(57)【要約】【課題】  半導体チップの形状が制約されず、かつ半導体チップの電極と導線とを安定して接合することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の半導体パッケージの製造方法は、表面にボンディングパッド９ａが形成された半導体チップ９を備える半導体パッケージ１の製造方法であって、以下の工程を含んでいる。ダイパッド５の一方の主表面上にダイパッド５よりも平面面積の大きい半導体チップ９が搭載される。ダイパッド５からはみ出した半導体チップ９のはみ出し部分９ｂの下にモールド２ａが形成される。モールド２ａを形成した後に、ボンディングパッド９ａと金線１０とが接合される。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に第１の電極が形成された第１の半導体チップを備える半導体装置の製造方法であって、
フレームの一方の主表面上に前記フレームよりも平面面積の大きい前記第１の半導体チップを搭載する工程と、
前記フレームからはみ出した前記第１の半導体チップのはみ出し部分の下に第１の樹脂層を形成する形成工程と、
前記形成工程の後に、前記第１電極と第１の導線とを接合する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
表面に第２の電極が形成された第２の半導体チップを前記フレームの一方の主表面上に搭載する工程と、
前記第２電極と第２の導線とを接合する工程とをさらに含み、
前記第１の半導体チップは前記第２の半導体チップを挟んで前記フレームの一方の主表面上に搭載される、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
表面に第２の電極が形成された第２の半導体チップを前記フレームの他方の主表面上に搭載する工程と、
前記第２電極と第２の導線とを接合する工程とをさらに含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の樹脂層をプラズマ処理するプラズマ処理工程と、
前記プラズマ処理工程の後に、前記第１の樹脂層に接触する第２の樹脂層を形成する工程とをさらに含む、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
フレームと、
前記フレームよりも平面面積が大きく、表面に第１電極が形成された第１の半導体チップと、
前記第１電極に接合された第１導線とを備え、
前記第１の半導体チップは前記フレームの一方の主表面上に搭載されており、
前記フレームからはみ出した前記第１の半導体チップのはみ出し部分の下を封止するための第１の樹脂層を備える、半導体装置。
【請求項６】
前記フレームと前記第１の半導体チップとに挟まれ、表面に第２電極が形成された第２の半導体チップと、
前記第２電極に接合された第２導線とをさらに備える、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記フレームの他方の主表面上に搭載され、表面に第２の電極が形成された第２の半導体チップと、
前記第２電極に接合された第２導線とをさらに備える、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の樹脂層と接触して形成された第２の樹脂層をさらに備える、請求項５〜７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とはともに同一の材料よりなる、請求項８に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、より特定的には、オーバーハング構造の半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表面実装型の半導体パッケージは、銅合金または鉄−ニッケル系合金のリードフレームのダイパッドに１つの半導体チップがダイボンディングにより搭載され、半導体チップのボンディングパッドとリードフレームのリードの先端とが金線等の金属細線でワイヤボンディングされ、所定の形状を持った金型にて樹脂モールドされた構成を有していた。
【０００３】
近年、半導体パッケージの小型化および多機能化が要求されている。このような要求を満たすことのできる構成として、複数の半導体チップを搭載したオーバーハング構造の半導体パッケージが提案されている。オーバーハング構造の半導体チップとは、ダイパッドよりも平面面積が大きい半導体チップをそれらの上に搭載した半導体パッケージである。
【０００４】
