(57)【要約】【課題】ＩＣチップや回路部品の全体の実装面積を少なく、かつ、誘電体基板内のデッドスペースの縮小化を図り、回路モジュールの小型化を実現させる。【解決手段】回路モジュール１０Ａは、配線基板１２上に、１つのＩＣチップ１４と、複数の回路部品１６とがそれぞれ分離して実装され、かつ、ＩＣチップ１４と回路部品１６とが樹脂層６０で封止されている。各回路部品１６は、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板２６内に形成された１以上の回路と、誘電体基板２６の上面及び下面にそれぞれ導出された上面端子３２及び下面端子３４とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのＩＣチップと、１以上の回路部品とがそれぞれ分離して配され、かつ、前記ＩＣチップと前記回路部品とが樹脂層で封止され、
前記回路部品は、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板内に形成された１以上の回路と、前記誘電体基板の上面及び下面にそれぞれ導出された１以上の端子とを有することを特徴とする回路モジュール。
【請求項２】
請求項１記載の回路モジュールにおいて、
前記ＩＣチップのパッドと前記誘電体基板の上面に導出された端子とがボンディングワイヤで電気的に接続されていることを特徴とする回路モジュール。
【請求項３】
請求項１又は２記載の回路モジュールにおいて、
前記ＩＣチップと前記回路部品とがそれぞれ分離して配線基板の上面に実装され、
前記配線基板の上面が前記ＩＣチップ及び前記回路部品と共に前記樹脂層にて封止され、
前記配線基板の下面が外部に露出していることを特徴とする回路モジュール。
【請求項４】
請求項３記載の回路モジュールにおいて、
前記回路部品における前記誘電体基板の下面に導出された端子と、前記配線基板の下面に形成されたパッドとが電気的に接続されていることを特徴とする回路モジュール。
【請求項５】
請求項１又は２記載の回路モジュールにおいて、
少なくとも前記回路部品の下面に形成された端子が前記樹脂層から外部に露出されていることを特徴とする回路モジュール。
【請求項６】
請求項５記載の回路モジュールにおいて、
少なくとも前記回路部品の下面に形成された端子と共に、前記ＩＣチップの下面が前記樹脂層から外部に露出されていることを特徴とする回路モジュール。
【請求項７】
ベース基板の上面に少なくとも１つのＩＣチップと、１以上の回路部品とを貼着する工程と、
前記ＩＣチップのパッドと前記回路部品の上面に形成された端子とをボンディングワイヤで電気的に接続する工程と、
前記ＩＣチップと前記回路部品を被覆するように樹脂層を塗布して、前記ＩＣチップと前記回路部品を樹脂封止する工程と、
前記ベース基板を除去して、前記樹脂封止された少なくとも前記回路部品の下面に形成された端子を外部に露出させる工程と、
を有することを特徴とする回路モジュールの製造方法。
【請求項８】
配線基板の上面に形成された配線パターン上に少なくとも１つのＩＣチップと、１以上の回路部品とを実装する工程と、
前記ＩＣチップのパッドと前記回路部品の上面に形成された端子とをボンディングワイヤで電気的に接続する工程と、
前記ＩＣチップと前記回路部品を被覆するように樹脂層を塗布して、前記ＩＣチップと前記回路部品を樹脂封止する工程と、
を有することを特徴とする回路モジュールの製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の回路モジュールの製造方法において、
前記配線基板は、該配線基板の上面に形成された配線パターンと該配線基板の下面に形成された端子とがスルーホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする回路モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路モジュールに関し、例えば１つのＩＣチップと１以上の回路部品とを有する回路モジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、例えば１つのＩＣチップと１以上の回路部品とを有する回路モジュールは以下のような構造を有する。
【０００３】
即ち、図１２に示すように、配線基板１００の上面には、少なくとも１つのＩＣチップ１０２が実装されるダイ１０４と、例えば２つの回路部品１０６が実装されるランド１０８と、ＩＣ用配線パターン１１０が形成されている。
【０００４】
