(57)【要約】【課題】温度依存性が近似したＭＯＳトランジスタを異なる温度特性を示す領域で使用することにより、設計が容易で半導体集積回路に適した定電流回路を提供する。【解決手段】ゲート端子が第１の基準電位に接続され、ソース端子が接地電位に接続された第１のＭＯＳトランジスタと、ゲート端子が第２の基準電位に接続され、ソース端子が接地電位に接続された第２のＭＯＳトランジスタとを備え、第１のＭＯＳトランジスタのドレイン電流と、第２のＭＯＳトランジスタのドレイン電流を併せた和電流を、出力電流とする定電流回路であって、前記第１のＭＯＳトランジスタの温度上昇に伴うドレイン電流の減少分と、前記第２のＭＯＳトランジスタの温度上昇に伴うドレイン電流の増加分とが、打ち消し合うように構成する。【選択図】図1 
2005071259.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート端子が第１の基準電位に接続され、ソース端子が接地電位に接続された第１のＭＯＳトランジスタと、
ゲート端子が第２の基準電位に接続され、ソース端子が接地電位に接続された第２のＭＯＳトランジスタとを備え、
第１のＭＯＳトランジスタのドレイン電流と、第２のＭＯＳトランジスタのドレイン電流を併せた和電流を、出力電流とする定電流回路であって、
前記第１のＭＯＳトランジスタの温度上昇に伴うドレイン電流の減少分と、前記第２のＭＯＳトランジスタの温度上昇に伴うドレイン電流の増加分とが、打ち消し合うように構成されていることを特徴とする定電流回路。
【請求項２】
前記第１の基準電位が定電圧源に基づき生成され、前記第２の基準電位が前記第１の基準電位を分圧することにより生成されることを特徴とする請求項１記載の定電流回路。
【請求項３】
前記第１のＭＯＳトランジスタのドレイン電流と、前記第２のＭＯＳトランジスタのドレイン電流が等しくなるように構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の定電流回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は定電流回路に係り、特に温度依存性を排除した定電流回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等の回路では定電流回路が多数使用されている。この定電流回路には、温度変化に依存することなく一定の電流を出力することが求められるが、定電流回路を構成するトランジスタや抵抗等が温度依存性を持つため、通常、これらの温度依存性を相殺するように回路が構成されている。
【０００３】
例えば、図２に示した定電流回路では、オペアンプＯＰ２の正の入力端子は定電圧源Ｖ２１に接続され、負の入力端子は抵抗Ｒ２１とＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２１のソース端子に接続され、出力端子はＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２１のゲート端子に接続されている。又、ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２１のソース端子に接続されている抵抗Ｒ２１の他端子は、接地電位に接続されている。
【０００４】
このように回路を構成した場合、ＮｃｈＭＯＳトランジスタＭ２１のソース端子の電位は定電圧源Ｖ２１と等しくなるため、抵抗Ｒ２１が温度依存性を持っていなければ、出力電流Ｉ２１は温度依存性を持たない。しかし、抵抗素子は、温度が上昇すると抵抗値が大きくなる正の温度依存性、又は温度が上昇すると抵抗値が小さくなる負の温度依存性を持つため、出力電流Ｉ２１は抵抗Ｒ２１の温度依存性に起因する温度依存性を持つことになる。
【０００５】
又、抵抗素子を半導体集積回路内に形成せずに、温度依存性の小さい抵抗素子を外部に接続することもできるが、この場合は、コスト高や実装工程の煩雑化を招くことになる。
【０００６】
このような温度依存性を排除するために、特許文献１に開示された定電流回路では、定電流出力用トランジスタのエミッタ抵抗が、定電流出力用トランジスタのベース・エミッタ間電圧の温度依存性を打ち消すように回路を構成している。
【特許文献１】特開平６−８５５６３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に開示された定電流回路では、トランジスタの温度依存性と抵抗の温度依存性とが打ち消し合うように回路を設計しなければならないが、トランジスタと抵抗という異なる素子間で温度依存性を打ち消し合うため、両素子の温度依存性のバランスをとることが難しかった。
