(57)【要約】【課題】  露光後の加熱処理を速やかに行い、また、露光装置に熱的悪影響を及ぼすことを回避できる基板処理装置を提供する。【解決手段】  露光された基板を加熱処理する加熱部を現像処理ブロック４に設けることにより、この加熱部と露光装置ＳＴＰとの間にインターフェイスブロック５を介在させて、露光装置ＳＴＰに熱的影響が及ばないようにする。また、加熱部に対して基板を受け渡しする搬送機構１０Ｄをインターフェイスブロック５に設けて、露光された基板Ｗを速やかに加熱部に移送する。【選択図】        図１
2005101058.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に現像処理を施す現像処理部を含む処理装置本体と、この処理装置本体と外部装置である露光装置との間で基板の受け渡しを仲介するインターフェイス部と、露光された基板を現像処理する前に加熱処理する加熱手段と、前記加熱手段で加熱処理された基板を冷却する冷却手段とを備えた基板処理装置において、
前記加熱手段を前記処理装置本体に備え、この加熱手段に対して基板を渡す基板搬送機構をインターフェイス部に備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置おいて、
前記加熱手段と前記冷却手段は近接して、ともに処理装置本体に備えられている基板処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記加熱手段は、基板を載置して加熱処理する加熱プレートであり、
この加熱プレートに近接して、冷却された基板を載置しておく基板仮置部と、
加熱プレートから基板仮置部へ基板を搬送する専用のローカル搬送機構と、
基板仮置部に載置された冷却済みの基板を現像処理部へ搬送する主搬送機構と
を備えた基板処理装置。
【請求項４】
請求項３記載の基板処理装置において、
前記冷却手段は、ローカル搬送機構に備えられている基板処理装置。
【請求項５】
前記冷却手段は、基板仮置部に備えられている基板処理装置。
【請求項６】
請求項１記載の基板処理装置において、
前記インターフェイス部は、露光装置が基板を受け入れることができない場合に、露光処理前の基板を一時的に収納保管しておく送り用バッファを備えている基板処理装置。
【請求項７】
請求項１記載の基板処理装置において、
前記インターフェイス部は、現像処理部が基板を受け入れることができない場合に、前記加熱手段および前記冷却手段で露光後の加熱・冷却処理が施された基板を一時的に収納保管しておく戻し用バッファを備えている基板処理装置。
【請求項８】
請求項１記載の基板処理装置において、
前記インターフェイス部は、露光装置が基板を受け入れることができない場合に、露光処理前の基板を一時的に収納保管しておく送り用バッファと、現像処理部が基板を受け入れることができない場合に、前記加熱手段および前記冷却手段で露光後の加熱・冷却処理が施された基板を一時的に収納保管しておく戻し用バッファと、２つの基板搬送機構とを備え、
一方の基板搬送機構は、前記加熱手段と前記戻し用バッファへの基板の受け渡しを少なくとも行い、
他方の基板搬送機構は、前記露光装置と前記送り用バッファへの基板の受け渡しを少なくとも行う基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示器用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板（以下、単に「基板」と称する）に、一連の処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成し、フォトレジスト膜が塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００３】
従来の基板処理装置は、フォトレジスト塗付処理部や現像処理部などを含む基板処理部と、この基板処理部と外部装置である露光装置（ステッパー）との間で基板Wの受け渡しを仲介するインターフェイス部などを備えている。基板処理部でフォトレジストが塗付された基板はインターフェイス部を介して露光装置に渡される。露光装置で回路パターンが焼き付けられた基板は、インターフェイス部に渡される。ところで、近年、フォトレジストとして化学増幅型のフォトレジストが多く用いられている。このフォトレジストは、パターンニングの精度を維持するために、露光後に基板を加熱するまでの時間を厳密に管理することが要請されている。そこで、従来の基板処理装置は、露光された基板を速やかに加熱処理するために、インターフェイス部に加熱・冷却処理部を設けている。露光装置からインターフェイス部に戻された基板は、インターフェイス部の基板搬送機構によって、速やかにインターフェイス部の加熱処理部に搬入され、さらに、加熱処理された基板はインターフェイス部の冷却処理部に搬入されて常温に戻される。このように露光後に加熱（PEB）処理された基板はインターフェイス部から基板処理部に渡され、基板処理部にある現像処理部で現像処理される。
【特許文献１】特開平６−１５１２９３号公報（第3頁、図１、図２）
【特許文献２】特開平８−１７７２４号公報（第３−４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成を有する従来の基板処理装置は次のような問題がある。
すなわち、従来の基板処理装置は、露光後加熱処理のために、インターフェイス部に加熱部を設けているので、インターフェイス部に隣接する露光装置に熱的悪影響を及ぼすおそれがある。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、露光後の加熱処理を速やかに行うことができるとともに、露光装置に熱的悪影響を及ぼすことを回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１記載の発明は、基板に現像処理を施す現像処理部を含む処理装置本体と、この処理装置本体と外部装置である露光装置との間で基板の受け渡しを仲介するインターフェイス部と、露光された基板を現像処理する前に加熱処理する加熱手段と、前記加熱手段で加熱処理された基板を冷却する冷却手段とを備えた基板処理装置において、前記加熱手段を前記処理装置本体に備え、この加熱手段に対して基板を渡す基板搬送機構をインターフェイス部に備えたことを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、露光装置から戻された露光済みの基板は、インターフェイス部の基板搬送機構によって、処理装置本体にある加熱手段に渡される。この加熱手段で加熱処理された基板は、冷却手段で冷却処理された後、現像処理部に送られて現像処理が施される。本発明によれば、露光後加熱用の加熱手段が処理装置本体に配備されるので、加熱手段と露光装置との間にインターフェイス部が介在することにより、加熱手段が露光装置から隔たり、加熱手段が露光装置に与える熱的悪影響を回避することができる。また、露光済みの基板を加熱手段に渡すための基板搬送機構をインターフェイス部に設けてあるので、露光装置から受け取った基板を速やかに加熱手段に搬送して加熱処理することができる。因みに、処理装置本体にある基板搬送機構を使って露光済みの基板を加熱手段に搬送するように構成すると、一般に処理装置本体にある基板搬送機構は他の処理部への基板搬送の役目も担うので、露光済みの基板が加熱手段に渡されるまでに待ち時間が生じ易くなる。また、処理装置本体に故障が発生すると、処理装置本体の基板搬送機構が使えなくなり、露光済みの基板が長時間待たされる事態も生じる。このような待ち時間が生じると、露光後に基板を加熱するまでの時間がばらつくことに起因して、現像処理されたフォトレジストのパターンニング精度が低下が低下したり、あるいは、フォトレジスト膜を剥離除去して基板を再生処理しなければならなくなる。
【０００８】
本発明において好ましくは、前記加熱手段と前記冷却手段は近接して、ともに処理装置本体に備えられる（請求項２記載の発明）。このように構成すれば、加熱手段で加熱処理された基板を、加熱手段に近接する冷却手段に速やかに移送して冷却処理を施すことができるので、基板が加熱状態にある時間を厳密に管理することができ、フォトレジストのパターンニング精度を一層向上させることができる。
【０００９】
本発明においてさらに好ましくは、前記加熱手段は、基板を載置して加熱処理する加熱プレートであり、この加熱プレートに近接して、冷却された基板を載置しておく基板仮置部と、加熱プレートから基板仮置部へ基板を搬送する専用のローカル搬送機構と、基板仮置部に載置された冷却済みの基板を現像処理部へ搬送する主搬送機構とを備える（請求項３記載の発明）。この構成によれば、加熱プレートで加熱処理された基板を専用のローカル搬送機構で基板仮置部まで搬送するので、基板が加熱状態にある時間を一層厳密に管理することができる。因みに、他の処理部への基板搬送の役目も担う主搬送機構を使って、加熱処理された基板を基板仮置部まで搬送するようにすると、搬送実行までの待時間にバラツキが生じ易くなり、時間管理の厳密性が低下する。
【００１０】
上記の構成において、ローカル搬送機構に冷却手段を備えるようにすると（請求項４記載の発明）、加熱プレートから基板仮置部へ基板を搬送しながら、基板を冷却処理することができるので、基板が加熱状態で放置される時間が一層短くなって好ましい。もちろん、本発明はこのような構成に限定されず。冷却手段を基板仮置部に備えるようにしてもよい（請求項５記載の発明）。
【００１１】
さらに、本発明において好ましくは、前記インターフェイス部は、露光装置が基板を受け入れることができない場合に、露光処理前の基板を一時的に収納保管しておく送り用バッファを備えている（請求項６記載の発明）。この構成によれば、露光装置が基板を受け入れることができない場合に、送り用バッファに基板が一時的に保管され、露光装置が基板を受け入れることができるようになった後に、送り用バッファに保管された基板が露光装置に送られる。
【００１２】
また、本発明において好ましくは、前記インターフェイス部は、現像処理部が基板を受け入れることができない場合に、前記加熱手段および前記冷却手段で露光後の加熱・冷却処理が施された基板を一時的に収納保管しておく戻し用バッファを備えている（請求項７記載の発明）。この構成によれば、現像処理部が基板を受け入れることができない場合に、露光された基板を加熱・冷却処理した後に戻し用バッファに保管するので、化学増幅型のフォトレジストが塗布された基板の品質が低下することがない。現像処理部が基板を受け入れることができるようになれば、戻し用バッファに保管されていた基板は処理装置本体の現像処理部に送られて現像処理が施される。
【００１３】
