(57)【要約】【課題】特に細長形状のチップを基板に高精度に搭載することができるとともに、そのチップの素子に損傷を与えることがないダイボンディング用コレットを提供する。【解決手段】矩形の細長形状のチップを吸着するための吸着部を有するダイボンディング用コレットであって、前記吸着部は、前記チップの上面の２つの長辺のエッジと当接するように対向して設けられ、外側に向かって広がるように傾斜した２つの長辺側受け面と、前記チップの上面の１つの短辺のエッジと当接するように外側に向かって広がるように傾斜した１つの短辺側受け面と、前記２つの長辺側受け面の間に形成された吸引孔と、を具備し、前記短辺側受け面には、前記短辺のエッジとの当接箇所を横切るように凹部が設けられてなる。【選択図】図１
2005136109.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形の細長形状のチップを吸着するための吸着部を有するダイボンディング用コレットであって、前記吸着部は、前記チップの上面の２つの長辺のエッジと当接するように対向して設けられ、外側に向かって広がるように傾斜した２つの長辺側受け面と、前記チップの上面の１つの短辺のエッジと当接するように外側に向かって広がるように傾斜した１つの短辺側受け面と、前記２つの長辺側受け面の間に形成された吸引孔と、を具備し、前記短辺側受け面には、前記短辺のエッジとの当接箇所を横切るように凹部が設けられてなるダイボンディング用コレット。
【請求項２】
前記短辺側受け面は、前記ダイボンディング用コレットの下端部に前記チップの短手方向に貫通して設けられた略Ｖ字溝によって形成されてなる請求項１に記載のダイボンディング用コレット。
【請求項３】
前記チップは、その上面の長手方向に複数個の素子が一列に等間隔で形成されてなる半導体素子アレイである請求項１または２に記載のダイボンディング用コレット。
【請求項４】
前記ダイボンディング用コレットの各受け面に、前記チップの上面のエッジを当接させて吸着させたときに、前記凹部は少なくともその一部が、前記チップの上面に対して略直交するとともに前記複数個の素子を含む仮想平面と交わってなる請求項３に記載のダイボンディング用コレット。
【請求項５】
前記半導体素子アレイは、ＬＥＤアレイもしくはＣＣＤイメージセンサである請求項３または４に記載のダイボンディング用コレット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤアレイやＣＣＤイメージセンサなどの矩形の細長形状の半導体チップを吸着して保持するのに適したダイボンディング用コレットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から半導体チップをピックアップする方法として、コレットを用いて真空吸着する方法が知られている。この方法は、傾斜した受け面が形成されたコレットに矩形状のチップの上面のエッジを当接させることにより、チップを位置決めしながら真空吸着して保持するものである。一例として特許文献１に記載されている従来のコレットについて、図５、図６を用いて説明する。図５はコレットを斜め下からみた斜視図であり、図６はこのコレットにチップを吸着させた状態を示し、図６（ａ）は側面図、図６（ｂ）は斜視図である。図５に示すように、コレット２１はブロック２２にチップの端面に当接する複数の傾斜した受け面を形成して構成されている。受け面は、細長形状のチップの長辺側の上面のエッジが当接する２つの長辺側受け面２３と、短辺側の上面のエッジが当接する短辺側受け面２４よりなり、長辺側受け面２３の間には吸引孔２５が設けられている。ここで図６（ａ）に示すように細長形状のチップ２６の上面のエッジを長辺側受け面２３と短辺側受け面２４に当接させた状態で吸引孔２５から真空吸引することにより、チップ２６はコレット２１に保持される。このとき、空気のフローは、２７ａ、２７ｂ、２７ｃに示される矢印のようである。