【０００８】
そこで、本発明は、ＭＯＳトランジスタが異なる温度依存性を示す領域を持つことに着目し、温度依存性が近似したＭＯＳトランジスタを異なる温度特性を示す領域で使用することにより、設計が容易で半導体集積回路に適した定電流回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の目的は、ゲート端子が第１の基準電位に接続され、ソース端子が接地電位に接続された第１のＭＯＳトランジスタと、
ゲート端子が第２の基準電位に接続され、ソース端子が接地電位に接続された第２のＭＯＳトランジスタとを備え、
第１のＭＯＳトランジスタのドレイン電流と、第２のＭＯＳトランジスタのドレイン電流を併せた和電流を、出力電流とする定電流回路であって、
前記第１のＭＯＳトランジスタの温度上昇に伴うドレイン電流の減少分と、前記第２のＭＯＳトランジスタの温度上昇に伴うドレイン電流の増加分とが、打ち消し合うように構成されていることを特徴とする定電流回路によって達成される。
【００１０】
つまり、この定電流回路で、第１の基準電位は、第１のＭＯＳトランジスタのドレイン電流が温度上昇に対して減少傾向を示す領域内にあり、第２の基準電位は、第２のＭＯＳトランジスタのドレイン電流が温度上昇に対して増加傾向を示す領域内にある。従って、第１のＭＯＳトランジスタの温度上昇に伴うドレイン電流の減少分と、第２のＭＯＳトランジスタの温度上昇に伴うドレイン電流の増加分とが、打ち消し合い定電流回路の出力電流における温度依存性が排除される。
【００１１】
又、本発明によれば、前記第１の基準電位が定電圧源に基づき生成され、前記第２の基準電位が前記第１の基準電位を分圧することにより生成されることが好ましい。このようにすれば、容易に第１の基準電位と第２の基準電位を設定することができる。
【００１２】
又、本発明によれば、前記第１のＭＯＳトランジスタのドレイン電流と、前記第２のＭＯＳトランジスタのドレイン電流が等しくなるように構成されていることが好ましい。この場合、第１のＭＯＳトランジスタのドレイン電流とその変化量との比と、第２のＭＯＳトランジスタのドレイン電流とその変化量との比が、ほぼ等しくなるように設定される。従って、定電流回路の出力電流の設定等が容易になる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、複数のＭＯＳトランジスタを、温度特性の異なる領域で動作するように組合せることにより、定電流回路における温度依存性を排除（相殺）しているので、温度依存性を排除（相殺）した定電流回路を容易に設計することができる。ここで、温度特性の異なる領域とは、温度上昇に対してドレイン電流が増加傾向を示す領域と、温度上昇に対してドレイン電流が減少傾向を示す領域を意味する。
【００１４】
又、この定電流回路を半導体集積回路内で使用する場合は、ゲート幅やゲート長の設定により、定電流回路の出力電流や温度依存性を調整できるため、より容易に定電流回路の設計を行なうことができる。つまり、定電流回路を構成するＭＯＳトランジスタの電流値や温度依存性を、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）の調整に加えて、ゲート幅、ゲート長等の設定により微調整することができるので、設計の自由度がより高くなる。  更に、半導体集積回路内で使用する場合は、複数のＭＯＳトランジスタが同一のプロセスで製造されるため、複数のＭＯＳトランジスタ間の、温度依存性のばらつきも小さくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
まず、本発明の定電流回路を構成するＭＯＳトランジスタの温度依存性について説明する。図３に示したようにＭＯＳトランジスタ３１のゲート端子に可変電圧源Ｖ３１を接続し、可変電圧源Ｖ３１を変化させた場合のドレイン電流Ｉ３１の変化を図７に示した。図７には、各温度（−４０℃、０℃、７０℃、１２０℃）におけるＭＯＳトランジスタ３１のゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）とドレイン電流の関係が示されている。ここで、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）が１．３Ｖ未満の場合、温度が上昇するとドレイン電流が増加し、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）が１．３Ｖ以上の場合、温度が上昇するとドレイン電流が減少する。
