(57)【要約】【課題】  バイアス電圧印加用の共通電極の積層形成に起因するセレン系アモルファス半導体膜の欠陥発生を抑えると同時に共通電極の密着性をあげる。【解決手段】  この発明の放射線検出器は、放射線に有感なセレン系アモルファス半導体膜（ａ−Ｓｅ系半導体膜）１の表面に積層形成されているバイアス電圧印加用の共通電極２が厚み１００Å〜１０００Åの範囲の金薄膜であるので、共通電極２用の金薄膜をａ−Ｓｅ系半導体膜１の表側に積層形成する際の蒸着温度が比較的低いうえに蒸着時間も短くて済む結果、共通電極２の積層形成に起因するａ−Ｓｅ系半導体膜１の欠陥発生を抑制できる。共通電極２の金薄膜は、従来のような厚い膜ではなく、１０００Å以下の薄膜であるので、ａ−Ｓｅ系半導体膜１に対する共通電極２の密着性をあげることができる。【選択図】        図１
2005101193.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線に有感なセレン系アモルファス半導体膜と、このセレン系アモルファス半導体膜の表側に面状に広く積層形成されているバイアス電圧印加用の共通電極とを備え、共通電極にバイアス電圧が印加された状態で検出対象の放射線が入射するのに伴い放射線に有感なセレン系アモルファス半導体膜の内部に電荷が発生する放射線検出器において、前記共通電極は、厚みが１００オングストローム〜１０００オングストロームの金薄膜（Ａｕ薄膜）であることを特徴とする放射線検出器。
【請求項２】
請求項１に記載の放射線検出器において、共通電極としての金薄膜の厚みが４５０オングストローム〜５５０オングストロームの範囲である放射線検出器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の放射線検出器において、セレン系アモルファス半導体膜と共通電極の間にキャリア選択性の中間膜が形成されている放射線検出器。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の放射線検出器において、放射線検出有効エリア内に設定された１次元状ないし２次元状マトリックス配列で複数の収集電極が表面に形成されているとともに各収集電極で収集される電荷の蓄積・読み出し用電気回路が配設されているアクティブマトリックス基板を備えていて、アクティブマトリックス基板の収集電極の形成面側にセレン系アモルファス半導体膜が積層されている放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、放射線に有感なセレン系アモルファス半導体膜（以下、適宜「ａ−Ｓｅ系半導体膜」と表記）を備えている医療分野，工業分野あるいは原子力分野等用の直接変換タイプの放射線検出器に係り、特にバイアス電圧印加用の共通電極の積層形成に起因するａ−Ｓｅ系半導体膜の欠陥発生を抑えると同時に共通電極の密着性をあげるための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
直接変換タイプの放射線（例えばＸ線）検出器は、放射線（例えばＸ線）がまず光に変換された後で変換光がさらに光電変換で電気信号に変換される間接タイプの検出器と違って、入射した放射線（例えばＸ線）が放射線に有感なａ−Ｓｅ系半導体膜により直に電気信号（電荷）に変換される。図４は従来の直接変換タイプの放射線検出器の基本構成を示す模式的断面図である。
【０００３】
図４の放射線検出器は、多数の収集電極（図示省略）が放射線検出有効エリアＳＡ内に設定された２次元状マトリックス配列で表面に形成され、放射線の入射に伴って各収集電極で収集される電荷の蓄積・読み出し用電気回路（図示省略）が配設されているアクティブマトリックス基板５１と、アクティブマトリックス基板５１の収集電極形成面側に積層形成された放射線に有感なａ−Ｓｅ系半導体膜５２と、ａ−Ｓｅ系半導体膜５２の表側に面状に広く積層形成されたバイアス電圧印加用の共通電極５３とを備えている。
