(57)【要約】      （修正有）【課題】チップまたは基板のパッドにバンプを形成して接合性能を改善させたフリップチップパッケージング方法および基板の積層構造を提供する。【解決手段】基板にボンディングパッドを有するチップを接着する方法で、ウェーハ状態のチップをダイシングを行って前処理された個別のチップを得るステップと、基板を前処理するステップと、前記チップのパッド側と前記基板のパッド側とを位置合わせした後、超音波と熱を加えながら圧着してチップと基板とを接合させるステップと、接合後、樹脂の充填またはモールディングの後処理を行うステップとで構成。チップまたは基板のバンプは、メッキバンプ、スタッドバンプまたはウェッジバンプを形成するか、メッキバンプ上にスタッドバンプまたはウェッジバンプを形成する。バンプは、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕなどを用いて形成することや、基板のバンプサイズとチップのバンプサイズとを同一にすることや、いずれかの一方をより大きくすることができ、基板にはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｎメッキを施す。【選択図】図２
2005159356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードパッドを有する基板にボンディングパッドを有するチップを接着する半導体パッケージング方法において、
ウェーハ状態のチップを前処理した後にダイシングを行って前処理された個別のチップを得るステップと、
基板を前処理するステップと、
前記前処理されたチップのパッド側と前記前処理された基板のパッド側とを位置合わせした後、コレットを用いて超音波と熱を加えながら圧着してチップと基板とを接合させるステップと、
接合後、樹脂の充填またはモールディングの後処理を行うステップと、
を含むことを特徴とする接合性能を向上させるためのフリップチップ接合方法。
【請求項２】
前記基板のリードパッドとしては、ＡｕまたはＳｎまたは伝導性の高い金属によるメッキが施されたものを使用することを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ接合方法。
【請求項３】
前記基板を前処理するステップは、ベア状態にする処理、メッキバンプを形成する処理、スタッドバンプを形成する処理、ドーピングバンプを形成する処理、接着剤を塗布する処理のうちのいずれか１つであることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ接合方法。
【請求項４】
前記接着剤は、異方導電性フィルム（ＡＣＦ）、異方導電性ペースト（ＡＣＰ）、非導電性フィルム（ＮＣＦ）、非導電性ペースト（ＮＣＰ）のうちのいずれか１つであることを特徴とする請求項３に記載のフリップチップ接合方法。
【請求項５】
前記ウェーハを前処理するステップは、ベア状態にする処理、メッキバンプを形成する処理、スタッドバンプまたはウェッジバンプを形成する処理、メッキバンプを形成した後にスタッドバンプを再び形成する処理のうちのいずれか１つであることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ接合方法。
【請求項６】
前記メッキバンプは、ＡｕまたはＡｌまたはＡｕがコーティングされたＮｉのうちのいずれか１つで形成され、前記スタッドバンプは、ＡｕまたはＡｇまたはＡｌまたはＣｕのような伝導性が高い金属で形成されることを特徴とする請求項３または請求項５に記載のフリップチップ接合方法。
【請求項７】
前記メッキバンプは、前記メッキバンプの接着力を向上させるため、Ａｕ粒子の大きさを成長させるためのアニーリング効果を与えることを特徴とする請求項３または請求項５に記載のフリップチップ接合方法。
【請求項８】
前記基板のバンプサイズと前記チップのバンプサイズとは、同一であるか、または、いずれかの一方が大きくなっていることを特徴とする請求項３または請求項５に記載のフリップチップ接合方法。
【請求項９】
前記ウェーハまたは基板に形成されるスタッドバンプの形状は、突起が長いもの、突起が短いもの、突起のない凸凹状のものと、ウェッジボンディングを用いたウェッジバンプを使用することを特徴とする請求項３または請求項５に記載のフリップチップ接合方法。
【請求項１０】
前記チップを固定させると共に超音波エネルギーを伝達するコレットの材質は、Ｚｒ金属、Ｔｉ金属、セラミックス、ステンレス合金、チタニウム合金（ＴｉＷ、ＴｉＣ）のうちのいずれか１つであることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ接合方法。
【請求項１１】
前記コレットは、超音波エネルギーの損失を最小化するためダイヤモンド状のカーボン薄膜を用いて表面にダイヤモンドコーティングされることを特徴とする請求項１０に記載のフリップチップ接合方法。
【請求項１２】
前記コレットは、超音波エネルギーの伝達を最大化するためコレットの底面にポリシング処理を施すポリシュタイプ、または、サンディングや放電処理で表面を粗面化したマットタイプであることを特徴とする請求項１０に記載のフリップチップ接合方法。
【請求項１３】
前記超音波を用いたフリップチップのボンディングでは、超音波エネルギーを７０ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの安定化した領域で加えるか、フリップチップのボンディング時に超音波エネルギーの喪失を最小化するため１００ＫＨｚ〜２５０ＫＨｚの間で超音波を加えることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ接合方法。
【請求項１４】
前記超音波の印加は、超音波を用いたフリップチップのボンディングを行うフリップチップボンダーにおいて上位のコレット側からＸ軸に超音波を与えると共に基板側のブロックからＹ軸に超音波を与えるか、または、コレット側からＹ軸に超音波を与えると共にブロック側からＸ軸に超音波を与えるか、または、コレット側とブロック側から同じ軸方向に互いに交叉しながら超音波エネルギーを与えることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ接合方法。
【請求項１５】
前記超音波の印加は、超音波を用いたフリップチップのボンディングを行うフリップチップボンダーのコレットとブロックが、コレット側からは７０〜１００ＫＨｚの超音波を加えると共にブロック側からは１００〜２５０ＫＨｚの超音波を加えるか、または、コレット側からは１００〜２５０ＫＨｚの超音波を加えると共にブロック側からは７０〜１００ＫＨｚの超音波を加えるか、または、コレット側とブロック側との両方から同様な２つの超音波を加えることを特徴とする請求項１４に記載のフリップチップ接合方法。
