(57)【要約】【課題】バンプ内の気泡が少ない半導体素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】バリアメタル層３を有する半導体基板１と、長穴状の開口７を有した印刷マスク６とを準備する第１の工程と、開口７がバリアメタル層３上に位置するように印刷マスク６を半導体基板１上に配置させる第２の工程と、を備えた半導体素子の製造方法において、第２の工程で印刷マスク６を半導体基板１上に配置させる際、開口７の長手方向一端部をバリアメタル層３上に位置させ、且つ長手方向他端部をバリアメタル層３の外側に位置させるとともに、開口７の長手方向他端部と該他端部に最も離間したバリアメタル層端部との距離Ｌ１、バリアメタル層上面の有効半径ｒの関係を、３．５×ｒ≦Ｌ１を満足するように設定する。【選択図】図２
2005101468.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に複数のバリアメタル層を有する半導体基板と、前記バリアメタル層に対応する長穴状の開口を有した印刷マスクとを準備する第１の工程と、前記開口がバリアメタル層上に位置するように印刷マスクを半導体基板上に配置させる第２の工程と、印刷マスク上にペーストを供給するとともに、該供給されたペーストを前記開口を介して前記バリアメタル層上に塗布する第３の工程と、該塗布したペーストを加熱してバリアメタル層上にバンプを形成する第４の工程と、を備えた半導体素子の製造方法において、
前記第２の工程で印刷マスクを半導体基板上に配置させる際、前記開口の長手方向一端部をバリアメタル層上に位置させ、且つ、前記開口の長手方向他端部をバリアメタル層の外側に位置させるとともに、前記開口の長手方向他端部と該他端部に最も離間した前記バリアメタル層端部との距離Ｌ１、バリアメタル層上面の有効半径ｒの関係を、式（１）を満足するように設定したことを特徴とする半導体素子の製造方法。
式（１）：３．５×ｒ≦Ｌ１
【請求項２】
前記第２の工程で、前記開口の長手方向一端部と前記バリアメタル層端部との距離Ｌ２、前記バリアメタル層上面の有効半径ｒの関係を式（２）を満足するように設定したことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
式（２）：０．５×ｒ≦Ｌ２≦１．４×ｒ
【請求項３】
前記開口の長手方向一端部に位置する前記印刷マスクの下面側角部に面取り部を形成したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
半導体基板上に複数のバリアメタル層を点在させ、該バリアメタル層上にバンプを形成してなる半導体素子において、
前記バンプ内に存在する気泡のうち、バリアメタル層上面の有効半径ｒの１／５以上の径を有する気泡数が平均１個／バンプ以下であることを特徴とする半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板上の回路パターンにバンプを介して電気的に接続される半導体素子及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、回路パターンを有した回路基板の上面に、半導体素子をフェースダウンボンディングすること、すなわち、半導体素子の集積回路形成面を回路基板と対面させた状態で半導体素子を回路基板上に実装することが行われている。
【０００３】
かかるフェースダウンボンディングに用いられる半導体素子はフリップチップ型ＩＣと呼ばれ、その端子を回路基板上の回路パターンに対し半田等の導電材を介して接続させるようにしたものが一般的であった。
【０００４】
このような従来のフリップチップ型ＩＣとしては、図４に示す如く、集積回路が設けられている半導体基板１１の一主面に被着されたニッケル等から成る複数のバリアメタル層１３上に半田バンプ１５を選択的に形成した構造のものが知られている。
【０００５】
かかるフリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装する場合は、フリップチップ型ＩＣの半田バンプが回路基板上の対応する回路パターンと対向するようにしてフリップチップ型ＩＣを回路基板上に載置させ、しかる後、半田バンプを高温で加熱・溶融させることによってフリップチップ型ＩＣのバリアメタル層が回路基板上の回路パターンに半田接合される。
【０００６】
上述のフリップチップ型ＩＣは、通常、図５に示すような手法により製作されている。すなわち、
