(57)【要約】【課題】半導体集積回路において、機能搭載モジュールの使用制限を部分的に行えるようにする。【解決手段】半導体集積回路であって、使用制限解除情報４１０が無効であるときに使用が制限される使用制限付き機能モジュール３０２と、使用制限付き機能モジュール３０２を有効化するための使用許可用鍵情報を取得する鍵情報取得手段４００と、鍵情報取得手段４００から与えられる使用許可用鍵情報をあらかじめ保有している使用許可情報に基づいて認証し、使用許可の認証を行うときに限り使用制限解除情報４１０を有効にして使用制限付き機能モジュール３０２に与える認証手段４０２とを持つ。前記半導体集積回路は、使用制限付き機能モジュール３０２を部分的に有効、無効と切り替える切り替え手段を持つ。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用制限解除情報が無効であるときに使用が制限される使用制限付き機能モジュールと、前記使用制限付き機能モジュールを有効化するための使用許可用鍵情報を取得する鍵情報取得手段と、前記鍵情報取得手段から与えられる前記使用許可用鍵情報をあらかじめ保有している使用許可情報に基づいて認証し、使用許可の認証を行うときに限り前記使用制限解除情報を有効にして前記使用制限付き機能モジュールに与える認証手段とを持つ半導体集積回路であって、使用制限付き機能モジュールを部分的に有効、無効と切り替える切り替え手段を持つ半導体集積回路。
【請求項２】
使用制限付き機能モジュールがスクランブル機能を持つ請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項３】
切り替え手段による切り替え制御が、使用制限付き機能モジュールの使用対象であるメモリのアドレス範囲に基づいて行われる構成である請求項１または２記載の半導体集積回路。
【請求項４】
切り替え手段による切り替え制御が、アドレス範囲を指定することで決められる使用許可用鍵情報を鍵情報取得手段によって取得させるか否かにより行われる構成である請求項３記載の半導体集積回路。
【請求項５】
切り替え手段による切り替え制御が、アドレス範囲を指定することで決められる使用許可用鍵情報を鍵情報取得手段から認証手段に与えるか否かにより行われる構成である請求項３記載の半導体集積回路。
【請求項６】
切り替え手段による切り替え制御が、アドレス範囲を指定することで有効にされる使用制限解除情報を認証手段から使用制限付き機能モジュールに与えるか否かにより行われる構成である請求項３記載の半導体集積回路。
【請求項７】
切り替え手段による切り替え制御が、
（ａ）アドレス範囲を指定することで決められる使用許可用鍵情報を鍵情報取得手段によって取得させるか否か、
（ｂ）アドレス範囲を指定することで決められる使用許可用鍵情報を鍵情報取得手段から認証手段に与えるか否か、
（ｃ）アドレス範囲を指定することで有効にされる使用制限解除情報を認証手段から使用制限付き機能モジュールに与えるか否か、
のうちの任意の組み合わせによって行われる構成である請求項３記載の半導体集積回路。
【請求項８】
切り替え手段による切り替え制御が、使用制限付き機能モジュールの使用対象である他の半導体集積回路もしくは他のメモリへの選択信号に基づいて行われる構成である請求項１または２記載の半導体集積回路。
【請求項９】
切り替え手段による切り替え制御が、使用制限付き機能モジュールの使用対象である他の半導体集積回路もしくは他のメモリへの選択信号にて決められる使用許可用鍵情報を鍵情報取得手段によって取得させるか否かにより行われる構成である請求項８記載の半導体集積回路。
【請求項１０】
切り替え手段による切り替え制御が、使用制限付き機能モジュールの使用対象である他の半導体集積回路もしくは他のメモリへの選択信号にて決められる使用許可用鍵情報を鍵情報取得手段から認証手段に与えるか否かにより行われる構成である請求項８記載の半導体集積回路。
【請求項１１】
切り替え手段による切り替え制御が、使用制限付き機能モジュールの使用対象である他の半導体集積回路もしくは他のメモリへの選択信号にて有効にされる使用制限解除情報を認証手段から使用制限付き機能モジュールに与えるか否かにより行われる構成である請求項８記載の半導体集積回路。
