(57)【要約】【課題】簡単な工程で、かつ、少ない工程数により絶縁体の表面に高解像度に金属の配線を形成する。【解決手段】絶縁体の表面に金属配線を形成する金属配線形成方法であって、レーザー光としてパルス幅がピコ秒オーダーのピコ秒レーザー光またはパルス幅がフェムト秒オーダーのフェムト秒レーザー光を、上記レーザー光の波長に対して透明な絶縁体の無電解メッキ液に浸された表面に照射して集光し、上記レーザー光を照射された上記絶縁体の表面の照射領域に金属を析出させることにより金属膜を堆積して金属配線を形成する。【選択図】        図１
2005209817.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体の表面に金属配線を形成する金属配線形成方法において、
レーザー光としてパルス幅がピコ秒オーダーのピコ秒レーザー光またはパルス幅がフェムト秒オーダーのフェムト秒レーザー光を、前記レーザー光の波長に対して透明な絶縁体の無電解メッキ液に浸された表面に照射して集光し、
前記レーザー光を照射された前記絶縁体の表面の照射領域に金属を析出させることにより金属膜を堆積して金属配線を形成する
ことを特徴とする金属配線形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の金属配線形成方法において、
前記絶縁体の表面における前記レーザー光の集光位置を任意に変化する
ことを特徴とする金属配線形成方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の金属配線形成方法において、
前記絶縁体の表面は、外部から前記無電解メッキ液が浸入可能に形成された前記絶縁体の内部における中空構造の表面である
ことを特徴とする金属配線形成方法。
【請求項４】
絶縁体の表面に金属配線を形成する金属配線形成装置において、
レーザー光としてパルス幅がピコ秒オーダーのピコ秒レーザー光またはパルス幅がフェムト秒オーダーのフェムト秒レーザー光を照射するレーザーと、
前記レーザーから出射されたレーザー光の波長に対して透明な材料により形成されるとともに内部に無電解メッキ液を充填したセルと、
前記無電解メッキ液に浸されて前記セル内に配置された前記レーザー光の波長に対して透明な絶縁体の表面に前記レーザー光を集光する集光手段と
を有することを特徴とする金属配線形成装置。
【請求項５】
請求項４に記載の金属配線形成装置において、さらに、
前記絶縁体の表面における前記レーザー光を集光位置を変化する集光位置変化手段と
を有することを特徴とする金属配線形成装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５のいずれか１項に記載の金属配線形成装置において、
前記絶縁体の表面は、外部から前記無電解メッキ液が浸入可能に形成された前記絶縁体の内部における中空構造の表面である
ことを特徴とする金属配線形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属配線形成方法および金属配線形成装置に関し、さらに詳細には、集積回路のプリント基板などの電子回路用の基板に金属配線を形成する際などに用いて好適な金属配線形成方法および金属配線形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ポリイミドに代表されるポリマー材料などの高分子やガラスなどの絶縁体に対して金属配線を形成する場合には、まず、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオン化プレーティングなどによって絶縁体表面の全面にわたって金属膜を堆積させ、その後に、フォトリソグラフィの技術を用いて金属膜をパターン化して金属配線を形成している。
【０００３】
より詳細には、絶縁体表面の全面にわたって金属膜を堆積させた後に、金属膜の表面にフォトレジストを塗布し、さらに、塗布したフォトレジストをパターン化する。それから、主に酸を用いたウェットエッチングを行って金属膜のパターン化を行い、最後に残留しているフォトレジストを除去することにより、絶縁体の表面に金属配線を形成していた。
【０００４】
また、上記した手法（以下、「第１の手法」と称する。）とは異なる手法として、無電解メッキ法を用いて絶縁体に対して金属配線を形成する手法（以下、「第２の手法」と称する。）も知られている（非特許文献１参照。）
