(57)【要約】【課題】  ボラジン環骨格を有する化合物を用いて形成される低誘電材料の特性を、より高める。【解決手段】  低誘電材料を製造する際の焼成条件を制御することによって、製造される低誘電材料の特性を向上させる。具体的には、ボラジン環含有化合物を含む組成物を、酸素濃度０．１体積％以下の雰囲気中で、２００〜６００℃で焼成することによって、低誘電材料を得る。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボラジン環含有化合物を含む組成物を、酸素濃度０．１体積％以下の雰囲気中で、２００〜６００℃で焼成して得られる低誘電材料。
【請求項２】
前記ボラジン環含有化合物は、下記式（１）：
【化１】
2005162806.tif 000008
（式中、Ｒ１、Ｒ３およびＲ５は、同一または異なっていてもよく、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、または下記式（２）：
【化２】
2005162806.tif 000009
（式中、Ｒ７はアルキル基である）
で表される官能基であり、Ｒ２、Ｒ４およびＲ６は、同一または異なっていてもよく、水素原子またはアルキル基であり、Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも１つが水素原子を含む）
で表される化合物、またはその重合体であることを特徴とする請求項１に記載の低誘電材料。
【請求項３】
請求項１または２に記載の低誘電材料からなる半導体用層間絶縁膜。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体用層間絶縁膜を有する半導体装置。
【請求項５】
ボラジン環含有化合物を含む組成物を、酸素濃度０．１体積％以下の雰囲気中で、２００〜６００℃で焼成することを特徴とする低誘電材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低誘電材料およびその製造方法に関し、より詳しくは、ボラジン環含有化合物を用いて調製される低誘電材料に関する。本発明の低誘電材料は、半導体用層間絶縁膜として使用されうる。
【背景技術】
【０００２】
情報機器の高性能化に伴い、ＬＳＩのデザインルールは、年々微細になっている。微細なデザインルールのＬＳＩ製造においては、ＬＳＩを構成する材料も高性能で、微細なＬＳＩ上でも機能を果たすものでなければならない。
【０００３】
例えば、ＬＳＩ中の層間絶縁膜に用いられる材料に関していえば、高い誘電率は信号遅延の原因となる。微細なＬＳＩにおいては、この信号遅延の影響が特に大きい。このため、層間絶縁膜として用いられ得る、新たな低誘電材料の開発が所望されていた。また、層間絶縁膜として使用されるためには、誘電率が低いだけでなく、耐湿性、耐熱性、機械的強度などの特性にも優れている必要がある。
【０００４】
かような要望に応えるものとして、ボラジン環骨格を有する化合物が提案されている（例えば、特許文献１参照）。ボラジン環骨格を有する化合物は分子分極率が小さいため、形成される被膜は低誘電率である。その上、形成される被膜は、耐熱性にも優れる。
【０００５】
また、ボラジン環骨格を有する化合物および有機ケイ素化合物からなるポリマー組成物が提案されている（例えば、特許文献２参照）。ボラジン環骨格を有する化合物および有機ケイ素化合物からなるポリマー組成物を用いて形成された被膜は、優れた耐湿性等を有する。
【特許文献１】特開２０００−３４０６８９号公報
【特許文献２】特開２００２−３１７０４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述のように、ボラジン環骨格を有する化合物は、層間絶縁膜などに用いられる低誘電材料の原料として、非常に有用である。しかしながら、低誘電材料としての価値を高めるべく、さらなる改良が求められるところである。
【０００７】
そこで本発明が目的とするところは、ボラジン環骨格を有する化合物を用いて形成される低誘電材料の特性を、より高めることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ボラジン環含有化合物を含む組成物を、酸素濃度０．１体積％以下の雰囲気中で、２００〜６００℃で焼成して得られる低誘電材料である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の低誘電材料は、ボラジン環含有化合物を含む組成物を用いて、形成されているため、誘電率が低い。また、焼成時の酸素濃度を制御することにより、形成される誘電材料の誘電率がさらに低減されてなる。さらに、焼成時の温度を制御することにより、形成される誘電材料の耐湿性および成膜性が向上している。
【００１０】
かような特性を有する低誘電材料は、半導体装置における層間絶縁膜として特に有益であり、本発明の低誘電材料は高速ＵＬＳＩの実現に大きく寄与し得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
