(57)【要約】【課題】  レジスト被塗布体に加熱処理を施す際に、処理を施す加熱部内の雰囲気の変動を迅速に検知することができるレジスト被塗布体の加熱装置およびそのモニタリング方法を提供する。【解決手段】  レジストが塗布された半導体ウェーハ４を内部に配置して加熱する加熱部１ａと、加熱された半導体ウェーハ４の周囲の気体８ａを加熱部１ａの外部に排出するパージ用ポンプ７と、排出される気体８ａの排気流量を計測する排気流量計１１と、排気流量計１１により計測した測定値をデータとして出力するデータロガー１２とを有する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジストが塗布されたレジスト被塗布体を内部に配置して加熱する加熱手段と、加熱された前記レジスト被塗布体の周囲の気体を前記加熱手段の外部に排出する手段と、前記排出される気体の排気流量を計測する計測手段と、前記計測手段により計測した測定値をデータとして出力するデータ処理手段とを有することを特徴とするレジスト被塗布体の加熱装置。
【請求項２】
データ処理手段が出力するデータに基づいて気体の排気流量の異常を判断する手段と、前記排気流量に異常がある場合に警報を出力する警報出力手段と、前記異常がある場合にレジスト被塗布体の加熱手段を停止する停止手段とを有することを特徴とする請求項１記載のレジスト被塗布体の加熱装置。
【請求項３】
排気流量があらかじめ設定されている異常許容範囲内の値である場合に前記排気流量を自動調整する排気流量調整手段を有することを特徴とする請求項２記載のレジスト被塗布体の加熱装置。
【請求項４】
請求項１記載のレジスト被塗布体の加熱装置において、データ処理手段が出力するデータに基づいて、加熱手段から排出される気体の排気流量の異常を判断し、前記排気流量に異常がある場合に警報を出力し、前記異常がある場合に前記加熱手段を停止することを特徴とするレジスト被塗布体のモニタリング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト被塗布体の加熱装置およびそのモニタリング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置の微細パターンは、レジスト被塗布体としての半導体ウェーハに、レジストを塗布し、露光、現像等の複数の処理工程を施すことで形成している。
近年、パターンの著しい微細化の中で、高感度レジストとして化学増幅型レジストが使用されている。この化学増幅型レジストを用いる場合には、露光後の化学反応を所定の時に停止させるために、半導体ウェーハに対して加熱処理を施している。
【０００３】
その加熱温度は、化学反応の進展具合を左右することから、パターン寸法（パターンの線幅）の精度も、この加熱温度に著しく左右される。図１０に、レジスト塗布後の半導体ウェーハの加熱装置を示す。
【０００４】
図１０に示すように、半導体ウェーハの加熱装置１は、半導体ウェーハ４を加熱する加熱部１ａと、加熱部１ａ内の気体を加熱部１ａの外へ排出するためのパージ用ポンプ７と、パージ用ポンプ７から送り込まれる気体８ａの流量を入力値として計測するフローメーター８と、気体８ａを濾過するためのフィルター９と、加熱部１ａ内から排出される気体８ａの流量を調整するマニュアルダンパー１０とを有する。なお、図１０に示すように、パージ用ポンプ７、フローメーター８およびフィルター９は、加熱部１ａ内に気体８ａを送り込む側に設けられており、マニュアルダンパー１０は、加熱部１ａ内から気体８ａを排出する側の排出管に設けられている。
【０００５】
加熱部１ａは、半導体ウェーハ４を加熱するための熱板２と、熱板２に設けられている複数の温度センサー３と、半導体ウェーハ４と熱板２とを非接触状態に保って、半導体ウェーハ４の裏面のパーティクルによる加熱処理の異常を防ぐガイドリング５と、熱板２および半導体ウェーハ４の周辺を密閉するための熱板カバー６とを有する。なお、熱板２と半導体ウェーハ４とは、例えば、０．１ｍｍの間隔をあけて配置されている。
