(57)【要約】【課題】  チップ型電子部品を回路基板上に実装する際に生じるいわゆるはんだ爆ぜを防止する。【解決手段】  チップ型電子部品の端部電極は、チップ本体に対して導電体ペーストを焼き付けてなる下地金属層と、その上に形成された第一の金属層と、さらにその上に形成されたSnからなる第二の金属層とから形成されている。この下地金属層が有する空隙が第一の金属層の空間を介して当該第一の金属層の表面に達しないような厚さまで、第一の金属層を形成することとする。【選択図】  図１
2005109125.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ型電子部品であって、
内部に導電体からなる部分を包含してその一部が外部に露出するセラミックチップ本体と、
前記導電体からなる部分の露出部分と接触し、導電性ペーストを焼き付けることによって形成される下地金属層と、
前記下地金属層の上面に形成された第一の金属層と、
前記第一の金属層の上面に形成された、はんだ付け可能な低温にて溶融可能な第二の金属層とからなり、
前記第一の金属層は、前記下地金属層が有する空隙から繋がり且つ前記第一の金属層表面に達する空孔を有さないことを特徴とするチップ型電子部品。
【請求項２】
前記第一の金属層は、それぞれ異なる金属からなる複数の層から構成されることを特徴とする請求項１記載チップ型電子部品。
【請求項３】
前記下地金属層はAg、Ag合金、Ni、Ni合金、Cu、Cu合金の内の少なくとも一つの金属を主たる構成元素として含有することを特徴とする請求項１記載のチップ型電子部品。
【請求項４】
チップ型電子部品であって、
内部に導電体からなる部分を包含してその一部が外部に露出するセラミックチップ本体と、
前記導電体からなる部分の露出部分と接触し、導電性ペーストを焼き付けることによって形成される下地金属層と、
前記下地金属層の上面に形成された第一の金属層と、
前記第一の金属層の上面に形成された、はんだ付け可能な低温にて溶融可能な第二の金属層とからなり、
前記第一の金属層は、前記下地金属層の密度が60％以下の際の層厚さが3.5μm〜7.0μm、60％〜70％の際の層厚さが3.0μm〜7.0μm、70％〜80％の際の層厚さが2.5〜7.0μm、80％以上の際の層厚さが2.0〜7.0μmなる条件を満たすことを特徴とするチップ型電子部品。
【請求項５】
前記第一の金属層は、NiおよびCuの少なくとも何れかを主たる構成元素として有することを特徴とする請求項４記載のチップ型電子部品。
【請求項６】
前記第一の金属層は、NiおよびCuの少なくとも何れかを主たる構成元素として有する層と、はんだ付けの際の温度にて溶融しない金属を主たる構成として有するその他の層とから構成されることを特徴とする請求項４記載のチップ型電子部品。
【請求項７】
前記下地金属層はAg、Ag合金、Ni、Ni合金、Cu、Cu合金の内の少なくとも一つの金属を主たる構成元素として含有することを特徴とする請求項４記載のチップ型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップコンデンサ、チップバリスタ、チップインダクタ、チップNTCサーミスタ等、チップ型の電子部品に関する。これらチップ形状の電子部品は、当該電子部品を回路基板等に実装する際に用いられる端部電極を有しており、本発明は、この端部電極として特定構造のものを有するチップ形状の電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップ型電子部品、例えば積層型のセラミック電子部品は、内部電極がその表面等に形成されたいわゆるセラミックグリーンシートを積層し、これを所定の大きさに裁断し、さらにこれらに焼成等の処理を施すことによって、その主要部たるチップ本体が製造されている。このチップ本体には、当該チップを電子機器の回路基板上に実装する際に、その内部に形成された電極と回路基板上のランドとの接合を容易にするために用いられる、いわゆる端部電極が形成されている。
【０００３】
