(57)【要約】【課題】複数の半導体レーザから放射されるレーザ光束の光軸間隔を、容易かつ確実に近接させ得る半導体レーザモジュールを実現する。【解決手段】半導体レーザ１１、１２、１３を光軸が互いに平行となるように支持する支持手段２０と、互いに平行な反射面３１Ａ、３２Ａ、３３Ａにより半導体レーザ１１、１２、１３からの光束を反射させる反射面群と、各反射面により反射されたレーザ光束を共通に入射され、相互に平行に保ったまま所望の方向へ反射させる鏡面３４Ａを有する鏡面部材３４と、これらを保持する保持手段４０とを有し、鏡面で反射された後のＮ本のレーザ光束の光軸間隔が各半導体レーザの発光部間隔よりも狭くなるように、各半導体レーザと、各反射面と、鏡面部材との相対的な位置関係を定めた。【選択図】    図１
2005012105.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ（≧２）個の半導体レーザと、
これらＮ個の半導体レーザを、各半導体レーザから放射されるレーザ光束の光軸が互いに平行となるようにして固定的に支持する支持手段と、
互いに平行なＮ面の反射面を有し、これら反射面を上記Ｎ個の半導体レーザの個々と１：１に対応させて設けられ、対応する半導体レーザからの光束を所定方向へ反射させる反射面群と、
この反射面群の各反射面により反射された互いに平行なレーザ光束を共通に入射され、これら複数のレーザ光束を、相互に平行に保ったまま所望の方向へ反射させる鏡面を有する鏡面部材と、
上記Ｎ個の半導体レーザと、反射面群および鏡面部材とを一体的に保持する保持手段とを有し、
上記鏡面部材の鏡面で反射された後のＮ本のレーザ光束の光軸間隔が、支持手段上の半導体レーザの発光部間隔よりも狭くなるように、Ｎ個の半導体レーザと、反射面群のＮ面の反射面と、鏡面部材との相対的な位置関係を定めたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項２】
請求項１記載の半導体レーザモジュールにおいて、
鏡面部材の鏡面で反射された後のＮ本のレーザ光束の光軸間隔が等間隔となるように、Ｎ個の半導体レーザと、反射面群のＮ面の反射面と、鏡面部材との相対的な位置関係を定めたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体レーザモジュールにおいて、
支持手段に固定的に支持されたＮ個の半導体レーザから放射されるレーザ光束の光軸が等間隔であることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項４】
請求項１〜３の任意の１に記載の半導体レーザモジュールにおいて、
鏡面部材により反射されたＮ本のレーザ光束の光軸に直交する共通の仮想的平面を考えたとき、各半導体レーザから上記仮想的平面に至るレーザ光束の光路長が互いに等しくなるように、Ｎ個の半導体レーザと、反射面群のＮ面の反射面と、鏡面部材との相対的な位置関係を定めたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項５】
請求項４記載の半導体レーザモジュールにおいて、
Ｎ個の半導体レーザを支持する支持手段がサブマウントであり、上記サブマウントの支持面が、各半導体レーザの光軸に対して斜めになっていることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項６】
請求項１〜５の任意の１に記載の半導体レーザモジュールにおいて、
各半導体レーザと鏡面部材の鏡面との間に、レンズを配置したことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項７】
請求項１〜６の任意の１に記載の半導体レーザモジュールにおいて、
反射面群および鏡面部材が、単結晶Ｓｉを材料として形成されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項８】
請求項７記載の半導体レーザモジュールにおいて、
