(57)【要約】【課題】  ブルーミング特性を確保できるようにすると共に読み出し電圧も低くすることができ、且つ微細化されても、スミア特性を確保することができる構成の固体撮像素子を提供する。【解決手段】  受光センサ部２と垂直転送レジスタ３とが形成され、受光センサ部２と垂直転送レジスタ３との間に、読み出しゲート部１８が形成されて撮像領域が構成され、撮像領域において、受光センサ部２を除く領域が遮光膜２２で覆われ、遮光膜２２が、受光センサ部２に蓄積された信号電荷を、垂直転送レジスタ３に読み出すための読み出し電極を兼ね、信号電荷の読み出し時以外は、遮光膜２２に、読み出しゲート部の表面に反転層２８が形成されるような電圧が印加され、信号電荷の読み出し時は、遮光膜に、反転層２８が消去されるような電圧が印加される固体撮像素子１を構成する。【選択図】      図２
2005109021.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光センサ部と垂直転送レジスタとが形成され、前記受光センサ部と前記垂直転送レジスタとの間に、読み出しゲート部が形成されて撮像領域が構成され、
前記撮像領域において、前記受光センサ部を除く領域が遮光膜で覆われ、
前記遮光膜が、前記受光センサ部に蓄積された信号電荷を、前記垂直転送レジスタに読み出すための読み出し電極を兼ね、
前記信号電荷の読み出し時以外は、前記遮光膜に、前記読み出しゲート部の表面に反転層が形成されるような電圧が印加され、
前記信号電荷の読み出し時は、前記遮光膜に、前記反転層が消去されるような電圧が印加される
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記読み出しゲート部がＮ型の半導体領域から形成され、前記信号電荷の読み出し時以外は、前記遮光膜に、前記読み出しゲート部の表面に反転層が形成されるような負電圧が印加され、前記信号電荷の読み出し時は、前記反転層が消去されるような正電圧が印加されることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記読み出しゲート部がＰ型の半導体領域から形成され、前記信号電荷の読み出し時以外は、前記遮光膜に、読み出しゲート部の表面に反転層が形成されるような正電圧が印加され、前記信号電荷の読み出し時は、前記反転層が消去されるような負電圧が印加されることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の固体撮像素子、例えばインターライントランスファ（ＩＴ）型の固体撮像素子（例えばＣＣＤ型の固体撮像素子）の構成を図６に示す。
この固体撮像素子４１は、画素を構成する例えばフォトダイオードからなる受光センサ部４２が多数マトリクス状に配列され、受光センサ部４２の各列の一方の側に垂直方向に延びる垂直転送レジスタ４３が形成されて、撮像領域４４が構成されている。さらに、撮像領域４４の垂直方向の端部に水平転送レジスタ４５が配置され、この水平転送レジスタ４５に電荷電圧変換手段（図示せず）を介して出力部４６が接続されて構成される。
【０００３】
このような構成の固体撮像素子４１では、例えば、各受光センサ部４２において受光量に応じて光電変換された信号電荷が、垂直転送レジスタ４３に読み出され、垂直転送レジスタ４３に読み出された信号電荷は、１水平ライン毎に水平転送レジスタ４５に転送され、水平転送部レジスタ４５内を順次転送されて出力部４６を通じて出力される。
【０００４】
次に、図６の撮像領域４４のＡ―Ａ線上における断面図を図７に示す。
撮像領域４４では、第１導電型、例えばＮ型のシリコン半導体基板５０内に、第２導電型、例えばＰ型の第１の半導体ウェル領域５１が形成され、半導体基板５０の表面側には、受光センサ部４２を構成するＮ＋の半導体領域（所謂電荷蓄積領域）５２と、その上の表面のＰ＋＋の半導体領域（正電荷蓄積領域）５３からなるフォトダイオードが形成される。受光センサ部４２列の一方の側には、垂直転送レジスタ４３を構成するＮ＋の転送チャネル領域５５が形成され、Ｎ＋の転送チャネル領域５５の下には、Ｐ＋の第２の半導体ウェル領域５６が形成されている。受光センサ部４２列の他方の側には、水平方向に隣り合う画素間を分離するための画素分離領域、即ち、高濃度のＰ型のチャネルストップ領域５７が形成されている。受光センサ部４２と垂直転送レジスタ４３との間には、受光センサ部４２に蓄積された信号電荷を垂直転送レジスタ４３に読み出すための、読み出しゲート部５８が形成されている。
