(57)【要約】【課題】低消費電力化及び高記録密度化が容易に実現できるようにする。【解決手段】昇圧回路１２４は、ＨＤＤの電源電圧Ｖｃｃを電圧Ｖｃｃ’に昇圧する。この電圧Ｖｃｃ’は、電源ライン１２４ａを介して、ヘッドアンプＩＣ１１６内の記録電流ドライバ１１６ｂに、当該記録電流ドライバ１１６ｂの電源電圧として印加される。ヘッドアンプＩＣ１１６内のリードアンプ１１６ａを含む他の回路には、電圧Ｖｃｃが電源電圧として印加される。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクに対するデータの書き込み及び当該ディスクからのデータの読み出しが、第１及び第２の端子を持つ記録用の薄膜素子を含むヘッドにより行われるディスク記憶装置において、
前記ディスク記憶装置の電源電圧を昇圧する昇圧回路と、
前記昇圧回路によって昇圧された電源電圧により駆動され、ライトデータに応じて前記ヘッドの前記薄膜素子に記録電流を供給する記録電流ドライバ、及び前記ディスク記憶装置の電源電圧によって駆動され、前記ヘッドにより前記ディスクから読み出された信号を増幅するリードアンプを含むヘッドアンプＩＣと、
前記昇圧回路によって昇圧された電源電圧を前記記録電流ドライバの電源電圧として当該記録電流ドライバに供給するのに用いられる電源ラインと
を具備することを特徴とするディスク記憶装置。
【請求項２】
前記ディスク記憶装置に含まれている各回路のうち、前記ヘッドアンプＩＣ内の前記記録電流ドライバのみが、前記電源ラインを介して供給される電源電圧により駆動されることを特徴とする請求項１記載のディスク記憶装置。
【請求項３】
前記ディスク記憶装置の環境温度を計測する温度センサと、
前記ディスク記憶装置の電源電圧及び前記昇圧回路によって昇圧された電源電圧のいずれか一方を、前記温度センサの温度計測結果に応じて前記記録電流ドライバの電源電圧として選択するセレクタであって、前記電源ラインと接続される出力端子を有するセレクタと
を更に具備することを特徴とする請求項１記載のディスク記憶装置。
【請求項４】
予め定められた基準温度を示す基準温度情報を記憶する不揮発性メモリと、
前記温度センサの温度計測結果を前記不揮発性メモリに記憶されている基準温度情報の示す基準温度と比較する比較器とを更に具備し、
前記セレクタは、前記比較器の比較結果により前記温度センサによって計測された温度が前記基準温度より低いことが示されている場合には前記昇圧回路によって昇圧された電源電圧を選択し、そうでない場合には前記ディスク記憶装置の電源電圧を選択することを特徴とする請求項３記載のディスク記憶装置。
【請求項５】
前記ディスク記憶装置の環境温度を計測する温度センサと、
前記記録電流ドライバから前記ヘッドの薄膜素子に供給すべき記録電流の値を、前記温度センサの温度計測結果に応じて指定する記録電流値指定手段と、
前記ディスク記憶装置の電源電圧及び前記昇圧回路によって昇圧された電源電圧のいずれか一方を、前記記録電流値指定手段によって指定される記録電流値に応じて前記記録電流ドライバの電源電圧として選択するセレクタであって、前記電源ラインと接続される出力端子を有するセレクタと
を更に具備することを特徴とする請求項１記載のディスク記憶装置。
【請求項６】
予め定められた基準記録電流値を記憶する不揮発性メモリと、
前記記録電流値指定手段によって指定される記録電流値を前記不揮発性メモリに記憶されている基準記録電流値と比較する比較器とを更に具備し、
前記セレクタは、前記比較器の比較結果により前記指定記録電流値が前記基準記録電流値より大きいことが示されている場合には前記昇圧回路によって昇圧された電源電圧を選択し、そうでない場合には前記ディスク記憶装置の電源電圧を選択することを特徴とする請求項５記載のディスク記憶装置。
【請求項７】
前記ディスク記憶装置の環境温度を計測する温度センサと、
前記記録電流ドライバから前記ヘッドの薄膜素子に供給すべき記録電流の値を、前記温度センサの温度計測結果に応じて指定する主コントローラと、
前記ディスク記憶装置の電源電圧及び前記昇圧回路によって昇圧された電源電圧のいずれか一方を、前記主コントローラによって指定される記録電流値に応じて前記記録電流ドライバの電源電圧として選択するセレクタであって、前記電源ラインと接続される出力端子を有するセレクタと
を更に具備することを特徴とする請求項１記載のディスク記憶装置。
【請求項８】
予め定められた基準記録電流値を記憶する不揮発性メモリと、
前記主コントローラによって指定される記録電流値を前記不揮発性メモリに記憶されている基準記録電流値と比較する比較器とを更に具備し、
前記セレクタは、前記比較器の比較結果により前記指定記録電流値が前記基準記録電流値より大きいことが示されている場合には前記昇圧回路によって昇圧された電源電圧を選択し、そうでない場合には前記ディスク記憶装置の電源電圧を選択することを特徴とする請求項７記載のディスク記憶装置。
【請求項９】
前記記録電流ドライバは、
ライトデータに対応する第１の制御信号の第１の状態への遷移に応じてオン状態となって前記ヘッドの薄膜素子に記録電流を前記第１の端子から前記第２の端子に向かう第１の方向に供給するための第１及び第２のトランジスタの対と、前記第１の制御信号の前記第１の状態への遷移に応じて第２の状態に遷移し、前記第１の制御信号の前記第２の状態への遷移に応じて前記第１の状態に遷移する、ライトデータに対応する第２の制御信号の前記第１の状態への遷移に応じてオン状態となって前記ヘッドの薄膜素子に記録電流を前記第２の端子から前記第１の端子に向かう第２の方向に供給するための第３及び第４のトランジスタの対とを含むブリッジ回路と、
前記記録電流を生成する電流源と、
前記第１の制御信号の前記第１の状態への遷移に応じて前記記録電流の方向が前記第１の方向に切り替えられる際に前記薄膜素子の前記第２の端子に発生するフライバック電圧を一定電圧にクランプし、前記第２の制御信号の前記第１の状態への遷移に応じて前記記録電流の方向が前記第２の方向に切り替えられる際に前記薄膜素子の前記第１の端子に発生するフライバック電圧を一定電圧にクランプするクランプ回路とを備えていることを特徴とする請求項１記載のディスク記憶装置。
【請求項１０】
前記クランプ回路は、
前記第１の制御信号の前記第１の状態への遷移に応じてオン状態となって、前記薄膜素子の前記第２の端子に発生するフライバック電圧を一定電圧にクランプする第５のトランジスタと、