そして、配線基板１００のダイ１０４上にＩＣチップ１０２が実装され、各ランド１０８上にそれぞれ回路部品１０６が実装されている。ＩＣチップ１０２のパッド（図示せず）とＩＣ用配線パターン１１０とはそれぞれボンディングワイヤ１１２で電気的に接続されている。
【０００５】
ＩＣチップ１０２は、ワイヤボンディング部分を含めて樹脂層１１４で封止されている。配線基板１００上に実装されたＩＣチップ１０２及び回路部品１０６は、金属製あるいは樹脂製のハウジング１１６で被覆された形態となっている。
【０００６】
外部との信号のやりとりは、配線基板１００の下面に形成された端子１１８を通じて行うようにしている。該端子１１８は、配線基板１００の上面に形成されたランド１０８とスルーホール（図示せず）を介して電気的に接続されている（例えば特許文献１）。
【０００７】
また、他の構造としては、図１３に示すように、複数の回路１２０が内蔵された１つの誘電体基板１２２を用いる。該誘電体基板１２２の上面にはダイ（図示せず）と複数の電極１２４が形成されている。そして、該誘電体基板１２２のダイ上にＩＣチップ１０２が実装され、該ＩＣチップ１０２のパッド（図示せず）と誘電体基板１２２の電極１２４とがボンディングワイヤ１２６で電気的に接続されている。
【０００８】
誘電体基板１２２の上面に実装されたＩＣチップ１０２は、ワイヤボンディング部分を含めて樹脂層１２８で封止されている。外部との信号のやりとりは、誘電体基板１２２の下面に形成された端子１３０を通じて行うようにしている。
【０００９】
ここで、図１３に示す回路モジュールの製造工程について図１４〜図１６を参照しながら簡単に説明する。
【００１０】
まず、図１４の工程１に示すように、ベース基板１４０を用意する。このベース基板１４０の上面には耐熱シート１４２が貼着されている。この耐熱シート１４２の両面は粘着性を有する。その後、図１４の工程２に示すように、耐熱シート１４２の上面に複数の誘電体基板１２２を貼着する。その後、図１４の工程３に示すように、各誘電体基板１２２の上面にＩＣチップ１０２を実装し、更に、図１５に示すように、ＩＣチップ１０２のパッドと誘電体基板１２２の上面に形成された電極１２４との間でワイヤボンディングを行う。
【００１１】
次いで、図１４の工程４に示すように、誘電体基板１２２の上面に実装されたＩＣチップ１０２を、ワイヤボンディング部分を含めて樹脂層１２８で封止して回路モジュール１４４が完成する（図１６参照）。その後、図１４の工程５に示すように、樹脂層１２８の上面に捺印を行った後、図１４の工程６に示すように、耐熱シート１４２から各回路モジュール１４４を分離する。
【００１２】
【特許文献１】特開平９−３１２５２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
一般に、回路モジュールは、ＩＣチップと１以上の回路部品をそれぞれ配線基板上に半田層にて実装するようにしているため、ＩＣチップと回路部品において半田層で実装するためのランドスペースが必要になる。
【００１４】
しかも、図１２に示す回路モジュールは、上述のランドスペースに加えて、ワイヤボンディングのためのスペースと、ワイヤボンディング部分を保護するために形成される樹脂層１１４のだれを考慮した逃げのためのスペースを新たに確保しなければならず、回路モジュールの小型化を図ることができない。
【００１５】
一方、図１３に示す回路モジュールは、サイズの大きな誘電体基板１２２を用意する必要がある。即ち、誘電体基板１２２上にＩＣチップ１０２を実装することから、平面から見た面積として、ＩＣチップ１０２の面積とワイヤボンディングされる電極１２４を配列するための面積が必要となる。
【００１６】
更に、誘電体基板１２２に内蔵された複数の回路１２０間の干渉を防ぐため、電極パターンを形成することができないデッドスペース１３２が生じてしまい、誘電体基板１２２を有効に利用できないという問題がある。
【００１７】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、ＩＣチップや回路部品の全体の実装面積を少なくすることができ、かつ、誘電体基板内のデッドスペースの縮小化を図ることができ、回路モジュールの小型化を実現させることができる回路モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明に係る回路モジュールは、少なくとも１つのＩＣチップと、１以上の回路部品とがそれぞれ分離して配され、かつ、前記ＩＣチップと前記回路部品とが樹脂層で封止され、前記回路部品は、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板内に形成された１以上の回路と、前記誘電体基板の上面及び下面にそれぞれ導出された１以上の端子とを有することを特徴とする。
