(57)【要約】    【課題】  入出力電極の形成に要する時間を短縮化し、製造および調整に要するコストを削減し、広範囲に亘って特性調整を行えるようにした誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、通信装置、および誘電体共振器装置の製造方法を提供する。    【解決手段】  内面に内導体４ａ〜４ｃを形成した貫通孔２ａ〜２ｃを誘電体ブロック１に設け、誘電体ブロック１の外面に外導体５を形成し、内導体４ａ〜４ｃと誘電体ブロック１と外導体５とによって共振器を構成する。外導体５には離間部７ａ，７ｂを設けて共振器と結合する入出力電極６ａ，６ｂを形成する。離間部７ａ，７ｂには、その間隙幅より狭い幅で所定深さの特性調整用溝８ａ，８ｂをレーザ加工により形成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面に内導体を形成した少なくとも１つの貫通孔を誘電体ブロックに設け、該誘電体ブロックの外面に外導体を形成し、前記貫通孔に形成された内導体と前記誘電体ブロックと前記外導体とで共振器を構成するとともに、前記外導体から離間する離間部を設けて、前記共振器のいずれかに結合する入出力電極を形成した誘電体共振器装置において、
前記入出力電極と前記外導体との間を所定間隙幅で離間させる離間部に当該離間部の間隙幅より狭い幅で所定深さの特性調整用溝を形成したことを特徴とする誘電体共振器装置。
【請求項２】
前記特性調整用溝は前記離間部の全周に亘って形成した請求項１に記載の誘電体共振器装置。
【請求項３】
前記特性調整用溝は前記入出力電極を囲む前記外導体の内周に沿って形成した請求項２に記載の誘電体共振器装置。
【請求項４】
送信フィルタ部と受信フィルタ部とを備え、両フィルタ部のうち少なくとも一方を請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体共振器装置で構成したことを特徴とする誘電体デュプレクサ。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体共振器装置または請求項４に記載の誘電体デュプレクサを通信信号処理回路部に備えた通信装置。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体共振器装置の製造方法であって、
前記誘電体ブロックに導電性膜を形成する工程と、
該導電性膜をレーザ加工して前記離間部および特性調整用溝を形成する工程とを含む誘電体共振器装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、誘電体ブロックに少なくとも１つの誘電体同軸共振器を構成してなる誘電体共振器装置、誘電体デュプレクサ、それらを備えた通信装置、および誘電体共振器装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
誘電体ブロックを用いた従来の誘電体フィルタの構成を図１０に示す。（Ａ）はその入出力電極を上面に描いた斜視図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＡ−Ａ’部分の断面図、（Ｃ）は（Ｂ）におけるＢ部分の拡大断面図である。この図１０に示すように、略直方体形状の誘電体ブロック１に３つの貫通孔２ａ〜２ｃが形成されていて、それらの内面に内導体が形成されている。誘電体ブロック１の外面には、貫通孔２ａ〜２ｃの一方の開口面を除く他の五つの面に外導体５を形成している。また誘電体ブロック１の外面には、離間部７ａ，７ｂを設けることによって外導体５から分離した入出力電極６ａ，６ｂを形成している。
【０００３】
このようにして、貫通孔２ａの内面に形成した内導体の開放端付近と入出力電極６ａとの間に、また貫通孔２ｃの内面に形成した内導体の開放端付近と入出力電極６ｂとの間にそれぞれ外部結合容量Ｃｅが生じ、入出力電極６ａ、６ｂと外導体５との間にそれぞれストレー容量Ｃｓが生じる。
【０００４】
