(57)【要約】【課題】  干渉変調画素をアクティブとしたときに、上部電極が下部電極の方へ引っ張られるのを防止する。【解決手段】  疎水性層が干渉変調画素の下部電極のキャビティ側の面を覆う。その結果、疎水性層は、下部電極の親水性面が水分子を吸着するのを防ぐ。【選択図】        図２Ｄ
2005078068.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
干渉変調画素の製造方法であって、
透明基板上に第１の電極層を形成するステップで、該第１の電極層の最上層を絶縁層とするステップと、
前記絶縁層上に電気防食層を形成するステップと、
前記電気防食層と前記第１の電極層内に少なくとも２つの第１の開口を形成し、第１の電極の境界を定めて画成するステップで、該第１の電極が前記第１の電極層でできているステップと、
前記電気防食層上と前記第１の開口内に感光性材料を被覆するステップと、
前記感光性材料をパターン形成して前記第１の開口内に支持体を形成するステップと、
前記電気防食層上および前記支持体上に第２の電極層を形成するステップと、
前記第２の電極層内に少なくとも二つの第２の開口を形成して第２の電極を画成するステップで、該第２の電極が前記第２の電極層からできており、該二つの第２の開口の向きが前記二つの第１の開口に垂直であるステップと、
前記電気防食層を取り除くステップと、
前記絶縁層上に疎水性層を形成するステップと、を含むことを特徴とする干渉変調画素の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層は、酸化ケイ素或いは窒化ケイ素を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記疎水性層は、酸素原子または窒素原子と水素結合を形成することのできる水素原子を少なくとも有する疎水性有機化合物の層を含んで形成してあることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記疎水性有機化合物は、ヘキサメチルジシランを含むシランまたはトリメチルシラノールを含むシラノールで構成してあることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
干渉変調画素の製造方法であって、
透明基板上に第１の電極層を形成するステップで、前記第１の電極層の最上層を絶縁層とする前記ステップと、
前記絶縁層上に疎水性層を形成するステップと、
前記疎水性層上に電気防食層を形成するステップと、
前記電気防食層と前記疎水性層と前記第１の電極層内に少なくとも二つの第１の開口を形成して第１の電極を画成するステップで、前記第１の電極が前記第１の電極層でできている前記ステップと、
前記電気防食層上と前記第１の開口内に感光性材料を被覆するステップと、
前記感光性材料をパターン形成して前記第１の開口内に支持体を形成するステップと、
前記電気防食層と前記支持体上に第２の電極層を形成するステップと、
前記第２の電極層内に少なくとも二つの第２の開口を形成して第２の電極を画成するステップで、該第２の電極が前記第２の電極層からできており、該二つの第２の開口の向きが前記二つの第１の開口に垂直である前記ステップと、
前記電気防食層を取り除くステップと、を含むことを特徴とする干渉変調画素の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁層は、酸化ケイ素或いは窒化ケイ素を備えていることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記疎水性層は、疎水性樹脂を備えることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項８】
干渉変調画素であって、
第１の電極と、
前記第１の電極の上方に位置し、前記第１の電極に平行な可動の第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極の間にあって該第１と第２の電極内にキャビティを形成する二つの支持体と、
前記第１の電極のキャビティ側の面にあって前記第１の電極が水分子を吸収しないようにする疎水性層と、を備えることを特徴とする前記干渉変調画素。
【請求項９】
前記疎水性層は、酸素原子または窒素原子と水素結合を形成することのできる水素原子を少なくとも有する疎水性有機化合物または疎水性樹脂を備えることを特徴とする請求項８記載の干渉変調画素。
