(57)【要約】【課題】  リッジ形状にドライエッチングする際に、エッチングする深さの制御を容易にし、半導体層の厚さを精度よく調整すること。【解決手段】  リッジ形状にドライエッチングするコンタクト層と活性層との間にエッチングストップ層を有するリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記コンタクト層をリッジ形状にドライエッチングするに際し、前記コンタクト層と前記エッチングストップ層とのプラズマ発光強度の変化を検出し、該変化に応じてエッチングする深さを制御することを特徴とする発光素子の製造方法を提供する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リッジ形状にドライエッチングするコンタクト層と活性層との間にエッチングストップ層を有するリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の製造方法において、リッジ形状にドライエッチングするに際し、前記エッチングストップ層でのプラズマ発光強度の変化を検出し、該変化に応じてエッチングする深さを制御することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記リッジ導波路型窒化物半導体発光素子がＧａＮ基板上に作製されている、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
検出するプラズマ発光がＧａである請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】
検出するプラズマ発光が波長４００ｎｍ以上４２０ｎｍ以下のＧａのプラズマ発光である請求項３に記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記エッチングに使用するガスが、塩素系ガスである請求項３および４記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記エッチングに使用するガスが、ＳｉＣｌ4，Ｃｌ2およびＢＣｌ3よりなる群から選択される請求項５記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】
リッジ形状にドライエッチングするコンタクト層と活性層との間にエッチングストップ層を有するリッジ導波路型窒化物半導体発光素子において、前記エッチングストップ層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり、ＩＩＩ族元素はＡｌ、ＩｎまたはＧａのいずれかであり、Ｖ族元素はＮ、ＡｓまたはＰのいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
前記エッチングストップ層のエネルギギャップが活性層のエネルギギャップより大きい請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記エッチングストップ層の厚さが５０Å以上である請求項７に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リッジ導波路型窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リッジ導波路型窒化物半導体発光素子の典型的な構造を図３に示す。この例では、サファイア基板３０１に、ＡｌＧａＮバッファ層３０２、ｎ型ＧａＮ層３０３、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３０４、ＩｎＧａＮ活性層３０５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層およびｐ+型ＧａＮコンタクト層を積層した後、エッチングによりリッジ状のｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３０６およびｐ+型ＧａＮコンタクト層３１０を形成し、最後に電極３１１を形成する。
【０００３】
リッジ導波路型化合物半導体発光素子では、活性層からリッジ部分の底面までの距離を正確に制御することが重要である。この距離によりリッジ導波路内外の実効屈折率差が変化するため、この距離がばらつくと、水平横方向の光の分布が変化し、遠視野像および閾値電流などの特性がばらつくことになる。
【０００４】
ＧａＡｓ系化合物半導体発光素子を製造する場合には、ＧａＡｓ系化合物半導体層に対して選択性の優れたエッチング液を使用するウェットエッチングが行なわれ、エッチングストップ層により、素子特性のバラツキの原因となる膜厚を精度よく制御することが可能である。一方、ＧａＮ系化合物半導体発光素子を製造する場合には、適当なエッチング液がないため、ドライエッチングが行なわれる。しかし、ドライエッチングではＧａＮ系化合物半導体層に対する十分な選択性がないため、リッジ導波路型化合物半導体発光素子を再現性よく製造することが困難である。たとえば、図３の例であれば、ドライエッチングによりリッジ状のｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３０６およびｐ+型ＧａＮコンタクト層３１０を形成する際、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３０６の厚さを精度よく制御することは非常に困難である。
【０００５】