このように誘電体ブロックの外面に形成した外導体に離間部７ａ，７ｂを設けることによって入出力電極を形成することは特許文献１に開示されている。また、溝によって離間部を設ける際に、その溝の深さと幅を変えることによって誘電体フィルタの特性を調整するようにしたものが特許文献２に開示されている。
【特許文献１】特開平６−３３４４１４号公報
【特許文献２】特開平７−１５２０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献２に開示されている誘電体フィルタでは、外導体と入出力電極との間の離間部の深さまたは幅によって外部結合Ｑ（Ｑｅ）を制御するようにしているが、離間部の溝深さを深くしようとすると、離間部の切削工程に要する時間がその溝深さに比例して長くなるという問題があった。
【０００６】
また、上記離間部は特許文献１に開示されているように超音波振動による切削ツールによって誘電体ブロックの外面に溝を形成するものであるため、離間部の幅を制御するためには切削工具を変更する必要があり、コストがかかるという問題があった。さらに離間部の幅は、基板に対する誘電体フィルタの実装時に位置ずれが生じても、入出力電極が基板上の接地電極などと短絡しないように最低限の幅を確保しておく必要がある。そのため、離間部の幅を変更することによって特性を定める方法では、設計上または製造上の自由度が小さいという問題があった。
【０００７】
そこで、この発明の目的は上述の問題を解消して、入出力電極の形成に要する時間を短縮化し、製造および調整に要するコストを削減し、広範囲に亘って調整を行えるようにした誘電体共振器装置、誘電体デュプレクサ、通信装置、および誘電体共振器装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の共振器装置は、内面に内導体を形成した少なくとも１つの貫通孔を誘電体ブロックに設け、該誘電体ブロックの外面に外導体を形成し、前記貫通孔に形成された内導体と前記誘電体ブロックと前記外導体とで共振器を構成するとともに、前記外導体から離間して、前記共振器のいずれかに結合する入出力電極を形成し、その入出力電極と外導体膜との間を離間させる離間部にその離間部の間隙幅より狭い幅で所定深さの特性調整用溝を形成したことを特徴としている。
【０００９】
前記特性調整用溝は前記離間部の全周に亘って形成する。例えば入出力電極の外周に沿って形成する。
【００１０】
この発明の誘電体デュプレクサは、送信フィルタ部と受信フィルタ部とを備え、両フィルタ部の少なくとも一方を前記構成の誘電体共振器装置で構成したことを特徴としている。
【００１１】
前記特性調整用溝は例えば入出力電極を囲む外導体の内周に沿ってその全周に亘って形成する。
【００１２】
この発明の通信装置は、前記構成の誘電体共振器装置または誘電体デュプレクサを通信信号処理回路部に備えたことを特徴としている。
【００１３】
さらにこの発明の誘電体共振器装置の製造方法は、誘電体ブロックに導電性膜を形成する工程と、その導電性膜をレーザ加工して前記離間部および特性調整用溝を形成する工程とを含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、入出力電極と外導体との間を離間させる離間部に、その離間部の間隙幅より狭い幅で所定深さの特性調整用溝を形成したことにより、離間部全体の溝深さを調整することによって特性を定める場合に比べて特性調整用溝の形成を短時間に行うことができる。また離間部の幅を変更することによって特性調整を行うのではないので（離間部の間隙幅を一定にできるので）、切削工具によって離間部を形成する場合にも製造コストを削減できる。また基板に対する実装時に入出力電極が短絡しないための最低限の幅を確保しても特性調整幅を広くできるので、広範囲に亘って所望の特性を得ることができる。さらに、溝幅の狭い特性調整用溝を設けるので、特性調整の微調整が容易となる。
【００１５】
また、この発明によれば、離間部の全周に亘って特性調整用溝を形成することによって、特性調整用溝の深さ当たりの外部結合Ｑ（Ｑｅ）の変化を大きくすることができ、少ない加工量で所望の特性を得ることができる。
