(57)【要約】【課題】磁気特性および電磁変換特性を格段に向上させること。【解決手段】グラニュラー磁性層の結晶粒の均一化および微細化を促進して、結晶粒と非結晶粒界との偏析を略完全に行う。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板の両面上に、少なくとも、非磁性下地層と、非磁性中間層と、磁性層と、保護層とが順次積層されてなる磁気記録媒体であって、前記磁性層は、Ｃｏを含有して強磁性を有する結晶粒と、該結晶粒を取り巻く非磁性粒界とからなるグラニュラー磁性層であり、
前記結晶粒は単体又は合金からなる粒径が均一な金属系粒子を主体成分として構成され、前記非磁性粒界は非金属粒子を主体成分として構成され、
ここで、前記結晶粒と前記非磁性粒界とは、略完全に偏析された状態で積層され、かつ、前記金属系粒子と非金属粒子とが混在した混在粒子は略ゼロの成分として含まないことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記グラニュラー磁性層を構成する前記結晶粒の主体成分である金属系粒子において、平均粒径は５．１ｎｍであり、標準偏差は１．３ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２記載の磁気記録媒体を製造する製造方法であって、
前記磁気記録媒体の非磁性基板の両面上に非磁性下地層、非磁性中間層が順次積層された表面に、磁性層としてグラニュラー磁性層を成膜するに際して、
該磁気記録媒体の両面に対向して、合金粒子と酸化物粒子とが一体に埋め込まれた合成ターゲットをそれぞれ配置させ、
前記合金ターゲットに高周波電源ＲＦと直流電源ＤＣによる印加を同時にして、前記磁気記録媒体の両面に対してスパッタを行うことにより、
前記グラニュラー磁性層は、前記金属系粒子を主体成分とした前記結晶粒と、前記非金属粒子を主体成分とした前記非磁性粒界とが略完全に偏析された状態で積層され、かつ、前記混在粒子を略ゼロの成分として含まずに形成されたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
ＤＣ印加時の電力は５０Ｗ〜１５０Ｗの範囲であり、ＲＦ印加時の電力は６００Ｗ〜９００Ｗの範囲であり、
特にＤＣ印加時の電力が１００Ｗで、ＲＦ印加時の電力が７００Ｗのとき、粒径が均一な結晶粒を形成すると共に、該結晶粒と前記非磁性粒界とを完全に偏析させた状態で積層させたことを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項１又は２記載の磁気記録媒体を製造する製造装置であって、
非磁性基板の両面上に非磁性下地層、非磁性中間層が順次積層された前記磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体の両面に対向してそれぞれ配置された、合金粒子と酸化物粒子とが一体に埋め込まれた合成ターゲットと、
前記合金ターゲットに高周波電源ＲＦと直流電源ＤＣによる印加を同時にして、前記磁気記録媒体の両面に対してスパッタを行う印加手段とを具えたことを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンピュータの外部記憶装置等の各種磁気記録装置に搭載される磁気記録媒体、その製造方法、および、製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
高い記録密度と低ノイズが要求される磁気記録媒体に対して、従来からさまざまな磁性層の組成、構造、および非磁性下地層の材料等が提案されている。
【０００３】
特に近年、一般にグラニュラー磁性層と呼ばれる、磁性結晶粒の周囲を酸化物や窒化物のような非磁性非金属物質で囲んだ構造をもつ磁性層が提案されている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、非磁性膜・強磁性膜・非磁性膜を順次積層した後、加熱処理を行なうことにより非磁性膜中に強磁性の結晶粒が分散したグラニュラー記録層を形成することで、低ノイズ化を図ることが提案されている。この場合、非磁性膜としては、シリコン酸化物や窒化物等が用いられている。
