(57)【要約】【課題】  最終の純水処理よりも前の純水処理時間を短縮することにより、スループットを高めることができるとともに、純水の消費量を低減することができる基板処理方法及びその装置を提供する。【解決手段】  最終の純水処理（ステップＳ４）では純水を含む処理液の比抵抗値が基準比抵抗値に達したか否かで処理を終え（ステップＳ５）、最終の純水処理よりも前の純水処理（ステップＳ３）では、短縮純水処理時間で処理を終えることにより、デバイス性能を良好に維持しつつも純水処理時間を短縮してスループットを高めることができる。さらに、短時間で純水処理を終えるので、純水の消費量も低減することができ、廃水処理の負荷を軽減することができる。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して薬液処理を行った後、純水を含む処理液により純水処理を行う基板処理方法において、
薬液処理を行った後に純水を供給し、純水処理では純水の基準比抵抗値より低い処理液を使用し、前記基準比抵抗値が得られるよりも短い純水処理時間で純水処理を終了することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記純水処理は、少なくとも二回以上の純水処理を含んでおり、
前記純水処理のうち最終の純水処理よりも前に行う純水処理において、純水の基準比抵抗値より低い処理液を使用し、前記基準比抵抗値が得られるよりも短い純水処理時間で純水処理を終了することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
基板に対して薬液処理を行った後、純水を含む処理液により純水処理を行う基板処理方法において、
処理槽内に貯留された薬液により基板に対する薬液処理を行い、
前記処理槽へ純水を供給して、前記処理槽内を薬液から純水へ置換させつつ処理液により純水処理を行うとともに、薬液から純水への置換により処理液の比抵抗値が純水の基準比抵抗値になるよりも短い純水処理時間で純水処理を終了することを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理方法において、
前記純水処理は、少なくとも二回以上の純水処理を含んでおり、
前記純水処理のうち最終の純水処理よりも前に行う純水処理において、前記処理槽内を薬液から純水へ置換させつつ処理液により純水処理を行うとともに、薬液から純水への置換により処理液の比抵抗値が純水の基準比抵抗値になるよりも短い純水処理時間で純水処理を終了することを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記純水処理時間は、純水処理後におけるパーティクルの付着状態、金属汚染状態、及びエッチングの均一性のいずれかに基づいて予め設定することを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
基板に対して薬液処理を行った後、純水を含む処理液により純水処理を行う基板処理装置において、
薬液及び処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内において基板を保持する保持機構と、
前記保持機構に保持された基板を前記処理槽内の薬液に浸漬させた状態で、前記処理槽内を薬液から純水へ置換させるように、純水を供給する純水供給部と、
薬液から純水への置換により処理液の比抵抗値が純水の基準比抵抗値になるよりも短い純水処理時間を記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された純水処理時間により純水処理を行わせる制御部と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置において、
前記処理槽内に貯留された処理液の比抵抗値を測定する測定部をさらに備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
基板に対して薬液処理を行った後、純水を含む処理液により純水処理を行う基板処理装置において、
基板に対して処理液により純水処理を行う第１処理槽と、
前記第１処理槽で純水処理を行った基板に対して薬液により薬液処理を行う第２処理槽と、
前記第２処理槽で薬液処理を行った基板に対して処理液により純水処理を行う第３処理槽と、
前記第１処理槽から前記第２処理槽へ基板を搬送するとともに、前記第２処理槽から前記第３処理槽へ基板を搬送する搬送機構と、
前記第１処理槽における薬液から純水への置換により処理液の比抵抗値が純水の基準比抵抗値になるよりも短い純水処理時間を記憶する記憶部と、
