(57)【要約】【課題】  高いエッチングレートの均一性および面内均一性を有し、かつ、パーティクルの発生を防止するプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】  エッチングチャンバー１００と、高周波電源１１０ａ、１１０ｂと、ガス導入路１２０と、排気口１３０と、誘電コイル１４０と、電極１５０と、誘電コイル１４０直下のエッチングチャンバー１００内壁に設けられた石英板等の誘電板１６０ａと、ファラデーシールド１７０ｂ上に配設された誘電板１６０ｂと、誘電コイル１４０と誘電板１６０ａとの間に配設されたファラデーシールド１７０ａと、誘電コイル１４０直下でないエッチングチャンバー１００内壁上に配設されたファラデーシールド１７０ｂとを備え、ガス導入路１２０は誘電板１６０ａ内部に配設され、エッチングチャンバー１００へのガス吹き出し口において、開口部にテーパ形状を有する。【選択図】        図１
2005209885.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体をプラズマエッチングする処理室と、
前記処理室に電磁波を導入する誘電コイルと、
前記誘電コイル直下の前記処理室内壁に設けられた第１の誘電板と、
前記第１の誘電板と前記誘電コイルとの間に配設された第１のファラデーシールドと、
前記第１のファラデーシールドおよび前記誘電コイルに高周波電圧を印加する高周波電源と、
前記処理室内にエッチングガスを導入するガス導入手段とを備え、
前記ガス導入手段は、前記第１の誘電板内部に配設された導入路と、前記処理室内へのガス吹き出し口とを含み、前記ガス吹き出し口の開口部はテーパ形状を有する
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項２】
前記プラズマエッチング装置は、さらに、
前記誘電コイル直下でない前記処理室内壁上に配設された第２のファラデーシールドと、
前記第２のファラデーシールド上に配設された第２の誘電板とを備え、
前記高周波電源は、さらに、前記第２のファラデーシールドに高周波電圧を印加する
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項３】
被処理体をプラズマエッチングする処理室と、
前記処理室に電磁波を導入する誘電コイルと、
前記誘電コイル直下でない前記処理室内壁上に配設された第１のファラデーシールドと、
前記第１のファラデーシールド上に配設された第１の誘電板と、
前記第１のファラデーシールドおよび前記誘電コイルに高周波電圧を印加する高周波電源とを備える
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項４】
前記プラズマエッチング装置は、さらに、
前記誘電コイル直下の前記処理室内壁に設けられた第２の誘電板と、
前記第２の誘電板と前記誘電コイルとの間に配設された第２のファラデーシールドと、
前記処理室内にエッチングガスを導入するガス導入手段とを備え、
前記高周波電源は、さらに、前記第２のファラデーシールドに高周波電圧を印加し、
前記ガス導入手段は、前記第２の誘電板内部に配設された導入路と、前記処理室内へのガス吹き出し口とを含み、前記ガス吹き出し口の開口部はテーパ形状を有する
ことを特徴とする請求項３に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項５】
被処理体をプラズマエッチングする処理室に電磁波を導入する誘電コイル直下に配設され、第１の誘電板と第２の誘電板とからなり、前記処理室内にエッチングガスを導入するプラズマエッチング装置の誘電板の製造方法であって、
前記第１の誘電板表面および前記第２の誘電板表面に溝を形成する溝形成ステップと、
前記第２の誘電板の前記溝が形成されていない面から前記溝まで貫通する穴を形成する穴形成ステップと、
前記第１の誘電板の前記溝が形成された面と、前記第２の誘電板の前記溝が形成された面とを張り合わせる張り合わせステップとを含み、
前記溝形成ステップでは、前記張り合わせステップでの張り合わせによって端部が閉塞された中空路が形成されるように、前記第１の誘電板表面および第２の誘電板表面それぞれの位置に前記溝を形成する
ことを特徴とするプラズマエッチング装置の誘電板の製造方法。
【請求項６】
前記溝形成ステップにおいて、前記溝を形成した後に前記第１の誘電板に熱処理を施し、第１の誘電板表面を平滑にし、
