(57)【要約】【課題】  正確な分光特性を有するフィルタ等の光学薄膜が得られる成膜装置及び成膜方法を提供する。【解決手段】  成膜装置は、成膜手段による成膜終了後に、膜厚測定手段により検出されたデータの変化量が所定値以下になるまで動作する検出部４１を備え、検出部４１が、データの変化量が所定値以下になったとき膜厚測定手段による膜厚の測定を停止させる測定制御部４９を備えている。また、成膜方法としては、成膜手段と被成膜対象物との間に配置されたシャッターを開いた状態で被成膜対象物に薄膜を成膜するとともに膜厚測定手段により膜厚を測定する工程と、膜厚が所望の値に達したときシャッターを閉じる工程と、シャッターを閉じた後で膜厚測定手段により膜厚を連続して測定する工程とを有する。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室内に配設された被成膜対象物と、
該被成膜対象物上に薄膜を成膜する成膜手段と、
該成膜手段により成膜される薄膜の膜厚を検出する膜厚測定手段とを有する成膜装置において、
前記成膜手段による成膜終了後に、前記膜厚測定手段により検出されたデータの変化量が所定値以下になるまで動作する検出部を備え、
該検出部が、前記データの変化量が所定値以下になったとき前記膜厚測定手段による膜厚の測定を停止させる測定制御部を備えていることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記膜厚測定手段が光学的方法によって膜厚を測定し、前記検出部が、前記被成膜対象物上の薄膜の透過率，透過光量，反射率及び反射光量の少なくともいずれか１つを検出することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
成膜室内に配設された被成膜対象物と、
該被成膜対象物上に薄膜を成膜する成膜手段と、
該成膜手段により成膜される薄膜の膜厚を検出する膜厚測定手段とを有する成膜装置において、
前記成膜手段による成膜終了後に、前記膜厚測定手段を所定時間動作させるタイマ制御部を備えていることを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の成膜装置により前記被成膜対象物に成膜する成膜方法であって、
前記成膜手段と前記被成膜対象物との間に配置されたシャッターを開いた状態で前記被成膜対象物に薄膜を成膜するとともに前記膜厚測定手段により膜厚を測定する工程と、前記膜厚が所望の値に達したときシャッターを閉じる工程と、シャッターを閉じた後で膜厚測定手段により前記膜厚を連続して測定する工程とを有することを特徴とする成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学薄膜を蒸着法やイオンプレーティング法等の成膜方法で成膜する成膜装置及び成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カメラ、顕微鏡等の光学機器には、反射防止膜や干渉フィルタ等の光学薄膜が多数用いられている。一般に波長λにおける透過率または反射率が、光学薄膜の膜厚がλ／４の整数倍のときに、極大値または極小値となる正弦関数となることが知られている。したがって、波長λの光をモニタに入射し、モニタを透過した光の透過率を成膜中に測定する。これにより、所望の膜厚に相当する透過率になったとき成膜を停止すれば、所望の膜厚の薄膜を成膜することができる。
【０００３】
上記のような光学薄膜を蒸着法やイオンプレーティング法等の成膜方法で成膜する成膜装置及び成膜方法として、成膜室内に設けられたモニタ用のガラスに成膜し、この成膜された薄膜の透過率または反射率を測定して膜厚を制御する薄膜形成装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
この特許文献１に記載の薄膜形成装置は、モニタに成膜された膜厚を測定し成膜を停止する際、膜厚の測定中に発生するノイズを除去した反射率または透過率の差分を算出し、反射率または透過率が減少した際にシャッターを閉じて成膜を停止するものである。
