(57)【要約】【課題】保持ユニットの停止位置のずれを検出し得る搬送装置、及び、当該搬送装置を備える基板処理装置を得る。【解決手段】半導体処理装置の出荷時において、Ｚ軸駆動部８９によって、アームユニット１０ｅを比較的低速でＺ軸部１０ｆに沿って連続走行させる。ＣＰＵ８１は、切り欠き６２ｂが形成されている箇所にアームユニット１０ｅが差し掛かったことを透過センサ５０からの出力信号によって検知すると、その時点でのエンコーダ９０の第１の値を取得する。次に、半導体処理装置の稼働後のメンテナンス時において、同様の測定を行ってエンコーダの第２の値を取得する。次に、記憶部８２から第１及び第２の値を読み出して両者の値を比較し、両者の値にずれがある場合は、アームユニット１０ｅの絶対停止位置にずれが生じていると判断する。【選択図】図７
2005101046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置識別用の識別構造が所定の箇所に設けられた案内軸と、
搬送対象である基板を保持する保持ユニットと、
前記案内軸に沿って前記保持ユニットを走行させる駆動部と、
前記駆動部の駆動量を検出するエンコーダと、
前記保持ユニットに設けられ、前記識別構造を検出する検出部と、
第１の時期において前記案内軸に沿って前記保持ユニットを走行させた際における、前記検出部が前記識別構造を検出したタイミングでの前記エンコーダの第１の値と、第２の時期において前記案内軸に沿って前記保持ユニットを走行させた際における、前記検出部が前記識別構造を検出したタイミングでの前記エンコーダの第２の値とを比較する比較部と
を備える、搬送装置。
【請求項２】
前記識別構造として、前記案内軸のカバーに形成された切り欠きが設けられており、
前記検出部は、前記カバーを挟んで対向する光照射部と受光部とを有し、前記切り欠きを検出対象とする透過型の光学式センサである、請求項１に記載の搬送装置。
【請求項３】
いずれも位置識別用の第１及び第２の識別構造がそれぞれ第１及び第２の箇所に設けられた案内軸と、
搬送対象である基板を保持する保持ユニットと、
前記保持ユニットに固定されたタイミングベルトを駆動することにより、前記案内軸に沿って前記保持ユニットを走行させる駆動部と、
前記駆動部の駆動量を検出するエンコーダと、
前記保持ユニットに設けられ、前記第１及び第２の識別構造を検出する検出部と、
第１及び第２の差分値、すなわち、
1)  第１の時期において前記案内軸に沿って前記保持ユニットを走行させた際における、前記検出部が前記第１の識別構造を検出したタイミングでの前記エンコーダの第１の値と、前記検出部が前記第２の識別構造を検出したタイミングでの前記エンコーダの第２の値との第１の差分値と、
2)  第２の時期において前記案内軸に沿って前記保持ユニットを走行させた際における、前記検出部が前記第１の識別構造を検出したタイミングでの前記エンコーダの第３の値と、前記検出部が前記第２の識別構造を検出したタイミングでの前記エンコーダの第４の値との第２の差分値と
を比較する比較部と
を備える、搬送装置。
【請求項４】
前記第１及び第２の識別構造として、前記案内軸のカバーにそれぞれ形成された第１及び第２の切り欠きが設けられており、
前記検出部は、前記カバーを挟んで対向する光照射部と受光部とを有し、前記第１及び第２の切り欠きを検出対象とする透過型の光学式センサである、請求項３に記載の搬送装置。
【請求項５】
基板に対して所定の処理を行う処理部を備えるとともに、
前記処理部に対する前記基板の搬出入を行う搬送装置として、請求項１ないし請求項４のいずれか一つに記載の搬送装置を備える、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハ等の基板を搬送する搬送装置、及び、当該搬送装置を備える基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ等の基板を処理する基板処理装置には複数の処理部が設けられており、各処理部では基板に対してそれぞれ異なる処理が施されている。このような基板処理装置には、複数の処理部間で基板を搬送するために、あるいは各処理部内で基板を搬送するために、搬送装置が設けられている。
【０００３】
なお、搬送装置を備える基板処理装置の例が、下記特許文献１に開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１６３０８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の搬送装置では、経年変化やタイミングベルトの伸び等が原因で、アームユニットの停止位置にずれが生じ、ひいては、保持アームから基板が落下したり、保持アームがクラッシュする場合があるという問題があった。
【０００６】
本発明は、かかる問題を解決するために成されたものであり、保持ユニットの停止位置のずれを検出し得る搬送装置、及び、当該搬送装置を備える基板処理装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の搬送装置は、位置識別用の識別構造が所定の箇所に設けられた案内軸と、搬送対象である基板を保持する保持ユニットと、案内軸に沿って保持ユニットを走行させる駆動部と、駆動部の駆動量を検出するエンコーダと、保持ユニットに設けられ、識別構造を検出する検出部と、第１の時期において案内軸に沿って保持ユニットを走行させた際における、検出部が識別構造を検出したタイミングでのエンコーダの第１の値と、第２の時期において案内軸に沿って保持ユニットを走行させた際における、検出部が識別構造を検出したタイミングでのエンコーダの第２の値とを比較する比較部とを備える。
