(57)【要約】【課題】  基板搬送に係る制御を容易に行うことができ、しかもスループットを向上することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】  基板に所要の処理を行う処理部と、処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニット（セル）を構成し、これらのセルを並設して構成される基板処理装置であって、各セルのコントローラは、所定の判定処理開始事象が発生したときに（ステップＳ１）、そのセルの搬送可能条件が成立しているか否かを判定し（ステップＳ４F、Ｓ４R）、条件が成立しているときは、そのセル内の基板搬送を実行し、条件が成立していないときは、次の判定処理開始事象を待つ。【選択図】        図１１
2005101059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して構成される基板処理装置であって、
前記各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられており、
前記各被制御ユニットの主搬送機構は、前記入口基板載置部と前記出口基板載置部とを介して基板の受け渡しを行い、
かつ、前記各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、
各ユニット制御手段は、前記処理部に対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、次のように各々独立して行う、
（１）各々のユニット制御手段に対応する被制御ユニット内で基板を移動させることができるかを判断するための搬送可能条件が予め設定されており、
（２）前記搬送可能条件の判定処理を開始するための条件である判定処理開始事象が予め決められており、
（３）前記判定処理開始事象が発生したときに、前記搬送可能条件が成立しているか否かを判定し、
（４）前記搬送可能条件が成立しているときは、その被制御ユニット内の基板搬送を実行し、
（５）前記搬送可能条件が成立していないときは、次の判定処理開始事象を待つ
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、
前記搬送可能条件は、少なくとも、（ａ）入口基板載置部に基板が置かれていること、（ｂ）出口基板載置部に基板がないこと、（ｃ）搬送経路上の処理部が基板の入れ換え可能状態になっていること、の各条件が全て成立していることを条件とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記（ａ）の条件に代えて、（ａ１）入口基板載置部に基板が置かれることが予測されること、を条件とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記（ｂ）の条件に代えて、（ｂ１）出口基板載置部に基板がないことが予測されること、を条件とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記（ｃ）の条件に代えて、（ｃ１）主搬送機構が搬送経路上の処理部の前に基板を移送したときに、その処理部が基板の入れ換え可能状態になっていることが予測されること、を条件とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記（ａ）の条件に代えて、（ａ２）入口基板載置部に基板が置かれていること、または、入口基板載置部に基板が置かれるのを待つために予め定められた待機時間が経過していること、を条件とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記（ａ）の条件に代えて、（ａ３）入口基板載置部に基板が置かれることが予測されること、または、入口基板載置部に基板が置かれるのを待つために予め定められた待機時間が経過していること、を条件とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項６または７記載の基板処理装置において、
ある被制御ユニットに基板が受け入れられて、その基板に必要な処理が施され、その基板が次の被制御ユニットに払出されるまでの時間を、その被制御ユニットのサイクル時間とした場合に、
前記待機時間は、本基板処理装置を構成する複数個の被制御ユニットの中で、最も長いサイクル時間をもつ被制御ユニットのサイクル時間である最大サイクル時間と同等以上の時間に設定されている基板処理装置。
【請求項９】
請求項８記載の基板処理装置において、
前記待機時間は、本基板処理装置を構成する複数個の被制御ユニットの中で、最も長いサイクル時間をもつ被制御ユニットのサイクル時間である最大サイクル時間と略同等の時間に設定されている基板処理装置。
【請求項１０】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記判定処理開始事象は、
（ア）入口基板載置部に基板が置かれたこと、
（イ）入口基板載置部に基板が置かれることが予測されること、
（ウ）搬送経路上の処理部が基板の入れ換え可能状態になっていること、
（エ）出口基板載置部の基板が払出されたこと、
（オ）出口基板載置部の基板が払出されたことが予測されること、
（カ）停止していた処理部への基板搬送が可能になったこと
の中のいずれか１つの事象を含む基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１つに記載の基板処理装置において、
前記入口基板載置部は、各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときに使われる送り用入口基板載置部と、各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときに使われる戻り用入口基板載置部とからなり、
前記出口基板載置部は、各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときに使われる送り用出口基板載置部と、各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときに使われる戻り用出口基板載置部とからなり、
前記各ユニット制御手段は、
前記判定処理開始事象が発生したときに、その事象が前記順方向の搬送に係る事象か、あるいは前記逆方向の搬送に係る事象かを判定し、
その事象が順方向の搬送に係る事象である場合には、順方向の搬送可能条件が成立しているか否かを判定し、その搬送可能条件が成立しているときは、順方向の基板搬送を実行し、
その事象が逆方向の搬送に係る事象である場合には、逆方向の搬送可能条件が成立しているか否かを判定し、その搬送可能条件が成立しているときは、逆方向の基板搬送を実行する基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の基板処理装置において、
前記複数個の被制御ユニットの中の少なくとも１つの被制御ユニットは、前記送り用入口基板載置部と、前記戻り用入口基板載置部と、前記送り用出口基板載置部と、前記戻り用出口基板載置部との他に、さらに別の入口基板載置部と出口基板載置部とを備えている基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示器用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板（以下、単に「基板」と称する）に、一連の処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成し、フォトレジスト膜が塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている。
【０００３】
これを図１３の平面図に示し、以下に説明する。この基板処理装置は、未処理の複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗ又は後述する処理部１０４での処理が完了した基板Ｗが収納されるカセットＣが複数個載置されるカセット載置台１０１と、各カセットＣの前を水平移動し、各カセットＣと後述する処理部１０４間で基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構１０８ａとを備えたインデクサ１０３と、複数個の処理部１０４と、複数個の処理部１０４間で基板Ｗを搬送する経路である基板主搬送経路１０５と、処理部１０４および外部処理装置１０７間で基板Ｗの受け渡しを中継するインターフェイス１０６とから構成されている。
【０００４】
外部処理装置１０７は、基板処理装置とは別体の装置であって、基板処理装置のインターフェイス１０６に対して着脱可能に構成されている。基板処理装置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置である場合、この外部処理装置１０７は、基板Ｗの露光処理を行う露光装置となる。
【０００５】
また、基板主搬送経路１０５上を搬送する主搬送機構１０８ｂと、インターフェイス１０６の搬送経路上を搬送する搬送機構１０８ｃとがそれぞれ配設されている。その他に、インデクサ１０３と基板主搬送経路１０５との連結部には載置台１０９ａ、基板主搬送経路１０５とインターフェイス１０６との連結部には載置台１０９ｂがそれぞれ配設されている。
【０００６】
上述した基板処理装置において、以下の手順で基板処理が行われる。未処理の基板Ｗを収納したカセットＣから１枚の基板を搬送機構１０８ａが取り出して、主搬送機構１０８ｂに基板Ｗを渡すために、載置台１０９ａまで搬送する。主搬送機構１０８ｂは、載置台１０９ａに載置された基板Ｗを受け取った後、各処理部１０４内で所定の処理（例えば、レジスト塗布などの処理）をそれぞれ行うために、それらの処理部１０４に基板Ｗをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了すると、主搬送機構１０８ｂはそれらの処理部１０４から基板Ｗをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別の処理部１０４（例えば、熱処理）に基板Ｗを搬入する。
【０００７】
このように露光前の一連の処理が終了すると、主搬送機構１０８ｂは、処理部１０４で処理された基板Ｗを載置部１０９ｂまで搬送する。搬送機構１０８ｃに基板Ｗを渡すために、上述した載置台１０９ｂに基板Ｗを載置する。搬送機構１０８ｃは、載置台１０９ｂに載置された基板Ｗを受け取った後、外部処理装置１０７まで搬送する。外部処理装置１０７に搬入して、所定の処理（例えば、露光処理などの処理）が終了すると、搬送機構１０８ｃは外部処理装置１０７から基板Ｗを搬出して、載置部１０９ｂまで搬送する。後は、主搬送機構１０８ｂによって各処理部１０４に基板が搬送され、露光後の一連の加熱処理、冷却処理、現像処理が行われ、全ての処理を完了した基板は搬送機構１０８ａを通じて所定のカセットＣに搬入される。そして、カセット載置台１０１から払い出されて、一連の基板処理が終了する。
【０００８】
従来、上記のような基板搬送は、いわゆる「タクト動作」により行われている。以下に図１４を参照して「タクト動作」について説明する。ここでは、説明の簡単のために、並設された４つの処理部１０４1〜１０４4間の基板搬送について説明する。ある処理部１０４における基板Wの実処理時間をTA、その処理部１０４への基板の搬入・搬出などに要する準備時間をTBとすると、その処理部１０４は「TA+TB」時間ごとに一枚の基板を払出せる能力を持つ。この実質的な処理時間「TA+TB」をその処理部１０４のサクイクル時間と呼ぶ。図１４に示した例では、処理部１０４1が「１９秒」、処理部１０４2が「２１秒」、処理部１０４3が「２４秒」、処理部１０４4が「２２秒」の各サイクル時間を有するとする。
【０００９】
複数枚の基板Wが処理部１０４1に順に投入されて、処理部１０４4に向かって順に搬送されて処理されるとすると、基板処理装置全体としての処理能力は、最大のサイクル時間をもつ処理部１０４3に応じて決まる。つまり、この基板処理装置は、２４秒に１枚の割合で基板を処理する能力をもつことになる。そこで、各処理部１０４1〜１０４4間で最大のサイクル時間に応じた時間（例えば、２４秒）ごとに基板Wが受け渡されるように、主搬送機構１０８ｂを時間的に規則正しく動作させる、これが「タクト動作」である。つまり「タクト動作」は、主搬送機構１０８ｂを、予め決められた一定の時間ごとに繰り返し動作させて基板を順に搬送してゆく基板搬送動作である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、上記のような「タクト動作」によって基板を搬送する従来の基板処理装置は、
基板が予め決められた時間ごとに処理部間を移送されて処理されてゆくので、各基板の履歴が一定になるという利点があるが、主搬送機構１０８ｂを時間的に正確に制御する必要があるので、基板処理装置を構成する処理部の個数が増加すると、制御が複雑になるという問題点がある。
【００１１】
また、基板処理装置内のある処理部で、例えば基板の処理時間を変更したり、あるいは、処理部の増設などを行った場合に、その影響は基板処理装置全体の基板搬送に及ぶので、このような仕様変更に対応するのが容易ではないという問題点もある。
【００１２】
さらに、図１４の例で言えば、主搬送機構１０８ｂは、各処理部１０４1〜１０４4の処理能力の高低に関わらず、全ての処理部１０４1〜１０４4間を決められた時間ごと（この例では「２４秒」ごと）に基板搬送するので、基板処理装置のスループットが低下するという問題点もある。
【００１３】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板搬送に係る制御を容易に行うことができ、しかもスループットを向上することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して構成される基板処理装置であって、前記各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられており、前記各被制御ユニットの主搬送機構は、前記入口基板載置部と前記出口基板載置部とを介して基板の受け渡しを行い、かつ、前記各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、各ユニット制御手段は、前記処理部に対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、次のように各々独立して行う、（１）各々のユニット制御手段に対応する被制御ユニット内で基板を移動させることができるかを判断するための搬送可能条件が予め設定されており、（２）前記搬送可能条件の判定処理を開始するための条件である判定処理開始事象が予め決められており、（３）前記判定処理開始事象が発生したときに、前記搬送可能条件が成立しているか否かを判定し、（４）前記搬送可能条件が成立しているときは、その被制御ユニット内の基板搬送を実行し、（５）前記搬送可能条件が成立していないときは、次の判定処理開始事象を待つことを特徴とする。
【００１５】
なお、本発明において、入口基板載置部および出口基板載置部は、１つの被制御ユニットを基準にして、基板載置部の機能を捉えたものである。つまり、ある被制御ユニットの出口基板載置部は、その被制御ユニットに隣接する被制御ユニットを基準にすれば入口基板載置部に相当する。このように、隣接する被制御ユニット間では、出口基板載置部と入口基板載置部とが一致している。
【００１６】
請求項１記載の発明によれば、基板に対する所要の処理が並設された複数個の被制御ユニットで順に行われる。各被制御ユニットでは、各々の主搬送機構が処理部に対して基板の受け渡しを並行して行う。つまり、各被制御ユニットの主搬送機構が同時並行的に作動することによって、各処理部に対する基板の受け渡しの速度が等価的に向上するので、基板処理装置のスループットを向上させることができる。しかも、入口基板載置部と出口基板載置部とが区別して設けられているので、その被制御ユニットに受け入れる基板と、その被制御ユニットから払い出す基板とが、基板載置部で干渉することがなく、各処理ブロック間の基板搬送を円滑に行うことができる。
