(57)【要約】【課題】石英部材からのパーティクル発生を防止することができる熱処理装置を提供する。【解決手段】複数のフラッシュランプ６９を備える光源５の下方にチャンバー６５が設けられている。チャンバー６５の上部にはチャンバー窓たる石英製の透光板６１が設けられている。フラッシュランプ６９から出射された閃光は透光板６１を通過してチャンバー６５内に導かれる。透光板６１には高い加工精度が要求されるため、研削加工による表面処理が行われる。そして、研削加工後の透光板６１の表面にさらに焼き仕上げを行うことによって該表面から微小凹凸を除去している。これにより、微小クラ凹凸からパーティクルが発生することはなくなり、石英製の透光板６１からのパーティクル発生を防止することができる。【選択図】図１
2005101159.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して閃光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
フラッシュランプを有する光源と、
前記光源の下方に設けられたチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を略水平姿勢にて保持する保持手段と、
前記チャンバーに設けられた石英部材と、
を備え、
前記石英部材の表面を焼き仕上げすることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の熱処理装置において、
前記石英部材は研削加工によって表面処理された部材を含み、当該部材の表面を焼き仕上げすることを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の熱処理装置において、
前記石英部材は、前記チャンバーの上部に設けられ、前記フラッシュランプから出射された閃光をチャンバー内部に透過するチャンバー窓を含み、前記チャンバー窓の表面を焼き仕上げすることを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
請求項２記載の熱処理装置において、
前記石英部材は、前記チャンバーの内部に設けられ、チャンバー壁面に沿って嵌合されたライナーを含むことを特徴とする熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウェハーやガラス基板等（以下、単に「基板」と称する）に光を照射することにより基板を熱処理する熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、イオン注入後の半導体ウェハーのイオン活性化工程においては、ハロゲンランプを使用したランプアニール装置等の熱処理装置が使用されている。このような熱処理装置においては、半導体ウェハーを、例えば、１０００℃ないし１１００℃程度の温度に加熱（アニール）することにより、半導体ウェハーのイオン活性化を実行している。そして、このような熱処理装置においては、ハロゲンランプより照射される光のエネルギーを利用することにより、毎秒数百度程度の速度で基板を昇温する構成となっている。
【０００３】
ところが、ハロゲンランプにより毎秒数百度程度の速度で半導体ウェハーを昇温する熱処理装置を使用して半導体ウェハーのイオン活性化を実行した場合においても、半導体ウェハーに打ち込まれたイオンのプロファイルがなまる、すなわち、熱によりイオンが拡散してしまうという現象が生ずることが判明した。このような現象が発生した場合においては、半導体ウェハーの表面にイオンを高濃度で注入しても、注入後のイオンが拡散してしまうことから、イオンを必要以上に注入しなければならないという問題が生じていた。
【０００４】
上述したイオン拡散の問題を解決するため、キセノンフラッシュランプ等を使用して半導体ウェハーの表面に閃光を照射することにより、イオンが注入された半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリセカンド以下）に昇温させる技術が提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、イオンが拡散するための十分な時間がないため、半導体ウェハーに打ち込まれたイオンのプロファイルをなまらせることなく、イオン活性化のみを実行することができるのである。
【０００５】