複数の半導体チップを搭載したオーバーハング構造の半導体パッケージの構成としては、大きく分けて２種類の構成が提案されている。複数の半導体チップを搭載したオーバーハング構造の半導体パッケージの一の構成として、リードフレームと、リードフレームのダイパッドの表面に搭載されたダイパッドよりも面積の大きな第１の半導体チップと、リードフレームのダイパッドのもう一方の表面に搭載されたダイパッドよりも面積の大きな第２の半導体チップと、第１および第２の半導体チップの各々の表面の端部に形成されたボンディングパッド（電極パッド）とリードフレームのリード部の先端とを電気的に接続する金線とを有する半導体パッケージが提案されている。
【０００５】
また、複数の半導体チップを搭載したオーバーハング構造の半導体パッケージの他の構成として、リードフレームと、リードフレームのダイパッドの表面に搭載されたダイパッドよりも面積の大きな第１の半導体チップと、第１の半導体チップ上に直接、またはスペーサを挟んで搭載された第１の半導体チップよりも面積の大きな第２の半導体チップと、第１および第２の半導体チップの各々の表面の端部に形成されたボンディングパッドとリードフレームのリード部の先端とを電気的に接続する金線とを有する半導体パッケージが提案されている。複数の半導体チップを搭載したオーバーハング構造の半導体パッケージは、たとえば特開２００１−３５８２８６号公報（特許文献１）に開示されている。
【０００６】
ところで、半導体パッケージの製造工程において、半導体チップのボンディングパッドに金線を接合するワイヤボンディングの方法には、たとえばネールヘッドボンディング法やサーモソニックボンディング法などがある。ネールヘッドボンディング法は、金線の先端を水素の炎や高電圧で溶融し、その先端にできた球を加圧治具で半導体チップ上のボンディングパッドに押し付けて接合を行なう方法である。また、サーモソニックボンディング法とは、補助的に加熱しながら金線の先端に超音波振動を与えて接合を行なう方法である。
【０００７】
これらの方法では、ボンディングパッドへの金線の接合の際に半導体チップに対して荷重および振動を与える。このため、オーバーハング構造の半導体パッケージにこれらの方法を採用する場合には、荷重および振動により半導体チップに撓みや沈み込みが生じるおそれがある。これを防ぐため、従来の半導体パッケージのワイヤボンディング時には、ダイパッドからはみ出した半導体チップのはみ出し部分が裏面から治工具で支えられていた。
【特許文献１】特開２００１−３５８２８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、オーバーハング構造の半導体パッケージでは、半導体パッケージの形状に起因して、ワイヤボンディング時に半導体チップを裏面から支えることができないという問題があった。この問題は、特に複数の半導体チップを搭載したオーバーハング構造の半導体パッケージで起こっていた。
【０００９】
たとえば、上記一の構成のオーバーハング構造の半導体パッケージでは、第１の半導体チップの裏面にダイパッドを挟んで第２の半導体チップが搭載されているので、第１の半導体チップのボンディングパッドに接合している金線（以下、第１の金線）は、第２の半導体チップの裏面付近に存在している。このため、第２の半導体チップのボンディングパッドに金線（以下、第２の金線）を接合する際に、治工具が第１の金線に妨げられて、第２の半導体チップを裏面から支えることができなかった。
【００１０】
また、上記他の構成のオーバーハング構造の半導体パッケージでは、第１の半導体チップの上に第２の半導体チップが搭載されているので、第１の半導体チップのボンディングパッドに接合している第１の金線は、第２の半導体チップの裏面付近に存在している。このため、上記他の構成の半導体パッケージでも同様に、治工具が第１の金線に妨げられて、第２の半導体チップを裏面から支えることができなかった。
【００１１】
このように、オーバーハング構造の半導体パッケージでは、ワイヤボンディング時に半導体チップを裏面から支えることができないので、ボンディングパッドへの金線の接合の際に半導体チップに撓みや沈み込みが生じやすく、ボンディングパッドと金線との接合状態が不安定になるという問題があった。
【００１２】
特に、下の半導体チップの平面面積やダイパッドの平面面積などに対して搭載される半導体チップの平面面積が非常に大きい場合には、ボンディングパッドと金線との接合状態が一層不安定になりやすい。このため、搭載する半導体チップの形状は、下の半導体チップやダイパッドなどの形状により制約されていた。
【００１３】
ここで、ボンディングパッドと金線とを安定して接合するために、金線を押し付ける力を強くし、超音波の出力を高める方法も考えられる。しかし、この方法では、荷重および振動が大きくなるために半導体チップに割れやダメージが生じやすく、ワイヤボンディング時の品質の低下を招いてしまう。
