(57)【要約】【課題】  保護特性が向上した平板表示装置及び製造工程が単純化され、製造費用を削減することのできる平板表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】  平板表示装置は、基板１００、有機電界発光素子１５０、低融点金属層１１２及び複合無機物質膜１１４を含む。有機電界発光素子１５０は、第１電極、第１電極に対向する第２電極及び第１電極と第２電極との間に配置され電流の流れにより光を発生させる有機発光層１０６を含み、基板１００上に配置される。低融点金属層１１２は有機電界発光素子１５０上に配置され有機電界発光素子１５０を保護し、融点が３００℃以下である。複合無機物質膜１１４は、低融点金属１１２層上に配置され、低融点金属層１１２及び有機電界発光素子１５０を保護し、２種以上の無機物質が混合された無機物質を含む。従って、有機電界発光素子１５０の特性が向上し、製造工程が単純となる。【選択図】  図２
2005310770.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置され電流の流れによって光を発生させる有機発光層とを含み、前記基板上に配置される有機電界発光素子と、
前記有機電界発光素子上に配置され、前記有機電界発光素子を保護する低融点金属層と、
前記低融点金属層上に配置され、前記低融点金属層及び前記有機電界発光素子を保護し、２種以上の無機物質が混合された複合無機物質を含む複合無機物質膜と、
を含む平板表示装置。
【請求項２】
前記低融点金属層の融点が３００℃以下であることを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項３】
前記低融点金属層は、リチウムLｉ、亜鉛Ｚｎ、ガリウムＧａ、ルビジウムＲｂ、セシウムＣｓ、タリウムＴｌ、ビスマスＢｉ、錫Ｓｎ、インジウムＩｎ、ナトリウムＮａ及びカリウムＫからなる群のうち選択されたいずれか一種以上の金属であることを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項４】
前記低融点金属層は、リチウムＬｉ、亜鉛Ｚｎ、ガリウムＧａ、ルビジウムＲｂ、セシウムＣｓ、タリウムＴｌ、ビスマスＢｉ、錫Ｓｎ、インジウムＩｎ、ナトリウムＮａ及びカリウムＫからなる群のうち選択されたいずれか２種以上の金属の合金であることを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項５】
前記複合無機物質膜は、酸化ケイ素、炭化ケイ素、酸化リチウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、シリカ・ゲル、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、フッ化マグネシウム及び活性炭からなる群のうち選択された２種以上の無機物質が混合されたものであることを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項６】
前記低融点金属層と前記複合無機物質膜との間に配置され、水分を吸収する吸収層をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項７】
前記吸収層は、無機ケイ素（Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｉｌｉｃａ）、炭化ケイ素ＳｉＣ、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウムまたは活性炭を含むことを特徴とする請求項６記載の平板表示装置。
【請求項８】
前記複合無機物質膜上に配置され、水分を吸収する吸収層をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項９】
前記吸収層上に配置され、前記吸収層、前記複合無機物質膜、前記低融点金属層及び前記有機電界発光素子を保護する補助無機物質膜をさらに含むことを特徴とする請求項８記載の平板表示装置。
【請求項１０】
前記補助無機物質膜は、２種以上の無機物質が混合されたものであることを特徴とする請求項９記載の平板表示装置。
【請求項１１】
前記複合無機物質膜上に配置され、前記複合無機物質膜、前記低融点金属層及び前記有機電界発光素子を保護する保護層をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項１２】
前記保護層は、有機物質膜または無機物質膜を含むことを特徴とする請求項１１記載の平板表示装置。
【請求項１３】
前記無機物質膜は、２種以上の無機物質が混合されたものであることを特徴とする請求項１２記載の平板表示装置。
【請求項１４】
基板上に、第１電極と、電流の流れにより光を発生させる有機発光層と、前記第１電極に対向する第２電極と、を形成して有機電界発光素子を形成する段階と、
前記有機電界発光素子上に低融点金属を蒸着する段階と、
前記蒸着された低融点金属上に２種以上の無機物質が混合された複合無機物質を蒸着する段階と、
を含むことを特徴とする平板表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記低融点金属を蒸着する段階は、３００℃以下の温度で実施されることを特徴とする請求項１４記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記低融点金属は、リチウムＬｉ、亜鉛Ｚｎ、ガリウムＧａ、ルビジウムＲｂ、セシウムＣｓ、タリウムＴｌ、ビスマスＢｉ、錫Ｓｎ、インジウムＩｎ、ナトリウムＮａ及びカリウムＫからなる群のうち選択されたいずれか１種以上の金属であることを特徴とする請求項１４記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記低融点金属は、リチウムＬｉ、亜鉛Ｚｎ、ガリウムＧａ、ルビジウムＲｂ、セシウムＣｓ、タリウムＴｌ、ビスマスＢｉ、錫Ｓｎ、インジウムＩｎ、ナトリウムＮａ及びカリウムＫからなる群のうち選択されたいずれか２つ以上の金属の合金であることを特徴と請求項１４記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