(57)【要約】【課題】  高い光電変換効率を有する集光型太陽電池とスペースを有効に活用した化合物半導体太陽電池の製造方法とを提供する。【解決手段】  ＡｌＩｎＧａＰまたはＩｎＧａＰからなるエミッタ層とエミッタ層上に形成された窓層とを含む上部太陽電池と、ＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓからなるエミッタ層を含む中間部太陽電池と、Ｇｅからなる下部太陽電池と、を受光面側からこの順序で含む集光型太陽電池であって、上部太陽電池のエミッタ層の厚さが０．１μｍ以下であり、上部太陽電池のエミッタ層と窓層とを合わせた層のシート抵抗が２００Ω／□以下であって、受光面側に設置されたグリッド電極の間隔が０．１５ｍｍ以下である集光型太陽電池１３である。また、集光型太陽電池１３と非集光型太陽電池１２とを形成する工程を含む化合物半導体太陽電池１４の製造方法である。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｌＩｎＧａＰまたはＩｎＧａＰからなるエミッタ層と前記エミッタ層上に形成された窓層とを含む上部太陽電池と、ＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓからなるエミッタ層を含む中間部太陽電池と、Ｇｅからなる下部太陽電池と、を受光面側からこの順序で含む集光型太陽電池であって、前記上部太陽電池のエミッタ層の厚さが０．１μｍ以下であり、前記上部太陽電池のエミッタ層と窓層とを合わせた層のシート抵抗が２００Ω／□以下であって、前記受光面側に設置されたグリッド電極の間隔が０．１５ｍｍ以下であることを特徴とする、集光型太陽電池。
【請求項２】
前記集光型太陽電池の受光面の面積が５０ｍｍ2以下であることを特徴とする、請求項１に記載の集光型太陽電池。
【請求項３】
請求項１に記載の集光型太陽電池を含む化合物半導体太陽電池の製造方法であって、半導体基板の上方に半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上方の一部に集光装置を設置して前記集光型太陽電池と非集光型太陽電池とを形成する工程とを含む、化合物半導体太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記集光型太陽電池を構成する半導体層と前記非集光型太陽電池を構成する半導体層とが同一のプロセスにて形成されることを特徴とする、請求項３に記載の化合物半導体太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記集光型太陽電池の受光面の面積が５０ｍｍ2以下であって、前記非集光型太陽電池の受光面の面積が１００ｍｍ2以上であることを特徴とする、請求項３または４に記載の化合物半導体太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集光型太陽電池とこれを含む化合物半導体太陽電池の製造方法に関し、特に高い光電変換効率を有する集光型太陽電池とこれを含む化合物半導体太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、人工衛星等の宇宙機器の電源に使用される宇宙用太陽電池として、ＧａＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた多接合型の化合物半導体太陽電池を使用する例が増加しつつある。この多接合型の化合物半導体太陽電池は、従来から宇宙用太陽電池として広く用いられているＳｉ太陽電池に比べて高い光電変換効率を期待することができるので、Ｓｉ太陽電池では設計が困難であった小型衛星や大電力衛星等への使用に適している。
【０００３】
