(57)【要約】      （修正有）【課題】波長５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザーでの記録および再生が可能でかつ、耐久性に優れた高密度、高速記録に適した光記録媒体を提供する。【解決手段】互いに異なっていても、同一であっても良い２以上のアゾ化合物と２価以上の金属塩とから形成される金属キレート化合物であって、該アゾ化合物のうち少なくとも１つが下記一般式（１）で示されるアゾ化合物である金属キレート化合物。2005255729.tif 000035（環Ａは置換基を有していてもよい複素環、環Ｂは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに異なっていても、同一であっても良い２以上のアゾ化合物と２価以上の金属塩とから形成される金属キレート化合物であって、該アゾ化合物のうち少なくとも１つが下記一般式（１）で示されるアゾ化合物であることを特徴とする金属キレート化合物。
【化１】
2005255729.tif 000033
（式中、環Ａは置換基を有していてもよい複素環を表わし、環Ｂは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表わし、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜８のアルコキシアルキル基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数２〜６のアルキルアミノアルキル基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１６のアリール基を表し、Ｒ１とＲ２は連結して酸素あるいは窒素原子を含む複素環でもよい５〜６員環を形成しても良く、同一元素と結合してイミノ基を形成してもよい。）
【請求項２】
一般式（１）において、環Ａが置換基を有していてもよい
イミダゾイル基、オキサゾイル基、チアゾイル基、
ピラゾイル基、イソオキサゾイル基、イソチアゾイル基、
トリアゾイル基、チアジアゾイル基、イソチアジアゾイル基、ピリジル基
である請求項１記載の金属キレート化合物。
【請求項３】
互いに異なっていても、同一であっても良い２つの下記一般式（２）で示されるアゾ化合物とＮｉ、ＣｏまたはＣｕの金属塩とから形成される金属キレート化合物。
【化２】
2005255729.tif 000034
（式中、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３はそれぞれ独立に炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、Ｃ−Ｒ６、Ｎ−Ｒ６を表わし（Ｒ６は水素原子、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基を表わす。）、Ｒ１、Ｒ２は前記と同じ意味を表し、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数６〜１６のアリール基、炭素数２〜６のアルケニル基を表わし、Ｒ３とＲ４若しくはＲ５、Ｒ４とＲ５は連結して５〜６員環を形成してもよい。）
【請求項４】
基板上に少なくとも記録層および反射層を有する光記録媒体において、記録層中に、請求項１〜３のいずれか１項に記載の金属キレート化合物を少なくとも１種含有する光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アゾ金属キレート化合物を用いた、従来に比較して高密度に記録および再生可能な光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像、映像、音声等のデータを記録再生することのできる媒体として、有機色素を記録材料として用いるＣＤ−Ｒが広く知られている。現在、扱われるデータ量の増大に伴い、ＣＤ−Ｒと比較して大容量な記録再生可能な光記録媒体の普及が望まれ、中でもＣＤ−Ｒ同様有機色素を記録材料とするＤＶＤ−Ｒが、次世代を担う媒体として開発され、商品化されるに至っている。
【０００３】
ＤＶＤ−Ｒでは高密度記録を行うためにレーザー光の発信波長が６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ近傍とＣＤ−Ｒの場合よりも短波長化している。このような短波長用途の有機色素系光記録媒体の色素としては、シアニン、アゾ、ポルフィリン系色素他、インジゴ類、ジオキサジン、クマリン、ペリレン、ナフトラクタム、トリフェニルメタン、サブフタロシアニン、ジベンゾピラン、ジピロメテン等が提案されている。
【０００４】
しかしながら、耐久性の問題や、特に短波長用途に固有の問題、例えば、絞られたレーザー光で小さなピットを開けるべきところが、周りへの影響が大きく、分布の大きいピット形成に起因するジッターの悪化、半径方向へのクロストークの悪化や、ピットが極端に小さくなることに起因する変調度の悪化、あるいは、目的とするレーザー波長において、不適切な光学定数（屈折率、消衰係数）を有する有機色素を記録層に選択することに起因する反射率の低下や感度の悪化については未だ改善の余地が残されている。
【０００５】
更に、ＣＤ−Ｒにおける記録速度の高速化に見られるように、ＤＶＤ−Ｒにおいても標準の記録速度に比べ、４倍速や８倍速、若しくはそれ以上の１６倍速に対応した光記録媒体が望まれている。また、標準の記録速度から高速の記録速度のいずれの速度で記録しても良好な記録を行うことのできる光記録媒体の実現が望まれている。
【０００６】
