(57)【要約】【課題】光強度分布の時間平均が最大となる場所を活性層と一致させることで、従来よりも高効率、且つ閾電流を低減した面発光型の半導体レーザ用エピタキシャルウェハを提供すること。【解決手段】基板１上に、少なくとも第１導電型の第１のクラッド層３、活性層４、および第２導電型の第２のクラッド層５とがエピタキシャル成長されて成り、且つ前記第１のクラッド層３の膜厚をｄ1、前記第２のクラッド層５の膜厚をｄ2、前記第１のクラッド層３の屈折率をｎ1、前記第２のクラッド層５の屈折率をｎ2としたとき、下記の式    （ｄ1／ｎ1）＝（ｄ2／ｎ2）が成立する構成とする。【選択図】      図１
2005310938.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも第１導電型の第１のクラッド層、活性層、および第２導電型の第２のクラッド層とがエピタキシャル成長されて成り、且つ前記第１のクラッド層の膜厚をｄ1、前記第２のクラッド層の膜厚をｄ2、前記第１のクラッド層の屈折率をｎ1、前記第２のクラッド層の屈折率をｎ2としたとき、下記の式
（ｄ1／ｎ1）＝（ｄ2／ｎ2）
が成立することを特徴とする半導体レーザ用エピタキシャルウェハ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体レーザ用エピタキシャルウェハにおいて、
第１のクラッド層と基板との間に第１の反射鏡が、第２のクラッド層の上に第２の反射鏡が設けられ、また、電流注入のための電極として基板に下部電極が、第２の反射鏡に上部電極が形成されていることを特徴とする半導体レーザ用エピタキシャルウェハ。
【請求項３】
請求項２記載の半導体レーザ用エピタキシャルウェハにおいて、
第２の反射鏡と上部電極の間に、オーミックコンタクトをとるためのコンタクト層が設けられていることを特徴とする半導体レーザ用エピタキシャルウェハ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ用エピタキシャルウェハにおいて、
前記活性層が、III族元素としてガリウム、インジウム、アルミニウムのうち少なくとも１種類の元素を用い、且つＶ族元素として燐、砒素、窒素、アンチモンのうち少なくとも１種類の元素を用いた、少なくとも１層の化合物半導体層を含むことを特徴とする半導体レーザ用エピタキシャルウェハ。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ用エピタキシャルウェハにおいて、
前記活性層が、III族元素としてガリウムおよびインジウムを含み、Ｖ族元素として窒素および砒素を同時に含むことを特徴とする半導体レーザ用エピタキシャルウェハ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の半導体レーザ用エピタキシャルウェハを切り分けることにより作製されたことを特徴とする半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ用エピタキシャルウェハ及び半導体レーザに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）と呼ばれる面発光型レーザが注目されている。ＶＣＳＥＬは、従来構造の端面発光型レーザと比較すると、低閾電流、低消費電力、高効率、円形狭広がり角出射光、高速変調が可能、集積化および実装が容易、ウェハ単位での性能試験が可能という多くの利点を持つことから、将来、光通信分野に欠かせないデバイスになると期待されている。
【０００３】
以下、ＶＣＳＥＬの基本構造を簡単に説明する。第１の導電型を有する半導体基板上に、第１の導電型を有する第１の反射鏡、第１の導電型を有する第１のクラッド層、活性層、第２の導電型を有する第２のクラッド層、第２の導電型を有する第２の反射鏡が順次形成されている。基板の下面および第２の導電型を有する反射鏡の上面には電極が形成され、この電極から第１および第２の反射鏡、第１および第２のクラッド層を通し、活性層への電流注入を行う。注入された電流は発光再結合により光へと変換される。光は第１および第２の反射鏡によって、第１および第２のクラッド層と活性層からなる領域に閉じ込められて共振し、レーザ発振する。このとき、レーザ発振する波長の光は、第１および第２のクラッド層と活性層からなる領域において定在波となり、且つ定在波の腹がちょうど活性層の位置となる。
