(57)【要約】【課題】  段差部で漏電や、絶縁破壊または電気的短絡の発生を防止できるキャパシター及びこれを具備した平板表示装置を開示する。【解決手段】  基板の上部に具備され、相互絶縁されるように対向された少なくとも二つの電極を具備したキャパシターにおいて、前記電極の中で上部に位置した電極が下部に位置した電極よりその面積が小さく具備されたことを特徴とするキャパシター及びこれを具備した平板表示装置である。これにより、漏電の問題や絶縁破壊、電気的短絡問題を解決できる。【選択図】            図２
2005159290.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上部に具備され、相互絶縁されるように対向された少なくとも二つの電極を具備したキャパシターにおいて、
前記電極の中で、上部に位置した電極が下部に位置した電極よりその面積が小さく具備されたことを特徴とするキャパシター。
【請求項２】
前記電極の中の少なくとも一つは、半導体薄膜で形成されたことを特徴とする請求項１に記載のキャパシター。
【請求項３】
前記半導体薄膜は、ポリシリコンで形成されたことを特徴とする請求項２に記載のキャパシター。
【請求項４】
前記電極の中の少なくとも一つは、金属で形成されたことを特徴とする請求項１に記載のキャパシター。
【請求項５】
前記電極の中の少なくとも一つは、伝導性ポリマーで形成されたことを特徴とする請求項１に記載のキャパシター。
【請求項６】
基板の上部に具備され、相互絶縁されるように対向された少なくとも二つの電極を具備したキャパシターにおいて、
前記電極の中で、下部に位置した電極の端部は、上部に位置した電極の少なくとも電極ライン以外の部分によって重ならないように具備されたことを特徴とするキャパシター。
【請求項７】
前記電極の中の少なくとも一つは、半導体薄膜で形成されたことを特徴とする請求項６に記載のキャパシター。
【請求項８】
前記半導体薄膜は、ポリシリコンで形成されたことを特徴とする請求項７に記載のキャパシター。
【請求項９】
前記電極の中で少なくとも一つは、形成で具備されたことを特徴とする請求項６に記載のキャパシター。
【請求項１０】
前記電極の中で少なくとも一つは、伝導性ポリマーで形成されたことを特徴とする請求項６に記載のキャパシター。
【請求項１１】
所定の画像を形成する複数個の画素と、
前記画素を制御することで、半導体薄膜、前記半導体薄膜に絶縁されるように対向されたゲート電極、前記半導体薄膜に接続されたソース及びドレーン電極を含む薄膜トランジスターと、
相互絶縁されるように対向された少なくとも二つの電極を具備するが、前記電極の中で上部に位置した電極が下部に位置した電極よりその面積が小さく形成されたキャパシターとを含むことを特徴とする平板表示装置。
【請求項１２】
前記キャパシターの電極の中でいずれかの一つは、前記薄膜トランジスターの半導体薄膜と同じ材質で形成されたことを特徴とする請求項１１に記載の平板表示装置。
【請求項１３】
前記半導体薄膜は、ポリシリコンで具備されたことを特徴とする請求項１２に記載の平板表示装置。
【請求項１４】
前記キャパシターの電極の中のいずれかの一つは、前記薄膜トランジスターのゲート電極と同じ材質で形成されたことを特徴とする請求項１１に記載の平板表示装置。
【請求項１５】
前記キャパシターの電極の中のいずれかの一つは、前記薄膜トランジスターのソース及びドレーン電極と同じ材質で形成されたことを特徴とする請求項１１に記載の平板表示装置。
【請求項１６】
所定の画像を具現する複数個の画素と、
前記画素を制御することで、半導体薄膜、前記半導体薄膜に絶縁されるように対向されたゲート電極、前記半導体薄膜に接続されたソース及びドレーン電極を含む薄膜トランジスターと、
相互絶縁されるように対向された少なくとも二つの電極を有し、前記電極の中で下部に位置した電極の端部は前記上部に位置した電極の少なくとも電極ライン以外の部分によって重ならないように具備されたキャパシターとを含むことを特徴とする平板表示装置。
【請求項１７】
前記キャパシターの電極の中でいずれかの一つは、前記薄膜トランジスターの半導体薄膜と同じ材質で形成されたことを特徴とする請求項１６に記載の平板表示装置。
【請求項１８】
前記半導体薄膜は、ポリシリコンで具備されたことを特徴とする請求項１７に記載の平板表示装置。
【請求項１９】
前記キャパシターの電極の中でいずれかの一つは、前記薄膜トランジスターのゲート電極と同じ材質で形成されたことを特徴とする請求項１６に記載の平板表示装置。
【請求項２０】