【０００５】
半導体基板５０の表面上には、絶縁膜５９が形成され、読み出しゲート部５８、Ｎ＋の転送チャネル領域５５及びチャネルストップ領域５７上に、例えば多結晶シリコン層よりなる転送電極６０が形成されている。そして、転送チャネル領域５５、転送電極６０とにより垂直転送レジスタ４３が構成される。この転送電極６０上には、層間絶縁膜６１を介して例えばＡｌからなる遮光膜６２が形成される。
【０００６】
遮光膜６２上には、全面を覆ってプラズマＳｉＮ膜６３が形成され、プラズマＳｉＮ膜６３上には、全面を覆って平坦化膜６４が形成され、この平坦化膜６４上にはカラーフィルタ６５が形成される。そして、このカラーフィルタ６５上の受光センサ部４２と対応する位置には、オンチップレンズ６６が形成されている。
【０００７】
ここで、このような構成の固体撮像素子４１においては、例えばブルーミングの発生を抑制するために、読み出しゲート部５８の表面部に、例えばＰ型の不純物よりなる不純物領域（ポテンシャルバリア）６７を設けるようにしている（特許文献１参照）。
【０００８】
この不純物領域（図７の場合では、高濃度のＰ型不純物領域）６７は、読み出し時以外、即ち受光センサ部４２に信号電荷が蓄積されている間は、受光センサ部４２から垂直転送レジスタ４３への信号電荷の流出を抑えており、読み出し時、即ち受光センサ部４２に蓄積された信号電荷を垂直転送レジスタ４３へ読み出す際は、転送電極６０に不純物領域６７が潰されるような電圧（読み出し電圧）が印加されることで、受光センサ部４２から垂直転送レジスタ４３への信号電荷の流れを許容している。
【０００９】
また、このような構成の固体撮像素子４１においては、例えば遮光膜６２の端から入射する光によって、垂直転送レジスタ４３にスミアが発生することを防止するために、遮光膜６２に、受光センサ部４２上に一部跨るような張り出し部６２１を設けている（特許文献２参照）。
【００１０】
即ち、例えば受光センサ部４２に斜めに入射した光が半導体基板５０表面と遮光膜６２との間の絶縁膜５９中に入り込んだ場合、光を半導体基板５０表面と張り出し部６２１との間で多重反射させるようにして、例えば垂直転送レジスタ４３に到達する前に光が減衰されるようにすることで、スミアの発生要因となる垂直転送レジスタ４３に入射する光を低減するようにしている。
【特許文献１】特開平１１−５４７３９号公報
【特許文献２】特開平２００２−１６４５２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、このような構成の固体撮像素子４１においては、Ｐ型の不純物の注入量により、ブルーミング特性と読み出し電圧が影響を受ける。
即ち、例えば、Ｐ型の不純物の注入量を多くした場合には、不純物濃度が高くなり、ポテンシャルバリア６７が深くなるので、読み出し時以外では、受光センサ部４２から垂直転送レジスタ４３への信号電荷の流出を抑える効果を増大させて、ブルーミング特性を有利にできるが、読み出し時では、深いポテンシャルバリア６７を潰せるような高い読み出し電圧を転送電極６０に印加する必要があり、読み出し電圧が高くなってしまう。
【００１２】
一方、例えばＰ型の不純物の注入量を少なくした場合には、不純物濃度が低くなり、ポテンシャルバリア６７が浅くなるので、読み出し時では、低い電圧でポテンシャルバリア６７を潰すことができ、読み出し電圧を低く下げられるが、読み出し時以外では、受光センサ部４２から垂直転送レジスタ４３への信号電荷の流出を抑える効果が低減されて、ブルーミング特性が悪くなってしまう。
【００１３】
つまり、上述した従来の固体撮像素子４１においては、ブルーミング特性と、読み出し電圧との関係が、所謂トレードオフの関係となっている。
【００１４】
また、固体撮像素子４１を製造する際に、不純物領域６７の不純物濃度にばらつきがあると、ブルーミング特性にもばらつきを生じる。
そして、不純物領域６７の不純物濃度にばらつきがあっても、充分なブルーミング特性を得るようにするためには、不純物濃度を高めに設定することになる。