前記第２の制御信号の前記第１の状態への遷移に応じてオン状態となって、前記薄膜素子の前記第１の端子に発生するフライバック電圧を一定電圧にクランプする第６のトランジスタと
を含むことを特徴とする請求項９記載のディスク記憶装置。
【請求項１１】
ディスクに対するデータの書き込み及び当該ディスクからのデータの読み出しが、第１及び第２の端子を持つ記録用の薄膜素子を含むヘッドにより行われるディスク記憶装置において、前記ヘッドの前記薄膜素子に供給される記録電流を制御する記録電流制御方法であって、
前記ディスク記憶装置の電源電圧を昇圧回路によって昇圧させるステップと、
ライトデータに応じて前記ヘッドの前記薄膜素子に記録電流を供給する記録電流ドライバ、及び前記ヘッドにより前記ディスクから読み出された信号を増幅するリードアンプを含むヘッドアンプＩＣ内の各回路のうち、前記記録電流ドライバのみに前記昇圧回路によって昇圧された電源電圧を印加するステップと、
を具備することを特徴とする記録電流制御方法。
【請求項１２】
前記ディスク記憶装置の環境温度を温度センサによって計測するステップを更に具備し、
前記印加ステップでは、前記温度センサによって計測された環境温度が予め定められた基準温度より低い場合だけ、前記記録電流ドライバのみに前記昇圧回路によって昇圧された電源電圧が印加されることを特徴とする請求項１１記載の記録電流制御方法。
【請求項１３】
前記ヘッドの前記薄膜素子に供給される記録電流の方向が切り替えられる過渡応答時に前記薄膜素子の記録電流流出端側に発生するフライバック電圧をクランプするステップを更に具備することを特徴とする請求項１１記載の記録電流制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスク媒体に対するデータの書き込み及び当該ディスク媒体からのデータの読み出しがヘッドにより行われるディスク記憶装置に係り、特にライトデータに応じてヘッドに供給される記録電流を制御するディスク記憶装置及び記録電流制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置は、記録媒体にディスク（ディスク記録媒体）を用いたディスク記憶装置の代表として知られている。近年、磁気ディスク装置の携帯機器への使用が増加し、これに伴って磁気ディスク装置の低消費電力化が進んでいる。このため、磁気ディスク装置に供給される電源電圧が、１２Ｖまたは５Ｖ程度の電圧から３．３Ｖまたは１．８Ｖの低電圧に移行すること（つまり電源電圧の低電圧化）が予想される。また近年は、磁気ディスク装置の高記録密度化も顕著であり、今後も記録密度の向上は止まることはないと予想される。
【０００３】
ところで、ディスクにデータを記録するのに用いられるヘッドのライト素子は、誘導型薄膜素子を用いて構成されるのが一般的である。ヘッドアンプ回路（ヘッドアンプＩＣ）は、２値のライトデータに基づいて薄膜素子に流れる記録電流の極性を変化させる。この薄膜素子に流れる電流の方向を高速に切り替えることにより、ディスクに記録される２値データの記録密度も向上する。しかしながら、薄膜素子はコイルの構造を有しているため、周波数が高くなるにつれて当該薄膜素子には記録電流（実効電流）が流れにくくなる現象が生じる。この対策のためには、つまり磁気ディスク装置の高記録密度化のためには、高い電源電圧が必要である。
【０００４】
一方、装置の電源電圧を昇圧回路によって昇圧し、その昇圧された電圧をヘッドアンプＩＣに供給する構成を適用する磁気ディスク装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この構成により、装置の電源電圧が低下しても誤動作を防止して容易に良好なリード／ライト特性を確保することができる。
【特許文献１】特開平５−３１４４１１号公報（段落０００８，０００９，００１０、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記したように先行技術においては、磁気ディスク装置の電源電圧を昇圧回路によって昇圧し、昇圧された電圧をヘッドアンプ回路（リード／ライト回路）の電源電圧として使用することで、当該磁気ディスク装置の電源電圧が低下しても誤動作を防止して容易に良好な特性（リード／ライト特性を）を確保している。そこで、この先行技術を、磁気ディスク装置（ディスク記憶装置）の低消費電力化のための電源電圧の低電圧化に適用することが考えられる。
【０００６】
しかしながら、上記した先行技術においては、昇圧された電源電圧はヘッドアンプ回路に供給されて消費されるため、消費電力の増加を招く。つまり先行技術において、磁気ディスク装置の低消費電力化と高記録密度化とは互いに相反した関係にあり、高記録密度化を図ろうとすると、磁気ディスク装置に供給される電源電圧を低電圧化した際に享受できるはずの消費電力低減の効果が確保できない。
【０００７】
本発明は上記事情を考慮してなされたものでその目的は、低消費電力化及び高記録密度化が容易に実現できるディスク記憶装置及び記録電流制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の１つの観点によれば、ディスクに対するデータの書き込み及び当該ディスクからのデータの読み出しが、第１及び第２の端子を持つ記録用の薄膜素子を含むヘッドにより行われるディスク記憶装置が提供される。このディスク記憶装置は、ディスク記憶装置の電源電圧を昇圧する昇圧回路と、この昇圧回路によって昇圧された電源電圧により駆動され、ライトデータに応じて上記ヘッドの薄膜素子に記録電流を供給する記録電流ドライバ、及び上記ディスク記憶装置の電源電圧によって駆動され、上記ヘッドによりディスクから読み出された信号を増幅するリードアンプを含むヘッドアンプＩＣと、上記昇圧回路によって昇圧された電源電圧を上記記録電流ドライバの電源電圧として当該記録電流ドライバに供給するのに用いられる電源ラインとを備えたことを特徴とする。
【０００９】
このような構成のディスク記憶装置においては、ヘッドアンプＩＣ内の記録電流ドライバのみが昇圧回路によって昇圧された電源電圧で駆動され、ヘッドアンプＩＣ内のリードアンプを含む他の回路はディスク記憶装置の電源電圧で駆動される。このため、ディスク記憶装置の電源電圧がたとえ低電圧であっても、その低電圧の電源電圧に起因する記録特性の悪化（記録電流の立ち上がり速度の低下）を防止して、高い記録密度でも良好な記録特性を確保できる。しかも、ヘッドアンプＩＣ内の記録電流ドライバ以外の回路は、リードアンプを始めとして、ディスク記憶装置の電源電圧で駆動されるため、消費電力の増加を最小限に抑えることができる。
