(57)【要約】      （修正有）【課題】  引き出し端子と外部接続電極端子との電気的接続の信頼性が向上した薄膜コモンモードフィルタ及び薄膜コモンモードフィルタアレイを提供する。【解決手段】  １対の磁性体板と、１対の磁性体板間に設けられており、各々が平面方向にスパイラル状に巻回しておりかつ互いに重ね合わされている上部コイル導体１６ａ及び下部コイル導体１４ａと、一端が上部コイル導体及び下部コイル導体の中心部側の一端にそれぞれ電気的に接続されており、上部コイル導体及び下部コイル導体を横切って外部に延びる上部リード導体１８ａ及び下部リード導体１２ａと、上部リード導体１８ａ及び下部リード導体１２ａの他端がそれぞれ接続された上部リード引き出し端子及び下部リード引き出し端子と、上部コイル導体及び下部コイル導体の他端がそれぞれ接続された上部コイル引き出し端子及び下部コイル引き出し端子とを備えている。【選択図】  図１
2005159222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１対の磁性体板と、該１対の磁性体板間に設けられており、各々が平面方向にスパイラル状に巻回しておりかつ互いに重ね合わされている上部コイル導体及び下部コイル導体と、一端が該上部コイル導体及び下部コイル導体の中心部側の一端にそれぞれ電気的に接続されており、該上部コイル導体及び下部コイル導体を横切って外部に延びる上部リード導体及び下部リード導体と、前記上部リード導体及び下部リード導体の他端がそれぞれ接続された上部リード引き出し端子及び下部リード引き出し端子と、前記上部コイル導体及び下部コイル導体の他端がそれぞれ接続された上部コイル引き出し端子及び下部コイル引き出し端子とを備えており、該下部リード引き出し端子、下部コイル引き出し端子、上部コイル引き出し端子及び上部リード引き出し端子の各々が、前記下部リード導体、下部コイル導体、上部コイル導体及び上部リード導体のうちの少なくとも２つの導体層を積層して互いに導通させた構造を有していることを特徴とする薄膜コモンモードフィルタ。
【請求項２】
前記下部リード引き出し端子、下部コイル引き出し端子、上部コイル引き出し端子及び上部リード引き出し端子の各々が、前記下部リード導体、下部コイル導体、上部コイル導体及び上部リード導体の導体層を全て積層して互いに導通させた構造であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜コモンモードフィルタ。
【請求項３】
前記下部リード引き出し端子、下部コイル引き出し端子、上部コイル引き出し端子及び上部リード引き出し端子の各々が、第１層のスルーホールを介して前記下部リード導体の導体層と前記下部コイル導体の導体層とを接続し、第２層のスルーホールを介して前記下部コイル導体の導体層と前記上部コイル導体の導体層とを接続し、第３層のスルーホールを介して前記上部コイル導体の導体層と前記上部リード導体の導体層とを接続して互いに導通させた構造であることを特徴とする請求項２に記載の薄膜コモンモードフィルタ。
【請求項４】
前記第１層から第３層のスルーホールの中心位置が互いに一致していることを特徴とする請求項３に記載の薄膜コモンモードフィルタ。
【請求項５】
前記第１層から第３層のスルーホールに行くに従ってスルーホールの寸法が大きくなっていることを特徴とする請求項４に記載の薄膜コモンモードフィルタ。
【請求項６】
前記第１層から第３層のスルーホールの中心位置が交互にずれていることを特徴とする請求項３に記載の薄膜コモンモードフィルタ。
【請求項７】
前記第１層から第３層のスルーホールが同一形状及び同一寸法を有していることを特徴とする請求項４又は６に記載の薄膜コモンモードフィルタ。
【請求項８】
前記上部及び下部リード導体の幅（Ｗ１）が前記上部及び下部コイル導体の幅（Ｗ２）の２倍より小さい（Ｗ１＜２Ｗ２）ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の薄膜コモンモードフィルタ。
【請求項９】
前記下部及び上部リード導体が表面をニッケル／クロム膜で被覆した銅で形成されていることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の薄膜コモンモードフィルタ。
