(57)【要約】      （修正有）【課題】配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法に関して、信頼性の向上を図ることにある。【解決手段】配線基板の製造方法は、導電箔をエッチングすることによって、ベース基板からオーバーハングする複数のリード４０を形成することを含み、導電箔の第１の面２４に、第１の面２４からのエッチングを選択的に行う第１の耐エッチング膜３０を形成し、導電箔の第２の面２６に、第２の面２６からのエッチングを妨げる第２の耐エッチング膜３２を形成し、エッチングが第１の面２４から第２の面２６に進行して導電箔が貫通することによって、第２の耐エッチング膜３２の一部が脱落する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電箔をエッチングすることによって、ベース基板からオーバーハングする複数のリードを形成することを含み、
前記導電箔の第１の面に、前記第１の面からのエッチングを選択的に行う第１の耐エッチング膜を形成し、
前記導電箔の第２の面に、前記第２の面からのエッチングを妨げる第２の耐エッチング膜を形成し、
エッチングが前記第１の面から前記第２の面に進行して前記導電箔が貫通することによって、前記第２の耐エッチング膜の一部が脱落する配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板の製造方法において、
前記第２の耐エッチング膜は撥水性を有する配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の配線基板の製造方法において、
前記ベース基板はデバイスホールを有し、
前記導電箔は前記デバイスホールを覆うように形成され、
前記導電箔をエッチングすることによって、前記デバイスホールに突出する複数のインナーリードを形成する配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の配線基板の製造方法を含み、
複数の電極を有する半導体チップを前記デバイスホールに配置し、前記複数の電極と前記複数のインナーリードをボンディングすることをさらに含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エッチングすることによって導電箔から複数のリードを形成する場合、導電箔の表面側に耐エッチング膜をパターニングして形成し、裏面側を耐エッチング膜によって覆う。こうすることで、エッチャント（エッチング液）が導電箔の表面側から進入して所定形状のリードを形成することができる。
【０００３】
しかしながら、従来の方法では導電箔の裏面側にエッチャントが通過しないようになっているので、導電箔の表面側であるリードの上端部が下端部よりも過剰にエッチングされていた。そのため、リードの上端部の幅が細くなり、半導体チップのバンプとの電気的接続不良が起こることがあった。あるいは、リードの下端部の幅が太くなり、リード間の幅が狭くなってリード同士の電気的ショートが起こることがあった。
【０００４】
本発明の目的は、配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法に関して、信頼性の向上を図ることにある。
【特許文献１】特開昭６２−２６１１３７号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）本発明に係る配線基板の製造方法は、
導電箔をエッチングすることによって、ベース基板からオーバーハングする複数のリードを形成することを含み、
前記導電箔の第１の面に、前記第１の面からのエッチングを選択的に行う第１の耐エッチング膜を形成し、
前記導電箔の第２の面に、前記第２の面からのエッチングを妨げる第２の耐エッチング膜を形成し、
エッチングが前記第１の面から前記第２の面に進行して前記導電箔が貫通することによって、前記第２の耐エッチング膜の一部が脱落する。本発明に係る配線基板の製造方法によれば、エッチャントが導電箔を通過するので、導電箔における第２の面付近のエッチング量が多くなる。こうして、第１及び第２の面のエッチング量がほぼ同じになり、リードの上端部と下端部とをほぼ同じ幅にすることができる。
（２）この配線基板の製造方法において、
前記第２の耐エッチング膜は撥水性を有してもよい。
（３）この配線基板の製造方法において、
前記ベース基板はデバイスホールを有し、
前記導電箔は前記デバイスホールを覆うように形成され、
前記導電箔をエッチングすることによって、前記デバイスホールに突出する複数のインナーリードを形成してもよい。これによれば、インナーリードの形状を安定させることができ、例えば半導体チップなどの電子部品に対する電気的接続信頼性が向上する。
（４）本発明の半導体装置の製造方法は、
上記配線基板の製造方法を含み、
複数の電極を有する半導体チップを前記デバイスホールに配置し、前記複数の電極と前記複数のインナーリードをボンディングすることをさらに含む。本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、リードの形状が安定しているため、半導体チップに対する電気的接続信頼性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００７】
図１〜図７は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。図２は図１のII−II線断面図である。
