(57)【要約】 【課題】  本発明が目的とする技術的課題は、整列誤差を最少化することができると同時に、製造コストを節減することができる、液晶表示装置を提供することにある。【解決手段】  本発明は、下部絶縁基板上に形成され、ゲート電極を含むゲート線、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層、半導体層上に形成され、ゲート電極の上部でドレーン電極と各々対向しているソース電極と連結されているデータ線、ゲート絶縁膜上に形成されている保護膜、保護膜上に形成され、周縁部がデータ線の上部で互いに重畳している複数の色フィルター、色フィルターの上部に形成され、電気的に前記ドレーン電極と連結されている画素電極を含む薄膜トランジスタ表示板と、下部絶縁基板と比較して物理的または化学的に異なる特性を有する材質からなる上部絶縁基板、下部絶縁基板と対向する上部絶縁基板の上部に形成されている共通電極を含む対向表示板とを含む液晶表示装置に関する。このようにすれば、絶縁基板に対する製造コストを節減することができる。【選択図】      図２
2005018069.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板、前記絶縁基板上に形成され、互いに交差して画素領域を定義するゲート線及びデータ線、前記画素領域に各々形成されている画素電極、前記ゲート線のゲート電極、前記データ線のソース電極、前記画素電極に連結されているドレーン電極、及びチャンネルが形成されているチャンネル部を有する半導体層を含む薄膜トランジスタ、及び前記画素に各々順に配置されている赤、緑、青の色フィルターを含む第１表示板、及び
第２絶縁基板、及び前記第１絶縁基板と対向する前記第２絶縁基板の上部に形成されている共通電極を含む第２表示板を含む液晶表示装置において、
前記第１絶縁基板及び前記第２絶縁基板は、異なる収縮率、または異なる密度、または異なる種類、または異なる組成物や組成物の成分比、または異なる厚さ、または異なる材質の特性を有する、液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素電極の周縁は、前記ゲート線または前記データ線と重畳する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記赤、緑、青の色フィルターの周縁の一部は、前記画素領域の周縁で互いに重畳する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記赤、緑、青の色フィルターの周縁の一部は、前記データ線の上部で重畳する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記赤、緑、青の色フィルターの周縁の一部は、互いに部分的に重畳して突出部を形成する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記半導体層と前記データ線との間に形成されている抵抗性接触層をさらに含む、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記半導体層及び抵抗性接触層は、前記データ線の形状に沿って延長されている、請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記半導体層は、前記ソース電極と前記ドレーン電極との間の一部を除いた残りの部分が前記データ線と同一な平面形状を有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第２絶縁基板はプラスチックからなる、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第２絶縁基板は前記第１絶縁基板より厚さが薄い、請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、より詳しくは、薄膜トランジスタ表示板及びこれと対向する対向表示板を含む液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、一般に、電場を生成する電極を有する二つの基板間に液晶物質を注入して、二つの電極に互いに異なる電位を印加することにより、電界を形成して液晶分子の配列を変更させ、これにより光の透過率を調節して、画像を表現する装置である。
【０００３】
このような液晶表示装置は、画素電極及び赤色（R）、緑色（G）、青色（B）の色フィルターが形成されている複数の画素を有し、配線を通じて印加される信号によって各画素が駆動されて、表示動作が行われる。配線には、走査信号を伝達するゲート線（または走査信号線）、画像信号を伝達するデータ線（または画像信号線）があり、各画素には、一つのゲート線及び一つのデータ線と連結されている薄膜トランジスタが形成されており、これにより画素に形成されている画素電極に伝達される画像信号が制御される。
【０００４】