無電解メッキ法とは、センシタイジングとアクチベーティングという２つの前処理を順次経た後に、メッキ反応を行うという手法である。センシタイジングは、絶縁体の表面にスズイオンを付着させるという処理であり、また、アクチベーティングは、スズイオンとの還元によってパラジウムイオンを絶縁体の表面に吸着させる処理である。そして、アクチベーティングを行った後に、絶縁体を無電解メッキ液に浸けると、パラジウムを触媒としたメッキ反応によって絶縁体の表面に金属が析出し、絶縁体の表面に金属膜が形成される。
【０００５】
ここで、上記した無電解メッキを行う前あるいは無電解メッキ中に絶縁体に対してレーザー光を照射すると、光化学反応による付着力の増強や熱効果によって、絶縁体のレーザー光照射領域に選択的に金属膜を堆積することができ、絶縁体の表面に金属配線を形成できるものであった。
【０００６】
しかしながら、上記した第１の手法においてはリソグラフィのプロセスが必要であり、また、上記した第２の手法においては無電解メッキ法によるセンシタイジングやアクチベーティングを含む複数工程および処理が必要であるため、処理工程が複雑であるとともに工程数が多いという問題点があった。
【非特許文献１】レーザー学会編、「レーザープロセシング」、第１版、日経技術図書株式会社、１９９０年３月１０日、ｐ．４６２−４６７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、従来の技術の有する上記したような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、簡単な工程で、かつ、少ない工程数により絶縁体の表面に高解像度に金属の配線を形成することができるようにした金属配線形成方法および金属配線形成装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、レーザー光としてパルス幅がピコ秒（１０−１２秒）オーダーのピコ秒レーザーから出射されたレーザー光たるピコ秒レーザー光（本明細書においては、「ピコ秒レーザーから出射されたレーザー光」を「ピコ秒レーザー光」と適宜に称することとする。）やパルス幅がフェムト秒（１０−１５秒）オーダーのフェムト秒レーザーから出射されたレーザー光たるフェムト秒レーザー光（本明細書においては、「フェムト秒レーザーから出射されたレーザー光」を「フェムト秒レーザー光」と適宜に称することとする。）を当該レーザー光の波長に対して透明な絶縁体に照射して集光すると、集光点のみに多光子吸収を生じさせ、電子励起によって多量の自由電子を発生することができるという知見に基づいてなされたものである。
【０００９】
即ち、本発明は、レーザー光としてパルス幅がピコ秒オーダーのピコ秒レーザー光やパルス幅がフェムト秒オーダーのフェムト秒レーザー光を、無電解メッキ液中に浸けられた当該レーザー光の波長に対して透明なガラスなどの絶縁体に照射して集光することによって、当該レーザー光の照射領域のみに選択的に金属膜を堆積する手法を提供するものである。
【００１０】
換言すれば、本発明は、レーザー光としてパルス幅がピコ秒オーダーのピコ秒レーザー光やパルス幅がフェムト秒オーダーのフェムト秒レーザー光を当該レーザー光の波長に対して透明な絶縁体に照射して当該絶縁体の表面に集光し、当該絶縁体の表面における集光点のみに多光子吸収を生じさせて電子励起によって多量の自由電子を発生させた状態下において、当該絶縁体を無電解メッキ液に浸けておくというものであり、このようにすると、当該絶縁体の表面における集光点に金属を堆積することができる。
【００１１】
こうした本発明は、絶縁体の表面の自由電子による還元反応によって、無電解メッキ液中の金属イオンが当該絶縁体の表面に析出するという現象を利用したものである。
【００１２】
従って、本発明によれば、絶縁体であっても、パルス幅がピコ秒オーダーのピコ秒レーザー光やパルス幅がフェムト秒オーダーのフェムト秒レーザー光の照射領域のみに金属を堆積させて、メッキにより選択的に金属配線を形成することができるものである。
【００１３】
つまり、本発明においては、金属膜をパターン化するためのリソグラフィプロセスが不要であり、また、公知の無電解メッキ法において用いられるセンシタイジングとアクチベーティングという２つの前処理も必要ないので、簡単な工程で、かつ、少ない工程数により絶縁体の表面に高解像度に金属の配線を形成することが可能となる。
【００１４】
