(57)【要約】【目的】  マスクの現像工程において、現像液中の反応生成物滞留や反応原料物質濃度低下を防ぎ、結果としてレジストパターンの線幅精度を高めることを目的とする。【構成】  マスクに貫通した開口部を形成する開口部形成工程と、上記開口部形成工程により開口部が形成されたマスクのマスク面に現像液を供給する供給工程とを備えたことを特徴とする。上記供給工程は、上記マスク面に現像液を供給する場合に、供給されるマスク面側の雰囲気圧力を上記マスク面の裏面側の雰囲気圧力より大きくすることを特徴とする。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに貫通した開口部を形成する開口部形成工程と、
上記開口部形成工程により開口部が形成されたマスクのマスク面に現像液を供給する供給工程と
を備えたことを特徴とするマスク現像方法。
【請求項２】
上記開口部形成工程は、試料に露光するために露光光が透過するパターンが形成される位置に開口部を形成することを特徴とする請求項１記載のマスク現像方法。
【請求項３】
上記開口部形成工程は、試料に露光するために露光光が透過するパターンが形成される位置とは異なる位置に開口部を形成することを特徴とする請求項１記載のマスク現像方法。
【請求項４】
上記供給工程は、上記マスク面に現像液を供給する場合に、供給されるマスク面側の雰囲気圧力を上記マスク面の裏面側の雰囲気圧力より大きくすることを特徴とする請求項１記載のマスク現像方法。
【請求項５】
上記供給工程は、上記マスク面に現像液を供給する場合に、供給されるマスク面側の雰囲気を加圧することを特徴とする請求項４記載のマスク現像方法。
【請求項６】
上記供給工程は、上記マスク面に現像液を供給する場合に、供給されるマスク面の裏面側の雰囲気を吸引することを特徴とする請求項４記載のマスク現像方法。
【請求項７】
請求項１記載のマスク現像方法を用いてマスクを製作するマスク製作方法。
【請求項８】
請求項３記載のマスク現像方法により現像されたマスクに形成された開口部を塞ぐ塞ぎ工程と、
上記塞ぎ工程により開口部が塞がれたマスクを用いて、試料に露光する露光工程と
を備えたことを特徴とする露光方法。
【請求項９】
貫通した開口部が形成されたマスクのマスク面に現像液を供給する供給部と、
上記供給部によりマスク面に現像液を供給する場合に、供給されるマスク面側の雰囲気圧力を上記マスク面の裏面側の雰囲気圧力より大きくする圧力調整部と
を備えたことを特徴とするマスク現像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク現像方法、マスク製作方法、露光方法及びマスク現像装置に関する。特に、荷電粒子線投影露光方法で用いるマスクを製造する手法、マスク、マスクパターン、半導体装置の製造方法に関する。さらに、薬液を用いて行うマスクの製造方法、マスクの製造装置、およびその製造装置と方法を用いたマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年ますます微細化される半導体集積回路を製造するために、紫外線露光技術に代わる新しい露光技術が求められており、荷電粒子線投影露光、特に、電子線投影露光技術が注目されている。この電子線投影露光技術として、電子ビームのビーム径をマスク上で１ｍｍ角程度として、露光用マスクとして４倍のステンシルマスクを用い、ウェハ上での最大露光面積を２５０ｕｍ□（角）で露光を行う手法が提案されている。ここで用いられるステンシルマスクは試料に形成するチップの全パターンを分割した多数の分割マスクで構成されており、その分割マスクに対して電子ビームによる一括露光を行う手法が提案されている。（例えば、特許文献１参照）
さらに、量産レベルで超微細加工用に使用可能な電子ビーム近接露光装置が提案されている。同技術では図１に示すような基本構成を用いて露光を行い、ここで用いられるステンシルマスクは、非常に薄いＳｉなどから構成されるメンブレン膜と等倍のマスクパターン開口を備えることを特徴としている。（例えば、特許文献２、非特許文献１参照）
