(57)【要約】      （修正有）【課題】ビーム露光装置のパターン規定デバイスまたはアパーチャアレイからなるパターン規定デバイスを備えた粒体光学システムで証明ビームを改良する。【解決手段】露光装置に使用するためのパターン規定デバイス（１０２）において、帯電粒子のビームが複数の装置を介してパターン化される。デバイスがビームレットを取り巻く複数の開口部を有する少なくとも一つの偏向手段からなり、各開口部が異なる静電電位を印加可能である少なくとも二つの偏向電極を備え、デバイス（１０２）を通る所望のパスに基づくそれぞれの開口部を通過するビームレットのパスが修正される。複数のアパーチャを一連のサブフィールド（Ａｉｊ）に仕切ることにより、同じサブフィールド（Ａｉｊ）に属する偏向電極が共通の電源を有する。従って、偏向電極の静電電位が一定、すなわち、それぞれのサブフィールドの基準点（Ｐｉｊ）における基準電位間で直線的に補間される。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子ビーム露光装置（１００）に使用するためにパターンを規定するデバイス（１０２）において、帯電粒子のビーム（ｌｂ）によって照射されるように適用されるとともに複数のアパーチャを通過するビーム（ｐｂ）通過のみを許容する前記デバイスが、
前記アパーチャを透過するビームレット（ｂｍ）の形状を規定する複数のアパーチャ（２１，２３０）を有するアパーチャ・アレイ手段（２０３）と、
アパーチャ・アレイ手段から分離した少なくとも一つの偏光アレイ手段（５０１，５０２，５０３）において、ビームレット（ｂｍ）の周りを取り巻く複数の開口部（２５０）を有する前記偏光アレイ手段（５０１，５０２，５０３）とを備え、各開口部または一連の開口部が少なくとも二つの偏光電極（ｅａ１，ｅａ２；ｅｂ１，ｅｂ２）を含み、これらの電極には異なる静電電位を印加することができ、これによってデバイス（１０２）を通過する所望のパスに基づくそれぞれの開口部を通る一つまたは複数のビームレットの経路が修正され、
複数のアパーチャ（２１，２３０）の一連のサブフィールド（Ａｉｊ）への仕切りに基づいて、偏光電極が共通電源を有する同じサブフィールド（Ａｉｊ）に属していることを特徴とするパターン規定デバイス。
【請求項２】
同じサブフィールド（Ａｉｊ）に属している偏光電極の静電電位が、それぞれのサブフィールドの基準点（Ｐｉｊ）で供給された基準電位間に挿入されている請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
同じサブフィールド（Ａｉｊ）に属している対応する偏光電極が、二つの電位に接続されており、この接続が電極間の事前規定抵抗値を伴う導電体のアレイとして実現される請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
同じサブフィールド（Ａｉｊ）に属している偏光電極の静電電位が、それぞれのサブフィールドの基準点（Ｐｉｊ）で供給された基準電位間に等しい請求項１から３に記載のデバイス。
【請求項５】
偏光アレイ手段の各開口部（２５０）が、少なくとも一対の偏光電極（ｅａ１，ｅａ２；ｅｂ１，ｅｂ２）を備えている請求項１から４に記載のデバイス。
【請求項６】
電極対が複数のビームレットに各々対応するそれぞれの開口部に沿って、また直線に沿って一直線をなすように配置されている請求項１から５に記載のデバイス。
【請求項７】
偏光アレイ手段が少なくとも一つのプレート（５０ａ，５０ｂ）からなり、対応する偏光電極が同じプレート上に形成されている請求項１から６に記載のデバイス。
【請求項８】
偏光アレイ手段（５０１，５０２，５０３）が、二つのプレート（５０ａ，５０ｂ）からなり、各プレートが同じ複数の開口部（２５０）を有しており、各プレートの開口部が一対の偏向電極を備えており、第１プレートの電極（ｅａ１，ｅａ２）の方向が第２プレートの電極（ｅｂ１，ｅｂ２）の方向に対してある角度をなしている請求項１から請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
偏向電極がアパーチャ間の最も近い距離または二番目に近い距離に続く線に配置されている請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
電極の方向間の角度が９０°異なる請求項８または９に記載のデバイス。
【請求項１１】
開口部が光軸の周りの円に沿って配置された対をなす電極を備えている請求項１から１０に記載のデバイス（図１５）。
【請求項１２】
同じサブフィールド（Ａｉｊ）に属している対応する偏光電極が、二つの電位に接続されており、この接続が電極間の事前規定抵抗値を伴う導電体のアレイとして実現される請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
電極が、各々複数のビームレットに対応している開口部に沿って配置されている請求項１から１２のいずれか一つに記載のデバイス（図８）。
【請求項１４】
偏向アレイ手段（５０１）がアパーチャ（ｂｍ）を通過するビームレットの角度を調整して所望のホモセントリック点またはテレセントリック点から到来するビームの偏向を修正することからなる請求項１から１３のいずれか一つに記載のデバイス。
【請求項１５】
対応する複数の開口部を有している数個のプレート（２２）からなり、前記偏向アレイ手段（５０１）が、該デバイスの第１プレートの直後に位置付けされている請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
アパーチャ（ｂｍ）を通過するビームレットの角度を調整して粒子ビーム露光装置（１００）の前記デバイス後方の投射光学系内に形成されたクロスオーバーの収差を最小にするように適用された偏向アレイ手段（５０２）からなる請求項１から１５のいずれか一つに記載のデバイス。
【請求項１７】
前記偏向アレイ手段（５０２）が、アパーチャ・アレイ手段の直前に配備されている請求項１６に記載のデバイス。
【請求項１８】
アパーチャ・アレイ手段のアパーチャ（２３０）によって規定されたような物体とは異なる視覚物体（２０３’）を生成するように適用された偏向アレイ手段（５０３）からなる請求項１から１７のいずれか一つに記載のデバイス。
【請求項１９】
アパーチャ（ｂｍ）を通過するビームレットの角度を調整して粒子ビーム露光装置（１００）の前記デバイス後方の投射光学系内に形成されたクロスオーバーの収差を最小にするように適用された第一偏向アレイ手段（５０２）と、
アパーチャ・アレイ手段のアパーチャ（２３０）によって規定されたような物体とは異なる視覚物体（２０３’）を生成するように適用された第二偏向アレイ手段（５０３）とを備え、
