(57)【要約】【課題】表示パネルを構成する発光素子の寿命を、高温度の環境下において延命させることができる駆動装置を提供すること。【解決手段】発光表示パネル１における発光素子Ｅ１１〜Ｅｎｍを点灯駆動させる昇圧回路４にはサーミスタＴＨ１が備えられ、これにより環境温度の高低にかかわりなく、ほぼ一定の発光輝度値をもって前記発光素子を点灯駆動させる第一発光制御手段が構成されている。一方、前記各発光素子Ｅ１１〜Ｅｎｍの個々に定電流を供給する陽極線ドライブ回路２にはカレントミラー回路が配置され、サーミスタＴＨ２を備えた温度検出手段１１Ａからの制御電圧Ｖａにより電流値が制御される第二発光制御手段が構成されている。前記第二発光制御手段は環境温度が所定値（例えば５０℃）を超える状態を検出した場合に、前記第一発光制御手段により制御される一定の発光輝度値よりも小さな輝度値となるように、前記発光素子を点灯駆動させる。【選択図】      図７
2005031430.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデータ線と複数の走査線との各交点にそれぞれ発光素子が配列され、走査対象となる前記発光素子に対して選択的に発光駆動電流を供給する発光表示パネルの駆動方法であって、
前記発光表示パネルの動作環境温度が所定値以下の範囲においては、前記環境温度の高低にかかわりなく、ほぼ一定の発光輝度値を維持させる発光制御を実行させると共に、動作環境温度が前記所定値を超える範囲においては、前記一定の発光輝度値よりも小さな発光輝度状態となる発光制御を実行することを特徴とする発光表示パネルの駆動方法。
【請求項２】
前記動作環境温度に対応させて当該温度の高低にかかわりなく、ほぼ一定の発光輝度値を維持させる第一発光制御手段により前記発光素子の発光制御を実行させると共に、動作環境温度が前記所定値を超える範囲においては、前記一定の発光輝度値よりも小さな輝度値となるように前記発光素子の発光輝度を制御する第二発光制御手段が動作することを特徴とする請求項１に記載の発光表示パネルの駆動方法。
【請求項３】
複数のデータ線と複数の走査線との各交点にそれぞれ発光素子が配列され、走査対象となる前記発光素子に対して選択的に発光駆動電流を供給する定電流源を具備した発光表示パネルの駆動装置であって、
前記発光表示パネルの動作環境温度を検出し、前記環境温度に対応して当該温度の高低にかかわりなく、ほぼ一定の発光輝度値をもって前記発光素子を点灯駆動させる第一発光制御手段と、前記発光表示パネルの動作環境温度を検出し、環境温度が所定値を超える状態を検出した場合に、前記一定の発光輝度値よりも小さな輝度値となるように前記発光素子を点灯駆動させる第二発光制御手段とを具備したことを特徴とする発光表示パネルの駆動装置。
【請求項４】
前記第一発光制御手段が、環境温度に対応して前記定電流源を動作させる駆動電圧値と、非走査対象の前記発光素子に対して加える逆バイアス電圧値とを変更制御するように構成したことを特徴とする請求項３に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項５】
前記第二発光制御手段が、所定の環境温度を超える状態において、前記定電流源の電流値を低減させるように制御することを特徴とする請求項３または請求項４記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項６】
前記第二発光制御手段が、個々のデータ線にそれぞれ定電流を供給する電流供給トランジスタと、前記各電流供給トランジスタに流れる電流値を環境温度に対応して制御する制御トランジスタとによりカレントミラー回路を構成したことを特徴とする請求項５に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項７】
複数のデータ線と複数の走査線との各交差位置に配され、少なくともそれぞれに点灯駆動トランジスタを介して発光制御される複数の発光素子を備えた発光表示パネルの駆動装置であって、
前記発光表示パネルの動作環境温度を検出し、前記環境温度に対応して当該温度の高低にかかわりなく、ほぼ一定の発光輝度値をもって前記発光素子を点灯駆動させる第一発光制御手段と、前記発光表示パネルの動作環境温度を検出し、環境温度が所定値を超える状態を検出した場合に、前記一定の発光輝度値よりも小さな輝度値となるように前記発光素子を点灯駆動させる第二発光制御手段とを具備したことを特徴とする発光表示パネルの駆動装置。
【請求項８】
前記第二発光制御手段は、前記発光素子に加える駆動電圧値を変更制御することを特徴とする請求項７に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項９】
前記第二発光制御手段は、点灯駆動トランジスタを介して前記発光素子に供給する駆動電流値を変更制御することを特徴とする請求項７に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項１０】
前記第二発光制御手段は、点灯駆動トランジスタを介して前記発光素子を点灯させる期間を変更制御することを特徴とする請求項７に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項１１】
前記第二発光制御手段は、前記発光素子に加える駆動電圧値を変更制御する手段、点灯駆動トランジスタを介して前記発光素子に供給する駆動電流値を変更制御する手段、点灯駆動トランジスタを介して前記発光素子を点灯させる期間を変更制御する手段のいずれか２以上の手段を併用するように構成したことを特徴とする請求項７に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項１２】
前記動作環境温度を検出する温度検出手段に、サーミスタを用いたことを特徴とする請求項３ないし請求項１１のいずれかに記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項１３】
前記動作環境温度を検出する温度検出手段に、ダイオード素子を用いたことを特徴とする請求項３ないし請求項１１のいずれかに記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項１４】
前記動作環境温度を検出する温度検出手段に、前記発光表示パネルに配列された発光素子を用いたことを特徴とする請求項３ないし請求項１１のいずれかに記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項１５】
前記発光表示パネルを構成する発光素子が、有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項３ないし請求項１４のいずれかに記載の発光表示パネルの駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、発光素子として例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を用いた発光表示パネルの駆動装置に関し、特に高温度の雰囲気において発光輝度を調整することで、表示パネルを構成する発光素子の劣化を抑制し、発光寿命を延命させることができるようにした発光表示パネルの駆動方法および駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光素子をマトリクス状に配列して構成した表示パネルの開発が広く進められており、このような表示パネルに用いられる発光素子として、有機材料を発光層に用いた有機ＥＬ素子が注目されている。これは素子の発光層に、良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって、実用に耐え得る高効率化および長寿命化が進んだことも背景にある。