【特許文献１】特開２０００−２２３５０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体チップが、ＬＥＤアレイやＣＣＤイメージセンサなどの光学的な素子の場合、極めて高精度に搭載する必要がある。しかしながら、図６に示すように、チップ２６が、矩形の細長形状の場合には、コレット２１は大気中において真空吸引したときに、ごくわずかではあるが、図６（ｂ）の矢印Ｆの方向に変位して傾くことがあり、正確な位置に搭載できないことがあった。この理由は定かではないが、次に説明するように、真空吸着時および吸着解除時において、次のような現象が起こっているものと推測する。
【０００４】
まず、真空吸着時においては、図６（ｂ）に示すように、真空吸着時の空気のフロー２７ａ、２７ｂ、２７ｃを比べたときに、空気のフロー２７ａはチップ２６の短辺側の端部から入って吸引孔２５へ抜けるまでに特に障害物もなくスムースに流れるが、空気のフロー２７ｂ、２７ｃの場合は、チップ２６の長辺側から入って吸引孔２５に向かう際に、互いに衝突して直角に曲がる必要がある。この衝突したときに、若干ではあるが加圧状態となって、チップ２６を矢印Ｆの方向に変位させる可能性がある。また、吸着解除時においては、チップ２６がコレット２１から離脱するとき、吸着している真空破壊のための加圧が行われるが、同様に、空気のフロー２７ａに比較して空気のフロー２７ｂ、２７ｃはその空気の流路が直角に曲がっているため、加圧したときにこの部分で空気が滞留し加圧状態となって矢印Ｆの方向への変位を起こす可能性がある。
【０００５】
さらに、ＬＥＤアレイやＣＣＤイメージセンサのように、半導体チップ上に非常に細かいピッチで素子が形成されている場合、半導体チップを切り出すときのダイシング精度のばらつきによっては、素子部が半導体チップのエッジに近づいた状態となるものが存在する。例えば、分解能が６００ｄｐｉであるＬＥＤアレイの場合、発光部である素子のピッチは４２．３μｍとなる。このとき、隣接するＬＥＤアレイの端部の素子同士のピッチも同様に４２．３μｍとする必要があるので、端部の素子の発光部中心から短辺側のエッジまでの距離は２１．１５μｍ以下とする必要がある。ここで素子の発光部もある程度の幅を有しており、例えば、幅が３０μｍであった場合、素子の発光部の端から短辺側のエッジまでの距離は、（３０／２）−１５＝６．１５μｍしかないことになる。このように設計されたＬＥＤアレイをダイシングすると、そのダイシング精度のばらつきによって、確実に６．１５μｍよりも小さいものが多く生じる。
【０００６】
このように特に短辺側のエッジに近づいた状態で素子部が形成されたＬＥＤアレイを従来のコレット２１によって真空吸着して基板に搭載した場合、発光部の素子にダメージを与えてしまい、発光出力が低下したり、マイクロクラックによりリーク電流が増加して、ダイオードのＩＶ特性に悪影響を与えたりする、という問題があった。
【０００７】
そこで本発明は、上述の問題に鑑みて、特に細長形状のチップを基板に高精度に搭載することができるとともに、そのチップの素子に損傷を与えることがないダイボンディング用コレットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述に鑑みて、本発明の請求項１にかかるダイボンディング用コレットは、矩形の細長形状のチップを吸着するための吸着部を有するダイボンディング用コレットであって、前記吸着部は、前記チップの上面の２つの長辺のエッジと当接するように対向して設けられ、外側に向かって広がるように傾斜した２つの長辺側受け面と、前記チップの上面の１つの短辺のエッジと当接するように外側に向かって広がるように傾斜した１つの短辺側受け面と、前記２つの長辺側受け面の間に形成された吸引孔と、を具備し、前記短辺側受け面には、前記短辺のエッジとの当接箇所を横切るように凹部が設けられてなる。
【０００９】
このようにしたので、矩形の細長形状のチップを真空吸着させたときに、その短辺部のエッジが短辺側受け面と当接した部分に凹部が存在するため、外部からこの凹部を通して吸引孔へ向けて空気が自在に流通することができる。これによって、吸着させたチップに働く力のバランスが保たれるので、真空吸着時および吸着解除時にチップが傾くことがない。
