(57)【要約】      （修正有）【課題】ＣＶＤ法において有用な有機銅錯体の提供。【解決手段】  次式で表される有機銅錯体。2005247832.tif 000009（この式のＸはＯ又はＮＲ9を表し、Ｒ1及びＲ3はＣ1〜8アルキル、Ｃ1〜8フルオロアルキル、等から構成され、Ｒ2はＨ、Ｃ1〜8アルキル、Ｃ1〜8アルコキシ及びハロゲンであり、Ｒ9はＣ1〜8アルキル、等であり、Ｌは構造式          （Ｒ4）（Ｒ5）Ｃ＝（Ｒ6）（Ｒ7）又はＲ4−Ｃ≡Ｃ−Ｒ7（式中のＲ4はＣ1〜8アルカノール、Ｃ1〜8アルコキシアルカノール、等から構成され、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7はＨ、Ｃ1〜8アルキル、トリアルキルシリル、アルコキシ又はフェニルから構成される）を有する配位子を表す）【効果】密着力が優れた薄い金属銅膜を被着でき、被着速度や温度などの膜被着特性を調整できるようになる。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の式により表される一価銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）又は一価銅（＋１）（β−ケトイミナート）（Ｌ）錯体。
【化１】
2005247832.tif 000008
（この式のＸはＯ又はＮＲ9を表し、Ｒ1及びＲ3はおのおの独立に、次の基、すなわちＣ1〜8アルキル、Ｃ1〜8フルオロアルキル、アリール、Ｃ1〜8アルコキシ及びＣ1〜8アルキルエーテルから構成され、そしてＲ2はＨ、Ｃ1〜8アルキル、Ｃ1〜8アルコキシ及びハロゲンであり、Ｒ9はＣ1〜8アルキル、Ｃ1〜8フルオロアルキル、フェニル、アルキルフェニル、トリアルキルシリルであり、そしてＬは次の構造式
（Ｒ4）（Ｒ5）Ｃ＝（Ｒ6）（Ｒ7）又はＲ4−Ｃ≡Ｃ−Ｒ7
（式中のＲ4は次の基、すなわちＣ1〜8アルカノール、Ｃ1〜8アルコキシアルカノール、Ｃ1〜8不飽和アルコキシアルカノール、トリアルキルシラノール、Ｃ1〜8アルキルアミン、フェニルアミンから構成され、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は次の基、すなわちＨ、Ｃ1〜8アルキル、トリアルキルシリル、アルコキシ又はフェニルから構成される）
を有する配位子を表す）
【請求項２】
ＸがＯである、請求項１に記載の錯体。
【請求項３】
Ｒ1及びＲ3が、Ｃ1〜3アルキル及びＣ1〜3フルオロアルキルからなる群から選択される、請求項２に記載の錯体。
【請求項４】
Ｒ2がＨである、請求項３に記載の錯体。
【請求項５】
Ｌが、式
（Ｒ4）（Ｒ5）Ｃ＝（Ｒ6）（Ｒ7）
により表される、請求項４に記載の錯体。
【請求項６】
Ｒ4が（ＣＨ3）2ＣＯＨである、請求項５に記載の錯体。
【請求項７】
Ｒ5、Ｒ6及びＲ7がＨである、請求項６に記載の錯体。
【請求項８】
Ｒ1及びＲ3がＣＦ3である、請求項７に記載の錯体。
【請求項９】
当該化合物のβ−ジケトナート部分が、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン、４−（２，２，２−トリフルオロエチル）イミノ−１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２−ペンタノン、５−（２，２，２−トリフルオロエチル）イミノ−１，１，１，２，２，６，６，６−オクタフルオロ−３−ヘキサノン、及び６−（２，２，２−トリフルオロエチル）イミノ−１，１，１，２，２，３，３，７，７，７−デカフルオロ−４−ヘプタノンからなる群から選択されたβ−ジケトンに由来する、請求項２に記載の錯体。
【請求項１０】
Ｌが、式
Ｒ4−Ｃ≡Ｃ−Ｒ7
により表される、請求項４に記載の錯体。
【請求項１１】
Ｒ4がＣＨ2ＯＨである、請求項１０に記載の錯体。
【請求項１２】
Ｒ7がＨである、請求項１１に記載の錯体。
【請求項１３】
Ｒ1及びＲ3がＣＦ3である、請求項１２に記載の錯体。
【請求項１４】
