(57)【要約】      （修正有）【課題】  結晶方位の識別性とＩＤマークの情報の認識性とを喪失させないで効率よく分割できるようにすること。【解決手段】半導体ウエーハ１０の外周領域をわずかに残し、半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さの溝１５をストリートに沿って形成する溝形成工程と、該溝１５が形成された半導体ウエーハ１０の表面に保護部材１６を配設する保護部材配設工程と、前記半導体ウエーハ１０の裏面を研削して前記溝１５を表出させ、前記半導体ウエーハ１０を個々の半導体チップに分割する分割工程とから少なくとも構成されることにより、その後の半導体ウエーハ１０の裏面を研削水を供給しながら研削して分割する工程において、外周端縁から汚れた研削水が切削溝に浸透して半導体チップを汚染する虞がなく、しかも、ＩＤマーク１４の情報の認識性と、結晶方位を示すノッチ１３の識別性とを喪失させないで、効率よく分割する。【選択図】  図６
2005101290.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の半導体チップがストリートによって区画されて形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する半導体ウエーハの分割方法であって、
前記半導体ウエーハの外周領域をわずかに残し、半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さの溝をストリートに沿って形成する溝形成工程と、
該溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、
前記半導体ウエーハの裏面を研削して前記溝を表出させ、前記半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する分割工程と
から少なくとも構成される半導体ウエーハの分割方法。
【請求項２】
前記半導体ウエーハの外周領域の所要位置に少なくともＩＤマークが施されており、
前記溝形成工程において該ＩＤマークを避けて溝が形成される
請求項１に記載の半導体ウエーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップがストリートにより区画されて複数形成された半導体ウエーハを、先にダイシング装置によりストリートに沿ってダイシングし、その後に半導体ウエーハの裏面を研削装置によって研削して各半導体チップ毎に分割する半導体ウエーハの分割方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種のＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップが複数形成された半導体ウエーハは、ダイシング装置などの分割装置によって個々の半導体チップに分割され携帯電話、パソコンなどの電気機器の回路に組み込まれて広く利用されるものである。
【０００３】
ところで、この種の電気機器は、小型化および軽量化が進んでいて、半導体チップの厚さを薄くすることが要求されており、その厚さを１００μｍ以下、５０μｍ以下に薄くする技術としてＤＢＧと称する技術が知られている。
【０００４】
しかしながら、このＤＢＧは、半導体ウエーハの表面に形成されたストリートに沿って半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成し、その後半導体ウエーハの表面にテープ等の保護部材を配設し、半導体ウエーハの裏面を研削して溝を裏面に表出させることで個々の半導体チップに分割する技術であることから、次のような問題点がある。
(1) 切削ブレードによって半導体ウエーハの表面に形成されたストリートに沿って溝を形成する際に、半導体ウエーハの外周から三角形状の微細な端材が飛散して切削ブレードを損傷させるばかりでなく、飛散した微細な端材がチャックテーブル上に落下し、次の半導体ウエーハをチャックテーブルに保持させた際、半導体ウエーハが損傷する虞がある。
(2) 半導体ウエーハの外周に、厚み、ストリート間隔、ストリート幅等の情報を示すＩＤマークが形成されている場合に、切削ブレードでＩＤマークに溝を形成すると、情報を認識することが出来なくなる。
(3) 半導体ウエーハの裏面を研削している際に、半導体ウエーハの外周から汚れた研削水が研削溝に浸透して半導体チップを汚染する虞がある。