【００１０】
ここで、上記ディスク記憶装置の環境温度を計測する温度センサと、上記ディスク記憶装置の電源電圧及び上記昇圧回路によって昇圧された電源電圧のいずれか一方を、上記温度センサの温度計測結果に応じて上記記録電流ドライバの電源電圧として選択するセレクタであって、上記電源ラインと接続される出力端子を有するセレクタとを追加するならば、ディスク記憶装置の電源電圧が低電圧であっても、その低電圧と環境温度とに起因する記録特性の悪化を防止してオーバーライト特性を十分なものとし、、消費電力の増加をより一層抑えることができる。
【００１１】
ヘッドの薄膜素子に供給される記録電流の値は、ディスク記憶装置の環境温度に応じて可変設定されることが多い。そこで上記セレクタが、環境温度に応じて設定される記録電流を指定する値に応じて、上記ディスク記憶装置の電源電圧及び上記昇圧回路によって昇圧された電源電圧のいずれか一方を選択する構成とすることも可能である。この構成においては、記録電流の設定値を大きくした際に、実際にヘッドの薄膜素子に流れる記録電流が飽和するのを防止できる。
【００１２】
また、上記記録電流ドライバを、ブリッジ回路と記録電流を生成する電流源とに加えて、クランプ回路とから構成すると良い。ブリッジ回路は、ライトデータに対応する第１の制御信号（ＷＤ１）の第１の状態への遷移に応じてオン状態となって上記ヘッドの薄膜素子に記録電流を上記第１の端子（ＨＸ）から上記第２の端子（ＨＹ）の方向に供給するための第１及び第２のトランジスタの対と、上記第１の制御信号の上記第１の状態への遷移に応じて第２の状態に遷移し、上記第１の制御信号の上記第２の状態への遷移に応じて上記第１の状態に遷移する、ライトデータに対応する第２の制御信号（ＷＤ１）の上記第１の状態への遷移に応じてオン状態となって上記ヘッドの薄膜素子に記録電流を上記第２の端子から上記第１の端子の方向に供給するための第３及び第４のトランジスタの対とを含む。クランプ回路は、上記第１の制御信号の上記第１の状態への遷移に応じて記録電流の方向が上記第１の方向に切り替えられる際に上記薄膜素子の第２の端子（つまり記録電流流出端側）に発生するフライバック電圧を一定電圧にクランプし、上記第２の制御信号の上記第１の状態への遷移に応じて記録電流が上記第２の方向に切り替えられる際に上記薄膜素子の第１の端子（つまり記録電流流出端側）に発生するフライバック電圧を一定電圧にクランプする機能を有する。
【００１３】
このような構成の記録電流ドライバを用いることにより、記録電流の方向（極性）が切り替えられる過渡応答時に、ヘッドの薄膜素子の記録電流流出端側に発生するフライバック電圧を利用して、クランプ回路によってクランプされた安定した高電圧を当該薄膜素子に印加できる。しかも、記録電流ドライバの電源電圧に昇圧回路によって昇圧された電源電圧が用いられるため、ディスク記憶装置の電源電圧が低電圧であっても薄膜素子に十分高い電圧を印加でき、記録電流の立ち上がり速度を高速化できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ヘッドアンプＩＣ内の記録電流ドライバのみが昇圧回路によって昇圧された電源電圧で駆動され、ヘッドアンプＩＣ内のリードアンプを含む他の回路はディスク記憶装置の電源電圧で駆動される構成とすることにより、ディスク記憶装置の電源電圧がたとえ低電圧であっても、記録電流の立ち上がり速度の低下を防止して高い記録密度でも良好な記録特性を確保でき、且つ消費電力の増加を最小限に抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を磁気ディスク装置に適用した実施形態につき図面を参照して説明する。
【００１６】
［第１の実施形態］
図１は本発明の第１の実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。図１の磁気ディスク装置（以下、ＨＤＤと称する）は、大きく分けて、ヘッドディスクアセンブリ部（以下、ＨＤＡ部と称する）１１と、印刷回路基板部（以下、ＰＣＢ部と称する）１２とから構成される。
【００１７】
ＨＤＡ部１１は、ディスク（磁気ディスク）１１１と、ヘッド（磁気ヘッド）１１２と、スピンドルモータ（以下、ＳＰＭと称する）１１３と、アクチュエータ１１４と、アクチュエータ１１４の駆動源となるボイスコイルモータ（以下、ＶＣＭと称する）１１５と、ヘッドアンプＩＣ１１６とを含む。ディスク１１１は上側と下側の２つのディスク面を有している。ディスク１１１の２つのディスク面の少なくとも一方のディスク面は、データが磁気記録される記録面をなしている。ヘッド１１２は、この記録面をなす、ディスク１１１の一方のディスク面に対応して配置されている。このヘッド１１２は、リード素子（リードヘッド）として用いられる例えばＭＲ（Magneto Resistive：磁気抵抗効果）素子と、ライト素子（ライトヘッド）として用いられる誘導型の記録用薄膜素子１１２ａ（図２参照）とから構成される複合ヘッドである。なお図１では、作図の都合上、ヘッド１１２が１つの場合が示されている。しかし、一般には、ディスク１１１の２つのディスク面が共に記録面をなしており、各々のディスク面に対応してヘッドが配置される。また図１の構成では、単一枚のディスク１１１を備えたＨＤＤを想定している。しかし、ディスク１１１が複数枚積層配置されたＨＤＤであっても構わない。
【００１８】
ヘッド１１２は、ディスク１１１へのデータ書き込み（データ記録）及びディスク１１１からのデータ読み出し（データ再生）に用いられる。ＳＰＭ１１３は、ディスク１１１を高速に回転する。ヘッド１１２は、アクチュエータ１１４の先端に取り付けられている。アクチュエータ１１４はＶＣＭ１１５により駆動されて、ヘッド１１２をディスク１１１の半径方向に移動する。ＳＰＭ１１３及びＶＣＭ１１５は、モータドライバＩＣ１２１からそれぞれ供給される駆動電流（ＳＰＭ電流及びＶＣＭ電流）により駆動される。ヘッド１１２はヘッドアンプＩＣ（ヘッドアンプ回路）１１６と接続されている。ヘッドアンプＩＣ１１６はヘッド１１２により読み出されたリード信号を増幅するリードアンプ１１６ａと後述する記録電流ドライバ１１６ｂとを含む。
