(57)【要約】【課題】  紫外線から近赤外線まで高輝度で発光する窒化物半導体発光素子と、この窒化物半導体をＩｎの比率範囲が広く原子レベルでも制御された組成で成長させ、発光効率の高い活性層を得ることができる窒化物半導体の成長方法を提供する。【解決手段】  結晶成長用基板上に、ｎ型窒化物半導体、発光層、およびｐ型窒化物半導体を順に成長させた窒化物半導体発光素子。発光層は、ＩｎＮからなる井戸層と、ＩｎｘＧａ１-ｘＮ（０≦ｘ≦０．３）又は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌｙＧａ１−ｙＮ：０≦ｙ≦０．３）からなる障壁層とを有する。井戸層と障壁層の膜厚はそれぞれ１０ｎｍ以下であり、これにより超格子構造を形成する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶成長用基板上に、ｎ型窒化物半導体、発光層、およびｐ型窒化物半導体を順に成長させた窒化物半導体発光素子であって、
前記発光層は、ＩｎＮからなる井戸層と、ＩｎｘＧａ１-ｘＮ（０≦ｘ≦０．３）又は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌｙＧａ１−ｙＮ：０≦ｙ≦０．３）からなる障壁層とを有し、該井戸層と障壁層の膜厚はそれぞれ１０ｎｍ以下であり、これにより超格子構造を形成する、ことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記発光層は、井戸層と障壁層を交互に積層した量子井戸構造である、ことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記井戸層と障壁層の膜厚比が、発光波長を制御するように所定の範囲に設定されている、ことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記井戸層の膜厚が、発光波長を制御するように１ｎｍを超えない所定の範囲に設定されている、ことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記ｎ型窒化物半導体は、窒化ガリウム又は窒化アルミニウムガリウムである、ことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
結晶成長用基板上に、ｎ型窒化物半導体、発光層、およびｐ型窒化物半導体を順に成長させる窒化物半導体の成長方法であって、
結晶成長用基板を反応容器内で約６００℃以下の温度に保持し、反応容器内に前駆体を順次供給し、基板表面にパルスレーザを照射しその照射部分にＩｎＮからなる井戸層と、ＩｎｘＧａ１-ｘＮ（０≦ｘ≦０．３）又は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌｙＧａ１−ｙＮ：０≦ｙ≦０．３）からなる障壁層とを有機金属気相成長法により交互にそれぞれ１０ｎｍ以下の膜厚に成長させ、これにより超格子構造を形成する、ことを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
【請求項７】
前記井戸層と障壁層の膜厚比を、発光波長を制御するように所定の範囲に設定する、ことを特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体の成長方法。
【請求項８】
前記井戸層の膜厚を、発光波長を制御するように１ｎｍを超えない所定の範囲に設定する、ことを特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体の成長方法。
【請求項９】
前記パルスレーザは、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ、等である、ことを特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体の成長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、紫外線から近赤外線まで高輝度で発光する窒化物半導体発光素子と窒化物半導体の成長方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