【０００５】
また、特許文献２には、ＳｉＯ２等の酸化物が添加されたＣｏｉＰｔターゲットを用い、ＲＦスパッタリングを行なうことで、磁性結晶粒が非磁性の酸化物で囲まれて個々に分離した構造を持つグラニュラー記録膜が形成でき、高いＨｃと低ノイズ化が実現されることが記載されている。
【０００６】
このようなグラニュラー磁性膜は、非磁性非金属の粒界相が磁性粒子を物理的に分離するため、磁性粒子間の磁気的な相互作用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じるジグザグ磁壁の形成を抑制するので、低ノイズ特性が得られると考えられている。
【０００７】
従来用いられてきたＣｏＣｒ系金属磁性膜では、高温で成膜することによりＣｒがＣｏ系磁性粒から偏析することで粒界に析出し、磁性粒子間の磁気的相互作用を低減させているが、グラニュラー磁性層の場合はこの粒界相として非磁性非金属の物質を用いるため、従来のＣｒに比べて偏析し易く、比較的容易に磁性粒の孤立化が促進できるという利点がある。特に、従来のＣｏＣｒ系金属磁性層の場合は成膜時の基板温度を２００℃以上に上昇させることがＣｒの十分な偏析に必要不可欠なのに対し、グラニュラー磁性層の場合は加熱なしでの成膜においても、その非磁性非金属の物質は偏析を生じ、優れた磁気特性と電磁変換特性が実現できる。
【０００８】
さらに、特許文献３には、高周波電源ＲＦと直流電源ＤＣとを用いて、磁気記録層に対してスパッタリングを行うことにより、金属結晶粒の粒径の微細化を図り、これにより、磁気情報の読み出し等におけるノイズの低減化が図ることを低減している。
【０００９】
【特許文献１】
特開平８−２５５３４２号公報
【特許文献２】
特開平７−３１１９２９号公報
【特許文献３】
特開２００３−４５０１９号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
磁気記録媒体において、金属強磁性材料からなる結晶粒と、酸化物又は窒化物等の非磁性非金属材料からなる結晶粒界とからなる磁性層としてのグラニュラー磁性層は、ＲＦスパッタリング法で成膜した場合、磁性材料と酸化物又は窒化物等との配合量、成膜時の室圧、成膜レート等によって、磁気特性と電磁変換特性とがほぼ決まるといっても過言ではない。
【００１１】
特に近年、このグラニュラー磁性層の成膜の制御によって、磁気特性や電磁変換特性のさらなる向上が求められているが、現状では改善の余地が多々あり、必ずしも望ましい値とはなっていない。
【００１２】
また、特許文献３のように、ＲＦとＤＣをそれぞれ別個に印加して、結晶粒の粒径の微細化を図ることにより、ノイズの改善を図ったものもあるが、特許文献３の図１２に示すような平均粒径が６．８ｎｍ程度の結晶粒では、磁気特性および電磁変換特性において飛躍的な向上を図ったとは言えない。
【００１３】
そこで、本発明の目的は、グラニュラー磁性層の結晶粒の均一化および微細化を促進して、結晶粒と非結晶粒界との偏析を略完全に行うことにより、磁気特性および電磁変換特性を格段に向上させることが可能な、磁気記録媒体、その製造方法、および、製造装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、非磁性基板の両面上に、少なくとも、非磁性下地層と、非磁性中間層と、磁性層と、保護層とが順次積層されてなる磁気記録媒体であって、前記磁性層は、Ｃｏを含有して強磁性を有する結晶粒と、該結晶粒を取り巻く非磁性粒界とからなるグラニュラー磁性層であり、前記結晶粒は単体又は合金からなる粒径が均一な金属系粒子を主体成分として構成され、前記非磁性粒界は非金属粒子を主体成分として構成され、ここで、前記結晶粒と前記非磁性粒界とは略完全に偏析された状態で積層され、かつ、前記金属系粒子と非金属粒子とが混在した混在粒子は略ゼロの成分として含まないことによって、磁気記録媒体を構成する。