さらに、本発明において好ましくは、前記インターフェイス部は、露光装置が基板を受け入れることができない場合に、露光処理前の基板を一時的に収納保管しておく送り用バッファと、現像処理部が基板を受け入れることができない場合に、前記加熱手段および前記冷却手段で露光後の加熱・冷却処理が施された基板を一時的に収納保管しておく戻し用バッファと、２つの基板搬送機構とを備え、一方の基板搬送機構は、前記加熱手段と前記戻し用バッファへの基板の受け渡しを少なくとも行い、他方の基板搬送機構は、前記露光装置と前記送り用バッファへの基板の受け渡しを少なくとも行う（請求項８記載の発明）。この構成によれば、加熱手段と戻し用バッファへの基板の受け渡しを一方の基板搬送機構が行い、露光装置と送り用バッファへの基板の受け渡しを他方の基板搬送機構が行うようにしたので、各基板搬送装置は時間的に余裕をもって基板搬送を行うことができる。その結果、加熱手段への基板搬送を迅速に行うことができるので、露光後に基板を加熱するまでの時間のバラツキを抑えることができ、もってフォトレジストのパターンニング精度を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る基板処理装置によれば、露光後加熱用の加熱手段が処理装置本体に配備されるので、加熱手段と露光装置との間にインターフェイス部が介在することにより、加熱手段が露光装置から隔たり、加熱手段が露光装置に与える熱的悪影響を回避することができる。また、露光済みの基板を加熱手段に渡すための基板搬送機構をインターフェイス部に設けてあるので、露光済みの基板を速やかに加熱手段に搬送して加熱処理することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図１は実施例に係る基板処理装置の平面図、図２はその正面図、図３は熱処理部の正面図である。
【００１６】
ここでは、半導体ウエハ（以下、単に「基板」という）に、反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、露光された基板に現像処理を行う基板処理装置を例に採って説明する。もちろん、本発明に係る基板処理装置が取り扱い得る基板は、半導体ウエハに限らず、液晶表示器用のガラス基板など種々の基板を含む。
【００１７】
図１を参照する。本実施例に係る基板処理装置は大きく分けて、インデクサブロック１と、基板に対して所要の薬液処理を行う３つの処理ブロック（具体的には反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、および現像処理ブロック４）と、インターフェイスブロック５とからなり、これらのブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５には、本実施例に係る基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置（ステッパー）ＳＴＰが並設される。なお、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、および現像処理ブロック４は、本発明における処理装置本体に、現像処理ブロック４は、本発明における現像処理部に、インターフェイスブロック５は、本発明におけるインターフェイス部に、それぞれ相当する。以下、各ブロックの構成を説明する。
【００１８】
まず、インデクサブロック１について説明する。インンデクサブロック１は、基板Ｗを多段に収納するカセットＣからの基板の取り出しや、カセットＣへの基板Ｗの収納を行う機構である。具体的には、複数個のカッセトＣを並べて載置するカセット載置台６と、各カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出すとともに、各カセットＣへ処理済の基板Ｗを順に収納するインデクサ用搬送機構７とを備えている。インデクサ用搬送機構７は、カセット載置台６に沿って（Ｙ方向に)水平移動可能な可動台７ａを備えている。この可動台７ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂが搭載されている。保持アーム７ｂは、可動台７ａ上を昇降（Ｚ方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
【００１９】
上述したインデクサブロック１に隣接して反射防止膜処理ブロック２が設けられている。図４に示すように、インデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にインデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられている。上側の基板載置ＰＡＳＳ１はインデクサブロック１から反射防止膜処理ブロック２へ基板Ｗを払い出すために、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は反射防止膜処理ブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、隔壁１３を部分的に貫通して設けられている。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、固定設置された複数本の支持ピンから構成されており、この点は後述する他の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０も同様である。また、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する図示しない光学式のセンサが設けられており、各センサの検出信号に基づいてインデクサ用搬送機構７や、後述する反射防止膜用処理ブロック２の第1の主搬送機構１０Ａが、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対して基板を受け渡しできる状態であるかどうかを判断するようになっている。同様のセンサは他の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０にも設けられている。
【００２０】
反射防止膜処理ブロック２について説明する。反射防止膜処理ブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下部に反射防止膜を塗布形成するための機構である。具体的には、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布処理部８と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板Ｗを熱処理する反射防止膜用熱処理部９と、反射防止膜用塗布処理部８および反射防止膜用熱処理部９に対して基板Ｗの受け渡しをする第１の主搬送機構１０Ａとを備える。
【００２１】
反射防止膜処理ブロック２は、第１の主搬送機構１０Ａを挟んで反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９とが対向して配置されている。具体的には、塗布処理部８が装置正面側に、熱処理部９が装置背面側に、それぞれ位置している。このように薬液処理部と熱処理部とを主搬送機構を挟んで対向配置する点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４においても同様である。このような配置にすれば、薬液処理部と熱処理部とが隔たるので、薬液処理部が熱処理部から受ける熱的影響を抑えることができる。また、本実施例では、熱処理部９の正面側に図示しない熱隔壁を設けて、反射防止膜用塗布処理部８への熱的影響を回避している。同様な熱隔壁は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４にも設けられている。
【００２２】
反射防止膜用塗布処理部８は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「８」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部８は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１１や、このスピンチャック１１上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル１２などを備えている。
【００２３】
反射防止膜用熱処理部９は、図３に示すように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱プレートＨＰ、加熱された基板Ｗを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートＣＰ、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する複数個のアドヒージョン処理部ＡＨＬなどの熱処理部を含む。これらの熱処理部９の下部には、ヒータコントローラ（ＣＯＮＴ）が配設され、また熱処理部９の上部（図３中に「×」印で示した個所）には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。
【００２４】
反射防止膜用熱処理部９は、各熱処理部（ＨＰ，ＣＰ，ＡＨＬ）を上下に積層配置して構成されているとともに、積層配置された一群の熱処理部が複数例（本実施例では２列）にわたり並設されている。薬液処理部を上下に積層配置している点、および上下に積層配置した一群の熱処理部を複数列にわたり並設している点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４においても同様である。
【００２５】
上述したように各処理ブロック２〜４で薬液処理部や熱処理部を上下に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくすることができる。また、積層配置した一群の記熱処理部を複数列のわたり並設することにより、熱処理部のメンテナンスが容易になるとともに、熱処理部に必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。
【００２６】
第１の主搬送機構１０Ａについて説明する。なお、後述する他のレジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、およびインターフェイスブロック５にそれぞれ備えられた第２、第３、第４の各主搬送機構１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄも同様に構成されている。以下、第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄを特に区別しない場合は、主搬送機構１０として説明する。
【００２７】