下記特許文献１には、活性層上の第２クラッド層の上にドライエッチストップ層としてＡｌＩｎＧａＮを積層し、その膜厚を非常に薄くして、ＥＣＲ−ＲＩＢＥ法（電子サイクロトロン共鳴を利用した反応性イオンビームエッチング法）でエッチングするリッジ導波路型半導体発光素子の製造方法が紹介されている。また、下記特許文献２には、Ｉｎを含むＩＩＩ族窒化物材料で活性層よりも禁制帯幅の大きい材料からなるエッチングストップ層を活性層の近傍に積層し、エッチングストップ層の表面までＩｎを含まないＩＩＩ族窒化物材料からなる層をエッチングし、リッジ構造を形成する窒化物半導体発光素子が紹介されている。
【０００６】
しかし、エッチングストップ層の厚さのバラツキおよびエッチング時のウェハの温度変動により、エッチングストップ層でエッチングが止まらない場合が多く、歩留りが低下する原因になっている。
【０００７】
また、リッジ導波路型窒化物半導体発光素子において、コンタクト層と、活性層との間にドライエッチングの速度が変化する層を挿入し、エッチング時にウェハの表面に光を照射し、反射光の膜厚干渉信号により前記エッチング速度が変化する層（エッチングストップ層）を検出し、エッチングする深さを制御する発光素子の製造方法もある。しかし、ＧａＮ基板の素子ウエハの場合、基板とエピ層界面とでの屈折率変化が少なく、反射光の干渉信号が弱くなり、エッチングストップ層を観察出来ない場合が多く、歩留りが低下する原因になっている。
【特許文献１】特開平９−２９８３４３号公報
【特許文献２】特開平１０−３２６９４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、基板とエピ層の屈折率差が少ない素子ウエハでもリッジ形状にドライエッチングする際に、エッチングする深さの制御を容易にし、半導体層の厚さを精度よく調整することにより、閾値電流などの特性が安定で、生産効率が高く、再現性のよいリッジ導波路型窒化物半導体発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、リッジ形状にドライエッチングするコンタクト層と活性層との間にエッチングストップ層を有するリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記コンタクト層をリッジ形状にドライエッチングするに際し、前記コンタクト層と前記エッチングストップ層とのプラズマ発光強度の変化を検出し、該変化に応じてエッチングする深さを制御することを特徴とする発光素子の製造方法を提供する。
【００１０】
好ましくは、前記リッジ導波路型窒化物半導体発光素子がＧａＮ基板上に作製され、検出するプラズマ発光がＧａであり、検出するプラズマ発光が波長４００ｎｍ以上４２０ｎｍ以下のＧａのプラズマ発光である。
【００１１】
好ましくは、前記エッチングに使用するガスが、塩素系ガスであり、具体的には、前記エッチングに使用するガスが、ＳｉＣｌ4，Ｃｌ2およびＢＣｌ3よりなる群から選択される。
【００１２】
本発明はまた、リッジ形状にドライエッチングするコンタクト層と活性層との間にエッチングストップ層を有するリッジ導波路型窒化物半導体発光素子において、前記エッチングストップ層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり、ＩＩＩ族元素はＡｌ、ＩｎまたはＧａのいずれかであり、Ｖ族元素はＮ、ＡｓまたはＰのいずれかであることを特徴とする発光素子を提供する。
【００１３】
好ましくは、前記エッチングストップ層のエネルギギャップが活性層のエネルギギャップより大きく、前記エッチングストップ層の厚さが５０Å以上である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、プラズマ発光の検出によりエッチングする深さを容易に制御できるので、閾値電流及び光学特性などの特性が安定で、生産効率が高く、再現性の良いリッジ導波路型化合物半導体発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明は、リッジ形状にドライエッチングするコンタクト層と活性層との間にエッチングストップ層を有するリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記コンタクト層をリッジ形状にドライエッチングするに際し、前記コンタクト層と前記エッチングストップ層とのプラズマ発光強度の変化を検出し、該変化に応じてエッチングする深さを制御することを特徴とする。ここで、エッチングストップ層とは、ドライエッチング中にその層を検出することによりエッチングを停止し、所望のエッチング深さを得るための半導体層を意味する。
【００１６】
本発明において製造したリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の構造を図１に示す。この発光素子は、基板１０１に、バッファ層１０２、ｎ型コンタクト層１０３、ｎ型クラッド層１０４、ｎ型ガイド層１０５、多重量子井戸活性層１０６、ｐ型蒸発防止層１０７、ｐ型エッチングストップ層１０８、ｐ型ガイド層１０９、ｐ型クラッド層１１０、ｐ型コンタクト層１１１をこの順に積層した構造を有する。
【００１７】
上記のような構成の窒化物半導体において、本発明は、上記半導体をリッジ形状にエッチングする際に、プラズマ発光を観察し、エッチングストップ層を検出するため基板上に作製された窒化物半導体ウエハでも歩留り良くリッジ導波路構造を形成することが可能となる。
【００１８】