【０００３】
前記した有機ＥＬ素子は、電気的には図１のような等価回路で表すことができる。すなわち、有機ＥＬ素子はダイオード成分Ｅと、このダイオード成分に並列に結合する寄生容量成分Ｃｐ  とによる構成に置き換えることができ、有機ＥＬ素子は容量性の発光素子であると考えられている。この有機ＥＬ素子は、発光駆動電圧が印加されると、先ず、当該素子の電気容量に相当する電荷が電極に変位電流として流れ込み蓄積される。続いて当該素子固有の一定の電圧（発光閾値電圧＝Ｖｔｈ）を越えると、電極（ダイオード成分Ｅの陽極側）から発光層を構成する有機層に電流が流れ始め、この電流に比例した強度で発光すると考えることができる。
【０００４】
図２は、このような有機ＥＬ素子の発光静特性を示したものである。これによれば、有機ＥＬ素子は図２（ａ）に示すように、駆動電流Ｉにほぼ比例した輝度Ｌで発光し、図２（ｂ）に示すように駆動電圧Ｖが発光閾値電圧Ｖｔｈ以上の場合において急激に電流Ｉが流れて発光する。換言すれば、駆動電圧が発光閾値電圧Ｖｔｈ以下の場合には、ＥＬ素子には電流は殆ど流れず発光しない。したがってＥＬ素子の輝度特性は、図２（ｃ）に実線で示すように前記閾値電圧Ｖｔｈより大なる発光可能領域においては、それに印加される電圧Ｖの値が大きくなるほど、その発光輝度Ｌが大きくなる特性を有している。
【０００５】
また、有機ＥＬ素子の輝度特性は、環境温度によって概ね図２（ｃ）に破線で示すように変化することも知られている。すなわち、ＥＬ素子は前記したとおり発光閾値電圧より大なる発光可能領域においては、それに印加される電圧Ｖの値が大きくなるほど、その発光輝度Ｌが大きくなる特性を有するが、高温になるほど発光閾値電圧が小さくなる。したがって、ＥＬ素子は高温になるほど小さい印加電圧で発光可能な状態となり、同じ発光可能な印加電圧を与えても、高温時は明るく、低温時は暗いといった輝度の温度依存性を有している。
【０００６】
一方、有機ＥＬ素子は電流・輝度特性が温度変化に対して安定しているのに対して、電圧・輝度特性が前記したとおり温度変化に対して不安定であること、また、有機ＥＬ素子は過電流により劣化が激しくなるなどの理由により、一般的には定電流駆動がなされる。かかる有機ＥＬ素子を用いた表示パネルとして、素子をマトリックス状に配列したパッシブ駆動型表示パネルが、すでに一部において実用化されている。
【０００７】
図３には、従来のパッシブマトリックス型表示パネルと、その駆動回路の一例が示されている。このパッシブマトリクス駆動方式における有機ＥＬ素子のドライブ方法には、陰極線走査・陽極線ドライブ、および陽極線走査・陰極線ドライブの２つの方法があるが、図３に示す構成は前者の陰極線走査・陽極線ドライブの形態を示している。すなわち、ｎ本のデータ線としての陽極線Ａ１  〜Ａｎ  が縦方向に配列され、ｍ本の走査線としての陰極線Ｋ１  〜Ｋｍ  が横方向に配列され、各々の交差した部分（計ｎ×ｍ箇所）に、ダイオードのシンボルマークで示した有機ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｎｍが配置されて、表示パネル１を構成している。
【０００８】
そして、画素を構成する各ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｎｍは、垂直方向に沿う陽極線Ａ１  〜Ａｎ  と水平方向に沿う陰極線Ｋ１  〜Ｋｍ  との各交点位置に対応して一端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおけるアノード端子）が陽極線に、他端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおけるカソード端子）が陰極線に接続されている。さらに、各陽極線Ａ１  〜Ａｎ  は陽極線ドライブ回路２に接続され、各陰極線Ｋ１  〜Ｋｍ  は陰極線走査回路３に接続されてそれぞれ駆動される。
【０００９】
前記陽極線ドライブ回路２には、後述するＤＣ−ＤＣコンバータにおける昇圧回路４よりもたらされる駆動電圧ＶＨ  を利用して動作する定電流源Ｉ１  〜Ｉｎ  およびドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｎが備えられており、ドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｎが、前記定電流源Ｉ１  〜Ｉｎ  側に接続されることにより、定電流源Ｉ１  〜Ｉｎ  からの電流が、陰極線に対応して配置された個々のＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｎｍに対して供給されるように作用する。また、前記ドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｎは、定電流源Ｉ１  〜Ｉｎ  からの電流を個々のＥＬ素子に供給しない場合には、基準電位点としてのグランド側に接続できるように構成されている。
【００１０】
また、前記陰極線走査回路３には、各陰極線Ｋ１  〜Ｋｍ  に対応して走査スイッチＳｋ１〜Ｓｋｍが備えられ、クロストーク発光を防止するための後述する逆バイアス電圧生成回路５からの逆バイアス電圧ＶＭ  または基準電位点としてのグランド電位のうちのいずれか一方を、対応する陰極走査線に接続するように作用する。これにより、陰極線を所定の周期で走査基準電位点（グランド電位）に設定しながら、所望の陽極線Ａ１  〜Ａｎ  に定電流源Ｉ１  〜Ｉｎ  を接続することにより、前記各ＥＬ素子を選択的に発光させるように作用する。
【００１１】
一方、前記したＤＣ−ＤＣコンバータは、図３に示す例においては昇圧回路４としてＰＷＭ（パルス幅変調）制御を利用し、直流の駆動電圧ＶＨ  を生成するように構成されている。なお、このＤＣ−ＤＣコンバータは、ＰＷＭ制御に代えて周知のＰＦＭ（パルス周波数変調）制御もしくはＰＳＭ（パルススキップ変調）制御を利用することもできる。
【００１２】
このＤＣ−ＤＣコンバータは、昇圧回路４の一部を構成するスイッチングレギュレータ回路６から出力されるＰＷＭ波がスイッチング素子としてのＭＯＳ型パワーＦＥＴＱ１  を所定のデューティーサイクルでオン制御するように構成されている。すなわち、パワーＦＥＴＱ１  のオン動作によって、一次側のＤＣ電圧源Ｂ１  からの電力エネルギーがインダクタＬ１  に蓄積され、パワーＦＥＴＱ１  のオフ動作に伴い、前記インダクタＬ１  に蓄積された電力エネルギーは、ダイオードＤ１  を介してコンデンサＣ１  に蓄積される。そして、前記パワーＦＥＴＱ１  のオン・オフ動作の繰り返しにより、昇圧されたＤＣ出力をコンデンサＣ１  の端子電圧として得ることができる。
