(57)【要約】【課題】  故障原因の解析に必要な情報を記録することにより、故障原因を短時間で、かつ確実に解析する。【解決手段】  フラッシュディスク１には、電圧センサ１０、温度センサ１１、衝撃センサ１２、およびホストインタフェースケーブル外れ検出センサ１３が設けられている。ＭＰＵ３は、これらセンサが検出したデータを任意の期間毎に取り込み、累計の電源ＯＮ回数、タイマ値とともに測定結果としてメモリチップ１４1 ，１４2 に格納する。また、ＭＰＵ３は、フラッシュディスク１における累計の電源ＯＮ回数、タイマ値、コマンド処理履歴、内部エラー番号、および代替処理履歴などの処理履歴もメモリチップ１４1 ，１４2 に格納する。不具合発生時には、格納された測定結果、ならびに処理履歴を参照してフラッシュディスク１の故障解析を行う。【選択図】  図１ 
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の記憶媒体と、
故障解析情報を検出する解析情報検出部と、
動作プログラムに基づいて前記１つ以上の記憶媒体に格納されたデータを読み出し、所定の処理やデータの書き込み動作指示などを行う情報処理部とを備え、
前記情報処理部は、前記解析情報検出部が検出した故障解析情報を任意の期間毎に取り込み、前記記憶媒体に書き込むことを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
１つ以上の記憶媒体と、
故障解析情報を検出する解析情報検出部と、
動作プログラムに基づいて前記１つ以上の記憶媒体に格納されたデータを読み出し、所定の処理やデータの書き込み動作指示などを行う情報処理部と、
判定用しきい値を格納するしきい値格納部とを備え、
前記情報処理部は、
前記解析情報検出部から取り込んだ前記故障解析情報と前記判定用しきい値とを比較し、前記判定用しきい値を超えた前記故障解析情報を前記記憶媒体に書き込むことを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項２記載の記憶装置において、
前記解析情報検出部が検出した故障解析情報を一時的に格納するバッファを備え、
前記情報処理部は、前記バッファの記憶容量が任意の容量を超えた際に、前記バッファに格納された故障解析情報を前記記憶媒体に書き込むことを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項３記載の記憶装置において、
電源電圧の供給が停止された際に、前記バッファにバックアップ用の電源電圧を供給するバックアップ電源を備えたことを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の記憶装置において、
第１、および第２のしきい値を格納するしきい値格納部を備え、
前記情報処理部は、
前記解析情報検出部が検出した各々の故障解析情報と前記第１のしきい値とを比較し、前記故障解析情報のうち、前記第１のしきい値を超えているものがある場合には、前記第１のしきい値を超えている故障解析情報と前記第２のしきい値とを比較し、前記第２のしきい値を超えているものがある場合には動作を停止し、前記第２のしきい値を超えていない場合には動作機能を制限する動作制限モードに移行することを特徴とする記憶装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の記憶装置において、
前記解析情報検出部は、
供給される電源電圧の電圧レベルを検出する電圧検出部と、
内部温度を検出する温度検出部と、
ホストと接続されるインタフェースケーブルの接触不良、およびケーブル外れを検出するケーブル外れ検出部を少なくとも１つ備え、
前記記憶媒体に書き込まれる故障解析情報は、累計の電源ＯＮ回数、タイマ値、および前記解析情報検出部が測定した各々の測定結果を含むことを特徴とする記憶装置。
【請求項７】
請求項１記載の記憶装置において、
前記解析情報検出部は、衝撃を検出する衝撃検出部を備え、
前記衝撃検出部は、衝撃を検出した際に前記情報処理部に対して割り込み要求を行い、  前記情報処理部は、前記衝撃検出部からの割り込み要求がある毎に、前記解析情報検出部が測定した各々の測定結果を取り込み、前記記憶媒体に書き込むことを特徴とする記憶装置。
【請求項８】
請求項２〜４のいずれか１項に記載の記憶装置において、
前記解析情報検出部は、衝撃を検出する衝撃検出部を備え、
前記衝撃検出部は、衝撃を検出した際に前記情報処理部に対して割り込み要求を行い、  前記情報処理部は、前記衝撃検出部からの割り込み要求がある毎に、前記解析情報検出部が測定した各々の測定結果を取り込み、前記解析情報検出部から取り込んだ前記故障解析情報と前記判定用しきい値とを比較し、前記判定用しきい値を超えた前記故障解析情報を前記記憶媒体に書き込むことを特徴とする記憶装置。
【請求項９】
請求項５記載の記憶装置において、
前記解析情報検出部は、衝撃を検出する衝撃検出部を備え、
前記衝撃検出部は、衝撃を検出した際に前記情報処理部に対して割り込み要求を行い、
前記情報処理部は、前記衝撃検出部からの割り込み要求がある毎に、前記解析情報検出部が測定した各々の測定結果を取り込み、前記解析情報検出部が検出した各々の故障解析情報と前記第１のしきい値とを比較し、前記故障解析情報のうち、前記第１のしきい値を超えているものがある場合には、前記第１のしきい値を超えている故障解析情報と前記第２のしきい値とを比較し、前記第２のしきい値を超えているものがある場合には動作を停止し、前記第２のしきい値を超えていない場合には動作機能を制限する動作制限モードに移行することを特徴とする記憶装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の記憶装置において、
前記情報処理部は、前記情報処理部が処理を実行する毎に処理履歴を前記記憶媒体に格納することを特徴とする記憶装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の記憶装置において、
前記情報処理部が前記記憶媒体に格納する処理履歴は、累計の電源ＯＮ回数、タイマ値、コマンド処理履歴、内部エラー番号、および代替処理履歴からなることを特徴とする記憶装置。
【請求項１２】
請求項１０または１１記載の記憶装置において、
前記情報処理部が処理した処理履歴を一時的に格納するバッファを備え、