【００１０】
また、本発明の請求項２にかかるダイボンディング用コレットは、請求項１に記載のダイボンディング用コレットにおいて、前記短辺側受け面は、前記ダイボンディング用コレットの下端部に前記チップの短手方向に貫通して設けられた略Ｖ字溝によって形成されてなるようにしたので、極めて簡単に受け面を形成することができる。また、受け面の表面仕上げ加工を容易に行うこともできる。
【００１１】
そして本発明の請求項３にかかるダイボンディング用コレットは、請求項１または２に記載のダイボンディング用コレットにおいて、前記チップは、その上面の長手方向に複数個の素子が一列に等間隔で形成されてなる半導体素子アレイとしたので、この半導体素子アレイの各辺のエッジ部は、このコレットの傾斜した２つの長辺側受け面と傾斜した１つの短辺側受け面によって、それぞれ当接して保持された状態となり、半導体素子アレイの上面に対してはコレットが接することがないので、アレイ上面の長手方向に形成された素子部に対してダメージを与えることがない。
【００１２】
さらに、本発明の請求項４にかかるダイボンディング用コレットは、請求項３に記載のダイボンディング用コレットにおいて、前記ダイボンディング用コレットの各受け面に、前記チップの上面のエッジを当接させて吸着させたときに、前記凹部は少なくともその一部が、前記チップの上面に対して略直交するとともに前記複数個の素子を含む仮想平面と交わってなる。
【００１３】
このようにしたので、コレットの各受け面に、チップの上面のエッジを当接させて吸着させたときに、素子部がチップの短辺側のエッジのギリギリの位置であったとしても、この短辺側受け面に設けられた凹部がちょうど逃げ溝となって、素子部と短辺側受け面とが接触することがなく、素子部にダメージを与えることがない。
【００１４】
また、本発明の請求項５にかかるダイボンディング用コレットは、請求項３または４に記載のダイボンディング用コレットにおいて、前記半導体素子アレイは、ＬＥＤアレイもしくはＣＣＤイメージセンサとしたので、これらの半導体素子アレイを高精度に搭載するとともに、コレットに真空吸着させたときに、上面に細かいピッチで形成された素子部に対して全くダメージを与えることがない、という本発明の作用を十分に発揮することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の請求項１にかかるダイボンディング用コレットによれば、矩形の細長形状のチップを真空吸着させたときに、その短辺部のエッジが短辺側受け面と当接した部分に凹部が存在するため、外部からこの凹部を通して吸引孔へ向けて空気が自在に流通することができる。これによって、吸着させたチップに働く力のバランスが保たれるので、真空吸着時および吸着解除時にチップが傾くことがない。その結果、チップを高精度に保持することができ、基板に高精度に搭載することができる。
【００１６】
また、本発明の請求項２にかかるダイボンディング用コレットによれば、極めて簡単に受け面を形成することができ、受け面の表面仕上げ加工を容易に行うこともできるので、低コストに本発明のダイボンディング用コレットを得ることができる。
【００１７】
そして本発明の請求項３にかかるダイボンディング用コレットによれば、この半導体素子アレイの各辺のエッジ部は、このコレットの傾斜した２つの長辺側受け面と傾斜した１つの短辺側受け面によって、それぞれ当接して保持された状態となり、半導体素子アレイの上面に対してはコレットが接することがないので、アレイ上面の長手方向に形成された素子部に対してダメージを与えることがない。
【００１８】
さらに、本発明の請求項４にかかるダイボンディング用コレットによれば、コレットの各受け面に、チップの上面のエッジを当接させて吸着させたときに、素子部がチップの短辺側のエッジのギリギリの位置であったとしても、この短辺側受け面に設けられた凹部がちょうど逃げ溝となって、素子部と短辺側受け面とが接触することがなく、素子部にダメージを与えることがない。
