(57)【要約】【課題】外部リードから放射される不要波を低減し、外部リード間のアイソレーション特性を向上させた高周波回路装置を提供する。【解決手段】高周波回路部品と、高周波回路部品の外部リードに接続されている複数の外付部品とを有する高周波回路装置に関し、高周波回路の外部リードとして第１および第２の外部リード１０，２０を有し、第１および第２の外部リード１０，２０間に、高周波回路部品の信号経路に接続されていない第３の外部リード３０を１つの回路部品として構成され、第１の外部リード１０から第２の外部リード２０に放射される不要波を吸収する回路特性の放射波吸収回路１００が設けられている。【選択図】図４
2005136337.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波回路部品と、前記高周波回路部品の外部リードに接続されている複数の外付部品とを有する高周波回路装置に関し、
前記高周波回路の外部リードが第１および第２の外部リードを有し、
前記第１および第２の外部リード間に、前記高周波回路部品の信号経路に接続されていない第３の外部リードを１つの回路部品として構成され、前記第１の外部リードから前記第２の外部リードに放射される不要波を吸収する回路特性の放射波吸収回路が設けられている
高周波回路装置。
【請求項２】
前記放射波吸収回路は、一方の端部が前記第３の外部リードに接続され、他方の端部が接地されたキャパシタまたはインダクタの外付部品を含む
請求項１記載の高周波回路装置。
【請求項３】
前記放射波吸収回路は、前記第３の外部リードをインダクタとして含むＬＣ直列共振回路であり、前記共振回路の共振周波数は、前記第１の外部リードから前記第２の外部リードへ漏れる信号の周波数に相当する
請求項１記載の高周波回路装置。
【請求項４】
高周波回路部品と、前記高周波回路部品の外部リードに接続されている複数の外付部品とを有する高周波回路装置に関し、
前記高周波回路の動作時に不要な放射波を発する第１の外部リードと、
前記第１の外部リードの配列方向の少なくとも一方の側の近傍に、前記高周波回路部品の信号経路に接続されていない第２の外部リードを１つの回路部品として構成され、前記高周波回路部品の動作時において前記第１の外部リードの放射波を吸収する回路特性を有する放射波吸収回路が設けられている
高周波回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波回路装置に関し、特に、高周波回路部品と、高周波回路部品の外部リードに接続されている複数の外付部品とを有する高周波回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１１は、無線通信端末の送受信回路の構成例を示すブロック図である。
たとえば、受信回路ＲＣは、たとえばハイパスフィルタＨＰＦと、ローノイズアンプＬＮＡと、ミキサＭ１とを有する。受信回路ＲＣは、単一または複数のアンテナＡＮＴによって高周波、たとえば１．８ＧＨｚの電波を受信する。受信信号は、ハイパスフィルタＨＰＦを通り、ローノイズアンプＬＮＡにより増幅される。その後、ミキサＭ１において電圧制御発信回路ＶＣＯの発信信号と増幅された受信信号が混合される。その結果、受信信号は、ダウンコンバートされ、後段の信号処理回路に送られる。
【０００３】
また、送信回路ＴＣは、たとえば、パワーアンプＰＡとローパスフィルターＬＰＦと、ミキサＭ２とを有する。送信回路ＴＣにおいて、入力された送信信号が、ミキサＭ２においてアップコンバートされ、ローパスフィルターＬＰＦを通る。そして、送信信号はパワーアンプＰＡによって増幅され、アンテナＡＮＴを介して電波として出力される。
さらに、送信側と受信側の信号経路を振り分けるためのフィルタ部品であるデュプレクサも必要となる。
【０００４】
