(57)【要約】  【課題】  マウント歩留りを改善して長寿命の半導体発光装置を提供することである。  【解決手段】  半導体発光装置１００は、ｎ型ＧａＮ基板１０１を有する半導体発光素子チップと、該半導体発光素子チップをマウントするＳｉＣからなるヒートシンク１１０と、ｎ型ＧａＮ基板１０１とヒートシンク１１０とを接合するＡｕＳｎからなる半田１１２と、ヒートシンク１１０をマウントする支持基体１２０と、ヒートシンク１１０と支持基体１２０とを接合するＩｎからなる半田１１３とを備え、半田１１３の厚みが１μｍ以上２０μｍ以下であり、ヒートシンク１１０の厚みが１００μｍ以上５００μｍ以下である構成とする。【選択図】      図１
2005101149.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物系化合物半導体からなる基板を有する半導体発光素子チップと、該半導体発光素子チップをマウントするＳｉＣからなるヒートシンクと、前記基板と前記ヒートシンクとを接合するＡｕＳｎからなる第１の半田と、前記ヒートシンクをマウントする支持基体と、前記ヒートシンクと前記支持基体とを接合するＳｎＡｇＣｕ又はＩｎからなる第２の半田とを備えた半導体発光装置。
【請求項２】
前記第２の半田の厚みが１μｍ以上２０μｍ以下である請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記ヒートシンクの厚みが１００μｍ以上５００μｍ以下である請求項１又は２記載の半導体発光装置。
【請求項４】
窒化物系化合物半導体を有する半導体発光素子チップと、該半導体発光素子チップをマウントするヒートシンクと、前記基板と前記ヒートシンクとを接合する第１の半田と、前記ヒートシンクをマウントする支持基体と、前記ヒートシンクと前記支持基体とを接合する第２の半田とを備えた半導体発光装置の製造方法において、
シート上に作製されたＳｎＡｇＣｕ又はＩｎからなる前記第２の半田を前記支持基体上に転写する工程と、
前記支持基体上に前記第２の半田を介して、前記半導体発光素子チップをマウントしたヒートシンクをマウントする工程とを備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の半田の厚みが１μｍ以上２０μｍ以下である請求項４記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置（半導体レーザ装置を含む）及びその製造方法に関し、特に半導体発光素子チップやヒートシンクのマウントに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮおよびそれらの混晶半導体に代表される窒化物系半導体からなる活性層を内包したレーザチップを備えた半導体レーザ装置が試作されている。窒化物系半導体のレーザ素子は動作電圧が高く、レーザを駆動するドライバの動作電圧が低い。そのためこのドライバを使用するためにはフローティングタイプのレーザを使用し、レーザと支持基体の間に絶縁性のヒートシンクを挿入してマウントする必要がある。
【０００３】
通常の半導体レーザ装置の組み立てでは、ヒートシンク上にレーザチップをマウントした後、支持基体のマウント部にシート状の半田箔を載せ、その後レーザチップの載ったヒートシンクをマウントする。通常、半田箔の厚みは３０μｍ以上である。
【０００４】
ところで特許文献１では、半導体レーザチップの主表面が曲面を有する状態で、半導体レーザ装置を構成することにより、長寿命化と信頼性の向上を達成している。文献中に、ステム（支持基体）とサブマウント（ヒートシンク）とを接合する半田の厚みについての記載はない。
【特許文献１】特開２００３−３１８９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、窒化物系半導体からなる半導体レーザ装置はレーザ素子の動作電圧が高く発熱が大きい。そのため、半田箔を使用した場合はレーザチップで発生する熱を効率良く支持基体に放散させることができず、発光部の温度上昇にともなう特性劣化を生じていた。また、上記方法ではマウントの際レーザチップが動きやすく、マウント後のレーザチップの設置角度にばらつきが大きいという問題が生じていた。