しかし、記録速度の高速化に伴い、ピット形成時の記録層色素の分解挙動を制御することは困難となり、これに起因する記録感度の悪化、ジッターの悪化等の問題を有している。また、標準速記録における記録特性と高速記録における記録特性は、トレードオフの関係にあり、いずれか一方の特性を満足するためには、他方の特性を犠牲にする必要があるという問題を有している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者の目的は、波長５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザーでの記録および再生が可能でかつ、標準の記録速度のみならず高速度の記録においても良好な記録特性を有する、耐久性に優れた高密度光記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を進めた結果、特定の構造を有するアゾ金属キレート化合物を用いることにより、標準速記録における記録特性や、耐久性に優れるばかりでなく、高速記録にも対応が可能な光記録媒体が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
即ち、本発明は、
〔１〕互いに異なっていても、同一であっても良い２以上のアゾ化合物と２価以上の金属塩とから形成される金属キレート化合物であって、該アゾ化合物のうち少なくとも１つが下記一般式（１）で示されるアゾ化合物であることを特徴とする金属キレート化合物。
【００１０】
【化１】
2005255729.tif 000002
【００１１】
（式中、環Ａは置換基を有していてもよい複素環を表わし、環Ｂは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表わし、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜８のアルコキシアルキル基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数２〜６のアルキルアミノアルキル基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１６のアリール基を表し、Ｒ１とＲ２は連結して酸素あるいは窒素原子を含む複素環でもよい５〜６員環を形成しても良く、同一元素と結合してイミノ基を形成してもよい。）
【００１２】
〔２〕一般式（１）において、環Ａが置換基を有していてもよい
イミダゾイル基、オキサゾイル基、チアゾイル基、
ピラゾイル基、イソオキサゾイル基、イソチアゾイル基、
トリアゾイル基、チアジアゾイル基、イソチアジアゾイル基、ピリジル基
である〔１〕記載の金属キレート化合物、
【００１３】
〔３〕互いに異なっていても、同一であっても良い２つの下記一般式（２）で示されるアゾ化合物とＮｉ、ＣｏまたはＣｕの金属塩とから形成される金属キレート化合物。
【００１４】
【化２】
2005255729.tif 000003
【００１５】
（式中、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３はそれぞれ独立に炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、Ｃ−Ｒ６、Ｎ−Ｒ６を表わし（Ｒ６は水素原子、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基を表わす。）、Ｒ１、Ｒ２は前記と同じ意味を表し、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数６〜１６のアリール基、炭素数２〜６のアルケニル基を表わし、Ｒ３とＲ４若しくはＲ５、Ｒ４とＲ５は連結して５〜６員環を形成してもよい。）
【００１６】
〔４〕基板上に少なくとも記録層および反射層を有する光記録媒体において、記録層中に、〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の金属キレート化合物を少なくとも１種含有する光記録媒体、
に関するものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の新規な金属キレート化合物を記録層として用いることにより、波長５２０〜６９０ｎｍのレーザーで記録再生が可能であり、かつ耐久性に優れた高密度、高速記録に適した追記型光記録媒体を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１９】
本発明の金属キレート化合物とは、互いに異なっていても、同一であっても良い２以上のアゾ化合物と２価以上の金属塩とから形成される金属キレート化合物であって、該アゾ化合物のうち少なくとも１つが下記一般式（１）で示されるアゾ化合物であることを特徴とする金属キレート化合物である。
【００２０】
本発明の金属キレート化合物を形成するアゾ化合物において、下記一般式（１）で示されるアゾ化合物以外のアゾ化合物としては、公知のアゾ化合物であればよく、特に制限はない。
【００２１】
本発明における金属キレート化合物を形成するアゾ化合物として、下記一般式（１）で表されるアゾ化合物についてより具体的に説明する。
【００２２】
【化３】
2005255729.tif 000004
【００２３】
（式中、環Ａは置換基を有していてもよい複素環を表わし、環Ｂは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表わし、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜８のアルコキシアルキル基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数２〜６のアルキルアミノアルキル基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１６のアリール基を表し、Ｒ１とＲ２は連結して酸素あるいは窒素原子を含む複素環でもよい５〜６員環を形成しても良く、同一元素と結合してイミノ基を形成してもよい。）
【００２４】
