(57)【要約】  【課題】  レーザ部の正確な温度制御が可能な小型化されたレーザ・システムを提供することにある。  【解決手段】  レーザ・システム１は、ペルチェ素子９、ヒートシンク１０、及びベース基板１１を含む温度制御部１２と、レーザ・ダイオード２、レンズ３、グレーティング５、第１支持部５、及び第２支持部６を含むレーザ部８からなる。ヒートシンク１０は、ベース基板１１に垂直に接続され、ペルチェ素子９は、ヒートシンク１０に接続される。また、レーザ部８の第２支持部６は、ヒートシンク１０の反対側でペルチェ素子９に接続される。外部共振器型半導体レーザを構成するレーザ・ダイオード２、レンズ３、グレーティング５等からの熱は、第２支持部６、ペルチェ素子９、ヒートシンク１０、およびベース基板１１を通って伝搬するが、ベース基板１１とレーザ部８との間の距離を一定以上に保つことによって、レーザ部８への熱伝導が効果的に遮断される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板に接続され、前記ベース基板に対してほぼ垂直に配置されたヒートシンクと、
前記ヒートシンクに接続され、前記ベース基板に対してほぼ垂直の位置関係にある発熱素子または発熱吸熱素子と、
前記ヒートシンクに接続された前記発熱素子または前記発熱吸熱素子に、前記ヒートシンクの反対側で接続され、前記ベース基板に対してほぼ垂直の位置関係にあるレーザ部とを有し、
前記レーザ部は、外部共振器型半導体レーザを構成する半導体レーザ素子、レンズ、およびグレーティングと、前記外部共振器型半導体レーザを支持する支持部を含み、
前記支持部によって、前記ヒートシンクに接続された前記発熱素子または前記発熱吸熱素子に接続され、
さらに、前記支持部と断熱性を有する蓋によって前記外部共振器型半導体レーザが覆われることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザ・システムにおいて、
前記ベース基板と前記ヒートシンクが、断熱材を介して接続されていることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項３】
請求項１に記載のレーザ・システムにおいて、
前記ベース基板と前記レーザ部との間に所定の高さの空間が設けられていることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項４】
請求項３に記載のレーザ・システムにおいて、
前記所定の高さが、少なくとも１０ｍｍであることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項５】
請求項４に記載のレーザ・システムにおいて、
前記所定の高さの空間に断熱材が配置されていることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項６】
請求項２に記載のレーザ・システムにおいて、
前記ベース基板と前記レーザ部との間に所定の高さの空間が設けられていることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項７】
請求項６に記載のレーザ・システムにおいて、
前記所定の高さが、少なくとも１０ｍｍであることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項８】
請求項７に記載のレーザ・システムにおいて、
前記所定の高さの空間に断熱材が配置されていることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項９】
請求項１に記載のレーザ・システムにおいて、
前記発熱素子または前記発熱吸熱素子がペルチェ素子であることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項１０】
請求項１に記載のレーザ・システムにおいて、
前記レーザ部の温度を検知するための温度検知手段をさらに有することを特徴とするレーザ・システム。
【請求項１１】
定盤に直接的に接続され、前記定盤に対してほぼ垂直に配置されたヒートシンクと、
前記ヒートシンクに接続され、前記定盤に対してほぼ垂直の位置関係にある発熱素子または発熱吸熱素子と、
前記ヒートシンクに接続された前記発熱素子または前記発熱吸熱素子に、前記ヒートシンクの反対側で接続され、前記定盤に対してほぼ垂直の位置関係にあるレーザ部とを有し、
前記レーザ部は、外部共振器型半導体レーザを構成する半導体レーザ素子、レンズ、およびグレーティングと、前記外部共振器型半導体レーザを支持する支持部を含み、
前記支持部によって、前記ヒートシンクに接続された前記発熱素子または前記発熱吸熱素子に接続され、
