(57)【要約】【課題】安価に入手でき、且つ電界電子放出特性に優れた電界電子放出素子を提供する。【解決手段】エミッタ部と、アノード部を有する電界電子放出素子であって、エミッタ部に炭素材料を含み、該炭素材料の広角Ｘ線回折で測定される結晶の層間距離ｄ（００２）が３．４０Å以下、結晶のｃ軸方向の結晶子サイズＬｃ（００２）が３００Å以上であり、炭素材料のアスペクト比が１０以下である電界電子放出素子である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
エミッタ部と、アノード部を有する電界電子放出素子であって、エミッタ部に炭素材料を含み、該炭素材料の広角Ｘ線回折で測定される結晶の層間距離ｄ（００２）が３．４０Å以下、結晶のｃ軸方向の結晶子サイズＬｃ（００２）が３００Å以上であり、炭素材料のアスペクト比が１０以下である電界電子放出素子。
【請求項２】
炭素材料のかさ密度が０．１ｇ／ｃｃ以上である請求項１記載の電界電子放出素子。
【請求項３】
レーザー回折式粒度分布計で測定される炭素材料の平均粒径が０．１〜１００μｍである請求項１又は２記載の電界電子放出素子。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか１項に記載の電界電子放出素子を使用してなる画像表示装置。
【請求項５】
炭素材料を含んでなるエミッタ部とアノード部を有する電界電子放出素子に使用される電界電子放出素子エミッタ部用炭素材料であって、該炭素材料の広角Ｘ線回折で測定される結晶の層間距離ｄ（００２）が３．４０Å以下、結晶のｃ軸方向の結晶子サイズＬｃ（００２）が３００Å以上であり、炭素材料のアスペクト比が１０以下である電界電子放出素子エミッタ部用炭素材料。
【請求項６】
かさ密度が０．１ｇ／ｃｃ以上、レーザー回折式粒度分布計で測定される平均粒径が０．１〜１００μｍである請求項５記載の電界電子放出素子エミッタ部用炭素材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界電子放出素子、電界電子放出素子エミッタ部用炭素材料及び画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイ装置の薄型化や画像の高輝度化等が要求され、陽極と陰極の間に強電界をかけて電子を放出させる電界放出型電子放出素子が注目されている。この電界電子放出素子は、消費電力の低減のため、駆動電圧の低下、エミッタ部からの放出電子量の増大等が求められている。特に最近では、エミッタ部にカーボンナノチューブなどの炭素材料を使用した電界放出素子が盛んに研究されている。カーボンナノチューブは高いアスペクト比を持つため電界が集中し易く、低電位で電子放出を行わせることができると期待されている。
【０００３】
カーボンナノチューブ等の炭素材料は、デバイスの所望の位置に配置されるが、その方法として樹脂や溶剤とともに混合したペーストを基板に塗布し、熱処理する方法や、触媒金属を基板上に形成し、原料ガスを供給することで触媒微粒子を核としてカーボンナノチューブを成長させる方法がある。
【０００４】
例えば、特許文献１には、エミッタ部にカーボンナノチューブを用いた電子線素子が開示されている。特許文献２にはカーボンナノチューブをレジスト材料とともに混合して作製した懸濁液を基板に塗布する方法が開示されている。また、特許文献３には、細孔内にカーボンナノチューブを成長した電界電子放出素子が開示されている。
【０００５】
しかしながら、従来のカーボンナノチューブをエミッタ部に使用した電界電子放出素子の電子放出特性は充分ではなく、より低電圧で電子を放出することが必要である。さらには、従来のカーボンナノチューブはかさ密度が小さいため、高密度のエミッタ部を得ることは困難であり、その結果、作製する電界電子放出素子の輝度やエミッタ部の面内バラツキが大きいという問題があるばかりでなく、コストが高いという問題がある。
【特許文献１】特開平９−２２１３０９号公報
【特許文献２】特開２０００−９０８０９号公報