これらの電子線投影露光技術で用いるステンシルマスクの製造は、シリコンなどのウェハで用いるプロセスと多くの場合で共通であり、微細パターンを加工する際に用いる感光性樹脂パターンを形成する際の現像工程も同一の処理工程である。レジストと呼ばれる感光性樹脂に所望の微細パターンのみを感光させるには、まずマスク基板上にレジストを塗布し、適宜熱処理を加え、所望の微細パターン領域にのみ電子線などのエネルギーを与えた後、熱処理を加え、現像液を基板に供給し、不要となる領域のレジストを溶解させる。
【特許文献１】特開平９−１３９３４４号公報
【特許文献２】特許第２９５１９４７号公報
【特許文献３】特開平１１−３２９９６０号公報
【特許文献４】特開２００１−２３９１９８号公報
【特許文献５】特開２００２−２８９５０２号公報
【非特許文献１】“Ｌｏｗ  ｅｎｅｒｇｙ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ−  ｂｅａｍ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：  Ｄｉｓｃｏｖｅｒｙ  ｏｆ  ｍｉｓｓｉｎｇ  ｌｉｎｋ”  （Ｔａｋａｏ  Ｕｔｓｕｍｉ，  Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ  １７（６），Ｎｏｖ／Ｄｅｃ  １９９９，ｐｐ．２８９７−  ２９０２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような薬液（現像液）を用いた処置では、現像液と被加工膜（感光性樹脂膜＝レジスト）との間の化学反応により処理が進行する。このため処理時間の経過とともに生成した反応生成物（溶解したレジスト）の濃度が上昇し、現像液の原料物質濃度が低下する。反応生成物や原料物質の拡散は、必ずしも十分速くないため、局所的にこれらの濃度が変化し加工が必ずしも面内で均一にならないという問題があった。
【０００４】
アルカリ性の水溶液から成る現像液により所望領域を除去する現像方法ではレジストの除去領域の樹脂は側鎖にカルボン酸、フェノール等の酸性の基を持っているのでアルカリ性水溶液である現像液との中和反応でレジストの樹脂は溶解する。現像中、従来、ウェハは静置されるため、溶解した樹脂の拡散は遅く、溶解した樹脂は、レジスト除去領域付近に滞留する。また、ＯＨ基の拡散も十分速いとは言えないため中和反応で消費された後、レジスト除去領域付近でのＯＨ基濃度は局所的に低くなり、ｐＨも局所的に低くなる。除去領域の体積、すなわち、溶解する樹脂量は、パターンに依存するためマスク基板内で必ずしも一様でなく、結果として基板面内でレジストパターンの仕上がり線幅は、不均一となっていた。
【０００５】
こうした問題点に対処するために、基板面上の薬液膜に薬液撹拌部材を接触させ、回転や平行運動を同部材にさせることで薬液が基板面内で撹拌され、薬液中の反応生成物滞留や反応原料物質濃度低下を防ぎ、結果としてレジストパターンの線幅精度を高めると言う手法が文献で提案されている（特許文献３参照）。
【０００６】
また同じ発明者らにより、薬液に対して加圧／減圧を行うことで上記効果を生じさせる手法も提案されている（特許文献５参照）。
【０００７】
しかしながら、現像液中の反応生成物滞留や反応原料物質濃度低下を防ぐと言う目的のためには、現像液の撹拌よりも新しい、すなわち反応生成物を溶かし込んでいない現像液をレジストに対して常に供給することの方が望ましいことは言うまでもない。
【０００８】
本発明の目的は、例えば、荷電粒子線投影露光用マスクの現像工程において、現像液中の反応生成物滞留や反応原料物質濃度低下を防ぎ、結果としてレジストパターンの線幅精度を高めることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に係るマスク現像方法は、マスクに貫通した開口部を形成する開口部形成工程と、
上記開口部形成工程により開口部が形成されたマスクのマスク面に現像液を供給する供給工程と
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
上記開口部形成工程は、試料に露光するために露光光が透過するパターンが形成される位置に開口部を形成することを特徴とする。
【００１１】
上記開口部形成工程は、試料に露光するために露光光が透過するパターンが形成される位置とは異なる位置に開口部を形成することを特徴とする。
【００１２】