【００１９】
また、本発明の請求項５にかかるダイボンディング用コレットによれば、ＬＥＤアレイやＣＣＤイメージセンサを、高精度に搭載するとともに、コレットに真空吸着させたときに、上面に細かいピッチで形成された素子部に対して全くダメージを与えることがないので、これらを搭載する用途に用いた場合、極めて適したものとなる。
【００２０】
このように、本発明のダイボンディング用コレットを用いた場合、真空吸着した際に、位置ずれを起こすことがなく確実にチップを位置決めすることができるので、高精度に搭載することができるので、製品の歩留まりを向上させることができる。さらに、ＬＥＤアレイやＣＣＤイメージセンサのように上面に細かいピッチで発光素子あるいは受光素子が形成されたチップにおいて、特に、ダイシング精度のバラツキによって、チップのエッジに近い部分に素子が位置するような場合であっても、損傷を与えることがないので、不良率を低減することができ、歩留まりを向上させることができ、低コスト化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
次に本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２２】
図１は本発明のダイボンディング用コレットの斜視図、図２（ａ）はチップを吸着した状態において図１のＡ−ａ方向から見た部分断面図、図２（ｂ）はチップを吸着した状態において図１のＢ−ｂ方向から見た部分断面図である。また、図３（ａ）はチップを吸着した状態における側面図、図３（ｂ）はチップを吸着した状態における斜視図である。
【００２３】
図１および図２に示すように、本発明のダイボンディング用コレットは、矩形の細長形状のチップを吸着するための吸着部として、ブロック２にチップの上面のエッジ部に当接する複数の傾斜した受け面が形成されてコレット１を構成している。受け面は、矩形の細長形状のチップ７の上面の２つの長辺のエッジと当接するように対向して設けられ、外側に向かって広がるように傾斜した２つの長辺側受け面３と、チップ７の上面の１つの短辺のエッジと当接するように外側に向かって広がるように傾斜した１つの短辺側受け面４が設けられている。そして、２つの長辺側受け面３により形成される凹部内には吸引孔５が設けられている。矩形の細長形状のチップ７の上面のエッジ部をこれらの２つの長辺側受け面３と１つの短辺側受け面４に当接させた状態で吸引孔５から真空吸引することにより、チップ７はブロック２に保持される。
【００２４】
そして、本発明のダイボンディングコレットは、短辺側受け面４に、チップ７の上面の短辺のエッジとの当接箇所を横切るように凹部６が設けられている。すなわち、短辺側受け面４とチップ７の短辺との当接箇所の長さと比べて凹部６の幅は小さい。したがって、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、チップ７をコレット１に吸着させたときに、チップ７の上面の短辺のエッジは、大部分が凹部６を除いた短辺側受け面４に当接して保持される。この凹部６を通して、外部から空気が自在に流通することができる。これによって、吸着させたチップに働く力のバランスが保たれるので、真空吸着時および吸着解除時にチップが傾くことがない。
【００２５】
この作用について、図３を用いて説明する。
【００２６】
