(57)【要約】【課題】  所望の共振周波数を有するマイクロレゾネータ、及び当該マイクロレゾネータを高い歩留まりで製造することができるマイクロレゾネータの製造方法、並びに当該マイクロレゾネータを備える電子機器を提供する。【解決手段】  マイクロレゾネータ１０は、櫛歯部２１を有する固定電極２２と櫛歯部３１を有する固定電極３２との間に共振子４０が配置された構成である。共振子４０は、櫛歯部２３が固定電極２２の櫛歯部２１と噛み合うよう配置された可動電極２４と、櫛歯部３３が固定電極３２の櫛歯部３１と噛み合うよう配置された可動電極３４とを有し、これら可動電極２４，３４を連結する連結ビーム４１上に錘４５が形成されている。錘４５は共振子４０の共振周波数及び共振モードの少なくとも一方を調整するために設けられる。【選択図】  図１
2005159620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、当該シリコン基板上に形成された少なくとも絶縁膜を含む積層部と、当該積層部上に設けられた共振子とを備えたマイクロレゾネータの製造方法であって、
前記共振子の上部に錘を形成する錘形成工程と、
前記錘の重さを調整する調整工程と
を含むことを特徴とするマイクロレゾネータの製造方法。
【請求項２】
前記錘形成工程は、前記積層部上に前記共振子を作りつける導電層を形成する工程と、
前記導電層の前記共振子を形成すべき箇所の上部に前記錘を形成する工程と、
前記導電層を所定形状にパターニングして前記基板上に前記共振子を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項１記載のマイクロレゾネータの製造方法。
【請求項３】
前記錘形成工程は、前記錘を前記共振子の上部に複数形成する工程であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のマイクロレゾネータの製造方法。
【請求項４】
前記調整工程は、前記錘に対してレーザを照射して前記錘を選択的に蒸散させることで前記錘の重さを調整する工程であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載のマイクロレゾネータの製造方法。
【請求項５】
前記調整工程は、前記共振子を振動させながら前記共振子の共振周波数を計測しつつ前記錘の重さを調整する工程であることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載のマイクロレゾネータの製造方法。
【請求項６】
前記調整工程は、目標とする前記共振子の共振周波数に応じて前記共振子上に複数形成された前記錘のうちの所定の錘を除去する工程であることを特徴とする請求項３記載のマイクロレゾネータの製造方法。
【請求項７】
前記所定の錘の除去は、前記錘に対してレーザを照射して前記所定の錘を蒸散させることにより行うことを特徴とする請求項６記載のマイクロレゾネータの製造方法。
【請求項８】
前記調整工程は、前記錘の重さを調整することにより、前記共振子の共振モードを変えずに前記共振子の共振周波数を調整する工程であることを特徴とする請求項１から請求項７の何れか一項に記載のマイクロレゾネータの製造方法。
【請求項９】
前記調整工程は、前記錘の重さを調整することにより、前記共振子の共振モードを変えつつ前記共振子の共振周波数を調整する工程であることを特徴とする請求項１から請求項７の何れか一項に記載のマイクロレゾネータの製造方法。
【請求項１０】
シリコン基板と、当該シリコン基板上に形成された少なくとも絶縁膜を含む積層部と、当該積層部上に設けられた共振子とを備えたマイクロレゾネータであって、
前記共振子の上部に前記共振子の重さを調整する錘を備えることを特徴とするマイクロレゾネータ。
【請求項１１】
前記錘は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの何れかの金属で形成されることを特徴とする請求項１０記載のマイクロレゾネータ。
【請求項１２】
前記錘は、前記共振子上に、所望の形状で所望の位置に所望の数だけ形成されていることを特徴とする請求項１０又は請求項１１記載のマイクロレゾネータ。
【請求項１３】
前記共振子は、前記積層部上に設けられた２組の一対の櫛歯状電極を有することを特徴とする請求項１０から請求項１２の何れか一項に記載のマイクロレゾネータ。
【請求項１４】
請求項１から請求項９の何れか一項に記載のマイクロレゾネータの製造方法を用いて製造されたマイクロレゾネータ、又は請求項１０から請求項１３の何れか一項に記載のマイクロレゾネータを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固有の共振周波数で微小振動する共振子を備えるマイクロレゾネータ及びその製造方法、並びに当該マイクロレゾネータを備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を用いて超小型・超高性能の電子部品を製造する研究・開発が盛んに行われている。ＭＥＭＳ技術を用いた電子部品は多岐に亘るが、その一種としてマイクロレゾネータがある。マイクロレゾネータは、例えばシリコン基板等の基板上に酸化膜からなる絶縁膜が形成され、その絶縁膜上に櫛歯状の固定電極の櫛歯と櫛歯状の可動電極の櫛歯とが基板表面に対して平行に噛み合わされるように形成された構造である。
【０００３】
また、上記の櫛歯状の可動電極はシリコン基板上に支持されたバネ性を有する支持部に結合されており、このような互いに噛み合う櫛歯状の固定電極と櫛歯状の可動電極との組を支持部の両側に１組ずつ配置した構成となっている。尚、上記の櫛歯状の可動電極と支持部とが共振子を構成している。更に、絶縁膜上には、櫛歯状の固定電極の各々に接続された２つの電極端子と、これら２つの電極端子に共通した接地電極としての電極端子とが設けられている。以上の櫛歯状の固定電極、櫛歯状の可動電極、支持部、及び電極端子は、例えば上記の絶縁膜上に形成したポリシリコン膜を利用して形成される。
【０００４】
このようなマイクロレゾネータは、一方の櫛歯状の固定電極の電極端子と接地電極としての電極端子との間に交流電圧を印加することにより、その櫛歯状の固定電極と櫛歯状の可動電極との間に静電引力を発生させ、この静電引力により櫛歯状の可動電極を櫛歯の噛み合い方向（櫛歯の長さ方向）に平面的に押し引きすることによって振動させる。この振動は櫛歯状の可動電極と一体化されたバネ性を持つ支持部に伝達され、他方の同様に噛み合い状態にある櫛歯状の可動電極を平面的に振動させる。
【０００５】