前述したように、ボラジン環骨格を有する化合物は、低誘電材料の原料として優れている。本発明者らは、ボラジン環骨格を有する化合物を用いて形成される低誘電材料の特性をさらに向上させるべく、鋭意検討した。その結果、低誘電材料を製造する際の焼成条件が、形成される低誘電材料の特性に大きな影響を及ぼすことを見出し、本発明を完成させた。また、低誘電材料として、好ましいボラジン環含有化合物を見出した。以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。
【００１２】
本発明の第一は、ボラジン環含有化合物を含む組成物を、酸素濃度０．１体積％以下の雰囲気中で、２００〜６００℃で焼成して得られる低誘電材料である。
【００１３】
本願においては、ボラジン環含有化合物とは、構造中に下記式：
【００１４】
【化１】
2005162806.tif 000002
【００１５】
で表されるボラジン環を有する化合物をいう。上記式からもわかるように、ボラジン環の窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）は、ボラジン環を形成しない結合をそれぞれ１つ有する。ボラジン環を形成する窒素およびホウ素と結合する環外の元素または官能基は特に限定されない。ボラジン環を形成する窒素またはホウ素に結合する元素および官能基としては、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アミノ基、ボラジニル基などが挙げられる。
【００１６】
ボラジン環含有化合物は、１つのボラジン環を有する化合物でもよく、２以上のボラジン環を有する化合物でもよい。ボラジン環含有化合物は、重合体であってもよい。本願においては、化合物の形態や分子量を問わず、ボラジン環を有する限りにおいて、「ボラジン環含有化合物」の概念に包含される。低誘電材料の製造工程が、ボラジン環含有化合物を含む組成物をスピンコーティングによって塗布する工程を含む場合には、ボラジン環含有化合物は、重合体であることが好ましい。重合体を含む溶液の粘度は高いため、スピンコーティングを利用した塗布に好都合である。
【００１７】
ボラジン環含有化合物としての重合体は、ボラジン環骨格を有する化合物をモノマーとして用いて形成されうる。重合方法や重合形態は特に限定されない。重合方法は、ボラジン環に結合している官能基によって、選択される。例えば、アミノ基が結合している場合には、実施例に示すように、縮重合によって、重合体が合成されうる。ボラジン環にビニル基またはビニル基を含む官能基が結合している場合には、例えば、重合開始剤を用いたラジカル重合によって、重合体が形成されうる。重合体は、ホモポリマーであってよく、２以上のモノマーユニットからなる共重合体であってもよい。共重合体の形態は、ランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体などのいずれでもよい。他のモノマーと結合を形成しうる官能基を３つ以上有するモノマーを用いれば、モノマーがネットワーク状に結合した重合体を得ることも可能である。
【００１８】
好ましくは、本発明のボラジン環含有化合物は、下記式（１）：
【００１９】
【化２】
2005162806.tif 000003
【００２０】
で表される化合物、またはその重合体である。
【００２１】
ボラジン環を構成するホウ素（Ｂ）に結合するＲ１、Ｒ３およびＲ５は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、または下記式（２）：
【００２２】
【化３】
2005162806.tif 000004
【００２３】
で表される官能基である。Ｒ１、Ｒ３およびＲ５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。また、式（２）におけるＲ７はアルキル基である。
【００２４】
Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５およびＲ７として含まれ得るアルキル基は、直鎖、分岐または環状アルキル基でありうる。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、１−メチル−エチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ネオペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。ただし、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５およびＲ７として含まれ得るアルキル基が、これらに限定されるわけではない。
【００２５】
Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５およびＲ７として含まれ得るアルキル基は、本発明の作用効果を逸脱しない範囲で、水素原子が他の官能基で置換されていてもよい。官能基には、アミノ基、イソシアネート基、ビニル基、エチニル基などが含まれる。
【００２６】
