(57)【要約】  【課題】  縦線インナーピンクッション歪補正とＰＱＶ補正を、１つの可飽和リアクタのユニットを用いて実現することのできるカラー受像管装置を提供する。  【解決手段】  可飽和リアクタ６は、垂直偏向電流が流れることによってコア８の両端に当該垂直偏向電流に応じた磁界を発生させる制御コイル７と、制御コイル７の両端にそれぞれ配置された少なくとも２種類のリアクタコイルＡ、Ｂを有する。制御コイル７の両端側にそれぞれ、第１の小コアに互いに絶縁された状態で巻回された第１のリアクタコイルＡ及び第１のリアクタコイルＢと、第２の小コアに互いに絶縁された状態で巻回された第２のリアクタコイルＡ及び第２のリアクタコイルＢとが、互いに並んで制御コイル７と磁気結合するように配置される。【選択図】  図２
2005209447.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面に蛍光体スクリーン面を有するフェイスパネルと、前記フェイスパネルの後方に接続されたファンネルとからなるバルブと、
前記ファンネルのネック部に内蔵されると共に、水平方向にインライン状に配置され、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に対応する３本の電子ビームを射出する電子銃と、
前記ファンネルのネック部側外周に装着され、水平偏向コイルと垂直偏向コイルとを有する偏向ヨークとを備え、
前記電子銃から射出された３本の電子ビームが、水平偏向磁界及び垂直偏向磁界によって水平方向及び垂直方向に偏向され、前記蛍光体スクリーン面上にカラー画像を形成するカラー受像管装置であって、
前記偏向ヨークは、水平偏向電流に対してインダクタンスを変化させる可飽和リアクタを有し、
前記可飽和リアクタは、垂直偏向電流が流れることによってコアの両端に当該垂直偏向電流に応じた磁界を発生させる制御コイルと、前記制御コイルの両端にそれぞれ配置された少なくとも２種類のリアクタコイルＡ、Ｂとを有し、
前記制御コイルの一端側には、第1の小コアに互いに絶縁された状態で同一極性となるように巻回された第１のリアクタコイルＡ及び第１のリアクタコイルＢと、第2の小コアに互いに絶縁された状態で同一極性となるように巻回された第２のリアクタコイルＡ及び第２のリアクタコイルＢとが、互いに並んで前記制御コイルと磁気結合するように配置されていると共に、前記第１及び第２の小コアを介して前記第１及び第２のリアクタコイルＡと前記第１及び第２のリアクタコイルＢに一定の磁気バイアスをかけるための第１の磁石が配置され、
前記制御コイルの他端側には、第３の小コアに互いに絶縁された状態で同一極性となるように巻回された第３のリアクタコイルＡ及び第３のリアクタコイルＢと、第４の小コアに互いに絶縁された状態で同一極性となるように巻回された第４のリアクタコイルＡ及び第４のリアクタコイルＢとが、互いに並んで前記制御コイルと磁気結合するように配置されていると共に、前記第３及び第４の小コアを介して前記第３及び第４のリアクタコイルＡと前記第３及び第４のリアクタコイルＢに一定の磁気バイアスをかけるための第２の磁石が配置され、
前記第１のリアクタコイルＡと前記第２のリアクタコイルＡは、互いに直列に接続されて、互いに逆極性かつ同一強度の磁界を発生させ、
前記第３のリアクタコイルＡと前記第４のリアクタコイルＡは、互いに直列に接続されて、互いに逆極性かつ同一強度の磁界を発生させ、
前記第１のリアクタコイルＢと前記第２のリアクタコイルＢは、互いに直列に接続されて、互いに逆極性かつ同一強度の磁界を発生させ、
前記第３のリアクタコイルＢと前記第４のリアクタコイルＢは、互いに直列に接続されて、互いに逆極性かつ同一強度の磁界を発生させることを特徴とするカラー受像管装置。
【請求項２】
前記リアクタコイルＡは、コンバーゼンス補正用のリアクタコイルであり、前記リアクタコイルＢは、歪補正用のリアクタコイルであり、
前記第1のリアクタコイルＡと前記第２のリアクタコイルＡとの直列接続体は、前記水平偏向コイルの上コイルに直列に接続され、前記第３のリアクタコイルＡと前記第４のリアクタコイルＡとの直列接続体は、前記水平偏向コイルの下コイルに直列に接続され、
前記第1のリアクタコイルＢと第２のリアクタコイルＢとの直列接続体と、前記第３のリアクタコイルＢと第４のリアクタコイルＢとの直列接続体とは、さらに互いに直列に接続された状態で前記水平偏向コイルに直列に接続されている請求項1に記載のカラー受像管装置。
【請求項３】
前記小コアに前記リアクタコイルＡが巻回され、絶縁物によって絶縁された後、その外側に前記リアクタコイルＢが巻回されているか、もしくは、前記小コアに前記リアクタコイルＢが巻回され、絶縁物によって絶縁された後、その外側に前記リアクタコイルＡが巻回されている請求項1に記載のカラー受像管装置。
【請求項４】
前記小コアの前記制御コイル側に前記リアクタコイルＡが巻回され、絶縁物によって絶縁された後、前記磁石側に前記リアクタコイルＢが巻回されているか、もしくは、前記小コアの前記制御コイル側に前記リアクタコイルＢが巻回され、絶縁物によって絶縁された後、前記磁石側に前記リアクタコイルＡが巻回されている請求項1に記載のカラー受像管装置。
【請求項５】
前記リアクタコイルＡと前記リアクタコイルＢとが差動コイルを介することなく電気的に接続されている請求項１に記載のカラー受像管装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テレビジョン受像機やコンピュータディスプレイ等に用いられるカラー受像管装置に関し、さらに詳細には、縦線インナーピンクッション歪補正とＰＱＶ補正を、１つの可飽和リアクタのユニットを用いて実現することのできるインライン型カラー受像管装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、カラー受像管の重要な画像品質の１つにラスタ歪がある。特に、上下ピンクッション歪と左右ピンクッション歪は、偏向ヨークの磁界及びディスプレイセットの補正回路によって最適化されている。しかし、これら上下左右の外郭辺の歪を最適化しても、縦線の中間部にピンクッション歪が残留することがある。以下、この歪を「縦線インナーピンクッション歪」と呼ぶ。
【０００３】
従来、可飽和リアクタに水平偏向電流を流すことによって垂直偏向電流を変調させ、垂直偏向最大時（ラスタ上部、ラスタ下部）に水平偏向部の総合インダクタンスが周辺部偏向時で小さくなるような構成を採ることにより、縦線インナーピンクッション歪が補正されていた（例えば、特許文献１参照）。ここで、水平偏向部とは、偏向ヨークにおいて、水平偏向電流が流れる回路部全体を指し、より具体的には、水平偏向コイル、差動コイル、可飽和リアクタが結線された回路部全体を指している。
