(57)【要約】【課題】  製造方法の簡単なパッシブマトリクスＯＬＥＤデバイスを提供すること。【解決手段】  基板と、２つの電極層の間に配置された少なくとも１つの発光有機層とを含む多層構造を有するパッシブマトリクス有機発光ダイオードデバイスをレーザパターニングする方法であって、レーザビームを所定のパターンに従って多層構造の種々の領域に照射することにより、照射領域に存在する多層構造をアブレートするステップを含み、同じ放射処理の間に、電極層と１以上の発光有機層を実質的に同時にパターニングする方法。さらに、本発明の方法によりパターニングされたパッシブマトリクス有機発光ダイオードおよび該ダイオードを含む表示装置について説明する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、２つの電極層の間に配置された少なくとも１つの発光有機層とを含む多層構造を有するパッシブマトリクス有機発光ダイオードデバイスをレーザパターニングする方法であって、
レーザビームを所定のパターンに従って前記多層構造の種々の領域に照射することにより、照射領域に存在する前記多層構造をアブレートするステップを含み、
前記電極層および前記少なくとも１つの発光有機層が、同じ照射処理の間に実質的に同時にパターニングされる方法。
【請求項２】
レーザパターニング中に放出された残留物をすべて除去するさらに含む、請求項１に記載のパッシブマトリクス有機発光ダイオードデバイスをレーザパターニングする方法。
【請求項３】
放射レーザビームのパルス幅は、１ナノ秒程度および１ピコ秒程度のうちの少なくとも一方である、請求項１に記載のパッシブマトリクス有機発光ダイオードデバイスをレーザパターニングする方法。
【請求項４】
前記レーザビームは、波長３５５ｎｍ未満の紫外線放射を含む、請求項１に記載のパッシブマトリクス有機発光ダイオードデバイスをレーザパターニングする方法。
【請求項５】
基板上に配置されたアノード層と、該アノード層とカソード層との間に配置された少なくとも１つの発光有機層とを含む多層構造を有するパッシブマトリクス有機発光ダイオードデバイスをパターニングする方法であって、
レーザビームを所定のパターンに従って前記カソード層の種々の領域に照射することにより、照射領域に存在する前記多層構造をアブレートするステップを含み、
前記カソード層、前記アノード層、およびそれらの間に配置された少なくとも１つの発光有機層が、同じ照射処理の間に実質的に同時にパターニングされる方法。
【請求項６】
基板上に配置されたアノード層と、該アノード層とカソード層との間に配置された少なくとも１つの発光有機層とを含む多層構造を有するパッシブマトリクス有機発光ダイオードデバイスをパターニングする方法であって、
レーザビームを所定のパターンに従って前記アノード層の種々の領域に前記基板を通して照射することにより、照射領域に存在する前記多層構造をアブレートするステップを含み、
前記アノード層、前記カソード層、およびそれらの間に配置された前記少なくとも１つの前記発光有機層が、同じ照射処理の間に実質的に同時にパターニングされる方法。
【請求項７】
前記基板を通して前記アノード層に照射するステップは、前記カソード層に焦点を合わせて実施される、請求項６に記載のパッシブマトリクス有機発光ダイオードデバイスをパターニングする方法。
【請求項８】
基板上に配置されたアノード層と、該アノード層とカソード層との間に配置された少なくとも１つの発光有機層とを含む多層構造を有するパッシブマトリクス有機発光ダイオードデバイスをパターニングする方法であって、
レーザビームを所定のパターンに従って前記多層構造の種々の領域に照射することにより、照射領域に存在する前記多層構造をアブレートするステップを含み、
前記アノード層、前記カソード層、および前記少なくとも１つのい発光有機層が、同じ照射処理の間に実質的に同時にパターニングされる方法。
【請求項９】
前記多層構造の種々の領域に照射するステップは、レーザビームを所定のパターンに従って前記カソード層の種々の領域に照射することにより、照射領域に存在する前記多層構造をアブレートするステップからなる、請求項８に記載のパッシブマトリクス有機発光ダイオードデバイスをパターニングする方法。
【請求項１０】
