(57)【要約】【課題】  利得結合型ＤＦＢ半導体レーザを簡便な工程で製造する。【解決手段】  多重量子井戸構造を有する活性層を基板上に設け、さらに活性層を覆う上部クラッド層を設ける。上部クラッド層の上面のうち活性層の光軸に沿って配置された複数の部分を誘導結合プラズマに曝露して、活性層の利得を活性層の光軸に沿って周期的に変調する。このようにして活性層中に利得グレーティングを形成することにより、利得結合型ＤＦＢレーザが得られる。【選択図】  図１
2005136085.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多重量子井戸構造を有する活性層を基板上に設ける工程と、
前記活性層を覆う上部クラッド層を設ける工程と、
前記上部クラッド層の上面のうち前記活性層の光軸に沿って周期的に配置された複数の部分を誘導結合プラズマに曝露する工程と
を備える利得結合型ＤＦＢ半導体レーザの製造方法。
【請求項２】
前記複数の部分を誘導結合プラズマに曝露する工程は、前記活性層の光軸に沿って周期的に配置された開口を有するマスクを前記上部クラッド層上に形成し、前記上部クラッド層を前記マスク越しに誘導結合プラズマに曝露する、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数の部分を誘導結合プラズマに曝露する工程は、前記複数の部分を第１の時間にわたって誘導結合プラズマに曝露し、前記活性層のうち前記複数の部分に覆われた部分の利得を低減する、
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記活性層はＩｎＧａＡｓＰまたはＡｌＧａＩｎＡｓから構成されており、
前記上部クラッド層はＩｎＰから構成されている、
請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記複数の部分を誘導結合プラズマに曝露する工程は、水素を含むガスから前記誘導結合プラズマを生成し、前記活性層の光軸に沿って周期的に変化する濃度で前記活性層に水素を添加する、
請求項１〜４のいずれか記載の方法。
【請求項６】
前記水素を含むガスは、ＣＨ４とＨ２の混合ガスまたはＣＨ４、Ｈ２およびＣｌ２の混合ガスである、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記上部クラッド層を設ける工程の後、前記複数の部分を誘導結合プラズマに曝露する工程の前に、前記上部クラッドの上面全体を前記第１時間より短い第２の時間にわたって誘導結合プラズマに曝露し、前記活性層全体の利得を増加する工程をさらに備える
請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、利得結合型の分布帰還（Distributed Feedback：ＤＦＢ）半導体レーザを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
利得結合型ＤＦＢレーザは、屈折率結合型ＤＦＢレーザよりも単一モード性に優れている。下記の非特許文献１には、様々な利得結合型ＤＦＢ半導体レーザが開示されている。
【非特許文献１】Arthur J. Lowery他、「Performance Comparison of Gain-Coupled and Index-Coupled DFB Semiconductor Lasers（利得結合型ＤＦＢ半導体レーザと屈折率結合型ＤＦＢ半導体レーザとの性能比較）」、IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS、１９９４年９月、第３０巻、第９号、２０５１〜２０６３頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、利得結合型ＤＦＢ半導体レーザを簡便な工程で製造することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、利得結合型ＤＦＢ半導体レーザの製造方法に関する。この方法は、多重量子井戸構造を有する活性層を基板上に設ける工程と、活性層を覆う上部クラッド層を設ける工程と、上部クラッド層の上面のうち前記活性層の光軸に沿って配置された複数の部分を誘導結合プラズマに曝露して、活性層の利得を活性層の光軸に沿って周期的に変調する工程とを備えている。