前記情報処理部は、前記バッファの記憶容量が任意の容量を超えた際に、前記バッファに格納された処理履歴を前記記憶媒体に書き込むことを特徴とする記憶装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の記憶装置において、
電源電圧の供給が停止された際に、前記バッファにバックアップ用の電源電圧を供給するバックアップ電源を備えたことを特徴とする記憶装置。
【請求項１４】
請求項１２記載の記憶装置において、
前記記憶媒体に処理履歴を書き込んだ後、前記故障解析情報及び前記処理履歴の格納を停止することを特徴とする記憶装置。
【請求項１５】
請求項１２記載の記憶装置において、
前記記憶媒体に処理履歴を書き込む際、前記記憶媒体の異なるアドレスにより指定される領域へ複数回、前記故障解析情報及び前記処理履歴を格納することを特徴とする記憶装置。
【請求項１６】
請求項１２乃至１５記載の記憶装置は外部装置に接続可能とされ、
前記記憶装置は前記外部装置へ前記故障解析情報及び前記処理履歴を出力可能とされることを特徴とする記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記憶装置における異常検出技術に関し、特に、フラッシュディスクなどの半導体メモリや光や磁気により記憶を行うハードディスクドライブや光磁気ディスクドライブなどの記憶媒体を用いた記憶装置における故障解析に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）などのストレージデバイスとして、フラッシュディスクなどの記憶装置が広く用いられている。このフラッシュディスクは、たとえば、該フラッシュディスク内においてデータの書込動作や消去動作において異常を検知した際にホストにエラーを報告し、ユーザに不具合があることを通知している。
【０００３】
また、記憶装置の１つであるＩＣカードにおいて、たとえば、移動すべきデータの削除命令または追加命令を受信した際に、受信したことを証明するための情報を不揮発性メモリに書き込むことにより、電子化されたデータの移動処理の途中で異常が発生し通信が途絶えた場合に、どのステップまで処理が完了したかを追跡できるものがある（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平５−１６６０１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、上記のような記憶装置における不具合の通知技術では、次のような問題点があることが本発明者により見い出された。
【０００５】
すなわち、不具合の発生した記憶装置をエンジニアが解析する際には、使用環境や使用状況などの解析に必要な故障原因などを特定する情報が該記憶装置に残っておらず、故障原因などの特定が非常に困難となっている。
【０００６】
また、故障原因の特定ができないことによって、故障原因報告を行うことができずにユーザからの信頼を得られなくなる恐れがある。さらに、故障原因が特定されないことにより、将来製品への品質向上にフィードバックできないという問題がある。
【０００７】
本発明の目的は、故障原因の解析に必要な情報を記録することにより、故障原因を短時間で、かつ確実に解析することのできる記憶装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１０】
本発明の記憶装置は、１つ以上の記憶媒体と、故障解析情報を検出する解析情報検出部と、動作プログラムに基づいて該１つ以上の記憶媒体に格納されたデータを読み出し、所定の処理やデータの書き込み動作指示などを行う情報処理部とを備え、該情報処理部は、解析情報検出部が検出した故障解析情報を任意の期間毎に取り込み、記憶媒体に書き込むものである。
【００１１】
また、本願のその他の発明の概要を簡単に示す。
【００１２】
本発明の記憶装置は、１つ以上の記憶媒体と、故障解析情報を検出する解析情報検出部と、動作プログラムに基づいて該１つ以上の記憶媒体に格納されたデータを読み出し、所定の処理やデータの書き込み動作指示などを行う情報処理部と、判定用しきい値を格納するしきい値格納部を備え、該情報処理部は、解析情報検出部から取り込んだ故障解析情報と判定用しきい値とを比較し、該判定用しきい値を超えた故障解析情報を記憶媒体に書き込むものである。
【００１３】
また、本発明の記憶装置は、解析情報検出部が検出した故障解析情報を一時的に格納するバッファを備え、情報処理部は、バッファの記憶容量が任意の容量を超えた際に、バッファに格納された故障解析情報を記憶媒体に書き込むものである。
【００１４】
さらに、本発明の記憶装置は、情報処理部が処理を実行する毎に、累計の電源ＯＮ回数やタイマ値などの時間情報、コマンド処理履歴、内部エラー番号、および代替処理履歴などからなる処理履歴を記憶媒体に格納するものである。この時間情報は、処理履歴の発生順序を明確にできる情報であればよい。
【００１５】
さらには、これらの故障解析情報や処理履歴を記憶媒体に格納する際、多重化して格納をするものである。
【００１６】
そして本発明の記憶装置が接続されるホスト装置に対して、ホスト装置からの所定の指示に応じて、記憶媒体に格納した故障解析情報や処理履歴を、出力可能とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１８】
（１）故障原因を詳細に解析することが可能となり、短時間で、かつ容易に故障原因を特定することができる。
【００１９】
（２）また、故障原因などを速やかにフィードバックすることができるので、記憶装置の信頼性を向上させることができる。
【００２０】
（３）さらに、処理履歴などを容易に取得することができるので、記憶装置の状態をユーザ自身が把握することが可能となり、該記憶装置の不具合発生などを未然に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１によるフラッシュディスクのブロック図、図２は、図１のフラッシュディスクに設けられたセンサから取得した測定結果を、メモリチップに格納する格納フォーマットの一例を示す説明図、図３は、図１のフラッシュディスクに設けられたメモリチップに格納される処理履歴の格納フォーマットの一例を示す説明図、図４は、図１のフラッシュディスクにおける測定結果の記録処理のフローチャート、図５は、図１のフラッシュディスクにおける受信コマンドの記録処理のフローチャート、図６は、図１のフラッシュディスクにおけるコマンド応答の記録処理のフローチャート、図７は、図１のフラッシュディスクにおける内部エラーの記録処理のフローチャート、図８は、図１のフラッシュディスクにおける代替処理の記録処理のフローチャート、図９は、図１のフラッシュディスクにおける情報収集処理のフローチャート、図１０は、図１のフラッシュディスクにおける障害対応処理のフローチャートである。
