(57)【要約】【課題】高調波特性及びオフアイソレーション特性を改善することができる高周波モジュールを提供する。【解決手段】通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系に分ける分波回路ＤＩＰと、分波回路ＤＩＰに接続され，各送受信系を送信系と受信系に切り換えるスイッチ回路ＳＷと，スイッチ回路ＳＷに接続され，各送信系の通過帯域での送信信号を増幅する高周波増幅用半導体素子ＭＭＩＣと，高周波増幅用半導体素子ＭＭＩＣに接続されインピーダンス整合を行う出力整合回路ＰＡＭＮと，高周波増幅用半導体素子ＭＭＩＣの出力をモニタするためのカプラＣＯＰとを具備する。基本波周波数のｎ倍の周波数及び，高周波増幅用半導体素子がオフ状態の時の基本波周波数における前記出力整合回路ＰＡＭＮ及びカプラＣＯＰの間の前後方向を見たインピーダンスが互いに非共役とされている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波送信用信号を増幅する送信用電力増幅器と、
前記送信用電力増幅器の出力側に接続され、前記送信用電力増幅器の出力をモニタするための分岐を備えたカップラと、
前記カップラから出力される高周波送信用信号をアンテナ又はアンテナ分波回路に供給し、アンテナ又はアンテナ分波回路からの高周波受信信号を受信系に供給するためのスイッチ回路とを備え、
前記送信用電力増幅器には、高周波増幅回路と、高周波増幅回路の出力側とカップラの入力側とのインピーダンス整合をとるための出力整合回路とが設けられ、
前記出力整合回路の出力端とカップラとの間、又はカップラとスイッチ回路との間に、位相シフト回路が挿入され、
前記出力整合回路とスイッチ回路との間のいずれかの位置において、基本周波数のｎ倍高調波（ｎは２以上の整数）における、出力整合回路側を見たインピーダンスと、スイッチ回路側を見たインピーダンスとの関係が、互いに非共役整合とされていることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記位相シフト回路は、前記出力整合回路に接続される位相シフト回路の端子と、前記カップラに接続される位相シフト回路の端子との間に、誘導性素子と容量性素子とを含む共振回路が、直列状態で接続されている請求項１記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記誘導性素子と容量性素子とを含む共振回路が並列共振回路である請求項２記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記並列共振回路の入力端、出力端の少なくとも一方又は両方と、グランドとの間に容量性素子が接続されている請求項３記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記誘導性素子と容量性素子とを含む共振回路が直列共振回路である請求項２記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記直列共振回路の入力端、出力端の少なくとも一方又は両方と、グランドとの間に容量性素子が接続されている請求項５記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記出力整合回路とスイッチ回路との間のいずれかの位置において、増幅回路のパワーオフ時における、基本周波数の、出力整合回路側を見たインピーダンスと、スイッチ回路側を見たインピーダンスとの関係が、互いに非共役整合とされていることを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
【請求項８】
前記出力整合回路とスイッチ回路との間のいずれかの位置に、容量性素子が直列に挿入されている請求項７記載の高周波モジュール。
【請求項９】
前記容量性素子の容量値が100pF以下である請求項８記載の高周波モジュール。
【請求項１０】