前記穴形成ステップにおいて、前記穴を形成した後に前記第２の誘電板に熱処理を施し、第２の誘電板表面を平滑にする
ことを特徴とする請求項５に記載のプラズマエッチング装置の誘電板の製造方法。
【請求項７】
前記穴形成ステップにおいて、前記溝が形成されていない面の前記穴の側面をテーパ形状に加工する
ことを特徴とする請求項５又は６に記載のプラズマエッチング装置の誘電板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマエッチング装置に関し、特に電磁誘導プラズマ型エッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロニクス機器における小型化に伴って、それに付随する半導体装置も小型化が要求され、半導体装置のエッチングには高精度、超微細な加工技術が要求されている。従って、そのような要求に対応すべく、半導体製造装置としてプラズマエッチング装置が用いられている。
【０００３】
図４は、従来のプラズマエッチング装置の構成を示す図である。
図４に示されるように、従来のプラズマエッチング装置は、真空のエッチングチャンバー４００と、高周波電源４１０ａ、４１０ｂと、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）と接続され、エッチングチャンバー４００内にガスを導入するガス導入路４２０と、ターボモレキュラーポンプ（ＴＭＰ）およびディフュージョンポンプ（ＤＰ）と接続され、エッチングチャンバー４００内のガスを排気する排気口４３０と、エッチングチャンバー４００内に電磁波を導入するスパイラル・アンテナ状の誘電コイル４４０と、被処理体４５０ａが載置される電極４５０と、誘電コイル４４０直下のエッチングチャンバー４００内壁に設けられた石英板等の誘電板４６０とを備える。
【０００４】
上記構成を有するプラズマエッチング装置は、エッチングチャンバー４００内に適当なガスを供給しつつ排気を行い、真空計により適当な圧力に保ちながら誘電コイル４４０および電極４５０に高周波電圧を印加し、エッチングチャンバー４００内にプラズマを発生させて被処理体４５０ａのエッチングを行うものである。
ところで、上記従来のプラズマエッチング装置においては、被処理体を囲むようにエッチングチャンバー側壁にガス導入路のガス吹き出し口が配設されているため、ガス吹き出し口を被処理体に対して均等に配置することができず、被処理体上のガス流速分布、圧力分布に不均一が生じ易い。よって、特に面積の大きな被処理体をエッチングする場合、エッチングレートの面内均一性（被処理体の面内におけるエッチングレートのばらつきの程度）にばらつきが生じるという問題がある。
【０００５】
また、上記従来のプラズマエッチング装置においては、Ａｕ、Ａｇ、ＰｔあるいはＣｕ等の不揮発性の材料からなる被処理体をエッチングする場合、誘電コイル直下の誘電板上に反応生成物が付着する。よって、誘電コイルとエッチングチャンバー内のプラズマとの結合状態が変わり、エッチングレートのウエハ間における均一性にばらつきが生じたり、エッチングチャンバー内壁に付着した反応生成物が剥がれ落ちて処理体上に付着し、パーティクルが発生したりするという問題がある。
【０００６】
上記エッチングレートの面内均一性の問題を解決する先行技術として、例えば特許文献１に記載のプラズマエッチング装置がある。
【０００７】
図５は、特許文献１に記載のプラズマエッチング装置の構成を示す図である。なお、図４と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する詳しい説明はここでは省略する。
【０００８】
図５に示されるように、特許文献１に記載のプラズマエッチング装置は、エッチングチャンバー４００と、高周波電源４１０ａ、４１０ｂと、誘電板４６０内部に配設されたガス導入路５００と、排気口４３０と、誘電コイル４４０と、被処理体４５０ａが載置される電極４５０と、石英等からなる誘電板４６０とを備える。
ここで、ガス導入路５００は、例えば径φ４ｍｍであり、図６（ａ）の誘電板４６０の鳥瞰図および図６（ｂ）の断面図（図６（ａ）のＢ−Ｂ’における断面図）に示されるように、誘電板４６０外部から複数のガス吹き出し口６００までガスを導入するように形成されている。このガス導入経路５００は、ドリルにより誘電板４６０を貫通する貫通孔を形成した後に、貫通孔の両端を加熱して塞ぐことにより形成される。
【０００９】
