(57)【要約】【課題】凸版反転オフセット法により有機ＥＬ表示装置を製造する際に使用される除去版において、インクに添加剤を添加する方法ではなく、除去版の凸部表面に対するインクの濡れ性を高め、ブランケットから除去版へのインクの転写が均一にかつ精細に行えるようにすることにある。【解決手段】除去版１１の少なくとも凸部１２の上表面１３が洗浄処理されて、その水の接触角が２５度以下となっている。凸部の上表面が予めサンドブラスト処理されているか、あるいは予めエッチング処理されていることが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凸版反転オフセット法によって、有機ＥＬ表示装置を製造する際に用いられる除去版であって、
この除去版の少なくとも凸部の上表面がドライ洗浄処理され、その水の接触角が２５度以下であること特徴とする凸版反転オフセット法に用いられる除去版。
【請求項２】
凸版反転オフセット法によって、有機ＥＬ表示装置を製造する際に用いられる除去版であって、
この除去版の少なくとも凸部の上表面がサンドブラスト処理されていることを特徴とする凸版反転オフセット法に用いられる除去版。
【請求項３】
凸版反転オフセット法によって、有機ＥＬ表示装置を製造する際に用いられる除去版であって、
この除去版の少なくとも凸部の上表面がエッチング処理されていることを特徴とする凸版反転オフセット法に用いられる除去版。
【請求項４】
請求項１記載の除去版において、除去版の少なくとも凸部の上表面が予めサンドブラスト処理またはエッチング処理されていることを特徴とする凸版反転オフセット法に用いられる除去版。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の除去版を用いて、凸版反転オフセット法により有機ＥＬ表示装置を製造することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれかに記載の除去版を備え、凸版反転オフセット法により有機ＥＬ表示装置を製造することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置（有機電界発光素子）を凸版反転オフセット法により製造する際に使用される除去版に関する。
【背景技術】
【０００２】
凸版反転オフセット法により有機ＥＬ表示装置を製造する方法は、例えば特開２００３−１７２４８号公報などに開示されている。
以下、この製造方法について説明する。
まず、図４に示すように、ガラス、透明プラスチックフィルムなどからなる透明基板１上にＩＴＯ、ＦＴＯなどの透明導電膜を蒸着などにより形成し、これを所定のパターンにパターニングして陽極となる透明電極２を形成する。
【０００３】
ついで、図５に示すように、この透明基板１の透明電極２上の全面に、ポリ（３，４）−エチレンジオキシチオフェン、ポリアニリン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体などのホール輸送材料からなる厚さ１０〜２００ｎｍのホール輸送層３を設ける。これには、上記ホール輸送材料を含む溶液または分散液をスピンコート法、バーコート法などの塗布方法によって塗布し、さらに加熱、焼成する方法が採用される。
【０００４】
一方、クマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系などの蛍光性色素をポリスチレン、メチルメタクリレートなどのポリマーに溶解した高分子蛍光体、あるいはポリアリレーン系、ポリアリレーンビニレン系、ポリフルオレン系などの高分子蛍光体をトルエン、キシレン、アセトン、ＭＥＫ、酢酸エチルなどの溶剤に溶解、分散した有機発光層を形成するためのインクを用意し、このインクを図６に示すように、シリコーンゴムなどからなるブランケット４の外周面に均一な厚さで塗布し、インク層５を形成する。
【０００５】
ついで、図７に示すように、このブランケット４を除去版６に転動させつつ接触させる。この除去版６は、ガラスからなるもので、その表面には、有機発光層のパターンが反転したパターンが凸部となるように形成されて凸版となっている。
このブランケット４と除去版６との接触により、ブランケット４上のインク層５のうち、その一部の不要となるインク層５ａが除去版６の凸部の表面に付着して除去され、ブランケット４の外周面には必要となるインクが残り、この残ったインクから構成されるインクパターン層５ｂが形成される。
【０００６】
ついで、この状態のブランケット４を、図８に示すように、上述のホール輸送層３が形成された透明基板１に転動させつつ接触させる。この接触によりブランケット４上のインクパターン層５ｂが透明基板１のホール輸送層３上に転写される。ついで、これを加熱することで所定のパターンを有し、厚さ５０〜１５０ｎｍの有機発光層８が形成されることになる。
