(57)【要約】【課題】  焼成不良や特性ばらつきを抑制して、歩留りを向上させることが可能なセラミック成形体の焼成方法を提供すること。【解決手段】  セラミック成形体１の焼成方法は、複数のセラミック成形体１が配置される成形体配置領域１７を有するさや１０を用意し、さや１０の成形体配置領域１７に複数のセラミック成形体１を配置する工程と、さや１０の成形体配置領域１７に配置された複数のセラミック成形体１を、所定の焼成雰囲気中で焼成する工程と、を備える。セラミック成形体１を配置する工程では、成形体配置領域１７における所定の領域１７ｂにセラミック成形体を配置しない。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック成形体が配置される成形体配置領域を有するさやを用意し、
前記さやの前記成形体配置領域に複数のセラミック成形体を配置する工程と、
前記さやの前記成形体配置領域に配置された前記複数のセラミック成形体を、所定の焼成雰囲気中で焼成する工程と、を備え、
前記セラミック成形体を配置する前記工程では、前記成形体配置領域における所定の領域に前記セラミック成形体を配置しないことを特徴とするセラミック成形体の焼成方法。
【請求項２】
前記所定の領域は、前記成形体配置領域の中央部を含んでいることを特徴とする請求項１に記載のセラミック成形体の焼成方法。
【請求項３】
前記セラミック成形体を焼成する前記工程では、前記所定の焼成雰囲気を構成するガスが前記さや内に流入しており、
前記所定の領域は、前記成形体配置領域の中央部よりも前記ガスの流入方向上流側に位置することを特徴とする請求項１に記載のセラミック成形体の焼成方法。
【請求項４】
前記セラミック成形体を焼成する前記工程では、前記所定の焼成雰囲気を構成するガスが前記さや内に流入しており、
前記所定の領域は、前記成形体配置領域の中央部よりも前記ガスの流入方向下流側に位置することを特徴とする請求項１に記載のセラミック成形体の焼成方法。
【請求項５】
前記セラミック成形体を焼成する前記工程では、前記さやを搬送しながら前記セラミック成形体を焼成しており、
前記所定の領域は、前記成形体配置領域の中央部よりも前記さやの搬送方向前側に位置することを特徴とする請求項１に記載のセラミック成形体の焼成方法。
【請求項６】
前記セラミック成形体を焼成する前記工程では、前記さやを搬送しながら前記セラミック成形体を焼成しており、
前記所定の領域は、前記成形体配置領域の中央部よりも前記さやの搬送方向後側に位置することを特徴とする請求項１に記載のセラミック成形体の焼成方法。
【請求項７】
前記さやを複数用意し、
前記セラミック成形体を焼成する前記工程では、前記複数のさやを多段に積み重ねており、
前記複数のさやのうち上側に位置するさやの前記所定の領域が、下側に位置するさやの前記所定の領域よりも広く設定されていることを特徴とする請求項１に記載のセラミック成形体の焼成方法。
【請求項８】
前記さやを複数用意し、
前記セラミック成形体を焼成する前記工程では、前記複数のさやを多段に積み重ねており、
前記複数のさやのうち下側に位置するさやの前記所定の領域が、上側に位置するさやの前記所定の領域よりも広く設定されていることを特徴とする請求項１に記載のセラミック成形体の焼成方法。
【請求項９】
前記さやは、無底状であると共に枠部を有しており、
前記セラミック成形体を配置する前記工程では、前記枠部に支持される部材で前記セラミック成形体を保持することにより、当該セラミック成形体を前記成形体配置領域に配置することを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載のセラミック成形体の焼成方法。
【請求項１０】
前記セラミック成形体には貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載のセラミック成形体の焼成方法。
【請求項１１】
