(57)【要約】【課題】製造効率を高めることができる発光ダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】エピウエハ１０１とｐ−ＧａＰ基板７とを互いに接触させた状態で熱処理炉１２０内に導入した後、熱処理炉１２０内にホスフィンとアルシンとを供給しながら、加熱処理機構１２２を作動させて、８００℃程度の高温で約１時間加熱処理を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＡｓ基板とこのＧａＡｓ基板上に形成されたＡｌＧａＩｎＰ系の発光部とを有するエピウエハ上にＧａＰ基板を載せた後、所定温度の加熱処理を行って、上記ＧａＰ基板を上記エピウエハに貼り付ける発光ダイオードの製造方法において、
上記加熱処理はＡｓおよびＰを含む雰囲気中で行うことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項２】
ＧａＡｓ基板とこのＧａＡｓ基板上に形成されたＡｌＧａＩｎＰ系の発光部とを有するエピウエハ上にＧａＰ基板を載せた後、所定温度の加熱処理を行って、上記ＧａＰ基板を上記エピウエハに貼り付ける発光ダイオードの製造方法において、
上記加熱処理は、Ａｓを含む第１の脱離防止部材を上記ＧａＡｓ基板に接触または近接させ、かつ、Ｐを含む第２の脱離防止部材を上記ＧａＰ基板に接触または近接させて行うことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法において、
上記雰囲気はＴＢＰとＴＢＡｓとの少なくとも一方を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の発光ダイオードの製造方法において、
上記第１の脱離防止部材はＧａＡｓ結晶ウエハであり、上記第２の脱離防止部材はＧａＰ結晶ウエハであることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光ダイオードの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光ダイオード（ＬＥＤ）が屋内外の表示デバイスとして脚光を浴びている。発光ダイオードの高輝度化に伴い、ネオン管灯に代る媒体として屋外ディスプレイ市場での需要が急増している。
【０００３】
可視域の高輝度発光ダイオードとしては、ＡｌＧａＩｎＰ系材料で構成された発光ダイオードが知られている。図５に、特許文献１（特許第３２３０６３８号公報）に記載された技術に基づく従来（以下、従来例という）のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード１００の構造を示す。
【０００４】
上記発光ダイオード１００は、ｎ−ＡｌＧａＡｓコンタクト層２（厚さ３μｍ、Ｓｉドープ：５×１０17ｃｍ-3）、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３（厚さ１．０μｍ、Ｓｉドープ：５×１０17ｃｍ-3）、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光部の一例としての（Ａｌ0.05Ｇａ0.95）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層４（厚さ０．６μｍ）、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５（厚さ０．７μｍ、Ｚｎドープ：５×１０17ｃｍ-3）、ｐ−ＧａＩｎＰ保護層６（厚さ０．１μｍ、Ｚｎドープ：１×１０18ｃｍ-3）およびｐ−ＧａＰ基板７（厚さ３００μｍ、Ｚｎドープ：３×１０18ｃｍ-3）を有している。また、上記ｐ−ＧａＰ基板７下に水玉状のｐ−電極１１を形成する一方、ｎ−ＡｌＧａＡｓコンタクト層２の中央部分上にｎ−電極１２を形成している。