【請求項１６】
単位面積内で高性能を得るため下側チップ上に上側チップを接着するスタックフリップチップ方法において、
ウェーハ状態のチップにメッキバンプ、スタッドバンプ、ウェッジバンプのうちの１つを形成した後にダイシングを行ってメッキバンプまたはスタッドバンプまたはウェッジバンプが形成された上側の個別のチップを用意するステップと、
ベア状態の下側チップを用意するステップと、
前記上側チップのメッキバンプまたはスタッドバンプまたはウェッジバンプを前記下側チップのパッドに一致するように位置合わせして超音波と熱を加えながら圧着して上側チップと下側チップとを接合させるステップと、
を含むことを特徴とするスタックフリップチップ接合方法。
【請求項１７】
単位面積内で高性能を得るため下側チップ上に上側チップを接着するスタックフリップチップ方法において、
ウェーハ状態のチップにメッキバンプ、スタッドバンプ、ウェッジバンプのうちの１つを形成した後にダイシングを行ってメッキバンプまたはスタッドバンプまたはウェッジバンプが形成された上側の個別のチップを得るステップと、
樹脂系の接着剤で基板とチップとを接合させた後、当該チップのパッドにスタッドバンプまたはウェッジバンプを形成させて下側チップを得るステップと、
前記上側チップのメッキバンプまたはスタッドバンプまたはウェッジバンプを前記下側チップのスタッドバンプまたはウェッジバンプに一致するように位置合わせした後、超音波と熱を加えながら圧着して上側チップと下側チップとを接合させるステップと、
を含むことを特徴とするスタックフリップチップ接合方法。
【請求項１８】
基本物質上に銅箔パターンが形成された基板と、
前記基板上に硬度の高い金属をメッキして形成された硬金属層と、
前記硬金属層上に伝導性の高い金属をメッキして形成された導電金属層とからなり、前記基本物質の種類とは無関係に、ボンディング強度を維持すると共に生産歩留まりを向上させることができることを特徴とするフリップチップボンディングのための基板の金属積層構造。
【請求項１９】
前記金属積層構造は、前記基板と前記硬金属層との間にＮｉまたはＮｉ合金による金属層をさらに備えることを特徴とする請求項１８に記載のフリップチップボンディングのための基板の金属積層構造。
【請求項２０】
前記導電金属層は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｕ／Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ合金、Ａｇ合金、Ａｌ合金などを０．１μｍ以上の厚さにメッキして形成されることを特徴とする請求項１８または請求項１９に記載のフリップチップボンディングのための基板の金属積層構造。
【請求項２１】
前記硬金属層は、ＮｉまたはＮｉ合金を１μｍ以上の厚さにメッキして形成するか、Ｐｄ合金、Ｐｄ−Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐｄなどの合金で０．１μｍ以上の厚さにメッキして形成するか、Ａｕ合金を０．１μｍ以上の厚さにメッキして形成するか、ＡｕまたはＡｇ合金で０．１μｍ以上の厚さにメッキして形成されることを特徴とする請求項１８または請求項１９に記載のフリップチップボンディングのための基板の金属積層構造。
【請求項２２】
前記基板の基本物質は、ＦＰＣＢ、ＦＲ４、ＦＲ５、セラミックス、ガラスのうちのいずれか１つであることを特徴とする請求項１８または請求項１９に記載のフリップチップボンディングのための基板の金属積層構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージング技術に関し、より詳しくは、チップ、基板またはチップおよび基板の両方にバンプを形成して超音波熱圧着方式で接合することでチップと基板との接合性能を改善する、フリップチップ接合方法およびこのための基板の積層構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体チップを基板に接合する方法としては、ワイヤボンディング、ＴＡＰボンディング、フリップチップボンディングなどが知られている。ところで、電子製品の小型化および高性能化によって、電子製品に使用されるチップの大きさはますます小さくなっている反面、入出力ボンディングパッドの数は増加する傾向にあるため、半導体チップを基板に接合する方法としての従来のワイヤボンディングは限界に至り、このようなワイヤボンディングに代わる方法として、ワイヤ接続過程を行う必要がなく、軽薄短小でありながら集積度や性能面からも優れているフリップチップボンディング方式が広く適用されつつある。フリップチップボンディング方法は、チップのボンディングパッドと基板のリードパッドとを金属ワイヤで連結することなく、チップのボンディングパッドにバンプを形成させた後、基板のリードパッドに直接接合させる技術である。
【０００３】
図１（ａ）は、一般のフリップチップボンディングを説明するための図である。
図１（ａ）を参照するに、フリップチップボンディングは、ウェーハ１０から切断されたチップ１１のボンディングパッド１２にスタッドバンプ（ｓｔｕｄ  ｂｕｍｐ）１３を形成した後、チップ１１を裏返して基板２１上のリードパッド２２に直接接続する構造である。このとき、チップ１１をセラミックスパッケージにフリップチップボンディングするパッケージタイプのフリップチップボンディングと、メインボード上に直接フリップチップボンディングするオンボードタイプのフリップチップボンディングとに分けられる。
【０００４】
図１（ｂ）は、パッケージタイプのフリップチップボンディングの例であり、図１（ｃ）は、オンボードタイプのフリップチップボンディングの例である。図１（ｂ）を参照するに、パッケージタイプにおいて、チップ１１は、セラミックスパッケージ２１にフリップチップボンディングされており、このパッケージがメインボード２５に実装されている。セラミックスパッケージ２１は、パッケージの蓋２６により密封されている。オンボードタイプにおいては、チップ１１がメインボード２５上に直接フリップチップボンディングされた後、樹脂２７などによりスタッドバンプ５３の連結部分がモールディングされている。
【０００５】
