(57)【要約】【課題】クラックが発生した場合にオープン状態になる積層セラミックコンデンサを効率的に製造する。【解決手段】積層セラミックコンデンサ１０を製造するためには、まず、マザー基板１００が形成される。マザー基板１００は、内部電極１１６が形成された部分でカットされ、カットされた側面に内部電極１１６を露出させる。露出させた内部電極１１６を撮像手段で撮像して画像処理することによって、マザー基板１００において、カットすべきカット線Ｃや溝を形成すべき溝形成位置Ｇが求められる。マザー基板１００は、溝形成位置Ｇに溝１２０が形成され、カット線Ｃでカットされる。【選択図】図６
2005101038.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層され、対向する両端面に前記複数の内部電極が交互に導出されたコンデンサ素体と、前記コンデンサ素体の両端部に形成され、前記複数の内部電極に交互に接続される一対の外部電極とを有し、前記コンデンサ素体の表面において前記内部電極の遊端よりも外側に溝が形成された積層セラミックコンデンサを製造する積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
積層された誘電体セラミックグリーンシートおよび内部電極を有するマザー基板を形成するステップ、
前記マザー基板の内部に形成されたマークを、前記マザー基板をカットすることによって、前記マザー基板のカットされた面に露出させるステップ、
前記露出させたマークを撮像手段で撮像して画像処理することによって、前記マザー基板においてカットすべきカット線を求めるステップ、
前記露出させたマークを基準にして、前記マザー基板において溝を形成すべき溝形成位置を求めるステップ、
前記マザー基板の一方主面において前記溝形成位置に溝を形成するステップ、
前記マザー基板を反転させるステップ、
前記露出させたマークまたは前記溝を基準にして、前記マザー基板の他方主面に溝を形成するステップ、
前記一方主面および他方主面に溝が形成されたマザー基板を前記カット線で棒状にカットするステップ、および
前記棒状にカットされたマザー基板において棒状にカットされた面に露出させた内部電極を基準にして、前記棒状にカットされたマザー基板を個々の素子にカットするステップを有する、積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項２】
複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層され、対向する両端面に前記複数の内部電極が交互に導出されたコンデンサ素体と、前記コンデンサ素体の両端部に形成され、前記複数の内部電極に交互に接続される一対の外部電極とを有し、前記コンデンサ素体の表面において前記内部電極の遊端よりも外側に溝が形成された積層セラミックコンデンサを製造する積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
積層された誘電体セラミックグリーンシートおよび内部電極を有するマザー基板を形成するステップ、
前記マザー基板の内部に形成されたマークを露出させるステップ、
前記露出させたマークを基準にして、前記マザー基板の一方主面および他方主面に溝を形成するステップ、および
前記一方主面および他方主面に溝が形成されたマザー基板を個々の素子にカットするステップを有する、積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記マークは、前記内部電極であり、
前記マザー基板は、前記内部電極の並ぶ方向において最も接近した内部電極間であって、前記内部電極の並ぶ方向における中央を通るようにして棒状にカットされる、請求項１または請求項２に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記マークは、前記内部電極であり、
前記マザー基板は、前記内部電極の積層される方向において全ての層の内部電極が重なる部分間であって、前記内部電極の並ぶ方向における中央を通るようにして棒状にカットされる、請求項１または請求項２に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記マークは、前記内部電極の並ぶ方向において隣接した内部電極間の中央に形成されたカットマークであり、
前記マザー基板は、前記カットマークを通るようにして棒状にカットされる、請求項１または請求項２に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記マークは、前記内部電極の並ぶ方向において隣接した内部電極間の中央に形成されたカットマークであり、
前記マザー基板は、前記内部電極の並ぶ方向において隣接した前記カットマーク間であって、前記内部電極の並ぶ方向における中央を通るようにして棒状にカットされる、請求項１または請求項２に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項７】