【０００５】
上記発光ダイオード１００は図６（Ａ）〜図６（Ｅ）に示すように製造する。
【０００６】
まず、図６（Ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法によりｎ−ＡｌＧａＡｓコンタクト層２（厚さ３μｍ、Ｓｉドープ：５×１０17ｃｍ-3）、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３（厚さ１．０μｍ、Ｓｉドープ：５×１０17ｃｍ-3）、（Ａｌ0.05Ｇａ0.95）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層４（厚さ０．６μｍ）、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５（厚さ０．７μｍ、Ｚｎドープ：５×１０17ｃｍ-3）、ｐ−ＧａＩｎＰ保護層６（厚さ０．１μｍ、Ｚｎドープ：１×１０18ｃｍ-3）を順次成長させる。ここまで成長したものをエピウエハ１０１とする。
【０００７】
その後、図７に示すように、上記エピウエハ１０１をホルダ２１に搭載して熱処理炉２０内に導入する。この時、図６（Ｂ）に示すように、上記エピウエハ１０１のｐ−ＧａＩｎＰ保護層６上にはｐ−ＧａＰ基板７を配置し、更に、ｐ−ＧａＰ基板７上には重し８を配置する。これにより、上記ｐ−ＧａＰ基板７のホルダ２１側の表面がｐ−ＧａＩｎＰ保護層６に接触する一方、ｐ−ＧａＰ基板７においてホルダ２１とは反対側の表面が重し８に接触する。
【０００８】
次に、上記熱処理炉２０内に窒素または水素を供給しながら、加熱処理機構２２を作動させて、８００℃程度の高温で約１時間加熱処理を行う。
【０００９】
次に、上記熱処理炉２０からウエハ１０１を取り出して、図６（Ｃ）に示すように、重し８を除去すると、ｐ−ＧａＰ基板７はｐ−ＧａＩｎＰ保護層６に貼り付いている。なお、上記ｐ−ＧａＰ基板７は発光ダイオード１００において電流拡散と光取り出し窓の層として機能する。
【００１０】
その後、図６（Ｄ）に示すように、上記ＧａＡｓ基板１をアンモニア系のエッチング液（例えば、アンモニア：過酸化水素＝１：２０）で除去する。
【００１１】
最後に、図６（Ｅ）に示すように、ｐ−電極１１をｐ−ＧａＰ基板７上に水玉状に形成し、更に、ｎ−電極１２をｎ−ＡｌＧａＡｓコンタクト層２の中央部分下に形成する。
【００１２】
このように形成した発光ダイオード１００は、ｐ−ＧａＰ基板７側を下にしてステムにマウントして２０ｍＡで通電した場合、発光波長６３０ｎｍで全光束は４ｍＷと、ｐ−ＧａＰ基板７を貼付けない場合に比べて約２倍の高輝度が得られる。これは厚さ３００μｍのｐ−ＧａＰ基板７が透明基板として作用し、チップ側面から効率的に発光が取り出されるからである。
【００１３】
ところが、上記従来例の発光ダイオードの製造方法では、熱処理炉２０による加熱処理によってｎ−ＧａＰ基板７およびＧａＡｓ基板１の表層（図６（Ｃ）において黒く塗りつぶしている部分）が金属色になってしまう。この金属色の表層があると、上記加熱処理後に行うＧａＡｓ基板１の除去が失敗するケースが多発する。つまり、上記加熱処理後においては、ＧａＡｓ基板１を上記アンモニア系エッチング液でエッチングするのが困難になる。そのため、上記ＧａＡｓ基板１の表面を研磨して、ＧａＡｓ基板１から金属色の表層を物理的に取り除かなければならなかった。
【００１４】
また、上記ｐ−ＧａＰ基板７の表層についても、ｐ−電極１１が付き難くなったり、発光が遮られたりするなどの問題が生じるため、やはり研磨して除去する必要があった。
【００１５】