ところで、上述の如き光照射型の熱処理装置に限らず、半導体ウェハー等を製造する装置においては、高純度で耐熱性、耐薬品性、耐衝撃性に優れた石英部材が広く使用されており、特に半導体ウェハーを搬送・保持するための治具として用いられることが多い。優れた特性を有する石英部材であっても、半導体ウェハーを保持するときの摩擦によって発塵することがあり、このような場合は石英部材自体がパーティクル源となることがあった。このため、半導体ウェハーを保持するための治具をバーナー等によって焼き仕上げすることによってその表面を凹凸の無い滑らかな状態にして発塵を防止する技術が提案されている（例えば、特許文献３，４参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開昭５９−１６９１２５号公報
【特許文献２】特開昭６３−１６６２１９号公報
【特許文献３】特開平３−２０９７２２号公報
【特許文献４】特開２０００−１６８２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一方、光照射型の熱処理装置では治具以外にも石英製の部材が使用されていることがあり、例えば光源からの光をチャンバー内に透過するチャンバー窓は石英にて構成されていることが多い。チャンバー窓は半導体ウェハーと接触するものではないため摩擦による発塵はあり得ないが、研削加工によって仕上げられたチャンバー窓の表面に多数の微細凹凸が生じており、そこから０．１μｍ以下という微小なパーティクルが発生することがある。
【０００８】
また、特にキセノンフラッシュランプを使用した熱処理装置では、極めて短時間の間に巨大なエネルギーを有する閃光が照射されるため、そのときの衝撃によってチャンバー窓表面の微細凹凸が砕かれることからパーティクルがより多く発生する。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、石英部材からのパーティクル発生を防止することができる熱処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に対して閃光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、フラッシュランプを有する光源と、前記光源の下方に設けられたチャンバーと、前記チャンバー内にて基板を略水平姿勢にて保持する保持手段と、前記チャンバーに設けられた石英部材と、を備え、前記石英部材の表面を焼き仕上げしている。
【００１１】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明にかかる熱処理装置において、前記石英部材に研削加工によって表面処理された部材を含ませ、当該部材の表面を焼き仕上げしている。
【００１２】
また、請求項３の発明は、請求項２の発明にかかる熱処理装置において、前記石英部材に、前記チャンバーの上部に設けられ、前記フラッシュランプから出射された閃光をチャンバー内部に透過するチャンバー窓を含ませ、前記チャンバー窓の表面を焼き仕上げしている。
【００１３】
また、請求項４の発明は、請求項２の発明にかかる熱処理装置において、前記石英部材に、前記チャンバーの内部に設けられ、チャンバー壁面に沿って嵌合されたライナーを含ませている。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１の発明によれば、石英部材の表面を焼き仕上げすることによって該表面から微小凹凸を除去しているため、微小凹凸からパーティクルが発生することはなくなり、石英部材からのパーティクル発生を防止することができる。
【００１５】
また、請求項２の発明によれば、研削加工によって表面処理された石英部材の表面を焼き仕上げすることによって該表面から微小凹凸を除去しているため、微小凹凸からパーティクルが発生することはなくなり、研削加工後の石英部材からのパーティクル発生を防止することができる。
【００１６】
また、請求項３の発明によれば、チャンバー窓の表面を焼き仕上げすることによって該表面から微小凹凸を除去しているため、微小凹凸からパーティクルが発生することはなくなり、石英製のチャンバー窓からのパーティクル発生を防止することができる。
【００１７】
また、請求項４の発明によれば、ライナーの表面を焼き仕上げすることとなり、その表面から微小凹凸を除去することができるため、微小凹凸からパーティクルが発生することはなくなり、石英製のライナーからのパーティクル発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１９】
図１および図２は本発明にかかる熱処理装置の構成を示す側断面図である。この熱処理装置は、キセノンフラッシュランプからの閃光によって半導体ウェハー等の基板の熱処理を行う装置である。
【００２０】
この熱処理装置は、透光板６１、底板６２および一対の側板６３、６４からなり、その内部に半導体ウェハーＷを収納して熱処理するためのチャンバー６５を備える。チャンバー６５の上部を構成する透光板６１は、赤外線透過性を有する石英にて構成されており、光源５から出射された光を透過してチャンバー６５内に導くチャンバー窓として機能している。また、チャンバー６５の本体部を構成する底板６２および側板６３、６４は、例えばステンレススチール等の強度と耐熱性に優れた金属材料にて構成されている。
