(57)【要約】【課題】トリガ電極がフラッシュランプの発光によって異常伸縮したり、振動等の外乱により損傷したりすることを防止できるとともに、低コストで製造できるフラッシュランプ用発光管を提供する【解決手段】透光性の円筒体に発光を誘発する電圧が印加されるトリガ電極を有したフラッシュランプ用発光管であって、上記トリガ電極を円筒体の外表面長手方向に密着形成する。【選択図】図１
2005071942.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性の円筒体に発光を誘発する電圧が印加されるトリガ電極を有したフラッシュランプ用発光管であって、上記トリガ電極を円筒体の外表面長手方向に密着形成したことを特徴とするフラッシュランプ用発光管。
【請求項２】
上記トリガ電極の複数を有し、上記円筒体の円周方向に並べて形成したことを特徴とする請求項１に記載のフラッシュランプ用発光管。
【請求項３】
上記トリガ電極の各々の間隔を等間隔に形成したことを特徴とする請求項２に記載のフラッシュランプ用発光管。
【請求項４】
上記トリガ電極を構成する材料の融点が６６０℃以上であるとともに、可視光線領域における反射率が５２％以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のフラッシュランプ用発光管。
【請求項５】
上記トリガ電極を構成する材料は、銀、白金、パラジウム、ロジウム、ニッケル、アルミニウムのいずれかを主成分とする金属からなることを特徴とする請求項４に記載のフラッシュランプ用発光管。
【請求項６】
上記円筒体の可視光線領域における透過率が８０％以上であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のフラッシュランプ用発光管。
【請求項７】
上記円筒体の肉厚は０．８〜２．５ｍｍであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のフラッシュランプ用発光管。
【請求項８】
上記円筒体は、酸化アルミニウム多結晶体、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）多結晶体、イットリア多結晶体、ジルコニア多結晶体、スピネル多結晶体からなる群より選ばれた透光性セラミックスまたはその複合体からなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のフラッシュランプ用発光管。
【請求項９】
上記円筒体を構成する材料の平均結晶粒径が１〜３０μｍであることを特徴とする請求項８に記載のフラッシュランプ用発光管。
【請求項１０】
上記円筒体は、サファイヤ単結晶体からなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のフラッシュランプ用発光管。
【請求項１１】
請求項１乃至５のいずれかに記載のフラッシュランプ用発光管に用いられるトリガ電極を円筒体の外表面に物理的気相法、化学的気相法、スクリーン印刷、メタライズ、メッキ、溶射のいずれかの方法により形成することを特徴とするフラッシュランプ用発光管の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラッシュランプを発光させるためのフラッシュランプ用発光管に関するものであり、特に液晶基板やシリコンウエハ等の半導体基板を光照射により急速に加熱処理したり、あるいは殺菌処理、トナーの定着処理、紫外線硬化性樹脂の硬化処理等に用いられたりする技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体基板の熱処理を行うのにハロゲンランプを加熱源として用い、急速加熱を行い、高温を保持した後、急速に冷却することができるスパイクＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）という技術が知られている。このＲＴＡは成膜（半導体基板表面に酸化膜を形成する）、拡散（半導体基板内部の不純物を拡散させる）などの広い用途で用いられている。例えば、拡散についていえば、半導体基板にシリコンウエハを用いる場合には、まず、シリコンウエハの表層にホウ素やヒ素等の不純物のイオンを注入した後、例えば１０００℃以上の熱処理を施すことで当該不純物を拡散させるものである。