上記供給工程は、上記マスク面に現像液を供給する場合に、供給されるマスク面側の雰囲気圧力を上記マスク面の裏面側の雰囲気圧力より大きくすることを特徴とする。
【００１３】
上記供給工程は、上記マスク面に現像液を供給する場合に、供給されるマスク面側の雰囲気を加圧することを特徴とする。
【００１４】
上記供給工程は、上記マスク面に現像液を供給する場合に、供給されるマスク面の裏面側の雰囲気を吸引することを特徴とする。
【００１５】
この発明に係るマスク製作方法は、上記マスク現像方法を用いてマスクを製作することを特徴とする。
【００１６】
この発明に係る露光方法は、上記マスク現像方法により現像されたマスクに形成された開口部を塞ぐ塞ぎ工程と、
上記塞ぎ工程により開口部が塞がれたマスクを用いて、試料に露光する露光工程と
を備えたことを特徴とする。
【００１７】
この発明に係るマスク現像装置は、貫通した開口部が形成されたマスクのマスク面に現像液を供給する供給部と、
上記供給部によりマスク面に現像液を供給する場合に、供給されるマスク面側の雰囲気圧力を上記マスク面の裏面側の雰囲気圧力より大きくする圧力調整部と
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、反応生成物（溶解したレジスト成分など）が無い新鮮な現像液をレジストパターンに供給することが出来る。
【００１９】
また、現像液中の反応生成物滞留や反応原料物質濃度低下を防ぐことが出来る。
現像工程に要する時間を短くすることが出来る。
【００２０】
また、レジストパターンの線幅精度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に説明するように、本発明の実施の形態に係るマスク製造方法は、前記マスクには開口が設けてあり、マスクの一方の面側から薬液を供給し、前記開口部より前記薬液を薬液供給とは反対側の面側に排出することを特徴とする。特に、荷電粒子線投影露光装置で使用されるマスクの製造方法に有効である。
【００２２】
また、前記マスクの開口を、前記マスクを用いた荷電粒子線投影露光時に前記荷電粒子線が照射されない場所に配置することを特徴とする。
【００２３】
また、前記マスクの開口を、前記マスクを用いた荷電粒子線投影露光時に前記荷電粒子線が照射される場所に配置し、前記薬液を用いた処理工程から前記荷電粒子線投影露光までに荷電粒子線が前記開口部を透過しないように、前記開口部に蓋となる物質を配置することを特徴とする。
【００２４】
また、前記マスクの開口を、前記マスクに設けられるべきパターン開口部の一部とすることを特徴とする。
【００２５】
また、前記したパターン開口部の一部を選択する基準を前記パターンの線幅均一性とすることを特徴とする。
【００２６】
また、前記マスクの開口サイズの短辺を０．１〜１００ｕｍとすることを特徴とする。
【００２７】
また、前記マスクの開口部より薬液を排出する際に、薬液が排出される側から前記薬液を吸引することを特徴とする。
【００２８】
また、前記マスクに薬液を供給する際に、薬液を供給する側から前記薬液を加圧することを特徴とする。
【００２９】
また、本発明の実施の形態に係るマスクは、上記各方法で製造されたことを特徴とする。
【００３０】
また、本発明の実施の形態に係るマスク製造装置は、上記各製造方法を可能とする機構が設けられたことを特徴とする。
【００３１】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１におけるステンシルマスクの構成を示す図である。
【００３２】
図１では、荷電粒子投影露光に用いられるステンシルマスクの概念図（断面形状）を示している。
【００３３】
例えば、荷電粒子線投影露光装置で用いるステンシルマスク１００は、図１に示すように非常に薄いＳｉなどから成るメンブレン膜１０２にマスクパターンに該当する領域にパターン開口１０３を空けてある。
【００３４】
図２は、実施の形態１におけるマスク現像装置の構成を示す図である。
【００３５】
図２では、荷電粒子線投影露光用マスク現像装置の概念図を示している。
【００３６】
