(57)【要約】【課題】  直径数μｍの第１の金属粒子と、直径数ｎｍ第２の金属粒子とが含む導電性ペースト密度を最適化し均一に焼結してなるビア充填方法を提供する。【解決手段】  金属粒子とバインダと溶剤からなる第１導電性ペーストを、ビアに充填する工程と、バインダの硬化温度以下の温度で溶剤を乾燥させる乾燥工程と、第１導電性ペーストよりも溶剤の含有量が少ない第２導電性ペーストをビアに充填する工程と、第１および第２導電性ペーストを同時に焼結する焼結工程とを備える。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属粒子とバインダと溶剤とを含む第１導電性ペーストを、半導体基板表面上に形成したビアに充填する工程と、
前記バインダの硬化温度以下の温度で溶剤を乾燥させる乾燥工程と、
前記第１導電性ペーストよりも前記溶剤の含有率が少ない第２導電性ペーストを前記ビアに充填する工程と、
前記第１導電性ペーストの焼結温度以上かつ前記第２導電性ペーストの焼結温度以上の温度で前記第１および第２導電性ペーストを焼結する焼結工程と、
を有することを特徴とする導電性ペーストによるビア充填方法。
【請求項２】
前記第１導電性ペーストに含まれる溶剤の含有率は、前記第１導電性ペーストの体積の２０パーセントより大であることを特徴とする、請求項１に記載の導電性ペーストによるビア充填方法。
【請求項３】
前記第２導電性ペーストに含まれる金属粒子は、直径１μｍ以上の第１の金属粒子と、直径が前記第１の金属粒子の１０分の１以下である第２の金属粒子とを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の導電性ペーストによるビア充填方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性ペーストによるビア充填方法に関し、たとえば半導体基板の厚み方向に形成したビアに導電性ペーストを充填し、貫通配線を形成するための導電性ペーストによるビア充填方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話などの携帯情報機器に代表される電子機器の小形化および軽量化の要求に伴って、半導体装置の小形化および高密度化が図られている。この目的のために、複数の半導体装置を積層した積層型半導体モジュール構造が提案されている。
【０００３】
図１４および図１５は、第１の背景技術における積層型半導体モジュール２４の実装構造を示す斜視図および断面図である。半導体装置２２ａ〜２２ｄが積み重ねられ、相互にバンプ１７によって接続されている。半導体装置２２ａ〜２２ｄの半導体基板１の両面に形成した配線１５は、それぞれプラグ１１によって導通している。
【０００４】
プラグ１１を形成するプロセスとして、次のような方法が提案されている（たとえば特許文献１参照）。まず、半導体基板の表面に未貫通のビアを形成し、ビア側壁および底面に絶縁膜を形成する。その後、導電性ペーストをビアに充填、焼結し、半導体基板の裏面を研磨などにより後退させ、ビアを貫通させる方法である。
【０００５】
（第１の課題：ボイド２１の発生）
しかしながら、この第１の背景技術では次の問題がある。図１６は第１の背景技術の課題を説明する部分拡大断面図である。半導体基板１の表面に未貫通のビア３が形成され、ビア３の側壁には側壁絶縁膜４が形成されている。ビア３の内部には導電性ペーストを焼結してプラグ１１が形成されている。銀などの金属粒子および樹脂からなるバインダと、溶剤とを含む導電性ペーストを焼結してプラグ１１を形成すると、溶剤が揮発したことによって生成するガスが、プラグ１１の内部にボイド２１として残存する。ボイド２１はプラグ１１の電気抵抗値の上昇の原因になるだけでなく、プラグ１１の機械強度を低下させる原因ともなる。また、温度変化に伴ってボイド２１の内部に残存する気体が膨張、収縮を繰り返すと、プラグ１１に残留応力が生じ、ボイド２１を起点にしてプラグ１１に亀裂が生じることも考えられる。