【０００６】
このような構成の加熱装置１を用いて、半導体ウェーハ４に加熱処理を施して、露光後の化学反応を所定の時に停止させるためには、まず、ガイドリング５上に、レジストが塗布された半導体ウェーハ４を載置し、熱板カバー６を閉じた状態（図１０に示す状態）で、温度センサー３にて熱板２の温度を監視しつつ、熱板２により半導体ウェーハ４に加熱処理（プロキシミティー加熱）を施す。
【０００７】
このとき、パージ用ポンプ７により、加熱部１ａ内には、フローメーター８およびフィルター９を経た気体８ａが送り込まれ、加熱部１ａ内の雰囲気およびレジスト反応生成物は、加熱部１ａ内からマニュアルダンパー１０を経て外部に吸引排気される。
【０００８】
以上のようにして、レジスト塗布後の半導体ウェーハ４に加熱処理を施して、化学反応を所定の時に停止させるようにしている。
なお、例えば、特許文献１には、半導体ウェーハの周縁に排気口を設け、排気を、クリーンルーム内でのダウンフローの影響を考慮しつつ半導体ウェーハの上方側から下方側に向けて行うとともに、排出される気体が、半導体ウェーハと加熱板との隙間を通過しないようにする技術が記載されている。これにより、半導体ウェーハと加熱板との隙間の空気の揺らぎを防止して、半導体ウェーハの温度分布にばらつきが出ないようにし、レジスト膜厚の高精度均一化やパターン寸法の均一化を図っている。
【特許文献１】特開平４−１２７５１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、図１０に示す加熱装置１は、排気側に排気流量を計測、監視するための装置が設けられていないので、排気管内におけるレジスト反応生成物の蓄積や、パージ用ポンプ７の異常等が発生した場合に、加熱部１ａ内の雰囲気の変動を迅速に検知することができなかった。
【００１０】
これにより、加熱部１ａ内の温度が変動して、図１１に示すように現像後のパターン寸法の値が大きくバラつく、すなわち管理規格の範囲を超えてしまうことがあり、結果として、半導体装置の歩留まり低下を引き起こすことがあった。
【００１１】
したがって、半導体装置の歩留まりの安定化や加熱部１ａの安定稼動を図るためには、加熱部１ａからの気体８ａの排気流量を計測できる計測器およびその排気流量を常時、監視できるシステムが必要になる。例えば、加熱部１ａからの排気流量を計測する計測器だけを組み込んでも、気体８ａの排気流量の異常を迅速に検知することができないので、結果として、半導体装置の歩留まり低下を防止することができない。
【００１２】
そこで本発明はこのような問題を解決するもので、レジスト被塗布体に加熱処理を施す際に、処理を施す加熱部内の雰囲気の変動を迅速に検知することができるレジスト被塗布体の加熱装置およびそのモニタリング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために請求項１記載の発明は、レジストが塗布されたレジスト被塗布体を内部に配置して加熱する加熱手段と、加熱された前記レジスト被塗布体の周囲の気体を前記加熱手段の外部に排出する手段と、前記排出される気体の排気流量を計測する計測手段と、前記計測手段により計測した測定値をデータとして出力するデータ処理手段とを有するものである。
【００１４】
このような構成によると、データ処理手段が出力するデータに基づいて、気体の排気流量の状況を監視することができ、加熱手段の内部における雰囲気の変動を迅速に検知することができる。
【００１５】
請求項２記載の発明は請求項１記載のレジスト被塗布体の加熱装置において、データ処理手段が出力するデータに基づいて気体の排気流量の異常を判断する手段と、前記排気流量に異常がある場合に警報を出力する警報出力手段と、前記異常がある場合にレジスト被塗布体の加熱手段を停止する停止手段とを有するものである。