【００２１】
また、底板６２には、後述する熱拡散板７３および加熱プレート７４を貫通して半導体ウェハーＷをその下面から支持するための支持ピン７０が立設されている。さらに、側板６４には、半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための開口部６６が形成されている。開口部６６は、軸６７を中心に回動するゲートバルブ６８により開閉可能となっている。半導体ウェハーＷは、開口部６６が開放された状態で、図示しない搬送ロボットによりチャンバー６５内に搬入される。また、チャンバー６５内にて半導体ウェハーＷの熱処理が行われるときには、ゲートバルブ６８により開口部６６が閉鎖される。
【００２２】
チャンバー６５は光源５の下方に設けられている。光源５は、複数（本実施形態においては２５本）のキセノンフラッシュランプ６９（以下、単に「フラッシュランプ６９」とも称する）と、リフレクタ７１とを備える。複数のフラッシュランプ６９は、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が水平方向に沿うようにして互いに平行に平面状に配列されている。リフレクタ７１は、複数のフラッシュランプ６９の上方にそれらの全体を被うように配設されている。
【００２３】
このキセノンフラッシュランプ６９は、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設されたガラス管と、該ガラス管の外局部に巻回されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのジュール熱でキセノンガスが加熱されて光が放出される。このキセノンフラッシュランプ６９においては、予め蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。
【００２４】
光源５と透光板６１との間には、光拡散板７２が配設されている。この光拡散板７２は、赤外線透過材料としての石英ガラスの表面に光拡散加工を施したものが使用される。
【００２５】
フラッシュランプ６９から放射された光の一部は直接に光拡散板７２および透光板６１を透過してチャンバー６５内へと向かう。また、フラッシュランプ６９から放射された光の他の一部は一旦リフレクタ７１によって反射されてから光拡散板７２および透光板６１を透過してチャンバー６５内へと向かう。
【００２６】
チャンバー６５内には、加熱プレート７４と熱拡散板７３とが設けられている。熱拡散板７３は加熱プレート７４の上面に貼着されている。また、熱拡散板７３の表面には、半導体ウェハーＷの位置ずれ防止ピン７５が付設されている。
【００２７】
加熱プレート７４は、半導体ウェハーＷを予備加熱（アシスト加熱）するためのものである。この加熱プレート７４は、例えば窒化アルミニウムにて構成され、その内部にヒータと該ヒータを制御するためのセンサとを収納した構成を有する。一方、熱拡散板７３は、加熱プレート７４からの熱エネルギーを拡散して半導体ウェハーＷを均一に予備加熱するためのものである。この熱拡散板７３の材質としては、例えばサファイア（Ａｌ2Ｏ3：酸化アルミニウム）等の比較的熱伝導率が小さいものが採用される。
【００２８】
熱拡散板７３および加熱プレート７４は、モータ４０の駆動により、図１に示す半導体ウェハーＷの搬入・搬出位置と図２に示す半導体ウェハーＷの熱処理位置との間を昇降する構成となっている。
【００２９】
すなわち、加熱プレート７４は、筒状体４１を介して移動板４２に連結されている。この移動板４２は、チャンバー６５の底板６２に釣支されたガイド部材４３により案内されて昇降可能となっている。また、ガイド部材４３の下端部には、固定板４４が固定されており、この固定板４４の中央部にはボールネジ４５を回転駆動するモータ４０が配設されている。そして、このボールネジ４５は、移動板４２と連結部材４６、４７を介して連結されたナット４８と螺合している。このため、熱拡散板７３および加熱プレート７４は、モータ４０の駆動により、図１に示す半導体ウェハーＷの搬入・搬出位置と図２に示す半導体ウェハーＷの熱処理位置との間を昇降することができる。
【００３０】
図１に示す半導体ウェハーＷの搬入・搬出位置は、図示しない搬送ロボットを使用して開口部６６から搬入した半導体ウェハーＷを支持ピン７０上に載置し、あるいは、支持ピン７０上に載置された半導体ウェハーＷを開口部６６から搬出することができるように、熱拡散板７３および加熱プレート７４が下降した位置である。この状態においては、支持ピン７０の上端は、熱拡散板７３および加熱プレート７４に形成された貫通孔を通過し、熱拡散板７３の表面より上方に突出する。
