(57)【要約】【課題】  特定のポリイミドを製造するために用いられるものであって、利便性が高く、より微細で正確なパターン形成が可能となり得る感光性ポリアミック酸ワニス、およびこれを利用する製品中間体製造方法を提供する。【解決手段】  本発明は、下記式（Ｉ）で表されるポリイミド前駆体と特定の化合物を含む感光性ポリアミック酸ワニスを利用することによって、上記課題の解決を図るものである。【化１】2005146216.tif 000024［上記式中、Ｘは２価のアリール基を示す。］【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミド前駆体および溶媒を含む感光性ポリアミック酸ワニスにおいて、
当該ポリイミド前駆体は下記式（Ｉ）で表される化合物であり、
【化１】
2005146216.tif 000020
［上記式中、Ｘは２価のアリール基を示す。］
更に、下記式（II）で表される化合物またはその塩を含有することを特徴とする感光性ポリアミック酸ワニス。
【化２】
2005146216.tif 000021
［上記式中、Ｙは酸素原子またはＮＨ基を示し、Ｒ１〜Ｒ３は独立して水素原子または低級アルキル基を示し、ｍは１〜３の整数を示す。］
【請求項２】
更に光増感剤を含む請求項１に記載の感光性ポリアミック酸ワニス。
【請求項３】
ポリイミド前駆体および溶媒を含む感光性ポリアミック酸ワニスにおいて、
当該ポリイミド前駆体は下記式（Ｉ）で表される化合物であり、
【化３】
2005146216.tif 000022
［上記式中、Ｘは２価のアリール基を示す。］
更に、下記式（III）で表される化合物および光酸発生剤を含有することを特徴とする感光性ポリアミック酸ワニス。
【化４】
2005146216.tif 000023
［上記式中、Ｚは２〜４価のアリール基を示し、ｎは１〜３の整数を示し、ｑは２〜４の整数を示す。］
【請求項４】
ベース上にポリイミドによるパターンが形成された製品中間体を製造する方法であって、
請求項１〜３のいずれかに記載の感光性ポリアミック酸ワニスをベース上に塗布する工程、
感光性ポリアミック酸ワニスが塗布された当該ベースに、フォトマスクを介して活性光線の照射を行なう工程、
現像液により当該活性光線の照射部分または非照射部分を除去する工程、
を含むことを特徴とする製品中間体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路や光ファイバーなどの光学製品や配線基板製品等の製造に有用な感光性ポリアミック酸ワニス、および当該感光性ポリアミック酸ワニスを利用するものであって、ベース上にポリイミドによるパターンが形成された製品中間体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ポリイミドは、耐熱性，耐薬品性や、優れた電気特性，光学特性，力学特性などを有することから、光ファイバーや配線基板の絶縁体層の材料として利用されており、これまでにも多くの研究が為されてきた化合物である。例えば特許文献１には、以下の構造を有する化合物（1,4-ビス-(3,4-ジカルボキシトリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン酸二無水物）が、全フッ素化ポリイミドを調製するために使用され、その結果得られるポリイミドは、高い光透過性と耐熱性を示すのみならず、光通信波長域での吸収ピークが低減されていることから、特に光通信用途に有用である旨が記載されている。
【０００３】
【化１】
2005146216.tif 000002
【０００４】
ところで、従来、ポリイミドにより基板等の上へパターンを形成する際には、シリコン等のベース材料上にポリイミド層を積層し、更にレジストを塗布した上でフォトマスクを介して光照射および現像を行ない、次いで酸素プラズマ等を用いた選択イオンエッチング法（RIE : Reactive Ion Etching）によってパターン形状を作成し、そして最後に残ったレジストを除去していた。
【０００５】
しかし、ポリイミド層の材料として感光性のものを用いれば、レジストの塗布工程と除去工程が省略でき、ベース上に直接パターン形成できる。即ち、ポリイミド層の材料自体が活性光線に反応し、光照射部が現像液に溶解する様になり非光照射部が残る（ポジ型）、或いは光照射部が不溶化して非光照射部が現像液により除去されれば（ネガ型）、パターン形成に要する工程を大幅に短縮することができる。そこで、この様な基板材料として、感光性のポリイミド前駆体が開発されてきた。