この中でも、地上用または宇宙用に限られず、現在最も高い光電変換効率を有する太陽電池は、例えばＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ／Ｇｅの構造を有する３接合型の化合物半導体太陽電池である。この化合物半導体太陽電池は、例えば、ＡｌＩｎＰからなる窓層とＩｎＧａＰからなるエミッタ層とを含む上部太陽電池と、ＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層を含む中間部太陽電池と、Ｇｅからなる下部太陽電池とを受光面側からこの順序で含んでいる。そして、この化合物半導体太陽電池の上部太陽電池のエミッタ層の厚さを０．１μｍ以下とし、上部太陽電池の窓層とエミッタ層とを合わせた層のシート抵抗を２００Ω／□以下とし、受光面側に設置されたグリッド電極の間隔を１ｍｍ程度とした場合には、非集光時に３０％を超える光電変換効率が達成されている（非特許文献２、３参照）。
【０００４】
従来においては、非集光時に高い光電変換効率を有するこの非集光型太陽電池の受光面の面積を縮小することによって集光型太陽電池が製造されていた。しかしながら、この集光型太陽電池に集光された高強度の光が入射すると、光電流が増加し、直列抵抗による曲線因子（ＦＦ）の低下が生じて光電変換効率が大きく低下してしまうという問題があった。
【０００５】
また、この非集光型太陽電池は宇宙用太陽電池として既に実用化されている。この宇宙用太陽電池としては、図９の模式的上面図に示すように、１００ｍｍ径の宇宙用太陽電池１００の全体に約４０ｍｍ×７０ｍｍの矩形の非集光型太陽電池１２が２枚含まれているものが使用されている。しかしながら、この宇宙用太陽電池においては、宇宙用太陽電池全体の大きさに対する非集光型太陽電池１２が占める割合が少ないため、スペースを有効に活用できていないという問題があった。
【非特許文献１】T.Takamoto, T.Agui et al, “MULTIJUNCTION SOLAR CELL TECHNOLOGIES - HIGH EFFICIENCY,RADIATION RESISTANCE, AND CONCENTRATOR APPLICATIONS ”.
【非特許文献２】T.Takamoto, et al, “Over 30% Efficient InGaP/GaAs tandem solar cells”，Appl.Phys.Lett.70，p.381(1997).
【非特許文献３】T.Takamoto, T.Agui et al,“High Efficiency InGaP/InGaAs tandem Solar Cells on Ge Substrates”, Proceeding of the 28th PVSC,p.976(2000).
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、高い光電変換効率を有する集光型太陽電池を提供することにある。また、本発明の目的は、スペースを有効に活用した化合物半導体太陽電池の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、ＡｌＩｎＧａＰまたはＩｎＧａＰからなるエミッタ層とエミッタ層上に形成された窓層とを含む上部太陽電池と、ＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓからなるエミッタ層を含む中間部太陽電池と、Ｇｅからなる下部太陽電池と、を受光面側からこの順序で含む集光型太陽電池であって、上部太陽電池のエミッタ層の厚さが０．１μｍ以下であり、上部太陽電池のエミッタ層と窓層とを合わせた層のシート抵抗が２００Ω／□以下であって、受光面側に設置されたグリッド電極の間隔が０．１５ｍｍ以下である集光型太陽電池である。
【０００８】
ここで、本発明の集光型太陽電池の受光面の面積は、５０ｍｍ2以下であることが好ましい。
【０００９】
さらに、本発明は、上記集光型太陽電池を含む化合物半導体太陽電池の製造方法であって、半導体基板の上方に半導体層を形成する工程と、半導体層の上方の一部に集光装置を設置して集光型太陽電池と非集光型太陽電池とを形成する工程とを含む化合物半導体太陽電池の製造方法である。