青色発光ダイオード等で使用される窒化ガリウム系半導体として、例えば特許文献１「窒化インジウムガリウム半導体の成長方法」が開示されている。この特許文献１では、窒化インジウムガリウム（ＩｎｘＧａ１−ｘＮ：０＜ｘ≦１、以下単に「ＩｎＧａＮ」と表す）の発光層を６００℃より高い成長温度で成長させている。なお特許文献１の方法で得られたＩｎＧａＮ中のＩｎの比率ｘは０．２５であり、発光波長は約４５０ｎｍの青色である。
【０００３】
一方、非特許文献１のＦｉｇ．６に、ＩｎＧａＮの発光層におけるＩｎの比率ｘと光子エネルギー（Ｐｈｏｔｏｎ  ｅｎｅｒｇｙ：ｅＶ）との関係が示されており、Ｉｎの比率ｘにより、発光する波長が変化し、ｘ＝０．２５付近で波長４５０ｎｍ前後の青色、ｘ＝０．５付近で波長８３０ｎｍ付近の近赤外、その中間において波長６５０ｎｍ付近の赤色を発光させることができることが知られている。
【０００４】
さらに、非特許文献２は、ＩｎＮの禁制帯幅は０．７〜０．８ｅＶにあることを示しており、その結果窒化物半導体の光デバイスとしての適用範囲は、ＡｌＮの６．２ｅＶからＩｎＮの０．８ｅＶまでカバーすることになり、遠紫外線の２００ｎｍから光通信波長の１５５０ｎｍまで広がることを示している。
【０００５】
なお、本発明に関連するその他の文献として、特許文献２、３、非特許文献３〜５があげられる。
特許文献２の「窒化物半導体レーザ素子」は、それぞれＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなる井戸層と障壁層を含む多重量子井戸からなる活性層を有する窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、井戸層と障壁層とのバンドギャップエネルギーの差が０．２０ｅＶ以上、０．３０ｅＶ以下であるものである。
【０００６】
【特許文献１】特開平６−１９６７５７号公報
【特許文献２】特開２００１−１４８５４６号公報
【特許文献３】特開２００３−６０２３７号公報、「半導体結晶膜の成長方法」
【０００７】
【非特許文献１】Ｍ．ＨＯＲＩ  ｅｔ  ａｌ．，  ”Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆＩｎｘＧａ１-ｘＮ  ｗｉｔｈ  Ｅｎｔｉｒｅ  Ａｌｌｏｙ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｏｎ  ＩｎＮ  Ｂｕｆｆｅｒ  Ｌａｙｅｒ  Ｇｒｏｗｎ  ｂｙ  ＲＦ-ＭＢＥ”，  ｐｈｙｓ．  ｓｔａｔ．ｓｏｌ．（ｂ）  ２３４，  Ｎｏ．３，  ７５０-７５４  （２００２）．
【非特許文献２】名西・荒木・宮嶋、「ＩｎＮおよび  ＩｎＧａＮの結晶成長と構造および特性の評価」、応用物理  第７２巻  第５号  ｐ５６５-５７１（２００３）
【非特許文献３】Ｄ．Ｄｏｐｐａｌａｐｕｄｉ  ｅｔ  ａｌ．，  “Ｐｈａｓｅ  ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ａｎｄ  ｏｒｄｅｒｉｎｇ  ｉｎ  ＩｎＧａＮ  ａｌｌｏｙｓ  ｇｒｏｗｎ  ｂｙ  ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｂｅａｍ  ｅｐｉｔａｘｙ”，    Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ａｐｐｌｉｅｄ  ｐｈｙｓｉｃｓ，  ｖｏｌ．８４，  Ｎｏ．３，  １３８９-１３９５（１９９８）．
【非特許文献４】森・伊藤・寒川・纐纈、「ＩｎＧａＮ薄膜における自然超格子構造」、結晶成長学会誌、ｖｏｌ．３０  Ｎｏ．３  ｐ９７（２００３）．
【非特許文献５】河東田  隆、「レーザラマン分光法による半導体の評価」、東京大学出版会、Ｐ１６７-１６９．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、窒化物半導体の光デバイスとしての適用範囲は、ＡｌＮの６．２ｅＶからＩｎＮの０．８ｅＶまでカバーすることができ、遠紫外線の２００ｎｍから光通信波長の１５５０ｎｍまで発光する可能性を秘めている。