【００１４】
また、従来の半導体パッケージの構成では、半導体チップのオーバーハング量は１．０ｍｍ程度となるような構成が多く、この程度のオーバーハング量では半導体チップを下から支えるスペースを確保することはできない。さらに、半導体チップの薄型化に伴ない、縦位置のばらつきによっては治工具で支えることができないという問題が生じやすく、また、半導体チップを突き上げて破壊してしまうなどの問題も生じやすい。
【００１５】
したがって、本発明の目的は、半導体チップの形状が制約されず、かつ半導体チップの電極と導線とを安定して接合することのできる半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の半導体装置の製造方法は、表面に第１の電極が形成された第１の半導体チップを備える半導体装置の製造方法であって、以下の工程を含んでいる。フレームの一方の主表面上にフレームよりも平面面積の大きい第１の半導体チップが搭載される。フレームからはみ出した第１の半導体チップのはみ出し部分の下に第１の樹脂層が形成される。第１の樹脂層を形成した後に、第１電極と第１の導線とが接合される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、第１の半導体チップのはみ出し部分の下に導線などの部材が存在していても、第１の樹脂層によってそれらの部材が封止される。このため、はみ出し部分の下に存在する部材に妨げられることなく、はみ出し部分を埋める第１の樹脂層によって第１の半導体チップを裏面から支えることができる。これにより、フレームよりも平面面積の大きい第１の半導体チップを搭載しても、第１電極と第１の導線との接合時に第１の半導体チップに撓みや沈み込みが発生するのを防ぐことができる。したがって、第１の半導体チップの形状が制約されずに、第１の半導体チップの第１電極と第１の導線とを安定して接合することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
【００１９】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における半導体パッケージの構成を概略的に示す平面図である。図２は図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【００２０】
図１および図２に示すように、本実施の形態の半導体装置としての半導体パッケージ１は、第１の樹脂層としてのモールド２ａと、第２の樹脂層としてのモールド２ｂと、複数のリード３と、フレームとしてのダイパッド５と、第１の半導体チップとしての半導体チップ９と、第２の半導体チップとしての半導体チップ６と、第１の導線としての金線１０と、第２の導線としての金線７とを備えている。また、複数のリード３は、半導体チップ６および９の外周を囲むように配置されており、リード３の一端は外部へ露出している。
【００２１】
半導体チップ６は、図示しない銀ペーストにより固着されてダイパッド５の一方の主表面上に搭載されている。そして、半導体チップ６の主表面上に半導体チップ９が搭載されている。すなわち、半導体チップ６は、ダイパッド５と半導体チップ９とに挟まれている。ダイパッド５と、半導体チップ６および９は、たとえば略正方形の平面形状を有しており、ともにダイパッド５よりも平面面積が大きい。すなわち、半導体チップ６および９はオーバーハング構造となっている。
【００２２】
半導体チップ６の表面の周辺部分には、第２電極としての複数のボンディングパッド６ａが形成されており、半導体チップ６の複数のボンディングパッド６ａの各々と複数のリード３の各々とが金線７によって接続されている。また、半導体チップ９の表面には、第１電極としての複数のボンディングパッド９ａが形成されており、半導体チップ９の複数のボンディングパッド９ａの各々と複数のリード３の各々とが金線１０によって接続されている。半導体チップ９のはみ出し部分９ｂの下はモールド２ａによって封止されており、半導体チップ６および９と、金線７と、ダイパッド５との各々もモールド２ａによって封止されている。そして、金線１０と、リード３とは、モールド２ｂによって封止されている。モールド２ａとモールド２ｂとは互いに接触しており、モールド２ｂはモールド２ａを包むように形成されている。モールド２ａとモールド２ｂとはともに同一の材料よりなっている。
【００２３】