前記第一および第二偏向アレイ手段（５０２，５０３）が、視覚物体（２３０’）の位置と互いに独立してビームレットの角度を調整する請求項１から１７のいずれか一つに記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン規定デバイスおよびこのパターン規定手段を使用する露光装置に関する。このパターン規定デバイスは、エネルギー的に帯電された粒子のビームによって基板の表面上にパターンを形成するためのマスクレス粒子ビーム露光装置に使用される。より詳しく説明すると、パターン規定デバイスは、粒子ビーム露光装置内でパターンを規定するための手段であり、デバイスは帯電粒子のビームで照射され、複数のアパーチャを通るビームの通過を許容するように適用されている。デバイスは前記アパーチャを透過するビームレットの形状を規定する複数のアパーチャを有するアパーチャ・アレイ手段と、アパーチャ・アレイ手段から分離する少なくとも一つの偏光アレイ手段からなり、前記偏光アレイ手段がビームレットを取り巻く複数の開口部を有しており、異なる静電電位が適用できる少なくとも二つの偏光電極が各開口部に設けられ、これによってデバイスを通る所望のパスに基づいてそれぞれの開口部を通る一つまたは複数のビームレットのパスを修正する。
【０００２】
換言すれば、粒子ビームは照明システムによって発生され、またアパーチャ・アレイを有するパターン規定（ＰＤ）手段を照明する。アパーチャ・アレイを透過するビームが、アパーチャの空間構成によって表わされたパターン情報を保有するパターン化粒子ビームを形成する。次に、パターン化ビームは、粒子―光学投射システムによって、アパーチャの映像が形成される基板上に投射される。
【０００３】
このような露光装置の一つの重要なアプリケーションは、リトグラフ装置として半導体技術に使用される粒子ビーム・リトグラフの分野にある。シリコン・ウエハ上に規定されるべき回路層のような基板面上に所望のパターンを規定するために、ウエハは放射感知フォトレジストの層で覆われる。次に、所望構造がリトグラフ装置によってフォトレジスト上に作像される。従って、フォトレジストは前回露光ステップによって規定されたパターンに基づいて部分的に除去され、今回エッチングのようなさらなる構造構築プロセスのためにマスクとして使用される。この工程を反復することによって、集積回路のような複雑な微細構造を形成することができる。
【０００４】
アライ他による米国特許第５，３６９，２８２号が、パターン規定手段の役割を果たすいわゆるブランキング・アパーチャ・アレイ（ＢＡＡ）を使用する電子ビーム露光システムを開示している。このＢＡＡは多数のアパーチャ列を備え、またアパーチャの画像がアパーチャ列と直交する方向に被制御連続移動にある基板の表面上を走査される。アパーチャ列は交錯するようにして相関関係で配置され、これによってアパーチャが走査方向に沿って見たときにずれた線を形成している。従って、ずれた線が基板に関して移動するにつれて両者間にギャップを残さずに基板面上で連続線をスイープし、これによって基板上で露光されるべき総面積がカバーされる。米国特許第５，３６９，２８２号において、全ての第二列目のアパーチャが整列し、列内の隣り合うアパーチャ間のピッチがアパーチャの幅の二倍であり、概して列の配列が任意数ｎを基準にして可能であり、従ってピッチがアパーチャの幅のｎ倍である。Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１５（１９９７）ｐｐ．２３８２−２３８６にあるＩ．Ｌ．Bｅｒｒｙ他の記事は、ＰＤデバイスを開示しており、このデバイスは５μｍのサイド長さを有する３０００×３０００アパーチャのアレイと、ｎ＝４の列配列とずれた線を伴う「プログラム可能アパーチャ・アレイ」からなる。アパーチャ・アレイは、付加的な論理回路を含んでおり、従って電子マスク走査システムを備え、そのパターン情報が列内で一つのアパーチャから隣のアパーチャにシフトレジスタによって送られる。上述の記事は、ＢＡＡのアパーチャを基板上に作像するための２００×縮小イオンー光学システムを使用することを提案している。
【０００５】
出願人によるＧＢ０３００６９３．９（＝ＵＳ６，７６８，１２５＝ＪＰ２００３−４５１５）において、ＰＤデバイスが開示されており、このデバイスはアパーチャ・アレイ手段と上述したタイプのブランキング手段で構成され、例えばケーシング内に規定距離で互いに取り付けられた分離板として実行される。このブランキング手段は、複数の開口部を有しており、各開口部はアパーチャ・アレイ手段のそれぞれのアパーチャに対応するとともに、開口部を介して前記露光装置内の吸収面に放射される粒子を偏向するように制御可能な偏向手段を備えている。
【０００６】
上記ＰＤレイアウトにより、照明ビームが実際に正確にテレセントリック（または事情に応じて、ホモセントリック）ではなく、残存収差を有しているという一般的な問題が生じる。これはレンズの回避できない高いオーダーおよび（または）レンズ要素にある個々の欠陥のためである。ビームレットのローカル・ディレクションがＰＤデバイスのプレート要素内の連続する開口部の配列と一直線をなさないので、ビームレットの経路がブロックされる状況が発生することになる。プレート要素の不整列が存在すれば、同様の効果が生じる。グローブス他による米国特許第５，９８１，９６２号がマルチ・ビーム直接書込電子ビーム・システムを開示しており、このシステムは同じ磁界および均一横断電界によって偏向された一連の分割、かつ、独立修正ビームを備えている。それぞれのビーム位置および非点収差のために、総計二対の微細偏向ダイポールが各ビームの周りに配備されている。各ダイポールは二つの対向平板電極であり、各対のダイポールは互いに９０度の角度で配置されている。一対の全てのダイポールは、ビーム位置に対応する開口部を備えたプレート上に設けられており、プレートはマルチ・ビーム・システム全体を横切って延長している。ダイポールを伴うプレートは、マイクロリトグラフ技術によって形成される。本願の図３および４によれば、各微細偏向電極は電極としての同じプレート上に配備された導電体によって電源にそれぞれ接続され、また各微細偏向電極にはそれ自体の個々の電位が印加されている。この種の構成は、アパーチャ間の限定されたスペースのために、また各微細偏向ユニットの個々の制御が困難である多数のアパーチャのために、上述した形式のＰＤデバイスにおいては不可能である。
【特許文献１】米国特許第５，３６９，２８２号
【特許文献２】ＧＢ０３００６９３．９（＝ＵＳ６，７６８，１２５＝ＪＰ２００３−４５１５）
