(57)【要約】【課題】記録可能な光ディスクをメディアとして用い得る光ディスク装置を製造するための方法および光ディスク装置において、回路などが有する特性ばらつきの影響を低減し書き込み読み出し性能を向上すること。【解決手段】適切な光パワーで信号が記録されているメディアを光ピックアップヘッドで読み取るステップと、光ピックアップヘッドによる読み取りによりメディアから得られる記録された信号に対応するＲＦ信号をβ値算出回路に導きβ値を算出するステップと、算出されたβ値を回路オフセットとして回路オフセット記憶部に格納するステップとを具備する。【選択図】図１
2005259216.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
適切な光パワーで信号が記録されているメディアを光ピックアップヘッドで読み取るステップと、
前記光ピックアップヘッドによる読み取りにより前記メディアから得られる前記記録された信号に対応するＲＦ信号をβ値算出回路に導きβ値を算出するステップと、
前記算出されたβ値を回路オフセットとして回路オフセット記憶部に格納するステップと
を具備することを特徴とする光ディスク装置の製造方法。
【請求項２】
β値を算出する前記ステップが、ディジタル値として前記β値を算出することを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置の製造方法。
【請求項３】
前記算出されたβ値を回路オフセット記憶部に格納する前記ステップが、ディジタル値としてのβ値を前記回路オフセット格納部に格納することを特徴とする請求項２記載の光ディスク装置の製造方法。
【請求項４】
書き込み光パワーを変化させて記録型メディアに信号を記録する光書き込み部と、
前記書き込まれた信号を前記記録型メディアから読み取る光読み取り部と、
前記光読み取り部により前記記録型メディアから得られる前記記録された信号に対応するＲＦ信号を用いてβ値を算出するβ値算出回路と、
前記β値算出回路が有する回路オフセット値をあらかじめ格納する回路オフセット記憶部と、
前記算出されたβ値に前記格納された回路オフセット値を減算して補正β値とし該補正β値に基づいて適切な書き込み光パワーを設定する書き込み光パワー設定部と
を具備することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項５】
前記β値算出回路が、ディジタル値として前記β値を算出し、
前記回路オフセット記憶部が、ディジタル値として前記回路オフセット値を格納すること
を特徴とする請求項４記載の光ディスク装置。
【請求項６】
適切な光パワーで信号が記録されているメディアを光ピックアップヘッドで読み取るステップと、
前記光ピックアップヘッドによる読み取りにより前記メディアから得られる前記記録された信号に対応するＲＦ信号を、一定のゲインに設定されたアンプによりブーストするステップと、
前記ブーストで得られるＲＦ信号のレベルを規定のレベルと比較するステップと、
前記比較の結果に基づいて前記アンプのゲイン設定を初期設定からオフセットさせるステップと
を具備することを特徴とする光ディスク装置の製造方法。
【請求項７】
ＲＦ信号をブーストする前記ステップが、前記アンプの前記一定のゲインを変更して複数回行われ、
前記アンプのゲイン設定をオフセットさせる前記ステップが、前記複数回のブーストのうち前記規定のレベルに最も近いレベルのＲＦ信号を与えるブーストの際の前記一定のゲインを前記アンプのゲイン設定とすること
を特徴とする請求項６記載の光ディスク装置の製造方法。
【請求項８】
光ピックアップヘッドと、
前記光ピックアップヘッドによる読み取りによりメディアから得られるＲＦ信号をブーストするアンプと、
前記アンプの出力レベルが所定のレベルになるように前記アンプにゲイン設定入力を供給するゲイン設定入力供給部と
を具備することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項９】
前記ゲイン設定入力供給部が、ディジタル値として保持された設定値を用いて前記ゲイン設定入力を供給することを特徴とする請求項８記載の光ディスク装置。