なお、前述のようにチップを基板にボンディングする場合、基板２１の基本物質の種類によってボンディングの強度または生産歩留まりに大きく影響を与えている。従来、基板の積層構造は、図１（ｄ）に示されたように、基板２１の基本物質、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕからなる階層構造となっている。即ち、基板にパターンを形成した後、接着性を向上させるために表面処理を行うが、表面処理は、通常、ＮｉやＡｕなどをメッキする処理である。このとき、基板の基本物質２１−１としては、ＦＰＣＢ、ＦＲ４、ＦＲ５、セラミックス、ガラスなどが使用され、基板の基本物質２１−１にＣｕ層２１−２を施した後、パターンを形成し、接合性を向上させるための表面処理過程として、Ｎｉ層２１−３とＡｕ層２１−４を電気メッキで形成している。
【０００６】
しかし、このような従来のフリップチップボンディングは、チップと基板とを接合する時、熱と圧力を加える方式（熱圧着方式）を使用しているため、工程速度が遅く、高い熱と圧力によりチップが損傷されるおそれがあり、チップが接着される基板がフィルムなどのように弱く、ウェーハのパッドが弱い場合は、電気的な接合性が低下するという問題点がある。
また、従来の基板の積層構造では、基板の基本物質の種類によってボンディングの強度または生産歩留まりに大きく影響を与え、不良が発生するなどの問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前述のような問題点を解決するためになされたものであって、本発明の目的は、工程速度が速く、接合性能が向上し、高い信頼性および生産性を得ることができるフリップチップ接合方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、基板にハードメタルによるバッファ層を加えることで、基本物質の種類とは無関係に、ボンディング強度を維持すると共に生産歩留まりを向上させることができるフリップチップボンディングのための基板の金属積層構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前述のような目的を達成するための本発明のフリップチップボンディング方法は、リードパッドを有する基板にボンディングパッドを有するチップを接着する半導体パッケージング方法において、ウェーハ状態のチップを前処理した後にダイシングを行って前処理された個別のチップを得るステップと、基板を前処理するステップと、前記前処理されたチップのパッド側と前記前処理された基板のパッド側とを位置合わせした後、コレットを用いて超音波と熱を加えながら圧着してチップと基板とを接合させるステップと、接合後、樹脂の充填またはモールディングの後処理を行うステップとを含むことを特徴とする。このとき、前記基板のバンプサイズとチップのバンプサイズとは、同一であるか、または、いずれかの一方を大きくすることができ、基板の回路部分としては、Ｓｎメッキが施されたものを使用することができるため、パッドが弱いウェーハに使用されても、チップパッドを損傷することなくフリップチップを行うことができる。
また、前述のような目的を達成するための本発明の積層構造は、基本物質上に銅箔パターンが形成された基板と、前記基板上に硬度の高い金属をメッキして形成された硬金属層と、前記硬金属層上に伝導性の高い金属をメッキして形成された導電金属層とからなり、前記基本物質の種類とは無関係に、ボンディング強度を維持すると共に生産歩留まりを向上させることができることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、フリップチップボンディングを行うに当たって、熱圧着方法において超音波を加えて工程を速やかに処理することができ、特にチップにスタッドバンプやメッキバンプを形成すると共に基板側にもバンプを形成してそれぞれのバンプを直接接合することで、チップの接合特性を大きく向上させる効果が得られる。即ち、本発明は、コレットを用いてメッキバンプ（ｐｌａｔｅｄ ｂｕｍｐ）、スタッドバンプ（ｓｔｕｄ ｂｕｍｐ）、ウェッジバンプ（ｗｅｄｇｅ ｂｕｍｐ）またはドーピングバンプ（ｄｏｐｉｎｇ ｂｕｍｐ）を直接連結して接合した後、新しい合金領域を形成することで特性を向上させることができる。また、Ａｕより低い融点を有するＳｎまたはＡｌまたはＣｕメッキが施された基板を使用することで、電気的信頼性の確保が容易であり、接着力が優れているため、イメージセンサーなどのようなパッドが弱いウェーハに使用しても、チップパッドを損傷させることなくフリップチップボンディングを行うことができる。
【００１０】
また、フリップチップボンディング装備において、チップ側からのみエネルギーを与えるか、チップ側と基板側との両方から同時に超音波エネルギーを与えるようにしてフリップチップボンディングを行うことができる。
また、本発明によれば、基板上に基板の基本物質の種類による影響を遮断するため、硬度の高い金属でバッファ層をメッキで形成することで、基本物質の種類とは無関係に、ボンディング強度を維持すると共に生産歩留まりを向上させることができる効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、添付の図面を参照して本発明の好適な実施例を詳述する。
【実施例】
【００１２】
図２は、本発明に係るフリップチップパッケージング方法を示すフローチャートである。
本発明に係るフリップチップパッケージング方法は、図２に示されたように、ウェーハを受けてウェーハのボンディングパッドに接合のための前処理を行う接合前処理ステップ（Ｓ１、Ｓ２）と、テープ接着ステップ（Ｓ３）と、ウェーハ伝達ステップ（Ｓ４）、基板のリードパッドに接合のための前処理を行うステップ（Ｓ５、Ｓ６）、超音波熱圧着工法によりフリップチップボンディングを行うステップ（Ｓ７）と、接合後処理ステップ（Ｓ８）および検査ステップ（Ｓ９）を含む。
【００１３】
図２を参照するに、ウェーハ１０に対する接合前処理ステップ（Ｓ２）は、フリップチップボンディングのためのウェーハ１０のＡｌパッド１２上に、ＡｕまたはＡｌまたはＣｕからなるスタッドバンプを形成し、または、同一の金属を用いてウェッジボンドを用いたウェッジバンプを形成し、または、Ａｌパッド１２上にＡｕメッキバンプやＡｌまたはＡｇを蒸着して形成し、または、一次メッキバンプを形成した後、その上にＡｕまたはＡｇまたはＡｌまたはＣｕからなるスタッドバンプやウェッジバンプを形成する工程である。
また、基板２１に対する接合前処理ステップ（Ｓ９）は、基板２１のＡｌパッド２２にＡｕまたはＣｕまたはＡｌからなるスタッドバンプやウェッジバンプを形成し、または、Ａｌパッド２２にＡｕメッキバンプを形成し、または、基板２１上に異方導電性接着剤（ＡＣＦ、ＡＣＰ）或いは非伝導性接着剤（ＮＣＦ、ＮＣＰ）などを塗布する工程である。なお、基板２１は、半導体チップ１１を接合するためのものであって、セラミックス、ＰＣＢ、ＦＰＣＢなどである。
【００１４】
〔メッキバンプ形成〕