【特許文献３】米国特許第５，９８１，９６２号
【特許文献４】米国特許第４，９６７，０８８号
【特許文献５】米国特許第４，９８５，６３４号（＝ＥＰ０３４４６４６）
【非特許文献１】Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１５（１９９７）ｐｐ．２３８２−２３８６にあるＩ．Ｌ．Bｅｒｒｙ他の記事
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、上述した種類のＰＤデバイス、例えばＧＢ０３００６９３．９のＰＤまたはアパーチャ・アレイからなるＰＤを備えた他の粒体光学システムを、互いに要素を整列させることに関して（既述したように）、さらにＰＤデバイスを介してその経路の後方でビームを処理する投射システムだけでなく到来する照明ビームに関しても改良することである。
【０００８】
この目的は、ＰＤデバイスによって解決され、その偏向アレイ手段において、各開口部または一連の開口部が少なくとも二つの偏光電極を含み、これらの電極には異なる静電電位を印加することができ、一つまたは複数のビームレットの経路が修正され、複数あるアパーチャの一連のサブフィールドへの仕切りに基づいて、偏光電極が共通電源を有する同じサブフィールドに属している。
【０００９】
この解決策は、粒体―光学露光装置、特にＰＤデバイスの場所に存在する個々の収差を修正するための簡略化方法を提供する。本発明は導入されるべき修正が小さい（そのパスに沿ってビームの他の偏向と比較して）だけでなく、ビームの断面をゆっくり横切って変化する主たる発見に基づいている。実際に、グループ内の修正の処理は、残留光学収差および（または）要素のミスアライメントの満足できる補正を得るのに十分であろう。
【００１０】
本発明の有利な改良において、設けなければならない供給線の数を少なくするために同じサブフィールドに属する偏向電極の静電電位がそれぞれのサブフィールドの基準点に印加される基準電位間に挿入される。これは同じサブフィールドに属する対応偏向電極を二つの電位に接続する事によって達成でき、この接続は電極間に事前決定抵抗値を有する導電体のアレイとして実行でき、さらに費用的に有効な方法で直線的挿入によって実行できる。さらに、同じサブフィールドに属する偏向電極の静電電位が、それぞれのサブフィールドの基準点に印加される基準電位に等しくなる。
【００１１】
近接するビームの小さい交錯インターフェアレンスを伴うビームの明確な偏向品質を得るために、偏向アレイ手段の各開口部は偏向電極の少なくとも一つの対に設けられている。
【００１２】
減数された個々の電極を伴う本発明の別の変形例において、電極対は複数のビームレットに各々対応し、直線に沿って整列するそれぞれの開口部に沿って配置されている。
【００１３】
有利なことに、偏向アレイ手段は少なくとも一つのプレートからなり、その対応する偏向電極が同じプレート上に形成されている。両横方向（すなわち、ＸおよびＹまたは放射方向および接線方向）に沿って偏向を許容するために本発明の進歩した観点において、偏向アレイ手段が二つのプレートからなり、各々同じ複数の開口部を有しており、各プレートにおいて開口部が対をなす偏向電極を備え、また第一プレートの電極の方向が第二電極の方向とある角度をなしている。この観点の有利な変形例において、偏向電極はアパーチャ間で最も近い距離で、または二番目に近い距離に続く線に配置されている。電極にある二つの方向間の説明した角度は、等しいかまたは９０°異なる。
【００１４】
ビームの修正のための優れた制御を得るために、角度が、ビームを横切る半径方向依存性に（主として）従うことに欠点がある。開口部は光軸の周りの円に沿って配置された対をなす電極を備えている。
【００１５】
サブフィールド内で挿入を実現する別の可能性は、ことによると非線形が、電極間に事前決定抵抗値を伴う導電体アレイを使用して同じサブフィールドに属する対応偏向電極を二つの電位に接続する。
【００１６】
偏向アレイ手段の簡略化レイアウトが、アパーチャによって生成された一つを超えるビームレットの通過を許容する拡大開口部を使用している。この場合において、電極は複数のビームレットに各々対応する開口部に沿って配置されている。
【００１７】
本発明のさらなる観点において、偏向アレイ手段はアパーチャを通るビームレットの角度を調整して所望のホモセントリック点またはテレセントリック点から到来するビームのずれを修正するよう適用されることで実現できる。この種のＰＤデバイスは、対応する複数の開口部を有する数個のプレートから構成できる。説明した偏向アレイ手段はデバイスの第一プレートの直後に配置される。
【００１８】
本発明の別の観点において、偏向アレイ手段はアパーチャを通過するビームレットの角度を調整して粒子―ビーム露光装置にある前記デバイスの後方で投射光学系内に形成されたクロスオーバーの収差を最小にするように適用されている。この種のＰＤデバイスにおいて、この偏向アレイ手段はアパーチャ・アレイ手段の直前に配置される。
【００１９】
本発明のさらに別の観点において、偏向アレイ手段はアパーチャ・アレイ手段のアパーチャによって規定されたようなオブジェクトとは異なる仮想オブジェクトを生成するように適用されることによって実現できる。
【００２０】
もちろん、これらの観点は互いに組み合わせることもできる。詳しく説明すると、有利な組み合わせは二つの偏向アレイ手段からなるＰＤデバイスとなる。この変形例において、第一偏向アレイ手段がアパーチャを通過るビームレットの角度を調整して粒子―ビーム露光装置にある前記デバイスの後方で投射光学系内に形成されたクロスオーバーの収差を最小にするように適用され、また第二偏向アレイ手段がアパーチャ・アレイ手段のアパーチャによって規定されたようなオブジェクトとは異なる仮想オブジェクトを生成するように適用され；付加的に二つの偏向アレイ手段が仮想オブジェクトの位置とビームレットの角度を互いに独立して調整することができる。
【００２１】
次に、本発明を図に概略的に示した好ましい実施例を参照してより詳しく説明する。
【００２２】
次に説明する好ましい実施例は、ＧＢ０３００６９３．９に開示されたパターン規定（ＰＤ）システムに基づいている。次の説明において、本発明に適切である限り、ＰＤシステムの技術的背景は図１から５（ＧＢ０３００６９３．９から適切である修正例として採りあげる）を参照してまず説明し、次にＰＤシステムとして本発明の実施例を図６から１５に示す。本発明は次に説明する実施例に限定するものではなく、本発明の可能な実行例の一つを示したまでであることを理解すべきである。
【００２３】