【０００４】
以下、縦線インナーピンクッション歪の補正原理について説明する。
【０００５】
図１０に示すように、縦線インナーピンクッション歪は、左右ピンクッション歪が最適化された状態で、かつ、垂直偏向最大時（ラスタ上部、ラスタ下部）に、水平偏向方向の左右両端から中央部に向かうにつれて、より水平偏向が伸びる（水平方向に一定の周期で信号を出力したときに信号間隔が広くなるパターンとなる）ような非直線性が生じるような状態にある。従って、垂直偏向最大時（ラスタ上部、ラスタ下部）に水平偏向方向の左右両端から中央部に向かうにつれて水平偏向が縮むような非直線性を生じさせる補正と、垂直偏向が無い場合（ラスタ中央）に、水平偏向方向の左右両端から中央部に向かうにつれて、より水平偏向が伸びるような非直線性を生じさせる補正装置により、縦線インナーピンクッション歪を補正することができる。
【０００６】
可飽和リアクタに水平偏向電流ＩH が流れたときのインダクタンスＬの変化は、垂直偏向が無い場合（垂直偏向電流ＩV ＝０Ａ；ラスタ中央）、図１１の破線で示すような、水平偏向方向の左右両端から中央部に向かうにつれてインダクタンスが小さくなるような谷型カーブを描き、左右両端から中央部に向かう水平偏向が伸びるような非直線性を生じさせる働きをする。また、可飽和リアクタに水平偏向電流ＩH が流れたときのインダクタンスＬの変化は、垂直偏向上側最大の場合（ＩV ＝１Ａ；ラスタ上部）、図１１の実線で示すような、水平偏向方向の左右両端から中央部に向かうにつれてインダクタンスが大きくなるような山型カーブを描き、左右両端から中央部に向かう水平偏向が縮む（水平方向に一定の周期で信号を出力したときに信号間隔が狭くなるパターンとなる）ような非直線性を生じさせる働きをする。
【０００７】
次に、可飽和リアクタの構成の一例と、縦線インナーピンクッション歪補正のためのインダクタンス変化について説明する。
【０００８】
図１２に、縦線インナーピンクッション歪補正に用いられる可飽和リアクタの構成を示す。図１２に示すように、可飽和リアクタ２９のほぼ中央には、制御コイル３０が設けられている。この制御コイル３０は、コアボビンに線材を１００回巻いて構成され、垂直偏向電流が流れるように垂直偏向コイルに直列に接続されている。制御コイル３０の一端側（図１２では、左側）には、制御コイル３０で発生した磁界を拾うように隣接して第１及び第２のリアクタコイル３１、３２が並んで配置されている。第１のリアクタコイル３１と第２のリアクタコイル３２は、コア、巻数（本従来例では、１１巻）とも同一であるが、上コイル３７と下コイル３８とからなる水平偏向コイルに結線され（図１３参照）、水平偏向電流（最大７Ａ、最小−７Ａ）が流れて磁界の極性が互いに逆極性となるように配置されている。また、制御コイル３０の他端側（図１２では、右側）には、制御コイル３０で発生した磁界を拾うように隣接して第３及び第４のリアクタコイル３３、３４が第１及び第２のリアクタコイル３１、３２と対称の位置関係となるように並んで配置されている。第３のリアクタコイル３３と第４のリアクタコイル３４も、コア、巻数は第１及び第２のリアクタコイル３１、３２と同一であり、水平偏向電流が流れて磁界の極性が互いに逆極性となるように配置されている。制御コイル３０、第１〜第４のリアクタコイル３１〜３４とも、磁界の発生の方向は図１２に示すような左右の方向である（左向きΦC 、右向きΦC ）。また、制御コイル３０の一端側には、第１及び第２のリアクタコイル３１、３２を介して、当該第１及び第２のリアクタコイル３１、３２に一定の磁気バイアスをかけるためのマグネット（永久磁石）３５がＮ極を制御コイル３０側とは反対の方向（図１２では、左方向）に向けて配置されている（左向きΦMG）。また、制御コイル３０の他端側には、第３及び第４のリアクタコイル３３、３４を介して、当該第３及び第４のリアクタコイル３３、３４に一定の磁気バイアスをかけるためのマグネット３６がN極を制御コイル３０側とは反対の方向（図１２では、右方向）に向けて配置されている（右向きΦMG）。すなわち、２個のマグネット３５、３６は、互いに対称な関係にある。
【０００９】
まず、垂直偏向が無い場合（ＩV ＝０Ａ；ラスタ中央）を考える。この場合、第１〜第４のリアクタコイル３１〜３４は、マグネット３５、３６による磁気バイアスによって磁気飽和状態にあり、水平偏向電流が流れたときに、インダクタンスの変化をもたらす（以下、これを「Ｌ−Ｉ特性」と呼ぶ）。
【００１０】
図１４に、垂直偏向が無い場合の第１及び第２のリアクタコイル３１、３２の総合インダクタンス、第３及び第４のリアクタコイル３３、３４の総合インダクタンス、及び第１〜第４のリアクタコイル３１〜３４の総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性を示す。図１４に示すように、垂直偏向が無い場合の第１及び第２のリアクタコイル３１、３２の総合インダクタンス、及び第３及び第４のリアクタコイル３３、３４の総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性は、それぞれ水平偏向方向の左右両端から中央部に向かうにつれてインダクタンスが小さくなるような同じ谷型カーブを描く（破線）。また、図１４に示すように、垂直偏向が無い場合の第１〜第４のリアクタコイル３１〜３４の総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性も、実線で示すような谷型カーブを描く。
【００１１】
次に、垂直偏向上側最大の場合（ＩV =１Ａ；ラスタ上部）を考える。この場合、制御コイル３０に垂直偏向電流が流れ、制御コイル３０のコアボビンの両端にN極が右方向の磁界が発生する（図１２の右向きΦC ）。そして、この場合、第１及び第２のリアクタコイル３１、３２は、マグネット３５による磁気バイアスを打ち消す制御コイル３０の磁界（図１２の右向きΦC ）によって磁気飽和状態が弱まり、インダクタンスが全体的に増加する。従って、垂直偏向上側最大の場合の第１及び第２のリアクタコイル３１、３２の総合インダクタンスは、全般的に増加し、そのＬ−Ｉ特性は、図１５の実線で示すような、水平偏向方向の左右両端から中央部に向かうにつれてインダクタンスが大きくなるような山型カーブを描く。一方、第３及び第４のリアクタコイル３３、３４は、マグネット３６による磁気バイアスを強める制御コイル３０の磁界（図１２の右向きΦC ）によって磁気飽和状態が強まり、インダクタンスは全体的に減少する。従って、垂直偏向上側最大の場合の第３及び第４のリアクタコイル３３、３４の総合インダクタンスは、全般的に減少し、そのＬ−Ｉ特性は、図１５の破線で示すような谷型カーブを描く。また、第１〜第４のリアクタコイル３１〜３４の総合インダクタンスは、磁気バイアスを打ち消す効果による第１及び第２のリアクタコイル３１、３２のインダクタンスの変化が大きいため、山型カーブのＬ−Ｉ特性となる（図１１実線）。
