(57)【要約】【課題】  温度変化にかかわりなく、一定の共振周波数を高精度に発生する弾性表面波素子片、弾性表面波デバイスおよび弾性表面波デバイスを用いた装置を提供する。【解決手段】  弾性表面波素子片１０は、圧電基板１２上にすだれ状電極１４を設けて、弾性表面波の伝搬する伝搬面を形成した弾性表面波素子片において、前記伝搬面の側方に圧電基板１２を延設し、該延設した圧電基板１２の下面を実装部２２とした構成である。この実装部２２は弾性表面波の伝搬方向に設けた構成である。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上面にすだれ状電極を設けた弾性表面波素子片において、前記圧電基板の下面における前記すだれ状電極と重ならない領域に実装部を設けたことを特徴とする弾性表面波素子片。
【請求項２】
圧電基板上にすだれ状電極を設けて、弾性表面波の伝搬する伝搬面を形成した弾性表面波素子片において、前記伝搬面の側方に圧電基板を延設し、該延設した圧電基板の下面を実装部としたことを特徴とする弾性表面波素子片。
【請求項３】
前記実装部を弾性表面波の伝搬方向に設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の弾性表面波素子片。
【請求項４】
前記実装部を弾性表面波の伝搬方向のいずれか一方に設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の弾性表面波素子片。
【請求項５】
請求項２ないし４のいずれかに記載の弾性表面波素子片において、前記すだれ状電極から引出されるとともに、ワイヤボンディングが施されるボンディングパッドを前記延設した圧電基板の上面に形成したことを特徴とする弾性表面波素子片。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の弾性表面波素子片の実装部を、接着剤を用いてパッケージベース上へ実装し、前記パッケージベースの上面をリッドで封止したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項７】
前記接着剤はブタジエンゴム接着剤であることを特徴とする請求項６に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項８】
請求項６または７に記載の弾性表面波デバイスにおいて、前記パッケージベース上に半導体集積回路を実装し、弾性表面波素子片と前記半導体集積回路とを導通したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項９】
請求項６ないし８のいずれかに記載の弾性表面波デバイスを電子機器に搭載したことを特徴とする弾性表面波デバイスを用いた装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波を利用した弾性表面波素子片、弾性表面波デバイスおよび弾性表面波デバイスを用いた装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ：以下、ＳＡＷという）を利用したＳＡＷデバイスとして、例えばＳＡＷ共振子、ＳＡＷ発振器およびＳＡＷフィルタ等が挙げられる。これらのＳＡＷデバイスは電子機器の基準周波数源や、伝送回路における周波数選択器等として応用されている。このＳＡＷデバイスを構成するＳＡＷ素子片は、圧電効果を生じる材料からなる圧電基板の表面上にすだれ状電極（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：以下、ＩＤＴという）を形成するとともに、このＩＤＴの両端に反射器を設けたものが主な構成である。このＩＤＴに電気信号が印加されると圧電効果によって電極指間に周期的な機械的ひずみが生じて表面波を励起し、ＩＤＴと反射器が設けられた圧電基板の表面において弾性表面波を伝搬する。そしてＳＡＷ素子片は該素子片の裏面、すなわち圧電基板の下面全面に接着剤が塗布されて、凹部を有するパッケージベースの底面へ実装されている。またパッケージベースの上面にはリッドが接合され、ＳＡＷ素子片を収容するキャビティを封止している。そして、このような構成によりＳＡＷデバイスが形成されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