【００１３】
前記ＤＣ出力電圧は、温度補償を行うサーミスタＴＨ１、抵抗Ｒ１１およびＲ１２によって分圧され、スイッチングレギュレータ回路６における誤差増幅器７に供給され、この誤差増幅器７において基準電圧Ｖｒｅｆ  と比較される。この比較出力（誤差出力）がＰＷＭ回路８に供給され、発振器９からもたらされる信号波のデューティを制御することで、前記出力電圧を所定の駆動電圧ＶＨ  に保持するようにフィードバック制御される。したがって、前記したＤＣ−ＤＣコンバータによる出力電圧、すなわち前記駆動電圧ＶＨ  は、次のように示すことができる。
【００１４】
【数１】
ＶＨ  ＝Ｖｒｅｆ  ×〔（ＴＨ１＋Ｒ１１＋Ｒ１２）／Ｒ１２〕
【００１５】
一方、前記したクロストーク発光を防止するために利用される逆バイアス電圧生成回路５は、前記駆動電圧ＶＨ  を分圧する分圧回路により構成されている。すなわち、この分圧回路は、抵抗Ｒ１３，Ｒ１４およびエミッタフォロアとして機能するｎｐｎトランジスタＱ２  により構成されており、前記トランジスタＱ２  のエミッタにおいて逆バイアス電圧ＶＭ  を得るようにしている。したがって、前記トランジスタＱ２  におけるベース・エミッタ間電圧をＶｂｅとして表せば、この分圧回路により得られる逆バイアス電圧ＶＭ  は、次のように示すことができる。
【００１６】
【数２】
ＶＭ  ＝ＶＨ  ×〔Ｒ１４／（Ｒ１３＋Ｒ１４）〕−Ｖｂｅ
【００１７】
なお、前記した陽極線ドライブ回路２および陰極線走査回路３には、図示せぬＣＰＵを含む発光制御回路よりコントロールバスが接続されており、表示すべき画像信号に基づいて、前記走査スイッチＳｋ１〜ＳｋｍおよびドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｎが操作される。これにより、画像信号に基づいて陰極走査線を所定の周期でグランド電位に設定しながら所望の陽極線に対して定電流源Ｉ１  〜Ｉｎ  が接続される。したがって、前記各発光素子は選択的に発光し、これにより表示パネル１上に前記画像信号に基づく画像が表示される。
【００１８】
図３に示す状態は、第１の陰極線ｋ１  がグランド電位に設定されて走査状態になされ、この時、非走査状態の陰極線ｋ２  〜ｋｍ  には、前記した逆バイアス電圧生成回路５からの逆バイアス電圧ＶＭ  が印加されており、これにより、ドライブされている陽極線と走査選択がなされていない陰極線との交点に接続された各ＥＬ素子がクロストーク発光するのが防止されるように作用する。
【００１９】
以上、説明した図３に示した構成のパッシブ駆動型表示パネルと、その駆動回路については、本件出願人がすでに出願した次に示す特許文献１に開示されている。
【００２０】
【特許文献１】
特開２００３−７６３２８号公報（段落０００７〜００２０、図６）
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、有機ＥＬ素子は前記したとおり動作環境が高温になるほど、その順方向電圧ＶＦ  の値が低下し、発光輝度が上昇するという特性を有している。このために、前記した図３に示すようにサーミスタＴＨ１を用いて、コンバータ出力のフィードバック量に温度特性を持たせることで、温度補償を行う手段が採用されている。次に説明する図４および図５は、前記サーミスタＴＨ１による温度補償がなされない場合と、温度補償がなされる場合の静特性を示したものである。
【００２２】
まず、図４はコンバータに前記したサーミスタＴＨ１を用いない場合（温度補償がなされない場合）における静特性を示している。なお、図４（ａ）は横軸が環境温度Ｔｅで示され、縦軸が電圧値Ｖで示されており、また図４（ｂ）は横軸が同じく環境温度Ｔｅで示され、縦軸が発光輝度Ｌで示されている。前記したとおりコンバータに温度補償がなされていない場合には、図４（ａ）に示すようにコンバータ出力電圧ＶＨ  と逆バイアス電圧ＶＭ  は、環境温度Ｔｅの高低にかかわらず、ほぼ一定の電圧値を出力することになる。
【００２３】
これに対して、ＥＬ素子の順方向電圧ＶＦ  は、環境温度が高温度になるほど低下する。すなわち、環境温度Ｔｅが高温の状態においては、逆バイアス電圧ＶＭ  がＥＬ素子の順方向電圧ＶＦ  に対して非常に大きくなる。これにより、ＥＬ素子の点灯走査時における初期チャージが大きくなり、結果として図４（ｂ）に示すように、環境温度の上昇に伴いＥＬ素子の発光輝度Ｌはかなり上昇する特性を示す。
【００２４】
一方、図５はコンバータに前記したサーミスタＴＨ１を用いた場合（温度補償を行った場合）における静特性を示している。なお、図５（ａ）および（ｂ）における横軸と縦軸の関係は、前記した図４（ａ）および（ｂ）のそれと同一の関係で示されている。前記したとおりコンバータに温度補償がなされている場合には、図５（ａ）に示すようにコンバータ出力電圧ＶＨ  と逆バイアス電圧ＶＭ  は、環境温度Ｔｅが高くなるにしたがって、その電圧値が低下する特性になされる。また、ＥＬ素子の順方向電圧ＶＦ  は、前記したとおり環境温度が高温度になるほど低下する。
【００２５】
そして、ＥＬ素子は温度の上昇に伴い発光輝度Ｌが上昇する裸特性を有しているものの、図５（ａ）に示されたようにコンバータ出力電圧ＶＨ  と逆バイアス電圧ＶＭ  は、環境温度Ｔｅが高くなるにしたがって、その電圧値は低下する特性になされるため、結果として図５（ｂ）に示すように、ＥＬ素子の発光輝度Ｌは環境温度Ｔｅの高低にかかわらず、ほぼ一定の値を示すようになる。このように、従来における発光表示パネルの駆動装置は、環境温度の変化にかかわらず、ほぼフラットな発光輝度を得るような補償特性を持たせることが基本的な考え方となっている。
【００２６】
ところで、前記した有機ＥＬ素子に代表される自発光素子による表示パネルは、高温状態（例えば５０℃以上）で所定の輝度を保ったまま発光状態を継続した場合には、例えば２０℃程度の常温の雰囲気で同様の発光状態を継続した場合に比較すると、その発光寿命が短くなるという問題点を抱えている。また、高温状態で長時間にわたって同一の画像表示を続けた場合には、前記した常温の雰囲気による場合と比較して、いわゆる焼き付きという現象が顕著に現れることも知見されている。
【００２７】
一方、実使用上においては、例えば５０℃を超えるような環境下で、長時間にわたって表示パネルの画像を視認するような機会は少なく、すべての動作保証温度内において、前記したようにほぼフラットな発光輝度特性を得るような温度補償特性を持たせることは必ずしも必要ではない。すなわち、発光素子の寿命を第一に考えた場合には、所定以上の高温度の環境においては、発光輝度を抑制させるような特性を持たせることも一つの選択肢であり、このような発光輝度特性をもたせても、実使用上においてはそれ程不便は感じないものであると言うことができる。
【００２８】
そこで、簡易的には図５に示したような温度補償特性を過度に作用させることで、図６に示したような出力電圧特性並びに発光輝度特性を得ることができる。なお、図６（ａ）および（ｂ）における横軸と縦軸の関係は、前記した図５（ａ）および（ｂ）のそれと同一の関係で示されている。前記したように温度補償特性を過度に作用させるには、例えば図３に示したコンバータの回路構成において、サーミスタＴＨ１に直列に接続された抵抗Ｒ１１とＲ１２の抵抗比率を変えることに実現される。これにより、図６（ａ）に示したようにコンバータ出力電圧ＶＨ  と逆バイアス電圧ＶＭ  の値が、高温度の環境においてより低下するように調整することができる。
