(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜との積層体によって形成された半導体チップがストリートによって区画されて形成されている半導体ウエーハを、積層体を剥離することなく個々の半導体チップに分割することができる半導体ウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】切削ブレードの幅より広くストリートの幅を越えない範囲でパルスレーザー光線を照射し半導体基板に達するレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、このレーザー加工溝に沿って切削ブレードにより半導体基板を切削する切削工程とを含み、パルスレーザー光線のスポットの形状をマスク部材によって矩形に整形し、パルスレーザー光線の繰り返し周波数をＹ（Ｈｚ）、加工送り速度（ウエーハとパルスレーザー光線との相対移動速度）をＶ（ｍｍ／秒）、パルスレーザー光線のスポットの加工送り方向の長さをＬとした場合に、Ｌ＞（Ｖ／Ｙ）を満たす加工条件に設定されている。【選択図】図８
2005209719.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって形成された半導体チップがストリートによって区画されて形成されている半導体ウエーハを、該ストリートに沿って切削ブレードにより切削して個々の半導体チップに分割する半導体ウエーハの加工方法であって、
該半導体ウエーハの該ストリートに該切削ブレードの幅より広く該ストリートの幅を越えない範囲でパルスレーザー光線を照射し該半導体基板に達するレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、
該半導体ウエーハの該ストリートに形成された該レーザー加工溝に沿って該切削ブレードにより該半導体基板を切削する切削工程と、を含み、
該レーザー加工溝形成工程は、該ストリートに照射されるパルスレーザー光線のスポットの形状をマスク部材によって矩形に整形し、パルスレーザー光線の繰り返し周波数をＹ（Ｈｚ）、加工送り速度（ウエーハとパルスレーザー光線との相対移動速度）をＶ（ｍｍ／秒）、パルスレーザー光線のスポットの加工送り方向の長さをＬとした場合に、Ｌ＞（Ｖ／Ｙ）を満たす加工条件に設定されている、
ことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン等の半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって形成された半導体チップがストリートによって区画されて形成されている半導体ウエーハを、ストリートに沿って分割する半導体ウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、シリコン等の半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップをマトリックス状に形成した半導体ウエーハが形成される。このように形成された半導体ウエーハは上記半導体チップがストリートと呼ばれる分割予定ラインによって区画されており、このストリートに沿って切断することによって個々の半導体チップを製造している。半導体ウエーハのストリートに沿った切断は、一般にダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハを切削するための切断手段と、チャックテーブルと切断手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。切断手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている。
【０００３】
近時においては、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップの処理能力を向上するために、シリコン等の半導体基板の表面にＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）と回路を形成する機能膜が積層された積層体によって半導体チップを形成せしめた形態の半導体ウエーハが実用化されている。
【０００４】
上述したＬｏｗ−ｋ膜を積層せしめた形態の半導体ウエーハを切削ブレードによりストリートに沿って切削すると、Ｌｏｗ−ｋ膜は雲母のように非常に脆いことから、切削ブレードによりストリートに沿って切削すると、Ｌｏｗ−ｋ膜が剥離し、この剥離が回路にまで達し半導体チップに致命的な損傷を与えるという問題がある。また、Ｌｏｗ−ｋ膜を使用しない半導体ウエーハにおいても半導体基板の表面に積層された膜は、切削ブレードによりストリートに沿って切削すると切削ブレードの切削作用による破壊力によって膜が剥離し半導体チップを損傷するという問題がある。
【０００５】
上記問題を解消するために、半導体ウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射することによりストリートを形成するＬｏｗ−ｋ膜等の積層体を除去し、その除去した領域に切削ブレードを位置付けて切削する加工方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開平２００３−３２０４６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記公報に開示された加工方法にける積層体を除去する工程は、積層体を確実に除去するために図１４に示すようにパルスレーザー光線をパルスレーザー光線のスポットＳがオーバーラップするように照射される。しかるに、照射するレーザー光線のスポットＳの形状が円形であるため、互いのスポットＳがオーバーラップする外側には三角形状の鋭角部Ｔが形成され、この鋭角部Ｔから積層体が剥離するという新たな問題が生じた。
【０００７】
