(57)【要約】【課題】液晶ポリマー絶縁層を具備する配線基板において、貫通孔の内壁に、錫並びにインジウムを含まない金属めっきがほどこされたことによって導通信頼性の高い配線基板を提供する。【解決手段】少なくとも、液晶ポリマー絶縁層１ａを具備する配線基板において、液晶ポリマー絶縁層１ａに設けられた貫通孔３の内壁に、錫並びにインジウムを含まない金属めっき５がほどこされたことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、液晶ポリマー絶縁層を具備する配線基板において、液晶ポリマー絶縁層に設けられた貫通孔の内壁に、錫並びにインジウムを含まない金属めっきが施されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
金属めっきが、Ｃｕ、Ｎｉから選ばれた少なくとも１種類以上を含有することを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
金属めっきをほどこした貫通孔に導電性ペーストが充填されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
導電性ペーストが錫並びにインジウムを含まないことを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
金属めっきの厚みが５〜３０μｍであることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれかに記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種ＡＶ機器や家電機器・通信機器・コンピュータおよびその周辺機器等の電子機器に使用される配線基板に関するものであり、特に絶縁層の少なくとも一部に液晶ポリマー絶縁層を用いた配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子等の能動部品や容量素子・抵抗素子等の受動部品を多数搭載して所定の電子回路を構成した混成集積回路を形成するための配線基板は、通常、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させてなる絶縁層にドリルによって上下に貫通孔を形成し、この貫通孔内部および絶縁層表面に配線導体を形成した絶縁基板を、多数積層することによって形成されている。
【０００３】
一般に、現在の電子機器は、移動体通信機器に代表されるように小型・薄型・軽量・高性能・高機能・高品質・高信頼性が要求されており、このような電子機器に搭載される混成集積回路等の電子部品も小型・高密度化が要求されるようになってきており、このような高密度化の要求に応えるために、電子部品を構成する配線基板も、配線導体の微細化や絶縁層の薄層化、貫通孔の微細化が必要となってきている。このため、近年、貫通孔を微細化するために、ドリル加工より微細加工が可能なレーザ加工が用いられるようになってきた。
【０００４】
しかしながら、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させてなる絶縁層は、ガラスクロスをレーザにより穿孔加工することが困難なために貫通孔の微細化には限界があり、また、ガラスクロスの厚みが不均一であるために、均一な孔径の貫通孔を形成することが困難であるという問題点を有していた。
【０００５】
このような問題点を解決するために、アラミド樹脂繊維で製作した不織布にエポキシ樹脂を含浸させた絶縁基材や、ポリイミドフィルムにエポキシ系接着剤を塗布した絶縁基材を絶縁層に用いた配線基板が提案されている。
【０００６】
しかしながら、アラミド不織布やポリイミドフィルムを用いた絶縁基材は吸湿性が高く、吸湿した状態で半田リフローを行なうと半田リフローの熱により吸湿した水分が気化してガスが発生し、絶縁層間で剥離してしまう等の問題点を有していた。
【０００７】
このような問題点を解決するために近年、配線基板の絶縁層の材料として液晶ポリマーを用いることが検討されている。液晶ポリマーからなる絶縁層は、剛直な分子で構成されているとともに分子同士がある程度規則的に並んだ構成をしており分子間力が強いことから、高耐熱性・高弾性率・高寸法安定性・低吸湿性を示し、ガラスクロスのような強化材を用いる必要がなく、また、微細加工性にも優れるという特徴を有している。さらに、高周波領域においても、低誘電率・低誘電正接であり高周波特性に優れるという特徴を有している。
