(57)【要約】【課題】Ｐｂフリー半田を用いつつ、ソルダーレジストから露出する端子パッドの表面全体に、かつソルダーレジストの表面から突出しないように、半田被膜を形成する配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】フラックス成分がＰｂフリーの半田成分よりも体積比で多く含有される半田ペーストを用い、端子パッド１７を個別に開口させるようにソルダーレジスト層８を形成する工程と、ソルダーレジスト層８表面をスクリーンマスク４０で覆い、開口８ａを塞ぐように半田ペースト６０を充填する工程と、熱処理を施して開口８ａに充填された半田ペースト６０に含有されるフラックス成分を除去するリフロー工程とをこの順に行い、スクリーンマスク４０の開口とソルダーレジストの開口は略一致し、かつスクリーンマスク４０の厚さＤ３は開口８ａにおけるソルダーレジストの厚さＤ１よりも薄く調整されている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一主表面が誘電体層にて形成されるように、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線積層部と、前記第一主表面上に配置された複数の端子パッドとを有する配線基板の製造方法であって、
前記端子パッドを個別に露出させるための開口を有し、かつ該開口の内周縁が前記端子パッドの外周縁よりも内側に張り出して位置するソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト形成工程と、
前記ソルダーレジスト層の開口内に、実質的に鉛を含有しない半田ペーストを前記開口を塞ぐように充填する半田ペースト充填工程と、
前記開口内に充填された半田ペーストを溶融するためのリフロー工程と、
前記半田ペーストに含有されるフラックス成分を洗浄するためのフラックス洗浄工程とを含み、
前記半田ペーストとして、前記フラックス成分を半田成分よりも体積比で多く含有するものを用い、
前記ソルダーレジスト層の開口に露出する前記端子パッドの表面全体を覆い、かつ前記ソルダーレジスト層の主表面から突出しない形で、前記半田被膜を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記半田ペースト充填工程は、前記ソルダーレジスト層の開口内に前記半田ペーストを印刷法により充填する半田ペースト印刷工程を含み、前記半田ペースト印刷工程において用いるマスクは、当該マスクに形成された印刷パターンの開口縁と前記ソルダーレジスト層の前記開口とが略一致し、かつ厚さが前記端子パッド上における前記ソルダーレジスト層の厚さよりも薄く調整されたものである請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記半田ペーストに含まれるフラックス成分は、５０体積％以上９０体積％以下となるように調整される請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
第一主表面が誘電体層にて形成されるように、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線積層部と、前記第一主表面上に配置された端子パッドとを有する配線基板であって、
前記第一主表面はソルダーレジスト層に覆われており、該ソルダーレジスト層は前記端子パッドを個別に露出させるための開口を有し、かつ該開口の内周縁が前記端子パッドの外周縁よりも内側に位置し、
前記ソルダーレジスト層の開口に露出する前記端子パッドは表面全面が実質的に鉛を含有しない半田被膜に覆われており、かつ該半田被膜は前記ソルダーレジスト層の主表面から突出しない形で形成されていることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣあるいはＬＳＩ等のチップ接続用として使用される多層配線基板のうち、オーガニックパッケージ基板と称されるものは、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線積層部を有し、該配線積層部の誘電体層にて形成された第一主表面上に、フリップチップ接続用あるいはマザーボード接続用（例えばＢＧＡあるいはＰＧＡによる）の複数の端子パッドが配置される。これら端子パッドは、配線積層部内に位置する内層導体層にビアを介して導通する。内層導体層及びビアは導電率の良好なＣｕ系金属で構成されるのが一般的であり、端子パッドも、これらと接続する本体部分がＣｕメッキ層として形成される。端子パッドは半田によって、チップやマザーボードと接続される。従来から半田付けにはＳｎ−Ｐｂ共晶半田を使っているが、ＣｕとＳｎ−Ｐｂ共晶半田のぬれ性が良くない問題がある。そこで半田とのぬれ性を向上させるため、Ｃｕメッキ層上にＡｕメッキが施される。また、ＡｕメッキとＣｕメッキ層の間には、半田のＳｎ成分が拡散するのを防止するためのＮｉメッキ層が施される。