【請求項１０】
前記アンプの出力のエラーレートを測定するエラーレート測定部と、
前記測定されたエラーレートが所定値以下になるように前記アンプにゲイン設定入力を供給する第２のゲイン設定入力供給部と
をさらに具備することを特徴とする請求項８記載の光ディスク装置。
【請求項１１】
前記第２のゲイン設定入力供給部が、ディジタル値として保持された設定値を用いて前記ゲイン設定入力を供給することを特徴とする請求項１０記載の光ディスク装置。
【請求項１２】
前記第２のゲイン設定入力供給部が、さらに、前記アンプへのゲイン設定入力として複数のゲイン設定入力を供給可能であり、
前記エラーレート測定部が、さらに、前記複数のゲイン設定入力それぞれにおける前記アンプの出力のエラーレートを測定し、
前記第２のゲイン設定入力供給部が、前記複数のゲイン設定入力それぞれにおける前記アンプの出力のエラーレートのうち最小のエラーレートを与えるゲイン設定入力を前記アンプに供給すること
を特徴とする請求項１０記載の光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録可能な光ディスクをメディアとして用い得る光ディスク装置を製造するための方法および光ディスク装置に係り、特に、回路が有する特性ばらつきの影響低減に好適な光ディスク装置の製造方法および光ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
記録可能な各種光ディスク（ＣＤやＤＶＤ）をメディアとして用いる光ディスク装置が近年種々の用途で用いられるようになっている。記録可能な光ディスクの例として例えばＣＤ−Ｒ（compact disc - recordable）では、適切な光パワーによる書き込みが可能となるようにあらかじめ記録すべき光ディスクを用いてキャリブレーション動作を行うようにしている。詳しい内容はＣＤ−Ｒの規格であるオレンジブックに記載されている。
【０００３】
キャリブレーションが必要な理由は、適切性を欠いた光パワーで書き込むとランドと光照射によって形成されるピットとの空間的な形状バランスが崩れるからである。キャリブレーションに関連する従来技術としては、特開２００２−１０００４６号公報（特許文献１）、特開２００３−１２３２９９号公報（特許文献２）、特開２００３−１６８２１４号公報（特許文献３）などがある。
【０００４】
また、記録可能な光ディスクとして例えばＣＤ−Ｒなどでは、記録情報を読み出すときに、反射光の光ピックアップヘッドによる光電変換と光電変換後の電気信号出力の増幅とが前提的に必要である。このような読み出すときの処理に関連する従来技術としては、特開２０００−２１５６１０号公報（特許文献４）、特開平１１−２１３４１２号公報（特許文献５）、特開２００３−２５７０３０号公報（特許文献６）などがある。
【特許文献１】特開２００２−１００００４６号公報
【特許文献２】特開２００３−１２３２９９号公報
【特許文献３】特開２００３−１６８２１４号公報
【特許文献４】特開２０００−２１５６１０号公報
【特許文献５】特開平１１−２１３４１２号公報
【特許文献６】特開２００３−２５７０３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
書き込み光パワーをキャリブレーションすることによって一応は適切な光パワーを設定することができる。しかしながら、キャリブレーション動作では、メディアのキャリブレーション領域に試し書きした所定の信号を読み出してその出力波形の上下アンバランスの程度（β値）を求める動作が含まれる。このとき実際には、求められたβ値にβ値を求めるための回路が固有に有するオフセット分が含まれている。したがって、このようにして求められたβ値を基準に書き込み光パワーを設定すると、真の最適な値からオフセットした書き込み光パワーの設定になる。よって、最適な書き込みがなされない。このような回路が固有に有するオフセットについての言及は上記各文献にはない。
【０００６】
