(57)【要約】【課題】送信信号の受信回路側へ漏洩する漏洩信号を抑制して受信回路の誤作動を有効に防止することができる高周波スイッチ回路及びそれを用いた小型化な高周波スイッチ部品を提供する。【解決手段】送信端子Ｔｘと受信端子Ｒｘとの間に、送信信号の位相を変化させて変換信号を生成する位相変換用コンデンサＣ５を接続するとともに、ストリップラインＳＬにインピーダンス補正用コンデンサＣ６を並列接続し、前記位相変換用コンデンサＣ５より出力した前記変換信号をアンテナ端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に漏洩する送信信号の漏洩信号と合成するようにした。【選択図】図１
2005136658.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナに接続されるアンテナ端子と送信回路に接続される送信端子との間に第１のスイッチングダイオードからなる第１スイッチ手段を、前記アンテナ端子と受信回路に接続される受信端子との間に、ストリップラインと該ストリップラインの受信端子側端部とグランド電位との間に接続された第２のスイッチングダイオードとからなる第２スイッチ手段を設けてなり、
前記第１、第２スイッチ手段のオン・オフを制御し、アンテナ−送信回路間の接続とアンテナ−受信回路間の接続とを切り替えることによって送信信号・受信信号を交互に送受信する高周波スイッチ回路において、
前記送信端子と前記受信端子との間に、送信信号の位相を変化させて変換信号を生成する位相変換用コンデンサを接続するとともに、前記ストリップラインにインピーダンス補正用コンデンサを並列接続し、前記位相変換用コンデンサより出力した前記変換信号をアンテナ端子と受信端子との間に漏洩する送信信号の漏洩信号と合成するようにしたことを特徴とする高周波スイッチ回路。
【請求項２】
前記位相変換用コンデンサは、送信信号のレベルを変化させた変換信号を出力するとともに、該変換信号が前記漏洩信号と合成されることにより、漏洩信号の信号レベルを低減せしめることを特徴とする請求項１に記載の高周波スイッチ回路。
【請求項３】
前記位相変換用コンデンサは、第２スイッチ手段を介して、受信端子に接続することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の高周波スイッチ回路。
【請求項４】
前記位相変換用コンデンサが、第２スイッチ手段を介して受信端子に接続する高周波スイッチ回路であって、
前記位相変換用コンデンサの一端が前記第１のスイッチングダイオードと前記送信端子との間に接続され、他端が前記第２のスイッチングダイオードとグランド電位との間に接続されることを特徴とする請求項３に記載の高周波スイッチ回路。
【請求項５】
前記位相変換用コンデンサと受信端子との間には、受信信号を遮断する遮断手段を備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の高周波スイッチ回路。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の高周波スイッチ回路を、複数の誘電体層を積層して成る積層体に設けてなり、前記第１のスイッチングダイオードが形成された第１の半導体チップ及び第２のスイッチングダイオードが形成された第２の半導体チップを前記積層体の上面に設けた電極パッド上に搭載するようにした高周波スイッチ部品であって、
前記位相変換用コンデンサが、前記第１の半導体チップのカソード側電極パッドと前記第２の半導体チップのアノード側電極パッドとの間に発生する浮遊容量により形成されるとともに、前記インピーダンス補正用コンデンサが前記第１の半導体チップのアノード側電極パッドと前記第２の半導体チップのカソード側電極パッドとの間に発生する浮遊容量により形成されることを特徴とする高周波スイッチ部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話等の通信機器に組み込まれ、信号経路の切り替えを行うのに用いられる高周波スイッチ回路及びそれを用いた高周波スイッチ部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、高周波スイッチ回路は、通信機器等において送信信号及び受信信号の送受信を交互に切り替えるために用いられている。