前記セラミック成形体には貫通孔が形成されており、当該セラミック成形体を焼成して得たセラミック焼結体は、電圧依存性非直線抵抗体磁器であることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載のセラミック成形体の焼成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック成形体の焼成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種のセラミック成形体の焼成方法として、セラミック成形体が配置されるさや（匣鉢）を用意し、セラミック成形体を配置したさやを焼成炉に導入してセラミック成形体を焼成し、セラミック焼結体を得るものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−１２８７８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、焼成不良や特性ばらつきを抑制して、歩留りを向上させることが可能なセラミック成形体の焼成方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者等は、焼成不良や特性ばらつきを抑制し得るセラミック成形体の焼成方法について鋭意研究を行った結果、以下のような事実を新たに見出した。
【０００５】
特許文献１に記載された製造方法では、さや内におけるセラミック成形体の配置位置に起因して、焼成不良や特性ばらつきが生じてしまうことが新たに判明した。すなわち、配置位置によっては、セラミック成形体の周囲を所望の焼成雰囲気に調整することができない、あるいは、セラミック成形体から発生する燃焼成分をさやから円滑に排出することができない等の理由により、焼成不良や特性ばらつきが生じてしまう。
【０００６】
かかる研究結果を踏まえ、本発明に係るセラミック成形体の焼成方法は、複数のセラミック成形体が配置される成形体配置領域を有するさやを用意し、さやの成形体配置領域に複数のセラミック成形体を配置する工程と、さやの成形体配置領域に配置された複数のセラミック成形体を、所定の焼成雰囲気中で焼成する工程と、を備え、セラミック成形体を配置する工程では、成形体配置領域における所定の領域にセラミック成形体を配置しないことを特徴とする。
【０００７】
本発明に係るセラミック成形体の焼成方法では、成形体配置領域における所定の領域にはセラミック成形体が配置されていないことから、焼成不良や特性ばらつきの発生が抑制されることとなり、歩留りを向上させることができる。
【０００８】
また、所定の領域は、成形体配置領域の中央部を含んでいることが好ましい。セラミック成形体が配置される領域の中央部は、当該中央部の周辺部に比して、所望の焼成雰囲気に調整され難い傾向にあり、また、燃焼成分が排出され難い傾向にある。したがって、成形体配置領域の中央部にセラミック成形体を配置させないことにより、焼成不良や特性ばらつきの発生を効果的に抑制することができる。
【０００９】
また、セラミック成形体を焼成する工程では、所定の焼成雰囲気を構成するガスがさや内に流入しており、所定の領域は、成形体配置領域の中央部よりも上記ガスの流入方向上流側に位置することが好ましい。成形体配置領域の中央部よりもガスの流入方向下流側となる領域は、所望の焼成雰囲気に調整され難い傾向にあり、また、燃焼成分が排出され難い傾向にある。したがって、成形体配置領域の中央部よりもガスの流入方向上流側にセラミック成形体を配置させないことにより、成形体配置領域の中央部よりもガスの流入方向下流側となる領域にガスが供給され易くなり、焼成不良や特性ばらつきの発生を効果的に抑制することができる。
【００１０】
また、セラミック成形体を焼成する工程では、所定の焼成雰囲気を構成するガスがさや内に流入しており、所定の領域は、成形体配置領域の中央部よりも上記ガスの流入方向下流側に位置することが好ましい。成形体配置領域の中央部よりもガスの流入方向下流側にセラミック成形体を配置させないことにより、焼成不良や特性ばらつきの発生を効果的に抑制することができる。
