(57)【要約】【課題】  バンプ電極と基板側端子との間の導電接続状態の信頼性を高めると共に、低コストで構成できる電子部品の実装構造を提供する。【解決手段】  本発明の電子部品の実装構造は、バンプ電極１２１Ｂを有する電子部品１２１を、端子１１１ｂｘを有する基板１１１に実装した電子部品の実装構造であって、バンプ電極１２１Ｂは、内部樹脂１２１Ｂａをコアとしてその表面を導体膜１２１Ｂｂで覆った構造を有し、バンプ電極１２１Ｂは、端子１１１ｂｘに対して直接導電接触していると共に、弾性変形して基板１１１に面で接触しており、バンプ電極１２１Ｂと端子１１１ｂｘの導電接触部分の周囲には、封止樹脂１２２が充填され、バンプ電極１２１Ｂと端子１１１ｂｘを保持していることを特徴とする。【選択図】図４
2005101527.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンプ電極を有する電子部品を、端子を有する基板に実装した電子部品の実装構造であって、
前記バンプ電極は、内部樹脂をコアとしてその表面を導体膜で覆った構造を有し、
前記バンプ電極は、前記端子に対して直接導電接触していると共に、弾性変形して前記基板に面で接触しており、
前記バンプ電極と前記端子の導電接触部分の周囲には、封止樹脂が充填され、前記バンプ電極と前記端子を保持していることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項２】
前記バンプ電極は、前記端子に対して直接導電接触していると共に、＋８０℃〜＋３００℃の温度範囲内においてその接触方向に押圧されて弾性変形していることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項３】
前記バンプ電極は、前記端子に対して直接導電接触していると共に、少なくとも−４０℃〜＋８０℃の温度範囲内においてその接触方向に押圧されて弾性変形していることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項４】
前記封止樹脂の熱膨張係数α′から前記内部樹脂の熱膨張係数αを減算した熱膨張係数差をΔαとし、−４０℃〜＋８０℃の温度範囲内において設定された基準温度Ｔｏにおける前記内部樹脂の高さをｔとし、前記基準温度Ｔｏにおける前記パンプ電極の弾性変形量をΔｔとし、温度Ｔから前記基準温度Ｔｏを減算した温度差をΔＴとした場合に、
少なくとも−４０℃〜＋８０℃の温度範囲内において、
【数１】
2005101527.tif 000008
が成立することを特徴とする請求項３に記載の電子部品の実装構造。
【請求項５】
前記封止樹脂の熱膨張係数α’は、前記内部樹脂の熱膨張係数αよりも大きいことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の電子部品の実装構造。
【請求項６】
前記内部樹脂の熱膨張係数αは、前記封止樹脂の熱膨張係数α′よりも大きく、
かつ、加熱加圧時における前記内部樹脂の膨張を抑える反発力が、前記基準温度Ｔｏにおける前記内部樹脂の収縮力よりも大きいことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の電子部品の実装構造。
【請求項７】
前記内部樹脂の圧縮弾性率をＥとしたとき、少なくとも−４０℃〜＋８０℃の温度範囲内において、前記内部樹脂の初期高さをｔ′としたとき、２００［ＭＰａ］・ｔ′／Ｅ>Δｔが成立することを特徴とする請求項４に記載の電子部品の実装構造。
【請求項８】
前記内部樹脂における圧接時の圧縮弾性率Ｅが１０ＭＰａ〜１００ＭＰａであることを特徴とする請求項２に記載の電子部品の実装構造。
【請求項９】
前記内部樹脂における圧接時の圧縮弾性率Ｅが１００ＭＰａ〜１５０００ＭＰａであることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の電子部品の実装構造。
【請求項１０】
前記内部樹脂における圧接時の圧縮弾性率Ｅが１００ＭＰａ〜３０００ＭＰａであることを特徴とする請求項９のいずれかに記載の電子部品の実装構造。
【請求項１１】
前記封止樹脂が熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれかに記載の電子部品の実装構造。
【請求項１２】
前記基板及び前記端子が透明素材で構成されていることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれかに記載の電子部品の実装構造。
【請求項１３】
前記基板はガラス若しくは石英で構成され、前記端子はＩＴＯで構成されていることを特徴とする請求項１２に記載の電子部品の実装構造。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３のいずれかに記載の電子部品の実装構造を有し、前記基板を構成要素とする電気光学パネルを有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の電気光学装置と、該電気光学装置を制御する制御手段とを有することを特徴とする電子機器。
【請求項１６】
バンプ電極を有する電子部品を、端子を有する基板に実装する電子部品の実装方法であって、
前記バンプ電極を、弾性を有する内部樹脂をコアとしてその表面を導体膜で覆った構造に形成し、
前記バンプ電極を前記端子に対して直接導電接触させると共に、その接触方向に加圧して弾性変形させ、
その加圧状態で前記バンプ電極と前記端子の導電接触部分の周囲に封止樹脂を充填し、
加圧により生じた前記バンプ電極の弾性変形状態が前記封止樹脂により保持されるように構成することを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項１７】
実装時の加圧により前記パンプ電極の弾性変形量を少なくとも−４０℃〜＋８０℃の温度範囲内において前記バンプ電極の弾性変形状態が維持される量とすることを特徴とする請求項１６に記載の電子部品の実装方法。
【請求項１８】
前記バンプ電極を未硬化状態若しくは半硬化状態の熱硬化性樹脂からなる前記封止樹脂を介して前記端子に押圧するように加圧し、前記バンプ電極が前記端子に対して直接導電接触した状態で前記封止樹脂を硬化させることを特徴とする請求項１６又は請求項１７に記載の電子部品の実装方法。
【請求項１９】
前記パンプ電極の形成工程において、前記バンプ電極の頂部表面を平坦に形成することを特徴とする請求項１６から請求項１８のいずれかに記載の電子部品の実装方法。