ランドに対する実装を容易に行うために、この端部電極の表面には、はんだに対して濡れ性の良いSnあるいはその合金からなる層がその最表面に形成されていることが好ましい。しかし、セラミックを主要な構成とするチップ本体に直接メッキ処理を施すことは、一般的に困難である。このため、金属ペーストからなるいわゆる下地金属層をチップ上の電極形成領域に形成し、その上にメッキ処理を施すことで当該端部電極は形成されている。
【０００４】
しかし、例えば、下地金属層上に直接Sn等をメッキした電極は、はんだ付けを行う際にSnがはんだ側に吸い取られるいわゆるはんだ喰われという現象を生じ、同時にはんだから受ける熱衝撃によってチップ割れを生じるという問題を有している。このため、通常は、Snを介した熱衝撃への耐性を高めること等を目的として下地金属層とSn等からなる層との間に、NiあるいはCuのメッキ層をいわゆる耐熱層として形成している（特許文献１〜３参照）。
【０００５】
なお、NiあるいはNi合金からなる層は一般的に大きな内部応力を有することが知られている。このため、Ni層の発生する熱応力を緩和するためにNi層の下層にCu層を配置する構成が存在する（特許文献４、４段１４〜２０行および２５〜３２行参照）。また、Ni層がそれ自体の応力によって下地金属層との密着性を低下させないように、密着性の改善を図るPｄ層をNi層の下層に配置した構成も存在する（特許文献５、６参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２１０５４５号公報
【特許文献２】特開２００２−２８０２４９号公報
【特許文献３】特開２００２−１６４２５７号公報
【特許文献４】特許第２８３０４５６号
【特許文献５】特開第３０６２２７９号
【特許文献６】特開２００１−６８３７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述したように、Ni層、Sn層等はメッキによって形成される。その際、特許文献６の段落「0006」にも述べられているように、メッキ液がチップ内部に染み込み、実装時にこの水分が急激に蒸発してはんだが爆ぜるといった現象が生じる場合がある。昨今の電子機器の小型化に伴って、回路基板の小型化も進み、実装される電子部品の間隔もより狭められてきている。このため、これまでは問題とならなかったレベルのはんだ爆ぜであっても、隣接する電子部品間での短絡を引き起こす可能性が出てきている。
【０００８】
特許文献６においては、例えばメッキ処理等、溶液中にチップを保持する工程を経た後に、当該チップを減圧下で過熱してこの溶液を除去することではんだ爆ぜを防止する方法が開示されている。しかしながら、この方法ではチップの水分除去という新たな工程が付加されることとなり、製造工程の冗長化等を招き好ましくない。
【０００９】
本発明はこのような状況に鑑みて為されてものであり、更なる工程を負荷することなく、はんだ爆ぜの防止を可能とする構造を有したチップ型電子部品を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明に係るチップ型電子部品は、内部に導電体からなる部分を包含してその一部が外部に露出するセラミックチップ本体と、導電体からなる部分の露出部分と接触して導電性ペーストを焼き付けることによって形成される下地金属層と、下地金属層の上面に形成された第一の金属層と、第一の金属層の上面に形成されてはんだ付けが可能な低温にて溶融可能な第二の金属層とを有し、第一の金属層は、下地金属層が有する空隙から繋がり且つ第一の金属層表面に達する空孔を有さないことを特徴としている。
【００１１】
なお、上述のチップ型電子部品において、第一の金属層は、それぞれ異なる金属からなる複数の層から構成されることとしても良い。また、下地金属層はAg、Ag合金、Ni、Ni合金、Cu、Cu合金の内の少なくとも一つの金属を主たる構成元素として含有することとしても良い。
【００１２】