【００１５】
前記グラニュラー磁性層を構成する前記結晶粒の主体成分である金属系粒子は、平均粒径を５．１ｎｍとし、標準偏差を１．３ｎｍとして形成することができる。
【００１６】
本発明は、前記磁気記録媒体の非磁性基板の両面上に非磁性下地層、非磁性中間層が順次積層された表面に、磁性層としてグラニュラー磁性層を成膜するに際して、該磁気記録媒体の両面に対向して、合金粒子と酸化物粒子とが一体に埋め込まれた合成ターゲットをそれぞれ配置させ、前記合金ターゲットに高周波電源ＲＦと直流電源ＤＣによる印加を同時にして、前記磁気記録媒体の両面に対してスパッタを行うことにより、前記グラニュラー磁性層は、前記金属系粒子を主体成分とした前記結晶粒と、前記非金属粒子を主体成分とした前記非磁性粒界とが略完全に偏析された状態で積層され、かつ、前記混在粒子を略ゼロの成分として含まずに形成されることによって、磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【００１７】
ここで、ＤＣ印加時の電力は５０Ｗ〜１５０Ｗの範囲であり、ＲＦ印加時の電力は６００Ｗ〜９００Ｗの範囲であり、特にＤＣ印加時の電力が１００Ｗで、ＲＦ印加時の電力が７００Ｗのとき、粒径が均一な結晶粒を形成すると共に、該結晶粒と前記非磁性粒界とを完全に偏析させた状態で積層させることができる。
【００１８】
本発明は、非磁性基板の両面上に非磁性下地層、非磁性中間層が順次積層された前記磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体の両面に対向してそれぞれ配置された、合金粒子と酸化物粒子とが一体に埋め込まれた合成ターゲットと、前記合金ターゲットに高周波電源ＲＦと直流電源ＤＣによる印加を同時にして、前記磁気記録媒体の両面に対してスパッタを行う印加手段とを具えることによって、磁気記録媒体の製造装置を構成する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２０】
本発明の第１の実施の形態を、図面に基づいて説明する。
［磁気記録媒体］
まず、磁気記録媒体について説明する。
【００２１】
図１は、本発明に係る磁気記録媒体１０の断面形状を示す。
【００２２】
磁気記録媒体１０は、非磁性基板１と、該基板１の両面上に、少なくとも、非磁性下地層２と、非磁性中間層３と、磁性層としてのグラニュラー磁性層４と、保護膜５と、潤滑剤６とが順次積層されることにより構成される。
【００２３】
グラニュラー磁性層４は、図２に示すように、Ｃｏを含有して強磁性を有する結晶粒２０と、該結晶粒を取り巻く非磁性粒界２１とからなるグラニュラー磁性層であり、結晶粒２０は、単体又は合金からなる粒径が均一化された金属系粒子（例えば単体金属粒子Ｃｏや合金粒子ＣｏＣｒＰｔが考えられるが、ここでは合金粒子ＣｏＣｒＰｔ）を主体成分としている。この合金粒子ＣｏＣｒＰｔの平均粒径は５．１ｎｍであり、標準偏差は１．３ｎｍである（後述する図８参照）。
【００２４】
非磁性粒界２１は、非金属粒子（例えば酸化物又は窒化物が考えられるが、ここでは酸化物ＳｉＯ２）を主体成分としている。
【００２５】
しかし、これら結晶粒２０および非磁性粒界２１中には、金属系粒子ＣｏＣｒＰｔと、酸化物ＳｉＯ２とが混在した粒子（以下、混在粒子という）は、ほとんど含まれておらず、ほぼゼロである。
【００２６】
図２からわかるように、グラニュラー磁性層４は、そのような混在粒子を略ゼロの成分としてほとんど含まないことから、金属系粒子ＣｏＣｒＰｔを主体成分とした結晶粒２０と、酸化物ＳｉＯ２を主体成分とした非磁性粒界２１とが略完全に偏析化されて積層され配列されていることがわかる。
【００２７】
以下、その他の層について説明する。
【００２８】
非磁性基板１は、Ａｌ、結晶化ガラス、化学強化ガラス、又はプラスチック（樹脂）から構成される。
【００２９】