図２において、マスク現像装置は、現像液吐出機構２０４、マスク基板保持機構２１０を備えている。現像液吐出機構２０４は、現像液吐出口２０５を有している。マスク基板保持機構２１０は、マスク保持用真空チャック吸引口２０６、吸引口２０７（圧力調整部の一例である）を有している。マスク保持用真空チャック吸引口２０６には、図示していないが吸引機構が接続され、マスク保持用真空チャック吸引口２０６から固定対象物を吸引する。マスク基板保持機構２１０には、ステンシルマスク１００が配置され、サポート基板部１０１とマスク支持梁１０４とで保持されている。また、ステンシルマスク１００のサポート基板部１０１がマスク保持用真空チャック吸引口２０６により吸引され、チャック（固定）されている。吸引口２０７には、図示していないが、吸引機構が接続されている。ステンシルマスク１００のメンブレン膜１０２には、レジスト２０２膜が層状に塗布されている。また、メンブレン膜１０２とレジスト２０２には、薬液排出用開口２０３が形成されている。現像液吐出口２０５からは、現像液２０１がレジスト２０２膜上に吐出されている。
【００３７】
図３は、実施の形態１におけるフローチャートを示す図である。
【００３８】
Ｓ（ステップ）３０１において、開口部形成工程では、マスクに貫通した開口部を形成する。
【００３９】
Ｓ３０２において、供給工程として、現像液吐出機構２０４は、現像液吐出口２０５から上記開口部形成工程により開口部が形成されたマスクのマスク面に現像液を供給する。現像液吐出機構２０４は、マスクのマスク面上部に配置された複数の現像液吐出口２０５からマスクのマスク面全体にわたって現像液が行き渡るように現像液を供給する。例えば、シャワーのように供給する。現像液吐出機構２０４は、例えば、マスクのマスク面形状を面積が同じになるように複数の領域に分けて各領域に少なくとも１つの吐出口が現像液を供給できるように配置される。
【００４０】
ここで、上記供給工程では、上記マスク面に現像液を供給する場合に、吸引口２０７が上記マスク面の裏面側から吸引することにより、供給されるマスク面側の雰囲気圧力を上記マスク面の裏面側の雰囲気圧力より大きくする。吸引することにより供給された現像液が上記開口部形成工程により形成された開口部を通って現像液がマスク面の裏面側に効率よく流れるようにすることができる。或いは、上記供給工程において、上記マスク面に現像液を供給する場合に、吸引口２０７とは異なる圧力調整部が、供給されるマスク面側の雰囲気を加圧するようにしても構わない。供給されるマスク面側の雰囲気を加圧するようにしても、供給された現像液が上記開口部形成工程により形成された開口部を通って現像液がマスク面の裏面側に効率よく流れるようにすることができる。加圧は、例えば、Ｈｅ，Ｎ2，Ａｒといった不活性ガスの圧縮ガスを供給する。或いは、圧縮エアーを用いても良い。吸引は、例えば、ブロア等を用いたダクト配管を気水分離器を介して接続し、ブロアにより吸引する。開放運転が可能な真空ポンプ等を用いてもよい。
【００４１】
以上のように、現像工程において、図２に示すように薬液排出用開口２０３より現像液２０１をマスク裏面（マスクに対して現像液を塗布する側と反対側）に排出する際に、マスク支持梁１０４で囲まれた空間を吸引することでスムーズに現像液を流して排出させることが望ましい。
【００４２】
或いは、上述したように、現像液を塗布する際に、マスク表面（マスクに対して現像液を塗布する側）をほぼ閉じた空間として、この空間に対して加圧することでスムーズに現像液が薬液排出用開口よりマスク裏面側に排出させることが望ましい。また表側加圧と裏面側吸引を組み合わせても良い。
【００４３】
以上のように、実施の形態１では、この本来のマスクパターンを形成するための現像工程に際して、あらかじめ現像液を排出するための開口を設けておき、この薬液排出用開口部を通して、マスクの上面から供給された現像液をマスク下面に排出させながら、新鮮な現像液を供給し続けてレジストを現像することで、現像液中の反応生成物滞留や反応原料物質濃度低下を防ぐことができる。
【００４４】
以上のように、実施の形態１では、上記マスク現像方法を用いてマスクを製作するマスク製作方法を説明した。
【００４５】
図４は、非露光部に薬液排出用開口を設けたマスク基板を示す図である。
【００４６】
上記開口部形成工程において、薬液排出用開口２０３を図４に示すように、荷電粒子線投影露光時に露光に用いられる荷電粒子線が照射されない場所に配置すれば、薬液排出を可能としながら、露光には悪影響を与えない。言いかえれば、上記開口部形成工程は、試料であるウェハに露光するために露光光が透過するパターンが形成される位置とは異なる位置に開口部を形成する。
