(57)【要約】【課題】熱伝導性が良好な樹脂組成物を提供する。【解決手段】熱伝導シート４は、ゲストである無機粉末フィラー３０２をマトリックスである樹脂３０１に充填した構造を有する樹脂硬化物である。無機粉末フィラー３０２を結合する有機バインダとして機能する樹脂３０１は、ポリベンゾビスオキサゾールからなる。当該ポリベンゾビスオキサゾールのオキサゾール環（ベンゾオキサゾール環）が閉環する前の前駆体はジメチルアセトアミドや水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液等の溶剤に可溶である。【選択図】図２
2005263977.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱伝導体に使用される樹脂組成物であって、
無機粉末フィラーと、
前記無機粉末フィラーを結合する有機バインダ樹脂と、
を含み、
前記有機バインダ樹脂が一般式（１）で表されるポリベンゾビスオキサゾールを含み、
当該ポリベンゾビスオキサゾールは、オキサゾール環が閉環する前の前駆体が溶剤に可溶であることを特徴とする樹脂組成物。
【化１】
2005263977.tif 000009
ただし、一般式（１）においては、
(a)基ＸがＣＦ3であり、ｌ＝ｍ＝０，ｎ＝５０〜３００の整数；
(b)基ＸがＨであり、ｌ＝１，ｍ＝０，ｎ＝５０〜３００の整数；または
(c)基ＸがＨであり、ｌ＝０，ｍ＝１，ｎ＝５０〜３００の整数；
のいずれかである。
【請求項２】
請求項１に記載の樹脂組成物において、
前記ポリベンゾビスオキサゾールの分子構造が、一般式（１）において、基ＸがＣＦ3であり、ｌ＝ｍ＝０，ｎ＝５０〜３００の整数である式（２）で表されることを特徴とする樹脂組成物。
【化２】
2005263977.tif 000010
【請求項３】
熱伝導シートであって、
請求項１または請求項２に記載の樹脂組成物からなり、
前記無機粉末フィラーが前記有機バインダ樹脂の硬化物に充填されていることを特徴とする熱伝導シート。
【請求項４】
半導体装置であって、
半導体チップを含む発熱部と、
前記発熱部において発生した熱を雰囲気中に放熱する放熱部と、
前記発熱部から前記放熱部への熱の伝達を行う熱伝導部と、
を備え、
前記熱伝導部が請求項１または請求項２に記載の樹脂組成物からなる熱伝導体を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
熱伝導体の製造方法であって、
オキサゾール環が閉環する前のポリベンゾビスオキサゾールの前駆体を溶剤に溶解させたワニスに無機粉末フィラーを充填してスラリーとするスラリー化工程と、
前記スラリー中の前記溶剤を除去して、前記前駆体と前記無機粉末フィラーとを含む固形物を得る除去工程と、
前記固形物に含まれる前記前駆体のオキサゾール環を閉環して前記ポリベンゾビスオキサゾールと前記無機粉末フィラーとを含む硬化物を得る硬化工程と、
を備えることを特徴とする熱伝導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物、当該樹脂組成物からなる熱伝導シート、当該樹脂組成物からなる熱伝導体を備える半導体装置および当該樹脂組成物からなる熱伝導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、特許文献１ないし特許文献２に示すように、結晶シリカやアルミナ等に代表される高熱伝導性の無機粉末フィラーをエポキシ等のバインダ樹脂に高充填することにより、熱伝導性が良好な樹脂組成物を得ることが行われている。このような樹脂組成物において熱伝導性をさらに向上する方法としては、無機粉末フィラーの充填率の向上、無機粉末フィラーの熱伝導率の向上およびバインダ樹脂の熱伝導率の向上等の方法がある。
【０００３】
これらの方法のうち、無機粉末フィラーの充填率の向上については、例えば、アルミナ粉末を９０重量％充填した樹脂組成物で約６Ｗ／ｍＫの熱伝導率が現状で得られており、当該方法による樹脂組成物の熱伝導率の向上の余地は小さくなりつつある。
【０００４】