式（２）で表される官能基を有していると、式（１）で表されるボラジン環含有化合物を縮重合する上で好適である。その場合には、好ましくは、モノマーとして用いられるボラジン環含有化合物中には、２つ以上の式（２）の官能基が含まれる。ネットワーク状の重合体を得るためには、Ｒ１、Ｒ３およびＲ５のいずれもが、式（２）で表される官能基であるボラジン環含有化合物を用いるとよい。なお、ネットワーク状の重合体を合成する場合であっても、モノマーとして用いられるボラジン環含有化合物の全てについて、Ｒ１、Ｒ３およびＲ５が式（２）で表される官能基である必要はない。スピンコーティングなどを用いて成膜する場合には、適当な溶媒に均一に溶解させる必要がある。ネットワーク状の重合体が、高密度に三次元架橋化されていると、溶媒の均一性や溶媒に対する重合体の溶解性が低下する虞がある。このため、使用する溶媒や使用するボラジン環含有化合物に応じて、ネットワーク状になっている度合いを制御するとよい。
【００２７】
ネットワーク状に重合したボラジン環含有化合物を含む組成物を用いると、重合していないボラジン環含有化合物のみからなる組成物を用いる場合と比較して、スピンコーティングを利用して塗膜を形成する際の作業性が向上する。本発明を工業的に量産する上では、コストおよび生産性の観点から、かような効果は非常に大きい。
【００２８】
ボラジン環を構成する窒素（Ｎ）に結合するＲ２、Ｒ４およびＲ６は、水素原子またはアルキル基である。Ｒ２、Ｒ４およびＲ６は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ２、Ｒ４およびＲ６として含まれ得るアルキル基は、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５およびＲ７として含まれ得るアルキル基として、前記説明において説明した通りであるため、ここでは説明を省略する。
【００２９】
また、式（１）におけるＲ１〜Ｒ６の少なくとも１つが水素原子を含む。Ｒ１〜Ｒ６中に水素原子でない場合には、縮重合が進行せず、十分な機械的強度や耐湿性を有する低誘電材料が形成されない虞がある。
【００３０】
前記式（１）で表されるボラジン環含有化合物またはその重合体を含む組成物を、本発明で規定する酸素濃度および温度条件下で焼成することによって、得られる低誘電材料の誘電率や耐湿性を、有意に改善しうる。
【００３１】
式（１）で表されるボラジン環含有化合物の具体例としては、非置換のボラジン；Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリス（プロピルアミノ）ボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリス（ヘキシルアミノ）ボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリス（メチルアミノ）ボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリス（プロピルアミノ）−Ｎ，Ｎ’Ｎ”−トリメチルボラジンなどのアルキルアミノボラジン類；モノ−Ｂ−メチルボラジン、ジ−Ｂ−メチルボラジン、モノ−Ｎ−エチルボラジン、ジ−Ｎ−メチルボラジン、トリ−Ｎ−プロピルボラジン、モノ−Ｎ−ジ−Ｂ−メチルボラジンなどのアルキルボラジン類が挙げられる。
【００３２】
ボラジン環含有化合物を含む組成物は、必要に応じて、本発明の効果に影響を与えない範囲で他の構成成分を含みうる。例えば、前記特許文献２に記載されている、ポリシロキサン系ポリマーが含まれても良い。硬化触媒、濡れ性改良剤、可塑剤、消泡剤、増粘剤などの無機系または有機系の添加剤を適量含んでいてもよい。
【００３３】
ボラジン環含有化合物を溶解または分散させる溶媒は、特に限定されない。ボラジン環含有化合物や、必要に応じて添加される他の成分を溶解し得るものであれば特に制限されるべきものではない。例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類；トルエン、ベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の炭化水素類；テトラヒドロフラン、ジグライム、テトラグライムなどが、溶媒として用いられ得る。これらは、１種単独で使用しても良いし、２種以上を混合して用いてもよい。スピンコーティングを用いて成膜する場合には、ジグライムが好ましい。ジグライムまたはその誘導体を溶媒として用いると、製造される膜の均一性が向上する。また、膜の白濁が防止される。本発明のホウ素含有ポリマー組成物の作製に用いられる溶媒の使用量は、特に制限されるべきものではなく、低誘電材料の製造手段に応じて決定すればよい。例えば、スピンコーティングにより成膜する場合には、スピンコーティングに適した粘度になるよう、溶媒および溶媒量を決定すればよい。
【００３４】