【０００８】
このような液晶ポリマー絶縁層を用いた配線基板において配線導体を形成する方法としては、絶縁基板の表面に銅箔を接着した後、これをエッチングして配線回路を形成する方法、または配線回路に形成された銅箔を絶縁基板に転写する方法、絶縁基板の表面に金属めっき法によって回路を形成する方法等が用いられている。また、配線回路の多層化に伴い、異なる層間の導通をとるために、貫通孔に半田などのスズ、インジウムを含有する低融点の金属粉末を含有する導電性ペーストを充填し、熱処理して低融点金属を軟化、あるいは溶融させ、金属粉末同士を接合させて、貫通孔内に導体を形成し、絶縁基板に隔てられた配線回路を電気的に接続することが行われている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３５３６３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、導電性ペーストが錫あるいはインジウムを含む低融点金属を含有する場合、上記した熱処理の際に、低融点金属の溶融に伴う急激な吸熱反応によって、導電性ペーストと接触していた液晶ポリマー絶縁層が収縮し、その結果、貫通孔に形成された導体が貫通孔の内壁から剥離してしまうという問題を有していた。この問題は錫あるいはインジウムと、液晶ポリマー絶縁層との相互作用によって引き起こされるものである。
【００１０】
この問題に対して、例えば、錫およびインジウムを含まない導電性ペーストを用いる方法も考えられるが、導電性ペーストの融点が上昇するため、導電性ペーストを構成する金属粒子同士の熱処理による結合性が劣化するため、導通経路が細くなり、導電性ペーストを熱処理して形成される導電体の導電性が低下することが予想される。
【００１１】
本発明は、貫通孔に形成された導体の貫通孔の内壁からの剥離を抑制するとともに、低い抵抗を有する貫通孔導体を実現する配線基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の配線基板は、少なくとも、液晶ポリマー絶縁層を具備する配線基板において、液晶ポリマー絶縁層に設けられた貫通孔の内壁に、錫並びにインジウムを含まない金属めっきがほどこされたことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の配線基板は、金属めっきが、Ｃｕ、Ｎｉから選ばれた少なくとも１種類以上を含有することが望ましい。
【００１４】
また、本発明の配線基板は金属めっきをほどこした貫通孔に導電性ペーストが充填されていることが望ましい。
【００１５】
また、本発明の配線基板は、導電性ペーストが錫並びにインジウムを含まないことが望ましい。
【００１６】
また、本発明の配線基板は金属めっきの厚みが５〜３０μｍであることが望ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の配線基板は、導電性ペーストにより形成される貫通孔充填物よりも低抵抗の金属めっきによる貫通孔導体を貫通孔の内壁に形成することで、貫通孔に形成される導通経路の抵抗を小さくすることができる。そして、さらに金属めっきが錫並びにインジウムを含まない為、液晶ポリマー絶縁層と錫もしくはインジウムとの相互作用が生じることがなく、金属めっきや導電性ペーストなどから形成された貫通孔導体が、貫通孔の内壁から剥離してしまうという問題点を解決できる。
【００１８】
なお、錫並びにインジウムを含まないとは、少なくとも不純物レベル以下であり、不可避的に混入する量までも、排除するものではない。
【００１９】
また、金属めっき以外の部分から拡散などにより移動した微量の錫もしくはインジウムについても排除するものではない。
【００２０】
また、抵抗値が低いＣｕ、Ｎｉにより金属めっきを形成することで、貫通孔導体の抵抗をさらに小さくすることができ、高速信号における信号伝達ロスを小さくすることができる。
【００２１】
また、金属めっきを施した貫通孔に導電性ペーストを充填することで、金属めっきによる導通経路の他に導電性ペーストの金属同士の接触による導通経路が形成される為に、導通経路が広くなり、抵抗が低くなるとともに接続信頼性を向上させることができる。