図６を参照する。同図（ａ）は主搬送機構１０の平面図、（ｂ）はその正面図である。主搬送機構１０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個の保持アーム１０ａ、１０ｂを上下に近接して備えている。保持アーム１０ａ、１０ｂは、先端部が「Ｃ］の字状になっており、この「Ｃ」の字状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン１０ｃで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。主搬送機構１０の基台１０ｄは装置基台に対して固定設置されている。この基台１０ｄ上に螺軸１０ｅが回転可能に立設支持されている。基台１０ｄに螺軸１０ｅを回転駆動するモータ１０ｆが設けられている。螺軸１０ｅに昇降台１０ｇが螺合されており、モータ１０ｆが螺軸１０ｅを回転駆動することにより、昇降台１０ｇがガイド軸１０ｊに案内されて昇降移動するようになっている。昇降台１０ｇ上にアーム基台１０ｈが縦軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ｇにはアーム基台１０ｈを旋回駆動するモータ１０ｉが設けられている。アーム基台１０ｈ上に上述した２つの保持アーム１０ａ、１０ｂが上下に配設されている。各保持アーム１０ａ、１０ｂは、アーム基台１０ｈ内に装備された駆動機構（図示せず）によって、各々が独立してアーム基台１０ｈの旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
【００２８】
上述した反射防止膜処理ブロック２に隣接してレジスト膜処理ブロック３が設けられている。図４に示すように、反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３に反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられている。上述した基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２の場合と同様に、上側の基板載置部ＰＡＳＳ３が基板Ｗの払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４が基板Ｗの戻し用になっているとともに、これらの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４は隔壁１３を部分的に貫通している。また、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが隔壁１３を貫通して上下に設けられている。
【００２９】
レジスト膜用処理ブロック３について説明する。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布形成する機構である。なお、本実施例では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部１５と、フォトレジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジスト膜用熱処理部１６と、レジスト膜用塗布処理部１５およびレジスト膜用熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをする第２の主搬送機構１０Ｂとを備える。
【００３０】
レジスト膜用塗布処理部１５は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つのレジスト膜用塗布処理部１５ａ〜１５ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「１５」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部１５は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１７や、このスピンチャック１７上に保持された基板Ｗ上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル１８などを備えている。
【００３１】
レジスト膜用熱処理部１６は、図３に示すように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する基板仮置部付きの複数個の加熱部ＰＨＰ、基板Ｗを常温にまで高い精度で冷却する複数個の冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、反射防止膜用処理ブロック２の場合と同様である。
【００３２】
基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰについて説明する。
図７を参照する。同図（ａ）は加熱部ＰＨＰの破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。加熱部ＰＨＰは、基板Ｗを載置して加熱処理をする加熱プレートＨＰと、この加熱プレートＨＰから離れた上方位置または下方位置（本実施例では上方位置）に基板Ｗを載置しておく基板仮置部１９と、加熱プレートＨＰと基板仮置部１９との間で基板Ｗを搬送する熱処理部用のローカル搬送機構２０とを備えている。加熱プレートＨＰには、プレート表面に出没する複数本の可動支持ピン２１が設けられている。加熱プレートＨＰの上方には加熱処理時に基板Ｗを覆う昇降自在の上蓋２２が設けられている。基板仮置部１９には基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン２３が設けられている。
【００３３】
ローカル搬送機構２０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する保持プレート２４を備え、この保持プレート２４がネジ送り駆動機構２５によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構２６によって進退移動されるようになっている。保持プレート２４は、これが加熱プレートＨＰや基板仮置部１９の上方に進出したときに、可動支持ピン２１や固定支持ピン２３と干渉しなように複数本のスリット２４ａが形成されている。また、ローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰから基板仮置部１９へ基板Ｗを搬送する過程で基板を冷却する手段を備えている。この冷却手段は、例えば保持プレート２４の内部に冷却水流路２４ｂを設け、この冷却水流路２４ｂに冷却水を流通させることによって構成されている。
【００３４】
上述したローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を挟んでは第２の主搬送機構１０Ｂとは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を覆う筐体２７の上部、すなわち基板仮置部１９を覆う部位には、その正面側に第２の主搬送機構１０Ｂの進入を許容する開口部１９ａが、その背面側にはローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｂが、それぞれ設けられている。また、筐体２７の下部、すなわち加熱プレートＨＰを覆う部位は、その正面側が閉塞し、その背面側にローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｃが設けられている。
【００３５】
上述した加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの出し入れは以下のようにして行われる。まず、主搬送機構１０（レジスト膜用処理ブロック３の場合は、第２の主搬送機構１０Ｂ）が基板Ｗを保持して、基板仮置部１９の固定支持ピン２３の上に基板Ｗを載置する。続いてローカル搬送機構２０の保持プレート２４が基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持プレート２４は筐体２７から退出して、加熱プレートＨＰに対向する位置にまで下降する。このとき加熱プレートＨＰの可動支持ピン２１は下降しているとともに、上蓋２２は上昇している。基板Ｗを保持した保持プレート２４は加熱プレートＨＰの上方に進出する。可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを受け取った後に保持プレート２４が退出する。続いて可動支持ピン２１が下降して基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に載せるとともに、上蓋２２が下降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理される。加熱処理が終わると上蓋２２が上昇するとともに、可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続いて保持プレート２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支持ピン２３が下降することにより、基板Ｗが保持プレート２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持プレート２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部１９に搬送する。この搬送過程で保持プレート２４に支持された基板Ｗが、保持プレート２４が有する冷却機能によって冷却される。保持プレート２４は、冷却した（常温に戻した）基板Ｗを基板仮置部１９に移載する。この基板Ｗを主搬送機構１０が取り出して搬送する。
【００３６】
以上のように、主搬送機構１０は、基板仮置部１９に対して基板Ｗの受け渡しをするだけで、加熱プレートＨＰに対して基板の受け渡しをしないので、主搬送機構１０が温度上昇するのを回避することができる。また、加熱プレートＨＰに基板Ｗを出し入れするための開口部１９ｃが、主搬送機構１０が配置された側とは反対側に位置しているので、開口部１９ｃから漏れ出た熱雰囲気で主搬送機構１０が温度上昇することがなく、またレジスト膜用塗布処理部１５が開口部１９ｃから漏れ出た熱雰囲気で悪影響を受けることもない。
【００３７】
上述したレジスト膜処理ブロック３に隣接して現像処理ブロック４が設けられている。図４に示すように、反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられており、この隔壁１３に両処理ブロック３、４間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，６と、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが上下に積層して設けられている。
【００３８】
