(57)【要約】【課題】高周波電力増幅回路の異常発振を防止しつつ、小型化、薄型化が可能な構造の高周波電力増幅モジュールを提供する。【解決手段】高周波電力増幅回路ブロック８が上面に備えられた多層基板７を用いると共に、高周波電力増幅回路ブロック８の入力伝送線路２ａ１及び出力伝送線路２ｂ１を、多層基板７中の層の一つであって、入力伝送線路２ａ１や出力伝送線路２ｂ１に対してシールド効果を有する２つのグランドプレーン層１，３の間に挟まれている、層２に形成して高周波電力増幅モジュール１０を構成する。【選択図】図１                                                            
2005310967.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電力増幅回路ブロックが上面に備えられた多層基板で構成されており、前記高周波電力増幅回路ブロックの入力伝送線路及び出力伝送線路が、前記多層基板中の２つのグランドプレーン層の間に挟まれた層に形成されていることを特徴とする高周波電力増幅モジュール。
【請求項２】
前記多層基板の少なくとも上面が、シールドケースで覆われて構成されている請求項１記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項３】
前記入力伝送線路が形成された層を挟むグランドプレーン層と、前記出力伝送線路が形成された層を挟むグランドプレーン層とが、分離されて構成されている請求項１又は２記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項４】
前記入力伝送線路が形成された層を挟むグランドプレーン層と、前記出力伝送線路が形成された層を挟むグランドプレーン層とが、前記多層基板中の異なる層で構成されている請求項３記載の高周波電力増幅モジュール。
【請求項５】
前記グランドプレーン層における前記入力伝送線路と前記出力伝送線路との間に位置する部分に、複数のスルーホールで構成されたグランド障壁が形成されている請求項１〜４のいずれか１項記載の高周波電力増幅モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無線通信機器等に用いられる高周波電力増幅モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
無線通信機能を有する機器等において、特に無線送信機能を有する無線通信機器等には高周波電力増幅モジュールが内蔵されている。この高周波電力増幅モジュールは、外部へ妨害電波を放出して他の無線通信機器へ妨害を与えることを防止するため、通常、金属シールドケースで覆われている。
【０００３】
又、高周波電力増幅モジュールは、高周波電力増幅回路が含まれており、この高周波電力増幅回路の実装には、多層プリント配線基板（以下、多層基板と称する）が用いられている。又、この高周波電力増幅回路は、前段回路の変調回路から入力された微弱な電力を、大きく増幅して出力する機能を有している。そのため、高周波電力増幅回路の入力伝送線路と出力伝送線路とが空間を介して電磁気的に疎結でない場合は、増幅された出力信号が出力伝送線路から空間を介して入力伝送線路へフィードバックされ、高周波電力増幅回路が異常発振を起こし、正常な電力増幅が行なえなくなる。従って、高周波電力増幅回路の入力伝送線路と出力伝送線路とが空間を介して電磁気的に疎結となるように、高周波電力増幅モジュールを構成する必要がある。
【０００４】
従来例の高周波電力増幅モジュールは、例えば、図３に示すように、４層基板４７と、この４層基板４７の上面上に備えられた高周波電力増幅回路ブロック４８、及び、４層基板４７の上面を、４層基板４７から離間して覆う金属シールドケース４９とで構成されている。高周波電力増幅回路ブロック４８は、一般には、高周波電力増幅回路が内部に形成された１個のＩＣ（集積回路）で構成されている。４層基板４７は、１層目導電体４１、２層目導電体４２、３層目導電体４３、及び、４層目導電体４４で形成され、これらの層の間には絶縁基材５２が積層されている。又、４層基板４７の１層目導電体４１の上面上に高周波電力増幅回路ブロック４８が配設され、この高周波電力増幅回路ブロック４８を挟んで、１層目導電体４１の各両端にそれぞれ、高周波電力増幅回路ブロック４８の入力伝送線路４１ａと出力伝送線路４１ｂとが形成されている。又、高周波電力増幅回路ブロック４８を備えた４層基板４７の上方は、金属シールドケース４９で覆われている。