【０００６】
例えば特許文献２には、ポリイミド前駆体（ポリアミック酸）と、１分子中に重合性不飽和基とアミノ基を有する化合物とを含有し、更に増感剤および／または光開始剤を含んでもよい光導波路用感光性含フッ素ポリイミド前駆体組成物が記載されている。このポリイミド前駆体組成物中では、ポリイミド前駆体と重合性不飽和−アミノ化合物が塩を形成しており、この塩が光照射によって不溶化することから、マスク等を用いて所望のパターンを形成できる。
【０００７】
また、特許文献３に記載のポジ型感光性組成物は、ポリイミド前駆体，ビニルエーテル化合物，および活性光線の照射によって酸性を呈する化合物（以下、同様の作用を示す化合物を「光酸発生剤」という）を含有する。当該組成物中では、光照射前の加熱処理によってポリアミック酸のカルボキシル基がビニルエーテル化合物により付加或いは保護され、ポリアミック酸分子が架橋される。しかし、光照射部分では光酸発生剤より生じた酸がカルボキシル基を脱保護し、架橋が切断される。その結果、光照射部分はアルカリ性現像液に可溶状態となり、パターン形成が可能になる。
【０００８】
更に、特許文献４には、ポリイミド前駆体（ポリアミック酸）に感光性化合物として4-フェニルピリジン化合物を添加した感光性ポリイミド前駆体組成物が開示されており、基板上に塗布された当該組成物は紫外線照射によって不溶化する。
【特許文献１】特開平５−１１４８号公報（請求項１８，段落［００９５］〜［０１０３］）
【特許文献２】特開２００１−３４２２０３号公報（請求項１，２，段落［００３６］）
【特許文献３】特開２００１−３３９５８号公報（特許請求の範囲，段落［００２６］）
【特許文献４】特開２００２−３５６６１５号公報（請求項１，２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述した様に、これまでにも光学製品等の材料として有用なポリイミドが知られており、また、ポリアミック酸誘導体を含有する感光性組成物であって、基板上に所望のポリイミドパターンを形成するために用いられるものも知られていた。しかし、特定のポリイミドパターンを形成するために用いられる感光性ポリイミド前駆体組成物の構成として、最適な組合せが求められている。
【００１０】
そこで、本発明が解決すべき課題は、特定のポリイミドを製造するために用いられるものであって、利便性が高く、より微細で正確なパターン形成が可能となり得るポリイミド前駆体（ポリアミック酸）組成物、および当該組成物を利用する製品中間体製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は、上記課題を解決すべく、光学製品や配線基板製品の材料として適切なポリイミドを選択した上で、当該ポリイミドの原料であるポリイミド前駆体および当該前駆体に感光性を付与できる構成につき鋭意研究を重ねた。その結果、下記式（Ｉ）で表される繰返し単位からなるポリイミド前駆体に特定の化合物を組合わせ、これらを溶媒に溶解した感光性ポリアミック酸ワニスは、光学製品や配線基板製品等の製造に極めて有用であることを見出して、本発明を完成した。
【００１２】
【化２】
2005146216.tif 000003
【００１３】
［上記式中、Ｘは２価のアリール基を示す。］。
【００１４】
即ち、本発明に係る第１の感光性ポリアミック酸ワニスは、式（Ｉ）で表されるポリイミド前駆体，および溶媒を含み、更に、下記式（II）で表される化合物またはその塩を含有することを特徴とする。
【００１５】
【化３】
2005146216.tif 000004
【００１６】
［上記式中、Ｙは酸素原子またはＮＨ基を示し、Ｒ１〜Ｒ３は独立して水素原子または低級アルキル基を示し、ｍは１〜３の整数を示す。］。
【００１７】
上記感光性ポリアミック酸ワニスには、更に光増感剤を添加することが好ましい。光照射部分の不溶性を一層高め、良好なパターン形成を可能にできるからである。
【００１８】
また、本発明に係る第２の感光性ポリアミック酸ワニスは、式（II）で表される上記化合物の代わりに、下記式（III）で表される化合物および光酸発生剤を含有することを特徴とする。