現像処理ブロック４について説明する。現像処理ブロック４は、露光された基板Ｗに対して現像処理をする機構である。具体的には、露光された基板Ｗに現像処理をする現像処理部３０と、現像処理に関連して基板を熱処理する現像用熱処理部３１と、現像処理部３０および現像用熱処理部３１に対して基板Ｗの受け渡しをする第３の主搬送機構１０Ｃとを備える。
【００３９】
現像処理部３０は、図２に示すように、同様の構成を備えた５つの現像処理部３０ａ〜３０ｅ（以下、特に区別しない場合は符号「３０」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各現像処理部３０は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３２や、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３３などを備えている。
【００４０】
現像用熱処理部３１は、図３に示すように、各々複数個の加熱プレートＨＰ、基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰ、冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、他の処理ブロック２、３の場合と同様である。現像用熱処理部３１の右側（インターフェイスブロック５に隣接している側）の熱処理部の列には、現像処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７が基板Ｗの払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８が基板Ｗの戻し用になっている。なお、現像処理ブロック４に配備された基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰにおいて、これに備えられた加熱プレートＨＰは本発明における加熱手段に、ローカル搬送機構２０に備えられた冷却手段は本発明における冷却手段に、それぞれ相当する。
【００４１】
インターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをする機構である。本実施例装置におけるインターフェイスブロック５には、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しをするためのインターフェイス用搬送機構３５の他に、フォトレジストが塗布された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光部ＥＥＷと、現像処理ブロック４内に配設された基板仮置部付きの熱処理部ＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする第４の主搬送機構１０Ｄを備えている。第４の主搬送機構１０Ｄは本発明における「加熱手段に対して基板を渡す基板搬送機構」に相当する。
【００４２】
エッジ露光部ＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３６や、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器３７などを備えている。２つのエッジ露光部ＥＥＷは、インターフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理部とに隣接して配置されている第４の主搬送機構１０Ｄは、図６で説明した主搬送機構１０と同様の構成を備えている。
【００４３】
図２および図５を参照する。図５はインターフェイスブロック５の側面図である。２つのエッジ露光部ＥＥＷの下側に、基板戻し用のバッファＲＢＦがあり、さらにその下側に２つの基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０が積層配置されている。基板戻し用のバッファＲＢＦは、故障などのために現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理をすることができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、第４の主搬送機構１０Ｄとインターフェイス用搬送機構３５との間で基板Ｗの受け渡しを行うためのもので、上側が基板払出し用、下側が基板戻し用になっている。
【００４４】
インターフェイス用搬送機構３５は、図１および図５に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台３５ａを備え、この可動台３５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム３５ｂを搭載している。保持アーム３５ｂは、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。インターフェイス用搬送機構３５の搬送経路の一端（図５中に示す位置Ｐ１）は、積層された基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０の下方にまで延びており、この位置Ｐ１で露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。また、搬送経路の他端位置Ｐ２では、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、送り用バッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納と取り出しとを行う。送り用バッファＳＢＦは、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。
【００４５】
以上のように構成された基板処理装置は、インデクサブロック１、各処理ブロック２、３、４、およびインターフェイスブロック５内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれて、外部環境からのパーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、反射防止膜用処理ブロック２内の気圧はインデクサブロク１内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、インデクサブロック１内の雰囲気が反射防止膜用処理ブロック２に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理ブロック２、３、４で処理を行うことができる。
【００４６】
次に本実施例に係る基板処理装置の制御系、特に基板搬送に係る制御手法について説明する。
上述したインデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、およびインターフェイスブロック５は、本実施例に係る基板処理装置を機構的に分割した要素である。具体的には、各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている（図８（ａ）参照）。
【００４７】
一方、本発明の特徴の一つとして、基板搬送に係る被制御ユニットの単位を機械的要素である各ブロックとは別に構成している。すなわち、基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して基板処理装置を構成している。そして、各被制御ユニットの主搬送機構は、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、かつ、各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御する制御手段を各被制御ユニットごとに備え、各被制御ユニットの制御手段は、前記処理部に対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して行うようになっている。
【００４８】
以下、本実施例装置における被制御ユニットの単位を「セル」という。実施例装置の制御系を構成する各セルの配置を図８（ｂ）に示す。
【００４９】
インデクサセルＣ１は、カセット載置台６とインデクサ用搬送機構７とを含む。このセルＣ１は、結果として機械的に分割した要素であるインデクサブロック１と同じ構成になっている。反射防止膜用処理セルＣ２は、反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９と第１の主搬送機構１０Ａとを含む。このセルＣ２も、結果として機械的に分割した要素である反射防止膜用処理ブロック２と同じ構成になっている。レジスト膜用処理セルＣ３は、レジスト膜用塗布処理部１５とレジスト膜用熱処理部１６と第２の主搬送機構１０Ｂとを含む。このセルＣ３も、結果として機械的に分割した要素であるレジスト膜用処理ブロック３と同じ構成になっている。
【００５０】
一方、現像処理セルＣ４は、現像処理部３０と、露光後加熱に使われる熱処理部（実施例では、加熱部ＰＨＰ）を除いた現像用熱処理部３１と、第３の主搬送機構１０Ｃとを含む。このセルＣ３は、露光加熱に使われる加熱部ＰＨＰを含んでいない点で、機械的に分割した要素である現像処理ブロック４とは異なる構成になっている。
【００５１】
露光後加熱用処理セルＣ５は、露光された基板Ｗを現像前に加熱処理する露光後加熱用の熱処理部（実施例では、現像処理ブロック４に設けられた加熱部ＰＨＰ）と、エッジ露光部ＥＥＷと、第４の主搬送機構１０Ｄとを含む。このセルＣ５は、機械的に分割した要素である現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とにまたがるもので、本実施例装置の特徴的なセルである。このように露光後加熱用の熱処理部（加熱部ＰＨＰ）と第４の主搬送機構１０Ｄとを含んで一つのセルを構成しているので、露光された基板を速やかに加熱部ＰＨＰに搬入して熱処理を行うことができる。これは露光後の加熱を速やかに行う必要がある化学増幅型フォトレジストを用いた場合に好適である。
【００５２】
インターフェイスセルＣ６は、外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをするインターフェイス用搬送機構３５を含む。このセルＣ６は、第４の主搬送機構１０Ｄやエッジ露光部ＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した要素であるインターフェイスブロック５とは異なる構成になっている。
【００５３】
本実施例装置は、上述した６つのセルＣ１〜Ｃ６を並設して構成されており、
各セルＣ１〜Ｃ６間の基板の受け渡しは、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０を介して行われる。換言すれば、本発明における単一の被制御ユニット（セル）は、単一の主搬送機構を含み、その主搬送機構が、特定の基板載置部から受け取った基板を別の基板載置部に置くまでに、基板の受け渡しを行う処理部を含んで構成される。