【０００８】
請求項２に記載の搬送装置は、請求項１に記載の搬送装置において特に、識別構造として、案内軸のカバーに形成された切り欠きが設けられており、検出部は、カバーを挟んで対向する光照射部と受光部とを有し、切り欠きを検出対象とする透過型の光学式センサである。
【０００９】
請求項３に記載の搬送装置は、いずれも位置識別用の第１及び第２の識別構造がそれぞれ第１及び第２の箇所に設けられた案内軸と、搬送対象である基板を保持する保持ユニットと、保持ユニットに固定されたタイミングベルトを駆動することにより、案内軸に沿って保持ユニットを走行させる駆動部と、駆動部の駆動量を検出するエンコーダと、保持ユニットに設けられ、第１及び第２の識別構造を検出する検出部と、第１及び第２の差分値、すなわち、1)第１の時期において案内軸に沿って保持ユニットを走行させた際における、検出部が第１の識別構造を検出したタイミングでのエンコーダの第１の値と、検出部が第２の識別構造を検出したタイミングでのエンコーダの第２の値との第１の差分値と、2)第２の時期において案内軸に沿って保持ユニットを走行させた際における、検出部が第１の識別構造を検出したタイミングでのエンコーダの第３の値と、検出部が第２の識別構造を検出したタイミングでのエンコーダの第４の値との第２の差分値とを比較する比較部とを備える。
【００１０】
請求項４に記載の搬送装置は、請求項３に記載の搬送装置において特に、第１及び第２の識別構造として、案内軸のカバーにそれぞれ形成された第１及び第２の切り欠きが設けられており、検出部は、カバーを挟んで対向する光照射部と受光部とを有し、第１及び第２の切り欠きを検出対象とする透過型の光学式センサである。
【００１１】
請求項５に記載の基板処理装置は、基板に対して所定の処理を行う処理部を備えるとともに、処理部に対する基板の搬出入を行う搬送装置として、請求項１ないし請求項４のいずれか一つに記載の搬送装置を備える。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１に記載の搬送装置によれば、比較部によるエンコーダの第１の値と第２の値との比較結果に基づいて、保持ユニットの停止位置のずれを把握することができる。
【００１３】
請求項２に記載の搬送装置によれば、案内軸のカバーに形成された切り欠きと、透過型の光学式センサとを用いた比較的簡単な構造によって、請求項１における識別構造及び検出部を構成することができる。
【００１４】
請求項３に記載の搬送装置によれば、比較部による第１の差分値と第２の差分値との比較結果に基づいて、特にタイミングベルトの伸びに起因する保持ユニットの停止位置のずれを把握することができる。
【００１５】
請求項４に記載の搬送装置によれば、案内軸のカバーに形成された第１及び第２の切り欠きと、透過型の光学式センサとを用いた比較的簡単な構造によって、請求項３における第１及び第２の識別構造及び検出部を構成することができる。
【００１６】
請求項５に記載の基板処理装置によれば、保持アームからの基板の落下や保持アームのクラッシュ等を未然に防止しつつ、処理部に対する基板の搬送を実行することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
【００１８】
以下では、半導体ウェハ（基板）に反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、露光された基板に現像処理等の薬液処理を施す基板処理装置を例にとって説明する。但し、本発明に係る基板処理装置の処理対象となる基板は、半導体ウェハに限定されるものではなく、フラットディスプレイパネル（例えば液晶パネル等）用のガラス基板等であっても良い。また、本発明に係る基板処理装置の処理内容は、塗布形成や現像処理に限定されるものではなく、エッチング処理や洗浄処理等であっても良い。
【００１９】
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置１００の構成を示す上面図である。図１及び以降の各図には、それらの方向関係を明確にすべく、Ｚ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を、必要に応じて適宜付している。
【００２０】
図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１と、処理対象である基板に対して所定の薬液処理を行う３つの処理ブロック（具体的には、反射防止膜処理ブロック２、レジスト膜処理ブロック３、及び現像処理ブロック４）と、インタフェイスブロック５とを有しており、これらのブロックを並設して構成されている。インタフェイスブロック５には、基板処理装置１００とは別体の外部装置である露光装置（ステッパー）ＳＴＰが並設されている。
【００２１】
インデクサブロック１は、基板処理装置１００の外部からの未処理の基板Ｗの受け入れや、逆に処理済の基板Ｗの外部への払い出しを担う部位である。インデクサブロック１は、所定枚数の基板Ｗを多段に収納可能なカセットＣを複数個（図１に示した例では４個）並べて載置するカセット載置台６と、カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出して後段の処理へと供するとともに、処理済の基板Ｗ受け取って再びカセットＣへと順に収納するインデクサ用搬送機構７とを備えている。