前記第１処理槽内において前記記憶部に記憶された純水処理時間により純水処理を行わせる制御部と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記第３処理槽において処理液の比抵抗値が純水の基準比抵抗値に達したことに基づいて、前記搬送機構により前記第３処理槽から基板を搬出させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項６から９のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記純水処理時間は、純水処理後におけるパーティクルの付着状態、金属汚染状態、及びエッチングの均一性のいずれかに基づいて予め設定することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板など（以下、単に基板と称する）に対して薬液処理を行った後、純水を含む処理液により純水処理を行う基板処理方法及びその装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の方法を実施する装置としては、薬液を貯留する第１の処理槽と、純水を貯留する第１の純水処理槽と、薬液を貯留する第２の処理槽と、純水を貯留する第２の純水処理槽と、第１及び第２の純水処理槽内の比抵抗値をそれぞれ測定する測定器とを備えたものが挙げられる。
【０００３】
このような構成の装置では、第１または第２の処理槽にて薬液による処理を終えた基板を、第１または第２の純水処理槽に移動して純水で洗浄する。そして、測定器による比抵抗値の測定値が、予め定めた基準比抵抗値に達すると洗浄が完了したと判断して、基板を第２の処理槽に移動して次の処理液による処理を施したり、基板に対する一連の処理を終えたりするものが例示される（例えば、特許文献１参照）。なお、基準比抵抗値は、純水の比抵抗値に極めて近い値である。
【０００４】
また、一つの処理槽で薬液と純水を交互に入れ替えつつ処理する基板処理装置であっても、上記と同様に、薬液を純水に置換し、その時の純水を含む処理液の比抵抗値が基準比抵抗値に達するまで純水洗浄を行った後に、次の処理に移行する。
【特許文献１】特開２００１−２１０６１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
【０００６】
すなわち、従来の方法は、基準比抵抗値に達するまで純水洗浄を継続するので、純水による洗浄時間が長時間化してスループットが低下するとともに、純水の消費量が非常に多くなるという問題がある。なお、洗浄に用いた純水には他の薬液などが極微量ながら含まれている関係上、そのまま排水することはできず、浄化処理を行った後に排水しなければならない。したがって、洗浄に使用する純水の消費量を低減することは大きな課題となっている。
【０００７】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、最終の純水処理よりも前の純水処理時間を短縮することにより、スループットを高めることができるとともに、純水の消費量を低減することができる基板処理方法及びその装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
【０００９】
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に対して薬液処理を行った後、純水を含む処理液により純水処理を行う基板処理方法において、薬液処理を行った後に純水を供給し、純水処理では純水の基準比抵抗値より低い処理液を使用し、前記基準比抵抗値が得られるよりも短い純水処理時間で純水処理を終了することを特徴とするものである。
【００１０】
（作用・効果）薬液処理の後に純水を供給して純水洗浄を行い、その時に純水を含む処理液の比抵抗値が純水の基準比抵抗値に達するまで純水処理を行わなくても、つまり、純水の比抵抗値よりも低い値にしか比抵抗値が回復していない状態であっても、デバイス性能を良好に維持することができれば短い洗浄時間であっても許容することができる。
【００１１】
したがって、純水を含む処理液は、予め純水の基準比抵抗値よりも低い比抵抗値となり、基準比抵抗値の純水を使用した純水処理よりも短い種々の時間で処理液による純水処理を行った後、基板上のデバイスで性能を評価する。その結果、所要の性能を発揮できる洗浄処理時間を見つけ、それを短縮された純水処理時間として設定して、その時間で基板に対して純水処理を行えばよい。このように、短縮された純水処理時間で純水処理を終えることにより、デバイス性能を良好に維持しつつ、洗浄処理時間を短縮してスループットを高めることができ、純水の消費量も低減することができる。
【００１２】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理方法において、前記純水処理は、少なくとも二回以上の純水処理を含んでおり、前記純水処理のうち最終の純水処理よりも前に行う純水処理において、純水の基準比抵抗値より低い処理液を使用し、前記基準比抵抗値が得られるよりも短い純水処理時間で純水処理を終了することを特徴とするものである。
【００１３】
なお、ここでいう最終の純水処理とは、薬液処理の後の純水処理のうちの最終の純水処理のことをいう。
【００１４】