【００２９】
前記したような調整を行った場合には、結果として図６（ｂ）に示したように、環境温度Ｔｅの上昇に伴って、発光輝度Ｌが漸減するような温度補償特性を得ることができる。この図６（ｂ）に示すような発光輝度特性によると、高温度の動作環境において発光輝度が低減されるので、一応発光素子の寿命の延命効果を期待することができる。
【００３０】
しかしながら、前記のようにコンバータ出力電圧の温度補償特性を過度に作用させる構成とした場合においては、次に示すような技術的な問題点が残され、改良しなければならない課題が存在する。その一つの問題点は高温度の動作領域に移行するにしたがって、逆バイアス電圧ＶＭ  が相当に低下するために、環境温度が上昇するにしたがって素子のクロストーク発光が増大するという問題が生ずる。また、他の一つの問題点は動作温度が上昇するにしたがって輝度は単調減少特性をとるために、常用される温度範囲における輝度の変化を一定の範囲内に制御することが困難になるという問題が生ずる。
【００３１】
さらに、前記のようにコンバータ出力電圧の温度補償特性を過度に作用させる構成とした場合においては、低温度の環境においては、動作電圧が大きく上昇することになるために、消費電力が増大するだけでなく、ドライバの耐電圧特性、耐電流特性を上げなければならず、この対策を講ずることによるコストアップは免れない等の問題も発生する。
【００３２】
したがって、常用される所定の温度範囲（例えば５０℃以下）までは、ほぼフラットな輝度特性を持たせつつ、これを超える高温度の状態においては、発光輝度を低下させて素子を延命させる制御がなされることが望まれる。また、同様に常用される前記した所定の温度範囲においては、クロストーク発光を効果的に抑えることができるように作用することが望まれる。
【００３３】
なお以上は、図３に示したパッシブ駆動型表示パネルの温度補償動作に基づいて説明したが、アクティブ駆動型表示パネルについても、特に高温度の状態において、同様に素子の発光寿命を延命させる制御がなされることが望ましい。
【００３４】
この発明は前記した技術的な観点に基づいてなされたものであり、所定の動作温度の範囲においては、発光輝度がほぼフラットな状態に維持されると共に、所定の温度を超える場合においては、素子の寿命を延命させるように制御することができる発光表示パネルの駆動方法および駆動装置を提供することを目的とするものである。
【００３５】
【課題を解決するための手段】
前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる発光表示パネルの駆動方法は請求項１に記載のとおり、複数のデータ線と複数の走査線との各交点にそれぞれ発光素子が配列され、走査対象となる前記発光素子に対して選択的に発光駆動電流を供給する発光表示パネルの駆動方法であって、前記発光表示パネルの動作環境温度が所定値以下の範囲においては、前記環境温度の高低にかかわりなく、ほぼ一定の発光輝度値を維持させる発光制御を実行させると共に、動作環境温度が前記所定値を超える範囲においては、前記一定の発光輝度値よりも小さな発光輝度状態となる発光制御を実行させることを主要な特徴とする。
【００３６】
また、前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる発光表示パネルの駆動装置は請求項３に記載のとおり、複数のデータ線と複数の走査線との各交点にそれぞれ発光素子が配列され、走査対象となる前記発光素子に対して選択的に発光駆動電流を供給する定電流源を具備した発光表示パネルの駆動装置であって、前記発光表示パネルの動作環境温度を検出し、前記環境温度に対応して当該温度の高低にかかわりなく、ほぼ一定の発光輝度値をもって前記発光素子を点灯駆動させる第一発光制御手段と、前記発光表示パネルの動作環境温度を検出し、環境温度が所定値を超える状態を検出した場合に、前記一定の発光輝度値よりも小さな輝度値となるように前記発光素子を点灯駆動させる第二発光制御手段とを具備した点に特徴を有する。
【００３７】
さらに、前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる発光表示パネルの駆動装置は請求項７に記載のとおり、複数のデータ線と複数の走査線との各交差位置に配され、少なくともそれぞれに点灯駆動トランジスタを介して発光制御される複数の発光素子を備えた発光表示パネルの駆動装置であって、前記発光表示パネルの動作環境温度を検出し、前記環境温度に対応して当該温度の高低にかかわりなく、ほぼ一定の発光輝度値をもって前記発光素子を点灯駆動させる第一発光制御手段と、前記発光表示パネルの動作環境温度を検出し、環境温度が所定値を超える状態を検出した場合に、前記一定の発光輝度値よりも小さな輝度値となるように前記発光素子を点灯駆動させる第二発光制御手段とを具備した点に特徴を有する。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、この発明にかかる発光表示パネルの駆動装置について、その好ましい実施の形態を図に基づいて説明する。図７はその第１の実施の形態を示したものであり、これはパッシブ駆動型表示パネルの駆動装置に適用した例を示している。なお、図７においてはすでに説明した図３に示す各構成要素に対応する部分を同一符号で示しており、したがって、その詳細な説明は省略する。この図７に示す実施の形態において、符号４で示すＤＣ−ＤＣコンバータにおける昇圧回路４には、前記したとおりサーミスタＴＨ１が備えられ、すでに説明したとおり、これにより温度補償が実行される。
【００３９】
この場合の温度補償作用は、図５に示したように環境温度に対応して当該温度の高低にかかわりなく、ほぼ一定の発光輝度値をもって発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｎｍを点灯駆動させるように作用する。これを便宜上、第一発光制御手段と称呼することにする。すなわち、この第一発光制御手段においては、図５（ａ）に基づいて説明したとおり、環境温度が上昇するにしたがってコンバータの出力電圧である前記した駆動電圧ＶＨ  、およびこれを分圧した逆バイアス電圧ＶＭ  のレベルを低下させるように作用させる。この結果として、図５（ｂ）に示すように環境温度の高低にかかわらずＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｎｍをほぼ一定の輝度で点灯駆動させるようになされる。
【００４０】
一方、図７に示す実施の形態においては、陽極線ドライブ回路２における定電流源として、個々の陽極線Ａ１  〜Ａｎ  に対してそれぞれ定電流を供給する電流供給トランジスタＱａ１〜Ｑａｎが具備されている。この各トランジスタＱａ１〜Ｑａｎはｐｎｐの極性により構成されており、そのエミッタにはそれぞれ抵抗素子Ｒａ１〜Ｒａｎを介して、コンバータからもたらされる駆動電圧ＶＨ  が供給されるように構成されている。また、各トランジスタＱａ１〜Ｑａｎのコレクタは、ドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｎのドライブ側端子に接続されている。
