(57)【要約】【課題】  樹脂封止型半導体装置の樹脂封止の際、チップ中央部と周辺部の樹脂流動差により、チップ周辺の残留空気により樹脂中にボイドが残留することを防止する。【解決手段】  半導体素子搭載用のダイパッド部１と、ダイパッド部を支持した吊りリード部２と、ダイパッド部の周囲に配列された複数のリード部４と、ダイパッド部上に搭載された半導体素子３と、半導体素子の電極とリード部とを接続した金属細線５と、金属細線の接続領域を封止した封止樹脂６とを備えた半導体装置であって、封止樹脂の周辺部の少なくとも一部の厚みが、半導体素子が搭載された中央部に比較して薄くなっている。チップ周辺部の樹脂厚みを薄くして、チップ周辺部とチップ中央部との樹脂の流れ込む速度を均一にすることで、ダイパッド部の近傍の封止樹脂中にボイドの発生のない樹脂封止型半導体装置を実現できる。【選択図】  図１
2005209699.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部を支持した吊りリード部と、前記ダイパッド部の周囲に配列された複数のリード部と、前記ダイパッド部上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の電極と前記リード部とを接続した金属細線と、前記金属細線の接続領域を封止した封止樹脂とを備えた半導体装置であって、前記封止樹脂の周辺部の少なくとも一部の厚みが、前記半導体素子が搭載された中央部に比較して薄くなっていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
外部電極端子を底面に有し、前記外部電極端子と電気的に接続した複数の電極を上面に有した複数の導電体からなる多層基板と、前記多層基板上に実装された半導体素子と、前記多層基板上面の複数の電極と前記半導体素子とを接続した金属細線と、前記多層基板上面と前記半導体素子と前記金属細線とを封止した封止樹脂とを備えた半導体装置であって、前記封止樹脂の周辺部の少なくとも一部の厚みが、前記半導体素子が搭載された中央部に比較して薄くなっていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
複数の半導体素子が搭載される請求項１または２記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】
前記封止樹脂の中央部から周辺部を結ぶ稜線が金属細線の角度と平行になるようにした請求項１または２記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】
金属板よりなるフレーム枠内に設けられた半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記フレーム枠より延出した先端部で前記ダイパッド部の各角部を支持する吊りリード部と、前記フレーム枠より延出した先端部が前記ダイパッド部に対向して配列された複数のリード部とからなるリードフレームを用意する工程と、前記リードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の電極と前記リードフレームのリード部とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレームの下面側に封止シートを配置して少なくとも前記リード部、ダイパッド部の底面に前記封止シートを密着させる工程と、前記リードフレームの上面側を封止樹脂により樹脂封止する工程とを含み、前記樹脂封止の際に外殻全体を構成する凹形部と周辺部の厚みを薄くする凸形部とを有する金型を用いて、樹脂充填注入方向に対し、封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に前記凸形部を配置し、前記金属細線の接続領域を封止することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体素子を搭載した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関し、特に封止樹脂中への樹脂ボイドの発生を防止した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化に対応するために、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体装置が要望されている。
【０００３】
従来の樹脂封止型半導体装置としては、エアベントタイプがあった。
【０００４】
例えば、特許文献１には、エアベントを設けることで、ボイドを削減することを特徴としていた。
【０００５】