【請求項２０】
前記バンプ電極の形成工程において、前記バンプ電極の頂部表面を球面状に形成することを特徴とする請求項１６から請求項１８のいずれかに記載の電子部品の実装方法。
【請求項２１】
前記基板及び前記端子は透明素材で構成されることを特徴とする請求項１６から請求項２０のいずれかに記載の電子部品の実装方法。
【請求項２２】
前記基板はガラス若しくは石英で構成され、前記端子はＩＴＯで構成されることを特徴とする請求項２１に記載の電子部品の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の実装構造、電気光学装置、電子機器及び電子部品の実装方法に係り、特に、ガラス基板上に形成された透明導電体で構成された端子にバンプを備えた電子部品を実装する場合に好適な実装構造及び実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、各種の電子機器に搭載される回路基板や液晶表示装置などにおいて、半導体ＩＣなどの電子部品を実装する技術が用いられている。例えば、液晶表示装置には、液晶パネルを駆動するための液晶駆動用ＩＣチップが実装される。この液晶駆動用ＩＣチップは、液晶パネルを構成するガラス基板に直接実装される場合もあり、また、液晶パネルに実装されるフレキシブル基板（ＦＰＣ）上に実装される場合もある。前者による実装構造はＣＯＧ（Chip On Glass）構造と呼ばれ、後者はＣＯＦ(Chip On FPC)構造と呼ばれる。
【０００３】
ＣＯＧ構造の液晶表示装置を製造する場合におけるＩＣチップの実装工程では、図１１に示すように、導電性粒子２２ａを熱硬化性樹脂２２ｂ中に分散させた異方性導電膜（ＡＣＦ；Anisotropic Conductive Film）２２を介して液晶駆動用ＩＣチップ２１をガラス基板１１上の透明導電体で構成されたＩＴＯ端子１１ｂｘ，１１ｄｘの配列部分上に配置し、加熱しながら加圧することによって液晶駆動用ＩＣチップ２１に設けられた金属バンプ電極２１Ｂをガラス基板上のＩＴＯ端子１１ｂｘ，１１ｄｘに対して上記導電性粒子２２ａを介して導電接触した状態とし、この導電接触状態が硬化された熱硬化性樹脂２２ｂによって保持されるようにする。
【０００４】
通常、液晶駆動用ＩＣチップ２１の金属バンプ電極２１Ｂと、ガラス基板１１上のＩＴＯ端子１１ｂｘ，１１ｄｘとの間の導電接続状態の信頼性を高めるためには、両者間に介在する導電性粒子２２ａが多少押圧されて弾性変形した状態とする必要がある。これは、温度変化により熱硬化性樹脂２２ｂが多少熱膨張しても導電性粒子２２ａを介した導電接触状態が維持されるようにする必要があるからである。ところが、一般に、導電接続状態の信頼性を向上させるに充分な導電性粒子２２ａの弾性変形量を確保することはきわめて難しい。このため、導電接続状態の信頼性を高める方法として、導電ゴムからなる導電性粒子を用いることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平５−１８２５１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、近年の液晶表示装置の高精細化やカラー化などによって金属バンプ電極２１ＢやＩＴＯ端子１１ｂｘ，１１ｄｘの形成ピッチは小さくなりつつあり、これに伴って隣接電極間或いは隣接端子間の短絡を防止するために上記導電性粒子２２ａの粒径もまた小さくなってきている。このため、ＡＣＦ２２のコストが高くなり、製造コストを押し上げると共に、導電性粒子２２ａの弾性変形量を充分に確保することがますます難しくなることから、温度変化に対する電気的信頼性の確保が困難になりつつある。また、上述の導電ゴムからなる導電性粒子を用いる方法では、上記のように小さな形成ピッチに適合するように導電ゴムを微細な径に形成することはさらに困難であり、これにより製造コストがさらに上昇するという問題点がある。
【０００６】
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、バンプ電極と基板側端子との間の導電接続状態の信頼性を高めると共に、低コストで構成できる電子部品の実装構造を提供することにある。また、この電子部品の実装構造を用いることにより、高い電気的信頼性と低い製造コストとを両立させた電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の目的を達成するため、発明者らは種々の検討の結果、弾性を有する内部樹脂をコアとして、その表面を導体膜で覆ったバンプ電極を形成することにより、バンプ電極と基板側端子との導電接続状態の信頼性を高めることができると共に、低コストで形成できる電子部品の実装構造を実現できることを見出した。
【０００８】
すなわち、本発明に係る電子部品の実装構造は、バンプ電極を有する電子部品を、端子を有する基板に実装した電子部品の実装構造であって、前記バンプ電極は、内部樹脂をコアとしてその表面を導体膜で覆った構造を有し、前記バンプ電極は、前記端子に対して直接導電接触していると共に、弾性変形して前記基板に面で接触しており、前記バンプ電極と前記端子の導電接触部分の周囲には、封止樹脂が充填され、前記バンプ電極と前記端子を保持していることを特徴とする。
【０００９】
このように、バンプ電極は弾性を有する内部樹脂をコアとしていることにより、基板上の端子に対して加圧することによって容易に押圧されて弾性変形状態となる。そして、バンプ電極の弾性変形状態は、導電接触部分の周囲に充填された封止樹脂によって保持された状態となる。このように弾性変形しながら基板とバンプ電極とが面で接触するので、常にバンプ電極は基板に対して復元力（反発力）が生じることとなり、導電接触状態が確保され、高い電気的信頼性を得ることができる。また、この実装構造では異方性導電膜または異方性導電接着剤のような高価な材料を用いる必要がないため、製造コストの低減に寄与することができる。
【００１０】
本発明において、前記バンプ電極は、前記端子に対して直接導電接触していると共に、＋８０℃〜＋３００℃の温度範囲内においてその接触方向に押圧されて弾性変形していることを特徴とする。
このように、バンプ電極は、＋８０℃〜＋３００℃の温度範囲内において押圧されるので、内部樹脂の弾性変形量が大きくなり、良好に弾性変形状態が維持される。これにより、導電接触状態が確保されることから、高い電気的信頼性を得ることができる。
【００１１】
本発明において、前記バンプ電極は、前記端子に対して直接導電接触していると共に、少なくとも−４０℃〜＋８０℃の温度範囲内においてその接触方向に押圧されて弾性変形していることを特徴とする。