ここで、モールド２ａとモールド２ｂとが同一の材料よりなる場合であっても、モールド２ａとモールド２ｂとは別々の製造工程にて形成されるので、モールド２ａの組織とモールド２ｂと組織とは異なっている。したがって、モールド２ａとモールド２ｂとの界面は明確になる。モールド２ａとモールド２ｂとが互いに異なる材料よりなっていてもよい。この場合には、モールド２ａとモールド２ｂとの界面は当然明確になる。
【００２４】
続いて、本実施の形態の半導体パッケージ１の製造方法について説明する。
【００２５】
図３〜図８は、本発明の実施の形態１における半導体パッケージの製造方法を工程順に示す図である。なお、図３、図４、図６、図７は断面図であり、図５および図８は平面図である。
【００２６】
始めに、図３に示すように、ダイパッド５と半導体チップ６とをたとえば銀ペーストなどで接着することにより、半導体チップ６がダイパッド５の一方の主表面上に搭載される。そして、半導体チップ６と半導体チップ９とをたとえば銀ペーストなどで接着することにより、半導体チップ６を挟んでダイパッド５の一方の主表面上に半導体チップ９が搭載される。
【００２７】
次に、図４および５に示すように、ダイパッド５を上下逆にし、半導体チップ６の表面の周辺部分に形成された複数のボンディングパッド６ａの各々と、複数のリード３の各々とが、金線７により接続される。すなわち、ボンディングパッド６ａと金線７とが接合され、リード３と金線７とが接合される。ボンディングパッド６ａと金線７との接合時において、半導体チップ６の周辺部分には下向き（図４中下方向）の力が加わる。半導体チップ６の周辺部分に加わる下向きの力の大きさは、通常０．３Ｎ〜１．２Ｎである。この下向きの力は半導体チップ９で受け止められるので、半導体チップ６に撓みや沈み込みのダメージは発生しない。
【００２８】
次に、図６に示すように、半導体チップ６と接触していない側の半導体チップ９の主表面とリード３とに保護シート２０が貼られる。そして、ダイパッド５と、半導体チップ６および９と、金線７と、リード３との各々を封止するためのモールド２ａが形成される。これにより、ダイパッド５からはみ出した半導体チップ９のはみ出し部分９ｂの下（図６中上側）に、モールド２ａが形成される。モールド２ａの形成方式は、トランスファ方式でもポッティング方式でもよい。モールド２ａは、たとえばエポキシ系の熱硬化性の封止用樹脂よりなっている。その後、酸素やアルゴンを用いてモールド２ａがプラズマ処理される。
【００２９】
次に、図７および図８に示すように、ダイパッド５を上下逆にし、半導体チップ９の表面の周辺部分に形成された複数のボンディングパッド９ａの各々と、複数のリード３の各々とが、金線１０により接続される。すなわち、ボンディングパッド９ａと金線１０とが接合され、リード３と金線７とが接合される。
【００３０】
ボンディングパッド９ａと金線１０との接合時に、半導体チップ９の周辺部分には下向き（図７中下方向）の力が加わる。しかし、本実施の形態では、ダイパッド５からはみ出した半導体チップ９のはみ出し部分９ｂの下にモールド２ａが形成されているので、この下向きの力はモールド２ａで受け止められる。したがって、半導体チップ９に撓みや沈み込みは発生しない。
【００３１】
その後、図２に示すように、金線１０を封止するためのモールド２ｂが形成される。モールド２ｂはモールド２ａと接触し、モールド２ａを包み込むように形成される。モールド２ｂは、たとえばエポキシ系の熱硬化性の封止用樹脂よりなっており、好ましくはモールド２ａと同じ材料よりなっている。モールド２ｂを形成した後、モールド２ｂから露出しているリード３が任意の形状に加工され、半導体パッケージ１が完成する。
【００３２】
本実施の形態の半導体パッケージ１およびその製造方法によれば、半導体チップ９のはみ出し部分９ｂの下に金線７が存在していても、モールド２ａによって金線７が封止される。このため、はみ出し部分９ｂの下の金線７に妨げられることなく、はみ出し部分９ｂを埋めるモールド２ａによって半導体チップ９を裏面から支えることができる。これにより、ダイパッド５よりも平面面積の大きい半導体チップ９を搭載しても、ボンディングパッド９ａと金線１０との接合時に半導体チップ９に撓みや沈み込みが発生するのを防ぐことができる。したがって、半導体チップ９の形状が制約されずに、半導体チップ９のボンディングパッド９ａと金線１０とを安定して接合することができる。特に、本実施の形態の半導体パッケージ１の製造方法によれば、半導体チップがどのような組み合わせでも安定して接合することができるので、半導体チップの選択の自由度を大きくすることができる。
【００３３】
本実施の形態の半導体パッケージ１は、ダイパッド５と半導体チップ９とに挟まれ、表面にボンディングパッド６ａが形成された半導体チップ６と、ボンディングパッド６ａに接合された金線７とをさらに備えている。