【００２３】
本実施の形態において、フラッシュディスク（記憶装置）１は、図１に示すように、ホストインタフェースコネクタ２、ＭＰＵ（情報処理部）３、ホストインタフェース制御部４、メモリチップ制御部５、ＥＣＣ制御部６、タイマ７、バッファインタフェース制御部８、バッファ９、電圧センサ（解析情報検出部、電圧検出部）１０、温度センサ（解析情報検出部、温度検出部）１１、衝撃センサ（解析情報検出部、衝撃検出部）１２、ホストインタフェースケーブル外れ検出センサ（解析情報検出部、ケーブル外れ検出部）１３、および複数のメモリチップ（不揮発性半導体メモリ）１４1 〜１４N などから構成されている。
【００２４】
ホストインタフェースコネクタ２は、ホストと接続されるホストインタフェースケーブルＨＣを接続するコネクタである。このホストインタフェースコネクタ２は、ホストインタフェースコネクタ２とホストインタフェースケーブルＨＣとの接触不良を検知し、測定値としてＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）３に出力する。
【００２５】
ホストインタフェース制御部４は、ホストから、ホストインタフェースコネクタ２を介して入出力されるコマンドを受け、これらの動作に必要なデータの入出力を行う。
【００２６】
バッファインタフェース制御部８は、ホストインタフェース制御部４、およびメモリチップ制御部５を介してそれぞれ入出力されるデータのインタフェース制御を行う。バッファ９は、ホスト、およびメモリチップ１４1 〜１４N から入出力されるデータを一時的に格納するメモリであり、たとえば、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）などからなる。
【００２７】
メモリチップ制御部５は、メモリチップ１４1 〜１４N における制御を司る。これら不揮発性半導体メモリ１４1 〜１４N は、たとえば、フラッシュメモリなどの不揮発性半導体メモリからなる。
【００２８】
ＥＣＣ制御部６は、メモリチップ１４1 〜１４N に書き込み／読み出しされるデータのＥＣＣ（Ｅｒｒｏｒ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｎｇ  Ｃｏｄｅ）処理を行い、書込時にエラー訂正情報を生成し、読み出し時に該データに誤りがある際に訂正して出力する。
【００２９】
ＭＰＵ３は、動作プログラムに基づいてメモリチップ１４1 〜１４N への書込／読み出し動作処理とフラッシュディスク１全体の制御を行う。
【００３０】
このＭＰＵ３には、ＲＡＭ（しきい値格納部）３ａが設けられており、該ＲＡＭ３ａには、異常判定に用いられる第１、および第２のしきい値が格納されている。タイマ７は、タイマクロックなどのカウントアップを行い、ＭＰＵ３にタイマカウンタ信号を出力する。
【００３１】
電圧センサ１０は、フラッシュディスク１に供給される電源電圧の電源レベルを測定する。温度センサ１１は、フラッシュディスク１内部の温度を測定する。衝撃センサ１２は、フラッシュディスク１に加わった衝撃（重力加速度Ｇ）を測定する。
【００３２】
そして、電圧センサ１０、温度センサ１１、衝撃センサ１２、ならびにはホストインタフェースケーブル外れ検出センサ１３の測定値は、ＭＰＵ３に送信される。ＭＰＵ３は、受け取った測定値を保存・峻別可能な測定結果形式に変換してメモリチップ１４1 ，１４2 に格納する。
【００３３】
また、ＭＰＵ３は、メモリチップ１４1 ，１４2 に測定結果（故障解析情報）を格納する毎に第１のしきい値との比較を行い、測定結果の判定を行う。第１のしきい値は、測定結果が注意レベルと判定されるしきい値であり、第２のしきい値は、第１のしきい値よりも重篤な状態にあり、警告レベルと判断されるしきい値である。
【００３４】
そして、ＭＰＵ３は、第１のしきい値を超える測定結果があると判定した際、またはホストからの障害対応要求があった場合には、障害対応処理を実行し、２次障害の発生に備える。
【００３５】
ホストインタフェースコネクタ２、ＭＰＵ３、ホストインタフェース制御部４、メモリチップ制御部５、ＥＣＣ制御部６、タイマ７、バッファインタフェース制御部８、バッファ９、電圧センサ１０、温度センサ１１、衝撃センサ１２、ホストインタフェースケーブル外れ検出センサ１３、およびメモリチップ１４1 〜１４N は、制御線ＣＮＢによりそれぞれ接続されている。
【００３６】
また、ホストインタフェースコネクタ２、ホストインタフェース制御部４、メモリチップ制御部５、ＥＣＣ制御部６、バッファインタフェース制御部８、バッファ９、ならびに不揮発性半導体メモリ１４は、データバスＤＢによってそれぞれ接続されている。
【００３７】
図２は、メモリチップ１４1 ，１４2 に格納される測定結果のデータ格納フォーマットの一例を示す説明図である。
【００３８】
メモリチップ１４1 には、測定結果記録エリアＳＡが設けられている。測定結果記録エリアＳＡは、ｎ回分の測定結果を格納することが可能となっている。
【００３９】
測定結果記録エリアＳＡに記録される１回分の測定結果は、フラッシュディスク１における累計の電源ＯＮ回数、タイマ値、および電圧センサ１０、温度センサ１１、衝撃センサ１２、ホストインタフェースケーブル外れ検出センサ１３がそれぞれ測定した測定結果からなる。
【００４０】
ｎ回の測定結果の書き込みが終了すると、最初に測定結果が書き込まれた領域に戻って最新の測定結果を上書きする。測定結果記録エリアＳＡに書き込まれたｎ回分の測定結果の時系列は、累計の電源ＯＮ回数、およびタイマ値により判断する。たとえば、電源ＯＮ回数がより多い測定結果が最新であり、電源ＯＮ回数が同じの場合には、タイマ値が大きい測定結果がより新しいことになる。
【００４１】
この測定結果記録エリアＳＡは、メモリチップ１４2 も設けられており、同一の測定結果がメモリチップ１４2 にも格納され、データの二重化が行われている。