【００１１】
また、セラミック成形体を焼成する工程では、さやを搬送しながらセラミック成形体を焼成しており、所定の領域は、成形体配置領域の中央部よりもさやの搬送方向前側に位置することが好ましい。さやを搬送しながらセラミック成形体を焼成する場合、成形体配置領域の中央部よりもさやの搬送方向後側となる領域は、所望の焼成雰囲気に調整され難い傾向にあり、また、燃焼成分が排出され難い傾向にある。したがって、成形体配置領域の中央部よりもさやの搬送方向前側にセラミック成形体を配置させないことにより、成形体配置領域の中央部よりもさやの搬送方向後側となる領域に所定の焼成雰囲気を構成するガスが供給され易くなり、焼成不良や特性ばらつきの発生を効果的に抑制することができる。
【００１２】
また、セラミック成形体を焼成する工程では、さやを搬送しながらセラミック成形体を焼成しており、所定の領域は、成形体配置領域の中央部よりもさやの搬送方向後側に位置することが好ましい。成形体配置領域の中央部よりもさやの搬送方向後側にセラミック成形体を配置させないことにより、焼成不良や特性ばらつきの発生を効果的に抑制することができる。
【００１３】
また、さやを複数用意し、セラミック成形体を焼成する工程では、複数のさやを多段に積み重ねており、複数のさやのうち上側に位置するさやの所定の領域が、下側に位置するさやの所定の領域よりも広く設定されていることが好ましい。複数のさやを多段に積み重ねた場合、上側に位置するさやにおける成形体配置領域の所定の領域に比べて下側に位置するさやにおける成形体配置領域の所定の領域は、所望の焼成雰囲気に調整され難い傾向にあり、また、燃焼成分が排出され難い傾向にある。したがって、上側に位置するさやの所定の領域を下側に位置するさやの所定の領域よりも広く設定することにより、下側に位置するさやの所定の領域に所定の焼成雰囲気を構成するガスが供給され易くなり、焼成不良や特性ばらつきの発生を効果的に抑制することができる。
【００１４】
また、さやを複数用意し、セラミック成形体を焼成する工程では、複数のさやを多段に積み重ねており、複数のさやのうち下側に位置するさやの所定の領域が、上側に位置するさやの所定の領域よりも広く設定されていることが好ましい。下側に位置するさやの所定の領域を上側に位置するさやの所定の領域よりも広く設定することにより、焼成不良や特性ばらつきの発生を効果的に抑制することができる。
【００１５】
また、さやは、無底状であると共に枠部を有しており、セラミック成形体を配置する工程では、枠部に支持される部材でセラミック成形体を保持することにより、当該セラミック成形体を成形体配置領域に配置することが好ましい。
【００１６】
また、セラミック成形体には貫通孔が形成されていることが好ましい。
【００１７】
また、セラミック成形体には貫通孔が形成されており、当該セラミック成形体を焼結したセラミック焼結体は、電圧依存性非直線抵抗体磁器であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、焼成不良や特性ばらつきを抑制して、歩留りを向上させることが可能なセラミック成形体の焼成方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照して、本発明に係るセラミック成形体の焼成方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００２０】
本実施形態は、本発明を電圧依存性非直線抵抗体磁器、すなわちバリスタに用いる磁器（以下、バリスタ磁器と称する）の製造方法に適用したものである。図１は、本実施形態に係るバリスタ磁器の製造過程を説明するためのフロー図である。尚、公知の製造過程については、説明を簡略化する。
【００２１】
まず、セラミック成形体１を成型する（成型工程：Ｓ１０１）。成型工程Ｓ１０１では、原料粉末を、混合、仮焼、粉砕、成型、脱バインダの順に処理し、貫通孔３が形成されたセラミック成形体１を得る（図２（ａ）及び（ｂ）参照）。図２（ａ）はセラミック成形体を示す平面図であり、図２（ｂ）はセラミック成形体を示す側面図である。