【０００３】
近年では、半導体集積回路の高集積化、微細化がますます要求されていることから、例えば、シリコンウエハの表層から２０ｎｍ以下という浅い領域でシリコンの結晶格子位置からイオン注入により少しずれた状態にいる上記不純物の原子を最も近く、かつ正しい結晶格子位置に戻らせる熱処理が要請されるようになってきている。しかしながら、従来のハロゲンランプを加熱源としたハロゲンランプ発光管であれば本質的にその照射エネルギーが低いので、熱処理に著しく時間を要し、その結果、イオン注入された不純物の原子が表層から２５ｎｍ以上の深さまで拡散し、上記要請に対応することが困難になっている。
【０００４】
ところで、極めて浅い領域に不純物拡散を達成させる方法としては、数ミリメートルの照射幅を持つレーザ光によりシリコンウエハをスキャンするレーザ照射法（ＸｅＣＬ）が従来から存在する。
【０００５】
しかしながら、レーザ光を放射する装置は非常に高価であり、また、シリコンウエハの表面を小さなスポット径のレーザビームでスキャンしながら熱処理するには、スループットを上げられないという課題があった。
【０００６】
そこで、上述のような課題を解決するために、特許文献１や特許文献２では、図５に示すように内部に発光用稀ガスを封入したガラスからなる円筒体２１の数ヶ所にトリガバンド２３を装着し、このトリガバンド２３により円筒体２１の軸方向に沿ってトリガ電極２２を配設してなるフラッシュランプ２０が開示されている。かかる従来技術では、このフラッシュランプ２０を用いて高電流密度、短パルス化によりシリコンウエハを熱処理する方法が提案されている。このようなフラッシュランプ２０による熱処理は、シリコンウエハに対する照射時間を極めて短くすることができるので、シリコンウエハ内の不純物の状態を乱さないという点で有効であった。
【０００７】
また、特許文献１で記載されている通り、フラッシュランプ用発光管の黄色化を防止できるという点でも優れていた。
【特許文献１】特開２００１−１８５０８８号公報
【特許文献２】特開平４−２８７０７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１や特許文献２で提案されたフラッシュランプ用発光管は、円筒体２１の円周方向に巻回したトリガバンド２３を装着し、このトリガバンド２３により、円筒体２１と接しないで、トリガ電極２２ａ，２２ｂを保持する構造であったため、トリガ電極２２ａ、２２ｂは、発光時の温度上昇により異常伸縮したり、あるいは振動等の外乱によりトリガバンド２３より離間し、損傷したりするという課題があった。
【０００９】
特に、液晶基板やシリコンウエハ等の半導体基板の熱処理では、円筒体２１及びトリガ電極２２ａ，２２ｂを構成する材料の比熱の相違によりランプ発光時の円筒体２１の温度は１００℃程度にしかならないのに対し、トリガ電極２２ａ，２２ｂは数百℃の高温となり円筒体２１に対するトリガ電極２２ａ，２２ｂの異常伸縮は著しかった。
【００１０】
また、トリガバンド２３そのものを製作、装着するためのコストを必要とするという課題もあった。
【００１１】
本発明の目的は、トリガ電極がフラッシュランプの発光によって異常伸縮したり、振動等の外乱により損傷したりすることを防止するとともに、低コストで製造できるフラッシュランプ用発光管を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のフラッシュランプ用発光管は、透光性の円筒体に発光を誘発する電圧が印加されるトリガ電極を有したフラッシュランプ用発光管であって、上記トリガ電極を円筒体の外表面長手方向に密着形成したことを特徴とする。
【００１３】
