(57)【要約】【課題】データ線の断線を抑制すること。【解決手段】陽極酸化線５０がデータ線３０に対して交差する方向は、すべての画素２０におけるデータ線３０に対して同一方向である。すなわち、すべての画素２０において、陽極酸化線５０は、データ線３０の行方向（Ｘ方向）に平行な部分、及びデータ線３０が画素２０内に向かって延出した第２データ線３０ｐ2と交差する。このような配線パターンを用いてデータ線３０をスパッタリングする際には、陽極酸化線５０が形成された素子基板を列方向（Ｙ方向）に移動させる。【選択図】        図３−１
2005018046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素の各行毎に前記画素のピッチの略半分ずつシフトして画素電極が配列する電気光学装置用基板の製造方法において、
一つの前記画素内において、列方向に平行な金属線を形成する工程と、
前記金属線を陽極酸化することによって陽極酸化膜を形成する工程と、
行方向に平行な横ラインと、この横ラインと接続する列方向に平行な縦ラインとが前記画素電極に沿って形成され、さらに一部が前記画素電極方向に延出して前記陽極酸化膜上に延出部を形成することにより、前記画素電極の駆動素子を構成するデータ線を形成する工程と、
前記画素電極を形成する工程と、を備え、
前記データ線を形成する工程では、前記データ線がすべての前記画素において前記陽極酸化膜が形成された金属線と同一方向で交差させてなることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項２】
画素の各行毎に前記画素のピッチの略半分ずつシフトして画素電極が配列する電気光学装置用基板の製造方法において、
一つの前記画素内において、列方向に平行な第１の金属線の縦ラインと、列方向に隣接する第１の他の画素における金属線と接続される第２の金属線の縦ラインと、前記２本の金属線の縦ラインを接続する行方向に平行な金属線の横ラインと、この金属線の横ラインと列方向に隣接する第２の他の画素における金属線と接続される第３の金属線の縦ラインと、を備え、前記全ての金属線を陽極酸化することで陽極酸化膜を形成する工程と、
行方向に平行なデータ線の横ラインと、このデータ線の横ラインと接続する列方向に平行なデータ線の縦ラインとから構成されて前記画素電極に沿って形成され、さらに一部が前記画素電極方向に延出して前記陽極酸化膜が形成された前記第１の金属線の縦ライン上に前記延出部を形成することにより、前記画素電極の駆動素子を構成するデータ線を形成する工程と、
前記金属線の所定部分を除去する工程と、
前記画素電極を形成する工程と、を備え、
前記データ線を形成する工程では、前記データ線がすべての前記画素において前記陽極酸化膜が形成された金属線と同一方向で交差させてなることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項３】
画素の各行毎に前記画素のピッチの略半分ずつシフトして画素電極が配列する電気光学装置用基板の製造方法において、
一つの前記画素内において、列方向に隣接する第１の他の画素における第２の金属線の縦ラインに接続される列方向に平行な第１の金属線の縦ラインと、列方向に隣接する第２の他の画素における前記第１の金属線の縦ラインと接続される前記第２の金属線の縦ラインと、前記画素における前記第１及び前記第２の金属線の縦ラインを接続する行方向に平行な金属線の横ラインと、で構成されるように、金属線を陽極酸化することで陽極酸化膜を形成する工程と、
前記第１の金属線の縦ラインと交差し、行方向に平行なデータ線の横ラインと、このデータ線の横ラインと接続する列方向に平行なデータ線の縦ラインとから構成されて前記画素電極に沿って形成され、さらに一部が前記画素電極方向に延出して前記第１の金属線の縦ライン上に前記延出部を形成することにより、前記画素電極の駆動素子を構成するデータ線を形成する工程と、
前記金属線の所定部分を除去する工程と、
前記画素電極を形成する工程と、を備え、
前記データ線を形成する工程では、前記データ線がすべての前記画素において前記陽極酸化膜が形成された金属線と同一方向で交差させてなることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項４】
前記データ線は、行方向に平行な２本の横ラインと、この横ライン同士を接続する列方向に平行な縦ラインとから構成されて、前記画素電極に沿って形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項５】
前記陽極酸化膜を形成する工程において、前記陽極酸化膜が形成された金属線は前記画素の対角方向に延在するような階段状に形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項６】
前記データ線は、列方向に平行にスパッタリングすることで形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項７】
データ線と、前記データ線に接続された駆動素子と、前記駆動素子に接続された画素電極と、を備える電気光学装置用基板の製造方法において、
複数の金属線をそれぞれ並行に形成する工程と、
前記金属線を陽極酸化することによって前記金属線に陽極酸化膜を形成する工程と、
陽極酸化膜が形成された前記金属線と少なくとも一部を交差させるようにデータ線を形成することによって、駆動素子を形成するデータ線形成工程と、
前記駆動素子に接続する前記画素電極を形成する工程と、
を含み、
前記データ線形成工程において、前記データ線は、前記金属線の延在方向に対して平行にスパッタリングすることで形成され、且つすべての画素において、並行に形成された前記金属線と同一方向で交差するように形成されることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板の製造方法を用いたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置の製造方法を用いたことを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項１０】
画素の各行毎に前記画素のピッチの略半分ずつシフトして配列される画素電極と、
行方向に平行な横ラインと、この横ラインに接続されてなる列方向に平行な縦ラインとから構成されて前記画素電極に沿って設けられ、さらに一部が前記画素電極方向に延出して前記画素電極に駆動信号を供給するデータ線と、
陽極酸化され、陽極酸化膜が設けられてなる金属線上に前記データ線の延出部が設けられてなることにより、前記画素電極の駆動素子を構成する陽極酸化膜と、を有し、
前記金属線と、前記画素におけるデータ線とがすべての前記画素において同一方向で交差することを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項１１】
前記電気光学装置用基板は、陽極酸化膜が設けられてなる第２の金属線を有し、前記横ラインは前記第２の金属線にまたがることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置用基板。
【請求項１２】
前記データ線は、行方向に平行な２本の横ラインと、この横ライン同士を接続する列方向に平行な縦ラインとから構成されて前記画素電極を囲むことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項１３】
前記画素電極を囲むように形成される前記データ線はコの字状であり、すべての前記コの字状は、行方向の同一方向を向いていることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置用基板。
【請求項１４】
前記金属線は列方向に対して平行であり、行方向に対して平行に一部を延出させた前記データ線の延出部と前記金属線とを交差させることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置用基板。
