(57)【要約】【課題】  外部からの電磁波の吸収能力が高いパッケージを備えた光半導体素子およびこの光半導体素子を用いた電子機器を提供する。【解決手段】  発光素子１と受光素子２と２個のリードフレーム３ａ，３ｂとを備えており、リードフレーム３ａ，３ｂの素材が、銀メッキによって被覆された、銅合金、鉄ニッケル合金またはアルミ合金であり、リードフレーム３ａ，３ｂのダイボンド領域２３ａ，２３ｂの周辺部に、ダイボンド領域２３ａ，２３ｂ表面に対して所定の角度で発光素子１または受光素子２側に折り曲げられたシールド板１３ａ，１３ｂが設けられている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、この発光素子に対向配置された受光素子と、これら発光素子および受光素子がそれぞれダイボンドされている２個のリードフレームとを備えた光半導体素子であって、
前記リードフレームのダイボンド領域の周辺部にシールド板が設けられており、このシールド板がダイボンド領域表面側に折り曲げられていることを特徴とする光半導体素子。
【請求項２】
前記受光素子側のリードフレームに形成された前記シールド板がダイボンド領域表面に対して前記発光素子側に９０度より小さい角度で折り曲げられていることを特徴とする請求項１記載の光半導体素子。
【請求項３】
前記発光素子側のリードフレームに形成された前記シールド板がダイボンド領域表面に対して前記受光素子側に９０度より大きい角度で折り曲げられていることを特徴とする請求項１記載の光半導体素子。
【請求項４】
前記リードフレームの素材が、銀メッキによって被覆された、銅合金、鉄ニッケル合金またはアルミ合金であることを特徴とする請求項１記載の光半導体素子。
【請求項５】
前記ダイボンド領域と前記シールド板との境界線に沿って溝が設けられていることを特徴とする請求項１記載の光半導体素子。
【請求項６】
記ダイボンド領域と前記シールド板との境界線に沿ってスリットが形成されていることを特徴とする請求項１記載の光半導体素子。
【請求項７】
前記受光素子側のリードフレームの前記ダイボンド領域およびシールド板の素子搭載側表面が粗面化され、さらに電波吸収体にて覆われていることを特徴とする請求項２記載の光半導体素子。
【請求項８】
前記受光素子の受光面が実装基板に対向配置されるように各リードフレームのリード端子が屈曲形成されていることを特徴とする請求項１記載の光半導体素子。
【請求項９】
前記受光素子側のリードフレームにおいて、アース用の外部端子に直接つながるフレームパッドの形状が、前記受光素子をダイボンドするダイボンド領域と同じ幅をもって受光素子を覆うように配置されていることを特徴とする請求項１記載の光半導体素子。
【請求項１０】
前記外部端子と、前記受光素子の受光面に配置された耐ノイズ用メッシュ金属配線とがワイヤで電気的に接続されていることを特徴とする請求項９記載の光半導体素子。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の光半導体素子を用いたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子と受光素子とが対向配置されてなる光半導体素子に関するものであり、特に、電子機器内の回路上からの電磁波および電子機器外部からの電磁波に対する耐ノイズ特性の向上を必要とする光半導体素子およびこの光半導体素子を用いた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話や、例えばＩＥＥＥ（米国電気電子技術者協会）８０２．１１ａ／Ｂ／Ｇといった無線ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）規格を採用した無線ＬＡＮや、ブルートゥース等の普及により、電子機器外部からの電磁波への対策が電子機器においてますます必要になっている。特に、この電磁波は、周波数が数百Ｍヘルツ〜数Ｇヘルツであり、テレビやラジオの電波に比べ高周波であり、エネルギーも高く、さらに波長も短いが故に、電磁波漏れが起こり易い。従って、それぞれの機器が隣り合う環境においては、シールド対策に関して細心の注意が必要になっている。