このため、生産マージンを考慮すると共に、充分なブルーミング特性を確保しようとすると、不純物領域６７の不純物濃度が高くなって、高い読み出し電圧が必要となってしまう。
【００１５】
また、近年、固体撮像素子に対する微細化の要求が強くなってきている。しかしながら、上述した固体撮像素子４１において、さらに微細化を図ろうとすると、スミア特性が悪化してしまう。
【００１６】
即ち、例えばある程度の感度を維持して微細化しようとする場合、受光センサ部４２の開口面積をあまり小さくすることができないため、例えば受光センサ部４２上に跨る、遮光膜６２の張り出し部６２１の長さＤを短くせざるを得ない。
【００１７】
しかし、張り出し部６２１の長さＤを短くした場合、半導体基板５０表面と遮光膜６２との間の絶縁膜５９中に入り込んだ光は、張り出し部６２１の長さＤが長い場合に比べて多重反射が少なく、例えば光を垂直転送レジスタ４３に到達する前に減衰させることが困難となる。
【００１８】
これにより、スミアの発生要因となる垂直転送レジスタ４３に入射する光を低減できず、
スミア特性が悪化する。
【００１９】
上述した点に鑑み、本発明は、ブルーミング特性を確保すると共に読み出し電圧も低くすることができ、且つ微細化されても、スミア特性を確保することができる構成の固体撮像素子を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明に係る固体撮像素子は、受光センサ部と垂直転送レジスタとが形成され、受光センサ部と垂直転送レジスタとの間に、読み出しゲート部が形成されて撮像領域が構成され、撮像領域において、受光センサ部を除く領域が遮光膜で覆われ、遮光膜が、受光センサ部に蓄積された信号電荷を、垂直転送レジスタに読み出すための読み出し電極を兼ね、信号電荷の読み出し時以外は、遮光膜に、読み出しゲート部の表面に反転層が形成されるような電圧が印加され、信号電荷の読み出し時は、遮光膜に、反転層が消去されるような電圧が印加される構成とする。
【００２１】
本発明の固体撮像素子によれば、撮像領域において、受光センサ部を除く領域が遮光膜で覆われ、遮光膜が、受光センサ部に蓄積された信号電荷を、垂直転送レジスタに読み出すための読み出し電極を兼ね、信号電荷の読み出し時以外は、遮光膜に、読み出しゲート部の表面に反転層が形成されるような電圧が印加され、信号電荷の読み出し時は、遮光膜に、反転層が消去されるような電圧が印加される構成とするので、信号電荷の読み出し時以外では、反転層により、受光センサ部から垂直転送レジスタへの信号電荷の流出を抑えることができ、信号電荷の読み出し時では、反転層が消去されて、低い電圧で信号電荷を読み出すことができる。これにより、読み出し電圧を低減することが可能になる。
【００２２】
また、本発明の固体撮像素子によれば、遮光膜が読み出し電極を兼ねているので、読み出しゲート部上に遮光膜が形成されることになる。従って、受光センサ部上の一部に跨るように遮光膜が形成された固体撮像素子に比べて、受光センサ部上の開口面積を大きくして、高い感度の固体撮像素子を得ることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、ブルーミング特性が確保できると共に読み出し電圧が低い構成の固体撮像素子を提供することが可能になる。
これにより、生産マージンを考慮すると共に、ブルーミング特性を確保しようとする場合でも、読み出し電圧を高くする必要がなくなる。この場合は、歩留まりを向上させることが可能になる。
【００２４】
また、本発明によれば、受光センサ部上の開口面積が大きく、高い感度の固体撮像素子が得られるので、微細化してもスミア特性を確保することができる固体撮像素子を提供することができる。
また、受光センサ部上の開口面積が大きく、感度の高い構成の固体撮像素子が得られるので、さらなる微細化に対応することが可能な固体撮像素子を提供することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
先ず、本発明に係る固体撮像素子を、例えばインターライントランスファ（ＩＴ）型の固体撮像素子（例えばＣＣＤ型の固体撮像素子）に適用した場合を、図１に示す。