【００３４】
上記製造方法においては、表面にボンディングパッド６ａが形成された半導体チップ６がダイパッド５の一方の主表面上に搭載され、ボンディングパッド６ａと金線７とが接合される。半導体チップ９は半導体チップ６を挟んでダイパッド５の一方の主表面上に搭載される。
【００３５】
これにより、ダイパッド５の一方の主表面上に２つの半導体チップを積層した構成となり、半導体パッケージ１が複数の半導体チップを備えた構成となるので、半導体パッケージの小型化および多機能化を実現することができる。
【００３６】
本実施の形態の半導体パッケージ１は、モールド２ａと接触して形成されたモールド２ｂをさらに備えている。
【００３７】
これにより、モールド２ａで封止した部分以外の部分をモールド２ｂでさらに封止することができる。
【００３８】
本実施の形態の半導体パッケージ１において、モールド２ａとモールド２ｂとはともに同一の材料よりなっている。
【００３９】
これにより、半導体チップ６および９の動作時に半導体パッケージ１が高温になった場合に、モールド２ａとモールド２ｂとの間に線膨張係数の違いによる熱応力が発生しにくくなる。また、モールド２ａとモールド２ｂとの吸湿性の違いにより、モールド２ａとモールド２ｂとの間に応力が発生しにくくなる。
【００４０】
上記製造方法においては、モールド２ａがプラズマ処理され、プラズマ処理の後に、モールド２ａに接触するモールド２ｂが形成される。
【００４１】
これにより、プラズマの物理的な作用によりモールド２ａに付着した異物等を除去することができる。したがって、モールド２ａで封止した部分以外の部分をモールド２ｂによってさらに封止する場合に、モールド２ａとモールド２ａとの接着性を向上することができる。
【００４２】
なお、本実施の形態の半導体パッケージ１では、半導体チップ６がダイパッド５よりも平面面積が大きい場合について示した。しかしながら、半導体チップ６はダイパッド５よりも平面面積が小さくてもよい。また、半導体パッケージ１が半導体チップ６を備えておらず、オーバーハング構造の半導体チップ９のみを備えていてもよい。
【００４３】
また、本実施の形態の半導体パッケージ１の製造方法においては、モールド２ａを形成した直後にプラズマ処理を行なう場合について示した。しかしながら、本発明はこのような場合に限定されるものではなく、プラズマ処理はモールド２ｂを形成する前に行なわれればよい。
【００４４】
（実施の形態２）
図９は、本発明の実施の形態２における半導体パッケージの構成を概略的に示す断面図である。
【００４５】
図９に示すように、本実施の形態の半導体パッケージ１１において、半導体チップ９は図示しない銀ペーストにより固着されてダイパッド５の一方の主表面（図９中下側）上に搭載されている。また、半導体チップ６は図示しない銀ペーストにより固着されてダイパッド５の他方の主表面（図９中上側）上に搭載されている。半導体チップ９の平面面積はダイパッド５の平面面積よりも大きく、半導体チップ６の平面面積はダイパッド５の平面面積よりも小さい。
【００４６】
半導体チップ９のはみ出し部分９ｂの下（図９中上側）はモールド２ａによって封止されており、半導体チップ６と、金線７と、ダイパッド５と、半導体チップ９と、リード３との各々も、モールド２ａによって封止されている。金線１０はモールド２ｂによって封止されている。モールド２ａとモールド２ｂとは互いに接触している。
【００４７】
なお、これ以外の半導体パッケージ１１の構成は、図１および図２に示す実施の形態１の半導体パッケージ１の構成とほぼ同様であるので、同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００４８】
続いて、本実施の形態の半導体パッケージ１１の製造方法について説明する。
【００４９】
図１０〜図１４は、本発明の実施の形態２における半導体パッケージの製造方法を工程順に示す図である。なお、図１０、図１１、図１３、図１４は断面図であり、図１２は平面図である。
【００５０】
図１０に示すように、ダイパッド５と半導体チップ９とをたとえば銀ペーストなどで接着することにより、半導体チップ９がダイパッド５の一方の主表面上（図１０中下側）に搭載される。そして、ダイパッド５と半導体チップ６とをたとえば銀ペーストなどで接着することにより、半導体チップ６がダイパッド５の他方の主表面上（図１０中上側）に搭載される。
【００５１】
次に、図１１および図１２に示すように、半導体チップ６の表面の周辺部分に形成された複数のボンディングパッド６ａの各々と、複数のリード３の各々とが、金線１０により接続される。すなわち、ボンディングパッド６ａと金線７とが接合され、リード３と金線７とが接合される。ボンディングパッド６ａと金線７との接合時に、半導体チップ６の周辺部分には下向き（図１１中下方向）の力が加わるが、この下向きの力はダイパッド５で受け止められるので、半導体チップ６に撓みや沈み込みは発生しない。
