(57)【要約】 【課題】  発光層部を有した化合物半導体層から成長用基板を除去しても、そのハンドリングを容易に行なうことができる発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】  成長用基板の第一主表面上に化合物半導体層５０をエピタキシャル成長した後、化合物半導体層５０の第一主表面に仮支持基板１１０を、金属仮支持結合層２５を介して貼り合わせ、さらに、成長用基板を化学エッチング等により除去する。成長用基板１が除去された化合物半導体層５０の第二主表面に接合金属層３１を形成した後、合金化熱処理をまず行ない、その後、該化合物半導体層５０の第二主表面に金属層１０を介して素子基板７を貼り合せる。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層部を有したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる化合物半導体層の、光取出面となる第一主表面の一部を覆う形で光取出面側電極が形成される一方、該化合物半導体層の第二主表面に、発光層部からの光を前記光取出面側に反射させる反射面を有した金属層を介して素子基板が結合されるとともに、前記金属層と前記化合物半導体層との間に、該化合物半導体層と該金属層との接触抵抗を低減するための貼り合わせ側接合合金化層を配置した発光素子を製造するために、
成長用基板の第一主表面上に前記化合物半導体層をエピタキシャル成長する化合物半導体層成長工程と、
前記化合物半導体層の第二主表面側に前記成長用基板が付随した状態で、前記化合物半導体層の第一主表面側に、金属仮支持結合層を介して仮支持基板を貼り合わせ、その後、前記成長用基板を除去することにより、前記化合物半導体層と前記仮支持基板とが貼り合わされた仮支持貼り合わせ体を形成する仮支持貼り合わせ体形成工程と、
前記成長用基板の除去により露出した前記化合物半導体層の第二主表面に貼り合わせ側接合金属層を形成する貼り合わせ側接合金属層形成工程と、
前記貼り合わせ側接合金属層を前記化合物半導体層と合金化させて前記貼り合わせ側接合合金化層とする貼り合わせ側合金化熱処理を、前記仮支持貼り合わせ体の状態で行なう貼り合わせ側合金化熱処理工程と、
該貼り合わせ側合金化熱処理の終了後に、前記仮支持貼り合わせ体の状態で前記化合物半導体層をハンドリングしつつ、前記貼り合わせ側合金化熱処理工程よりも低温で貼り合わせ処理を行なうことにより、該化合物半導体層の第二主表面に金属層を介して素子基板を貼り合わせた素子基板貼り合わせ体を作製する素子基板貼り合わせ工程と、
前記素子基板貼り合わせ体から前記仮支持基板及び前記金属仮支持結合層を除去する仮支持基板／結合層除去工程と、
がこの順序で実施されることを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記仮支持貼り合わせ体に組み込む前記化合物半導体層の全厚が７μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記化合物半導体層の第一主表面上に、該化合物半導体層の第一主表面をなす化合物半導体とは異なる化合物半導体からなる仮支持補助層を形成し、前記金属仮支持結合層により該仮支持補助層と前記仮支持基板とを結合するとともに、前記仮支持基板／結合層除去工程の後、該仮支持補助層を除去する仮支持補助層除去工程を実施することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記仮支持補助層は、前記金属仮支持結合層からの金属成分が前記化合物半導体層側へ拡散することを防止する仮支持金属拡散防止層に兼用されていることを特徴とする請求項３記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記仮支持基板／結合層除去工程は、前記金属仮支持結合層を加熱溶融させて、前記素子基板貼り合わせ体から前記仮支持基板を分離する仮支持基板分離工程を有することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記金属仮支持結合層を、Ｇａ及びＩｎのいずれかを主成分とする液相線温度が４０℃以上５００℃以下のＩＩＩ族金属同士の合金にて形成することを特徴とすることを特徴とする請求項５記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記ＩＩＩ族金属同士の合金として、Ａｌを４質量％以上４５質量％以下の範囲で含有するＧａＡｌ合金又はＧａを０質量％以上６５質量％以下の範囲で含有するＩｎＧａ合金を使用し、液相線温度に昇温することにより液状となした該合金の塗布により前記金属仮支持結合層を形成することを特徴とする請求項６記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記ＩＩＩ族金属同士の合金として、Ａｌを０質量％以上４質量％以下の範囲で含有するＩｎＡｌ合金を使用し、該合金の蒸着により前記金属仮支持結合層を形成することを特徴とする請求項６記載の発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記仮支持補助層を、前記化合物半導体層の第一主表面に、該第一主表面をなすＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体とは異なる組成のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長することにより形成することを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記化合物半導体層成長工程において、前記化合物半導体層を、第一主表面を含む表層部がＧａＡｓ層となるようにエピタキシャル成長し、
前記仮支持補助層形成工程にて前記ＧａＡｓ層の第一主表面にＡｌＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる仮支持補助層をエピタキシャル成長し、