反射面群の各反射面および鏡面部材の鏡面が単結晶Ｓｉの＜ＩＩＩ＞面であることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項９】
請求項１〜８の任意の１に記載の半導体レーザモジュールにおいて、
Ｎ個の半導体レーザは、発光波長が互いに異なることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体レーザモジュールに関する。この発明の半導体レーザモジュールは、光ピックアップ用光源やレーザプリンタの光源等として好適に利用できる。
【０００２】
【従来の技術】
近年、レーザプリンタとして、複数ビームによりに同時走査を行うマルチビーム走査方式のものが実用化されつつある。このようなレーザプリンタでは、複数の半導体レーザ発光源が必要となる。
【０００３】
光ディスクもＣＤやＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ等さまざまな光ディスクが普及してきているが、ＣＤやＣＤ−ＲとＤＶＤとは使用波長が異なるので、これらに共用できる光ピックアップ装置では、光源に波長の異なる半導体レーザを必要とする。
【０００４】
次世代の光ディスクでは波長：４１０ｎｍの半導体レーザが使用されることになっており、数種の光ディスクに共用できる光ピックアップ装置の光源には波長の異なるより多種の半導体レーザが必要とされる。
【０００５】
上記マルチビーム走査方式のレーザプリンタに用いられる光源や、複数の光ディスクに共用できる光ピックアップ装置用の光源では、複数の半導体レーザから放射されるレーザ光束に対して「以後の光学系」を共通化できればシステムの低価格化が可能である。しかし、複数の半導体レーザに対し光学系を共通化すると、光学系光軸と半導体レーザからのレーザ光束の光軸（半導体レーザから放射される発散性の光束における最大光強度方向の光線）にずれが生じ、ずれが大きくなるほど「光学系の収差が大きく」なる。
【０００６】
この収差を大きくしないようにするため、複数の半導体レーザ相互の間隔を出来るだけ接近させることが望ましい。
このように、複数の半導体レーザから放射されるレーザ光束の光軸が互いに近接していることが好ましいが、半導体レーザチップは通常３００μｍ程度の幅を持つので、単にチップを近接させて並べただけでは、光軸間隔をチップ間隔以上に狭くすることは出来ない。
【０００７】
１チップ内に複数の半導体レーザ発光源を持つ半導体レーザアレイが実用化されているが、通常の半導体レーザに対し１０倍以上も高価であり、半導体レーザ発光源間を８０μｍ以下とするのは加工上難しく、各発光源の発光波長を大きく変えることは非常に難しい。例えば、波長：４１０ｎｍの発光波長を持つ発光源を、波長：７８０ｎｍや６５０ｎｍの発光源と同一チップに作り込む技術はこれまで報告されていない。
【０００８】
従来、波長の異なる２本のレーザ光束の光軸を合致させ得る半導体レーザモジュールが、特許文献１に記載されている。この半導体レーザモジュールは、波長選択性のある反射面を有するプリズムを利用して擬似的に光軸を一致させるものであり、２個の半導体レーザは原理的に「発光波長が異なる」必要があり、同波長のレーザ光束を放射する２個の半導体レーザに対しては適用できない。また、半導体レーザが３個以上となった場合への対応も極めて困難である。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００２−２５０９６号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は上述した事情に鑑み、複数の半導体レーザから放射されるレーザ光束の光軸間隔を、容易かつ確実に近接させ得る半導体レーザモジュールの実現を課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明の半導体レーザモジュールは、Ｎ（≧２）個の半導体レーザと、支持手段と、反射面群と、鏡面部材と、保持手段とを有する（請求項１）。