一般式（１）で表されるアゾ化合物において、環Ａは複素環であればよく、特に制限されるものではないが、好ましくは芳香族複素環であり、これらの複素環は置換基を有していても良い。環Ａとしては、５員環または６員環が好ましく、更に好ましくは、イミダゾイル基、オキサゾイル基、チアゾイル基、ピラゾイル基、イソオキサゾイル基、イソチアゾイル基、トリアゾイル基、チアジアゾイル基、イソチアジアゾイル基、ピリジル基であり、具体的には下記の構造が挙げられる。
【００２５】
【化４】
2005255729.tif 000005
【００２６】
式中Ｒ７は全て同じでも異なってもよく、
水素原子；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ホルミル基；ヒドロキシル基；カルボキシル基；シアノ基；ニトロ基；アミノ基；
メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、ペンタフルオロエチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数１〜６のアルキル基；
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；
アセチル基、プロピオル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等の炭素数２〜７のアシル基；
ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；
ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；
メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルアミノ基；
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数２〜８のジアルキルアミノ基；
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボニル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；
メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６のアルキルチオ基；
メチルスルホニル基、トリフルオロメチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニル基；
メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ｎ−プロピルカルボニルアミノ基、イソプロピルカルボニルアミノ基、ｎ−ブチルカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミノ基、ｎ−ペンチルカルボニルアミノ基等の炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基を表わす。
【００２７】
ここで、環Ａが有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいヒドロキシアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアルキルアミノ基、置換基を有していてもよいジアルキルアミノ基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基、置換基を有していてもよいアルキルカルボニルアミノ基等が挙げられる。
【００２８】
好ましくは、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基が挙げられ、
より具体的には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；
ホルミル基；ヒドロキシル基；カルボキシル基；シアノ基；ニトロ基；アミノ基；
メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、ペンタフルオロエチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数１〜６のアルキル基；
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；
アセチル基、プロピオル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等の炭素数２〜７のアシル基；
ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；
ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；
メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルアミノ基；
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数２〜８のジアルキルアミノ基；
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボニル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；
メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６のアルキルチオ基；
メチルスルホニル基、トリフルオロメチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニル基；
メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ｎ−プロピルカルボニルアミノ基、イソプロピルカルボニルアミノ基、ｎ−ブチルカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミノ基、ｎ−ペンチルカルボニルアミノ基等の炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基；