上記フラッシュランプ用発光管は、上記トリガ電極の複数を有し、上記円筒体の円周方向に並べて形成したことを特徴とする。
【００１４】
上記フラッシュランプ用発光管は、上記トリガ電極の各々の間隔を等間隔に配置したことを特徴とする。
【００１５】
上記フラッシュランプ用発光管は、上記トリガ電極を構成する材料の融点が６６０℃以上であるとともに、可視光線領域における反射率が５２％以上であることを特徴とする。
【００１６】
上記フラッシュランプ用発光管は、上記トリガ電極を銀、白金、パラジウム、ロジウム、タングステン、ニッケル、アルミニウムのいずれかを主成分とする金属から形成することを特徴とする。
【００１７】
上記フラッシュランプ用発光管は、上記円筒体の可視光線領域における透過率が８０％以上であることを特徴とする。
【００１８】
上記フラッシュランプ用発光管は、上記円筒体の肉厚は０．８〜２．５ｍｍであることを特徴とする。
【００１９】
上記フラッシュランプ用発光管は、上記円筒体を酸化アルミニウム多結晶体、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）多結晶体、イットリア多結晶体、ジルコニア多結晶体、スピネル多結晶体からなる群より選ばれた透光性セラミックスまたはその複合体からなることを特徴とする。
【００２０】
上記フラッシュランプ用発光管は、上記円筒体を構成する材料の平均結晶粒径が１〜３０μｍであることを特徴とする。
【００２１】
上記フラッシュランプ用発光管は、上記円筒体をサファイヤ単結晶体から形成することを特徴とする。
【００２２】
上記フラッシュランプ用発光管に用いられるトリガ電極を円筒体の外表面に物理的気相法、化学的気相法、スクリーン印刷、メタライズ、メッキ、溶射のいずれかの方法により形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように、本発明のフラッシュランプ用発光管によれば、透光性の円筒体に発光を誘発する電圧が印加されるトリガ電極を円筒体の外表面長手方向に密着形成しているので、フラッシュランプを発光させてもトリガ電極が円筒体に密着して拘束されるので、トリガ電極の異常伸縮を抑制することができるとともに、振動等の外乱があってもトリガ電極が円筒体から離間して損傷することもない。
【００２４】
併せて、従来トリガ電極を保持していたトリガバンドの製作も不要となるために、低コストでフラッシュランプ用発光管を製造することができる。
【００２５】
また、本発明のフラッシュランプ用発光管は、長手方向に形成した複数の上記トリガ電極の複数を円筒体の円周方向に並べて形成したので、プラズマが分散して発生し、円筒体を構成する材料に対する局部的な腐食が軽減されることで、円筒体の内面への粉状体の付着、堆積を低減させられ、放射量の低下を防止することができる。
【００２６】
また、本発明のフラッシュランプ用発光管は上記トリガ電極の各々の間隔を等間隔に配置したことで、プラズマの発生をより均一に分散させられるので、さらに局部的な腐食が軽減され、放射量の低下を防止できるため好適である。
【００２７】
また、本発明のフラッシュランプ用発光管は、上記トリガ電極を構成する材料の融点を６６０℃以上とするとともに、可視光線領域における反射率を５２％以上とすることで、可視光線の吸収を低減させられることができるので、フラッシュランプが発光回数を重ねてもトリガ電極の溶融、剥離等の損傷を防止でき、信頼性の高いものが得られる。
【００２８】
特に、本発明のフラッシュランプ用発光管では、上記トリガ電極を材料の入手容易性という点から銀、白金、パラジウム、ロジウム、ニッケル、アルミニウムのいずれかを主成分とする金属から形成することが好適である。
【００２９】
また、本発明のフラッシュランプ用発光管では、上記円筒体の可視光線領域における透過率を８０％以上とすることで半導体基板上での照度が下がらず、より照射時間を短くすることができる。
【００３０】
