(57)【要約】【課題】露光後熱処理部における処理温度を変更する場合であっても、各基板上の化学増幅レジスト膜に形成される配線パターンの寸法精度を所定範囲内に収めることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】露光後熱処理において、露光後熱処理セルＣ５での処理温度を変更した場合には、インタフェイスセルＣ６からの基板の払い出しに際し、基板を送り用バッファＳＢＦにて待機させ、処理温度の変更完了後に、待機中の基板を露光装置へと搬送する。これにより、前ロット内の最終基板の露光処理完了時点から熱処理開始時点までの時間（露光後遅れ時間）と、温度調節後の次ロット最初の基板の露光後遅れ時間とを略同じ値に保つことができ、処理温度変更の前後で露光後遅れ時間にバラツキを生じさせることがない。【選択図】図９
2005101077.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光処理前の基板の一時保管場所たるバッファと、
前記露光処理が施された前記基板に対して熱処理を施す熱処理部と、
前記バッファへの／からの前記基板の搬送、および、前記露光処理済みの前記基板の前記熱処理部への搬送を行う搬送手段と
を備え、
前記熱処理部は、複数の異なる処理温度で前記熱処理を行うことが可能であり、前記処理温度を変更する場合、前記搬送手段に対して前記処理温度の変更開始および変更完了を通知し、
前記搬送手段は、前記変更開始の通知を受けた場合には、前記基板を前記バッファにて待機させ、前記変更完了の通知を受けた後に、前記露光処理が施されるよう待機中の前記基板を前記バッファから取り出して搬送する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
露光処理前の基板の一時保管場所たるバッファと、
前記露光処理が施された前記基板に対して熱処理を施す熱処理部と、
前記バッファへの／からの前記基板の搬送、および、前記露光処理済みの前記基板の前記熱処理部への搬送を行う搬送手段と
を備える基板処理装置を用いて前記基板への処理を行う基板処理方法であって、
前記熱処理部は、複数の異なる処理温度で前記熱処理を行うことが可能であり、
前記処理温度を変更した場合には、前記搬送手段により前記基板を前記バッファにて待機させ、
前記変更が完了した後に、前記露光処理が施されるよう待機中の前記基板を前記搬送手段により前記バッファから取り出して搬送する
ことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に一連の処理を施す基板処理装置及び基板処理方法に関し、特に、露光処理済み基板に対して熱処理を行う基板処理装置及び基板処理方法の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体ウェハの製造においては、高密度化・高集積化の要請にともない、半導体ウェハ上に形成される回路パターンの微細化が要求されている。その要求により、半導体ウェハの製造工程では化学増幅レジストが採用され、この化学増幅レジストが塗布された基板に対して露光処理、熱処理および現像処理が施されることによって基板上にレジスト膜のパターンが形成されている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
ここで、化学増幅レジストを使用してレジスト膜にパターンを形成する処理では、まず、露光処理において、化学増幅レジストによって形成されたレジスト膜に対して光を照射する。これにより、この光が照射された照射部分に酸触媒が生成されてレジスト膜中に３次元分布を有するパターンが潜伏した状態が形成される。次に、露光処理が施された基板に対して熱処理を施すと、当該照射部分に生成した酸触媒の触媒作用によって現像液に対して溶解速度の変化を引き起こす化学反応が活性化される。続いて、基板に冷却処理を施すことにより、この化学反応がほぼ停止する。そして、基板に対して現像処理を施すことにより、基板上にレジスト膜のパターンが浮かび上がることとなる。
【０００４】
【特許文献１】特開平０８−０１７７２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、レジスト膜にパターンを形成する上述の処理において、露光処理が完了した時点から熱処理が開始されるまでの時点においても、レジスト膜中に生成した酸触媒によって現像液に対して溶解速度の変化を引き起こす化学反応が進行する。
【０００６】
基板処理装置においては、露光処理を施す露光部から、熱処理を施す露光後熱処理部へと搬送する搬送時間にバラツキが生じることがある。このように搬送時間にバラツキが生じると、各基板について露光処理完了時点から熱処理開始時点までの時間（以下、「露光後遅れ時間」とも呼ぶ）にバラツキが生じる。その結果、熱処理開始前の時点においてレジスト膜中に生成した酸触媒の量にバラツキが生じる。
【０００７】
そのため、レジスト膜に形成されるパターンの線幅等の寸法精度を所定範囲とすることができず、その結果、基板上に形成される配線パターンの寸法精度を所定範囲とすることができないとの問題が生じる。
【０００８】
この問題は以下の場合に、特に顕著となる。種々多様な特性の基板を製造するために、例えば基板処理単位（ロット）ごとに、露光後熱処理部における処理温度を変更することがある。その場合、あるロットに対応した処理温度から次のロットに対応した処理温度に変更するために、露光後熱処理部での温度調節を行わなければならない。この温度調節の完了には一定の時間を要するので、たとえ前ロット内の各基板の露光後遅れ時間を一定に保っていたとしても、温度調節後の次ロット最初の基板の露光後遅れ時間にはバラツキが生じやすい。すると、配線パターンの寸法精度を所定範囲内に収められないとの上記問題が生じる。
【０００９】
そこで、本発明では、露光後熱処理部における処理温度を変更する場合であっても、各基板上のレジスト膜に形成される配線パターンの寸法精度を所定範囲内に収めることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板処理装置であって、露光処理前の基板の一時保管場所たるバッファと、前記露光処理が施された前記基板に対して熱処理を施す熱処理部と、前記バッファへの／からの前記基板の搬送、および、前記露光処理済みの前記基板の前記熱処理部への搬送を行う搬送手段とを備え、前記熱処理部は、複数の異なる処理温度で前記熱処理を行うことが可能であり、前記処理温度を変更する場合、前記搬送手段に対して前記処理温度の変更開始および変更完了を通知し、前記搬送手段は、前記変更開始の通知を受けた場合には、前記基板を前記バッファにて待機させ、前記変更完了の通知を受けた後に、前記露光処理が施されるよう待機中の前記基板を前記バッファから取り出して搬送することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項２の発明は、露光処理前の基板の一時保管場所たるバッファと、前記露光処理が施された前記基板に対して熱処理を施す熱処理部と、前記バッファへの／からの前記基板の搬送、および、前記露光処理済みの前記基板の前記熱処理部への搬送を行う搬送手段とを備える基板処理装置を用いて前記基板への処理を行う基板処理方法であって、前記熱処理部は、複数の異なる処理温度で前記熱処理を行うことが可能であり、前記処理温度を変更した場合には、前記搬送手段により前記基板を前記バッファにて待機させ、前記変更が完了した後に、前記露光処理が施されるよう待機中の前記基板を前記搬送手段により前記バッファから取り出して搬送することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１および請求項２に記載の発明によれば、熱処理部での処理温度を変更した場合には、基板をバッファにて待機させ、変更が完了した後に、露光処理が施されるよう待機中の基板をバッファから取り出して搬送する。よって、熱処理部での処理温度の変更を行う場合であっても、変更の前後で露光処理完了時点から熱処理開始時点までの時間にバラツキを生じさせることがない。これにより、露光後熱処理部における処理温度を変更する場合であっても、各基板上のレジスト膜に形成される配線パターンの寸法精度を所定範囲内に収めることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１４】