【請求項１０】
前記下部コイル導体と前記下部リード導体との接続部における該下部リード導体の表面、及び前記上部コイル導体と前記上部リード導体との接続部における該上部リード導体の表面は、クロム膜のみで被覆されていることを特徴とする請求項９に記載の薄膜コモンモードフィルタ。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の薄膜コモンモードフィルタを複数備えたことを特徴とする薄膜コモンモードフィルタアレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜コモンモードフィルタ及び薄膜コモンモードフィルタアレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
コモンモードフィルタは、平衡伝送方式での電磁妨害の原因となるコモンモード電流を抑制するためのものであり、インダクタを磁気的に結合させて同相ノイズ成分を除去する構成となっている。
【０００３】
フェライト基板間に薄膜コイルを２重に積層してチップ化することにより、小型化及び高密度化を図った薄膜コモンモードフィルタ及びこのフィルタを複数実装した薄膜コモンモードフィルタアレイは、公知である（例えば特許文献１〜４）。
【０００４】
このようなチップ化した薄膜コモンモードフィルタでは、薄膜コイルの両端から引き出し部である引き出し端子を側面に露出させ、この露出した引き出し端子に電気的に接続されるように外部接続電極端子をチップ側面に形成することが行われる。
【０００５】
【特許文献１】特開平４−３６４７０９号公報
【特許文献２】特開平８−２０３７３７号公報
【特許文献３】特開平８−３３５５１７号公報
【特許文献４】特開平１１−５４３２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の薄膜コモンモードフィルタでは、引き出し端子が小さいために、この引き出し端子とチップ側面に形成される外部接続電極端子との電気的接続が不完全となる場合があり、信頼性の点で問題が生じていた。
【０００７】
従って本発明の目的は、引き出し端子と外部接続電極端子との電気的接続の信頼性が向上した薄膜コモンモードフィルタ及び薄膜コモンモードフィルタアレイを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、１対の磁性体板と、１対の磁性体板間に設けられており、各々が平面方向にスパイラル状に巻回しておりかつ互いに重ね合わされている上部コイル導体及び下部コイル導体と、一端が上部コイル導体及び下部コイル導体の中心部側の一端にそれぞれ電気的に接続されており、上部コイル導体及び下部コイル導体を横切って外部に延びる上部リード導体及び下部リード導体と、上部リード導体及び下部リード導体の他端がそれぞれ接続された上部リード引き出し端子及び下部リード引き出し端子と、上部コイル導体及び下部コイル導体の他端がそれぞれ接続された上部コイル引き出し端子及び下部コイル引き出し端子とを備えており、下部リード引き出し端子、下部コイル引き出し端子、上部コイル引き出し端子及び上部リード引き出し端子の各々が、下部リード導体、下部コイル導体、上部コイル導体及び上部リード導体の導体層のうちの少なくとも２つの導体層を積層して互いに導通させた構造を有している薄膜コモンモードフィルタ、及びこの薄膜コモンモードフィルタを複数備えた薄膜コモンモードフィルタアレイが提供される。
【０００９】
各引き出し端子が、下部リード導体、下部コイル導体、上部コイル導体及び上部リード導体のうちの複数の導体層を積層して互いに導通させて形成されている。このため、引き出し端子の側断面積が大きくなり、チップ側面に露出される面積が大きくなるので、引き出し端子と外部接続電極端子との電気的接続が非常に良好となり、その信頼性が大幅に向上する。
【００１０】
各引き出し端子が、下部リード導体、下部コイル導体、上部コイル導体及び上部リード導体の導体層を全て積層して互いに導通させた構造であることが好ましい。
【００１１】
