(57)【要約】【課題】  シアリング干渉を利用して従来よりも高精度かつ信号処理を容易にする被検光学系の波面を測定することが可能な測定方法及び装置、それを利用した露光方法及び装置、並びに、デバイス製造方法を提供する。【解決手段】  測定光から球面波を生成するためのピンホールを有する第１のマスクと、前記第１のマスクの後段に配置され、被検光学系を経た後の前記測定光をシアリング干渉させるための選択窓を有する第２のマスクと、前記第１及び第２のマスクの間に配置され、光線を２次元的に分割する２次元光線分割部とを有し、前記選択窓を通過した前記測定光によって形成された干渉縞から前記被検光学系の波面収差を算出することを特徴とする測定装置を提供する。【選択図】      図１
2005159213.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定光から球面波を生成するためのピンホールを有する第１のマスクと、
前記第１のマスクの後段に配置され、被検光学系を経た後の前記測定光をシアリング干渉させるための選択窓を有する第２のマスクと、
前記第１及び第２のマスクの間に配置され、光線を２次元的に分割する２次元光線分割部とを有し、前記選択窓を通過した前記測定光によって形成された干渉縞から前記被検光学系の波面収差を算出することを特徴とする測定装置。
【請求項２】
前記測定装置は直交２方向に関する前記被検光学系の波面情報から前記波面収差を算出し、
前記第２のマスクの前記選択窓は、前記直交２方向のいずれかの方向の前記測定光の±１次回折光を同時に通過させることを特徴とする請求項１記載の測定装置。
【請求項３】
前記測定装置は直交２方向に関する前記被検光学系の波面情報から前記波面収差を算出し、
前記第２のマスクの前記選択窓は、前記直交２方向の前記測定光の±１次回折光を同時に通過させることを特徴とする請求項１記載の測定装置。
【請求項４】
測定光の光束を分割し、被検光学系を経た後の所定次数の前記測定光をシアリング干渉させてシアリング干渉情報を取得し、当該シアリング干渉情報を積分することによって前記被検光学系の波面収差を算出する測定方法であって、
前記光束分割に２次元光束分割手段を使用し、直交２方向に関して前記シアリング干渉情報を取得し、前記直交２方向に関して前記シアリング干渉情報を取得する際に前記２次元光束分割手段の位置を固定し、
前記シアリング干渉情報を取得する際に前記直交２方向の少なくとも一方向に整列した窓を有する選択窓板を使用し、前記被検光学系の前記波面収差を算出する際には前記選択窓板を通過した前記測定光に関する前記シアリング干渉情報を利用することを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４記載の測定方法を利用して前記被検光学系の波面収差を算出するステップと、
前記算出された前記被検光学系の前記波面収差に基づいて前記被検光学系を調節するステップと、
前記調節された前記被検光学系を使用して被露光体を露光するステップとを有することを特徴とする露光方法。
【請求項６】
光束を用いてマスクに形成されたパターンを被露光体に露光する露光装置であって、
前記パターンを前記被露光体に投影する投影光学系と、
前記光束とシアリング干渉を利用して前記投影光学系の波面収差を干渉縞として検出する請求項１記載の測定装置とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項７】
前記露光光は、波長２０ｎｍ以下の極紫外線である請求項６記載の露光装置。
【請求項８】
請求項６記載の露光装置を利用して被露光体を露光するステップと、
前記露光された前記被露光体を現像するステップとを有するデバイス製造方法。
【請求項９】
測定光の光束を分割し、被検光学系を経た後の所定次数の前記測定光を干渉させて干渉情報を取得し、当該干渉情報をフーリエ変換し、所定の開口の組み合わせによって発生した干渉縞の成分を空間周波数フィルタリングすることによって選択的に抽出することによって前記被検光学系の波面収差を算出する測定方法であって、
前記光束分割に２次元光束分割手段を使用し、直交２方向に関して前記干渉情報を取得し、前記直交２方向に関して前記干渉情報を取得する際に前記２次元光束分割手段の位置を固定し、
前記シアリング干渉情報を取得する際に前記直交２方向に整列した２組の窓を有する選択窓板を使用し、前記被検光学系の前記波面収差を算出する際には前記選択窓板を通過した前記測定光に関する前記干渉情報を利用することを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９記載の測定方法を利用して前記被検光学系の波面収差を算出するステップと、