【００１９】
回路部品としては、例えばＩＣチップの周辺に設置されるフィルタ、カプラ、バラン等のＲＦ回路や、電源回路に必要なバイパスコンデンサ等がある。
【００２０】
本発明では、これら回路部品の上面及び下面にそれぞれ端子を導出するようにしているため、ワイヤボンディングや半田付け等による様々な実装が用途に応じて選択可能となる。しかも、ＩＣチップと１以上の回路部品を集積して実装することができるため、回路モジュールの全体の実装面積を縮小化することができる。
【００２１】
そして、前記構成において、前記ＩＣチップのパッドと前記誘電体基板の上面に導出された端子とをボンディングワイヤで電気的に接続するようにしてもよい。これにより、回路部品とＩＣチップ間に、ワイヤボンディングのためのスペースと、ボンディングワイヤ部分を保護するために形成される樹脂層のだれを考慮した逃げのためのスペースを新たに確保する必要がなくなる。これは、回路モジュールの全体の実装面積の縮小化に寄与する。
【００２２】
しかも、誘電体基板上にＩＣチップを実装していないことから、誘電体基板としてそれぞれ回路部品を構成する電極等の形成パターンに応じた大きさの誘電体基板を使用することができる。これは、誘電体基板内のデッドスペースの縮小化につながる。
【００２３】
また、前記構成において、前記ＩＣチップと前記回路部品とをそれぞれ分離して配線基板の上面に実装し、前記配線基板の上面を前記ＩＣチップ及び前記回路部品と共に前記樹脂層にて封止し、前記配線基板の下面を外部に露出するようにしてもよい。
【００２４】
この場合、前記回路部品における前記誘電体基板の下面に導出された端子と前記配線基板の下面に形成されたパッドとを電気的に接続するようにしてもよい。
【００２５】
また、前記構成において、少なくとも前記回路部品の下面に形成された端子を前記樹脂層から外部に露出させるようにしてもよい。この場合、少なくとも前記回路部品の下面に形成された端子と共に、前記ＩＣチップの下面が前記樹脂層から外部に露出してもよい。つまり、誘電体基板の下面に導出された端子を樹脂封止後における外部端子として利用する。これにより、配線基板が不要になり、回路モジュールの薄型化を実現させることができる。
【００２６】
また、本発明に係る回路モジュールの製造方法は、ベース基板の上面に少なくとも１つのＩＣチップと、１以上の回路部品とを貼着する工程と、前記ＩＣチップのパッドと前記回路部品の上面に形成された端子とをボンディングワイヤで電気的に接続する工程と、前記ＩＣチップと前記回路部品を被覆するように樹脂層を塗布して、前記ＩＣチップと前記回路部品を樹脂封止する工程と、前記ベース基板を除去して、前記樹脂封止された少なくとも前記回路部品の下面に形成された端子を外部に露出させる工程とを有することを特徴とする。
【００２７】
これにより、上述した本発明に係る回路モジュール、即ち、少なくとも前記回路部品の下面に形成された端子が前記樹脂層から外部に露出された回路モジュールを容易に作製することができる。この作製された回路モジュールは、上述したように、小型化並びに薄型化を図ることができる。
【００２８】
また、本発明に係る回路モジュールの製造方法は、配線基板の上面に形成された配線パターン上に少なくとも１つのＩＣチップと、１以上の回路部品とを実装する工程と、前記ＩＣチップのパッドと前記回路部品の上面に形成された端子とをボンディングワイヤで電気的に接続する工程と、前記ＩＣチップと前記回路部品を被覆するように樹脂層を塗布して、前記ＩＣチップと前記回路部品を樹脂封止する工程とを有することを特徴とする。この場合、前記配線基板は、該配線基板の上面に形成された配線パターンと該配線基板の下面に形成された端子とがスルーホールを介して電気的に接続されていてもよい。
【００２９】
これにより、上述した本発明に係る回路モジュール、即ち、ＩＣチップと回路部品とがそれぞれ分離して配線基板の上面に実装され、前記配線基板の上面が前記ＩＣチップ及び前記回路部品と共に前記樹脂層にて封止され、前記配線基板の下面が外部に露出された回路モジュールを容易に作製することができる。この作製された回路モジュールは、上述したように、小型化並びに薄型化を図ることができる。
【発明の効果】
【００３０】