【００１９】
【化４】
2005146216.tif 000005
【００２０】
［上記式中、Ｚは２〜４価のアリール基を示し、ｎは１〜３の整数を示し、ｑは２〜４の整数を示す。］。
【００２１】
この第２感光性ポリアミック酸ワニスは、光照射部分が不溶化する第１ポリアミック酸ワニス（ネガ型）とは異なり、光照射部分が可溶化して非照射部分が残留するポジ型のものである。
【００２２】
更に、本発明に係る第３の感光性ポリアミック酸ワニスは、式（Ｉ）で表されるポリイミド前駆体，および溶媒を含み、更に、下記式（IＶ）で表される化合物を含有することを特徴とする。
【００２３】
【化５】
2005146216.tif 000006
【００２４】
［上記式中、Ａｒはオルソ位にニトロ基を有するアリール基を示し、Ｒ４〜Ｒ８は独立に水素原子または低級アルキル基を示す。］。
【００２５】
上記化合物（IＶ）としては、下記化合物（IＶ’）が好適である。
【００２６】
【化６】
2005146216.tif 000007
【００２７】
本発明において「アリール基」とは、芳香族炭化水素，および芳香族炭化水素と低級（炭素数：１〜６）アルキレンとの結合体をいい、ハロゲン原子等により置換されてもよく、また、低級アルキレン中のメチレン基は二価のヘテロ原子により置換されていてもよい。この様な「アリール基」は、例えば、Ｘとして1,3-ジアミノ-2,4,5,6-テトラフルオロベンゼン，5-クロロ-1,3-ジアミノ-2,4,6-トリフルオロベンゼン，3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル，4,4'-ジアミノジフェニルエーテル，3,4'-ジアミノジフェニルエーテル，1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン，1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン，2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン，4,4'-ビス(アミノフェノキシ)ビフェニル，2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン，2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル，2,2'-ビス(トリフルオロメチル)-4,4'-ジアミノビフェニル，9,9-ビス(4-アミノフェニル)フルオレン挙げることができ、
Ｚとして以下の化合物群から選択されるものを挙げることができる。
【００２８】
【化７】
2005146216.tif 000008
【００２９】
本発明において「低級アルキル基」とは、炭素数１〜６を有する飽和炭化水素基をいい、例えば、メチル，エチル，プロピル，イソプロピル，ブチル，イソブチル，sec-ブチル，tert-ブチル，ペンチル，ヘキシルを挙げることができる。低級アルキル基として、好適にはC1-C4アルキル基であり、更に好適にはC1-C2アルキル基であり、最適にはメチル基である。
【００３０】
更に、本発明に係る製品中間体の製造方法は、ベース上にポリイミドによるパターンが形成された製品中間体を製造する方法であって、上記感光性ポリアミック酸ワニスをベース上に塗布する工程、当該感光性ポリアミック酸ワニスが塗布されたベースに、フォトマスクを介して活性光線の照射を行なう工程、現像液により当該活性光線の照射部分または非照射部分を除去する工程、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の感光性ポリアミック酸ワニスは、ポリイミド前駆体として式（Ｉ）で表されるポリアミック酸を含有することから、高い光透過性と耐熱性を示す上に光通信波長域での吸収ピークが低減されており、特に光学製品として優れるポリイミドを得ることができる。また、本発明によれば、活性光線の照射によって基板上に所望のパターンを形成することができる。従って、本発明の感光性ポリアミック酸ワニスおよびこれを使用する製品中間体の製造方法は、スーパーエンジニアリングプラスチックに係る技術分野（特に、光導波路や光ファイバーを含む光学製品）に応用できるものとして、産業上非常に有用なものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下に、斯かる特徴を発揮する本発明の実施形態、及びその効果について説明する。