前記算出された前記被検光学系の前記波面収差に基づいて前記被検光学系を調節するステップと、
前記調節された前記被検光学系を使用して被露光体を露光するステップとを有することを特徴とする露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には、測定方法及び装置に係り、特に、マスク上のパターンを被露光体に転写する投影光学系などの波面収差をシアリング干渉を利用して測定する測定方法及び装置、並びに、それを用いた露光方法及び装置に関する。本発明の測定方法及び装置は、例えば、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を利用した露光装置に使用される投影光学系の測定に好適である。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際にマスク（レチクル）に形成されたパターンを被露光体に転写する投影型露光装置が使用されている。かかる露光装置は、レチクル上のパターンを所定の倍率で正確に被露光体に転写することが要求され、このために結像性能のよい、収差を抑えた投影光学系を用いることが重要である。特に近年、半導体デバイスの一層の微細化の要求により、転写パターンは、光学系の収差に対して敏感になってきている。このため、高精度に投影光学系の波面収差を測定する需要が存在する。
【０００３】
投影光学系の波面収差を高精度測定する装置としては、従来からシアリング干渉が知られている。図４に従来のシアリング干渉システムの基本配置を示す。被検光学系２の物体面位置の所望の物点にピンホール板１を配置する。ピンホール板１は、ＥＵＶ光を効率良く遮光するものではならず、ＴａやＮｉなどが使われる。ピンホール板１の厚みは、Ｔａで２００ｎｍ以上、Ｎｉで１５０ｎｍ以上必要である。また、ピンホールＡの径は、被検光学系２の照明側ＮＡをＮＡｉとすると、λ／２ＮＡｉ相当以下である必要がある。ピンホールＡの像は、被検光学系２の収差の影響を受けて、像面に設置された回折光選択窓板４上に結像する。回折光選択窓板４と被検光学系２の間には、回折格子板６が配置され、４の板上には、Ｄ，Ｅで示されるような回折光選択窓が配置されている。
【０００４】
シアリング干渉法で波面を求める際、直交する２つの回折格子を使い波面を直交する２方向、例えば、ＸＹ方向にシアし、Ｘシアの波面データからＸ方向の波面情報を、Ｙシアの波面データからＹ方向の波面情報を計測し、Ｘ，Ｙ方向の経路積分を行うことにより、２次元の波面復元を行う方法が知られている。図４では、Ｘ方向のシア波面を計測するためにピンホールＡ、回折格子Ｂ、回折光選択窓Ｄの組み合わせを、Ｙ方向のシア波面を計測するためにピンホールＡ、回折格子Ｃ、回折光選択窓Ｅの組み合わせを使っている。ピンホールＡは主光線上に配置され、回折格子Ｂ及びＣ及び窓Ｄ及びＥは、それぞれの波面計測時にパターン中心が主光線に一致するように不図示のステージによってパターンを交換している。窓Ｄ及びＥの開口は、回折格子Ｂ及びＣによる±１次回折光が、それぞれ窓Ｄ及びＥの中心を通過するように設計される。すなわち、０次透過光は、窓Ｄ及びＥの開口間の遮光部によって遮られ、±１次光による高コントラストな干渉縞がＣＣＤ５によって観測される。観測面５では、±１次光の４上の分離間隔だけ波面がシアされるが、その量は、ＮＡの１／３０から１／６０程度である。
【０００５】
また、２次元の回折格子を使う方法も従来から提案されている（非特許文献１参照）。非特許文献１は、交じり合った多くの回折光からなる干渉縞をフーリエ変換し、信号処理により信号光成分（±１次光）を抽出している。
【非特許文献１】Ｐａｔｒｉｋ  Ｐ．  Ｎａｕｌｌｅａｕ  ａｎｄ  Ｋｅｎｎｅｔｈ  Ａ．  Ｇｏｌｄｂｅｒｇ，  Ｊ．  Ｖａｃ．  Ｓｃｉ．  Ｔｅｃｈｎｏｌ．  Ｂ  １８（６），（２０００）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図４の干渉計では、直交する２つの回折格子を使い、Ｘシアの波面データからＸ方向の波面情報を、Ｙシアの波面データからＹ方向の波面情報を計測し、ＸＹ方向の経路積分を行うことにより２次元の波面復元を行う。ところが、このような干渉計では、図５に示すような問題がある。ここで、図５は図４に示すシステムの問題を説明するための光路図である。これは回折格子Ｂ及びＣを交換する際、光軸方向（Ｚ方向）の位置が図５のＦからＧのようにずれてしまった場合に発生する。
【０００７】
