(57)【要約】【課題】繰り返しパターンを部分一括露光方式により露光することにより、ステンシルマスクの作製のためのスループットの向上、ステンシルマスクのパターン精度の向上を図ることができるパターン処理装置、パターン処理方法およびステンシルマスクの作製方法を提供する。【解決手段】相補分割前に繰り返しパターンを抽出し、繰り返しパターンについては同じ位置で相補分割する。これにより、繰り返しパターンを相補分割して作成される配置パターンも同様に繰り返しパターンとなる。このため、部分一括セルの利用率を向上させた配置パターンの作成を行うことができる。そして、繰り返しパターンについては、部分一括アパーチャマスクを用いて一括露光し、残りのパターンについては可変成形方式により露光する。【選択図】図２
2005259992.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設計パターンから繰り返しパターンを抽出するパターン抽出手段と、
抽出した前記繰り返しパターンを全て同じ位置で必要に応じて相補分割し、かつ、残りのパターンを必要により相補分割する相補分割手段と、
相補分割した前記繰り返しパターンおよび残りのパターンをマスク上に配置すべき位置を決定し、配置パターンを作成するパターン配置決定手段と
を有するパターン処理装置。
【請求項２】
前記相補分割手段は、前記抽出した前記繰り返しパターンがアパーチャマスクの部分一括セルの大きさを越える場合に、前記繰り返しパターンがアパーチャマスクの部分一括セルの大きさ以下となるように相補分割する
請求項１記載のパターン処理装置。
【請求項３】
前記パターン抽出手段は、繰り返し回数が多く、かつ、寸法精度を重視するパターンを優先的に抽出する
請求項１記載のパターン処理装置。
【請求項４】
マスクブランクスに貫通孔からなるマスクパターンを形成するために用いる部分一括アパーチャマスクであって、
設計パターンから抽出した繰り返しパターンが同じ位置で相補分割された形状のセルパターンが形成された部分一括セルを複数有する
部分一括アパーチャマスク。
【請求項５】
設計パターンに基づいて、ステンシルマスクに配置すべき配置パターンを作成するデータ処理方法であって、
設計パターンから繰り返しパターンを抽出するステップと、
抽出した前記繰り返しパターンを全て同じ位置で必要に応じて相補分割し、かつ、残りのパターンを必要により相補分割するステップと、
相補分割した前記繰り返しパターンおよび残りのパターンをステンシルマスク上に配置すべき位置を決定し、前記配置パターンを作成するステップと
を有するパターン処理方法。
【請求項６】
前記相補分割するステップにおいて、前記抽出した前記繰り返しパターンがアパーチャマスクの部分一括セルの大きさを越える場合に、前記繰り返しパターンがアパーチャマスクの部分一括セルの大きさ以下となるように相補分割する
請求項５記載のパターン処理方法。
【請求項７】
前記繰り返しパターンを抽出するステップにおいて、繰り返し回数が多く、かつ、寸法精度を重視するパターンを優先的に抽出する
請求項５記載のパターン処理方法。
【請求項８】
設計パターンから繰り返しパターンを抽出するステップと、
抽出した前記繰り返しパターンを全て同じ位置で必要に応じて相補分割し、かつ、残りのパターンを必要により相補分割するステップと、
相補分割した前記繰り返しパターンおよび残りのパターンをマスク上に配置すべき位置を決定し、配置パターンを作成するステップと
前記配置パターンのうち、相補分割後の前記繰り返しパターンを形成した部分一括露光用アパーチャマスクを作製するステップと、
パターン形成前のレジストが塗布されたマスクブランクスに、前記繰り返しパターンを部分一括露光用アパーチャマスクを用いて露光し、他のパターンを可変成形により露光するステップと、
現像によりレジストパターンを形成するステップと、
前記レジストパターンをエッチングマスクとして、前記マスクブランクスをエッチングして貫通孔よりなるマスクパターンを形成するステップと
を有するステンシルマスクの作製方法。
【請求項９】
前記相補分割するステップにおいて、前記抽出した前記繰り返しパターンがアパーチャマスクの部分一括セルの大きさを越える場合に、前記繰り返しパターンがアパーチャマスクの部分一括セルの大きさ以下となるように相補分割する
請求項８記載のステンシルマスクの作製方法。
【請求項１０】