（１）上面に、複数のバリアメタル層１３及び該バリアメタル層３の非形成領域に被着されるパッシベーション層１４を有する半導体基板１１と、バリアメタル層１３に１対１に対応する複数の開口１７を有した印刷マスク１６とを準備し（図５（ａ））、
（２）次に、印刷マスク１６の開口１７がバリアメタル層１３上に位置するように印刷マスク１６を半導体基板１１上に配置し（図５（ｂ））、
（３）続いて、印刷マスク１６上に供給された半田ペースト１５’ａを、スキージ等を用いて開口１７を介してバリアメタル層１３上に印刷・塗布し（図５（ｃ））、
（４）最後に、塗布した半田ペースト１５’を加熱して球状の半田バンプ１５を形成し、半導体基板１１を所定形状に加工することによってフリップチップ型ＩＣが完成する（図５（ｄ））。
【０００７】
尚、上述の印刷マスク１６に設けられる開口１７はバリアメタル層１３よりもひと回り大きな長穴状を有しており、該開口１７でバリアメタル層１３を取り囲むように印刷マスク１６を半導体基板１１上に配置させた上、印刷マスク１６の下面を半導体基板１１上のパッシベーション層表面に接触させていた。
【特許文献１】特開平６−２６７９６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、このように印刷マスク１６を半導体基板１１上に配置させると、半導体基板１１（パッシベーション層１４）と印刷マスク１６の間に隙間が存在しないため、半田ペースト１５’を開口１７内に充填する際に、開口１７内の空気に逃げ場がなく、空気が半田ペースト１５’内に巻き込まれる。このような半田ペースト１５’を加熱してバリアメタル層１３上に半田バンプ１５を形成すると、半田バンプ１５の内部に気泡が多く混入したフリップチップ型ＩＣとなってしまう。このフリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装する場合、半田バンプ１５中の気泡に起因して、溶融した半田バンプ１５と回路基板上の回路パターンとの濡れ性が悪化し、両者間の接合強度を低下させる問題を誘発する。
【０００９】
本発明は上記問題点に鑑み案出したものであり、その目的はバンプ内に含まれる気泡が少ない半導体素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体素子の製造方法は、上面に複数のバリアメタル層を有する半導体基板と、前記バリアメタル層に対応する長穴状の開口を有した印刷マスクとを準備する第１の工程と、前記開口がバリアメタル層上に位置するように印刷マスクを半導体基板上に配置させる第２の工程と、印刷マスク上にペーストを供給するとともに、該供給されたペーストを前記開口を介して前記バリアメタル層上に塗布する第３の工程と、該塗布したペーストを加熱してバリアメタル層上にバンプを形成する第４の工程と、を備えた半導体素子の製造方法において、前記第２の工程で印刷マスクを半導体基板上に配置させる際、前記開口の長手方向一端部をバリアメタル層上に位置させ、且つ前記開口の長手方向他端部をバリアメタル層の外側に位置させるとともに、前記開口の長手方向他端部と該他端部に最も離間した前記バリアメタル層端部との距離Ｌ１、バリアメタル層上面の有効半径ｒの関係を、式（１）３．５×ｒ≦Ｌ１を満足するように設定したことを特徴とする。
【００１１】
また本発明の半導体素子の製造方法は、上述の製造方法において、前記第２の工程で、前記開口の長手方向一端部と前記バリアメタル層端部との距離Ｌ２、前記バリアメタル層上面の有効半径ｒの関係を式（２）０．５×ｒ≦Ｌ２≦１．４×ｒを満足するように設定したことを特徴とする。
【００１２】
更に本発明の半導体素子の製造方法は、上述の製造方法において、前記開口の長手方向一端部に位置する前記印刷マスクの下面側角部に面取り部を形成したことを特徴とする。
【００１３】
一方、本発明の半導体素子は、半導体基板上に複数のバリアメタル層を点在させ、該バリアメタル層上にバンプを形成してなる半導体素子において、前記バンプ内に存在する気泡のうち、バリアメタル層上面の有効半径ｒの１／５以上の径を有する気泡数が平均１個／バンプ以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、印刷マスクを半導体基板上に配置させる際、印刷マスクの開口の長手方向一端部をバリアメタル層上に位置させ、且つ前記開口の長手方向他端部をバリアメタル層の外側に位置させるとともに、前記開口の長手方向他端部と該他端部に最も離間したバリアメタル層端部との距離Ｌ１、バリアメタル層上面の有効半径ｒの関係を、式（１）３．