(57)【要約】    【課題】内部電極と端子電極との接続不良を低減させ得る積層セラミックコンデンサを提供する。    【解決手段】内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２は、セラミック素体１の厚み方向に間隔を隔てて層状に埋設されている。引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２は、セラミック素体１の側面に導出され、導出部を構成している。ダミー電極５１〜５８は、内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２が設けられた層において、一端部が側面に導出され、導出部を構成している。各層の引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２の導出部は、他の層に属するダミー電極５１〜５８の導出部と厚み方向において重なる。【選択図】      図２
2005259982.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック素体と、内部電極と、ダミー電極とを含む積層セラミックコンデンサであって、
前記内部電極は複数であり、それぞれは、対向電極と、引き出し電極とを含み、前記セラミック素体の厚み方向に間隔を隔てて層状に埋設されており、
前記対向電極は、容量取得のための電極であり、
前記引き出し電極は、一端が前記対向電極に連続し、他端が前記セラミック素体の側面に導出されて導出部を構成しており、
前記ダミー電極は、前記内部電極が設けられた層において、前記内部電極から分離して設けられ、一端部が前記側面に導出され、導出部を構成しており、
各層の引き出し電極の前記導出部は、他の層に属するダミー電極の前記導出部と厚み方向において重なる
積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
請求項１に記載された積層セラミックコンデンサであって、
各層において、前記ダミー電極のうちの少なくとも１つは、前記引き出し電極が導出された前記側面に導出されている
積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された積層セラミックコンデンサであって、
各層において、前記ダミー電極のうちの少なくとも１つは、前記引き出し電極が導出されていない前記側面に導出されている
積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載された積層セラミックコンデンサであって、前記ダミー電極は、幅が前記引き出し電極の幅と対応する積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載された積層セラミックコンデンサであって、複数の端子対を有する積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサとして、例えば、複数の端子対を有する積層セラミックコンデンサが知られている。複数の端子対を有する積層セラミックコンデンサは、パーソナル・コンピュータのＣＰＵ（central processing unit）のデカップリング等に用いられる。例えば、特許文献１は、８端子の積層セラミックコンデンサの内部電極パターンおよびその製造方法を開示している。
【０００３】
また、特許文献２は、セラミック誘電体層の陥入を防止すべく、引き出し電極が設けられていない部分に補填層（ダミー電極）を設けた８端子の積層セラミックコンデンサを開示している。
【０００４】
複数の端子対を有しない通常の積層セラミックコンデンサにおいては、内部電極が一層おきにセラミック素体の側面に露出するのに対し、複数の端子対を有する積層セラミックコンデンサ、例えば、８端子の積層セラミックコンデンサにおいては、セラミック素体の側面に露出する内部電極が７層おきになる。
【０００５】
このため、複数の端子対を有する積層セラミックコンデンサは、通常の積層セラミックコンデンサに較べて、セラミック素体の側面に露出する内部電極が少ない分だけ、端子電極との接続不良が多発し、歩留まりが悪化するという問題があった。
【０００６】
更に、積層セラミックコンデンサの小型化に伴い、セラミック素体の側面に露出し、端子電極と接続する部分が小さくなるので、通常の積層セラミックコンデンサにおいても、端子電極との接続不良が多発するという問題が生じた。
【特許文献１】特開２００２−１８４６４７号公報
【特許文献２】特開２００３−３１４３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、内部電極と端子電極との接続不良を低減させ得る積層セラミックコンデンサを提供することである。
【０００８】
本発明のもう１つの課題は、デラミネーションの発生を低減し得る積層セラミックコンデンサを提供することである。
【０００９】
本発明の更にもう１つの課題は、クラックの発生を低減し得る積層セラミックコンデンサを提供することである。
【００１０】
本発明の更にもう１つの課題は、歩留りの良好な積層セラミックコンデンサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決するため、本発明に係る積層セラミックコンデンサは、セラミック素体と、内部電極と、ダミー電極とを含む。
【００１２】
内部電極は複数であり、それぞれは、対向電極と、引き出し電極とを含み、セラミック素体の厚み方向に間隔を隔てて層状に埋設されている。
【００１３】