しかし、従来例で開示されている窒化物半導体素子では、窒化インジウムガリウム（ＩｎｘＧａ１−ｘＮ：０＜ｘ≦１）中のＩｎの比率ｘは、最大でもたかだか０．２５程度にすぎず、ｘ値が０．５以上では結晶性に優れた窒化インジウムガリウムが得られにくく、黄色から近赤外発光の発光ダイオード、レーザは実現できなかった。
【０００９】
この原因は、以下のように説明することができる。
第１の原因は、図７に示す、窒化インジウムガリウム中のＩｎのモル分率ｘと平衡温度との関係である。この図に示すように、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ中のＩｎのモル分率ｘを約０．５以上に高めと、その平衡温度は常圧において約６００℃以下となる。そのため、サファイア基板の表面にＩｎＧａＮの半導体被膜を成長させる過程で、サファイア基板や形成されたＩｎＧａＮを約６００℃以上に加熱すると、ＩｎＧａＮが熱分解してしまう。
一方、従来の有機金属気相成長法で高品質の発光層である窒化インジウムガリウムを得るためには、６００℃を超えた基板温度で作製する必要があった。そのため、高濃度のインジウムを含むＩｎＧａＮは相分離を起こし、現実問題として赤を超える波長を発光するＩｎＧａＮの成長に成功したことはなかった。すなわち、６００℃以下では高品質の窒化物半導体の成長は困難であった。
【００１０】
第２の原因は、非特許文献３にも記載されているように、窒化インジウムガリウムの混晶を構成するＩｎＮとＧａＮは結合長が約１１％異なるため、巨視的には均一であっても、原子レベルでは混晶半導体の組成は制御されておらず、そのため均一な混合結晶を得ることが難しく、Ｉｎ濃度が高くなると相分離、インジウムドロップレットが発生し、高品質なＩｎＧａＮを得ることが困難であった。
【００１１】
本発明はかかる問題点を解決するために創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、紫外線から近赤外線まで高輝度で発光する窒化物半導体発光素子と、この窒化物半導体をＩｎの比率範囲が広く原子レベルでも制御された組成で成長させ、発光効率の高い活性層を得ることができる窒化物半導体の成長方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によれば、結晶成長用基板上に、ｎ型窒化物半導体、発光層、およびｐ型窒化物半導体を順に成長させた窒化物半導体発光素子であって、
前記発光層は、ＩｎＮからなる井戸層と、ＩｎｘＧａ１-ｘＮ（０≦ｘ≦０．３）又は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌｙＧａ１−ｙＮ：０≦ｙ≦０．３）からなる障壁層とを有し、該井戸層と障壁層の膜厚はそれぞれ１０ｎｍ以下であり、これにより超格子構造を形成する、ことを特徴とする窒化物半導体発光素子が提供される。
【００１３】
また本発明によれば、結晶成長用基板上に、ｎ型窒化物半導体、発光層、およびｐ型窒化物半導体を順に成長させる窒化物半導体の成長方法であって、
結晶成長用基板を反応容器内で約６００℃以下の温度に保持し、反応容器内に前駆体を順次供給し、基板表面にパルスレーザを照射しその照射部分にＩｎＮからなる井戸層と、ＩｎｘＧａ１-ｘＮ（０≦ｘ≦０．３）又は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌｙＧａ１−ｙＮ：０≦ｙ≦０．３）からなる障壁層とを有機金属気相成長法により交互にそれぞれ１０ｎｍ以下の膜厚に成長させ、これにより超格子構造を形成する、ことを特徴とする窒化物半導体の成長方法が提供される。
【００１４】
上記本発明の手段によれば、結晶成長用基板を反応容器内で約６００℃以下の温度に保持するので、基板の表面にＩｎＧａＮ（又はＡｌＧａＮ）の半導体被膜が成長する過程でその熱分解を防止することができる。
また、反応容器内に前駆体を順次供給し、基板表面にパルスレーザを照射しその照射部分にＩｎＮからなる井戸層と、ＩｎｘＧａ１-ｘＮ（０≦ｘ≦０．３）又は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌｙＧａ１−ｙＮ：０≦ｙ≦０．３）からなる障壁層とを有機金属気相成長法により成長させるので、パルスレーザにより前駆体を照射部分で励起してその分子結合（Ｎ−Ｈ結合、Ｃ−アミン結合、等）を切断し、その部分にＩｎＧａＮ（又はＡｌＧａＮ）を成長させることができる。