半導体レーザの個々は「半導体レーザチップ」である。
「支持手段」は、Ｎ個の半導体レーザを、各半導体レーザから放射されるレーザ光束の光軸が互いに平行となるようにして固定的に支持する手段である。
【００１２】
「反射面群」は、互いに平行なＮ面の反射面を有し、これらＮ面の反射面をＮ個の半導体レーザの個々と１：１に対応させて設けられ、対応する半導体レーザからの光束を所定方向へ反射させる。反射面群におけるＮ面の反射面は、互いに別個の反射素子として形成されることもできるし、複数の反射面を共通の反射素子に別個の反射面として形成することもできる。
【００１３】
「鏡面部材」は、反射面群の各反射面により反射された互いに平行なレーザ光束を共通に入射され、これら複数のレーザ光束を、相互に平行に保ったまま所望の方向へ反射させる鏡面を有する部材である。
「保持手段」は、Ｎ個の半導体レーザと、反射面群および鏡面部材とを一体的に保持する手段である。
【００１４】
上記Ｎ個の半導体レーザと、反射面群のＮ面の反射面と、鏡面部材との相対的な位置関係は「鏡面部材の鏡面で反射された後のＮ本のレーザ光束の光軸間隔が、支持手段上の半導体レーザの発光部間隔よりも狭くなる」ように定められる。
【００１５】
請求項１記載の半導体レーザモジュールはまた「鏡面部材の鏡面で反射された後のＮ本のレーザ光束の光軸間隔が等間隔となるように、Ｎ個の半導体レーザと、反射面群のＮ面の反射面と、鏡面部材との相対的な位置関係を定めた構成」とすることができる（請求項２）。
【００１６】
請求項１または２記載の半導体レーザモジュールは「支持手段に固定的に支持されたＮ個の半導体レーザから放射されるレーザ光束の光軸が等間隔である」ことができる（請求項３）。
【００１７】
また、請求項１〜３の任意の１に記載の半導体レーザモジュールは「鏡面部材により反射されたＮ本のレーザ光束の光軸に直交する共通の仮想的平面を考えたとき、各半導体レーザから上記仮想的平面に至るレーザ光束の光路長が互いに等しくなるように、Ｎ個の半導体レーザと、反射面群のＮ面の反射面と、鏡面部材との相対的な位置関係を定めた構成」とすることができる（請求項４）。
【００１８】
この請求項４記載の半導体レーザモジュールにおいては「Ｎ個の半導体レーザを支持する支持手段をサブマウントとし、サブマウントの支持面（各半導体レーザの支持において、半導体レーザから放射されるレーザ光束の光軸の方向において、各半導体レーザの位置基準となる面）が、各半導体レーザの光軸（半導体レーザから放射されるレーザ光束の光軸）に対して斜めにした構成」とすることができる（請求項５）。
【００１９】
請求項１〜５の任意の１に記載の半導体レーザモジュールは「各半導体レーザと鏡面部材の鏡面との間に、レンズを配置した構成」とすることができる（請求項６）。
【００２０】
上記請求項１〜６の任意の１に記載の半導体レーザモジュールにおける反射面群および鏡面部材は「単結晶Ｓｉを材料として形成」されていることが好ましく（請求項７）、その場合、反射面群の各反射面および鏡面部材の鏡面を「単結晶Ｓｉの＜ＩＩＩ＞面」として形成できる（請求項８）。
【００２１】
単結晶Ｓｉでは「ＫＯＨ等の異方性エッチング液」で、特定の結晶面を選択的に得ることができ、平行度の高い反射面の形成も容易であり、半導体プロセスにより低コストで反射面群や鏡面部材の鏡面の形成が可能である。
【００２２】
また単結晶Ｓｉの＜ＩＩＩ＞面は、異方性エッチング時の選択比が１００以上と非常に高く、高精度な反射面・鏡面の形成に特に適している。
【００２３】
請求項１〜８の任意の１に記載の半導体レーザモジュールにおいてＮ個の半導体レーザは、発光波長が互いに異なることができる（請求項９）。
【００２４】
上記の如く、この発明の半導体レーザモジュールでは、支持手段に支持されたＮ個の半導体レーザ（チップ）から、光軸が互いに平行なレーザ光束が放射され、これらレーザ光束は半導体レーザごとに対応する反射面により反射されるが、反射面群の各反射面は互いに平行であるから、反射された後のレーザ光束の光軸は互いに平行であり、さらに鏡面部材の鏡面により反射された後も相互の平行性が保たれる。