【請求項１５】
前記金属線は、前記データ線の延出部と交差する引き出し線を有することを特徴とする請求項１４に記載の電気光学装置用基板。
【請求項１６】
請求項１５のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電気光学装置に関し、さらに詳しくは、画素がデルタ配列された電気光学装置において、データ線の断線を抑制できる電子機器、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器の製造方法、並びに電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネル等の電気光学装置は、画素をＯＮ／ＯＦＦさせるための駆動信号を画素電極へ送るデータ線が素子基板上に形成される。また、駆動信号に応じて画素を駆動する駆動素子が、素子基板の各画素領域内に形成される。駆動素子として、例えばＴＦＤを使用する場合には、例えば陽極酸化したＴａ上にＣｒを積層することによって、駆動素子であるＴＦＤを形成する。
【０００３】
このような電気光学装置においては、従来はＣｒからなるデータ線の下に陽極酸化したＴａを配置した構成であったが、画素の微細化、画素の開口率を大きくする等の理由から、Ｃｒからなるデータ線を単層で形成する構成が使用されてきている。このようなデータ線を単層で形成する配線パターンは、例えば特許文献１には、データ線の一部がそのまま駆動素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子となるように、Ｃｒのデータ線とＴａの陽極酸化線とが直交する構成が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３１４１７２号公報  図１３、図１４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、データ線を構成するＣｒは、素子を形成する箇所において陽極酸化線の上に形成されるので、Ｃｒをスパッタリングする方向との関係で、Ｃｒのデータ線とＴａの陽極酸化線とが直交する部分では、ＣｒがＴａの陽極酸化線の陰になり、均一にスパッタリングできずにＣｒの断線が発生しやすくなる場合がある。このため、成膜性に優れたスパッタリング方向を考慮して配線パターンを設計する必要があった。特にデルタ配列では、スパッタリングの方向を考慮した有効な配線パターンは十分に提案されておらず、データ線等の配線パターンには制約があるのが現状である。
【０００６】
そこで、この発明は、前記に鑑みてなされたものであって、データ線の断線を抑制できる電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器の製造方法、並びに電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、データ線と、前記データ線に接続された駆動素子と、前記駆動素子に接続された画素電極と、を備える電気光学装置用基板の製造方法において、複数の金属線をそれぞれ並行に形成する工程と、前記金属線を陽極酸化することによって前記金属線に陽極酸化膜を形成する工程と、陽極酸化膜が形成された前記金属線と少なくとも一部を交差させるようにデータ線を形成することによって、駆動素子を形成するデータ線形成工程と、前記駆動素子に接続する前記画素電極を形成する工程と、を含み、前記データ線形成工程において、前記データ線は、前記金属線の延在方向に対して平行にスパッタリングすることで形成され、且つすべての画素において、前記並行に形成された金属膜と同一方向で交差するように形成されることを特徴とする。
【０００８】
この電気光学装置用基板の製造方法では、すべての画素において、データ線と陽極酸化膜線が形成された金属線とを同一方向で交差させる。このようにデータ線と金属線とを製造することにより、金属線をスパッタリングの方向と直交させて、データ線を構成する金属の成膜性に優れたスパッタリングの方向を選択できる。これにより、データ線が金属線上に交差する部分においても、データ線を構成する金属の成膜性を低下させることはない。その結果、この交差する部分におけるデータ線の断線を抑制でき、これにともなって表示不良の発生率も抑制できるので、表示不良の少ない高品位な電気光学装置を得ることができる。ここで、金属線は、ＴａやＴａ合金等の金属線で形成した配線パターンに対して陽極酸化を施すことによって、表面に陽極酸化膜を成膜して形成するものである（以下同様）。
【０００９】
また、次の本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、前記電気光学装置用基板の製造方法において、前記データ線は、前記陽極酸化膜が形成された金属線の延びる方向に対して平行にスパッタリングすることで形成している。
【００１０】
このようにスパッタリングしてデータ線を形成することにより、スパッタリング時における金属膜成膜性のムラを低減できる。これによって、このデータ線が金属線上に交差する部分においても、データ線を構成する金属の成膜性を低下させることなく、この交差する部分におけるデータ線の断線を抑制できる。
【００１１】
また、次の本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、画素の各行毎に前記画素のピッチの略半分ずつシフトして画素電極が配列する電気光学装置用基板の製造方法において、一つの前記画素内において、列方向に平行な金属線を形成する工程と、前記金属線を陽極酸化することによって陽極酸化膜を形成する工程と、行方向に平行な横ラインと、この横ラインと接続する列方向に平行な縦ラインとが前記画素電極に沿って形成され、さらに一部が前記画素電極方向に延出して前記陽極酸化膜上に延出部を形成することにより、前記画素電極の駆動素子を構成するデータ線を形成する工程と、前記画素電極を形成する工程と、を備え、前記データ線を形成する工程では、前記データ線がすべての前記画素において前記陽極酸化膜が形成された金属線と同一方向で交差させてなることを特徴とする。
【００１２】
また、次の本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、画素の各行毎に前記画素のピッチの略半分ずつシフトして画素電極が配列する電気光学装置用基板の製造方法において、一つの前記画素内において、列方向に平行な第１の金属線の縦ラインと、列方向に隣接する第１の他の画素における金属線と接続される第２の金属線の縦ラインと、前記２本の金属線の縦ラインを接続する行方向に平行な金属線の横ラインと、この金属線の横ラインと列方向に隣接する第２の他の画素における金属線と接続される第３の金属線の縦ラインと、を備え、前記全ての金属線を陽極酸化することで陽極酸化膜を形成する工程と、行方向に平行なデータ線の横ラインと、このデータ線の横ラインと接続する列方向に平行なデータ線の縦ラインとから構成されて前記画素電極に沿って形成され、さらに一部が前記画素電極方向に延出して前記陽極酸化膜が形成された前記第１の金属線の縦ライン上に前記延出部を形成することにより、前記画素電極の駆動素子を構成するデータ線を形成する工程と、前記金属線の所定部分を除去する工程と、前記画素電極を形成する工程と、を備え、前記データ線を形成する工程では、前記データ線がすべての前記画素において前記陽極酸化膜が形成された金属線と同一方向で交差させてなることを特徴とする。
【００１３】
これらの電気光学装置用基板の製造方法では、デルタ配列されたすべての画素において、データ線と金属線とを同一方向で交差させる。このようにデータ線と金属線とを製造することにより、金属線をスパッタリングの方向と直交させて、データ線を構成する金属の成膜性に優れたスパッタリングの方向を選択できる。これにより、データ線が金属線上に交差する部分においても、データ線を構成する金属の成膜性を低下させることはない。その結果、この交差する部分におけるデータ線の断線を抑制でき、これにともなって表示不良の発生率も抑制できるので、画素がデルタ配列された場合において、表示不良の少ない高品位な電気光学装置を得ることができる。なお、デルタ配列の周期は限定されるものではなく、６行周期、２行周期いずれでもよい（以下同様）。