また、請求項３に記載の発明は、基板に対して薬液処理を行った後、純水を含む処理液により純水処理を行う基板処理方法において、処理槽内に貯留された薬液により基板に対する薬液処理を行い、前記処理槽へ純水を供給して、前記処理槽内を薬液から純水へ置換させつつ処理液により純水処理を行うとともに、薬液から純水への置換により処理液の比抵抗値が純水の基準比抵抗値になるよりも短い純水処理時間で純水処理を終了することを特徴とするものである。
【００１５】
（作用・効果）薬液処理の後に、純水を供給して処理槽内を薬液から純水へ置換させつつ処理液により純水処理を行い、そのときに純水を含む処理液の比抵抗値が純水の基準比抵抗値に達するまで純水処理を行わなくても、つまり、純水の比抵抗値よりも低い値にしか比抵抗値が回復していない状態であっても、デバイス性能を良好に維持することができれば、短い純水処理時間であっても許容することができる。
【００１６】
したがって、純水を含む処理液は、予め純水の基準比抵抗値よりも低い比抵抗値となり、基準比抵抗値の純水を使用した純水処理よりも短い種々の時間で処理液による純水処理を行った後、基板上のデバイスで性能を評価する。その結果、所要の性能を発揮できる洗浄処理時間を見つけ、それを短縮された純水処理時間として設定して、その時間で基板に対して純水処理を行えばよい。このように短縮された純水処理時間で純水処理を終えることにより、デバイス性能を良好に維持しつつ、純水処理時間を短縮してスループットを高めることができ、純水の消費量も低減できる。
【００１７】
また、請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の基板処理方法において、前記純水処理は、少なくとも二回以上の純水処理を含んでおり、前記純水処理のうち最終の純水処理よりも前に行う純水処理において、前記処理槽内を薬液から純水へ置換させつつ処理液により純水処理を行うとともに、薬液から純水への置換により処理液の比抵抗値が純水の基準比抵抗値になるよりも短い純水処理時間で純水処理を終了することを特徴とするものである。
【００１８】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１から４のいずれかに記載の基板処理方法において、前記純水処理時間は、純水処理後におけるパーティクルの付着状態、金属汚染状態、及びエッチングの均一性のいずれかに基づいて予め設定することを特徴とするものである。
【００１９】
（作用・効果）純水洗浄後におけるパーティクルの付着状態、金属汚染状態、及びエッチングの均一性のいずれかを評価することにより、所要のデバイス性能が発揮できるための短縮された純水処理時間を決定することができる。
【００２０】
また、請求項６に記載の発明は、基板に対して薬液処理を行った後、純水を含む処理液により純水処理を行う基板処理装置において、薬液及び処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内において基板を保持する保持機構と、前記保持機構に保持された基板を前記処理槽内の薬液に浸漬させた状態で、前記処理槽内を薬液から純水へ置換させるように、純水を供給する純水供給部と、薬液から純水への置換により処理液の比抵抗値が純水の基準比抵抗値になるよりも短い純水処理時間を記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶された純水処理時間により純水処理を行わせる制御部と、を備えていることを特徴とするものである。
【００２１】
（作用・効果）薬液処理の後、純水供給部から純水を供給して処理槽内を薬液から純水へ置換させつつ処理液により純水処理を行い、そのときに純水を含む処理液の比抵抗値が純水の基準比抵抗値に達するまで純水処理を行わなくても、つまり、純水の比抵抗値よりも低い値にしか比抵抗値が回復していない状態であっても、デバイス性能を良好に維持することができれば、短い純水処理時間であっても許容することができる。
【００２２】
したがって、純水を含む処理液は、予め純水の基準比抵抗値よりも低い比抵抗値となり、基準比抵抗値の純水を使用した純水処理よりも短い種々の時間で処理液による純水処理を行った後、基板上のデバイスで性能を評価する。その結果、所要の性能を発揮できる洗浄処理時間を見つけ、それを短縮された純水処理時間として記憶部に記憶し、制御部によりその時間で基板に対して純水処理を行えばよい。このように、短縮された純水処理時間で純水処理を終えることにより、デバイス性能を良好に維持しつつ、純水処理時間を短縮してスループットを高めることができ、純水の消費量も低減できる。
【００２３】
また、前記処理槽内に貯留された処理液の比抵抗値を測定する測定部をさらに備えていることが好ましい（請求項７）。
【００２４】