ボラジン環含有化合物は、公知技術を適宜参酌して製造されうるものである。したがって、本発明においては、ボラジン環含有化合物の製造方法は、特に限定されない。例えば、「木村良晴、繊維と工業、第５２巻、８号、３４１頁、１９９６年」や「Ｐａｉｎｅ  ＆  Ｓｎｅｄｄｏｎ，  Ｒｅｃｅｎｔ  Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｓ  ｉｎ  Ｂｏｒａｚｉｎｅ−ＢａｓｅｄＰｏｌｙｍｅｒｓ」，  ”Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ａｎｄ  Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｐｏｌｙｍｅｒｓ”，ｐ３５９，  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，  １９９４などに記載の公知技術を参照しうる。
【００３５】
ボラジン環含有化合物を含む組成物は、所望する部位に供給され、乾燥することにより、固化される。例えば、半導体用層間絶縁膜を形成するには、スピンコーティングにより、基板上に塗布し、乾燥させればよい。一度のコーティングおよび乾燥では所望する厚さの被膜が得られない場合には、コーティングおよび乾燥を、所望の厚さになるまで繰り返しても良い。スピンコーターの回転数、乾燥温度および乾燥時間などの成膜条件は、特に限定されない。
【００３６】
基板への塗布は、スピンコーティング以外の手法を用いてもよい。例えば、スプレーコーティング、ディップコーティングなどが用いられ得る。また、バルク体である低誘電基板を製造する場合には、鋳型にボラジン環含有化合物を含む組成物を流し込んで成形し、得られた成形体を焼成すればよい。
【００３７】
その後、乾燥した被膜を、酸素濃度０．１体積％以下、好ましくは０．００００００１体積％以下（０．１ｖｏｌｐｐｍ以下）の雰囲気中で焼成する。雰囲気中の酸素濃度が高いと、得られる低誘電材料の誘電率が高くなる傾向にある。雰囲気中の酸素濃度は、低いほど好ましく、下限値は特に限定されない。
【００３８】
ここでいう酸素濃度は、被膜が配置されている焼成装置内部の雰囲気中の酸素濃度をいう。酸素濃度は、具体的には、ジルコニア酸素濃度計を用いた測定によって、決定されうる。
【００３９】
乾燥した被膜の焼成温度は、２００〜６００℃、好ましくは３００〜５００℃に制御される。焼成温度が低すぎると、得られる低誘電材料の耐湿性が低下する傾向にある。一方、焼成温度が高すぎると、得られる低誘電材料の表面にクラックなどの欠陥が生じる虞がある。
【００４０】
ここでいう焼成温度とは、焼成処理をする際の温度の最高温度を意味する。例えば、焼成温度を徐々に上昇させ、４００℃で３０分維持し、その後、冷却した場合の焼成温度は４００℃である。焼成温度は熱電対を用いて測定されうる。
【００４１】
乾燥した被膜の焼成時間については、特に限定されない。得られる低誘電材料についての、誘電率、耐湿性等の特性を考慮して、適宜決定すればよい。通常は、昇温開始から冷却終了までの時間が３〜３００分間程度である。
【００４２】
本発明の低誘電材料は、上述のように、半導体用層間絶縁膜として用いられ得る。即ち、本発明の第二は、前記低誘電材料からなる半導体用層間絶縁膜である。また、本発明の第三は、該半導体用層間絶縁膜を有する半導体装置である。本発明の層間絶縁膜は、誘電率や耐湿性などの特性に優れるため、ＬＳＩ素子、ＩＣ基板など各種電子部品に対して有用である。特に、本発明の層間絶縁膜は誘電率が低いため、高速ＵＬＳＩの実現に大きく寄与し得る。
【００４３】
ＬＳＩやＩＣなどの各種電子部品の構成については、特に限定されない。本発明の層間絶縁膜が形成されうる半導体装置であればよく、本発明の半導体用層間絶縁膜を有する半導体装置は、本発明の技術的範囲に属するものである。
【００４４】
また、本発明の第四は、ボラジン環含有化合物を含む組成物を、酸素濃度０．１体積％以下の雰囲気中で、２００〜６００℃で焼成することを特徴とする低誘電材料の製造方法である。ここでいう、ボラジン環含有化合物、酸素濃度などの有する意味は、本発明の第一において説明した通りであるので、ここでは説明を省略する。本発明の第四においては、必要に応じて、塗布工程や乾燥工程などが採用されうる。これらについても、上記説明した通りであるため、ここでは説明を省略する。
【実施例】
【００４５】
次に、実施例を用いて、本発明の効果について説明する。ただし、本発明の技術的範囲は、以下の実施例に限定されない。
【００４６】
［合成例１］
Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリクロロボラジン（１５ｇ）を十分に脱水したトルエン（１００ｍＬ）に溶解させ、ｎ−プロピルアミン（２２ｇ）、トリエチルアミン（２５ｇ）、トルエン（１００ｍＬ）の混合溶液を室温で１時間かけて滴下した。滴下終了後、２５℃で３時間撹拌し、さらに、６０℃で３時間撹拌した。生じたアミン塩酸塩をろ過により除去した後、溶媒および未反応のアミンを減圧留去し、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリス（プロピルアミノ）ボラジンの黄色粘性液体（２２．５ｇ）を得た（下記式参照）。得られた化合物を、さらにキシレン中において１３０℃で３時間撹拌することにより、重縮合反応を進行させた。反応後、溶媒を減圧留去させ、繰り返し単位がネットワーク状に結合した高分子体であるボラジン環含有化合物１を得た（下記式参照）。
【００４７】
【化４】
