(57)【要約】【課題】  成形性に優れると共に、その硬化物の高温下での耐リフロー性および耐湿信頼性が良好であり、半導体素子の封止に好適な封止用樹脂組成物を提供すること。【解決手段】  （ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（ｃ）硬化促進剤、（ｄ）無機充填剤を必須成分として含有する封止用樹脂組成物であって、前記（ｄ）無機充填剤は少なくとも平均粒径の異なる２種の粉末からなり、その１種がＶＭＣ（Vaperized Metal Combution）法により合成された非晶質シリカ微粒子をアミノシラン型表面処理剤で表面処理することにより得られる平均粒径が０．５〜２．０μｍ、４５μｍ以上の粗粒分が３０ｐｐｍ以下の微細シリカ粉末であって、前記微細シリカ粉末の含有量が前記封止用樹脂組成物全体に対して１〜５０重量％であるもの。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（ｃ）硬化促進剤、（ｄ）無機充填剤を必須成分として含有する封止用樹脂組成物であって、
前記（ｄ）無機充填剤は少なくとも平均粒径の異なる２種の粉末からなり、その１種がＶＭＣ（Vaperized Metal Combution）法により合成された非晶質シリカ微粒子をアミノシラン型表面処理剤で表面処理することにより得られる平均粒径が０．５〜２．０μｍ、４５μｍ以上の粗粒分が３０ｐｐｍ以下の微細シリカ粉末であって、前記微細シリカ粉末の含有量が前記封止用樹脂組成物全体に対して１〜５０重量％であることを特徴とする封止用樹脂組成物。
【請求項２】
前記（ｄ）無機充填剤は、平均粒径５〜２０μｍのシリカ粉末と前記微細シリカ粉末とからなり、前記平均粒径５〜２０μｍのシリカ粉末の含有量が前記封止用樹脂組成物全体に対して６０〜９０重量％であることを特徴とする請求項１記載の封止用樹脂組成物。
【請求項３】
前記微細シリカ粉末の８００℃における重量損失が０．０５〜０．２０％であることを特徴とする請求項１または２記載の封止用樹脂組成物。
【請求項４】
前記微細シリカ粉末の熱抽出水のｐＨが５．５〜８．５であり、かつ、その熱抽出水の電気伝導度が１．５ｍＳ／ｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の封止用樹脂組成物。
【請求項５】
前記封止用樹脂組成物は、難燃化剤である臭素化エポキシ樹脂および三酸化アンチモンを実質的に含まないことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の封止用樹脂組成物。
【請求項６】
半導体素子を樹脂組成物で封止してなる樹脂封止型半導体装置であって、前記樹脂組成物として請求項１乃至４のいずれか１項記載の封止用樹脂組成物を用いたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置に係り、特に成形性、硬化物の耐リフロー性、耐湿信頼性に優れた封止用樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高密度実装化および組み立て工程の自動化の要求から、半導体装置の実装方法は従来のピン挿入法から表面実装法へと移行してきている。表面実装法により基板にパッケージをはんだ付けする際には、基板上のクリームはんだを赤外繰やフロロカーボン蒸気で加熱しリードと接続する方法が採られている。このとき半導体装置全体は２１５〜２６０℃の高温に晒されることになる。この急激な加熱が原因になって半導体装置の封止樹脂部分にクラックが発生し、デバイスの信頼性の極端な低下を引き起こすことがある。
【０００３】
すなわち、半導体装置の封止樹脂部分はわずかではあるものの吸湿しており、この吸湿した封止樹脂部分が高温にさらされると内部の水分が気化膨脹することにより膨れ、その応力によって封止樹脂部分が破壊に至る。
【０００４】
近年における環境についての関心の高まりから、半導体装置においても、外装や接合に使用されるはんだからの鉛の除去、パッケージ中に含まれる臭素化合物やアンチモン化合物の除去が強く求められている。
【０００５】
現在、鉛を使用しないはんだのうち半導体装置分野に使用可能なはんだの多くは従来のはんだに比較して融点が高く、前述した表面実装時の半導体装置の温度も同様に高くなることとなる。従って、加熱により発生する水蒸気圧はさらに増大し、半導体装置の封止樹脂部分にはさらにすぐれた耐リフロー性が要求される。
【０００６】