【００２２】
インデクサ用搬送機構７は、カセット載置台６に沿ってＹ軸方向に水平移動可能な可動台７ａと、可動台７ａ上にあって基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂと、保持アーム７ｂの先端部分の内側に突出する複数本（図１に示した例では３本）のピン７ｃとを備えている。保持アーム７ｂは、Ｚ軸方向への上下移動、水平面内の旋回移動、及び旋回半径方向への進退移動がそれぞれ可能に構成されている。基板Ｗは、ピン７ｃによって水平姿勢で保持される。
【００２３】
また、互いに隣接するインデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との境界部には、互いの雰囲気を遮断することを目的として隔壁１３が設けられている。そして、インデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために、基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が、当該隔壁１３を部分的に貫通して、上下に近接して設けられている。
【００２４】
インデクサブロック１における基板Ｗの受け渡しについて概説する。まず、インデクサ用搬送機構７が、所定のカセットＣに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム７ｂが昇降及び進退移動することにより、そのカセットＣに収納されている未処理の基板Ｗを取り出す。保持アーム７ｂに基板Ｗを保持した状態で、インデクサ用搬送機構７が、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで水平移動する。
【００２５】
そして、保持アーム７ｂ上の基板Ｗを、基板払出し用の上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、インデクサ用搬送機構７は、その処理済みの基板Ｗを保持アーム７ｂ上に受け取って、所定のカセットＣに処理済みの基板Ｗを収納する。以下、同様にカセットＣから未処理基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送するとともに、処理済み基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２から受け取ってカセットＣに収納するという動作を繰り返し行う。
【００２６】
図２は、基板処理装置１００の構成を示す正面図である。図３は、図２と同じ方向から眺めた場合の、熱処理部ＴＰの配置構成を示す正面図である。反射防止膜処理ブロック２は、フォトレジスト膜の下部に、露光装置ＳＴＰにおける露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるための反射防止膜を形成する処理を行う。図１〜３を参照して、反射防止膜処理ブロック２は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布する処理を行う第１塗布処理部８（塗布処理ユニット８ａ〜８ｃを有する）と、塗布に際し必要な熱処理を行う第１熱処理部９（複数の加熱プレートＨＰ、冷却ユニットＣＰ、及びアドヒージョン処理ユニットＡＨＬを有する）と、第１塗布処理部８及び第１熱処理部９に対して基板Ｗの受け渡しを行う第１主搬送機構１０Ａとを備えている。
【００２７】
図４は、第１主搬送機構１０Ａの構造を簡略化して示す斜視図である。第１主搬送機構１０Ａは、保持アーム１０ａ，１０ｂ及びブラケット１０ｄを有するアームユニット１０ｅと、基板処理装置１００の天井面及び床面に両端が固定されたＺ軸部１０ｆとを備えている。保持アーム１０ａ，１０ｂは、上下に近接して配設されており、独立にブラケット１０ｄから進退可能である。保持アーム１０ａ，１０ｂは略Ｃ字状の先端部分を有しており、この先端部分の内側から複数本（例えば３本）のピン１０ｃが突出している。複数本のピン１０ｃ上に基板Ｗを載置することにより、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。アームユニット１０ｅは、図４には示さないＺ軸駆動部８９によって、Ｚ軸部１０ｆを中心とした水平面内の旋回移動、及び、Ｚ軸部１０ｆに沿った昇降移動が可能に構成されている。また、保持アーム１０ａ，１０ｂは、図示しない駆動機構によって、アームユニット１０ｅの旋回半径方向の進退移動が可能に構成されている。アームユニット１０ｅには、透過型のマイクロフォトセンサ（以下「透過センサ」と称する）５０が取り付けられている。後述する第２〜第４主搬送機構１０Ｂ〜１０Ｄも、第１主搬送機構１０Ａと同様の構成を有している。以後、第１〜第４主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄを特に区別しない場合、「主搬送機構１０」と称する。主搬送機構１０の構造については後に詳述する。
【００２８】