2005162806.tif 000005
【００４８】
【化５】
2005162806.tif 000006
【００４９】
［合成例２］
Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリクロロボラジン（１５ｇ）を十分に脱水したトルエン（１００ｍＬ）に溶解させ、ｎ−ヘキシルアミン（３７ｇ）、トリエチルアミン（２５ｇ）、トルエン（１００ｍＬ）の混合溶液を室温で１時間かけて滴下した。滴下終了後、２５℃で３時間撹拌し、さらに、６０℃で３時間撹拌した。生じたアミン塩酸塩をろ過により除去した後、溶媒および未反応のアミンを減圧留去し、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリス（ヘキシルアミノ）ボラジンの黄色粘性液体（３０ｇ）を得た。得られた化合物をさらにキシレン中において、１３０℃で３時間撹拌することにより重縮合反応を進行させた。反応後、溶媒を減圧留去させ、ボラジン環含有化合物２を得た。
【００５０】
［合成例３］
Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリクロロボラジン（１５ｇ）を十分に脱水したトルエン（１００ｍＬ）に溶解させ、約−７０℃に保持されたメチルアミン（１６ｇ）の入ったフラスコに１時間かけて滴下した。滴下終了後、２５℃で３時間撹拌し、さらに、６０℃で３時間撹拌した。生じたアミン塩酸塩をろ過により除去した後、溶媒および未反応のアミンを減圧留去し、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリス（メチルアミノ）ボラジンの白色粘性液体（１２ｇ）を得た。得られた化合物をさらにキシレン中において、１３０℃で３時間撹拌することにより重縮合反応を進行させた。溶媒を減圧留去後、ボラジン環含有化合物３を得た。
【００５１】
［合成例４］
Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリクロロ−Ｎ，Ｎ’Ｎ”−トリメチルボラジン（１５ｇ）を十分に脱水したトルエン（１００ｍＬ）に溶解させ、ｎ−プロピルアミン（１４ｇ）、トリエチルアミン（２３ｇ）、トルエン１００ｍＬの混合溶液を室温で１時間かけて滴下した。滴下終了後、２５℃で３時間、６０℃で３時間撹拌した。生じたアミン塩酸塩をろ過により除去した後、溶媒および未反応のアミンを減圧留去し、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリス（プロピルアミノ）−Ｎ，Ｎ’Ｎ”−トリメチルボラジンの黄色粘性液体（１７ｇ）を得た。得られた化合物をさらにキシレン中において、１３０℃で３時間撹拌することにより重縮合反応を進行させた。溶媒を減圧留去後、ボラジン環含有化合物４を得た。
【００５２】
［実施例１］
合成例１で得られたボラジン環含有化合物１を、十分に乾燥したキシレンに溶解させ、ボラジン環含有化合物濃度が１０質量％の溶液を得た。この溶液を、スピンコーターを用いて、３０００ｒｐｍでシリコン基板に塗布し、１２０℃で３分乾燥させた。この操作を８回繰り返すことにより、膜厚１μｍの被膜を得た。この被膜を、酸素濃度が０．１ｐｐｍ以下であるアルゴン雰囲気中において３５０℃で３０分焼成したところ、透明でクラックの無い被膜１が形成された。被膜１に金電極を蒸着し、膜の誘電率を測定した。また、膜の耐湿性を評価した。結果を表１に示す。
【００５３】
なお、耐湿性評価は２０℃２０％Ｒｈの条件下での外観変化を観察し、２日以上変化の無いものを◎、１〜２日で変化したものを○、１日以内に変化したものを×とした。
【００５４】
［実施例２］
合成例２で得られたボラジン環含有化合物２を用いた以外は、実施例１の手順に準じて、被膜２を形成した。被膜２の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００５５】
［実施例３］
合成例３で得られたボラジン環含有化合物３を用いた以外は、実施例１の手順に準じて、被膜３を形成した。被膜３の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００５６】
［実施例４］
合成例４で得られたボラジン環含有化合物４を用いた以外は、実施例１の手順に準じて、被膜４を形成した。被膜４の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００５７】
［実施例５］
焼成温度を５５０℃にした以外は、実施例１の手順に準じて、被膜５を形成した。被膜５の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００５８】
［実施例６］
焼成温度を５５０℃にした以外は、実施例２の手順に準じて、被膜６を形成した。被膜６の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００５９】
［実施例７］
焼成温度を５５０℃にした以外は、実施例３の手順に準じて、被膜７を形成した。被膜７の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００６０】