【００１９】
ＰＣＢ部１２は、モータドライバＩＣ１２１と、リード／ライトＩＣ（リード／ライトチャネル）１２２と、コントローラＩＣ１２３と、昇圧回路１２４とを含む。これらの要素１２１乃至１２４は図示せぬＰＣＢに実装されている。モータドライバＩＣ１２１は、ＳＰＭ１１３を定常回転させるために、コントローラＩＣ１２３から指定された量のＳＰＭ電流を当該ＳＰＭ１１３に対して供給する。またモータドライバＩＣ１２１は、ヘッド１１２をディスク１１上の目標位置に位置付けるために、コントローラＩＣ１２３から指定された量のＶＣＭ電流をＶＣＭ１１５に対して供給する。
【００２０】
リード／ライトＩＣ１２２は信号処理デバイスである。リード／ライトＩＣ１２２は、リード信号に対するＡ／Ｄ（アナログ／ディジタル）変換処理、ライトデータの符号化処理及びリードデータの復号化処理を含む各種の信号処理を実行する。
【００２１】
コントローラＩＣ１２３は、ＨＤＤの主コントローラをなす。コントローラＩＣ１２３は、モータドライバＩＣ１２１の制御と、モータドライバＩＣ１２１を除くＨＤＤ内の他の要素の制御とを時分割で実行する。モータドライバＩＣ１２１の制御は、ヘッド１１２をディスク１１１上の目標位置に位置付けるために行われる。コントローラＩＣ１２３による制御には、ホストからのリードコマンドまたはライトコマンドに従うリード／ライト制御が含まれる。ホストは図１のＨＤＤを利用する、パーソナルコンピュータに代表される電子機器である。コントローラＩＣ１２３は、フラッシュＲＯＭ（以下、ＦＲＯＭと称する）１２３ａを含む。ＦＲＯＭ１２３ａは、コントローラＩＣ１２３が実行すべきプログラム（制御プログラム）を格納する書き換え可能な不揮発性メモリである。
【００２２】
昇圧回路１２４は、ホストから供給される電源電圧Ｖｃｃを電源電圧Ｖｃｃ’に昇圧する。昇圧回路１２４によつて昇圧された電源電圧Ｖｃｃ’は、電源ライン１２４ａを介してヘッドアンプＩＣ１１６内の記録電流ドライバ１１６ｂに供給されて、当該記録電流ドライバ１１６ｂの電源電圧として用いられる。
【００２３】
ヘッドアンプＩＣ１１６内の記録電流ドライバ１１６ｂを除く回路の電源電圧には電源電圧Ｖｃｃが用いられる。この記録電流ドライバ１１６ｂを除く回路はリードアンプ１１６ａを含む。つまり、リードアンプ１１６ａの電源電圧には、電源電圧Ｖｃｃが用いられる。また、ＨＤＤ内のヘッドアンプＩＣ１１６を除くＩＣ群１２５の電源電圧にも電源電圧Ｖｃｃが用いられる。ＩＣ群１２５は、モータドライバＩＣ１２１、リード／ライトＩＣ１２２及びコントローラＩＣ１２３を含む。つまり、モータドライバＩＣ１２１、リード／ライトＩＣ１２２及びコントローラＩＣ１２３の電源電圧には何れも電源電圧Ｖｃｃが用いられる。
【００２４】
図１に示す構成のＨＤＤでは、ヘッド１１２の薄膜素子１１２ａ（図２参照）に記録電流を流した際に生じる磁界によって、ディスク１１１の磁性層が磁化される。また、薄膜素子１１２ａに流れる記録電流の方向によってディスク１１１の磁化方向が変化させられる。この磁化方向によって、ディスク１１１に２値のディジタル化されたデータが記録される。このため、ＨＤＤの記録密度を決定する要素として、薄膜素子１１２ａに流れる記録電流の周波数は非常に重要である。
【００２５】
ヘッド１１２の薄膜素子１１２ａを流れる記録電流は、ヘッドアンプＩＣ１１６内の記録電流ドライバ１１６ｂによって供給される。この記録電流ドライバ１１６ｂの構成を図２に示す。記録電流ドライバ１１６ｂは、薄膜素子１１２ａに供給される記録電流を生成する定電流源２１と、Ｈブリッジ回路２２とを含む。定電流源２１によって生成される記録電流は、定常状態において定電流値Ｉｗに制限される。このＩｗの量はコントローラＩＣ１２３からの指定に応じて可変設定可能である。記録電流ドライバ１１６ｂは、薄膜素子１１２ａを流れる記録電流Ｉの方向（極性）を、Ｈブリッジ回路２２により制御信号ＷＤ１（第１の制御信号）または制御信号ＷＤ２（第２の制御信号）に応じて切り替える。信号ＷＤ１及びＷＤ２の状態は、図１中のリード／ライトＩＣ１２２から送られる２値のライトデータによって決まる。信号ＷＤ１及びＷＤ２の一方が高レベルの状態（第１の状態）にある場合、他方は低レベルの状態（第２の状態）にあり、両方が共に高レベルとなることはない。ライトデータは、例えばＮＲＺＩ（Non-Return to Zero Inverse）データである。
【００２６】
Ｈブリッジ回路２２は、ブリッジ接続された４つのトランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３及びＱ４を含む。トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３及びＱ４はスイッチング素子として用いられる。トランジスタＱ１及びＱ２のコレクタには電源ライン１２４ａを介して供給される昇圧回路１２４からの電源電圧Ｖｃｃ’が印加される。トランジスタＱ１のエミッタ及びトランジスタＱ３のコレクタは薄膜素子１１２ａの一端ＨＸと接続され、トランジスタＱ２のエミッタ及びトランジスタＱ４のコレクタは薄膜素子１１２ａの他端ＨＹと接続されている。トランジスタＱ１及びＱ４のスイッチングは制御信号ＷＤ１に応じて制御され、トランジスタＱ２及びＱ３のスイッチングは制御信号ＷＤ２に応じて制御される。トランジスタＱ１及びＱ４は制御信号ＷＤ１が高レベルの期間ＯＮ状態となる。この場合、記録電流Ｉは、薄膜素子１１２ａをＨＸ→ＨＹの方向（第１の方向）に流れる。一方、トランジスタＱ２及びＱ３は制御信号ＷＤ２が高レベルの期間ＯＮ状態となる。この場合、記録電流Ｉは、薄膜素子１１２ａをＨＹ→ＨＸの方向（第２の方向）に流れる。ここで、制御信号ＷＤ１及びＷＤ２の状態は、上記したように２値のライトデータによって決まる。つまり、記録電流ドライバ１１６ｂは、２値のライトデータに基づいて、薄膜素子１１２ａを流れる記録電流の方向（極性）を切り替える。ここで制御信号ＷＤ１及びＷＤ２が共に高レベルとなることはないことから、トランジスタＱ１及びＱ４の対とトランジスタＱ２及びＱ３の対とが共にＯＮ状態となることはない。
【００２７】
薄膜素子１１２ａを流れる記録電流の極性をより早いスイッチングスピードで切り替えることにより、ディスク１１１に記録される２値データの記録密度も向上する。このため、現在のＨＤＤでは、信号ＷＤ１及びＷＤ２は、例えば３００ＭＨｚにも達する周波数でスイッチングされている。このスイッチングの速度は、今後ますます高速化されることが予想される。