上記のような周波数の高い信号の送受信を同時に行う場合、送信回路や受信回路内の異なる信号経路間において、高周波信号が不要な放射波として漏洩したり、飛び込み易い。そのため、端子間などでアイソレーションを十分に確保する必要がある。
【０００５】
上記のような送受信制御回路としては、デュプレクサと送信端子との間にＰＩＮダイオードとローパスフィルタとを接続して、ローパスフィルタのアンテナ端子側の見かけのインピーダンスが送信端子側の見かけのインピーダンスよりも小さくして、受信時のアンテナ端子から送信端子への受信信号の漏れを少なくした送受信制御回路が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に示されるような回路定数を制御する方法も有効ではあるが、送受信回路に新たな構成を付加しているため、構成が複雑になる。また、送受信回路にダイオードやフィルタが組み込まれているので、確保したい周波数への合わせ込みが容易ではない。
【０００６】
また、上記のような高周波パッケージとしては、パッケージの底部に入出力ピンから高周波信号の波長の約４分の１の長さだけ離れてスリットを形成し、端子間のアイソレーションを確保した高周波パッケージが知られている（例えば、特許文献２参照）。
特許文献２に示されるような専用のパッケージを用いることも有効ではあるが、製造コストがかさむという不利益がある。
【０００７】
その結果、従来においては、２つの信号を入出力する外部リード（信号入出力ピン）の距離を離してアイソレーション特性を向上させる方法が用いられている。たとえば、２つの信号を入力する端子の間に接地ピンあるいは高周波回路と接続されていないピン（ノンコネクトピン、以下、ＮＣピンとも称する）を設置して２つの外部リード間を空間的に遠く離し、アイソレーションを確保する。しかしながら、空間的に距離を離すと多数のピンを有するパッケージを必要としてしまい、結果としてパッケージサイズが大きくなってしまう。
また、接地ピンやＮＣピンを設けてアイソレーションを図る方法は、常に有効ではなく、逆にアイソレーションが低下してしまうこともあった。
【特許文献１】特開２００１−３４５７３３号公報
【特許文献２】特開２００１−７７６０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、外部リードから放射される不要波を低減し、外部リード間のアイソレーション特性を向上させる高周波回路装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、上記の本発明の高周波回路装置は、高周波回路部品と、高周波回路部品の外部リードに接続されている複数の外付部品とを有する高周波回路装置に関し、高周波回路の外部リードが第１および第２の外部リードを有し、第１および第２の外部リード間に、高周波回路部品の信号経路に接続されていない第３の外部リードを１つの回路部品として構成され、第１の外部リードから第２の外部リードに放射される不要波を吸収する回路特性の放射波吸収回路が設けられている。
【００１０】
本発明の高周波回路装置によれば、高周波回路部品の信号経路に接続されていない第３のリードを含む放射波吸収回路を設けることにより、第１の外部リードから第２の外部リードへ放射される不要波を吸収する。
【００１１】
上記目的を達成するため、上記の本発明の高周波回路装置は、高周波回路部品と、高周波回路部品の外部リードに接続されている複数の外付部品とを有する高周波回路装置に関し、高周波回路の動作時に不要な放射波を発する第１の外部リードと、第１の外部リードの配列方向の少なくとも一方の側の近傍に、高周波回路部品の信号経路に接続されていない第２の外部リードを１つの回路部品として構成され、高周波回路部品の動作時において第１の外部リードの放射波を吸収する回路特性を有する放射波吸収回路が設けられている。
【００１２】