この時、薄膜トランジスタが形成されている表示板には、ゲート信号またはスキャニング信号を伝達するゲート線、画像信号またはデータ信号を伝達するデータ線、画像信号が伝達される画素電極、及びゲート信号を通じて各画素の画素電極に伝達される画像信号を制御する薄膜トランジスタなどが形成されており、薄膜トランジスタ表示板と対向する表示板には、様々な色の画像を実現するために、各々の画素に配置されている赤、緑、青の色フィルター、及び画素に開口部を形成して、画素間から光が漏れるのを遮断したり、コントラスト比の低下を防止するためのブラックマトリックスが形成されている。しかし、ブラックマトリックスは、二つの表示板の整列誤差を考慮して広い幅に形成しなければならないため、画素の開口率を減少させる原因となり、ブラックマトリックスを除去する方法が開発されている。
【０００５】
一方、液晶表示装置用表示板の製造工程時に、表示板を製造するためには、基板の上部に薄膜を形成する成膜工程、所望の形状の薄膜をパターニングするためのマスクを利用した写真エッチング工程などが必要であるが、このような工程のほとんどは高温で行われる。したがって、二つの表示板の整列誤差を最少化するためには、二つの表示板の支持体である基板の特性が同一でなければ、製造工程時の熱的、化学的な変形を同一に維持することができない。
【０００６】
しかし、このような液晶表示装置を、特性が同一な基板を適用して表示板を製造しなければならない現在の製造工程では、製造コストの節減に限界がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が目的とする技術的課題は、整列誤差を最少化することができると同時に、製造コストを節減することができる、液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記のような課題を解決するために、本発明の実施例では、互いに隣接する画素からの光漏れを遮断するためのブラックマトリックスを、同一な表示板に形成されている信号線及び色フィルターとして利用し、互いに異なる熱的、化学的な特性を有する基板を利用して、互いに対向する二つの表示板を製造する。
【０００９】
より詳細には、本発明の実施例による液晶表示装置は、第１絶縁基板、絶縁基板上に形成され、互いに交差して画素領域を定義するゲート線及びデータ線、画素領域に各々形成されている画素電極、ゲート線のゲート電極、データ線のソース電極、画素電極に連結されているドレーン電極、及びチャンネルが形成されるチャンネル部を有する半導体層を含む薄膜トランジスタ、及び画素に各々順に配置されている赤、緑、青の色フィルターを含む第１表示板、及び第２絶縁基板、及び第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板の上部に形成されている共通電極を含む第２表示板を有する。この時、第１絶縁基板及び第２絶縁基板は、異なる収縮率、または異なる密度、または異なる種類、または異なる組成物や組成物の成分比、または異なる厚さ、または異なる材質の特性を有する。
【００１０】
画素電極の周縁は、ゲート線またはデータ線と重畳し、赤、緑、青の色フィルターの周縁の一部は、画素領域の周縁で互いに重畳したり、データ線の上部で重畳するのが好ましい。
【００１１】
また、赤、緑、青の色フィルターの周縁の一部は、互いに部分的に重畳して突出部を形成することもできる。
【００１２】
半導体層とデータ線との間に形成されている抵抗性接触層をさらに含むことができ、半導体層及び抵抗性接触層は、データ線の形状に沿って延長されているのが好ましい。
【００１３】
半導体層は、ソース電極とドレーン電極との間の一部を除いた残りの部分がデータ線と同一な平面形状を有することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の実施例による液晶表示装置は、互いに異なる基板を適用することができ、製造コストを節減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
添付した図面を参考にして、本発明の実施例について、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施することができるように、詳細に説明する。しかし、本発明は多様な形態に実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
【００１６】
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な図面符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００１７】
以下、本発明の実施例による液晶表示装置について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図であり、図２は、図１の薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置の図１のII-II´線による断面図である。
