(57)【要約】【課題】搬送教示処理の操作性を向上させた基板処理装置を提供する。【解決手段】例えば、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１に対して基板受渡対象部における正確な搬送位置を教示するオートティーチング処理を行う場合、処理開始が入力された時点でオートティーチング可能な基板受渡対象部から順に搬送ロボットＴＲ１がアクセスしてオートティーチング処理が実行される。通常は、ベークユニット以外の基板受渡対象部から順にオートティーチング処理が実行され、その間にベークユニットについてはオートティーチング処理を行うことが可能な所定温度以下にまで降温される。そして、所定温度以下にまで降温されたベークユニットのオートティーチング処理も実行され、それが終了した後に、降温したベークユニットの温度を降温前の元の温度に戻している。【選択図】図１
2005101027.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を行う処理部と前記処理部に対して基板を搬送する搬送ロボットとを備え、前記処理部における前記搬送ロボットの基板搬送位置を教示する基板処理装置であって、
前記搬送ロボットに対する搬送教示処理動作の開始指示を受け付ける入力受付手段と、
前記開始指示の入力が行われた時点で、前記処理部における搬送教示処理動作が可能な場合には直ちに前記搬送ロボットに搬送教示処理動作を開始させ、不可能な場合には前記処理部における搬送教示処理動作が可能となるまで前記搬送ロボットの搬送教示処理動作を停止させる教示制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、
前記処理部は前記搬送教示処理動作を行うことが不可能な第１の温度に温調された加熱処理部であり、
前記開始指示の入力が行われた時点で、前記加熱処理部の温度を前記搬送教示処理動作を行うことが可能な第２の温度以下にまで降温させる温調手段をさらに備え、
前記教示制御手段は、前記加熱処理部の温度が前記第２の温度以下にまで降温された後に、前記搬送ロボットに搬送教示処理動作を行わせることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記温調手段は、前記搬送教示処理動作が終了した後、前記加熱処理部の温度を前記第１の温度に昇温させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
基板に所定の処理を行う複数の処理部と前記複数の処理部に対して基板を搬送する搬送ロボットとを備え、前記複数の処理部における前記搬送ロボットの基板搬送位置を教示する基板処理装置であって、
前記搬送ロボットに対する搬送教示処理動作の開始指示を受け付ける入力受付手段と、
前記開始指示の入力が行われた時点で、前記複数の処理部のうち搬送教示処理動作が可能な処理部から順に前記搬送ロボットに搬送教示処理動作を開始させる教示制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４記載の基板処理装置において、
前記複数の処理部は、前記搬送教示処理動作を行うことが不可能な第１の温度に温調された加熱処理部を含み、
前記開始指示の入力が行われた時点で、前記加熱処理部の温度を前記搬送教示処理動作を行うことが可能な第２の温度以下にまで降温させる温調手段をさらに備え、
前記教示制御手段は、前記加熱処理部の温度が前記第２の温度以下にまで降温された後に、当該加熱処理部における搬送教示処理動作を前記搬送ロボットに行わせることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５記載の基板処理装置において、
前記温調手段は、前記加熱処理部における搬送教示処理動作が終了した後、前記加熱処理部の温度を前記第１の温度に昇温させることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板（以下、単に「基板」と称する）に熱処理等の所定の処理を行う処理部における搬送ロボットの基板搬送位置を教示する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち例えばレジスト塗布処理、現像処理およびそれらに付随する熱処理のそれぞれを行う処理ユニットを複数組み込み、搬送ロボットによってそれら各処理ユニット間で基板の循環搬送を行うことにより基板に一連のフォトリソグラフィー処理を施す基板処理装置がいわゆるコータ＆デベロッパとして広く用いられている。
【０００３】
このような装置では、各処理ユニットにおける所定の受け渡し位置に対して基板を正確に搬送することが必要とされる。基板を正確な位置に搬送できないと、基板に処理ムラを生じさせたり、不要なパーティクルを付着させたり、基板の脱落が生じたりするおそれがあり、好ましくないからである。ところが、現実には基板を保持する保持アームを構成する部材の加工誤差、各部材を取り付ける際の取り付け誤差、および搬送ロボットを組み立てる際の組立誤差等の種々の設計誤差が原因となって、搬送ロボットの保持アームが正確な搬送位置にアクセスせず、位置ズレが生じる場合がある。このような誤差等による位置ズレを解消するために、実際に基板を搬送するのに先だって搬送ロボットに対するティーチング（搬送教示）作業が行われている。
【０００４】
一方、近年の基板処理装置ではスループットの向上およびフットプリントの縮小が要求されており、搬送ロボットの周辺に多数の処理ユニットが多段に搭載されることが多い。このような状態ではオペレータの肉眼によって搬送位置を確認しつつティーチング作業を行うことが困難であるため、例えば特許文献１に示すようなオートティーチング機能が基板処理装置に実装されている。オートティーチング機能は、保持アームに光センサやＣＣＤカメラを取り付け、それによって処理ユニット内のターゲットを検出して搬送ロボットに正確な搬送位置を認識させることにより搬送教示を自動的に行う機能である。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１５６１５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、オートティーチングの対象となる処理ユニットは搬送ロボットがアクセスする全ユニットであり、それらの中にはベークユニットのように非常に高温になるユニットも存在している。かかるベークユニットに対して高温の状態のままオートティーチングを実行すると、光センサ等の機構部に故障が発生することとなる。このため、従来においては、オートティーチングを実行するに際して、手動でベークユニットの温度を下げたり、温調制御をＯＦＦにしたりしていた。そして、ベークユニットの温度が下がるのを待ってオートティーチングを開始するようにしていた。このため、オートティーチングを実行するのに多くの時間を必要とし、しかも全てのベークユニットの温度を手動で下げていたため、オートティーチングの操作性が非常に悪いという問題があった。
【０００７】
さらに、従来は、オートティーチングが完了した後、再び手動にてベークユニットの温度を元に戻す必要があっため、このことがオートティーチングの操作性をより低下させることとなっていた。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされれたものであり、搬送教示処理の操作性を向上させた基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に所定の処理を行う処理部と前記処理部に対して基板を搬送する搬送ロボットとを備え、前記処理部における前記搬送ロボットの基板搬送位置を教示する基板処理装置において、前記搬送ロボットに対する搬送教示処理動作の開始指示を受け付ける入力受付手段と、前記開始指示の入力が行われた時点で、前記処理部における搬送教示処理動作が可能な場合には直ちに前記搬送ロボットに搬送教示処理動作を開始させ、不可能な場合には前記処理部における搬送教示処理動作が可能となるまで前記搬送ロボットの搬送教示処理動作を停止させる教示制御手段と、を備える。
【００１０】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記処理部を前記搬送教示処理動作を行うことが不可能な第１の温度に温調された加熱処理部とし、前記開始指示の入力が行われた時点で、前記加熱処理部の温度を前記搬送教示処理動作を行うことが可能な第２の温度以下にまで降温させる温調手段をさらに備え、前記教示制御手段に、前記加熱処理部の温度が前記第２の温度以下にまで降温された後に、前記搬送ロボットに搬送教示処理動作を行わせている。