非磁性下地層２は、Ｗ，Ｍｏ，Ｖ、若しくは、１０ａｔ％以上５０ａｔ％以下のＴｉを含む、Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｖ合金から構成される。
【００３０】
非磁性中間層３は、Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｅ、若しくは、１０ａｔ％以上５０ａｔ％以下のＴｉ，Ｃ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕを含む、Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｅ合金から構成される。
【００３１】
［製造装置］
次に、製造装置の構成について説明する。
図３は、磁気記録媒体１０を製造する製造装置１００の構成を示す。
【００３２】
本装置の高真空チャンバー１３０内の中央部には、図１に示した磁気記録媒体１０が配置される。この磁気記録媒体１０の両面には、グラニュラー磁性層４を成膜する前の非磁性中間層３までの層が積層されているものである。
【００３３】
そして、磁気記録媒体１０の両面に対向して、合成ターゲット１１０が配置されている。これら２枚の合成ターゲット１１０は、カソード１２０の一面に設けられている。これら磁気記録媒体１０と２枚の合金ターゲット１１０は、高真空チャンバー１３０内に収納されている。高真空チャンバー１３０は、高真空排気ポンプ１４０によって排気され、チャンバー内は高真空の状態に保たれる。
【００３４】
カソード１２０は、高周波電圧（ＲＦ）と直流電圧（ＤＣ）とのマッチングをとるための電圧印加制御部１５０に取り付けられている。この電圧印加制御部１５０には、高周波電源（ＲＦ）１６０と直流電源（ＤＣ）１７０とがそれぞれ接続されている。この場合、カソード１２０にＲＦ＋ＤＣの電圧をマッチングするための電圧印加制御部１５０が設置されたことにより、ＲＦ電源１６０とＤＣ電源１７０とが同時に１つのカソード１２０に対して印加できることに特徴がある。
【００３５】
２枚の合金ターゲット１１０の材料としては、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯ２  を用いることができる。しかし、この材料に限るものではなく、グラニュラーに成り得る材料であれば特性は別として対象になり、例えば、ＣｏＣｒＰｔＡｌ２Ｏ３、ＣｏＣｒＰｔＣ、ＣｏＣｒ２Ｏ３ＰｔＳｉＯ２等のＣｏＣｒＰｔ＋酸化物、又は、炭化物でも構成することができる。従って、合金ターゲット１１０を一般的に定義するならば、ＣｏＣｔＰｔ合金＋酸化物とすることができる。
【００３６】
本装置の動作について説明する。
【００３７】
電圧印加制御部１３０により、２枚の合金ターゲット１１０に対して高周波電圧ＲＦと直流電圧ＤＣとを同時に印加し、高真空チャンバー１３０の中央に位置する磁気記録媒体１０の基板両面に対してスパッタリングを行う。
このスパッタリングにより、その基板両面に積層された非磁性中間層３上に、グラニュラー磁性層４が形成されることになる。このスパッタリング時の放電は、合金ターゲット１１０に対してカソード１２０からＲＦ＋ＤＣの電圧が同時に印加されることによって起こる。
【００３８】
構造上の特徴について説明する。
本装置は、
ａ）ＣｏＣｒＰｔＳｉＯ２の材料からなる１種類の合金ターゲットを用いる点
ｂ）その合金ターゲットに対して、ＲＦ＋ＤＣの電圧を同時に印加する点
ｃ）基板両面に対して対向配置された２枚の合金ターゲットを用いて、
その基板両面に同時にグラニュラー層４を形成する点に特徴をもつ。
この場合、ｃ）のグラニュラー層４を形成する場合において、
ＣｏＣｒＰｔＳｉＯ２  からなる２枚の合金ターゲット１１０を用いて、ＲＦ＋ＤＣを同時に印加してグラニュラー層４を形成することにより、後述するような磁気記録媒体１０の磁気特性（ＨＣ）、電磁変換特性（ＳＮＲ）に特に優位性が現れることに特徴をもつ。
【００３９】
［製造方法］