【００１９】
本発明の実施例による液晶表示装置は、下部表示板１００、これと対向している上部表示板２００、下部表示板１００と上部表示板２００との間に充填されて所定の方向に配向されている液晶分子を含む液晶層３００などを含む。具体的に図示されてはいないが、本発明の実施例による液晶表示装置は、上部、下部基板１１０、２１０の内側面に形成され、液晶層３００の液晶分子を任意の方向に配向するための配向膜、上部、下部基板１１０、２１０の外側面に付着されている偏光板、液晶層３００を通過する光の位相を補償するための補償板などを含むことができる。液晶分子は、電界印加によって配向が変わり、配向が変わる程度によって光の透過量が変わる。この時、偏光板の透過軸は、互いに垂直に、または平行に配置することができ、液晶層３００の液晶分子は、基板１１０、２１０の面に対して垂直に配向されている垂直配向モードであっても良く、平行に配向されて下部基板１１０から上部基板２１０に至るまで捩じれて配向されている捩じれネマチック方式であっても良く、二つの基板１１０、２１０の中心面に対して対称に屈曲する配列であっても良い。
【００２０】
下部表示板１００は、ガラスなどの透明な絶縁物質からなる下部基板１１０、その内側面上に形成されている薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタと連結されており、ＩＴＯ（indium tin oxide）やＩＺＯ（indium zinc oxide）などの透明な導電物質からなる画素電極１９０を含む。この時、薄膜トランジスタは、画素電極１９０に印加される画像信号電圧をスイッチングする。
【００２１】
上部表示板２００は、ガラスなどの透明な絶縁物質からなっており、下部基板１１０とは異なる密度、または異なる種類、または異なる組成物や組成物の成分比、または異なる厚さ、または異なる材質の特性を有する上部基板２１０、及びＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質からなる基準電極２７０が全面に形成されている。
【００２２】
より詳細には、本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板１００には、絶縁基板１１０上にゲート信号を伝達する複数のゲート線１２１が形成されている。ゲート線１２１は、主に横方向にのびており、各ゲート線１２１の一部は複数のゲート電極１２４をなす。また、各ゲート線の他の一部は下方に突出して複数の拡張部１２７をなす。
【００２３】
ゲート線１２１は、物理的な性質が異なる二つの膜、つまり下部膜２１１、２４１、２７１、２９１及びその上の上部膜２１２、２４２、２７２、２９２を含む。上部膜２１２、２４２、２７２、２９２は、ゲート信号の遅延や電圧の降下を減らすことができるように、低い比抵抗の金属、例えばアルミニウムやアルミニウム合金などのアルミニウム系列の金属からなる。これとは異なって、下部膜２１１、２４１、２７１、２９１は、他の物質、特にＩＺＯとの接触特性の良い物質、例えばモリブデン（Mo）やモリブデン合金やクロム（Cr）などからなる。下部膜２１１、２４１、２７１、２９１及び上部膜２１２、２４２、２７２、２９２の組み合わせの例としては、クロム/アルミニウム-ネオジム（Nd）合金を挙げることができる。
【００２４】
また、下部膜２１１、２４１、２７１、２９１及び上部膜２１２、２４２、２７２、２９２の側面は各々傾斜しており、その傾斜角は基板１１０の表面に対して約３０-８０°である。
【００２５】
ゲート線１２１上には、窒化ケイ素（SiNx）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００２６】
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（hydrogenated amorphous silicon）などからなる複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は、主に縦方向にのびており、ここから複数の突出部１５４がゲート電極１２４に向かってのびている。また、線状半導体１５１は、ゲート線１２１とぶつかる部分付近で幅が広くなり、ゲート線１２１を広い面積に亘って覆うように形成されている。
【００２７】
半導体１５１の上部には、シリサイドまたはn型不純物が高濃度にドーピングされたn+水素化非晶質シリコンなどの物質からなる複数の線状及び島状抵抗性接触部材（ohmic contact）１６１、１６５が形成されている。線状接触部材１６１は複数の突出部１６３を有しており、この突出部１６３及び島状接触部材１６５は、対となって半導体１５１の突出部１５４上に位置する。
【００２８】
半導体１５１及び抵抗性接触部材１６１、１６５の側面もまた傾斜しており、傾斜角は３０-８０°である。
【００２９】
抵抗接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、各々複数のデータ線１７１、複数のドレーン電極１７５、及び複数の維持蓄電器用導電体１７７が形成されている。