【００１７】
本発明は、制御面からも基板処理装置のスループットを向上することを意図している。本発明の制御方式はいわゆる分散制御である。そのために、被制御ユニット間の基板の受け渡しを、区別された入口基板載置部と出口基板載置部とを介して行うようにしている。これにより、各被制御ユニットの制御手段は、入口基板載置部に置かれた基板の受け取りから始まって、出口基板載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御を行うだけでよい。つまり、隣接する被制御ユニットの主搬送機構の動きを考慮する必要がない。したがって、各被制御ユニットの制御手段の負担が少なくなり、基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、被制御ユニットの増減を比較的簡単に行うこともできる。これに対して、従来の基板処理装置は、基板搬送機構や各処理部を集中制御している関係で、基板搬送機構や各処理部の動作順序の決定作業（スケジューリング）が複雑であり、そのことがスループットの向上を妨げる一因ともなっている。
【００１８】
上記のように、本発明において、基板搬送に係る制御は被制御ユニットごとに独立して行われる。すなわち、各被制御ユニットのユニット制御手段には、その被制御ユニット内で基板を移動させることができるかを判断するための搬送可能条件が予め設定されているとともに、搬送可能条件の判定処理を開始するための条件である判定処理開始事象が予め決められている。各ユニット制御手段は、判定処理開始事象が発生したときに、搬送可能条件が成立しているか否かを判定する。
【００１９】
搬送可能条件が成立しているときは、その被制御ユニット内の基板搬送を実行する。具体的には、その被制御ユニットの入口基板載置部に置かれた基板を主搬送機構が受け取って、所要の処理部に搬送・搬入するとともに、その処理部で既に処理が終わっている基板を次の処理部に移す。その被制御ユニットで必要な処理が全て施された基板は、その被制御ユニットの出口基板載置部に置かれる。一方、搬送可能条件が成立していないときは、次の判定処理開始事象を待って、上記と同様に搬送可能条件の判定処理を行う。
【００２０】
以上のように、本発明によれば、各被制御ユニットが個別に、判定処理開始事象が発生したときに、搬送可能条件の成立を判定して、その被制御ユニット内の基板搬送を実行するようにしているので、各被制御ユニットの基板搬送制御は、隣接する被制御ユニットの基板搬送の状況を考慮する必要がない。したがって、基板処理装置を構成する被制御ユニットが多数あっても、基板搬送に係る制御を容易に行うことができる。また、ある被制御ユニットにおける基板の処理時間が変更されたり、あるいは、新たな被制御ユニットが増設されても、それに隣接する被制御ユニットの基板搬送制御を変更する必要がないので、汎用性の高い基板処理装置を実現することができる。
【００２１】
さらに、本発明によれば、各被制御ユニットの搬送可能条件の成立により基板が順次搬送されてゆくので、「タクト動作」によって基板を搬送する従来装置のように、予め定められた一定時間ごとに基板を搬送するものに比べて、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【００２２】
本発明において、好ましくは、前記搬送可能条件は、少なくとも、（ａ）入口基板載置部に基板が置かれていること、（ｂ）出口基板載置部に基板がないこと、（ｃ）搬送経路上の処理部が基板の入れ換え可能状態になっていること、の各条件が全て成立していることを条件とする（請求項２記載の発明）。
【００２３】
このような搬送可能条件が成立したときに被制御ユニット内の基板搬送を実行すれば、被制御ユニット内で基板が滞ることがない。つまり、入口基板載置部に置かれた基板が搬送経路上の次の処理部に搬送されて、処理済みの基板と入れ換えられ、処理済みの基板は次の必要な処理部に搬送されて、同様に処理済みの基板と入れ換えられる。そして、その被制御ユニットで必要な全ての処理を施された基板は、出口基板載置部に置かれる。
【００２４】
因みに、搬送可能条件として、（ａ）入口基板載置部に基板が置かれていること、のみを条件とした場合、搬送経路上の処理部が基板の入れ換え可能状態になっていないにもかかわらず、入口基板載置部に置かれた基板は処理部に搬送される。そうすると、その基板はその処理部が基板の入れ換えが可能になるまで、主搬送機構に保持された状態で待たされることになる。このような処理待ちの状態が基板に悪影響を与える場合がある。例えば、待ち時間の間に基板と主搬送機構との間に熱伝達が生じて、主搬送機構の温度が上昇すれば、後続の基板に主搬送機構から熱が伝わって、基板温度のバラツキを引き起こすおそれがある。もちろん、このような処理待ちが問題にならないのであれば、上記の（ａ）のみを搬送可能条件としてもよい。
【００２５】
上記の（ａ）の条件に代えて、（ａ１）入口基板載置部に基板が置かれることが予測されること、を条件としたり（請求項３記載の発明）、あるいは、前記（ｂ）の条件に代えて、（ｂ１）出口基板載置部に基板がないことが予測されること、を条件としたり（請求項４記載の発明）、あるいは、前記（ｃ）の条件に代えて、（ｃ１）主搬送機構が搬送経路上の処理部の前に基板を移送したときに、その処理部が基板の入れ換え可能状態になっていることが予測されること、を条件としてもよい（請求項５記載の発明）。
【００２６】
このような「予測」を行えば、請求項２の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の各条件が近い将来に成立することを見越して、主搬送機構が基板搬送の準備に入ることができる。例えば、入口基板載置部に基板が置かれることを予測して、主搬送機構が入口基板載置部に向けての移動を開始することができる。その結果、基板搬送の効率が向上し、もって基板処理装置のスループットを一層向上させることができる。
【００２７】
さらに、本発明において、前記（ａ）の条件に代えて、（ａ２）入口基板載置部に基板が置かれていること、または、入口基板載置部に基板が置かれるのを待つために予め定められた待機時間が経過していること、を条件としたり（請求項６記載の発明）、あるいは、前記（ａ）の条件に代えて、（ａ３）入口基板載置部に基板が置かれることが予測されること、または、入口基板載置部に基板が置かれるのを待つために予め定められた待機時間が経過していること、を条件とすることも好ましい（請求項７記載の発明）。
【００２８】
上記のように予め定められた待機時間が経過したときに、その被制御ユニット内の基板搬送を実行すれば、次のような利点がある。例えば、処理対象である基板群のロットを切り換えるために、基板処理装置への基板の供給が一時的に途切れた場合、上記の待機時間を設定していないと、主搬送機構が入口基板載置部に基板が置かれるのを長時間に亘って待つことになる。そうすると、その被制御ユニット内で既に処理の終わっている基板が次の処理部（あるいは、隣接する被制御ユニット）に送られなくなり、基板処理装置のスループットが低下する。上記の待機時間を設定することにより、主搬送機構が入口基板載置部に基板が置かれるのを長時間に亘って待つことを回避でき、基板処理装置のスループットの低下を防止することができる。
【００２９】
ある被制御ユニットに基板が受け入れられて、その基板に必要な処理が施され、その基板が次の被制御ユニットに払出されるまでの時間を、その被制御ユニットのサイクル時間とした場合に、前記待機時間は、本基板処理装置を構成する複数個の被制御ユニットの中で、最も長いサイクル時間をもつ被制御ユニットのサイクル時間である最大サイクル時間と同等以上の時間に設定されていることが好ましい（請求項８記載の発明）。
【００３０】
待機時間を上記のように設定すれば、一群の基板が途切れることなく連続的に投入されている通常動作時に、入口基板載置部に置かれた基板が不必要に長く待たされるという事態を回避することができる。
【００３１】
さらに好ましくは、前記待機時間は、最大サイクル時間と略同等の時間に設定される（請求項９記載の発明）。
【００３２】
待機時間を上記のように設定すれば、通常動作時に入口基板載置部に置かれた基板が不必要に長く待たされることがなく、また、基板の投入が途切れた場合に主搬送機構が入口基板載置部に基板が置かれるのを不必要に長く待つこともなく、基板の搬送効率を一層高めることができる。
【００３３】
本発明において、前記判定処理開始事象は、例えば、（ア）入口基板載置部に基板が置かれたこと、（イ）入口基板載置部に基板が置かれることが予測されること、（ウ）搬送経路上の処理部が基板の入れ換え可能状態になっていること、（エ）出口基板載置部の基板が払出されたこと、（オ）出口基板載置部の基板が払出されたことが予測されること、（カ）停止していた処理部への基板搬送が可能になったことの中のいずれか１つの事象を含む（請求項１０記載の発明）。
【００３４】
判定処理開始事象として、上記のような事象を用いることにより、搬送可能条件が適切なタイミングで判定され、もって基板処理装置のスループットを高めることができる。
【００３５】
さらに、本発明において、好ましくは、前記入口基板載置部は、各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときに使われる送り用入口基板載置部と、各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときに使われる戻り用入口基板載置部とからなり、前記出口基板載置部は、各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときに使われる送り用出口基板載置部と、各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときに使われる戻り用出口基板載置部とからなり、前記各ユニット制御手段は、前記判定処理開始事象が発生したときに、その事象が前記順方向の搬送に係る事象か、あるいは前記逆方向の搬送に係る事象かを判定し、その事象が順方向の搬送に係る事象である場合には、順方向の搬送可能条件が成立しているか否かを判定し、その搬送可能条件が成立しているときは、順方向の基板搬送を実行し、その事象が逆方向の搬送に係る事象である場合には、逆方向の搬送可能条件が成立しているか否かを判定し、その搬送可能条件が成立しているときは、逆方向の基板搬送を実行する（請求項１１記載の発明）。
【００３６】
このように構成すれば、順方向の基板搬送と逆方向の基板搬送とが干渉することなく、しかも双方向に効率よく基板を搬送することができ、もって基板処理装置のスループットを向上することができる。
【００３７】
また、本発明において、好ましくは、前記複数個の被制御ユニットの中の少なくとも１つの被制御ユニットは、前記送り用入口基板載置部と、前記戻り用入口基板載置部と、前記送り用出口基板載置部と、前記戻り用出口基板載置部との他に、さらに別の入口基板載置部と出口基板載置部とを備えている（請求項１２記載の発明）。
【００３８】
このように構成すれば、別の入口基板載置部と出口基板載置部とを介して、別の被制御ユニットとの間で基板の受け渡しを行うことができるので、被制御ユニット群の配置の自由度が向上する。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、各被制御ユニットが個別に、判定処理開始事象が発生したときに、搬送可能条件の成立を判定して、その被制御ユニット内の基板搬送を実行するようにしているので、基板処理装置を構成する被制御ユニットが多数あっても、基板搬送に係る制御が容易であり、汎用性の高い基板処理装置を実現することができる。さらに、本発明によれば、各被制御ユニットが各々の搬送可能条件の成立に基づいて基板搬送を実行するので、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図１は実施例に係る基板処理装置の平面図、図２はその正面図、図３は熱処理部の正面図である。
【００４１】
ここでは、半導体ウエハ（以下、単に「基板」という）に、反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、露光された基板に現像処理などの薬液処理を行う基板処理装置を例に採って説明する。もちろん、本発明に係る基板処理装置が取り扱い得る基板は、半導体ウエハに限らず、液晶表示器用のガラス基板など種々の基板を含む。また、薬液処理は、フォトレジスト膜などの塗布形成処理や現像処理に限らず、種々の薬液処理を含む。
＄
図１を参照する。本実施例に係る基板処理装置は大きく分けて、インデクサブロック１と、基板に対して所要の薬液処理を行う３つの処理ブロック（具体的には反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、および現像処理ブロック４）と、インターフェイスブロック５とからなり、これらのブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５には、本実施例に係る基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置（ステッパー）ＳＴＰが並設される。これらのブロック１〜５は、本実施例に係る基板処理装置を機構的に分割した要素である。具体的には、各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている（図８（ａ）参照）。
【００４２】
一方、本実施例に係る基板処理装置の特徴の１つとして、基板搬送に係る被制御ユニットの単位を機械的要素である各ブロックとは別に構成している。すなわち、基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して基板処理装置を構成している。各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられている。そして、各被制御ユニットの主搬送機構は、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して、互いに基板の受け渡しを行い、かつ、各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、各ユニット制御手段は、前記処理部に対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して行うようになっている。
＄
以下、本実施例装置における被制御ユニットの単位を「セル」という。実施例装置の制御系を構成する各セルの配置を図８（ｂ）に示す。同図において、Ｃ１はインデクサセル、Ｃ２は反射防止膜用処理セル、Ｃ３はレジスト膜用処理セル、Ｃ４は現像処理セル、Ｃ５は露光後加熱用処理セル、Ｃ６はインターフェイスセルである。
【００４３】
以下では、説明の便宜上、まず実施例装置の構成を各ブロックごとに説明し、続いて各ブロック１〜５と各セルＣ１〜Ｃ６の対応関係を説明し、最後に実施例装置における基板搬送制御について説明する。
【００４４】
まず、インデクサブロック１について説明する。インンデクサブロック１は、基板Ｗを多段に収納するカセットＣからの基板の取り出しや、カセットＣへの基板Ｗの収納を行う機構である。具体的には、複数個のカッセトＣを並べて載置するカセット載置台６と、各カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出すとともに、各カセットＣへ処理済の基板Ｗを順に収納するインデクサ用搬送機構７とを備えている。インデクサ用搬送機構７は、カセット載置台６に沿って（Ｙ方向に)水平移動可能な可動台７ａを備えている。この可動台７ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂが搭載されている。保持アーム７ｂは、可動台７ａ上を昇降（Ｚ方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
【００４５】
