(57)【要約】【課題】  金属基体と絶縁基板との接合部近傍における伝搬モード、および特性インピーダンスを整合させ、10ＧＨｚ以上の高周波信号であっても良好な伝送特性が得られる高周波用配線基板を提供すること。【解決手段】  貫通孔１ｂを有する金属基体１と、貫通孔１ｂに封止材２を介して固定された金属製端子３と、配線導体４を金属製端子３に接合させて金属基体１に取着された絶縁基板５と、配線導体４と同一面に形成された同一面接地導体９と、金属製端子３を同軸状に囲む、金属基体１および同一面接地導体９と電気的に接続された屋根状部材Ｔとを具備しており、屋根状部材Ｔは、金属基体１側の一端面の開口よりも他端面の開口が大きくなるように一端面側に小径部ｔが形成されており、小径部ｔの長さをＬ、小径部ｔにおける内周面と金属製端子３との間の間隔をＤとしたとき、0.3ｍｍ≦Ｌ≦0.8ｍｍかつ0.3ｍｍ≦Ｄ≦0.8ｍｍである。【選択図】  図１
2005101370.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面から下面にかけて形成された貫通孔を有する金属基体と、前記貫通孔に挿通され、少なくとも前記下面側の端部が前記貫通孔から突出するように封止材を介して固定された金属製端子と、主面にその一辺から対向する他辺にかけて被着された直線状の配線導体を有し、該配線導体を前記金属製端子の前記下面側に突出した部位に平行に接合させて前記金属基体に取着された四角平板状の絶縁基板と、前記配線導体と同一面に形成された同一面接地導体と、前記絶縁基板の前記主面に、前記金属製端子の前記下面側に突出した部位を前記絶縁基板の主面上で同軸状に囲む、前記金属基体および前記同一面接地導体と電気的に接続された金属製の屋根状部材とを具備しており、前記屋根状部材は、前記金属基体側の一端面の開口よりも他端面の開口が大きくなるように前記一端面側に小径部が形成されており、該小径部の長さをＬ、前記小径部における内周面と前記金属製端子との間の間隔をＤとしたとき、０．３ｍｍ≦Ｌ≦０．８ｍｍかつ０．３ｍｍ≦Ｄ≦０．８ｍｍであることを特徴とする高周波用配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信分野やミリ波通信などの分野の10ＧＨｚ以上の高周波領域で使用される高周波用配線基板に関し、特に、同軸状金属基体との接続部における伝送特性を改善した高周波用配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の高周波用配線基板の使用例として、例えば光通信分野に用いられる光半導体装置を図２に示す。この図において、図２（ａ）は光半導体装置の断面図、図２（ｂ）は蓋体を外した状態での光半導体装置の上面図、図２（ｃ）は光半導体装置の下面図である。
【０００３】
従来の光半導体装置は、上面の中央部に光半導体素子Ｓ’の搭載部11ａを有するとともにこの搭載部11ａの近傍に上面から下面にかけて形成された直径0.5〜２ｍｍの貫通孔11ｂを有する、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成る円板状の金属基体11と、貫通孔11ｂに挿通され、少なくとも下面側の端部が貫通孔11ｂから突出するように封止材12を介して固定された、上面側の端部が光半導体素子Ｓ’の電極と電気的に接続される、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成る金属製端子13と、搭載部11ａに搭載されてその電極が金属製端子13の上面側の端部と電気的に接続された光半導体素子Ｓ’と、主面にその一辺から対向する他辺にかけて形成された直線状の配線導体14を有し、金属基体11に配線導体14と金属製端子13の下面側に突出した部位とが平行かつ対向して接合するように取着された絶縁基板15とを具備している。
【０００４】
なお、金属基体11と金属製端子13との接合は、鉛を主成分とする絶縁ガラスから成る封着材12を介して行なわれ、この封着材12によって金属基体11と金属製端子13とが電気的に絶縁されている。また、光半導体素子Ｓ’は、金属基体11に200〜400℃の融点を有する金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）等の低融点ろう材によりろう付け固定され、光半導体素子Ｓ’の電極がボンディングワイヤ16を介して金属端子13に電気的に接続される。
