(57)【要約】  【課題】  半導体基板の研磨工程において、発生する研磨傷は無作為に入る。これにより、熱処理を施すことで表面原子のマストランスポートを起こした場合においても、表面平坦性の面内ばらつきが発生していた。さらに、この基板上に結晶成長した場合、結晶面方位の異なる研磨傷により成長速度にばらつきが発生し、平坦な表面が得られない。  【解決手段】  半導体基板１００上において表面を一方向に研磨することにより平坦化する工程と、前記基板をエッチング処理することにより研磨時に発生したダメージ層１０１を除去する工程と、炉内で昇温することにより研磨傷による凹凸１０４を鈍らす工程と、結晶成長１０６を行うことにより表面を平坦化する工程とを用いることにより、研磨工程で発生するダメージを除去し、研磨傷を容易に埋めることが可能となり、原子レベルで平坦な表面を低コストにて得られる。【選択図】  図１
2005136311.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面を研磨処理により平坦化する工程と、前記基板をエッチング処理することにより研磨処理時に発生したダメージ層を除去する工程と、炉内で昇温することにより研磨傷による凹凸を鈍らす工程と、結晶成長を行うことにより表面を平坦化する工程を用いることを特徴とする窒化物半導体基板及びその製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の研磨処理方向を一方向に揃えて行い、表面において一方向に揃った研磨傷を形成することを特徴とする窒化物半導体基板及びその製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の研磨処理時において、形成した研磨傷の深さが1nm以上、100nm以下であることを特徴とする窒化物半導体基板及びその製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載のエッチング処理工程を、ウェットエッチングもしくはドライエッチングにより行うことを特徴とする窒化物半導体基板及びその製造方法
【請求項５】
基板表面を研磨処理により平坦化する工程と、前記基板に対して溝を加工する工程と、前記基板をエッチング処理することにより研磨処理及び溝を加工する際に発生したダメージ層を除去する工程と、炉内で昇温することにより研磨傷・溝の凹凸を鈍らす工程と、結晶成長を行うことにより表面を平坦化する工程を用いることを特徴とする窒化物半導体基板及びその製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の溝を加工する工程において、溝の方向を一方向に揃えて形成することを特徴とする窒化物半導体基板及びその製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載の溝を加工する工程において、形成した溝の深さが1nm以上、100nm以下であることを特徴とする窒化物半導体基板及びその製造方法。
【請求項８】
請求項５に記載のエッチング処理工程を、ウェットエッチングもしくはドライエッチングにより行うことを特徴とする窒化物半導体基板及びその製造方法
【請求項９】
請求項５に記載の溝を加工する手法として、エネルギービーム加工、ブラスト加工、エッチング加工、放電加工等の化学的・熱的な加工技術、金型を用いた形状転写・超音波加工等の機械加工を用いることを特徴とする窒化物半導体基板及びその製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子形成に用いる窒化物半導体基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来の半導体素子形成に用いている窒化物半導体基板及びその製造方法に関して説明する。
【０００３】
第一の従来例（特許文献１参照）は、低転位の単結晶窒化ガリウム基板に関する作製方法であり、結晶成長の最表面にピットを形成し、その形状を維持しながら成長することでピットの領域に存在する結晶欠陥（転位）をピットの底に集め、その周囲の転位を低減し、得られた結晶を機械加工した後、研磨を施し、平坦な表面を持つ窒化ガリウム基板の製造方法を開示している。基板を機械加工する手法として、スライス加工、研削加工、ラッピング加工のうち、少なくとも一つを含むことを特徴としている。また、研磨加工を施す表面は（0001）面を選択することを特徴としている。
【０００４】