【請求項１２】
切り替え手段による切り替え制御が、
（ａ）使用制限付き機能モジュールの使用対象である他の半導体集積回路もしくは他のメモリへの選択信号にて決められる使用許可用鍵情報を鍵情報取得手段によって取得させるか否か、
（ｂ）使用制限付き機能モジュールの使用対象である他の半導体集積回路もしくは他のメモリへの選択信号にて決められる使用許可用鍵情報を鍵情報取得手段から認証手段に与えるか否か、
（ｃ）使用制限付き機能モジュールの使用対象である他の半導体集積回路もしくは他のメモリへの選択信号にて有効にされる使用制限解除情報を認証手段から使用制限付き機能モジュールに与えるか否か、
のうちの任意の組み合わせによって行われる構成である請求項８記載の半導体集積回路。
【請求項１３】
使用制限制御手段への制御信号の切り替えをプログラムにより動的に行う機能をもつ請求項１から１２までのいずれか１項記載の半導体集積回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路に関し、特に、機能モジュールの使用制限を行えるようにした半導体集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図９は、機能モジュールの使用制限を行えるようにした従来の半導体集積回路を示す。この図９に示すように、従来の半導体集積回路は使用制限制御回路３０３を有し、この使用制限制御回路３０３は、鍵データレジスタ４００と認証回路４０２とを搭載している。３０１はメモリバス、４１０は使用制限解除信号である。また３０２はスクランブル機能モジュールである。
【０００３】
このような構成において、鍵データレジスタ４００は、メモリバス３０１から送出されてくる使用許可用鍵データを保持した上で、その使用許可用鍵データを認証回路４０２に送出する。認証回路４０２は、秘匿された使用許可情報を比較基準データとしてあらかじめ保有しており、鍵データレジスタ４００からの鍵データを使用許可情報と比較する。そして、不一致のときは使用制限解除信号４１０を使用禁止の状態にする。反対に、一致するときに限って使用制限解除信号４１０を使用許可の状態にして、スクランブル機能モジュール３０２に対して使用許可を与える（特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−３０５２５０号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来の技術では、使用制限制御回路３０３は、メモリバス３０１から送出されてくる使用許可用鍵データによってのみ、有効または無効にされている。例えば、フラッシュメモリとのデータ入出力時に使用するスクランブル機能モジュールへの使用制限回路を有する半導体集積回路の場合は、使用制限回路に使用許可鍵情報を与えるとフラッシュメモリ全領域、すなわち入出力される全データに対してスクランブル処理が施される。
【０００６】
しかし、利用者がフラッシュメモリを部分的にＲＡＭ空間として使用する、というような使用用途においては、スクランブル機能をフラッシュメモリ全領域に対して有効にしない方が望ましい場合がある。ところが、上述した従来の技術では、使用するフラッシュメモリの部分的な領域ごとにスクランブル機能モジュールの使用についての有効／無効を選択する手段はなく、利用者が使用する際に不都合であるという問題点があった。
【０００７】
そこで本発明は、このような問題点を解決して、半導体集積回路において、機能搭載モジュールの使用制限を部分的に行えるようにすることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る本発明は、使用制限解除情報が無効であるときに使用が制限される使用制限付き機能モジュールと、前記使用制限付き機能モジュールを有効化するための使用許可用鍵情報を取得する鍵情報取得手段と、前記鍵情報取得手段から与えられる前記使用許可用鍵情報をあらかじめ保有している使用許可情報に基づいて認証し、使用許可の認証を行うときに限り前記使用制限解除情報を有効にして前記使用制限付き機能モジュールに与える認証手段とを持つ半導体集積回路が、使用制限付き機能モジュールを部分的に有効、無効と切り替える切り替え手段を持つことを特徴とする。