前記多層構造の種々の領域に照射するステップは、レーザビームを所定のパターンに従って前記アノード層の種々の領域に前記基板を通して照射することにより、照射領域に存在する前記多層構造をパターニングするステップからなる、請求項８に記載のパッシブマトリクス有機発光ダイオードデバイスをパターニングする方法。
【請求項１１】
前記アノード層の種々の領域に前記基板を通して照射するステップは、前記レーザビームの焦点を前記カソード層に合わせて実施される、請求項１０に記載のパッシブマトリクス有機発光ダイオードデバイスをパターニングする方法。
【請求項１２】
基板上に配置されたアノード層と、該アノード層とカソード層との間に配置された少なくとも１つの発光有機層とを含む多層構造を有するパッシブマトリクス有機発光ダイオードデバイスを含む表示装置であって、
前記デバイスは、レーザビームを所定のパターンに従って前記多層構造の種々の領域に照射することにより、照射領域に存在する前記多層構造をアブレートするステップを含む方法によってパターニングされ、
前記アノード層、前記カソード層、および前記少なくとも１つの発光有機層が、同じ照射処理の間に実質的に同時にパターニングされる、表示装置。
【請求項１３】
前記多層構造の種々の領域に照射するステップは、レーザビームを所定のパターンに従って前記多層構造の種々の領域に照射することにより、照射領域に存在する前記多層構造をアブレートするステップからなる、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記多層構造の種々の領域に照射するステップは、レーザビームを所定のパターンに従って前記アノード層の種々の領域に前記基板を通して照射することにより、照射領域に存在する前記多層構造をアブレートするステップからなる、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記アノード層の種々の領域を前記基板を通して照射するステップは、前記レーザビームの焦点を前記カソード層に合わせて実施される、請求項１２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は概して導電性薄膜のパターニングに関し、詳しくは、レーザアブレーション法により有機発光ダイオードデバイスをパターニングする方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１に示すような一般的な有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスは、アノード１０６層とカソード層１０８との間に配置された有機層１０４を含む多層構造１００を有する電子デバイスである。有機層１０４は通常、正孔輸送層１１２と電子輸送層１１４とを含み、正孔輸送層１１２と電子輸送層１１４の間には、発光層１１０がさらに配置される。基板１０２は一般にガラスを含む。ただし、基板１０２は、プラスチックのような軽量で可撓性の透明な他の材料から形成される場合もある。一般的なＯＬＥＤデバイスの場合、アノード層１０６は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）から構成され、カソード層１０８は、銀、金、カルシウム、マグネシウムなどの金属材料を含む金属から構成される。
【０００３】
電極に電荷を与えると、正孔輸送層および電子輸送層の中に帯電分子が形成される。それらの帯電分子は発光層で再結合し、エレクトロルミネセンス現象により光を生成する。
【０００４】
ＯＬＥＤデバイス技術の主な用途は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に代わるフラットパネルディスプレイである。ＯＬＥＤディスプレイは、可撓性があり、視野角が広く、色分解能に優れているといったように、ＬＣＤ技術に比べて優れた利点を多数有している。ＯＬＥＤデバイスは自己発光性であるからバックライトが不要であり、ＬＣＤに比べて非常に少ないエネルギーしか消費しない。さらに、ＯＬＥＤディスプレイはＬＣＤに比べて高速、軽量かつ高輝度にすることができる可能性を持つ。
【０００５】
ＯＬＥＤディスプレイは、基板上に行列マトリクスとして配置されたピクセルアレイを有する。各ピクセルは、行列の交点にそれぞれ形成された発光ダイオードからなる。ＯＬＥＤディスプレイには、アクティブマトリクスとパッシブマトリクスの２つのタイプがある。パッシブマトリクスディスプレイでは、ピクセルを画定するように交差する行および列に電荷を与えることによって各ピクセルを発光させる。アクティブマトリクスディスプレイでは、各発光ダイオードが薄膜トランジスタに接続され、薄膜トランジスタによってそのＯＬＥＤを流れる電流の量を制御する。