【００４１】
さらに、前記各トランジスタＱａ１〜Ｑａｎのベースはｐｎｐ型の制御トランジスタＱ５  のベースに共通接続され、前記制御トランジスタＱ５  のエミッタには抵抗素子Ｒ２１を介して駆動電圧ＶＨ  が供給されるように構成されると共に、当該トランジスタＱ５  のベース・コレクタ間は短絡されている。すなわち、前記各トランジスタＱａ１〜Ｑａｎと、制御トランジスタＱ５  はカレントミラー回路を構成している。したがって、前記各抵抗素子Ｒａ１〜Ｒａｎ、およびＲ２１がそれぞれ等しくなされている場合には、制御トランジスタＱ５  のコレクタ側に流れる吸い込み電流と等しい電流が、個々の陽極線Ａ１  〜Ａｎ  に対して供給されるように作用する。
【００４２】
前記カレントミラー回路を構成する制御トランジスタＱ５  のコレクタには、ｎｐｎ型トランジスタＱ６  のコレクタが接続され、またそのエミッタは抵抗素子Ｒ２２を介してグランドに接続されている。そして、前記トランジスタＱ６  のベースには、環境温度を検出する温度検出手段１１Ａからの制御電圧Ｖａが供給されるように構成されている。したがって、カレントミラー回路を構成する各電流供給トランジスタＱａ１〜Ｑａｎにより、個々の陽極線Ａ１  〜Ａｎ  に対して供給される定電流値は、温度検出手段１１Ａから供給される制御電圧Ｖａによって制御されることになる。
【００４３】
一方、前記温度検出手段１１Ａにおいては、動作電源ＶＤＤとトランジスタＱ６  のベース間に抵抗素子Ｒ２５が接続されており、またトランジスタＱ６  のベースとグランドとの間に、サーミスタＴＨ２と抵抗素子Ｒ２６からなる並列回路が接続されると共に、これと直列に抵抗素子Ｒ２７が接続されている。この構成による温度検出回路１１Ａにおいて、高抵抗領域から負特性領域への変曲点温度が例えば５０℃である負特性サーミスタＴＨ２を用いることで、前記５０℃以上の動作環境において、電流吸い込み用トランジスタＱ６  のベースに加わる制御電圧Ｖａを低下させる作用を得ることができる。
【００４４】
これにより、カレントミラー回路を構成する各電流供給トランジスタＱａ１〜Ｑａｎに流れる電流値は、環境温度が５０℃以上となった場合において、比較的急激に低下するような制御を受ける。したがって、各陽極線に接続されて点灯駆動される各ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｎｍに供給される電流値も、環境温度が５０℃以上となった場合において、同様に比較的急激に低下するような制御を受け、その発光輝度も低下する。
【００４５】
図１０は、前記した作用をさらに説明するものであり、図１０（ａ）は前記した温度検出手段１１Ａによって得られる制御電圧Ｖａの静特性の一例を示し、図１０（ｂ）はこの結果に基づく発光素子の輝度特性を示している。なお、図１０（ａ）は横軸が環境温度Ｔｅで、縦軸が制御電圧Ｖａで示されており、図１０（ｂ）は横軸が同じく環境温度Ｔｅで、縦軸が発光輝度Ｌで示されている。
【００４６】
まず、図１０（ａ）に示すように環境温度Ｔｅが低い領域においては、温度検出手段１１Ａによって得られる制御電圧Ｖａは、実線で示すようにほぼ一定の値を示しており、例えば環境温度が５０℃（図に示すＴ１）以上となった場合には、制御電圧Ｖａは実線で示すように比較的急激に低下するようになされる。この結果、図１０（ｂ）に実線で示されたように、各ＥＬ素子の発光輝度が低下するように制御される。
【００４７】
ここで、図１０（ｂ）に示した環境温度がＴ１以下の領域における前記ＥＬ素子の発光輝度特性は、すでに説明した第一発光制御手段による図５に示した制御態様を利用するものである。そして、図１０（ｂ）に示した環境温度がＴ１を超える領域においてＥＬ素子の発光輝度を低下させるように制御する態様は、前記した温度検出手段１１Ａとカレントミラー回路とによる構成によるものであり、ここでは、温度検出手段１１Ａとカレントミラー回路とによる構成を第二発光制御手段と称呼することにする。
【００４８】
前記した図７に示す実施の形態においては、図１０（ｂ）に示す動作環境温度Ｔｅの全般にわたって第一発光制御手段によるほぼフラットな輝度制御特性を得ると共に、所定の環境温度を超える場合においては第二発光制御手段が動作して、各ＥＬ素子の発光輝度を低下させるように制御する。なお、図７に示す実施の形態においては、高抵抗領域から負特性領域への変曲点温度がほぼ５０℃であるサーミスタＴＨ２を利用した例について説明したが、前記変曲点温度が例えば６０℃あるいは７０℃等になされたサーミスタを利用することで、図１０に示す破線（変曲点温度Ｔ２が６０℃）、あるいは鎖線（変曲点温度Ｔ３が７０℃）で示す特性を得ることができる。
【００４９】
図８は、この発明にかかる表示パネルの駆動装置における第２の実施の形態を示したものであり、同様にパッシブ駆動型表示パネルの駆動装置に適用した例を示している。なお、図８においてはすでに説明した図７に示す実施の形態におけるＤＣ−ＤＣコンバータ部分と逆バイアス電圧生成回路５は省略して示している。そして、図８においては図７に示す各構成要素に対応する部分を同一符号で示しており、したがって、その詳細な説明は省略する。
【００５０】
この図８に示す実施の形態においては、温度検出手段１１Ｂが図７に示した構成における温度検出手段１１Ａとは若干異なる構成になされている。この図８に示す実施の形態における温度検出手段１１Ｂにおいては、動作電源ＶＤＤとトランジスタＱ６  のベース間に抵抗素子Ｒ３１が接続されており、またトランジスタＱ６  のベースには、２つのダイオードＤ２  ，Ｄ３  の直列接続体が接続されると共に、これに抵抗素子Ｒ３２が並列接続されている。そして、前記並列接続体とグランドとの間に抵抗素子Ｒ３３が直列に接続されている。
【００５１】
図８に示した温度検出手段１１Ｂにおいても、２つのダイオードＤ２  ，Ｄ３  の順方向電圧の温度依存性を利用して制御電圧Ｖａのレベルを制御するように作用する。したがって、この図８に示した構成においても前記した第二発光制御手段を構成するカレントミラー回路に流れる電流値を、所定の環境温度以上において、比較的急激に低下させるように制御させることができる。この結果、所定の環境温度以上において、ＥＬ素子の発光輝度を低下させる図１０に示した特性を得ることができる。
【００５２】
なお、図８に示す実施の形態においては、温度検出手段１１Ｂにおいて、ダイオードＤ２  ，Ｄ３  の順方向電圧の温度依存性を利用して制御電圧Ｖａを生成するようにしているが、このダイオードＤ２  ，Ｄ３  に代えて、例えば発光表示パネル１に配列された発光素子としての有機ＥＬ素子を利用することも可能である。この場合、温度検出手段１１Ｂに用いる有機ＥＬ素子としては、発光表示パネル１に予め形成され、発光には寄与しない走査対象外のダミー素子を利用することが望ましい。
【００５３】
このように、ダミーの有機ＥＬ素子を表示パネル１に配列させることは、パネルの製造コストにほとんど影響を及ぼすことはなく、格別に温度検知用の前記したダイオードＤ２  ，Ｄ３  等を用意する必要性を無くすことができることで、点灯制御回路のコストダウンに寄与することができる。
【００５４】