【０００５】
このような構造の従来例の高周波電力増幅モジュール５０では、高周波電力増幅回路ブロック４８の出力は、出力伝送線路４１ｂから空間を介して高周波電力増幅回路ブロック４８の上部に位置する金属シールドケース４９に伝わり、入力伝送線路４１ａへフィードバックされて、高周波電力増幅回路ブロック４８内の高周波電力増幅回路が異常発振を起こすことがあった。そこで、この異常発振の発生を防止するため、４層基板４７の上面上に備えられた高周波電力増幅回路ブロック４８と、金属シールドケース４９との間隙を十分広くして、高周波電力増幅回路ブロック４８の出力が金属シールドケース４９を介して入力伝送線路４１ａへフィードバックされることを防止していた。
【０００６】
このような、高周波電力増幅モジュールにおける異常発振の防止対策としては、他にも種々提案されている（例えば、特許文献１を参照）。特許文献１に記載された高周波増幅モジュールは、回路全体を覆うケースの材質に工夫を凝らしたものである。
【特許文献１】特開平２−２２０４９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、最近の無線通信機能を有する機器は、携帯電話を始めとして、小型化、薄型化が要求されている。しかし、上記の従来例の高周波電力増幅モジュール５０では、４層基板４７の上面上に備えられた高周波電力増幅回路ブロック４８と金属シールドケース４９との間隙を十分広くすることにより、異常発振の防止を行なっており、小型化、薄型化が制約されるという問題があった。この点に関し、特許文献１に記載の高周波増幅モジュールは、回路全体を覆うケースの材質に工夫を凝らしたものに過ぎず、高周波電力増幅モジュールにおける、小型化、薄型化が可能な構造の高周波電力増幅モジュールが望まれていた。
【０００８】
そこで、この発明は上記のような要望に応えるためになされたものであって、高周波電力増幅回路の異常発振を防止しつつ、小型化、薄型化が可能な構造の高周波電力増幅モジュールを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の要望に応えるためになされた本発明の高周波電力増幅モジュールは、高周波電力増幅回路ブロックが上面に備えられた多層基板で構成されており、高周波電力増幅回路ブロックの入力伝送線路及び出力伝送線路は、多層基板中の２つのグランドプレーン層の間に挟まれた層に形成されていることを特徴としている。
【００１０】
本発明の高周波電力増幅モジュールにおいて、グランドプレーン層とは、グランドプレーン層の導電体部分の電位が、高周波電力増幅回路ブロックや入力伝送線路及び出力伝送線路に生じる電位の内のアース電位に設定された層をいう。この高周波電力増幅モジュールでは、グランドプレーン層が入力伝送線路や出力伝送線路に対してシールド効果をもつため、出力伝送線路と入力伝送線路とを電磁気的に疎結にすることができる。従って、高周波電力増幅回路ブロックの出力が入力にフィードバックされることを防止でき、高周波電力増幅回路ブロック内の高周波電力増幅回路の異常発振を防止することができる。
【００１１】
上記の高周波電力増幅モジュールにおいて、前記多層基板の少なくとも上面を、シールドケースで覆うのが好ましい。このようにすることにより、高周波電力増幅モジュールが、外部へ妨害電波を放出して他の無線通信機器へ妨害を与えることを防止することができる。又、多層基板の上面を覆うシールドケースと多層基板の上面に備えられた高周波電力増幅回路ブロックとの離間距離を縮めても、グランドプレーン層は出力伝送線路に対してシールド効果をもつため、上記のシールドケースと出力伝送線路とを電磁気的に疎結にすることができる。又、同様に、グランドプレーン層が入力伝送線路に対してシールド効果をもつため、上記のシールドケースと入力伝送線路とを電磁気的に疎結にすることができる。従って、高周波電力増幅回路ブロックの出力が、空間を通して高周波電力増幅回路ブロックの上部に位置するシールドケースに伝わり、入力伝送線路へフィードバックされることを防止することができる。このため、高周波電力増幅回路ブロックの出力が入力にフィードバックされることにより生じる高周波電力増幅回路ブロック内の高周波電力増幅回路の異常発振を防止することができる。