下部リード引き出し端子、下部コイル引き出し端子、上部コイル引き出し端子及び上部リード引き出し端子の各々が、第１層のスルーホールを介して下部リード導体の導体層と下部コイル導体の導体層とを接続し、第２層のスルーホールを介して下部コイル導体の導体層と上部コイル導体の導体層とを接続し、第３層のスルーホールを介して上部コイル導体の導体層と上部リード導体の導体層とを接続して互いに導通させた構造であることも好ましい。
【００１２】
この場合、第１層から第３層のスルーホールの中心位置が互いに一致していることがより好ましい。その際、第１層から第３層のスルーホールが同一形状及び同一寸法を有していても良いが、第１層のスルーホールから第３層のスルーホールに行くに従って、即ち下層から上層に行くに従ってスルーホールの寸法が大きくなっていることがより好ましい。スルーホールが同一寸法であると、引き出し端子部分の段差が大きくなり、露光時の反射の影響でスルーホールに絶縁体が残り易くなり導通の信頼性が低下する（特に高アスペクト比パターンの場合に顕著である）が、このように上層へ行くに従ってスルーホールを広げることにより段差が小さくなり、層間の導通の信頼性が向上する。
【００１３】
第１層から第３層のスルーホールの中心位置が交互にずれていることも好ましい。この場合、第１層から第３層のスルーホールが同一形状及び同一寸法を有していることがより好ましい。スルーホールの中心位置を交互にずらすことによって、スルーホール内の導体の窪みが小さくなり、その上の絶縁体層面も平滑化され以後のスルーホール導体及び絶縁体層面が共に平滑される。このため、層間の導通の信頼性がより高くなり、しかも段差も小さくなる。
【００１４】
上部及び下部リード導体の幅（Ｗ１）が上部及び下部コイル導体の幅（Ｗ２）の２倍より小さい（Ｗ１＜２Ｗ２）ことも好ましい。コイルパターンやリードパターンのアスペクト比（高さ／幅）を高くすると、コイル導体間、コイル導体及びリード導体間の容量が小さくなり、高周波における伝送特性が改善されるが、高アスペクト比設計によると、リード導体とコイル導体との間隔を狭めることが難しくなる。このためには、リード導体の幅を狭めることが有効であるが、リード導体の幅（Ｗ１）をコイル導体の幅（Ｗ２）の２倍以上に設定すると共振周波数が大幅に低下してしまう。そこで、Ｗ１＜２Ｗ２とすることにより、共振周波数の低下の少ない薄膜コモンモードフィルタを提供することができる。
【００１５】
下部及び上部リード導体が表面をニッケル（Ｎｉ）／クロム（Ｃｒ）膜で被覆した銅（Ｃｕ）で形成されていることも好ましい。この場合、下部コイル導体と下部リード導体との接続部における下部リード導体の表面、及び上部コイル導体と上部リード導体との接続部における上部リード導体の表面は、クロム（Ｃｒ）膜のみで被覆されていることがより好ましい。接続部においてＮｉを排除したため、Ｃｕ／Ｎｉの拡散がなくなり、電気抵抗が上昇するという問題発生を防止することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、引き出し端子の側断面積が大きくなり、チップ側面に露出される面積が大きくなるので、引き出し端子と外部接続電極端子との電気的接続が非常に良好となり、その信頼性が大幅に向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は本発明の一実施形態として薄膜コモンモードフィルタアレイの構成を概略的に示す分解斜視図であり、図２はウエハ基板から切断分離した際の薄膜コモンモードフィルタアレイの外観を概略的に示す斜視図であり、図３はウエハ基板から切断分離した際の薄膜コモンモードフィルタアレイの外観を図２とは異なる方向から見た斜視図であり、図４は最終的に完成した薄膜コモンモードフィルタアレイの外観を概略的に示す斜視図である。
【００１８】
この薄膜コモンモードフィルタアレイは、２つの薄膜コモンモードフィルタを並べて形成し、１つのチップとしたものである。
【００１９】