以上説明したように、本発明に係る回路モジュール及びその製造方法によれば、ＩＣチップや回路部品の全体の実装面積を少なくすることができると共に、誘電体基板内のデッドスペースの縮小化を図ることができ、回路モジュールの小型化を実現させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明に係る回路モジュール及びその製造方法の実施の形態例を図１〜図１１を参照しながら説明する。
【００３２】
第１の実施の形態に係る回路モジュール１０Ａは、図１に示すように、１つの配線基板１２と、１つのＩＣチップ１４と、４つの回路部品（第１〜第４の回路部品１６Ａ〜１６Ｄ：図２参照）とを有する。もちろん、ＩＣチップ１４は、２つ以上であってもよいし、第１〜第４の回路部品１６Ａ〜１６Ｄは、１つあるいは２つあるいは３つあるいは５つ以上であってもよい。
【００３３】
ここで、４つの回路部品１６Ａ〜１６Ｄの２種類の配列形態（第１及び第２の配列形態）について図２〜図５を参照しながら説明する。
【００３４】
まず、第１の配列形態は、図２に示すように、第１の回路部品１６Ａにおける第１の長い側面１８ａに対して、第２の回路部品１６Ｂの第１の短い側面２０ａと、第４の回路部品１６Ｄの第１の短い側面２２ａとが対向し、第３の回路部品１６Ｃにおける第１の長い側面２４ａに対して、第２の回路部品１６Ｂの第２の短い側面２０ｂと、第４の回路部品１６Ｄの第２の短い側面２２ｂとが対向した形態となっている。
【００３５】
この第１の配列形態において、第１の回路部品１６Ａは、図１に示すように、複数の誘電体層が積層されて構成された第１の誘電体基板２６Ａ内に形成された複数の電極層２８からなる１以上の回路３０と、図２に示すように、第１の誘電体基板２６Ａの上面に導出された複数の端子（上面端子）３２Ａと、図３に示すように、第１の誘電体基板２６Ａの下面に導出された複数の端子（下面端子）３４Ａとを有する。
【００３６】
第２の回路部品１６Ｂは、複数の誘電体層が積層されて構成された第２の誘電体基板２６Ｂ（図２参照）内に形成された図示しない複数の電極層からなる１以上の回路と、図２に示すように、第２の誘電体基板２６Ｂの上面に導出された複数の端子（上面端子）３２Ｂと、図３に示すように、第２の誘電体基板２６Ｂの下面に導出された複数の端子（下面端子）３４Ｂとを有する。
【００３７】
第３の回路部品１６Ｃは、図１に示すように、複数の誘電体層が積層されて構成された第３の誘電体基板２６Ｃ内に形成された複数の電極層３６からなる１以上の回路３８と、図２に示すように、第３の誘電体基板２６Ｃの上面に導出された複数の端子（上面端子）３２Ｃと、図３に示すように、第３の誘電体基板２６Ｃの下面に導出された複数の端子（下面端子）３４Ｃとを有する。
【００３８】
第４の回路部品１６Ｄは、複数の誘電体層が積層されて構成された第４の誘電体基板２６Ｄ（図２参照）内に形成された図示しない複数の電極層からなる１以上の回路と、図２に示すように、第４の誘電体基板２６Ｄの上面に導出された複数の端子（上面端子）３２Ｄと、図３に示すように、第４の誘電体基板２６Ｄの下面に導出された複数の端子（下面端子）３４Ｄとを有する。
【００３９】
次に、第２の配列形態は、図４に示すように、第１の回路部品１６Ａにおける第１の短い側面４０ａに対して、第２の回路部品１６Ｂの第１の長い側面４２ａの一部が対向し、第２の回路部品１６Ｂにおける第２の短い側面２０ｂに対して、第３の回路部品１６Ｃの第１の長い側面２４ａの一部が対向し、第３の回路部品１６Ｃにおける第１の短い側面４４ａに対して、第４の回路部品１６Ｄの第１の長い側面４６ａの一部が対向し、第４の回路部品１６Ｄにおける第１の短い側面２２ａに対して、第１の回路部品１６Ａの第１の長い側面１８ａの一部が対向した形態となっている。
【００４０】
以下の説明では、第１〜第４の回路部品１６Ａ〜１６Ｄを総称して示すときは、回路部品１６と記し、第１〜第４の誘電体基板２６Ａ〜２６Ｄを総称して示すときは、誘電体基板２６と記す。また、第１〜第４の回路部品１６Ａ〜１６Ｄにおける上面端子３２Ａ〜３２Ｄを総称して示すときは、上面端子３２と記し、第１〜第４の回路部品１６Ａ〜１６Ｄにおける下面端子３４Ａ〜３４Ｄを総称して示すときは、下面端子３４と記す。なお、誘電体基板２６は、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）で構成することができる。
【００４１】
