(57)【要約】【課題】発光特性、素子駆動耐久性、及び保存安定性が良好な有機電界発光素子の提供すること。【解決手段】一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子に、下記一般式（１）で表される化合物、下記一般式（２）で表される化合物、及び下記一般式（３）で表される化合物から選ばれる少なくとも一種を含ませる。【化１】2005310672.tif 000018【化２】2005310672.tif 000019【化３】2005310672.tif 000020
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって一般式（１）で表される化合物を少なくとも一種含む有機電界発光素子。
【化１】
2005310672.tif 000015
（式中、Ar11は互いに同じでも異なっていても良いアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ar12はオルトフェニレン基、メタフェニレン基、ビフェニレン基、ベンゼン環が３環以上６環以下連結した基、２環以上６環以下の芳香環が縮環した縮合環のアリーレン基、あるいはヘテロアリーレン基を表す。Ar12はアリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。R11、R12、R13は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。ただし、一般式（１）で表される化合物のうち、diphenyl di(o-tolyl)silane及び (p-bis(triphenylsilyly)benzeneは除く。)
【請求項２】
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって一般式（２）で表される化合物を少なくとも一種含む有機電界発光素子。
【化２】
2005310672.tif 000016
（式中、Ar21は互いに同じでも異なっていても良いアリール基あるいはヘテロアリール基を表し、Ar21上にさらにシリル基が置換することはない。Ar22は互いに同じでも異なっていても良いアリーレン基あるいはへテロアリーレン基を表す。Ar22は前記アリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。R21、R22、R23は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表し、ｍは１もしくは２を表す。）
【請求項３】
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、一般式（３）で表される化合物を少なくとも一種含む有機電界発光素子。
【化３】
2005310672.tif 000017
（式中Ar32は互いに同じでも異なっていても良いアリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、あるいはチオフェン構造を含む基を表す。Ar32は前記アリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、チオフェン構造を含む基が互いに連結したものであっても良い。R31、R32、R33は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。）
【請求項４】
発光層に一般式（１）、一般式（２）、及び一般式（３）で表される化合物の少なくとも一種を含み、かつ発光材料を少なくとも一種含む請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
発光材料がりん光発光材料である請求項４に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
発光層中に、さらに正孔注入輸送化合物を含む請求項４又は５に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
発光層中に、さらに電子注入輸送化合物を含む請求項４又は５に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記電子注入輸送化合物が、金属錯体、又は窒素原子を少なくとも２つ含むヘテロ環化合物である請求項７に記載の有機電解発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。
【０００３】
発光材料とホスト材料とを含有する発光層を少なくとも有し、発光極大波長が５００ｎｍ以下であり、且つ前記ホスト材料の最低励起三重項エネルギー準位が前記発光材料の最低励起三重項エネルギー準位よりも高い発光素子が報告されている（特許文献１）。ホスト材料として、段落番号０１３３に記載のＣ−１５が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−１００４７６号公報
【０００４】
非特許文献２には、青色発光素子の発光層に用いるホスト材料としてUGH1(diphenyl di(o-tolyl)silane)及びUGH2(p-bis(triphenylsilyly)benzene)なるケイ素原子を含有する化合物が開示されている。しかし該文献において開示されている化合物はUGH１及びUGH２のみであり、その他の化合物についての記述はない。
【０００５】
【化１】
2005310672.tif 000002
【０００６】
さらに、上記UGH１及びUGH２のいずれも結晶性が高いため、これを素子中に用いた場合、素子の駆動に伴う発熱、あるいは長期の保存によって結晶化が起こりやすいことが予期される。
【非特許文献２】Applied Physics Letters, ８３，３８１８（２００３）．
【０００７】
有機EL素子において現在最も重要な技術課題の一つが素子耐久性の向上である。特に上記りん光発光を利用した素子においては駆動耐久性、保存安定性を改良することが求められていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、発光特性、素子駆動耐久性、及び保存安定性が良好な有機電界発光素子の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題は下記方法によって解決された。
＜１＞  一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって一般式（１）で表される化合物を少なくとも一種含む有機電界発光素子。
【００１０】
【化２】
2005310672.tif 000003
【００１１】