【００１４】
また、次の本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、画素の各行毎に前記画素のピッチの略半分ずつシフトして画素電極が配列する電気光学装置用基板の製造方法において、一つの前記画素内において、列方向に隣接する第１の他の画素における第２の金属線の縦ラインに接続される列方向に平行な第１の金属線の縦ラインと、列方向に隣接する第２の他の画素における前記第１の金属線の縦ラインと接続される前記第２の金属線の縦ラインと、前記画素における前記第１及び前記第２の金属線の縦ラインを接続する行方向に平行な金属線の横ラインと、で構成されるように、金属線を陽極酸化することで陽極酸化膜を形成する工程と、前記第１の金属線の縦ラインと交差し、行方向に平行なデータ線の横ラインと、このデータ線の横ラインと接続する列方向に平行なデータ線の縦ラインとから構成されて前記画素電極に沿って形成され、さらに一部が前記画素電極方向に延出して前記第１の金属線の縦ライン上に前記延出部を形成することにより、前記画素電極の駆動素子を構成するデータ線を形成する工程と、前記金属線の所定部分を除去する工程と、前記画素電極を形成する工程と、を備え、前記データ線を形成する工程では、前記データ線がすべての前記画素において前記陽極酸化膜が形成された金属線と同一方向で交差させてなることを特徴とする。
【００１５】
この電気光学装置用基板の製造方法は、金属線を画素内で分岐させないで列方向全域にわたってクランク状の１本の線で構成する。これによって、金属線の配線パターンを簡略化できる。
【００１６】
また、次の本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、前記電気光学装置用基板の製造方法において、前記データ線は、行方向に平行な２本の横ラインと、この横ライン同士を接続する列方向に平行な縦ラインとから構成されて、前記画素電極に沿って形成されることを特徴とする。
【００１７】
このように、画素電極を囲むようにデータ線を形成するので、すべての画素において、画素電極と、これに隣接するデータ線との寄生容量Ｃを略等しくできる。これにより、スジ、ムラの発生を抑えた高品位の画像を表示できる電気光学装置用基板を製造できる。また、データ線をコの字形状とするので、画素の開口率を大きくとることができる。
【００１８】
また、次の本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、前記電気光学装置用基板の製造方法において、前記陽極酸化膜を形成する工程において、前記陽極酸化膜は前記画素の対角方向に延在するような階段状に形成されることを特徴とする。
【００１９】
この電気光学装置用基板の製造方法は、すべての画素において、データ線と金属線とが同一方向で交差させる。このような構成により、データ線が金属線上に交差する部分においても、データ線を構成する金属の成膜性を低下させることなく、この交差する部分におけるデータ線の断線を抑制できる。また、各画素内には同じ形状の金属線を形成するので、画素パターンの周期的な変動は発生しない。これによって、周期的な画素パターンの変動に起因するスジ、ムラの発生を抑えた高品位の画像を表示できる。
【００２０】
また、次の本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、前記電気光学装置用基板の製造方法において、前記データ線は、列方向に平行にスパッタリングすることで形成することを特徴とする。
【００２１】
このようにスパッタリングしてデータ線を形成することにより、スパッタリング時における金属膜成膜性のムラを低減できる。これによって、このデータ線が金属線上に交差する部分においても、データ線を構成する金属の成膜性を低下させることなく、この交差する部分におけるデータ線の断線を抑制できる。
【００２２】
また、次の発明に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学装置用基板の製造方法を用いたことを特徴とする。このため、表示不良の少ない高品位な電気光学装置を製造することができる。また、次の発明に係る電子機器の製造方法は、前記電気光学装置の製造方法を用いたことを特徴とする。このため、表示不良の少ない高品位な電子機器を製造することができる。
【００２３】
また、次の本発明に係る電気光学装置用基板は、画素の各行毎に前記画素のピッチの略半分ずつシフトして配列される画素電極と、行方向に平行な横ラインと、この横ラインに接続されてなる列方向に平行な縦ラインとから構成されて前記画素電極に沿って設けられ、さらに一部が前記画素電極方向に延出して前記画素電極に駆動信号を供給するデータ線と、陽極酸化され、陽極酸化膜が設けられてなる金属線上に前記データ線の延出部が設けられてなることにより、前記画素電極の駆動素子を構成する陽極酸化膜と、を有し、前記金属線と、前記画素におけるデータ線とがすべての前記画素において同一方向で交差することを特徴とする。
【００２４】
また、次の本発明に係る電気光学装置用基板は、前記電気光学装置用基板は、陽極酸化膜が設けられてなる第２の金属線を有し、前記横ラインは前記第２の金属線にまたがることを特徴とする。
【００２５】
これらの電気光学装置用基板は、デルタ配列されたすべての画素において、データ線と金属線とが同一方向で交差する。このような構成により、金属線をスパッタリングの方向と直交させて、データ線を構成する金属の成膜性に優れたスパッタリングの方向を選択できる。これにより、データ線が金属線上に交差する部分においても、データ線を構成する金属の成膜性を低下させることはない。その結果、この交差する部分におけるデータ線の断線を抑制でき、これにともなって表示不良の発生率も抑制できるので、画素がデルタ配列された場合において、表示不良の少ない高品位な電気光学装置を得ることができる。
【００２６】
また、次の発明に係る電気光学装置用基板は、前記電気光学装置用基板において、前記データ線は、行方向に平行な２本の横ラインと、この横ライン同士を接続する列方向に平行な縦ラインとから構成されて前記画素電極を囲むことを特徴とする。
【００２７】
このように、データ線によって画素電極を囲むので、すべての画素において、画素電極と、これに隣接するデータ線との寄生容量Ｃを略等しくできる。これにより、スジ、ムラの発生を抑えた高品位の画像を表示できる。また、データ線をコの字形状とするので、画素の開口率を大きくとることができる。
【００２８】
また、次の発明に係る電気光学装置用基板は、前記電気光学装置用基板において、前記画素電極を囲むように形成される前記データ線はコの字状であり、すべての前記コの字状は、行方向の同一方向を向いていることを特徴とする。
【００２９】
このように、コの字状のデータ線によって画素電極を囲むので、すべての画素において、画素電極と、これに隣接するデータ線との寄生容量Ｃを略等しくしてスジ、ムラの発生を抑えることができるとともに、コの字形状のデータ線とすることで、画素の開口率を大きくとることができる。
【００３０】
また、次の発明に係る電気光学装置用基板は、前記電気光学装置用基板において、前記陽極酸化膜は列方向に対して平行であり、行方向に対して平行に一部を延出させた前記データ線の延出部と前記陽極酸化膜とを交差させることを特徴とする。
【００３１】
このような構成により、スパッタリング時における金属膜成膜性のムラを低減できる。これによって、のデータ線が金属線上に交差する部分においても、データ線を構成する金属の成膜性を低下させることなく、この交差する部分におけるデータ線の断線を抑制できる。
【００３２】