入力側である一方の櫛歯状の固定電極と櫛歯状の可動電極との間で発生した振動が、可動電極の質量とバネ性を持つ支持部の構造で定まるバネ定数で決定される共振周波数に一致したところで共振現象が生じ、この共振周波数が出力側である他方の櫛歯状の固定電極の電極端子から取り出される。かかる構成のマイクロレゾネータは、特定周波数の電気信号を発振する発振子又は複数の周波数を含む電気信号から特定周波数の電気信号をフィルタリングするフィルタとして用いられる。尚、マイクロレゾネータの詳細については、例えば以下の特許文献１，２を参照されたい。
【特許文献１】米国特許第５０２５３４６号明細書（第３欄第３７行−第６欄第２行、第６欄第５５行−第７欄第５２行、図１−図４）
【特許文献２】米国特許第５５３７０８３号明細書（第４欄第４３行−第１０欄第３３行、図４−図８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述したマイクロレゾネータの共振周波数は、可動電極の質量（厳密には可動電極及び支持部の質量）と支持部のバネ定数とによって定まる。上述した可動電極及び支持部等は、半導体素子等の製造において広く用いられるフォトリソグラフィー技術を用いて基板上に形成されるが、複数の可動電極及び支持部等を設計値通りに形成するのは難しく、製造された可動電極及び支持部の質量及びバネ定数はばらつくことが多い。このため、製造されたマイクロレゾネータの共振周波数もばらつき、共振周波数が等しいマイクロレゾネータを複数製造するのは困難であるという問題があった。
【０００７】
また、マイクロレゾネータの製造においては、単一の共振周波数を有するマイクロレゾネータを複数製造する場合もあれば、同一の構造ではあるが同一の共振周波数帯内の異なる共振周波数を有するマイクロレゾネータを製造する場合もある。後者のマイクロレゾネータを製造する場合において、マイクロレゾネータの製造上のばらつきがあると、所望の共振周波数を有するものが得られる可能性が高くなるが、その歩留まりは製造条件に応じて大きく左右されるという問題があった。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、所望の共振周波数を有するマイクロレゾネータ、及び当該マイクロレゾネータを高い歩留まりで製造することができるマイクロレゾネータの製造方法、並びに当該マイクロレゾネータを備える電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のマイクロレゾネータの製造方法は、シリコン基板と、当該シリコン基板上に形成された少なくとも絶縁膜を含む積層部と、当該積層部上に設けられた共振子とを備えたマイクロレゾネータの製造方法であって、前記共振子の上部に錘を形成する錘形成工程と、前記錘の重さを調整する調整工程とを含むことを特徴としている。
この発明によれば、共振子の上部に錘を形成し、この錘の重さを調整することにより共振子の重さを調整するようにしているため、共振子等の製造誤差があった場合でも共振子の重さを調整することができる。この結果、所望の共振周波数を有するマイクロレゾネータを高い歩留まりで、且つ安価に製造することができる。また、錘の重さを調整することにより所望の共振周波数を有するマイクロレゾネータを製造することができるため、同一の構造であっても異なる共振周波数を有するマイクロレゾネータを容易に且つ高い歩留まりで製造することができる。
また、本発明のマイクロレゾネータの製造方法は、前記錘形成工程が、前記積層部上に前記共振子を作りつける導電層を形成する工程と、前記導電層の前記共振子を形成すべき箇所の上部に前記錘を形成する工程と、前記導電層を所定形状にパターニングして前記基板上に前記共振子を形成する工程とを含むことを特徴としている。
この発明によれば、積層部上に共振子を作りつける導電層を形成し、この導電層の上部であって共振子を形成すべき箇所の上部に錘を形成した後で導電層を所定形状にパターニングして基板上に共振子を形成するようにしているため、基板上において振動可能に構成された共振子の振動に支障をきたすことなく共振子上に錘を形成することができる。また、一度に複数の錘を形成することができるため、スループットの低下を招かずに複数の共振子上に錘を形成することができる。
また、本発明のマイクロレゾネータの製造方法は、前記錘形成工程が、前記錘を前記共振子の上部に複数形成する工程であることを特徴としている。
この発明によれば、共振子の上部に複数の錘を形成しているため、錘の形状、共振子上における錘の配置、及び共振子上における錘の数を適宜設定することで、マイクロレゾネータの共振周波数及び共振モードを任意に設定することができる。
また、本発明のマイクロレゾネータの製造方法は、前記調整工程が、前記錘に対してレーザを照射して前記錘を選択的に蒸散させることで前記錘の重さを調整する工程であることを特徴としている。
この発明によれば、共振子上に形成された錘に対してレーザを照射して錘を選択的に蒸散させているため、錘の重さの調整を短時間で且つ高精度で行うことができ、その結果として所望の共振周波数を有するマイクロレゾネータをスループットの低下を招かずに製造することができる。
また、本発明のマイクロレゾネータの製造方法は、前記調整工程が、前記共振子を振動させながら前記共振子の共振周波数を計測しつつ前記錘の重さを調整する工程であることを特徴としている。
この発明によれば、共振子を振動させながら共振子の共振周波数を計測しつつ錘の重さを調整しているため、確実にマイクロレゾネータの共振周波数を所望の共振周波数に調整することができるため、高い歩留まりで所望の共振周波数を有するマイクロレゾネータを製造することができる。
また、本発明のマイクロレゾネータの製造方法は、前記調整工程が、目標とする前記共振子の共振周波数に応じて前記共振子上に複数形成された前記錘のうちの所定の錘を除去する工程であることを特徴としている。
この発明によれば、目標とする共振周波数に応じた所定の重さを有する錘を複数形成しておき、目標とする共振周波数に応じて複数形成された錘のうちの所定の錘を除去しているため、短時間でマイクロレゾネータの周波数を所望の周波数に設定することができる。また、異なる共振周波数を有するマイクロレゾネータを製造する場合には、その共振周波数に応じた錘を除去すれば良いため、製造ラインを変更せずに所望の共振周波数を有するマイクロレゾネータを短時間で製造することができる。
また、本発明のマイクロレゾネータの製造方法は、前記所定の錘の除去が、前記錘に対してレーザを照射して前記所定の錘を蒸散させることにより行うことを特徴としている。