さらに、前記支持部と断熱性を有する蓋によって前記外部共振器型半導体レーザが覆われることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のレーザ・システムにおいて、
前記定盤と前記ヒートシンクが、断熱材を介して接続されていることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項１３】
請求項１１に記載のレーザ・システムにおいて、
前記定盤と前記レーザ部との間に所定の高さの空間が設けられていることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のレーザ・システムにおいて、
前記所定の高さが、少なくとも１０ｍｍであることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のレーザ・システムにおいて、
前記所定の高さの空間に断熱材が配置されていることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項１６】
請求項１２に記載のレーザ・システムにおいて、
前記定盤と前記レーザ部との間に所定の高さの空間が設けられていることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項１７】
請求項１６に記載のレーザ・システムにおいて、
前記所定の高さが、少なくとも１０ｍｍであることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項１８】
請求項１７に記載のレーザ・システムにおいて、
前記所定の高さの空間に断熱材が配置されていることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項１９】
請求項１１に記載のレーザ・システムにおいて、
前記発熱素子または前記発熱吸熱素子がペルチェ素子であることを特徴とするレーザ・システム。
【請求項２０】
請求項１１に記載のレーザ・システムにおいて、
前記レーザ部の温度を検知するための温度検知手段をさらに有することを特徴とするレーザ・システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、外部共振器型半導体レーザを含むレーザ・システムに関し、より詳しくは、正確な温度制御が可能なレーザ・システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体レーザは、小型でかつ低消費電力である等の理由から、情報機器に多く使われるようになってきた。こうした半導体レーザのなかには、外部から所定の波長の光を入射することによって半導体レーザの発振光の波長を安定化する外部共振器型半導体レーザがある。
【０００３】
ここで、代表的なＬｉｔｔｒｏｗ型の半導体レーザについて、図７を参照して説明する。例えば、レーザ・ダイオード１００のような半導体レーザ素子から出射された縦多モードのレーザ光（発振光）がレンズ１０１によって平行に集められ、グレーティング（回折格子）１０２に入射される。グレーティング１０２は、その配置角度に応じて、入射した光のうち、特定の波長を有する光を１次回折光として出力する。この１次回折光は、レンズ１０１を介してレーザ・ダイオード１００に逆注入される。この結果、レーザ・ダイオード１００が、注入された１次回折光に共振して単一モードの光を出射するようになり、その光の波長は、グレーティング１０２から戻ってきた光の波長と同じになる。
【０００４】
ここで、従来より市販されている代表的な外部共振型半導体レーザを含むレーザ・システムの構成を、図８および図９を参照して説明する。図８は、レーザ・システム１２０の平面図であり、図９は、図８に示す矢印Ａの方向に沿って見たレーザ・システム１２０の正面図である。このレーザ・システム１２０の構成は、非特許文献１に記載されたレーザ・システムの構成と同様のものである。
【０００５】
【非特許文献１】L. Ricci, et al. :"A compact grating-stabilized diode laser system for atomic physics", Optics Communications, 117 1995, pp541-549
【０００６】
図８および図９に示すレーザ・システム１２０は、レーザ・ダイオード１２１、レンズ１２２、グレーティング１２３、第１支持部１２４、第１ネジ１２５、第１溝１２６、第２支持部１２７、第２ネジ１２８、および第２溝１２９を含むレーザ部１３０と、ペルチェ素子１４１、ヒートシンク１４２を含む温度制御部１４３からなる。
【０００７】