前記キャパシターの電極の中でいずれかの一つは、前記薄膜トランジスターのソース及びドレーン電極と同じ材質で形成されたことを特徴とする請求項１６に記載の平板表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャパシター及びこれを具備した平板表示装置に係り、より詳細には、電極構造が改善されたキャパシター及びこれを具備した平板表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路や平板表示装置などに使われる素子には、抵抗やキャパシターのような受動素子があり、薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）やダイオード、ＭＯＳＦＥＴなどがある。
【０００３】
この内、キャパシターは、集積回路装置の集積度が高くなり、高速化されて高容量に対する要求が高まりつつある。また、液晶ディスプレー素子や有機電界発光ディスプレー素子または無機電界発光ディスプレー素子など平板表示装置では、表示画面の品質を高めるためにデータラインを通じて印加された信号を次のフレームまで一定期間保存させておくために、各画素ごとにストレージ形キャパシターが少なくとも一つ以上設置され、各画素に設置される薄膜トランジスターの個数を多くして高容量化する要求が高まっている。
【０００４】
図１には、半導体装置や平板表示装置で一般的に使われているキャパシターを示した。バッファー層１１が形成されている基板１０上に下部電極１２が形成され、その上を絶縁膜１３が覆うように形成され、この絶縁膜１３上部に下部電極１２と重なるように上部電極１４が形成されている。
【０００５】
しかし、前記のような構造のキャパシターにおいて、ほとんど上部電極１４は下部電極１２よりその幅が広く形成される。これは、上部電極１４のパターン形成の時の工程マージンや上部電極１４の形成のための配線構造の設計などを考慮したものである。すなわち、上部電極１４をパターニングする時に露光装備を利用したマスクアライン作業を行わなければならないが、この時、露光装備のアライン誤差があるので、上部電極１４形成時にこの誤差を考慮したマージンをとり、また通常データラインと連結される上部電極１４のスルーホールや配線構造などの設計が容易に行われるためである。
【０００６】
しかし、このように上部電極１４は、下部電極１２より広い幅を有するように形成した場合には図１で示したように、下部電極１２の端部の部分Ｓでは絶縁膜１３の厚さが他の部分に比べて相対的に薄くなって漏電が生じる可能性があり、ひどい場合には絶縁破壊が発生したり、上部電極１４と下部電極１２との間の電気的短絡も発生しうる。
【０００７】
一方、前記平板表示装置に使われている薄膜トランジスターは、表示装置の動画像具現によって高い回答速度が求められているが、これにより、その活性層としてポリシリコンを多く採用している。また、前述したように、画素当り使用薄膜トランジスターの個数を増加させ、これによって開口率を高めるため、前面発光型を採用する場合にはキャパシターの下部電極１２として活性層と同じくポリシリコンを使う。
【０００８】
しかし、このようにポリシリコンを下部電極１２として使う場合には、問題はさらに大きくなる。これはポリシリコンの荒さが金属の場合より悪く、これによってその段差部での絶縁膜厚さの劣化はもっとひどくなるからである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明が達成しようとする技術的課題は、段差部での漏電や、絶縁破壊または電気的短絡の発生を防止できるキャパシター及びこれを具備した平板表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するために本発明は、基板の上部に具備され、相互絶縁されるように対向された少なくとも二つの電極を具備したキャパシターにおいて、前記電極の中で上部に位置した電極が下部に位置した電極よりその面積が小さく形成されたことを特徴とするキャパシターを提供する。
【００１１】
本発明は、また前記の目的を達成するため、基板の上部に具備され、相互絶縁されるように対向された少なくとも二つの電極を具備したキャパシターにおいて、前記電極の中で下部に位置した電極の端部は上部に位置した電極の少なくとも電極ライン以外の部分によって重ならないように具備されたことを特徴とするキャパシターを提供する。
【００１２】
このような本発明の他の特徴によれば、前記電極の中で少なくとも一つは、半導体薄膜で形成されうる。
