(57)【要約】【課題】  貫通穴を有するマスクを使ってパターニングする際、マスクや蒸着対象物の変形等の影響を低減しつつ良好にパターニングできるマスクを提供する。【解決手段】  マスクＭは、貫通穴２０を有する基板１０と、基板１０の表面１に設けられ、基板１０の形状を制御する膜３０とを備えている。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通穴を有する基板と、前記基板の表裏面のうちの少なくとも一方に設けられ、該基板の形状を制御する膜とを備えたことを特徴とするマスク。
【請求項２】
前記膜は前記基板に応力を与えて該基板の曲げ変形を調整することを特徴とする請求項１記載のマスク。
【請求項３】
前記貫通穴は前記基板に所定パターンで複数設けられており、
前記膜は前記貫通穴の前記所定パターンに応じて設けられることを特徴とする請求項１又は２記載のマスク。
【請求項４】
前記基板の目標形状に応じて、前記膜がパターニングされていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載のマスク。
【請求項５】
前記基板の目標形状に応じて、前記膜の膜厚分布が設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載のマスク。
【請求項６】
前記膜は、前記基板面上の第１の方向に延在する第１膜パターンと、前記第１の方向に交わる第２の方向に延在する第２膜パターンとを有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載のマスク。
【請求項７】
基板の表裏面のうちの少なくとも一方に該基板の形状を制御するための膜を設ける膜形成工程と、前記基板に貫通穴を設ける穴加工工程とを有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項８】
前記膜形成工程によって設けられた膜をパターニングした後、前記穴加工工程を行うことを特徴とする請求項７記載のマスクの製造方法。
【請求項９】
基板に貫通穴を設ける穴加工工程と、前記基板の表裏面のうちの少なくとも一方に該基板の形状を制御するための膜を設ける膜形成工程とを有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項１０】
前記穴加工工程によって貫通穴を設けられた前記基板の形状に関する情報を計測した後、前記計測結果に基づいて前記膜を設けることを特徴とする請求項９記載のマスクの製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜請求項６のいずれか一項記載のマスクを使って、蒸着対象物に表示装置形成用材料を蒸着する工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜請求項６のいずれか一項記載のマスクを使って、蒸着対象物に有機ＥＬ表示装置形成用材料を蒸着する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜請求項６のいずれか一項記載のマスクを使って、蒸着対象物に有機ＥＬ表示装置形成用材料が蒸着されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
請求項１１記載の製造方法により製造された表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク及びマスクの製造方法、表示装置の製造方法、有機ＥＬ表示装置の製造方法、有機ＥＬ装置、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば低分子フルカラーの有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス；electroluminescence）表示装置を製造するプロセスにおいては、各色の有機材料のそれぞれを蒸着する際にマスクを使ってパターニングすることが行われている。下記特許文献には、各色の有機材料を蒸着する際にマスクを使ってパターニングする技術の一例が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−９３６６７号公報