また、樹脂組成物の熱伝導率における無機粉末フィラーの熱伝導率の寄与は小さいため、無機粉末フィラーの熱伝導率の向上による樹脂組成物の熱伝導率の大幅な向上も難しい。例えば、充填材である無機粉末フィラーをバインダ樹脂に約６０体積部充填した場合において、充填材の熱伝導率を５倍に向上しても、樹脂組成物の熱伝導率は理論的には約１．２倍にしかならない。
【０００５】
これらの理由により、樹脂組成物の熱伝導率の大幅な向上を期待できる、バインダ樹脂の熱伝導率の向上が検討されている。例えば、非特許文献１には、バインダ樹脂として高熱伝導性エポキシ樹脂を用いる技術が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平５−５５４１３号公報
【特許文献２】特開２００３−１１９０１０号公報
【非特許文献１】「高熱伝導性エポキシ樹脂の高次構造」液晶 Vol.7 No.4 2003
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
パワーモジュール等の半導体チップの大容量化やコンパクト化が進むことにより、チップからの発熱量が増大する。この場合、チップの熱を放熱するためには樹脂組成物の熱伝導率が約１Ｗ／ｍＫでは足りなくなる。
【０００８】
本発明は、この問題を解決するためになされたもので、熱伝導性が良好な樹脂組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、熱伝導体に使用される樹脂組成物であって、無機粉末フィラーと、前記無機粉末フィラーを結合する有機バインダ樹脂とを含み、前記有機バインダ樹脂が一般式（１）で表されるポリベンゾビスオキサゾールを含み、当該ポリベンゾビスオキサゾールは、オキサゾール環が閉環する前の前駆体が溶剤に可溶であることを特徴とする。
【００１０】
【化１】
2005263977.tif 000003
【００１１】
ただし、一般式（１）においては、
(a)基ＸがＣＦ3であり、ｌ＝ｍ＝０，ｎ＝５０〜３００の整数；
(b)基ＸがＨであり、ｌ＝１，ｍ＝０，ｎ＝５０〜３００の整数；または
(c)基ＸがＨであり、ｌ＝０，ｍ＝１，ｎ＝５０〜３００の整数；
のいずれかである。
【００１２】
請求項３の発明は、熱伝導シートであって、請求項１または請求項２に記載の樹脂組成物からなり、前記無機粉末フィラーである等方性熱伝導体粉末が前記有機バインダ樹脂の硬化物に充填されていることを特徴とする。
【００１３】
請求項４の発明は、半導体装置であって、半導体チップを含む発熱部と、前記発熱部において発生した熱を雰囲気中に放熱する放熱部と、前記発熱部から前記放熱部への熱の伝達を行う熱伝導部とを備え、前記熱伝導部が請求項１または請求項２のいずれかに記載の樹脂組成物からなる熱伝導体を備えることを特徴とする。
【００１４】
請求項５の発明は、熱伝導体の製造方法であって、オキサゾール環が閉環する前のポリベンゾビスオキサゾールの前駆体を溶剤に溶解させたワニスに無機粉末フィラーを充填してスラリーとするスラリー化工程と、前記スラリー中の前記溶剤を除去して、前記前駆体と前記無機粉末フィラーとを含む固形物を得る除去工程と、前記固形物に含まれる前記前駆体のオキサゾール環を閉環して前記ポリベンゾビスオキサゾールと前記無機粉末フィラーとを含む硬化物を得る硬化工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１の発明によれば、ポリベンゾビスオキサゾールの前駆体が溶剤に可溶であるので、溶剤に溶解させた前駆体の状態でポリベンゾビスオキサゾールと無機粉末フィラーとを混合することが可能になる。これにより、熱伝導性が良好な樹脂組成物を容易に得ることができる。
【００１６】
請求項３の発明によれば、熱伝導性が良好な樹脂組成物からなる熱伝導性が良好な熱伝導シートを得ることができる。
【００１７】
請求項４の発明によれば、熱伝導性が良好な熱伝導体が半導体装置の放熱に利用されるので、半導体装置の放熱を効率的に行うことができる。
【００１８】
請求項５の発明によれば、熱伝導性が良好な熱伝導体を容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
○半導体装置；
図１は、実施形態の半導体装置１の断面構造を示す断面模式図である。
