(57)【要約】【課題】  温度変化を考慮して、より正確な発光素子の寿命予測を行う。【解決手段】  発光素子１１および発光素子１１と光学的に結合された受光素子１２を含む発光モジュール２０と、受光素子１２を流れる電流をモニタして発光素子１１からの光出力が一定となるように発光素子１１に駆動電流を供給する駆動回路３０とを有する光送信器１０において、発光素子１１を所定の温度に保持する温度設定手段１４，１５と、発光素子１１の温度を検知する温度検知手段１４，１６と、温度検知手段の出力に基づいて温度設定手段を制御し、発光素子１１を所定の温度に設定して、駆動電流の電流値を記憶し、記憶された電流値に基づいて発光素子１１の劣化を判定する劣化判定回路１７とを備えた。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動電流の供給により光を出力する発光素子および該発光素子と光学的に結合された受光素子を含む発光モジュールと、前記受光素子を流れる電流をモニタして前記発光素子からの光出力が一定となるように前記発光素子に前記駆動電流を供給する駆動回路とを有する光送信器において、
前記発光素子を所定の温度に保持する温度設定手段と、
前記発光素子の温度を検知する温度検知手段と、
該温度検知手段の出力に基づいて前記温度設定手段を制御し、前記発光素子を所定の温度に設定して、前記駆動電流の電流値を記憶し、記憶された電流値に基づいて前記発光素子の劣化を判定する劣化判定回路と
を備えたことを特徴とする光送信器。
【請求項２】
前記発光モジュールは、同軸型ハウジングに実装され、前記温度設定手段は、抵抗器からなるヒータであることを特徴とする請求項１に記載の光送信器。
【請求項３】
前記発光素子は、第１面と第２面とを有し、
前記光出力は、前記第１面から出射され、
前記受光素子は、前記第２面と光学的に結合されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光送信器。
【請求項４】
前記発光素子は、第１面と第２面とを有し、
前記光出力は、前記第１面から出射され、
前記受光素子は、前記第１面と光学的に結合され、前記光出力を透過することを特徴とする請求項１または２に記載の光送信器。
【請求項５】
駆動電流の供給により光を出力する発光素子および該発光素子と光学的に結合された受光素子を含む発光モジュールと、前記受光素子を流れる電流をモニタして前記発光素子からの光出力が一定となるように前記発光素子に前記駆動電流を供給する駆動回路とを有する光送信器における前記発光素子の劣化を判定する発光素子の劣化判定方法おいて、
前記発光素子を所定の温度に設定する温度設定工程と、
前記所定の温度において前記発光素子に流れる前記駆動電流の電流値を記憶する電流値記憶工程と、
前記温度設定工程および前記電流値記憶工程を繰返し、既に記憶されている電流値と、新たに記憶する電流値とを比較することにより、前記発光素子の劣化を判定する劣化判定工程と
を備えたことを特徴とする発光素子の劣化判定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光送信器および発光素子の劣化判定方法に関し、より詳細には、発光素子に流れる駆動電流を測定して、発光素子の劣化判定を行う光送信器および発光素子の劣化判定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光伝送システムの光送信器に用いられる発光素子として、レーザダイオード（以下、ＬＤという）が使用されている。光送信器のＬＤ駆動回路が、送信すべきデータに基づいて、ＬＤに駆動電流を供給すると、ＬＤから所定の光出力が得られる。ＬＤの駆動電流Ｉと光出力レベルＬとの関係は非線形であり、レーザ発振に必要なしきい値電流ＩＴＨを有している。駆動回路は、しきい値電流に相当するバイアス電流を供給するとともに、送信データに基づいて、その大きさが変化する変調電流を供給して、ＬＤを発光させる。
【０００３】
