(57)【要約】【課題】  磁性層からなる光磁気記録構成層を有する光磁気記録媒体において、アニール光照射がなされた箇所の特定や、アニール光照射後の光磁気記録構成層の状態の確認が可能とされた光磁気記録媒体とその製造方法を提供する。【解決手段】  光磁気記録媒体１は、基体２の一主面に形成された光磁気記録構成層３の上面に、アニール光照射で変質して光変調例えば反射のレベルが変化する材料層例えばＳｉ層からなるアニール検出積層膜４が形成された構成とする。また、この光磁気記録媒体１のランド２ｂとグルーブ２ｃとの境界壁面６にアニール光を走査照射した後、被照射部の少なくとも一部に例えば上述のアニール光とパワーが異なる検査光を照射して、この検査光のアニール検出積層膜における変調、例えば反射レベルの変化の検出によってアニール状態の検出を行う。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランドとグルーブとを有する基体上に形成された光磁気記録構成層の、上記ランドとグルーブの境界壁面にアニール光照射がなされる、磁壁移動検出方式による光磁気記録媒体であって、
上記光磁気記録構成層の、上記アニール光の照射がなされる側の面に、Ｓｉ層と、ＳｉＮによる誘電体層とのアニール検出積層膜が形成されて成ることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
上記アニール検出積層膜上に保護層が形成されて成ることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
上記光磁気記録構成層の上記ランドとグルーブとを共に信号記録エリアとしたことを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】
ランドとグルーブとを有する基体上に形成された光磁気記録構成層の、上記ランドとグルーブの境界壁面にアニール光照射がなされる、磁壁移動検出方式による光磁気記録媒体の製造方法であって、
上記光磁気記録構成層上に、少なくとも、Ｓｉ層と、ＳｉＮによる誘電体層とによるアニール検出積層膜を形成するアニール検出積層膜形成工程と、
上記ランドと上記グルーブの境界壁面に、アニール光を記録トラック方向に沿って走査照射し、該アニール光の被照射部において、上記光磁気記録構成層及び上記アニール検出積層膜の変質化を行うアニール光走査照射工程と、
上記変質化がなされた上記境界壁面の上記アニール光の被照射部の少なくとも一部に検査光を照射する検査光照射工程とを有し、
上記アニール光の被照射部の上記アニール検出積層膜における上記検査光の変調を検出して、上記光磁気記録構成層のアニール状態の検出を行うことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
上記検査光の変調が、上記アニール検出積層膜における変質による反射レベルの変調であることを特徴とする請求項４に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光磁気記録媒体と、光磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光磁気記録媒体において、ＤＷＤＤ（Domain Wall Displacement Detection）方式による光磁気記録媒体は、高密度記録が可能であることから重要視されている。
このＤＷＤＤ方式による再生は、光磁気記録媒体に対する再生用レーザ光の走査照射によって、磁性層からなる光磁気記録構成層の温度分布を変化させ、磁気記録マークを磁壁の移動によって拡大し、この拡大された記録マークを読み出すという方式によるものであり、記録マークを再生光の光学的回折限界以下に微小化して高密度記録を図ることができるようにするものである。
【０００３】
このＤＷＤＤ方式による場合、上述の磁壁の移動が円滑に進行することが、安定した再生やジッターの改善のために必要となる。
この磁壁の移動の円滑化を図る手法として、隣接するトラックからの磁界の影響を回避するために、トラック間の磁性層をアニール光によって変質させる、例えば面内磁化膜化もしくは非磁性化させる手法の提案がなされている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