本発明の高周波回路装置によれば、第１の外部リードの配列方向の少なくとも一方の側の近傍に設けられ、高周波回路部品の信号経路に接続されていない第２の外部リードを含む放射波吸収回路により、高周波回路部品の動作時において第１の外部リードの放射波を吸収する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の高周波回路装置によれば、外部リードから放射される不要波を低減し、外部リード間のアイソレーション特性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して記述する。
【実施例１】
【００１５】
図１は、本実施例に係る高周波回路装置の一部を示す概略上面図である。本実施例の高周波回路装置は、たとえば、１．５ＧＨｚと８００ＭＨｚの２つの異なる周波数信号を送受信する。
【００１６】
図１に示す高周波回路装置は、高周波回路１と、ロジック回路２と、外部リード３と、それぞれの回路と外部リード３とを電気的に接続するワイヤとがパッケージに搭載されて構成されている。また、図示は省略するが、上記の高周波回路装置は、外部リード３を介して複数の外部部品と接続されている。
【００１７】
高周波回路１は、複数のスイッチ素子を有し、それぞれのスイッチを切り換えて１．５ＧＨｚと８００ＭＨｚの２つの異なる周波数信号を送受信するスイッチ回路である。ロジック回路２は、高周波回路１に含まれるスイッチを制御する。外部リード３は、パッケージの内部の高周波回路１およびロジック回路２と、外部部品とを接続する。ここで、外部リード３を入出力を行うピンとも称する。
【００１８】
図２は、本実施例に係る高周波回路装置に搭載されている高周波回路１を示す等価回路図である。
【００１９】
図２に示す高周波回路１は、インピーダンス調整用のキャパシタＣ１〜Ｃ５と、高周波接地用のキャパシタＣ６〜Ｃ９と、複数のスイッチＦ１〜Ｆ２４とを有し、スイッチＦ１〜Ｆ２４のオン／オフにより信号経路の変更が可能なスイッチ回路になっている。また、上記の高周波回路１は、テスト用信号入力端子Ｅｘｔと、アンテナ端子Ａｎｔと、ダイバシティアンテナ端子Ｄ＿Ａｎｔと、ダイバシティアンテナのテスト用信号入力端子Ｄ＿Ｅｘｔとを有する。上記の高周波回路１は、８００ＭＨｚの送信用端子Ｔｘ８００と、デュプレクサ用入力端子Ｄｕｐ＿ｉｎと、デュプレクサ用出力端子Ｄｕｐ＿ｏｕｔと、１．５ＧＨｚの送信用端子Ｔｘ１．５とを有する。さらに、８００ＭＨｚのデジタル受信用端子Ｒｘ８００Ｄと、８００ＭＨｚのアナログ受信用端子Ｒｘ８００Ａと、１．５ＧＨｚの受信用端子Ｒｘ１．５とを有する。
【００２０】
デュプレクサ用入力端子Ｄｕｐ＿ｉｎおよびデュプレクサ用出力端子Ｄｕｐ＿ｏｕｔは、それぞれデュプレクサに接続されている。デュプレクサは、入力された信号を送信側と受信側の信号経路を振り分けるためのフィルタ部品である。
【００２１】
図２に示す高周波回路１において、たとえば、送信用端子Ｔｘ８００から出力された信号は、スイッチＦ２１を介して、デュプレクサ用入力端子Ｄｕｐ＿ｉｎからデュプレクサに入力される。このとき、スイッチＦ２０はオフである。
デュプレクサにおいて、入力された信号は、送信側の信号として振り分けられ、デュプレクサ用出力端子Ｄｕｐ＿ｏｕｔから出力される。
出力された信号は、各スイッチＦ３，Ｆ７，Ｆ８を介してアンテナ端子Ａｎｔから送信される。このとき、他のスイッチＦ４，Ｆ９，Ｆ２などはオフである。あるいは、出力された信号はスイッチＦ４を介してアンテナ端子Ａｎｔから送信される。このとき、他のスイッチＦ１，Ｆ３，Ｆ５，Ｆ７などはオフである。
【００２２】
送信用端子Ｔｘ８００および送信用端子Ｔｘ１．５は、それぞれパワーアンプＰＡに接続されている。たとえば、パワーアンプＰＡにおいて送信回路からの信号が増幅されて、増幅された信号は送信用端子Ｔｘ８００あるいは送信用端子Ｔｘ１．５に出力される。また、必要に応じてキャパシタのスイッチＦ１５，Ｆ１６，Ｆ２２，Ｆ２４がオンして、信号経路のインピーダンスが制御されている。
【００２３】