さらに、この有機発光層８上に電子輸送層、陰極となる金属薄膜等を形成し、封止することで、有機ＥＬ表示装置が製造される。
【０００７】
有機ＥＬ表示装置の構造については、種々のタイプがあり、有機発光層が電子輸送層を兼ねたタイプ、電子注入層、ホール注入層をさらに設けたタイプなどが知られている。
本発明における凸版反転オフセット法は、これらの有機ＥＬ表示装置の構成層の内、パターニングが必要とされる構成層の形成がその適用対象となるものである。
【０００８】
ところで、このような凸版反転オフセット法による有機ＥＬ表示装置の製造にあっては、これに用いられる除去版６に関して、以下のような問題があった。
除去版６の凸部上面は、ガラスの平滑な表面がそのまま残った状態となっており、表面が比較的不活性で、この表面へのインクの濡れ性が良くなく、ブランケット４からのインクの均一で精細で再現性のよい転写が困難である。
このため、ブランケット４上に残るインクパターン層５ｂのパターン精細度が劣ることになり、結果的に有機発光層８のパターンの精細度や再現性が劣ることになる。
【０００９】
この問題を解決する方策として、インクに増粘剤などの転写促進作用を有する添加剤を添加することが考えられる。
しかし、このような添加剤をインクに添加すると、得られる有機発光層８にこの添加剤が残り、この添加剤が有機発光層８の発光特性に悪影響を与えることにもなり、好ましい方策とは言えない。
【特許文献１】特開２００３−１７２４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
よって、本発明における課題は、インクに添加剤を添加する方法ではなく、除去版の凸部表面に対するインクの濡れ性を高め、ブランケットから除去版へのインクの転写が均一にかつ精細に行えるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
かかる課題を解決するため、
請求項１にかかる発明は、凸版反転オフセット法によって、有機ＥＬ表示装置を製造する際に用いられる除去版であって、
この除去版の少なくとも凸部の上表面が洗浄処理されて、その水の接触角が２５度以下であること特徴とする凸版反転オフセット法に用いられる除去版である。
請求項２にかかる発明は、凸版反転オフセット法によって、有機ＥＬ表示装置を製造する際に用いられる除去版であって、
この除去版の少なくとも凸部の上表面がサンドブラスト処理されていることを特徴とする凸版反転オフセット法に用いられる除去版である。
【００１２】
請求項３にかかる発明は、凸版反転オフセット法によって、有機ＥＬ表示装置を製造する際に用いられる除去版であって、
この除去版の少なくとも凸部の上表面がエッチング処理されていることを特徴とする凸版反転オフセット法に用いられる除去版である。
請求項４にかかる発明は、請求項１記載の除去版において、除去版の少なくとも凸部の上表面が予めサンドブラスト処理またはエッチング処理されていることを特徴とする凸版反転オフセット法に用いられる除去版である。
【００１３】
請求項５にかかる発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の除去版を用いて、凸版反転オフセット法により有機ＥＬ表示装置を製造することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
請求項６にかかる発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の除去版を備え、凸版反転オフセット法により有機ＥＬ表示装置を製造することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造装置である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、除去版の凸部の上表面とインクとの機械的あるいは化学的な親和性が向上し、インクの濡れ性が高められ、ブランケットから除去版へのインクの均一で精細な転写が可能になり、パターン再現性も高いものとなる。また、有機発光層には、添加剤が残らないので、その発光特性が悪影響を受けることがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を詳しく説明する。
図１は、本発明の除去版の第１の例の要部を示すものである。この例の除去版１１は、その凸部１２の少なくとも上表面１３がサンドブラスト処理が施されて微細な粗面となっており、さらに洗浄処理が施されて水の接触角が２５度以下となっている。
【００１６】
除去版１１をなす材料としては、石英ガラス、超硬質ガラス、普通硬質ガラス、並ガラスなどの各種ガラスが用いられる。