【０００３】
図１５は、従来の光半導体素子の一例を示す断面図である。
【０００４】
この光半導体素子は、発光素子１０１と、この発光素子１０１に対向配置されている受光素子１０２と、これら発光素子１０１と受光素子１０２とがそれぞれダイボンドされているリードフレーム１０３ａ，１０３ｂと、発光素子１０１、受光素子１０２、ならびにリードフレーム１０３ａ，１０３ｂのうちこれら発光素子１０１および受光素子１０２がダイボンドされている部分を覆う透過性樹脂部１０４と、この透過性樹脂部１０４表面を覆う遮光性樹脂部１０５とからなっている。
【０００５】
この光半導体素子は、リードフレーム１０３ａ，１０３ｂの形状が平板形状となっているため、外部、特に側面から入射する電磁波は受光素子１０２に容易に到達してしまい、受光素子において誤動作が起こってしまう。
【０００６】
このような従来の光半導体素子や、光半導体素子が搭載された基板上においては、隣り合う配線または電子部品からの電場による誤動作防止のために様々な対策が施されている。
【０００７】
例えば、受光素子上において施される対策の一例としては、特にベース電極周囲およびベース層領域を保護する目的で、エミッタ電極に接続される配線として金属シールド配線を用いるといった対策や、受光素子上部に設けられたエミッタ電極に対して透過性導電膜を形成するといった対策がある。この場合のノイズ源は電場の急激な変位であり、受光素子上のベース電極およびベース層からなるベース部にかかる電位線を金属シールド配線に分散させ、それにより発生した金属シールド配線中の電荷を装置外部に逃がすといった手段によって電磁波の進入を防止している。
【０００８】
一方、光半導体素子が搭載された電子機器の外部に対する対策の一例としては、金属ケースなどで電子機器を完全に覆うことで外部からの電磁波の進入および放出を防ぐといった対策がある。この場合のノイズ源は平面波として外部遠方からやってくる電磁波であり、金属板に吸収された電磁波が金属板の中で熱に変換されるといった現象を利用して、電子部品や半導体素子への電磁波の進入を遮るといった手段によって電磁波の進入および放出を防止している。
【０００９】
一般に、従来の電子機器にて使用されている金属製のリードフレームのシールド効果について示すと、携帯電話などから放たれる高周波（波長１Ｇヘルツの電磁波）の、銅材フレームに対する表皮深度（ｓｋｉｎ  ｄｅｐｔｈ）δは２．０９μｍである。なお、表皮深度δはδ＝２／√（２πｆμσ）で与えられ、ここでは、ｆは周波数、μは透磁率、σは導電率を示している。従って、銅材フレームの厚さがこの表皮深度程度の厚さであれば、金属板に対して電磁波を照射した際に金属板を通過する電磁波を、表面での反射を無視した場合、銅材フレーム中での減衰により、強度で示すと入射強度の１／ ｅ（約３７％）に減衰させ、電力で示すと１／ｅ2（約１３．５％）に減衰させることができる。ただし、ｅは照射した電磁波のエネルギーを示す。
【００１０】
また、その金属板の厚さが表皮深度の３倍である場合には照射した電磁波を約１／２０（−２６ｄＢ）にまで減衰させ、５倍である場合には約１／１５０（−４３ｄＢ）にまで減衰させることができ、一般的なリードフレームの厚さ（１００〜２００μｍ）があれば充分過ぎるほどのシールド効果がえられる。
【００１１】
従って、高周波の電磁波対策として重要なのは、シールドの厚さではなく、あらゆる方位から進入しうる電磁波に対応可能なシールドを備えたパッケージになっていることである。
【００１２】
図１６は、電磁波に対するシールドとして酸化絶縁膜を備えた従来の光半導体素子の一例を示す断面図である。
【００１３】
この光半導体素子は、遮光性樹脂部１０５表面に金属シールド板としての酸化絶縁１０６を備えており、この酸化絶縁膜１０６によって内部素子を保護している。しかし、このような構造を有している場合には、受光素子および発光素子間は電気的に絶縁できなくなり、受光素子および発光素子間の電気的絶縁というフォトカプラの基本的性能が失われてしまうといった問題があった。