また、上記課題を解決するために、本発明に係るチップ型電子部品は、内部に導電体からなる部分を包含してその一部が外部に露出するセラミックチップ本体と、導電体からなる部分の露出部分と接触して導電性ペーストを焼き付けることによって形成される下地金属層と、下地金属層の上面に形成された第一の金属層と、第一の金属層の上面に形成されてはんだ付け可能な低温にて溶融可能な第二の金属層とからなり、第一の金属層は、下地金属層の密度が60％以下の際の層厚さが3.5μm〜7.0μm、60％〜70％の際の層厚さが3.0μm〜7.0μm、70％〜80％の際の層厚さが2.5〜7.0μm、80％以上の際の層厚さが2.0〜7.0μmなる条件を満たすことを特徴としている。
【００１３】
なお、上述のチップ型電子部品において、第一の金属層は、NiおよびCuの少なくとも何れかを主たる構成元素として有することが好ましい。あるいは、第一の金属層は、NiおよびCuの少なくとも何れかを主たる構成元素として有する層と、はんだ付けの際の温度にて溶融しない金属を主たる構成として有するその他の層とから構成されることが好ましい。また、下地金属層はAg、Ag合金、Ni、Ni合金、Cu、Cu合金の内の少なくとも一つの金属を主たる構成元素として含有することが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の実施により、チップ型電子部品本体からのメッキ液等の染み出しを効果的に防止することが可能となる。従って、実装時に高温の溶融はんだあるいは溶融状態のSnあるいはSn合金とメッキ液等の接触が防止され、はんだ爆ぜを無くすことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
下地金属層は、通常ガラスフリットを含有した金属ペーストをチップの所定域に塗布した後、これを焼き付けることによって形成している。下地金属層は、これら金属ペーストの組成、塗布条件、焼付け条件にも依存するが、通常空隙等を有しており、その空隙が密度として数十％存在している。本出願人は、メッキ液等がこれら空隙に侵入して実装時まで残存した場合、実装時にチップ等に加えられる熱によってこれらが染み出し、Sn等と接触することではんだ爆ぜが発生することを見出している。
【００１６】
以上の知見に基づいて、本発明の実施の形態においては、チップに対して耐熱性を与えるために形成される金属層の厚さを、下地金属層における空隙の存在状況に応じて変化させて、当該空隙がメッキ金属層の表面まで達しないようにしている。すなわちメッキ金属層表面に空孔が存在しない状態を確立するだけの厚さだけ、メッキ金属層を形成することとしている。これにより、Sn等のはんだとの接合を果たす金属が空隙と分離されることとなり、空隙にメッキ液が存在したとしてもSn等の金属とメッキ液との直接的な接触が防止できる。従って、はんだ爆ぜを防止することが可能となる。
【００１７】
なお、実際にメッキ金属層の最表面に空孔が存在しない状態を得る層厚さは、下地金属層の表面状態、例えば空孔の存在率、表面面粗さ、金属以外の物質の存在率等と密接に関係する。本発明においては、以下の実施例で述べるように、空隙の存在確率である電極密度が、金属層厚さに及ぼす影響が大きい因子であると判断し、当該電極密度に基づいて望ましい金属厚さを規定することとしている。
【００１８】
具体的には、下地金属層の密度が60％以下の際には、当該金属層の厚さを3.5μmより厚くし、60％〜70％の際には層当該金属層の厚さを3.0μmより厚くし、70％〜80％の際には当該金属層の厚さを2.5μmより厚くし、80％以上の際には当該金属層の厚さを2.0μm以上とすることによって、下地金属層から当該金属層表面に繋がる空隙の存在を防止し得る。従って、当該金属層をこの膜厚となるように形成した後にSn等の金属層をメッキによって形成した電子部品は、はんだ付けの際にチップ爆ぜを生じない。
【００１９】
なお、以下の実施例からも明らかなように、当該金属層は、その金属の材質あるいはこれを複数の金属層を用いて形成した場合においても同様の効果が得られる。従って、例えば、十分何耐熱性をチップに与えるために必要な最低の膜厚さでNi層を形成し、その上にはんだ付けの際の温度で溶融しない金属からなる層を形成した場合であっても、この積層膜が前述した条件を満たすことによって同様の効果が得られる。