記低融点金属を蒸着する段階は、１５０℃以下の温度で実施されることを特徴とする請求項１４記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記複合無機物質は、酸化ケイ素、炭化ケイ素、酸化リチウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、シリカ・ゲル、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸窒化ケイ素、窒化シリコン、窒化アルミニウム、フッ化マグネシウム及び活性炭からなる群のうち選択された２つ以上の無機物質が混合されたものであることを特徴とする請求項１４記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記複合無機物質を蒸着する段階は、熱蒸着または物理的気相蒸着を用いることを特徴とする請求項１９記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記複合無機物質を蒸着する段階は、２種以上の無機物質が混合された複合無機物質を含むソースを用いて実施されることを特徴とする請求項２０記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記低融点金属を蒸着する段階及び前記複合無機物質を蒸着する段階は、現場で実施されることを特徴とする請求項１４記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記低融点金属及び前記複合無機物質は、一つのチャンバ内で蒸着されることを特徴とする請求項２２記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記低融点金属層上に吸収性物質を蒸着する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１４記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記複合無機物質膜上に吸収性物質を蒸着して吸収層を形成する段階と、
前記吸収層上に無機物質を蒸着して補助無機物質膜を形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１４記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記補助無機物質膜は、酸化ケイ素、炭化ケイ素、酸化リチウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、シリカ・ゲル、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、フッ化マグネシウム及び活性炭からなる群のうち選択された２つ以上の無機物質が混合されたことを特徴とする請求項２５記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記複合無機物質膜上に有機物質を塗布して有機保護膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１４記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記有機物質はスクリーン印刷方法、スリットコーティング方法またはキャピラリーコーティング方法を用いて塗布することを特徴とする請求項２７記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項２９】
基板上に、第１電極と、電流の流れにより光を発生させる有機発光層と、前記第１電極に対向する第２電極と、を形成して有機電界発光素子を形成する段階と、
チャンバ内で前記有機電界発光素子上に、低融点金属及び２つ以上の無機物質が混合された複合無機物質を順次に現場で蒸着する段階と、
を含むことを特徴とする平板表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記低融点金属は、３００℃以下の温度で蒸着され、前記複合無機物質は２００℃以上の温度で蒸着されることを特徴とする請求項２９記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項３１】
前記低融点金属は、１５０℃以下の温度で蒸着されることを特徴とする請求項３０記載の平板表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平板表示装置及びその製造方法に関し、より詳細には保護特性が向上した平板表示装置及び製造工程が単純化され製造費用を削減することができる平板表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示装置には、液晶表示装置（LCD）、プラズマ表示装置（PDP）、有機電界発光表示装置（OLED）などがある。
液晶表示装置は、別個の発光手段を含むので大型化し、視野角が小さくなる。プラズマ表示装置は消費電力が大きい。
有機電界発光表示装置は、高輝度、広い視野角、薄型、低消費電力などの特徴を有する。また、有機電界発光表示装置の製造工程は単純で製造費用を削減でき、能動発光素子として視野角に自由度がある。さらに、有機電界発光素子の厚さが薄くて有機電界発光素子の基板に柔軟性がある場合、外力によって撓む性質を有する平板表示装置を製造することができる。
【０００３】
有機電界発光表示装置（OLED）の有機電界発光素子は、画素電極、対電極及び有機発光層を含む。画素電極を通じて供給された正孔は、対電極を通じて供給された電子と発光層内で結合して励起状態の分子を生成する。励起状態の分子が基底状態の分子に遷移する際に光が発生する。
しかし、有機電界発光素子の有機発光層が水または酸素に露出される場合、有機発光層は水と酸素に容易に反応し、有機発光層の電気化学的特性が劣化する。従って、OLEDは、有機発光層を水または酸素から隔離させるために、閉鎖空間を形成したり有機発光層を保護する保護層を形成することが必要となる。
【０００４】