さらに、本発明によれば、外部から無電解メッキ液が浸入可能に形成された絶縁体の内部における中空構造の表面に、レーザー光としてパルス幅がピコ秒オーダーのピコ秒レーザー光やパルス幅がフェムト秒オーダーのフェムト秒レーザー光を照射して集光することにより、無電解メッキ液で浸された絶縁体の内部に形成された中空構造の表面にメッキにより選択的に金属配線を形成することができる。
【００１５】
そして、本発明のうち請求項１に記載の発明は、絶縁体の表面に金属配線を形成する金属配線形成方法において、レーザー光としてパルス幅がピコ秒オーダーのピコ秒レーザー光またはパルス幅がフェムト秒オーダーのフェムト秒レーザー光を、上記レーザー光の波長に対して透明な絶縁体の無電解メッキ液に浸された表面に照射して集光し、上記レーザー光を照射された上記絶縁体の表面の照射領域に金属を析出させることにより金属膜を堆積して金属配線を形成するようにしたものである。
【００１６】
また、本発明のうち請求項２に記載の発明は、本発明のうち請求項１に記載の発明において、上記絶縁体の表面における上記レーザー光の集光位置を任意に変化するようにしたものである。
【００１７】
また、本発明のうち請求項３に記載の発明は、本発明のうち請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の発明において、上記絶縁体の表面は、外部から上記無電解メッキ液が浸入可能に形成された上記絶縁体の内部における中空構造の表面であるようにしたものである。
【００１８】
また、本発明のうち請求項４に記載の発明は、絶縁体の表面に金属配線を形成する金属配線形成装置において、レーザー光としてパルス幅がピコ秒オーダーのピコ秒レーザー光またはパルス幅がフェムト秒オーダーのフェムト秒レーザー光を照射するレーザーと、上記レーザーから出射されたレーザー光の波長に対して透明な材料により形成されるとともに内部に無電解メッキ液を充填したセルと、上記無電解メッキ液に浸されて上記セル内に配置された上記レーザー光の波長に対して透明な絶縁体の表面に上記レーザー光を集光する集光手段とを有するようにしたものである。
【００１９】
また、本発明のうち請求項５に記載の発明は、本発明のうち請求項４に記載の発明において、さらに、上記絶縁体の表面における上記レーザー光を集光位置を変化する集光位置変化手段とを有するようにしたものである。
【００２０】
また、本発明のうち請求項６に記載の発明は、本発明のうち請求項４または請求項５のいずれか１項に記載の発明において、上記絶縁体の表面は、外部から上記無電解メッキ液が浸入可能に形成された上記絶縁体の内部における中空構造の表面であるようにしたものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明は、以上説明したように構成されているので、簡単な工程で、かつ、少ない工程数により絶縁体の表面に高解像度に金属の配線を形成することができるという優れた効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付の図面に基づいて、本発明による金属配線形成方法および金属配線形成装置の実施の形態の一例を詳細に説明するものとする。
【００２３】
なお、以下の各図ならびにその説明において、それぞれ同一あるいは相当する構成については同一の符号をもって示し、その詳細な説明は省略する。
【００２４】
図１には、本発明による金属配線形成装置の実施の形態の一例を示す概念構成図が示されている。
【００２５】
図１に示す金属配線形成装置は、試料２２（後述する。）の表面に多光子吸収を生じさせるレーザー光としてフェムト秒オーダーのパルス幅を有するフェムト秒レーザー光、例えば、パルス幅が１００〜１５０フェムト秒ほどのフェムト秒レーザー光を照射するフェムト秒レーザー１０と、フェムト秒レーザー１０から出射されたフェムト秒レーザー光のビーム径を制御して切り出すためのアパーチャー（開口）１２ａを備えたアパチャー部材１２と、アパチャー部材１２のアパーチャー１２ａから出射されたフェムト秒レーザー光のパルスエネルギーを調節するためのＮＤフィルター１４と、ＮＤフィルター１４から出射されたフェムト秒レーザー光を試料２２（後述する。）の表面に集光するためのレンズ１６と、フェムト秒レーザー１０から出射されたフェムト秒レーザー光の波長に対して透明な材料により形成されるとともに内部に無電解メッキ液１８を充填したセル２０と、セル２０を直交座標系のｘ軸方向、ｙ軸方向ならびにｚ軸方向に任意に移動可能はｘ−ｙ−ｚステージ２４とを有して構成されている。
【００２６】