(4) 半導体ウエーハの裏面を研削している際に、半導体ウエーハの外周から三角形状の微細な端材が複数箇所に渡って欠落して飛散するので、結晶方位を示すノッチと区別が付かなくなり、次工程での作業に支障を来す虞がある。
【０００５】
また、ウエーハの周縁部を残して半導体チップが形成されている内方部分をダイシングする技術が公知になっている。この公知の技術は、半導体ウエーハの外端を検知する手段を備えたダイシング装置を用い、その検知手段で検知したウエーハ外端のデータを記憶させ、この記憶データに基づき、ダイシングラインに沿った前記外端の一方から一定の範囲内方から切削を開始し、前記外端の他方から一定の範囲内方までを切削して、前記夫々の外端から一定の範囲内方までの外周部では、ウエーハを厚さ方向に少なくとも部分的に残し、前記外周部から内方ではフルダイシングを行うようにしたものであり、切削によって小片が分離されないため半導体チップ或いはブレードの損傷を防止することができるというものである。
【特許文献１】特開２００２−４３２５４号公報
【０００６】
しかしながら、この公知のダイシング技術において適用される半導体ウエーハは、結晶方位を示すオリフラを有し、しかも、ダイシングテープを介してリング状のフレームに固定し、該フレームと一緒にダイシングテープをカッティングテーブルに吸着させてフルダイシングするものであり、そのフルダイシングの際に外周部から小片が分離して飛散するのを防止するだけのことであるが、半導体ウエーハを最初から、例えば５０μｍ以下の半導体チップの仕上がり厚さに形成した場合に、半導体チップの回路形成工程で、ウエーハが薄過ぎることにより、全体的に撓みが生じその処理（フォトレジストの塗布および洗浄除去など）と取扱（乾燥または搬送など）とに重大な支障を来すものである。
【０００７】
また、フルダイシング後に、ウエーハの外周部にダイシングしない部分が残っていることから、裏面側を削って厚さを更に薄く形成すべく表面側に保護部材を取り付けることができても、各半導体チップ部分は既に個別に分割されているので、その分割された状態の半導体チップの裏面に研削砥石を当接させて研削することは困難なのである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来例の半導体ウエーハの分割方法において、解決しようとする課題は、半導体ウエーハの厚みを半導体チップの回路形成工程に支障を来さない厚みに形成すると共に、外周縁部にＩＤマークを形成すると共に外周端縁に結晶方位を示すノッチを形成しておき、その後、薄い半導体チップに分割するに当たって、ダイシング工程でも研削工程でも、外周縁部から三角形状の小片が分離飛散しないようにし、且つ結晶方位の識別性とＩＤマークの情報の認識性とを喪失させないで効率よく分割できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、表面に複数の半導体チップがストリートによって区画されて形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する半導体ウエーハの分割方法であって、前記半導体ウエーハの外周領域をわずかに残し、半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さの溝をストリートに沿って形成する溝形成工程と、該溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、前記半導体ウエーハの裏面を研削して前記溝を表出させ、前記半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する分割工程とから少なくとも構成されること、を最も主要な特徴とする半導体ウエーハの分割方法である。
【００１０】
本発明の半導体ウエーハの分割方法は、前記半導体ウエーハの外周領域の所要位置に少なくともＩＤマークが施されており、前記溝形成工程において該ＩＤマークを避けて溝が形成されること、を付加的な要件として含むものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の半導体ウエーハの分割方法においては、ストリートに沿って切削する溝を、半導体ウエーハの外周領域をわずかに残して形成するので、切削溝が外周端縁に至っていないため、その後の半導体ウエーハの裏面を研削水を供給しながら研削して分割する工程において、外周端縁から汚れた研削水が切削溝に浸透して半導体チップを汚染する虞がないばかりでなく、外周領域に形成したＩＤマークを傷つけないため情報の認識性が失われず、且つ半導体ウエーハの外周端縁から三角形状の微細な端材が飛散せず、結晶方位を示すノッチの識別性が失われることはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