前記棒状にカットされたマザー基板は、棒状にカットされた面に露出させた内部電極間の中央を通るようにして個々の素子にカットされる、請求項３ないし請求項６のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項８】
前記溝を基準にして前記素子の他の２面に溝を形成するステップを有する、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は積層セラミックコンデンサの製造方法に関し、特に、過度な機械的ストレスが印加されてクラックが発生した際にオープン状態となる構造を有する積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この発明の背景となる従来の積層セラミックコンデンサがたとえば特開平８−４５７７７号公報に開示されている。
図１６はこの発明の背景となる従来の積層セラミックコンデンサの一例を示す図解図である。図１６に示す積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状のコンデンサ素体１２を含む。コンデンサ素体１２は、セラミックからなる複数の誘電体層１４と導電性を有する複数の内部電極１６ａおよび１６ｂとを積層したものである。この場合、内部電極１６ａおよび１６ｂは、誘電体層１４を挟んで交互に積層され、コンデンサ素体１２の対向する端面に交互に導出される。すなわち、内部電極１６ａは一端がコンデンサ素体１２の一端面に延びて形成され、内部電極１６ｂは一端がコンデンサ素体１２の他端面に延びて形成される。また、内部電極１６ａおよび１６ｂは、中間および他端が誘電体層１４を介して対向するように形成される。
コンデンサ素体１２の両端部には、外部電極１８ａおよび１８ｂがそれぞれ形成される。外部電極１８ａは内部電極１６ａに接続され、外部電極１８ｂは内部電極１６ｂに接続される。
また、コンデンサ素体１２の表面には、内部電極１６ｂおよび１６ａの遊端（他端）よりも外側において、外部電極１８ａおよび１８ｂの近傍に、コンデンサ素体１２の２つの端面以外の４つの面にわたって、溝２０ａおよび２０ｂがそれぞれ形成される。
この積層セラミックコンデンサ１０では、それに過度な機械的ストレスが印加され、溝２０ａまたは２０ｂから内部電極１６ａまたは１６ｂを横切るようにコンデンサ素体１２にクラックが発生した場合、クラックが両方の内部電極１６ａおよび１６ｂ間にまたがらず、オープン状態となる。
【０００３】
従来、上述の積層セラミックコンデンサ１０を製造する際には、まず、図１７に示すように、マザー基板１が形成される。マザー基板１は、多数の誘電体セラミックグリーンシートおよび内部電極が積層された構造を有し、多数の積層セラミックコンデンサ１０の焼成前のコンデンサ素体１２（コンデンサ生素体２）が縦横に配列されて接続された構造を有する。
そして、マザー基板１は、図１７に示すように、１点鎖線で示すカット線で、個々のコンデンサ生素体２（焼成前のコンデンサ素体１２に相当）にカットされる。
それから、コンデンサ生素体２を焼成してコンデンサ素体１２を形成した後、多数のコンデンサ素体１２を整列して、コンデンサ素体１２の端面を基準にして、コンデンサ素体１２の端面と内部電極１６ａおよび１６ｂの遊端との間のギャップ寸法を考慮して、図１８に示すように、たとえばコンデンサ素体１２の端面から所定の間隔Ｘを隔てた部分においてコンデンサ素体１２の周囲に、ダイサーなどで溝２０ａおよび２０ｂが形成される。その後、コンデンサ素体１２の両端部には、外部電極１８ａおよび１８ｂが形成される。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−４５７７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上述の従来の積層セラミックコンデンサの製造方法では、図１９に示すように、コンデンサ素体１２の内部電極１６ａおよび１６ｂが位置ずれした状態で形成されてしまう場合がある。この場合、コンデンサ素体１２の端面から所定の間隔Ｘを隔てて溝２０ａおよび２０ｂを形成すると、溝２０ａまたは２０ｂによるクラックのラインが両方の内部電極１６ａおよび１６ｂに重なる場合がある。このように溝２０ａまたは２０ｂによるクラックのラインが両方の内部電極１６ａおよび１６ｂに重なると、コンデンサ素体１２が溝２０ａまたは２０ｂからクラックが生じた場合、クラックが両方の内部電極１６ａおよび１６ｂにまたがり、ショートする可能性があり、必ずしもオープン状態にならないという問題がある。
【０００６】