さらに、井戸層と障壁層を交互にそれぞれ１０ｎｍ以下の膜厚に成長させるので、原子レベルでも制御された歪みの少ない超格子構造を形成することができる。
従って、歪みの少ない超格子構造を形成するので、Ｉｎの比率範囲が広く発光効率の高い活性層を得ることができ、紫外線から近赤外線まで高輝度で発光する窒化物半導体発光素子を得ることができる。
【００１５】
本発明の好ましい実施形態によれば、前記発光層は、井戸層と障壁層を交互に積層した量子井戸構造である。
この構成により、それぞれ１０ｎｍ以下の膜厚からなる超格子構造を形成するとともに、その全膜厚を任意に設定し、発光強度を制御することができる。
【００１６】
また発光波長を制御するために、前記井戸層と障壁層の膜厚比を、所定の範囲で設定するのがよい。
この手段により、井戸層と障壁層をそれぞれ高品質に保持したままで、発光層全体のＩｎ比率を広範囲に自由に調整することができる。
【００１７】
また発光波長を制御するために、前記井戸層の膜厚を、１ｎｍを超えない所定の範囲で設定してもよい。
この手段により、井戸幅（井戸層の膜厚）を制御すれば発光波長を制御することができる。
【００１８】
また、前記ｎ型窒化物半導体は、窒化ガリウム又は窒化アルミニウムガリウムである、ことが好ましい。
また、前記パルスレーザは、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ、等である、ことが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
上述したように、本発明の窒化物半導体発光素子は、紫外線から近赤外線まで高輝度で発光でき、本発明の成長方法によりこの窒化物半導体をＩｎの比率範囲が広く原子レベルでも制御された組成で成長させ、発光効率の高い活性層を得ることができる、等の優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の好ましい実施形態を図面を参照して説明する。なお、各図において共通する部分には同一の符号を付し、重複した説明を省略する。
【００２１】
我々は特許文献３の「半導体結晶膜の成長方法」において、パルスレーザを照射しながら成長することにより、ノンドープで高品質なＩｎＧａＮが６５０℃以下の温度にて成長できることを示した。
また、非特許文献４の「ＩｎＧａＮ薄膜における自然超格子構造」において、ＩｎＮ層／ＩｎＧａＮ層の超格子構造が形成可能であり、これにより歪エネルギーを緩和できることが報告されている。
更に、非特許文献５の「超格子構造とその無秩序化の評価」において、混晶半導体Ｇａ１-ｘＡｌｘＡｓの代わりにＧａＡｓとＡｌＡｓの超格子を使用することが可能であることが示されている。
【００２２】
本発明は、以上のことを鑑み、発明に至ったものである。すなわち、特許文献３の手段を用いれば、Ｉｎの比率ｘが０≦ｘ≦０．３の範囲で高品質の窒化インジウムガリウム（ＩｎｘＧａ１−ｘＮ）を成長させることができ、これをＩｎＮからなる井戸層と組み合わせて膜厚がそれぞれ１０ｎｍ以下の超格子構造を形成することにより、紫外線から近赤外線まで高輝度で発光できる発光効率の高い活性層を容易に得ることができる。
【００２３】
図１は、本発明の方法により窒化物半導体を成長させる装置の模式図である。レーザコントローラ１２により制御されたレーザ装置１１（例えばエキシマレーザ）により、パルスレーザ１０を発生・放射する。このパルスレーザ１０は、ビーム成形光学系１３によりエネルギー分布が均一化され、ミラー１４で下向きに反射され、反応容器６に設けられた開口（図示せず）を通して、結晶成長用基板１の上面に照射される。基板１は、シリコン、ＳｉＣ又はサファイアであるのがよい。
【００２４】
パルスレーザ１０は、ミラー１４の揺動又はビーム成形光学系１３の移動により基板上を走査する。また、ステージコントローラ１６により、基板１を二次元的に移動できるようになっている。更に、反応容器６（チャンバー）内はポンプ系１５及びガス導入部１７により所定のガス雰囲気にコントロールされる。
【００２５】
本発明の方法では、基板１は反応容器６内で図示しない温度調節手段（例えばヒータ）によりＩｎＧａＮが熱分解しない温度に保持される。また、反応容器６内にＩｎ，Ｇａ，Ｎの前駆体がガス導入部１７より順次又は同時に供給される。ＩｎＧａＮが熱分解しない温度は、約６００℃以下であるのがよい。なお約６００℃を超える温度では熱分解しやすくなる。また、約５００℃未満ではＩｎＧａＮの結晶ができにくくなる。