【００４２】
測定結果記録エリアＳＡへの測定結果の書き込みは、タイマ７によるタイマカウンタ信号に基づいて一定間隔毎に実行される。また、一定間隔毎以外であっても、衝撃センサ１２による衝撃が測定された際には、随時測定結果が測定結果記録エリアＳＡに書き込まれる。ＭＰＵ３は、測定結果記録エリアＳＡの測定結果記録ポインタＰが指す位置に、測定結果を書き込み、該測定結果記録ポインタＰをインクリメントする。
【００４３】
さらに、メモリチップ１４1 ，１４2 には、図３に示すように、処理履歴記録エリアＣＡが設けられている。処理履歴記録エリアＣＡは、ｎ回分の処理履歴を格納することが可能となっている。
【００４４】
処理履歴記録エリアＣＡには、フラッシュディスク１における累計の電源ＯＮ回数、タイマ値、コマンド処理履歴、内部エラー番号、および代替処理履歴などが処理履歴として記録される。
【００４５】
コマンド処理履歴は、ホストから出力された受信コマンド、および受信コマンド処理終了後のコマンド応答の履歴である。
【００４６】
内部エラー番号は、書き込みエラーやリード時のＥＣＣ訂正不可エラーなどの内部エラーの種類を示す番号である。この内部エラーが発生すると、ＭＰＵ３は、処理履歴記録エリアＣＡに内部エラー番号を記録するとともにセンサ測定結果記録処理（図４）を直ちに行う。これは、エラー検出時の外的状況を記録するためである。
【００４７】
代替処理履歴は、メモリチップ１４1 〜１４N の代替処理を実行した際の代替元アドレス／代替先アドレスの記録である。
【００４８】
また、処理履歴は、可変長のデータ構造となっている。1回のコマンド処理は、受信コマンドを起点、コマンド応答が終点として、数レコードに渡って記録される。受信コマンド、およびコマンド応答の間にコマンド処理中に発生した内部エラー番号、代替処理履歴が記録される。
【００４９】
各レコードには、そのレコードが保持している情報の種類（受信コマンド、コマンド応答、内部エラー番号、代替情報）を示す属性情報も記録されている。
【００５０】
処理履歴記録エリアＣＡは、図２の測定結果記録エリアＳＡと同様に、ｎ回の処理履歴の書き込みが終了すると、最初に処理履歴が書き込まれた領域に戻って最新の処理履歴を上書きする。
【００５１】
この場合も、処理履歴記録エリアＣＡに書き込まれたｎ回分の測定結果の時系列は、累計の電源ＯＮ回数、およびタイマ値により判断する。処理履歴記録エリアＣＡは、メモリチップ１４2 も設けられており、同一の処理履歴がメモリチップ１４2 にも格納され、データの多重化が行われている。
【００５２】
また、フラッシュディスク１の障害発生後、該フラッシュディスク１内のユーザデータを別のフラッシュディスクに退避したい場合がある。しかし、退避時のリード処理により、障害発生時の状況が保存されているログが上書きにされ、失われる可能性がある。
【００５３】
そのような場合に備えて、ホストからの要求によってログ記録機能を停止することができる。
ログ記録機能の停止方法は、たとえば、ログ記録機能の完全停止、または多重化されているログのうち、１個のログについて記録停止し、その他ログは記録継続のいずれかをホストが選択する。
【００５４】
ＭＰＵ３は、処理履歴記録エリアＣＡの処理履歴記録ポインタＰａが指す位置に、処理履歴を書き込み、該処理履歴記録ポインタＰａをインクリメントする。
【００５５】
次に、本実施の形態の作用について説明する。
【００５６】
はじめに、フラッシュディスク１による測定結果の記録処理について、図４のフローチャートを用いて説明する。
【００５７】
まず、タイマ７のタイマ値が規定値に到達、または衝撃が測定されて衝撃センサ１２から割り込み要求があると、ＭＰＵ３は、フラッシュディスク１の電源ＯＮ後、累計の電源ＯＮ回数の更新を行ったか否かを判断する（ステップＳ１０１）。更新を行っていない場合には、前回の電源ＯＮ回数をインクリメントした値に更新する（ステップＳ１０２）。
【００５８】
その後、ＭＰＵ３は、電圧センサ１０、温度センサ１１、衝撃センサ１２、およびホストインタフェースケーブル外れ検出センサ１３の測定値をそれぞれ取得し、該測定値を保存、峻別可能な測定結果形式に変換する（ステップＳ１０３）。
【００５９】
続いて、ＭＰＵ３は、測定値を取得した際の電源ＯＮ回数、タイマ値、および測定結果をメモリチップ１４1 ，１４2 の測定結果記録エリアＳＡにおける測定結果記録ポインタＰが指す位置に書き込みを行う（ステップＳ１０４）。
【００６０】
そして、ＭＰＵ３は、測定結果記録ポインタＰが境界（ｎ回）に達しているか否かを判断し（ステップＳ１０５）、境界に達している際には測定結果記録ポインタＰを０クリアにする（ステップＳ１０６）。
【００６１】
また、ステップＳ１０５の処理において、境界に達していない場合には、測定結果記録ポインタＰをインクリメントする（ステップＳ１０７）。以上で、測定結果の記録処理が終了となる。
【００６２】
さらに、フラッシュディスク１による受信コマンド、コマンド応答、内部エラー代替処理におけるそれぞれ記録処理について説明する。
【００６３】
まず、受信コマンドの記録処理について図５のフローチャートを用いて説明する。
【００６４】
ホストからコマンドを受信すると、ＭＰＵ３は、フラッシュディスク１の電源ＯＮ後、累計の電源ＯＮ回数の更新を行ったか否かを判断する（ステップＳ２０１）。更新を行っていない場合には、前回の電源ＯＮ回数をインクリメントした値に更新する（ステップＳ２０２）。
【００６５】
続いて、ＭＰＵ３は、電源ＯＮ回数、タイマ値、属性、および受信コマンドをメモリチップ１４1 ，１４2 の処理履歴記録エリアＣＡにおける処理履歴記録ポインタＰａが指す位置に書き込む（ステップＳ２０３）。
【００６６】
その後、ＭＰＵ３は、処理履歴記録ポインタＰａが境界（ｎ回）に達しているか否かを判断し（ステップＳ２０４）、境界に達している場合には、処理履歴記録ポインタＰａを０クリアにする（ステップＳ２０５）。
【００６７】
また、ステップＳ２０４の処理において、境界に達していない場合には、処理履歴記録ポインタＰａをインクリメントし（ステップＳ２０６）、受信コマンドの記録処理が終了となる。
【００６８】
次に、コマンド応答の記録処理について、図６のフローチャートを用いて説明する。
【００６９】