図８および図９から分かるように、レーザ・システム１２０は、光学部品（レンズ１２２、グレーティング１２３等）をレーザ・システム１２０の設置面に対して水平に配置しており、レーザ光の光路は、当該設置面に対してほぼ水平となる。さらに、温度制御部１４３がレーザ部１３０の下側に配置されている。温度制御部１４３によって温度が制御されているのは、レーザ・ダイオード１２１、レンズ１２２等のレーザ部１３０の各構成要素である。また、温度制御部１４３によりレーザ・ダイオード１２１の温度が一定に保たれることによって光源の安定化が図られる。さらに、熱膨張を抑えることによって、グレーティング１２３や第１支持部１２４等を含む外部共振器のサイズを一定に保つことができる。
【０００８】
レーザ・システム１２０はまた、図７に示したように、グレーティング１２３の配置角度を変えることによりレーザ・ダイオード１２１の発振光の波長を調整する。グレーティング１２３は、第１支持部１２４に保持されている。第１支持部１２４には第１溝１２６が設けられており、同じく第１支持部１２４に設けられた第１ネジ１２５を回転させることにより、第１溝１２６の間隔が部分的に広がり（あるいは狭まり）、それによってグレーティング１２３の水平方向の配置角度が僅かに変化する。
【０００９】
同様の機構が、グレーティング１２３の垂直方向の角度を調整するために設けられている。グレーティング１２３を保持する第１支持部１２４は、第２支持部１２７に保持されている。第２支持部１２７には第２溝１２９が設けられており、同じく第２支持部１２７に設けられた第２ネジ１２８を回転させることにより、第２溝１２９の間隔が部分的に広がり（あるいは狭まり）、それによって第１支持部１２４およびグレーティング１２３の垂直方向の配置角度が僅かに変化する。
【００１０】
温度制御部１４３は、図９に示すように、ペルチェ素子１４１と、土台としての機能も有するヒートシンク１４２から構成される。ペルチェ素子１４１は、電流を流すと、一方の面が加熱され、他方の面が冷却される素子であり、電流の向きを変えると加熱面と冷却面が逆になる。
【００１１】
ペルチェ素子１４１を利用する場合、一方を環境温度に対して−１０℃に冷却しても、他方が環境温度に対して＋１０℃になるわけではない。これは、ペルチェ素子１４１が、上記動作を行うに際して発熱し、その温度が上乗せされるためである。
【００１２】
図８および図９に示す従来例において、ペルチェ素子１４１の上側に位置するレーザ部１３０を加熱しようとする場合は特段の問題を生じない。レーザ部１３０を環境温度に対して＋２０℃になるよう加熱しても、ペルチェ素子１４１の下面は（ペルチェ素子１４１が単体で構成されていても）環境温度に対してマイナス数℃にしかならない。さらに、ペルチェ素子１４１の下側には大きなヒートシンク１４２が配置されていて、この低温を拡散する。
【００１３】
しかしながら、レーザ部１３０を冷却する場合には問題がある。例えば、レーザ部１３０を環境温度に対して−１０℃になるよう設定すると、ペルチェ素子１４１の下面は、環境温度に対してプラス数十℃となり、ヒートシンク１４２も環境温度に対して＋１０℃程度になる。この場合、レーザ部１３０は、ヒートシンク１４２の上に配置されているために、そこから上がってくる熱せられた空気によって加熱され、ほとんど冷却されない。
【００１４】
一方、外部共振器型半導体レーザには様々な用途が考えられており、そのひとつが、次世代ストレージとして注目されているホログラフィメモリのライタへの適用である。ホログラフィメモリ用ライタは、パーソナルコンピュータへの搭載も検討されており、その場合には、パーソナルコンピュータ内部の温度が高いことから、外部共振器型半導体レーザを冷却しながら使用する態様が考えられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、この場合、外部共振器型半導体レーザがホログラフィメモリ用ライタの部品のひとつであることを考えると、レーザ・システム全体としては小型であることが必要とされ、従来のような大きなヒートシンクによる冷却は実用的ではない。
【００１６】
また、パーソナルコンピュータでは、内蔵するＣＰＵをヒートシンクに接触させてＣＰＵの発熱をヒートシンクに伝導し、さらに高温となったヒートシンクを高回転のファンによる送風で冷却している。そのため、上述のレーザ・システムがホログラフィ用ライタの部品として用いられ、パーソナルコンピュータに内蔵される場合には、ＣＰＵと同様に、こうした高回転ファンによる冷却を行うことも考えられる。
【００１７】
しかしながら、ホログラフィでは、２つのレーザ光による高精度な照射を要するため、外部共振器型半導体レーザの振動をできる限り抑止する必要があり、大きな振動をもたらす高回転のファンを用いることは適当ではない。
【００１８】
従って、この発明の目的は、全体として小型化されたレーザ・システムを提供することにある。
【００１９】