前記請求項１〜請求項９のいずれかに記載の高周波モジュールを搭載する無線通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波モジュール及び無線通信装置に関し、特にデュアルバンド用移動無線端末に好適に使用される、送信用電力増幅器、スイッチ回路、カップラ（方向性結合器）、分波回路などにより構成される高周波モジュール及びそれを搭載した無線通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話の普及が進みつつあり、携帯電話の機能、サービスの向上が図られている。この新たな携帯電話として、マルチバンド携帯電話の提案がなされている。マルチバンド携帯電話は、通常の携帯電話が一つの送受信系のみを取り扱うのに対し、２つ以上の送受信系を取り扱うものである。これにより、利用者は適宜、都合の良い送受信系を選択して利用することができるものである。
【０００３】
図８に、デュアルバンドの場合の、携帯電話器の送信系回路ブロック図を示す。図８に示したデュアルバンド方式では、送信時においては、バンド方式に応じて、送信信号を送信用電力増幅器ＡＭＰ１またはＡＭＰ２で増幅した後、カップラＣＯＰ１又はＣＯＰ２を通し、高周波スイッチＳＷ１又はＳＷ２、分波回路ＤＩＰを経由してアンテナＡＮＴから電波を送信する。前記送信用電力増幅器ＡＭＰ１、ＡＭＰ２は高周波増幅用半導体素子ＭＭＩＣ１，２と、出力整合回路ＰＡＭＮ１，２とを含んでいる。
【０００４】
一方、受信時においては、受信信号は、アンテナＡＮＴから受信され、分波回路ＤＩＰ、高周波スイッチＳＷ１又はＳＷ２を介して取り出され、ＲＸ１、ＲＸ２を通して受信回路へ送出される。
以下、この明細書では、バンドを示す添え字１，２を省略して表記することがある。
上述したデュアルバンド方式の携帯電話器では、高周波スイッチＳＷ、カップラＣＯＰ、送信用電力増幅器ＡＭＰなどを有する回路が，多層化された誘電体基板表面あるいは内層に形成されたり，多層誘電体基板の一部にキャビティを設け，その内部に前記送信用電力増幅器ＡＭＰの高周波増幅用半導体素子ＭＭＩＣが実装されたりして高周波モジュールが形成される。
【０００５】
このような高周波モジュールにおいては，互いに接続される回路部品のインピーダンスの関係が重要となる。例えば，基本波周波数は，出力整合回路ＰＡＭＮと、該出力整合回路ＰＡＭＮの先に接続される回路（カップラ、スイッチ）とのインピーダンスを共役関係にすることで高周波増幅用半導体素子ＭＭＩＣからの信号の伝送効率が最大となる。
一方，基本波周波数のｎ倍の高調波周波数に対しては，インピーダンスを非共役関係にすることで，高調波信号の伝送が抑制され，最終的に高周波モジュールの出力端子における高調波信号レベルを低減できる。
【０００６】
従来の高周波モジュールにおいて，基本波周波数のｎ倍の周波数の高調波を低減する技術として，例えば，特許文献１に開示されているように，高周波増幅用半導体素子への電圧供給線路の線路長の調整、又は高周波増幅信号を伝送させるための主線路に、伝送線路と容量性素子、あるいは誘導性素子と容量性素子からなるスタブを付加することによって，出力整合回路と該出力整合回路に接続されるカプラとの間のインピーダンスを非共役整合にするという発明がある。
【特許文献１】特開２００２−１７１１３７公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら，これらの手法だけでは，複数の高調波周波数において非共役整合を実現するだけの自由度が不足する可能性がある。また，出力整合回路ＰＡＭＮが、送信用電力増幅器ＡＭＰにおいて非常に重要な出力電力，消費電流（動作効率）に対し主に寄与することから，その内部に形成される電圧供給線路の線路長及びスタブ長の選択には制限があり，そのため非共役整合実現のための設計に制限を与える結果，高周波モジュールとしての高調波レベルの低減が十分にできないという問題があった。高調波周波数の範囲は基本周波数の２倍から１４倍に及ぶ。
【０００８】
また，高周波増幅用半導体素子ＭＭＩＣがオフ状態において、当該送信用電力増幅器ＡＭＰの出力端子から基本波周波数の信号が漏洩するという問題（オフアイソレーション）がある。