また、請求項８に記載の発明は、基板に対して薬液処理を行った後、純水を含む処理液により純水処理を行う基板処理装置において、基板に対して処理液により純水処理を行う第１処理槽と、前記第１処理槽で純水処理を行った基板に対して薬液により薬液処理を行う第２処理槽と、前記第２処理槽で薬液処理を行った基板に対して処理液により純水処理を行う第３処理槽と、前記第１処理槽から前記第２処理槽へ基板を搬送するとともに、前記第２処理槽から前記第３処理槽へ基板を搬送する搬送機構と、前記第１処理槽における薬液から純水への置換により処理液の比抵抗値が純水の基準比抵抗値になるよりも短い純水処理時間を記憶する記憶部と、前記第１処理槽内において前記記憶部に記憶された純水処理時間により純水処理を行わせる制御部と、を備えていることを特徴とするものである。
【００２５】
また、前記制御部は、前記第３処理槽において処理液の比抵抗値が純水の基準比抵抗値に達したことに基づいて、前記搬送機構により前記第３処理槽から基板を搬出させることが好ましい（請求項９）。
【００２６】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項６から９のいずれかに記載の基板処理装置において、前記純水処理時間は、純水処理後におけるパーティクルの付着状態、金属汚染状態、及びエッチングの均一性のいずれかに基づいて予め設定することを特徴とするものである。
【００２７】
（作用・効果）純水洗浄後におけるパーティクルの付着状態、金属汚染状態、及びエッチングの均一性のいずれかを評価することにより、所要のデバイス性能が発揮できるための短縮された純水処理時間を決定することができる。
【発明の効果】
【００２８】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、薬液処理後に純水を含む処理液により基板に対する純水処理を行い、その時に処理液の基準比抵抗値に達するまで純水処理を行わなくても、デバイス性能を良好に維持することができれば短い純水処理時間であっても許容できる。したがって、最終の純水処理よりも前の純水処理では、短縮純水処理時間で純水洗浄を終えることにより、デバイス性能を良好に維持しつつも純水処理時間を短縮してスループットを高めることができ、純水の消費量も低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
【００３０】
＜基板処理方法＞
図１ないし図３はこの発明における短縮された純水処理時間を決めるためのデータ例である。図１は、測定弁を開放してからの経過時間に応じた比抵抗値を示すグラフであり、図２は、フッ化水素酸によるエッチング処理（薬液）後の純水処理時間に応じた面内均一性を示すグラフであり、図３は、各種純水処理時間ごとの評価を示す表である。
【００３１】
図１のグラフは、ある薬液で基板を一定時間処理した後、処理槽内の薬液を純水で置換し始めた時点から、種々の時間をおいて測定弁を開放したときの比抵抗値の変化を示すものである。比抵抗値は、処理槽に取り付けた比抵抗計によって計測している。このグラフ中、「純水のみ」（図中に実線で示す）と記載してあるのは、元々純水中に同様の基板を浸漬させておき、新たな純水で置換を開始し始め測定弁を解放した時点からの変化を示す。すぐに比抵抗値が高くならないのは、測定弁を開放してから比抵抗計に測定サンプルが到達するのに遅れ時間が存在することや、比抵抗計の特性などに起因する。
【００３２】
一般的に、「標準純水処理時間」という場合には、この純水のみの比抵抗値にほぼ達するまで洗浄に要する時間をいう。具体的には、図中に「標準純水処理  １０ｍｉｎ」と示したものである。また、ここでは、このときの比抵抗値を「基準比抵抗値」と称することにする。なお、標準純水処理時間よりも洗浄時間が短い短縮純水処理時間の例としては、「短縮純水処理１」の２分と、「短縮純水処理２」の４分と、「短縮純水処理３」の６分とを挙げてある。したがって、純水による置換を開始してから測定を開始するまでの時間は、「短縮純水処理３」から「短縮純水処理１」にしたがって短くなっている。
【００３３】
このグラフにより、「純水のみ」や「標準純水処理時間」の曲線を下回る比抵抗値の変化を示す場合には、従来の判断基準からすると不十分な純水による洗浄であると見なされるものである。しかしながら、本発明では、デバイスの性能を維持可能であるか否かに応じてその判断を行おうとする点が特徴的となっている。その判断としては、以下に示すように、エッチング及び純水処理後の面内均一性（図２）、純水処理後におけるパーティクル付着及び金属除去（図３）などが挙げられる。
【００３４】
『エッチング後の面内均一性』
図２は、２００：１のフッ化水素酸により、基板面の膜を１００Åの厚さだけエッチングした後、上述した各種の純水処理を行ってから面内におけるエッチングの均一性をプロットしたものである。なお、このグラフにおいて純水処理時間が「０」とは、基板をフッ化水素酸に浸漬してエッチングした後、フッ化水素酸を排出するだけで純水処理を全く行わなかったことを表す。「標準純水処理時間」である１０分の場合は、従来の洗浄後に得られるエッチングの面内均一性を示す。これに対して、標準純水処理時間の１０分よりも短い短縮純水処理１〜３であっても、従来同等のエッチング均一性が得られることが分かる。
