(57)【要約】【課題】半導体部品に対する密着性が悪く熱がヒートシンクに伝わりにくいという課題があった。【解決手段】  本発明にかかる半導体部品の放熱機構によれば、ヒートシンク２０を一方においてビス止め固定し、もう一方において係止させることにより、半導体部品１０に密着した状態でヒートシンク２０を装着させることが可能である。従って、ヒートシンク２０に対する伝熱性が良く、全体としての放熱性能を高いものとすることができる。また、ヒートシンク２０を装着するにあたっては、ヒートシンク２０自体を変形させる必要がないため、例えば板厚が厚い等の剛性が高いヒートシンク２０も適用することができる。従って、より熱伝導性のよいヒートシンク２０を形成することも可能となる。【選択図】  図３
2005136221.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略矩形の封止容器の内部に収容されたＩＣチップと、上記ＩＣチップと基板の配線とを電気的に接続するとともに上記封止容器を上記基板に対して所定量浮かせて支持する複数の接続ピンと、一端が上記封止容器の内部に収容されもう一端に形成された略板状の放熱部を上記封止容器の外部へ突出させることにより上記ＩＣチップの熱を上記封止容器の外部に放出させる放熱フィンとを備える半導体部品に取り付ける半導体部品の放熱機構であって、
上記放熱部に上方から密着し同放熱部に形成されたビス穴に対してビスが上方から下方に進行するようにビス止め固定される略板状の取り付け面と、
上記取り付け面を延設することにより形成され、上記封止容器の上面に密着する略板状の吸熱面と、上記吸熱面の端部を上方に向かって略直角に屈曲させて形成した略板状の放熱面と、上記吸熱面の一端を上記封止容器の厚み分だけ下方に延設することにより形成され、上記封止容器の側面に密着する略板状の位置決め面と、上記位置決め面の下端を延設することにより形成され、上記封止容器の下面の端部に下方から密着する略板状の係止面とを備えるヒートシンクと、
上記放熱フィンにおける上記放熱部の端部を下方に屈曲させることにより形成され、先端部分が上記基板に形成された貫通穴を貫通し同基板の下方に突出する略板状の副放熱部とを具備することを特徴とする半導体部品の放熱機構。
【請求項２】
略矩形の封止容器の内部に収容されたＩＣチップと、上記ＩＣチップと基板の配線とを電気的に接続するとともに上記封止容器を上記基板に対して所定量浮かせて支持する複数の接続ピンと、一端が上記封止容器の内部に収容されもう一端に形成された略板状の放熱部を上記封止容器の外部へ突出させることにより上記ＩＣチップの熱を上記封止容器の外部に放出させる放熱フィンとを備える半導体部品に取り付ける半導体部品の放熱機構であって、
上記放熱部に上方から密着し同放熱部に形成されたビス穴に対してビス止め固定される略板状の取り付け面と、
上記取り付け面を延設することにより形成され、上記封止容器の上面に密着する略板状の吸熱面と、
上記吸熱面の端部を上方に向かって略直角に屈曲させて形成した略板状の放熱面と、
上記吸熱面の一端を上記封止容器の厚み分だけ下方に延設することにより形成され、上記封止容器の側面に密着する略板状の位置決め面と、
上記位置決め面の下端を延設することにより形成され、上記封止容器の下面の端部に下方から密着する略板状の係止面とを備えるヒートシンクを具備することを特徴とする半導体部品の放熱機構。
【請求項３】
上記取り付け面は、ビスが上方から下方に進行するように上記放熱部にビス止め固定されることを特徴とする請求項２に記載の半導体部品の放熱機構。
【請求項４】
上記半導体部品を上記基板に実装する前に、上記取り付け面は、予めビスが下方から上方に進行するように上記放熱部にビス止め固定されることを特徴とする請求項２に記載の半導体部品の放熱機構。
【請求項５】