一方、このようなＤＷＤＤ方式による光磁気記録媒体においては、記録密度の更なる向上を目的として、光磁気記録構成層が形成される基体の凹凸面を構成するランドとグルーブとを共に信号記録エリアとする、いわゆるランド・グルーブ記録がしばしば用いられる。
このランド・グルーブ記録による光磁気記録媒体において、ＤＷＤＤ方式による再生のための磁壁移動を円滑に行うためには、例えば図１１に示すように、記録媒体の基体上に形成された光磁気記録構成層の、ランド・グルーブ間つまりトラック間の境界壁面を主たる被照射部としてアニール光Ｌａの照射を行うアニール処理がなされる。
【特許文献１】特開平８−１４７７７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、この従来の光磁気記録媒体に対するアニール処理では、上述の光磁気記録構成層を構成する磁性層の磁性の変質がなされるに過ぎない。
したがって、上述のトラック間の磁性層、すなわちランドとグルーブとの境界壁面に対するアニール光照射において、例えばアニール処理の途中でトラッキングが外れたなどの場合に、アニール光照射がなされた箇所の特定を行うことや、例えばアニールのパワーが予め設定されているなどの場合にアニール後の光磁気記録構成層の状態を確認することなどが、困難とされてきた。
【０００６】
すなわち、光磁気記録媒体の製造において、例えばアニール処理の途中でトラッキングが外れたなどの場合には、不良箇所が特定できないことによる品質低下が問題となる。
また、光磁気記録媒体の製造において、アニールが所定のパワーで所望の箇所になされたかの確認がなされないなどの場合には、記録再生特性が不安定となるなどの問題が生じる。
【０００７】
本発明は、光磁気記録媒体と、この光磁気記録媒体の製造方法における上述の諸問題の解決を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による光磁気記録媒体は、ランドとグルーブとを有する基体上に形成された光磁気記録構成層の、ランドとグルーブの境界壁面にアニール光照射がなされる、磁壁移動検出方式による光磁気記録媒体であって、上述の光磁気記録構成層の、アニール光の照射がなされる側の面に、Ｓｉ層と、ＳｉＮによる誘電体層とのアニール検出積層膜が形成されて成ることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、上述の光磁気記録媒体において、アニール検出積層膜上に保護層が形成されて成ることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、上述の光磁気記録媒体において、光磁気記録構成層のランドとグルーブとを共に信号記録エリアとしたことを特徴とする。
【００１１】
本発明による光磁気記録媒体の製造方法は、ランドとグルーブとを有する基体上に形成された光磁気記録構成層の、ランドとグルーブの境界壁面にアニール光照射がなされる、磁壁移動検出方式による光磁気記録媒体の製造方法であって、上述の光磁気記録構成層上に、少なくとも、Ｓｉ層と、ＳｉＮによる誘電体層とによるアニール検出積層膜を形成するアニール検出積層膜形成工程と、ランドとグルーブの境界壁面に、アニール光を記録トラック方向に沿って走査照射し、このアニール光の被照射部において、光磁気記録構成層及びアニール検出積層膜の変質化を行うアニール光走査照射工程と、変質化がなされた上述の境界壁面のアニール光の被照射部の少なくとも一部に検査光を照射する検査光照射工程とを有し、アニール光の被照射部の上述のアニール検出積層膜における検査光の変調を検出して、光磁気構成膜のアニール状態の検出を行うことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、上述の光磁気記録媒体の製造方法において、検査光の変調が、アニール検出積層膜における変質による反射レベルの変調であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明による光磁気記録媒体によれば、光磁気記録構成層の、アニール光の照射がなされる側の面に、Ｓｉ層とＳｉＮによる誘電体層とのアニール検出積層膜が形成される構成としたことによって、この光磁気記録媒体を構成するランドとグルーブとの境界壁面に対するアニール光照射の前後での、反射レベルなどの光変調の検出により、アニール箇所及びアニール状態の検出を感度良く行うことができるものである。