【００１１】
また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記温調手段に、前記搬送教示処理動作が終了した後、前記加熱処理部の温度を前記第１の温度に昇温させている。
【００１２】
また、請求項４の発明は、基板に所定の処理を行う複数の処理部と前記複数の処理部に対して基板を搬送する搬送ロボットとを備え、前記複数の処理部における前記搬送ロボットの基板搬送位置を教示する基板処理装置において、前記搬送ロボットに対する搬送教示処理動作の開始指示を受け付ける入力受付手段と、前記開始指示の入力が行われた時点で、前記複数の処理部のうち搬送教示処理動作が可能な処理部から順に前記搬送ロボットに搬送教示処理動作を開始させる教示制御手段と、を備える。
【００１３】
また、請求項５の発明は、請求項４の発明に係る基板処理装置において、前記複数の処理部に、前記搬送教示処理動作を行うことが不可能な第１の温度に温調された加熱処理部を含ませ、前記開始指示の入力が行われた時点で、前記加熱処理部の温度を前記搬送教示処理動作を行うことが可能な第２の温度以下にまで降温させる温調手段をさらに備え、前記教示制御手段に、前記加熱処理部の温度が前記第２の温度以下にまで降温された後に、当該加熱処理部における搬送教示処理動作を前記搬送ロボットに行わせている。
【００１４】
また、請求項６の発明は、請求項５の発明に係る基板処理装置において、前記温調手段に、前記加熱処理部における搬送教示処理動作が終了した後、前記加熱処理部の温度を前記第１の温度に昇温させている。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１の発明によれば、入力受付手段から開始指示の入力が行われた時点で、処理部における搬送教示処理動作が可能な場合には直ちに搬送ロボットに搬送教示処理動作を開始させ、不可能な場合には処理部における搬送教示処理動作が可能となるまで搬送ロボットの搬送教示処理動作を停止させているため、開始指示を入力するだけで自動的に搬送教示処理動作が実行されることとなり、搬送教示処理の操作性が向上する。
【００１６】
また、請求項２の発明によれば、開始指示の入力が行われた時点で、加熱処理部の温度を搬送教示処理動作を行うことが可能な第２の温度以下にまで降温させ、その加熱処理部の温度が第２の温度以下にまで降温された後に、搬送ロボットに搬送教示処理動作を行わせているため、開始指示を入力するだけで自動的に加熱処理部の温度が降温して搬送教示処理動作が実行されることとなり、搬送教示処理の操作性が向上する。
【００１７】
また、請求項３の発明によれば、搬送教示処理動作が終了した後、加熱処理部の温度を第１の温度に昇温させているため、加熱処理部の温度が自動的に元の温度に戻ることとなり、搬送教示処理の操作性がさらに向上する。
【００１８】
また、請求項４の発明によれば、入力受付手段から開始指示の入力が行われた時点で、複数の処理部のうち搬送教示処理動作が可能な処理部から順に搬送ロボットに搬送教示処理動作を開始させているため、開始指示を入力するだけで自動的に搬送教示処理動作が実行されることとなり、搬送教示処理の操作性が向上する。
【００１９】
また、請求項５の発明によれば、開始指示の入力が行われた時点で、加熱処理部の温度を搬送教示処理動作を行うことが可能な第２の温度以下にまで降温させ、その加熱処理部の温度が第２の温度以下にまで降温された後に、当該加熱処理部における搬送教示処理動作を搬送ロボットに行わせているため、開始指示を入力するだけで自動的に加熱処理部の温度が降温して搬送教示処理動作が実行されることとなり、搬送教示処理の操作性が向上する。
【００２０】
また、請求項６の発明によれば、加熱処理部における搬送教示処理動作が終了した後、加熱処理部の温度を第１の温度に昇温させているため、加熱処理部の温度が自動的に元の温度に戻ることとなり、搬送教示処理の操作性がさらに向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２２】
図１は、本実施形態の基板処理装置の平面図である。また、図２は基板処理装置の液処理部の正面図であり、図３は熱処理部の正面図であり、図４は基板載置部の周辺構成を示す図である。なお、図１から図４にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
【００２３】
本実施形態の基板処理装置は、半導体ウェハ等の基板に反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板に現像処理を行う装置である。なお、本発明に係る基板処理装置の処理対象となる基板は半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示器用のガラス基板等であっても良い。また、本発明に係る基板処理装置の処理内容は塗布膜形成や現像処理に限定されるものではなく、エッチング処理や洗浄処理であっても良い。
【００２４】
本実施形態の基板処理装置は、インデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５の５つの処理ブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５には本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置（ステッパ）が接続配置されている。
【００２５】
インデクサブロック１は、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納する基板移載機構１２とを備えている。基板移載機構１２は、載置台１１に沿って（Ｙ方向に沿って）水平移動可能な可動台１２ａを備えており、この可動台１２ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム１２ｂが搭載されている。保持アーム１２ｂは、可動台１２ａ上を昇降（Ｚ方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。これにより、基板移載機構１２は、保持アーム１２ｂを各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。
【００２６】
インデクサブロック１に隣接してバークブロック２が設けられている。インデクサブロック１とバークブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にインデクサブロック１とバークブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層して設けられている。
【００２７】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１の基板移載機構１２はキャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを後述するバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ２も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１は処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを基板移載機構１２が受け取ってキャリアＣに収納する。なお、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０の構成も基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同じである。
【００２８】
基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１３の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて基板移載機構１２やバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。
【００２９】
次に、バークブロック２について説明する。バークブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部ＢＲＣと、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー２１，２１と、下地塗布処理部ＢＲＣおよび熱処理タワー２１，２１に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ１とを備える。