また、次の発明に係る電気光学装置は、前記電気光学装置用基板を備えたことを特徴とする。このため、表示不良の少ない高品位な電気光学装置を得ることができる。また、次の発明に係る電子機器は、前記電気光学装置を備えたことを特徴とする。このため、表示不良の少ない高品位な電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、この発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この発明を実施するための最良の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、下記実施例における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。なお、以下の説明では、電気光学パネルとして液晶表示パネルを例に説明する。
【実施例１】
【００３４】
図１は、実施例１に係る電気光学装置の電気的な構成を示す説明図である。本発明の実施例１に係る電気光学装置１００は、画素２０がデルタ配列されており、かつ各画素の画素電極２２がデータ線３０に囲まれたものであって、Ｔａ等の金属が陽極酸化されて駆動素子を構成する陽極酸化線５０と、画素電極２２へ駆動信号を供給するデータ線３０とが、すべての画素２０において同一方向で交差する電気光学装置用基板を備える点に特徴がある。なお、ここですべての画素とは、表示に用いられないダミー画素を除いた表示に寄与するすべての画素、つまり有効表示領域のすべての画素という意味を含む。これは他の実施例においても同様である。
【００３５】
まず、本発明の実施例１に係る電気光学装置１００について説明する。図１に示されるように、電気光学装置１００には、電気光学装置用基板上に複数本の走査線６０が行（Ｘ）方向に延在して形成され、また、複数本のデータ線３０が列（Ｙ）方向に延在して形成されるとともに、走査線６０とデータ線３０との各交差において画素２０が形成されている。さらに、それぞれの画素２０は、液晶表示要素（液晶層）１と、駆動素子である二端子型非線形素子たるＴＦＤ素子１０との直列接続からなり、液晶表示要素１が走査線６０の側に、ＴＦＤ素子１０がデータ線３０の側に、それぞれ接続されている。
【００３６】
また、それぞれの走査線６０は、走査線駆動回路８０によって駆動される一方、それぞれのデータ線３０は、データ線駆動回路８２によって駆動される構成となっている。ここで、電気光学装置１００は、データ線３０やＴＦＤ素子１０等が形成される電気光学装置用基板である素子基板と、これに対向して配置される対向基板とが互いに一定の間隔を保った状態で貼り付けられる。そして、素子基板と対向基板との間隙に液晶が充填・封止されて液晶表示要素１を形成した構成となっている。図２は、画素のデルタ配列を示す説明図である。デルタ配列は、図２に示すように、隣接する画素２０の行が、それぞれ画素ピッチＰの略半ピッチＰ／２ずらして画素行を配列したものをいう。
【００３７】
図３−１、図３−２は、実施例１に係る電気光学装置の配線パターンを示す一部平面図である。図４−１〜図４−３は、実施例１に係る電気光学装置の１画素を示す平面図である。データ線３０、画素電極２２及びＴＦＤ素子１０は、それぞれ素子基板上に形成される。図３−１及び図４−１に示すように、データ線３０の配線パターンはコの字形状であり、陽極酸化線５０を介してデータ線３０が接続される画素電極２２は、データ線３０によって囲まれている。陽極酸化線５０は、ＴａやＴａ合金等の金属線で形成した配線パターンに対して陽極酸化を施すことによって、表面に陽極酸化膜を成膜して形成する。なお、図３−１、図４−１等には、便宜上画素電極２２を記載してあるが、画素電極２２は、陽極酸化線５０の不用部分を除去してから形成される。
【００３８】
このような構成によって、すべての画素２０において、画素電極２２と、これに隣接するデータ線３０との寄生容量Ｃが略等しくなるので、スジ、ムラの発生を抑えた高品位の画像を表示できる。また、データ線３０の配線パターンをコの字形状とすることで、画素２０の開口率を大きくすることができる。なお、データ線３０の配線パターンはコの字形状のみならず、図３−２に示すような四角形状でもよい。
【００３９】
図４−１、図４−３に示すように、画素２０の駆動素子であるＴＦＤ素子１０は、第１のＴＦＤ素子１０ａと第２のＴＦＤ素子１０ｂとを組み合わせて構成されており、陽極酸化線５０の酸化膜５０ｏ上に第２金属膜を形成することによって形成される（図４−２参照）。ここで、陽極酸化線５０を構成する第１金属にはＴａが用いられ、第２金属にはＣｒが用いられる。なお、第２金属はデータ線３０の材料でもある。
【００４０】
ここで、駆動信号の流れをＳとして考える。図４−３に示すように、第１のＴＦＤ素子１０ａは、データ線３０の側からみると、駆動信号Ｓは、第２金属膜３０ａ→酸化膜５０ｏ→第１金属膜５０ａの順に流れる。すなわち、第１のＴＦＤ素子１０ａは、金属（導電体）／絶縁体／金属（導電体）のサンドイッチ構造を採るため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を有することになる。
【００４１】
一方、第２のＴＦＤ素子１０ｂは、陽極酸化線５０（データ線）の側からみると、駆動信号Ｓは、第１金属膜５０ａ→酸化膜５０ｏ→第２金属膜３０ａの順に流れる。すなわち、第２のＴＦＤ素子１０ｂは、第１のＴＦＤ素子１０ａとは反対のダイオードスイッチング特性を有することになる。したがって、第１のＴＦＤ素子１０ａと第２のＴＦＤ素子１０ｂとを組み合わせたＴＦＤ素子１０は、２つのダイオードを互いに逆向きに直列接続した形となる。これにより、一つのダイオードを用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化されることになる。なお、このように非線形特性を厳密に対称化する必要がないのであれば、一つのＴＦＤ素子のみを用いてもよい。
【００４２】
本発明においては、陽極酸化線５０がデータ線３０に対して交差する方向は、すべての画素２０におけるデータ線３０に対して同一方向である。すなわち、すべての画素２０において、陽極酸化線５０は、行方向（Ｘ方向）に平行な第１データ線３０ｐ1、第２データ線３０ｐ2、第３データ線３０ｐ3、第４データ線３０ｐ4と交差する。この構成について、詳細に説明する。
【００４３】
図４−１に示すように、画素２０内における陽極酸化線５０は、列方向（Ｙ方向）に平行な第１縦ライン５０1、第２縦ライン５０2、第３縦ライン５０3と、第１縦ライン５０1と第２縦ライン５０2とをつなぐ横ライン５０4とによって形成される。第１縦ライン５０1は、駆動素子であるＴＦＤ素子１０を構成する第１データ線３０ｐ1及び画素２０内に延出する第２データ線３０ｐ2と交差する。また、第２縦ライン５０2は、画素電極２２を囲むデータ線３０のうち、行方向（Ｘ方向）に平行な第３データ線３０ｐ3及び第４データ線３０ｐ4と交差する。そして、横ライン５０4は、第１縦ライン５０1と第２縦ライン５０2とを接続しており、第２縦ライン５０2は、１行下の画素２０における横ライン５０4と接続されている。また、第３縦ライン５０3は、この画素２０の横ライン５０4と、１行上の画素２０における第２縦ライン５０2とつながっている。このように、陽極酸化線５０の配線パターンは、画素２０の対角方向に向かって階段状に形成される。
【００４４】
このような配線パターンによって、陽極酸化線５０とデータ線３０とをすべての画素２０において同じ方向で交差させることができる。そして、このような配線パターンを用いてデータ線３０をスパッタリングする際には、陽極酸化線５０が形成された素子基板を列方向（Ｙ方向）、すなわち、陽極酸化線５０の延びる方向に移動させる（図３−１、図４−１）。これにより、データ線３０が形成される部分には、均等に金属が積層する。その結果、データ線３０の断線を抑制して、品質の高い電気光学装置１００を得ることができる。また、データ線３０の断線を抑制することにより、電気光学装置１００の歩留まりを向上させることができる。次に、実施例１に係る電気光学装置の配線パターンを形成する手順を説明する。
【００４５】