が挙げられる。
【００２９】
一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜８のアルコキシアルキル基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数２〜６のアルキルアミノアルキル基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１６のアリール基を表す。
【００３０】
置換基Ｒ１、Ｒ２の具体的な例としては、
水素原子；ヒドロキシル基；
前記の炭素数１〜６のヒドロキシルアルキル基；
前記の炭素数１〜６のアルキル基；
メトキシメチル基、エトキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシエチル基、イソプロポキシシクロペンチル基、エトキシシクロヘキシル基等の炭素数２〜８のアルコキシアルキル基；
前記の炭素数１〜６のアルキルアミノ基；
メチルアミノメチル基、エチルアミノメチル基、ジメチルアミノ−ｎ−ブチル基等の炭素数２〜６のアルキルアミノアルキル基
前記の炭素数２〜８のジアルキルアミノ基；
前記の炭素数２〜７のアシル基；
前記の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；
前記の炭素数２〜６のアルケニル基；
前記の炭素数１〜６のアルキルスルホニル基；
フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数６〜１６のアリール基；
等の基が挙げられる。
【００３１】
また、Ｒ１とＲ２は連結して酸素あるいは窒素原子を含む複素環でもよい５〜６員環を形成しても良く、同一元素と結合してイミノ基を形成してもよい。
Ｒ１とＲ２が連結して５〜６員環を形成する具体例としては、
【００３２】
【化５】
2005255729.tif 000006
【００３３】
等の基が挙げられ、
Ｒ１とＲ２が同一元素と結合してイミノ基を形成する例としては、
メチルイミノ基、ジメチルイミノ基、ジトリフルオロメチルイミノ基、エチルイミノ基、メチルエチルイミノ基、ジ-iso-プロピルイミノ基、ジ-n-ブチルイミノ基、ジシクロヘキシルイミノ基、フェニルイミノ基等の基が挙げられる。
【００３４】
一般式（１）において、環Ｂは芳香族炭化水素環であり、これらの芳香族炭化水素環は置換基を有していても良い。環Ｂとしては、６員環が好ましく、特に下記一般式（３）
【００３５】
【化６】
2005255729.tif 000007
【００３６】
で表わされる構造が好ましい。
式中、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数６〜１６のアリール基、炭素数２〜６のアルケニル基を表わし、Ｒ３とＲ４若しくはＲ５、Ｒ４とＲ５は連結して５〜６員環を形成してもよい。Ｒ１、Ｒ２は前記と同じ意味を表わす。
【００３７】
置換基Ｒ３、Ｒ４およびＲ５の具体的な例としては、
前記の炭素数１〜６のアルキル基；
前記の炭素数１〜６のアルコキシ基；
前記の炭素数６〜１６のアリール基；
前記の炭素数２〜６のアルケニル基が挙げられる。
Ｒ４とＲ５が連結して５〜６員環を形成する具体例としては、前記の通り
【００３８】
【化７】
2005255729.tif 000008
等の基が挙げられる。
【００３９】
Ｒ３とＲ４若しくはＲ５が連結して５〜６員環を形成する具体例としては、
【００４０】
【化８】
2005255729.tif 000009
等の基が挙げられる。
【００４１】
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は前記と同じ意味を表し、Ｒ８は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数６〜１６のアリール基、炭素数２〜６のアルケニル基を表わす。
炭素数１〜６のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられ、炭素数１〜６のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等が挙げられ、炭素数６〜１６のアリール基の具体例としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等が挙げられ、炭素数２〜６のアルケニル基の具体例としては、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。
【００４２】
ここで環Ｂが有していてもよい置換基としては、前述の環Ａに置換する置換基と同様のものが挙げられ、その具体例としても前述と同様な置換基が挙げられる。
【００４３】
本発明において、アゾ化合物とのキレート化合物を生成させる金属塩の具体例としては、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｐｔ、またはＨｇであり、特に、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕのアゾ金属キレート化合物は、光記録材料として光学特性が優れており好ましい。
【００４４】
本発明の金属キレート化合物を形成するアゾ化合物として、下記一般式（２）で表されるアゾ化合物についてより具体的に説明する。
【００４５】
【化９】
2005255729.tif 000010
【００４６】