【０００３】
図６は従来の高周波スイッチ回路の一例を示す等価回路図である。同図に示す高周波スイッチ回路は、アンテナ端子Ａｎｔ、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘを備えており、前記送信端子Ｔｘとアンテナ端子Ａｎｔとの間に第１のスイッチングダイオードＤ１を、前記受信端子Ｒｘとアンテナ端子Ａｎｔとの間に、ストリップラインＳＬを接続するとともに、前記ストリップラインＳＬの受信端子Ｒｘ側端部とグランド電位との間に第２のスイッチングダイオードＤ２を接続した構造となっている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
以下に、上述した高周波スイッチ回路を用いて送信信号と受信信号の送受信を切り替える際の回路動作について説明する。
【０００５】
まず、送信信号の送信時には、制御端子Ｖｃから第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２に対して順バイアス（制御端子Ｖｃからの制御信号がハイレベル）をかけ、第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２をオンにする。このとき第１のスイッチングダイオードＤ１がオンになることで、送信端子Ｔｘを介して入力された送信信号はアンテナ端子Ａｎｔに流れる。一方、第２のスイッチングダイオードＤ２がオンになることで、ストリップラインＳＬがスイッチングダイオードＤ２を介してグランドに接地され、ストリップラインＳＬの長さを送信信号の１／４波長の長さに設定しておくことにより、ストリップラインＳＬが送信信号の通信周波数で共振する。その結果、ストリップラインＳＬのインピーダンスは極大となり、送信信号の受信端子Ｒｘ側への侵入を阻止するように作用する。
【０００６】
また、受信信号の受信時には、制御端子Ｖｃに制御電圧が印加されず（制御端子Ｖｃからの制御信号がローレベル）、第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２は共にオフとなる。従って、アンテナ端子Ａｎｔより入力された受信信号は送信端子Ｔｘ側には流れずにストリップラインＳＬを通過して受信端子Ｒｘ側へ流れる。
【０００７】
このように、制御端子Ｖｃからの制御電圧によりスイッチングイオードＤ１、Ｄ２のオン・オフを制御するとともに、ストリップラインＳＬをグランド電位に短絡させた際の共振を利用することにより送信信号と受信信号の送受信が切り替えられる。
【０００８】
次に上述した高周波スイッチ回路を備えた従来の高周波スイッチ部品の構造について説明する。
【０００９】
図７は従来の高周波スイッチ部品の概観斜視図である。同図に示す高周波スイッチ部品は、複数の誘電体層を積層して成る積層体５１の上面に、電極パッドを介して各種チップ部品を搭載するとともに、積層体５１の内部に内部導体層を形成し、これらをビアホール導体等を介して接続することにより、図６に示す高周波スイッチ回路が構成される。具体的には、半導体チップ５２、５３により第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２が形成され、チップインダクタ５４によりコイルＬが形成され、チップ抵抗５５により抵抗Ｒが形成され、チップコンデンサ５５〜５７によりコンデンサＣ１〜Ｃ３が形成されている。
【００１０】
ところで、前記第１の半導体チップ５２が搭載される電極パッドと第２の半導体チップ５３が搭載される電極パッドとは、充分に離間した状態で配置されている。これは、第１の半導体チップ５２が搭載される電極パッドと第２の半導体チップが搭載される電極パッドとを離間させて、両電極パッド間で発生する浮遊容量を極力抑えることにより、高周波スイッチ回路の電気的特性が浮遊容量によって劣化するのを防止するためである。
【００１１】