有機電界発光素子上に、金属缶、ガラス基板などを配置して閉鎖空間を形成することができる。有機発光層を閉鎖空間内に配置する場合、有機電界発光素子の製造工程が複雑になり製造費用が増加する。また、閉鎖空間に起因して平板表示装置の厚さが増加する。
保護層は有機電界発光素子上に有機物をコーティングするか無機物質を蒸着して形成することができる。有機電界発光素子上に保護層を形成する場合、保護層を形成する途中に発生するプラズマ、熱、紫外線などによって有機電界発光素子の熱的変形が発生して有機電界発光素子の特性が低下する。
また、保護層が複数回の工程を通じて形成される複数個の膜を有する場合、製造工程が遅延することになり、製造費用が上昇する。
以上、有機電界発光素子を参照して説明したが、該当技術分野の当業者なら液晶表示装置、プラズマ平板表示装置（ＰＤＰ）などの他の平板表示装置やタッチパネルなどでも同一の問題点が発生することは理解できることである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記問題点を解決するための本発明の第１目的は、保護特性が向上した平板表示装置を提供することにある。
本発明の第２目的は、製造工程が単純化された平板表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１目的を達成するための本発明の一実施形態による平板表示装置は、基板、有機電界発光素子、低融点金属層及び複合無機物質膜を含む。前記有機電界発光素子は、第１電極、前記第２電極に対向する第２電極及び前記第１電極と第２電極との間に配置され電流の流れによって光を発生させる有機発光層を含み、前記基板上に配置される。前記低融点金属層は、前記有機電界発光素子上に配置され、前記有機電界発光素子を保護し、融点が３００℃以下である。前記複合無機物質膜は、前記低融点金属層上に配置され、前記低融点金属層及び前記有機電界発光素子を保護し、２種以上の無機物質が混合された無機物質を含む。
【０００７】
このとき、前記低融点金属層は、リチウムＬｉ、亜鉛Ｚｎ、ガリウムＧａ、ルビジウムＲｂ、セシウムＣｓ、タリウムＴｌ、ビスマスＢｉ、錫Ｓｎ、インジウムＩｎ、ナトリウムＮａ及びカリウムＫからなる群のうち選択されたいずれか２種以上の金属の合金であることが好ましく、前記合金の融点は１５０℃以下であることが好ましい。
第２目的を達成するための本発明の一実施形態による平板表示装置を製造するために、まず、基板上に第１電極、電流の流れによって光を発生させる有機発光層及び前記第１電極に対向する第２電極を形成して有機電界発光素子を形成する。続いて、３００℃以下の温度で前記有機電界発光素子上に低融点金属を蒸着する。以後、前記蒸着された低融点金属上に、２種以上の無機物質が混合された複合無機物質を蒸着する。
【０００８】
第２目的を達成するための本発明の他の実施形態による平板表示装置を製造するために、まず、基板上に第１電極、電流の流れによって光を発生させる有機発光層及び第１電極に対向する第２電極を形成して有機電界発光素子を形成する。続いて、チャンバ内で有機電界発光素子上に３００℃以下の融点を有する低融点金属及び２種以上の無機物質が混合された複合無機物質を、順次に、現場で、蒸着する。
本発明の平板表示装置は、有機電界発光素子を含む。有機電界発光素子は、能動型有機電界発光素子及び受動型有機電界発光素子を含む。
【０００９】
従って、低融点金属層は、有機電界発光素子を保護する。また、低融点金属層が合金を含み、低融点金属層を１５０℃以下の温度で形成することができ、上部に蒸着される複合無機物質膜の結晶化を防止する。さらに、複合無機物質膜が複数の無機物質が混合された無機物質を含むので、透湿性が低減される。また、低融点金属層及び複合無機物質膜が同一のチャンバ内で現場で形成されるので、製造工程が単純となり、工程時間を短縮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施形態をより詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は本発明の一実施形態による平板表示装置を示す平面図であり、図２は図１のA−A’線の断面図である。
図１及び図２に示すように、本発明による平板表示装置は、基板１００、有機電界発光素子１５０、蓄積容量１０３、低融点金属層１１２、複合無機物質膜１１４及び有機保護膜１１６を含む。
【００１１】
基板１００は、ガラス、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリビニールアルコール（ＰＶＡ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）またはこれらの混合物などを含む。
有機電界発光素子１５０は、ゲート絶縁膜１０１ａ、絶縁膜１０１ｂ、画素電極１０２、バンク１０４、有機発光層１０６、スイッチングトランジスタ１０７、駆動トランジスタ１０９及び対電極１１０を含む。
【００１２】
スイッチングトランジスタ１０７は、第１ソース電極１０５ｃ、第１ゲート電極１０５ｂ、第１ドレイン電極１０５ａ及び第１半導体装置層パターン(図示せず)を含む。第１ソース電極１０５ｃは、データライン１０５ｃ’に電気的に連結され駆動回路(図示せず)で出力されたデータ信号を受信する。第１ゲート電極１０５ｂは、基板１００上に配置され、ゲートライン１０５ｂ’に電気的に連結され、駆動回路から出力されたゲート電圧が印加される。第１ドレイン電極１０５ａは、第１ソース電極１０５ｃと離隔されて配置される。第１半導体層パターン(図示せず)は、第１ドレイン電極１０５ａと第１ソース電極１０５ｃとの間に配置される。
【００１３】
駆動トランジスタ１０９は、第２ドレイン電極１０８ａ、第２ゲート電極１０８ｂ及び第２ソース電極１０８ｃを含む。第２ドレイン電極１０８ａは、バイアスライン１０８ａ’に電気的に連結され、バイアス電圧が印加される。第２ゲート電極１０８ｂは、基板１００上に配置され、補助コンタクトホールを通じてスイッチングトランジスタ１０７の第１ドレイン電極１０５ａに電気的に連結される。第２ソース電極１０８ｃは、第２ドレイン電極１０８ａと離隔されて配置される。第２半導体層パターンは、第２ソース電極１０８ｃと第２ドレイン電極１０８ａとの間に配置される。