本発明により、上記従来の技術において説明したような窒化物半導体のドライエッチング法における問題、すなわち、反射光の干渉を用いてエッチング量を観察する方法が使用されていることに起因する、リッジ形成のようにエッチング時間が短い場合のエッチング初期の干渉信号不安定領域（表面の酸化物をエッチングで除去する時間）や、設定されたエッチング量からの誤差などの問題を解消することができる。また、基板上に作製された窒化物半導体のように基板とエピ層で屈折率差の少ない素子ウエハでは反射光が弱く、干渉信号が微弱になるためエッチングストップ層が観察できないなどの問題も解消することができる。
【００１９】
本発明において、窒化物半導体は組成変化が少ないためＧａ以外のＩＩＩ属元素のプラズマ発光を観察しても強度が微弱であるから観察するプラズマ発光はＧａ元素であることが望ましい。特に波長４００ｎｍ以上４２０ｎｍ以下のＧａのプラズマ発光が強いためにこの波長域での観察が好ましい。
【００２０】
また、上記Ｇａのプラズマ発光を観察する場合、エッチングには塩素系ガスを使用することが望ましい。特にＳｉＣｌ４ガスは波長２８０ｎｍ以上２９０ｎｍ以下に、Ｃｌ２ガスは２５６ｎｍ以上３０９ｎｍ以下に、ＢＣｌ３ガスは５７０ｎｍにプラズマ発光を有するために、前記Ｇａのプラズマ発光と競合しないのでエッチングガスとして好ましい。
【００２１】
本発明のエッチングストップ層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなることが好ましく、具体的には、ＩＩＩ族元素はＡｌ、ＩｎまたはＧａのいずれかであり、Ｖ族元素はＮ、ＡｓまたはＰのいずれかであることが好ましい。たとえば、エッチングストップ層に到達する前の層が、ＡｌＧａＮからなる場合は、エッチングストップ層は、ＩｎＧａＮからなるものが好ましい。
【００２２】
エッチングストップ層のエネルギギャップは、活性層からの発光の吸収を低減し、化合物半導体発光素子における内部ロスを減らし、閾値電流の上昇を抑制することができる点で、活性層のエネルギギャップより大きいことが好ましい。また、光の吸収が無いことが望ましい。
【００２３】
本発明において、エッチングストップ層は、水平横方向の光の分布、遠視野像の制御および閾値電流の低減、無効電流の制御などの理由から、コンタクト層と活性層との間に挿入されていることが好ましい。
【００２４】
また、エッチングストップ層の厚さは、プラズマの組成変化が観察可能な５０Å以上で、また多層構造により組成変化からなる場合が好ましい。
【００２５】
本発明において、ドライエッチングは通常の方法で行なうことができる。たとえば、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）、電子サイクロトロン共鳴を利用した反応性イオンビームエッチング法（ＥＣＲ-ＲＩＢＥ）または誘導結合プラズマ方式によるエッチング法（ＩＣＰ）などがある。
【００２６】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２７】
（実施例１）
本実施例において製造したリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の構造を図１に示す。この発光素子は、ＧａＮからなる基板１０１に、ＧａＮからなるバッファ層１０２（厚さ０．０２μｍ）、ｎ型ＧａＮからなるコンタクト層１０３（厚さ３μｍ）、ｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなるクラッド層１０４（厚さ０．８μｍ）、ｎ型ＧａＮからなるガイド層１０５（厚さ０．１５μｍ）、ＩｎＧａＮからなる多重量子井戸活性層１０６（厚さ０．０５μｍ）、ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎからなる蒸発防止層１０７（厚さ０．０３μｍ）、ｐ型Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ｎからなるエッチングストップ層１０８（厚さ０．０５μｍ）、ｐ型ＧａＮからなるガイド層１０９（厚さ０．１５μｍ）、ｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなるクラッド層１１０（厚さ０．５μｍ）、ｐ型ＧａＮからなるコンタクト層１１１（厚さ０．２μｍ）をこの順に積層した構造を有する。
【００２８】
ＩｎＧａＮからなる活性層１０６は、Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎからなるバリア層：３層とＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎからなるウエル層：２層を交互に積層した構造を有し、ＩｎＧａＮからなる活性層１０５の全体としてのエネルギギャップは３．０であった。本実施例におけるエッチングストップ層１０８のエネルギギャップは３．６であったことから、エッチングストップ層１０８の方が活性層１０６のエネルギギャップより大きい。
【００２９】
各半導体層は、有機金属化合物気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により積層し、Ｖ族元素の原料としてはアンモニア（ＮＨ３）を用い、ＩＩＩ族元素の原料としてはトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）を用い、ｐ型不純物としてはビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）、ｎ型不純物としてはモノシラン（ＳｉＨ４）を用い、また、キャリアガスとしてはＨ２およびＮ２ガス及び混合ガスを使用して製造した。