【００３０】
バークブロック２においては、搬送ロボットＴＲ１を挟んで下地塗布処理部ＢＲＣと熱処理タワー２１，２１とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部ＢＲＣが装置正面側に、２つの熱処理タワー２１，２１が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー２１，２１の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部ＢＲＣと熱処理タワー２１，２１とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー２１，２１から下地塗布処理部ＢＲＣに熱的影響を与えることを回避しているのである。
【００３１】
下地塗布処理部ＢＲＣは、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３を下から順に積層配置して構成されている。なお、３つの塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３を特に区別しない場合はこれらを総称して下地塗布処理部ＢＲＣとする。各塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック２２、このスピンチャック２２上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル２３およびスピンチャック２２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００３２】
図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー２１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個のホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３とが設けられている。この熱処理タワー２１には、下から順にクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６が積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー２１には、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３が下から順に積層配置されている。なお、図３において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。
【００３３】
このように塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３や熱処理ユニット（ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３）を多段に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくしてフットプリントを削減することができる。また、２つの熱処理タワー２１，２１を並設することによって、熱処理ユニットのメンテナンスが容易になるとともに、熱処理ユニットに必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。
【００３４】
図５は、搬送ロボットＴＲ１を説明するための図である。図５（ａ）は搬送ロボットＴＲ１の平面図であり、（ｂ）は搬送ロボットＴＲ１の正面図である。搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する２個の保持アーム６ａ，６ｂを上下に近接させて備えている。保持アーム６ａ，６ｂは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン７で基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。
【００３５】
搬送ロボットＴＲ１の基台８は装置基台（装置フレーム）に対して固定設置されている。この基台８上に、ガイド軸９ｃが立設されるとともに、螺軸９ａが回転可能に立設支持されている。また、基台８には螺軸９ａを回転駆動するモータ９ｂが固定設置されている。そして、螺軸９ａには昇降台１０ａが螺合されるとともに、昇降台１０ａはガイド軸９ｃに対して摺動自在とされている。このような構成により、モータ９ｂが螺軸９ａを回転駆動することにより、昇降台１０ａがガイド軸９ｃに案内されて鉛直方向（Ｚ方向）に昇降移動するようになっている。
【００３６】
また、昇降台１０ａ上にアーム基台１０ｂが鉛直方向に沿った軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ａには、アーム基台１０ｂを旋回駆動するモータ１０ｃが内蔵されている。そして、このアーム基台１０ｂ上に上述した２個の保持アーム６ａ，６ｂが上下に配設されている。各保持アーム６ａ，６ｂは、アーム基台１０ｂに装備されたスライド駆動機構（図示省略）によって、それぞれ独立して水平方向（アーム基台１０ｂの旋回半径方向）に進退移動可能に構成されている。
【００３７】
このような構成によって、図５（ａ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１は２個の保持アーム６ａ，６ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー２１に設けられた熱処理ユニット、下地塗布処理部ＢＲＣに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００３８】
次に、レジスト塗布ブロック３について説明する。バークブロック２と現像処理ブロック４との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック３が設けられている。このレジスト塗布ブロック３とバークブロック２との間にも、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。この隔壁２５にバークブロック２とレジスト塗布ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。
【００３９】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。
【００４０】
基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁２５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁２５を貫通して上下に設けられている。
【００４１】
レジスト塗布ブロック３は、バークブロック２にて反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック３は、下地塗布された反射防止膜の上にフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト塗布処理部ＳＣと、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３１，３１と、レジスト塗布処理部ＳＣおよび熱処理タワー３１，３１に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ２とを備える。
【００４２】
レジスト塗布ブロック３においては、搬送ロボットＴＲ２を挟んでレジスト塗布処理部ＳＣと熱処理タワー３１，３１とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部ＳＣが装置正面側に、２つの熱処理タワー３１，３１が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー３１，３１の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部ＳＣと熱処理タワー３１，３１とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー３１，３１からレジスト塗布処理部ＳＣに熱的影響を与えることを回避しているのである。
【００４３】