【００３３】
本発明のポリイミド前駆体（Ｉ）は、以下のスキームによって製造することができる。
【００３４】
【化８】
2005146216.tif 000009
【００３５】
上記スキーム中、Ｘは前述したものと同義とする。
【００３６】
上記スキームは、化合物（Ｖ）と（ＶI）とを縮合して化合物（Ｉ）を合成する工程である。ここで、化合物（Ｖ）は公知化合物であって（例えば、特開平５−１１４８号公報）、一般的な合成方法により容易に合成できるものであり、また、化合物（ＶI）は比較的単純な構造を有するため、市販のものを用いるか或いは当業者公知の方法によって市販化合物から容易に合成することができる。
【００３７】
上記スキームは、化合物（Ｖ）と（ＶI）に溶媒を加えるなど、一般的な反応条件を採用することができる。当該溶媒としては、化合物（Ｖ）と（ＶI）に対して適度な溶解度を有し、縮合反応を阻害しないものであれば特に制限されないが、例えばジメチルアセトアミドやジメチルホルムアミド、1-メチル-2-ピロリドン等の極性溶媒を使用することができる。
【００３８】
反応温度および反応時間は、使用する原料や溶媒等に依存するが、例えば０℃〜溶媒の還流温度で１２時間〜５日間反応させればよい。また、反応を促進するために無水溶媒を用いたり、窒素雰囲気下で反応させる態様も好適である。
【００３９】
反応終了後は、得られた化合物（Ｉ）を常法により精製してもよいが、溶液状態のままで、本発明の感光性ポリアミック酸ワニスの製造に用いてもよい。
【００４０】
得られたポリアミック酸（ポリイミド前駆体）は、他の化合物と共に溶媒に溶解し、感光性ポリアミック酸ワニスとすることができる。ここで「ワニス」とは、ベース上に塗布することによってポリイミド前駆体層を形成できるものをいう。
【００４１】
本発明に係る第１の感光性ポリアミック酸ワニスは、下記式（II）で表される化合物を含有する。
【００４２】
【化９】
2005146216.tif 000010
【００４３】
上記式中、Ｙ，Ｒ１〜Ｒ３およびｍは、前述したものと同義とする。
【００４４】
上記化合物（II）は、感光性ポリアミック酸ワニス中でポリアミック酸（ポリイミド前駆体）と塩を形成し、そして、その作用機構は必ずしも明らかでないが、光照射によりポリアミック酸を架橋することによって、光照射部分を溶媒に対して不溶化する作用を有すると考えられている。従って、化合物（II）を添加した感光性ポリアミック酸ワニスは、光照射部分が不溶化して非照射部分のみが溶媒に溶解性を示す様になることによって、光非照射部分のみを選択的に除去できるため、所望のパターンを得ることができる。
【００４５】
本発明に係る第１の感光性ポリアミック酸ワニスでは、感光性を高めるために、光増感剤を添加してもよい。斯かる「光増感剤」は、感光性を高めることができるものであれば特にその種類は問わないが、例えば、ミヒラーケトン，4,4'-ビスジエチルアミノベンゾフェノン，4-ベンゾイルビフェニル，1,4-ジベンゾイルベンゼン等のベンゾフェノン誘導体；チオキサントン，ジエチルチオキサントン，イソプロピルチオキサントン等のチオキサントン誘導体；アントラセン，シアノアントラセン，ブロモアントラセン，9-ヒドロキシメチルアントラセン等のアントラセン誘導体；アントラキノン，2-ヒドロキシメチルアントラキノン等のアントラキノン誘導体；クマリン誘導体；ナフタレン誘導体などを挙げることができる。これら化合物のうち、本発明の光増感剤として好適なものはベンゾフェノン誘導体とチオキサントン誘導体である。
【００４６】
また、本発明に係る第２の感光性ポリアミック酸ワニスは、下記式（III）で表される化合物を含有する。
【００４７】
【化１０】
2005146216.tif 000011
【００４８】
上記式中、Ｚ，ｎおよびｑは、前述したものと同義とする。
【００４９】
「化合物（III）」は、主としてポリアミック酸を不溶化する作用を示すものであるが、光酸発生剤と組合わせることによって、光照射部分において当該作用が解除されて可溶化できるものであることから、光照射部分の選択的除去が可能になる。この様な化合物（III)としては、例えば、以下の構造を有する化合物（2,2-ビス[4-(2-ビニルオキシエトキシ)フェニル]プロパン）を使用することができる。
