(57)【要約】【課題】光アドレッシングによる制御を用いて、安価な構成で明るい画像を表示可能な表示パネル等を提供すること。【解決手段】第１の透明電極層１０１、及び第２の透明電極層１０６と、導電率可変層１０２と、ＥＬ層１１５と、を有し、第１の透明電極層１０１と第２の透明電極層１０６との間に、所定の電圧が印加され、導電率可変層１０２は、第１の透明電極層１０１を透過した制御光Ｌｃの光量に応じて電気的な導電率が変化し、ＥＬ層１１５は、制御光Ｌｃの光量に応じて導電率可変層１０２の導電率が変化し、所定の電圧のうち導電率可変層１０２の導電率に応じた電圧が印加されることによって発光し、さらに、ＥＬ層１１５は、ＥＬ層１１５から導電率可変層１０２に供給される発光光の光量に応じて導電率可変層１０２の電気的な導電率が変化し、所定の電圧のうち導電率可変層１０２の導電率に応じた電圧が印加されることによって発光する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的に透明な第１の透明電極層、及び第２の透明電極層と、
前記第１の透明電極層の上に設けられた導電率可変層と、
前記導電率可変層と前記第２の透明電極層との間に設けられ、電圧が印加されることにより発光するエレクトロ・ルミネッセンス層と、を有し、
前記第１の透明電極層と前記第２の透明電極層との間に、所定の電圧が印加され、
前記導電率可変層は、前記第１の透明電極層を透過した制御光の光量に応じて電気的な導電率が変化し、
前記エレクトロ・ルミネッセンス層は、前記第１の透明電極層を透過した前記制御光の光量に応じて前記導電率可変層の前記導電率が変化し、前記所定の電圧のうち前記導電率可変層の前記導電率に応じた電圧が印加されることによって発光し、
さらに、前記エレクトロ・ルミネッセンス層は、前記エレクトロ・ルミネッセンス層から前記導電率可変層に供給される発光光の光量に応じて前記導電率可変層の電気的な導電率が変化し、前記所定の電圧のうち前記導電率可変層の前記導電率に応じた電圧が印加されることによって発光することを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記導電率可変層は、前記エレクトロ・ルミネッセンス層の前記発光光の光量が、前記第１の透明電極層を透過する前記制御光の光量に対して所定の比率となるような前記導電率を有することを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
さらに、前記導電率可変層に供給される前記エレクトロ・ルミネッセンス層からの前記発光光の光量が、前記エレクトロ・ルミネッセンス層の前記発光光の光量に対して所定の比率となるように調節する光量調節部を有することを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記エレクトロ・ルミネッセンス層を第１のエレクトロ・ルミネッセンス層とする場合に、前記第１のエレクトロ・ルミネッセンス層と前記第２の透明電極との間に、少なくとも１つの第２のエレクトロ・ルミネッセンス層をさらに有し、
前記第２のエレクトロ・ルミネッセンス層は、前記第１の透明電極層を透過した前記制御光の光量に応じて前記導電率可変層の前記導電率が変化し、前記所定の電圧のうち前記導電率可変層の前記導電率に応じた電圧が印加されることによって発光することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記エレクトロ・ルミネッセンス層及び前記第２のエレクトロ・ルミネッセンス層は、画素に対応する複数の領域に分割された構造をなすことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の表示パネル。
【請求項６】
表示パネルと、
前記表示パネルに所定の電圧を印加する電源と、
前記表示パネルに制御光を供給する制御光用光学系と、を有し、
前記表示パネルは、請求項１〜５のいずれか一項に記載の表示パネルであることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネル及び表示装置、特に、光により制御可能な表示装置に用いられる表示パネルの技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、画像表示装置としては、例えば、有機エレクトロ・ルミネッセンス（以下、「ＥＬ」という。）ディスプレイが用いられる。有機ＥＬディスプレイの技術としては、例えば、非特許文献１に提案されているものがある。
【０００３】
【非特許文献１】「有機ＥＬ材料とディスプレイ」、シーエムシー、ISBN:4-88231-284-0 C3054、第１９章、「有機ＥＬディスプレイの駆動法」、川島進吾、ｐ．２７９−２８９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の有機ＥＬディスプレイは、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下、「ＴＦＴ」という。）素子を設けている。各ＴＦＴ素子は、電流を用いるアクセスによって、ＯＮ／ＯＦＦが制御される。画面の大型化に伴って画素数を増加する場合、ＴＦＴ素子の数も増加する。この場合、有機ＥＬディスプレイの構成が複雑になる上、ＴＦＴ素子を均一な性能とすることが困難となる。さらに、ＴＦＴ素子の数が増加すると、配線も増加するため、有機ＥＬディスプレイの電気的な抵抗も増加してしまう。このため、ディスプレイを大型化することが困難である。
【０００５】
そこで、ＥＬ素子を用いる表示装置に、制御光を照射することによって制御可能な表示パネルを用いることが考えられている。制御光によって制御可能であると、画像信号に応じた制御光を表示パネルに走査させることにより、表示パネルを制御することができる。電気的なアクセスによらず、制御光を用いる表示パネルは、ＴＦＴ素子が不要となる。このため、制御光を用いると、ディスプレイを簡易な構成とし、容易に大型化できると考えられる。制御光を走査することによって表示パネルを制御することを、以下、光アドレッシングによる制御という。
【０００６】
