(57)【要約】【課題】  マスター担体を構成するマスター基板において、その作製で原盤に積層した金属盤の剥離時に受けた力などによる変形（歪み量／反り）を規定してスレーブ媒体との密着性を確保し、転写特性を向上する。【解決手段】  磁気転写用マスター担体１は転写する情報に応じた凹凸パターンＰを有する金属製のマスター基板２を備え、このマスター基板２は、情報に応じた凹凸パターンが形成された原盤１３に電鋳等により所定厚さに積層された金属盤５が原盤１３より剥離されてなり、該マスター基板２の同一半径における１周での歪み量が７０μｍ以下である。また、同一半径における１周での歪み量における２次を越える成分が２０％以下、かつ反り量が１５０μｍ以下であるものが望ましい。【選択図】      図３
2005259210.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に転写する情報に応じた凹凸パターンを有する金属製のマスター基板と、凹凸パターン上に成膜された磁性層とを備えた磁気転写用マスター担体において、
前記マスター基板は、同一半径における１周での歪み量が７０μｍ以下であることを特徴とする磁気転写用マスター担体。
【請求項２】
前記マスター基板は、同一半径における１周での歪み量における２次を越える成分の比率が２０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気転写用マスター担体。
【請求項３】
前記マスター基板は、反り量が１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気転写用マスター担体。
【請求項４】
前記マスター基板は、Ｎｉ電鋳層で形成されてなることを特徴とする請求項１，２または３に記載の磁気転写用マスター担体。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか１項記載の磁気転写用マスター担体を用いて、該マスター担体の表面とスレーブ媒体である磁気記録媒体と密着させた状態で、転写用磁界を印加して前記情報を前記磁気記録媒体に転写することを特徴とする磁気転写装置。
【請求項６】
請求項１〜４いずれか１項記載の磁気転写用マスター担体と請求項５に記載の磁気転写装置を用いて、スレーブ媒体である磁気記録媒体と前記マスター担体とを密着させた状態で、転写用磁界を印加して前記情報を前記磁気記録媒体に転写することを特徴とする磁気転写方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写情報が担持されたマスター担体から転写を受けるスレーブ媒体へ磁気転写する磁気転写方法に使用する磁気転写用マスター担体および磁気転写装置並びに磁気転写方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
本発明の対象とする磁気転写は、少なくとも表層に磁性層を有するサーボ信号等の転写パターンが凹凸形状で形成されたマスター担体（パターンドマスター）を、磁気記録部を有するスレーブ媒体と密着させた状態で、転写用磁界を印加してマスター担体に担持した情報に対応する磁化パターンをスレーブ媒体に転写記録するものである。
【０００３】
上記スレーブ媒体がハードディスクまたは高密度フレキシブルディスクのような円盤状媒体の場合には、前記マスター担体も円盤状で、同心円状に形成された転写パターンを有し、スレーブ媒体の片面または両面にこのマスター担体を密着させた状態で、その片側または両側に電磁石装置、永久磁石装置による磁界印加装置を配設して転写用磁界を印加する。
【０００４】
上記磁気転写に使用するマスター担体の一例としては、基板の表面に情報信号に対応する凹凸パターンを形成し、この凹凸パターンの表面に薄膜磁性層を被覆形成してなるものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
そして、本発明が対象としているマスター担体は、例えば、次の工程により作製される。まず、Ｓｉ基板上に電子線レジストまたはフォトレジストを塗布し、電子ビームまたは光等により転写パターンを描画露光し、現像することによりレジストによる凹凸パターンを有する原盤を得る。次に、上記原盤の凹凸パターン上に例えばスパッタリングにより導電層を設け、さらにＮｉ電鋳を施して所定厚さの金属盤（Ｎｉ電鋳層）を積層する。次に、前記原盤より金属盤を剥離し、所定サイズへ打ち抜いてマスター基板（複版）を作製する。または打抜き前のマスター基板を原盤として、電鋳を繰り返して、剥離した金属盤を所定サイズに打ち抜いてマスター基板（複版）を作製する。次に、このマスター基板の凹凸パターン表面に磁性層を成膜して、磁性層による転写パターンを有するマスター担体を作製してなるものである。