（式中、Ar11は互いに同じでも異なっていても良いアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ar12はオルトフェニレン基、メタフェニレン基、ビフェニレン基、ベンゼン環が３環以上６環以下連結した基、２環以上６環以下の芳香環が縮環した縮合環のアリーレン基、あるいはヘテロアリーレン基を表す。Ar12はアリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。R11、R12、R13は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。ただし、一般式（１）で表される化合物のうち、diphenyl di(o-tolyl)silane及び (p-bis(triphenylsilyly)benzeneは除く。）
【００１２】
＜２＞  一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって一般式（２）で表される化合物を少なくとも一種含む有機電界発光素子。
【００１３】
【化３】
2005310672.tif 000004
【００１４】
（式中、Ar21は互いに同じでも異なっていても良いアリール基あるいはヘテロアリール基を表し、Ar21上にさらにシリル基が置換することはない。Ar22は互いに同じでも異なっていても良いアリーレン基あるいはへテロアリーレン基を表す。Ar22は前記アリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。R21、R22、R23は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表し、ｍは１もしくは２を表す。）
【００１５】
＜３＞  一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、一般式（３）で表される化合物を少なくとも一種含む有機電界発光素子。
【００１６】
【化４】
2005310672.tif 000005
【００１７】
（式中Ar32は互いに同じでも異なっていても良いアリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、あるいはチオフェン構造を含む基を表す。Ar32は前記アリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、チオフェン構造を含む基が互いに連結したものであっても良い。R31、R32、R33は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。）
【００１８】
＜４＞  発光層に一般式（１）、一般式（２）、及び一般式（３）で表される化合物の少なくとも一種を含み、かつ発光材料を少なくとも一種含む＜１＞〜＜３＞のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【００１９】
＜５＞  発光材料がりん光発光材料である＜４＞に記載の有機電界発光素子。
【００２０】
＜６＞  発光層中に、さらに正孔注入輸送化合物を含む＜４＞又は＜５＞に記載の有機電界発光素子。
【００２１】
＜７＞  発光層中に、さらに電子注入輸送化合物を含む＜４＞又は＜５＞に記載の有機電界発光素子。
【００２２】
＜８＞  前記電子注入輸送化合物が、金属錯体、又は窒素原子を少なくとも２つ含むヘテロ環化合物である＜７＞に記載の有機電解発光素子。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の発光素子は発光特性、素子駆動耐久性、及び保存安定性に優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の有機電界発光素子は一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子（以下、単に「発光素子」とも称することがある）であって、一般式（１）で表される化合物、一般式（２）で表される化合物、及び一般式（３）で表される化合物から選ばれる少なくとも一種を含む。即ち、本発明の有機電界発光素子は、当該化合物を発光層又は発光層を含む少なくとも一層の有機層に単独又は複数種含有する。
【００２５】
一般式（１）について詳細に説明する。一般式（１）中、Ar11は互いに同じでも異なっていても良いアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ar12はオルトフェニレン基、メタフェニレン基、ビフェニレン基、ベンゼン環が３環以上６環以下連結した基、２環以上６環以下の芳香環が縮環した縮合環のアリーレン基、あるいはヘテロアリーレン基を表す。R11、R12、R13は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。ただし、一般式（１）で表される化合物のうちUGH1(diphenyl di(o-tolyl)silane)及びUGH2(p-bis(triphenylsilyly)benzene)は除かれる。
【００２６】
Ar11は互いに同じでも異なっていても良いアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。
【００２７】
Ar11で表されるアリール基は単環または２環以上の環が縮環した縮合環のアリール基であり、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリール基である。Ar11で表されるアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナントリル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などが挙げられ、これらのうち好ましくはフェニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基であり、より好ましくはフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基であり、さらに好ましくはフェニル基である。
【００２８】
Ar11で表されるヘテロアリール基は単環または2環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは２〜１２さらに好ましくは２〜１０のヘテロアリール基である。Ar11で表されるヘテロアリール基の具体例としては例えばピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基等が挙げられ、好ましくはピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、フリル基、チエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基であり、より好ましくはピリジル基、トリアジニル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基であり、さらに好ましくはピリジル基である。