上述したインデクサブロック１に隣接して反射防止膜処理ブロック２が設けられている。図４に示すように、インデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にインデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられている。
【００４６】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ１はインデクサブロック１から反射防止膜処理ブロック２へ基板Ｗを払い出すために、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は反射防止膜処理ブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。反射防止膜処理ブロック２を基準にして言えば、基板載置部ＰＡＳＳ１は、反射防止膜処理ブロック２に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部に相当する。特に、インデクサブロック１から露光装置ＳＴＰに向かって流れる基板Ｗの搬送方向を順方向とした場合に、基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗを順方向に搬送するときに使われる送り用入口基板載置部に相当する。一方、基板載置部ＰＡＳＳ２は、反射防止膜処理ブロック２から基板Ｗを払い出すための出口基板載置部であり、特に、基板Ｗを逆方向（本実施例では、露光装置ＳＴＰからインデクサブロック１に向かって流れる基板Ｗの搬送方向）に搬送するときに使われる戻り用出口基板載置部に相当する。
【００４７】
基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、隔壁１３を部分的に貫通して設けられている。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、固定設置された複数本の支持ピンから構成されており、この点は後述する他の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０も同様である。また、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する図示しない光学式のセンサが設けられており、各センサの検出信号に基づいてインデクサ用搬送機構７や、後述する反射防止膜用処理ブロック２の第1の主搬送機構１０Ａが、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対して基板を受け渡しできる状態であるかどうかを判断するようになっている。同様のセンサは他の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０にも設けられている。
【００４８】
反射防止膜処理ブロック２について説明する。反射防止膜処理ブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下部に反射防止膜を塗布形成するための機構である。具体的には、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布処理部８と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板Ｗを熱処理する反射防止膜用熱処理部９と、反射防止膜用塗布処理部８および反射防止膜用熱処理部９に対して基板Ｗの受け渡しをする第１の主搬送機構１０Ａとを備える。
【００４９】
反射防止膜処理ブロック２は、第１の主搬送機構１０Ａを挟んで反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９とが対向して配置されている。具体的には、塗布処理部８が装置正面側に、熱処理部９が装置背面側に、それぞれ位置している。このように薬液処理部と熱処理部とを主搬送機構を挟んで対向配置する点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４においても同様である。このような配置にすれば、薬液処理部と熱処理部とが隔たるので、薬液処理部が熱処理部から受ける熱的影響を抑えることができる。また、本実施例では、熱処理部９の正面側に図示しない熱隔壁を設けて、反射防止膜用塗布処理部８への熱的影響を回避している。同様な熱隔壁は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４にも設けられている。
【００５０】
反射防止膜用塗布処理部８は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「８」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部８は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１１や、このスピンチャック１１上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル１２などを備えている。
【００５１】
反射防止膜用熱処理部９は、図３に示すように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱プレートＨＰ、加熱された基板Ｗを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートＣＰ、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する複数個のアドヒージョン処理部ＡＨＬなどの熱処理部を含む。これらの熱処理部９の下部には、ヒータコントローラ（ＣＯＮＴ）が配設され、また熱処理部９の上部（図３中に「×」印で示した個所）には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。
【００５２】
反射防止膜用熱処理部９は、各熱処理部（ＨＰ，ＣＰ，ＡＨＬ）を上下に積層配置して構成されているとともに、積層配置された一群の熱処理部が複数例（本実施例では２列）にわたり並設されている。薬液処理部を上下に積層配置している点、および上下に積層配置した一群の熱処理部を複数列にわたり並設している点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４においても同様である。
【００５３】
上述したように各処理ブロック２〜４で薬液処理部や熱処理部を上下に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくすることができる。また、積層配置した一群の記熱処理部を複数列にわたり並設することにより、熱処理部のメンテナンスが容易になるとともに、熱処理部に必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。
【００５４】
第１の主搬送機構１０Ａについて説明する。なお、後述する他のレジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、およびインターフェイスブロック５にそれぞれ備えられた第２、第３、第４の各主搬送機構１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄも同様に構成されている。以下、第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄを特に区別しない場合は、主搬送機構１０として説明する。
【００５５】
図６を参照する。同図（ａ）は主搬送機構１０の平面図、（ｂ）はその正面図である。主搬送機構１０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個の保持アーム１０ａ、１０ｂを上下に近接して備えている。保持アーム１０ａ、１０ｂは、先端部が平面視で「Ｃ］の字状になっており、この「Ｃ」の字状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン１０ｃで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。主搬送機構１０の基台１０ｄは装置基台に対して固定設置されている。この基台１０ｄ上に螺軸１０ｅが回転可能に立設支持されている。基台１０ｄに螺軸１０ｅを回転駆動するモータ１０ｆが設けられている。螺軸１０ｅに昇降台１０ｇが螺合されており、モータ１０ｆが螺軸１０ｅを回転駆動することにより、昇降台１０ｇがガイド軸１０ｊに案内されて昇降移動するようになっている。昇降台１０ｇ上にアーム基台１０ｈが縦軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ｇにはアーム基台１０ｈを旋回駆動するモータ１０ｉが設けられている。アーム基台１０ｈ上に上述した２つの保持アーム１０ａ、１０ｂが上下に配設されている。各保持アーム１０ａ、１０ｂは、アーム基台１０ｈ内に装備された駆動機構（図示せず）によって、各々が独立してアーム基台１０ｈの旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
【００５６】
上述した反射防止膜処理ブロック２に隣接してレジスト膜処理ブロック３が設けられている。図４に示すように、反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３に反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられている。
【００５７】
上述した基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２の場合と同様に、上側の基板載置部ＰＡＳＳ３が基板Ｗの払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４が基板Ｗの戻し用になっているとともに、これらの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４は隔壁１３を部分的に貫通している。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ３は、反射防止膜処理ブロック２を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ４は、反射防止膜処理ブロック２を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。これらの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが隔壁１３を貫通して上下に設けられている。
【００５８】
レジスト膜用処理ブロック３について説明する。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布形成する機構である。なお、本実施例では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部１５と、フォトレジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジスト膜用熱処理部１６と、レジスト膜用塗布処理部１５およびレジスト膜用熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをする第２の主搬送機構１０Ｂとを備える。
【００５９】
レジスト膜用塗布処理部１５は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つのレジスト膜用塗布処理部１５ａ〜１５ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「１５」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部１５は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１７や、このスピンチャック１７上に保持された基板Ｗ上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル１８などを備えている。
【００６０】
レジスト膜用熱処理部１６は、図３に示すように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する基板仮置部付きの複数個の加熱部ＰＨＰ、基板Ｗを常温にまで高い精度で冷却する複数個の冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、反射防止膜用処理ブロック２の場合と同様である。
【００６１】
基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰについて説明する。図７を参照する。同図（ａ）は加熱部ＰＨＰの破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。加熱部ＰＨＰは、基板Ｗを載置して加熱処理をする加熱プレートＨＰと、この加熱プレートＨＰから離れた上方位置または下方位置（本実施例では上方位置）に基板Ｗを載置しておく基板仮置部１９と、加熱プレートＨＰと基板仮置部１９との間で基板Ｗを搬送する熱処理部用のローカル搬送機構２０とを備えている。加熱プレートＨＰには、プレート表面に出没する複数本の可動支持ピン２１が設けられている。加熱プレートＨＰの上方には加熱処理時に基板Ｗを覆う昇降自在の上蓋２２が設けられている。基板仮置部１９には基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン２３が設けられている。
【００６２】
ローカル搬送機構２０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する保持プレート２４を備え、この保持プレート２４がネジ送り駆動機構２５によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構２６によって進退移動されるようになっている。保持プレート２４は、これが加熱プレートＨＰや基板仮置部１９の上方に進出したときに、可動支持ピン２１や固定支持ピン２３と干渉しなように複数本のスリット２４ａが形成されている。また、ローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰから基板仮置部１９へ基板Ｗを搬送する過程で基板を冷却する手段を備えている。この冷却手段は、例えば保持プレート２４の内部に冷却水流路２４ｂを設け、この冷却水流路２４ｂに冷却水を流通させることによって構成されている。
【００６３】
上述したローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を挟んで第２の主搬送機構１０Ｂとは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を覆う筐体２７の上部、すなわち基板仮置部１９を覆う部位には、その正面側に第２の主搬送機構１０Ｂの進入を許容する開口部１９ａが、その背面側にはローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｂが、それぞれ設けられている。また、筐体２７の下部、すなわち加熱プレートＨＰを覆う部位は、その正面側が閉塞し、その背面側にローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｃが設けられている。
【００６４】