したがって、上記従来例の発光ダイオードの製造方法では、金属色の表層を除去するための工程が必要になるから、製造効率が低下するという問題がある。
【特許文献１】特許第３２３０６３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
そこで、本発明の課題は、製造効率を高めることができる発光ダイオードの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本願発明者らが加熱処理後のｎ−ＧａＡｓ基板１およびｐ−ＧａＰ基板７の表面に生じた金属色の部分の組成を調べたところ、その部分においてＧａが多く観測された。これは、加熱処理中にｎ−ＧａＡｓ基板１およびｐ−ＧａＰ基板７の表面からＡｓやＰが蒸発して、ｎ−ＧａＡｓ基板１およびｐ−ＧａＰ基板７の表面に金属Ｇａが残ったためと考えられる。この考えに基いて、本発明者らは以降の発明を創作するに至った。
【００１８】
第１の発明の発光ダイオードの製造方法は、ＧａＡｓ基板とこのＧａＡｓ基板上に形成されたＡｌＧａＩｎＰ系の発光部とを有するエピウエハ上にＧａＰ基板を載せた後、所定温度の加熱処理を行って、上記ＧａＰ基板を上記エピウエハに貼り付ける発光ダイオードの製造方法において、上記加熱処理はＡｓおよびＰを含む雰囲気中で行うことを特徴としている。
【００１９】
上記構成の発光ダイオードの製造方法によれば、上記エピウエハ上にＧａＰ基板を載せた後、ＡｓおよびＰを含む雰囲気中で所定温度の加熱処理を行うことによって、ＧａＡｓ基板からＡｓが脱離するのが抑制され、かつ、ＧａＰ基板からＰが脱離するのが抑制される。その結果、上記ＧａＡｓ基板およびＧａＰ基板の表面が金属色にならないので、ＧａＡｓ基板およびＧａＰ基板の表面を研磨しなくてもよい。したがって、上記ＧａＡｓ基板およびＧａＰ基板の表面を研磨する工程を省いて、製造効率を高めることができる。
【００２０】
また、上記ＧａＡｓ基板およびＧａＰ基板の表面が金属色にならないので、加熱処理後、ＧａＡｓ基板の除去するためのエッチングや、ＧａＰ基板に対する電極の形成が容易になる。つまり、上記加熱処理後のプロセスを容易に行うことができる。
【００２１】
また、第２の発明の発光ダイオードの製造方法は、ＧａＡｓ基板とこのＧａＡｓ基板上に形成されたＡｌＧａＩｎＰ系の発光部とを有するエピウエハ上にＧａＰ基板を載せた後、所定温度の加熱処理を行って、上記ＧａＰ基板を上記エピウエハに貼り付ける発光ダイオードの製造方法において、上記加熱処理は、Ａｓを含む第１の脱離防止部材を上記ＧａＡｓ基板に接触または近接させ、かつ、Ｐを含む第２の脱離防止部材を上記ＧａＰ基板に接触または近接させて行うことを特徴としている。
【００２２】
上記構成の発光ダイオードの製造方法によれば、上記Ａｓを含む第１の脱離防止部材をＧａＡｓ基板に接触または近接させ、かつ、Ｐを含む第２の脱離防止部材をＧａＰ基板に接触または近接させて所定温度の加熱処理を行うことによって、ＧａＡｓ基板からＡｓが脱離するのが抑制され、かつ、ＧａＰ基板からＰが脱離するのが抑制される。その結果、上記ＧａＡｓ基板およびＧａＰ基板の表面が金属色にならないので、ＧａＡｓ基板およびＧａＰ基板の表面を研磨しなくてもよい。したがって、上記ＧａＡｓ基板およびＧａＰ基板の表面を研磨する工程を省いて、製造効率を高めることができる。
【００２３】
また、上記ＧａＡｓ基板およびＧａＰ基板の表面が金属色にならないので、加熱処理後、ＧａＡｓ基板の除去するためのエッチングや、ＧａＰ基板に対する電極の形成が容易になる。つまり、上記加熱処理後のプロセスを容易に行うことができる。
【００２４】
一実施形態の発光ダイオードの製造方法は、上記第１の発明の発光ダイオードの製造方法において、上記雰囲気はＴＢＰとＴＢＡｓとの少なくとも一方を含む。