データライン１０５ｃ’及びゲートライン１０５ｂ’にデータ電圧及びゲート電圧がそれぞれ印加されると、データ電圧は第１ソース電極１０５ｃ、第１半導体層パターン及び第１ドレイン電極１０５ａを通じて第２ゲート電極１０８ｂに印加される。第２ゲート電極１０８ｂにデータ電圧が印加されると、第２半導体層パターンにチャンネルが形成され、バイアス電圧が第２ソース電極１０８ｃに印加される。
【００１４】
ゲート絶縁膜１０１ａは、第１ゲート電極１０５ｂ、ゲートライン１０５ｂ’及び第２ゲート電極１０８ｂを第１ソース電極１０５ａ、データライン１０５ｃ’、第１ドレイン電極１０５ｃ、第２ドレイン電極１０８ａ、バイアスライン１０８ａ’及び第２ソース電極１０８ｃから電気的に絶縁する。ゲート絶縁膜１０１ａは酸化ケイ素、窒化ケイ素などの絶縁性物質を含む。
絶縁膜１０１ｂは、スイッチングトランジスタ１０７、駆動トランジスタ１０９、ゲートライン１０５ｂ’、データライン１０５ｃ’及びバイアスライン１０８ａ’が形成された基板１００上に配置され、第２ソース電極１０８ｃを画素電極１０２と電気的に連結するコンタクトホールを含む。絶縁膜１０１ｂは、酸化ケイ素、窒化ケイ素などの無機絶縁性物質または有機絶縁性物質を含む。
【００１５】
第２ゲート電極１０８ｂの一部は、バイアスライン１０８ａ’の一部とオーバーラップして蓄積容量１０３を形成する。蓄積容量１０３は、１フレームの間、画素電極１０２と対電極１１０との間の電圧を保持する。
画素電極１０２は、基板１００上のバイアスライン１０８ａ’、ゲートライン１０５ｂ’及びデータライン１０５ｃ’によって定義される領域内に配置される。画素電極１０２は、インジウムすず酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺＯ）などのような透明な導電性物質を含む。
【００１６】
バンク１０４は、画素電極１０２が形成された絶縁膜１０１ｂ上に配置され画素電極１０２の中央部に凹部を形成する。
有機発光層１０６は、バンク１０４によって形成される凹部内に形成される。このとき、有機発光層１０６が（トリス（８−ヒドロキシ−キノレート）アルミニウム）（Ａｌｑ３）、ポリパラビニル（ｐｏｌｙｐａｒａｖｉｎｙｌ）、ポリフルオレンを含むこともできる。有機発光層１０６は、赤色有機発光層、緑色有機発光層及び青色有機発光層を含む。望ましくは、赤色有機発光層は、ジクロロメタン（ＤＣＭ）、ＤＣＪＴ、ＤＣＪＴＢなどの不純物を含む。緑色有機発光層は、クマリン（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）、キナクリドン（Ｑｄ）などの不純物を含む。
対電極１１０は、有機発光層１０６及びバンク１０４上に形成され、共通電圧が印加される。対電極１１０は、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌなどのような金属または金属酸化物を含む。このとき、対電極１１０が透湿率（permeability）の低い導電性物質を含み、有機発光層１０６を保護することもできる。
【００１７】
本実施形態において、画素電極１０２を透明な導電性物質として説明したが、発光方式によって対電極１１０が透明電極から形成されているものでもよい。
第２ドレイン電極１０８ｃに印加されたバイアス電圧は、コンタクトホールを通して画素電極１０２に印加される。従って、有機発光層１０８を通じて画素電極１０２と対電極１１０との間に電流が流れる。このとき、画素電極１０２を通じて供給された正孔が対電極１１０を通じて供給された電子と有機発光層１０８内で結合する場合、有機発光層１０６内で励起状態の分子が生成される。励起状態の分子が基底状態の分子に遷移しながら光を発生する。
【００１８】
低融点金属層１１２は、有機電界発光素子１５０上に配置され、有機電界発光素子１５０を追後の工程で発生する熱から保護する。このとき、低融点金属層１１２が有機電界発光素子１５０を外部の汚染物質から保護してもよい。汚染物質とは、有機電界発光素子１５０の電気的/光学的特性を低下させる水、酸素などである。このとき、低融点金属層１１２の融点は１気圧で３００℃以下である。また、低融点金属層１１２の融点は１気圧で１５０℃以下であることが望ましい。有機電界発光素子１５０は１５０℃以上の温度で電気的特性が変化し、３００℃以上の温度で電気的特性が急激に劣化する。
【００１９】
低融点金属層１１２は、リチウムＬｉ、亜鉛Ｚｎ、ガリウムＧａ、ルビジウムＲｂ、セシウムＣｓ、タリウムＴｌ、ビスマスＢｉ、錫Ｓｎ、インジウムＩｎ、ナトリウムＮａ及びカリウムＫなどの低融点金属を含む。このとき、低融点金属層１１２は、２種以上の低融点金属の合金を含むものでもよい。
リチウムの融点は１気圧で２８０．６９℃（５５３．６９Ｋ）であり、亜鉛の融点は１気圧で４２０．７３℃（６９２．７３Ｋ）であり、カリウムの融点は１気圧で２９．９３℃（３０２．９３Ｋ）であり、ルビジウムＲｂの融点は１気圧で３９．２℃（３１２．２Ｋ）であり、セシウムＣｓの融点は１気圧で２８．６℃（３０１．６Ｋ）であり、タリウムＴｌの融点は１気圧で３０３．６℃（５７６．６Ｋ）であり、ビスマスＢｉの融点は１気圧で２７１．５℃（５４４．５Ｋ）であり、錫の融点は１気圧で２３２．１℃（５０５．１Ｋ）であり、インジウムＩｎの融点は１気圧で１５６．３２℃（４２９．３２Ｋ）であり、ナトリウムＮａの融点は１気圧で９７．９６℃（３７０．９６Ｋ）であり、カリウムＫの融点は１気圧で６３．８℃（３３６．８Ｋ）である。低融点金属層１１２が真空状態で形成される場合、各低融点金属の融点は１気圧での融点より低下する。
【００２０】
このとき、低融点金属層１１２の融点が１５０℃以下であることが望ましい。また、対電極１１０が省略され、低融点金属層１１２に共通電圧が印加されてもよい。低融点金属層１１２の厚さは１０ｎｍ以上であることが望ましい。
複合無機物質膜１１４は、低融点金属層１１２上に配置され、低融点金属層１１２及び有機電界発光素子１５０を外部の汚染物質から保護する。汚染物質は有機電界発光素子１５０の電気的/光学的特性を低下させる水、酸素などである。このとき、複合無機物質膜１１４は、低融点金属層１１２及び有機電界発光素子１５０を追後の工程で発生する熱から保護することもできる。
【００２１】