【００３０】
半導体層の積層後、ウエハ表面にフォトリソグラフィの手法を利用して幅２μｍのレジストマスクを形成し、レジストマスクで被覆された以外のｐ型ＧａＮからなるコンタクト層１１０、ｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなるクラッド層１０９、ｐ型ＧａＮからなるガイド層１０８（厚さ０．１５μｍ）及びｐ型Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ｎからなるエッチングストップ層１０７をドライエッチングしてリッジを形成した。
【００３１】
図１はドライエッチングした後の構造である。ドライエッチングに際しては、Ｇａのプラズマ光（波長４１７ｎｍ）の発光強度を観察する。ｐ型ＧａＮからなるガイド層１０８とエッチングストップ層１０７の界面でＧａ組成の低減（１００→６０％に低減）によりプラズマの発光強度の減少を検出してエッチングを停止する。ドライエッチングには反応性イオンエッチング方式：ＲＩＥ装置を使用し、エッチングガスはＳｉＣｌ４を使用した。図４は、ＲＩＥ装置を示す概略図である。導入されたエッチングガス１０はプレート１１に印加された高周波電界によりプラズマ放電を発生し、反応性ガスプラズマ１２に励起される。この反応性ガスプラズマ１２を用いてプレートに配置されたウエハ１３のドライエッチングを行う。ドライエッチングに際して、プラズマ発光を、ビューポート１４を通してＣＣＤカメラ１５で観察する。図５は、ＧａＮをエッチングする際に観察されるプラズマ発光のスペクトルを示す図であり、波長２９４，４０３，４１７ｎｍの信号はＧａからの発光、波長３２６〜３３７ｎｍの信号は窒素からの発光に対応している。本実施の形態においては、プラズマ発光のうち、波長４００〜４２０ｎｍの範囲の発光強度をモニタしており、これは、上記Ｇａ原子からの発光強度の強い領域を含んでいる。図６は、上記ウエハをエッチングしていったときに検出されたプラズマ発光強度の変化を、グラフを用いて表す図である。当該グラフの図において、６０１に示す点で、信号強度が減少する状況が観察されており、この位置が、エッチングがエッチング終点検出層に達した状況を示している。つまり、ｐ型ＧａＮガイド層１０９とエッチング終点検出層１０８の界面でＧａ組成の低減（１００→６０％に低減）によりプラズマの発光強度の減少が観察される。そこで、エッチング工程において、信号強度の減少６０１を検出してエッチングを停止することにより、所要の位置で、エッチングを終わらせることが出来る。ドライエッチング後、絶縁膜１１２、電極１１３を形成した。
【００３２】
光の反射光の干渉を用いた従来の方法では、ＧａＮ基板上の素子ウエハでは干渉信号が微弱になるためエッチングストップ層でエッチングを停止できず、ウエハ間での発光素子の閾値電流バラツキは±５０％にも達していた。これに対して、本実施例で製造した発光素子は、閾値電流Ｉｔｈの平均が４０ｍＡであり、ウエハ間で発光素子の閾値電流バラツキを±１０％以内に押さえることができた。また、水平方向の遠視野像のバラツキも従来法の±２０％を±１０％以内に押さえることができ、生産性の向上が可能となった。
【００３３】
本発明者らが、エッチング終端検出層の組成を種々変更して検討した結果、この層のＧａ組成（ＩＩＩ族元素におけるＧａ組成の割合）がエッチング終端検出層直上のエッチングされる層から、Ｇａの組成比が１０％程度変化していれば、上述のような信号強度の変化が検出でき、確実な変化の検出のためには、２０％程度以上変化していることが好ましいことが明らかとなった。例えば、エッチング終端検出層としてＧａＸＡｌＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）を、エッチング終端検出層の上に隣接する層ＧａＵＡｌＶＩｎ１−Ｕ−ＶＮ（０≦Ｕ≦１、０≦Ｖ≦１）としたとき、｜Ｘ−Ｕ｜≧０．２とすることが好ましいことが明らかとなった。
【００３４】
（実施例２）
本実施例において製造したリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の構造を図２に示す。この発光素子は、サファイアからなる基板１２１に、ＡｌＮからなるバッファ層１２２（厚さ０．０２μｍ）、ｎ型ＧａＮからなるコンタクト層１２３（厚さ４μｍ）、ｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎからなるクラッド層１２４（厚さ０．８μｍ）、ｎ型ＧａＮからなるガイド層１２５（厚さ０．１５μｍ）、ＩｎＧａＮ／ＧａＮからなる活性層１２６（厚さ０．０６５μｍ）、ＧａＮからなるガイド層１２７（厚さ０．１５μｍ）、ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎからなる蒸発防止層１２８（厚さ０．０３μｍ）、ｐ型ＧａＮ０．９８Ａｓ０．０２からなるエッチングストップ層１２９（厚さ０．０５μｍ）、ｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎからなるクラッド層１３０（厚さ０．５μｍ）、ｐ型ＧａＮからなるコンタクト層１３１（厚さ０．２μｍ）をこの順に積層した構造を有する。
【００３５】
ＩｎＧａＮ／ＧａＮからなる活性層１２６は、ＧａＮからなるバリア層を６層とＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎからなるウエル層を５層と、を交互に積層した構造を有し、ＩｎＧａＮ／ＧａＮからなる活性層１２６の全体としてのエネルギギャップは３．０であった。本実施例におけるｐ型ＧａＮからなるエッチングストップ層１２９のエネルギギャップは３．４であり、エッチングストップ層１２９の方が活性層１２６のエネルギギャップより大きい。