本発明の好ましい実施例を使用するリトグラフ装置の概観を図１に示す。次の説明において、これらの詳細は本発明を開示するのに必要とされるもののみを示しており、明確さの目的で要素は図１においては適切な寸法で示していない。リトグラフ装置１００の主要素は―図１で下方向垂直に走行している本例においてリトグラフ・ビームｌｂ，ｐｂの方向に対応して―照射システム１０１、ＰＤシステム１０２、投射システム１０３および基板４１を伴うターゲット・ステーション１０４である。装置全体１００は、高真空に保持された真空ハウジング１０５内に収容され、装置の光軸ｃｘに沿ったビームｌｂ，ｐｂの非妨害伝播を保証している。粒子―光学システム１０１，１０３は静電レンズまたは電磁レンズを使用して実行される。
【００２４】
照明システムは、例えば電子銃１１、抽出システム１２、およびコンデンサ・レンズシステム１３からなる。しかし、電子の代わりに一般的に他の帯電粒子も同様に使用できる。電子だけでなく、これらは例えば水素イオンまたは重イオンとすることもできる。
【００２５】
抽出システム１２は、粒子を一般的に数ｋｅＶ（ｓｅｖｅｒａｌ  ｋｅＶ）、例えば１０ｋｅＶの規定エネルギーに加速する。コンデンサ・レンズシステム１３によって、ソース（電子銃）１１から放出された粒子は、リトグラフ・ビームｌｂとして作用する幅広い実質上テレセントリック粒子ビームに形成される。次に、リトグラフ・ビームｌｂはその位置（以下、図９および１０以降を参照）を保持するのに必要とされるデバイスとともにＰＤシステム１０２を形成するＰＤデバイス２０を照射する。ＰＤデバイス２０は、複数のアパーチャ２１（図２参照）を照射するリトグラフ・ビームｌｂの経路内の特定位置に保持される。アパーチャのいくつかが、入射ビームに対して透明になるように「スイッチ・オン」または「オープン」され、他のアパーチャはビームに対して「スイッチ・オフ」または「クローズド」、すなわち、非透明（不透明）になる。スイッチ・オン・アパーチャのパターンは、基板上に露呈されるべきパターンに基づいて選択される。これらのアパーチャはビームｌｂに対して透明となるＰＤデバイスの部分のみであり、従ってアパーチャ（図１において、デバイス２０の下）から放出されたパターン化ビームｐｂに形成される。
【００２６】
パターン化ビームｐｂによって表わされたパターンは、電磁―光学投射システム１０３によって基板４１上に投射され、ここでスイッチ・オン・マスク・アパーチャ２１の画像を形成する。投射システム１０３は、二つのクロスオーバーｃ１，ｃ２で例えば、２００×の縮小を実行する。基板４１は、例えばフォトレジスト層で覆われたシリコン・ウェハである。このウェハ４１はターゲット・ステーション１０４のウェハ・ステージ４０によって保持され、位置付けられる。
【００２７】
装置１００はさらにアライメント・システム６０を含んでいる。このシステムはＰＤフィールドｐｆ（図２）の側方で参照符号２６によってＰＤシステム内に形成された基準ビームによる粒子―光学システムに関して基板上にマスク・アパーチャの画像位置（図３、画像フィールドｍｆ）を安定化させる。このアライメント・システムの原理は米国特許第４，９６７，０８８号に開示されている。例えば、画像位置とひずみの修正はマルチポール電極３１５，３２５によって実行することができ、付加的磁気コイル６２が基板平面内でパターンの回転を発生させるのに使用することができる。
【００２８】
図１に示した本発明の実施例において、投射システム１０３は二つの電子―磁気―光学投射ステージ３１，３２からなる。投射ステージ３１，３２を実現するのに使用されるレンズは、図１にはシンボル形状のみで表わし、粒子画像システムの技術的実現は当該技術において周知であり、例えば本出願人による米国特許第４，９８５，６３４号（＝ＥＰ０３４４６４６）がある。第一投射ステージ３１が、デバイス２０のアパーチャーの平面を中間平面ｅ１に作像し、次に第二投射ステージ３２によって基板面上に作像する。両ステージ３１，３２は、クロスオーバーｃ１，ｃ２を介して縮小画像を使用する。両ステージのための縮小係数は総縮小率が数百、例えば２００×となるように選択される。この程度の縮小は、ＰＤデバイス内の最小化の問題を緩和するために、リトグラフのセットアップに特に適している。
【００２９】
両投射ステージにおいて、それぞれのレンズシステムは色収差および幾何学的収差に関してよく補正され、さらに第一ステージ３１の残存色収差は第二ステージ３２の電極電位の適切な微調整によって補正することができる。
【００３０】
画像を全体的に、すなわち、光軸ｃｘに対して垂直をなす方向に沿って移動させる偏向手段３１５，３２５が投射ステージの一方または両方に設けられている。偏向手段は、例えばマルチポール電極システムとして実現することができる。このシステムは図１に示したように第一ステージ偏向手段３１５を伴うクロスオーバー近傍か、または図１の第二ステージ偏向手段３２５を伴う場合にはそれぞれの投射装置の最終レンズ後方いずれかに配置される。この装置において、マルチポール電極はステージ動作に関して画像を移動させるためとアライメント・システムに関して作像システムの修正のための偏向手段として使用される。これらの偏向手段３１５，３２５は、本発明による偏向アレイと混同することはない。なぜなら、前者は全体として粒子ビームを処理するだけだからである。
【００３１】
図２はＰＤデバイス２０内のアパーチャの配置を示す平面図である。複数の方形アパーチャ２１が設けられ、レギュラー・アレイのＰＤフィールドｐｆ内に配置され、アパーチャ２１は近接線ｐｌに沿って整列され、線ｐｌの各々において同数のアパーチャが存在している。線ｐｌと垂直をなす方向に沿って見たときに、アパーチャは一連の列ｒ１，ｒ２，ｒ３を形成し、図示実施例においては、列ｒ１〜ｒ３は隣り合っておらず、間隔が設けられている。アパーチャは歪対象レギュラー・アレンジメントに基づくアパーチャ・フィールドａｆ内に配置され、隣り合う列間のピッチｐｎがアパーチャの幅ｗの三倍（すなわち、ｐｎ＝ｎ×ｗ）であり、また隣り合う列間のオフセットｐｍがアパーチャの幅の四倍（すなわちｍ＝４としたとき、ｐｍ＝ｍ×ｗ）として三列毎のアパーチャが（ｎ＝３）で整列される。線ｐｌ内で、アパーチャのオフセットはｎ・ｐｍ＝１２である。従って、フィールドｐｆの面積の１／（ｎ×ｍ）＝１／１２のみをカバーし、また一度にｎ×ｍ＝１２画像要素の内のほんの一つのみが図３に示したように露光され、他の要素はアパーチャの画像に関して「走査方向」ｓｄに沿って基板を移動させる次のステップで露光される。図３は基板上に生成された画像フィールドｍｆを示す。明確にするために、全てのアパーチャがこの図内でスイッチオンされると仮定する。画像フィールドの幅ｆｗは投射システムの縮小係数によって縮小されたＰＤフィールドｐｆの幅Ｌである。