このオフアイソレーションについても，高周波増幅用半導体素子ＭＭＩＣのオフ状態で、出力整合回路ＰＡＭＮの出力端とカプラＣＯＰの入力端のインピーダンスが共役整合になることから，基本波信号がそのまま伝送し，オフアイソレーション特性が悪化するという問題があった。
【０００９】
従って，本発明は，送信用電力増幅器の特性選択の自由度を残しながら、基本波周波数のｎ倍の周波数の高調波レベルを低減することのできる高周波モジュールを提供することを目的とする。
また、本発明は，マルチバンド方式において、オフアイソレーション特性を改善することのできる高周波モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の高周波モジュールは，高周波送信用信号を増幅する送信用電力増幅器と、前記送信用電力増幅器の出力側に接続され、前記送信用電力増幅器の出力をモニタするための分岐を備えたカップラと、前記カップラから出力される高周波送信用信号をアンテナ又はアンテナ分波回路に供給し、アンテナ又はアンテナ分波回路からの高周波受信信号を受信系に供給するためのスイッチ回路とを備え、
前記送信用電力増幅器には、高周波増幅回路と、高周波増幅回路の出力側とカップラの入力側とのインピーダンス整合をとるための出力整合回路とが設けられ、前記出力整合回路の出力端とカップラとの間、又はカップラとスイッチ回路との間に、位相シフト回路が挿入され、前記出力整合回路とスイッチ回路との間のいずれかの位置において、基本周波数のｎ倍高調波（ｎは２以上の整数）における、出力整合回路側を見たインピーダンスと、スイッチ回路側を見たインピーダンスとの関係が、互いに非共役整合とされていることを特徴とする。
【００１１】
設計において前記出力整合回路とスイッチ回路間の基本波周波数のｎ倍の高調波周波数の全てあるいは一部の高調波のインピーダンスが非共役整合にできない場合，本発明によれば、前記出力整合回路とスイッチ回路との間に前記位相シフト回路を追加することにより，前記出力整合回路とスイッチ回路との間の前後を見たインピーダンスを互いに非共役整合とすることができる。これにより高周波増幅回路で発生する高調波を反射させ，高周波モジュールの出力端での高調波レベルを低減することができる。
【００１２】
前記位相シフト回路は、前記出力整合回路に接続される位相シフト回路の端子と、前記カップラに接続される位相シフト回路の端子との間に、誘導性素子と容量性素子とを含む並列又は直列共振回路が、直列状態で接続されているものであっても良い。
前記並列又は直列共振回路の入力端、出力端の少なくとも一方又は両方とグランドとの間に容量性素子を接続してもよい。
【００１３】
また、本発明は、前記出力整合回路とスイッチ回路との間のいずれかの位置において、高周波増幅回路のパワーオフ時における、基本周波数の、出力整合回路側を見たインピーダンスと、スイッチ回路側を見たインピーダンスとの関係が、互いに非共役整合とされていることを特徴とする。
この構成によれば，マルチバンドを扱う場合、高周波増幅回路が動作状態の時は，基本波周波数の出力電力に対し影響を与えないが，高周波増幅回路がオフ状態になったとき，前記出力整合回路とスイッチ回路間のインピーダンスが非共役関係になり高周波モジュールのオフアイソレーション特性を改善できる。
【００１４】
このような高周波増幅回路がオフ状態になったとき，出力整合回路とスイッチ回路間のインピーダンスを非共役関係にするには、位相シフト回路内部、前記位相シフト回路と前記カプラとの間、又は前記出力整合回路と位相シフト回路との間に、容量性素子を接続するとよい。この容量性素子は、基本波周波数の信号に対しては、ほぼスルー状態となるが、ｎ＝２以上の高調波周波数に対しては、位相を遅らせる。前記容量性素子の値は、特性インピーダンス５０Ωの場合、１００ｐＦ以下に設定するとよい。
【００１５】