また、この発明のさらなる目的は、振動を排除しつつ効果的にレーザ部を冷却する構成を有するレーザ・システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
この発明は、ベース基板と、ベース基板に接続され、ベース基板に対してほぼ垂直に配置されたヒートシンクと、ヒートシンクに接続され、ベース基板に対してほぼ垂直の位置関係にある発熱素子または発熱吸熱素子と、ヒートシンクに接続された発熱素子または発熱吸熱素子に、ヒートシンクの反対側で接続され、ベース基板に対してほぼ垂直の位置関係にあるレーザ部とを有し、レーザ部は、外部共振器型半導体レーザを構成するレーザ・ダイオード、レンズ、およびグレーティングと、外部共振器型半導体レーザを支持する支持部を含み、支持部によって、ヒートシンクに接続された発熱素子または発熱吸熱素子に接続され、さらに、支持部と断熱性を有する蓋によって外部共振器型半導体レーザが覆われるように構成されたレーザ・システムである。
【００２１】
この発明は、定盤に直接的に接続され、定盤に対してほぼ垂直に配置されたヒートシンクと、ヒートシンクに接続され、定盤に対してほぼ垂直の位置関係にある発熱素子または発熱吸熱素子と、ヒートシンクに接続された発熱素子または発熱吸熱素子に、ヒートシンクの反対側で接続され、定盤に対してほぼ垂直の位置関係にあるレーザ部とを有し、レーザ部は、外部共振器型半導体レーザを構成するレーザ・ダイオード、レンズ、およびグレーティングと、外部共振器型半導体レーザを支持する支持部を含み、支持部によって、ヒートシンクに接続された発熱素子または発熱吸熱素子に接続され、さらに、支持部と断熱性を有する蓋によって外部共振器型半導体レーザが覆われるように構成されたレーザ・システムである。
【発明の効果】
【００２２】
この発明によれば、レーザ部を加熱する場合だけでなく、冷却する場合にも正確な温度制御をすることができる小型化されたレーザ・システムが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
最初に、図１を参照してこの発明の第１の実施形態に係るレーザ・システム１の構成について説明する。レーザ・システム１は、レーザ・ダイオード２、レンズ３、グレーティング４、第１支持部５、第２支持部６、および蓋７を含むレーザ部８と、ペルチェ素子９、ヒートシンク１０、およびベース基板１１を含む温度制御部１２から構成される。レーザ・ダイオード２、レンズ３、およびグレーティング４等は、レーザ部８の蓋７と第２支持部６によって覆われている。これによって、レーザ部８内の空気の流出入が抑止され、レーザ・ダイオード２、レンズ３、およびグレーティング４等の温度が一定に保たれるようになる。
【００２４】
レーザ部８の他の部分については、基本的に、図８および図９で示した従来例と同様の構成であるが、従来例では、光学部分（レーザ・ダイオード１２１、レンズ１２２、グレーティング１２３等）がレーザ・システム１２０の設置面に対して水平に配置されていたのに対し、第１の実施形態では、光学部分はレーザ・システム１の設置面に対して垂直に配置される。
【００２５】
また、レーザ・ダイオード２の近傍には温度センサ（不図示）が配置される。この温度センサから得られた温度データを基に、ペルチェ素子９に提供する電流の向き、および大きさが決定され、レーザ部８の適切な温度制御がなされることになる。温度センサの配置例については、図６を参照して後述する。
【００２６】
温度制御部１２は、上述の従来例とは異なり、レーザ部８の側部に位置するよう構成されている。より詳しくは、ヒートシンク１０がペルチェ素子９と接続され、ペルチェ素子９が、レーザ部８の第２支持部６に接続される。各接続は、例えば、互いに密着させる等、少なくとも熱伝導が行われうる接続態様であることが必要である。また、ヒートシンク１０とペルチェ素子９の間、ペルチェ素子９と第２支持部６の間には、緩衝材となる部材を挿入しても良い。なお、グレーティング４とヒートシンク１０の間の熱伝導については、第１支持部５、第２支持部６、およびペルチェ素子９を介して行われる。
【００２７】
このような構成によって、レーザ・ダイオード２等から生じる熱は、第２支持部６、ペルチェ素子９を介してヒートシンク１０に伝えられ、さらにベース基板１１に伝わっていく。ヒートシンク１０がレーザ部８の側部に位置しているため、従来例のように、レーザ部８が、ヒートシンク１０から上がってくる熱せられた空気によって加熱されるということはなく、その点では、ヒートシンク１０の熱がレーザ部８に伝わり難い構造であるといえる。
【００２８】
また、この実施形態においては、レーザ・ダイオード２が使用されているが、他の半導体レーザ素子を用いてもよい。さらに、レーザ部８の温度を制御するためにペルチェ素子９が使用されているが、その他の発熱吸熱素子を用いてもよい。また、発熱素子のみを用いてレーザ部８の温度を制御することも考えられる。こうした素子は、以降の実施形態においても同様に選択可能である。