【特許文献２】特開２００１−１８５３５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記特許文献１に開示されている技術では、マスクとしてメタルマスクが用いられており、蒸着対象物であるガラス基板とメタルマスクとを永久磁石を使って密着した状態で蒸着する。ところで、ガラス基板が大型化するとそれに伴ってメタルマスクも大型化する必要があるが、メタルマスクとガラス基板との線膨張係数差の影響が顕著となり、特にガラス基板の端部においてメタルマスクの貫通穴（開口部）と目標蒸着位置とがずれる不都合が生じる。一方、上記特許文献２に開示されている技術では、マスクとしてシリコン製マスクが用いられており、ガラス基板との線膨張係数差は小さいが、永久磁石を使ってガラス基板とシリコン製マスクとを密着することができない。更に、シリコン製マスクやガラス基板が大型化すると、それらシリコン製マスクやガラス基板の曲げ変形（撓み変形）の影響が顕著となり、シリコン製マスクとガラス基板とを密着した状態で蒸着することが困難となり、シリコン製マスクの貫通穴を通過した蒸着粒子（蒸着物質）がシリコン製マスクとガラス基板との間に回り込んでしまう状況が生じて精度良くパターニングできなくなる不都合が生じる。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、貫通穴を有するマスクを使ってパターニングする際、マスクや蒸着対象物の変形等の影響を低減しつつ良好にパターニングできるマスク及びその製造方法、並びにそのマスクを使った表示装置の製造方法、有機ＥＬ表示装置の製造方法、有機ＥＬ装置、及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明のマスクは、貫通穴を有する基板と、前記基板の表裏面のうちの少なくとも一方に設けられ、該基板の形状を制御する膜とを備えたことを特徴とする。
本発明によれば、マスクの基材である基板の少なくとも一方の面に、基板の形状を制御する膜を設けたので、蒸着対象物の形状に応じて基板の形状を制御し、蒸着対象物とマスクとを密着することができる。したがって、蒸着対象物やマスクが大型化しても、その変形等の影響を低減しつつ、蒸着対象物に対して蒸着物質を良好にパターニングすることができる。
【０００６】
本発明のマスクにおいて、前記膜は前記基板に応力を与えて該基板の曲げ変形を調整することを特徴とする。
基板に設けた膜によって、基板に曲げ方向の応力（引張応力又は圧縮応力）を付与することができる。これにより、マスクが大型化して自重等により曲げ変形（撓み変形）が大きくなっても、その曲げ変形は良好に矯正され、蒸着対象物と密着することができる。
【０００７】
本発明のマスクにおいて、前記貫通穴は前記基板に所定パターンで複数設けられており、前記膜は前記貫通穴の前記所定パターンに応じて設けられることを特徴とする。
マスクに形成する貫通穴の配置や大きさ等を種々変更した場合において、マスク（基板）の曲げ変形状態が変化する可能性があるが、マスクに形成する貫通穴の配置や大きさ等に応じて膜を設けることにより、そのマスクの曲げ変形を良好に矯正できる。したがって、マスクの貫通穴の配置や大きさ等の設計の自由度を向上することができるとともに、マスクを蒸着対象物に密着した状態で蒸着することができる。
【０００８】
本発明のマスクにおいて、前記基板の目標形状に応じて、前記膜がパターニングされていることを特徴とする。
蒸着対象物の形状に応じて基板（マスク）の目標形状を設定した際、その目標形状に応じて膜をパターニングすることで、その膜パターンに応じた応力（曲げ応力）を基板に与え、蒸着対象物に応じた形状を有するマスクを形成することができる。
【０００９】
本発明のマスクにおいて、前記基板の目標形状に応じて、前記膜の膜厚分布が設けられていることを特徴とする。
蒸着対象物の形状に応じて基板（マスク）の目標形状を設定した際、その目標形状に応じて膜厚分布を設定することで、その膜厚分布に応じた応力（曲げ応力）を基板に与え、蒸着対象物に応じた形状を有するマスクを形成することができる。
【００１０】
本発明のマスクにおいて、前記膜は、前記基板面上の第１の方向に延在する第１膜パターンと、前記第１の方向に交わる第２の方向に延在する第２膜パターンとを有することを特徴とする。
例えばマスクが矩形状である場合、基板面内における第１の方向に関する曲げ変形、及び第１の方向に交わる第２の方向に関する曲げ変形が顕著に現れる可能性が高いが、その曲げ変形の方向に応じて延在するように膜を設けることにより、マスクに曲げ方向の応力を与えて曲げ変形を良好に矯正できる。
【００１１】
本発明のマスクのマスクの製造方法は、基板の表裏面のうちの少なくとも一方に該基板の形状を制御するための膜を設ける膜形成工程と、前記基板に貫通穴を設ける穴加工工程とを有することを特徴とする。
本発明によれば、マスクの基材である基板の少なくとも一方の面に、基板の形状を制御する膜を設けたので、蒸着対象物の形状に応じて基板の形状を制御し、蒸着対象物とマスクとを密着することができる。したがって、蒸着対象物やマスクが大型化しても、その変形等の影響を低減しつつ、蒸着対象物に対して蒸着物質を良好にパターニングすることができる。特に、基板に貫通穴を開ける前に、基板に膜を設けるようにすることで、貫通穴の影響を受けることなくスピンコート法など種々の方法を使って膜形成工程を円滑に行うことができる。