【００５２】
次に、図１３に示すように、ダイパッド５と接触していない側の半導体チップ９の主表面とリード３とに保護シート２０が貼られる。そして、ダイパッド５と、半導体チップ６および９と、金線７と、リード３との各々を封止するためのモールド２ａが形成される。これにより、ダイパッド５からはみ出した半導体チップ９のはみ出し部分９ｂの下（図１３中上側）に、モールド２ａが形成される。その後、酸素やアルゴンを用いてモールド２ａがプラズマ処理される。
【００５３】
次に、図１４に示すように、ダイパッド５を上下逆にし、半導体チップ９の表面の周辺部分に形成された複数のボンディングパッド９ａの各々と、複数のリード３の各々とが、金線１０により接続される。すなわち、ボンディングパッド９ａと金線１０とが接合され、リード３と金線７とが接合される。
【００５４】
ボンディングパッド９ａと金線１０との接合時に、半導体チップ９の周辺部分には下向き（図１４中下方向）の力が加わる。しかし、本実施の形態では、ダイパッド５からはみ出した半導体チップ９のはみ出し部分９ｂの下にモールド２ａが形成されているので、この下向きの力はモールド２ａで受け止められる。したがって、半導体チップ９に撓みや沈み込みは発生しない。
【００５５】
その後、図９に示すように、金線１０を封止するためのモールド２ｂが形成される。モールド２ｂはモールド２ａと接触するように形成される。モールド２ｂを形成した後、モールド２ａから露出しているリード３が任意の形状に加工され、半導体パッケージ１が完成する。
【００５６】
本実施の形態の半導体パッケージ１１は、ダイパッド５の他方の主表面上に搭載され、表面にボンディングパッド６ａが形成された半導体チップ６と、ボンディングパッド６ａに接合された金線７とをさらに備えている。
【００５７】
本実施の形態の半導体パッケージ１１の製造方法は、表面にボンディングパッド６ａが形成された半導体チップ６がダイパッドの他方の主表面上に搭載され、ボンディングパッド６ａと金線７とが接合される。
【００５８】
これにより、ダイパッド５の２つの主表面上の各々に半導体チップを積層した構成となり、半導体パッケージ１が複数の半導体チップを備えた構成となるので、半導体パッケージの小型化および多機能化を実現することができる。
【００５９】
なお、本実施の形態においては、オーバーハング構造の半導体チップ９がダイパッド５の図９中下側に配置されており、半導体チップ６がダイパッド５の図９中上側に配置されている半導体パッケージ１１の製造方法について示した。しかしながら、本発明はこのような場合の他、たとえば図１５に示すような半導体パッケージ１２の製造方法にも適用することができる。図１５に示す半導体パッケージ１２では、オーバーハング構造の半導体チップ９が図１５中上側に配置されており、半導体チップ６が図１５中下側に配置されている。なお、これ以外の半導体パッケージ１２の構成は、図９に示す半導体パッケージ１１の構成とほぼ同様であるので、同一の部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００６０】
（実施の形態３）
図１６は、本発明の実施の形態３における半導体パッケージの構成を概略的に示す断面図である。
【００６１】
図１６に示すように、本実施の形態の半導体パッケージ１３においては、半導体チップ６と半導体チップ９との間にスペーサ１５が配置されている。このようにスペーサ１５を配置することにより、半導体チップ９とダイパッド５との間にダイパッド５よりも平面面積の小さい半導体チップ６を配置しても、半導体チップ６とリード３とを金線７で接続することができる。
【００６２】
本実施の形態の半導体パッケージ１３は、たとえば以下の製造方法により製造される。  
【００６３】
始めに、半導体チップ６がダイパッド５の一方の主表面上に搭載され、半導体チップ６の表面の周辺部分に形成された複数のボンディングパッド６ａの各々と、複数のリード３の各々とが、金線７により接続される。次に、半導体チップ６の表面上にスペーサ１５が搭載され、スペーサ１５の表面上に半導体チップ９が搭載される。次に、スペーサ１５からはみ出した半導体チップ９のはみ出し部分９ｂの下（図１６中下側）に、モールド２ａが形成される。次に、半導体チップ９の表面の周辺部分に形成された複数のボンディングパッド９ａの各々と、複数のリード３の各々とが、金線１０により接続される。その後、金線１０を封止するためのモールド２ｂが形成される。モールド２ｂはモールド２ａと接触し、モールド２ａを包み込むように形成される。そして、モールド２ｂから露出しているリード３が任意の形状に加工され、半導体パッケージ１３が完成する。