【００５４】
セルＣ１〜Ｃ６は、各々のセルの主搬送機構（インデクサ用搬送機構７およびインターフェイス用搬送機構３５を含む）の基板受け渡し動作を少なくとも制御するコントローラＣＴ１〜ＣＴ６を個別に備えている。各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の基板載置部に置かれた基板の受け取りから始まって、所定の基板載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御を、各々独立して行うようになっている。具体的には、図９（ａ）に示すように、各セルＣ１〜Ｃ６のコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の基板載置部に基板を置いたという情報を、隣のセルのコントラーラに送り、その基板を受け取ったセルのコントローラは、所定の基板載置部から基板を受け取ったという情報を元のセルのコントローラに返すという情報のやり取りを行う。
【００５５】
つまり、各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、隣接するセル内での主搬送機構の動きを考慮することなく、各セル内の基板の受け渡しだけを対象にして制御を進めている。したがって、各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御の負担が少なくなる。これに対して、従来の基板処理装置の制御手法によると、図９（ｂ）に示すように、各ブロック１〜５が基板処理のスケジュール管理用のコントローラＣＴ０に基板搬送に係る情報を与えて、コントローラＣＴ０が統括的に基板搬送を管理しているので、コントローラＣＴ１０の負担が多くなる。
【００５６】
以上のように本実施例によれば各セルのコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御負担が少なくなるので、それだけ基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、図９に示した従来の制御手法によると、新たに処理部を追加すると、コントローラＣＴ０のスケジュール管理用のプログラムを大幅に修正する必要が生じるが、本発明に係る制御手法によれば、新たにセルを追加しても、隣接するセルに影響を与えないので、セルの追加を容易に行うことができる。追加するセルの種類は特に限定されないが、例えば、レジスト膜用処理セルＣ３と現像処理セルＣ４との間に、基板Ｗに塗布されたレジスト膜の厚みを検査したり、あるいは現像後のレジスト膜の線幅を検査する検査用セルを追加してもよい。この場合、検査用セルは、本実施例装置の他のセルと同様に、基板を検査する基板検査部と、この検査部に対して基板を搬送する基板検査用の主搬送機構とを含んで構成される。また、検査用セルと隣接セルとの間の基板の受け渡しは、基板載置部を介して行われる。
【００５７】
本実施例に係る基板処理装置の他の特徴は、異なる薬液処理ごとに構成された被制御ユニットである反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、および現像処理セルＣ４が、主搬送機構を使って基板Ｗを特定の位置から別の位置に搬送する工程を１工程とした場合に、各セルＣ２、Ｃ３、Ｃ４の第１、第２、第３の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、略同数の搬送工程を負担している点にある。詳しくは、後述する本実施例装置の動作説明で明らかにするが、図１０に示したように、上記主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、略６つの搬送工程を負担している。
【００５８】
本実施例装置において、主搬送機構１０が１搬送工程に要する時間は約４秒である。したがって、各セルＣ２〜Ｃ３において、主搬送機構１０は６搬送工程を負担するので、各セルＣ２〜Ｃ３は２４秒に１回の割合（２４秒の処理周期）で基板Ｗを隣接するセルに排出することになる。つまり、本実施例装置は、１時間あたり１５０枚の基板Ｗを処理することができる。仮に、一つの主搬送機構が負担する搬送工程の数が、他の主搬送機構に比べて多くなると、その主搬送機構が属するセルの処理周期によって、基板処理装置のスループットが決定される。例えば、セルＣ２、Ｃ４の各主搬送機構１０Ａ、１０Ｃが各々５つの搬送工程を負担し、セルＣ３の主搬送機構１０Ｂが８つの搬送工程を負担する場合、セルＣ２〜Ｃ４間では、セルＣ３の処理周期（この場合、３２秒）でしか基板Ｗが流れないので、セルＣ２、Ｃ４の主搬送機構１０Ａ、１０Ｃに余裕があったとしても、その基板処理装置は１時間あたり１１２．５枚しか基板Ｗを処理することができない。
【００５９】
これに対して本実施例装置では、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、および現像処理セルＣ４の各主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃが略同数の搬送工程を負担するので、いずれか一つの主搬送機構が早く搬送処理の限界に陥ることが回避でき、結果として、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【００６０】
一方、現像処理セルＣ４に隣接する露光後加熱用処理セルＣ５に関しては、そのセルＣ５に属する第４の主搬送機構１０Ｄの負担する搬送工程が５つに設定されている。露光後加熱用処理セルＣ５は、基板Ｗが露光されてから加熱処理を行うまでの時間を厳密に管理する必要があるので、第４の主搬送機構１０Ｄの搬送負担に余裕をもたせる意味で、その搬送負担を他のセルに比べて低く設定してある。第４の主搬送機構１０Ｄに特に余裕をもたせる必要がなければ、本処理セルＣ５は、１搬送工程分だけの空きをもっていることになる。この空き搬送工程を利用して、露光後加熱用処理セルＣ５に新たな処理部、例えば基板Ｗの検査部を追加することも可能である。基板検査部を追加してもセルＣ５の主搬送機構１０Ｄは、他のセルの主搬送機構と同様に６つの搬送工程を負担することになる。つまり、搬送工程に余裕のあるセルＣ５に基板検査部を追加しても、セルＣ５の処理周期は他のセルと同じ２４秒になるだけであるので、基板処理装置のスループットが低下することはない。
【００６１】
次に、本実施例に係る基板処理装置の動作を説明する。特に、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、現像処理セルＣ４、および露光後加熱用処理セルＣ５の各主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄによる各搬送工程については図１０を参照されたい。
【００６２】
まず、インデクサセルＣ１（インデクサブロック１）のインデクサ用搬送機構７が、所定のカセットＣに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム７ｂが昇降および進退移動することにより、そのカセットＣに収納されている未処理の基板Ｗを取り出す。保持アーム７ｂに基板Ｗを保持した状態で、インデクサ用搬送機構７が、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで水平移動する。そして、保持アーム７ｂ上の基板Ｗを基板払出し用の上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、インデクサ用搬送機構７は、その処理済みの基板Ｗを保持アーム７ｂ上に受け取って、所定のカッセトＣに処理済みの基板Ｗを収納する。以下、同様にカセットＣから未処理基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送するとともに、処理済み基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２から受け取ってカセットＣに収納するという動作を繰り返し行う。
【００６３】
反射防止膜用処理セルＣ２（反射防止膜用処理ブロック２）の動作を説明する。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理基板Ｗが置かれると、図１０に示すように、セルＣ２の第１の主搬送機構１０Ａは、保持アーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで一体に昇降および旋回移動させる。そして、一方の保持アーム１０ｂに保持している処理済みの基板Ｗを下側の戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ２に置き、その後、上側の払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ１に置かれている未処理基板Ｗを他方の保持アーム１０ａ上に受け取るという、処理済み基板Ｗおよび未処理基板Ｗの受け渡し動作を行う。具体的には、保持アーム１０ｂを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ２上に処理済みの基板Ｗを置く。処理済みの基板Ｗを渡した保持アーム１０ｂは元の位置にまで後退する。続いて、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し上昇させた後、保持アーム１０ａを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ１上の未処理基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。基板Ｗを受け取った保持アーム１０ａは元の位置にまで後退する。
【００６４】
以上の基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する未処理基板Ｗおよび処理済み基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（１＋α）で示されている。ここで、「α」は、未処理基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１から受け取るために、保持アーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ２に対向する位置から基板載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置にまで少し上昇移動させた搬送工程を示している。上述したように、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は上下に近接して配置されているので、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２間の移動に要する時間は僅かであり無視することができる。したがって、搬送工程（１＋α）は、１搬送工程（本実施例では、主搬送機構を使って所定時間（例えば、４秒）以内に行われる基板の受け渡し動作）であるとして取り扱うことができる。