【００１３】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記電極の中で少なくとも一つは、形成で具備されうる。
【００１４】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記電極の中で少なくとも一つは、伝導性ポリマーで形成されうる。
【００１５】
本発明は、また前記の目的を達成するため、所定の画像を具現する複数個の画素と、前記画素を制御することで、半導体薄膜、前記半導体薄膜に絶縁されるように対向されたゲート電極、前記半導体薄膜に接続されたソース及びドレーン電極を含む薄膜トランジスターと、相互絶縁されるように対向された少なくとも二つの電極を具備するが、前記電極の中で上部に位置した電極が下部に位置した電極よりその面積が小さく具備されたキャパシターとを含むことを特徴とする平板表示装置を提供する。
【００１６】
本発明は、所定の画像を具現する複数個の画素と、前記画素を制御することで、半導体薄膜、前記半導体薄膜に絶縁されるように対向されたゲート電極、前記半導体薄膜に接続されたソース及びドレーン電極を含む薄膜トランジスターと、相互絶縁されるように対向された少なくとも二つの電極を具備するが、前記電極の中で下部に位置した電極の端部は前記上部に位置した電極の少なくとも電極ライン以外の部分によって重ならないように具備されたキャパシターとを含むことを特徴とする平板表示装置を提供する。
【００１７】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記キャパシターの電極の中でいずれかの一つは、前記薄膜トランジスターの半導体薄膜と同じ材質で形成できる。この時、前記半導体薄膜は、ポリシリコンで具備されうる。
【００１８】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記キャパシターの電極の中でいずれかの一つは、前記薄膜トランジスターのゲート電極と同じ材質で形成されうる。
【００１９】
本発明のまた他の特徴によれば、前記キャパシターの電極の中でいずれかの一つは、前記薄膜トランジスターのソース及びドレーン電極と同じ材質より形成されうる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、次のような効果を得られる。
【００２１】
第一、下部電極の段差部付近で絶縁膜が薄くなることで発生する漏電の問題を解決できる。
【００２２】
第二、下部電極の段差部付近での薄い絶縁膜による絶縁破壊を防止できる。
【００２３】
第三、下部電極の段差部付近で絶縁膜が絶縁破壊されたり、絶縁膜が破れることよる上下部電極の間の電気的短絡問題を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付された図面を参照して、本発明の望ましい実施例に対してより詳しく説明する。
【００２５】
図２は、本発明の望ましい一実施例によるキャパシターを示した図面であり、二重電極で構成されたキャパシターを示している。
【００２６】
基板２０上にバッファー層２１が形成され、このバッファー層２１上に、キャパシターの第１電極２２が形成され、この第１電極２２を覆うように第１絶縁膜２３が形成され、この第１絶縁膜２３の上部に第２電極２４が形成される。そして、この第２電極２４を覆うように第２絶縁膜２５が形成される。
【００２７】
前記基板２０は、平板ディスプレー装置の場合にはガラス基板や、プラスチック材基板になり、前記バッファー層２１はこの基板２０に一体に形成されうる。
【００２８】
そして、半導体装置の場合には前記基板２０は、Ｐ型またはＮ型シリコン基板になり、この際には前記バッファー層２１は省略可能である。
【００２９】
前記第１電極２２と第２電極２４とは、導電性材質で形成できるが、金属材で形成されたり、導電性ポリシリコンのような半導体薄膜より形成できる。そして、この外にも導電性ポリマーなどより形成できることは勿論である。このような第１電極２２と第２電極２４の材質は、半導体装置や平板表示装置のキャパシターの電極に使われるものなら、何でも適用可能である。
【００３０】
前記第１電極２２と第２電極２４との間には、第１絶縁膜２３が介在されて誘電層として使われるが、前記第１絶縁膜２３としてはＳｉＯ２やＳｉＮＸなどが使われる。
【００３１】
前記のような構造のキャパシターにおいて、下部に位置した電極である第１電極２２は、その面積が上部に位置した第２電極２４より大きく形成する。そして、その端部が第２電極２４によって重ならないようにする。勿論、第２電極２４の電極配線はこの第１電極２２の端部に重畳されうるが、電極体を第１電極２２のパターン内に第２電極２４が位置させるようにする。