この発明によれば、錘の重さを調整する場合と同様にレーザの照射により錘を除去しているため、製造ラインを何ら変えることなく所望の共振周波数を有するマイクロレゾネータを短時間で製造することができる。
また、本発明のマイクロレゾネータの製造方法は、前記調整工程が、前記錘の重さを調整することにより、前記共振子の共振モードを変えずに前記共振子の共振周波数を調整する工程であることを特徴としている。
或いは、前記調整工程が、前記錘の重さを調整することにより、前記共振子の共振モードを変えつつ前記共振子の共振周波数を調整する工程であることを特徴としている。
これらの発明によれば、共振モードを変更することなく共振周波数の調整を行うことができ、或いは共振周波数を変えつつ共振周波数を変えることができるため、マイクロレゾネータの共振周波数の設定範囲を広くすることができる。また、高Ｑ値を有するマイクロレゾネータを得ることも、低Ｑ値を有するマイクロレゾネータを得ることもできる。
上記課題を解決するために、本発明のマイクロレゾネータは、シリコン基板と、当該シリコン基板上に形成された少なくとも絶縁膜を含む積層部と、当該積層部上に設けられた共振子とを備えたマイクロレゾネータであって、前記共振子の上部に前記共振子の重さを調整する錘を備えることを特徴としている。
この発明によれば、共振子の上部に共振子の重さを調整する錘を備えているため、共振子自体の重さにばらつきがあっても共振子の重さを一定にすることができ、その結果として一定の共振周波数を得ることができる。また、共振子の重さのばらつき以外の共振周波数の変化を引き起こす要因があっても、錘の重さを調整して共振子の重さを変えることにより一定の共振周波数を得ることができる。
ここで、前記錘は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの何れかの金属で形成されることが好ましい。
これらの金属は半導体素子の配線等を形成する場合にも用いられているため、製造プロセスが確立している上に、共振子に対する密着性が十分に得られる。特に、金（Ａｕ）又は白金（Ｐｔ）を用いて錘を形成すれば、共振子等の形成プロセスを何ら変更せずに共振子等を形成することができる。
また、本発明のマイクロレゾネータは、前記錘が、前記共振子上に、所望の形状で所望の位置に所望の数だけ形成されていることを特徴としている。
この発明によれば、錘の形状、共振子上における錘の位置、及び共振子上における錘の数を適宜変えることで、マイクロレゾネータの共振周波数の設定範囲を広くすることができ、また高Ｑ値を有するマイクロレゾネータとすることも、低Ｑ値を有するマイクロレゾネータとすることもできる。
また、本発明のマイクロレゾネータは、前記共振子が、前記積層部上に設けられた２組の一対の櫛歯状電極を有することを特徴としている。
この発明によれば、櫛歯の長手方向の振動、又は共振子のねじれ又は共振子の回転による振動等の共振モードを得ることができ、マイクロレゾネータの共振周波数の設定範囲を広くする上で好適である。勿論、かかる構成であれば単一の共振周波数を得ることもできる。但し、本発明は、共振子が櫛歯状電極を有する形状のものに限定されることを意図しているわけではなく、櫛歯状電極を有する形状以外に、梁（ビーム）形状又は円板形状を採用することもできる。
本発明の電子機器は、上記の何れかに記載のマイクロレゾネータの製造方法を用いて製造されたマイクロレゾネータ、又は上記の何れかに記載のマイクロレゾネータを備えることを特徴としている。
この発明によれば、半導体素子を製造する技術を用いてシリコン基板上に所望の共振周波数を有するマイクロレゾネータを形成することができるため、マイクロレゾネータを応用したフィルタ及び発振子等を半導体チップ内に集積化することができる。この結果、例えば、発振子、フィルタ、アンプ、混合器、及び検波器等からなる受信回路を１チップ化した半導体素子等の超小型・超高機能の半導体素子が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態によるマイクロレゾネータ及びその製造方法並びに電子機器について詳細に説明する。
【００１１】
〔マイクロレゾネータ〕
図１は、本発明の一実施形態によるマイクロレゾネータを示す平面図であり、図２は、図１中のＡ−Ａ線に沿った断面矢視図である。図１及び図２に示すマイクロレゾネータ１０は、トランスバーサル型のＳＡＷ（Surface Acoustic Wave：弾性表面波素子）フィルタと同様な働きをするフィルタとして構成したものである。尚、以下の説明においては、必要があれば図中にＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。図１及び図２中のＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＹ軸がシリコン基板５０の表面に対して平行となるよう設定され、Ｚ軸がシリコン基板５０の表面に対して直交する方向に設定されている。
【００１２】
図１に示すマイクロレゾネータ１０は、シリコン基板５０の表面に形成された酸化膜を含む絶縁膜５１上において、Ｘ方向に沿って送信側ＩＤＴ（Inter Digital Transducer）２０と受信側ＩＤＴ３０とを配置し、これらの間に共振子４０を配置した構成である。送信側ＩＤＴ２０、受信側ＩＤＴ３０、及び共振子４０は、例えばシリコン基板５０上に形成された導電層としてのポリシリコン（ｐ−ＳｉＯ）膜を利用して形成される。或いは、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板の絶縁膜上に結晶化されているシリコン層を利用して形成される。
【００１３】
送信側ＩＤＴ２０は櫛歯部２１を有する固定電極２２と櫛歯部２３を有する可動電極２４とから構成されている。送信側ＩＤＴ２０の固定電極２２は、リード線２５を介して電極端子２６に接続されている。同様に、受信側ＩＤＴ３０は、櫛歯部３１を有する固定電極３２と櫛歯部３３を有する可動電極３４とから構成されている。受信側ＩＤＴ３０の固定電極３２は、リード線３５を介して電極端子３６に接続されている。尚、図１中の３８は、電極端子２６，３６に対して共通に設定された接地電極としての電極端子である。
【００１４】
上記の可動電極２４と可動電極３４とは、Ｘ方向延びる連結ビーム４１で連結されている。共振子４０は、この連結ビーム４１、可動電極２４，３４、及び後述する方形状のフレームからなる梁部４２とから構成されている。共振子４０は、連結ビーム４１の−Ｘ方向における端部に連結された可動電極２４の櫛歯部２３が固定電極２２の櫛歯部２１と平面的に噛み合うように、且つ連結ビーム４１の＋Ｘ方向における端部に連結された可動電極３４の櫛歯部３３が固定電極３２の櫛歯部３１と平面的に噛み合うように、固定電極２２と固定電極３２との間に配置されている。
