(57)【要約】【課題】  スループットを向上させることができる洗浄装置を提供する。【解決手段】  被洗浄基板１を載置する載置台１０と、載置台１０を回転駆動させる載置台駆動手段と、載置台に載置された被洗浄基板１に、被洗浄基板１の中心から外側に向かって並んで擦接する複数の洗浄ブラシ６２ａ〜６２ｃと、複数の洗浄ブラシ６２ａ〜６２ｃそれぞれを回転駆動させるブラシ駆動手段とを具備する。複数の洗浄ブラシ６２ａ〜６２ｃは同一方向に回転するのが好ましい。複数の洗浄ブラシ６２ａ〜６２ｃは、直列に並んで被洗浄基板１に擦接しているが、その他、被洗浄基板１の径方向に沿って互い違いに並んで被洗浄基板１に擦接してもよい。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被洗浄基板を載置する載置台と、
前記載置台を回転駆動させる載置台駆動手段と、
前記載置台に載置された被洗浄基板に、当該被洗浄基板の中心から外側に向かって並んで擦接する複数の洗浄ブラシと、
前記複数の洗浄ブラシそれぞれを回転駆動させるブラシ駆動手段と
を具備し、被洗浄基板の表面を洗浄する洗浄装置。
【請求項２】
前記載置台に載置された被洗浄基板の上方に、当該被洗浄基板の表面に対して略平行または斜めに配置可能なアームをさらに具備し、
前記複数の洗浄ブラシは、前記アームに沿って当該アームに取り付けられている請求項１に記載の洗浄装置。
【請求項３】
前記ブラシ駆動手段は、
駆動力発生手段と、
前記駆動力発生手段の駆動力をいずれかの前記洗浄ブラシに伝達する第1の動力伝達手段と、
隣接する前記洗浄ブラシそれぞれの間で駆動力を伝達する第２の動力伝達手段と
を具備する請求項１又は２に記載の洗浄装置。
【請求項４】
前記第２の動力伝達手段は、
前記複数のブラシそれぞれに同軸に設けられたプーリーと、
隣接する前記プーリーの間それぞれにかけまわされたベルトと
を具備する請求項３に記載の洗浄装置。
【請求項５】
前記ブラシ駆動手段は、前記複数の洗浄ブラシそれぞれを同一方向に回転させる請求項１〜４のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項６】
前記洗浄ブラシの平面形状は略円形であり、その直径は１０ｍｍ以上４０ｍｍ以下である請求項１〜５のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項７】
前記複数の洗浄ブラシは、直列に並んで被洗浄基板に擦接する請求項１〜６のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項８】
前記複数の洗浄ブラシは、被洗浄基板の径方向に沿って互い違いに並んで被洗浄基板に擦接し、隣接する前記洗浄ブラシは、互いに一部分が被洗浄基板の径方向において重なっている請求項１〜６のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項９】
前記複数の洗浄ブラシは、被洗浄基板に、当該被洗浄基板の中心から縁に至るまで並んで擦接する請求項１〜８のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項１０】
複数の洗浄ブラシを、載置台に載置された被洗浄基板の表面に、当該被洗浄基板の中心から外側に向かって並んで接触させ、前記載置台を回転させるとともに前記複数の洗浄ブラシそれぞれを回転させることにより、前記被洗浄基板を洗浄する工程を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記複数の洗浄ブラシを、前記被洗浄基板の中心から縁に至るまで接触させることにより、前記複数の洗浄ブラシを前記被洗浄基板の径方向にスライドさせることなく前記被洗浄基板の全面を洗浄する請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記被洗浄基板を洗浄する工程において、前記複数の洗浄ブラシそれぞれを同一の方向に回転させる請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