５×ｒ≦Ｌ１を満足するように印刷マスクを半導体基板上に配置させた状態で、ペーストを前記開口を介してバリアメタル層上に塗布したことから、塗布されたペーストの一部がバリアメタル層の外側に大きくはみ出すこととなる。従って、バリアメタル層上にバンプを形成するにあたり、塗布したペーストを加熱すると、バリアメタル層の外側にはみ出したペーストがバリアメタル層上に向かって大きく流動し、該流動時にペースト内に含まれる気泡がペースト外に排出されることとなる。その結果、バリアメタル層上に形成されるバンプ内の気泡数を少なくすることができ、半導体素子を回路基板上に実装する際に、溶融したバンプと回路基板上の回路パターンとの濡れ性が良好となり、両者間の接合強度を高くすることができる。
【００１５】
しかも本発明によれば、前記開口の長手方向一端部をバリアメタル層上に位置させたことから、開口周囲の印刷マスクと半導体基板との間に隙間が出来るようになり、ペーストを開口内に充填する際、前記隙間が開口内の空気の逃げ場となり、該空気が前記隙間を介して印刷マスクと半導体基板との間から排出されることとなる。従って、ペーストを塗布する際にペースト内に混入する気泡の数を少なくすることができ、これによっても、回路基板と半導体素子との接合強度を高くすることができる。
【００１６】
また本発明によれば、前記開口の長手方向一端部と前記バリアメタル層端部との距離Ｌ２、前記バリアメタル層上面の有効半径ｒの関係を式（２）０．５×ｒ≦Ｌ２≦１．４×ｒを満足するように設定することにより、バリアメタル層からはみ出さずにバリアメタル層上に塗布されたペーストについてもペーストを加熱する際に若干流動させることができ、更に気泡数が少ないバンプを提供することができる。
【００１７】
更に本発明によれば、前記開口の長手方向一端部に位置する前記印刷マスクの下面側角部に面取り部を形成することにより、開口の長手方向一端部の下面がバリアメタル層上に接触することでバリアメタル層の表面が傷つくことを良好に防止でき、これによって、バンプを構成するペーストに対するバリアメタル層の濡れ性を高く維持することができ、バンプとバリアメタル層との被着強度を高めることが可能となる。
【００１８】
また更に本発明によれば、バンプ内に存在するバリアメタル層上面の有効半径ｒの１／５以上の径を有する気泡数が平均１個／バンプ以下とすることにより、半導体素子を回路基板上に実装する際に、バンプと回路基板との接合面付近に気泡が集まり、両者間での接合強度が不足するという不具合を有効に防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００２０】
図１は本発明の半導体素子の一例として示したフリップチップ型ＩＣの断面図であり、同図に示すフリップチップ型ＩＣは、大略的に半導体基板１と回路配線２とバリアメタル層３とパッシベーション層４とバンプ５とで構成されている。
【００２１】
半導体基板１は、単結晶シリコン等の半導体材料により形成されており、その上面にトランジスタ等の機能素子（図示せず）や回路配線２、バリアメタル層３、パッシベーション層４等が被着され、これらを支持する支持母材として機能する。
【００２２】
このような半導体基板１は、例えば従来周知のチョコラルスキー法（引き上げ法）等によって形成された単結晶シリコンのインゴット（塊）を所定厚みにスライスして板体を得るとともに、その表面を研磨し、しかる後、従来周知の熱酸化法によって板体表面全体に絶縁膜を形成することによって製作される。
【００２３】
また半導体基板１上に形成される回路配線２は、アルミニウムや銅等の金属材料により０．５μｍ〜１．５μｍの厚みに被着されており、図示しない機能素子に外部からの電源電力や電気信号等を供給するための給電配線として機能する。
【００２４】
このような回路配線２の一部上面にはパッド領域２ａが設けられており、該パッド領域２ａ上に複数のバリアメタル層３が形成されている。
【００２５】
バリアメタル層３は、後述するバンプ５の構成材料と濡れ性の良好な材料により形成されており、例えばバンプ５が半田により形成されている場合、バリアメタル層３はニッケル（Ｎｉ）を主成分とした構成、例えば、半導体基板１側から亜鉛（Ｚｎ）、Ｎｉ及び金（Ａｕ）を順次積層させた構成、Ｚｎ，Ｎｉを順次積層した構成、Ｎｉ，Ａｕを順次積層した構成、パラジウム（Ｐｄ）、Ｎｉ及びＡｕを順次積層した構成、Ｐｄ，Ｎｉを順次積層した構成、Ｎｉ，Ａｕを順次積層した構成が採用される。
【００２６】