【００１２】
又、上記の通り、高周波電力増幅回路ブロックの上部に位置するシールドケースと、高周波電力増幅回路ブロックとの離間距離を縮めることができるので、高周波電力増幅モジュールを小型化、薄型化することができる。
【００１３】
上記の高周波電力増幅モジュールにおいて、入力伝送線路が形成された層を挟むグランドプレーン層と、出力伝送線路が形成された層を挟むグランドプレーン層とを、分離して構成するのが好ましい。このようにすることにより、入力伝送線路と出力伝送線路とのグランドプレーン層を共通にした場合に生じやすい入出力伝送線路間の密結合を防止することができる。そのため、高周波電力増幅回路ブロックの出力が入力にフィードバックされることにより生じる高周波電力増幅回路ブロック内の高周波電力増幅回路の異常発振を防止することができる。
【００１４】
上記の高周波電力増幅モジュールにおいて、入力伝送線路が形成された層を挟むグランドプレーン層と、出力伝送線路が形成された層を挟むグランドプレーン層とを、多層基板中の異なる層で構成するようにしてもよい。このようにすることにより、入力伝送線路が形成された層を挟むグランドプレーン層と、出力伝送線路が形成された層を挟むグランドプレーン層との離間距離を、これらの層を単に同一層を分離して形成するだけの場合に比べて長くすることができ、入出力伝送線路間の結合をさらに電磁気的に疎結にすることができる。従って、高周波電力増幅回路ブロックの出力が入力にフィードバックされることにより生じる、高周波電力増幅回路ブロック内の高周波電力増幅回路の異常発振を防止することができる。
【００１５】
上記の高周波電力増幅モジュールにおいて、前記グランドプレーン層における前記入力伝送線路と前記出力伝送線路との間に位置する部分に、複数のスルーホールで構成されたグランド障壁を形成するようにしてもよい。この高周波電力増幅モジュールにおいて、スルーホールとは、多層基板の層間を電気的に接続する導電性の構成部分であり、多層基板の層に対して上下方向に形成された中空の円筒形状の導電体で、層の導電体部分と結合して電気的に接続されている。又、グランド障壁とは、このグランド障壁を形成するスルーホールの導電体部分の電位が、高周波電力増幅回路ブロックや入力伝送線路及び出力伝送線路に生じる電位の内のアース電位に設定されて構成されている障壁をいう。
【００１６】
この高周波電力増幅モジュールでは、複数のスルーホールで形成された櫛状のグランド障壁が、出力伝送線路や入力伝送線路に対するシールド効果を高めることができ、入力伝送線路と出力伝送線路とを電磁気的に隔離することができる。従って、高周波電力増幅回路ブロックの出力が入力にフィードバックされることにより生じる高周波電力増幅回路ブロック内の高周波電力増幅回路の異常発振を防止することができる。
【発明の効果】
【００１７】
上記に示したように、本発明の高周波電力増幅モジュールによれば、高周波電力増幅回路ブロックの入力伝送線路及び出力伝送線路を、多層基板中の２つのグランドプレーン層の間に挟まれた層に形成しているので、高周波電力増幅回路ブロックの出力伝送線路と入力伝送線路とを電磁気的に疎結にすることができる。従って、高周波電力増幅回路ブロックの出力が入力にフィードバックされることにより生じる高周波電力増幅回路ブロック内の高周波電力増幅回路の異常発振を防止することができる。
【００１８】
又、本発明の高周波電力増幅モジュールでは、高周波電力増幅回路ブロックを備えた多層基板の上面をシールドケースで覆っているので、高周波電力増幅モジュールが、外部へ妨害電波を放出して他の無線通信機器へ妨害を与えることを防止することができる。
【００１９】
又、本発明の高周波電力増幅モジュールによれば、高周波電力増幅回路ブロックの上方に位置するシールドケースと、高周波電力増幅回路ブロックとの離間距離を縮めても、上記のグランドプレーン層の作用、効果により、高周波電力増幅回路ブロックの出力伝送線路或いは入力伝送線路とこのシールドケースとを電磁気的に疎結にすることができ、高周波電力増幅回路ブロックの出力が入力にフィードバックされることにより生じる異常発振を防止することができる。従って、多層基板を覆うシールドケースと高周波電力増幅回路ブロックとの離間距離を縮めることができ、高周波電力増幅モジュールを小型化、薄型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の高周波電力増幅モジュールの実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２１】