【０００５】
また、金属基体11の上面には、外周端から幅１ｍｍ以内の外周部に、光半導体素子Ｓ’の保護を目的として、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等から成る第１の蓋体17ａがＹＡＧレーザ溶接、シーム溶接またはろう付け等により固定され、さらにその上に光ファイバ18が固定される第２の蓋体17ｂを接合することにより、製品としての光半導体装置となる。
【０００６】
この光半導体装置は、外部電気回路（図示せず）から供給される駆動信号によって光半導体素子Ｓ’を光励起させ、励起した光を戻り光防止用の光アイソレータ（図示せず）を介して光ファイバ18に授受させるとともに光ファイバ18内を伝達させることによって、大容量の光通信等に使用される。そして、その適応範囲は40ｋｍ以下の伝送距離、かつ2.5ＧＨｚ以下の伝送容量の範囲で多用されている。
【０００７】
近年、40ｋｍ以下の伝送距離での高速通信に対する需要が急激に増加しており、高速大容量伝送に関する研究開発が進められている。とりわけ、光通信装置において光信号を発信する光半導体装置等の光発信装置が注目されており、光信号の高出力化と高速化が伝送容量を向上させるための課題となっている。
【０００８】
従来の光半導体装置の光出力は0.2〜0.5ｍＷ程度であり、光半導体素子は５ｍＷ程度の駆動電力であった。しかし、より大出力の光半導体装置では、光出力が1ｍＷのレベルまで向上してきており、また、光半導体素子も10ｍＷ以上の駆動電力が要求されている。さらに、従来の光半導体装置に用いられていた高周波信号は2.5ＧＨｚ程度であったが、10ＧＨｚ程度まで向上してきており、より高出力化と高速化が要求されてきている。
【特許文献１】特開平８−130266号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来の高周波用配線基板を用いて、10ＧＨｚ程度の高周波信号で駆動される光半導体素子を搭載した光半導体装置を構成しようとすると、金属性端子内で伝搬モードが変化し、またそれに伴い特性インピーダンスも変化するために、光半導体素子が正常に作動し難く、特に10ＧＨｚ以上の高周波信号の伝送特性が大きく劣化するという問題点があった。
【００１０】
これは、金属製端子の金属基体の貫通孔から突出した部位が同軸構造となっておらず、そのため、伝送される高周波信号の周波数が高くなると、同軸構造になっていない部分の伝搬モードに大きなずれが生じ、またそれに伴い特性インピーダンスも大きく変化することによるものである。
【００１１】
すなわち、従来の構成では、金属基体、金属製端子の貫通孔の内部に位置する部位、および絶縁基板に形成された配線導体での高周波信号の伝播モードはＴＥＭ（Transverse  Electro  Magnetic）モードであり、それに対して、金属製端子の金属基体の貫通孔から突出した部位であって、絶縁基板の配線導体との接合部以外の部位の伝播モードはＴＥ（Transverse  Electric）モードであり、このため高周波信号はＴＥＭモード、ＴＥモード、ＴＥＭモードと伝播モードが変化するため、伝搬モードの変化部で特性インピーダンスがステップ状に急激に変化し、高周波信号の反射損失が大きくなるという問題点を有していた。
【００１２】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、金属基体と絶縁基板との接合部近傍における伝搬モード、および特性インピーダンスを整合させ、10ＧＨｚ以上の高周波信号であっても良好な伝送特性が得られる高周波用配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の高周波用配線基板は、上面から下面にかけて形成された貫通孔を有する金属基体と、前記貫通孔に挿通され、少なくとも前記下面側の端部が前記貫通孔から突出するように封止材を介して固定された金属製端子と、主面にその一辺から対向する他辺にかけて被着された直線状の配線導体を有し、該配線導体を前記金属製端子の前記下面側に突出した部位に平行に接合させて前記金属基体に取着された四角平板状の絶縁基板と、前記配線導体と同一面に形成された同一面接地導体と、