【０００３】
一方、Ｎｉ／Ａｕメッキを使用せずに、ソルダーレジストの開口内の端子パッド上にＳｎ−Ｐｂ共晶半田の薄い被膜を形成し、この半田被膜の上に半田バンプを形成したり、ＢＧＡ用の半田ボールをマウントしたりする方法もある。図７にその工程フローを示す。まず、誘電体層にて形成された第一主表面ＣＰ上に、Ｃｕなどの金属メッキ層から構成される端子パッド１７を形成する（工程１）。その後、端子パッドを個別に露出させるための開口を有するソルダーレジスト層１８を形成する（工程２）。そして前記開口の一部が開口するように、スクリーンマスク４０によりマスクする。Ｓｎ−Ｐｂ共晶の半田ペースト６１を印刷する（工程３）と、スクリーンマスク４０の開口に半田ペースト６１が充填される（工程４）。スクリーンマスク４０を除去し、熱処理を施して半田ペースト６１をリフローする。次にフラックス洗浄工程を施して半田ペースト６１に含まれるフラックス成分を除去すると、端子パッド１７上にＳｎ−Ｐｂ共晶の半田被膜６１ａが形成される（工程５）。
【０００４】
スクリーンマスク４０の開口は、ソルダーレジスト層１８の開口よりも内側に位置し、ソルダーレジスト層１８の開口１８ａが半田ペースト６１で満たされないようにしてある。それは以下の２つの理由による。１つは形成される半田被膜６１ａを、ソルダーレジスト層１８の表面よりも低くするためである。半田被膜がソルダーレジスト層表面よりも高くなるように形成されていると、その断面は図６の工程５ｂに示すようになり、半田被膜の上面は湾曲した状態になる。配線基板にはＩＣチップを機械操作で実装する際に必要な、基準位置を表す導体パターン（以下、「アライメントマーク」と表現する）が形成されており、半田被膜の上面が湾曲していると光学読取装置から照射される光が乱反射するのでアライメントマークをうまく読み取れなくなってしまう。その結果、ＩＣチップとの位置合わせがうまくできないといった問題が生じる。ソルダーレジスト層１８の開口が半田ペースト６１で満たされないようにする、もう一つの理由は、図６の工程５ｂのように半田被膜の上面が湾曲した状態では、マザーボードに実装する際に，半田ボールをマウントしにくいためである。半田被膜が湾曲していると球状の半田ボールが乗りにくいが、窪みがあれば半田ボールが乗りやすい。
【０００５】
ところで、上記のような配線基板は、電化製品や産業機器の廃棄にともなって粉砕され、土中に埋め立てられたりする。この際、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田に含有されるＰｂが溶出し、環境に悪影響をおよぼす恐れがあることが指摘されている。そのため、近年は配線基板の構成材料からＰｂを無くする試みが活発になされている。たとえば下記特許文献１には、ＰＧＡ用のピンと端子パッドとの接続に、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ等で構成された鉛フリー半田を用いた配線基板が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−１７４２５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
Ｐｂフリーの半田ペーストを用いて、Ｃｕなどの金属メッキ層で構成された端子パッドの上に半田被膜を形成する試みもなされている。しかし、Ｐｂフリー半田であるＳｎ−ＡｇやＳｎ−Ａｇ−Ｃｕの半田ペーストはぬれ性が悪いので、Ｓｎ−Ｐｂの半田ペーストのようにぬれ広がらない。すなわち、Ｐｂフリーの半田ペーストを用いると図６の工程５ａのようになってしまい、良好な半田被膜を形成できない。また、ソルダーレジストの開口をＰｂフリーの半田ペーストで満たすと図６の工程５ｂのようになり、半田被膜６０ａがソルダーレジスト１８の表面よりも高くなってしまう。