【００６５】
基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第１の主搬送機構１０Ａは、未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、基板Ｗを保持していない空の保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、反射防止膜用熱処理部９の所定の冷却プレートＣＰに対向させる。通常、この冷却プレートＣＰには、先行処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。冷却プレートＣＰに載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、常温にまで精度よく冷却される。なお、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使った冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しは、保持アーム１０ａ、１０ｂの昇降動作を伴わずに行われるので、この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、第１の主搬送機構１０Ａの１搬送工程内に行われる（図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（２）参照）。
【００６６】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、空の保持アーム１０ａと、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の反射防止膜用塗布処理部８に対向させる。通常、この反射防止膜用塗布処理部８には、先行処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その反射防止膜用塗布処理部８にあるスピンチャック１１上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて、基板Ｗをそのスピンチャック１１上に置く。スピンチャック１１上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、反射防止膜が塗布形成される。スピンチャック１１に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（３）に相当する。なお、図１０中の「ＢＡＲＣ」は反射防止膜用塗布処理部８を意味する。
【００６７】
スピンチャック１１への基板Ｗの受け渡しが終わると、反射防止膜が塗布された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の加熱プレートＨＰに対向させる。通常、この加熱プレートＨＰにも先行処理されている基板Ｗが入っているので、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。加熱プレートＨＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に熱処理されて、基板Ｗ上の反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が除去される。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（４）に相当する。
【００６８】
加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、空の保持アーム１０ａと、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレートＷＣＰに対向させる。上述したと同様に、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、基板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。冷却プレートＷＣＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に大まかに冷却処理される。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（５）に相当する。
【００６９】
冷却プレートＷＣＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、大まかに冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂと一体に上昇させて、冷却プレートＷＣＰの上方に配設されている基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対向させる。そして、保持アーム１０ａを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ３上に基板Ｗを置く。通常、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ４に、レジスト膜用処理セルＣ３を介して現像処理セルＣ４から送られてきた現像処理済みの基板Ｗが置かれている。そこで、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し下降させた後、保持アーム１０ｂを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ４上の現像処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。
【００７０】
基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（６＋α）に相当する。「α」は上述したと同様に、保持アーム１０ａ、１０ｂが僅かに昇降する短時間の搬送工程である。したがって、搬送工程（６＋α）は１搬送工程であるとして取り扱うことができる。
【００７１】
反射防止膜用処理セルＣ２に備えられた第１の主搬送機構１０Ａは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）を合計すると、第１の主搬送機構１０Ａは、略６つの搬送工程を負担することになる。１搬送工程に要する搬送時間を４秒とすると、第１の主搬送機構１０Ａは略２４秒で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣のレジスト膜用処理セルＣ３に払い出される。
【００７２】
レジスト膜用処理セルＣ３（レジスト膜用処理ブロック３）の動作を説明する。反射防止膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に置かれると、図１０に示すように、セルＣ３の第２の主搬送機構１０Ｂは、上述した第１の主搬送機構１０Ａの場合と同様に、一方の保持アーム１０ｂに保持した現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４上に置く。そして、基板載置部ＰＡＳＳ３上の基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（１＋α）で示されている。上述したように、「α」は時間には無視することができるので、搬送工程（１＋α）は１搬送工程として取り扱うことができる。
【００７３】
基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第２の主搬送機構１０Ｂは、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（２）に相当する。
【００７４】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、空の保持アーム１０ａと、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、所定のレジスト膜用塗布処理部１５に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、そのレジスト膜用塗布処理部１５にあるスピンチャック１７上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック１７上に置く。スピンチャック１７上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、レジスト膜が塗布形成される。スピンチャック１７に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（３）に相当する。なお、図１０中の「ＰＲ」はレジスト膜用塗布処理部１５を意味する。
【００７５】
スピンチャック１７への基板Ｗの受け渡しが終わると、レジスト膜が塗布形成された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向させる。先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ上の基板仮置部１９に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを基板仮置部１９上に置く。基板仮置部１９上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、その加熱部ＰＨＰのローカル搬送機構２０によって、その加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰ上に移されて熱処理される。この加熱プレートＨＰ上で熱処理された基板Ｗは、同じローカル搬送機構２０によって基板仮置部２０に戻される。その基板Ｗは、ローカル搬送機構２０の保持プレート２０に保持されて基板仮置部２０に戻される過程で、保持プレート２４の冷却機構によって冷却される。この加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（４）に相当する。
【００７６】
加熱部ＰＨＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、空の保持アーム１０ａと、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の冷却プレートＣＰに対向させる。そして、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（５）に相当する。