本実施の形態の固体撮像素子１は、画素を構成する例えばフォトダイオードからなる受光センサ部２が多数マトリクス状に配列され、受光センサ部２の各列の一方の側に垂直方向に延びる垂直転送レジスタ３が形成されて、撮像領域４が構成されている。さらに、撮像領域４の垂直方向の端部に水平転送レジスタ５が配置され、この水平転送レジスタ５に電荷電圧変換手段（図示せず）を介して出力部６が接続されて構成される。
【００２６】
このような構成の固体撮像素子１では、例えば、各受光センサ部２において受光量に応じて光電変換された信号電荷が、垂直転送レジスタ３に読み出され、垂直転送レジスタ３に読み出された信号電荷は、１水平ライン毎に水平転送でレジスタ５に転送され、この水平転送部レジスタ５内を順次転送されて出力部６を通じて出力される。
【００２７】
次に、図１の撮像領域４の、Ａ―Ａ線上における拡大断面図を図２に示す。
撮像領域４では、第１導電型、例えばＮ型のシリコン半導体基板１０内に、第２導電型、例えばＰ型の第１の半導体ウェル領域１１が形成され、シリコン半導体基板１０の表面側には、受光センサ部２を構成するＮ＋の半導体領域（所謂電荷蓄積領域）１２とその上の表面のＰ＋＋の半導体領域（正電荷蓄積領域）１３からなるフォトダイオードが形成される。受光センサ部１２列の一方の側には、垂直転送レジスタ３を構成するＮ＋の転送チャネル領域１５が形成され、Ｎ＋の転送チャネル領域１５の下には、Ｐ＋の第２の半導体ウェル領域１６が形成されている。受光センサ部１２列の他方の側には、水平方向に隣り合う画素間を分離するための画素分離領域、即ち、高濃度のＰ型のチャネルストップ領域１７が形成されている。受光センサ部１２と垂直転送レジスタ１３との間のＮ型の半導体基板１０には、受光センサ部１２に蓄積された信号電荷を、垂直転送レジスタ１３に読み出すための、読み出しゲート部１８が形成されている。
尚、Ｐ型の第１の半導体ウェル領域１１は、例えばＮ型のシリコン基板１０の所定の領域に、後からＰ型の不純物が注入されることで形成される。
【００２８】
半導体基板１０の表面上には、絶縁膜１９が形成され、読み出しゲート部１８、Ｎ＋の転送チャネル領域１５及びチャネルストップ領域１７上に、例えば多結晶シリコン層よりなる転送電極２０が形成されている。尚、転送電極２０は、３層構造で形成されている。
そして、Ｎ＋の転送チャネル領域１５、転送電極２０とにより垂直転送レジスタ３が構成される。この転送電極２０上には層間絶縁膜２１を介して例えばＡｌからなる遮光膜２２が形成される。
遮光膜２２には、前述したように、例えば遮光膜２２の端から入射する光によって、垂直転送レジスタ３にスミアが発生することを防止するために、張り出し部２２１が設けられている。
【００２９】
遮光膜２２上には、全面を覆ってプラズマＳｉＮ膜２３が形成され、プラズマＳｉＮ膜２３上には、全面を覆って平坦化膜２４が形成され、この平坦化膜２４上には、カラーフィルタ２５が形成される。そして、このカラーフィルタ２５上の受光センサ部２と対応する位置には、オンチップレンズ２６が形成されている。
【００３０】
そして、本実施の形態の固体撮像素子１では、特に、遮光膜２２が読み出しゲート部１８の上方に形成され、受光センサ部２に蓄積された信号電荷を垂直転送レジスタ３へ読み出す際の読み出し電極を兼ねるように構成されている。
即ち、従来の固体撮像素子では、読み出しゲート部では、基板上にゲート絶縁膜を介して、転送電極が形成された構成であるが（図７参照）、本実施の形態の固体撮像素子１では、読み出しゲート部１８では、基板上にゲート絶縁膜１９を介して、遮光膜２２の張り出し部２２１が形成された構成であり、遮光膜２２が読み出し電極を兼ねる構成となっている。この遮光膜２２には、読み出し電圧を印加するための配線２７が接続されている。
【００３１】
そして、さらに、本実施の形態の固体撮像素子１では、信号電荷の読み出し時以外は、遮光膜２２に、読み出しゲート部に反転層（障壁）が形成されるような電圧が印加され、信号電荷の読み出し時は、遮光膜２２に、反転層が消去されるような電圧が印加される。
【００３２】
以下、本実施の形態の固体撮像素子１における、読み出し動作を、図２〜図５を用いて具体的に説明する。