またＳＡＷ素子片をパッケージベースに実装する場合、ＳＡＷ素子片の長手方向の一端部において、その下面を接着剤によりパッケージベース上へ実装した発明もある（特許文献２）。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２７８０８２号公報
【特許文献２】特開２００２−２６６５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところでＳＡＷデバイスに実装された半導体集積回路等の電子部品は動作することにより熱を発生する。また電子部品が半導体素子の場合には、一般的に動作周波数が高くなるほど発熱量が増加する。しかしながら従来技術に係るＳＡＷ素子片の実装方法は、ＩＤＴと反射器の両方、またはＩＤＴと反射器のどちらかの真下において、接着剤を用いてパッケージベースの底面へ実装する構成である。このため電子部品から発生した熱により接着剤が収縮して、弾性表面波の伝搬面に応力を発生させる。またＳＡＷデバイスは電子機器等に搭載されるが、この電子機器が設置される場所は温度変動の大きい場合がある。この場合、電子機器の設置された場所の温度変動に応じて、ＳＡＷデバイスの温度も変動する。すなわちＳＡＷデバイス内部における、パッケージベースとＳＡＷ素子片を接合する接着剤の温度にも変動が生じる。そして接着剤に温度変動が生じると、接着剤が温度変動に応じて収縮してしまう。このときＳＡＷ素子片は接着剤と接合しているので、接着剤の収縮とともにＳＡＷ素子片にも収縮する力が加わり、弾性表面波の伝搬面に応力が生じる。
【０００６】
図６に従来技術に係るＳＡＷ素子片をパッケージに実装したＳＡＷデバイスの温度特性を示す。この図は、ＳＡＷ素子片の温度特性の近似カーブと、ＳＡＷ素子片を従来技術に係る実装方法でパッケージに実装し、このとき得られた温度特性の測定結果との差分を示したものであり、縦軸は周波数偏差を示す。そして偏差が零に近いほどＳＡＷ素子片の温度特性に近いことを示す。図６より、温度が−２０℃から−１０℃の範囲で周波数偏差が低くなり、−１２℃付近で周波数が不連続となる特異点を発生していることがわかる。これは接着剤が熱収縮して圧電基板の表面に応力が発生し、この応力によりＩＤＴおよび反射器が変位して特異点が生じたものである。そしてＳＡＷデバイスはＩＤＴの電極幅によって周波数が決定されるため、高周波数化が進み電極幅が狭くなるにつれて影響が大きくなる。
【０００７】
またＳＡＷ共振子やＳＡＷ発振器は高精度な一定周波数で共振しなければならない。すなわちＳＡＷ共振子やＳＡＷ発振器に要求される周波数精度は、温度特性、エージング特性、電源電圧変動特性および負荷変動特性等の様々な要因を合わせた精度であり、具体的な要求レベルは±１００ｐｐｍまたは±５０ｐｐｍ以下としなければならない。ＳＡＷ共振子やＳＡＷ発振器の仕様によっては、さらに高精度を要求される場合もある。このため上述した応力の影響によりＳＡＷ素子片の共振周波数が僅かに変化した場合でも、前記精度を達成できない虞が生じる。
【０００８】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、接着剤の熱収縮に起因して圧電基板の表面に生じる応力の影響を無くし、一定の共振周波数を高精度に発生する弾性表面波素子片、弾性表面波デバイスおよび弾性表面波デバイスを用いた装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明に係る弾性表面波素子片は、圧電基板上面にすだれ状電極を設けた弾性表面波素子片において、前記圧電基板の下面における前記すだれ状電極と重ならない領域に実装部を設けたことを特徴としている。すなわち実装部の位置に対応する圧電基板の上面にすだれ状電極が設けられていない。これにより実装部に塗布される接着剤が収縮して、圧電基板の上面に形成されたすだれ状電極に変位を生じることがない。よって温度特性に特異点は発生せず、連続した温度特性を得ることができる。また温度特性の頂点温度にばらつきを生じることがなく、一定の共振周波数を高精度に発生することができる。