対向電極は、容量取得のための電極である。
【００１４】
引き出し電極は、一端が対向電極に連続し、他端がセラミック素体の側面に導出され、導出部を構成している。
【００１５】
ダミー電極は、内部電極が設けられた層において、内部電極から分離して設けられ、一端部が側面に導出され、導出部を構成している。
【００１６】
各層の引き出し電極の導出部は、他の層に属するダミー電極の導出部と厚み方向において重なる。
【００１７】
上述した本発明に係る積層セラミックコンデンサは、内部電極を含んでいる。内部電極は複数であり、それぞれは、対向電極と、引き出し電極とを含み、セラミック素体の厚み方向に間隔を隔てて層状に埋設されている。対向電極は、容量取得のための電極である。引き出し電極は、一端が対向電極に連続し、他端がセラミック素体の側面に導出され、導出部を構成している。上記構造により、セラミック素体の側面に導出した引き出し電極の導出部に、例えば、端子電極が接続され、積層セラミックコンデンサが構成される。
【００１８】
本発明に係る積層セラミックコンデンサは、ダミー電極を含む。ダミー電極は、内部電極が設けられた層に設けられているから、ダミー電極の分だけ、引き出し電極部分の凸の段差が軽減する。このため、セラミック素体又は内部電極の歪が小さくなり、デラミネーションやクラックの発生が低減し、歩留りが良好となる。
【００１９】
例えば、各層の引き出し電極は、他の層に属する引き出し電極の少なくとも１つと厚み方向において重ならないように備えられている。このため、各層において、引き出し電極が備えられていない部分であって、他の層に属する引き出し電極の少なくとも１つと厚み方向において重なる位置にダミー電極を設けることにより、引き出し電極部分の凸の段差が軽減し、デラミネーションやクラックの発生が低減することとなる。好ましくは、引き出し電極が備えられた全ての層について、上記構成とする。
【００２０】
また、ダミー電極は、内部電極から分離して設けられているから、電気的特性には影響を与えない。
【００２１】
更に，ダミー電極は、一端部が側面に導出され、導出部を構成している。各層の引き出し電極の導出部は、他の層に属する少なくとも１つのダミー電極の導出部と厚み方向において重なる。このため、セラミック素体の側面には、厚み方向に沿って、ダミー電極の導出部及び引き出し電極の導出部が整列することとなる。
【００２２】
このため、厚み方向に整列した引き出し電極及びダミー電極に、厚み方向に沿った形状の端子電極を接続できる。これにより、本発明に係る積層セラミックコンデンサは、ダミー電極と端子電極との接合強度分だけ、内部電極と端子電極との接合強度が高くなり、接続が良好となる。
【００２３】
これに対して、例えば、特許文献２に記載された積層セラミックコンデンサは、ダミー電極がセラミック素体の端部に届いてないので、例えば、８つの引き出し電極を有するコンデンサであればセラミック素体の側面に露出した引き出し電極は、厚み方向に７層分のギャツプを生じるから、端子電極との接続不良が生じやすい。
【００２４】
本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施例によって更に詳しく説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１は本発明に係る積層セラミックコンデンサの一実施形態を示す外観斜視図、図２は図１に示した積層セラミックコンデンサを示す透視斜視図、図３は図１、図２に示した積層セラミックコンデンサの内部電極及びダミー電極の構造を示す分解斜視図、図４は図２に示す積層セラミックコンデンサの右側面拡大図、図５は図１、図２に示した積層セラミックコンデンサの透視平面図である。図示された積層セラミックコンデンサは、例えば、複数の端子対を有する積層セラミックコンデンサであり、例えば、ＣＰＵのデカップリング等に用いられる。
【００２６】
図１〜図５において、図示の積層セラミックコンデンサは、セラミック素体１と、内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２と、ダミー電極５１〜５８と、端子電極２１〜２８とを含む。セラミック素体１は、セラミック誘電体を含む。
【００２７】
図３において、内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２のそれぞれは、引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２の何れか１つと、対向電極４とを含み、セラミック素体１の厚み方向に間隔を隔てて層状に埋設されている。内部電極Ａ１及びＡ２、Ｂ１及びＢ２、Ｃ１及びＣ２、Ｄ１及びＤ２は、同一形状であり、積層時の向きが１８０度反転している。
【００２８】
図３において、内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２は、セラミック素体１を介して、下からＣ１、Ｄ１、Ａ１、Ｂ１、Ａ２、Ｂ２、Ｃ２、Ｄ２の順に、順次に積層されている。内部電極の形状及び層数は任意である。内部電極は、１つの積層面に、２以上設けられていてもよい。
【００２９】
対向電極４は、容量取得のための電極であり、積層時に互いに対向する。引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２は、一端が対向電極４に連続し、他端がセラミック素体１の側面に導出され、導出部を構成している。側面は、右側面、左側面、正面、背面のいずれか１つであっても、２以上であってもよい。１つの積層面において、セラミック素体１の側面に露出している引き出し電極は、１つでも、２以上でもよい。引き出し電極は、１つの内部電極について、２以上設けられていてもよい。