【特許文献３】特開平１０−１２１２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような事情に鑑み、安価に入手でき、且つ電界電子放出特性に優れた材料が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、（１）エミッタ部と、アノード部を有する電界電子放出素子においてエミッタ部に炭素材料を含み、該炭素材料の広角X線回折で測定される結晶の層間距離ｄ（００２）が３．４０Å以下、結晶のｃ軸方向の結晶子サイズＬｃ（００２）が３００Å以上であり、炭素材料のアスペクト比が１０以下である電界電子放出素子に関する。
【０００８】
また、本発明は、（２）炭素材料のかさ密度が０．１ｇ／ｃｃ以上である前記（１）記載の電界電子放出素子に関する。
【０００９】
また、本発明は、（３）レーザー回折式粒度分布計で測定される炭素材料の平均粒径が０．１〜１００μｍである前記（１）又は（２）記載電界電子放出素子に関する。
【００１０】
また、本発明は、（４）前記（１）〜（３）いずれか記載の電界電子放出素子を使用してなる画像表示装置に関する。
【００１１】
また本発明は、（５）炭素材料を含んでなるエミッタ部とアノード部を有する電界電子放出素子に使用される電界電子放出素子エミッタ部用炭素材料であって、広角X線回折で測定される結晶の層間距離ｄ（００２）が３．４０Å以下、結晶のｃ軸方向の結晶子サイズＬｃ（００２）が３００Å以上であり、炭素材料のアスペクト比が１０以下である電界電子放出素子エミッタ部用炭素材料に関する。
【００１２】
さらに本発明は、（６）かさ密度が０．１ｇ／ｃｃ以上、レーザー回折式粒度分布計で測定される平均粒径が０．１〜５０μｍである前記（５）記載の電界電子放出素子エミッタ部用炭素材料に関する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の請求項１〜３記載の電界電子放出素子は、電子放出特性に優れる。また、請求項４記載の画像表示装置は、低電圧で駆動し、消費電力が小さい。さらに請求項５及び６記載の炭素材料は、電子放出特性に優れた電界電子放出素子に好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明は、エミッタ部と、アノード部を有する電界電子放出素子であって、エミッタ部に炭素材料を含み、該炭素材料の広角X線回折で測定される結晶の層間距離ｄ（００２）が３．４０Å以下、結晶のｃ軸方向の結晶子サイズＬｃ（００２）が３００Å以上であり、炭素材料のアスペクト比が１０以下であることを特徴とする。
【００１５】
このような炭素材料を電界電子放出素子エミッタ部に使用することで電界電子放出特性に優れた電界電子放出素子を作製することができる。
【００１６】
本発明の電界電子放出素子に使用する炭素材料は、広角Ｘ線回折で測定される結晶の層間距離ｄ（００２）は３．３８Å以下であれば好ましく、３．３７Å以下であればより好ましく、３．３６Å以下であればさらに好ましい。ｄ（００２）が３．４０Å以下であると電子を放出させることができる電界値を小さくすることができる傾向があり、電子放出特性に優れた電界電子放出素子を作製することが可能となる。炭素材料のｄ（００２）が３．４０Åを超えると電子放出特性が低下する傾向がある。
【００１７】
本発明の電界電子放出素子に使用する炭素材料のｃ軸方向の結晶子サイズＬｃ（００２）は、５００Å以上であれば好ましく、８００Å以上であればより好ましく、１０００Å以上であればさらに好ましく、１０００〜２００００Åであれば最も好ましい。ｃ軸方向の結晶子サイズＬｃ（００２）が３００Å以上であると、電子を放出させることができる電界値を小さくすることができる傾向があり、電子放出特性に優れた電界電子放出素子を作製することが可能となる。ｃ軸方向の結晶子サイズＬｃ（００２）が３００Å未満であると電子放出特性が低下する傾向がある。
【００１８】
ｄ（００２）及びＬｃ（００２）の測定は、炭素粉末を広角X線回折装置を使用し、例えば、学振法によって測定することができる。
【００１９】
