(57)【要約】【課題】  レジストの除去作業が不要で高精度なスタンパを低コストで作製することができるスタンパの製造方法を提供する。【解決手段】  本発明に係るスタンパの製造方法は、基板１０上にレジストパターンを形成してマザー１４を得るパターニング工程と、パターニング工程で得られたマザー１４の表面にスパッタリングにより金属膜１５を形成する導電層形成工程と、導電層形成工程で形成された金属膜１５の表面に対して逆スパッタリングを行う逆スパッタリング工程と、逆スパッタリング工程を経た後の金属膜１５上に電気鋳造によりスタンパ２５を形成する電鋳工程と、電鋳工程で形成されたスタンパ２５をマザー１４から剥離させる剥離工程とを有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレジストパターンを形成してマザーを得るパターニング工程と、
該パターニング工程で得られたマザーの表面にスパッタリングにより導電層を形成する導電層形成工程と、
該導電層形成工程で形成された導電層の表面に対して逆スパッタリングを行う逆スパッタリング工程と、
該逆スパッタリング工程を経た後の導電層上に電気鋳造によりスタンパを形成する電鋳工程と、
該電鋳工程で形成されたスタンパを前記マザーから剥離させる剥離工程とを有することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のスタンパの製造方法において、
前記導電層の材質と前記スタンパの材質とが異なることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のスタンパの製造方法において、
前記逆スパッタリング工程において、プラズマ用の印加電圧による電界とは異なる電界を付加することによって、プラズマの等方性を高めることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のスタンパの製造方法において、
前記逆スパッタリング工程において前記プラズマの等方性を高めるために複数の孔が設けられた金属板を用いることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載のスタンパの製造方法において、
前記逆スパッタリング工程において前記プラズマの等方性を高めるために金属製のコイルを用いることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項６】
請求項１又は請求項２に記載のスタンパの製造方法において、
前記逆スパッタリング工程において前記導電層の表面を揺動させながら逆スパッタリングを行うことを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項７】
基板上にレジストパターンを形成してマザーを得るパターニング工程と、
該パターニング工程で得られたマザーの表面に導電性を有する金属層を形成する金属層形成工程と、
該金属層形成工程で形成された金属層の表面を酸化被膜処理する酸化被膜処理工程と、
該酸化被膜処理工程を経た後の金属層上に電気鋳造によりスタンパを形成する電鋳工程と、
該電鋳工程で形成されたスタンパを前記マザーから剥離させる剥離工程とを有することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項８】
基板上にレジストパターンを形成してマザーを得るパターニング工程と、
該パターニング工程で得られたマザーの表面に金属層を形成する金属層形成工程と、
該金属層形成工程で形成された金属層の表面を酸化被膜処理する酸化被膜処理工程と、
該酸化被膜処理工程を経た後の金属層上に導電層を形成する導電層形成工程と、
該導電層形成工程で形成された導電層上に電気鋳造によりスタンパを形成する電鋳工程と、
該電鋳工程で形成されたスタンパを前記マザーから剥離させる剥離工程とを有することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載のスタンパの製造方法において、
前記金属層形成工程において前記金属層をスパッタリングにより形成するとともに、前記導電層形成工程において前記導電層を前記金属層の材質と同一の材質でスパッタリングにより形成することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれかに記載のスタンパの製造方法において、
前記酸化被膜処理工程において前記金属層に酸素雰囲気下で紫外線を照射することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれかに記載のスタンパの製造方法において、
前記金属層形成工程の後に前記金属層の表面に対して逆スパッタリングを行う逆スパッタリング工程を有することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のスタンパの製造方法において、
前記逆スパッタリング工程において、プラズマ用の印加電圧による電界とは異なる電界を付加することによって、プラズマの等方性を高めることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のスタンパの製造方法において、
前記逆スパッタリング工程において前記プラズマの等方性を高めるために複数の孔が設けられた金属板を用いることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載のスタンパの製造方法において、
前記逆スパッタリング工程において前記プラズマの等方性を高めるために金属製のコイルを用いることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載のスタンパの製造方法において、
前記逆スパッタリング工程において前記金属層の表面を揺動させながら逆スパッタリングを行うことを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項１６】
基板上にレジストパターンを形成してマザーを得るパターニング工程と、
該パターニング工程で得られたマザーの表面に微粒子が分散された導電層を形成する導電層形成工程と、
該導電層形成工程で形成された導電層上に電気鋳造によりスタンパを形成する電鋳工程と、
該電鋳工程で形成されたスタンパを前記マザーから剥離させる剥離工程とを有することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載のスタンパの製造方法において、
前記導電層の基材の材質と前記スタンパの材質とが異なることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項１８】
請求項１６又は請求項１７に記載のスタンパの製造方法において、
前記微粒子の粒径が前記レジストパターンの表面の粗さ以下であることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項１９】
請求項１６乃至請求項１８のいずれかに記載のスタンパの製造方法において、
前記導電層形成工程において前記微粒子が分散された無電界めっき液を対流させながら前記導電層を形成することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１９のいずれかに記載のスタンパの製造方法において、
前記パターニング工程において前記レジストパターンを電子線を用いて形成することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項２１】
請求項１１乃至請求項１５のいずれかに記載のスタンパの製造方法に用いられるスパッタ装置であって、