（式中、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３はそれぞれ独立に炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、Ｃ−Ｒ６、Ｎ−Ｒ６を表わし（Ｒ６は水素原子、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基を表わす。）、Ｒ１、Ｒ２は前記と同じ意味を表し、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数６〜１６のアリール基、炭素数２〜６のアルケニル基を表わし、Ｒ３とＲ４若しくはＲ５、Ｒ４とＲ５は連結して５〜６員環を形成してもよい。）
【００４７】
一般式（２）において、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３はそれぞれ独立に炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、Ｃ−Ｒ６、Ｎ−Ｒ６を表わし、Ｒ６は、水素原子、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基を表わす。
【００４８】
また、Ｒ１、Ｒ２は前記と同じ意味を表し、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数６〜１６のアリール基、炭素数２〜６のアルケニル基を表わし、Ｒ３とＲ４若しくはＲ５、Ｒ４とＲ５は連結して５〜６員環を形成してもよい。
【００４９】
上記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６における各置換基の具体的な例としては、前述と同様の置換基が挙げられる。
【００５０】
一般式（２）において特に好ましいアゾ化合物の例としては、下記のものが挙げられる。
【００５１】
【表１−１】
2005255729.tif 000011
【００５２】
【表１−２】
2005255729.tif 000012
【００５３】
【表１−３】
2005255729.tif 000013
【００５４】
【表１−４】
2005255729.tif 000014
【００５５】
【表１−５】
2005255729.tif 000015
【００５６】
【表１−６】
2005255729.tif 000016
【００５７】
【表１−７】
2005255729.tif 000017
【００５８】
また、一般式（２）で示されるアゾ化合物と金属塩とから形成される金属キレート化合物の特に好ましい例としては、下記のものが挙げられる。
【００５９】
【表２−１】
2005255729.tif 000018
【００６０】
【表２−２】
2005255729.tif 000019
【００６１】
【表２−３】
2005255729.tif 000020
【００６２】
【表２−４】
2005255729.tif 000021
【００６３】
【表２−５】
2005255729.tif 000022
【００６４】
【表２−６】
2005255729.tif 000023
【００６５】
【表２−７】
2005255729.tif 000024
【００６６】
本発明の金属キレート化合物は、一般式（４）
【００６７】
【化１０】
2005255729.tif 000025
【００６８】
（式中Ａは前記と同じ）で示されるアミノ化合物を公知の方法によりジアゾ化し、一般式（５）
【００６９】
【化１１】
2005255729.tif 000026
【００７０】
（式Ｂ、Ｒ１、Ｒ２は前記と同じ）で示されるカップリング成分と反応させることにより合成される一般式（１）で示されるアゾ化合物に、メチルアルコール、テトラヒドロフラン、アセトンなどの有機溶媒中で金属化合物のメタノール溶液や水溶液を加えることにより得られる。
【００７１】
本発明の金属キレート化合物は、２以上のアゾ化合物と２価以上の金属塩とから形成されるが、アゾ化合物同士が同一であっても、互いに異なっていてもよい。互いに異なるアゾ化合物と２価以上の金属塩とから形成される金属キレート化合物は、上記方法によって得られた互いに異なるアゾ化合物の混合物に、メチルアルコール、テトラヒドロフラン、アセトンなどの有機溶媒中で金属化合物のメタノール溶液や水溶液を加えることにより得られる。
【００７２】
本発明における光記録媒体に関し、その具体的な構成について以下に説明する。
【００７３】
光記録媒体とは予め情報を記録されている再生専用の光再生専用媒体及び情報を記録して再生することのできる光記録媒体の両方を示すものである。但し、ここでは適例として後者の情報を記録して再生のできる光記録媒体、特に基板上に記録層、反射層を有する光記録媒体に関して説明する。本発明の光記録媒体は図１に示すような貼り合わせ構造を有している。すなわち、基板１上に記録層２が形成されており、その上に密着して反射層３が設けられており、さらにその上に接着層４を介して基板５が貼り合わされている。ただし、記録層２の下または上に別の層があっても良く、反射層３の上に別の層があっても良い。ここでは、既存のＤＶＤとの互換性のため、板厚が０．６ｍｍ、外径１２０ｍｍΦ、内径１５ｍｍφの円盤状基板が２枚貼り合わされた構造である。
【００７４】
次に、本発明の記録媒体の構成各層の必要特性及びその構成材料について説明する。
【００７５】
１）基板
基板の材質としては、基本的には記録光および再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成形される。基板表面には記録位置を表すプリグルーブやプリピット、一部再生専用情報等のためのプリピットを有していてもよい。これらのプリグルーブやプリピットは、射出成形法等により基板作製時にスタンパー原盤から転写付与する方法が通常とられる。また、レーザーカッティング法（プリライト）や２Ｐ（Ｐｈｏｔｏ Ｐｏｌｙｍｅｒ）法により作製してもよい。
【００７６】