【００３１】
一方、図２に示す半導体ウェハーＷの熱処理位置は、半導体ウェハーＷに対して熱処理を行うために、熱拡散板７３および加熱プレート７４が支持ピン７０の上端より上方に上昇した位置である。熱拡散板７３および加熱プレート７４が図１の搬入・搬出位置から図２の熱処理位置に上昇する過程において、支持ピン７０に載置された半導体ウェハーＷは熱拡散板７３によって受け取られ、その下面を熱拡散板７３の表面に支持されて上昇し、チャンバー６５内の透光板６１に近接した位置に水平姿勢にて保持される。逆に、熱拡散板７３および加熱プレート７４が熱処理位置から搬入・搬出位置に下降する過程においては、熱拡散板７３に支持された半導体ウェハーＷは支持ピン７０に受け渡される。
【００３２】
半導体ウェハーＷを支持する熱拡散板７３および加熱プレート７４が熱処理位置に上昇した状態においては、それらに保持された半導体ウェハーＷと光源５との間に透光板６１が位置することとなる。なお、このときの熱拡散板７３と光源５との間の距離についてはモータ４０の回転量を制御することにより任意の値に調整することが可能である。
【００３３】
また、チャンバー６５のチャンバー壁面に沿ってライナー２０が嵌合されている。ライナー２０はチャンバー６５に対して固定はされておらず、着脱自在とされている。ライナー２０は、石英にて構成されており、側板６３、６４および底板６２の内壁面を覆うように有底筒形状に形成されている。なお、ライナー２０は、筒部と底部とに分離可能な分割体としても良いし、一体成型するようにしても良い。
【００３４】
また、加熱プレート７４、熱拡散板７３およびそれらを支える筒状体４１の周囲には、熱拡散板７３の上面を除いてヒーターリフレクタ３０が周設されている。ヒーターリフレクタ３０も石英製の部材である。ヒーターリフレクタ３０は、加熱プレート７４からの熱エネルギーが熱拡散板７３以外に伝導するのを防ぐ。
【００３５】
また、チャンバー６５の底板６２と移動板４２との間には筒状体４１の周囲を取り囲むようにしてチャンバー６５を気密状体に維持するための伸縮自在の蛇腹７７が配設されている。熱拡散板７３および加熱プレート７４が熱処理位置まで上昇したときには蛇腹７７が収縮し、熱拡散板７３および加熱プレート７４が搬入・搬出位置まで下降したときには蛇腹７７が伸長してチャンバー６５内の雰囲気と外部雰囲気とを遮断する。
【００３６】
チャンバー６５における開口部６６と反対側の側板６３には、開閉弁８０に連通接続された導入路７８が形成されている。この導入路７８は、チャンバー６５内に処理に必要なガス、例えば不活性な窒素ガスを導入するためのものである。一方、側板６４における開口部６６には、開閉弁８１に連通接続された排出路７９が形成されている。この排出路７９は、チャンバー６５内の気体を排出するためのものであり、開閉弁８１を介して図示しない排気手段と接続されている。
【００３７】
上記の熱処理装置においては、チャンバー６５内の処理空間に曝される石英部材としてチャンバー窓たる透光板６１、ライナー２０およびヒーターリフレクタ３０が設けられている。これらのうち本実施形態では少なくとも研削加工によって表面処理された石英部材、具体的には透光板６１の表面をバーナー等によって焼き仕上げしている。すなわち、透光板６１はフラッシュランプ６９からの閃光をチャンバー６５内に導く光学部品であるため、高精度の平行度が透光板６１には要求される。また、透光板６１と側板６３，６４との間のシール性を維持する観点からも、透光板６１には高精度の平行度が要求される。このため、通常は石英製の板を研削加工することによって透光板６１を作製している。研削加工であれば高精度の加工が可能であるため、上記の要求を満たすことができるのである。
【００３８】
ところが、石英板に研削加工の如き機械的加工を行うと、その表面に無数の微小凹凸が生じる。キセノンフラッシュランプ６９を使用した装置では極めて短時間の間に強烈な閃光照射がなされるため、微小凹凸自体が破損してパーティクルを発生させるおそれもある。そこで、本実施形態では、透光板６１の表面を焼き仕上げすることによって該表面から微小凹凸を除去しているのである。
【００３９】
図３は、透光板６１表面の焼き仕上げ処理を説明する図である。図３（ａ）に示す如く、研削加工後の透光板６１の表面には多数の微小凹凸９１が生じている。このような研削加工後の透光板６１の表面をバーナー９２からの火炎により加熱して焼き仕上げする（図３（ｂ））。なお、バーナー９２は手動または自動的にスライド移動され、透光板６１の表面のうちの少なくとも研削加工仕上げ部分については全面が焼き仕上げされる。このような焼き仕上げ処理を行うことによって、透光板６１の表面が滑らかになるとともに、微小凹凸９１が除去される（図３（ｃ））。そして、焼き仕上げによる仕上げ表面処理が行われた透光板６１をチャンバー窓としてチャンバー６５に装着しているのである。