図１において、１０は絶縁磁性体基板、１１は絶縁磁性体基板１０上に積層された通常は耐熱性の良好なポリイミド又はＢＣＢ（ビ・シクロ・ベンゼン）で形成されている第１の絶縁体層、１２ａ及び１２ｂはこの第１の絶縁体層１１上に形成された下部リード導体、１３はその上に積層された第２の絶縁体層、１４ａ及び１４ｂはこの第２の絶縁体層１３上に形成されたスパイラル形状の下部コイル導体、１５はその上に積層された第３の絶縁体層、１６ａ及び１６ｂはこの第３の絶縁体層１５上に形成されたスパイラル形状の上部コイル導体、１７はその上に積層された第４の絶縁体層、１８ａ及び１８ｂはこの第４の絶縁体層１７上に形成された上部リード導体、１９はその上に積層された第５の絶縁体層、２０はその上に接着された絶縁磁性体上蓋、２１ａ及び２１ｂはコイル中心部の磁路リターン部を構成する絶縁磁性体、２２ａ及び２２ｂはコイル外周部の磁路リターン部を構成する絶縁磁性体をそれぞれ示している。
【００２０】
このように、絶縁磁性体基板１０及び絶縁磁性体上蓋２０間にこれら積層体２３が挟まれている。
【００２１】
平面方向にスパイラル状に巻回された下部コイル導体１４ａ及び１４ｂと、平面方向にスパイラル状に巻回された上部コイル導体１６ａ及び１６ｂとは、第３の絶縁体層１５を挟んでそれぞれミラー対称に配置されている。
【００２２】
下部コイル導体１４ａ及び１４ｂの中心側の端からスパイラルの外側への導体引き出しは、第２の絶縁体層１３を介してこれらコイル導体とは別層に形成されている下部リード導体１２ａ及び１２ｂによってそれぞれ行われる。また、上部コイル導体１６ａ及び１６ｂの中心側の端からスパイラルの外側への導体引き出しは、第４の絶縁体層１７を介してコイル導体とは別層に形成されている上部リード導体１８ａ及び１８ｂによってそれぞれ行われる。即ち、これらコイル導体１４ａ、１４ｂ、１６ａ及び１６ｂの中心側の一端には、リード導体１２ａ、１２ｂ、１８ａ及び１８ｂの一端がスルーホールを介してそれぞれ電気的に接続されており、この部分がコンタクト部を構成している。リード導体１２ａ、１２ｂ、１８ａ及び１８ｂの他端は、この薄膜コモンモードフィルタアレイの端縁部に形成されたリード引き出し端子２４ａ、２４ｂ、２５ａ及び２５ｂにそれぞれ電気的に接続されている。同じく、コイル導体１４ａ、１４ｂ、１６ａ及び１６ｂの他端は、この薄膜コモンモードフィルタアレイの端縁部に形成されたコイル引き出し端子２６ａ、２６ｂ（図３）、２７ａ及び２７ｂ（図３）にそれぞれ電気的に接続されている。
【００２３】
絶縁磁性体基板１０及び絶縁磁性体上蓋２０は通常はＮｉＺｎフェライトで形成されている。第１〜第５の絶縁体層１１、１３、１５、１７及び１９は通常は耐熱性の良好なポリイミド又はＢＣＢ（ビ・シクロ・ベンゼン）で形成されている。
【００２４】
下部リード導体１２ａ及び１２ｂ、下部コイル導体１４ａ及び１４ｂ、上部コイル導体１６ａ及び１６ｂ、並びに上部リード導体１８ａ及び１８ｂはＣｕで形成されており、その外表面はＮｉ／Ｃｒ膜で被覆されている。ただし、下部リード導体１２ａ及び１２ｂと下部コイル導体１４ａ及び１４ｂとのコンタクト部、並びに上部コイル導体１６ａ及び１６ｂと上部リード導体１８ａ及び１８ｂとのコンタクト部は、Ｃｒ膜のみで被覆されている。
【００２５】
個々の薄膜コモンモードフィルタアレイは、図２及び図３に示すように絶縁磁性体基板１０、積層体２３及び絶縁磁性体上蓋２０を切り出し、図４に示すようにその切断側面に露出された引き出し端子と電気的に接続されるＮｉ合金などによる接続電極端子２８ａ、２８ｂ、２９ａ、２９ｂ、３０ａ、３０ｂ、３１ａ及び３１ｂが切断側面上に形成される。
【００２６】
１つの薄膜コモンモードフィルタのみで１チップとすることもできる。図５はその１素子分からなる薄膜コモンモードフィルタの構成を概略的に示す分解斜視図であり、図６はウエハ基板から切断分離した際の薄膜コモンモードフィルタの外観を概略的に示す斜視図であり、図７は最終的に完成した薄膜コモンモードフィルタの外観を概略的に示す斜視図であり、図８は薄膜コモンモードフィルタを図５におけるＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線から見た断面図である。
【００２７】
この薄膜コモンモードフィルタの構成は、図１〜図３に示した薄膜コモンモードフィルタアレイにおける一方の薄膜コモンモードフィルタの構成と同一である。従って、図５〜図８において、図１の構成要素と同じ構成要素については同じ参照番号を用いている。