【００１４】
また、本発明による光磁気記録媒体の製造方法によれば、光磁気記録媒体の基体の凹凸面を構成するランドとグルーブとの境界壁面にアニール光を走査照射して光磁気記録構成層の変質化を行い、変質化がなされた被照射部の少なくとも一部に検査光を照射し、この検査光の変調を検出してアニール状態の検出を行うことから、アニール箇所及びアニール状態の検出が感度良く行われ、品質低下の防止と安定した記録再生特性とが図られた光磁気記録媒体を製造することができる。
【００１５】
更に、本発明によれば、各光磁気記録媒体を、アニール光照射で変質して光変調の態様が変化する材料によって構成し、この構成による光磁気記録媒体に対してアニール光照射工程と検査光照射工程とを行うことから、特に光磁気記録媒体の量産において、エラーチェックを精度良く行うことができ、品質低下の防止及び量産効率の向上も図られるなど、本発明構成によれば、重要かつ多くの効果をもたらすことができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明するが、本発明は、この実施の形態に限られるものではない。
【００１７】
まず、本発明による光磁気記録媒体の実施の形態例について、図１及び図２を参照して説明する。
【００１８】
この実施の形態例において、基体２の一主面に形成された凹凸面２ａすなわちランド２ｂとグルーブ２ｃとによる凹凸面に形成された光磁気記録構成層（ＭＯ層）３上に、少なくとも、Ｓｉ層４ａと誘電体層４ｂとによるアニール検出積層膜４と、この実施例においては保護膜５とを有する。
【００１９】
この実施の形態例においては、基体２はアモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）から成り、アニール検出積層膜４は図２に示すようにＳｉ層４ａとＳｉＮによる誘電体層４ｂとを有し、保護膜５は例えば紫外線硬化樹脂から成る構成とすることができる。
また、光磁気記録構成層（ＭＯ層）３は、複数の磁性層を有する構成とすることができる。例えば、基体２側から順に、厚さ２０ｎｍのＧｄＦｅＣｏ及び厚さ２０ｎｍのＧｄＦｅＣｒによる再生層３ａと、厚さ２０ｎｍのＴｂＦｅＣｏによる制御層３ｂと、厚さ１５ｎｍのＴｂＦｅＣｒによる切断層３ｃと、厚さ５０ｎｍのＴｂＦｅＣｏによる記録層３ｄと、厚さ１５ｎｍのＧｄＦｅＣｏによる記録補助層３ｅとによる多層構造とすることができる。
なお、基体２と光磁気記録構成層３との間には、例えば光磁気記録媒体１の使用時における熱拡散特性やエンハンス効果などの要求に応じて、例えばＳｉＮによる誘電体層７が設けられるものである。
【００２０】
この実施の形態例においては、光磁気記録媒体１はランド・グルーブ記録用の光磁気記録媒体とする。したがって、この光磁気記録媒体１に記録されたデータの読み出し時つまり再生時の、ランド２ｂとグルーブ２ｃとにおける記録エリアの磁壁移動を円滑にする目的から、光磁気記録媒体１の製造には両記録エリアの境界壁面６を主たる被照射部として、例えば光磁気記録媒体１の記録トラック方向にアニール光の走査照射がなされる。
そして、光記録媒体１の光磁気記録構成層３の上面に、ＳｉＮによる誘電体層４ｂのみならずＳｉ層４ａを有するアニール検出積層膜４が形成される構成によって、アニール光の照射によってアニール検出積層膜４を構成するＳｉ層４ａが変質をなされ、光に対する反射レベルなどの変調すなわち変化がなされる。
【００２１】
したがって、アニール光の照射後に、光磁気記録媒体１に対して検査光の照射がなされると、これによって生じる光磁気記録媒体１からの変調光例えば反射光の検出によって、アニールがなされた箇所の特定や、アニールの状態の検出が感度良くなされる。
【００２２】
続いて、本発明による光磁気記録媒体の製造方法の実施の形態例について、図３Ａ及び図３Ｂを参照して説明する。
【００２３】