【００１６】
このような構成によれば、データ処理手段が出力するデータに基づいて気体の排気流量の異常を判断する手段と、前記排気流量に異常がある場合に警報を出力する警報出力手段とを有することにより、オペレータに対して異常を迅速に伝えることができ、加熱手段の内部における雰囲気の変動を迅速に検知することができる。また、排気流量に異常がある場合にレジスト被塗布体の加熱手段を停止する停止手段を有することにより、気体の排気流量に異常が生じている状況下で、レジスト被塗布体に加熱処理が施されることを防止することができる。
【００１７】
請求項３記載の発明は請求項２記載のレジスト被塗布体の加熱装置において、排気流量があらかじめ設定されている異常許容範囲内の値である場合に前記排気流量を自動調整する排気流量調整手段を有するものである。
【００１８】
このような構成によれば、排気流量があらかじめ設定されている異常許容範囲内の値である場合に前記排気流量を自動調整する排気流量調整手段を有することにより、気体の排気流量に異常がある場合に、排気流量調整手段により、異常がある排気流量を正常な排気流量に自動調整して、前記異常に迅速に対応することができる。したがって、気体の排気流量に異常が生じている状況下で、レジスト被塗布体に加熱処理が施されることを防止することができる。
【００１９】
請求項４記載の発明は、請求項１記載のレジスト被塗布体の加熱装置において、データ処理手段が出力するデータに基づいて、加熱手段から排出される気体の排気流量の異常を判断し、前記排気流量に異常がある場合に警報を出力し、前記異常がある場合に前記加熱手段を停止するものである。
【００２０】
このようにすると、請求項１記載のレジスト被塗布体の加熱装置において、データ処理手段が出力するデータに基づいて、加熱手段から排出される気体の排気流量の異常を判断し、前記排気流量に異常がある場合に警報を出力するので、加熱手段の内部における雰囲気の変動を迅速に検知することができるとともに、前記レジスト被塗布体のモニタリングを行うことができる。また、前記異常がある場合に前記加熱手段を停止することで、気体の排気流量に異常が生じている状況下で、前記レジスト被塗布体に加熱処理が施されることを防止することができる。
【発明の効果】
【００２１】
以上のように本発明によれば、排出される気体の排気流量を計測する計測手段と、前記計測手段により計測した測定値をデータとして出力するデータ処理手段とを有することにより、加熱手段の内部における雰囲気の変動を迅速に検知することができる。これにより、気体の排気流量に異常が生じた時には、迅速に対応することができ、レジスト被塗布体の歩留りを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態１〜３を、図１〜図９を参照しながら説明する。なお、図１０を用いて説明したものと同様のものには、同じ符号を付すことで、その詳細な説明を省略する。
（実施の形態１）
実施の形態１においては、主に、加熱部１ａから排出される気体８ａの排気流量の監視に関しての説明を行う。
【００２３】
レジスト被塗布体としての半導体ウェーハ４の加熱装置２０は、図１に示すように、半導体ウェーハ４を内部に配置して加熱する加熱手段としての加熱部１ａと、加熱部１ａ内における半導体ウェーハ４の周囲の気体を加熱部１ａ外へ排出する手段としてのパージ用ポンプ７と、気体８ａの流量を計測するフローメーター８と、気体８ａの濾過用のフィルター９と、排出される気体８ａの流量を調整するマニュアルダンパー１０と、マニュアルダンパー１０よりも下流側に設けられて、排出される気体８ａの排気流量を計測する計測手段としての排気流量計１１と、排気流量計１１により計測した測定値をデータとして出力するデータ処理手段としてのデータロガー１２とを有する。なお、以下においては、排気流量計１１により計測した測定値をアナログデータとして出力する場合を説明するが、測定値をデジタルデータとして出力してもよい。