次に、磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。
磁性層の磁気特性および電磁変換特性の改善を図るために鋭意検討した結果、通常酸化物の成膜に使用されるＲＦスパッタと同時に、ＤＣ電力を供給することが有効であることを見出した。
【００４０】
すなわち、グラニュラー磁性層４の成膜時において、Ａｒガス圧を１５ｍＴｏｒｒ以下に設定し、ＲＦ電力と同時にＲＦフィルターを通したＤＣ電力を供給する。
【００４１】
以下、試作例を挙げる。
非磁性基板１として、表面が平滑な結晶化ガラス基板を用い、これを洗浄後、スパッタ装置内に導入する。
【００４２】
非磁性基板１上に、Ａｒガス圧１５ｍＴｏｒｒ下で、５０ａｔ％Ｔｉ−５０ａｔ％Ｗからなる非磁性下地層２を１０ｎｍだけ形成する。
【００４３】
この非磁性下地層２上に、Ａｒガス圧１５ｍＴｏｒｒ下で、Ｒｕからなる非磁性中間層３を１０ｎｍだけ形成する。
【００４４】
ＳｉＯ２を７ｍｏｌ％添加した７６ａｔ％Ｃｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔの合金ターゲット１１０を用い、ＲＦスパッタ法にＤＣ電力を供給して、非磁性中間層３上に、Ａｒガス圧１５ｍＴｏｒｒ下で、グラニュラー磁性層４を１５ｎｍだけ形成する。
【００４５】
このグラニュラー磁性層４の形成時において、ＤＣの電力としては５０Ｗ〜１５０Ｗの範囲で望ましくは１００Ｗであり、ＲＦの電力としては６００Ｗ〜９００Ｗの範囲で望ましくは７００Ｗである。なお、この電力供給に際しては、ＲＦとＤＣを同時に供給して同一の合金ターゲット１１０で放電を行うためのカーソード１２０の耐圧特性を考慮して最適化を図ることがもっとも望ましい。
【００４６】
そして、グラニュラー磁性層４を成膜した後、カーボンの保護膜５を１０ｎｍだけ積層した後、この磁気記録媒体１０を高真空チャンバー１３０内から取り出する。
【００４７】
最後に、磁気記録媒体１０の保護膜５上に、液体の潤滑剤６を１．５ｎｍだけ塗布して、図１に示したような構成の磁気記録媒体１０を作成した。
なお、成膜に先立って、非磁性基板１の加熱は行っていない。
【００４８】
以上により、グラニュラー磁性層４の成膜時の供給電力をＲＦとＤＣで行い、又は、この電力バランスを変えることにより、結晶粒径の均一化および粒径の制御が可能になると共に、偏析の促進を図ることができる。
【００４９】
［グラニュラー磁性層の形成原理］
次に、グラニュラー磁性層４の形成原理について説明する。
図４は、グラニュラー磁性層４の形成原理を示す。
【００５０】
ＣｏＣｒＰｔＳｉＯ２からなる合金ターゲット１１０から粒子が放電された状態におけるプラズマ中での粒子の形態を示す。
【００５１】
このプラズマ中の粒子の代表的なものとしては、単体金属粒子Ｃｏ，Ｐｔ、合金粒子ＣｏＣｒＰｔなどかなる結晶粒２０と、酸化物ＳｉＯ２の非磁性粒界２１とが考えられる。
【００５２】
そして、このプラズマ中において、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯ２原子、結晶粒２０、非磁性粒界２１は、各々合金の状態、単体の状態で放電され、基板表面（非磁性中間層３の上）でエピタクシー成長していき、成膜される。このとき、図２に示したように、金属系粒子の結晶粒２０と、酸化物ＳｉＯ２の非磁性粒界２１とは、従来に比べて格段に分離され、これによりほぼ完全に偏析される。
【００５３】
しかし、これら偏析された結晶粒２０および非磁性粒界２１中には、金属系粒子（ＣｏＣｒＰｔ）と酸化物（ＳｉＯ２）とが混在したいわゆる混在粒子は、ほとんど含まれておらず、ほぼゼロと考えられる。その理由は、以下に述べるような、ＲＦ＋ＤＣの同時印加制御、電子顕微鏡の観察による粒径の比較結果、磁気特性や電磁変換特性の特性結果などに基づくからである。
【００５４】
（ＲＦ＋ＤＣの同時印加制御）