ここで、制御光として単独のレーザ光を用いて光アドレッシングを行う場合を考える。例えば、表示パネルで１０２４×７６８画素の表示を行う場合、１画素に制御光を照射する最大時間は、画像の１フレームの期間の７８６４３２分の１に相当する。この時間は、画像の１フレームの期間が６０分の１秒であるとすると、約２０ナノ秒とごく僅かな時間である。アモルファス−シリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」という。）等の光電変換層を用いる場合、光電変換層の感応速度によってＥＬ素子の発光時間はマイクロ秒オーダーになると考えられる。マイクロ秒オーダーでのＥＬ素子の発光では、画像を表示するには光量が不足し、表示画像が暗くなってしまう。従って、明るい画像を表示するためには、ＥＬ素子の光量を例えば数十万倍にまで増加することが必要である。
【０００７】
ＥＬ素子は、直流駆動よりパルス駆動を行うほうがピーク輝度を増加できる。また、ＥＬ素子自体の光量を増加することに加えて、制御光を複数本にすることで表示パネルの光量を増加することも考えられる。しかしながら、パルス駆動によりＥＬ素子の光量は、直流の場合に比較して、１００倍程度増加するにとどまる。また、制御光の数量を増加することで表示パネルを明るくするためには、パルス駆動を併用する場合でも制御光を数千本以上用いる必要がある。数千本以上の制御光により光アドレッシングを行うと、表示装置が複雑で高価な構成となってしまう。このように、光アドレッシングによる制御を行う表示パネルは、簡易な構成にできる利点を有するにもかかわらず、明るい画像を表示することが困難であることが問題である。本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、光アドレッシングによる制御を用いて、安価な構成で明るい画像を表示することができる表示パネル、及び表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明によれば、光学的に透明な第１の透明電極層、及び第２の透明電極層と、第１の透明電極層の上に設けられた導電率可変層と、導電率可変層と第２の透明電極層との間に設けられ、電圧が印加されることにより発光するＥＬ層と、を有し、第１の透明電極層と第２の透明電極層との間に、所定の電圧が印加され、導電率可変層は、第１の透明電極層を透過した制御光の光量に応じて電気的な導電率が変化し、ＥＬ層は、第１の透明電極層を透過した制御光の光量に応じて導電率可変層の導電率が変化し、所定の電圧のうち導電率可変層の導電率に応じた電圧が印加されることによって発光し、さらに、ＥＬ層は、ＥＬ層から導電率可変層に供給される発光光の光量に応じて導電率可変層の電気的な導電率が変化し、所定の電圧のうち導電率可変層の導電率に応じた電圧が印加されることによって発光することを特徴とする表示パネルを提供することができる。
【０００９】
導電率可変層に制御光を入射すると、制御光の光量に応じて導電率可変層の導電率が増加する。言い換えると制御光により導電率可変層の抵抗値が減少する。このとき第１、第２の透明電極間に電圧が印加されていると、ＥＬ層には、制御光の光量に応じた電流が流れる。ＥＬ層は、制御光の光量に応じた電流により、全方向へ発光光を供給する。ＥＬ層と導電率可変層との間には、例えば正孔輸送層が設けられる。この正孔輸送層はごく薄く形成可能であることから、ＥＬ層から供給される発光光のうち一部の光は、導電率可変層に入射する。
【００１０】
次に、導電率可変層は、ＥＬ層から導電率可変層に供給される発光光の光量に応じて電気的な導電率が変化する。そして、ＥＬ層は、導電率可変層の導電率に応じた電流により、さらに発光する。ＥＬ層は、ＥＬ層自らの発光光が導電率可変層に入射することにより、制御光が入射しなくなった後も発光を続ける。このようにして制御光が走査した後もＥＬ層が発光し続けることによって、特に、制御光を高速に走査する場合に表示パネル全体の光量を増加することができる。また、ＥＬ層のピーク時における発光量を増加しなくても、発光時間を増加することにより、表示パネルを明るくすることが可能である。ＥＬ層のピーク時における発光量を増加しなくても良いと、低出力の制御光用光源を用いることも可能となることから安価な構成にできる。これにより、光アドレッシングによる制御を用いて、安価な構成で明るい画像を表示可能な表示パネルを得られる。
【００１１】
また、本発明の好ましい態様によれば、導電率可変層は、ＥＬ層の発光光の光量が、第１の透明電極層を透過する制御光の光量に対して所定の比率となるような導電率を有することが望ましい。例えば、ＥＬ層から導電率可変層に入射する発光光の光量と、制御光の光量とを略同一とする。この場合、制御光が走査した後も、ＥＬ層は、ＥＬ層からの光によって制御光が入射するときと略同一の光量で発光し続ける。
【００１２】
また、ＥＬ層から導電率可変層に入射する発光光の光量が制御光の光量より小さい場合、ＥＬ層は、制御光が走査した後、制御光が入射していたときより少ない光量で発光する。次に、制御光が入射していたときより少ない光量の発光光が導電率可変層に入射すると、ＥＬ層は、さらに少ない光量で発光する。これを繰り返すと、ＥＬ層は徐々に光量を減少させた後に発光を止める。このように、第１の透明電極層を透過する制御光の光量に対して、ＥＬ層からの発光光の光量を所定の比率とすることで、ＥＬ層の発光時間を適宜設定することができる。また、表示パネルの発光を一律にリセットしなくても良いことから、表示パネル上の位置に関わらず一定期間発光させることができる。このことから、表示パネル全体の光量を増加し、表示パネル全体を明るくすることができる。これにより、ＥＬ層の発光時間を適宜設定可能とし、全体にわたって明るい表示パネルを得られる。
【００１３】
ＥＬ層を正確に発光させるため、制御光の走査後次に制御光が走査するまでの間に、ＥＬ層の発光状態はリセットされている必要がある。ＥＬ層からの発光光を減衰させる構成とすると、次に制御光が走査するまでの間にＥＬ層の発光光の光量を略ゼロにすることができる。さらに、制御光が走査した画素ごとに略同一の時間でＥＬ層の発光光の光量を略ゼロにできることから、表示パネル全体の光量を略均一にもできる。
【００１４】
また、本発明の好ましい態様によれば、さらに、導電率可変層に供給されるＥＬ層からの発光光の光量が、ＥＬ層の発光光の光量に対して所定の比率となるように調節する光量調節部を有することが望ましい。光量調節部を設けることにより、ＥＬ層から導電率可変層に入射する光の光量を、容易に調節することができる。これにより、表示パネルの光量を容易に調節することができる。
【００１５】