前記絶縁基板の前記主面に、前記金属製端子の前記下面側に突出した部位を前記絶縁基板の主面上で同軸状に囲む、前記金属基体および前記同一面接地導体と電気的に接続された金属製の屋根状部材とを具備しており、前記屋根状部材は、前記金属基体側の一端面の開口よりも他端面の開口が大きくなるように前記一端面側に小径部が形成されており、該小径部の長さをＬ、前記小径部における内周面と前記金属製端子との間の間隔をＤとしたとき、0.3ｍｍ≦Ｌ≦0.8ｍｍかつ0.3ｍｍ≦Ｄ≦0.8ｍｍであることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の高周波用配線基板によれば、絶縁基板の主面に、金属製端子の下面側に突出した部位を絶縁基板の主面上で同軸状に囲む、金属基体および同一面接地導体と電気的に接続された金属製の屋根状部材を具備しており、かつ、この屋根状部材は、金属基体側の一端面の開口よりも他端面の開口が大きくなるように一端面側に小径部が形成されており、小径部の長さをＬ、小径部における内周面と金属製端子との間の間隔をＤとしたとき、0.3ｍｍ≦Ｌ≦0.8ｍｍかつ0.3ｍｍ≦Ｄ≦0.8ｍｍであることから、金属製端子から配線導体にかけての高周波信号の伝播モードを全てＴＥＭモードとすることができる。よって、伝播モードの変化を抑えることによって特性インピーダンスも滑らかに変化し、その結果、10ＧＨｚ以上の高周波信号であっても良好な伝送特性を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、本発明の高周波用配線基板の一実施例としての光半導体装置について添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００１６】
図１（ａ）は、本発明の高周波用配線基板を用いた光半導体装置の実施の形態の一例を示した断面図であり、図１（ｂ）および図１（ｃ）はそれぞれ図１（ａ）に示す光半導体装置の蓋体を外した状態での上面図および下面図である。
【００１７】
これらの図において、１は金属基体、２は封止材、３は金属製端子、４は配線導体、５は絶縁基板、Ｔは金属製の屋根状部材、Ｓは光半導体素子であり、主にこれらで光半導体装置が構成される。
【００１８】
金属基体１は、光半導体素子Ｓを搭載するとともに光半導体素子Ｓが発生する熱を放散する機能を有し、その形状が円形状，半円形状，四角形状等で、厚みが0.5〜２ｍｍの平板状であり、その上面には光半導体素子Ｓを搭載する搭載部１ａを有するとともに搭載部１ａの近傍には上面から下面にかけて形成された直径0.5〜２ｍｍの貫通孔１ｂを有する。
【００１９】
このような金属基体１は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成り、例えば金属基体１がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る場合は、このインゴット（塊）に圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工方法を施すことによって所定形状に製作される。
【００２０】
また、金属基体１の表面には耐食性に優れ、かつろう材との濡れ性に優れた厚さ0.5〜９μｍのＮｉ層と厚さ0.5〜５μｍのＡｕ層をめっき法により順次被着させておくと、金属基体１が酸化腐食するのを有効に防止するとともに各部品を金属基体１に良好にろう付けすることができる。
【００２１】
なお、金属基体１の厚みは0.5ｍｍ以上が好ましく、厚みが0.5ｍｍ未満の場合、後述する第１の蓋体７ａや第２の蓋体７ｂを金属基体１に溶接する際に、溶接の条件（温度等）により金属基体１が曲がったりして変形し易くなる傾向があり、２ｍｍを超えると半導体素子収納用パッケージや半導体装置の厚みが不要に厚いものとなり小型化をすることが困難となる傾向がある。従って、金属基体１の厚みは0.5〜２ｍｍが好ましい。
【００２２】
なお、図１（ａ）〜図１（ｃ）には、半導体素子Ｓを１個搭載し、貫通孔１ｂを１個形成した例を示しているが、複数の半導体素子Ｓを搭載し、複数の貫通孔１ｂを形成してもよい。
【００２３】