以下、従来のダイパッド部露出型の樹脂封止型半導体装置について説明する。図１０は従来の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図１０（ａ）は平面図、図１０（ｂ）は底面図、図１０（ｃ）は図１０（ｂ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【０００６】
図１０に示すように、リードフレームのダイパッド部１０１上に半導体素子１０２が搭載され、その半導体素子１０２とインナーリード部１０３とが金属細線１０４により電気的に接続されている。そしてダイパッド部１０１上の半導体素子１０２、インナーリード部１０３の外囲は封止樹脂１０５により封止されている。また封止樹脂１０５の側面とインナーリード部１０３の末端部とは同一面に配置されているものであり、ダイパッド部１０１の底面が封止樹脂１０５から露出しているダイパッド部露出型の樹脂封止型半導体装置である。またインナーリード部１０３の先端部が外部端子１０６として露出しているものである。
【０００７】
次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。図１１はリードフレームを用いた従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。
【０００８】
まず図１１（ａ）に示すように、フレーム枠と、そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部１０１と、ダイパッド部１０１を支持する吊りリード部と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリード部１０３とを有したリードフレームを用意する。
【０００９】
次に図１１（ｂ）に示すように、リードフレームのダイパッド部１０１上に半導体素子１０２を銀ペースト等の接着剤により接合する（ダイボンド工程）。
【００１０】
次に図１１（ｃ）に示すように、ダイパッド部１０１上に搭載した半導体素子１０２の表面の電極パッド（図示せず）と、リードフレームのインナーリード部１０３の先端部とを金属細線１０４により接続する（ワイヤーボンド工程）。
【００１１】
その後、図１１（ｄ）に示すように、封止シートをリードフレームに密着させた状態でダイパッド部１０１、半導体素子１０２、インナーリード部１０３の外囲を封止樹脂１０５により封止する。この工程ではリードフレームの底面に封止シートを密着させて封止しているので、ダイパッド部１０１の底面を除く領域、吊りリード部、半導体素子１０２、インナーリード部１０３の底面を除く領域、および金属細線１０４の接続領域を封止するものであり、封止後は封止樹脂１０５の底面からダイパッド部１０１の底面が露出した構成となる。
【特許文献１】特開２００３−１７６４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら従来の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法では、チップのある中央部に比較し、周辺部では樹脂厚みが異なるために樹脂の流れ込む流動抵抗が異なる。そのため、流動速度の差が生じ、チップの裏にエアートラップが発生し、結果として空気が残留することから、樹脂ボイドとなってダイパッド部近傍の封止樹脂中に発生してしまう。特許文献１において、エアベントを設置してもボイドを削減することができても同様な結果となった。
【００１３】
このような現象は近年、パッケージの薄型化とチップの積層化に伴い、チップ上部と樹脂下面のクリアランスが減少したために樹脂封止工程の際に発生することが多く、樹脂封止型半導体装置を製造する上で大きな問題となっていた。
【００１４】
封止樹脂中に樹脂ボイドが発生している場合、樹脂封止型半導体装置を基板実装した際、加熱環境下での動作中に樹脂へのクラック、実装不良が発生し、信頼性上、好ましくない状況となる。
【００１５】
したがって、この発明の目的は、前記した従来の課題を解決するものであり、樹脂封止型半導体装置の樹脂封止の際、チップ中央部と周辺部の樹脂流動差により、チップ周辺の残留空気により樹脂中にボイドが残留することを防止する樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記課題を解決するために、この発明の請求項１記載の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部を支持した吊りリード部と、前記ダイパッド部の周囲に配列された複数のリード部と、前記ダイパッド部上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の電極と前記リード部とを接続した金属細線と、前記金属細線の接続領域を封止した封止樹脂とを備えた半導体装置であって、前記封止樹脂の周辺部の少なくとも一部の厚みが、前記半導体素子が搭載された中央部に比較して薄くなっている。
【００１７】