【００１４】
電磁放射を減衰させる従来の構造および方法としては、特許文献１に開示されている集積回路パッケージおよび電磁放射を減衰させる方法があるが、特許文献２に開示されている光結合素子などに代表されるフォトカプラのような光結合素子では、電磁波シールドについては特に言及されておらず、さらに１−２次間は電気的に絶縁されているため、部品全体を金属板で覆うことは不可能である。
【特許文献１】特開平７−７０９９号公報
【特許文献２】特開昭６２−２４７５７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
前述のようなフォトカプラでは、外部からやってくる電磁波に対する対策は施されていなかったため、内部の受光素子が誤動作を起こす可能性があるといった問題があった。
【００１６】
そこで、部品全体を金属シールド板で覆うと、受発光間が電気的に絶縁できなくなり、フォトカプラの基本的性能が失われてしまうため、発光素子または受光素子を個々にシールドしなければならなくなる。このシールドの方法としては、金属板やメッシュ状の金属部材で形成されたシールドを受光素子および発光素子間に設けることも考えられるが、この場合には、光伝達経路の遮断や伝達効率の著しい低下を招いてしまうといった問題があった。
【００１７】
従って、外部からやってくる電磁波に対する対策を施す際の注意点としては、シールドによっていかに損失を起こし易くするかである。この損失の種類は反射損失・吸収損失・多重反射損失の３つに分かれる。まず、反射損失はシールド表面と外部材質との境界面での損失であり、シールドの厚さには関係なく材質(導電性)に影響する。また、吸収損失はシールド内部を通過するときに発生する過電流により生じる損失であり、シールドの厚さ、材質（透磁率および導電性）に影響するものである。さらに、多重反射損失はシールド材料の内部で繰り返し反射を発生させた場合の損失である。
【００１８】
そこで、電磁波の吸収を目的とした場合には、銅などの導電性の高い金属板でチップの全方位を囲い、反射損失・吸収損失・多重反射損失を極力取り入れ、受光素子まで電磁波が到達する経路を作らないことが望ましい。
【００１９】
従来のフォトカプラのリードフレーム構造では外部電磁波の進入を許すような空間的隙間が多いため、耐電磁波ノイズ性の向上と受光素子および発光素子間の絶縁性および高受光効率を同時に実現することができていないといった問題があった。
【００２０】
本発明は係る実情に鑑みてなされたもので、その目的は、受光素子側のリードフレームのヘッダ形状の改良と、組立て工程の工夫とにより、外部からの電磁波の吸収能力が高いパッケージを備えた光半導体素子およびこの光半導体素子を用いた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記課題を解決するため、本発明の光半導体素子は、光素子と、この発光素子に対向配置された受光素子と、これら発光素子および受光素子がそれぞれダイボンドされている２個のリードフレームとを備えた光半導体素子であって、前記リードフレームのダイボンド領域の周辺部にシールド板が設けられており、このシールド板がダイボンド領域表面に対して折り曲げられていることを特徴とする。この場合、前記受光素子側のリードフレームに形成された前記シールド板は、ダイボンド領域表面に対して前記発光素子側に９０度より小さい角度で折り曲げられている。また、前記発光素子側のリードフレームに形成された前記シールド板は、ダイボンド領域表面に対して前記受光素子側に９０度より大きい角度で折り曲げられている。ここで、前記リードフレームの素材としては、銀メッキによって被覆された、銅合金、鉄ニッケル合金またはアルミ合金である。
【００２２】