【００２２】
原料粉末には、通常、バリスタ磁器を構成する元素それぞれの化合物の粉末を用いる。原料粉末には、酸化物又は焼成によって酸化物となる化合物、例えば、炭酸塩、水酸化物等を用いることができる。原料粉末を、最終組成が所望の組成となるように秤量し、混合（例えば、湿式混合等）する。次いで、脱水処理した後、乾燥し、例えば１０８０〜１２５０℃程度で２〜４時間程度仮焼成する。次いで、仮焼成物を粉砕した後、有機バインダを加え、さらに水、ｐＨ調整剤、保湿剤等を加えて混合する。次いで、混合物をリング状に成型し、脱バインダ処理を施す。セラミック成形体１の外周形状及び貫通孔３の形状は、平面視で円形を呈している。
【００２３】
次に、図３〜図５にも示されるように、セラミック成形体１を棒Ｒに通して、串刺し状に整列させる（棒刺し工程：Ｓ１０３）。図３は、さやを示す平面図である。図４は、さやを示す正断面図である。図５は、さやを示す側断面図である。図３〜図５は、さや１０がセラミック成形体１を配した棒Ｒを支持した状態を描いている。
【００２４】
棒Ｒは、その中心軸方向に直交する面で切断したときの断面形状が円形を呈している。棒Ｒの外径は、セラミック成形体１の貫通孔３の内径よりも小さい。棒Ｒの少なくとも一方の端部は、円錐状（テーパー状）に形成されている。棒刺し工程Ｓ１０３では、セラミック成形体１を、円錐状に形成された端部側から、棒Ｒに通していく。これにより、所定の数のセラミック成形体１が棒Ｒに配されて、保持されることとなる。棒Ｒの材料としては、耐熱性（耐火性）を有する材料、例えば、アルミナ、ムライト、又はジルコニア等が用いられる。
【００２５】
次に、複数のセラミック成形体１をさや１０に配置する（さや詰め工程：Ｓ１０５）。さや詰め工程Ｓ１０５では、まず、さや１０を用意する（図３〜図５参照）。さや１０は、矩形状の枠部１１を有しており、無底状である。枠部１１は、Ｘ軸方向でみて互いに対向する２つの部分１１ａ，１１ｂ、及びＹ軸方向でみて互いに対向する２つの部分１１ｃ，１１ｄを含む。さや１０は、枠部１１の対向する２つの部分１１ａ，１１ｂでセラミック成形体１が保持された棒Ｒの両端を支える。
【００２６】
さや１０の上面には、当該さや１０を積み重ねる際に、上側に位置するさや１０と係合し横ずれを防ぐ隆起部１３が形成されている。さや１０の下面には、隆起部１３に対応する位置に、段下がり部１５が形成されている。段下がり部１５は、さや１０の下面から上面側に引き込むように形成されている。段下がり部１５には、さや１０を積み重ねた際に、下側に位置するさや１０の枠部１１の隆起部１３が係合することとなる。枠部１１（各部分１１ａ〜１１ｄ）により囲まれる内側の領域が、複数のセラミック成形体１が配置される成形体配置領域１７となる。さや１０の材料としては、耐熱性（耐火性）を有する材料、例えば、アルミナ、ムライト、又はジルコニア等が用いられる。
【００２７】
さや１０を用意すると、セラミック成形体１が保持された複数本の棒Ｒをさや１０の対向する２つの部分１１ａ，１１ｂに架け渡して棒Ｒの両端が対応する各部分１１ａ，１１ｂでそれぞれ支持される状態とし、略平行に並べる（図３〜図５参照）。このとき、成形体配置領域１７の中央部１７ａにセラミック成形体１が配置されないように、さや１０の対向する２つの部分１１ａ，１１ｂの中央部分には複数本（本実施形態においては、２本）の棒Ｒを架け渡さない。本実施形態においては、複数本の棒Ｒを架け渡さないようにしているが、棒Ｒを１本だけ架け渡さないようにしてもよい。また、さや１０の対向する２つの部分１１ａ，１１ｂの中央部分で棒Ｒを保持できないように、当該中央部分に凹部１５が形成されていないさや１０を用いてもよい。これにより、複数のセラミック成形体１がさや詰めされ、成形体配置領域１７に当該成形体配置領域１７の中央部１７ａを含む所定の領域（本実施形態においては、成形体配置領域１７の中央部１７ａを含んでさや１０の対向する２つの部分１１ａ，１１ｂまで伸びる領域、すなわちさや１０に保持された棒Ｒに直交する方向に見て中央の領域）１７ｂを除いて配置されることとなる。