【００２２】
また、錫並びにインジウムを含まない導電性ペーストを用いることで、仮に、貫通孔に形成された金属めっきの厚みが薄くても、導電性ペーストから錫もしくはインジウムが金属めっきに拡散することがなく、貫通孔導体が貫通孔の内壁から剥離してしまうということがなく、信頼性の高い配線基板を提供できる。
【００２３】
また、金属めっきの厚みを５μｍ以上にすることで、仮に、貫通孔に、錫もしくはインジウムを含有する導電性ペーストを充填したとしても、錫もしくはインジウムが金属めっきに拡散して、液晶ポリマー絶縁層にまで到達することを抑制することができるため、貫通孔導体の貫通孔の内壁からの剥離を抑制することができる。
【００２４】
また、金属めっきの厚みを３０μｍ以下にすることで、金属めっきと液晶ポリマー絶縁層との熱膨張差による剥離を防止することができる。このようにして、導電性ペーストの埋め込み性が向上するとともに、接続信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す図である。この図において１はコア基板、３は貫通孔、５は貫通孔めっきである金属めっき、７は導電性ペーストなどからなる貫通孔充填物、９は貫通孔ふためっき、１１は表層絶縁層、１３は表層絶縁層１１に形成したビア、１５は高密度配線層を示している。
【００２６】
このような配線基板において、コア基板１を貫通して形成された貫通孔３の内壁には金属めっき５が施され、コア基板１の上下面を電気的に接続している。
【００２７】
本発明の配線基板においては、図２に示すように、コア基板１が、少なくとも１層の液晶ポリマー絶縁層１ａから構成されることが重要である。なお、このような液晶ポリマー絶縁層１ａは、他の液晶ポリマー絶縁層１ａと、少なくとも熱硬化性樹脂を含有する被覆層１ｂを介して積層されることが望ましい。なお、図２では、貫通孔３等は省略した。
【００２８】
なお、ここで液晶ポリマー絶縁層１ａとは、溶融時に液晶状態あるいは光学的に複屈折する性質を有するポリマーからなるフィルムを指し、一般に溶液状態で液晶性を示すリオトロピック液晶ポリマーフィルムや溶融時に液晶性を示すサーモトロピック液晶ポリマーからなるフィルム、あるいは、熱変形温度で分類される１型・２型・３型すべての液晶ポリマーからなるフィルムを含むものである。
【００２９】
また、液晶ポリマー絶縁層１ａは、温度サイクル信頼性・半田耐熱性・加工性の観点からは２００〜４００℃の温度、特に２５０〜３５０℃の温度に融点を有するものが好ましく、さらに、フィルムとしての物性を損なわない範囲内で、熱安定性を改善するための酸化防止剤や耐光性を改善するための紫外線吸収剤等の光安定剤、難燃性を改善するためのハロゲン系もしくはリン酸系の難燃性剤、アンチモン系化合物やホウ酸亜鉛・メタホウ酸バリウム・酸化ジルコニウム等の難燃助剤、潤滑性を改善するための高級脂肪酸や高級脂肪酸エステル・高級脂肪酸金属塩・フルオロカーボン系界面活性剤等の滑剤、熱膨張係数を調整するため、および／または機械的強度を向上するための酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化チタン・酸化バリウム・酸化ストロンチウム・酸化ジルコニウム・酸化カルシウム・ゼオライト・窒化珪素・窒化アルミニウム・炭化珪素・チタン酸カリウム・チタン酸バリウム・チタン酸ストロンチウム・チタン酸カルシウム・ホウ酸アルミニウム・スズ酸バリウム・ジルコン酸バリウム・ジルコン酸ストロンチウム等の充填材を含有してもよい。
【００３０】
さらに、コア基板１に設けられた貫通孔３の内壁には、錫並びにインジウムを含まない金属めっき５が施され、コア基板１の両面を電気的に接続する貫通孔めっき５となっている。
【００３１】
即ち、本発明では、導電性ペーストに換えて、貫通孔めっき５を施しており、さらに貫通孔めっき５が錫並びにインジウムを含まない為、抵抗を小さくすることができるとともに、貫通孔めっき５が貫通孔３の内壁から剥離してしまうという問題点を解決できるのである。
【００３２】
なお、貫通孔めっき５が錫並びにインジウムを含まないというのは、貫通孔３の内壁と接触する部分において、錫並びにインジウムの含有量が０．３質量％以下であることを意味し、さらに、０．１質量％、０．０１質量％以下とすることが望ましい。
【００３３】