【００２８】
しかしながら、薄膜素子１１２ａはコイルの構造を有しているため、当該薄膜素子１１２ａを流れる記録電流の極性を切り替えるスイッチング周波数が高くなるにつれて実効電流は流れにくくなる。
【００２９】
過渡応答時にコイルに流れる電流Ｉは、一般に次式（１）
Ｉ＝（Ｖ／Ｒ）＊（１−ε-(R/L)t）        （１）
によって表現されることが知られている。ここで、Ｖはコイルの両端に印加される電圧、Ｒはコイルの抵抗、Ｌはコイルのインダクタンス、ｔは時間である。
【００３０】
上記（１）式から、コイルを流れる電流の過渡応答速度は当該コイルのインダクタンスＬと抵抗Ｒの値によって決定されることが分かる。簡単に例を挙げて説明する。ここで、Ｌ＝１０ｎＨ，Ｒ＝１０Ωのコイルに対して４０ｍＡの電流を流すことを仮定する。この場合、コイルの抵抗Ｒの値が１０Ωであることから、当該コイルの両端に４００ｍＶの電圧を印加すれば良い。しかし、過渡応答の際には、コイルを流れる電流Ｉは、上記（１）式に従って図３に示すように変化する。過渡応答時に電流Ｉが所望の電流値に到達するのに要する時間は、回路時定数Ｔと呼ばれる値を用いて表現され、おおよそ時定数Ｔの３倍の時間（３Ｔ）となる。このため、上記したＬ＝１０ｎＨ，Ｒ＝１０Ωのコイルの場合、Ｔ＝Ｌ／Ｒ＝１０[ｎＨ]／１０[Ω]＝１ｎｓであることから、電流４０ｍＡに到達するまでにほぼ３Ｔ＝３ｎｓの時間が必要となる。このような過渡応答時にコイルを流れる電流の特性は、コイル構造の薄膜素子１１２ａを流れる記録電流にも当てはまる。
【００３１】
ところがＨＤＤでは、高記録密度化のために、コイル構造の薄膜素子を流れる記録電流の極性を例えば３００ＭＨｚにも到達する周波数で切り替える必要がある。このため、図３に示した電圧の印加方法では、記録電流の極性は所望の記録電流に達する前に切り替えられることとなり記録特性が悪化してしまう。
【００３２】
次に、ＨＤＤの記録特性と記録電流の関係について述べる。一般に、ＨＤＤにおけるディスクへのデータ書き込みは、以前に書き込まれたデータに対して新たなデータを上書きすることにより行われる。このためＨＤＤでは、上書きされる元のデータが完全に消されずに残されている状態（つまり消し残り成分）を表すオーバーライト特性が、ＨＤＤの記録特性として重要な指標となる。
【００３３】
オーバーライト特性を取得するには、まずディスクに、ある低周波数ｆ１でデータ信号を書き込む。このディスクに書き込まれた信号をヘッドにより再生すると、当該ヘッドからは、周波数ｆ１のみにピーク（Ｖ１）を持つ再生信号が出力される。次に、低周波数ｆ１で信号が書き込まれたディスクの領域に、高周波数ｆ２のデータ信号を上書きする。この高周波数ｆ２の信号をヘッドにより再生すると、その再生信号は周波数ｆ２のピークを含むだけでなく、レベルは低いものの周波数ｆ１のピーク（Ｖ２）をも含む。即ちディスクには、周波数ｆ２の信号を上書きしたにも拘わらず、元の周波数ｆ１の信号が残留する。オーバーライト特性（ＯＷＭ）は、この残留成分Ｖ２のＶ１に対する比（Ｖ２／Ｖ１）を用いることにより、次式（２）
ＯＷＭ＝２０ｌｏｇ10（Ｖ２／Ｖ１）［ｄＢ］  （２）
に従って取得される。
【００３４】
オーバーライト特性の値が大きいことは、以前に書き込まれたデータ信号の残留成分が多く、読み出し信号に予期しない信号成分が含まれることを示す。したがって、オーバーライト特性の値が大きい場合、誤ったデータが読み出される可能性が高い。つまり、オーバーライト特性とＨＤＤにおける読出し不良率との間には非常に強い相関関係がある。
【００３５】
図４は薄膜素子１１２ａを流れる記録電流（Ｉ）とオーバーライト特性（ＯＷＭ）との関係を示す。図４から明らかなように、オーバーライト特性は記録電流によって大きく異なり、記録電流が少ない場合にはオーバーライト特性の値は大きくなる。このことから、記録電流が少ないと、オーバーライト特性が低下して読出し不良率が増えることが分かる。また、ＨＤＤにおいて十分なオーバーライト特性を確保するには、ある程度の量の記録電流が必要であることも分かる。図４の例では、十分なオーバーライト特性を実現するのに、３０〜４０ｍＡ程度の記録電流が適している。
【００３６】
前述したように、コイルの構造を持つ薄膜素子１１２ａに対し、図３に示した方法で電圧を印加する場合、当該薄膜素子１１２ａに所望の記録電流を流しつつ、高周波数での極性切り替えを達成することは困難である。そこで図１のＨＤＤでは、昇圧回路によって昇圧された電源電圧Ｖｃｃ’を、ヘッドアンプＩＣ１１６内の記録電流ドライバ１１６ｂの電源電圧として用いると共に、当該記録電流ドライバ１１６ｂにより薄膜素子１１２ａに対して図３に示した方法とは異なる新たな方法で電圧を印加するようにしている。
【００３７】
そこで、この新たな電圧印加方法を適用する記録電流ドライバ１１６ｂの動作の詳細について説明する。先に述べたように、薄膜素子１１２ａを流れる記録電流Ｉは、トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４を含むＨブリッジ回路２２によって制御される。ここで、薄膜素子１１２ａのＨＸ及びＨＹの各端子の電位の波形は、図５のようになる。図５に示すように、制御信号ＷＤ１の低レベルから高レベルへの状態遷移時、つまり記録電流Ｉの方向がＨＹ→ＨＸの方向からＨＸ→ＨＹの方向に切り替えられる極性切り替え時の過渡状態では、薄膜素子１１２ａのＨＹ端子（記録電流の流出端側）には、薄膜素子１１２ａのコイル構造に起因するフライバック電圧Ｖｆが生じる。同様に、制御信号ＷＤ２の低レベルから高レベルへの状態遷移時、つまり記録電流Ｉの方向がＨＸ→ＨＹの方向からＨＹ→ＨＸの方向に切り替えられる極性切り替え時の過渡状態では、薄膜素子１１２ａのＨＸ端子（記録電流の流出端側）にフライバック電圧Ｖｆが生じる。このフライバック電圧Ｖｆを制限しなければ、Ｈブリッジ回路２２内のトランジスタＱ１〜Ｑ４を破壊する可能性がある。そこで、記録電流ドライバ１１６ｂには、このフライバック電圧Ｖｆを制限するクランプ回路２３が設けられている。
【００３８】