ＭＰＵ３がホストへコマンド応答を出力した際、該ＭＰＵ３は、電源ＯＮ回数、またはタイマ値、属性、および応答コマンドをメモリチップ１４1 ，１４2 の処理履歴記録エリアＣＡにおける処理履歴記録ポインタＰａが指す位置に書き込む（ステップＳ３０１）。
【００７０】
そして、ＭＰＵ３は、処理履歴記録ポインタＰａが境界（ｎ回）に達しているか否かを判断し（ステップＳ３０２）、境界に達している場合には、処理履歴記録ポインタＰａを０クリアにする（ステップＳ３０３）。
【００７１】
また、ステップＳ３０２の処理において、境界に達していない場合には、処理履歴記録ポインタＰａをインクリメントし（ステップＳ３０４）、応答コマンドの記録処理が終了となる。
【００７２】
内部エラーの記録処理について、図７のフローチャートを用いて説明する。
【００７３】
ＭＰＵ３が内部エラーを検出した際、該ＭＰＵ３は、測定結果の記録処理（図４、ステップＳ１０１〜Ｓ１０７の処理）を実行する（ステップＳ４０１）。その後、ＭＰＵ３は、電源ＯＮ回数、タイマ値、属性、および内部エラー番号をメモリチップ１４1 ，１４2 の処理履歴記録エリアＣＡにおける処理履歴記録ポインタＰａが指す位置に書き込む（ステップＳ４０２）。
【００７４】
続いて、ＭＰＵ３は、処理履歴記録ポインタＰａが境界（ｎ回）に達しているか否かを判断し（ステップＳ４０３）、境界に達している場合には、処理履歴記録ポインタＰａを０クリアにする（ステップＳ４０４）。
【００７５】
また、ステップＳ４０３の処理において、境界に達していない場合には、処理履歴記録ポインタＰａをインクリメントし（ステップＳ４０５）、内部処理の記録処理が終了となる。
【００７６】
代替処理の記録処理について、図８のフローチャートを用いて説明する。
【００７７】
ＭＰＵ３による代替処理が終了すると、該ＭＰＵ３は、電源ＯＮ回数、タイマ値、属性、および代替先／代替元アドレスをメモリチップ１４1 ，１４2 の処理履歴記録エリアＣＡにおける処理履歴記録ポインタＰａが指す位置に書き込む（ステップＳ５０１）。
【００７８】
続いて、ＭＰＵ３は、処理履歴記録ポインタＰａが境界（ｎ回）に達しているか否かを判断し（ステップＳ５０２）、境界に達している場合には、処理履歴記録ポインタＰａを０クリアにする（ステップＳ５０３）。
【００７９】
また、ステップＳ５０２の処理において、境界に達していない場合には、処理履歴記録ポインタＰａをインクリメントし（ステップＳ５０４）、代替処理の記録処理が終了となる。
【００８０】
フラッシュディスク１は、ホストの要求に応じて、障害・寿命情報を該ホストに対して出力する機能を有している。ここで、ホストが障害・寿命情報報告を要求する手段としては、たとえば、ＡＴＡ（ＡＴ  Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）のｓｍａｒｔコマンド、ベンダユニークコマンド、あるいは専用の信号線などがある。
【００８１】
障害・寿命情報は、たとえば、測定結果記録エリアＳＡに格納されている情報、処理履歴記録エリアＣＡに格納されている情報、および動作異常のあるメモリチップの番号、各メモリチップの残り代替セクタ数、破損データ格納アドレス（電源遮断などを原因とした破損データを検出した場合）からなるスキャン情報などからなる。
【００８２】
図９は、ホストから、障害・寿命情報収集の要求があった際の情報収集処理のフローチャートである。
【００８３】
ホストから、障害・寿命情報収集の要求（コマンド）を受け取ると、ＭＰＵ３は、最初にすべてのメモリチップ１４1 〜１４N をスキャンし、動作不良のメモリチップの番号、各メモリチップ１４1 〜１４N の残り代替セクタ数、破損データ格納アドレスなどのスキャン情報を収集し、バッファ９に格納する（ステップＳ６０１）。
【００８４】
その後、メモリチップ１４1 ，１４2 の測定結果記録エリアＳＡに格納されている測定結果、およびメモリチップ１４1 ，１４2 の処理履歴記録エリアＣＡに格納されている処理履歴をそれぞれ読み出し、バッファ９に格納する（ステップＳ６０２）。
【００８５】
続いて、ＭＰＵ３は、バッファ９に格納されたスキャン情報、測定結果、ならびに処理履歴を障害・寿命情報収集としてホストに転送する（ステップＳ６０３）。
【００８６】
図１０は、第１のしきい値を超える測定結果がある場合、またはホストからの障害対応要求があった場合における障害対応処理のフローチャートである。
【００８７】
測定結果が第１のしきい値を超えた場合、もしくはホストからの障害対応要求があると、ＭＰＵ３は、バッファ９にメモリチップへ未書き込みのデータがある場合、バッファ９の未書き込みデータを直ちにメモリチップに格納する（ステップＳ７０１）。
【００８８】
そして、ＭＰＵ３は、測定結果とＲＡＭ３ａに格納されている第２のしきい値とを比較し、その結果、第２のしきい値を超えている場合、またはホストから動作停止の指示があった場合には（ステップＳ７０２）、ＤＡＴＡ値にフラッシュディスク１の動作を停止する（ステップＳ７０３）。
【００８９】
また、第２のしきい値を超えおらず、ホストから動作停止の指示もなかった場合には、フラッシュディスク１の動作モードを制限モードにする（ステップＳ７０４）。この制限モードは、フラッシュディスク１に格納されているデータの損失を防ぐためにフラッシュディスク１の機能を制限するモードであり、たとえば、読み出し動作許可され、その他の動作を不許可とする。
【００９０】
それにより、本実施の形態１によれば、メモリチップ１４1 ，１４2 に格納された測定結果、および処理履歴などを参照することにより、故障原因を詳細に解析することが可能となり、短時間で、かつ確実に該故障原因を特定することができる。
【００９１】
また、ホストからの要求により、障害・寿命情報を容易に取得することによってユーザがフラッシュディスク１の状態を把握することができるようになり、該ユーザ自身によるメンテナンスを容易に行うことができるので、フラッシュディスク１の不具合発生を未然に防止することが可能となる。
【００９２】
（実施の形態２）
図１１は、本発明の実施の形態２によるフラッシュディスクのブロック図、図１２は、図１１のフラッシュディスクにおける測定結果記録処理のフローチャート、図１３は、図１２に続く測定結果記録処理のフローチャートである。
【００９３】