【００３０】
データ線１７１は、主に縦方向にのびており、ゲート線１２１と交差してデータ電圧を伝達する。各データ線１７１からドレーン電極１７５に向かってのびた複数の分枝がソース電極１７３をなす。一対のソース電極１７３とドレーン電極１７５とは互いに分離されており、ゲート電極１２４に対して互いに反対側に位置する。ゲート電極１２４、ソース電極１７３、及びドレーン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に薄膜トランジスタをなし、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３とドレーン電極１７５との間の突出部１５４に形成されている。
【００３１】
維持蓄電器用導電体１７７は、ゲート線１２１の一部において拡張された拡張部１２７と重畳している。
【００３２】
データ線１７１、ドレーン電極１７５、及び維持蓄電器用導電体１７７も、モリブデン（Mo）、モリブデン合金、クロム（Cr）などからなる下部膜７１１、７３１、７５１、７７１、７９１と、その上に位置したアルミニウム系列の金属からなる上部膜７１２、７３２、７５２、７７２、７９２とからなる。
【００３３】
データ線１７１、ドレーン電極１７５、及び維持蓄電器用導電体１７７の下部膜７１１、７３１、７５１、７７１、７９１と上部膜７１２、７３２、７５２、７７２、７９２も、ゲート線１２１と同様に、その側面が約３０-８０°の角度で傾斜している。
【００３４】
抵抗性接触部材１６１、１６５は、その下部の半導体１５１、その上部のデータ線１７１及びドレーン電極１７５の間にだけ存在して、接触抵抗を低くする役割をする。線状半導体１５１は、ソース電極１７３とドレーン電極１７５との間をはじめとして、データ線１７１及びドレーン電極１７５により覆われずに露出された部分を有しており、ほとんどの部分では線状半導体１５１の幅がデータ線１７１の幅より狭い。しかし、前記したようにゲート線１２１とぶつかる部分で幅が広くなって、ゲート線１２１とデータ線１７１との間の絶縁を強化する。
【００３５】
データ線１７１、ドレーン電極１７５、及び維持蓄電器用導電体１７７と、露出された半導体１５１部分との上には、窒化ケイ素または酸化ケイ素からなる第１保護膜８０１が形成されている。
【００３６】
第１保護膜８０１の上部には、ストライプ状の赤、緑、青の色フィルター（R、G、B）が順に配列されている。色フィルター（R、G、B）各々の周縁は互いに重畳しているが、周縁部は、後続膜のステップカバレッジ特性を良好に誘導したり、表示板の平坦化を図ることにより、液晶の誤配列を防止することができるように、他の部分より厚さを薄くすることができ、互いに重畳する幅がデータ線１７１を完全に覆うように、データ線１７１の幅より広いのが好ましい。また、赤、緑、青の色フィルターの周縁の一部が画素領域の周縁で互いに重畳していると好ましい。さらに、赤、緑、青の色フィルターの周縁の一部が、互いに部分的に重畳して突出部を形成し重畳していても良い。
【００３７】
ここで、隣接する色フィルターの二つの周縁部が重畳している部分は、２種類の色が互いに重畳するためブラック状態となり、この部分を通じて光が漏れるのを適切に遮断することができ、光遮断膜としての機能をする長所がある。その結果、白黒のコントラスト比を向上させることができる。したがって、本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板では、ゲート線１２１及びデータ線１７１と色フィルター（R、G、B）との重畳部分が画素間から漏れる光を遮断するブラックマトリックスの機能を代替する。
【００３８】
色フィルター（R、G、B）が形成されている第１保護膜８０１の上部には、平坦化特性が優れて感光性を有する有機物質、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）により形成されるa-Si:C:O、a-Si:O:Fなどの低誘電率絶縁物質などからなる第２保護膜８０２が形成されている。
【００３９】
第１及び第２保護膜１８０には、ドレーン電極１７５、維持蓄電器用導電体１７７、及びデータ線１７１の端部１７９を各々露出する複数の接触孔１８５、１８７、１８２が形成されており、ゲート絶縁膜１４０と共にゲート線１２１の端部１２９を露出する複数の接触孔１８１が形成されている。一方、色フィルター（R、G、B）も、ドレーン電極１７５及び維持蓄電器用導電体１７７を露出する開口部を有する。図示しているように、色フィルター（R、G、B）の開口部は保護膜１８０の接触孔１８５、１８７より大きいが、そうでないこともあり、この場合には階段状の側壁からなる。
【００４０】