一方、積層体５１の内部に形成されている内部電極層はコンデンサ電極とストリップライン導体とからなり、コンデンサ電極が間に誘電体層を挟んで積層体５１の下面に形成されたグランド端子電極と対向配置することによりコンデンサＣ４が形成される。また前記ストリップライン導体が送信信号の１／４波長分の長さに設定されてストリップラインＳＬが形成されている。
【特許文献１】特開平６−１９７０４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上述した従来の高周波スイッチ回路においては、第２のスイッチングダイオードＤ２に若干の抵抗成分が存在しており、送信時に、ストリップラインＳＬのインピーダンスを無限大となすことはできないことから、送信信号の漏洩を完全に阻止することは不可能であった。そのため、送信信号が受信端子Ｒｘ側へ漏洩してしまい、その信号レベルが強い場合、漏洩信号が受信端子Ｒｘを介して外部の受信回路内に入り込むことによって、受信回路の誤作動が誘発されるという欠点を有していた。
【００１３】
また、上述した従来の高周波スイッチ回路を携帯電話機等のフロントエンドモジュールとして用いた場合には、上記漏洩信号が受信端子Ｒｘ側に侵入し、そのような不要信号が音に変換されてしまうと通話品質の低下を招来する欠点も有していた。
【００１４】
更に上述した従来の高周波スイッチ回路は、ストリップラインＳＬの長さを送信信号の波長の１／４波長分の長さとする必要があるため、ストリップラインＳＬを形成するためのストリップライン導体が大きな実装面積を有することとなり、このような高周波スイッチ回路を備えた高周波スイッチ部品の小型化の妨げとなっていた。
【００１５】
また上述した従来の高周波スイッチ部品は、第１の半導体チップ５２が搭載される電極パッドと第２の半導体チップ５３が搭載される電極パッドとを充分に離間させた状態で配置させる必要があるため、積層体上面のチップ部品の実装面積が大きくなり、これも高周波スイッチ部品の小型化を妨げる要因となっていた。
【００１６】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、漏洩信号を有効に低減せしめ、受信回路を正確に動作させることができる高周波スイッチ回路及びそれを用いた小型な高周波スイッチ部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の高周波スイッチ回路は、アンテナに接続されるアンテナ端子と送信回路に接続される送信端子との間に第１のスイッチングダイオードからなる第１スイッチ手段を、前記アンテナ端子と受信回路に接続される受信端子との間に、ストリップラインと該ストリップラインの受信端子側端部とグランド電位との間に接続された第２のスイッチングダイオードとからなる第２スイッチ手段を設けてなり、前記第１、第２スイッチ手段のオン・オフを制御し、アンテナ−送信回路間の接続とアンテナ−受信回路間の接続とを切り替えることによって送信信号・受信信号を交互に送受信する高周波スイッチ回路において、前記送信端子と前記受信端子との間に、送信信号の位相を変化させて変換信号を生成する位相変換用コンデンサを接続するとともに、前記ストリップラインにインピーダンス補正用コンデンサを並列接続し、前記位相変換用コンデンサより出力した前記変換信号をアンテナ端子と受信端子との間に漏洩する送信信号の漏洩信号と合成するようにしたことを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の高周波スイッチ回路は、前記位相変換用コンデンサが送信信号のレベルを変化させた変換信号を出力するとともに、該変換信号が前記漏洩信号と合成されることにより、漏洩信号の信号レベルを低減せしめることを特徴とするものである。
【００１９】
更に、本発明の高周波スイッチ回路は、前記位相変換用コンデンサが、第２スイッチ手段を介して、受信端子に接続することを特徴とするものである。
【００２０】
また更に、本発明の高周波スイッチ回路は、前記位相変換用コンデンサが、第２スイッチ手段を介して受信端子に接続する高周波スイッチ回路であって、前記位相変換用コンデンサの一端が前記第１のスイッチングダイオードと前記送信端子との間に接続され、他端が前記第２のスイッチングダイオードとグランド電位との間に接続されることを特徴とするものである。
