(57)【要約】【課題】  感度上昇を実現すると共に、固体撮像素子の小型化をも実現することができる固体撮像素子及びその駆動方法を提供する。【解決手段】  第１のセンサ列２と、第１のセンサ列と同一の分光感度を要する第２のセンサ列３と、第２のセンサ列に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送する垂直レジスタ４と、第１のセンサ列に蓄積された信号電荷及び垂直レジスタによって転送された信号電荷を読み出す読み出しゲート５と、読み出しゲートによって読み出された信号電荷を水平方向に転送する水平レジスタ７を有する。【選択図】    図１
2005101752.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一の分光感度を要する２以上のセンサ列を有する固体撮像素子において、
第１のセンサ列と、
該第１のセンサ列に隣接して設けられた第２のセンサ列と、
少なくとも前記第２のセンサ列に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部と、
前記第１のセンサ列に蓄積された信号電荷及び前記垂直電荷転送部によって転送された信号電荷を読み出す読み出しゲートと、
該読み出しゲートによって読み出された信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部を備える
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
第１のセンサ列と、該第１のセンサ列に隣接して設けられた前記第１のセンサ列と同一の分光感度を要する第２のセンサ列と、少なくとも前記第２のセンサ列に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部と、前記第１のセンサ列に蓄積された信号電荷及び前記垂直電荷転送部によって転送された信号電荷を読み出す読み出しゲートと、該読み出しゲートによって読み出された信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部を備える固体撮像素子の駆動方法であって、
所定ラインを前記第２のセンサ列で撮像を行うステップと、
前記第２のセンサ列で撮像を行うことによって第２のセンサ列に蓄積された信号電荷を前記垂直電荷転送部に転送するステップと、
前記第２のセンサ列で撮像を行ったラインと同一ラインを前記第１のセンサ列で撮像を行うステップと、
前記第１のセンサ列で撮像を行うことにより第１のセンサ列に蓄積された信号電荷及び前記垂直電荷転送部に転送された前記第２のセンサ列で撮像を行うことにより蓄積された信号電荷を読み出しゲートによって読み出すステップと、
少なくとも前記第２のセンサ列に蓄積された信号電荷及び前記第１のセンサ列に蓄積された信号電荷を加算した信号電荷を前記読み出しゲートから前記水平電荷転送部に転送するステップとを備える
ことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体撮像素子及びその駆動方法に関する。詳しくは、同一の分光感度を要する２以上のセンサ列を有する固体撮像素子及びその駆動方法に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
入射光に応じた量の信号電荷を蓄積するフォトダイオードからなる画素が一次元的に配列され、これら画素からの信号電荷をＣＣＤ（Charge Coupled Device）の電荷転送方式によって出力部に転送する水平レジスタを有するＣＣＤリニアセンサは、コピー、ファクシミリ、ＯＣＲ、パターン認識及び各種計測など、多くの分野で使用されている。
【０００３】
ここで、ＣＣＤリニアセンサの主走査方向の読み取り解像度、即ち、ＣＣＤリニアセンサのチップにおける撮像素子の配列方向の読み取り解像度を向上させるためには、ＣＣＤリニアセンサのチップを構成する撮像素子の数を増やす必要がある。しかし、個々の素子の大きさが同じで数を増加させた場合にはＣＣＤリニアセンサのチップが大型化し、その価格が上昇するという不都合がある。
【０００４】
また、それぞれの素子を小型化してＣＣＤリニアセンサのチップを大型化せずに撮像素子の数を増やした場合には、ＣＣＤリニアセンサのチップの感度は単位画素当たりの受光面積に比例するため、受光量が減少してＣＣＤリニアセンサのチップの感度が減少し読み取り速度やＳ／Ｎ比が低下するという不都合がある。