【００２９】
このようなヒートシンク１０とレーザ部８の有利な位置関係は、ベース基板１１が地面に対して水平に配置される場合に意味がある。すなわち、レーザ部８が、ヒートシンク１０により熱せられて上昇する空気の経路上にないことが必要である。
【００３０】
ただし、第１の実施形態においては、矢印Ｃに示すルートで熱が伝わる可能性がある。例えば、レーザ部８を、環境温度に対して−１０℃に設定すると、ペルチェ素子９を介してヒートシンク１０が４０℃以上加熱され、その熱が矢印Ｃのルートでベース基板１１に伝わる。熱はさらに、ベース基板１１と蓋７の間の空気を介して蓋７を加熱し、レーザ部８は、この蓋７の加熱によって間接的に熱せられる。
【００３１】
この場合にも、レーザ部８は、前述のようにペルチェ素子９によって冷却されるが、矢印Ｃのルートでもたらされた熱の方がはるかに大きいため、結果的にレーザ部８が熱せられることになる。
【００３２】
しかしながら、このような状況は、図１に示すベース基板１１と蓋７との距離（またはベース基板１１とレーザ部８との距離）Ｄをある一定以上とすることによって解決できる。例えば、レーザ部８を環境温度に対して−１０℃に設定する場合、距離Ｄを約１０ｍｍ以上とれば、ベース基板１１から蓋７への熱の伝搬をかなり減らすことができる。また、ここで、レーザ部８を環境温度に対して−１０℃に設定したのは、ホログラフィメモリ用ライタに使用する場合を想定したものである。過度に冷却すると、ヒートシンク１０が発生する熱がレーザ部８以外にも影響を与える可能性があり、注意を要する。
【００３３】
また、レーザ部８を加熱する場合は、例えば、レーザ部８を環境温度に対して＋２０℃に設定する場合であっても、距離Ｄは５ｍｍ程度で十分である。これは、ヒートシンク１０の温度は環境温度に対して５℃も下がらないため、矢印Ｃのルートでレーザ部８に伝えられる冷気はわずかなものだからである。
【００３４】
蓋７は、例えば、耐熱プラスチック等の、断熱効果のある（すなわち、熱伝導率の低い）材質からなる。また、蓋７を厚く構成することによって、熱の遮断効果をさらに高めることができる。
【００３５】
次に、図２を参照して、この発明の第２の実施形態に係るレーザ・システム２１の構造について説明する。第１の実施形態に係るレーザ・システム１では、図１の矢印Ｃに示すルートで熱が伝搬し、レーザ部８の下部に熱源が発生する問題があった。第２の実施形態では、当該熱の伝搬をヒートシンクの下部に断熱材を配置することによって抑止しようとするものである。
【００３６】
レーザ・システム２１は、レーザ・ダイオード２２、レンズ２３、グレーティング２４、第２支持部２５、および蓋２６を含むレーザ部２７と、ペルチェ素子２８、ヒートシンク２９、断熱材３１、およびベース基板３０を含む温度制御部３２から構成される。ベース基板３０の一部が断熱材３１として構成される以外は、第１の実施形態のレーザ・システム１と同様の構成である。
【００３７】
断熱材３１によって、図１で示されたような、矢印Ｃのルートに沿った熱の伝搬を抑止することができる（矢印Ｅ）。断熱材３１としては、断熱効果のある（熱伝導率の低い）様々な材料を使用することができ、例えば、発泡性のプラスチック材料等が含まれる。また、いくつかの材料を組み合わせて断熱材３１を構成することもできる。
【００３８】
ただし、第１の実施形態と同様に、ベース基板３０からの熱でレーザ部２７が熱せられるのを避けるために、距離Ｄを１０ｍｍ以上設けることが望ましい。
【００３９】
また、断熱材３１によって熱の逃げ場がなくなり、ヒートシンク２９が高温になってしまうため、レーザ部２７の温度制御が好適に行われない場合も考えられる。しかしながら、そのような場合であっても、例えば、レーザ部２７を環境温度に対して＋２０℃に設定する場合であれば、適切な温度制御が可能である。これは、ヒートシンク２９の温度は環境温度に対して５℃も下がらないため、断熱材３１がこの冷気を有効に遮断してレーザ部８にほとんど冷気が伝えられないからである。
【００４０】
次に、図３を参照して、この発明の第３の実施形態に係るレーザ・システム４１の構成について説明する。上述した第１の実施形態のレーザ・システム１および第２の実施形態のレーザ・システム２１は、下部にベース基板１１、３０をそれぞれ有していたが、第３の実施形態では、ヒートシンク４９が直接、定盤５０等に取り付けられている。この場合も、定盤５０等を通して熱がレーザ部４７に（図１の矢印Ｃと同様のルートで）伝わるので、同様に距離Ｄを１０ｍｍ以上確保する必要がある。
【００４１】
定盤は、正確な表面を持つ平らな板またはブロックで、測定器の正確な位置決めをするときなどに使われる。
【００４２】