【００２５】
上記実施形態の発光ダイオードの製造方法によれば、上記雰囲気がＴＢＰとＴＢＡｓとの少なくとも一方を含むことによって、雰囲気中に水素が生じるので、この水素で金属色の原因となる元素を除去することができる。
【００２６】
一実施形態の発光ダイオードの製造方法は、上記第２の発明の発光ダイオードの製造方法において、上記第１の脱離防止部材はＧａＡｓ結晶ウエハであり、上記第２の脱離防止部材はＧａＰ結晶ウエハである。
【００２７】
上記実施形態の発光ダイオードの製造方法によれば、上記第１の脱離防止部材はＧａＡｓ結晶ウエハであるから、第１の脱離防止部材の調達が容易である。
【００２８】
また、上記第２の脱離防止部材はＧａＰ結晶ウエハであるから、第２の脱離防止部材の調達が容易である。
【発明の効果】
【００２９】
第１の発明の発光ダイオードの製造方法は、エピウエハ上にＧａＰ基板を載せた後、ＡｓおよびＰを含む雰囲気中で所定温度の加熱処理を行うことによって、ＧａＡｓ基板からＡｓが脱離するのが抑制され、かつ、ＧａＰ基板からＰが脱離するのが抑制されるので、ＧａＡｓ基板およびＧａＰ基板の表面が金属色にならない。つまり、上記ＧａＡｓ基板およびＧａＰ基板の表面において、ＡｓおよびＰの抜けが抑制されて、Ｇａの発生が抑えられる。したがって、上記ＧａＡｓ基板およびＧａＰ基板の表面を研磨する工程を省いて、製造効率を高めることができる。
【００３０】
第２の発明の発光ダイオードの製造方法は、Ａｓを含む第１の脱離防止部材をＧａＡｓ基板に接触または近接させ、かつ、Ｐを含む第２の脱離防止部材をＧａＰ基板に接触または近接させて所定温度の加熱処理を行うことによって、ＧａＡｓ基板からＡｓが脱離するのが抑制され、かつ、ＧａＰ基板からＰが脱離するのが抑制されるので、ＧａＡｓ基板およびＧａＰ基板の表面が金属色にならない。つまり、上記ＧａＡｓ基板およびＧａＰ基板の表面において、ＡｓおよびＰの抜けが抑制されて、Ｇａの発生が抑えられる。したがって、上記ＧａＡｓ基板およびＧａＰ基板の表面を研磨する工程を省いて、製造効率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の発光ダイオードの製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【実施の形態１】
【００３２】
実施の形態１に係る発光ダイオードの製造方法を説明する。実施の形態１の製造方法で得る発光ダイオードの構造は、図５の従来例の発光ダイオード１００の構造と同一である。
【００３３】
実施の形態１では、図６(Ａ)に示すエピウエハ１０１を形成した後、図１に示すように、エピウエハ１０１をホルダ１２１に搭載して熱処理炉１２０内に導入する。この時、上記エピウエハ１０１のｐ−ＧａＩｎＰ保護層６上にｐ−ＧａＰ基板７を載せて、ｐ−ＧａＩｎＰ保護層６とｐ−ＧａＰ基板７とを接触させる。更に、ｐ−ＧａＰ基板７上に重し８を載せて、ｐ−ＧａＰ基板７と重し８とを接触させる。
【００３４】
次に、上記熱処理炉１２０内にホスフィン（ＰＨ3）とアルシン（ＡｓＨ3）とを微量（５０ｃｃｍ程度）流しながら、加熱処理機構１２２を作動させて、８００℃程度の高温で約１時間加熱処理を行う。
【００３５】
上記加熱処理後、熱処理炉１２０内からエピウエハ１０１とｐ−ＧａＰ基板７を取り出すと、ｎ−ＧａＡｓ基板１の表面もｐ−ＧａＰ基板７の表面もほぼ全面にわたって金属色は見られなかった。これは、上記熱処理炉１２０内に供給したホスフィン、アルシンによって、リン（Ｐ）と砒素（Ａｓ）との雰囲気ができて、ＧａＡｓ基板１から砒素が蒸発するのが抑えられ、かつ、ＧａＰ基板７からリンが蒸発するのが抑えられたためである。つまり、上記ＧａＡｓ基板１およびＧａＰ基板７の表面においてＧａが生じなかったためである。しかしながら、上記ｎ−ＧａＡｓ基板１およびｐ−ＧａＰ基板７においては、一部（面積で約２％の散在した領域）がわずかに金属色が見られたため、リン（Ｐ）と砒素（Ａｓ）の抜けがわずかではあるが生じたことが伺える。