【００２８】
図８（Ａ）は図５におけるＡ−Ａ線断面図であり、引き出し端子が存在しない中心断面を示している。この断面には、下部コイル導体１４ａ、上部コイル導体１６ａ、コイル中心部の磁路リターン部である絶縁磁性体２１ａ、並びにコイル外周部の磁路リターン部である絶縁磁性体２２ａが現れている。
【００２９】
図８（Ｂ）は図５におけるＢ−Ｂ線断面図であり、引き出し端子及び上部リード導体が存在する断面を示している。この断面には、下部コイル導体１４ａ、上部コイル導体１６ａ、上部リード導体１８ａ、上部リード引き出し端子２５ａ、上部コイル引き出し端子２７ａ、並びにコイル中心部の磁路リターン部である絶縁磁性体２１ａが現れている。
【００３０】
図８（Ｃ）は図５におけるＣ−Ｃ線断面図であり、引き出し端子及び下部リード導体が存在する断面を示している。この断面には、下部コイル導体１４ａ、上部コイル導体１６ａ、下部リード導体１２ａ、下部リード引き出し端子２４ａ、下部コイル引き出し端子２６ａ、並びにコイル中心部の磁路リターン部である絶縁磁性体２１ａが現れている。
【００３１】
次に、本実施形態におけるリード引き出し端子２４ａ、２４ｂ、２５ａ及び２５ｂ、並びにコイル引き出し端子２６ａ、２６ｂ、２７ａ及び２７ｂの構造について説明する。
【００３２】
図９は本実施形態における薄膜コモンモードフィルタのコイル導体、リード導体及び引き出し端子のみの構造を示す斜視図であり、図１０は引き出し端子の構造例を示す断面図である。
【００３３】
図９において、８２は下部リード導体、８４は下部リード導体８２の一端に中心側の一端が接続された下部コイル導体、８６は上部コイル導体、８８は一端が上部コイル導体８６の中心側の一端に接続された上部リード導体、９４は下部リード導体８２の他端に接続された下部リード引き出し端子、９５は上部リード導体８８の他端に接続された上部リード引き出し端子、９６は下部コイル導体８４の外側の他端に接続された下部コイル引き出し端子、９７は上部コイル導体８６の外側の他端に接続された上部コイル引き出し端子をそれぞれ示している。
【００３４】
各引き出し端子は、自身の導体層のみによる単層ではなく、他の導体層を間に挿入されている絶縁体層に設けられたスルーホールを介して全て積層し互いに導通させた多層構造となっている。即ち、下部リード引き出し端子９４は、下部リード導体８２の導体層、下部コイル導体８４の導体層、上部コイル導体８６の導体層及び上部リード導体８８の導体層を多層化して互いに導通させた構造となっている。このため、引き出し端子の側断面積が大きくなり、チップ側面に露出される面積が大きくなるので、引き出し端子と外部接続電極端子との電気的接続が非常に良好となり、その信頼性が大幅に向上するのである。
【００３５】
導体層の多層化の形態としては、図１０（Ａ）に示すように、第２の絶縁体層１０３、第３の絶縁体層１０５及び第４の絶縁体層１０７にそれぞれ設けられたスルーホール１０３ａ、１０５ａ及び１０７ａの中心を一致させかつ同一形状及び同一寸法とし、これらのスルーホールを介して導体層１１２、１１４、１１６及び１１８を接続して互いに導通させた構造しても良い。
【００３６】
また、図１０（Ｂ）に示すように、第２の絶縁体層１０３′、第３の絶縁体層１０５′及び第４の絶縁体層１０７′にそれぞれ設けられたスルーホール１０３ａ′、１０５ａ′及び１０７ａ′の中心を一致させるが、スルーホール１０３ａ′からスルーホール１０５ａ′へ、さらにスルーホール１０７ａ′に行くに従って、即ち下層から上層に行くに従ってスルーホールの寸法が大きくなるようにし、これらのスルーホールを介して導体層１１２′、１１４′、１１６′及び１１８′を接続して互いに導通させた構造しても良い。図１０（Ａ）の構造のようにスルーホールが同一寸法であると、引き出し端子部分の段差が大きくなり、露光時の反射の影響でスルーホールに絶縁体が残り易くなり導通の信頼性が低下する（特に高アスペクト比パターンの場合に顕著である）が、このように上層へ行くに従ってスルーホールを広げることにより段差が小さくなり、層間の導通の信頼性が向上する。