本発明は上記事実に鑑みてなされたもので、その主たる技術課題は、半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって形成された半導体チップがストリートによって区画されて形成されている半導体ウエーハを、積層体を剥離することなくストリートに沿って個々の半導体チップに分割することができる半導体ウエーハの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するために、本発明によれば、半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって形成された半導体チップがストリートによって区画されて形成されている半導体ウエーハを、該ストリートに沿って切削ブレードにより切削して個々の半導体チップに分割する半導体ウエーハの加工方法であって、
該半導体ウエーハの該ストリートに該切削ブレードの幅より広く該ストリートの幅を越えない範囲でパルスレーザー光線を照射し該半導体基板に達するレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、
該半導体ウエーハの該ストリートに形成された該レーザー加工溝に沿って該切削ブレードにより該半導体基板を切削する切削工程と、を含み、
該レーザー加工溝形成工程は、該ストリートに照射されるパルスレーザー光線のスポットの形状をマスク部材によって矩形に整形し、パルスレーザー光線の繰り返し周波数をＹ（Ｈｚ）、加工送り速度（ウエーハとパルスレーザー光線との相対移動速度）をＶ（ｍｍ／秒）、パルスレーザー光線のスポットの加工送り方向の長さをＬとした場合に、Ｌ＞（Ｖ／Ｙ）を満たす加工条件に設定されている、
ことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、半導体ウエーハのストリートに照射されるパルスレーザー光線のスポットの形状がマスク部材によって矩形に整形され、隣接するスポットが加工送り方向に沿って互いに一部がオーバーラップするので、円形のスポットのように互いのスポットがオーバーラップする外側には三角形状の鋭角部が形成されることがなく、鋭角部から積層体２１が剥離するという問題が解消される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明による半導体ウエーハの加工方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１１】
図１には、本発明による加工方法に従って分割される半導体ウエーハの斜視図が示されており、図２には図１に示す半導体ウエーハの要部拡大断面図が示されている。図１および図２に示す半導体ウエーハ２は、図２に示すようにシリコン等の半導体基板２０の表面２０ａに絶縁膜と回路を形成する機能膜が積層された積層体２１によって複数のＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップ２２がマトリックス状に形成されている。そして、各半導体チップ２２は、格子状に形成された幅Ｄを有するストリート２３によって区画されている。なお、図示の実施形態においては、積層体２１を形成する絶縁膜は、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）からなっている。このように形成された半導体ウエーハ２は、個々の半導体チップに分割するに際して、分割された半導体チップ２２がばらばらにならないように図１に示すように環状のフレーム３に装着された保護テープ４に裏面が貼着される。
【００１２】
本発明による半導体ウエーハ２の加工方法においては、先ず半導体ウエーハ２に形成されたストリート２３に沿って後述する切削ブレードの幅より広くストリート２３の幅Ｄを越えない範囲でパルスレーザー光線を照射し半導体基板２０に達するレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程を実施する。このレーザー加工溝形成工程は、図３乃至図５に示すレーザー加工装置を用いて実施する。図３乃至図５に示すレーザー加工装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２と、チャックテーブル５１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段５８を具備している。チャックテーブル５１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図３において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１３】
上記レーザー光線照射手段５２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５３を含んでいる。ケーシング５３内には図４に示すようにパルスレーザー光線発振手段５４と伝送光学系５５とが配設されている。パルスレーザー光線発振手段５４は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器５４１と、これに付設された繰り返し周波数設定手段５４２とから構成されている。伝送光学系５５は、ビームスプリッタの如き適宜の光学要素を含んでいる。
【００１４】