そして、金属の配線を形成する対象となる絶縁体たる試料２２は、フェムト秒レーザー１０から出射されたフェムト秒レーザー光の波長に対して透明であり、セル２０に充填された無電解メッキ液１８内に浸けられている。なお、無電解メッキ液１８の温度は、室温で保持すればよい。
【００２７】
また、この実施の形態においては、フェムト秒レーザー光の入射側におけるセル２０の壁２０ａと試料２２とが密着するようにして配置されている。即ち、試料２２の無電解メッキ液１８に浸けられた表面における集光位置にフェムト秒レーザー光が到達するまでは、フェムト秒レーザー光が無電解メッキ液１８に入射されることがないように、セル２０内に試料２２が配置されている。
【００２８】
この金属配線形成装置においては、ｘ−ｙ−ｚステージ２４によりセル２０を任意の位置に移動することにより、セル２０内において無電解メッキ液１８に浸けられた試料２２におけるフェムト秒レーザー光の集光位置を任意の位置に移動することができる。
【００２９】
即ち、上記した金属配線装置においては、フェムト秒レーザー光の照射方向は位置決めされて固定されているが、試料２２を無電解メッキ液１８に浸けらるように配置したセル２０をｘ−ｙ−ｚステージ２４によりｘ軸方向、ｙ軸方向ならびにｚ軸方向に任意に移動することにより、試料２２の無電解メッキ液１８に浸けられた表面に集光されるフェムト秒レーザー光の集光位置を試料２２に対して相対的にｘ軸方向、ｙ軸方向ならびにｚ軸方向に任意に移動し、試料２２の無電解メッキ液１８に浸けられた表面および内部でフェムト秒レーザー光をｘ軸方向、ｙ軸方向ならびにｚ軸方向に任意に走査することができるように構成されている。
【００３０】
なお、上記したｘ−ｙ−ｚステージ２４の移動は、例えば、コンピューターを用いて制御することができる。
【００３１】
以上の構成において、フェムト秒レーザー１０から出射されたフェムト秒レーザー光は、アパチャー部材１２のアパチャー１２ａによってビームを切り出され、ＮＤフィルター１４によってパルスエネルギーを調整された後にレンズ１６に入射する。
【００３２】
レンズ１６に入射したフェムト秒レーザー光は、セル２０を介して試料２２に向けて照射される。この際に、セル２０ならびに試料２２はフェムト秒レーザー光の波長に対して透明であるので、レンズ１６から出射されたフェムト秒レーザー光はセル２０ならびに試料２２を透過し、セル２０ならびに試料２２を透過したフェムト秒レーザー光は試料２２の無電解メッキ液１８に浸けられた表面に集光される。
【００３３】
ここで、試料２２の無電解メッキ液１８に浸けられた表面におけるフェムト秒レーザー光の集光位置において、照射面積が最小となるようにレンズ１６と試料２２との距離をｘ−ｙ−ｚステージ２４のｘ方向ステージでの位置を調整すると、試料２２の無電解メッキ液１８に浸けられた表面における単位面積当たりのフェムト秒レーザー光の強度は最大になる。
【００３４】
このときに、フェムト秒レーザー光の照射エネルギーを適切な値に設定すると、試料２２の無電解メッキ液１８に浸けられた表面における集光位置においてのみ多光子吸収が生じ、集光位置に自由電子を生成することができる。
【００３５】
こうして生成された自由電子と無電解メッキ液１８中の金属イオンとの還元反応およびフェムト秒レーザー光の照射による加熱効果によって、上記集光位置のみに金属が析出されて選択的に金属膜が堆積し、試料２２の表面に金属配線を形成することができる。
【００３６】
従って、試料２２の無電解メッキ液１８に浸けられた表面における集光位置を任意に移動することにより、試料２２の表面に任意の配線パターンの金属配線を形成することができる。
【００３７】
次に、本願発明者が図１に示す金属配線形成装置を用いて行った実験の結果について、詳細に説明する。
【００３８】
まず、この実験において用いた装置の構成の詳細について説明すると、フェムト秒レーザー１０としては、波長が７７５ｎｍであり、パルス幅が１５０ｆｓ（フェムト秒）であり、繰り返し周波数１ｋＨｚであるフェムト秒レーザーを用いた。なお、具体的には、フェムト秒レーザー１０としては、ｃｌａｒｋ−ＭＸＲ  ＣＰＡ２０００（商品名）を用いた。
【００３９】
また、アパチャー部材１２のアパーチャー１２ａは直径３ｍｍの円形開口として形成し、レンズ１６としては２０倍の対物レンズ（開口数  ＮＡ：０．４６）を用いた。なお、試料２２の無電解メッキ液１８に浸けられた表面におけるフェムト秒レーザー光の集光位置のスポット径は、約２０μｍとなる。
【００４０】