【請求項１０】
前記疎水性有機化合物は、ヘキサメチルジシランを含むシランまたはトリメチルシラノールを含むシラノールで構成ことを特徴とする請求項８記載の干渉変調画素。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面パネルディスプレイとその製造方法に関する。より詳しくは、本発明は干渉変調画素及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面ディスプレイは、軽量で小型であるため携帯型で空間に制約のあるディスプレイ市場で格別に人気がある。今日まで、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）やプラズマ表示パネル（ＰＤＰ）に加え、光干渉ディスプレイのモジュールが研究されてきた。
【０００３】
光干渉ディスプレイの干渉変調画素の特徴には、低消費電力と短い応答時間と双安定状態がある。それ故、光干渉ディスプレイは平面表示パネル、特に携帯電話、個人向け携帯情報端末（ＰＤＡ）、そして携帯型コンピュータ等の携帯製品に適用することができる。
【０００４】
特許文献１には可視光用の変調器配列が開示されており、変調器配列の干渉変調画素を平面表示パネル内に用いることが開示されている。図１Ａは、従来技術の干渉変調画素を示す断面図である。どの干渉変調画素１００も、下部電極１０２と上部電極１０４を備えている。下部電極１０２及び上部電極１０４は支持体１０６により分離させ、かくしてキャビティ１０８を形成してある。下部電極１０２と上部電極１０４の間の距離、すなわちキャビティ１０８の深さはＤであり、通常は１μｍ未満である。下部電極１０２は光入射電極であり、可視光を様々な波長の吸収率に応じて一部吸収する。上部電極１０４は、電圧を印加したときに下部電極１０２の方へ撓む光反射電極である。
【０００５】
干渉変調画素１００用には入射光源として白色光が一般に用いられ、この白色光は可視光スペクトル内の様々な波長（λで表わす）の光を混合したものである。下部電極１０２を介して入射光が射し込みキャビティ１０８へ入射すると、式１．１に対応する波長（λ１）の可視光のみが反射されて戻る。すなわち、
【０００６】
［数１］
２Ｄ＝Ｎλ１                                              （１．１）
ただし、Ｎは自然数である。
【０００７】
キャビティ深さの２倍、すなわち２Ｄが任意の自然数を乗じた入射光の所定の波長λ１に等しいときに、強めあう干渉が生じ、波長λ１の光は反射されて戻る。したがって、入射光の方向からパネルを見ている観察者は自身へ反射されて戻る所定波長λ１の光を観察することになる。ディスプレイ装置１００は、ここでは「開」状態、すなわち「明るい」状態にある。
【０００８】
図１Ｂは、電圧印加後の図１Ａの干渉変調画素１００の断面図を示す。電圧を印加した状態では、上部電極１０４は静電引力により下部電極１０２へ向けて撓んでいる。この時点で、壁１０２と１０４の間の距離、すなわちキャビティ１０８の深さはｄであり、零となることもある。式１．１のＤはかくしてｄをもって置き換えられ、式１．１を満たす別の所定の波長λ２の可視光だけが強めあう干渉を生成し、下部電極１０２を介して反射される。しかしながら、干渉変調画素１００では、下部電極１０２は波長λ２の光に対し高い吸収率をもたせた設計になっている。かくして、波長λ２の入射光は吸収され、他の波長の光は相殺的な干渉により無効とされる。全波長の入射可視光はそれによって濾波され、上部電極１０４を撓ませたとき観察者はどんな反射可視光も見ることができない。干渉変調画素１００は、ここでは「閉」状態、すなわち「暗い」状態にある。
【０００９】
前述の如く、電圧を印加した状態で、上部電極１０４は下部電極１０２へ向け静電吸引され、これにより干渉変調画素１００は「開」状態から「閉」状態へ切り替えられる。干渉変調画素１００が「閉」状態から「開」状態へ切り替わるときは、上部電極１０４を撓ませる電圧は取り除かれ、上部電極１０４が元の状態へ、すなわち図１Ａに示した「開」状態へ弾性的に復帰する。