【００１２】
本発明のマスクの製造方法において、前記膜形成工程によって設けられた膜をパターニングした後、前記穴加工工程を行うことを特徴とする。
基板に貫通穴を開ける前に、基板上に設けられた膜をパターニングすることで、膜のパターニング処理を、貫通穴の影響を受けることなく円滑に行うことができる。
【００１３】
本発明のマスクの製造方法は、基板に貫通穴を設ける穴加工工程と、前記基板の表裏面のうちの少なくとも一方に該基板の形状を制御するための膜を設ける膜形成工程とを有することを特徴とする。
すなわち、基板に貫通穴を設けた後に膜を設けるようにしてもよく、この場合においても、蒸着対象物の形状に応じて基板の形状を制御し、蒸着対象物とマスクとを密着した状態で、蒸着対象物に対して蒸着物質を良好にパターニングすることができる。
【００１４】
本発明のマスクの製造方法において、前記穴加工工程によって貫通穴を設けられた前記基板の形状に関する情報を計測した後、前記計測結果に基づいて前記膜を設けることを特徴とする。
貫通穴を設けることにより、貫通穴を設ける前に比べてマスク（基板）の曲げ変形状態が変化する可能性があるが、基板に貫通穴を設けた後に、基板の曲げ変形等の形状に関する情報を計測した後、その計測結果に基づいて膜を設けることで、貫通穴の配置や大きさ等に応じて変化するマスクの曲げ変形を良好に矯正することができる。
【００１５】
本発明の表示装置の製造方法は、上記記載のマスクを使って、蒸着対象物に表示装置形成用材料を蒸着する工程を有することを特徴とする。
また本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記記載のマスクを使って、蒸着対象物に有機ＥＬ表示装置形成用材料を蒸着する工程を有することを特徴とする。
また本発明の有機ＥＬ表示装置は、上記記載のマスクを使って、蒸着対象物に有機ＥＬ表示装置形成用材料が蒸着されていることを特徴とする。
また本発明の電子機器は、上記記載の製造方法により製造された表示装置を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、マスクや蒸着対象物の変形等の影響を低減しつつ良好にパターニングされた画素パターンを有し、高品質で高い表示性能を有する表示装置、有機ＥＬ表示装置、及び電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明のマスクの製造方法の一実施形態について図１を参照しながら説明する。図１は、本発明のマスクの製造プロセスを模式的に表した図である。
まず、図１（ａ）に示すように、マスクＭの基材である基板１０を用意する。基板１０は、シリコン（Ｓｉ）によって形成されており、更に具体的には単結晶シリコン（単結晶Ｓｉ）によって形成されている。本実施形態において、シリコン基板１０の第１面（表面）１及び第２面（裏面）２は、ミラー指数（１００）である。
【００１７】
そして、シリコン基板１０に耐エッチング膜３０が設けられる（第１工程）。
耐エッチング膜３０は、シリコン基板１０の少なくとも第１面１に設けられる。なお、耐エッチング膜３０は第２面２にも設けることができる。図１（ａ）に示す例では、耐エッチング膜３０は、シリコン基板１０のうち、第１面１、第２面２、及び側面を含む全面に連続的に設けられている。耐エッチング膜３０は、熱酸化処理（例えば湿式熱酸化法）による酸化シリコン（ＳｉＯ２）や、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、あるいは炭化シリコンによって形成することができる。あるいは、耐エッチング膜３０は、ＣＶＤによって形成した酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜や、スパッタリングによって形成した金又はクロムなどからなる膜であってもよい。そして、耐エッチング膜３０が、本発明に係る基板１０の形状を制御する膜となり、これにより、基板１０の形状を制御するための膜形成工程が行われたことになる。
【００１８】
次に、第１工程によって設けられた耐エッチング膜３０がパターニング（第１のパターニング）される（第２工程）。
図１（ｂ）に示すように、第１面１に設けられている耐エッチング膜３０は、シリコン基板１０に形成されるべき貫通穴（後述）に応じてパターニングされ、貫通穴に対応する領域の耐エッチング膜３０が除去されて複数の第１エッチング開口部３が形成される。一方、第２面２に設けられている耐エッチング膜３０は、第２面２のエッジ領域２Ａを除いてほぼ全部を除去され、大きな第２エッチング開口部４が形成される。第１、第２エッチング開口部３、４からはシリコン基板１０が露出する。第１、第２エッチング開口部３、４は、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて形成することができる。