【００２６】
図２Ａは、本発明による成長させる窒化物半導体の構成例である。この図において、窒化物半導体５は、結晶成長用基板１上に、ｎ型窒化物半導体２、窒化インジウムガリウムの発光層３、およびｐ型窒化物半導体を順に成長させることにより製造される。
図２Ｂは、図２Ａの一部をエッチングにより取り除き、ｎ型窒化物半導体２とｐ型窒化物半導体４に電極７を取り付け、発光ダイオードを形成した場合の構成例である。
【００２７】
本発明により成長させる窒化インジウムガリウムの発光層３は、ＩｎＮからなる井戸層３ａと、井戸層３ａの上下に位置しＩｎｘＧａ１-ｘＮ（０≦ｘ≦０．３）からなる障壁層３ｂとを有する。なおこの場合、ＩｎＮ及び０≦ｘ≦０．３の範囲のＩｎｘＧａ１-ｘＮ（ＧａＮを含む）は、欠陥のない薄膜が本発明の方法で容易に形成できるので、同一組成の混晶半導体よりも容易に発光効率の高い活性層を得ることができる。
また、本発明において、井戸層３ａと障壁層３ｂの膜厚はそれぞれ１０ｎｍ以下に設定され、超格子構造を形成するようになっている。また発光層３は、単一の井戸層３ａに限られず、複数の井戸層３ａと複数の障壁層３ｂを交互に積層した量子井戸構造であってもよい。
【００２８】
また、発光層全体のＩｎ比率を、井戸層と障壁層の膜厚比により制御して発光波長を制御する。
例えば、ＩｎＮからなる井戸層３ａとＧａＮからなる障壁層３ｂを膜厚比１：１で積層した場合、発光層３全体のＩｎ比率ｘは０．５となり、ＩｎｘＧａ１-ｘＮ（ｘ＝０．５）の発光層として、波長８３０ｎｍ付近の近赤外光を発光させることができる。
同様に、例えばＩｎＮからなる井戸層３ａとＩｎｘＧａ１-ｘＮ（ｘ＝０．３）からなる障壁層３ｂを膜厚比２：１で積層した場合、ＩｎｘＧａ１-ｘＮ（ｘ＝０．７７）の発光層を形成できる。
【００２９】
なお、図２Ａ，Ｂにおいて、発光層全体のＩｎ比率は、０．５以上であるのが好ましく、これにより、従来困難だった赤色や近赤外波長の発光素子を成長させることができる。
なお、本発明はこれに限定されず、Ｉｎ，Ｇａ，Ｎの比率を変更して、０＜ｘ≦１の範囲でＩｎの比率ｘを変化させることができ、これにより、紫外、青色発光ダイオード、レーザダイオードのみならず、近赤外波長の発光素子として用いることもできる。
【００３０】
また、量子井戸間の相互作用のない超格子における弱励起でのフォトルミネッセンスは、量子井戸内の最低準位にある電子と重い正孔および軽い正孔との再結合によって起こることが知られている。このような再結合過程を仮定した場合、井戸層の幅と発光ピークの関係は図３に示すようになる。この図からわかるように、井戸層３ａの膜厚を、発光波長を制御するように１ｎｍを超えない所定の範囲に設定することによって、井戸幅（井戸層の膜厚）により発光波長を制御することができる。
さらに、障壁層をＡｌｙＧａ１-ｙＮ（０≦ｙ≦０．３）としても同様の効果を得ることができる。
【実施例１】
【００３１】
図１に示した装置を用い、下記の実験条件の下に、成長温度６００℃においてパルスレーザ１０を照射しながら窒化ガリウム基板２の上にＩｎＧａＮを成長させた。なお窒化ガリウム基板２は、１０００℃まで加熱後に６００℃まで下げ、成長中この温度に保持した。
【００３２】
（実験条件）
１．反応ガス
トリメチルガリウム（ＴＥＧ）：    １．２×１０−５ａｔｍ
トリメチルインジウム（ＴＭＩ）：  ３．０×１０−５ａｔｍ
アンモニア：            ０．４ａｔｍ
窒素ガス：              ８５０ｍｌ／ｍｉｎ
２．基板温度              ６００℃
３．レーザ装置            Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
出力                    １ｍＷ
繰り返し周波数          １Ｈｚ
波長                    ５３２ｎｍ
４．成長時間              ２Ｈｒ
【００３３】
成長した窒化インジウムガリウム（ＩｎｘＧａ１−ｘＮ：０＜ｘ≦１）中のＩｎの比率ｘは、０．５３であった。以下このＩｎＧａＮを、Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ｎと表示する。