金属基体１に形成された貫通孔１ｂには、金属製端子３が封止材２を介して固定されている。金属製端子３は、光半導体素子Ｓが送受信する高周波信号を絶縁基板上の配線導体に伝送する機能を有する。なお、金属製端子３は、少なくとも金属基体１の下面側の端部が貫通孔１ｂから１〜20ｍｍ程度突出するように、封止材２を介して固定されており、後述する絶縁基板５に形成された配線導体４と電気的に接続される。
【００２４】
また、金属製端子３は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成り、例えば金属製端子３がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る場合は、このインゴットを圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工方法を施すことによって、長さが1.5〜22ｍｍ、直径が0.1〜１ｍｍのピン状に製作される。
【００２５】
なお、金属製端子３の金属基体１の下面に突出した部位の長さが１ｍｍ未満であると、後述する配線導体４とろう材等を用いて強固に接合することが困難と成る傾向があり、20ｍｍを超えると絶縁基板５の長さが不要に長いものとなり、光半導体装置を小型化することが困難となる傾向がある。従って、金属製端子３は、少なくとも金属基体１の下面側の端部が貫通孔１ｂから１〜20ｍｍ程度突出するように、封止材２を介して固定することが好ましい。
【００２６】
また、封止材２は、金属基体１と金属製端子３との絶縁間隔を確保するとともに、金属製端子３を金属基体１の貫通孔１ｂに固定する機能を有し、通常、ガラスやセラミックなどの無機材料が用いられる。
【００２７】
なお、金属製端子３は、例えば厚みが金属基体１の厚みと同等で、外径が貫通孔１ｂの径より小さく、内径が金属製端子３の外径より大きいガラス製のリングを貫通孔１ｂに挿入するとともにリングに金属製端子３を挿入し、しかる後、ガラスを所定の温度で加熱，溶融することにより、金属製端子３の外周面が貫通孔１ｂの内面に気密に固定される。
【００２８】
また、金属基体１の下面には主面にその一辺から対向する他辺にかけて被着された直線状の配線導体４を有する四角平板状の絶縁基板５が、配線導体４を金属製端子３の下面側に突出した部位に平行に接合させて取着されている。
【００２９】
さらに、絶縁基板５の主面の配線導体４の両側に等間隔をもって同一面接地導体９が形成されていている。これにより配線導体４の接地電位を強化して伝送特性を向上させることができる。
【００３０】
絶縁基板５は、配線導体４を支持する機能を有し、ポリイミド樹脂，エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や、酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体，ガラス−セラミックス等の無機材料から成り、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム，酸化珪素，酸化マグネシウム，酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダ，溶剤，可塑剤，分散剤を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクタブレード法を採用してシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを得、しかる後、これらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工，積層加工，切断加工を施すことにより絶縁基板５用の生セラミック成形体を得るとともにこの生セラミック成形体を約1600℃の温度で焼成することにより製作される。
【００３１】
配線導体４は、光半導体素子Ｓおよび外部電気回路間の電気信号を伝送する機能を有し、絶縁基板５の主面にその一辺から対向する他辺にかけて直線状に形成されている。
【００３２】
このような配線導体４は、絶縁基板５がポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る場合は一般に銅めっきにより形成され、絶縁基板５が酸化アルミニウム質焼結体等の無機材料から成る場合は、タングステンやモリブデン、マンガン等から成り、例えば、絶縁基板５が酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、タングステンの粉末に有機溶剤，溶媒を添加混合して得た金属ペーストを、あらかじめ主面となるセラミックグリーンシートにスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布し、セラミックグリーンシートを焼成することによって絶縁基板５の主面に形成される。