【００１６】
また、この発明によれば、特に入出力電極を囲む外導体の内周に沿った全周に亘って特性調整用溝を形成することによって、特性調整用溝の深さ変化に対する外部結合Ｑ（Ｑｅ）の変化を大きくすることができ、少ない加工量で所望の特性を得ることができる。
【００１７】
また、この発明によれば、上記構成の誘電体共振器装置を備えることによって低コストな誘電体デュプレクサが得られる。
【００１８】
また、この発明によれば、誘電体ブロックに形成した導電性膜をレーザ加工により離間部および特性調整用溝を形成することによって製造コストが削減でき、低コストな誘電体共振器装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
第１の実施形態に係る誘電体共振器装置である誘電体フィルタの構成を図１を基に説明する。
図１の（Ａ）は入出力電極を上面にして描いた斜視図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＡ−Ａ’部分の断面図、（Ｃ）は（Ｂ）におけるＢ部分の拡大断面図である。（Ｄ）は３つの貫通孔２ａ〜２ｃの軸に平行な面での断面図である。
【００２０】
この図１に示すように、略直方体形状の誘電体ブロック１に３つの貫通孔２ａ〜２ｃを形成していて、それらの内面に内導体４ａ〜４ｃを形成している。誘電体ブロック１の外面には、貫通孔２ａ〜２ｃの一方の開口面を除く他の五つの面に外導体５を形成している。また誘電体ブロック１の外面には、離間部７ａ，７ｂを設けることによって外導体５から分離した入出力電極６ａ，６ｂを形成している。
【００２１】
このようにして、貫通孔２ａの内面に形成した内導体４ａの開放端付近と入出力電極６ａとの間に、また貫通孔２ｃの内面に形成した内導体４ｃの開放端付近と入出力電極６ｂとの間にそれぞれ外部結合容量Ｃｅが生じ、入出力電極６ａ、６ｂと外導体５との間にそれぞれストレー容量Ｃｓが生じる。
【００２２】
この離間部７ａ，７ｂは後述するように外導体５に対するレーザ加工によって形成する。また入出力電極６ａ，６ｂを囲む外導体５の内周に沿って所定幅所定深さの特性調整用溝８ａ，８ｂを形成している。この特性調整用溝８ａ、８ｂの幅が一定である場合、その溝深さを深くするほど入出力電極６ａ，６ｂと外導体５との間のストレー容量が小さくなる。
【００２３】
図２は図１に示した誘電体フィルタの等価回路図である。ここでＲ１，Ｒ２，Ｒ３は前記貫通孔２ａ〜２ｃの内面に形成した内導体、誘電体ブロック１、および外導体５によって構成される誘電体同軸共振器である。各貫通孔２ａ〜２ｃは開放端側の内径を短絡端側より大きくしたステップ孔としているので、これらの共振器は容量性結合する。上記特性調整用溝８ａ、８ｂの溝深さを深くするほどストレー容量Ｃｓが減少する。その結果、共振器の特性インピーダンスが大きくなるので外部結合Ｑ（Ｑｅ）が小さくなり、外部回路との結合が強くなる。
【００２４】
図６は離間部の体積を変化させた時のＱｅの変化の例を示している。(1) がこの第１の実施形態に係る特性、(4) は離間部７ａ，７ｂ全体の溝深さを変化させる従来の誘電体フィルタについての特性である。ここで、離間部７ａ，７ｂの間隙幅を０．４ｍｍ、離間部の溝深さを１０μｍ、特性調整用溝８ａ，８ｂの溝幅を０. ０５ｍｍとし、その特性調整用溝７ａ，７ｂの溝深さを変化させている。離間部の体積が０. ０５［ｍｍ3 ］のとき、Ｑｅは約２２であり、この離間部の体積を０. １［ｍｍ3 ］にしたとき、Ｑｅは約１８. ７となる。これに対して(4) に示す従来例では、離間部の体積を０. １［ｍｍ3 ］にしたとき、Ｑｅは約２０．５までしか変化しない。このようにして従来に比べて離間部の体積変化に対するＱｅのとり得る幅は大きく変化して、少ない調整量で所望のＱｅ特性を得ることができる。
【００２５】
次に第２の実施形態に係る誘電体フィルタについて図３を基に説明する。
