印加することを特徴とする付記１２記載の鍍金方法。
（付記１４）前記電解鍍金時の一定時間印加する電流が、直流電流またはパルス電流である付記１０あるいは付記１２記載の鍍金方法。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施例に則した磁気ディスク用無電解鍍金装置の断面図
【図２】本発明の実施例に則したディスク支持軸構造図
【図３】本発明の実施例に則したディスク支持軸断面図
【図４】磁気ディスク用基板の表面で電気的導通をとる場合の実施例を説明する図
【図５】本発明の実施例に則して得られた垂直磁気記録媒体の軟磁性膜のヒステリ              シスループ
【符号の説明】
【００５２】
１  鍍金浴槽
２  鍍金液面
３  ディスク支持軸
４  磁気ディスク用基板
５  アノード電極
６  ディスク支持軸回転モーター
７  鍍金液温度調節装置
８  外部電源
９  鍍金液供給管
１０  循環ポンプ
１１  フィルタ
１２  切替器
１３  導電性部材
１４  中心孔
１５  非導電性部材
Ａ  環状溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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