【００２９】
Ar11で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基は置換基を有していても良く、置換基としては以下の置換基群Ａから選ぶことが可能であるが、好ましくはAr11上にさらにシリル基が置換することはない。
【００３０】
（置換基群Ａ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロアリールオキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、
【００３１】
アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、
【００３２】
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロアリールチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）。
【００３３】
Ar11で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基が有しても良い置換基としてはアルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０）、アリール基、あるいはヘテロアリール基が好ましく、アリール基、ヘテロアリール基がより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピリジル基がさらに好ましく、フェニル基、ピリジル基が最も好ましい。
【００３４】
Ar12はオルトフェニレン基、メタフェニレン基、ビフェニレン基、ベンゼン環が３環以上６環以下連結した基、２環以上６環以下の芳香環が縮環した縮合環のアリーレン基、あるいはヘテロアリーレン基を表す。
【００３５】
Ar12で表される２環以上６環以下の環が縮環した縮合環のアリーレン基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリーレン基であり、例えばナフチレン基、アンスリレン基、フェナントレニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基、ルブレニレン基、クリセニレン基、トリフェニレニレン基、ベンゾアンスリレン基、ベンゾフェナントレニレン基、ジフェニルアンスリレン基などが挙げられる。
【００３６】
Ar12で表されるヘテロアリーレン基としては単環または2環以上６環以下の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは２〜１２さらに好ましくは２〜１０のヘテロアリール基であり、例えばピリジレン基、キノリレン基、イソキノリレン基、アクリジニレン基、フェナントリジニレン基、ピラジニレン基、キノキサリニレン基、ピリミジニレン基、トリアジレン基、イミダゾリレン基、ピラゾリレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、フリレン基、チエニレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基等が挙げられる。
【００３７】
Ar12はアリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。
【００３８】
Ar12として好ましくはオルトフェニレン基、メタフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ピリジレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、チエニレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基であり、より好ましくはオルトフェニレン基、メタフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、ピリジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、チエニレン基、カルバゾリレン基であり、さらに好ましくはメタフェニレン基、ビフェニレン基、ピリジレン基、オキサジアゾリレン基であり、最も好ましくはメタフェニレン基、ビフェニレン基である。
【００３９】
Ar12で表されるアリーレン基あるいはヘテロアリーレン基は置換基を有していても良く、置換基としてはアルキル基を含め前記置換基群Aから選ぶことが可能である。Ar12で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基が有しても良い置換基としてはアルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０）、アリール基、あるいはヘテロアリール基が好ましく、アリール基、ヘテロアリール基がより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、ピリジル基がさらに好ましく、フェニル基、ピリジル基が最も好ましい。
【００４０】
R11、R12、R13は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。
【００４１】
R11、R12、R13で表されるアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、特に好ましくは炭素数１〜４のアルキル基である。R11、R12、R13として好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、ｔ−ブチル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、t-ブチル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
【００４２】
R11、R12、R13で表されるアリール基としては前記Ar11で挙げた例が挙げられ、好ましい範囲も同じである。
【００４３】
R11、R12、R13で表されるヘテロアリール基としては前記Ar11で挙げた例が挙げられ、好ましい範囲も同じである。
【００４４】
R11、R12、R13として最も好ましくはフェニル基である。
【００４５】
R11、R12、R13で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は、置換基を有しても良く、置換基としては上記置換基群Ａから選ぶことが可能であるが、R11、R12、R13上にさらにシリル基が置換することはない。