【００３０】
図において、引き出し電極ａ１〜ｄ１は右側面に導出され、引き出し電極ａ２〜ｄ２は左側面に導出されている。引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２は、他の層に属する引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２の少なくとも１つと厚み方向において重ならないように備えられている。
【００３１】
ダミー電極５１〜５８は、内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２が設けられた層において、内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２から間隔を隔てて設けられ、分離している。ダミー電極５１〜５８は、一端部が側面に導出され、導出部を構成しており、各層のダミー電極５１〜５８のそれぞれは、厚み方向でみて、互いに重なる。ダミー電極５１〜５８の側面に導出した部分の幅は、引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２の側面に導出した部分の幅と対応している。
【００３２】
各層において、ダミー電極５１〜５８は、引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２が備えられていない部分であって、他の層に属する引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２の少なくとも１つと厚み方向において重なる位置に設けられている。また、各層において、引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２の導出部は、他の層に属するダミー電極５１〜５８の導出部と厚み方向において重なる。
【００３３】
例えば、図３において、内部電極Ｃ１が設けられた層には、ダミー電極５１、５２、５４〜５８が設けられ、内部電極Ｄ１が設けられた層には、ダミー電極５１〜５３、５５〜５８が設けられ、内部電極Ａ１が設けられた層には、ダミー電極５２〜５８が設けられ、内部電極Ｂ１が設けられた層には、ダミー電極５１、５３〜５８が設けられ、内部電極Ａ２が設けられた層には、ダミー電極５１〜５４、５６〜５８が設けられ、内部電極Ｂ２が設けられた層には、ダミー電極５１〜５５、５７、５８が設けられ、内部電極Ｃ２が設けられた層には、ダミー電極５１〜５６、５８が設けられ、内部電極Ｄ２が設けられた層には、ダミー電極５１〜５７が設けられている。
【００３４】
再び、図１を参照する。端子電極２１〜２４は、右側面において、引き出し電極ａ１〜ｄ１及びダミー電極５１〜５４と接続しており、端子電極２５〜２８は、左側面において、引き出し電極ａ２〜ｄ２及びダミー電極５５〜５８と接続している。
【００３５】
上述した本実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２を含む。内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２は複数であり、それぞれは、対向電極４と、引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２とを含み、セラミック素体１の厚み方向に間隔を隔てて層状に埋設されている。対向電極４は、容量取得のための電極である。引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２は、一端が対向電極４に連続し、他端がセラミック素体１の側面に導出され、導出部を構成している。このため、セラミック素体１の側面に導出した引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２の導出部に、例えば、端子電極が接続され、積層セラミックコンデンサが構成される。
【００３６】
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、ダミー電極５１〜５８を含む。ダミー電極５１〜５８は、内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２が設けられた層において、内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２から分離して設けられているから、ダミー電極５１〜５８の分だけ、引き出し電極部分の凸の段差が軽減する。このため、セラミック素体１又は内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２の歪が小さくなり、デラミネーション、又は、クラックの発生が低減し、歩留りが良好となる。
【００３７】
例えば、各層の引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２は、他の層に属する引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２の少なくとも１つと厚み方向において重ならないように備えられている。このため、各層において、引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２が備えられていない部分であって、他の層に属する引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２の少なくとも１つと厚み方向において重なる位置にダミー電極５１〜５８を設けることにより、引き出し電極部分の凸の段差が軽減し、デラミネーションやクラックの発生が低減することとなる。好ましくは、引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２が備えられた全ての層について、上記構成とする。