本発明の電界電子放出素子に使用する炭素材料の広角Ｘ線回折で測定される結晶の層間距離ｄ（００２）及びｃ軸方向の結晶子サイズＬｃ（００２）は、例えば、炭素材料の黒鉛化度を適宜調整すること等によって調整可能である。また、黒鉛化度は、例えば、炭素材料の熱処理温度等を調整すること等によって適宜調整可能である。
【００２０】
本発明の電界電子放出素子に使用する炭素材料は、アスペクト比が１０以下であることが好ましい。アスペクト比は５以下であればより好ましく、１．０５〜３であればさらに好ましく、１．１〜２であれば特に好ましい。アスペクト比が１０を超えると、粒子が基板上に配向しやすくなり、電子が放出し難くなる傾向がある。なお、アスペクト比は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で炭素材料を拡大し、任意に１０個の炭素材料を選択し、色々な方向から粒子を観察して粒子の三次元的な特徴を考慮した上で炭素材料の長軸方向の長さをＡ、短軸方向の長さをＢとしたときのＡ／Ｂを算出し、その平均値をとったものである。例えば、炭素材料が、鱗状、板状、ブロック状等のように薄く平たく、厚さ方向を有する場合には、短軸Ｂは粒子の厚みとなる。また、棒状、針状等のような粒子の場合、長軸Ａは粒子の長さであり、短軸Ｂは棒状（又は針状等）粒子の太さとなる。また、粒子を機械的な力を加え形状を変化させたような場合は、色々な方向から粒子を観察して粒子の三次元的な特徴を考慮し近似的に粒子の形状を判断した上でＡ及びＢの値を決定する。
【００２１】
本発明の電界電子放出素子に使用する炭素材料のアスペクト比は、炭素粒子の粉砕条件、粒子形状等を変化させるような機械的処理の条件を調整することなどによって適宜調整可能である。
【００２２】
また、本発明の電界電子放出素子に使用する炭素材料のかさ密度は０．１〜１．５ｇ／ｃｃであることが好ましい。０．１〜１．２ｇ／ｃｃであればより好ましく、０．２〜１．０ｇ／ｃｃであればさらに好ましく、０．３〜０．８ｇ／ｃｃであれば特に好ましい。炭素材料のかさ密度が０．１ｇ／ｃｃ未満であると、作製する電界電子放出素子のエミッタ部の密度が低くなり、その結果、輝度が低下したり、耐久寿命が低下する傾向がある。また、この炭素材料は、例えば、接着剤と溶剤を含む塗料を作製し、基板に塗布してエミッタ部を作製することができるが、炭素材料のかさ密度が０．１ｇ／ｃｃ未満であると、基板との密着強度が低下する傾向がある。また、炭素材料と基板との密着強度を向上させる方法として作製する塗料に含む接着剤の量を多くすることが可能であるが、接着剤量を多くしすぎると、炭素材料の表面の電子放出部を接着剤が覆う傾向があり、その結果電子放出特性が低下する傾向がある。また、かさ密度が１．５ｇ／ｃｃを超えても電子放出特性が低下する傾向がある。
【００２３】
かさ密度の測定は、例えば、ＪＩＳ−Ｋ−１４６９に規定されるように、炭素材料１００ｃｍ３を、質量既知の１００ｃｍ３メスシリンダーを斜めにして、さじで徐々に入れ、その質量を１０ｍｇの桁まではかり、メスシリンダーにゴム栓をした後、ゴム板上で約５ｃｍの高さから５０回自然落下させ、圧縮された炭素材料の体積を読み、炭素材料の重量から式（１）より算出することができる。
【数１】
2005209553.tif 000002
【００２４】
Ｄ：かさ密度（ｇ／ｃｍ３）
ｍ：炭素材料の質量（ｇ）
Ｖ：５０回落下後の炭素材料の体積（ｃｍ３）
本発明の炭素材料の真比重は、２．１９以上が好ましく、２．２０以上であればより好ましく、２．２１以上であればさらに好ましく、２．２２以上あれば特に好ましく、２．２３以上であれば最も好ましい。炭素材料の真比重が２．１９未満であると作製する電界電子放出素子の電子放出特性が低下する傾向がある。真比重の上限としては２．２６以下であることが好ましい。真比重の測定は、例えばブタノール置換法により測定することができる。
【００２５】
本発明の電界電子放出素子に使用する炭素材料中に含まれる金属不純物量としては、２０００００ｐｐｍ以下が好ましく、１０００００ｐｐｍ以下がより好ましく、さらには１００００ｐｐｍ以下が好ましく、１０００ｐｐｍ以下であればより好ましく、１００ｐｐｍ以下であればさらに好ましく、１０ｐｐｍ以下であれば特に好ましく、５ｐｐｍ以下であれば最も好ましい。金属不純物量が２０００００ｐｐｍを超えると電子放出特性が低下する傾向がある。