図１に、ＬＤの駆動電流Ｉと光出力レベルＬとの関係を表すＩ−Ｌ特性を示す。ＬＤは、使用時間とともに劣化する。ここで劣化とは、ＬＤが発光し難くなることをいい、同一の駆動電流を供給しても、光出力レベルが初期値よりも小さくなる現象をいう。図１において、駆動時間が大きくなる（ｔ１〜ｔ３）に従って、しきい値電流が増大する（ＩＴＨ１〜ＩＴＨ３）とともに、しきい値電流以上の電流領域におけるＩ−Ｌ特性の傾き（以下、スロープ効率という）も小さくなる。このように、劣化の進んだＬＤは、バイアス電流および変調電流の初期値が供給されたとしても、初期状態と同じ光出力レベルを得ることができない。
【０００４】
市販のＬＤでは、製造メーカにより保証時間が明記されている場合がある。光伝送システムの保守運用の現場では、この保証時間を目安にＬＤまたは光送信器の交換を行っている。しかしながら、この保証時間は、ＬＤの製造上のばらつきを考慮した値が明記されているので、保証時間が経過したＬＤであっても充分に使用に耐えるものもある。そこで、駆動電流値からＬＤの劣化状態を判定する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２７９６４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一方、図１に示したＩ−Ｌ特性は、ＬＤの動作温度にも敏感に依存する。一般に、ＬＤの動作温度が高くなると、ＬＤの発光効率は低下し、駆動時間が経過したＬＤと同様のＩ−Ｌ特性を示す。従って、初期状態と同じ電流を供給しても、初期状態と同じ光出力レベルを得ることができない場合に、ＬＤの劣化によるものか、またはＬＤの動作温度が高温になっているためかを区別しなければならない。特許文献１の方法によれば、補正係数を導入してＬＤの劣化判定を行なっているが、ＬＤの動作温度と駆動電流との関係は非線形の関係にあり、正確な劣化判定ができないという問題があった。
【０００７】
いわゆる、バタフライ型パッケージの光送信器は、パッケージ内部に冷却素子（ペルチェ素子）を内蔵し、冷却素子によりＬＤの動作温度を一定に保つことができる。従って、発光効率の低下は、駆動時間が経過したことによるＬＤ自身の劣化であると、容易に判定することができた。しかしながら、近年、近距離用の光伝送システムに用いる光送信器の需要が高まってきている。このような光送信器においては、コスト的に高価なペルチェ素子を内蔵することができず、冷却素子なしでＬＤを駆動することが一般的である。この場合には、温度を一定にしてＬＤを駆動することができず、発光効率の低下が動作温度によるものか、またはＬＤの劣化によるものかの判断を行うことができない。
【０００８】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、冷却素子を内蔵しない光送信器において、より正確な発光素子の劣化判定を行うことができる光送信器および発光素子の劣化判定方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、駆動電流の供給により光を出力する発光素子および該発光素子と光学的に結合された受光素子を含む発光モジュールと、前記受光素子を流れる電流をモニタして前記発光素子からの光出力が一定となるように前記発光素子に前記駆動電流を供給する駆動回路とを有する光送信器において、前記発光素子を所定の温度に保持する温度設定手段と、前記発光素子の温度を検知する温度検知手段と、該温度検知手段の出力に基づいて前記温度設定手段を制御し、前記発光素子を所定の温度に設定して、前記駆動電流の電流値を記憶し、記憶された電流値に基づいて前記発光素子の劣化を判定する劣化判定回路とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の前記発光モジュールは、同軸型ハウジングに実装され、前記温度設定手段は、抵抗器からなるヒータであることを特徴とする。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の光送信器において、前記発光素子は、第１面と第２面とを有し、前記光出力は、前記第１面から出射され、前記受光素子は、前記第２面と光学的に結合されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項１または２に記載の光送信器において、前記発光素子は、第１面と第２面とを有し、前記光出力は、前記第１面から出射され、前記受光素子は、前記第１面と光学的に結合され、前記光出力を透過することを特徴とする。