【０００６】
本発明は、マウント歩留りを改善して長寿命の半導体発光装置を提供することを目的とする。また、その半導体発光装置の製造方法を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明の半導体発光装置は、窒化物系化合物半導体からなる基板を有する半導体発光素子チップと、該半導体発光素子チップをマウントするＳｉＣからなるヒートシンクと、前記基板と前記ヒートシンクとを接合するＡｕＳｎからなる第１の半田と、前記ヒートシンクをマウントする支持基体と、前記ヒートシンクと前記支持基体とを接合するＳｎＡｇＣｕ又はＩｎからなる第２の半田とを備えたものである。
【０００８】
この構成により、半導体発光素子チップで発生する熱を効率良く支持基体に放散でき、発光部の温度上昇にともなう特性劣化を防止することがきる。従って長寿命化に繋がる。
【０００９】
なお、前記第２の半田の厚みを１μｍ以上２０μｍ以下とすることにより、設置角度ずれがなくなり、マウント歩留りが改善でき、長寿命化に繋がる。
【００１０】
また、前記ヒートシンクの厚みは、１００μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。
【００１１】
ヒートシンクの厚みが１００μｍ未満ではダイボンドの際の搬送およびヒートシンクの位置決めに不具合が出てマウント歩留りが低下する。一方、ヒートシンクの厚みが５００μｍを超えると寿命が３０００時間以下になり装置の実用性に問題が生じる。
【００１２】
また本発明は、窒化物系化合物半導体を有する半導体発光素子チップと、該半導体発光素子チップをマウントするヒートシンクと、前記基板と前記ヒートシンクとを接合する第１の半田と、前記ヒートシンクをマウントする支持基体と、前記ヒートシンクと前記支持基体とを接合する第２の半田とを備えた半導体発光装置の製造方法において、シート上に作製されたＳｎＡｇＣｕ又はＩｎからなる前記第２の半田を前記支持基体上に転写する工程と、前記支持基体上に前記第２の半田を介して、前記半導体発光素子チップをマウントしたヒートシンクをマウントする工程とを備えたものである。
【００１３】
この構成により、半導体発光素子チップの設置角度ずれがなくなり、マウント歩留りが改善でき、長寿命化に繋がる。
【００１４】
なお、前記第２の半田の厚みは１μｍ以上２０μｍ以下とすることが望ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、特定の半田材料と製造方法により、半導体発光素子チップで発生する熱を効率良く支持基体に放散でき、発光部の温度上昇にともなう特性劣化を防止することがきる。また、半田の厚みを従来よりも薄くすることにより半導体発光素子チップの設置角度ずれをなくしてマウント歩留りを改善している。これらの結果、発光の長寿命化に繋がっている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１は、実施例１の半導体レーザ装置１００の模式側面図である。図１において、ＧａＮ基板１０１の上に窒化物系半導体の積層体１０２が形成されている。また、窒化物系半導体の積層体１０２の上面にはｐ電極１０３が、ＧａＮ基板１０１の下面にはｎ電極１０４とメタライズのための金属多層膜１０５ａが設けられている。
【００１８】
以上が、実施例１の半導体レーザ装置１００に用いられる半導体レーザチップの基本構成であり、その詳細については後述する。
【００１９】
半導体レーザチップはヒートシンク１１０を介して支持基体１２０に固定・積載される。半導体レーザチップはｐ電極１０３を上にして半田１１２及び金属多層膜１０５ｂを介してヒートシンク１１０に接合される。そして、ヒートシンク１１０は金属多層膜１０５ｃ及び半田１１３を介して支持基体１２０に接合される。ここで、ヒートシンク１１０の材料としてはＳｉＣを用い、半田１１２の材料としてはＡｕＳｎ、半田１１３の材料としてはＩｎを用いる。
【００２０】