【０００４】
定在波の腹は光の強度分布の時間平均が最大である場所を意味する。すなわち、定在波の腹が活性層に位置することは、活性層へと強い光閉じ込めを意味する。この強い光閉じ込めにより、高効率、且つ低閾電流のレーザが実現することが可能となる。
【０００５】
この原理については、例えば伊賀健一、小山二三夫著「面発光レーザの基礎と応用」（共立出版、１９９９年）に詳細が記載されている。
【０００６】
より現実的な構造では、オーミックコンタクトをとるために、第２の反射鏡と電極の間にコンタクト層を設けたり、閾電流密度を下げるために、プロトン注入による高抵抗領域や酸化電流狭窄層等を設けたりするが、基本的なレーザ発振の原理および構造は前述のとおりである。
【０００７】
なお文献によるＶＣＳＥＬの構造例としては、ＩｎＧａＡｌＰ多重量子井戸活性層をＧａＡｌＡｓ多層膜ＤＢＲミラー（ブラッグ反射器）で挟んだ赤色面発光レーザ（例えば、非特許文献１参照）や、発光活性層をＡｌＧａＡｓから成る第１のクラッド層と第２のクラッド層で挟み、さらにＡｌＡｓとＧａＡｓから成る第１のブラッグ反射器と第２のブラッグ反射器で挟んだ構造の面発光レーザ（例えば、特許文献１参照）がある。
【非特許文献１】東芝レビューＶｏｌ．５６Ｎｏ．１０（２００１）、ｐ．３６−３８
【特許文献１】特開平８−２１３６９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、既存のＶＣＳＥＬにおいては、第１および第２のクラッド層には同じ材料を用い、且つ厚さも同じとされている。この場合、第１および第２のクラッド層が同じ屈折率を有する場合には、活性層に前述の定在波の腹が位置し、レーザ発振する。
【０００９】
しかしながら、一般に、ＶＣＳＥＬでは第１および第２のクラッド層の電気特性は相反するように形成されている。例えば、第１のクラッド層がｎ型化合物半導体であれば、第２のクラッド層はｐ型化合物半導体で形成され、第１のクラッド層がｐ型化合物半導体であれば、第２のクラッド層はｎ型化合物半導体で形成される。このとき、同じ材料であってもｐ型とｎ型とでは屈折率が異なることが、例えば永井治男、安達定雄、福井孝志共著、「III−Ｖ族半導体混晶」（コロナ社、１９８８年）によって公知である。本書によると、自由キャリア数ΔＮの変化による屈折率変化Δｎは次式で与えられる。
【００１０】
Δｎ＝（−ΔＮｅ2）／（２nmε0ω2）
ｅ：電子の素電荷、ｎ：屈折率、ｍ：有効質量、ε0：真空の誘電率、ω：光の振動数
第１および第２のクラッド層には熱的に励起された自由キャリアが存在するため、屈折率が変化している。このとき、第１及び第２のクラッド層の電気特性は相反するため、一方のクラッド層では電子、もう一方の層ではホールがそれぞれキャリアとして支配的になる。
【００１１】
一般に、電子とホールは有効質量が大きく異なり、例えばＧａＡｓ中においては、電子の有効質量は０．０６７ｍe、ホールの質量は０．４５ｍe（ｍe：電子の質量）となる。したがって、電子がキャリアとして支配的な層と、ホールがキャリアとして支配的な層とでは、屈折率変化Δｎが異なることになる。以上から、一般的に第１および第２のクラッド層で屈折率が異なることは明らかである。
【００１２】
なお、化合物半導体の電子およびホールの有効質量については、例えば、前述の永井治男、安達定雄、福井孝志共著、「III−Ｖ族半導体混晶」（コロナ社、１９８８年）ｐ．５７に詳細が記載されている。
【００１３】
このように、第１及び第２のクラッド層の物理的な厚さが等しく、且つ屈折率が異なる場合には、前述の定在波の腹は活性層からずれてしまい、光閉じ込めが弱くなる。このことは閾電流増加の原因となるだけではなく、場合によってはレーザ発振そのものが不可能となる。
【００１４】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、光強度分布の時間平均が最大となる場所を活性層と一致させることで、従来よりも高効率、且つ閾電流を低減した面発光型の半導体レーザ用エピタキシャルウェハを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１６】