上記構成を有するプラズマエッチング装置においては、被処理体上部の誘電板にガス導入路のガス吹き出し口が配設される。よって、ガス吹き出し口を被処理体に対して均等に配置することができ、被処理体上のガス流速分布、圧力分布の均一性を改善することができるので、エッチングレートの面内均一性を向上させることができる。
また、上記エッチングレートの均一性およびパーティクルの問題を解決する先行技術として、例えば特許文献２に記載のプラズマエッチング装置がある。
【００１０】
図７は、特許文献２に記載のプラズマエッチング装置の構成を示す図である。なお、図４と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する詳しい説明はここでは省略する。
図７に示されるように、特許文献２に記載のプラズマエッチング装置は、エッチングチャンバー４００と、高周波電源４１０ａ、４１０ｂ、７００と、ガス導入路４２０と、排気口４３０と、誘電コイル４４０と、被処理体４５０ａが載置される電極４５０と、誘電板４６０と、高周波電源７００と接続され、誘電コイル４４０と誘電板４６０との間に配設されたファラデーシールド７１０とを備える。
【００１１】
上記構成を有するプラズマエッチング装置においては、ファラデーシールドに電圧が生じ、エッチングチャンバー内のプラズマとファラデーシールドとが容量結合的に結合し、ファラデーシールドの電界によって電子、イオンの加速が行われる。よって、誘電板表面が叩かれ、誘電コイル直下の誘電板表面に付着した反応生成物が除去されるので、エッチングレートのウエハ間における均一性を向上させ、パーティクルの発生を少なくすることができる。
【特許文献１】特開２００２−４３２８９号公報
【特許文献２】特開平１０−２７５６９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、エッチングレートの面内均一性、エッチングレートのウエハ間における均一性およびパーティクルの発生の問題を同時に解決するプラズマエッチング装置を実現するために、被処理体上部の誘電板にガス吹き出し口を形成し、その誘電板と誘電コイルとの間に高周波電源と接続されたファラデーシールドを配設した場合、新たな問題が生じる。すなわち、誘電板のガス吹き出し口に電荷が集中して異常放電が起こり、プラズマの面内均一性を乱し、エッチングレートの均一性を悪化させる。その結果、誘電板がプラズマにより削られ、誘電板を構成する材料が削れて脱落してパーティクルとなって、被処理体上に付着するのである。
【００１３】
また、上記特許文献１に記載のプラズマエッチング装置においては、誘電板にガス導入経路を加工し形成する際に、ガス導入経路内部にチッピングが生じる。しかし、ガス導入経路の穴径が小さく、またガス導入経路の距離が長いため、ガス導入経路内部を全面にわたって熱処理することができず、チッピングを除去することができない。よって、ガス導入経路内部のチッピングがエッチングチャンバー内へのガス導入と同時に運ばれ、被処理体上に付着し、パーティクルが発生するという問題もある。
【００１４】
さらに、上記特許文献２に記載のプラズマエッチング装置においては、誘電コイル直下の誘電板上に付着した反応生成物を除去することはできる。しかし、他のエッチングチャンバー内壁に付着した反応生成物を除去することはできないため、大気開放を伴う洗浄の工程が必要となり、装置の稼働率が低下するという問題もある。
そこで、本発明は、かかる問題点に鑑み、高いエッチングレートの均一性および面内均一性を有し、かつ、パーティクルの発生を防止するプラズマエッチング装置を提供することを第１の目的とする。
【００１５】
また、本発明は、装置の稼働率の低下を防止するプラズマエッチング装置を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明のプラズマエッチング装置は、被処理体をプラズマエッチングする処理室と、前記処理室に電磁波を導入する誘電コイルと、前記誘電コイル直下の前記処理室内壁に設けられた第１の誘電板と、前記第１の誘電板と前記誘電コイルとの間に配設された第１のファラデーシールドと、前記第１のファラデーシールドおよび前記誘電コイルに高周波電圧を印加する高周波電源と、前記処理室内にエッチングガスを導入するガス導入手段とを備え、前記ガス導入手段は、前記第１の誘電板内部に配設された導入路と、前記処理室内へのガス吹き出し口とを含み、前記ガス吹き出し口の開口部はテーパ形状を有することを特徴とする。ここで、前記プラズマエッチング装置は、さらに、前記誘電コイル直下の前記処理室内壁に設けられた第２の誘電板と、前記第２の誘電板と前記誘電コイルとの間に配設された第２のファラデーシールドと、前記処理室内にエッチングガスを導入するガス導入手段とを備え、前記高周波電源は、さらに、前記第２のファラデーシールドに高周波電圧を印加し、前記ガス導入手段は、前記第２の誘電板内部に配設された導入路と、前記処理室内へのガス吹き出し口とを含み、前記ガス吹き出し口の開口部はテーパ形状を有してもよい。