【０００６】
上記マスター担体を用いた磁気転写は、このマスター担体と、ハードディスクやフレキシブルディスクなどの磁気記録媒体によるスレーブ媒体とを密着させ、磁気転写用の外部磁場を与えて転写パターンに応じた磁気信号をスレーブ媒体に転写記録するものである。
【０００７】
上記のようなＮｉ電鋳によるスタンパー作製技術は、光ディスク製造等で広く使われている。光ディスクでは一般にマスター基板（スタンパー）を元に、射出成形機にて樹脂製のディスク基板を作製するため、マスター基板の若干の歪み（変形）は射出成型時の圧力印加で解消される。一方、磁気転写においては、凹凸間隔が光ディスクより微細であり、パターン形成単位が３００ｎｍ以下、例えば５０ｎｍ、それ以下のレベルまで小さくなってきて、より高い精度が要求される。
【０００８】
ところで、上記のような磁気転写を行う際に、品質よく信号を転写するには、マスター担体とスレーブ媒体を均一に隙間なく密着させることが重要である。このため、密着圧力を高めたり、真空吸引で密着面に空気溜まりができないようにエア排出を行うことなどが実施されている。
【０００９】
しかし、密着圧力を高めることは、マスター担体のパターン破損や変形等を発生させる可能性があり、マスター担体の耐久性能を低下させる問題となる。高価で耐久性能を要する磁気転写用マスター担体においては、密着圧力を極端に高くすることは望ましくない。
【００１０】
前記のようなマスター基板をＳｉ基板で構成したマスター担体では、反り、歪みが小さいが、Ｓｉ基板に磁性体によるパターンを形成するのが煩雑で時間が掛かると共に、高コストとなる問題がある。一方、上記原盤をもとにＮｉ電鋳等で作製したマスター基板またはそれよりさらに複製したマスター基板を用いるマスター担体は、作製が容易であるとともに、１枚の原盤より複数のマスター基板が複製可能であり、コスト面などで有利となり実用的である。
【特許文献１】特開２００１−２５６６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、上記のような原盤を用いて金属盤を積層・剥離してなるマスター基板で構成したマスター担体では、原盤からの金属盤の引き剥がし工程、所定サイズへの打抜き工程等で発生した変形によりマスター基板は必ずしも平坦面ではなく、反りや歪みを持っている。
【００１２】
マスター基板すなわちマスター担体に反りや歪みがあると、スレーブ媒体との密着性が低下してスペーシングの発生要因となり、特にビット間隔が３００ｎｍ以下に小さくなると、上記スペーシング量が転写特性に大きく影響する。これに加え、マスター担体およびスレーブ媒体の表面性、磁性層上に耐久性向上のために被覆した保護層厚み等も影響する。このため、基本的にマスター担体の反りや歪み量を低下させることが重要である。
【００１３】
本発明はこのような点に鑑みなされたもので、原盤に積層した金属盤の剥離時に受けた力などによる変形（歪み量／反り）を規定してスレーブ媒体との密着性を確保するようにした磁気転写用マスター担体および磁気転写装置並びに磁気転写方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の磁気転写用マスター担体は、表面に転写する情報に応じた凹凸パターンを有する金属製のマスター基板と、凹凸パターン上に成膜された磁性層とを備えた磁気転写用マスター担体において、
前記マスター基板は、同一半径における１周での歪み量が７０μｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１５】
上記歪み量は、３０μｍ以下がより好ましく、さらには１０μｍ以下がより好ましい。
【００１６】
特に、前記マスター基板は、同一半径における１周での歪み量における２次を越える成分の比率が２０％以下（好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下）であることが好適である。また、マスター基板は、反り量が１５０μｍ以下（好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは４０μｍ以下）であるものが望ましい。このマスター基板は、Ｎｉ電鋳層で形成されてなるものが好適である。
【００１７】
前記原盤は、フォトレジストへの描画露光により形成された凹凸パターンに電鋳を施し、金属の型を取った後剥離してなる金属原盤で構成してもよい。
【００１８】