【０００７】
本発明の課題はＰｂフリー半田を用いつつ、ソルダーレジストから露出する端子パッドの表面全体に、かつソルダーレジストの表面から突出しないように、半田被膜を形成する配線基板の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の配線基板の製造方法は、
第一主表面が誘電体層にて形成されるように、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線積層部と、第一主表面上に配置された複数の端子パッドとを有する配線基板の製造方法であって、端子パッドを個別に露出させるための開口を有し、かつ開口の内周縁が端子パッドの外周縁よりも内側に張り出して位置するソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト形成工程と、ソルダーレジスト層の開口内に、実質的に鉛を含有しない半田ペーストを開口を塞ぐように充填する半田ペースト充填工程と、開口内に充填された半田ペーストを溶融するためのリフロー工程と、半田ペーストに含有されるフラックス成分を洗浄するためのフラックス洗浄工程とを含み、半田ペーストとして、フラックス成分を半田成分よりも体積比で多く含有するものを用い、ソルダーレジスト層の開口に露出する端子パッドの表面全体を覆い、かつソルダーレジスト層の主表面から突出しない形で、半田被膜を形成することを特徴とする。
【０００９】
上記本発明の配線基板の製造方法における端子パッドとは、Ｃｕなどの金属メッキ層から構成されるものや、該金属メッキ層の上に半田被膜との密着性を向上させるためのメッキ（例えばＳｎメッキ、Ｎｉ／Ａｕ、ダイレクトＡｕ）がさらに形成されたものを指す。さらに、半田被膜は実質的にＰｂを含有しない半田から構成される。そして、半田被膜はソルダーレジスト層の表面から突出しないように薄く形成されることが要求される。この要求を満たすため、本発明においてはフラックス成分の含有量が多い（半田成分の含有量が少ない）半田ペーストを用いている。半田ペーストを上記開口に対して印刷した後、熱処理を施して半田をリフローし、フラックス洗浄工程によってフラックス成分を除去すると、Ｐｂフリーの半田被膜が形成される。半田成分の含有量が多い半田ペーストを使用すると、薄い半田被膜を形成することはできない。そのため、フラックス成分を半田成分よりも体積比で多く含有する半田ペーストを使用することが望ましい。より望ましくは５０体積％以上９０体積％以下であり、さらに望ましくは７０体積％以上８０体積％以下である。なお、「実質的に」とは、不可避不純物としてＰｂが混入する場合を排除しないことを意味する。
【００１０】
上記の半田ペーストは、スクリーン印刷によって各開口に印刷される。半田と端子パッドとの接続強度を向上させるために、ソルダーレジストから露出する端子パッドの表面全面に、半田被膜を形成することが要求される。そこで本発明の配線基板の製造方法においては、スクリーンマスクはマスクの開口縁とソルダーレジスト層の開口が略一致し、かつスクリーンマスクの厚さが開口縁におけるソルダーレジストの厚さよりも薄くなるように調整されることを特徴とする。このような構成のスクリーンマスクを使用すると、ソルダーレジストの開口を塞ぐように半田ペーストを充填することが可能となり、かつ半田ペーストの量は少なくてすむ。さらに前述したように、半田成分の含有量が少ない半田ペーストを印刷するので、半田被膜を、ソルダーレジストの主表面から突出しないように薄く形成できる。
【００１１】
本発明で用いるＰｂフリー半田の種類は特に限定しないが、例えばＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ｃｕを主体とする半田がよい。なお「主体とする」とは、含有される金属成分の内、最も重量％が大きいことを意味する。
【００１２】