本発明によってウェーハ１０または基板２１にメッキバンプ３２を形成する方法は、図３（ａ）に示されたように、ウェーハ１０または基板２１においてパッド１２（または２２）を除いた部分に保護膜３１を形成させた後、電解メッキや無電解メッキ法などの通常のメッキ方式を用いてＡｕまたはＡｌを蒸着し、または、Ｎｉを蒸着した後、その上にＡｕを蒸着し、保護膜３１を除去して形成する。
また、ウェーハ１０または基板２１におけるメッキバンプ３２は、Ａｕ粒子からなっており、メッキバンプ３２の接着力を増加させるため、図３の（ｂ）乃至（ｄ）に示されたように、アニーリング効果を与えてＡｕ粒子３６の大きさが大きくなるようにすることもできる。図３（ｂ）は、形成されたメッキバンプ３２に熱３５を加えてアニーリング効果を与える例を示し、図３（ｃ）は、レーザービーム３７をメッキバンプ３２に照射してアニーリング効果を与える例を示し、図３（ｄ）は、コーニングキャピラリー３８でメッキバンプ３２を処理してアニーリング効果を与える例を示すものである。
【００１５】
〔トッピングバンプ形成〕
図４は、本発明によって基板上にドーピングバンプを形成する例を示す図であって、ＡｕまたはＡｇまたはＣｕ粒子４６を部分的に基板やウェーハ上に施して粒子を成長させるドーピング方式によりドーピングバンプ４３を形成することができる。このとき、基板のパッド２２には、ＡｕまたはＣｕまたはＡｌまたはＳｎによるメッキが施されたものを使用することもできる。
【００１６】
〔スタッドバンプの形成と形状〕
ウェーハ１０または基板２１にスタッドバンプ５３を形成する方法は、図５（ａ）に示されたように、Ａｕワイヤ５１が挿入されたキャピラリー５２を用いてパッド１２（または２２）上にスタッドバンプ５３を形成する。即ち、Ａｕワイヤ５１にアークを加えて溶かしながらキャピラリー５２をウェーハ１０または基板２１に向いてパッド上に溶融されたＡｕを接触した後、超音波を加えて接着させ、横軸に少し移動して突起部分をプラットにした後、再びキャピラリー５２を載せてパッド上にスタッドバンプ５３のみを残す。
前述のような方式で形成されたスタッドバンプ５３の形状例は、図５（ｂ）に示されたように、スタッドバンプのボディ部５３−１の中央に長くネック部５３−２が形成されたものと、図５（ｃ）に示されたように、ボディ５３−１上のネック部５３−２が短い形状のもの、または、図５（ｄ）に示されたように、ボディ５３−１上の中央に突起がない凸凹状のものがあげられる。また、図５（ｅ）に示されたように、ボディ部５３−１が梯形であり中央にネック部５３−２を有しない形状のもの、または、図５（ｆ）に示されたように、ボディ部５３−１が非常に太くネック部５３−２を有しない形状のものがあげられる。このようなスタッドバンプの形成工程は、有害なフラックスなどを使用しないため、ソルダリング方式に比べて環境にやさしい方式であり、また、工程が単純である。
【００１７】
〔ウェッジバンプの形成と形状〕
本発明によってウェーハ１０または基板２１にウェッジバンプ６３を形成する方法は、図６（ａ）に示されたように、Ａｕワイヤ６１やＡｌ、Ｃｕ、Ａｇなどの高伝導性のワイヤが挿入されたウェッジボンディングツール６５を用いてパッド１２（または２２）上にウェッジバンプ６３を形成する。即ち、Ａｕワイヤ６１またはＡｌワイヤ６１−２またはＣｕワイヤ６１−３をウェッジボンディングツール６５に挿入した後、ウェッジボンディングツール６５がウェーハ１０または基板２１に向いてパッド上に溶融されたＡｕを接触した後、超音波を加えて接着させ、横軸に少し移動してそれぞれのワイヤを接着させてから直にそれぞれのワイヤをカットすることで、ウェーハ１０または基板２１にウェッジバンプ６３を形成させる。
このような方式で形成されたウェッジバンプ６３の形状例は、図６の（ｂ）乃至（ｄ）に示されたように、２つの突起を有する形状のものと、突起を有しない形状のものなどさまざまなウェッジツールの形状に応じて形成することができる。
【００１８】
〔テープ接着工程〕
前処理されたウェーハ１０にテープ７２を接着する工程（Ｓ３）は、スタッドバンプが形成されたウェーハ１０をダイシングする場合、ダイ（即ち、チップ）がバラバラに離脱しないようにテープで固定させる工程である。テープの接着時の垂直構造は、図７に示されたように、両端に設けられたフレームリング７４でテープ７２を支持しながらウェーハ１０をテープ接着面に載せて接着させる。
【００１９】
〔ウェーハ切断工程〕
ウェーハ切断工程（Ｓ４）は、ウェーハ状態のチップをカッターで分離させる工程である。切断時の側端面図は、図８に示されたように、カッター８０のブレード８１によってウェーハ１０を完全にカットされるが、テープ７２は一部のみカットされ、これによって、切断後でもテープ７２によりチップ１１がばらばらに散らばることがない。
【００２０】
〔接合工程〕
図９（ａ）は、本発明に係るフリップチップボンディングを行うためのボンディング装備を示す概略図である。本発明に適用されるボンディング装備は、チップ１１を固定させるコレット９５と基板２１を支持するブロック１００とで構成される。
図９（ａ）を参照するに、チップ１１を固定しているコレット９５は、Ｘ軸に振動しながら超音波エネルギーをチップに伝達し、基板２１を支持しているブロック１００はＹ軸に振動しながら、または、コレット９５はＹ軸に、ブロック１００はＸ軸に、または、コレット９５とブロック１００とが互いに同じ軸方向に交叉しながら超音波エネルギーを伝達することで、既存のコレット９５からのみ伝達している方式と混用して使用することができる。従って、チップ１１側からのみ与えられる超音波エネルギーを、基板２１側からも与えることができるため、短時間でフリップチップボンディングを行うことができ、チップ１１と基板２１との接合強度が向上すると共に生産歩留まりが向上する。
【００２１】
〔コレットの定義と表面処理方法〕
フリップチップ接合時に超音波エネルギーをチップに伝達するコレット（ｃｏｌｌｅｔ）９５は、図９（ｂ）および図９（ｃ）に示されたように、中央部に真空ホール９６が形成され、真空でチップ１１を固定すると共に超音波エネルギーを伝達する役割を果たす。
前述のようなコレット９５の種類は、チップと接触する面の表面処理方法によって、図９（ｄ）に示されたように接触面をポリシング処理するポリシュタイプ（Ｐｏｌｉｓｈ  Ｔｙｐｅ）と、図９（ｅ）に示されたように接触面が粗面化したマットタイプ（Ｍａｔｔ  Ｔｙｐｅ）とに分けられる。
なお、コレット９５は、Ｚｒ金属、Ｔｉ金属、セラミックス、ステンレス合金、チタニウム系合金（ＴｉＷ、ＴｉＣ）などのように超音波に良く耐える材料で形成される。