【００４６】
次に一般式（２）ついて説明する。一般式（２）においてAr21は互いに同じでも異なっていても良いアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。
【００４７】
Ar21で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基は前記Ar11で説明したアリール基、ヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００４８】
Ar21で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基は置換基を有していても良く、例えば前記置換基群Ａから選ぶことが可能であるが、Ar21上にさらにシリル基が置換することはない。Ar21で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基が有しても良い置換基としてはアルキル基、アリール基、あるいはヘテロアリール基が好ましく、アリール基、ヘテロアリール基がより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピリジル基がさらに好ましく、フェニル基、ピリジル基が最も好ましい。
【００４９】
Ar22は互いに同じでも異なっていても良いアリーレン基あるいはへテロアリーレン基を表す。
【００５０】
Ar22で表されるアリーレン基としては単環または２環以上の環が縮環した縮合環のアリール基であり、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリーレン基である。Ar22で表されるアリーレン基の具体例としては例えばフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、フェナントレニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基、ルブレニレン基、クリセニレン基、トリフェニレニレン基、ベンゾアンスリレン基、ベンゾフェナントレニレン基、ジフェニルアンスリレン基などが挙げられる。
【００５１】
Ar22で表されるヘテロアリーレン基は単環または2環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリーレン基であり、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは２〜１２さらに好ましくは２〜１０のヘテロアリーレン基である。Ar22で表されるヘテロアリーレン基の具体例としては例えば前記Ar12で挙げたヘテロアリーレン基の例として挙げたものが挙げられる。
【００５２】
Ar22は前記アリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。
【００５３】
Ar22として好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ピリジレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、チエニレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基であり、より好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、ピリジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、チエニレン基、カルバゾリレン基であり、さらに好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ピリジレン基であり、最も好ましくはパラフェニレン基である。
【００５４】
Ar22で表されるアリーレン基あるいはへテロアリーレン基は置換基を有していても良く、Ar22が有しても良い置換基の具体例及び好ましい例は前記Ar12が有しても良い置換基と同じである。
【００５５】
R21、R22、R23は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。
【００５６】
R21、R22、R23で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は具体例、好ましい範囲ともに前記R11、R12、R13で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基と同じである。
【００５７】
ｍは１もしくは２を表し、２がより好ましい。
【００５８】
次に一般式（３）について説明する。一般式（３）中、Ar32はアリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、あるいはチオフェン構造を含む基を表す。R31、R32、R33は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。
【００５９】
Ar32はアリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、あるいはチオフェン構造を含む基を表す。
【００６０】
Ar32で表されるアリーレン基は前記Ar22で表されるアリーレン基と同義であり、具体例も同じである。
【００６１】
Ar32で表されるアゾール構造を含む基は例えばオキサゾリレン基、チアゾリレン基、イミダゾリレン基、ピラゾリレン基、オキサジアゾリレン基、チアジアゾリレン基、トリアゾリレン基、ピロリレン基、インドリレン基、イミダゾピリジレン基、カルバゾリレン基が挙げられる。
【００６２】
Ar32で表されるヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基は例えばピラジレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基が挙げられる。
【００６３】
Ar32で表されるフラン構造を含む基は例えばベンゾフラン構造を含む基、ジベンゾフラン構造を含む基などが挙げられる。
【００６４】
Ar32で表されるチオフェン構造を含む基は例えばベンゾチオフェン構造を含む基、ジベンゾチオフェン構造を含む基、ビチオフェン構造を含む基などが挙げられる。
【００６５】
Ar32は前記アリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、チオフェン構造を含む基が互いに連結したものであっても良い。
【００６６】