複合無機物質膜１１４は、２種以上の無機物質が混合され形成される。複合無機物質膜１１４は、酸化ケイ素、炭化ケイ素、酸化リチウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、シリカ・ゲル、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、フッ化マグネシウム及び活性炭からなる群のうち２種以上の無機物質が混合された複合無機物質を含む。このとき、複合無機物質膜１１４の厚さは５０ｎｍないし５００μｍであってもよい。
２種以上の無機物質を混合して形成する複合無機物質膜は、互いに異なる大きさを有する無機分子が充填されているので、一種の無機物質からなる単一膜に比べて薄い厚さで透湿性をさらに低減させることができる。
【００２２】
有機保護膜１１６は、複合無機物質膜１１４上に配置され、複合無機物質膜１１４、低融点金属層１１２及び有機電界発光素子１５０を外部の衝撃から保護する。有機保護膜１１６は、高分子樹脂、パリレン（parylene）などを含む。高分子樹脂は透湿率（ｐｅｒｍｅａｂｉｌｉｔｙ）の小さいエポキシ、シリコン、フッ素樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリウレア、ポリイミドまたはこれらの混合物などを含む。
【００２３】
図３ないし図６は本発明の第１実施形態による平板表示装置の製造方法を示す断面図である。
図３に示すように、まず、基板１００上に金属を蒸着する。続いて、蒸着された金属の一部をエッチングして、第１ゲート電極１０５ｂ、ゲートライン１０５ｂ’及び第２ゲート電極１０８ｂを形成する。
続いて、第１ゲート電極１０５ｂ、ゲートライン１０５ｂ’及び第２ゲート電極１０８ｂが形成された基板１００上に絶縁性物質を蒸着する。続いて、蒸着された絶縁性物質の一部をエッチングして、第１ドレイン電極１０５ａを第２ゲート電極１０８ｂに電気的に連結する補助コンタクトホールを有するゲート絶縁膜１０１ａを形成する。
【００２４】
以後、第１ゲート電極１０５ｂ及び第２ゲート電極１０８ｂに対応するゲート絶縁膜１０１ａ上にアモルファスシリコンパターン及びＮ＋アモルファスシリコンパターンを形成して、第１半導体層パターン及び第２半導体層パターンを形成する。
続いて、第１半導体層パターン及び第２半導体層パターンが形成されたゲート絶縁膜１０１ａ上に、金属を蒸着する。続いて、蒸着された金属の一部をエッチングして、第１ソース電極１０５ｃ、データライン１０５ｃ’、第１ドレイン電極１０５ａ、第２ドレイン電極１０８ａ、バイアスライン１０８ａ’、第２ソース電極１０８ｃ及び蓄積容量１０３を形成する。従って、基板１００上に第１ソース電極１０５ｃ、第１ゲート電極１０５ｂ、第１ドレイン電極１０５ａ及び第１半導体層パターンを有するスイッチングトランジスタ１０７と第２ドレイン電極１０８ａ、第２ゲート電極１０８ｂ、第２ソース電極１０８ｃ及び第２半導体層パターンを有する駆動トランジスタ１０９が形成される。
【００２５】
以後、スイッチングトランジスタ１０７、駆動トランジスタ１０９、ゲートライン１０５ｂ’、データライン１０５ｃ’及びバイアスライン１０８ａ’が形成された基板１００上に、絶縁性物質を蒸着する。続いて、蒸着された絶縁性物質をエッチングして、第２ソース電極１０８ｃの一部を露出するコンタクトホールを有する絶縁膜１０１ｂを形成する。絶縁膜１０１ｂは、無機物質膜または有機膜を含み得る。
続いて、絶縁膜１０１ｂ上に金属を蒸着する。以後、蒸着された金属の一部をエッチングして画素電極１０２を形成する。画素電極１０２は、コンタクトホールを通じて第２ソース電極１０８ｃと電気的に連結される。
【００２６】
続いて、画素電極１０２が形成された絶縁膜１０１ｂ上に、フォトレジストを含む有機物を塗布する。続いて、写真工程を通じて、塗布された有機物の一部を除去して、凹部を有するバンク１０４を形成する。写真工程は露光段階及び現像段階を含む。
以後、インクジェット方法を利用して、凹部内に有機発光物質を滴下して有機発光層１０６を形成する。
続いて、有機発光層１０６及びバンク１０４上に導電性物質を蒸着して対電極１１０を形成する。
従って、ゲート絶縁膜１０１ａ、絶縁膜１０１ｂ、画素電極１０２、バンク１０４、有機発光層１０６、スイッチングトランジスタ１０７、駆動トランジスタ１０９及び対電極１１０を含む有機電界発光素子１５０が基板１００上に形成される。
【００２７】
図７は、本発明の第１実施形態による低融点金属及び複合無機物質を蒸着する熱蒸着装置を示す断面図である。
図７に示すように、熱蒸着装置はチャンバ２００、基板固定ユニット２０２、低融点金属供給ユニット２０５及び複合無機物質供給ユニット２０７を含む。
有機電界発光素子１５０が形成された基板１００は、基板固定ユニット２０２上に配置される。
【００２８】
低融点金属供給ユニット２０５は、チャンバ２００内に基板固定ユニット２０２に対向して配置される。低融点金属供給ユニット２０５は、低融点金属加熱部２０４ｂ及び低融点金属加熱部２０４ｂ上に配置された低融点金属ソース２０４ａを含む。
複合無機物質供給ユニット２０７は、チャンバ２００内に基板固定ユニット２０２に対向して配置され、低融点金属供給ユニット２０５と離隔されて配置される。複合無機物質供給ユニット２０７は、複合無機物質加熱部２０６ｂ及び複合無機物質加熱部２０４ｂ上に配置された複合無機物質ソース２０６ａを含む。
【００２９】
図４及び図７に示すように、続いて、低融点金属加熱部２０４ｂが、第１電流Ｉ１を用いて３００℃以下の温度で低融点金属ソース２０４ａを加熱し、低融点金属ソース２０４ａ上の金属分子を基板１００の側に放出する。放出された金属分子のうち一部が、有機電界発光素子１５０上に蒸着されて低融点金属層１１２を形成する。このとき、金属加熱部２０４ｂが１５０℃以下の温度で低融点金属ソース２０４ａを加熱してもよい。
図５及び図７に示すように、以後、複合無機物質加熱部２０６ｂが第２電流Ｉ２を用いて複合無機物質ソース２０６ａを加熱して、複合無機物質ソース２０６ａ上の無機分子を基板１００側に放出する。複合無機物質膜１１４の透湿性は蒸着温度に反比例する。このとき、複合無機物質加熱部２０６ｂが、複合無機物質ソース２０６ａを２００℃以上の温度で加熱してもよい。複合無機物質加熱部２０６ｂが、複合無機物質ソース２０６ａを２００℃以上の温度で加熱しても、低融点金属層１１２が有機電界発光素子１５０を熱から保護して有機電界発光素子１５０の特性を向上する。また、複合無機物質加熱部２０６ｂが、複合無機物質ソース２０６ａを３００℃以上の温度で加熱してもよい。放出された無機分子のうち一部が、低融点金属層１１２上に蒸着されて複合無機物質膜１１４を形成する。