【００１７】
これによって、ガス吹き出し口を被処理体に対して均等に配置することができ、また、誘電コイル直下の誘電板上に付着した反応生成物を除去することができるので、高いエッチングレートの面内均一性および均一性を有し、かつ、パーティクルの発生を防止するプラズマエッチング装置を実現することができる。さらに、ガス吹き出し口に電荷が集中せず、誘電板がプラズマにより削られないので、パーティクルの発生を防止するプラズマエッチング装置を実現することができる。
【００１８】
ここで、前記プラズマエッチング装置は、さらに、前記誘電コイル直下でない前記処理室内壁上に配設された第２のファラデーシールドと、前記第２のファラデーシールド上に配設された第２の誘電板とを備え、前記高周波電源は、さらに、前記第２のファラデーシールドに高周波電圧を印加してもよい。また、被処理体をプラズマエッチングする処理室と、前記処理室に電磁波を導入する誘電コイルと、前記誘電コイル直下でない前記処理室内壁上に配設された第１のファラデーシールドと、前記第１のファラデーシールド上に配設された第１の誘電板と、前記第１のファラデーシールドおよび前記誘電コイルに高周波電圧を印加する高周波電源とを備えてもよい。
【００１９】
これによって、誘電コイル直下以外の処理室内壁に反応生成物が付着するのを回避することができ、洗浄の工程を省略することができるので、装置の稼働率の低下を防止するプラズマエッチング装置を実現することができる。
【００２０】
また、本発明は、被処理体をプラズマエッチングする処理室に電磁波を導入する誘電コイル直下に配設され、第１の誘電板と第２の誘電板とからなり、前記処理室内にエッチングガスを導入するプラズマエッチング装置の誘電板の製造方法であって、前記第１の誘電板表面および前記第２の誘電板表面に溝を形成する溝形成ステップと、前記第２の誘電板の前記溝が形成されていない面から前記溝まで貫通する穴を形成する穴形成ステップと、前記第１の誘電板の前記溝が形成された面と、前記第２の誘電板の前記溝が形成された面とを張り合わせる張り合わせステップとを含み、前記溝形成ステップでは、前記張り合わせステップでの張り合わせによって端部が閉塞された中空路が形成されるように、前記第１の誘電板表面および第２の誘電板表面それぞれの位置に前記溝を形成することを特徴とするプラズマエッチング装置の誘電板の製造方法とすることもできる。ここで、前記溝形成ステップにおいて、前記溝を形成した後に前記第１の誘電板に熱処理を施し、第１の誘電板表面を平滑にし、前記穴形成ステップにおいて、前記穴を形成した後に前記第２の誘電板に熱処理を施し、第２の誘電板表面を平滑にしてもよいし、前記穴形成ステップにおいて、前記溝が形成されていない面の前記穴の側面をテーパ形状に加工してもよい。
【００２１】
これによって、第１の誘電板および第２の誘電板の加工が施された面に対して熱処理等の平滑化処理をおこない、ガス導入経路の形成に際して発生するチッピングを除去することができるので、パーティクルの発生を防止するプラズマエッチング装置の製造方法を実現することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係るプラズマエッチング装置によれば、高いエッチングレートの均一性および面内均一性を有し、かつ、パーティクルの発生を防止するプラズマエッチング装置を実現できる。また、装置の稼働率の低下を防止するプラズマエッチング装置を実現できる。
よって、本発明により、高いエッチングレートの面内均一性を有し、かつ、パーティクルの発生を少なくするプラズマエッチング装置を提供することが可能となり、実用的価値は極めて高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマエッチング装置について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本実施の形態のプラズマエッチング装置の構成を示す図である。