【００１９】
耐エッチング膜３０をパターニングした後、図１（ｃ）に示すように、シリコン基板１０に貫通穴２０が設けられる（第３工程）。
貫通穴２０は、シリコン基板１０の第１面１と第２面２とを貫通するように形成され、ＹＡＧレーザやＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工によって形成される。そして、貫通穴２０は、第１エッチング開口部３に対応する位置、つまりシリコン基板１０の露出部にレーザ光を照射することによって形成される。本実施形態においては、図１（ｃ）に示すように、貫通穴２０の径は、第１エッチング開口部３の径より小さくなるように形成される。なお、貫通穴２０の形成方法として、微小な砥粒をジェット噴流でぶつけるマイクロブラスト加工法、側壁保護膜の形成とエッチングとを交互に行うタイムモジュレーションプラズマエッチング法、及びドリル等を使用する機械的加工法などを適用することも可能である。これにより、シリコン基板１０に貫通穴２０を設ける穴加工工程が行われたことになる。
【００２０】
シリコン基板１０に貫通穴２０を形成した後、耐エッチング膜３０をマスクとして、シリコン基板１０の第１面１及び第２面２の両方からエッチングが行われる（第４工程）。  本実施形態においては、結晶異方性エッチングが行われる。つまり、シリコン基板１０のエッチングには結晶の面方位依存性があり、例えば（１１１）面に対するエッチング速度が、（１００）面に対するエッチング速度よりも遅い。上述したように、本実施形態において、シリコン基板１０の第１面１及び第２面２のそれぞれは（１００）面であり、（１１１）面に対するエッチング速度よりも遅い。この場合、第１面１側では、第１エッチング開口部３内部において露出している（１００）面がエッチングされ、第１エッチング開口部３よりもその径を小さく形成されている貫通穴２０の径が拡大される。貫通穴２０のエッチングによる拡大は、耐エッチング膜３０の第１エッチング開口部３で停止する。これにより、第１エッチング開口部３に応じた開口部２０Ａがシリコン基板１０の第１面１に形成される。第２面２側でも、第２エッチング開口部４内部において露出している（１００）面がエッチングされる。第２面２側では、隣合う貫通穴２０どうしの間の領域においてもシリコン基板１０が露出しているので、この部分でも（１００）面がエッチングされる。これにより、シリコン基板１０のエッジ領域２Ａ以外の領域が薄肉化されて薄肉部１２となる。一方、シリコン基板１０のエッジ領域２Ａに対応する領域はエッチングされず厚肉部１４を形成する。エッチングは、シリコン基板１０の耐エッチング膜３０からの全ての露出面が（１１１）面になった後に終了する。こうして、図１（ｄ）に示すような、内壁面を全て（１１１）面によって形成されたテーパ状の貫通穴２０が形成される。
【００２１】
このようなエッチングは、有機アミン系アルカリ水溶液、例えばテトラミチル水酸化アンモニウムが１０重量％以上３０重量％以下（特に、１０〜２０重量％程度）の割合で溶けている溶液を使用して、これを８０℃程度に加熱して行ってもよい。あるいは、水酸化カリウム水溶液以外の無機アルカリ水溶液、例えばアンモニア水を使用してもよい。カリウムやナトリウムを使用しないアルカリ溶液を使用することで、マスクＭをその製造時に汚染する不都合を防止することができる。また、マスクＭを使用して蒸着を行うときに、蒸着対象物の汚染を防ぐことができる。なお、カリウムを使用したエッチングを行ってもよい。例えば、１５％の水酸化カリウム溶液を８０℃程度に加熱して使用してもよい。
【００２２】
以上説明したプロセスによって、本発明に係るマスクＭが製造される。そして、マスクＭが曲げ変形（撓み変形）する状況が生じても、基板（シリコン基板）１０に設けられた膜（耐エッチング膜）３０が、基板１０（マスクＭ）に応力を与えて曲げ変形を矯正するので、このマスクＭを蒸着用マスクとして用いる際に、蒸着対象物に密着させることができる。
【００２３】
また、マスクＭの一部に薄肉部１２を形成したことにより、マスクＭと蒸着対象物とを密着した状態で蒸着した際に、マスクＭの開口部２０Ａと略同じ面積の蒸着が可能となり、貫通穴２０がテーパ状に形成されていることにより、蒸着物質を更に円滑に蒸着対象物に蒸着することができる。そして、厚肉部１４により薄肉部１２を有するシリコン基板１０の強度が維持される。このとき、薄肉部１２において曲げ変形が顕著に発生する場合があるが、この薄肉部１２に設けられた膜３０によって基板１０（薄肉部１２）の曲げ変形を矯正することができる。