【００２０】
半導体装置１は、インバータやＡＣサーボ等のモータ制御装置に使用されるパワーモジュールである。半導体装置１は、パワーデバイスであるＭＯＳ−ＦＥＴやＩＧＢＴ等の半導体チップ２、半導体チップ２の駆動回路および各種保護回路をひとつのパッケージに収めたモノリシックなモジュールである。半導体装置１は、半導体チップ２が発生した熱を雰囲気中に放熱するヒートシンク３を備える。
【００２１】
ヒートシンク３の放熱面３ａには、放熱面積を増加させることによりヒートシンク３の熱抵抗を低下させるフィン３１が設けられる。ヒートシンク３の結合面３ｂには、熱伝導シート４およびヒートスプレッダ５を介して半導体チップ２が取り付けられる。ヒートスプレッダ５は、例えば、銅、アルミニウムあるいはこれらの金属を主成分とする合金からなる。
【００２２】
さらに、半導体装置１は、半導体装置１の外部への電気的接続点を提供する銅フレーム６を備える。銅フレーム６は、ヒートスプレッダ５および半導体チップ２と電気的に接続される。半導体チップ２と銅フレーム６とはボンディングワイヤ７によって電気的に接続される。
【００２３】
半導体装置１のこれらの部材は、モールド樹脂の外装９によって一体化される。
【００２４】
半導体チップ２を含む発熱部１０において発生した熱を、雰囲気中への放熱を行う放熱部１１へ伝導する熱伝導性が良好な熱伝導シート４を半導体装置１において利用することにより、半導体装置１の放熱を効率的に行うことができる。
【００２５】
なお、上述の説明では、熱伝導シートが放熱に利用された半導体装置１がパワーモジュールであるとして説明を行ったが、半導体装置１はパワーモジュールに制限されない。例えば、半導体装置１は、熱伝導シートを介してヒートシンクが取り付けられた、コンピュータ用のＭＰＵ（MicroProcessor Unit）、無線通信機の送信部電力増幅回路に使用される高周波パワーモジュールであってもよい。あるいは、半導体装置１は、熱伝導シートを介してヒートシンクが取り付けられた半導体ディスクリート素子であってもよい。
【００２６】
○熱伝導シートの材質および構造；
図２は、半導体装置１の熱伝導シート４の断面構造を示す断面模式図である。図２に示すように、熱伝導シート４は、ゲストである無機粉末フィラー３０２をマトリックスである樹脂３０１に充填した構造を有する樹脂硬化物である。無機粉末フィラー３０２は、等方性熱伝導体であることが好ましい。
【００２７】
無機粉末フィラー３０２を結合する有機バインダとして機能する樹脂３０１は、ポリベンゾビスオキサゾールからなる。当該ポリベンゾビスオキサゾールは、化学式（２）で示される分子構造を有する。
【００２８】
【化２】
2005263977.tif 000004
【００２９】
ただし、一般式（２）においては、
(a)基ＸがＣＦ3であり、ｌ＝ｍ＝０，ｎ＝５０〜３００の整数（以下ではＰＢＯ−Ａとも称する。化学式（３）参照。）；
(b)基ＸがＨであり、ｌ＝１，ｍ＝０，ｎ＝５０〜３００の整数（以下ではＰＢＯ−Ｂとも称する。化学式（４）参照。）；または
(c)基ＸがＨであり、ｌ＝０，ｍ＝１，ｎ＝５０〜３００の整数（以下ではＰＢＯ−Ｃとも称する。化学式（５）参照。）；
のいずれかである。
【００３０】
【化３】
2005263977.tif 000005
【００３１】
【化４】
2005263977.tif 000006
【００３２】
【化５】
2005263977.tif 000007
【００３３】
このような可溶性発現構造をポリベンゾビスオキサゾール分子が有することにより、当該ポリベンゾビスオキサゾールのオキサゾール環（ベンゾオキサゾール環）が閉環する前の前駆体（化学式（６））がジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）や水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液等の溶剤に可溶となり、溶剤によって粘度が調整された、無機粉末フィラーとバインダ樹脂の前駆体とのスラリーを熱伝導シートの製造に利用可能になる。
【００３４】
【化６】
2005263977.tif 000008
【００３５】