【００２４】
このような構成において、前の工程のレジスト塗布装置（図示は省略）にてレジストが塗布され、さらに露光処理が施された状態の半導体ウェーハ４が、加熱装置２０における加熱部１ａ内に搬送される。
【００２５】
搬送された半導体ウェーハ４をガイドリング５上に載置し、図１に示す状態のように、熱板カバー６を閉じて熱板２および半導体ウェーハ４の周辺を密閉する。そして、温度センサー３にて熱板２の温度を監視しつつ、半導体ウェーハ４に加熱処理（プロキシミティー加熱）を施す。
【００２６】
加熱処理を開始すると、パージ用ポンプ７により、加熱部１ａ内に気体８ａを送り込み、半導体ウェーハ４の周囲の気体８ａおよびレジスト反応生成物を、加熱部１ａ内からマニュアルダンパー１０を経て外部に吸引排気する。
【００２７】
このとき、マニュアルダンパー１０を経て外部に排出される気体８ａの排気流量を排気流量計１１にて計測し、計測した結果をアナログデータとして出力し、データロガー１２に取り込ませ、データロガー１２からデータとして出力する。この計測のデータは、例えば、図２に示すような、縦軸を排気流量〔ｌ／ｍｉｎ．〕、横軸を日数とするグラフとして表す。そして、この結果に基づいて、加熱装置２０における気体８ａの排気流量の監視および把握を行う（詳細は後述する）。
【００２８】
ここで、加熱処理が施されている半導体ウェーハ４の温度が気体８ａの排気流量にどの程度依存するのかを図３および図５を用いて説明する。また、半導体装置のパターン寸法が気体８ａの排気流量にどの程度依存するのかを図４を用いて説明する。
【００２９】
図３には、排気流量〔ｌ／ｍｉｎ．〕と半導体ウェーハ４の温度〔℃〕との関係を示しており、このときの加熱部１ａの設定温度は１１０〔℃〕、設定排気流量は２〔ｌ／ｍｉｎ．〕である。図３において、定常時の半導体ウェーハ４の平均温度は１１０〔℃〕、排気流量は２〔ｌ／ｍｉｎ．〕であるのに対し、排気流量が２〔ｌ／ｍｉｎ．〕よりも低下した場合には、加熱部１ａ内から外部への排気が不十分になるため、加熱部１ａ内の温度が上昇する傾向となり、排気流量が０〔ｌ／ｍｉｎ．〕となると、半導体ウェーハ４の平均温度は、定常時よりも０．４〔℃〕高い、１１０．４〔℃〕となる。
【００３０】
また、排気流量が８〔ｌ／ｍｉｎ．〕と増大した場合には、加熱部１ａ内から外部への排気が過剰になり加熱部１ａ内の温度が下降するので、このときの半導体ウェーハ４の平均温度は、定常時よりも３．５〔℃〕低い、１０６．５〔℃〕となる。
【００３１】
上記のように、半導体ウェーハ４の温度は気体８ａの排気流量に大きく依存する。微細パターン処理で使用される化学増幅型レジストを用いる場合は、パターン寸法が加熱温度に大きく依存するため、結果として、パターン寸法が排気流量に大きく依存することになる。これを図４に示す。
【００３２】
図４には、排気流量〔ｌ／ｍｉｎ．〕とパターン寸法〔μｍ〕との関係を示しており、定常時の排気流量は２〔ｌ／ｍｉｎ．〕、パターン寸法の平均値は０．１７２〔μｍ〕、パターン寸法のレンジ（寸法差）は１０〔ｎｍ〕である。これに対し、排気流量が０〔ｌ／ｍｉｎ．〕の場合のパターン寸法の平均値は０．１７０〔μｍ〕で、パターン寸法のレンジは１８〔ｎｍ〕であり、パターン寸法の平均値は定常時と比べて０．００２〔μｍ〕も細くなっており、またパターン寸法のレンジも８〔ｎｍ〕も大きくなっている。また、排気流量が８〔ｌ／ｍｉｎ．〕の場合のパターン寸法の平均値は０．２３６〔μｍ〕で、パターン寸法のレンジは３０〔ｎｍ〕であり、パターン寸法の平均値は定常時と比べて０．０７４〔μｍ〕も太くなっており、またパターン寸法のレンジも２０〔ｎｍ〕も大きくなっている。このように、パターン寸法は気体８ａの排気流量に大きく依存している。
【００３３】