前記逆スパッタリングを行う逆スパッタ処理手段と前記酸化被膜処理を行う酸化被膜処理手段とが同一のチャンバに設けられていることを特徴とするスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上にパターニングされたレジスト上に電気鋳造（電鋳）により金属膜又は金属板を形成し、これを基板から剥離させることによって、レジストパターンの逆パターンが転写されたスタンパを作製するスタンパの製造方法と、この製造方法に用いられるスパッタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤやＤＶＤ等の光ディスクは、スタンパを型とした射出成型によりポリカーボネート基板に大量転写される。このポリカーボネート基板の品質は、スタンパに形成されたピットあるいはグルーブ（以下「ピット等」という。）の形状精度により決定されるので、光ディスクの製造にはスタンパの精度が重要である。また、光ディスクのコストにおいてはスタンパのコストが占める割合が大きいので、光ディスクの製造にはスタンパのコストも重要である。
【０００３】
ここで、従来のスタンパの製造方法について図１７を用いて説明すると、まずガラス基板１上にフォトレジスト２を所定の膜厚となるように形成する（図１７（Ａ））。つぎに、集光されたレーザービームによりレジスト２を部分的に露光させ（図１７（Ｂ））、この露光させた部分を現像により除去することによって、光ディスクのピット等に対応するピット等を基板１上に形成する（図１７（Ｃ））。ここでは、基板１上に形成されたピット等に符号３を付し、これを区画するレジスト２のランド部分に符号４を付し、そのピット等及びランドからなるレジストパターンを有する基板１をマザーと称してこれに符号５を付す。
【０００４】
続いて、マザー５の表面にスパッタリング又は無電界めっき法によりＮｉ膜６を形成し（図１７（Ｄ））、Ｎｉ膜６を電極として電鋳によりＮｉを析出させ、Ｎｉ板であるスタンパ７を得る（図１７（Ｅ））。電析したスタンパ７には、マザー５のレジストパターンにより、凸部８及び凹部９が形成されている。このスタンパ７を基板１からランド４ごと剥離させ（図１７（Ｆ））、凹部９に残留するレジスト（ランド４）を除去剤で除去した後に裏面（凸部８や凹部９が形成された面と反対側の面）の研磨や所定の寸法へのカット等を行うことにより、スタンパ７が製品として完成する（図１７（Ｇ））。
【０００５】
ところで、このような製造方法でスタンパからレジストを除去することは、スタンパの精度を高めるために必須であるが、上記のようにその除去に除去剤を用いる方法では除去剤が一般に有機溶剤であることから（特許文献１参照）、それ自体及びその使用後の処理にコストがかかるという問題があった。また、レジストの除去に酸素プラズマアッシングを用いる方法も知られているが（特許文献２参照）、そのアッシングの工程にもコストがかかり、スタンパのコストに高騰を来すという問題があった。
【特許文献１】特許第２８４７１９６号公報
【特許文献２】特許第２７５３３８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記の問題に鑑みて為されたもので、レジストの除去作業が不要で高精度なスタンパを低コストで作製することができるスタンパの製造方法と、この製造方法に用いられるスパッタ装置を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、基板上にレジストパターンを形成してマザーを得るパターニング工程と、該パターニング工程で得られたマザーの表面にスパッタリングにより導電層を形成する導電層形成工程と、該導電層形成工程で形成された導電層の表面に対して逆スパッタリングを行う逆スパッタリング工程と、該逆スパッタリング工程を経た後の導電層上に電気鋳造によりスタンパを形成する電鋳工程と、該電鋳工程で形成されたスタンパを前記マザーから剥離させる剥離工程とを有するスタンパの製造方法を特徴とする。
【０００８】
請求項１に係る発明によれば、導電層の表面が逆スパッタリングされた上でスタンパが電析されるので、導電層とスタンパとの間の界面で剥離が生じやすく、スタンパを基板から剥離させる際にレジストのスタンパへの付着が防止される。よって、レジストの除去作業が不要となり、高精度なスタンパを低コストで作製することができる。
【０００９】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載のスタンパの製造方法において、前記導電層の材質と前記スタンパの材質とが異なることを特徴とする。
【００１０】
請求項２に係る発明によれば、導電層の材質とスタンパの材質とが異なるので、導電層とスタンパとの間の界面における剥離が一層生じやすくなる。
【００１１】
請求項３に係る発明は、請求項１又は請求項２に記載のスタンパの製造方法において、前記逆スパッタリング工程においてプラズマ用の印加電圧による電界とは異なる電界を付加することによってプラズマの等方性を高めることを特徴とする。
【００１２】
請求項４に係る発明は、請求項３に記載のスタンパの製造方法において、前記逆スパッタリング工程において前記プラズマの等方性を高めるために複数の孔が設けられた金属板を用いることを特徴とする。
【００１３】
請求項５に係る発明は、請求項３に記載のスタンパの製造方法において、前記逆スパッタリング工程において前記プラズマの等方性を高めるために金属製のコイルを用いることを特徴とする。
【００１４】
請求項３乃至請求項５のいずれかに係る発明によれば、逆スパッタリング工程においてプラズマ用の印加電圧による電界とは異なる電界を付加することによってプラズマの等方性が高められるので、導電層の表面に対してプラズマが多方向から衝突する。よって、導電層の表面の凸部分が削れやすくなってその表面の粗さが低減し、スタンパの精度を高めることができる。
【００１５】
請求項６に係る発明は、請求項１又は請求項２に記載のスタンパの製造方法において、前記逆スパッタリング工程において前記導電層の表面を揺動させながら逆スパッタリングを行うことを特徴とする。
【００１６】
請求項６に係る発明によれば、逆スパッタリング工程において導電層の表面を揺動させながら逆スパッタリングが行われるので、導電層の表面に対してプラズマが多方向から衝突する。よって、導電層の表面の凸部分が削れやすくなってその表面の粗さが低減し、スタンパの精度を高めることができる。
【００１７】
請求項７に係る発明は、基板上にレジストパターンを形成してマザーを得るパターニング工程と、該パターニング工程で得られたマザーの表面に導電性を有する金属層を形成する金属層形成工程と、該金属層形成工程で形成された金属層の表面を酸化被膜処理する酸化被膜処理工程と、該酸化被膜処理工程を経た後の金属層上に電気鋳造によりスタンパを形成する電鋳工程と、該電鋳工程で形成されたスタンパを前記マザーから剥離させる剥離工程とを有するスタンパの製造方法を特徴とする。
【００１８】
請求項７に係る発明によれば、金属層の表面が酸化被膜処理された上でスタンパが電析されるので、金属層とスタンパとの間の界面で剥離が生じやすく、スタンパを基板から剥離させる際にレジストのスタンパへの付着が防止される。よって、レジストの除去作業が不要となり、高精度なスタンパを低コストで作製することができる。
【００１９】
請求項８に係る発明は、基板上にレジストパターンを形成してマザーを得るパターニング工程と、該パターニング工程で得られたマザーの表面に金属層を形成する金属層形成工程と、該金属層形成工程で形成された金属層の表面を酸化被膜処理する酸化被膜処理工程と、該酸化被膜処理工程を経た後の金属層上に導電層を形成する導電層形成工程と、該導電層形成工程で形成された導電層上に電気鋳造によりスタンパを形成する電鋳工程と、該電鋳工程で形成されたスタンパを前記マザーから剥離させる剥離工程とを有するスタンパの製造方法を特徴とする。
【００２０】
請求項８に係る発明によれば、金属層の表面が酸化被膜処理された上でスタンパが電析されるので、金属層とスタンパとの間の界面で剥離が生じやすく、スタンパを基板から剥離させる際にレジストのスタンパへの付着が防止される。よって、レジストの除去作業が不要となり、高精度なスタンパを低コストで作製することができる。