【０００５】
本発明者は、上部クラッド層を誘導結合プラズマに極短時間だけ曝露すると、上部クラッド層の下に位置する活性層の利得が増加し、上部クラッド層を誘導結合プラズマに、より長い時間曝露すると、活性層の利得が低下するという現象を発見した。したがって、上部クラッド層の上面のうち活性層の光軸に沿って周期的に配置された複数の部分を誘導結合プラズマに曝露すれば、活性層の利得を活性層の光軸に沿って周期的に変調することができる。このようにして活性層中に利得グレーティングを形成することにより、利得結合型ＤＦＢレーザを製造することができる。この方法では、凹凸のある面上に多重量子井戸構造を成長させるといった複雑な工程を必要とすることなく、簡便な工程で利得結合型ＤＦＢレーザが製造される。この方法は活性層を誘導結合プラズマに直接には曝露しないので、活性層を露出させる必要がない。そのため、活性層が酸化しやすい材料から構成されていても、利得結合型ＤＦＢレーザを良好に製造できる。
【０００６】
上部クラッド層の複数の部分を誘導結合プラズマに曝露する工程は、活性層の光軸に沿って周期的に配置された開口を有するマスクを上部クラッド層上に形成し、上部クラッド層をそのマスク越しに誘導結合プラズマに曝露してもよい。活性層のうちマスクによって覆われた部分は誘導結合プラズマによる影響を受けないので、その利得も変化しない。一方、活性層のうちマスクの開口の下に位置する部分の利得は、誘導結合プラズマによって増減される。この結果、マスクの開口の周期的な配置に応じて、活性層の利得が周期的に変調される。
【０００７】
上部クラッド層の複数の部分を誘導結合プラズマに曝露する工程は、その複数の部分を第１の時間にわたって誘導結合プラズマに曝露し、活性層のうちその複数の部分に覆われた部分の利得を低減してもよい。この場合、活性層中に利得の低減した部分が周期的に配置され、それにより利得グレーティングが形成される。
【０００８】
活性層はＩｎＧａＡｓＰまたはＡｌＧａＩｎＡｓから構成されていてもよく、上部クラッド層はＩｎＰから構成されていてもよい。
【０００９】
上部クラッド層の複数の部分を誘導結合プラズマに曝露する工程は、水素を含むガスから誘導結合プラズマを生成し、活性層の光軸に沿って周期的に変化する濃度で活性層に水素を添加してもよい。このガスは、ＣＨ４とＨ２の混合ガスまたはＣＨ４、Ｈ２およびＣｌ２の混合ガスであってもよい。この場合、活性層の光軸に沿った周期的な水素濃度分布に応じて、活性層の利得が周期的に変調され、利得グレーティングが形成される。
【００１０】
この方法は、上部クラッド層を設ける工程の後、上部クラッド層の複数の部分を誘導結合プラズマに曝露する工程の前に、上部クラッドの上面全体を第１の時間より短い第２の時間にわたって誘導結合プラズマに曝露し、活性層全体の利得を増加する工程をさらに備えていてもよい。このような利得の増加により、活性層の光学特性が改善され、この方法によって製造される利得結合型ＤＦＢレーザの電流しきい値が低減される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の方法は、簡便な工程で利得結合型ＤＦＢ半導体レーザを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１３】
図１は、本実施形態の利得結合型ＤＦＢ（Distributed Feedback）半導体レーザ１の構造を示す断面図である。利得結合型ＤＦＢレーザ１は、ｎ型ＩｎＰ基板１０上に順次に設けられたｎ型クラッド層１２、多重量子井戸（Multiple Quantum Well：ＭＱＷ）活性層１４、ｐ型クラッド層１６およびｐ型コンタクト層１８を有している。ｐ型コンタクト層１８の上面には、ｐ型電極２０が設けられている。基板１０の下面には、ｎ型電極２２が設けられている。さらに、利得結合型ＤＦＢレーザ１は、ＭＱＷ活性層１４の主面（上面および下面）に垂直な端面（ファセット）２４および２６を有している。これらの端面２４および２６は、結晶へき開によって形成された鏡面であり、レーザ共振器を構成する。端面２４および２６に垂直な方向は縦方向と呼ばれ、それに垂直な方向は横方向と呼ばれる。ＭＱＷ活性層１４の光軸１５は縦方向に平行である。ｐ型電極２０およびｎ型電極２２を介してしきい値以上の電流がＤＦＢレーザ１に注入されると、ＭＱＷ活性層１４で単一モードのレーザ光２８が生成され、ＤＦＢレーザ１から放出される。