なお、図５には、図３のときと同じ設定条件での、排気流量別の、加熱時間〔ｓ〕と半導体ウェーハ４の温度〔℃〕との関係を示している。図５に示すように、例えば、排気流量が０〔ｌ／ｍｉｎ．〕のときの半導体ウェーハ４の温度と、２〔ｌ／ｍｉｎ．〕のとき半導体ウェーハ４の温度とを比較すると、両者のウェーハ温度プロファイルが異なっているため、例えば、２０秒におけるウェーハ温度は、０〔ｌ／ｍｉｎ．〕のときで１０７．５〔℃〕、２〔ｌ／ｍｉｎ．〕のときで１０７．０〔℃〕となっている。この両者の温度差である０．５〔℃〕が、図４に示したようなパターン寸法の差を発生させている。
【００３４】
以上のように、加熱処理が施されている半導体ウェーハ４の温度、および半導体装置のパターン寸法は、気体８ａの排気流量に大きく依存するので、気体８ａの排気流量に異常が発生した場合には迅速に対応することが重要となる。
【００３５】
したがって、図２に示す例のように結果を出力する場合、測定開始より２５日目に排気流量の低下を確認でき、測定開始より２６日目には排気流量が０〔ｌ／ｍｉｎ．〕であることを確認できるので、このときに、速やかに加熱部１ａを停止させ、応急処置としてマニュアルダンパー１０により、排気流量を、加熱部１ａの設定値である２〔ｌ／ｍｉｎ．〕になるように調整する。
【００３６】
このように、排気流量計１１およびデータロガー１２を設けることで、気体８ａの排気流量の状況をリアルタイムで監視、把握することができ、加熱部１ａ内の雰囲気の変動を迅速に検知することができる。したがって、気体８ａの排気流量に異常が生じた時には、迅速に対応することができるので、気体８ａの排気流量に異常が生じている状況下で、半導体ウェーハ４に加熱処理が施されることを防止することができ、半導体ウェーハ４の歩留りを向上させることができる。
【００３７】
また、図３、図５に示したような、排気流量とウェーハ温度との関係、図４に示したような、排気流量とパターン寸法との関係をあらかじめ把握していれば、気体８ａの排気流量の状況を監視、把握することで、半導体ウェーハ４の温度の変動状況やパターン寸法の変動状況を容易に把握することができ、半導体ウェーハ４の温度やパターン寸法をリアルタイムで管理することができる。
（実施の形態２）
実施の形態２においては、主に、加熱装置３０の排気流量の異常時における、警報の出力および加熱部１ａの停止に関しての説明を行う。なお、図１を用いて説明したものと同様のものには、同じ符号を付すことで、その詳細な説明を省略する。
【００３８】
実施の形態２において説明する加熱装置３０は、図６に示すように、図１に示した加熱装置２０の構成に加えて、データロガー１２に接続されて、データロガー１２から送られる排気流量の値の異常を判断する手段としてのコントローラー１３と、コントローラー１３に接続されて、排気流量に異常がある場合に警報を出力する警報出力手段としてのモニター１４と、加熱部１ａに電気的に接続されて、この加熱部１ａの稼動を停止させる停止手段としてのインターロック（図示は省略）とを有する。
【００３９】
このような構成において、実施の形態１と同様に、半導体ウェーハ４が加熱部１ａ内に搬入され、加熱処理が開始される。なお、本実施の形態２においては、加熱部１ａの排気流量の設定値を２〔ｌ／ｍｉｎ．〕としている。
【００４０】
ここで、半導体ウェーハ４に対して加熱処理が開始されてからの加熱装置３０の稼動状況を図６および図７を参照しながら説明する。
図６および図７に示すように、まず、ステップ１として、半導体ウェーハ４の加熱処理を実行し、半導体ウェーハ４の周囲の気体８ａおよびレジスト反応生成物を、加熱部１ａ内からマニュアルダンパー１０を経て外部に吸引排気する。このとき、排気流量計１１にて排気流量の測定を、例えば１秒ごとに行う。
【００４１】
次に、ステップ２として、排気流量計１１にて測定した排気流量の１秒ごとのデータ（以下、測定値Ｆと記す）をデータロガー１２により出力してコントローラー１３に送る。