【００２６】
炭素材料中の金属不純物量は、例えば、炭素材料を酸素を含む電気炉中で５００〜１０００℃程度で灰化した後の残渣重量から灰分値として算出する方法等によって測定することができる。
【００２７】
本発明の電界電子放出素子に使用する炭素材料の比表面積が１〜１００ｍ２／ｇであることが好ましく、１〜５０ｍ２／ｇであればより好ましく、２〜４０ｍ２／ｇであればさらに好ましく、２〜３０ｍ２／ｇであれば特に好ましい。比表面積が１ｍ２／ｇ未満であると炭素材料から電子が放出しにくくなり作製する電界電子放出素子の電子放出特性が低下する傾向がある。比表面積が１００ｍ２／ｇを超えると、例えば、接着剤と溶剤を含む塗料を作製し、基板に塗布してエミッタ部を作製するとき、基板との密着強度が低下する傾向がある。また、炭素材料と基板との密着強度を向上させる方法として作製する塗料に含む接着剤の量を多くすることが可能であるが、接着剤量を多くしすぎると、炭素材料の表面の電子放出部を接着剤が覆う傾向があり、その結果電子放出特性が低下する傾向がある。
【００２８】
比表面積は、例えば、窒素ガス吸着によるＢＥＴ法により測定することができる。
【００２９】
また、本発明は、レーザー回折式粒度分布測定で測定される炭素材料の平均粒径が０．１〜１００μｍであることが好ましい。１〜５０μｍであればより好ましく、３〜３０μｍであればさらに好ましく、５〜３０μｍであれば特に好ましい。
【００３０】
また、本発明の電界電子放出素子に使用する炭素材料の累積９０％粒径は、１５０μｍ以下が好ましく、１００μｍ以下であればより好ましく、８０μｍ以下であればさらに好ましく、３０μｍ以下であれば特に好ましい。炭素材料の平均粒径が１００μｍを超えるか、累積９０％粒径が１５０μｍを超えると、エミッタ部の表面で凹凸ができやすく、その結果、電子放出性能のバラツキが生じやすくなる傾向がある。炭素材料の平均粒径が０．１μｍ未満であると、接着剤と溶剤を含む塗料を作製し、基板に塗布してエミッタ部を作製するとき、基板との密着強度が低下する傾向がある。
【００３１】
前記、平均粒径、累積９０％粒径は、例えば、レーザー回折式粒度分布計により測定することができる。
【００３２】
また、本発明の電界電子放出素子に使用する炭素材料は、粒子内部に細孔を有していることが好ましい。粒子内部の細孔の有無は、例えば粒子の断面を走査型電子顕微鏡で確認することができる。
【００３３】
また、本発明の電界電子放出素子に使用する炭素材料は、水銀圧入法により測定した１０２〜１０６Åの範囲の細孔体積が０．２〜５ｃｃ／ｇであることが好ましく、０．３〜４ｃｃ／ｇであればより好ましく、０．６〜３ｃｃ／ｇであればさらに好ましく、０．８〜２ｃｃ／ｇであれば特に好ましい。
【００３４】
１０２〜１０６Åの範囲の細孔体積が０．２ｃｃ／ｇ未満であると作製する電界電子放出素子の電子放出特性が低下する傾向がある。また、５ｃｃ／ｇを超えると、炭素材料と基板との密着強度が低下する傾向があり、その結果作製する電界電子放出素子の寿命が低下する傾向がある。
【００３５】
本発明の電界電子放出素子に使用する炭素材料は、複数の扁平状の粒子の配向面が非平行となるように集合または結合してなる炭素材料であることが好ましい。
【００３６】
本発明において、扁平状の粒子とは、長軸と短軸とを有する形状の粒子のことである。長軸と短軸とを有する形状としては、例えば、鱗状、鱗片状、塊状、疑球状等の形状が挙げられる。炭素材料において、複数の扁平状の粒子の配向面が非平行とは、それぞれの粒子における扁平した面、換言すれば最も平らに近い面を配向面として、複数の扁平状の粒子がそれぞれの配向面を一定の方向にそろうことなく集合又は結合している状態をいう。
【００３７】
この炭素材料において扁平状の粒子は集合又は結合しているが、結合とは互いの粒子が、例えば、ピッチ、タール等の炭素化可能なバインダを炭素化した炭素質を介して、化学的に結合している状態をいい、集合とは互いの粒子が化学的に結合してはないが、その形状等に起因して、その集合体としての形状を保っている状態をいう。機械的な強度の面からは、結合しているものが好ましい。また、前記の炭素化可能なバインダを炭素化した炭素質は、黒鉛であることが好ましい。