【００４７】
図５は、露光部に薬液排出用開口（と蓋部材）を設けたマスク基板を示す図である。
【００４８】
図５に示すように、図４に示す薬液排出用開口２０３とは別の薬液排出用開口２０３の配置手法として、荷電粒子線が照射される場所に配置し、現像工程から試料であるウェハに対して荷電粒子線投影露光する時までに、ウェハへの荷電粒子線投影露光の際、荷電粒子線がこの開口部である薬液排出用開口２０３を透過しないように、開口部に蓋部材５０２となる物質を配置するとしても良い。蓋部材５０２には露光に用いる荷電粒子線を透過させない、または、一回以上の散乱をさせることで荷電粒子線投影露光の露光コントラストを元のメンブレン膜１０２物質と同様に確保できることが望ましい。そのため、元のメンブレン膜１０２と同じ素材、同じ膜厚がもっとも望ましいが、前記条件を満足させる、或いは、ある程度満たすことが出来るのであればその限りではなく、他の素材、違う膜厚であっても構わない。
【００４９】
図６は、実施の形態１における露光方法のフローチャートである。
【００５０】
図６において、Ｓ３０１，Ｓ３０２は、図３と同様である。
【００５１】
ここで、Ｓ３０１において、上記開口部形成工程は、試料に露光するために露光光が透過するパターンが形成される位置とは異なる位置に開口部を形成する。
【００５２】
そして、Ｓ３０２において、薬液排出用開口２０３は、マスクのマスク面に現像液を供給し、マスクを現像する。
【００５３】
Ｓ６０１において、露光方法として、塞ぎ工程は、上記マスク現像方法により現像されたマスクに形成された開口部を塞ぐ。
【００５４】
Ｓ６０２において、露光工程は、上記塞ぎ工程により開口部が塞がれたマスクを用いて、試料であるウェハに露光する。
【００５５】
図７は、マスクパターンの一部を薬液排出用開口としたマスク基板を示す図である。
【００５６】
図７では、さらに別の薬液排出用開口２０３の配置手法として、マスクパターン５０１の一部を用いても良い。この場合、必要とする線幅精度が低いマスクパターン５０１を薬液排出用開口２０３とすることが望ましい。マスクパターン形成のための現像工程の前に、線幅精度の低いマスクパターンをあらかじめ開口させておくことで実現できる。言いかえれば、図３におけるＳ３０１の上記開口部形成工程は、試料であるウェハに露光するために露光光が透過するパターンが形成される位置に開口部を形成する。
【００５７】
薬液排出用開口の大きさはレジストの塗布膜ムラと現像液の排出の程度によって定められる。すなわちレジストと現像液の粘度の違いを利用して、レジスト塗布時には悪影響を与えず、現像液の排出は可能とするサイズで開口させれば良く、開口サイズの短辺を０．１〜１００ｕｍとすることが望ましい。さらにレジスト塗布時に薬液排出用開口部の悪影響を減少させるためには、上記特許文献４などで提案されているいわゆるスキャン塗布方式を用いることが望ましい。
【実施例１】
【００５８】
以下に本実施の形態の具体的な実施例１を示す。荷電粒子線投影露光用マスクにおいて荷電粒子が投影されない場所に薬液排出用開口を設けたマスク基板を準備する。荷電粒子線投影露光機をニコンのＥＢステッパとすると、各メンブレン部の外周部約５０ｕｍ程度の非露光部が存在するので、その場所に薬液排出用開口を設ける。薬液排出用開口の大きさはレジストの塗布ムラを抑えつつ現像液がスムーズに排出されるようにレジストと現像液の各種諸元（特に粘度）から定める。さらにこの薬液排出用開口によってマスク強度が落ちないように大きさと配置を確定する。
【００５９】
このマスク基板にレジストを塗布する。薬液排出用開口による塗布ムラが発生しないようにスピンコートではなく、スキャン塗布を用いるとする。レジストを塗布したマスク基板をマスク露光機にてマスクパターンを描画し、次に現像を行う。
【００６０】