また、本発明のフラッシュランプ用発光管では、上記円筒体の肉厚を０．８〜２．５ｍｍとすることで、適切な耐圧強度及び透過率を確保することができる。
【００３１】
特に、本発明のフラッシュランプ用発光管では、耐食性の点から上記円筒体を酸化アルミニウム多結晶体、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）多結晶体、イットリア多結晶体、ジルコニア多結晶体、スピネル多結晶体からなる群より選ばれた透光性セラミックスまたはその複合体から形成することが好適である。
【００３２】
また、本発明のフラッシュランプ用発光管では、上記円筒体を構成する材料の平均結晶粒径を１〜３０μｍとすることで、円筒体の透過率が低下することもない上、フラッシュランプ発光時の円筒体の内部圧力が耐圧強度を超えることもなく、フラッシュランプ用発光管が破裂することもない。
【００３３】
また、本発明のフラッシュランプ用発光管では、上記円筒体を耐食性の点からサファイヤ単結晶体で形成することが好適である。
【００３４】
さらに、本発明のフラッシュランプ用発光管では、上記トリガ電極を物理的気相法、化学的気相法、スクリーン印刷、メタライズ、メッキ、溶射のいずれかの方法により形成することで、円筒体との密着性が良好なフラッシュランプ用発光管を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００３６】
本発明のフラッシュランプ用発光管は図１に示すように透光性の円筒体１に発光を誘発する電圧が印加されるトリガ電極２を有したフラッシュランプ用発光管１０であって、トリガ電極２を円筒体１の外表面長手方向に密着形成した構造である。
【００３７】
このような構造にすると、トリガ電極２が円筒体１に密着形成されているために、フラッシュランプを発光させても、トリガ電極２が円筒体１に密着して拘束されているため、トリガ電極２の異常伸縮を防止することができるとともに、振動等の外乱があってもトリガ電極２が円筒体１から離間して損傷することがない。
【００３８】
また、図２に示すように２つのトリガ電極２ａ，２ｂを円筒体１の円周方向に並べて形成しても良い。即ち、トリガ電極２が図１に示すように単数である場合、トリガ電極２に電圧を印加すると、トリガ電極２に近い部分にのみ、即ち局部的に、プラズマＰが発生するため、発光回数を重ねると、円筒体１を構成する材料が腐食を受け、その腐食を受けた材料が微小な粉状体となって、円筒体１の内面に付着、堆積することになりフラッシュランプの放射量の低下を引き起こすことがある。しかしながら、上述のように２つのトリガ電極２ａ、２ｂを円筒体１の円周方向に並べて形成し、例えば交互にトリガ電極２ａ、２ｂを印加することで、プラズマＰ２が分散して発生させることができ、円筒体１を構成する材料に対する局部的な腐食が軽減される。その結果、円筒体１の内面へ粉状体が付着、堆積するのを低減でき、放射量の低下を防止することができる。
【００３９】
また、図３に示すように円筒体１の外表面の円周方向に形成する複数のトリガ電極２は、各々の間隔が等間隔になるように形成するとプラズマの発生をより均一に分散できるので好適である。
【００４０】
また、トリガ電極２は、必ずしも一つずつ選択して電圧を印加することに限定されない。例えば、最初の発光に２つのトリガ電極、例えばトリガ電極２ａとトリガ電極２ｂを選択し、次の発光に例えばトリガ電極２ｃとトリガ電極２ｄを選択し、電圧を同時に印加してもよい。
【００４１】
なお、円筒体１は、例えば内径８〜１５ｍｍ、外径９．６〜２０ｍｍ、長さ２００〜５５０ｍｍであって、トリガ電極２は、例えば幅０．５〜１０ｍｍ、長さ２００〜５５０ｍｍ、厚み１〜４００μｍであることが好適であるが、特に限定されるものではない。従って、トリガ電極２の円周方向の幅としては円筒体１の外周に対して０．８〜３３．２％、好ましくは１．６〜１５．９％とする。この比率が０．８％未満であるとトリガ電極２自体が断線するおそれが高くなる。一方、３３．２％を超えるとトリガ電極２が複数ある場合にはトリガ電極２によって遮られる放射光の比率が大きくなり、液晶基板やシリコンウエハ等の半導体基板の熱処理を効果的に行うことができなくなる。