また、ｐ電極１０３はピン１１１とワイヤ１１４ａで、ｎ電極１０４はピン１１６とワイヤ１１４ｂで電気的に接続されておりフローティングマウントになっている。ここで、ピン１１１、１１６は支持基体１２０とは絶縁された外部接続端子に電気的に接続されており、これにより、半導体レーザチップに外部より電流が供給され得る。
【００２１】
図２は、実施例１の半導体レーザチップの模式断面図である。図２において、ＧａＮ基板１０１上に順に、ｎ−ＧａＮコンタクト層２０２、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層２０３、ｎ−ＧａＮガイド層２０４、ＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層２０５、ｐ−ＡｌＧａＮ蒸発防止層２０６、ｐ−ＧａＮガイド層２０７、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２０８、ｐ−ＧａＮコンタクト層２０９が積層されている。ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２０８およびｐ−ＧａＮコンタクト層２０９には、共振器方向に延伸したストライプ状のリッジが設けられ、ｐ電極１０３とｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２０８及びｐ−ＧａＮコンタクト層２０９との間にはリッジ部分を除いて絶縁膜２１０が設けられている。
【００２２】
なお、半導体レーザチップは図２に示す材料に限定されることはなく、他の窒化物系化合物半導体を用いることもできる。例えば、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２０８をｐ−ＡｌＧａＩｎＮに、ＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層２０５をＧａＩｎＮＡｓやＧａＩｎＮＰ等に置換してもよい。また、クラッド層２０３、２０８は多層構造でもよく、また多重量子井戸を用いてもよい。更に、ｎ−ＧａＮコンタクト層２０２とｎ−ＡｌＧａＮクラッド層２０３の間に、ＩｎＧａＮ等のクラック防止層を挿入してもよく、ＧａＮ基板１０１とｎ−ＧａＮコンタクト層２０２の間にバッファ層を挿入してもよい。そして、共振器方向に延伸したストライプ状のリッジはｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２０８及びｐ−ＧａＮコンタクト層２０９のみでなく、ＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層２０５、ｐ−ＡｌＧａＮ蒸発防止層２０６、ｐ−ＧａＮガイド層２０７まで掘り込んだ形状でもよい。
【００２３】
このように、本実施例に用いた半導体レーザチップは、所謂リッジストライプ型構造を有している。以下に、図１および図２を参照しつつ本実施例の半導体レーザ装置１００の製造方法を説明する。
【００２４】
初めに、半導体素子の製造に用いられているプロセスを適宜適用して、ＧａＮ基板１０１上に、図２に示したような個々の半導体レーザ構造が多数形成された半導体レーザウェハーを得る。このようなウェハーを得る工程は周知技術であるのでその詳細な記載は省略する。なお、ｐ電極１０３の材料はｐ−ＧａＮコンタクト層２０９に近い側からＰｄ（１５ｎｍ）／Ｍｏ（１５ｎｍ）／Ａｕ（２００ｎｍ）である。
【００２５】
本実施例において、結晶成長の際のＧａＮ基板１０１の厚みは３５０μｍであるが、ｎ電極１０４の形成前にＧａＮ基板１０１の裏面側から、研磨もしくはエッチングにより基板の一部を除去し、ウェハーの厚みを通常４０〜１５０μｍ程度まで薄くする。その後、ｎ電極１０４としてｎ−ＧａＮコンタクト層２０２に近い側からＴｉ（３０ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）を形成し、さらに金属多層膜１０５ａとしてＭｏ（８ｎｍ）／Ｐｔ（１５ｎｍ）／Ａｕ（２５０ｎｍ）を形成する。
【００２６】