前記仮支持補助層除去工程において、ＡｌＩｎＰに対するエッチング活性がＧａＡｓに対するエッチング活性よりも高いエッチング液を用いて、前記素子基板貼り合わせ体から前記仮支持補助層を選択エッチングにより除去することを特徴とする請求項９記載の発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記エッチング液により、前記仮支持基板を分離後の前記仮支持補助層の第一主表面上に残留した前記金属仮支持結合層を前記仮支持補助層とともにエッチング除去することを特徴とする請求項１０記載の発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記エッチング液として塩酸を使用することを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
【特許文献１】特開平７−６６４５５号公報
【特許文献２】特開２００２−２１７４５０号公報
【０００３】
発光ダイオードや半導体レーザー等の発光素子に使用される材料及び素子構造は、長年にわたる進歩の結果、素子内部における光電変換効率が理論上の限界に次第に近づきつつある。従って、一層高輝度の素子を得ようとした場合、素子からの光取出し効率が極めて重要となる。ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ混晶により発光層部が形成された発光素子は、薄いＡｌＧａＩｎＰ（あるいはＧａＩｎＰ）活性層を、それよりもバンドギャップの大きいｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とによりサンドイッチ状に挟んだダブルへテロ構造を採用することにより、高輝度の素子を実現できる。このようなＡｌＧａＩｎＰダブルへテロ構造は、ＡｌＧａＩｎＰ混晶がＧａＡｓと格子整合することを利用して、ＧａＡｓ単結晶基板上にＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる各層をエピタキシャル成長させることにより形成できる。そして、これを発光素子として利用する際には、通常、ＧａＡｓ単結晶基板をそのまま基板として利用することも多い。しかしながら、発光層部を構成するＡｌＧａＩｎＰ混晶はＧａＡｓよりもバンドギャップが大きいため、発光した光がＧａＡｓ基板に吸収されて十分な光取出し効率が得られにくい難点がある。この問題を解決するために、半導体多層膜からなる反射層を基板と発光素子との間に挿入する方法（例えば特許文献１）も提案されているが、積層された半導体層の屈折率の違いを利用するため、限られた角度で入射した光しか反射されず、光取出し効率の大幅な向上は原理的に期待できない。
【０００４】
そこで、特許文献２には、成長用のＧａＡｓ基板を、電流拡散層と発光層部とからなる化合物半導体層から除去し、代わって、Ｓｉなどからなる補強用の素子基板を、反射率の高い金属層を介して化合物半導体層に貼り合わせる技術が開示されている。具体的には、その段落００４１に記載されているごとく、ＧａＡｓ基板上にダブルへテロ構造のＡｌＧａＩｎＰ発光層部を成長し、さらにＧａＰよりなる電流拡散層をＭＯＶＰＥ法により成長し、次いでＧａＡｓ基板を機械研磨及び化学エッチングにより除去している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電流拡散層は、面内方向に電流を十分に拡げるために、層厚をある程度大きく設定すること、例えば発光層部より大きな厚みで形成するのが一般的である。特に、特許文献２の工程では、ＧａＡｓ基板を除去後に金属反射層を介して素子基板を貼り合わせるようにしているから、発光層部が通常、発光効率向上のため非常に薄く形成される（例えば全厚で１０μｍ未満）ことを考慮すると、貼り合わせ時の発光層部のハンドリング性改善のため、電流拡散層は少なくとも５０μｍ程度までは厚膜に成長させる必要がある。
【０００６】
しかし、ＭＯＶＰＥ法は高温処理であり、しかも十分な厚さの電流拡散層を成長させるには非常な長時間を要する。その結果、上に電流拡散層を形成する発光層部は、該電流拡散層成長時の高温の熱履歴に長時間曝されることになり、ｐ−ｎ接合を形成するためのｐ型ドーパントやｎ型ドーパントの層厚方向の濃度プロファイルが熱拡散によって崩れ、発光層部の内部量子効率低下につながる問題を生ずる。特に、ダブルへテロ構造を採用した発光層部の場合、ノンドープにて形成した活性層に両側のクラッド層からのドーパントが拡散により浸透すると、電子／正孔の発光再結合の確率が減少し、発光強度の劣化が著しくなる。すなわち、発光層部に金属反射層を形成しても、発光層部自体の内部量子効率が劣化したのでは、素子全体の発光性能向上は望むべくもない。
【０００７】
当然、こうした問題が生じないよう、電流拡散層の厚みを減じた場合、該電流拡散層と発光層部とを含む化合物半導体層の全厚が小さくなり、成長用基板を除去した後では、素子基板貼り合わせのためのハンドリングが困難になる。化合物半導体層の厚さが特に小さい場合（例えば１０μｍ以上３０μｍ以下）は、エッチング液中で成長用基板を除去するに伴い、支えを失った化合物半導体層の機械的強度が極度に小さいために、エッチング反応で発生した泡のアタックを受けて、液中で浮きながら藻屑のごとく粉々に破壊されてしまう問題がある。
【０００８】
本発明の課題は、発光層部を有した化合物半導体層から成長用基板を除去しても、そのハンドリングを容易に行なうことができる発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００９】
本発明の発光素子の製造方法は、発光層部を有したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる化合物半導体層の、光取出面となる第一主表面の一部を覆う形で光取出面側電極が形成される一方、該化合物半導体層の第二主表面に、発光層部からの光を光取出面側に反射させる反射面を有した金属層を介して素子基板が結合されるとともに、金属層と化合物半導体層との間に、該化合物半導体層と該金属層との接触抵抗を低減するための貼り合わせ側接合合金化層を配置した発光素子を製造するためのものであり、上記課題を解決するため、