【００３７】
図１０（Ｃ）に示すように、第２の絶縁体層１０３″、第３の絶縁体層１０５″及び第４の絶縁体層１０７″にそれぞれ設けられたスルーホール１０３ａ″、１０５ａ″及び１０７ａ″の中心を交互にずらし、これらのスルーホールを介して導体層１１２″、１１４″、１１６″及び１１８″を接続して互いに導通させた構造しても良い。スルーホール１０３ａ″、１０５ａ″及び１０７ａ″は同一形状及び同一寸法を有していても良いし、多少互いに異なっていても良い。薄膜コモンモードフィルタの端子間距離は短く、図１０（Ｂ）の構造のように上層に行くに従ってスルーホールを拡げるパターンでは下層におけるスルーホールが小さすぎ、導体層間の導通の信頼性を高めることは難しく、また、下層に行くに従ってスルーホールの幅を狭める場合、導体層形成後は中心部が窪むと共にスルーホールパターン幅が狭くなり、絶縁体層の残りなどによりスルーホール内における信頼性の高い導通が難しくなる。しかしながら、図１０（Ｃ）の構造のように、スルーホールの中心位置を交互にずらすことによって、スルーホール内の導体の窪みが小さくなり、その上の絶縁体層面も平滑化され以後のスルーホール導体及び絶縁体層面が共に平滑される。このため、層間の導通の信頼性がより高くなり、しかも段差も小さくなる。
【００３８】
次に、本実施形態における上部コイル導体と上部リード導体との接続部であるコンタクト部の構造について説明する。
【００３９】
薄膜コモンモードフィルタの高域特性を良好にするためには、コイル導体間、コイル導体及びリード導体間の容量を小さくすることが有効である。このために、コイルパターンやリードパターンのアスペクト比（高さ／幅）を高くすると、上部コイル導体と上部リード導体との接続部のコンタクトホールを形成する際に最適露光条件のマージンがほとんどなくなってしまう。即ち、コンタクトホール部は絶縁膜（感光性樹脂膜）塗布時に隣接コイルの影響で厚く塗布されてしまい、コンタクトホールを精度良く作成するためには、最深部に合わせて露光量を増大させる必要がある。しかしながら、露光量を増やすと、隣接コイルの反射などによって未露光とすべきマスクの下方のコンタクトホール部分にも光が回ってしまうので、現像時にそのコンタクトホール部分の感光性絶縁膜が抜けにくくなって導通の信頼性が低下する。隣接コイルの反射の影響を防ぐために露光量を減らすと、コンタクトホール周囲部分の露光が少ないためにコンタクトホールが拡がってしまう。さらに、露光量を減らすと感光性絶縁膜の現像時に膜減りが生じて絶縁膜の精度が保てなくなるのみならず、最悪の場合、絶縁膜の膜厚低下により上部コイル導体と上部リード導体との絶縁不良が発生し易くなる。
【００４０】
そこで、本実施形態では、図８（Ｂ）及び図９に示すように、上部コイル導体１６ａ又は８６と上部リード導体１８ａ又は８８とのコンタクトホールの下方に台座部９８を設け、コンタクトホール下の絶縁体下部をできるだけ上方に持ち上げるように構成している。これにより、コンタクトホール形成時の露光量を増大しないで済むため、導通の信頼性低下や絶縁不良などの不都合を解消することができる。特に、本実施形態では、この台座部９８を、下部コイル導体１４ａ又は８４の導体層と下部リード導体１２ａ又は８２の導体層とによって形成しているため、特別なプロセスの追加なしにこの台座部を作成することができる。
【００４１】
前述したように、下部リード導体１２ａ又は８２、下部コイル導体１４ａ又は８４、上部コイル導体１６ａ又は８６、並びに上部リード導体１８ａ又は８８自体はＣｕで形成されており、その外表面はＮｉ／Ｃｒ膜で被覆されている。しかしながら、図１１に示すように、上部コイル導体１６ａ又は８６と上部リード導体１８ａ又は８８とのコンタクト部は、Ｃｒ膜のみで被覆されている。下部リード導体１２ａ又は８２と下部コイル導体１４ａ又は８４とのコンタクト部も同様である。このように、コンタクト部においてＮｉを排除したため、Ｃｕ／Ｎｉの拡散がなくなり、電気抵抗が上昇する不都合が生じない。
【００４２】
次に、本実施形態における上部及び下部リード導体の幅と上部及び下部コイル導体の幅との関係について説明する。
【００４３】