【００２０】
なお、通常チップに耐熱性を与えるこれら金属層は高い内部応力を有する場合が多く、極端にその膜厚を増加させた場合には下地となるチップ自他の破損も招きかねない。従って、空隙防止の観点から厚くすべき金属層の層厚さではあるが、内部応力上10.0μm以下、Ni等の内部応力の大きい金属の場合は好ましくは7.0μm以下の層厚さとすることが好ましい。
【実施例１】
【００２１】
本実施例においては、Agとガラスフリットとを含有するペーストから下地金属層を形成し、その上に層厚の異なるNiメッキ層を形成し、さらにSn層を形成した後に実際にはんだ付けを行って、はんだ爆ぜの発生頻度を調べた。なお、実際に用いたチップ型電子部品の構成を図１に示す。図１は、チップ型電子部品１の略断面を示している。当該電子部品１は、チップ本体３、その両端部に形成された導電性ペーストを焼き付けることで形成された下地金属層５、その上面に形成された第一の金属層７であるNiメッキ層、およびその上面に形成されてはんだ付けの際に溶融するSn層を有している。なお、チップ本体３は、実際にはその内部に導電体からなる構造体が包含されているが図の簡略化のために本図面中においてはこれを省略することとしている。
【００２２】
表１は、下地金属層５の電極密度が90％の場合について、Niメッキ層７の膜厚と実際にはんだ爆ぜが生じた回数との関係を示している。同表によれば、Niメッキ層の厚さを1.8μm以上、より好ましくは2.0μm以上とすることによってはんだ爆ぜの発生を防止できることがわかる。なお、Niメッキ層はその厚さを増加させることによって当該層の内部応力の影響が顕在化することから、可能であれば層厚さを10.0μm以下、より好ましくは7.0μm以下とするべきであると考えられる。
【００２３】
【表１】
2005109125.tif 000003
【００２４】
表２は、下地金属層５の電極密度が80％の場合について、Niメッキ層７の膜厚と実際にはんだ爆ぜが生じた回数との関係を示している。同表によれば、Niメッキ層の厚さを2.0μm以上とすることによってはんだ爆ぜの発生を防止できることがわかる。なお、Niメッキ層はその厚さを増加させることによって当該層の内部応力の影響が顕在化することから、可能であれば層厚さを10.0μm以下、より好ましくは7.0μm以下とするべきであると考えられる。
【００２５】
【表２】
2005109125.tif 000004
【００２６】
表３は、下地金属層５の電極密度が70％の場合について、Niメッキ層７の膜厚と実際にはんだ爆ぜが生じた回数との関係を示している。同表によれば、Niメッキ層の厚さを3.0μm以上とすることによってはんだ爆ぜの発生を防止できることがわかる。なお、Niメッキ層はその厚さを増加させることによって当該層の内部応力の影響が顕在化することから、可能であれば層厚さを10.0μm以下、より好ましくは7.0μm以下とするべきであると考えられる。
【００２７】
【表３】
2005109125.tif 000005
【００２８】
表４は、下地金属層５の電極密度が60％の場合について、Niメッキ層7の膜厚と実際にはんだ爆ぜが生じた回数との関係を示している。同表によれば、Niメッキ層の厚さを3.0μm以上とすることによってはんだ爆ぜの発生を防止できることがわかる。なお、Niメッキ層はその厚さを増加させることによって当該層の内部応力の影響が顕在化することから、可能であれば層厚さを10.0μm以下、より好ましくは7.0μm以下とするべきであると考えられる。
【００２９】
【表４】
2005109125.tif 000006
【００３０】
図２は、表１〜４をまとめ、Niメッキ層の厚さと爆ぜ不良発生回数との関係をグラフ化したものである。同図によれば、下地金属層の密度に依存して、Ni層厚さの増加に伴って爆ぜ不良発生回数がほぼ同じ傾向で減少していることが理解される。また、同図より、下地金属層の密度が60％以下の際の第一の金属層（Ni層）の層厚さが3.5μm〜7.0μm、60％〜70％の際の層厚さが3.0μm〜7.0μm、70％〜80％の際の層厚さが2.5〜7.0μm、80％以上の際の層厚さが2.0〜7.0μmなる条件を満たすことによって、爆ぜ不良を無くすことが可能となることがわかる。当該条件を満たすことによって、下地金属層に存在する空隙がNi層内の空孔と繋がったとしても、これが当該Ni層の表面まで達していないことがわかる。