【０００９】
請求項２に係る本発明は、請求項１に記載の半導体集積回路であって、使用制限付き機能モジュールがスクランブル機能を持つことを特徴とする。
請求項３に係る本発明は、請求項１または２に記載の半導体集積回路であって、切り替え手段による切り替え制御が、使用制限付き機能モジュールの使用対象であるメモリのアドレス範囲に基づいて行われる構成であることを特徴とする。
【００１０】
請求項４に係る本発明は、請求項３記載の半導体集積回路であって、切り替え手段による切り替え制御が、アドレス範囲を指定することで決められる使用許可用鍵情報を鍵情報取得手段によって取得させるか否かにより行われる構成であることを特徴とする。
【００１１】
請求項５に係る本発明は、請求項３記載の半導体集積回路であって、切り替え手段による切り替え制御が、アドレス範囲を指定することで決められる使用許可用鍵情報を鍵情報取得手段から認証手段に与えるか否かにより行われる構成であることを特徴とする。
【００１２】
請求項６に係る本発明は、請求項３記載の半導体集積回路であって、切り替え手段による切り替え制御が、アドレス範囲を指定することで有効にされる使用制限解除情報を認証手段から使用制限付き機能モジュールに与えるか否かにより行われる構成であることを特徴とする。
【００１３】
請求項７に係る本発明は、請求項３記載の半導体集積回路であって、切り替え手段による切り替え制御が、（ａ）アドレス範囲を指定することで決められる使用許可用鍵情報を鍵情報取得手段によって取得させるか否か、（ｂ）アドレス範囲を指定することで決められる使用許可用鍵情報を鍵情報取得手段から認証手段に与えるか否か、（ｃ）アドレス範囲を指定することで有効にされる使用制限解除情報を認証手段から使用制限付き機能モジュールに与えるか否か、のうちの任意の組み合わせによって行われる構成であることを特徴とする。
【００１４】
請求項８に係る本発明は、請求項１または２に記載の半導体集積回路であって、切り替え手段による切り替え制御が、使用制限付き機能モジュールの使用対象である他の半導体集積回路もしくは他のメモリへの選択信号に基づいて行われる構成であることを特徴とする。
【００１５】
請求項９に係る本発明は、請求項８記載の半導体集積回路であって、切り替え手段による切り替え制御が、使用制限付き機能モジュールの使用対象である他の半導体集積回路もしくは他のメモリへの選択信号にて決められる使用許可用鍵情報を鍵情報取得手段によって取得させるか否かにより行われる構成であることを特徴とする。
【００１６】
請求項１０に係る本発明は、請求項８記載の半導体集積回路であって、切り替え手段による切り替え制御が、使用制限付き機能モジュールの使用対象である他の半導体集積回路もしくは他のメモリへの選択信号にて決められる使用許可用鍵情報を鍵情報取得手段から認証手段に与えるか否かにより行われる構成であることを特徴とする。
【００１７】
請求項１１に係る本発明は、請求項８記載の半導体集積回路であって、切り替え手段による切り替え制御が、使用制限付き機能モジュールの使用対象である他の半導体集積回路もしくは他のメモリへの選択信号にて有効にされる使用制限解除情報を認証手段から使用制限付き機能モジュールに与えるか否かにより行われる構成であることを特徴とする。
【００１８】
請求項１２に係る本発明は、請求項８記載の半導体集積回路であって、切り替え手段による切り替え制御が、（ａ）使用制限付き機能モジュールの使用対象である他の半導体集積回路もしくは他のメモリへの選択信号にて決められる使用許可用鍵情報を鍵情報取得手段によって取得させるか否か、（ｂ）使用制限付き機能モジュールの使用対象である他の半導体集積回路もしくは他のメモリへの選択信号にて決められる使用許可用鍵情報を鍵情報取得手段から認証手段に与えるか否か、（ｃ）使用制限付き機能モジュールの使用対象である他の半導体集積回路もしくは他のメモリへの選択信号にて有効にされる使用制限解除情報を認証手段から使用制限付き機能モジュールに与えるか否か、のうちの任意の組み合わせによって行われる構成であることを特徴とする。