前記繰り返しパターンを抽出するステップにおいて、繰り返し回数が多く、かつ、寸法精度を重視するパターンを優先的に抽出する
請求項８記載のステンシルマスクの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、ステンシルマスクを作製するために用いられるパターン処理装置、部分一括アパーチャマスク、パターン処理方法およびステンシルマスクの作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代半導体リソグラフィ技術として、微細パターン形成に長所のある電子線露光技術が注目されている。パターニングのスループットを上げるため、とりわけＰＲＥＶＡＩＬ（非特許文献１参照）やＬＥＥＰＬ（low energy electron beam proximity projection
lithography 、非特許文献２参照）等の転写型電子線露光技術が注目されている。
【０００３】
転写型電子線露光装置に用いるマスクとしては、マスクパターンが電子線通過用の貫通孔で形成されたステンシルマスクがある。ステンシルマスクには、マスクパターンとして、ドーナツ状パターン等を作製することができない。これは、ドーナツ状パターンの中央部を支持することができず、抜け落ちてしまうからである。このため、ステンシルマスクでは、パターンを相補分割する必要がある（特許文献１〜４参照）。
【０００４】
一方、ステンシルマスクにパターンを形成するためのパターン描画には、電子線が用いられる。電子線描画方式としては、直接パターンを描画する直接描画方式（非特許文献３、ｐ．１５２〜１６７参照）、可変成形アパーチャを用いる可変成形方式（非特許文献３、ｐ．１６８〜１７６参照）、部分一括露光方式（非特許文献３、ｐ．１７７〜１８５参照）がある。
【０００５】
現在の電子線描画装置は、可変成形方式と部分一括露光方式の機能を備えていることが多い。図１０は、電子線描画装置の概略構成図である。
【０００６】
電子線描画装置は、電子ビームＥＢを出射する電子銃１０１と、第１成形アパーチャマスク１０２と、偏向器１０３ａ，１０３ｂと、第２成形アパーチャマスク１０４と、縮小レンズや対物レンズ等で構成される光学系１０５と、被処理基板１００を搭載するステージ１０６とを有する。
【０００７】
上記の電子線描画装置では、電子ビームＥＢは、第１成形アパーチャマスク１０２と第２成形アパーチャマスク１０４の開口を通過することにより、所望のパターン形状に成形される。成形されたビームは、光学系１０５により縮小されて被処理基板１００の図示しないレジストに転写される。
【０００８】
図１１は可変成形方式について説明するための図である。
図１１（ａ）に示すように、第１成形アパーチャマスク１０２の可変成形アパーチャ１０２ａと、第２成形アパーチャマスク１０４の可変成形アパーチャ１０４ａの重なり合いを変化させることにより、電子ビームＥＢを所望のパターン形状に成形する。これを可変成形方式という。図１１（ｂ）に示すように、可変成形アパーチャ１０２ａ，１０４ａとも矩形の場合には、可変成形アパーチャ１０２ａ，１０４ａを通過した電子ビームＥＢのパターンは、図中斜線で示すように矩形にしかならない。
【０００９】
一方、第２成形アパーチャマスク１０４に任意のパターンを形成しておくことで、そのパターンを一回で露光することができる。これを部分一括露光方式という。例えば、図１２（ａ）に示すように、Ｆというパターンを被処理基板１００に転写する場合、可変成形方式の場合には、矩形パターンＰ１１，Ｐ１２，Ｐ１３に分けて、３回露光する必要がある。これに対し、図１２（ｂ）に示すように、第２成形アパーチャマスク１０４の部分一括セルＣにＦというセルパターンＣＰを形成しておくことにより、一回の露光によりＦというパターンを転写できる。部分一括露光用のセルパターンＣＰの形成領域となる部分一括セルＣは、第１成形アパーチャマスク１０２の可変成形アパーチャ１０２ａの大きさと同等かそれ以下となる。
【００１０】
図１３は、第２成形アパーチャマスク１０４の詳細な構成を示す図である。
第２成形アパーチャマスク１０４の各部分一括セルＣには、様々なセルパターンＣＰが用意されており、偏向器１０３ａ，１０３ｂにより任意のセルパターンＣＰが配置された部分一括セルＣを選択している。偏向器１０３ａにより電子ビームＥＢが所望の部分一括セルＣに照射されるよう電子ビームＥＢを偏向させ、偏向器１０３ｂにより部分一括セルＣに対し電子ビームＥＢが垂直となるように電子ビームＥＢを振り戻している（図１０参照）。図１３では、右側の列の真ん中のセルＣを選択している例を示す。