【００２８】
枠部１１の対向する２つの部分１１ａ，１１ｂには、各棒Ｒが相互に略平行であり且つ当該２つの部分１１ａ，１１ｂに直交する位置に位置決めされるように、複数の凹部１９が等間隔に形成されている。各凹部１９は、縦断面形状が略Ｖ字状の溝である。凹部１９の深さ（凹部１９が形成された位置での枠部１１の上下方向の厚み）は、セラミック成形体１が保持された棒Ｒを枠部１１で支持した状態で、棒Ｒに保持されたセラミック成形体１がさや１０からはみ出さない、すなわち当該セラミック成形体１がさや１０の上下方向での厚みの範囲内に収まるように設定されている。セラミック成形体１を保持した棒Ｒを枠部１１で支持した際に、隣接する棒Ｒに保持されたセラミック成形体１が相互に接触しないように、凹部１９の間隔はセラミック成形体１の外径より大きく設定されている。
【００２９】
次に、セラミック成形体１を焼成炉２０で焼成する（焼成工程：Ｓ１０７）。焼成炉２０は、図６に示されるように、一端に入口部２１と、他端に出口部２３とを備え、トンネル形状とされている。焼成炉２０内は、焼成雰囲気が還元雰囲気とされ、当該還元雰囲気を構成するガス（例えば、Ｎ２とＨ２との混合ガス）がさや１０の搬送方向（図６中、矢印Ａ方向）とは反対の方向（図６中、矢印Ｂ方向）に流れている。
【００３０】
焼成工程Ｓ１０７では、図６に示されるように、さや詰め工程Ｓ１０５にて複数のセラミック成形体１がさや詰めされたさや１０を多段（例えば、３段等）に積み重ねて台板２５に載置し、台板２５をプッシャー２７で押すことによりさや１０を焼成炉２０内に搬送する。これにより、セラミック成形体１は、棒Ｒに保持された状態で還元焼成され、セラミック焼結体としてのバリスタ磁器が得られることとなる。さや１０は、当該さや１０に保持された棒Ｒの中心軸方向が上記搬送方向と略平行となるように、台板２５に載置される。
【００３１】
最上段のさや１０の上には、蓋２９が載置される。蓋２９と最上段のさや１０との間には、所定の間隔の隙間が形成されている。また、さや１０とさや１０との間にも、所定の間隔の隙間が形成されている。さや１０内には、上記間隙を通して、還元雰囲気を構成するガスが搬送方向前側から流入する。通常、焼成炉２０内においては、積み重ねられたさや１０の上方の空間が広く、この空間でのガスの流量及び流速が大きい。したがって、ガスは、主として、上記空間に近い間隙（例えば、蓋２９と最上段のさや１０との間隙等）からさや１０内に流入する。さや１０は、無底状であることから、さや１０内に流入したガスは、積み重ねられた複数のさや１０により画成される空間内を循環する。そして、セラミック成形体１から発生した燃焼成分を含むガスは、主として、積み重ねられた複数のさや１０の搬送方向後側から排出される。
【００３２】
ところで、複数のセラミック成形体１をさや１０の成形体配置領域１７の全体に配置した場合、成形体配置領域１７の中央部１７ａに配置されたセラミック成形体１には、当該セラミック成形体１よりもガスの流入方向上流側に配置されたセラミック成形体１によりガスの流れが阻害されるため、十分にガスが供給され難い。また、ガスが十分に供給され難いことから、成形体配置領域１７の中央部１７ａに配置されたセラミック成形体１から発生した燃焼成分は、排出され難い。このため、成形体配置領域１７の中央部１７ａに配置されたセラミック成形体１は所望の還元雰囲気で焼成することがし得なくなり、焼成したセラミック成形体１には焼成不良や特性ばらつきが生じてしまう。
【００３３】
焼成炉２０内においては、多段に積み重ねられたさや１０が搬送方向に連続して並んでいる。このため、搬送方向の前側（焼成炉２０内のガスの流れ方向上流側）に位置するさや１０が邪魔をして、特に、搬送方向とさや１０の積層方向とに直行する方向（さや１０の左右方向）での中央の領域にはガスが流入し難い。
【００３４】