【０００５】
上記の様な不都合に対して、コストを上昇させることなく、簡単な構成で高品質な画像を読み取ることができるカラー撮像素子として、従来、複数個の撮像素子を直線状に配列した撮像素子列を基板上に複数列互いに平行に配置してなる撮像素子群を複数色のそれぞれに対応して備え、各撮像素子列は撮像素子群内の他の撮像素子列に対して撮像素子の配列方向に個々の撮像素子の位置が一致するように配置されたカラー撮像素子が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３０９１２１号公報  （第２−６頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記した従来のカラー撮像素子では、各センサ列に対応する水平電荷転送部が形成された構成を採っているために、固体撮像素子の小型化を図ることが困難であるという不具合があった。
【０００８】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、感度を減少させることなく小型化を実現することができる固体撮像素子及びその駆動方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明に係る固体撮像素子は、同一の分光感度を要する２以上のセンサ列を有する固体撮像素子において、第１のセンサ列と、該第１のセンサ列に隣接して設けられた第２のセンサ列と、少なくとも前記第２のセンサ列に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部と、前記第１のセンサ列に蓄積された信号電荷及び前記垂直電荷転送部によって転送された信号電荷を読み出す読み出しゲートと、該読み出しゲートによって読み出された信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部を備える。
【００１０】
ここで、第１のセンサ列及び第１のセンサ列に隣接して設けられた第２のセンサ列によって、入射光を光電変換することにより入射光に応じた量の信号電荷を蓄積することができる。
また、少なくとも第２のセンサ列に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部によって、垂直電荷転送部に転送された信号電荷を読み出しゲートによって読み出しが可能な位置まで転送することができる。
更に、第１のセンサ列に蓄積された信号電荷及び垂直電荷転送部によって転送された信号電荷を読み出す読み出しゲートによって、第１のセンサ列に蓄積された信号電荷及び垂直電荷転送部によって転送された信号電荷を加算することができる。
また、読み出しゲートによって読み出された信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部によって、読み出しゲートによって加算された信号電荷を出力部に転送することができる。
【００１１】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る固体撮像素子の駆動方法は、第１のセンサ列と、該第１のセンサ列に隣接して設けられた前記第１のセンサ列と同一の分光感度を要する第２のセンサ列と、少なくとも前記第２のセンサ列に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部と、前記第１のセンサ列に蓄積された信号電荷及び前記垂直電荷転送部によって転送された信号電荷を読み出す読み出しゲートと、該読み出しゲートによって読み出された信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部を備える固体撮像素子の駆動方法であって、所定ラインを前記第２のセンサ列で撮像を行うステップと、前記第２のセンサ列で撮像を行うことによって第２のセンサ列に蓄積された信号電荷を前記垂直電荷転送部に転送するステップと、前記第２のセンサ列で撮像を行ったラインと同一ラインを前記第１のセンサ列で撮像を行うステップと、前記第１のセンサ列で撮像を行うことにより第１のセンサ列に蓄積された信号電荷及び前記垂直電荷転送部に転送された前記第２のセンサ列で撮像を行うことにより蓄積された信号電荷を読み出しゲートによって読み出すステップと、少なくとも前記第２のセンサ列に蓄積された信号電荷及び前記第１のセンサ列に蓄積された信号電荷を加算した信号電荷を前記読み出しゲートから前記水平電荷転送部に転送するステップとを備える。