【００２４】
本実施形態において、膜３０は例えば酸化シリコンによって構成され、この酸化シリコンは圧縮応力を発生する。また、膜３０として酸化シリコンの代わりに、例えば金やクロムを用いることにより、基板１０に引張応力を与えることができる。なお金やクロムは上述したようにスパッタリングを用いて基板１０上に設けることができる。したがって、基板１０の曲げ変形方向等に応じて、上記圧縮応力を発生する材料又は引張応力を発生する材料が選択される。また、基板１０において、膜３０を設ける面は第１面（表面）１に限られず、第２面（裏面）２に設けることももちろん可能である。
【００２５】
なお、必要に応じて、図１（ｅ）に示すように、膜３０が更にパターニング（第２のパターニング）される（第５工程）。
膜３０のパターニングには、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いることができる。すなわち、図１（ｄ）に示す状態のマスクＭの上面にレジストを塗布し、その後フォトリソグラフィ技術に基づいてレジストをパターニングして現像処理し、次いで膜３０をエッチングすることで、膜３０を所望パターンにすることができる。なおこの場合、貫通穴２０を有する基板１０上にレジストを塗布することになるため、スピンコート法等のコーティング法は使用できないので、レジストを噴霧状態にして電荷を持たせることにより導電性表面に塗布が可能な静電塗布装置を用いるとよい。
【００２６】
ここで、第５工程（第２のパターニング）を行う前に、貫通穴２０を設けられた基板１０（つまり図１（ｄ）に示す状態の基板１０）の曲げ変形量を含む形状に関する情報を計測し、その計測結果に基づいて、膜３０を設けたり、膜３０をパターニングしたり、膜３０の膜厚分布を調整するようにしてもよい。基板１０の曲げ変形状態を実測し、その実測結果に基づいて、曲げ変形を矯正するための膜３０を設けることになるので、基板１０（マスクＭ）の曲げ変形を更に良好に矯正することができる。なお、基板１０の曲げ変形情報は、基板１０の曲げ変形を例えば光学的に計測できる公知の計測装置を使用することができる。
【００２７】
なお、上記実施形態においては、図１（ｂ）を参照して説明した第２工程において膜３０の第１のパターニングを行い、次いで図１（ｃ）を参照して説明した第３工程において基板１０に貫通穴を設け、その後に、必要に応じて図１（ｅ）を参照して説明した第５工程において膜３０を更に所望のパターンにする第２のパターニングを行っているが、もちろん、図１（ｂ）を参照して説明した第２工程において、膜３０を十字状など所望のパターンにパターニングしてもよい。つまり、穴加工工程を行う前に、膜３０をパターニングすることができる。この場合、上記説明したような、貫通穴２０を有する基板１０に静電塗布装置を使ってレジストを塗布する工程を含む第５工程を省略することができる。
【００２８】
図２〜図７は、図１（ｅ）を参照して説明した上記第５工程を経てマスクＭ（基板１０）上に形成された膜３０のパターンの例を示す図である。ここで、マスクＭには、平面視矩形状の貫通穴（開口部）２０が、８行９列でマトリクス状に複数設けられている。なお、複数の貫通穴（開口部）２０のそれぞれは、後述する表示装置の画素配列（ストライブ配列、デルタ配列等）に応じて所定パターンに配列される。
【００２９】
図２は、基板１０の第１面１の全面に膜３０が設けられている例を示す図である。すなわち、図１（ｄ）を参照して説明したマスクＭに相当する。
図３は、平面視矩形状の基板１０の第１面１において、第１の対角線方向（第１の方向）に延在する第１膜パターン３０Ａと、第１の対角線方向と交わる第２の対角線方向（第２の方向）に延在する第２膜パターン３０Ｂとを有する膜３０が設けられている例を示す図である。
図４は、図３を参照して説明した第１膜パターン３０Ａと第２膜パターン３０Ｂとを囲むように枠状パターン３０Ｃが更に設けられている例を示す図である。
図５は、平面視矩形状の基板１０上において、短手方向（第１の方向）に延在する第１膜パターン３０Ｄと、第１膜パターン３０Ｄの延在方向にほぼ直交する長手方向（第２の方向）に延在する第２膜パターン３０Ｅとを有する膜３０が設けられている例を示す図である。
【００３０】
上記図２〜図５に示す例において、基板１０が矩形状である場合、基板面内における第１の方向に関する曲げ変形、及び第１の方向に交わる第２の方向に関する曲げ変形が顕著に現れる可能性が高いが、その曲げ変形の方向に応じて延在するように膜３０を設けることにより、マスクＭに曲げ方向の応力を与えて曲げ変形を良好に矯正できる。
【００３１】