前記β−ジケトナート部分が１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオンに由来し、そして配位子Ｌが２−メチル−３−ブテン−２−オールに由来する、請求項９に記載の錯体。
【請求項１５】
ＸがＮＲ9である、請求項１に記載の錯体。
【請求項１６】
Ｒ1及びＲ3が、Ｃ1〜3アルキル及びＣ1〜3フルオロアルキルからなる群から選択され、そしてＲ2がＨである、請求項１５に記載の錯体。
【請求項１７】
Ｒ9がＣ1〜3フルオロアルキルである、請求項１６に記載の錯体。
【請求項１８】
Ｌが、式
（Ｒ4）（Ｒ5）Ｃ＝（Ｒ6）（Ｒ7）
により表される、請求項１７に記載の錯体。
【請求項１９】
Ｒ4が（ＣＨ3）2ＣＯＨであり、そしてＲ5、Ｒ6及びＲ7がＨである、請求項１８に記載の錯体。
【請求項２０】
有機金属銅化合物を用いて金属基材上又は基材の導電性部分に銅金属を化学気相成長させるための方法において、該有機金属銅化合物として請求項１に記載の一価銅錯体を用いることを含むことを特徴とする銅金属の化学気相成長方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
エレクトロニクス産業においては、ますます速度が速く且つ情報記憶容量の大きいマイクロプロセッサ及び記憶装置の製造への変わることない流れがある。これは、マイクロプロセッサ内の例えばトランジスタ等のような個々の電気デバイスがますます小さいスケールで製作されることを必要とする。デバイス間の金属の電気配線もまた、縮小化される必要がある。デバイス及び配線の寸法が１ミクロンの四分の一未満に低下するにつれて、配線金属の選択が重要になる。
【０００２】
フッ素化有機金属銅化合物を用いての銅金属の化学気相成長は、上記の用途のためにエレクトロニクス産業において広く用いられている。具体的には、銅金属はＣＶＤ法を用いて金属基材上に又は基材の他の導電性部分に被着される。有機銅錯体が、基材への密着性の良好な金属銅膜を被着しそして抵抗率の小さい銅膜を生じることができる必要条件は、用いられる有機銅錯体及びＣＶＤ法の２つである。
【０００３】
ＣＶＤ法による銅膜の被着のために広く用いられている有機銅錯体の一つのクラスは、銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）錯体であり、ここでの（Ｌ）は安定化配位子、典型的にはシリルオレフィン及び、シリルアルキンを含めて非芳香族不飽和基、を表す。次の特許文献は、エレクトロニクス産業における化学気相成長用の銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）錯体の代表的なものである。
【０００４】
米国特許第５０８５７３１号明細書には、銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）錯体（ここでの（Ｌ）はシリルオレフィン安定化配位子である）に基づいた有機金属錯体が開示されている。これらは、次式
【０００５】
【化１】
2005247832.tif 000002
【０００６】
（この式中のＲ1及びＲ3はおのおの独立にＣ1〜Ｃ8ペルフルオロアルキルであり、Ｒ2はＨ、Ｆ又はＣ1〜Ｃ8ペルフルオロアルキルであり、Ｒ4はＨ、Ｃ1〜Ｃ8アルキル又はＳｉ（Ｒ6）3であり、各Ｒ5は独立にＨ又はＣ1〜Ｃ8アルキルであり、そして各Ｒ6は独立にフェニル又はＣ1〜Ｃ8アルキルである）
により表される。一つのタイプの錯体は、ヘキサン又は他の溶媒中で銅塩、例えば塩化銅を、ヘキサフルオロアセチルアセトンのカリウム塩すなわち（Ｋ+1（ｈｆａｃ）-1）、及びシリルオレフィンと反応させることにより製造される。
【０００７】
米国特許第５１８７３００号明細書には、ＣＶＤ条件下で銅膜を基材の導電性部分に選択的に被着させるのに適した有機金属銅錯体が開示されている。これらの銅錯体は、銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）に基づいており、ここでの（Ｌ）はシリルアルキン安定化配位子である。このタイプの錯体は、シリルアルキン安定化配位子の存在下でのヘキサフルオロアセチルアセトンのカリウム塩と塩化銅との反応により製造される。これらの錯体は、次式