しかしながら、本実施形態においては、図７にも示されるように、さや１０の成形体配置領域１７の中央部１７ａを含む上記所定の領域１７ｂにはセラミック成形体１を配置していないので、焼成不良や特性ばらつきの発生を抑制することができる。図７は、セラミック成形体１の配置状態を説明するための模式図である。なお、図７では、説明のため、成形体配置領域１７においてセラミック成形体１を実際に配置する領域にハッチングを付している。
【００３５】
次に、さや１０から焼成したセラミック成形体１（バリスタ磁器）を取り出す（さやあけ工程：Ｓ１０９）。さやあけ工程Ｓ１０９では、棒Ｒを略水平に保ちながらさや１０から取り外す。棒Ｒには焼成されたセラミック成形体１が保持されているが、焼成時に隣接するセラミック成形体１の間で圧迫し合うような力が働かないため、棒Ｒに保持されたセラミック成形体１は隣接するもの同士で付着することがない。なお、リング状のバリスタ磁器は棒Ｒに保持された状態で次の工程に移送してもよい。
【００３６】
以上のように、本実施形態によれば、成形体配置領域１７における上記所定の領域１７ｂにはセラミック成形体１が配置されていないことから、セラミック成形体１の焼成不良や得られたバリスタ磁器の特性ばらつきの発生が抑制されることとなり、歩留りを向上させることができる。
【００３７】
続いて、図８〜図１８に基づいて、本実施形態に係るバリスタ磁器の製造方法の変形例を説明する。図８〜図１８は、セラミック成形体の配置状態を説明するための模式図である。図８〜図１８では、説明のため、成形体配置領域１７においてセラミック成形体１を実際に配置する領域にハッチングを付している。
【００３８】
以下に説明する変形例は、上述した実施形態とさや詰め工程Ｓ１０５についてのみ相違するので、当該さや詰め工程Ｓ１０５についてのみ説明する。
【００３９】
上述したように、成形体配置領域１７の中央部１７ａに配置されたセラミック成形体１には十分にガスが供給され難く、また、当該セラミック焼成体から発生した燃焼成分は排出され難い。したがって、成形体配置領域１７の中央部１７ａを、図８に示されるように、セラミック成形体１を配置しない所定の領域１７ｂとしてもよい。
【００４０】
複数のセラミック成形体１をさや１０の成形体配置領域１７の全体に配置した場合、成形体配置領域１７の中央部１７ａよりもガスの流入方向下流側となる領域は、当該中央部１７ａよりもガスの流入方向上流側に配置されたセラミック成形体１によりガスの流れが阻害されるため、所望の焼成雰囲気（還元雰囲気）に調整され難い傾向にあり、また、燃焼成分が排出され難い傾向にある。したがって、図９に示されるように、セラミック成形体１を配置しない所定の領域１７ｂを成形体配置領域１７の中央部１７ａよりも上記ガスの流入方向（図９中、矢印Ｂ方向）上流側に位置させてもよい。成形体配置領域１７の中央部１７ａよりもガスの流入方向上流側にセラミック成形体１を配置させないことにより、成形体配置領域１７の中央部１７ａよりもガスの流入方向下流側となる領域に還元雰囲気を構成するガスが供給され易くなり、焼成不良や特性ばらつきの発生を効果的に抑制することができる。
【００４１】
また、図１０に示されるように、セラミック成形体１を配置しない所定の領域１７ｂを成形体配置領域１７の中央部１７ａよりも上記ガスの流入方向（図１０中、矢印Ｂ方向）下流側に位置させてもよい。成形体配置領域１７の中央部１７ａよりもガスの流入方向下流側にセラミック成形体１を配置させないことによっても、焼成不良や特性ばらつきの発生を効果的に抑制することができる。
【００４２】