【０００６】
（第２の課題：空隙２７および隙間２８の発生）
また、図１７および図１８は、図１６に示した課題とは異なる第２の背景技術の課題を説明する断面図である。図１７は導電性ペースト２６を焼結する前の状態を説明する断面図であり、図１８は図１７のワークを高温状態に保持し、導電性ペースト２６を焼結してプラグ１１を形成した状態を説明する断面図である。図１７において、半導体基板１には側壁絶縁膜４で表面を被覆したビア３が設けられている。ビア３の内部には導電性ペースト２６が充填されている。導電性ペースト２６を焼結した後で、溶剤の揮発に由来したボイドがプラグの内部に残存しないように、溶剤量を減らした場合には、導電性ペースト２６の流動性が悪いため、図１７に示したように、ビア３の底部に空隙２７が生じる。このような状態で、半導体基板１を高温オーブンに入れて導電性ペースト２６を焼結させたのが図１８の状態である。空隙２７に含まれていた気体の膨張と、導電性ペースト２６の硬化収縮とが相まって、プラグ１１と側壁絶縁膜４との間にビア３の底部から開口部まで通じる隙間２８が生じるという問題が起きる。
【０００７】
（導電性ペーストの配合比率）
このような課題を解決するため、第２の背景技術では、ボイドを生じさせないような導電性ペーストの配合比率が提案されている（たとえば特許文献２）。第２の背景技術では、焼結後に導電性ペーストの内部に残存するボイドを低減するため、溶剤成分を多くして粘度を大きく低下させた導電性ペーストを用いることにより、導電性ペーストを焼結する際に発生するガスが、導電性ペーストから逃げやすくなるので、ボイドが残りにくくなる。また導電性ペーストの粘度が低いので、ビアの底部まで隙間なく導電性ペーストを充填することができる。
【特許文献１】特開平１０−２２３８３３号公報
【特許文献２】特開２００１−２６６６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、第２の背景技術には以下のような問題がある。図１９および図２０は第２の背景技術の問題点を説明する断面図である。半導体基板１の表面に未貫通のビア３が形成され、ビア３の側壁は側壁絶縁膜４で被覆されている。ビア３の内部には導電性ペーストを焼結して形成したプラグ１１が形成されている。導電性ペーストを溶剤に加えて低粘度にすると、導電性ペーストに含まれる金属粒子が沈降しやすくなり、導電性ペーストの均一性が保ちにくくなる。したがって、図１９および図２０に示すように、ビア３に充填される導電性ペースト２６の量にばらつきが生じる。ビア３によるプラグ１１の電気抵抗値のばらつきをなくすためには、導電性ペーストを何度も繰り返してビア３に充填しなければならない。
【０００９】
また、導電性ペーストが、数μｍの直径を持つ大径の第１の金属粒子と、数ｎｍの直径を持つ小径の第２の金属粒子とを含む場合は次のような問題がある。このような構成の導電性ペーストを焼結した際には、第２の金属粒子は第１の金属粒子同士を結合するつなぎのような役割を有している。したがって、第１の金属粒子と第２の金属粒子とが最適な割合により混ざった状態で焼結したほうが導電性ペーストを焼結した後の電気抵抗率が低くなる。
【００１０】
また、一般に直径が１μｍ以下の粒子は、重力の影響を受けて流体中で沈降することはない。さらに、第２の金属粒子の凝集を防ぐ分散剤が導電性ペーストに混入されている場合、第２の金属粒子は導電性ペーストの粘度が低い場合にも短時間で沈降することはない。さらに、第２の金属粒子は第１の金属粒子に比べて形状が十分に小さいため、第１の金属粒子の沈降を妨げない。しかしながら、導電性ペーストの粘度が低い場合、第１の金属粒子が沈降し、ビア底部付近で金属粒子の密度が高くなり、最適な電気抵抗率が得られないという問題がある。
【００１１】