Ar32として好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基であり、より好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、カルバゾリレン基であり、さらに好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基であり、最も好ましくはパラフェニレン基である。
【００６７】
Ar32で表される基は置換基を有しても良く、Ar32が有しても良い置換基の具体例及び好ましい例は前記Ar12が有しても良い置換基と同じである。
【００６８】
R31、R32、R33は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。
【００６９】
R31、R32、R33で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は具体例、好ましい範囲ともに前記R11、R12、R13で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基と同じである。
【００７０】
一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）で表される化合物は低分子化合物であっても良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物（重量平均分子量（ポリスチレン換算）は好ましくは１０００〜５００００００、より好ましくは２０００〜１００００００、さらに好ましくは３０００〜１０００００である。）であっても良い。ポリマー化合物の場合、一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）で表される構造がポリマー主鎖中に含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、ホモポリマー化合物であっても良く、共重合体であっても良い。本発明の化合物は低分子化合物が好ましい。
【００７１】
一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）の化合物例を示すが本発明はこれらに限定されない。
【００７２】
【化５】
2005310672.tif 000006
【００７３】
【化６】
2005310672.tif 000007
【００７４】
【化７】
2005310672.tif 000008
【００７５】
【化８】
2005310672.tif 000009
【００７６】
【化９】
2005310672.tif 000010
【００７７】
本発明の発光素子について説明する。本発明の発光素子はりん光発光を利用するものであることが好ましい。りん光材料としては特に限定しないが、遷移金属錯体が好ましい。遷移金属錯体の中心金属としては特に限定されないが、イリジウム、白金、レニウム、ルテニウムが好ましく、イリジウム、白金がより好ましく、イリジウムが更に好ましい。
【００７８】
遷移金属錯体としては、オルトメタル化錯体が好ましい。オルトメタル化錯体（orthometalated Complexes）とは、例えば下記非特許文献３及び４等に記載されている化合物群の総称である。
非特許文献３：「有機金属化学−基礎と応用−」ｐ１５０，２３２ 裳華房社 山本明夫著 １９８２年発行
非特許文献４：「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 p71-p77,p135-p146 Springer-Verlag社 H.Yersin著１９８７年発行
【００７９】
本発明に用いられるりん光材料は、２０℃でのりん光量子収率が ７０％以上の材料が好ましく、２０℃でのりん光量子収率８０％以上材料がより好ましく、２０℃でのりん光量子収率８５％以上の材料がさらに好ましい。
【００８０】
本発明の発光素子は陰極と発光層の間にイオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上（より好ましくは６．０ｅＶ以上）の化合物を含有する層を用いるのが好ましく、イオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上の電子輸送層を用いるのがより好ましい。
【００８１】
本発明の発光素子は色純度の観点から、発光スペクトルの半値幅は１００ｎｍ以下が好ましく、９０ｎｍ以下がより好ましく、８０ｎｍ以下がさらに好ましく、７０ｎｍ以下が特に好ましい。
【００８２】
なお本発明の発光素子においてはりん光発光材料の励起子エネルギーによって他の発光材料が励起され、実質的にこれが発光する場合も含む。
【００８３】
本発明の発光素子においては発光層中に正孔注入・輸送化合物および／または電子注入・輸送化合物を含んでも良い。特に、本発明の発光素子においては発光層中に前記一般式（１）〜（３）で表される化合物が含まれることが好ましく、この場合には、これらとともに正孔注入・輸送化合物および／または電子注入・輸送化合物を含んいることがよい。
【００８４】
発光層中に含有される正孔注入・輸送化合物とは、発光層中において正孔の注入・輸送の役割を担う化合物の意であり、その化合物を発光層に添加することにより、正孔の注入または輸送が促進される化合物のことであり、もしくは、Ｉｐ値（イオン化ポテンシャル）が正孔注入・輸送に適した値（例えば下記値）にある化合物のことである。
【００８５】
発光層中に正孔注入・輸送化合物が含まれている場合、発光層中への正孔の注入が容易になることで駆動電圧を下げることが出来、これによって高い電界を印加することに由来する材料の分解を抑えることが出来る。また正孔注入・輸送化合物が正孔輸送を担うため、一般式（１）〜（３）で表される化合物に正孔が注入されることで起こる材料の分解を抑制することが出来る。
【００８６】
正孔注入・輸送化合物のＩｐ値（イオン化ポテンシャル）は、５．０ｅＶ以上、６．１ｅＶ以下であることが好ましく、５．１ｅＶ以上、６．０ｅＶ以下がより好ましく、５．２ｅＶ以上、５．９ｅＶ以下であることがさらに好ましい。
【００８７】
発光層中に前記一般式（１）〜（３）で表される化合物とともに正孔注入・輸送化合物が含まれている場合、発光層中のこれらの質量比（一般式（１）〜（３）で表される化合物の質量／正孔注入・輸送化合物の質量）は９０／１０〜１０／９０であることが好ましく、８０／２０〜２０／８０であることがより好ましく、７０／３０〜３０／７０がさらに好ましい。この場合の発光層中に含まれる発光材料の濃度は０．０１質量％以上６０質量％以下が好ましく、０．５質量％以上４０質量％以下がより好ましく、１質量％以上２０質量％以下がさらに好ましく、２質量％以上１５質量％以下が最も好ましい。
【００８８】