【００２１】
また、たとえ酸化被膜が抵抗等の理由により電鋳の電極として適していなくても、金属層とは別途に電極用の導電層が形成されるので、スタンパを効率的に歩留まりよく製造することができる。
【００２２】
請求項９に係る発明は、請求項８に記載のスタンパの製造方法において、前記金属層形成工程において前記金属層をスパッタリングにより形成するとともに、前記導電層形成工程において前記導電層を前記金属層の材質と同一の材質でスパッタリングにより形成することを特徴とする。
【００２３】
請求項９に係る発明によれば、金属層形成工程において金属層がスパッタリングにより形成されるとともに、導電層形成工程において導電層が金属層の材質と同一の材質でスパッタリングにより形成されるので、金属層形成工程及び導電層形成工程でスパッタリング用の金属ターゲットを共用することができ、スタンパの低コスト化を図ることができる。
【００２４】
請求項１０に係る発明は、請求項７乃至請求項９のいずれかに記載のスタンパの製造方法において、前記酸化被膜処理工程において前記金属層に酸素雰囲気下で紫外線を照射することを特徴とする。
【００２５】
請求項１０に係る発明によれば、金属層に酸素雰囲気下で紫外線を照射することにより酸化被膜処理がなされるので、酸化被膜処理に要する設備等が低廉で済み、スタンパの低コスト化を図ることができる。
【００２６】
請求項１１に係る発明は、請求項７乃至請求項１０のいずれかに記載のスタンパの製造方法において、前記金属層形成工程の後に前記金属層の表面に対して逆スパッタリングを行う逆スパッタリング工程を有することを特徴とする。
【００２７】
請求項１１に係る発明によれば、金属層の表面が逆スパッタリングされるので、金属層の表面が削られてその表面の粗さが低減し、スタンパの精度を高めることができる。
【００２８】
請求項１２に係る発明は、請求項１１に記載のスタンパの製造方法において、前記逆スパッタリング工程においてプラズマ用の印加電圧による電界とは異なる電界を付加することによってプラズマの等方性を高めることを特徴とする。
【００２９】
請求項１３に係る発明は、請求項１２に記載のスタンパの製造方法において、前記逆スパッタリング工程において前記プラズマの等方性を高めるために複数の孔が設けられた金属板を用いることを特徴とする。
【００３０】
請求項１４に係る発明は、請求項１２に記載のスタンパの製造方法において、前記逆スパッタリング工程において前記プラズマの等方性を高めるために金属製のコイルを用いることを特徴とする。
【００３１】
請求項１２乃至請求項１４のいずれかに係る発明によれば、逆スパッタリング工程においてプラズマ用の印加電圧による電界とは異なる電界を付加することによってプラズマの等方性が高められるので、金属層の表面に対してプラズマが多方向から衝突する。よって、金属層の表面の凸部分が削れやすくなってその表面の粗さが低減し、スタンパの精度を高めることができる。
【００３２】
請求項１５に係る発明は、請求項１１に記載のスタンパの製造方法において、前記逆スパッタリング工程において前記金属層の表面を揺動させながら逆スパッタリングを行うことを特徴とする。
【００３３】
請求項１５に係る発明によれば、逆スパッタリング工程において金属層の表面を揺動させながら逆スパッタリングが行われるので、金属層の表面に対してプラズマが多方向から衝突する。よって、金属層の表面の凸部分が削れやすくなってその表面の粗さが低減し、スタンパの精度を高めることができる。
【００３４】
請求項１６に係る発明は、基板上にレジストパターンを形成してマザーを得るパターニング工程と、該パターニング工程で得られたマザーの表面に微粒子が分散された導電層を形成する導電層形成工程と、該導電層形成工程で形成された導電層上に電気鋳造によりスタンパを形成する電鋳工程と、該電鋳工程で形成されたスタンパを前記マザーから剥離させる剥離工程とを有することを特徴とする。
【００３５】
請求項１６に係る発明によれば、微粒子が分散された導電層上にスタンパが電析されるので、導電層とスタンパとの間の界面で剥離が生じやすく、スタンパを基板から剥離させる際にレジストのスタンパへの付着が防止される。よって、レジストの除去作業が不要となり、高精度なスタンパを低コストで作製することができる。
【００３６】
請求項１７に係る発明は、請求項１６に記載のスタンパの製造方法において、前記導電層の基材の材質と前記スタンパの材質とが異なることを特徴とする。
【００３７】
請求項１７に係る発明によれば、導電層の基材の材質とスタンパの材質とが異なるので、導電層とスタンパとの間の界面における剥離が一層生じやすくなる。
【００３８】
請求項１８に係る発明は、請求項１６又は請求項１７に記載のスタンパの製造方法において、前記微粒子の粒径が前記レジストパターンの表面の粗さ以下であることを特徴とする。
【００３９】
請求項１８に係る発明によれば、微粒子の粒径がレジストパターンの表面の粗さ以下であるので、微粒子がレジストパターンの表面の凹部分に入り込むことにより導電層の表面の粗さが低減し、スタンパの精度を高めることができる。
【００４０】
請求項１９に係る発明は、請求項１６乃至請求項１８のいずれかに記載のスタンパの製造方法において、前記導電層形成工程において前記微粒子が分散された無電界めっき液を対流させながら前記導電層を形成することを特徴とする。
【００４１】
請求項１９に係る発明によれば、導電層形成工程において微粒子が分散された無電界めっき液が対流するので、微粒子がレジストパターンの表面の凹部分に入り込んで導電層の表面の粗さが低減しやすくなる。
【００４２】
請求項２０に係る発明は、請求項１乃至請求項１９のいずれかに記載のスタンパの製造方法において、前記パターニング工程において前記レジストパターンを電子線を用いて形成することを特徴とする。
【００４３】
請求項２０に係る発明によれば、電子線により微細なレジストパターンを形成することができる。
【００４４】
請求項２１に係る発明は、請求項１１乃至請求項１５のいずれかに記載のスタンパの製造方法に用いられるスパッタ装置であって、前記逆スパッタリングを行う逆スパッタ処理手段と前記酸化被膜処理を行う酸化被膜処理手段とが同一のチャンバに設けられていることを特徴とする。
【００４５】
請求項２１に係る発明によれば、逆スパッタ処理手段と酸化被膜処理手段とが同一のチャンバに設けられているので、逆スパッタリング工程と酸化被膜処理工程とを連続して行うことが可能で、スタンパの製造効率を向上させることができる。
【発明の効果】
【００４６】
本発明によれば、レジストの除去作業が不要で高精度なスタンパを低コストで作製することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
【実施例１】
【００４８】
図１は本実施例に係るスタンパの製造方法を模式的に示し、図２はその製造方法のフローを示す。本実施例では、まずガラス基板１０上に電子線用のレジスト１１をスピンコート法により所定の膜厚となるように形成する（図１（Ａ）、ステップ１（図２においてＳ．１と記載。以下、本実施例において同様。））。つぎに、電子線によりレジスト１１を部分的に露光させ（図１（Ｂ）、ステップ２）、この露光させた部分を現像により除去することによって、光ディスクのピット等に対応するピット等を基板１０上に形成する（図１（Ｃ）、ステップ３）。ここでは、基板１０上に形成されたピット等をピット１２とし、これを区画するレジスト１１のランド部分をランド１３とし、ピット１２及びランド１３からなるレジストパターンを有する基板１０をマザー１４とする。
【００４９】