請求項１の発明に係る半導体レーザ用エピタキシャルウェハは、基板上に、少なくとも第１導電型の第１のクラッド層、活性層、および第２導電型の第２のクラッド層とがエピタキシャル成長されて成り、且つ前記第１のクラッド層の膜厚をｄ1、前記第２のクラッド層の膜厚をｄ2、前記第１のクラッド層の屈折率をｎ1、前記第２のクラッド層の屈折率をｎ2としたとき、下記の式
（ｄ1／ｎ1）＝（ｄ2／ｎ2）
が成立することを特徴とする。
【００１７】
請求項２の発明に係る半導体レーザ用エピタキシャルウェハは、請求項１記載の半導体レーザ用エピタキシャルウェハにおいて、第１のクラッド層と基板との間に第１の反射鏡が、第２のクラッド層の上に第２の反射鏡が設けられ、また、電流注入のための電極として基板に下部電極が、第２の反射鏡に上部電極が形成されていることを特徴とする。
【００１８】
請求項３の発明に係る半導体レーザ用エピタキシャルウェハは、請求項２記載の半導体レーザ用エピタキシャルウェハにおいて、第２の反射鏡と上部電極の間に、オーミックコンタクトをとるためのコンタクト層が設けられていることを特徴とする。
【００１９】
請求項４の発明に係る半導体レーザ用エピタキシャルウェハは、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ用エピタキシャルウェハにおいて、前記活性層が、III族元素としてガリウム、インジウム、アルミニウムのうち少なくとも１種類の元素を用い、且つＶ族元素として燐、砒素、窒素、アンチモンのうち少なくとも１種類の元素を用いた、少なくとも１層の化合物半導体層を含むことを特徴とする。
【００２０】
請求項５の発明に係る半導体レーザ用エピタキシャルウェハは、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ用エピタキシャルウェハにおいて、前記活性層が、III族元素としてガリウムおよびインジウムを含み、Ｖ族元素として窒素および砒素を同時に含むことを特徴とする。
【００２１】
請求項６の発明に係る半導体レーザは、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体レーザ用エピタキシャルウェハを切り分けることにより作製されたことを特徴とする。
【００２２】
＜発明の要点＞
既に触れたように、第１及び第２のクラッド層の物理的な厚さが等しく、且つ屈折率が異なる場合には、前述の定在波の腹は活性層からずれてしまい、光閉じ込めが弱くなる。このことは閾電流増加の原因となるだけではなく、場合によってはレーザ発振そのものが不可能となる。
【００２３】
この現象について説明するに、光は、屈折率が異なる媒質中においては物理的な長さが同じであっても、光学的な長さが異なるという性質を有する。具体的には、光学的長さは、物理長さを屈折率で割った値で与えられる。このため、第１および第２のクラッド層の物理的な厚さが等しく、且つ屈折率が異なる場合には、活性層から第１の反射鏡への光学的距離と、活性層から第２の反射鏡への光学的距離が異なり、活性層は光学的距離で見ると第１及び第２の反射鏡の中心には位置しない。このため、前述の定在波の腹、すなわち光の強度分布の時間平均が最大となる場所は、活性層からずれた位置に存在することになり、活性層への光閉じ込めは弱くなってしまう。
【００２４】
そこで、本発明では、光強度分布の時間平均が最大となる場所を活性層とするため、第１および第２のクラッド層の光学的な厚さを等しくする。すなわち、第１のクラッド層の膜厚をｄ1、第２のクラッド層の膜厚をｄ2、第１のクラッド層の屈折率をｎ1、第２のクラッド層の屈折率をｎ2としたとき、下記の式
（ｄ1／ｎ1）＝（ｄ2／ｎ2）
が成立する構成にする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の半導体レーザ用エピタキシャルウェハにおいては、第１のクラッド層の膜厚をｄ1（単位ナノメートル）、第２のクラッド層の膜厚をｄ2（単位ナノメートル）、第１のクラッド層の屈折率をｎ1、第２のクラッド層の屈折率をｎ2としたとき、下記の式
（ｄ1／ｎ1）＝（ｄ2／ｎ2）
