(57)【要約】【課題】  簡単に調光の操作を行えると共に、各国の事情に合わせて仕様を変更でき、新たな製品を短時間で開発することが可能な蛍光灯の調光回路を提供する。【解決手段】  タッチ電極Ｍ１は、指が接触するとタッチ検出信号を発生する。マイクロプロセッサＵ１は、タッチ電極Ｍ１からのタッチ検出信号が入力されると、タッチ回数に応じて、高周波信号の周波数を段階的に切り換える。このマイクロプロセッサＵ１からの高周波信号に基づいてパワーＭＯＳＦＥＴをオン／オフし、直流電源をスイッチングし、蛍光管５に高周波交流電力を供給する。マイクロプロセッサＵ１は、高周波信号の周波数をプログラムによりディジタル的に設定できる。これにより、各国の事情に合わせて仕様を変更したり、新たな製品を短時間で開発したりすることが可能になる。【選択図】        図１
2005209582.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
指の接触によりタッチ検出信号を発生するタッチ検出手段と、
前記タッチ検出手段からのタッチ検出信号を入力し、前記タッチ検出信号に応じて周波数の異なる高周波信号を出力する制御手段と、
前記制御手段からの高周波信号に基づいて直流電源をスイッチングし、蛍光管に高周波交流電力を供給するスイッチング手段とを備え、
前記制御手段からの出力信号に基づいて蛍光灯を調光するようにしたことを特徴とする蛍光灯の調光回路。
【請求項２】
前記制御手段は、前記タッチ検出信号に対する高周波信号の周波数をプログラムによりディジタル的に設定できるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の蛍光灯の調光回路。
【請求項３】
第１のタッチ検出手段と第２のタッチ検出手段を設け、一方のタッチ検出手段からのタッチ検出信号により前記蛍光灯が段階的に明るくなるように調光し、他方のタッチ検出手段からのタッチ信号により前記蛍光灯が段階的に暗くなるように調光するようにしたことを特徴とする請求項１に記載の蛍光灯の調光回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に、インバータ型の卓上蛍光灯スタンドに用いて好適な蛍光灯の調光回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
インバータ型の蛍光灯は、調光機能を設けることができる。特許文献１には、放電灯を調光点灯するために、正弦波電圧のピーク部を残して両端部を切り取るように位相制御し、この位相制御された電圧を供給するようにしたものが開示されている。例えば、部屋の天井に取り付けられるインバータ型の蛍光灯の中には調光機能を有するものが多く販売されている。このような調光機能を有する蛍光灯では、例えばリモコンを使って光量を調節できるようになっている。
【特許文献１】特公平３−３０２７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このように、部屋の天井に取り付けられるインバータ型の蛍光灯の中には調光機能を有するものが販売されているが、卓上蛍光灯スタンドでは、従来、調光機能は設けられているものは殆ど見受けられない。そこで、本願出願人は、調光機能を備え、高機能化を図るようにした卓上蛍光燈スタンドの開発を進めている。このような調光機能を備えた卓上蛍光燈スタンドを開発していく課程において、以下のような課題が生じた。
【０００４】
部屋の天井に取り付けられるインバータ型の蛍光灯の調光は、従来、リモコンを使って行われている。しかしながら、卓上蛍光灯スタンドは、手元に置いて操作されるため、リモコンでの操作するのでは、操作がし難い。
【０００５】