＜1.基板処理装置の構成＞
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置１００の平面図である。ここでは、基板に反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、露光された基板に現像処理などの薬液処理を施す基板処理装置を例にとって説明する。なお、図１および以降の各図には、それらの方向関係を明確にすべく必要に応じて適宜、Ｚ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
【００１５】
図１に示すように、本実施の形態の基板処理装置１００は、大きく分けて、インデクサブロック１と、基板に対して所定の薬液処理を行う３つの処理ブロック（具体的には反射防止膜処理ブロック２、レジスト膜処理ブロック３、および現像処理ブロック４）と、インターフェイスブロック５とからなり、これらのブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５には、本実施の形態の基板処理装置１００とは別体の外部装置である露光装置（ステッパー）ＳＴＰが並設されている。
【００１６】
なお、基板処理装置１００においては、図示しない所定の供給手段によって各ブロック内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されている。これにより、各ブロック内おいて、パーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響が回避される。
【００１７】
また、各ブロック内は外部に対して若干陽圧に保たれており、パーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、反射防止膜処理ブロック２内の気圧はインデクサブロック１内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、インデクサブロック１内の雰囲気が反射防止膜処理ブロック２に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理ブロックで処理を行うことができる。
【００１８】
インデクサブロック１は、基板処理装置１００の外部からの未処理の基板Ｗの受け入れや、逆に処理済の基板Ｗの外部への払い出しを担う部位である。インデクサブロック１には、所定枚数の基板Ｗを多段に収納可能なカセットＣを複数個（図１においては４個）並べて載置するカセット載置台６と、カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出して後段の処理へと供するとともに、処理済の基板Ｗ受け取って再びカセットＣへと順に収納するインデクサ用搬送機構７とを備えている。
【００１９】
インデクサ用搬送機構７は、カセット載置台６にＹ軸方向に水平移動可能な可動台７ａと、可動台７ａ上にあって基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂと、保持アーム７ｂの先端部分の内側に突出する複数本のピン１０ｃ（図１には３個の場合を図示）とを備えている（図２参照）。保持アーム７ｂは、Ｚ軸方向への上下移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向への進退移動がそれぞれ可能に設けられている。基板Ｗは、ピン１０ｃによって水平姿勢で保持される。
【００２０】
また、インデクサブロック１と、隣接する反射防止膜処理ブロック２との境界部には、図１に示すように、互いの雰囲気を遮断することを目的とする隔壁１３が設けられている。そして、当該隔壁１３には、基板Ｗを載置するための基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２が、当該隔壁１３を部分的に貫通させて、上下に１個ずつ設けられている。
【００２１】
インデクサブロック１における基板Ｗの受け渡しについて概説する。まず、インデクサ用搬送機構７が、所定のカセットＣに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム７ｂが昇降および進退移動することにより、そのカセットＣに収納されている未処理の基板Ｗを取り出す。保持アーム７ｂに基板Ｗを保持した状態で、インデクサ用搬送機構７が、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで水平移動する。
【００２２】
そして、保持アーム７ｂ上の基板Ｗを基板払出し用の上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、インデクサ用搬送機構７は、その処理済みの基板Ｗを保持アーム７ｂ上に受け取って、所定のカセットＣに処理済みの基板Ｗを収納する。以下、同様にカセットＣから未処理基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送するとともに、処理済み基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２から受け取ってカセットＣに収納するという動作を繰り返し行う。
【００２３】
図２は、基板処理装置１００の正面図である。図３は、図２と同じ方向からみた場合の、熱処理部ＴＰの配置構成を示す図である。反射防止膜処理ブロック２は、フォトレジスト膜の下部に、露光装置ＳＴＰにおける露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるための反射防止膜を形成する処理を行う。反射防止膜処理ブロック２は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布する処理を担う第１塗布処理部８（塗布処理ユニット８ａ〜８ｃを有する）と、塗布に際し必要な熱処理を行う第１熱処理部９（複数の加熱プレートＨＰ、冷却ユニットＣＰおよびアドヒージョン処理ユニットＡＨＬを有する）と、第１塗布処理部８および第１熱処理部９に対して基板Ｗの受け渡しをする第１主搬送機構１０Ａとを備える。
【００２４】
第１主搬送機構１０Ａは、後述する主搬送機構１０Ｂ〜１０Ｄと同様なハードウェア構成を有する搬送ロボットであり、基台１０ｄ上に２個の保持アーム１０ａ、１０ｂが上下に設けて構成されている（ただし、図１には１個のみ図示）。保持アーム１０ａ、１０ｂは、略Ｃ字状の先端部分を有しており、この先端部分の内側に突出する複数本のピン１０ｃ（図１には３個の場合を図示）によって基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。保持アーム１０ａ、１０ｂは、図示しない駆動機構によって、水平面内の旋回移動、Ｚ軸方向の昇降移動、および旋回半径方向の進退移動が可能に構成されている。
【００２５】
また、反射防止膜処理ブロック２と、隣接するレジスト膜処理ブロック３との境界部には、図１に示すように、互いの雰囲気を遮断することを目的とする隔壁１３が設けられている。また、当該隔壁１３には、基板Ｗを載置するための基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４が、当該隔壁１３を部分的に貫通させて、上下に１個ずつ設けられている。すなわち、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４は、反射防止膜処理ブロック２の第１主搬送機構１０Ａとレジスト膜処理ブロック３の第２主搬送機構１０Ｂとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための載置部である。これら基板載置部のうち上側に配置された基板載置部ＰＡＳＳ３は基板払い出し用に、下側に配設された基板載置部ＰＡＳＳ４は基板戻し用にそれぞれ使用される。
【００２６】