また、半導体装置の薄型化、小型化によりその内部構造がより複雑化しており、従来の充填剤を多量に含んだ封止用樹脂組成物ではトランスファー成形時に充填性の不具合が生じてきている。
【０００７】
すなわち、従来の封止用樹脂組成物では大きな粒子の影響により半導体装置内部の微細部分への充填性が不十分となっている。このため微細な充填剤が開発されている（例えば、特許文献１参照）が、粒子間の相互作用が大きいために封止用樹脂組成物の流動性が悪化し、充填性が十分に改善されているとはいえない。
【０００８】
また、微細な充填剤は凝集しやすいため成形品内部に凝集物を生じることがあり、不良の原因ともなっている。さらに、従来の封止用樹脂組成物には粗粒分として原料である金属酸化物が残留しており、これが成形品に混入することにより金線ワイヤー間のショート不良の原因となっている。
【０００９】
また、一般に封止用樹脂組成物には難燃剤として臭素化エポキシ樹脂と酸化アンチモンが使用されていることから、この組み合わせに代わる代替難燃手法の開発が必須となっている。
【特許文献１】特開２００１−１０６５２１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述したように半導体素子の封止に用いられる封止用樹脂組成物には、流動性、充填性等の成形性の向上が求められているとともに、その硬化物には耐リフロー性、耐湿信頼性の向上、臭素系難燃剤等の環境に有害なものを含まないこと等が求められている。
【００１１】
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであって、成形性、硬化物の耐リフロー性、耐湿信頼性に優れ、環境への悪影響が抑制された封止用樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の封止用樹脂組成物は、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（ｃ）硬化促進剤、（ｄ）無機充填剤を必須成分として含有する封止用樹脂組成物であって、前記（ｄ）無機充填剤は少なくとも平均粒径の異なる２種の粉末からなり、その１種がＶＭＣ（Vaperized Metal Combution）法により合成された非晶質シリカ微粒子をアミノシラン型表面処理剤で表面処理することにより得られる平均粒径が０．５〜２．０μｍ、４５μｍ以上の粗粒分が３０ｐｐｍ以下の微細シリカ粉末であって、前記微細シリカ粉末の含有量が前記封止用樹脂組成物全体に対して１〜５０重量％であることを特徴とする。
【００１３】
また本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子を樹脂組成物で封止してなる樹脂封止型半導体装置であって、この樹脂組成物として上述したような封止用樹脂組成物を用いたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の封止用樹脂組成物は成形作業性に優れると共に、その硬化物の耐リフロー性、耐湿信頼性が良好であり、表面実装タイプの樹脂封止型半導体装置の封止に好適である。
【００１５】
また、このような封止用樹脂組成物で封止された樹脂封止型半導体装置は、表面実装を行ってもその後の耐湿性が良好であり、高い信頼性を有するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明の封止用樹脂組成物は、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（ｃ）硬化促進剤、（ｄ）無機充填剤を必須成分として含有する封止用樹脂組成物であって、（ｄ）無機充填剤は少なくとも平均粒径の異なる２種の粉末からなり、その１種がＶＭＣ（Vaperized Metal Combution）法により合成された非晶質シリカ微粒子をアミノシラン型表面処理剤で表面処理することにより得られる平均粒径が０．５〜２．０μｍ、４５μｍ以上の粗粒分が３０ｐｐｍ以下の微細シリカ粉末であって、この微細シリカ粉末の含有量が封止用樹脂組成物全体に対して１〜５０重量％であることを特徴とする。
【００１７】
本発明に用いられる（ａ）エポキシ樹脂は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に限定されるものではなく、封止用樹脂組成物の製造に一般に用いられるエポキシ樹脂であれば広く用いることができる。
【００１８】