【０００４】
従来の放射線検出器による放射線検出の際は、バイアス供給電源からバイアス電圧が共通電極５３に印加される。バイアス電圧を印加した状態で、検出対象の放射線の入射に伴って放射線に有感なａ−Ｓｅ系半導体膜５２で生成されて各収集電極で収集される電荷が、コンデンサやスイッチング素子および電気配線等からなる蓄積・読み出し用電気回路によって、各収集電極毎の放射線検出信号として取り出される。
【０００５】
つまり、図４の直接変換タイプの放射線検出器の場合、２次元状マトリックス配列の各収集電極がそれぞれ放射線画像の各画素に対応する電極（画素電極）となっていて、放射線検出有効エリアＳＡに投影される放射線の２次元強度分布に応じた放射線画像を作成できる放射線検出信号が取り出せる放射線撮像器の構成になっているのである。
【０００６】
そして、放射線に有感なａ−Ｓｅ系半導体膜５２は例えば真空蒸着法などに代表されるＰＶＤ（Physical vapor deposition）法によって広い面積の膜が簡単に形成できるので、放射線検出器は広い放射線検出有効エリアＳＡを容易に確保することができる。また、従来の放射線検出器の場合、ａ−Ｓｅ系半導体膜５２に積層形成されるバイアス電圧印加用の共通電極５３としては、１００ナノメートル（nm）（＝１０００オングストローム） 程度のＡｌやＭｇＡｇの膜が用いられている（特開２００１−２６４４３号公報参照）。
【特許文献２】特開２００１−２６４４３号公報（第５頁８欄２９行〜３３行、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このような構成を有する従来の放射線検出器の場合には、放射線に有感なａ−Ｓｅ系半導体膜５２にバイアス電圧印加用の共通電極５３を積層形成する際に、蒸着などによる熱によってａ−Ｓｅ系半導体膜５２にダメージを与え、欠陥が発生するという問題がある。欠陥が多いａ−Ｓｅ系半導体膜５２は、膜の長期信頼性が乏しかったり、欠陥によって発生する検出誤差によって放射線画像の画質が低下したりする。
【０００８】
加えて、従来の放射線検出器の場合、放射線に有感なａ−Ｓｅ系半導体膜５２とバイアス電圧を印加するための共通電極５３との密着力が弱いという問題もある。１００ナノメートル（nm）（＝１０００オングストローム）  程度の厚めのＡｌやＭｇＡｇの膜を共通電極に用いた場合、密着力が弱くて共通電極５３の信頼性が低下する。
【０００９】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、バイアス電圧印加用の共通電極の積層形成に起因するセレン系アモルファス半導体膜の欠陥発生を抑えることができると同時に、共通電極の密着性をあげることができる放射線検出器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明に係る放射線検出器は、放射線に有感なセレン系アモルファス半導体膜と、このセレン系アモルファス半導体膜の表側に面状に広く積層形成されているバイアス電圧印加用の共通電極とを備え、共通電極にバイアス電圧が印加された状態で検出対象の放射線が入射するのに伴い放射線に有感なセレン系アモルファス半導体膜の内部に電荷が発生する放射線検出器において、前記共通電極は、厚みが１００オングストローム〜１０００オングストロームの金薄膜（Ａｕ薄膜）であることを特徴とするものである。
【００１１】
［作用・効果］請求項１に記載の発明の放射線検出器による放射線の検出が行われる場合、放射線に有感なセレン系アモルファス半導体膜の表側に積層形成された共通電極にバイアス電圧が印加される。バイアス電圧を印加した状態で、検出対象の放射線の入射に伴ってセレン系アモルファス半導体膜で放射線検出信号源としての電荷が生成される。また、セレン系アモルファス半導体膜は大面積化適性に優れるので、広い放射線検出有効エリアが容易に確保できる。