したがって、この発明は、直径数μｍの第１の金属粒子と、直径数ｎｍの第２の金属粒子とを含む導電性ペースト密度を最適化し均一に焼結してなる、導電性ペーストによるビア充填方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明に基づいた、導電性ペーストによるビア充填方法においては、金属粒子とバインダと溶剤とを含む第１導電性ペーストを、半導体基板表面上に形成したビアに充填する工程と、上記バインダの硬化温度以下の温度で溶剤を乾燥させる乾燥工程と、上記第１導電性ペーストよりも上記溶剤の含有率が少ない第２導電性ペーストを上記ビアに充填する工程と、上記第１導電性ペーストの焼結温度以上かつ上記第２導電性ペーストの焼結温度以上の温度で上記第１および第２導電性ペーストを焼結する焼結工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】
また、他の形態として、上記第１導電性ペーストに含む溶剤の含有率は、上記第１導電性ペーストの体積の２０パーセントより大であることを特徴とする。
【００１４】
また、他の形態として、上記第２導電性ペーストに含む金属粒子は、直径１μｍ以上の第１の金属粒子と、直径が上記第１の金属粒子の１０分の１以下である第２の金属粒子とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
この発明に基づいた、導電性ペーストによるビア充填方法よれば、半導体基板表面上に形成したビアに充填した第１導電性ペーストを、上記バインダの硬化温度以下の温度で溶剤を乾燥させる乾燥工程において、ビアの底部に未充填領域を残さずにバインダと金属粒子を埋めることができる。
【００１６】
また、導電性ペーストの乾燥工程中において、バインダの一部はビアの側壁に付着し、金属粒子は沈降するため、乾燥後の導電性ペーストの表面形状は、中央付近が凹んだすり鉢形状となる。このような形状であるため、後工程で充填する第２導電性ペーストの粘度を高くしても、充填すべき空間形状の中央領域における第１導電性ペーストと第２導電性ペーストとの間に、隙間が生じにくい。
【００１７】
また、第２導電性ペーストに含まれる溶剤の含有量が、第１導電性ペーストよりも少ないので、焼結後の導電性ペーストの体積収縮率が小さく、充填回数を減らすことができる。さらに、第２導電性ペーストの粘度が高いので、金属粒子の沈降が遅くなり、充填前に導電性ペーストを十分に攪拌しておけば、バインダと金属粒子との密度を均一に保つことができる。特に、第２導電性ペーストが、直径１μｍ以上の直径を有する第１の金属粒子と、直径が第１の金属粒子の１０分の１以下である第２の金属粒子とを含む場合、第１の金属粒子と第２の金属粒子との、均一で最適な密度での焼結が実現でき、電気抵抗率を低下させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、この発明に基づいた実施の形態における導電性ペーストのビア充填方法について、図を参照しながら説明する。
【００１９】
図１から図９を参照して、本実施の形態における導電性ペーストのビア充填方法を含んだ、半導体装置の製造方法を説明する。なお、背景技術において説明した構造と同一、または、相当部分には同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さないこととする。
【００２０】
図１〜図３は、第１導電性ペースト６を半導体基板１に形成したビア３に印刷法によって充填し、乾燥させる工程を説明する断面図であり、図１は印刷時の状態を説明する断面図、図２は第１導電性ペースト６をビア３に充填した直後の状態を説明する断面図、図３は乾燥工程を経たことによってビア３に充填した第１導電性ペースト６から溶剤が揮発した状態を説明する断面図である。半導体基板１はシリコンウェハである。
【００２１】
ＲＩＥ（Reactive Ion Etching、リアクティブイオンエッチング）により半導体基板１に形成されたビア３の形状は、開口部の１辺が約８０μｍの略正方形、底面は１辺が約６５μｍの略正方形、深さは約１１０μｍの四角錐台である。側壁絶縁膜４はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition、化学蒸着法）で形成された厚さ約２μｍの二酸化シリコンである。なお、側壁絶縁膜４は二酸化シリコンの替わりにポリイミドなどの樹脂を用いてもよい。