回折格子が位置Ｆにある場合、光束中心の光線は、Ｈで回折してＪの位置に結像する。一方、回折格子が位置Ｇにある場合、光束中心の光線は、Ｉで回折してＫの位置に結像する。ＨＪとＩＫは平行なので、回折格子のＺ位置がＦ→ＧとΔＦ変わった時に、一次光が集光する位置Ｊがシフトする量をΔＪとすると、一次光の回折角をθとすると、ΔＪ＝ΔＦ・ｔａｎθ。このシフトは−１次光にも同様に起こるので、結像面における±１次光の間隔は、２ΔＦ・ｔａｎθ変化することになる。このずれは、波面の成分としてはチルト縞となって現れるが、シアリング干渉計の場合、直接的には微分波面を観測しているため、チルト成分はシア方向に積分することによりデフォーカス成分として観測される。この場合、ＸＹ成分の波面データのフォーカス成分に、２ΔＦ・ｔａｎθに起因するオフセットが発生するため、それは最終的に非点収差の成分となって測定されてしまう。ある設計例では、非点収差エラーを０．１ｎｍＲＭＳ以下に抑える為には、ΔＦを１０ｎｍ程度に制御しなければならず、物理的に異なる２つの格子面をそのような範囲に制御することは非常に困難である。
【０００８】
非特許文献１は、かかる問題を回避しているが、信号成分の光学的なコントラスト劣化が避けられないことと、処理が非常に複雑になるといった問題がある。
【０００９】
そこで、本発明は、シアリング干渉を利用して従来よりも高精度かつ信号処理を容易にする被検光学系の波面を測定することが可能な測定方法及び装置、それを利用した露光方法及び装置、並びに、デバイス製造方法を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一側面としての測定方法は、測定光から球面波を生成するためのピンホールを有する第１のマスクと、前記第１のマスクの後段に配置され、被検光学系を経た後の前記測定光をシアリング干渉させるための選択窓を有する第２のマスクと、前記第１及び第２のマスクの間に配置され、光線を２次元的に分割する２次元光線分割部とを有し、前記選択窓を通過した前記測定光によって形成された干渉縞から前記被検光学系の波面収差を算出することを特徴とする。
【００１１】
前記測定装置は直交２方向に関する前記被検光学系の波面情報から前記波面収差を算出し、前記第２のマスクの前記選択窓は、例えば、前記直交２方向のいずれかの方向の前記測定光の±１次回折光を同時に通過させるか、前記第２のマスクの前記選択窓は、前記直交２方向の前記測定光の±１次回折光を同時に通過させる。
【００１２】
本発明の別の側面としての測定方法は、測定光の光束を分割し、被検光学系を経た後の所定次数の前記測定光をシアリング干渉させてシアリング干渉情報を取得し、当該シアリング干渉情報を積分することによって前記被検光学系の波面収差を算出する測定方法であって、前記光束分割に２次元光束分割手段を使用し、直交２方向に関して前記シアリング干渉情報を取得し、前記直交２方向に関して前記シアリング干渉情報を取得する際に前記２次元光束分割手段の位置を固定し、前記シアリング干渉情報を取得する際に前記直交２方向の少なくとも一方向に整列した窓を有する選択窓板を使用し、前記被検光学系の前記波面収差を算出する際には前記選択窓板を通過した前記測定光に関する前記シアリング干渉情報を利用することを特徴とする。
【００１３】
本発明の更に別の側面としての測定方法は、測定光の光束を分割し、被検光学系を経た後の所定次数の前記測定光を干渉させて干渉情報を取得し、当該干渉情報をフーリエ変換し、所定の開口の組み合わせによって発生した干渉縞の成分を空間周波数フィルタリングすることによって選択的に抽出することによって前記被検光学系の波面収差を算出する測定方法であって、前記光束分割に２次元光束分割手段を使用し、直交２方向に関して前記干渉情報を取得し、前記直交２方向に関して前記干渉情報を取得する際に前記２次元光束分割手段の位置を固定し、前記シアリング干渉情報を取得する際に前記直交２方向に整列した２組の窓を有する選択窓板を使用し、前記被検光学系の前記波面収差を算出する際には前記選択窓板を通過した前記測定光に関する前記干渉情報を利用することを特徴とする。
【００１４】
本発明の更に別の側面としての露光方法は、上述の測定方法を利用して前記被検光学系の波面収差を算出するステップと、前記算出された前記被検光学系の前記波面収差に基づいて前記被検光学系を調節するステップと、前記調節された前記被検光学系を使用して被露光体を露光するステップとを有することを特徴とする。
【００１５】
本発明の別の側面としての露光装置は、光束を用いてマスクに形成されたパターンを被露光体に露光する露光装置であって、前記パターンを前記被露光体に投影する投影光学系と、前記光束とシアリング干渉を利用して前記投影光学系の波面収差を干渉縞として検出する上述の測定装置とを有することを特徴とする。前記露光光は、例えば、波長２０ｎｍ以下の極紫外線である。