また、本発明の好ましい態様としては、ＥＬ層を第１のＥＬ層とする場合に、第１のＥＬ層と第２の透明電極との間に、少なくとも１つの第２のＥＬ層をさらに有し、第２のＥＬ層は、第１の透明電極層を透過した制御光の光量に応じて導電率可変層の導電率が変化し、所定の電圧のうち導電率可変層の導電率に応じた電圧が印加されることによって発光することが望ましい。導電率可変層に制御光が入射すると、第１のＥＬ層及び第２のＥＬ層に電流が供給される。そして、制御光が走査した後、第１のＥＬ層の発光光が導電率可変層に供給されることによって、第２のＥＬ層に電流が供給される。このように、第１のＥＬ層は、第２のＥＬ層に電流を供給するために用いられる。そして、第２のＥＬ層が第１のＥＬ層からの電流によって発光光を供給することで、画像を表示する。第２のＥＬ層は、２つ以上設ける構成としても良い。第２のＥＬ層の数量を増加することで、容易に明るい画像を得ることができる。
【００１６】
導電率可変層としては、ＥＬ層の抵抗値に関わらず略一定に電流を供給することが可能な定電流素子、例えばａ−Ｓｉを用いることが望ましい。導電率可変層として定電流素子を用いると、第２のＥＬ層の数量を増加しても、略一定の電流を供給することができる。第２のＥＬ層の数量を増加しても、略一定の電流を供給することが可能であれば、いくつでも第２のＥＬ層の数量を増加することができる。第１のＥＬ層は、制御光の光量に対して大きな光量で発光させなくても良い。表示のための発光光は、第２のＥＬ層の数量を増加することで増加することができる。このため、少ないエネルギーの制御光によって明るい画像を表示できる。これにより、さらに低出力の制御光を用いて、低消費電力で明るい画像を得られる。
【００１７】
また、本発明の好ましい態様としては、ＥＬ層及び第２のＥＬ層は、画素に対応する複数の領域に分割された構造をなすことが望ましい。これにより、画像信号に応じて画素ごとに発光させて表示することが可能な表示パネルを得られる。
【００１８】
さらに、本発明によれば、表示パネルと、表示パネルに所定の電圧を印加する電源と、表示パネルに制御光を供給する制御光用光学系と、を有し、表示パネルは、上記の表示パネルであることを特徴とする表示装置が望ましい。上記の表示パネルを用いることにより、光アドレッシングによる制御を用いて明るい画像を表示することができる。これにより、光アドレッシングによる制御を用いて明るい画像を表示可能な表示装置を得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１は、本発明の実施例１に係る表示装置１００の概略構成を示す。本実施例では、まず表示装置１００の構成について説明し、次に、制御光により発光光を供給する表示パネル１１０の構成について説明する。表示装置１００は、表示パネル１１０と、電源１２０と、制御光用光学系１３０とから構成されている。表示パネル１１０は、有機ＥＬ層１１５からの発光光Ｌｅによって画像を表示する。制御光用光学系１３０は、表示パネル１１０に制御光Ｌｃを供給する。
【００２１】
基板１１２は、光学的に透明な硝子部材により構成された平行平板である。基板１１２の上には、光学的に透明な第１の透明電極層１０１、導電率可変層１０２が順次積層されている。第１の透明電極層１０１は、ＩＴＯ膜で構成できる。導電率可変層１０２は、第１の透明電極層１０１を透過した制御光Ｌｃにより、電気的な導電率を変化させる。導電率可変層１０２は、例えばａ−Ｓｉ又は感光性有機膜などを用いることができる。例えば、ａ−Ｓｉは、水素を含んでいることが望ましい。また、ａ−Ｓｉは、気相成長法（ＣＶＤ法）により形成する。ａ−Ｓｉは、制御光Ｌｃを全く照射させていない状態では、電気的な導電率が略ゼロ（即ち抵抗値が略無限大）の絶縁性部材として機能する。これに対して、ａ−Ｓｉに制御光Ｌｃを照射させると、その光量に応じて導電率が大きくなる（即ち抵抗値が小さくなる）。導電率可変層１０２において導電率が変化する領域は、制御光Ｌｃを照射させた第１の透明電極層１０１の領域である。
【００２２】
導電率可変層１０２の上には、有機ＥＬ層１１５が設けられている。有機ＥＬ層１１５は、正孔輸送層１０３、発光層１０４、電子輸送層１０５が順に積層して構成されている。正孔輸送層１０３は、例えば、ポリチオフェン（poly (ethylenedioxy) thiophene；ＰＥ−ＤＯＴ）を用いることができる。発光層１０４には、例えば、ベンゾチアゾール系化合物等の高分子有機ＥＬ材料を用いることができる。電子輸送層１０５には、例えば、金属カルシウム等の電子伝達性物質を用いることができる。正孔輸送層１０３、発光層１０４、電子輸送層１０５は、厚みがいずれも数十ｎｍ程度であることから、光学的に透明であるとみなせる。
【００２３】
有機ＥＬ層１１５に電流が流れると、発光層１０４では、正孔輸送層１０３からの正孔と、電子輸送層１０５からの電子とが結合する。発光層１０４の蛍光物質は、正孔と電子とが結合するときに生じるエネルギーによって、励起される。そして、励起された蛍光物質が基底状態に戻るときに発光現象を起こして、発光層１０４から光Ｌｅが発生する。なお、正孔輸送層１０３、電子輸送層１０５を設けず、発光層１０４に正孔輸送材料と電子輸送材料とを混合することとしても良い。
【００２４】
有機ＥＬ層１１５の上には、第２の透明電極層１０６が設けられている。第２の透明電極層１０６は、第１の透明電極層１０１と同様、ＩＴＯ膜で構成できる。第２の透明電極層１０６の上、及び第１の透明電極層１０１から第２の透明電極層１０６までの各層の周囲には、封止用接着剤１１１が充填されている。封止用接着剤１１１の上には、基板１１４が設けられている。基板１１４は、基板１１２と同様、光学的に透明な硝子部材により構成された平行平板である。第１の透明電極層１０１から第２の透明電極層１０６までの各層は、基板１１２、１１４の間に封止用接着剤１１１を充填することにより封止されている。封止用接着剤１１１は、空気中の水分の吸収や酸化による有機ＥＬ層１１５の劣化を防ぐために設けられる。有機ＥＬ層１１５からの発光光Ｌｅは、封止用接着剤１１１、基板１１４を透過して射出する。
【００２５】
電源１２０は、第１の透明電極層１０１と第２の透明電極層１０６との間に接続されている。電源１２０は、第１の透明電極層１０１と第２の透明電極層１０６との間に、所定の電圧が印加する。表示パネル１１０を構成する各層の積層法としては、抵抗加熱真空蒸着法、電子ビーム加熱真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、キャスト法、スピンコート法等を適宜用いることができる。
【００２６】