このように、バンプ電極は少なくとも−４０℃〜＋８０℃の温度範囲内において弾性変形状態が維持されるため、通常の使用温度範囲において導電接触状態が確保されることから、高い電気的信頼性を得ることができる。
【００１２】
本発明において、前記封止樹脂の熱膨張係数α′から前記内部樹脂の熱膨張係数αを減算した熱膨張係数差をΔαとし、−４０℃〜＋８０℃の温度範囲内において設定された基準温度Ｔｏにおける前記内部樹脂の高さをｔとし、前記基準温度Ｔｏにおける前記パンプ電極の弾性変形量をΔｔとし、温度Ｔから前記基準温度Ｔｏを減算した温度差をΔＴとした場合に、少なくとも−４０℃〜＋８０℃の温度範囲内において、
【００１３】
【数１】
2005101527.tif 000003
が成立することが好ましい。
【００１４】
これによれば、温度変化によって生ずる高さｔの内部樹脂及び封止樹脂の熱膨張量の差が弾性変形量Δｔ以下となるので、上記温度範囲において温度変化が生じても、バンプ電極の弾性変形状態が維持される。なお、熱膨張係数の差であるΔα＝α′−αが温度Ｔに関して依存性を有しない場合には、上記式は、Δｔ>Δα・ｔ・ΔＴとなる。
【００１５】
本発明において、前記封止樹脂の熱膨張係数α’は、前記内部樹脂の熱膨張係数αよりも大きいことが好ましい。
これによれば、封止樹脂の熱膨張量が内部樹脂の熱膨張量と同等か或いはそれを上回ることにより、温度が低下してもバンプ電極の弾性変形量が減少することはなくなるため、バンプ電極と端子との導電接触状態を確実に維持することができる。従って、加熱加圧時よりも低温な環境下における電気的信頼性をより高めることができる。また、この場合には、使用温度域の最高温度においてバンプ電極の弾性変形量を確保しておくことによって、上記最高温度を下回る全ての温度域においてバンプ電極の弾性変形状態を確実に維持することができる。
【００１６】
本発明において、前記内部樹脂の熱膨張係数αは、前記封止樹脂の熱膨張係数α′よりも大きく、かつ、加熱加圧時における前記内部樹脂の膨張を抑える反発力が、前記基準温度Ｔｏにおける前記内部樹脂の収縮力よりも大きいことが好ましい。
これによれば、内部樹脂の熱膨張量が封止樹脂の熱膨張量と同等か或いはそれを上回ることにより、温度が上昇してもバンプ電極の弾性変形量が減少することはなくなるため、バンプ電極と端子との導電接触状態を確実に維持することができる。したがって、高温環境下における電気的信頼性をより高めることができる。また、この場合には、使用温度域の最低温度においてバンプ電極の弾性変形量を確保しておくことによって、上記最低温度を上回る全ての温度域においてバンプ電極の弾性変形状態を確実に維持することができる。
【００１７】
本発明において、前記内部樹脂の圧縮弾性率をＥとしたとき、少なくとも−４０℃〜＋８０℃の温度範囲内において、前記内部樹脂の初期高さをｔ′としたとき、２００［ＭＰａ］・ｔ′／Ｅ>Δｔが成立することが好ましい。これによれば、歪をεとしたとき、弾性変形量Δｔに起因するバンプ電極と基板の端子との間の応力σ＝εＥ＝（Δｔ／ｔ）Ｅを２００［ＭＰａ］未満に保持することができることから、バンプ電極の弾性変形量Δｔを得ることによる下地構造の破壊などの不具合を防止することができる。
【００１８】
本発明において、前記内部樹脂における圧接時の圧縮弾性率Ｅが１０ＭＰａ〜１００ＭＰａであることが好ましい。当該圧縮弾性率（Ｅ）が上記範囲内であれば、加熱加圧時の温度域（＋８０℃〜＋３００℃）において弾性変形状態を維持することのできる充分な弾性変形量が得られる。また、当該温度域においては、変形量が過大となることによる内部導体膜の破断等の不具合が生じることがなく、バンプ電極と端子との接触圧を充分に得ることができ、電気的信頼性が得られる。また、変形量を弾性変形範囲内にとどめることもできる。
【００１９】
本発明において、前記内部樹脂における圧接時の圧縮弾性率Ｅが１００ＭＰａ〜１５０００ＭＰａであることが好ましい。当該圧縮弾性率（Ｅ）が上記範囲内であれば、通常使用温度域（−４０℃〜＋８０℃）において弾性変形状態を維持することのできる充分な弾性変形量Δｔを、２００ＭＰａ未満の応力を加えることによって確実に得ることができるため、電気的信頼性の確保と、応力過大による不具合の回避とを両立できる。すなわち、圧縮弾性率Ｅが１５０００ＭＰａを越えると弾性変形量Δｔの確保が困難になり、弾性変形量Δｔを確保するために必要な応力が過大となって実装構造の破壊などの不具合が生ずる恐れがある。逆に、−４０℃〜＋８０℃の使用温度域における圧接時の圧縮弾性率Ｅが１００ＭＰａ未満になると、変形量が過大となって内部樹脂を被覆する導体膜が破断するなどの不具合が発生する恐れがあると共に、バンプ電極と端子との接触圧を充分に得ることが難しくなり、却って電気的信頼性が低下する。また、変形量を弾性変形範囲内にとどめることも難しくなる。
【００２０】
この場合に、内部樹脂の圧縮弾性率Ｅが１００ＭＰａ〜３０００ＭＰａであることが好ましい。内部樹脂の圧縮弾性率Ｅが３０００ＭＰａ以下であれば、より低い荷重でバンプ電極に充分な弾性変形量を持たせることができる。特に、内部樹脂の圧縮弾性率Ｅは１００ＭＰａ〜２０００ＭＰａであることが余裕をもった十分な弾性変形量を得る上で望ましい。
【００２１】
本発明において、前記封止樹脂が熱硬化性樹脂であることが好ましい。封止樹脂が熱硬化性樹脂であることによって、未硬化状態若しくは半硬化状態の封止樹脂を介して電子部品を基板に対して加圧してバンプ電極を基板の端子に対して導電接触した状態とし、この状態で加熱することによって封止樹脂を硬化させることが可能になるため、バンプ電極の弾性変形状態を確実に保持することができると共に、その弾性変形量を正確に設定することができる。
【００２２】
本発明において、前記基板及び前記端子が透明素材で構成されていることが好ましい。これによれば、基板の裏面側からバンプ電極と端子の導電接触面を視認することができることとなるため、導電接触面の幅、形状、面積などを確認することによってバンプ電極の弾性変形量Δｔを推定することができる。例えば、予めバンプ電極の接触方向の弾性変形量Δｔと上記導電接触面の幅、形状、面積などとの関係を計測しておくことによって、基板の裏面から導電接触面の幅、形状、面積などを測定することで、上記弾性変形量Δｔを正確に推定できる。
【００２３】