【００１６】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被露光体を露光するステップと、前記露光された前記被露光体を現像するステップとを有する。上述の露光装置の作用と同様の作用を奏するデバイス製造方法の請求項は、中間及び最終結果物であるデバイス自体にもその効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、ＬＳＩやＶＬＳＩなどの半導体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気センサー、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
【００１７】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、シアリング干渉を利用して従来よりも高精度かつ信号処理を容易にする被検光学系の波面を測定することが可能な測定装置、それを利用した露光装置、並びに、デバイス製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１に本発明の一実施形態の測定装置１００の基本配置を示す。測定装置１００は、ピンホール板１０と、被検光学系１２と、回折格子１４と、回折格子用ステージ１６と、選択窓板２０と、選択窓板用ステージ２６と、検出部２８と、制御部３０とを有する。
【００２０】
ピンホール板１０は、被検光学系１２の物体面位置の所望の物点に配置され、測定光の球面波を生成するためのピンホール１０ａを有する。ＮＡ０．２５のＥＵＶ露光光学系では、照明側のＮＡは、０．０６２５程度になり、この範囲の回折角をカバーするピンホール１０ａの径は、１３．５／（２ｘ０．０６２５）＝１０８ｎｍとなり、略１００ｎｍ程度のピンホール１０ａを使用する。ピンホール板１０は不図示の照明光学系によって照明される。ピンホール１０ａを使用するために高輝度でコヒーレンスの高い光源が必要である。理想的には、シンクロトロン放射光等から発生するＸ線をさらに狭帯域化したアンジュレータ放射光（Ｕｎｄｕｌａｔｏｒ  ｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｘ−ｒａｙ）等を使うのが好ましい。ピンホール板１０は、ＥＵＶ光を効率良く遮光するものではならず、ＴａやＮｉなどが使われる。ピンホール板の厚みは、Ｔａで２００ｎｍ以上、Ｎｉで１５０ｎｍ以上相当必要である。
【００２１】
ピンホール１０ａで回折した照明光は、被検光学系１２を照明し、回折光選択窓板２０上に結像する。回折光選択窓２０は、Ｘ方向に整列した一対の同一形状の窓２２と、Ｙ方向に整列した一対の同一形状の窓２４とを有する。Ｘ方向のシアリング計測を行う際は窓２２が選択され、像が窓２２の２つの窓の中心に形成されるように窓が位置合せされる。
【００２２】
この後、２次元回折格子１５を有する回折格子板１４がステージ１６によって挿入され、±１次光が２つの窓中心を通過するように設計される。（図２（Ａ））±１次光のシア比は、窓間隔及び回折格子１４と回折光選択窓板２０との距離で決定されるが、１／３０程度が好ましい。波面回復に必要な空間周波数及び干渉縞に必要なコントラストもシア比を決定する要因である。
【００２３】
Ｙ方向を計測する際は、選択窓板２０を駆動し、選択窓２４の２つの窓の中心に０次光を位置合わせる。窓２２及び２４は同一マスク上にあるので、マスクを作製した電子ビーム描画精度（５０ｎｍ程度）でパターン間距離を調節することができる。更に、選択窓板２０を駆動するステージ２６は通常のパルスモータステージを用いても０．１μｍ程度の駆動精度があり、選択窓２０の各開口２２及び２４は１．３μｍ程度なので、ステージ２６を駆動することにより十分な精度で位置決めすることができる。
【００２４】
シアリングによりＸＹ計測を行う際、図４に示す従来の構成では、窓Ｄ及びＥを交換すると共に回折格子もＢ（Ｘ計測用）からＣ（Ｙ計測用）に交換する際、回折格子Ｂ及びＣを空間的に同じ面に一致させることが難しく、図５で説明したような計測エラーが発生していた。ところが、本実施形態は、選択窓２０は交換するものの回折格子板１４は交換しないので計測方向を変更する際にも高精度な計測を維持することが可能である。
【００２５】
このように、回折格子が１次元回折格子Ｂ及びＣから２次元回折格子１５に変更されている点で図４と図１の光学配置は大きく相違し、選択窓板２０を有する点で本実施形態は非特許文献１と相違している。
【００２６】
検出部２８は干渉縞観察手段である背面照射型のＣＣＤ等のディテクタ又はカメラである。制御部３０は、ステージ１６及び２６を制御する他、検出部２８が検出したシアリング干渉情報を取得して、波面解析を行い、被検光学系１２の波面収差を算出する。