ただし、一般式（６）においては、
(a)基ＸがＣＦ3であり、ｌ＝ｍ＝０，ｎ＝５０〜３００の整数；
(b)基ＸがＨであり、ｌ＝１，ｍ＝０，ｎ＝５０〜３００の整数；または
(c)基ＸがＨであり、ｌ＝０，ｍ＝１，ｎ＝５０〜３００の整数；
のいずれかである。
【００３６】
このようにマトリックス樹脂の前駆体に溶剤への可溶性を持たせることにより、当該前駆体を溶剤に溶解させた状態で樹脂と無機粉末フィラーとを混合し、しかる後に溶剤を除去して樹脂硬化物を得ることが可能になる。これにより、溶剤によって粘度が調整された、樹脂と無機粉末フィラーとのスラリーを熱伝導シートの製造に利用可能になるので、熱伝導シート４の製造が容易になる。具体的には、溶剤によるスラリーの粘度調整によって、スラリーの採取や脱泡の処理が容易になる。
【００３７】
なお、化学式（１）で示される分子構造を有するポリベンゾビスオキサゾールは、分子鎖方向への熱伝導性が良好である。したがって、熱伝導シート４においては、無機粉末フィラー３０２の周囲を熱伝導性が比較的良好なポリベンゾビスオキサゾールが覆うことになる。これにより、エポキシ樹脂等をマトリックスとして使用する場合に比較して熱伝導性が良好な熱伝導シートを実現可能である。また、ポリベンゾビスオキサゾールの樹脂３０１は、ゲストであるシリカやアルミナなどの無機粉末フィラー３０２と同程度の低い熱膨張率を有する。このため、マトリックス樹脂としてポリベンゾビスオキサゾールを採用することにより、エポキシ樹脂で問題となっていた、樹脂３０１と無機粉末フィラー３０２との界面における、熱履歴による残留応力を軽減可能である。これにより、熱伝導シート４のヒートサイクル耐性を向上可能である。
【００３８】
無機粉末フィラー３０２は、アルミナ、シリカ、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素等の無機粉末である。
【００３９】
これらの熱伝導性が良好な無機粉末を使用することにより、熱伝導シート４において良好な熱伝導性を実現可能である。
【００４０】
なお、複数種類の無機粉末フィラーを混合して用いることも妨げられない。熱伝導シート４における無機粉末フィラー３０２の充填率は、無機粉末フィラー３０２にアルミナを使用する場合で、７６重量部以上９０重量部以下（体積百分率換算では５０体積部以上７５体積部以下）が好ましく、特に８０重量部以上９０重量部以下が好ましい。充填率がこれらの値以下になると熱伝導シート４の熱伝導率が低下し、充填率がこれらの値以上になるとバインダ成分が不足して熱伝導シート４の強度が不足するからである。すなわち、充填率をこれらの範囲内とすることにより、熱伝導性が良好で強度も十分な熱伝導シート４を得ることができる。
【００４１】
無機粉末フィラー３０２の粒径は、平均粒径で０.１μｍ以上２００μｍ以下が望ましい。平均粒径がこの値以下になると、フィラーの表面積が非常に大きくなることから高充填することが難しくなり、平均粒径がこの値以上になると、高充填が困難になるとともに、２００μｍ以下の厚みの熱伝導シートを作製できなくなるからである。
【００４２】
つまり、平均粒径をこの範囲にすることにより、無機粉末フィラーの分散性が良好で充填率が高い熱伝導シートを得ることができる。
【００４３】
なお、平均粒径がこの範囲にある粒度分布の無機粉末フィラーに、平均粒径が１ｎｍ〜５０ｎｍのナノサイズの無機充填フィラーをさらに充填してもよい。これにより、無機粉末フィラーの充填率をさらに向上することができるので、熱伝導シート４の熱伝導率をさらに向上可能である。
【００４４】
○熱伝導シートの製造装置；
図３は、熱伝導シート４の製造に使用される製造装置１００の断面構造を示す断面模式図である。
【００４５】
製造装置１００は、熱伝導シート４の原料となるスラリーを保持する保持体１０１と、スラリーを３５０℃まで加熱可能な加熱装置１０３とを備える。
【００４６】