本発明において、前記基板はガラス若しくは石英で構成され、前記端子はＩＴＯで構成されていることが好ましい。これによれば、基板表面が内部樹脂に較べて充分に硬いために変形しにくいことから、内部樹脂の弾性変形量Δｔをより正確に制御することが可能になると共に、内部樹脂の弾性変形量Δｔと電気的信頼性との関係がより明確になるため、より容易かつ確実に高い電気的信頼性を獲得することができる。
【００２４】
次に、本発明の電気光学装置は、上記のいずれかに記載の電子部品の実装構造を有し、前記基板を構成要素とする電気光学パネルを有することを特徴とする。これによれば、電気的信頼性の高い電気光学装置を構成することができる。ここで、電気光学装置としては、液晶表示装置に限らず、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置などを含む。
【００２５】
次に、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置と、該電気光学装置を制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【００２６】
次に、本発明の電子部品の実装方法は、バンプ電極を有する電子部品を、端子を有する基板に実装する電子部品の実装方法であって、前記バンプ電極を、弾性を有する内部樹脂をコアとしてその表面を導体膜で覆った構造に形成し、前記バンプ電極を前記端子に対して直接導電接触させると共に、その接触方向に加圧して弾性変形させ、その加圧状態で前記バンプ電極と前記端子の導電接触部分の周囲に封止樹脂を充填し、加圧により生じた前記バンプ電極の弾性変形状態が前記封止樹脂により保持されるように構成することを特徴とする。
【００２７】
本発明において、実装時の加圧により前記パンプ電極の弾性変形量を少なくとも−４０℃〜＋８０℃の温度範囲内において前記バンプ電極の弾性変形状態が維持される量とすることが好ましい。
【００２８】
本発明において、前記バンプ電極を未硬化状態若しくは半硬化状態の熱硬化性樹脂からなる前記封止樹脂を介して前記端子に押圧するように加圧し、前記バンプ電極が前記端子に対して直接導電接触した状態で前記封止樹脂を硬化させることが好ましい。
【００２９】
本発明において、前記パンプ電極の形成工程において、前記バンプ電極の頂部表面を平坦に形成することが好ましい。これによれば、バンプ電極と端子との接触面積を充分に確保することができるため、電気的信頼性をさらに向上できる。
【００３０】
本発明において、前記バンプ電極の形成工程において、前記バンプ電極の頂部表面を球面状に形成することが好ましい。これによれば、バンプ電極の弾性変形量Δｔの変化に応じて頂部表面の接触面の面積が急激に変化するため、当該接触面の幅（直径）や面積によってバンプ電極の弾性変形量Δｔを容易かつ正確に推定することが可能になる。また、バンプ電極の僅かな弾性変形量によって充分な接触面積を得ることができるため、電気的信頼性を高めることができる。
【００３１】
本発明において、前記基板及び前記端子は透明素材で構成されることが好ましい。これによって基板の裏面側からバンプ電極と端子の接触面を観察することが可能になるので、接触面の観察によってバンプ電極の弾性変形量を推定することができ、これによって弾性変形量の制御や管理を容易かつ正確に行うことができる。ここで、前記基板はガラス若しくは石英で構成され、前記端子はＩＴＯで構成されることが望ましい。これによって、バンプ電極の弾性変形量の精度及び弾性変形量による導電接触状態への影響度合を再現性良く得ることができる。
【発明の効果】
【００３２】
以上述べたように本発明により、弾性を有する内部樹脂をコアとし、その表面が導体膜で覆われたバンプ電極を利用することにより、低コストで、高い電気的信頼性を有する電子部品の実装構造を提供することができる。また、バンプ電極の弾性変形量Δｔを高精度に制御することによってさらに電気的信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
（電子部品の実装構造及び電気光学装置）
次に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る電子部品の実装構造および電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示す模式図である。
図示の液晶表示装置１００は、液晶パネル１１０と、電子部品（液晶駆動用ＩＣチップ）１２１とを有する。また、必要に応じて、図示しない偏光板、反射シート、バックライト等の付帯部材が適宜に設けられる。
【００３４】
液晶パネル１１０はガラスやプラスチックなどで構成される基板１１１及び１１２を備えている。基板１１１と基板１１２は相互に対向配置され、図示しないシール材などによって相互に貼り合わされている。基板１１１と基板１１２の間には図示しない電気光学物質である液晶が封入されている。基板１１１の内面上にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電体で構成された電極１１１ａが形成され、基板１１２の内面上には上記電極１１１ａに対向配置される電極１１２ａが形成されている。
【００３５】
電極１１１ａは同じ材質で一体に形成された配線１１１ｂに接続されて基板１１１に設けられた基板張出部１１１Ｔの内面上に引き出されている。基板張出部１１１Ｔは、基板１１１の端部において基板１１２の外形よりも外側に張り出した部分である。配線１１１ｂの先端は端子１１１ｂｘとなっている。電極１１２ａも同様に同じ材質で一体に形成された配線１１２ｂに接続され、図示しない上下導通部を介して基板１１１上の配線１１１ｃに導電接続されている。この配線１１１ｃも上記と同じＩＴＯで構成されている。配線１１１ｃは基板張出部１１１Ｔ上に引き出され、その先端は端子１１１ｃｘとなっている。基板張出部１１１Ｔの端縁近傍には入力配線１１１ｄが形成され、その内端部は端子１１１ｄｘとなり、端子１１１ｄｘは上記端子１１１ｂｘ及び１１１ｃｘと対向配置されている。入力配線１１１ｄの外端部は入力端子１１１ｄｙとして構成される。
【００３６】
基板張出部１１１Ｔ上には、未硬化状態（Ａステージ状態）若しくは半硬化状態（Ｂステージ状態）の熱硬化性樹脂で構成される封止樹脂１２２を介して電子部品１２１が実装される。この電子部品１２１は例えば液晶パネル１１０を駆動する液晶駆動用ＩＣチップである。電子部品１２１の下面には図示しない多数のバンプ電極が形成されており、これらのバンプ電極は基板張出部１１１Ｔ上の端子１１１ｂｘ，１１１ｃｘ，１１１ｄｘにそれぞれ導電接続される。
【００３７】