【００３６】
このように、上記ｎ−ＧａＡｓ基板１の表面のほぼ全面において金属色の部分が形成されないので、ｎ−ＧａＡｓ基板１の表面を研磨しなくても、ＧａＡｓ基板１をアンモニア系のエッチング液（例えば、アンモニア：過酸化水素＝１：２０）で容易に除去することができる。
【００３７】
また、上記ｐ−ＧａＰ基板７の表面のほぼ全面においても金属色の部分が形成されないので、ｐ−ＧａＰ基板７の表面を研磨しなくても、ｐ−ＧａＰ基板７の表面にｐ−電極１１を容易に付けることができる。
【００３８】
したがって、上記ｎ−ＧａＡｓ基板１およびｐ−ＧａＰ基板７の表面を研磨する工程を無くせるから、製造効率を上げることができる。
【実施の形態２】
【００３９】
実施の形態２に係る発光ダイオードの製造方法を説明する。
【００４０】
実施の形態２では、図６(Ａ)に示すエピウエハ１０１を形成した後、図７に示す熱処理炉２０内に、エピウエハ１０１をホルダ２１に搭載して導入する。この時、図２（Ａ）に示すように、第１の脱離防止部材の一例としての台座９上にエピウエハ１０１を載せて、エピウエハ１０１のｎ−ＧａＡｓ基板１と台座９とを接触させる。また、上記エピウエハ１０１上にｐ−ＧａＰ基板７を載せて、エピウエハ１０１のｐ−ＧａＩｎＰ保護層６とｐ−ＧａＰ基板７とを接触させる。更に、上記ｐ−ＧａＰ基板７上に第２の脱離防止部材の一例としての重し１０８を載せて、ｐ−ＧａＰ基板７と重し１０８とを接触させる。
【００４１】
上記重し１０８の下部内には複数のＧａＰの破片２３を収容している。そして、上記重し１０８の下面は、図２（Ｂ）に示すようなメッシュ状になっている。これにより、上記ＧａＰの破片２３はｐ−ＧａＰ基板７に空間的に近接している。
【００４２】
一方、上記台座９の上部内にはＧａＡｓの破片２４を収容している。そして、上記台座９の上面は、図２（Ｃ）に示すようなメッシュ状になっている。これにより、上記ＧａＡｓの破片２４はｎ−ＧａＡｓ基板１に空間的に近接する。
【００４３】
そして、上記熱処理炉２０内に窒素または水素を供給しながら、加熱処理機構２２を作動させて、８００℃程度の高温で約１時間加熱処理を行う。
【００４４】
上記加熱処理後、熱処理炉２０内からエピウエハ１０１とｐ−ＧａＰ基板７を取り出すと、ｎ−ＧａＡｓ基板１の表面もｐ−ＧａＰ基板７の表面もほぼ全面にわたって金属色は見られなかった。これは、上記ＧａＡｓの破片２４によって、ｎ−ＧａＡｓ基板１の表面近傍に砒素（Ａｓ）の雰囲気ができて、ｎ−ＧａＡｓ基板１の表面からＡｓの蒸発が抑えられると共に、ＧａＰの破片２３によって、ｐ−ＧａＰ基板７の表面近傍にリン（Ｐ）の雰囲気ができて、ｐ−ＧａＰ基板７の表面からＰの蒸発が抑えられたためである。しかしながら、上記実施の形態１と同様に、ｎ−ＧａＡｓ基板１およびｐ−ＧａＰ基板７の表面の一部（全表面積に対して約２．５％の散在した領域）でわずかに金属色が見られたため、リンと砒素との抜けがわずかではあるが生じた。
【００４５】
したがって、本実施の形態の発光ダイオードの製造方法は、上記実施の形態１と同様の効果を奏する。
【実施の形態３】
【００４６】
実施の形態３の発光ダイオードの製造方法を説明する。
【００４７】
実施の形態３では、図６(Ａ)に示すエピウエハ１０１を形成した後、図３に示すように、エピウエハ１０１をホルダ２２１に搭載して熱処理炉２２０内に導入する。この時、上記エピウエハ１０１のｐ−ＧａＩｎＰ保護層６上にｐ−ＧａＰ基板７を載せて、ｐ−ＧａＩｎＰ保護層６とｐ−ＧａＰ基板７とを接触させている。更に、上記ｐ−ＧａＰ基板７上に重し８を載せて、ｐ−ＧａＰ基板７と重し８とを接触させている。