【００３０】
このとき、低融点金属層１１２及び／または複合無機物質膜１１は、が物理的気相蒸着ＰＶＤによって形成されてもよい。
図６に示すように、続いて複合無機物質膜１１４上に透湿性の低い高分子樹脂を塗布して有機保護膜１１６を形成する。高分子樹脂はスクリーン印刷方法、スリットコーティング方法、キャピラリーコーティング方法などを用いて塗布される。高分子樹脂を２００℃以上の温度で塗布しても、複合無機物質膜１１４及び低融点金属層１１２が有機電界発光素子１５０を熱から保護する。高分子樹脂を２００℃以上の高温で塗布する場合、透湿性の低い良質の保護膜が形成される。
【００３１】
前記のような本実施形態によると、対電極１１０上に低融点金属層１１２を形成して有機電界発光素子１５０を熱から保護する。また、複合無機物質膜１１４が２種以上の無機物質が混合された複合無機物質を含んで有機電界発光素子１５０を外部の汚染物質から保護する。
【００３２】
（実施形態２）
図８は本発明の第２実施形態による平板表示装置を示す断面図である。本実施形態において、低融点金属層を除いた残りの構成要素は実施形態１と同一であるので重複する部分については詳細な説明を省略する。
図１及び図８に示すように、平板表示装置は、基板１００、有機電界発光素子１５０、蓄積容量１０３、低融点金属層１１３、複合無機物質膜１１４及び有機保護膜１１６を含む。
【００３３】
有機電界発光素子１５０は、ゲート絶縁膜１０１ａ、絶縁膜１０１ｂ、画素電極１０２、バンク１０４、有機発光層１０６、スイッチングトランジスタ１０７、駆動トランジスタ１０９及び対電極１１０を含む。
スイッチングトランジスタ１０７は、データライン１０５ｃ’に電気的に連結された第１ソース電極１０５ｃ、ゲートライン１０５ｂ’に電気的に連結された第１ゲート電極１０５ｂ、第１ドレイン電極１０５ａ及び第１半導体層パターン(図示せず)を含む。
駆動トランジスタ１０９は、バイアスライン１０８ａ’に電気的に連結された第２ドレイン電極１０８ａ、補助コンタクトホールを通じてスイッチングトランジスタ１０７の第１ドレイン電極１０５ａに電気的に連結された第２ゲート電極１０８ｂ及び第２ソース電極１０８ｃを含む。
低融点金属層１１３は、有機電界発光素子１５０上に配置されて有機電界発光素子１５０を保護する。望ましくは、低融点金属層１１３の融点は、１気圧で１５０℃以下である。
【００３４】
低融点金属層１１３は、リチウムLｉ、亜鉛Ｚｎ、ガリウムＧａ、ルビジウムＲｂ、セシウムＣｓ、タリウムＴｌ、ビスマスＢｉ、錫Ｓｎ、インジウムＩｎ、ナトリウムＮａ及びカリウムＫなどの低融点金属のうち２種以上の合金を含む。合金の融点は合金内に含まれている低融点金属の融点より低い。
前記のような本実施形態によると、低融点金属層１１３が合金を含み、一種の低融点金属のみを有する低融点金属層より低い温度で蒸着され、有機電界発光素子１５０の熱的変形が防止される。
【００３５】
また、合金内では互いに異なる大きさを有する金属分子が充填され、低融点金属層１１３の透湿率が一種の低融点金属のみを有する低融点金属層より減少する。また、低融点金属層１１３の表面は、一種の低融点金属のみを有する低融点金属層の表面より不規則で、低融点金属層１１３上に形成され、複合無機物質膜１１４の結晶化を防止する。従って、複合無機物質膜１１４の透湿性が減少する。
【００３６】
（実施形態３）
図９は本発明の第３実施形態による平板表示装置を示す断面図である。本実施形態において、低融点金属層及び吸収層を除いた残りの構成要素は実施形態１と同一であるので重複する部分については詳細な説明を省略する。
図１及び図９に示すように、平板表示装置は、基板１００、有機電界発光素子１５０、蓄積容量１０３、低融点金属層１１３、吸収層１１８、複合無機物質膜及び有機保護膜１１６を含む。
有機電界発光素子１５０は、ゲート絶縁膜１０１ａ、絶縁膜１０１ｂ、画素電極１０２、バンク１０４、有機発光層１０６、スイッチングトランジスタ１０７、駆動トランジスタ１０９及び対電極１１０を含む。
【００３７】
スイッチングトランジスタ１０７は、データライン１０５ｃ’に電気的に連結された第１ソース電極１０５ｃ、ゲートライン１０５ｂ’に電気的に連結された第１ゲート電極１０５ｂ、第１ドレイン電極１０５ａ及び第１半導体層パターン(図示せず)を含む。
駆動トランジスタ１０９は、バイアスライン１０８ａ’に電気的に連結された第２ドレイン電極１０８ａ、補助コンタクトホールを通じてスイッチングトランジスタ１０７の第１ドレイン電極１０５ａに電気的に連結された第２ゲート電極１０８ｂ、及び第２ソース電極１０８ｃを含む。
低融点金属層１１３は、有機電界発光素子１５０上に配置され、リチウムLｉ、亜鉛Ｚｎ、ガリウムＧａ、ルビジウムＲｂ、セシウムＣｓ、タリウムＴｌ、ビスマスＢｉ、錫Ｓｎ、インジウムＩｎ、ナトリウムＮａ及びカリウムＫなどの低融点金属のうち２種以上の合金を含む。
【００３８】
吸収層１１８は、低融点金属層１１３上に配置され、有機電界発光素子１５０及び前記低融点金属層１１３を外部の水分から保護する。吸収層１１８は無機ケイ素、炭化ケイ素、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウムまたは活性炭のような吸収性物質を含む。
複合無機物質膜１１４は、吸収層１１８上に配置され、吸収層１１８、低融点金属層１１３及び有機電界発光素子１５０を外部の汚染物質から保護する。また、複合無機物質膜１１４は、吸収層１１８、低融点金属層１１３及び有機電界発光素子１５０を外部の衝撃から保護することもできる。
【００３９】
有機保護膜１１６は、複合無機物質膜１１４上に配置され、複合無機物質膜１１４、吸収層１１８、低融点金属層１１３及び有機電界発光素子１５０を外部の衝撃から保護する。また、有機保護膜１１６は、複合無機物質膜１１４、吸収層１１８、低融点金属層１１３及び有機電界発光素子１５０を外部の汚染物質から保護することもできる。
