(57)【要約】      （修正有）【課題】放熱特性や、電気的特性に優れた安価な高周波用パッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】表面に金属めっき被膜１５を有する略長方形状のヒートシンク板１１の一方の主面を基台に当接し、基台にねじ止めするための切り欠き部１６をヒートシンク板１１の長手方向両端部に有し、ヒートシンク板１１の他方の主面の長手方向中央部に、リング状のセラミック枠体１２の一方の主面を接合し、セラミック枠体１２の他方の主面に、金属板からなる外部接続端子１３を接合する接合体１４からなる高周波用パッケージ１０において、ヒートシンク板１１の一方の主面の金属めっき被膜１５の厚さが長手方向両端部と長手方向中央部が同等、又は長手方向両端部から長手方向中央部にかけて曲面凸形状に突出する厚さを有する。【選択図】図１
2005136024.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に金属めっき被膜を有する略長方形状のヒートシンク板の一方の主面を基台に当接し、該基台にねじ止めするための切り欠き部を前記ヒートシンク板の長手方向両端部に有し、該ヒートシンク板の他方の主面の長手方向中央部に、リング状のセラミック枠体の一方の主面を接合し、該セラミック枠体の他方の主面に、金属板からなる外部接続端子を接合する接合体からなる高周波用パッケージにおいて、
前記ヒートシンク板の一方の主面の前記金属めっき被膜の厚さが長手方向両端部と長手方向中央部が同等、又は長手方向両端部から長手方向中央部にかけて曲面凸形状に突出する厚さを有することを特徴とする高周波用パッケージ。
【請求項２】
略長方形状のヒートシンク板の表面に電解めっき法で金属めっき被膜を設け、前記ヒートシンク板の他方の主面とリング状のセラミック枠体の一方の主面を接合し、該セラミック枠体の他方の主面と外部接続端子を接合して形成する高周波用パッケージの製造方法において、
前記電解めっき法で前記金属めっき被膜を設けるときに、前記ヒートシンク板が取り付けられるカソード電極側の該ヒートシンク板の長手方向両端部の近傍に、前記カソード電極と接続して金属製のダミー体を配し、めっき浴中で通電して前記ヒートシンク板及び前記ダミー体に前記金属めっき被膜を形成する工程と、
前記ヒートシンク板の他方の主面と前記セラミック枠体の一方の主面をろう付接合すると共に、前記セラミック枠体の他方の主面と前記外部接続端子をろう付け接合する工程を有することを特徴とする高周波用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子からの発熱を放熱させるために基台にねじ止めされるヒートシンク板と、リング状のセラミック枠体を接合して形成される高周波用パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、高周波用パッケージに実装される高周波用の半導体素子は、作動時の発熱が大きいので、発生する熱を大気中に良好に放散させなければ、装置を正常に作動させることができなくなる恐れがある。そこで、高周波用パッケージは、半導体素子の高周波の領域での電気特性を悪化させないで実装するためのキャビティ部が、略長方形状をした高放熱特性を有する金属板からなるヒートシンク板の長手方向中央部上を囲繞するようにリング状のセラミックからなるセラミック枠体で接合して形成されている。そして、高周波用パッケージは、半導体素子が実装された後、セラミック枠体に接合されている外部接続端子を含めてセラミック枠体上面に接合される蓋体でキャビティ部を気密に封止するようになっている。また、高周波信号は、セラミック枠体上面と蓋体との間に接合された外部接続端子を介して入出力されるようになっている。そして、半導体素子が封止された高周波用パッケージは、ヒートシンク板に放熱された熱を更に外部に放熱させるための基台に、ヒートシンク板の略長方形状の長手方向両端部に形成されている切り欠き部にねじが取り付けられてねじ止めして固定されている。
【０００３】