このような特徴を有する本発明によれば、外部から入射してきた電磁波は、受光素子に直接入射することなく、シールド板およびダイボンド領域により遮られ、吸収されるかまたは反射波として外部に跳ね返されるため、受光素子の誤動作を防止することができる。
【００２３】
この場合、前記ダイボンド領域とシールド板との境界線に沿って溝が設けられていてもよく、また、前記ダイボンド領域とシールド板との境界線に沿ってスリットが形成されていてもよい。これにより、シールド板を折り曲げることが容易となり、特に９０度より小さい鋭角に折り曲げる場合に、折り曲げ作業がより容易となる。また、スリットを形成した場合には、充填樹脂がスリットからシールド板で囲まれた領域内に容易に入り込めるため、樹脂の未充填部が発生することを防止することができる。
【００２４】
また、前記受光素子側のリードフレームの前記ダイボンド領域およびシールド板の素子搭載側表面を租面化し、さらに電波吸収体にて覆うように構成してもよい。また、この粗面化や電波吸収体で覆う構造は、前記発光素子側のリードフレームのダイボンド領域およびシールド板の素子搭載側表面にも設けられていてもよい。これにより、電磁波吸収能力が向上し、受光素子に電磁波が到達してしまうことをより確実に防止することができる。
【００２５】
また、前記受光素子の受光面が実装基板に対向配置されるように各リードフレームのリード端子を屈曲形成することによって、受光素子の受光面が実装基板に対向するように光半導体素子を配置してもよい。このような配置構造とすることにより、受光素子に電磁波が到達してしまうことをより確実に防止することができる。
【００２６】
また、前記受光素子側のリードフレームにおいて、アース用の外部端子に直接つながるフレームパッドの形状を、前記受光素子をダイボンドするダイボンド領域と同じ幅に形成し、かつ、受光素子を覆うように配置してもよい。これにより、箱状の外部電磁波シール筐体の一部を構成する前記フレームパッドで直接グランド接地が取れるため、さらにシールド効果を高めることができる。
【００２７】
さらに、前記外部端子と、前記受光素子の受光面に配置された耐ノイズ用メッシュ金属配線とをワイヤで電気的に接続してもよい。これにより、受光素子上の耐ノイズ用メッシュ金属配線のノイズ除去能力が向上する。
【００２８】
本発明の電子機器は、前記光半導体素子を用いたものであり、耐ノイズ特性の向上を実現することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の光半導体素子によれば、外部から入射してきた電磁波は、受光素子に直接入射することなく、シールド板およびダイボンド領域により遮られ、吸収されるかまたは反射波として外部に跳ね返されるため、受光素子の誤動作を防止することができる。
【００３０】
この場合、ダイボンド領域とシールド板との境界線上に溝、またはスリットを形成することにより、シールド板を折り曲げることが容易となり、特に９０度より小さい鋭角に折り曲げる場合に、折り曲げ作業がより容易となる。また、スリットを形成した場合には、充填樹脂がスリットからシールド板で囲まれた領域内に容易に入り込めるため、樹脂の未充填部が発生することを防止することができる。
【００３１】
また、リードフレームのダイボンド領域およびシールド板の素子搭載側表面を租面化し、さらに電波吸収体にて覆うように構成とすることにより、電磁波吸収能力が向上し、受光素子に電磁波が到達してしまうことをより確実に防止することができる。
【００３２】
さらに、受光素子の受光面が実装基板に対向配置されるように各リードフレームのリード端子を屈曲形成することにより、受光素子に電磁波が到達してしまうことをより確実に防止することができる。
【００３３】
さらにまた、受光素子側のリードフレームにおいて、アース用の外部端子に直接つながるフレームパッドの形状を、受光素子をダイボンドするダイボンド領域と同じ幅に形成し、かつ、受光素子を覆うように配置することにより、箱状の外部電磁波シール筐体の一部を構成する前記フレームパッドで直接グランド接地が取れるため、さらにシールド効果を高めることができる。さらに、外部端子と耐ノイズ用メッシュ金属配線とをワイヤで電気的に接続することにより、受光素子上の耐ノイズ用メッシュ金属配線のノイズ除去能力をさらに向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００３５】