【００１２】
そして、請求項１の発明の放射線検出器では、共通電極が厚み１０００オングストローム（Å）以下の金薄膜であるので、共通電極用の金薄膜をセレン系アモルファス半導体膜の表側に積層形成する際の蒸着温度が比較的低いうえに蒸着時間も短くて済み、セレン系アモルファス半導体膜に欠陥が生じるのを抑えることができる。つまり、共通電極の材料である金は融点が低いので、蒸着温度を低く抑えられるのに加え、金は導電性が極めて良くて電極抵抗の上昇を伴う１００オングストロームの金薄膜でも共通電極に必要な電気導電性が確保できるので、蒸着時間が短くて済むのである。なお、セレン系アモルファス半導体膜は高抵抗の膜であるので、共通電極の抵抗値が多少上がるが、金の導電性から電気的に問題はない。
【００１３】
さらに、請求項１の発明の放射線検出器の場合、共通電極である金薄膜は、従来のような厚い膜ではなく、１０００オングストローム以下と非常に薄い膜厚であるので、セレン系アモルファス半導体膜に対する共通電極の密着性が改善される。
【００１４】
なお、プラチナ（Ｐｔ）も金同様に蒸着温度を低く抑えられるのであるが、プラチナの場合は導電性が金の約１／５と低いので、プラチナを共通電極の材料として用いた時は共通電極に必要な電気導電性を確保するために厚く蒸着する必要があり、蒸着時間が長くなってセレン系アモルファス半導体膜に欠陥が生じるのを抑えることができないし、膜が厚くなって共通電極の密着性も良くならないという問題がある。共通電極が金薄膜の場合にはかかる問題を解決することができる。
【００１５】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の放射線検出器において、共通電極としての金薄膜の厚みが４５０オングストローム〜５５０オングストロームの範囲であるものである。
【００１６】
［作用・効果］請求項２の発明の場合、共通電極の金薄膜は厚くても５５０オングストロームを越えることがなく、積層形成する際の蒸着をより短時間で済ませられるので、放射線に有感なセレン系アモルファス半導体膜に欠陥が生じるのを確実に抑制できるのに加え、逆に共通電極の金薄膜は薄くても４５０オングストロームを下回ることはなく、共通電極は電気導電性が十分であるので、共通電極としての機能を確実に発揮させられる。
【００１７】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の放射線検出器において、セレン系アモルファス半導体膜と共通電極の間にキャリア選択性の中間膜が形成されているものである。
【００１８】
［作用・効果］請求項３の発明の場合、セレン系アモルファス半導体膜と共通電極の間に設けられたキャリア選択性の中間膜によって暗電流となるキャリアの流入が阻止できるので、暗電流の低減を図ることができる。この場合、共通電極がキャリア選択性の中間膜の上に積層形成されるが、共通電極である１０００オングストローム以下の金薄膜は蒸着温度が比較的低いうえに蒸着時間も短くて済むので、キャリア選択性の中間膜に欠陥が発生することも抑えられるうえ、キャリア選択性の中間膜に対する密着性もよい。加えて、キャリア選択性の中間膜が下地膜となるので、共通電極の密着性はより良くなる。
【００１９】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１から３のいずれかに記載の放射線検出器において、放射線検出有効エリア内に設定された１次元状ないし２次元状マトリックス配列で複数の収集電極が表面に形成されているとともに各収集電極で収集される電荷の蓄積・読み出し用電気回路が配設されているアクティブマトリックス基板を備えていて、アクティブマトリックス基板の収集電極の形成面側にセレン系アモルファス半導体膜が積層されているものである。
【００２０】