図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、従来の高周波用パッケージ５０には、セラミックと熱膨張係数が近似し、しかも放熱特性がよい、例えば、銅タングステン（Ｃｕ−Ｗ）系の複合金属板からなるヒートシンク板５１と、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックからなるリング状のセラミック枠体５２が用いられている。そして、高周波用パッケージ５０は、例えば、Ｃｕめっきが施されたヒートシンク板５１の長手方向中央部に、セラミック枠体５２がその裏面側に形成されたタングステン（Ｗ）や、モリブデン（Ｍｏ）等からなり、上面にＮｉめっきが施されたメタライズパターンに、Ａｇ−Ｃｕろう等のろう材を介して載置され、加熱炉で加熱されてろう付け接合されて形成されている。このろう付け接合に併せて、セラミック枠体５２には、外部と接続するための金属板からなる外部接続端子５３がセラミック枠体５２の表面側に裏面側の場合と同様にして形成されたメタライズパターンにＡｇ−Ｃｕろう等のろう材を介して載置され、加熱炉で加熱されてろう付け接合されている。そして、接合後、ヒートシンク板５１とセラミック枠体５２及び外部接続端子５３の金属表面には、Ｎｉめっき及びＡｕめっきが施される。なお、ヒートシンク板５１の長手方向両端部には、ヒートシンク板５１からの熱を更に外部に放熱させるための基台５４に取り付けてねじ５５でねじ止めして固定するための切り欠き部５６が設けられている。
【０００４】
従来の高周波用パッケージには、ヒートシンク板と基台の間の放熱特性や、電気的特性を向上させることを目的に、ヒートシンク板と基台の間にインジウムシートを挟んでねじで締め付けているもの（例えば、特許文献１参照）や、ヒートシンク板の長手方向の端部に突起を設けてねじで締め付けているものが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−２３０３４９号公報
【特許文献２】特開平４−２３３７５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述したような従来の高周波用パッケージ及びその製造方法は、次のような問題がある。
（１）ヒートシンク板や、外部接続端子の熱膨張係数は、セラミック枠体の熱膨張係数に近似させてはいるが、完全に一致させることが難しいので、Ａｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材でろう付け接合を行うときに接合部に応力が発生し、接合して形成した接合体に反りが発生するのを防止することができず、決められた許容範囲を超える反りが発生し、作製された高周波用パッケージの反りの選別検査を行って、許容範囲内のみを検出している。特に、ヒートシンク板の基台との接合面である底面の反りの形態が凹形状となる場合には、基台に取り付けた時に基台との間に空間が発生し、放熱特性や、電気的特性が低下するので、凸形状のもののみを検出せざるを得ない。従って、選別工程が必要となると同時に歩留まりの低下をきたし、高周波用パッケージのコスト高となっている。
（２）高周波用パッケージの製造方法において、通常、ヒートシンク板に金属めっき被膜を形成するには、電解めっき法が用いられるが、金属めっき被膜を厚く付けるとヒートシンク板の長手方向両端部の厚さが長手方向中央部に比較して厚く付きすぎ、ヒートシンク板の基台との接合面である底面の反りの形態が凹形状となる。これにより、高周波用パッケージは、基台に取り付けた時に基台との間に空間が発生し、放熱特性や、電気的特性の低下をきたしている。
（３）高周波用パッケージは、ヒートシンク板と基台の間にインジウムシートを挟み込んでねじ止めする場合には、インジウムシートが高価であり、コスト高となっている。また、インジウムシートのような介在物を組み立て段階で使用することは、シートの取り扱いが容易でなく、組み立て工程の時間が長くなり、高周波用パッケージのコスト高となっている。