第二の従来例（非特許文献１参照）は、有機金属気相成長法（MOVPE）装置のリアクター内を100torrの減圧状態とし、アンモニアガス及び水素ガスをフローさせた状態でサンプルを１分間高温にさらしてアニールを施し、マストランスポートを起こしている。このサンプルは予め、窒化ガリウムをドライエッチング（RIE）により<11-20>方向及び<10-10>方向へ溝を形成したものである。リアクター温度を1060℃にした場合、<11-20>方向の側壁は平坦化されるが、<10-10>方向の側壁においてはエッチングが発生する。リアクター温度を1160℃にした場合、１分間で大幅なマストランスポートが起こり、膜は元々の側壁の位置より凡そ1mm程広がり、裾野をひいた状態となる。この際、横方向への成長レートはたいへん大きく60mm/hに達するが、結晶の配向による依存性は見られない。
【特許文献１】特開2003-165799号公報
【非特許文献１】Japanese Journal of Applied Physics, Vol.40 (2001) pp.565-566
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
第１の従来例（文献１）の手法を用いて作製した窒化物半導体基板、例えば窒化ガリウム（GaN）基板を必要とする膜厚まで薄くするためには、機械加工に加えて研磨工程が必要となる。その際、研磨工程において研磨傷がなく原子レベルで平坦な表面を作製するのは、技術的にも困難でありコストがかかる。一般的な研磨方法としては、図２に挙げたような方法が挙げられる。この方法では、半導体基板200を研磨パッド202に貼り付け、回転軸203を中心として基板全面を回転させる。回転軸208を中心として回転している研磨定盤207上にある研磨布206へ研磨液205を流しながら、半導体基板200を研磨布206表面に押し付け、研磨を行う。半導体基板200及び研磨布206両方が回転し、研磨時に発生する研磨傷は201のように無作為に入ったものとなっている。
【０００６】
こうした結晶面方位がばらついた研磨傷を持つ基板に対して、従来例２（文献２）に挙げたような熱処理（アニール処理）を施すことで表面原子のマストランスポートを発生させ、表面を平坦化する試みも行われている。しかしながら、こうした処理を施したとしても、マストランスポートが起こりやすい面方位と起こりにくい面方位が混在しているため、表面平坦性の面内ばらつきが発生している。さらに、こうした基板上に窒化物半導体を再成長した場合においても、結晶面方位の異なる研磨傷により成長速度にばらつきが発生するため、平坦な表面が得られないという課題が発生している。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記従来の課題を解決するために、本発明は窒化物半導体基板上において表面を研磨処理により平坦化する工程と、前記基板をエッチング処理することにより研磨処理時に発生したダメージ層を除去する工程と、炉内で昇温することにより研磨傷による凹凸を鈍らす工程と、結晶成長を行うことにより表面を平坦化する工程とを用いる。各工程を図１に示した。研磨による平坦化の工程では研磨方向を一方向に統一して行うことにより、表面において一方向に揃った研磨傷102を形成した半導体基板100を作製する。この半導体基板に対してウェットエッチングもしくは出力を抑えたドライエッチングを施すことにより、エッチングレートの差を利用して研磨時にダメージが入った部分101を選択的に除去する。こうした工程に加え、平坦な表面を得るため基板を炉内にて熱処理（アニール処理）し、引き続いて結晶成長を行う。本発明では、熱処理により基板表面の凹凸は鈍り、熱処理に引き続いて基板上に成膜を行うことで、原子レベルで平坦な表面を低コストにて得ることができる。
【発明の効果】
【０００８】
窒化物半導体基板上において表面を一方向に研磨することにより平坦化する工程と、前記基板をエッチング処理することにより研磨処理時に発生したダメージ層を除去する工程と、炉内で昇温することにより研磨傷による凹凸を鈍らす工程と、結晶成長を行うことにより表面を平坦化する工程とを用いることにより、研磨工程で発生するダメージを除去しつつ、研磨傷を容易に埋めることが可能となり、原子レベルで平坦な表面を低コストにて得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１０】
（実施の形態１）