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１における高周波電力増幅モジュール１０の構造を示した断面図である。図１において、本発明の実施の形態１における高周波電力増幅モジュール１０は、４層基板７と、この４層基板７の１層目導電体１の上面上に備えられた高周波電力増幅回路ブロック８、及び、４層基板７の上面をこの４層基板７から離間して覆う金属シールドケース９とで構成される。高周波電力増幅回路ブロック８は、一般には、高周波電力増幅回路が内部に形成された１個のＩＣ（集積回路）で構成されるが、高周波電力増幅回路を半導体で構成したディスクリート回路を用いるようにしてもよい。
【００２２】
４層基板７は、１層目導電体１、２層目導電体２、３層目導電体３、及び、４層目導電体４で形成され、これらの各層の間には絶縁基材１２が積層される。これらの各層は全て、高周波電力増幅モジュール１０の中央付近で左右に分離されている。即ち、１層目導電体１は左側の１層目左導電体１ａと右側の１層目右導電体１ｂとに、２層目導電体２は左側の２層目左導電体２ａと右側の２層目右導電体２ｂとに、３層目導電体３は左側の３層目左導電体３ａと右側の３層目右導電体３ｂとに、そして、４層目導電体４は左側の４層目左導電体４ａと右側の４層目右導電体４ｂとに、それぞれ分離されている。
【００２３】
高周波電力増幅回路ブロック８の入力伝送線路及び出力伝送線路は、２層目導電体２に形成されるが、２層目導電体２は、上記の通り、左側の２層目左導電体２ａと右側の２層目右導電体２ｂとに分離されている。そこで、２層目左導電体２ａに入力伝送線路２ａ１が形成され、２層目右導電体２ｂに出力伝送線路２ｂ１が形成される。これらの入力伝送線路２ａ１及び出力伝送線路２ｂ１には、それぞれ、高周波電力増幅回路ブロック８の入力端子８ａ及び出力端子８ｂが接続される。
【００２４】
即ち、高周波電力増幅回路ブロック８の入力端子８ａが、１層目左導電体１ａの一部を独立させて形成した入力端子接続導電体１ｃに接続され、この入力端子接続導電体１ｃは、入力伝送線路２ａ１が形成されている２層目左導電体２ａに、スルーホール１１ａを介して接続される。そして、このスルーホール１１ａは、４層目左導電体４ａの一部を独立させて形成したスルーホール接続導電体４ｃに接続される。又、高周波電力増幅回路ブロック８の出力端子８ｂが、１層目右導電体１ｂの一部を独立させて形成した出力端子接続導電体１ｄに接続され、この出力端子接続導電体１ｄは、出力伝送線路２ｂ１が形成された２層目右導電体２ｂに、スルーホール１１ｂを介して接続される。そして、このスルーホール１１ｂは、４層目右導電体４ｂの一部を独立させて形成したスルーホール接続導電体４ｄに接続される。
【００２５】
本明細書の実施の形態で用いられるスルーホールとは、多層基板の層間を電気的に接続する導電性の構成部分であり、多層基板の層に対して上下方向に形成され、多層基板の層の導電体部分と結合して電気的に接続されている中空の円筒形状の導電体である。
【００２６】
又、入力伝送線路２ａ１が形成されている２層目左導電体２ａを層間に挟む１層目左導電体１ａと３層目左導電体３ａとを、グランドプレーン層としている。同様にして、出力伝送線路２ｂ１が形成されている２層目右導電体２ｂを層間に挟む１層目右導電体１ｂと３層目右導電体３ｂとを、グランドプレーン層としている。
【００２７】
本明細書の実施の形態で用いられるグランドプレーン層とは、この層の導電体部分の電位が、高周波電力増幅回路ブロックや高周波電力増幅回路ブロックの入力伝送線路及び出力伝送線路に生じる電位の内のアース電位に設定された層をいう。
【００２８】
４層目導電体４である４層目左導電体４ａと４層目右導電体４ｂとは、グランドプレーン層、配線層のどちらとして使用してもかまわないが、本発明の実施の形態１では、グランドプレーン層として使用している。
【００２９】