【００１２】
次に、垂直偏向下側最大の場合（ＩV =−１Ａ；ラスタ下部）を考える。この場合、制御コイル３０に垂直偏向電流が流れ、制御コイル３０のコアボビンの両端にN極が左方向の磁界が発生する（図１２の左向きΦC ）そして、この場合、第３及び第４のリアクタコイル３３、３４は、マグネット３６による磁気バイアスを打ち消す制御コイル３０の磁界（図１２の左向きΦC ）によって磁気飽和状態が弱まり、インダクタンスが全体的に増加する。従って、垂直偏向下側最大の場合の第３及び第４のリアクタコイル３３、３４の総合インダクタンスは、全般的に増加し、そのＬ−Ｉ特性は、図１５の実線と同じ山型カーブを描く。一方、第１及び第２のリアクタコイル３１、３２は、マグネット３５による磁気バイアスを強める制御コイル３０の磁界（図１２の左向きΦC ）によって磁気飽和状態が強まり、インダクタンスが全体的に減少する。従って、垂直偏向下側最大の場合の第１及び第２のリアクタコイル３１、３２の総合インダクタンスは、全般的に減少し、そのＬ−Ｉ特性は、図１５の破線と同じ谷型カーブを描く。また、第１〜第４のリアクタコイル３１〜３４の総合インダクタンスは、磁気バイアスを打ち消す効果による第３及び第４のリアクタコイル３３、３４のインダクタンスの変化が大きいため、山型カーブのＬ−Ｉ特性となる（図１１実線）。
【００１３】
以上のように、本従来例においては、垂直偏向最大時に山型のＬ−Ｉ特性を有し、かつ、垂直偏向が無い場合に谷型のＬ−Ｉ特性を有し、このインダクタンスの変化によって縦線インナーピンクッション歪の補正が実現されている。そして、本従来例によれば、約２ｍｍの縦線インナーピンクッション歪補正が可能である。
【００１４】
以上においては、縦線インナーピンクッション歪の可飽和リアクタによる補正方法について説明してきたが、同じような構成の可飽和リアクタを用いてＰＱＶと呼ばれる周辺部のクロスミスコンバーゼンスを補正する技術も、一般的な技術として利用されている。ここで、ＰＱＶとは、ＥＩＡＪで定められた用語であり、ＰＱ軸（対角方向の軸）のＶ（垂直）方向Ｒ（赤）Ｂ（青）ミスコンバーゼンスのことである。以下、ＰＱＶとして図９に示すパターンの負のクロスミスコンバーゼンスが発生している場合を例に挙げて、ＰＱＶの補正原理について説明する。
【００１５】
図１３に示すように、水平偏向コイルは、上コイル３７と下コイル３８とからなり、両者は互いに並列に接続されている。上コイル３７と下コイル３８は、通常、同じインダクタンスを有するため、それらに流れ込む電流はほぼ等しい。しかし、上コイル３７と下コイル３８のインダクタンスに差が生じると、水平軸上にクロスミスコンバーゼンス（ＸＶ：図1６）が発生する。ここで、ＸＶとは、ＥＩＡＪで定められた用語であり、Ｘ軸のＶ（垂直）方向Ｒ（赤）Ｂ（青）ミスコンバーゼンスのことである。例えば、上コイル３７のインダクタンスが大きく、下コイル３８のインダクタンスが小さい場合には、下コイル３８に流れ込む電流が増加する。そして、右偏向の場合には、赤（Ｒ）ビームに下向き、青（Ｂ）ビームに上向きの力がそれぞれ働き、左偏向の場合には、この逆の力が働いて、図１６Ａに示すＸＶパターンのクロスミスコンバーゼンスが発生する。逆に、上コイル３７のインダクタンスが小さく、下コイル３８のインダクタンスが大きい場合には、上コイル３７に流れ込む電流が増加する。そして、右偏向の場合には、赤（Ｒ）ビームに上向き、青（Ｂ）ビームに下向きの力がそれぞれ働き、左偏向の場合には、この逆の力が働いて、図１６Ｂに示すＸＶパターンのクロスミスコンバーゼンスが発生する。
【００１６】
この補正には、一般に、差動コイルと呼ばれる調整コイル３９（図１３）が用いられる。この場合、調整コイル３９は、上コイル３７側と下コイル３８側とに跨って結線され、両者のインダクタンスを、この調整コイル３９の内側に存するコアの位置を移動させることによって調整することにより、ＸＶパターンのクロスミスコンバーゼンスの補正が行われている。
【００１７】
従って、ＰＱＶが負のクロスミスコンバーゼンスの場合、上偏向時に図１６Ｂに示すＸＶパターンのクロスミスコンバーゼンスが発生し、下偏向時に図１６Ａに示すＸＶパターンのクロスミスコンバーゼンスが発生していることになるので、上偏向時に上コイル側のインダクタンスが大きく、下コイル側のインダクタンスが小さく、下偏向時に上コイル側のインダクタンスが小さく、下コイル側のインダクタンスが大きくなるように、可飽和リアクタを動作させれば、ＰＱＶ補正が可能となる。
【００１８】
次に、ＰＱＶ補正のためのインダクタンス変化について説明するが、説明の便宜上、水平偏向コイルの上コイル３７と下コイル３８のインダクタンスは等しく、差動コイルの無い状態でＸＶパターンのクロスミスコンバーゼンスが発生していないと仮定する。
【００１９】
図１７に、ＰＱＶ補正に用いられる可飽和リアクタの構成を示す。この図1７に示す可飽和リアクタの構成は、図１２に示す縦線インナーピンクッション歪補正に用いられる可飽和リアクタの構成とほぼ同じである。図１７に示すように、可飽和リアクタ６０のほぼ中央には、制御コイル４０が設けられている。この制御コイル４０は、コアボビンに線材を１００回巻いて構成され、垂直偏向電流が流れるように垂直偏向コイルに直列に接続されている。制御コイル４０の一端側（図１７では、左側）には、制御コイル４０で発生した磁界を拾うように隣接して第１及び第２のリアクタコイル４１、４２が並んで配置されている。第１のリアクタコイル４１と第２のリアクタコイル４２は、コア、巻数（本従来例では、１１巻）とも同一であるが、水平偏向コイルの上コイル４７に直列に接続され（図1８参照）、水平偏向電流（最大７Ａ、最小−７Ａ）が流れて磁界の極性が互いに逆極性となるように配置されている。また、制御コイル４０の他端側（図１７では、右側）には、制御コイル４０で発生した磁界を拾うように隣接して第３及び第４のリアクタコイル４３、４４が第１及び第２のリアクタコイル４１、４２と対称の位置関係となるように並んで配置されている。