成長用基板の第一主表面上に化合物半導体層をエピタキシャル成長する化合物半導体層成長工程と、
化合物半導体層の第二主表面側に成長用基板が付随した状態で、化合物半導体層の第一主表面側に、金属仮支持結合層を介して仮支持基板を貼り合わせ、その後、成長用基板を除去することにより、化合物半導体層と仮支持基板とが貼り合わされた仮支持貼り合わせ体を形成する仮支持貼り合わせ体形成工程と、
成長用基板の除去により露出した化合物半導体層の第二主表面に貼り合わせ側接合金属層を形成する貼り合わせ側接合金属層形成工程と、
貼り合わせ側接合金属層を化合物半導体層と合金化させて貼り合わせ側接合合金化層とする貼り合わせ側合金化熱処理を、仮支持貼り合わせ体の状態で行なう貼り合わせ側合金化熱処理工程と、
該貼り合わせ側合金化熱処理の終了後に、仮支持貼り合わせ体の状態で化合物半導体層をハンドリングしつつ、貼り合わせ側合金化熱処理工程よりも低温で貼り合わせ処理を行なうことにより、該化合物半導体層の第二主表面に金属層を介して素子基板を貼り合わせた素子基板貼り合わせ体を作製する素子基板貼り合わせ工程と、
素子基板貼り合わせ体から仮支持基板及び金属仮支持結合層を除去する仮支持基板／結合層除去工程と、
がこの順序で実施されることを特徴とする。
【００１０】
上記本発明によると、成長用基板（例えばＧａＡｓ基板）の第一主表面上に化合物半導体層をエピタキシャル成長した後、さらにその第一主表面に金属仮支持結合層を形成する。そして、金属仮支持結合層が形成された化合物半導体層の第一主表面に、仮支持基板を該金属仮支持結合層を介して貼り合わせ、さらに、成長用基板を化学エッチング等により除去する。仮支持基板が貼り合わされていることにより、成長用基板が除去されても化合物半導体層には仮支持基板が補強体として随伴しているので、エッチング中の泡アタック等により化合物半導体層が破損される不具合を効果的に防止できる。また、本発明の仮支持貼り合わせ体を用いると、成長用基板を除去した後において、化合物半導体層を以降の貼り合わせ工程等に供する際にも、仮支持基板が貼り合わされていることで化合物半導体層のハンドリングが極めて容易になり、ハンドリング失敗による化合物半導体層の破損確率が減じられ、ひいては発光素子の製造歩留まり向上に寄与する。仮支持貼り合わせ体に組み込む化合物半導体層の全厚が７μｍ以上３０μｍ以下と薄い場合は、上記仮支持基板を用いる効果が特に顕著に発揮される。
【００１１】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる化合物半導体層の場合、接合金属層は、例えばＡｕ、ＡｇあるいはＡｌを主成分（５０質量％以上）とし、接合用合金成分として、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｂｅ及びＺｎの１種又は２種以上を含有したものを使用することができる。ＡｕＧｅ、ＡｕＧｅＮｉ、ＡｕＳｎ、ＡｕＳｂはｎ型半導体層との接触抵抗低減効果に優れ、ＡｕＺｎ及びＡｕＢｅはｐ型半導体層との接触抵抗低減効果に優れる。このような接合金属層に対する合金化熱処理は一般に、３００℃以上４５０℃以下の温度で行なわれている。合金化熱処理温度が３００℃未満では化合物半導体層と接合金属層との合金化が十分に進まず、接触抵抗増大につながる。他方、４５０℃より高温では合金化の効果は飽和し、むしろ、発光層部への合金成分拡散や発光層部内のドーパント濃度プロファイルの拡散劣化などを防止する観点からは、温度を不必要に高く設定することは得策でないので、合金化熱処理の温度の上限は４５０℃に設定する。また、合金化熱処理温度は比較的高温であるため、化合物半導体層の酸化劣化等を防止するために、その処理はアルゴンや窒素などの不活性ガス雰囲気中で行なう。
【００１２】
本発明においては、成長用基板が除去された化合物半導体層の第二主表面に貼り合わせ側接合金属層を形成した後、合金化熱処理を行ない、その後、該化合物半導体層の第二主表面に金属層を介して素子基板を貼り合わせる。これにより、貼り合わせ側接合金属層と接した状態で貼り合わせ用の金属層に合金化熱処理の熱履歴が加わることがなくなり、貼り合わせ側接合金属層の成分が金属層面内に拡散して反射率を低下させる不具合を効果的に防止できる。さらに、化合物半導体層の第二主表面と貼り合わせ用金属との合金化を防止でき、反射率を低下させる不具合を防止できる。また、化合物半導体層に仮支持結合層を介して仮支持基板が結合された状態で上記合金化熱処理が行われることになるが、本発明では金属仮支持結合層を用いるので、該仮支持結合層をワックス等の高分子材料で形成する場合と比較して、合金化熱処理の熱履歴による仮支持結合層の分解等による蒸気発生を生じにくく、ひいては該蒸気による化合物半導体層の汚染や、仮支持基板からの層の浮き上がりあるいは割れ等の不具合を効果的に抑制することができる。
【００１３】
上記本発明の発光素子の製造方法においては、化合物半導体層の第一主表面上に、該化合物半導体層の第一主表面をなす化合物半導体とは異なる化合物半導体からなる仮支持補助層を形成し、金属仮支持結合層により該仮支持補助層と仮支持基板とを結合することが、最終的に発光素子に残す化合物半導体層を保護する観点において望ましい。この場合、仮支持基板／結合層除去工程の後、該仮支持補助層を除去する仮支持補助層除去工程を実施する必要がある。
【００１４】
仮支持補助層は、金属仮支持結合層からの金属成分が化合物半導体層側へ拡散することを防止する仮支持金属拡散防止層に兼用されていれば、該金属成分の拡散による化合物半導体層の汚染ひいては発光層部の性能劣化等を効果的に抑制できる。
【００１５】
仮支持基板／結合層除去工程は、金属仮支持結合層を加熱溶融させて、素子基板貼り合わせ体から仮支持基板を分離する仮支持基板分離工程を有するものとして実施できる。金属仮支持結合層を溶融させることにより、化合物半導体層から仮支持基板を容易に分離できる。ただし、金属仮支持結合層をなす金属は、液相線温度（固相と液相とが共存する温度域（合金組成によっては温度定点となる場合もある）の上限温度のことであり、純金属の場合は融点と一致する）が過度に高いものを使用すると、金属仮支持結合層を加熱溶融させるための温度が高くなり、反射面をなす金属層面内における接合金属層の成分拡散、ひいては金属層が形成する反射面の反射率低下が顕著となる惧れがある。