【０００８】
【化２】
2005247832.tif 000003
【０００９】
（この式中のＲ1及びＲ3はおのおの独立にＣ1〜Ｃ8ペルフルオロアルキルであり、Ｒ2はＨ、Ｆ又はＣ1〜Ｃ8ペルフルオロアルキルであり、Ｒ4はＨ、Ｃ1〜Ｃ8アルキル、フェニル又はＳｉ（Ｒ5）3であり、そして各Ｒ5は独立にＣ1〜Ｃ8アルキル又はフェニルである）
を有する。
【００１０】
米国特許第５０９８５１６号明細書には、次式
【００１１】
【化３】
2005247832.tif 000004
【００１２】
（この式中のＲ1及びＲ3はおのおの独立にＣ1〜Ｃ8ペルフルオロアルキルであり、Ｒ2はＨ又はＣ1〜Ｃ8ペルフルオロアルキルであり、そしてＬは一酸化炭素、イソニトリル、又は少なくとも１個の非芳香族不飽和を有する不飽和炭化水素配位子である）
の有機銅化合物が開示されている。これらの銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）化合物もまた、安定化配位子の存在下でのヘキサフルオロアセチルアセトンのカリウム塩と塩化銅との反応により製造される。
【００１３】
米国特許第６０９６９１３号明細書には、不要な銅（＋２）ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）の生成を抑制するために安定化配位子（Ｌ）及び微細銅粉末の存在下でのβ−ジケトンと酸化第一銅との反応による銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）タイプの錯体の合成が開示されている。この方法は、次の式により表される。
２Ｈｈｆａｃ ＋ Ｃｕ2Ｏ ＋ ２(Ｌ) ＝ ２Ｃｕ(＋１)(ｈｆａｃ)(Ｌ) ＋ Ｈ2Ｏ
【００１４】
【特許文献１】米国特許第５０８５７３１号明細書
【特許文献２】米国特許第５１８７３００号明細書
【特許文献３】米国特許第５０９８５１６号明細書
【特許文献４】米国特許第６０９６９１３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）と、例えば銅（＋１）（β−ケトイミナート）（Ｌ）のような、関連銅錯体に関する。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明によれば、好ましい揮発性銅錯体が提供され、そしてそれらは下記に示されるように表される。
【００１７】
【化４】
2005247832.tif 000005
【００１８】
ここ式において、ＸはＯ又はＮＲ9を表し、Ｒ1及びＲ3はおのおの独立に、次の基、すなわちＣ1〜8アルキル、Ｃ1〜8フルオロアルキル、アリール、Ｃ1〜8アルコキシ及びＣ1〜8アルキルエーテルから構成され、そしてＲ2はＨ、Ｃ1〜8アルキル、Ｃ1〜8アルコキシ及びハロゲンであり、Ｒ9はＣ1〜8アルキル、Ｃ1〜8フルオロアルキル、フェニル、アルキルフェニル、トリアルキルシリルであり、Ｌは構造式
（Ｒ4）（Ｒ5）Ｃ＝（Ｒ6）（Ｒ7）又はＲ4−Ｃ≡Ｃ−Ｒ7
（式中のＲ4は次の基、すなわちＣ1〜8アルカノール、Ｃ1〜8アルコキシアルカノール、Ｃ1〜8不飽和アルコキシアルカノール、トリアルキルシラノール、Ｃ1〜8アルキルアミン、フェニルアミンから構成され、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は次の基、すなわちＨ、Ｃ1〜8アルキル、トリアルキルシリル、アルコキシ又はフェニルから構成される）
を有する配位子を表す。
【発明の効果】
【００１９】
これらの独特な銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）及び銅（＋１）（β−ケトイミナート）（Ｌ）錯体を用いて得ることができる多くの利点があり、それらには次のものが含まれる。
・Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＳｉＮ、Ｗ、ＷＮ、ＷＳｉＮのような金属表面及び誘電体表面への密着力が優れた薄い金属銅膜を被着できること。