一方、受信側においても同様に、アンテナ端子Ａｎｔあるいはダイバシティアンテナ端子Ｄ＿Ａｎｔにおいて受信された信号は、ＴＤＭＡモードのとき、周波数に応じて受信側端子Ｒｘ８００Ｄ，Ｒｘ８００Ａ，Ｒｘ１．５のいづれかに入力される。また、同時送受信モードの場合は、デュプレクサを介して受信端子Ｒｘ８００Ｄに入力される。受信側端子Ｒｘ８００Ｄ，Ｒｘ８００Ａ，Ｒｘ１．５は、それぞれローノイズアンプＬＮＡなどに接続されている。ローノイズアンプＬＮＡにより増幅された信号は、各受信回路に出力される。
【００２４】
図３は、図１に示す高周波回路装置の端子配列を模式的に示す概略図である。
【００２５】
図３に示す高周波回路装置は、たとえば、１辺に８つのピンを有する四角形の汎用パッケージを有する。さらに、図２に示す高周波回路のアンテナやそれぞれの周波数の入出力端子がそれぞれのピンに接続され、外部部品と接続されている。なお、上記の高周波回路１およびロジック回路２は、汎用のパッケージに搭載されていればよく、図３に示す端子配列に限定されるものではない。
【００２６】
ここで、図２においてデュプレクサに接続された入力端子Ｄｕｐ＿ｉｎと出力用端子Ｄｕｐ＿ｏｕｔとの間に、不要な放射波が生じやすい。
そこで、本実施例においては、入力端子Ｄｕｐ＿ｉｎおよび出力用端子Ｄｕｐ＿ｏｕｔと接続される第１および第２のピン１０，２０の間に、図２に示した高周波回路１の信号経路に接続されていない非接続ピン３０を含む放射波吸収回路１００が設置されている。非接続ピン３０には、外部部品として、一方の端部が非接続ピン３０に接続され、他方の端部が接地されたキャパシタＣ１１が接続されている。
ここで、請求項１の第１および第２の外部リードの一実施態様が第１および第２のピン１０，２０に相当し、第３の外部リードの一実施態様が非接続ピン３０に相当する。
【００２７】
図４は、図３における放射波吸収回路１００を含む領域Ａの概略拡大図である。
【００２８】
図４に示すように、高周波回路１が構成されたチップ４上に、内部回路を外部と接続するための第１のパッド５ａと、第２のパッド５ｂと、第３のパッド５ｃとが設置されている。また、第１のパッド５ａは第１のピン１０に、第２のパッド５ｂは第２のピン２０にそれぞれワイヤボンディングされている。ここで、第３のパッド５ｃは、高周波回路１の信号経路と直接接続されていない。また、図示は省略するが、第１および第２のピン１０，２０はそれぞれデュプレクサに接続されている。
本変形例に係る放射波吸収回路１００は、第１のピン１０と第２のピン２０との間に設置されている。放射波吸収回路１００は、第３のパッド５ｃにワイヤボンディングされた非接続ピン３０と、外部部品として一方の端部が非接続ピン３０に接続され、他方の端部が接地されたキャパシタＣ１１とを有する。
【００２９】
図４に示すように、第３のパッド５ｃと非接続ピン３０の一方の端部は、ワイヤにより接続されている。このワイヤおよび非接続ピン３０のインダクタ成分Ｌと、非接続ピン３０の他方の端部に接続されたキャパシタＣ１１とにより、放射波吸収回路１００はＬＣ直列共振回路を構成している。
【００３０】
また、キャパシタＣ１１の容量などの外付部品の回路特性によって、上記の共振回路の共振周波数は調整される。たとえば、デュプレクサに接続された第１のピン１０から第２のピン２０に放射される不要波の周波数が共振回路の共振周波数に相当するように、キャパシタＣ１１の容量を設定する。
【００３１】
次に、上記の実施例に係る高周波回路装置の変形例について記述する。
なお、上記の実施例と同様の部分は番号を同じくし、記載を省略し、以下、異なる部分についてのみ記述する。
【００３２】
〔変形例１〕
図５は、本変形例に係る高周波回路装置の一部を模式的に示す概略拡大図である。
【００３３】
図５に示すように、本変形例に係る放射波吸収回路１００は、第１のピン１０と第２のピン２０との間に設置されている。