まず、真空吸着時図３（ａ）のダイコレットの側面図に示すように、真空吸着したときに空気の導通口としては、従来はｘ、ｙの二箇所であったが、本発明の構成では新たにｚが加わり、三箇所の導通口がある。ここで図３（ｂ）に示したように真空吸着したときの空気のフローを見ると、従来は空気の導通口はｘ部、ｙ部の二箇所であるため、ｘ部からはフロー８ａ、ｙ部からはフロー８ｂ、フロー８ｃが流れる。空気のフロー８ａは、ｘ部すなわちチップ７の短辺側の端部から入って吸引孔５へ抜けるまでに特に障害物もなくスムースに流れるが、空気のフロー８ｂ、８ｃの場合は、ｙ部すなわちチップ７の長辺側の相対する側からそれぞれ入って吸引孔５に向かう際に、互いに衝突して直角に曲がる必要があった。この衝突のときに、若干ではあるが加圧状態となって、チップ７を変位させてしまうという問題があったが、本発明においては、ｚ部すなわち短辺側受け面４に設けられた凹部６からも、空気のフロー８ｄが生ずるため、空気のフロー８ｂと８ｃの流速が下がる。これによって、空気のフロー８ｂと８ｃが衝突して加圧状態になる現象が緩和され、結果として、真空吸着時にチップ７が変位して傾くことがない。
【００２７】
また、真空吸着を解除する際には、チップ７をコレット１から離脱させるため、吸引口５に空気を送り真空破壊を行うが、このとき同様に、空気のフロー８ａに比較して空気のフロー８ｂ、８ｃはその空気の流路が直角に曲がっているため、加圧したときにこの部分で空気が滞留し加圧状態となってチップ７を変位させてしまうという問題があったが、本発明においては、短辺側受け面４に設けられた凹部６からも、空気のフロー８ｄが生ずるので、加圧状態になりにくく、その結果、真空吸着を解除する時にチップ７が変位して傾くことがない。このように、本発明によれば、真空吸着時も真空吸着解除時もチップ７が傾く可能性を少なくすることができるので、より高精度に搭載することができるようになる。
【００２８】
また、本発明のダイボンディングコレットは、短辺側受け面４は、図１に示すように、ブロック２の下端部にチップ７の短手方向に貫通して設けられた略Ｖ字溝によって形成されている。このため、極めて簡単に短辺側受け面４を形成することができる。また、略Ｖ字溝を貫通して設けることにより、受け面の表面仕上げ加工を容易に行うことができる。これによって、短辺側受け面４を平滑に仕上げることができ、面の表面仕上げ不良に起因するボンディング時のチップ７の端面の損傷を防止することができる。
【００２９】
図４（ａ）は、本発明のダイボンディングコレットに半導体素子アレイのチップを吸着したときの斜視図である。上面の長手方向に複数個の素子部７ａが等間隔で形成された半導体素子アレイのチップ７を真空吸着したときの、短辺側受け面４にこのチップ７の上面の短辺側のエッジが接したときの様子である。本発明のダイボンディングコレットは、このような半導体素子アレイのチップ７を真空吸着して取り扱うのに適している。その理由としては、このチップ７を本発明のダイボンディング用コレットに真空吸着して保持したときに、各辺の上面のエッジ部は、このコレット１の傾斜した２つの長辺側受け面３と傾斜した１つの短辺側受け面４によって、それぞれ当接して保持された状態となる。したがって、半導体素子アレイのチップ７の上面はコレットに対して接することがないので、アレイ上面の長手方向に形成された素子部７ａに対してダメージを与えることがないからである。
【００３０】
また、図４（ｂ）に示すように、短辺側受け面４に形成された凹部６は、半導体素子アレイのチップ７をコレット１に真空吸着させたときに、チップ７の上面に対してほぼ直交しこれらの複数個の素子部７ａを含む仮想平面Ｐと交わるような位置に設けることが望ましい。これは言い換えれば、半導体素子アレイのチップ７の上面に形成された複数個の素子部７ａの延長線上の位置に凹部６が設けられていることを意味する。したがって、コレット１の各受け面に、このチップ７の上面のエッジを当接させて吸着させたときに、ダイシングの精度ばらつきなどの原因によって素子部７ａがチップの短辺側のエッジのギリギリの位置であったとしても、この短辺側受け面４に設けられた凹部６がちょうど逃げ溝となって、素子部７ａと短辺側受け面４とが接触することがなく、素子部７ａにダメージを与えることがない。
【００３１】
このような本発明にかかるダイボンディング用コレットによって取り扱う、半導体素子アレイとしては、特に、ＬＥＤアレイもしくはＣＣＤイメージセンサに適している。これらの半導体素子アレイのチップ７は、高精度に搭載することが必要であり、さらに、上面に細かいピッチで素子部が形成されている。本発明にかかるダイボンディング用コレットを用いて、真空吸着をすれば、高精度に位置決めをすることができるとともに、素子部７ａに対して全くダメージを与えることがない、という本発明の作用を十分に発揮することができ、極めて有効である。