が成立する構成にする。従って、本発明の半導体レーザ用エピタキシャルウェハによれば、定在波の腹、すなわち光の強度分布の時間平均が最大となる場所が、活性層に位置するので、従来よりも高効率、且つ閾電流を低減した面発光型の半導体レーザ用エピタキシャルウェハを提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明する。
【００２７】
本発明に関わる半導体素子は、図１に示すように、所定の基板１上に、少なくとも第１導電型の第１のクラッド層３、および活性層４、および第２導電型の第２のクラッド層５とがエピタキシャル成長されている。このとき、第１のクラッド層３の膜厚をｄ1（単位ナノメートル）、第２のクラッド層５の膜厚をｄ2（単位ナノメートル）、第１のクラッド層３の屈折率をｎ1、第２のクラッド層５の屈折率をｎ2としたとき、下記の式
（ｄ1／ｎ1）＝（ｄ2／ｎ2）
が成立するように形成される。
【００２８】
第１のクラッド層３と基板１の間には第１の反射鏡２が、第２のクラッド層５の上には第２の反射鏡６が設けられ、また電流注入のための電極として基板に下部電極１５が、第２の反射鏡６に上部電極１６が形成される。必要に応じ、第２の反射鏡６と上部電極１６の間には、オーミックコンタクトをとるためのコンタクト層７を設けることができる。また、閾電流密度を下げるために、プロトン注入による高抵抗領域や酸化電流狭窄層を設けたりすることも可能である。
【００２９】
上下の電極１５、１６から活性層４へ第１および第２の反射鏡２、６、第１および第２のクラッド層３、５を通し、活性層４へと注入された電流は、活性層４において発光再結合により光へと変換される。光は第１および第２の反射鏡２、６によって、第１及び第２のクラッド層３、５と活性層４からなる領域に閉じ込められて共振し、レーザ発振する。このとき、上記の式が成立することにより、素子内において活性層４へと強い光閉じ込めが行われ、より高効率、且つ閾電流が低い面発光レーザを実現することが可能となる。
【００３０】
このとき、前記活性層４を構成する材料は、III族元素としてガリウム、インジウム、アルミニウムのうち少なくとも１種類の元素を、Ｖ族元素として燐、砒素、窒素、アンチモンのうち少なくとも１種類の元素を用いることができる。
【００３１】
さらに、上記活性層は、III族元素としてガリウムおよびインジウムを含み、Ｖ族元素として窒素および砒素を同時に含むことことが可能であり、いわゆるＧａＩｎＮＡｓ系材料を用いることが可能である。
【実施例】
【００３２】
本発明の実施例として、図１に示す構造の面発光型半導体レーザ用エピタキシャルウェハ（ウェハＡ）を試作した。
【００３３】
このウェハＡは、第１導電型の半導体基板としてのＳｉドープｎ型ＧａＡｓ基板１上に、第１導電型の第１の反射鏡としての下部多層反射膜２、第１導電型の第１のクラッド層としてのＳｉドープｎ型ＧａＡｓクラッド層３、アンドープＧａＩｎＮＡｓ活性層４、第２導電型の第２のクラッド層としてのＺｎドープｐ型ＧａＡｓクラッド層５、第２導電型の第２の反射鏡としての上部多層反射膜６が順次形成されている。基板１の下面にはＡｕＧｅＮｉ下部電極１５が、また第２の導電型を有する第２の反射鏡の上面にはＡｕＺｎ上部電極１６が形成されて、面発光型半導体レーザが構成される。
【００３４】
詳述するに、この実施例では、Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＡｓ基板１上に、厚さ９８nmのＳｉドープｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ層と厚さ１０７nmのＳｉドープｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層を交互に３０周期積層した下部多層反射膜２、厚さ１８４nmのＳｉドープｎ型ＧａＡｓクラッド層３、厚さ１０nmのアンドープＧａ0.72Ｉｎ0.28Ｎ0.01Ａｓ0.99活性層４、厚さ１９０nmのＺｎドープｐ型ＧａＡｓクラッド層５、厚さ１１０１nmのＺｎドープｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ層と厚さ１１０nmのＺｎドープｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層を交互に２５周期積層した上部多層反射膜６、厚さ２０nmのＺｎドープｐ型ＧａＡｓコンタクト層７を、この順に有機金属気相成長法により成長し、ウェハＡを得た。