本実施の形態２において、フラッシュディスク（記憶装置）１ａは、図１１に示すように、前記実施の形態１（図１）と同様の構成であるホストインタフェースコネクタ２、ＭＰＵ３、ホストインタフェース制御部４、メモリチップ制御部５、ＥＣＣ制御部６、タイマ７、バッファインタフェース制御部８、バッファ９、電圧センサ１０、温度センサ１１、衝撃センサ１２、ホストインタフェースケーブル外れ検出センサ１３、および複数のメモリチップ１４1 〜１４N からなる。
【００９４】
また、ＭＰＵ３にはＲＡＭ３ａが設けられており、該ＲＡＭ３ａには、前記実施の形態１に記載した第１、および第２のしきい値の他に、第３のしきい値（判定用しきい値）が格納されている。この第３のしきい値は、メモリチップ１４1 ，１４2 の測定結果記録エリアＳＡ（図２）に測定結果を記録するか否かを判断するための値である。
【００９５】
フラッシュディスク１ａにおける接続構成、ならびにコマンド処理履歴の記録処理（図３、図５、図６）については、前記実施の形態１に示したフラッシュディスク１（図１）と同様であるので説明は省略する。
【００９６】
フラッシュディスク１ａにおける第３のしきい値を用いた測定結果記録処理について、図１２、図１３のフローチャートを用いて説明する。
【００９７】
まず、タイマ７のタイマ値が規定値に到達、または衝撃が測定されて衝撃センサ１２から割り込み要求があると、ＭＰＵ３は、フラッシュディスク１の電源ＯＮ後、累計の電源ＯＮ回数の更新を行ったか否かを判断する（ステップＳ８０１）。更新を行っていない場合には、前回の電源ＯＮ回数をインクリメントした値に更新する（ステップＳ８０２）。
【００９８】
その後、ＭＰＵ３は、電圧センサ１０、温度センサ１１、衝撃センサ１２、およびホストインタフェースケーブル外れ検出センサ１３の測定値をそれぞれ取得し、該測定値を保存、峻別可能な測定結果形式に変換する（ステップＳ８０３）。
【００９９】
続いて、ＭＰＵ３は、測定結果とＲＡＭ３ａに格納されている第３のしきい値とを比較し（ステップＳ８０４）、該第３のしきい値を超えている測定結果がない場合には記録処理が終了となり、メモリチップ１４1 ，１４2 の測定結果記録エリアＳＡには該測定結果が記録されないことになる。
【０１００】
ステップＳ８０４の処理において、第３のしきい値を超えている測定結果がある場合には、電源ＯＮ回数、タイマ値、および測定結果をメモリチップ１４1 ，１４2 の測定結果記録エリアＳＡにおける測定結果記録ポインタＰ（図２）が指す位置に書き込む（ステップＳ８０５）。
【０１０１】
そして、ＭＰＵ３は、測定結果記録ポインタＰが境界（ｎ回）に達しているか否かを判断し（ステップＳ８０６）、境界に達している際には測定結果記録ポインタＰを０クリアにする（ステップＳ８０７）。
【０１０２】
また、ステップＳ８０６の処理において、境界に達していない場合には、測定結果記録ポインタＰをインクリメントし（ステップＳ８０８）、測定結果の記録処理が終了となる。
【０１０３】
それにより、本実施の形態２によれば、第３のしきい値を超えた測定結果のみを記録することにより、ＭＰＵ３の負荷を大幅に軽減することができるので、コマンド処理のパフォーマンスダウンを防止することができる。
【０１０４】
また、メモリチップ１４1 ，１４2 への測定結果の書き込み回数を少なくすることができるので、書き込みが繰り返されることによる該メモリチップ１４1 ，１４2 の劣化を低減することができ、フラッシュディスク１ａの信頼性を向上させることができる。
【０１０５】
（実施の形態３）
図１４は、本発明の実施の形態３によるフラッシュディスクのバッファに設けられた測定結果一時記録エリアにおけるデータフォーマットの説明図、図１５は、本発明の実施の形態３によるフラッシュディスクに設けられたメモリチップの測定結果記録エリア、および処理履歴記録エリアの説明図、図１６は、本実施の形態３におけるフラッシュディスクの測定結果記録処理のフローチャート、図１７は、図１６に続く測定結果記録処理のフローチャート、図１８は、本実施の形態３におけるフラッシュディスクの即時保存処理のフローチャート、図１９は、図１８に続く即時保存処理のフローチャートである。
【０１０６】
本実施の形態３においては、バッファ９（図１１）に測定結果の記録、およびコマンド処理履歴を一時的に格納する点が前記実施の形態２と異なっている。
【０１０７】
図１４は、バッファ９に設けられた測定結果一時記録エリアＳＡ１におけるデータフォーマットの説明図である。
【０１０８】
バッファ９に設けられた測定結果一時記録エリアＳＡ１は、ｎ２回分の測定結果を格納することが可能となっている。測定結果一時記録エリアＳＡ１に記録される１回分の測定結果は、メモリチップ１４1 ，１４2 の測定結果記録エリアＳＡに格納される測定結果（図２）と同様に、フラッシュディスク１における累計の電源ＯＮ回数、タイマ値、および電圧センサ１０、温度センサ１１、衝撃センサ１２、ホストインタフェースケーブル外れ検出センサ１３がそれぞれ測定した測定結果からなる。
【０１０９】
ｎ２回の測定結果の書き込みが終了すると、最初に測定結果が書き込まれた領域に戻って最新の測定結果を上書きする。測定結果一時記録エリアＳＡ１に書き込まれたｎ２回分の測定結果の時系列は、累計の電源ＯＮ回数、およびタイマ値により判断する。たとえば、電源ＯＮ回数がより多い測定結果が最新であり、電源ＯＮ回数が同じの場合には、タイマ値が大きい測定結果がより新しいことになる。
【０１１０】
測定結果一時記録エリアＳＡ１への測定結果の書き込みは、たとえば、タイマ７によるタイマカウンタ信号に基づいて一定間隔毎に実行される。また、一定間隔毎以外であっても、衝撃センサ１２による衝撃が測定された際には、随時測定結果が測定結果一時記録エリアＳＡ１に書き込まれる。ＭＰＵ３（図１１）は、測定結果一時記録エリアＳＡ１の測定結果一時記録ポインタＰ１が指す位置に、測定結果を書き込み、該測定結果一時記録ポインタＰ１をインクリメントする。
【０１１１】
この測定結果一時記録エリアＳＡ１が満杯になると、該測定結果一時記録エリアＳＡ１に格納された内容が転送され、図１５に示すように、メモリチップ１４1 ，１４2 の測定結果記録エリアＳＡ２に格納される。
【０１１２】
その際、測定結果一時記録ポインタＰ１は、測定結果一時記録エリアＳＡ１の先頭に戻り、測定結果が順次上書きされる。
【０１１３】
また、バッファ９には、ｎ回分の処理履歴を格納する処理履歴一時記録エリアが設けられている。この処理履歴一時記録エリアは、前記実施の形態１の図３と同様に、累計の電源ＯＮ回数、タイマ値、コマンド処理履歴、内部エラー番号、および代替処理履歴などの処理履歴が記録される。