また本発明は、上に説明した高周波モジュールを搭載する無線通信装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば，前記出力整合回路とカプラの間、又はカップラとスイッチ回路との間に位相シフト回路を追加することにより，前記出力整合回路とスイッチ回路の間のインピーダンスを非共役整合とすることができる。これにより高周波増幅回路で発生する高調波を反射させ，高周波モジュールの出力端での高調波レベルを低減することができる。
また、位相シフト回路に容量性素子を直列に接続することで，高周波増幅回路が動作状態の時は，基本波周波数の出力電力に対し影響を与えず，高周波増幅回路がオフ状態になったとき，前記出力整合回路とスイッチ回路間のインピーダンスを非共役関係とし、高周波モジュールのオフアイソレーション特性を改善できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は、本発明の実施の形態に係る高周波モジュールのブロック図である。
本発明の高周波モジュールは、ＤＣＳ方式（基本周波数１８００ＭＨｚ帯）の送受信系とＧＳＭ方式（基本周波数９００ＭＨｚ帯）の送受信系とから構成され、両者の信号は分波回路ＤＩＰで回路的に分離される。すなわち、アンテナＡＮＴから受信されたＤＣＳ方式の受信信号は分波回路ＤＩＰを経てＤＣＳ側の送受信系へ導かれ、ＧＳＭ方式の受信信号は分波回路ＤＩＰを経てＧＳＭ側の送受信系に導かれる。
【００１８】
分波回路ＤＩＰには、各送受信系ＤＣＳ、ＧＳＭを送信系ＴＸと受信系ＲＸとにそれぞれ切りかえるダイオードスイッチ回路ＳＷ０１、ＳＷ０２が接続されている。
スイッチ回路ＳＷ０１の送信系ＴＸ側には、送信用電力増幅器ＡＭＰ１の出力をモニタして送信電力を調整するためのカップラＣＯＰ０１と、送信用電力増幅器ＡＭＰ１とカップラＣＯＰ０１間のインピーダンスの位相を変化させるための位相シフト回路ＣＩＲ１と、送信用電力増幅器ＡＭＰ１とが接続されている。カップラＣＯＰ０１と位相シフト回路ＣＩＲ１との間には、コンデンサＣ０１が挿入されている。送信用電力増幅器ＡＭＰ１は、出力整合回路ＰＡＭＮ１と、高周波増幅回路ＭＭＩＣ１とから構成されている。
【００１９】
スイッチ回路ＳＷ０２の送信系ＴＸ側には、送信用電力増幅器ＡＭＰ２の出力をモニタして送信電力を調整するためのカップラＣＯＰ０２と、送信用電力増幅器ＡＭＰ２とカップラＣＯＰ０２間のインピーダンスの位相を変化させるための位相シフト回路ＣＩＲ２と、送信用電力増幅器ＡＭＰ２とが接続されている。カップラＣＯＰ０２と位相シフト回路ＣＩＲ２との間には、コンデンサＣ０２が挿入されている。送信用電力増幅器ＡＭＰ２は、出力整合回路ＰＡＭＮ２と、高周波増幅回路ＭＭＩＣ２とから構成されている。
【００２０】
高周波増幅回路ＭＭＩＣは、入力信号を増幅する機能を持ち、小型化、高効率化を図るためにＧａＡｓＨＢＴ（ガリウム砒素ヘテロジャンクションバイポーラトランジスタ）構造を有する高周波増幅用半導体素子で形成されている。なお、本実施例ではＧａＡｓＨＢＴ半導体素子を高周波増幅回路ＭＭＩＣ１、ＭＭＩＣ２に用いているが、Ｐ−ＨＥＭＴ構造のＧａＡｓ半導体素子やシリコントランジスタで形成された高周波増幅用半導体素子を用いてもよい。
【００２１】
出力整合回路ＰＡＭＮは、高周波増幅回路ＭＭＩＣの出力インピーダンスである５Ω以下を、２０〜６０Ωのインピーダンスに変換して高周波増幅回路ＭＭＩＣの増幅性能を最大限まで引き出す機能、及びカップラＣＯＰと送信用電力増幅器ＡＭＰ間のインピーダンスを調整する機能を持っている。
なお、高周波増幅回路ＭＭＩＣの出力インピーダンスは、電源オフ時には、電源オン時と異なった値をとる。前記５Ω以下は電源オン時の値であり、電源オフ時には開放とみなせるくらい高インピーダンスとなる。
【００２２】
位相シフト回路ＣＩＲ１と送信用電力増幅器ＡＭＰ１との接続点をＰ１で示し、位相シフト回路ＣＩＲ２と送信用電力増幅器ＡＭＰ２との接続点をＰ２で示す。この接続点Ｐ１，Ｐ２からカップラＣＯＰ側を見たときの、ｎ倍高調波のインピーダンスをＺＣ１，ＺＣ２と書き、出力整合回路ＰＡＭＮ側を見たときの、ｎ倍高調波のインピーダンスをＺＭ１，ＺＭ２と書く。
【００２３】