【００１４】
ＭＱＷ活性層１４は、多重量子井戸−分離閉じ込めヘテロ（ＭＱＷ−ＳＣＨ）構造を有している。ＭＱＷ活性層１４は、交互に積層された複数のウェルと複数のバリアからなる多重量子井戸を含んでいる。これらのウェルおよびバリアは、ＩｎＧａＡｓＰから構成されている。また、この多重量子井戸の上下には、分離閉じ込めヘテロ構造（Separate Confinement Hetero-structure：ＳＣＨ）層が設けられている。言い換えると、ＭＱＷ活性層１４は、ｎ型クラッド層１２からｐ型クラッド層１６へ向かって、下部ＳＣＨ層、多重量子井戸、および上部ＳＣＨ層が順次に積層された構造を有している。上部ＳＣＨ層と下部ＳＣＨ層は、ともにＩｎＧａＡｓＰから構成されており、互いに同じバンドギャップおよび屈折率を有する。この屈折率は、多重量子井戸中のウェルおよびバリアの屈折率よりも低い。
【００１５】
ｎ型クラッド層１２およびｐ型クラッド層１６は、ともにＩｎＰから構成されており、ＭＱＷ活性層１４中の上部および下部ＳＣＨ層よりも低い屈折率を有している。ｎ型クラッド層１２は基板１０と一体であってもよい。言い換えると、基板１０の上面に活性層１４が直接設けられ、基板１０のうちＭＱＷ活性層１４と隣接する部分がｎ型クラッド層１２として機能してもよい。ｐ型コンタクト層１８は、ｐ型クラッド層１６の上面に被着されている。ｐ型コンタクト層１８はｐ型クラッド層１６よりも低い屈折率を有している。
【００１６】
図１に示されるように、ＭＱＷ活性層１４では、複数のフォトルミネッセンス劣化部１４ａと複数の正常部１４ｂとがＭＱＷ活性層１４の光軸１５に沿って交互に配置されている。フォトルミネッセンス劣化部１４ａは、後述するＩＣＰ処理によってフォトルミネッセンス強度が劣化させられた部分である。一方、正常部１４ｂは、ＩＣＰ処理を施されておらず、そのためフォトルミネッセンス強度が劣化していない。したがって、フォトルミネッセンス劣化部１４ａは正常部１４ｂよりも低い利得を有している。
【００１７】
フォトルミネッセンス劣化部１４ａおよび正常部１４ｂは、ともにＭＱＷ活性層１４の光軸１５に沿って周期的に配置されている。したがって、ＭＱＷ活性層１４の利得は光軸１５に沿って周期的に変調され、それによって利得グレーティングが形成されることになる。利得グレーティングを有する活性層１４を備えたレーザ１は、利得結合型ＤＦＢレーザとして動作する。
【００１８】
以下では、フォトルミネッセンス劣化部１４ａの形成方法を説明する。フォトルミネッセンス劣化部１４ａは、誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma：ＩＣＰ）を用いて形成することができる。本発明者は、ＣＨ４とＨ２の混合ガス（以下、「ＣＨ４／Ｈ２ガス」）またはＣＨ４、Ｈ２およびＣｌ２の混合ガス（以下、「ＣＨ４／Ｈ２／Ｃｌ２ガス」）から生成された誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma：ＩＣＰ）にＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷ／ＩｎＰ構造を極短時間曝露すると、エッチングは行われず、ＭＱＷのフォトルミネッセンス強度が増加することを見出した。また、本発明者は、曝露時間を長くすると、エッチングが開始されるとともにフォトルミネッセンス強度が急激に低下することも見出した。フォトルミネッセンス強度が急激に低下した部分にはＨが拡散注入されていた。このＨが非発光再結合中心として働いていると考えられる。さらに、本発明者は、ＳｉＮなどのエッチングマスクで保護された部分のフォトルミネッセンス強度は変化しないことも見出した。したがって、正常部１４ｂをマスクで保護しつつＭＱＷ活性層１４を適切な時間にわたってＩＣＰに曝露すれば、フォトルミネッセンス劣化部１４ａを形成することができる。