制御光用光学系１３０は、表示パネル１１０に対して、基板１１２の側に設けられている。制御光用光源１３２は、ビーム状の光、例えば、レーザ光である制御光Ｌｃを供給する。制御光用光源１３２は、例えば、変調器が設けられた半導体レーザ素子や面発光レーザ素子を用いることができる。制御光用光源１３２は、画像信号に応じて変調された制御光Ｌｃを供給する。制御光用光源１３２からの制御光Ｌｃは、ガルバノミラー１３４により表示パネル１１０の方向に反射される。そして、表示パネル１１０の方向に反射された制御光Ｌｃは、表示パネル１１０の基板１１２側の面へ入射する。
【００２７】
ガルバノミラー１３４は、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術により作成することができる。ガルバノミラー１３４は、略直交する所定の２軸を中心として回動することにより、制御光Ｌｃを二方向に走査させる。このようにして、制御光用光学系１３０は、制御光Ｌｃを表示パネル１１０の基板１１２側の面に走査させる。制御光Ｌｃとしては、導電率可変層１０２の電気的な導電率を変化させることが可能な波長領域の光を用いる。制御光Ｌｃとしては、紫外線レーザ、可視光線レーザ、赤外線レーザを用いることができる。また、レーザ光に限らず、ビーム状の光、例えば、発光ダイオード素子（ＬＥＤ）からの光を制御光Ｌｃとして用いることとしても良い。
【００２８】
次に、制御光Ｌｃによる表示パネル１１０の制御、及び制御光Ｌｃによって明るい画像を得るための表示パネル１１０の構成について説明する。制御光用光学系１３０からの制御光Ｌｃは、表示パネル１１０の基板１１２と、第１の透明電極層１０１とを透過して、導電率可変層１０２に入射する。画像信号に応じた強度の制御光Ｌｃが導電率可変層１０２に入射すると、制御光Ｌｃの入射位置の部分について、制御光Ｌｃの光量に応じて電気的な導電率が増大する。なお、厳密には、導電率可変層１０２の導電率が変化する領域は、制御光Ｌｃの強度とその照射時間とに比例して、照射位置を中心として周辺へ拡がる傾向がある。ここでは、ガルバノミラー１３４により制御光Ｌｃを高速に走査させることとし、制御光Ｌｃを照射させた領域近傍のみの導電率が変化するものとして扱う。
【００２９】
導電率可変層１０２の導電率が増大することにより、電源１２０の、第１の透明電極層１０１と接続されている一方の電極は、第１の透明電極層１０１と導電率可変層１０２とを経由して、有機ＥＬ層１１５と電気的に接続される。また、電源１２０の他方の電極は、第２の透明電極層１０６に接続されている。導電率可変層１０２の導電率は、第１の透明電極層１０１を透過した制御光Ｌｃの光量に応じて変化するため、有機ＥＬ層１１５には、制御光Ｌｃの光量に応じた電圧が印加され、電流が流れる。このようにして、有機ＥＬ層１１５を制御光Ｌｃに応じて発光させることができる。有機ＥＬ層１１５は、電源１２０からの電流によって発光する。このことから、有機ＥＬ層１１５は、制御光Ｌｃのエネルギーより大きなエネルギーで発光光Ｌｅを供給することが可能である。
【００３０】
上述のように、導電率可変層１０２は、制御光Ｌｃを照射させた領域近傍のみにおいて導電率が変化する。また、有機ＥＬ層１１５の各層１０３、１０４、１０５は厚みが十分に小さいことから、有機ＥＬ層１１５の厚み方向に対して、基板１１２面と同じ水平方向への抵抗値が大きい。このため、有機ＥＬ層１１５は、横方向へは導通しにくい。これらのことから、表示パネル１１０の各層を画素に分割せず一様に成膜して構成しても、制御光Ｌｃが入射した位置のみにおいて有機ＥＬ層１１５を発光させることができる。制御光用光学系１３０を用いて制御光Ｌｃを入射させる位置を制御することにより、画像信号に応じて有機ＥＬ層１１５を画素ごとに発光させて画像を表示することができる。
【００３１】
図２−１、図２−２は、制御光Ｌｃによって表示パネル１１０によって明るい画像を得るための表示パネル１１０の作用の説明図である。説明のために、図２−１、図２−２において、いずれも表示パネル１１０のうち導電率可変層１０２、発光層１０４のみを図示することとする。図２−１に示す発光層１０４は、所定のエネルギーＥｃの制御光Ｌｃが入射することによって、所定のエネルギーＥｅの発光光Ｌｅを全方向へ供給する。
【００３２】
発光光ＬｅのエネルギーＥｅは、導電率可変層１０２に導通可能な電流の量によって変化する。以下の説明において、導電率可変層１０２への入射光のエネルギーに対する発光光ＬｅのエネルギーＥｅの比率を、ゲインＧと表すこととする。ゲインＧは、導電率可変層１０２の性質により変化する値である。導電率可変層１０２にエネルギーＥｃの制御光Ｌｃが入射することによってエネルギーＥｅの発光光Ｌｅを供給する場合、ゲインＧは、以下の式で算出される。
Ｇ＝Ｅｅ／Ｅｃ
制御光ＬｃのエネルギーＥｃを所定値とすると、表示パネル１１０は、ゲインＧが大きいほど明るい画像を得ることができる。
【００３３】
例えば、表示パネル１１０のゲインＧが５である場合を考える。表示パネル１１０は、エネルギーＥｃ＝１００の制御光Ｌｃによって、エネルギーＥｅが５００の発光光Ｌｅを発光層１０４から全方向へ供給する。そして、発光層１０４が全方向へ供給する発光光Ｌｅのうち一部の光Ｌｒは、導電率可変層１０２の方向へ進行する。導電率可変層１０２と発光層１０４との間に設けられている電子輸送層１０５（図１参照）は厚みが十分に薄いことから、光学的に透明であるとみなすことができる。このため、発光層１０４から導電率可変層１０２の方向へ進行する光Ｌｒは、導電率可変層１０２に入射することが可能である。
【００３４】
エネルギーＥｅ＝５００の発光光Ｌｅに対して、エネルギーＥｅの５分の１に相当するエネルギーＥｒ＝１００の光Ｌｒが導電率可変層１０２に入射するとする。光Ｌｒが導電率可変層１０２に入射すると、導電率可変層１０２には、制御光Ｌｃ及び光Ｌｒが同時に入射することとなる。導電率可変層１０２は、制御光Ｌｃ及び光Ｌｒが同時に入射することで、エネルギーが２００（＝Ｅｃ＋Ｅｒ）である光の光量に応じて導電率が変化する。
【００３５】
エネルギーが２００の光が入射することにより、Ｇ＝５の表示パネル１１０は、発光層１０４から全方向へエネルギーＥｅ＝１０００の発光光Ｌｅを供給する。そして、図２−２に示すように、制御光Ｌｃの走査後、エネルギーＥｅ＝１０００の発光光Ｌｅに対して、エネルギーＥｅの５分の１に相当するエネルギーＥｒ＝２００の光Ｌｒが導電率可変層１０２に入射する。導電率可変層１０２にエネルギーＥｒ＝２００の光Ｌｒが入射することで、Ｇ＝５の表示パネル１１０は、エネルギーＥｅ＝１０００の発光光Ｌｅを供給する。
【００３６】