第３のリアクタコイル４３と第４のリアクタコイル４４も、コア、巻数は第１及び第２のリアクタコイル４１、４２と同一であり、水平偏向コイルの下コイル４８に直列に接続され（図１８参照）、水平偏向電流が流れて磁界の極性が互いに逆極性となるように配置されている。制御コイル４０、第１〜第４コイル４１〜４４とも、磁界の発生の方向は図１７に示すような左右の方向である（左向きΦC 、右向きΦC ）。また、制御コイル４０の一端側には、第１及び第２のリアクタコイル４１、４２を介して、当該第１及び第２のリアクタコイル４１、４２に一定の磁気バイアスをかけるためのマグネット４５がN極を制御コイル４０側とは反対の方向（図１７では、左方向）に向けて配置されている（左向きΦMG）。また、制御コイル４０の他端側には、第３及び第４のリアクタコイル４３、４４を介して、当該第３及び第４のリアクタコイル４３、４４に一定の磁気バイアスをかけるためのマグネット４６がN極を制御コイル４０側とは反対の方向（図１７では、右方向）に向けて配置されている（右向きΦMG）。すなわち、２個のマグネット４５、４６は、互いに対称な関係にある。
【００２０】
まず、垂直偏向が無い場合（ＩV ＝０Ａ；ラスタ中央）を考える。この場合、第１〜第４のリアクタコイル４１〜４４は、マグネット４５、４６による磁気バイアスによって磁気飽和状態にあり、水平偏向電流が流れたときに、インダクタンスの変化をもたらす（以下、これを「Ｌ−Ｉ特性」と呼ぶ）。垂直偏向が無い場合の第１及び第２のリアクタコイル４１、４２の総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性を、図１９に破線で示す。図１９に示すように、垂直偏向が無い場合の第１及び第２のリアクタコイル４１、４２の総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性は、水平偏向方向の左右両端から中央部に向かうにつれてインダクタンスが小さくなるような谷型カーブを描く（破線）。また、垂直偏向が無い場合の第３及び第４のリアクタコイル４３、４４の総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性も、図１９の破線と同じ谷型カーブを描く。このことは、上コイル４７と第１のリアクタコイル４１と第２のリアクタコイル４２の総合インダクタンス、すなわち、上コイル４７側のインダクタンスと、下コイル４８と第３のリアクタコイル４３と第４のリアクタコイル４４の総合インダクタンス、すなわち、下コイル４８側のインダクタンスとが等しく、クロスミスコンバーゼンスの補正が働かないことを意味している。
【００２１】
次に、垂直偏向上側最大の場合（ＩV =１Ａ；ラスタ上部）を考える。この場合、制御コイル４０に垂直偏向電流が流れ、制御コイル４０のコアボビンの両端にN極が右方向の磁界が発生する（図１７の右向きΦC ）。そして、この場合、第１及び第２のリアクタコイル４１、４２は、マグネット４５による磁気バイアスを打ち消す制御コイル４０の磁界（図１７の右向きΦC ）によって磁気飽和状態が弱まり、インダクタンスが全体的に増加する。従って、垂直偏向上側最大の場合の第１及び第２のリアクタコイル４１、４２の総合インダクタンスは、全般的に増加し、そのＬ−Ｉ特性は、図１９の実線で示すような、水平偏向方向の左右両端から中央部に向かうにつれてインダクタンスが大きくなるような山型カーブを描く。一方、第３及び第４のリアクタコイル４３、４４は、マグネット４６による磁気バイアスを強める制御コイル４０の磁界（図１７の右向きΦC ）によって磁気飽和状態が強まり、インダクタンスが全体的に減少する。従って、垂直偏向上側最大の場合の第３及び第４のリアクタコイル４３、４４の総合インダクタンスは、全般的に減少し、そのＬ−Ｉ特性は、図１９の一点鎖線で示すような谷型カーブを描く。その結果、垂直偏向上側最大時においては、上コイル４７側のインダクタンスが増加し、下コイル４８側のインダクタンスが減少するので、図１６Ｂに示すＸＶパターンのクロスミスコンバーゼンスが垂直偏向上側最大時に補正されることとなって、上側のＰＱＶが補正される。
【００２２】
次に、垂直偏向下側最大の場合（ＩV =−１Ａ；ラスタ下部）を考える。この場合、制御コイル４０に垂直偏向電流が流れ、制御コイル４０のコアボビンの両端にN極が左方向の磁界が発生する（図１７の左向きΦC ）。そして、この場合、第３及び第４のリアクタコイル４３、４４は、マグネット４６による磁気バイアスを打ち消す制御コイル４０の磁界（図１７の左向きΦC ）によって磁気飽和状態が弱まり、インダクタンスが全体的に増加する。従って、垂直偏向下側最大の場合の第３及び第４のリアクタコイル４３、４４の総合インダクタンスは、全般的に増加し、そのＬ−Ｉ特性は、図１９の実線で示すような山型カーブを描く。一方、第１及び第２のリアクタコイル４１、４２は、マグネット４５による磁気バイアスを強める制御コイル４０の磁界（図１７の左向きΦC ）によって磁気飽和状態が強まり、インダクタンスが全体的に減少する。従って、垂直偏向下側最大の場合の第１及び第２のリアクタコイル４１、４２の総合インダクタンスは、全般的に減少し、そのＬ−Ｉ特性は、図１９の一点鎖線で示すような谷型カーブを描く。その結果、垂直偏向下側最大時においては、上コイル４７側のインダクタンスが減少し、下コイル４８側のインダクタンスが増加少するので、図１６Ａに示すＸＶパターンのクロスミスコンバーゼンスが垂直偏向下側最大時に補正されることとなって、下側のＰＱＶが補正される。
【００２３】
本従来例によれば、約１ｍｍのＰＱＶ補正が可能である。
【００２４】
以上のように、従来においては、同じような構成の２つの可飽和リアクタを用いることにより、縦線インナーピンクッション歪補正とＰＱＶ補正が実現されていた。
【特許文献１】特開平9−１４９２８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
しかし、上記のような方法によって縦線インナーピンクッション歪補正とＰＱＶ補正を同時に行うためには、それぞれに１つの可飽和リアクタが必要で、２つの可飽和リアクタを使わざるを得ないので、偏向パワー、コストが大幅に増大するという問題がある。
【００２６】
本発明は、従来技術における前記課題を解決するためになされたものであり、縦線インナーピンクッション歪補正とＰＱＶ補正を、１つの可飽和リアクタのユニットを用いて実現することのできるカラー受像管装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
前記目的を達成するため、本発明に係るカラー受像管装置の構成は、内面に蛍光体スクリーン面を有するフェイスパネルと、前記フェイスパネルの後方に接続されたファンネルとからなるバルブと、