【００３１】
なお、本実施例においては、下地金属層としてAgからなる層を用いることとしたが、本発明の効果は下地金属層の金属成分に対する依存性が小さいことが確認されている。従って、下地金属層形成に際して、ガラスフリットと共に金属としてはAg、Ag合金、Ni、Ni合金、Cu、およびCu合金等の少なくとも一つを選択しこれを用いることが可能である。また、Niメッキ層をNi合金からなるメッキ層としても、下地金属層からその表最表面に達する空隙を無くす効果が基本的に変わらないことから、同様の効果が得られている。また、チップに対して耐熱性を与える層の最表面に空孔が存在しなければ、Sn層は、Sn合金層等のはんだと濡れ性のある種々の金属層を用いることが可能である。
【実施例２】
【００３２】
チップに対して耐熱性を付与する金属としてNiあるいはNi合金のほかにCuおよびCu合金も考えられる。そこで、本実施例においては、実施例１におけるNiメッキ層に換えてCuメッキ層を用いることとし、その他を実施例１と同じ条件とした上で、はんだ爆ぜの発生頻度を調べた。なお、当該電子部品の構成は図１に示すものと同一であるため、ここでの記述は省略することとする。
【００３３】
表５は、下地金属層５の電極密度が90％の場合について、第一の金属層であるCuメッキ層７の膜厚と実際にはんだ爆ぜが生じた回数との関係を示している。同表によれば、Cuメッキ層の厚さを2.0μm以上とすることによってはんだ爆ぜの発生を防止できることがわかる。なお、Cuメッキ層は、Niメッキ層と比較してその内部応力は一般的に小さい。しかし、Niメッキ層と同様に内部応力自体は有していることから、その厚さを増加させることによって当該層の内部応力の影響はやはり顕在化する。従って、可能であれば層厚さを10.0μm以下とするべきであると考えられる。
【００３４】
【表５】
2005109125.tif 000007
【００３５】
表６は、下地金属層５の電極密度が80％の場合について、Cuメッキ層７の膜厚と実際にはんだ爆ぜが生じた回数との関係を示している。同表によれば、Cuメッキ層の厚さを2.0μm以上とすることによってはんだ爆ぜの発生を防止できることがわかる。なお、Cuメッキ層もその厚さを増加させることによって当該層の内部応力の影響が顕在化することから、可能であれば層厚さを10.0μm以下とするべきであると考えられる。
【００３６】
【表６】
2005109125.tif 000008
【００３７】
表７は、下地金属層５の電極密度が60％の場合について、Cuメッキ層７の膜厚と実際にはんだ爆ぜが生じた回数との関係を示している。同表によれば、Cuメッキ層の厚さを３.0μm以上とすることによってはんだ爆ぜの発生を防止できることがわかる。なお、Cuメッキ層もその厚さを増加させることによって当該層の内部応力の影響が顕在化することから、可能であれば層厚さを10.0μm以下とするべきであると考えられる。
【００３８】
【表７】
2005109125.tif 000009
【００３９】
図３は、表５〜７をまとめ、Cuメッキ層の厚さと爆ぜ不良発生回数との関係をグラフ化したものである。同図によれば、下地金属層の密度に依存して、Cu層厚さの増加に伴って爆ぜ不良発生回数がほぼ同じ傾向で減少していることが理解される。また、同図より、下地金属層の密度が60％以下の際の第一の金属層（Cu層）の層厚さが3.5μm〜7.0μm、60％〜70％の際の層厚さが3.0μm〜7.0μm、70％〜80％の際の層厚さが2.5〜7.0μm、80％以上の際の層厚さが2.0〜7.0μmなる条件を満たすことによって、爆ぜ不良を無くすことが可能となることがわかる。当該条件を満たすことによって、下地金属層に存在する空隙がCu層内の空孔と繋がったとしても、これが当該Cu層の表面まで達していないことがわかる。