【００３２】
本発明のダイボンディング用コレットの凹部６の大きさは、取り扱うチップのサイズに依存するが、チップの短手方向の幅に対して、１／１０から１／３の範囲、好ましくは１／８から１／４の範囲とすることが好ましい。例えば、（短手方向の）幅が０．４ｍｍ、（長手方向の）長さが５．４ｍｍの外形を有する６００ｄｐｉ用のＬＥＤアレイの場合は、凹部６の溝の幅は、４０μｍ〜１３３μｍの範囲、好ましくは５０μｍ〜１００μｍの範囲とすればよい。この範囲を大きくしすぎると、チップの上面のエッジと当接する領域が少なくなり安定性に欠ける恐れがあり、小さくしすぎると発明の効果が薄れるからである。
【００３３】
また、凹部６の深さについては、３０μｍ以上、好ましくは５０μｍ以上とすればよい。深さが浅すぎると、空気の流通に支障が出て発明の効果が薄れる恐れがある。上限は特にないが、５００μｍ以上としても効果に変わりがなく、また加工に手間がかかるので、この範囲以下とするのがよい。
【００３４】
さらに、凹部６の長さについては、チップ７の上面の短辺側のエッジが当接したときに、空気が流通自在となっていれば、発明の効果を奏することから、当接部位の幅よりも長ければよい。ただし、加工が簡単であることから、図１（ａ）に示すように、短辺側受け面４の端部から溝形状として、当接部位を超えるように加工することが望ましい。
【００３５】
さらに、本発明のダイボンディング用コレットを作製するための材料としては、耐摩耗性が高いという観点から超硬合金やサーメット、セラミックスなどの硬質部材を用いることが望ましい。その中でも、特に導電性を有する超硬合金やサーメットを用いた場合、放電加工によって、本発明の凹部６の加工などのように微細な加工を行うことができるので、これらを用いることが望ましい。
【００３６】
真空吸着用の吸引孔５としては、特に大きさなどを限定するものではないが、吸着の
ＯＮ／ＯＦＦを確実にできるよう、例えば、２ｍｍ×０．５ｍｍ以上とすることが、より望ましい。
【００３７】
本発明のダイボンディング用コレットを作製する方法としては、例えば、上述の超硬合金を用いて作製する場合、あらかじめ直方体のブロック形状で作製した焼結体のブロック２に対して、まず短手方向に略Ｖ字溝を貫通させて形成することによって、短辺側受け面４を形成する。次に、長手方向に同様にして略Ｖ字溝を設けて、２面の長辺側受け面３を形成する。その後、凹部６、吸引孔５をそれぞれ形成する。加工方法としては、放電加工を用いればよい。最後に、各受け面を必要な表面精度となるように研磨加工を行う。
【００３８】
本発明のダイボンディング用コレットを使用するためのボンディング装置について、図７を参照しながら説明する。図７は、ボンディング装置の斜視図である。ボンディング装置は、基板供給部１０１、搬送路１０２、チップ供給部１０３、位置補正部１０４、ボンド塗布部１０５および基板回収部１０６より構成されている。基板供給部１０１のストッカ１１１内には基板１０７が収納されており、基板送り出し手段であるシリンダ１１２のロッド１１２ａを突出させることにより、基板１０７は搬送路１０２上に送り出される。搬送路１０２の途中に設けられた位置決め部において基板１０７は位置決めされ、細長形状のチップ１０９のボンディングが行われる。搬送路１０２の側方にはチップを供給するチップ供給部１０３が配設されている。ウェハ１０８のチップ１０９は、下方に設けられた突き上げ部１１３により突き上げられた状態で、移載ヘッド１１４に装着された本発明のダイボンディング用コレット１１５により真空吸着される。真空吸着され、ピックアップされたチップ１０９は、移動手段により水平方向に移動し、位置補正部１０４に仮置きされる。位置補正部１０４のテーブル１２０上に仮置きされたチップ１０９は、Ｌ型の位置補正爪を押し当てることにより位置ずれを補正される。