【００２１】
更にまた、本発明の高周波スイッチ回路は、前記位相変換用コンデンサと受信端子との間に受信信号を遮断する遮断手段を備えていることを特徴とするものである。
【００２２】
また更に、本発明の高周波スイッチ部品は、複数の誘電体層を積層して成る積層体に前記高周波スイッチ回路を設けてなり、前記第１のスイッチングダイオードが形成された第１の半導体チップ及び第２のスイッチングダイオードが形成された第２の半導体チップを前記積層体の上面に設けた電極パッド上に搭載するようにした高周波スイッチ部品であって、前記位相変換用コンデンサが、前記第１の半導体チップのカソード側電極パッドと前記第２の半導体チップのアノード側電極パッドとの間に発生する浮遊容量により形成されるとともに、前記インピーダンス補正用コンデンサが前記第１の半導体チップのアノード側電極パッドと前記第２の半導体チップのカソード側電極パッドとの間に発生する浮遊容量により形成されることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の高周波スイッチ回路によれば、送信端子と受信端子との間に、送信信号の位相、及び送信信号のレベルを変化させた変換信号を生成するための位相変換用コンデンサを接続し、該位相変換用コンデンサより出力した変換信号を第２スイッチ手段よりも受信端子側で、アンテナ端子と受信端子間に漏洩する送信信号の漏洩信号と合成するようにしたことから、漏洩信号と変換信号とが打ち消し合うことにより、受信端子を介して外部の受信回路に侵入する漏洩信号の信号レベルを低減させることができる。これにより、漏洩信号に起因した受信回路の誤作動を有効に防止して受信回路を正確に動作させることが可能となる。
【００２４】
また、本発明の高周波スイッチ回路を携帯電話機のフロントエンドモジュールに用いる場合には、漏洩信号が音に変換される際にその影響が殆どない程度にまで漏洩信号の信号レベルを低減させることができ、携帯電話機の通話品質を向上させることが可能となる。
【００２５】
更に、本発明の高周波スイッチ回路によれば、ストリップラインと並列にインピーダンス補正用コンデンサを接続したことから、ストリップラインのインダクタンス成分とインピーダンス補正用コンデンサの容量成分との並列共振によりアンテナ端子からストリップラインをみたときのインピーダンスを極大になすことができる。これによりストリップラインの長さを入力信号の１／４波長の長さよりも短く設定することが可能となり、このような高周波スイッチ回路を有した高周波スイッチ部品を小型化することができるようになる。
【００２６】
そして、本発明の高周波スイッチ部品によれば、前記位相変換用コンデンサが前記第１の半導体チップのカソード側電極パッドと前記第２の半導体チップのアノード側電極パッドとの間に発生する浮遊容量により形成されるとともに、前記インピーダンス補正用コンデンサが前記第１の半導体チップのアノード側電極パッドと前記第２の半導体チップのカソード側電極パッドとの間に発生する浮遊容量により形成されている。
【００２７】
すなわち、従来は第１の半導体チップが搭載される電極パッドと第２の半導体チップが搭載される電極パッドとの間で発生する浮遊容量が高周波スイッチ回路の電気的特性に影響を及ぼさないようにするために、両電極パッドを離間させる必要があったが、これとは逆に本発明の高周波スイッチ部品は、両電極パッド間で発生する浮遊容量を利用して高周波スイッチ回路の一部を構成するようにしたものである。従って、第１の半導体チップが搭載される電極パッドと第２の半導体チップが搭載される電極パッドとの間で充分な浮遊容量が得られるように、両電極パッドを近接配置させる必要がある。これによって、積層体上面に搭載されるチップ部品の実装面積が小さくなり、高周波スイッチ部品を小型化することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００２９】