【００１０】
また圧電基板上にすだれ状電極を設けて、弾性表面波の伝搬する伝搬面を形成した弾性表面波素子片において、前記伝搬面の側方に圧電基板を延設し、該延設した圧電基板の下面を実装部としたことを特徴としている。実装部に対応する圧電基板の上側表面にはすだれ状電極は形成されていない。すなわち延設された部分の圧電基板には、弾性表面波が伝搬されて来ることはない。このため実装部に塗布された接着剤が熱により収縮して、すだれ状電極が形成された部分の圧電基板の表面に応力を発生させることはなく、応力に起因するすだれ状電極の変位が生じない。また圧電基板上にすだれ状電極と反射器が形成された弾性表面波素子片であっても、実装部は弾性表面波伝搬面の側方に設けられている。すなわち、この場合の伝搬面は、すだれ状電極と反射器が形成された面である。このため実装部の位置に対応する圧電基板の上側表面には、すだれ状電極と反射器が形成されてなく、すだれ状電極と反射器に変位が生じない。よって温度特性に特異点は発生せず、連続した温度特性を得ることができる。
また、本発明に係る弾性表面波素子片は、前記実装部を弾性表面波の伝搬方向もしくは伝搬方向に略直交する方向に設けたことを特徴としている。
【００１１】
また上述した弾性表面波素子片において、前記すだれ状電極から引出されるとともに、ワイヤボンディングが施されるボンディングパッドを前記延設した圧電基板の上面に形成したことを特徴としている。ワイヤボンディングを施すときに弾性表面波素子片に力が加わるが、ボンディングパッドを実装部に対応した圧電基板の上面に形成したので、弾性表面波素子片に加わる力を実装部で受け止めることができる。よって弾性表面波素子片に力が加わっても弾性表面波素子片自体が傾くことがない。
【００１２】
また本発明に係る弾性表面波デバイスは、上述した弾性表面波素子片の実装部を、接着剤を用いてパッケージベース上へ実装し、前記パッケージベースの上面をリッドで封止したことを特徴としている。接着剤が熱収縮して、すだれ状電極が形成された圧電基板の表面に応力を発生し、この応力に起因してすだれ状電極に変位を生じることのない弾性表面波素子片を用いて弾性表面波デバイスを形成することができる。また圧電基板上にすだれ状電極と反射器が形成された場合であっても、すだれ状電極と反射器に変位を生じることのない弾性表面波素子片を用いて弾性表面波デバイスを形成することができる。これにより弾性表面波デバイスは、使用される温度の範囲内において、安定した共振周波数を発生することができる。
【００１３】
また前記接着剤はブタジエンゴム接着剤であることを特徴としている。ブタジエンゴム接着剤は接着強度が強いので、弾性表面波素子片を片持ち状に実装してもワイヤボンディングを施すことができる。また弾性表面波デバイスを落下させても弾性表面波素子片がパッケージベースから脱落することがない。
【００１４】
また上述した弾性表面波デバイスにおいて、前記パッケージベース上に半導体集積回路を実装し、弾性表面波素子片と前記半導体集積回路とを導通したことを特徴としている。半導体集積回路が発振回路を構成していれば、弾性表面波デバイスは発振器となる。よって弾性表面波デバイスは、安定した共振周波数を発生する弾性表面波発振器を形成することができる。
【００１５】
また本発明に係る弾性表面波デバイスを用いた装置は、上述した弾性表面波デバイスを電子機器に搭載したことを特徴としている。これにより、上記効果を有する弾性表面波デバイスを電子機器に搭載することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に本発明に係る弾性表面波素子片、弾性表面波デバイスおよび弾性表面波デバイスを用いた装置について説明する。以下の実施の形態では圧電基板上にすだれ状電極と反射器を形成した弾性表面波素子片について説明するが、これは本発明の実施の一形態にすぎず、本発明はこれに限定されるものでない。