【特許文献１】特開２００２−１９４５４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の薄膜形成装置では、成膜中に透過率を測定し、測定した反射率あるいは透過率のデータが所望の膜厚に相当する値になったとき、シャッターを閉じて成膜を停止するため、成膜手段による成膜動作終了後、真空成膜室に残るベーパ状態となって放出されている薄膜材料により、さらに被成膜体に成膜され、膜厚を正確に測定できないという問題が生じる。したがって、各層の正確な膜厚が測定できないため、正確な分光特性を持つ透過または反射光量の得られるフィルタ等を製造することが困難であった。
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであって、正確な分光特性を有するフィルタ等の光学薄膜が得られる成膜装置及び成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の成膜装置は、成膜室内に配設された被成膜対象物と、該被成膜対象物上に薄膜を成膜する成膜手段と、該成膜手段により成膜される薄膜の膜厚を検出する膜厚測定手段とを有する成膜装置において、前記成膜手段による成膜終了後に、前記膜厚測定手段により検出されたデータの変化量が所定値以下になるまで動作する検出部を備え、該検出部が、前記データの変化量が所定値以下になったとき前記膜厚測定手段による膜厚の測定を停止させる測定制御部を備えていることを特徴とする。
【０００６】
この成膜装置では、成膜手段による成膜動作終了後も、膜厚測定手段により検出されたデータの変化量が所定値以下になるまで検出部が動作するため、成膜室内にベーパ状態となって残る成膜材料でさらに被成膜対象物に成膜される薄膜の膜厚も膜厚測定手段により検出が可能となる。したがって、各層の正確な膜厚が測定でき、正確な分光特性を持つフィルタ等を作製することが可能となる。
【０００７】
また、本発明の成膜装置は、前記膜厚測定手段が光学的方法によって膜厚を測定し、前記検出部が、前記被成膜対象物上の薄膜の透過率，透過光量，反射率及び反射光量の少なくともいずれか１つを検出することが好ましい。
この成膜装置によれば、光学的方法によって、検出部が薄膜の透過率，透過光量，反射率及び反射光量の少なくともいずれか１つを検出するため、簡易な構成で、精度良く膜厚を測定することが可能となる。
【０００８】
本発明の成膜装置は、成膜室内に配設された被成膜対象物と、該被成膜対象物上に薄膜を成膜する成膜手段と、該成膜手段により成膜される薄膜の膜厚を検出する膜厚測定手段とを有する成膜装置において、前記成膜手段による成膜終了後に前記膜厚測定手段を所定時間動作させるタイマ制御部を備えていることを特徴とする。
【０００９】
この成膜装置によれば、成膜手段による成膜動作終了後も、タイマ制御部において所定時間膜厚測定手段を動作させ膜厚測定を行うため、成膜室内にベーパ状態となって残る成膜材料でさらに被成膜対象物に成膜される薄膜の膜厚も測定することが可能となる。このため、簡易な構成により各層の正確な膜厚が測定でき、正確な分光特性を持つフィルタ等を作製することが可能となる。
【００１０】
本発明の成膜方法は、上記本発明の成膜装置により前記被成膜対象物に成膜する方法であって、前記成膜手段と前記被成膜対象物との間に配置されたシャッターを開いた状態で前記被成膜対象物に薄膜を成膜するとともに前記膜厚測定手段により膜厚を測定する工程と、前記膜厚が所望の値に達したときシャッターを閉じる工程と、シャッターを閉じた後で膜厚測定手段により前記膜厚を連続して測定する工程とを有することを特徴とする。
この薄膜形成方法によれば、シャッターを閉じた後も膜厚測定手段により膜厚を測定することにより、シャッターを閉じた後、成膜室内にベーパ状態となって残る成膜材料でさらに被成膜対象物に成膜される薄膜の膜厚も測定することが可能となる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明においては以下の効果を奏する。
本発明の成膜装置及び成膜方法によれば、成膜終了後も検出部あるいはタイマ制御部の動作により、成膜室内にベーパ状態となって残る成膜材料でさらに被成膜対象物に成膜される薄膜の膜厚も測定することが可能となる。このため、各層の正確な膜厚が測定でき、正確な分光特性を持つフィルタ等を作製することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
次に、本発明の第１実施形態について、図１から図３を参照して説明する。