図１は本発明の高周波スイッチ回路をＧＳＭ（Global System for Mobile Communication）通信方式（送信周波数帯域：８８０〜９１５ＭＨｚ、受信周波数帯域：９２５〜９６０ＭＨｚ）用の高周波スイッチ回路に適用した実施形態を示す等価回路図であり、同図に示す高周波スイッチ回路は、概略的に、アンテナ端子Ａｎｔ−送信端子Ｔｘ間に接続される第１スイッチ手段ＳＷ１と、アンテナ端子Ａｎｔ−受信端子Ｒｘ間に接続される第２スイッチ手段ＳＷ２と、送信端子Ｔｘ−受信端子Ｒｘ間に接続される位相変換用コンデンサＣ５とで構成されている。
【００３０】
第１スイッチ手段ＳＷ１は、第１のスイッチングダイオードＤ１から成り、そのカソードはコンデンサＣ３を介して送信端子Ｔｘに接続され、また、アノードはコンデンサＣ１を介してアンテナ端子Ａｎｔに接続される。ここで、第１のスイッチングダイオードＤ１の高周波順抵抗は例えば１．０Ω、またコンデンサＣ１、Ｃ３の容量は例えば１００ｐＦ、コイルＬのインダクタンスは例えば１００ｎＨに設定される。
【００３１】
この第１スイッチ手段ＳＷ１は、制御端子Ｖｃを介して入力される制御信号によってスイッチング動作が制御される。即ち、送信時に制御信号がハイレベルになると第１スイッチ手段がオン状態となり、アンテナ端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとが電気的に接続される。また、受信時に制御信号がローレベルになると第１スイッチ手段はオフ状態となり、アンテナ端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとを電気的に遮断する。
【００３２】
一方、第２スイッチ手段ＳＷ２は、受信端子Ｒｘとアンテナ端子Ａｎｔとの間に接続されるストリップラインＳＬ、該ストリップラインＳＬの受信端子Ｒｘ側端部とグランド電位ＧＮＤとの間に接続される第２のスイッチングダイオードＤ２及び前記ストリップラインＳＬに並列接続されるインピーダンス補正用コンデンサＣ６を組み合わせて成り、第２スイッチングダイオードＤ２のカソードはコンデンサＣ２を介して受信端子Ｒｘに接続され、そのアノードはコンデンサＣ４を介してグランド電位ＧＮＤに接続される。第２のスイッチングダイオードＤ２の高周波順抵抗は例えば１．０Ω、またコンデンサＣ２の容量は例えば１００ｐＦ、コンデンサＣ４の容量は例えば２２ｐＦに設定される。
【００３３】
この第２スイッチ手段ＳＷ２は、先に述べた制御信号によって第１スイッチ手段ＳＷ１のオン・オフ状態とは逆の状態になるよう制御される。即ち、送信時に制御信号がハイレベルになると第２スイッチ手段がオフ状態となり、アンテナ端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとを電気的に遮断する。また、受信時に制御信号がローレベルになると第２スイッチ手段がオン状態となり、アンテナ端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとが電気的に接続される。
【００３４】
このように、制御信号がハイレベルのときは第１スイッチ手段ＳＷ１がオン、第２スイッチ手段ＳＷ２がオフ状態となり、制御信号がローレベルのときは第１スイッチ手段ＳＷ１がオフ、第２スイッチ手段ＳＷ２がオン状態となる。
【００３５】
そして、前記位相変換用コンデンサＣ５の一方の端子は第１のスイッチングダイオードＤ１と送信端子Ｔｘとの間に接続され、他方の端子は第２のスイッチングダイオードＤ２とグランド電位ＧＮＤとの間に接続される。
【００３６】
かかる位相変換用コンデンサＣ５には、送信端子Ｔｘを介して入力される送信信号が第１スイッチ手段ＳＷ１に伝播するのと同じタイミング、同じ強さで入力されるようになっており、該位相変換用コンデンサＣ５は送信時、位相変換用コンデンサＣ５に入力される送信信号の位相を変換させるとともに、その信号レベルを減衰させた変換信号を生成し、これを第２のスイッチングダイオードＤ２を介して接続点Ｂに送り出す作用を為す。従って、第２スイッチ手段ＳＷ２を介して受信端子Ｒｘ側へ漏洩する送信信号の漏洩信号を打ち消すように変換信号の位相及び信号レベルを設定しておくことにより、漏洩信号と変換信号とを合成して、外部の受信回路に侵入する漏洩信号の信号レベルを有効に低減させることができ、漏洩信号に起因する受信回路の誤動作を有効に抑えることが可能となる。