［作用・効果］請求項４の発明の放射線検出器で放射線を検出する場合、放射線の入射に伴って放射線感応型の半導体で生成された電荷は、放射線検出有効エリア内に設定された１次元状ないし２次元状マトリックス配列でアクティブマトリックス基板の表面に形成されている各収集電極でそれぞれ収集され、アクティブマトリックス基板の蓄積・読み出し用電気回路によって各収集電極毎の放射線検出信号として送り出される。つまり、請求項２の発明の放射線検出器の場合、放射線検出有効エリアに投影される放射線の１次元強度分布ないし２次元強度分布を検出することができる１次元アレイタイプないし２次元アレイタイプの放射線検出器である。
【発明の効果】
【００２１】
この発明に係る放射線検出器の場合、セレン系アモルファス半導体膜にバイアス電圧を印加する共通電極が厚み１０００オングストローム以下の金薄膜であるので、共通電極用の金薄膜をセレン系アモルファス半導体膜の表側に積層形成する際の蒸着温度が比較的低いうえに蒸着時間も短くて済む結果、セレン系アモルファス半導体膜に欠陥が生じるのを抑えることができるのに加え、共通電極である金薄膜は、従来のような厚い膜ではなく、１０００オングストローム以下と非常に薄い膜厚であるので、セレン系アモルファス半導体膜に対する共通電極の密着性があがる。
【００２２】
よって、この発明の放射線検出器によれば、バイアス電圧印加用の共通電極の積層形成に起因するセレン系アモルファス半導体膜の欠陥発生を抑えることができると同時に共通電極の密着性をあげることができる。
【実施例１】
【００２３】
この発明の放射線検出器の実施例を図面を参照して説明する。図１は実施例１に係る直接変換タイプの放射線検出器（以下、適宜「検出器」と略記）を要部は断面状態で示すブロック図、図２は実施例１の検出器のアクティブマトリックス基板まわりの電気回路を示すブロック図である。
【００２４】
実施例１の放射線検出器は、図１に示すように、放射線に有感なセレン系アモルファス半導体膜（ａ−Ｓｅ系半導体膜）１と、ａ−Ｓｅ系半導体膜１の表面へ面状に積層形成されているバイアス電圧印加用の共通電極２を備え、さらに図２に示すように、多数の収集電極４が放射線検出有効エリアＳＡ内に設定された２次元状マトリックス配列でもって表面に形成されているとともに各収集電極４で収集される電荷の蓄積・読み出し用電気回路５が配設されているアクティブマトリックス基板３を備えていて、ａ−Ｓｅ系半導体膜１がアクティブマトリックス基板３の収集電極４の形成面側に積層されている。
【００２５】
アクティブマトリックス基板３に配設されている蓄積・読み出し用電気回路５はコンデンサ５Ａやスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜電界効果トランジスタ）５Ｂおよびゲート線５ａ，データ線５ｂなどからなり、各収集電極４ごとに１個のコンデンサ５Ａと１個のＴＦＴ５Ｂが割り当てられている。すなわち、図１に示すように、アクティブマトリックス基板３では、ガラス基板等の絶縁基板の上に、蓄積・読み出し用電気回路５用のコンデンサ５ＡやＴＦＴ５Ｂが形成されているとともにゲート線５ａ，データ線５ｂが格子状に形成され、さらに表面に収集電極４が２次元状マトリックス配列で形成されている。収集電極４の電極材料は特定のものに限られず、銅やアルミニウム，ニッケル，あるいは透明導電材料であるＩＴＯ（インジューム錫酸化物）などが用いられる。
【００２６】
また、アクティブマトリックス基板３の蓄積・読み出し用電気回路５の周りにはゲートドライバ６と電荷電圧変換型増幅器７およびマルチプレクサ８に加えてＡ／Ｄ変換器９が別デバイスとして外付けのかたちで配備接続されている。なお、ゲートドライバ６や電荷電圧変換型増幅器７、マルチプレクサ８、Ａ／Ｄ変換器９の一部または全部が外付けではなくて、アクティブマトリックス基板３に内蔵のかたちで搭載されていてもよい。