基板の溝ピッチは０．７μｍ〜１．０μｍであり、溝深さは１００ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは１４０ｎｍ〜１８５ｎｍである。溝幅は、０．２５μｍ〜０．４０μｍ、好ましくは０．３０μｍ〜０．３５μｍである。溝深さが１００ｎｍ未満の場合、トラッキングのためのプッシュプル信号振幅を得ることが困難になる傾向があり、２００ｎｍを越える場合は、射出成形時の転写プロセスが生産上実用的ではない。また、溝幅が０．２５μｍ未満の場合、クロストークが悪化する傾向があり、０．４μｍを越える場合、射出成形時の転写プロセスが生産上実用的ではない。これら溝形状は、Ｈｅ−Ｃｄレーザーの照射による回折光解析またはＡＦＭ等のプロファイルから求められる。
【００７７】
２）記録層
本発明においては、基板上に記録層を設けるが、本発明の記録層は、λmaxが４５０ｎｍ〜６３０ｎｍ付近に存在する一般式（１）で示されるアゾ化合物と金属塩とから形成される金属キレート化合物を含有する。中でも、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍより選択される記録および再生レーザー波長に対して適度な光学定数（光学定数は複素屈折率（ｎ＋ｋｉ）で表現される。式中のｎ、ｋは、実数部ｎと虚数部ｋとに相当する係数である。ここでは、ｎを屈折率、ｋを消衰係数とする。）を有する必要がある。
【００７８】
一般に有機色素は、波長λに対し、屈折率nと消衰係数kが大きく変化する特徴がある。ｎが１．８より小さい値になると正確な信号読み取りに必要な反射率と信号変調度は得られず、ｋが０．４０を越えても反射率が低下して良好な再生信号が得られないだけでなく、再生光により信号が変化しやすく実用に適さない。この特徴を考慮して、目的とするレーザー波長において好ましい光学定数を有する有機色素を選択し記録層を成膜することで、高い反射率を有し、かつ、感度の良い媒体とすることができる。
【００７９】
本発明で使用する一般式（１）で示されるアゾ化合物と金属塩とから形成される金属キレート化合物は、通常の有機色素に比べ、吸光係数が高く、また置換基の選択により吸収波長域を任意に選択できるため、前記レーザー光の波長において記録層に必要な光学定数（ｎが１．８以上、且つ、ｋが０．０４から０．４０であり、好ましくは、ｎが２．０以上、且つ、ｋが０．０４〜０．２０）を満足する。
【００８０】
更に、一般式（１）で示されるアゾ化合物と金属塩とから形成される金属キレート化合物は、記録レーザー照射時に発生する熱による分解が適度に促進され、高速記録時においても感度が良く、また熱干渉によるピットジッターの悪化が十分低く抑制でき、極めて有用である。
【００８１】
本発明の記録層においては、更に、記録特性などの改善のために、一般式（１）で示されるアゾ化合物と金属塩とから形成される金属キレート化合物を２種以上を混合しても良い。アゾ金属キレート化合物の混合割合については特に制限はされないが、前記の理由で、光学定数ｎが１．８以上、好ましくは２．０以上で、且つ、ｋが０．０４から０．４０であり、好ましくは０．０４〜０．２０になるように混合するのが好ましい。
【００８２】
また、波長４５０ｎｍ〜６３０ｎｍに吸収極大を有し、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の色素と混合しても良い。具体的には、シアニン系色素、スクアリリウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、ポルフィリン系色素、アザポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系色素等があり、複数の色素の混合であっても良い。これらの色素の混合割合は、０．１〜３０％程度である。
【００８３】
更に、一般式（１）で示されるアゾ化合物と金属塩とから形成される金属キレート化合物の、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍから選択される記録及び再生レーザー波長に対してのｋが小さい場合には、記録特性などの改善のために、波長６００ｎｍ〜９００ｎｍに吸収極大を有する光吸収化合物と混合しても良い。具体的には、シアニン系色素、スクアリリウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、ポルフィリン系色素、アザポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素等があり、複数の色素の混合であっても良い。これらの色素の混合割合は、０．１〜３０％程度である。
【００８４】
記録層を製膜する際に、必要に応じてクエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収剤、接着剤、吸熱分解化合物などを混合するか、あるいは、そのような効果を有する化合物を一般式（１）で示されるアゾ化合物と金属塩とから形成される金属キレート化合物の置換基として導入することも可能である。
【００８５】
クエンチャーの具体例としては、アセチルアセトナート系化合物、ビスジチオ−α−ジケトン系化合物やビスフェニルジチオール系化合物などのビスジチオール系化合物、チオカテコール系化合物、サリチルアルデヒドオキシム系化合物、チオビスフェノレート系化合物などの金属錯体が好ましい。また、アミン化合物も好適である。
【００８６】
熱分解促進剤としては、例えば、金属系アンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセトナート系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。
【００８７】
さらに、必要に応じて、バインダー、レベリング剤、消泡剤などを併用することもできる。好ましいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィンなどが挙げられる。
【００８８】
