(57)【要約】【課題】  本発明はシールドケースが電子部品を覆ってセラミック多層基板上に半田付けされて固定された構成の高周波モジュールに関し、リフロー実装時にシールドケースがセラミック多層基板に対してずれることが起きないようにすることを、他の問題を発生させることなく実現することを目的とする。【解決手段】  シールドケース５０は、電子部品４０を覆った状態で、張り出し側板部５２−５の外側面がグランド端子３６と半田使用接合部６０によって、張り出し側板部５２−８の外側面がグランド端子３７と半田使用接合部６１によって、張り出し側板部５２−６の外側面がコーナ部３３と硬化済みエポキシ樹脂使用接合部６３によって、張り出し側板部５２−７の外側面がコーナ部３５と硬化済みエポキシ樹脂使用接合部６４によって夫々接合し、セラミック多層基板３１の上面に固定してある。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の上面に実装してある電子部品と、該基板に固定してあり該電子部品を覆うシールドケースとよりなり、回路基板上に実装される高周波モジュールにおいて、
半田を使用して該シールドケースを該基板に固定した半田使用接合部と合成樹脂を使用して該シールドケースを該基板に固定した合成樹脂使用接合部との両方を有する構成としたことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
請求項１記載の高周波モジュールにおいて、
上記合成樹脂使用接合部は、硬化温度が半田の溶融温度よりも低い熱硬化性合成樹脂を使用しており、熱硬化されている構成としたことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項３】
請求項１記載の高周波モジュールにおいて、
上記シールドケースは、平面図上略四角形状であり、一の対角線上のコーナ部を半田使用接合部によって固定してあり、別の対角線上のコーナ部を合成樹脂使用接合部によって固定してある構成としたことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項４】
請求項１記載の高周波モジュールにおいて、
上記シールドケースは、平面図上略四角形状であり、且つ、天板部のうち各コーナに切欠部を有する構成であり、
上記シールドケースは、各コーナ部のうち、外側を半田使用接合部又は合成樹脂使用接合部のうち何れか一方によって固定してあり、内側を他方によって固定してある構成としたことを特徴とする高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波モジュール係り、特に、上面を覆うシールドケースを有する高周波モジュールであって通信装置の親回路基板上にリフロー実装される高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
図７（Ａ），（Ｂ）は従来の一例の高周波モジュール１０を示す。シールドケース１１は、電子部品１２を覆うようにセラミック多層基板１３の上面に配置され、４つ全部のコーナ部を半田付けされて固定してある。１４は半田使用接合部である。尚、シールドケース１１は、上記半田によってセラミック多層基板１３のコーナ部に形成されたグランド端子１５と接続され接地される。
【０００３】
図８（Ａ），（Ｂ）は従来の別の例の高周波モジュール２０を示す。セラミック多層基板２１はその側面に切欠部２２を有し、シールドケース２５は突部２６を有し、シールドケース２５は突部２６が切欠部２２に嵌合した状態でする形状とし、突部２６を半田付けされて固定してある構成である。２７は半田使用接合部である。
【特許文献１】特開２００２−１８５３３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図７の高周波モジュール１０は、これを親回路基板上にリフロー実装するときに、半田接合部１４の半田が熱でもって溶けて、シールドケース１１の位置がセラミック多層基板１２上でずれてしまう危険があった。ここで、高周波モジュール１０が小型化が進んでいることもあって、シールドケース１１の位置がずれると、シールドケース１１の一部がセラミック多層基板１２の縁から外に外れたり、シールドケース１１の内面が電子部品と接触し短絡してしまう等の問題が発生する。
【０００５】