本実施形態に係る成膜装置１０は、図１及び図２に示すように、チャンバ（成膜室）１２内に同心円状に複数（図示例では８個）配設された光学ガラス平板からなる基板（被成膜対象物）１４と、基板１４の中心位置に配設されたモニタガラス２１と、基板１４とモニタガラス２１を保持し、チャンバ１２内の上方側で水平状態で回転操作される円盤状の保持部材２０と、基板１４に対向する同一平面上の同一円周上位置にそれぞれ配設された第1の成膜材料１６及び第2の成膜材料１８と、膜厚を測定する膜厚測定機構（膜厚測定手段）３０と、この膜厚測定機構３０の測定データに基づいて成膜プロセス全般を制御する制御部４０とを備えている。
【００１３】
保持部材２０は、基板１４及びモニタガラス２１を固定するヤトイ２２と、このヤトイ２２を保持して各成膜材料１６，１８が配設されている平面と平行な位置に配設される回転板２３とを備えている。
モニタガラス２１は、基板１４と同じ光学ガラスで構成され、基板１４上にそれぞれ成膜される第１の成膜材料１６と第２の成膜材料１８とにより同様の条件で成膜されるようになっている。
【００１４】
回転板２３は、この回転板２３に一体に取り付けた中空の回転軸Ｒの外周に設けた外歯車（図示略）を介して、基板１４が各成膜材料１６、１８の直上を通過できるように中心軸Ｃまわりに回転させる回転モータ２４と連結した歯車２４ａに接続されている。基板１４は、図１に示すように、回転板２３の中心軸Ｃから等距離離れた同一円周上にほぼ等間隔に配設されている。
回転モータ２４は、チャンバ１２の上部に貫通した回転軸Ｒを回転させる歯車２４ａと連結するモータロッド２４ｂを有しており、回転板２３は中空の回転軸Ｒの下端に水平状態に固定されている。
この回転モータ２４によって、各基板１４は各成膜材料１６，１８上を回転通過するようになっている。
基板１４と各成膜材料１６，１８との間には、成膜手段によって放出されたベーパ状態の成膜材料の基板１４とモニタガラス２１とへの到達を制御するシャッター２５a，２５ｂが備えられている。
シャッター２５a，２５ｂは、シャッター用モータ２６ａ，２６ｂによって所定の速度で回転駆動される回転軸ＳＣに接続されており、シャッター２５a，２５ｂがこの回転軸ＳＣまわりに回転することによって、基板１４と各成膜材料１６，１８との間及びモニタガラス２１と各成膜材料１６、１８との間を開放・閉鎖するようになっている。
【００１５】
膜厚測定機構３０は、チャンバ１２の下方側からモニタガラス２１へ光を照射する投光ユニット３１と、モニタガラス２１を透過した投光ユニット３１からの光を受光する受光ユニット３２とを備えている。
投光ユニット３１は、ハロゲン光源で構成される光源３１Ａと、この光源３１Ａに接続された光ファイバ３１Ｂを介して伝送された光をモニタガラス２１に鉛直下方から照射するコリメートレンズ等の出射端光学系３１Ｃとを備えている。
【００１６】
受光ユニット３２は、回転板２３を挟んで出射端光学系３１Ｃに対向して設けられた集光レンズ等の入射端光学系３２Ａと、この入射端光学系３２Ａに接続された光ファイバ３２Ｂを介して伝送された光を検出して光量を測定する、例えば、フォトダイオード等の受光素子を備える受光部３２Ｃとを備えている。
入射端光学系３２Ａは、中空の回転軸Ｒの内部にその一部が挿入され、回転軸Ｒの回転に従属して回転しないように、その上部側でチャンバ１２の外壁に固定されている。
受光部３２Ｃは、内部に備えた受光素子により測定された光量に応じた電圧データが制御部４０に送られるようになっている。
【００１７】
投光ユニット３１から照射されモニタガラス２１を透過した光は、受光部３２Ｃの直前に配設されたモノクロメータ（図示略）を介して受光部３２Ｃに入射される。
出射端光学系３１Ｃは、チャンバ１２の底部に配設され、直上にモニタガラス２１が配置されている位置となるように固定されている。また、入射端光学系３２Ａは、出射端光学系３１Ｃに対向する位置となるチャンバ１２の上部に固定されて配設されている。また、入射端光学系３２Ａと出射端光学系３１Ｃの各光軸は、回転板２３の中心軸Ｃに略一致する位置に配設されていることが好ましい。
これらにより、波長λの測定光量はモニタガラス２１に成膜される膜厚が波長の１／４の整数倍のときにピークを有する正弦関数となる。
【００１８】
チャンバ１２内には、加熱機構（図示略）を備えた蒸発装置等の成膜手段が備えられており、この成膜手段を用いて、加熱制御した各成膜材料１６，１８をチャンバ１２内にベーパ状態として放出し、基板１４に薄膜を成膜するようになっている。