【００３３】
なお、配線導体４はその表面に、酸化防止のためおよびボンディングワイヤ６や金属製端子３等を強固に接続するために、厚みが0.5〜９μｍのＮｉ層や厚さ0.5〜５μｍのＡｕ層等の金属層をめっき法により順次被着させておくことが好ましい。
【００３４】
また、絶縁基板５は、配線導体４の表面に半田や温度が200〜400℃に融点を有するＡｕ−Ｓｎ等の低融点ろう材を従来周知のスクリーン印刷法を用いて印刷し、次に、金属製端子３を固定した金属基体１を配線導体４と金属製端子３の金属基体１の下面側に突出した部位とを平行かつ対向するように載置し、しかる後、200〜400℃の温度で加熱することにより金属基体１に固定される。
【００３５】
そして、本発明の高周波用配線基板においては、絶縁基板５の主面に、金属製端子３の下面側に突出した部位を絶縁基板５の主面で同軸状に囲む、金属基体１と電気的に接続された金属製の屋根状部材Ｔが設けられており、かつ、この屋根状部材Ｔは、金属基体１側の一端面の開口よりも他端面の開口が大きくなるように一端面側に小径部ｔが形成されており、小径部ｔの長さをＬ、小径部ｔにおける内周面と金属製端子３との間の間隔をＤとしたとき、0.3ｍｍ≦Ｌ≦0.8ｍｍかつ0.3ｍｍ≦Ｄ≦0.8ｍｍである。
【００３６】
これにより、金属製端子３から配線導体４にかけての高周波信号の伝播モードを全てＴＥＭモードとすることができる。よって、伝播モードの変化を抑えることによって特性インピーダンスも滑らかに変化し、その結果、10ＧＨｚ以上の高周波信号であっても良好な伝送特性を実現することができる。
【００３７】
なお、金属製の屋根状部材Ｔは、金属製端子３の金属基体１の下面側に突出した部位の側面を隙間を介在させて覆う構造として形成されており、その長さが１〜20ｍｍ程度であり、特性インピーダンスの整合性の観点からは、絶縁基板５の主面から配線導体４側で、金属製端子３の金属基体１の下面側に突出した部位全体を同軸状に覆うことが重要である。
【００３８】
屋根状部材Ｔは、厚みが0.5〜２ｍｍ程度で、その断面が円環を半分に切った半円環状や、外周および内周が矩形状のもの、さらには外周または内周のいずれか一方が半円状で、他方が矩形状のもの等が用いられる。
【００３９】
また、屋根状部材Ｔの小径部ｔ以外の部位は、その内周面と金属製端子３との間の間隔が小径部ｔにおける内周面と金属製端子３との間の間隔Ｄよりも大きく、0.7〜1.56ｍｍであることが好ましい。屋根状部材Ｔの内周面と金属製端子３との間の間隔が0.7ｍｍ未満では、金属製端子３の先端部で特性インピーダンスが大きくなる傾向があり、その結果、高周波入出力時における反射損失が大きくなり、光半導体素子Ｓの作動性が劣化しやすくなる。一方、1.56ｍｍを超える場合は、金属製端子３の先端部で高次モードが発生する傾向があり、その結果、高周波入出力時における反射損失が大きくなり、光半導体素子の作動性が劣化しやすくなる。
【００４０】
このような金属製の屋根状部材Ｔは、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成り、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金のインゴットを切削加工やＭＩＭ（メタル インジェクション モールド）等の従来周知の金属加工方法を施すことによって所定形状に製作される。
【００４１】
そして、金属製の屋根状部材Ｔは、金属基体１、および絶縁基板５の主面にあらかじめ被着したメタライズ層等の金属層に700〜900℃の融点を有する銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）等のろう材により接合される。なお、その表面には耐食性に優れかつろう材との濡れ性に優れた厚さ0.5〜９μｍのＮｉ層と厚さ0.5〜５μｍのＡｕ層をめっき法により順次被着させておくことが好ましく、金属製の屋根状部材Ｔが酸化腐食するのを有効に防止するとともに、良好にろう付けすることができる。