本発明では、これらのインピーダンスがそれぞれ共役整合とならないように、位相シフト回路ＣＩＲを設計する。
なお、ここで、共役整合でないとは、図１における電力増幅器側とカップラ側のインピーダンスＺＭ１とＺＣ１、ＺＣ２とＺＭ２が実数部・虚数部の絶対値が同じで、虚数部の符号のみが異なるような共役な整合状態ではないことを意味する。
【００２４】
図２は、出力整合回路ＰＡＭＮとカップラＣＯＰ間のインピーダンスが共役整合状態にあるときを示すスミス図表であるが、この場合、両インピーダンスの実数部・虚数部の絶対値が同じで、虚数部の符号のみが異なっている。なお、スミス図表は特性インピーダンス５０Ωで規格化している。
図３は、位相シフト回路ＣＩＲを挿入することにより、両インピーダンスを非共役整合状態にした例を示すスミス図表である。位相シフト回路ＣＩＲの入力インピーダンスＺＣ１，ＺＣ２の虚数部の値が大きくなり、かつ負の方にシフトしている。
【００２５】
位相シフト回路ＣＩＲの回路例を、図４〜図７に示す。
図４に示す位相シフト回路ＣＩＲは，誘導性素子Ｌ１と容量性素子Ｃ１が並列に接続された共振回路を示す。Ｌ１のインダクタンス値とＣ１の容量値を適切に選択することで，任意の周波数において共振を起こし，位相を変化させることが出来る。
図５に示す位相シフト回路ＣＩＲは，誘導性素子Ｌ２と容量性素子Ｃ２が並列に接続され，並列回路の接続点とグランドとの間にそれぞれ容量性素子Ｃ３，Ｃ４が接続されている。Ｌ２のインダクタンス値とＣ２，Ｃ３，Ｃ４の容量値を適切に選択することで，任意の周波数において共振を起こし，位相を変化させることができる。またＣ３，Ｃ４は位相シフトのための共振に寄与すると共に，位相シフト回路ＣＩＲと出力整合回路ＰＡＭＮ間、並びに位相シフト回路ＣＩＲと容量性素子Ｃ１を経由してＡＮＴ端子に至るまでの回路とのインピーダンス整合にも寄与する。
【００２６】
図６に示す位相シフト回路ＣＩＲは，誘導性素子Ｌ３と容量性素子Ｃ５が直列に接続された共振回路を示す。Ｌ３のインダクタンス値とＣ５の容量値を適切に選択することで，任意の周波数において共振を起こし，位相を変化させることができる。
図７に示す位相シフト回路ＣＩＲは，誘導性素子Ｌ４と容量性素子Ｃ６が直列に接続され，直列回路の両端点とグランドとの間にそれぞれ容量性素子Ｃ７，Ｃ８が接続されている。Ｌ４のインダクタンス値とＣ６の容量値を適切に選択することで，任意の周波数において共振を起こし，位相を変化させることができる。またＣ７，Ｃ８は位相シフトのための共振に寄与すると共に，位相シフト回路ＣＩＲと出力整合回路ＰＡＭＮ間、並びに位相シフト回路ＣＩＲと容量性素子Ｃ０１，Ｃ０２を経由してＡＮＴ端子に至るまでの回路とのインピーダンス整合にも寄与する。
【００２７】
図１の容量性素子Ｃ０１，Ｃ０２は，高周波増幅回路ＭＭＩＣがオフ状態にあるときに、基本波周波数における、出力整合回路ＰＡＭＮの出力端と、カプラＣＯＰの入力端のインピーダンスが共役整合にならないようにする機能がある。これによって高周波モジュールの出力端子からの基本波周波数信号の漏洩量（オフアイソレーション特性）を改善することができる。
【００２８】
基本波周波数において共役整合にならないようにするためには、容量性素子Ｃ０１，Ｃ０２の容量値は、それぞれ１００ｐＦ以下で適切に選択することが好ましい。１００ｐＦを超えると、基本波周波数における位相変化量が少なくなって、非共役整合とする効果が弱くなる。また、容量性素子Ｃ０１，Ｃ０２の容量値は、それぞれ５ｐＦ以上に設定することが好ましい。５ｐＦ未満であれば、容量性素子Ｃ０１，Ｃ０２による位相変化量が大きくなりすぎて、基本波周波数におけるカップラＣＯＰとのインピーダンスの整合がとれなくなり、電源オン時の送信信号が減衰する。
【００２９】
本発明の送信用高周波モジュールの構造を簡単に説明すると、誘電体層を複数積層してなる誘電体基板表面及び誘電体基板内に、分波回路ＤＩＰ、スイッチ回路ＳＷ、カップラＣＯＰ、位相シフト回路ＣＩＲ、出力整合回路ＰＡＭＮを構成する、抵抗、コンデンサ、インダクタ、ダイオード等の素子を設ける。