プラズマエッチング装置は、電磁誘導プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）型エッチング装置であって、真空のエッチングチャンバー１００と、高周波電源１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃと、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）と接続され、エッチングチャンバー１００内にガスを導入するガス導入路１２０と、ターボモレキュラーポンプ（ＴＭＰ）およびディフュージョンポンプ（ＤＰ）と接続され、エッチングチャンバー１００内のガスを排気する排気口１３０と、エッチングチャンバー１００内に電磁波を導入するスパイラル・アンテナ状の誘電コイル１４０と、被処理体１５０ａが載置される電極１５０と、誘電コイル１４０直下のエッチングチャンバー１００内壁に設けられた石英板等の誘電板１６０ａと、ファラデーシールド１７０ｂ上に配設された誘電板１６０ｂと、誘電コイル１４０と誘電板１６０ａとの間に配設されたファラデーシールド１７０ａと、誘電コイル１４０直下でないエッチングチャンバー１００内壁上に配設されたファラデーシールド１７０ｂとを備える。
【００２４】
ガス導入路１２０は、図２（ａ）、（ｂ）の誘電板１６０ａの鳥瞰図に示されるように、第１の誘電板２００に形成され、誘電板１６０ａ外部から誘電板１６０ａの略中心までガスを導入する例えば径φ４ｍｍの中空路である第１のガス導入経路２２０と、第２の誘電板２１０に形成され、誘電板１６０ａの略中心まで導入されたガスをガス吹き出し口２４０まで導入する例えば径φ４ｍｍの中空路である第２のガス導入経路２３０とからなる。また、ガス吹き出し口２４０は、図２（ｃ）の誘電板１６０ａの断面図（図２（ｂ）のＡ−Ａ’線における断面図）に示されるように、開口部において側壁にテーパ形状を有し、その最大径、最小径、高さは、例えばφ８ｍｍ、φ０．５ｍｍ、５ｍｍとされる。
【００２５】
次に、ガス導入路１２０の形成方法について、図３に示す誘電板１６０ａの断面図を用いて説明する。なお、図２と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する詳しい説明はここでは省略する。
まず、図３（ａ）に示されるように、第１の誘電板２００に溝加工を施して第１のガス導入経路２２０を形成する。そして、第１の誘電板２００に熱処理を施して第１の誘電板２００表面を平滑にする。これによって、第１のガス導入経路２２０内部のチッピングは除去される。
【００２６】
次に、図３（ｂ）に示されるように、第２の誘電板２１０に溝加工を施して第２のガス導入経路２３０を形成する。
次に、図３（ｃ）に示されるように、第２の誘電板２１０の第２のガス導入経路２３０が形成された面と反対側の面から第２のガス導入経路２３０まで貫通する穴３００をドリル等により形成する。
【００２７】
次に、図３（ｄ）に示されるように、第２の誘電板２１０の第２のガス導入経路２３０が形成された面と反対側の面の穴３００の側壁をドリル等によりテーパ形状に加工してガス吹き出し口２４０を形成する。そして、第２の誘電板２１０に熱処理を施して第２の誘電板２１０表面を平滑にする。これによって、ガス吹き出し口２４０および第２のガス導入経路２３０内部のチッピングは除去される。
【００２８】
次に、図３（ｅ）に示されるように、第１の誘電板２００の第１のガス導入経路２２０が形成された面と、第２の誘電板２１０の第２のガス導入経路２３０が形成された面とを対向させ、荷重をかけながら加熱して張り合わせる。
誘電コイル１４０は、高周波電源１１０ａと接続される。
ファラデーシールド１７０ａ、１７０ｂは、高周波電源１１０ｂと接続される。なお、ファラデーシールド１７０ａ、１７０ｂは、高周波電源１１０ｂという同一電源に接続されるとしたが、別々の電源に接続されてもよい。
【００２９】
上記構成を有するプラズマエッチング装置における被処理体１５０ａのエッチング処理について、以下で順に説明する。
まず、エッチングチャンバー１００内を一定の圧力に保ちながら、ガス導入路１２０を介してエッチングガスを供給し、排気口１３０から排気する。
【００３０】
次に、高周波電源１１０ａ、１１０ｃにより誘電コイル１４０および電極１５０にそれぞれ高周波電力を供給して、エッチングガスをプラズマ化させ、被処理体１５０ａのエッチング処理を進行させる。このとき、高周波電源１１０ｂによりファラデーシールド１７０ａ、１７０ｂにも高周波電力を供給して、誘電板１６０ａ、１６０ｂ表面にもプラズマを引き付けさせ、誘電板１６０ａ、１６０ｂ表面に付着した反応生成物を除去させる。
【００３１】