製品を輸出することを考慮すると、各国の事情に合わせて、製品を仕上げていく必要がある。商用電源の電圧は、各国毎に異なっている。また、好まれる明るさは、各国の生活状況により変わってくる。したがって、各国の事情に合わせて、簡単に仕様を変更できることが望まれる。また、開発競争を考慮すると、短時間に新たな製品を開発し、顧客のニーズに合った多種多様な製品を開発していくことが望まれる。したがって、設計変更が容易で、新たな製品を短時間で開発できるようにすることが望まれる。しかしながら、従来のアナログ回路を中心とした調光回路では、各国の事情に合わせて仕様を変更したり、新たな製品を短時間で開発することが困難である。
【０００６】
本発明は、上述の課題を鑑み、手元に置いて簡単に調光の操作を行えると共に、各国の事情に合わせて仕様を変更したり、新たな製品を短時間で開発することが可能な蛍光灯の調光回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係わる蛍光灯の調光回路は、指の接触によりタッチ検出信号を発生するタッチ検出手段と、タッチ検出手段からのタッチ検出信号を入力し、タッチ検出信号に応じて周波数の異なる高周波信号を出力する制御手段と、制御手段からの高周波信号に基づいて直流電源をスイッチングし、蛍光管に高周波交流電力を供給するスイッチング手段とを備え、制御手段からの出力信号に基づいて蛍光灯を調光するようにしたことを特徴とする。
【０００８】
本発明に係わる蛍光灯の調光回路において、制御手段は、タッチ検出信号に対する高周波信号の周波数をプログラムによりディジタル的に設定できるようにしたことを特徴とする。
【０００９】
本発明に係わる蛍光灯の調光回路において、第１のタッチ検出手段と第２のタッチ検出手段を設け、一方のタッチ検出手段からのタッチ検出信号により蛍光灯が段階的に明るくなるように調光し、他方のタッチ検出手段からのタッチ信号により蛍光灯が段階的に暗くなるように調光するようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る蛍光灯の調光回路によれば、指の接触によりタッチ検出信号を発生するタッチ検出手段と、タッチ検出手段からのタッチ検出信号を入力し、タッチ検出信号に応じて周波数の異なる高周波信号を出力する制御手段と、制御手段からの高周波信号に基づいて直流電源をスイッチングし、蛍光管に高周波交流電力を供給するスイッチング手段とを備え、制御手段からの出力信号に基づいて蛍光灯を調光するようにしている。このように、高周波信号の周波数を切り換えに制御回路を用いているので、各国の事情に合わせて仕様に合わせて、最適な調光を行える。また、タッチ検出手段を用いて調光の切り換えを行っているので、蛍光灯スタンドを手元に置いて簡単に調光の操作を行える。
【００１１】
また、本発明に係る蛍光灯の調光回路によれば、制御手段を、タッチ検出信号に対する高周波信号の周波数をプログラムによりディジタル的に設定できるようにしているので、各国の事情に合わせて仕様を変更したり、新たな製品を短時間で開発したりすることができる。
【００１２】
また、本発明に係わる蛍光灯の調光回路において、第１のタッチ検出手段と第２のタッチ検出手段を設け、一方のタッチ検出手段からのタッチ検出信号により蛍光灯が段階的に明るくなるように調光し、他方のタッチ検出手段からのタッチ信号により蛍光灯が段階的に暗くなるように調光することで、蛍光灯を段階的に明るくなるように設定することも、暗くなるように設定することも可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態を示すものである。図１において、符号１は点灯回路、符号２は調光制御回路である。点灯回路１は、周波数を制御することで調光を行えるようになっている。調光制御回路２は、インバータ型の点灯回路１に対する高周波信号の周波数を設定して調光を行うための制御回路である。後に説明するように、調光制御回路２は、マイクロプロセッサＵ１を使ってディジタル的に高周波信号の周波数を設定できるようになっている。