さらに、無電解メッキ液１８としては銅の無電解メッキ液を用いており、銅の無電解メッキ液の温度は室温で保持した。なお、こうした室温で保持する銅の無電解メッキ液としては、具体的には、高純度化学製（Ｃｕ）Ｃ−２００ＬＴ（商品名）を用いた。
【００４１】
ここで、この実験においては、絶縁体の試料２２として感光性ガラスを用いた。一般に、感光性ガラスとは、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの金属イオンと増感材とを含んでいる。なお、こうした感光性ガラスとしては、具体的には、リチウムアルミノ珪酸塩ガラスにＣｅイオン、Ａｇイオン、Ｓｂイオンがドープされた感光性ガラスであるショットガラス製フォーチュランガラス（Ｆｏｒｔｕｒａｎ  Ｇｌａｓｓ）（商品名）を用いた。
【００４２】
図２には、上記したような条件の下で、フェムト秒レーザー１０のレーザーパワーを６ｍＷとし、試料２２の無電解メッキ液１８に浸けられた表面におけるフェムト秒レーザー光の集光位置を走査する際の走査速度を１０μｍ／ｓとして、フェムト秒レーザー光を試料２２に照射したときの光学顕微鏡写真が示されている。なお、図２（ａ）は倍率を２０倍とし、図２（ｂ）は倍率を５０倍としたものである。
【００４３】
図２（ａ）（ｂ）に示す光学顕微鏡写真の中央において水平方向に延長するライン状のものが、フェムト秒レーザー光の走査によって試料２２の表面に堆積した金属薄膜である。この金属薄膜の線幅は２０μｍであり、試料２２の表面におけるフェムト秒レーザー光の集光位置のスポット径と一致している。
【００４４】
従って、試料２２の表面におけるフェムト秒レーザー光の集光位置のスポット径の大きさを制御することにより、試料２２の表面にスポット径の大きさに応じた任意の線幅の金属薄膜を堆積することができる。
【００４５】
上記した実験によれば、この金属配線形成装置によれば、絶縁体の表面におけるフェムト秒レーザー光の照射領域のみに金属薄膜を堆積させて金属配線を形成することができるが、金属薄膜の堆積後に、例えば、４００℃で１時間加熱するなどの熱処理を行うことにより、絶縁体２２の表面と当該表面に堆積する金属薄膜との付着力を増大することができる。
【００４６】
また、上記した実験においては、無電解メッキ液１８に浸けられた試料２２にフェムト秒レーザー光を照射する際に、無電解メッキ液１８の温度は室温としたが、無電解メッキ液１８の温度を通常のメッキ温度（５０〜６０℃程度である。）に昇温すると、さらに効率良く絶縁体２２の表面に金属薄膜を堆積することができる可能性がある。
【００４７】
また、図３には、絶縁体たる試料２２の内部に形成された中空構造２２ａの表面に金属配線を形成する例を示しており、図３に示す各構成は図１に示す構成に対応している。
【００４８】
即ち、図１に示す金属配線形成装置を用いることにより、試料２２の内部に形成された中空構造２２ａの表面に選択的に金属配線を形成することができる。
【００４９】
例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ａ７６，８５７（２００３）に開示した本願発明者が開発した手法などを用いて、試料２２の内部において、外部から無電解メッキ液１８が浸入可能な開口部を備えた中空構造２２ａを作成した場合には、開口部から浸入した無電解メッキ液１８に浸された中空構造２２ａの表面にフェムト秒レーザ光を集光すると、上記したと同様な作用により、フェムト秒レーザ光の集光位置に金属薄膜を堆積することができる。
【００５０】
なお、上記した実施の形態は、以下の（１）乃至（１０）に示すように変形することができるものである。
【００５１】
（１）上記した実施の形態においては、試料２２の表面に多光子吸収を生じさせるのにレーザー光としてフェムト秒レーザー光を用いたが、これに限られるものではないことは勿論であり、試料２２の表面にダメージを生じさせないのであれば、試料２２の表面に多光子吸収を生じさせるレーザー光としてピコ秒レーザー光を用いることができる。
【００５２】
（２）上記した実施の形態においては、無電解メッキ液１８を充填したセル２０内に試料２２を配置する際には、フェムト秒レーザー光の入射側におけるセル２０の壁面２０ａと試料２２とが密着するようにして、試料２２の無電解メッキ液１８に浸けられた表面における集光位置にフェムト秒レーザー光が到達するまでは、フェムト秒レーザー光が無電解メッキ液１８に入射されることがないようにした。
【００５３】
しかしながら、これに限られるものではないことは勿論であり、無電解メッキ液１８がフェムト秒レーザー光の波長に対して透明であるならば、フェムト秒レーザー光が無電解メッキ液１８を通過してから試料２２の表面に集光されるように、無電解メッキ液１８を充填したセル２０中に試料２２を配置するようにしてもよい。