図５−１〜図５−４は、実施例１に係る電気光学装置の配線パターンを形成する手順を示す説明図である。まず、表面に絶縁膜７が形成された素子基板３の絶縁膜７上へ、陽極酸化線５０の材料となる第１金属膜５０ｐを形成する（図５−１）。この第１金属膜５０ｐは、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法等で形成することができる。また、この第１金属膜５０ｐの厚さは、陽極酸化線５０によって構成されるＴＦＤ素子１０の用途によって好適な値が選択され、通常１００〜５００ｎｍ程度である。
【００４６】
絶縁膜７は、熱処理により、陽極酸化線５０が下地から剥離しないようにするため、及び陽極酸化線５０に不純物が拡散しないようにするために設けられる。したがって、これが問題とならない場合には、絶縁膜７を省略してもよい。素子基板３自体は、例えば、石英やガラスなどの絶縁性を有するものが用いられる。
【００４７】
陽極酸化線５０は、Ｔａ単体あるいはＴａ合金で構成されるものであり、本実施例においてはＴａを使用する。Ｔａ合金とする場合には、主成分のＴａに、例えばＷ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｙｂ、Ｌａ、Ｄｙ等の、周期律表において第６〜第８族に属する元素を添加することができる。なお、これらの元素の中ではＷが好ましく、含有割合は、例えば０．１〜６質量％が好ましい。
【００４８】
そして、スパッタリング法等によって形成したＴａ膜を、フォトリソグラフィ及びエッチング技術によってパターニングすることにより、陽極酸化線５０の配線パターンが形成される（図５−２）。次に、陽極酸化線５０の表面を陽極酸化法によって酸化することによって、陽極酸化線５０の表面に酸化膜を形成する。この酸化膜の厚さは、ＴＦＤ素子１０の用途によって好適な値が選択され、例えば、１０〜３５ｎｍ程度である。陽極酸化で用いられる化成液は特に限定されるものではないが、例えば、０．０１〜０．１質量％のクエン酸水溶液を用いることができる。
【００４９】
次に、データ線３０のパターンを形成する。まず、陽極酸化線５０の上に、データ線３０を構成する第２金属膜３０ａを成膜する（図５−３）。この第２金属膜３０ａは、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ，Ｍｏ等であるが、本実施例においてはＣｒを使用する。これらの材料をスパッタリング法等の薄膜形成方法によって堆積させることにより形成される。また、この第２金属膜の厚さは５０〜３００ｎｍ程度である。
【００５０】
続いて、一般に用いられるフォトリソグラフィ及びエッチング技術によって前記金属膜をパターニングすることにより、データ線３０の配線パターンが形成される。そして、画素２０の駆動用ＴＦＤ素子１０を作るために、不要な陽極酸化線５０をフォトリソグラフィ及びエッチング技術によって除去する（図５−４）。本発明の実施例１に係る陽極酸化線５０のパターンによれば、すべての画素２０において、陽極酸化線５０とデータ線３０とを同じ方向で交差させるので、陽極酸化線５０をスパッタリングの方向と直交させて、データ線を構成する金属の成膜性に優れたスパッタリングの方向を選択できる。これにより、データ線３０が陽極酸化線５０上に交差する部分９においては、第２金属の成膜性を低下させることなく、この交差する部分９におけるデータ線３０の断線を抑制できる。また、各画素２０内には同じ形状の陽極酸化線５０を形成するので、画素パターンの周期的な変動は発生しない。これによって、周期的な画素パターンの変動に起因するスジ、ムラの発生を抑えた高品位の画像を表示できる。
【００５１】
本実施例では、駆動素子、データ線を形成するにあたって、陽極酸化膜を形成し、当該陽極酸化膜の所定部分を除去してからデータ線を形成していない。陽極酸化膜を形成し、当該陽極酸化膜の所定部分を除去してからデータ線を形成するという工程では、金属線形成、金属線の陽極酸化、フォトリソグラフィにより金属線に形成した陽極酸化膜の所定部分を除去、データ線形成という手順を踏むこととなる。この工程を用いた製造方法では、データ線と陽極酸化線とが交差する箇所は駆動素子部のみとなり、一見すると表示の向上が見られそうである。しかし、この手順では、陽極酸化膜をフォトリソグラフィする際に、陽極酸化膜にレジストを塗布し、これを剥離する手順が必要である。この時、レジストの残渣等によって陽極酸化膜が汚染されるおそれがあり、電気光学装置の表示欠陥を生ずることがある。このため、本実施例のように、ＴＦＤ素子１０等の駆動素子を作り込んでからデータ線の所定部分を除去することにより、陽極酸化膜にレジストの残渣等が残留することによって金属酸化膜が汚染されることに対する危険性を低減している。また、上記のように、データ線と陽極酸化膜が交差しても、本発明において断線の恐れはほとんど無い。なお、本発明は、本実施例に限られるものではなく、駆動素子、データ線を形成するにあたって、陽極酸化膜を形成し、当該陽極酸化膜の所定部分を除去してからデータ線を形成する工程を用いても良い。
【００５２】
次に、画素２０内に画素電極２２を形成する（図５−４）。まず、スパッタリング等の薄膜形成方法によって、画素電極２２となる導電膜がデータ線３０上に形成される。この導電膜には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＡｌが用いられる。次に、一般に用いられるフォトリソグラフィ及びエッチング技術によってこの導電膜をパターニングすることにより、データ線３０で囲まれた画素領域に画素電極２２が形成される。これにより、画素電極２２は、画素２０内に形成された内部データ線３０ｉと接続される。内部データ線３０ｉは、陽極酸化線５０によって画素２０内に延出する第２データ線３０ｐ2と接続されて、画素電極２２を囲むデータ線３０から駆動信号を受け取って画素２０をＯＮ／ＯＦＦさせる。以上の工程を含む電気光学装置用基板の製造方法によって、電気光学装置用基板である素子基板３上にデータ線３０、画素電極２２及び駆動用のＴＦＤ素子１０を形成することができる。この後、対向基板との貼り合わせ、液晶の封入、実装部品の取り付けを経て、本発明の実施例１に係る電気光学装置１００が完成する。また、この電気光学装置１００を携帯電話、パーソナルコンピュータ、あるいはデジタルスチルカメラその他の電子機器に実装することで、この電気光学装置１００を備えた電子機器を製造することができる。
【実施例２】
【００５３】
図６−１、図６−２は、実施例２に係る電気光学装置を構成する配線パターンを示す一部平面図である。本発明の実施例２に係る電気光学装置１０１は、実施例１に係る電気光学装置１００と略同様の構成であるが、陽極酸化線５１を画素２０内で分岐させないで列方向全域にわたってクランク状の１本の線で構成し、画素２０の対角方向に向かって階段状に形成した点が異なる。その他の構成は実施例１の同様なので、同一の構成には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００５４】
陽極酸化線５１は、列（Ｙ）方向に平行な第１縦ライン５１1、第２縦ライン５１2と、両者を接続する横ライン５１3とによって形成される。第１縦ライン５１1は、駆動素子であるＴＦＤ素子１０を構成する第１データ線３０ｐ1、画素２０内に延出する第２データ線３０ｐ2、及び第４データ線３０ｐ4と交差するように構成される。ここで、第４データ線３０ｐ4は、画素電極２２を囲むデータ線３０のうち行（Ｘ）方向に平行なデータ線である。
【００５５】
第２縦ライン５１2は、画素電極２２を囲むデータ線３０のうち、行（Ｘ）方向に平行な第３データ線３０ｐ3と交差するように構成される。そして、横ライン５１3は、第１縦ライン５１1と第２縦ライン５１2とを接続している。このように、陽極酸化線５１は、画素２０の対角方向に向かって階段状に形成される。陽極酸化線５１の上にデータ線３０を所定の配線パターンで形成したら、エッチングによって陽極酸化線５１の不要な部分を除去して、画素電極２２を形成する（図６−２）。
【００５６】