また、光ピックアップヘッドによる光電変換と光電変換後の出力の増幅においては、光ディスクが有する反射率に基づいて光電変換感度および増幅率を設計し、増幅後のレベルとして所望のレベルの信号を得るようにする。しかしながら、実際には、光電変換感度や増幅率にはばらつきがあり、増幅後の信号レベルが所望のレベルになるのはまれである。したがって、所望のレベルの信号について処理を行うことができず読み取り性能の劣化をもたらす可能性がある。なお、このような光電変換感度や増幅率のばらつきについての言及は上記各文献にはない。
【０００７】
本発明は、上記した事情を考慮してなされたもので、記録可能な光ディスクをメディアとして用い得る光ディスク装置を製造するための方法および光ディスク装置において、回路などが有する特性ばらつきの影響を低減し書き込み読み出し性能を向上することが可能な光ディスク装置の製造方法および光ディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明に係る光ディスク装置の製造方法は、適切な光パワーで信号が記録されているメディアを光ピックアップヘッドで読み取るステップと、前記光ピックアップヘッドによる読み取りにより前記メディアから得られる前記記録された信号に対応するＲＦ信号をβ値算出回路に導きβ値を算出するステップと、前記算出されたβ値を回路オフセットとして回路オフセット記憶部に格納するステップとを具備することを特徴とする。
【０００９】
すなわち、製造段階において、あらかじめ適切な光パワーで信号が記録されているメディアを用いて、信号の読み取りと、読み取られた信号（ＲＦ信号）を用いるβ値の算出とを行い、算出されたβ値を回路オフセットとして回路オフセット記憶部に格納する。この回路オフセット記憶部に記憶された回路オフセットは、キャリブレーション動作を行うときに真のβ値を算出するため用いることができる。キャリブレーション動作でβ値が正確に算出されると、最適な書き込み光パワーを特定することができ、したがって、これによれば回路が有する特性ばらつきの影響を低減し書き込み読み出し性能を向上することができる。
【００１０】
また、本発明に係る光ディスク装置は、書き込み光パワーを変化させて記録型メディアに信号を記録する光書き込み部と、前記書き込まれた信号を前記記録型メディアから読み取る光読み取り部と、前記光読み取り部により前記記録型メディアから得られる前記記録された信号に対応するＲＦ信号を用いてβ値を算出するβ値算出回路と、前記β値算出回路が有する回路オフセット値をあらかじめ格納する回路オフセット記憶部と、前記算出されたβ値に前記格納された回路オフセット値を減算して補正β値とし該補正β値に基づいて適切な書き込み光パワーを設定する書き込み光パワー設定部とを具備することを特徴とする。
【００１１】
すなわち、この光ディスク装置は、例えば上記の製造方法によって得られた回路オフセットを回路オフセット記憶部に記憶しており、光読み出しにより得られたＲＦ信号のβ値を算出するときに補正のため用いる。補正されたβ値（補正β値）は正確なので適切に最適な書き込み光パワーと特定することができ、したがって、これによれば回路が有する特性ばらつきの影響を低減し書き込み読み出し性能を向上することができる。
【００１２】
また、本発明に係る別の光ディスク装置の製造方法は、適切な光パワーで信号が記録されているメディアを光ピックアップヘッドで読み取るステップと、前記光ピックアップヘッドによる読み取りにより前記メディアから得られる前記記録された信号に対応するＲＦ信号を、一定のゲインに設定されたアンプによりブーストするステップと、前記ブーストで得られるＲＦ信号のレベルを規定のレベルと比較するステップと、前記比較の結果に基づいて前記アンプのゲイン設定を初期設定からオフセットさせるステップとを具備することを特徴とする
【００１３】
すなわち、製造段階において、あらかじめ適切な光パワーで信号が記録されているメディアを用いて、読み取りとブーストを行う。そしてその結果レベルを規定レベルと比較し比較結果に基づいてアンプのゲインを初期設定からオフセットさせる。これによれば標準的なディスクに対してばらつきのないアンプ出力レベルを得ることができる。よって、回路などが有する特性ばらつきの影響を低減し書き込み読み出し性能を向上することができる。
【００１４】