【００３７】
また、この高周波スイッチ回路を携帯電話機のフロントエンドモジュールとして用いる場合には、漏洩信号が音に変換される際にその影響が殆どない程度まで漏洩信号の信号レベルを低減させることができ、携帯電話機の通話品質を向上させることが可能となる。
【００３８】
このような位相変換用コンデンサＣ５の容量は、次のようにして決定される。
【００３９】
まず、位相変換用コンデンサＣ５が接続されていない高周波スイッチ回路における漏洩信号の信号レベルを測定する。次に、この高周波スイッチ回路に位相変換用コンデンサＣ５を接続し、漏洩信号の信号レベルを測定しながら位相変換用コンデンサＣ５の容量をパラメータとして変化させていく。そして、漏洩信号の信号レベルが最も低減したときの位相変換用コンデンサＣ５の容量が本発明の高周波スイッチ回路における位相変換用コンデンサＣ５の最適容量として決定される。このようにして容量を決定した位相変換用コンデンサＣ５が、漏洩信号を打ち消すような変換信号を生成する。例えば、本実施形態においては、第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２の高周波順抵抗が１．０Ω、コンデンサＣ１〜Ｃ３の容量がそれぞれ１００ｐＦ、コンデンサＣ４の容量が２２ｐＦ、コイルＬのインダクタンスが１００ｎＨのとき、コンデンサＣ５の最適容量を０．５ｐＦと決定した。
【００４０】
次に、上述した高周波スイッチ回路１を用いて送信信号と受信信号の送受信を切り替える際の回路動作について説明する。
【００４１】
送信端子Ｔｘからアンテナ端子Ａｎｔに送信信号を送る場合は、制御端子Ｖｃから第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２に対して順バイアスの電圧となる制御信号を供給し、第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２をオンにする。第１のスイッチングダイオードＤ１がオンになることで、送信端子Ｔｘ−アンテナ端子Ａｎｔ間が電気的に接続され、送信端子Ｔｘを介して入力した送信信号がアンテナ端子Ａｎｔ側に送られる。
【００４２】
このとき、送信信号は位相変換用コンデンサにも入力され、該位相変換用コンデンサにおいて送信信号の位相を変位させるとともに、漏洩信号と同レベルまで減衰してなる変換信号が生成される。この変換信号が第２のスイッチングダイオードＤ２を経由してストリップラインの受信端子側の接続点Ｂに送り出されると、受信端子Ｒｘ側へ漏洩する送信信号の漏洩信号と合成され、両信号が打ち消し合うことによって外部の受信回路に侵入する漏洩信号の信号レベルが有効に低減される。
【００４３】
尚、漏洩信号が発生するメカニズムは上述したように、第２のスイッチングダイオードＤ２に若干の抵抗成分が存在し、送信時にストリップラインＳＬのインピーダンスを無限大となすことはできないからである。
【００４４】
一方、アンテナ端子Ａｎｔで受信した受信信号を受信端子Ｒｘを介して受信回路に送る場合は、第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２にこれらスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２をオフとする制御信号（電圧を印加した場合も含む）を制御端子Ｖｃを介して供給し、第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２をオフにする。第２のスイッチングダイオードがオフになることでストリップラインＳＬが単なる伝送路として作用するとともに、インピーダンス補正用コンデンサＣ６によりインピーダンスを補正する。そしてアンテナ端子Ａｎｔ−受信端子Ｒｘ間が電気的に接続され、アンテナ端子Ａｎｔを介して入力される受信信号は受信端子Ｒｘ側に送り出される。また、第１のスイッチングダイオードＤ１がオフになることでアンテナ端子Ａｎｔ−送信端子Ｔｘ間は電気的に遮断され、受信信号は送信端子Ｔｘ側には流れない。このとき、位相変換用コンデンサＣ５の一方の端子は第２のスイッチングダイオードＤ２のアノード側に接続されているため、受信信号が位相変換用コンデンサＣ５を介して送信端子Ｔｘ側に漏洩することはない。