【００１５】
また、固定電極２２の櫛歯部２１と可動電極２４の櫛歯部２３とは、それぞれ複数の櫛歯が所定の平面上の隙間（櫛歯ギャップ）をもって、シリコン基板５０の表面に平行に噛み合っている。同様に、固定電極３２の櫛歯部３１と可動電極３４の櫛歯部３３とは、それぞれ複数の櫛歯が所定の平面上の隙間をもって、シリコン基板５０の表面に平行に噛み合っている。櫛歯部２３を有する可動電極２４及び櫛歯部３３を有する可動電極３４が共振子４０に設けられているため、櫛歯部２３，３３の長手方向の振動、又は共振子４０のねじれ又は回転による振動等の共振モードを得ることができ、共振周波数の設定範囲を広くする上で好適である。勿論、かかる構成であれば単一の共振周波数を得ることもできる。
【００１６】
可動電極２４，３４に対して一体的に形成されたフレーム状の梁部４２は、梁部４２に結合された片持ち梁４３によって支持されており、片持ち梁４３の支持部４４がシリコン基板５０上に固定された構造になっている。支持部４４は接地電極としての電極端子３８と導通しているため、共振子４０は電位がほぼ接地電位になる。尚、梁部４２の外形形状は、特に方形形状に限定されるものではなく、円形形状、長円形状、紡錘形状等の任意の形状に設定することができる。
【００１７】
図２に示す通り、連結ビーム４１はシリコン基板５０の絶縁膜５１の表面よりも上方（＋Ｚ方向）に基板面に対して平行に浮き上がった状態で支持されている。従って、連結ビーム４１の両端に連結された櫛歯状の可動電極２４，３４も同様に基板面に平行に浮き上がった状態に配置される。また、可動電極２４，３４に噛み合う櫛歯状の固定電極２２，３２も櫛歯の部分が基板面に平行に浮き上がった状態に支持されている。
【００１８】
可動電極２４，３４及び固定電極２２，３２の浮上高さ、即ち、シリコン基板５０上に形成された絶縁膜５１との間隔は２〜３μｍ程度である。尚、図２において、ポリシリコン等で形成された電極端子２６，３６及びリード部２５，３５と絶縁膜５１との間の層５２は、櫛歯状の固定電極２２，３２と可動電極２４，３４との櫛歯部を基板面に平行に浮き上がった構成に形成する際の製造工程において設けられた犠牲層である。
【００１９】
本実施形態のマイクロレゾネータ１０は、図１及び図２に示す通り、共振子４０の一部をなす連結ビーム４１上に複数の錘４５を備える。これらの錘４５は、共振子４０の共振周波数及び共振モードの少なくとも一方を調整するためのものであり、図１及び図２に示す例では、連結ビーム４１上に、連結ビーム４１の長手方向（Ｘ方向）に沿って４個設けられている。
【００２０】
共振子４０の共振周波数は、共振子４０自体の重さのばらつき、又は共振子４０の一部をなす梁部４２のバネ定数のばらつきが原因で変化する。錘４５は何れの原因で共振周波数の変化が生じた場合であっても、共振子４０の共振周波数の変化を調整するために用いられる。また、例えば、共振子４０の重心に対する錘４５の配置を対称にし、又は非対称にすることで、共振モードを調整することができる。
【００２１】
錘４５は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、及びアルミニウム（Ａｌ）等の金属によって形成されている。これらの金属は半導体素子の配線等を形成する場合にも用いられており、製造プロセスが確立しているために形成が容易である上に、共振子に対する密着性が十分に得られる。尚、錘４５の形状、連結ビーム４１上における位置、及び数は、目標とする共振子４０の共振周波数及び共振モードに応じて所望の形状及び所望の位置に設定することができ、その重さは目標とする共振子４０の共振周波数及び共振モードの少なくとも一方に応じて調整することができる。かかる調整を行うことで、共振子４０の共振周波数の設定範囲を広くすることもでき、また共振子４０を高いＱ値を有するものとすることも、低いＱ値を有するものとすることもできる。
【００２２】
以上説明した構成のマイクロレゾネータ１０を、例えば発振子として用いる場合には、櫛歯状の固定電極２２の電極端子２６と接地電極としての電極端子３８との間に交流電圧を印加する。これらの電極端子間に交流電圧を印加すると、固定電極２２の櫛歯部２１と可動電極２４の櫛歯部２３との間に静電引力が発生する。これによって可動電極２４が、櫛歯の噛み合い方向（櫛歯の長さ方向、即ちＸ方向）にバネ性を有する梁部４２を介して引き押しされて振動する。この振動は可動電極２４と一体化されたバネ性を持つ梁部４２に伝達され、他方の同様に固定電極３２の櫛歯部３１と噛み合い状態にある櫛歯部３３を備える可動電極３４がＸ方向に振動する。
【００２３】
入力側である一方の櫛歯状の固定電極２２と可動電極２４との間で発生した振動が、共振子４０の固有振動数に達すると、共振子４０はその振動数で共振する。共振子４０が共振することによって、他方の櫛歯部３１を有する固定電極３２に接続された電極端子３６から、その固有振動数に応じた発振周波数を有する電気信号が出力される。発振周波数（共振周波数）は、可動電極２４，３４を含む共振子４０の質量と梁部４２のバネ定数で定まる変位に対する復元力（梁部４２の弾性力）とによって定まる。
【００２４】
ここで、共振子４０の質量をｍとし、梁部４２のバネ定数をｋとすると、固定電極３２から出力される電気信号の発振周波数ｆ０は以下の（１）式で表される。
ｆ０＝（１／（２・π））・（ｋ／ｍ）１／２    ……（１）
図１及び図２に示すマイクロレゾネータ１０を発振子として用いる場合には、その発振周波数の設計目標値として、例えば１６ｋＨｚ、３２ｋＨｚ、７２ｋＨｚ等が設定される。
【００２５】
また、マイクロレゾネータ１０をフィルタとして用いる場合には、図３に示す通り、共振子４０の固有振動数ｆ０を中心とした共振幅Ｗの通過帯域幅を有するフィルタとして用いられる。図３は、マイクロレゾネータ１０をフィルタとして用いる場合の通過特性の一例を示す図である。マイクロレゾネータ１０をフィルタとして用いる場合には、櫛歯状の固定電極２２の電極端子２６と接地電極としての電極端子３８との間に交流電圧が印加される。
【００２６】
これらの電極端子間に印加された交流電圧の周波数が、図３に示す帯域幅Ｗに含まれる周波数であれば、共振子４０が静電力によってＸ方向に振動して、その周波数を有する電気信号が電極端子３６から出力される。一方、帯域幅Ｗに含まれない周波数の交流電圧が入力された場合には、共振子３０が共振しない。この結果として、その周波数は除去される。このような動作によりマイクロレゾネータ１０がフィルタとして用いられる。