【００３８】
１つの炭素材料において、扁平状の粒子の集合又は結合する数としては、３個以上であることが好ましい。個々の扁平状の粒子の大きさとしては、粒径で０．１〜１００μmであることが好ましく、これらが集合又は結合した炭素材料の平均粒径の２／３以下であることが好ましい。また、個々の扁平状の粒子のアスペクト比は１００以下が好ましく、５０以下がより好ましく、２０以下がさらに好ましい。個々の扁平状の粒子のアスペクト比の好ましい下限としては１．２である。
【００３９】
このような炭素材料を電界電子放出素子のエミッタ部に使用すると、基板上に黒鉛結晶が配向し難く、その結果、電子を放出しやすくすると考えられる。なお、図１に本発明の電界電子放出素子に使用する炭素材料の一例の粒子構造の走査型電子顕微鏡写真を示す。図１において、細かな複数の扁平状の粒子が、それらの粒子の配向面を非平行にして結合し、炭素材料を形成している様子が観察できる。
【００４０】
このような構成の炭素材料をエミッタ部に使用することで、導電性が向上し、電子放出特性に優れた電界電子放出素子を作製することができる。
【００４１】
また、本発明の炭素材料は、単独で電界電子放出素子エミッタ部に使用することができるが、例えば、カーボンファイバー等の他の炭素質物と複合又は混合しても使用することができる。ここで、炭素材料とカーボンファイバーが複合している状態とは、例えば、炭素材料とカーボンファイバーが化学的に結合している状態、炭素材料の一部としてカーボンファイバーが一体化している状態、炭素材料の形状に起因してカーボンファイバーが物理的に結合している状態等が挙げられる。カーボンファイバーの形状としては繊維状であることが好ましいが、電界を集中しやすい形状をとるものであれば好ましく、例えば、針状、棒状、ウィスカー状、中空状等の形状が挙げられる。
【００４２】
本発明の電界電子放出素子のエミッタ部は、アノード部とともに構成されることが必要とされ、エミッタ部とアノード部は互いに対向して配置されていることが好ましい。
【００４３】
本発明の炭素材料は、基板上に配置することが、均一な電子放出面を形成することができ好ましい。基板上に配置した後の炭素材料は、見かけ密度が０．１〜１．５ｇ／ｃｃであることが好ましい。０．１〜１．２ｇ／ｃｃであればより好ましく、０．２〜１．０ｇ／ｃｃであればさらに好ましく、０．３〜０．８ｇ／ｃｃであれば特に好ましい。基板上の炭素材料の見かけ密度が０．１ｇ／ｃｃ未満であると、作製する電界電子放出素子のエミッタ部の密度が低くなり、その結果、輝度が低下したり、耐久寿命が低下する傾向がある。この炭素材料を基板上に配置する方法としては、例えば、スプレイ堆積法、スクリーン印刷法、電気泳動法等によって配置することができる。炭素材料は単独で基板上に配置してもよく、溶剤等とともに塗料状で使用してもよい。また、接着剤とともに基板上に固定してもよい。また、炭素材料と溶剤等と接着剤とを混合して使用してもよい。固定後は、例えば熱処理等により揮発成分を除去することが好ましい。
【００４４】
ここで、基板上に配置した炭素材料の見かけ密度は、例えば、基板上に配置した炭素材料の重量及び体積の測定値から算出することができる。
【００４５】
基板上の炭素材料の見かけ密度は、例えば、炭素材料と接着剤と溶剤を混合した塗料の固形分濃度を調整して基板に塗布乾燥することで適宜調整可能である。また、基板表面の炭素材料を圧縮することでも適宜調整することが可能である。使用する接着剤としては、高真空化、高電圧化で使用可能であることが好ましく、例えば、銀ペースト、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、ゴム、熱可塑性樹脂などが挙げられる。また、溶剤としては、例えば、水、有機溶剤等、使用する接着剤や使用条件に応じて適宜選択可能である。
【００４６】