以下、本発明の実施例１について図面を参照しつつ説明する。
【００３６】
図１は、本発明に係わる光半導体素子の実施例１を示す断面図である。また、図２は図１に示す光半導体素子を構成する発光素子側および受光素子側に共通のリードフレームのヘッダの一例を示す平面図、図３は図２のＡ−Ａ線に沿う概略断面図であり、図２および図３にはヘッダに対して成形工程が実施される前の状態が示されている。また、図４は図１に示す光半導体素子を構成するリードフレームのうち、受光素子側のリードフレームのヘッダの一例を示す平面図、図５は図４のＢ−Ｂ線に沿う概略断面図であり、図４および図５にはヘッダに対して成形工程が実施された後の状態が示されている。
【００３７】
本実施例の光半導体素子は、発光素子１と、この発光素子１に対向配置されている受光素子２と、これら発光素子１と受光素子２とがそれぞれダイボンドされているリードフレーム３ａ，３ｂと、発光素子１、受光素子２、ならびにリードフレーム３ａ，３ｂのうちこれら発光素子１および受光素子２がダイボンドされている部分を覆う透過性樹脂部４と、この透過性樹脂部４表面を覆う遮光性樹脂部５とからなり、発光素子１側のリードフレーム３ａと受光素子２側のリードフレーム３ｂとの両方のヘッダの一部分を成形工程で折り曲げてシールド板１３ａ，１３ｂを形成することによって、リードフレーム３ａ，３ｂに、外部電磁波シールド筐体として機能する部位を設けたものである。
【００３８】
リードフレーム３ａ，３ｂの素材としては、例えば、銀メッキによって被覆された銅合金、鉄ニッケル合金またはアルミ合金が用いられる。また、ヘッダは、略四角形（図２参照）のダイボンド領域２３ａ，２３ｂと、このダイボンド領域２３ａ，２３ｂの４辺に一体成形されている４枚のシールド板１３ａ，１３ｂとから構成されている。このシールド板１３ａ，１３ｂは、ダイボンド領域２３ａ，２３ｂに発光素子１または受光素子２がダイボンドされた後に、所定の角度（受光素子２側のリードフレーム３ｂでは９０度より小さい角度（鋭角）、発光素子１側のリードフレーム３ａでは９０度より大きい角度（鈍角））をもって素子搭載面側に折り曲げられている。なお、シールド板１３ｂを９０度より小さい角度（即ち、鋭角）に折り曲げた状態とは、シールド板１３ｂを、ダイボンド領域２３ｂのダイボンド表面に対して垂直状態を超えてさらに内側に折り曲げた状態をいい、シールド板１３ａを９０より大きい角度（即ち、鈍角）に折り曲げた状態とは、シールド板１３ａを、ダイボンド領域２３ａのダイボンド表面に対して垂直状態になる手前まで折り曲げた状態をいう。すなわち、折り曲げ角度としては、受光素子２側のシールド板１３ｂの方が、発光素子１側のシールド板１３ａより大きい角度となっている。
【００３９】
本実施例の光半導体素子においては、発光素子１側のリードフレーム３ａは、ダイボンド領域２３ａの下面に発光素子１がダイボンドされた後に、４枚のシールド板１３ａがそれぞれ下方向（発光素子１搭載面側）に折り曲げられ、その結果、ヘッダが下方に開口部を備えた箱形状に成形される。同様に、受光素子２側のリードフレーム３ｂは、ダイボンド領域２３ｂの上面に受光素子２がダイボンドされた後に、４枚のシールド板１３ｂがそれぞれ上方向（受光素子２搭載面側）に折り曲げられ、その結果、ヘッダが上方に開口部を備えた箱形状に成形される。
【００４０】
なお、シールド板１３ｂの高さ（即ち、折り曲げられた状態でのシールド板１３ｂ上端からダイボンド領域２３ｂのダイボンド面までの距離）ｈ１は、受光素子２の高さｈ２以上の高さとする（図１参照）。また、シールド板１３ａの高さ（即ち、折り曲げられた状態でのシールド板１３ａ上端からダイボンド領域２３ａのダイボンド面までの距離）は、発光素子１と受光素子２を対向配置したときに、両シールド板１３ａ，１３ｂ同士がラビリンス構造となる高さ（すなわち、外部から電磁波が直線では進入できない高さ）であることが好ましい。