【００１９】
請求項１３に係る本発明は、請求項１から１２までのいずれか１項記載の半導体集積回路であって、使用制限制御手段への制御信号の切り替えをプログラムにより動的に行う機能をもつことを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る半導体集積回路の実施の形態について、図面に基づいて詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体集積回路の概略構成と外部フラッシュメモリとを示すブロック図である。１００は半導体集積回路、２００は半導体集積回路１００の外部に設けられたフラッシュメモリである。半導体集積回路１００において、３００はＣＰＵ（中央演算処理装置）、３０１はメモリバス、３０２はスクランブル機能モジュール、３０３は使用制限制御回路である。
【００２１】
スクランブル機能モジュール３０２は、使用が許可された利用者に限って、その使用が可能となっている。すなわち、スクランブル機能モジュール３０２は、使用制限付きモジュールの一例である。使用許可を与えるか否かを制御するのが、使用制限制御回路３０３である。ＣＰＵ３００は、メモリバス３０１に接続されているフラッシュメモリ２００からスクランブル機能モジュール３０２を経由して読み出したプログラムに従って動作する。スクランブル機能モジュール３０２は、使用制限制御回路３０３で使用許可の認証をクリアして使用制限解除信号４１０が使用許可状態となっているときに限って、その使用が可能である。使用制限解除信号４１０は、レベル“１”、レベル“０”のいずれをその使用許可状態としてもよいが、ここではレベル“１”が使用許可状態であるとする。
【００２２】
図２は、フラッシュメモリ２００の使用方法を示す図である。本発明においてはフラッシュメモリ２００をいくつかの領域に分けて使用するが、ここでは２つの領域に分けて使用することにし、一つをユーザープログラム領域２０１、もう一つをユーザー情報領域２０２として使用する。またここではユーザープログラム領域のアドレスを０ｘ２０００００〜０ｘ２ｆ７ｆｆｆ番地、ユーザー情報領域のアドレスを０ｘ２ｆ８０００〜０ｘ２ｆｆｆｆｆ番地とする。
【００２３】
図３は、図１における使用制限制御回路３０３の内部構造を示すブロック図である。ここで、４００は鍵情報保持手段としての鍵データレジスタ、４０１はアドレス範囲を指定する手段としての有効アドレスレジスタ、４０２は認証手段としての認証回路である。鍵データレジスタ４００は、メモリバス３０１から送出されてくる使用許可用鍵データを保持した上で、この使用許可用鍵データを認証回路４０２に送出するものである。認証回路４０２は、秘匿された使用許可情報を比較基準データとしてあらかじめ保有しており、鍵データレジスタ４００からの使用許可用鍵データを使用許可情報と比較し、不一致のときは使用制限解除信号４１０をレベル“０”の使用禁止のままとし、一致するときに限って使用制限解除信号４１０をレベル“１”に切り替え、スクランブル機能モジュール３０２に対して使用許可を与える。
【００２４】
この切り替えのための制御信号として、有効アドレスレジスタ４０１から鍵データレジスタ４００への制御信号４０４は、鍵データレジスタ４００へ信号を与えるか否かを制御するものである。また有効アドレスレジスタ４０１から出力される制御信号４０５は、鍵データレジスタ４００から出力される信号とともにＡＮＤ回路４０７に入力されることで、この鍵データレジスタ４００から出力される信号を認証回路４０２に与えるか否かを制御する信号である。また有効アドレスレジスタ４０１から出力される制御信号４０６は、認証回路４０２から出力される信号とともにＡＮＤ回路４０８に入力されることで、この認証回路４０２から出力される信号を使用制限解除信号４１０として使用するか否かを制御するものである。これらの制御信号４０４、４０５、４０６は、すべてを必要とするものではなく、いずれか一つが実装されておればよいものである。二つ以上実装する分にもなんら問題はない。
【００２５】