前記従来の課題を解決するため、まず第１段階では基板全面に対して均一に研削もしくは研磨処理を行い、目的とする厚み近傍まで薄くする。本実施の形態では窒化物半導体基板の一例として、窒化ガリウム基板（GaN）を用いる。この段階において、研磨傷の方向はランダムで不揃いとなっている。その後、仕上げ段階では研磨方向を一方向に統一し、図３のように方向の揃った研磨傷301を作製する（以後、一方向研磨と呼ぶ）。
【００１１】
窒化物半導体の場合、研磨剤としては、サファイア、アルミナ、炭化珪素、ジルコニア、セラミック、ダイヤモンド等の利用が挙げられる。
【００１２】
図２に挙げた従来の研磨方法では、こうした一方向研磨傷を作製できない。そこで、図４に挙げたような一方向研磨用研磨板402を用いる。これらの半導体基板400及び基板固定用ステージ401を固定し、研磨板402を一方向にのみ可動としておくことで、一方向に揃った研磨傷を作製することができる。
【００１３】
この一方向研磨傷を作製する方向は、<11-20>、<10-10>、<1-100>等が考えられるが、図４に示すように<11-20>方向であることが最も望ましい。この理由は、第二の従来例（非特許文献１参照）に示されているように、基板に対して熱処理（アニール）を行う場合（第３段階参照）、条件によって窒化物半導体の<11-20>方向の側壁は平坦化されやすからである。
【００１４】
また、研磨傷のサイズ・深さは出来る限り統一しておく必要がある。この研磨傷の幅及び深さは100nm以下であることが望ましい。幅及び深さが大きい溝になると熱処理（アニール）を行う工程（第３段階参照）でマストランスポートを起こす際、溝が埋まる過程において溝内部にボイドが発生してしまう恐れがある。また、この研磨傷の幅・深さが大きくなるにつれて、半導体基板400の表面を平坦化する際に要する時間は一気に増加し、平坦化も困難となる。
【００１５】
研磨終了後の表面の段差は基板材料によって異なるが約15nm程度となる。半導体結晶の単位格子が0.5nm〜1nm程度であることを考慮すれば、この段差は依然大きい。なお、半導体基板400の材料によって一方向研磨用研磨板402で研磨速度が遅い場合、まず図２の従来方法で目的とする厚み直前まで研磨を行った後、一方向研磨用研磨板402を用いればよい。
【００１６】
また、半導体基板400の材料によっては研磨板402を金型として用い、ある一定の圧力で押し付けることで同様な一方向の研磨傷を作製することができる。この時の圧力としては基板への影響を考慮すれば0.0１Kgf/cm2以上１Kgf/cm2以下で行うことが望ましい。これにより、可能な限りランダムな研磨傷を一方向に揃ったストライプ溝へと変化させる。
【００１７】
第２段階では窒化物半導体基板400に対してウェットエッチングを施す。研磨直後は、図１のように少なからず研磨作業によるダメージ層101が残るため、エッチングレートの差を利用してダメージ層101を選択的に除去する。窒化物半導体は化学的に非常に安定な物質であり、他の半導体においてエッチング液として通常使用される塩酸、硫酸、フッ化水素（ＨＦ）等の酸又はこれらの混合液には溶解しない。よって、窒化物半導体に関するウェットエッチング法としては、水酸化ナトリウム（NaOH）溶液もしくは水酸化カリウム（KOH）溶液を用いる方法と、加熱したリン酸もしくはピロリン酸を用いる方法とが存在する。後者の場合、リン酸に対して硫酸を加えても良い。前述の各方法に加え、エッチング速度を向上させるために、光照射を併用しても良い。前記エッチング法のいずれか、もしくは前記エッチング法の組み合わせを用いることで、エッチングによるダメージ層101の除去後の溝部103を得ることができる。
【００１８】
尚、今回はダメージ層の除去にウェットエッチングを用いたが、出力を抑えたドライエッチングを用いても良い。例えば１００Ｗ以下の低パワーで塩素プラズマを用いたドライエッチングを行うことにより、同様のダメージ層を除去する効果が得られる。ダメージを低減することにより、ダメージに起因する歪から生じる基板の反りも小さくすることができる。
【００１９】
第３段階として平坦な表面を得るため熱処理（アニール処理）を行う。アニール炉として有機金属気相成長法（MOVPE）装置を用いる。これは、熱処理に引き続いて第４段階で結晶成長を行うためである。装置のリアクター内を100torrの減圧状態とし、アンモニアガス及び水素ガスをフローさせた状態でサンプルを１分間高温にさらしてアニールを施す。
【００２０】
本実施の形態において成長圧力は減圧で行うが、大気圧、大気圧（１ａｔｍ）以上の加圧のいずれでも良い。原料を基板に供給するためのキャリアガスは少なくとも窒素（Ｎ2）または水素（Ｈ2）等の不活性ガスを含むガスで供給される。
【００２１】