次に図９は、この発明にかかる表示パネルの駆動装置における第３の実施の形態を示したものであり、同様にパッシブ駆動型表示パネルの駆動装置に適用した例を示している。なお、図９においてはすでに説明した図７に示す実施の形態におけるＤＣ−ＤＣコンバータ部分と逆バイアス電圧生成回路５は省略して示している。そして、図９においては図７に示す各構成要素に対応する部分を同一符号で示しており、したがって、その詳細な説明は省略する。
【００５５】
この図９に示す実施の形態においては、温度検出手段１１Ｃが図７に示した構成における温度検出手段１１Ａとはさらに若干異なる構成になされている。この図９に示す実施の形態における温度検出手段１１Ｃにおいては、動作電源ＶＤＤとトランジスタＱ６  のベース間に抵抗素子Ｒ４１が接続されており、トランジスタＱ６  のベースとグランドとの間に抵抗素子Ｒ４２が接続されている。
【００５６】
また、動作電源ＶＤＤとグランドとの間には、抵抗素子Ｒ４３、ダイオードＤ４  、および可変抵抗器Ｒ４４の直列回路が接続されると共に、抵抗素子Ｒ４３とダイオードＤ４  におけるアノードとの接続点にｐｎｐ型トランジスタＱ８  のベースが接続されている。そして、前記トランジスタＱ８  のエミッタが前記抵抗素子Ｒ４１とＲ４２の接続点、すなわち、トランジスタＱ６  のベースに接続され、トランジスタＱ８  のコレクタがグランドに接続されている。
【００５７】
図９に示した温度検出手段１１Ｃにおいても、ダイオードＤ４  とトランジスタＱ８  におけるエミッタ・ベース間の順方向電圧の温度依存性を利用して制御電圧Ｖａのレベルを制御するように作用する。すなわち、環境温度が所定値を超える場合には、ダイオードＤ４  、並びにトランジスタＱ８  におけるエミッタ・ベース間の等価ダイオードの負温度特性により、制御電圧Ｖａのレベルは比較的急激に低下する。
【００５８】
したがって、この図９に示した構成においても、前記した第二発光制御手段を構成するカレントミラー回路に流れる電流値を、所定の環境温度以上において、比較的急激に低下させるように制御させることができる。この結果、所定の環境温度以上において、ＥＬ素子の発光輝度を低下させる図１０に示した特性を得ることができる。なお、図９に示した実施の形態によると、可変抵抗器Ｒ４４を調整することでトランジスタＱ８  の動作バイアスを調整することができ、結果として図１０に示す負特性領域への変曲点温度Ｔ１〜Ｔ３を選択的に設定することができる。
【００５９】
図１１および図１２は、以上説明した第一発光制御手段および第二発光制御手段を備えた発光輝度制御により、比較的高温度の環境において発光素子の寿命が延命されることを実証する測定結果を示すものである。すなわち、図１１（ａ）は緑色発光の有機ＥＬ素子を配列した表示パネルにおいて、６５℃の環境下において初期輝度を４５ｃｄ／ｍ２  および６０ｃｄ／ｍ２  に設定して継続的に点灯させた場合の相対輝度の遷移を示したものであり、その横軸は経過時間を、縦軸は相対輝度で示している。
【００６０】
また図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す相対輝度を横軸にし、相対輝度に対応した初期輝度が４５ｃｄ／ｍ２  の場合の発光時間と初期輝度が６０ｃｄ／ｍ２  の場合の発光時間の係数を示したものである。また、図１２（ａ）および（ｂ）は、図１１（ａ）および（ｂ）に示した条件と同一条件において、青色発光の有機ＥＬ素子を配列した表示パネルにおいて測定した結果を示している。
【００６１】
図１１（ａ）および図１２（ａ）によると、環境温度が高い場合（６５℃）において、発光輝度を下げた場合（初期輝度を４５ｃｄ／ｍ２  とした場合）においては、初期輝度に対する相対輝度の低下が少なくなることが示されており、換言すれば発光寿命が延命されることが理解できる。また、図１１（ｂ）および図１２（ｂ）によると、環境温度が高い場合（６５℃）において、発光輝度を６０ｃｄ／ｍ２  から４５ｃｄ／ｍ２  に下げる制御を実行した場合、緑色発光の有機ＥＬ素子を配列した表示パネルにおいては、１．３〜１．５倍程度の発光寿命の延命効果が得られることが理解できる。また、青色発光の有機ＥＬ素子を配列した表示パネルにおいては、１．２〜１．６倍程度の発光寿命の延命効果が得られることが理解できる。
【００６２】
次に図１３は、この発明にかかる駆動装置における第４の実施の形態を示したものであり、これはアクティブ駆動型表示パネルの駆動装置に適用した例を示している。なお、この実施の形態においては、時分割階調表現を実現する同時消去法（ＳＥＳ＝Ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓ  Ｅｒａｓｉｎｇ  Ｓｃａｎ  ）と呼ばれる点灯駆動方式を採用した例を示している。
【００６３】
この実施の形態における表示パネル１には、図示せぬデータドライバからの映像信号に対応したデータ信号Ｖｄａｔａがそれぞれ供給される多数のデータ電極線２２−１，２２−２，……が列方向に配列されており、また、前記データ電極線に平行して駆動電源Ｖｃｃが供給される電源線２３−１，２３−２，……も配列されている。一方、図示せぬ走査ドライバからの走査信号Ｓｅｌｅｃｔが供給される多数の走査電極線２４−１，２４−２，……が行方向に配列されると共に、走査電極線に平行して多数の電源制御線２５−１，２５−２，……も配列されている。さらに図示せぬ消去ドライバからの消去信号Ｒｅｓｅｔ  がそれぞれ供給される多数の消去信号線２６−１，２６−２，……も行方向に配列されている。
【００６４】
そして、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１  を含む各画素２１には、制御用ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、駆動用ＴＦＴ、キャパシタ、および消去用ＴＦＴがそれぞれ具備されている。図１３に示された形態においては、制御用ＴＦＴとしての第１のトランジスタＴｒ１（以下、制御用トランジスタとも言う。）のゲートには、図示せぬ走査ドライバからの走査信号Ｓｅｌｅｃｔが、走査電極線２４−１，２４−２，……を介して与えられる。また、制御用トランジスタＴｒ１のソースがデータ電極線２２−１，２２−２，……に接続され、そのドレインが駆動用ＴＦＴとしての第２のトランジスタＴｒ２（以下、駆動用トランジスタとも言う。）のゲートに接続されると共に、キャパシタＣａの一端に接続されている。
【００６５】
前記キャパシタＣａの他端および駆動用トランジスタＴｒ２のソースは、電源線２３−１，２３−２，……に接続されており、駆動用トランジスタＴｒ２のドレインは、各ＥＬ素子Ｅ１  アノード端子に接続されている。そして、各ＥＬ素子Ｅ１  のカソード端子は電源制御線２５−１，２５−２，……にそれぞれ接続されている。さらに、消去用ＴＦＴとしての第３のトランジスタＴｒ３（以下、消去用トランジスタとも言う。）のゲートには、図示せぬ消去ドライバからの消去信号Ｒｅｓｅｔ  が、消去信号線２６−１，２６−２，……を介して与えられる。そして、消去用トランジスタＴｒ３のソースおよびドレインは、前記キャパシタＣａの両端部にそれぞれ接続されている。なお、図１３に示す各画素２１においては、駆動用トランジスタＴｒ２のみがＰチャンネル型ＴＦＴにより構成され、他はＮチャンネル型ＴＦＴにより構成されている。
【００６６】