本実施の形態では、保持体１０１には、スラリー層１０２が採取される。保持体１０１としては、例えば、表面が平滑な金属板が用いられる。あるいは、図３に図示するように、四方に壁を設けた無蓋箱状の保持体を保持体１０１として採用することにより、単なる金属板では形成することができない厚さを有するシートを得ることも可能になる。なお、保持体１０１は、好ましくは、図３に図示するように、上面１０２ａが開放された形状とすることが望ましい。これにより、スラリー層１０２からの溶剤の除去（蒸発）を効率的に行うことが可能になる。本実施の形態では、加熱装置１０３はヒータブロックであり、保持体に保持したスラリー層１０２を加熱する。加熱装置１０３は、これに限定するものではなく、加熱オーブンであってもよい。
【００４７】
なお、保持体１０１に表面が平滑な金属板を用いる場合、その金属が、そのままヒートシンクとして使われてもよい。
【００４８】
○製造方法；
図４は、熱伝導シート４の製造方法を示すフローチャートである。以下では、図４のフローチャートを参照しながら、熱伝導シート４の製造方法を説明する。
【００４９】
最初に、ポリベンゾビスオキサゾールの前駆体を溶解させたワニスに無機粉末フィラーを充填してスラリーを作製する（ステップＳ１００）。当該スラリーは攪拌され、無機粉末フィラーが分散された溶液となる。ここで使用される溶剤は、当該前駆体を溶解可能でオキサゾール環の閉環処理温度以下で効率的に蒸発させることができるものであれば制限されないが、例えば、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）や２．３８％水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液等を使用可能である。なお、スラリーに分散剤を適宜追加して無機粉末フィラーの分散性を高めてもよい。また、スラリーに対して減圧脱泡処理を行うことも好ましい。
【００５０】
このようにして作製されたスラリーは、保持体１０１に採取される（ステップＳ１０１）。
【００５１】
なお、本製造方法では、スラリーの粘度を溶剤量によって調整可能であるので、スラリーの減圧脱泡処理や保持体１０１上への採取処理を容易に行うことができる。
【００５２】
続いて、スラリー層１０２が加熱装置１０３によって加熱されてスラリーに含まれる溶剤が除去される（ステップＳ１０２）。加熱温度および加熱時間は、使用されている溶剤の種類および量に応じて、オキサゾール環の閉環処理温度以下の範囲で適宜決定する。ステップＳ１０２により、無機粉末フィラーが含まれたポリベンゾビスオキサゾールの前駆体の固形物シートが保持体１０１の上に堆積することになる。
【００５３】
さらに、スラリー層１０２が加熱装置１０３によって加熱されて、前駆体に含まれるオキサゾール環の閉環処理が行われる（ステップＳ１０３）。ステップＳ１０３により、無機粉末フィラーが含まれたポリベンゾビスオキサゾールの樹脂硬化物である熱伝導シートが保持体１０１上に得られる。なお、ステップＳ１０３による閉環処理を行わずに半硬化状態でシートを保持体１０１から取り外し、ヒートスプレッダ５の上で加圧加熱しながらシート全体を３５０℃で閉環することも可能である。
【００５４】
このような製造方法により、熱伝導性が良好な熱伝導シートを容易に得ることができる。
【００５５】
なお、上述の製造方法により得られた熱伝導シートをさらに切断して、所望の物理的形状を有する熱伝導シートを得ることも妨げられない。この場合、一般にポリベンゾビスオキサゾールは剛直な液晶ポリマー繊維とて知られているが、本実施形態で使用するポリベンゾビスオキサゾールは剛直な繊維でないので、切断処理を容易に行うことが可能である。
【実施例】
【００５６】
実施形態に係る実施例１〜３と、本願発明の範囲外の比較例１〜２について以下で説明する。なお、下記の実施例および比較例に使用された材料および作製条件を図６に一覧にして示す。
【００５７】
［実施例１］
実施例１では、１５重量部のポリベンゾビスオキサゾール（ＰＢＯ−Ａ）の前駆体（セントラル硝子株式会社）が溶剤のＤＭＡｃに溶解しているワニスに結晶シリカ粉末が充填されたスラリーを作製して使用した（ステップＳ１００）。このとき、ポリベンゾビスオキサゾールに対する結晶シリカ粉末の充填量は７３重量部（体積百分率換算では６０体積部）である。
【００５８】