基板の上に半導体素子を形成する工程と、
前記基板を載置台に載置する工程と、
複数の洗浄ブラシを、前記載置台に載置された前記基板の表面に、当該基板の中心から外側に向かって並んで接触させ、前記載置台を回転させるとともに前記複数の洗浄ブラシそれぞれを回転させることにより、前記基板を洗浄する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転するブラシを洗浄面に押し当てて、表面付着物を洗浄する、洗浄装置及び半導体装置の製造方法に関する。特に本発明は、スループットを向上させることができる洗浄装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７（ａ）は、従来の洗浄装置を示す平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）に示す洗浄装置の側面図である。この洗浄装置は、半導体基板１０１を載置する載置台１１０を備えている。載置台１１０の上方にはノズル１０３の噴射口が、半導体基板１０１に洗浄水１０４を噴射するために配置されている。また載置台１１０の近傍には回転軸１０５が配置されており、この回転軸１０５にはアーム１０６の基端が組みつけられている。このアーム１０６の先端には回転駆動する円板１０７が組みつけられており、円板１０７の下面には洗浄ブラシ１０２が取り付けられている。
【０００３】
この洗浄装置は以下のように動作する。半導体基板１０１を例えば８００ｒｐｍで回転させつつ、アーム１０６の先端の洗浄ブラシ１０２を半導体基板１０１の表面に軽く押し付ける。そしてノズル１０３から洗浄水１０４を噴射しながら、洗浄ブラシ１０２を半導体基板１０１の表面で回転させるとともに円板１０７を回転させる。またアーム１０６の先端をゆっくり半導体基板１０１の中心から外側に向けて移動させる。
このようにして半導体基板１０１の表面に付着しているパーティクルは洗浄装置によって中心側から外側に掃きだされる。
【特許文献１】特開２０００−２９６３６８号公報（第２段落乃至第５段落、図８（ａ）及び（ｂ））
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した洗浄装置において半導体基板の全面を洗浄するためには、アーム１０６を半導体基板の中心から外側に向けて複数回移動させる必要があった。このため、洗浄装置のスループットを上げることが難しかった。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、スループットを向上させることができる洗浄装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明にかかる洗浄装置は、
被洗浄基板を載置する載置台と、
前記載置台を回転駆動させる載置台駆動手段と、
前記載置台に載置された被洗浄基板に、当該被洗浄基板の中心から外側に向かって並んで擦接する複数の洗浄ブラシと、
前記複数の洗浄ブラシそれぞれを回転駆動させるブラシ駆動手段と
を具備し、被洗浄基板の表面を洗浄する。
【０００６】
この洗浄装置は洗浄ブラシを複数備える。これら複数の洗浄ブラシは、被洗浄基板の中心から外側に向かって該被洗浄基板に並んで擦接する。このため、一度に洗浄できる範囲は多くなるため、被洗浄基板を洗浄するために必要な時間は短くなる。したがって洗浄装置のスループットは向上する。