まず、窒化ガリウム基板をサセプター上に設置し十分にＮ2で置換する。Ｎ2置換が終了した後、Ｎ2雰囲気中、１０℃／１０秒の昇温レートで１０００℃まで昇温した後、キャリアガスをH2に切り替え、同時にアンモニア（NH3）を供給し、１０分間基板表面の熱処理（クリーニング）を行う。これにより、表面原子のマストランスポートが発生して熱処理後の溝104を得ることができる。
【００２２】
基板100の段差及び表面凹凸は鈍り、平坦性が向上する。また、マストランスポートを起こした部分においては、貫通転位の方向が曲げられる効果により表面での転位が減少する。マストランスポートを含む一連の処理を行い、その上に結晶成長（第４段階参照）を行うことにより、新たな転位の発生を抑えた低転位基板作製が可能となる。
【００２３】
第４段階として熱処理に引き続いて基板上に成膜を行うことで、原子レベルで平坦な表面を得ることが出来る。引き続き、結晶成長に関してはＭＯＶＰＥ法を用いる。前述した通り、成長圧力は減圧から、大気圧、大気圧（１ａｔｍ）以上の加圧のいずれでも良く、原料を基板に供給するためのキャリアガスは少なくとも窒素（Ｎ2）または水素（Ｈ2）等の不活性ガスを含むガスで供給される。
【００２４】
第３段階において基板表面の熱処理（クリーニング）終了後、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を供給し、１μｍ厚の窒化物半導体層を成長する。成長過程において研磨傷のあった部分が埋まり、埋没した溝部105を得ることが出来る。引き続き、その上に窒化物半導体結晶106が成長する。この結果、結晶表面の段差は凡そ1nmとなった。本構成によって、原子レベルで平坦な表面を低コストにて得ることができる。
【００２５】
本実施の形態において窒化物半導体の成長方法はＭＯＶＰＥ法を用いたが、ＭＯＶＰＥ法に限定するものではなく、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）や分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）など、化合物半導体結晶を成長させるためにこれまで提案されている全ての方法に適用できる。本実施の形態ではＧａの原料としてＴＭＧ、Ｎの原料としてＮＨ３を用いたが、上記条件の原理を生かす結晶成長であればこれらに限るものではなく、Ｇａの原料としてトリエチルガリウム（ＴＥＧ）や塩化ガリウム（ＧａＣｌやＣａＣｌ3）、Ｎの原料としてヒドラジン（Ｎ2Ｈ4）やモノメチルヒドラジン（ＭＭＨ）ジメチルヒドラジン（ＤＭＨ）を用いても良い。
【００２６】
（実施の形態２）
実施の形態１では図４に挙げた一方向研磨用研磨板402を用いて、一方向に揃った研磨傷を作製した。
【００２７】
実施の形態２では、第１段階として、全面に対して均一に研削もしくは研磨処理を行い、目的とする厚み近傍まで薄くする。研磨工程だけであれば前述の通り、研磨傷の方向はランダムとなるため、第２段階では、図５に挙げたように一方向に揃った溝503（以降、ストライプ溝と呼ぶ）を作製する。そのために、まずは基板上においてストライプ溝を作製しない部分をレジストマスクもしくはメタルマスクで覆い、幅数nm開口部をストライプ状に形成したパターンマスク501を窒化物半導体基板500上に作製する。実施の形態１で前述の通り、このストライプ方向は＜11-20＞方向が望ましい。
【００２８】
こうした超微細なストライプ溝加工を行う上ではマスキングによりパターン寸法が規制されるため、マスキング方法の選択は慎重に行う必要がある。マスキングについては要求される精度、コストおよび操作性を考慮したうえで、フォトレジスト・メタルマスクより選択する。最も高精度な加工に対応できるのはフォトレジストマスクである。レジストはドライフィルムを利用することが多く、解像度はフィルムの厚みによって異なる。
【００２９】
半導体基板500にマスキング材となるドライフィルムをラミネートし、フォトマスクを介して紫外線を照射、弱アルカリ液にて現像、乾燥を行えば所定のパターンが基板上に形成される。ここで用いたフィルムの代わりに、スピンコート法によりレジストを塗布しても構わない。メタルマスクとしては、エッチング加工されたステンレスの薄板やニッケルの電鋳品が用いられる。メタルマスクは加工に対する耐久性が高い反面、加工によりひずむ問題もあり用途は限定される。
【００３０】