次に、劈開により共振器長を５００μｍとしてレーザ端面を形成し、更にレーザチップに分割する。レーザ端面形成はエッチングによって形成してもよく、チップ分割はダイシング、レーザアブレーション法等を用いてもよい。本工程で得られたレーザチップをチップの状態でパルス駆動により特性測定を行ったところ閾値密度は３．５ｋＡ／ｃｍ2であった。
【００２７】
次に半田箔１１３を支持基体１２０に転写する方法について説明する。長さ５００ｍｍ、幅５００μｍのテフロン（Ｒ）テープを用意し、該テフロン（Ｒ）テープに１０μｍ程度のＩｎを蒸着する。続いて、Ｉｎ半田の付いたテフロン（Ｒ）テープを支持基体１２０の位置に合わせる。位置合わせ後、テフロン（Ｒ）テープ越しに該Ｉｎ半田に８０ｋＨｚ程度の超音波振動を当てて、支持基体１２０に縦５００μｍ×横５００μｍ×厚さ１０μｍサイズのＩｎ半田１１３を転写する。なお半田の蒸着方法は、材料を加熱して溶かして行う通常の方法、スパッタ法、エレクトロンビーム法、ＭＢＥ法等を用いてもよく、蒸着源はＡｕ、Ｓｎ個別でもＡｕＳｎ混晶でもよい。
【００２８】
次に、ダイボンディング法により、Ｉｎ半田１１３を転写した支持基体１２０上にレーザチップをマウントする。具体的には、２００μｍ厚のＡｕ0.8Ｓｎ0.2半田１１２が蒸着され、且つ金属多層膜１０５ｂ、１０５ｃが形成されたヒートシンク１１０を半田１１２の融点よりも若干高い温度まで加熱し、半田１１２が溶けたところで、上記で得られたレーザチップをｎ型電極１０４を下にして載せ、さらに荷重を適宜加えながらレーザチップとヒートシンンク１１０とを半田１１２によく馴染ませる。その後、ヒートシンク１１０を冷却して半田１１２を固化させる。
【００２９】
次に、Ｉｎ半田１１３が転写された支持基体１２０を半田１１３の融点よりも若干高い温度まで加熱し、半田１１３が溶けたところで、レーザチップが積載されたヒートシンク１１０を載せ、ヒートシンク１１０と支持基体１２０とを半田１１３によく馴染ませ、半田を固化させたところで本工程を終える。
【００３０】
最後に、窒素雰囲気中で支持基体１２０にレーザチップの発振波長±１０ｎｍでの透過率が９８％以上のコーティングが施されたガラス窓を有するキャップを装着して半導体レーザ装置１００を得る。
【００３１】
また、本実施例でｐ型電極１０３はＰｄ／Ｍｏ／Ａｕを用いたが、Ｐｄ以外に例えばＣｏ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ｗ、Ａｌ、Ｔｌ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉとその化合物を用いてもよく、Ｍｏ以外に例えばＣｏ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｌａ、Ｗ、Ａｌ、Ｔｌ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉとその化合物を用いてもよく、Ａｕ以外にＮｉ、Ａｇ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌとその化合物を用いてもよく、膜厚も上記厚さに限るものではない。
【００３２】
また、ｎ型電極１０４はＴｉ／Ａｌを用いたが、Ｔｉ以外にＨｆを用いてもよく、膜厚も上記厚さに限るものではない。また、キャップ装着は大気中で行ってもよい。また、本実施例でレーザチップ作製にはＧａＮ基板を用いたが、基板はＧａＮ以外にＩｎＮ、ＡｌＮおよびＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮの混晶半導体でもよい。
【００３３】
また、ヒートシンク１１０のＳｉＣは絶縁性であれば単結晶、多結晶、アモルファスのいずれを用いてもよい。また、半田１１２はＡｕ0.8Ｓｎ0.2に限るものではなく、ＡｕＳｎであればＡｕとＳｎの比率はいくらでもよい。なお、支持基体１２０はＣｕ又はＦｅを主体とする金属からなり、その表面にＮｉ膜／Ａｕ膜もしくはＮｉ膜／Ｃｕ膜／Ａｕ膜が順にメッキ形成されたものである。
【００３４】