レジスト塗布処理部ＳＣは、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３を下から順に積層配置して構成されている。なお、３つの塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３を特に区別しない場合はこれらを総称してレジスト塗布処理部ＳＣとする。各塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３２、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上にフォトレジストを吐出する塗布ノズル３３およびスピンチャック３２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００４４】
図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー３１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個の加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６が下から順に積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー３１には、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９が下から順に積層配置されている。
【００４５】
各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６は、基板Ｗを載置して加熱処理を行う通常のホットプレートの他に、そのホットプレートと隔てられた上方位置に基板Ｗを載置しておく基板仮置部と、該ホットプレートと基板仮置部との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構３４（図１参照）とを備えた熱処理ユニットである。ローカル搬送機構３４は、昇降移動および進退移動が可能に構成されるとともに、冷却水を循環させることによって搬送過程の基板Ｗを冷却する機構を備えている。
【００４６】
ローカル搬送機構３４は、上記ホットプレートおよび基板仮置部を挟んで搬送ロボットＴＲ２とは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、基板仮置部は搬送ロボットＴＲ２側およびローカル搬送機構３４側の双方に対して開口している一方、ホットプレートはローカル搬送機構３４側のみ開口し、搬送ロボットＴＲ２側には閉塞している。従って、基板仮置部に対しては搬送ロボットＴＲ２およびローカル搬送機構３４の双方がアクセスできるが、ホットプレートに対してはローカル搬送機構３４のみがアクセス可能である。
【００４７】
このような構成を備える各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６に基板Ｗを搬入するときには、まず搬送ロボットＴＲ２が基板仮置部に基板Ｗを載置する。そして、ローカル搬送機構３４が基板仮置部から基板Ｗを受け取ってホットプレートまで搬送し、該基板Ｗに加熱処理が施される。ホットプレートでの加熱処理が終了した基板Ｗは、ローカル搬送機構３４によって取り出されて基板仮置部まで搬送される。このときに、ローカル搬送機構３４が備える冷却機能によって基板Ｗが冷却される。その後、基板仮置部まで搬送された熱処理後の基板Ｗが搬送ロボットＴＲ２によって取り出される。
【００４８】
このように、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６においては、搬送ロボットＴＲ２が常温の基板仮置部に対して基板Ｗの受け渡しを行うだけで、ホットプレートに対する基板Ｗの受け渡しを行わないため、搬送ロボットＴＲ２の温度上昇を抑制することができる。また、ホットプレートはローカル搬送機構３４側のみ開口しているため、ホットプレートから漏出した熱雰囲気によって搬送ロボットＴＲ２やレジスト塗布処理部ＳＣが悪影響を受けることが防止される。なお、クールプレートＣＰ４〜ＣＰ９に対しては搬送ロボットＴＲ２が直接基板Ｗの受け渡しを行う。
【００４９】
搬送ロボットＴＲ２の構成は、搬送ロボットＴＲ１と全く同じである。よって、搬送ロボットＴＲ２は２個の保持アームをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー３１に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部ＳＣに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００５０】
次に、現像処理ブロック４について説明する。レジスト塗布ブロック３とインターフェイスブロック５との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック４が設けられている。レジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁３５が設けられている。この隔壁３５にレジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。
【００５１】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。
【００５２】
基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁３５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁３５を貫通して上下に設けられている。
【００５３】
現像処理ブロック４は、露光された基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック４は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部ＳＤと、現像処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー４１，４２と、現像処理部ＳＤおよび熱処理タワー４１，４２に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ３とを備える。なお、搬送ロボットＴＲ３は、上述した搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と全く同じ構成を有する。
【００５４】
現像処理部ＳＤは、図２に示すように、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４，ＳＤ５を下から順に積層配置して構成されている。なお、５つの現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５を特に区別しない場合はこれらを総称して現像処理部ＳＤとする。各現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック４３、このスピンチャック４３上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４４およびスピンチャック４３上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００５５】