複数のセラミック成形体１をさや１０の成形体配置領域１７の全体に配置した場合、同様に、成形体配置領域１７の中央部１７ａよりもさや１０の搬送方向後側となる領域は、当該中央部１７ａよりもさや１０の搬送方向前側に配置されたセラミック成形体１によりガスの流れが阻害されるため、所望の焼成雰囲気に調整され難い傾向にあり、また、燃焼成分が排出され難い傾向にある。したがって、図１１に示されるように、セラミック成形体１を配置しない所定の領域１７ｂを成形体配置領域１７の中央部１７ａよりもさや１０の搬送方向（図１１中、矢印Ａ方向）前側に位置させてもよい。成形体配置領域１７の中央部１７ａよりもさや１０の搬送方向前側にセラミック成形体１を配置させないことにより、成形体配置領域１７の中央部１７ａよりもさや１０の搬送方向後側となる領域に還元雰囲気を構成するガスが供給され易くなり、焼成不良や特性ばらつきの発生を効果的に抑制することができる。
【００４３】
また、図１２に示されるように、セラミック成形体１を配置しない所定の領域１７ｂを成形体配置領域１７の中央部１７ａよりもさや１０の搬送方向（図１２中、矢印Ａ方向）後側に位置させてもよい。成形体配置領域１７の中央部１７ａよりもさや１０の搬送方向後側にセラミック成形体１を配置させないことによっても、焼成不良や特性ばらつきの発生を効果的に抑制することができる。
【００４４】
上述したように、ガスは、主として、積み重ねられたさや１０の上方の空間に近い間隙（例えば、蓋２９と最上段のさや１０との間隙等）からさや１０内に流入する。このため、成形体配置領域１７の全体に複数のセラミック成形体１を配置したさや１０を多段に積み重ねた場合、下側に位置するさや１０の成形体配置領域１７に配置されたセラミック成形体１には、上側に位置するさや１０の成形体配置領域１７に配置されたセラミック成形体１によりガスの流れが阻害されるため、十分にガスが供給され難い。
【００４５】
したがって、図１３（ａ）〜（ｄ）、図１４（ａ）〜（ｄ）、及び、図１５（ａ）〜（ｄ）に示されるように、上側に位置するさや１０におけるセラミック成形体１を配置しない所定の領域１７ｂを、下側に位置するさや１０におけるセラミック成形体１を配置しない所定の領域１７ｂよりも広く設定してもよい。上側に位置するさや１０の上記所定の領域１７ｂを下側に位置するさや１０の上記所定の領域１７ｂよりも広く設定することにより、下側に位置するさや１０の所定の領域１７ｂに還元雰囲気を構成するガスが供給され易くなる。この結果、焼成不良や特性ばらつきの発生を効果的に抑制することができる。
【００４６】
また、図１６（ａ）〜（ｄ）、図１７（ａ）〜（ｄ）、及び、図１８（ａ）〜（ｄ）に示されるように、下側に位置するさや１０におけるセラミック成形体１を配置しない所定の領域１７ｂを、上側に位置するさや１０におけるセラミック成形体１を配置しない所定の領域１７ｂよりも広く設定してもよい。この場合でも、焼成不良や特性ばらつきの発生を効果的に抑制することができる。
【００４７】
図１４（ｂ）、図１４（ｃ）、図１７（ｃ）、及び図１７（ｄ）においては、セラミック成形体１を成形体配置領域１７の中央部１７ａよりもガスの流入方向（図１４及び図１７中、矢印Ｂ方向）上流側に配置していない。これに限られることなく、図１０にも示されるように、セラミック成形体１を成形体配置領域１７の中央部１７ａよりもガスの流入方向下流側に配置しないようにしてもよい。
【００４８】
また、図１５（ｂ）、図１５（ｃ）、図１８（ｃ）、及び図１８（ｄ）においては、セラミック成形体１を成形体配置領域１７の中央部１７ａよりもさや１０の搬送方向（図１５及び図１８中、矢印Ａ方向）前側に配置していない。これに限られることなく、図１２にも示されるように、セラミック成形体１を成形体配置領域１７の中央部１７ａよりもさや１０の搬送方向後側に配置しないようにしてもよい。
【００４９】
また、図１３〜１８では、セラミック成形体１を配置しない所定の領域１７ｂの広さは、積み重ねたさや１０毎に異なっている。しかしながら、全てのさや１０毎に所定の領域１７ｂの広さを異ならせる必要はない。例えば、図１３（ａ）において、上段のさや１０における所定の領域１７ｂ及び中断のさや１０における所定の領域１７ｂを同じ広さとし、下段のさや１０よりも広く設定してもよい。同様に、例えば、図１６（ａ）において、下段のさや１０における所定の領域１７ｂ及び中断のさや１０における所定の領域１７ｂを同じ広さとし、上段のさや１０よりも広く設定してもよい。