図１３に示した例においては、紙面の都合により４つの画素２１を描いているが、このような画素２１は行および列方向にマトリクス状に多数配列されて表示パネル１を構成している。そして、前記各画素２１を構成する制御用トランジスタＴｒ１のゲートには、アドレス期間において図示せぬ走査ドライバより順次オン電圧が供給される。これにより、制御用トランジスタＴｒ１のソース・ドレインを介して、前記データ信号Ｖｄａｔａに対応した電流をキャパシタＣａに流し、これによりキャパシタＣａは充電される。そして、その充電電圧が駆動用トランジスタＴｒ２のゲートに供給されて、トランジスタＴｒ２はそのゲート電圧と、電源線２３−１，２３−２，……に供給される駆動電源Ｖｃｃに対応した電流を、ＥＬ素子Ｅ１  に流し、これによりＥＬ素子Ｅ１  は発光する。
【００６７】
そして、制御用トランジスタＴｒ１のゲート電圧がオフ電圧になると、トランジスタＴｒ１はいわゆるカットオフとなる。しかしながら、キャパシタＣａに蓄積された電荷により駆動用トランジスタＴｒ２のゲート電圧が保持され、これによりＥＬ素子Ｅ１  への駆動電流が維持される。したがって、ＥＬ素子Ｅ１  は次の走査に至る期間（例えば、１フレーム期間）において、前記データ信号Ｖｄａｔａに対応した点灯状態を継続することができる。
【００６８】
一方、この実施の形態においては、前記ＥＬ素子Ｅ１  の点灯期間の途中（例えば、１フレーム期間の途中）において、図示せぬ消去ドライバより消去トランジスタＴｒ３をオンさせる消去信号Ｒｅｓｅｔ  が供給されるように制御される。これにより、キャパシタＣａにチャージされている電荷を瞬時にして消去（放電）させることができる。この結果、駆動トランジスタＴｒ２はカットオフ状態となり、ＥＬ素子Ｅ１  は直ちに消灯される。換言すれば、図示せぬ消去ドライバからのゲートオン電圧の出力タイミングを制御することで、ＥＬ素子Ｅ１  の点灯期間が制御され、これにより多階調表現を実現することができる。
【００６９】
前記した各画素２１を備えた表示パネル１を点灯駆動させるための電源回路においても、すでに説明した図７に示したような第一発光制御手段として機能する温度補償特性を持たせたＤＣ−ＤＣコンバータを好適に利用することができる。ただし、図１３に示した表示パネル１は、アクティブ駆動型であるので、前記した逆バイアス電圧ＶＭ  の生成回路は不要となる。そして、図１３に示した実施の形態においても、所定の環境温度を超える場合においては第二発光制御手段が動作して、各ＥＬ素子の発光輝度が低下されるように制御される。
【００７０】
すなわち、この図１３における第二発光制御手段は、感温素子３１、電圧源３６、電圧可変器３５より構成され、電圧可変器３５の出力端がスイッチ３７を介して電源制御線２５−１，２５−２，……にそれぞれ接続されるように構成されている。なお、図１３においては電圧可変器３５の出力端がスイッチ３７を介して第１の電源制御線２５−１に接続された状態を示している。
【００７１】
ここで、第二発光制御手段を構成する前記した感温素子３１、電圧可変器３５、電圧源３６の構成は、例えば図１４に示す回路構成に置き換えることができる。すなわち、感温素子３１としてのサーミスタＴＨ４の両端には、それぞれ抵抗Ｒ５１およびＲ５２が直列接続されており、これらの直列接続体に対して、電圧源＋Ｖが印加されるように構成されている。そして、サーミスタＴＨ４と抵抗Ｒ５２との接続点には、オペアンプ１５の非反転入力端が接続されている。前記オペアンプ１５はその出力端が反転入力端に接続（帰還）されることで、バッファーアンプとして機能しており、したがって、前記サーミスタＴＨ４と抵抗Ｒ５２との接続点における電位に基づく出力電圧Ｖｂが、オペアンプ１５に出力される。
【００７２】
図１４に示した構成において、高抵抗領域から負特性領域への変曲点温度が例えば５０℃である負特性サーミスタＴＨ４を用いた場合には、前記５０℃以上の動作環境において、オペアンプ１５における出力電圧Ｖｂのレベルを急激に上昇させる作用を得ることができる。したがって、前記オペアンプ１５の出力を図１３に示した表示パネル１の電源制御線２５−１に供給することで、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１  に加える駆動電圧値を変更制御することができる。それ故、前記した５０℃以上の動作環境となった場合においては、各ＥＬ素子Ｅ１  のカソード側の電位が上昇し、ＥＬ素子Ｅ１  の発光輝度が低下するように動作する。
【００７３】
前記した作用により、図１３に示す実施の形態においても、図１０に基づいて説明した環境温度に対応した輝度特性を得ることができ、結果として図１１および図１２に基づいて説明したようなＥＬ素子の発光寿命の延命効果を期待することができる。
【００７４】
図１５は、この発明にかかる駆動装置における第５の実施の形態を示したものであり、これもアクティブ駆動型表示パネルの駆動装置に適用した例を示している。なお、図１５においてはすでに説明した図１３に示す各構成要素に対応する部分を同一符号で示しており、したがって、その詳細な説明は省略する。この図１５に示す構成においては、図１３に示す構成に対してＡ／Ｄ変換器３２、演算制御機能として働くＣＰＵ３３、Ｄ／Ａ変換器３４が追加されている。
【００７５】
すなわち、前記したサーミスタＴＨ４に代表される感温素子より出力される環境温度に依存したアナログ信号は、前記Ａ／Ｄ変換器３２によってデジタルデータに変換され、ＣＰＵ３３に取り込まれる。そしてＣＰＵ３３において必要な処理等が実行され、Ｄ／Ａ変換器３４によって再びアナログ信号に変換される。そして、Ｄ／Ａ変換器３４によるアナログ信号は、電圧可変器３５に供給され、電圧可変器３５は環境温度に対応したアナログ信号に応じて出力電圧のレベルを制御するように作用する。
【００７６】
前記電圧可変器３５による出力は、図１３に示した例と同様に、表示パネル１に配列された電源制御線２５−１，２５−２，……に供給され、電源制御線２５−１，２５−２，……の電位を環境温度に応じてシフトさせるように作用する。したがって、この図１５に示した実施の形態においても、図１３に示した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００７７】
図１６は、この発明にかかる駆動装置における第６の実施の形態を示したものであり、これもアクティブ駆動型表示パネルの駆動装置に適用した例を示している。なお、図１６においてはすでに説明した図１３および図１５に示す各構成要素に対応する部分を同一符号で示しており、したがって、その詳細な説明は省略する。また、図１６においては表示パネルに１には一つの画素２１のみを代表して描いている。
【００７８】
この図１６に示す実施の形態においては、Ｄ／Ａ変換器３４より出力される環境温度に依存したアナログ信号によって、データ電極線２２−１，２２−２，……に供給されるデータ信号Ｖｄａｔａのレベルを制御し、結果として駆動トランジスタＴｒ２を介してＥＬ素子Ｅ１  に供給する駆動電流値を変更制御するように構成されている。すなわち、Ｄ／Ａ変換器３４より出力される環境温度に依存したアナログ信号は、ＶＣＡ（電圧制御増幅器）４２に制御信号として供給される。またＶＣＡ４２にはデータドライバ４１より、映像データに対応したデータ信号が被制御信号として供給されるように構成されている。したがって、前記データ信号はＤ／Ａ変換器３４より出力される環境温度に依存したアナログ信号によってレベル制御を受け、データ信号Ｖｄａｔａとしてデータ電極線２２−１，２２−２，……に供給される。