【００２７】
実施例１の検出器による放射線検出の際は、バイアス供給電源（図示省略）によって出力される数キロボルト〜数十キロボルト程度のバイアス電圧が共通電極２に印加される。バイアス電圧が印加された状態で、検出対象の放射線の入射に伴って放射線に有感なａ−Ｓｅ系半導体膜１で電荷が生成されるとともにａ−Ｓｅ系半導体膜１で生じた電荷が（詳しくは各収集電極４へ移動することで収集電極４に電荷が誘起生成するかたちで）各収集電極４ごとに収集される一方、各収集電極４で収集される電荷は、アクティブマトリックス基板３の蓄積・読み出し用電気回路５などにより収集電極４毎の放射線検出信号として取り出される。
【００２８】
具体的には、ゲートドライバ６からゲート線５ａ経由で読み出し信号が各ＴＦＴ５Ｂのゲートに順番に与えられると同時に、読み出し信号が与えられている各ＴＦＴ５Ｂのソースに繋がっているデータ線５ｂが電荷電圧変換型増幅器７を介してマルチプレクサ８に順に切り換え接続されるのに伴って、コンデンサ５Ａに蓄積された電荷が、ＴＦＴ５Ｂからデータ線５ｂを経て電荷電圧変換型増幅器７で増幅された上で、マルチプレクサ８により各収集電極４毎の放射線検出信号としてＡ／Ｄ変換器９に送り出されてディジタル化される。
【００２９】
実施例１の検出器のＡ／Ｄ変換器９から送り出された放射線検出信号は、例えば、実施例１の検出器がＸ線透視撮影装置に装備されている場合であれば、さらに後段の画像処理回路へ送られてＸ線透視画像等に仕上げられて表示される。
【００３０】
つまり、実施例１の直接変換タイプの放射線検出器は、２次元状マトリックス配列の各収集電極４がそれぞれ放射線画像の各画素に対応する電極（画素電極）となっていて、放射線検出有効エリアＳＡに投影される放射線の２次元強度分布に応じた放射線画像を作成できる放射線検出信号が取り出せる２次元アレイタイプの放射線撮像装置の構成になっているのである。
【００３１】
以下、実施例１の検出器の各部構成をより具体的に説明する。
実施例１の検出器は、放射線に有感なａ−Ｓｅ系半導体膜１の表面に面状に広く積層形成されているバイアス電圧印加用の共通電極２は、厚みが１００Å（オングストローム）〜１０００Åの金薄膜（Ａｕ薄膜）であることを構成上の顕著な特徴としている。ａ−Ｓｅ系半導体膜１は大面積化適性に優れるので、広い放射線検出有効エリアＳＡが容易に確保できる反面、従来、共通電極２を蒸着する際の熱で欠陥が生じ易いのに加え、共通電極２の密着性も十分ではないという状況にあった。
【００３２】
実施例１の検出器の場合、共通電極２が厚み１０００Å以下の金薄膜であるので、共通電極２用の金薄膜をａ−Ｓｅ系半導体膜１の表側に積層形成する際の蒸着温度が比較的低いうえに蒸着時間も短くて済む結果、ａ−Ｓｅ系半導体膜１に欠陥が生じるのを抑えることができる。つまり、共通電極２の材料である金は融点が低いので、蒸着温度を低く抑えられるのに加え、金は導電性が極めて良くて電極抵抗の上昇を伴う１００オングストロームの金薄膜でも共通電極２に必要な電気導電性が確保できるので、蒸着時間が短くて済むのである。なお、ａ−Ｓｅ系半導体膜１は高抵抗の膜であるので、共通電極２の抵抗値が多少上がるが、金の導電性から電気的に問題はない。
【００３３】
加えて、共通電極２である金薄膜は、従来のような厚い膜ではなくて、１０００Å以下と非常に薄い膜厚であるので、ａ−Ｓｅ系半導体膜１に対する共通電極２の密着性があがる。
【００３４】
なお、プラチナ（Ｐｔ）も金同様に蒸着温度を低く抑えられるのであるが、プラチナの場合は導電性が金の約１／５と低いので、プラチナを共通電極の材料として用いた時は共通電極２に必要な電気導電性を確保するために厚く蒸着する必要があり、蒸着時間が長くなってａ−Ｓｅ系半導体膜１に欠陥が生じるのを抑えることができないし、膜が厚くなって共通電極２の密着性も良くならない。
【００３５】