【００２５】
この場合、反射面群における各反射面と鏡面部材における鏡面とを互いに平行にすれば、鏡面部材により反射されたＮ本のレーザ光束の光軸は、各半導体レーザから放射されたときの方向と平行になる。
また、Ｎ本のレーザ光束はＮ面の反射面で個別的に反射されるので、半導体レーザの個数：Ｎ≧３の場合にも容易に対応でき、この場合、Ｎ個の半導体レーザの波長は複数種であっても何ら問題がない。
【００２６】
なお、反射面群による反射と鏡面部材の鏡面による反射の順序を入れ替え、Ｎ個の半導体レーザからのレーザ光束を鏡面部材の鏡面により反射させた後、各光束を個別的に反射面群の各反射面により反射させることも可能であるが、半導体レーザから放射される光束が発散性であることを考えると、上記の如き反射の順序であると反射面群の各反射面を大きくする必要が生じるので、まず反射面群による反射ののちに、鏡面部材による反射を行うのがよい。
【００２７】
もっとも、各半導体レーザからのレーザ光束をコリメートレンズにより平行光束化することにより、光束の発散を制限するようにすれば、鏡面部材による反射を先に行ったのち反射面群による個別的な反射を行うようにしてもよい。
【００２８】
【発明の実施の形態】
図１に示す実施の形態において、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【００２９】
この実施の形態は「マルチビーム走査方式のレーザプリンタの光源」に適したものである。
【００３０】
図１（ａ）に於いて符号１１、１２、１３は半導体レーザ（チップ）、符号２０は「支持手段」としてのサブマウント、符号３０は「反射光学素子」、符号４０は「保持手段」としてのステムを示している。半導体レーザ１１〜１３の発光波長は７８０ｎｍである。
【００３１】
図１（ｂ）に示すように、保持手段であるステム４０は金属板であり、その一方の面に支持手段であるＳｉ基板によるサブマウント２０が接着等の方法で固定的に設けられ、３個の半導体レーザ１１、１２、１３は、サブマウント２０に、各半導体レーザから放射されるレーザ光束の光軸が互いに平行となるようにして形成されて固定的に支持されている。
【００３２】
反射光学素子３０は、板状の単結晶Ｓｉにエッチングにより反射面部３１、３２、３３と鏡面部３４とを形成したものであり、図１（ｂ）に示すように、ステム４０の側端部に接着等の方法で一体化されている。
【００３３】
反射面部３１は反射面３１Ａを有し、反射面部３２は反射面３２Ａを、反射面部３３は反射面３３Ａを有する。これら反射面３１Ａ、３２Ａ、３３Ａは「反射面群」をなす。鏡面部３４は鏡面３４Ａを有する。鏡面部３４は「鏡面部材」を構成する。
【００３４】
反射面３１Ａ、３２Ａ、３３Ａおよび鏡面３４Ａは「互いに平行」であり、これらの面は単結晶Ｓｉの結晶面である＜ＩＩＩ＞面として形成され、反射率を高めるため、Ｔｉ／Ａｕによる反射膜が蒸着形成されている。
【００３５】
半導体レーザ１１、１２、１３から放射された各レーザ光束Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３（発散性であるが光軸光線で示す）は互いに平行かつ等間隔であり、対応する反射面３１Ａ、３２Ａ、３３Ａにより個別に反射されたのち、鏡面部３４の鏡面３４Ａに入射して反射される。鏡面３４Ａで反射された各レーザ光束Ｌ１〜Ｌ３は、互いに平行かつ等間隔で、半導体レーザ１１〜１３から放射された当初と平行な方向となっている。
【００３６】
しかし、鏡面３４Ａで反射されたレーザ光束Ｌ１〜Ｌ３相互の間隔は、半導体レーザ１１〜１３から放射された「当初の光軸間隔」よりも大幅に小さくなっている。
【００３７】