上述した加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの出し入れは以下のようにして行われる。まず、主搬送機構１０（レジスト膜用処理ブロック３の場合は、第２の主搬送機構１０Ｂ）が基板Ｗを保持して、基板仮置部１９の固定支持ピン２３の上に基板Ｗを載置する。続いてローカル搬送機構２０の保持プレート２４が基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持プレート２４は筐体２７から退出して、加熱プレートＨＰに対向する位置にまで下降する。このとき加熱プレートＨＰの可動支持ピン２１は下降しているとともに、上蓋２２は上昇している。基板Ｗを保持した保持プレート２４は加熱プレートＨＰの上方に進出する。可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを受け取った後に保持プレート２４が退出する。続いて可動支持ピン２１が下降して基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に載せるとともに、上蓋２２が下降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理される。加熱処理が終わると上蓋２２が上昇するとともに、可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続いて保持プレート２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支持ピン２３が下降することにより、基板Ｗが保持プレート２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持プレート２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部１９に搬送する。基板仮置部１９内で保持プレート２４に支持された基板Ｗが、保持プレート２４が有する冷却機能によって冷却される。保持プレート２４は、冷却した（常温に戻した）基板Ｗを基板仮置部１９の固定支持ピン２３上に移載する。この基板Ｗを主搬送機構１０が取り出して搬送する。
【００６５】
以上のように、主搬送機構１０は、基板仮置部１９に対して基板Ｗの受け渡しをするだけで、加熱プレートＨＰに対して基板の受け渡しをしないので、主搬送機構１０が温度上昇するのを回避することができる。また、加熱プレートＨＰに基板Ｗを出し入れするための開口部１９ｃが、主搬送機構１０が配置された側とは反対側に位置しているので、開口部１９ｃから漏れ出た熱雰囲気で主搬送機構１０が温度上昇することがなく、またレジスト膜用塗布処理部１５が開口部１９ｃから漏れ出た熱雰囲気で悪影響を受けることもない。
【００６６】
上述したレジスト膜処理ブロック３に隣接して現像処理ブロック４が設けられている。図４に示すように、レジスト膜処理ブロック３と現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられており、この隔壁１３に両処理ブロック３、４間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，６と、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが上下に積層して設けられている。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、現像処理ブロック４を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ６は、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、現像処理ブロック４を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００６７】
現像処理ブロック４について説明する。現像処理ブロック４は、露光された基板Ｗに対して現像処理をする機構である。具体的には、露光された基板Ｗに現像処理をする現像処理部３０と、現像処理に関連して基板を熱処理する現像用熱処理部３１と、現像処理部３０および現像用熱処理部３１に対して基板Ｗの受け渡しをする第３の主搬送機構１０Ｃとを備える。
【００６８】
現像処理部３０は、図２に示すように、同様の構成を備えた５つの現像処理部３０ａ〜３０ｅ（以下、特に区別しない場合は符号「３０」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各現像処理部３０は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３２や、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３３などを備えている。
【００６９】
現像用熱処理部３１は、図３に示すように、各々複数個の加熱プレートＨＰ、基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰ、冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、他の処理ブロック２、３の場合と同様である。現像用熱処理部３１の右側（インターフェイスブロック５に隣接している側）の熱処理部の列には、現像処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７が基板Ｗの払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８が基板Ｗの戻し用になっている。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、インターフェイスブロック５を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、インターフェイスブロック５を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００７０】
インターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをする機構である。本実施例装置におけるインターフェイスブロック５には、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しをするためのインターフェイス用搬送機構３５の他に、フォトレジストが塗布された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光部ＥＥＷと、現像処理ブロック４内に配設された基板仮置部付きの熱処理部ＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする第４の主搬送機構１０Ｄを備えている。
【００７１】
エッジ露光部ＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３６や、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器３７などを備えている。２つのエッジ露光部ＥＥＷは、インターフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理部とに隣接して配置されている第４の主搬送機構１０Ｄは、図６で説明した主搬送機構１０と同様の構成を備えている。
【００７２】
図２および図５を参照する。図５はインターフェイスブロック５の側面図である。２つのエッジ露光部ＥＥＷの下側に、基板戻し用のバッファＲＢＦがあり、さらにその下側に２つの基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０が積層配置されている。基板戻し用のバッファＲＢＦは、故障などのために現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理をすることができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、第４の主搬送機構１０Ｄとインターフェイス用搬送機構３５との間で基板Ｗの受け渡しを行うためのもので、上側が基板払出し用、下側が基板戻し用になっている。
【００７３】
インターフェイス用搬送機構３５は、図１および図５に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台３５ａを備え、この可動台３５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム３５ｂを搭載している。保持アーム３５ｂは、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。インターフェイス用搬送機構３５の搬送経路の一端（図５中に示す位置Ｐ１）は、積層された基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０の下方にまで延びており、この位置Ｐ１で露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。また、搬送経路の他端位置Ｐ２では、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、送り用バッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納と取り出しとを行う。送り用バッファＳＢＦは、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。
【００７４】
以上のように構成された基板処理装置は、インデクサブロック１、各処理ブロック２、３、４、およびインターフェイスブロック５内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれて、外部環境からのパーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、反射防止膜用処理ブロック２内の気圧はインデクサブロク１内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、インデクサブロック１内の雰囲気が反射防止膜用処理ブロック２に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理ブロック２、３、４で処理を行うことができる。
【００７５】
次に、本実施例に係る基板処理装置を機構的に分割した要素である上述の各ブロック１〜５と、本実施例装置における制御の単位である各被制御ユニット（セル）Ｃ１〜Ｃ６との関係について説明する。
【００７６】
インデクサセルＣ１は、カセット載置台６とインデクサ用搬送機構７とを含む。このセルＣ１は、結果として機械的に分割した要素であるインデクサブロック１と同じ構成になっている。反射防止膜用処理セルＣ２は、反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９と第１の主搬送機構１０Ａとを含む。このセルＣ２も、結果として機械的に分割した要素である反射防止膜用処理ブロック２と同じ構成になっている。レジスト膜用処理セルＣ３は、レジスト膜用塗布処理部１５とレジスト膜用熱処理部１６と第２の主搬送機構１０Ｂとを含む。このセルＣ３も、結果として機械的に分割した要素であるレジスト膜用処理ブロック３と同じ構成になっている。
【００７７】
一方、現像処理セルＣ４は、現像処理部３０と、露光後加熱に使われる熱処理部（実施例では、加熱部ＰＨＰ）を除いた現像用熱処理部３１と、第３の主搬送機構１０Ｃとを含む。このセルＣ３は、露光後加熱に使われる加熱部ＰＨＰを含んでいない点で、機械的に分割した要素である現像処理ブロック４とは異なる構成になっている。
【００７８】
露光後加熱用処理セルＣ５は、露光された基板Ｗを現像前に加熱処理する露光後加熱用の熱処理部（実施例では、現像処理ブロック４に設けられた加熱部ＰＨＰ）と、エッジ露光部ＥＥＷと、第４の主搬送機構１０Ｄとを含む。このセルＣ５は、機械的に分割した要素である現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とにまたがるもので、本実施例装置の特徴的なセルである。このように露光後加熱用の熱処理部（加熱部ＰＨＰ）と第４の主搬送機構１０Ｄとを含んで１つのセルを構成しているので、露光された基板を速やかに加熱部ＰＨＰに搬入して熱処理を行うことができる。これは露光後の加熱を速やかに行う必要がある化学増幅型フォトレジストを用いた場合に好適である。
【００７９】
なお、上述した基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８は、現像処理セルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃと、露光後加熱用処理セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄとの間の基板Ｗの受け渡しに介在する。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理セルＣ４を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ８は、現像処理セルＣ４を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００８０】
インターフェイスセルＣ６は、外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをするインターフェイス用搬送機構３５を含む。このセルＣ６は、第４の主搬送機構１０Ｄやエッジ露光部ＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した要素であるインターフェイスブロック５とは異なる構成になっている。なお、上述した基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、露光後加熱用処理セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄと、インターフェイス用搬送機構３５との間の基板Ｗの受け渡しに介在する。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ９は、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ１０は、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００８１】
本実施例装置は、上述した６つのセルＣ１〜Ｃ６を並設して構成されており、各セルＣ１〜Ｃ６間の基板の受け渡しは、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０を介して行われる。換言すれば、本発明における単一の被制御ユニット（セル）は、単一の主搬送機構を含み、その主搬送機構が、特定の入口基板載置部から受け取った基板を特定の出口基板載置部に置くまでに、基板の受け渡しを行う処理部を含んで構成される。
【００８２】
図９（ａ）に示すように、セルＣ１〜Ｃ６は、各々のセルの主搬送機構（インデクサ用搬送機構７およびインターフェイス用搬送機構３５を含む）の基板受け渡し動作を少なくとも制御するセルコントローラ（ユニット制御手段）ＣＴ１〜ＣＴ６を個別に備えている。各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の入口基板載置部に置かれた基板の受け取りから始まって、所定の出口基板載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御を、各々独立して行うようになっている。具体的には、各セルＣ１〜Ｃ６のセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の基板載置部に基板を置いたという情報を、隣のセルのセルコントラーラに送り、その基板を受け取ったセルのセルコントローラは、所定の基板載置部から基板を受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラに返すという情報のやり取りを行う。このような情報のやり取りは、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６に接続されて、これらを統括的に管理するメインコントローラ（主制御手段）ＭＣを介して行われる。メインコントローラＭＣは、本実施例に係る基板処理装置が設置される半導体製造行程の全体を管理するホストコンピュータＨＣとの間で通信可能に構成されている。各セルＣ１〜Ｃ６内の基板処理状況は各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６を介してメインコントローラＭＣに集められてホストコンピュータＨＣに伝達される。これにより、各セルＣ１〜Ｃ６の状態をホストコンピュータＨＣで容易に把握できるようになっている。