また、基板張出部１１１Ｔ上の上記入力端子１１１ｄｙの配列領域には、異方性導電膜１２４を介してフレキシブル配線基板１２３が実装される。入力端子１１１ｄｙは、フレキシブル配線基板１２３に設けられた、それぞれ対応する図示しない配線に導電接続される。そして、このフレキシブル配線基板１２３を介して外部から制御信号、映像信号、電源電位などが入力端子１１１ｄｙに供給される。入力端子１１１ｄｙに供給された制御信号、映像信号、電源電位などは電子部品１２１に入力され、ここで液晶駆動用の駆動信号が生成されて液晶パネル１１０に供給される。
【００３８】
以上のように構成された本実施形態の液晶表示装置１００によれば、電子部品１２１を介して電極１１１ａと電極１１２ａとの間に適宜の電圧が印加されることにより、両電極１１１ａ，１１２ａが対向配置される部分に構成される各画素毎に独立して光を変調させることができ、これによって液晶パネル１１０内の画素が配列された表示領域に所望の画像を形成することができる。
【００３９】
図２は、上記液晶表示装置１００における電子部品１２１の実装構造を拡大して示す拡大部分断面図である。電子部品１２１の表面（図示下面）にはＩＣ側端子として複数のバンプ電極１２１Ｂが設けられ、その先端は上記基板１１１の端子１１１ｂｘ、１１１ｃｘ，１１１ｄｘ（１１１ｃｘは図２には示していない。図１参照。以下同様）に直接導電接触している。バンプ電極１２１Ｂと端子１１１ｂｘ、１１１ｃｘ，１１１ｄｘとの間の導電接触部分の周囲には熱硬化性樹脂などで構成される硬化された封止樹脂１２２が充填されている。
【００４０】
図３は電子部品１２１の実装前の構造を示す拡大断面図であり、図４は電子部品１２１の実装後の実装構造を示す拡大断面図である。電子部品１２１は、例えばシリコン基板上に適宜の回路構成を形成してなる集積回路チップである。電子部品１２１の表面（図示下面）上には、アルミニウムなどで構成された端子電極１２１ａが形成され、その周りにはＳｉＯ２などの絶縁材料で構成されるパッシペーション膜などの保護膜１２１ｂが形成されている。すなわち、保護膜１２１ｂは、端子電極１２１ａを露出させた状態で電子部品１２１の表面を被覆している。
【００４１】
上記の保護膜１２１ｂ上における端子電極１２１ａから離れた位置には弾性を有する内部樹脂（バンプコア）１２１Ｂａが突起状に（電子部品１２１の表面から突出するように）形成される。この内部樹脂１２１Ｂａは、例えば保護膜１２１ｂの表面に弾性樹脂膜をコーティングし、その後エッチングなどのパターニング処理を行うことにより形成することができる。内部樹脂１２１Ｂａの表面には導電膜１２１Ｂｂが被覆している。この導電膜１２１Ｂｂは、端子電極１２１ａに導電接続されている。導電膜１２１Ｂｂは、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等の導電性金属を蒸着やスパッタリングなどによって成膜し、適宜のパターニング処理を適用することによって構成できる。また、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌなどで構成された下地の導電膜の表面をさらにＡｕメッキ等で被覆し、導電接触性を高めることも可能である。
【００４２】
上記のように構成された内部樹脂１２１Ｂａと導電膜１２１Ｂｂによって、電子部品１２１の表面上に突出するように形成された上記のバンプ電極１２１Ｂが構成される。このバンプ電極１２１Ｂは、表面上に台地状に突出形成されており、平坦な頂部１２１Ｂｐを備えている。バンプ電極１２１Ｂのより具体的な形状としては、円錐台形状、角錐台形状、円柱状、角柱状などが挙げられる。ここで、バンプ電極１２１Ｂのうち内部樹脂１２１Ｂａの高さをｔ′、バンプ電極１２１Ｂの頂部１２１Ｂｐの幅（或いは直径）をｗ′とする。
【００４３】
本実施形態において、上記のバンプ電極１２１Ｂは、封止樹脂１２２を介して基板１１１上の端子１１１ｂｘに熱圧着される。封止樹脂１２２は熱硬化性樹脂であり、実装前においては未硬化状態若しくは半硬化状態となっている。封止樹脂１２２が未硬化状態であれば、実装前に電子部品１２１の表面（図示下面）又は基板１１１の表面に塗布すればよく、また、封止樹脂１２２が半硬化状態であれば、フィルム状若しくはシート状として、電子部品１２１と基板１１１との間に介挿すればよい。封止樹脂１２２としてはエポキシ樹脂が一般的に用いられるが、他の樹脂でも同じ目的を達することができるものであれば良い。
【００４４】
電子部品１２１の実装は、図示しない加熱加圧ヘッドなどを用いて電子部品１２１を基板１１１上に加熱しながら加圧して行う。このとき、図４に示すように、封止樹脂１２２は初期において加熱によって軟化し、この軟化した樹脂を押し分けるようにしてバンプ電極１２１Ｂの頂部１２１Ｂｐが端子１１１ｂｘに導電接触する。そして、上記の加圧によって内部樹脂１２１Ｂａが押圧されて接触方向（図示上下方向）に弾性変形する。そして、この状態でさらに加熱を続けると封止樹脂１２２は架橋して熱硬化するので、加圧力を解放しても封止樹脂１２２によってバンプ電極１２１Ｂが端子１１１ｂｘに導電接触しつつ弾性変形した状態に保持されるようになる。このようにして電子部品１２１が実装された後の内部樹脂１２１Ｂａの高さｔは、実装前の内部樹脂の高さｔ′よりも小さくなる。また、実装後のバンプ電極１２１Ｂの幅ｗは、実装前の幅ｗ′よりも大きくなる。このとき、実装後のバンプ電極１２１Ｂは、その変形度合が弾性変形範囲内にあることにより、硬化した封止樹脂１２２によって電子部品１２１と基板１１１との間に及ぼされる圧縮力が何らかの方法により解除された場合には、実装前の形状にほぼ復帰する状態にある。
【００４５】
ここで、ガラスなどで構成される基板１１１及びＩＴＯなどで構成される端子１１１ｂｘは共に透明であるので、図５に示すように、基板１１１の裏面からバンプ電極１２１Ｂの頂部１２１Ｂｐと端子１１１ｂｘの導電接触面Ｓを視認することができる。したがって、基板１１１の裏面を観察することにより、実装後のバンプ電極１２１Ｂの頂部１２１Ｂｐの形状や幅を容易に知ることができる。この導電接触面Ｓの幅は、実装後のバンプ電極１２１Ｂの頂部１２１Ｂｐの幅ｗに等しく、実装前のバンプ電極１２１Ｂの頂部１２１Ｂｐの幅ｗ′よりも大きい。
【００４６】