【０００６】
パッシブマトリクスＯＬＥＤデバイスは、多層ＯＬＥＤデバイスの種々の層を基板上に堆積させ、電極層にパターニングを施して複数の個別の導電性素子を形成することによって製造される。従来のパターニング処理には、フォトリソグラフィ法や化学エッチング法などがある。しかしながら、ＯＬＥＤの材料やデバイス構造は、従来のパターニング法には適さないことが多い。カソード層のパターニング処理の際に酸素、水蒸気、化学薬品などに晒されると、下層の有機層は劣化する可能性がある。また、従来のパターニング法は、基板の構造的欠陥や汚染といった更なる問題を引き起こすので、ＯＬＥＤは短絡しやすくなる。
【０００７】
レーザアブレーション法は、導電性材料の層および絶縁性材料の層の選択された領域にレーザビームを照射することにより、それらの層の一部を所定のパターンに従って除去することを含む。こうした方法は、ＯＬＥＤデバイスをより迅速に、そしてより正確に製造することができるようになる可能性を示している。マスク作成、露光、現像およびエッチングといった、フォトリソグラフィ法に必要とされる複数ステップの処理を必要とすることなく、レーザによって導電性薄膜を直接パターニングすることができる。
【０００８】
従来の方法でカソードをパターニングした場合、一般に図２に示すような一連の「マッシュルーム」構造が形成される。パッシブマトリクスＯＬＥＤデバイス２００は、従来のパターニング処理によって形成される「マッシュルーム」構造２１０の構成を示している。ＯＬＥＤデバイス２００は、ガラス基板２０２上に堆積された酸化インジウムスズアノード２０６と、アノード層２０６とカソード層２０８の間に配置された有機発光層２０４とを含む。「マッシュルーム」構造２１０は通常、平行な壁を持たないように構成される。すなわち、「マッシュルーム」２１０の基部２１２の断面は、「マッシュルーム」２１０の上側部分２１４の断面よりも小さい。さらに、金属製カソード層２０８を保護するために、カソード層２０８は密封層２１６で被覆される場合もある。
【０００９】
今説明した構成では、最適な性能を実現することが出来ない。「マッシュルーム」壁の傾斜の小さなばらつきは、そのデバイスが電気的に短絡しやすいものになるか、短絡しにくいものになるかの分かれ目となる。短絡の他の原因としては、傾斜があまりにも急であると、アブレーション（焼き飛ばし）処理の際に「マッシュルーム」が潰れることがある。
【００１０】
また、今説明した方法では通常、有機層とカソード層をパターニングせずに残しておくので、隣接ピクセル間にクロストークが発生する可能性がある。この問題に対処するために、抵抗値の低い正孔輸送層に代えて抵抗値の高い層を使用する試みもなされている。しかしながら、この解決策は、有機層の導電率を犠牲にしたものであるから、デバイスの全体的な性能および効率は低下する。さらに、ＯＬＥＤデバイスのパターニングに従来使用されている方法は、大量生産するにはあまりにも複雑で、時間を要し、コストがかかるものと考えられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従って、本発明の１つの目的は、ＯＬＥＤデバイスをパターニングするための簡単で時間やコストのかからない方法および装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
簡単に言えば、本発明は、基板と、２つの電極層間に配置された少なくとも１つの発光有機層とを含む多層構造を有するパッシブマトリクス有機発光ダイオードデバイスをパターニングする方法を提供する。この方法は、レーザビームを所定のパターンに従って多層構造の種々の領域に照射し、照射領域に存在する多層構造をアブレートすることを含む。電極層および少なくとも１つの発光有機層は、同じ照射処理の間に実質的に同時にパターニングされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に、本発明の実施形態の例を示す図面を参照し、本発明の詳細について説明する。図面の詳細は、本発明に関する上記の説明の一般性を否定するものとして解釈してはならない。
【００１４】