【００２７】
以上説明した本発明の一実施形態によるマイクロレゾネータ１０は、共振子４０が櫛歯部２３を有する可動電極２４及び櫛歯部３３を有する可動電極３４を備え、可動電極２４，３４を挟むように櫛歯部２１を有する固定電極２２及び櫛歯部３１を有する固定電極３２が配置され、可動電極２４，３４を連結する連結ビーム４１上に錘４５が形成された形態であった。マイクロレゾネータ１０の共振子の形態は、かかる形態以外に梁（ビーム）形状又は円板形状の形態のものを採用することができる。これらの形態のものを採用した場合であっても、共振子上に錘を形成し、この錘の重さを調整することで共振子の共振周波数を調整することができる。
【００２８】
〔マイクロレゾネータの製造方法〕
図４及び図５は、本発明の一実施形態によるマイクロレゾネータの製造方法を示す工程図である。尚、図４及び図５において、図１及び図２に示した部材と同一の部材には同一の符号を付してある。まず、図４（ａ）に示す通り、シリコン基板５０上に二酸化珪素（ＳｉＯ２）からなる酸化膜５１ａを形成する。上記シリコン基板５０は両面が研磨されており、厚さが約５００μｍ程度である。また、酸化膜５１ａは減圧気相成長（減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition））法を用いて形成され、その厚さは０．１μｍ程度である。
【００２９】
次に、酸化膜５１ａ上に厚さ０．５μｍ程度の窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）５１ｂを形成する。この窒化膜５１ｂも減圧ＣＶＤ法を用いて形成される。尚、これらの酸化膜５１ａ及び窒化膜５１ｂから図１及び図２に示した絶縁膜５１が形成されている。窒化膜５１ｂを形成すると、次に窒化膜５１ｂ上にＳｉＯ２からなり、厚さが２μｍ程度の犠牲層５２を形成する工程が行われる。これらの層により本発明の積層部が構成されている。尚、図２に示したマイクロレゾネータ１０においても窒化膜５１ｂが設けられているが、図２においては図示を省略している。
【００３０】
以上の工程が終了すると、犠牲層５２の上面の全面に亘ってフォトレジスト（不図示）を塗布し、このフォトレジストに対して露光処理及び現像処理を行って所定形状のレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして犠牲層５２に対してエッチング処理を行うことにより、図４（ｂ）に示す通り、固定電極２２，３２となるべき箇所及び支持部４４となるべき箇所（図１参照）の犠牲層５２を除去する。
【００３１】
エッチング処理が完了し、犠牲層５２上に形成されているレジストパターンを剥離すると、図４（ｃ）に示す通り、犠牲層５２及び露出している窒化膜５１ｂ上の全面に亘って厚さが２．０μｍ程度の導電層としてのポリシリコン（ｐ−ＳｉＯ）膜６０を形成する工程が行われる。ポリシリコン膜６０の形成が完了すると、図４（ｄ）に示す通り、ポリシリコン膜６０上の全面に亘って金属膜６１を形成する工程が行われる。ここで、金属膜６１は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、及びアルミニウム（Ａｌ）の何れかで形成され、例えば蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成される。尚、金属膜６１の厚みは、図１及び図２に示した錘４５の重さに応じて適宜設定される。
【００３２】
次に、金属膜６１の上面の全面に亘ってフォトレジスト（不図示）を塗布し、このフォトレジストに対して露光処理及び現像処理を行って所定形状のレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして金属膜６１に対してエッチング処理を行うことにより、図５（ａ）に示す通り、共振子４０の連結ビーム４１となるべき箇所（必要であれば、可動電極２４，３４となるべき箇所）の上部に錘４５を形成する。尚、錘４５の重さは、共振子４５重さのばらつきを考慮して目標とする共振周波数が得られる重さよりも僅かに重めに設計して形成しておくことが好ましい。
【００３３】
錘４５の形成が完了すると、錘４５の形成に用いたフォトレジストを剥離した後で、再度ポリシリコン膜６０上に不図示のフォトレジストを塗布し、このフォトレジストに対して露光処理及び現像処理を行って所定形状のレジストパターンを形成する。レジストパターンを形成すると、ポリシリコン膜６０に対してエッチング処理を行い、最終的に固定電極２２，３２、共振子４０（連結ビーム４１、可動電極２４，３４、及び梁部４２）、片持ち梁４３、電極端子２６，３６，３８、及びリード部２５，３５となるべき部分を残し、それ以外の部分を除去する。エッチング処理を終えて、ポリシリコン膜６０上に形成されているレジストパターンを除去すると、図５（ｂ）に示す状態になる。
【００３４】
以上の工程が終了すると、固定電極２２の櫛歯部２１、固定電極３２の櫛歯部３１、共振子４０（可動電極２４，３４、連結ビーム４１、及び梁部４２）、及び片持ち梁４３の下方の犠牲層５２をエッチングにより除去する。このようなエッチングは、エッチング時間を制御することにより可能である。かかるエッチングを行うことで、図５（ｃ）に示す通り、シリコン基板５０上（窒化膜５１ｂ上）において、２〜３μｍ程度の間隔をもって浮上した状態にある共振子４０を形成することができる。
【００３５】
以上説明した通り、本実施形態においては、導電層としてのポリシリコン膜６０を形成し、共振子４０の連結ビーム４１となるべき箇所（必要であれば、可動電極２４，３４となるべき箇所）の上部に錘４５を形成した後で、ポリシリコン膜６０を所定形状にパターニングするとともに犠牲層５２をエッチングして共振子４０を形成している。かかる方法で共振子４０を形成することにより、共振子４０の振動に支障をきたすことなく共振子４０上に錘４５を形成することができる。
【００３６】
また、錘４５を一度に複数形成することができるため、複数の共振子４０上に錘４５を形成する場合であってもスループットの低下を招かずに錘４５を形成することができる。一方、共振子４０上に複数の錘４５を形成する場合であっても一度に複数の錘４５を形成することができる。また、錘４５の形状、共振子４０上における錘４５の配置、及び共振子４０上における錘４５の数を適宜設定することができる。このため、共振子４０の共振周波数及び共振モードを任意に設定することができる。
【００３７】