【００５０】
【化１１】
2005146216.tif 000012
【００５１】
化合物（III）と組合わせて用いる「光酸発生剤」とは、紫外線などの活性光線によってルイス酸やカチオンを生成する物質をいい、この様な化合物としては、例えば、以下のスルホネート誘導体を挙げることができる。
【００５２】
【化１２】
2005146216.tif 000013
【００５３】
ここで使用する溶媒としては、これら化合物に対する溶解性が良好なものであれば特に制限なく使用することができるが、例えばジメチルホルムアミドやジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒や、アセトン，メチルエチルケトン，3-ペンタノン等のケトン系溶媒を挙げることができる。
【００５４】
上記感光性ポリアミック酸ワニスの製造は、上記溶媒にポリアミック酸とその他の化合物を加え、必要な場合には光酸発生剤や光増感剤も添加して溶解することにより行なう。その含有割合は、各化合物の溶媒に対する溶解性等によって適宜決定すればよいが、例えばポリアミック酸１００質量部に対して、上記化合物（II）または（III）を１０〜５０質量部，光酸発生剤を０．１〜２０質量部，光増感剤を１〜１０質量部，溶媒を２０〜５００質量部とすることができる。得られたワニスは、不溶成分を除去するために、適度な孔径（例えば０．２μｍ）をもつフィルターで濾過した上で用いることが好ましい。
【００５５】
本発明に係るベース上にポリイミドによるパターンが形成された製品中間体の製造方法では、先ず、上記感光性ポリアミック酸ワニスをベース上にスピンコート等により塗布する。ここで使用されるベースは特に制限されるものではないが、例えば光学製品を製造する際にはポリイミド樹脂やポリアミド樹脂等のプラスチック材料；石英ガラス；多成分系ガラスなどを用い、配線基板製品ではシリコンを用いることができる。
【００５６】
感光性ポリアミック酸ワニスをベース上に塗布した後は、６０〜１５０℃で１〜３０分間加熱することによって乾燥させる。
【００５７】
次いで、感光性ポリアミック酸ワニスが塗布されたベースに、所望のパターンを得るためのフォトマスクを介して活性光線の照射を行なう。この活性光線は照射部分を可溶化または不溶化できる特定波長のものを用いるが、例えば特定波長の紫外線を採用することができ、１００〜１０００ｍＪ／ｃｍ２の量で照射すればよい。実際には、超高圧水銀灯等を用い、フィルターを介して特定波長の活性光線を照射するのが便利である。
【００５８】
活性光線の照射後は、８０〜２５０℃で１〜３０分間、再度加熱することが好ましい。
【００５９】
そして、光照射部分または非照射部分を現像液により選択的に除去して、所望のパターンを得る。斯かる現像液としては、例えば、1-メチル-2-ピロリドン，N,N-ジメチルホルムアミド，N,N-ジメチルアセトアミド，テトラメチルアンモニウムハイドライド，ピリジン，ピペリジン等の塩基性有機物や、水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，アンモニア等の塩基性無機物を溶媒に溶解したものを、単独若しくは混合して使用できる。ここで使用できる溶媒は、これら塩基性物質を溶解できるものであれば特に制限されないが、例えば、水；メタノールやエタノール等のアルコール類；アセトン，メチルイソブチルケトン，シクロヘキサノン等のケトン類；ベンゼン，トルエン等の芳香族炭化水素類などを挙げることができ、これらを単独若しくは混合して使用できる。現像液の濃度や現像時間は、活性光線照射部分（ポジ型の場合）または非照射部分（ネガ型）を除去でき、且つ非照射部分（ポジ型）または照射部分（ネガ型）が溶解しない範囲で、適宜決定すればよい。
【００６０】
最後に再加熱することによって、ポリイミド前駆体（ポリアミック酸）をポリイミドへ誘導する。この際の温度は２００℃以上とし、当該温度と加熱時間は適宜決定すればよい。
【００６１】
こうして、ベース上に所望のパターンが形成された製品中間体を得ることができるが、光ファイバーを製造する際には、更にベースと同一の材料により被覆する。例えば、下記に例示するポリイミドから２種を選択し、屈折率がより高いポリイミドをコアとして用い、屈折率がより低いものをクラッドにして、光導波路や光ファイバーを製造することができる。