続いて、マザー１４の表面に導電性を有する金属膜１５をスパッタリングにより形成し（図１（Ｄ）、ステップ４）、このスパッタ処理に連続して逆スパッタ処理を行う（図１（Ｅ）、ステップ５）。逆スパッタリングは、プラズマ（プラズマ中のイオンや電子の運動）の等方性が高まるように、なるべく低電圧で行うか、あるいは、図３に示すように多数の円形孔１６を有する金属板１７や螺旋状の金属線（コイル）１８をプラズマ中に設置して行う。詳細には、基板１０はＡｒガス（Ａｒプラズマ）１９で満たされたチャンバ２０の内部の電極２１，２２間に設置され、金属板１７又はコイル１８は基板１０の表面側に位置するように基板１０と電極２２との間に設けられている。その金属板１７又は金属線１８にバイアス電圧が印加されると、プラズマ中のイオンや電子がバイアス電圧による電界の作用により上下方向（プラズマ発生用に電極２１，２２に印加される電圧による電界方向）のみならず他の方向にも飛ぶようになり、プラズマが等方的になる。このようにプラズマが等方的になり、プラズマ中のイオンや電子が斜め方向や横方向にも速度成分をもつと、図４に示すように、金属膜１５の凸部分２３に衝突するプラズマの数が凹部分２４に衝突するプラズマの数よりも多くなる。これにより、単にプラズマ成分が上下方向に進んで金属膜１５に衝突する場合に比べて凸部分２３が削れやすくなり、金属膜１５の表面の凹凸はスパッタリング直後よりも逆スパッタリングを経た後の方が小さくなる。なお、金属板１７やコイル１８の代わりに金属製のメッシュやドーナツ状（円環状）の金属板等を用いてもよいが、これらもプラズマにより削られて金属膜１５に付着する可能性があるので、金属膜１５と同素材のものを用いることが好ましい。
【００５０】
この逆スパッタ処理後の金属膜１５を電極として、金属膜１５の材質とは異なる金属を電鋳により析出させることにより、スタンパ２５を得る（図１（Ｆ）、ステップ６）。スタンパ２５の表面には、マザー１４のレジストパターンにより、凸部２６及び凹部２７が形成されている。このスタンパ２５を基板１０から剥離させ（図１（Ｇ）、ステップ７）、裏面（凸部２６や凹部２７が形成された面と反対側の面）の研磨や所定の寸法へのカット等を行うことにより、スタンパ２５が製品として完成する（ステップ８）。
【００５１】
本実施例では、金属膜１５の表面が逆スパッタ処理された上でスタンパ２５が電析されることにより、金属膜１５とスタンパ２５との間の界面で剥離が生じやすくなっており、スタンパ２５を基板１０から剥離させる際にランド１３が基板１０上に留まって凹部２７にはレジストが残らない。このため、スタンパの剥離後におけるレジストの除去作業が不要であり、高精度なスタンパを低コストで作製することが可能となる。ここでは、特に、金属膜１５の材質とスタンパ２５の材質とが異なるので、金属膜１５及びスタンパ２５の界面における結晶状態が顕著に相異し、スタンパ２５の界面に沿った剥離が一層容易となっている。
【００５２】
なお、光ディスクの容量を増加させるには、光ディスクのピット等、つまり、マザーのピット等を微細化する必要があるが、上記特許文献２に記載のようにレーザービームを使用してレジストパターンを形成する方法では、ＤＶＤ以降の高密度な光ディスク用のスタンパを作製するのは困難であった。一方、その微細化の要求に応え得るとして、本実施例におけるように電子線を用いてパターンを形成する方法が注目されていたが、このような方法による高密度化によって新たに顕在化した問題があった。すなわち、光ディスクの記録密度がさほど高くなければ、レジストのランド表面の凹凸（粗さ）がピット等の大きさに対して小さくて済んだが、光ディスクの高密度化によりそれらのサイズが接近すると、ランド表面の凹凸がスタンパに転写されて光ディスクに再現された場合、光ディスクのピットを再生するとき、あるいは、グルーブをトラッキングするときに、その凹凸がノイズとなって現れる。これに対し、本実施例では、金属膜１５の表面の凹凸が逆スパッタ処理により（さらに、この逆スパッタ処理時のプラズマを等方的とすることにより）小さくなっているので、再生信号にノイズの少ない光ディスクを製造可能なスタンパを得ることができる。
【００５３】
以下、より詳細な実施例、及び、対比のための比較例について説明する。
［実施例１−１］
１００ｎｍのＬ＆Ｓ（ラインアンドスペース）にパターニングされたマザー１４の表面に、膜厚約３０ｎｍのＡｇを金属膜１５としてスパッタリングにより形成した。この段階で、レジスト１１のランド１３の表面における凹凸（凸部分２３及び凹部分２４）は、高さ方向に２〜５ｎｍ程度、横方向に５〜１０ｎｍ程度の大きさであった。つぎに、金属膜１５の表面を等方的なプラズマにより逆スパッタリングし、これによりランド１３の表面の凹凸を高さ方向で１ｎｍ以下に抑制することができた。
【００５４】
続いて、金属膜１５を電極として電鋳により膜厚約０．３ｍｍのＮｉをスタンパ２５として析出させ、金属膜１５とスタンパ２５との界面で剥離を行った。この際、金属膜１５の表面を逆スパッタ処理し、さらに、金属膜１５、スタンパ２５で元素成分がＡｇ、Ｎｉと異なることにより、金属膜１５及びスタンパ２５の界面における結晶状態が互いに相異しているから、スタンパ２５をその界面に沿って容易に剥離させることができた。
【００５５】
また、金属膜１５はマザー１４に留まりスタンパ２５の表面には何も付着しなかったので、スタンパ２５についてレジストの除去作業は不要であり、得られたスタンパ２５の表面の凹凸はマザー１４の表面の凹凸と同様に高さ方向で１ｎｍ以下であった。
［実施例１−２］
１００ｎｍのＬ＆Ｓにパターニングされたマザー１４の表面に、膜厚約３０ｎｍのＡｇを金属膜１５としてスパッタリングにより形成した。この段階で、レジスト１１のランド１３の表面における凹凸は、高さ方向に２〜５ｎｍ程度、横方向に５〜１０ｎｍ程度の大きさであった。つぎに、金属膜１５の表面を等方的なプラズマにより逆スパッタリングし、これによりランド１３の表面の凹凸を高さ方向で１ｎｍ以下に抑制することができた。
【００５６】
続いて、金属膜１５を電極として電鋳により膜厚約０．３ｍｍのＮｉ−Ｐ合金をスタンパ２５として析出させ、金属膜１５とスタンパ２５との界面で剥離を行った。この際、金属膜１５の表面を逆スパッタ処理し、さらに、金属膜１５、スタンパ２５で元素成分がＡｇ、Ｎｉ−Ｐ合金と異なることにより、金属膜１５及びスタンパ２５の界面における結晶状態が互いに相異しているから、スタンパ２５をその界面に沿って容易に剥離させることができた。
【００５７】
また、金属膜１５はマザー１４に留まりスタンパ２５の表面には何も付着しなかったので、スタンパ２５についてレジストの除去作業は不要であり、得られたスタンパ２５の表面の凹凸はマザー１４の表面の凹凸と同様に高さ方向で１ｎｍ以下であった。
［実施例１−３］
１００ｎｍのＬ＆Ｓにパターニングされたマザー１４の表面に、膜厚約５０ｎｍのＮｉを金属膜１５としてスパッタリングにより形成した。この段階で、レジスト１１のランド１３の表面における凹凸は、高さ方向に２〜５ｎｍ程度、横方向に５〜１０ｎｍ程度の大きさであった。つぎに、金属膜１５の表面を等方的なプラズマにより逆スパッタリングし、これによりランド１３の表面の凹凸を高さ方向で１ｎｍ以下に抑制することができた。
【００５８】
続いて、金属膜１５を電極として電鋳により膜厚約０．３ｍｍのＮｉ−Ｐ合金をスタンパ２５として析出させ、金属膜１５とスタンパ２５との界面で剥離を行った。この際、金属膜１５の表面を逆スパッタ処理し、さらに、金属膜１５、スタンパ２５で元素成分がＮｉ、Ｎｉ−Ｐ合金と異なることにより、金属膜１５及びスタンパ２５の界面における結晶状態が互いに相異しているから、スタンパ２５をその界面に沿って容易に剥離させることができた。
【００５９】
また、金属膜１５はマザー１４に留まりスタンパ２５の表面には何も付着しなかったので、スタンパ２５についてレジストの除去作業は不要であり、得られたスタンパ２５の表面の凹凸はマザー１４の表面の凹凸と同様に高さ方向で１ｎｍ以下であった。
［実施例１−４］
１００ｎｍのＬ＆Ｓにパターニングされたマザー１４の表面に、膜厚約５０ｎｍのＮｉを金属膜１５としてスパッタリングにより形成した。この段階で、レジスト１１のランド１３の表面における凹凸は、高さ方向に２〜５ｎｍ程度、横方向に５〜１０ｎｍ程度の大きさであった。つぎに、金属膜１５の表面を等方的なプラズマにより逆スパッタリングし、これによりランド１３の表面の凹凸を高さ方向で１ｎｍ以下に抑制することができた。