即ち、図１に実施の形態を示す半導体レーザモジュールは「Ｎ（＝３）個の半導体レーザ１１、１２、１３と、これらＮ個の半導体レーザを、各半導体レーザから放射されるレーザ光束の光軸が互いに平行となるようにして固定的に支持する支持手段（サブマウント）２０と、互いに平行なＮ面の反射面３１Ａ、３２Ａ、３３Ａを有し、これら反射面をＮ個の半導体レーザ１１〜１３の個々と１：１に対応させて設けられ、対応する半導体レーザからの光束を所定方向へ反射させる反射面群と、この反射面群の各反射面により反射された互いに平行なレーザ光束を共通に入射され、これら複数のレーザ光束を、相互に平行に保ったまま所望の方向へ反射させる鏡面３４Ａを有する鏡面部材３４と、Ｎ個の半導体レーザ１１〜１３と、反射面群３１Ａ〜３３Ａおよび鏡面部材３４とを一体的に保持する保持手段（ステム）４０とを有し、鏡面部材３４の鏡面３４Ａで反射された後のＮ本のレーザ光束の光軸間隔が、支持手段２０上の半導体レーザ１１〜１３の発光部間隔よりも狭くなるように、Ｎ個の半導体レーザ１１〜１３と、反射面群のＮ面の反射面３１Ａ〜３３Ａと、鏡面部材３４との相対的な位置関係を定めたもの（請求項１）である。
【００３８】
図２は実施の別の形態を示す。煩雑を避けるため、混同の虞がないと思われるものについては、図１におけると同一の符号を付する。
【００３９】
図２において、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【００４０】
３個の半導体レーザ（チップ）１１Ａ、１２Ａ、１３Ａは、「支持手段」であるシリコン基板によるサブマウント２０Ａに、各半導体レーザから放射されるレーザ光束の光軸が互いに平行となるようにして接着等の方法により固定的に支持されている。
【００４１】
半導体レーザ１１Ａは発光波長：７８０ｎｍのものであり、半導体レーザ１２Ａ、１３Ａはそれぞれ、発光波長：６６０ｎｍ、４１０ｎｍのものである。サブマウント２０Ａを保持する保持手段としてのステム４０は、図１の実施の形態におけると同じく金属板である。また、反射光学素子３０は、図１に示す実施の形態における反射光学素子３０と同様のものである。
【００４２】
即ち、反射光学素子３０は、板状の単結晶Ｓｉにエッチングにより反射面部３１、３２、３３と鏡面部３４とを形成したものであり、図２（ｂ）に示すように、ステム４０の側端部に接着等の方法で一体化されている。
【００４３】
反射面部３１は反射面３１Ａを有し、反射面部３２は反射面３２Ａを、反射面部３３は反射面３３Ａを有し、これら反射面３１Ａ、３２Ａ、３３Ａは「反射面群」をなす。「鏡面部材」を構成する鏡面部３４は鏡面３４Ａを有する。
【００４４】
反射面３１Ａ、３２Ａ、３３Ａおよび鏡面３４Ａは「互いに平行」であり、これらの面は単結晶Ｓｉの結晶面である＜ＩＩＩ＞面として形成され、反射率を高めるため、Ｔｉ／Ａｕによる反射膜が蒸着形成されている。
【００４５】
半導体レーザ１１Ａ、１２Ａ、１３Ａから放射された各レーザ光束Ｌ１０、Ｌ２０、Ｌ３０（発散性であるが光軸光線で示す）は互いに平行かつ等間隔であり、対応する反射面３１Ａ、３２Ａ、３３Ａにより個別に反射されたのち、鏡面部３４の鏡面３４Ａに入射して反射される。鏡面３４Ａで反射された各レーザ光束Ｌ１０〜Ｌ３０は、互いに平行かつ等間隔で、半導体レーザ１１Ａ〜１３Ａから放射された当初と平行な方向となっている。
【００４６】
しかし、鏡面３４Ａで反射されたレーザ光束Ｌ１０〜Ｌ３０相互の間隔は、半導体レーザ１１Ａ〜１３Ａから放射された「当初の光軸間隔」よりも大幅に小さくなっている。
【００４７】
図２（ａ）において、符号ＶＳは、鏡面部３４の鏡面３４Ａにより反射された３本のレーザ光束Ｌ１０〜Ｌ３０の光軸に直交する「共通の仮想的平面」を示している。
【００４８】
支持手段としてのサブマウント２０Ａにおける支持面（半導体レーザ１１Ａ〜１３Ａの支持において、半導体レーザから放射されるレーザ光束の光軸の方向において、各半導体レーザの位置基準となる面）２０１が、各半導体レーザの光軸に対して斜めになっている。
【００４９】
このため、半導体レーザ１１Ａ〜１３Ａの配置が図の如く、放射されるレーザ光束の光軸方向にずれることになるが、反射面３１Ａ〜３３Ａ、鏡面３４Ａの位置とともに、上記「ずれ」の大きさが、各半導体レーザ１１Ａ〜１３Ａから仮想的平面ＶＳに至る光路長が互いに等しくなるように調整される。