請求項２記載の樹脂封止型半導体装置は、外部電極端子を底面に有し、前記外部電極端子と電気的に接続した複数の電極を上面に有した複数の導電体からなる多層基板と、前記多層基板上に実装された半導体素子と、前記多層基板上面の複数の電極と前記半導体素子とを接続した金属細線と、前記多層基板上面と前記半導体素子と前記金属細線とを封止した封止樹脂とを備えた半導体装置であって、前記封止樹脂の周辺部の少なくとも一部の厚みが、前記半導体素子が搭載された中央部に比較して薄くなっている。
【００１８】
請求項３記載の樹脂封止型半導体装置は、請求項１または２記載の樹脂封止型半導体装置において、複数の半導体素子が搭載される。
【００１９】
請求項４記載の樹脂封止型半導体装置は、請求項１または３記載の樹脂封止型半導体装置において、前記封止樹脂の中央部から周辺部を結ぶ稜線が金属細線の角度と平行になるようにした。
【００２０】
請求項５記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、金属板よりなるフレーム枠内に設けられた半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記フレーム枠より延出した先端部で前記ダイパッド部の各角部を支持する吊りリード部と、前記フレーム枠より延出した先端部が前記ダイパッド部に対向して配列された複数のリード部とからなるリードフレームを用意する工程と、前記リードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の電極と前記リードフレームのリード部とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレームの下面側に封止シートを配置して少なくとも前記リード部、ダイパッド部の底面に前記封止シートを密着させる工程と、前記リードフレームの上面側を封止樹脂により樹脂封止する工程とを含み、前記樹脂封止の際に外殻全体を構成する凹形部と周辺部の厚みを薄くする凸形部とを有する金型を用いて、樹脂充填注入方向に対し、封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に前記凸形部を配置し、前記金属細線の接続領域を封止する。
【発明の効果】
【００２１】
この発明の請求項１記載の樹脂封止型半導体装置によれば、封止樹脂の周辺部の少なくとも一部の厚みが、半導体素子が搭載された中央部に比較して薄くなっているので、周辺部の封止時の流動速度を抑制する効果持つ。すなわち、封止樹脂は、流動中もかなりの粘度を有するため、チップ上部の封止厚みの狭くなった空間に流れ込もうとすると流動抵抗が生じ、流動速度が遅くなり、チップ周辺部と速度差が生じる。従って、チップを包み込むように樹脂流れが発生し、チップの後方にエアートラップが発生し易い。これがプランジャー圧力によりつぶれることもあるが、そのまま残り課題となっていた。上記のようにチップ周辺部の樹脂厚みを薄くして、チップ周辺部とチップ中央部との樹脂の流れ込む速度を均一にすることで、ダイパッド部の近傍の封止樹脂中にボイドの発生のない樹脂封止型半導体装置を実現できる。
【００２２】
この発明の請求項２記載の樹脂封止型半導体装置によれば、複数の導電体からなる多層基板を備えた構成において、封止樹脂の周辺部の少なくとも一部の厚みが、半導体素子が搭載された中央部に比較して薄くなっているので、請求項１と同様に周辺部の封止時の流動速度を抑制する効果持つ。
【００２３】
請求項３では、複数の半導体素子が搭載される構成であり、複数のチップからなる半導体装置に適用できる。
【００２４】
請求項４では、封止樹脂の中央部から周辺部を結ぶ稜線が金属細線の角度と平行になるようにしたので、ワイヤ（金属細線）流れを防止する。すなわち、ワイヤ上部の樹脂厚みをワイヤ角度と平行に近づけることで、チップ周辺部とチップ中央部の樹脂速度変化を緩やかに保持することができ、樹脂封止時のワイヤ流れを抑制する効果を付属的に有する。
【００２５】
この発明の請求項５記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、前記樹脂封止の際に外殻全体を構成する凹形部と周辺部の厚みを薄くする凸形部とを有する金型を用意し、樹脂充填注入方向に対し、封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に凸形部を配置し、金属細線の接続領域を封止するので、樹脂封止する工程では、周辺部の凸型部からなる金型を有することで、周辺部の樹脂速度を遅くすることで全体の速度バランスを保ち、エアートラップ発生が起こしにくい樹脂封止する製造方法である。封止後の形状は、封止樹脂の周辺部の少なくとも一部の厚みにおいて、半導体素子が搭載された中央部に比較し、薄くなっている。これにより、ボイドの発生を防止できるものであり、ダイパッド部露出型の片面封止タイプの樹脂封止型半導体装置の製造方法に広く適用できる優れた製法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２７】