【００８３】
各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、隣接するセル内での主搬送機構の動きを考慮することなく、各セル内の基板の受け渡しだけを対象にして制御を進めている。したがって、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御の負担が少なくなる。これに対して、従来の基板処理装置の制御手法によると、図９（ｂ）に示すように、各ブロック１〜５が基板処理のスケジュール管理用のコントローラＣＴ０に基板搬送に係る情報を与えて、コントローラＣＴ０が統括的に基板搬送を管理しているので、コントローラＣＴ１０の負担が多くなる。
【００８４】
以上のように本実施例によれば各セルのコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御負担が少なくなるので、それだけ基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、図９（ｂ）に示した従来の制御手法によると、新たに処理部を追加すると、コントローラＣＴ０のスケジュール管理用のプログラムを大幅に修正する必要が生じるが、本発明に係る制御手法によれば、新たにセルを追加しても、隣接するセルに影響を与えないので、セルの追加を容易に行うことができる。追加するセルの種類は特に限定されないが、例えば、レジスト膜用処理セルＣ３と現像処理セルＣ４との間に、基板Ｗに塗布されたレジスト膜の厚みを検査したり、あるいは現像後のレジスト膜の線幅を検査する検査用セルを追加してもよい。この場合、検査用セルは、本実施例装置の他のセルと同様に、基板を検査する基板検査部と、この検査部に対して基板を搬送する基板検査用の主搬送機構とを含んで構成される。また、検査用セルと隣接セルとの間の基板の受け渡しは、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して行われる。
【００８５】
本実施例に係る基板処理装置の他の特徴は、被制御ユニットである反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、および現像処理セルＣ４が、主搬送機構を使って基板Ｗを特定の位置から別の位置に搬送する工程を１工程とした場合に、各セルＣ２、Ｃ３、Ｃ４の第１、第２、第３の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、略同数の搬送工程を負担している点にある。詳しくは、後述する本実施例装置の動作説明で明らかにするが、図１０に示したように、上記主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、略６つの搬送工程を負担している。
【００８６】
本実施例装置において、主搬送機構１０が１搬送工程に要する時間は約４秒である。したがって、各セルＣ２〜Ｃ３において、主搬送機構１０は６搬送工程を負担するので、各セルＣ２〜Ｃ３は２４秒に１回の割合（２４秒の処理周期）で基板Ｗを隣接するセルに排出することになる。つまり、本実施例装置は、１時間あたり１５０枚の基板Ｗを処理することができる。仮に、１つの主搬送機構が負担する搬送工程の数が、他の主搬送機構に比べて多くなると、その主搬送機構が属するセルの処理周期（サイクル時間）によって、基板処理装置のスループットが決定される。例えば、セルＣ２、Ｃ４の各主搬送機構１０Ａ、１０Ｃが各々５つの搬送工程を負担し、セルＣ３の主搬送機構１０Ｂが８つの搬送工程を負担する場合、セルＣ２〜Ｃ４間では、セルＣ３の処理周期（この場合、３２秒）でしか基板Ｗが流れないので、セルＣ２、Ｃ４の主搬送機構１０Ａ、１０Ｃに余裕があったとしても、その基板処理装置は１時間あたり１１２．５枚しか基板Ｗを処理することができない。
【００８７】
これに対して本実施例装置では、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、および現像処理セルＣ４の各主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃが略同数の搬送工程を負担するので、いずれか１つの主搬送機構が早く搬送処理の限界に陥ることが回避でき、結果として、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【００８８】
一方、現像処理セルＣ４に隣接する露光後加熱用処理セルＣ５に関しては、そのセルＣ５に属する第４の主搬送機構１０Ｄの負担する搬送工程が５つに設定されている。露光後加熱用処理セルＣ５は、基板Ｗが露光されてから加熱処理を行うまでの時間を厳密に管理する必要があるので、第４の主搬送機構１０Ｄの搬送負担に余裕をもたせる意味で、その搬送負担を他のセルに比べて低く設定してある。第４の主搬送機構１０Ｄに特に余裕をもたせる必要がなければ、本処理セルＣ５は、１搬送工程分だけの空きをもっていることになる。この空き搬送工程を利用して、露光後加熱用処理セルＣ５に新たな処理部、例えば基板Ｗの検査部を追加することも可能である。基板検査部を追加してもセルＣ５の主搬送機構１０Ｄは、他のセルの主搬送機構と同様に６つの搬送工程を負担することになる。つまり、搬送工程に余裕のあるセルＣ５に基板検査部を追加しても、セルＣ５の処理周期は他のセルと同じ２４秒になるだけであるので、基板処理装置のスループットが低下することはない。
【００８９】
次に、本実施例に係る基板処理装置の動作を説明する。特に、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、現像処理セルＣ４、および露光後加熱用処理セルＣ５の各主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄによる各搬送工程については図１０を参照されたい。なお、以下の説明では理解の容易のために、まず各セルC1〜C６内における一連の基板の流れを説明し、その後で各セルC1〜C6内で基板搬送を開始するための搬送可能条件の判定処理について説明する。
【００９０】
まず、インデクサセルＣ１（インデクサブロック１）のインデクサ用搬送機構７が、所定のカセットＣに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム７ｂが昇降および進退移動することにより、そのカセットＣに収納されている未処理の基板Ｗを取り出す。保持アーム７ｂに基板Ｗを保持した状態で、インデクサ用搬送機構７が、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで水平移動する。そして、保持アーム７ｂ上の基板Ｗを基板払出し用の上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、インデクサ用搬送機構７は、その処理済みの基板Ｗを保持アーム７ｂ上に受け取って、所定のカッセトＣに処理済みの基板Ｗを収納する。以下、同様にカセットＣから未処理基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送するとともに、処理済み基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２から受け取ってカセットＣに収納するという動作を繰り返し行う。
【００９１】
反射防止膜用処理セルＣ２（反射防止膜用処理ブロック２）の動作を説明する。反射防止膜用処理セルＣ２のセルコントローラＣＴ２は、後述する判定処理開始事象が発生したときに、そのセルＣ２内で後述する搬送可能条件が成立しているか否かを判定する。そして、順方向送りの搬送可能条件が成立していれば、次のように順方向の基板搬送を実行する。
【００９２】
基板載置部ＰＡＳＳ１（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれた未処理基板Ｗを受け取るために、図１０に示すように、セルＣ２の第１の主搬送機構１０Ａは、保持アーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで一体に昇降および旋回移動させる。そして、一方の保持アーム１０ｂに保持している処理済みの基板Ｗを下側の戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ２（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）に置き、その後、上側の送り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１に置かれている未処理基板Ｗを、空の状態になった一方の保持アーム１０ｂを再び駆動して、その保持アーム１０ｂ上に受け取るという、保持アーム１０ｂだけを使った処理済み基板Ｗおよび未処理基板Ｗの受け渡し動作を行う。
【００９３】
具体的には、保持アーム１０ｂを前進移動させて戻り用出口基板載置部ＰＡＳＳ２上に処理済みの基板Ｗを置く。処理済みの基板Ｗを渡した保持アーム１０ｂは元の位置にまで後退する。続いて、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し上昇させた後、空の状態になった保持アーム１０ｂを再び前進移動させて送り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１上の未処理基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。基板Ｗを受け取った保持アーム１０ｂは元の位置にまで後退する。
【００９４】
上述したように、本実施例では、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する処理済み基板Ｗおよび未処理基板Ｗの受け渡し動作を保持アーム１０ｂだけを使って行っている。一方の保持アーム１０ａに保持した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に渡した後は、両方の保持アーム１０ａ、１０ｂは空の状態になっているので、いずれの保持アーム１０ａ、１０ｂを使っても基板載置部ＰＡＳＳ１の基板Ｗを受け取ることができる。しかし、本実施例では、加熱プレートＨＰで処理されて加熱された基板Ｗを、上側に配置された保持アーム１０ａで受け取るために、元々空の状態にあった保持アーム１０ａを使わずに、保持アーム１０ｂを再駆動して基板載置部ＰＡＳＳ１の基板Ｗを受け取るように構成してある。このような２つの基板載置部に対して一方の保持アーム１０ｂだけを使って基板Ｗの受け渡しをする手法は、後述する他の処理セルＣ２〜Ｃ４（ただし、露光後加熱用処理セルＣ５を除く）においても同様である。
【００９５】
以上の基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する未処理基板Ｗおよび処理済み基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（１＋α）で示されている。ここで、「α」は、未処理基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１から受け取るために、保持アーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ２に対向する位置から基板載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置にまで少し上昇移動させた搬送工程を示している。上述したように、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は上下に近接して配置されているので、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２間の移動に要する時間は僅かであり無視することができる。したがって、搬送工程（１＋α）は、１搬送工程（本実施例では、主搬送機構を使って所定時間（例えば、４秒）以内に行われる基板の受け渡し動作）であるとして取り扱うことができる。
【００９６】
基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第１の主搬送機構１０Ａは、基板Ｗを保持していない空の状態の保持アーム１０ａと、未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、反射防止膜用熱処理部９の所定の冷却プレートＣＰに対向させる。通常、この冷却プレートＣＰには、先行処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。冷却プレートＣＰに載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、常温にまで精度よく冷却される。なお、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使った冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しは、保持アーム１０ａ、１０ｂの昇降動作を伴わずに行われるので、この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、第１の主搬送機構１０Ａの１搬送工程内に行われる（図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（２）参照）。
【００９７】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の反射防止膜用塗布処理部８に対向させる。通常、この反射防止膜用塗布処理部８には、先行処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その反射防止膜用塗布処理部８にあるスピンチャック１１上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗをそのスピンチャック１１上に置く。スピンチャック１１上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、反射防止膜が塗布形成される。スピンチャック１１に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（３）に相当する。なお、図１０中の「ＢＡＲＣ」は反射防止膜用塗布処理部８を意味する。
【００９８】
スピンチャック１１への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、反射防止膜が塗布された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の加熱プレートＨＰに対向させる。通常、この加熱プレートＨＰにも先行処理されている基板Ｗが入っているので、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。加熱プレートＨＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に熱処理されて、基板Ｗ上の反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が除去される。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（４）に相当する。
【００９９】