尚、以上の説明では、ポリシリコン膜６０上の全面に亘って金属膜６１を形成し、エッチングにより錘４５を形成していたが、錘４５の形成はこの形成方法に限定されるものではない。例えば、ポリシリコン膜６０上に蒸着又はスパッタにより金属を蒸着する際に、マスクを用いて選択的に共振子４０の連結ビーム４１となるべき箇所に金属を蒸着することで錘４５を形成しても良い。かかる形成方法を用いる場合には、共振子４０を形成した後、つまりポリシリコン膜６０をパターニングするとともに、共振子４０となるべき箇所の下方の犠牲層５２をエッチングした後で、共振子４０上に錘４５を形成することもできる。
【００３８】
上部に錘４５を有する共振子４０の形成が完了すると、次に錘４５の重さを調整する工程が行われる。図６は、錘４５の重さを調整する工程の様子を示す図である。図６に示す通り、レーザ７０から射出されるレーザ光を錘４５に照射し、錘４５を選択的に蒸散させることで錘４５の重さを調整する。錘４５の重さの調整量は、形成された共振子４０の重さのばらつき及び片持ち梁４３のバネ定数に応じて変化する。このため、本実施形態では共振子４０を振動させながら共振子４０の共振周波数を計測しつつ錘４５の重さの調整を行っている。
【００３９】
共振子４０を振動させながら共振子４０の共振周波数を計測するために、図６に示す通り、アンプ７１、センサヘッド７２、レーザドップラー振動計７３、及び周波数アナライザ７４からなる計測装置を用いる。アンプ７１は周波数アナライザ７４の信号出力端（ｓｉｇｎａｌ）から出力される所定の周波数（共振子４０の共振周波数又はその近傍の周波数）を有する交流信号を所定の増幅率で増幅して電極端子３６に与えるものである。
【００４０】
センサヘッド７２は、例えばＨｅ−Ｎｅレーザ等の光源を備えており、この光源から射出されるレーザ光を共振子４０に設けられた可動電極２４の櫛歯部２３に照射し、その反射光と基準光とを干渉させて得られる干渉光を受光して光電変換した受光信号を出力する。尚、センサヘッド７２から射出されるレーザ光の強度は、レーザ７０から射出されるレーザ光の強度より遙かに低く設定されており、レーザ光の照射によって可動電極２４の重さが変化する等の影響は生じない。
【００４１】
レーザドップラー振動計７３は、センサヘッド７２から出力される受光信号を周波数変調することにより、共振子４０の振動周波数・振動速度を検出した検出信号を出力する。周波数アナライザ７４は、周波数が可変である交流信号を出力するとともに、レーザドップラー振動計７３から出力されて入力端（ｃｈ１）に入力される検出信号と、信号出力端（ｓｉｇｎａｌ）から出力されて入力端（ｃｈ２）に入力される交流信号とを用いて共振子４０の共振周波数を求め、その結果を視覚的にＣＲＴ（Cathod Ray Tube）又は液晶表示装置等の表示装置７５に表示する。
【００４２】
以上の構成において、共振子４０上の錘４５の重さの調整は、例えば以下の手順で行う。まず、レーザ７０からのレーザ光を錘４５に照射しない状態で共振子４０の共振周波数を計測する。この計測のために、周波数アナライザ７４の信号出力端（ｓｉｇｎａｌ）から所定の周波数の電気信号を出力させてアンプ７１で増幅した後で電極端子３６に印加する。また、センサヘッド７２からレーザ光を共振子４０に設けられた可動電極２４の櫛歯部２３に照射する。
【００４３】
電極端子３６に印加された電気信号の周波数が共振子４０の共振周波数から離れた周波数であれば、共振子４０の振幅が小さいため、レーザドップラー振動計７３から出力される検出信号のうちの振動速度を示す信号の値は小さくなる。一方、電極端子３６に印加された電気信号の周波数が共振子４０の共振周波数に近づけば、共振子４０の振幅が大きくなるため、レーザドップラー振動計７３から出力される検出信号のうちの振動速度を示す信号の値は大きくなる。
【００４４】
このような計測を、周波数アナライザ７４の信号出力端から出力される電気信号の周波数を変えつつ行う。これにより、錘４５の重さを調整していない状態における共振子４０の共振周波数が測定される。前述した通り、錘４５は目標とする共振周波数が得られる重さよりも僅かに重めに形成されるため、以上の測定で得られる共振周波数は、目標とする共振周波数よりも低い値になる。
【００４５】
次に、周波数アナライザ７４の信号出力端からの電気信号が電極端子３６に印加されている状態で、レーザ７０から射出されるレーザ光を錘４５に照射し、錘４５を選択的に蒸散させる。このとき、センサヘッド７２からのレーザ光を共振子４０に設けられた可動電極２４の櫛歯部２３に照射して常時共振子４０の共振周波数を計測する。尚、共振子４０の共振周波数を測定するためには、周波数アナライザ７４からの電気信号の周波数を変化させる必要があるため時間を要する。このため、計測が終了するまではレーザ７０の照射を停止することが望ましい。勿論、錘４５の蒸散量が少なければ、レーザ７０を照射しつつ共振周波数の計測を行うことができる。
【００４６】
このように、レーザ７０からのレーザ光を錘４５に照射して錘４５を選択的に蒸散させつつ共振子４０の共振周波数を計測する動作を繰り返し、計測される共振子４０の共振周波数が目標とする共振周波数まで高くなったとなったときに、レーザ７０からのレーザ光の照射を停止する。これにより、目標とする共振周波数を有する共振子４０を備えるマイクロレゾネータ１０が得られる。
【００４７】
錘４５の重さを調整する場合には、個々の錘４５にレーザ光を照射して各々の重さを調整してもよく、特定の錘４５のみにレーザ光を照射してその錘４５の重さのみを調整しても良い。特に、櫛歯部２３，３３の長手方向の振動のみの共振モードが生じている状態で共振周波数を変更する場合には、共振子４０の重心に対して対称に錘４５を配置し、各々の錘４５の重さを対称的に調整することが望ましい。
【００４８】
他方、共振子４０のねじれ又は回転による共振モードを得たい場合には、共振子４０の重心に対して非対称に錘４５を形成し、又は複数形成された錘４５の特定の錘４５のみの重さを調整する。尚、共振モードが変わると共振周波数も変わるため、共振子４５の共振周波数を高くすることも、低くすることもできる。このように、本実施形態においては、共振モードを変更することなく共振周波数の調整を行うことができ、或いは共振周波数を変えつつ共振周波数を変えることができるため、マイクロレゾネータ１０の共振周波数の設定範囲を広くすることができる。また、高Ｑ値を有するマイクロレゾネータを得ることも、低Ｑ値を有するマイクロレゾネータを得ることもできる。
【００４９】