【００１４】
ＡＣプラグ１０からの商用交流電源は、コイルＬ１、コンデンサＣ１及びＣ２からなるノイズ除去用のフィルタを通って入力され、点灯回路１及び調光制御回路２に送られる。また、ＡＣプラグ１０からの電源をオン／オフするためのメインスイッチＫ１が設けられる。
【００１５】
点灯回路１においては、コイルＬ１、コンデンサＣ１及びＣ２からなるノイズ除去用のフィルタを介して供給された商用交流電源は、ダイオードＤ１及びＤ２、コンデンサＣ３及びＣ４により整流、平滑されて直流電源に変換され、電源ライン１１及び接地ライン１２に送られる。接地ライン１２は、コンデンサＣ２０を介して接地される。
【００１６】
電源ライン１１と接地ライン１２との間には、抵抗Ｒ１、コンデンサＣ５、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３との直列回路、パワーＭＯＳＦＥＴ(Metal Oxide  Semiconductor  Field  Effect  Transistor)Ｑ１とＱ３との直列回路、コンデンサＣ２４とコンデンサＣ２３との直列回路が設けられる。
【００１７】
パワーＭＯＳＦＥＴＱ１及びＱ３は、高周波でスイッチングされるトランジスタである。パワーＭＯＳＦＥＴＱ１及びＱ３のソースとドレインの間には、それぞれ、逆流防止用のダイオードＤ１２及びＤ１１が設けられる。
【００１８】
ＰＮＰトランジスタＱ２及びＰＮＰトランジスタＱ４は、パワーＭＯＳＦＥＴをドライブするためのトランジスタである。トランジスタＱ２のコレクタがパワーＭＯＳＦＥＴＱ１のゲートに接続される。トランジスタＱ２のエミッタがパワーＭＯＳＦＥＴＱ１とパワーＭＯＳＦＥＴＱ３との接続点に接続される。高周波トランスＬ２の巻線Ｌ２ｂの一端が抵抗Ｒ４を介してトランジスタＱ２のベースに接続される。巻線Ｌ２ｂの他端がトランジスタＱ２のエミッタに接続される。また、トランジスタＱ２のベースとそのエミッタとの間に、抵抗Ｒ７が接続される。トランジスタＱ２のベースとそのコレクタとの間に、ダイオードＤ９が接続される。
【００１９】
トランジスタＱ４のコレクタがパワーＭＯＳＦＥＴＱ３のゲートに接続される。トランジスタＱ４のエミッタが接地ライン１２に接続される。高周波トランスＬ２の巻線Ｌ２ｃの一端が抵抗Ｒ５を介してトランジスタＱ４のベースに接続される。巻線Ｌ２ｃの他端が接地ライン１２に接続される。また、トランジスタＱ４のベースと接地ライン１２との間に、抵抗Ｒ６が接続される。トランジスタＱ２のベースとそのコレクタとの間に、ダイオードＤ１０が接続される。
【００２０】
パワーＭＯＳＦＥＴＱ１とパワーＭＯＳＦＥＴＱ３との接続点が、チョークコイルＬ３の一端に接続される。また、電源ライン１１と、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１とパワーＭＯＳＦＥＴＱ３との接続点との間に、コンデンサＣ６が接続される。
【００２１】
チョークコイルＬ３の他端が蛍光管５のフィラメント５ａの一端に接続される。蛍光管５のフィラメント５ｂの一端は、コンデンサＣ２４を介して電源ライン１１に接続されると共に、コンデンサＣ２３を介して接地ライン１２に接続される。蛍光管５のフィラメント５ａの他端とフィラメント５ｂの他端との間に、コンデンサＣ２５が接続される。
【００２２】
高周波トランスＬ２の巻線Ｌ２ａには、後に説明するように、調光制御回路２からの高周波信号が供給される。巻線Ｌ２ａと、巻線Ｌ２ｂ及びＬ２ｃとは電磁結合されているため、高周波トランスＬ２の巻線Ｌ２ａに供給される高周波信号に対応する高周波信号が巻線Ｌ２ｂ及びＬ２ｃから出力される。巻線Ｌ２ｂ及びＬ２ｃの出力により、トランジスタＱ２及びＱ４がオン／オフされ、これにより、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１及びＱ３がオン／オフされる。巻線Ｌ２ｂと巻線Ｌ２ｃとは巻線方向が異なっているので、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１及びＱ３のうちの一方がオンのとき、他方がオフとなる。パワーＭＯＳＦＥＴＱ１及びＱ３が交互にオン／オフされることにより、高周波電力がチョークコイルＬ３に流され、蛍光管５が点灯される。