また、超音波エネルギーの損失を最小化するため、コレット９５は、図９（ｆ）に示されたように、ダイヤモンドコーティングを施すこともできる。ダイヤモンドコーティング（ＤＬＣ ｃｏａｔｉｎｇ）とは、スパッタリング９９またはＣＶＤを用いてカーボン原子９８をコレット９５の表面に成長させてダイヤモンド層９７を形成する方法であって、ダイヤモンド状のカーボン薄膜９７をコレットの外側面に施すと、トランスデューサから伝わる超音波エネルギーが外部に損失されるのが最小化し、超音波エネルギーがチップまで効率よく伝達されるようになる。
【００２２】
〔接合構造〕
本発明によって前処理された基板２１とチップ１１とをフリップチップボンディングする接合構造は、基板のパッド２２とチップのパッド１２にバンプを形成する方式に応じて、下記の表１のように種々の構造が可能である。
【００２３】
【表１】
2005159356.tif 000003
【００２４】
第１の実施例
図１０（ａ）は、本発明によってスタッドバンプが形成された基板とメッキバンプが形成されたチップとを熱圧着方式によりフリップチップ接合する過程を示す図である。
図１０（ａ）を参照するに、チップ１１のＡｌボンディングパッド１２には、ＡｕまたはＡｌまたはＡｕがコーティングされたＮｉからなるメッキバンプ３２Ｃが形成されており、基板２１のリードパッド２２には、ＡｕまたはＣｕからなるスタッドバンプ５３Ｓが形成されている。また、フリップチップボンディング工程（Ｓ５）において、チップ１１と基板２１とが密着された後、基板２１には熱を加え、チップ１１にはコレット９５により７０ＫＨｚ以上の超音波を印加すると共に基板２１側に圧力を加えることで、チップ上のメッキバンプ３２Ｃと基板のスタッドバンプ５３Ｓとが熱（ｔｈｅｒｍｏ）、超音波（ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ）および圧力（ｆｏｒｃｅ）から発生したエネルギーにより接合される。なお、使用されるコレット９５は、Ｚｒ、Ｔｉ、セラミックス、ステンレス合金、ＴｉＷ、ＴｉＣなどがそれぞれのチップの大きさに比べて少し小さく形成される。
【００２５】
第２の実施例
図１０（ｂ）は、本発明によって基本基板（ｂａｒｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）とメッキバンプが形成されたチップとを超音波熱圧着方式によりフリップチップ接合する過程を示す図である。
図１０（ｂ）を参照するに、チップ１１のＡｌボンディングパッド１２には、ＡｕまたはＡｌまたはＡｕがコーティングされたＮｉからなるメッキバンプ３２Ｃが形成されており、基板２１は、リードパッド２２に何等バンプが形成されていないベア状態である。また、フリップチップボンディング工程（Ｓ５）において、チップ１１と基板２１とが密着された後、基板２１には熱を加え、チップ１１にはコレット９５により超音波を印加すると共に基板２１側に圧力を加えることで、チップのメッキバンプ３２Ｃと基板のリードパッド２２とが、熱、超音波および圧力から発生したエネルギーにより接合される。
【００２６】
第３の実施例
図１０（ｃ）は、本発明によってスタッドバンプが形成された基板とメッキバンプが形成されたチップのパッド上にさらにスタッドバンプを形成して超音波熱圧着方式によりフリップチップを接合する過程を示す図である。
図１０（ｃ）を参照するに、チップ１１のＡｌボンディングパッド１２には、ＡｕまたはＡｌまたはＡｇまたはＣｕまたはＡｕがコーティングされたＮｉからなるメッキバンプ３２Ｃが形成されており、メッキバンプ３２Ｃ上にさらにスタッドバンプ５３Ｃが形成されている。また、基板２１のリードパッド２２上には、スタッドバンプ５３Ｓが形成されている。その後、フリップチップボンディング工程（Ｓ５）において、チップ１１と基板１１とが密着された後、基板１２には熱を加え、チップ１１にはコレット９５により超音波を印加すると共に基板２１側に圧力を加えることで、チップ１１のスタッドバンプ５３Ｃと基板２１のスタッドバンプ５３Ｓとが熱、７０ＫＨｚ以上の超音波および圧力から発生したエネルギーにより接合される。
【００２７】
第４の実施例
図１０（ｄ）は、本発明によって基本基板とメッキバンプが形成されたチップのパッド上にスタッドバンプをさらに形成した後、超音波熱圧着方式によりフリップチップ接合する過程を示す図である。
図１０（ｄ）を参照するに、チップ１１のＡｌボンディングパッド１２には、ＡｕまたはＡｌまたはＡｕがコーティングされたＮｉからなるメッキバンプ３２Ｃが形成されており、メッキバンプ３２Ｃ上にさらにスタッドバンプ５３Ｃが形成されている。また、基板２１のリードパッド２２には何等バンプが形成されていないベア状態である。その後、フリップチップボンディング工程（Ｓ５）において、チップ１１と基板２１とが密着された後、基板２１には熱を加え、チップ１１にはコレット９５により超音波を印加すると共に基板２１側に圧力を加えることで、チップのスタッドバンプ５３Ｃと基板のリードパッド２２とが熱、超音波および圧力から発生したエネルギーにより接合される。
【００２８】
第５の実施例
図１０（ｅ）は、本発明によって基板とチップにそれぞれスタッドバンプ５３Ｃ、５３Ｓを形成して超音波熱圧着方式によりフリップチップ接合する過程を示す図である。
図１０（ｅ）を参照するに、チップ１１のＡｌボンディングパッド１２には、ＡｕまたはＣｕからなるスタッドバンプ５３Ｃが形成されており、基板２１のリードパッド２２にもＡｕまたはＣｕからなるスタッドバンプ５３Ｓが形成されている。その後、フリップチップボンディング工程（Ｓ５）において、チップ１１と基板２１とが密着された後、基板２１には熱を加え、チップ１１にはコレット９５により超音波を印加すると共に基板２１側に圧力を加えることで、チップ上のスタッドバンプ５３Ｃと基板上のスタッドバンプ５３Ｓとが熱、超音波および圧力から発生したエネルギーにより接合される。
【００２９】
第６の実施例
図１０（ｆ）は、本発明によってスタッドバンプ５３Ｓが形成された基板とチップの基本Ａｌパッドとを超音波熱圧着方式によりフリップチップ接合する過程を示す図である。
図１０（ｆ）を参照するに、チップ１１のＡｌボンディングパッド１２には、何等バンプが形成されていないベア状態であり、基板２１のリードパッド２２には、ＡｕまたはＣｕからなるスタッドバンプ５３Ｓが形成されている。その後、フリップチップボンディング工程（Ｓ５）において、チップ１１と基板２１とが密着された後、基板２１には熱を加え、チップ１１にはコレット９５により超音波を印加すると共に基板２１側に圧力を加えることで、チップのボンディングパッド１２と基板のスタッドバンプ５３Ｓとが熱、超音波および圧力から発生したエネルギーにより接合される。
【００３０】
第７の実施例
図１０（ｇ）は、本発明によって基本基板とスタッドバンプ５３Ｃが形成されたチップとを超音波熱圧着方式によりフリップチップ接合する過程を示す図である。