【００６０】
続いて、金属膜１５を電極として電鋳により膜厚約０．３ｍｍのＮｉ−Ｂ合金をスタンパ２５として析出させ、金属膜１５とスタンパ２５との界面で剥離を行った。この際、金属膜１５の表面を逆スパッタ処理し、さらに、金属膜１５、スタンパ２５で元素成分がＮｉ、Ｎｉ−Ｂ合金と異なることにより、金属膜１５及びスタンパ２５の界面における結晶状態が互いに相異しているから、スタンパ２５をその界面に沿って容易に剥離させることができた。
【００６１】
また、金属膜１５はマザー１４に留まりスタンパ２５の表面には何も付着しなかったので、スタンパ２５についてレジストの除去作業は不要であり、得られたスタンパ２５の表面の凹凸はマザー１４の表面の凹凸と同様に高さ方向で１ｎｍ以下であった。
［比較例］
１００ｎｍのＬ＆Ｓにパターニングされたマザーの表面に、膜厚約５０ｎｍのＮｉを金属膜としてスパッタリングにより形成した。この段階で、レジストのランド表面における凹凸は、高さ方向に２〜５ｎｍ程度、横方向に５〜１０ｎｍ程度の大きさであった。
【００６２】
つぎに、金属膜を電極として電鋳により膜厚約０．３ｍｍのＮｉをスタンパとして析出させ、このスタンパを金属膜を界面としてマザーの基板から剥離させようとしたところ、スタンパの表面にレジストが付着した。
【００６３】
このレジストを除去剤で除去してスタンパの表面の凹凸を測定したところ、上記ランド表面の凹凸と同様に、高さ方向に２〜５ｎｍ程度、横方向に５〜１０ｎｍ程度の大きさであった。
【実施例２】
【００６４】
実施例１においては逆スパッタリングの際にバイアス電圧を印加した金属板１７や金属線１８を使用したが、本実施例においては図５に示す揺動装置２８にマザー１４をセットして逆スパッタリングを行い、金属板１７やコイル１８によりプラズマを等方的にした場合と実質的に同様の効果を得る。
【００６５】
揺動装置２８は、マザー１４が固定されて保持される円盤状のホルダー２９と、ホルダー２９をピン３０及びカム３１，３２を介して支持するベース３３とを備える。ピン３０及びカム３１，３２は正三角形の頂点をなすようにベース３３上に位置し、ピン３０はその頂部３４で、カム３１，３２はその周面３５，３６で、ホルダー２９の外周部を下方から支持する。また、ピン３０及びカム３１，３２のそれぞれの間には、ホルダー２９に下向きの付勢力を作用させて頂部３４及び周面３５，３６に当接させるバネ３７が設けられている。
【００６６】
カム３１，３２はそれぞれ偏心回転軸３８，３９を有し、この回転軸３８，３９を中心として回転するように図示を略すモーターにより独立に駆動される。カム３１，３２の各回転数を制御することにより、ホルダー２９は傾き角度や傾き方向を変えながら複雑に揺動するので、スパッタ処理したマザー１４をホルダー２９にセットして上記チャンバ２０の内部で逆スパッタリングを行うことによって、プラズマ中のイオンが金属膜１５に斜め方向からも衝突してその表面の凹凸を小さくすることができる。
【実施例３】
【００６７】
図６は本実施例に係るスタンパの製造方法を模式的に示し、図７はその製造方法のフローを示し、図８はその製造方法に用いられるスパッタ装置を示す。このスパッタ装置４０は、スパッタ処理前のマザー１４がセットされるロードロックチャンバ４１と、マザー１４上にスタンパを形成するメインチャンバ４２と、ロードロックチャンバ４１及びメインチャンバ４２を仕切る仕切盤４３と、マザー１４を回転させながら搬送する図示を略す搬送盤とを有する。メインチャンバ４２の内部には、逆スパッタ処理用のコイル１８と、スパッタ処理用の金属ターゲット４４と、紫外線を照射するＵＶランプ４５とが設けられている。
【００６８】
本実施例では、まずガラス基板１０上に電子線用のレジスト１１をスピンコート法により所定の膜厚となるように形成する（図６（Ａ）、ステップ１（図７、図１０（後述）においてＳ．１と記載。以下、本実施例において同様。））。つぎに、電子線によりレジスト１１を部分的に露光させ（図６（Ｂ）、ステップ２）、この露光させた部分を現像により除去することによって、光ディスクのピット等に対応するピット等を基板１０上に形成する（図６（Ｃ）、ステップ３）。本実施例においても、実施例１と同様に、基板１０上に形成されたピット等をピット１２とし、これを区画するレジスト１１のランド部分をランド１３とし、ピット１２及びランド１３からなるレジストパターンを有する基板１０をマザー１４とする。
【００６９】
続いて、このマザー１４をスパッタ装置４０のロードロックチャンバ４１にセットすると、仕切盤４３が開いてマザー１４は上記搬送盤によりメインチャンバ４２の内部に移送され、ターゲット４４まで搬送される。そして、仕切盤４３が閉じた後にターゲット４４によるスパッタリングが行われ、マザー１４の表面には導電性を有する金属膜１５が形成される（図６（Ｄ）、ステップ４）。スパッタリングが完了すると、マザー１４は搬送盤によりコイル１８まで搬送され、スパッタリングに連続して逆スパッタリングが行われる（図６（Ｅ）、ステップ５）。逆スパッタリングの方法については実施例１と同様であるので詳細な説明は省略するが、コイル１８は図８に示すような単一のコイルに限られず、例えば搬送盤の搬送方向に沿って角度を変えながら複数設けてもよいし、マザー１４の円周に沿うように角度を変えながら複数設けてもよい。また、コイル１８の代わりに金属板１７等を用いてもよいことは勿論である。なお、本実施例においてこのステップ５は必須ではないが、スタンパの形状精度を高めてノイズの少ない光ディスクを製造するには本ステップを経ることが望ましい。
【００７０】
次いで、マザー１４は搬送盤によりＵＶランプ４５まで搬送され、酸素雰囲気中で紫外線が照射されることにより、マザー１４の金属膜１５の表面には酸化被膜４６が形成される（図６（Ｆ）、ステップ６）。この酸化皮膜処理が完了すると、仕切盤４３が開いてマザー１４は搬送盤によりロードロックチャンバ４１に戻ってくるので、マザー１４をロードロックチャンバ４１から取り出し、酸化被膜処理された金属膜１５を電極として電鋳により金属を析出させ、スタンパ２５を形成する（図６（Ｇ）、ステップ７）。そして、スタンパ２５を基板１０から剥離させ（図６（Ｈ）、ステップ８）、その裏面の研磨や所定の寸法へのカット等を行うことにより、スタンパ２５が製品として完成する（ステップ９）。
【００７１】
一方、図９は本実施例に係る他のスタンパの製造方法を模式的に示し、図１０はその製造方法のフローを示す。この製造方法では、上記ステップ１〜ステップ６と同様の処理が行われた後（図９（Ａ）〜図９（Ｆ））、マザー１４は再度ターゲット４４まで搬送され、ターゲット４４によるスパッタリングが行われる。これにより、酸化被膜４６上には導電性を有する金属膜４７が形成されるので（図９（Ｇ）、ステップ６’）、この金属膜４７を電極として電鋳により金属を析出させ、スタンパ２５を形成する（図９（Ｈ）、ステップ７）。そして、スタンパ２５を基板１０から剥離させ（図９（Ｉ）、ステップ８）、その裏面の研磨や所定の寸法へのカット等を行うことにより、スタンパ２５が製品として完成する（ステップ９）。
【００７２】
なお、スパッタ装置４０におけるスパッタ処理や逆スパッタ処理等は、上記搬送盤が回転してマザー１４を回転させながら行うことが好ましく、上記搬送盤が停止することなく横方向に移動しながら流れ作業的に行ってもよい。また、金属膜４７の材質は金属膜１５の材質と必ずしも同一でなくてもよく、このような場合には金属膜１５の導電性は任意でかまわない。
【００７３】
本実施例では、金属膜１５の表面に酸化被膜４６が形成された上でスタンパ２５が電析されることにより、酸化被膜４６を界面として剥離が生じやすくなっており、スタンパ２５を基板１０から剥離させる際にランド１３が基板１０上に留まって凹部２７にはレジストが残らない。このため、スタンパの剥離後におけるレジストの除去作業が不要であり、高精度なスタンパを低コストで作製することが可能となる。