画像フィールドは複数の画像要素ｍｘ（画素と呼ぶこともある）で構成される。基板上で画像フィールドの所与の位置に対して、アパーチャ・アレイのアパーチャ２１の各々は画像要素ｍｘに対応しているが、アパーチャはＰＤフィールド域の一部のみをカバーするので、多数の画像要素のうち対応する部分のみ（図３でハッチングを付けて示す）が、一度に露光される。他の画像要素も露光するために、画像フィールドが基板上を移動するように基板はビームの下で動かされる。図３ａは可能な１２（＝ｎ×ｍ）位置を通る基板の移動する連続位置にある画素の露光を示す。従って、これらの画素はアルファベットａからｌ（ハッチングを付けた画素が位置ａである）で示される。全画像フィールドｍｆが、基板４１として作用するフォトレジストで覆われたウェハの表面上方を基板面の全域をカバーするように移動される。ここで説明する例において、最小特徴寸法（ｍｉｎｉｍｕｍ  ｆｅａｔｕｒｅ  ｓｉｚｅ）は５０ｎｍ、またウェハ上で照明されるべき、ここでは画素幅ｘとして規定される最小スポットは、２５ｎｍである。画像フィールド幅ｆｗは３００μｍであり、２００×の縮小投射システム（上述参照）に関してこの画像フィールドを生成するために、方形ＰＤフィールドが幅Ｌ＝６０ｍｍを有している。結局、線の数ｐｌはＬ／ｗ＝１２０００であり、１２０００ビット・ストリームが到来データ・ストリームによってアドレスされる。列ｒ１〜ｒ３の各々にこれを横切る方向にｆｗ／（ｎ・ｘ）＝Ｌ／（ｎ・ｗ）＝４０００のアパーチャがある。
【００３２】
図４および５は装置１００のＰＤシステム１０２を示す。すなわち、図４は平面図を、また図５は長手方向断面図を示す。図６は図５の詳細を示し、一つのアパーチャに沿った本実施例のＰＤシステム１０２を構成する一連のプレートの形態を示す。このＰＤシステム１０２は、積層状態に置かれた多数のプレート２２からなり、本発明による調整ユニット５０１を含むそれぞれの機能を発揮する要素をなす複合デバイスによって実現される。プレート２２は各々、半導体（特に、シリコン）ウェハとして実現され、その構造は当該技術において公知の微細構造技術によって形成される。リトグラフ・ビームは、ＰＤフィールドｐｆ（図５）内のアパーチャのアレイを通ってプレートを横断する。各アパーチャは、プレート２２（図６）に規定された一連の開口部２１０，２２０，２３０，２５０に対応している。
【００３３】
プレート２２の厚さは約１００μｍであり、その相互距離は１００μｍから１ｍｍ程度である。図５および６において注意しなければならないのは、長軸（アパーチャの光軸と平行なｚ−軸）は拡大されており、実寸でないことである。
【００３４】
ビームレットのブランキングは、ブランキング・フィールドｂｆ内でアパーチャに各々対応する開口部２２０のアレイからなるブランキング・プレート２０２として実現されるブランキング手段によって制御される。各開口部２２０は、一連のビーム・ブランキング電極２２１の他に例えばブランキング・プレート２０２の上面層に適応された電極２２１を制御する回路２２２からなる。以下に説明するように、アパーチャ偏向プレートとして作用するブランキング電極２２１は、最新技術を使用する垂直生長によってブランキング開口部内に形成される。プランキング・プレート２０２およびその回路２２２のレイアウトに関するより詳細は、ＧＢ０３００６９３．９で見ることができる。
【００３５】
リトグラフ・ビームの方向から見て、ブランキング・プレート２０２の前方で、カバー・プレート２０１として実現されたカバー手段が、照射損傷からブランキング・プレート２０２、特に回路２２２を保護するために設けられている。カバー・プレート２０１は、衝突リトグラフ・ビームｌｂの大半を吸い上げ、粒子はブランキング・プレートのアレイに対応するアレイに形成された開口部２１０を通過できるだけであり、開口部はブランキング・フィールドｂｆの全域の小さい部分を吸い上げるだけである。例えば、１０ｋｅＶの電子の４μＡ／ｃｍ２の照射密度で、カバー・プレートに対する熱負荷はほぼ４０ｍＷ／ｃｍ２である。この熱入力はその面からの熱照射によって（ＰＤシステムの前面に配置された冷却要素２９に関して、図１参照）、またカバー・プレートの頑丈な物質を通る熱流によって補償される。カバー・プレート２０１のレイアウトのさらに詳細は、ＧＢ０３００６９３．９に見ることができる。
【００３６】
ブランキング・プレート２０２内の開口部２２０の幅ｗ２は、カバー・プレート２０１内の開口部２１０の幅ｗ１よりも大きいので、後者の開口部によって規定されたビームレットｂｍは、ブランキング・プレート２０２上の制御回路２２２に影響を与えることなしに前者の開口部を通過することになる。例えば、幅ｗ２は７μｍとすることができる（ｗ＝５μｍのアパーチャの規定幅と比較して）。
【００３７】
ＰＤシステム１０２はさらにビームレットを横方向に規定するように作用するとともに、カバー・プレート２０１とブランキング・プレート２０２の後方に配置された幅ｗ３を有する開口部のアレイを伴うアパーチャ・プレート２０３としてここでは実現される。アパーチャ・プレート２０３のレイアウトのさらに詳細は、ＧＢ０３００６９３．９に見ることができる。
【００３８】
（図２のアパーチャの幅ｗに対応する）システム１０２から放射されるビームレットの横方向形状を規定するのは（カバー・プレート２０１内の初期開口部ではなく）幅ｗ３のアパーチャ２３０である。従って、図５ｆｆに関する討議において、用語「アパーチャ」はビームレット規定アパーチャ２３０によって規定されるように規定形状と幅ｗ（図２）の開口部にリザーブされ、これに対して「開口部」は総称的な用語として使用される。
【００３９】
ビームレットｂｍは、付勢されていないブランキング電極２２１の設けられたパスｐ１に沿ったプレート２２の続いている開口部を越えている。これはアパーチャの「スイッチオン」状態に対応する。「スイッチオフ」アパーチャは、電極を付勢することによって実現され、横断電圧が印加される。この状態において、ブランキング電極２２１がビームレットｂｍをパスｐ１から偏向させ、これによってビームレットはプレート２０３の最終アパーチャを通過することができないが、その代わりに位置ｐ０においてアパーチャ２３０に吸収される。
【００４０】
上述の検討から明白となるように、（オフーアパーチャ位置ｐ０に偏向されたこれらのビームレットを吸収しなければならなくなる）カバー・プレート２０１およびアパーチャ・プレート２０３、およびもし存在すれば、調整ユニット５０２の上方プレートが、リトグラフ・ビームの放射と接触することになるただ一つの要素となる。従って、これらのプレートのみが周期的な間隔で交換されなくてはならず、一方他のプレートは規則的な時間間隔で交換する必要はない。