チャンバ１２の外部下方には、チャンバ１２内を低圧にするための粗引きポンプ３３と高真空ポンプ３４とが設けられ、真空度をモニタする真空計３５が設けられている。
【００１９】
制御部４０は、図３に示すように、受光部３２Ｃにおける電圧データを一定時間ごとに検出し膜厚の変化がなくなるまで動作する検出回路（検出部）４１と、受光部３２Ｃから送られた電圧データをデジタルデータに変換するＡ／Ｄコンバータ４２と、あらかじめ求められた値が入力された条件設定値４３と、Ａ／Ｄコンバータ４２から出力されるデータが入力される比較演算器４４と、この比較演算器４４に接続されシャッター２５を制御する成膜制御部４５とを備えている。
【００２０】
検出回路４１は、受光部３２により出力される電圧データの変化量を検出する増減検出回路４６と、この増減検出回路４６の出力をあらかじめ所望の膜厚のときに得られる光量に相当するデジタルデータが電圧値として入力された設定電圧値４７と、増減検出回路４６から入力されたデータと設定電圧値４７とを比較する比較器４８と、この比較器４８出力に応じてＡ／Ｄコンバータ４２を制御する測定制御回路（測定制御部）４９とを備えている。
増減検出回路４６は、例えば、電圧の増加及び減少を定量的に測定できる微分回路で構成されている。
【００２１】
条件設定値４３とは、あらかじめ所望の膜厚のときに得られる透過率と、透過率が増加状態か減少状態であるかと、透過率が経過したピーク数に相当するデジタルデータ等の値である。
比較演算器４４は、Ａ／Ｄコンバータ４２に入力されるデータに基づいて透過率を演算し求められた透過率と条件設定値４３のデータとの比較と、現在測定している透過率のデータと前の透過率データとを比較し透過率が減少状態であるか増加状態であるかの判断と、透過率が経過したピーク数の演算とを行うようになっている。
成膜制御部４５は、シャッター用モータ２６の回転制御を行い、シャッター２５の操作を制御して、基板１４への成膜動作を終了させるようになっている。
【００２２】
次に、以上の構成からなる本実施形態の成膜装置１０によって第１の成膜材料１６と第2の成膜材料１８からなる薄膜を形成する方法について説明する。なお、成膜材料１６と成膜材料１８との層を交互に成膜するので第1の成膜材料１６からなる薄膜を形成する方法について以下説明する。
まず、成膜装置１０によって基板１４に薄膜を形成するのに先立って、成膜を停止する条件として、透過率がＰ２％，透過率の増減状態は増加状態及び透過率のピーク経過数１を条件設定値４３に設定しておく。
【００２３】
次に、成膜が開始される前の状態で、モニタガラス２１の透過光量を測定する。まず、光源３１Ａを作動させ、光源３１Ａから発せられた光は光ファイバ３１Ｂを介してモニタガラス２１に照射される。モニタガラス２１を通過した光は、受光ユニット３２により受光され、受光された光は光量に応じた電圧信号に変換され電圧データとして出力される。このモニタガラス２１の透過光量は、モニタガラス２１を置かない状態で測定された透過光量を電圧に変換した電圧データ（ｄｓ）で、モニタガラス２１の透過光量を電圧に変換し、電圧データ（ｄｏ）を除算（ｄｏ／ｄｓ）した透過率として計算される。ここで、成膜前の時間Ｔ１での透過率は、図４に示すように、Ｐ１％である。なお、モニタガラス２１及び各基板１４への成膜中も、モニタガラス２１に成膜される薄膜によるモニタガラス２１の透過率は、上述した方法、すなわち、モニタガラス２１を置かない状態で測定された透過光量を電圧に変換した電圧データ（ｄｓ）で、モニタガラス２１に薄膜を成膜したときの透過光量を電圧に変換した電圧データを除算した方法で測定及び計算することによって求める。
【００２４】
次に、所定の屈折率（例えば１．５２）を有する各基板１４及びモニタガラス２１をヤトイ２２にセットし、真空計３５にて所定の圧力（例えば７×１０−５Ｐａ）までチャンバ１２内を粗引きポンプ３３及び高真空ポンプ３４で排気する。このとき、各シャッター２５ａ，２５ｂは閉じた状態とする。
また、回転モータ２４を駆動して、基板１４とともに回転板２３を例えば毎分５０回転させる。そして、加熱機構（図示略）により、第1の成膜材料１６が加熱される。
【００２５】