グランドプレーン層として使用されている１層目左導電体１ａと３層目左導電体３ａ、及び４層目左導電体４ａの各右端付近には、これらの層間を電気的に接続するスルーホール１１ｃが形成されている。このスルーホール１１ｃは、図１において、手前から奥行き方向に複数個、櫛状に形成されており、これらがグランド障壁の役割を果たす。同様に、グランドプレーン層として使用されている１層目右導電体１ｂと３層目右導電体３ｂ、及び４層目右導電体４ｂの各左端付近には、これらの層間を電気的に接続するスルーホール１１ｄが形成されている。このスルーホール１１ｄも、図１において、手前から奥行き方向に複数個、櫛状に形成されており、これらがグランド障壁の役割を果たす。
【００３０】
本明細書の実施の形態で用いられるグランド障壁とは、この障壁のスルーホールの電位が、高周波電力増幅回路ブロックや高周波電力増幅回路ブロックの入力伝送線路及び出力伝送線路に生じる電位の内のアース電位に設定されて形成される障壁をいう。スルーホール１１ｃやスルーホール１１ｄは、複数個設けることで、壁を形成すると共に、グランドプレーン層に接続されている。このグランドプレーン層は、上述の通り、高周波電力増幅回路ブロックや高周波電力増幅回路ブロックの入力伝送線路及び出力伝送線路に生じる電位の内のアース電位に設定されているので、スルーホール１１ｃやスルーホール１１ｄはグランド障壁の役割を果たしている。
【００３１】
上記の、本発明の実施の形態１における高周波電力増幅モジュール１０では、高周波電力増幅回路ブロック８を備えた４層基板７の上面をこの４層基板７から離間して金属シールドケース９で覆っており、高周波電力増幅モジュール１０が、外部へ妨害電波を放出して他の無線通信機器へ妨害を与えることを防止することができる。
【００３２】
又、入力伝送線路２ａ１が形成されている２層目左導電体２ａを層間に挟む１層目左導電体１ａと３層目左導電体３ａ、及び、出力伝送線路２ｂ１が形成されている２層目右導電体２ｂを層間に挟む１層目右導電体１ｂと３層目右導電体３ｂとを、グランドプレーン層としている。これらのグランドプレーン層は、入力伝送線路２ａ１や出力伝送線路２ｂ１に対してシールド効果をもつため、出力伝送線路２ｂ１と入力伝送線路２ａ１とを電磁気的に疎結にすることができる。従って、高周波電力増幅回路ブロックの出力が入力にフィードバックされることを防止でき、高周波電力増幅回路ブロック８内の高周波電力増幅回路の異常発振を防止することができる。
【００３３】
又、４層基板７の上面を覆う金属シールドケース９と４層基板７の上面に備えられた高周波電力増幅回路ブロック８との離間距離を縮めても、出力伝送線路２ｂ１が形成されている２層目右導電体２ｂを層間に挟む１層目右導電体１ｂと３層目右導電体３ｂとは、上記の通り、グランドプレーン層として出力伝送線路２ｂ１に対してシールド効果をもつため、４層基板７の上面を覆う金属シールドケース９と出力伝送線路２ｂ１とを電磁気的に疎結にすることができる。又、同様に、入力伝送線路２ａ１が形成されている２層目左導電体２ａを層間に挟む１層目左導電体１ａと３層目左導電体３ａとは、グランドプレーン層として入力伝送線路２ａ１に対してシールド効果をもつため、４層基板７の上面を覆う金属シールドケース９と入力伝送線路２ａ１とを電磁気的に疎結にすることができる。従って、高周波電力増幅回路ブロック８の出力が、出力伝送線路２ｂ１から空間を通して高周波電力増幅回路ブロック８の上部に位置する金属シールドケース９に伝わり、入力伝送線路２ａ１へフィードバックされることを防止することができる。このため、高周波電力増幅回路ブロック８の出力が入力にフィードバックされることにより生じる高周波電力増幅回路ブロック８内の高周波電力増幅回路の異常発振を防止することができる。
【００３４】
又、上記の通り、高周波電力増幅回路ブロック８の上部に位置する金属シールドケース９と高周波電力増幅回路ブロック８との離間距離を縮めることができるので、高周波電力増幅モジュール１０を小型化、薄型化することができる。
【００３５】