図３の（Ａ）は入出力電極を上面にして描いた斜視図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＡ−Ａ’部分の断面図、（Ｃ）は（Ｂ）におけるＢ部分の拡大断面図である。第１の実施形態では離間部の全周に亘って特性調整用溝８ａ，８ｂを形成したが、この図３に示す例では２つの入出力電極６ａ，６ｂの同一面をなす面にのみ特性調整用溝８ａ，８ｂを形成している。その他の構成は第１の実施形態の場合と同様である。
【００２６】
このように誘電体ブロック１の同一面にのみ特性調整用溝８ａ，８ｂを形成することにより、後に示すようにレーザ加工によってこの特性調整用溝８ａ，８ｂを形成する際に誘電体ブロック１を固定したまま、１回の工程によってその加工を行うことができるので、製造上の作業工数および作業時間を削減できる。
【００２７】
次に第３の実施形態に係る誘電体フィルタについて図４を基に説明する。
図４の（Ａ）は入出力電極を上面にして描いた斜視図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＡ−Ａ’部分の断面図、（Ｃ）は（Ｂ）におけるＢ部分の拡大断面図である。第１の実施形態では入出力電極６ａ，６ｂを囲む外導体５の内周に沿って特性調整用溝８ａ，８ｂを形成したが、この第３の実施形態では、入出力電極６ａ，６ｂの外周に沿って特性調整用溝８ａ，８ｂを形成している。その他の構成は第１の実施形態の場合と同様である。
【００２８】
この誘電体フィルタの離間部の体積変化に対するＱｅの変化は図６の(2) に示すとおりである。離間部の体積が０. ０５［ｍｍ3 ］であるとき、Ｑｅは約２２であり、離間部の体積を０. ７５［ｍｍ3 ］としたとき、Ｑｅは約２０となる。第１の実施形態で示したように、特性調整用溝を入出力電極６ａ，６ｂを囲む外導体５の内周に沿って形成した場合よりはＱｅの変化は小さいが、従来の場合に比べて充分に大きな変化を得ることができる。
【００２９】
次に第４の実施形態に係る誘電体フィルタの構成を図５を基に説明する。
この誘電体フィルタは、入出力電極６ａ，６ｂの外周に特性調整用溝９ａ，９ｂを、入出力電極を囲む外導体５の内周のそれぞれに特性調整用溝８ａ，８ｂをそれぞれ形成している。その他の構成は第１・第３の実施形態の場合と同様である。
【００３０】
このように入出力電極の外周と外導体の内周の両方に特性調整用溝を設けることによって、特性調整用溝の溝深さ変化に対する全体の削除体積が増すので、より広範囲に亘ってＱｅの設定を行うことができる。
【００３１】
図６の(3) はその場合の例を示している。特性調整用溝８ａと９ａ（または８ｂと９ｂ）を合わせると離間部の体積を０. ０５［ｍｍ3 ］から０. １２５［ｍｍ3 ］まで変化させたとき、Ｑｅは約２２から約１８まで変化する。このように広範囲に亘ってＱｅの設定を行うことができる。
【００３２】
次に第５の実施形態である誘電体デュプレクサの構成を図７を基に説明する。
図７は入出力電極を上面にして描いた斜視図である。略直方体形状の誘電体ブロック１に貫通孔２ａ〜２ｆを形成していて、それらの内面に内導体を形成している。誘電体ブロック１の外面には、貫通孔２ａ〜２ｆの一方の開口面を除く他の五つの面に外導体５を形成している。また誘電体ブロック１の外面には、離間部７ａ，７ｂ，７ｃを設けることによって外導体５から分離した入出力電極６ａ，６ｂ，６ｃを形成している。
【００３３】
このようにして、貫通孔２ａの内面に形成した内導体の開放端付近と入出力電極６ａとの間に、また貫通孔２ｆの内面に形成した内導体の開放端付近と入出力電極６ｂとの間にそれぞれ外部結合容量Ｃｅが生じ、入出力電極６ａ、６ｂと外導体５との間にそれぞれストレー容量Ｃｓが生じる。
【００３４】