図３は、制御光Ｌｃの入射時からの表示パネル１１０の発光光量の変化を示す。図３に示すグラフは、縦軸に任意単位の光量、横軸に時間をとって示している。表示パネル１１０は、制御光Ｌｃの走査後も、エネルギーＥｅ＝１０００の自らの発光光Ｌｅによって発光を続ける。このことから、表示パネル１１０は、図３に示すように一定の光量Ｉ１で光り続ける。なお、本実施例では表示パネル１１０のゲインＧは、導電率可変層１０２の膜厚やボロン、リン等の不純物の含有量など成膜する導電率可変層１０２のほか、電源１２０による印加電圧によって適宜設定することができる。また、上述の説明では光のエネルギーＥｅ、Ｅｃ、Ｅｒの単位について特に言及していないが、例えば光のエネルギーの単位をワット（Ｗ）としてゲインＧを決定することができる。
【００３７】
制御光Ｌｃが走査した後も有機ＥＬ層１１５が発光し続けることによって、特に、制御光Ｌｃを高速に走査する場合に表示パネル１１０全体の光量を増加することができる。また、本実施例の表示パネル１１０は、有機ＥＬ層１１５が発光する時間を増大することで、表示パネル１１０を容易に明るくすることが可能である。有機ＥＬ層１１５の発光時間が増加することで光量を稼ぐことができるため、制御光Ｌｃが入射した瞬間の有機ＥＬ層１１５の発光量を増大する必要がない。
【００３８】
有機ＥＬ層１１５のピーク時の発光量を増加しなくても良いと、低出力の制御光用光源１３２を用いることも可能となる。このことから、低出力の安価な制御光用光源１３２を用いることで、表示装置１００を安価な構成にできる。これにより、光アドレッシングによる制御を用いて、安価な構成で明るい画像を表示できるという効果を奏する。光アドレッシングによる制御を用いると、表示パネル１１０にＴＦＴ素子等の複雑な回路を設ける必要が無いことから、表示パネル１１０を簡易な構成とし、容易に大型化できる。この他表示装置１００が大型化に適する点としては、有機ＥＬ層１１５が自発光であるために他の光源装置が不要であることが挙げられる。さらに、液晶パネルと比較すると、表示パネル１１０は、高コントラストな画像が得られる。プラズマディスプレイと比較すると、表示パネル１１０は低電圧な駆動が可能である。このため、表示装置１１０は、安価な駆動回路を用いて低消費電力な構成にできる可能性もある。
【００３９】
上述のように、本実施例の表示パネル１１０は、発光光ＬｅのうちエネルギーＥｅの５分の１に相当するエネルギーＥｒの光Ｌｒが導電率可変層１０２に入射する。ゲインＧ＝５の場合、発光光Ｌｅに対してゲインＧの逆数である１／５に相当する割合のエネルギーの光Ｌｒが導電率可変層１０２に入射している。このとき、有機ＥＬ層１１５から導電率可変層１０２に入射する光Ｌｒの光量と、制御光Ｌｃの光量とが略同一となる。従って、導電率可変層１０２への入射光の光量が維持されることから、有機ＥＬ層１１５を発光させ続けることが可能である。
【００４０】
このように、ゲインＧを所定値として、有機ＥＬ層１１５の発光光ＬｅのうちゲインＧの逆数倍１／Ｇのエネルギーの光を導電率可変層１０２に入射させることにより、有機ＥＬ層１１５を発光させ続けることができる。また、例えば発光層１０４と導電率可変層１０２とが十分近い位置に設けられる場合、発光層１０４からの発光光のうち、略半分に相当するエネルギーの光が導電率可変層１０２の方向へ進行する構成になる。このとき、表示パネル１１０をゲインＧ＝２とすることで有機ＥＬ層１１５を発光させ続けることができる。
【００４１】
一度の制御光Ｌｃの入射後に有機ＥＬ層１１５が発光し続けるとすると、画像信号に応じて複数の表示を行うことができないこととなる。このため、表示パネル１１０は、次の制御光Ｌｃの入射までの間に電源１２０を切る等により有機ＥＬ層１１５の発光をリセットする必要がある。非常に短時間に表示パネル１１０の全面に制御光Ｌｃを走査させることが可能である場合、画像の１フレームの期間ごとに電源１２０を切ることで画像信号に応じた表示を行うことができる。また、制御光Ｌｃを走査させる構成に限らず、例えば面光源を用いて制御光を表示パネル１１０に入射する構成としても良い。この場合も、画像の１フレームの期間ごとに電源１２０を切ることで画像信号に応じた表示を行うことができる。
【実施例２】
【００４２】
図４は、本発明の実施例２に係る表示装置４００の概略構成を示す。上記実施例１の表示装置１００と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施例の表示装置４００は、制御光Ｌｃが走査した後有機ＥＬ層１１５からの発光光Ｌｅの光量が次第に減衰することを特徴とする。表示パネル４１０は、導電率可変層１０２と正孔輸送層１０３との間に、アルミニウム層４０７を有する。
【００４３】
図５−１、図５−２は、制御光Ｌｃが走査した後有機ＥＬ層１１５からの発光光Ｌｅの光量を次第に減衰させる表示パネル４１０の作用の説明図である。図５−１に示す発光層１０４は、所定のエネルギーＥｃの制御光Ｌｃが入射することによって、所定のエネルギーＥｅの発光光Ｌｅを全方向へ供給する。発光層１０４が全方向へ供給する発光光Ｌｅのうち一部の光Ｌｒは、アルミニウム層４０７に入射する。
【００４４】
アルミニウム層４０７は、有機ＥＬ層１１５から導電率可変層１０２の方向へ進行する光のうち一部の光を透過する。アルミニウム層４０７を透過した光は、導電率可変層１０２に入射する。また、アルミニウム層４０７は、有機ＥＬ層１１５から導電率可変層１０２の方向へ進行する光の一部を、有機ＥＬ層１１５の方向へ反射する特性も有する。アルミニウム層４０７は、有機ＥＬ層１１５からの光の透過量及び反射量に応じて、導電率可変層１０２に供給する光の光量を所定値とする。アルミニウム層４０７は、導電率可変層１０２に供給される有機ＥＬ層１１５からの光の光量が、有機ＥＬ層１１５の全体の発光光Ｌｅの光量に対して所定の比率となるように調節する光量調節部である。
【００４５】
本実施例においても、上記実施例１と同様にゲインＧ＝５である場合を考える。表示パネル４１０は、エネルギーＥｃ＝１００の制御光Ｌｃによって、エネルギーＥｅが５００の発光光Ｌｅを発光層１０４から全方向へ供給する。そして、アルミニウム層４０７による光量調節によって、エネルギーＥｅ＝５００の発光光Ｌｅに対して０．１６倍のエネルギーＥｒ＝８０の光Ｌｒが導電率可変層１０２に入射するとする。このとき、導電率可変層１０２は、制御光Ｌｃ及び光Ｌｒが同時に入射することで、エネルギーが１８０（＝Ｅｃ＋Ｅｒ）である光の光量に応じて導電率が変化する。
【００４６】