通常、実装後のバンプ電極１２１Ｂの頂部１２１Ｂｐの幅ｗと、内部樹脂１２１Ｂａの弾性変形量Δｔ＝ｔ′−ｔとは、比例関係その他の正の相関を有するので、幅ｗを測定することによって弾性変形量Δｔを推定することができる。もっとも、サンプル実装後にサンプルを切断してその断面を顕微鏡などで観察することにより弾性変形量Δｔを直接測定することも可能である。一方、上記の弾性変形量Δｔは、上記実装時の加圧力Ｐを変えることによって調整することができる。図６には、実装時の加圧力（応力）Ｐと、弾性変形量Δｔ及び幅ｗとの関係を示す。図中の二点鎖線で示すように、幅ｗｘを求めて弾性変形量Δｔｘを推定することができる。また、実装時の加圧力Ｐと弾性変形量Δｔとの間には図示曲線で示すような関係があるので、予めこの関係を測定しておくことによって、実装時の弾性変形量Δｔを、加圧力Ｐを制御することによって調整することができる。なお、上記の弾性変形量Δｔは、温度Ｔによって変化するので、本明細書においては、或る温度（以下、単に「基準温度」という。）Ｔｏにおける弾性変形量とする。また、実装時の温度と基準温度とは異なってもよいことはもちろんであり、それを織り込んだ上で実装時の加圧力Ｐが設定される。
【００４７】
図７は、上記とは異なる形状のバンプ電極１２１Ｂ′を示す拡大断面図である。このバンプ電極１２１Ｂ′の頂部１２１Ｂｐ′は球面上の表面を備えている点で上記実施形態とは異なるが、その他の構成は全て同一であるので、同一部分の説明は省略する。このバンプ電極１２１Ｂ′は全体として半球状の形状を有している。なお、全体として半円筒状に構成されていてもよい。このバンプ電極１２１Ｂ′は、上記実施形態と同様に内部樹脂をパターニングした後に、加熱により内部樹脂を軟化させることによってその表面を凸曲面状に変形させることにより形成できる。また、感光性樹脂を塗布した後に、調整された露光分布で露光し、現像することによっても所望の形状の内部樹脂を得ることができる。
【００４８】
上記実施形態のように頂部１２１Ｂｐが平坦に構成されている場合には、導電接触面Ｓを大きくすることができるため、電気的信頼性を高めることができる。一方、図７に示すようにバンプ電極１２１Ｂ′の頂部１２１Ｂｐ′の表面が球面状であることにより、図８に示すように、実装後にはバンプ電極１２１Ｂ′の頂部１２１Ｂｐ′が押圧されて平坦になるため、この平坦になった頂部１２１Ｂｐ′の幅ｗの弾性変形量に対する変化率が大きくなる。したがって、図９に示すように、基板１１１の裏面から導電接触面Ｓ′を視認して幅ｗを観察したときに、幅ｗから弾性変形量Δｔをより正確に推定できる。すなわち、図６に点線で示すように、比較的小さな弾性変形量の領域において、加圧力及び弾性変形量に対する幅ｗの変化の傾きが大きくなるので、幅ｗを測定して弾性変形量Δｔを推定する際の精度を高めることができる。
【００４９】
また、バンプ電極１２１Ｂ′の頂部１２１Ｂｐ′が球面状に構成されていることにより、バンプ電極１２１Ｂ′の弾性変形量Δｔが比較的小さくても、導電接触面Ｓ′の面積をある程度確保することができるため、電気的信頼性の低下を抑制できるという利点もある。すなわち、通常、弾性変形量Δｔの変化に対する幅ｗの変化率を大きくしようとすると、一般には弾性変形量Δｔが小さい領域では導電接触面Ｓ′の面積が小さくなる傾向があるが、この構成例では球面状に構成された表面によって、図６の点線にて示すように、弾性変形量Δｔが小さいときには幅ｗの変化率が大きく、弾性変形量Δｔが大きくなるに従って幅ｗの変化率が減少していくため、弾性変形量Δｔが僅かであっても、ある程度の導電接触面積を確保することができるのである。
【００５０】
本実施形態では、上記バンプ電極１２１Ｂは、少なくとも通常の使用温度領域である−４０℃〜＋８０℃の温度範囲において、接触方向に弾性変形した状態となるように構成されている。すなわち、−４０℃〜＋８０℃の温度範囲内において適宜に設定した基準温度Ｔｏにおいて、上記実装構造における内部樹脂１２１Ｂａの高さをｔ、弾性変形量をΔｔとし、また、内部樹脂１２１Ｂａの熱膨張係数をα、封止樹脂１２２の熱膨張係数をα′としたとき、熱膨張係数α及びα′が温度に対して一定であるとすれば、上記温度範囲内の或る温度Ｔにおいて、内部樹脂１２１Ｂａの熱膨張量はα・ｔ・ΔＴ、内部樹脂１２１Ｂａの高さに対応する封止樹脂１２２の部分の熱膨張量は、α′・ｔ・ΔＴとなる。ここで、ΔＴ＝Ｔ−Ｔｏである。したがって、封止樹脂１２２の熱膨張量から内部樹脂１２１Ｂａの熱膨張量を減算した熱膨張量の差は、Δα・ｔ・ΔＴと表される。ここで、Δα＝α′−αである。
【００５１】
したがって、Δｔ>Δα・ｔ・ΔＴ・・・（１）が成立すれば、或る温度Ｔでは、熱膨張量の差Δα・ｔ・ΔＴが基準温度Ｔｏにおける弾性変形量Δｔよりも小さいことになるので、バンプ電極１２１Ｂが弾性変形した状態が維持されていることになる。この状況をより具体的に説明すると、例えば、或る温度Ｔが基準温度Ｔｏより高い温度である場合には、内部樹脂よりも封止樹脂の熱膨張係数が大きいとき（α<α′）であれば、熱膨張量の差Δα・ｔ・ΔＴは正であり、温度Ｔが高くなるほど増大し、また、内部樹脂よりも封止樹脂の熱膨張係数が小さいとき（α>α′）であれば、熱膨張量の差Δα・ｔ・ΔＴは負であり、温度Ｔが高くなるほど減少する。一方、或る温度Ｔが基準温度Ｔｏより低い温度である場合には、内部樹脂よりも封止樹脂の熱膨張係数が大きいとき（α<α′）であれば、熱膨張量の差Δα・ｔ・ΔＴは負であり、温度Ｔが低下するほど小さくなり、また、内部樹脂よりも封止樹脂の熱膨張係数が小さいとき（α>α′）であれば、熱膨張量の差Δα・ｔ・ΔＴは正であり、温度Ｔが低下するほど大きくなる。
【００５２】
本実施形態の場合、少なくとも−４０℃〜＋８０℃の範囲内で上記の式（１）が成立するように構成される。この関係を示すものが図１０である。図１０において、横軸は温度Ｔ［℃］であり、縦軸は上記の熱膨張量の差Δα・ｔ・ΔＴである。また、図中に示す弾性変形量Δｔは、基準温度Ｔｏにおけるバンプ電極１２１Ｂの弾性変形量である。一般に基準温度Ｔｏは上記温度範囲内の任意の温度でよいが、通常は常温領域の温度、例えば２０℃に設定される。ここで、図１０には、内部樹脂よりも封止樹脂の熱膨張係数が大きい場合Ａ（α<α′）と、内部樹脂よりも封止樹脂の熱膨張係数が小さい場合Ｂ（α>α′）とに分けてそれぞれグラフＡ，Ｂを描いてある。いずれの場合でも、グラフＡ，Ｂの傾きは熱膨張係数の差Δαの絶対値に比例する。内部樹脂と封止樹脂の熱膨張係数がほぼ同じであれば、グラフＡ，Ｂはほぼ水平になり、熱膨張量の差Δα・ｔ・ΔＴの絶対値は０に近づき、また、その温度依存性はほとんどなくなる。
【００５３】