【００１６】
金属仮支持結合層は、液相線温度が４０℃以上の合金で構成することが望ましい。液相線温度が４０℃未満では、ハンドリング中に温度が少し上昇しただけで金属仮支持結合層が溶融し、仮支持基板から化合物半導体層が脱落する惧れがあるためである。他方、金属仮支持結合層をなす合金の液相線温度の上限は、反射面をなす金属と、貼り合わせ側接合合金化層との材質に応じて、反射率低下に影響を及ぼす接合金属層の成分拡散が抑制されるよう適宜設定する必要があるが、反射面をなす金属が例えばＡｕ、Ａｇ及びＡｌのいずれかを主成分とするものである場合、金属仮支持結合層は３６０℃以下の合金にて形成することが望ましい。
【００１７】
液相線温度が低く、かつ、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体との接着力を確保しやすい金属仮支持結合層用の合金としては、ＩＩＩ族元素のうちでも特に低融点であるＧａ及びＩｎのいずれかを主成分としたＩＩＩ族金属同士の合金を使用することが望ましい。Ｇａは融点が２９．８℃、Ｉｎは融点が１５６℃といずれも低く、液相線温度が４０℃以上１５６℃以下のＩＩＩ族元素同士の合金を容易に得ることができる。
【００１８】
上記のようなＩＩＩ族金属同士の合金の具体例としては、Ａｌを４質量％以上４５質量％以下の範囲で含有するＧａＡｌ合金、又はＧａを０質量％以上６５質量％以下の範囲で含有するＩｎＧａ合金を例示できる。上記合金は、液相線温度が４０℃以上５００℃以下と低く、多少の加熱により容易に液状化できる。そこで、上記液相線温度以上に昇温することにより液状となした該合金の塗布により金属仮支持結合層を簡単に形成することができる。
【００１９】
他方、ＩＩＩ族金属同士の合金として、Ａｌを０質量％以上４質量％以下の範囲で含有するＩｎＡｌ合金を使用することもできる。該合金の液相線温度は１５５℃以上５００℃以下と幾分高いが、Ｇａを主成分とする合金と比較すれば気化が容易であり、蒸着による金属仮支持結合層の形成が可能である。
【００２０】
なお、塗布ないし蒸着による金属仮支持結合層の形成は、化合物半導体層側で行なうようにしても、仮支持基板側で行なうようにしても、さらには両方で行なうようにしてもいずれでもよい。
【００２１】
Ｇａ及びＩｎのいずれかを主成分としたＩＩＩ族金属同士の合金にて金属仮支持結合層を形成する場合、仮支持補助層は、化合物半導体層の第一主表面に、該第一主表面をなすＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体とは異なる組成のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長することにより形成するとよい。これにより、上記の金属仮支持結合層との接着力が良好な仮支持補助層を容易に形成でき、また、化合物半導体層側と異なる化合物により仮支持補助層を形成することで、仮支持基板分離後には選択エッチング等により容易に除去することができる。
【００２２】
具体的には、化合物半導体層成長工程において、化合物半導体層を、第一主表面を含む表層部がＧａＡｓ層となるようにエピタキシャル成長し、仮支持補助層形成工程にてＧａＡｓ層の第一主表面にＡｌＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる仮支持補助層をエピタキシャル成長し、仮支持補助層除去工程において、ＡｌＩｎＰに対するエッチング活性がＧａＡｓに対するエッチング活性よりも高いエッチング液を用いて、素子基板貼り合わせ体から仮支持補助層を選択エッチングにより除去する工程を採用することができる。化合物半導体層の第一主表面を含む表層部をＧａＡｓ層とすることで、該層上にＡｌＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる仮支持補助層を容易にエピタキシャル成長することができる。また、ＡｌＩｎＰ又はＧａＩｎＰは、Ｉｎ又はＧａを主成分としたＩＩＩ族金属同士の合金からなる金属仮支持結合層からの金属成分が、化合物半導体層側へ拡散することを抑制する仮支持金属拡散抑制層としても有効に寄与する。さらに、ＡｌＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる仮支持補助層は、ＧａＡｓ層に対する選択エッチングが容易であり、仮支持基板分離後において仮支持補助層の除去を確実に行なうことができる。
【００２３】
さらに、ＧａＡｓ層はバンドギャップエネルギーが小さいこと、及びＡｌを含有しないため、仮支持補助層のエッチングに伴う酸化皮膜等の形成が進みにくいことなどから、化合物半導体層の第一主表面上に光取出側電極を形成するに際して、オーミック接触を形成しやすい利点がある。ただし、バンドギャップエネルギーが小さいことは、発光層部からの発光光束に対して吸収作用を有することも意味するから、該吸収による光取出し効率低下を抑制するため、その厚みをなるべく小さくすること、具体的には５ｎｍ以上１０ｎｍ以下に設定することが望ましい。
【００２４】
仮支持補助層を除去するためのエッチング液は、仮支持基板を分離後の仮支持補助層の第一主表面上に残留した金属仮支持結合層を仮支持補助層とともにエッチング除去できるものとしておくことが、エッチング工程の簡略化を図る上で望ましい。また、エッチング液は、ＡｌＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる仮支持補助層に対するエッチング能は十分に大きく、ＧａＡｓ層に対してはエッチング能が十分に小さいものを選定する必要がある。そのようなエッチング液としては、塩酸を好適に使用できる。換言すれば、ＧａＡｓ層をＡｌＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる仮支持補助層の下地として形成することで、塩酸のような汎用のエッチング液により仮支持補助層を容易に選択エッチングでき、ＧａＡｓ層は、そのさらに下地をなすＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をエッチングから保護するエッチストップ層として機能させることができる。