クランプ回路２３は、一対のスイッチングトランジスタＱ５及びＱ６を含む。トランジスタＱ５，Ｑ６のベースには制御信号ＷＤ１，ＷＤ２が入力される。トランジスタＱ５，Ｑ６のベースは、Ｈブリッジ回路２２内のトランジスタＱ４，Ｑ３のベースと接続されている。トランジスタＱ５，Ｑ６のコレクタには、電源ライン１２４ａを介して供給される昇圧回路１２４からの電源電圧Ｖｃｃ’が抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して印加される。抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値は等しい。この抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値をＲcとする。トランジスタＱ５，Ｑ６のコレクタは、Ｈブリッジ回路２２内のトランジスタＱ２，Ｑ１のベースと接続されている。つまり、トランジスタＱ５，Ｑ６のコレクタの電位は、トランジスタＱ２，Ｑ１のベースの電位を与える。トランジスタＱ５，Ｑ６は、制御信号ＷＤ１，ＷＤ２が高レベルに遷移するとＯＮ状態となる。トランジスタＱ５，Ｑ６がＯＮ状態となると、定電流源２４によりトランジスタＱ５，Ｑ６のコレクタに定電流Ｉcが流れる。このとき、トランジスタＱ５，Ｑ６のコレクタの電位は、Ｖｃｃ’−Ｉc＊Ｒcとなる。このトランジスタＱ５，Ｑ６のコレクタの電位によって、薄膜素子１１２ａの端子ＨＹ，ＨＸに発生するフライバック電圧Ｖｒをクランプするクランプ電圧Ｖcrampが決定される。なお、Ｉc及びＲcの値は、トランジスタＱ５，Ｑ６がＯＮした際の当該トランジスタＱ５，Ｑ６のコレクタ電位が、Ｈブリッジ回路２２内のトランジスタＱ２，Ｑ１をＯＮすることのない低電位となるように予め選定されている。
【００３９】
上記クランプ回路２３の動作により、記録電流Ｉの極性切り替え時の過渡状態では、薄膜素子１１２ａのＨＸ端子及びＨＹ端子の電位は次のようになる。ここでは、Ｈブリッジ回路２２内のトランジスタＱ１及びＱ４の対がＯＦＦ状態からＯＮ状態に遷移する場合を想定する。このとき、薄膜素子１１２ａのＨＸ端子の電位は、図５に示すように、電源電圧Ｖｃｃ’とトランジスタＱ２のベース−エミッタ間電圧Ｖbeとの差の電圧（Ｖｃｃ’−Ｖbe）となる。一方、薄膜素子１１２ａのＨＹ端子には、薄膜素子１１２ａのコイル構造に起因してフライバック電圧Ｖｆが発生する。このフライバック電圧Ｖｆの値は、記録電流ドライバ１１６ｂの電源電圧（ここではＶｃｃ’）に依存する。しかし、フライバック電圧Ｖｆは、クランプ回路２３によって図５に示すようにクランプ電圧Ｖcrampに制限される。このため、薄膜素子１１２ａのＨＹ端子の電位はクランプ電圧Ｖcrampに安定している。
【００４０】
以上により、薄膜素子１１２ａの端子ＨＸ，ＨＹ間の電圧は、記録電流Ｉの極性切り替え時には、Ｖｃｃ’−Ｖbe−Ｖcrampとなる。一方、極性切り替え後の定常状態におけるＨＸ，ＨＹ間の電圧は、薄膜素子１１２ａの抵抗値をＲＨとすると、Ｉ＊ＲＨ（但しＩ＝Ｉｗ）となる。ここでは、図５に示すように、（Ｖｃｃ’−Ｖbe−Ｖcramp）＞Ｉｗ＊ＲＨであり、極性切り替え時には、薄膜素子１１２ａの端子ＨＸ，ＨＹ間（つまり薄膜素子１１２ａ）に定常状態と比較して高い電圧が印加される。これにより、薄膜素子１１２ａを流れる記録電流Ｉの立ち上がり速度が加速される。
【００４１】
そこで、図３との対比のために、図５に示した極性切り替え時（つまり過渡応答時）に薄膜素子１１２ａに印加される電圧Ｖの波形を、当該薄膜素子１１２ａを流れる記録電流Ｉの波形と対応付けて図６に示す。この図６からは、薄膜素子１１２ａに印加される電圧が、記録電流ドライバ１１６ｂによって過渡応答時のみ安定した高電圧（Ｖｃｃ’−Ｖbe−Ｖcramp）に設定されることが分かる。この図６に示す電圧印加方法によれば、回路時定数Ｔによって制限される記録電流（薄膜素子１１２ａを流れる記録電流Ｉ）の立ち上がり速度を高速化することができる。これにより、ディスク１１１に記録されるデータの周波数が高くなっても、オーバーライト特性を満足する所望の記録電流Ｉを得ることができ、データの記録密度をある程度まで向上させることができる。
【００４２】
ところで、近年は、ＨＤＤ及び当該ＨＤＤを利用するホストの低消費電力化が進んでいる。これに伴い、ＨＤＤに供給される電源電圧も１２Ｖ，５Ｖ程度の電圧から３．３Ｖ，１．８Ｖの低電圧に移行される可能性が高い。ＨＤＤの電源電圧が低い場合、図３の電圧印加方法では、記録電流Ｉの立ち上がり速度が遅くなり、データの記録周波数を高くすることができなくなる。しかし本実施形態では、薄膜素子１１２ａに印加される電圧を記録電流ドライバ１１６ｂによって過渡応答時にのみ安定した高電圧（Ｖｃｃ’−Ｖbe−Ｖcramp）に設定すると共に、当該高電圧を決定する要素の１つである、記録電流ドライバ１１６ｂの電源電圧に、昇圧回路１２４によって電圧Ｖｃｃから昇圧された電源電圧Ｖｃｃ’が用いられている。このため、記録電流Ｉの立ち上がり速度を一層高速化して、データの記録周波数を高くすることを可能としている。しかも本実施形態では、昇圧回路１２４によって昇圧された電源電圧Ｖｃｃ’は、上述した理由によって高電圧が必要な、ヘッドアンプＩＣ１１６内の記録電流ドライバ１１６ｂの電源電圧のみに用いられ、記録電流ドライバ１１６ｂ以外のヘッドアンプＩＣ１１６内の回路（リードアンプ１１６ａを含む他の回路）、更にはヘッドアンプＩＣ１１６以外のＨＤＤ内の回路（つまりモータドライバＩＣ１２１、リード／ライトＩＣ１２２及びコントローラＩＣ１２３を含むＩＣ群１２５）の電源電源電圧には、ホストから供給される電源電圧Ｖｃｃがそのまま用いられる。この構成では、ＨＤＤが記録動作を行うときのみ、昇圧回路１２４の出力電圧Ｖｃｃ’が用いられることとなる。このように本実施形態においては、ＨＤＤ内での昇圧回路１２４の適用範囲を制限することにより、昇圧回路１２４によって昇圧された電源電圧Ｖｃｃ’を用いながら、そのための消費電力の増加を必要最小限に抑え、消費電力を犠牲にすることなく、高記録密度のＨＤＤの実現を可能とする。
【００４３】
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図７は、記録電流（Ｉ）と室温状態（２５℃）及び低温状態（０℃）のオーバーライト特性（ＯＷＭ）との関係を示す。図７において黒三角を結ぶ曲線は、室温状態（２５℃）における記録電流に対するオーバーライト特性８１を示す。このオーバーライト特性８１からは、記録電流を増加させるとオーバーライト特性が向上するが、大方ある記録電流値で飽和し、それ以上記録電流を増加させてもオーバーライト特性は向上しないことが分かる。図７の例では、ほぼ４０ｍＡの記録電流でオーバーライト特性は飽和している。