前述したように、薄膜コモンモードフィルタのコイルパターンやリードパターンのアスペクト比（高さ／幅）を高くすると、コイル導体間、コイル導体及びリード導体間の容量が小さくなり、高周波における伝送特性が改善される。しかしながら、高アスペクト比設計によると、リード導体とコイル導体との間隔を狭めることが難しくなるので、リード導体の幅を狭めることが有効となる。
【００４４】
図１２は薄膜コモンモードフィルタの共振周波数とリード導体の幅との関係を示す特性図であり、横軸はリード導体の幅（Ｗ１）とコイル導体の幅（Ｗ２）との比（Ｗ１／Ｗ２）、縦軸は共振周波数をそれぞれ示している。
【００４５】
同図から分かるように、リード導体の幅（Ｗ１）をコイル導体の幅（Ｗ２）の２倍以上に設定すると共振周波数が大幅に低下してしまう。そこで、Ｗ１＜２Ｗ２とすることにより、共振周波数が高く、即ち通信周波数帯である２ＧＨｚ近傍の共振周波数を有することのない薄膜コモンモードフィルタを提供することができる。
【００４６】
次に、本実施形態における薄膜コモンモードフィルタアレイの製造工程について説明する。
【００４７】
図１３及び図１４は、薄膜コモンモードフィルタアレイを製造するウエハ工程及び加工工程をそれぞれ説明するための斜視図である。なお、図１３（Ａ）〜（Ｊ）及び図１４（Ａ）〜（Ｄ）において、下段はウエハ基板、上段はその基板内の実際には切断分離されていない個々のチップを示している。
【００４８】
まず、図１３（Ａ）に示すように、フェライトウエハ基板１３０を用意し、図１３（Ｂ）に示すように、その基板１３０上にポリイミド樹脂などによる第１の絶縁体層１３１をコーティングしてパターニングする。
【００４９】
次いで、図１３（Ｃ）に示すように、その第１の絶縁体層１３１上に銅層１３２による第１のリード及び電極を形成し、図１３（Ｄ）に示すように、その上にポリイミド樹脂などによる第２の絶縁体層１３３をコーティングしてパターニングする。
【００５０】
次いで、図１３（Ｅ）に示すように、その第２の絶縁体層１３３上に銅層１３４による第１のコイルを形成し、図１３（Ｆ）に示すように、その上にポリイミド樹脂などによる第３の絶縁体層１３５をコーティングしてパターニングする。
【００５１】
次いで、図１３（Ｇ）に示すように、その第３の絶縁体層１３５上に銅層１３６による第２のコイルを形成し、図１３（Ｈ）に示すように、その上にポリイミド樹脂などによる第４の絶縁体層１３７をコーティングしてパターニングする。
【００５２】
次いで、図１３（Ｉ）に示すように、その第４の絶縁体層１３７上に銅層１３８による第２のリードを形成し、図１３（Ｊ）及び図１４（Ａ）に示すように、その上にポリイミド樹脂などによる第５の絶縁体層１３９をコーティングしてパターニングする。
【００５３】
その後、図１４（Ｂ）に示すように、リード部に銀ペースト１４０をスクリーン印刷し、図１４（Ｃ）に示すように、コア部にリターン路用のフェライトペースト１４１を埋め込む。
【００５４】
次いで、図１４（Ｄ）に示すように、その上に接着剤を用いてフェライト板カバー１４２を固着する。
【００５５】
次いで、図１４（Ｅ）に示すように、このウエハ基板を切断して複数の薄膜コモンモードフィルタアレイチップが一列状に並んだバー部材１４３を形成する。
【００５６】
次いで、図１４（Ｆ）に示すように、バー部材１４３の各薄膜コモンモードフィルタアレイチップの上面にマーク１４４を印刷し、図１４（Ｇ）に示すように、バー部材１３３の各薄膜コモンモードフィルタアレイチップの側面にニッケルによる接続電極端子１４５をスパッタリングで形成する。
【００５７】
その後、図１４（Ｈ）に示すように、バー部材を個々のチップ１４６に切断分離し、図１４（Ｉ）に示すように、バレルめっきによって接続電極端子１４５をニッケル層／錫層の２層構造１４７とし、さらに、図１４（Ｊ）に示すように、このようにして得た薄膜コモンモードフィルタアレイチップ１４６をテープ１４８上に固着する。
【００５８】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施形態として薄膜コモンモードフィルタアレイの構成を概略的に示す分解斜視図である。
【図２】ウエハ基板から切断分離した際の薄膜コモンモードフィルタアレイの外観を概略的に示す斜視図である。