反射防止膜処理ブロック２において反射膜を形成する処理が完了した基板Ｗは、第１主搬送機構１０Ａによって上側の基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜処理ブロック３の第２主搬送機構１０Ｂによってレジスト膜処理ブロック３内に搬入される。また、露光装置ＳＴＰおよび現像処理ブロック４において露光処理、露光後ベーク処理、および現像処理が完了した基板Ｗは、第２主搬送機構１０Ｂによって下側の基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。そして、反射防止膜処理ブロック２の第１主搬送機構１０Ａによって反射防止膜処理ブロック２内に搬入される。すなわち、反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３とは、基板載置部ＰＡＳＳ３および基板載置部ＰＡＳＳ４を介して基板Ｗの受け渡しを行う。
【００２７】
なお、反射防止膜処理ブロック２において、第１塗布処理部８と第１熱処理部９とは、第１主搬送機構１０Ａを間に挟み、第１塗布処理部８が装置正面側に位置するように、また、第１熱処理部９が装置背面側に位置するように、それぞれ配置されている。そのため第１熱処理部９から第１塗布処理部８への熱的影響が抑制される。また、第１熱処理部９の正面側（第１主搬送機構１０Ａ側）には、図示しない熱隔壁が設けられている。そのため、当該熱隔壁によっても、第１塗布処理部８への熱的影響が回避される態様となっている。
【００２８】
レジスト膜処理ブロック３は、反射防止膜が形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を形成する処理を担う。なお、本実施の形態では、フォトレジストとして化学増幅レジストを用いる。レジスト膜処理ブロック３は、フォトレジスト膜を塗布する処理を担う第２塗布処理部１５（塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃを有する）と、塗布に際し必要な熱処理を行う第２熱処理部１６（複数の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰを有する）と、第２塗布処理部１５およぴ第２熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをする第２主搬送機構１０Ｂとを備える。
【００２９】
また、レジスト膜処理ブロック３と、隣接する現像処理ブロック４との境界部には、図１に示すように、互いの雰囲気を遮断することを目的とする隔壁１３が設けられている。また、当該隔壁１３には、基板Ｗを載置するための基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６が、当該隔壁１３を部分的に貫通させて、上下に１個ずつ設けられている。すなわち、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６は、レジスト膜処理ブロック３の第２主搬送機構１０Ｂと現像処理ブロック４の第３主搬送機構１０Ｃとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための載置部である。これら基板載置部のうち上側に配置された基板載置部ＰＡＳＳ５は基板払い出し用に、下側に配設された基板載置部ＰＡＳＳ６は基板戻し用にそれぞれ使用される。
【００３０】
レジスト膜処理ブロック３においてレジスト塗布処理が完了した基板Ｗは、第２主搬送機構１０Ｂによって上側の基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック４の第３主搬送機構１０Ｃによって現像処理ブロック４内に搬入される。また、露光装置ＳＴＰおよび現像処理ブロック４において露光処理、露光後ベーク処理、および現像処理が完了した基板Ｗは、第３主搬送機構１０Ｃによって下側の基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。そして、レジスト膜処理ブロック３の第２主搬送機構１０Ｂによってレジスト膜処理ブロック３内に搬入される。すなわち、レジスト膜処理ブロック３と現像処理ブロック４とは、基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ６を介して基板Ｗの受け渡しを行う。
【００３１】
なお、レジスト膜処理ブロック３において、第２塗布処理部１５と第２熱処理部１６とは、第２主搬送機構１０Ｂを間に挟み、第２塗布処理部１５が装置正面側に位置するように、また、第２熱処理部１６が装置背面側に位置するように、それぞれ配置されている。そのため、反射防止膜処理ブロック２と同様に、第２熱処理部１６から第２塗布処理部１５への熱的影響が抑制される。また、第２熱処理部１６の正面側（第２主搬送機構１０Ｂ側）には、図示しない熱隔壁が設けられている。そのため、当該熱隔壁によっても、第２塗布処理部１５への熱的影響が回避される態様となっている。
【００３２】
現像処理ブロック４は、露光装置ＳＴＰにおいて所定の回路パターンが露光された基板Ｗに対して現像処理をする機構である。現像処理ブロック４は、現像液により現像処理を行う現像処理部３０と、現像処理に際し必要な熱処理を行う第３熱処理部３１と、現像処理部３０および第３熱処理部３１に対して基板Ｗの受け渡しをする第３主搬送機構１０Ｃとを備える。
【００３３】
現像処理部３０は、図２に示すように、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅ（以下、特に区別しない場合は符号「３０」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各現像処理ユニット３０は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３２や、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３３などを備えている。
【００３４】
第３熱処理部３１は、図３に示すように、各々複数個の加熱プレートＨＰ、基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰ、および、基板Ｗを常温にまで高い精度で冷却する冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含み、各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置される。
【００３５】
図４に基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰの概略構成を示す。加熱部ＰＨＰは、基板Ｗを載置して熱処理する加熱プレート（加熱ユニット）ＨＰと、当該加熱プレートＨＰから離れた上方位置または下方位置（本実施の形態では上方位置）に基板Ｗを載置する基板仮置部１９と、加熱プレートＨＰと基板仮置部１９との間で基板Ｗを搬送する熱処理部用のローカル搬送機構２０とを備えている。加熱プレートＨＰには、プレート表面に複数本の可動支持ピン２１が出没自在に設けられている。加熱プレートＨＰの上方には熱処理時に基板Ｗを覆う昇降自在の上蓋２２が設けられている。基板仮置部１９には基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン２３が設けられている。
【００３６】
ローカル搬送機構２０は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する保持プレート２４を備え、この保持プレート２４がネジ送り駆動機構２５によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構２６によって進退移動されるように構成されている。保持プレート２４は、これが加熱プレートＨＰや基板仮置部１９の上方に進出したときに、可動支持ピン２１や固定支持ピン２３と干渉しないように複数本のスリット２４ａが形成されている。また、ローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰから基板仮置部１９へ基板Ｗを搬送する過程で基板を冷却する冷却ユニットを備えている。