・ヒドロキシル官能性を有する銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）又は銅（＋１）（β−ケトイミナート）（Ｌ）錯体を他の一価β−ジケトナート又はβ−ケトイミナート銅錯体と混合し、それにより、得られた混合物の膜被着特性、例えば被着速度や温度などを調整できること。
・３５０℃未満の温度にて基材表面の金属部分又は他の導電性部分に銅を選択的に被着できること。
・低温での化学気相成長により銅膜を被着できること。
・高い被着速度での銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）錯体の金属銅への還元を促進できること。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
Ｃｕ（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）錯体（一価銅β−ジケトン錯体生成物と称されることもある）を製造するための基本的方法では、安定化配位子（Ｌ）の存在下且つ溶媒の存在下又は不存在下で、反応性銅化合物を、β−ジケトンのＨ形態又はＫ形態、例えばそれぞれ、フッ素化β−ジケトン、ヘキサフルオロアセチルアセトンのＨ形態（Ｈｈｆａｃ）又はＫ+1形態（Ｋ+ｈｆａｃ-）と反応させる。これらの配位子（Ｌ）は、銅（＋１）β−ジケトナート（Ｌ）錯体を、気化する間とＣＶＤ室への及び金属化されるべきターゲットのシリコンウエハ表面への送給中に安定化させるように作用する。加熱したウエハ表面において、配位子（Ｌ）は脱着して不安定な銅（＋１）（β−ジケトナート）種を残し、そしてこれが不均化を起こして銅金属と二価銅のβ−ジケトナート錯体、すなわちＣｕ+2（β−ジケトナート）2になる。本発明では、オレフィン又はアルキンにアルコール又はアミン官能基が付加した特定の銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）錯体について説明され、そして理論に束縛されたくはないが、該官能基がＣＶＤ反応に水素原子を供与することが可能であり、且つまた潜在的に銅（＋１）種への還元剤として作用することができると考えられる。
【００２１】
特定の銅β−ジケトナート及びβ−ケトイミナート錯体は、次式により表される。
【００２２】
【化５】
2005247832.tif 000006
【００２３】
この式のＸはＯ又はＮＲ9を表し、Ｒ1及びＲ3はおのおの独立に、次の基、すなわちＣ1〜8アルキル、Ｃ1〜8フルオロアルキル、アリール、Ｃ1〜8アルコキシ及びＣ1〜8アルキルエーテルから構成され、そしてＲ2はＨ、Ｃ1〜8アルキル、Ｃ1〜8アルコキシ及びハロゲンであり、Ｒ9はＣ1〜8アルキル、Ｃ1〜8フルオロアルキル、フェニル、アルキルフェニル、トリアルキルシリルであり、Ｌは構造式
（Ｒ4）（Ｒ5）Ｃ＝（Ｒ6）（Ｒ7）又はＲ4−Ｃ≡Ｃ−Ｒ7
（式中のＲ4は次の基、すなわちＣ1〜8アルカノール、Ｃ1〜8アルコキシアルカノール、Ｃ1〜8不飽和アルコキシアルカノール、トリアルキルシラノール、Ｃ1〜8アルキルアミン、フェニルアミンから構成され、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は次の基、すなわちＨ、Ｃ1〜8アルキル、トリアルキルシリル、アルコキシ又はフェニルから構成される）
を有する配位子を表す。
【００２４】
上記において、好ましい化合物には、ＸがＯであり、Ｒ1及びＲ3がＣ1〜3アルキル、典型的にはフルオロアルキル、そして最も好ましくはＣＦ3であり、Ｒ2がＨであり、Ｌがオレフィンである場合Ｒ4がＣ1〜3アルカノール、好ましくは（ＣＨ3）2ＣＯＨであり、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7がＨであるもの、そしてＬがアルキンである場合Ｒ4がＣＨ2ＯＨでありそしてＲ7がＣ1〜3アルキル又はＨであるものが含まれる。
【００２５】