【００４４】
一方、図７において黒丸を結ぶ曲線は、低温状態（０℃）における記録電流に対するオーバーライト特性８２を示す。このオーバーライト特性８２からは、室温状態のオーバーライト特性８１と比較して、オーバーライト特性が飽和するまでにより大きな記録電流を必要とすることが分かる。図７の例では、オーバーライト特性が飽和するのに、ほぼ５０ｍＡの記録電流を必要としている。
【００４５】
オーバーライト特性の温度依存性は、ディスク１１１の温度特性に起因する。図７に示したオーバーライト特性８１及び８２の違いは、低温状態ではディスク１１１の磁性層を磁化するためにより強い磁界が必要となるため、薄膜素子１１２ａに大きな記録電流を流して当該薄膜素子１１２ａから生じる磁界を強くする必要があることを意味する。
【００４６】
そこで第２の実施形態では、以下に述べるように、ＨＤＤが使用される環境での温度に応じて薄膜素子１１２ａに流す記録電流を変化させる構成を適用する。つまり、第２の実施形態では、ＨＤＤの環境温度の低下を検出し、この温度低下によるオーバーライト特性の悪化がＨＤＤの読出し不良率に影響を与えないように、記録電流を増加する工夫が図られている。
【００４７】
今、図１のＨＤＤでは、室温状態において４０ｍＡの記録電流を必要とすると共に低温状態において５０ｍＡの記録電流を必要とするディスク１１１が用いられているものとする。ここでは、低温状態で、記録電流の過渡応答時間が最大となる。このため、図１のＨＤＤでは、低温状態で必要とする、十分な過渡応答速度の記録電流（５０ｍＡ）を実現可能なように、昇圧回路１２４を設定する必要がある。この場合、図１のＨＤＤ内の記録電流ドライバ１１６ｂには、常温状態においても低温状態と同一の昇圧された電源電圧Ｖｃｃ’が印加される。しかし、常温状態で必要とする記録電流（４０ｍＡ）は低温状態の記録電流よりも過渡応答時間が短い。このため常温状態では、記録電流ドライバ１１６ｂは、低温状態に合わせた昇圧電圧Ｖｃｃ’よりも低い電源電圧、例えばホストから供給される電源電圧Ｖｃｃでも十分に実用可能である。このことから、図１の構成（つまり第１の実施形態に係るＨＤＤ）では、常温状態において記録電流ドライバ１１６ｂに対して過大な電源電圧が印加されていて、必要以上の電力を消費していることが分かる。
【００４８】
第２の実施形態は、オーバーライト特性の温度依存性を利用して、ＨＤＤにおける消費電力を第１の実施形態よりも一層低減可能としている。図８は本発明の第２の実施形態に係るＨＤＤの構成を示すブロック図である。図８において、図１の構成要素と同様の部分には同一符号を付してある。
【００４９】
図８のＨＤＤの特徴は、当該ＨＤＤの環境温度Ｔを計測する温度センサ１２６を例えばＰＣＢ部１２に設け、当該温度センサ１２６の温度計測結果に応じて、記録電流ドライバ１１６ｂに印加される電源電圧が切り替えられるようにしたことにある。そのため、コントローラＩＣ１２３内のＦＲＯＭ１２３ａの所定領域１２３ｂには、上記低温状態を判定するのに用いられる基準温度ＴＲを示す値（基準温度情報）が予め記憶されている。また、コントローラＩＣ１２３には、温度センサ１２６によって計測された温度Ｔを基準温度ＴＲと比較する温度比較器１２３ｃが設けられる。温度比較器１２３ｃは、温度比較結果に応じて制御信号Ｃを出力する。また、例えばＰＣＢ部１２には、２入力１出力の電圧セレクタ１２７が設けられている。電圧セレクタ１２７は、記録電流ドライバ１１６ｂの電源電圧として、ホストから供給される電源電圧Ｖｃｃ及び昇圧回路１２４によって昇圧された電源電圧Ｖｃｃ’のいずれか一方を制御信号Ｃに応じて選択する。電圧セレクタ１２７の出力は電源ライン１２４ａと接続されている。
【００５０】
さて、図８のＨＤＤにおいて、温度比較器１２３ｃは、温度センサ１２６によって計測された温度ＴをＦＲＯＭ１２３ａの領域１２３ｂに記憶されている基準温度情報の示す基準温度ＴＲと、例えば一定時間間隔で比較する。温度比較器１２３ｃは、Ｔ＜ＴＲの場合には、ＨＤＤの使用環境が低温状態にあることを示す高レベルの制御信号Ｃを出力する。一方、Ｔ≧ＴＲの場合には、温度比較器１２３ｃはＨＤＤの使用環境が常温状態にあることを示す低レベルの制御信号Ｃを出力する。この制御信号Ｃは電圧セレクタ１２７に供給される。
【００５１】
以下、Ｔ＜ＴＲであるために（つまりＨＤＤの使用環境が低温状態にあるために）、温度比較器１２３ｃから電圧セレクタ１２７に高レベルの制御信号Ｃが出力された場合について説明する。電圧セレクタ１２７は、制御信号Ｃが高レベルの期間、昇圧回路１２４によって昇圧された電源電圧Ｖｃｃ’及びホストから供給される電源電圧Ｖｃｃのうちの電源電圧Ｖｃｃ’を選択する。電圧セレクタ１２７によって選択された電源電圧Ｖｃｃ’は、ヘッドアンプＩＣ１１６に含まれている記録電流ドライバ１１６ｂに、当該ドライバ１１６ｂの電源電圧として電源ライン１２４ａを介して印加される。
【００５２】
次に、Ｔ＞ＴＲであるために（つまりＨＤＤの使用環境が常温状態にあるために）、温度比較器１２３ｃから電圧セレクタ１２７に低レベルの制御信号Ｃが出力された場合について説明する。電圧セレクタ１２７は、制御信号Ｃが低レベルの期間、ホストから供給される電源電圧Ｖｃｃを選択する。電圧セレクタ１２７によって選択された電源電圧Ｖｃｃは、記録電流ドライバ１１６ｂに、当該ドライバ１１６ｂの電源電圧として電源ライン１２４ａを介して印加される。
【００５３】
このように本発明の第２の実施形態においては、記録電流ドライバ１１６ｂの動作に高電圧を必要としない常温状態（非低温状態）では、ホストから供給される電源電圧Ｖｃｃが当該ドライバ１１６ｂに印加される。これにより、常温状態において記録電流ドライバ１１６ｂで無駄な電力が消費されるのを防止できる。また第２の実施形態においては、記録電流ドライバ１１６ｂの動作に高電圧を必要とする低温状態では、昇圧回路１２４によって昇圧された電源電圧Ｖｃｃ’が当該ドライバ１１６ｂに印加される。これにより、常温状態よりも大きい記録電流であって、且つ十分な過渡応答速度の記録電流を薄膜素子１１２ａに流すことが可能となる。つまり第２の実施形態によれば、消費電力の増加を第１の実施形態よりも一層抑えながら、安定した磁気記録を実現できる。