【００４０】
図１０ないし図１２は本発明の第３実施形態による平板表示装置の製造方法を示す断面図である。
図１０に示すように、まず、基板１００上に有機電界発光素子１５０を形成する。
続いて、有機電界発光素子１５０上に低融点金属の合金を蒸着して低融点金属層１１３を形成する。
【００４１】
図１１に示すように、以後、低融点金属層１１３上に吸収性物質を蒸着して吸収層１１８を形成する。
図１２に示すように、続けて、吸収層１１８上に複合無機物質を蒸着して複合無機物質膜１１４を形成する。
低融点金属層１１３、吸収層１１８及び複合無機物質膜１１４は、物理的気相蒸着ＰＶＤ、熱蒸着などを通じて形成されることができる。このとき、低融点金属層１１３、吸収層１１８及び複合無機物質膜１１４が現場で蒸着されてもよい。
以後、複合無機物質膜１１４上に高分子樹脂を塗布して、有機保護膜１１６を形成する。
前記のような本実施形態によると、吸収層１１８が低融点金属層１１３と複合無機物質膜１１４との間に配置され、有機電界発光素子１５０を外部の水分から保護する。
【００４２】
（実施形態４）
図１３は、本発明の第４実施形態による平板表示装置を示す断面図である。本実施形態において、低融点金属層、吸収層及び補助無機物質膜を除いた残りの構成要素は実施形態１と同一であるので重複する部分については詳細な説明を省略する。
図１及び図１３に示すように、平板表示装置は基板１００、有機電界発光素子１５０、蓄積容量１０３、低融点金属層１１３、複合無機物質膜１１４、吸収層１１８、補助無機物質膜１１５及び有機保護膜１１６を含む。
【００４３】
有機電界発光素子１５０は、ゲート絶縁膜１０１ａ、絶縁膜１０１ｂ、画素電極１０２、バンク１０４、有機発光層１０６、スイッチングトランジスタ１０７、駆動トランジスタ１０９及び対電極１１０を含む。
スイッチングトランジスタ１０７は、データライン１０５ｃ’に電気的に連結された第１ソース電極１０５ｃ、ゲートライン１０５ｂ’に電気的に連結された第１ゲート電極１０５ｂ、第１ドレイン電極１０５ａ及び第１半導体層パターン(図示せず)を含む。
駆動トランジスタ１０９は、バイアスライン１０８ａ’に電気的に連結された第２ドレイン電極１０８ａ、補助コンタクトホールを通じてスイッチングトランジスタ１０７の第１ドレイン電極１０５ａに電気的に連結された第２ゲート電極１０８ｂ及び第２ソース電極１０８ｃを含む。
【００４４】
低融点金属層１１３は、有機電界発光素子１５０上に配置され、リチウムLｉ、亜鉛Ｚｎ、ガリウムＧａ、ルビジウムＲｂ、セシウムＣｓ、タリウムＴｌ、ビスマスＢｉ、錫Ｓｎ、インジウムＩｎ、ナトリウムＮａ及びカリウムＫなどの低融点金属のうち２種以上の合金を含む。
複合無機物質膜１１４は、低融点金属層１１３上に配置され、低融点金属層１１３及び有機電界発光素子１５０を外部の汚染物質から保護する。
吸収層１１８は、複合無機物質膜１１４上に配置され、複合無機物質膜１１４、低融点金属層１１８及び有機電界発光素子１５０を外部の水分から保護する。
【００４５】
補助無機物質膜１１５は、吸収層１１８上に配置され、吸収層１１８、複合無機物質膜１１４、低融点金属層１１３及び有機電界発光素子１５０を外部の汚染物質から保護する。
補助無機物質膜１１５は、酸化ケイ素、炭化ケイ素、酸化リチウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、シリカ・ゲル、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、フッ化マグネシウム及び活性炭などの無機物質を含む。このとき、補助無機物質膜１１５が無機物質のうち２種以上が混合された複合無機物質を含むことができる。
【００４６】
有機保護膜１１６は、補助無機物質膜１１５、吸収層１１８、複合無機物質膜１１４、低融点金属層１１３及び有機電界発光素子１５０を外部の衝撃から保護する。
このとき、平板表示装置は複数の無機物質膜及び/または複数の有機保護膜をさらに含むものでもよい。
【００４７】
図１４ないし図１７は本発明の第４実施形態による平板表示装置の製造方法を示す断面図である。
図１４に示すように、まず、基板１００上に有機電界発光素子１５０を形成する。
続いて、有機電界発光素子１５０上に低融点金属の合金を蒸着して、低融点金属層１１３を形成する。
続いて、低融点金属層１１３上に複合無機物質を蒸着して、複合無機物質膜１１４を形成する。
図１５に示すように、以後、複合無機物質膜１１４上に吸収性物質を蒸着して、吸収層１１８を形成する。
図１６に示すように、続けて、吸収層１１８上に無機物質または複合無機物質を蒸着して、補助無機物質膜１１５を形成する。
低融点金属層１１３、複合無機物質膜１１４、吸収層１１８及び補助無機物質膜１１５は、物理的気相蒸着ＰＶＤ、熱蒸着などを通じて形成してもよい。このとき、低融点金属層１１３、複合無機物質膜１１４、吸収層１１８及び補助無機物質膜１１５が現場で蒸着されてもよい。
【００４８】
図１７に示すように、続いて、補助無機物質膜１１５上に高分子樹脂を塗布して、有機保護膜１１６を形成する。
前記のような本実施形態によると、板表示装置は、複合無機物質膜１１４上に配置された吸収層１１８、及び吸収層１１８上に配置された補助無機物質膜１１５を塗布して、有機電界発光素子１５０を外部の汚染物質から保護する。
【００４９】
理論により本発明の範囲を限定するのではないが、１種の無機物質のみを含む無機物質膜内の分子の大きさは互いに同一である。しかし、複合無機物質膜は、混合された互いに異なる大きさを有する無機物質分子を含む。無機物質分子が互いに異なる大きさを有し互いに混合された場合、大きい分子の間に小さい分子が充填され、複合無機物質膜の空隙が一種の無機物質のみを有する無機物質膜の空隙より小さくなる。
また、一種の低融点金属のみを含む低融点金属層内の分子の大きさは互いに同一である。しかし、合金を有する低融点金属層は、混合された２種以上の低融点金属を含む。低融点金属分子が互いに異なる大きさを有する場合、大きい分子の間に小さい分子が充填され、合金を有する低融点金属層が一種の低融点金属のみを有する低融点金属層より小さい構造を有する。
【００５０】