【００４５】
かくして上述した本実施形態の高周波スイッチ回路１は、外部からの制御信号により第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２のオン・オフを高速で切り換えながら、ストリップラインＳＬがグランド電位ＧＮＤに短絡するときの共振を利用して送信信号と受信信号の送受信の切り替えることによって高周波スイッチ回路として機能する。
【００４６】
次に、上述した高周波スイッチ回路を備えた高周波スイッチ部品について図２、図３を用いて説明する。
【００４７】
図２は本発明の一実施形態に係る高周波スイッチ部品の外観斜視図であり、同図に示す高周波スイッチ部品は、誘電体からなる積層体１に各種チップ部品や内部電極層等から構成される高周波スイッチ回路を形成している。
【００４８】
前記積層体１の上面には電極パッドが形成されており、電極パッド上には、第１のスイッチングダイオードＤ１を構成する第１の半導体チップ２、第２のスイッチングダイオードＤ２を構成する半導体チップ３、コイルＬを構成するチップインダクタ４、抵抗Ｒを構成するチップ抵抗５、コンデンサＣ１〜Ｃ３を構成するチップコンデンサ６〜８が搭載されている。（以下半導体チップ２、３、チップインダクタ４、チップ抵抗５、チップコンデンサ６〜８を総称するときには単にチップ部品と呼ぶ。）
上述したチップ部品が搭載される電極パッドのパターン図を図３の（ａ）に示す。これらの電極パッドは各チップ部品の端子と１対１に対応するように対をなして形成されている。すなわち、電極パッド９には第１の半導体チップ２が搭載され、電極パッド１０には第２の半導体チップ３が搭載され、電極パッド１１にはチップインダクタ４が搭載され、電極パッド１２にはチップ抵抗５が搭載され、電極パッド１３、１４、１５にはそれぞれチップコンデンサ６、７、８が搭載されるようになっている。
【００４９】
前記第１の半導体チップ２が搭載される電極パッド９及び第２の半導体チップ３が搭載される電極パッド１０は積層体１の上面の中央付近に近接して配置されている。さらに、第１の半導体チップ２が搭載される電極パッド９のカソード側電極パッド９ａと第２の半導体チップ３が搭載される電極パッド１０のアノード側電極パッド１０ｂとが隣接するようにして配置されるとともに、第１の半導体チップ２が搭載される電極パッド９のアノード側電極パッド９ｂと第２の半導体チップ３が搭載される電極パッド１０のカソード側電極パッド１０ａとが隣接するようにして配置されている。
【００５０】
このようにして両半導体チップ２、３が搭載される電極パッド９、１０を配置させることにより、第１の半導体チップ２のカソード側電極パッド９ａと第２の半導体チップ３のアノード側電極パッド１０ｂとの間に浮遊容量を発生させ、この浮遊容量により位相変換用コンデンサＣ５を形成するとともに、第１の半導体チップ２のアノード側電極パッド９ｂと第２の半導体チップ３のカソード側１０ａとの間に浮遊容量を発生させ、この浮遊容量によりインピーダンス補正用コンデンサＣ６を形成している。
【００５１】
従って、従来は第１の半導体チップ２が搭載される電極パッド９と第２の半導体チップ３が搭載される電極パッド１０との間で発生する浮遊容量を極力小さくするために、両電極パッド９、１０を離間させて配置していたが、これとは逆に、本発明の高周波スイッチ部品では上述のように両電極パッド９、１０を近接配置させ、両電極パッド９、１０間で発生する浮遊容量を利用して高周波スイッチ回路を構成している。これによって、両電極パッド９、１０間の距離を狭めることができ、高周波スイッチ部品を小型化することが可能となる。
【００５２】
尚、前記位相変換用コンデンサＣ５及びインピーダンス補正用コンデンサＣ６の容量値は、電極パッド９と電極パッド１０との間の距離、電極パッドの大きさ等を変えることにより任意に設定できる。
【００５３】
一方、積層体１の内部には図３（ｂ）に示すごとく内部電極層２０、２１が形成されている。内部電極層２１は、蛇行状のパターンをなしてストリップラインＳＬを形成している。