また、本発明に係る別の光ディスク装置は、光ピックアップヘッドと、前記光ピックアップヘッドによる読み取りによりメディアから得られるＲＦ信号をブーストするアンプと、前記アンプの出力レベルが所定のレベルになるように前記アンプにゲイン設定入力を供給するゲイン設定入力供給部とを具備することを特徴とする。
【００１５】
すなわち、この光ディスク装置は、例えば上記の製造方法によって得られたアンプゲインのオフセット状態を、ゲイン設定入力供給部からのゲイン設定入力によって保つ構成を有する。これによれば、アンプ出力レベルは一定に保たれこれ以降の処理で質の高い動作が可能であり、よって、回路などが有する特性ばらつきの影響を低減し書き込み読み出し性能を向上することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、記録可能な光ディスクをメディアとして用い得る光ディスク装置を製造するための方法および光ディスク装置において、回路が有する特性ばらつきの影響を低減して書き込み読み出し性能を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の実施態様として、β値を算出する前記ステップは、ディジタル値として前記β値を算出するようにしてもよい。ディジタル値であれば容易に不揮発的な保持が可能であり光ディスク装置の構成として向いている。
【００１８】
また、実施態様として、前記算出されたβ値を回路オフセット記憶部に格納する前記ステップは、ディジタル値としてのβ値を前記回路オフセット格納部に格納する。これによれば回路オフセット格納部にディジタルメモリを用い容易な構成が実現する。
【００１９】
また、光ディスク装置としての実施態様としても、前記β値算出回路が、ディジタル値として前記β値を算出し、前記回路オフセット記憶部が、ディジタル値として前記回路オフセット値を格納するようにし得る。
【００２０】
また、実施態様として、ＲＦ信号をブーストする前記ステップが、前記アンプの前記一定のゲインを変更して複数回行われ、前記アンプのゲイン設定をオフセットさせる前記ステップが、前記複数回のブーストのうち前記規定のレベルに最も近いレベルのＲＦ信号を与えるブーストの際の前記一定のゲインを前記アンプのゲイン設定とする、とし得る。ゲインを振ってそれらの結果から適切なゲイン設定を決めるものである。
【００２１】
また、光ディスク装置としての実施態様として、前記ゲイン設定入力供給部が、ディジタル値として保持された設定値を用いて前記ゲイン設定入力を供給する、とすることができる。ディジタル値であれば容易に不揮発な保持が可能であり光ディスク装置の構成として向いている。
【００２２】
また、実施態様として、前記アンプの出力のエラーレートを測定するエラーレート測定部と、前記測定されたエラーレートが所定値以下になるように前記アンプにゲイン設定入力を供給する第２のゲイン設定入力供給部とをさらに具備してもよい。標準的な光ディスクではない実際の光ディスクに対応して、エラーレートを基準にアンプゲインを微調整するものである。
【００２３】
ここで、前記第２のゲイン設定入力供給部が、ディジタル値として保持された設定値を用いて前記ゲイン設定入力を供給するとしてもよい。これによれば第２のゲイン設定入力供給部にディジタルメモリを用い容易な構成が実現する。
【００２４】
また、ここで、前記第２のゲイン設定入力供給部が、さらに、前記アンプへのゲイン設定入力として複数のゲイン設定入力を供給可能であり、前記エラーレート測定部が、さらに、前記複数のゲイン設定入力それぞれにおける前記アンプの出力のエラーレートを測定し、前記第２のゲイン設定入力供給部が、前記複数のゲイン設定入力それぞれにおける前記アンプの出力のエラーレートのうち最小のエラーレートを与えるゲイン設定入力を前記アンプに供給する、としてもよい。ゲイン設定入力を振ってそれらの結果から適切なゲイン設定を決めるものである。
【００２５】