【００３２】
このように第１電極２２と第２電極２４の構造を形成する場合には、第１電極２２の端部で第２電極２４が重ならず、これによる第１絶縁膜２３の絶縁破壊を防止できる。また、第１電極２２の端部に該当する部分での漏電の問題も防止でき、第１絶縁膜２３が第１電極２２の段差部で破れ、第１電極２２と第２電極２４とが電気的に短絡される問題も事前予防できる。
【００３３】
図３は、本発明の望ましい他の一実施例による二重キャパシターを示したものであり、本発明はこのように二重キャパシターにも同じく適用可能である。
【００３４】
これは、前記の第２絶縁膜２５上部にさらに第３電極２６を形成し、その上に第３絶縁膜２７を形成したものであるが、第１電極２２−第１絶縁膜２３−第２電極２４で第１キャパシターを形成し、第２電極２４−第２絶縁膜２５−第３電極２６で第２キャパシターを形成する。
【００３５】
この際にも、上部に位置した電極の面積を下部に位置した電極の面積より小さく形成する。すなわち、上部電極が下部電極のパターン内に位置するようにパターニングする。これによって、前述のように、漏電の問題や、絶縁破壊の問題または電気的短絡の問題を解決できる。
【００３６】
以上説明したようなキャパシターは、各種半導体装置や液晶表示装置、有機電界発光表示装置などの平板表示装置に適用できる。
【００３７】
図４は、二重、アクティブマトリックス型有機電界発光表示装置に適用した状態を図示した断面図であり、キャパシターが有機電界発光表示装置の一副画素に具備された場合を図示したものである。しかし、本発明によるキャパシターは、このように副画素に具備されたストレージキャパシターにだけ限定されず、各種ドライバーのキャパシターにも同じく適用できる。
【００３８】
図４に示したような有機電界発光表示装置は、一つの副画素の一部断面を示したものであり、自発光素子として有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）を具備し、このＯＬＥＤに連結された少なくとも一つ以上のＴＦＴとＣｓｔとを有する。
【００３９】
図４で分かるように、ガラス材の絶縁基板３０にバッファー層３１が形成され、このバッファー層３１の上部にＴＦＴとＣｓｔとが形成される。前記バッファー層３１は、ＳｉＯ２で形成でき、ＰＥＣＶＤ法、ＡＰＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法、ＥＣＲ法などにより、おおよそ３０００Å位に蒸着可能である。前記基板３０は、プラスチック材で形成できるが、この場合にはバッファー層３１が省略可能である。
【００４０】
前記ＴＦＴは、バッファー層３１上に形成された活性層４１と、この活性層４１の上部に形成されたゲート絶縁膜３２と、ゲート絶縁膜３２上部のゲート電極１４と、活性層４１に接続されたソース電極４３と、ドレーン電極４４とを有する。
【００４１】
前記活性層４１は、無機半導体または有機半導体より形成できるが、おおよそ５００Å位に形成される。活性層４１を無機半導体の内、ポリシリコンで形成する場合には、非晶質シリコンを形成した後、各種結晶化方法によって多結晶化できる。この活性層は、Ｎ型またはＰ型不純物が高濃度にドーピングされたソース及びドレーン領域を有し、その間にチャンネル領域を有する。
【００４２】
無機半導体は、ＣｄＳ、ＧａＳ、ＺｎＳ、ＣｄＳｅ、ＣａＳｅ、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅ、ＳｉＣ、及びａ−Ｓｉやｐｏｌｙ−Ｓｉのようなシリコン材を含むものでありうる。
【００４３】
そして、前記有機半導体は、バンドギャップが１ｅＶないし４ｅＶである半導体性有機物質で具備できるが、高分子として、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリプロレン及びその誘導体、ポリチオフェンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン−ヘテロ環芳香族共重合体及びその誘導体を含み、低分子として、ペンタセン、テトラセン、ナフタリンのオリゴアセン及びこれらの誘導体、アルファ−６−チオフェン、アルファ−５−チオフェンのオリゴチオフェン及びこれらの誘導体、金属含有または非含有のフタロシアニン及びこれらの誘導体、パイロメリチクジアンヒドリドまたはパイロメリチクジイミド及びこれらの誘導体、ペリレンテトラカルボキシ酸ジアンヒドリドまたはペリレンテトラカルボキシ酸ジイミド及びこれらの誘導体を含める。