【特許文献１】米国特許第５，８３５，２５５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前記に鑑み、干渉変調画素１００は光の薄膜干渉原理に反射板と微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）プロセスを組み合わせることで得られる。ＭＥＭＳプロセスでは、キャビティ（空隙）１０８は下部電極１０２と上部電極１０４との間の電気防食層をエッチングすることで形成される。電気防食層の除去後、キャビティ１０８内に簡単に水蒸気が吸収され、下部電極１０２と上部電極１０４の間に不要な静電吸引力を生み出すことがある。水分子が生み出す静電吸引力は、ディスプレイ装置の「開」状態を「閉」状態へ切り替えることがある。それ故、干渉変調を用いるディスプレイ装置とその製造方法では、キャビティ１０８内の水分子の吸収を防止し、それによって不要な静電吸引力を形成する可能性を取り除く必要がある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
一つの態様として、本発明は、下部電極上に疎水性層を形成して下部電極の上面が水分子を吸収しないよう保護した干渉変調画素及びその製造方法を提供する。
【００１２】
別の態様では、本発明は、疎水性層を下部電極上に形成して下部電極と上部電極の間の距離を維持し、これによりキャビティ内に吸収された水分が原因で上部電極が下部電極に引っ張られないようにした干渉変調画素及びその製造方法を提供する。
【００１３】
また別の態様では、本発明は平面光干渉ディスプレイの画像表示品質を高める干渉変調画素と製造方法を提供する。
【００１４】
前記ならびに本発明の他の態様に従い、本発明は干渉変調画素の製造方法を提供する。第１の電極層と電気防食層を透明基板上に順番に形成し、ここでは第１の電極層の最上層を絶縁層とする。少なくとも二つの第１の開口を電気防食層と第１の電極層内に形成し、第１の電極の境界を定め画成する。感光性材料を電気防食層上と第１の開口内に形成し、続いて第１の開口内に支持体を残すよう一部を取り除く。第２の電極層を、電気防食層と支持体上に形成する。次に、少なくとも二つの開口を第２の電極層に形成して第２の電極の境界を定めて画成し、これにより二つの第２の開口を二つの第１の開口に垂直に十字交差（直行）させるようにする。続いて電気防食層を取り除き、絶縁層上に疎水性層を形成する。
【００１５】
前記にあって、疎水性層は、酸素又は窒素原子と水素結合を形成することのできる水素原子を少なくとも有する疎水性有機化合物の層を含むことで形成する。疎水性有機化合物は、ヘキサメチルジシランを含むシラン或いはトリメチルシラノールを含んでいるシラノールから構成してある。
【００１６】
前記ならびに本発明の他の態様により、本発明は干渉変調画素を製造する別の方法を提供する。第１の電極層と疎水性層と電気防食層を透明基板上に順番に形成し、ここでは第１の電極層の最上層を絶縁層とする。少なくとも二つの第１の開口を電気防食層と疎水性層と第１の電極層に形成し、第１の電極の境界を定め画成する。感光性材料を電気防食層上と第１の開口内に形成し、続いて部分的に取り除いて第１の開口内に支持体を残す。第２の電極層を、電気防食層と支持体上に形成する。次に、少なくとも二つの開口を第２の電極層に形成して第２の電極の境界を定め画成し、これにより二つの第２の開口が二つの第１の開口に垂直に十字交差するようにする。そこで、電気防食層を取り除く。
【００１７】
前記にあっては、疎水性層は疎水性樹脂で構成することができる。
【００１８】
前記ならびに本発明の他の態様により、本発明は干渉変調画素を提供する。この干渉変調画素は、第１の電極と、第１の電極の上方にある可動の第２の電極と、第１の電極と第２の電極の間にあって第１と第２の電極間にキャビティを形成する二つの支持体と、下部電極のキャビティ側表面上の疎水性層を備える。疎水性層として用いる材料には、酸素又は窒素原子と水素結合を形成することのできる水素原子を少なくとも有する疎水性樹脂や疎水性有機化合物が含まれる。疎水性有機化合物は、ヘキサメチルジシランを含むシラン或いはトリメチルシラノールを含むシラノールから構成してある。
【００１９】
まとめると、本発明は、以下のものを提供する。
【００２０】
（１）  干渉変調画素の製造方法であって、透明基板上に第１の電極層を形成するステップで、該第１の電極層の最上層を絶縁層とするステップと、前記絶縁層上に電気防食層を形成するステップと、前記電気防食層と前記第１の電極層内に少なくとも２つの第１の開口を形成し、第１の電極の境界を定めて画成するステップで、該第１の電極が前記第１の電極層でできているステップと、前記電気防食層上と前記第１の開口内に感光性材料を被覆するステップと、前記感光性材料をパターン形成して前記第１の開口内に支持体を形成するステップと、前記電気防食層上および前記支持体上に第２の電極層を形成するステップと、前記第２の電極層内に少なくとも二つの第２の開口を形成して第２の電極を画成するステップで、該第２の電極が前記第２の電極層からできており、該二つの第２の開口の向きが前記二つの第１の開口に垂直であるステップと、前記電気防食層を取り除くステップと、前記絶縁層上に疎水性層を形成するステップと、を含む、ことを特徴とする干渉変調画素の製造方法。