【００４２】
また、トリガ電極２を構成する材料の融点は６６０℃以上であるとともに、可視光線領域における反射率は５２％以上であることが好適である。
【００４３】
トリガ電極２を構成する材料のうち、融点６６０℃以上の材料を選択したのは、融点が６６０℃未満の材料では、フラッシュランプが発光回数を重ねるとトリガ電極２が溶融するおそれがあるからである。一方、融点６６０℃以上の材料では溶融のおそれがなく、フラッシュランプとしての信頼性を容易に確保することができるからである。
【００４４】
さらに、トリガ電極２を構成する材料のうち、可視光線領域における反射率が５２％以上の材料を選択したのは、反射率５２％未満の材料では、フラッシュランプが発光回数を重ねると、トリガ電極２は発光による熱を吸収、蓄熱するために、膨張、収縮を起こし剥離等の損傷が進みやすいからである。一方、反射率５２％以上の材料では、放射光が反射されるので、トリガ電極２には、発光による熱が吸収、蓄熱されないので剥離等の損傷が進みにくく、信頼性の高いものとなる。
【００４５】
このようなトリガ電極２を構成する材料として、銀、白金、パラジウム、ロジウム、ニッケル、アルミニウムのいずれかを主成分とする金属から形成することが好ましい。
【００４６】
また、トリガ電極２は直線形状に限定されるものではなく、例えば、円筒体１に螺旋状に形成することも可能である。
【００４７】
さらに、円筒体１は可視光線領域における透過率が８０％以上であることが好適である。透過率を８０％以上とすることで半導体基板上での照度が下がらないので、より照射時間を短くすることができるからである。
【００４８】
また、円筒体１の肉厚は０．８〜２．５ｍｍであることが好適である。円筒体１の肉厚を０．８ｍｍ未満とすると、円筒体１を構成する材料によっては耐圧強度が不足し、フラッシュランプ発光時の円筒体１の内部圧力が耐圧強度より高くなり、フラッシュランプ用発光管が破裂するおそれがあるからであり、２．５ｍｍを超えると、円筒体１の透過率が低下するからである。一方、円筒体１の肉厚を０．８〜２．５ｍｍとすることで、適切な耐圧強度及び透過率を確保することができる。
【００４９】
さらに、円筒体１は、酸化アルミニウム多結晶体、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）多結晶体、イットリア多結晶体、ジルコニア多結晶体、スピネル多結晶体からなる群より選ばれた透光性セラミックスまたはその複合体からなることが好ましい。このような材料は、耐熱性及び耐食性が良好であるとともに、１０００℃程度の高温に対しても透過率が低下することがないからである。
【００５０】
また、円筒体１を構成する材料の平均結晶粒径は、１〜３０μｍであることが好適である。円筒体１を構成する材料の平均結晶粒径を１μｍ未満とすると、フラッシュランプが発光回数を重ねた場合、結晶が粒成長することで、円筒体１の表面粗さが劣化し、円筒体１の透過率が低下するおそれがあるからであり、３０μｍを超えると、円筒体１の肉厚が薄い場合、耐圧強度が低くなりやすく、フラッシュランプ用発光管１０が破裂するおそれがあるからである。一方、円筒体１を構成する材料の平均結晶粒径を１〜３０μｍとすることで円筒体１の透過率が低下することもない上、フラッシュランプ発光時の円筒体１の内部圧力が耐圧強度を超えることもなく、フラッシュランプ用発光管が破裂することもない。
【００５１】
特に、サファイヤ単結晶体で円筒体１を形成した場合、発光回数を重ねても円筒体１の表面が黄色にならないだけでなく、白濁化することもない。その結果、半導体基板への放射そのものが不均一になったり、放射光の半導体基板上での照度が低下したりするということもない。
【００５２】