さらに、合金の融点は純水な金属の融点より低いので、混合された構造を有する低融点金属層の融点は、一種の低融点金属のみを有する低融点金属層の融点より低い。従って、融点が３００℃以上である亜鉛、タンタルなどの金属を含む合金の融点が１５０℃以下であることもできる。
低融点金属層が合金の場合、低融点金属層上に形成される複合無機物質膜の結晶化を防止して複合無機物質膜の透湿性が減少される。一般に、非晶質無機物質の透湿性は、多結晶無機物質の透湿性より小さい。合金を有する低融点金属層の表面は、一種の低融点金属のみを有する低融点金属層の表面より不規則であり、合金を有する低融点金属層上に蒸着される複合無機物質の結晶化を防止する。
【００５１】
前記のような本発明によると、低融点金属層が有機電界発光素子を熱から保護し、有機電界発光素子の特性が向上する。また、低融点金属層が合金を含み、低融点金属層を１５０℃以下の低い温度で形成することができ、上部に蒸着される複合無機物質膜の結晶化を防止する。さらに、複合無機物質膜が、複数の無機物質が混合された無機物質を含むので透湿性が減少する。また、複合無機物質の組成を変更しても、複合無機物質膜と基板との間の構造的不適合及び熱膨張係数の不適合により応力が減少され、製造工程が単純となる。
【００５２】
さらに、低融点金属層及び複合無機物質膜が同一のチャンバ内で現場で形成することができるので、製造工程が単純となり、工程時間が減少し、収率が増加する。
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１は、本発明の一実施形態による平板表示装置を示す平面図である。
【図２】図２は図１のA−A’線に沿った断面図である。
【図３】図３は本発明の第１実施形態による平板表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】図４は本発明の第１実施形態による平板表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】図５は本発明の第１実施形態による平板表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】図６は本発明の第１実施形態による平板表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】図７は本発明の第１実施形態による低融点金属及び複合無機物質を蒸着する熱蒸着装置を示す断面図である。
【図８】図８は本発明の第２実施形態による平板表示装置を示す断面図である。
【図９】図９は本発明の第３実施形態による平板表示装置を示す断面図である。
【図１０】図１０は本発明の第３実施形態による平板表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】図１１は本発明の第３実施形態による平板表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１２】図１２は本発明の第３実施形態による平板表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１３】図１３は本発明の第４実施形態による平板表示装置を示す断面図である。
【図１４】図１４は本発明の第４実施形態による平板表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１５】図１５は本発明の第４実施形態による平板表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１６】図１６は本発明の第４実施形態による平板表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１７】図１７は本発明の第４実施形態による平板表示装置の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１００      基板
１０１ａ      ゲート絶縁膜
１０１ｂ      絶縁膜
１０２      画素電極
１０３      蓄積容量
１０４      バンク
１０５ａ      第１ドレイン電極
１０５ｂ      第１ゲート電極
１０５ｂ’      ゲートライン
１０５ｃ      第１ソース電極
１０５ｃ’      データライン
１０６      有機発光層
１０７      スイッチングトランジスタ
１０８ａ      第２ドレイン電極
１０８ａ’      バイアスライン
１０８ｂ      第２ゲート電極
１０８ｃ      第２ソース電極
１０９      駆動トランジスタ
１１０      対電極
１１２、１１３      低融点金属層
１１４      複合無機物質膜
１１５      補助無機物質膜
１１６      有機保護膜
１１８      吸収層
１５０      有機電界発光素子
２００      チャンバ
２０２      基板固定ユニット
２０４ａ      低融点金属ソース
２０４ｂ      低融点金属加熱部
２０５      低融点金属供給ユニット
２０６ａ      複合無機物質ソース
２０６ｂ      複合無機物質加熱部
２０７      複合無機物質供給ユニット
【図１】
2005310770.tif 000003
【図２】
2005310770.tif 000004
【図３】
2005310770.tif 000005
【図４】
2005310770.tif 000006
【図５】
2005310770.tif 000007
【図６】
2005310770.tif 000008
【図７】
2005310770.tif 000009
【図８】
2005310770.tif 000010
【図９】
2005310770.tif 000011
【図１０】
2005310770.tif 000012
【図１１】
2005310770.tif 000013
【図１２】
2005310770.tif 000014
【図１３】
2005310770.tif 000015
【図１４】
2005310770.tif 000016
【図１５】
2005310770.tif 000017
【図１６】
2005310770.tif 000018
【図１７】
2005310770.tif 000019