【００４８】
そして、上記熱処理炉２２０内にターシャリブチルホスフィン（ＴＢＰ）とターシャリブチルアルシン（ＴＢＡｓ）とを供給しつつ、加熱処理機構２２２を作動させて、８００℃程度の高温で約１時間加熱処理を行う。なお、上記ターシャリブチルホスフィンはリン（Ｐ）を含む一方、ターシャリブチルアルシンは砒素（Ａｓ）を含んでいる。
【００４９】
上記加熱処理後、熱処理炉２２０内からエピウエハ１０１とｐ−ＧａＰ基板７を取り出すと、ｎ−ＧａＡｓ基板１およびｐ−ＧａＰ基板７の全表面にわたって金属色は見られなかった。これは、上記熱処理炉２２０内に供給したターシャリブチルホスフィンおよびターシャリブチルアルシンによって、リンと砒素との雰囲気ができて、ＧａＡｓ基板１から砒素の蒸発が抑えられ、かつ、ＧａＰ基板７からリンの蒸発が抑えられたためである。つまり、上記ＧａＡｓ基板１およびＧａＰ基板７の表面においてＧａが生じなかったためである。
【００５０】
本実施の形態では、ＧａＡｓ基板１およびＧａＰ基板７の表面において金属色は全く見られなかった。これは、上記加熱処理の過程でｐ−ＧａＰ基板７とｎ−ＧａＡｓ基板１とからＰとＡｓとがわずかに抜け、ｐ−ＧａＰ基板７およびｎ−ＧａＡｓ基板１の表面にわずかにＧａが生じたとしても、ターシャリブチルホスフィン、ターシャリブチルアルシンの分解過程で生じた水素がＧａを蒸発させるエッチング機能を果たしたためである。
【００５１】
したがって、本実施の形態の発光ダイオードの製造方法は、上記実施の形態１に比べて、製造効率をより高めることができる。
【００５２】
また、本実施の形態の結果より、上記加熱処理の処理ガス（雰囲気ガス）はターシャリブチルホスフィン、ターシャリブチルアルシンが望ましいことが判る。
【００５３】
上記実施の形態３は、上記熱処理炉２２０内にターシャリブチルホスフィンとターシャリブチルアルシンとを供給しながら所定の加熱処理を行ったが、熱処理炉２２０内にホスフィン（ＰＨ3）とターシャリブチルアルシンとを供給しながら所定の加熱処理を行っても、あるいは、熱処理炉２２０内にターシャリブチルホスフィンとアルシン（ＡｓＨ3）とを供給しながら所定の加熱処理を行っても、ＧａＡｓ基板１およびＧａＰ基板７の表面において金属色の発生を完全に無くすことができることを確認している。
【実施の形態４】
【００５４】
実施の形態４に係る発光ダイオードの製造方法を説明する。
【００５５】
実施の形態４では、図６(Ａ)に示すエピウエハ１０１を形成した後、図７に示す熱処理炉２０内に、エピウエハ１０１をホルダ２１に搭載して導入する。この時、図４に示すように、第１の脱離防止部材の一例としてのＧａＡｓ結晶ウエハ３１上にエピウエハ１０１を載せて、エピウエハ１０１のＧａＡｓ基板１とＧａＡｓ結晶ウエハ３１とを接触される。また、上記エピウエハ１０１のｐ−ＧａＩｎＰ保護層６上にｐ−ＧａＰ基板７を載せて、ｐ−ＧａＩｎＰ保護層６とｐ−ＧａＰ基板７とを接触させる。更に、上記ｐ−ＧａＰ基板７上に第２の脱離防止部材の一例としてのＧａＰ結晶ウエハ３２を載せて、ＧａＰ基板７とＧａＰ結晶ウエハ３２とを接触させる。ただし、ＧａＡｓどうし、ＧａＰどうしで貼り付かないように、ＧａＡｓ結晶ウエハ３１とＧａＰ結晶ウエハ３２の接触面は粗面（図４では破線で図示）とする。
【００５６】
そして、上記熱処理炉２０内に窒素または水素を供給しながら、加熱処理機構２２を作動させて、８００℃程度の高温で約１時間加熱処理を行う。
【００５７】