図１を参照して、互いに隣接する反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との境界部には、隔壁１３が設けられている。当該隔壁１３には、基板Ｗを載置するための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が、当該隔壁１３を部分的に貫通して、上下に近接して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、反射防止膜処理ブロック２の第１主搬送機構１０Ａとレジスト膜処理ブロック３の第２主搬送機構１０Ｂとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための載置部である。
【００２９】
反射防止膜処理ブロック２において反射防止膜を形成する処理が完了した基板Ｗは、第１主搬送機構１０Ａの保持アーム１０ａによって、上側の基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、第２主搬送機構１０Ｂによってレジスト膜処理ブロック３内に搬入される。また、露光装置ＳＴＰ及び現像処理ブロック４において露光処理、露光後ベーク処理、及び現像処理が完了した基板Ｗは、第２主搬送機構１０Ｂによって下側の基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。そして、第１主搬送機構１０Ａの保持アーム１０ｂによって、反射防止膜処理ブロック２内に搬入される。すなわち、反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３とは、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４を介して基板Ｗの受け渡しを行う。
【００３０】
レジスト膜処理ブロック３は、反射防止膜が形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を形成する処理を行う。図１〜３を参照して、レジスト膜処理ブロック３は、フォトレジスト膜を塗布する処理を行う第２塗布処理部１５（塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃを有する）と、塗布に際し必要な熱処理を行う第２熱処理部１６（複数の加熱部ＰＨＰ及び冷却ユニットＣＰを有する）と、第２塗布処理部１５及び第２熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しを行う第２主搬送機構１０Ｂとを備えている。
【００３１】
図１を参照して、互いに隣接するレジスト膜処理ブロック３と現像処理ブロック４との境界部には、隔壁１３が設けられている。当該隔壁１３には、基板Ｗを載置するための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が、当該隔壁１３を部分的に貫通して、上下に近接して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、レジスト膜処理ブロック３の第２主搬送機構１０Ｂと現像処理ブロック４の第３主搬送機構１０Ｃとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための載置部である。
【００３２】
レジスト膜処理ブロック３においてフォトレジスト膜の塗布処理が完了した基板Ｗは、第２主搬送機構１０Ｂの保持アーム１０ａによって上側の基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、第３主搬送機構１０Ｃによって現像処理ブロック４内に搬入される。また、露光装置ＳＴＰ及び現像処理ブロック４において露光処理、露光後ベーク処理、及び現像処理が完了した基板Ｗは、第３主搬送機構１０Ｃによって下側の基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。そして、第２主搬送機構１０Ｂの保持アーム１０ｂによってレジスト膜処理ブロック３内に搬入される。すなわち、レジスト膜処理ブロック３と現像処理ブロック４とは、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６を介して基板Ｗの受け渡しを行う。
【００３３】
現像処理ブロック４は、露光装置ＳＴＰにおいて所定の回路パターンが露光された基板Ｗに対して現像処理を行う機構である。現像処理ブロック４は、現像液により現像処理を行う現像処理部３０と、現像処理に際し必要な熱処理を行う第３熱処理部３１と、現像処理部３０及び第３熱処理部３１に対して基板Ｗの受け渡しを行う第３主搬送機構１０Ｃとを備えている。
【００３４】
図２を参照して、現像処理部３０は、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅを上下に積層配置して構成されている。各現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３２や、スピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３３等を備えている。
【００３５】
図３を参照して、第３熱処理部３１は、各々複数個の加熱プレートＨＰ、基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰ、及び、基板Ｗを常温にまで高い精度で冷却する冷却プレートＣＰ等の熱処理部を含み、各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている。