以上を踏まえ、以下では本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る光ディスク装置の構成を示すブロック図である。図１（ａ）は、この光ディスク装置の製造段階で必要とされる工程での動作（回路オフセットの測定・保持動作）を説明するためものであり、図１（ｂ）は、ユーザが使用する場合の動作のひとつ（キャリブレーション動作）を説明するためのものである。図１はこれらの動作を説明するのに必要な範囲での図記載になっており、実際にはこれら以外にも光ディスク装置として必要な構成要素が存在する。その点については周知なので説明を省略する。
【００２６】
図１（ａ）は、この光ディスク装置の製造段階で行う、回路オフセットの測定・保持動作の工程を示している。この工程の段階では必要な電気的ハードウエアの組み付けはすでに終了しているものとする。図１（ａ）に示すように、この光ディスク装置は、光ピックアップヘッド１２、アンプ１４、直流カットコンデンサ１３、ピークホールド回路１５、ボトムホールド回路１６、ＡＤ変換回路１７、１８、β値算出回路１９、回路オフセット記憶部２０を有する。そして、基準ディスク１を用いてその読み出しを行う。基準ディスク１は、β値（後述する）が０になるように書き込まれている調整用のディスクである。このような基準ディスク１は、標準的なディスクに対して、例えば基準となる書き込み装置を用いてβ＝０となるような適当な書き込み光パワーで所定の信号を書き込むことにより用意することができる。
【００２７】
光ピックアップヘッド１２は、読み出し時の動作として、ディスク１の記録面に対して光を照射しその反射光を受光して光電変換し電気信号を出力するものであり、例えば光の照射にはレーザダイオードが、光電変換には例えばフォトダーオードが用いられている。出力された電気信号はアンプ１４に供給される。アンプ１４は、供給された電気信号（ＲＦ信号）を信号処理しやすいレベルまで増幅するものである。増幅されたＲＦ信号出力は直流カットコンデンサ１３を介してピークホールド回路１５およびボトムホールド回路１６に供給される。アンプ１４は、光ピックアップヘッド１２に一体的に組み込まれて構成されてもよい。
【００２８】
ピークホールド回路１５およびボトムホールド回路１６は、それぞれ、直流をカットされて供給された信号のピークレベルまたはボトムレベルをホールドして出力するものである。ホールドして得られたピークレベルおよびボトムレベルは、それぞれ、ＡＤ変換回路１７またはＡＤ変換回路１８に供給される。ＡＤ変換回路１７およびＡＤ変換回路１８は、それぞれ、供給された信号（ピークレベルまたはボトムレベル）をアナログ形式からディジタル形式に変換するものである。変換で得られたディジタル信号は、β値算出回路１９に供給される。
【００２９】
β値算出回路１９は、所定の式に従って演算を行いβ値を算出するものである。この演算は図２に示すような式に従う。図２はβ値の定義を示す説明図である。具体的にはピークレベルをＬｐ、ボトムレベルをＬｂとして、β＝（Ｌｐ＋Ｌｂ）／（Ｌｐ−Ｌｂ）を計算する。β値は、端的にいうと波形の上下アンバランスの程度を示す指標である。その意味で、ごく単純には０となるのが好ましいといえる。ボトムレベルは基準ディスク１の記録面のピット（＝低反射率）に対応しており、ピークレベルは同じくランド（＝高反射率）に対応している。β＝０のときはピット形成がランドとの関係において空間的にバランスしていることを意味する。実際には（すなわちユーザが使用するときには）、ランド内が一様でないことや光の読み書きで生じる周波数特性などの影響を考慮してβ＝０から多少ずれた値（０．０１からその数倍までの値）を最適とすることも多い。
【００３０】
ここでは回路のオフセットを求めることを目的とするので、信号が読み出されてオフセットのない回路を用いたときβがゼロと算出されるような基準ディスク１を使用している。したがって、β値算出回路１９の算出結果は、各回路１５、１６、１７、１８が理想的なものであればゼロとなり、実際には各回路１５、１６、１７、１８が有する特性ばらつきの影響で一定の非ゼロの値として算出される。
【００３１】
β値算出回路１９で求められたこの値は、回路オフセットとして、回路オフセット記憶部２０に供給される。回路オフセット記憶部２０は不揮発性のディジタルメモリであり、供給された値をこの光ディスク装置が固有に有するβ値算出の回路オフセットして、これ以降半永久的に保持する。