以上のように本実施の形態のプラズマエッチング装置によれば、ガス吹き出し口２４０は被処理体１５０ａ上部の誘電板１６０ａに形成され、高周波電源１１０ｂと接続されたファラデーシールド１７０ａがその誘電板１６０ａと誘電コイル１４０との間に配設される。よって、ガス吹き出し口を被処理体に対して均等に配置することができ、また、誘電コイル直下の誘電板上に付着した反応生成物を除去することができるので、高いエッチングレートの面内均一性および均一性を有し、かつ、パーティクルの発生を防止するプラズマエッチング装置を実現することができる。
【００３２】
また、本実施の形態のプラズマエッチング装置によれば、ガス吹き出し口２４０は、開口部において側壁にテーパ形状を有する。よって、ガス吹き出し口に電荷が集中せず、誘電板がプラズマにより削られないので、本実施の形態のプラズマエッチング装置は、パーティクルの発生を防止するプラズマエッチング装置を実現することができる。
また、本実施の形態のプラズマエッチング装置によれば、ガス導入路１２０は、第１のガス導入経路２２０を第１の誘電板２００に形成し、第２のガス導入経路２３０およびガス吹き出し口２４０を第２の誘電板２１０に形成した後、第１の誘電板２００と第２の誘電板２１０とを張り合わせることにより形成される。よって、第１の誘電板および第２の誘電板の加工が施された面に対して熱処理等の平滑化処理をおこない、ガス導入経路の形成に際して発生するチッピングを除去することができるので、本実施の形態のプラズマエッチング装置は、パーティクルの発生を防止するプラズマエッチング装置を実現することができる。
【００３３】
また、本実施の形態のプラズマエッチング装置によれば、被処理体１５０ａを囲むように、誘電コイル１４０直下でないエッチングチャンバー１００内壁上に、高周波電源１１０ｂと接続されたファラデーシールド１７０ｂが配設され、そのファラデーシールド１７０ｂ上に誘電板１６０ｂが配設される。よって、誘電コイル直下以外のエッチングチャンバー内壁に反応生成物が付着するのを回避することができ、洗浄の工程を省略することができるので、本実施の形態のプラズマエッチング装置は、装置の稼働率の低下を防止するプラズマエッチング装置を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、プラズマエッチング装置に利用でき、特に電磁誘導プラズマ型エッチング装置等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施の形態のプラズマエッチング装置の構成を示す図である。
【図２】（ａ）誘電板１６０ａの鳥瞰図である。（ｂ）誘電板１６０ａの鳥瞰図である。（ｃ）誘電板１６０ａの断面図（図２（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図）である。
【図３】ガス導入路１２０の形成方法を説明するための誘電板１６０ａの断面図である。
【図４】従来のプラズマエッチング装置の構成を示す図である。
【図５】従来のプラズマエッチング装置の構成を示す図である。
【図６】（ａ）誘電板４６０の鳥瞰図である。（ｂ）誘電板４６０の断面図（図６（ａ）のＢ−Ｂ’における断面図）である。
【図７】従来のプラズマエッチング装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００３６】
１００、４００    エッチングチャンバー
１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、４１０ａ、４１０ｂ、７００    高周波電源
１２０、４２０、５００    ガス導入路
１３０、４３０    排気口
１４０、４４０    誘電コイル
１５０、４５０    電極
１５０ａ、４５０ａ    被処理体
１６０ａ、１６０ｂ、４６０    誘電板
１７０ａ、１７０ｂ、７１０    ファラデーシールド
２００    第１の誘電板
２１０    第２の誘電板
２２０    第１のガス導入経路
２３０    第２のガス導入経路
２４０、６００    ガス吹き出し口
３００    穴
【図１】
2005209885.tif 000003
【図２】
2005209885.tif 000004
【図３】
2005209885.tif 000005
【図４】
2005209885.tif 000006
【図５】
2005209885.tif 000007
【図６】
2005209885.tif 000008
【図７】
2005209885.tif 000009