【００３７】
この冷却ユニットは、図４(b)に示すように、保持プレート２４の内部に冷却水流路２４ｂを設け、この冷却水流路２４ｂに冷却水を流通させることによって構成してもよい。また、図示を省略する冷却装置と保持プレート２４とを接して保持プレート２４から当該冷却装置への熱伝導によって冷却し、この冷却された保持プレート２４によって基板Ｗを保持する際に、基板Ｗから保持プレート２４への熱伝導によって冷却してもよい。
【００３８】
上述したローカル搬送機構２０は、インターフェイスブロック５の第４主搬送機構１０Ｄが対向する面１９ｅ（図４(b)参照）と隣り合う面１９ｆと対向するように設置されている。そして、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を覆う筐体２７の上部、すなわち基板仮置部１９を覆う部位には、面１９ｅに第３主搬送機構１０Ｃの進入を許容する開口部１９ａが、面１９ｆにはローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｂがそれぞれ設けられている。また、筐体２７の下部、すなわち加熱プレートＨＰを覆う部位は、面１９ｅが閉塞し、面１９ｆにローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｃが設けられている。
【００３９】
上述した加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの出し入れは以下のようにして行われる。まず、第３主搬送機構１０Ｃが基板Ｗを保持して、基板仮置部１９の固定支持ピン２３の上に基板Ｗを載置する。続いて、ローカル搬送機構２０の保持プレート２４が基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持プレート２４は筐体２７から退出して、加熱プレートＨＰに対向する位置まで下降する。このとき加熱プレートＨＰの可動支持ピン２１は、基板Ｗの下面と保持プレート２４の上面とが接する加熱位置まで下降しているとともに、上蓋２２は上昇している。基板Ｗを保持した保持プレート２４は加熱プレートＨＰの上方に進出する。可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを受取位置にて受け取った後に保持プレート２４が退出する。続いて、可動支持ピン２１が下降して基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に載せるととともに、上蓋２２が下降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが熱処理される。熱処理が終わると上蓋２２が上昇するとともに、可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続いて、保持プレート２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支持ピン２１が下降することにより、基板Ｗが保持プレート２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持プレート２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部１９に搬送する。基板仮置部１９内で保持プレート２４に支持された基板Ｗが、保持プレート２４が保有する冷却機能によって冷却される。保持プレート２４は、冷却した（常温に戻した）基板Ｗを基板仮置部１９の固定支持ピン２３上に移動する。第３主搬送機構１０Ｃが基板Ｗを取り出して搬送する。
【００４０】
以上のように、第３主搬送機構１０Ｃは、基板仮置部１９に対して基板Ｗの受け渡しをするだけで、加熱プレートＨＰに対して基板Ｗの受け渡しをしない。そのため、主搬送機構１０が温度上昇するのを回避することができる。
【００４１】
第３熱処理部３１の右側（インターフェイスブロック５に隣接している側）の熱処理部の列には、現像処理ブロック４の第３主搬送機構１０Ｃとインターフェイスブロック５の第４主搬送機構１０Ｄとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。これらのうち上側に配置された基板載置部ＰＡＳＳ７は基板払い出し用に、下側に配設された基板載置部ＰＡＳＳ８は基板戻し用にそれぞれ使用される。
【００４２】
ここで、レジスト膜処理ブロック３から現像処理ブロック４に搬入された基板Ｗは、第３主搬送機構１０Ｃによって基板載置部ＰＡＳＳ７に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック４の第４主搬送機構１０Ｄによってインターフェイスブロック５内に搬入される。また、露光装置ＳＴＰおよび現像処理ブロック４において露光処理、露光後ベーク処理、および現像処理が完了した基板Ｗは、第３主搬送機構１０Ｃによって基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。そして、レジスト膜処理ブロック３の第２主搬送機構１０Ｂによってレジスト膜処理ブロック３内に搬入される。すなわち、レジスト膜処理ブロック３と現像処理ブロック４とは、基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ６を介して基板Ｗの受け渡しを行う。
【００４３】
なお、現像処理ブロック４において、現像処理部３０と第３熱処理部３１とは、第３主搬送機構１０Ｃを間に挟み、現像処理部３０が装置正面側に位置するように、また、第３熱処理部３１が装置背面側に位置するように、それぞれ配置されている。そのため、反射防止膜処理ブロック２およびレジスト膜処理ブロック３と同様に、第３熱処理部３１から現像処理部３０への熱的影響が抑制される。また、第３熱処理部３１の正面側（第３主搬送機構１０Ｃ側）には、図示しない熱隔壁が設けられている。そのため、当該熱隔壁によっても、現像処理部３０への熱的影響が回避される態様となっている。
【００４４】
インターフェイスブロック５は、基板処理装置１００とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受渡をする機構である。基板処理装置１００におけるインターフェイスブロック５には、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しをするためのインターフェイス用搬送機構３５の他に、フォトレジストが塗布された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷと、現像処理ブロック４内に配設された基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰおよびエッジ露光ユニットＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする第４主搬送機構１０Ｄを備えている。
【００４５】
エッジ露光ユニットＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３６や、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周縁部を露光する光照射器３７などを備えている。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷは、インターフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。
【００４６】