本発明のフラッシュランプ用発光管の製造方法は、円筒体１をサファイヤ単結晶体で形成する場合、ＥＦＧ法（引き上げ法）、チョクラルスキー法、ＨＥＭ法、ブリッジマン法、ＶＧＦ法等により得ることができる。また、円筒体１を酸化アルミニウム多結晶体、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）多結晶体、イットリア多結晶体、石英ガラスのいずれかで形成する場合、所定の原料粉末が混練された混練体を押出成形法により成形した後、所定の温度で焼結させればよい。
【００５３】
そして、得られた円筒体１の外表面に、トリガ電極２を真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタ等の物理的気相法、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、光ＣＶＤ等の化学的気相法、スクリーン印刷、メタライズ、メッキ、溶射のいずれかの方法により形成することで、本発明のフラッシュランプ用発光管が得られる。
【００５４】
さらに、フラッシュランプ用発光管１０の一端には、図５に示すようにトリガ電極２に印加される電圧とは独立した電圧を印加することで、フラッシュランプを発光する放電電極３ａを配置し、円筒体１を形成する材料と同じ材料からなる封止部材４ａで封止する。そして、アルゴン、キセノン、クリプトン等の発光用稀ガスの１種あるいは２種以上を、例えば４〜６ＭＰａの圧力で封入する。その後、他端についても放電電極３ａと対向するように放電電極３ｂを配置し、円筒体１を形成する材料と同じ材料よりなる封止部材４ｂで封止することで、可視光線領域の光を良好に放射できるフラッシュランプとすることができる。
【実施例】
【００５５】
以下本発明の実施例を具体的に説明する。
【００５６】
（実施例１）
サファイヤ単結晶体で形成した円筒体１の外表面長手方向に、フラッシュランプの発光を誘発する電圧が印加されるトリガ電極２を真空蒸着により銀で密着形成した、図１に示す本発明のフラッシュランプ用発光管１０を作製した。
【００５７】
次に、図４に示すように上記フラッシュランプ用発光管１０の一端に放電電極３ａを配置し、サファイヤ単結晶体からなる封止部材４ａで封止した。そして、キセノンを５ＭＰａの圧力で封入し、他端についても放電電極３ａと対向するように放電電極３ｂを配置し、サファイヤ単結晶体からなる封止部材４ｂで封止することで、可視光線領域の光を放射するフラッシュランプとした。
【００５８】
また、比較例としてサファイヤ単結晶体で形成した円筒体２１の長手方向３ヶ所にトリガバンド２３を装着し、このトリガバンド２３により、トリガ電極２２ａ，２２ｂを保持した図５に示すフラッシュランプ用発光管２０も作製した。次に、上述と同様の方法でフラッシュランプ用発光管２０の両端を封止することで、可視光線領域の光を放射するフラッシュランプとした。
【００５９】
そして、上記実施例、比較例とも放電電極間の距離は３００ｍｍ、フラッシュランプ１本当たりの入力エネルギーは３５０Ｊ、パルス幅は１００μ秒として２００００回発光し、その後にトリガ電極２の異常伸縮が発生したか否かについて観察した。
【００６０】
その結果を表１に示す。
【表１】
2005071942.tif 000003
【００６１】
表１より、比較例のフラッシュランプ用発光管Ｎｏ．２は２００００回発光後にトリガ電極が異常伸縮したのに対し、本発明のフラッシュランプ用発光管Ｎｏ．１は２００００回発光させてもトリガ電極は異常伸縮が起こらず良好であることがわかる。
【００６２】
（実施例２）
サファイヤ単結晶体で形成した円筒体１の外表面長手方向に、トリガ電極２を真空蒸着により銀でそれぞれ１本、２本、３本密着形成した本発明のフラッシュランプ用発光管１０を作製した。
【００６３】
なお、トリガ電極２が２本、３本のものについては、トリガ電極２の各々の間隔が異なるフラッシュランプ用発光管１０と、等間隔であるフラッシュランプ用発光管１０とを作製した。
【００６４】
次に、実施例１と同様に、上記フラッシュランプ用発光管１０の一端に放電電極３ａを配置し、サファイヤ単結晶体からなる封止部材４ａで封止した。そして、キセノンを５ＭＰａの圧力で封入し、他端についても放電電極３ａと対向するように放電電極３ｂを配置し、サファイヤ単結晶体からなる封止部材４ｂで封止することで、可視光線領域の光を放射するフラッシュランプとした。