まず、制御信号４０４によって使用制限解除信号４１０の切り替え制御を行う場合について説明する。
この場合に、認証回路４０２は、半導体集積回路１００を製品として出荷する時には、使用制限解除信号４１０として使用禁止を表す“０”を出力する状態に初期設定されている。このとき、使用制限解除信号４１０として“０”を入力されているスクランブル機能モジュール３０２は、無効状態になっている。すなわちスクランブル機能モジュール３０２は使用禁止状態になっている。
【００２６】
当該半導体集積回路１００の利用者は、スクランブル機能モジュール３０２を使用したいときは、それを有効化する処理を行う。すなわち、このときに利用者は、アドレス範囲情報を基に有効アドレスレジスタ４０１によって生成される制御信号４０４を使用することにより、スクランブル機能モジュールを部分的に有効／無効とする切り替えを行う。その具体的な処理、すなわち、部分的に選択した領域にスクランブル・デスクランブル機能を適用して、フラッシュメモリ２００の書き換え・確認作業を行う処理を、図４に示す。
【００２７】
図４において、フラッシュメモリ２００は、同図（ａ）に示すように、初期化時すなわち全ビットが書換可能な状態である時のデータは、「ｘ’ｆｆ’」である。利用者は、この状態のフラッシュメモリ２００の全領域に書き込むデータを作成する。このデータは、ユーザープログラム領域に該当する部分にはプログラムデータが設定されるとともに、ユーザー情報領域に該当する部分には「ｘ’ｆｆ’」が設定されたデータである。
【００２８】
スクランブル機能モジュール３０２が使用有効状態である時に、このスクランブル機能モジュール３０２を部分的に有効にするために、有効アドレスレジスタ４０１には、０ｘ２０００００から０ｘ２ｆ７ｆｆｆ（図２）が有効範囲であるというデータを与える。スクランブル機能モジュール３０２が部分的に有効化された状態で、利用者が用意したデータをフラッシュメモリ２００に書き込んだ場合は、図４（ｂ）に示すように、フラッシュメモリ２００のユーザープログラム領域２０１にはスクランブル化されたユーザープログラムデータが書き込まれ、そのユーザー情報領域２０２には「ｘ’ｆｆ’」すなわちスクランブル化されていないデータが書き込まれる。
【００２９】
次に、図４（ｃ）に示すように、ユーザー情報領域２０２にユーザー情報設定データを書き込む。その書き込み内容、書き込みタイミングは、利用者が任意に決めるものである。例として、図１の半導体集積回路１００が搭載されたシステムがＤＶＤシステムであった場合は、書き込み内容として、ユーザープログラムの管理番号、各光ディスクメディア毎のレーザーパワーデータ調整値、リージョンコード情報等があげられる。書き込みタイミングとしては、生産ライン上における工程調整段階があげられる。ユーザー情報設定データの具体例の一部分として、ここでは図４（ｃ）に示すようにユーザープログラムの管理番号を  ｘ’Ａ５’、ｘ’８０’、ｘ’ｆｆ’、ｘ’３５’として書き込んだものとする。
【００３０】
次に、フラッシュメモリ２００に書き込まれたデータを確認するために読み出しを行う。以下、図３に示す有効アドレスレジスタ４０１にはプログラムデータ書き込み時と同じデータが設定されているものとして、説明を行う。データ読み出し時には、図４（ｄ）に示すように、スクランブル機能モジュール３０２によりデスクランブルが行われる。これにより、ユーザープログラム領域２０１からは、デスクランブルされたデータ、すなわちユーザーが用意したプログラムデータと同じデータが読み出される。ユーザー情報領域２０２からの読み出し時には、デスクランブルが行われない書き込み時と同じデータが読み出される。
【００３１】
次に、図４（ｅ）に示すように、ユーザープログラム領域２０１から読み出したデータと、利用者が書き込み時に用意したユーザープログラムデータすなわちアドレス０ｘ２０００００から０ｘ２ｆ７ｆｆｆを対象としたデータとの比較を行う。またユーザー情報領域２０２から読み出したデータは、利用者がユーザー情報設定データとして書き込んだデータであるが、ここではユーザープログラムの管理番号部だけを抽出し、ｘ’Ａ５’、ｘ’８０’、ｘ’ｆｆ’、ｘ’３５’と比較する。比較の結果によって、フラッシュメモリ２００からの読み出し、フラッシュメモリ２００への書き込みの動作可否の判別を行う。