半導体ウエーハの厚みを半導体チップの回路形成工程とその後の取扱に支障を来さない程度の厚みに形成し、半導体チップを区画するストリートに沿って、半導体チップの仕上がり厚さに相当する切削溝を半導体ウエーハの外周領域をわずかに残して形成し、その半導体ウエーハの裏面を研削して表面側から形成した切削溝を裏面側に表出させることによって、半導体ウエーハに形成した半導体チップを個別に分割して、予定した薄型の半導体チップを形成できるのであり、また、半導体ウエーハの外周領域にＩＤマークを形成しておき、薄い半導体チップに分割するに当たって、ダイシング工程でも研削工程でも、結晶方位の識別性とＩＤマークの情報の認識性とを喪失させないで効率よく分割できることを、実現化したものである。
【実施例１】
【００１３】
本発明に係る半導体ウエーハの分割方法について、図面を参照しながら説明すると、図１は、分割方法に使用される１例のダイシング装置を示す斜視図であり、該ダイシング装置１は、少なくとも半導体ウエーハを載置するチャックテーブル２と、該載置された半導体ウエーハを切削するブレード３を備えた切削手段４と、半導体ウエーハの状態、即ち、ウエーハの大きさ、表面に形成された半導体チップの大きさ、ストリートの状態等を検出するアライメント手段５を有すると共に、チャックテーブル２に対する半導体ウエーハの供給手段６等を有するものである。なお、半導体ウエーハは、複数枚がカセット７に収納されてダイシング装置１の所要位置にセットされる。
【００１４】
図２に、本発明で分割される半導体ウエーハを示してある。この半導体ウエーハ１０はその表面側に複数の半導体チップ１１が整列した状態で、且つストリート１２によって区分されて形成され、ウエーハの結晶方位を示すノッチ１３が端縁に形成されると共に、該ノッチ１３の近傍にＩＤマーク１４が設けられたものである。
【００１５】
この場合のＩＤマーク１４は、半導体ウエーハ１０の態様または状態が記録されたものであり、その態様または状態は、例えば、ウエーハの大きさ、半導体チップ１１の種類・大きさ・仕上がり厚さ、縦・横のストリート１２の状態（幅・間隔）等であって、ＩＤマーク１４を読み取ることにより、その半導体ウエーハ１０について、切削または研削が設定された手順で適正に行われるのである。
【００１６】
まず、最初の工程（ステップ）として、ダイシング装置１のチャックテーブル２に載置された半導体ウエーハ１０は、アライメント手段５によってストリート１２の位置が検出され、切削領域において、図３に示したように、切削手段４のブレード３により半導体ウエーハ１０の外周領域をわずかに残し、半導体チップ１１の仕上がり厚さに相当する深さの溝１５を各ストリート１２に沿って切削して形成するのである。
【００１７】
つまり、半導体チップ１１の最終的な仕上がり厚さが、例えば、１００μｍであれば溝１５の深さを１００〜１０５μｍにし、５０μｍであれば５０〜５５μｍの深さの溝１５を形成するのであり、半導体ウエーハ１０の厚みは、当然のこととして形成される溝１５の深さよりも厚い、例えば、略倍近い厚みを有するのであって、溝１５の切削形成は、要するに外周部を残した「ハーフカット」なのであり、溝１５が形成された後でも、ウエーハ１０は簡単には割れたりしないし、ＩＤマーク１４を切ることもないのであり、情報の認識性が失われないのである。なお、切削に使用されるブレード３は径の小さいもの、例えば、１〜２インチ程度のものが好ましい。
【００１８】
このように溝１５の形成工程（ステップ）が終了した後に、図４に示したように、その溝１５が形成された半導体ウエーハ１０の表面側に粘着剤を有する保護テープ等からなる保護部材１６を貼着して配設する。この場合の粘着剤は、その後の剥離工程で粘着成分が半導体ウエーハ１０の表面に残らないようにするため、紫外線照射型の保護テープ、即ちＵＶテープを使用するのが好ましい。保護部材１６を配設した半導体ウエーハ１０は、次の分割工程（ステップ）に移行される。
【００１９】
この分割工程（ステップ）は、例えば、図５に示したような研削装置２０によって遂行される。この研削装置２０は、少なくともチャックテーブル２１と、研削砥石２２と、該研削砥石２２を駆動する駆動部２３と、該駆動部２３を支持し上下方向の移動をガイドするガイド部２４と、駆動部２３を上下方向に精密に移動させる移動用駆動部２５を備えている。
【００２０】