【００１２】
ここで、所定のラインを第２のセンサ列で撮像を行うことによって、第２のセンサ列に所定ラインの撮像を行うことに基づく信号電荷を蓄積することができる。
また、第２のセンサ列で撮像を行うことによって第２のセンサ列に蓄積された信号電荷を垂直電荷転送部に転送することによって、第２のセンサ列に蓄積された信号電荷を読み出しゲートによって読み出しが可能な位置まで転送することができる。
更に、第２のセンサ列で撮像を行ったラインと同一ラインを第１のセンサ列で撮像を行うことによって、第１のセンサ列に第２のセンサ列で撮像を行ったラインと同一ラインの撮像を行うことに基づく信号電荷を蓄積することができる。
また、第１のセンサ列で撮像を行うことにより第１のセンサ列に蓄積された信号電荷及び垂直電荷転送部に転送された第２のセンサ列で撮像を行うことにより蓄積された信号電荷を読み出しゲートによって読み出すことによって、第１のセンサ列に蓄積された信号電荷と第２のセンサ列に蓄積された信号電荷を加算することができる。
また、少なくとも所定ラインを第２のセンサ列で撮像を行うことによって第２のセンサ列に蓄積された信号電荷及び第２のセンサ列で撮像を行ったラインと同一ラインを第１のセンサ列で撮像を行うことによって第１のセンサ列に蓄積された信号電荷を加算した信号電荷を読み出しゲートから水平電荷転送部に転送することによって、少なくとも第１のセンサ列で撮像を行うことにより第１のセンサ列に蓄積された信号電荷及び第２のセンサ列で撮像を行うことにより蓄積された信号電荷を加算して出力部に出力することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明を適用した固体撮像素子及びその駆動方法では、感度を減少させることなく小型化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は本発明を適用した固体撮像素子の一例であるＣＣＤリニアセンサを説明するための模式的な平面図を示す。ここで示すＣＣＤリニアセンサ１は、ｓ１〜ｓ１００００で示す１００００個の画素からなる第１のセンサ列２、ｔ１〜ｔ１００００で示す１００００個の画素からなり第１のセンサ列に隣接して設けられた第２のセンサ列３、第２のセンサ列の画素で蓄積した信号電荷を垂直方向に転送する垂直レジスタ４、第１のセンサ列に隣接して設けられた第１のセンサ列の画素で蓄積した信号電荷及び垂直レジスタによって転送された信号電荷を読み出す読み出しゲート５、読み出しゲートによって読み出された信号電荷をＦＤ部６に転送する水平レジスタ７とを備える。
【００１５】
なお、水平レジスタは２相駆動であり、水平駆動パルスφ１、φ２が印加され、φ１及びφ２は各々ハイレベル（以下、Ｈレベルと言う）及びローレベル（以下、Ｌレベルと言う）の２値をとり、これらにより信号電荷の転送が行われる。
また、垂直レジスタの第１の電極（以下、Ｖφ１と言う）８には垂直駆動パルスＶ１が、垂直レジスタの第２の電極（以下、Ｖφ２と言う）９には垂直駆動パルスＶ２が印加され、Ｖ１及びＶ２は各々Ｈレベル及びＬレベルの２値をとり、これらにより信号電荷の読み出し及び転送が行われる。
更に、読み出しゲートには読み出しパルスφＲＯＧが印加され、φＲＯＧはＨレベル及びＬレベルの２値をとり、読み出しパルスがＨレベルの際に読み出しゲートに信号電荷が読み出される。
【００１６】
以下、上記の様に構成されたＣＣＤリニアセンサの駆動方法について説明する。即ち、本発明を適用した固体撮像素子の駆動方法の一例を、ＣＣＤ固体撮像素子の単位蓄積時間、即ち、先発の読み出しパルスの印加時から後発の読み出しパルスの印加時までの時間に、第１のセンサ列及び第２のセンサ列の幅と等しい距離であるｄだけ副走査方向に移動し、図２中符号ａで示す撮像領域をスキャンするＣＣＤリニアセンサの駆動方法を例に挙げて、図１中符号ｓ３、ｓ４、ｔ３及びｔ４で示す画素で蓄積した信号電荷の転送状態を示す図を参酌しながら固体撮像素子の駆動方法の一例を説明する。なお、図２中符号（１）〜（３）は、撮像領域を距離ｄ毎に区切った領域を表しており、図２中符号ｂは第１のセンサ列でスキャンできる領域を示し、符号ｃは第２のセンサ列でスキャンできる領域を示している。