【００３６】
図５は、加熱部ＰＨＰの構成を示す模式図である。加熱部ＰＨＰは、基板Ｗを載置して加熱処理する加熱プレートＨＰと、加熱プレートＨＰから離れた上方位置に基板Ｗを載置する基板仮置部１９と、加熱プレートＨＰと基板仮置部１９との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構２０とを備えている。加熱プレートＨＰには、プレート表面に複数本の可動支持ピン２１が出没自在に設けられている。加熱プレートＨＰの上方には加熱処理時に基板Ｗを覆う昇降自在の上蓋２２が設けられている。基板仮置部１９には基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン２３が設けられている。
【００３７】
ローカル搬送機構２０は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する保持プレート２４を備え、この保持プレート２４がネジ送り駆動機構２５によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構２６によって進退移動されるように構成されている。保持プレート２４には、これが加熱プレートＨＰや基板仮置部１９の上方に進出したときに、可動支持ピン２１や固定支持ピン２３と干渉しないように、複数本のスリット２４ａが形成されている。また、ローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰから基板仮置部１９へ基板Ｗを搬送する過程で基板を水冷する冷却ユニットを備えている。
【００３８】
ローカル搬送機構２０は、インタフェイスブロック５の第４主搬送機構１０Ｄが対向する面１９ｅと隣り合う面１９ｆ（図５（ｂ）参照）と対向するように設置されている。そして、加熱プレートＨＰ及び基板仮置部１９を覆う筐体２７の上部、即ち基板仮置部１９を覆う部位には、面１９ｅに第４主搬送機構１０Ｄの進入を許容する開口部１９ａが、面１９ｆにローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｂがそれぞれ設けられている。また、筐体２７の下部、即ち加熱プレートＨＰを覆う部位は、面１９ｅが閉塞し、面１９ｆにローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｃが設けられている。
【００３９】
上述した加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの出し入れは以下のようにして行われる。まず、第３主搬送機構１０Ｃが基板Ｗを保持して、基板仮置部１９の固定支持ピン２３の上に基板Ｗを載置する。続いて、ローカル搬送機構２０の保持プレート２４が基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持プレート２４は筐体２７から退出して、加熱プレートＨＰに対向する位置まで下降する。このとき加熱プレートＨＰの可動支持ピン２１は、基板Ｗの下面と保持プレート２４の上面とが接する加熱位置まで下降しているとともに、上蓋２２は上昇している。基板Ｗを保持した保持プレート２４は加熱プレートＨＰの上方に進出する。可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを受取位置にて受け取った後に保持プレート２４が退出する。続いて、可動支持ピン２１が下降して基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に載せるととともに、上蓋２２が下降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理される。加熱処理が終わると上蓋２２が上昇するとともに、可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続いて、保持プレート２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支持ピン２１が下降することにより、基板Ｗが保持プレート２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持プレート２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部１９に搬送する。基板仮置部１９内で保持プレート２４に支持された基板Ｗが、保持プレート２４が保有する冷却機能によって冷却される。保持プレート２４は、冷却した（常温に戻した）基板Ｗを基板仮置部１９の固定支持ピン２３上に移動する。第３主搬送機構１０Ｃが基板Ｗを取り出して搬送する。
【００４０】
図３を参照して、第３熱処理部３１の右側（インタフェイスブロック５に隣接している側）の熱処理部の列には、現像処理ブロック４の第３主搬送機構１０Ｃとインタフェイスブロック５の第４主搬送機構１０Ｄとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。
【００４１】