エネルギーが１８０の光が入射することにより、Ｇ＝５の表示パネル１１０は、発光層１０４から全方向へエネルギーＥｅ＝９００の発光光Ｌｅを供給する。そして、図５−２に示すように、制御光Ｌｃの走査後、エネルギーＥｅ＝９００の発光光Ｌｅ２に対して、エネルギーＥｅの０．１６倍に相当するエネルギーＥｒ＝１４４の光Ｌｒ２が導電率可変層１０２に入射する。導電率可変層１０２にエネルギーＥｒ＝１４４の光Ｌｒ２が入射することで、Ｇ＝５の表示パネル１１０は、エネルギーＥｅ＝７２０の発光光Ｌｅ２を供給する。
【００４７】
その後についても同様に計算すると、発光光Ｌｅ２のエネルギーＥｅは、７２０、５７６、４６０．８、３６８．６と減少していく。導電率可変層１０２に入射する光Ｌｒ２についても、１１５．２、９２．１６、７３．７３と減少していく。このようにして、導電率可変層１０２に入射する光Ｌｒ２及び発光光Ｌｅ２はいずれも減衰していく。そして、最終的には発光光Ｌｅ２の光量は０（ゼロ）になる。
【００４８】
図６は、制御光Ｌｃの入射時からの表示パネル４１０の発光光量の変化を示す。図６に示すグラフは、縦軸に任意単位の光量、横軸に時間をとって示している。表示パネル４１０の発光光の光量は、制御光Ｌｃの入射時の光量Ｉ２をピークとして減衰していき、時間ｔＦにおいて０（ゼロ）になる。表示パネル４１０の発光光の光量が０（ゼロ）になる時間ｔＦが画像の１フレームの期間より短い場合、画像の１フレームの期間ごとに有機ＥＬ層１１５の発光をリセットする必要は無い。
【００４９】
さらに、制御光Ｌｃが表示パネルの全面を一回走査する時間と、画像の１フレームの期間とが略同一である場合を考える。このとき１フレームの期間ごとに電源１２０を切る構成とすると、表示パネルにおける制御光Ｌｃの走査の終了位置では、制御光Ｌｃの走査後すぐにリセットされることとなる。このため、表示パネル上の位置によって発光光を供給可能な時間が異なることで、暗い部分がある画像が表示されることになる。本実施例の表示パネル４１０は、表示パネル４１０上の位置に関わらず発光光を略同一の時間にわたって供給することが可能である。従って、全体にわたって明るさが略均一な画像を得ることができる。
【００５０】
本実施例の表示パネル４１０において画像信号に応じる発光光の光量は、図６に示すグラフの積分値に相当する。ここで、制御光Ｌｃの入射から発光光の光量が０（ゼロ）となるまでの時間ｔＦは、制御光Ｌｃの入射時の光量Ｉ２に関わらず略一定であるとする。表示パネル４１０は、制御光Ｌｃの入射時の光量Ｉ２を調整することで、画像信号に応じて発光することができる。また、例えば有機ＥＬ層１１５から導電率可変層１０２に入射させる光のエネルギーを小さくすることで、時間ｔＦを短くすることも可能である。アルミニウム層４０７が透過する光の光量に応じて、有機ＥＬ層１１５の発光時間を適宜設定することができる。
【００５１】
このように、ゲインＧを所定値として、有機ＥＬ層１１５の発光光ＬｅのうちゲインＧの逆数倍１／Ｇより小さいエネルギーの光を導電率可変層１０２に入射させることにより、有機ＥＬ層１１５の発光光を減衰させることができる。また、上記実施例１と同様に、制御光Ｌｃが走査した後も有機ＥＬ層１１５を一定期間発光し続けることによって、表示パネル１１０全体の光量を増加することができる。また、本実施例の表示パネル１１０は、有機ＥＬ層１１５が発光する時間が増大することにより、表示パネル１１０を明るくすることが可能である。これにより、有機ＥＬ層１１５の発光時間を適宜設定可能とし、全体にわたって明るい画像を得ることができるという効果を奏する。
【００５２】
また、アルミニウム層４０７を設けることにより、有機ＥＬ層１１５から導電率可変層１０２に入射する光の光量を容易に調節することができる。導電率可変層１０２に入射する光の光量を容易に調節可能であれば、有機ＥＬ層１１５の発光時間を容易に設定することができる。これにより、表示パネル４１０の光量を容易に調節することができるという効果を奏する。なお、光量調節部としてはアルミニウム層４０７を設ける構成に限らず、他の金属部材の層を設けることとしても良い。また、光量調節部としては、有機ＥＬ層１１５からの光のうちの一部の光Ｌｒのみを透過するような半透過膜を用いることとしても良い。
【００５３】
さらに、半透過膜は、有機ＥＬ層１１５からの光のうち透過する光Ｌｒ以外の他の光を有機ＥＬ層１１５の方向へ反射する構成としても良い。有機ＥＬ層１１５の方向へ他の光を反射させ、基板１１４から射出させることで表示光として用いることができる。このため、導電率可変層１０２に入射する光Ｌｒ以外の他の光を有機ＥＬ層１１５の方向へ反射するような半透過膜を用いることにより、光利用効率を向上することができる。
【実施例３】
【００５４】
図７は、本発明の実施例３に係る表示装置７００の概略構成を示す。上記実施例１の表示装置１００と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施例の表示装置７００は、第２の有機ＥＬ層７１５、７２５、７３５を有することを特徴とする。表示パネル７７０は、基板１１２と第２の透明電極層１０６の間に、電流供給層７１０、及び３つの画像表示層７２０、７３０、７４０が順に積層して構成される。電流供給層７１０は、第１の透明電極層１０１、導電率可変層１０２、第１の有機ＥＬ層１１５、アルミニウム層７０７を順に積層して構成される。
【００５５】
３つの画像表示層７２０、７３０、７４０は、第１の有機ＥＬ層１１５の上のアルミニウム層７０７と、第２の透明電極層１０６との間に設けられる。各画像表示層７２０、７３０、７４０は、いずれも透明電極層７１１、７２１、７３１及び第２の有機ＥＬ層７１５、７２５、７３５を順に積層して構成される。第２の有機ＥＬ層７１５、７２５、７３５は、いずれも第１の有機ＥＬ層１１５と同一の構成を有する。第３の画像表示層７４０の第２の有機ＥＬ層７３５の上には、第２の透明電極層１０６が積層されている。
【００５６】
表示パネル１１０に制御光Ｌｃを入射させることで、第１の有機ＥＬ層１１５は、全方向へ発光光Ｌｃ’を供給する。第１の有機ＥＬ層１１５は、上記実施例１及び実施例２と同様に、発光光Ｌｃ’のうち一部の光を導電率可変層１０２に供給する。導電率可変層１０２が導通することにより、電流供給層７１０は、アルミニウム層７０７を介して画像表示層７２０、７３０、７４０に電流を供給することができる。なお、アルミニウム層７０７は、光を透過しない程度の厚みを有する。このため、発光光Ｌｃ’のうち導電率可変層１０２とは反対方向へ供給された光は、アルミニウム層７０７で反射して導電率可変層１０２に供給されることから、画像表示に用いられない。このように、電流供給層７１０は、画像表示層７２０、７３０、７４０に電流を供給する機能のみを持つ。
【００５７】