次に、ステップ３として、データロガー１２から送られた排気流量の測定値Ｆの値に異常がないかを判断する。このとき、既に述べたように、本実施の形態２においては、加熱部１ａにおける排気流量の設定値を２〔ｌ／ｍｉｎ．〕としているので、コントローラー１３においては、測定値Ｆが例えば、Ｆ＝１〔ｌ／ｍｉｎ．〕〜３〔ｌ／ｍｉｎ．〕の許容範囲内の値であるのか否かを判断し、測定値Ｆに異常があるのかを判断する。
【００４２】
測定値Ｆが、Ｆ＝１〔ｌ／ｍｉｎ．〕〜３〔ｌ／ｍｉｎ．〕を満たせば、測定値Ｆが正常の値であるとして、ステップ４に進んで加熱処理を継続し、ステップ５として加熱処理を終了するのか否かを判断する。このとき、半導体ウェーハ４が所望の程度にまで加熱されていれば加熱処理を終了し、所望の程度にまで加熱されていなければ、ステップ１に戻り、加熱処理の実行（この場合は継続）を行う。
【００４３】
なお、ステップ３において、測定値Ｆが、Ｆ＝１〔ｌ／ｍｉｎ．〕〜３〔ｌ／ｍｉｎ．〕を満たしていなければ、測定値Ｆが異常であるとしてステップ６に進み、モニター１４により警報を出力する。そして、ステップ７に進む。
【００４４】
ステップ７において、測定値Ｆが深刻な異常であるのか否かを判断する。この判断の基準としては、あらかじめ異常許容範囲が設定されており、測定値Ｆが異常許容範囲内の数値であるのか否かを判断する。この場合、加熱部１ａにおける排気流量の設定値が２〔ｌ／ｍｉｎ．〕であるので、異常許容範囲としては、例えば、０．５〔ｌ／ｍｉｎ．〕〜４〔ｌ／ｍｉｎ．〕の値が設定されている。したがって、ステップ７においては、測定値Ｆが、Ｆ＝０．５〔ｌ／ｍｉｎ．〕〜４〔ｌ／ｍｉｎ．〕を満たすのか否かを判断する。
【００４５】
測定値Ｆがこの条件を満たせば、測定値Ｆが異常許容範囲内の値であるとしてステップ４に進み、上述したステップ４以降の処理を行う。測定値Ｆがこの条件を満たさなければ、測定値Ｆが異常許容範囲外の値であるとして、インターロックを作動させて、加熱部１ａの稼動を停止させる。
【００４６】
以上のように、測定値Ｆに異常があるとされた場合に、モニター１４により警報を出力することにより、オペレータに対し、気体８ａの排気流量に異常があることを迅速に伝えることができるので、加熱部１ａ内の雰囲気の変動を迅速に検知することができ、異常に対する迅速な対応を行うことができる。これにより、半導体ウェーハ４の温度が高くなりすぎたり、低くなりすぎたりすることを抑制することができる。また、気体８ａの排気流量があらかじめ設定されている異常許容範囲内の値でない場合に、インターロックにより加熱部１ａを停止させることにより、気体８ａの排気流量に異常が生じている状況下で、半導体ウェーハ４に加熱処理が施されることを防止することができる。したがって、半導体ウェーハ４の歩留りの向上を図ることができる。
【００４７】
なお、上記においては、気体８ａの排気流量が異常許容範囲内の値でない場合に、インターロックにより加熱部１ａを停止させる場合を説明しているが、これに限らず、測定値Ｆが、Ｆ＝１〔ｌ／ｍｉｎ．〕〜３〔ｌ／ｍｉｎ．〕を満たしていなければ、インターロックを作動させて、加熱部１ａを停止させてもよい。
【００４８】
（実施の形態３）
実施の形態３においては、主に、加熱装置４０の排気流量の異常時において、排気流量を自動で調整することに関しての説明を行う。なお、図６を用いて説明したものと同様のものには、同じ符号を付すことで、その詳細な説明を省略する。
【００４９】
実施の形態３において説明する加熱装置４０は、図８に示すように、図６に示した加熱装置３０におけるマニュアルダンパー１０に換えて、排気流量調整手段としての自動調整弁１５を設け、かつ、この自動調整弁１５とコントローラー１３とを電気的に接続した構成とされている。なお、その他の箇所は、図６に示した加熱装置３０と同様の構成である。
【００５０】
このような構成において、実施の形態１および実施の形態２と同様にして半導体ウェーハ４が加熱部１ａ内に搬入され、加熱処理が開始される。なお、本実施の形態３においても、加熱部１ａの排気流量の設定値を２〔ｌ／ｍｉｎ．〕としている。