【００４１】
本発明によれば、一つまたはそれ以上の付加的な調整ユニット５０１，５０２，５０３が、ＰＤデバイスに設けられている（図１２および１３）。図６において、簡略化変形例を示し、カバー・プレート２０１とブランキング・プレート２０２間に位置付けされたただ一つの調整ユニット５０１を有している。この調整ユニットは、これらがＰＤシステム１０２の一連の開口部２１０，２２０，２３０，２５０に沿って進行するにつれてビームレットｂｍのパスを制御するように作用し、装置１００の要素とＰＤデバイスとのありそうな非完全マッチングおよび（または）互いのＰＤデバイスの要素（プレート）の調整の効果および修正が考慮され、さらにＰＤデバイスの寸法上の偏位、特に製造上および取り付け上の許容差のために生じる。さらに、画像の歪およびフィールドの湾曲のようなある光学的収差が低減されるとともに、グローバル・スペース帯電効果によって生じる画像歪が縮小される。図示した実施例において、三つまでの調整ユニットが存在し、本発明の他の実施例において、調整ユニットのいずれの適切な組み合わせも実現できる。
【００４２】
好ましくは、調整ユニット５０１は図６に示したように、ＰＤシステムの第一プレート、すなわち、カバー・プレート２０１の直後に配置される。調整ユニット５０１は、照明システム１０１を設ける必要性をなくすとともに、ＰＤプレートの整列を容易にする。これについては図１３を参照して後述する。
【００４３】
調整ユニット５０１は、図６から１１を参照して次に説明するようにして実現することができる。調整ユニットは二つの偏向プレート５０ａ，５０ｂで構成され、各々「底」サイド（ターゲットに向かって対面する側）で電極と供給線からなる導電体平面５１ａ，５１ｂを有している。偏向プレート５０ａ，５０ｂは、接合または真空―相容性接着によって互いに整列され固定される。異なる導電体平面５１ａ，５１ｂ間の電気接点が、例えば線接合によって形成される。偏向プレートがＰＤシステムのアパーチャをマッチングする開口部のアレイを備えており、しかもカバー・プレートによって規定されるようなビームレットの幅ｗ１よりも十分大きい幅ｗ５を有している。
【００４４】
偏向プレート５０ａ，５０ｂの平面図をそれぞれ図７ａと７ｂに示す。各偏向プレート５０ａ，５０ｂにおいて、多数の電極対ｅａ１，ｅａ２，ｅｂ１，ｅｂ２は、開口部２５０の各々が電極対の対向電極間に位置するようにして実現される。電極対間にダイポール電界を導入することは、光軸（ｚ−軸）に関して開口部を通過するビームレットの角度を変える結果になる。このようなダイポール・フィールドは、異なる静電電位を電極対の各電極に印加することによって形成される。偏向プレート５０ａの電極対ｅａ１，ｅａ２の各々（図７ａ）は、角度変化をそれぞれのビームレットに、すなわち、Ｘ−方向に変える作用があり、一方他の偏向プレート５０ｂの電極ｅｂ１，ｅｂ２は、Ｘ−方向から十分異なるＸ−Ｙ平面内で別の方向Ｙ’内で角度変化を誘導する作用をする。Ｙ’はＸ方向に対して垂直をなす、すなわち、図７ａと７ｂに示すように９０°とは異なる角度である。
【００４５】
一つのウェハ露光中、調整ユニット５０１の電極に印加される電位は時刻に対して事実上一定であるか、または基板フィールドの走査の工程中、基板の形状寸法が変わるようにするためにゆっくり変化する（図４）。さらに、調整ユニット内の電位の空間的変化（すなわち、同じ調整ユニットの異なるｘ−ｙ位置に関して）が、必要とされる角度変化が徐々に変わるように遅い。これが各開口部における個々に、また既に上述したように、短い時間間隔で開口部２１０のブランキングを作動するブランキング・プレート２０２に対して顕著な対照となっている。従って、図７ａ，７ｂから分かるように、電極対は隣り合う開口部間の最も近接する（図７ａ）および二番目に近接する（図７ｂ）に従った線に配列される。角度偏向中の遅い変化のために、この配列がｎ個の近接する電極ｅａ１とｅａ２のグループのそれぞれに同じ電位を印加することを可能にする。どのように電位を印加するか、図９から１２を参照してより詳細に説明する。一緒にグループをなす多数の電極は、（一つのグループから次のグループ）への偏向中の結果的ステップが十分低くなるように十分小さくなければならない。グループに属する電極は、一つのセットをなす共通電極として形成される。これを変形例として図８ａと８ｂに示し、電極対は数本のビームレットを提供するだけでなく、単一の開口部が関連するビームレット全てのために電極間に設けられる。図８ａと８ｂはそれぞれＸ−方向および非Ｘ−方向の構成を示し、各電極対ｆａ１，ｆａ２，ｆｂ１，ｆｂ２は５個のアパーチャに使用される。電極は矩形開口部ｆｐの長辺側に配置され、これを通る５個のアパーチャに対応する５本のビームレットｂ１−ｂ５が偏向される。再度、一緒にグループをなすｎ個のアパーチャは、（一つのグループから次のグループに）偏向する結果となるステップが十分に低くなるように十分小さくなければならない。
【００４６】
図８ｃはビームレットｂｍが開口部ｆｐを通過するＹ方向に沿って図８ｂのプレートを通る部分を示す。
【００４７】
偏向電極が平行して走行する規則的な列のような対応する線（図７および８）または同心線（図１５）に配置されているのが事実であり、また電極間のフィールドが非常に遅く変化し、偏向方向と直交する周辺効果が大きく低下またはこの効果が図８に示した二つの電極間の内側三つ（ｎ−２）の開口部／ビームレットの場合に完全に回避されることもある。
【００４８】
電極に対して電位を供給するために、より詳しくは供給点間の電極の電位の段階的変化を提供するために、種々の方法が可能である。
【００４９】
一つの方法は、図９に示すように全アパーチャ域をｎ×ｍ個のサブ域Ａ１１，Ａ１２，…Ａｎｍに仕切ることである。こうしてサブ域Ａｉｊ（ｉ＝１，．．．，ｎ；ｊ＝１，．．．，ｍ）の各々の対をなす電極が、同じ電位差に割り当てられる。これは名目関数に基づく電位の変化が十分低ければ、理論的または経験的データから算出された名目関数に十分近似する。次に、サブ域Ａｉｊの各々に対して、このサブ域内の代表する点のための供給電位が使用される。代表点は、例えばそれぞれのサブ域にある上方左エッジのようなエッジの一つ、または中央点とされる。
【００５０】