それゆえに、この発明の主たる目的は、クラックが発生した場合にオープン状態になる積層セラミックコンデンサを効率的に製造することができる、積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層され、対向する両端面に複数の内部電極が交互に導出されたコンデンサ素体と、コンデンサ素体の両端部に形成され、複数の内部電極に交互に接続される一対の外部電極とを有し、コンデンサ素体の表面において内部電極の遊端よりも外側に溝が形成された積層セラミックコンデンサを製造する積層セラミックコンデンサの製造方法であって、積層された誘電体セラミックグリーンシートおよび内部電極を有するマザー基板を形成するステップと、マザー基板の内部に形成されたマークを、マザー基板をカットすることによって、マザー基板のカットされた面に露出させるステップと、露出させたマークを撮像手段で撮像して画像処理することによって、マザー基板においてカットすべきカット線を求めるステップと、露出させたマークを基準にして、マザー基板において溝を形成すべき溝形成位置を求めるステップと、マザー基板の一方主面において溝形成位置に溝を形成するステップと、マザー基板を反転させるステップと、露出させたマークまたは溝を基準にして、マザー基板の他方主面に溝を形成するステップと、一方主面および他方主面に溝が形成されたマザー基板をカット線で棒状にカットするステップと、棒状にカットされたマザー基板において棒状にカットされた面に露出させた内部電極を基準にして、棒状にカットされたマザー基板を個々の素子にカットするステップとを有する、積層セラミックコンデンサの製造方法である。
【０００８】
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層され、対向する両端面に複数の内部電極が交互に導出されたコンデンサ素体と、コンデンサ素体の両端部に形成され、複数の内部電極に交互に接続される一対の外部電極とを有し、コンデンサ素体の表面において内部電極の遊端よりも外側に溝が形成された積層セラミックコンデンサを製造する積層セラミックコンデンサの製造方法であって、積層された誘電体セラミックグリーンシートおよび内部電極を有するマザー基板を形成するステップと、マザー基板の内部に形成されたマークを露出させるステップと、露出させたマークを基準にして、マザー基板の一方主面および他方主面に溝を形成するステップと、一方主面および他方主面に溝が形成されたマザー基板を個々の素子にカットするステップとを有する、積層セラミックコンデンサの製造方法である。
【０００９】
この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法では、たとえば、マークは、内部電極であり、マザー基板は、内部電極の並ぶ方向において最も接近した内部電極間であって、内部電極の並ぶ方向における中央を通るようにして棒状にカットされる。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法では、たとえば、マークは、内部電極であり、マザー基板は、内部電極の積層される方向において全ての層の内部電極が重なる部分間であって、内部電極の並ぶ方向における中央を通るようにして棒状にカットされる。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法では、たとえば、マークは、内部電極の並ぶ方向において隣接した内部電極間の中央に形成されたカットマークであり、マザー基板は、カットマークを通るようにして棒状にカットされる。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法では、たとえば、マークは、内部電極の並ぶ方向において隣接した内部電極間の中央に形成されたカットマークであり、マザー基板は、内部電極の並ぶ方向において隣接したカットマーク間であって、内部電極の並ぶ方向における中央を通るようにして棒状にカットされる。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法では、たとえば、棒状にカットされたマザー基板は、棒状にカットされた面に露出させた内部電極間の中央を通るようにして個々の素子にカットされる。
さらに、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、溝を基準にして素子の他の２面に溝を形成するステップを有してもよい。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、クラックが発生した場合にオープン状態になる積層セラミックコンデンサを効率的に製造することができる。
【００１１】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための最良の形態の説明から一層明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１はこの発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法で製造される積層セラミックコンデンサの一例を示す図解図である。図１に示す積層セラミックコンデンサ１０は、図１６に示す積層セラミックコンデンサ１０と比べて、特に、溝２０ａおよび２０ｂが、コンデンサ素体１２の２つの側面に形成されずに、コンデンサ素体１２の上面および下面の２面のみに断面Ｖ字状に形成される。