【図３】ウエハ基板から切断分離した際の薄膜コモンモードフィルタアレイの外観を図２とは異なる方向から見た斜視図である。
【図４】最終的に完成した薄膜コモンモードフィルタアレイの外観を概略的に示す斜視図である。
【図５】図１の薄膜コモンモードフィルタアレイの１素子分からなる薄膜コモンモードフィルタの構成を概略的に示す分解斜視図である。
【図６】ウエハ基板から切断分離した際の薄膜コモンモードフィルタの外観を概略的に示す斜視図である。
【図７】最終的に完成した薄膜コモンモードフィルタの外観を概略的に示す斜視図である。
【図８】薄膜コモンモードフィルタを図５におけるＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線から見た断面図である。
【図９】図１及び図５の実施形態における薄膜コモンモードフィルタのコイル導体、リード導体及び引き出し端子のみの構造を示す斜視図である。
【図１０】引き出し端子の構造例を示す断面図である。
【図１１】上部コイル導体と上部リード導体とのコンタクト部を拡大して示す断面図である。
【図１２】薄膜コモンモードフィルタの共振周波数とリード導体の幅との関係を示す特性図である。
【図１３】薄膜コモンモードフィルタアレイを製造するウエハ工程を説明するための斜視図である。
【図１４】薄膜コモンモードフィルタアレイを製造する加工工程を説明するための斜視図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０  絶縁磁性体基板
１１、１３１  第１の絶縁体層
１２ａ、１２ｂ、８２  下部リード導体
１３、１０３、１０３′、１０３″、１３３  第２の絶縁体層
１４ａ、１４ｂ、８４  下部コイル導体
１５、１０５、１０５′、１０５″、１３５  第３の絶縁体層
１６ａ、１６ｂ、８６  上部コイル導体
１７、１０７、１０７′、１０７″、１３７  第４の絶縁体層
１８ａ、１８ｂ、８８  上部リード導体
１９、１３９  第５の絶縁体層
２０  絶縁磁性体上蓋
２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂ  絶縁磁性体
２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂ  リード引き出し端子
２６ａ、２６ｂ、２７ａ、２７ｂ  コイル引き出し端子
２８ａ、２８ｂ、２９ａ、２９ｂ、３０ａ、３０ｂ、３１ａ、３１ｂ、１４５  接続電極端子
９４  下部リード引き出し端子
９５  上部リード引き出し端子
９６  下部コイル引き出し端子
９７  上部コイル引き出し端子
９８  台座部
１０３ａ、１０５ａ、１０７ａ、１０３ａ′、１０５ａ′、１０７ａ′、１０３ａ″、１０５ａ″、１０７ａ″  スルーホール
１１２、１１４、１１６、１１８、１１２′、１１４′、１１６′、１１８′、１１２″、１１４″、１１６″、１１８″  導体層
１３０  フェライトウエハ基板
１３２、１３４、１３６、１３８  銅層
１４０  銀ペースト
１４１  フェライトペースト
１４２  フェライト板カバー
１４３  バー部材
１４４  マーク
１４６  薄膜コモンモードフィルタアレイチップ
１４７  ２層構造
１４８  テープ
【図１】
2005159222.tif 000003
【図２】
2005159222.tif 000004
【図３】
2005159222.tif 000005
【図４】
2005159222.tif 000006
【図５】
2005159222.tif 000007
【図６】
2005159222.tif 000008
【図７】
2005159222.tif 000009
【図８】
2005159222.tif 000010
【図９】
2005159222.tif 000011
【図１０】
2005159222.tif 000012
【図１１】
2005159222.tif 000013
【図１２】
2005159222.tif 000014
【図１３】
2005159222.tif 000015
【図１４】
2005159222.tif 000016