【００３８】
また、ダミー電極５１〜５８は、内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２から分離して設けられているから、電気的特性には影響を与えない。
【００３９】
更に，ダミー電極５１〜５８は、一端部が側面に導出され、導出部を構成している。各層の引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２の導出部は、他の層に属する少なくとも１つのダミー電極５１〜５８の導出部と厚み方向において重なる。このため、セラミック素体１の側面には、厚み方向に沿って、ダミー電極５１〜５８の導出部及び引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２の導出部が整列することとなる。
【００４０】
このため、厚み方向に整列した引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２及びダミー電極５１〜５８に、厚み方向に沿った形状の端子電極を接続できる。ダミー電極５１〜５８と端子電極との接合強度分だけ、内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２と端子電極との接合強度が高くなり、接続が良好となる。
【００４１】
これに対して、例えば、特許文献２に記載された積層セラミックコンデンサは、ダミー電極がセラミック素体の端部に届いてないので、例えば、８つの引き出し電極を有するコンデンサであればセラミック素体の側面に露出した引き出し電極は、厚み方向に７層分のギャップを生じるから、端子電極との接続不良が生じやすい。
【００４２】
また、図示の積層セラミックコンデンサにおいて、ダミー電極５は、厚み方向でみて、別の層に属する引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２の少なくとも１つが形成された領域にのみ、形成されている。このため、引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２が形成された各層において、引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２及びダミー電極５が形成されていない領域において、セラミック素体１が強固に結合することができる。
【００４３】
また、本発明に係る積層セラミックコンデンサは、例えば、内部電極の形成工程と同一の工程にて、ダミー電極を形成できるから、製造工程を複雑にすることなく、製造できる。
【００４４】
更に、本発明に係る積層セラミックコンデンサは、各層において、内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２、及び、ダミー電極５１〜５８が設けられていない領域に、セラミック素体１と同様の材料からなり、内部電極及びダミー電極の厚みに等しい補助層を設けてもよい。この場合、内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２が形成された各層において、電極部分の凸の段差を更に平坦化できるので、デラミネーションやクラックの発生を更に低減させることができる。
【００４５】
表１は、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ、及び、比較例の積層セラミックコンデンサ各１００００個について、デラミネーションの発生率、クラックの発生率、接続不良の発生率を調べた結果である。
【００４６】
実施例１の積層セラミックコンデンサは、図１〜図５に示した本発明に係る積層セラミックコンデンサである。比較例１は、ダミー電極を有しない点が、実施例１の積層セラミックコンデンサと相違する。比較例２は、ダミー電極がセラミック素体の側面に露出していない点が、実施例１の積層セラミックコンデンサと相違する。
【００４７】
【表１】
2005259982.tif 000003
表１を参照すると、比較例１は、デラミネーション、クラック、接続不良の発生率が１．０％であり、非常に高い。比較例２は、デラミネーション、クラックの発生率が０．３％、接続不良の発生率が０．５％であり、発生率が高い。
【００４８】
これに対して、実施例１は、デラミネーション、クラックの発生率が０．２％、接続不良の発生率が０．１％であり、発生率が十分に低い。特に，接続不良の発生については、比較例２の１／５倍、比較例１の１／１０倍の極めて低い発生率が得られている。
【００４９】
図６は、本発明に係る積層セラミックコンデンサの別の一実施例を示す透視斜視図、図７は図６に示した積層セラミックコンデンサの透視平面図である。図において、図１〜図５に現れた構成部分と同一の部分については、同一の参照符号を付し、重複説明を省略する。
【００５０】
図６、図７において、図示の積層セラミックコンデンサは、内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２と、ダミー電極５１〜５８を含む。内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２は、対向電極４と、引き出し電極ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２とを含む。