【０００８】
ベース基板１０は有機系の樹脂基板であってもよい。例えば、ポリエチレンテレフタレートやポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。フレキシブル基板として、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）や、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術で使用されるテープを使用してもよい。あるいは、ベース基板１０は、無機系のものであってもよいし、有機系及び無機系の複合構造からなるものであってもよい。図１に示すように、ベース基板１０が長尺状をなし、複数の半導体チップ搭載領域を有する場合には、配線基板の製造工程をリール・トゥ・リール搬送によって行うことができる。
【０００９】
ベース基板１０には、基準穴１２が形成されていてもよい。複数の基準穴１２がベース基板１０の端部（例えば幅方向の両端部）に配列されていてもよい。基準穴１２は、リードのパターニングや半導体チップの実装などの位置決めに使用される。基準穴１２は、ベース基板１０を搬送するため穴（例えばスプロケットホール）として使用されてもよい。
【００１０】
ベース基板１０には、デバイスホール１４及びアウターリードホール１６，１８が形成されていてもよい。１つの製品に対して、１つのデバイスホール１４が形成され、複数のアウターリードホール１６，１８が形成されてもよい。図１に示すように、１つのベース基板１０に複数のデバイスホール１４が形成されていてもよい。デバイスホール１４には半導体チップが配置される。アウターリードホール１６，１８は、デバイスホール１４の周囲に形成されている。
【００１１】
ベース基板１０に導電箔２０を形成する。導電箔２０は、デバイスホール１４及びアウターリードホール１６，１８を覆うように形成する。導電箔２０は、基準穴１２を避けて形成してもよい。導電箔２０は、１層又は複数層からなる金属箔（例えば銅箔）であってもよい。図２に示すように、導電箔２０を、接着材料２２を介してベース基板１０に貼り付けてもよい。あるいは、接着材料なしで、例えばスパッタ法を適用して、ベース基板１０上に導電箔２０を直接的に形成してもよい。
【００１２】
図３に示すように、導電箔２０をパターニングするための耐エッチング膜を形成する。詳しくは、導電箔２０の第１の面２４に第１の耐エッチング膜３０を（例えば約１〜５μｍの厚みで）形成し、導電箔２０の第２の面２６に第２の耐エッチング膜３２を（例えば約１μｍ以下の厚みで）形成する。第１及び第２の耐エッチング膜３０，３２は、エッチングされない又はエッチングされにくい膜である。
【００１３】
第１の耐エッチング膜３０は、第１の面２４からのエッチングを選択的に行うためのものでパターニングして形成する。パターニングにはフォトリソグラフィを適用してもよく、第１の耐エッチング膜３０はフォトレジストであってもよい。あるいは、パターニングをエッチングによって行ってもよい。第１の耐エッチング膜３０は、導電箔２０のうちリードとして残す部分にオーバーラップさせて形成する。
【００１４】
第２の耐エッチング膜３２は、第２の面２６からのエッチングを妨げるためのものである。詳しくは、第２の耐エッチング膜３２を、第２の面２６のうちベース基板１０から露出する部分（デバイスホール１４、アウターリードホール１６，１８）を覆うように形成する。こうすることで、デバイスホール１４又はアウターリードホール１６，１８において、第２の面２６からのエッチングを妨げることができる。エッチャントとしてエッチング液を使用する場合には、第２の耐エッチング膜３２は撥水性（又は疎水性）を有する膜であってもよい。すなわち、第２の耐エッチング膜３２は、水分子との親和性がない又は少ないものであってもよい。第２の耐エッチング膜３２として、例えばスーパーレインＸ（商品名）を使用してもよい。これによれば、エッチング液の進入を妨げることができる。第２の耐エッチング膜３２は、導電箔２０によって保持されている。
【００１５】
図４に示すように、導電箔２０をエッチングする。エッチングは、プラズマ、ガス又はイオンなどによって物理的に行ってもよいし（ドライエッチング）、エッチング液を使用して化学的に行ってもよい（ウエットエッチング）。例えば、ウエットエッチングによって等方性エッチングを行ってもよい。図４に示すように、スプレー式エッチング装置によって、ノズル３４からエッチング液３６を噴射してもよい。エッチング液３６は、導電箔２０の第１の面２４に噴射させる。
【００１６】
図５〜図７は、導電箔の部分断面図（リードの幅方向の断面図）である。エッチング液３６は、第１の面２４における第１の耐エッチング膜３０から露出する部分に進入する。すなわち、第１の耐エッチング膜３０の開口部３１内に、エッチング液３６が進入する。第２の面２６は第２の耐エッチング膜３２によって覆われているので、第２の面２６からはエッチング液３６が進入しないようになっている。
【００１７】
エッチング液３６が進入することによって、エッチングが導電箔２０の第１の面２４から第２の面２６に進行する。そして、図６に示すように、第１の耐エッチング膜３０の開口部３１内に、導電箔２０の凹部２１が形成される。等方性エッチングの場合には、エッチング液３６が第１の耐エッチング膜３０の直下にも回り込み（サイドエッチング）、凹部２１の開口は第１の耐エッチング膜３０の開口部３１よりも大きくなる。