【００１７】
まず、第１の実施形態について説明する。図１に第１の実施形態に係る弾性表面波素子片（ＳＡＷチップ）を説明する平面図を示す。ＳＡＷチップ１０は、圧電効果を生じる材料からなる圧電基板１２の表面上に、一対のすだれ状電極１４（ＩＤＴ１４）を形成した構成である。このＩＤＴ１４は複数の電極指を有して形成され、一対のＩＤＴ１４が電極指を交互に噛み合わせて配置されている。このＩＤＴ１４に電気信号を印加すると、圧電基板１２の圧電効果によって電極指間に周期的なひずみを生じて弾性表面波が励起され、この弾性表面波は電極指の連続方向に沿って伝搬される。この弾性表面波の伝搬する方向におけるＩＤＴ１４の両端に反射器１６が形成され、この反射器１６同士の間が弾性表面波の伝搬面となる。そしてＩＤＴ１４および反射器１６はアルミニウムまたはアルミニウム合金等の導電性の優れた材料により形成されている。
【００１８】
またＩＤＴ１４と反射器１６の側部１７の圧電基板１２表面上にはボンディングパッド１８が２個形成されている。一方のボンディングパッド１８ａは引出し電極２０を介して一方のＩＤＴ１４と導通し、他方のボンディングパッド１８ｂは引出し電極２０を介して他方のＩＤＴ１４と導通している。この引出し電極２０はＩＤＴ１４等と同じ材料で形成されている。
【００１９】
また圧電基板１２は弾性表面波伝搬面の側方、すなわち弾性表面波の伝搬方向の一方に延設されている。この延設された圧電基板１２の下面は、ＳＡＷチップ１０をパッケージベース２４上へ実装するときの実装部２２となる。なお延設された圧電基板１２の上側表面にはＩＤＴ１４および反射器１６は形成されてなく、弾性表面波が伝搬してくることはない。
【００２０】
次に、上述したＳＡＷチップ１０をパッケージへ実装して、ＳＡＷ共振子やＳＡＷ発振器等のＳＡＷデバイスを構成した一例を示す。図２−ａはＳＡＷ発振器を説明する平面図である。なおこの図において、パッケージを封止するリッドは記載していない。また図２−ｂは図２−ａのＡ−Ａ線における断面図、図２−ｃは図２−ａのＢ−Ｂ線における断面図、図２−ｄは図２−ａのＣ−Ｃ線における断面図である。ＳＡＷチップ１０を実装するパッケージベース２４はセラミック等からなり、平面基板２４ａ、キャビティ基板２４ｂおよび枠型基板２４ｃを積層して形成されている。キャビティ基板２４ｂは、パッケージベース２４に実装されるＳＡＷチップ１０や半導体集積回路２６（ＩＣ２６）等の電子部品の形状に合わせて形成される。またＳＡＷデバイスの構成によっては、キャビティ基板２４ｂを用いなくてもよい。またキャビティ基板２４ｂの表面に、メタライズおよび金属メッキ等を施してボンディングパッド３８が形成されている。このボンディングパッド３８は、ＳＡＷチップ１０に設けられたボンディングパッド１８や、ＩＣ２６に設けられた電極４０に対応して形成されている。そしてキャビティ基板２４ｂに設けられたボンディングパッド３８の一部は、パッケージベース２４に設けられたキャスタレーション、スルーホールまたはビアホールを介してパッケージベース２４の裏面に設けられた外部電極（不図示）と導通している。
【００２１】
このようなパッケージベース２４のキャビティ内にＳＡＷチップ１０が実装されている。このときＳＡＷチップ１０の実装部２２のみが接着剤２８を介してパッケージベース２４と接合されるので、ＳＡＷチップ１０は片持ち状に実装される。前記接着剤２８には、接着強度が強く、ワイヤボンディングを施すのに好適なブタジエンゴム接着剤を用いるのが好ましい。またパッケージベース２４のキャビティ内に、接着剤３０を介してＩＣ２６が実装される。そしてＳＡＷチップ１０に設けられたボンディングパッド１８とキャビティ基板２４ｂに設けられたボンディングパッド３８の間、およびＩＣ２６に設けられた電極４０とキャビティ基板２４ｂに設けられたボンディングパッド３８の間にワイヤボンディングが施され、ＳＡＷチップ１０とＩＣ２６が導通している。このようなパッケージベース２４の上面には、低融点ガラスまたはシームリング等の接合材３２を介してリッド３４が接合され、ＳＡＷ発振器３６が構成されている。なおＳＡＷ発振器３６の内部は窒素雰囲気または真空に保持されている。