【００１６】
尚、温度変化に対するドレイン電流の変化量や、温度上昇に対してドレイン電流が増加傾向を示すゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）の電圧範囲や、温度上昇に対してドレイン電流が減少傾向を示すゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）の電圧範囲は、ＭＯＳトランジスタの製造条件（例えば、プロセス等）等によって変化するが、製造条件が異なっても温度上昇に対してドレイン電流が増加傾向を示す領域と減少傾向を示す領域は存在する。
【００１７】
ここで、ＭＯＳトランジスタが、上記のような温度特性の異なる領域（温度上昇に対してドレイン電流が増加傾向を示す領域と、温度上昇に対してドレイン電流が減少傾向を示す領域）を持つことについて、式を用いて説明する。ＭＯＳトランジスタの飽和領域のドレイン電流Ｉｄは、
Ｉｄ＝１÷２×Ｗ÷Ｌ×β×（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2
で与えられる。この式で、Ｗはゲート幅、Ｌはゲート長、Ｖｇｓはゲート電圧、Ｖｔｈは閾値電圧であり、βはβ＝μ×εｏｘ÷ｔｏｘ（μはキャリアの移動度であり、εｏｘはゲート酸化膜誘電率であり、ｔｏｘはゲート酸化膜厚である。）で与えられる。上記ドレイン電流Ｉｄの式で、βとＶｔｈが温度依存性を持っており、βが支配的な領域では、温度上昇に対してドレイン電流が減少傾向を示し、Ｖｔｈが支配的な領域では、温度上昇に対してドレイン電流が増加傾向を示す。
【００１８】
尚、（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）＜０の領域は弱反転領域と、（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）＞０の領域は強反転領域と呼ばれており、上記ドレイン電流Ｉｄの式は、強反転領域内でＶｇｓがＶｔｈに近い領域及び弱反転領域では成り立たないが、上記ドレイン電流Ｉｄの式が成り立たない領域であっても、温度上昇に対してドレイン電流が増加傾向を示す。
【００１９】
本発明に係る定電流回路では、ＭＯＳトランジスタが上記のような温度特性の異なる領域を持つことに着目して、温度上昇に対してドレイン電流が増加傾向を示す領域で動作するＭＯＳトランジスタと、温度上昇に対してドレイン電流が減少傾向を示す領域で動作するＭＯＳトランジスタとを組合せて、温度依存性を排除（相殺）している。
【００２０】
この温度依存性を排除（相殺）方法について図１を参照して説明する。図１に示した定電流回路では、ＭＯＳトランジスタＭ１１のゲート端子は定電圧源Ｖ１１に接続され、ＭＯＳトランジスタＭ１２のゲート端子は定電圧源Ｖ１２に接続され、ＭＯＳトランジスタＭ１１のソース端子とＭＯＳトランジスタＭ１２のソース端子は接地電位に接続され、ＭＯＳトランジスタＭ１１のドレイン端子とＭＯＳトランジスタＭ１２のドレイン端子は短絡されている。
【００２１】
ここで、定電圧源Ｖ１１は、温度上昇に対してＭＯＳトランジスタＭ１１のドレイン電流が減少傾向を示すゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）に設定され、定電圧源Ｖ１２は、温度上昇に対してＭＯＳトランジスタＭ１２のドレイン電流が増加傾向を示すゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）に設定されている。又、ＭＯＳトランジスタＭ１１のドレイン端子とＭＯＳトランジスタＭ１２のドレイン端子は短絡されているので、ＭＯＳトランジスタＭ１１のドレイン電流Ｉ１１と、ＭＯＳトランジスタＭ１２のドレイン電流Ｉ１２とを併せた和電流が、定電流回路の出力電流Ｉ１３になる。従って、温度上昇に対するＭＯＳトランジスタＭ１１のドレイン電流減少量と、温度上昇に対するＭＯＳトランジスタＭ１２のドレイン電流増加量が相殺するように、定電圧源Ｖ１１及び定電圧源Ｖ１２の電圧値を設定すれば定電流回路の出力電流Ｉ１３の温度依存性を排除（相殺）することができる。以下に、その設計例を示す。
設計例１：