【００５０】
従って、レーザ光束Ｌ１０〜Ｌ３０の進行方向において、鏡面３４Ａ以後の光路上にレーザ光束Ｌ１０〜Ｌ３０に共通の光学素子（レンズ等）を配置すると、この光学素子に入射するレーザ光束Ｌ１０〜Ｌ３０の各発光源からの光路長が等しくなるので、光路長差に起因する「光学素子の光学作用の差」を解消できる。
【００５１】
図３は実施の他の形態を示す。煩雑を避けるため、混同の虞がないと思われるものについては、図１、図２におけると同一の符号を付する。
【００５２】
図３において、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【００５３】
３個の半導体レーザ（チップ）１１Ｂ、１２Ａ、１３Ａは、「支持手段」であるシリコン基板によるサブマウント２０に、各半導体レーザから放射されるレーザ光束の光軸が互いに平行となるようにして接着等の方法により固定的に支持されている。
【００５４】
半導体レーザ１２Ａ、１３Ａは、図２の実施の形態に於いて用いられているのと同じく、それぞれ発光波長：６６０ｎｍ、波長：４１０ｎｍのものである。半導体レーザ１１Ｂは、半導体レーザ１２Ａと同じく発光波長：６６０ｎｍのものである。
【００５５】
反射光学素子３０は、板状の単結晶Ｓｉにエッチングにより反射面部３１、３２、３３と鏡面部３４とを形成したものであり、図３（ｂ）に示すように、金属板によるステム４０の側端部に接着等の方法で一体化されたレンズ基板５０に、接着等の方法で一体化されている。
【００５６】
反射面部３１は反射面３１Ａを有し、反射面部３２は反射面３２Ａを、反射面部３３は反射面３３Ａを有し、これら反射面３１Ａ、３２Ａ、３３Ａは「反射面群」をなす。「鏡面部材」を構成する鏡面部３４は鏡面３４Ａを有する。
【００５７】
反射面３１Ａ、３２Ａ、３３Ａおよび鏡面３４Ａは「互いに平行」であり、これらの面は単結晶Ｓｉの結晶面である＜ＩＩＩ＞面として形成され、反射率を高めるため、Ｔｉ／Ａｕによる反射膜が蒸着形成されている。
【００５８】
レンズ基板５０は、図３（ｂ）に示すように、ステム４０と反射光学素子３０に挟持された状態で設けられている。レンズ基板５０は、透明な平行平板状であり、半導体レーザ１１Ｂ、１２Ａ、１３Ａの発光源に対向する部分に、マイクロ凸レンズ面５１、５２、５３を形成されている。
【００５９】
マイクロ凸レンズ面５１〜５３は、対応する半導体レーザ１１Ｂ、１２Ａ、１３Ａから放射されるレーザ光束をコリメートする機能を有する。
【００６０】
半導体レーザ１１Ｂ、１２Ａ、１３Ａから放射された各レーザ光束Ｌ１１、Ｌ２０、Ｌ３０（発散性であるが光軸光線で示す）は互いに平行かつ等間隔であり、対応するマイクロ凸レンズ面によりコリメートされて平行光束となり、対応する反射面３１Ａ、３２Ａ、３３Ａにより個別に反射されたのち、鏡面部３４の鏡面３４Ａに入射して反射される。鏡面３４Ａで反射された各レーザ光束Ｌ１１〜Ｌ３０は、互いに平行かつ等間隔で、半導体レーザ１１Ｂ〜１３Ａから放射された当初と平行な方向となっている。
【００６１】
しかし、鏡面３４Ａで反射されたレーザ光束Ｌ１１〜Ｌ３０相互の間隔は、半導体レーザ１１Ｂ〜１３Ａから放射された「当初の光軸間隔」よりも大幅に小さくなっている。
【００６２】
半導体レーザ１１Ｂ、１２Ａ、１３Ａから放射されたレーザ光束Ｌ１１、Ｌ２０、Ｌ３０は、対応するマイクロ凸レンズ面５１、５２、５３により平行光束化されるので、鏡面３４Ａ以後の光路上に、レーザ光束Ｌ１１、Ｌ２０、Ｌ３０に共通のレンズ等の光学素子を配置した場合、光学素子に対するレーザ光束Ｌ１１、Ｌ２０、Ｌ３０の物点は無限遠となり、各発光源からの光路長の差が、光学素子の光学作用に影響しない。
【００６３】
以上、実施の形態を３例説明したが、この発明の半導体レーザモジュールが、上記実施の形態に限定されるものでないことはいうまでもない。
【００６４】