【００５４】
ところで、ＨＤＤの使用環境が低温状態にあるか、或いは常温状態にあるかを判定するためのの基準温度ＴＲは、当該ＨＤＤに使用されるディスク１１１の構造及び材料特性によって異なる。そこで、第２の実施形態では、ＨＤＤに使用されるディスク１１１に固有の基準温度ＴＲを示す情報が、コントローラＩＣ１２３に含まれているＦＲＯＭ１２３ａに記憶される構成を適用している。これにより、ＨＤＤに使用されるディスク１１１の状態が変わっても、当該ＦＲＯＭ１２３ａに記憶されている基準温度情報を書き換えることにより、当該ディスク１１１の変化に容易に対応することが可能である。
【００５５】
［第３の実施形態］
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。前述したように、記録電流の過渡応答速度は当該記録電流の値に応じて変化する。またＨＤＤでは、環境温度によって記録電流を変化させることが好ましく、低温状態では必要とされる記録電流の値は大きくなる。そこで第３の実施形態では、記録電流ドライバ１１６ｂに印加される電源電圧の切り替えを、第２の実施形態とは異なって、温度センサ１２６の温度計測結果ではなくて、記録電流の指定値に応じて行うようにしている。
【００５６】
図９は本発明の第３の実施形態に係るＨＤＤの構成を示すブロック図である。図９において、図８の構成要素と同様の部分には同一符号を付してある。図９のＨＤＤにおいて、コントローラＩＣ１２３は、温度センサ１２６によって計測された温度Ｔに応じて、定常状態における記録電流Ｉｗの値を決定する機能を有する。コントローラＩＣ１２３はまた、決定された値の記録電流を記録電流ドライバ１１６ｂにより薄膜素子１１２ａに流させるために、その記録電流値（Ｉｗ）を指定する記録電流指定信号１２８を記録電流ドライバ１１６ｂに出力する機能を有する。コントローラＩＣ１２３内のＦＲＯＭ１２３ａの所定領域１２３ｄには、基準電流値ＩＲ（基準電流情報）が予め記憶されている。この基準電流値ＩＲには、ＨＤＤの環境温度が上記第２の実施形態で適用された基準温度ＴＲに一致した場合に、コントローラＩＣ１２３によって指定される記録電流の値が用いられる。コントローラＩＣ１２３には、当該コントローラＩＣ１２３から記録電流ドライバ１１６ｂに出力される記録電流指定信号１２８によって指定される記録電流値Ｉｗを基準電流値ＩＲと比較する電流比較器１２３ｅが設けられる。電流比較器１２３ｅは、電流値の比較結果に応じて制御信号Ｃを出力する。
【００５７】
さて、図９のＨＤＤにおいて、電流比較器１２３ｅは、コントローラＩＣ１２３から記録電流ドライバ１１６ｂに記録電流指定信号１２８が出力されている場合、当該記録電流指定信号１２８によって指定される記録電流値ＩｗをＦＲＯＭ１２３ａの領域１２３ｄに記憶されている基準電流値ＩＲと比較する。電流比較器１２３ｅは、Ｉｗ＞ＩＲの場合には、ＨＤＤの使用環境が低温状態にあることを示す高レベルの制御信号Ｃを出力する。一方、Ｉｗ≦ＩＲの場合には、電流比較器１２３ｅはＨＤＤの使用環境が常温状態にあることを示す低レベルの制御信号Ｃを出力する。この制御信号Ｃは電圧セレクタ１２７に供給される。以降の動作は、上記第２の実施形態と同様である。即ち、Ｉｗ＞ＩＲの場合には、昇圧回路１２４によって昇圧された電源電圧Ｖｃｃ’が高レベルの制御信号Ｃに応じて電圧セレクタ１２７によって選択されて、記録電流ドライバ１１６ｂに印加される。一方、Ｉ≦ＩＲの場合には、ホストから供給される電源電圧Ｖｃｃが低レベルの制御信号Ｃに応じて電圧セレクタ１２７によって選択されて、記録電流ドライバ１１６ｂに印加される。これにより、第３の実施形態においても、上記第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、コントローラＩＣ１２３から有効な記録電流指定信号１２８が出力されない期間は、電流比較器１２３ｅはＩｗ≦ＩＲの場合と同様に低レベルの制御信号Ｃを出力する。
【００５８】
上述の第１乃至第３の実施形態においては、ディスク記憶装置として磁気ディスク装置（ＨＤＤ）が適用されている。しかし本発明は、磁気ディスク装置に限らず、ディスクに対するデータの書き込み及び当該ディスクからのデータの読み出しが記録用の薄膜素子を含むヘッドにより行われる、光ディスクドライブ、光磁気ディスクドライブなどのディスク記憶装置全般に適用可能である。
【００５９】
なお、本発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る磁気ディスク装置（ＨＤＤ）の構成を示すブロック図。
【図２】図１中の記録電流ドライバ１１６ｂの回路構成を示す図。
【図３】コイルに電圧を印加した際の当該電圧の波形と、当該コイルに流れる電流の波形とを示す図。
【図４】記録電流とオーバーライト特性との関係を示す図。
【図５】図２中の薄膜素子１１２ａのＨＸ端子及びＨＹ端子における電位の波形を制御信号ＷＤ１，ＷＤ２の波形と共に示す図。
【図６】極性切り替え時に薄膜素子１１２ａに印加される電圧の波形を、当該薄膜素子１１２ａを流れる記録電流の波形と対応付けて示す図。
【図７】記録電流と室温状態及び低温状態のオーバーライト特性との関係を示す図。
【図８】本発明の第２の実施形態に係るＨＤＤの構成を示すブロック図。
【図９】本発明の第３の実施形態に係るＨＤＤの構成を示すブロック図。
【符号の説明】
【００６１】
１１…ＨＤＡ部、１２…ＰＣＢ部、２１，２４…定電流源、２３…クランプ回路、１１１…ディスク、１１２…ヘッド、１１３…ＳＰＭ（スピンドルモータ）、１１６…モータドライバＩＣ、１１６ａ…リードアンプ、１１６ｂ…記録電流ドライバ、１２１…モータドライバＩＣ、１２２…リード／ライトＩＣ、１２３…コントローラＩＣ、１２３ａ…ＦＲＯＭ（フラッシュＲＯＭ）、１２３ｃ…温度比較器、１２３ｅ…電流比較器、１２４…昇圧回路、１２４ａ…電源ライン、１２５…ＩＣ群、１２６…温度センサ、１２７…電圧セレクタ、Ｑ１…第１のトランジスタ、Ｑ２…第３のトランジスタ、Ｑ４…第２のトランジスタ、Ｑ３……第２のトランジスタ、Ｑ５…第５のトランジスタ、Ｑ６…第６のトランジスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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