【００２３】
また、異常電圧を検出するために、チョークコイルＬ３の他端と接地ライン１２との間に、コンデンサＣ２２と抵抗Ｒ２１と抵抗Ｒ２０との直列接続が設けられる。抵抗Ｒ２１と抵抗Ｒ２０との接続点がダイオードＤ１６のアノードに接続される。ダイオードＤ１６のカソードと接地ライン１２との間に、コンデンサＣ２１及び抵抗Ｒ１９が接続される。また、ダイオードＤ１６のカソードは、双方向電圧素子ＤＢを介して、サイリスタＱ５のゲートに接続されると共に、ツェナダイオードＤ８、ダイオードＤ７を介して、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３との接続点に接続される。サイリスタＱ５のアノードがパワーＭＯＳＦＥＴＱ３のゲートに接続される。サイリスタＱ５のカソードが接地ライン１２に接続される。サイリスタＱ５のゲートと接地ライン１２との間に、抵抗Ｒ８が接続される。
【００２４】
チョークコイルＬ３の出力電圧が異常に上昇すると、ダイオードＤ１６の出力電圧が上昇する。ダイオードＤ１６の出力電圧が所定レベル以上に上昇すると、双方向電圧素子ＤＢを通じて、サイリスタＱ５のゲートに正電圧が与えられ、サイリスタＱ５がターンオンする。これにより、パワーＭＯＳＦＥＴＱ３のゲートが接地電位になり、パワーＭＯＳＦＥＴＱ３のスイッチング動作が停止される。
【００２５】
調光制御回路２においては、コイルＬ１、コンデンサＣ１及びＣ２からなるノイズ除去用のフィルタに供給された商用交流電源は、電源トランスＴ１に供給される。電源トランスＴ１で、例えば１００Ｖの交流電圧が例えば１６Ｖに変換される。この１６Ｖの交流電源は、ダイオードＤ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６、コンデンサＣ１４で、整流、平滑され、直流電源に変換される。この直流電源は、抵抗Ｒ１０を介して電源ライン２１に送られると共に、マイクロプロセッサＵ１用の電源Ｖｃｃ（例えば５Ｖ）を形成するために、抵抗Ｒ１１を介して、３端子レギュレータＱ９の電源入力端子に送られる。３端子レギュレータＱ９により、電源Ｖｃｃが形成される。３端子レギュレータＱ９の電源出力端子と接地ライン２２との間には、コンデンサＣ１９、コンデンサＣ１８が設けられる。
【００２６】
電源ライン２１と接地ライン２２との間には、コンデンサＣ９、コンデンサＣ８、ツェナダイオードＤ１５が接続される。コンデンサＣ９、コンデンサＣ８、ツェナダイオードＤ１５は、電源ライン２１と接地ライン２２との間の直流電圧を平滑し、定電圧にするものである。
【００２７】
また、電源ライン２１と接地ライン２２との間には、ＮＰＮトランジスタＱ６とＰＮＰトランジスタＱ７の直列接続が接続されると共に、コンデンサＣ１２とコンデンサＣ１３との直列接続が接続される。トランジスタＱ６のコレクタとそのエミッタとの間には逆流防止ダイオードＤ１３が接続され、トランジスタＱ７のコレクタとそのエミッタとの間には逆流防止ダイオードＤ１４が接続される。
【００２８】
ＮＰＮトランジスタＱ８のエミッタは接地ライン２２に接続される。トランジスタＱ８のコレクタは抵抗Ｒ１２を介して電源ライン２１に接続されると共に、トランジスタＱ７のベース及びトランジスタＱ６のベースに接続される。トランジスタＱ６のエミッタとトランジスタＱ７のコレクタとの接続点が、高周波トランスＬ２の巻線Ｌ２ａの一端に接続される。高周波トランスＬ２の巻線Ｌ２ａの他端がコンデンサＣ１２とコンデンサＣ１３との接続点に接続される。また、トランジスタＱ６のエミッタとトランジスタＱ７のコレクタとの接続点と、コンデンサＣ１２とコンデンサＣ１３との接続点との間に、抵抗Ｒ９とコンデンサＣ７との直列接続が接続される。