図１０（ｇ）を参照するに、チップ１１のＡｌボンディングパッド１２には、ＡｕまたはＣｕからなるスタッドバンプ５３Ｓが形成されており、基板２１のリードパッド２２は何等バンプが形成されていないベア状態である。その後、フリップチップボンディング工程（Ｓ５）において、チップ１１と基板２１とが密着された後、基板２１には熱を加え、チップ１１にはコレット９５により超音波を印加すると共に基板２１側に圧力を加えることで、チップのスタッドバンプ５３Ｃと基板２１のリードパッド２２とが熱、超音波および圧力から発生したエネルギーにより接合される。
【００３１】
第８の実施例
図１０（ｈ）は、本発明によって基本基板に接着剤（ＡＣＦ、ＡＣＰ、ＮＣＦ、ＮＣＰ）を塗布した後、スタッドバンプ５３Ｃが形成されたチップを超音波熱圧着方式によりフリップチップ接合する過程を示す図である。
図１０（ｈ）を参照するに、チップ１１のＡｌボンディングパッド１２には、ＡｕまたはＣｕからなるスタッドバンプ５３Ｃが形成されており、基板２１のリードパッド２２は何等バンプが形成されていないベア状態で、異方導電性フィルム（ＡＣＦ）、異方導電性ペースト（ＡＣＰ）、非導電性フィルム（ＮＣＦ）、非導電性ペースト（ＮＣＰ）のうちのいずれか１つの接着剤１０２が塗布されている。その後、フリップチップボンディング工程（Ｓ５）において、チップ１１と基板２１とが密着された後、基板２１には熱を加え、チップ１１にはコレット９５により超音波を印加すると共に基板２１側に圧力を加えることで、チップのスタッドバンプ５３Ｃと基板２１のリードパッド２２とが熱、超音波および圧力から発生したエネルギーにより接合される。
【００３２】
第９の実施例
図１０（ｉ）は、本発明によって基本基板に接着剤（ＡＣＦ、ＡＣＰ、ＮＣＦ、ＮＣＰ）を塗布した後、メッキバンプが形成されたチップを超音波熱圧着方式によりフリップチップ接合する過程を示す図である。
図１０（ｉ）を参照するに、チップ１１のＡｌボンディングパッド１２には、ＡｕまたはＡｌまたはＡｕがコーティングされたＮｉからなるメッキバンプ３２Ｃが形成されており、基板２１のリードパッド２２には何等バンプが形成されていないベア状態で、異方導電性フィルム（ＡＣＦ）、異方導電性ペースト（ＡＣＰ）、非導電性フィルム（ＮＣＦ）、非導電性ペースト（ＮＣＰ）のうちのいずれか１つの接着剤１０２が塗布されている。その後、フリップチップボンディング工程（Ｓ５）において、チップ１１と基板２１とが密着された後、基板２１には熱を加え、チップ１１にはコレット９５により超音波を印加すると共に基板２１側に圧力を加えることで、チップのメッキバンプ３２Ｃと基板２１のリードパッド２２とが熱、超音波および圧力から発生したエネルギーにより接合される。
このように、本発明によって基板２１とチップ１１に形成されるバンプとしては、ＡｕまたはＡｌからなるメッキバンプ、ＡｕがコーティングされたＮｉからなるメッキバンプ、Ａｕスタッドバンプ、Ｃｕスタッドバンプなどがある。また、基板２１としては、既存のＰＣＢまたはＦＰＣＢを使用することができ、Ｓｎがメッキされた基板を使用するか、基板上にＡＣＦ、ＡＣＰ、ＮＣＦ、ＮＣＰなどを塗布することで、より優れた接着力を有するフリップチップ工程を行うこともできる。
【００３３】
第１０の実施例
図１０（ｊ）は、チップ１１のＡｌボンディングパッド１２に、ＡｕまたはＡｌまたはＡｕがコーティングされたＮｉからなるメッキバンプ３２Ｃを形成して使用するか、メッキバンプ３２Ｃを形成せずにＡｌボンディングパッド１２のみを使用してドーピングバンプ４３が形成された基板２１上に超音波を接着させる例を示すものである。
このように、本発明に係るフリップチップ接合工程（Ｓ５）における接着手段は、基板２１には熱を加え、チップ１１にはコレット９５により超音波を印加すると共に基板２１側に圧力を加えることで、両側を熱、超音波および圧力から発生したエネルギーにより接合する。このように、本発明では、既存の熱圧着フリップチップ工法とは異なり、熱圧着と同時に超音波を加えることで、従来に比べて工程時間を短縮することができ、Ｓｎメッキが施された基板を使用するか、基板上にＡＣＦ、ＡＣＰ、ＮＣＦ、ＮＣＰなどを塗布して使用する場合、より優れた接着力を発揮することができる。
【００３４】
〔変形例〕
図１１（ａ）乃至図１１（ｄ）は、スタッドバンプやウェッジバンプの相対的な大きさによる接合構造の例と、塗布前にバンプを形成した後、ＡＣＦ、ＡＣＰ、ＮＣＦ、ＮＣＰなどを塗布する例を示す図である。
図１１（ａ）は、チップ１１のバンプ５３Ｃ、６３Ｃを基板２１のバンプ５３Ｓ、６３Ｓに比べて大きく形成して接合した場合を示す図であり、図１１（ｂ）は、チップのバンプ５３Ｃ、６３Ｃの大きさと基板２１のバンプ５３Ｓ、６３Ｓの大きさとが同一である場合を示す図であり、図１１（ｃ）は、基板のバンプ５３Ｓ、６３Ｓをチップのバンプ５３Ｃ、６３Ｃに比べて大きく形成して接合した場合を示す図である。このように、チップのバンプ５３Ｃ、６３Ｃと基板のバンプ５３Ｓ、６３Ｓとは、その大きさや種類を同様にまたは異にして接合することができる。
図１１（ｄ）は、基板２１にバンプ５３Ｓ、６３Ｓを形成した後、ＡＣＦ、ＡＣＰ、ＮＣＦ、ＮＣＰなどのような異方導電性接着剤１０２または非導電性接着剤１０２を塗布した後、直に接合を行うことで、樹脂を充填する工程を減らすことができる場合を示す図である。ＡＣＦ、ＡＣＰ、ＮＣＦ、ＮＣＰなどのような異方導電性接着剤１０２または非導電性接着剤１０２を塗布する方法においては、基板２１上に形成したバンプの周りのみを塗布することができ、また、基板２１周りの全体を塗布することもできる。
【００３５】
〔チップスタック〕
図１２（ａ）は、本発明によってスタッドバンプ５３またはウェッジバンプ６３を上側のチップ１１のパッド１２上または下側のチップ１１のパッド１２上に形成させるが、このとき、下側のチップには、パッド１２が２列以上形成されている必要がある。２つのチップ１１のパッド面が向かい合うようにし、下側のチップ１１では熱を加え、上側のチップ１１にはコレット９５により超音波と力を印加することで、上側のチップ１１と下側のチップ１１とを互いに接合させ、チップを積む働きをすることで、１つのチップの場合に比べてより優れた性能を発揮させるスタックチップの状態を示す図である。
図１２（ｂ）は、本発明によって上側のチップ１１にスタッドバンプ５３またはウェッジバンプ６３を形成させ、また、下側のチップにスタッドバンプ５３またはウェッジバンプ６３を形成させ、これらが向かい合うようにし、ツールを用いて超音波と力を印加することでスタック（ｓｔａｃｋ）を作る状態を示す図である。
図１２（ｃ）は、本発明によって上側のチップ１１にはメッキバンプ３２を形成させ、下側のチップ１には、スタッドバンプ５３またはウェッジバンプ６３を形成させ、これらを互いに接合してスタックを作る状態を示す図である。