【００１０】
また、本発明の化合物半導体太陽電池の製造方法においては、集光型太陽電池を構成する半導体層と非集光型太陽電池を構成する半導体層とが同一のプロセスにて形成されることが好ましい。
【００１１】
また、本発明の化合物半導体太陽電池の製造方法においては、集光型太陽電池の受光面の面積が５０ｍｍ2以下であって、非集光型太陽電池の受光面の面積が１００ｍｍ2以上であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、集光時に光電変換効率が低下する非集光型太陽電池と同様の構造を用いた場合であっても高い光電変換効率を有する集光型太陽電池を提供することができる。また、本発明によれば、スペースを有効に活用した化合物半導体太陽電池の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本願の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００１４】
本発明はＡｌＩｎＧａＰまたはＩｎＧａＰからなるエミッタ層とエミッタ層上に形成された窓層とを含む上部太陽電池と、ＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓからなるエミッタ層を含む中間部太陽電池と、Ｇｅからなる下部太陽電池とを受光面側からこの順序で含む集光型太陽電池であって、上部太陽電池のエミッタ層の厚さが０．１μｍ以下であり、上部太陽電池のエミッタ層と窓層とを合わせた層のシート抵抗が２００Ω／□以下であって、受光面側に形成されたグリッド電極の間隔が０．１５ｍｍ以下である集光型太陽電池である。
【００１５】
これは、上述した３０％を超える光電変換効率を達成する、ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ／Ｇｅの構造を有する非集光型太陽電池の上部太陽電池のエミッタ層の厚さを０．１μｍ以下とし、上部太陽電池のエミッタ層と窓層とを合わせた層のシート抵抗を２００Ω／□以下とした従来の技術的思想を採り入れつつ（非特許文献２、３参照）、さらに受光面側に形成されたグリッド電極の間隔を０．１５ｍｍ以下とすることによって、特に高い光電変換効率が得られることを本発明者が見出したものである。ここで、グリッド電極の間隔は、図１の模式的上面図に示すように、本発明の集光型太陽電池の受光面側に設置された表面電極１１における電極パッド部１０と交差するグリッド電極８の間隔Ｘのことである。また、ＡｌＩｎＧａＰはＩｎＧａＰよりもバンドギャップが大きいことから、上部太陽電池のエミッタ層を構成する材料にＡｌＩｎＧａＰを用いることによってさらなる光電変換効率の向上を図ることができる点で好ましい。また、同様に、ＧａＡｓはＩｎＧａＡｓよりもバンドギャップが大きいことから、中間部太陽電池のエミッタ層を構成する材料にＧａＡｓを用いることによってさらなる光電変換効率の向上を図ることができる点で好ましい。
【００１６】
また、本発明の集光型太陽電池の受光面の面積は５０ｍｍ2以下であることが好ましく、１６ｍｍ2以下であることがより好ましく、１ｍｍ2以下であることがさらに好ましい。これは、受光面の面積が小さくなるにつれて、本発明の集光型太陽電池で発生する光電流が小さくなる（電流密度は変わらない）ことから直列抵抗による電圧降下が小さくなり、曲線因子（ＦＦ）が大きくなるためである。
【００１７】
そして、本発明においては、図２の模式的上面図に示すように、化合物半導体太陽電池１４中における非集光型太陽電池１２が占めるスペース以外のスペースに、この受光面の面積が小さいほど光電変換効率が大きい本発明の集光型太陽電池１３を形成することができる。これによって、従来、有効に活用することができなかったスペースを有効に活用することができるだけでなく、非集光型太陽電池１２と集光型太陽電池１３とからなる化合物半導体太陽電池１４の出力も向上させることができる。
【００１８】