前記ファンネルのネック部に内蔵されると共に、水平方向にインライン状に配置され、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に対応する３本の電子ビームを射出する電子銃と、
前記ファンネルのネック部側外周に装着され、水平偏向コイルと垂直偏向コイルとを有する偏向ヨークとを備え、
前記電子銃から射出された３本の電子ビームが、水平偏向磁界及び垂直偏向磁界によって水平方向及び垂直方向に偏向され、前記蛍光体スクリーン面上にカラー画像を形成するカラー受像管装置であって、
前記偏向ヨークは、水平偏向電流に対してインダクタンスを変化させる可飽和リアクタを有し、
前記可飽和リアクタは、垂直偏向電流が流れることによってコアの両端に当該垂直偏向電流に応じた磁界を発生させる制御コイルと、前記制御コイルの両端にそれぞれ配置された少なくとも２種類のリアクタコイルＡ、Ｂとを有し、
前記制御コイルの一端側には、第1の小コアに互いに絶縁された状態で同一極性となるように巻回された第１のリアクタコイルＡ及び第１のリアクタコイルＢと、第2の小コアに互いに絶縁された状態で同一極性となるように巻回された第２のリアクタコイルＡ及び第２のリアクタコイルＢとが、互いに並んで前記制御コイルと磁気結合するように配置されていると共に、前記第１及び第２の小コアを介して前記第１及び第２のリアクタコイルＡと前記第１及び第２のリアクタコイルＢに一定の磁気バイアスをかけるための第１の磁石が配置され、
前記制御コイルの他端側には、第３の小コアに互いに絶縁された状態で同一極性となるように巻回された第３のリアクタコイルＡ及び第３のリアクタコイルＢと、第４の小コアに互いに絶縁された状態で同一極性となるように巻回された第４のリアクタコイルＡ及び第４のリアクタコイルＢとが、互いに並んで前記制御コイルと磁気結合するように配置されていると共に、前記第３及び第４の小コアを介して前記第３及び第４のリアクタコイルＡと前記第３及び第４のリアクタコイルＢに一定の磁気バイアスをかけるための第２の磁石が配置され、
前記第１のリアクタコイルＡと前記第２のリアクタコイルＡは、互いに直列に接続されて、互いに逆極性かつ同一強度の磁界を発生させ、
前記第３のリアクタコイルＡと前記第４のリアクタコイルＡは、互いに直列に接続されて、互いに逆極性かつ同一強度の磁界を発生させ、
前記第１のリアクタコイルＢと前記第２のリアクタコイルＢは、互いに直列に接続されて、互いに逆極性かつ同一強度の磁界を発生させ、
前記第３のリアクタコイルＢと前記第４のリアクタコイルＢは、互いに直列に接続されて、互いに逆極性かつ同一強度の磁界を発生させることを特徴とする。
【００２８】
このカラー受像管装置の構成によれば、少なくとも２つの可飽和リアクタの働きを、１つの可飽和リアクタのユニットで代替することができる。
【００２９】
また、前記本発明のカラー受像管装置の構成においては、前記リアクタコイルＡは、コンバーゼンス補正用のリアクタコイルであり、前記リアクタコイルＢは、歪補正用のリアクタコイルであり、
前記第1のリアクタコイルＡと前記第２のリアクタコイルＡとの直列接続体は、前記水平偏向コイルの上コイルに直列に接続され、前記第３のリアクタコイルＡと前記第４のリアクタコイルＡとの直列接続体は、前記水平偏向コイルの下コイルに直列に接続され、
前記第1のリアクタコイルＢと第２のリアクタコイルＢとの直列接続体と、前記第３のリアクタコイルＢと第４のリアクタコイルＢとの直列接続体とは、さらに互いに直列に接続された状態で前記水平偏向コイルに直列に接続されているのが好ましい。この好ましい例によれば、ＰＱＶ補正と縦線インナーピンクッション歪補正を、１つの可飽和リアクタのユニットを用いて実現することができる。その結果、偏向パワー、コストの大幅な増大を招くことなく、極めて優れた性能を発揮することのできるカラー受像管装置を提供することができる。
【００３０】
また、前記本発明のカラー受像管装置の構成においては、前記小コアに前記リアクタコイルＡが巻回され、絶縁物によって絶縁された後、その外側に前記リアクタコイルＢが巻回されているか、もしくは、前記小コアに前記リアクタコイルＢが巻回され、絶縁物によって絶縁された後、その外側に前記リアクタコイルＡが巻回されているのが好ましい。また、前記本発明のカラー受像管装置の構成においては、前記小コアの前記制御コイル側に前記リアクタコイルＡが巻回され、絶縁物によって絶縁された後、前記磁石側に前記リアクタコイルＢが巻回されているか、もしくは、前記小コアの前記制御コイル側に前記リアクタコイルＢが巻回され、絶縁物によって絶縁された後、前記磁石側に前記リアクタコイルＡが巻回されているのが好ましい。これらの好ましい例によれば、補正の目的が異なるリアクタコイル間の絶縁を確実なものとすることができる。
【００３１】
また、前記本発明のカラー受像管装置の構成においては、前記リアクタコイルＡと前記リアクタコイルＢとが差動コイルを介することなく電気的に接続されているのが好ましい。この好ましい例によれば、補正の目的が異なるリアクタコイル間の電位差を小さくして、絶縁の信頼性向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、ＰＱＶ補正と縦線インナーピンクッション歪補正を、１つの可飽和リアクタのユニットを用いて実現することができるので、極めて優れた性能を持ちながら、偏向パワー、コストの大幅な増大を招くことのないカラー受像管装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、実施の形態を用いて本発明をさらに具体的に説明する。
【００３４】
図１は本発明を適用した平面スクリーンでアスペクト比１６：９の３６型カラー受像管装置を示す外観側面図である。図１に示すように、本実施の形態のカラー受像管装置は、内面に蛍光体スクリーン面を有し、ガラス等で形成されたフェイスパネル１と、フェイスパネル１の後方に接続され、同じくガラス等で形成されたファンネル２とからなるバルブ（外囲器）５０と、ファンネル２のネック部２ａに内蔵された電子銃３とを具備している。ここで、電子銃３は、水平方向にインライン状に配置され、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に対応する３本の電子ビームを射出する。また、ファンネル２のネック部２ａ側外周には、水平偏向コイルと垂直偏向コイルとを有し、電子銃３から射出された3本の電子ビームを、水平偏向磁界及び垂直偏向磁界によって水平方向及び垂直方向に偏向するための偏向ヨーク４が装着されている。そして、電子銃３から射出された3本の電子ビームが、水平偏向磁界及び垂直偏向磁界によって水平方向及び垂直方向に偏向され、蛍光体スクリーン面上にカラー画像を形成する。さらに、ファンネル２のネック部２ａの外周には、蛍光体スクリーン面の中央でのコンバーゼンスずれを補正するためのコンバーゼンスヨーク５が装着されている。