図１，３を参照して、レジスト膜処理ブロック３から現像処理ブロック４に搬入された基板Ｗは、第３主搬送機構１０Ｃの保持アーム１０ａによって、上側の基板載置部ＰＡＳＳ７に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、第４主搬送機構１０Ｄによってインタフェイスブロック５内に搬入される。また、露光装置ＳＴＰにおいて露光処理が完了した基板Ｗは、第４主搬送機構１０Ｄによって、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。そして、第３主搬送機構１０Ｃの保持アーム１０ｂによってレジスト膜処理ブロック３内に搬入される。すなわち、現像処理ブロック４とインタフェイスブロック５とは、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８を介して基板Ｗの受け渡しを行う。
【００４２】
インタフェイスブロック５は、基板処理装置１００とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しを行う機構である。インタフェイスブロック５は、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しをするためのインタフェイス用搬送機構３５の他に、フォトレジストが塗布された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷと、現像処理ブロック４内に配設された基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰ及びエッジ露光ユニットＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする第４主搬送機構１０Ｄとを備えている。
【００４３】
エッジ露光ユニットＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３６や、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周縁部を露光する光照射器３７等を備えている。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷは、インタフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。
【００４４】
図６は、インタフェイスブロック５の構成を示す側面図である。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷの下側に基板戻し用の戻し用バッファＲＢＦがあり、さらにその下側に２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が積層配置されている。基板戻し用のバッファＲＢＦは、故障等のために現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理をすることができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は、第４主搬送機構１０Ｄとインタフェイス用搬送機構３５との間で基板Ｗの受け渡しを行うためのもので、上側が基板払出し用、下側が基板戻し用になっている。
【００４５】
インタフェイス用搬送機構３５は、図１及び図６に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台３５ａを備え、この可動台３５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム３５ｂを搭載している。保持アーム３５ｂは、昇降・旋回及び旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。インタフェイス用搬送機構３５の搬送経路の一端（図６に示す位置Ｐ１）は、積層された基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０の下方にまで伸びており、この位置Ｐ１で露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。また、搬送経路の他端位置Ｐ２では、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、送り用バッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納と取り出しとを行う。送り用バッファＳＢＦは、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。
【００４６】
以下、本発明に係る主搬送機構１０の構造について具体的に説明する。図７は、主搬送機構１０の一部の構造を示す正面図である。Ｚ軸部１０ｆは、カバー６０を有している。カバー６０には、Ｚ軸方向に沿って延在するスリット６１が形成されている。また、カバー６０には、Ｚ軸方向の任意の箇所に、スリット６１に繋がる２つの切り欠き６２（６２ａ，６２ｂ）が、Ｚ軸方向に互いに離れて部分的に形成されている。
【００４７】
図８，９は、Ｚ軸方向から眺めた場合の主搬送機構１０の断面構造をそれぞれ示す断面図である。図８は、いずれの切り欠き６２も形成されていない箇所をアームユニット１０ｅが走行している状況での断面図であり、図９は、一方の切り欠き６２（例えば６２ａ）が形成されている箇所をアームユニット１０ｅが走行している状況での断面図である。
【００４８】