第２の有機ＥＬ層７１５、７２５、７３５は、導電率可変層１０２が導通することにより発光光Ｌｅを供給する。アルミニウム層７０７が光を透過しない程度の厚みを持つことから、第２の有機ＥＬ層７１５、７２５、７３５からの発光光のうち基板１１２の方向へ進行する光は、アルミニウム層７０７で反射される。そして、アルミニウム層７０７で反射された光は基板１１４の方向へ進行する。このように、アルミニウム層７０７は、画像表示層７２０、７３０、７４０へ電流を供給する電極としての機能と、第２の有機ＥＬ層７１５、７２５、７３５からの発光光を反射する反射部としての機能とを有する。表示パネル７７０は、第２の有機ＥＬ層７１５、７２５、７３５からの発光光Ｌｅにより画像を表示する。
【００５８】
上記実施例１及び実施例２と同様に、導電率可変層１０２は、有機ＥＬ層１１５からの発光光Ｌｃ’の一部が導電率可変層１０２に入射することによって、制御光Ｌｃが走査した後も導通する。導電率可変層１０２が導通することから、電流供給層７１０は、制御光Ｌｃが走査した後も継続して画像表示層７２０、７３０、７４０に電流を供給することができる。従って、本実施例の表示装置７００も、上記実施例１及び実施例２と同様に、制御光Ｌｃが走査した後も第２の有機ＥＬ層７１５、７２５、７３５を発光させ続けることができる。
【００５９】
さらに、本実施例の表示パネル７７０は、３つの有機ＥＬ層７１５、７２５、７３５により画像を表示可能である。このため、１つの有機ＥＬ層を用いる場合より容易に明るい画像を表示することができるという効果を奏する。なお、第２の有機ＥＬ層の数量は３つに限らず、いくつ設ける構成としても良い。第２の有機ＥＬ層の数量を増加するほど、表示装置７００の画像を明るくすることができる。
【００６０】
導電率可変層１０２としては、各有機ＥＬ層の抵抗値に関わらず略一定に電流を供給することが可能な定電流素子、例えばａ−Ｓｉを用いることが望ましい。導電率可変層１０２として定電流素子を用いると、第２の有機ＥＬ層の数量を増加しても、略一定の電流を供給することができる。第２の有機ＥＬ層の数量を増加しても、略一定の電流を供給することが可能であれば、いくつでも第２の有機ＥＬ層の数量を増加することができる。
【００６１】
第１の有機ＥＬ層１１５からの発光光Ｌｃ’は、画像表示に用いられない。このため、電流供給層７１０のゲインＧは、例えば１．１程度の低い値であっても良い。そして、画像表示層７２０、７３０、７４０において明るい光Ｌｅを供給可能であれば、少ないエネルギーの制御光Ｌｃによって明るい画像を表示できる。これにより、さらに低出力の制御光用光源１３２を用いて、低消費電力で明るい画像を得られる。
【実施例４】
【００６２】
図８は、本発明の実施例４に係る表示装置８００の概略構成を示す図である。上記実施例１の表示装置１００と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施例の表示装置８００は、有機ＥＬ層８１５が、画素に対応する複数の領域に分割された構造をなすことを特徴とする。表示パネル８１０の導電率可変層１０２の上には、仕切部材であるバンク８０８が複数設けられている。
【００６３】
バンク８０８は、基板１１２に略平行な面における領域において略直交する２方向に線状に設けられた、電気的な絶縁部材である。バンク８０８は、例えばポリイミドをインクジェット法、もしくはエッチング、パターニングを施すことにより形成することができる。基板１１２面に略垂直な面で切断すると、バンク８０８は、図８に示すように、略二等辺三角形形状を有する。
【００６４】
バンク８０８によって仕切られた導電率可変層１０２上の領域には、有機ＥＬ層８１５が設けられる。有機ＥＬ層８１５は、上記実施例１の有機ＥＬ層１１５（図１参照）と同様の構成を有する。有機ＥＬ層８１５は、インクジェット法により、バンク８０８によって分割された各領域に正孔輸送層８０３、発光層８０４、電子輸送層８０５を順次積層することができる。画素は、バンク８０８により分割された有機ＥＬ層８１５によって構成されている。バンク８０８を設けることにより、各画素は、マトリクス状に配列されている。
【００６５】
このようにして、表示パネル８１０は、画素に対応する複数の領域に有機ＥＬ層８１５が分割された構造をなしている。Ｒ光用発光層８０４Ｒと、Ｇ光用発光層８０４Ｇと、Ｂ光用発光層８０４Ｂとは、実施例１の発光層１０４（図１参照）と同様にして、発光現象を起こす。なお、電子輸送層８０５は、厚みが十分に小さいことから、電子輸送層８０５の厚み方向に対して、基板１１２面と同じ水平方向への抵抗値が大きい。このため、電子輸送層８０５は、図８に示すようにバンク８０８による分割が不完全であっても横方向へは導通しない。このため、バンク８０８によって電子輸送層８０５を完全に分割しなくても、画素ごとに画像信号に応じて発光させることができる。
【００６６】
Ｒ光用発光層８０４Ｒと、Ｇ光用発光層８０４Ｇと、Ｂ光用発光層８０４Ｂとは、それぞれの蛍光物質が励起された後に基底状態に戻るときに生じるエネルギーに応じて、異なる波長領域の光が生じる。そして、異なる波長領域の光が発生することによって、Ｒ光用発光層８０４Ｒと、Ｇ光用発光層８０４Ｇと、Ｂ光用発光層８０４Ｂとは、それぞれＲ光、Ｇ光、Ｂ光を発生する。
【００６７】
図８に示す表示装置８００は、第１の透明電極層１０１においてＢ光用発光層８０４Ｂに対応する位置に制御光Ｌｃが入射している。上記実施例１で説明したように、導電率可変層１０２は、制御光Ｌｃが入射した位置の部分について電気的な導電率を変化させる。このため、Ｂ光用発光層８０４Ｂに対応する位置に制御光Ｌｃが入射することにより、Ｂ光用発光層８０４Ｂは、発光光Ｌｅを供給することができる。Ｂ光用発光層８０４Ｂに限らず、他の色光用発光層８０４Ｒ、８０４Ｇについても、Ｂ光用発光層８０４Ｂの場合と同様にして、Ｒ光、Ｇ光を供給することができる。これにより、画像信号に応じて画素ごとに発光させて明るいカラー画像を表示することができるという効果を奏する。
【００６８】
（実施例４の変形例１）
図９は、実施例４の変形例１に係る表示装置９００の概略構成を示す図である。本変形例の表示装置９００は、第１の有機ＥＬ層１１５と第２の透明電極層１０６との間に、画素に対応する複数の領域に分割された構造をなす第２の有機ＥＬ層９１５が設けられることを特徴とする。バンク８０８は、第１の有機ＥＬ層１１５の電子輸送層１０５の上に設けられている。第１の有機ＥＬ層１１５上の領域には、電極層９０７及び第２の有機ＥＬ層９１５が設けられる。
【００６９】