【００２９】
トランジスタＱ８のベースは、抵抗Ｒ１３とコンデンサＣ１０の並列接続を介して、マイクロプロセッサＵ１の１２番ピンに接続される。後に説明するように、マイクロプロセッサＵ１の１２番ピンからは、高周波信号が出力され、この高周波信号がトランジスタＱ８のベースに供給される。
【００３０】
トランジスタＱ８に与えられる高周波信号がローレベルの間では、トランジスタＱ８はオフする。トランジスタＱ８がオフのときには、トランジスタＱ８のコレクタがハイレベルになり、トランジスタＱ６がオンし、トランジスタＱ７がオフする。このため、電源ライン２１からトランジスタＱ６を通った電流が高周波トランスＬ２の巻線Ｌ２ａを通ってコンデンサＣ１２とコンデンサＣ１３との接続点に流れ込み、高周波トランスＬ２の巻線Ｌ２ａの一端から他端に向かって電流が流れる。
【００３１】
トランジスタＱ８に与えられる高周波信号がハイレベルの間では、トランジスタＱ８はオンする。トランジスタＱ８がオンのときには、トランジスタＱ８のコレクタがローレベルになり、トランジスタＱ７がオンし、トランジスタＱ６がオフする。このため、コンデンサＣ１２とコンデンサＣ１３との接続点からの電流が高周波トランスＬ２の巻線Ｌ２ａを通ってトランジスタＱ６のベースとトランジスタＱ７のコレクタとの接続点に流れ込み、高周波トランスＬ２の巻線Ｌ２ａの他端から一端に向かって電流が流れる。
【００３２】
マイクロプロセッサＵ１は、プログラムの指令に基づいて動作を行うディジタル制御回路で、プログラムを蓄積するためのメモリ、カウンタ、レジスタ、累積加算器等からなる。その１０番ピンは電源電圧の供給端子であり、ここには、３端子レギュレータＱ９で形成された電源電圧Ｖｃｃが供給される。９番ピンは接地端子である。６番ピンと８番ピンはクロック端子であり、ここには、セラミック振動子ＣＹ、コンデンサＣ１６及びＣ１７が接続される。７番ピンはリセット端子である。１番ピン、２番ピン、１２番ピンは、双方向の入出力端子である。
【００３３】
この例では、マイクロプロセッサＵ１のプログラミングにより、１番ピンがタッチ検出信号の入力端子、２番ピンが操作音信号の出力端子、１２番ピンが高周波信号の出力端子に設定されている。１番ピンには、抵抗Ｒ１６を介してタッチ電極Ｍ１が接続されると共に、抵抗Ｒ１７及びコンデンサＣ１５を介して接地される。人の指がタッチ電極Ｍ１に触れると、１番ピンにタッチ検出信号が入力される。２番ピンは、抵抗Ｒ１８を介してトランジスタＱ１０のベースに接続される。トランジスタＱ１０のコレクタは、スピーカＹ１の一端に接続される。スピーカＹ１の他端は、抵抗Ｒ１５を介して、電源電圧Ｖｃｃに接続される。トランジスタＱ１０のエミッタは接地される。１２番ピンは、抵抗Ｒ１３とコンデンサＣ１０との並列接続を介して、トランジスタＱ８に接続される。
【００３４】
図２は、マイクロプロセッサＵ１の動作を示すフローチャートである。図２に示すように、タッチ回数カウンタの値が「０」に初期化される（ステップＳ１）。１番ピンにタッチ検出信号が入力されたかどうかが判断され（ステップＳ２）、タッチ検出信号が入力されたら、２番ピンから操作音信号が出力される（ステップＳ３）。そして、タッチ回数カウンタの値が１つインクリメントされる（ステップＳ４）。タッチ回数カウンタの値が「５」であるかどうかが判断され（ステップＳ５）、タッチ回数カウンタの値が「５」であれば、タッチ回数カウンタの値が「０」に設定される（ステップＳ５）。
【００３５】