【００６２】
【化１３】
2005146216.tif 000014
【００６３】
より具体的には、下記式で表されるクラッドとコアの組合せや、
【００６４】
【化１４】
2005146216.tif 000015
【００６５】
下記ポリイミドをクラッドとして用い、
【００６６】
【化１５】
2005146216.tif 000016
【００６７】
下記ポリイミドをコアとして用いる組合せを挙げることができる。
【００６８】
【化１６】
2005146216.tif 000017
【００６９】
また、ポリイミドの屈折率は、1,4-ビス-(3,4-ジカルボキシトリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン酸二無水物と複数のジアミンを共重合させ、ジアミンの構成割合を調整することによって、コントロールすることも可能である。
【００７０】
以下に、実施例を示すことにより本発明を更に詳細に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【００７１】
実施例１  ポリアミック酸の合成
【００７２】
【化１７】
2005146216.tif 000018
【００７３】
［上記反応式中、反応生成物は、４位でアミド結合が形成されているものとの混合物である。］
１００ｍＬの反応容器に、1,4-ビス-(3,4-ジカルボキシトリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン酸二無水物 １３．７５ｇ（２３．６１ｍｏｌ）と2,4,5,6-テトラフルオロ-1,3-フェニレンジアミン ４．２５ｇ（２３．６１ｍｏｌ）を投入して窒素置換した。次いでジメチルアセトアミド ３２ｇを加え、室温で７２時間攪拌して重合反応を行なうことによって、ポリイミド前駆体を得た。
【００７４】
実施例２
上記実施例１で得たポリアミック酸 １００質量部，2,2-ビス[4-(2-ビニルオキシエトキシ)フェニル]プロパン １７．４質量部，およびN-ヒドロキシナフタルイミドトリフルオロメタンスルホネート ０．８質量部をジメチルホルムアミド ３８質量部に加えて攪拌し、溶液が均一になった後に孔径０．２μｍのフィルターで濾過し、これを感光性ポリアミック酸ワニスとした。
【００７５】
得られた感光性ポリアミック酸ワニスをシリコンウェハー上にスピンコートし、６０℃，１５分間ホットプレート上でベークした後、テストパターン用フォトマスクを介して３６５ｎｍの波長域，２５０ｍＪ／ｃｍ２の照射量で露光した。光照射後、６０℃で再度加熱し、１ｗｔ％ テトラメチルアンモニウムハイドロキシド水溶液で現像し、乾燥することによって、光照射部のみを溶解させたポジ型レリーフパターンを得ることができた。
【００７６】
実施例３  ポリアミック酸の合成
【００７７】
【化１８】
2005146216.tif 000019
【００７８】
［上記反応式中、反応生成物は、４位でアミド結合が形成されているものとの混合物である。］
１００ｍＬの反応容器に、1,4-ビス-(3,4-ジカルボキシトリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン酸二無水物 ７．２６ｇ（１２．４７ｍｏｌ）と2,2'-ビス(トリフルオロメチル)-4,4'-ジアミノビフェニル ３．９９ｇ（１２．４７ｍｏｌ）を投入して窒素置換した。次いでジメチルアセトアミド ３８．７５ｇを加え、室温で４８時間攪拌して重合反応を行なうことによって、ポリイミド前駆体を得た。
【００７９】
実施例４
上記実施例３で得たポリアミック酸 １００質量部，ジメチルアミノエチルメタクリレート ２１．５質量部，およびミヒラーケトン ３．３質量部をジメチルホルムアミド １２０質量部に加えて攪拌し、溶液が均一になった後に孔径０．２μｍのフィルターで濾過し、これを感光性ポリアミック酸ワニスとした。
【００８０】
得られた感光性ポリアミック酸ワニスをシリコンウェハー上にスピンコートし、１００℃，１０分間ホットプレート上でベークした後、テストパターン用フォトマスクを介して３６５ｎｍの波長域，５００ｍＪ／ｃｍ２の照射量で露光した。光照射後、１０ｗｔ％のN-メチルピロリドンを含有するシクロヘキサノン溶液で現像し、乾燥した。この操作によって、非光照射部のみを溶解させたネガ型レリーフパターンを得ることができた。