【００４０】
また、同図と図１との比較により、爆ぜ不良発生回数の減少傾向はNi層の場合と類似していると思われる。従って、上述した条件は、第一の金属層がNi、Cu等から構成された場合に限られないと思われる。具体的には、はんだ付けの際に発生するいわゆるはんだ喰われ、チップに対する熱衝撃等を防止し得る金属、すなわちはんだ付けの際の温度で溶融しない金属を第一の金属層として用いる場合に対して、上述の条件を満たすことが必要となると考えられる。
【００４１】
なお、本実施例においては、下地金属層としてAgからなる層を用いることとしたが、本発明の効果は下地金属層の金属成分に対する依存性が小さいことが確認されている。従って、下地金属層形成に際して、ガラスフリットと共に金属としてはAg、Ag合金、Ni、Ni合金、Cu、およびCu合金等の少なくとも一つを選択しこれを用いることが可能である。また、Cuメッキ層をCu合金からなるメッキ層としても、下地金属層からその表最表面に達する空隙を無くす効果が基本的に変わらないことから、同様の効果が得られている。また、チップに対して耐熱性を与える層の最表面に空孔が存在しなければ、Sn層は、Sn合金層等のはんだと濡れ性のある種々の金属層を用いることが可能である。
【実施例３】
【００４２】
チップに対して耐熱性を付与する金属としてNi、Cuおよびこれらの合金等単一の金属等から形成する場合の他に、複数の金属層を積層して当該金属層を形成する場合も考えられる。そこで、本実施例においては、実施例１におけるNiメッキ層に換えてNiメッキ層とCuメッキ層とを積層したものを用いることとし、その他を実施例１と同じ条件とした上で、はんだ爆ぜの発生頻度を調べた。図４は、本実施例におけるチップ型電子部品１の略断面を示している。当該電子部品１は、チップ本体３、その両端部に形成された導電性ペーストを焼き付けることで形成された下地金属層５ａ、その上面に形成された第一の金属層７であるNiメッキ層７ａとCuメッキ層７ｂ、およびその上面に形成されてはんだ付けの際に溶融するSn層を有している。なお、チップ本体３は、実際にはその内部に導電体からなる構造体が包含されているが図の簡略化のために本図面中においてはこれを省略することとしている。
【００４３】
表８は、下地金属層５の電極密度が90％の場合について、Niメッキ層７ａの膜厚およびCuメッキ層の膜厚７ｂと実際にはんだ爆ぜが生じた回数との関係を示している。同表によれば、この積層メッキ層の厚さを2.0μm以上とすることによってはんだ爆ぜの発生を防止できることがわかる。なお、各メッキ層は、各々内部応力を有していることから、その厚さを増加させることによって当該層の内部応力の影響がやはり顕在化する。従って、可能であれば積層メッキ層の厚さを10.0μm以下とするべきであると考えられる。
【００４４】
【表８】
2005109125.tif 000010
【００４５】
表９は、下地金属層５の電極密度が80％の場合について、積層メッキ層７の膜厚と実際にはんだ爆ぜが生じた回数との関係を示している。同表によれば、積層メッキ層の厚さを2.0μm以上とすることによってはんだ爆ぜの発生を防止できることがわかる。なお、積層メッキ層もその厚さを増加させることによって当該層の内部応力の影響が顕在化することから、可能であれば層厚さを10.0μm以下とするべきであると考えられる。
【００４６】
【表９】
2005109125.tif 000011
【００４７】
表１０は、下地金属層５の電極密度が60％の場合について、積層メッキ層７の膜厚と実際にはんだ爆ぜが生じた回数との関係を示している。同表によれば、積層メッキ層の厚さを3.0μm以上とすることによってはんだ爆ぜの発生を防止できることがわかる。なお、積層メッキ層もその厚さを増加させることによって当該層の内部応力の影響が顕在化することから、可能であれば層厚さを10.0μm以下とするべきであると考えられる。
【００４８】
【表１０】
2005109125.tif 000012
【００４９】