電極層９０７は、上記実施例３の表示装置７００と同様に、アルミニウム層に透明電極層を積層して構成されている。第２の有機ＥＬ層９１５は、上記の有機ＥＬ層８１５（図８参照）と同様に、バンク８０８によって分割された各領域に正孔輸送層９０３、発光層９０４、電子輸送層９０５を順次積層して構成される。第２の有機ＥＬ層９１５の発光層９０４は、バンク８０８によって、Ｒ光用発光層９０４Ｒと、Ｇ光用発光層９０４Ｇと、Ｂ光用発光層９０４Ｂ、に分割されて設けられている。
【００７０】
本変形例の表示装置９００は、画素構造を有する点において上記の表示装置８００と同様である。また、第１の有機ＥＬ層１１５と第２の透明電極層１０６との間に第２の有機ＥＬ層９１５を設ける点において、上記の実施例３の表示装置７００と同様である。第２の有機ＥＬ層９１５のみならず電極層９０７もバンク８０８で仕切る構成とすることで、制御光Ｌｃが入射した第１の透明電極層１０１の位置に対応して、第２の有機ＥＬ層９１５に電流を供給することができる。これにより、画像信号に応じて画素ごとに発光させて、容易に明るいカラー画像を表示することができる。
【００７１】
（実施例４の変形例２）
図１０は、実施例４の変形例２に係る表示装置１０００の概略構成を示す図である。本変形例の表示装置１０００は、画素に対応する複数の領域に分割された有機ＥＬ層１００５の上に、さらに画素に対応する複数の領域に分割された有機ＥＬ層１０１５、１０２５を有することを特徴とする。表示パネル１０７０は、それぞれ有機ＥＬ層を有する３つの層１０１０、１０２０、１０３０が順に積層して構成される。
【００７２】
第１の層１０１０は、第１の透明電極層１０１、導電率可変層１０２、有機ＥＬ層１００５の順に積層している。有機ＥＬ層１００５は、導電率可変層１０２の上に設けられたバンク８０８によって分割されている。第２の層１０２０は、透明電極層１０１１、有機ＥＬ層１０１５を積層して設けられている。透明電極層１０１１、有機ＥＬ層１０１５のいずれも、第１の層１０１０の上に設けられたバンク８０８によって分割されている。第３の層１０３０は、透明電極層１０２１、有機ＥＬ層１０２５を積層して設けられている。透明電極層１０２１、有機ＥＬ層１０２５のいずれも、第２の層１０２０の上に設けられたバンク８０８によって分割されている。
【００７３】
各層１０１０、１０２０、１０３０は、バンク８０８により形成されるＲ光用発光層、Ｇ光用発光層、Ｂ光用発光層が発光光Ｌｅの射出方向について対応する位置にくるように設けられる。このような層構造で表示パネル１０７０を構成することにより、上記変形例１の表示パネル９１０と同様、画像信号に応じて画素ごとに発光させて、容易に明るいカラー画像を表示することができる。本変形例においても、上記の変形例１と同様に、各有機ＥＬ層１００５、１０１５、１０２５に電流を供給するのみのための第１の有機ＥＬ層を設ける構成としても良い。なお、上記各実施例の表示装置は、表示パネルに有機ＥＬ層を用いているが、電圧を印加することにより発光するものであれば、これに限られない。例えば、有機ＥＬ層に代えて無機ＥＬ層を用いても良い。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
以上のように、本発明に係る表示装置は、プレゼンテーションや動画を表示する場合に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施例１に係る表示装置の概略構成図。
【図２−１】表示パネルの作用の説明図。
【図２−２】表示パネルの作用の説明図。
【図３】表示パネルの発光光量の変化を示す図。
【図４】本発明の実施例２に係る表示装置の概略構成図。
【図５−１】表示パネルの作用の説明図。
【図５−２】表示パネルの作用の説明図。
【図６】表示パネルの発光光量の変化を示す図。
【図７】本発明の実施例３に係る表示装置の概略構成図。
【図８】本発明の実施例４に係る表示装置の概略構成図。
【図９】実施例４の変形例１に係る表示装置の概略構成図。
【図１０】実施例４の変形例２に係る表示装置の概略構成図。
【符号の説明】
【００７６】
１００  表示装置、１０１  第１の透明電極層、１０２  導電率可変層、１０３  正孔輸送層、１０４  発光層、１０５  電子輸送層、１０６  第２の透明電極層、１１０  表示パネル、１１１  封止用接着剤、１１２、１１４  基板、１１５  有機ＥＬ層、１２０  電源、１３０  制御光用光学系、１３２  制御光用光源、１３４  ガルバノミラー、４００  表示装置、４０７  アルミニウム層、４１０  表示パネル、７００  表示装置、７０７  アルミニウム層、７１０  電流供給層、７１１  透明電極層、７１５、７２５、７３５  有機ＥＬ層、７２０、７３０、７４０  画像表示層、７７０  表示パネル、８００  表示装置、８０３  正孔輸送層、８０４  発光層、８０４Ｒ  Ｒ光用発光層、８０４Ｇ  Ｇ光用発光層、８０４Ｂ  Ｂ光用発光層、８０５  電子輸送層、８０８  バンク、８１０  表示パネル、８１５  有機ＥＬ層、９００  表示装置、９０３  正孔輸送層、９０４  発光層、９０４Ｒ  Ｒ光用発光層、９０４Ｇ  Ｇ光用発光層、９０４Ｂ  Ｂ光用発光層、９０５  電子輸送層、９０７  電極層、９１０  表示パネル、９１５  有機ＥＬ層、１０００  表示装置、１００５、１０１５、１０２５  有機ＥＬ層、１０１０  第１の層、１０１１、１０２１  透明電極層、１０２０  第２の層、１０３０  第３の層、１０７０  表示パネル、Ｌｃ  制御光、Ｌｅ、Ｌｅ２、Ｌｃ’  発光光
【図１】
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【図２−１】
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【図２−２】
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【図３】
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【図４】
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【図５−１】
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【図５−２】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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