フラックスの従来の目的は、被半田付け面である金属に生成した酸化膜を還元して除去することと、同時に界面張力を低下させ半田を濡れ広がらせることである。そしてその成分は基本的にベース樹脂と活性剤から構成されている。具体的にはロジンをベース樹脂とし、有機アミン（エチルアミン、ピリジン等）のハロゲン化水素酸塩を活性剤として、これらをイソプロピルアルコールに溶解したロジン系フラックスが知られている。また、有機酸やエステルなどの水溶性成分を含む水溶性フラックスも知られている。元来フラックスは、金属面の還元作用と半田の塗れ性向上を目的として使用されているが、本発明においては半田成分を大幅に希釈する目的でも使用する点に特徴がある。また、フラックス洗浄工程とは、例えばロジン系フラックスを用いた場合、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコールなどの溶液を用い、すすぎ洗浄、浸せき洗浄または超音波洗によって、フラックスを除去する工程である。水溶性フラックスの場合は、純水または市水を用いる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。
図３は本発明の一実施形態に係る配線基板１の断面構造を模式的に示すものである。該配線基板は、耐熱性樹脂板（例えばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア２の両表面に、所定のパターンに配線金属層をなすコア導体層Ｍ１，Ｍ１１がそれぞれ形成される。これらコア導体層Ｍ１，Ｍ１１は板状コア２の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層又は接地層として用いられるものである。他方、板状コア２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。また、スルーホール１２は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１により充填されている。
【００１４】
また、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の上層には、感光性樹脂組成物６にて構成された第一ビア層（ビルドアップ層：誘電体層）Ｖ１，Ｖ１１がそれぞれ形成されている。さらに、その表面にはそれぞれ金属配線７を有する第一導体層Ｍ２，Ｍ１２がＣｕメッキにより形成されている。なお、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１と第一導体層Ｍ２，Ｍ１２とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。同様に、第一導体層Ｍ２，Ｍ１２の上層には、感光性樹脂組成物を用いた第二ビア層（ビルドアップ層：誘電体層）Ｖ２，Ｖ１２がそれぞれ形成されている。その表面には、端子パッド１０、１７を有する第二導体層Ｍ３，Ｍ１３が形成されている。これら第一導体層Ｍ２，Ｍ１２と第二導体層Ｍ３，Ｍ１３とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。ビア３４は、ビアホール３４ｈとその内周面に設けられたビア導体３４ｓと、底面側にてビア導体３４ｓと導通するように設けられたビアパッド３４ｐと、ビアパッド３４ｐと反対側にてビア導体３４ｈの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３４ｌとを有している。
【００１５】
板状コア２の第一主表面ＭＰ１においては、コア導体層Ｍ１１、第一ビア層Ｖ１１、第一導体層Ｍ１２、第二ビア層Ｖ１２及び第二導体層Ｍ１３が第１の配線積層部Ｌ１を形成している。また、板状コア２の第二主表面ＭＰ２においては、コア導体層Ｍ１、第一ビア層Ｖ１、第一導体層Ｍ２、第二ビア層Ｖ２及び第二導体層Ｍ３が第二の配線積層部Ｌ２を形成している。いずれも、第一主表面ＣＰ１および第二主表面ＣＰ２が誘電体層６にて形成されるように、誘電体層と導体層とが交互に積層されたものであり、該第一主表面ＣＰ１および第二主表面ＣＰ２上には、複数の端子パッド１７または１０がそれぞれ形成されている。第一主表面ＣＰ１上の端子パッド１７は、配線基板自体をマザーボード等にピングリッドアレイ（ＰＧＡ）あるいはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）により接続するための裏面ランド（パッド）として利用されるものである。端子パッド１７上の半田被膜６０ａは、前述したようにＢＧＡを乗せやすくする等の理由により、ソルダーレジスト１８の表面から突出しないように、薄く形成される。また、第二主表面ＣＰ２上の端子パッド１０は、集積回路チップなどをフリップチップ接続するためのパッドである半田ランドを構成する。端子パッド１０上の半田バンプ１１は、フリップチップ接続するために、ソルダーレジスト８表面よりも高くなるように形成されている。