【００１１】
第２成形アパーチャマスク１０４を保持する不図示のステージを動かさずに、部分一括セルＣを選択することができるセル数は、偏向器１０３ａ，１０３ｂにより電子ビームＥＢを偏向できる領域の大きさにより決まる。異なる部分一括セルＣのセルパターンＣＰ同士のつなぎ精度を良くするためには、なるべく可変成形アパーチャ１０２ａ直下の部分一括セルＣで、かつ、セル同士が近いところにある方が良い。偏向器１０３ａ，１０３ｂのくせが影響しにくくなるからである。
【特許文献１】特開２００３−１５１８７７号公報
【特許文献２】特開２００３−１５８０５８号公報
【特許文献３】特開２００３−１８８０８６号公報
【特許文献４】特開２００３−２８２４１９号公報
【非特許文献１】H.C. Pfeiffer 他，Journal of Vacuum Science and Technology B17 p.2840(1999)
【非特許文献２】T.Utumi, Journal of Vacuum Science and Technology B17 p.2897(1999)
【非特許文献３】「ＵＬＳＩリソグラフィ技術の革新」，サイエンスフォーラム社
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ステンシルマスクにパターンを形成するためのパターン描画において、繰り返しの多いパターンを、部分一括セル方式を利用して描画することができれば、ステンシルマスクの作製のためのスループットの向上や、線幅均一性の向上が望める。
【００１３】
しかしながら、上述したように、ステンシルマスクに形成するパターンは、ウエハに転写すべき設計パターンを相補分割したものである。従って、何も考慮せずに設計パターンを相補分割した場合には、パターンの分割線がランダムとなって、部分一括セルＣの有効利用率が低下する恐れがある。部分一括セルＣの有効利用率が低下すると、スループットが低下し、線幅均一性が劣化してしまう。
【００１４】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、設計パターンからステンシルマスクに形成すべき配置パターンを作成するためのパターン処理において、部分一括セルの利用率を向上させた配置パターンの作成を行うことができるパターン処理装置およびパターン処理方法を提供することにある。
【００１５】
本発明の他の目的は、ステンシルマスクの作製において、部分一括セルの利用率を向上させた部分一括アパーチャマスクを提供することにある。
【００１６】
本発明の他の目的は、繰り返しパターンを部分一括露光方式により露光することにより、ステンシルマスクの作製のためのスループットの向上、ステンシルマスクのパターン精度の向上を図ることができるステンシルマスクの作製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の目的を達成するため、本発明のパターン処理装置は、設計パターンから繰り返しパターンを抽出するパターン抽出手段と、抽出した前記繰り返しパターンを全て同じ位置で必要に応じて相補分割し、かつ、残りのパターンを必要により相補分割する相補分割手段と、相補分割した前記繰り返しパターンおよび残りのパターンをマスク上に配置すべき位置を決定し、配置パターンを作成するパターン配置決定手段とを有する。
【００１８】
上記のパターン処理装置では、パターン抽出手段により設計パターンから繰り返しパターンを抽出した後に、相補分割手段により抽出した繰り返しパターンを全て同じ位置で必要に応じて相補分割する。
繰り返しパターンについて相補分割する場合に全て同じ位置で相補分割することから、繰り返しパターンを相補分割して作成される配置パターンも同様に繰り返しパターンの多いものとなる。
【００１９】
上記の目的を達成するため、本発明は、マスクブランクスに貫通孔からなるマスクパターンを形成するために用いる部分一括アパーチャマスクであって、設計パターンから抽出した繰り返しパターンが同じ位置で相補分割された形状のセルパターンが形成された部分一括セルを複数有する。
【００２０】