【０００７】
上記洗浄装置において、載置台に載置された被洗浄基板の上方に、当該被洗浄基板の表面に対して略平行または斜めに配置可能なアームをさらに具備し、複数の洗浄ブラシは、アームに沿って当該アームに取り付けられていてもよい。この場合、容易に複数の洗浄ブラシを被洗浄基板に擦接させることができる。
ここでブラシ駆動手段は、駆動力発生手段と、駆動力発生手段の駆動力をいずれかの洗浄ブラシに伝達する第1の動力伝達手段と、隣接する洗浄ブラシそれぞれの間で駆動力を伝達する第２の動力伝達手段とを具備してもよい。この場合ひとつの駆動力発生手段で複数の洗浄ブラシを駆動させることができるため、駆動力発生手段の数を減らすことにより洗浄装置のコストを低く抑えることができる。第２の動力伝達手段は、例えば複数の洗浄ブラシそれぞれに同軸に設けられたプーリーと、隣接するプーリーの間それぞれにかけまわされたベルトとを具備する。
【０００８】
ブラシ駆動手段は、複数の洗浄ブラシそれぞれを同一方向に回転させるのが好ましい。この場合、洗浄ブラシを外側に向かって動かさなくても、複数の洗浄ブラシに沿って中心から外側に向かって移動する。
洗浄ブラシの平面形状は略円形であり、その直径は１０ｍｍ以上４０ｍｍ以下にするのが好ましい。また複数の洗浄ブラシは、直列に並んで被洗浄基板に擦接してもよいし、互い違いに並んで被洗浄基板に擦接し、隣接する洗浄ブラシは、互いに一部分が被洗浄基板の径方向において重なっていてもよい。また複数の洗浄ブラシは、被洗浄基板に、当該被洗浄基板の中心から縁に至るまで並んで擦接するのが好ましい。
【０００９】
本発明に係る洗浄方法は、複数の洗浄ブラシを、載置台に載置された被洗浄基板の表面に、当該被洗浄基板の中心から外側に向かって並んで接触させ、前記載置台を回転させるとともに前記複数の洗浄ブラシそれぞれを回転させることにより、前記被洗浄基板を洗浄する工程を具備する。
【００１０】
この洗浄方法によれば、上記した洗浄装置と同様に、洗浄のスループットを上げることができる。ここで、複数の洗浄ブラシを被洗浄基板の中心から縁に至るまで接触させることにより、複数の洗浄ブラシを被洗浄基板の径方向にスライドさせることなく被洗浄基板の全面を洗浄するようにすると、特に洗浄のスループットを上げることができる。また複数の洗浄ブラシそれぞれを同一の方向に回転させるのが好ましい。
【００１１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、
基板の上に半導体素子を形成する工程と、
前記基板を載置台に載置する工程と、
複数の洗浄ブラシを、前記載置台に載置された前記基板の表面に、当該基板の中心から外側に向かって並んで接触させ、前記載置台を回転させるとともに前記複数の洗浄ブラシそれぞれを回転させることにより、前記基板を洗浄する工程と
を具備する。
【００１２】
この半導体装置の製造方法によれば、基板の洗浄に必要な時間が短くなるため、半導体装置の製造に必要な時間が短くなる。したがって半導体装置製造のスループットが向上する。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。 図１（ａ）は本発明の第1の実施の形態にかかるスクラブ洗浄用の洗浄装置の構成を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示した洗浄装置の動作時の状態を示す平面図である。図２は図１（ｂ）の側面図である。
【００１４】