【００５１】
引き出し電極ｂ１、ｃ１及びダミー電極５２、５３は、右側面に導出され、引き出し電極ｂ２、ｃ２（図示せず）及びダミー電極５６、５７は、左側面に導出され、引き出し電極ａ１（図示せず）、ｄ２及びダミー電極５１、５８（図示せず）は、背面に導出され、引き出し電極ａ２、ｄ１及びダミー電極５４、５５は、正面に導出されている。
【００５２】
図示の積層セラミックコンデンサは、図１〜図５に示した積層セラミックコンデンサと同様の構成を有するので、同様の作用効果を奏することができる。
【００５３】
図８は、本発明に係る積層セラミックコンデンサの更に別の一実施例を示す透視斜視図、図９は図８に示した積層セラミックコンデンサの透視平面図である。図において、図１〜図７に現れた構成部分と同一の部分については、同一の参照符号を付し、重複説明を省略する。
【００５４】
図８、図９において、図示の積層セラミックコンデンサは、内部電極Ａ１、Ｄ１、Ａ２、Ｄ２と、ダミー電極５１、５４、５５、５８を含む。内部電極Ａ１、Ｄ１、Ａ２、Ｄ２は、引き出し電極ａ１、ｄ１、ａ２，ｄ２を含む。
【００５５】
内部電極Ａ１、Ｄ１、Ａ２、Ｄ２は、セラミック素体１を介して、下からＤ１、Ａ１、Ａ２、Ｄ２、Ｄ１、Ａ１、Ａ２、Ｄ２の順に、順次に積層されている。引き出し電極ａ１、ｄ１及びダミー電極５１、５４は、右側面に導出され、引き出し電極ａ２（図示せず）、ｄ２及びダミー電極５５、５８（図示せず）は、左側面に導出されている。
【００５６】
図示の積層セラミックコンデンサは、図１〜図７に示した積層セラミックコンデンサと同様の構成を有するので、同様の作用効果を奏することができる。
【００５７】
図１０は、本発明に係る積層セラミックコンデンサの更に別の一実施例を示す透視斜視図、図１１は図１０に示した積層セラミックコンデンサの透視平面図である。図において、図１〜図９に現れた構成部分と同一の部分については、同一の参照符号を付し、重複説明を省略する。
【００５８】
図１０、図１１において、図示の積層セラミックコンデンサは、内部電極Ａ１、Ｄ１、Ａ２、Ｄ２と、ダミー電極５１、５４、５５、５８を含む。内部電極Ａ１、Ｄ１、Ａ２、Ｄ２は、セラミック素体１を介して、下からＤ１、Ａ１、Ａ２、Ｄ２、Ｄ１、Ａ１、Ａ２、Ｄ２の順に、順次に積層されている。
【００５９】
引き出し電極ｄ１及びダミー電極５４は、右側面に導出され、引き出し電極ａ２及びダミー電極５５は、正面に導出され、引き出し電極ｄ２及びダミー電極５８（図示せず）は、左側面に導出され、引き出し電極ａ１（図示せず）及びダミー電極５１は、背面に導出されている。
【００６０】
図示の積層セラミックコンデンサは、図１〜図９に示した積層セラミックコンデンサと同様の構成を有するので、同様の作用効果を奏することができる。
【００６１】
次に、図１〜図５に示した積層セラミックコンデンサの製造方法について、図１２〜図１４を参照して説明する。
【００６２】
まず、図１２において、供給ロール８１は、矢印Ｒ１の方向に回転し、巻取りロール８２が矢印Ｒ２の方向に回転する。供給ロール８１と巻取りロール８２との間には、帯状の支持体８６が張設されている。支持体８６は、例えば、可撓性プラスチックフィルムで構成され、セラミックグリーンシート９１を矢印Ｆ１の方向に搬送する。
【００６３】
印刷装置８３及び受け台８５は、セラミックグリーンシート９１に内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２、及び、ダミー電極５１〜５８を印刷する。印刷は、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷等を用いることができる。
【００６４】
図１３は印刷装置８３で印刷された内部電極Ａ１〜Ｄ１、及び、ダミー電極５１〜５８を示す図である。図において、セラミックグリーンシート９１には、奇数行目には、ダミー電極５１〜５８、及び、内部電極Ａ１（Ａ２）、Ｂ１（Ｂ２）が繰返し印刷され、偶数行目には、ダミー電極５１〜５８、及び、内部電極Ｃ１（Ｃ２）、Ｄ１（Ｄ２）が繰返し印刷されている。内部電極Ａ２〜Ｄ２は、内部電極Ａ１〜Ｄ１を１８０度回転して得られる。
【００６５】
再び、図１２において、電極印刷済みセラミックグリーンシート９１は、乾燥装置８４による乾燥工程等を経て、巻取りロール８２に巻き取られる。
【００６６】
次に、図１４に示すように、巻取りロール８２に巻き取られたセラミックグリーンシート９１は、所定の大きさに打抜かれ、積層台９２上で順次積層される。図において、参照符号Ａは、内部電極Ａ１又はＡ２を示し、参照符号Ｂは、内部電極Ｂ１又はＢ２を示し、参照符号Ｃは、内部電極Ｃ１又はＣ２を示し、参照符号Ｄは、内部電極Ｄ１又はＤ２を示している。
【００６７】
積層されたセラミックグリーンシート９１は、内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２間が切断され、焼成され、端子電極２１〜２８（図１参照）が付与され、図１に示した積層セラミックコンデンサとなる。
【００６８】
図示の製造方法では、図１３、図１４に示したように、内部電極Ａ１（Ａ２）、Ｂ１（Ｂ２）、及び、内部電極Ｃ１（Ｃ２）、Ｄ１（Ｄ２）が列方向にオフセットして配置され、内部電極Ａ１（Ａ２）、Ｃ１（Ｃ２）、及び、内部電極Ｂ１（Ｂ２）、Ｄ１（Ｄ２）が縦方向にオフセットして配置されたパターンを有する１種類の電極印刷済みセラミックグリーンシート９１を用いて、積層体を得ている。このため、製造工程を簡素化し、容易にコンデンサを製造することができる。