【００１３】
次に、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０を製造する積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
【００１４】
まず、図２および図３に示すように、矩形板状のマザー基板１００が形成される。この場合、誘電体セラミックグリーンシート１１４上に縦横に配列された複数の内部電極１１６および横に並べられた複数のカットマーク１１７を印刷で形成し、それを所定のサイズに打ち抜いた後に、所定の枚数を積層して、積層体が形成される。その後、その積層体を加圧圧着させて、マザー基板１００が形成される。
このマザー基板１００は、誘電体セラミックグリーンシート１１４と縦横に配列された内部電極１１６および横に並べられたカットマーク１１７とが積層された構造を有し、多数の積層セラミックコンデンサ１０の焼成前のコンデンサ素体１２（コンデンサ生素体１１２）が縦横に配列されて接続された構造を有する。この場合、内部電極１１６は、カットされることによって別々のコンデンサ素体１２の内部電極１６ａおよび１６ｂとなるように形成されている。また、カットマーク１１７は、マザー基板１００の横方向において内部電極１１６間の中央であって、内部電極１１６よりもマザー基板１００の端部側に形成されている。
【００１５】
マザー基板１００において、図３の１点鎖線で示すように、最も外に位置する内部電極１１６の行列をカットして、マザー基板１００のカットされた側面に内部電極１１６を露出させる。このようにマザー基板１００において横方向にカットされた側面を図４に示し、マザー基板１００において縦方向にカットされた側面を図５に示す。
【００１６】
そして、マザー基板１００において横方向にカットされた側面に露出させた内部電極１１６を位置の基準となるマークとしてマザー基板１００の側面からカメラで撮像して画像処理し、マザー基板１００を棒状にカットすべきカット線Ｃが求められる。この場合、図６に示すように、内部電極１１６の並ぶ方向において最も接近した内部電極１１６の端を通りかつマザー基板１００に垂直な線が基準線Ｓとして求められ、基準線Ｓ間の中央がカット線Ｃとして求められる。なお、カット線Ｃについては、図４においても１点鎖線で示す。
【００１７】
さらに、マザー基板１００において横方向にカットされた側面に露出させた内部電極１１６を基準として、マザー基板１００において溝を形成すべき位置である溝形成位置Ｇが求められる。この場合、溝形成位置Ｇは、たとえば、コンデンサ素体１２の端面から内部電極１６ａまたは１６ｂの遊端までのギャップＬの設計値が７００μｍである場合、カット線Ｃから両側にそれぞれギャップＬのおおよそ６５％〜７５％である５００μｍ隔てた位置に選ばれる。なお、溝形成位置Ｇについては、図４においては矢印で示し、図６においては直線で示す。
【００１８】
そして、マザー基板１００の一方主面には、図７、図８および図９に示すように、溝１２０が溝形成位置Ｇに形成される。この場合、溝１２０は、加熱したテーブル（図示せず）上にマザー基板１００が載せられ、マザー基板１００の端から順にカット刃２００で形成される。
溝１２０は、深さがたとえば約２０μｍに形成される。溝１２０は、深さが１０μｍ〜３０μｍの範囲で形成されることが好ましい。これは、溝１２０をその範囲より浅く形成すると、積層セラミックコンデンサ１０をクラックに導きにくく、逆に、溝１２０をその範囲より深く形成すると、積層セラミックコンデンサ１０がチッピングにより欠けてしまうおそれがあるからである。
また、溝１２０を形成するカット刃２００は、その刃先が３０°以下の角度で形成されることが好ましい。これは、カット刃２００の刃先がその角度を超えて形成されると、抵抗が上がり、溝形成時やカット時にずれが生じるおそれがあるからである。
【００１９】
一方主面に溝１２０が形成されたマザー基板１００は、図１０に示すように反転される。
【００２０】
次に、マザー基板１００の他方主面にも、図１１および図１２に示すように、溝１２０が溝形成位置Ｇに形成される。この場合も、加熱したテーブル上にマザー基板１００が載せられ、マザー基板１００の端から順にカット刃２００で溝１２０が形成される。
【００２１】
そして、一方主面および他方主面に溝１２０が形成されたマザー基板１００は、図１３に示すように、カット刃２００で棒状にカットされる。この場合、マザー基板１００は、加熱したテーブル上でカット線Ｃで棒状にカットされる。
【００２２】