上記加熱処理後、熱処理炉２０から取り出したｎ−ＧａＡｓ基板１およびｐ−ＧａＰ基板７の全表面にわたって金属色は見られなかった。ただし、上記ＧａＡｓ結晶ウエハ３１とＧａＰ結晶ウエハ３２の表面は金属色になっていた。これは、上記ＧａＡｓ結晶ウエハ３１とＧａＰ結晶ウエハ３２とによって、リン（Ｐ）と砒素（Ａｓ）との雰囲気ができて、ＧａＡｓ基板１から砒素の蒸発が抑えられ、かつ、ＧａＰ基板７からリンの蒸発が抑えられたためである。つまり、上記ｎ−ＧａＡｓ基板１およびｐ−ＧａＰ基板７の表面においてＧａが生じなかったためである。
【００５８】
本実施の形態では、上記実施の形態３と同じく、ＧａＡｓ基板１およびＧａＰ基板７の表面において金属色は全く見られなかった。これは、上記ｎ−ＧａＡｓ基板１の表面が別のＧａＡｓ結晶と空間的に密着することにより、ｎ−ＧａＡｓ基板１から砒素が蒸発せず、かつ、ｐ−ＧａＰ基板７の表面が別のＧａＰ結晶と空間的に密着することにより、ｐ−ＧａＰ基板７からリンが蒸発しなかったためと考えられる。
【００５９】
上記実施の形態１〜４において述べなかった工程は上記従来例と同様に行っている。
【００６０】
上記実施の形態１〜４では、（Ａｌ0.05Ｇａ0.95）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層４を有するエピウエハ１０１を用いたが、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光部を有するエピウエハであれば本発明に用いることができる。
【００６１】
以上のように、本発明の発光ダイオードの製造方法は、透明基板型のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードの製造方法に最適である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】図１は本発明の実施の形態１の発光ダイオードの製造方法に用いる熱処理炉の概略構成図である。
【図２】図２（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の実施の形態２の発光ダイオードの製造方法を説明するための図である。
【図３】図３は本発明の実施の形態３の発光ダイオードの製造方法に用いる熱処理炉の概略構成図である。
【図４】図４は本発明の実施の形態４の発光ダイオードの製造方法を説明するための図である。
【図５】図５は従来例および本発明の製造方法で作製する発光ダイオードの概略構造を示す図である。
【図６】図６（Ａ）〜（Ｅ）は従来例の発光ダイオードの製造方法を説明するための図である。
【図７】図７は上記実施の形態２，４および上記従来例の発光ダイオードの製造方法に用いる熱処理炉の概略構成図である。
【符号の説明】
【００６３】
１  ｎ−ＧａＡｓ基板
２  ｎ−ＡｌＧａＡｓコンタクト層
３  ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
４  活性層
５  ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
６  ｐ−ＧａＩｎＰ保護層
７  ｐ−ＧａＰ基板
８，１０８  重し
９  台座
１１  ｐ−電極
１２  ｎ−電極
２１，１２１，２２１  ホルダ
２２，１２２，２２２  加熱処理機構
２３  ＧａＰの破片
２４  ＧａＡｓの破片
３１  ＧａＡｓ結晶ウエハ
３２  ＧａＰ結晶ウエハ
１００  発光ダイオード
１０１  エピウエハ
【図１】
2005109353.tif 000003
【図２】
2005109353.tif 000004
【図３】
2005109353.tif 000005
【図４】
2005109353.tif 000006
【図５】
2005109353.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005109353.tif 000009