【００３４】
図４は、レーザを照射した場合と照射しない場合の、Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７ＮのωスキャンＸ線回折振動カーブの比較図である。この図において、Ａは照射あり、Ｂは照射なしの場合である。この図から、レーザを照射して成長させた膜のＦＷＨＭは、レーザを照射しない場合よりも小さいことがわかる。
図５は、ＳＥＭで観察したＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ｎの表面像（Ａ）と断面像（Ｂ）である。この図から、高濃度のＩｎを低温で成長させているにもかかわらず、相分離や転位の発生がなく、均一な膜が形成されていることがわかる。また、断面像（Ｂ）において、ＧａＮとＩｎＧａＮが界面を接して積層されており、井戸層３ａと障壁層３ｂの膜厚をそれぞれ１０ｎｍ以下に設定することにより、超格子構造が形成できることが予測できる。
図６に成長した活性層であるＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ｎの光ルミネセンス測定の結果を示す。この図において、横軸は波長［ｎｍ］、縦軸はフォトルミネッセンスでの発光強度を示している。
また、図中の実線は室温（ＲＴ）での発光、破線は７７Ｋでの発光を示している。
【００３５】
この図から、高インジウム組成かつノンドープにもかかわらず、パンド端発光が見られ、品質のよいＩｎＧａＮが得られており、パルスレーザの照射により、６００℃以下でも高品質なＩｎＧａＮが得られることが明らかとなった。ノンドープでも高品質なＩｎＧａＮが得られることから、ｎ型、ｐ型または両方のドーパントをドープすることにより、更に高発光のＩｎＧａＮが得られることは明らかである。
【００３６】
このように、６００℃以下で成長が可能となったため、全インジウム組成のＩｎＧａＮを相分離が起こることがなく作製することができる。また、ＩｎＧａＮの上部に成長させるｐ型（ＡｌｙＧａ１−ｙＮ：０≦ｙ≦１）についても、同様に品質の良い結晶が得られる。
また、ビームを均一化する光学系を用いることで、例えばサファイア基板のような２インチサイズ全面に対して発光デバイスに必要な（ＩｎｘＧａ１−ｘＮ：０＜ｘ＜１）発光層およびｐ型（ＡｌｙＧａ１−ｙＮ：０≦ｙ≦１）を低温で成長させることができる。
【００３７】
なお、本発明は上述した実施例及び実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更できることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明により半導体結晶膜を成長させる装置の模式図である。
【図２】本発明の方法により成長させる窒化物半導体の構成例である。
【図３】井戸層の幅と発光ピークの関係図である。
【図４】レーザを照射した場合と照射しない場合の、Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７ＮのωスキャンＸ線回折振動カーブの比較図である。
【図５】ＳＥＭで観察したＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ｎの表面像（Ａ）と断面像（Ｂ）である。
【図６】本発明により成長したＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ｎの光ルミネセンス測定結果を示す図である。
【図７】窒化インジウムガリウム中のＩｎのモル分率ｘと平衡温度との関係図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  基板、２  ｎ型窒化物半導体、３  発光層、４  ｐ型窒化物半導体、
５  窒化物半導体、６  反応容器、７  電極、
１０  パルスレーザ、１２  レーザコントローラ、
１１  エキシマレーザ、１３  ビーム成形光学系、
１４  ミラー、１５  ポンプ系、１６  ステージコントローラ、
１７  ガス導入部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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