前記「歪み量」は、マスター基板の１周の変位における最も高い位置と低い位置との差で規定される。また、「反り量」は、マスター基板の内周部位と外周部位とで高さが異なるような反り変形において、同心円状の各トラックに対して変位の平均を取ったとき、最も変位値が高いトラックと、最も低いトラックの差で規定される。
【００１９】
本発明の磁気転写装置は、本発明の磁気転写用マスター担体を用いて、該マスター担体の表面とスレーブ媒体である磁気記録媒体と密着させた状態で、転写用磁界を印加して前記情報を前記磁気記録媒体に転写することを特徴とするものである。
【００２０】
本発明の磁気転写方法は、本発明の磁気転写用マスター担体および磁気転写装置を用いて、スレーブ媒体である磁気記録媒体と前記マスター担体とを密着させた状態で、転写用磁界を印加して前記情報を前記磁気記録媒体に転写することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２１】
上記のような本発明マスター担体によれば、マスター基板の同一半径における１周での歪み量が７０μｍ以下であることにより、平坦性を確保して磁気転写時のスレーブ媒体との良好な密着性を得て、スレーブ媒体に転写記録された信号のトラック１周当たりの出力のばらつき（信号振幅強度のばらつき：モジュレーション）が５％以下となり、例えばサーボフォローイング性能に影響を与えない十分な品質での転写が可能となった。
【００２２】
さらに、マスター基板の同一半径における１周での歪み量における２次を越える成分の歪み量が７０μｍ以下で、かつ２次成分を越える高次成分の比率が２０％以下であると、スレーブ媒体との密着時における圧力印加に伴う変形で歪みが低減し、スレーブ媒体との良好な密着性が得られる。
【００２３】
また、マスター基板の反り量が１５０μｍ以下であると、同様にスレーブ媒体との密着時における圧力印加に伴う変形で反りが低減し、スレーブ媒体との良好な密着性が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は本発明の一つの実施形態に係る磁気転写用マスター担体の部分断面図、図２はマスター基板の平面図、図３は一つの実施形態に係るマスター担体の作製工程を順に示す図である。なお、各図は模式図であり、実際の寸法とは異なる比率で示している。
【００２５】
図１に示す磁気転写用マスター担体１は、金属製のマスター基板２と磁性層３とで構成されてなり、マスター基板２は表面に転写情報に応じた微細な凹凸パターンＰ（転写パターン）を有し、その表面に磁性層３が被覆形成されてなる。
【００２６】
また、前記マスター基板２は、例えば電鋳により作製されたＮｉ製であり、図２に示すように、中心孔２ａをする円盤状に形成され、片面（情報担持面）の内周部および外径部を除く円環状領域に凹凸パターンＰが形成されている。このマスター基板２は、詳細は後述するように、情報に応じた凹凸パターンが形成された原盤に、Ｎｉ電鋳等によって所定厚さに金属盤が積層され、この金属盤が原盤より剥離され、外径および中心孔２ａの部分が所望のサイズに打ち抜かれて作製されてなる。そして、マスター基板２の同一半径における１周での歪み量が７０μｍ以下（好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下）である。特に、マスター基板２の同一半径における１周での歪み量における２次を越える成分の比率が２０％以下（好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下）である。また、このマスター基板２の反り量は１５０μｍ以下（好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは４０μｍ以下）である。
【００２７】
磁気転写方法は、図１に示すように、前記マスター担体１における磁性層３の表面（凹凸パターン）と、鎖線で示す転写を受けるスレーブ媒体４とを密着させて転写用磁界を印加して磁気転写する。その際、スレーブ媒体４は予め面内方向または垂直方向の一方に初期磁化が施され、転写用磁界はこの初期磁化とほぼ反対方向の面内方向または垂直方向に印加するものである。
【００２８】
そして、上記磁気転写時に印加された転写用磁界は、マスター担体１の凹凸パターンにおけるスレーブ媒体４と密着した磁性層３の凸部に吸い込まれ、面内記録の場合にはこの部分の初期磁化は反転せずその他の部分の初期磁化が反転し、垂直記録の場合にはこの部分の初期磁化が反転しその他の部分の初期磁化は反転しない結果、スレーブ媒体４の磁気記録層にはマスター担体１の凹凸パターンに応じた磁化パターンが転写記録される。磁性層３の凹凸パターンにおける突起の高さは、２０〜６００ｎｍの範囲が好ましく、さらに好ましくは３０〜３００ｎｍの範囲である。
【００２９】