この発明の第１の実施の形態を図１〜図５に基づいて説明する。図１は本発明の第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は底面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ’箇所の断面図である。
【００２８】
図１に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子搭載用の上方に突出部１ａを半切断状態で有したダイパッド部１と、そのダイパッド部１を支持した吊りリード部２と、ダイパッド部１の支持部１ａ上に搭載された半導体素子３と、ダイパッド部１の周囲において先端部がダイパッド部２に対向して配列された複数のリード部４と、半導体素子３の電極とリード部４とを接続した金属細線５と、金属細線５の接続領域を封止した封止樹脂６とを備えている。
【００２９】
この場合、複数のリード部４は、先端部がダイパッド部１に対向して配列された第１のリード部４ａと、先端部が第１のリード部４ａの先端部領域よりもダイパッド部１側に延在して配置された第２のリード部４ｂとからなる。半導体素子３の電極と第１，第２のリード部４ａ，４ｂとを金属細線５で接続している。また、ダイパッド部１の底面を除く領域、吊りリード部２、半導体素子３、第１，第２のリード部４ａ，４ｂの底面と末端部を除く領域、および金属細線５の接続領域を封止樹脂６により封止している。第１，第２の各リード部４ａ，４ｂの末端部は封止樹脂６の側面と略同一面に配列され、封止樹脂６の周辺部の少なくとも一部の厚みが、半導体素子３が搭載された中央部に比較し、薄くなっている。
【００３０】
次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置におけるダイパッド部の構成について説明する。図２は本発明の第１の実施形態のダイパッド部の形態を示す図であり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図である。
【００３１】
まず図２（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置で採用しているダイパッド部１は、平面形状が略四角形の形状であり、略中央部に上方に突出した半導体素子を支持する支持部１ａが形成されているものである。支持部１ａの形成としては、ダイパッド部を構成する金属板に対して、下方から上方に向けて押圧し、半切断状態で突出させているものである。
【００３２】
以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置では、封止樹脂の厚みを中央部と周辺部で変化させることで、封止時の樹脂の流動速度を均一にし、エアートラップ発生を防止できるものである。また、チップ中央部と周辺部を結ぶ稜線は、ワイヤ角度にできるだけ平行に保つことで、速度差が生じなくなり、ワイヤ流れを防止する効果を付加的にもつことが可能となる。
【００３３】
次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【００３４】
図３、図４、図５は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す図であり、図３は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームを示す図であり、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＤ−Ｄ１箇所の断面図である。図４は本実施形態の製造方法の主要な工程を示す断面図である。
【００３５】
まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームについて説明する。
【００３６】
図３に示すように、銅材または、４２−アロイ等の通常のリードフレームに用いられている金属板よりなるフレーム枠内に設けられ、半導体素子を搭載する支持部１ａを有した略四角形のダイパッド部１と、フレーム枠より延出した吊りリード部２および複数のリード部４とからなる。
【００３７】
吊りリード部２は、その末端でフレーム枠と接続し、先端部でダイパッド部１の四隅角を支持する。複数のリード部４は、その先端部がダイパッド部１に対向し、末端部がフレーム枠と接続して配置された直線状の第１のリード部４ａと、直線状の第２のリード部４ｂとよりなる。第１のリード部４ａ、第２のリード部４ｂはそれぞれその先端底面で外部端子（ランド部）を構成するものであり、第１のリード部４ａはその底面に加えて外方側面でも外部端子として実装基板と接続できるものである。