上記放熱フィンにおける上記放熱部の端部を下方に屈曲させることにより形成され、先端部分が上記基板に形成された貫通穴を貫通し同基板の下方に突出する略板状の副放熱部を具備することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体部品の放熱機構。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体部品の半導体部品の放熱機構に関し、特に、放熱フィンを備えた半導体部品の放熱機構に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の半導体部品の放熱機構として、ヒートシンクにバネ性を持たせて半導体部品に対する密着性を向上させたものが知られている（例えば、特許文献１の図２、参照。）。また、半導体部品を略コの字状のヒートシンクで取り囲み、先端部分を互いに係合させることにより固定させるものが知られている（例えば、特許文献１の図１０、参照。）。
前者においては、半導体部品に対する密着性が高いため放熱性能を向上させることが可能であった。後者においては、簡単に固定することが可能であった。
【特許文献１】特開昭５５−１３９１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、前者の構成において、ヒートシンクにバネ性を持たせるためにヒートシンクの板厚を薄くする必要があった。後者においても、先端部分を互いに係合させるためにある程度ヒートシンクが変形する必要があり、ヒートシンクの板厚を薄くする必要があった。従って、板厚を厚くして放熱効率を高めることができないという課題があった。
また、後者においては、先端部分を互いに係合させただけでは、半導体部品に対する密着性が悪く熱がヒートシンクに伝わりにくいという課題があった。さらに、後者においてはヒートシンクが半導体部品の上面から吸収した熱を半導体部品の下面に伝導させてしまい、十分な放熱効果が得られないという課題があった。
本発明は、上記課題にかんがみてなされたもので、半導体部品に対する密着性が高く、放熱効率のよい半導体部品の放熱機構の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するため、請求項１にかかる発明は、略矩形の封止容器の内部に収容されたＩＣチップと、上記ＩＣチップと基板の配線とを電気的に接続するとともに上記封止容器を上記基板に対して所定量浮かせて支持する複数の接続ピンと、一端が上記封止容器の内部に収容されもう一端に形成された略板状の放熱部を上記封止容器の外部へ上記基板と略平行となるように突出させることにより、上記ＩＣチップの熱を上記封止容器の外部に放出させる放熱フィンとを備える半導体部品に取り付ける半導体部品の放熱機構であって、
上記放熱部に上方から密着し同放熱部に形成されたビス穴に対してビスが上方から下方に進行するようにビス止め固定される略板状の取り付け面と、上記取り付け面を延設することにより形成され、上記封止容器の上面に密着する略板状の吸熱面と、上記吸熱面の端部を上方に向かって略直角に屈曲させて形成した略板状の放熱面と、上記吸熱面の一端を上記封止容器の厚み分だけ下方に延設することにより形成され、上記封止容器の側面に密着する略板状の位置決め面と、上記位置決め面の下端を延設することにより形成され、上記封止容器の下面の端部に下方から密着する略板状の係止面とを備えるヒートシンクと、上記放熱部の端部を下方に屈曲させることにより形成され、先端部分が上記基板に形成された貫通穴を貫通し同基板の下方に突出する略板状の副放熱部とを具備する構成としてある。
【０００５】
上記のように構成した請求項１において、半導体部品は、ＩＣチップと封止容器と接続ピンと放熱フィンとから構成される。上記ＩＣチップは略矩形の上記封止容器の内部に収容されるとともに、複数の上記接続ピンにより基板の配線とを電気的に接続される。また、複数の上記接続ピンは上記封止容器を上記基板に対して所定量浮かせて支持する。上記封止容器の内部には、上記放熱フィンの一端が収容される。上記放熱フィンのもう一端において略板状に形成した放熱部を、上記封止容器の外部に突出させることにより上記ＩＣチップの熱を上記封止容器の外部に放出させることができる。
【０００６】