薬液排出用開口から現像液を排出しながら現像を行うので、現像液の供給はマスク基板の中心部だけからでなく、マスク基板の露光領域全面に供給する。さらに、図２に示すようにマスクを保持する真空チャックに加えて、マスク裏面側（マスクに対して現像液を供給する側の反対側）の支持梁で囲まれた空間を吸引する機構を現像装置に備えて、よりスムーズに現像液を排出させることが望ましい。さらに言えば、マスク表面側（マスクに対して現像液を供給する側）をほぼ閉じた空間となるように覆って、この空間を加圧する機構を現像装置に備えて、よりスムーズに現像液を排出させることが望ましい。所定の時間現像をした後は、通常の現像工程と同様にリンスを行い、以下同様の工程を経てマスクを完成させる。
【実施例２】
【００６１】
実施例２では、薬液排出用開口の大きさと配置が実施例１と異なる。荷電粒子線投影露光機をリープルのＬＥＥＰＬ露光機とするとマスク全面に対して電子線走査するため非露光部が存在しない。このような場合、マスクパターンが形成されない場所に薬液排出用開口を設けておき、このマスクを用いたウェハへの電子線露光までに電子線がこの開口部を透過しないように、開口部に蓋となる物質を配置する（図５）。蓋となる物質には露光に用いる電子線を透過させない（ＬＥＥＰＬの場合）、または、一回以上の散乱をさせることで電子線の露光コントラストを元のメンブレン膜物質と同様に確保できること（ＥＢステッパの場合）が望ましい。そのため、元のメンブレン膜と同じ素材、同じ膜厚がもっとも望ましいが、前記条件を満たすことが出来るのならその限りではない。それ以外については実施例１と同様である。
【実施例３】
【００６２】
実施例３では、薬液排出用開口をマスクパターンの一部とすることが実施例１と異なる。回路作製用のマスクパターンには線幅精度が厳密に要求されるパターンとそうでないパターンとが混在することがある。このような場合、厳しい線幅精度を要求するパターンの形成（のための露光及び現像）の前に、あらかじめ線幅精度を要求しないパターンを形成、すなわち開口させておき、その開口部を薬液排出用開口として用いることが出来る（図６）。それ以外については実施例１と同様である。
【００６３】
以上のように、上記実施の形態では、荷電粒子線投影露光方法で用いるマスクの製造方法であって、前記マスクに開口を設けておき、現像液などの薬液を供給しながら、この開口部よりマスク基板に接触していた薬液を排出することで、常に新鮮な薬液がマスク基板表面に供給することを特徴とするマスクの製造方法を説明した。この製造方法により、処理後の加工をマスク基板面内において均一にすることが可能となる。言いかえれば、上記実施の形態では、荷電粒子線投影露光方法で用いるマスクにおいて、マスク基板に接触する薬液を常に新鮮に保つことで、処理後の加工をマスク基板面内で均一にするマスク製造方法、マスク製造装置、およびその製造装置と方法を用いたマスクを提供した。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】実施の形態１におけるステンシルマスクの構成を示す図である。
【図２】実施の形態１におけるマスク現像装置の構成を示す図である。
【図３】実施の形態１におけるフローチャートを示す図である。
【図４】非露光部に薬液排出用開口を設けたマスク基板を示す図である。
【図５】露光部に薬液排出用開口（と蓋部材）を設けたマスク基板を示す図である。
【図６】実施の形態１における露光方法のフローチャートである。
【図７】マスクパターンの一部を薬液排出用開口としたマスク基板を示す図である。
【符号の説明】
【００６５】
１００  ステンシルマスク、１０１  サポート基板部、１０２  メンブレン膜、１０３  パターン開口、１０４  マスク支持梁、２０２  レジスト、２０３  薬液排出用開口、２０４  現像液吐出機構、２０５  現像液吐出口、２０６  マスク保持用真空チャック吸引口、２０７  吸引口、２１０  マスク基板保持機構、５０１  マスクパターン、５０２  蓋部材。
【図１】
2005101277.tif 000003
【図２】
2005101277.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005101277.tif 000006
【図５】
2005101277.tif 000007
【図６】
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【図７】
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