さらに、共通電極２の金薄膜は、厚みが４５０Å〜５５０Åの範囲にあることが好ましい。金薄膜は厚くても５５０Åを越えることがなく、積層形成する際の蒸着をより短時間で済ませられるので、ａ−Ｓｅ系半導体膜１に欠陥が生じるのを確実に抑制できるのに加え、逆に共通電極２の金薄膜は薄くても４５０Åを下回ることはなく、共通電極２は電気導電性が十分となるので、共通電極２としての機能を確実に発揮させられる。なお、共通電極２の金薄膜は通常の抵抗加熱方式の真空蒸着により、特に困難を伴うことなく形成することができる。
【００３６】
また、実施例１の検出器のａ−Ｓｅ系半導体膜１としては、高純度アモルファスセレンの他に、Ｎａ等のアルカリ金属やＣｌ等のハロゲンもしくはＡｓやＴｅをドープしたセレンおよびセレン化合物のアモルファス半導体が、大面積化適性および厚膜化適性に優れるものとして挙げられる。中でも高純度アモルファスセレンは大面積化適性および厚膜化適性が顕著である。ａ−Ｓｅ系半導体膜１の方は、通常、厚みが０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ前後の厚膜であり、面積が例えば縦２０ｃｍ〜４０ｃｍ×横２０ｃｍ〜４０ｃｍ程度であるが、これに限られるものではない。
【００３７】
なお、従来の検出器の場合にはリーク電流の増加などの現象が見られたが、実施例1の場合にはリーク電流の低減が確認された。
【００３８】
上述した確認の結果から、共通電極２が厚み１０００Å以下の金薄膜であれば、共通電極２の積層形成に起因するａ−Ｓｅ系半導体膜１の欠陥を十分に抑えられることがよく分かる。
【実施例２】
【００３９】
実施例２に係る放射線検出器を図面を参照して説明する。図３は実施例２に係る直接変換タイプの放射線検出器を要部は断面状態で示すブロック図である。
【００４０】
実施例２の検出器は、図３に示すように、ａ−Ｓｅ系半導体膜１と共通電極２の間にはキャリア選択性の中間膜１０が形成され、ａ−Ｓｅ系半導体膜１と収集電極４の間にもキャリア選択性の中間膜１１が形成されている他は、実施例１の検出器と同一のものであるので、相違する点だけを説明し、共通する点の説明は省略する。
【００４１】
実施例２の検出器の場合、キャリア選択性の中間膜１０，１１を設けることにより暗電流を低減することができる。また、実施例２の検出器では、共通電極２がキャリア選択性の中間膜１０の上に積層形成されるが、共通電極２である１０００Å以下の金薄膜は蒸着温度が比較的低いうえに蒸着時間も短くて済むので、キャリア選択性の中間膜１０以下の膜部分に欠陥が発生することも抑えられるうえ、キャリア選択性の中間膜１０に対する密着性もよい。加えて、キャリア選択性の中間膜１０が下地膜となるので、共通電極２の密着性はより改善される。
【００４２】
ここで言うキャリア選択性とは半導体中の電荷移動媒体（キャリア）である電子と正孔とで、電荷移動作用への寄与率が著しく異なる性質を指す。
【００４３】
通常、共通電極２に正のバイアス電圧を印加する場合には、キャリア選択性の中間膜１０に電子の寄与率が大きい材料を使用する。これにより共通電極２からの正孔の注入が阻止され、暗電流を低減することができる。キャリア選択性の中間膜１１には正孔の寄与率が大きい材料を使用する。これにより収集電極４からの電子の注入が阻止され、暗電流を低減することができる。
【００４４】
逆に、共通電極２に負のバイアス電圧を印加する場合には、キャリア選択性の中間膜１０に正孔の寄与率が大きい材料を使用する。これにより共通電極２からの電子の注入が阻止され、暗電流を低減することができる。キャリア選択性の中間膜１１には電子の寄与率が大きい材料を使用する。これにより収集電極４からの正孔の注入が阻止され、暗電流を低減することができる。
【００４５】
キャリア選択性の中間膜１０，１１は、厚さが０．１μｍ〜１０μｍの範囲が適当である。中間膜１０，１１の厚さが０．１μｍ未満では暗電流を十分に抑制できない傾向が現れ、逆に厚さが１０μｍを越えると放射線検出の妨げとなる傾向、例えば感度が低下する傾向が現れる。