窒化物半導体は非常に硬く、化学的に安定であり、硬い表面を高精度にストライプ加工するには、広く用いられているプラズマエッチングや反応性イオンエッチングでは不十分な点が多い。そこで、第３段階では加工方向502、すなわち基板500の法線方向の向きにエネルギービーム加工を行う。エネルギービームの種類としては、電子ビーム、イオンビーム、レーザビーム等が挙げられる。レーザビームの場合、１J/cm2のエネルギーで、約50nm深さの溝を掘ることが可能である。
【００３１】
こうした加工により、可能な限りランダムな研磨傷を一方向のストライプ溝503へと変化させることができる。ストライプ溝503のサイズ・深さは出来る限り統一しておく必要がある。
【００３２】
また、このストライプ溝503の幅及び深さは1nm以上、100nm以下であることが望ましい。幅及び深さが大きいストライプ溝503になると熱処理（アニール）を行う工程（第５段階参照）でマストランスポートを起こす際、ストライプ溝503が埋まる過程においてストライプ溝内部にボイドが発生してしまう恐れがある。
【００３３】
また、このストライプ溝503の幅・深さが大きくなるにつれて、半導体基板500の表面を平坦化する際に要する時間は一気に増加し、平坦化も困難となるため注意が必要である。加工後はパターンマスク501を剥離し、洗浄してプロセスは完了する。しかしながら、エネルギービーム加工で半導体基板を削れば削るほど表面は荒れてきてしまい、作製されたストライプ溝503の周囲に少なからず加工時に発生したダメージ層504が残る。
【００３４】
そこで第４段階では、半導体基板500に対してウェットエッチングを施すことにより、エッチングレートの差を利用して加工時に入ったダメージ層504を選択的に除去する。実施の形態１で用いたエッチング法と同様の手法を用いることで、図５に挙げたエッチングによるダメージ層除去後の溝部505を得ることができる。尚、今回はダメージ層504の除去にウェットエッチングを用いたが、出力を抑えたドライエッチングを用いても良い。例えば１００Ｗ以下の低パワーで塩素プラズマを用いたドライエッチングを行うことにより、同様のダメージ層504を除去する効果が得られる。
【００３５】
第５段階では、平坦な表面を得るため熱処理（アニール処理）を行った。実施の形態１の第３段階と同様にアニール炉としてＭＯＶＰＥ装置を用い、Ｎ2雰囲気中、１０℃／１０秒の昇温レートで１０００℃まで昇温した後、キャリアガスをH2に切り替え、同時にアンモニア（NH3）を供給し、１０分間基板表面の熱処理（クリーニング）を行う。これにより、表面原子のマストランスポートが発生して熱処理後の溝506を得ることができる。基板の段差及び表面凹凸は鈍り、平坦性が向上する。
【００３６】
なお、前記エネルギービームによるダメージ層504は熱処理（アニール処理）工程において、表面原子のマストランスポートを促進させる効果もある。よって、エッチング工程（第４段階）を省略し、エネルギービームによるダメージ層504を故意に作製した後、熱処理（アニール処理）を行っても良い。この場合、表面の平坦化を短時間で行うことができる反面、ダメージに起因する歪から生じる半導体基板500の反りに注意する必要がある。
【００３７】
第６段階として熱処理に引き続いて半導体基板500の上に成膜を行うことで、原子レベルで平坦な表面を得ることが出来る。引き続き、結晶成長に関してはＭＯＶＰＥ法を用いる。内容は実施の形態１と同様のため、省略する。
【００３８】
（実施の形態２の応用）
実施の形態１では図４に挙げた一方向研磨用研磨板402を用いて、一方向に揃った研磨傷を作製した。実施の形態２の応用では、同様に、第１段階として、全面に対して均一に研削もしくは研磨処理を行い、目的とする厚み近傍まで薄くする。研磨工程だけであれば前述の通り、研磨傷の方向はランダムとなるため、第２段階では、図５に挙げたように一方向に揃ったストライプ溝503を作製する。
【００３９】
そのために、まずは半導体基板500の上においてストライプ溝を作製しない部分をレジストマスクもしくはメタルマスクで覆い、幅数nm開口部をストライプ状に形成したパターンマスク501を窒化物半導体基板500上に作製する。実施の形態１で前述の通り、このストライプ方向は＜11-20＞方向が望ましい。
【００４０】
実施の形態２と同様で、前述の通り超微細なストライプ溝503の加工を行う上ではマスキングによりパターン寸法が規制されるため、マスキング方法の選択は慎重に行う必要がある。ブラスト加工は物理的な除去加工であり、マスク材の耐久性が要求される。マスキングは寸法を規制するという重要な役割を持っているため、耐久性を考慮し適切な寸法にて設計しなければならない。
【００４１】