図９において、アパーチャ域は矩形、ほとんど方形の等しい寸法のサブ域に分割される。サブ域Ａｉｊの各々への供給接続が、偏向フィールドの外側から供給典Ｐｉｊに印加される。電位の値は、例えば電線を介してデジタルーアナログ変換器（ＤＡＣｓ）Ｄ１へデジタル信号として供給される。このコンバータはデジタル信号を、電極のために供給電位として使用されるアナログ電圧信号ＡＶに変換される。それぞれの電極への電位の分布は、三つの開口部のグループに対する非Ｘタイプ電極ｅｂ１、ｅｂ２のための図１０に示したように両極性への別々の導電線ｃｌ１，ｃｌ２を使用して実行される。導電線ｃｌ１，ｃｌ２は、ウェハ・バルク基板上で絶縁層によって互いに分離され異なる層内に配備される。電極は接点によってそれぞれの導電線に接続されている。導電線および接点の製造には、最新のリトグラフおよびエッチング技術を使用することができる。
【００５１】
別の可能性は、隣り合う供給点Ｐｉｊ間の電位の直線状補間を得るために抵抗器アレイを使用する。サブ域Ａｉｊ（ｉ＝１，．．．，ｎ；ｊ＝１，．．．，ｍ）の各々に対して、四つの格子点Ｐｉｊ，Ｐ（ｉ＋１）ｊ，Ｐｉ（ｊ＋１），Ｐ（ｉ＋１）（ｊ＋１）が、アレイ内で接続される。図１１ａに示したように、Ｘタイプの電極ｅａ１，ｅａ２の例として、四つの格子点間にあるサブ域内の電位の直線関数は、接点間の抵抗器Ｒａ１，Ｒａ２の適切な構成によって実現される。図１１ｂは非Ｘタイプ電極ｅｂ１，ｅｂ２に対応する抵抗器Ｒｂ１，Ｒｂ２のアナログ・アレイを示す。いずれの極性についても抵抗器アレイが設けられる。抵抗器Ｒａ１，Ｒａ２，Ｒｂ１，Ｒｂ２は当該技術において公知である適切な厚みと寸法の抵抗物質の層として実現される。
【００５２】
さらなる変形例において、電位の分布は「連続補間」を使用して実現できる。従って、電位の各極性に対して、抵抗物質の一つの層が上述した導電線の代わりに設けられる。供給電位が格子点Ｐｉｊに印加され、また変化する電位が供給点における値を補間するように確立される。次に、電位はそれぞれの極性の電極に供給されるのに必要とするサブ域Ａｉｊ内の一連の点で確保することができる。抵抗層およびフィードスルーの製造に対して、最新のリトグラフおよびエッチング技術を使用することができる。
【００５３】
図１２は第１調整ユニット５０１の機能を示す。正確なテレセントリック・ビームを生成しない照明システム１０１の場合に、ビームはプレート上のビームの位置に依存する（ｘ−ｙ依存関係）角度θ１でカバー・プレート２０１に照射される。調整ユニット５０１が、角度θ１のｘ−ｙ依存関係補正を許容し、照明ビームｌｂのテレセントリック点に関してトレーランス必要条件を高める。
【００５４】
さらに、調整ユニット５０１の助けにより、ＰＤプレートの不調整が補正される。特に、同じアパーチャに属している開口部がｚ−軸と正確に平行でなく、角度θ２をなす軸に沿って整列されるタイプの不調整が補正される。プレートおよびその中の構造が対応する方法で規定されておれば、例えばこれらを製造するために同じリトグラフ・ツールが使用されれば、対応する構造の相対的位置、特に開口部２１０，２２０，２３０が非常にうまく整列される。すなわち、少ないｎｍのみの非常に低い偏位となる。この構成がカバー・プレート、ブランキング・プレートおよびアパーチャ・プレートを互いに、また、粒子ビームがプレート内の一連の開口部を正確に進行させるようにして整列状態にする。調整ユニット５０１は、粒子ビームｌｂの（ローカル）方向θ１および開口部のスタッキング軸の（ローカル）方向θ２の発生しそうな偏位を補正する。理想的な直交性（ｚ−軸と平行に走行する）からスタッキング方向の偏位は、プレートのスタックの傾斜によるものであるか、またはｚ−軸の周りのスタックに生じるねじれによる。
【００５５】
図１３を参照して、（ユニット５０１と同じレイアウトの）別の調整ユニット５０２が、アパーチャ・プレート２０３の前面に配置することができる。その目的は、画像の歪、幾何学的ぼやけ（画像平面の湾曲度）および非点収差効果のような幾何学的収差の低減にある。空間電荷の調整効果にも使用して、粒子ビームを再合焦することと併合して幾何学的収差を修正することができる。補正されるべき上述した欠点に大きい影響を得るために、調整ユニット５０２はできる限り小さい物体に対する距離で、すなわち、アパーチャ・プレート２０３内のアパーチャ２３０に対する距離で配置される。
【００５６】
図１のデバイスにおいて、ビームレット軌道の角度は、基板プレートにおけるアパーチャ・アレイの画像に形成される前に、クロスオーバーｃ２に収斂される。レンズの特性のために、このクロスオーバーは一般的に収差が生じる。すなわち、同じオリエンテーションによるＰＤシステムで出発する軌道は、一点で合焦されず、球体収差ディスクをむしろ形成する。画像への球形空間電荷の影響が、第２クロスオーバーｃ２近傍でクーロン相互作用から大きい範囲に抑える。このクロスオーバーが収差されておれば、画像形状への作用が倍率の変化だけでなく、付加的な歪にもなる。倍率の変化は例えば静電レンズ内の一つまたはそれ以上の電極の電圧を変化させることによって比較的容易に修正することができる一方で、球形空間電荷によってもたらされた歪は基板上の最終パターン内に付加的なぼやけを生じることがある。調整ユニット５０２（図１３）の助けによって、ビームレットの角度が調整でき、クロスオーバーの収差を最小にする。この方法によって、システムのフィールド湾曲収差、すなわち、システムの光学性能が改善される。調整ユニット５０２はまた軌道がメリジオナル平面（光軸ｃｘを通る平面）内を走行しない可能性がある。これは軸的に対称である磁界が投射システム１０３に使用された場合に特にそうである。もちろん、調整ユニット５０３がアパーチャ・プレート２３０の後方にある場合にもいえることであって、プレートおよび調整ユニット５０２の作用を関連して考慮しなければならない。
【００５７】
図１３に同時に示す（ユニット５０１と同じレイアウトの）調整ユニット５０３の第３タイプは、アパーチャ・プレート２０３の後方の位置に設けられている。このユニット５０３は、作像システムのもつ実際の転送機能の名目転送機能からのずれを修正する作用をする。このずれは製造上の欠陥、計算上の制限または調整不足または外部の影響（例えば、外部電磁界）のような種々の理由によるものである。これは投射光学系のゆがみの修正に使用することもできる。調整ユニット５０３は、基板上に作像されたアパーチャ２３０によって規定されたオブジェクトとは異なる仮想オブジェクト２３０’を生成する。その機能の結果として、すなわち、転送機能を必要とする位置に横方向に作像されるべきオブジェクトの位置を基板において所望される画像位置に転送する場合、ユニット５０３はオブジェクト後方、すなわち、アパーチャ・プレート２０３後方に配備しなければならない。
【００５８】
軌道がそれぞれのメリジオナル平面からずれていない場合に注意しなければならないことは、放射状偏向機構のみを伴う調整ユニット５０１，５０２を備えていれば十分であって、対をなす偏向機構は必要としないことである。従って、偏向機構は光軸の周りを走行するリングに沿って方向付けられた偏向プレートによって実現できる。