尚、図２及び図３は信号電荷の読み出し時以外を、図４及び図５は信号電荷の読み出し時を示している。
【００３３】
先ず、信号電荷の読み出し時以外では、図２に示すように、配線２７を介して、遮光膜２２に、反転層が形成されるような電圧φＶが印加される。ここで、本実施の形態の固体撮像素子１では、読み出しゲート部１８がＮ型の不純物より形成されているので、反転層が形成されるような電圧φＶとしては、負電圧が印加される。
【００３４】
この際、読み出しゲート部１８では、図３Ａに示すように、負の電荷を持つ電子が半導体基板１０の界面から半導体基板１０の底部へと遠ざけられることにより、半導体基板１０の界面近傍が正孔のみとなり、空乏化領域２９が形成される。そして、さらに、伝導型が反転して、正の電荷をもつ正孔が読み出しゲート部１８の表面部に誘起される。このようにして、図２及び図３Ｂに示すような反転層２８が形成される。
【００３５】
一方、信号電荷の読み出し時では、図４に示すように、配線２７を介して、遮光膜２２に、上記反転層２８が消去されるような読み出し電圧φＶＲが印加される。ここで、本実施の形態の固体撮像素子１では、反転層２８は、負電圧φＶが印加されることで形成されるので、反転層２８が消去されるような読み出し電圧φＶＲとしては、正電圧が印加される。
尚、この正電圧としては、０Ｖ以上の電圧であれば、反転層２８を消去することが可能である。これにより、高い読み出し電圧を印加する必要がなくなる。
【００３６】
この際、読み出しゲート部１８では、図５Ａに示すように、正孔が半導体基板１０の界面から半導体基板１０の底部へと遠ざけられることにより、半導体基板１０の界面近傍が負の電荷を持つ電子のみとなる。これにより、上述した空乏化領域２９が消滅されて、図４及び図５Ｂに示すように、読み出しゲート部１８の表面部から反転層２８が消去された状態となる。
【００３７】
このように、本実施の形態の固体撮像素子１によれば、遮光膜２２が、読み出し電極を兼ねる構成として、読み出し時以外では、この遮光膜２２に読み出しゲート部１８に反転層２８が形成されるような電圧φＶ（負電圧）が印加されることで、読み出しゲート部１８の表面部に反転層２８が形成され、読み出し時では、遮光膜２２に上記反転層２８が消去されるような電圧φＶＲ（正電圧）が印加されることで、読み出しゲート部１８の表面部からは反転層２８が消去されるようにしたので、信号電荷の読み出し時以外では、反転層２８により、受光センサ部２から垂直転送レジスタ３への信号電荷の流出を抑えることができ、信号電荷の読み出し時では、遮光膜２２に印加される読み出し電圧φＶＲが高くなることを抑えることができる。
【００３８】
また、本実施の形態の固体撮像素子１によれば、読み出しゲート部１８では、基板１０上に絶縁膜１９を介して、遮光膜２２の張り出し部２２１が設けられ、遮光膜２２が読み出し電極を兼ねるように構成されているので、従来のように、遮光膜の張り出し部が受光センサ部上に跨るように形成されている構成に比べて、受光センサ部上に遮光膜の張り出し部がない分、開口面積が大きく、感度の高い構成にすることができる。
これにより、従来のように、受光センサ部２２上の遮光膜２２１の張り出し部を短くしなくとも、スミア特性に影響を与えることなく、微細化することができる。
【００３９】
上述した実施の形態の固体撮像素子１では、読み出しゲート部１８が、Ｎ型の不純物より形成された場合において、読み出し時以外では、配線２７を介して遮光膜２２に負電圧が印加されることで読み出しゲート部１８の表面に反転層２８が形成され、読み出し時では、遮光膜２２に正電圧が印加されることで反転層２８が消去される構成を示したが、例えば、読み出しゲート部１８が、Ｐ型の不純物より形成された場合は、読み出し時以外と読み出し時に遮光膜２２に印加される電圧の極性が逆になる。
【００４０】
即ち、このような構成の固体撮像素子の場合、読み出しゲート部１８がＰ型の不純物より形成されているので、読み出し時以外では、反転層が形成されるような電圧φＶとしては、正電圧が印加される。
一方、読み出し時では、反転層２８は、正電圧が印加されることで形成されているので、反転層２８が消去されるような読み出し電圧φＶＲとしては、負電圧が印加される。
【００４１】