【００２７】
選択窓２２及び２４により同じ次数の回折光をＣＣＤ２８に導くことにより全く同じ処理により波面を復元することができる。具体的には、Ｘ成分、Ｙ成分を独立にシアした波面をＣＣＤ２８で撮像し、制御部２８が、シア方向に波面を積分し、得られたＸ成分、Ｙ成分の波面情報から経路積分により２次元波面を復元する。より高精度化するには、Ｘシア時にＸ方向に格子を１／４ピッチずつ走査した干渉縞画像を取得し、５バケット法や９バケット法により位相情報（波面）を算出する。位相情報は３６０度毎の離散的な情報になるので、位相が滑らかに接続するようにアンラップ（Ｕｎｗｒａｐ）する事で高精度な波面が得られる。これらはやはり微分波面で得られるため演算による積分操作を行い元の波面を復元することができる。
【００２８】
上記方式を実施することにより図５に示すような回折格子の位置誤差による計測誤差を著しく低減することができるが、ＸＹ成分を時系列に取り込む間に、回折格子自身が光軸方向に移動（ドリフト）してしまうことがある。測定中にドリフトした場合はやはり同様な原理により僅かながら誤差が発生してしまう。それを防ぐために、図３に示すような構成にして、ＸＹ成分を同時に計測することが有効である。図３においては、選択窓板２０Ａは、二対の窓２２Ａ及び２４ＡをＸＹ方向に有し、窓２２Ａは窓２２に対応し、窓２４Ａは窓２４に対応する。二対の窓２２Ａ及び２４Ａは、図３においては正方形の頂点に配置される。
【００２９】
波面回復の手順は、非特許文献１とほぼ同じ手法が適用可能である。非特許文献１の方法では、０次光と１次光の干渉コントラストが最大になるので、干渉縞を２次元でフーリエ変換波した後、０次光と１次光の干渉スペクトルを残す空間周波数フィルタリングを行う。本実施例では−１次と＋１次なので、その２倍の空間周波数を残すようなフィルタリングを実施し、その後逆フーリエ変換して信号成分を抽出する。±１次光によって形成される干渉縞コントラストは、０次光と１次光によって形成されるコントラストより、１０％程度向上することと、非特許文献１の方法では、他の回折次数間の干渉縞が信号光コントラストをさらに劣化させるため、本実施例とのコントラスト差はさらに大きくなる。よって、本発明を実施することにより高コントラストな干渉縞を取得することができ、より高精度な計測が可能になる。
【００３０】
このように、本実施形態の測定方法及び装置によれば、２次元回折格子１５は直交２方向においてシアリング干渉情報を取得する際に固定されており、回折格子交換に伴う計測誤差を発生させることない。このため、高精度な波面収差測定を実施することが可能である。また、非特許文献１と異なり、選択窓を透過した測定光に関するシアリング干渉情報から被検光学系１２の波面収差を算出しており、非特許文献１よりも演算量が大幅に減少して演算処理を容易にしている。
【００３１】
以下、図６を参照して、本発明の別の実施形態の露光装置４０について説明する。ここで、図６は、ＥＵＶ光を露光光として使用する露光装置４０の概略ブロック図である。もっとも、本発明の露光装置はＥＵＶ光に限定されるものではない。
【００３２】
図６において、４１は光源も含む照明系、４２はレチクルステージ、４４はレチクルで、レチクル４４は第１のマスク１２でもよいし、半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）の回路パターンが配されているレチクルであってもよい（但し、この場合はピンホール１０ａが必要である）。１２Ａは被検光学系である投影光学系、４５はウエハステージ、１４Ａは回折格子板（光分割手段）で、図５ではウエハステージ４５側にあるが、レチクルステージ４２側に配置してもよい。回折格子板１４Ａは、図１に示す回折格子板１４と同様な構造を有する。４６は窓２２及び２４が配置されているパターン面、２８は検出部で、４７は被露光体（本実施形態ではウエハ）である。パターン面４６と検出部２８は一体構造となっていて、ウエハステージ４５上に配置されている。
【００３３】
以上のような構成で、図１と同様に、照明系４１でマスク４４を照明し、ピンホール１０ａから射出する一方向だけ球面となっている波面を回折格子１４Ａで分割し、投影光学系１２Ａを介して０次光を遮断して±１次回折光をウインドウ２２（又は２２Ａ）又は２４（又は２４Ａ）へ入射させて、検出部２８で干渉縞を得る。干渉縞は元の波面を微分したものに対応するので、検出部２８で取得した干渉縞を制御部２８は積分して元の波面情報を取得する。回折格子１４Ａを位相シフト手段１６で移動させ、投影光学系１２Ａの画角内の数点で同様に収差測定を行うことで投影光学系の画角内の収差特性を測定する。本実施形態では、マスクとして反射パターンを用いることで投影露光装置内に収差測定機能を付加しやすい構成となっている。