【００７９】
前記した構成においては、環境温度が例えば５０℃以上となった場合に、Ｄ／Ａ変換器３４からの制御信号により、ＶＣＡ４２の利得が低下されるように構成されている。これにより、画素２１を構成するキャパシタＣａに対する充電電圧は低下し、対応して駆動トランジスタＴｒ２によりＥＬ素子Ｅ１  に供給される駆動電流値も低下する。それ故、環境温度が例えば５０℃以上となった場合には、ＥＬ素子Ｅ１  の発光輝度が低下するように作用する。
【００８０】
前記した作用により、図１６に示す実施の形態においても、図１０に基づいて説明した環境温度に対応した輝度特性を得ることができ、結果として図１１および図１２に基づいて説明したようなＥＬ素子の発光寿命の延命効果を期待することができる。
【００８１】
図１７は、この発明にかかる駆動装置における第７の実施の形態を示したものであり、これもアクティブ駆動型表示パネルの駆動装置に適用した例を示している。なお、図１７においてはすでに説明した図１３、図１５および図１６に示す各構成要素に対応する部分を同一符号で示しており、したがって、その詳細な説明は省略する。また、図１７においても表示パネル１に一つの画素２１のみを代表して描いている。
【００８２】
この図１７に示す実施の形態においては、Ｄ／Ａ変換器３４より出力される環境温度に依存したアナログ信号によって、点灯駆動トランジスタＴｒ２を介してＥＬ素子Ｅ１  を点灯させる期間を変更制御するようになされる。すなわち、Ｄ／Ａ変換器３４より出力される環境温度に依存したアナログ信号は、ＰＷＭ（パルス幅変調器）４５に対して制御信号として供給するようになされる。このＰＷＭ４５には、消去ドライバ４４からの消去信号が供給され、消去信号線２６−１，２６−２，……に供給される消去信号Ｒｅｓｅｔ  の送出タイミングが調整されるようになされる。
【００８３】
前記した作用を実現させるための一つの手段として、前記ＰＷＭ４５においては図示せぬコンパレータに供給される基準三角波と基準電圧のうち、前記基準電圧のレベルをＤ／Ａ変換器３４より出力されるアナログ信号によって変更するように構成される。これにより、前記基準三角波と基準電圧とのクロス点の到来タイミングが環境温度によって変更される制御がなされる。
【００８４】
すなわち、環境温度が例えば５０℃以上となった場合には、ＰＷＭ４５においては基準三角波と基準電圧とのクロス点の到来タイミングが早まるように動作する。したがって、環境温度が例えば５０℃以上となった場合には、例えば１フレームの点灯期間ごとにおいて、消去信号線２６−１，２６−２，……に供給される消去信号Ｒｅｓｅｔ  の発生タイミングが早められる。
【００８５】
それ故、例えば１フレームの点灯期間ごとにおいて、消去トランジスタＴｒ３がオンされるタイミングが早まり、前記駆動トランジスタＴｒ２を介してＥＬ素子Ｅ１  を点灯駆動させる期間が短縮される。これにより、ＥＬ素子Ｅ１  の発光輝度が低下するように制御される。
【００８６】
前記した作用により、図１７に示す実施の形態においても、図１０に基づいて説明した環境温度に対応した輝度特性を得ることができ、結果として図１１および図１２に基づいて説明したようなＥＬ素子の発光寿命の延命効果を期待することができる。
【００８７】
なお、以上説明したアクティブ駆動型表示パネルの駆動装置においては、図１３および図１５に示したＥＬ素子に加える駆動電圧値を変更制御させる手段、図１６に示した駆動トランジスタを介してＥＬ素子に供給する駆動電流値を変更制御させる手段、さらに図１７に示した駆動トランジスタを介してＥＬ素子を点灯させる期間を変更制御する手段を併用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機ＥＬ素子の等価回路図である。
【図２】有機ＥＬ素子の諸特性を示した静特性図である。
【図３】従来における発光表示パネルの駆動装置を示す結線図である。
【図４】図３に示すコンバータにおいて温度補償がなされない場合の例を示した特性図である。
【図５】図３に示すコンバータにおいて温度補償がなされた場合の例を示した特性図である。
【図６】図５に示す状態の温度補償を過度に作用させた場合の例を示した特性図である。
【図７】この発明にかかる駆動装置の第１の実施の形態を示した結線図である。
【図８】同じく第２の実施の形態を示した結線図である。
【図９】同じく第３の実施の形態を示した結線図である。
【図１０】図７ないし図９に示した実施の形態における温度検出手段において生成される制御電圧と発光素子の輝度特性の例を示した特性図である。
【図１１】この発明においてなされる緑色発光素子の発光寿命を解説する測定図である。
【図１２】同じく青色発光素子の発光寿命を解説する測定図である。
【図１３】この発明にかかる駆動装置の第４の実施の形態を示した結線図である。
【図１４】図１３に示す実施の形態において好適に利用することができる構成を示した結線図である。
【図１５】この発明にかかる駆動装置の第５の実施の形態を示した結線図である。
【図１６】同じく第６の実施の形態を示した結線図である。
【図１７】同じく第７の実施の形態を示した結線図である。
【符号の説明】
１                発光表示パネル
２                陽極線ドライブ回路
３                陰極線走査回路
４                昇圧回路
５                逆バイアス電圧生成回路
６                スイッチングレギュレータ回路
７                誤差増幅器
８                ＰＷＭ回路
９                発振器
１１Ａ〜１１Ｃ    温度検出手段
２１              画素
２２−１，２２−２    データ電極線
２３−１，２３−２    電源線
２４−１，２４−２    走査電極線
２５−１，２５−２    電源制御線
２６−１，２６−２    消去信号線
Ａ１  〜Ａｎ          陽極（ドライブ）線
Ｂ１                ＤＣ電圧源
Ｃａ              キャパシタ
Ｄ１  〜Ｄ３          ダイオード
Ｅ１  ，Ｅ１１〜Ｅｎｍ  発光素子（有機ＥＬ素子）
Ｋ１  〜Ｋｍ          陰極（走査）線
Ｌ１                インダクタ
Ｑ１                パワーＦＥＴ
Ｓａ１〜Ｓａｎ        ドライブスイッチ
Ｓｋ１〜Ｓｋｍ        走査スイッチ
ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ４  サーミスタ
Ｔｒ１              制御用トランジスタ
Ｔｒ２              駆動用トランジスタ
Ｔｒ３              消去用トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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