【００２２】
まず、図１に示すように、第１導電性ペースト６を、印刷マスク７とスキージ８を用いて、半導体基板１に形成したビア３の内部に充填した。このとき、印刷工程は真空チャンバを有する印刷機を用いて、差圧印刷を行なった。具体的には、真空チャンバ内に半導体基板１および第１導電性ペースト６をセットした後に真空チャンバ内を排気する。真空チャンバ内を約０．５ｋＰａの真空度に保ちながら印刷を行なった後、真空チャンバ内を大気圧に戻す。こうすることで、真空チャンバ内が大気圧に戻るときに、ビア３に第１導電性ペースト６を充填した際に内包していたボイドが抜ける。さらにもう一度、差圧印刷を行なって第１導電性ペースト６をビア３に充填すると、図２に示す状態となる。
【００２３】
第１導電性ペースト６は、ハリマ化成株式会社製ハイブリッド銀ペーストＮＰＳ−ＨＳに、溶剤としてジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル（希釈剤）を、ハイブリット銀ペーストＮＰＳ−ＨＳの体積の５０％を加えたものである。したがって第１導電性ペースト６のうち約３３％を溶剤が占める。
【００２４】
次に、図３に示すように、半導体基板１をオーブンに入れて、約９０℃で約３０分間保持し、第１導電性ペースト６を乾燥させ、体積を半分程度にした。このとき第１導電性ペースト６は中央部が凹んだ形状になる。ここで、図１１〜図１３を参照して、乾燥後の第１導電性ペースト６が図３のような形状になるメカニズムを説明する。
【００２５】
図１１〜図１３は、ビア３に充填された第１導電性ペースト６の乾燥工程中の挙動を説明する断面図である。半導体基板１に形成したビア３の表面は側壁絶縁膜４で覆われ、ビア３の内部には第１導電性ペースト６が充填されている。第１導電性ペースト６は、バインダおよび溶剤から構成される樹脂成分１４と、平均直径が数μｍである金属粒子１３とから成り立っている。バインダは硬化剤を含んだエポキシ樹脂であり、溶剤はジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテルである。金属粒子１３のうち約１０重量％は、平均直径が５ｎｍの金属微粒子であり、残り約９０重量％は平均直径が５μｍの銀粒子である。また、樹脂成分１４には金属微粒子の凝集を防ぐ分散剤も含まれる。樹脂成分１４の粘度が低い場合でも、分散剤の効果で、金属微粒子が沈降することはない。なお、金属粒子は、一般に１０ｎｍ以下であると、重力よりも表面張力の影響が大きくなり、液体中で沈殿しなくなり、同時に、粒子同士の凝集を防ぐような添加剤や表面保護膜が必要となる。したがって、第１導電性ペースト６に含まれる粒子は沈殿しない直径１０ｎｍ以下のもの、第２の導電性粒子は凝集が起きにくい大きさ（直径数μｍ）のものが良く、具体的には、第１導電性ペースト６に含まれる金属粒子は、直径１μｍ以上の第１の金属粒子と、直径が第１の金属粒子の１０分の１以下である第２の金属粒子とからなることが好ましい。なお、後述の第２導電性ペースト９においても、同様である。
【００２６】
図１１を参照して、最初、ビア３に充填された第１導電性ペースト６の状態は、樹脂成分１４に、金属粒子１３が、ほぼ均一に混ざっている状態である。次に、樹脂成分１４に含まれるバインダの硬化温度よりも低い温度（約９０℃）で、第１導電性ペースト６を乾燥させる。これにより、溶剤成分が揮発し、ビア３の内部に充填されていた樹脂成分１４の体積が減ると同時に、樹脂成分１４の粘度が上昇する。粘度が上昇した樹脂成分１４は、ビア３の側壁に付着しやすくなり、図１２に示すように、樹脂成分１４の表面は低下すると共に、中央部分が低くかつ、ビア３の側壁付近では高くなる。また、樹脂成分１４の粘度が十分に低い間は金属粒子１３が沈降するため、ビア３の底面に近いほど金属粒子１３が密となる。さらに、第１導電性ペースト６の乾燥が進むと、図１３に示すように、中央部分がへこんだ形状となる。