記録層を基板の上に成膜する際に、基板の耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。
【００８９】
記録層を設ける方法は、例えば、スピンコート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げられるが、スピンコート法が簡便で好ましい。
【００９０】
スピンコート法等の塗布法を用いる場合には、一般式（１）で示されるアゾ化合物と金属塩とから形成される金属キレート化合物を１〜４０重量％、好ましくは３〜３０重量％となるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフルオロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセトン、3-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブタノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いても良く、あるいは、複数混合しても良い。
【００９１】
なお、必要に応じて、記録層の色素を高分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
【００９２】
また、基板にダメージを与えない溶媒を選択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法などが有効である。
【００９３】
色素層の膜厚は、特に限定するものではないが、基板の案内溝（グルーブ）上の膜厚が３０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲が好ましく、基板の案内溝間（ランド）の膜厚は、１０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲が好ましい。グルーブの膜厚が１５０ｎｍを越すと、最短ピットが潰れ、好ましくない。また、３０ｎｍよりも薄い場合、良好な記録感度、記録変調度が得られない。ランド上の膜厚は極力薄いことが特に好ましい。これらの記録層の膜厚制御は、上記の有機溶媒を複数混合して用いることで可能である。
【００９４】
３）反射層
記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＴａおよびＰｄの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。これ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属および半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
【００９５】
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上などのために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を設けることもできる。
【００９６】
４）保護層
反射層の上の保護層の材料としては反射層を外力から保護するものであれば特に限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げることができる。また、無機物質としては、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＦ２、ＳｎＯ２などが挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させることによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。
【００９７】
保護層の形成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッタ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中でもスピンコート法が好ましい。
【００９８】
保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜３０μｍであり、より好ましくは５μｍ〜２０μｍである。
【００９９】
保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を行うこともできる。また、反射層面に保護シートまたは基板を張り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向させ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いても良い。また、基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を製膜しても良い。
【０１００】
本発明でいう波長５２０ｎｍ〜６９０ｎｍのレーザーは、特に制限はないが、例えば、可視光領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波長６３３ｎｍのヘリウムネオンレーザー、波長６８０、６５０、６３５ｎｍ付近の高出力半導体レーザー、波長５３２ｎｍの高調波変換ＹＡＧレーザーなどが挙げられる。本発明では、これらから選択される１波長または複数波長において高密度記録および再生が可能となる。
【０１０１】
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれによりなんら限定されるものではない。
【実施例１】
【０１０２】
化合物（１−１）の合成