図１（ａ）及び図２に示すように、この洗浄装置は、被洗浄基板としての半導体基板１を載置する載置台１０を備えている。載置台１０はモーター１２（図１（ａ）において図示せず）を動力源として回転する。載置台１０の上方には、ノズル３０の噴射口３２が、半導体基板１に洗浄水を噴射するために設けられている。また載置台１０の近傍には回転軸５０及び回転軸５０を回転させるモーター５２（図１（ａ）において図示せず）が設けられている。回転軸５０にはアーム６０の基端が組みつけられている。アーム６０は載置台１０上の半導体基板１より高く、また図示しない機構によって上下に移動可能である。なお回転軸５０とアーム６０の接続部にはクラッチ機構又はストッパー（図示せず）が設けられており、アーム６０が回転軸５０とともに回転する状態と、回転軸５０のみが空回りする状態とが切り替えられるようになっている。
【００１５】
アーム６０の下面には、洗浄ブラシ６２ａ，６２ｂ及び６２ｃが、先端からアーム６０に沿ってこの順に直列に取り付けられている。これら洗浄ブラシ６２ａ，６２ｂ及び６２ｃは、アーム６０に沿う方向において、それぞれが洗浄可能な領域の間に隙間が生じないように取り付けられるのが好ましい。また洗浄ブラシ６２ａ，６２ｂ及び６２ｃそれぞれは、ブラシ駆動手段７０（図１（ａ）において図示せず）によって同一方向に回転駆動する。洗浄ブラシ６２ａ，６２ｂ及び６２ｃの平面形状は略円形であり、その直径は１０ｍｍ以上４０ｍｍ以下であるのが好ましい。さらに好ましくは直径を１５ｍｍ以上２５ｍｍ以下であり、さらに好ましくは２０ｍｍ前後である。
【００１６】
図３は図２の要部拡大図であり、ブラシ駆動手段７０の構造を示している。ブラシ駆動手段７０は以下の構成を備えている。すなわち洗浄ブラシ６２ａの回転軸６４ａにはプーリー７４ｆが取り付けられており、洗浄ブラシ６２ｂの回転軸６４ｂにはプーリー７４ｄ及び７４ｅが取り付けられており、洗浄ブラシ６２ｃの回転軸６４ｃにはプーリー７４ｂ及び７４ｃが取り付けられている。また回転軸５０にはプーリー７４ａが取り付けられている。そしてプーリー７４ａ，７４ｂ間にはベルト７６ａがかけ回されており、プーリー７４ｃ，７４ｄ間にはベルト７６ｂがかけ回されており、プーリー７４ｅ，７４ｆ間にはベルト７６ｃがかけ回されている。また回転軸５０を回転させるモーター５２はブラシ駆動手段７０の駆動力発生手段を兼ねている。
【００１７】
このような構成において、ブラシ駆動手段７０は以下のように動作する。すなわちアーム６０と回転軸５０との間に設けられているクラッチ機構又はストッパーを、回転軸５０が空回りする状態にする。この状態において、モーター５２を駆動させ、回転軸５０とともにプーリー７４ａを回転させる。するとベルト７６ａを介してプーリー７４ｂに駆動力が伝達する。プーリー７４ｂに駆動力が伝達すると回転軸６４ｃが回転するため、洗浄ブラシ６２ｃ及びプーリー７４ｃそれぞれも回転する。以下、プーリー７４ｄには、ベルト７６ｂを介してプーリー７４ｃから駆動力が伝達し、回転軸６４ｂ、洗浄ブラシ６２ｂ、及びプーリー７４ｅそれぞれを回転させる。またプーリー７４ｅには、ベルト７６ｃを介してプーリー７４ｅから駆動力が伝達し、回転軸６４ａ及び洗浄ブラシ６２ａそれぞれを回転させる。
このようにして、ブラシ駆動手段７０は、洗浄ブラシ６２ａ，６２ｂ及び６２ｃそれぞれを同一方向に回転させる。
【００１８】
次に、洗浄装置全体の動作を図１（ｂ）及び図２を用いて説明する。洗浄装置が動作するとき、モーター１２は載置台１０を半導体基板１とともに例えば８００ｒｐｍで回転させる。またモーター５２は、アーム６０が回転軸５０とともに回転する状態において駆動し、アーム６０を回転移動させ、図２に示すようにアーム６０を、載置台１０に載置された半導体基板１の上方に、該半導体基板１の表面に対して略平行に配置する。そしてアーム６０が下降することにより、図２に示すように洗浄ブラシ６２ａ，６２ｂ，及び６２ｃは半導体基板１の表面に軽く押し付けられる。このとき洗浄ブラシ６２ａ，６２ｂ及び６２ｃは、半導体基板１の中心から縁に至るまで同時に押し付けられる。詳細にはアーム６０の先端に取り付けられた洗浄ブラシ６２ａは半導体基板１の中心に押し付けられ、最もアーム６０の基端に近い洗浄ブラシ６２ｃは半導体基板１の縁を覆うように、又は縁近傍に押し付けられる。