また、前述した通り、マイクロレゾネータ１０を発振子として用いる場合には、その発振周波数の設計目標値として、例えば１６ｋＨｚ、３２ｋＨｚ、７２ｋＨｚ等のある程度決まった周波数が用いられる。このため、各々の発振周波数が得られる錘４５の重さを設計段階で求めてその錘４５を共振子４０上に形成おき、特定の錘４５を共振子４５上から除去することで、特定の発振周波数に近い発振周波数が得られるようにしておくことが好ましい。
【００５０】
このようにすることで、同一構造ではあるが異なる発振周波数を有するマイクロレゾネータ１０を短時間で製造することができる。ここで、錘４５の除去をレーザ光の照射によって行うようにすれば、製造ラインを全く変更することなく錘４５の除去を行うことができる。また、このレーザ光を残りの錘４５に照射することにより、錘４５の重さを微調整することができ、共振子４５の発振周波数を目標とする発振周波数に設定することができる。
【００５１】
以上説明した本実施形態のマイクロレゾネータの製造方法によれば、共振子４０の上部に錘４５を形成し、この錘４５の重さを調整することにより共振子４０の重さを調整するようにしているため、共振子４０等の製造誤差による重さのばらつきがあった場合でも共振子４０の重さを調整することができる。この結果、目標とする共振周波数を有するマイクロレゾネータ１０を高い歩留まりで、且つ安価に製造することができる。
【００５２】
また、錘４５の重さの調整は、共振子４０上に形成された錘４５に対してレーザを照射して錘４５を選択的に蒸散させているため、錘４５の重さの調整を短時間で且つ高精度で行うことができ、その結果として目標とする共振周波数を有するマイクロレゾネータ１０をスループットの低下を招かずに製造することができる。更に、共振子４０を振動させながら共振子４０の共振周波数を計測しつつ錘４５の重さを調整しているため、確実にマイクロレゾネータの共振周波数を目標とする共振周波数に調整することができる。これにより、高い歩留まりで目標とする共振周波数を有するマイクロレゾネータ１０を製造することができる。以上説明した製造方法は、梁（ビーム）形状又は円板形状の共振子を有するマイクロレゾネータを製造する場合にも同様に適用することができる。
【００５３】
尚、上記実施形態においては、シリコン基板５０上に酸化膜５１ａ及び窒化膜５１ｂからなる絶縁膜５１を形成し、この絶縁膜５１上に犠牲層５２を形成し、更に犠牲層５２上にポリシリコン膜６０を形成して、ポリシリコン膜６０に共振子４０及び固定電極２２，３２等を形成していた。しかしながら、ＳＯＩ基板を用いてこれらを形成することもできる。ＳＯＩ基板を用いる場合には、ＳＯＩ基板に形成された絶縁膜上に結晶化されているシリコン層を利用して共振子４０及び固定電極２２，３２等を形成し、絶縁膜を上記の犠牲層５２と同様にエッチングすることにより、シリコン基板に対して共振子４０及び固定電極２２，３２が浮上した状態にすることができる。
【００５４】
以上説明した本発明の一実施形態によるマイクロレゾネータ１０は、共振子４０が櫛歯部２３を有する可動電極２４及び櫛歯部３３を有する可動電極３４を備え、可動電極２４，３４を挟むように櫛歯部２１を有する固定電極２２及び櫛歯部３１を有する固定電極３２が配置され、可動電極２４，３４を連結する連結ビーム４１上に錘４５が形成された形態であった。マイクロレゾネータ１０の共振子の形態は、かかる形態以外に梁（ビーム）形状又は円板形状の形態のものを採用することができる。これらの形態のものを採用した場合であっても、共振子上に錘を形成し、この錘の重さを調整することで共振子の共振周波数を調整することができる。
【００５５】
更に、上記実施形態では、共振子４０の共振周波数を計測するために、センサヘッド７２、レーザドップラー振動計７３、及び周波数アナライザ７４を用いていた。高い精度で共振子４０の共振周波数を計測するにはこれらを用いて計測することが望ましい。しかしながら、共振子４０の共振周波数の計測方法はこれに限られる訳ではない。例えば、共振子４０の振動に起因して生ずる固定電極２２と可動電極２４との間の電気容量変化又は固定電極３２と可動電極３４との間の電気容量変化を検出することで共振子４０の共振周波数を計測することもできる。
【００５６】
〔電子機器〕
図７は、本発明の一実施形態による電子機器としての携帯電話機の外観を示す斜視図である。図７に示す携帯電話機１００は、アンテナ１０１、受話器１０２、送話器１０３、液晶表示部１０４、及び操作釦部１０５等を備えて構成されている。図８は、図７に示した携帯電話機１００の内部に設けられる電子回路の電気的構成を示すブロック図である。
【００５７】
図８に示した電子回路は、携帯電話機１００内に設けられる電子回路の基本構成を示し、送話器１１０、送信信号処理回路１１１、送信ミキサ１１２、送信フィルタ１１３、送信電力増幅器１１４、送受分波器１１５、アンテナ１１６ａ，１１６ｂ、低雑音増幅器１１７、受信フィルタ１１８、受信ミキサ１１９、受信信号処理回路１２０、受話器１２１、周波数シンセサイザ１２２、制御回路１２３、及び入力／表示回路１２４を含んで構成される。尚、現在実用化されている携帯電話機は、周波数変換処理を複数回行っているため、その回路構成はより複雑となっている。
【００５８】
送話器１１０は、例えば音波を電気信号に変換するマイクロフォン等で実現され、図７中の送話器１０３に相当するものである。送信信号処理回路１１１は、送話器１１０から出力される電気信号に対して、例えばＤ／Ａ変換処理、変調処理等の処理を施す回路である。送信ミキサ１１２は、周波数シンセサイザ１２２から出力される信号を用いて送信信号処理回路１１１から出力される信号をミキシングする。尚、送信ミキサ１１２に供給される信号の周波数は、例えば３８０ＭＨｚ程度である。送信フィルタ１１３は、中間周波数（ＩＦ）の必要となる周波数の信号のみを通過させ、不要となる周波数の信号をカットする。尚、送信フィルタ１１３から出力される信号は不図示の変換回路によりＲＦ信号に変換される。このＲＦ信号の周波数は、例えば１．９ＧＨｚ程度である。送信電力増幅器１１４は、送信フィルタ１１３から出力されるＲＦ信号の電力を増幅し、送受分波器１１５へ出力する。
【００５９】
送受分波器１１５は、送信電力増幅器１１４から出力されるＲＦ信号をアンテナ１１６ａ，１１６ｂへ出力し、アンテナ１１６ａ，１１６ｂから電波の形で送信する。また、送受分波器１１５はアンテナ１１６ａ，１１６ｂで受信した受信信号を分波して、低雑音増幅器１１７へ出力する。尚、送受分波器１１５から出力される受信信号の周波数は、例えば２．１ＧＨｚ程度である。低雑音増幅１１７は送受分波器１１５からの受信信号を増幅する。尚、低雑音増幅器１１７から出力される信号は、不図示の変換回路により中間信号（ＩＦ）に変換される。
【００６０】