上記放熱部にはビス穴が形成され、同ビス穴を利用して上記ヒートシンクにおける略板状の取り付け面が上方から密着するようにビス止め固定される。なお、ビスは、上記ビス穴に対して上方から下方に進行するように上記取り付け面をビス止め固定する。上記封止容器の上面に密着する略板状の吸熱面は、上記取り付け面を延設することにより形成される。略板状の放熱面は、上記吸熱面の端部を上方に向かって略直角に屈曲させることにより形成される。上記封止容器の側面に密着する略板状の位置決め面は、上記吸熱面の一端を上記封止容器の厚み分だけ下方に延設することにより形成される。上記封止容器の下面の端部に下方から密着する略板状の係止面は、上記位置決め面の下端を延設することにより形成される。すなわち、上記ヒートシンクは、上記取り付け面と上記吸熱面と上記放熱面と上記位置決め面と上記係止面とから構成される。一方、先端部分が上記基板に形成された貫通穴を貫通し同基板の下方に突出する略板状の副放熱部は、上記放熱フィンにおける上記放熱部の端部を下方に屈曲させることにより形成される。
【０００７】
すなわち、上記放熱フィンは、上記封止容器の内部の熱を同封止容器の外部まで伝導させ上記放熱部にて放熱する。上記放熱部には先端部分が上記基板に形成された貫通穴を貫通し同基板の下方に突出する副放熱部が備えられるため、上記放熱部まで伝導された熱を上記基板の下方に放出することもできる。上記放熱部には、上記ヒートシンクにおける上記取り付け面が上方から密着するように取り付けられるため、上記放熱部まで伝導された熱を上記ヒートシンクに伝導させることができる。また、上記ヒートシンクには上記封止容器の上面に密着する上記吸熱面が備えられるため、上記封止容器の上面の熱も上記ヒートシンクが吸収することができる。
【０００８】
上記ヒートシンクを上記半導体部品に取り付けるにあたっては、上記ビスが上方から下方に進行するようにビス止め固定されるため、上方から上記放熱部に密着する上記取り付け面をさらに上記放熱部に密着するように押しつけることができる。さらに、上記封止容器の上面に密着する上記吸熱面と、上記封止容器の下面の端部に下方から密着する上記上記位置決め面とが上記封止容器を厚み方向に挟み込むため確実に上記ヒートシンクを上記半導体部品に固定することができる。また、上記位置決め面が上記封止容器の側面に密着するため、側方からの位置決めを簡易化させることができる。
【０００９】
また、請求項２にかかる発明は、略矩形の封止容器の内部に収容されたＩＣチップと、上記ＩＣチップと基板の配線とを電気的に接続するとともに上記封止容器を上記基板に対して所定量浮かせて支持する複数の接続ピンと、一端が上記封止容器の内部に収容されもう一端に形成された略板状の放熱部を上記封止容器の外部へ上記基板と略平行となるように突出させることにより、上記ＩＣチップの熱を上記封止容器の外部に放出させる放熱フィンとを備える半導体部品に取り付ける半導体部品の放熱機構であって、
上記放熱部に上方から密着し同放熱部に形成されたビス穴に対してビス止め固定される略板状の取り付け面と、上記取り付け面を延設することにより形成され、上記封止容器の上面に密着する略板状の吸熱面と、上記吸熱面の端部を上方に向かって略直角に屈曲させて形成した略板状の放熱面と、上記吸熱面の一端を上記封止容器の厚み分だけ下方に延設することにより形成され、上記封止容器の側面に密着する略板状の位置決め面と、上記位置決め面の下端を延設することにより形成され、上記封止容器の下面の端部に下方から密着する略板状の係止面とを備えるヒートシンクを具備する構成としてある。
【００１０】
上記のように構成した請求項２において、半導体部品は、ＩＣチップと封止容器と接続ピンと放熱フィンとから構成される。上記ＩＣチップは略矩形の上記封止容器の内部に収容されるとともに、複数の上記接続ピンにより基板の配線とを電気的に接続される。また、複数の上記接続ピンは上記封止容器を上記基板に対して所定量浮かせて支持する。上記封止容器の内部には、上記放熱フィンの一端が収容される。上記放熱フィンのもう一端において略板状に形成した放熱部を、上記封止容器の外部に突出させることにより上記ＩＣチップの熱を上記封止容器の外部に放出させることができる。