バリアメタル層３は、フリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装する際、バリアメタル層３上に設けられるバンプ５の溶融に伴って回路配線２を形成するアルミニウム等が浸蝕されるのを有効に防止する作用を為す。
【００２７】
なお、上述したパッド領域２ａを含む回路配線２は、従来周知のスパッタリング、フォトリソグラフィー技術、エッチング技術を採用することにより半導体基板１の上面に所定パターンに形成される。またバリアメタル層３は、例えば、後述するパッシベーション層４より露出したパッド領域２ａに、従来周知の無電解メッキ法等を採用することにより、上述のバリアメタル層３の構成材料を半導体基板側より順次積層して厚みが１μｍ〜４μｍの円柱状を成すように形成される。その結果、通常、バリアメタル層３の上面は後述のパッシベーション層４の表面よりも高くなる。
【００２８】
一方、バリアメタル層３の非形成領域には、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）や酸化珪素（ＳｉＯ２）、ポリイミド等の電気絶縁材料から成るパッシベーション層４が回路配線２や図示しない機能素子を被覆するように被着されている。
【００２９】
このパッシベーション層４は、その一部が回路配線２のパッド領域２ａの一部上面まで延在されており、該延在部では他の領域に比べてパッシベーション層４の表面が上方に膨らんだ形となる。
【００３０】
このようなパッシベーション層４は、回路配線２やバリアメタル層これらを大気と良好に遮断することで、機能素子、回路配線２が大気中に含まれている水分等の接触により腐食するのを有効に防止する作用を為す。
【００３１】
尚、パッシベーション層４は、従来周知のスパッタリング、フォトリソグラフィー技術、エッチング技術等を採用することによって半導体基板１の上面に０．５μｍ〜３．０μｍの厚みに形成される。
【００３２】
そして、先に述べたバリアメタル層３の上面には球状のバンプ５が形成されており、かかるバンプ５は半田等の導電材により形成されている。例えば、バンプ５が半田から成る場合、錫（Ｓｎ）と銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）とを所定の比率で溶融・固化させた金属接合用の合金が一般的に用いられる。
【００３３】
かかるバンプ５は、フリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装する際、加熱・溶融されることでフリップチップ型ＩＣのバリアメタル層３と回路基板上の回路パターンとを接合させる作用を為す。
【００３４】
このバンプ５は、その内部に含まれるバリアメタル層上面の有効半径ｒの１／５以上の径を有する気泡数が平均１個／バンプ以下と非常に少ないことから、フリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装する際に、溶融したバンプ５と回路基板上の回路パターンとの濡れ性が良好となる。それ故、フリップチップ型ＩＣ−回路基板間の接合強度を高くすることが可能なフリップチップ型ＩＣの実現に供することができる。
【００３５】
なお、バリアメタル層上面の有効半径ｒとは、バリアメタル層上面の平面形状が円形である場合、その半径のことをいう。またバリアメタル層上面の平面形状が円形以外の形状である場合、該バリアメタル層上面の面積と等しい面積を有する仮想円の半径のことをいう。
【００３６】
かくして上述したフリップチップ型ＩＣは、複数のバンプ５が回路基板上の対応する回路パターンと対向するようにして回路基板上に載置され、しかる後、バンプ５を高温で加熱・溶融させ、該溶融したバンプ５を回路基板上の回路パターン等に接合させることによって回路基板上に実装される。このとき、バンプ内には大きな気泡がほとんど存在しないため、フリップチップ型ＩＣ−回路基板間の接合強度を高くすることができる。
【００３７】
次に上述したフリップチップ型ＩＣを形成する方法について図２を用いて説明する。同図は図１のフリップチップ型ＩＣの製造方法を説明するための断面図である。
【００３８】
工程（１）：まず、上面に回路配線２やバリアメタル層３、パッシベーション層４を被着した半導体基板１と、印刷マスク６とを準備する（図２（ａ））。
【００３９】