【００２７】
次に、第２導電性ペースト９をビア３に充填し焼結する工程を、図４〜図６を参照して説明する。なお、図４は既に第１導電性ペースト６が部分的に充填されているビア３に、第２導電性ペースト９を、印刷法によって充填した状態を説明する断面図、図５は図４においてビア３に充填されていた第２導電性ペーストを乾燥させた状態を説明する断面図、図６は第１導電性ペーストおよび第２導電性ペーストを焼結してプラグ１１を形成した状態を説明する断面図である。
【００２８】
図３で示した状態の半導体基板１に対して、第２導電性ペースト９を差圧印刷し、図４のように充填した。第２導電性ペースト９は、基本的には、第１導電性ペーストと同じペースト材料を用い、希釈剤の添加割合を異ならせている。具体的には、ハリマ化成株式会社製ハイブリッド銀ペーストＮＰＳ−ＨＳに、ハイブリッド銀ペーストＮＰＳ−ＨＳの体積の、１０％のジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル（希釈剤）を加えたものを用いた。したがって、第２導電性ペースト９のうち約１０％を溶剤が占める。なお、印刷の版抜け性が確保できる場合は、溶剤を加えないほうが好ましい。溶剤の揮発によるボイドの発生を防ぐことができるからである。
【００２９】
次に、９０℃のオーブンに半導体基板１を投入して３０分間保持し、第２導電性ペースト９を乾燥させたところ、図５のような状態となった。第２導電性ペースト９は第１導電性ペースト６と比べて溶剤の含有量が少ないため、乾燥工程の前後で体積の変化は小さく、ビアごとの金属粒子１３の、充填量のばらつきも小さくなる。なお、予備乾燥後に第２導電性ペーストの表面がビア３の開口部よりも低すぎる場合には第２導電性ペースト９の充填と予備乾燥を追加してもよい。
【００３０】
次に、図６に示すように、第１導電性ペースト６の焼結温度以上かつ第２導電性ペースト９の焼結温度以上の温度として、１８０°Ｃ〜２００°Ｃのオーブンに半導体基板１を投入して６０分間保持し、ビア３の内部に充填した第１導電性ペースト６および第２導電性ペースト９を焼結してプラグ１１を形成した。プラグ１１の中で、第１導電性ペースト６であった部分と第２導電性ペースト９であった部分との境界には亀裂の発生はなかった。しかし、第２導電性ペースト９であった部分では金属粒子１３が沈降することなくほぼ均一に焼結しているのに対し、第１導電性ペースト６であった部分はビア３の底面付近で金属粒子１３が密になった状態で焼結した。第１導電性ペースト６を充填した領域で最も浅い部分はビア３の底から約５０μｍであった。したがって、プラグ１１の断面観察を行うと、２層に分かれたように見える。以上に説明したプロセスで形成したプラグ１１の電気抵抗率は約１０μΩ・ｃｍとなった。
【００３１】
第１導電性ペースト６と第２導電性ペースト９を充填した領域を比較すると、第１導電性ペースト６を焼結した領域は２種類の金属粒子１３の密度が不均一であるため、電気抵抗率が第２導電性ペースト９を焼結した領域よりも高くなる。したがって、第１導電性ペースト６が占める割合は少ないほうが好ましく、含まれる溶剤の含有率が高いほうが望ましい。しかしながら、粘度が低下しすぎると金属粒子１３の沈降が早いために、１度の印刷でビア３に充填される金属粒子１３の量のバラツキが大きくなる。たとえば、溶剤の含有率が体積で６０％となるように希釈した導電性ペーストを内径５ｍｍの試験管に高さ１ｃｍ程度になるように入れ、よく撹拌したところ、撹拌を止めた直後から金属粒子１３が沈降したことが目視で確認できた。このように沈降速度が速い場合は印刷方法によってビア３に充填する場合、スキージによる導電性ペーストの撹拌の効果が小さい。したがって、第１導電性ペースト６に含まれる溶剤の含有量は、体積の６０％以下であることが望ましく、さらには５０％以下であることが望ましい。
【００３２】