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、駆動電流の供給により光を出力する発光素子および該発光素子と光学的に結合された受光素子を含む発光モジュールと、前記受光素子を流れる電流をモニタして前記発光素子からの光出力が一定となるように前記発光素子に前記駆動電流を供給する駆動回路とを有する光送信器における前記発光素子の劣化を判定する発光素子の劣化判定方法おいて、前記発光素子を所定の温度に設定する温度設定工程と、前記所定の温度において前記発光素子に流れる前記駆動電流の電流値を記憶する電流値記憶工程と、前記温度設定工程および前記電流値記憶工程を繰返し、既に記憶されている電流値と、新たに記憶する電流値とを比較することにより、前記発光素子の劣化を判定する劣化判定工程とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
以上説明したように、本発明によれば、冷却素子を内蔵しない光送信器においても、温度設定手段を制御して発光素子を所定の温度に設定し、発光素子に流れる駆動電流の電流値を検出するので、より正確な発光素子の劣化判定を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。  
図２に、本発明の一実施形態にかかる光送信器を示す。光送信器１０は、発光サブモジュール２０と制御駆動部３０とから構成されている。発光サブモジュール２０は、発光素子であるＬＤ１１と、ＬＤ１１と光学的に結合された受光素子であるフォトダイオード（以下、ＰＤという）１２と、ＬＤ１１を加熱する温度設定手段としてのヒータ１５と、ＬＤ１１の温度を測定する温度検知手段としてのサーミスタ１６とを備えている。ヒータ１５およびサーミスタ１６は、ＬＤ１１と熱的に結合されている。
【００１６】
制御駆動部３０において、ＬＤ１１のカソード端子は、交流成分を阻止するインダクタＬを介してバイアス電流を供給する電流源ＩＢに接続され、かつ、電流源ＩＭの出力を送信データに基づいて変調し、変調電流を供給するトランジスタＴＲに接続されている。ＰＤ１２のアノード端子には、ＬＤ駆動回路に相当する駆動電流制御部１３が接続されている。駆動電流制御部１３は、ＰＤ１２を流れる電流をモニタし、ＬＤ１１からの光出力が一定となるように、電流源ＩＢおよび電流源ＩＭを制御する。
【００１７】
ヒータ制御部１４は、ヒータ１５およびサーミスタ１６に接続されている。ヒータ制御部１４は、劣化制御部１７からの制御に応じて、サーミスタ１６の出力に基づいてヒータ１５を制御し、ＬＤ１１を一定の温度に保持する。劣化判定回路に相当する劣化制御部１７は、ヒータ制御部１４を制御してＬＤ１１を所定の温度に設定し、バイアス電流と変調電流とをモニタしてＬＤ１１の劣化の判定を行う。
【００１８】
（第１の実施の形態）
図３に、本発明の第１の実施形態にかかる同軸型パッケージの光送信器の構造を示す。図３（ａ）は、同軸型パッケージ４０の斜視図であり、図３（ｂ）は上面図である。同軸型パッケージ４０は、ステム４３と、ＬＤ１１をステム４３の中央部に配置し、ＬＤ１１の光軸をステム４３に垂直に保つマウント部４１とを備えている。ＬＤ１１等を電気的に絶縁して載置し、配線パターンが形成された絶縁基板４２が、マウント部４１上に載置されている。また、マウント部４１のステム４３側の基台４１ａは、ＬＤ１１の光軸に対し斜めに設定され、ＰＤ１２を載置している。
【００１９】
図４は、同軸型パッケージのマウント部上に載置された基板の平面図である。絶縁基板４２上に載置されたＬＤ１１は、ｎ型基板を用いたファブリペロー型（ＦＰ）ＬＤである。ＬＤ１１のｎ型基板は、カソード端子に相当し、ｎ型基板側が絶縁基板４２に対向するように搭載される。ＬＤ１１のカソード端子に駆動電流を供給するために、絶縁基板４２上に配線パターン４６ａが形成され、ステム４３の周囲に配してあるリードピン４５ｂに接続されている。ＬＤ１１の上面は、アノード端子に相当し、リードピン４５ａに直接ワイヤリングされ、電源Ｖｃｃに接続される。また、電源Ｖｃｃは、ＬＤ１１の背面光をモニタするＰＤ１２のカソード端子と共通である。
【００２０】