正孔注入・輸送化合物として好ましくは、トリアリールアミン誘導体、炭化水素系芳香族誘導体（例えばベンゼン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体など）、ピロール誘導体（例えばピロール誘導体、インドール誘導体、カルバゾール誘導体など）、アゼピン誘導体（例えばベンズアゼピン誘導体など）であり、より好ましくは、ピロール誘導体である。
【００８９】
発光層中に含有される電子注入・輸送化合物とは、発光層中において電子の注入・輸送の役割を担う化合物の意であり、その化合物を発光層に添加することにより、電子の注入または輸送が促進される化合物のことであり、もしくは、Ｅａ値（電子親和力）が電子注入・輸送に適した値（例えば下記値）にある化合物のことである。
【００９０】
発光層中に電子注入・輸送化合物が含まれている場合、発光層中への電子の注入が容易になることで駆動電圧を下げることが出来、これによって高い電界を印加することに由来する材料の分解を抑えることが出来る。また電子注入・輸送化合物が電子輸送を担うため、一般式（１）〜（３）で表される化合物に電子が注入されることで起こる材料の分解を抑制することが出来る。
【００９１】
電子注入・輸送化合物のＥａ値（電子親和力）は、２．０ｅＶ以上３．５ｅＶ以下であることが好ましく、２．３ｅＶ以上、３．４ｅＶ以下がより好ましく、２．５ｅＶ以上、３．３ｅＶ以下であることがさらに好ましい。
【００９２】
発光層中に前記一般式（１）〜（３）で表される化合物とともに電子注入・輸送化合物が含まれている場合、発光層中のこれらの質量比（一般式（１）〜（３）で表される化合物の質量／電子注入・輸送化合物の質量）は９０／１０〜１０／９０であることが好ましく、８０／２０〜２０／８０であることがより好ましく、７０／３０〜３０／７０がさらに好ましい。この場合の発光層中に含まれる発光材料の濃度は０．０１質量％以上６０質量％以下が好ましく、０．５質量％以上４０質量％以下がより好ましく、１質量％以上２０質量％以下がさらに好ましく、２質量％以上１５質量％以下が最も好ましい。
【００９３】
電子注入・輸送化合物として好ましくは、金属錯体（例えばアルミニウム錯体、亜鉛錯体など、８−ヒドロキシキノリノール誘導体（例えば２−メチル−８−ヒドロキシキノリノールなど）を配位子にする錯体は好ましくない）、含窒素ヘテロ環化合物（例えば、アゾール誘導体、ピリジン誘導体、トリアジン誘導体など）、有機ケイ素化合物（例えばシロール誘導体など）であり、より好ましくは窒素原子を少なくとも２つ含むヘテロ環化合物、金属錯体であり、さらに好ましくは窒素原子を少なくとも２つ含むヘテロ環化合物である。特に好ましくは下記一般式（４）で表される化合物である。また、特開２００２−１００４７６に記載の一般式（Ａ−ＩＩＩ）、（Ａ−ＩＶ）、（Ａ−Ｖ）、（Ａ）、（Ａ−ａ）、（Ａ−ｂ）、（Ａ−ｃ）、（Ｂ−ＩＩ）、（Ｂ−ＩＩＩ）、（Ｂ−ｉＶ）、（Ｂ−Ｖ）、（Ｂ−ＶＩ）、（Ｂ−ＶＩＩ）、（Ｂ−ＶＩＩＩ）、及び、（Ｂ−ＩＸ）で表される化合物、及び、特開２０００−３０２７５４に記載の一般式（１）〜（４）で表される化合物も好適に使用することができる（好ましい範囲は特開２００２−１００４７６及び特開２０００−３０２７５４に記載の通りである）。
【００９４】
【化１０】
2005310672.tif 000011
【００９５】
一般式（４）について説明する。Ｒ41は水素原子または置換基を表す。Ｒ41で表される置換基としては前記置換基群Ａが挙げられる。Ｒ41はアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基が好ましく、アリール基、ヘテロアリール基がより好ましく、アリール基がさらに好ましい。
【００９６】
Ｘ41、Ｘ42、Ｘ43、Ｘ44はそれぞれ窒素原子、置換又は無置換の炭素原子を表す。Ｘ41、Ｘ42、Ｘ43、Ｘ44の少なくとも一つは窒素原子である。炭素原子上の置環基としては、前記Ｒ41で説明した基が挙げられ、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基が好ましい。
【００９７】
Ｘ41が置環又は無置換の炭素原子であり、Ｘ42が窒素原子であり、Ｘ43、Ｘ44がそれぞれ置換炭素原子であることが好ましい。また、Ｘ43、Ｘ44上の置換基が結合し、芳香環を形成することが好ましい。
【００９８】
一般式（４）で表される化合物の好ましい形態は一般式（５）または一般式（６）で表される化合物であり、より好ましい形態は、一般式（６）で表される化合物である。
【００９９】
【化１１】
2005310672.tif 000012
【０１００】
【化１２】
2005310672.tif 000013
【０１０１】
一般式（５）について説明する。Ｒ51、Ｒ52、Ｒ53はそれぞれ水素原子または置換基を表す。置換基としては例えば前記Ｒ41で説明した基が挙げられる。
【０１０２】
Ｒ51はアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基が好ましく、アルキル基、アリール基がより好ましく、アルキル基がさらに好ましい。
【０１０３】
Ｒ52、Ｒ53はそれぞれアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、結合して芳香環を形成する基が好ましく、結合して芳香環を形成する基がより好ましい。
【０１０４】
Ｌ51は連結基を表す。連結基がポリアルキレン、ポリエステルなどのポリマー主鎖であっても良い（例えばポリビニルイミダゾール誘導体を形成しても良い）。Ｌ51は好ましくはアリール連結基、ヘテロアリール連結基、アルキル連結基、アルキレンポリマー主鎖であり、より好ましくはアリール連結基、ヘテロアリール連結基であり、さらに好ましくは、含窒素ヘテロアリール連結基である。
【０１０５】
ｎ51は２以上の整数を表す。ｎ51が複数の場合、複数の含窒素へテロ環基は同じであっても異なっても良い。Ｌ51がポリマー主鎖で無い場合、ｎ51は２〜６が好ましく、３，４がより好ましい。Ｌ51がポリマー主鎖の場合、ｎ51はポリマー主鎖の繰り返し単位に相当する値になる（例えばポリビニルイミダゾールの１００量体の場合、ｎ51は１００となる）。
【０１０６】
Ｌ52は２価の連結基を表す。Ｌ52はアルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、酸素連結基、カルボニル連結基、アミノ連結基が好ましく、アルキレン基、アリーレン基がより好ましい。
【０１０７】
ｎ52は０以上の整数を表す。ｎ52が複数の場合、複数の含窒素へテロ環基は同じであっても異なっても良い。Ｌ51がポリマー主鎖で無い場合、ｎ52は０〜３が好ましく、０、１がより好ましい。Ｌ51がポリマー主鎖の場合、ｎ52はポリマー主鎖の繰り返し単位に相当する値になる（例えばポリビニルイミダゾールの１００量体の場合、ｎ52は１００となる
【０１０８】