【００３５】
偏向ヨーク４の配線基板には、本実施の形態の可飽和リアクタ６（図２参照）が取り付けられている。
【００３６】
図２に、本実施の形態における可飽和リアクタのユニット構成を示す。図２に示すように、可飽和リアクタ６のほぼ中央には、制御コイル７が設けられている。この制御コイル７は、コアボビン８に線材を１００回巻いて構成され、垂直偏向電流が流れるように垂直偏向コイルに直列に接続されている。そして、制御コイル７は、垂直偏向電流が流れることによってコアボビン８の両端に当該垂直偏向電流に応じた磁界を発生させる。
【００３７】
制御コイル７の一端側（図２では、左側）には、制御コイル７で発生した磁界を拾うように隣接して第１及び第２のリアクタコイル用小コア９、１０が並んで配置されている。そして、第１のリアクタコイル用小コア９には、第１のＰＱＶ補正（コンバーゼンス補正）のための巻数１３のリアクタコイル（以下「第１のＰＱＶコイル」と呼ぶ）１３と、第１の縦線インナーピンクッション歪補正のための巻数５のリアクタコイル（以下「第１の歪コイル」と呼ぶ）１７とが絶縁のためのシリコン系絶縁接着材２１を介して磁界の極性が同一極性となるように巻回されている。ここで、第１のＰＱＶコイル１３は、第１の歪コイル１７に対して制御コイル７側に配置されている。この場合、第１のリアクタコイル用小コア９に第１のＰＱＶコイル１３を巻回し、シリコン系絶縁接着材２１によって絶縁した後、その外側に第１の歪コイル１７を巻回するか、もしくは、第１のリアクタコイル用小コア９に第１の歪コイル１７を巻回し、シリコン系絶縁接着材２１によって絶縁した後、その外側に第１のＰＱＶコイル１３を巻回するのが望ましい。また、第１のリアクタコイル用小コア９の制御コイル７側に第１のＰＱＶコイル１３を巻回し、シリコン系絶縁接着材２１によって絶縁した後、後述するマグネット２７側に第１の歪コイル１７を巻回するか、もしくは、第１のリアクタコイル用小コア９の制御コイル７側に第１の歪コイル１７を巻回し、シリコン系絶縁接着材２１によって絶縁した後、マグネット２７側に第１のＰＱＶコイル１３を巻回するのが望ましい。これらの望ましい構成によれば、補正の目的が異なるリアクタコイル間の絶縁を確実なものとすることができる。また、この場合、第１のＰＱＶコイル１３と第１の歪コイル１７とが差動コイルを介することなく電気的に接続されているのが望ましい。この望ましい構成によれば、補正の目的が異なるリアクタコイル間の電位差を小さくして、絶縁の信頼性向上を図ることができる。以上のことは、後述する第２〜第４のＰＱＶコイル１４〜１６、第２〜第４の歪コイル１８〜２０についても言えることである。また、第２のリアクタコイル用小コア１０には、第２のＰＱＶ補正のための巻数１３のリアクタコイル（以下「第２のＰＱＶコイル」と呼ぶ）１４と、第２の縦線インナーピンクッション歪補正のための巻数５のリアクタコイル（以下「第２の歪コイル」と呼ぶ）１８とが絶縁のためのシリコン系絶縁接着材２２を介して磁界の極性が同一極性となるように巻回されている。ここで、第２のＰＱＶコイル１４は、第２の歪コイル１８に対して制御コイル７側に配置されている。以上のように、第１のリアクタコイル用小コア９に巻回された第１のＰＱＶコイル１３及び第１の歪コイル１７と、第２のリアクタコイル用小コア１０に巻回された第２のＰＱＶコイル１４及び第２の歪コイル１８とは、互いに並んで制御コイル７と磁気結合するように配置されている。
【００３８】
制御コイル７の他端側（図２では、右側）には、制御コイル７で発生した磁界を拾うように隣接して第３及び第４のリアクタコイル用小コア１１、１２が第１及び第２のリアクタコイル用小コア９、１０と対称の位置関係となるように並んで配置されている。そして、第３のリアクタコイル用小コア１１には、第３のＰＱＶ補正のための巻数１３のリアクタコイル（以下「第３のＰＱＶコイル」と呼ぶ）１５と、第３の縦線インナーピンクッション歪補正のための巻数５のリアクタコイル（以下「第３の歪コイル」と呼ぶ）１９とが絶縁のためのシリコン系絶縁接着材２３を介して磁界の極性が同一極性となるように巻回されている。ここで、第３のＰＱＶコイル１５は、第３の歪コイル１９に対して制御コイル７側に配置されている。また、第４のリアクタコイル用小コア１２には、第４のＰＱＶ補正のための巻数１３のリアクタコイル（以下「第４のＰＱＶコイル」と呼ぶ）１６と、第４の縦線インナーピンクッション歪補正のための巻数５のリアクタコイル（以下「第４の歪コイル」と呼ぶ）２０とが絶縁のためのシリコン系絶縁接着材２４を介して磁界の極性が同一極性となるように巻回されている。ここで、第４のＰＱＶコイル１６は、第４の歪コイル２０に対して制御コイル７側に配置されている。以上のように、第３のリアクタコイル用小コア１１に巻回された第３のＰＱＶコイル１５及び第３の歪コイル１９と、第４のリアクタコイル用小コア１２に巻回された第４のＰＱＶコイル１６及び第４の歪コイル２０とは、互いに並んで制御コイル７と磁気結合するように配置されている。
【００３９】
制御コイル７の一端側には、第１及び第２のリアクタコイル用小コア９、１０を介して第１及び第２のＰＱＶコイル１３、１４と第１及び第２の歪コイル１７、１８に一定の磁気バイアスをかけるためのマグネット（永久磁石）２７がＮ極を制御コイル７側とは反対の方向（図２では、左方向）に向けて配置されている（左向きΦMG）。また、制御コイル７の他端側には、第３及び第４のリアクタコイル用小コア１１、１２を介して第３及び第４のＰＱＶコイル１５、１６と第３及び第４の歪コイル１９、２０に一定の磁気バイアスをかけるためのマグネット２８がN極を制御コイル７側とは反対の方向（図２では、右方向）に向けて配置されている（右向きΦMG）。すなわち、２個のマグネット２７、２８は、互いに対称な関係にある。
【００４０】
図３に、水平偏向コイル、ＰＱＶコイル、歪コイルの結線図を示す。
【００４１】
図３に示すように、第１のＰＱＶコイル１３と第２のＰＱＶコイル１４は、互いに直列に接続されて、互いに逆極性かつ同一強度（巻数は共に１３）の磁界を発生させる。そして、第１のＰＱＶコイル１３と第２のＰＱＶコイル１４との直列接続体は、水平偏向電流が流れるように水平偏向コイルの上コイル２５に直列に接続されている。