この実施の形態例においては、まず、上述した基体２の一主面に形成された光磁気記録構成層３上に、図１に示すように、アニール検出積層膜４と、保護膜５とを積層形成して光磁気記録媒体１を形成する、アニール検出積層膜形成工程を行う。
【００２４】
次に、この光磁気記録媒体１に対し、図３に概略構成を示す光照射装置１１を用いて、磁壁移動検出方式による読み出しを円滑にする、ランドとグルーブの境界壁面に対するアニール光照射を行うアニール光走査照射工程を行う。
光照射装置１１は、レーザが出射される光源１２を有し、このレーザ光源１２からの例えば中心波長４０５ｎｍのレーザ光によるアニール光を、レンズ１３、グレーティング１４、ビームスプリッタ１５、開口数（Ｎ．Ａ．）０．８５の対物レンズ１６を経て、図１で示した光磁気記録媒体１の凹凸面２ａによる境界壁面６上にアニール光を照射する構成を有し、この光照射装置１１によって、光磁気記録媒体１に対するアニール光走査照射工程を行う。
このアニール光走査照射工程では、照射されたアニール光の一部は、光磁気記録媒体１で反射されて再び対物レンズ１６に入射し、ビームスプリッタ１５で反射され、レンズ１７を経て検出器１８に導かれる。そして、検出器１８において、アニール光のパワーが検出される。
【００２５】
しかしながら、このアニール光走査照射工程においては、光源１２から出射されたアニール光のパワーが検出器１８によって検出されるに過ぎない。つまり、実際のアニールが光磁気記録媒体１の所定位置、例えば境界壁面６に対して所望の強度でなされたかの確認はなされていない。
【００２６】
よって、本発明では、上述のアニール光走査照射工程の後に、次に説明する検査光照射工程を行う。
この検査光照射工程は、上述したアニール光照射工程で用いた、つまり図３で示した光照射装置１１によって行うことができる。しかしながら、検査光照射工程では、照射レーザ光パワーをアニール時のパワーより低いパワーとして、上述したアニールによる変質が生じることがないパワーに選定して光照射を行うものである。
尚、上述の光照射装置１１において、グレーティング１４を設けることによって、トラッキング用の光を派生する構成とすることができる。
【００２７】
光磁気記録媒体１に対する検査光照射によって生じる反射光は、後述するように、本発明による光磁気記録媒体１を構成するＳｉ層４ａのアニール光照射による変質に伴って、その反射光の変調、具体的には反射レベルの変化がなされることから、上述のアニール光走査照射工程の例えば前後に検査光照射工程を行うことによって、アニール光の被照射部における検査光の変調を検出して、アニール状態の検出を行うことが可能となる。
すなわち、アニール箇所及びアニール状態の検出が感度良くなされるものである。
【００２８】
続いて、本発明による光磁気記録媒体の製造方法における、上述の検査光照射工程での変調光の変調の検出、この例では反射光の反射レベルの変化の検出の例について、図４〜図９を参照して説明する。
なお、この例において、光磁気記録媒体を構成する光磁気記録構成層（ＭＯ層）３は、図２に示したように、複数の磁性層を有する構成とすることができる。例えば、基体２側から順に、厚さ２０ｎｍのＧｄＦｅＣｏ及び厚さ２０ｎｍのＧｄＦｅＣｒによる再生層３ａと、厚さ２０ｎｍのＴｂＦｅＣｏによる制御層３ｂと、厚さ１５ｎｍのＴｂＦｅＣｒによる切断層３ｃと、厚さ５０ｎｍのＴｂＦｅＣｏによる記録層３ｄと、厚さ１５ｎｍのＧｄＦｅＣｏによる記録補助層３ｅとによる多層構造とすることができる。
【００２９】
まず、この光磁気記録媒体における、上述のアニール検出積層膜４の構成の検討結果を、図４を参照して説明する。
すなわち、図４は、光磁気記録媒体を構成するアニール検出積層膜４を、Ｓｉ層−ＳｉＮ層による積層膜によって構成した場合と、このアニール検出積層膜の代替積層膜として、一般にＤＷＤＤ方式による光磁気記録媒体の構成に用いられるＡｌ（アルミニウム）やＧｄ（ガドリニウム）を用いたＡｌ層−ＳｉＮ層またはＧｄ層−ＳｉＮ層による構成の積層膜を用いて磁気記録媒体を構成した場合との、アニール光照射工程において光磁気記録構成層に及ぼされるアニールパワーの設定値に対する、検査光照射工程における検査光の変調すなわち反射レベルの変化を測定した結果を示している。