【００２１】
（２）  前記絶縁層は、酸化ケイ素或いは窒化ケイ素を有することを特徴とする（１）記載の方法。
【００２２】
（３）  前記疎水性層は、酸素原子または窒素原子と水素結合を形成することのできる水素原子を少なくとも有する疎水性有機化合物の層を含んで形成してあることを特徴とする（１）記載の方法。
【００２３】
（４）  前記疎水性有機化合物は、ヘキサメチルジシランを含むシランまたはトリメチルシラノールを含むシラノールで構成してあることを特徴とする請求項３記載の方法。
【００２４】
（５）  干渉変調画素の製造方法であって、透明基板上に第１の電極層を形成するステップで、前記第１の電極層の最上層を絶縁層とする前記ステップと、前記絶縁層上に疎水性層を形成するステップと、前記疎水性層上に電気防食層を形成するステップと、前記電気防食層と前記疎水性層と前記第１の電極層内に少なくとも二つの第１の開口を形成して第１の電極を画成するステップで、前記第１の電極が前記第１の電極層でできている前記ステップと、前記電気防食層上と前記第１の開口内に感光性材料を被覆するステップと、前記感光性材料をパターン形成して前記第１の開口内に支持体を形成するステップと、前記電気防食層と前記支持体上に第２の電極層を形成するステップと、前記第２の電極層内に少なくとも二つの第２の開口を形成して第２の電極を画成するステップで、該第２の電極が前記第２の電極層からできており、該二つの第２の開口の向きが前記二つの第１の開口に垂直である前記ステップと、前記電気防食層を取り除くステップと、を含むことを特徴とする干渉変調画素の製造方法。
【００２５】
（６）  前記絶縁層は、酸化ケイ素或いは窒化ケイ素を備えていることを特徴とする（５）記載の方法。
【００２６】
（７）  前記疎水性層は、疎水性樹脂を備えることを特徴とする（５）記載の方法。
【００２７】
（８）  干渉変調画素であって、第１の電極と、前記第１の電極の上方に位置し、前記第１の電極に平行な可動の第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極の間にあって該第１と第２の電極内にキャビティを形成する二つの支持体と、前記第１の電極のキャビティ側の面にあって前記第１の電極が水分子を吸収しないようにする疎水性層と、を備えることを特徴とする前記干渉変調画素。
【００２８】
（９）  前記疎水性層は、酸素原子または窒素原子と水素結合を形成することのできる水素原子を少なくとも有する疎水性有機化合物または疎水性樹脂を備えることを特徴とする（８）記載の干渉変調画素。
【００２９】
（１０）  前記疎水性有機化合物は、ヘキサメチルジシランを含むシランまたはトリメチルシラノールを含むシラノールで構成ことを特徴とする（８）記載の干渉変調画素。
【発明の効果】
【００３０】
上記の本発明の好適な実施形態によれば、疎水性層で下部電極の絶縁層を被覆して水分子の吸収を防止する。それ故、下部電極と上部電極の間の距離が水分子の吸収が原因で減少することはなく、それによって高品位の画像ディスプレイが提供される。
【００３１】
前述の概説と以下の詳細な説明は共に例示であり、請求にかかる本発明のさらなる説明を意図したものであることは理解されたい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
従来技術の干渉変調画素の下部電極は、透明導電層と光吸収層とシリコンベースの絶縁層でできている。シリコンベースの絶縁層は通常酸化ケイ素層或いは窒化ケイ素層であり、両方とも親水性である。干渉変調ディスプレイ装置のキャビティの深さは、下部電極と上部電極の間の電気防食層を構造的な解離エッチングプロセスによりエッチングして取り除いた後のそれらの間の距離である。キャビティの深さは通常、１マイクロメートル又はもっと小さなオーダーである。それ故、空気中の水蒸気がキャビティ内に簡単に吸収され、下部電極と上部電極の間に好ましくない静電吸着力を生み出し、それが干渉変調画素を恒久的に押圧して「閉」状態にあるように見せ、結果的に画像欠陥が生まれる。