図７〜図９は、ビア３に充填した導電性ペーストを焼結してプラグ１１を形成してから、半導体装置を完成させるまでの工程を説明する断面図である。図７はパッド５とプラグ１１の導通と得るためのコンタクト１２を形成するプロセスを説明する断面図である。パッド５とプラグ１１の部分を開口した印刷マスクを用いて、有機銀化合物を含んだ第３の導電性ペーストを塗布してコンタクト１２を形成した。第３の導電性ペースト塗布後、半導体基板１をオーブンに投入して１５０℃で３０分保持すると、有機銀化合物が焼結した。第３の導電性ペーストは平均直径が数ｎｍの金属微粒子と分散剤とバインダを含むものでもよい。また、導電性ペーストを用いずに、銅メッキなどでコンタクト１２を形成してもよい。
【００３３】
図８は半導体基板１の裏面を後退させプラグ１１を貫通させる工程を説明する断面図である。プラグ１１が露出するまで、半導体基板１の裏面を研磨により後退させた。半導体基板１の裏面はウェットエッチングにより後退させてもよい。
【００３４】
図９は半導体基板１の裏面に裏面配線１５を形成しバンプ１７を形成する工程を説明する断面図である。半導体基板１の裏面を、裏面絶縁膜１６で被覆した。裏面絶縁膜１６はポリイミドを用いて、露光、現像することにより形成した。次に銅メッキにより裏面配線１５を形成した後に、ポリイミドの裏面保護膜１８を形成した。最後に、はんだボールを所定の位置に搭載し、リフローしてバンプ１７を形成した。
【００３５】
図１０は、図１から図９の工程を経た半導体基板１を個片化して形成した半導体装置２２の構造を説明する断面図である。なお、導電性ペーストの焼結後の電気抵抗率は、バインダと金属粒子１３と金属微粒子の混合比に左右されるため、電気抵抗率が最小となるような割合で混合されている。しかしながら、図１１〜図１３に示したプロセスでは、ビア３の側壁に第１導電性ペーストに含まれるバインダと金属微粒子とが付着し、金属粒子１３がビア底面付近に沈降するため、ビア底面付近でのバインダと金属粒子１３と金属微粒子の混合比は、希釈前のハイブリッド銀ペーストＮＰＳ−ＨＳと異なる。金属粒子１３が密集するビア底面付近での電気抵抗率を小さくするためには、ビア３の側壁に付着するバインダと金属微粒子の量を考慮し、最適な混合比よりも金属粒子１３の比率を少なめにするほうが好ましい。
【００３６】
図２１は比較例として、ハイブリッド銀ペーストＮＰＳ−ＨＳに加える溶剤（ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル）の量を変えて、半導体基板に形成したビアに充填し、予備乾燥して焼結したものを、断面観察した結果である。ビアの形状は、開口部は１辺が約８０μｍの略正方形、底面は１辺が約６５μｍの略正方形、深さが約１１０μｍの四角錐台である。なお、側壁絶縁膜は形成していない。条件は４種類で、条件１は溶剤を含まない導電性ペースト、条件２から４は、希釈後の導電性ペーストに含まれる溶剤の含有率の体積比が、それぞれ２０％、２９％、３３％である。焼結後の結果として、各条件について３０個のビアに導電性ペーストを充填して焼結し、断面を観察した結果を示した。
【００３７】
条件１については、図１７に示したビア３の底面の隅の部分で導電性ペースト２６が充填されずに空隙２７が生じたまま焼結したプラグがあった。また、条件２は、焼結後のプラグ内に図１６に示したボイド２１が残存した。条件３および条件４の導電性ペーストでは焼結したプラグにはボイドが残存せず、良好なプラグが形成された。したがって、第１の導電性ペーストに含まれる溶剤の含有量は、少なくとも体積の２０％より大きいことが望ましい。
【００３８】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施の形態のみによって解釈されるのではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施の形態の導電性ペーストのビア充填方法において、第１導電性ペーストをビアに充填し乾燥する工程を説明する断面図であり、印刷時の状態を説明する断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の導電性ペーストのビア充填方法において、第１導電性ペーストをビアに充填し乾燥する工程を説明する断面図であり、第１導電性ペーストをビアに充填した直後の状態を説明する断面図である。