【００５４】
（３）上記した実施の形態において、試料２２の表面に膜厚の厚い金属配線を形成したい場合には、上記した実施の形態に示す手法により、図２に示すように試料２２の表面にフェムト秒レーザー光の照射により金属薄膜を堆積させた後に、通常の無電解メッキを行えばよい。即ち、フェムト秒レーザー光の照射により表面に金属薄膜を堆積させた試料２２をメッキ温度に昇温した無電解メッキ液に浸すだけで、フェムト秒レーザー光の照射により堆積した金属薄膜上に選択的に厚い金属膜を堆積することができる。
【００５５】
（４）上記した実施の形態において、表面に金属配線を形成される絶縁体として感光性ガラスを用いたが、これに限られるものではないことは勿論であり、表面に金属配線を形成される絶縁体としては、照射されるフェムト秒レーザー光やピコ秒レーザー光が当該絶縁体に対して透明となる材料、即ち、照射されるフェムト秒レーザー光やピコ秒レーザー光を吸収しない材料よりなる絶縁体であれば、任意のものを選択することができる。例えば、石英ガラス、金属ドープガラス、サファイアあるいはポリイミドに代表されるポリマー材料などの高分子を用いることができる。
【００５６】
（５）上記した実施の形態においては、無電解メッキ液１８として銅の無電解メッキ液を用いたが、これに限られるものではないことは勿論であり、各種金属の無電解メッキ液を用いることができる。
【００５７】
（６）上記した実施の形態においては、試料２２上においてフェムト秒レーザー光やピコ秒レーザー光を集光する際に、フェムト秒レーザー光やピコ秒レーザー光が照射される方向とは反対の方向の表面に集光されるようにしたが、これに限られるものではないことは勿論であり、無電解メッキ液１８に浸けられているならば、フェムト秒レーザー光やピコ秒レーザー光が照射される方向と同一の方向の表面に集光されるようにしてもよい。
【００５８】
（７）上記した実施の形態においては、試料２２の表面に堆積される金属薄膜の膜厚は、フェムト秒レーザー光やピコ秒レーザー光の照射時間や照射強度に応じて、任意のサイズに調整可能なものである。
【００５９】
（８）上記した実施の形態においては、実験条件としてフェムト秒レーザーのパラメータ（波長、パルス幅、繰り返し周波数など）の具体的な数値を示したが、これらの数値は一例に過ぎないものであり、フェムト秒レーザーのパラメータは、絶縁体の種類や作成すべき金属配線などの大きさに応じて適宜に選択すればよい。
【００６０】
（９）上記した実施の形態においては、ｘ−ｙ−ｚステージ２４により試料２２に照射されるフェムト秒レーザー光の集光位置を移動するようにしたが、これに限られるものではないことは勿論であり、フェムト秒レーザー１０の光路自体を変化させて、試料２２に照射されるフェムト秒レーザー光の集光位置を移動するようにしてもよい。
【００６１】
（１０）上記した実施の形態ならびに上記した（１）乃至（９）に示す変形例は、適宜に組み合わせるようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、集積回路のプリント基板などの電子回路用の基板に金属配線を形成する際や、微量化学・生物分析を行うマイクロ総合分析システム（μ−ＴＡＳ：Ｍｉｃｒｏ  Ｔｏｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  Ｓｙｓｔｅｍ）の作製などに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明による金属配線形成装置の実施の形態の一例を示す概念構成図である。
【図２】本願発明者による実験結果を示す光学顕微鏡写真であり、（ａ）は倍率を２０倍とし、（ｂ）は倍率を５０倍としたものである。
【図３】絶縁体の内部に形成された中空構造の表面に金属配線を形成する例を示す図１に対応する説明図である。
【符号の説明】
【００６４】
１０      フェムト秒レーザー
１２      アパチャー部材
１２ａ    アパチャー（開口）
１４      ＮＤフィルター
１６      レンズ
１８      無電解メッキ液
２０      セル
２２      試料
２４      ｘ−ｙ−ｚステージ
【図１】
2005209817.tif 000003
【図３】
2005209817.tif 000004
【図２】
2005209817.tif 000005