このようにして得られた半導体レーザ装置１００を以下の比較例１〜３と比較する。比較例１は、Ｉｎ半田を支持基体に転写せず、支持基体に５０μｍ厚のＩｎ半田箔を載せてレーザチップが積載されたＳｉＣヒートシンクをマウントした半導体レーザ装置である。比較例２は、ヒートシンクの材料にＣｕを使用した半導体レーザ装置である。比較例３は、ヒートシンクの材料にＳｉを使用した半導体レーザ装置である。なお、比較例１〜３において記載していない構成は実施例１と同様である。
【００３５】
そして、実施例１及び比較例１〜３の半導体レーザ装置のサンプルを各２０個作製し、以下の測定を行った。各半導体レーザ装置をパルス駆動で特性測定を行い閾値を測定し、マウント歩留りを評価した。マウント歩留りの評価基準としては、チップでの閾値から５ｍＡ以上閾値が上昇したものは劣化（不良）と判断し、ビームの放射方向が±２．５以上のものも不良とした。その結果を図３に示す。実施例１のマウント歩留りは１００％で、比較例１から３ではマウント不良が発生した。
【００３６】
また、更なる比較例として、メタライズのための金属多層膜をＭｏ（８ｎｍ）／Ａｕ（２５０ｎｍ）としたものを作製し、実施例１と同様のヒートシンク、半田材料を用いてマウントを実施したが、十分なマウント強度が得られず、マウント歩留りは０％であった。
【００３７】
次に、マウント後の良品を６０℃、３０ｍＷ出力のＡＰＣ駆動でエージング投入した。なおサンプルのリッジ幅は２ｕｍ、共振器長は５００ｕｍである。実施例１の半導体レーザ装置１００は寿命が１００００時間以上であったが、比較例１〜３の半導体レーザ装置はすべて１０００時間以下であった。これにより、実施例１の半導体レーザ装置１００はレーザチップで発生する熱を効率良く支持基体１２０に放散しており、発光部の温度上昇にともなう特性劣化を防いでいるといえる。
【実施例２】
【００３８】
実施例２の半導体レーザ装置は、実施例１の半導体レーザ装置において支持基体１２０に転写する半田１１３の材料をＳｎＡｇＣｕにしたものである。この半田を符号１１３ａで記す他は、実施例１の構成部材と同符号を用いて説明する。
【００３９】
長さ５００ｍｍ、幅６００μｍのテフロン（Ｒ）テープを用意し、該テフロン（Ｒ）テープに８μｍ程度のＳｎＡｇ0.03Ｃｕ0.005を蒸着する。その後、ＳｎＡｇＣｕ半田１１３ａの付いたテフロン（Ｒ）テープを、支持基体１２０の位置に合わせる。位置合わせ後、テフロン（Ｒ）テープ越しに半田１１３ａに８０ｋＨｚ程度の超音波振動を当てて、支持基体１２０に縦５００μｍ×横５００μｍ×厚さ１０μｍサイズの半田１１３ａを転写する。
【００４０】
半田１１３ａの蒸着方法は、材料を加熱し溶かして行う通常の方法、スパッタ法、エレクトロンビーム法、ＭＢＥ法等どのような方法を用いてもよく、蒸着源はＳｎ、Ａｇ、Ｃｕ個別でもＳｎＡｇＣｕの混晶でも、ＳｎＡｇ混晶とＣｕ、ＳｎＣｕ混晶とＡｇ、ＳｎとＡｇＣｕ混晶でもよい。
【００４１】
次に、ダイボンディング法により、ＳｎＡｇＣｕ半田１３ａを転写した支持基体１２０上にレーザチップをマウントした。この工程は以下のように行う。
【００４２】
Ａｕ0.7Ｓｎ0.3半田１１２が蒸着され、且つ金属多層膜１０５ｂ、１０５ｃが形成されたヒートシンク１１０を半田１１２の融点よりも若干高い温度まで加熱し、半田が溶けたところで、実施例１と同様の方法で得られたレーザチップをｎ型電極１０４を下にして載せ、さらに荷重を適宜加えながらレーザチップとヒートシンンクとを半田１１２によく馴染ませ留。その後、ヒートシンク１１０を冷却して半田１１２を固化させる。
【００４３】
次にＳｎＡｇ0.03Ｃｕ0.005半田１１３ａが転写された支持基体１２０を半田１１３ａの融点よりも若干高い温度まで加熱し、半田１１３ａが溶けたところで、レーザチップが積載されたヒートシンク１１０を載せ、ヒートシンク１１０と支持基体１２０とを半田１１３ａによく馴染ませ、半田１１３ａを固化させたところで本工程を終える。
【００４４】
次に、窒素雰囲気中で支持基体１２０にレーザチップの発振波長±１０ｎｍでの透過率が９８％以上のコーティングが施されたガラス窓を有するキャップを装着し半導体レーザ装置を得る。
【００４５】