放射波吸収回路１００は、第３のパッド５ｃにワイヤボンディングされた非接続ピン３０と、外部部品として一方の端部が非接続ピン３０に接続され、他方の端部が接地されたインダクタＬ１１を有する。また、放射波吸収回路１００は、チップ内において第３のパッド５ｃと接続されたキャパシタＣ１２を有する。
【００３４】
本変形例においては、共振回路のキャパシタ成分がチップ内に構成されている。また、本変形例においては、外付回路としてインダクタＬ１１を有する。その結果、インダクタ成分Ｌを調整することによって共振回路の共振周波数を調整する。
【００３５】
〔変形例２〕
図６は、本変形例に係る高周波回路装置の一部を模式的に示す概略拡大図である。
【００３６】
図６に示すように、放射波吸収回路１００は、第３のパッド５ｃにワイヤボンディングされた非接続ピン３０および第２の非接続ピン４０と、外部部品として一方の端部が非接続ピン３０に接続され、他方の端部が接地されたキャパシタＣ１１とを有する。
【００３７】
本変形例においては、第１の接続ピン１０と第２の接続ピン２０との間に非接地ピン３０および第２の非接続ピン４０を設置し、共振回路のインダクタ成分を増やしている。また、第２の非接続ピン４０を設置したことにより、第１の接続ピン１０と第２の接続ピン２０との間隔を広げている。
【００３８】
〔変形例３〕
図７は、本変形例に係る高周波回路装置の一部を模式的に示す概略拡大図である。
【００３９】
図７に示すように、高周波回路が構成されたチップ４上において、第３のパッド５ｃと第２のパッド５ｂとの間に、第４のパッド５ｄがさらに設置されている。ここで、第４のパッド５ｄは高周波回路の信号経路と直接接続されていない。
本変形例に係る放射波吸収回路１００は、第１のピン１０と第２のピン２０との間に、第３のパッド５ｃにワイワボンディングされた非接続ピン３０と、第４のパッド５ｄにワイヤボンディングされた第２の非接続ピン４０と、外部部品として一方の端部が非接続ピン３０に接続され、他方の端部が接地されたキャパシタＣ１１とを有する。ここで、第３のパッド５ｃおよび第４のパッド５ｄは電気的に接続されている。その結果、非接続ピン３０と第２の非接続ピン４０とは電気的に接続され、それぞれのインダクタ成分が合算されている。
【００４０】
本変形例は、第４のパッド５ｄを設け、第１のピン１０と第２のピン２０との間にさらに第４のパッド５ｄと接続する第２の非接続ピン４０を設置している。その結果、共振回路のインダクタ成分を増加させるとともに、第１のピン１０と第２のピン２０との間隔を広げている。
【００４１】
〔変形例４〕
図８は、本変形例に係る高周波回路装置の一部を模式的に示す概略拡大図である。
【００４２】
図８に示すように、本変形例に係る放射波吸収回路１００は、第１のピン１０と第２のピン２０との間に、非接続ピン３０と、第２の非接続ピン４０と、外部部品として一方の端部が非接続ピン３０に接続され、他方の端部が接地されたキャパシタＣ１１を有する。ここで、非接続ピン３０と第２の非接続ピン４０とは、ワイヤボンディングされている。なお、変形例３とは異なり、第３のパッド５ｃおよび第４のパッド５ｄは電気的に接続されていない。
【００４３】
本実施例に係る高周波回路装置によれば、高周波回路１の信号経路と直接接続されていない非接続ピン３０と、非接続ピン３０と接続された外付部品とを含む放射波吸収回路１００により、第１のピン１０から第２のピン２０に放射される不要波を吸収することができる。その結果、第１のピン１０と第２のピン２０との間のアイソレーション特性を向上させることができる。
また、外付部品を交換することにより共振周波数を変えることができるので、不要波の周波数に相当する周波数に共振回路の特性を合わせ込むことが容易にできる。なお、本実施例に係る高周波回路装置においては、アイソレーション特性を確保するために複数の接地ピンやＮＣピンを配置する必要がないので、アイソレーション特性のためにパッケージサイズが大きくなることがない。また、接地された外付部品を形成するプロセスのみを追加すればよく、また、汎用のパッケージを用いることができるので、容易に製造することができる。