【００７４】
また、図９及び図１０に示す製造方法のように、酸化被膜４６上に導電性に優れる金属膜４７を形成すれば、たとえ酸化被膜４６が抵抗等の理由により電鋳の電極として適していなくても、スタンパ２５を効率的に歩留まりよく製造することができる。
【００７５】
以下、より詳細な実施例について説明する。
［実施例３−１］
１００ｎｍのＬ＆Ｓにパターニングされたマザー１４の表面に、膜厚約５０ｎｍのＮｉを金属膜１５としてスパッタリングにより形成した。この段階で、レジスト１１のランド１３の表面における凹凸は、高さ方向に２〜５ｎｍ程度、横方向に５〜１０ｎｍ程度の大きさであった。つぎに、金属膜１５の表面を金属板１７を用いて逆スパッタリングし、これによりランド１３の表面の凹凸を高さ方向で１ｎｍ以下に抑制することができた。ここで、金属板１７の厚さは１ｍｍでφ５の円形孔１６が７ｍｍピッチで設けられており、金属板１７とマザー１４との離間距離は５ｍｍとした。また、真空圧が４×１０−３〜６×１０−３Ｔｏｒｒとなるようにメインチャンバ４２にＡｒガスを流し、金属板１７には５０〜１００ＶのＤＣ電圧を、マザー１４の基板１０側には２００〜４００ＶのＤＣ電圧を印加した。
【００７６】
続いて、真空度が５×１０−３Ｔｏｒｒ程度となるように酸素を流しながら金属膜１５の表面に紫外線を２分間照射し、酸化被膜４６を形成した。スパッタ装置４０においてはＵＶランプ４５もメインチャンバ４２の内部に設けられているので、この酸化被膜処理は逆スパッタ処理後に連続して行うことができる。そして、酸化皮膜処理された金属膜１５を電極とし、電鋳により膜厚約０．３ｍｍのＮｉをスタンパ２５として析出させ、酸化被膜４６と電析したＮｉ（スタンパ２５）との界面で剥離を行った。この際、酸化被膜４６及びスタンパ２５の界面における結晶状態が互いに異なるので、スタンパ２５はその界面に沿って容易に剥離させることができた。
【００７７】
また、酸化被膜４６はマザー１４に留まりスタンパ２５の表面には何も付着しなかったので、スタンパ２５についてレジストの除去作業は不要であり、得られたスタンパ２５の表面の凹凸はマザー１４の表面の凹凸と同様に高さ方向で１ｎｍ以下であった。
【００７８】
なお、この実施例３−１では、スパッタ装置４０においてマザー１４を搬送盤により５０〜１００ｒｐｍで回転させている。また、電析させる金属をＮｉではなくＮｉ−Ｐ合金やＮｉ−Ｂ合金としても同様な結果を得られる（マザー１４の回転数及び電析させる金属の置換性については、実施例３−２、実施例３−３、実施例３−４及び実施例３−５においても同様である。）。
［実施例３−２］
１００ｎｍのＬ＆Ｓにパターニングされたマザー１４の表面に、膜厚約５０ｎｍのＮｉを金属膜１５としてスパッタリングにより形成した。この段階で、レジスト１１のランド１３の表面における凹凸は、高さ方向に２〜５ｎｍ程度、横方向に５〜１０ｎｍ程度の大きさであった。つぎに、金属膜１５の表面をコイル１８を用いて逆スパッタリングし、これによりランド１３の表面の凹凸を高さ方向で１ｎｍ以下に抑制することができた。ここで、コイル１８とマザー１４との離間距離は５ｍｍとした。また、真空圧が４×１０−３〜６×１０−３Ｔｏｒｒとなるようにメインチャンバ４２にＡｒガスを流し、各コイル１８には０．５〜１ｋＷ程度の高周波電圧を、マザー１４の基板１０側には２００〜４００ＶのＤＣ電圧を印加した。
【００７９】
続いて、真空度が５×１０−３Ｔｏｒｒ程度となるように酸素を流しながら金属膜１５の表面に紫外線を２分間照射し、酸化被膜４６を形成した。そして、この酸化皮膜４６上に膜厚約５０ｎｍのＮｉを金属膜４７としてスパッタリングにより形成し、金属膜４７を電極として電鋳により膜厚約０．３ｍｍのＮｉをスタンパ２５として析出させ、酸化被膜４６と金属膜４７との界面で剥離を行った。この際、酸化被膜４６及び金属膜４７の界面における結晶状態が互いに異なるので、スタンパ２５はその界面に沿って容易に剥離させることができた。
【００８０】
また、酸化被膜４６はマザー１４に留まりスタンパ２５の表面には何も付着しなかったので、スタンパ２５についてレジストの除去作業は不要であり、得られたスタンパ２５の表面の凹凸はマザー１４の表面の凹凸と同様に高さ方向で１ｎｍ以下であった。
［実施例３−３］
１００ｎｍのＬ＆Ｓにパターニングされたマザー１４の表面に、膜厚約３０ｎｍのＮｉ−Ｐ合金を金属膜１５としてスパッタリングにより形成した。この段階で、レジスト１１のランド１３の表面における凹凸は、高さ方向に２〜５ｎｍ程度、横方向に５〜１０ｎｍ程度の大きさであった。つぎに、金属膜１５の表面を金属板１７を用いて逆スパッタリングし、これによりランド１３の表面の凹凸を高さ方向で１ｎｍ以下に抑制することができた。ここで、金属板１７の厚さは１ｍｍでφ５の円形孔１６が７ｍｍピッチで設けられており、金属板１７とマザー１４との離間距離は５ｍｍとした。また、真空圧が４×１０−３〜６×１０−３Ｔｏｒｒとなるようにメインチャンバ４２にＡｒガスを流し、金属板１７には５０〜１００ＶのＤＣ電圧を、マザー１４の基板１０側には２００〜４００ＶのＤＣ電圧を印加した。
【００８１】
続いて、真空度が５×１０−３Ｔｏｒｒ程度となるように酸素を流しながら金属膜１５の表面に紫外線を２分間照射し、酸化被膜４６を形成した。そして、この酸化皮膜処理された金属膜１５を電極とし、電鋳により膜厚約０．３ｍｍのＮｉをスタンパ２５として析出させ、酸化被膜４６と電析したＮｉ（スタンパ２５）との界面で剥離を行った。この際、酸化被膜４６及びスタンパ２５の界面における結晶状態が互いに異なるので、スタンパ２５はその界面に沿って容易に剥離させることができた。
【００８２】
また、酸化被膜４６はマザー１４に留まりスタンパ２５の表面には何も付着しなかったので、スタンパ２５についてレジストの除去作業は不要であり、得られたスタンパ２５の表面の凹凸はマザー１４の表面の凹凸と同様に高さ方向で１ｎｍ以下であった。
【００８３】
ただし、この実施例３−３ではスタンパ２５の厚さが安定せず、測定箇所によって膜厚が０．２５〜０．３ｍｍの範囲でばらついた。これは、酸化被膜されたＮｉ−Ｐ合金の抵抗が大きいので、電析時の電流量が金属膜１５の中心ほど小さくなり、析出するＮｉの量に大きな差が生じたためと考えられる。膜厚のばらつきはスタンパ２５の裏面を研磨して調整すれば解消するが、これでは研磨剤の使用量が増えて研磨時間が長くなるのでコスト的に好ましくなく、このような場合には次述の実施例３−４におけるようにＮｉ−Ｐ合金の酸化被膜４６上に金属膜４７を形成することが望ましい。
［実施例３−４］
１００ｎｍのＬ＆Ｓにパターニングされたマザー１４の表面に、膜厚約３０ｎｍのＮｉ−Ｐ合金を金属膜１５としてスパッタリングにより形成した。この段階で、レジスト１１のランド１３の表面における凹凸は、高さ方向に２〜５ｎｍ程度、横方向に５〜１０ｎｍ程度の大きさであった。つぎに、金属膜１５の表面をコイル１８を用いて逆スパッタリングし、これによりランド１３の表面の凹凸を高さ方向で１ｎｍ以下に抑制することができた。ここで、コイル１８とマザー１４との離間距離は５ｍｍとした。また、真空圧が４×１０−３〜６×１０−３Ｔｏｒｒとなるようにメインチャンバ４２にＡｒガスを流し、各コイル１８には０．５〜１ｋＷ程度の高周波電圧を、マザー１４の基板１０側には２００〜４００ＶのＤＣ電圧を印加した。
【００８４】
続いて、真空度が５×１０−３Ｔｏｒｒ程度となるように酸素を流しながら金属膜１５の表面に紫外線を２分間照射し、酸化被膜４６を形成した。そして、この酸化皮膜４６上に膜厚約３０ｎｍのＮｉ−Ｐ合金を金属膜４７としてスパッタリングにより形成し、金属膜４７を電極として電鋳により膜厚約０．３ｍｍのＮｉをスタンパ２５として析出させ、酸化被膜４６と金属膜４７との界面で剥離を行った。この際、酸化被膜４６及び金属膜４７の界面における結晶状態が互いに異なるので、スタンパ２５はその界面に沿って容易に剥離させることができた。