第１〜第４の誘電体基板２６Ａ〜２６Ｄ内に形成される１以上の回路としては、ＩＣチップの周辺回路であるフィルタ、カプラ、バラン等のＲＦ回路や、電源回路に必要なバイパスコンデンサ等が挙げられる。この場合、誘電体基板２６内にフィルタやカプラを一体に形成するようにしてもよいし、フィルタやバランを一体に形成するようにしてもよい。もちろん、誘電体基板２６内にフィルタ、カプラ及びバランを一体に形成するようにしてもよい。
【００４２】
ＩＣチップ１４と回路部品１６は、それぞれ分離して配線基板１２の上面に実装されている。具体的には、ＩＣチップ１４は、配線基板１２の上面におけるほぼ中央部分に形成されたダイ５０上に実装され、ＩＣチップ１４の下面電極５２とダイ５０とが図示しない半田層を介して電気的に接続される。
【００４３】
回路部品１６は、配線基板１２の上面に形成された図示しない配線パターンのランド５４上に実装され、誘電体基板２６の下面端子３４とランド５４とが図示しない半田層を介して電気的に接続される。
【００４４】
配線基板１２の上面は、ＩＣチップ１４及び回路部品１６と共に樹脂層６０にて封止され、配線基板１２の下面は外部に露出されている。回路部品１６の下面端子３４は、配線基板１２の下面に形成されたパッド６２と電気的に接続されている。この場合、下面端子３４が電気的に接続されるランド５４とパッド６２とが直接スルーホール６４を介して接続されていてもよいし、ランド５４とパッド６２とが、図示しない配線パターンと前記スルーホール６４とを介して接続されていてもよい。
【００４５】
そして、第１の配列形態並びに第２の配列形態では、図２及び図４に示すように、ＩＣチップ１４のパッド６６と回路部品の上面端子とがそれぞれボンディングワイヤ６８で電気的に接続される。
【００４６】
このように、第１の実施の形態に係る回路モジュール１０Ａは、回路部品１６の上面及び下面にそれぞれ端子３２及び３４を導出するようにしているため、例えば図２及び図３に示す第１の配列形態や図４及び図５に示す第２の配列形態のように、ワイヤボンディングや半田付け等による様々な実装が用途に応じて選択可能となる。しかも、ＩＣチップ１４と回路部品１６を様々な配列形態にて集積して実装することができるため、回路モジュール１０Ａの全体の実装面積を縮小化することができる。
【００４７】
また、ＩＣチップ１４のパッド６６と回路部品１６の上面端子３２とをボンディングワイヤ６８で電気的に接続するようにしたので、回路部品１６とＩＣチップ１４間に、ワイヤボンディングのためのスペースと、ボンディングワイヤ６８の形成部分を保護するために形成される樹脂層６０のだれを考慮した逃げのためのスペースを新たに確保する必要がなくなる。これは、回路モジュール１０Ａの全体の実装面積の縮小化に寄与する。
【００４８】
しかも、誘電体基板２６上にＩＣチップ１４を実装していないことから、誘電体基板２６としてそれぞれ回路部品１６を構成する電極等の形成パターンに応じた大きさの誘電体基板２６を使用することができる。これは、誘電体基板２６内のデッドスペースの縮小化につながる。
【００４９】
次に、第２の実施の形態に係る回路モジュール１０Ｂについて図６を参照しながら説明する。
【００５０】
この第２の実施の形態に係る回路モジュール１０Ｂは、図６に示すように、上述した第１の実施の形態に係る回路モジュール１０Ａとほぼ同様の構成を有するが、配線基板１２が存在しない点と、ＩＣチップ１４の下面電極５２と、回路部品１６の下面端子３４が樹脂層６０から直接外部に露出されている点で異なる。
【００５１】
この第２の実施の形態に係る回路モジュール１０Ｂにおいては、各回路部品１６の下面端子３４を樹脂封止後における外部端子として利用することができることから、配線基板１２が不要になり、回路モジュール１０Ｂの薄型化において有利となる。
【００５２】
次に、第２の実施の形態に係る回路モジュール１０Ｂの製造方法について図７〜図１１を参照しながら説明する。
【００５３】
この製造方法は、まず、図７の工程１に示すように、ベース基板７０を用意する。このベース基板７０の上面には耐熱シート７２が貼着されている。この耐熱シート７２の両面は粘着性を有する。なお、ベース基板７０として、粘着性の材料が塗布されたベース基板を用いてもよい。
【００５４】
その後、図７の工程２に示すように、耐熱シート７２の上面に、複数のＩＣチップ１４と複数の回路部品１６とを貼着する。図７では、説明を簡単にするために、１つの回路部品１６に対して１つのＩＣチップ１４を貼着した例を示しているが、具体的には、図８に示すように、耐熱シート７２のうち、１つの回路モジュール１０Ｂが作製される部分を１つの区画と定義したとき、各区画に対して１つのＩＣチップ１４と第１〜第４の回路部品１６Ａ〜１６Ｄとを貼着する。その後、図７の工程３に示すように、各区画において、ＩＣチップ１４のパッド６６（図２参照）と回路部品１６の上面端子３２との間、並びに回路部品１６同士間でワイヤボンディングを行う（図９参照）。