カバー６０内には、アームユニット１０ｅに固定されたタイミングベルト７０が格納されている。但し、図８，９では、アームユニット１０ｅとタイミングベルト７０とを互いに固定するための機構の図示は省略してある。Ｚ軸駆動部８９（図８，９には現れない）は、タイミングベルト７０を駆動することによって、Ｚ軸部１０ｆに沿ってアームユニット１０ｅを走行させる。
【００４９】
透過型の光学式センサとしての透過センサ５０は、光照射部７１と受光部７２とを有している。光照射部７１及び受光部７２は、カバー６０の内外でカバー６０を挟んで互いに対向している。図８，９では、カバー６０の内側に光照射部７１が配設され、カバー６０の外側に受光部７２が配設されている例を示したが、この例とは逆の配置であっても良い。
【００５０】
図８に示した状況、即ちいずれの切り欠き６２も形成されていない箇所をアームユニット１０ｅが走行している状況では、光照射部７１から照射された光は、カバー６０で遮られるため受光部７２によって受光されない。一方、図９に示した状況、即ち一方の切り欠き６２（例えば６２ａ）が形成されている箇所をアームユニット１０ｅが走行している状況では、光照射部７１から照射された光は、その一方の切り欠き６２（例えば６２ａ）を通って受光部７２によって受光される。つまり、光照射部７１から継続して光を照射しつつ、Ｚ軸部１０ｆに沿ってアームユニット１０ｅを連続的に走行させていく過程で、受光部７２が光を受光したことを検出することによって、その検出の時点でアームユニット１０ｅがいずれかの切り欠き６２が形成されている箇所を走行していることを把握することができる。
【００５１】
以下、アームユニット１０ｅの停止位置のずれを検出するための制御機構について説明する。図１０は、かかる制御機構の構成を示すブロック図である。制御部８０は、いずれもＣＰＵ８１に接続された、記憶部８２、インタフェイス８４、及びサーボ制御部８５を備えている。
【００５２】
インタフェイス８４には、コネクタ８８を介して、透過センサ５０が接続されている。サーボ制御部８５には、Ｚ軸駆動部８９及びエンコーダ９０が接続されている。エンコーダ９０は、Ｚ軸駆動部８９の駆動量を検出する。エンコーダ９０から出力されるエンコーダ値は、サーボ制御部８５を介して、ＣＰＵ８１に入力される。これにより、ＣＰＵ８１は、アームユニット１０ｅが動作した変位量、即ちＺ軸部１０ｆ上のアームユニット１０ｅの位置情報を取得することができる。
【００５３】
また、ＣＰＵ８１には、オペレータに対して各種情報を表示するための、表示ディスプレイ等の出力装置８６と、オペレータが処理コマンド等を入力するための、キーボード等の入力装置８７とが接続されている。
【００５４】
＜第１の動作＞
図７〜１０を参照して、制御機構の制御による主搬送機構１０の第１の動作について説明する。当該第１の動作においては、Ｚ軸部１０ｆのカバー６０には必ずしも２個の切り欠き６２ａ，６２ｂが設けられている必要はなく、切り欠きは１個のみで足りる。以下の説明では、本実施の形態に係る装置で第２の切り欠き６２ｂを利用する場合について説明するが、その代わりに第１の切り欠き６２ａを利用してもよい。本実施の形態に係る装置のように複数の切り欠きが設けられている場合は、好ましくは、エンコーダ９０の原点位置を基準としてＺ軸駆動部８９をより多く駆動してアームユニット１０ｅが到達するような切り欠き（原点位置から遠い方の切り欠き）を利用する。そのようにすることによって、後述する差分値が大きく出やすいため、検出精度が高くなる。
【００５５】
まず、第１の時期、例えば製品である半導体処理装置の出荷時等の初期状態において、Ｚ軸駆動部８９によって、アームユニット１０ｅを比較的低速でＺ軸部１０ｆに沿って連続走行させる。ただし、「比較的低速」とは、半導体処理装置の実稼働の際にアームユニット１０ｅを走行させる速度よりも低い速度を指す（以下、同じ）。この連続走行においてＣＰＵ８１は、切り欠き６２ｂが形成されている箇所にアームユニット１０ｅが差し掛かったことを透過センサ５０からの出力信号によって検知すると、その時点でのエンコーダ９０のエンコーダ値（以下「第１の値」と称する）を取得し、取得したその第１の値を記憶部８２に記憶する。
【００５６】
次に、半導体処理装置をある程度の期間にわたって実稼働させた後に相当する第２の時期、例えば半導体処理装置の定期メンテナンス時において、上記と同様の動作を実行する。つまり、アームユニット１０ｅを比較的低速でＺ軸部１０ｆに沿って連続走行させ、第２の切り欠き６２ｂが形成されている箇所にアームユニット１０ｅが差し掛かったタイミングでのエンコーダ値（以下「第２の値」と称する）を取得して、記憶部８２に記憶する。
【００５７】
次に、ＣＰＵ８１は、記憶部８２から第１及び第２の値を読み出して、両者の値を比較する。比較の結果、両者の値にずれがある場合は、経年変化等に起因してアームユニット１０ｅの絶対停止位置にずれが生じていると判断し、調整が必要である旨を出力装置８６を用いてオペレータに通知する。その際、第１の値と第２の値との差分値をＣＰＵ８１によって距離に換算して、調整すべき量を併せて通知してもよい。
【００５８】
＜第２の動作＞
図７〜１０を参照して、制御機構の制御による主搬送機構１０の第２の動作について説明する。当該第２の動作においては、Ｚ軸部１０ｆのカバー６０には複数の切り欠き６２ａ，６２ｂが設けられている必要がある。
【００５９】