【０１１４】
ＭＰＵ３は、一時処理履歴エリアの処理履歴エリア一時記録ポインタが指す位置に、処理履歴を書き込み、該処理履歴エリア一時記録ポインタをインクリメントする。この処理履歴一時記録エリアＣＡ１が満杯になると、該処理履歴一時記録エリアＣＡ１に格納された内容が転送され、図１５に示すメモリチップ１４1 ，１４2 の処理履歴記録エリアＣＡ２に格納される。その際、処理履歴一時記録エリアＣＡ１の処理履歴エリア一時記録ポインタは、該処理履歴一時記録エリアＣＡ１の先頭に戻り、測定結果が順次上書きされる。
【０１１５】
図１６、図１７は、本実施の形態３における測定結果記録処理のフローチャートである。
【０１１６】
まず、タイマ７のタイマ値が規定値に到達、または衝撃が測定されて衝撃センサ１２から割り込み要求があると、ＭＰＵ３は、フラッシュディスク１の電源ＯＮ後、累計の電源ＯＮ回数の更新を行ったか否かを判断する（ステップＳ９０１）。更新を行っていない場合には、前回の電源ＯＮ回数をインクリメントした値に更新する（ステップＳ９０２）。
【０１１７】
続いて、ＭＰＵ３は、電圧センサ１０、温度センサ１１、衝撃センサ１２、およびホストインタフェースケーブル外れ検出センサ１３の測定値をそれぞれ取得し、該測定値を保存、峻別可能な測定結果形式に変換する（ステップＳ９０３）。
【０１１８】
そして、ＭＰＵ３は、測定結果とＲＡＭ３ａに格納されている第３のしきい値とを比較し（ステップＳ９０４）、該第３のしきい値を超えている測定結果がない場合には、バッファ９の測定結果一時記録エリアＳＡ１に記録せずに、記録処理が終了となる。
【０１１９】
ステップＳ９０４の処理において、第３のしきい値を超えている測定結果がある場合には、電源ＯＮ回数、タイマ値、および測定結果をバッファ９の測定結果一時記録エリアＳＡ１における測定結果一時記録ポインタＰ１が指す位置に書き込む（ステップＳ９０５）。
【０１２０】
ＭＰＵ３は、測定結果一時記録ポインタＰ１が境界（ｎ２回）に達しているか否かを判断し（ステップＳ９０６）、境界に達していない場合には、測定結果一時記録ポインタＰ１をインクリメントし（ステップＳ９０７）、測定結果の記録処理が終了となる。
【０１２１】
ステップＳ８０６の処理において、測定結果一時記録ポインタＰ１が境界に達している際には、バッファ９の測定結果一時記録エリアＳＡ１に格納されているすべての内容を転送してメモリチップ１４1 ，１４2 の測定結果記録エリアＳＡ２に書き込む（ステップＳ９０８）。
【０１２２】
続いて、ＭＰＵ３は、メモリチップ１４1 ，１４2 の測定結果記録エリアＳＡにおける測定結果記録ポインタＰが境界（ｎ３回）に達しているか否かを判断する（ステップＳ９０９）。
【０１２３】
境界に達している際には、測定結果記録ポインタＰ１を０クリアにし（ステップＳ９１０）、境界に達していない場合には、測定結果記録ポインタＰ１をインクリメントする（ステップＳ９１１）。
【０１２４】
その後、ＭＰＵ３は、測定結果一時記録ポインタＰ１を０クリアして（ステップＳ９１２）測定結果の記録処理が終了となる。
【０１２５】
図１８、図１９は、バッファ９における測定結果一時記録エリアＳＡ１の即時保存処理のフローチャートである。
【０１２６】
ホストから即時保存の要求があった際、あるいはＭＰＵ３が重大エラーを検出すると、ＭＰＵ３は、バッファ９に一時記憶されている（未書き込みの）データを直ちに任意のメモリチップ１４1 〜１４N に保存し、ユーザデータの損失などを防止する（ステップＳ１００１）。
【０１２７】
その後、ＭＰＵ３は、バッファ９に格納されている測定結果一時記録エリアＳＡ１の内容を、メモリチップ１４1 ，１４2 の測定結果記録ポインタＰが指す領域に保存する（ステップＳ１００２）。
【０１２８】
続いて、ＭＰＵ３は、測定結果記録ポインタＰが境界（ｎ３回）に達しているか否かを判断し（ステップＳ１００３）、境界に達している際には測定結果記録ポインタＰを０クリアにする（ステップＳ１００４）。
【０１２９】
ステップＳ１００３の処理において、境界に達していない場合には、測定結果記録ポインタＰをインクリメントする（ステップＳ１００５）。
【０１３０】
ステップＳ１００４、またはステップＳ１００５のいずれかの処理が終了すると、ＭＰＵ３は、バッファ９の測定結果一時記録ポインタＰ１をインクリメントする（ステップＳ１００６）。
【０１３１】
そして、ＭＰＵ３は、バッファ９に格納されている処理履歴一時記録エリアＣＡ１の内容を、メモリチップ１４1 ，１４2 の処理履歴記録エリアＣＡ２における処理履歴記録ポインタＰａが指す領域に保存する（ステップＳ１００７）。
【０１３２】
ＭＰＵ３は、処理履歴記録ポインタＰａが境界（ｎ４回）に達しているか否かを判断し（ステップＳ１００８）、境界に達している際には処理履歴記録ポインタＰａを０クリアにする（ステップＳ１００９）。
【０１３３】
ステップＳ１００８の処理において、境界に達していない場合には、処理履歴記録ポインタＰａをインクリメントした後（ステップＳ１０１０）、バッファ９の処理履歴エリア一時記録ポインタを０クリアして（ステップＳ１０１１）の即時保存処理が終了となる。
【０１３４】
それにより、本実施の形態３においては、ホストなどのシャットダウンや重大エラーなどによって、バッファ９に格納された測定結果や処理履歴、およびユーザデータなどの損失を防止することができる。さらに、処理履歴や測定情報の格納回数が少なくなることから、ＭＰＵ３の負荷が軽減され、またメモリチップの劣化を抑えることが可能となる。
【０１３５】
（実施の形態４）
図２０は、本発明の実施の形態４によるフラッシュディスクのブロック図である。
【０１３６】
本実施の形態４において、フラッシュディスク（記憶装置）１ｂは、図２０に示すように、ホストインタフェースコネクタ２、ＭＰＵ３、ホストインタフェース制御部４、メモリチップ制御部５、ＥＣＣ制御部６、タイマ７、バッファインタフェース制御部８、バッファ９、電圧センサ１０、温度センサ１１、衝撃センサ１２、ホストインタフェースケーブル外れ検出センサ１３、および複数のメモリチップ１４1 〜１４N からなる前記実施の形態２（図１１）と同様の構成に、新たにバックアップ電源１５が新たに設けられている。
【０１３７】