【００２２】
なおＳＡＷ共振子は、パッケージベースのキャビティ内にＳＡＷチップ１０を片持ち状に実装し、パッケージベースの上面に低融点ガラスまたはシームリング等の接合材を介してリッドを接合して構成されている。このときＳＡＷチップ１０は、ＳＡＷチップ１０に設けられたボンディングパッド１８と、パッケージベースのキャビティ内に形成されたボンディングパッドがボンディングワイヤを介して導通され、前記パッケージベースに設けられたキャスタレーション等を介して外部電極と導通されている。そしてＳＡＷ共振子の内部も窒素雰囲気または真空に保持されている。
【００２３】
次に、このように構成したＳＡＷデバイスの温度特性について説明する。図３にＳＡＷチップ１０のみの温度特性を示す。また図４にＳＡＷチップ１０をパッケージベース２４へ片持ち状に実装して形成したＳＡＷデバイスの温度特性を示す。この図４は、図３に示すＳＡＷチップ１０のみの温度特性と、第１の実施形態に係るＳＡＷチップ１０を片持ち状に実装したＳＡＷデバイスの温度特性の測定結果との差分を示したものであり、縦軸を周波数の偏差として示す。図４においては、偏差が零であればＳＡＷチップ１０のみの温度特性と同じであることを示し、また偏差が零に近いほど好ましいことを示す。図４より、偏差は±０．４の範囲に収まっていることがわかり、図３に示すＳＡＷチップ１０のみの温度特性とほぼ一致していることを示す。これは圧電基板１２の表面に応力が加わらなかったために、ＩＤＴ１４および反射器１６が応力に起因する変位を生じず、従来技術に係るＳＡＷデバイスで生じる特異点が発生しなかったのである。すなわち、ＩＤＴ１４および反射器１６が形成された位置に対応した圧電基板１２の下面に接着部分を設けなかったので、弾性表面波の伝搬面に応力が発生せず、温度変化に対して周波数の不連続な部分が解消され、温度特性が連続になったのである。
【００２４】
このように、圧電基板１２の表面にＩＤＴ１４および反射器１６を設けるとともに、前記圧電基板１２を側方に延設してＩＤＴ１４および反射器１６が設けられていない部分を形成した。この延設された部分は弾性表面波の伝搬面となることはない。そして延設された部分の下面に実装部２２を形成して、片持ち状に実装されるＳＡＷチップ１０とした。これにより、実装部２２とパッケージベース２４の間にある接着剤２８が熱収縮して圧電基板１２の表面、すなわち弾性表面波の伝搬面に応力を発生させることがなく、この応力に起因するＩＤＴ１４および反射器１６の変位が発生しない。そしてＳＡＷチップ１０を片持ち状にパッケージへ実装したＳＡＷデバイスの温度特性には、周波数が不連続となる特異点を発生せず、ＳＡＷチップ１０のみの温度特性とほぼ同じ特性を示す。よってＳＡＷチップ１０の使用される温度が変化しても、ＳＡＷチップ１０が持つ温度特性の範囲内で一定の共振周波数を高精度に発生することができる。
【００２５】
またＳＡＷデバイスはＩＤＴ１４の電極幅によって共振周波数が決定される。今後ＳＡＷデバイスを用いた装置はさらに高周波化されることが予測されているため、高周波化が進むとＩＤＴ１４の電極幅がさらに狭くなる。このとき圧電基板１２の表面に応力が発生してＩＤＴ１４および反射器１６に変位を生じると、影響が大きくなる。しかし第１の実施形態に係るＳＡＷデバイスでは、圧電基板１２の表面に応力を生じることがなく、ＩＤＴ１４および反射器１６が変位しないので、高周波においても一定の共振周波数を発生することができる。よって高周波を必要とする装置にも、第１の実施形態に係るＳＡＷデバイスを搭載することができる。
【００２６】