【００１１】
上記放熱部にはビス穴が形成され、同ビス穴を利用して上記ヒートシンクにおける略板状の取り付け面が上方から密着するようにビス止め固定される。上記封止容器の上面に密着する略板状の吸熱面は、上記取り付け面を延設することにより形成される。略板状の放熱面は、上記吸熱面の端部を上方に向かって略直角に屈曲させることにより形成される。上記封止容器の側面に密着する略板状の位置決め面は、上記吸熱面の一端を上記封止容器の厚み分だけ下方に延設することにより形成される。上記封止容器の下面の端部に下方から密着する略板状の係止面は、上記位置決め面の下端を延設することにより形成される。すなわち、上記ヒートシンクは、上記取り付け面と上記吸熱面と上記放熱面と上記位置決め面と上記係止面とから構成される。一方、先端部分が上記基板に形成された貫通穴を貫通し同基板の下方に突出する略板状の副放熱部は、上記放熱フィンにおける上記放熱部の端部を下方に屈曲させることにより形成される。
【００１２】
すなわち、上記放熱フィンは、上記封止容器の内部の熱を同封止容器の外部まで伝導させ上記放熱部にて放熱する。上記放熱部には、上記ヒートシンクにおける上記取り付け面が上方から密着するように取り付けられるため、上記放熱部まで伝導された熱を上記ヒートシンクに伝導させることができる。また、上記ヒートシンクには上記封止容器の上面に密着する上記吸熱面が備えられるため、上記封止容器の上面の熱も上記ヒートシンクが吸収することができる。
【００１３】
上記ヒートシンクを上記半導体部品に取り付けるにあたっては、上記ビスによりビス止め固定されるため、上記取り付け面を上記放熱部に密着するように確実に取り付けることができる。さらに、上記封止容器の上面に密着する上記吸熱面と、上記封止容器の下面の端部に下方から密着する上記上記位置決め面とが上記封止容器を厚み方向に挟み込むため確実に上記ヒートシンクを上記半導体部品に固定することができる。また、上記位置決め面が上記封止容器の側面に密着するため、側方からの位置決めを簡易化させることができる。
【００１４】
さらに、請求項３にかかる発明は、上記取り付け面は、ビスが上方から下方に進行するように上記放熱部にビス止め固定される構成としてある。
上記のように構成した請求項３において、上記ビスを上方から下方に進行するようにビス止め固定することにより、上方から上記放熱部に密着する上記取り付け面をさらに上記放熱部に密着するように押しつけることができる。
【００１５】
さらに、請求項４にかかる発明は、上記取り付け面は、上記半導体部品を上記基板に実装する前に予めビスが下方から上方に進行するように上記放熱部にビス止め固定される構成としてある。
上記のように構成した請求項４において、上記半導体部品を上記基板に実装する前に、上記ビスが下方から上方に進行するように上記取り付け面をビス止め固定する。すなわち、上記ビスの先端が上方を向くため、同ビスの先端が上記基板に干渉することはない。
【００１６】
さらに、請求項５にかかる発明は、上記放熱部の端部を下方に屈曲させることにより形成され、先端部分が上記基板に形成された貫通穴を貫通し同基板の下方に突出する略板状の副放熱部を具備する構成としてある。
上記のように構成した請求項５において、先端部分が上記基板に形成された貫通穴を貫通し同基板の下方に突出する略板状の副放熱部は、上記放熱部の端部を下方に屈曲させることにより形成される。すなわち、上記副放熱部は、上記基板の下方に向かって放熱することができる。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１および請求項２にかかる発明では、ヒートシンクの半導体部品に対する密着性がよく、放熱効率の高い半導体部品の放熱機構を提供することができる。
請求項３にかかる発明では、ヒートシンクを半導体部品に押しつけて固定することができ、密着性を向上させることができる。
請求項４にかかる発明では、基板にビス止めのための穴を形成する必要をなくすことができる。