また誘電体ブロック１の内部には、その内面に内導体を形成した励振孔１０を貫通孔２ａ〜２ｆに対して平行に配置している。外導体５を形成していない誘電体ブロック１の一方の開口面（以下「開放面」という。）側には励振孔１０の端部で内導体と導通する外導体５を形成している。また誘電体ブロック１の短絡面側には外導体５から離間させた入出力電極６ｃを形成していて、励振孔１０のもう一方の開口部でその内導体を入出力電極６ｃに導通させている。貫通孔２ａ〜２ｃのそれぞれの内面に形成した内導体、誘電体ブロック１、および外導体５によって３つの誘電体同軸共振器を構成している。これらの貫通孔２ａ〜２ｃの開放端側は短絡端よりその内径を大きくしているので、隣接する共振器間は容量性結合する。貫通孔２ａによる共振器は入出力電極６ａと容量性結合する。また貫通孔２ｃによる共振器は励振孔１０とインターディジタル結合する。同様に、貫通孔２ｄ〜２ｆのそれぞれの内面に形成した内導体、誘電体ブロック１、および外導体５によって３つの誘電体同軸共振器を構成している。これらの貫通孔２ｄ〜２ｆの開放端側は短絡端よりその内径を大きくしているので、隣接する共振器間は容量性結合する。貫通孔２ｆによる共振器は入出力電極６ｂと容量性結合する。また貫通孔２ｄによる共振器は励振孔１０とインターディジタル結合する。
【００３５】
上記貫通孔２ａ〜２ｃによる３段の共振器は送信フィルタとして作用し、貫通孔２ｄ〜２ｆによる３段の共振器は受信フィルタとして作用する。したがって、この装置全体は、入出力電極６ａを送信信号入力端子、入出力電極６ｂを受信信号出力端子、入出力電極６ｃをアンテナ端子とするアンテナ共用器として作用する。
【００３６】
このような誘電体デュプレクサにおいて、入出力電極６ａ，６ｂ部分に第１〜第４の実施形態で示した誘電体フィルタの場合と同様に特性調整用溝８ａ，８ｂを形成する。特性調整用溝８ａを設けることによって、この誘電体デュプレクサの送信フィルタの入力部と送信回路の出力部との結合の強さを定める。また、特性調整用溝８ｂを設けることによって、この誘電体デュプレクサの受信フィルタの出力部と受信回路の入力部との結合の強さを定める。
なお、アンテナ端子としての入出力電極６ｃには特に特性調整用溝は設けない。この図７に示した例では、入出力電極６ａ，６ｂを外導体５から離間する離間部７ａ，７ｂの一部が誘電体ブロック１の開放面（図７の左手前の面）に繋がっているが、この部分は先のいくつかの実施形態で示したように、離間部の周囲を外導体５で囲むように離間部を設けてよい。
【００３７】
次に、第６の実施形態として誘電体共振器装置の製造方法について図８を参照して説明する。
図８の（Ａ）は誘電体フィルタ１００に対するレーザ加工の様子を示している。誘電体フィルタ１００は。入出力電極が上面となるように所定治具のくぼみに載置して固定する。この誘電体フィルタ１００を載置する部分の上部にはレーザユニット（レーザビームの照射部）９０を配置している。図８の（Ｂ）はレーザ加工を行う入出力電極６ａ部分の平面図、（Ｃ）は（Ｂ）におけるＡ−Ａ’部分の断面図である。（Ｂ′）はレーザビームスポットの走査経路を明瞭にするために、その走査経路の間隔を粗く描いた例である。
【００３８】
離間部７ａは、（Ｂ）において破線の矢印で示すように「コ」字型の経路を往復するようにレーザビームのスポットを走査させ、深さ１０μ幅０．４ｍｍの溝を形成する。
【００３９】
また特性調整用溝８ａ部分には、レーザビームのスポットの走査を所定回数繰り返すことによって例えば溝幅０．０５ｍｍ深さ３０μｍの特性調整用溝を形成する。離間部７ａの間隙幅（０. ４ｍｍ）は、この誘電体フィルタを基板に実装する際に実装位置ずれの精度によって入出力電極６ａが短絡しないように所定幅に定めておく。
【００４０】
この離間部７ａの形成によって入出力電極６ａを外導体５から離間させた状態で誘電体フィルタの特性を測定し、所望の誘電体フィルタ特性（Ｑｅによって定まる特性）が得られるように、特性調整用溝８ａ部分を通るレーザビームスポットの走査回数を定める。この特性調整用溝８ａの形成は一度に行ってもよいし、誘電体フィルタの電気的特性が所望の特性となるまで特性の測定と調整を複数回繰り返してもよい。
【００４１】
このように、離間部７ａの間隙幅より溝幅の狭い特性調整用溝を設けるために、レーザビームスポットを面状ではなく線状に走査するだけでよいので、その特性調整の微調整が容易となる。