図８の高周波モジュール２０では、親回路基板上にリフロー実装するときのシールドケースの位置ずれの問題は起きないけれども、硬くて脆いセラミック多層基板２１の側面に切欠部２２を加工形成することが難しく、また切欠部２２によってセラミック多層基板２１上の電子部品を搭載することができる領域が減らされてしまうという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、上記課題を解決した高周波モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで、上記課題を解決するため、本発明は、基板と、該基板の上面に実装してある電子部品と、該基板に固定してあり該電子部品を覆うシールドケースとよりなり、回路基板上に実装される高周波モジュールにおいて、半田を使用して該シールドケースを該基板に固定した半田使用接合部と合成樹脂を使用して該シールドケースを該基板に固定した合成樹脂使用接合部との両方を有する構成としたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
上述の如く、本発明によれば、半田を使用してシールドケースを基板に固定した半田使用接合部と合成樹脂を使用してシールドケースを基板に固定した合成樹脂使用接合部との両方を有するため、高周波モジュールを親回路基板上にリフロー実装するときに、半田接合部の半田が熱でもって溶けた場合であっても、合成樹脂使用接合部によってシールドケースは基板に固定され続け、シールドケースの位置がずれてしまうことが起きない。また、基板には切欠部が形成されていないため、基板がセラミック多層基板であっても製造が容易であり、且つ、基板上の電子部品を搭載することができる領域が減らされてしまうことも起きない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
次に本発明の実施の形態について説明する。
【００１０】
図１（Ａ），（Ｂ）は本発明の実施例１になる高周波モジュール３０を示す。セラミック多層基板３１は略正方形であり、四つのコーナ部３２〜３５を有し、一つの対角線上の二つのコーナ部３２，３４の上面には、グランド端子３６，３７が形成されている。なお、残りのコーナ部３３，３５にもグランド端子を形成してもよい。また、セラミック多層基板３１の上面には、複数の電子部品４０が表面実装してある。
【００１１】
シールドケース５０は、金属板製であり、セラミック多層基板３１とほぼ同じサイズであり、正方形の各コーナ部がカットして除去された蓋形状であり、天板部５１と、長い側板部５２−１〜５２−４と、短い張り出し側板部５２−５〜５２−８よりなる。張り出し側板部５２−５、５２−６は側板部５２−１から張り出した部分であり、張り出し側板部５２−７、５２−８は側板部５２−２から張り出した部分である。
【００１２】
シールドケース５０は、電子部品４０を覆った状態で、張り出し側板部５２−５の外側面がグランド端子３６と半田使用接合部６０によって、張り出し側板部５２−８の外側面がグランド端子３７と半田使用接合部６１によって、張り出し側板部５２−６の外側面がコーナ部３３と硬化済みエポキシ樹脂使用接合部６３によって、張り出し側板部５２−７の外側面がコーナ部３５と硬化済みエポキシ樹脂使用接合部６４によって夫々接合し、周囲の四箇所をセラミック多層基板３１の上面に固定してある。
【００１３】
図２は半田使用接合部６０及び硬化済みエポキシ樹脂使用接合部６３の部分を拡大して示す。シールドケース５０は半田使用接合部６０、６１によってグランド端子３６，３７と電気的に接続してあり、高周波モジュール３０が通信装置の親回路基板上にリフロー実装された状態で、シールドケース５０は電磁シールドの機能を正常に果たす。
【００１４】
シールドケース５０をセラミック多層基板３１の上面に固定する作業は、図３（Ａ）に示すように、以下の手順で行う。
【００１５】
先ず、搭載工程８０を行う。図３（Ｂ）に示すように、シールドケース５０を電子部品４０が表面実装してあるセラミック多層基板３１上に載せて位置を合わせる。このときに、張り出し側板部５２−５〜５２−８のうちの特定の張り出し側板部をセラミック多層基板３１の特定のコーナ部に合わせる位置合わせは必要ではない。張り出し側板部５２−５〜５２−８が夫々コーナ部３２，３３，３５，３４に位置していると仮定する。
【００１６】
次いで、半田付け工程８１を行う。図３（Ｃ）に示すように、張り出し側板部５２−５とグランド端子３６とを半田で接合して半田使用接合部６０を形成し、且つ、張り出し側板部５２−８とグランド端子３７とを半田で接合して半田使用接合部６１を形成して、シールドケース５０を一つの対角線上の二つの張り出し側板部の個所でセラミック多層基板３１と接合された状態とする。
【００１７】