【００４２】
また、第３のＰＱＶコイル１５と第４のＰＱＶコイル１６は、互いに直列に接続されて、互いに逆極性かつ同一強度（巻数は共に１３）の磁界を発生させる。そして、第３のＰＱＶコイル１５と第４のＰＱＶコイル１６との直列接続体は、水平偏向電流が流れるように水平偏向コイルの下コイル２６に直列に接続されている。
【００４３】
また、第１の歪コイル１７と第２の歪コイル１８は、互いに直列に接続されて、互いに逆極性かつ同一強度（巻数は共に５）の磁界を発生させる。また、第３の歪コイル１９と第４の歪コイル２０は、互いに直列に接続されて、互いに逆極性かつ同一強度（巻数は共に５）の磁界を発生させる。そして、第１の歪コイル１７と第２の歪コイル１８との直列接続体と、第３の歪コイル１９と第４の歪コイル２０との直列接続体とは、さらに互いに直列に接続された状態で水平偏向電流が流れるように水平偏向コイルに直列に接続されている。
【００４４】
ここで、「コイルが“同一強度”の磁界を発生させる」とは、「厳密に“同一”の強度の磁界を発生させる」という意味ではなく、「コイルのアンペア回数（ampere-turn）が設計上同一である」という意味であり、現実には或る程度のばらつきがある。
【００４５】
制御コイル７、第１〜第４のＰＱＶコイル１３〜１６、第１〜第４の歪コイル１７〜２０とも、磁界の発生の方向は、図2に示すような左右の方向である（左向きΦC 、右向きΦC ）。
【００４６】
以下、ＰＱＶ、縦線インナーピンクッション歪の補正原理について説明する。
【００４７】
まず、垂直偏向が無い場合（ＩV ＝０Ａ；ラスタ中央）を考える。この場合、第１〜第４のＰＱＶコイル１３〜１６と第１〜第４の歪コイル１７〜２０は、マグネット２７、２８による磁気バイアスによって磁気飽和状態にあり、水平偏向電流が流れたときに、インダクタンスの変化をもたらす（以下、これを「Ｌ−Ｉ特性」と呼ぶ）。
【００４８】
図４に、垂直偏向が無い場合の第１及び第２のＰＱＶコイル１３、１４の総合インダクタンス、及び第３及び第４のＰＱＶコイル１５、１６の総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性を示す。図４に示すように、垂直偏向が無い場合の第１及び第２のＰＱＶコイル１３、１４の総合インダクタンス、及び第３及び第４のＰＱＶコイル１５、１６の総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性は、それぞれ水平偏向方向の左右両端から中央部に向かうにつれてインダクタンスが小さくなるような同じ谷型カーブを描く。このことは、上コイル２５と第１のＰＱＶコイル１３と第２のＰＱＶコイル１４の総合インダクタンス、すなわち、上コイル２５側のインダクタンスと、下コイル２６と第３のＰＱＶコイル１５と第４のＰＱＶコイル１６の総合インダクタンス、すなわち、下コイル２６側のインダクタンスとが等しく、クロスミスコンバーゼンスの補正が働かないことを意味している。
【００４９】
図５に、垂直偏向が無い場合の第１及び第２の歪コイル１７、１８の総合インダクタンス、第３及び第４の歪コイル１９、２０の総合インダクタンス、及び第１〜第４の歪コイル１７〜２０の総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性を示す。図５に示すように、垂直偏向が無い場合の第１及び第２の歪コイル１７、１８の総合インダクタンス、及び第３及び第４の歪コイル１９、２０の総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性は、それぞれ水平偏向方向の左右両端から中央部に向かうにつれてインダクタンスが小さくなるような同じ谷型カーブを描く（破線）。また、図５に示すように、垂直偏向が無い場合の第１〜第４の歪コイル１７〜２０の総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性も、実線で示すような谷型カーブを描く。
【００５０】
このときのＬ−Ｉ特性で注目すべき点は、ＰＱＶコイルのＬ−Ｉ特性は単純にＰＱＶコイルのみをリアクタコイル用小コアに巻数１３で巻回した場合のＬ−Ｉ特性とは異なる点である。ＰＱＶコイルに電流が流れると、ＰＱＶコイルと同一極性になる歪コイル（巻数５）にも電流が流れ、ほぼＰＱＶコイルのみをリアクタコイル用小コアに巻数１８で巻回した場合のＬ−Ｉ特性のカーブに近い状態となる。同様に、歪コイルのＬ−Ｉ特性は単純に歪コイルのみをリアクタコイル用小コアに巻数５で巻回した場合のＬ−Ｉ特性とは異なる。歪コイルに電流が流れると、歪コイルと同一極性になるＰＱＶコイル（巻数１３）にも電流が流れ、ほぼ歪コイルのみをリアクタコイル用小コアに巻数１８で巻回した場合のＬ−Ｉ特性のカーブに近い状態となる。
【００５１】
次に、垂直偏向上側最大の場合（ＩV =１Ａ；ラスタ上部）を考える。この場合、制御コイル７に垂直偏向電流が流れ、制御コイル７のコアボビン８の両端にN極が右方向の磁界が発生する（図２の右向きΦC ）。そして、この場合、第１及び第２のＰＱＶコイル１３、１４、第１及び第２の歪コイル１７、１８は、マグネット２７による磁気バイアスを打ち消す制御コイル７の磁界（図２の右向きΦC ）によって磁気飽和状態が弱まり、インダクタンスが全体的に増加する。従って、垂直偏向上側最大の場合の第１及び第２のＰＱＶコイル１３、１４の総合インダクタンスと第１及び第２の歪コイル１７、１８の総合インダクタンスは、全般的に増加し、そのＬ−Ｉ特性は、図６、図７の実線で示すように、水平偏向方向の左右両端から中央部に向かうにつれてインダクタンスが大きくなるような山型カーブを描く。一方、第３及び第４のＰＱＶコイル１５、１６、第３及び第４の歪コイル１９、２０は、マグネット２８による磁気バイアスを強める制御コイル７の磁界（図２の右向きΦC ）によって磁気飽和状態が強まり、インダクタンスが全体的に減少する。従って、垂直偏向上側最大の場合の第３及び第４のＰＱＶコイル１５、１６の総合インダクタンスと第３及び第４の歪コイル１９、２０の総合インダクタンスは、全般的に減少し、そのＬ−Ｉ特性は、図６、図７の破線で示すような谷型カーブを描く。よって、垂直偏向上側最大時においては、上コイル２５側のインダクタンスが増加、下コイル２６側のインダクタンスが減少し、図９に示すパターンの負のクロスミスコンバーゼンスが補正される。
【００５２】