上記ケーシング５３の先端には、集光器５６が装着されている。集光器５６は、図４に示すように偏向ミラー５６１と、マスク部材５６２と、対物集光レンズ５６３を備えている。偏向ミラー５６１は、上記パルスレーザー光線発振手段５４から伝送光学系５５を通して照射されたパルスレーザー光線５０を上記マスク部材５６２に向けて直角に偏向する。マスク部材５６２は、図５に示すように幅がＡで長さがＢの矩形開口５６２ａを備えている。マスク部材５６２の開口５６２ａは、これに照射される整形前のパルスレーザー光線５０の円形の横断面（図５において２点鎖線で示している）内に含有される大きさである。パルスレーザー光線５０はマスク部材５６２の開口５６２ａを通過することによって横断面形状が開口５６２ａに対応する矩形に整形され、対物集光レンズ５６３を通して被加工物である半導体ウエーハ２上にマスク部材５６２の開口５６２ａと相似形状で照射、換言すればマスク部材５６２の開口５６２ａが半導体ウエーハ２上に結像される。即ち、半導体ウエーハ２にはパルスレーザー光線５０が図６に示す矩形スポットｓで照射されることになる。マスク部材５６２と対物集光レンズ５６３との間隔はｄ１に設定され、対物集光レンズ５６３と半導体ウエーハ２との間隔はｄ２に設定されており、間隔ｄ２は対物集光レンズ５６３の焦点距離ｆより大きく、ｄ２＝（ｄ１×ｆ）／（ｄ１−ｆ）に設定されている。そして、マスク部材５６２の開口５６２ａの大きさに対する矩形スポットｓの大きさは、ｄ２／ｄ１＝ｆ／（ｄ１−ｆ）の関係を維持することにより、ｄ２／ｄ１またはｆ／（ｄ１−ｆ）で求めることができる。従って、上記マスク部材５４２の開口５４２ａの幅Ａが４００μｍで長さＢ８００μｍ場合、上記マスク部材５４２と対物集光レンズ５４３との間隔ｄ１と対物集光レンズ５４３と半導体ウエーハ２との間隔ｄ２との比（ｄ２／ｄ１）が１／２０のであると（ｄ２／ｄ１＝１／２０）、パルスレーザー光線５０の矩形スポットｓは幅Ｈ２０μｍで長さＬが４０μｍとなる。換言すれば、幅Ｈが２０μｍで長さＬが４０μｍの長方形のスポットｓを得るためには、上記（ｄ２／ｄ１）を１／２０に設定した場合には、マスク部材５４２の開口５４２ａは幅Ａを４００μｍにし長さＢを８００μｍに設定すればよい。また、幅Ｈが２０μｍで長さＬが２０μｍの正方形のスポットｓを得るためには、上記（ｄ２／ｄ１）を１／２０に設定した場合には、マスク部材５４２の開口５４２ａの幅Ａを４００μｍにし長さＢを４００μｍに設定すればよい。
【００１５】
上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５３の先端部に装着された撮像手段５８は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１６】
上述したレーザー加工装置５を用いて実施するレーザー加工溝形成工程について、図３、図７乃至図１０を参照して説明する。
このレーザー加工溝形成工程は、先ず上述した図３に示すレーザー加工装置５のチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を表面２ａ（積層体２１が形成されている側）を上にして載置し、該チャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する。なお、図３においては、保護テープ４が装着された環状のフレーム３を省いて示しているが、環状のフレーム３はチャックテーブル５１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。
【００１７】
上述したように半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル５１は、図示しない移動機構によって撮像手段５８の直下に位置付けられる。チャックテーブル５１が撮像手段５８の直下に位置付けられると、撮像手段５８および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段５８および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２３と、ストリート２３に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５６との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート２３に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。
【００１８】
以上のようにしてチャックテーブル５１上に保持された半導体ウエーハ２に形成されているストリート２３を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図７の（ａ）で示すようにチャックテーブル５１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５６が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２３の一端（図７において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器５６の直下に位置付ける。そして、集光器５６からパルスレーザー光線５０を照射しつつチャックテーブル５１即ち半導体ウエーハ２を図７の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図７の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段５２の集光器５６の照射位置がストリート２３の他端（図６において右端）の位置に達したら、パルスレーザー光線５０の照射を停止するとともにチャックテーブル５１即ち半導体ウエーハ２の移動を停止する。
【００１９】
次に、チャックテーブル５１即ち半導体ウエーハ２を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）に１５μｍ程度割り出し送りする。そして、レーザー光線照射手段５２からパルスレーザー光線５０を照射しつつチャックテーブル５１即ち半導体ウエーハ２を図６の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめ、図７の（ａ）に示す位置に達したらパルスレーザー光線５０の照射を停止するとともにチャックテーブル５１即ち半導体ウエーハ２の移動と停止する。
【００２０】