（ａ）エポキシ樹脂としては、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールのノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡのノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡのグリシジルエーテル、テトラ（ヒドロキシフェニル）アルカンのエポキシ化物、ビスヒドロキシビフェニル系エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、信頼性を確保するため、樹脂中に含まれる塩素が１０００ｐｐｍ以下であれば好ましい。
【００１９】
本発明の封止用樹脂組成物を実質的に難燃剤を含まないものとする場合には、（ａ）エポキシ樹脂として下記化学式（１）で示されるエポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【化１】
2005146141.tif 000002
（但し、式中、ｎは０または１以上の整数を表す）
【００２０】
上記化学式（１）で示されるエポキシ樹脂の具体例としては、ＮＣ−３０００（日本化薬株式会社製  商品名、軟化湿度５７℃、エポキシ樹脂当量２７３）が挙げられる。上記化学式（１）で示されるエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし、その効果を損なわない範囲で上述したような各種エポキシ樹脂と混合して用いてもよい。
【００２１】
本発明に用いられる（ｂ）フェノール樹脂硬化剤は、１分子中に２個以上のフェノール基を有するものであれば特に限定されるものではなく、封止用樹脂組成物の製造に一般に用いられるフェノール樹脂硬化剤であれば広く用いることができる。このようなものとしては、例えばフェノールアラルキル樹脂、ナフトール樹脂、テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。
【００２２】
（ｂ）フェノール樹脂硬化剤の水酸基当量は１３０以上であることが好ましい。このような水酸基当量とすることにより、十分な難燃性、低吸湿性を得ることができる。また信頼性を確保するため、（ｂ）フェノール樹脂硬化剤中に含まれるフリーのフェノール類の濃度を１％以下とすることが好ましい。
【００２３】
本発明の封止用樹脂組成物を実質的に難燃剤を含まないものとする場合には、下記化学式（２）で示されるフェノール樹脂硬化剤を用いることが好ましい。
【化２】
2005146141.tif 000003
（但し、式中、ｎは０または１以上の整数を表す）
【００２４】
上記化学式（２）で示されるフェノール樹脂硬化剤としては、例えばＭＥＨ−７８５１Ｓ（明和化成株式会社製  商品名、軟化温度７２℃、エポキシ樹脂当量２０９）が挙げられる。上記化学式（２）で示されるフェノール樹脂硬化剤は単独で用いてもよいし、その効果を損なわない範囲で上述したような各種フェノール樹脂硬化剤と混合して用いてもよい。
【００２５】
（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）フェノール樹脂硬化剤との配合比は、（ｂ）フェノール樹脂硬化剤のフェノール性水酸基数と（ａ）エポキシ樹脂のエポキシ基数との比（フェノール性水酸基数／エポキシ基数）が０．４〜１．０の範囲となるように配合することが好ましい。上記値が０．４未満では硬化反応が充分に起こりにくく、上記値が１．０を超えると、硬化物の特性、特に耐湿性が劣化しやすくなるためである。
【００２６】
本発明に用いられる（ｃ）硬化促進剤としては、フェノール樹脂を用いてエポキシ樹脂を硬化する際に硬化促進剤剤として使用されることが一般に知られているものであれば特に限定されるものではない。
【００２７】
（ｃ）硬化促進剤としては、例えばＤＢＵ（１、８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７）、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニルホスフィン）、メチルジフェニルホスフィン、ジブチルフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン等の有機ホスフィン化合物、２−メチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール等のイミダゾール化合物またはその誘導体等が挙げられる。
【００２８】