すなわち、この測定では、Ｓｉ，Ａｌ，Ｇｄの各金属（Ｍｅｔａｌ）層による、検査光照射工程における検査光の変調すなわち反射レベルの変化を比較検討した。
【００３０】
図４の測定結果から、上述のように積層膜をＡｌ層またはＧｄ層によって構成した代替積層膜による場合には、アニールパワーの設定値が変化しても、検査光の反射レベルはほぼ一定であることが読み取れる。したがってこの場合、アニールが所要の強度でなされたか、或いは所定の位置になされたかどうかというアニール状態に関する情報を、検査光照射工程で得ることはできない。
これに対し、光磁気記録構成層の上面に形成されたアニール検出積層膜が例えば厚さ５ｎｍのＳｉ層を有する構成による場合には、アニールパワーの設定値の増加に対応して、検査光の反射レベルが上昇していることが読み取れる。したがって、アニール光照射によって変質がなされて検査光照射の変調態様すなわち反射レベルを変化させるアニール検出積層膜は、Ｓｉ層を有する構成とすることが望ましい。
【００３１】
また、この測定に際して、アニール光の操作照射の被照射部である、円盤状ディスクの一主面に螺旋状に形成される境界壁面の記録トラック長方向の両端部における反射レベルを比較した結果、ほぼ同じ反射レベルを確認することができた。
したがって、本発明による光磁気記録媒体を用いて、光磁気記録媒体に対してアニール光の走査照射を行う装置、例えば図３Ａに示した構成によるアニール光照射装置の動作が正常であるかを検証することもできるものである。
【００３２】
次に、本発明による光磁気記録媒体における、上述のアニール検出積層膜の構成によるジッターの変化について、図５及び図６を参照して説明する。ジッターは、一般に特定のアニールパワーにおいて極小値を示し、この極小値が低いほど好ましいとされる。
まず、従来の光磁気記録媒体、すなわち光磁気記録構成層の上面にＳｉ層が形成されない構成による光磁気記録媒体における、アニールパワーの設定値に対するジッターの変化の測定結果を図５に示す。この測定結果においては、グルーブにおける極小値は約１３％、ランドにおける極小値は約１２．５％であった。
これに対して、図６に示す、本発明による光磁気記録媒体、すなわち光磁気記録構成層の上面に例えば厚さ５ｎｍのＳｉ層が形成されてＳｉＮによる誘電体層とのアニール検出積層膜が形成された構成による光磁気記録媒体における測定結果においても、ジッターの極小値は、グルーブで約１３％、ランドで約１２．５％であった。
この図５及び図６の測定結果より、本発明による、Ｓｉ層を形成する構成によっては、ジッターは悪化しないと考えられる。
【００３３】
次に、本発明による光磁気記録媒体において、上述のアニール状態の検出に対して好適なＳｉ層の厚さを検討した測定の結果について、図７を参照して説明する。
この測定では、本発明構成による光磁気記録媒体のアニール検出積層膜４を構成するＳｉ層の厚さを、２ｎｍ，４ｎｍ，６ｎｍの３種類に分けて検討を行った。なお、この測定において、アニール検出積層膜４を構成するＳｉＮ層の厚さは５０ｎｍであり、基体２と光磁気記録構成層３との間の誘電体層７の厚さは４０ｎｍであった。
この測定結果においては、Ｓｉ層の厚さが厚くなるほど、アニールパワーの設定値に対する反射レベルの変動が大きくなる結果が得られた。また、６ｎｍ未満の厚さ例えば５ｎｍ程度であっても、反射レベルの変動は十分観測できるものと考えられる。
【００３４】
この実施の形態例における上述の反射レベルの変動は、光磁気記録媒体の製造時の成膜条件例えばガス圧やスパッタ装置等の成膜装置のパワー、及びこれらに依存する膜質によっても変化し、或いはＳｉ層と共にアニール検出積層膜を構成するＳｉＮ層の厚さ等の条件にも依存する。
例えば、図８に示すように、Ｓｉ層の厚さを５ｎｍに固定し、ＳｉＮ層の厚さをパラメータとして、ＳｉＮ層の厚さが３０ｎｍの場合と５０ｎｍの場合とにおける、アニールパワーの設定値の変化に対する反射レベルの変動を測定した結果、反射レベルに大きな差がみられた。
したがって、本発明による光磁気記録媒体の製造方法においては、上述の検出光の変調態様の変化、すなわちこの例では反射レベルの変動を、感度良く検出するためには、Ｓｉ層の厚さと共に、上述の諸条件を適宜選定することによって、更なる特性改善を図ることができる。