【００４０】
また、キセノンフラッシュランプ６９からの閃光照射時の衝撃によりライナー２０およびヒーターリフレクタ３０もそれぞれチャンバー６５および加熱プレート７４等と接触して発塵する可能性がある。このため、本実施形態では、透光板６１以外の石英部材であるライナー２０およびヒーターリフレクタ３０に対しても焼き仕上げしている。焼き仕上げの手法は上記と同様であり、ライナー２０およびヒーターリフレクタ３０の表面を焼き仕上げすることによって該表面から微小凹凸を除去している。
【００４１】
次に、上記構成を有する熱処理装置による半導体ウェハーＷの熱処理動作について説明する。この熱処理装置において処理対象となる半導体ウェハーＷは、イオン注入後の半導体ウェハーである。
【００４２】
この熱処理装置においては、熱拡散板７３および加熱プレート７４が図１に示す半導体ウェハーＷの搬入・搬出位置に配置された状態にて、図示しない搬送ロボットにより開口部６６を介して半導体ウェハーＷが搬入され、支持ピン７０上に載置される。半導体ウェハーＷの搬入が完了すれば、開口部６６がゲートバルブ６８により閉鎖される。しかる後、熱拡散板７３および加熱プレート７４がモータ４０の駆動により図２に示す半導体ウェハーＷの熱処理位置まで上昇し、半導体ウェハーＷを水平姿勢にて保持する。また、開閉弁８０および開閉弁８１を開いてチャンバー６５内に窒素ガスの気流を形成する。
【００４３】
熱拡散板７３および加熱プレート７４は、加熱プレート７４に内蔵されたヒータの作用により予め所定温度に加熱されている。このため、熱拡散板７３および加熱プレート７４が半導体ウェハーＷの熱処理位置まで上昇した状態においては、半導体ウェハーＷが加熱状態にある熱拡散板７３と接触することにより予備加熱され、半導体ウェハーＷの温度が次第に上昇する。
【００４４】
この状態においては、半導体ウェハーＷは熱拡散板７３により継続して加熱される。そして、半導体ウェハーＷの温度上昇時には、図示しない温度センサにより、半導体ウェハーＷの表面温度が予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを常に監視する。
【００４５】
なお、この予備加熱温度Ｔ１は、例えば２００℃ないし６００℃程度の温度である。半導体ウェハーＷをこの程度の予備加熱温度Ｔ１まで加熱したとしても、半導体ウェハーＷに打ち込まれたイオンが拡散してしまうことはない。
【００４６】
やがて、半導体ウェハーＷの表面温度が予備加熱温度Ｔ１に到達すると、フラッシュランプ６９を点灯してフラッシュ加熱を行う。このフラッシュ加熱工程におけるフラッシュランプ６９の点灯時間は、０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンド程度の時間である。このように、フラッシュランプ６９においては、予め蓄えられていた静電エネルギーがこのように極めて短い光パルスに変換されることから、極めて強い閃光が照射されることになる。
【００４７】
このようなフラッシュ加熱により、半導体ウェハーＷの表面温度は瞬間的に温度Ｔ２に到達する。この温度Ｔ２は、１０００℃ないし１１００℃程度の半導体ウェハーＷのイオン活性化処理に必要な温度である。半導体ウェハーＷの表面がこのような処理温度Ｔ２にまで昇温されることにより、半導体ウェハーＷ中に打ち込まれたイオンが活性化される。
【００４８】
このとき、半導体ウェハーＷの表面温度が０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンド程度の極めて短い時間で処理温度Ｔ２まで昇温されることから、半導体ウェハーＷ中のイオン活性化は短時間で完了する。従って、半導体ウェハーＷに打ち込まれたイオンが拡散することはなく、半導体ウェハーＷに打ち込まれたイオンのプロファイルがなまるという現象の発生を防止することが可能となる。なお、イオン活性化に必要な時間はイオンの拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であってもイオン活性化は完了する。
【００４９】
また、フラッシュランプ６９を点灯して半導体ウェハーＷを加熱する前に、加熱プレート７４を使用して半導体ウェハーＷの表面温度を２００℃ないし６００℃程度の予備加熱温度Ｔ１まで加熱していることから、フラッシュランプ６９により半導体ウェハーＷを１０００℃ないし１１００℃程度の処理温度Ｔ２まで速やかに昇温させることが可能となる。
【００５０】