このような素子は、表面実装チップ部品（集中定数素子）の形で誘電体基板表面に搭載することもあり、分布定数素子の形で、内部の誘電体層に設けることもある。
【００３０】
前記誘電体基板は、複数層積層してなる誘電体層と、その表面や内部に導体からなる導体パターンが形成されてなるものである。例えば、ガラスエポキシ樹脂などの有機系誘電体基板に対して、銅箔などの導体によって導体パターンを形成し、同時に焼成したもの、又は、セラミック材料などの無機系誘電体基板に種々の導体パターンを形成し、誘電体基板と同時に焼成したものが用いられる。とりわけ、ガラスセラミックスなどの低温で焼成が可能な材料を用いると、導体パターンを低抵抗の銅、銀などによって形成することができるので望ましい。
【００３１】
位相シフト回路ＣＩＲに用いられる誘導性素子Ｌ１〜Ｌ４、コンデンサＣ１〜Ｃ６は、表面実装チップ部品として誘電体基板表面に搭載してもよく、あるいは誘電体多層基板内部の誘電体層上に導体パターンを形成したり、対向電極で挟んでコンデンサ形成したりして実現してもよい。内部の誘電体層に素子を形成することにより，表面実装部品数を大幅に増やすことなく位相シフト回路を実現できる。
【００３２】
以上で、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の実施は、前記の形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更を施すことが可能である。例えば、今までの説明では、位相シフト回路ＣＩＲと送信用電力増幅器ＡＭＰとの接続点からカップラＣＯＰ側を見たときの、ｎ倍高調波のインピーダンスと、出力整合回路ＰＡＭＮ側を見たときの、ｎ倍高調波のインピーダンスとがそれぞれ共役整合とならないようにしていたが、この接続点は、スイッチ回路ＳＷと送信用電力増幅器ＡＭＰとの間であれば、前記以外にいかなる位置に設定してもよい。また、位相シフト回路ＣＩＲの挿入位置も、カップラＣＯＰと送信用電力増幅器ＡＭＰとの間に限らず、カップラＣＯＰとスイッチ回路ＳＷとの間に挿入してもよい。さらに、図１の容量性素子Ｃ０１，Ｃ０２の挿入位置も、スイッチ回路ＳＷと送信用電力増幅器ＡＭＰとの間であれば、前記以外にいかなる位置に設定してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明に係る高周波モジュールの基本回路構成図である。
【図２】共役状態にある時のインピーダンスの概略図である。
【図３】非共役状態にある時にインピーダンスの概略図である。
【図４】誘導性素子と容量性素子が並列に接続された位相シフト回路図である。
【図５】誘導性素子と容量性素子が並列に接続され，更に入出力端とグランドとの間にそれぞれ容量性素子が接続された位相シフト回路図である。
【図６】誘導性素子と容量性素子が直列に接続された位相シフト回路図である。
【図７】誘導性素子と容量性素子が直列に接続され，更に入出力端とグランドとの間にそれぞれ容量性素子が接続された位相シフト回路図である。
【図８】従来のデュアルバンド携帯電話器の送信系回路を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００３４】
ＡＮＴ・・・アンテナ端子
ＤＩＰ・・・分波回路
ＣＯＰ１，ＣＯＰ２・・・カプラ
ＳＷ１，ＳＷ２・・・高周波スイッチ回路
ＡＭＰ１，ＡＭＰ２・・・送信用電力増幅器
ＰＡＭＮ１，ＰＡＭＮ２・・・出力整合回路
ＭＭＩＣ１,ＭＭＩＣ２・・・高周波増幅回路
ＣＩＲ１，ＣＩＲ２・・・位相シフト回路
ＲＸ０１，ＲＸ０２・・・受信信号用端子
ＭＯＮ０１，ＭＯＮ０２・・・モニタ出力端子
Ｌ１〜Ｌ４・・・インダクタ（誘導性素子）
Ｃ０１，Ｃ０２・・・コンデンサ（容量性素子）
Ｃ１〜Ｃ８・・・コンデンサ（容量性素子）
ＡＰＣ・・・出力電力制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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