【００３５】
次に、図９に、Ｓｉ層の厚さによる反射レベルの変動に特に着目して、アニールパワーの設定値の変化に対する反射レベルの変動を測定した結果を示す。すなわち、この測定結果は、光磁気記録構成層を除いた層構成（図示せず）において、基体２上の誘電体層７の厚さを１０ｎｍとし、アニール検出積層膜４のＳｉＮ層の厚さを例えば５０ｎｍに固定し、Ｓｉ層の厚さをパラメータとして、アニールパワーの設定値の変化に対する反射レベルの変動を測定した結果である。
アニールパワーの設定値の変化に対する反射レベルは、Ｓｉ層の厚さが２．７ｎｍ〜１１ｎｍのいずれの構成によっても、十分観測できる大きさとなった。
この測定結果から、本発明においては、Ｓｉ層の厚さが少なくとも１ｎｍ〜１５ｎｍの範囲であれば、上述の検査光照射工程において反射レベルの変動は十分に観測でき、また、Ｓｉ層の厚さを３ｎｍ〜８ｎｍの範囲としてアニール検出積層膜を構成することが特に好適であると考えられる。
【００３６】
以上、本発明による光磁気記録媒体及び光磁気記録媒体の製造方法の実施の形態例について説明したが、本発明による光磁気記録媒体及び光磁気記録媒体の製造方法は、この実施の形態例に限られるものでないことは言うまでもない。
【００３７】
例えば、上述の変調は、必ずしも反射レベルでなくとも、例えば透過率の測定や回折の態様の検出による構成とすることもできる。
また、例えば、この実施例ではアニール検出積層膜の上面に反射膜を設け、上面側から検査光を照射する構成としたが、例えば光透過性の高い基板を用いて基板の下面側から照射を行う構成とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明による光磁気記録媒体の一例の構成を示す概略断面図である。
【図２】本発明による光磁気記録媒体の一例の構成を示す拡大断面図である。
【図３】本発明による光磁気記録媒体の製造方法の一例の説明に供する光照射装置の概略構成図である。
【図４】本発明による光磁気記録媒体の、アニール光パワーの変化に対する反射レベルの変化の測定結果の一例を示す図である。
【図５】本発明による光磁気記録媒体の、アニール光パワーの変化に対するジッターの測定結果の一例を示す図である。
【図６】本発明による光磁気記録媒体の、アニール光パワーの変化に対するジッターの測定結果の一例を示す図である。
【図７】本発明による光磁気記録媒体の、アニール光パワーの変化に対する反射レベルの測定結果の一例を示す図である。
【図８】本発明による光磁気記録媒体の、アニール光パワーの変化に対する反射レベルの測定結果の一例を示す図である。
【図９】本発明による光磁気記録媒体の、アニール光パワーの変化に対する反射レベルの測定結果の一例を示す図である。
【図１０】従来の光磁気記録媒体の構成を示す概略断面図である。
【図１１】従来の光磁気記録媒体の構成を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１・・・光磁気記録媒体、２・・・基体、２ａ・・・凹凸面、２ｂ・・・ランド、２ｃ・・・グルーブ、３・・・光磁気記録構成層、３ａ・・・再生層、３ｂ・・・制御層、３ｃ・・・切断層、３ｄ・・・記録層、３ｅ・・・記録補助層、４・・・アニール検出積層膜、４ａ・・・Ｓｉ層、４ｂ・・・誘電体層、５・・・保護層、６・・・境界壁面、７・・・誘電体層、１１・・・光照射装置、１２・・・光源、１３・・・レンズ、１４・・・グレーティング、１５・・・ビームスプリッタ、１６・・・対物レンズ、１７・・・レンズ、１８・・・検出器、１０１・・・従来の光磁気記録媒体、１０２・・・基体、１０２ａ・・・凹凸面、１０２ｂ・・・ランド、１０２ｃ・・・グルーブ、１０３・・・光磁気記録構成層、１０３ａ・・・再生層、１０３ｂ・・・制御層、１０３ｃ・・・切断層、１０３ｄ・・・記録層、１０３ｅ・・・記録補助層、１０４・・・誘電体層（薄膜）、１０５・・・保護層、１０６・・・境界壁面、１０７・・・誘電体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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