一般式（６）について説明する。Ｒ62、Ｒ63はそれぞれ水素原子または置換基を表す。置換基としては例えば前記Ｒ41で説明した基が挙げられる。
【０１０９】
Ｒ62、Ｒ63はそれぞれアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、結合して芳香環を形成する基が好ましく、結合して芳香環を形成する基がより好ましく、結合して含窒素芳香環を形成する基がさらに好ましい。
【０１１０】
Ｒ64は水素原子または置換基を表す。置換基としては、例えば、前記Ｒ41で説明した基が挙げられる。 Ｒ64はアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基が好ましく、アリール基、ヘテロアリール基がより好ましく、アリール基がさらに好ましい。
【０１１１】
Ｌ61は連結基を表す。連結基がポリアルキレン、ポリエステルなどのポリマー主鎖であっても良い（例えばポリビニルイミダゾール誘導体を形成しても良い）。Ｌ61は好ましくはアリール連結基、ヘテロアリール連結基、アルキル連結基、アルキレンポリマー主鎖であり、より好ましくはアリール連結基、ヘテロアリール連結基であり、さらに好ましくは、アリール連結基である。
【０１１２】
Ｌ62、ｎ61、ｎ62はそれぞれ前記Ｌ52、ｎ51、ｎ52と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１１３】
本発明の発光素子に関して説明する。本発明の発光素子は、本発明の化合物を利用する素子であればシステム、駆動方法、利用形態など特に問わない。代表的な発光素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を挙げることができる。
【０１１４】
本発明の化合物を含有する発光素子の有機層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法などの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法、転写法が好ましい。
【０１１５】
本発明の発光素子は、陽極、陰極の一対の電極間に、発光層単層、又は発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、これらの層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
【０１１６】
本発明の発光素子の具体的な層構成としては、陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１１７】
また発光層への電荷の注入を容易にするため、発光層と正孔輸送層との間にさらに正孔注入促進層、または発光層と電子輸送層の間にさらに電子注入促進層を設けることが出来る。
【０１１８】
発光層と正孔輸送層との間にさらに設けることの出来る正孔注入促進層に含まれる材料のIp値は正孔輸送層に含まれる材料のIp値以上で、かつ発光層に含まれる材料のIp値以下であることが好ましく、正孔輸送層に含まれる材料のIp値と発光層に含まれる材料のIp値の平均値に近いことがより好ましい。
【０１１９】
発光層と電子輸送層との間にさらに設けることの出来る電子注入促進層に含まれる材料のEa値は電子輸送層に含まれる材料のEa値以下で、かつ発光層に含まれる材料のEa値以上であることが好ましく、電子輸送層に含まれる材料のEa値と発光層に含まれる材料のEa値の平均値に近いことがより好ましい。
【０１２０】
本発明の発光素子で用いられる基材は、特に限定されないが、ジルコニア安定化イットリウム、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルや、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、テフロン（Ｒ）、ポリテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子量材料であっても良い。
【０１２１】
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１２２】
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
【０１２３】
陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
【０１２４】
陽極は、洗浄その他の処理により素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理等が効果的である。
【０１２５】
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物または酸化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金又はそれらの混合金属等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることもできる。例えばアルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウム の積層構造が好ましい。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
【０１２６】
陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
【０１２７】
陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
【０１２８】
発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであれば何でもよく、例えばベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ペリレン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノールの金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体、及び、白金ポルフィリン錯体に代表される遷移金属錯体、及び、それらの誘導体等が挙げられる。発光層の材料の少なくとも一つは、りん光材料である。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１２９】
発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、ＬＢ法、転写法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。
【０１３０】