【００３２】
次に、図１（ｂ）は、ユーザが一般のディスクを用いて記録を行うときにあらかじめ実行する書き込み光パワーを設定するためのキャリブレーション動作を示している。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示した構成要素と同じものに同一符号を付してある。図１（ｂ）に示すように、この光ディスク装置は、図１（ａ）に示した構成要素とともに、減算器２１、書き込み光パワー設定部２２を有する。
【００３３】
この場合は、一般ディスク１１を用いる。一般ディスク１１の記録面は例えばＣＤ−Ｒでは図３に示すように各領域の配置がなされている。図３は、ディスクの記録面における領域配置を示す説明図である。内周側からＰＣＡ（power calibration area）、…、リードインエリア、データ記録エリア、リードアウトエリアである。ＰＣＡは、周知の、書き込み光パワー設定のための試し書き領域である。
【００３４】
キャリブレーション動作自体は、回路オフセット記憶部２０および減算器２１が介在することを除けば周知のように行う。すなわち、例えば、書き込み光パワー設定部２２が設定する各強度の書き込み光パワーで、光ピックアップヘッド１２（より具体的にはヘッド１２が有するレーザダイオード）によりディスク１１のＰＣＡに所定の信号の書き込みを行う。そして、この書き込んだ信号を光ピックアップヘッド１２により読み出し、図１（ａ）における説明と同様に、以下、アンプ１４、直流カットコンデンサ１３、ピークホールド回路１５、１６、ＡＤ変換回路１７、１８、β値算出回路１９と導きβ値を算出する。算出されたβ値は、減算器２１に供給され回路オフセット記憶部２０に保持された回路オフセットの分が減じられる。これにより補正β値が得られる。
【００３５】
書き込み光パワー設定部２２では、この補正β値を用いて適切な書き込み光パワーを特定する。特定された書き込み光パワーは、このディスク１１が記録用として用いられる場合に限り一定して書き込み光パワー設定部２２の設定出力となる。適切な書き込み光パワーは、補正β値が、例えば０、または、ランド内が一様でないことや光の読み書きで生じる周波数特性などの影響を考慮して補正β＝０から多少ずれた値（例えば０．０１からその数倍までの値）になるときとして決定する。
【００３６】
このような構成によれば、各回路１５、１６、１７、１８などが有する特性ばらつきに依存せず、β値（補正β値）の算出をすることができる。これによりディスク１１への記録状態として正確なβ値（補正β値）を把握することができるので、設定された書き込み光パワーも適切なものとなる。
【００３７】
次に、本発明の別の実施形態に係る光ディスク装置について図４を参照して説明する。図４は、本発明の別の実施形態に係る光ディスク装置の構成を示すブロック図であり、かつ製造段階で必要とされる工程での動作（アンプゲインの設定動作）を説明するためのものである。図４はこの設定動作を説明するのに必要な範囲での図記載になっており、実際にはこれら以外にも光ディスク装置として必要な構成要素が存在する。その点については周知なので説明を省略する。なお、すでに説明した構成要素と同一相当のものには同一符号を付してある。
【００３８】
この工程は、アンプ４１のゲインを所定に設定することを目的とする。アンプ４１は、外部からの電圧によりゲインが制御されるアンプ（電圧制御ゲインアンプ）となっており、ゲイン設定入力供給部４２のＤＡ変換回路４２ｉからのアナログ出力によりゲインが設定される。アンプ４１は、光ピックアップヘッド１２の読み出し出力を増幅（ブースト）するものである。
【００３９】
ゲイン設定入力供給部４２は、ＤＡ変換回路４２ｉのほか、図示するように、ピークホールド回路４２ａ、ボトムホールド回路４２ｂ、ＡＤ変換回路４２ｃ、４２ｄ、比較部４２ｅ、基準レベル記憶部４２ｆ、判定部４２ｇ、設定値記憶部（不揮発性のディジタルメモリ）４２ｈを有する。基準ディスク１Ａには、標準的な反射率を有しかつ適切な光パワーで書き込みがなされたものを用いる。
【００４０】