一価銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）及び銅（＋１）（β−ケトイミナート）（Ｌ）錯体生成物を製造するための代表的な反応性銅化合物には、酸化第一銅、塩化第一銅、臭化第一銅、酢酸第一銅、そして一価銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）錯体及び銅（＋１）（β−ケトイミナート）（Ｌ）生成物を製造するのに普通に用いられるその他の適当な銅（＋１）化合物が含まれる。これらの新しい化合物はまた、電気化学的合成により製造することもできる。
【００２６】
銅錯体を製造するのに特に適した代表的なケトン及びケトイミンは、そららから一価銅（＋１）（β−ジケトナート）又は銅（＋１）（β−ケトイミナート）（Ｌ）錯体生成物を合成することができるフッ素化β−ジケトン及びフッ素化β−ケトイミンである。代表的な例には、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン（ここではヘキサフルオロアセチルアセトンと称されることもある）、１，１，１，３，５，５，５−ヘプタフルオロ−２，４−ペンタンジオン、４−（２，２，２−トリフルオロエチル）イミノ−１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２−ペンタノン、５−（２，２，２−トリフルオロエチル）イミノ−１，１，１，２，２，６，６，６−オクタフルオロ−３−ヘキサノンが含まれる。
【００２７】
ＸがＮＲ9である場合の代表的な好ましい化合物では、ケトイミンアニオンにおいてＲはＣＨ3であり、Ｒ1＝Ｒ3＝ＣＦ3であり、Ｒ2＝Ｈであり、Ｒ4＝ＣＨ2ＣＦ3であり、そして配位子（Ｌ）がオレフィンである場合、Ｒ4はＣＨ2ＣＯＨであり、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7はＨである。
【００２８】
向上した密着力及び低抵抗率の銅金属膜を得ることができる、（銅）＋１（β−ジケトナート）（Ｌ）化合物のＸがＯである一般式における、及びＸがＮＲ9である式にて示される（銅）＋１（β−ケトイミナート）（Ｌ）錯体の一般式における、代表的な配位子（Ｌ）としては、ヒドロキシル又はアミンを含有する広範囲の様々なオレフィン及びアルキンを用いることができる。これらには、２−メチル−３−ブテン−２−オール、３−メチル−２−ブテン−１−オール、２−メチル−２−プロペン−１−オール、２−メチル−２−ブテン−１−オール、４−アミノブテン及び２−ブチン−１−オールが含まれるが、しかしそれらに限定はされない。
【００２９】
ヒドロキシル、アミン又は他の活性水素官能基を有する配位子を用いる一価銅錯体と、ヒドロキシル又は他の水素官能基のない配位子を用いる一価錯体との混合は、二つのやり方で行うことができる。例えば、ヒドロキシル、アミン又は他の活性水素官能基を有するタイプの配位子（Ｌ*）を銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）錯体に加えて、動的配位子交換（ＤＬＥ）のプロセスによりその場で銅（＋１）（β−ケトナート）Ｌ*前駆体を作ることができる。この交換では、（Ｌ*）は、銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）錯体の銅の中心への配位のために、（Ｌ）と実際上競合する。この混合物は、銅ＣＶＤチャンバの気化器に直接注入することができる。予期されるように、銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）錯体と銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ*）錯体のこのような混合物は、銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ*）錯体が利用されているＣＶＤ反応器にオレフィン又はアルキン（Ｌ）を注入することにより、あるいは逆に銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）錯体を流しているＣＶＤ反応器にオレフィン又はアルキン（Ｌ*）を注入することにより、製造することもできる。これらのやり方では、所望量の活性水素のオレフィン又はアルキンをＣＶＤ反応に投入する。最も簡単な態様では、これらの混合物を、（Ｌ）及び（Ｌ*）をそれぞれ有する相溶性前駆体を直接混合することにより得ることもできる。