図６は、基板１０のほぼ中央部に平面視円形状の膜３０が設けられている例を示す図である。これにより、基板１０の中央部が凹むように変形したとしても、その変形を良好に矯正できる。なお、膜３０のパターンは、上述した例に限定されず、マスクＭの曲げ変形を矯正できるパターンであれば任意のパターンを採用することができる。また、上記実施形態では、膜３０は第１面１に設けられているが、第２面２に設けられていてもよいし、第１面１及び第２面２の双方に設けられていてもよい。
【００３２】
また、図７に示すように、膜３０に膜厚分布を設けることによっても、マスクＭの曲げ変形を良好に矯正することができる。特に、基板１０中央部が凹むような曲げ変形を生じている場合、その中央部の膜厚を厚くし、外側に向かって順次薄くなるように同心状に膜厚を変化させて設けるようにしてもよい。図７に示す例では、中央部の円形状の膜パターン３０Ｆの膜厚が最も厚く、その周りの環状の膜パターン３０Ｇの膜厚が膜パターン３０Ｆよりも薄く、更にその周りの膜パターン３０Ｈの膜厚が膜パターン３０Ｇよりも薄くなっている。
【００３３】
そして、基板１０（マスクＭ）の曲げ変形状態は、板厚や板厚分布、基板１０の材質、貫通穴（開口部）２０の配列パターン、貫通穴２０の大きさなどに応じて変化する。したがって、その曲げ変形状態に応じて、ひいては基板１０（マスクＭ）の目標形状に応じて、上記図２〜図７を参照して説明したように、膜３０が種々のパターンでパターニングされたり、膜厚分布を設けられる。
【００３４】
図８は、蒸着対象物であるガラス基板ＰとマスクＭとを密着させた状態で、蒸着源からの蒸着物質が、マスクＭの貫通穴２０を介してガラス基板Ｐに蒸着されている様子を示す図である。図８に示すように、マスクＭの曲げ変形は膜３０によって矯正され、ガラス基板ＰとマスクＭとが良好に密着している。したがって、ガラス基板ＰやマスクＭが大型化しても、その変形等の影響を低減しつつ、ガラス基板Ｐに対して蒸着物質を良好にパターニングすることができる。そして、マスクＭの一部が薄肉部１２となっているので、マスクＭの開口部２０Ａと略同じ面積の蒸着が可能となり、貫通穴２０がテーパ状に形成されていることにより、蒸着物質を更に円滑にガラス基板Ｐに蒸着することができる。そして、厚肉部１４により薄肉部１２を有するシリコン基板１０の強度が維持される。
【００３５】
なお、上記各実施形態においては、マスクＭを蒸着用マスクとして説明したが、例えばスパッタリング用マスクとして用いることもできる。
【００３６】
図９は、本発明に係るマスクＭを使って、蒸着対象物であるガラス基板Ｐに、有機ＥＬ表示装置形成用材料を蒸着する様子を示す模式図である。
図９（ａ）において、ガラス基板Ｐ上には、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が形成され、そのスイッチング素子に接続するように、陽極４０が設けられている。そして、その陽極４０に接続するように、正孔注入層４１及び正孔輸送層４２が形成される。そして、正孔輸送層４２に密着するように、本発明に係るマスクＭの上面（第１面）が密着される。ここで、マスクＭの薄肉部１２に貫通穴２０（開口部２０Ａ）が形成されており、その薄肉部１２に設けられた貫通穴２０に、有機ＥＬ表示装置の画素領域に設けられる有機材料（発光層）形成用材料を通過させてガラス基板Ｐ上に画素パターンが形成される。そして、画素形成部としての薄肉部１２の曲げ変形が、その薄肉部１２に設けられている膜３０によって矯正される。
【００３７】
そして、図９（ａ）に示すように、マスクＭとガラス基板Ｐ（正孔輸送層４２）とを密着した状態で、赤色（Ｒ）発光層形成用材料Ｒがガラス基板Ｐ上に蒸着される。ガラス基板Ｐ上には、マスクＭの貫通穴２０（開口部２０Ａ）に応じて赤色発光層形成用材料Ｒが蒸着される。
次いで、図９（ｂ）に示すように、ガラス基板Ｐに対するマスクＭの位置をずらし（あるいはマスクＭを別のマスクＭと交換し）、マスクＭとガラス基板Ｐ（正孔輸送層４２）とを密着した状態で、緑色発光層形成用材料Ｇがガラス基板Ｐ上に蒸着される。ガラス基板Ｐ上には、マスクＭの貫通穴２０に応じて緑色発光層形成用材料Ｇが蒸着される。
次いで、図９（ｃ）に示すように、ガラス基板Ｐに対するマスクＭの位置をずらし（あるいはマスクＭを別のマスクＭと交換し）、マスクＭとガラス基板Ｐ（正孔輸送層４２）とを密着した状態で、青色発光層形成用材料Ｂがガラス基板Ｐ上に蒸着される。ガラス基板Ｐ上には、マスクＭの貫通穴２０に応じて青色発光層形成用材料Ｂが蒸着される。
以上のようにして、ガラス基板Ｐ上にＲＧＢ３色の有機材料からなる発光層４３が形成される。
【００３８】
そして、図９（ｄ）に示すように、発光層４３の上に、電子輸送層４４、及び陰極４５が形成されることにより、有機ＥＬ表示装置Ａが形成される。
【００３９】