【００１７】
本発明を適用したＣＣＤリニアセンサの駆動方法の一例では、時刻ｔ１に、図３で示す様に、φＲＯＧ及びＶ１がＬレベル、Ｖ２がＨレベルの状態であり、この状態において、図２（ａ）で示す様に、第１のセンサ列で図２中符号（１）で示す領域、第２のセンサ列で図２中符号（２）で示す領域のスキャンを行うことにより、図４（ｔ１）で示す様に、第１のセンサ列にＱ１１で表す信号電荷が蓄積されると共に、第２のセンサ列にＱ１２で表す信号電荷が蓄積される。また、Ｖφ２には時刻ｔ１以前の時刻である時刻ｔ０において第２のセンサ列で蓄積したＱ０１が蓄えられている。
【００１８】
ここで、Ｑｘｙは時刻ｘにおいて（ｙ）で示す領域をスキャンすることによって蓄積された信号電荷を示している。なお、センサ列では入射光に応じて常に光電変換が行われているために、実際はＱｘｙはセンサ列から信号電荷を読み出すための先発のパルスが印加された後、センサ列から信号電荷を読み出すための後発のパルスが印加されるまでの間に蓄積されるのであるが、本明細書では説明の便宜のために、先発のパルスが印加された後後発のパルスが印加されるまでの間に蓄積される信号電荷がある時刻において蓄積されるものとして説明を行っている。
【００１９】
次に、時刻ｔ２において、φＲＯＧをＨレベルにすることにより、図４（ｔ２）で示す様に、第１のセンサ列に蓄積されていたＱ１１が読み出しゲートに読み出される。
【００２０】
次に、時刻ｔ３において、Ｖ２をＬレベルとすることにより、図４（ｔ３）で示す様に、Ｖφ２に蓄えられていたＱ０１が読み出しゲートに読み出され、時刻ｔ２で読み出されたＱ１１とＱ０１とが読み出しゲートで加算される。
【００２１】
次に、時刻ｔ４において、Ｖ１をＨレベルとすることにより、図４（ｔ４）で示す様に、第１のセンサ列に蓄積されていたＱ１２がＶφ１に転送される。
【００２２】
次に、時刻ｔ５において、φＲＯＧをＬレベルとすることにより、図４（ｔ５）で示す様に、Ｑ１１とＱ０１とが水平レジスタに転送される。
水平レジスタに転送された信号電荷はφ１とφ２とを交互にＨレベル、Ｌレベルとする通常のＣＣＤレジスタ転送を行い、時刻ｔ０及び時刻ｔ１において図２中符号（１）で示す領域をスキャンした際に蓄積された信号電荷を加算して水平レジスタによってＦＤ部に転送され、出力される。
【００２３】
次に、時刻ｔ６において、Ｖ２をＨレベルとすることによって、図４（ｔ６）で示す様に、Ｖφ１に蓄えられたＱ１２がＶφ２に転送される。
【００２４】
その後、ＣＣＤリニアセンサを距離ｄだけ副走査方向に移動すると共にＶ１をＬレベルにすることによって、φＲＯＧ及びＶ１がＬレベル、Ｖ２がＨレベルの状態となり、この状態において、図２（ｂ）で示す様に、第１のセンサ列で図２中符号（２）で示す領域、第２のセンサ列で図２中符号（３）で示す領域のスキャンを行うことにより第１のセンサ列にＱ６２で表す信号電荷が蓄積されると共に、第２のセンサ列にＱ６３で表す信号電荷が蓄積される。また、Ｖφ２には時刻ｔ１において第２のセンサ列で蓄積したＱ１２が蓄えられている。
即ち、時刻ｔ６の後にＶ１をＬレベルにした状態は、時刻ｔ１の状態とＣＣＤリニアセンサの位置が異なるだけの関係であり、時刻ｔ１〜ｔ６までの動作を繰り返し行うことによって、第１のセンサ列及び第２のセンサ列によって同一ラインのスキャンを行い、各々のセンサ列でスキャンを行うことにより蓄積された信号電荷を加算することができる。
【００２５】
図５は本発明を適用した固体撮像素子の他の一例であるＣＣＤリニアセンサを説明するための模式的な平面図を示す。ここで示すＣＣＤリニアセンサ１は、ｓ１〜ｓ１００００で示す１００００個の画素からなる第１のセンサ列２、ｔ１〜ｔ１００００で示す１００００個の画素からなり第１のセンサ列に隣接して設けられた第２のセンサ列３、ｕ１〜ｕ１００００で示す１００００個の画素からなり第２のセンサ列に隣接して設けられた第３のセンサ列１０、第２のセンサ列の画素で蓄積した信号電荷及び第３のセンサ列で蓄積した信号電荷を垂直方向に転送する垂直レジスタ４、第１のセンサ列に隣接して設けられた第１のセンサ列の画素で蓄積した信号電荷及び垂直レジスタによって転送された信号電荷を読み出す読み出しゲート５、読み出しゲートによって読み出された信号電荷をＦＤ部６に転送する水平レジスタ７とを備える。