【００７７】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対向させる。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ５上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ６に載置されている現像処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取る。
【００７８】
基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（６＋α）に相当する。搬送工程（６＋α）は１搬送工程であるとして取り扱われる。
【００７９】
レジスト膜用処理セルＣ３に備えられた第２の主搬送機構１０Ｂは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）を合計すると、第２の主搬送機構１０Ｂは、第１の主搬送機構１０Ａと同様に略６つの搬送工程を負担することになる。したがって、第２の主搬送機構１０Ｂは、第１の主搬送機構１０Ａと同じ周期（この実施例では、略２４秒）で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣の現像処理セルＣ４に払い出される。
【００８０】
現像処理セルＣ４の動作を説明する。レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に置かれると、図１０に示すように、セルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃは、先ず保持アーム１０ｂに保持した現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６上に置き、その後、基板載置部ＰＡＳＳ５上の基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１＋α）で示されている。
【００８１】
基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の積層構造の中に配設された基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ７上に、レジスト膜が塗付形成された基板Ｗを置き、その後、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ８に載置されている露光後の加熱処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（２＋α）で示されている。
【００８２】
基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、空の保持アーム１０ａと、露光後の加熱処理済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（３）に相当する。
【００８３】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、所定の現像処理部３０に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その現像処理部３０にあるスピンチャック３２上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック３２上に置く。スピンチャック３２上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｃが他の搬送動作を行っている間に、現像処理される。スピンチャック３２に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（４）に相当する。なお、図１０中の「ＳＤ」は現像処理部３０を意味する。
【００８４】
スピンチャック３２への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の保持アーム１０ａと、現像処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の所定の加熱プレートＨＰに対向させる。先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（５）に相当する。
【００８５】
加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、加熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用処理セルＣ３の側にある隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレートＷＣＰに対向させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（６）に相当する。
【００８６】
現像処理セルＣ４に備えられた第３の主搬送機構１０Ｃは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１＋α）から搬送工程（６）を合計すると、第３の主搬送機構１０Ｃは、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂと同様に略６つの搬送工程を負担することになる。したがって、第３の主搬送機構１０Ｂは、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂと同じ周期（この実施例では、略２４秒）で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣の露光後加熱用処理セルＣ５に払い出される。
【００８７】
露光後加熱用処理セルＣ５の動作を説明する。レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ７に置かれると、図１０に示すように、セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄは、保持アーム１０ｂに保持した露光後加熱処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８上に置き、その後で基板載置部ＰＡＳＳ７上の基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１＋α）に相当する。
【００８８】
基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持アーム１０ｂとを、所定のエッジ露光部ＥＥＷに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、そのエッジ露光部ＥＥＷのスピンチャック３６上にある周辺露光済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗをそのスピンチャック３６上に置く。スピンチャック３６上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、その周縁部が露光される。このスピンチャック３６に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（２）に相当する。
【００８９】
スピンチャック３６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、空の保持アーム１０ａと、周辺露光された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ｂを前進移動させて、周辺露光された基板Ｗを冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（３）に相当する。
【００９０】
冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ９上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されている、露光装置ＳＴＰで露光された基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（４＋α）に相当する。
【００９１】
基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｃは、空の保持アーム１０ａと、露光済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１９の上）にある露光後の加熱処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、露光済みの基板Ｗを加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１９の上）に置く。基板仮置部１９に置かれた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、ローカル搬送機構２０によって加熱プレートＨＰに移されて加熱処理された後に、同じくローカル搬送機構２０によって冷却されながら基板仮置部１９に戻される。この加熱部ＰＨＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（５）に相当する。
【００９２】
露光後加熱用処理セルＣ５に備えられた第４の主搬送機構１０Ｄは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（５）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１＋α）から搬送工程（５）を合計すると、第４の主搬送機構１０Ｄは、第１〜第３の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃよりも１つ少ない略５つの搬送工程を負担することになる。露光後加熱用処理セルＣ５だけをみれば、第４の主搬送機構１０Ｄは、１搬送工程に要する時間を４秒とした場合に、２０秒周期で動作可能であるが、他の第１〜第３の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃが２４秒周期で動くので、結局、露光後加熱用処理セルＣ５からは、他のセルと同様に、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣のインターフェイスセルＣ６に払い出される。
【００９３】