フラッシュ加熱工程が終了した後に、熱拡散板７３および加熱プレート７４がモータ４０の駆動により図１に示す半導体ウェハーＷの搬入・搬出位置まで下降するとともに、ゲートバルブ６８により閉鎖されていた開口部６６が開放される。そして、支持ピン７０上に載置された半導体ウェハーＷが図示しない搬送ロボットにより搬出される。以上のようにして、一連の熱処理動作が完了する。
【００５１】
本実施形態の熱処理装置においては、チャンバー窓たる透光板６１の表面を焼き仕上げすることによって該表面から微小凹凸を除去しているため、微小凹凸に起因したパーティクル発生を防止することができる。また、フラッシュランプ６９からの閃光照射時に微小凹凸に衝撃を与えるおそれもない。さらに、ライナー２０およびヒーターリフレクタ３０に対しても焼き仕上げすることによって微小凹凸を除去しているため、微小凹凸に起因したパーティクル発生をより完全に防止することができる。
【００５２】
チャンバー窓たる透光板６１は光学部品であり、高い加工精度が要求されるため、研削加工を最終表面処理とすることが一般的である。研削加工後の焼き仕上げを最終表面処理とすると平行度等の加工精度が若干低下するのであるが、フラッシュランプ６９のように一瞬の閃光照射を行う場合はその程度の加工精度の低下があっても特に問題とはならず、むしろ微小凹凸を消滅させたことによるパーティクル発生防止効果の方が大きいのである。
【００５３】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては光源５に２５本のフラッシュランプ６９を備えるようにしていたが、これに限定されずフラッシュランプ６９の本数は任意のものとすることができる。
【００５４】
また、上記実施形態においては、透光板６１、ライナー２０およびヒーターリフレクタ３０の全てに焼き仕上げを行っていたが、少なくとも研削加工によって表面処理された透光板６１に焼き仕上げを行うようにすれば良い。例えば、ヒーターリフレクタ３０は加熱プレート７４から熱が放散するのを防止するための部材であり、その表面は断熱のため不透明（擦りガラス状）とされているのであるが、焼き仕上げを行うとそれが透明となって断熱効果が薄れるため、パーティクル発生防止効果と断熱効果とを比較考慮して焼き仕上げを行うか否かを決定すれば良い。一方、ライナー２０は部材の表面積が大きく、しかもその表面がチャンバー壁面と接触している箇所が多い。そのため、フラッシュ点灯時の衝撃で微小凹凸が砕け易いため焼き仕上げを行うようにすることが好ましい。
【００５５】
また、ライナー２０およびヒーターリフレクタ３０を焼き仕上げする場合、一方の面を焼き仕上げし、他方の面を不透明（擦りガラス状）とするようにしても良い。例えば、チャンバー６５のチャンバー壁面と接触するライナー２０の外壁面を焼き仕上げするとともに、内壁面を不透明とするようにしても良い。こうすることで、断熱効果を維持しつつもパーティクル発生防止効果を付与することが可能となる。
【００５６】
また、上記実施形態においては、半導体ウェハーに光を照射してイオン活性化処理を行うようにしていたが、本発明にかかる熱処理装置による処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではない。例えば、窒化シリコン膜や多結晶シリコン膜等の種々のシリコン膜が形成されたガラス基板に対して本発明にかかる熱処理装置による処理を行っても良い。一例として、ＣＶＤ法によりガラス基板上に形成した多結晶シリコン膜にシリコンをイオン注入して非晶質化した非晶質シリコン膜を形成し、さらにその上に反射防止膜となる酸化シリコン膜を形成する。この状態で、本発明にかかる熱処理装置により非晶質のシリコン膜の全面に光照射を行い、非晶質のシリコン膜が多結晶化した多結晶シリコン膜を形成することもできる。
【００５７】
また、ガラス基板上に下地酸化シリコン膜、アモルファスシリコンを結晶化したポリシリコン膜を形成し、そのポリシリコン膜にリンやボロン等の不純物をドーピングした構造のＴＦＴ基板に対して本発明にかかる熱処理装置により光照射を行い、ドーピング工程で打ち込まれた不純物の活性化を行うこともできる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明にかかる熱処理装置の構成を示す側断面図である。
【図２】本発明にかかる熱処理装置の構成を示す側断面図である。
【図３】透光板表面の焼き仕上げ処理を説明する図である。
【符号の説明】
【００５９】
５  光源
２０  ライナー
３０  ヒーターリフレクタ
６１  透光板
６３，６４  側板
６５  チャンバー
６９  フラッシュランプ
７１  リフレクタ
７２  光拡散板
７３  熱拡散板
７４  加熱プレート
９１  微小凹凸
９２  バーナー
Ｗ  半導体ウェハー
【図１】
2005101159.tif 000003
【図２】
2005101159.tif 000004
【図３】
2005101159.tif 000005