図示されているように、接触孔１８１、１８５、１８７、１８２は、ゲート線１２１の端部１２９、ドレーン電極１７５、維持蓄電器用導電体１７７、及びデータ線１７１の端部１７９の上部膜２９２、７５２、７７２、７９２を露出するが、上部膜２９２、７５２、７７２、７９２が除去されて下部膜２９１、７５１、７７１、７９１が露出することもでき、さらに、接触孔１８１、１８５、１８７、１８２が下部膜２９１、７５１、７７１、７９１の周縁部の境界線のうちの一部を露出した状態にすることもできる。
【００４１】
保護膜１８０上には、ＩＺＯまたはＩＴＯからなる複数の画素電極１９０及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。
【００４２】
画素電極１９０は、接触孔１８５、１８７を通じてドレーン電極１７５及び維持蓄電器用導電体１７７と各々物理的、電気的に連結されて、ドレーン電極１７５からデータ電圧の印加を受け、導電体１７７にデータ電圧を伝達する。ここで、画素電極１９０の周縁は、ゲート線１２１またはデータ線１７１と重畳していると、画素間の光漏れを低減できるため好ましい。
【００４３】
図２のように、データ電圧が印加された画素電極１９０は、共通電圧の印加を受ける対向表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することにより、二つの表示板１００、２００間の液晶層３００の液晶分子を再配列させる。
【００４４】
また、前記のように、画素電極１９０及び共通電極２７０は、蓄電器（以下、“液晶蓄電器”という）を形成して、薄膜トランジスタがターンオフされた後でも印加された電圧を維持するが、電圧維持能力を強化するために、液晶蓄電器と並列に連結された他の蓄電器を設けることができる。これを維持蓄電器という。維持蓄電器は、画素電極１９０及びこれと隣接するゲート線１２１（これを前段ゲート線という）の重畳などからなり、維持蓄電器の静電容量、つまり保持容量を増加させるために、ゲート線１２１を拡張した拡張部１２７を設けて重畳面積を大きくする一方で、画素電極１９０と連結されて拡張部１２７と重畳する維持蓄電器用導電体１７７を保護膜１８０下に設けて二つの間の距離を短くする。
【００４５】
また画素電極１９０は、隣接するゲート線１２１及びデータ線１７１と重畳して開口率を高めているが、重畳しないこともある。
【００４６】
接触補助部材８１、８２は、接触孔１８１、１８２を通じてゲート線の端部１２９及びデータ線の端部１７９と各々連結される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１及びデータ線１７１の各端部１２９、１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する役割をするものであって、必須ではなく、これらの適用は選択的である。
【００４７】
このような本発明の実施例による液晶表示装置において、対向表示板２００は、全面に形成されている共通電極２７０だけを有しており、色フィルターまたはブラックマトリックスなどのようにパターニングされた薄膜は有していないので、液晶表示装置を完成するために薄膜トランジスタ表示板と整列させる際に整列誤差を考慮する必要がない。したがって、製造工程時にも、薄膜トランジスタ表示板１００の下部基板１１０と物理的または化学的に同一な特性を考慮する必要がなく、下部基板１１０と異なる収縮率、または異なる密度、または異なる種類、または異なる組成物や組成物の成分比、または異なる厚さ、または異なる材質の特性を有する上部基板１２０を適用することができ、これにより低コストの上部基板１２０を選択して、液晶表示装置の製造コストを節減することができる。この時、二つの基板１１０、２１０のうちの少なくとも一つ、特に上部基板１２０は、低コストのプラスチック基板を用いることもでき、下部基板１１０より厚さの薄い基板を利用することもできる。
【００４８】
一方、薄膜トランジスタ表示板を製造する過程には、複数の写真エッチング工程が含まれるが、これを減らすための努力が進められている。その一つとして、前記したように、透明領域、反透過領域、及び不透明領域を有する光マスクを用いて、厚い部分及び薄い部分を有する感光膜パターンを形成し、これを利用して、いくつかの層が異なるパターンを有するようにエッチングする方法が行われている。そのうちの代表的なものは、非晶質シリコン層、抵抗性接触層、及びデータ線とドレーン電極を一つの感光膜パターンを利用してエッチングする４枚の光マスク工程である。通常、ゲート線１２１をパターニングする時に１回、非晶質シリコン層１５１及び抵抗性接触層１６１、１６５をパターニングする時に１回、データ線１７１及びドレーン電極１７５をパターニングする時に１回、保護膜１８０をパターニングする時に１回、画素電極をパターニングする時に１回の、計５回の写真エッチング工程が行われ、これを５枚の光マスク工程という。４枚の光マスク工程は、非晶質シリコン層、抵抗性接触層、及びデータ金属層を１枚の光マスクを用いて同時にパターニングすることにより、光マスクの数を１枚減らしたものである。この場合、データ線及びドレーン電極と抵抗性接触層とが実質的に同一な平面形状を有するようになり、非晶質シリコンの半導体層も、チャンネル部を除いた部分では、データ線及びドレーン電極と実質的に同一な平面形状を有する。図面を参照して、完成した薄膜トランジスタ表示板の構造について具体的に説明する。