ここで、本発明においては、非集光型太陽電池１２と集光型太陽電池１３とが同一のプロセスで製造されることが好ましい。すなわち、非集光型太陽電池１２と集光型太陽電池１３を構成する材料および構造等が同一である場合には、非集光型太陽電池１２と集光型太陽電池１３（フレネルレンズ等の集光装置以外）とを同一のプロセスを用いて同時に形成することができるため、化合物半導体太陽電池１４の製造コストを低減することができる。さらに、この化合物半導体太陽電池１４は、非集光時に高い光電変換効率を有する非集光型太陽電池１２と、集光時に高い光電変換効率を有する集光型太陽電池１３とから構成されていることから、入射した太陽光エネルギを高い効率で電気エネルギに変換して、高い出力を得ることができる。
【００１９】
また、非集光型太陽電池１２の受光面の面積は、上述した集光型太陽電池１３の受光面の面積よりも大きいことが好ましく、特に１００ｍｍ2以上であることが好ましい。非集光型太陽電池１２の受光面の面積が１００ｍｍ2以上である場合には、電極パッド部の面積に対して受光面積が増加することで、非集光型太陽電池１２の光電変換効率が向上する傾向にあるためである。
【００２０】
図３に本発明の集光型太陽電池と非集光型太陽電池からなる化合物半導体太陽電池の好ましい一例の模式的な断面図を示す。この化合物半導体太陽電池は、厚さ１５０μｍのｐ型Ｇｅ層１ａと厚さ１μｍのｎ型Ｇｅ層１ｂとからなる下部太陽電池１上に、厚さ３００μｍのｎ型ＧａＡｓ層であるバッファ層２、厚さ０．０２μｍのｎ型ＩｎＧａＰ層３ａと厚さ０．０２μｍのｐ型ＡｌＧａＡｓ層３ｂとからなるトンネル接合層３、厚さ０．１μｍのｐ型ＩｎＧａＰ層である裏面電界層４ａと厚さ３μｍのｐ型ＧａＡｓ層であるベース層４ｂと厚さ０．１μｍのｎ型ＧａＡｓ層であるエミッタ層４ｃと厚さ０．０３μｍのｎ型ＡｌＩｎＰ層である窓層４ｄとからなる中間部太陽電池４、厚さ０．０２μｍのｎ型ＩｎＧａＰ層５ａと厚さ０．０２μｍのｐ型ＡｌＧａＡｓ層５ｂとからなるトンネル接合層５、厚さ０．０３μｍのｐ型ＡｌＩｎＰ層である裏面電界層６ａと厚さ４μｍのｐ型ＡｌＩｎＧａＰ層であるベース層６ｂと厚さ０．０５μｍのｎ型ＡｌＩｎＧａＰ層であるエミッタ層６ｃと厚さ０．０３μｍのｎ型ＡｌＩｎＰ層である窓層６ｄとからなる上部太陽電池６およびｎ型ＧａＡｓ層からなるキャップ層７がこの順序で形成された半導体層９が形成される。そして、半導体層９上にグリッド電極８が形成される。ここで、上部太陽電池６のエミッタ層６ｃと窓層６ｄとを合わせた層のシート抵抗は２００Ω／□以下である。
【００２１】
この化合物半導体太陽電池に入射した太陽光は、波長の短い（エネルギの大きい）光から順次、上部太陽電池６、中間部太陽電池４および下部太陽電池１において吸収されていき、この太陽光によって発生したキャリアがエミッタ層およびベース層の接合部で分けられ、グリッド電極８で集められて外部に取り出される。ここで、窓層は、太陽光によって発生したキャリアがエミッタ層の表面欠陥等と再結合することによって消滅することを抑制するためにエミッタ層上に形成されている。また、裏面電界層は、内部電界を生じさせることによってベース層の表面欠陥等とキャリアとの再結合を抑制するためにベース層の下部に形成されている。また、トンネル接合層は、トンネル電流を利用して上部太陽電池６と中間部太陽電池４との間および中間部太陽電池４と下部太陽電池１との間の接続を良好なものとするために設けられている。また、キャップ層は、電極接触抵抗等の直列抵抗による電流損失を低減するために設けられている。
【００２２】
図４に、この化合物半導体太陽電池の製造方法の好ましい一例のフローチャートを示す。まず、ステップ１（Ｓ１）において、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）を用いて、１１０ｍｍ径のＧａドープｐ型Ｇｅ基板（Ｇａ濃度：５．０×１０18ｃｍ-3）上に図３に示す半導体層９が形成される。この半導体層９の形成時にｐ型Ｇｅ基板上のｎ型ＧａＡｓ層からｎ型ドーパントが拡散されてＧｅ基板中にｐｎ接合が形成され、下部太陽電池１が形成される。