又、グランドプレーン層として使用されている１層目左導電体１ａと３層目左導電体３ａ、及び４層目左導電体４ａの各右端付近には、これらの層間を電気的に接続するスルーホール１１ｃが複数個、櫛状に形成されて、グランド障壁を形成している。このグランド障壁は、１層目左導電体１ａと３層目左導電体３ａとに挟まれた２層目左導電体２ａに形成されている入力伝送線路２ａ１に対するシールド効果を高めることができる。又、同様に、グランドプレーン層として使用されている１層目右導電体１ｂと３層目右導電体３ｂ、及び４層目右導電体４ｂの各左端付近には、これらの層間を電気的に接続するスルーホール１１ｄが複数個、櫛状に形成されて、グランド障壁を形成している。このグランド障壁は、１層目右導電体１ｂと３層目右導電体３ｂとに挟まれた２層目右導電体２ｂに形成されている出力伝送線路２ｂ１に対するシールド効果を高めることができる。従って、高周波電力増幅回路ブロック８の入力伝送線路２ａ１と出力伝送線路２ｂ１とを、電磁気的に隔離することができ、高周波電力増幅回路ブロック８の出力が入力にフィードバックされることにより生じる高周波電力増幅回路ブロック８内の高周波電力増幅回路の異常発振を防止することができる。
【００３６】
＜実施の形態２＞
図２は、本発明の実施の形態２における高周波電力増幅モジュール３０の構造を示した断面図である。本発明の実施の形態２における高周波電力増幅モジュール３０は、上記の本発明の実施の形態１における高周波電力増幅モジュール１０と構造的にはよく似ている。本発明の実施の形態２における高周波電力増幅モジュール３０が、上記の本発明の実施の形態１における高周波電力増幅モジュール１０と異なるのは、出力伝送線路が形成される層、及び、この層を層間に挟む上下のグランドプレーン層を、入力伝送線路が形成されている層、及び、この層を層間に挟む上下のグランドプレーン層とは異なる層を用いて高周波電力増幅モジュールを構成した点であり、それ以外は、本発明の実施の形態１における高周波電力増幅モジュール１０と同じである。
【００３７】
即ち、実施の形態２における高周波電力増幅モジュール３０は、図２において、６層基板２７と、この６層基板２７の１層目導電体２１の上面上に備えられた高周波電力増幅回路ブロック２８、及び、６層基板２７の上面をこの６層基板２７から離間して覆う金属シールドケース２９とで構成される。
【００３８】
６層基板２７は、１層目導電体２１、２層目導電体２２、３層目導電体２３、４層目導電体２４、５層目導電体２５、及び、６層目導電体２６で形成され、これらの各層の間には絶縁基材３２が積層される。これらの内、１層目導電体２１、２層目導電体２２、及び、３層目導電体２３は、高周波電力増幅モジュール３０の中央付近から左寄りに配置され、４層目導電体２４、５層目導電体２５、及び、６層目導電体２６は、中央付近から右寄りに配置される。
【００３９】
２層目導電体２２には、入力伝送線路２２ａが形成され、５層目導電体２５には、出力伝送線路２５ａが形成される。これらの入力伝送線路２２ａ及び出力伝送線路２５ａには、それぞれ、高周波電力増幅回路ブロック２８の入力端子２８ａ及び出力端子２８ｂが接続される。
【００４０】
即ち、高周波電力増幅回路ブロック２８の入力端子２８ａが、１層目導電体２１の一部を独立させて形成した入力端子接続導電体２１ａに接続され、この入力端子接続導電体２１ａが、入力伝送線路２２ａが形成された２層目導電体２２に、スルーホール３１ａを介して接続される。そして、このスルーホール３１ａは、６層目導電体２６の一部を独立させて形成したスルーホール接続導電体２６ａに接続される。又、高周波電力増幅回路ブロック２８の出力端子２８ｂが、１層目導電体２１の一部を独立させて形成した出力端子接続導電体２１ｂに接続され、この出力端子接続導電体２１ｂは、出力伝送線路２５ａが形成された５層目導電体２５に、スルーホール３１ｂを介して接続される。そして、このスルーホール３１ｂは、６層目導電体２６の一部を独立させて形成したスルーホール接続導電体２６ｂに接続される。
【００４１】
又、入力伝送線路２２ａが形成されている２層目導電体２２を層間に挟む１層目導電体２１と３層目導電体２３とを、グランドプレーン層としている。同様にして、出力伝送線路２５ａが形成されている５層目導電体２５を層間に挟む４層目導電体２４と６層目導電体２６とを、グランドプレーン層としている。
【００４２】
又、グランドプレーン層として使用されている１層目導電体２１と３層目導電体２３の各右端付近には、これらの層間を電気的に接続するスルーホール３１ｃが形成されている。このスルーホール３１ｃは、図２において、手前から奥行き方向に複数個、櫛状に形成されており、これらがグランド障壁の役割を果たしている。同様に、グランドプレーン層として使用されている４層目導電体２４と６層目導電体２６の各左端付近には、これらの層間を電気的に接続するスルーホール３１ｄが形成されている。このスルーホール３１ｄも、図２において、手前から奥行き方向に複数個、櫛状に形成されており、これらがグランド障壁の役割を果たしている。