【００６５】
そして、放電電極間の距離は３００ｍｍ、フラッシュランプ１本当たりの入力エネルギーは３５０Ｊ、パルス幅は１００μ秒として１回発光後及び２００００回発光後の放射強度を測定し、その減衰率を算出した。
【００６６】
ここで規定する放射強度の減衰率とは、以下の式で定義され、この値が高いほど、プラズマが不均一に分散して発生しているといえる。
【００６７】
放射強度の減衰率（％）＝（１回発光後の放射強度−２００００回発光後の放射強度）／１回発光後の放射強度×１００
その結果を表２に示す。
【表２】
2005071942.tif 000004
【００６８】
表２より、トリガ電極が１本密着形成されたフラッシュランプ発光管Ｎｏ．３は放射強度の減衰率が１６％と大きかったのに対し、トリガ電極が２本、３本密着形成されたフラッシュランプ発光管Ｎｏ．４〜７は、放射強度の減衰率が４〜１１％と小さく、特に、トリガ電極の各々の間隔が等間隔であるフラッシュランプ発光管Ｎｏ．５，７は、放射強度の減衰率が４％と特に小さいことがわかり、プラズマが均一に分散して発生しており、長期信頼性の点で良好である。
【００６９】
（実施例３）
サファイヤ単結晶体で形成した円筒体１の外表面長手方向に、トリガ電極２を真空蒸着により錫、銀、白金、パラジウム、ロジウム、タングステン、ニッケル、アルミニウム及び金で密着形成したフラッシュランプ用発光管１０を作製した。
【００７０】
トリガ電極２を構成する材料の融点及び可視光線領域（測定波長４５０ｎｍ，５５０ｎｍ，７００ｎｍ）における透過率について以下の表３に示している。
【００７１】
次に、実施例１と同様に、上記フラッシュランプ用発光管１０の一端に放電電極３ａを配置し、サファイヤ単結晶体からなる封止部材４ａで封止した。そして、キセノンを５ＭＰａの圧力で封入し、他端についても放電電極３ａと対向するように放電電極３ｂを配置し、サファイヤ単結晶体からなる封止部材４ｂで封止することで、可視光線領域の光を放射するフラッシュランプ発光管１０とした。
【００７２】
そして、放電電極間の距離は３００ｍｍ、フラッシュランプ発光管１本当たりの入力エネルギーは３５０Ｊ、パルス幅は１００μ秒として２００００回発光後のトリガ電極２の溶融状態を確認した。
【００７３】
その結果を表３に示す。
【表３】
2005071942.tif 000005
【００７４】
表３より、トリガ電極２がそれぞれ錫、タングステン、金で密着形成されたフラッシュランプ用発光管Ｎｏ．８，１３，１６は、トリガ電極２を構成する材料の融点が６６０℃未満であるか、可視光線領域における透過率が５２％未満であるため、２００００回発光後、トリガ電極２の溶融が確認されたことがわかる。一方、トリガ電極２がそれぞれ銀、白金、パラジウム、ロジウム、ニッケル、アルミニウムで密着形成されたフラッシュランプ用発光管Ｎｏ．９，１０，１１，１２，１５はトリガ電極２を構成する材料の融点が６６０℃以上であるとともに、可視光線領域における反射率が５２％以上であるため、２００００回発光後もトリガ電極２の溶融は確認されず、良好である。
【００７５】
（実施例４）
円筒体１を酸化アルミニウム多結晶体、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）多結晶体、イットリア多結晶体、ジルコニア多結晶体、スピネル多結晶体、石英ガラスで形成し、その外表面長手方向にトリガ電極２を真空蒸着により銀で密着形成したフラッシュランプ用発光管１０を作製した。
【００７６】
ここで、円筒体１を酸化アルミニウム多結晶体で形成したものについては表４に示すように、円筒体１の肉厚を０．６〜３ｍｍ、前記酸化アルミニウム多結晶体の平均結晶粒径を０．８〜３５μｍの範囲で設定した。
【００７７】