（４）ヒートシンク板の長手方向の端部に突起を設け、高周波用パッケージを基台にねじ止めする場合には、ヒートシンク板の長手方向の端部に突起を設ける程のエリアが殆どなく、ヒートシンク板を基台に密接させる効果を引き出すことができない。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、放熱特性や、電気的特性に優れた安価な高周波用パッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的に沿う本発明に係る高周波用パッケージは、表面に金属めっき被膜を有する略長方形状のヒートシンク板の一方の主面を基台に当接し、基台にねじ止めするための切り欠き部をヒートシンク板の長手方向両端部に有し、ヒートシンク板の他方の主面の長手方向中央部に、リング状のセラミック枠体の一方の主面を接合し、セラミック枠体の他方の主面に、金属板からなる外部接続端子を接合する接合体からなる高周波用パッケージにおいて、ヒートシンク板の一方の主面の金属めっき被膜の厚さが長手方向両端部と長手方向中央部が同等、又は長手方向両端部から長手方向中央部にかけて曲面凸形状に突出する厚さを有する。
【０００７】
前記目的に沿う本発明に係る高周波用パッケージの製造方法は、略長方形状のヒートシンク板の表面に電解めっき法で金属めっき被膜を設け、ヒートシンク板の他方の主面とリング状のセラミック枠体の一方の主面を接合し、セラミック枠体の他方の主面と外部接続端子を接合して形成する高周波用パッケージの製造方法において、電解めっき法で金属めっき被膜を設けるときに、ヒートシンク板が取り付けられるカソード電極側のヒートシンク板の長手方向両端部の近傍に、カソード電極と接続して金属製のダミー体を配し、めっき浴中で通電してヒートシンク板及びダミー体に金属めっき被膜を形成する工程と、ヒートシンク板の他方の主面とセラミック枠体の一方の主面をろう付接合すると共に、セラミック枠体の他方の主面と外部接続端子をろう付け接合する工程を有する。
【発明の効果】
【０００８】
請求項１記載の高周波用パッケージは、ヒートシンク板の一方の主面の金属めっき被膜の厚さが長手方向両端部と長手方向中央部が同等、又は長手方向両端部から長手方向中央部にかけて曲面凸形状に突出する厚さを有するので、金属めっき被膜の施されたヒートシンク板の一方の主面である底面を略平面形状、又は曲面凸形状にして基台に密接でき、半導体素子からの発熱を速やかに基台側へ放熱できる。従って、放熱特性や、電気的特性の低下を防止でき、選別工程や、基台への接合時に必要とするインジウムシートや、ヒートシンク板の端部に設ける突起の加工等が不要となり、安価な高周波用パッケージを提供できる。
【０００９】
請求項２記載の高周波用パッケージの製造方法は、カソード電極側のヒートシンク板の長手方向両端部の近傍に、カソード電極と接続して金属製のダミー体を配し、めっき浴中で通電してヒートシンク板及びダミー体に金属めっき被膜を形成する工程と、ヒートシンク板の他方の主面とセラミック枠体の一方の主面をろう付接合すると共に、セラミック枠体の他方の主面と外部接続端子をろう付け接合する工程を有するので、ヒートシンク板の一方の主面である底面になる側の面の金属めっき被膜の厚さが長手方向両端部で厚くなるのを防止することができ、一方の主面に形成される金属めっき被膜の厚さを全面にわたってコントロールして容易に平面形状、又は曲面凸形状に形成できる。これにより、基台との密着性を向上できる、放熱特性や、電気的特性のよい安価な高周波用パッケージを作製する製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージの説明図、図２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同高周波用パッケージに半導体素子が実装されて基台に取り付けられる説明図、図３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同高周波用パッケージの製造方法の説明図である。
【００１１】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ１０は、略長方形板状の金属板からなるヒートシンク板１１とリング状のセラミック枠体１２を接合し、更に、セラミック枠体１２に金属板からなる外部接続端子１３を接合して形成される接合体１４で構成されている。