【００１９】
次いで、回転軸５０とアーム６０の接続部に設けられたクラッチ機構又はストッパーを、回転軸５０のみが回転する状態にする。そしてノズル３０の噴射口３２から洗浄水２０を半導体基板１の表面に噴射するとともに、モーター５２を駆動して洗浄ブラシ６２ａ，６２ｂ及び６２ｃそれぞれを同一方向に回転させる。このときの回転方向は、図１（ｂ）に示すように半導体基板１の回転方向と同じであるのが好ましい。
するとパーティクルは、半導体基板１の表面のいずれの部分に付着していても、図１（ｂ）の矢印Ａに示すように、洗浄ブラシ６２ａ，６２ｂ及び６２ｃそれぞれの回転に伴って半導体基板１の中心から縁に向けて順次移動する。そして半導体基板１の回転に伴って生じる遠心力、及び洗浄ブラシ６２ｃの回転力によって洗浄水とともに半導体基板１の縁から掃き出される。
【００２０】
このように、第１の実施形態にかかる洗浄装置によれば、アーム６０に直列に取り付けられた洗浄ブラシ６２ａ，６２ｂ及び６２ｃが、半導体基板１の表面に、該半導体基板１の中心から縁に至るまで並んで擦接することにより、半導体基板１をスクラブ洗浄する。このため洗浄中にアーム６０を半導体基板１の中心から外側に向けて回転移動させなくても、半導体基板１に付着しているパーティクルを半導体基板１の縁から掃き出すことができる。またアーム６０を回転移動させなくても半導体基板１全面を洗浄することができる。したがって半導体基板１を洗浄するために必要な時間は短くなり、洗浄装置のスループットを上げることができる。
特に、本実施形態においては洗浄ブラシ６２ａ，６２ｂ及び６２ｃそれぞれが同一方向に回転しているため、効率よくパーティクルを外側に向けて移動させ、半導体基板１の縁から掃き出すことができる。
【００２１】
またベルト駆動手段７０は複数のプーリー及び複数のベルトを備えており、モーター５２のみで洗浄ブラシ６２ａ，６２ｂ及び６２ｃそれぞれを同一方向に回転させている。このためモーターの数を減らすことができる。
【００２２】
次に第２の実施の形態を、図４を用いて説明する。図４は第２の実施の形態にかかる洗浄装置の平面図であり、第１の実施の形態における図１（ｂ）に相当する。本実施の形態において第１の実施の形態と同じ構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００２３】
本実施の形態にかかる洗浄装置において、アーム６０は、半導体基板１の上の部分で略く字側に折れ曲がっており、その折れ曲がっている部分に洗浄ブラシ６２ｂが取り付けられている。またアーム６０には、洗浄ブラシ６２ｂより先端側に洗浄ブラシ６２ａが、洗浄ブラシ６２ｂより基端側に洗浄ブラシ６２ｃが、それぞれ洗浄ブラシ６２ｂに近接して取り付けられている。なおアーム６０の折れ曲がり角度は略直角でもよいし、鈍角でもよい。
【００２４】
このような構成において、洗浄ブラシ６２ａ，６２ｂ及び６２ｃは、半導体基板１に、該半導体基板１の径方向に沿って互い違い、かつ中心から縁に至るまで並んで擦接する。詳細には洗浄ブラシ６２ａは半導体基板１の中心に押し付けられ、洗浄ブラシ６２ｃは半導体基板１の縁を覆うように押し付けられる。このとき洗浄ブラシ６２ａ，６２ｂ及び６２ｃは、互いに近接して設けられ、かつ半導体基板１の径方向に沿って互い違いに押し付けられるため、半導体基板１の径方向において一部分が互いに重なる。
【００２５】
このため、洗浄ブラシ６２ａ，６２ｂ，及び６２ｃは半導体基板１に、該半導体基板の径方向において隙間なく擦接することができる。したがって本実施の形態によれば第１の実施の形態と同様の効果を得るほか、確実に半導体基板１の全面を洗浄することができる。