【００４４】
具体的には、変形例１などに示すように外付部品をキャパシタＣ１１あるいはインダクタＬ１１とすることで、それらの容量あるいはインダクタ成分を調整することにより、放射波吸収回路１００の共振周波数を変えることができる。
【００４５】
また、変形例２〜４に示すように、第１のピン１０と第２のピン２０との間に、非接続ピン３０および第２の非接続ピン４０を設置することによって、非接続ピンとワイヤとによって構成されるインダクタ成分を増やし、第１の接続ピン１０と第２の接続ピン２０との間隔を広げることができる。
【実施例２】
【００４６】
次に、本発明の実施例２について図面を参照して記述する。
なお、上記の実施例１と同様の部分は番号を同じくし、記載を省略し、以下、異なる部分についてのみ記述する。
【００４７】
図９は、本実施例に係る高周波回路装置の一部を示す概略上面図である。図９に示す高周波回路装置は、たとえば、１つの周波数信号を送受信する。
【００４８】
図９に示す高周波回路装置は、高周波回路５１と、増幅回路５２と、外部リード５３と、それぞれの回路と外部リード５３とを電気的に接続するワイヤとがパッケージに搭載されて構成されている。また、図示は省略するが、上記の高周波回路装置は、外部リード５３を介して複数の外部部品と接続されている。
【００４９】
図９に示す高周波回路装置が搭載されたパッケージは、長方形の長手方向の１辺にそれぞれ１３つのピンを有する汎用パッケージである。
高周波回路５１は、パワーアンプ系素子であって、入力された信号を増幅する回路である。増幅回路５２は、ＲＦ信号を増幅し、これを電圧制御発信回路ＶＣＯの発振信号と混合する。外部リード５３は、外部に高周波回路５１および増幅回路５２と外部部品とを接続する。ここで、外部リード５３を入出力を行うピンとも称する。
【００５０】
図１０は、図９に示す高周波回路装置の高周波回路５１および増幅回路５２の等価回路および端子配列を示す概略図である。
【００５１】
高周波回路装置は、外部部品として、アンテナＡＮＴと、送信用整合回路Ｚ１０と、パワーアンプ入力部ＰINと、ローカル発振信号入力部ＬＯIN、ローカル発振信号電源部ＶDD（ＬＯ  ＡＭＰ）などを有する。これらの外付部品は、外部リード５３を介して高周波回路５１あるいは増幅回路５２と接続されている。
図１０に示す高周波回路５１は、パワーアンプＰＡと、スイッチＳＷとを有する。パワーアンプＰＡは、たとえば、送信用回路から入力された信号を増幅し、整合回路Ｚ１０に入力する。スイッチＳＷは、アンテナＡＮＴから入力された信号を送信側と受信側とに振り分ける。増幅回路５２は、受信された信号をローノイズアンプＬＮＡで増幅し、これをローカル発振信号ＬＯと混合し、ＩＦ信号として出力する。
【００５２】
ここで、ローノイズアンプＬＮＡにおいて、増幅されたローカル発振信号ＬＯが、ローカル発振信号入力ピンＬＯINおよびローカル発振信号電源部ＶDD（ＬＯ  ＡＭＰ）の外部リードをアンテナとして、たとえば、アンテナＡＮＴの外部リード（ピン）に不要波として放射される。
【００５３】
そこで、ローカル信号電源部ＶDD（ＬＯ  ＡＭＰ）のピンの近傍に放射波吸収回路１１０を設置する。本実施例においては、たとえば、ＲＦ発振信号電源部ＶDD（ＲＦ  ＡＭＰ）のピンと隣り合うピンに放射波吸収回路１１０を設置する。
本実施例に係る放射波吸収回路１１０は、増幅回路５２に接続されていないパッドにワイヤボンディングされた非接続ピンと、外部部品として一方の端部が非接続ピンに接続され、他方の端部が接地されたキャパシタＣ１１０とを有する。ここで、請求項４の第１の外部リードの一実施態様がローカル信号電源部ＶDD（ＬＯ  ＡＭＰ）のピンに相当し、第２の外部リードの一実施態様が非接続ピンに相当する。