【００６４】
なお、これ以外の半導体パッケージ１３の構成およびその製造方法は、図１〜８に示す実施の形態１の半導体パッケージ１の構成およびその製造方法とほぼ同様であるので、同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００６５】
本実施の形態の半導体パッケージ１およびその製造方法によれば、半導体チップ９のはみ出し部分９ｂの下に金線７が存在していても、モールド２ａによって金線７が封止される。このため、はみ出し部分９ｂの下の金線７に妨げられることなく、はみ出し部分９ｂを埋めるモールド２ａによって半導体チップ９を裏面から支えることができる。これにより、ダイパッド５よりも平面面積の大きい半導体チップ９を搭載しても、ボンディングパッド９ａと金線１０との接合時に半導体チップ９に撓みや沈み込みが発生するのを防ぐことができる。したがって、半導体チップ９の形状が制約されずに、半導体チップ９のボンディングパッド９ａと金線１０とを安定して接合することができる。
【００６６】
以上に開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は、以上の実施の形態ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正や変形を含むものと意図される。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体パッケージの構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１における半導体パッケージの製造方法の第１工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１における半導体パッケージの製造方法の第２工程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１における半導体パッケージの製造方法の第２工程を示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態１における半導体パッケージの製造方法の第３工程を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１における半導体パッケージの製造方法の第４工程を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１における半導体パッケージの製造方法の第４工程を示す平面図である。
【図９】本発明の実施の形態２における半導体パッケージの構成を概略的に示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２における半導体パッケージの製造方法の第１工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２における半導体パッケージの製造方法の第２工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２における半導体パッケージの製造方法の第２工程を示す平面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２における半導体パッケージの製造方法の第３工程を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態２における半導体パッケージの製造方法の第４工程を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態２における半導体パッケージの他の構成を概略的に示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態３における半導体パッケージの構成を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１，１１〜１３  半導体パッケージ、２ａ，２ｂ  モールド、３  リード、５  ダイパッド、６，９  半導体チップ、６ａ，９ａ  ボンディングパッド、７，１０  金線、９ｂ  はみ出し部分、１５  スペーサ、２０  保護シート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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