棒状にカットされたマザー基板１００は、棒状にカットされた側面に露出させた内部電極１１６をイメージセンサでセンシングし、図１４の１点鎖線で示すように内部電極１１６間の中央（カット位置）を通るようにして、個々の素子として個々のコンデンサ生素体１１２にカットされる。なお、マザー基板１００において棒状にカットされた側面については、図５に示す側面と同様の側面になる。
【００２３】
そして、コンデンサ生素体１１２を焼成することによって、コンデンサ素体１２が形成される。なお、コンデンサ素体１２の設計値は、大きさが３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．２５ｍｍであり、コンデンサ素体１２の端面から内部電極１６ａまたは１６ｂの遊端までギャップＬｇが７００μｍとした。
【００２４】
コンデンサ素体１２の両端部には、たとえばバレルめっきによって、外部電極１８ａおよび１８ｂが形成される。それによって、積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
【００２５】
上述の積層セラミックコンデンサの製造方法では、マザー基板１００の内部電極１１６の位置を確認して溝１２０を形成するので、溝１２０を内部電極１１６に対して適した位置に形成することができ、製造される積層セラミックコンデンサ１０が溝２０ａ、２０ｂからのクラックでショートするおそれがない。
さらに、上述の積層セラミックコンデンサの製造方法では、マザー基板１００に複数の積層セラミックコンデンサ１０の溝を一括して形成するので、積層セラミックコンデンサ１０の製造効率が非常に高い。
そのため、上述の積層セラミックコンデンサの製造方法では、溝２０ａ、２０ｂからクラックが発生した場合にオープン状態にな図１に示す積層セラミックコンデンサ１０を効率的に製造することができる。
【００２６】
また、上述の積層セラミックコンデンサの製造方法では、カット刃２００で溝１２０を形成するので、カット刃２００の刃先が到達した点から微小な先行亀裂が生じるため、よりクラックの進行性に直線性が付与され、積層セラミックコンデンサ１０の溝２０ａ、２０ｂからの破損時のオープン状態がより確実なものとなる。
なお、近年、積層セラミックコンデンサの小型化・薄型化が進められる場合が多く、その場合、溝がコンデンサ素体の上下の主面のみに形成されても、溝によるクラックの効果をさらに十分に引き出すことが可能である。
【００２７】
上述の積層セラミックコンデンサの製造方法では、マザー基板１００の他方主面において溝形成位置Ｇに溝１２０が形成されるが、マザー基板１００の他方主面には、マザー基板１００の一方主面に形成された溝１２０を基準にして溝１２０が形成されてもよい。
【００２８】
また、上述の積層セラミックコンデンサの製造方法では、マザー基板１００の他方主面にすべての溝１２０を形成した後にマザー基板１００が棒状にカットされるが、この発明では、マザー基板１００の他方主面に２つの溝１２０を形成した後にマザー基板１００を棒状にカットすることが繰り返して行われてもよい。
【００２９】
さらに、マザー基板１００をカットするためには、カット刃２００の代わりにダイシングソーが用いられてもよい。なお、マザー基板１００に溝１２０を形成するためには、カット刃２００が用いられることが、コンデンサ素体１２に容易にクラックを発生させることができる点で好ましい。
【００３０】
また、上述の積層セラミックコンデンサの製造方法では、マザー基板１００にカットマーク１１７が形成されなくてもよい。
【００３１】
上述の積層セラミックコンデンサの製造方法では、内部電極１１６が位置の基準となるマークとして用いられ、マザー基板１００が、内部電極１１６の並ぶ方向において最も接近した内部電極１１６間であって、内部電極１１６の並ぶ方向における中央を通るようにして棒状にカットされるが、この発明では、内部電極１１６がそのようなマークとして用いられ、マザー基板１００が、内部電極１１６の積層される方向において全ての層の内部電極１１６が重なる部分間であって、内部電極１１６の並ぶ方向における中央を通るようにして棒状にカットされてもよい。
【００３２】
また、上述の積層セラミックコンデンサの製造方法において、マザー基板１００を、内部電極１１６が形成された部分で横方向にカットする代わりに、図３の２点鎖線で示すようにカットマーク１１７が形成された部分で横方向にカットして、マザー基板１００のカットされた面にカットマーク１１７を図１５に示すように露出させ、露出させたカットマーク１１７が上述のようなマークとして用いられ、マザー基板１００がカットマーク１１７を通るようにして棒状にカットされてもよい。
【００３３】
さらに、上述の積層セラミックコンデンサの製造方法において、マザー基板１００を図３の２点鎖線で示すようにカットマーク１１７が形成された部分で横方向にカットして、マザー基板１００のカットされた面にカットマーク１１７を図１５に示すように露出させ、露出させたカットマーク１１７が上述のようなマークとして用いられ、マザー基板１００が、内部電極１１６の並ぶ方向において隣接したカットマーク１１７間であって、内部電極１１６の並ぶ方向における中央を通るようにして棒状にカットされてもよい。