ＰＤ１２は、マウント部４１の基台４１ａに実装され、ＬＤ１１の光軸に対し角度を持って斜めに実装されている。ＬＤ１１の背面から出射された光が、ＰＤ１２の表面で反射され再びＬＤ１１に入射して雑音光となるのを防止するためである。ＰＤ１２は、カソード端子、アノード端子のいずれもがＰＤ表面に取り出してある形態が好ましい。ＰＤ１２のカソード端子は、上述のＬＤ１１のアノード端子と電気的に共通とし、リードピン４５ａにワイヤリングされる。ＰＤ１２のアノード端子は、リードピン４５ｆにワイヤリングされ、ＰＤ１２を流れる電流をモニタすることができる。端子が表面側にないＰＤを使用する場合には、ＬＤ１１と同様に配線パターンを形成した絶縁性基板を介して、ＰＤをステム４３に実装すればよい。
【００２１】
マウント部４１の絶縁基板４２上には、ヒータ１５およびサーミスタ１６が搭載され、ＬＤ１１と熱的に結合されている。ヒータ１５は、ハイブリッドＩＣを作製する要領で、絶縁基板４２上にモノリシックに形成される。絶縁基板４２としてアルミナセラミクス等の周知の材料を用いることができ、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属で基板上にパターンニングを施し、その後これを高温で焼成する。次に、これらパターンニングを施した金属表面を、選択メッキ等の方法により、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）等で覆う。同時に、ＮｉＣｒ（ニクロム）、ＴａＮ（窒化タンタル）等の抵抗金属を形成する。このようにして、絶縁基板４２上に配線パターン４６ａ〜４６ｄを形成するとともに、ヒータ１５を作製する。
【００２２】
サーミスタ１６は、その抵抗値が温度に対して大きく変化する抵抗であり、公知（市販）のチップ型サーミスタを使用することができる。サーミスタ１６は、絶縁基板４２上の配線パターン４６ｃと４６ｄの間に搭載される。パターン４６ｄは、複数のボンディングワイヤによりマウント部にワイヤリングされ、接地電位とする。
【００２３】
同軸型パッケージ４０は、複数のリードピンを備えている。ＬＤ１１のアノード端子とＰＤ１２のカソード端子に、電源Ｖｃｃを印加するためのリードピン４５ａ、ＬＤ１１のカソードに対してＬＤ駆動信号を供給するためのリードピン４５ｂ、ヒータ１５にバイアスを供給するためのリードピン４５ｃ、ヒータ、サーミスタ１６に共通の端子として接地電位を与えるリードピン４５ｄ、サーミスタ１６から測定温度に対応する信号を取り出すリードピン４５ｅ、およびＰＤ１２の電流をモニタするためのリードピン４５ｆを備えている。
【００２４】
（第２の実施の形態）
図５に、本発明の第２の実施形態にかかる同軸型パッケージの光送信器の構造を示す図である。図５（ａ）は、同軸型パッケージ５０の斜視図である。第２の実施形態では、ＬＤ１１の発光をモニタするためのＰＤ１２を、ＬＤ１１の前方に搭載することを特徴としている。同軸型パッケージ５０は、ステム５３と、ＬＤ１１をステム５３の中央部に配置し、ＬＤ１１の光軸をステム５３に垂直に保つブロック５１とを備えている。ＬＤ１１、ＰＤ１２、ヒータ１５、サーミスタ１６を電気的に絶縁して載置し、配線パターンが形成された搭載部材５２が、ブロック５１上に載置されている。
【００２５】
第１の実施形態において、ＰＤ１２は、ＬＤ１１の背面光を検知する。ＬＤ１１の特性または使用環境によっては、ＬＤ１１の前面光と背面光との間で、その強度比の相関が損なわれる場合がある。従って、背面光強度を基準にして、ＬＤ１１の出射光強度を制御する方法では、精密な制御ができなくなるおそれがある。第２の実施の形態においては、ＰＤ１２によりＬＤ１１の前面光自身を検知する。ＰＤ１２により、ＬＤ１１の出射光が一部吸収されてしまうものの、背面光を検知する方法よりも、ＬＤ１１の出射光強度を精密に制御することができる。
【００２６】