【００６９】
また、図示の製造方法では、内部電極Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２の形成工程と同一の工程にて、ダミー電極５１〜５８を形成できる。このため、製造工程を簡素化し、容易にコンデンサを製造することができる。
【００７０】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明に係る積層セラミックコンデンサの一実施形態を示す外観斜視図である。
【図２】図１に示した積層セラミックコンデンサを示す透視斜視図である。
【図３】図１、図２に示した積層セラミックコンデンサの内部電極及びダミー電極の構造を示す分解斜視図である。
【図４】図２に示す積層セラミックコンデンサの右側面図拡大である。
【図５】図１、図２に示した積層セラミックコンデンサの透視平面図である。
【図６】本発明に係る積層セラミックコンデンサの別の実施形態を示す透視斜視図である。
【図７】図６に示した積層セラミックコンデンサの透視平面図である。
【図８】本発明に係る積層セラミックコンデンサの更に別の実施形態を示す透視斜視図である。
【図９】図８に示した積層セラミックコンデンサの透視平面図である。
【図１０】本発明に係る積層セラミックコンデンサの更に別の実施形態を示す透視斜視図である。
【図１１】図１０に示した積層セラミックコンデンサの透視平面図である。
【図１２】本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法を説明する図である。
【図１３】本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法を説明する別の図である。
【図１４】本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法を説明する更に別の図である。
【符号の説明】
【００７２】
１                          セラミック素体
２１〜２８                  端子電極
Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２      内部電極
５１〜５８                  ダミー電極
４                          対向電極
ａ１〜ｄ１、ａ２〜ｄ２      引き出し電極
【図１】
2005259982.tif 000004
【図２】
2005259982.tif 000005
【図３】
2005259982.tif 000006
【図４】
2005259982.tif 000007
【図５】
2005259982.tif 000008
【図６】
2005259982.tif 000009
【図７】
2005259982.tif 000010
【図８】
2005259982.tif 000011
【図９】
2005259982.tif 000012
【図１０】
2005259982.tif 000013
【図１１】
2005259982.tif 000014
【図１２】
2005259982.tif 000015
【図１３】
2005259982.tif 000016
【図１４】
2005259982.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月22日(2005.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック素体と、内部電極と、ダミー電極と、端子電極とを含む積層セラミックコンデンサであって、
前記内部電極は複数であり、それぞれは、対向電極と、引き出し電極とを含み、前記セラミック素体の厚み方向に間隔を隔てて層状に埋設されており、
前記対向電極は、容量取得のための電極であり、
前記引き出し電極は、一端が前記対向電極に連続し、他端が前記セラミック素体の側面に導出されて導出部を構成しており、
前記ダミー電極は、前記内部電極が設けられた層において、前記内部電極の前記対向電極及び前記引き出し電極から分離して、複数設けられ、それぞれの一端部が前記側面に導出され、導出部を構成しており、
各層の引き出し電極の前記導出部は、他の層に属するダミー電極の前記導出部と厚み方向において重なり、
前記端子電極は、複数であって、それぞれは、前記セラミック素体の側面に互いに独立して形成され、前記引き出し電極の前記導出部、及び、前記引き出し電極の前記導出部と重なる前記ダミー電極の前記導出部に接続され、複数の対を構成している、
積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
請求項１に記載された積層セラミックコンデンサであって、
各層において、前記ダミー電極のうちの少なくとも１つは、前記引き出し電極が導出された前記側面に導出されている
積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された積層セラミックコンデンサであって、
各層において、前記ダミー電極のうちの少なくとも１つは、前記引き出し電極が導出されていない前記側面に導出されている
積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載された積層セラミックコンデンサであって、前記ダミー電極は、幅が前記引き出し電極の幅と対応する積層セラミックコンデンサ。