【００４９】
図３乃至図５を参照して、本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板について詳細に説明する。
【００５０】
図３は、本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の構成を示した配置図であり、図４及び図５は、各々図３に示した薄膜トランジスタ表示板のIV-IV´線及びV-V´線による断面図である。
【００５１】
図３乃至図５のように、本実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の層状構造は、図１及び図２に示した液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の層状構造とほぼ同一である。つまり、基板１１０上に複数のゲート電極１２４を含む複数のゲート線１２１が形成されており、その上にゲート絶縁膜１４０、複数の突出部１５４を含む複数の線状半導体１５１、複数の突出部１６３を各々含む複数の線状抵抗性接触部材１６１、及び複数の島型抵抗性接触部材１６５が順に形成されている。抵抗性接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のソース電極１５３を含む複数のデータ線１７１、複数のドレーン電極１７５が形成され、その上に保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０及び/またはゲート絶縁膜１４０には、複数の接触孔１８１、１８５、１８２が形成されており、保護膜１８０上には、複数の画素電極１９０及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。
【００５２】
しかし、図１及び図２に示した薄膜トランジスタ表示板とは異なって、本実施例による薄膜トランジスタ表示板は、ゲート線１２１に拡張部を設ける代わりに、ゲート線１２１と同一な層にゲート線１２１と電気的に分離された複数の維持電極線１３１を設け、ドレーン電極１７５と重畳させて維持蓄電器を形成する。維持電極線１３１もまた、ゲート線１２１と同様に、下部膜３１１及び上部膜３１２を含む。維持電極線１３１は、共通電圧などの予め決められた電圧の印加を外部から受け、画素電極１９０及びゲート線１２１の重畳で発生する保持容量が十分な場合には、維持電極線１３１を省略することもできる。
【００５３】
半導体１５１は、薄膜トランジスタが位置する突出部１５４を除いて、データ線１７１、ドレーン電極１７５、及びその下部の抵抗性接触部材１６１、１６５と実質的に同一な平面形状を有している。具体的には、線状半導体１５１は、データ線１７１及びドレーン電極１７５との間、その下部の抵抗性接触部材１６１、１６５下に存在する部分との間の他にも、ソース電極１７３とドレーン電極１７５との間において露出された部分を有している。
【００５４】
また、保護膜１８０は、図２の第１保護膜８０１のみからなるが、第２保護膜８０２のみからなることもある。
【００５５】
このような本発明の第２実施例による薄膜トランジスタ表示板を適用した液晶表示装置もまた、第１実施例のように、製造コストの節減の効果を得ることができる。
【００５６】
前記のように、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も、本発明の権利範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第１実施例による薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図である。
【図２】図１の薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置の図１のII-II´線による断面図である。
【図３】本発明の第２実施例による薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図である。
【図４】図３の薄膜トランジスタ表示板のIV-IV´及びV-V´線による断面図である。
【図５】図３の薄膜トランジスタ表示板のIV-IV´及びV-V´線による断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１００、２００  表示板
１１０、２１０  基板
１２１  ゲート線
１２４  ゲート電極
１４０  ゲート絶縁膜
１７１  データ線
１７３  ソース電極  
１７５  ドレーン電極
１７７  維持蓄電器用導電体
１８０  保護膜
１９０  画素電極
３００  液晶層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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