【００２５】
ＧａＡｓ層の下地をなすＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層としては次のようなものがある。
(1)電流拡散層：ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＰ及びＡｌＧａＩｎＰのいずれかにて構成できる。発光層部が、ＡｌＧａＩｎＰ（ＧａＡｓと格子整合する組成を選ぶ）のダブルへテロ構造からなる場合、特に、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＩｎＰ及びＡｌＧａＩｎＰは発光層部との間の格子整合率が高く、結晶品質の良好な電流拡散層を容易に形成できる。しかし、Ａｌを含有するため表面が酸化されやすく、電極形成時に接触抵抗が増加しやすい欠点がある。しかし、本発明のようにＧａＡｓ層を第一主表面側に形成すれば、その酸化を抑制できる利点が生ずる。また、ＧａＡｓ層をエッチストップ層として機能させることで、仮支持補助層を電流拡散層と同様に、ＡｌＩｎＰ又はＧａＩｎＰにて形成することが可能となる。
(2)ＡｌＧａＩｎＰのダブルへテロ構造からなる発光層部の一方のクラッド層。ＧａＡｓ層を、該クラッド層の酸化抑制層として同様に活用できる。
【００２６】
化合物半導体層への金属層を介した素子基板の貼り合わせは、次のようにして簡便に行なうことができる。すなわち、仮支持貼り合わせ体の状態で、化合物半導体層の第二主表面に金属層の一部となるべき第一Ａｕ系金属層を形成し、他方、素子基板の貼り合わせ面に金属層の一部となるべき第二Ａｕ系金属層を形成し、素子基板貼り合わせ工程において、第一Ａｕ系金属層と第二Ａｕ系金属層とを貼り合わせる。このようにすると、Ａｕ系金属層同士の親和力が強いために、比較的低温でも十分な貼り合わせ強度を容易に得られる利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明に係る発光素子の製造方法の実施形態を、図面を参照して説明する。図１は、本発明の適用対象となる発光素子の概念図である。該発光素子１００は、素子基板としてのシリコン単結晶よりなるシリコン基板７（本実施形態ではｎ型であるがｐ型でもよい）の第一主表面上に、金属層としてのＡｕ系金属層１０を介して発光層部２４が貼り合わされた構造を有してなる。本実施形態において各層及び基板の主表面は、図１のごとく、発光素子１００の光取出面ＰＦを上側にした状態を正置状態として、該正置状態における図面上側に表れる面を第一主表面、下側に表れる面を第二主表面として統一的に記載する。従って、工程説明の都合上、上記正置状態に対し上下を反転した転置状態にて図示を行なう場合は、該図示における第一主表面と第二主表面の上下関係も反転する。
【００２８】
発光層部２４は、ノンドープの（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦０．５５、０．４５≦ｙ≦０．５５）混晶からなる活性層５を、第一導電型クラッド層、本実施形態ではｐ型（ＡｌｚＧａ１−ｚ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただしｘ＜ｚ≦１）からなるｐ型クラッド層６と、第一導電型クラッド層とは異なる第二導電型クラッド層、本実施形態ではｎ型（ＡｌｚＧａ１−ｚ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただしｘ＜ｚ≦１）からなるｎ型クラッド層４とにより挟んだ構造を有し、活性層５の組成に応じて、発光波長を、緑色から赤色領域（発光波長（ピーク発光波長）が５５０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下）にて調整できる。
【００２９】
発光層部２４の第一主表面上には、ＡｌＧａＡｓ（ＡｌＩｎＰあるいはＧａＩｎＰでもよい）からなる電流拡散層２０が形成され、発光層部２４とともに化合物半導体層５０を構成している。電流拡散層２０の第一主表面は、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下の薄いＧａＡｓ層２２にて全面が覆われ、そのＧａＡｓ層２２の第一主表面の中央には、発光層部２４に発光駆動電圧を印加するための光取出面側電極９（例えばＡｕ電極）が形成されている。該光取出面側電極９とＧａＡｓ層２２との間には、光取出側接合合金化層としてのＡｕＢｅ接合合金化層９ａ（例えばＢｅ：２質量％）が配置されている。そして、電流拡散層２０の第一主表面における光取出面側電極９の周囲の領域が、発光層部２４からの光取出領域ＰＦを形成している。なお、光取出面側電極９の全体をＡｕＢｅ合金にて構成することも可能である。また、本実施形態では、ｐ型クラッド層６が光取出面側に位置する積層形態としているが、ｎ型クラッド層４が光取出面側に位置する積層形態としてもよい（この場合、電流拡散層２０はｎ型にする必要があり、また、接合合金化層９ａはＡｕＧｅＮｉ等で構成する）。また、ＧａＡｓ層２２の接合合金化層９ａの周囲領域をエッチング等により除去することもできる。
【００３０】
ｎ型クラッド層４及びｐクラッド層６の厚さは、例えばそれぞれ０．８μｍ以上４μｍ
以下（望ましくは０．８μｍ以上２μｍ以下）であり、活性層５の厚さは例えば０．４μｍ以上２μｍ以下（望ましくは０．４μｍ以上１μｍ以下）である。発光層部２４全体の厚さは、例えば２μｍ以上１０μｍ以下（望ましくは２μｍ以上５μｍ以下）である。さらに、電流拡散層２０の厚さは、例えば５μｍ以上２８μｍ以下（望ましくは８μｍ以上１５μｍ以下）である。従って、化合物半導体層５０の厚さは、例えば７μｍ以上３０μｍ以下（望ましくは５μｍ以上１５μｍ以下）である。電流拡散層２０の厚さが５μｍ未満では面内の電流拡散効果が低下して光取出し効率の低下を招く場合がある。他方、電流拡散層２０の厚さが２８μｍを超えると、該電流拡散層２０をエピタキシャル成長する際の熱履歴により発光層部２４の活性層５へのドーパント拡散が進み、発光効率の低下につながる場合がある。