ここで用いられるヒートシンク板１１は、セラミックと熱膨張係数が近似し、実装される半導体素子から発生する高温、且つ大量の熱を放熱するための高放熱特性を有する金属板で形成されている。また、このヒートシンク板１１には、セラミック枠体１２の高温ろう材でのろう付け接合時のろうの半導体素子接合面への流れすぎを防止するための比較的に厚い、例えば、１５μｍ程度のＣｕめっき被膜からなる金属めっき被膜１５が施されている。更に、ヒートシンク板１１には、長手方向両端部に、半導体素子の実装が完了した後、高周波用パッケージ１０を基台にねじ止めして固定するための切り欠き部１６を有している。
【００１２】
ヒートシンク板１１の他方の主面の長手方向中央部に接合されるリング状のセラミック枠体１２は、アルミナや、窒化アルミニウム等のセラミックで形成されている。このセラミック枠体１２には、ヒートシンク板１１との接合面である一方の主面にタングステン（Ｗ）や、モリブデン（Ｍｏ）等からなり、上面にＮｉめっきが施されたメタライズパターンが形成されている。そして、ヒートシンク板１１とセラミック枠体１２は、接合面間にＡｇ−Ｃｕろう等からなるろう材を介し、加熱してろう付け接合されている。また、セラミック枠体１２の他方の主面には、外部との電気的導通を行うための金属板からなるリードフレーム形状の外部接続端子１３を接合させるための上記と同様なメタライスパターンが形成されている。そして、外部接続端子１３とセラミック枠体１２は、接合面間にＡｇ−Ｃｕろう等のろう材を介し、加熱してろう付け接合されている。
【００１３】
接合体１４からなる高周波用パッケージ１０の底面側であるヒートシンク板１１の一方の主面は、長手方向中央部の金属めっき被膜１５の厚さが長手方向両端部の金属めっき被膜１５の厚さと同等、又は、長手方向両端部から長手方向中央部にかけて表面側に曲面凸形状で突出して厚くなるように形成されている。
なお、高周波用パッケージ１０には、接合体１５の外表面に露出する全金属表面上にＮｉめっき被膜が施され、更に、Ｎｉめっき被膜上にＡｕめっき被膜が施されている。
【００１４】
この高周波用パッケージ１０は、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ヒートシンク１１とセラミック枠体１２で形成されるキャビティ部１７に半導体素子１８がダイボンドされ、半導体素子１８と外部接続端子１３とをボンディングワイヤ１９で接続した後、樹脂や、セラミックや、金属等からなる蓋体２０を樹脂や、ガラス等の接着材２１で接着してキャビティ部１７内が気密に封止されて、高周波用モジュール基板２２を形成している。この高周波用モジュール基板２２は、半導体素子１８からの発熱をヒートシンク板１１に放熱し、更に、外部に放熱させるための基台２３に、ヒートシンク板１１に設けられている切り欠き部１６にねじ２４を挿通させてねじ止めして固定される。このねじ止めを行った時に、高周波用パッケージ１０のヒートシンク板１１の一方の主面に形成された金属めっき被膜１５の被膜厚さは、少なくとも、キャビティ部１７内に実装された半導体素子１８の実装エリア部に相当する部分が基台２３に密接することができるように、ヒートシンク板１１の長手方向中央部と長手方向両端部が同等、又は長手方向中央部が長手方向両端部より厚く形成されている。
【００１５】
次いで、図３（Ａ）、（Ｂ）を参照しながら、本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ１０の製造方法を説明する。
高周波用パッケージ１０を形成するためのヒートシンク板１１は、熱膨張係数をセラミックの熱膨張係数と近似させ、熱伝導率の高い高放熱特性を有する、例えば、ポーラス状のタングステン（Ｗ）に銅（Ｃｕ）を含浸させたりして作製されるＣｕ−Ｗ系の複合金属材料や、Ｃｕとモリブデン（Ｍｏ）からなるＣｕ−Ｍｏ系の合金金属材料等から形成されている。そして、切削加工や、粉末冶金等の手法を用いて基台２３にねじ止め固定するための切り欠き部１６を設けて、実質的に長方形状で両主面を平板にして形成されている。なお、因みに、ヒートシンク板１１がＣｕ−Ｗの場合は、Ｃｕ−Ｗの熱伝導率が２３０Ｗ／ｍ・ｋ程度であり、半導体素子１９からの発熱を効率よく放熱させることができる。
【００１６】