このように、タッチ検出信号が検出される毎に、タッチ回数カウンタの値を１ずつインクリメントし、タッチ回数カウンタの値が「５」になったら、タッチ回数カウンタの値を「０」にセットすることで、タッチ回数が、「０」から「４」までカウントされる。このタッチ回数のカウント値に基づいて、高周波信号の周波数が設定される。
【００３６】
すなわち、タッチ回数カウンタの値が「１」かどうかが判断され（ステップＳ７）、タッチ回数カウンタの値が「１」なら、１２番ピンから最も高い周波数Ｆ１（例えば４１．７ｋＨｚ）の高周波信号が出力され（ステップＳ８）、ステップＳ２にリターンされる。
【００３７】
タッチ回数カウンタの値が「１」でなければ、タッチ回数カウンタの値が「２」かどうかが判断され（ステップＳ９）、タッチ回数カウンタの値が「２」なら、１２番ピンから２番目に高い周波数Ｆ２（例えば３３．３２ｋＨｚ）の高周波信号が出力され（ステップＳ１０）、ステップＳ２にリターンされる。
【００３８】
タッチ回数カウンタの値が「２」でなければ、タッチ回数カウンタの値が「３」かどうかが判断され（ステップＳ１１）、タッチ回数カウンタの値が「３」なら、１２番ピンから３番目に高い周波数Ｆ３（例えば２５．２２ｋＨｚ）の高周波信号が出力され（ステップＳ１２）、ステップＳ２にリターンされる。
【００３９】
タッチ回数カウンタの値が「３」でなければ、タッチ回数カウンタの値が「４」かどうかが判断され（ステップＳ１３）、タッチ回数カウンタの値が「４」なら、１２番ピンから最も低い周波数Ｆ３（例えば２０．３５ｋＨｚ）の高周波信号が出力され（ステップＳ１４）、ステップＳ２にリターンされる。
【００４０】
タッチ回数カウンタの値が「４」でなければ、タッチ回数カウンタの値が「０」かどうかが判断され（ステップＳ１５）、タッチ回数カウンタの値が「０」なら、１２番ピンから高周波信号が出力が停止され（ステップＳ１６）、ステップＳ２にリターンされるそして、
以上のような処理により、人間の手がタッチ電極Ｍ１に触れる毎に、マイクロプロセッサＵ１の１２番ピンからは、周波数の異なる高周波信号が出力される。すなわち、この例では、マイクロプロセッサＵ１の１２番ピンからは、タッチ電極Ｍ１を１回触れると、周波数Ｆ１（４１．７ｋＨｚ）の高周波信号が出力され、タッチ電極Ｍ１を２回触れると、周波数Ｆ２（３３．３２ｋＨｚ）の高周波信号が出力され、タッチ電極Ｍ１を３回触れると、周波数Ｆ３（２５．２２ｋＨｚ）の高周波信号が出力され、タッチ電極Ｍ１を４回触れると、周波数Ｆ４（２０．３５ｋＨｚ）の高周波信号が出力される。このように、手でタッチ電極Ｍ１に触れる毎に、マイクロプロセッサＵ１の１２番ピンから出力される高周波信号の周波数が段階的に下がっていく。タッチ電極Ｍ１に５回触れると、マイクロプロセッサＵ１の１２番ピンから出力される高周波信号が停止される。
【００４１】
前述したように、トランジスタＱ８のベースは、抵抗Ｒ１３とコンデンサＣ１０の並列接続を介して、マイクロプロセッサＵ１の１２番ピンに接続されており、マイクロプロセッサＵ１の１２番ピンからの高周波信号がトランジスタＱ８のベースに供給されると、トランジスタＱ６、Ｑ７、抵抗Ｒ１２、コンデンサ１２、１３により、この高周波信号に応じた電流が高周波トランスＬ２の巻線Ｌ２ａに流される。
【００４２】
高周波トランスＬ２の巻線Ｌ２ａに供給される高周波信号に対応する高周波信号が巻線Ｌ２ｂ及びＬ２ｃから出力され、巻線Ｌ２ｂ及びＬ２ｃの出力により、トランジスタＱ２及びトランジスタＱ４がオン／オフされ、これにより、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１及びＱ３が交互にオン／オフされる。パワーＭＯＳＦＥＴＱ１及びＱ３が交互にオン／オフされることにより、高周波電力がチョークコイルＬ３に流され、蛍光管５が点灯される。
【００４３】