図５はインターフェイスブロック５の側面図である。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷの下側に基板戻し用の戻し用バッファＲＢＦがあり、さらにその下側に基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０が積層配置されている。基板戻し用のバッファＲＢＦは、故障などのために現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理をすることができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰで露光後の熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、第４主搬送機構１０Ｄとインターフェイス用搬送機構３５との間で基板Ｗの受け渡しを行うためのもので、上側が基板払出し用、下側が基板戻し用になっている。
【００４７】
インターフェイス用搬送機構３５は、図１および図５に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台３５ａを備え、この可動台３５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム３５ｂを搭載している。保持アーム３５ｂは、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。インターフェイス用搬送機構３５の搬送経路の一端（図５に示す位置Ｐ１）は、積層された基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０の下方にまで伸びており、この位置Ｐ１で露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。また、搬送経路の他端位置Ｐ２では、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、送り用バッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納と取り出しとを行う。送り用バッファＳＢＦは、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。
【００４８】
＜2.基板処理装置の制御＞
図６は、基板処理装置１００の各ブロック１〜５の配置を示す平面図である。図７は、基板処理装置１００のセル配置を示す平面図である。また、図８は、基板処理装置１００の制御系を示すブロック図である。ここでは、本実施の形態における基板処理装置１００の制御系について説明する。
【００４９】
上述のように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１、反射防止膜処理ブロック２、レジスト膜処理ブロック３、現像処理ブロック４、インターフェイスブロック５に分割して構成されている（図６）。従来、基板処理装置において、このように各ブロックに分割されたハードウェア構成が採用される場合、各ブロックは、それぞれコントローラを有し、当該コントローラによって対応するブロックにおいて行われる処理の状況（例えばブロックに含まれる加熱プレートＨＰによる基板Ｗの熱処理の状況や、基板Ｗの搬送状況等）の制御を行っていた。しかし、本実施の形態の基板処理装置１００では、装置全体を複数のセルと呼ばれる要素に分割し、当該複数のセルのそれぞれ対応するコントローラによって各セル内での処理状況や基板Ｗの搬送状況等の制御を行っている。
【００５０】
ここで、セルとは、インデクサ用搬送機構７、各主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄ、およびインターフェイス用搬送機構３５（以下、「基板搬送機構」とも称する）を基準として基板処理装置１００を複数に分割した各要素のことである。すなわち、図７に示すように、各セルＣ１〜Ｃ６は、各基板搬送機構が基板Ｗの受け渡しを行う範囲を基準に分割されている。
【００５１】
インデクサセルＣ１は、基板処理装置１００の外部からの未処理の基板Ｗの受け入れや、逆に処理済の基板Ｗの外部への払い出しを行う要素でありインデクサブロック１に対応する。すなわち、インデクサセルＣ１は、インデクサ用搬送機構７を基準に基板処理装置１００を分割した要素であり、主として、インデクサ用搬送機構７と、インデクサセルＣ１用の制御部であるコントローラＣＴ１（図８参照）を有する。
【００５２】
また、反射防止膜用処理セルＣ２は、反射防止膜を形成する処理を行う要素であり、反射防止膜処理ブロック２に対応する。すなわち、反射防止膜用処理セルＣ２は、第１主搬送機構１０Ａを基準に基板処理装置１００を分割した要素であり、主として第１主搬送機構１０Ａと、第１塗布処理部８と、第１熱処理部９と、コントローラＣＴ２（図８参照）とが含まれる。そして、反射防止膜用処理セルＣ２内に含まれる基板Ｗの処理状況および搬送状況に応じ、コントローラＣＴ２によって反射防止膜用処理セルＣ２内の各ハードウェアの状態が制御される。
【００５３】
また、レジスト膜用処理セルＣ３は、基板Ｗ上にフォトレジスト膜を形成する処理を行う要素であり、レジスト膜処理ブロック３に対応する。すなわち、レジスト膜用処理セルＣ３は、第２主搬送機構１０Ｂを基準に基板処理装置１００を分割した要素であり、主として、第２主搬送機構１０Ｂと、第２塗布処理部１５と、第２熱処理部１６と、コントローラＣＴ３（図８参照）とが含まれる。そして、コントローラＣＴ３によってレジスト膜用処理セルＣ３内に含まれる基板Ｗの処理状況および搬送状況に応じ、コントローラＣＴ３によってレジスト膜用処理セルＣ３内の各ハードウェアの状態が制御される。
【００５４】
また、現像処理セルＣ４は、露光処理が完了した基板Ｗに現像処理を施す要素であり、現像処理ブロック４に含まれる一部のハードウェアが対応する。すなわち、現像処理セルＣ４は、第３主搬送機構１０Ｃを基準に基板処理装置１００を分割した要素であり、主として、第３主搬送機構１０Ｃと、現像処理部３０と、第３熱処理部３１のうちレジスト膜処理ブロック３側に配設された加熱プレートＨＰおよび冷却ユニットＣＰと、セルコントローラＣＴ４（図８参照）とが含まれる。そして、コントローラＣＴ４によって現像処理セルＣ４内に含まれる基板Ｗの処理状況および搬送状況に応じ、コントローラＣＴ４によって現像処理セルＣ４内の各ハードウェアの状態が制御される。
【００５５】
また、露光後熱処理セルＣ５は、露光処理が完了した基板Ｗに対して露光後熱処理を行う要素であり、現像処理ブロック４の一部のハードウェアとインターフェイスブロック５の一部のハードウェアとが対応する。すなわち、露光後熱処理セルＣ５は、第４主搬送機構１０Ｄを基準に基板処理装置１００を分割した要素であり、主として、第４主搬送機構１０Ｄと、第３熱処理部３１のうちインターフェイスブロック５側に配設された加熱部ＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰと、戻し用バッファＲＢＦと、コントローラＣＴ５（図８参照）とが含まれる。そして、露光後熱処理セルＣ５内に含まれる基板Ｗの処理状況および搬送状況に応じ、コントローラＣＴ５によって露光後熱処理セルＣ５内の各ハードウェアの状態が制御される。
【００５６】
また、インタフェースセルＣ６は、基板処理装置１００と外部装置である露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受渡をする要素であり、インターフェイスブロック５の一部が対応する。すなわち、インタフェースセルＣ６は、インターフェイス用搬送機構３５を基準に基板処理装置１００を分割した要素であり、主として、インターフェイス用搬送機構３５と、エッジ露光ユニットＥＥＷと、送り用バッファＳＢＦと、コントローラＣＴ６（図８参照）とが含まれる。そして、コントローラＣＴ６によってインタフェースセルＣ６内に含まれる基板Ｗの処理状況および搬送状況に応じ、コントローラＣＴ６によってインタフェースセルＣ６内の各ハードウェアの状態が制御される。
【００５７】
このように、セルＣ１〜Ｃ６のそれぞれは、各々対応するコントローラＣＴ１〜ＣＴ６によって独立して制御することができる。そして、これらコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、図８に示すように、メインコントローラＭＣと接続されている。
【００５８】