これらの硬化促進剤は単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。これらの硬化促進剤の添加割合はそれぞれの触媒活性が異なるため一概にその好適量は決められないが、例えば（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）フェノール樹脂硬化剤および（ｃ）硬化促進剤の合計量中、０．１〜５重量％の範囲で添加することが好ましい。（ｃ）硬化促進剤の添加量が０．１重量％未満では硬化性能が低下し、５重量％を超えると硬化物の耐湿信頼性が低下する傾向がある。
【００２９】
本発明に用いられる（ｄ）球状無機充填剤は少なくとも平均粒径の異なる２種の粉末からなるものである。そして、そのうちの１種はＶＭＣ（Vaperized Metal Combution）法により合成された非晶質シリカ微粉末をアミノシラン型表面処理剤で表面処理したものであり、平均粒径を０．５〜２．０μｍ、４５μｍ以上の粗粒分を３０ｐｐｍ以下とした微細シリカ粉末である。
【００３０】
ＶＭＣ（Vaperized Metal Combution）法とは、シリコン粉末とシリカ粉末とをキャリアガスと共に加熱して溶解または気化させた後、冷却し、非晶質シリカ微粒子を形成する方法である。ＶＭＣ法では、例えばシリカ粉末を溶解することによりその表面張力により真球とし、そのまま冷却させることで真球度の高い、平均粒径の揃った非晶質シリカ微粒子を得ることができる。ＶＭＣ法による非晶質シリカ微粒子の具体例としては、例えば特開２００１−１０６５２１に示されるものが挙げられる。
【００３１】
本発明では、このようにして得られた非晶質シリカ微粒子をアミノシラン型表面処理剤により表面処理する。非晶質シリカ微粒子の表面処理は、例えばアミノシラン型表面処理剤を気化することにより行うことができる。
【００３２】
このような表面処理に用いられるアミノシラン型表面処理剤としては、例えばγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００３３】
ＶＭＣ法により合成された真球度の高い非晶質シリカ微粒子をアミノシラン型表面処理剤で表面処理することにより得られる微細シリカ粉末は、凝集性が改善されており、従来では１５０μｍ程度でしか行うことができなかった篩を４５μｍ以下で行うことができる。このため、微細シリカ粉末の平均粒径を０．５〜２．０μｍとし、かつ、その４５μｍ以上の粗粒分を３０ｐｐｍ以下とすることができる。
【００３４】
そして、このような表面処理が施され、所定の平均粒径、粗粒分量とされた微細シリカ粉末を、（ｄ）球状無機充填剤を構成する２種以上の粉末のうちの１種として用いることで、封止用樹脂組成物の流動性、充填性等の成形性の向上が可能となる。また、このような微細シリカ粉末を用いることで凝集物の発生を抑制することができ、樹脂封止型半導体装置における不良の発生も抑制することができる。
【００３５】
本発明に用いられる微細シリカ粉末は、８００℃における重量損失が０．０５％〜０．２０％であれば好ましい。この重量損失は微細シリカ粉末の表面処理剤の定量に用いられるものである。
【００３６】
重量損失が０．０５％未満であると表面処理剤の量が少ないため効果が不十分となり、例えば微細シリカ粉末が凝集したり、封止用樹脂組成物の流動性が低下するといった不都合が発生することがある。また、重量損失が０．２０％より多くなると表面処理剤が多すぎるため、例えば微細シリカ粉末が再凝集したり、封止用樹脂組成物の成形性、耐熱性が低下するといった不都合が発生することがある。なお、表面処理を施していないシリカ粉末の一般的な重量損失は０．０２％以下である。
【００３７】
また、本発明に用いられる微細シリカ粉末は、その熱抽出水のｐＨが５．５〜８．５であれば好ましい。熱抽出水のｐＨが５．５未満であると表面処理剤の量が少なく、８．５を超えると表面処理剤が多すぎ、いずれの場合においても微細シリカ粉末の凝集および再凝集、封止用樹脂組成物の流動性、成形性および耐熱性の低下等の発生があるため好ましくない。
【００３８】
さらに、本発明に用いられる微細シリカ粉末は、その熱抽出水の電気伝導度が１．５ｍＳ／ｍ以下であれば好ましい。微細シリカ粉末の熱抽出水の電気伝導度が１．５ｍＳ／ｍを超えると不純物が多すぎることとなり、例えばこれを用いた封止用樹脂組成物により半導体素子を封止して半導体装置を製造した場合に、その信頼性が低下するおそれがある。
【００３９】