【図３】本発明の実施の形態の導電性ペーストのビア充填方法において、第１導電性ペーストをビアに充填し乾燥する工程を説明する断面図であり、乾燥工程を経たことによってビアに充填した第１導電性ペーストから溶剤が揮発した状態を説明する断面図である。
【図４】本発明の実施の形態の導電性ペーストのビア充填方法において、第１導電性ペーストが部分的に充填されているビアに、第２導電性ペーストを、印刷法によって充填した状態を説明する断面図である。
【図５】本発明の実施の形態の導電性ペーストのビア充填方法において、ビアに充填されていた第２導電性ペーストを乾燥させた状態を説明する断面図である。
【図６】本発明の実施の形態の導電性ペーストのビア充填方法において、第１導電性ペーストおよび第２導電性ペーストを焼結してプラグを形成した状態を説明する断面図である。
【図７】本発明の導電性ペーストのビア充填方法を用いて半導体装置を製造する工程において、パッドとプラグの導通と得るためのコンタクトを形成するプロセスを説明する断面図である。
【図８】本発明の導電性ペーストのビア充填方法を用いて半導体装置を製造する工程において、半導体基板の裏面を後退させプラグを貫通させる工程を説明する断面図である。
【図９】本発明の導電性ペーストのビア充填方法を用いて半導体装置を製造する工程において、半導体基板の裏面に裏面配線を形成しバンプを形成する工程を説明する断面図である。
【図１０】本発明の導電性ペーストのビア充填方法を用いて製造した半導体装置の構造を説明する断面図である。
【図１１】本発明の導電性ペーストのビア充填方法において、ビアに充填された第１導電性ペーストの乾燥工程中の挙動を説明する第１断面図である。
【図１２】本発明の導電性ペーストのビア充填方法において、ビアに充填された第１導電性ペーストの乾燥工程中の挙動を説明する第２断面図である。
【図１３】本発明の導電性ペーストのビア充填方法において、ビアに充填された第１導電性ペーストの乾燥工程中の挙動を説明する第３断面図である。
【図１４】第１の背景技術における積層型半導体モジュールの構造を説明する斜視図である。
【図１５】第１の背景技術における積層型半導体モジュールの構造を説明する断面図である。
【図１６】背景技術における導電性ペーストのビア充填方法における課題を説明する断面図である。
【図１７】背景技術における導電性ペーストのビア充填方法における、図１６とは異なる課題を説明する第１断面図である。
【図１８】背景技術における導電性ペーストのビア充填方法における、図１６とは異なる課題を説明する第２断面図である。
【図１９】背景技術における導電性ペーストのビア充填方法における、図６〜図１８とは異なる課題を説明する第１断面図である。
【図２０】背景技術における導電性ペーストのビア充填方法における、図６〜図１８とは異なる課題を説明する第２断面図である。
【図２１】ハイブリッド銀ペーストＮＰＳ−ＨＳに加える溶剤の量を変えて、半導体基板に形成したビアに充填し、予備乾燥して焼結したものを、断面観察した結果を示す図である。
【符号の説明】
【００４０】
１  半導体基板、２  表面絶縁膜、３  ビア、４  側壁絶縁膜、５  パッド、６  第１導電ペースト、９  第２導電性ペースト、１１  プラグ、１２  コンタクト、１３  金属粒子、１４  樹脂成分、２１  ボイド、２２  半導体装置、２４  半導体モジュール、２６  導電性ペースト、２７  空隙。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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