【００１６】
図１に示すように、端子パッド１０は配線基板１の第二主表面の略中央部分に格子状に配列し、各々その上に形成された半田バンプ１１（図３）とともにチップ搭載部を形成している。また、図２に示すように、第二導体層Ｍ１３内の端子パッド１７も、格子状に配列形成されている。そして、各第二導体層Ｍ３，Ｍ１３上には、それぞれ、感光性樹脂組成物よりなるソルダーレジスト層８，１８（ＳＲ１，ＳＲ１１）が形成されている。いずれも端子パッド１０、１７を露出させるために、各端子パッドに一対一に対応する形で開口部が形成されている。
【００１７】
ビア層Ｖ１，Ｖ１１，Ｖ２，Ｖ１２、及びソルダーレジスト層８，１８は例えば以下のようにして製造されたものである。すなわち、感光性樹脂組成物ワニスをフィルム化した感光性接着フィルムをラミネート（貼り合わせ）し、ビアホール３４ｈに対応したパターンを有する透明マスク（例えばガラスマスクである）を重ねて露光する。ビアホール３４ｈ以外のフィルム部分は、この露光により硬化する一方、ビアホール３４ｈ部分は未硬化のまま残留するので、これを溶剤に溶かして除去すれば、所期のパターンにてビアホール３４ｈを簡単に形成することができる（いわゆるフォトビアプロセス）。
【００１８】
図４ａに示すように、Ｃｕなどの金属メッキ層から構成される端子パッド１７上には、Ｐｂフリーの半田被膜６０ａが形成されている。第一主表面ＣＰ１はソルダーレジスト層１８にて覆われてなり、ソルダーレジスト層１８の開口１８ａの内周縁が、端子パッド１７の主表面外周縁よりも内側に張り出して位置している。ソルダーレジスト層１８は、端子パッド１７の厚さよりも薄いと半田ペーストが流出してしまい、また厚すぎると半田ボールとの接続不良が生じる。そのためソルダーレジスト層１８の厚さＤ２は、このような不具合が生じない厚さに調整されている。半田被膜６０ａは、端子パッド１７の、露出している表面全体に、かつソルダーレジスト層１８の主表面から突出しない形で形成されている。半田被膜６０ａは表面張力のために中央部分が厚くなっており、その厚さは最も厚い部分でも、端子パッド１７の厚さより薄く、また、開口１８ａにおけるソルダーレジストの厚さＤ１より薄くなるように形成されている。なお図４ｂに示すように、端子パッド１７，１０には半田との密着性を向上させるためのメッキ層１７’，１０’（例えばＳｎメッキ層）が形成されていてもよい。
【００１９】
以下、マザーボード接続側の端子パッド１７の形成工程について、図５を参照して説明する。まず、第一主表面ＣＰ１上の端子パッド１７を、サブトラクティブ法またはアディティブ法などの公知の方法により選択的に形成する。具体的には、例えばサブトラクティブ法を用いた場合、第一主表面ＣＰ全体に、図示しない銅箔およびＣｕメッキ層を形成した後、所定のパターンを有する図示しないエッチングレジストを形成する。エッチングレジストに覆われていない部分の銅箔およびＣｕメッキ層をエッチング除去すると、図５の工程１のような端子パッド１７が形成される。なお図示していないが、Ｃｕメッキ層の上に、半田との密着性を向上させるためのメッキ層（例えばＳｎメッキ）を成長させてもよい。
【００２０】
次に図５の工程２に示すように、第一主表面ＣＰ１をソルダーレジスト層１８により覆う。具体的には、感光性樹脂からなるソルダーレジストフィルムを用いたフォトリソグラフィー工程により、端子パッド１７を個別に露出させるための開口１８ａを有し、かつ該開口１８ａの内周縁が端子パッド１７の主表面外周縁よりも内側に張り出して位置するように、ソルダーレジスト層１８のパターニングを行う。
【００２１】
以降の工程については、従来の技術を用いた製造方法（図６）を先に説明する。図６の工程１，工程２は図５と同一であるので、省略してある。ソルダーレジスト１８を形成した後、端子パッド１７に半田を印刷するためのスクリーン印刷工程を行う。従来の技術では、図６の工程３ａに示すように、ソルダーレジスト１８から露出する端子パッド１７が一部だけ開口するようにスクリーンマスク４０を形成する。その後、工程４ａに示すように、半田ペースト６０を充填する。このような方法を用いても、ぬれ性の良いＳｎ−Ｐｂ半田なら濡れ広がるので、Ｃｕメッキ層の開口している表面全面に半田被膜を形成することができる。しかし本発明のようにぬれ性の悪いＰｂフリー半田をあえて使用すると半田が塗れ広がらない。この後、熱処理を施して半田をリフローするが、工程５ａに示すように端子パッド１７の一部にのみ半田６０ａが固まってしまう。また、工程３ｂに示すように単に開口４０ａを広げただけでは、工程４ｂにて多量の半田ペースト６０が充填され、その結果、リフロー工程後に形成される半田被膜６０ａは工程５ｂに示すようにソルダーレジスト層８の表面から突出する。このような形状になるのは、半田ペースト６０として、半田成分の多いものを使用していることも原因の一つである。