【００４１】
このような形状に成形された２個のリードフレーム３ａ，３ｂを互いの開口部が対向するように配置することによって１個の箱状の外部電磁波シール筐体を形成することができる。従って、この外部電磁波シール筐体で受光素子２を囲うことができ、受光素子２への電磁波の進入を防ぐことが可能になる。
【００４２】
図６は、図１に示す光半導体素子のうち、リードリードフレーム、発光素子および受光素子のみを示す断面図である。同図中に、外部からの電磁波の進入路を実線矢印で示しており、この外部からの電磁波がシールド板外面およびダイボンド領域外面で反射した後の反射波の経路を破線矢印で示している。
【００４３】
従来の光半導体素子（図１５参照）では、受光素子および発光素子がダイボンドされている各リードフレームが平板形状のヘッダのみからなり、ヘッダにはシールド板の役割を果たす金属板がないため、特に側面から入射する電磁波が受光素子に容易に到達してしまい、受光素子において誤動作が起きてしまう。しかしながら、本実施例の光半導体素子によれば、外部から入射してきた電磁波６は、受光素子２に直接入射することなく、リードフレーム３ａ，３ｂの箱状のヘッダ（即ち、シールド板１３ａ，１３ｂおよびダイボンド領域２３ａ，２３ｂ）により遮られ、吸収されるかまたは反射波７として外部に跳ね返されるため、受光素子において誤動作が起きてしまうことを防止できる。
【実施例２】
【００４４】
以下、本発明の実施例２について図面を参照しつつ説明する。
【００４５】
図７は、本発明に係わる光半導体素子の実施例２を構成する発光素子側および受光素子側に共通のリードフレームのヘッダの一例を示す概略断面図であり、図８は、ヘッダの他の例を示す概略断面図である。なお、図７および図８にはヘッダに対して成形工程が実施される前の状態が示されている。また、図９は、受光素子側のリードフレームのヘッダに対して成形工程が実施された後の状態を示す概略断面図である。
【００４６】
本実施例の光半導体素子は、発光素子１または受光素子２をダイボンドするヘッダのダイボンド領域２３ａ，２３ｂ表面において、折り曲げ位置（即ち、シールド板１３ａ，１３ｂとダイボンド領域２３ａ，２３ｂとの境界線）上に溝８，１８を形成したものである。
【００４７】
図７に示すヘッダには、折り曲げ位置に断面Ｖ字形状の溝８が形成されており、図８に示すヘッダには、折り曲げ位置に断面逆台形形状の溝１８が形成されている。
【００４８】
本実施例の光半導体素子は、このような構成を有しているため、図９に示すように、シールド板１３ｂを９０度より小さい角度に折り曲げることが容易になる。
【実施例３】
【００４９】
ところで、シールド板を９０度以上の角度に折り曲げて、発光素子側のリードフレームのヘッダと受光素子側のリードフレームのヘッダとで１個の箱状の外部電磁波シール筐体を形成した場合、その形状から、樹脂モールド金型を用いて射出形成を行い透過性樹脂を充填する際に、折り曲げた角部分に樹脂の未充填領域が発生する可能性がある。本実施例３では、この未充填領域の発生を防止する工夫を行っている。以下、本発明の実施例３について図面を参照しつつ説明する。
【００５０】
図１０は、本発明に係わる光半導体素子の実施例３を構成する発光素子側および受光素子側に共通のリードフレームのヘッダの一例を示す平面図であり、ヘッダに対して成形工程が実施される前の状態を示している。
【００５１】
本実施例の光半導体素子は、ヘッダの折り曲げ位置に沿ってシールド板１３ａ，１３ｂにスリット９を形成したものである。
【００５２】
本実施例の光半導体素子は、このような構成を有しているため、樹脂がスリット９からシールド板で囲まれた領域内に容易に入り込むことができるため、樹脂の未充填領域を無くすことができる。
【００５３】
なお、本実施例の光半導体素子において、前述の実施例２に示した光半導体素子と同様に、ヘッダの折り曲げ位置に溝８，１９やスリット９が形成されていてもよい。