【００３４】
また、上述の積層セラミックコンデンサの製造方法では、コンデンサ素体１２の上面および下面の２面のみに溝２０ａ、２０ｂが形成された図１に示す積層セラミックコンデンサ１０が製造されるが、この発明は、図１６に示すようにコンデンサ素体１２の４面にわたって溝２０ａ、２０ｂが形成された積層セラミックコンデンサ１０を製造する積層セラミックコンデンサの製造方法にも適用される。この場合、上述の積層セラミックコンデンサの製造方法において、棒状に形成されたマザー基板１００を個々の素子（コンデンサ生素体１１２）にカットした後に、素子の２面に形成された溝１２０を基準にして、素子の他の２面に溝が形成されればよい。このようにして素子の４面に溝を形成すれば、コンデンサ素体１２の４面に内部電極１６ａ、１６ｂに対して適した位置に溝２０ａ、２０ｂを形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法で製造される積層セラミックコンデンサは、電子機器という用途に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法で製造される積層セラミックコンデンサの一例を示す図解図である。
【図２】この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法に用いられるマザー基板の一例を示す斜視図である。
【図３】マザー基板のカットする部分を示す平面図である。
【図４】マザー基板において横方向にカットされた側面を示す側面図である。
【図５】マザー基板において縦方向にカットされた側面を示す側面図である。
【図６】マザー基板において基準線、カット線および溝形成位置を示す図解図である。
【図７】マザー基板の一方主面に溝が形成された状態を示す側面図である。
【図８】マザー基板の一方主面に溝が形成された状態を示す平面図である。
【図９】マザー基板の一方主面に溝が形成された状態を示す図解図である。
【図１０】マザー基板を反転させた状態を示す側面図である。
【図１１】マザー基板の一方主面および他方主面に溝が形成された状態を示す側面図である。
【図１２】マザー基板の一方主面および他方主面に溝が形成された状態を示す図解図である。
【図１３】マザー基板をカット線で棒状にカットする工程を示す側面図である。
【図１４】マザー基板がカット線で棒状にカットされた状態を示す平面図である。
【図１５】マザー基板においてカットマークを通るようにカットされた側面を示す側面図である。
【図１６】この発明の背景となる従来の積層セラミックコンデンサの一例を示す図解図である。
【図１７】図１６に示す積層セラミックコンデンサを製造する従来の積層セラミックコンデンサの製造方法における一工程を示す図解図である。
【図１８】図１６に示す積層セラミックコンデンサを製造する従来の積層セラミックコンデンサの製造方法における他の工程を示す図解図である。
【図１９】従来の積層セラミックコンデンサの製造方法で製造された積層セラミックコンデンサのコンデンサ素体の一例を示す図解図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０  積層セラミックコンデンサ
１２  コンデンサ素体
１４  誘電体層
１６ａ、１６ｂ  内部電極
１８ａ、１８ｂ  外部電極
２０ａ、２０ｂ  溝
１００  マザー基板
１１２  コンデンサ生素体
１１４  誘電体セラミックグリーンシート
１１６  内部電極
１１７  カットマーク
１２０  溝
Ｓ  基準線
Ｃ  カット線
Ｇ  溝形成位置
【図１】
2005101038.tif 000003
【図２】
2005101038.tif 000004
【図３】
2005101038.tif 000005
【図４】
2005101038.tif 000006
【図５】
2005101038.tif 000007
【図６】
2005101038.tif 000008
【図７】
2005101038.tif 000009
【図８】
2005101038.tif 000010
【図９】
2005101038.tif 000011
【図１０】
2005101038.tif 000012
【図１１】
2005101038.tif 000013
【図１２】
2005101038.tif 000014
【図１３】
2005101038.tif 000015
【図１４】
2005101038.tif 000016
【図１５】
2005101038.tif 000017
【図１６】
2005101038.tif 000018
【図１７】
2005101038.tif 000019
【図１８】
2005101038.tif 000020
【図１９】
2005101038.tif 000021