なお、上記マスター担体１は、磁性層３の凹凸パターンが、ポジ状パターンと逆の凹凸形状のネガ状パターンの場合であっても、スレーブ媒体４に対する初期磁界の方向および転写用磁界の印加方向を逆の方向にすることによって同様の磁化パターンが転写記録できる。
【００３０】
磁気転写装置は、図示してないが、前記マスター担体１とスレーブ媒体４とを密着させる密着手段と、転写用磁界を印加する磁界印加手段などを備え、上記磁気転写方法をスレーブ媒体４を交換しながら順次実施するものである。
【００３１】
前記マスター基板２の一実施形態の作製方法を、図３(ａ)〜(ｅ)に基づいて説明する。
【００３２】
まず、(ａ)のように表面が平滑で清浄でシリコンウエハーによる原板１０（ガラス板、石英板でもよい）の上に、密着層形成等の下処理を行い、電子線レジスト液をスピンコート等で塗布してレジスト膜１１を形成し、ベーキングする。そして、高精度な回転ステージまたはＸ−Ｙステージを備えた不図示の電子ビーム露光装置にて、そのステージに搭載した上記原板１０に、サーボ信号等に対応して変調した電子ビームＢを照射し、そのレジスト膜１１に所望のパターンを描画露光する。その後、(ｂ)のように、レジスト膜１１を現像処理し、露光部分を除去して、残ったレジスト膜１１による所望厚みで所望の凹凸パターンＰを形成する。この凹凸パターンＰ上に、不図示のＮｉ導電膜を付与し、電鋳可能とした原盤１３を作製する。
【００３３】
次に、(ｃ)のように、上記原盤１３の全面に、電鋳装置にて電鋳処理を施し、所望厚みのＮｉ金属による金属盤５（電鋳層）を積層する。この金属盤５を、上記原盤１３から剥離し、残留するレジスト膜１１を除去・洗浄し、(ｄ)のように、反転した凹凸パターンＰを有する金属盤５を得る。なお、上記電鋳処理は、液濃度、ｐＨ、電流のかけ方、液温度調整等により、積層された電鋳層に歪みのない最適条件で実施する。
【００３４】
そして、外径Ｄの上記金属盤５の内径および外径を、(ｅ)のように、外径ｄの所定のサイズに打抜き加工して、マスター基板２を作製してなる。
【００３５】
なお、上記のように作製されたマスター基板２に、金属盤５を原盤１３より引き剥がした時、および打抜き加工時に受けた変形（歪み／反り）を除去し平坦化する歪み除去工程を施してもよい。この処理としては、例えば、マスター基板２を電気炉内の平坦面板上に載置し、２００〜３００℃の雰囲気下で、３０分〜２時間、例えば、２５０℃×１時間、平面放置状態で熱処理し、内部歪みを除去して変形を焼き戻すものである。
【００３６】
また、上記工程では、金属盤５を原盤１３から剥離する際に、金属盤５の外径Ｄが打抜き後のマスター基板２の外径ｄより、例えば１．７倍以上大きい（Ｄ≧１．７ｄ）ことにより、転写パターンＰの形成部分の外径より外周部分が広く、外周部分への力の作用による原盤１３からの剥離時の転写パターンＰの部位へ作用する力が均等化され、受ける変形を低減し、平坦性を向上している。
【００３７】
前記工程に続いて、図示してないが、上記マスター基板２の凹凸パターンＰの表面にスパッタリングにより磁性層３、必要に応じて保護層を成膜し、マスター担体１を作製するものである。
【００３８】
また、他の作製工程としては、前記原盤１３に電鋳を施して第２の原盤を作製し、この第２の原盤を使用して電鋳を行い、反転した凹凸パターンを有する金属盤を作製し、所定サイズに打ち抜いてマスター基板を作製してもよい。さらに、第２の原盤に電鋳を行うか樹脂液を押し付けて硬化を行って第３の原盤を作製し、第３の原盤に電鋳を行って金属盤を作製し、さらに反転した凹凸パターンを有する金属盤を剥離してマスター基板を作製してもよい。前記第２または第３の原盤を繰り返し使用し、複数の金属盤５を作製することができる
なお、前記原盤１３の作製において、レジスト膜１１を露光・現像処理した後、エッチング処理を行って、ウエハー原板１０の表面にエッチングによる凹凸パターンを形成してからレジスト膜１１を除去してもよい。この凹凸パターン上にＮｉ導電膜を施してから、図３(ｃ)と同様に、電鋳処理を施して凹凸パターンを有する原盤１３を作製してもよい。
【００３９】
また、図３では、電鋳処理により形成した原盤１３および金属盤５の裏面は平坦に示しているが、この裏面に表面の凹凸形状を反映した凹凸が形成されていてもマスター担体１の形成には問題がなく、必要に応じて研磨による平坦加工が施される。
【００４０】