【００２６】
ここで、垂直レジスタの第１の電極（以下、Ｖφ１と言う）８には垂直駆動パルスＶ１が、垂直レジスタの第２の電極（以下、Ｖφ２と言う）９には垂直駆動パルスＶ２が、垂直レジスタの第３の電極（以下、Ｖφ３と言う）１１には垂直駆動パルスＶ３が、垂直レジスタの第４の電極（以下、Ｖφ４と言う）１２には垂直駆動パルスＶ１が、垂直レジスタの第５の電極（以下、Ｖφ５と言う）１３には垂直駆動パルスＶ２が、垂直レジスタの第６の電極（以下、Ｖφ６と言う）１４には垂直駆動パルスＶ３が、垂直レジスタの第７の電極（以下、Ｖφ７と言う）１５には垂直駆動パルスＶ４が印加され、Ｖ２、Ｖ３及びＶ４は各々Ｈレベル及びＬレベルの２値をとり、Ｖ１はＨレベル、ミドルレベル（以下、Ｍレベルと言う）及びＬレベルの３値をとり、これらにより信号電荷の読み出し及び転送が行われる。
【００２７】
以下、上記の様に構成されたＣＣＤリニアセンサの駆動方法について説明する。即ち、本発明を適用した固体撮像素子の駆動方法の他の一例を、ＣＣＤ固体撮像素子の単位蓄積時間に第１のセンサ列、第２のセンサ列及び第３のセンサ列の幅と等しい距離であるｄだけ副走査方向に移動を行い、図６中符号ａで示す撮像領域をスキャンするＣＣＤリニアセンサの駆動方法を例に挙げて、図５中符号ｓ３、ｓ４、ｔ３、ｔ４、ｕ３及びｕ４で示す画素で蓄積した信号電荷の転送状態を示す図を参酌しながら固体撮像素子の駆動方法の他の一例を説明する。なお、図６中符号（１）〜（４）は、撮像領域を距離ｄ毎に区切った領域を表しており、図６中符号ｂは第１のセンサ列でスキャンできる領域を示し、図６中符号ｃは第２のセンサ列でスキャンできる領域を示し、図６中符号ｅは第３のセンサ列でスキャンできる領域を示している。
【００２８】
本発明を適用したＣＣＤリニアセンサの駆動方法の他の一例では、時刻ｔ２に、図７で示す様に、φＲＯＧ、Ｖ１及びＶ３がＬレベル、Ｖ２及びＶ４がＨレベルの状態であり、この状態において、図６（ａ）で示す様に、第１のセンサ列で図６中符号（１）で示す領域、第２のセンサ列で図６中符号（２）で示す領域、第３のセンサ列で図６中符号（３）で示す領域のスキャンを行うことにより、図８（ｔ２）で示す様に、第１のセンサ列にＱ２１で表す信号電荷が蓄積され、第２のセンサ列にＱ２２で表す信号電荷が蓄積されると共に、第３のセンサ列にＱ２３表す信号電荷が蓄積される。また、Ｖφ２には時刻ｔ２以前の時刻である時刻ｔ１において第３のセンサ列で蓄積したＱ１２が蓄えられ、Ｖφ５には時刻ｔ１において第２のセンサ列で蓄積したＱ１１が蓄えられ、Ｖφ７には時刻ｔ１以前の時刻である時刻ｔ０において第３のセンサ列で蓄積したＱ０１が蓄えられている。
【００２９】
次に、時刻ｔ３において、φＲＯＧをＨレベルにすると共にＶ４をＬレベルにすることにより、図８（ｔ３）で示す様に、第１のセンサ列に蓄積されていたＱ２１及びＶφ７に蓄えられていたＱ０１が読み出しゲートに読み出され、読み出しゲートでＱ２１及びＱ０１が加算される。
【００３０】
次に、時刻ｔ４において、Ｖ２をＬレベルにすると共にＶ３をＨレベルにすることにより、図８（ｔ４）で示す様に、Ｖφ２に蓄えられていたＱ１２がＶφ３に転送され、Ｖφ５に蓄えられていたＱ１１がＶφ６に転送される。
【００３１】
次に、時刻ｔ５において、Ｖ１をＭレベル、Ｖ３をＬレベルにすると共にＶ４をＨレベルにすることにより、図８（ｔ５）で示す様に、Ｖφ３に蓄えられていたＱ１２がＶφ４に転送され、Ｖφ６に蓄えられていたＱ１１がＶφ７に転送される。
【００３２】
次に、時刻ｔ６において、Ｖ１をＬレベル、Ｖ２をＨレベルにすると共にＶ４をＬレベルにすることにより、図８（ｔ６）で示す様に、Ｖφ４に蓄えられていたＱ１２がＶφ５に転送されると共に、Ｖφ７に蓄えられていたＱ１１が読み出しゲートに読み出され、時刻ｔ３で読み出されたＱ２１及びＱ０１とＱ１１とが読み出しゲートで加算される。
【００３３】
次に、時刻ｔ７において、Ｖ１をＨレベル、Ｖ２をＬレベルにすると共にＶ３をＨレベルにすることにより、図８（ｔ７）で示す様に、第３のセンサ列で蓄積されていたＱ２３がＶφ１に転送され、第２のセンサ列で蓄積されていたＱ２２がＶφ４に転送されると共に、Ｖφ５に蓄えられていたＱ１２がＶφ６に転送される。
【００３４】