水６０ｇ、３６％塩酸１９．０ｇの混合溶液に下記構造式（４−ａ）で示される化合物１．６９ｇを加えて冷却し、０−５℃にて、１０％亜硝酸ナトリウム水溶液１０．４ｇを滴下した。同温度で１時間攪拌し、ジアゾニウム塩の水溶液を調製した。下記構造式（５−ａ）で示される化合物２．８０ｇに尿素０．５５ｇ、酢酸ナトリウム５．５０ｇ、メタノール５５ｍｌを加えて攪拌し、上記で調製したジアゾニウム塩の水溶液を０−５℃で滴下装入した。同温度で２時間攪拌した後、一晩放置した。析出した結晶をろ別、水洗、乾燥して、下記構造式（６−ａ）で示される化合物３．５５ｇを得た。
【０１０３】
【化１２】
2005255729.tif 000027
【０１０４】
次に、窒素気流下、乾燥アセトン１５０ｍｌに炭酸カリウム２．８２ｇと式（６−ａ）で示される化合物３．５０ｇを加えて、ジメチル硫酸１．２９ｇを滴下したのち、室温で３時間攪拌した。析出したろ塊を水洗、アセトンスラッジの順で精製を行ったところ、（１−１）２．１１ｇを得た。
【０１０５】
【化１３】
2005255729.tif 000028
【０１０６】
最後に、メタノール２５ｍｌ、テトラヒドロフラン(THF)２５ｍｌの混合溶液に式（１−１）で示される化合物２．１１ｇを加えて、５０℃にて酢酸ニッケル４水和物０．７６ｇのメタノール溶液を加えて、同温度で３時間攪拌した。析出した固体をろ別、精製して金属キレート化合物（ＡＭ−１）１．３７ｇを得た。
【０１０７】
【化１４】
2005255729.tif 000029
【０１０８】
下記の分析結果より、目的物であることを確認した。
元素分析値（Ｃ３６Ｈ４０Ｎ１８Ｏ４Ｓ２Ｎｉ）
【０１０９】
【表３】
2005255729.tif 000030
【０１１０】
このようにして得られた化合物は、クロロホルム溶液中において、５４４．５ｎｍに吸収極大を示し、グラム吸光係数は１．１８×１０５ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。
【実施例２】
【０１１１】
次に、厚さ０．６０ｍｍ、直径１２０ｍｍΦのスパイラルグルーブ（ピッチ＝０．７４μｍ、深さ＝１６５ｎｍ、幅＝０．３３μｍ）を有する射出成型ポリカーボネート基板に表２に記載した金属キレート化合物（ＡＭ−１）をテトラフルオロプロパノールに溶解し（２０ｇ／Ｌ）、スピンコーティング法にてほぼ溝上膜厚８０ｎｍ、溝間膜厚２０ｎｍとなるように調製し成膜した。８０℃、２時間乾燥処理した後、ＡｇＰｄＣｕ反射膜をバルザース製スパッタ装置（ＣＤＩ−９００）を用い膜厚８０ｎｍで形成し、更にこの反射層上にはＵＶ硬化樹脂：ＳＤ１７（大日本インク製）を塗布し、ＵＶ硬化した後、この上に前記と同様０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板を貼り合わせＪＳＲ製ＫＺ８６８１ラジカル重合接着剤によりＵＶ光で貼り合わせた光記録媒体を作製した。
【０１１２】
得られた光記録媒体をパルステック工業社製ディスクテスターＤＤＵ１０００：波長＝６６１ｎｍ、ＮＡ＝０．６０にて、線速度＝３．５ｍ／ｓ（ＤＶＤ−Ｒ基準記録速度）、線速度＝１４ｍ／ｓ（ＤＶＤ−Ｒ基準記録速度の４倍速スピード）、及び線速度＝２８ｍ／ｓ（ＤＶＤ−Ｒ基準記録速度の８倍速スピード）にて各々ＤＶＤＲ対応のＥＦＭ＋信号を記録した。記録条件はＤＶＤ−Ｒ規格書（ｖｅｒ２．０）記載のパルス条件を各々１倍速、４倍速、及び８倍速の高速駆動し各ピットに最適となるような調整を施し記録した。それら記録部位をＤＶＤ標準速度でジッター計測した。当該実施例に示すＤＶＤＲ媒体では１倍速、４倍速、及び８倍速いずれにおいても良好なジッター値で幅広いパワーウインドウが確認できた。
【０１１３】
［実施例３〜２０］
表２に記載した金属キレート化合物を適宜使用する以外は、実施例２と同様にして光記録媒体を作製した。
【０１１４】
これら光記録媒体を実施例２と同様にして評価を行ったところ、１倍速、４倍速、及び８倍速いずれにおいても良好なジッター値で幅広いパワーウインドウが確認できた。
【０１１５】
［実施例２１］
金属キレート化合物（ＡＭ−１）と（ＡＭ−２１）の混合物（重量比９：１）をテトラフルオロプロパノールに溶解する以外は実施例２と同様にして光記録媒体を作製した。更に実施例２と同様にして評価を行ったところ、１倍速、４倍速、及び８倍速いずれにおいても良好なジッター値で幅広いパワーウインドウが確認できた。
【０１１６】
［実施例２２〜２４］
表２に記載した金属キレート化合物の混合物を適宜使用する以外は、実施例２１と同様にして光記録媒体を作製した。
【０１１７】
これら光記録媒体を実施例２と同様にして評価を行ったところ、１倍速、４倍速、及び８倍速いずれにおいても良好なジッター値で幅広いパワーウインドウが確認できた。
【０１１８】
［比較例１］
下記構造式（７）の金属キレート化合物を用いて実施例２と同様にして光記録媒体を作製し、同様の評価を実施した。１倍速、４倍速は良好な信号特性が得られたが、記録感度に劣り、８倍速では良好な記録が行えなかった。
【０１１９】
【化１５】
2005255729.tif 000031
【０１２０】
表４には、実施例２〜２４、及び比較例１において、計測した１倍速、４倍速、及び８倍速のジッター、及び変調度の結果を示した。当該実施例に示すＤＶＤＲ媒体では、１倍速、４倍速、及び８倍速いずれにおいても良好なジッター値で幅広いパワーウインドウが確認できた。
【０１２１】
【表４】
2005255729.tif 000032
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
本発明の金属キレート化合物を記録層として用いることにより、高密度光記録媒体である波長５２０〜６９０ｎｍのレーザーで記録再生が可能で耐久性に優れた高密度、高速記録に適した追記型光記録媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】従来の光記録媒体および本発明の層構成を示す断面構造図である。
【符号の説明】
【０１２４】
１  基板
２  記録層
３  反射層
４  接着層
５  基板
【図１】
2005255729.tif 000036