発光層は単一化合物で形成されても良いし、複数の化合物で形成されても良い。また、発光層は一つであっても複数であっても良く、それぞれの層が異なる発光色で発光して、例えば、白色を発光しても良い。単一の発光層から白色を発光しても良い。発光層が複数の場合は、それぞれの発光層は単一材料で形成されていても良いし、複数の化合物で形成されていても良い。
【０１３１】
本発明の有機電界発光素子の発光層は積層構造を少なくとも一つ有していても良い。積層数は２層以上５０層以下が好ましく、４層以上３０層以下がより好ましく、６層以上２０層以下がさらに好ましい。
【０１３２】
積層を構成する各層の膜厚は特に限定されないが、０．２ｎｍ以上、２０ｎｍ以下が好ましく、０．４ｎｍ以上、１５ｎｍ以下がより好ましく、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下がさらに好ましく、１ｎｍ以上５ｎｍ以下が特に好ましい
【０１３３】
本発明の有機電界発光素子の発光層は複数のドメイン構造を有していても良い。発光層中に他のドメイン構造を有していても良い。各ドメインの径は、０．２ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましく、０．３ｎｍ以上５ｎｍ以下がより好ましく、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下がさらに好ましく、０．７ｎｍ以上２ｎｍ以下が特に好ましい。
【０１３４】
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、カルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、カーボン膜、本発明の化合物、及び、それらの誘導体等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１３５】
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【０１３６】
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、本発明の化合物、及び、それらの誘導体等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１３７】
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【０１３８】
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ＳｉＮx、ＳｉＯxＮy などの窒化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも一種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
【０１３９】
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【０１４０】
本発明の発光素子は、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸ハ゜ターンを形成する）、基板・ＩＴＯ層・有機層の屈折率を制御する、基板・ＩＴＯ層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。
【０１４１】
本発明の発光素子は、陽極側から発光を取り出す、いわゆる、トップエミッション方式であっても良い。
【実施例】
【０１４２】
以下、本発明を、実施例を挙げてさらに具体的に説明する。ただし、これら各実施例は、本発明を制限するものではない。
【０１４３】
（実施例１）
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、まず正孔注入材料として銅フタロシアニンを１０ｎｍ蒸着し、この上に正孔輸送材料としてα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着した。この上にCBP（正孔注入・輸送化合物）を１５ｎｍ蒸着し、さらにこの上に化合物（１−１）と化合物aを２０対１ の比率（重量比）で２５ｎｍの厚さに共蒸着し、この上にアゾ−ル化合物ｂ（電子注入・輸送化合物）を４０ｎｍ蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でフッ化リチウムを約１ｎｍ蒸着し、この上にアルミニウムを膜厚約２００ｎｍ蒸着して素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８、発光波長を浜松フォトニクス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１により測定した。
その結果、色度値（０．１７、０．２６）の青色発光が得られ、素子の外部量子効率は ８．５％ である。
本素子の素子耐久性評価を初期輝度２０００ｃｄ/m2、電流値一定にて行うと輝度半減時間約２００時間である。
【０１４４】
【化１３】
2005310672.tif 000014
【０１４５】
（実施例２）
化合物aの代わりに化合物cを用い、実施例１と同様に素子作製評価した。その結果、色度値（０．２７、０．６２）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は７．１％である。
本素子の素子耐久性評価を初期輝度２０００ｃｄ/m2、電流値一定にて行うと輝度半減時間は約６３０時間である。
【０１４６】
（実施例３）
化合物aの代わりに化合物cを用い、化合物（１−１）の代わりに化合物（１−２）とＣＢＰの質量比１：１混合物を用いて実施例１と同様に素子作製評価した。その結果、色度値（０．２７、０．６２）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は ７．１％ である。
本素子の素子耐久性評価を初期輝度２０００ｃｄ/m2、電流値一定にて行うと輝度半減時間は約７００時間である。
【０１４７】
（比較例１）
化合物 （１−１） の代わりに前記非特許文献２記載の化合物ＵＧＨ２を用い、実施例１と同様に素子作製評価した。その結果、色度値（０．１６、０．２４）の青色発光が得られ、素子の外部量子効率は６．２％ である。
本素子の素子耐久性評価を初期輝度２０００ｃｄ/m2、電流値一定にて行うと輝度半減時間約１２０時間である。
【０１４８】
（実施例４）
実施例１で作成した素子を８０℃において２４時間保存後、素子耐久性評価を行ったところ初期輝度２０００ｃｄ/m2、電流値一定にて輝度半減時間約１８０時間である。また比較例１で作成した素子についても同様に８０℃において２４時間保存後、素子耐久性評価を試みようとしたが素子の短絡が起こり、素子は発光しない。
【０１４９】
同様に、他の本発明の化合物を用いても、高効率発光素子を作製することができる。