上記の部分一括アパーチャマスクでは、各部分一括セルのセルパターンは、設計パターンから抽出した繰り返しパターンが同じ位置で相補分割された形状となっている。このため、セルパターンの利用率を向上させることができる。
【００２１】
上記の目的を達成するため、本発明のパターン処理方法は、設計パターンに基づいて、ステンシルマスクに配置すべき配置パターンを作成するデータ処理方法であって、設計パターンから繰り返しパターンを抽出するステップと、抽出した前記繰り返しパターンを全て同じ位置で必要に応じて相補分割し、かつ、残りのパターンを必要により相補分割するステップと、相補分割した前記繰り返しパターンおよび残りのパターンをステンシルマスク上に配置すべき位置を決定し、前記配置パターンを作成するステップとを有する。
【００２２】
上記の本発明のパターン処理方法では、相補分割前に設計パターンから繰り返しパターンを抽出し、繰り返しパターンについては同じ位置で相補分割するため、繰り返しパターンを相補分割して作成される配置パターンも同様に繰り返しパターンとなる。
【００２３】
上記の目的を達成するため、本発明のステンシルマスクの作製方法は、設計パターンから繰り返しパターンを抽出するステップと、抽出した前記繰り返しパターンを全て同じ位置で必要に応じて相補分割し、かつ、残りのパターンを必要により相補分割するステップと、相補分割した前記繰り返しパターンおよび残りのパターンをマスク上に配置すべき位置を決定し、配置パターンを作成するステップと前記配置パターンのうち、相補分割後の前記繰り返しパターンを形成した部分一括露光用アパーチャマスクを作製するステップと、パターン形成前のレジストが塗布されたマスクブランクスに、前記繰り返しパターンを部分一括露光用アパーチャマスクを用いて露光し、他のパターンを可変成形により露光するステップと、現像によりレジストパターンを形成するステップと、前記レジストパターンをエッチングマスクとして、前記マスクブランクスをエッチングして貫通孔よりなるマスクパターンを形成するステップとを有する。
【００２４】
上記の本発明のステンシルマスクの作製方法では、相補分割前に設計パターンから繰り返しパターンを抽出し、繰り返しパターンについては同じ位置で相補分割するため、繰り返しパターンを相補分割して作成される配置パターンも同様に繰り返しパターンとなる。従って、相補分割後の繰り返しパターンを形成した部分一括露光用アパーチャマスクのセル利用率が向上する。
このようにして作製された部分一括露光用アパーチャマスクを用いて、マスクブランクスに繰り返しパターンを露光することにより、繰り返しパターンについては一括して露光することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のパターン処理装置およびパターン処理方法によれば、設計パターンからステンシルマスクに形成すべき配置パターンを作成するためのパターン処理において、部分一括セルの利用率を向上させた配置パターンの作成を行うことができる。
また、本発明の部分一括アパーチャマスクによれば、ステンシルマスクの作製において、部分一括セルの利用率を向上させることができる。
さらに、本発明のステンシルマスクの作製方法によれば、繰り返しパターンを部分一括露光方式により露光することにより、ステンシルマスクの作製のためのスループットの向上、ステンシルマスクのパターン精度の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２７】
図１は、本実施形態に係るパターン処理装置の構成を示す図である。
【００２８】
設計データＤ１には、ステンシルマスクを用いてウエハに転写するためのレイアウトパターン（設計パターン）が含まれている。
【００２９】
描画データＤ２には、ステンシルマスクに開口からなるマスクパターンを形成するための配置パターンが含まれる。設計パターンと実際にステンシルマスクに形成する配置パターンとは、パターン配置が異なる。これは、ステンシルマスクには、ドーナツパターン等は開口で形成できないからである。また、ステンシルマスクには、メンブレンを補強するための梁を形成する場合があり、この場合には梁が存在する箇所にはパターンの開口を形成できないからである。従って、設計パターンをそのままの配置でステンシルマスクに開口として形成することができず、通常、設計パターンを相補分割する必要がある。
【００３０】