次に時刻ｔ８において、φＲＯＧ及びＶ３をＬレベル、Ｖ１をＭレベルにすると共にＶ４をＨレベルにすることにより、図８（ｔ８）で示す様に、Ｖφ６に蓄えられていたＱ１２がＶφ７に転送されると共に、読み出しゲートに蓄えられていたＱ２１、Ｑ０１及びＱ１１が水平転送レジスタに転送される。
水平レジスタに転送された信号電荷はφ１とφ２とを交互にＨレベル、Ｌレベルとする通常のＣＣＤレジスタ転送を行い、時刻ｔ０、時刻ｔ１及び時刻ｔ２において図６中符号（１）で示す領域をスキャンした際に蓄積された信号電荷が加算され、水平レジスタによってＦＤ部に転送され、出力される。
【００３５】
その後、ＣＣＤリニアセンサを距離ｄだけ副走査方向に移動すると共にＶ１をＬレベル、Ｖ２をＨレベルにすることによって、Ｖφ１に蓄えられていたＱ２３がＶφ２に転送されると共に、φＲＯＧ、Ｖ１及びＶ３がＬレベル、Ｖ２及びＶ４がＨレベルの状態となり、この状態において、図６（ｂ）で示す様に、第１のセンサ列で図６中符号（２）で示す領域、第２のセンサ列で図６中符号（３）で示す領域、第３のセンサ列で図６中符号（４）で示す領域のスキャンを行うことにより第１のセンサ列にＱ８２で表す信号電荷が蓄積され、第２のセンサ列にＱ８３で表す信号電荷が蓄積され、第３のセンサ列にＱ８４で表す信号電荷が蓄積される。また、Ｖφ１には時刻ｔ２において第３のセンサ列で蓄積したＱ２３が蓄えられ、Ｖφ５には時刻ｔ２において第２のセンサ列で蓄積したＱ２２が蓄えられ、Ｖφ７には時刻ｔ１において第３のセンサ列で蓄積したＱ１２が蓄えられている。
即ち、時刻ｔ８の後にＶ１をＬレベル、Ｖ２をＨレベルにした状態は、時刻ｔ２の状態とＣＣＤリニアセンサの位置が異なるだけの関係であり、時刻ｔ２〜ｔ８までの動作を繰り返し行うことによって、第１のセンサ列、第２のセンサ列及び第３のセンサ列によって同一ラインのスキャンを行い、各々のセンサ列でスキャンを行うことにより得られた信号電荷を加算することができる。
【００３６】
上記した本発明を適用したＣＣＤリニアセンサの駆動方法では、同一ラインを異なるセンサ列で２回或いは３回スキャンを行い、各々のスキャンによって得られた信号電荷を加算して出力信号を得るために、感度を減少させることなく、また、複数回のスキャンによってセンサ列に蓄積された信号電荷は全て同一の水平レジスタによって転送を行う構造を採っているために、ＣＣＤリニアセンサの小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明を適用した固体撮像素子の一例であるＣＣＤリニアセンサを説明するための模式的な平面図である。
【図２】本発明を適用した固体撮像素子の駆動方法の一例を説明するための模式的な図である。
【図３】本発明を適用した固体撮像素子の駆動方法の一例についてのクロックのタイミングチャートである。
【図４】本発明を適用した固体撮像素子の駆動方法の一例について図１中符号ｓ３、ｓ４、ｔ３及びｔ４で示す画素で取り込んだ信号電荷の転送状態を示した図である。
【図５】本発明を適用した固体撮像素子の他の一例であるＣＣＤリニアセンサを説明するための模式的な平面図である。
【図６】本発明を適用した固体撮像素子の駆動方法の他の一例を説明するための模式的な図である。
【図７】本発明を適用した固体撮像素子の駆動方法の他の一例についてのクロックのタイミングチャートである。
【図８】本発明を適用した固体撮像素子の駆動方法の他の一例について図６中符号ｓ３、ｓ４、ｔ３、ｔ４、ｕ３及びｕ４で示す画素で取り込んだ信号電荷の転送状態を示した図である。
【符号の説明】
【００３８】
１  ＣＣＤリニアセンサ
２  第１のセンサ列
３  第２のセンサ列
４  垂直レジスタ
５  読み出しゲート
６  ＦＤ部
７  水平レジスタ
８  第１の電極
９  第２の電極
１０  第３のセンサ列
１１  第３の電極
１２  第４の電極
１３  第５の電極
１４  第６の電極
１５  第７の電極
【図１】
2005101752.tif 000003
【図２】
2005101752.tif 000004
【図３】
2005101752.tif 000005
【図４】
2005101752.tif 000006
【図５】
2005101752.tif 000007
【図６】
2005101752.tif 000008
【図７】
2005101752.tif 000009
【図８】
2005101752.tif 000010