図７でゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）が１．３５Ｖのときの温度変化に対するドレイン電流の変化量（温度上昇に対するドレイン電流の減少量）と、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）が１．０Ｖのときの温度変化に対するドレイン電流の変化量（温度上昇に対するドレイン電流の増加量）とが等しい場合、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）を１．３５Ｖに設定したＭＯＳトランジスタと、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）を１．０Ｖに設定したＭＯＳトランジスタを組合せれば、温度依存性を排除（相殺）することができる。
【００２２】
尚、図７でゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）が１．０Ｖのときのドレイン電流は０．００５ｍＡ程度で、１．３５Ｖのときのドレイン電流は０．０２ｍＡ程度なので、この設定で定電流回路を構成した場合、定電流回路の出力電流は０．０２５ｍＡ程度になる。
【００２３】
尚、図１に示した定電流回路では、温度上昇に対してドレイン電流が増加傾向を示す領域で動作するＭＯＳトランジスタと、温度上昇に対してドレイン電流が減少傾向を示す領域で動作するＭＯＳトランジスタとを１つずつ組合せて、温度依存性を排除（相殺）しているが、各領域で動作するＭＯＳトランジスタが複数であってもよい。つまり、一方の領域で動作するＭＯＳトランジスタが１個で、他方の領域で動作するＭＯＳトランジスタが複数個であってもよく、一方の領域で動作するＭＯＳトランジスタも、他方の領域で動作するＭＯＳトランジスタも複数個であってもよい。ここで、複数個のＭＯＳトランジスタは全て並列接続され、全てのＭＯＳトランジスタのドレイン電流を併せた和電流が、定電流回路の出力電流になる。
【００２４】
又、ＭＯＳトランジスタのゲート幅を調整した場合、ＭＯＳトランジスタを並列に接続した場合と同様の効果が得られるので、半導体集積回路内にＭＯＳトランジスタを形成する場合には、ＭＯＳトランジスタのゲート幅を調整することによりドレイン電流を設定することが好ましい。  つまり、基準となるＭＯＳトランジスタのゲート幅をＷとした場合、ゲート幅がｋ×ＷのＭＯＳトランジスタは、基準となるＭＯＳトランジスタをｋ個並列に接続した場合とほぼ同等になるので、ＭＯＳトランジスタのゲート幅を調整すれば、ドレイン電流やその変化量を容易に設定することができる。
設計例２：
図７でゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）が１．４Ｖのときの温度変化に対するドレイン電流の変化量（温度上昇に対するドレイン電流の減少量）と、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）が１．１Ｖのときの温度変化に対するドレイン電流の変化量（温度上昇に対するドレイン電流の増加量）との比が４：１であった場合には、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）を１．４Ｖに設定したＭＯＳトランジスタ１個と、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）を１．１Ｖに設定したＭＯＳトランジスタ４個を組合せれば、温度依存性を排除（相殺）することができる。この場合、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）を１．４Ｖに設定したＭＯＳトランジスタ１個分のドレイン電流と、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）を１．１Ｖに設定したＭＯＳトランジスタ４個分のドレイン電流とを併せた和電流が、定電流回路の出力電流になる。
【００２５】
又、温度上昇に対するＭＯＳトランジスタＭ１１のドレイン電流減少量と、温度上昇に対するＭＯＳトランジスタＭ１２のドレイン電流増加量が相殺するように設定する際に、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）の設定と併せて、ＭＯＳトランジスタＭ１１やＭＯＳトランジスタＭ１２の、ゲート幅やゲート長等を調整してもよい。この場合、ＭＯＳトランジスタＭ１１とＭＯＳトランジスタＭ１２のドレイン電流やその温度変化に対する変化量を、より細かく設定することができる。
【００２６】