図２（図３）に実施の形態を示した半導体レーザモジュールは、Ｎ（＝３）個の半導体レーザ１１Ａ、１２Ａ、１３Ａ（１１Ｂ、１２Ａ，１３Ａ）と、これらＮ個の半導体レーザを、各半導体レーザから放射されるレーザ光束の光軸が互いに平行となるようにして固定的に支持する支持手段２０Ａ（２０）と、互いに平行なＮ面の反射面３１Ａ〜３３Ａを有し、これら反射面をＮ個の半導体レーザの個々と１：１に対応させて設けられ、対応する半導体レーザからの光束を所定方向へ反射させる反射面群と、この反射面群の各反射面３１Ａ〜３３Ａにより反射された互いに平行なレーザ光束を共通に入射され、これら複数のレーザ光束を、相互に平行に保ったまま所望の方向へ反射させる鏡面３４Ａを有する鏡面部材３４と、Ｎ個の半導体レーザと、反射面群および鏡面部材とを一体的に保持する保持手段４０とを有し、鏡面部材４３の鏡面で反射された後のＮ本のレーザ光束の光軸間隔が、支持手段２０Ａ（２０）上の半導体レーザの発光部間隔よりも狭くなるように、Ｎ個の半導体レーザと、反射面群のＮ面の反射面と、鏡面部材との相対的な位置関係を定めたもの（請求項１）である。
【００６５】
また、図１〜３に実施の形態を示した半導体レーザモジュールは、鏡面部材３４の鏡面で反射された後のＮ本のレーザ光束の光軸間隔が等間隔となるように、Ｎ個の半導体レーザ１１（１１Ａ、１１Ｂ）、１２（１２Ａ）、１３（１３Ａ）と、反射面群のＮ面の反射面３１Ａ〜３３Ａと、鏡面部材３４との相対的な位置関係が定められ（請求項２）、支持手段２０（２０Ａ）に固定的に支持されたＮ個の半導体レーザから放射されるレーザ光束の光軸が等間隔である（請求項３）。
【００６６】
また、図２に実施の形態を示す半導体レーザモジュールは、鏡面部材３４により反射されたＮ本のレーザ光束の光軸に直交する共通の仮想的平面ＶＳを考えたとき、各半導体レーザ１１Ａ、１２Ａ、１３Ａから仮想的平面ＶＳに至るレーザ光束の光路長が互いに等しくなるように、Ｎ個の半導体レーザと、反射面群のＮ面の反射面と、鏡面部材との相対的な位置関係が定められ（請求項４）、Ｎ個の半導体レーザを支持する支持手段がサブマウント２０Ａであり、サブマウント２０Ａの支持面２０１が、各半導体レーザ１１Ａ、１２Ａ、１３Ａの光軸に対して斜めになっている（請求項５）。
【００６７】
図３に実施の形態を示した半導体レーザモジュールは、各半導体レーザ１１Ｂ、１２Ａ、１３Ａと鏡面部材３４の鏡面との間に、レンズ５１、５２、５３を配置したものである（請求項６）。
【００６８】
図１〜図３に実施の形態を示した半導体レーザモジュールは何れも、反射面群および鏡面部材が単結晶Ｓｉを材料として形成され（請求項７）、反射面群の各反射面３１Ａ〜３３Ａおよび鏡面部材の鏡面３４Ａが単結晶Ｓｉの＜ＩＩＩ＞面である（請求項８）。
【００６９】
また、図２に実施の形態を示した半導体レーザモジュールでは、Ｎ個の半導体レーザ１１Ａ、１２Ａ、１３Ａは、発光波長が互いに異なる（請求項９）。
【００７０】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明によれば新規な半導体レーザモジュールを実現できる。この発明の半導体レーザモジュールは、安価な通常の半導体レーザを複数個、その発光波長の異同に拘わらず容易に組み合わせることができ、なおかつ、互いに平行で光軸の近接したレーザ光束群を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】発明の実施の１形態を説明するための図である。
【図２】発明の実施の別形態を説明するための図である。
【図３】発明の実施の他の形態を説明するための図である。
【符号の説明】
１１、１２、１３      半導体レーザ（チップ）
２０      支持手段（サブマウント）
３１Ａ、３２Ａ、３３Ａ      反射面群をなす反射面
３４        鏡面部材
３４Ａ      鏡面
４０        保持手段（ステム）
【図１】
2005012105.tif 000003
【図２】
2005012105.tif 000004
【図３】
2005012105.tif 000005