【００５０】
以上、本発明者等によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、セラミック成形体１（貫通孔３）及びさや１０の形状は、上述したものに限られない。また、成形体配置領域１７やセラミック成形体１を配置しない所定の領域１７ｂの形状や大きさも、上述したものに限られない。また、さや１０を積み重ねる段数も、上述したものに限られない。
【００５１】
本実施形態においては、さや１０を搬送しながら当該さや１０に配置したセラミック成形体１を焼成しているが、これに限られることなく、さや１０を搬送することなくセラミック成形体１を焼成してもよい。また、さや１０を積み重ねることなく、焼成炉２０内に搬送してもよい。また、焼成炉２０内にて還元雰囲気を構成するガスの流れをさや１０の搬送方向とは反対の方向に生成しているが、焼成炉２０内が還元雰囲気とされているのであれば、必ずしも上記ガスの流れを生成する必要はない。
【００５２】
また、本実施形態においては、焼成炉２０内を還元雰囲気としたが、これに限られるものではない。セラミック成形体１に用いられる材料に応じて適宜選択すればよく、大気雰囲気又は不活性ガス雰囲気等であってもよい。
【００５３】
また、本実施形態においては、貫通孔３が形成されたセラミック成形体１を保持した棒Ｒをさや１０で支持することによりセラミック成形体１をさや１０に配置しているが、上記特許文献１のように、セラミック成形体１をさや１０に載置することにより配置してもよい。
【００５４】
本発明は、上述したバリスタ磁器の製造方法に限らず、誘電体磁器、圧電磁器、又は半導体磁器等の製造方法に適用しても同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本実施形態に係るバリスタ磁器の製造過程を説明するためのフロー図である。
【図２】（ａ）はセラミック成形体を示す平面図であり、（ｂ）はセラミック成形体を示す側面図である。
【図３】さやを示す平面図である。
【図４】さやを示す正断面図である。
【図５】さやを示す側断面図である。
【図６】焼成炉を説明するための概略図である。
【図７】セラミック成形体の配置状態を説明するための模式図である。
【図８】セラミック成形体の配置状態を説明するための模式図である。
【図９】セラミック成形体の配置状態を説明するための模式図である。
【図１０】セラミック成形体の配置状態を説明するための模式図である。
【図１１】セラミック成形体の配置状態を説明するための模式図である。
【図１２】セラミック成形体の配置状態を説明するための模式図である。
【図１３】（ａ）〜（ｄ）は、セラミック成形体の配置状態を説明するための模式図である。
【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、セラミック成形体の配置状態を説明するための模式図である。
【図１５】（ａ）〜（ｄ）は、セラミック成形体の配置状態を説明するための模式図である。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、セラミック成形体の配置状態を説明するための模式図である。
【図１７】（ａ）〜（ｄ）は、セラミック成形体の配置状態を説明するための模式図である。
【図１８】（ａ）〜（ｄ）は、セラミック成形体の配置状態を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００５６】
１…セラミック成形体、３…貫通孔、１０…さや、１１…枠部、１７…成形体配置領域、１７ａ…中央部、１７ｂ…所定の領域、２０…焼成炉、Ｒ…棒、Ｓ１０１…成型工程、Ｓ１０３…棒刺し工程、Ｓ１０５…さや詰め工程、Ｓ１０７…焼成工程、Ｓ１０９…さやあけ工程。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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