【００５９】
図１４は「放射状」の変形例の図を示す。従って、粒子の放射状偏向を保証するために、偏向電極は半径方向（「接線」方向）に対して直角をなすように方向付けられている。従って、電位は放射状方向に変化しなればならない。結果的に、光軸ｃｘを取り巻くように同心リング状サブ域Ａｉ（ｉ＝１，．．．ｎ）に仕切ることが適切である。サブ域Ａｉの各々に対して、リング状線がそれぞれ静電電位を印加するために設けられている。静電電位は、例えばデジタル・データからのＤＡＣＤ２内に発生され、それぞれのリング状線を介してリングＡｉに属する電極に供給される。リング状線間で、電位の変化を例えばレジスト・アレイまたはレジスト層を伴う連続補間によって再度一定直線補間にすることができる。図１５はリングＡｉとリングＡ（ｉ＋１）の一部のための直線補間のレジスト・アレイを伴う導電線のレイアウトの詳細を示す。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明を適用したリトグラフ装置のレイアウトを示す長手方向断面図である。
【図２】図１にあるリトグラフ装置のパターン規定デバイス内のアパーチャ機構を示す平面図である。
【図３】図１のリトグラフ装置の基板面にある画像フィールドを示す図である。
【図４】アパーチャ・アレイ前方にブランキング手段の前に配置された本発明による第一調整ユニットを含む、１図のリトグラフ装置のパターン規定デバイスの平面図である。
【図５】アパーチャ・アレイ前方にブランキング手段の前に配置された本発明による第一調整ユニットを含む、1図のリトグラフ装置のパターン規定デバイスの長手方向断面図である。
【図６】一つのアパーチャに沿った図５の詳細図である。
【図７】最も近接した距離（Ｘ−方向）（図７ａ）と二番目に近接した距離（非―Ｘ−方向）（図７ｂ）に従う方向に走行する電極を伴う二つの偏向プレートによって構成されている本発明による偏向アレイ手段内の電極構成を示す詳細平面図である。
【図８】一つの電極対がアパーチャーアレイの一つを超えるアパーチャの作用をする電極構成の変形例を示す図である。
【図９】電極の静電気供給源のためにサブ域へのアパーチャ・フィールド域への仕切りを示す図である。
【図１０】図７ｂの電極の静電気供給源用導電線レイアウトを示す図である。
【図１１】両タイプの電極用抵抗器アレイを伴う静電気供給源を示す図である。
【図１２】図１のリトグラフ装置のブランキング手段前方に配置された第一偏向アレイ手段（調整ユニット）の機能を示す図である。
【図１３】それぞれアパーチャ手段の前方および後方に配置された本発明による第二調整ユニットおよび第三調整ユニットの機能を示す図である。
【図１４】電極をサブ域に対応して仕切りする電極レイアウトの「放射状」変形例である
【図１５】電極をサブ域に対応して仕切りする電極レイアウトの「放射状」変形例のレジスト・アレイを伴う供給源を示す図である。
【図１】
2005136409.tif 000003
【図２】
2005136409.tif 000004
【図３】
2005136409.tif 000005
【図４】
2005136409.tif 000006
【図５】
2005136409.tif 000007
【図６】
2005136409.tif 000008
【図７ａ】
2005136409.tif 000009
【図７ｂ】
2005136409.tif 000010
【図８ａ】
2005136409.tif 000011
【図８ｂ】
2005136409.tif 000012
【図８ｃ】
2005136409.tif 000013
【図９】
2005136409.tif 000014
【図１０】
2005136409.tif 000015
【図１１ａ】
2005136409.tif 000016
【図１１ｂ】
2005136409.tif 000017
【図１２】
2005136409.tif 000018
【図１３】
2005136409.tif 000019
【図１４】
2005136409.tif 000020
【図１５】
2005136409.tif 000021
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月1日(2004.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
【図１】本発明を適用したリトグラフ装置のレイアウトを示す長手方向断面図である。
【図２】図１にあるリトグラフ装置のパターン規定デバイス内のアパーチャ機構を示す平面図である。
【図３】図１のリトグラフ装置の基板面にある画像フィールドを示す図である。
【図４】アパーチャ・アレイ前方にブランキング手段の前に配置された本発明による第一調整ユニットを含む、１図のリトグラフ装置のパターン規定デバイスの平面図である。
【図５】アパーチャ・アレイ前方にブランキング手段の前に配置された本発明による第一調整ユニットを含む、1図のリトグラフ装置のパターン規定デバイスの長手方向断面図である。
【図６】一つのアパーチャに沿った図５の詳細図である。
【図７ａ】電極が最も近接した距離（X方向）に配列された二つの偏向プレートを備える本発明による偏向アレイ手段内の電極構成を示す詳細平面図。
【図７ｂ】電極が二番目に近接した距離（非X方向）に配列された二つの偏向プレートを備える本発明による偏向アレイ手段内の電極構成を示す詳細平面図。
【図８ａ】一の電極対が開口列の一つ以上の開口に作用する電極配列のX方向における構成を示す図。
【図８ｂ】一の電極対が開口列の一つ以上の開口に作用する電極配列の非X方向における構成を示す図。
【図８ｃ】ヒ゛ームレットが開口部を通過するY方向に沿って図８bのプレートを通る部分を示す図。
【図９】電極の静電気供給源のためにサブ域へのアパーチャ・フィールド域への仕切りを示す図である。
【図１０】図７ｂの電極の静電気供給源用導電線レイアウトを示す図である。
【図１１ａ】Xタイフ゜の電極用抵抗器アレイを備える静電気供給源を示す図。
【図１１ｂ】非Xタイフ゜の電極用抵抗器アレイを備える静電気供給源を示す図。
【図１２】図１のリトグラフ装置のブランキング手段前方に配置された第一偏向アレイ手段（調整ユニット）の機能を示す図である。
【図１３】それぞれアパーチャ手段の前方および後方に配置された本発明による第二調整ユニットおよび第三調整ユニットの機能を示す図である。
【図１４】電極をサブ域に対応して仕切りする電極レイアウトの「放射状」変形例である
【図１５】電極をサブ域に対応して仕切りする電極レイアウトの「放射状」変形例のレジスト・アレイを伴う供給源を示す図である。