請求項５にかかる発明では、熱を基板の下方にも放出させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、下記の順序に従って本発明の実施の形態について説明する。
（１）半導体部品の構成：
（２）ヒートシンクの構成：
（３）第一の実施形態：
（４）第二の実施形態：
（５）まとめ：
【００１９】
（１）半導体部品の構成：
図１は、本発明にかかる半導体部品の一例を斜めから見て示している。なお、同図は基板に実装する前の状態の半導体部品１０を示している。同図において、セラミックや耐熱性樹脂等で形成された略矩形の封止容器１１の前方および奥方の側面に、複数の接続ピン１２が備えられている。複数の接続ピン１２は略Ｌ字状に屈曲し、先端が下方に配向するとともに封止容器１１の下面よりも下方に到達している。封止容器１１の内部には図示されないＩＣチップが収容されており、封止容器１１の内部にてＩＣチップと複数の接続ピン１２とが電気的に接続されている。
【００２０】
封止容器１１における接続ピン１２が備えられない一側面から略Ｕ字状に形成された金属製の放熱フィンの突出部１３が突出している。放熱フィンは突出部１３と、図示されない収容部とから構成され、同収容部は封止容器１１の内部に収容されるとともに同内部にてＩＣチップと接触している。従って、ＩＣチップにて発せられる熱は、放熱フィンの収容部に吸収され突出部１３まで伝導する。すなわち、封止容器１１の内部のＩＣチップにて発せられる熱を封止容器１１の外部まで伝導している。突出部１３は、略板状の放熱部１３ａと、同放熱部１３ａの端部を下方に延設することにより形成された一対の略板状の副放熱部１３ｂとから構成されている。副放熱部１３ｂの下端は、接続ピン１２の先端と同等の高さまで下方に到達している。放熱部１３ａの略中央部には、同放熱部１３ａを貫通する円形のビス穴１３ａ１が形成されている。
【００２１】
（２）ヒートシンクの構成：
図２は、本発明にかかるヒートシンクの一例を斜めから見て示している。同図において、ヒートシンク２０は、取り付け面２１と吸熱面２２と二枚の放熱面２３と位置決め面２４と係止面２５とから構成されており、一枚の金属板を所定の形状に切断し、屈曲させることにより形成されている。また、ヒートシンク２０は、熱伝導性のよい金属で形成されており、板厚を厚く形成しているため剛性が高くなっている。ただし、本発明にかかるヒートシンクは熱を伝導させる素材で形成されていればよく、金属製のものに限られるものではない。取り付け面２１は、幅および長さが放熱部１３ａと同等となる略矩形板状に形成されており、中央部に円形の貫通穴２１ａが形成されている。取り付け面２１の一方の端部を延設することにより、幅および長さが封止容器１１の上面と同等となる略板状の吸熱面２２が形成されている。
【００２２】
吸熱面２２の前方および奥方のそれぞれの端部を上方に延設することにより、一対の略板状の放熱面２３が形成されている。また、放熱面２３のそれぞれと吸熱面２２とは略直交している。吸熱面２２における取り付け面２１と対向する側の端部を下方に延設することにより、略板状の位置決め面２４が形成されている。位置決め面２４と吸熱面２２とは略直交しており、位置決め面２４の高さ方向の長さは封止容器１１の厚みとほぼ同等となっている。位置決め面２４の下端部を取り付け面２１側に向かって屈曲させることにより、略板状の係止面２５を形成している。係止面２５は位置決め面２４に対して略直交するとともに、吸熱面２２に対して略平行となっている。
【００２３】
（３）第一の実施形態：
図３は、本発明の第一の実施形態にかかる半導体部品およびヒートシンクを正面から見て示している。同図において、半導体部品１０は基板４０に実装されており、接続ピン１２の先端が基板４０の実装穴４０ａのそれぞれを貫通しつつ基板４０の下面にて半田付けされている。基板４０の下面には所定のパターン配線が形成されており、半田付けすることにより、同パターン配線と接続ピン１２とが電気的に接続されている。すなわち、ＩＣチップと基板４０のパターン配線とは、接続ピン１２を介して電気的にすることが可能となっている。また、接続ピン１２を半田付けすることにより、半導体部品１０は基板４０に対して略平行に固定されている。この固定位置は、半導体部品１０の封止容器１１の下面と、基板４０との間に所定の隙間が形成される位置となっている。