本発明に用いられる微細シリカ粉末の配合割合は、封止用樹脂組成物全体に対して１〜５０重量％であることが好ましく、５〜３０重量％であればより好ましい。１重量％未満では、封止用樹脂組成物の流動性が不足し、充填性が悪くなる。また、５０重量％よりも多いと混練性が悪くなり、封止用樹脂組成物を製造することが困難となるおそれがある。
【００４０】
本発明に用いられる（ｄ）球状無機充填剤のうち、上記微細シリカ粉末と共に用いられる他の粉末としては上記微細シリカ粉末よりも平均粒径の大きい球状のシリカ粉末が好適に用いられる。このようなシリカ粉末としては、例えば溶射あるいは破砕により得られる平均粒径５〜２０μｍのシリカ粉末が好適に用いられる。
【００４１】
上記平均粒径５〜２０μｍのシリカ粉末の配合割合は、封止用樹脂組成物全体に対して６０〜９０重量％とすることが好ましい。平均粒径５〜２０μｍのシリカ粉末の配合割合が６０重量％未満であると、封止用樹脂組成物の流動性が不足し、充填性が悪くなるおそれがあり、また９０重量％を超えると混練性が悪くなり、封止用樹脂組成物を製造することが困難となるおそれがある。平均粒径５〜２０μｍのシリカ粉末の配合割合は、好ましくは８０〜８９重量％である。
【００４２】
本発明の封止用樹脂組成物には、上記（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（ｃ）硬化促進剤および（ｄ）無機充填剤に加えて、本発明の趣旨に反しない限度において表面処理剤、天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸やその金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィン類等の離型剤、カーボンブラック、二酸化チタンなどの顔料、シリコーンゴム、各種プラスチックス粉末、各種エンジニアリングプラスチックス粉末、ＡＢＳ樹脂やＭＢＳ樹脂の粉末等の低応力化剤などを適宣添加してもよい。
【００４３】
表面処理剤は（ｄ）無機充填剤を構成する粉末のうち微細シリカ粉末を除く粉末の表面処理を目的として加えられるものであり、一般に無機充填剤の表面処理に使用されるものであれば特に限定されるものではないが、シリコン原子に結合したアルコキシ基を有するシラン化合物が好ましく、なかでも一級もしくは二級のアミンを有するシラン化合物が好ましい。これらのシラン化合物を用いることにより封止用樹脂組成物の成形性をより良好にすることができる。
【００４４】
一級もしくは二級のアミンを有するシラン化合物としては、例えばγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン等を用いることができる。
【００４５】
これらの一級もしくは二級のアミンを有するシラン化合物は単独もしくは２種以上混合して使用することができ、さらにこれら以外の表面処理剤を併用してもかまわない。
【００４６】
表面処理剤の配合割合は、封止用樹脂組成物全体の０．０１〜５重量％であることが好ましい。０．０１重量％未満では成形性の向上が十分でないおそれがあり、５重量％を超えると封止用樹脂組成物の硬化物の信頼性に悪影響を与え好ましくない。
【００４７】
本発明の封止用樹脂組成物は、少なくとも上記（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（ｃ）硬化促進剤および（ｄ）無機充填剤を、例えばヘンシェルミキサーなとのミキサーによって充分混合し、さらに熱ロールによる溶融処理または二軸の押し出し機等による溶融混合処理を加えた後、冷却、粉砕することにより調製することができる。
【００４８】
そして、本発明の樹脂封止型半導体装置は上記封止用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止することによって製造することができる。このような封止には最も一般的には低圧トランスファ成形が用いられるが、コンプレッション成形、インジェクション成形、注型等によっても封止することができる。なお、本発明の封止用樹脂組成物によって封止される半導体素子は特に限定されるものではない。
【実施例】
【００４９】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明する。
【００５０】
（実施例１〜６および比較例１〜３）
まず、表１に示す各成分が同表に示す割合で配合されてなる封止用樹脂組成物を次のようにして調製した（表中の配合量は重量部を示す）。まずヘンシェルミキサー中で充填剤Ａ〜Ｅを表面処理剤で処理し、次いで他の成分を配合混合して６０〜１３０℃の加熱ロールで混練し、冷却した後粉砕することにより、封止用樹脂組成物を得た。なお、表１に示した各成分としては、それぞれ以下に示すものを用いた。