図５（ｂ）は、搭載部材５２の斜視図である。搭載部材５２として半導体シリコンを用いることができる。搭載部材５２の前方端は、エッチングにより溝５７が形成されている。搭載部材５２の内側の溝５７の端部を覆うように、ＬＤ１１は搭載されている。ＬＤ１１は、発光層を下にして搭載部材５２上に実装される（以下、エピダウン実装という）。そのため、発光層から始まる光軸が搭載部材５２の表面に近い位置にあるため、発光サブモジュールからの光出力が低下してしまう。また、ＬＤ１１の直近にＰＤ１２を搭載したとしても、受光効率が損なわれてしまう。そこで、搭載部材５２に溝５７を形成し、ＬＤ１１からの出射光が溝５７内を伝播するようした。このようにして、ＬＤ１１をエピダウン実装した場合でも、同軸型パッケージ５０からの出力光強度を低下させず、ＰＤ１２の受光効率を高めることができる。
【００２７】
ＰＤ１２は、光透過型の受光素子であるので、その受光層は薄く形成されている。本実施形態においては、１．３μｍ帯の光を出射するモジュールであるので、ＰＤ１２の活性層はＩｎＧａＡｓで形成され、その厚さは約０．１μｍに設定する。この時、ＬＤ１１から発した光の透過率は約９０％となる。
【００２８】
搭載部材５２上には、第１の実施形態と同様に、サーミスタ１６およびヒータ１５を搭載する。ここで、搭載部材５２がシリコンにより形成されている場合には、シリコンが有限の抵抗値を有するため、各端子間の絶縁を維持する必要がある。そこで、シリコン上にＳｉＯ２などの無機絶縁材料を厚さ０．２〜０．３μｍ程度形成し、絶縁材料上に配線パターン、ヒータ等を形成する。
【００２９】
搭載部材５２の前端は、メッキまたは蒸着などの周知の方法により、金属をメタライズする。ＰＤ１２の両面１２ａ、１２ｂは、中央に円状に形成された光受光部、光透過部を残して、その表面には電極金属が形成されている。ＰＤ１２の第１の面、すなわちカソード端子は、搭載部材５２のメタライズされた前端に接着され、リードピン５５ｆに直接ワイヤリングされ、電源Ｖｃｃに接続される。一方、ＰＤ１２の第２の面、すなわちアノード端子は、直接ワイヤリングによりリードピン５５ａと接続される。搭載部材５２上のＬＤ１１、配線パターン等と、リードピンとの間の結線は、第１の実施形態と同様にボンディングワイヤにより行われる。
【００３０】
（劣化判定方法）
図６に、駆動電流制御部と劣化制御部の詳細を示す。駆動電流制御部１３は、ＰＤ１２を流れる電流Ｉｐｄをモニタし、ＬＤ１１の光出力レベルを監視する電流モニタ部３１と、電流モニタ部３１の出力結果から、ＬＤ１１の光出力レベルが一定となるように、電流源ＩＢおよび電流源ＩＭを制御する電流源制御部３２と、電流源制御部３２に対し目標値を与える目標値設定部３３とから構成されている。
【００３１】
電流モニタ部３１は、ＰＤ１２を流れる電流Ｉｐｄをモニタし、所定時間間隔で平均値を検出する。電流源制御部３２は、検出した平均値と、目標値設定部３３により設定された所定の光出力レベルに対応する電流値とを比較し、ＬＤ１１が所定の光出力レベルとなるように、電流源ＩＢおよび電流源ＩＭを制御する。
【００３２】
上述したように、ＬＤ１１の劣化は、しきい値電流ＩＴＨの増加とスロープ効率の低下として現れる。劣化判定ルーチンに動作が移ると、ＬＤ１１近傍の温度、厳密にはサーミスタ１６で検知される温度を、所定の温度に設定するために、ヒータ１５に電流を流す。所定の温度は、通常の使用環境温度よりも高い温度に設定することが好ましい。本実施形態の発光サブモジュールは、冷却素子を内蔵していないので、温度制御ための冷温源は環境となるからである。
【００３３】
所定温度に到達して安定した状態で、ＬＤ１１には、実際の送信データに相当するＯＮ／ＯＦＦ信号を入力し、光出力レベルの平均値が、目標値設定部３３により設定された所定の光出力レベルに等しくなる様に、電流源ＩＢと電流源ＩＭを制御する。ＬＤ１１の光出力は、バイアス電流と変調電流の組合せで与えられ、組合せには任意性がある。例えば、両者の比を予め設定しておき、この条件の下で所定の光出力レベルに到達するように、電流源ＩＢと電流源ＩＭを制御する。また、最小光出力レベルをバイアス電流で決定し、光出力レベルの平均値が所定の光出力レベルとなるように、変調電流を制御することもできる。後者の方法では、２ステップの制御となり手順が煩雑になる。
【００３４】