また、本発明の配線基板においては、貫通孔めっき５が、Ｃｕ、Ｎｉから選ばれた少なくとも１種類もしくは組み合わせで構成されていることが望ましい。このような金属めっき５は金属の抵抗値が低く、例えば、配線基板に用いる場合には、高速信号における信号伝達ロスを小さくすることができる。特に、Ｃｕは安価であり、マイグレーションを起こしにくいため好適に用いられる。
【００３４】
また、本発明の配線基板においては、金属めっき５を施した貫通孔３に貫通孔充填物７として導電性ペースト７が充填されていることが望ましい。金属めっき５を施した貫通孔３に導電性ペースト７が充填されていると、金属めっき５による導通経路の他に導電性ペースト７中の低抵抗金属同士の接触による導通経路が形成される為に抵抗を小さくすることができるとともに接続信頼性を向上させることができる。
【００３５】
また、本発明の配線基板においては、金属めっき５を施した貫通孔３に、錫並びにインジウムを含まない導電性ペースト７が充填されていることが、特に、望ましい。
【００３６】
導電性ペースト７が錫並びにインジウムを含まない為、貫通孔３内に存在する導電性物質を多くできるため、抵抗を小さくできるとともに、貫通孔充填物７が貫通孔３の内壁から剥離してしまうという問題点を解決できるため、接続信頼性を向上させることができる。
【００３７】
このような導電性ペースト７としては、例えば、熱硬化性樹脂とＣｕ、Ａｇ等の高融点、低抵抗の導体のみを配合した導電性ペースト７が好適に用いられ、導電性粒子同士の結合力を大きくするために、例えば、低抵抗のＣｕ粒子の表面にＡｇをコートした銀コート銅粉末などが好適に用いられる。
【００３８】
また、本発明の配線基板においては、金属めっき５の厚みが５〜３０μｍからなることが望ましい。金属めっき５の厚みを５μｍ以上とすることで、金属めっき５の抵抗を小さくすることができるとともに、仮に、錫もしくはインジウムを含有する導電性ペースト７を貫通孔３内に充填したとしても、錫もしくはインジウムが金属めっき５を拡散して、液晶ポリマー絶縁層１ａに到達することを防止することができる。また、上記の効果は金属めっき５の厚みを１０μｍ以上とすることで格段に大きくなる。
【００３９】
また、金属めっき５の厚みを３０μｍ以下にすることで、貫通孔径が１５０μｍ以上の穴径に対する十分な中空構造が確保できる。このようにして、導電性ペースト７の埋め込み性が向上するとともに、接続信頼性を向上させることができる。
【００４０】
本発明の配線基板の製造方法としては、例えば、図３（ａ）に示すように、液晶ポリマー絶縁層１ａと被覆層１ｂとを積層した積層体の表面に銅箔２を積層した銅貼り絶縁基板に、図３（ｂ）に示すように、ＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー、フェムト秒レーザー等のレーザー或いは、ドリルなどにより貫通孔３を形成する。
【００４１】
次に、図４（ｃ）に示すように、貫通孔３を形成した銅貼り絶縁基板の銅箔２および貫通孔３に無電解めっき５ａ、電解めっき５ｂを施して、錫並びにインジウムを含まない貫通孔めっき５を形成する。この貫通孔めっき５には、例えば、Ｃｕめっき、Ｎｉめっきが好適に用いられる。
【００４２】
次に、図４（ｄ）に示すように、この貫通孔めっき５が形成された貫通孔３に貫通孔充填物７を充填する。この貫通孔充填物７としては、絶縁樹脂が用いられるが、さらに、絶縁樹脂と金属粒子とで構成される導電性ペースト７を用いることが抵抗を低くするという点で望ましい。特に、導電性ペースト７に錫もしくはインジウムを含まない方が、貫通孔めっき５が貫通孔３の内壁から剥離してしまうという問題点を解決できる点で望ましい。また、貫通孔めっき５が５μｍ以上の厚みを有する場合には、錫もしくはインジウムを含有する導電性ペースト７を用いてもよい。
【００４３】
次に、図１の配線基板のように貫通孔３上にビア１３が形成できるように、図５（ｅ）に示すように、貫通孔ふためっき９を施すことが望ましい。
【００４４】
そして、図５（ｆ）に示すように、不要な銅箔２、無電解めっき５ａ、電解めっき５ｂ、ふためっき９をエッチングにより除去し、コア基板１を作製することができる。
【００４５】