【００４３】
上記の、本発明の実施の形態２における高周波電力増幅モジュール３０は、上述した本発明の実施の形態１における高周波電力増幅モジュール１０が有するのと同様の作用、効果を有するほか、次の作用、効果を有する。即ち、出力伝送線路２５ａが形成される５層目導電体２５、及び、この５層目導電体２５を層間に挟む上下のグランドプレーン層である４層目導電体２４と６層目導電体２６とを、入力伝送線路２２ａが形成されている２層目導電体２２、及び、この２層目導電体２２を層間に挟む上下のグランドプレーン層である１層目導電体２１と３層目導電体２３とは異なる層を用いて、高周波電力増幅モジュールを構成している。そのため、入力伝送線路２２ａが形成された２層目導電体２２を挟む２つのグランドプレーン層と、出力伝送線路２５ａが形成された５層目導電体２５を挟む２つのグランドプレーン層との離間距離を、これらのグランドプレーン層を単に同一層を分離して形成するだけの場合に比べて長くすることができ、入出力伝送線路間の結合をさらに電磁気的に疎結にすることができる。従って、高周波電力増幅回路ブロック２８の出力が入力にフィードバックされることにより生じる高周波電力増幅回路ブロック２８内の高周波電力増幅回路の異常発振を防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明の高周波電力増幅モジュールは、無線送信機能を有する無線通信機器等に、有効に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態１における高周波電力増幅モジュールの断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２における高周波電力増幅モジュールの断面図である。
【図３】従来例の高周波電力増幅モジュールの断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  １層目導電体
１ａ    １層目左導電体
１ｂ    １層目右導電体
１ｃ    入力端子接続導電体
１ｄ    出力端子接続導電体
２  ２層目導電体
２ａ    ２層目左導電体
２ａ１    入力伝送線路
２ｂ    ２層目右導電体
２ｂ１    出力伝送線路
３  ３層目導電体
３ａ    ３層目左導電体
３ｂ    ３層目右導電体
４  ４層目導電体
４ａ    ４層目左導電体
４ｂ    ４層目右導電体
４ｃ    スルーホール接続導電体
４ｄ    スルーホール接続導電体
７  ４層基板
８  高周波電力増幅回路ブロック
８ａ    入力端子
８ｂ    出力端子
９  金属シールドケース
１０    高周波電力増幅モジュール
１１ａ    スルーホール
１１ｂ    スルーホール
１１ｃ    スルーホール
１１ｄ    スルーホール
１２    絶縁基材
２１    １層目導電体
２１ａ    入力端子接続導電体
２１ｂ    出力端子接続導電体
２２    ２層目導電体
２２ａ    入力伝送線路
２３    ３層目導電体
２４    ４層目導電体
２５    ５層目導電体
２５ａ    出力伝送線路
２６    ６層目導電体
２６ａ    スルーホール接続導電体
２６ｂ    スルーホール接続導電体
２７    ６層基板
２８    高周波電力増幅回路ブロック
２８ａ    入力端子
２８ｂ    出力端子
２９    金属シールドケース
３０    高周波電力増幅モジュール
３１ａ    スルーホール
３１  ｂ    スルーホール
３１ｃ    スルーホール
３１ｄ    スルーホール
３２    絶縁基材
４１    １層目導電体
４１ａ    入力伝送線路
４１ｂ    出力伝送線路
４２    ２層目導電体
４３    ３層目導電体
４４    ４層目導電体
４７    ４層基板
４８    高周波電力増幅回路ブロック
４９    金属シールドケース
５０    高周波電力増幅モジュール
５２    絶縁基材
【図１】
2005310967.tif 000003
【図２】
2005310967.tif 000004
【図３】
2005310967.tif 000005