【００３５】
『パーティクル付着及び金属除去』
図３は、上述した各種純水処理時間ごとにパーティクル付着数及び除去率並びに金属除去について測定したものである。パーティクル付着数は、純水処理の前後にパーティクルカウンタで付着数を計数し、その差分を示している。また、パーティクル除去率は、差分に応じた割合を示している。金属除去は、付着している金属類を計測した結果を示す。
【００３６】
これによると、標準純水処理と短縮純水処理１〜３におけるパーティクル付着数及び除去率並びに金属除去は、ほぼ同じレベルであることが明白である。なお、金属除去における検出不可能レベルとは、測定装置によって金属類の検出が不可能なほど金属類による汚染がないことを示す。
【００３７】
本発明では、これらの結果をふまえて、薬液から純水へ置換して標準純水処理による純水の基準比抵抗値よりも比抵抗値が低い処理液（純水を含む）を使用し、標準純水処理時間よりも洗浄時間が短く、なおかつデバイス性能を良好に維持することができる短縮純水処理時間で基板Ｗの洗浄を行うようにする。但し、最終の洗浄については、念のため従来通りに基準比抵抗値が得られるまでの洗浄を行うことが好ましく、最終洗浄よりも前の純水処理洗浄について「短縮純水処理時間」で洗浄処理を行うことにする。
【００３８】
なお、適切な「短縮純水処理時間」は、基板の種類や、被着されている膜種、基板に施されたプロセス、使用した薬液の種類や処理時間など、さらに処理槽の構造や純水の供給形態などによって異なるので、それらごとに予め実験を行って、デバイス性能を良好に維持することができるか否かに応じて短縮純水処理時間を決定するのが好ましい。
【００３９】
＜基板処理装置＞
図４を参照して、上述した基板処理方法を用いた基板処理装置について説明する。なお、図４は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【００４０】
この基板処理装置は、内槽１及び外槽３を備えた処理槽５を備えている。内槽１は、リンス液としての純水や薬液などの処理液を貯留し、浸漬された基板Ｗに対して処理を施す。外槽３は、内槽１から溢れた処理液を回収して排液する機能を備えている。本発明における保持機構に相当する保持アーム７は、内槽１内とその上方とにわたって昇降可能に構成されており、基板Ｗの端縁を保持して複数枚の基板Ｗを起立姿勢で保持する。外槽３には、外槽３内の比抵抗値を測定する比抵抗計８が取り付けられている。
【００４１】
なお、比抵抗計８が本発明における測定部に相当する。
【００４２】
内槽１の底部には、内槽１に対して処理液を供給するための注入管９が配備されている。この注入管９には、供給管１１の一端側が連通接続されている。供給管１１の他端側には、純水供給源１３が連通されている。純水供給源１３の下流側には、ミキシングバルブ１７と、インラインヒータ１９と、フィルタ２１と、制御弁２３とが取り付けられている。
【００４３】
ミキシングバルブ１７には、薬液供給源に連通した供給配管２５が接続されている。その流量は、供給配管２５に取り付けられた制御弁２７によって調整される。さらに、前記薬液とは異なる薬液を供給するための薬液供給源に連通した供給配管２９もミキシングバルブ１７に接続されている。供給配管２９の流量調節は、制御弁３１によって行われる。
【００４４】
上述した保持アーム７の昇降や、インラインヒータ１９による温度調節、制御弁２３，２７，３１による流量調節などは、制御部３３によって統括的に制御されている。この制御部３３には記憶部３５が接続されており、ここには基板Ｗの処理手順などを規定したレシピなどが登録されている。制御部３３は、レシピを参照しながら上記各部を制御するとともに、処理が最終の純水洗浄である場合には、その比抵抗値を参照しつつ処理の完了を判断する。一方、最終の純水洗浄よりも前に行う純水洗浄である場合には、レシピに規定されている「短縮純水処理時間」によって洗浄処理を完了して次の処理へ移行するように制御を行う。
【００４５】
なお、上記制御部３３が本発明における制御部に相当し、記憶部３５が本発明における記憶手段に相当する。
【００４６】
次に、図５を参照して上記構成の基板処理装置による処理について説明する。なお、図５は、処理の流れを示すフローチャートである。
【００４７】
ステップＳ１
制御部３３は、記憶部３５のレシピを参照し、制御弁２３，２７，３１及び必要に応じてさらにインラインヒータ１７を制御して、所定の薬液を内槽１に供給する。供給される薬液としては、例えば、エッチング用のフッ化水素酸である。次に。基板Ｗを支持している保持アーム７を内槽１内に下降させて、レシピに規定されている時間だけ保持する。この薬液処理により、例えば、基板Ｗに形成されている酸化膜が所定厚さだけエッチングされる。
【００４８】
ステップＳ２
レシピを参照して、基準比抵抗値の純水を内槽１へ供給して、純水を含む処理液により基板Ｗに対する純水処理を行うが、それが最終の純水処理洗浄であるか否かにより処理を分岐する。