ヒートシンク板１１には、セラミック枠体１２の高温ろう材でのろう付け接合時のろうの半導体素子接合面への流れすぎを防止するための比較的に厚い、例えば、１５μｍ程度のＣｕめっき被膜からなる金属めっき被膜１５が電解めっき法で施されている。そして、このヒートシンク板１１の他方の主面とリング状のセラミック枠体１２の一方の主面を接合し、更に、このセラミック枠体１２の他方の主面と外部接続端子１３を接合して３つの接合体１４からなる高周波用パッケージ１０を作製している。
【００１７】
ここで、図３（Ａ）に示すように、ヒートシンク板１１に電解めっき法で金属めっき被膜１５を施すには、ヒートシンク板１１が取り付けられるカソード電極２５側のヒートシンク板１１の長手方向両端部近傍に、それぞれカソード電極２５と接続して犠牲電極となる金属製、例えば、ＳＵＳ等からなるダミー体２６をヒートシンク板１１の主面と実質的に対向するようにして設けている。ヒートシンク板１１と、ダミー体２６は、めっきラック２７に取り付けられているフック２８でそれぞれ保持されて、このめっきラック２７がカソード電極２５となっている。そして、図３（Ｂ）に示すように、ヒートシンク板１１と、ダミー体２６は、めっきラック２７ごとめっき浴２９中に浸漬される。このめっき浴２９中には、ヒートシンク板１１とダミー体２６の主面と対向する位置の片側、又は両側に、アノード電極３０と接続する金属体３１が設けられている。電解めっき法では、めっきラック２７を介して通電して、めっき浴２９中の金属イオンをカソード電極２５側のヒートシンク板１１と、ダミー体２６に金属膜を析出させて金属めっき被膜１５を形成している。また、電解めっき法では、カソード電極２５への通電と同時に行うアノード電極３０への通電によってアノード電極３０側の金属体３１をめっき浴２９中に溶出させている。ヒートシンク板１１に析出される金属めっき被膜１５の厚さは、ヒートシンク板１１の長手方向両端部近傍に設けられたダミー体２６に施される金属膜によって、ヒートシンク板１１の長手方向両端部に施される金属膜の厚さが減少する。これにより、金属めっき被膜１５の厚さは、ヒートシンク板１１の長手方向中央部の被膜厚さと長手方向両端部の被膜厚さを同等、又は長手方向中央部の被膜厚さを長手方向両端部の被膜厚さより厚くすることができる。
【００１８】
なお、高周波用パッケージ１０の底面側であるヒートシンク板１１の一方の主面の金属めっき被膜１５の厚さをコントロールするためには、ヒートシンク板１１の一方の主面と対向する金属体３１との間にダミー体２６を設けて金属めっき被膜１５形成するのがよい。また、ヒートシンク板１１に施される金属めっき被膜１５が、Ｃｕめっき被膜からなる場合には、一般的にめっき浴にピロリン酸浴や、硫酸銅浴が用いられ、アノード電極３０用の金属体３１には、含リン銅等が用いられている。
【００１９】
次いで、リング状のセラミック枠体１２を形成するためのセラミックは、セラミックの一例であるＡｌ２Ｏ３からなり、Ａｌ２Ｏ３粉末にマグネシア、シリカ、カルシア等の焼結助剤を適当量加えた粉末に、ジオクチルフタレート等の可塑剤と、アクリル樹脂等のバインダー、及びトルエン、キシレン、アルコール類等の溶剤を加え、十分に混練し、脱泡して粘度２０００〜４００００ｃｐｓのスラリーを作製する。次いで、ドクターブレード法等によって、例えば、厚み０．２５ｍｍのロール状のシートを形成し、適当なサイズの矩形状に切断したセラミックグリーンシートを作製する。
【００２０】
次に、１又は複数枚のセラミックグリーンシートには、窓枠形状のリング状になるように中空部を打ち抜き加工すると共に、タングステンや、モリブデン等の高融点金属からなる金属導体ペーストを用いて、セラミック枠体１２の下面側である一方の主面、及び上面側である他方の主面となるようにスクリーン印刷してメタライズパターンを形成する。また、セラミックグリーンシートが複数枚の場合には、積層して積層体の一方の主面、及び他方の主面がメタライスパターンを有するようにスクリーン印刷して形成する。そして、高融点金属とセラミックグリーンシートを還元雰囲気中で同時焼成して両主面にメタライズパターンを有するセラミック枠体１２を作製する。なお、一方の主面のメタライズパターンは、ヒートシンク板１１とリング状の全周にわたってろう付け接合するためにセラミック枠体１２の下面全周面に形成されている。また、因みに、Ａｌ２Ｏ３の熱膨張係数は、６．７×１０−６／ｋ程度であり、Ｃｕ−Ｗの熱膨張係数が、６．５×１０−６／ｋ程度であって、近似している。