本発明の配線基板は、例えば図１のように上記で説明したコア基板１の少なくとも一方の主面にコア基板１の液晶ポリマー絶縁層１ａよりも薄い表層絶縁層１１と高密度配線層１５とビア１３とを具備するビルドアップ配線層を形成してもよい。なお、ビルドアップ配線層を形成する方法としては、アディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法の３つの方法があるが、本発明の配線基板はいずれの方法を用いても電気的特性、熱的特性、機械的特性、信頼性ともに良好なものが得られる。
【００４６】
以下に、セミアディティブ法によるビルドアップ配線層の形成について詳細に説明する。
【００４７】
まず、上記のようにして得られたコア基板１の表面に対してバフ研磨等の物理的粗化もしくは薬品処理等の化学的粗化を行い、表層絶縁層１１を貼る。コア基板１の表面を粗化することによって、コア基板１上に形成する表層絶縁層１１の密着力を高めることができる。次に、ＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー、フェムト秒レーザー等のレーザーを用いて、表層絶縁層１１に有底貫通孔を形成する。
【００４８】
次に、表層絶縁層１１上と有底貫通孔に無電解めっきを施こす。次に、無電解めっき上に感光性のレジストを貼付あるいは塗布し、露光、現像をして非配線部分にレジストを残す。その後、電解めっきにより配線を形成し、レジスト剥離を行い、全面をソフトエッチングして、不要な無電解めっきを除去し、高密度配線層１５およびビア１３を形成する。この時、ビア１３は電解めっきあるいは導電性ペーストなどにより、有底貫通孔を充填するように形成することが望ましい。このように、有底貫通孔を充填することにより、ビア１３の抵抗を低くできるとともに、ビア１３上に、さらに他のビア１３を形成できることから配線長を短くすることができる。
【００４９】
次に、高密度配線層１５と表層絶縁層１１を粗化して、他の表層絶縁層１１を貼り、以降上記と同じ工程を繰り返すことにより、所望の層数の例えば、図１に示すような配線基板を得ることができる。なお、図１においては、銅箔２は省略した。
【００５０】
なお、本発明は上記形態に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々の変更が可能である。
【実施例】
【００５１】
コア基板１の絶縁層として、融点３１０℃、厚み５０μｍの全芳香族型ポリエステルの液晶ポリマー絶縁層１ａを用いた。この液晶ポリマー絶縁層１ａを被覆層１ｂを介して、図３（ａ）のように、６層積層した。被覆層１ｂは平均粒径１μｍの球状溶融シリカフィラーとエポキシ樹脂を体積比で５０：５０の比率で混合し、ドクターブレード法で厚み２０μｍに形成したものを用いた。また、液晶ポリマー絶縁層１ａの表面は接着性を良くするためにプラズマ処理でＲａ２．０μｍに予め、粗化したものを用いた。また、この積層体の表裏面にも被覆層１ｂを積層した。なお、プラズマ処理はサムコ・インターナショナル社製ＰＸ２５０を用い、電圧２７ＫＶ、真空度０．１ｔｏｒｒとして、活性ガスとして酸素、４フッ化メタンを用いて行った。
【００５２】
次に、このように積層された積層体の表裏面に厚み１８μｍの電解銅箔２を３３０℃、５ＭＰａの条件で積層して銅張り積層板を作製した。
【００５３】
この銅張り積層板に、ＵＶ―ＹＡＧレーザーを用いて、φ１５０μｍの貫通孔３を複数形成した。なお、これらの貫通孔３のピッチは５００μｍとした。
【００５４】
次に、銅箔２と貫通孔３に、表１に示す厚みのＳｎ、Ｃｕ、Ｎｉの無電解めっき５ａ、電解めっき５ｂを順次形成した。
【００５５】
次に、貫通孔３に表１に示す組成の導電性ペースト７をスクリーン印刷により充填し、次に貫通孔３上に銅めっきを施し、貫通孔ふためっき９を形成した。
【００５６】
次に、ネガ型の感光性ドライフィルムレジストを貼付して配線として残す部分をガラスマスクを通して感光させた。その後、炭酸ナトリウム水溶液により、非感光部分を現像して電解めっき５ｂを露出させて、塩化第二鉄より、電解めっき５ｂ、無電解めっき５ａ、銅箔２をエッチングして、配線を形成した。
【００５７】
なお、導通信頼性の評価を行なうためのテスト基板は、その内部にコア基板１を介して位置する上下の２層の配線導体と、両者を電気的に接続する貫通孔３とでチェーンを形成したものとした。また、導通信頼性の評価は、試料を温度が−５５℃の条件で３０分、１２５℃の条件で３０分を１サイクルとする温度サイクル試験（ＴＣＴ）を行ない、１０００サイクル後のビアチェーンの導通抵抗を測定し、試験前後の導通抵抗の変化率を比較することにより評価した。また、貫通孔めっき５である金属めっき５並びに貫通孔充填剤７の内壁剥離の有無をクロスセクションで各々１００箇所観察した。表１に導通信頼性の評価結果と内壁剥離の有無を示す。