【００３０】
混合用の通常の銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）錯体の製造では、広範囲の様々な非ヒドロキシル又は非有機アミン配位子（Ｌ）を、安定化配位子として用いてもよい。これらには、イソニトリルや、エチレン、ヘキサジエン、ジメチルブテン、ジメチルペンテン、シクロオクテン、１，５−シクロオクタジエン、シクロオクタデカトリエン等のようなオレフィンや、イソプロピルアセチレン、ジフェニルアセチレンのようなアセチレン型化合物が含まれる。シリルオレフィン及びシリルアセチレンには、トリメチルビニルシラン（ＴＭＶＳ）及びトリメチルシリルプロピン（ＴＭＳＰ）が含まれる。混合用の代表的な一価銅に基づいたβ−ジケトンの錯体は、下記の式により表される。
【００３１】
【化６】
2005247832.tif 000007
【００３２】
この式のＸはＯ又はＮＲ9を表し、Ｒ1及びＲ3はおのおの独立に、次の基、すなわちＣ1〜8アルキル、Ｃ1〜8フルオロアルキル、アリール、Ｃ1〜8アルコキシ及びＣ1〜8アルキルエーテルから構成され、そしてＲ2はＨ、又はＣ1〜8フルオロアルキル、アルキル、アルコキシ、ハロゲンである。Ｒ9は、Ｃ1〜8アルキル、Ｃ1〜8フルオロアルキル、フェニル、アルキルフェニル、トリアルキルシリルである。配位子部分において、Ｌは、一酸化炭素、イソニトリル、又は少なくとも１個の非芳香族不飽和を有する不飽和炭化水素配位子である。
【００３３】
理論により縛られるつもりはないが、これらの前駆体は配位している配位子（Ｌ）から基材表面に水素を供与することが可能であり、そうする際にフルオロカーボン含有種の被着を減らして基材への銅の密着力を向上させるのを助けることから、向上した密着力が得られるものと考えられる。
【実施例】
【００３４】
以下の例は、本発明の様々な態様を説明しようとするものである。
【００３５】
一般的合成手順：
銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）錯体生成物を、次の一般的手順に従って合成することができる。
（ａ）機械式撹拌機を備えた反応容器を用意し、そしてＮ2でパージする。
（ｂ）０．７モルのＣｕ2Ｏ及び０．１５モルの粉末Ｃｕを反応容器に入れる。
（ｃ）次いで、１．８５モルの配位子（Ｌ）又は（Ｌ*）を反応容器に入れ、そして混合物を強く撹拌して粉末を完全に湿潤させる。
（ｄ）次いで、容器を水浴中に配置し、１２℃まで冷却する。
（ｅ）この時点で、１．４４モルのヘキサフルオロアセチルアセトン（Ｈｆａｃ）を、毎分５ｍｌのＨｆａｃの速度で容器に添加する。
（ｆ）工程（ｅ）の物質を添加後、反応物を嫌気性環境で一晩撹拌する。
（ｇ）反応物を２４時間撹拌したならば、０．２ミクロンフィルターを通してろ過することにより生成物を回収し、そして嫌気性環境で保管する。
（ｈ）次いで、シリカ及び／又はアルミナゲルによる化学吸着、モレキュラーシーブ、イオン交換樹脂、活性炭、真空及び／又はスパージストリッピング、逆浸透、膜分離、そして水／液体分離技術を用いることを含め、更なる精製手段を用いて、不純物、過剰の未反応出発物質及び水を除去する。
【００３６】
（例１）  銅（＋１）（ｈｆａｃ）（２−メチル−３−ブテン−２−オール）の合成
工程（ｃ）における配位子として２−メチル−３−ブテン−２−オールを用いて上記の一般的合成を使用して、一価銅（＋１）（ｈｆａｃ）（２−メチル−３−ブテン−２−オール）を合成する実験を行った。その後、得られた溶液をろ過し、そして通常のやり方で精製して、未反応物質と、存在しうる銅（＋２）種及び反応混合物中において生成される縮合水を除去した。最終生成物をＸ線結晶解析により同定した。収率は９５％であった。
【００３７】
（例２）  銅（＋１）（ｈｆａｃ）（２−メチル−３−ブテン−２−オール）を使用する銅金属の化学気相成長（ＣＶＤ）