図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー４１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する５個のホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１２とが設けられている。この熱処理タワー４１には、下から順にクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１２、ホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１が積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー４２には、６個の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２とクールプレートＣＰ１３とが積層配置されている。各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２は、上述した加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６と同様に、基板仮置部およびローカル搬送機構を備えた熱処理ユニットである。但し、各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２の基板仮置部はインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４の側には開口しているが、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３の側には閉塞している。つまり、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に対してはインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４はアクセス可能であるが、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３はアクセス不可である。なお、熱処理タワー４１に組み込まれた熱処理ユニットに対しては現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３がアクセスする。
【００５６】
また、熱処理タワー４２には、現像処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４からインターフェイスブロック５へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗをインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、インターフェイスブロック５から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。なお、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３およびインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４の両側に対して開口している。
【００５７】
次に、インターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、現像処理ブロック４に隣接して設けられ、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置に対して基板Ｗの受け渡しを行うブロックである。本実施形態のインターフェイスブロック５には、露光装置との間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構５５の他に、フォトレジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光部ＥＥＷと、現像処理ブロック４内に配設された加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２、クールプレートＣＰ１３およびエッジ露光部ＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする搬送ロボットＴＲ４とを備えている。
【００５８】
エッジ露光部ＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック５６や、このスピンチャック５６に保持された基板Ｗの周縁に光を照射して露光する光照射器５７などを備えている。２つのエッジ露光部ＥＥＷは、インターフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理タワー４２とに隣接して配置されている搬送ロボットＴＲ４は上述した搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ３と同様の構成を備えている。
【００５９】
また、図２に示すように、２つのエッジ露光部ＥＥＷの下側には基板戻し用のリターンバッファＲＢＦが設けられ、さらにその下側には２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に積層して設けられている。リターンバッファＲＢＦは、何らかの障害によって現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２で露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このリターンバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。また、上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は搬送ロボットＴＲ４から搬送機構５５に基板Ｗを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は搬送機構５５から搬送ロボットＴＲ４に基板Ｗを渡すために使用するものである。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては搬送ロボットＴＲ４がアクセスを行う。
【００６０】
搬送機構５５は、図２に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台５５ａを備え、この可動台５５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム５５ｂを搭載している。保持アーム５５ｂは、可動台５５ａに対して昇降移動、旋回動作および旋回半径方向への進退移動が可能に構成されている。このような構成によって、搬送機構５５は、露光装置との間で基板Ｗの受け渡しを行うとともに、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、基板送り用のセンドバッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納および取り出しを行う。センドバッファＳＢＦは、露光装置が基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。
【００６１】
以上のインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５には常に清浄空気がダウンフローとして供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれ、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入などを防いでいる。
【００６２】
また、上述したインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５は、本実施形態の基板処理装置を機構的に分割した単位である。各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている。
【００６３】
一方、本実施形態では、基板搬送に係る搬送制御単位を機械的に分割したブロックとは別に構成している。本明細書では、このような基板搬送に係る搬送制御単位を「セル」と称する。１つのセルは、基板に所定の処理を行う複数の処理部とそれら複数の処理部に対して基板搬送を行う搬送ロボットとを含んで構成されている。そして、上述した各基板載置部が、セル内に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部またはセルから基板Ｗを払い出すための出口基板載置部として機能する。そして、セル間の基板Ｗの受け渡しも基板載置部を介して行われる。なお、本明細書では熱処理ユニットや塗布・現像処理ユニットの他に単に基板Ｗを載置するだけの基板載置部等も搬送対象部という意味において「処理部」に含め、また、基板移載機構１２や搬送機構５５も搬送ロボットに含める。
【００６４】
本実施形態の基板処理装置には、インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセルの６つのセルが含まれている。インデクサセルは、載置台１１と基板移載機構１２とを含み、結果的に機械的に分割した単位であるインデクサブロック１と同じ構成となっている。また、バークセルは、下地塗布処理部ＢＲＣと２つの熱処理タワー２１，２１と搬送ロボットＴＲ１とを含む。このバークセルも、結果として機械的に分割した単位であるバークブロック２と同じ構成になっている。さらに、レジスト塗布セルは、レジスト塗布処理部ＳＣと２つの熱処理タワー３１，３１と搬送ロボットＴＲ２とを含む。このレジスト塗布セルも、結果として機械的に分割した単位であるレジスト塗布ブロック３と同じ構成になっている。