【００３８】
そして詳細には、ダイパッド部１にはその表面の略中央部分に円形の支持部１ａが設けられ、その支持部１ａは、ダイパッド部１を構成している平板に対してプレス加工により半切断状態のプレスを施し、上方に突出させたものである。この支持部１ａが実質的に半導体素子を支持する部分となり、半導体素子を搭載した際、ダイパッド部１の支持部１ａを除く表面と半導体素子裏面との間には間隙が形成されるよう構成されている。本実施形態では、２００μｍの金属板よりなるダイパッド部１（リードフレーム厚）の厚みに対して、５０μｍ〜１００μｍ（金属板自体の厚みの２５％〜５０％）突出した支持部１ａを形成している。
【００３９】
また、本実施形態のリードフレームの第１のリード部４ａと第２のリード部４ｂは、フレーム枠と接続した状態では交互配列の並列配置となっており、ダイパッド部１に対向する配置においては、第２のリード部４ｂの先端部が第１のリード部４ａの先端部よりもダイパッド部１側に延在し、それら先端部どうしは平面配置上、千鳥状に配置されているものである。この配置は、半導体素子を搭載し、樹脂封止した際には、パッケージ底面に２列の外部端子が千鳥状に配置されるようにしたものであり、各リード部の先端部底面がパッケージ底面に配置されるものである。そして各リード部は直線形状のリードであり、その先端部の底面部分に外部端子となる先端部が曲率を有したランド部が形成されており、第２のリード部４ｂのランド部を形成する部分以外はハーフエッチ加工により厚みが薄く加工され、ランド部はリード本来の厚みを有するものである。
【００４０】
以下、前述のリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する工程について説明する。
【００４１】
まず図４（ａ）に示すように、金属板よりなるフレーム枠内に設けられた半導体素子搭載用のダイパッド部１と、そのダイパッド部１の各角部をその先端部で支持し、末端部がフレーム枠に接続した吊りリード部と、先端部がダイパッド部１に対向して配列され、末端部がフレーム枠に接続した複数の第１、第２のリード部４ａ，４ｂとよりなるリードフレームであって、ダイパッド部１の底面には、エアベントが設けられているリードフレームを用意する。
【００４２】
次に図４（ｂ）に示すように、用意したリードフレームのダイパッド部１の支持部１ａ上に半導体素子３をその主面を上にして接着搭載する。
【００４３】
次に図４（ｃ）に示すように、ダイパッド部１上に搭載した半導体素子３の電極と、リードフレームの第１、第２のリード部４ａ，４ｂとを金属細線５により電気的に接続する。
【００４４】
そして図４（ｄ）に示すように、リードフレームの下面であって、少なくとも第１，第２のリード部４ａ，４ｂ、ダイパッド部１の底面に封止シート８を貼付により密着させ、リードフレームの上面側を封止樹脂６により樹脂封止する。この際、ダイパッド部１の底面を除く領域、吊りリード部、半導体素子３、第１、第２のリード部４ａ，４ｂの底面を除く領域、および金属細線５の接続領域を外殻全体を構成する凹形部（凹金型１４）と周辺部の厚みを薄くする凸形部（凸金型１３）とを有する金型で封止する。
【００４５】
次に図５（ａ）に示すように、カル１１に固形化された樹脂がつめられ、ランナー１２を通過し、樹脂が充填される。この時、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ’の断面図であり、凹金型１４と樹脂周辺部に配置された凸金型１３で構成されることで、内部空間に樹脂６が充填される。この時、樹脂６の充填方向が変わると、凸金型１３の配置位置が変わる。充填方向の垂直方向に周辺部の厚みが薄くなるように凸金型１３を配置する。図５（ａ）においては、４角形の２辺で周辺部の厚みが薄くなっている。
【００４６】
図６は本発明の第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図６（ａ）は、平面図、図６（ｂ）は底面図、図６（ｃ）は図６（ｂ）のＡ−Ａ’箇所の断面図である。すなわち、樹脂の注入方向を変化させた時の構成であり、樹脂注入口の位置により周辺部の厚みが薄くなる部分が変化する。図６（ａ）においては、４角形の２コーナーで周辺部の厚みが薄くなっている。図６のように、樹脂ゲート１０がコーナ部にあり、樹脂注入方向が変わると凸金型の形状と位置が変わる。樹脂流動の流れ方により、凸金型１３は変わるが凹金型１４は共通で利用可能である。この封止工程では、パッケージタイプにより凸形部を変更することで全体の凹形部は、変更することなく活用可能となる。
【００４７】
図７は本発明の第３の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図７（ａ）は、平面図、図７（ｂ）は底面図、図７（ｃ）は図７（ｂ）のＡ−Ａ’箇所の断面図である。図７に示すように、周辺部全体が半導体素子搭載部中央に比較し、薄くなる構成となり、その効果は、同様である。ここでは、複数の半導体素子が積層して搭載した例を示している。