バックアップ電源１５は、バッファ９にバックアップ用の電源を供給する。たとえば、重大エラー検出時などにおいては、既にすべてのメモリチップ１４1 〜１４N の書き込みが不可能となっている恐れもあり、そのままフラッシュディスク１ｂの電源が切断されれば、障害解析に必要な情報が残らなくなってしまう。また、前記実施の形態３であればバッファ９に一時保存された故障解析情報が失われてしまう。
【０１３８】
よって、バックアップ電源１５は、その問題を回避するための電源であり、バッファ９は該パックアップ電源１５を経由して電源電圧が供給される。また、予期せぬ電源遮断が発生した際には、バックアップ電源１５はバッファ９にバックアップ用の電源電圧を供給し、該バッファ９における測定結果一時記録エリアＳＡ１、ならびに処理履歴一時記録エリアＣＡ１に記憶された内容を維持する。
【０１３９】
この場合、一般にフラッシュディスクのパワーオン処理では、バッファの内容は初期化される。しかし、本実施の形態４におけるフラッシュディスク１ｂでは、測定結果一時記録エリアＳＡ１、および処理履歴一時記録エリアＣＡ１に記憶された内容が保持される構成となっている。これは、測定結果一時記録エリアＳＡ１、および処理履歴一時記録エリアＣＡ１に残っている情報を、電源が再投入された後にホストに出力できるようにするためである。
【０１４０】
それにより、本実施の形態４では、不意のフラッシュディスク１ｂにおける電源遮断などが発生しても、バッファ９に測定結果や処理履歴などが保存されているので、該フラッシュディスク１ｂの故障解析などを効率よく行うことができる。
【０１４１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１４２】
たとえば、前記実施の形態１〜４においては、フラシュメモリを記録媒体としたフラッシュディスクについて記載したが、本発明は、不揮発性半導体メモリを用いて構成されたメモリカードなどの記憶装置、磁気ディスクや光磁気ディスクなどを記録媒体としたメモリチップ以外の記録媒体を有する記憶装置、あるいは単体のディスク装置を複数個装備したＲＡＩＤ（Ｒｅｄｕｎｄａｎｔ  Ａｒｒａｙ  ｏｆ  Ｉｎｅｘｐｅｎｓｉｖｅ  Ｄｉｓｋｓ）のようなアレイ形式のディスク装置などについても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】本発明の実施の形態１によるフラッシュディスクのブロック図である。
【図２】図１のフラッシュディスクに設けられたメモリチップに格納される測定結果の格納フォーマットの一例を示す説明図である。
【図３】図１のフラッシュディスクに設けられたメモリチップに格納される処理履歴の格納フォーマットの一例を示す説明図である。
【図４】図１のフラッシュディスクにおける測定結果の記録処理のフローチャートである。
【図５】図１のフラッシュディスクにおける受信コマンドの記録処理のフローチャートである。
【図６】図１のフラッシュディスクにおけるコマンド応答の記録処理のフローチャートである。
【図７】図１のフラッシュディスクにおける内部エラーの記録処理のフローチャートである。
【図８】図１のフラッシュディスクにおける代替処理の記録処理のフローチャートである。
【図９】図１のフラッシュディスクにおける情報収集処理のフローチャートである。
【図１０】図１のフラッシュディスクにおける障害対応処理のフローチャートである。
【図１１】本発明の実施の形態２によるフラッシュディスクのブロック図である。
【図１２】図１１のフラッシュディスクにおける測定結果記録処理のフローチャートである。
【図１３】図１２に続く測定結果記録処理のフローチャートである。
【図１４】本発明の実施の形態３によるフラッシュディスクのバッファに設けられた測定結果一時記録エリアにおけるデータフォーマットの説明図である。
【図１５】本発明の実施の形態３によるフラッシュディスクに設けられたメモリチップの測定結果記録エリア、および処理履歴記録エリアの説明図である。
【図１６】本実施の形態３におけるフラッシュディスクの測定結果記録処理のフローチャートである。
【図１７】図１６に続く測定結果記録処理のフローチャートである。
【図１８】本実施の形態３におけるフラッシュディスクの即時保存処理のフローチャートである。
【図１９】図１８に続く即時保存処理のフローチャートである。
【図２０】本発明の実施の形態４によるフラッシュディスクのブロック図である。
【符号の説明】
【０１４４】
１  フラッシュディスク（記憶装置）
１ａ  フラッシュディスク（記憶装置）
１ｂ  フラッシュディスク（記憶装置）
２  ホストインタフェースコネクタ
３  ＭＰＵ（情報処理部）
３ａ  ＲＡＭ（しきい値格納部）
４  ホストインタフェース制御部
５  メモリチップ制御部
６  ＥＣＣ制御部
７  タイマ
８  バッファインタフェース制御部
９  バッファ
１０  電圧センサ（解析情報検出部、電圧検出部）
１１  温度センサ（解析情報検出部、温度検出部）
１２  衝撃センサ（解析情報検出部、衝撃検出部）
１３  ホストインタフェースケーブル外れ検出センサ（解析情報検出部、ケーブル外れ検出部）
１４1 〜１４N   メモリチップ（半導体メモリ）
１５  バックアップ電源
ＨＣ  ホストインタフェースケーブル
ＳＡ  測定結果記録エリア
ＳＡ１  測定結果一時記録エリア
Ｐ  測定結果記録ポインタ
ＣＡ  処理履歴記録エリア
ＣＡ１  処理履歴一時記録エリア
Ｐａ  処理履歴記録ポインタ
Ｐ１  測定結果一時記録ポインタ
ＣＮＢ  制御線
ＤＢ  データバス
【図１】
2005071068.tif 000003
【図２】
2005071068.tif 000004
【図３】
2005071068.tif 000005
【図４】
2005071068.tif 000006
【図５】
2005071068.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005071068.tif 000009
【図８】
2005071068.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2005071068.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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