【００３５】
ここで、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓクラッド層３と同じ成長条件で厚さ約１００nmのＳｉドープｎ型ＧａＡｓをエピタキシャル成長し、分光エリプソメトリにて屈折率を測定したところ、その値は３．５５９あった。
【００３６】
同様に、Ｚｎドープｐ型ＧａＡｓクラッド層５と同じ成長条件で厚さ約１００nmのＺｎドープｐ型ＧａＡｓをエピタキシャル成長し、分光エリプソメトリにて屈折率を測定したところ、その値は３．４４７であった。
【００３７】
この結果から、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓクラッド層３は厚さ１９０nm、屈折率３．５５９であり、Ｚｎドープｐ型ＧａＡｓクラッド層５は厚さ１８４nm、屈折率３．４４７であるといえる。このとき、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓクラッド層３とＺｎドープｐ型ＧａＡｓクラッド層５のそれぞれについて、厚さを屈折率で割った値を計算すると
Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓクラッド層３：  １９０nm÷３．５５９＝５３．４nm、
Ｚｎドープｐ型ＧａＡｓクラッド層５：  １８４nm÷３．４４７＝５３．４nm、
となる。
【００３８】
一方、比較例として、図２に示す従来型の構造の面発光型半導体レーザ用エピタキシャルウェハ（ウェハＢ）を試作した。これは、第１導電型の半導体基板としてのＳｉドープｎ型ＧａＡｓ基板８上に、第１導電型の第１の反射鏡としての下部多層反射膜９、第１導電型の第１のクラッド層としてのＳｉドープｎ型ＧａＡｓクラッド層１０、アンドープＧａＩｎＮＡｓ活性層１１、第２導電型の第２のクラッド層としてのＺｎドープｐ型ＧａＡｓクラッド層１２、第２導電型の第２の反射鏡としての上部多層反射膜１３が順次形成したもの（ウェハＢ）であり、基板８の下面にはＡｕＧｅＮｉ下部電極１５が、また第２の導電型を有する第２の反射鏡の上面にはＡｕＺｎ上部電極１６が形成されて、面発光型半導体レーザが構成される。
【００３９】
具体的には、ウェハＡと同様に、Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＡｓ基板上８に、厚さ９８nmのＳｉドープｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ層と厚さ１０７nmのＳｉドープｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層を交互に３０周期積層した下部多層反射膜９、厚さ１９０nmのＳｉドープｎ型ＧａＡｓクラッド層１０、厚さ１０nmのＧａ0.72Ｉｎ0.28Ｎ0.01Ａｓ0.99活性層１１、厚さ１９０nmのＺｎドープｐ型ＧａＡｓクラッド層１２、厚さ９５ｍのＺｎドープｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ層と厚さ１０８nmのＺｎドープｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層を交互に２５周期積層した上部多層反射膜１３、厚さ２０nmのＺｎドープｐ型ＧａＡｓコンタクト層１４を順に有機金属気相成長法により成長し、ウェハＢを得た。
【００４０】
このとき、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓクラッド層１０とＺｎドープｐ型ＧａＡｓクラッド層１１のそれぞれについて、厚さを屈折率で割った値を計算すると、
Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓクラッド層１０：  １９０nm÷３．５５９＝５３．４nm、