基板上に炭素材料を配置した後の炭素材料の表面をＸ線回折で測定したときの（００２）面と（１１０）面の回折強度比（００２）／（１１０）は５００以下であることが好ましく、４００以下であればより好ましく、３００以下であればさらに好ましく、２００以下であれば特に好ましい。回折強度比（００２）／（１１０）が５００を超えると、作製する電界電子放出素子の電子放出特性が低下する傾向がある。回折強度比（００２）／（１１０）の下限としては１０以上であることが好ましい。
【００４７】
炭素材料を配置する基板としては、例えば、ガラスを使用することができる。ガラスを使用する場合は、導電性の点から表面にＰｔ等の導電材料を付していることが好ましい。
【００４８】
上記、本発明の電界電子放出素子は、従来の電界電子放出素子に比べ、耐熱性、耐アーク性に優れる。また、エミッタ部の電子放出の閾値電圧を引き下げることが可能であり、低い電圧で駆動し且つ長寿命の画像表示装置を作製することが可能である。画像表示装置としては、エッミタ部とアノード部を有してなる電界電子放出素子中に蛍光体を存在させ画像を表示させる電界放出ディスプレイ等が挙げられる。
【実施例】
【００４９】
以下、本発明の実施例を説明する。
【００５０】
（実施例１）
本発明になる電界電子放出素子は、図２に示す構成にてその性能を評価した。ガラス製の基板１の表面にＰt製の素子電極２を配置し、その上部にエミッタ部３として炭素材料Ａ（日立化成工業（株）製  炭素材料サンプル）を配置した。配置した炭素材料の厚みは１００μｍ、直径１mmの円形、見かけ密度を０．８ｇ／ｃｃとした。次いで、エミッタ部に対向するようにアノード部４を配置した。エミッタ部表面とアノード部の距離は０．５ｍｍとした。得られた電界電子放出素子を、真空ポンプ８により真空度１０−５Ｐａにした真空槽７内で、エミッタ部とアノード部間に電圧を印加するための電源６により０〜１０Ｖ／μｍの電界をかけ電子放出電流をエミッタ部（炭素材料）とアノード部間を流れる電流を測定するための電流計電流計５によって測定した。炭素材料Ａの物性値及び電子放出開始電界値を表１に示す。また、図３に電界値と電子放出電流値の関係を示す。
【００５１】
（比較例１）
エミッタ部として、炭素材料メソフェーズ球状黒鉛粒子を２８００℃で黒鉛化処理をした球状黒鉛を使用した以外は、実施例１と同様の方法で電界電子放出素子を作製し、実施例１と同様の方法で電子放出開始電界値を測定した。表１に黒鉛粒子の物性値及び電子放出開始電界値を示す。また、図３に電界値と電子放出電流値の関係を示す。
【００５２】
（比較例２）
中国産天然黒鉛をジェットミルで粉砕して作製した黒鉛粒子をエミッタ部に使用した以外は、実施例１と同様の方法で電界電子放出素子を作製し、実施例１と同様の方法で電子放出開始電界値を測定した。表１に黒鉛粒子の物性値及び電子放出開始電界値を示す。また、図３に電界値と電子放出電流値の関係を示す。
【表１】
2005209553.tif 000003
【００５３】
表１に示されるように、本発明の炭素材料をエミッタ部に使用した電界電子放出素子は、低い駆動電圧で良好な電子放出特性を示すことが示された。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の電界電子放出素子のエミッタ部に使用した炭素材料の走査型電子顕微鏡写真の１例である。
【図２】本発明の実施例で、電子放出特性の測定に用いた電界電子放出素子の概略図である。
【図３】実施例１、比較例１及び２で作製した電界電子放出素子の電界値と電子放出電流値の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５５】
１  基板
２  素子電極
３  エミッタ部（炭素材料）
４  アノード部
５  エミッタ部（炭素材料）とアノード部間を流れる電流を測定するための電流計の電流計
６  エミッタ部（炭素材料）とアノード部間に電圧を印加するための電源
７  真空槽
８  真空ポンプ
【図１】
2005209553.tif 000004
【図２】
2005209553.tif 000005
【図３】
2005209553.tif 000006