なお、レーザー光線照射手段５２から照射されるパルスレーザー光線５０は、上述したようにマスク部材５６２の開口５６２ａを通することにより矩形に整形され矩形スポットｓで半導体ウエーハ２に照射される。そして、パルスレーザー光線の繰り返し周波数をＹ（Ｈｚ）、加工送り速度（ウエーハとパルスレーザー光線との相対移動速度）をＶ（ｍｍ／秒）、パルスレーザー光線のスポットｓの加工送り方向の長さをＬとした場合に、Ｌ＞（Ｖ／Ｙ）を満たす加工条件に設定することにより、図８で示すようにパルスレーザー光線の隣接するスポットｓは加工送り方向Ｘ即ちストリート２３に沿って互いに一部がオーバーラップすることになる。なお、図８で示す例は、パルスレーザー光線のスポットｓの加工送り方向Ｘのオーバーラップ率は５０％である。このオーバーラップ率は、加工送り速度Ｖ（ｍｍ／秒）を変更することにより、またパルスレーザー光線のスポットｓの加工送り方向の長さを変更するすることにより、適宜設定することができる。
【００２１】
なお、上記レーザー加工溝形成工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源  ；ＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー
波長                ；３５５ｎｍ
出力                ；１．０〜２．０Ｗ
繰り返し周波数      ：５０ｋＨｚ
パルス幅            ：１０ｎｓ
出力                ：０．５Ｗ
スポットｓの大きさ  ：Ｈ２０μｍ×Ｌ４０μｍ、Ｈ２０μｍ×Ｌ２０μｍ
加工送り速度        ；５０〜５００ｍｍ／秒
【００２２】
上述したレーザー加工溝形成工程を実施することにより、図９に示すように半導体ウエーハ２のストリート２３を形成する積層体２１には、ストリート２３に沿って後述する切削ブレードの幅より広い間隔でストリート２３の幅Ｄを越えない範囲で半導体基板２０に達する一対のレーザー加工溝２４１、２４１が形成される。このように形成された半導体ウエーハ２のストリート２３を形成する積層体２１に形成されたレーザー加工溝２４１、２４１は半導体基板２０に達しているので、ストリート２３を形成する積層体２１は半導体チップ２２側と完全に分断されている。なお、この実施形態においてはストリート２３の中央部には一対のレーザー加工溝２４１と２４１の間に積層体２１の一部２１１が残存されている。このように、本発明によればパルスレーザー光線のスポットｓを矩形に整形し、隣接するスポットｓが加工送り方向に沿って互いに一部がオーバーラップするようにレーザー光線を照射してレーザー加工溝２４１、２４１を形成するので、図１４に示す円形のスポットＳのように互いのスポットＳがオーバーラップする外側には三角形状の鋭角部Ｔが形成されることがなく、鋭角部Ｔから積層体２１が剥離するという問題が解消される。
【００２３】
上記図８に示す実施形態においては、レーザー加工溝形成工程を実施した状態で半導体ウエーハ２のストリート２３の中央部には一対のレーザー加工溝２４１と２４１の間に積層体２１の一部２１１が残存されたが、この残存された積層体２１の一部２１１にも上記第２のパルスレーザー光線５２６を照射することにより、図１０に示すように残存された積層体２１の一部２１１を除去することができる。
【００２４】
半導体ウエーハ２に形成された全てのストリート２３に上述したレーザー加工溝形成工程を実施したならば、ストリート２３に沿って切削する切削工程を実施する。この切削工程は、図１１に示すようにダイシング装置として一般に用いられている切削装置６を用いることができる。即ち、切削装置６は、吸引保持手段を備えたチャックテーブル６１と、切削ブレード６２１を備えた切削手段６２と、チャックテーブル６１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段６３を具備している。
【００２５】
上述した切削装置６を用いて実施する切削工程について、図１１乃至図１３を参照して説明する。
即ち、図１１に示すように切削装置６のチャックテーブル６１上に上述したレーザー加工溝形成工程が実施された半導体ウエーハ２を表面２ａを上側にして載置し、図示しない吸引手段によって半導体ウエーハ２をチャックテーブル６１上に保持する。半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル６１は、図示しない移動機構によって撮像手段６３の直下に位置付けられる。
【００２６】
チャックテーブル６１が撮像手段６３の直下に位置付けられると、撮像手段６３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の切削すべき領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段６３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２３と、ストリート２３に沿って切削する切削ブレード６２１との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート２３に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
【００２７】
以上のようにしてチャックテーブル６１上に保持されている半導体ウエーハ２に形成されているストリート２３を検出し、切削領域のアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル６１を切削領域の切削開始位置に移動する。このとき、図１２の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は切削すべきストリート２３の一端（図１２において左端）が切削ブレード６２１の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。また、半導体ウエーハ２はストリート２３に形成された一対のレーザー加工溝２４１、２４１間の中央部に切削ブレード６２１が位置するように位置付けられる。
【００２８】