第１の実施形態に係るＳＡＷチップにおいて、圧電基板１２の表面に形成されるボンディングパッド１８はＩＤＴ１４と反射器１６の側部１７に形成されているが、このボンディングパッドは実装部２２に対応した圧電基板１２の表面に形成してもよい。図５−ａないし図５−ｄに、この変形例に係るＳＡＷチップを説明する平面図を示す。実装部５４に対応する圧電基板５６の表面に形成されたボンディングパッド５０（５０ａ，５０ｂ）は、ＩＤＴ５２（５２ａ，５２ｂ）と、該ＩＤＴ５２から引出された引出し電極５８（５８ａ，５８ｂ）によって導通している。すなわち、ＳＡＷチップ６０をパッケージベースへ接着した接着部分に対応した圧電基板５６の表面にボンディングパッド５０が形成されている。
【００２７】
この形状は、圧電基板５６の長辺方向に沿う一方の引出し電極５８ａを介して、実装部５４に対応した圧電基板５６の表面に形成された一方のボンディングパッド５０ａと一方のＩＤＴ５２ａが導通した構成である。また他方のＩＤＴ５２ｂと実装部５４の側に形成された反射器６２ａとが導通するとともに、該反射器６２ａから前記一方の引出し電極５８ａに沿う他方の引出し電極５８ｂが延設され、前記一方のボンディングパッド５０ａの側方に形成された他方のボンディングパッド５０ｂと導通した構成である（図５−ａおよび図５−ｂ参照）。
【００２８】
また圧電基板５６の一方の長辺６４に沿う引出し電極５８ａを介して、実装部５４に対応した圧電基板５６の表面に形成された一方のボンディングパッド５０ａと一方のＩＤＴ５２ａが導通している。また他方のＩＤＴ５２ｂと実装部５４側に形成された反射器６２ａとが導通するとともに、該反射器６２ａから他方の長辺６６に沿う引出し電極５８ｂが延設され、前記一方のボンディングパッド５０ａに対向する位置に設けられた他方のボンディングパッド５０ｂと導通した形状とすることもできる（図５−ｃ参照）。
【００２９】
また圧電基板５６の一方の長辺６４に沿うとともに、Ｌ字型に屈折させて短辺６８の途中まで延設した引出し電極５８ａを介して、実装部５４に対応した圧電基板５６の表面に形成された一方のボンディングパッド５０ａと一方のＩＤＴ５２ａが導通している。また他方のＩＤＴ５２ｂと実装部５４側に形成された反射器６２ａとが導通するとともに、該反射器６２ａから他方の長辺６６に沿い、かつＬ字型に屈折させて短辺６８の途中まで延設した他方の引出し電極５８ｂの先に他方のボンディングパッド５０ｂを形成した形状とすることもできる（図５−ｄ参照）。
【００３０】
上述したように、接着剤を用いてパッケージベース上へＳＡＷチップ６０を実装する実装部５４に対応した圧電基板５６の表面にボンディングパッド５０を形成したので、ワイヤボンディングを施すときにＳＡＷチップ６０に加わる力を実装部５４で受け止めることができる。すなわちＳＡＷチップ６０の接着部分の上でワイヤボンディングが施されるので、ＳＡＷチップ６０に力が加わってもＳＡＷチップ６０自体が傾くことがない。よって信頼性の高いＳＡＷデバイスを供給することができる。
【００３１】
また第１の実施形態では、圧電基板１２の長辺方向にＩＤＴ１４および反射器１６を寄せて配置した構成について説明したが、短辺方向にＩＤＴおよび反射器を寄せて配置し、圧電基板の長辺の、ＩＤＴおよび反射器が配置されない領域の下面に実装部を設け、ＳＡＷチップを片持ち状に実装する構成としてもよい。この場合においても、実装部の上側に対応する圧電基板の表面にはＩＤＴおよび反射器は形成されておらず、弾性表面波の伝搬面となることはない。このため弾性表面波の伝搬面に応力が加わることなく、一定の共振周波数を発生することができる。
【００３２】
次に第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では、第１の実施形態と構成が同じ部分に同番号を付し、その説明を省略または簡略する。
ＳＡＷチップに用いられる圧電基板として、主にオイラー角（φ、θ、ψ）が（０°、１１３°〜１３５°、０°））で表されるＳＴカット圧電基板、または（０°、１１３°〜１３５°、±（４０°〜４９°））で表される面内回転ＳＴカット圧電基板が用いられている。ＳＴカット圧電基板は二次関数で表される温度特性を有し、面内回転ＳＴカット圧電基板は三次関数で表される温度特性を有している。そしてＳＡＷデバイスの温度特性は、ある温度範囲内（例えば、−５℃〜８５℃の範囲）で周波数偏差が最小になるように設計される。このため前記温度範囲の中心温度（例えば、４０℃付近）に、温度特性の頂点温度が来るよう調整されている。なおＳＴカット圧電基板と面内回転ＳＴカット圧電基板を用いたＳＡＷデバイスの温度特性を比較すると、ＳＴカット圧電基板を用いたＳＡＷデバイスよりも、面内回転ＳＴカット圧電基板を用いたものの方がよい。具体的には周波数偏差が約１／２となり、面内回転ＳＴカット圧電基板を用いたＳＡＷデバイスが優れている。