第３段階では、ブラスト工法により表面加工を行い、一定方向に揃ったストライプ溝503を形成する。ブラスト加工に代表される噴射加工技術は圧縮空気等のキャリヤガスにより加速された微細砥粒をノズルから噴出させ、半導体基板500に高速かつ高密度に衝突させることにより加工を行う。加工条件としては、圧力0.03〜0.4 Mpa程度、エアー量0.9〜3 m3/min.程度が望ましい。ブラスト加工は加工ストレスが非常に小さいため、こうした半導体基板加工に有効な手法である。微粉噴射材の使用、噴射材の定量供給技術およびフォトリソグラフィによるマスキング技術等、従来のブラスト加工に精度の概念を導入することにより微細加工技術として用いることができる。窒化物半導体材料の砥粒には高硬度であるアルミナ、炭化珪素、ジルコニア、セラミック、ダイヤモンド等の微粉を用いる。
【００４２】
こうしたブラスト加工により、可能な限りランダムな研磨傷を一方向のストライプ溝503へと変化させる。ストライプ溝503のサイズ・深さは出来る限り統一しておく必要がある。また、このストライプ溝503の幅及び深さは1nm以上、100nm以下であることが望ましい。幅及び深さが大きいストライプ溝503になると熱処理（アニール）を行う工程でマストランスポートを起こす際、溝が埋まる過程において溝内部にボイドが発生してしまう恐れがある。また、このストライプ溝503の幅・深さが大きくなるにつれて、表面を平坦化する際に要する時間は一気に増加し、平坦化も困難となるため注意が必要である。加工後はマスク501を剥離し、洗浄してプロセスは完了する。しかしながら、ブラスト加工で半導体基板500を削れば削るほど表面は荒れてきてしまい、作製されたストライプ溝503の周囲に少なからず加工時に発生したダメージ層504が残る。
【００４３】
第４段階〜第６段階の内容は実施の形態２と同様のため、省略する。
【００４４】
今回、ストライプ溝の加工に際して、実施の形態２ではエネルギービーム加工、実施の形態３ではブラスト加工の例を挙げたが、同等の精度で加工が可能であればその他の加工技術（エッチング加工・放電加工等の化学的・熱的な加工技術、金型を用いた形状転写・超音波加工等の機械加工など）を用いて行なっても良い。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、半導体素子形成に用いる窒化物半導体基板及びその製造方法に関し、、当該窒化物半導体基板上に結晶をエピタキシャル成長し、構造を作り込むことにより、HEMT（High Electron Mobility transistor）・HBT（Hetero bipolar transistor）といった高周波電子デバイスやLD（Laser diode）・LED（Light Emitting diode）といった光デバイスとして利用される。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施の形態１における基板処理工程に関する説明図
【図２】従来、一般的に用いられている半導体基板の研磨方法を示した図
【図３】本発明の実施の形態１における基板研磨処理後の表面状態を示した図
【図４】本発明の実施の形態１における基板の研磨処理方法を示した図
【図５】本発明の実施の形態２における基板処理工程に関する説明図
【符号の説明】
【００４７】
１００  窒化物半導体基板
１０１  研磨作業によるダメージ層
１０２  研磨傷
１０３  エッチングによるダメージ層除去後の溝部
１０４  熱処理後における溝部
１０５  成長過程において埋没した溝部
１０６  窒化物半導体層
２００  窒化物半導体基板
２０１  方向がランダムな研磨傷
２０２  研磨パッド
２０３  研磨パッド回転軸
２０４  研磨液誘導管
２０５  研磨液
２０６  研磨布
２０７  研磨定盤
２０８  定盤回転軸
３００  窒化物半導体基板
３０１  一方向に揃った研磨傷
４００  窒化物半導体基板
４０１  窒化物半導体基板固定用ステージ
４０２  一方向研磨用研磨板
５００  窒化物半導体基板
５０１  パターンマスク
５０２  加工方向
５０３  一方向に作製された溝
５０４  溝パターン加工時に発生したダメージ層
５０５  エッチングによるダメージ層除去後の溝部
５０６  熱処理後における溝部
５０７  成長過程において埋没した溝部
５０８  窒化物半導体層
【図１】
2005136311.tif 000003
【図２】
2005136311.tif 000004
【図３】
2005136311.tif 000005
【図４】
2005136311.tif 000006
【図５】
2005136311.tif 000007