【００５５】
次いで、図７の工程４に示すように、各区画において、ＩＣチップ１４と第１〜第４の回路部品１６Ａ〜１６Ｄとを樹脂層６０で封止することによって、それぞれ回路モジュール１０Ｂが完成する（図１０参照）。
【００５６】
その後、図７の工程５に示すように、各回路モジュール１０Ｂの樹脂層６０の上面にそれぞれ捺印を行った後、図７の工程６に示すように、耐熱シート７２から各回路モジュール１０Ｂを分離する（図１１参照）。
【００５７】
このように、図７に示す製造方法においては、上述した第２の実施の形態に係る回路モジュール１０Ｂ、即ち、ＩＣチップ１４の下面電極５２と回路部品１６の下面端子３４が樹脂層６０から外部に露出された回路モジュール１０Ｂを容易に作製することができる。
【００５８】
なお、本発明に係る回路モジュール及びその製造方法は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】第１の実施の形態に係る回路モジュールを示す縦断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る回路モジュールにおける回路部品の第１の配列形態を上面から見て示す図である。
【図３】第１の実施の形態に係る回路モジュールにおける回路部品の第１の配列形態を下面から見て示す図である。
【図４】第１の実施の形態に係る回路モジュールにおける回路部品の第２の配列形態を上面から見て示す図である。
【図５】第１の実施の形態に係る回路モジュールにおける回路部品の第２の配列形態を下面から見て示す図である。
【図６】第２の実施の形態に係る回路モジュールを示す縦断面図である。
【図７】第２の実施の形態に係る回路モジュールの製造方法を示す説明図である。
【図８】図７の工程２（耐熱シート上にＩＣチップと回路部品を貼着する工程）を示す説明図である。
【図９】図７の工程３（ワイヤボンディング工程）を示す説明図である。
【図１０】図７の工程４（樹脂封止工程）を示す説明図である。
【図１１】図７の工程６（耐熱シートから回路モジュールを分離する工程）を示す説明図である。
【図１２】従来例に係る回路モジュールを示す縦断面図である。
【図１３】他の従来例に係る回路モジュールを示す縦断面図である。
【図１４】他の従来例に係る回路モジュールの製造方法を示す説明図である。
【図１５】図１４の工程３（ワイヤボンディング工程）を示す説明図である。
【図１６】図１４の工程４（樹脂封止工程）を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０Ａ、１０Ｂ…回路モジュール          １２…配線基板
１４…ＩＣチップ                        １６、１６Ａ〜１６Ｄ…回路部品
３２、３２Ａ〜３２Ｄ…上面端子          ３４、３４Ａ〜３４Ｄ…下面端子
６０…樹脂層                            ６８…ボンディングワイヤ                
【図１】
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【図２】
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【図３】
2005209777.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005209777.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005209777.tif 000009
【図８】
2005209777.tif 000010
【図９】
2005209777.tif 000011
【図１０】
2005209777.tif 000012
【図１１】
2005209777.tif 000013
【図１２】
2005209777.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
2005209777.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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