図３は、本発明の一実施形態によるレーザパターニング方法に従ってパターニングされたパッシブマトリクスＯＬＥＤデバイス３００の構成を示す。パッシブマトリクス有機発光ダイオードデバイス３００は、基板３０２と、２つの電極層３０６、３０８の間に配置された少なくとも１つの発光有機層３０４とを含む多層構造を有する。さらに、金属製カソード層３０８は反射率が高いので、密封層３１０によって被覆される場合がある。レーザパターニング処理の効率を高めるために、密封層３１０は、紫外光を高い割合で吸収するものにすべきである。
【００１５】
基板３０２はガラスを含む。ただし、基板３０２はプラスチックのような任意の他の適当な透明材料から形成することもできる。発光有機層３０４は、有機薄膜の１以上の層を含み、正孔輸送層１１２と電子輸送層１１４との間に配置されたポリマー発光層１１０を含む。アノード層３０６とカソード層３０８は電極層である。アノード層３０６は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含む。カソード層３０８は、Ｍｇ、Ａｇ、Ｃａ、Ａｕなどの金属材料、またはそれらの金属材料の任意の適当な組み合わせを含む。
【００１６】
レーザアブレーションによる多層ＯＬＥＤデバイス３００のパターニングは、所定のパターンに従ってレーザビームが照射された層の部分を除去することを含む。レーザビームの光子エネルギーは、多層構造内の分子結合を破壊し、材料を過熱して、レーザビームの照射を受けた材料を気化および／または除去する。外側の層が除去されると、その下の層がレーザビームに晒され、さらにアブレートされる。ＯＬＥＤ構造は非常に薄いので（数百ナノメートル）、レーザビームは１回の照射処理で多層構造全体を実質的に同時にパターニングするように見える。
【００１７】
図４は、本発明の一実施形態による、多層構造をパターニングする方法の概略を示すフロー図である。ステップ４０２は、多層構造を有するパッシブマトリクスＯＬＥＤデバイスを用意することを含む。一実施形態において多層構造は、基板と、少なくとも１つの発光有機層と、２つの電極層とを含む。ステップ４０４は、レーザビームを所定のパターンに従って多層構造の一領域に照射することを含む。ステップ４０６は、照射領域に存在する多層構造をアブレートすることを含む。最後のステップ４０８は、１回の照射処理の間に２つの電極層および発光有機層を実質的に同時にパターニングすることを含む。
【００１８】
構造全体を１回の照射処理でアブレートできるので、従来の複数ステップの手順は不要になる。この１ステップの方法によれば、従来の方法に比べて正確かつ高速なＯＬＥＤデバイスのパターニングが可能になる。このように製造プロセスを簡略化することにより、製造効率は増加する。
【００１９】
図３に戻ると、本明細書に開示する方法によって形成された「ピラー」構造３１２は、実質的に平行な側面を有し、高さ方向について実質的に均一な断面積を有する。「ピラー」構造３１２の形をこのようにくっきりと画定することにより、ピクセル間のクロストークの発生を最小限に抑えることができ、アブレーション処理の際に「ピラー」構造３１２が潰れてしまうのを防止することができる。本明細書に記載するレーザパターニング処理は、ＯＬＥＤデバイスの精度を向上させ、ＯＬＥＤデバイスを高速に製造することが可能なドライプロセスであり、さらに、抵抗値の低い高効率のエレクトロルミネセンス材料を使用することも可能である。それらの利点は、ＯＬＥＤデバイスの全体的な製造コストの低減に役立つ。
【００２０】
レーザパターニングは、導電性材料またはプラズマからなる残留物を生成する。短絡を防止し、最適な性能を確保するためには、電極間、すなわち「ピラー」３１２間の空間からプラズマを除去する必要がある。本方法は、アブレーション処理中に放出された残骸またはプラズマをすべて除去するステップをさらに含むことができる。除去は、吸引装置や送風装置などの任意の適当な手段を用いて行われる。パターニングステップと除去ステップは同時に実施してもよい。
【００２１】
一実施形態において、照射レーザビームは短いパルス幅を有する。数ナノ秒または数ピコ秒程度のパルス幅が適していると考えられる。パルス幅を短くすることにより、レーザビームは、低強度および／またはフルエンスで高いピークパワーを得ることができる。従って、非常に短い時間レーザビームに晒すだけで、複数の層をパターニングすることが可能になる。レーザビームの照射により発生した熱は、照射された層を通ってさらに下の層に拡散し、レーザパルス幅に関連する一定の深さにまで達する。従って、短いパルス幅のレーザビームを用いると、良好な制御および精度を得ることができる。