【００６５】
一方、現像処理セルは、現像処理部ＳＤと熱処理タワー４１と搬送ロボットＴＲ３とを含む。上述したように、搬送ロボットＴＲ３は熱処理タワー４２の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に対してアクセスすることができず、現像処理セルに熱処理タワー４２は含まれない。この点において、現像処理セルは機械的に分割した単位である現像処理ブロック４と異なる。
【００６６】
また、露光後ベークセルは、現像処理ブロック４に位置する熱処理タワー４２と、インターフェイスブロック５に位置するエッジ露光部ＥＥＷと搬送ロボットＴＲ４とを含む。すなわち、露光後ベークセルは、機械的に分割した単位である現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とにまたがるものである。このように露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２と搬送ロボットＴＲ４とを含んで１つのセルを構成しているので、露光後の基板Ｗを速やかに加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に搬入して熱処理を行うことができる。このような構成は、パターンの露光を行った後なるべく速やかに加熱処理を行う必要のある化学増幅型レジストを使用した場合に好適である。
【００６７】
なお、熱処理タワー４２に含まれる基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３と露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。
【００６８】
インターフェイスセルは、外部装置である露光装置に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構５５を含んで構成されている。このインターフェイスセルは、搬送ロボットＴＲ４やエッジ露光部ＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した単位であるインターフェイスブロック５とは異なる構成となっている。なお、エッジ露光部ＥＥＷの下方に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４とインターフェイスセルの搬送機構５５との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。
【００６９】
次に、本実施形態の基板処理装置の制御機構について説明する。図６は、制御機構の概略を示すブロック図である。同図に示すように、本実施形態の基板処理装置は、メインコントローラ、セルコントローラ、ユニットコントローラの３階層からなる制御階層を備えている。メインコントローラ、セルコントローラ、ユニットコントローラのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。
【００７０】
第１階層のメインコントローラＭＣは、基板処理装置全体に１つ設けられており、装置全体の管理、メインパネル（図示省略）の管理およびセルコントローラの管理を主に担当する。第２階層のセルコントローラＣＣは、６つのセル（インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセル）のそれぞれに対して個別に設けられている。各セルコントローラＣＣは、対応するセル内の基板搬送管理およびユニット管理を主に担当する。具体的には、各セルのセルコントローラＣＣは、所定の基板載置部に基板Ｗを置いたという情報を、隣のセルのセルコントローラＣＣに送り、その基板Ｗを受け取ったセルのセルコントローラＣＣは、当該基板載置部から基板Ｗを受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラＣＣに返すという情報の送受信を行う。このような情報の送受信はメインコントローラＭＣを介して行われる。そして、各セルコントローラＣＣはセル内に基板Ｗが搬入された旨の情報を搬送ロボットコントローラＴＣに与え、該搬送ロボットコントローラＴＣが搬送ロボットを制御してセル内で基板Ｗを所定の手順（フローレシピ）に従って搬送させる。なお、搬送ロボットコントローラＴＣは、セルコントローラＣＣ上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される制御部である。
【００７１】
また、第３階層のユニットコントローラとしては、例えばスピンコントローラやベークコントローラが設けられている。スピンコントローラは、セルコントローラＣＣの指示に従ってセル内に配置されたスピンユニット（塗布処理ユニットおよび現像処理ユニット）を直接制御するものである。具体的には、基板Ｗの回転数や処理液の吐出タイミング等を制御する。また、ベークコントローラは、セルコントローラＣＣの指示に従ってセル内に配置された熱処理ユニット（ホットプレート、クールプレート、加熱部等）を直接制御するものである。具体的には、プレート温度等を制御する。
【００７２】
このように本実施形態では、３階層の制御階層とすることによって各コントローラの制御負荷を軽減している。また、各セルコントローラＣＣは、隣接するセル内での搬送スケジュールを考慮することなく、それぞれのセル内だけの基板搬送スケジュールを管理しているため、各セルコントローラＣＣの搬送制御の負担が軽くなる。その結果、基板処理装置のスループットを向上させることができるのである。
【００７３】
なお、各搬送ロボットコントローラＴＣに対しては各ブロックの外壁面に設けられたコネクタを介して接続された入力パネルＩＰから種々のコマンドやデータを入力することができる。例えば、入力パネルＩＰから搬送ロボットにオートティーチングの開始を指示することができるのであるが、これについては後述する。
【００７４】
次に、本実施形態の基板処理装置の動作について説明する。ここでは、まず、基板処理装置における基板Ｗの搬送手順について簡単に説明する。まず、インデクサセル（インデクサブロック１）の基板移載機構１２が所定のキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出し、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークセルの搬送ロボットＴＲ１が保持アーム６ａ，６ｂのうちの一方を使用してその基板Ｗを受け取る。そして、搬送ロボットＴＲ１は受け取った未処理の基板Ｗを密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３のいずれかに搬送する。密着強化処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送され、反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。
【００７５】
塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬送される。ホットプレートにて基板Ｗが加熱されることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上に下地の反射防止膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートから取り出された基板Ｗは再びクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。なお、このときにクールプレートＷＣＰによって基板Ｗを冷却するようにしても良い。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。
【００７６】
反射防止膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、レジスト塗布セルの搬送ロボットＴＲ２がその基板Ｗを受け取って塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３では、基板Ｗにフォトレジストが回転塗布される。なお、レジスト塗布処理には精密な基板温調が要求されるため、基板Ｗを塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３に搬送する直前にクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送するようにしても良い。