【００４８】
図８は本発明の第４の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図８（ａ）は、平面図、図８（ｂ）は底面図、図８（ｃ）は図８（ｂ）のＡ−Ａ’箇所の断面図である。図８に示すように、複数の半導体素子３が積層して搭載される構成である。このように、複数チップ時の構成としても、その効果は同様である。
【００４９】
図９は本発明の第５の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図９（ａ）は、平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ’箇所の断面図である。
【００５０】
図９に示すように、この樹脂封止型半導体装置は、複数の導電体からなる多層基板（半導体キャリア基板）で構成されている。すなわち、外部電極端子８を底面に有し、外部電極端子８と電気的に接続した複数の電極を上面に有した複数の導電体からなる多層基板７と、多層基板７上に実装された半導体素子３と、多層基板７上面の複数の電極と半導体素子３とを接続した金属細線５と、多層基板７上面と半導体素子３と金属細線５とを封止した封止樹脂６とを備え、封止樹脂６の周辺部の少なくとも一部の厚みが、半導体素子３が搭載された中央部に比較して薄くなっている。半導体素子３は１つでも複数積層しても同様である。本実施形態においても同様の効果がある。
【００５１】
なお、本実施形態では、第１のリード部の底面、第２のリード部の底面はランド電極を構成し、封止樹脂の下面領域において平面配列で少なくとも２列を構成している樹脂封止型半導体装置を例に説明したが、１列タイプ、３列以上の多列であっても、ダイパッド部露出型の片面封止タイプの樹脂封止型半導体装置の製造方法に広く適用できるものである。
以上の実施形態のように半導体装置の樹脂封止を一括成形することにより生産性が向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明にかかる樹脂封止型半導体製造装置およびその製造方法は、チップ周辺部の樹脂厚みを薄くすることにより、ダイパッド部の近傍の封止樹脂中にボイドの発生のない樹脂封止型半導体装置を実現できる等の効果を有し、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態のダイパッド部の形態を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームを示す図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の説明図である。
【図６】本発明の第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図である。
【図７】本発明の第３の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図である。
【図８】本発明の第４の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図である。
【図９】本発明の第５の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図１０】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図である。
【図１１】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  ダイパッド部
１ａ  突出部
２  吊りリード部
３  半導体素子
４ａ  第１のリード部
４ｂ  第２のリード部
５  金属細線
６  封止樹脂
７  多層基板
８  外部電極端子
９  接着剤
１０  樹脂ゲート
１１  カル
１２  ランナー
１３  凸金型
１４  凹金型
１０１  ダイパッド部
１０２  半導体素子
１０３  インナーリード部
１０４  金属細線
１０５  封止樹脂
１０６  外部端子
【図１】
2005209699.tif 000003
【図２】
2005209699.tif 000004
【図３】
2005209699.tif 000005
【図４】
2005209699.tif 000006
【図５】
2005209699.tif 000007
【図６】
2005209699.tif 000008
【図７】
2005209699.tif 000009
【図８】
2005209699.tif 000010
【図９】
2005209699.tif 000011
【図１０】
2005209699.tif 000012
【図１１】
2005209699.tif 000013