なお、半田１１２はＳｎＡｇ0.03Ｃｕ0.005に限るものではなく、Ａｇが１０％以下であってＣｕの比率が８％以下であれば、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕの比率はいくらでもよい。
【００４６】
このようにして得られた半導体レーザ装置を以下の比較例４〜６と比較する。比較例４は、支持基体とヒートシンクの間の半田にシート状のＳｎＡｇ0.03Ｃｕ0.005箔を用いた半導体レーザ装置である。比較例５は、ヒートシンクの材料にＣｕを使用した半導体レーザ装置である。比較例６は、ヒートシンクの材料にＳｉを使用した半導体レーザ装置である。なお、比較例４〜６において記載していない構成は実施例２と同様である。
【００４７】
そして、実施例２及び比較例４〜６の半導体レーザ装置のサンプルを各２０個作製し、実施例１で行った測定と同様の測定を行った。その結果を図４に示す。実施例２のマウント歩留りは１００％であり、比較例４〜６ではマウント不良が発生した。
【００４８】
次に、マウント後の良品を６０℃、３０ｍＷ出力のＡＰＣ駆動でエージング投入した。なおサンプルのリッジ幅は２ｕｍ、共振器長は６００ｕｍである。実施例２の半導体レーザ装置は寿命が１００００時間以上であったが、比較例４〜６の半導体レーザ装置はすべて１０００時間以下であった。これにより、実施例２の半導体レーザ装置はレーザチップで発生する熱を効率良く支持基体１２０に放散しており、発光部の温度上昇にともなう特性劣化を防いでいるといえる。
【００４９】
次に、ヒートシンク１１０の厚みを変化させて本実施例と同じマウントを行い、マウント歩留りと寿命評価を実施した。ヒートシンク１１０の厚みが１００μｍ未満ではダイボンドの際の搬送およびヒートシンク１１０の位置決めに不具合が出てマウント歩留りが低下した。図５は、ヒートシンク１１０の厚みに対する素子寿命のグラフである。ヒートシンク１１０の厚みが５００μｍを超えると寿命が３０００時間以下になり半導体レーザ装置の実用性に問題が生じた。これは実施例１の場合も同様の結果であった。以上より、ヒートシンク１１０の厚みは１００μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。
【００５０】
次に、転写用の半田１１３ａをテフロン（Ｒ）シートに蒸着する際の膜厚を変化させて、半田１１３ａの厚みを変化させたＳｎＡｇＣｕ半田転写支持基体を作製し、実施例２と同じマウントを行い、マウント歩留りと寿命評価を実施した。半田１１３ａの厚みが１μｍ未満になると接合強度が得られず、半田１１３ａの厚みが２０μｍより大きくなるとビーム角ずれが生じマウント歩留りが低下した。半田１１３ａの厚みに関しては実施例１のＩｎ半田１１３の場合も同様で１μｍ未満になると接合強度が得られず、半田１１３の厚みが２０μｍより大きくなるとビーム角ずれが生じマウント歩留りが低下した。従って、半田１１３、１１３ａの厚みは１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、半導体レーザチップやＬＥＤチップ等の半導体発光素子チップをマウント部材に積載して一体化した半導体発光装置に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】実施例１の半導体レーザ装置の模式側面図である。
【図２】実施例１の半導体レーザチップの模式断面図である。
【図３】実施例１及び比較例１〜３のマウント歩留りを説明する図である。
【図４】実施例２及び比較例４〜６のマウント歩留りを説明する図である。
【図５】本発明のヒートシンクの厚みに対する素子寿命のグラフである。
【符号の説明】
【００５３】
１００    半導体レーザ装置
１１０    ヒートシンク
１１２、１１３、１１３ａ    半田
１２０    支持基体
【図１】
2005101149.tif 000003
【図２】
2005101149.tif 000004
【図３】
2005101149.tif 000005
【図４】
2005101149.tif 000006
【図５】
2005101149.tif 000007