アンプ４１のゲイン設定（設計値）は、ディスクの反射率や光ピックアップヘッド１２の光電変換感度などを考慮し、アンプ４１の出力レベルがある所定のレベルになるように設定される。しかしながら、実際には、アンプ４１が有する特性ばらつきによりその出力レベルは個々の装置によりばらつく。そこで、設定値記憶部４２ｈにアンプ４１の特性ばらつきに応じた設定値を保持させることによりアンプ４１の出力レベルばらつきを吸収する。
【００４１】
ピークホールド回路４２ａ、ボトムホールド回路４２ｂは、それぞれ、直流カットコンデンサ１３の出力たるＲＦ信号のピーク値またはボトム値をホールドして出力するものである。その態様は、例えば図５に示すようになる。図５は、一般的なＲＦ信号のピーク値およびボトム値を示す説明図である。出力されたピーク値およびボトム値は、それぞれ、ＡＤ変換回路４２ｃ、４２ｄに供給される。
【００４２】
ＡＤ変換回路４２ｃ、４２ｄは、供給されたピーク値およびボトム値をアナログ形式からディジタル形式に変換する。変換で得られた２つのディジタル信号は比較部４２ｅに供給される。比較部４２ｅは、基準レベル記憶部４２ｆからの基準レベル相当の値と、ＡＤ変換回路４２ｃ、４２ｄとの差の値とを比較する。比較の結果（差）は判定部４２ｇに送られる。なお、基準レベル記憶部４２ｆが記憶する基準レベルは、アンプ４１の出力レベルとして設定されるべき値に相当するレベルである。判定部４２ｇは、送られた差と設定値記憶部４２ｈがＤＡ変換回路４２ｉに出力している値とを組にして記憶しておき、次に、設定値記憶部４２ｈが出力する値を更新すべく設定値記憶部４２ｈに働きかける。
【００４３】
設定値記憶部４２ｈが出力する値が更新されると、それに応じたＤＡ変換回路４２ｉの出力レベルがアンプ４１に供給される。以下、同様に基準ディスク１Ａの読み取りによるゲイン設定入力供給部４２の動作が複数回続けられる。これにより判定部４２ｇには、送られた差と設定値記憶部４２ｈがＤＡ変換回路４２ｉに出力している値とからなる組が複数蓄えられる。判定部４２ｇでは、これらの組のうち差が最も小さい組を選択してそのとき設定値記憶部４２ｈがＤＡ変換回路４２ｉに出力している値を、最終的な設定値記憶部４２ｈが保持すべき値と判定する。判定の結果を設定値記憶部４２ｈに導き、この値を、設定値記憶部４２ｈ（不揮発性ディジタルメモリ）にこれ以降半永久的に保持させる。これにより、アンプ４１のゲインが初期設定から適切にオフセットされる。
【００４４】
この実施形態によれば、標準的なディスクに対して個々の装置ごとにばらつきのないアンプ４１の出力レベルを得ることができる。よって、光ピックアップヘッド１２やアンプ４１が有する特性ばらつきの影響を低減し読み出し性能を向上することができる。なお、以上の説明では、判定部４２ｇに複数の「送られた差と設定値記憶部４２ｈがＤＡ変換回路４２ｉに出力している値とからなる組」を蓄積して、これに基づき設定値記憶部４２ｈが保持すべき値を決定しているが、簡易的には、設定値記憶部４２ｈのある初期設定で得られた上記の差に基づいて初期設定をオフセットさせ半永久保持させるようにしてもよい。
【００４５】
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る光ディスク装置について図６を参照して説明する。図６は、本発明のさらに別の実施形態に係る光ディスク装置の構成を示すブロック図であり、ユーザが一般のディスク１１Ａを用いて読み出しを行うときの動作を示すものである。図６において、図４に示した構成要素と同一のものには同一符号を付してあるが、一部構成要素間の矢印が破線表示になっている。破線表示はこの動作においては機能していないことを示している。
【００４６】
図６に示すように、この光ディスク装置は、新たに、エラーレート測定部６１、第２のゲイン設定入力供給部６２を有する。第２のゲイン設定入力設定部６２は、判定部６２ａ、設定値記憶部（ディジタルメモリ）６２ｂを有する。またゲイン設定入力供給部４２には加算回路４２ｊが加えられる。この実施形態では、ディスク１１Ａから読み出し得られたＲＦ信号のエラーレートが所定値以下、または最小となるように新たな要素を設けて構成されている。このような構成によれば、アンプ４１のゲインを、ユーザが使用するディスクに応じてエラーレートを基準にこまめに設定変更することができる。