なお、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置Ａは、発光層を含む発光素子からの発光を基板Ｐ側から装置外部に取り出す形態であり、基板Ｐの形成材料としては、透明なガラスの他に、光を透過可能な透明あるいは半透明材料、例えば、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの透明な合成樹脂などが挙げられる。特に、基板Ｐの形成材料としては安価なソーダガラスが好適に用いられる。
【００４０】
一方、基板Ｐと反対側から発光を取り出す形態の場合には、基板Ｐは不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミック、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
【００４１】
上記陽極の材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛−バナジウム（ＺｎＶ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）などの単体や、これらの化合物或いは混合物や、金属フィラーが含まれる導電性接着剤などで構成されるが、ここではＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いている。この陽極の形成は、好ましくはスパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着法によって行われ形成するが、スピンコータ、グラビアコータ、ナイフコータなどによるＷＥＴプロセスコーティング法や、スクリーン印刷、フレキソ印刷などを用いて形成してもよい。そして、陽極の光透過率は、８０％以上に設定することが好ましい。
【００４２】
正孔輸送層としては、例えば、カルバゾール重合体とＴＰＤ：トリフェニル化合物とを共蒸着して１０〜１０００ｎｍ（好ましくは、１００〜７００ｎｍ）の膜厚に形成する。ここで、正孔輸送層６の形成材料としては、特に限定されることなく公知のものが使用可能であり、例えばピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等が挙げられる。具体的には、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示されるが、トリフェニルジアミン誘導体が好ましく、中でも４，４’−ビス（Ｎ（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルが好適とされる。
【００４３】
正孔注入層の形成材料としては、例えば銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等が挙げられるが、特に銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を用いるのが好ましい。
【００４４】
別法として、正孔輸送層は、例えば液滴吐出法（インクジェット法）により、正孔注入、輸送層材料を含む組成物インクを陽極上に吐出した後に、乾燥処理及び熱処理を行うことで陽極上に形成される。すなわち、上述した正孔輸送層材料あるいは正孔注入層材料を含む組成物インクを陽極の電極面上に吐出した後に、乾燥処理及び熱処理を行うことにより、陽極上に正孔輸送層（正孔注入層）が形成される。例えば、インクジェットヘッド（不図示）に正孔輸送層材料あるいは正孔注入層材料を含む組成物インクを充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを陽極の電極面に対向させ、インクジェットヘッドと基板１とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御されたインキ滴を電極面に吐出する。次に、吐出後のインク滴を乾燥処理して組成物インクに含まれる極性溶媒を蒸発させることにより、正孔輸送層（正孔注入層）が形成される。
【００４５】
なお、組成物インクとしては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸等との混合物を、イソプロピルアルコール等の極性溶媒に溶解させたものを用いることができる。ここで、吐出されたインク滴は、親インク処理された陽極の電極面上に広がる。その一方で、撥インク処理された絶縁層の上面にはインク滴がはじかれて付着しない。したがって、インク滴が所定の吐出位置からはずれて絶縁層の上面に吐出されたとしても、該上面がインク滴で濡れることがなく、はじかれたインク滴が陽極５上に転がり込むものとされている。
【００４６】
発光層を構成する発光材料としては、フルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、その他ベンゼン誘導体に可溶な低分子有機ＥＬ材料等を用いることができる。