【００３１】
他方、シリコン基板７の裏面には、その全体を覆うように裏面電極（例えばＡｕ電極である）１５が形成されている。該裏面電極１５とシリコン基板７との間には基板側接合合金化層として、ＡｕＳｂ接合合金化層１６が介挿されている。なお、ＡｕＳｂ接合合金化層１６に代えてＡｕＳｎ接合合金化層を基板側接合合金化層として用いてもよい。
【００３２】
シリコン基板７は、Ｓｉ単結晶インゴットをスライス・研磨して製造されたものであり、その厚みは例えば５０μｍ以上５００μｍ以下である。そして、発光層部２４に対し、Ａｕ系金属層１０を挟んで貼り合わされている。Ａｕ系金属層１０は、化合物半導体層５０と接する第一Ａｕ系金属層１０ａと、シリコン基板７と接する第二Ａｕ系金属層１０ｂとが貼り合わせにより一体化したものであり、見かけ上は単一のＡｕ系金属層である。これら第一Ａｕ系金属層１０ａ及び第二Ａｕ系金属層１０ｂ（ひいてはＡｕ系金属層１０）は、純ＡｕもしくはＡｕ含有率が９５質量％以上のＡｕ合金よりなる。
【００３３】
発光層部２４と第一Ａｕ系金属層１０ａとの間には、貼り合わせ側接合合金化層としてＡｕＧｅＮｉ接合合金化層３１（例えばＧｅ：１５質量％、Ｎｉ：１０質量％）が形成されており、素子の直列抵抗低減に貢献している。ＡｕＧｅＮｉ接合合金化層３１は、第一Ａｕ系金属層１０ａの第一主表面上に分散形成され、その形成面積率（第一Ａｕ系金属層１０ａの第一主表面全面積に対するＡｕＧｅＮｉ接合合金化層３１の合計面積の比率で表す）は１％以上２５％以下である。また、シリコン基板７と第二Ａｕ系金属層１０ｂとの間には、基板側接合合金化層としてＡｕＳｂ接合合金化層３２（例えばＳｂ：２質量％）が介挿されている。なお、ＡｕＳｂ接合合金化層３２に代えてＡｕＳｎ接合合金化層を用いてもよい。
【００３４】
また、本実施形態においては、該ＡｕＳｂ接合金属層３２の全面が、後述の貼り合わせ熱処理時においてシリコン基板７からのＳｉ成分がＡｕ系金属層１０へ拡散するのを防ぐ拡散阻止層（具体的にはＴｉ層である）１０ｃにより覆われている。拡散阻止層１０ｃの厚さは１ｎｍ以上１０μｍ以下（本実施形態では２００ｎｍ）である。なお、拡散阻止層はＴｉ層に代えてＮｉ層、Ｃｒ層又はＷ層にて構成してもよい。また、Ａｕ系金属層１０（第二Ａｕ系金属層１０ｂ）は、該拡散阻止層１０ｃの全面を覆う形でこれと接するように配置されている。
【００３５】
金属層をなすＡｕ系金属層１０は、本実施形態では反射層も兼ねるものとなっている。発光層部２４からの光は、光取出面ＰＦ側に直接放射される光に、Ａｕ系金属層１０による反射光が重畳される形で取り出される。Ａｕ系金属層１０の厚さは、反射効果を十分に確保するため、８０ｎｍ以上とすることが望ましい。また、厚さの上限には制限は特にないが、反射効果が飽和するため、コストとの兼ね合いにより適当に定める（例えば１μｍ以下）。なお、反射層も兼ねる金属層としてはＡｇ系層の使用も可能である。例えば、第一Ａｕ系金属層１０ａ及び第二Ａｕ系金属層１０ｂに代え、第一Ａｇ系金属層及び第二Ａｇ系金属層を形成して両者を貼り合わせることができる。この場合、貼り合わせ側接合合金化層は、ＡｇＧｅＮｉなどのＡｇ系材料にて構成することもできる。
【００３６】
以下、上記発光素子１００の製造方法の具体例について説明する。
まず、図２の工程１に示すように、ＧａＡｓ基板をなすＧａＡｓ単結晶基板１の主表面に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２を例えば０．５μｍ、ＡｌＡｓからなる剥離層３を例えば０．５μｍ、この順序にてエピタキシャル成長させる。その後、発光層部２４として、ｎ型クラッド層４（厚さ：例えば１μｍ）、ＡｌＧａＩｎＰ活性層（ノンドープ）５（厚さ：例えば０．６μｍ）、及びｐ型クラッド層６（厚さ：例えば１μｍ）を、この順序にエピタキシャル成長させる。発光層部２４の全厚は２．６μｍである。また、さらにｐ型ＡｌＧａＡｓよりなる電流拡散層２０を例えば５μｍエピタキシャル成長させる。そして、その電流拡散層２０の第一主表面の全面を覆うように、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下の薄いＧａＡｓ層２２をエピタキシャル成長し、さらに、該ＧａＡｓ層２２の第一主表面上に、ＡｌＩｎＰ又はＧａＩｎＰ（本実施形態では、ＡｌＩｎＰ）よりなる仮支持補助層２３をエピタキシャル成長する。
【００３７】
上記各層のエピタキシャル成長は、公知のＭＯＶＰＥ法により行なうことができる。Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ及びＡｓの各成分源となる原料ガスとしては以下のようなものを使用できる；
・Ａｌ源ガス；トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）など；
・Ｇａ源ガス；トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）など；
・Ｉｎ源ガス；トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、トリエチルインジウム（ＴＥＩｎ）など。
・Ｐ源ガス；ターシャルブチルホスフィン（ＴＢＰ）、ホスフィン（ＰＨ３）など。
・Ａｓ源ガス；ターシャルブチルアルシン（ＴＢＡ）、アルシン（ＡｓＨ３）など。
【００３８】
また、ドーパントガスとしては、以下のようなものを使用できる；
（ｐ型ドーパント）
・Ｍｇ源：ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）など。
・Ｚｎ源：ジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）、ジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）など。