第３の実施形態に関するその他の構造は、第１の実施形態と同様である。すなわち、レーザ・システム４１は、レーザ・ダイオード４２、レンズ４３、グレーティング４４、第２支持部４５、および蓋４６を含むレーザ部４７と、ペルチェ素子４８、ヒートシンク４９、および定盤５０を含む温度制御部５２から構成される。
【００４３】
次に、図４を参照して、この発明の第４の実施形態に係るレーザ・システム６１の構成について説明する。この実施形態は、第１の実施形態に係るレーザ・システム１を改良したものである。すなわち、レーザ・システム１において、レーザ部８を覆う蓋７の下部と、ベース基板１１の上部に挟まれた空間（距離Ｄで表される空間）に断熱材７２を挿入したものである。これによって、図１に示したような、矢印Ｃのルートによる熱の伝搬を効果的に遮断することができる。ここで、断熱材７２は、第２の実施形態のレーザ・システム２１に使用された断熱材３１の材料と同様のものを使用することができる。
【００４４】
また、上述した第１ないし第３の実施形態における同様の空間に対しても、断熱材を挿入して熱の伝搬を遮断するよう構成することができる。
【００４５】
図５には、基本的には図１に示した第１の実施形態と同様の構成のレーザ・システム８１が示されている。ただし、グレーティング８４の反射光の向きは、これまで説明してきたレーザ・システムとは逆になっている。またレーザ・システム８１は、第１の実施形態とはレーザ部の細部においても異なる。この発明の本質は、レーザ部からの発熱を効率的に冷却するとともに小型化する構成に関するものであり、各実施形態で示したレーザ部の細部については、様々な構成が考えられ、これまで図示してきたレーザ部の特定の構成に限定されるものではない。従って、図５に示すレーザ部の構成も単なる一例に過ぎない。
【００４６】
レーザ・システム８１は、レーザ・ダイオード８２、レンズ８３、グレーティング８４、第２支持部８５、および蓋８６を含むレーザ部８７と、ペルチェ素子８８、ヒートシンク８９、およびベース基板９０を含む温度制御部９１から構成される。
【００４７】
この実施形態のレーザ部８７においては、レーザ・ダイオード８２は窓ガラスを有さず、レンズ（コリメートレンズ）８３とレーザ・ダイオード８２によって、レーザ・ダイオード８２の発光面を外気から遮断する構成となっている。このような構成によって、レーザ光の単一モード化が実現される。
【００４８】
図５に示す構成のレーザ・システム８１についても、第２ないし第４の実施形態で施された各改良を適用することができ、それぞれについて同様の効果を得ることができる。
【００４９】
図６は、図５に示したレーザ・システム８１を、図５の矢印Ｆの方向から見たレーザ・システム８１の側面図であり、図６の矢印Ｇが、グレーティング８４で反射した光の進路を示している。また、図６では、レーザ部８７の温度を測定するための温度センサ９２の位置が例示されている。レーザ部８７の温度を一定に保つには、レーザ部８７の温度を測定する、例えば、温度センサ９２のような温度検知手段が必須であり、温度センサ９２によって得られた温度データの値をモニタしながら、ペルチェ素子８８に流す電流の方向および値を調整する。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】この発明の第１の実施形態に係るレーザ・システムの構成を示す略線図である。
【図２】この発明の第２の実施形態に係るレーザ・システムの構成を示す略線図である。
【図３】この発明の第３の実施形態に係るレーザ・システムの構成を示す略線図である。
【図４】この発明の第４の実施形態に係るレーザ・システムの構成を示す略線図である。
【図５】別のレーザ・ダイオードを備えたレーザ・システムの例を示す略線図である。
【図６】温度センサを備えたレーザ・システムの例を示す略線図である。
【図７】外部共振器型半導体レーザの構成を説明するための略線図である。
【図８】従来のレーザ・システムの構成を示す略線図である。
【図９】図８のレーザ・システムの側面の構成を示す略線図である。
【符号の説明】
【００５１】
１，２１，４１，６１，８１・・・レーザ・システム、２，２２，４２，６２，８２・・・レーザ・ダイオード、３，２３，４３，６３，８３・・・レンズ、４，２４，６４，８４・・・グレーティング、７，２６，４６，６６，８６・・・蓋、９，２８，４８，６８，８８・・・ペルチェ素子、１０，２９，４９，６９，８９・・・ヒートシンク、１１，３０，７０，９０・・・ベース基板、５０・・・定盤、３１，７２・・・断熱材
【図１】
2005159104.tif 000003
【図２】
2005159104.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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