図５は、従来のＲＦ印加のみで放電させた場合におけるプラズマ中での粒子の形態を示す。このプラズマ中では、金属系粒子ＣｏＣｒＰｔに代表される結晶粒２０と、酸化物ＳｉＯ２の非磁性粒界２１と、金属系粒子ＣｏＣｒＰｔと酸化物ＳｉＯ２とが混在したいわゆる混在粒子２２とが、存在する。
【００５５】
図６は、本発明のＲＦ＋ＤＣ印加で放電させた場合におけるプラズマ中での粒子の形態を示す。このプラズマ中では、金属系粒子ＣｏＣｒＰｔに代表される結晶粒２０と酸化物ＳｉＯ２の非磁性粒界２１とは存在するが、混在粒子２２はほとんど存在しない。
【００５６】
その理由は、ＲＦ印加による放電エネルギーに対してＤＣ電力のエネルギーが加算されることにより、粒子の分離する確立が高まったからだと考えられ、その結果として、結晶粒２０の粒径の微細化と、偏析の向上とが促進される。
【００５７】
すなわち、図５のＲＦ印加のみによる場合には、基板表面で合金と酸化物は分離するが、完全に分離できている訳ではなく、合金の中にも酸化物が多少入り、また、酸化物中にも微細な合金が存在するものと考えられ、これがいわゆる混在粒子２２として残存することになる。その結果、結晶粒２０の粒径の微細化と、偏析化は、促進されないことになる。これにより、ノイズ成分となり、電磁変換特性（ＳＮＲ）を低下させる原因となる。
【００５８】
これに対して、本発明の図６のＲＦ＋ＤＣ印加では、ＲＦ放電エネルギーに対しＤＣ電力のエネルギー（主に、合金ＣｏＣｒＰｔにかかる）が寄与することにより、合金と酸化物の分離、偏析が向上し、結果的にＣｏＣｒＰｔの結晶粒２０の粒径が小さくなり、均一化されることになる。
【００５９】
（粒径の比較結果）
図７は、ＲＦ＋ＤＣ印加によるグラニュラー磁性層４を形成後の電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察結果を模式的に描いたものである。
【００６０】
図８は、その観察結果に基づく、粒径の従来との比較結果を示す。ここでは、結晶粒２０の平均粒径３０と、標準偏差３１とを示す。
【００６１】
図９は、結晶粒２０の粒径に対する面積比率の比較結果を波形４０，４１として示す。
【００６２】
従来のＲＦ印加のみの場合には、平均粒径は６．４ｎｍ、バラツキは１．７５ｎｍとなる。また、波形４０から、単位面積当たりの５０％が８ｎｍ程度の粒径となる。
【００６３】
一方、本発明のＲＦ＋ＤＣ印加の場合には、平均粒径は５．１ｎｍ、バラツキは１．３ｎｍとなる。また、波形４１から、単位面積当たりの４５％が６ｎｍ程度になる。
【００６４】
以上の比較により、平均粒径は１．３ｎｍ小さくなり、バラツキも０．４５ｎｍ少なくなっている。これにより、ＲＦ＋ＤＣの同時印加により、結晶粒径が微細化され、かつ、均一化されたことがわかる。従って、この微細化および均一化の促進によって偏析が促進されたことにより、磁気特性（Ｈｃ）が向上し、電磁変換特性（ＳＮＲ）が改善されたものと考えられる。
【００６５】
（特性結果）
磁気特性（Ｈｃ）について説明する。
図１０は、ＲＦ＋ＤＣ印加の印加条件を変えたときにおける、磁気特性（Ｈｃ）の値を示す。これにより、ＲＦ７００Ｗ＋ＤＣ１００Ｗを印加条件としたときのＨｃが２８００（Ｏｅ）となり、最も高い値を示した。
【００６６】
図１１は、図１０の結果から最も好ましい印加条件（ＲＦ７００Ｗ＋ＤＣ１００Ｗの同時）で印加したときのＨｃを、従来の印加条件（ＲＦ８００Ｗのみ）で印加したときと比較して示す。
【００６７】
比較例として、前述した試作例をもとに、ＳｉＯ２を７ｗｔ％添加した、７６ａｔ％Ｃｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔの合金ターゲット１１０を用いて、ＲＦ印加のみで成膜した試料を作製した。なお、振動試料型磁気測定機（ＶＳＭ）を用いて測定した。
【００６８】
図１１において、波形５０は従来例、波形５１は本発明の比較結果を示す。これにより、ＲＦ＋ＤＣにより偏析の促進が行われ、Ｈｃ特性が約１０％改善されていることがわかる。
【００６９】
電磁変換特性（ＳＮＲ）について説明する。