受信フィルタ１１８は不図示の変換回路により変換された中間周波数（ＩＦ）の必要となる周波数の信号のみを通過させ、不要となる周波数の信号をカットする。受信ミキサ１１９は、周波数シンセサイザ１２２から出力される信号を用いて送信信号処理回路１１１から出力される信号をミキシングする。尚、受信ミキサ１１９に供給される中間周波数は、例えば１９０ＭＨｚ程度である。受信信号処理回路１２０は受信ミキサ１１９から出力される信号に対して、例えばＡ／Ｄ変換処理、復調処理等の処理を施す回路である。受話器１２１は、例えば電気信号を音波に変換する小型スピーカ等で実現され、図７中の受話器１０２に相当するものである。
【００６１】
周波数シンセサイザ１２２は送信ミキサ１１２へ供給する信号（例えば、周波数３８０ＭＨｚ程度）及び受信ミキサ１１９へ供給する信号（例えば、周波数１９０ＭＨｚ）を生成する回路である。尚、周波数シンセサイザ１２２は、例えば７６０ＭＨｚの発振周波数で発振するＰＬＬ回路を備え、このＰＬＬ回路から出力される信号を分周して周波数が３８０ＭＨｚの信号を生成し、更に分周して周波数が１９０ＭＨｚの信号を生成する。制御回路１２３は、送信信号処理回路１１１、受信信号処理回路１２０、周波数シンセサイザ１２２、及び入力／表示回路１２４を制御することにより携帯電話機の全体動作を制御する。入力／表示回路１２４は、携帯電話機１００の使用者に対して機器の状態を表示するとともに操作者の指示を入力するためのものであり、例えば図７に示した液晶表示部１０４及び操作釦部１０５に相当する。
【００６２】
以上の構成の電子回路において、送信フィルタ１１３及び受信フィルタ１１８として前述したマイクロレゾネータが用いられている。これら送信フィルタ１１３及び受信フィルタ１１８がフィルタリングする周波数（通過させる周波数帯域）は、送信ミキサ１１２から出力される信号の内の必要となる周波数、及び、受信ミキサ１１９で必要となる周波数に応じて送信フィルタ１１３及び受信フィルタ１１８で個別に設定されている。
【００６３】
また、周波数シンセサイザ１２２内に設けられるＰＬＬ回路の一部として前述したマイクロレゾネータが用いられている。周波数シンセサイザ１２２内に設けられるＰＬＬ回路は、上述した通り特定の周波数で発振する回路であるため、このＰＬＬ回路の一部として設けられるマイクロレゾネータは、単一の共振モードで共振し、上記の特定の周波数でてＱ値が高くなるように設定されている。尚、送信フィルタ１１３と送信電力増幅器１１４との間及び低雑音増幅器１１７と受信フィルタ１１８との間に設けられる不図示の変換回路にも上述したマイクロレゾネータが用いられている。
【００６４】
送信フィルタ１１３及び受信フィルタ１１８並びに周波数シンセサイザ１２２等に相当する従来の部品は、受信ミキサ１１９等と集積化することはできなかったため、集積化された受信ミキサ１１９等とは別個の部品として基板上に搭載されていた。これに対し、図８に示す電子回路では、送信フィルタ１１３及び受信フィルタ１１８並びに周波数シンセサイザ１２２等にマイクロレゾネータが用いられているため、受信ミキサ１１９等と一緒に集積化することができ、その結果として携帯電話機１００の小型化・軽量化を図ることができる。
【００６５】
図９は、本発明の他の実施形態による電子機器としての腕時計の外観を示す斜視図である。図９に示す腕時計２００は、発振子として上述したマイクロレゾネータ１０を備えている。このマイクロレゾネータ１０の発振周波数は、例えば３２ｋＨｚ程度に設定されている。現在一般に設けられている腕時計は発振子としてクオーツ（水晶）発振子を備えるものが多いが、マイクロレゾネータ１０を発振子として用いることにより、腕時計２００の更なる小型・軽量化を図ることができる。
【００６６】
以上、本発明の実施形態によるマイクロレゾネータ及びその製造方法並びに電子機器について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば上記実施形態においては電子機器として携帯電話機及び腕時計を例に挙げて説明した。しかしながら、本発明の電子機器は携帯電話機及び腕時計に限定される訳ではなく、計時機能を有するコンピュータ、電波時計、ディジタルカメラ、各種の家電製品等の種々の電子機器が含まれる。
【００６７】
また、携帯電話機等の携帯性を有する電子機器のみならずＢＳ放送及びＣＳ放送を受信するチューナ等の据置状態で使用される通信機器も含まれる。更には、通信キャリアとして空中を伝播する電波を使用する通信機器のみならず、同軸ケーブル中を伝播する高周波信号又は光ケーブル中を伝播する光信号を用いるＨＵＢ等の電子機器も含まれる。これらの電子機器は、所定の周波数をフィルタリングするため、及び計時機能を実現するためにマイクロレゾネータが用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の一実施形態によるマイクロレゾネータを示す平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線に沿った断面矢視図である。
【図３】マイクロレゾネータ１０をフィルタとして用いる場合の通過特性の一例を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態によるマイクロレゾネータの製造方法を示す工程図である。
【図５】本発明の一実施形態によるマイクロレゾネータの製造方法を示す工程図である。
【図６】錘４５の重さを調整する工程の様子を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態による電子機器としての携帯電話機の外観を示す斜視図である。
【図８】図７に示した携帯電話機１００の内部に設けられる電子回路の電気的構成を示すブロック図である。
【図９】本発明の他の実施形態による電子機器としての腕時計の外観を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６９】
１０……マイクロレゾネータ
２４……可動電極（櫛歯状電極）
３４……可動電極（櫛歯状電極）
４０……共振子
４５……錘
５０……シリコン基板
５１……絶縁膜（積層部）
５１ａ……酸化膜（積層部）
５１ｂ……窒化膜（積層部）
５２……犠牲層（積層部）
６０……ポリシリコン膜（導電層）
【図１】
2005159620.tif 000003
【図２】
2005159620.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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