メインコントローラＭＣは、基板処理装置１００の各セルＣ１〜Ｃ６に含まれるハードウェアの稼動状況を制御して基板処理装置１００による半導体製造工程を管理する制御装置であり、プログラムや変数等を格納するメモリ５１と、メモリ６１に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ５２とを備えている。また、メインコントローラＭＣは、各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６と有線または無線ネットワークを介して通信可能に接続されている。
【００５９】
そのため、メインコントローラＭＣは、セルＣ１〜Ｃ６のそれぞれに対応するコントローラＣＴ１〜ＣＴ６から送信される各ハードウェアの稼動状況（例えば、加熱プレートＨＰの温度、基板搬送機構の搬送状況）を示す稼動状況データを受信することができる。また、メインコントローラＭＣは、当該稼動状況データに基づき、最適な基板処理を施すためのハードウェアの稼動状況を求めるための演算処理を実行するとともに、選択したコントローラＣＴ１〜ＣＴ６に対してハードウェアの稼動状況を所定状態（例えば、反射防止膜用処理セルＣ２に含まれる加熱プレートＨＰを所定温度）にする制御信号を送信することにより、各セルＣ１〜Ｃ６に含まれるハードウェアの稼動状況を最適な状態にすることができる。
【００６０】
また、メインコントローラＭＣは、基板処理装置１００を含む複数の基板処理装置１００による半導体製造工程の全体を管理するホストコンピュータＨＣと有線または無線ネットワークを介して通信可能に接続されている。ここで、ホストコンピュータＨＣは、プログラムや変数等を格納するメモリ６１と、メモリ６１に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ６２とを備える制御装置である。したがって、各基板処理装置によって製造される半導体ウェハの状況に関するデータをネットワークを介してメインコントローラＭＣからホストコンピュータＨＣに送信することにより、各半導体ウエハの製造状況をホストコンピュータＨＣにおいて容易に把握することが可能となる。
【００６１】
＜3.基板処理装置の動作＞
ここでは、基板処理装置１００に含まれるインデクサセルＣ１、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、現像処理セルＣ４、露光後熱処理セルＣ５、およびインターフェイスセルＣ６のそれぞれの動作について説明する。
【００６２】
まず、インデクサセルＣ１の動作について説明する。インデクサセルＣ１では、カセットＣに収納された未処理の基板Ｗをインデクサ用搬送機構７によって取り出すとともに、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２と対向する位置まで水平移動して基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗを載置する。また、コントローラＣＴ１によって基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済の基板Ｗが載置されたことを検出すると、インデクサ用搬送機構７を基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２と対向する位置まで水平移動させるとともに、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを受け取る。
【００６３】
次に、反射防止膜用処理セルＣ２の動作について説明する。反射防止膜用処理セルＣ２では、コントローラＣＴ２によって基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されたことを検出すると、第１主搬送機構１０Ａを基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２と対向する位置まで水平移動させるとともに、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを受け取る。続いて、第１塗布処理部８に基板Ｗを搬入することによって反射防止膜を塗布する処理を行うとともに、第１熱処理部９に反射防止膜が塗布された基板Ｗを搬入することによって所定の熱処理を行う。そして、これら塗布処理および熱処理が完了した基板Ｗを、第１主搬送機構１０Ａによって基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４と対向する位置まで水平移動させるとともに、上側の基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００６４】
また、反射防止膜用処理セルＣ２では、コントローラＣＴ２によって基板載置部ＰＡＳＳ４に露光処理が完了した基板Ｗが載置されたことを検出すると、第１主搬送機構１０Ａを基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４と対向する位置まで移動させるとともに、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板を受け取る。そして、第１主搬送機構１０Ａを基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２と対向する位置まで移動して露光処理済みの基板Ｗを下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。
【００６５】
続いて、レジスト膜用処理セルＣ３の動作について説明する。レジスト膜用処理セルＣ３では、コントローラＣＴ３によって基板載置部ＰＡＳＳ３に反射防止膜が塗布された基板Ｗが載置されたことを検出すると、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４と対向する位置まで第２主搬送機構１０Ｂを水平移動させるとともに、上側の基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを受け取る。続いて、この反射防止膜が塗布された反射防止膜塗布済み基板Ｗを第２塗布処理部１５に搬入することによってレジスト膜を塗布する処理を行うとともに、第２熱処理部１６にレジスト膜が塗布された基板Ｗを搬入することによって所定の熱処理を行う。そして、これら塗布処理および熱処理が完了した基板Ｗを、第２主搬送機構１０Ｂによって基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６と対向する位置まで水平移動させるとともに、上側の基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００６６】
また、レジスト膜用処理セルＣ３では、コントローラＣＴ３によって基板載置部ＰＡＳＳ６に露光処理が完了した基板Ｗが載置されたことを検出すると、第２主搬送機構１０Ｂを基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６と対向する位置まで移動させるとともに、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板を受け取る。そして、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４と対向する位置まで移動して露光処理済みの基板Ｗを下側の基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。
【００６７】
続いて、現像処理セルＣ４の動作について説明する。現像処理セルＣ４では、コントローラＣＴ４によって基板載置部ＰＡＳＳ５に基板Ｗが載置されたことを検出すると、第３主搬送機構１０Ｃを基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６と対向する位置まで移動させてレジスト膜の塗布された基板Ｗを受け取るとともに、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８と対向する位置まで水平移動して当該レジスト膜の塗布された基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に受け渡す。