まず、第１の時期、例えば製品である半導体処理装置の初期状態において、Ｚ軸駆動部８９によって、アームユニット１０ｅを比較的低速でＺ軸部１０ｆに沿って連続走行させる。ここでは、下方から上方に向けて走行させるものとする。ＣＰＵ８１は、第１の切り欠き６２ａが形成されている箇所にアームユニット１０ｅが差し掛かったことを透過センサ５０からの出力信号によって検知すると、その時点でのエンコーダ９０のエンコーダ値（以下「第１の値」と称する）を取得し、取得したその第１の値を記憶部８２に記憶する。連続走行を続けて、次に、ＣＰＵ８１は、第２の切り欠き６２ｂが形成されている箇所にアームユニット１０ｅが差し掛かったことを透過センサ５０からの出力信号によって検知すると、その時点でのエンコーダ９０のエンコーダ値（以下「第２の値」と称する）を取得し、取得したその第２の値を記憶部８２に記憶する。次に、ＣＰＵ８１は、記憶部８２から第１及び第２の値を読み出して、両者の差分値（以下「第１の差分値」と称する）を算出する。そして、第１の差分値を記憶部８２に記憶する。
【００６０】
次に、半導体処理装置をある程度の期間にわたって実稼働させた後に相当する第２の時期、例えば半導体処理装置の定期メンテナンス時において、上記と同様の動作を実行する。つまり、アームユニット１０ｅを比較的低速でＺ軸部１０ｆに沿って連続走行させ、第１の切り欠き６２ａが形成されている箇所にアームユニット１０ｅが差し掛かったタイミングでのエンコーダ値（以下「第３の値」と称する）、及び、第２の切り欠き６２ｂが形成されている箇所にアームユニット１０ｅが差し掛かったタイミングでのエンコーダ値（以下「第４の値」と称する）を順に取得し、両者の差分値（以下「第２の差分値」と称する）を算出して記憶部８２に記憶する。
【００６１】
次に、ＣＰＵ８１は、記憶部８２から第１及び第２の差分値を読み出して、両者の値を比較する。比較の結果、第１の差分値よりも第２の差分値のほうが大きい場合は、タイミングベルト７０が伸びに起因してアームユニット１０ｅの停止位置にずれが生じていると判断し、調整又はタイミングベルト７０の交換が必要である旨を出力装置８６を用いてオペレータに通知する。
【００６２】
このように本実施の形態に係る搬送装置、特に上記第１の動作を実行する搬送装置によれば、ＣＰＵ８１によるエンコーダ９０の第１の値と第２の値との比較結果に基づいて、経年変化等に起因するアームユニット１０ｅの絶対停止位置のずれを把握することができる。また、特に上記第２の動作を実行する搬送装置によれば、ＣＰＵ８１による第１の差分値と第２の差分値との比較結果に基づいて、タイミングベルト７０の伸びを把握することができる。その結果、本実施の形態に係る基板処理装置によれば、保持アーム１０ａ，１０ｂからの基板Ｗの落下や保持アーム１０ａ，１０ｂのクラッシュ等を未然に防止しつつ、主搬送機構１０による基板Ｗの搬送を実行することができる。
【００６３】
しかも、Ｚ軸部７０ｆのカバー６０に形成された切り欠き６２と、透過センサ５０とを用いた比較的簡単な構造によって実現できるため、コストの上昇を抑えることができる。
【００６４】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記の例に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００６５】
例えば、以上の説明ではＺ軸の駆動機構について述べたが、Ｘ軸やθ軸等の駆動機構にも適用可能である。
【００６６】
また、Ｚ軸部６０に切り欠き６２を設けたが、案内軸の特定の箇所を識別できる構造であれば、二次元的なマーク等であっても良い。例えば識別構造として１又は複数の光学的反射部を設ける場合には、反射型の光学式センサを利用することもできる。
【００６７】
切り欠き等の識別構造が３以上設けられているときには、異なる２つの時期において、そのうちの２つずつの組合せごとにそれらを両端とする区間のエンコーダのカウントの差分値を算出し、それら２つの時期における同じ区間での差分値を相互に比較することによって、保持ユニットの停止位置のずれを区間ごとに、より精密に特定可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す上面図である。
【図２】基板処理装置の構成を示す正面図である。
【図３】熱処理部の配置構成を示す正面図である。
【図４】第１主搬送機構の構造を簡略化して示す斜視図である。
【図５】加熱部の構成を示す模式図である。
【図６】インタフェイスブロックの構成を示す側面図である。
【図７】主搬送機構の一部の構造を示す斜視図である。
【図８】主搬送機構の断面構造を示す断面図である。
【図９】主搬送機構の断面構造を示す断面図である。
【図１０】制御機構の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００６９】
１  インデクサブロック
２  反射防止膜処理ブロック
３  レジスト膜処理ブロック
４  現像処理部ロック
５  インタフェイスブロック
１０Ａ  第１主搬送機構
１０Ｂ  第２主搬送機構
１０Ｃ  第３主搬送機構
１０Ｄ  第４主搬送機構
１０ｅ  アームユニット
１０ｆ  Ｚ軸部
５０  透過センサ
６０  カバー
６２（６２ａ，６２ｂ）  切り欠き
７０  タイミングベルト
７１  光照射部
７２  受光部
８９  Ｚ軸駆動部
９０  エンコーダ
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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