【００３３】
しかしながら、面内回転ＳＴカット圧電基板を用いたＳＡＷチップを、接着剤を用いてパッケージベースへ実装するときに、ＩＤＴ１４が形成された位置に対応する圧電基板１２の下面に接着剤がかかると、温度特性の頂点温度がばらついていた。図７にＩＤＴ１４が形成された位置に対応する圧電基板１２の下面に前記接着剤がかかってＳＡＷチップをパッケージベースへ実装したときの温度特性を示す。図７は複数のＳＡＷデバイスの温度特性を測定した結果を示し、温度特性の頂点温度が−５℃〜４５℃の範囲でばらついていることがわかる。そして頂点温度の分布を２次近似して、頂点温度のばらつきを求めると１σ＝６８．２℃であった。
【００３４】
また図８に温度特性の頂点温度の推移を示す。図８はＳＡＷデバイスの温度特性の頂点温度（開封前）、ＳＡＷデバイスのリッドを開封した後における温度特性の頂点温度（開封後）、およびパッケージベースからＳＡＷチップを剥離し、ＳＡＷチップのみの温度特性の頂点温度（ＳＡＷチップ剥離後）の推移を示すものである。図８より開封前は０℃〜４３℃の範囲で、開封後は２℃〜３５℃の範囲で頂点温度がばらついているのに対し、ＳＡＷチップ剥離後の頂点温度は４０℃〜４５℃の範囲に収まっていることがわかる。なおＳＡＷチップの頂点温度は製造ロット毎に数℃異なるものである。このことより、ＳＡＷチップをパッケージベースに実装するときに使用される接着剤の応力の影響により、温度特性の頂点温度にばらつきを生じていることがわかる。
【００３５】
図９に第２の実施形態に係るＳＡＷチップの平面図を示す。図９（ａ）は圧電基板１２を延設していないＳＡＷチップ８０ａの平面図であり、図９（ｂ）は圧電基板１２を延設したＳＡＷチップ８０ｂの平面図である。上述した温度特性における頂点温度のばらつきをなくすために、第２の実施形態に係るＳＡＷチップ８０（８０ａ，８０ｂ）は、圧電基板１２の上面にＩＤＴ１４と反射器１６を形成するとともに、圧電基板１２下面のＩＤＴ１４と重ならない位置に実装部８２を設けた構成である。すなわち圧電基板１２の上面に形成された反射器１６の位置に対応する圧電基板１２の下面に実装部８２が設けられ、ＩＤＴ１４が形成された位置に対応する圧電基板１２の下面には実装部８２が設けられていない（図９（ａ）参照）。また弾性表面波の伝搬方向の一方に圧電基板１２を延設するとともに、前記延設した部分の上面にも反射器１６を形成し、前記延設した部分の下面に実装部８２が設けられている（図９（ｂ）参照）。
【００３６】
そして第２の実施形態に係るＳＡＷチップ８０の実装部８２とパッケージベースが接着剤を用いて接合されて、ＳＡＷデバイスが構成されている。なおＳＡＷチップ８０の形態によっては反射器１６が設けられていない場合がある。この場合においても、圧電基板１２の下面におけるＩＤＴ１４と重ならない位置に実装部８２を設ければよい。
【００３７】
図１０に第２の実施形態に係るＳＡＷチップ８０を用いて形成したＳＡＷデバイスの温度特性を示す。図１０は複数のＳＡＷデバイスの温度特性を測定した結果を示し、温度特性の頂点温度が３５℃〜４０℃の範囲に収まっていることがわかる。そして頂点温度の分布を２次近似して、頂点温度のばらつきを求めると１σ＝５．５℃であり、ＩＤＴの位置に対応する圧電基板の下面に接着剤がかかって実装した場合に比べて１／１２程度に小さくなっていることがわかる。
【００３８】