【００４４】
前記活性層４１の上部にはＳｉＯ２などによってゲート絶縁膜３２が具備され、ゲート絶縁膜３２上部の所定領域には、ＭｏＷ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｌ／Ｃｕなどの導電性金属膜でゲート電極４２が形成される。前記ゲート電極４２を形成する物質は、これに限定されず、導電性ポリマーなど多様な導電性物質がゲート電極４２に使われうる。前記ゲート電極４２は、ＴＦＴオン／オフ信号を印加するゲートラインと連結されている。そして、前記ゲート電極１４が形成される領域は、活性層１２のチャンネル領域に対応される。
【００４５】
前記ゲート電極４２の上部には、ＳｉＯ２またはＳｉＮＸなどで層間絶縁膜３３が形成され、この層間絶縁膜３３とゲート絶縁膜３２とにコンタクトホールが穿孔された状態で、ソース電極４３及びドレーン電極４４が前記層間絶縁膜３３の上部に形成される。前記ソース／ドレーン電極４３、４４は、ＭｏＷ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｌ／Ｃｕなどの導電性金属膜や導電性ポリマーなどが使われる。
【００４６】
ソース及びドレーン電極４３、４４上部にはＳｉＮＸなどからなるパシベーション膜３４が形成され、このパシベーション膜３４の上部にはアクリル、ポリイミドなどによる画素定義膜３５が形成されている。
【００４７】
以上、説明したような薄膜トランジスターの構造は、これに限定されず、従来の一般的な薄膜トランジスターの構造がそのまま採用できることは勿論である。
【００４８】
一方、前記ドレーン電極４４には、ＯＬＥＤが連結されるが、前記ＯＬＥＤの陽極５１に連結される。前記陽極５１は、パシベーション膜３４の上部に形成され、その上部には画素定義膜３５が形成されており、この画素定義膜１９に所定の開口部を形成した後、ＯＬＥＤを形成する。
【００４９】
前記ＯＬＥＤは、電流の流れによって、赤、緑、青色の光を発光して所定の画像情報を表示するものであり、ＴＦＴのドレーン電極４４に連結されてここからプラス電源を受ける陽極５１と、全体画素を覆うように具備されてマイナス電源を供給する陰極５３、及びこれら陽極５１と陰極５３との間に配置されて発光する有機発光膜５２で構成される。
【００５０】
陽極５１はＩＴＯなどの透明電極やＡｌ／ＩＴＯの反射型電極で形成でき、陰極５３は基板３０側へ画像を具現する背面発光型の場合に、Ａｌ／Ｃａなどで前面蒸着して形成し、陰極５３側へ画像を具現する前面発光型の場合には、Ｍｇ−Ａｇ／ＩＴＯで透明電極を形成できる。前記陰極５３は、必ずしも前面蒸着される必要はなく、多様なパターンに形成できることは勿論である。前記陽極５１と陰極５３とは、相互位置が反対に積層できることは勿論である。
【００５１】
有機膜５２は、低分子または高分子有機膜を使えるが、低分子有機膜を使う場合、ホール注入層（ＨＩＬ）、ホール輸送層（ＨＴＬ）、有機発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）などが単一あるいは複合の構造で積層されて形成でき、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ'−ジ（ナフタリン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェ二ル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを含めて多様に適用可能である。これら低分子有機膜は、真空蒸着の方法で形成される。
【００５２】
高分子有機膜の場合には、ほとんどＨＴＬ及びＥＭＬで具備された構造を有し、この際、前記ＨＴＬとしてＰＥＤＯＴを使い、ＥＭＬとしてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系などの高分子有機物質を使い、これをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法などで形成できる。
【００５３】
勿論、このようなＯＬＥＤの構造は、これに限定されず、多様に変形適用可能である。
【００５４】
一方、前記Ｃｓｔは、バッファー層３１上に具備された第１電極６１とこの第１電極６１上部に具備された第２電極６２とを有する。前記第１電極６１と第２電極６２との間には、ゲート絶縁膜３２が介在されている。
【００５５】