ここでのサンドブラスト処理には、珪砂、ガラス粒子、コランダム粒子などの粒径０．０１〜０．５ｍｍ程度の砥粒を、圧力０．５〜１０ＭＰａ程度で吹き付ける方法によって行われる。このサンドブラスト処理は、除去版１１の凸部１２の上表面１３に限らず、凸部１２の側面や凹部内面にもなされていてもかまわない。
【００１７】
また、ここでの洗浄処理には、紫外線洗浄、プラズマ洗浄、エキシマ超紫外線洗浄、二酸化炭素洗浄などが用いられ、なかでも紫外線洗浄が好ましい。紫外線洗浄は、洗浄室内に紫外線ランプを設け、この紫外線ランプからの紫外線照射によって有機物の分子鎖を切断し、ついで紫外線照射により室内にオゾンを発生させ、オゾンの分解・生成過程の酸化力の高い発生期の酸素と有機物との反応によりサンドブラスト処理された除去版１１の表面に存在する有機物を除去する方法である。これにより除去版１１の表面改質が行われ、濡れ性が向上する。
【００１８】
図２は、本発明の除去版の第２の例の要部を示すもので、この例の除去版１１は、その凸部１２の少なくとも上表面１３がエッチング処理されて、多数の微少な凹部１４が形成され、微細な凹凸が形成されており、さらに洗浄処理が施されて水の接触角が２５度以下となっているものである。
【００１９】
ここでのエッチング処理は、フッ化水素酸などを含んだエッチング液を用いたウエットエッチングあるいは、ＳＦ６、ＣＦ４などのフッ化化合物を含んだエッチングガスを用いたドライエッチングまたは放電加工、プラズマ加工などによって行われる。エッチングされて形成された凹部の形状はいかなるものでもよく、通常のホトマスクを用いて、任意の形状とすることができる。
【００２０】
このエッチング処理にあたっても、除去版１１の凸部１２上表面１３に限らず、凸部１２の側面や凹部内面にもなされていてもかまわない。
ここでの洗浄処理は、先に説明したものと同様である。
また、除去版１１の処理後の水の接触角が２５度を越えると濡れ性が劣り、インクの精細な転写ができなくなる。
【００２１】
このような処理がなされた除去版１１の凸部１２の少なくとも上表面１３には、微細な凹凸が形成され、この微細な凹凸によってインクの保持性が高められ、さらに洗浄処理されて有機物が除去されているため、濡れ性も増大する。
このため、このような処理がなされた除去版１１の凸部１２の上表面１３は、濡れ性が高いため、水の接触角が２５度以下となる。この接触角が２５度を超えると、インクの転写性が結果的に悪くなり、インクパターンの精細性が劣ることになる。
したがって、このような除去版１１を用いることで、ブランケット４からのインクの転写が精細に且つ均一にしかも再現性よく行われる。
【００２２】
本発明にあっては、上述のようなサンドブラスト処理またはエッチング処理した後、洗浄処理した除去版１１に限られず、洗浄処理のみしたもの、サンドブラスト処理のみしたもの、またはエッチング処理のみしたものであってもよい。さらには、これ３種の処理を施したものであってもよい。
なお、サンドブラスト処理のみしたもの、またはエッチング処理のみしたものについては、水の接触角にかかわらず、精細な転写が可能になる。これは、インクとの接触面積が増大するためである。
【００２３】
図３は、本発明の除去版のインクの転写状況を模式的に示すものであり、除去版１１の凸部１２の上表面１３のインク層５に対する実質的な接触面積が増大し、上表面１３に接したインク層５のインクが機械的に確実に捉えられて転写されることなる。このため、凸部１２のエッジ部分でのインクの切れがよくなり、精細で再現性の良好な転写が可能となる。
【００２４】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上述の除去版１１を用いて、背景技術において具体的に説明した凸版反転オフセット法により、有機ＥＬ表示装置の少なくとも有機発光層あるいはこれ以外の電子輸送層、電子注入層、陰極電極などのパターニングを必要とする各構成層を形成するものである。この製造方法に用いられる構成材料や手法は先に背景技術において説明した製造方法と同様である。
【００２５】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置は、ブランケットと、このブランケットにインクを供給し、インク層を形成するインク供給手段と、ブランケットを転動させる駆動手段と、本発明の除去版と、除去版または透明基板を載置するとともにこれを移動させる加工台を少なくとも具備し、有機ＥＬ表示装置の少なくとも有機発光層を形成するための装置であり、本発明の除去版以外の構成部材は、通常の凸版反転オフセット用装置と同様である。
【００２６】
以下、具体例を示す。
（例１）
ガラス板（コーニング社製＃１７３７）の全面に厚さ１μｍのクロム膜を真空蒸着した。この基板に対して、周知のウエットエッチング法により、ストライブパターンを形成した。このパターンは、ピッチ幅３１８μｍ、凸部幅２１２μｍ、凹部幅１０６μｍ、凹部深さ２０μｍであり、凸部上表面は厚さ１μｍのクロム膜で被覆されていた。