放射波吸収回路１１０は、ワイヤおよび非接続ピンのインダクタ成分Ｌと、非接続ピンの他方の端部に接続されたキャパシタＣ１１０とにより、ＬＣ直列共振回路を構成している。
【００５４】
また、上記の共振回路の共振周波数は、キャパシタＣ１１０の容量などの外付部品によって調整される。たとえば、ローカル発振信号電源部ＶDD（ＬＯ  ＡＭＰ）のピンから放射される不要波の周波数が共振回路の共振周波数に相当するように、キャパシタＣ１１０の容量を設定する。
【００５５】
本実施例に係る高周波回路装置によれば、高周波回路５１の信号経路と直接接続されていない非接続ピンと、非接続ピンと接続されたキャパシタＣ１１０とを含む放射波吸収回路１１０により、ローカル発振信号電源部ＶDD（ＬＯ  ＡＭＰ）のピンから放射される不要波を吸収することができる。ここで、不要な放射波を発するローカル発振信号電源部ＶDD（ＬＯ  ＡＭＰ）のピンの近傍に、放射波吸収回路１１０が設置されている。その結果、第１のピン１０と第２のピン２０との間のアイソレーション特性を向上させることができる。
その他、上記の実施例１と同様の効果が得られる。なお、放射波吸収回路１１０は、上記の実施例１と同様に様々な変形例が可能である。
【００５６】
本発明の高周波回路装置は、上記の実施形態に限定されない。
例えば、放射波吸収回路１００，１１０は、不要な放射波を発するピンの両側に設置してもよい。また、搭載される回路や用いるパッケージによって、第１および第２のピンの間に放射波吸収回路１００が設置され、あるいは、第１のピンの配列方向の少なくとも一方側の近傍に放射波吸収回路１１０が設置されていればよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】図１は、本発明の実施例１に係る高周波回路装置の一部を示す概略上面図である。
【図２】図２は、図１に示す高周波回路装置に搭載されている高周波回路１を示す等価回路図である。
【図３】図３は、図１に示す高周波回路装置の端子配列を模式的に示す概略図である。
【図４】図４は、図３における放射波吸収回路１００を含む領域Ａの概略拡大図である。
【図５】図５は、本発明の変形例１に係る高周波回路装置の一部を模式的に示す概略拡大図である。
【図６】図６は、本発明の変形例２に係る高周波回路装置の一部を模式的に示す概略拡大図である。
【図７】図７は、本発明の変形例３に係る高周波回路装置の一部を模式的に示す概略拡大図である。
【図８】図８は、本発明の変形例４に係る高周波回路装置の一部を模式的に示す概略拡大図である。
【図９】図９は、本発明の実施例２に係る高周波回路装置の一部を示す概略上面図である。
【図１０】図１０は、図９に示す高周波回路装置に搭載されている高周波回路５１および増幅回路５２の等価回路および端子配列を示す概略図である。
【図１１】図１１は、従来の技術に係る無線通信端末の送受信回路の構成例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００５８】
１，５１…高周波回路、２…ロジック回路、３、５３…外部リード、４…チップ、５ａ…第１のパッド、５ｂ…第２のパッド、５ｃ…第３のパッド、５ｄ…第４のパッド、１０…第１のピン、２０…第２のピン、３０…非接続ピン、４０…第２の非接続ピン、５２…増幅回路、１００、１１０…放射波吸収回路
【図１】
2005136337.tif 000003
【図２】
2005136337.tif 000004
【図３】
2005136337.tif 000005
【図４】
2005136337.tif 000006
【図５】
2005136337.tif 000007
【図６】
2005136337.tif 000008
【図７】
2005136337.tif 000009
【図８】
2005136337.tif 000010
【図９】
2005136337.tif 000011
【図１０】
2005136337.tif 000012
【図１１】
2005136337.tif 000013