【００７７】
レジスト塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のいずれかに搬送される。加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６にて基板Ｗが加熱処理されることにより、フォトレジスト中の溶媒成分が除去されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ２によって加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６から取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【００７８】
レジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４によって受け取られ、エッジ露光部ＥＥＷに搬入される。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって基板載置部ＰＡＳＳ９に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗはインターフェイスセルの搬送機構５５によって受け取られ、装置外の露光装置に搬入され、パターン露光処理に供される。
【００７９】
パターン露光処理が終了した基板Ｗは再びインターフェイスセルに戻され、搬送機構５５によって基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される。露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されると、露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４がその基板Ｗを受け取って加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに搬送する。加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２では、露光時の光化学反応によって生じた生成物をレジスト膜内に均一に拡散させるための加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。露光後加熱処理が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって取り出され、クールプレートＣＰ１３に搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【００８０】
基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗが載置されると、現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取って現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５のいずれかに搬送する。現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５では、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる。やがて現像処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によってホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１のいずれかに搬送され、さらにその後クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１２のいずれかに搬送される。
【００８１】
その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト塗布セルの搬送ロボットＴＲ２によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、バークセルの搬送ロボットＴＲ１によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された処理済みの基板Ｗはインデクサセルの基板移載機構１２によって所定のキャリアＣに収納される。このようにして一連の処理が完了する。
【００８２】
以上のように、本実施形態の基板処理装置においては、各搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ４が熱処理ユニットや塗布・現像処理ユニットおよび基板載置部等に基板Ｗを受け渡しすることによって一連の処理が進行する。例えば、バークセルの搬送ロボットＴＲ１は、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４、塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６および密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３の各基板受渡対象部に対して基板Ｗの受け渡しを行う。そして、この搬送ロボットＴＲ１の保持アーム６ａ，６ｂを基板受渡対象部の正確な搬送位置にアクセスさせるために、装置のメンテナンス時等にオートティーチング（搬送教示）を実行している。以下、このオートティーチング処理について説明する。なお、ここではバークセルの搬送ロボットＴＲ１のオートティーチング処理について説明するが、他のセルの搬送ロボットについても同様である。
【００８３】
オートティーチング処理は、入力パネルＩＰから搬送ロボットコントローラＴＣに対してコマンドを入力することによって実行される。なお、オートティーチング処理時には、予め搬送ロボットＴＲ１の保持アーム６ａ，６ｂが光センサ等の取り付けられたティーチング用のアームに差し替えられている。
【００８４】
図７は、オートティーチング処理時の入力パネルＩＰの表示画面である。同図に示すように、入力パネルＩＰにはバークセルの搬送ロボットＴＲ１がアクセス可能な各基板受渡対象部がボタン表示されている。さらに、入力パネルＩＰには「一括選択」ボタンと「開始」ボタンも表示されている。オペレータがオートティーチングを行う基板受渡対象部のボタンを選択した後、開始ボタンを押下すると、その選択された基板受渡対象部におけるオートティーチング処理が実行される。また、オペレータが一括選択ボタンを押下した後、開始ボタンを押下すると、搬送ロボットＴＲ１がアクセス可能な全基板受渡対象部（基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４、塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６および密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３）に対するオートティーチング処理が実行される。ここでは、オペレータが一括選択ボタンを押下した後、開始ボタンを押下して全基板受渡対象部に対するオートティーチング処理を実行する場合について説明する。
【００８５】
図８は、全基板受渡対象部に対するオートティーチング処理を実行するときの処理手順を示すフローチャートである。まず、上述の通り、搬送ロボットＴＲ１がアクセス可能な全基板受渡対象部に対するオートティーチング処理の開始が入力される（ステップＳ１）。オートティーチング処理の開始が入力されると、搬送ロボットコントローラＴＣが各基板受渡対象部についてオートティーチング処理の実行が可能か否かを判断する。すなわち、基板Ｗを加熱するベークユニット（ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６、密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３）の場合、通常ユニット内部が高温になっており、そのままティーチング用アームを挿入すると光センサ等の熱損傷が生じるため、オートティーチング処理実行不可と判断される。一方、ベークユニット以外の基板受渡対象部については常温であるため、通常直ちにオートティーチング処理実行可能と判断される。但し、ベークユニット以外の基板受渡対象部であっても、例えば他のオペレータが調整作業を行っているような場合は当該基板受渡対象部もオートティーチング処理実行不可と判断される。