【００２２】
一実施形態による方法はドライプロセスを含むため、従来のパターニング法でしばしば必要とされた液体の酸や溶媒は不要となる。本方法は、窒素または不活性ガスを含む調整された気体環境内で実施することにより、カソード層の劣化を引き起こす可能性がある酸素からカソード層を保護することもできる。非常に短いパルス幅（すなわちピコ秒単位のパルス幅）のレーザビームを照射する場合、調整された気体環境を用意しなくても、有効なレーザパターニングを実施することができる。
【００２３】
一実施形態による方法は、ＯＬＥＤ構造のカソード層３０８にレーザビームを照射することによって実施される。カソード層３０８のアブレーション閾値レベルよりも高いエネルギー密度のレーザビームをカソード層３０８に照射し、各照射領域に存在する多層構造を実質的に同時にアブレートする。カソード層３０８のアブレーション閾値すなわち気化閾値は通常、多層構造内の他の材料に比べて一番高いので、レーザビームは、カソード層３０８をアブレートするのに十分なエネルギー密度を有するものを選択する。残った残骸またはプラズマ材料は吸引装置によって除去することができる。この方法によれば、カソード層３０８、アノード層３０６、およびそれらの間に配置される発光有機層３０４が全て、１回の照射処理の間に実質的に同時にアブレートされる。
【００２４】
カソード３０８は、紫外光に対する反射率が高く、熱伝導率も高い。従って、このパターニング方法の実施に使用されるレーザビームは、カソード層３０８のアブレーション閾値すなわち気化閾値を超えるだけの十分なエネルギー密度を有することを基準にして選択される。
【００２５】
カソード層３０８のアブレーション閾値すなわち気化閾値を超えるだけの十分なエネルギー密度の波長を有する任意の適当なレーザビームを用いて、種々の実施形態によるパターニング方法を実施することができる。本方法は、限定はしないが、例えば２４８ｎｍまたは３０８ｎｍのエキシマレーザ、あるいは３５５ｎｍのＮｄ：Ｙａｇレーザなどのレーザビームの中から選択されたレーザビームによって実施することができる。下記のパラメタを有するエキシマ生成レーザビーム５０２を用いて、パターニング方法を実施した。
波長：２４８ｎｍ
パルス幅：３０ｎｓ
パルスエネルギー：４４０ｍＪ
周波数：２５０Ｈｚ
フルエンス：１０００ｍＪ／ｃｍ２未満
発射数：２〜５パルス／２０ｎｍＩＴＯ
【００２６】
カソード層３０８の上面にレーザビームを照射すると、その面は、照射された分子が気化する温度まで過熱される。カソード層３０８の照射部分がアブレートされた後、レーザビーム５０２はその下の層３０４、３０６に照射され、それらの層を気化させる。
【００２７】
図５は、レーザビームの目標となる多層ＯＬＥＤデバイス５０４の上側の層が金属製カソード層である一実施形態とともに使用されるレーザアブレーションシステム５００の一例を示す概略図である。レーザアブレーションシステム５００は、エキシマレーザ照射装置５０６を含む。システム５００は、レーザビーム５０２を再分配するために、アッテネータ５０８、ホモジナイザ５１０、ミラー５１２およびフィールドレンズ（視野レンズ）５１４をさらに含む。再分配されたレーザビーム５０２は、折返しミラー５１６に誘導される。折返しミラーはそのビーム５０２を、４５°に傾けられたミラー５２６を介して投影レンズ５１８の中に誘導する。投影レンズ５１８はマスク５２０をＯＬＥＤデバイス５０４上に転写する。システム５００はさらに、検出器５２２と、パルス強度、出力パワー、パルスエネルギー分布などのパラメタに従ってレーザビーム５０２をリアルタイムに分析するビーム分析器５２４とを含む。
【００２８】
図３に戻り、代替の方法として、説明した実施形態のアブレーション方法は、アノード層３０６の種々の領域に基板３０２を通してレーザビームを照射することによって実施することもできる。上で説明した方法と同様に、アノード層３０６、カソード層３０８およびそれらの間に配置される発光有機層３０４は、同じ照射処理の間に実質的に同時にパターニングされる。
【００２９】