銅（＋１）（ｈｆａｃ）（２−メチル−３−ブテン−２−オール）（試料１）を用いて、タンタル表面上で通常のやり方でもって銅のＣＶＤを行った。被着に続いて、金属銅膜を密着力及び抵抗率について評価した。基準物質としての従来技術の銅（＋１）（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）トリメチルビニルシラン錯体（試料２）との比較を行った。
【００３８】
Ｃｕ（ｈｆａｃ）（２−メチル−３−ブテン−２−オール）被着プロセスのパラメーター：
チャンバ温度：１８０℃、典型的範囲：１５０〜２２５℃
チャンバ圧力：１．５Ｔｏｒｒ、典型的範囲：０．２〜５Ｔｏｒｒ
前駆体流量：０．１〜０．２ｍｌ／ｍｉｎ、典型的範囲：０．０５〜２ｍｌ／ｍｉｎ
不活性キャリヤ（Ｈｅ）流量：２１０ｓｃｃｍ、典型的範囲：０〜１０００ｓｃｃｍ
アニール温度：４００℃、周囲圧の生成用ガス中で３０分
【００３９】
アニール前の試料１の抵抗率：１３〜１５μΩ・ｃｍ
アニール後の試料１の抵抗率：２．０〜３．０
アニール前の試料１の密着力：３（相対尺度＝１〜４）
アニール後の試料１の密着力：４（相対尺度＝１〜４）
試料２のＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ基準物質：アニール前にて１、アニール後にて２〜３（相対尺度１〜４）
【００４０】
要約すると、新規の且つ改良されたクラスの銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）錯体生成物の合成及び製造により、別の金属であるにもかかわらず、Ｔａ、ＴａＮ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、ＴｉＮ及びＷのような金属表面上に、銅の高導電性薄膜を被着するのが可能になる。密着力が良好で応力の小さい銅の膜を被着して、生成用ガス（Ｎ2中に５％Ｈ2）中での４００℃にて３０分間のアニール後におよそ２マイクロオーム・ｃｍ（μΩ・ｃｍ）の抵抗率を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の式により表される一価銅（＋１）（β−ジケトナート）（Ｌ）又は一価銅（＋１）（β−ケトイミナート）（Ｌ）錯体。
【化１】
2005247832.tif 000010
（この式のＸはＯ又はＮＲ9を表し、Ｒ1及びＲ3はおのおの独立に、次の基、すなわちＣ1〜8アルキル、Ｃ1〜8フルオロアルキル、アリール、Ｃ1〜8アルコキシ及びＣ1〜8アルキルエーテルから構成され、そしてＲ2はＨ、Ｃ1〜8アルキル、Ｃ1〜8アルコキシ及びハロゲンであり、Ｒ9はＣ1〜8アルキル、Ｃ1〜8フルオロアルキル、フェニル、アルキルフェニル、トリアルキルシリルであり、そしてＬは次の構造式
（Ｒ4）（Ｒ5）Ｃ＝Ｃ（Ｒ6）（Ｒ7）又はＲ4−Ｃ≡Ｃ−Ｒ7
（式中のＲ4は次の基、すなわちＣ1〜8アルカノール、Ｃ1〜8アルコキシアルカノール、Ｃ1〜8不飽和アルコキシアルカノール、トリアルキルシラノール、Ｃ1〜8アルキルアミン、フェニルアミンから構成され、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は次の基、すなわちＨ、Ｃ1〜8アルキル、トリアルキルシリル、アルコキシ又はフェニルから構成される）
を有する配位子を表す）
【請求項２】
ＸがＯである、請求項１に記載の錯体。
【請求項３】
Ｒ1及びＲ3が、Ｃ1〜3アルキル及びＣ1〜3フルオロアルキルからなる群から選択される、請求項２に記載の錯体。
【請求項４】
Ｒ2がＨである、請求項３に記載の錯体。
【請求項５】
Ｌが、式
（Ｒ4）（Ｒ5）Ｃ＝Ｃ（Ｒ6）（Ｒ7）
により表される、請求項４に記載の錯体。
【請求項６】
Ｒ4が（ＣＨ3）2ＣＯＨである、請求項５に記載の錯体。
【請求項７】
Ｒ5、Ｒ6及びＲ7がＨである、請求項６に記載の錯体。
【請求項８】
Ｒ1及びＲ3がＣＦ3である、請求項７に記載の錯体。
【請求項９】