【実施例４】
【００５４】
以下、本発明の実施例４について図面を参照しつつ説明する。
【００５５】
図１１は、本発明に係わる光半導体素子の実施例４を構成するリードフレームのうち、受光素子側のリードフレームのヘッダの一例を示す概略断面図であり、ヘッダに対して成形工程が実施された後の状態を示している。
【００５６】
本実施例の光半導体素子は、リードフレームの受光素子搭載側表面（即ち、シールド板１３ｂおよびダイボンド領域２３ｂの表面のうち、箱状の外部電磁波シール筐体の内面となる面）を粗面化し、さらに磁性材料等を用いて形成された電波吸収体１０にて粗面を覆った構成としている。なお、本実施例の光半導体素子においては、リードフレームの受光素子搭載側表面のうち受光素子が実装される領域に対しては、粗面化や電波吸収体１０の形成は行われていない。
【００５７】
本実施例の光半導体素子は、このような構成を有しているため、電磁波吸収能力が向上し、受光素子に電磁波が到達してしまうことをより確実に防止することができる。
【００５８】
なお、本実施例の光半導体素子において、前述の実施例２に示した光半導体素子と同様に、ヘッダの折り曲げ位置に溝８，１８やスリット９が形成されていてもよい。
【００５９】
また、本実施例においては、受光素子側のリードフレームについてのみ説明しているが、発光素子側のリードフレームについても同様の構成を有していることが好ましい。これにより、電磁波吸収能力がさらに向上し、受光素子に電磁波が到達してしまうことをより確実に防止することができる。
【実施例５】
【００６０】
以下、本発明の実施例５について図面を参照しつつ説明する。
【００６１】
図１２は、本発明に係わる光半導体素子の実施例５を示す断面図である。
【００６２】
本実施例の光半導体素子は、特にシールド効果が高い受光素子２側のリードフレーム３ｂを実装基板１１外部からの電磁波の防御用に用いるために、受光素子２の受光面が実装基板に対向配置されるように各リードフレーム３ａ，３ｂのリード端子を屈曲形成している。これにより、発光素子１を下方に配置し受光素子２を上方に配置した状態で光半導体素子を実装基板１１上に載置し、実装基板１１上の図示しない配線パターンとこれに接するリード端子とを電気的に接続することで、受光素子２の受光面を実装基板１１に対して対向するように設けることができる。
【００６３】
その結果、実装基板１１下方から入射してきた電磁波６は、実装基板１１にて大半が吸収され、実装基板１１上方から入射してきた電磁波６は受光素子２側の箱状に成形されたヘッダ（即ち、シールド板１３ｂおよびダイボンド領域２３ｂ）にて吸収されるため、受光素子２に電磁波が到達してしまうことをより確実に防止することができる。
【００６４】
なお、本実施例の光半導体素子において、前述の実施例２に示した光半導体素子と同様に、ヘッダの折り曲げ位置に溝８，１８やスリット９が形成されていてもよい。
【実施例６】
【００６５】
以下、本発明の実施例６について図面を参照しつつ説明する。
【００６６】
図１３は、本発明に係わる光半導体素子の実施例６を構成するリードフレームのうち、受光素子２側のリードフレーム３ｂのヘッダの一例を示す平面図であり、ヘッダに対して成形工程が実施される前の状態を示している。
【００６７】
本実施例の光半導体素子は、受光素子２側のリードフレーム３ｂにおいて、アース用の外部端子１２に直接つながるフレームパッド３３の形状が、受光素子２をダイボンドするダイボンド領域２３ｂと同じ幅をもって受光素子２を覆うように配置されたものである。
【００６８】
本実施例の光半導体素子は、このような構成を有しているため、箱状の外部電磁波シール筐体を備えたリードフレームの一部を構成するフレームパッド３３で直接グランド接地が取れるため、さらにシールド効果を高めることができる。
【００６９】
なお、本実施例の光半導体素子において、前述の実施例２に示した光半導体素子と同様に、ヘッダの折り曲げ位置に溝８，１８やスリット９が形成されていてもよい。
【実施例７】