【００２４】
放熱フィンの副放熱部１３ｂも基板４０に形成された実装穴４０ｂを貫通し先端が基板４０の下面側まで到達している。一方、ヒートシンク２０は、半導体部品１０に対して固定されている。
まず、ヒートシンク２０は、半導体部品１０の封止容器１１を係止面２５と吸熱面２２とで上下から挟み込んで係止されている。係止面２５と吸熱面２２との間隔を規定する位置決め面２４の高さ方向の長さは封止容器１１の厚みと同等となっているため、がたつきを生じさせることなく係止させることが可能となっている。従って、吸熱面２２は封止容器１１の上面に対して隙間ができないように密着することができる。係止面２５も封止容器１１の下面に対して密着しているが、長さが短く形成されているため封止容器１１の下面における接続ピン１２よりも位置決め面２４に近い位置にて終端している。また、位置決め面２４は封止容器１１の側面に対して当接しており、ヒートシンク２０を半導体部品１０に対して所定の側方位置において位置決めしている。
【００２５】
そして、位置決め面２４がヒートシンク２０を半導体部品１０に対して位置決めすると、半導体部品１０における放熱部１３ａのビス穴１３ａ１と、ヒートシンク２０における取り付け面２１の貫通穴２１ａとが上下に重なるようになっている。すなわち、この状態においてビス３０は、ビス穴１３ａ１と貫通穴２１ａとを貫通し、放熱部１３ａと取り付け面２１とを螺合することができる。本実施形態において、ビス３０は、ビス穴１３ａ１と貫通穴２１ａに対して上方から下方に進行するように螺合されている。
【００２６】
このようにすることにより、ヒートシンク２０を半導体部品１０に対して密着するように取り付けることができるため、半導体部品１０からヒートシンク２０に効率よく伝熱させることができる。すなわち、上述のとおり吸熱面２２は封止容器１１の上面に対して密着するし、取り付け面２１は放熱部１３ａに対してビス止め固定されるため確実に両者を接触させることができる。さらに、ビス３０は、取り付け面２１を放熱部１３ａに押しつける方向に螺合するため、両者の密着性は良好なものとなる。また、さらに密着性を向上させるためにビス３０に対応したナットを使用して、取り付け面２１と放熱部１３ａとを締め付けるようにしてもよい。なお、ビス３０は上方から螺合させるため、半導体部品１０を基板４０に実装した後であっても、ヒートシンク２０を半導体部品１０に装着させることが可能である。むろん、実装前においてヒートシンク２０を半導体部品１０に装着させることが可能であることはいうまでもない。
【００２７】
半導体部品１０の表面において、封止容器１１の内部のＩＣチップの発熱が最も伝導される部位は、封止容器１１の上面および放熱フィンの放熱部１３ａである。ヒートシンク２０は、封止容器１１の上面および放熱部１３ａの双方に密着するため、効率よく半導体部品１０から吸熱することができる。ヒートシンク２０に吸熱された熱は、ヒートシンク２０を伝導し放熱面２３において基板４０の上方に向かって放出される。一部の熱が位置決め面２４と係止面２５を経由して封止容器１１の下面に回り込むが、係止面２５は封止容器１１の下面の端部にのみ接触するため封止容器１１全体を加熱してしまうことはない。また、副放熱部１３ｂは基板４０の下方に突出するため、放熱部１３ａに伝えられた熱を基板４０の下方側にも放熱させることができる。従って、ヒートシンク２０と半導体部品１０全体としての放熱性能を向上させることができる。
【００２８】