【００３２】
上記においては、有効アドレスレジスタ４０１から鍵データレジスタ４００へ送られる制御信号４０４によって、鍵データレジスタ４００へ信号を与えるか否かを制御することで、使用制限解除信号４１０の切り替え制御を行う場合について説明した。これに対し、図３に示すように使用制限制御回路３０３に有効アドレスレジスタ４０１を持つ構成においては、メモリバス３０１から与えられる信号に基づき有効アドレスレジスタ４０１により生成される制御信号４０５にて、鍵データレジスタ４００からの出力を認証回路４０２に与えるか否かを制御することによっても、使用制限解除信号４１０の切り替え制御を行うことができる。また、使用制限制御回路３０３に有効アドレスレジスタ４０１を持つ構成においては、メモリバス３０１から与えられる信号に基づき有効アドレスレジスタ４０１にて生成される制御信号４０６により、認証回路４０２から出力される信号を使用制限解除信号４１０として使用できるか否かを制御することによっても、この使用制限解除信号４１０の切り替え制御を行うことができる。
（実施の形態２）
図５は、本発明の実施の形態２の半導体集積回路と外部フラッシュメモリとの構成を示すブロック図である。１００は半導体集積回路、３００はＣＰＵ、３０１はメモリバス、３０２はスクランブル機能モジュール、３０３は使用制限制御回路、４１０は使用制限解除信号である。ここでは、第１のフラッシュメモリ２１０と第２のフラッシュメモリ２２０との、二つのフラッシュメモリを備えている。
【００３３】
図６は、図５における使用制限制御回路３０３の内部構造を示すブロック図である。この使用制限制御回路３０３は、他の半導体集積回路を指定する信号、もしくは他のメモリを選択する信号を生成する指定手段として、セレクタ４０３を備えている。それ以外の構成については、図３に示した使用制限制御回路３０３と同様である。
【００３４】
図５に示す第１のフラッシュメモリ２１０がユーザープログラム領域、第２のフラッシュメモリ２１０がユーザー情報領域としたときに、利用者は、スクランブル機能を第１のフラッシュメモリ２１０に対してのみ使用したい。このとき、利用者は、第１のフラッシュメモリ２１０に対してのみスクランブル機能モジュール３０２が有効になるよう、図６に示すセレクタ４０３によって鍵データレジスタ４００への制御信号４０４の制御を行う。これにより、使用制限解除信号４１０の切り替えを行って、使用制限付き機能モジュールとしてのスクランブル機能モジュール３０２を部分的に有効／無効と切り替える。
【００３５】
なお、図６の使用制限制御回路３０３においては、上記のように鍵データレジスタ４００への制御信号４０４の制御を行うことに代えて、メモリバス３０１から与えられる信号に基づきセレクタ４０３により生成される制御信号４０５にて、鍵データレジスタ４００からの出力を認証回路４０２に与えるか否かを制御することによっても、使用制限解除信号４１０の切り替え制御を行うことができる。さらに、メモリバス３０１から与えられる信号に基づきセレクタ４０３にて生成される制御信号４０６により、認証回路４０２から出力される信号を使用制限解除信号４１０として使用できるか否かを制御することによっても、この使用制限解除信号４１０の切り替え制御を行うことができる。
（実施の形態３）
図７は、本発明の実施の形態３の半導体集積回路と外部フラッシュメモリとの構成を示すブロック図である。ここでも、第１のフラッシュメモリ２１０と第２のフラッシュメモリ２２０との二つのフラッシュメモリを備えている。
【００３６】
図８は、図７における使用制限制御回路３０３の内部構造を示すブロック図である。この使用制限制御回路３０３は、アドレス範囲を指定する手段としての有効アドレスレジスタ４０１と、他の半導体集積回路を指定する信号、もしくは他のメモリを選択する信号を生成する指定手段としてのセレクタ４０３とを備えている。その他の構成については図３あるいは図６に示したものと同様である。
【００３７】