【００７０】
以下、本発明の実施例７について図面を参照しつつ説明する。
【００７１】
図１４は、本発明に係わる光半導体素子の実施例７を構成するリードフレームのうち、受光素子２側のリードフレーム３ｂのヘッダの一例を示す平面図であり、ヘッダに対して成形工程が実施される前の状態を示している。
【００７２】
本実施例の光半導体素子は、アース用の外部端子１２と、受光素子２の受光面に配置された耐ノイズ用メッシュ金属配線１４とがワイヤボンディング（ワイヤ１５）で電気的に接続されたものである。
【００７３】
本実施例の光半導体素子は、このような構成を有しているため、受光素子２上の耐ノイズ用メッシュ金属配線１４のノイズ除去能力がさらに向上する。
【００７４】
なお、前述の実施例１から実施例７記載の光半導体素子のいずれか１つの光半導体素子を用いて電子機器を形成してもよく、この場合、耐ノイズ特性の向上を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明の光半導体素子は電子機器に用いられるフォトカプラとして利用されるものであり、この電子機器は電源機器装置または通信機器装置等として利用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明に係わる光半導体素子の実施例１を示す断面図である。
【図２】図１に示す光半導体素子を構成する発光素子側および受光素子側に共通のリードフレームのヘッダの一例を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う概略断面図である。
【図４】図１に示す光半導体素子を構成するリードフレームのうち、受光素子側のリードフレームのヘッダの一例を示す上面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ線に沿う概略断面図である。
【図６】図１に示す光半導体素子のうち、リードリードフレーム、発光素子および受光素子のみを示す断面図である。
【図７】本発明に係わる光半導体素子の実施例２を構成する発光素子側および受光素子側に共通のリードフレームのヘッダの一例を示す概略断面図である。
【図８】本発明に係わる光半導体素子の実施例２を構成する発光素子側および受光素子側に共通のリードフレームのヘッダの他の例を示す概略断面図である。
【図９】受光素子側のリードフレームのヘッダに対して成形工程が実施された後の状態を示す概略断面図である。
【図１０】本発明に係わる光半導体素子の実施例３を構成する発光素子側および受光素子側に共通のリードフレームのヘッダの一例を示す平面図である。
【図１１】本発明に係わる光半導体素子の実施例４を構成するリードフレームのうち、受光素子側のリードフレームのヘッダの一例を示す概略断面図である。
【図１２】本発明に係わる光半導体素子の実施例５を示す断面図である。
【図１３】本発明に係わる光半導体素子の実施例６を構成するリードフレームのうち、受光素子側のリードフレームのヘッダの一例を示す平面図である。
【図１４】本発明に係わる光半導体素子の実施例７を構成するリードフレームのうち、受光素子側のリードフレームのヘッダの一例を示す平面図である。
【図１５】従来の光半導体素子の一例を示す断面図である。
【図１６】電磁波に対するシールドとして酸化絶縁膜を備えた従来の光半導体素子の一例について示す断面図である。
【符号の説明】
【００７７】
１  発光素子
２  受光素子
３ａ，３ｂ  リードフレーム
４  透過性樹脂部
５  遮光性樹脂部
６  電磁波
７  反射波
８，１８  溝
９  スリット
１０  電波吸収体
１１  実装基板
１２，１３ａ，１３ｂ  シールド板
１４  耐ノイズ用メッシュ金属配線
１５  ワイヤ
２３ａ，２３ｂ  ダイボンド領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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