以上のことより、ＩＤＴ１４の位置に対応する圧電基板１２の下面にかかるよう接着剤を塗布すると、温度特性の頂点温度にばらつきが生じる。これに対して、反射器１６の位置にのみ対応する圧電基板１２の下面に接着剤を塗布すると、温度特性の頂点温度が収束することがわかる。これは圧電基板１２を延設していないＳＡＷチップ８０ａと、圧電基板１２を延設したＳＡＷチップ８０ｂのいずれにおいても、温度特性の頂点温度が収束している。よって面内回転ＳＴカット圧電基板を用いてＳＡＷチップ８０を形成した場合でも、第２の実施形態に係るＳＡＷチップ８０の構成にすれば、ＳＡＷデバイスの温度特性の頂点温度にばらつきが生じることがなく、温度特性を安定させることができる。また一定の共振周波数を高精度に発生することができる。
【００３９】
なおＩＤＴ１４および反射器１６の位置、すなわち弾性表面波の伝搬する面に対応する圧電基板１２の下面にかからないよう接着剤を塗布して、ＳＡＷチップをパッケージベースに実装すると、温度特性の頂点温度がより収束するといえる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】第１の実施形態に係る弾性表面波素子片の説明図である。
【図２−ａ】第１の実施形態に係る弾性表面波発振器の説明図である。
【図２−ｂ】Ａ−Ａ線における断面図である。
【図２−ｃ】Ｂ−Ｂ線における断面図である。
【図２−ｄ】Ｃ−Ｃ線における断面図である。
【図３】弾性表面波素子片の温度特性である。
【図４】第１の実施形態に係る弾性表面波デバイスの温度特性である。
【図５−ａ】第１の変形例に係る弾性表面波素子片の説明図である。
【図５−ｂ】第２の変形例に係る弾性表面波素子片の説明図である。
【図５−ｃ】第３の変形例に係る弾性表面波素子片の説明図である。
【図５−ｄ】第４の変形例に係る弾性表面波素子片の説明図である。
【図６】従来技術に係る弾性表面波デバイスの温度特性である。
【図７】すだれ状電極が形成された位置に対応する圧電基板の下面に接着剤がかかったときの弾性表面波デバイスの温度特性である。
【図８】温度特性の頂点温度の推移を示す図である。
【図９】第２の実施形態に係る弾性表面波素子片の平面図である。
【図１０】第２の実施形態に係る弾性表面波素子片を用いて形成した弾性表面波デバイスの温度特性である。
【符号の説明】
【００４１】
１０………ＳＡＷチップ（弾性表面波素子片）、１２………圧電基板、１４………ＩＤＴ（すだれ状電極）、１６………反射器、１８………ボンディングパッド、２０………引出し電極、２２………実装部、２４………パッケージベース、２６………ＩＣ（半導体集積回路）、８０（８０ａ，８０ｂ）………ＳＡＷチップ（弾性表面波素子片）、８２………実装部。
【図１】
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【図２−ａ】
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【図２−ｂ】
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【図２−ｃ】
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【図２−ｄ】
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【図３】
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【図４】
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【図５−ａ】
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【図５−ｂ】
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【図５−ｃ】
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【図５−ｄ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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