垂直偏向上側最大の場合の第１〜第４の歪コイル１７〜２０の総合インダクタンスは、第１及び第２の歪コイル１７、１８のインダクタンス変化の影響を受けて、図８Ａの実線で示すような山型カーブのＬ−Ｉ特性となり、これにより縦線インナーピンクッション歪が補正される。尚、図８には、垂直偏向が無い場合（ＩV ＝０Ａ；ラスタ中央）の第１〜第４の歪コイル１７〜２０の総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性（図５の実線と同じカーブ）も重ねて示している（破線）。
【００５３】
このときのＬ−Ｉ特性で注目すべき点は、ＰＱＶコイルのＬ−Ｉ特性（図６Ａ）は単純にＰＱＶコイルのみをリアクタコイル用小コアに巻数１３で巻回した場合のＬ−Ｉ特性（図６Ｂ）とは異なる点である。垂直偏向最大時の山型カーブと谷型カーブのインダクタンス落差が大きいほど、ＰＱＶの補正量は大きくなり、ＰＱＶコイルの巻数が大きいほど、この落差は大きくなるが、本実施の形態においては、ＰＱＶコイルの巻数が小さくても、同極性の歪コイルの磁界寄与によってインダクタンス落差が大きくなる。そして、ＰＱＶコイルに電流が流れると、ＰＱＶコイルと同一極性になる歪コイル（巻数５）にも電流が流れ、ほぼＰＱＶコイルのみをリアクタコイル用小コアに巻数１８で巻回した場合のＬ−Ｉ特性のカーブに近い状態となるために、約１．５ｍｍのＰＱＶ補正が可能となる。同様に、歪コイルのＬ−Ｉ特性（図８Ａ）は単純に歪コイルのみをリアクタコイル用小コアに巻数５で巻回した場合のＬ−Ｉ特性（図８Ｂ）とは異なる。垂直偏向最大時の山型カーブ（実線）と垂直偏向が無い場合の谷底カーブ（破線）の水平偏向電流の中間部でのインダクタンス落差が大きいほど、縦線インナーピンクッション歪の補正量は大きくなり、歪コイルの巻数が大きいほど、この落差は大きくなるが、本実施の形態においては、歪コイルの巻数が小さくても、同極性のＰＱＶコイルの磁界寄与によってインダクタンス落差が大きくなる。そして、歪コイルに電流が流れると、歪コイルと同一極性になるＰＱＶコイル（巻数１３）にも電流が流れ、ほぼ歪コイルのみをリアクタコイル用小コアに巻数１８で巻回した場合のＬ−Ｉ特性のカーブに近い状態となるために、約２ｍｍの縦線インナーピンクッション歪補正が可能となる。
【００５４】
尚、垂直偏向下側最大の場合には、上記した垂直偏向上側最大の場合とは極性を逆にして考えるだけであるので、上記した垂直偏向上側最大の場合とは垂直偏向の極性を逆にして、上記と同様にＰＱＶと縦線インナーピンクッション歪を補正することができる。
【００５５】
以上のように、本実施の形態によれば、ＰＱＶ補正と縦線インナーピンクッション歪補正を、１つの可飽和リアクタのユニットを用いて実現することができる。その結果、偏向パワー、コストの大幅な増大を招くことなく、極めて優れた性能を発揮することのできるカラー受像管装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施の形態におけるカラー受像管装置を示す外観側面図
【図２】本発明の一実施の形態における可飽和リアクタのユニット構成を示す図
【図３】本発明の一実施の形態における水平偏向コイル、ＰＱＶコイル、歪コイルの結線図
【図４】本発明の一実施の形態における垂直偏向が無い場合の第１及び第２のＰＱＶコイルの総合インダクタンス、及び第３及び第４のＰＱＶコイルの総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性を示す図
【図５】本発明の一実施の形態における垂直偏向が無い場合の第１及び第２の歪コイルの総合インダクタンス、第３及び第４の歪コイルの総合インダクタンス、及び第１〜第４の歪コイルの総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性を示す図
【図６】本発明の一実施の形態における垂直偏向上側最大の場合の第１及び第２のＰＱＶコイルの総合インダクタンス、及び第３及び第４のＰＱＶコイルの総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性を示す図
【図７】本発明の一実施の形態における垂直偏向上側最大の場合の第１及び第２の歪コイルの総合インダクタンス、及び第３及び第４の歪コイルの総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性を示す図
【図８】本発明の一実施の形態における垂直偏向上側最大の場合の第１〜第４の歪コイルの総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性を示す図
【図９】負のクロスミスコンバーゼンスを説明するための図
【図１０】縦線インナーピンクッション歪を説明するための図
【図１１】従来技術における縦線インナーピンクッション歪補正のための可飽和リアクタのＬ−Ｉ特性を説明するための図
【図１２】従来技術における縦線インナーピンクッション歪補正に用いられる可飽和リアクタの構成を示す図
【図１３】従来技術における水平偏向コイル、縦線インナーピンクッション歪補正に用いられる可飽和リアクタの結線図
【図１４】従来技術における垂直偏向が無い場合の第１及び第２のリアクタコイルの総合インダクタンス、第３及び第４のリアクタコイルの総合インダクタンス、及び第１〜第４のリアクタコイルの総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性を示す図
【図１５】従来技術における垂直偏向最大の場合の第１及び第２のリアクタコイルの総合インダクタンス、及び第３及び第４のリアクタコイルの総合インダクタンスのＬ−Ｉ特性を示す図
【図１６】ＸＶパターンのクロスミスコンバーゼンスを説明するための図
【図１７】従来技術におけるＰＱＶ補正に用いられる可飽和リアクタの構成を示す図
【図１８】従来技術における水平偏向コイル、リアクタコイルの結線図
【図１９】従来技術におけるＰＱＶ補正に用いられる可飽和リアクタのＬ−Ｉ特性を説明するための図
【符号の説明】
【００５７】
１  フェイスパネル
２  ファンネル
２ａ  ネック部
３  電子銃
４  偏向ヨーク
５  コンバーゼンスヨーク
６  可飽和リアクタ
７  制御コイル
８  コアボビン
９、１０、１１、１２  リアクタコイル用小コア
１３、１４、１５、１６  ＰＱＶコイル
１７、１８、１９、２０  歪コイル
２１、２２、２３、２４  シリコン系絶縁接着材
２５  上コイル
２６  下コイル
２７、２８  マグネット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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