【００１８】
図７に示すように、さらにエッチングを進行させると、凹部２１が第２の面２６に到達し、導電箔２０が第１の面２４から第２の面２６へと貫通する。こうして、複数のリード４０を形成することができる。リード４０は、ベース基板１０からオーバーハングしている。リード４０として、デバイスホール１４に突出する複数のインナーリードを形成してもよいし、アウターリードホール１６，１８を通過する複数のアウターリードを形成してもよい。
【００１９】
本実施の形態では、第２の耐エッチング膜３２は導電箔２０によって保持されており、導電箔２０の貫通によって第２の耐エッチング膜３２の一部（図７の２点鎖線で示す部分）が脱落する。すなわち、第２の耐エッチング膜３２には、導電箔２０の凹部２１が貫通した領域に対応して貫通穴が形成される。第２の耐エッチング膜３２は、単独で形状を維持することができない程度に分子間の結合力が弱いものである。第２の耐エッチング膜３２は、エッチング液３６が流れるときの応力によって脱落してもよいし、自然に脱落してもよい。
【００２０】
第２の耐エッチング膜３２が部分的に脱落すると、エッチング液３６は図７の矢印に示すように導電箔２０を通過するように流れる。これによって、導電箔２０における第２の面２６付近においてエッチング液３６の流れが速くなり、導電箔２０における第２の面２６付近のエッチング量（サイドエッチング量）が多くなる。こうして、第１及び第２の面２４，２６のエッチング量がほぼ同じになり、リード４０の上端部（第１の面２４側の部分）と下端部（第２の面２６側の部分）とをほぼ同じ幅にすることができる。言い換えれば、導電箔２０における第１の面２４付近にエッチング液３６が溜まるのを防止し、リード４０の上端部（第１の面２４側の部分）が下端部（第２の面２６側の部分）よりも過剰にエッチングされるのを防止することができる。あるいは、リード４０の下端部（第２の面２６側の部分）のエッチング量が少なくなることによって、リード４０間の幅が狭くなり、リード４０同士の電気的ショートが起こるのを防止することができる。したがって、リード４０の形状を安定させることができ、例えば後述の半導体チップなどの電子部品に対する電気的接続信頼性の向上を図ることができる。
【００２１】
その後、第１及び第２の耐エッチング膜３０，３２を除去する。例えば、薬品によって第１及び第２の耐エッチング膜３０，３２を溶解させてもよい。また、複数のリード４０にメッキ処理を施してもよい。こうして、ベース基板１０と、ベース基板１０に支持された複数のリード４０とを有する配線基板を製造することができる。
【００２２】
図８に示すように、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、複数の電極５２を有する半導体チップ５０を上述の配線基板に実装することをさらに含む。詳しくは、半導体チップ５０をデバイスホール１４に配置し、複数の電極５２と複数のインナーリード４２とをボンディングする。本実施の形態では、インナーリード４２は上端部及び下端部のそれぞれの幅の差が小さくなっている。そのため、電極５２とインナーリード４２との電気的接続面積を十分に確保するとともに、複数のインナーリード４２同士の電気的ショートを防止することができる。ボンディング工程後に、半導体チップ５０の少なくとも一部を樹脂封止してもよい。樹脂封止は、ポッティングによって行ってもよい。その後、配線基板及び半導体チップ５０を有する半導体装置を、回路基板（例えばマザーボード）６０に実装する。回路基板６０には所定の配線パターン６２が形成されていて、その配線パターン６２の電気的接続部（例えばランド）にアウターリード４４をボンディングする。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、リード４０の形状が安定しているため、半導体チップ５０に対する電気的接続信頼性が向上する。
【００２３】
本実施の形態に係る電子機器として、図９にはノート型パーソナルコンピュータ１０００が示され、図１０には携帯電話２０００が示されている。本実施の形態に係る電子機器は、上述の半導体装置（配線基板を含む）を有する。
【００２４】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図２】図２は、図１のII−II線断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図であり、エッチングを説明する図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図であり、エッチングを説明する図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図であり、エッチングを説明する図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
【００２６】
１０…ベース基板  １４…デバイスホール  ２０…導電箔  ３０…第１の耐エッチング
３２…第２の耐エッチング膜  ４０…リード  ４２…インナーリード
５０…半導体チップ  ５２…電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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