そして、保護部材１６を配設した半導体ウエーハ１０は、裏返しにして裏面を上にし、保護部材１６をチャックテーブル２１に当接させて載置固定し、研削水を供給しながら研削砥石２２を駆動して半導体ウエーハ１０の裏面側を研削し、図６に示したように、表面側から切削形成した溝１５が露出するまで全面的に均等に研削する。
【００２１】
このように半導体ウエーハ１０の裏面側を研削することによって、該半導体ウエーハ１０の表面側に形成された半導体チップ１１がそれぞれ個別に分割され、しかも溝１５の深さに対応した厚み、即ち、仕上がり厚みをもった半導体チップ１１に分割されることになるのである。
【００２２】
この分割工程（ステップ）において、半導体ウエーハ１０の裏面側を研削砥石２２で研削水を供給しながら研削しても、ストリートに沿って形成した各溝１５が半導体ウエーハ１０の外周端縁まで達していないので、汚れた研削水が半導体ウエーハ１０の外周端縁から内部に浸透して半導体チップを汚染する虞がないばかりでなく、半導体ウエーハ１０の外周端縁から三角形状の微細な端材が欠落する虞もなくなるのであり、結晶方位を示すノッチ１３の識別性が失われることはないのである。
【００２３】
分割工程（ステップ）終了後に、研削装置２０から半導体ウエーハ１０をピックアップし、図７に示したように、研削した裏面側を下に向け保護部材１６を上側にし、結晶方位を示すノッチ１３に基づき適正な方向付けをして、ダイシングフレームと称するフレーム１７にダイシングテープと称する伸張テープ１８を介して貼着載置させ、図８に示したように、保護部材１６を剥離する。なお、フレーム１７には、貼着載置させた半導体ウエーハ１０の結晶方位を示す位置決めを兼ねた切り欠き部１９が設けられており、ＩＤマーク１４の情報と相俟って次工程での種々の作業がスムーズに遂行されるのである。
【産業上の利用可能性】
【００２４】
本発明に係る半導体ウエーハの分割方法は、半導体チップの回路形成工程とその後の取扱に支障を来さない程度の厚みに半導体ウエーハを形成し、半導体チップを区画するストリートに沿ってダイシング装置で切削する際に、半導体チップの仕上がり厚さに相当する切削溝を半導体ウエーハの外周領域をわずかに残して形成し、その半導体ウエーハの裏面を研削して切削溝を裏面側に表出させることによって、半導体ウエーハを半導体チップに分割して、予定した薄型の半導体チップを形成できるのであり、また、ダイシング工程でも研削工程でも、半導体ウエーハの外周領域に形成したＩＤマークの情報の認識性と、外周端縁に形成した結晶方位を示すノッチの識別性とを喪失させないで、薄型の半導体チップに効率よく分割することができるのであり、小型・薄型化の半導体チップの製造に広く利用することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の具体的な実施例に係る半導体ウエーハの分割方法に使用されるダイシング装置を示した斜視図である。
【図２】同実施例の分割に適用される半導体ウエーハを示した斜視図である。
【図３】同実施例においてダイシング装置により溝切削工程後の半導体ウエーハを示した斜視図である。
【図４】同実施例において溝切削工程後に該溝切削面に保護部材を配設した状態の半導体ウエーハの裏面側を示した斜視図である。
【図５】同実施例に係る半導体ウエーハの分割方法に使用される研削装置の要部のみを示した斜視図である。
【図６】同実施例において研削装置により裏面側を研削して切削溝を表出させた状態の半導体ウエーハを示した斜視図である。
【図７】同実施例において裏面側を研削して切削溝を表出させた半導体ウエーハを反転させて示した斜視図である。
【図８】同反転させた半導体ウエーハをダイシングフレームに取り付け保護部材を剥離して示した斜視図である。
【符号の説明】
【００２６】
１  ダイシング装置
２、２１  チャックテーブル
３  ブレード
４  切削手段
５  アライメント手段
６  半導体ウエーハの供給手段
７  カセット
１０  半導体ウエーハ
１１  半導体チップ
１２  ストリート
１３  ノッチ
１４  ＩＤマーク
１５  溝（切削溝）
１６  保護部材
１７  フレーム
１８  伸長テープ
１９  切り欠き部
２０  研削装置
２２  研削砥石
２３  駆動部
２４  ガイド部
２５  移動用駆動部
【図１】
2005101290.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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