【表１】
2005101303.tif 000003
【００５８】
本発明の範囲外である貫通孔３内壁に金属めっき５として錫めっき５を施した試料Ｎｏ．１は温度サイクル後の抵抗変化率が９７％となり信頼性が非常に低くなった。また、内壁の剥離も認められた。また、金属めっき５が無く、貫通孔充填剤７として導電性ペースト７を充填した試料Ｎｏ．２、３のうち、導電性ペースト７が樹脂とＣｕにより構成された試料Ｎｏ．２は、温度サイクル後の抵抗変化率は２３％となり、試料Ｎｏ．１よりは改善されたものの、実用に適するレベルにはなく、また、初期抵抗が１６．２μΩ・ｃｍと非常に高かった。また、導電性ペースト７がＳｎを含む半田と、樹脂と、Ｃｕとで構成された試料Ｎｏ．３は温度サイクル後の抵抗変化率が１２０％となり、また、内壁の剥離も多発しており、著しく信頼性に劣るものであった。
【００５９】
一方、本発明の貫通孔３の内壁に錫、インジウムを含まない金属めっき５を施した試料Ｎｏ．４〜１７は初期抵抗がいずれも９．７μΩ・ｃｍ以下で、かつ温度サイクル試験後の抵抗変化率が１５．４％以下と優れた値を示した。
【００６０】
以下に本発明の範囲の試料について詳細に説明する。
【００６１】
貫通孔３の内壁に２０μｍのＣｕめっき５を施し、貫通孔充填物７の組成を変化させた試料Ｎｏ．４〜６についてみると、樹脂のみを充填した試料Ｎｏ．４は、Ｓｎ入り半田と、樹脂とＣｕとからなる貫通孔充填物７を用いた試料Ｎｏ．５や、樹脂とＣｕとからなる貫通孔充填物７を用いた試料Ｎｏ．６に比較して初期抵抗が９．２μΩ・ｃｍと高くなった。
【００６２】
一方、貫通孔充填物７として、導電性ペースト７を用いた試料５、６は、初期抵抗が８．３、８．５μΩ・ｃｍと低くなった。
【００６３】
なお、試料Ｎｏ．４〜６では、いずれも抵抗変化率が低く、内壁剥離も皆無であり、信頼性に優れるものであった。
【００６４】
また、貫通孔３の内壁に３μｍのＣｕめっき５を施し、試料Ｎｏ．４〜６と同様に、貫通孔充填物７の組成を変化させた試料Ｎｏ．７〜９についてみると、抵抗の低いＣｕめっき５の量が少ないため、若干初期抵抗が高くなった。また、Ｓｎを含有する導電性ペースト７を用いた試料Ｎｏ．８では、温度サイクル試験後の抵抗変化率が１５．４％と大きくなる傾向にあった。また、実用に問題はないものの、若干の内壁剥離が確認された。
【００６５】
また、金属めっき５の厚みを５〜４０μｍの範囲で変化させた試料Ｎｏ．１０〜１４では、いずれも初期抵抗が低く、抵抗変化率も７．７％以下であり、いずれも良好な特性を示した。ただし、めっき厚みが４０μｍの試料Ｎｏ．１４では、若干、導電性ペースト７の充填性に難があった。
【００６６】
また、Ｎｉめっき５を用いてめっき厚みを３〜１０μｍの範囲で変化させた試料Ｎｏ．１５〜１７でも、Ｃｕめっき５の場合と同様の傾向を示し、特に、Ｎｉめっき５の厚みが１０μｍの試料Ｎｏ．１７では、初期抵抗が８．３μΩ・ｃｍ、抵抗変化率が７．４％と非常に特性もよく、内壁剥離も認められず、信頼性の高いものであった。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の配線基板の一例を説明するための要部拡大断面図である。
【図２】本発明の配線基板に用いるコア基板の一例を説明するための断面図である。
【図３】本発明の配線基板の製造工程を説明するための工程図である。
【図４】本発明の配線基板の製造工程を説明するための工程図である。
【図５】本発明の配線基板の製造工程を説明するための工程図である。
【符号の説明】
【００６８】
１・・・コア基板
１ａ・・・液晶ポリマー絶縁層
３・・・貫通孔
５・・・金属めっき、貫通孔めっき
７・・・導電性ペースト、貫通孔充填物
【図１】
2005101303.tif 000004
【図２】
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【図３】
2005101303.tif 000006
【図４】
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【図５】
2005101303.tif 000008