【００５１】
【表１】
2005146141.tif 000004
【００５２】
エポキシ樹脂Ａ：低吸湿性エポキシ樹脂（ＮＣ−３０００Ｐ、日本化薬株式会社製、当量２７３）
エポキシ樹脂Ｂ：オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＳＣＮ１９５ＸＬ、住友化学株式会社製）
当量１９７）
【００５３】
フェノール樹脂Ａ：低吸湿性フェノール樹脂（ＭＥＨ−７８５１Ｓ、明和化成株式会社製、当量２０９）
フェノール樹脂Ｂ：フェノールノボラック樹脂（ＢＲＧ−５５６、昭和高分子株式会社製、当量１０４）
【００５４】
硬化促進剤：ＤＢＵフェノールノボラック塩（ＤＢＵ含有率３０％、フェノール樹脂  当量１０４）
離型剤：カルナバワックス
表面処理剤：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ａ−１８７、日本ユニカー株式会社製）
【００５５】
充填剤Ａ：溶射法による平均粒径１０μｍ、比表面積５．０ｍ２／ｇのシリカ粉末
充填剤Ｂ：ＶＭＣ法により合成された非晶質シリカ微粒子をγ−アミノプロピルトリエトキシシランで表面処理した微細シリカ粉末（ＳＣ−２５００ＳＱ、株式会社アドマテックス製、平均粒径０．５μｍ、比表面積６．０ｍ２／ｇ、４５μｍ以上が７ｐｐｍ、８００℃重量損失０．１２％、ｐＨ６．７）
充填剤Ｃ：ＶＭＣ法により合成された非晶質シリカ微粒子をγ−アミノプロピルトリエトキシシランで表面処理した微細シリカ粉末（平均粒径０．５μｍ、比表面積６．０ｍ２／ｇ、４５μｍ以上が１２ｐｐｍ、８００℃重量積失０．２６％、ｐＨ９．６）
充填剤Ｄ：ＶＭＣ法により合成された非晶質シリカ微粒子をγ−アミノプロピルトリエトキシシランで表面処理した微細シリカ粉末（平均粒径０．５μｍ、比表面積６．０ｍ２／ｇ、４５μｍ以上が１１ｐｐｍ、８００℃重量損失０．０３％、ｐＨ４．５）
充填剤Ｅ：ＶＭＣ法により合成された非晶質シリカ微粒子（微細シリカ粉末）（平均粒径０．５μｍ、比表面積６．０ｍ２／ｇ、４５μｍ以上が４６ｐｐｍ、８００℃重量損失０．０２％、ｐＨ４．５）
【００５６】
次いで、これらの封止用樹脂組成物についてそれぞれ下記のような評価試験を行った。
【００５７】
［１］耐湿信頼性を調べるために次の試験を行った。すなわち各封止用樹脂組成物を用いて試験用デバイスを封止した後、１８０℃で４時間アフターキュアを行った。次いで、この樹脂封止型半導体装置を８５０℃、相対湿度６０％の雰囲気中に１６８時間放置して吸湿処理を行った後、これをＭＡＸ．温度２６０℃のＩＲリフロー炉に３回通した。この時点での樹脂封止型半導体装置のクラック発生率を調べた。結果を表２に示す。なお、表２におけるクラック発生率は、（クラック発生数／試料数）で示した。
【００５８】
また、同様の樹脂封止型半導体装置を１２７℃の飽和水蒸気雰囲気中に放置し、プレッシャークッカー試験を行い、不良（リーク不良、オープン不良）発生率を調べた。結果を表２に示す。なお、表２における不良発生率は、（不良発生数／試料数）で示した。
【００５９】
［２］流動性を調べるために、スパイラルフローを測定した。スパイラルフローは、ＥＭＭＩ−１−６６に準じて測定した。結果を表３に示す。
【００６０】
［３］樹脂封止型半導体装置における充填性を調べるため、ＱＦＰ２０８−２８２８（厚さ１．４ｍｍ、チップサイズ１１×１１ｍｍ）とＴＳＯＰ５４（ＬＯＣ構造、チップサイズ４×６ｍｍ）を成形した。結果を表３に示す。
【００６１】
［４］微細シリカ粉末の凝集状態を調べるために、成形したＱＦＰ２０８−２８２８（厚さ１．４ｍｍ）の断面を研磨し凝集物の有無を確認した。結果を表３に示す。
【００６２】
［５］難燃性を調べるために、封止用樹脂組成物を成形、硬化し、１２０ｍｍ×１２ｍｍ×０．８ｍｍの試験片を作製した。この試験片について、ＵＬ９４に基づく燃焼試験を実施し評価した。結果を表３に示す。
【００６３】
【表２】
2005146141.tif 000005
【００６４】
【表３】
2005146141.tif 000006
【００６５】
表２、表３に示されるように、実施例１〜６の封止用樹脂組成物は比較例１〜３の封止用樹脂組成物に比べ、充填性および流動性等の成形性に優れると共に、その硬化物の高温下での耐クラック性およびその後の耐湿信頼性も良好であることが認められた。また、難燃性についても十分であることが認められた。