（ｎ型ドーパント）
・Ｓｉ源：モノシランなどのシリコン水素化物など。
【００３９】
これによって、ＧａＡｓ単結晶基板１上に発光層部２４、電流拡散層２０及びＧａＡｓ層２２からなる化合物半導体層５０と、仮支持補助層２３とが形成される。該化合物半導体層５０の厚さは７．６μｍであり、ＧａＡｓ単結晶基板１を除去した場合、これを単独で無傷にハンドリングすることは事実上不可能である。
【００４０】
次に、工程２に示すように、仮支持補助層２３の第一主表面に金属仮支持結合層２５を形成する。金属仮支持結合層２５は、本実施形態では液相線温度が４０℃以上５００℃以下の、Ｇａ及びＩｎのいずれかを主成分としたＩＩＩ族金属同士の合金にて形成される。具体例としては、Ａｌを４質量％以上４５質量％以下の範囲で含有するＧａＡｌ合金（例えば、Ｇａ−９１質量％Ａｌ合金、液相線温度：１８０℃）、又はＧａを０質量％以上６５質量％以下の範囲で含有するＩｎＧａ合金（例えば、Ｉｎ−４８質量％Ｇａ合金、液相線温度：６０℃）を採用できる。これらＧａＡｌ合金又はＩｎＧａ合金は液相線温度以上に加熱して液状とし、印刷等により仮支持補助層２３の第一主表面にこれを塗布することにより形成できる。他方、Ａｌを０質量％以上４質量％以下の範囲で含有するＩｎＡｌ（例えば、Ｉｎ−９９質量％Ａｌ合金、液相線温度：４００℃）合金を使用することもできる。この合金は液相線温度がやや高く、溶融塗布により仮支持補助層２３を形成することも可能ではあるが、ＩｎはＧａよりも低沸点であり、蒸着により仮支持補助層２３を形成するほうが工程的には簡便である。
【００４１】
上記の仮支持補助層２３をなす合金は液相線温度が４０℃以上なので、層形成後に室温まで冷却すれば凝固する。そこで、工程３に示すように、再び仮支持補助層２３を液相線温度以上に加熱して溶融させ、その状態で、別途用意した仮支持基板１１０を重ね合わせて密着させ、その後冷却して該仮支持補助層２３を凝固させることにより、化合物半導体層５０と仮支持基板１１０とを仮支持補助層２３を介して貼り合わせた仮支持貼り合わせ体１２０を作製する。この時点では、化合物半導体層５０の第二主表面側には、ＧａＡｓ基板であるＧａＡｓ単結晶基板１が付随した状態となっている。
【００４２】
ＡｌＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる仮支持補助層２３は、金属仮支持結合層２５をなす上記の各合金とのぬれ性（親和性）が良好であり、接着強度を十分に確保できる。また、仮支持基板１１０の材質は、後述の合金化熱処理時においても剛性を保ち、かつ、ガス発生等が少ない材料で構成するのがよく、具体的には、シリコン基板や金属板等で構成することができる。その厚さは、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下であるが、もっと厚くてもよい。特にシリコン基板や、金属板としてのＡｌ板などは、金属仮支持結合層２５をなす上記の各合金とのぬれ性が良好であり、接着強度を確保する観点において有効である。なお、金属仮支持結合層２５は仮支持基板１１０側に形成することもできる。
【００４３】
次に、図３の工程４に示すように、仮支持貼り合わせ体１２０に付随しているＧａＡｓ基板としてのＧａＡｓ単結晶基板１を除去する。該除去は、例えば仮支持貼り合わせ体１２０（工程３参照）をＧａＡｓ単結晶基板１とともにエッチング液（例えば１０％フッ酸水溶液）に浸漬し、バッファ層２と発光層部２４との間に形成したＡｌＡｓ剥離層３を選択エッチングすることにより、該ＧａＡｓ単結晶基板１を仮支持貼り合わせ体１２０から剥離する形で実施することができる。
【００４４】
このようにして、ＧａＡｓ単結晶基板１が除去された化合物半導体層５０は、金属仮支持結合層２５を介して仮支持基板１１０と貼り合わされ、仮支持貼り合わせ体１２０を形成している。従って、化合物半導体層５０がごく薄いにもかかわらず、ＧａＡｓ単結晶基板１のエッチング除去時に泡等の衝撃で破壊される不具合を生じにくく、かつ、ＧａＡｓ単結晶基板１の除去後も仮支持貼り合わせ体１２０の形で補強されているために、以降の工程に供する際のハンドリングを容易に行なうことが可能となる。
【００４５】
次に、工程５に示すように、上記仮支持貼り合わせ体１２０の状態で、ＧａＡｓ単結晶基板１の除去により露出した化合物半導体層５０の第二主表面にＡｕＧｅＮｉ接合金属層を分散形成し、さらに該ＡｕＧｅＮｉ接合金属層をＡｕＧｅＮｉ接合合金化層３１とするための貼り合わせ側合金化熱処理を行なう。ＡｕＧｅＮｉ接合金属層の成膜は、真空雰囲気にてスパッタリングあるいは真空蒸着等により行なわれる。
【００４６】
また、合金化熱処理は、３００℃以上４５０℃以下の温度の不活性ガス雰囲気下で実施され、具体的には、Ｎ２等の不活性ガス雰囲気下で行なうことができる。ここで、仮支持基板１１０を貼り合わせている金属仮支持結合層２５は、上記温度範囲では溶融はするものの蒸気圧は十分に低いので、金属仮支持結合層２５の急激な気化により化合物半導体層５０が破損する不具合を効果的に防止できる。また、化合物半導体層５０との間には、ＡｌＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる仮支持補助層２３が形成されているが、該仮支持補助層２３は、金属仮支持結合層２５からの金属成分が化合物半導体層５０側へ拡散することを防止する仮支持金属拡散防止層の役割も果たしている。なお、合金化熱処理中においては滑り防止のため、仮支持貼り合わせ体１２０を、化合物半導体層５０側を上側、仮支持基板１１０側を下側となるように（つまり、図３の工程５とは上下反対の状態）水平配置し、さらに、セラミック基板やシリコン基板などの荷重付与体を載置することが望ましい。
【００４７】
また、シリコン基板７を別途用意し、その両主表面にＡｕＳｂ接合金属層を形成して、さらに２５０℃以上３６０℃以下の温度域で合金化熱処理を行なうことにより、それぞれＡｕＳｂ接合合金化層３２，１６とする。このうち、ＡｕＳｂ接合合金化層３２上には、続く素子基板貼り合わせ工程においてシリコン基板７の成分が第二Ａｕ系金属層１０ｂへ拡散するのを阻止する拡散阻止層１０ｃを形成しておく。他方、ＡｕＳｂ接合合金化層１６上には裏面電極１５を形成する。