この代替方法は、レーザビーム５０２を基板３０２を通してアノード層３０６に照射することによって実施される。レーザビームの焦点は、カソード層３０８の表面に合わせる。レーザビームの焦点をカソード層３０８に合わせ、カソード層からパターニングが開始されるようにする。このようにする理由は、カソード層３０８が通常、多層構造内の他の材料に比べて最も高いアブレーション閾値すなわち気化閾値を有しているからである。また、レーザビームの焦点をカソード層３０８に合わせることにより、基板３０２の損傷も防止することができる。基板３０２の損傷は、ＵＶ光の吸収率を高める可能性がある。
【００３０】
レーザビームのエネルギー密度は、カソード層３０８を容易にアブレートすなわち気化させることが可能なエネルギー密度にすることが望ましい。カソード層３０８の照射部分が気化される際に、その熱はカソード層３０８から有機層３０４へと伝達される。その結果、有機層３０４がアブレートされ、生成された熱はさらにアノード層３０６に伝達される。多層ＯＬＥＤ構造は非常に薄いので、実際には、それらの処理全体が同時に行われているように見える。
【００３１】
一実施形態において、レーザビームは、アノード層３０６に照射されるように選択された、波長が３５５ｎｍで、パルス幅が数ピコ秒の範囲の紫外光を含むレーザビームである。このレーザビームはＮｄ：Ｙａｇレーザによって生成することができる。この方法は例えば、下記のビーム特性を有するＮｄ：Ｙａｇレーザビームによって実施することができる。
波長：３５５ｎｍ
パルス幅：１２ｐｓ
【００３２】
図６は、レーザビームをアノードに照射するアブレーション方法とともに使用するのに適したレーザパターニングシステム６００を示す概略図である。レーザパターニングシステム６００はＮｄ：Ｙａｇレーザ発生器６０２を含む。システム６００は、レーザビーム６０８を再分配するために、ミラー６０４およびビームエクスパンダ（ビーム拡大器）６０６をさらに含む。再分配されたレーザビーム６０８は折返しミラー６１０に誘導される。折返しミラー６１０はそのビーム６０８を、４５°に傾けられたミラー６２０を介して集束レンズ６１２の中に誘導する。その結果、ビーム６０８はＯＬＥＤデバイス６１４に照射され、ＯＬＥＤデバイス６１４をパターニングする。システム６００は、検出器６１６およびビーム分析器６１８をさらに含み、それらがパルスエネルギー、出力パワー、エネルギー密度などのレーザビーム６０８のパラメタを分析し、ビーム６０８の位置をリアルタイムにモニタする。
【００３３】
図７および図８はそれぞれ、数ナノ秒および数ピコ秒の範囲のパルス幅の紫外光Ｎｄ：Ｙａｇレーザによって形成されたパターンの例を示す。
【００３４】
本方法の種々の実施形態に従ってパターニングされたパッシブマトリクス有機発光ダイオードデバイスはそのまま表示装置として使用することができる。本発明のパターニング方法を使用した後、それ以上の処理は必要ない。従って、本方法によって形成された有機発光ダイオードデバイスに電流を直接供給することにより、表示装置を照明することができる。
【００３５】
本発明の実施形態は詳細に記載されているが、特許請求の範囲に記載したような本発明の範囲から外れることなく、それらの実施形態に対して変更や改変を施すことも可能であることは、当業者にとって明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】従来の多層ＯＬＥＤデバイスを示す斜視図である。
【図２】従来のパッシブマトリクスＯＬＥＤデバイスを示す図であり、従来のパターニング処理によって形成される「マッシュルーム」構造を示している。
【図３】本発明の一実施形態によるレーザパターニング処理によって形成される「マッシュルーム」構造を示すパッシブマトリクスＯＬＥＤデバイスの図である。
【図４】本発明の一実施形態による方法の主なステップを示すフロー図である。
【図５】本発明の一実施形態とともに使用されるエキシマレーザパターニングシステムの一例を示す概略図である。
【図６】本発明の他の実施形態とともに使用されるＮｄ：Ｙａｇレーザパターニングシステムを示す概略図である。
【図７】本発明の一実施形態により数ナノ秒のパルス幅の紫外光Ｎｄ：Ｙａｇレーザを用いて形成されたレーザパターンの写真である。
【図８】本発明の一実施形態により数ピコ秒のパルス幅の紫外光Ｎｄ：Ｙａｇレーザを用いて形成されたレーザパターンの写真である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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