【００４９】
ステップＳ３
上述のステップＳ２において、最終の純水処理でないと判断された場合には、所定時間の薬液処理が完了すると、制御部３３は保持アーム７をその位置に維持したまま、制御弁２７，３１を閉止するとともに、制御弁２３を調整して所定流量の純水を純水供給源１３から内槽１へ供給する。これにより内槽１内の薬液が純水によって置換され、純水を含む処理液により基板Ｗに対する純水処理が行われる。その処理時間は、上述した短縮された純水処理時間であり、この短縮純水処理時間（短縮純水処理１〜３）は、予め記憶部３５に記憶されており、制御部３３の制御により基板Ｗに対する純水処理が行われる。
【００５０】
この処理の後、ステップＳ１に戻って、例えば、他の薬液を用いた薬液処理を行う。
【００５１】
ステップＳ４
上記のステップＳ２において最終の純水処理であると判断された場合には、上述した短縮純水処理時間での処理ではなく、標準の純水処理を行う。
【００５２】
ステップＳ５
最終の純水処理の場合には、比抵抗計８から出力される比抵抗値をモニタし、純水を含む処理の値がレシピに規定されている基準比抵抗値に達したか否かによって処理の完了を判断する。したがって、基準比抵抗値に達するまでステップＳ４を実行し、基準比抵抗値に達すれば最終の純水処理を終える。
【００５３】
上述したように、最終の純水処理（例えば１０分）よりも前の純水処理では、短縮純水処理時間で純水処理（例えば２分、４分、６分）を終えることにより、デバイス性能を良好に維持しつつも処理時間を短縮してスループットを高めることができる。さらに、短時間で純水処理を終えるので、純水の消費量も低減することができ、廃水処理の負荷を軽減することができる。
【００５４】
なお、上記の基板処理装置は、一つの処理槽５によって薬液処理及び純水処理を行うタイプであったが、複数の処理槽を備えている場合であっても本発明を適用することができる。これについて図６を参照しながら説明する。なお、図６は、処理槽を複数個備えている基板処理装置における動作の説明に供する図である。
【００５５】
この基板処理装置は、第１の薬液処理用の処理槽５１と、純水処理用の処理槽５３と、第２の薬液処理用の処理槽５５と、最終純水処理用の処理槽５７とを備えている。この基板処理装置では、上記各処理槽５１，５３，５５，５７に順次に基板Ｗを搬送機構５９により搬送して処理を行うように構成されている。なお、図６では、内槽のみを図示し、外槽については省略してある。
【００５６】
このような構成の装置では、レシピに応じて各処理槽５１，５３，５５，５７に順次に基板Ｗを搬送してゆくが、純水処理のうち、最終の純水処理よりも前の純水処理では「短縮純水処理時間」によって洗浄処理を行い、最終の純水処理では比抵抗計８をモニタしつつ基準比抵抗値となるまで洗浄を行うか、標準時間で洗浄処理を行う。
【００５７】
上記のようにして最終純水処理を終えた基板Ｗは、搬送機構５９により処理槽５１から搬出されて乾燥処理等が施された後に保管されたり、次の一連の処理を施されたりする。
【００５８】
このように複数の処理槽を備えている構成であっても、最終の純水処理よりも前の純水処理を「短縮純水処理時間」で行うことにより、デバイス性能を良好に維持しつつも処理時間を短縮してスループットを高められる。さらに、短時間で純水処理を終えるので、純水の消費量も低減することができる。
【００５９】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、以下のように変形実施が可能である。
【００６０】
例えば、純水処理用の処理槽と、薬液処理用の処理槽とを二つ備え、これらの処理槽の間で基板を交互に搬送して少なくとも二回の純水洗浄と薬液処理とを行う装置であっても、本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】測定弁を開放してからの経過時間に応じた比抵抗値を示すグラフである。
【図２】フッ化水素酸によるエッチング処理後の純水処理時間に応じた面内均一性を示すグラフである。
【図３】各種純水処理時間ごとの評価を示す表である。
【図４】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図５】処理の流れを示すフローチャートである。
【図６】処理槽を複数個備えている基板処理装置における動作の説明に供する図である。
【符号の説明】
【００６２】
Ｗ  …  基板
１  …  内槽
３  …  外槽
５  …  処理槽
７  …  保持アーム
８  …  比抵抗計
１１  …供給管
３３  …  制御部
３５  …  記憶部
【図１】
2005101572.tif 000003
【図２】
2005101572.tif 000004
【図３】
2005101572.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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