本発明の実施例２に係る陽極酸化線５１のパターンでも、陽極酸化線５１をスパッタリングの方向と直交させることができる。これにより、データ線３０が陽極酸化線５１上に交差する部分９においては、データ線３０の材料である第２金属の成膜性を低下させることなく、この交差する部分９におけるデータ線３０の断線を抑制できる。また、実施例１に係る陽極酸化線５０のパターンとは異なり、第１縦ライン５１1によって駆動素子であるＴＦＤ素子１０を構成する第１データ線３０ｐ1、第２データ線３０ｐ2と交差させるとともに、第１縦ライン５１1を１行下の画素２０における第２縦ライン５１2と接続させる。これにより、陽極酸化線５１の配線パターンを簡略化できる。
【実施例３】
【００５７】
図７−１〜図７−３は、実施例３に係る電気光学装置の配線パターンを示す一部平面図である。また、図８は、画素電極を形成した実施例３に係る配線パターンを示す一部平面図である。本発明の実施例３に係る電気光学装置１０２は、陽極酸化線５２を行（Ｘ）方向と平行に形成し、列（Ｙ）方向に平行に形成したＴＦＤ素子１０を構成する第１データ線３１ｐ1、第２データ線３１ｐ2と交差させる点に特徴がある。
【００５８】
陽極酸化線５２は、行（Ｘ）方向に平行な横ラインによって形成されている。また、データ線３１は、コの字形状である。画素２０内には（図７−２）、駆動素子であるＴＦＤ素子１０を構成する第１データ線３１ｐ1、及び画素２０内に延出する第２データ線３１ｐ2が形成されている。この第１データ線３１ｐ1、第２データ線３１ｐ2は、列（Ｙ）方向に平行な縦ラインである。
【００５９】
陽極酸化線５２は、駆動素子であるＴＦＤ素子１０を構成する第１データ線３１ｐ1、第２データ線３１ｐ2及び画素電極２２を囲むデータ線３１のうち、縦（Ｙ）方向に平行な第３データ線３１ｐ3と交差するように構成される。このように、この電気光学装置１０２においても、陽極酸化線５２と、画素２０のデータ線３１とが、すべての画素２０において同一方向で交差する。また、図７−３に示すように、行（Ｘ）方向に平行な陽極酸化線５２に引き出し線５２ａを形成して、これと第１データ線３１ｐ1、第２データ線３１ｐ2とを交差させてもよい。
【００６０】
陽極酸化線５２の上にデータ線３１を所定の配線パターンで形成したら、エッチングによって陽極酸化線５２の不要な部分を除去して、画素電極２２を形成する（図８）。これにより、画素電極２２は内部データ線３１ｉと接続される。そして、画素電極２２は、陽極酸化線５２を介してデータ線３１と接続されて、駆動信号が供給される。
【００６１】
本発明の実施例３に係る陽極酸化線５２の配線パターンでも、すべての画素２０において陽極酸化線５２とデータ線３１とを同じ方向で交差させることができる。これにより、陽極酸化線５２をスパッタリングの方向と直交させることができる。その結果、データ線３１が陽極酸化線５２上に交差する部分９においては、第２金属の成膜性を低下させることなく、この交差する部分９におけるデータ線３０の断線を抑制できる。また、実施例２に係る陽極酸化線５１の配線パターンとは異なり、１本の陽極酸化線５２によって、１行におけるすべての画素２０の第１データ線３１ｐ1、第２データ線３１ｐ2及び第３データ線３１ｐ3と交差させることができる。これにより、実施例２に係る電気光学装置１０１よりも、さらに陽極酸化線５２の配線パターンを簡略化できる。
【実施例４】
【００６２】
本発明の実施例４に係る電気光学パネル１００は、上記実施例に係る電気光学パネルと略同様の構成であるが、画素配列がストライプ配列である点が異なる。他の構成は、上記実施例と同様であるのでその説明を省略するとともに、同一の構成には同一の符号を付す。
【００６３】
図９は、ストライプ配列を示す平面図である。図１０−１、図１０−２は、実施例４に係る電気光学装置用基板の配線パターン例を示す一部平面図である。図９に示すように、ストライプ配列は、行（Ｘ）方向に向かっては、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素の順に繰り返して配列されるとともに、列（Ｙ）方向に向かっては、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素それぞれが直線状に配列される構成である。
【００６４】
図１０−１に示す配線パターンは、陽極酸化線５３上に、列（Ｙ方向）に平行な列方向データ線３３、行方向（Ｘ方向）に平行な第１データ線３３Ｐ1、及び第２データ線３３Ｐ2をパターニングした状態を示している。なお、図１０−１には、便宜上、画素電極２３を記載してあるが、画素電極２３は、陽極酸化線５３の不用部分を除去してから形成される。第１データ線３３Ｐ1は、列方向データ線３３から分岐しており、画素電極２３（図１０−２参照）方向に延出するとともに、陽極酸化線５３と交差する。また、第２データ線３３Ｐ2は、陽極酸化線５３と交差する。
【００６５】
このように、実施例４においては、陽極酸化線５３がデータ線（第１データ線３３Ｐ1、及び第２データ線３３Ｐ2）と交差する方向は、すべての画素２０において、前記データ線に対して同一方向である。すなわち、すべての画素２０において、陽極酸化線５３は、行方向（Ｘ方向）に平行な第１データ線３３Ｐ1、及び第２データ線３３Ｐ2と同一方向で交差する。前記データ線から見れば、すべての画素２０において、前記データ線は、陽極酸化線５３と同一方向で交差する。
【００６６】
図１１−１、図１１−２は、実施例４に係る電気光学装置用基板の他の配線パターン例を示す一部平面図である。この配線パターンは、図１１−１、図１１−２に示す配線パターンの同様の構成であるが、陽極酸化線５３から引き出し線である陽極酸化膜枝線５３ｓを分岐させている。そして、すべての画素２０において、陽極酸化膜枝線５３ｓと、第１データ線３３Ｐ1及び第２データ線３３Ｐ2とを、同一方向で交差させている。
【００６７】
このような配線パターンを形成するにあたっては、列方向データ線３３、第１データ線３３Ｐ1、及び第２データ線３３Ｐ2をスパッタリングによってパターニングする。このときには、陽極酸化線５３や陽極酸化膜枝線５３ｓが形成された素子基板を列方向（Ｙ方向）、すなわち、陽極酸化線５３の延びる方向に移動させる。これにより、前記データ線が形成される部分には、均等に金属が積層する。その結果、列方向データ線３３、第１データ線３３Ｐ1等の断線を抑制して、品質の高い電気光学装置を得ることができる。また、列方向データ線３３、第１データ線３３Ｐ1等の断線を抑制することにより、電気光学装置の歩留まりを向上させることができる。
【００６８】
図１２−１、図１２−２は、陽極酸化線のエッチングを示す説明図である。上述したように、図１０−１に示した配線パターンでは、陽極酸化線５３が直線である。図１１−１に示した配線パターンでは、陽極酸化線５３から陽極酸化膜枝線５３ｓが分岐して、それぞれの陽極酸化線５３ｓが、第１データ線３３Ｐ1及び第２データ線３３Ｐ2と交差する。このような陽極酸化線の配線パターンの相違により、陽極酸化線のエッチング時には次のような相違点がある。なお、図１２−１に示す陽極酸化線が図１０−１に示す配線パターンに相当し、図１２−２に示す陽極酸化線が図１０−２に示す配線パターンに相当する。
【００６９】
ＴＦＤ素子１０及び画素電極２３は、次の工程で形成される。
（１）ＴＦＤ素子の下側電極となるＴａのパターニング。
（２）Ｔａの陽極酸化によって絶縁膜形成。
（３）ＴＦＤ素子の上側電極となるＣｒのパターニング。
（４）ＴＦＤ素子部のＴａを分離（陽極酸化給電ラインの除去）。
（５）画素電極のパターニング。
【００７０】
上記（４）の工程において、図１２−１に示す配線パターンでは、ＴＦＤ素子が形成される部分（以下素子部１０ｐという）を挟んで、Ｔａ給電ラインが両側同時にエッチングされる。一方、図１２−２に示す配線パターンでは、素子部１０ｐを挟んで片側のみエッチングされる。図１２−１に示す配線パターンの場合には、素子部１０ｐを挟んでＴａの２箇所が露出している。すなわち、２箇所がレジストに覆われない状態となる。ここで、Ｔａが露出する部分を、Ｔａ分離領域Ｔａ−ｓという。このため、素子部１０ｐのＴａを分離するためのエッチング時には、２箇所が同時にエッチャント（ＳＦ6等の反応性ガス）にさらされる。
【００７１】