なお洗浄ブラシ６２ａ，６２ｂ及び６２ｃは同一方向に回転するのが好ましい。さらに好ましくは半導体基板１と同一方向に回転するのが好ましい。
【００２６】
次に第３の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を、図５及び図６を用いて説明する。図５は本実施の形態において製造される半導体装置の構成を示す断面図であり、図６は、図５に示した半導体装置の製造方法の一部を示すフローチャートである。
【００２７】
図５に示す半導体装置は、半導体素子としてＭＯＳトランジスタを備えている。すなわちシリコン基板である半導体基板１の表面には素子分離膜２が形成されており、この素子分離膜２の相互間の素子領域には、ソース拡散層及びドレイン拡散層である２つの不純物層７が形成されている。不純物層７の間にはゲート電極４が形成されている。ゲート電極４はゲート酸化膜３の上に形成されており、側面にはサイドウォール５が形成されている。素子分離膜２、ゲート電極４、サイドウォール５及び不純物層７の上には層間絶縁膜８が形成されている。層間絶縁膜８には、ゲート電極４の上に位置するコンタクトホール８ａ、及び２つの不純物層７それぞれの上に位置するコンタクトホール８ｂが形成されている。コンタクトホール８ａの上にはＡｌ合金配線９ａが形成されており、コンタクトホール８ｂの上にはＡｌ合金配線９ｂが形成されている。Ａｌ合金配線９ａは、コンタクトホール８ａの中に埋め込まれているＡｌ合金によってゲート電極４と接続している。またＡｌ合金配線９ｂはコンタクトホール８ｂの中に埋め込まれているＡｌ合金によって不純物層７と接続している。
【００２８】
この半導体装置は、例えば以下のように製造される。まず半導体基板１にＬＯＣＯＳ法により素子分離膜２を形成し、素子分離膜２の相互間の素子領域に熱酸化法によりゲート酸化膜３を形成する。次いで、このゲート酸化膜３の上を含む領域に、ＣＶＤ法によりポリシリコン膜を堆積し、このポリシリコン膜をパターニングすることにより、ゲート酸化膜３の上にゲート電極４を形成する。次いで、このゲート電極４をマスクとして半導体基板１に不純物イオンをイオン注入する。次いで、ゲート電極４の側壁にサイドウォール５を形成し、このサイドウォール５及びゲート電極４をマスクとして不純物イオンをイオン注入し、所定の熱処理を施す。これにより、半導体基板１のＬＤＤ領域には低濃度拡散層６が形成され、半導体基板１のソース/ドレイン領域にはソース拡散層及びドレイン拡散層である不純物層７が形成される。
【００２９】
さらに層間絶縁膜８をＣＶＤ法により堆積する。層間絶縁膜８は、例えば酸化シリコン膜である。次いで、層間絶縁膜８にコンタクトホール８ａ及び８ｂを形成する。次いでこれらコンタクトホール及び層間絶縁膜８上にＡｌ合金膜をスパッタリングにより堆積する。次いで、このＡｌ合金膜上をパターニングすることにより、Ａｌ合金配線９ａおよび９ｂを形成する。
【００３０】
ここで、図６を用いてポリシリコン膜をパターニングしてゲート電極４を形成する方法について説明する。ポリシリコン膜を半導体基板１の表面に形成した（Ｓ１０）後、半導体基板１の表面をスクラブ洗浄する（Ｓ２０）。このスクラブ洗浄は、第１の実施の形態又は第２の実施の形態に示した洗浄装置を用いて行われる。したがってスクラブ洗浄に必要な時間は短い。
【００３１】
次いでポリシリコン膜の上にフォトレジスト膜を塗布し（Ｓ３０）、このフォトレジスト膜を露光（Ｓ４０）、現像（Ｓ５０）することにより、ポリシリコン膜上にレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜をエッチングすることにより、ゲート電極４を形成する（Ｓ６０）。そしてレジストパターンを除去する（Ｓ７０）。