前記磁性層３の形成は、磁性材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜手段、電鋳等のメッキ法などにより成膜する。磁性層３の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ）を用いることができる。特に好ましくはＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉである。磁性層３の厚みは、５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲が好ましく、さらに好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００４１】
なお、磁性層３の凹凸パターンにダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等の保護膜を設けることが好ましく、潤滑剤層を設けても良い。また保護膜として５〜３０ｎｍのＤＬＣ膜と潤滑剤層が存在することがさらに好ましい。潤滑剤は、スレーブ媒体４との接触過程で生じるずれを補正する際の、摩擦による傷の発生などの耐久性の劣化を改善する。
【００４２】
スレーブ媒体４は、両面または片面に磁性層が形成されたハードディスク、高密度フレキシブルディスクなどの円盤状磁気記録媒体が使用され、その磁気記録部は塗布型磁気記録層あるいは金属薄膜型磁気記録層で構成される。金属薄膜型磁気記録層の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＮｉ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、ＦｅＣｏＮｉ）を用いることができる。これは磁束密度が大きいこと、磁界印加方向と同じ方向（面内記録なら面内方向、垂直記録なら垂直方向）の磁気異方性を有していることが、明瞭な転写が行えるため好ましい。そして磁性材料の下（支持体側）に必要な磁気異方性をつけるために非磁性の下地層を設けることが好ましい。結晶構造と格子定数を磁性層に合わすことが必要である。そのためにはＣｒ、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ、Ｒｕ等を用いる。
【００４３】
初期磁界および転写用磁界を印加する磁界印加手段は、面内記録の場合には、例えば、スレーブ媒体４の半径方向に延びるギャップを有するコアにコイルが巻き付けられたリング型電磁石装置が上下両側に配設されてなり、上下で同じ方向にトラック方向と平行に発生させた転写用磁界を印加する。磁界印加時には、スレーブ媒体４とマスター担体１との密着体を回転させつつ磁界印加手段によって転写用磁界を印加する。磁界印加手段を回転移動させるように設けてもよい。磁界印加手段は、片側にのみ配設するようにしてもよく、永久磁石装置を両側または片側に配設してもよい。
【００４４】
垂直記録の場合の磁界印加手段は、極性の異なる電磁石または永久磁石をスレーブ媒体４とマスター担体１との密着体の上下に配置し、垂直方向に磁界を発生させて印加する。部分的に磁界を印加するものでは、スレーブ媒体４とマスター担体１との密着体を移動させるか磁界を移動させて全面の磁気転写を行う。
【００４５】
上記のように作製されたマスター基板２は、同一半径における１周での歪み量が７０μｍ以下であり、好ましくは、この歪み量における２次を越える成分の比率が２０％以下であり、さらに、その反り量が１５０μｍ以下であって、平坦性を確保することで、このマスター基板２を用いたマスター担体１は磁気転写時のスレーブ媒体４との密着性が向上し、信号ばらつきのない良好な磁気転写が行える。
【００４６】
次に、上記のような本発明マスター担体を使用して磁気転写を行った評価結果を示す。この試験は、電鋳条件、剥離条件等が異なる実施例１〜３、比較例１〜３のマスター基板の歪み量および反り量と、歪み量の高次成分比率を求めた結果と、このマスター基板を用いたマスター担体による磁気転写を実施した際のモジュレーションを測定し、評価したものである。その結果を表１に示すとともに、図４に実施例１におけるマスター基板の同一半径の１周の高さ変位を測定した結果を示す。
【００４７】
歪み量の測定は、例えばマスター基板を内径２５ｍｍの位置でスピンドルモータに固定し、１０ｒｐｍで回転させる。この状態で半径ｒ＝３０ｍｍの場所を面に対して垂直に変位量をレーザ変位計（ＫＥＹＥＮＣＥ社製：ＬＣ−２４３０変位センサ）で測定し、デジタルオシロスコープで変位波形を取り込んだ。このときの最小−最大値差を歪み量とした（但し、チャッキングによる１次成分は除く）。また、取り込んだ１周のデータを周波数分析（ＦＦＴ変換）し、周波数成分を算出した。
【００４８】
反りは、１周の間、すなわち１トラックにおける歪みはなくても、内周部位と外周部位とで高さが異なるような変形であり、例えば、球面状の変形がある。反り量の測定は、上記歪み量の測定において、同心円状の各トラックに対して変位の平均をとったとき、最も変位値が高いトラックと、最も低いトラックの差で算出している。