このような成膜準備がなされた後、常時は閉鎖位置にあるシャッター２５ａ，２５ｂのうち、まず、シャッター２５ａを開けることにより、第1の成膜材料１６は基板１４とモニタガラス２１とに成膜され、モニタガラス２１の透過率が膜厚測定機構３０により測定される。電圧信号に変換された電圧データは、Ａ／Ｄコンバータ４２によりデジタルデータに変換され、このデジタルデータとあらかじめ設定された透過率に対応した電圧値である条件設定値４３とが比較演算器４４において比較される。
【００２６】
また、電圧信号に変換され電圧データは、増減検出回路４６にも入力され、増減検出回路４６から出力された電圧値とあらかじめ設定された増減値に対応した電圧値が入力されている電圧設定値とが比較器４８において比較される。さらに、成膜時間が経過するとともに成膜が進行するため、モニタガラス２１の透過率が変化し、図４に示すように、時間Ｔ２であるとき、透過率Ｐ２は条件設定値４３に設定した条件となる。この状態になると、比較演算器４４から成膜制御部４５に停止信号が出力され、シャッター２５ａを閉じ、シャッター２５ａ，２５ｂを閉鎖位置とし、成膜手段によるモニタガラス２１及び各基板１４への成膜を終了する。
【００２７】
このようにして、成膜手段による成膜が終了しても、チャンバ１２内にベーパ状態となって残っている第1の成膜材料１６によりさらに成膜が進行するため、図５及び図６に示すように、時間Ｔ２からＴ３にかけて透過率はＰ２からＰ３まで変化していく。このとき、図６に示すように、時間Ｔ２のとき、増減検出回路４６から出力される電圧の増減量に応じた電気信号Ｂ２は減少する方向に向かう。この減少する電圧信号は、比較器４８において、あらかじめ設定された増減値に対応した電圧値である設定電圧値４７と常に比較される。
【００２８】
このとき、チャンバ１２内にベーパ状態となって残っている第1の成膜材料１６による成膜が終わりに近づいているため、検出回路４１の出力値も小さくなる。検出回路４１により検出された出力値が設定電圧値４７に入力されている値ＢＴより小さくなると、測定制御回路４９に停止信号が出力され膜厚測定機構３０による測定は終了する。そして、透過率の測定データから膜厚に換算され、最終的な膜厚が検出される。
その後、加熱機構（図示略）により第２の成膜材料１８が加熱される。そして、第２の成膜材料１８による成膜準備がなされた後、シャッター２５ｂを開けることにより、第２の成膜材料１８を基板１４とモニタガラス２１とに成膜し、この際にモニタガラス２１の透過率が膜厚測定機構３０により測定される。その後、第１の成膜材料１６の成膜時と同様な工程を繰り返して第２の成膜材料についても最終的な膜厚が検出される。
【００２９】
すなわち、本実施形態に係る成膜装置１０によれば、成膜手段による成膜動作終了後も、膜厚測定機構３０により検出されたデータの変化量が所定値以下になるまで検出回路４１が動作するため、チャンバ１２内にベーパ状態となって残る成膜材料でさらに基板１４に成膜される薄膜の膜厚も膜厚測定機構３０により検出が可能となる。したがって、各層の正確な膜厚が測定でき、正確な分光特性を持つフィルタ等を作製することが可能となる。
【００３０】
次に、本発明に係る第２実施形態について、図７を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第１実施形態に係る成膜装置１０と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係る成膜装置において、第１実施形態と異なる点は、第１実形態では、制御部４０内に検出回路４１を備えていたが、これに代えて、図７に示すように、制御部６０内にタイマ制御回路（タイマ制御部）６１及び測定制御回路６２を備えている点である。
【００３１】
タイマ制御回路６１は、各シャッター２５への制御信号を受けてから、膜厚測定機構３０を所定時間動作させるようになっている。
測定制御回路６２は、タイマ制御回路６１からの停止信号を受けて、膜厚測定機構３０を停止させるようになっている。
【００３２】
次に、以上の構成からなる本実施形態の成膜装置によって第１の成膜材料１６と第2の成膜材料１８からなる薄膜を形成する方法について説明する。なお、成膜材料１６と成膜材料１８との層を交互に成膜するので第1の成膜材料１６からなる薄膜を形成する方法について以下説明する。