加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレートＷＣＰに対向させる。上述したと同様に、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。冷却プレートＷＣＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に大まかに冷却処理される。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（５）に相当する。
【０１００】
冷却プレートＷＣＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、大まかに冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に上昇させて、冷却プレートＷＣＰの上方に配設されている基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対向させる。そして、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板載置部ＰＡＳＳ３（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）上に基板Ｗを置く。通常、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）に、レジスト膜用処理セルＣ３を介して現像処理セルＣ４から送られてきた現像処理済みの基板Ｗが置かれている。そこで、逆方向の搬送可能条件が成立していれば、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し下降させた後、空の状態になった保持アーム１０ｂを再び前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ４上の現像処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。
【０１０１】
基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（６＋α）に相当する。「α」は上述したと同様に、保持アーム１０ａ、１０ｂが僅かに昇降する短時間の搬送工程である。したがって、搬送工程（６＋α）は１搬送工程であるとして取り扱うことができる。
【０１０２】
反射防止膜用処理セルＣ２に備えられた第１の主搬送機構１０Ａは、搬送可能条件の成立に応じて、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）を合計すると、第１の主搬送機構１０Ａは、略６つの搬送工程を負担することになる。１搬送工程に要する搬送時間を４秒とすると、第１の主搬送機構１０Ａは略２４秒で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣のレジスト膜用処理セルＣ３に払い出される。なお、通常の連続処理状態では上述した順方向の基板搬送と逆方向の基板搬送とが並行して進められるが、例えば、一群の基板Ｗの投入開始時などでは、順方向の搬送可能条件だけが成立するので、順方向の基板搬送のみが実行される。逆に、一群の基板Ｗの処理が終了する間近などでは、逆方向の搬送可能条件だけが成立するので、逆方向の基板搬送のみが実行される。この点は他のセルＣ２〜Ｃ６においても同様である。
【０１０３】
レジスト膜用処理セルＣ３（レジスト膜用処理ブロック３）の動作を説明する。レジスト膜用処理セルＣ３のセルコントローラＣＴ３は、そのセルＣ３について予め決められた判定処理開始事象が発生したときに、そのセルＣ３について予め設定された搬送可能条件が成立しているか否かを判定する。そして、順方向送りの搬送可能条件が成立していれば、次のように順方向の基板搬送を実行する。基板載置部ＰＡＳＳ３（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれた、反射防止膜の塗付形成された基板Ｗを受け取るために、図１０に示すように、セルＣ３の第２の主搬送機構１０Ｂは、上述した第１の主搬送機構１０Ａの場合と同様に、一方の保持アーム１０ｂに保持した現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）上に置く。そして、基板載置部ＰＡＳＳ３上の基板Ｗを再び保持アーム１０ｂ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（１＋α）で示されている。上述したように、「α」は時間には無視することができるので、搬送工程（１＋α）は１搬送工程として取り扱うことができる。
【０１０４】
基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第２の主搬送機構１０Ｂは、空の状態の保持アーム１０ａと基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（２）に相当する。
【０１０５】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、所定のレジスト膜用塗布処理部１５に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、そのレジスト膜用塗布処理部１５にあるスピンチャック１７上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック１７上に置く。スピンチャック１７上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、レジスト膜が塗布形成される。スピンチャック１７に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（３）に相当する。なお、図１０中の「ＰＲ」はレジスト膜用塗布処理部１５を意味する。
【０１０６】
スピンチャック１７への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、レジスト膜が塗布形成された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向させる。先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ上の基板仮置部１９に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを基板仮置部１９上に置く。基板仮置部１９上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、その加熱部ＰＨＰのローカル搬送機構２０によって、その加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰ上に移されて熱処理される。この加熱プレートＨＰ上で熱処理された基板Ｗは、同じローカル搬送機構２０によって基板仮置部１９に戻される。その基板Ｗは、ローカル搬送機構２０の保持プレート２４に保持されて基板仮置部１９に戻され、基板載置部２０内で保持プレート２４の冷却機構によって冷却される。この加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（４）に相当する。
【０１０７】
加熱部ＰＨＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の冷却プレートＣＰに対向させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（５）に相当する。
【０１０８】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対向させる。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ５（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）上に基板Ｗを置く。そして、逆方向の搬送可能条件が成立していれば、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ６（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）に載置されている現像処理済みの基板Ｗを再び保持アーム１０ｂで受け取る。
【０１０９】
基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（６＋α）に相当する。搬送工程（６＋α）は１搬送工程であるとして取り扱われる。
【０１１０】
レジスト膜用処理セルＣ３に備えられた第２の主搬送機構１０Ｂは、搬送可能条件の成立に応じて、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）を合計すると、第２の主搬送機構１０Ｂは、第１の主搬送機構１０Ａと同様に略６つの搬送工程を負担することになる。したがって、第２の主搬送機構１０Ｂは、第１の主搬送機構１０Ａと同じ周期（この実施例では、略２４秒）で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣の現像処理セルＣ４に払い出される。
【０１１１】
現像処理セルＣ４の動作を説明する。現像処理セルＣ４のセルコントローラＣＴ４は、そのセルＣ４について予め決められた判定処理開始事象が発生したときに、そのセルＣ４について予め設定された搬送可能条件が成立しているか否かを判定する。そして、順方向送りの搬送可能条件が成立していれば、次のように順方向の基板搬送を実行する。基板載置部ＰＡＳＳ５（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれた、レジスト膜の塗付形成された基板Ｗを受け取るために、図１０に示すように、セルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃは、先ず保持アーム１０ｂに保持した現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）上に置き、その後、基板載置部ＰＡＳＳ５上の基板Ｗを再び保持アーム１０ｂ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１＋α）で示されている。
【０１１２】
基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、空の状態の保持アーム１０ａと基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の積層構造の中に配設された基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ７（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）上に、レジスト膜が塗付形成された基板Ｗを置く。そして、逆方向の搬送可能条件が成立していれば、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ８（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）に載置されている露光後の加熱処理済みの基板Ｗを再び保持アーム１０ｂで受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（２＋α）で示されている。なお、現像処理セルＣ４において、順方向の基板搬送は、基板載置部ＰＡＳＳ５に置かれた基板Ｗを受け取って、この基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に置くまでの基板搬送（セルＣ４を素通りさせるための基板搬送）を意味し、逆方向の基板搬送は、基板載置部ＰＡＳＳ８に置かれた基板Ｗを受け取って、この基板Ｗを後述する各処理部（ＣＰ、ＳＤ、ＨＰ、ＷＣＰ）を経て基板載置部ＰＡＳＳ６に置くまでの一連の基板搬送であることに留意されたい。
【０１１３】
基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、空の状態の保持アーム１０ａと、露光後の加熱処理済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（３）に相当する。
【０１１４】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、所定の現像処理部３０に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その現像処理部３０にあるスピンチャック３２上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック３２上に置く。スピンチャック３２上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｃが他の搬送動作を行っている間に、現像処理される。スピンチャック３２に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（４）に相当する。なお、図１０中の「ＳＤ」は現像処理部３０を意味する。
【０１１５】
スピンチャック３２への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、現像処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の所定の加熱プレートＨＰに対向させる。先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（５）に相当する。
【０１１６】
加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、加熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用処理セルＣ３の側にある隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレートＷＣＰに対向させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（６）に相当する。
【０１１７】
現像処理セルＣ４に備えられた第３の主搬送機構１０Ｃは、搬送可能条件の成立に応じて、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１＋α）から搬送工程（６）を合計すると、第３の主搬送機構１０Ｃは、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂと同様に略６つの搬送工程を負担することになる。したがって、第３の主搬送機構１０Ｂは、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂと同じ周期（この実施例では、略２４秒）で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣の露光後加熱用処理セルＣ５に払い出される。
【０１１８】
露光後加熱用処理セルＣ５の動作を説明する。露光後加熱用処理セルＣ５のセルコントローラＣＴ５は、そのセルＣ５について予め決められた判定処理開始事象が発生したときに、そのセルＣ５について予め設定された搬送可能条件が成立しているか否かを判定する。そして、順方向送りの搬送可能条件が成立していれば、次のように順方向の基板搬送を実行する。基板載置部ＰＡＳＳ７（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれた、レジスト膜の塗付形成された基板Ｗを受け取るために、図１０に示すように、セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄは、保持アーム１０ｂに保持した露光後加熱処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）上に置き、その後で基板載置部ＰＡＳＳ７上の基板Ｗを再び保持アーム１０ｂ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１＋α）に相当する。