【００３３】
それ故、本発明は、下部電極上へ水分子が吸収される従来技術の課題を解決すべく、干渉変調画素とその製造方法を提供するものである。本発明の好適な実施形態では、下部電極を疎水性層により覆い、水分子の吸収を阻止するようにする。
【００３４】
ここで、例を添付図面に図解し、本発明の好適な実施形態を詳細に記載する。
【００３５】
［実施形態１］
図２Ａ乃至図２Ｄは、本発明の好適な実施形態に従って干渉変調画素（ピクセル）を製造する工程を示す断面図である。図２Ａ中、透明導電層２０５と光吸収層２１０と絶縁層２１５と電気防食層２２０が、透明基板２００上に順番に形成してある。すなわち、第１の電極層の最上層が絶縁層２１５となり、その上に電気防食層２２０が形成されている。
【００３６】
透明導電層２０５は、好ましくはインジウム酸化スズ（ＩＴＯ）やインジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）や酸化亜鉛或いは酸化インジウムでできている。光吸収層２１０は、好ましくはアルミニウムや銀或いはクロムでできている。絶縁層２１５は、酸化ケイ素や窒化ケイ素で構成することができる。電気防食層２２０は、金属や非晶質シリコンやポリシリコンや他の適当な材料でできている。
【００３７】
図２Ｂ中、下部電極を画成するフォトリソグラフィとエッチング等のプロセスにより、電気防食層２２０と絶縁層２１５と光吸収層２１０と透明導電層２０５に少なくとも二つの第１の開口部２２５が形成してある。第１の開口２２５は図の面に対しほぼ垂直に配向してあり、これによりその開口はチャンネルに擬すことができ、図にはチャンネルの断面だけが見て取れる。干渉変調画素の下部電極は、二つの第１の開口２２５間に位置していて、透明導電層２０５と光吸収層２１０と絶縁層２１５を積み重ねることで形成してある。
【００３８】
次に、感光性材料２３０で電気防食層２２０上と第１の開口２２５内を被覆（コーティング）する。感光性材料２３０は、ポジティブフォトレジストやネガティブフォトレジスト、或いはポリイミドやアクリル樹脂やエポキシ樹脂等の様々な種類の感光性ポリマーで構成してある。
【００３９】
図２Ｃ中、第１の開口２２５内の支持体２３５は感光性材料２３０を露光および現像させることで形成してある。反射導電層２４５が、電気防食層２２０と支持体２３５上に形成してある。そこで、光リソグラフィとエッチング等のプロセスにより反射導電層２４５内に少なくとも２つの第２の開口（図２Ｃには図示せず）を形成し、二つの第２の開口間に上部電極の境界を定め画成してある。第２の開口の向きは、図の面に平行である。上部電極は反射導電層２４５で形成してあり、光反射電極としてある。上部電極を撓ませ、上下に動かすことができる。反射導電層２４５として用いる材料は、下部電極からの入射光を反射するよう反射性でなければならない。反射導電層２４５は、好ましくは金属で構成する。
【００４０】
図２Ｄ中、電気防食層２２０は遠隔プラスマエッチング等の構造的な解離エッチングプロセスにより取り除く。遠隔プラスマの前駆物質には、二フッ化キセノン、四フッ化カーボン、三塩化ホウ素、三フッ化窒素、六フッ化硫黄或いはそれらの組み合わせといった、フッ素ベース或いは塩素ベースのエッチング液が含まれる。
【００４１】
水分の無い環境すなわち真空中で、疎水性層２５０が絶縁層２１５の表面に形成してある。疎水性層２５０の形成に用いる方法には、疎水性有機化合物の気体を反応室に導入し、これにより気体を凝縮させ、絶縁層２１５上に吸着させることが含まれる。疎水性有機化合物は、絶縁層２１５表面の孤立した酸素又は窒素原子の電子対の両方と水素結合を形成し得る少なくとも一つの水素原子をもたねばならない。その結果、絶縁層２１５内の酸素原子や窒素原子は水分子と水素結合を形成することはできず、水分子の吸収は防止される。疎水性有機化合物には、ヘキサメチルジシラン等のシラン或いはトリメチルシラノールのような或いはシラノールが含まれる。
【００４２】
［実施形態２］
図３Ａ乃至図３Ｄは、本発明の別の好適な実施形態になる干渉変調画素の製造工程を示す断面図である。図３Ａ中、透明導電層３０５と光吸収層３１０と絶縁層３１５と疎水性層３２０と電気防食層３２５が透明基板３００上に順番に形成してある。
【００４３】