当該スラリーを離型加工を施した保持体１０１に採取し（ステップＳ１０１）、スラリー層１０２を加熱装置１０３で１２０℃まで加熱して１０分間保持することにより溶剤を除去した（ステップＳ１０２）。さらに、保持体１０１を加熱装置１０３で３５０℃まで加熱して２時間保持することによりオキサゾール環の閉環処理を行って（ステップＳ１０３）、無機粉末フィラーが充填されたポリベンゾビスオキサゾールのシートを得た。レーザフラッシュ法にてこの熱伝導シートの熱伝導率を測定したところ、５Ｗ／ｍＫと良好な熱伝導率が得られていることを確認できた。
【００５９】
［実施例２］
実施例２は、樹脂をＰＢＯ−ＡからＰＢＯ−Ｂへ変更したスラリーを使用した点以外は実施例１と同じである。レーザフラッシュ法にてこの熱伝導シートの熱伝導率を測定したところ、５Ｗ／ｍＫと良好な熱伝導率が得られていることを確認できた。
【００６０】
［実施例３］
実施例３は、樹脂をＰＢＯ−ＡからＰＢＯ−Ｃへ変更したスラリーを使用した点以外は実施例１と同じである。レーザフラッシュ法にてこの熱伝導シートの熱伝導率を測定したところ、５Ｗ／ｍＫと良好な熱伝導率が得られていることを確認できた。
【００６１】
［実施例４］
実施例４は、実施例１のスラリーにおける無機粉末フィラーを結晶シリカ粉末からアルミナ粉末へ変更し、ポリベンゾビスオキサゾールに対するアルミナ粉末の充填量を８３重量部（体積百分率換算では６０体積部）とした点以外は実施例１と同じである。レーザフラッシュ法にてこの熱伝導シートの熱伝導率を測定したところ、７Ｗ／ｍＫと良好な熱伝導率が得られていることを確認できた。
【００６２】
［実施例５］
実施例５は、実施例１のスラリーにおける無機粉末フィラーを結晶シリカ粉末から窒化ホウ素へ変更し、ポリベンゾビスオキサゾールに対するアルミナ粉末の充填量を７４重量部（体積百分率換算では６０体積部）とした点以外は実施例１と同じである。レーザフラッシュ法にてこの熱伝導シートの熱伝導率を測定したところ、１０Ｗ／ｍＫと良好な熱伝導率が得られていることを確認できた。
【００６３】
［比較例１］
比較例１では、エポキシ樹脂に結晶シリカ粉末を７３重量部（体積百分率換算で６０体積部）充填したものを８０℃で２時間保持して樹脂硬化物を得た。レーザフラッシュ法にてこのような樹脂硬化物の熱伝導率を測定したところ、１．５Ｗ／ｍＫの熱伝導率が得られていることを確認できた。
【００６４】
［比較例２］
比較例１では、エポキシ樹脂にアルミナ粉末を８３重量部（体積百分率換算で６０体積部）充填したものを８０℃で２時間保持して樹脂硬化物を得た。レーザフラッシュ法にてこのような樹脂硬化物の熱伝導率を測定したところ、３Ｗ／ｍＫの熱伝導率が得られていることを確認できた。
【００６５】
実施例１〜５と比較例１〜２とを比較すれば明らかように、前駆体が溶剤に可溶なポリベンゾビスオキサゾールをマトリックス樹脂として使用することにより、熱伝導率が良好な熱伝導シートを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】半導体装置１の断面構造を示す断面模式図である。
【図２】熱伝導シート４の断面構造を示す断面模式図である。
【図３】熱伝導シート４の製造に使用される製造装置１００の断面構造を示す断面模式図である。
【図４】熱伝導シート４の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】実施例および比較例に使用された材料および作製条件を一覧にして示した図である。
【符号の説明】
【００６７】
１  半導体装置、２  半導体チップ、３  ヒートシンク、５  ヒートスプレッダ、６  銅フレーム、７  ボンディングワイヤ、１０  発熱部、１１  放熱部、１００  製造装置、１０１  金型、１０２  空洞部、１０３  ヒータ、４，３００  熱伝導シート、３０１  樹脂、３０２  無機粉末フィラー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2005263977.tif 000013
【図４】
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【図５】
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