【００２３】
ここで、半導体層９の形成は、ＭＯＣＶＤ装置内にｐ型Ｇｅ基板を設置し、ＭＯＣＶＤ装置内の温度を例えば７００℃にした状態で行なわれる。ＧａＡｓ層の形成には、このＭＯＣＶＤ装置内に、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）とＡｓＨ3（アルシン）とが導入されて行なわれる。また、ＩｎＧａＰ層の形成には、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）とＰＨ3（ホスフィン）とＴＭＧとが導入されて行なわれる。ＡｌＧａＡｓ層の形成には、ＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）とＴＭＧとＡｓＨ3とが導入されて行なわれる。ＡｌＩｎＰ層の形成には、ＴＭＡｌとＴＭＩとＰＨ3とが導入されて行なわれる。ＡｌＩｎＧａＰ層の形成には、ＴＭＡｌとＴＭＩとＴＭＧとＰＨ3とが導入されて行なわれる。また、ｎ型の半導体層の形成には、ＭＯＣＶＤ装置内にＳｉＨ4（モノシラン）がさらに導入され、ｐ型の半導体層の形成には、ＤＥＺｎ（ジエチルジンク）がさらに導入される。なお、トンネル接合層３、５を構成するｐ型ＡｌＧａＡｓ層の形成には、ＤＥＺｎの代わりにＣＢｒ4（四臭化炭素）が導入される。
【００２４】
次に、ステップ２（Ｓ２）において、キャップ層７上にグリッド電極８を含む表面電極が形成される。表面電極の形成は、まず、フォトリソグラフィ法によりキャップ層７上に表面電極の形状に孔が形成されたレジストパターンを形成した後、真空蒸着装置内に設置してＧｅを１２％含むＡｕからなる層（厚さ：１００ｎｍ）を抵抗加熱法により形成し、Ｎｉ層（厚さ：２０ｎｍ）、Ａｕ層（厚さ：５０００ｎｍ）を連続してＥＢ蒸着法（電子ビーム蒸着法）により形成する。そして、リフトオフによってレジストを除去して、表面電極が形成される。
【００２５】
次いで、ステップ３（Ｓ３）において、表面電極をマスクとして、表面電極が形成されていない部分のキャップ層７をアルカリ水溶液を用いて除去する。
【００２６】
続いて、ステップ４（Ｓ４）において、フォトリソグラフィ法によりメサエッチングをする形状に孔を形成したレジストパターンを形成し、孔が形成された部分の半導体層をアルカリ水溶液および酸溶液を用いてメサエッチングし、下部太陽電池１の表面の一部を露出させる。
【００２７】
そして、ステップ５（Ｓ５）において、下部太陽電池１の裏面にＡｇ層（厚さ：１０００ｎｍ）からなる裏面電極をＥＢ蒸着法により形成する。そして、露出している下部太陽電池１の表面に反射防止膜としてＴｉＯ2層（厚さ：５０ｎｍ）とＡｌ2Ｏ3層（厚さ：８５ｎｍ）を順次、ＥＢ蒸着法により形成する。
【００２８】
その後、ステップ６（Ｓ６）において、表面電極のシンタリングと、裏面電極および反射防止膜のアニーリングを兼ねて、窒素雰囲気中において例えば３８０℃の熱処理を行なう。
【００２９】
最後に、ステップ７（Ｓ７）において、メサエッチングされたラインの中にダイシングラインが入るようにして半導体層９を切断し、半導体層９の上方の一部にフレネルレンズ等の集光装置を設置して、図２に示す化合物半導体太陽電池１４が製造される。ここでは、化合物半導体太陽電池１４として、４０ｍｍ×７０ｍｍの矩形の非集光型太陽電池１２（集光装置が設置されていない）が２枚、７ｍｍ×９ｍｍの矩形の集光型太陽電池１３（集光装置が設置されている）が３８枚形成されている。
【００３０】
図５に、非集光型太陽電池１２の電流−電圧特性を示す。ここで、非集光型太陽電池１２の開放電圧（Ｖｏｃ）は２．５６７Ｖであり、短絡電流（Ｉｓｃ）は０．４７６Ａであって、ＦＦは０．８７２であった。また、非集光型太陽電池１２の光電変換効率（Ｅｆｆ）は２８．２％であった。なお、非集光型太陽電池１２の電流−電圧特性は、ＡＭ０基準太陽光を照射するソーラーシュミレータを用いて測定された。
【００３１】