パターン処理装置１は、設計データＤ１を入力して、描画データＤ２を作製する。パターン処理装置１は、パターン抽出手段２と、相補分割手段３と、パターン配置決定手段４とを有する。
【００３１】
パターン抽出手段２は、設計パターンから繰り返しパターンを抽出する。パターン抽出手段２は、繰り返し回数が多く、かつ、寸法精度を重視するパターンを優先的に抽出する。
【００３２】
相補分割手段３は、抽出した繰り返しパターンを全て同じ位置で必要に応じて相補分割し、かつ、残りのパターンを必要により相補分割する。相補分割手段３は、抽出した繰り返しパターンが部分一括セルの大きさを越える場合に、繰り返しパターンがアパーチャマスクの部分一括セルの大きさ以下となるように相補分割する。
【００３３】
パターン配置決定手段４は、相補分割した繰り返しパターンおよび残りのパターンをマスク上に配置すべき位置を決定し、配置パターンを作成する。
【００３４】
上記のパターン抽出手段２と、相補分割手段３と、パターン配置決定手段４は、パターン処理装置１に内蔵されたＣＰＵが、パターン処理手順が書き込まれたプログラムに基づいてパターン処理を実行することにより実現する機能である。
【００３５】
以下、パターン処理装置１により行われるパターン処理について、図２に示すフローチャートと、図２の各ステップに対応する以降の図面を参照して説明する。
【００３６】
まず、ウエハに転写すべき設計パターンを処理単位領域Ａｒに区切り、処理単位領域Ａｒ内の繰り返しパターンを抽出する（ステップＳＴ１）。図３は、１つの処理単位領域Ａｒ内の設計パターン１０を示す。
【００３７】
図３に示す例では、設計パターン１０は、パターンＰ１〜パターンＰ６を有する。図３に示すパターンＰ１〜Ｐ６のうち、パターンＰ１とパターンＰ２、パターンＰ３とパターンＰ４とが同じパターンであり、繰り返しパターンとなる。
【００３８】
従って、図４に示すように、ステップＳＴ１の繰り返しパターンの抽出において、パターン抽出手段２により、パターンＰ１とパターンＰ２、パターンＰ３とパターンＰ４とが抽出される。
【００３９】
次に、相補分割手段３により抽出した繰り返しパターンを全て同じ位置で必要に応じて相補分割し、かつ、残りのパターンを必要により相補分割する（ステップＳＴ２）。相補分割手段３は、抽出した繰り返しパターンが部分一括セルの大きさを越える場合に、繰り返しパターンがアパーチャマスクの部分一括セルの大きさ以下となるように相補分割する。部分一括セルの大きさは、ウエハ上サイズで約５μｍ角である。
【００４０】
従って、例えば５μｍ角を越えるパターンは相補分割する。図４では、パターンＰ１とパターンＰ２が部分一括セルの大きさを越える例を示す。従って、パターンＰ１とパターンＰ２とを相補分割する必要がある。ここで、これらの繰り返しパターンにおける相補分割は、同じ位置で分割する。図４に示す例では、点線で示す分割線により、パターンＰ１をパターンＰ１−１とパターンＰ１−２とに分割し、パターンＰ２をパターンＰ２−１とパターンＰ２−２とに分割する。
【００４１】
また、部分一括セルＣに形成できる大きさのパターンでも、開口により形成できないドーナツパターンや、ステンシルマスク作製時に洗浄液の表面張力等でパターンが壊れてしまうような強度不足のパターンは相補分割をする。図４では、パターンＰ３とパターンＰ４とがこのような強度不足のパターンである例を示す。ここでも、これらの繰り返しパターンにおける相補分割は、同じ位置で分割する。図４に示す例では、点線で示す分割線により、パターンＰ３をパターンＰ３−１とパターンＰ３−２とに分割し、パターンＰ４をパターンＰ４−１とパターンＰ４−２とに分割する。
【００４２】
図示はしないが、異なる処理単位領域Ａｒにおいても同じ繰り返しパターンについては、同じ位置で相補分割することが好ましい。部分一括セルの利用率を向上させるためである。また、繰り返しパターン以外のパターンについても、開口により形成できないドーナツパターンや、ステンシルマスク作製時に洗浄液の表面張力等でパターンが壊れてしまうような強度不足のパターンは相補分割をする。
【００４３】
次に、パターン配置決定手段４により、相補分割した繰り返しパターンおよび残りのパターンをマスク上に配置すべき位置を決定し、配置パターンを作成する（ステップＳＴ３）。
【００４４】