【００８５】
また、酸化被膜４６はマザー１４に留まりスタンパ２５の表面には何も付着しなかったので、スタンパ２５についてレジストの除去作業は不要であり、得られたスタンパ２５の表面の凹凸はマザー１４の表面の凹凸と同様に高さ方向で１ｎｍ以下であった。さらに、そのスタンパ２５の表面はＮｉ−Ｐ合金からなるので、光ディスクの射出成形時の耐久性に優れている。
［実施例３−５］
１００ｎｍのＬ＆Ｓにパターニングされたマザー１４の表面に、膜厚約３０ｎｍのＮｉ−Ｂ合金を金属膜１５としてスパッタリングにより形成した。この段階で、レジスト１１のランド１３の表面における凹凸は、高さ方向に２〜５ｎｍ程度、横方向に５〜１０ｎｍ程度の大きさであった。つぎに、金属膜１５の表面を揺動装置２８を用いて逆スパッタリングし、これによりランド１３の表面の凹凸を高さ方向で１ｎｍ以下に抑制することができた。ここで、真空圧が４×１０−３〜６×１０−３Ｔｏｒｒとなるようにメインチャンバ４２にＡｒガスを流し、マザー１４の基板１０側にはホルダー２９により２００〜４００ＶのＤＣ電圧を印加した。
【００８６】
続いて、真空度が５×１０−３Ｔｏｒｒ程度となるように酸素を流しながら金属膜１５の表面に紫外線を２分間照射し、酸化被膜４６を形成した。そして、この酸化皮膜４６上に膜厚約３０ｎｍのＮｉ−Ｂ合金を金属膜４７としてスパッタリングにより形成し、金属膜４７を電極として電鋳により膜厚約０．３ｍｍのＮｉをスタンパ２５として析出させ、酸化被膜４６と金属膜４７との界面で剥離を行った。この際、酸化被膜４６及び金属膜４７の界面における結晶状態が互いに異なるので、スタンパ２５はその界面に沿って容易に剥離させることができた。
【００８７】
また、酸化被膜４６はマザー１４に留まりスタンパ２５の表面には何も付着しなかったので、スタンパ２５についてレジストの除去作業は不要であり、得られたスタンパ２５の表面の凹凸はマザー１４の表面の凹凸と同様に高さ方向で１ｎｍ以下であった。さらに、そのスタンパ２５の表面はＮｉ−Ｂ合金からなるので、光ディスクの射出成形時の耐久性に優れている。
【実施例４】
【００８８】
実施例３においては真空チャンバ（メインチャンバ）と仕切られるロードロックチャンバを具備するスパッタ装置４０を用いたが、本実施例においてはロードロックチャンバを具備しない図１１に示すスパッタ装置４８を用いる。
【００８９】
スパッタ装置４８は、一端が閉じられた円筒状を呈してクライオポンプ４９及びロータリーポンプ５０に接続された真空チャンバ５１と、真空チャンバ５１の他端を開閉する開閉蓋５２とを備える。真空チャンバ５１の内部には、その筒軸から略等距離に位置するように、逆スパッタ処理用のコイル１８と、スパッタ処理用の金属ターゲット５３と、酸化被膜処理用のＵＶランプ５４とが設けられている。開閉蓋５２は、それが閉じられた状態で図示を略す駆動機構により駆動され、真空チャンバ５１に対して回転可能となっている。開閉蓋５２にはマザー１４を保持するホルダー５５が設けられ、ホルダー５５はモーター５６により駆動されて開閉蓋５２に対して回転する。
【００９０】
このスパッタ装置４８では、スパッタ処理前のマザー１４をホルダー５５にセットして開閉蓋５２を閉じると、クライオポンプ４９及びロータリーポンプ５０が作動して真空チャンバ５１の内部が減圧される。そして、開閉蓋５２が回転してホルダー５５がターゲット５３に正対し、マザー１４の表面に対してターゲット５３によりスパッタ処理が行われ、マザー１４の表面に金属膜１５が形成される。続いて、開閉蓋５２が回転してホルダー５５がコイル１８に正対し、金属膜１５の表面に対してコイル１８により逆スパッタ処理が行われる。
【００９１】
つぎに、開閉蓋５２が回転してホルダー５５がＵＶランプ５４に正対するとともに、真空チャンバ５１の内部に酸素が流入し、ＵＶランプ５４の紫外線照射により酸化被膜処理が行われる。これら一連の処理は開閉蓋５２の回転により連続的に行われ、また、ホルダー５５の回転によりマザー１４の表面には酸化被膜処理された金属膜１５が一様に形成される。
【実施例５】
【００９２】
図１２は本実施例に係るスタンパの製造方法を模式的に示し、図１３はその製造方法のフローを示す。本実施例では、まずガラス基板１０上に電子線用のレジスト１１をスピンコート法により所定の膜厚となるように形成する（図１２（Ａ）、ステップ１（図１３においてＳ．１と記載。以下、本実施例において同様。））。つぎに、電子線によりレジスト１１を部分的に露光させ（図１２（Ｂ）、ステップ２）、この露光させた部分を現像により除去することによって、光ディスクのピット等に対応するピット等を基板１０上に形成する（図１２（Ｃ）、ステップ３）。本実施例においても、実施例１及び実施例３と同様に、基板１０上に形成されたピット等をピット１２とし、これを区画するレジスト１１のランド部分をランド１３とし、ピット１２及びランド１３からなるレジストパターンを有する基板１０をマザー１４とする。
【００９３】
続いて、マザー１４の表面に導電性を有する金属膜１５’を無電界めっきにより形成する（図１２（Ｄ）、ステップ４）。この金属膜１５’には、直径が１００ｎｍ程度以下の微粒子が分散されており、ここでは微粒子に符号５７を付し、微粒子５７が分散する基材に符号５８を付す。
【００９４】
次いで、その金属膜１５’を電極として金属を電鋳により析出させることにより、スタンパ２５を得る（図１２（Ｅ）、ステップ５）。スタンパ２５の表面には、マザー１４のレジストパターンにより、凸部２６及び凹部２７が形成されている。このスタンパ２５を基板１０から剥離させ（図１２（Ｆ）、ステップ６）、裏面（凸部２６や凹部２７が形成された面と反対側の面）の研磨や所定の寸法へのカット等を行うことにより、スタンパ２５が製品として完成する（ステップ７）。
【００９５】
本実施例では、金属膜１５’に微粒子５７が含有されているので、金属膜１５’とスタンパ２５との間の界面で剥離が生じやすくなっており、スタンパ２５を基板１０から剥離させる際にランド１３が基板１０上に留まって凹部２７にはレジストが残らない。このため、スタンパの剥離後におけるレジストの除去作業が不要であり、高精度なスタンパを低コストで作製することが可能となる。また、金属膜１５’の基材５８の材質とスタンパ２５の材質とを異ならせることにより、スタンパ２５の界面に沿った剥離が一層容易となる。
【００９６】
以下、より詳細な実施例について説明する。
［実施例５−１］
１００ｎｍのＬ＆Ｓにパターニングされたマザー１４の表面に、膜厚約２０ｎｍのＮｉを金属膜１５’として無電界めっきにより形成した。このとき、無電界Ｎｉめっき液には微粒子５７としてＣ６０を分散させておき、めっき液が常に対流するようにマザー１４を回転させながらめっき作業を行って、図１４乃至図１６に示すように微粒子５７をランド１３の表面の凹部分５９に付着させる（ランド表面の凹部分５９に入った微粒子５７は対流によっても凹部分５９から流出しにくく、ランド表面の凸部分６０には微粒子５７は留まりにくいので、微粒子５７は凹部分５９に付着しやすい。）。これにより、ランド表面における凹凸は本来ならば高さ方向に２〜５ｎｍ程度、横方向に５〜１０ｎｍ程度の大きさであるが、Ｃ６０の粒径は０．７ｎｍであってその凹凸よりも十分に小さく凹部分５９を埋めるので、金属膜１５’の表面の凹凸は１ｎｍ以下となった（図１４参照）。
【００９７】
続いて、金属膜１５’を電極として電鋳により膜厚約０．３ｍｍのＮｉ−Ｐ合金をスタンパ２５として析出させ、金属膜１５’とスタンパ２５との界面で剥離を行った。この際、金属膜１５’に微粒子５７が含有され、さらに金属膜１５’の基材５８とスタンパ２５との元素成分がＮｉ、Ｎｉ−Ｐ合金と異なるので、金属膜１５’及びスタンパ２５の界面における結晶状態が互いに相異しており、スタンパ２５をその界面に沿って容易に剥離させることができた。
【００９８】
また、金属膜１５’はマザー１４に留まりスタンパ２５の表面には何も付着しなかったので、スタンパ２５についてレジストの除去作業は不要であり、得られたスタンパ２５の表面の凹凸はマザー１４の表面の凹凸と同様に高さ方向、横方向ともに１ｎｍ以下であった。