【００５１】
ここで、半導体ウェーハ４に対して加熱処理が開始されてからの加熱装置４０の稼動状況を図８および図９を参照しながら説明する。
図８および図９に示すように、まず、ステップ１として、半導体ウェーハ４の加熱処理を実行し、半導体ウェーハ４の周囲の気体８ａおよびレジスト反応生成物を、加熱部１ａ内から自動調整弁１５を経て外部に吸引排気する。このとき、実施の形態２の場合と同様に、排気流量計１１にて排気流量の測定を、例えば１秒ごとに行う。
【００５２】
次に、実施の形態２の場合と同様にして、ステップ２〜ステップ７の操作を行う。ステップ７において、測定値Ｆが、Ｆ＝０．５〔ｌ／ｍｉｎ．〕〜４〔ｌ／ｍｉｎ．〕を満たすのか否かを判断し、測定値Ｆがこの条件を満たせば、測定値Ｆが異常許容範囲（実施の形態３においては自動調整範囲と記す）内の値であるとしてステップ８に進む。
【００５３】
ステップ８において、コントローラー１３から送られる測定値Ｆのデータをもとに、自動調整弁１５により、気体８ａの排気流量が正常の値になるように自動調整を施し、調整が終了すると、ステップ４に進み、既に述べたステップ４以降の処理を行う。また、測定値Ｆが、Ｆ＝０．５〔ｌ／ｍｉｎ．〕〜４〔ｌ／ｍｉｎ．〕を満たさなければ、測定値Ｆが自動調整範囲外の値であるとして、実施の形態２の場合と同様に、インターロックを作動させて、加熱部１ａの稼動を停止させる。
【００５４】
以上のように、気体８ａの排気流量を自動調整する自動調整弁１５を有することにより、気体８ａの排気流量に異常がある場合に、自動調整弁１５によって異常がある排気流量を正常な排気流量に自動調整して、前記異常に迅速に対応することができる。したがって、気体８ａの排気流量に異常が生じている状況下で、半導体ウェーハ４に加熱処理が施されることを防止することができる。これにより、半導体ウェーハ４の歩留りの向上を図ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明のレジスト被塗布体の加熱装置およびそのモニタリング方法は、常時、排気流量の監視が可能であり、排気出力側での排気流量の異常時には迅速に対応することができ、また排気流量からウェーハ温度のプロファイルおよびウェーハ上のパターン寸法を把握しておけば、加熱装置等の異常を迅速に把握することができ、半導体装置を製造するレジスト被塗布体の加熱装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態１の加熱装置を示す図
【図２】加熱装置における排気流量のトレンド例を示す図
【図３】排気流量とウェーハ温度との関係図
【図４】排気流量とウェーハのパターン寸法との関係図
【図５】排気流量とウェーハ温度プロファイルの関係図
【図６】本発明の実施の形態２の加熱装置を示す図
【図７】図６に示す加熱装置の稼動に関するフローチャート
【図８】本発明の実施の形態３の加熱装置を示す図
【図９】図８に示す加熱装置における排気流量の自動調整に関するフローチャート
【図１０】従来のレジスト塗布後の半導体ウェーハの加熱装置を示す図
【図１１】半導体ウェーハのパターン寸法のトレンドを示す図
【符号の説明】
【００５７】
１ａ  加熱部
４    半導体ウェーハ
７    パージ用ポンプ
８ａ  気体
１１    排気流量計
１２    データロガー
２０    加熱装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2005209970.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2005209970.tif 000012
【図１１】
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