この時、エッチング反応のムラ等によりＴａの両端子Ｔａ1、Ｔａ2間に電位差が発生し、電流が流れる。この電流の一部が、素子部１０ｐから上側電極（Ｃｒ）に流れ込み、素子破壊が起こることがある。したがって、両側エッチングとなるような設計のＴＦＤ素子は欠陥が発生しやすく、電気光学装置用基板の歩留まりの低下をもたらすおそれがある。なお、上記実施例では、実施例２、３に係る配線パターン（例えば、図６−１、図７−１に示す配線パターン）が、Ｔａ分離時において、１箇所のみエッチャントにさらされるパターンである。
【００７２】
一方、図１２−２に示す配線パターンでは、素子部１０ｐを挟んでＴａの１箇所のみが露出する。すなわち、１箇所のみがレジストに覆われない状態となる。すなわち、Ｔａ分離領域Ｔａ−ｓが１箇所のみとなる。このため、素子部１０ｐのＴａを分離するためのエッチング時には、１箇所のみがエッチャントにさらされる。これにより、Ｔａには、エッチング反応のムラ等に起因する電位差が発生しないので、素子破壊のおそれを極めて低減できる。その結果、電気光学装置用基板の歩留まりを向上させることができる。なお、上記実施例では、実施例１に係る配線パターン（例えば、図３−１に示す配線パターン）が、Ｔａ分離時において、１箇所のみエッチャントにさらされるパターンである。
【００７３】
図１３−１〜図１３−４は、実施例４に係る電気光学装置用基板の他の配線パターン例を示す一部平面図である。図１３−１、図１３−２に示す配線パターンは、陽極酸化線５４が列方向データ線３４に交差（ここでは直交）して、列方向データ線３４にＴＦＤ素子１０が形成される。図１３−１に示す配線パターンは、行（Ｘ）方向に平行な陽極酸化線５４上に、列（Ｙ方向）に平行な列方向データ線３４、及び列方向（Ｙ方向）に平行な第１データ線３４Ｐ1をパターニングしたものである。なお、図１３−１に示す実線で囲まれた領域にＴＦＤ素子１０が形成され、図１３−１に示す実線で囲まれた領域（ＴＦＤ素子１０）以外の領域に存在する陽極酸化線５４は、エッチングにより除去される。
【００７４】
図１３−２に示す配線パターンは、行（Ｘ）方向に平行な陽極酸化線５４から、引き出し線である陽極酸化膜枝線５４ｓが分岐する。この陽極酸化膜枝線５４ｓは、列（Ｙ）方向に平行な列方向データ線３３、及び列方向（Ｙ方向）に平行な第１データ線３４Ｐ1と交差して、ＴＦＤ素子１０を構成する。なお、図１３−２に示す実線で囲まれた領域にＴＦＤ素子１０が形成され、図１３−２に示す実線で囲まれた領域（ＴＦＤ素子１０）以外の領域に存在する陽極酸化線５４及び陽極酸化膜枝線５４ｓは、エッチングにより除去される。この配線パターンは、陽極酸化膜枝線５４ｓによりＴＦＤ素子１０を構成する。これにより、ＴＦＤ素子１０のＴａを分離するためのエッチング時には、１箇所のみがエッチャントにさらされる。その結果、Ｔａには、エッチング反応のムラ等に起因する電位差が発生しないので、素子破壊のおそれを極めて低減できる。
【００７５】
このように、図１３−１、図１３−２に示す配線パターンでは、陽極酸化線５４や陽極酸化膜枝線５４ｓがデータ線（列方向データ線３４及び第１データ線３４Ｐ1）と交差する方向は、すべての画素２０において、前記データ線に対して同一方向である。すなわち、すべての画素２０において、陽極酸化線５４等は、列方向（Ｙ方向）に平行な列方向データ線３４及び第１データ線３４Ｐ1と同一方向で交差する。前記データ線から見れば、すべての画素２０において、前記データ線は、陽極酸化線５４等と同一方向で交差する。
【００７６】
図１３−１、図１３−２に示す配線パターンの形成において、列方向データ線３４や第１データ線３４Ｐ1をスパッタリングする際には、陽極酸化線５４等が形成された素子基板を行方向（Ｘ方向）、すなわち、陽極酸化線５４の延びる方向に移動させる。これにより、列方向データ線３４や第１データ線３４Ｐ1が形成される部分には、均等に金属が積層する。その結果、列方向データ線３４や第１データ線３４Ｐ1の断線を抑制して、品質の高い電気光学装置を得ることができる。また、列方向データ線３４や第１データ線３４Ｐ1の断線を抑制することにより、電気光学装置用基板の歩留まりを向上させることができる。
【００７７】
図１３−３、図１３−４に示す配線パターンでは、陽極酸化線５５と、列（Ｙ）方向に平行な列方向データ線３５から画素電極２５側へ延出する第１及び第２データ線３５Ｐ1、３５Ｐ2とが交差して、ＴＦＤ素子１０を形成する。いずれの配線パターンでも、第１データ線３５Ｐ1が、隣接する列方向データ線３５の近傍まで延出する。このような構成によって、すべての画素２０において、画素電極と、これに隣接する列方向データ線３５及び第２データ線３５Ｐ2との寄生容量Ｃが略等しくなるので、スジ、ムラの発生を抑えた高品位の画像を表示できる。ここで、画素電極は、隣接する列方向データ線３５同士と、隣接する第１データ線３５Ｐ1同士とで囲まれる領域内に形成される。
【００７８】
図１３−３に示す配線パターンは、列（Ｙ）方向に平行な陽極酸化線５５上に、行（Ｘ方向）に平行な第１列方向データ線３５Ｐ1、及び第２データ線３５Ｐ2をパターニングしたものである。なお、図１３−３に示す実線で囲まれた領域にＴＦＤ素子１０が形成され、図１３−３に示す実線で囲まれた領域（ＴＦＤ素子１０）以外の領域に存在する陽極酸化線５５は、エッチングにより除去される。
【００７９】
図１３−４に示す配線パターンは、列（Ｙ）方向に平行な陽極酸化線５５から、引き出し線である陽極酸化膜枝線５５ｓが分岐する。この陽極酸化膜枝線５５ｓは、行（Ｘ方向）に平行な第１列方向データ線３５Ｐ1、及び第２データ線３５Ｐ2と交差して、ＴＦＤ素子１０を構成する。図１３−４に示す実線で囲まれた領域にＴＦＤ素子１０が形成され、なお、図１３−４に示す実線で囲まれた領域（ＴＦＤ素子１０）以外の領域に存在する陽極酸化線５５及び陽極酸化膜枝線５５ｓは、エッチングにより除去される。これにより、ＴＦＤ素子１０のＴａを分離するためのエッチング時において、Ｔａには、エッチング反応のムラ等に起因する電位差が発生しないので、素子破壊のおそれを極めて低減できる。
【００８０】
このように、図１３−３、図１３−４に示す配線パターンでは、陽極酸化線５５や陽極酸化膜枝線５５ｓが、データ線（第１及び第２データ線３５Ｐ1、３５Ｐ2）と交差する方向は、すべての画素２０において、前記データ線に対して同一方向である。すなわち、すべての画素２０において、陽極酸化線５５等は、行方向（Ｘ方向）に平行な第１及び第２データ線３５Ｐ1、３５Ｐ2と同一方向で交差する。前記データ線から見れば、すべての画素２０において、前記データ線は、陽極酸化線５５等と同一方向で交差する。
【００８１】
図１３−３、図１３−４に示す配線パターンの形成において、列方向データ線３５や第２データ線３５Ｐ2等をスパッタリングする際には、陽極酸化線５５等が形成された素子基板を列方向（Ｙ方向）、すなわち陽極酸化線５５の延びる方向に移動させる。これにより、列方向データ線３５や第２データ線３５Ｐ2が形成される部分には、均等に金属が積層する。その結果、列方向データ線３５や第２データ線３５Ｐ2の断線を抑制して、品質の高い電気光学装置を得ることができる。また、列方向データ線３５や第２データ線３５Ｐ2の断線を抑制することにより、電気光学装置の歩留まりを向上させることができる。
【００８２】
図１４は、ダイアゴナル配列を示す説明図である。図１４に示すように、ダイアゴナル（斜めモザイク）配列は、斜め方向に向かって同一種類の画素（例えばＲ画素）が連続するように配列する構成である。実施例４においては、ストライプ配列に対して本発明を適用した例を説明したが、本発明は、ダイアゴナル配列等を採用する電気光学装置に対しても適用できる。
【００８３】
（本発明の適用対象）
本発明に係る電気光学装置が適用できる電子機器としては、携帯電話機の他に、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）と呼ばれる携帯型情報機器や携帯型パーソナルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機等、電気光学装置を用いる機器が挙げられる。したがって、これらの電子機器における電気的接続構造であっても、本発明が適用可能であることはいうまでもない。