【００４２】
なお、誘電体ブロック１の両側面（基板に対する実装面に垂直な２つの面）に特性調整用溝を設ける場合には、レーザビームを照射する面を図８に示したレーザユニット９０に向けるように誘電体フィルタ１００を立てる。
【００４３】
なお、図８の（Ｂ）（Ｃ）に示した例では、入出力電極を囲む外導体５の内周に沿って特性調整用溝を形成したが、入出力電極６ａの外周に沿って特性調整用溝を設ける場合にも同様に適用できる。
【００４４】
以上に示した各実施形態では誘電体ブロックの開放面に電極を設けていない形式の誘電体共振器装置を示したが、この開放面に、共振器間の結合用の電極を形成した形式の誘電体共振器装置にもこの発明は適用できる。また、直方体形状の誘電体ブロックの外面（六面）に外導体を形成し、貫通孔内部の端部付近または端部に内導体非形成部を設けて、その部分で開放させるとともにストレー容量を生じさせるようにした形式の誘電体共振器装置にも同様にこの発明は適用できる。
【００４５】
次に、第７の実施形態に係る通信装置の構成例を図９を参照して説明する。
図９は通信装置の主要部の構成を示すブロック図である。この装置の送信系は電圧制御発振器（ＶＣＯ）１３８、ミキサ１３４、バンドパスフィルタ１３３、増幅器１３２、アイソレータ１３１、デュプレクサ１２３の送信フィルタで構成している。ミキサ１３４はＶＣＯ１３８の発振信号と送信信号とをミキシングする。バンドパスフィルタ１３３はミキサ１３４によるミキシング信号のうち必要な送信帯域の信号を通過させる。増幅器１３２はその信号を増幅し、アイソレータ１３１を介し、更にデュプレクサ１２３の送信フィルタを介してアンテナ１２２から送信する。受信系はデュプレクサ１２３の受信フィルタ、増幅器１３５、バンドパスフィルタ１３６、ミキサ１３７、バンドパスフィルタ１３９で構成している。アンテナ１２２からの受信信号はデュプレクサ１２３の受信フィルタを通過し、増幅器１３５で増幅され、バンドパスフィルタ１３６で必要な受信信号帯域のみ選択される。ミキサ１３７はこの信号とバンドパスフィルタ１３９から出力されるローカル信号とをミキシングして受信回路へ出力する。
【００４６】
前述の実施形態で示した構成の誘電体デュプレクサはデュプレクサ１２３に適用できる。また、前述した単体のフィルタをフィルタ１３３，１３６，１３９のいずれかに適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】第１の実施形態に係る誘電体フィルタの構成を示す図
【図２】同誘電体フィルタの等価回路図
【図３】第２の実施形態に係る誘電体フィルタの構成を示す図
【図４】第３の実施形態に係る誘電体フィルタの構成を示す図
【図５】第４の実施形態に係る誘電体フィルタの構成を示す図
【図６】各実施形態の誘電体フィルタと従来技術による誘電体フィルタの離間部の体積に対するＱｅの関係を示す図
【図７】第５の実施形態に係る誘電体デュプレクサの構成を示す斜視図
【図８】第６の実施形態に係る誘電体共振器装置の製造方法について示す図
【図９】第７の実施形態に係る通信装置の構成を示す図
【図１０】従来の誘電体フィルタの構成を示す図
【符号の説明】
【００４８】
１−誘電体ブロック
２ａ〜２ｃ−貫通孔
４ａ〜４ｃ−内導体
５−外導体
６ａ，６ｂ，６ｃ−入出力電極
７ａ，７ｂ−離間部
８ａ，８ｂ−特性調整用溝
９ａ，９ｂ−特性調整用溝
１０−励振孔
９０−レーザユニット
１００−誘電体フィルタ
１２３−デュプレクサ
Ｃｅ−外部結合容量
Ｃｓ−ストレー容量
【図１】
2005176211.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005176211.tif 000008
【図７】
2005176211.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005176211.tif 000011
【図１０】
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