透明導電層３０５は、好ましくはインジウム酸化スズ（ＩＴＯ）やインジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）や酸化亜鉛或いは酸化インジウムから構成してある。光吸収層３１０は、アルミニウムや水銀或いはクロム等の金属でできている。絶縁層３１５は、好ましくは酸化ケイ素或いは窒化ケイ素で構成してある。本実施形態では、疎水性層３２０は疎水性樹脂でできている。電気防食層３２５は、好ましくは金属や非晶質シリコン或いはポリシリコンで構成してある。
【００４４】
図３Ｂ中、少なくとも二つの第１の開口３３０が、光リソグラフィとエッチング等のプロセスにより電気防食層３２５と疎水性層３２０と絶縁層３１５と光吸収層３１０と透明導電層３０５内に形成してあり、下部電極の境界を定めて画成している。第１の開口は図の面に対しほぼ垂直に配向してあり、これにより開口はチャンネルに擬することができ、図にはチャンネルの断面だけが見て取れる。干渉変調画素の下部電極は、二つの第１の開口３３０間に位置しており、透明導電層３０５と光吸収層３１０と絶縁層３１５を積み重ねることで形成してある。次に、感光性材料３３５を電気防食層３２５上と第１の開口３３０内に被覆する。感光性材料３３５は、ポジティブフォトレジストやネガティブフォトレジスト、或いはポリイミドやアクリル樹脂やエポキシ樹脂といった様々な種類の感光性ポリマーで構成してある。
【００４５】
図３Ｃ中、第１の開口３３０内の支持体３４０は感光性材料３３５を露光および現像することで形成してある。反射導電層３４５が、電気防食層３２５と支持体３４０上に形成してある。次に、少なくとも二つの第２の開口（図２Ｃには図示せず）を光リソグラフィとエッチング等のプロセスにより反射導電層３４５に形成し、二つの第２の開口間に上部電極を画成する。第２の開口部の向きは、図の面と平行である。上部電極は反射導電層３４５で形成してあり、光反射電極としてある。上部電極は撓ませ、上下に動かすことができる。反射導電層３４５として用いられる材料は反射性とし、それによって下部電極から入射光を反射させなくてはならない。反射導電層３４５の材料は、好ましくは金属で構成してある。
【００４６】
図３Ｄ中、電気防食層３２５は遠隔プラズマエッチング等の構造的な解離エッチングにより取り除く。遠隔プラスマの前駆物質には、二フッ化キセノンや四フッ化カーボンや三塩化ホウ素や三フッ化窒素や六フッ化硫黄物或いはそれら組み合わせ等のフッ素ベース或いは塩素ベースのエッチング液が含まれる。
【００４７】
上記した本発明の好適な実施形態に鑑み、疎水性層が下部電極の絶縁層を覆い、水分子の吸収を阻止している。それ故、下部電極と上部電極の間の距離は水分子の吸収によって減少せず、それによって高品質の画像ディスプレイが提供される。
【００４８】
本発明の範囲ならびに趣旨から逸脱することなく、本発明構成に対し様々な改変と変形がなし得ることは当業者には明白となろう。前記に鑑み、本発明はそれが特許請求の範囲とその均等物の範囲内に包含される限り本発明の改変と変形を包含することを意図するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１Ａ】従来技術の干渉変調画素を示す断面図である。
【図１Ｂ】電圧印加後の図１Ａの干渉変調画素１００を示す断面図である。
【図２Ａ】本発明の好適な実施形態になる干渉変調画素の製造方法を示す断面図である。
【図２Ｂ】本発明の好適な実施形態になる干渉変調画素の製造方法を示す断面図である。
【図２Ｃ】本発明の好適な実施形態になる干渉変調画素の製造方法を示す断面図である。
【図２Ｄ】本発明の好適な実施形態になる干渉変調画素の製造方法を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の別の好適な実施形態になる干渉変調画素の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｂ】本発明の別の好適な実施形態になる干渉変調画素の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｃ】本発明の別の好適な実施形態になる干渉変調画素の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｄ】本発明の別の好適な実施形態になる干渉変調画素の製造方法を示す断面図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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