例えば、図５（ａ）に示すように、パターンＰ１−１と、パターンＰ２−１と、パターンＰ３−１と、パターンＰ４−１とを同じ相補マスクに配置すべき配置パターン１１とする。また、図５（ｂ）に示すように、パターンＰ１−２と、パターンＰ２−２と、パターンＰ３−２と、パターンＰ４−２と、パターンＰ５と、パターンＰ６とを同じ相補マスクに配置すべき配置パターン１２とする。
【００４５】
ここで、相補分割後の同じパターンは同じ相補マスクに配置することが好ましい。同じ部分一括セルを利用するため、近い位置に配置した方が、部分一括露光によるスループットを向上できるからである。
【００４６】
次に、配置パターン１１，１２のうち、繰り返しパターンに対応するセルパターンをもつ第２成形アパーチャマスク（部分一括アパーチャマスク）を作製する（ステップＳＴ４）。例えば、図６に示すように、セルパターンＣＰ１はパターンＰ１−１とパターンＰ２−１に対応するパターンである。セルパターンＣＰ２はパターンＰ３−１とパターンＰ４−１に対応するパターンである。セルパターンＣＰ３はパターンＰ３−２とパターンＰ４−２に対応するパターンである。
【００４７】
ステップＳＴ４において、部分一括セルＣの数に制限があるときは、繰り返しの多いパターンや、精度を要求されるパターンを優先してセルＣに形成する。また、可変成形方式よりも部分一括露光方式を用いた方が露光回数が小さいパターンを優先してセルＣに形成する。例えば、図５（ｂ）に示すパターンＰ１−２，Ｐ２−２も繰り返しパターンであるが、可変成形方式でも１回の露光で転写可能なため、セルＣに形成せずにこのようなパターンは可変成形方式で露光する。
【００４８】
セルパターンＣＰ２とセルパターンＣＰ３とは、１つの繰り返しパターンを２つに相補分割したパターンに対応するものである。従って、このようなセルパターンは、高精度で繋ぎ合わせる必要があるため、第２成形アパーチャマスク１０４上の近接したセルＣに形成することが好ましい。セル選択の際の偏向器１０３ａ，１０３ｂの収差の影響を最小限にして、高精度に繋ぎ合わせるためである。
【００４９】
次に、上記のようにして作成された配置パターンを有する描画データＤ２をもとに、図１０に示す電子線描画装置によりマスクブランクスにパターンを描画し、パターンを形成する。
【００５０】
図７（ａ）はマスクブランクスの概略構成を示す平面図であり、図７（ｂ）は要部斜視図である。
【００５１】
図７（ａ）に示すように、マスクブランクスは、支持枠３０で囲まれた領域内に、相補マスク領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを有する。相補マスク領域Ａ〜Ｄに相補分割後の配置パターンが開口により形成される。相補マスク領域Ａ〜Ｄは、ウエハに重ねて露光されるものである。図７（ｂ）に示すように、各相補マスク領域Ａ〜Ｄには、厚膜の梁３１と、後にパターンの開口が形成されるメンブレン（薄膜）３２とを有する。
【００５２】
図８（ａ）に示すように、上記した支持枠３０で囲まれた領域に梁３１と、メンブレン３２とを有するマスクブランクスを用意する。上記のマスクブランクスは、例えばＳＯＩ基板を加工することにより作製される。ＳＯＩ基板のシリコン層がメンブレン３２であり、酸化シリコン膜がエッチングストッパ膜３３となる。ＳＯＩ基板のシリコン基板を加工することにより、支持枠３０と梁３１を形成する。
【００５３】
次に、図８（ｂ）に示すように、マスクブランクスのメンブレン３２上に、レジストＲを形成する。
【００５４】
次に、図９（ａ）に示すように、レジストＲに図１０に示すような電子線描画装置を用いて露光し現像することにより、レジストパターンＲＰを形成する。レジストＲの露光では、作成された描画データＤ２を用いて、描画データＤ２に含まれる繰り返しパターンについては第２成形アパーチャマスク１０４の部分一括セルを用いた部分一括露光方式により露光し、残りのパターンについては可変成形方式により露光する。
【００５５】
次に、図９（ｂ）に示すように、レジストパターンＲＰをエッチングマスクとして、メンブレン３２をドライエッチングすることにより、メンブレン３２に開口よりなるマスクパターン３４を形成する。メンブレン３２がシリコンからなる場合には、エッチングガスとして塩素系ガスを用いる。その後、レジストパターンＲＰを除去する。これにより、エッチングストッパ膜３３に達するマスクパターン３４が形成される。
【００５６】