インターフェイスセルＣ６の動作を説明する。周辺露光された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ９に置かれると、インターフェイスセルＣ６のインターフェイス用搬送機構３５が基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを受け取って、隣接する露光装置ＳＴＰに渡す。さらに、インターフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰから露光済みの基板Ｗを受け取って、その基板を基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０に載せる。インターフェイス用搬送機構３５は、このような基板搬送動作を繰り返し行う。
【００９４】
以上のように、本実施例に係る基板処理装置は、露光された基板Ｗを現像処理する前に加熱処理する加熱部ＰＨＰを、処理装置本体にある現像処理ブロック４に配備したので、加熱部ＰＨＰと露光装置ＳＴＰとの間にインターフェイスブロック５が介在することにより、加熱部ＰＨＰが露光装置ＳＴＰから隔たり、加熱部ＰＨＰが露光装置ＳＴＰに与える熱的悪影響を回避することができる。また加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、インターフェイスブロック５に備えられた搬送機構（実施例では第４の主搬送機構１０Ｄ）が行うので、露光済みの基板Ｗを速やかに加熱部ＰＨＰに搬送して加熱処理することができる。その結果、露光済みの基板Ｗが加熱処理されるまでの時間のバラツキが抑えられ、もって現像処理されたフォトレジストのパターンニング精度を向上させることができる。
【００９５】
また、露光後の加熱処理を行う加熱部ＰＨＰは、加熱プレートＨＰから基板仮置部１９へ基板Ｗを搬送するために、専用のローカル搬送機構２０を備えているので、加熱処理の終えた基板Ｗを加熱プレートＨＰから速やかに取り出して基板仮置部１９へ搬送することができる。つまり、加熱処理の終えた基板Ｗが加熱プレートＨＰ上で不所望に待たされることがないので、露光後の加熱処理時間のバラツキを抑えることもできる。しかも、実施例のローカル搬送機構２０は、基板Ｗの冷却機能を備えているので、加熱プレートＨＰから取り出された基板Ｗが基板仮置部１９に搬送される過程で冷却される。つまり、基板Ｗは加熱プレート１９から取り出されると同時に冷却されるので、露光後の加熱処理時間が一層厳密に管理されることになり、フォトレジストのパターンニング精度を一層向上させることができる。
【００９６】
もちろん、ローカル搬送機構２０に基板Ｗの冷却機能を備える代わりに、基板仮置部１９に冷却プレートを配備するようにしてもよい。いずれにしても、露光後に基板Ｗを加熱処理する加熱手段と、加熱処理後に基板Ｗを冷却処理する冷却手段とを近接させて、加熱処理された基板Ｗを速やかに冷却手段に移送するのが好ましい。
【００９７】
次に、露光装置ＳＴＰや現像処理セルＣ４などが、例えば故障で基板を受け入れることができなくなった場合の動作を説明する。
【００９８】
いま露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできなくなったとする。この場合、インターフェイスセルＣ６のインターフェイス用搬送機構３５は、基板載置部ＰＡＳＳ９に置かれた基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを送り用バッファＳＢＦに一時的に収納する。バッファＳＢＦに収納可能な枚数だけ処理が継続され、バッファＳＢＦに収納不能になると予測された場合に、インデクサセルＣ１から基板Ｗを払い出すのを停止する。露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れが可能になると、インターフェイス用搬送機構３５は、バッファＳＢＦに収納した各基板を収納した順に取り出して露光装置ＳＴＰに渡し、以下、通常の動作に戻る。
【００９９】
一方、現像処理セルＣ４が基板Ｗの受け入れをできなくなったとする。この場合、インターフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰから順に戻されてくる露光済みの基板Ｗを、通常動作通りに基板載置部ＰＡＳＳ１０に渡す。露光後加熱用処理セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄは、通常動作通りに受け取って加熱部ＰＨＰに渡す。そして、加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処理が行われた基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に置かずに、第４の主搬送機構１０ＤがセルＣ５内にある基板戻し用のバッファＲＢＦに一時的に収納する。露光装置ＳＴＰ内に搬入されている枚数の基板Ｗについて、同様に露光後の加熱処理を行った後に基板戻し用のバッファＲＢＦに収納する。現像処理セルＣ４が基板Ｗの受け入れが可能になると、第４の主搬送機構１０Ｄは、バッファＲＢＦに収納した各基板を収納した順に取り出して基板載置部ＰＡＳＳ８に渡し、以下、通常の動作に戻る。
【０１００】
以上のように本実施例装置では、インターフェイスブロック５に送り用のバッファＳＢＦと戻し用のバッファＲＢＦを設けているので、露光装置ＳＴＰや現像処理部３０が基板Ｗを受け入れることができなくなった場合にも、基板Ｗをある程度連続して流すことができ、基板処理装置の稼動率を向上させることができる。特に、露光装置ＳＴＰから払い出される基板Ｗを加熱部ＰＨＰで加熱処理した後にバッファＲＢＦに収納保管するようにしたので、露光装置ＳＴＰから払い出された基板Ｗが露光後の加熱処理を受けずに長時間にわたり放置されることがない。その結果、化学増幅型のフォトレジスト膜の品位が保たれるので、基板Ｗの再生処理を行う必要もない。
【０１０１】
さらに、本実施例装置は、インターフェイスブロック５に２つの搬送機構（すなわち、第４の主搬送機構１０Ｄとインターフェイス用搬送機構３５）とを備え、露光後加熱用の加熱部ＰＨＰと戻し用のバッファＲＢＦへの基板Ｗの受け渡しを第４の主搬送機構１０Ｄが行い、露光装置ＳＴＰと送り用のバッファＳＢＦへの基板Ｗの受け渡しをインターフェイス用搬送機構３５が行うようにしたので、各搬送機構は時間的に余裕をもって基板搬送を行うことができる。その結果、露光後加熱用の加熱部ＰＨＰへの基板搬送を迅速に行うことができるので、露光後に基板Ｗを加熱するまでの時間のバラツキを抑えることができ、もってフォトレジストのパターンニング精度を向上させることができる。
【０１０２】
本発明は、上述した実施例のものに限らず、例えば次のように変形実施することもできる。
（１）実施例では、露光後に基板Ｗを加熱する加熱手段と、加熱処理後に基板Ｗを冷却する冷却手段の両方を処理装置本体側に設けた（具体的には、現像処理ブロック４に配備された加熱部ＰＨＰ）が、加熱手段のみを処理装置本体側に設け、冷却手段はインターフェイス部に設けるようにしてもよい。
【０１０３】
（２）実施例では、露光された基板Ｗを速やかに現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰに搬送するために、インターフェイスブロック５に２つの基板搬送機構（具体的には、第４の主搬送機構１０Ｄとインターフェイス用搬送機構３５）を設けたが、基板搬送機構の速度が充分に速いなど、時間的に余裕のある場合には、インターフェイスブロック５に１つの基板搬送機構（例えば、インターフェイス用搬送機構３５）だけを設けて、この基板搬送機構に加熱部ＰＨＰと露光装置ＳＴＰに対する基板Ｗの受け渡しを担わせるようにしてもよい。
【０１０４】
（３）実施例装置では、処理装置本体の各処理ブロック２〜４に主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃを配備したが、各処理ブロック２〜４に共通の基板搬送機構を使って基板Ｗを搬送するようにしてもよい。この場合、共通の基板搬送機構は各処理ブロック２〜４に沿って水平移動するように構成すればよい。
【０１０５】
（４）実施例では、制御の容易性を考慮して、基板処理装置を複数個の単位制御ユニット（セルＣ１〜Ｃ６）によって分割構成したが、実施例装置の各ブロック１〜５ごとに制御単位を構成したり、あるいは、これらのブロック１〜５を単一のコントローラで集中制御してもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
以上のように、本発明は、半導体基板、液晶表示器用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板に、一連の処理を施す基板処理装置に適している。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の一実施例に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図である。
【図２】実施例装置の概略構成を示した正面図である。
【図３】熱処理部の正面図である。
【図４】隔壁に設けられた基板載置部の周辺構成を示す破断正面図である。
【図５】インターフェイスブロックの概略構成を示す側面図である。
【図６】（ａ）は主搬送機構の概略構成を示す平面図、（ｂ）はその正面図である。
【図７】（ａ）は基板仮置部付きの加熱部の破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。
【図８】（ａ）は実施例装置のブロック配置を示した平面図、（ｂ）は実施例装置のセル配置を示した平面図である。
【図９】（ａ）は実施例装置の制御系を示したブロック図、（ｂ）は比較のために示した従来装置の制御系のブロック図である。
【図１０】第１〜第４の主搬送機構による基板搬送の流れを示した図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１  …インデクサブロック
２  …反射防止膜用処理ブロック
３  …レジスト膜用処理ブロック
４  …現像処理ブロック
５  …インターフェイスブロック
７  …インデクサ用搬送機構
１０Ａ〜１０Ｄ  …第１〜第４の主搬送機構
３５  …インターフェイス用搬送機構
Ｃ１  …インデクサセル
Ｃ２  …反射防止膜用処理セル
Ｃ３  …レジスト膜用処理セル
Ｃ４  …現像処理セル
Ｃ５  …露光後加熱用処理セル
Ｃ６  …インターフェイスセル
Ｗ  …基板
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０  …基板載置部
ＰＨＰ  …  加熱部
【図１】
2005101058.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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