【００３６】
各半導体層は、有機金属化合物気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により積層し、Ｖ族元素の原料としてはアンモニア（ＮＨ３）、アルシン（ＡｓＨ３）を用い、ＩＩＩ族元素の原料としてはトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）を用い、ｐ型不純物としてはビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）、ｎ型不純物としてはモノシラン（ＳｉＨ４）を用い、また、キャリアガスとしてはＨ２およびＮ２ガス及び混合ガスを使用して製造した。
【００３７】
半導体層の積層後、ウエハ表面にフォトリソグラフィの手法を利用して幅２μｍのレジストマスクを形成し、レジストマスクで被覆された以外のｐ型ＧａＮからなるコンタクト層１２９、ｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなるクラッド層１２８、ｐ型ＧａＮからなるエッチングストップ層１２７をドライエッチングしてリッジを形成した。図２にドライエッチングした後の構造を示す。ドライエッチングに際しては、Ｇａのプラズマ光（波長４０３ｎｍ）の発光強度を観察した。ｐ型ＧａＮ０．９８Ａｓ０．０２からなるエッチングストップ層１２７とｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎからなる蒸発防止層１２６（厚さ０．０３μｍ）の界面でＧａ組成の低減（９８→７０％に低減）によりプラズマの発光強度の減少を検出してエッチングを停止した。ドライエッチングには誘導結合プラズマ方式：ＩＣＰ装置を使用し、エッチングガスはＣｌ２を使用した。ドライエッチング後、絶縁膜１３２、電極１３３を形成した。
【００３８】
光の反射光の干渉を用いた従来の方法では、ＧａＮ基板上の素子ウエハでは干渉信号が微弱になるためエッチングストップ層でエッチングを停止できず、ウエハ間での発光素子の閾値電流バラツキは±５０％にも達していた。これに対して、本実施例で製造した発光素子は、閾値電流Ｉｔｈの平均が４５ｍＡであり、ウエハ間で発光素子の閾値電流バラツキを±７％以内に押さえることができた。水平方向の遠視野像のバラツキも従来法の±２０％を±１０％以内に押さえることができ、生産性の向上が可能となった。
【００３９】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明のリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の構造の概略断面図である。
【図２】本発明のリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の構造の概略断面図である。
【図３】リッジ導波路型窒化物半導体発光素子の典型的な構造の概略断面図である。
【図４】ＲＩＥ装置の概略図である。
【図５】ＧａＮエッチング時のプラズマ発光スペクトルの図である。
【図６】Ｇａのプラズマ発光強度の変化を、グラフを用いて表す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０  エッチングガス、１１  プレート、１２  プラズマ、１３  ウエハ、１４  ビューポート、１５  ＣＣＤカメラ、１０１  基板、１０２  バッファ層、１０３  ｎ型コンタクト層、１０４  ｎ型クラッド層、１０５  ｎ型ガイド層、１０６  多重量子井戸活性層、１０７  ｐ型蒸発防止層、１０８  ｐ型エッチングストップ層、１０９  ｐ型ガイド層、１１０  ｐ型クラッド層、１１１  ｐ型コンタクト層、１２１  サファイアからなる基板、１２２  ＡｌＮからなるバッファ層、１２３  ｎ型ＧａＮからなるコンタクト層、１２４  ｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎからなるクラッド層、１２５  ｎ型ＧａＮからなるガイド層、１２６  ＩｎＧａＮ／ＧａＮからなる活性層、１２７  ＧａＮからなるガイド層、１２８  ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎからなる蒸発防止層、１２９  ｐ型ＧａＮ０．９８Ａｓ０．０２からなるエッチングストップ層、１３０  ｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎからなるクラッド層、１３１  ｐ型ＧａＮからなるコンタクト層、３０１  サファイア基板、３０２  ＡｌＧａＮバッファ層、３０３  ｎ型ＧａＮ層、３０４  ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、３０５  ＩｎＧａＮ活性層、３０６  ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、３１０  ｐ+型ＧａＮコンタクト層、３１１  電極、６０１  信号強度が減少する点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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