図１２（ｄ）は、本発明によって、上側のチップ１１にメッキバンプ３２を形成させ、これを真下のチップ１１に貼り付けてスタックチップを形成する状態を示す図である。なお、このような場合のバンプは、伝導性の良いＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕをワイヤとして形成して使用する。
【００３６】
〔後処理工程〕
フリップチップボンディング工程（Ｓ５）後の後処理工程では、必要に応じて接合空間に樹脂を充填してチップを保護する（Ｓ６）。図１３は、保護壁１３２を用いると共に基板２１とチップ１１の両側にバンプ５３Ｃ、５３Ｓ、（６３）をそれぞれ形成して接合したものをモールディング１３４した例を示す図である。即ち、基板の前処理工程において、チップが実装された周辺に保護壁１３２を形成した後、フリップチップ接合を行うことで、アンダーフィルおよびサイドシーリングする後処理工程においてエポキシ樹脂成分がバンプと基板との間に浸透するのを防止することができる。このとき、保護壁１３２の材質としては、ＮＣＰ、ＮＣＦ、ＡＣＦ、ＡＣＰ、エポキシ、モールディングコンパウンドなどを使用することができ、フリップチップ接合後に軟質の保護壁１３２を硬化するためのカーリング工程を行うことが好ましい。
【００３７】
〔基板の積層構造〕
本発明に係る接合に使用される基板の積層構造は、基本物質上に銅箔パターンが形成された基板と、前記基板上に硬度の高い金属をメッキして形成された硬金属層と、前記硬金属層上に伝導性の高い金属をメッキして形成された導電金属層とからなり、前記基本物質の種類とは無関係に、ボンディング強度を維持すると共に生産歩留まりを向上させることができる。
図１４は、本発明に係るフリップチップ接合を行うための基板の金属積層構造の第１の実施例を示す図である。
図１４を参照するに、本発明に適用される基板２１は、基板の基本物質に銅箔パターンが形成されている。なお、基板の基本物質としては、ＦＰＣＢ、ＦＲ４、ＦＲ５、セラミックス、ガラスなどが使用される。
このような基板２１上に、本発明によって、基板に近接した位置から第１の金属層１４１と第２の金属層１４２をメッキ方式で形成する。第１の金属層１４１は、基板の基本物質の種類による影響を遮断するためのバッファ層であって、Ｐｄ合金、Ｐｄ−Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐｄなどの合金で３μｍ以上の厚さにメッキして形成される。第２の金属層１４２は、ボンディング時にスタッドバンプなどと直接接続される部分であり、伝導性の良い純粋なＡｕ、Ａｇ、Ａｕ／Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ合金、Ａｇ合金、Ａｌ合金などを０．１μｍ以上の厚さにメッキして形成される。
【００３８】
このように基板の種類による影響を遮断するための硬金属（ハードメタル）のバッファ層１４１を加えることで、基本物質の種類とは無関係に、ボンディング強度を維持すると共に生産歩留まりを向上させることができる。
図１５は、本発明に係るフリップチップ接合を行うための基板の金属積層構造の第２の実施例を示す図である。
図１５を参照するに、本発明に適用される基板２１は、基板の基本物質に銅箔パターンが形成されている。なお、基板の基本物質としては、ＦＰＣＢ、ＦＲ４、ＦＲ５、セラミックス、ガラスなどが使用される。
このように基板２１上に、本発明によって第１乃至第３の金属層１５１〜１５３をメッキ方式で形成する。
第１の金属層１５１は、ＮｉまたはＮｉ合金を３μｍ以上の厚さにメッキして形成されたものであり、第２の金属層１５２は、基板の基本物質の種類による影響を遮断するためのバッファ層であって、Ａｕ合金を０．１μｍ以上の厚さにメッキして形成されたものである。
第３の金属層１５３は、ボンディング時にそれぞれのバンプなどと直接接続される部分であり、伝導性の良い純粋なＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ合金、Ａｇ合金、Ａｌ合金などを使用する。
このように基板の種類による影響を遮断するための硬金属（ハードメタル）のバッファ層を加えることで、基本物質の種類とは無関係に、ボンディング強度を維持すると共に生産歩留まりを向上させることができる。
以上、本発明の好適な実施例を挙げて説明してきたが、本発明の保護範囲は、前述の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物にまで及ぶものである。従って、本発明の範囲を逸脱しない範囲内で種々に変更して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１（ａ）】一般のフリップチップボンディングを説明するための図
【図１（ｂ）】一般のフリップチップボンディングを説明するための図
【図１（ｃ）】一般のフリップチップボンディングを説明するための図
【図１（ｄ）】フリップチップボンディングに使用される従来の基板の積層構造を示す図
【図２】本発明に係る接合性を向上させるためのフリップチップパッケージング方法を示すフローチャート
【図３（ａ）】本発明によってメッキバンプを形成する過程を示す図
【図３（ｂ）】本発明によってメッキバンプの接合性を向上させるためアニーリング効果を与える方法を示す図
【図３（ｃ）】本発明によってメッキバンプの接合性を向上させるためアニーリング効果を与える方法を示す図
【図３（ｄ）】本発明によってメッキバンプの接合性を向上させるためアニーリング効果を与える方法を示す図
【図４】本発明によってドーピングバンプを基板上に形成する過程を示す図
【図５（ａ）】本発明によってスタッドバンプを形成する過程を示す図
【図５（ｂ）】本発明によって形成されたスタッドバンプの形状例を示す図
【図５（ｃ）】本発明によって形成されたスタッドバンプの形状例を示す図
【図５（ｄ）】本発明によって形成されたスタッドバンプの形状例を示す図
【図５（ｅ）】本発明によって形成されたスタッドバンプの形状例を示す図
【図５（ｆ）】本発明によって形成されたスタッドバンプの形状例を示す図
【図６（ａ）】本発明によってウェッジバンプを形成する過程を示す図
【図６（ｂ）】本発明によって形成されたウェッジバンプの形状例を示す図
【図６（ｃ）】本発明によって形成されたウェッジバンプの形状例を示す図
【図６（ｄ）】本発明によって形成されたウェッジバンプの形状例を示す図
【図７】図２に示されたテープ接着工程の例を示す図
【図８】図２に示されたウェーハ切断工程の例を示す図
【図９（ａ）】本発明に係るフリップチップボンディング装備の例を示す図
【図９（ｂ）】本発明によって開発されたコレットの形状例を示す図
【図９（ｃ）】本発明によって開発されたコレットの形状例を示す図