【００１９】
このように、ＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷ活性層１４の利得は、ＩＣＰ処理によって増減することができる。このようなフォトルミネッセンス強度の変化は、同じＣＨ４／Ｈ２またはＣＨ４／Ｈ２／Ｃｌ２ガスを用いてもＥＣＲプラズマ処理では生じない。また、ＩＣＰパワーが大きいほどエッチング開始後のフォトルミネッセンス強度低下率が大きく、Ｈの注入効率が高い。ここで、ＩＣＰパワーとは、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）の生成に使用される誘導コイルに供給される高周波電力を意味する。０．５μｍ以内のエッチング量でフォトルミネッセンス強度を１／１０に低減するためには、ＩＣＰパワーは１０００Ｗ以上が望ましい。フォトルミネッセンス強度を増加する場合も、ＩＣＰパワーは１０００Ｗ以上が望ましい。ただし、ＩＣＰパワーが高いほど、処理時間は短くする必要がある。これはｐ型クラッド層１６の過度のエッチングを防ぐためである。
【００２０】
ＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷ活性層１４のフォトルミネッセンス強度の変化は、基本的にＩＣＰパワーと処理時間との関係に応じて決まる。ただし、処理されるべきサンプルの表面からＭＱＷ活性層１４までに介在する層の厚みなど、サンプルの条件からも影響を受ける。
【００２１】
上述のように、誘導結合プラズマによってＭＱＷ活性層１４に添加された水素は非発光再結合中心として働くと考えられる。したがって、光軸１５に沿って周期的に変化する濃度でＨをＭＱＷ活性層１４に添加すれば、ＭＱＷ活性層１４に利得グレーティングが形成される。ＭＱＷ活性層１４へのＨの添加濃度が５×１０１７atoms／ccのとき、ＭＱＷ活性層１４のフォトルミネッセンス強度は１／３に低減される。したがって、フォトルミネッセンス劣化部１４ａには、５×１０１７atoms／cc以上の濃度でＨが添加されることが望ましい。逆に正常部１４ｂでは、Ｈの濃度が５×１０１７atoms／cc未満であることが望ましい。
【実施例】
【００２２】
以下では、図２〜図１２を参照しながら、上記実施形態の利得結合型ＤＦＢレーザ製造方法の一例を具体的に説明する。まず、図２に示されるように、ｎ型ＩｎＰ基板３０上に有機金属気相成長（Organo-Metallic Vapor Phase Epitaxial growth：ＯＭＶＰＥ）によってＭＱＷ活性層３４およびｐ型ＩｎＰクラッド層３６を順次に形成する。この例では、ＭＱＷ活性層３４に隣接するｎ型ＩｎＰ基板３０の上部がｎ型クラッド層として機能する。ＭＱＷ活性層３４では、５層のＩｎＧａＡｓＰウェルと６層のＩｎＧａＡｓＰバリアが交互に積層されている。ウェルは１．３１μｍのバンドギャップ波長を有し、バリアは１．１μｍのバンドギャップ波長を有している。ＭＱＷ活性層の上下には、ＩｎＧａＡｓＰからなるＳＣＨ層が設けられる。クラッド層３６は上部ＳＣＨ層の上面に被着され、その厚さは２μｍである。
【００２３】
図３に示されるように、クラッド層３６の上面にはプラズマＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition：ＰＥ−ＣＶＤ）によって厚さ１０００ÅのＳｉＮ膜３１が形成される。次に、図４に示されるように、通常のフォトリソグラフィによってＳｉＮ膜３１上にグレーティング（格子）状のレジストパターン３９が形成される。レジストパターン３９は、図４の紙面に垂直、すなわちＭＱＷ活性層３４の光軸３５に対して垂直に延びている。レジストパターン３９のピッチは２１００Åである。レジストパターン３９をマスクとして使用し、ＣＦ４を用いた並行平板型の反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching：ＲＩＥ）をＳｉＮ膜３１に施す。これにより、図５に示されるように、ＳｉＮのグレーティングパターン３１ａが形成される。
【００２４】