上記のグラフＡ，Ｂではいずれも、少なくとも−４０℃〜＋８０℃の範囲内で熱膨張量の差Δα・ｔ・ΔＴが基準温度Ｔｏにおける弾性変形量Δｔ未満となっている。Ａ，Ｂいずれの場合でも、グラフの傾き、すなわち熱膨張係数の差Δαの絶対値がある程度小さければ、少なくとも上記温度範囲内でバンプ電極１２１Ｂの弾性変形状態を維持することは容易である。換言すれば、本実施形態では、或る基準温度Ｔｏにおけるバンプ電極１２１Ｂの弾性変形量Δｔを、少なくとも−４０℃〜＋８０℃の範囲内における熱膨張量の差Δα・ｔ・ΔＴよりも大きくなるように設定してある。この場合、内部樹脂と封止樹脂の熱膨張係数の差Δαが小さければ、弾性変形量Δｔを小さく設定することができるため、実装時における加圧力Ｐを小さく設定できる。
【００５４】
また、基準温度Ｔｏを上記温度範囲の下限（例えば−４０℃）としたときには、上記温度範囲の幅δＴ（例えば８０℃−（−４０℃）＝１２０℃）を用いると、上記温度範囲の上限において上記式（１）が成立すれば足りるため、Δｔ>Δα・ｔ・δＴ・・・（２）を用いることができる。この場合には、（２）の式を満たすことによって上記温度範囲の全てでバンプ電極１２１Ｂが弾性変形状態にあることになる。
【００５５】
この場合に、上記（２）の式では熱膨張係数の差Δαを用いているが、実際には、封止樹脂の熱膨張係数α′のみを用いて、Δｔ>α′・ｔ・δＴ・・・（３）が成立すれば、余裕を持ってより確実に導電接続状態を維持することができる。
【００５６】
また、内部樹脂１２１Ｂａの熱膨張係数αが封止樹脂１２２の熱膨張係数α′以上である場合、かつ、加熱加圧時における内部樹脂１２１Ｂａの膨張を抑える反発力が基準温度Ｔｏにおける内部樹脂１２１Ｂａの収縮力よりも大きい場合において、必ずバンプ電極の弾性変形状態が維持される。また、この場合では、或る温度において弾性変形量Δｔが得られているときには、当該或る温度を越える温度では必ずバンプ電極の弾性変形状態が維持される。例えば、上記のように温度範囲の下限温度において弾性変形量Δｔが設定される場合には、下限温度を越える全ての温度範囲においてバンプ電極の弾性変形状態が維持される。
逆に、内部樹脂の熱膨張係数αが封止樹脂の熱膨張係数α′以下である場合には、或る温度において弾性変形量Δｔが得られているときには、当該或る温度を下回る温度では必ずバンプ電極の弾性変形状態が維持されることになる。
【００５７】
一方、上記（１）の式は熱膨張係数α、α′の温度依存性がないとの前提で成立するものであり、熱膨張係数α、α′に温度依存性があり、その結果、Δαにも温度依存性がある場合には、上記（１）式を拡張して、以下の式を用いることができる。
【００５８】
【数２】
2005101527.tif 000004
すなわち、上記の熱膨張量の差Δα・ｔ・ΔＴの代わりに、Δα・ｔを温度Ｔに関して基準温度Ｔｏから或る温度Ｔ＝Ｔｏ＋ΔＴまで積分した値を用いればよい。また、この式においてΔＴの代わりにδＴを用いれば上記式（２）の拡張式となり、さらに、Δαの代わりにα′を、ΔＴの代わりにδＴを用いれば、上記（３）の式の拡張式を得ることができる。
【００５９】
上記の条件では、基準温度Ｔｏにおけるバンプ電極１２１Ｂの弾性変形量Δｔの下限値が上記温度範囲における熱膨張量の差Δα・ｔ・ΔＴによって定められている。したがって弾性変形量Δｔは大きいほどよいことになるが、実際には、弾性変形量Δｔには内部樹脂１２１Ｂａの初期高さｔ′を基準とする上限がある。例えば、弾性変形量Δｔを大きくしていくと、実装時の加圧力Ｐもまた大きくなるため、加圧力Ｐによって実装構造の一部が破壊されてしまう恐れがある。
【００６０】
一般に、加圧力Ｐ（応力）が２００［ＭＰａ］を越えると、例えば半導体ＩＣの場合には、保護膜１２１ｂやシリコン基板などが破壊される可能性が高くなる。このため、内部樹脂１２１Ｂａの圧縮弾性率をＥとしたとき、２００［ＭＰａ］・ｔ'／Ｅ>Δｔ・・・（４）の式が成立することが好ましい。すなわち、応力σ＝ε・Ｅ（εは歪）であるので、応力σに対応する歪ε＝σ／Ｅとなることから、ε・ｔ′＝σ・ｔ′／Ｅが応力σに対応する圧縮量となる。したがって、上記（４）の式を満足すれば、応力σ＝２００［ＭＰａ］に対応する圧縮量よりも弾性変形量Δｔが小さいことになり、その結果、実装構造の破壊を防止することができる。
【００６１】
なお、既に形成されている実装構造において上記（４）の式を求める場合に、弾性変形量Δｔが内部樹脂１２１Ｂａの高さに較べて充分に小さければ、初期高さｔ′を実装後の高さｔに代えてもほとんど影響はない。したがって、２００［ＭＰａ］・ｔ／Ｅ>Δｔ・・・（５）が成立すればよい。
【００６２】
次に、より詳細な実施例の構成について説明する。表１は、上記内部樹脂１２１Ｂａ，１２１Ｂａ′として使用可能な各種樹脂の圧縮弾性率を示す。また、表２には、上記（３）式を計算する際の参考計算条件を示す。
【００６３】
【表１】
2005101527.tif 000005
【００６４】
【表２】
2005101527.tif 000006
【００６５】
上記式（３）に表１に示す樹脂を内部樹脂として使用し、表２に示す参考計算条件を用いると、弾性変形量Δｔの上限値と下限値を求めることができる。その結果を表３に示す。
【００６６】
【表３】
2005101527.tif 000007
【００６７】
この結果によれば、内部樹脂の圧縮弾性率Ｅが１５０００ＭＰａ以下であれば、熱圧着時の２００ＭＰａ以下の加圧力Ｐでバンプ電極を弾性変形させることができる。一方、１００ＭＰａ以下では柔らかすぎてバンプ電極が大きく変形しすぎ、内部樹脂を被覆する導体膜が破断するなどの不具合が発生する恐れがあると共に、バンプ電極と端子との接触圧を充分に得ることが難しくなり、却って電気的信頼性が低下する。また、通常の加圧力Ｐでバンプ電極の弾性変形範囲を越えてしまう恐れもある。
【００６８】
ここで、内部樹脂の圧縮弾性率Ｅが１５０００ＭＰａの場合に比して、圧縮弾性率Ｅが４０００ＭＰａの樹脂の方が、さらには圧縮弾性率Ｅが２０００ＭＰａの樹脂の方が、熱圧着時により小さな荷重で弾性変形を生じさせることができるため、加工が容易になると共に、実装構造部の損傷も防止することができる。一般には、圧縮弾性率Ｅが３０００ＭＰａ以下であれば、無理な荷重を加えずに充分な弾性変形量Δｔを得ることができる。特に、圧縮弾性率Ｅが２０００ＭＰａ以下では、弾性変形量Δｔを余裕をもって設定することができる。
【００６９】
また、内部樹脂及び封止樹脂の熱膨張係数は、同系統の樹脂でも製造条件や添加物などで大きく変化するが、例えば、上記表１に示す樹脂のうち、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂などの比較的柔らかい樹脂では６０〜２００ｐｐｍ／℃程度の熱膨張係数を示し、エポキシ樹脂などの比較的硬い樹脂では１０〜６０ｐｐｍ／℃程度の熱膨張係数を示す。特に、内部樹脂と封止樹脂とを同程度の熱膨張係数を有する樹脂で構成することによって、上述のようにΔαを小さくすることができ、それによって広い温度範囲において確実にバンプ電極の弾性変形状態を維持しやすくなる。この場合に、内部樹脂と封止樹脂の双方にエポキシ樹脂を用いることができる。