例えば、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）を１．４Ｖに設定したＭＯＳトランジスタ１個と、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）を１．１Ｖに設定したＭＯＳトランジスタ４個を組合せた場合と、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）を１．４Ｖに設定したＭＯＳトランジスタのゲート幅と、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）を１．１Ｖに設定したＭＯＳトランジスタのゲート幅との比を１：４に設定した場合は、同等の結果になる。
設計例３：
設計の際に、温度上昇に対してドレイン電流が増加傾向を示す領域内と、温度上昇に対してドレイン電流が減少傾向を示す領域内で、ドレイン電流とその変化量との比が等しくなるゲート電圧を選択し、一方の領域で動作するＭＯＳトランジスタと他方の領域で動作するＭＯＳトランジスタのドレイン電流が等しくなるようにＭＯＳトランジスタのゲート幅を調整する。
【００２７】
例えば、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）が１．０Ｖ（温度上昇に対してドレイン電流が増加傾向を示す領域内）の時、ドレイン電流が５μＡ（７０℃）でドレイン電流の変化量が１μＡ（−４０〜１２０℃）であり、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）が１．５Ｖ（温度上昇に対してドレイン電流が減少傾向を示す領域内）の時、ドレイン電流が３０μＡ（７０℃）でドレイン電流の変化量が６μＡ（−４０〜１２０℃）であれば、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）が１Ｖで動作するＭＯＳトランジスタのゲート幅を、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）が１．５Ｖで動作するＭＯＳトランジスタのゲート幅の６倍に設定すればよい。又、この定電流回路の出力電流を調整したい場合は、ゲート幅の比を１：６で維持したまま両方のＭＯＳトランジスタのゲート幅を増減すればよい。
【００２８】
つまり、この例では、同等のＭＯＳトランジスタのゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）を１．０Ｖに設定した場合と１．５Ｖに設定した場合の、ドレイン電流とその変化量との比が共に５：１で、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）が１．０Ｖの時のドレイン電流と、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）が１．５Ｖの時のドレイン電流との比が１：６になっている。
【００２９】
次に、本発明に係る定電流回路を構成するＭＯＳトランジスタの、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）を設定している部分について説明する。本発明に係る定電流回路では、ゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）を設定している部分の構成は特に限定されないが、温度変化によってゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）が変動しないような構成であることが好ましい。
【００３０】
例えば、図４に示した定電流回路では、オペアンプＯＰ４の正の入力端子は定電圧源Ｖ４１に接続され、負の入力端子と出力端子は短絡され、出力端子は抵抗Ｒ４１に接続され、抵抗Ｒ４１の他端子は抵抗Ｒ４２に接続され、抵抗Ｒ４２の他端子は接地電位に接続されている。この回路では、オペアンプＯＰ４の出力端子の電位は定電圧源Ｖ４１に等しく、抵抗Ｒ４１と抵抗Ｒ４２の接続点の電位は、定電圧源Ｖ４１を抵抗Ｒ４１と抵抗Ｒ４２で分圧した電位に設定されている。
【００３１】
上記のように定電圧源Ｖ４１と電位が等しいオペアンプＯＰ４の出力端子は、ＭＯＳトランジスタＭ４１のゲート端子に接続され、定電圧源Ｖ４１と等しい電位を分圧した抵抗Ｒ４１と抵抗Ｒ４２の接続点は、ＭＯＳトランジスタＭ４２のゲート端子に接続され、ＭＯＳトランジスタＭ４１のドレイン端子とＭＯＳトランジスタＭ４２のドレイン端子は短絡され、ＭＯＳトランジスタＭ４１のソース端子とＭＯＳトランジスタＭ４２のソース端子は、接地電位に接続されている。
【００３２】