【０１１９】
基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、空の状態の保持アーム１０ａと基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、所定のエッジ露光部ＥＥＷに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、そのエッジ露光部ＥＥＷのスピンチャック３６上にある周辺露光済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをそのスピンチャック３６上に置く。スピンチャック３６上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、その周縁部が露光される。このスピンチャック３６に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（２）に相当する。
【０１２０】
スピンチャック３６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、周辺露光された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、周辺露光された基板Ｗを冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（３）に相当する。
【０１２１】
冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、空の状態の保持アーム１０ａと、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ９（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）上に基板Ｗを置く。そして、逆方向の搬送可能条件が成立していると、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）に載置されている、露光装置ＳＴＰで露光された基板Ｗを保持アーム１０ａで受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（４＋α）に相当する。
【０１２２】
なお、本実施例では、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対してだけ、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使って基板Ｗの受け渡しを行っている。これは、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８との間に、後述する加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しを（１回：奇数回）行う関係で、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対して一方の保持アーム１０ｂだけを使って基板の受け渡しを行うと、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しに使う保持アームが、搬送行程の１サイクルごとに入れ代わるので、これを避けるためである。
【０１２３】
基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｃは、露光済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１９の上）にある露光後の加熱処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ａを前進移動させて、露光済みの基板Ｗを加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１９の上）に置く。基板仮置部１９に置かれた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、ローカル搬送機構２０によって加熱プレートＨＰに移されて加熱処理された後に、同じくローカル搬送機構２０によって基板仮置部１９に戻され、基板仮置部１９内で冷却される。この加熱部ＰＨＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（５）に相当する。なお、露光後加熱用処理セルＣ５において、基板載置部ＰＡＳＳ１０に置かれた基板Ｗを受け取って、この基板Ｗを加熱部ＰＨＰを経て基板載置部ＰＡＳＳ８に置くまでの基板搬送は、逆方向の基板搬送に相当することに留意されたい。
【０１２４】
露光後加熱用処理セルＣ５に備えられた第４の主搬送機構１０Ｄは、搬送可能条件の成立に応じて、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（５）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１＋α）から搬送工程（５）を合計すると、第４の主搬送機構１０Ｄは、第１〜第３の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃよりも１つ少ない略５つの搬送工程を負担することになる。露光後加熱用処理セルＣ５だけをみれば、第４の主搬送機構１０Ｄは、１搬送工程に要する時間を４秒とした場合に、２０秒周期で動作可能であるが、他の第１〜第３の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃが２４秒周期で動くので、結局、露光後加熱用処理セルＣ５からは、他のセルと同様に、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣のインターフェイスセルＣ６に払い出される。
【０１２５】
インターフェイスセルＣ６の動作を説明する。インターフェイスセルＣ６のセルコントローラＣＴ６は、そのセルＣ６について予め決められた判定処理開始事象が発生したときに、そのセルＣ６について予め設定された搬送可能条件が成立しているか否かを判定する。そして、順方向送りの搬送可能条件が成立していれば、次のように順方向の基板搬送を実行する。具体的には、周辺露光された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ９（インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれると、インターフェイスセルＣ６のインターフェイス用搬送機構３５が基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを受け取って、隣接する露光装置ＳＴＰに渡す。さらに、逆方向の搬送可能条件が成立していれば、インターフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰから露光済みの基板Ｗを受け取って、その基板を基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０（インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）に載せる。インターフェイス用搬送機構３５は、このような基板搬送動作を繰り返し行う。
【０１２６】
次に、図１１のフローチャートを参照して、各セルＣ１〜Ｃ６のセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６が行う、基板搬送を開始するための搬送可能条件の判定処理について説明する。
【０１２７】
ステップS１：図９に示した各セルC１〜C６のセルコントローラCT１〜CT６には、搬送可能条件の判定処理を開始するための条件である判定処理開始事象が予め決められて設定されている。判定処理開始事象の具体的事項は特に限定されないが、この事象の発生に基づき搬送可能条件の判定を行うという性格上、基板搬送の区切りに関わる事象であることが好ましい。判定処理開始事象としては、例えば、（ア）送り用、または戻り用の入口基板載置部（PASS）に基板Wが置かれたこと、（イ）送り用、または戻り用の入口基板載置部（PASS)に基板Wが置かれることが予測されること、（ウ）搬送経路上の処理部が基板Wの入れ換え可能状態になっていること、（エ）送り用、または戻り用の出口基板載置部（PASS)の基板Wが払出されたこと、（オ）送り用、または戻り用の出口基板載置部（PASS)の基板Wが払出されたことが予測されること、（カ）停止していた処理部への基板搬送が可能になったことなどがある。これらの事象の中のいずれか１つの事象が発生したときに搬送可能条件の判定処理を行うようにすればよい。なお、本実施例のように順方向（送り）の搬送と、逆方向（戻り）の搬送とを並行して行う装置の場合、（キ）片側の搬送が終了したときにも、搬送可能条件の判定処理を行うようにしてもよい。
【０１２８】
各セルコントローラCT１〜CT６は、上記のような判定処理開始事象の発生を監視し、所定の事象が発生すればステップS２以降の処理に移る。なお、ステップS２以降の処理に移った後に、連続して別の判定処理開始事象が発生した場合には、その事象に基づく判定処理を待機させるか、あるいは、不要と判断できる事象の場合は破棄する。
【０１２９】
ステップS２：このステップS２では、ステップS１で検出した判定処理開始事象が順方向の基板搬送に係る事象か、あるいは逆方向の基板搬送に係る事象であるかを判断する。例えば、反射防止膜用処理セルC２において、基板載置部PASS１（送り用入口基板載置部）に基板Ｗが置かれた場合、その基板Wは順方向に搬送されてセルC2の各処理部で処理されるべきものであるので、順方向の基板搬送であると判断する。逆に、反射防止膜用処理セルC２において、基板載置部PASS４（戻り用入口基板載置部）に基板Ｗが置かれた場合、その基板Wは逆方向に搬送されてインデクサセルC1に戻されるべきものであるので、逆方向の基板搬送であると判断する。
【０１３０】
ステップS１で説明した（ウ）、（カ）の判定処理開始事象の場合は、その処理部が基板Wの順方向の搬送過程で使われるものであるか、あるいは逆方向の搬送過程で使われるものであるかに応じて、順方向の搬送か、あるいは逆方向の搬送かを判断する。（エ）、（オ）の判定処理開始事象の場合、送り用の出口基板載置部（セルC２で言えば、PASS３）の基板Wが払出された（無くなった）ときは順方向の基板搬送と判断し、また戻り用の出口基板載置部（PASS)の基板Wが払出された（無くなった）ときは逆方向の基板搬送と判断する。（キ）の判定処理開始事象の場合、順方向の基板搬送が終了したときは、通常の連続動作状態では、順方向の基板搬送の次ぎは逆方向の基板搬送が行われるべきであるので、逆方向の基板搬送と判断する。同様に逆方向の基板搬送が終了したときは、順方向の基板搬送と判断する。
【０１３１】
ステップS３F、S３R：ステップS２で判定処理開始事象が順方向の基板搬送に係るものであると判断された場合には、順方向基板搬送用のタイマーをスタートさせる（ステップS３F）。一方、その判定処理開始事象が逆方向の基板搬送に係るものであると判断された場合には、逆方向基板搬送用のタイマーをスタートさせる（ステップS３R）。これらのタイマーには、入口基板載置部（順方向の基板搬送の場合は送り用入口基板載置部、逆方向の基板搬送の場合は戻り用入口基板載置部）に基板Wが置かれるのを待つために予め定められた待機時間が設定されている。「待機時間」を設定する意義については、ステップS４F、S４Rのところで説明する。
【０１３２】
ステップS４F、S４R：これらのステップS４F、S４Rでは、順方向（または、逆方向）の搬送可能条件が成立したか否かを判定する。搬送可能条件は、そのセル内で基板Ｗを順方向（または、逆方向）に移動させることができるか否かを判断するために、セルごとに予め設定された条件である。搬送可能条件は特に限定されないが、本実施例では次ぎのように設定してある。すなわち、（ａ）入口基板載置部（順方向の基板搬送の場合は送り用入口基板載置部、逆方向の基板搬送の場合は戻り用入口基板載置部）に基板Ｗが置かれていること、または、入口基板載置部に基板が置かれるのを待つために予め定められた待機時間が経過していること、（ｂ）出口基板載置部（順方向の基板搬送の場合は送り用出口基板載置部、逆方向の基板搬送の場合は戻り用出口基板載置部）に基板Ｗがないこと、（ｃ）搬送経路上の処理部が基板の入れ換え可能状態になっていること、の各条件が全て成立していることを条件としている。以下、各条件について説明する。
【０１３３】
（ａ）の前半の「入口基板載置部に基板Ｗが置かれていること」という条件は、入口基板載置部に基板Ｗが置かれると、速やかにこの基板Ｗをセル内に取り込んで必要な処理を行うために設定された条件である。例えば、反射防止膜用処理セルＣ２の場合、順方向の基板搬送のときは基板載置部ＰＡＳＳ１に基板Ｗが置かれていること、逆方向の基板搬送のときは基板載置部ＰＡＳＳ４に基板Ｗが置かれていること、がこの条件に相当する。セルＣ２のセルコントローラＣＴ２は、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ４にそれぞれ設けられた光学式のセンサからの検出信号によって、基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ４に置かれたことを知ることができる。
【０１３４】
（ａ）の後半の「入口基板載置部に基板が置かれるのを待つために予め定められた待機時間が経過していること」という条件は、主搬送機構が入口基板載置部に基板Ｗが置かれるのを長時間に亘って待つのを回避するために設定された条件である。図１１のフローチャートから明らかなように、ステップS４F、S４Rで搬送可能条件が成立しなければ、ステップＳ１に戻って次ぎの判定処理開始事象を待ち、以下同様に搬送可能条件の成立を判定する。入口基板載置部に長時間に亘って基板Ｗが置かれないと、上記の処理手順をいつまでも繰り返すことになる。そうするとそのセル内で既に処理が終わっている基板Ｗがあっても、その基板Ｗは隣接するセルに払出されなくなり、結果として基板処理装置のスループットを低下させてしまう。一群の基板Ｗが連続して投入されている場合は、このような事態に陥らないが、例えば、一群の基板Ｗの処理が終了して、基板群を別のロットに切り換える（すなわち、図１に示したカセット載置台６へカセットＣを載せ換える）場合に、基板Ｗの投入が途切れることがある。このような場合に、予め設定された待機時間の経過を条件に、そのセル内の基板を次ぎの処理部（あるいは、隣接するセルへ）へ搬送するようにすれば、基板搬送の処理効率の低下を防止することができる。
【０１３５】
待機時間をどの程度の時間に設定するかは任意であるが、次ぎのように設定するのが好ましい。すなわち、あるセルに基板Ｗが受け入れられて、その基板Ｗに必要な処理が施され、その基板Ｗが次のセルに払出されるまでの時間を、そのセルのサイクル時間とした場合に、待機時間は、本基板処理装置を構成するセルＣ１〜Ｃ６の中で、最も長いサイクル時間をもつセルのサイクル時間である最大サイクル時間と同等以上の時間に設定されていることが好ましい。本実施例装置の場合、最大サイクル時間は「２４秒」であるので、待機時間は「２４秒以上」が好ましい。さらに好ましくは、待機時間は、最大サイクル時間と略同等の時間（本実施例装置の場合、「２４秒」）に設定される。
【０１３６】