【００７０】
なお、本実施形態においては、上記バンプ電極１２１Ｂは、−４０℃〜＋８０℃の使用温度領域において接触方向に弾性変形した状態となる構成を採用しているが、これを限定するものではない。当該上記バンプ電極１２１Ｂは、＋８０℃〜＋３００℃の温度領域で加熱、圧接されたものであってもよい。この場合、内部樹脂１２１Ｂａにおける圧接時の圧縮弾性率Ｅが１０ＭＰａ〜１００ＭＰａであることが好ましい。
このようにすれば、弾性変形状態を維持することのできる充分な弾性変形量が得られる。また、当該温度域においては、変形量が過大となることによる内部導体膜の破断等の不具合が生じることがなく、バンプ電極と端子との接触圧を充分に得ることができ、電気的信頼性が得られる。また、変形量を弾性変形範囲内にとどめることもできる。
【００７１】
（電子機器）
最後に、図１２及び図１３を参照して、本発明に係る電子機器の実施形態について説明する。この実施形態では、上記電気光学装置（液晶装置１００）を表示手段として備えた電子機器について説明する。図９は、本実施形態の電子機器における液晶装置１００に対する制御系（表示制御系）の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、表示情報出力源２９１と、表示情報処理回路２９２と、電源回路２９３と、タイミングジェネレータ２９４と、光源制御回路２９５とを含む表示制御回路２９０を有する。また、上記と同様の液晶装置１００には、上述の構成を有する液晶パネル１１０を駆動する駆動回路１１０Ｄが設けられている。この駆動回路１１０Ｄは、上記のように液晶パネル１１０に直接実装されている半導体ＩＣチップで構成される。ただし、駆動回路１１０Ｄは、上記のような態様の他に、パネル表面上に形成された回路パターン、或いは、液晶パネルに導電接続された回路基板に実装された半導体ＩＣチップ若しくは回路パターンなどによっても構成することができる。
【００７２】
表示情報出力源２９１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ２９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路２９２に供給するように構成されている。
【００７３】
表示情報処理回路２９２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１１０Ｄへ供給する。駆動回路１１０Ｄは、走査線駆動回路、信号線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路２９３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【００７４】
光源制御回路２９５は、外部から導入される制御信号に基づいて、電源回路２９３から供給される電力を照明装置１８０の光源部１８１（具体的には発光ダイオードなど）に供給する。この光源制御回路２９５は、上記制御信号に応じて光源部１８１の各光源の点灯／非点灯を制御する。また、各光源の輝度を制御することも可能である。光源部１８１から放出された光は導光板１８２を介して液晶パネル１１０へ照射される。
【００７５】
図１３は、本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話の外観を示す。この電子機器２０００は、操作部２００１と、表示部２００２とを有し、表示部２００２の内部に回路基板２１００が配置されている。回路基板２１００上には上記の液晶装置１００が実装されている。そして、表示部２００２の表面において上記液晶パネル１１０を視認できるように構成されている。
【００７６】
なお、本発明の上記電気光学装置は、図示例のようなパッシブマトリクス型の液晶表示装置だけではなく、アクティブマトリクス型の液晶表示装置（例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶表示装置）にも同様に適用することが可能である。また、液晶表示装置だけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明に係る実施形態の液晶表示装置の構造を模式的に示す概略斜視図。
【図２】本発明に係る実施形態の実装構造を拡大して示す拡大断面図。
【図３】実装前の構造をさらに拡大して示す拡大断面図。
【図４】実装後の構造をさらに拡大して示す拡大断面図。
【図５】実装後の導電接触面の形状を示す平面図。
【図６】バンプ電極の弾性変形量Δｔ及び頂部の幅ｗの加圧力Ｐ依存性を示すグラフ。
【図７】異なる形状のバンプ電極を示す拡大断面図。
【図８】異なる形状のバンプ電極を有する実装構造を示す拡大断面図。
【図９】異なる形状のバンプ電極を有する実装構造の導電接触面を示す平面図。
【図１０】熱膨張量の差Δα・ｔ・ΔＴの温度Ｔ依存性を示すグラフ。
【図１１】従来の実装構造を示す拡大断面図。
【図１２】電気光学装置を備えた電子機器の表示制御系を示す概略構成図。
【図１３】電子機器の概略斜視図。
【符号の説明】
【００７８】
１００…液晶表示装置、１１０…液晶パネル、１１１，１１２…基板、１１１ａ，１１２ａ…電極、１１１ｂ、１１２ｂ、１１１ｃ…配線、１１１ｄ…入力配線、１１１ｂｘ、１１１ｃｘ、１１１ｄｘ…端子、１２１…電子部品（ＩＣチップ）、１２１Ｂ…バンプ電極、１２１Ｂａ…内部樹脂、１２１Ｂｂ…導電膜、１２２…封止樹脂
【図１】
2005101527.tif 000009
【図２】
2005101527.tif 000010
【図３】
2005101527.tif 000011
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005101527.tif 000015
【図８】
2005101527.tif 000016
【図９】
2005101527.tif 000017
【図１０】
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【図１１】
2005101527.tif 000019
【図１２】
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【図１３】
2005101527.tif 000021