このようにしてチャックテーブル６１即ち半導体ウエーハ２が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード６２１を図１２の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から下方に切り込み送りし、図１２の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図１３の（ａ）に示すように切削ブレード６２１の下端が半導体ウエーハ２の裏面に貼着された保護テープ４に達する位置に設定されている。
【００２９】
次に、切削ブレード６２１を所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル６１即ち半導体ウエーハ２を図１２の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル６１即ち半導体ウエーハ２が図１２の（ｂ）で示すようにストリート２３の他端（図１２において右端）が切削ブレード６２１の直下より所定量左側に位置するまで達したら、チャックテーブル６１即ち半導体ウエーハ２の移動を停止する。このようにチャックテーブル６１即ち半導体ウエーハ２を切削送りすることにより、図１３の（ｂ）で示すように半導体ウエーハ２はストリート２３に形成されたレーザー加工溝２４１、２４１間に裏面に達する切削溝２４２が形成され切断される。なお、上記のように一対のレーザー加工溝２４１、２４１間の領域を切削ブレード６２１によって切削すると、レーザー加工溝２４１、２４１間に残された積層体２１の一部２１１は切削ブレード６２１によって切削されるが、第２のレーザー加工溝２４１、２４１によって両側が分断さているため剥離しても半導体チップ２２側に影響することはない。なお、半導体ウエーハ２はストリート２３を形成する積層体２１が第２の加工溝形成工程によって図１０に示すように上記残存された積層体２１の一部２１１が除されている場合には、切削工程においては切削ブレード６２１によって半導体基板２０だけが切削されることになる。
【００３０】
なお、上記切削工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
切削ブレード          ；外径５２ｍｍ、厚さ２０μｍ
切削ブレードの回転速度；３００００ｒｐｍ
切削送り速度          ；５０ｍｍ／秒
【００３１】
次に、切削ブレード６２１を図１２の（ｂ）において２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル６１即ち半導体ウエーハ２を図１２の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図１２の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル６１即ち半導体ウエーハ２を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）にストリート２３の間隔に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべきストリート２３を切削ブレード６２１と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべきストリート２３を切削ブレード６２１と対応する位置に位置付けたならば、上述した切削工程を実施する。
【００３２】
上述した切削工程を半導体ウエーハ２に形成された全てのストリート２３に実施する。この結果、半導体ウエーハ２はストリート２３に形成されたレーザー加工溝２４１に沿って切断され、個々の半導体チップ２０に分割される。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明による半導体ウエーハの加工方法によって分割される半導体ウエーハを保護テープを介してフレームに装着した状態を示す斜視図。
【図２】図１に示す半導体ウエーハの断面拡大図。
【図３】本発明による半導体ウエーハの加工方法のレーザー加工溝形成工程を実施するレーザー加工装置の要部斜視図。
【図４】図３に示すレーザー加工装置に装備されるレーザ光線照射手段の構成を簡略に示すブロック図。
【図５】図４に示すレーザ光線照射手段に装備されるマスク部材の平面図。
【図６】図５に示すマスク部材を通して照射されるパルスレーザー光線のスポット形状を示す図。
【図７】本発明による半導体ウエーハの分割方法のレーザー加工溝形成工程の説明図。
【図８】図７に示すレーザー加工溝形成工程によって照射されるパルスレーザー光線の互いに隣接するスポットがオーバーラップしている状態を示す説明図。
【図９】本発明による半導体ウエーハの加工方法のレーザー加工溝形成工程にによって半導体ウエーハに形成されたレーザー加工溝を示す説明図。
【図１０】本発明による半導体ウエーハの加工方法のレーザー加工溝形成工程によって半導体ウエーハに形成されたレーザー加工溝の他の実施形態を示す説明図。
【図１１】本発明による半導体ウエーハの加工方法の切削工程を実施する切削装置の要部斜視図。
【図１２】本発明による半導体ウエーハの加工方法の切削工程の説明図。
【図１３】本発明による半導体ウエーハの分割加工の切削工程によってレーザー加工溝に沿って半導体ウエーハが切削される状態を示す説明図。
【図１４】従来レーザー光線照射手段によって照射されるパルスレーザー光線の互いに隣接するスポットがオーバーラップしている状態を示す説明図。
【符号の説明】
【００３４】
２：半導体ウエーハ
２０：基板
２１：積層体
２２：半導体チップ
２３：ストリート
２４１：レーザー加工溝
２４２：切削溝
３：環状のフレーム
４：保護テープ
５：レーザー加工装置
５１：レーザー加工装置のチャックテーブル
５２：レーザー光線照射手段
５４：パルスレーザー光線発振手段
５５：伝送光学系
５６：集光器
５６１：偏向ミラー
５６２：マスク部材
５６３：対物集光レンズ
５８：撮像手段
６：切削装置
６１：切削装置のチャックテーブル
６２：切削手段
６２１：切削ブレード
６３：撮像手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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