ＳｉＮパターン３１ａは、ＭＱＷ活性層３４の光軸に沿って等間隔に配置された複数の開口３１ｂを有している。これらの開口３１ｂは互いに同じ平面形状を有している。ｐ型クラッド層３６の上面の複数の部分３６ａが開口３１ｂから露出する。これらの部分３６ａは、開口３１ｂと同様に、ＭＱＷ活性層３４の光軸に沿って等間隔に配置されている。
【００２５】
次に、図６に示されるように、ＳｉＮパターン３１ａをマスクとして使用して、サンプル３３にＩＣＰ処理を施す。図１３は、このＩＣＰ処理を実施する誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング（ＩＣＰ−ＲＩＥ）装置５０の構成を示す概略図である。サンプル３３は、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置５０のチャンバ５２内に搬入される。サンプル３３は、チャンバ５２内に設置された下部電極５４上に載置される。下部電極５４およびサンプル３３の上方には、上部電極５６が設置されている。上部電極５６は接地されている。下部電極５４には、高周波電源５５から１３．５６ＭＨｚの高周波電圧が印加される。チャンバ５２の側面には、誘導コイル５８が巻かれている。誘導コイル５８には、誘導結合プラズマ電源６０から２ＭＨｚの高周波電力が供給され、それに応じてチャンバ５２内に直流バイアス電界が生成される。
【００２６】
この例では、誘導結合プラズマの原料ガスとして、ＣＨ４／Ｈ２／Ｃｌ２ガスを使用する。ガス流入口６２からＣＨ４／Ｈ２／Ｃｌ２ガスがチャンバ５２に導入されると、下部電極５４および上部電極５６間の高周波電界によって誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）６４が生成される。ＩＣＰ６４中のイオン６５は、誘導コイル５８によって生成されたバイアス電界によって加速され、サンプル３３に到達する。このようにして、ｐ型クラッド層３６の上面の露出部分３６ａがＩＣＰ６４に曝露される。
【００２７】
本例では、露出部分３６ａを３０秒間にわたってＩＣＰ６４に曝露する。誘導結合プラズマ電源６０の出力、すなわちＩＣＰパワーは２５００Ｗ、高周波電源５５の出力は５０Ｗ、ＣＨ４、Ｈ２およびＣｌ２の流量はそれぞれ６、６および３ｓｃｃｍ、チャンバ５２内の圧力は０．５Ｐａとする。その結果、ＭＱＷ活性層３４のうちＳｉＮパターン３１ａによって覆われていない部分（すなわち、露出部分３６ａによって覆われた部分）３４ａのフォトルミネッセンス強度は、ＳｉＮパターン３１ａによって覆われた部分３４ｂのフォトルミネッセンス強度の１／１０に低下する。このようにして、ＭＱＷ活性層３４中にフォトルミネッセンス劣化部３４ａおよび正常部３４ｂが周期的に形成され、ＭＱＷ活性層３４の利得が周期的に変調される。
【００２８】
次に、図７に示されるようにＳｉＮパターン３１ａを除去し、図８に示されるようにｐ型クラッド層３６の上面にＳｉＮストライプ４８を形成する。続いて、ＳｉＮストライプ４８をマスクとして使用し、反応性イオンエッチングまたはＢｒ−メタノールを用いたウェットエッチングによってメサストライプ構造を形成する。その後、エッチングによって露出したメサストライプ構造の表面上に電流狭窄用の埋め込み層４３および４４を順次に形成する。埋め込み層４３はｐ型ＩｎＰから構成され、埋め込み層４４はｎ型ＩｎＰから構成されている。次に、ｐ型クラッド層３６および埋め込み層４４を覆う厚さ０．１μｍのｐ型ＩｎＰクラッド層３７を形成し、さらにクラッド層３７の上に厚さ０．５μｍのｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３８を形成する。
【００２９】
この後、図１０に示されるようにメサストライプ構造の周囲に素子分離用のトレンチ４５を形成し、図１１に示されるようにコンタクト層３８およびトレンチ４５を覆う絶縁膜４７を形成し、さらに絶縁膜４７においてＭＱＷ活性層３４の真上に位置する箇所にコンタクトホール４９を形成する。図１２に示されるように、コンタクトホール４９を充填するようにｐ型電極４０を形成するとともに、ＩｎＰ基板３０の下面にｎ型電極４２を形成する。このようにして利得結合型ＤＦＢレーザ１ａが得られる。
【００３０】