以下、このものを版Ａとする。
【００２７】
この版Ａに対して洗浄処理を施した。洗浄処理装置として紫外線洗浄装置を用いた。版Ａを温度６０℃まで加温し、紫外線により発生したオゾン濃度が１００ｐｐｍになるように酸素量を調整し、次の３種の積算光量となるまで、紫外線洗浄を行った。積算光量（Ａ）５００ｍＪ／ｃｍ２、（Ｂ）１５００ｍＪ／ｃｍ２、（Ｃ）３０００ｍＪ／ｃｍ２。得られた除去版の表面の水の接触角は、（Ｂ）の積算光量において、最大値２０．１度、最小値８．０度、平均値１３度であった。この例１で得られた３種の除去版のサンプルを、１−Ａ、１−Ｂ、１−Ｃと表記する。
【００２８】
水系のホール輸送材料インクとして知られているポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物からなるインクが塗布されたブランケット（シリコーンゴム製）を、この除去版に転動させて接触させ、インク膜の除去を行い、インクの転写率を評価した。結果を表１に示す。
【００２９】
（例２）
例１で得られた版Ａに対して、サンドブラスト処理を施して、表面粗さＲａが（１）０．２μｍ、（２）０．５μｍ、（３）１μｍ、（４）２μｍ、（５）３μｍの粗面を形成して５種の除去版とした。サンドブラスト処理の条件は、切削砥粒を圧力３ｋｇｆ／ｃｍ２で版Ａ全面に噴射した。
ついで、この除去版の半数のものに対して、洗浄処理を施した。洗浄処理条件は、例１での（Ｂ）の積算光量が１５００ｍＪ／ｃｍ２のものである。洗浄処理を行った除去版（表面粗さ０．５μｍのもの）の水の接触角は、最大値１６．０度、最小値２．０度、平均値８．１度であった。
このようにした得られた１０種の除去版のサンプル（サンドブラスト処理のみのものを２−１、２−２、２−３、２−４、２−５と表記し、サンドブラス処理と洗浄処理とを行ったものを２−１−Ｂ、２−２−Ｂ、２−３−Ｂ、２−４−Ｂ、２−５−Ｂと表記する）に対して、例１と同様にしてインクの転写率を評価した。結果を表１に示す。
【００３０】
（例３）
例１で得られた版Ａの凸部上表面のクロム薄膜を除去した版Ｂを用意し、この版Ｂに対して、エッチング処理を施して、版Ｂの凸部上表面に３種（イ）、（ロ）、（ハ）の形状の凹部を形成して除去版とした。これら３種の凹部の形状を、図９に示す。
ついで、この除去版の半数のものに対して、洗浄処理を施した。洗浄処理条件は、例１での（Ｂ）の積算光量が１５００ｍＪ／ｃｍ２のものである。洗浄処理を行った除去版（エッチング形状が（イ）のもの）の水の接触角は、最大値１８．２度、最小値５．０度、平均値１１度であった。
このようにした得られた６種の除去版のサンプル（エッチング処理のみのものを３−イ、３−ロ、３−ハと表記し、、エッチング処理と洗浄処理を行ったものを３−イーＢ、３−ロ−Ｂ、３−ハ−Ｂと表記する）に対して、例１と同様にしてインクの転写率を評価した。結果を表１に示す。
【００３１】
【表１】
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【００３２】
表１において、転写率とは、１５ｃｍ角の除去版を用い、転写テスト１０回の転写面積の割合の平均値で表したものである。
また、比較のため、版Ａに対して何ら処理を行っていない無処理の除去版についての結果を示してある。
表１の結果から、本発明の除去版を使用することで、インクの転写性が向上することがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明の除去版は、凸版反転オフセット法により有機ＥＬ表示装置を製造する際に使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の除去版の一例の要部とそれを拡大したものを示す概略断面図である。
【図２】本発明の除去版の他の例の要部を拡大して示す概略断面図である。
【図３】本発明の除去版へのブランケット上のインク層の転写状況を示す概略断面図である。
【図４】本発明における凸版反転オフセット法を工程順に示す概略構成図である。
【図５】本発明における凸版反転オフセット法を工程順に示す概略構成図である。
【図６】本発明における凸版反転オフセット法を工程順に示す概略構成図である。
【図７】本発明における凸版反転オフセット法を工程順に示す概略構成図である。
【図８】本発明における凸版反転オフセット法を工程順に示す概略構成図である。
【図９】具体例でのエッチング処理された除去版のエッチング形状を示す図面である。
【符号の説明】
【００３５】
１１・・・除去版、１３・・・上表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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