次に、ＬＤ１１の劣化判定方法について説明する。図６を参照して、劣化制御部１７は、バイアス電流をモニタするモニタ部６１と、変調電流をモニタするモニタ部６２と、モニタ部６１，６２で検出した電流値をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器６３とを備えている。さらに、デジタル信号を演算し、その演算結果を判定する演算／比較部（ＡＬＵ）６５と、演算結果を格納するメモリ６４と、ヒータ等の外部機器を制御するためのインタフェース６６とを備え、これら各部はバスで相互に接続されている。
【００３５】
バイアス電流は、バイアス電流モニタ部６１で検知され、Ａ／Ｄ変換器６３でデジタル信号に変換された後、ＡＬＵ６５内に一時的に保持される。同時に変調電流は、変調電流モニタ部６２で検知され、Ａ／Ｄ変換器６３でデジタル信号に変換された後、ＡＬＵ６５において１／２の値に変換され、一時的に保持されているバイアス電流と加算される。加算された結果は、メモリ６４に伝送されて保持される。
【００３６】
次に、メモリ６４から前回の演算結果の値が読み出され、今回の演算結果の値と比較される。今回の値が前回の値と等しいかまたは下回った場合には、ＬＤ１１の劣化は進行していないと判断し、劣化判定ルーチンを終了する。一方、今回の値が前回の値を上回っている場合には、更に前々回の値と前回の値との比較を行う。前回の値が前々回の値を下回っている場合には、ＬＤの劣化が進行しているのではなく、測定精度に起因して値がばらついていると判断し、判定ルーチンを終了する。前回の値が前々回の値を上回っている場合には、劣化が進行していると判定する。所定の光出力利ベルを得るために、供給電流が次第に増加していることになるので、劣化が進行していると判断する。
【００３７】
以上の説明では、電流値の比較に際し、前回の値または前々回の値と大きいか小さいかの二値判定の例を説明したが、例えば、前回の値に対して±２％以内の範囲内であれば、前回の値、前々回の値と同じとする、三値判定を用いることもできる。三値判定の場合であっても、前回の値、前々回の値からの増加だけを問題として、増加が２回連続して発生した場合に、ＬＤの劣化が進行していると判定する。また、回数も２回に制限されることはなく、３回以上の回数連続して増加が発生したときを、劣化判定の目安とすることもできる。
【００３８】
さらに、バイアス電流および変調電流を検知する場合を例として説明したが、バイアス電流と変調電流の比が所定値であるとの前提を置いた場合には、いずれか一方の電流値のみをモニタし、この電流値について前回の値、前々回の値との比較を行うことで、ＬＤの劣化判定を行うこともできる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】レーザダイオードの駆動電流Ｉと光出力レベルＰとの関係を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる光送信器を示すブロック図である。
【図３】本発明の第１の実施形態にかかる同軸型パッケージの光送信器の構造を示す図である。
【図４】同軸型パッケージのマウント部上に載置された基板の平面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態にかかる同軸型パッケージの光送信器の構造を示す図である。
【図６】駆動電流制御部と劣化制御部の詳細を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０    光送信器
１１    ＬＤ
１２    ＰＤ
１３    駆動電流制御部
１４    ヒータ制御部
１５    ヒータ
１６    サーミスタ
１７    劣化制御部
２０    発光サブモジュール
３０    制御駆動部
３１    電流モニタ部
３２    電流源制御部
３３    目標設定部
６１，６２    モニタ部
６３    Ａ／Ｄ変換器
６４    メモリ
６５    演算／比較部（ＡＬＵ）
６６    インタフェース
【図１】
2005109357.tif 000003
【図２】
2005109357.tif 000004
【図３】
2005109357.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005109357.tif 000007
【図６】
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