本発明の望ましい一実施例によれば、前記第１電極６１はＴＦＴの活性層４１と同じ材質で具備でき、前記第２電極６２はゲート電極４２と同じ材質で具備できる。これら第１電極６１及び第２電極６２は、それぞれ活性層４１及びゲート電極４２の形成と同時に形成できる。前記第１電極６１は駆動電源ライン（図示せず）に連結され、前記第２電極６２は駆動ＴＦＴのソース電極に連結できるが、必ずこれに限定されるのではない。
【００５６】
一方、この際、前記第２電極６２は前記第１電極６１の面積より小さく形成される。そして、第１電極６１の端部が第２電極６２によって重ならないようにする。すなわち、第１電極６１のパターン内に第２電極６２を位置させる。
【００５７】
これにより、第１電極６１の端部で第２電極６２が重ならず、第１電極６１の段差部でのゲート絶縁膜３２の絶縁破壊を防止でき、この部分での漏電の問題や電気的短絡問題も防止できる。
【００５８】
特に、図４で、ＴＦＴの活性層４１とＣｓｔの第１電極６１とをポリシリコンで形成する場合には、その表面の荒さがさらにひどく、段差がひどく形成されて前記のような漏電の問題や絶縁破壊、電気的短絡問題の解決にさらに有用である。
【００５９】
このようなキャパシターの構造は、図５で分かるように、第２電極６２上の層間絶縁膜３３上にソース／ドレーン電極４３、４４と同じ物質で第３電極６３を形成して二重キャパシターで形成した場合にも同じく適用できる。すなわち、この場合にも第３電極６３が第２電極６２よりその面積が小さく、そのパターンが第２電極６２のパターン内に位置して第２電極６２の端部が第３電極６３によって重ならないようにする。
【００６０】
また、これは図６で分かるように、第２電極６２と第３電極６３とだけでＣｓｔを構成した場合にも同じく適用できる。すなわち、図６で分かるように、第３電極６３が第２電極６２よりその面積が小さく、そのパターンが第２電極６２のパターン内に位置して第２電極６２の端部が第３電極６３によって重ならないようにすることで、前記の漏電の問題や絶縁破壊、電気的短絡問題を解決できる。
【００６１】
以上、本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、該当の技術分野の当業者は、特許請求の範囲に記載した本発明の思想及び領域から脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させる可能性があることを理解できる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、多様な構造のキャパシターに全て適用でき、有機電界発光表示装置外にも液晶表示装置や、無機電界発光表示装置にも同じく適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】従来のキャパシターで下部電極の段差部部分を示した断面図である。
【図２】本発明の望ましい一実施例によるキャパシターを示した断面図である。
【図３】本発明の望ましい他の一実施例による二重キャパシターを示した断面図である。
【図４】本発明の望ましい一実施例によるアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置の副画素を示した断面図である。
【図５】本発明の望ましい他の一実施例によるアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置の副画素を示した断面図である。
【図６】本発明の望ましいさらに他の一実施例によるアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置の副画素を示した断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
２０、３０…基板、
２１、３１…バッファー層、
２２…第１電極、
２３…第１絶縁膜、
２４…第２電極、
２５…第２絶縁膜、
２６…第３電極、
２７…第３絶縁膜、
３２…ゲート絶縁膜、
３３…層間絶縁膜、
３４…パシベーション膜、
３５…画素定義膜、
４１…活性層、
４２…ゲート電極、
４３…ソース電極、
４４…ドレーン電極、
５１…陽極、
５２…有機発光膜、
５３…陰極、
６１…第１電極、
６２…第２電極。
【図１】
2005159290.tif 000003
【図２】
2005159290.tif 000004
【図３】
2005159290.tif 000005
【図４】
2005159290.tif 000006
【図５】
2005159290.tif 000007
【図６】
2005159290.tif 000008