【図９（ｄ）】本発明によって開発されたコレットの形状例を示す図
【図９（ｅ）】本発明によって開発されたコレットの形状例を示す図
【図９（ｆ）】本発明によって開発されたコレットの形状例を示す図
【図１０（ａ）】本発明によって基板とチップとを接合する構造の例を示す図
【図１０（ｂ）】本発明によって基板とチップとを接合する構造の例を示す図
【図１０（ｃ）】本発明によって基板とチップとを接合する構造の例を示す図
【図１０（ｄ）】本発明によって基板とチップとを接合する構造の例を示す図
【図１０（ｅ）】本発明によって基板とチップとを接合する構造の例を示す図
【図１０（ｆ）】本発明によって基板とチップとを接合する構造の例を示す図
【図１０（ｇ）】本発明によって基板とチップとを接合する構造の例を示す図
【図１０（ｈ）】本発明によって基板とチップとを接合する構造の例を示す図
【図１０（ｉ）】本発明によって基板とチップとを接合する構造の例を示す図
【図１０（ｊ）】本発明によって基板とチップとを接合する構造の例を示す図
【図１１（ａ）】スタッドバンプやウェッジバンプの相対的な大きさに従う接合構造の例と、塗布前にバンプを形成した後、ＡＣＦ、ＡＣＰ、ＮＣＦ、ＮＣＰなどを塗布する例を示す図
【図１１（ｂ）】スタッドバンプやウェッジバンプの相対的な大きさに従う接合構造の例と、塗布前にバンプを形成した後、ＡＣＦ、ＡＣＰ、ＮＣＦ、ＮＣＰなどを塗布する例を示す図
【図１１（ｃ）】スタッドバンプやウェッジバンプの相対的な大きさに従う接合構造の例と、塗布前にバンプを形成した後、ＡＣＦ、ＡＣＰ、ＮＣＦ、ＮＣＰなどを塗布する例を示す図
【図１１（ｄ）】スタッドバンプやウェッジバンプの相対的な大きさに従う接合構造の例と、塗布前にバンプを形成した後、ＡＣＦ、ＡＣＰ、ＮＣＦ、ＮＣＰなどを塗布する例を示す図
【図１２（ａ）】フリップチップボンディング工程を用いたチップスタックの方法例を示す図
【図１２（ｂ）】フリップチップボンディング工程を用いたチップスタックの方法例を示す図
【図１２（ｃ）】フリップチップボンディング工程を用いたチップスタックの方法例を示す図
【図１２（ｄ）】フリップチップボンディング工程を用いたチップスタックの方法例を示す図
【図１３】図２に示された接合後処理工程の例を示す図
【図１４】本発明に係るフリップチップ接合を行うための基板の金属積層構造の第１の実施例を示す図
【図１５】本発明に係るフリップチップ接合を行うための基板の金属積層構造の第２の実施例を示す図
【符号の説明】
【００４０】
１０    ウェーハ
１１    チップ（ダイ）
１２    ボンディングパッド
２１    基板
２２    リードパッド
２７    エポキシ樹脂
３２    メッキバンプ
３２Ｃ    チップ上のメッキバンプ
３２Ｓ    基板上のメッキバンプ
３５    熱
３６    Ａｕ粒子
３７    レーザー
３８    コーニングキャピラリー
４３    ドーピングバンプ
４６    粒子
５１    伝導性金属ワイヤ
５２    キャピラリー
５３    スタッドバンプ
５３Ｃ    チップ上のスタッドバンプ
５３Ｓ    基板上のスタッドバンプ
６３    ウェッジバンプ
７２    接着テープ
９５    コレット
９６    真空ホール
１００    ブロック
１０２    接着剤（ＡＣＦ、ＡＣＰ、ＮＣＦ、ＮＣＰ）
１４１、１５２    ハードメタル層
１４２、１５３    ソフトメタル層
【図１（ａ）】
2005159356.tif 000004
【図１（ｂ）】
2005159356.tif 000005
【図１（ｃ）】
2005159356.tif 000006
【図１（ｄ）】
2005159356.tif 000007
【図２】
2005159356.tif 000008
【図３（ａ）】
2005159356.tif 000009
【図３（ｂ）】
2005159356.tif 000010
【図３（ｃ）】
2005159356.tif 000011
【図３（ｄ）】
2005159356.tif 000012
【図４】
2005159356.tif 000013
【図５（ａ）】
2005159356.tif 000014
【図５（ｂ）】
2005159356.tif 000015
【図５（ｃ）】
2005159356.tif 000016
【図５（ｄ）】
2005159356.tif 000017
【図５（ｅ）】
2005159356.tif 000018
【図５（ｆ）】
2005159356.tif 000019
【図６（ａ）】
2005159356.tif 000020
【図６（ｂ）】
2005159356.tif 000021
【図６（ｃ）】
2005159356.tif 000022
【図６（ｄ）】
2005159356.tif 000023
【図７】
2005159356.tif 000024
【図８】
2005159356.tif 000025
【図９（ａ）】
2005159356.tif 000026
【図９（ｂ）】
2005159356.tif 000027
【図９（ｃ）】
2005159356.tif 000028
【図９（ｄ）】
2005159356.tif 000029
【図９（ｅ）】
2005159356.tif 000030
【図９（ｆ）】
2005159356.tif 000031
【図１０（ａ）】
2005159356.tif 000032
【図１０（ｂ）】
2005159356.tif 000033
【図１０（ｃ）】
2005159356.tif 000034
【図１０（ｄ）】
2005159356.tif 000035
【図１０（ｅ）】
2005159356.tif 000036
【図１０（ｆ）】
2005159356.tif 000037
【図１０（ｇ）】
2005159356.tif 000038
【図１０（ｈ）】
2005159356.tif 000039
【図１０（ｉ）】
2005159356.tif 000040
【図１０（ｊ）】
2005159356.tif 000041
【図１１（ａ）】
2005159356.tif 000042
【図１１（ｂ）】
2005159356.tif 000043
【図１１（ｃ）】
2005159356.tif 000044
【図１１（ｄ）】
2005159356.tif 000045
【図１２（ａ）】
2005159356.tif 000046
【図１２（ｂ）】
2005159356.tif 000047
【図１２（ｃ）】
2005159356.tif 000048
【図１２（ｄ）】
2005159356.tif 000049
【図１３】
2005159356.tif 000050
【図１４】
2005159356.tif 000051
【図１５】
2005159356.tif 000052