【００３４】
以下、本発明の一実施形態の収差補正方法について説明する。露光装置４０は投影光学系を構成する図示しない複数の光学素子が光軸方向及び／又は光軸直交方向へ移動可能になっており、不図示の収差調節用の駆動系により、本実施形態により得られる収差情報にもとづいて、一又は複数の光学素子を駆動することにより、投影光学系の一又は複数値の収差（特に、ザイデルの５収差）を補正したり、最適化したりすることができる。また、投影光学系４０の収差を調整する手段としては、可動レンズ以外に、可動ミラー（光学系がカタディオプトリック系やミラー系のとき）や、傾動できる平行平面板や、圧力制御可能な空間、アクチュエータによる面補正などさまざまな公知の系を用いるものが適用できる。
【００３５】
次に、投影露光装置４０を利用したデバイス製造方法を図７及び図８を参照して説明する。ここで、図７は，半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ステップ１（回路設計）では、半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）では、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は、前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり，アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では，ステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００３６】
図８は、図７のステップ４のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着等によって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光材を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置４０によってマスク４２の回路パターンをウエハ４７に露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハ４７を現像する。ステップ１８（エッチング）では，現像したレジスト像以外の部部を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では，エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ４７上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高精度の半導体デバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施形態の測定装置の光路図である。
【図２】図１に示す測定装置の選択窓板の動作を説明するための光路斜視図である。
【図３】図１に示す測定装置の選択窓板の変形例を説明するための光路斜視図である。
【図４】従来の測定装置の光路図である。
【図５】図４に示す測定装置の問題を説明するための光路図である。
【図６】本発明の一実施形態の露光装置を説明するための光路図である。
【図７】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図８】図６に示すステップ４のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００３８】
１００                        測定装置
１０                          ピンホール板
１２                          被検光学系
１４                          回折格子板
２０、２０Ａ                  選択窓板
２２、２２Ａ、２４、２４Ａ    選択窓
２８                          検出部
３０                          制御部
４０                          露光装置
【図３】
2005159213.tif 000003
【図６】
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【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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