【００５４】
また、積層体１の下面には図３（ｃ）に示す如く端子電極が形成されている。端子電極３０はＡｎｔ端子、端子電極３１はＴｘ端子、端子電極３２はＲｘ端子、端子電極３３はグランド端子、端子電極３４はＶｃ端子を構成している。グランド端子を構成している端子電極３３は、前記内部電極層２０と間に誘電体層を介して対向することにより、コンデンサＣ４を形成している。
【００５５】
そして、上述した電極パッド、内部電極層、端子電極をビアホール導体を介して接続することにより、図１に示す高周波スイッチ回路が形成されている。
【００５６】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００５７】
例えば上述の実施形態においては、位相変換用コンデンサＣ５の一端を第２のスイッチングダイオードＤ２のアノード側に接続することにより、受信時、受信信号がコンデンサＣ５を介して送信端子Ｔｘに流れないようにしたが、これに代えて、受信端子Ｒｘと変換回路との間に、送信信号の周波数帯域のみを通過させるバンドパスフィルタＢＰＦを接続して、受信時、受信信号が送信端子Ｔｘ側に流れないようにしてもよい。このようなバンドパスフィルタＢＰＦとしては、例えば、図４の等価回路図に示すように、２つのＬＣ共振回路を並列に接続したものが好適に用いられる。
【００５８】
また上述の実施形態においては、１つの半導体チップに１つのスイッチングダイオードを内蔵したものを用いたが、これに代えて図５に示す如く、１つの半導体チップに２つのスイッチングダイオードを内蔵したものを用いてもよい。このように２個入りの半導体チップを用いれば、チップ部品の搭載工程を１つ減らすことができるので、高周波スイッチ部品の生産性を向上させることができる。
【００５９】
更にまた、上述の実施形態においては、本発明の高周波スイッチ回路をＤＣＳ通信方式の通信機器に用いられる回路の一例として説明したが、他の時分割接続の通信方式、例えばＤＣＳ(Digital Communication System)通信方式やＰＣＳ（Personal Communication System）通信方式の通信機器に用いられる回路として適用してもよいことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の一実施形態に係る高周波スイッチ回路の等価回路図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る高周波スイッチ部品の外観斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る高周波スイッチ部品の（ａ）電極パッドのパターン図、（ｂ）内部電極層のパターン図、（ｃ）端子電極のパターン図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る高周波スイッチ回路の等価回路図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る高周波スイッチ部品の外観斜視図である。
【図６】従来の高周波スイッチ回路の一例を示す等価回路図である。
【図７】従来の高周波スイッチ部品の外観斜視図である
【符号の説明】
【００６１】
Ｔｘ・・・送信端子
Ｒｘ・・・受信端子
Ａｎｔ・・・アンテナ端子
ＳＷ１・・・第１スイッチ手段
ＳＷ２・・・第２スイッチ手段
Ｖｃ・・・制御端子
Ｄ１・・・第１のスイッチングダイオード
Ｄ２・・・第２のスイッチングダイオード
ＳＬ・・・ストリップライン
Ｒ・・・抵抗
Ｌ・・・コイル
Ｃ５・・・位相変換用コンデンサ
Ｃ６・・・インピーダンス補正用コンデンサ
１・・・積層体
２・・・第１の半導体チップ
３・・・第２の半導体チップ
４・・・チップインダクタ
５・・・チップ抵抗
６〜８・・・チップコンデンサ
９〜１５・・・電極パッド
２０、２１・・・内部電極層
３０〜３４・・・端子電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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