図１２は、ＲＦ＋ＤＣ印加の印加条件を変えたときにおける、電磁変換特性（ＳＮＲ）の値を示す。これにより、ＲＦ７００Ｗ＋ＤＣ１００Ｗを印加条件としたときのＳＮＲが１８（ｄＢ）となり、最も高い値を示した。
【００７０】
図１３は、図１２の結果から最も好ましい印加条件（ＲＦ７００Ｗ＋ＤＣ１００Ｗの同時）で印加したときのＳＮＲを、従来の印加条件（ＲＦ８００Ｗのみ）で印加したときと比較して示す。
【００７１】
ここでは、前述した試作した試料を、ＧＭＲヘッドを用いてスピンスタンドテスターで測定した線記録密度に対して対信号雑音比ＳＮＲを示す。なお、試料としては、同等な再生出力が得られるものとした。
【００７２】
図１３において、波形６０は従来例、波形６１は本発明の比較結果を示す。これにより、ＲＦ＋ＤＣにより偏析の促進が行われ、ＳＮＲ特性が約１０％改善されていることがわかる。
【００７３】
以上より、図１１のＨｃ特性および図１３のＳＮＲ特性の改善は、ＲＦ＋ＤＣの同時印加による結晶粒２０の粒径の微細化および均一化の促進によって偏析が促進されたことに基づくものと想定できる。
【００７４】
なお、説明上、『偏析』とは、合金粒子（ＣｏＣｒＰｔ）等の金属系粒子からなる結晶粒２０と、酸化物粒子（ＳｉＯ２）等の非金属系粒子からなる非磁性粒界２１との組成分布が場所によって一様とはならず、偏って分布することをいう。従って、『ほぼ完全に促進化された』とは、結晶粒２０と非磁性粒界２１とがほぼ完全に分離されていることを示す。
【００７５】
【発明の効果】
以上発明したように、本発明によれば、グラニュラー磁性層の結晶粒の均一化および微細化を促進して、結晶粒と非結晶粒界との偏析を略完全に行い、磁気特性（Ｈｃ）および電磁変換特性（ＳＮＲ）を格段に向上させることができ、これにより、磁気記録媒体の媒体ノイズ特性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る磁気記録媒体の断面形状を示す断面図である。
【図２】グラニュラー磁性層を拡大して示す断面図である。
【図３】磁気記録媒体を製造する製造装置の構成を示す構成図である。
【図４】グラニュラー磁性層の形成原理を示す説明図である。
【図５】従来のＲＦ印加のみで放電させた場合におけるプラズマ中での粒子の形態を示す説明図である。
【図６】本発明のＲＦ＋ＤＣ印加で放電させた場合におけるプラズマ中での粒子の形態を示す説明図である。
【図７】ＲＦ＋ＤＣ印加によるグラニュラー磁性層を形成後の電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察結果を模式的に描いた説明図である。
【図８】その観察結果に基づく、粒径の従来との比較結果を示す説明図である。
【図９】結晶粒の粒径に対する面積比率の比較結果を示すグラフである。
【図１０】ＲＦ＋ＤＣ印加の印加条件を変えたときにおける、磁気特性（Ｈｃ）の値を示すグラフである。
【図１１】図１０の結果から最も好ましい印加条件で印加したときのＨｃを、従来の印加条件で印加したときと比較して示すグラフである。
【図１２】ＲＦ＋ＤＣ印加の印加条件を変えたときにおける、電磁変換特性（ＳＮＲ）の値を示すグラフである。
【図１３】図１２の結果から最も好ましい印加条件で印加したときのＳＮＲを、従来の印加条件で印加したときと比較して示すグラフである。
【符号の説明】
１  非磁性基板
２  非磁性下地層
３  非磁性中間層
４  グラニュラー磁性層
５  保護膜
６  潤滑剤
１０  磁気記録媒体
２０  結晶粒
２１  非磁性粒界
２２  混在粒子
１００  製造装置
１１０  合金ターゲット
１２０  カソード
１３０  高真空チャンバー
１４０  高真空排気ポンプ
１５０  電圧印加制御部
１６０  高周波電源（ＲＦ）
１７０  直流電源（ＤＣ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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