［実施例８］
焼成温度を５５０℃にした以外は、実施例４の手順に準じて、被膜８を形成した。被膜８の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００６１】
［実施例９］
焼成温度を２００℃にした以外は、実施例１の手順に準じて、被膜９を形成した。被膜９の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００６２】
［実施例１０］
焼成温度を２００℃にした以外は、実施例２の手順に準じて、被膜１０を形成した。被膜１０の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００６３】
［実施例１１］
焼成温度を２００℃にした以外は、実施例３の手順に準じて、被膜１１を形成した。被膜１１の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００６４】
［実施例１２］
焼成温度を２００℃にした以外は、実施例４の手順に準じて、被膜１２を形成した。被膜１２の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００６５】
［比較例１］
酸素濃度２０％の空気中で焼成した以外は、実施例１の手順に準じて、被膜１３を形成した。被膜１３の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００６６】
［比較例２］
酸素濃度２０％の空気中で焼成した以外は、実施例２の手順に準じて、被膜１４を形成した。被膜１４の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００６７】
［比較例３］
酸素濃度２０％の空気中で焼成した以外は、実施例３の手順に準じて、被膜１５を形成した。被膜１５の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００６８】
［比較例４］
酸素濃度２０％の空気中で焼成した以外は、実施例４の手順に準じて、被膜１６を形成した。被膜１６の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００６９】
［比較例５］
焼成温度を１５０℃にした以外は、実施例１の手順に準じて、被膜１７を形成した。被膜１７の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００７０】
［比較例６］
焼成温度を１５０℃にした以外は、実施例２の手順に準じて、被膜１８を形成した。被膜１８の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００７１】
［比較例７］
焼成温度を１５０℃にした以外は、実施例３の手順に準じて、被膜１９を形成した。被膜１９の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００７２】
［比較例８］
焼成温度を１５０℃にした以外は、実施例４の手順に準じて、被膜２０を形成した。被膜２０の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００７３】
［比較例９］
焼成温度を７００℃にした以外は、実施例１の手順に準じて、被膜２１を形成した。被膜２１の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００７４】
［比較例１０］
焼成温度を７００℃にした以外は、実施例２の手順に準じて、被膜２２を形成した。被膜２２の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００７５】
［比較例１１］
焼成温度を７００℃にした以外は、実施例３の手順に準じて、被膜２３を形成した。被膜２３の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００７６】
［比較例１２］
焼成温度を７００℃にした以外は、実施例４の手順に準じて、被膜２４を形成した。被膜２４の誘電率および耐湿性についての測定結果を表１に示す。
【００７７】
【表１】
2005162806.tif 000007
【００７８】
比較例１〜４（被膜１３〜１６）に示すように、焼成雰囲気中の酸素濃度が高いと、得られる低誘電材料の誘電率が上昇してしまった。比較例５〜８（被膜１７〜２０）に示すように、焼成温度が低いと、得られる低誘電材料の耐湿性が不足した。得られた低誘電材料は、雰囲気中の水分によって被膜が分解してしまい、低誘電材料としての機能を有さなかった。比較例９〜１２（被膜２１〜２４）に示すように、焼成温度が高いと、得られる低誘電材料には、クラックが生じてしまった。低誘電材料の一部は、基板から剥離していた。これに対して、本発明の低誘電材料は、誘電率が低く、耐湿性にも優れていた。
【００７９】
このように、本発明の低誘電材料は、低い誘電率を有し、その上、高い耐湿性を有する。本発明の低誘電材料は、半導体装置における層間絶縁膜として特に有益であり、高速ＵＬＳＩの実現に大きく寄与し得る。