【００３２】
また層間絶縁膜８にコンタクトホール８ａ及び８ｂを形成するとき、ならびにＡｌ合金膜をパターニングしてＡｌ合金配線９ａ及び９ｂを形成するときも、層間絶縁膜８又はＡｌ合金膜を堆積した後、上記したＳ２０〜Ｓ５０に示した工程を行った後、このレジストパターンをマスクとしてエッチングを行ってもよい。この場合も、スクラブ洗浄（Ｓ２０）において第１の実施の形態又は第２の実施の形態に示した洗浄装置が用いられる。
【００３３】
このように、本実施形態は、半導体装置の製造方法において第１又は第２の実施形態にかかる洗浄装置を用いているため、半導体基板１の洗浄に必要な時間は短い。したがって半導体装置の製造ラインのスループットを向上させることができる。
【００３４】
尚、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
例えば第１の実施の形態及び第２の実施の形態それぞれにおいて、洗浄ブラシの数は３つであったが、この数は、半導体基板の大きさ及び洗浄ブラシの大きさによって適宜変更可能である。また複数の洗浄ブラシそれぞれの回転方向は互い違いであってもよい。
【００３５】
また洗浄ブラシ６２ａ〜６２ｃが一度に擦接する範囲を、半導体基板１の中心から縁に至るまでにしたが、複数の洗浄ブラシが擦接する範囲を、半導体基板の半径より短い範囲としてもよい。この場合、複数の洗浄ブラシを、これら複数の洗浄ブラシが並んでいる方向に沿って動かすことにより半導体基板の全面を洗浄することができるが、洗浄ブラシを動かす距離を従来と比べて短くすることができる。したがって洗浄装置のスループットを上げることができる。
【００３６】
またモーター５２の駆動力を洗浄ブラシ６２ｃに伝達する手段としてプーリー７４ａ，７４ｂ及びベルト７６ａを用いたが、これらの代わりに歯車機構を用いてもよい。同様に、隣接する洗浄ブラシ間で動力を伝達する手段としてプーリー７４ｃ〜７４ｆ、ならびにベルト７６ｂ及び７６ｃを用いたが、これらの代わりに歯車機構を用いてもよい。
また本発明に係る洗浄装置は、ＣＭＰ研磨後の半導体基板の洗浄に用いることも可能である。また半導体基板以外の基板の洗浄、例えば液晶表示装置用ガラス基板の洗浄や、プラズマディスプレイパネル用のガラス基板の洗浄に用いることも当然可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】（ａ）は第1の実施の形態にかかる洗浄装置の構成を示す平面図、（ｂ）は（ａ）に示した洗浄装置の動作時の状態を示す平面図。
【図２】図１（ｂ）の側面図。
【図３】ブラシ駆動手段７０の構造を示す、図２の要部拡大図。
【図４】第２の実施の形態にかかるスクラブ洗浄用の洗浄装置の構成を示す平面図
【図５】半導体装置の構成を示す断面図
【図６】図５に示した半導体装置の製造方法の一部を示すフローチャート
【図７】（ａ）は、従来の洗浄装置を示す平面図、（ｂ）は（ａ）に示す洗浄装置の側面図。
【符号の説明】
【００３８】
１，１０１…半導体基板、２…素子分離膜、３…ゲート酸化膜、４…ゲート電極、５…サイドウォール、６…低濃度拡散層、７…不純物層、８…層間絶縁膜、８ａ…コンタクトホール、９ａ，９ｂ…Ａｌ合金配線、１０，１１０…載置台、２０，１０４…洗浄水、３０，１０３…ノズル、３２…噴射口、５０，１０５…回転軸、５２…モーター、６０，１０６…アーム、６２ａ〜６２ｃ，１０２…洗浄ブラシ、６４ａ〜６４ｃ…回転軸、７０…ブラシ駆動手段、７４ａ〜７４ｆ…プーリー、７６ａ〜７６ｃ…ベルト、１０７…円板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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