当該化合物のβ−ジケトナート部分が、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン、４−（２，２，２−トリフルオロエチル）イミノ−１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２−ペンタノン、５−（２，２，２−トリフルオロエチル）イミノ−１，１，１，２，２，６，６，６−オクタフルオロ−３−ヘキサノン、及び６−（２，２，２−トリフルオロエチル）イミノ−１，１，１，２，２，３，３，７，７，７−デカフルオロ−４−ヘプタノンからなる群から選択されたβ−ジケトンに由来する、請求項２に記載の錯体。
【請求項１０】
Ｌが、式
Ｒ4−Ｃ≡Ｃ−Ｒ7
により表される、請求項４に記載の錯体。
【請求項１１】
Ｒ4がＣＨ2ＯＨである、請求項１０に記載の錯体。
【請求項１２】
Ｒ7がＨである、請求項１１に記載の錯体。
【請求項１３】
Ｒ1及びＲ3がＣＦ3である、請求項１２に記載の錯体。
【請求項１４】
前記β−ジケトナート部分が１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオンに由来し、そして配位子Ｌが２−メチル−３−ブテン−２−オールに由来する、請求項９に記載の錯体。
【請求項１５】
ＸがＮＲ9である、請求項１に記載の錯体。
【請求項１６】
Ｒ1及びＲ3が、Ｃ1〜3アルキル及びＣ1〜3フルオロアルキルからなる群から選択され、そしてＲ2がＨである、請求項１５に記載の錯体。
【請求項１７】
Ｒ9がＣ1〜3フルオロアルキルである、請求項１６に記載の錯体。
【請求項１８】
Ｌが、式
（Ｒ4）（Ｒ5）Ｃ＝Ｃ（Ｒ6）（Ｒ7）
により表される、請求項１７に記載の錯体。
【請求項１９】
Ｒ4が（ＣＨ3）2ＣＯＨであり、そしてＲ5、Ｒ6及びＲ7がＨである、請求項１８に記載の錯体。
【請求項２０】
有機金属銅化合物を用いて金属基材上又は基材の導電性部分に銅金属を化学気相成長させるための方法において、該有機金属銅化合物として請求項１に記載の一価銅錯体を用いることを含むことを特徴とする銅金属の化学気相成長方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ここ式において、ＸはＯ又はＮＲ9を表し、Ｒ1及びＲ3はおのおの独立に、次の基、すなわちＣ1〜8アルキル、Ｃ1〜8フルオロアルキル、アリール、Ｃ1〜8アルコキシ及びＣ1〜8アルキルエーテルから構成され、そしてＲ2はＨ、Ｃ1〜8アルキル、Ｃ1〜8アルコキシ及びハロゲンであり、Ｒ9はＣ1〜8アルキル、Ｃ1〜8フルオロアルキル、フェニル、アルキルフェニル、トリアルキルシリルであり、Ｌは構造式
（Ｒ4）（Ｒ5）Ｃ＝Ｃ（Ｒ6）（Ｒ7）又はＲ4−Ｃ≡Ｃ−Ｒ7
（式中のＲ4は次の基、すなわちＣ1〜8アルカノール、Ｃ1〜8アルコキシアルカノール、Ｃ1〜8不飽和アルコキシアルカノール、トリアルキルシラノール、Ｃ1〜8アルキルアミン、フェニルアミンから構成され、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は次の基、すなわちＨ、Ｃ1〜8アルキル、トリアルキルシリル、アルコキシ又はフェニルから構成される）
を有する配位子を表す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この式のＸはＯ又はＮＲ9を表し、Ｒ1及びＲ3はおのおの独立に、次の基、すなわちＣ1〜8アルキル、Ｃ1〜8フルオロアルキル、アリール、Ｃ1〜8アルコキシ及びＣ1〜8アルキルエーテルから構成され、そしてＲ2はＨ、Ｃ1〜8アルキル、Ｃ1〜8アルコキシ及びハロゲンであり、Ｒ9はＣ1〜8アルキル、Ｃ1〜8フルオロアルキル、フェニル、アルキルフェニル、トリアルキルシリルであり、Ｌは構造式
（Ｒ4）（Ｒ5）Ｃ＝Ｃ（Ｒ6）（Ｒ7）又はＲ4−Ｃ≡Ｃ−Ｒ7
（式中のＲ4は次の基、すなわちＣ1〜8アルカノール、Ｃ1〜8アルコキシアルカノール、Ｃ1〜8不飽和アルコキシアルカノール、トリアルキルシラノール、Ｃ1〜8アルキルアミン、フェニルアミンから構成され、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は次の基、すなわちＨ、Ｃ1〜8アルキル、トリアルキルシリル、アルコキシ又はフェニルから構成される）
を有する配位子を表す。
【外国語明細書】
2005247832000001.pdf