Ｚｎドープｐ型ＧａＡｓクラッド層１２：  １９０nm÷３．４４７＝５５．１nm、
となる。
【００４１】
このようにして得られたウェハＡおよびウェハＢを切り分けることにより、それぞれ３００μｍ角のチップへと加工し、金・ゲルマニウム・ニッケル合金（ＡｕＧｅＮｉ）からなる下部電極１５、および金・亜鉛合金（ＡｕＺｎ）からなる上部電極１６を形成した。上部電極１６は直径１０μｍの円状の窓を持つリング電極である。また、上部電極１６の形成部の下に位置する上部多層反射膜６および１３の一部はあらかじめ選択酸化し、電流狭窄が行われるように形成した。さらに上部電極１６には金（Ａｕ）ワイヤー１７をボンディングし、垂直共振器を有する面発光レーザＡおよびＢを得た。
【００４２】
前述の計算結果から明らかなように、面発光レーザＡは本発明に関わる半導体レーザであり、面発光レーザＢは従来型の半導体レーザである。
【００４３】
これらのレーザの電流−電圧特性を調べたところ、図３に示すような特性が得られた。図３は横軸に電流を単位［ｍＡ］にて、また縦軸に光強度を任意単位［ａ．ｕ．］にて示してある。図３から、本発明に関わる面発光レーザＡは、従来型の面発光レーザＢに対し、曲線の立ち上がりが図の左側に位置しており、閾値電流が低いことが明らかである。また、本発明に関わる面発光レーザＡは、従来型の面発光レーザＢよりも、電流−電圧特性の立ち上がりが急峻であることがわかる。これは、本発明に関わる面発光レーザＡは、従来型の面発光レーザＢよりも高効率であることを意味している。
【００４４】
以上から、本発明によって、従来型の面発光レーザよりも高効率、且つ低閾値な面発光レーザを提供することができた。
【００４５】
＜他の実施例、変形例＞
本発明に関わる発光素子は必ずしも単独のチップ形状で用いる必要はなく、必要に応じてレーザダイオードアレイとしてもよい。
【００４６】
また本発明に関わる第１及び第２のクラッド層の材料は必ずしも同じである必要はなく、第１のクラッド層の屈折率をｎ1、前記第２のクラッド層の屈折率をｎ2としたとき、下記の式
（ｄ1／ｎ1）＝（ｄ2／ｎ2）
が成立するのであれば、異なる材料を用いることが可能である。
【００４７】
本発明に関わる発光素子の活性層は、必ずしもＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＧａＩｎＮＡｓ系材料である必要はなく、例えばＧａＮ系、ＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｓＰ系等の材料を用いることが可能である。
【００４８】
本発明に関わる発光素子における反射鏡は、必ずしもＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系材料である必要はなく、例えばＧａＮ系、ＡｌＧａＮ系材料であってもよい。
【００４９】
本発明に関わる発光素子は、例えば光通信用のレーザダイオードへと応用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施例に関わる面発光型半導体レーザの模式的な断面図である。
【図２】従来型の面発光型半導体レーザの模式的な断面図である。
【図３】本発明の実施例に関わる面発光型半導体レーザおよび従来型の面発光型半導体レーザの電流−電圧特性を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓ基板
２  第１の反射鏡（下部多層反射膜）
３  第１導電型の第１のクラッド層（Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓクラッド層）
４  活性層（アンドープＧａＩｎＮＡｓ活性層）
５  第２導電型の第２のクラッド層（Ｚｎドープｐ型ＧａＡｓクラッド層）
６  第２の反射鏡（上部多層反射膜）
７  コンタクト層（Ｚｎドープｐ型ＧａＡｓコンタクト層）
１５  下部電極（ＡｕＧｅＮｉ下部電極）
１６  上部電極（ＡｕＺｎ上部電極）
１７  金ワイヤー
【図１】
2005310938.tif 000003
【図２】
2005310938.tif 000004
【図３】
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