【００８４】
また、この電気光学装置は、透過型又は反射型の電気光学装置である。なお、アクティブマトリックス型のカラー電気光学装置であっても本発明は同様に適用できる。また、本発明の電気光学装置は、パッシブマトリクス型の電気光学装置及びアクティブマトリクス型の電気光学装置（例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）や、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えた電気光学装置）にも同様に適用することができる。また、エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動表示装置、電界放出表示装置、ＬＥＤ（ライトエミッティングダイオード）表示装置などのように、複数の画素毎に表示状態を制御可能な各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
以上のように、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器の製造方法、並びに電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器は、電気光学装置に有用であり、特に、データ線の断線を抑制することに適している。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】実施の形態１に係る電気光学装置の電気的な構成を示す説明図。
【図２】画素のデルタ配列を示す説明図。
【図３−１】実施の形態１に係る電気光学装置の配線パターンを示す一部平面図。
【図３−２】実施の形態１に係る電気光学装置の配線パターンを示す一部平面図。
【図４−１】実施の形態１に係る電気光学装置の１画素を示す平面図。
【図４−２】実施の形態１に係る電気光学装置の１画素を示す平面図。
【図４−３】実施の形態１に係る電気光学装置の１画素を示す平面図。
【図５−１】実施の形態１に係る電気光学装置の配線パターンを形成する手順を示す説明図。
【図５−２】実施の形態１に係る電気光学装置の配線パターンを形成する手順を示す説明図。
【図５−３】実施の形態１に係る電気光学装置の配線パターンを形成する手順を示す説明図。
【図５−４】実施の形態１に係る電気光学装置の配線パターンを形成する手順を示す説明図。
【図６−１】実施の形態２に係る電気光学装置の配線パターンを示す一部平面図。
【図６−２】実施の形態２に係る電気光学装置の配線パターンを示す一部平面図。
【図７−１】実施の形態３に係る電気光学装置を構成する配線パターンを示す一部平面図。
【図７−２】実施の形態３に係る電気光学装置を構成する配線パターンを示す一部平面図。
【図７−３】実施の形態３に係る電気光学装置を構成する配線パターンを示す一部平面図。
【図８】画素電極を形成した実施の形態３に係る配線パターンを示す一部平面図。
【図９】ストライプ配列を示す平面図。
【図１０−１】実施例４に係る電気光学装置用基板の配線パターン例を示す一部平面図。
【図１０−２】実施例４に係る電気光学装置用基板の配線パターン例を示す一部平面図。
【図１１−１】実施例４に係る電気光学装置用基板の他の配線パターン例を示す一部平面図。
【図１１−２】実施例４に係る電気光学装置用基板の他の配線パターン例を示す一部平面図。
【図１２−１】陽極酸化線のエッチングを示す説明図。
【図１２−２】陽極酸化線のエッチングを示す説明図。
【図１３−１】実施例４に係る電気光学装置用基板の他の配線パターン例を示す一部平面図。
【図１３−２】実施例４に係る電気光学装置用基板の他の配線パターン例を示す一部平面図。
【図１３−３】実施例４に係る電気光学装置用基板の他の配線パターン例を示す一部平面図。
【図１３−４】実施例４に係る電気光学装置用基板の他の配線パターン例を示す一部平面図。
【図１４】ダイアゴナル配列を示す説明図。
【符号の説明】
【００８７】
１０  ＴＦＤ素子；１０ａ  第１のＴＦＤ素子；１０ｂ  第２のＴＦＤ素子；２０  画素、２２  画素電極；３０、３１  データ線；３０ｉ、３１ｉ  内部データ線；３３、３４、３５  列方向データ線；５０、５１、５２、５３、５４、５５  陽極酸化線；５２ａ  引き出し線；１００、１０１、１０２  電気光学装置
【図１】
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【図２】
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【図３−１】
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【図３−２】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図４−３】
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【図５−１】
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【図５−２】
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【図５−３】
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【図５−４】
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【図６−１】
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【図６−２】
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【図７−１】
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【図７−２】
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【図７−３】
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【図８】
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【図９】
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【図１０−１】
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【図１０−２】
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【図１１−１】
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【図１１−２】
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【図１２−１】
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【図１２−２】
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【図１３−１】
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【図１３−２】
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【図１３−３】
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【図１３−４】
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【図１４】
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