次に、実施例１と同様に、上記フラッシュランプ用発光管１０の一端に放電電極３ａを配置し、上記円筒体１と同一材料からなる封止部材４ａで封止した。そして、キセノンを５ＭＰａの圧力で封入し、他端についても放電電極３ａと対向するように放電電極３ｂを配置し、封止部材４ａと同じ材料の封止部材４ｂで封止することで、可視光線領域の光を放射するフラッシュランプとした。
【００７８】
そして、放電電極間の距離は３００ｍｍ、フラッシュランプ１本当たりの入力エネルギーは３５０Ｊ、パルス幅は１００μ秒として１回発光後の透過率Ｔ０（以下、初期透過率Ｔ０という。）と２００００回発光後の透過率Ｔ1を測定し、その透過率の差ΔＴ（＝Ｔ０−Ｔ1）を評価した。
【００７９】
その結果を表４に示す。
【表４】
2005071942.tif 000006
【００８０】
表４より、円筒体１の肉厚が０．８ｍｍ未満であるフラッシュランプ用発光管Ｎｏ．１７は、発光回数が２５０００回で破損し、発光回数がこのように多い場合、耐圧強度が不十分であることがわかる。また、円筒体１の肉厚が２．５ｍｍを超えるフラッシュランプ用発光管Ｎｏ．２５は、初期透過率Ｔ０自体が６７％と低いことがわかる。
【００８１】
さらに、酸化アルミニウム多結晶体の平均結晶粒径が３０μｍを超えるフラッシュランプ用発光管Ｎｏ．２５は、発光回数が２００００回で破損し、耐圧強度が不十分であることがわかる。また、酸化アルミニウム多結晶体の平均結晶粒径が１μｍ未満のフラッシュランプ用発光管Ｎｏ．１８は、２００００回発光後の透過率Ｔ1が著しく低くなっていることがわかる。
【００８２】
一方、円筒体１の肉厚が０．８〜２．５ｍｍであるとともに、酸化アルミニウムの平均結晶粒径が１〜３０μｍであるフラッシュランプ用発光管Ｎｏ．１９〜２１，２３，２４は破損することもなく、２００００回発光後の透過率Ｔ1も７０％以上と十分高い。
【００８３】
また、円筒体１を石英ガラスで形成したフラッシュランプ用発光管Ｎｏ．３１は浸食され、白濁化したのに対し、円筒体１をそれぞれ酸化アルミニウム多結晶体、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）多結晶体、イットリア多結晶体、ジルコニア多結晶体、スピネル多結晶体で形成したフラッシュランプ用発光管Ｎｏ．１７〜３０は、浸食されず、良好であることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明のフラッシュランプ用発光管を示す図であり、（ａ）は長手方向の断面図、（ｂ）は長手方向に対し、垂直な方向の断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態となるフラッシュランプ用発光管を示す図であり、（ａ）は長手方向の断面図、（ｂ）は長手方向に対し、垂直な方向の断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態となるフラッシュランプ用発光管を示す図であり、その長手方向に対し、垂直な方向の断面図である。
【図４】両端に放電電極を配置するとともに、封止部材で封止された本発明のフラッシュランプ用発光管を示す図である。
【図５】従来のフラッシュランプ用発光管を示す図であり、（ａ）は長手方向の断面図、（ｂ）は長手方向に対し、垂直な方向の断面図である。
【符号の説明】
【００８５】
１  ：円筒体
２  ：トリガ電極
３  ：放電電極
１０，２０：フラッシュランプ用発光管
２１：円筒体
２２：トリガ電極
２３：トリガバンド
【図１】
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【図２】
2005071942.tif 000008
【図３】
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【図４】
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【図５】
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