【００４７】
エラーレート測定部６１は、ディスク１１Ａを読み取り得られたＲＦ信号に対して必要な信号処理を行った上でエラーレートを測定するものである。エラーレートを測定するためあらかじめディスク１１Ａにエラーレート測定用の信号を記録しておく。このような信号としては、ＰＣＡに書き込まれた信号のうち適切な光パワーで書き込まれたものを利用することができる。なお、エラーレートは、バイトとしてのレート、ビットとしてのレートいずれも採用し得る。エラーレート測定の結果は、判定部６２ａに送られ保持される。
【００４８】
判定部６２ａは、送られたエラーレート測定の結果と設定値記憶部６２ｂが加算回路４２ｊに出力している値とを組にして記憶しておき、次に、設定値記憶部６２ｂが出力する値を更新すべく設定値記憶部６２ｂに働きかける。設定値記憶部６２ｂが出力する値が更新されると、加算回路４２ｊを介して、それに応じたＤＡ変換回路４２ｉの出力レベルがアンプ４１に供給される。以下、同様にディスク１１Ａの読み取りによる第２のゲイン設定入力供給部４２の動作が複数回続けられる。これにより、判定部６２ａには、エラーレートの測定結果と設定値記憶部６２ｂが加算回路４２ｊに出力している値とからなる組が複数蓄えられる。
【００４９】
判定部６２ａでは、これらの組のうちエラーレートが最小（最良）の組を選択してそのときの設定値記憶部６２ｂが加算回路４２ｊに出力している値を、適切な設定値記憶部６２ｂの出力すべき値と判定する。判定の結果を設定値記憶部６２ｂに導き、この値に、設定値記憶部６２ｂ（ディジタルメモリ）の出力を設定する。この設定はディスク１１Ａが変更されるまで継続し、変更後には同様にしてアンプ４１のゲイン設定が再び微調整される。
【００５０】
この実施形態によれば、さらに、ＲＦ信号によるエラーレートを基準にして、アンプ４１のゲインをユーザが使用するディスクに応じてこまめに設定変更することができる。なお、以上の説明では、判定部６２ａに複数の「送られたエラーレート測定の結果と設定値記憶部６２ｂが加算回路４２ｊに出力している値とからなる組」を蓄積して、これに基づき設定値記憶部６２ｂが出力すべき値を決定しているが、簡易的には、設定値記憶部６２ｂのある初期設定で得られたエラーレートが所定値より悪いときに限り、次の設定によるエラーレート測定を行ない、以下、所定値より悪いときのみさらに次の設定によるエラーレート測定を行う、というようにして所定値よりよい状態に収めるようにすることもできる。この場合すべての設定で所定値より悪い状態しか得られなかった場合には、例えばその中で最良の設定を選択するようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施形態に係る光ディスク装置の構成を示すブロック図。
【図２】β値の定義を示す説明図。
【図３】ディスクの記録面における領域配置を示す説明図。
【図４】本発明の別の実施形態に係る光ディスク装置の構成を示すブロック図。
【図５】一般的なＲＦ信号のピーク値およびボトム値を示す説明図。
【図６】本発明のさらに別の実施形態に係る光ディスク装置の構成を示すブロック図。
【符号の説明】
【００５２】
１…基準ディスク、１Ａ…基準ディスク、１１…一般ディスク、１１Ａ…一般ディスク、１２…光ピックアップヘッド、１３…直流カットコンデンサ、１４…アンプ、１５…ピークホールド回路、１６…ボトムホールド回路、１７、１８…ＡＤ変換回路、１９…β値算出回路、２０…回路オフセット記憶部、２１…減算回路、２２…書き込み光パワー設定部、４２…ゲイン設定入力供給部、４２ａ…ピークホールド回路、４２ｂ…ボトムホールド回路、４２ｃ、４２ｄ…ＡＤ変換回路、４２ｅ…比較部、４２ｆ…基準レベル記憶部、４２ｇ…判定部、４２ｈ…設定値記憶部、４２ｉ…ＤＡ変換回路、６１…エラーレート測定部、６２…第２のゲイン設定入力供給部、６２ａ…判定部、６２ｂ…設定値記憶部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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