また、ヒートシンク２０を半導体部品１０に装着させるにあたっては、係止面２５と吸熱面２２とで封止容器１１を挟み込みつつ紙面奥側に向かってヒートシンク２０をスライドさせることにより、ビス穴１３ａ１と貫通穴２１ａとが一致する取り付け位置にセットすることができる。このとき、係止面２５は接続ピン１２よりも位置決め面２４に近い位置にて終端しているため、接続ピン１２と係止面２５とが干渉してしまうことはない。このように、ヒートシンク２０を半導体部品１０に装着させるにあたり、ヒートシンク２０を変形させる必要はない。従って、ヒートシンク２０の素材として剛性の高いものや、脆いものも使用することができる。従って、ヒートシンク２０の素材として必ずしも延性、展性、弾性に優れる金属材料を使用する必要はなく、例えば熱伝導性の良い炭素系の材料を使用することも可能である。さらに、ヒートシンク２０の素材として金属材料を使用した場合であっても板厚を厚くすることができるため、熱伝導性を向上させることができる。
【００２９】
本発明のヒートシンク２０が装着可能な半導体部品は、基板と封止容器との間に係止面が入り込む隙間をもって実装されれば良く、本実施形態において例示した実装方式によるものでなくてもよい。すなわち、接続ピンが基板を貫通し同基板の下面にて半田付け固定されている実装方式に限られない。例えば、接続ピンが基板の実装面側にて半田付けされる態様のものであってもよい。また、半田形成の方式も特に限定されることはなく、例えばディップ式によるものであってもよいし、印刷により形成するものであってもよい。
【００３０】
（４）第二の実施形態：
図４は、本発明の第二の実施形態にかかる半導体部品およびヒートシンクを正面から見て示している。なお、本実施形態において、半導体部品１１０とヒートシンク１２０と基板１４０の構成は第一の実施形態と同様となっている。本実施形態においては、ビス１３０の螺合方向のみが第一の実施形態と異なっており、ビス１３０の螺合方向が下方から上方に進行する方向となっている。このようにすることにより、下方の基板１４０にビス１３０の頭部が対向する。従って、ヒートシンク１２０を半導体部品１１０に装着させた状態で半導体部品１１０を基板１４０に実装させる際に、ビス１３０が基板１４０に干渉してしまうことはない。
【００３１】
すなわち、ビス１３０の先端を下方に配向させるとビス１３０の長さによっては基板１４０まで到達する場合もあるが、ビス１３０の頭部が基板１４０に到達することはない。従って、どのような長さのビスであってもヒートシンク１２０の固定に利用することができる。また、ビス１３０の先端を上方に大きく突出させることにより、ビス１３０自体が上方への放熱効果を発揮することとなる。従って、ヒートシンク１２０の放熱効果をさらに向上させることも可能である。
【００３２】
（５）まとめ：
以上説明したように、本発明にかかる半導体部品の放熱機構によれば、ヒートシンクを一方においてビス止め固定し、もう一方において係止させることにより、半導体部品に密着した状態でヒートシンクを装着させることが可能である。従って、ヒートシンクに対する伝熱性が良く、全体としての放熱性能を高いものとすることができる。また、ヒートシンクを装着するにあたっては、ヒートシンク自体を変形させる必要がないため、例えば板厚が厚い等の剛性が高いヒートシンクも適用することができる。従って、より熱伝導性のよいヒートシンクを形成することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】半導体部品の斜視図である。
【図２】ヒートシンクの斜視図である。
【図３】第一の実施形態にかかる半導体部品にヒートシンクを取り付けた状態を示す正面図である。
【図４】第二の実施形態にかかる半導体部品にヒートシンクを取り付けた状態を示す正面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０，１１０…半導体部品
１１…封止容器
１２，１１２…接続ピン
１３…突出部
１３ａ…放熱部
１３ａ１…ビス穴
１３ｂ…副放熱部
２０…ヒートシンク
２１…取り付け面
２１ａ…貫通穴
２２…吸熱面
２３…放熱面
２４…位置決め面
２５…係止面
３０，１３０…ビス
４０，１４０…基板
４０ａ，４０ｂ…実装穴
【図１】
2005136221.tif 000003
【図２】
2005136221.tif 000004
【図３】
2005136221.tif 000005
【図４】
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