第１のフラッシュメモリ２１０は、ユーザープログラム領域２０１とユーザー情報領域２０２とに分けて使用される。これに対し、第２のフラッシュメモリ２２０は、ユーザープログラム領域２０１のみを有する。このようなものにおいては、利用者は、スクランブル機能を、第１のフラッシュメモリ２１０のユーザープログラム領域２０１と第２のフラッシュメモリ２２０のユーザープログラム領域２０１とに対してのみ使用したい。
【００３８】
そこで、この第３の実施の形態においては、図８における有効アドレスレジスタ４０１とセレクタ４０３とを組み合わせて使用することにより、制御信号４０４または制御信号４０５または制御信号４０６に基づいて制御を行う。これにより、上述した実施の形態１、実施の形態２の場合と同様に、使用制限付き機能モジュールであるスクランブル機能モジュール３０２を部分的に有効／無効と切り替えることができる。
（実施の形態４）
上記においては、フラッシュメモリ２００、２１０、２２０からのデータ読み込み時と、フラッシュメモリ２００、２１０、２２０へのデータ書き込み時とで、共に、有効アドレスレジスタ４０１へのデータもしくはセレクタ４０３へのデータを同一にしていた。しかし、ユーザーデータの秘匿性を考慮すると、常に同一である必要はない。フラッシュメモリ２００、２１０、２２０へ書き込んだユーザーデータの内容確認は、利用者が特定の条件下でのみ行えるようにすることも可能である。
【００３９】
すなわち、例えば図３のような構成の使用制限制御回路３０３を有した図１の半導体集積回路１００が搭載されたシステムにおいて、利用者が指定した条件下で読み出しを行ったときにのみ、有効アドレスレジスタ４０１にプログラム書き込み時と同じデータが設定されるといったこともできる。このようなことは、利用者があらかじめプログラム中に条件の設定を行い、使用制限制御手段３０３への制御信号がプログラムにより動的に切り替えられることで、実施することができる。このようなものであると、通常使用時において他人がプログラム領域を読み出そうとしても、デスクランブルされないスクランブルされたままのデータが読み出され、利用者が指定した条件に合致したときのみデスクランブルされたユーザープログラム領域のデータを読み出す、というようにすることができる。
【００４０】
【発明の効果】
以上のように本発明によると、半導体集積回路において機能搭載モジュールの使用制限を部分的に行えることを実現することにより、使用制限付き機能モジュールを部分的に有効／無効と切り替えることができる利便性を利用者に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体集積回路の概略構成とメモリとを示すブロック図
【図２】図１におけるフラッシュメモリの使用形態図
【図３】図１における使用制限制御回路の構成を示すブロック図
【図４】図１におけるフラッシュメモリの動作説明図
【図５】本発明の実施の形態２の半導体集積回路の概略構成とメモリとを示すブロック図
【図６】図５における使用制限制御回路の構成を示すブロック図
【図７】本発明の実施の形態３の半導体集積回路の概略構成とメモリとを示すブロック図
【図８】図７における使用制限制御回路の構成を示すブロック図
【図９】従来の半導体集積回路における使用制限制御回路の構成を示すブロック図
【符号の説明】
１００    半導体集積回路
２００    フラッシュメモリ
３００    ＣＰＵ
３０２    スクランブル機能モジュール
３０３    使用制限制御回路
４００    鍵データレジスタ
４０１    有効アドレスレジスタ
４０２    認証回路
４０３    セレクタ
４１０    使用制限解除信号
【図１】
2005012287.tif 000003
【図２】
2005012287.tif 000004
【図３】
2005012287.tif 000005
【図４】
2005012287.tif 000006
【図５】
2005012287.tif 000007
【図６】
2005012287.tif 000008
【図７】
2005012287.tif 000009
【図８】
2005012287.tif 000010
【図９】
2005012287.tif 000011