【００４９】
図４に示す実施例１のマスター基板の歪み量の測定では、１周における高さ方向の変位の殆どが１回高くなって低くなる１次成分である。その高さ変位は、最大値が＋１５μｍ、最小値が−１５．５μｍで、歪み量は３０．５μｍである。この測定した高さ変位の周期成分の振幅を調べるため、次式、
振幅(θ)＝Ａ＋B1×sin(θ＋C1)＋B2×sin(2θ＋C2)＋B3×sin(3θ＋C3)                  ＋B4×sin(4θ＋C4)
但し、θ：角度(deg.)、Ａ，B1〜B4，C1〜C4：任意の係数(実数)
を用いてフィッティングした。このフィッティングにより求めた、実施例１の各周期成分の振幅は、B1＝１１．７，B2＝１．７，B3＝２．３，B4＝２．０であった。そして、２次を越える成分の比率（高次成分比率）を求めるため、{B3/(B1+B2)}×100(%)を計算し、表１に示した。
【００５０】
モジュレーションとは、磁気転写によりスレーブ媒体に転写されたサーボ信号の各セクタでのプリアンブル（ＡＧＣ）部分の信号をヘッドで読み取った際の出力のばらつきであり、例えば、オシロスコープでの最大信号振幅ａと最小信号振幅ｂにおいて、モジュレーション（Mod.）は、{(ａ−ｂ)／(ａ＋ｂ)}×１００[％]で表される。上記試験では、モジュレーション評価方法に、Ｇｕｚｉｋ１６０１＋協同電子システム評価機を使用している。
【表１】
2005259210.tif 000003
【００５１】
表１の結果、実施例１では、前述のように１周における高さ方向の変位の殆どが１次成分である。歪み量そのものも小さく、モジュレーションも小さく、良好な磁気転写が行えた。実施例２および実施例３は、歪み量および反り量が実施例１よりも大きいが、高次成分が少なく、モジュレーションも小さく、良好な磁気転写が行えた。
【００５２】
これに対し、比較例１では、歪み量が７０μｍを越えて大きく、モジュレーションが増大し、良好な磁気転写が行えなかった。比較例２は、反り量が１５０μｍを越えて大きく、モジュレーションが増大し、良好な磁気転写が行えなかった。比較例３は、７０μｍより小さい歪み量であるが、高次成分比率が２０％を越えて高く、モジュレーションが増大し、良好な磁気転写が行えなかった。
【００５３】
上記評価結果より、マスター基板すなわちマスター担体は、同一半径での１周当たりの歪み量（面振れ量）が７０μｍ以下、反り量が１５０μｍ以下、高次成分比率が２０％以下の条件で、転写されたスレーブ媒体での信号のトラック１周当たりの出力のばらつき（信号振幅強度のばらつき：モジュレーション）が５％以下となり、例えばサーボフォローイング性能に影響を与えない十分な品質での転写が可能であることが判明した。
【００５４】
なお、上記歪み量では、その各周期成分の割合により、歪みが大きくても密着時に歪みが低減されて良好な密着が得られる場合がある。例えば、金属盤を原盤より１方向から引き剥がすと、歪みの２次成分を越える成分が低減できる可能性がある。２次成分を越える歪みが多いと、密着圧を高めてもスペーシングが起きやすく望ましくない。逆に、２次以下であれば密着圧力を許容範囲内で増加させることによりある程度対応可能である。
【００５５】
この歪み成分における、１次成分は１周における高さ方向の変化が１回高くなって低くなる変化である。２次成分以上は、１周の間で波打っている変位であり、２次では１周の間に２箇所で高くなる歪みであり、３次では１周の間に３箇所で高くなる歪みであり、４次以上でも同様に１周の内に４回以上の高くなるように歪みが波打って発生している。実際は、１次成分に２次成分が重なって発生したり、複数の歪み成分が重なって全体の歪み量となる場合がある。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一つの実施形態に係る磁気転写用マスター担体の概略部分断面図
【図２】マスター基板の平面図
【図３】一実施形態のマスター基板の作製工程を順に示す図
【図４】実施例１のマスター基板の同一半径の１周の高さ変位を測定した結果を示すグラフ
【符号の説明】
【００５７】
１    マスター担体
２    マスター基板
３    磁性層
４    スレーブ媒体
５    金属盤
10    原板
11    レジスト膜
13    原盤
【図１】
2005259210.tif 000004
【図２】
2005259210.tif 000005
【図３】
2005259210.tif 000006
【図４】
2005259210.tif 000007