このような構成とされた固体撮像素子においても、上述した実施の形態の場合と同様に、読み出し時以外では、反転層２８により、受光センサ部２から垂直転送レジスタ３への信号電荷の流出を抑えることができ、読み出し時では、遮光膜２２に印加される読み出し電圧φＶＲが高くなることを抑えることができる。
また、上述した実施の形態の場合と同様に、読み出しゲート部１８では、基板１０上に絶縁膜１９を介して、遮光膜２２の張り出し部２２１が設けられ、遮光膜２２が読み出し電極を兼ねるように構成されているので、開口面積が広く感度の高い構成となる。これにより、受光センサ部２上の遮光膜２２の張り出し部２２１を短くしなくとも、スミア特性に影響を与えることなく微細化することができる。
【００４２】
尚、本実施の形態の固体撮像素子１においては、遮光膜２２が、撮像領域４において、受光センサ部２を除く領域を覆っているので、例えば、信号電荷の読み出し時に、遮光膜２２に配線２７を介して読み出し電圧が印加された場合、全ての受光センサ部２に蓄積された信号電荷が読み出されることになる。即ち、本実施の形態の固体撮像素子１では、全画素読み出しで信号電荷の読み出し動作が行われる。
【００４３】
しかしながら、例えば、遮光膜２２の形状を変形させることで、本実施の形態の固体撮像素子１においても、フィールド読み出しやフレーム読み出しにより、信号電荷の読み出し動作を行うことができる。
【００４４】
このような場合は、先ず、本実施の形態の固体撮像素子１において、例えば遮光膜２２が受光センサ部２の各行毎で分断されるような構成として、読み出し電圧が受光センサ部の各行毎に印加される構成とする。そして、このような構成の固体撮像素子１において、転送電極の構成を変化させたり、読み出し電圧を印加するタイミングを、奇数行、偶数行でそれぞれ変化させたりすることで行うことができる。
尚、受光センサ部の各行毎に分断された遮光膜２２は、例えば、遮光膜２２の形成工程において、マスクパターンの形状を、受光センサ部の各行毎で分断された形状とすることで形成することができる。
【００４５】
上述した実施の形態では、本発明を、ＩＴ型の固体撮像素子に適用して説明したが、ＩＴ型の固体撮像素子に限られず、例えばフレームインターライントランスファ（ＦＩＴ）型の固体撮像素子にも適用することができる。
【００４６】
尚、本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明に係る固体撮像素子の一実施の形態を示す概略平面図である。
【図２】図１に示す撮像領域のＡ−Ａ線上の拡大断面図（読み出し時以外）である。
【図３】Ａ、Ｂ  図２の読み出しゲート部付近の拡大断面図である。
【図４】図１に示す撮像領域のＡ−Ａ線上の拡大断面図（読み出し時）である。
【図５】Ａ、Ｂ  図４の読み出しゲート部付近の拡大断面図である。
【図６】従来の固体撮像素子の概略平面図である。
【図７】図６に示す固体撮像素子の撮像領域のＡ−Ａ線上の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１・・・固体撮像素子、２・・・受光センサ部、３・・・垂直転送レジスタ、４・・・撮像領域、５・・・水平転送レジスタ部、６・・・出力部、７・・・、８・・・、１０・・・Ｎ型のシリコン半導体基板、１１・・・Ｐ型の第１の半導体ウェル領域、１２・・・Ｎ＋の半導体領域、１３・・・Ｐ＋＋の読み出しゲート部、１５・・・Ｎ＋の転送チャネル領域、１６・・・Ｐ＋の第２の半導体ウェル領域、１７・・・Ｐ＋のチャネルストップ領域、１８・・・読み出しゲート部、１９・・・絶縁膜、２０・・・転送電極、２１・・・層間絶縁膜、２２・・・遮光膜、２２１・・・張り出し部、２３・・・プラズマＳｉＮ膜、２４・・・平坦化膜、２５・・・カラーフィルタ、２６・・・オンチップレンズ、２７・・・配線、２８・・・反転層
【図１】
2005109021.tif 000003
【図２】
2005109021.tif 000004
【図３】
2005109021.tif 000005
【図４】
2005109021.tif 000006
【図５】
2005109021.tif 000007
【図６】
2005109021.tif 000008
【図７】
2005109021.tif 000009