図５は、表８をまとめ、積層メッキ層の厚さと爆ぜ不良発生回数との関係をグラフ化したものである。同図によれば、下地金属層の密度に依存して、積層メッキ層厚さの増加に伴って爆ぜ不良発生回数がほぼ同じ傾向で減少していることが理解される。また、同図より、下地金属層の密度が60％以下の際の第一の金属層（積層メッキ層）の層厚さが3.5μm〜7.0μm、60％〜70％の際の層厚さが3.0μm〜7.0μm、70％〜80％の際の層厚さが2.5〜7.0μm、80％以上の際の層厚さが2.0〜7.0μmなる条件を満たすことによって、爆ぜ不良を無くすことが可能となることがわかる。当該条件を満たすことによって、下地金属層に存在する空隙が積層メッキ層内の空孔と繋がったとしても、これが当該メッキ層の表面まで達していないことがわかる。
【００５０】
また、同図と図１等との比較により、爆ぜ不良発生回数の減少傾向はNi層の場合と類似していると思われる。従って、上述した条件は、第一の金属層が単一の層から構成された場合に限られないと思われる。具体的には、はんだ付けの際に発生するいわゆるはんだ喰われ、チップに対する熱衝撃等を防止し得る複数種類の金属を用途に応じて異なる層として形成し、これらを第一の金属層として用いる場合に対して、上述の条件を満たすことが必要となると考えられる。
【００５１】
また、本実施例においてはNi層、Cu層の順序で積層することとしたが、その積層順を入れ替えても、上述の条件を満たすことで同様の効果が得られると考えられる。従って、例えば耐熱性を得る最低限の膜厚にてNi層を形成し、その上にはんだ喰われを防止するためのはんだ付けの際の温度にて溶解しない金属からなる層を形成し、これらを積層して得られる層の厚さが上述した条件を満たすこととしても良い。
【００５２】
なお、本実施例においては、下地金属層としてAgからなる層を用いることとしたが、本発明の効果は下地金属層の金属成分に対する依存性が小さいことが確認されている。従って、下地金属層形成に際して、ガラスフリットと共に金属としてはAg、Ag合金、Ni、Ni合金、Cu、およびCu合金等の少なくとも一つを選択しこれを用いることが可能である。また、NiおよびCuメッキ層を各々合金からなるメッキ層としても、下地金属層からその表最表面に達する空隙を無くす効果が基本的に変わらないことから、同様の効果が得られている。また、チップに対して耐熱性を与える層の最表面に空孔が存在しなければ、Sn層は、Sn合金層等のはんだと濡れ性のある種々の金属層を用いることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
なお、上述の実施の形態等においては、本発明はチップ型電子部品の端部電極をその適用例として述べている。しかしながら、本発明の実施の形態は端部電極に限定されるべきでなく、導電性ペーストを焼付けすることで得られる下自伝金属層上にメッキ層を形成する種々の場合、例えば電子部品の側面中央等、電子部品の任意の位置に電極部を形成する場合にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施例１に係るチップ型電子部品についてその断面概略を示す図である。
【図２】Ni層の厚さとはんだ爆ぜの発生頻度との関係を示す図である。
【図３】Cu層の厚さとはんだ爆ぜの発生頻度との関係を示す図である。
【図４】本発明の実施例３に係るチップ型電子部品についてその断面概略を示す図である。
【図５】Ni層およびCu層の積層層の厚さとはんだ爆ぜの発生頻度との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
１：チップ型電子部品
３：チップ本体
５：下地金属層
７：第一の金属層
９：第二の金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
2005109125.tif 000015
【図４】
2005109125.tif 000016
【図５】
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