図６に、集光型太陽電池１３の受光面の面積を変化させたときのＦＦの変化を示す。例えば、５００倍に集光したとき（５００ｓｕｎ）の集光型太陽電池１３のＦＦは、集光型太陽電池１３の受光面の面積が１００ｍｍ2であるときは約０．８６であり、４９ｍｍ2であるときは約０．８７６となって大きく向上した。また、集光型太陽電池１３の受光面の面積が１６ｍｍ2（ＦＦ：約０．８８５）、１ｍｍ2（ＦＦ：約０．８９２）と小さくなるにつれて、ＦＦはさらに向上した。
【００３２】
図７に、集光型太陽電池１３のグリッド電極の間隔を変化させたときのＦＦの変化を示す。ここで、集光倍率は２５０倍である。２５０倍の集光時における集光型太陽電池１３のＦＦは、グリッド電極の間隔が０．１５ｍｍの場合に約０．８４５となった。なお、グリッド電極の間隔を０．１５ｍｍよりもさらに狭くしてもＦＦはあまり変化しなかった。
【００３３】
図８に、集光型太陽電池１３の受光面の面積を５０ｍｍ2とし、グリッド電極の間隔を０．１２ｍｍとしたときの集光倍率の変化に対するＥｆｆの変化を示す。図８に示すように、通常の太陽光を１００〜５００倍集光したときに、Ｅｆｆが３６％以上となって非常に高い光電変換効率が得られた。
【００３４】
なお、集光型太陽電池１３の上記特性評価は、ＡＭ１．５Ｇ基準太陽光を照射するソーラーシュミレータの光をフレネルレンズで集光して行なわれた。
【００３５】
また、本願において、ＧａＡｓ層はＧａとＡｓとを含む層のことをいう。また、ＩｎＧａＰ層はＩｎとＧａとＰとを含む層のことをいう。また、ＡｌＧａＡｓ層はＡｌとＧａとＡｓとを含む層のことをいう。また、ＡｌＩｎＰ層はＡｌとＩｎとＰとを含む層のことをいう。また、ＡｌＩｎＧａＰ層はＡｌとＩｎとＧａとＰとを含む層のことをいう。
【００３６】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明によれば、高い光電変換効率を有する集光型太陽電池を提供することができ、また、スペースを有効に活用した高い光電変換効率を有する集光型太陽電池と非集光型太陽電池とからなる化合物半導体太陽電池の製造方法を提供することができるので、本発明は太陽電池分野に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の集光型太陽電池の表面電極の好ましい一例の模式的な拡大上面図である。
【図２】本発明の化合物半導体太陽電池の好ましい一例の模式的な上面図である。
【図３】本発明の化合物半導体太陽電池の好ましい一例の模式的な断面図である。
【図４】本発明の化合物半導体太陽電池の製造方法の好ましい一例を示したフローチャートである。
【図５】本発明に用いられる非集光型太陽電池の電流−電圧特性を示した図である。
【図６】本発明の集光型太陽電池の受光面の面積を変化させたときのＦＦの変化を示した図である。
【図７】本発明の集光型太陽電池のグリッド電極の間隔を変化させたときのＦＦの変化を示した図である。
【図８】本発明の集光型太陽電池の集光倍率の変化に対するＥｆｆの変化を示した図である。
【図９】従来の宇宙用太陽電池の一例の模式的な上面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  下部太陽電池、１ａ  ｐ型Ｇｅ層、１ｂ  ｎ型Ｇｅ層、２  バッファ層、３，５  トンネル接合層、３ａ，５ａ  ｎ型ＩｎＧａＰ層、３ｂ，５ｂ  ｐ型ＡｌＧａＡｓ層、４  中間部太陽電池、４ａ，６ａ  裏面電界層、４ｂ，６ｂ  ベース層、４ｃ，６ｃ  エミッタ層、４ｄ，６ｄ  窓層、６  上部太陽電池、７  キャップ層、８  グリッド電極、９  半導体層、１０  電極パッド部、１１  表面電極、１２  非集光型太陽電池、１３  集光型太陽電池、１４  化合物半導体太陽電池、１００  宇宙用太陽電池。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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