本発明者は、上記の方法によって実際にＤＦＢレーザ１ａを製造し、その特性を測定した。その結果、発振しきい値として１０ｍＡ、サイドモード抑圧比として５０ｄＢが得られた。
【００３１】
なお、図３に示されるＳｉＮ膜３１の形成の前にｐ型クラッド層３６の上面全体をＩＣＰに極めて短い時間だけ曝露すると、ＭＱＷ活性層３４のフォトルミネッセンス強度を底上げすることができる。この場合は、曝露時間を１０秒間とし、ＩＣＰ誘導結合プラズマ電源６０の出力（すなわちＩＣＰパワー）を１２５０Ｗとし、その他は図６に示されるＩＣＰ処理と同様の条件を採用する。このＩＣＰ処理により、ＭＱＷ活性層３４全体のフォトルミネッセンス強度を２倍に高めることができる。その後、前述と同様にしてＳｉＮ成膜、パターニングおよびＩＣＰ処理を行うと、正常部３４ｂの光学特性を改善し、利得結合型ＤＦＢレーザ１ａの電流しきい値を低減することができる。
【００３２】
以上、本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
【００３３】
上記の例では、活性層がＩｎＧａＡｓＰから構成されている。しかし、活性層は、他の半導体材料、例えばＡｌＧａＩｎＡｓから構成されていてもよい。ＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷと同様に、ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ−ＭＱＷ／ＩｎＰ構造をＣＨ４／Ｈ２ガスまたはＣＨ４／Ｈ２／Ｃｌ２ガスを用いた誘導結合プラズマに曝露すると、ＭＱＷ層のフォトルミネッセンス強度を増減することができる。したがって、活性層がＡｌＧａＩｎＡｓから構成される場合でも、前述と同様の方法によって利得結合型ＤＦＢ半導体レーザを製造できる。ＡｌＧａＩｎＡｓは酸化しやすいが、上記の方法では活性層を大気にさらさないのでＡｌＧａＩｎＡｓの酸化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】実施形態の利得結合型ＤＦＢ半導体レーザの構造を示す断面図である。
【図２】利得結合型ＤＦＢ半導体レーザ製造方法の一例を示す断面図である。
【図３】利得結合型ＤＦＢ半導体レーザ製造方法の一例を示す断面図である。
【図４】利得結合型ＤＦＢ半導体レーザ製造方法の一例を示す断面図である。
【図５】利得結合型ＤＦＢ半導体レーザ製造方法の一例を示す断面図である。
【図６】利得結合型ＤＦＢ半導体レーザ製造方法の一例を示す断面図である。
【図７】利得結合型ＤＦＢ半導体レーザ製造方法の一例を示す断面図である。
【図８】利得結合型ＤＦＢ半導体レーザ製造方法の一例を示す斜視図である。
【図９】利得結合型ＤＦＢ半導体レーザ製造方法の一例を示す斜視図である。
【図１０】利得結合型ＤＦＢ半導体レーザ製造方法の一例を示す断面図である。
【図１１】利得結合型ＤＦＢ半導体レーザ製造方法の一例を示す断面図である。
【図１２】利得結合型ＤＦＢ半導体レーザ製造方法の一例を示す断面図である。
【図１３】誘導結合プラズマエッチング装置を示す概略図である。
【符号の説明】
【００３５】
１および１ａ…利得結合型ＤＦＢ半導体レーザ、１０および２０…基板、１２…下部クラッド層としてのｎ型クラッド層、１４および３４…ＭＱＷ活性層、１４ａおよび３４ａ…フォトルミネッセンス劣化部、１４ｂおよび３４ｂ…正常部、１６および３６…上部クラッド層としてのｐ型クラッド層、１８および３８…ｐ型コンタクト層、２０および４０…ｐ型電極、２２および４２…ｎ型電極。
【図１】
2005136085.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005136085.tif 000009
【図８】
2005136085.tif 000010
【図９】
2005136085.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2005136085.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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