【００３９】
位置ずれを補正されたチップ１０９は、ボンディングヘッド１１６の本発明のダイボンディング用コレット１１７によりピックアップされ、再び移動手段により水平移動し、搬送路１０２上で位置決めされた基板１０７にボンディングされる。搬送路１０２の他方の側方には、ボンド塗布部１０５が配設されており、回転テーブル上に塗布されたボンド１１０は、転写ヘッド１１８の転写ツール１１９により基板１０７のボンディング位置に転写される。このようにして転写されたボンド１１０上にチップ１０９を搭載することにより、チップ７は基板１０７にボンディングされる。そしてボンディングが完了した基板１０７は、基板回収部のストッカ１２４に回収される。
【００４０】
なお、本発明の実施形態は上述の例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることはもちろんである。
【００４１】
例えば、上述の説明では、短辺側受け面４は、１方側のみに設けられてチップ７の３辺に当接する３面コレットとなっているが、短辺を２辺とも当接させるように短辺側受け面４を対向させて設けた４面コレットとしても良い。
【００４２】
また、上述の説明では凹部６の形状として、溝形状としたが、これに限るものではなく、短辺側受け面４にザグリを入れることによって、その端縁が円形、四角形などの閉じた形状を有するようにしてもよい。この場合、短辺側受け面４の所定箇所をキリ通しとして突き抜けるようにしても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明のダイボンディング用コレットにかかる実施形態の例である。
【図２】（ａ）はチップを吸着した状態において図１のＡ−ａ方向から見た部分断面図であり、（ｂ）はチップを吸着した状態において図１のＢ−ｂ方向から見た部分断面図である。
【図３】（ａ）はチップを吸着した状態における側面図、図３（ｂ）はチップを吸着した状態において空気のフローを示す斜視図である。
【図４】（ａ）は、本発明のダイボンディング用コレットに半導体素子アレイのチップを吸着したときの下面から見た斜視図であ り、（ｂ）は、半導体素子アレイのチップと短辺側受け面の凹部との位置関係を説明するための図である。
【図５】従来のダイボンディング用コレットの斜視図である。
【図６】従来のダイボンディング用コレットにチップを吸着させた状態を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は斜視図である。
【図７】本発明のダイボンディング用コレットをチップのボンディング装置で使用する例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４４】
１：コレット
２：ブロック
３：長辺側受け面
４：短辺側受け面
５：吸引孔
６：凹部
７：チップ
７ａ：素子部
８ａ〜８ｄ：空気のフロー
２１：コレット
２２：ブロック
２３：長辺側受け面
２４：短辺側受け面
２５：吸引孔
２６：チップ
２７ａ、２７ｂ：空気のフロー
１０１：基板供給部
１０２：搬送路
１０３：チップ供給部
１０４：位置補正部
１０５：ボンド塗布部
１０６：基板回収部
１０７：基板
１０８：ウェハ
１０９：チップ
１１０：ボンド
１１１：ストッカ
１１２：シリンダ
１１２ａ：ロッド
１１３：部
１１４：移載ヘッド
１１５：ダイボンディング用コレット
１１６：ボンディングヘッド
１１７：ダイボンディング用コレット
１１８：転写ヘッド
１１９：転写ツール
１２０：テーブル
１２４：ストッカ
Ｆ：矢印（力）
Ｐ：仮想平面
【図１】
2005136109.tif 000003
【図２】
2005136109.tif 000004
【図３】
2005136109.tif 000005
【図４】
2005136109.tif 000006
【図５】
2005136109.tif 000007
【図６】
2005136109.tif 000008
【図７】
2005136109.tif 000009