【００６８】
また、コントローラＣＴ４によって基板載置部ＰＡＳＳ８に露光済みの基板Ｗが載置されたことを検出すると、第３主搬送機構１０Ｃを基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８と対向する位置まで移動させるとともに、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗを受け取る。続いて、この露光済みの基板Ｗを現像処理部３０に搬入することによって現像処理を行うとともに、第３熱処理部３１に現像処理が完了した基板Ｗを搬入することによって所定の熱処理を行う。そして、これらの現像処理および熱処理が完了した基板Ｗを、第３主搬送機構１０Ｃによって基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６と対向する位置まで水平移動させるとともに、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００６９】
続いて、露光後熱処理セルＣ５について説明する。露光後熱処理セルＣ５では、コントローラＣＴ５によって基板載置部ＰＡＳＳ７に基板Ｗが載置されたことを検出すると、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８と対向する位置まで第４主搬送機構１０Ｄを昇降移動させるとともに、上側の基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜の塗布された基板Ｗを受け取るとともに、エッジ露光ユニットＥＥＷにこの基板Ｗを搬入してエッジ露光処理を行う。そして、第４主搬送機構１０Ｄによってエッジ露光ユニットＥＥＷからエッジ露光処理が完了した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０と対向する位置まで昇降させるとともに、上側の基板載置部ＰＡＳＳ９に当該基板Ｗを載置する。
【００７０】
また、コントローラＣＴ５によって基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗが載置されたことを検出すると、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０と対向する位置まで第４主搬送機構１０Ｄを昇降移動させるとともに、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された露光済みの基板Ｗを受け取る。続いて、露光後熱処理セルＣ５の第３熱処理部３１に含まれる加熱部ＰＨＰにこの露光済みの基板Ｗを搬入することによって、露光後熱処理を行う。そして、第４主搬送機構１０Ｄによって露光後熱処理が完了した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８と対向する位置まで昇降させるとともに、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８に露光後熱処理が完了した基板Ｗを載置する。なお、露光後熱処理セルＣ５において行われる露光後熱処理の動作の詳細については後述する。
【００７１】
続いて、インターフェイスセルＣ６の動作について説明する。インターフェイスセルＣ６では、コントローラＣＴ６によって基板載置部ＰＡＳＳ９にレジスト膜が塗布された基板Ｗが載置されたことを検出すると、インターフェイス用搬送機構３５を基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０と対向する位置まで移動させるとともに、上側の基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗを受け取る。そして、インターフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰの搬送機構（図示省略）との間で基板Ｗの受け渡しを行う。
【００７２】
また、インターフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰの搬送機構（図示省略）から露光処理が完了した基板Ｗを受け取ると、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０と対向する位置まで移動して下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０に当該基板Ｗを載置する。
【００７３】
以上のような各セルＣ１〜Ｃ６の動作により、基板処理装置１００のインデクサセルＣ１に搬入される基板Ｗは、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０、ＰＡＳＳ８、ＰＡＳＳ６、ＰＡＳＳ４、およびＰＡＳＳ２の順に搬送されつつ、当該基板Ｗに対して反射防止膜用処理セルＣ２による反射防止膜の塗布処理、レジスト膜用処理セルＣ３によるレジスト膜の塗布処理、インターフェイスセルＣ６によるエッジ露光処理、露光後熱処理セルＣ５による露光後熱処理、および現像処理セルＣ４による現像処理が、この順に施されることとなる。
【００７４】
＜4.露光後熱処理セルでの動作＞
ところで、上述のように、本実施の形態の基板処理装置１００では、基板Ｗ上に化学増幅レジストを塗布してレジスト膜を形成している。この化学増幅レジストを塗布したレジスト膜に露光処理を行うと、当該露光処理により光が照射された照射部分に酸触媒が生成されてレジスト膜中に３次元分布を有する配線パターンの基になる形状が潜伏した状態が形成される。そして、この露光処理が施されたレジスト膜を基板Ｗとともに加熱部ＰＨＰによって加熱することにより、当該照射部分に生成した酸触媒の触媒作用によって現像液に対して溶解速度の変化を引き起こす化学反応が活性化され、レジスト膜中に所望の配線パターンが形成されるとともに、加熱プレートＨＰにて熱処理が完了した基板Ｗをローカル搬送機構２０によって搬送する際に保持プレート２４の冷却作用によって当該化学反応がほぼ停止する。
【００７５】
すなわち、保持プレート２４による冷却処理が完了すると、レジスト膜中の配線パターンは、酸触媒の影響をほぼ受けなくなるため、レジスト膜中に安定して存在することができる。そのため、露光後熱処理セルＣ５での処理が完了してから、現像処理セルＣ４における現像処理が開始されるまでの時間にバラツキが生じても、レジスト膜中の配線パターンの線幅を略同一に維持することができる。
【００７６】
しかし、発明が解決しようとする課題の欄にて上述したように、露光処理が完了した時点から熱処理を開始する時点までの期間、すなわち、露光装置ＳＴＰでの露光処理が完了後に、基板Ｗを露光装置ＳＴＰが有する搬送機構（図示省略）、インターフェイス用搬送機構３５、および第４主搬送機構１０Ｄを介して第３熱処理部３１に含まれる加熱部ＰＨＰに搬送されるまでの期間にも、レジスト膜中に生成された酸触媒による化学反応は進行する。
【００７７】
これにより、露光後遅れ時間にバラツキが生じると、レジスト膜中に生成される酸触媒の量にバラツキが生じる。その結果、この酸触媒の触媒作用によって引き起こされる化学反応、すなわち、現像液に対して溶解度の変化を引き起こす化学反応の進行状況がばらつく。そのため、現像処理によってレジスト膜に形成されるパターンの線幅等の寸法精度にバラツキが生じることとなり、基板Ｗ上に形成される配線パターンの寸法精度に影響を及ぼすという問題が生じる。そして、露光後熱処理セルＣ５における処理温度を変更する場合に、この問題は顕著となりやすい。
【００７８】
＜5.インタフェイスセルＣ６からの基板Ｗの払い出し処理＞
そこで、本実施の形態では、露光後熱処理において各基板Ｗの露光後遅れ時間が略同一となるように、露光後熱処理セルＣ５での処理温度を変更した場合には、インタフェイスセルＣ６からの基板Ｗの払い出しに際し、基板Ｗを送り用バッファＳＢＦにて待機させ、処理温度変更完了後に、待機中の基板Ｗを露光装置ＳＴＰへと搬送する。