従って、定電圧源Ｖ４１の電位及びそれを分圧した電位を設定することにより、温度上昇に対して減少傾向を示すＭＯＳトランジスタＭ４１のドレイン電流Ｉ４１と、温度上昇に対して増加傾向を示すＭＯＳトランジスタＭ４２のドレイン電流Ｉ４２の和電流である定電流回路の出力電流Ｉ４３の電流値を設定すると共に、出力電流Ｉ４３の温度依存性を排除（相殺）している。
【００３３】
尚、上述のようにＭＯＳトランジスタのゲート幅やゲート長を調整することにより、ＭＯＳトランジスタＭ４１のドレイン電流Ｉ４１、及びＭＯＳトランジスタＭ４２のドレイン電流Ｉ４２の、電流値や温度変化に対する電流変化量を所望の値に設定してもよい。又、温度上昇に対してドレイン電流が減少傾向を示すＭＯＳトランジスタと、温度上昇に対してドレイン電流が増加傾向を示すＭＯＳトランジスタのいずれか又は双方を複数のＭＯＳトランジスタで構成してもよい。
【００３４】
図５は、図２に示した定電流回路と図４に示した定電流回路の温度依存性を比較したグラフである。ここで、図２に示した定電流回路と図４に示した定電流回路の出力電流は、共に０．１ｍＡ程度に設定した。又、図２に示した抵抗Ｒ２１は負の温度依存性を持つ素子を使用した。又、図４に示した温度上昇に対してドレイン電流が減少傾向を示すＭＯＳトランジスタＭ４１のドレイン電流Ｉ４１と、温度上昇に対してドレイン電流が増加傾向を示すＭＯＳトランジスタＭ４２のドレイン電流Ｉ４２は、共に０．０５ｍＡ程度になるように、それぞれのＭＯＳトランジスタのゲート幅を設定した。尚、この設定では、設計例３に従ってゲート幅を設定した。
【００３５】
図２に示した定電流回路の出力電流Ｉ２１は、負の温度依存性を持つ抵抗Ｒ２１に起因した温度依存性を示すため、出力電流Ｉ２１は、温度の上昇に伴い増加する。一方、図４に示した定電流回路の場合、ＭＯＳトランジスタＭ４１のドレイン電流Ｉ４１は、温度の上昇に伴い減少し、ＭＯＳトランジスタＭ４２のドレイン電流Ｉ４２は、温度の上昇に伴い増加するが、ドレイン電流Ｉ４１の減少分とドレイン電流Ｉ４２の増加分が打ち消し合うため、出力電流Ｉ４３は温度変化に伴う電流変動が殆ど無い。
【００３６】
図６は、図４に示した定電流回路の設定を変更した場合のグラフである。ここでも、図５の場合と同様に、図２に示した定電流回路と図４に示した定電流回路の出力電流は、共に０．１ｍＡ程度に設定した。又、図２に示した抵抗Ｒ２１は負の温度依存性を持つ素子を使用した。又、図４に示した温度上昇に対してドレイン電流が減少傾向を示すＭＯＳトランジスタＭ４１のドレイン電流Ｉ４１は０．０８ｍＡ程度になるように、温度上昇に対してドレイン電流が増加傾向を示すＭＯＳトランジスタＭ４２のドレイン電流Ｉ４２は０．０２ｍＡ程度になるように、それぞれのＭＯＳトランジスタのゲート幅を設定した。尚、この設定では、設計例１に従ってゲート幅を設定した。
【００３７】
この場合も、図４に示した定電流回路の場合、ＭＯＳトランジスタＭ４１のドレイン電流Ｉ４１は、温度の上昇に伴い減少し、ＭＯＳトランジスタＭ４２のドレイン電流Ｉ４２は、温度の上昇に伴い増加するが、ドレイン電流Ｉ４１の減少分とドレイン電流Ｉ４２の増加分が打ち消し合うため、出力電流Ｉ４３は温度変化に伴う電流変動が殆ど無い。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図１は、本発明にかかる定電流回路を示す回路図である。
【図２】図２は、従来の定電流回路を示す回路図である。
【図３】図３は、ＭＯＳトランジスタの電流特性を説明するための回路図である。
【図４】図４は、本発明にかかる定電流回路の実施の形態を示す回路図である
【図５】図５は、本発明にかかる定電流回路と従来の定電流回路の温度依存性を示すグラフである。
【図６】図６は、本発明にかかる定電流回路と従来の定電流回路の温度依存性を示すグラフである。
【図７】図７は、ＭＯＳトランジスタの電流特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３９】
Ｖ１１、Ｖ１２、Ｖ２１、Ｖ４１  定電圧源
Ｖ３１  可変電圧源
ＯＰ２、ＯＰ４  オペアンプ
Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ２１、Ｍ３１、Ｍ４１、Ｍ４２  ＭＯＳトランジスタ
Ｒ２１、Ｒ４１、Ｒ４２  抵抗
【図１】
2005071259.tif 000003
【図２】
2005071259.tif 000004
【図３】
2005071259.tif 000005
【図４】
2005071259.tif 000006
【図５】
2005071259.tif 000007
【図６】
2005071259.tif 000008
【図７】
2005071259.tif 000009