印刷マスク６は、アルミニウム合金やＮｉ合金等の金属材料により板状に形成されたマスク本体に、長穴状を成す複数の開口７を穿設した構造を有しており、印刷マスク６上に載置されたペースト５’が開口７を介してバリアメタル層３上に塗布される。尚、印刷マスク６は、マスク本体がＮｉ合金から成る場合、従来周知のアディティブ法を採用することにより形成される。また開口７の形状としては長円形状や長方形状、平行四辺形状等の長穴形状が考えられる。
【００４０】
工程（２）：次に半導体基板１上に印刷マスク６を配設する（図２（ｂ））。
【００４１】
このとき、印刷マスク６は半導体基板１上のパッシベーション層４に接触するように配置され、かつ、開口７の長手方向一端部がバリアメタル層３上に配置され、且つ開口７の長手方向他端部がバリアメタル層３より大きく離間するように半導体基板１上に配置される。具体的には、開口７の長手方向他端部と該他端部から最も離間したバリアメタル層端部との距離Ｌ１、バリアメタル層上面の有効半径ｒとの関係を式（１）３．５×ｒ≦Ｌ１を満足するように設定することが重要であり、これによって、後の工程においてペースト５’をバリアメタル層３上に塗布する際にペースト５’の一部をバリアメタル層３の外側に大きくはみ出させることができ、ペースト５’の加熱時にペースト５’の流動を大きくしてバンプ５内に含まれる気泡数を少なくすることが可能となる。なお、バリアメタル層上面の有効半径ｒは、先に述べた通りである。
【００４２】
また開口７の長手方向一端部がバリアメタル層３上に位置しているため、開口７の周辺の印刷マスク６は、上面の高さがパッシベーション層４よりも高いバリアメタル層３によって一部上方に持ち上げられ、開口周囲における印刷マスク６の下面と半導体基板１上のパッシベーション層表面との間に隙間Ｇが形成されることとなる。それ故、後の工程においてペースト５’を開口７内に充填する際、前記隙間Ｇが開口７内の空気の逃げ場となり、該空気が前記隙間Ｇを介して印刷マスク６と半導体基板１（パッシベーション層４）との間から排出されることとなる。従って、ペースト５’を塗布する際にペースト５’内に混入する気泡数を少なくすることができ、これによっても、回路基板とフリップチップ型ＩＣとの接合強度維持に供することができる。
【００４３】
また前記距離Ｌ１と有効半径ｒとの関係を上述の式（１）を満足させることに加え、本実施形態の如く、開口７の長手方向一端部と上述のバリアメタル層端部との距離Ｌ２、上述のバリアメタル層上面の有効半径ｒとの関係を０．５×ｒ≦Ｌ２≦１．４×ｒを満足するように設定しておけば、バリアメタル層３からはみ出さずにバリアメタル層３上に塗布されたペースト５’についてもペースト５’の加熱時に若干流動させることができ、これによって更に気泡数が少ないバンプ５を得ることができる。
【００４４】
なお、上記距離Ｌ１と有効半径ｒの関係が３．５×ｒ＞Ｌ１であると、塗布されたペースト５’の流動距離が短すぎて、ペースト５’中の気泡を除去することが困難となる。従って、距離Ｌ１と有効半径ｒの関係を３．５×ｒ≦Ｌ１に設定することが重要である。
【００４５】
また上記距離Ｌ２と有効半径ｒとの関係がＬ２＜０．５×ｒであると、バリアメタル層３上に塗布されたペースト５’の流動距離が短いため、該ペースト５’の気泡を効果的に除去することが難しくなり、一方、Ｌ２＞１．４×ｒであると、バリアメタル層３上に塗布されるペースト５’の量が少なすぎて、ペースト５’の加熱によってバリアメタル層３の外側にはみ出したペースト５’をバリアメタル層３上まで流動させることができなくなるおそれがある。従って、上記距離Ｌ２、有効半径ｒとの関係を０．５×ｒ≦Ｌ２≦１．４×ｒを満足するように設定しておくことが好ましい。
【００４６】
工程（３）：続いて、印刷マスク上にペースト５’を供給するとともに、スキージの刃先を印刷マスク６に対して押し当てた状態でスキージを移動させ、ペースト５’を印刷マスク６の開口７よりバリアメタル層３上に塗布する（図２（ｃ））。
【００４７】
このとき、開口７とバリアメタル層３との位置関係を上述の式（１）を満足するように設定したことから、バリアメタル層３上に塗布されたペースト５’の一部はバリアメタル層３の外側に大きくはみ出すこととなる。
【００４８】
なお、ペースト５’としては導電性を有する材料が用いられる。例えば、多数の半田粒子にフラックス等を添加・混合して所定の粘度に調整した半田ペースト等が好適に用いられる。
【００４９】
工程（４）：最後に、バリアメタル層３上に塗布したペースト５’を乾燥させ、しかる後、これを２２０℃〜２６０℃の温度で２０秒間〜３分間加熱することによってバリアメタル層３上にバンプ５を形成する（図２（ｄ））。
【００５０】