【００７９】
図９は、露光後熱処理セルＣ５、インターフェイスセルＣ６、および、メインコントローラＭＣ間における制御信号の流れを示すブロック図である。また、図１０は、インターフェイスセルＣ６からの基板払い出し処理のフローチャートである。以下、図９および図１０を用いて説明を行う。
【００８０】
露光後熱処理セルＣ５内の加熱部ＰＨＰは、セルコントローラＣＴ５からの制御に基づいて、例えば８０℃、または、１００℃、または、１２０℃、…と複数の異なる処理温度で基板Ｗに対して熱処理を行うことが可能である。このような可変温度制御は、加熱部ＰＨＰにおける加熱に要する電力のセルコントローラＣＴ５からの制御（信号Ｓａ）、及び、加熱部ＰＨＰに設けられた温度センサ（図示せず）からの温度情報のセルコントローラＣＴ５へのフィードバック（信号Ｓｂ）により容易に実現できる。よって、ユーザからのメインコントローラＭＣを介した制御指令に応じて、露光後熱処理セルＣ５に、例えば第１ロットの露光後の各基板Ｗに対しては８０℃の熱処理を行わせ、第２ロットの露光後の各基板Ｗに対しては、加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰ（図４（ａ），（ｂ）参照）をさらに加熱して１００℃の熱処理を行わせる、といった制御が可能である。
【００８１】
加熱部ＰＨＰでの処理温度を変更する場合、加熱部ＰＨＰからのフィードバック信号Ｓｂに基づいてセルコントローラＣＴ５は、処理温度の変更開始の旨を信号Ｓ１としてメインコントローラＭＣに通知する。そして、処理温度の変更が完了すれば、変更完了の旨を信号Ｓ３としてメインコントローラＭＣに通知する。
【００８２】
以下に、インタフェイスセルＣ６からの基板Ｗの払い出し処理（図１０のステップＳＴ０）について説明する。まず、メインコントローラＭＣは、セルコントローラＣＴ５からの処理温度変更開始信号Ｓ１の通知を常時、監視する（図１０のステップＳＴ１）。基板ＷをインタフェイスセルＣ６から払い出す段階で信号Ｓ１の通知がなければ、メインコントローラＭＣは、露光後熱処理セルＣ５での処理温度変更はないと判断して、インタフェイスセルＣ６から基板Ｗを露光装置ＳＴＰへと払い出す（図１０のステップＳＴ４）。
【００８３】
一方、基板ＷをインタフェイスセルＣ６から払い出す段階で信号Ｓ１の通知を受け取っておれば、メインコントローラＭＣは、露光後熱処理セルＣ５での処理温度変更があったと判断して、インタフェイスセルＣ６内の送り用バッファＳＢＦにて基板Ｗを待機させる（図１０のステップＳＴ２）。この待機処理は以下のように行えばよい。つまり、メインコントローラＭＣが制御信号Ｓ２ａをセルコントローラＣＴ６に与え、セルコントローラＣＴ６が制御信号Ｓ２ａに基づき主搬送機構１０Ｄに対して制御信号Ｓ２ｂを与えることにより、基板Ｗが主搬送機構１０Ｄ上にある場合には基板Ｗを送り用バッファＳＢＦに収納するよう主搬送機構１０Ｄを制御し、基板Ｗが送り用バッファＳＢＦに既納の場合は払い出しを行わないよう主搬送機構１０Ｄを制御すればよい。
【００８４】
待機処理中、メインコントローラＭＣはセルコントローラＣＴ５から処理温度変更完了信号Ｓ３の通知があるかいなかを監視する（図１０のステップＳＴ３）。信号Ｓ３の通知がなければ、図１０のステップＳＴ２に戻ってメインコントローラＭＣは待機処理を続ける。
【００８５】
一方、信号Ｓ３の通知があればメインコントローラＭＣは、露光処理が施されるよう待機中の基板Ｗを送り用バッファＳＢＦから露光装置ＳＴＰへと搬送するべく制御を行う（図１０のステップＳＴ４）。すなわち、メインコントローラＭＣが制御信号Ｓ４ａをセルコントローラＣＴ６に与え、セルコントローラＣＴ６が制御信号Ｓ４ａに基づき主搬送機構１０Ｄに対して制御信号Ｓ４ｂを与えることにより、基板Ｗを送り用バッファＳＢＦから取り出して露光装置ＳＴＰへと搬送するよう主搬送機構１０Ｄを制御する。
【００８６】
なお、本発明の実施の形態においては、メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＴ６、及び主搬送機構１０Ｄを、送り用バッファＳＢＦへの／からの基板Ｗの搬送、および、露光処理済みの基板Ｗの加熱部ＰＨＰへの搬送を行う搬送手段と捉えることができる。
【００８７】
本発明によれば、露光後熱処理セルＣ５での処理温度を変更した場合には、基板Ｗを送り用バッファＳＢＦにて待機させ、処理温度変更が完了した後に、露光処理が施されるよう待機中の基板Ｗを送り用バッファＳＢＦから取り出して搬送する。送り用バッファＳＢＦで基板Ｗを待機させれば、露光はまだ行われていないので基板Ｗ上のレジスト膜中に酸触媒は生成されない。そして、処理温度変更完了後に基板Ｗを露光装置ＳＴＰに送り出すので、処理温度の変更がある場合であっても、露光装置ＳＴＰでの露光処理から露光後熱処理セルＣ５での熱処理までに要する時間を一定に保つことが可能となる。これは、前ロット内の最終基板の露光後遅れ時間と、温度調節後の次ロット最初の基板の露光後遅れ時間とを略同じ値に保つことができることを意味する。
【００８８】
よって、露光後熱処理セルＣ５での処理温度の変更を行う場合であっても、変更の前後で露光処理完了時点から熱処理開始時点までの時間にバラツキを生じさせることがない。これにより、露光後熱処理セルＣ５における処理温度を変更する場合であっても、各基板上のレジスト膜に形成される配線パターンの寸法精度を所定範囲内に収めることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明における基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】本発明における基板処理装置の概略構成を示す正面図である。
【図３】本発明における熱処理部の配置構成を示す図である。
【図４】本発明における基板仮置部付きの加熱部を示す図である。
【図５】本発明におけるインターフェイスブロックの概略構成を示す側面図である。
【図６】本発明の基板処理装置におけるブロック配置を示す平面図である。
【図７】本発明の基板処理装置におけるセル配置を示す平面図である。
【図８】本発明の基板処理装置における制御系の概略構成を示すブロック図である。
【図９】本発明の基板処理装置における、インターフェイスセルおよび露光後熱処理セルとメインコントローラとの間における制御信号ｂの流れを示すブロック図である。
【図１０】本発明の基板処理装置における、インターフェイスセルからの基板払い出し処理のフローチャートである。
【符号の説明】
【００９０】
１  インデクサブロック
２  反射防止膜処理ブロック
３  レジスト膜処理ブロック
４  現像処理ブロック
５  インターフェイスブロック
６  カセット載置台
７  インデクサ用搬送機構
８  塗布処理部
１０（１０Ａ〜１０Ｄ）  主搬送機構
１０ａ、１０ｂ  保持アーム
１０ｃ  ピン
１０ｄ  基台
１１  スピンチャック
１２  ノズル
１３  隔壁
１５  塗布処理部
１５ａ〜１５ｃ  塗布処理ユニット
１６  熱処理部
１７  スピンチャック
１８  ノズル
１９  基板仮置部
３０  現像処理部
３０ａ〜３０ｅ  現像処理ユニット
３１  熱処理部
３２  スピンチャック
３３  ノズル
３５  インターフェイス用搬送機構
３６  スピンチャック
３７  光照射器
１００  基板処理装置
３５ａ  可動台
３５ｂ  保持アーム
７ａ  可動台
７ｂ  保持アーム
８ａ  塗布処理ユニット
８ｂ  塗布処理ユニット
８ｃ  塗布処理ユニット
ＡＨＬ  アドヒージョン処理ユニット
Ｃ  カセット
ＥＥＷ  エッジ露光ユニット
ＨＰ  加熱プレート
ＰＡＳＳ（ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０）  基板載置部
ＳＢＦ  送り用バッファ
ＲＢＦ  戻し用バッファ
ＳＴＰ  露光装置
ＴＰ  熱処理部
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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