【００４６】
また、キャリア選択性の中間膜１０，１１に用いられる半導体としては、Ｓｂ2 Ｓ3 ，ＺｎＴｅ，ＣｅＯ2 ，ＣｄＳ，ＺｎＳｅ，ＺｎＳ等の多結晶半導体、Ｎａ等のアルカリ金属やＣｌ等のハロゲンもしくはＡｓやＴｅをドープしたセレンおよびセレン化合物のアモルファス半導体が大面積化適性に優れるものとして挙げられる。
【００４７】
中間膜１０，１１に用いられる半導体のうち、電子の寄与が大きいものとして、ｎ型半導体であるＣｅＯ2 ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，ＺｎＳのような多結晶半導体や、アルカリ金属やＡｓやＴｅをドープして正孔の寄与率を低下させたアモルファスＳｅ等のアモルファス体が挙げられる。
【００４８】
また、正孔の寄与が大きいものとして、ｐ型半導体であるＺｎＴｅのような多結晶半導体や、ハロゲンをドープして電子の寄与率を低下させたアモルファスＳｅ等のアモルファス体が挙げられる。
【００４９】
さらに、Ｓｂ2 Ｓ3 ，ＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ，ＰｂＩ2 ，ＨｇＩ2 ，ＴｌＢｒや、ノンドープのアモルファスＳｅまたはＳｅ化合物の場合、電子の寄与が大きいものと正孔の寄与が大きいもとの両方がある。これらの場合、製膜条件の調節で電子の寄与が大きいものでも、正孔の寄与が大きいものでも、選択形成できる。
【００５０】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００５１】
（１）実施例１，２の検出器は、２次元アレイタイプであったが、この発明の放射線検出器は、収集電極が１次元状マトリックス配列で形成されている１次元アレイタイプでもよいし、放射線検出信号取り出し用の電極が１個だけの非アレイタイプでもよい。
【００５２】
（２）実施例１，２の検出器の場合、ゲートドライバ６と電荷電圧変換型増幅器７およびマルチプレクサ８に加えてＡ／Ｄ変換器９が配備されていたが、ゲートドライバ６、電荷電圧変換型増幅器７、マルチプレクサ８およびＡ／Ｄ変換器９の一部または全部が配備されていない他は、各実施例１，２と同様の構成の検出器が、変形例として挙げられる。
【００５３】
（３）実施例２の検出器の場合、ａ−Ｓｅ系半導体膜１と共通電極２の間と、ａ−Ｓｅ系半導体膜１と収集電極４の間の両方にキャリア選択性の中間膜が形成されている構成であったが、ａ−Ｓｅ系半導体膜１と共通電極２の間と、ａ−Ｓｅ系半導体膜１と収集電極４の間のうちどちらか一方だけにキャリア選択性の中間膜を設けた構成の検出器を、それぞれ変形例として挙げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施例１の放射線検出器を要部は断面状態で示すブロック図である。
【図２】実施例１の放射線検出器のアクティブマトリックス基板まわりの電気回路を示すブロック図である。
【図３】実施例２の放射線検出器を要部は断面状態で示すブロック図である。
【図４】従来の放射線検出器の基本構成を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  …  セレン系アモルファス半導体膜（ａ−Ｓｅ系半導体膜）
２  …  （バイアス電圧印加用の）共通電極
３  …  アクティブマトリックス基板
４  …  収集電極
５  …  蓄積・読み出し用電気回
１０  …  キャリア選択性の中間膜
ＳＡ  …  放射線検出有効エリア
【図１】
2005101193.tif 000003
【図２】
2005101193.tif 000004
【図３】
2005101193.tif 000005
【図４】
2005101193.tif 000006