ペースト５’を加熱すると、バリアメタル層３の外側にはみ出したペースト５’がバリアメタル層３上に向かって大きく流動し、該流動時にペースト５’内に含まれる気泡がペースト５’外に排出されることとなる。その結果、バリアメタル層３上に形成されるバンプ５内の気泡数を少なくすることができ、フリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装する際に、溶融したバンプと回路基板上の回路パターンとの濡れ性が良好となり、両者間の接合強度を高くすることができる。
【００５１】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良が可能である。
【００５２】
例えば上述の実施形態において、開口７の長手方向一端部に位置する印刷マスク６の下面側角部にＲ面やＣ面等の面取り部７ａを形成しておけば、開口７の長手方向一端部がバリアメタル層３上に接触することによってバリアメタル層３が傷つくことを良好に防止でき、これによって、バンプ５を構成するペースト５’に対するバリアメタル層３の濡れ性を高く維持することができ、バンプ５とバリアメタル層３との接合の信頼性を高くすることができる。
【実施例】
【００５３】
次に本発明の作用効果を実施例に基づき説明する。本実施例では、半導体基板上に設けられる複数のバリアメタル層上に印刷マスクを用いてペーストを塗布し、これを加熱してバリアメタル層上にバンプを形成する際、上述した開口の長手方向他端部とバリアメタル層端部との距離Ｌ１とバリアメタル層上面の有効半径ｒとの関係を少しずつ異ならせ、これら各関係についてバンプを形成した場合、バンプ１個あたりに含まれるバリアメタル層上面の有効半径ｒの１／５以上の径を有する気泡数を測定した。
【００５４】
なお、バンプ内の気泡数は、マイクロフォーカスＸ線検査装置（Ｘ線透過法）により測定した。また開口としては、５０μｍ×７４μｍの寸法を有した長方形状の穴の短手方向両端部に半径３７μｍの半円の穴を組み合わせて構成された長円形状の穴であり、かかる開口の長手方向の幅が１２４μｍ、短手方向の幅が７４μｍである。またバリアメタル層は上面形状が半径３．５μｍ（有効半径３．５μｍ）の円形を成す円柱状とした。ペーストとしては、Ｓｎ：Ａｇ：Ｃｕを９６．５：３．０：０．５の重量比で混合させた半田ペーストを使用し、バンプを形成する際のペースト加熱温度は２４５℃とした。またバリアメタル層の個数、すなわちバンプの個数は３０個とした。以上の実施結果を表１に示す。
【表１】
2005101468.tif 000003
【００５５】
表１によれば、開口の長手方向他端部とバリアメタル層端部との距離Ｌ１、バリアメタル層上面の有効半径ｒの関係が３．５×ｒ≦Ｌ１を満足するサンプルＮｏ．４〜Ｎｏ．７においては気泡数が少なくなっている。一方、３．５×ｒ≦Ｌ１を満足しないサンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．３においてはバンプ内の気泡数が多くなっている。
【００５６】
以上の実施結果より、本発明の作用効果を得るには、開口の長手方向他端部とバリアメタル層端部との距離Ｌ１、バリアメタル層の有効半径ｒの関係が３．５×ｒ≦Ｌ１を満足していればよいことが判る。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の半導体素子の一例としてのフリップチップ型ＩＣの断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は図１のフリップチップ型ＩＣの製造方法を説明するための断面図である。
【図３】実施例に使用される印刷マスクの開口の平面図である。
【図４】従来の半導体素子の一例としてのフリップチップ型ＩＣの断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は図４のフリップチップ型ＩＣの製造方法を説明するための断面図である。
【００５８】
１・・・半導体基板
２・・・回路配線
２ａ・・・パッド領域
３・・・バリアメタル層
４・・・パッシベーション層
５・・・バンプ
５’・・・ペースト
６・・・印刷マスク
７・・・開口
【図１】
2005101468.tif 000004
【図２】
2005101468.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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