【００４２】
また、金属製の屋根状部材Ｔは、上述の金属基体１と一体成形してもよく、金属基体１と金属製の屋根状部材Ｔとを一体成形する場合は、前述した切削加工やＭＩＭ等の従来周知の金属加工方法等により製作される。
【００４３】
そして、上述の搭載部１ａに光半導体素子ＳがＡｕ−Ｓｎの低融点ろう材を介して実装されるとともに、その電極が金属製端子３の上面側の端部とボンディングワイヤ６等の電気的接続部材を介して接続され、しかる後、金属基体１の上面に、光半導体素子Ｓの保護を目的としてＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等から成る第１の蓋体７ａがＹＡＧレーザ溶接、シーム溶接またはろう付け等により固定される。そして、さらに第１の蓋体７の外周部（鍔状部）に、光ファイバ８と戻り光防止用の光アイソレータ（図示せず）とが樹脂接着剤で接着された第２の蓋体７ｂがＹＡＧレーザ溶接等で接合されることによって、製品としての光半導体装置となる。
【実施例】
【００４４】
本発明および比較例の高周波用配線基板を以下のように構成した。まず、主面に配線導体４および同一面接地導体９となるパターンを形成した、厚み0.5ｍｍ×縦10ｍｍ×横6ｍｍの酸化アルミニウム質焼結体からなる絶縁基板５を作製した。絶縁基板５は、比誘電率が8.6、配線導体４の幅は0.27ｍｍ、長さが10ｍｍ、厚みが0.015ｍｍであった。
【００４５】
次に、屋根状部材Ｔが一体化して成る、直径3.2ｍｍ×厚み1.0ｍｍの円柱状の金属基体１をＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金で作製した。なお、屋根状部材Ｔは半円筒状であり、その長さを2.5ｍｍ、小径部ｔ以外の内周の半径を１ｍｍとし、小径部ｔの内周面と金属製端子３との間の間隔Ｄ、および小径部ｔの長さＬについては、表１に示した通りである。
【００４６】
そして、金属基体１の中央部には、打ち抜き加工により金属製端子３を挿入するための直径1.16ｍｍの円形の貫通孔１ｂを形成した。
【００４７】
そして、金属基体１の貫通孔１ｂに直径0.22ｍｍの金属製端子３を挿入し、封止材２で接合した。封止材２は比誘電率が４のガラスとした。これにより、本発明および比較用の試料１〜10を得た。
【００４８】
これら試料について、高周波３次元構造シミュレータ（Ａｎｓｏｆｔ社製ＨＦＳＳ）を用いて１ＧＨｚ〜50ＧＨｚの反射損失Ｓ11を測定した。
【００４９】
各試料における上記周波数範囲における最も悪い反射損失Ｓ11を表１に示す。
【表１】
2005101370.tif 000003
【００５０】
表１より、本発明の高周波用配線基板である、試料３〜５、８、９については、反射損失Ｓ11が−15ｄＢ以下と良好な特性が得られることが分かった。これに対し、比較例の試料１、２、６、７、10においては、反射損失Ｓ11が増大しており、−15ｄＢを超えていることが分かった。
【００５１】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上記の実施するための最良の形態では、金属基体は、光半導体素子が搭載される、いわゆるパッケージ構造となっているが、これを同軸コネクターとしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】（ａ）は本発明の高周波用配線基板を用いた光半導体装置の実施の形態の一例を示す断面図、（ｂ）は（ａ）の光半導体装置の蓋体を外した状態で上面図、（ｃ）は（ａ）の光半導体装置の下面図である。
【図２】（ａ）は従来の高周波用配線基板を用いた光半導体装置の断面図、（ｂ）は（ａ）の光半導体装置の蓋体を外した状態で上面図、（ｃ）は（ａ）の光半導体装置の下面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１・・・・・・・金属基体
１ａ・・・・・・搭載部
１ｂ・・・・・・貫通孔
２・・・・・・・封止材
３・・・・・・・金属製端子
４・・・・・・・配線導体
５・・・・・・・絶縁基板
Ｓ・・・・・・・光半導体素子
Ｔ・・・・・・・屋根状部材
ｔ・・・・・・・小径部
【図１】
2005101370.tif 000004
【図２】
2005101370.tif 000005