【００８６】
次に、ベークユニット以外の基板受渡対象部については、ティーチング処理の準備が整った基板受渡対象部から順にオートティーチング処理が実行される（ステップＳ２）。例えば、基板載置部ＰＡＳＳ１についてオートティーチング処理実行可能と判断されているときには、搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ１にアームをアクセスさせ、基板載置部ＰＡＳＳ１に設けられた被検出物を光センサに検出させ、その検出結果に基づいてアームの水平位置、高さ位置およびロボットの回転角度を搬送ロボットコントローラＴＣが自動調整する。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１以外の基板受渡対象部においてもオートティーチング処理内容自体は同じである。
【００８７】
一方、ベークユニット以外の基板受渡対象部について、オートティーチング処理実行不可と判断された場合は、その基板受渡対象部のオートティーチング受け入れ準備が整い次第オートティーチング処理が実行される。例えば、塗布処理ユニットＢＲＣ１においてオペレータがノズルのメンテナンスを行っていたような場合は、オートティーチング処理実行不可と判断されるが、そのメンテナンス作業が終了した時点でオートティーチング処理実行可能と判断され、搬送ロボットＴＲ１が塗布処理ユニットＢＲＣ１にアームをアクセスさせてオートティーチング処理が実行される。
【００８８】
このようにしてベークユニット以外の基板受渡対象部におけるオートティーチング処理を行うのと並行して、ベークユニットについてはオートティーチング処理が可能な温度にまで降温させる（ステップＳ３）。具体的には、セルコントローラＣＣの指示に従ってベークコントローラが各ベークユニットの温度を降温させる。例えば、定常状態のバークセルではホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６の温度が２００℃程度であり、密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３の温度が１３０℃程度であるが、これをオートティーチング処理が可能な５０℃以下にまで降温させる。このとき、自然放冷によって降温させるようにしても良いし、冷却機能付きベークユニットの場合はその冷却機構（例えば、水冷機構）を使用して強制的に急速に降温させるようにしても良い。
【００８９】
ベークユニットの温度が所定温度以下、例えば５０℃以下にまで降温したら搬送ロボットＴＲ１がそのベークユニットにアームをアクセスさせてオートティーチング処理を実行する（ステップＳ４）。このときに、所定温度以下にまで降温したベークユニットに対するオートティーチング処理とベークユニット以外の基板受渡対象部に対するオートティーチング処理との処理順序は任意である。
【００９０】
その後、オートティーチング処理が終了したベークユニットについては、オートティーチング処理前の元の温度にまで昇温させる（ステップＳ５）。具体的には、ベークコントローラに各ベークユニットについての降温前の温度を記憶させておき、オートティーチング処理終了後セルコントローラＣＣの指示に従ってベークコントローラがその元の温度にまで昇温させるのである。このようにして全ての基板受渡対象部に対するオートティーチング処理が完了する。
【００９１】
以上の内容を集約すると、本実施形態の基板処理装置では、オートティーチング処理の開始が入力された時点でオートティーチング可能な基板受渡対象部から順に搬送ロボットＴＲ１がアクセスしてオートティーチング処理が実行されるのである。通常は、ベークユニット以外の基板受渡対象部から順にオートティーチング処理が実行され、その間にベークユニットについてはオートティーチング処理を行うことが可能な所定温度以下にまで降温される。そして、所定温度以下にまで降温されたベークユニットのオートティーチング処理も実行され、それが終了した後に、降温したベークユニットの温度を降温前の元の温度に戻しているのである。
【００９２】
従って、オートティーチング処理を行う際に処理開始を入力するだけで、光センサ等に熱的ダメージを与える高温のベークユニットについては自動的に降温されるため、手動でベークユニットの温度を降温させる必要がなくなり、オートティーチング処理の操作性が向上する。
【００９３】
また、オートティーチング可能な常温の基板受渡対象部から順にオートティーチング処理が実行され、その間にベークユニットの降温が行われるため、オートティーチング処理の操作性が向上するとともに、効率良くオートティーチング処理が行われることとなり、それに要する時間が従来より短縮される。
【００９４】
さらに、降温したベークユニットについてはオートティーチング処理が終了した後に自動的に元の温度にまで昇温されるため、オートティーチング処理の操作性がより向上する。
【００９５】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、一括選択ボタンを押下した後、開始ボタンを押下して全基板受渡対象部に対するオートティーチング処理を実行するようにしていたが、個別の基板受渡対象部の表示ボタンを選択し、一部の基板受渡対象部のみに対するオートティーチング処理を実行するようにしても良い。このような場合であっても、処理開始が入力された時点で当該基板受渡対象部におけるオートティーチング処理が可能な場合は直ちに搬送ロボットによるオートティーチング処理を実行し、不可能な場合は当該基板受渡対象部におけるオートティーチング処理が可能となるまで搬送ロボットによるオートティーチング処理を停止させる。そして、当該基板受渡対象部がベークユニットである場合には、オートティーチング処理を行うことが可能な所定温度以下にまで降温させた後、オートティーチング処理を実行する。さらに、オートティーチング処理が終了した後、当該ベークユニットの温度を降温前の元の温度に戻すようにする。このようにすれば、オートティーチング処理を行う際に処理開始を入力するだけで、基板受渡対象部がベークユニット以外である場合には直ちにオートティーチング処理が実行され、ベークユニットである場合には自動的に降温されるため、オートティーチング処理の操作性が向上する。
【００９６】
また、本発明に係る基板処理装置の構成は図１から図４に示したような形態に限定されるものではなく、基板Ｗに所定の処理を行う処理部に対して搬送ロボットによって基板Ｗを搬送するような形態であれば種々の変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本実施形態の基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の液処理部の正面図である。
【図３】図１の基板処理装置の熱処理部の正面図である。
【図４】図１の基板処理装置の基板載置部の周辺構成を示す図である。
【図５】図１の基板処理装置の搬送ロボットを説明するための図である。
【図６】図１の基板処理装置の制御機構の概略を示すブロック図である。
【図７】オートティーチング処理時の入力パネルの表示画面である。
【図８】全基板受渡対象部に対するオートティーチング処理を実行するときの処理手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００９８】
１  インデクサブロック
２  バークブロック
３  レジスト塗布ブロック
４  現像処理ブロック
５  インターフェイスブロック
１２  基板移載機構
２１，３１，４１，４２  熱処理タワー
５５  搬送機構
ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３  密着強化処理部
ＢＲＣ１〜ＢＲＣ３，ＳＣ１〜ＳＣ３  塗布処理ユニット
Ｃ  キャリア
ＣＣ  セルコントローラ
ＣＰ１〜ＣＰ１３  クールプレート
ＨＰ１〜ＨＰ１１  ホットプレート
ＩＰ  入力パネル
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０  基板載置部
ＰＨＰ１〜ＰＨＰ１２  加熱部
ＳＤ１〜ＳＤ５  現像処理ユニット
ＴＣ  搬送ロボットコントローラ
ＴＲ１〜ＴＲ４  搬送ロボット
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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