次いで、エポキシ樹脂付着工程８２を行う。例えばディスペンサを使用してエポキシ樹脂を供給し、図３（Ｄ）に示すように、エポキシ樹脂を張り出し側板部５２−６とコーナ部３３とに跨るように付着させてエポキシ樹脂使用接合部９０を形成し、且つ、エポキシ樹脂を張り出し側板部５２−７とコーナ部３５とに跨るように付着させてエポキシ樹脂使用接合部９１を形成する。使用するエポキシ樹脂は、塗布の作業性等を考慮して５０，０００ｃｐｓ程度の粘度が適当であり、エポキシ樹脂の熱硬化温度は、半田使用接合部の接合状態を妨げないように半田の溶融温度より低い約１００℃に設定している。
【００１８】
最後に、熱硬化工程８３を行う。高周波モジュールを加熱炉に入れて、約１００℃に所定時間加熱してエポキシ樹脂を熱硬化させ、図３（Ｅ）に示すように、エポキシ樹脂使用接合部９０，９１を硬化済みエポキシ樹脂使用接合部６３，６４とする。熱硬化工程８３において上述の通り半田は溶融せず、半田使用接合部６０、６１はくずれない。
【００１９】
上記構造の高周波モジュール３０は通信装置の親回路基板上にリフロー実装されて使用される。このリフロー実装の過程で受ける熱によって、半田使用接合部６０、６１の半田が一旦溶融したとしても、シールドケース５０は硬化済みエポキシ樹脂使用接合部６３，６４によってセラミック多層基板３１に固定され続け、ずれることは起きない。なお、リフロー炉を出ると、半田使用接合部６０、６１の半田が再度硬化し接続は保たれ、問題は起きない。
【００２０】
図４（Ａ），（Ｂ）及び図５は本発明の実施例２になる高周波モジュール３０Ａを示す。
【００２１】
セラミック多層基板３１Ａは全部のコーナ部３２〜３５にグランド端子３６〜３９が形成してある。シールドケース５０Ａは、天板部５１の各コーナに切欠き部５５−１〜５５−４を有する。切欠き部５５−１〜５５−４はディスペンサの先端を挿入し易いようにするために形成してある。
【００２２】
シールドケース５０Ａは、張り出し側板部５２−５〜５２−８の外側面を半田使用接合部６２−１〜６２−４によって、張り出し側板部５２−５〜５２−８の内側面を硬化済みエポキシ樹脂使用接合部６５−１〜６５−４によって夫々接合し、セラミック多層基板３１Ａ上に固定され、各張り出し側板部５２−５〜５２−８を挟んで半田使用接合部と硬化済みエポキシ樹脂使用接合部とが対向している。
【００２３】
高周波モジュール３０Ａは、四つ全てのコーナ部に硬化済みエポキシ樹脂使用接合部を設けているため、リフロー時に半田使用接合部の半田が溶解した場合でもシールドケース５０Ａのずれを確実に防止できる。
【００２４】
図６は本発明の実施例３になる高周波モジュール３０Ｂを示す。シールドケース５０Ａは、上記とは逆に、張り出し側板部５２−５〜５２−８の外側面を硬化済みエポキシ樹脂使用接合部６５Ａ−１〜６５Ａ−４によって、張り出し側板部５２−５〜５２−８の内側面を半田使用接合部６２Ａ−１〜６２Ａ−４によって夫々接合し、セラミック多層基板３１Ｂ上に固定してある。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施例１になる高周波モジュールを示す斜視図である。
【図２】図１中、シールドケースのセラミック多層基板への固定部分を示す図である。
【図３】シールドケースをセラミック多層基板へ固定する手順を説明する図である。
【図４】本発明の実施例２になる高周波モジュールを示す斜視図である。
【図５】図４の高周波モジュールの平面図である。
【図６】本発明の実施例３になる高周波モジュールの平面図である。
【図７】従来の１例の高周波モジュールを示す斜視図である。
【図８】従来の別の例の高周波モジュールを示す斜視図である。
【符号の説明】
【００２６】
３０、３０Ａ  高周波モジュール
３１  セラミック多層基板
３２〜３５  コーナ部
３６，３７  グランド端子
４０  電子部品
５０、５０Ａ  シールドケース
５１  天板部
５２−１〜５２−４  側板部
５２−５〜５２−８  短い張り出し側板部
５５−１〜５５−４  切欠き部
６０，６１、６２−１〜６２−４、６２Ａ−１〜６２Ａ−４  半田使用接合部
６３，６４、６５−１〜６５−４、６５Ａ−１〜６５Ａ−４  硬化済みエポキシ樹脂使用接合部
９０，９１  エポキシ樹脂使用接合部
【図１】
2005101089.tif 000003
【図２】
2005101089.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005101089.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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