【００４８】
次に、素子基板貼り合わせ工程を行なう。具体的には、図３の工程６に示すように、仮支持貼り合わせ体１２０の状態で、化合物半導体層５０の第二主表面に第一Ａｕ系金属層１０ａを形成し、他方、素子基板７の第一主表面側に第二Ａｕ系金属層１０ｂを形成する。そして、図４の工程７に示すように、化合物半導体層５０側に形成された第一Ａｕ系金属層１０ａを、シリコン基板７側に形成された第二Ａｕ系金属層１０ｂに重ね合わせて圧迫し、１８０℃以上３６０℃以下（前述の合金化熱処理よりも低温とする）、例えば２５０℃にて貼り合わせ熱処理する。これにより、第一Ａｕ系金属層１０ａと第二Ａｕ系金属層１０ｂとが十分な強度にて貼り合わされ、Ａｕ系金属層１０となる。また、化合物半導体層５０とシリコン基板７とは、Ａｕ系金属層１０を介して貼り合わされ、貼り合わせ結合体１３０となる。
【００４９】
第一Ａｕ系金属層１０ａ及び第二Ａｕ系金属層１０ｂとは、いずれも酸化しにくいＡｕを主体に構成されているので、上記貼り合わせ熱処理は、例えば酸素含有雰囲気中でも問題なく行なうことができる。また、この段階で既に、貼り合わせ側である化合物半導体層５０の第二主表面に形成された接合合金化層３１の合金化熱処理が既に終わっており、貼り合わせ熱処理がそれよりも低温で実施されることにより、接合合金化層３１からの合金成分がＡｕ系金属層１０からなる反射面の面内に拡散することが効果的に抑制され、ひいてはより反射率の高い反射面を得ることができる。さらに、ここでも、金属仮支持結合層２５からの金属成分の蒸発や拡散等はほとんど生じないから、化合物半導体層５０が汚染される心配がない。
【００５０】
貼り合わせ熱処理が完了したら仮支持基板分離工程を行なう。仮支持基板分離工程は、工程７に示す金属仮支持結合層２５を加熱・溶融させて仮支持基板１１０を分離・除去することにより、工程８の状態とする。なお、この分離は、工程７の貼り合わせ熱処理の際に同時に行なうことも可能である。その後、化合物半導体層５０の第一主表面上に残存している金属仮支持結合層２５を仮支持補助層２３をなすＡｌＧａＡｓ、ＡｌＩｎＰあるいはＧａＩｎＰとともに、塩酸からなるエッチング液によりエッチング除去する。
【００５１】
工程９に示すように、仮支持補助層２３の除去により露出した化合物半導体層５０の第一主表面、すなわち、ＧａＡｓ層２２の第一主表面には、その一部を覆う形でＡｕＢｅよりなる光取出側接合金属層を形成し、さらに、３００℃以上３６０℃以下の温度で合金化熱処理を行なうことにより、ＡｕＢｅ接合合金化層（光取出側接合合金化層）９ａとする。そして、そのＡｕＢｅ接合合金化層９ａを覆うようにＡｕ等からなる光取出側電極９を形成する。
【００５２】
なお、上記の工程において、光取出側接合合金化層９ａを形成後、その周囲に露出しているＧａＡｓ層２２をエッチングにより除去すれば、ＧａＡｓ層２２での光吸収が全く生じなくなるので、光取出し効率を高めることができる。なお、ＧａＡｓ層２２の選択エッチングはアンモニア−過酸化水素水溶液からなるエッチング液を用いて行なうことができる。または、アンモニア−過酸化水素水溶液よりエッチレートの遅い硫酸−過酸化水素水溶液からなるエッチング液を用いることがより好ましい。このとき、光取出側接合合金化層９ａをエッチングマスクとして活用することができる。
【００５３】
以上においては、理解を容易にする便宜上、貼り合わせ結合体１３０を作る工程を素子単体の積層形態にて図示しつつ説明していたが、実際は、複数の素子チップがマトリックス状に配列した形で一括形成された貼り合わせウェーハが作製される。そして、この貼り合わせウェーハを通常の方法によりダイシングして素子チップとし、これを支持体に固着してリード線のワイヤボンディング等を行った後、樹脂封止をすることにより最終的な発光素子が得られる。
【００５４】
なお、図５に示すように、Ａｕ系金属層１０（第一Ａｕ系金属層１０ａ＋第二Ａｕ系金属層１０ｂ）を専ら貼り合わせに用い、Ａｕ系金属層１０とは別の反射用金属層１０ｒを、Ａｕ系金属層１０と化合物半導体層５０との間に設けることもできる。このような反射用金属層１０ｒとしては、Ａｇを主成分とするＡｇ系反射層や、Ａｌを主成分とするＡｌ系反射層を用いることができる。この場合、貼り合わせ側接合合金化層は、Ａｇ系反射層の場合はＡｇＧｅＮｉなどのＡｇ系材料にて、また、Ａｌ系反射層の場合はＡｌＧｅＮｉなどのＡｌ系材料にて構成することもできる。製造工程は略同じであるが、接合合金化層３１を反射用金属層１０ｒで覆った後、さらに第一Ａｕ系金属層１０ａで覆う点が相違する。
【００５５】
また、発光層部２４は、活性層及びクラッド層が、ＩｎＡｌＧａＮあるいはＭｇＺｎＯにて構成されたダブルへテロ構造を有するものとして構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の適用対象となる発光素子の一例を示す模式図。
【図２】本発明の発光素子の製造方法の一例を示す工程説明図。
【図３】図２に続く工程説明図。
【図４】図３に続く工程説明図。
【図５】本発明の適用対象となる発光素子の別例を示す模式図。
【符号の説明】
【００５７】
１    ＧａＡｓ単結晶基板（ＧａＡｓ基板）
７  シリコン基板（素子基板）
９  光取出側電極
９ａ  ＡｕＢｅ接合合金化層（光取出側接合合金化層）
１０  Ａｕ系金属層（金属層）
１０ａ  第一Ａｕ系金属層
１０ｂ  第二Ａｕ系金属層
２０  電流拡散層
２２  ＧａＡｓ層
２３  仮支持補助層
２４  発光層部
２５  金属仮支持結合層
３１  ＡｕＧｅＮｉ接合合金化層（貼り合わせ側接合合金化層）
５０  化合物半導体層
１００  発光素子
１１０  仮支持基板
１２０  仮支持貼り合わせ体
１３０  貼り合わせ結合体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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