【００２２】
図５に戻る。ソルダーレジスト層１８を形成した後、端子パッド１７に半田を印刷するためのスクリーン印刷工程を行う。まず工程３に示すように、端子パッド１７が露出するようにスクリーンマスク４０を形成する。スクリーンマスク４０とソルダーレジスト層１８は、それぞれの開口縁が略一致するようにしてある。また、スクリーンマスク４０の厚さＤ３は、端子パッド１０上におけるソルダーレジスト層８の厚さＤ1よりも薄くなるように調整されている。スクリーンマスク４０の厚さＤ３が厚いと、印刷される半田ペーストの量が多くなり、その結果、形成される半田被膜が厚くなってしまう。しかし本実施形態ではスクリーンマスク４０の厚さＤ３を、端子パッド１７上におけるソルダーレジスト層８の厚さＤ1よりも薄くなるように調整したので、形成される半田被膜はソルダーレジスト１８の表面よりも低く形成することができる。
【００２３】
次に工程４に示すように、Ｐｂフリーの半田ペースト６０を開口１８ａに充填する。前記したように、スクリーンマスク４０とソルダーレジスト層１８は、それぞれの開口縁が略一致しているので、半田ペースト６０は開口１８ａを完全に塞ぐ形で充填されている。半田ペースト６０には、フラックス成分を半田成分よりも体積比で多く含有しているものを使用する。具体的には、本実施形態ではフラックス成分が７０体積％以上８０体積％以下の半田ペーストを使用している。半田成分の含有量が多い半田ペーストを使用すると、リフローした後に形成される半田被膜が厚くなってしまう不具合が生じる。
【００２４】
印刷工程が終了した後、スクリーンマスク４０を除去する。そして熱処理を施して半田ペースト６０をリフローし、フラックス洗浄工程を施してフラックス成分を除去すると、半田被膜６０ａが形成される（工程５）。ここで半田被膜６０ａは、開口１８ａの内周縁内側に位置する端子パッド１７の表面全体に形成されている。これは工程４にて開口１８ａを完全に塞ぐ形で半田ペースト６０を印刷するので、Ｃｕメッキ層とのぬれ性の悪いＰｂフリー半田でも、端子パッド１７の表面全体に半田被膜６０ａを形成できるためである。また工程３にて、スクリーンマスク４０の厚さＤ３が薄くなるようにし、かつ工程４でフラックス成分の含有量が多い半田ペーストを印刷したので、開口１８ａに充填される半田成分の量は少なくなり、その結果、半田被膜６０ａはソルダーレジスト層１８の表面から突出しない形で、薄く形成されている。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の配線基板の一実施形態を示す平面図。
【図２】同じく裏面図。
【図３】本発明の配線基板の断面構造の一例を示す図。
【図４】その要部を示す断面摸式図。
【図５】本発明の配線基板の製造方法の一例を示す工程説明図。
【図６】従来技術を使用した製造方法を示す工程説明図。
【図７】Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田の被膜を形成する、従来技術を示す工程説明図。
【符号の説明】
【００２６】
１  配線基板
８，１８  ソルダーレジスト層
８ａ  ソルダーレジスト層の開口
Ｌ１，Ｌ２  配線積層部
ＣＰ  第一主表面
１０，１７  端子パッド
３４  ビア
４０  スクリーンマスク
４０ａ  スクリーンマスクの開口
６０  半田ペースト
６０ａ  半田被膜
【図１】
2005159102.tif 000003
【図２】
2005159102.tif 000004
【図３】
2005159102.tif 000005
【図４】
2005159102.tif 000006
【図５】
2005159102.tif 000007
【図６】
2005159102.tif 000008
【図７】
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