次に、図９（ｃ）に示すように、梁３１から露出したエッチングストッパ膜３３をエッチング除去する。酸化シリコンからなるエッチングストッパ膜３３のエッチングは、例えばフロロカーボン系ガスを用いる。
【００５７】
以上により、貫通孔よりなるマスクパターン３４をもつステンシルマスクが作製される。
【００５８】
上記の本実施形態に係るパターン処理装置およびパターン処理方法によれば、相補分割前に繰り返しパターンを抽出し、繰り返しパターンについては同じ位置で相補分割するため、繰り返しパターンを相補分割して作成される配置パターンも同様に繰り返しパターンとなる。このため、部分一括セルの利用率を向上させた配置パターンの作成を行うことができる。
【００５９】
また、上記のようにして作成された配置パターンのうち、繰り返しパターンをセルパターンとして部分一括アパーチャマスクに形成することにより、部分一括アパーチャマスクの部分一括セルの利用率を向上させることができる。従って、このような部分一括アパーチャマスクを用いることにより、１つの部分一括セルを用いて、繰り返しパターンを露光できるため、繰り返しパターンの線幅均一性およびスループットの向上に寄与できる部分一括アパーチャマスクを実現できる。
【００６０】
さらに、本実施形態に係るステンシルマスクの作製方法によれば、繰り返しパターンについては、上記の部分一括アパーチャマスクを用いて一括露光し、残りのパターンについては可変成形方式により露光することにより、ステンシルマスクのパターン形成のための露光のスループットの向上、および繰り返しパターンの線幅均一性の向上を図ることができる。
【００６１】
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
例えば、図１０で示す電子線描画装置の装置構成は一例であり、種々の変更が可能である。また、繰り返しパターン以外の残りのパターンについての相補分割アルゴリズムに限定はない。さらに、本実施形態では、梁付きのステンシルマスクを作製する例について説明したが、梁無しのステンシルマスクを作製する場合にも同様に適用可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本実施形態に係るパターン処理装置の構成を示す図である。
【図２】本実施形態に係るパターン処理方法のフローチャートである。
【図３】１つの処理単位領域内の設計パターンを示す図である。
【図４】設計パターンから繰り返しパターンを抽出し、相補分割を行うまでを説明するための図である。
【図５】配置パターンを示す図である。
【図６】部分一括セルに形成するセルパターンを示す図である。
【図７】（ａ）はマスクブランクスの概略構成を示す平面図であり、（ｂ）はマスクブランクスの要部斜視図である。
【図８】マスクブランクスの加工工程を説明するための工程断面図である。
【図９】マスクブランクスの加工工程を説明するための工程断面図である。
【図１０】電子線描画装置の概略構成図である。
【図１１】可変成形方式について説明するための図である。
【図１２】（ａ）は可変成形方式によるパターン露光を説明するための図であり、（ｂ）は部分一括露光方式によるパターン露光を説明するための図である。
【図１３】部分一括露光方式に用いられる第２成形アパーチャマスク（部分一括アパーチャマスク）の構成の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１…パターン処理装置、２…パターン抽出手段、３…相補分割手段、４…パターン配置決定手段、１０…設計パターン、３０…支持枠、３１…梁、３２…メンブレン、３３…エッチングストッパ膜、３４…マスクパターン、１００…被処理基板、１０１…電子銃、１０２…第１成形アパーチャマスク、１０２ａ…可変成形アパーチャ、１０３ａ，１０３ｂ…偏向器、１０４…第２成形アパーチャマスク、１０４ａ…可変成形アパーチャ、１０５…光学系、１０６…ステージ、ＥＢ…電子線、Ｃ…部分一括セル、ＣＰ…セルパターン、Ｄ１…設計データ、Ｄ２…描画データ、Ａｒ…処理単位領域、Ｒ…レジスト、ＲＰ…レジストパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005259992.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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