待機時間を上記のように設定するのは次ぎの理由による。一群の基板Ｗが連続的に投入されている通常状態において、基板処理装置全体のサイクル時間は、最大サイクル時間に収束してゆく。本実施例装置で言えば「２４秒」である。通常状態でこのような動きをする装置において、待機時間を最大サイクル時間よりも短い時間（例えば、「２２秒」）に設定すると、この待機時間「２２秒」の経過により、主搬送機構はそのセル内の基板搬送を実行する。このとき例えば、待機開始（上記ステップＳ３F、Ｓ３Rのタイマースタート）から２４秒経過後に基板Ｗが入口基板載置部に置かれたとすると、その基板Ｗが主搬送機構に受け取られるのは、主搬送機構が現在搬送している基板の処理が完了した後になる。そうすると入口基板載置部に置かれた基板は、その状態で不必要に待たされることなり、それだけ基板搬送の効率が低下する。待機時間を最大サイクル時間と同等以上の時間に設定することにより、このような不具合を回避することができる。
【０１３７】
一方、待機時間を最大サイクル時間よりも相当に長い時間に設定すると、基板Ｗの投入が途切れた場合に、入口基板載置部に基板が置かれるのを主搬送機構が不必要に長く待つことになる。定常動作時における基板処理装置全体のサイクル時間が最大サイクル時間に収束することを考慮すれば、最大サイクル時間を経過しても基板Ｗが入口基板載置部に置かれない場合は、ロットの切り換えなどにより基板Ｗの投入が途切れたと考えられるので、その場合は、セル内の基板搬送に移行するのが良い。してみれば、基板搬送の効率の面から、待機時間としては、最大サイクル時間と略同等の時間に設置するのが好ましいと言える。
【０１３８】
（ｂ）の「出口基板載置部に基板Ｗがないこと」という条件は、基板Ｗを隣接するセルに払出すことができるかを判定するための条件である。例えば、反射防止膜用処理セルＣ２の場合、順方向の基板搬送のときは基板載置部ＰＡＳＳ３に基板Ｗがないこと、逆方向の基板搬送のときは基板載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗがないこと、がこの条件に相当する。セルＣ２のセルコントローラＣＴ２は、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ２にそれぞれ設けられた光学式のセンサからの検出信号によって、基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ２にないことを知ることができる。
【０１３９】
（ｃ）の「搬送経路上の処理部が基板の入れ換え可能状態になっていること」という条件は、セル内の各処理部にある基板Ｗが基板搬送できる状態になっているかを判定するための条件である。各セルのセルコントローラは、各処理部における処理時間をそれぞれ監視することにより、この条件が成立しているか否かを判定する。
【０１４０】
ステップS４F、S４Rで搬送可能条件が成立していれば次ぎのステップS５F、S５Rに進み、いずれの搬送可能条件も成立していなければ、ステップＳ１に戻って次ぎの判定処理開示事象を待つ。なお、搬送可能条件としては、上述した（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の３つの条件以外に、例えば「搬送経路上の処理部、または主搬送機構などが、アラーム発生などによって停止状態になっていないこと」を条件としてもよい。このような条件を付加すれば、異常のある処理部に基板Ｗが搬送されたり、あるいは異常のある主搬送機構によって基板Ｗが取り扱われるといった不具合を回避することができる。
【０１４１】
ステップS５F、S５R：これらのステップS５F、S５Rでは、待機時間を設定したタイマーをリセットする。
【０１４２】
ステップS６F、S６R：順方向の搬送可能条件が成立している場合には順方向の基板搬送を実行し（ステップS６F）、逆方向の搬送可能条件が成立している場合には逆方向の基板搬送を実行する（ステップS６R）。一群の基板Wが連続して投入されている通常動作状態では、順方向の基板搬送に係る判定処理開始事象と逆方向の基板搬送に係る判定処理開始事象とが交互に発生するのが普通であるので、順方向の基板搬送と逆方向の基板搬送とが交互に実行される。ただし、基板群の投入開始時には順方向の基板搬送が連続して実行され、また基板群の処理が終了する間近では、逆方向の基板搬送が連続して実行されることになる。
【０１４３】
以上のように、本実施例に係る基板処理装置では、各セルC１〜C６の主搬送機構１０（ただし、インデクサセルＣ１の場合はインデクサ用搬送機構７、インターフェイスセルＣ６の場合はインターフェイス用搬送機構３５）が同時並行的に作動して複数枚の基板Wの処理を進めるので、基板処理装置のスループットが向上する。しかも、入口基板載置部と出口基板載置部とが区別して設けられているので、セル内に受け入れる基板Wとセルから払出す基板とが基板載置部で干渉することなく、各セル間の基板搬送を円滑に行うことができる。さらに、送り用の基板載置部と戻りの基板載置部も区別して設けられているので、順方向に搬送される基板と逆方向に搬送される基板とが基板載置部で干渉することがなく、双方向の基板搬送を円滑に行うことができる。
【０１４４】
また、本実施例に係る基板処理装置は、各セルC１〜C６が個別に、判定処理開始事象が発生したときに、搬送可能条件の成立を判定して、その被制御ユニット内の基板搬送を実行するようにしているので、各セルC１〜C６の基板搬送制御は、隣接するセルの基板搬送の状況を考慮する必要がない。したがって、基板処理装置を構成するセルが多数あっても、基板搬送に係る制御を容易に行うことができる。また、あるセルにおける基板の処理時間が変更されたり、あるいは、新たなセルが増設されても、それに隣接するセルの基板搬送制御を変更する必要がないので、汎用性の高い基板処理装置を実現することができる。
【０１４５】
さらに、本実施例に係る基板処理装置は、各セルC１〜C６が個別に、判定処理開始事象が発生したときに、搬送可能条件の成立を判定して、その被制御ユニット内の基板搬送を実行するようにしているので、タクト動作をする従来の基板処理装置に比べて基板処理装置のスループットを向上することができる。一群の基板が連続的に投入されている通常の動作状態でみれば、本実施例装置は、約２４秒ごとに隣接セルへ基板Wが受け渡されるので、一見すればタクト動作の従来装置と同様の動作サイクルで基板搬送をしているように見える。しかし、本実施例装置は、従来装置のように２４秒のサイクルで主搬送機構が規則正しく動くように制御されるものでないことに留意されたい。本実施例装置は、各セルが搬送可能条件の成立を判定して基板搬送を実行することにより、結果として、２４秒のサイクル時間に収束してゆくに過ぎない。したがって、例えば、一群の基板Wの投入開始時や、終了の間近の場合には、順方向または逆方向の基板搬送しか生じないので、搬送可能条件は、前記通常の動作状態のときと比べて、時間的に早く成立する可能性がある。搬送可能条件が早く成立すれば、それだけ基板搬送の効率が上り、基板処理装置のスループットが向上する。同様の理由により、最大サイクル時間をもつセルが、処理時間の短縮などにより、そのサイクル時間が短くなれば、本実施例に係る基板処理装置によれば、短縮された最大サイクル時間で自動的に基板搬送が行われるようになる。仮に従来装置であれば、搬送機構の制御プログラムを変更しないかぎり、サイクル時間の短縮に対応できないが、本実施例装置によれば、このようなサイクル時間の短縮にともなう基板搬送制御プログラムの変更が基本的に不要であり、極めて汎用性が高いと言える。
【０１４６】
本発明は、上述した実施例のものに限らず、例えば次のように変形実施することもできる。
（１）上記実施例では、搬送可能条件の一つとして、「入口基板載置部（順方向の基板搬送の場合は送り用入口基板載置部、逆方向の基板搬送の場合は戻り用入口基板載置部）に基板Ｗが置かれていること」を条件とした。この条件に代えて、「入口基板載置部に基板が置かれることが予測されること」を条件としてもよい。上記の実施例において、例えば、インデクサセルC1のインデクサ用搬送機構７が基板載置部PASS１に基板Wを払出すための動作に移行したときに、セルC１のセルコントローラCT１がメインコントローラMC（図９参照）を介して、隣接する反射防止膜用処理セルC２のセルコントローラCT２に基板Wの払出し予告情報を送ることにより、セルコントローラCT２は基板載置部PASS１に基板Wが置かれることを予測することができる。そして、このように基板載置部PASS１に基板Wが置かれることが予測される場合に、セルC２の主搬送機構１０Aが基板載置部PASS１に向かって動き始めるようにすれば、基板載置部PASS１に基板Wが置かれると略同時に主搬送機構１０AがPASS1に対面して、その置かれた基板Wを直ぐに受け取ることができる。つまり、基板載置部PASS１に基板Wが置かれてから、主搬送機構１０が受け取るまでの時間が短縮されるので、基板搬送の効率を高めることができる。
【０１４７】
（２）同様に、上記実施例の搬送可能条件（ｂ）「出口基板載置部（順方向の基板搬送の場合は送り用出口基板載置部、逆方向の基板搬送の場合は戻り用出口基板載置部）に基板Ｗがないこと」に代えて、「出口基板載置部に基板がないことが予測されること」を条件としてもよい。上記の実施例において、例えば、レジスト膜用処理セルC３の主搬送機構１０Bが基板載置部PASS３に置かれた基板Wを受け取るための動作に移行したときに、セルC３のセルコントローラCT３がメインコントローラMC（図９参照）を介して、隣接する反射防止膜処理セルC２のセルコントローラCT２に基板Wの受け取り予告情報を送ることにより、セルコントローラCT２は基板載置部PASS３に基板Wがないことを予測することができる。このような予測に基づいて基板搬送を開始することにより、基板搬送の効率を高めることができる。
【０１４８】
（３）同様に、上記実施例の搬送可能条件（ｃ）「搬送経路上の処理部が基板の入れ換え可能状態になっていること」に代えて、「主搬送機構が搬送経路上の処理部の前に基板を移送したときに、その処理部が基板の入れ換え可能状態になっていることが予測されること」を条件としてもよい。各セルのセルコントローラは、各セル内の処理部における処理を時間管理しているので、各処理部における処理の終了時刻を予測することができる。具体的には、上記の実施例において、各セルの主搬送機構１０の１搬送工程に要する時間は約４秒であるので、例えば入口基板載置部に置かれた基板Wを次ぎの処理部に搬送するのに最低でも４秒を要する。したがって、あるセルにおいて搬送可能条件の成立を判定するときに、その処理部における基板処理が終了していなくても、例えば４秒後に処理の終了が予測される場合に、入口基板載置部にある基板Wを受け取って次ぎの処理部に向かうようにすれば、主搬送機構がその処理部に向き合うと略同時に基板処理が終了していることになる。その結果、基板Wの処理が終わると直ぐに基板Wを入れ換えることができ、基板搬送の効率を高めることができる。
【０１４９】
（４）上記実施例では、各処理セルＣ２〜Ｃ５は、各々４つに基板載置部（すなわち、送り用入口基板載置部、戻り用入口基板載置部、送り用出口基板載置部、戻り用出口基板載置部）を備えていたが、少なくとも１つの処理セルが、さらに別の入口基板載置部と出口基板載置部）とを備えていてもよい。例えば、図１２に示した基板処理装置は、反射防止膜用処理セルC２が、送り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１、戻り用入口基板載置部ＰＡＳＳ４、送り用出口基板載置部ＰＡＳＳ３、戻り用出口基板載置部ＰＡＳＳ２の他に、別の入口基板載置部ＰＡＳＳ６と出口基板載置部ＰＡＳＳ５とを備えている。この反射防止膜用処理セルC２に基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４を共用するように現像処理セルC４が隣接するとともに、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６を共用するようにレジスト膜用処理セルC３が隣接している。この例によれば、反射防止膜用処理セルC２で処理された基板Ｗは、出口基板載置部ＰＡＳＳ５を介してレジスト膜用処理セルC３に送られ、このセルC３で処理された基板Ｗが入口基板載置部ＰＡＳＳ６を介して反射防止膜用処理セルC２に戻され、さらに基板載置部ＰＡＳＳ３を介して現像処理セルC４に送られる。現像処理された基板Ｗは、基板載置部ＰＡＳＳ４を介して反射防止膜用処理セルC２に戻された後、レジスト膜用処理セルC３を介さずに直接にインデクサセルC１に戻される。このように少なくとも１つの処理セルに、６つの、あるいはそれ以上の基板載置部を設けると、処理セルの配置の自由度を向上させることができる。
【０１５０】
（５）第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄは、それぞれ２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを備えていたが、単一の保持アーム、あるいは３つ以上の保持アームを備えるものであってもよい。
【０１５１】
（６）実施例では、露光後加熱用処理セルＣ５を、現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とに跨って配設したが、露光後加熱用処理セルＣ５を独立したブロック（個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられた要素）として構成してもよい。
【０１５２】
（７）実施例では、反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３とを個別に設けたが、単一の処理ブロックで反射防止膜塗付処理とレジスト膜塗付処理を行うようにしてもよい。また、反射防止膜の塗布処理が不要である場合は、反射防止膜用処理ブロック２を備えなくてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１５３】
以上のように、本発明は、半導体基板、液晶表示器用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板に、一連の処理を施す基板処理装置に適している。
【図面の簡単な説明】
【０１５４】
【図１】本発明の一実施例に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図である。
【図２】実施例装置の概略構成を示した正面図である。
【図３】熱処理部の正面図である。
【図４】隔壁に設けられた基板載置部の周辺構成を示す破断正面図である。
【図５】インターフェイスブロックの概略構成を示す側面図である。
【図６】（ａ）は主搬送機構の概略構成を示す平面図、（ｂ）はその正面図である。
【図７】（ａ）は基板仮置部付きの加熱部の破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。
【図８】（ａ）は実施例装置のブロック配置を示した平面図、（ｂ）は実施例装置のセル配置を示した平面図である。
【図９】（ａ）は実施例装置の制御系を示したブロック図、（ｂ）は比較のために示した従来装置の制御系のブロック図である。
【図１０】第１〜第４の主搬送機構による基板搬送の流れを示した図である。
【図１１】実施例装置の動作説明に供するフローチャートである。
【図１２】変形例に係る基板処理装置のレイアウトを示す図である。
【図１３】従来の基板処理装置の概略構成を示した平面図である。
【図１４】従来の基板処理装置のタクト動作の説明に供する図である。
【符号の説明】
【０１５５】
１  …インデクサブロック
２  …反射防止膜用処理ブロック
３  …レジスト膜用処理ブロック
４  …現像処理ブロック
５  …インターフェイスブロック
７  …インデクサ用搬送機構
１０Ａ〜１０Ｄ  …第１〜第４の主搬送機構
３５  …インターフェイス用搬送機構
Ｃ１  …インデクサセル
Ｃ２  …反射防止膜用処理セル
Ｃ３  …レジスト膜用処理セル
Ｃ４  …現像処理セル
Ｃ５  …露光後加熱用処理セル
Ｃ６  …インターフェイスセル
Ｗ  …基板
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０  …基板載置部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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