【００４７】
また、電子輸送層としては、金属と有機配位子から形成される金属錯体化合物、好ましくは、Ａｌｑ３（トリス(8-キノリノレート)アルミニウム錯体）、Ｚｎｑ２（ビス(8-キノリノレート)亜鉛錯体）、Ｂｅｂｑ２（ビス(8-キノリノレート)ベリリウム錯体）、Ｚｎ−ＢＴＺ（２-（ｏ-ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾール亜鉛）、ペリレン誘導体などを１０〜１０００ｎｍ（好ましくは、１００〜７００ｎｍ）の膜厚になるように蒸着して積層する。
【００４８】
陰極は、電子輸送層へ効率的に電子注入を行える仕事関数の低い金属、好ましくは、Ｃａ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｌｉ、Ａｌなどの単体、又はこれらの合金、又は化合物で形成することができる。本実施形態では、Ｃａを主体とする陰極、及びＡｌを主体とする反射層の２層構成になっている。
【００４９】
本実施の形態の有機ＥＬ表示装置Ａはアクティブマトリクス型であり、実際には複数のデータ線と複数の走査線とが格子状に配置され、これらデータ線や走査線に区画されたマトリクス状に配置された各画素毎にスイッチングトランジスタやドライビングトランジスタ等の駆動用ＴＦＴを介して上記の発光素子が接続されている。そして、データ線や走査線を介して駆動信号が供給されると電極間に電流が流れ、発光素子が発光して透明な基板の外面側に光が出射され、その画素が点灯する。なお、本発明は、アクティブマトリクス型に限られず、パッシブ駆動型の表示素子にも適用できることはいうまでもない。
【００５０】
また、不図示ではあるが、外部から電極を含む発光素子に対して大気が侵入するのを遮断するために封止部材が設けられる。封止部材の形成材料としては、ガラスや石英、サファイア、合成樹脂等の透明あるいは半透明材料が挙げられる。ガラスとしては、例えば、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラスなどが挙げられる。合成樹脂としては、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの透明な合成樹脂などが挙げられる。
【００５１】
次に、上記実施形態の有機ＥＬ表示装置Ａを備えた電子機器の例について説明する。
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ装置Ａを用いた表示部を示している。
【００５２】
図１０（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の有機ＥＬ装置Ａを用いた表示部を示している。
図１０（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の有機ＥＬ装置Ａを用いた表示部を示している。
図１０（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施の形態の有機ＥＬ表示装置Ａを備えているので、薄型で高寿命の有機ＥＬ表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００５３】
なお、電子機器としては、前記の携帯電話などに限られることなく、種々の電子機器に適用することができる。例えば、ノート型コンピュータ、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明のマスクの製造方法の一実施形態を説明するための図である。
【図２】本発明のマスクの一実施形態を示す平面図である。
【図３】本発明のマスクの別の実施形態を示す平面図である。
【図４】本発明のマスクの別の実施形態を示す平面図である。
【図５】本発明のマスクの別の実施形態を示す平面図である。
【図６】本発明のマスクの別の実施形態を示す平面図である。
【図７】本発明のマスクの別の実施形態を示す平面図である。
【図８】本発明のマスクを使って蒸着対象物を蒸着する状態を説明するための図である。
【図９】本発明の表示装置の製造方法の一実施形態を説明するための図である。
【図１０】本発明の電子機器の一実施形態の概略構成図である。
【符号の説明】
【００５５】
１…第１面（表面）、２…第２面（裏面）、１０…基板、２０…貫通穴、
２０Ａ…開口部、３０…膜（耐エッチング膜）、Ａ…有機ＥＬ表示装置、
Ｐ…ガラス基板（蒸着対象物）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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