ここで、タッチ電極Ｍ１に手で触れる毎に、マイクロプロセッサＵ１の１２番ピンから周波数の異なる高周波信号を出力させることで、蛍光管５の明るさを切り換えることができる。すなわち、チョークコイルＬ３のインピーダンスは、２πｆＬ（ｆは周波数、Ｌはインダクタンス）で決まる。したがって、高周波信号の周波数が高くなるほど、チョークコイルＬ３のインピーダンスが大きくなり、蛍光管５の明るさが暗くなる。
【００４４】
この例では、タッチ電極Ｍ１に触れる毎に、マイクロプロセッサＵ１の１２番ピンから出力される高周波信号の周波数が下がっていくので、タッチ電極Ｍ１に触れる毎に、蛍光管５の明るさが段階的に明るくなる。
【００４５】
すなわち、この例では、タッチ電極Ｍ１を１回触れると、マイクロプロセッサＵ１の１２番ピンからの高周波信号が周波数Ｆ１（４１．７ｋＨｚ）となり、蛍光管５の明るさが最も暗くなる。タッチ電極Ｍ１を２回触れると、マイクロプロセッサＵ１の１２番ピンからの高周波信号が周波数Ｆ２（３３．３２ｋＨｚ）となり、蛍光管５の明るさが少し明るくなる。タッチ電極Ｍ１を３回触れると、マイクロプロセッサＵ１の１２番ピンからの高周波信号が周波数Ｆ３（２５．２２ｋＨｚ）となり、蛍光管５の明るさが更に明るくなる。タッチ電極Ｍ１を４回触れると、マイクロプロセッサＵ１の１２番ピンからの高周波信号が周波数Ｆ３（２０．３５ｋＨｚ）となり、蛍光管５の明るさが最も明るくなる。
【００４６】
以上説明したように、本発明の実施形態では、高周波信号をマイクロプロセッサＵ１を用いて発生させ、タッチ検出信号により、マイクロプロセッサＵ１から発生させる高周波信号の周波数を切り換えて調光を行うようにしている。マイクロプロセッサＵ１を用いると、タッチ検出信号に対する高周波信号の周波数をプログラムによりディジタル的に設定でき、各国の事情に合わせて仕様を変更したり、新たな製品を短時間で開発することが簡単に行える。また、タッチ検出信号を用いて調光の切り換えを行っているので、蛍光灯スタンドを手元に置いて簡単に調光の操作を行える。
【００４７】
なお、上述の例では、タッチ電極Ｍ１に触れる毎にマイクロプロセッサＵ１の１２番ピンから出力される高周波信号の周波数が下がり、蛍光管５の明るさが段階的に明るくなるようにしているが、タッチ電極Ｍ１に触れる毎にマイクロプロセッサＵ１の１２番ピンから出力される高周波信号の周波数が上がり、蛍光管５の明るさが段階的に暗くなるようにしても良い。このような変更は、マイクロプロセッサＵ１のプログラムにより簡単に行える。
【００４８】
また、図３に示すように、タッチ電極Ｍ１とタッチ電極Ｍ２の２つのタッチ電極を設け、タッチ電極Ｍ１に触れる毎にマイクロプロセッサＵ１の１２番ピンから出力される高周波信号の周波数が下がり、タッチ電極Ｍ２に触れる毎にマイクロプロセッサＵ１の１２番ピンから出力される高周波信号の周波数が上がり、タッチ電極Ｍ１に触れる毎に蛍光管５の明るさが段階的に明るくなり、タッチ電極Ｍ２に触れる毎に蛍光管５の明るさが段階的に暗くなるようにしても良い。
【００４９】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で様々な変形や応用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明が適用された蛍光灯の調光回路の一実施形態の接続図である。
【図２】本発明の実施形態におけるマイクロプロセッサの説明に用いるフローチャートである。
【図３】本発明の他の実施形態の説明に用いる接続図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  点灯回路
２  調光制御回路
５  蛍光管
Ｌ２  高周波トランス
Ｌ３  チョークコイル
Ｍ１  タッチ電極
Ｍ２  タッチ電極
Ｑ１，Ｑ３  パワーＭＯＳＦＥＴ
Ｕ１  マイクロプロセッサ
Ｙ１  スピーカ
【図１】
2005209582.tif 000003
【図２】
2005209582.tif 000004
【図３】
2005209582.tif 000005