【００２１】
次いで、セラミック枠体１２の上面である他方の主面に接合されるリードフレーム形状の金属板からなる外部接続端子１３は、ＫＶ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、商品名「Ｋｏｖａｒ（コバール）」）、４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）等のセラミックと熱膨張係数が近似する金属部材からなり、切削加工や、エッチング加工や、打ち抜き加工等で所定の形状に形成されている。なお、因みに、ＫＶの熱膨張係数は、５．３×１０−６／ｋ程度であり、Ａｌ２Ｏ３の熱膨張係数の、６．７×１０−６／ｋ程度とは、互いに近似はしている。
【００２２】
次いで、ヒートシンク板１１と、セラミック枠体１２、及び外部接続端子１３を接合して形成する接合体１４の作製方法を説明する。先ず、セラミック枠体１２の両面のメタライズパターンの表面、及び外部接続端子１３の全表面には、それぞれＮｉや、Ｎｉ合金等からなる第１のＮｉめっきを施す。次に、ヒートシンク板１１の平面形状からなる他方の主面の中央部に、例えば、ＢＡｇ−８（Ａｇが７２％と、残部がＣｕからなる共晶合金）等のＡｇ−Ｃｕろうからなる高温ろう材を介してセラミック枠体１２の下面側である一方の主面を当接させて載置し、約７８０〜９００℃で加熱してろう付け接合している。次に、セラミック枠体１２の上面側である他方の主面に、例えば、ＢＡｇ−８等のＡｇ−Ｃｕろうからなる高温ろう材を介して外部接続端子１３の先端部の下面側を当接させて載置し、約７８０〜９００℃で加熱してろう付け接合している。このヒートシンク板１１と、セラミック枠体１２の接合、及びセラミック枠体１２と外部接続端子１３の接合によって、接合体１４を形成している。なお、接合体１４の形成は、ヒートシンク板１１と、セラミック枠体１２の接合、及びセラミック枠体１２と外部接続端子１３の接合を同時に行って形成することもできる。次に、接合体１４の外表面に露出する全金属表面上には、第２のＮｉめっきが施され、更に、Ｎｉめっき上にＡｕめっきが施されることで、高周波用パッケージ１０を作製している。
【産業上の利用可能性】
【００２３】
本発明の高周波用パッケージは、シリコンや、ガリウム砒素電界効果トランジスタ等の高周波、高出力の半導体素子を実装し、例えば、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）基地局用等のために用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージの説明図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同高周波用パッケージに半導体素子が実装されて基台に取り付けられる説明図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同高周波用パッケージの製造方法の説明図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来の高周波用パッケージの説明図である。
【符号の説明】
【００２５】
１０：高周波用パッケージ、１１：ヒートシンク板、１２：セラミック枠体、１３：外部接続端子、１４：接合体、１５：金属めっき被膜、１６：切り欠き部、１７：キャビティ部、１８：半導体素子、１９：ボンディングワイヤ、２０：蓋体、２１：接着材、２２：高周波用モジュール基板、２３：基台、２４：ねじ、２５：カソード電極、２６：ダミー体、２７：めっきラック、２８：フック、２９：めっき浴、３０：アノード電極、３１：金属体
【図１】
2005136024.tif 000003
【図２】
2005136024.tif 000004
【図３】
2005136024.tif 000005
【図４】
2005136024.tif 000006