第1実施形態と同様に、膜厚測定機構３０により膜厚が測定され、比較演算器４４において演算される。そして、成膜時間が経過するとともに成膜が進行するため、基板１４の透過率が変化し、図８及び図9に示すように、時間Ｔ２であるとき、透過率Ｐ２は条件設定値４３に設定した条件となる。この状態になると、比較演算器４４から成膜制御部４５に停止信号が出力され、シャッター２５ａを閉じてシャッター２５ａ，２５ｂを閉鎖位置とし、成膜手段によるモニタガラス２１及び各基板１４への成膜を終了する。このとき、比較演算器４４からの出力信号はタイマ制御回路６１にも出力される。
【００３３】
このようにして、成膜手段による成膜が終了しても、チャンバ１２内にベーパ状態となって残っている第1の成膜材料１６によりさらに成膜が進行するため、図９に示すように、時間Ｔ２からＴ３にかけて透過率はＰ２からＰ３まで変化していく。ここで、時間Ｔ３あたりでは、チャンバ１２内にベーパ状態となって残っている第1の成膜材料１６による成膜が終わりに近づいているため、透過光量の変化が小さくなっている。
タイマ制御回路６１は、例えば3秒経過した後、測定制御回路６２に停止信号が出力され膜厚測定機構３０による測定は終了する。そして、透過率の測定データから膜厚に換算され、最終的な膜厚が検知される。
【００３４】
すなわち、本実施形態に係るこの成膜装置によれば、成膜手段による成膜動作終了後も、タイマ制御回路６１において所定時間膜厚測定機構３０を動作させ膜厚測定を行うため、成膜室内にベーパ状態となって残る第1の成膜材料１６でさらに被成膜対象物に成膜される薄膜の膜厚も測定することが可能となる。このため、簡易な構成により各層の正確な膜厚が測定でき、正確な分光特性を持つフィルタ等を作製することが可能となる。
【００３５】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、受光ユニット３２の出力信号はＡ／Ｄコンバータ４２へ出力し、デジタルデータに変換してコンピュータに入力することで、全てソフトウエア処理で実施することにしても構わない。
また、被成膜体としてモニタガラス２１を使用し透過率の測定を行ったが、基板１４を直接測定しても良い。
また、投光ユニット３１と受光ユニット３２との位置を調整して透過率により膜厚測定機構３０の制御を行ったが、これに代えて、透過率、反射率、反射光量及び透過光量の少なくともいずれか1つにより膜厚測定機構３０の制御を行っても良い。
また、膜厚測定法として光学的方法を用いたが、これに代えて、電気抵抗法を用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の第１実施形態における成膜装置のターゲット配置を示す平面図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線矢視における第１実施形態の成膜装置を示す断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態における成膜装置の制御部の構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の第１実施形態における成膜装置で得られる時間と透過率との関係を示すグラフである。
【図５】図４の時刻Ｔ２及びＴ３における時間と透過率との関係を拡大したグラフである。
【図６】本発明の第１実施形態における成膜装置で得られる時間と検出回路により出力されるデータとの関係を示すグラフである。
【図７】本発明の第２実施形態における成膜装置の制御部の構成を示すブロック図である。
【図８】本発明の第２実施形態における成膜装置で得られる時間と透過率との関係を示すグラフである。
【図９】図４の時刻Ｔ２及びＴ３における時間と透過率との関係を拡大したグラフである。
【符号の説明】
【００３７】
１０  成膜装置
１２  チャンバ（成膜室）
１４  基板（被成膜対象物）
３０  膜厚測定機構（膜厚測定手段）
４１  検出回路（検出部）
４９，６２  測定制御回路（測定制御部）
６１  タイマ制御回路（タイマ制御部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005146376.tif 000009
【図８】
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【図９】
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