［実施例５−２］
１００ｎｍのＬ＆Ｓにパターニングされたマザー１４の表面に、膜厚約２０ｎｍのＮｉを金属膜１５’として無電界めっきにより形成した。このとき、無電界Ｎｉめっき液には微粒子５７として粒径３〜５ｎｍのダイヤモンド微粒子を選定して分散させておき、めっき液が常に対流するようにマザー１４を回転させながらめっき作業を行って、微粒子５７をランド１３の表面の凹部分５９に付着させる。これにより、ランド表面における凹凸は本来ならば高さ方向に２〜５ｎｍ程度、横方向に５〜１０ｎｍ程度の大きさであるが、ダイヤモンド微粒子の粒径は上述したようにその凹凸と同程度で凹部分５９を埋めるので、金属膜１５’の表面の凹凸は２ｎｍ以下となった（図１５参照）。
【００９９】
続いて、金属膜１５’を電極として電鋳により膜厚約０．３ｍｍのＮｉ−Ｂ合金をスタンパ２５として析出させ、金属膜１５’とスタンパ２５との界面で剥離を行った。この際、金属膜１５’に微粒子５７が含有され、さらに金属膜１５’の基材５８とスタンパ２５との元素成分がＮｉ、Ｎｉ−Ｂ合金と異なるので、金属膜１５’及びスタンパ２５の界面における結晶状態が互いに相異しており、スタンパ２５をその界面に沿って容易に剥離させることができた。
【０１００】
また、金属膜１５’はマザー１４に留まりスタンパ２５の表面には何も付着しなかったので、スタンパ２５についてレジストの除去作業は不要であり、得られたスタンパ２５の表面の凹凸はマザー１４の表面の凹凸と同様に高さ方向、横方向ともに２ｎｍ以下であった。
［実施例５−３］
１００ｎｍのＬ＆Ｓにパターニングされたマザー１４の表面に、膜厚約２０ｎｍのＮｉを金属膜１５’として無電界めっきにより形成した。このとき、無電界Ｎｉめっき液には微粒子５７として粒径１０〜２０ｎｍの酸化チタン微粒子を選定して分散させておき、めっき液が常に対流するようにマザー１４を回転させながらめっき作業を行って、微粒子５７をランド１３の表面の凹部分５９に付着させる。しかしながら、酸化チタン微粒子の粒径はランド表面における凹凸よりも大きいので、たとえ微粒子５７が凹部分５９に付着したとしてもランド表面の凹凸を減少させるには至らず、場合によってはランド表面の凹凸を増大させてしまうおそれがある（図１６参照）。したがって、この実施例５−３においても後述のようにレジストの除去作業は不要であるが、微粒子の直径としては１０ｎｍ程度以下（ランド表面の凹凸の大きさと同等以下）、さらには実施例５−１におけるように１ｎｍ程度以下であることが望ましい。
【０１０１】
続いて、金属膜１５’を電極として電鋳により膜厚約０．３ｍｍのＮｉ−Ｂ合金をスタンパ２５として析出させ、金属膜１５’とスタンパ２５との界面で剥離を行った。この際、金属膜１５’に微粒子５７が含有され、さらに金属膜１５’の基材５８とスタンパ２５との元素成分がＮｉ、Ｎｉ−Ｂ合金と異なるので、金属膜１５’及びスタンパ２５の界面における結晶状態が互いに相異しており、スタンパ２５をその界面に沿って容易に剥離させることができた。
【０１０２】
また、金属膜１５’はマザー１４に留まりスタンパ２５の表面には何も付着しなかったので、スタンパ２５についてレジストの除去作業は不要である。
【０１０３】
なお、本発明を実施するための形態は上記各実施例の記載に限られるものではなく、例えば上記各実施例ではレジストパターンの形成に電子線を用いたが、電子線の代わりにレーザービームを用いてもかまわない。ただし、既述のようにレーザービームで微細なレジストパターンを形成することは難しいから、そのような場合には上記各実施例におけるように電子線を用いる必要がある。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】実施例１に係るスタンパの製造方法を模式的に示し、（Ａ）は基板上にレジストを形成した状態を、（Ｂ）はレジストを露光させた状態を、（Ｃ）は露光させたレジストを除去した状態を、（Ｄ）はスパッタリングにより金属膜を形成した状態を、（Ｅ）は金属膜の表面に対して逆スパッタリングを行った状態を、（Ｆ）は電鋳によりスタンパを形成した状態を、（Ｇ）はスタンパを剥離させた状態を示す説明図である。
【図２】図１の製造方法の工程を示す流れ図である。
【図３】逆スパッタリング時におけるプラズマの等方性を高めるための構成を示し、（Ａ）は多数の円形孔が形成された金属板にバイアス電圧が印加された状態を、（Ｂ）は螺旋状の金属線にバイアス電圧が印加された状態を示す説明図である。
【図４】等方的なプラズマが金属膜に衝突する様子を示す説明図である。
【図５】実施例２に係る揺動装置の概略構成を示す説明図である。
【図６】実施例３に係るスタンパの製造方法を模式的に示し、（Ａ）は基板上にレジストを形成した状態を、（Ｂ）はレジストを露光させた状態を、（Ｃ）は露光させたレジストを除去した状態を、（Ｄ）はスパッタリングにより金属膜を形成した状態を、（Ｅ）は金属膜の表面に対して逆スパッタリングを行った状態を、（Ｆ）は金属膜の表面を酸化被膜処理した状態を、（Ｇ）は電鋳によりスタンパを形成した状態を、（Ｈ）はスタンパを剥離させた状態を示す説明図である。
【図７】図６の製造方法の工程を示す流れ図である。
【図８】実施例３に係るスパッタ装置の概略構成を示す説明図である。
【図９】実施例３に係るスタンパの他の製造方法を模式的に示し、（Ａ）は基板上にレジストを形成した状態を、（Ｂ）はレジストを露光させた状態を、（Ｃ）は露光させたレジストを除去した状態を、（Ｄ）はスパッタリングにより金属膜を形成した状態を、（Ｅ）は金属膜の表面に対して逆スパッタリングを行った状態を、（Ｆ）は金属膜の表面を酸化被膜処理した状態を、（Ｇ）は酸化被膜上に金属膜を形成した状態を、（Ｈ）は電鋳によりスタンパを形成した状態を、（Ｉ）はスタンパを剥離させた状態を示す説明図である。
【図１０】図９の製造方法の工程を示す流れ図である。
【図１１】実施例４に係るスパッタ装置の概略構成を示す説明図である。
【図１２】実施例４に係るスタンパの製造方法を模式的に示し、（Ａ）は基板上にレジストを形成した状態を、（Ｂ）はレジストを露光させた状態を、（Ｃ）は露光させたレジストを除去した状態を、（Ｄ）は無電界めっき法により微粒子が分散された金属膜を形成した状態を、（Ｅ）は電鋳によりスタンパを形成した状態を、（Ｆ）はスタンパを剥離させた状態を示す説明図である。
【図１３】図１２の製造方法の処理工程を示す流れ図である。
【図１４】微粒子の粒径がランド表面の粗さよりも小さい場合を示す説明図である。
【図１５】微粒子の粒径がランド表面の粗さと同程度の場合を示す説明図である。
【図１６】微粒子の粒径がランド表面の粗さよりも大きい場合を示す説明図である。
【図１７】従来のスタンパの製造方法を模式的に示し、（Ａ）は基板上にレジストを形成した状態を、（Ｂ）はレジストを露光させた状態を、（Ｃ）は露光させたレジストを除去した状態を、（Ｄ）はスパッタリングにより金属膜を形成した状態を、（Ｅ）は電鋳によりスタンパを形成した状態を、（Ｆ）はスタンパを剥離させた状態を、（Ｇ）はスタンパからレジストを除去した状態を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１０  ガラス基板
１１  レジスト
１４  マザー
１５  金属膜（導電層、金属層）
１５’  金属膜（導電層）
１６  円形孔（孔）
１７  金属板
１８  コイル（逆スパッタ処理手段）
２５  スタンパ
４２  メインチャンバ（チャンバ）
４５  ＵＶランプ（酸化被膜処理手段）
４７  金属膜（導電層）
５１  真空チャンバ（チャンバ）
５４  ＵＶランプ（酸化被膜処理手段）
５７  微粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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