(57)【要約】【課題】発光寿命を低減させることなく、有機電界発光素子における非発光欠陥を低減することが可能な有機電界発光素子を用いた表示装置の製造方法および表示装置を提供する。【解決手段】発光層を含む有機層を有する青色の有機電界発光素子１２Ｂ、赤色の有機電界発光素子１２Ｒ、緑色の有機電界発光素子１２Ｇを備えた表示装置の製造方法および表示装置であって、有機電界発光素子１２Ｂの有機層１４Ｂ、有機電界発光素子１２Ｒの有機層１４Ｒ、有機電界発光素子１２Ｇの有機層１４Ｇのそれぞれの膜厚を、輝度の低い色順、すなわち、有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇの順に厚く設定し、基板１１上に、各有機ＥＬ素子１２Ｂ、１２Ｒ、１２Ｇの有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇの少なくとも発光層を、青色、赤色、緑色の順に成膜することを特徴とする表示装置の製造方法およびこれにより得られる表示装置である。【選択図】図１
2005209421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を含む有機層を有する各色の有機電界発光素子を備えた表示装置の製造方法であって、
前記各有機電界発光素子の有機層の膜厚を、輝度の低い色順に厚く設定し、
基板上に、前記各有機電界発光素子の有機層の少なくとも発光層を、輝度の低い色順に成膜する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記表示装置は、青色、赤色、緑色の有機電界発光素子を備えており、
前記各有機電界発光素子の有機層の膜厚を、青色、赤色、緑色の順に厚く設定し、
基板上に、前記各有機電界発光素子の有機層の少なくとも発光層を、青色、赤色、緑色の順に成膜する
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記表示装置は、陽極と陰極との間に発光層を含む有機層が挟持されており、前記発光層で発生した光を前記陽極と前記陰極との間で共振させる共振器構造を有するものであって、
青色（Ｂ）、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）の前記有機電界発光素子の前記発光層で発生した光が、前記陽極および前記陰極で反射する際に生じる位相シフトをΦB、ΦR、ΦG、各色の前記有機電界発光素子の前記陽極と前記陰極との間の光学的距離をＬB、ＬR、ＬG、前記陽極側または前記陰極側から取り出す光のスペクトルのピーク波長をλB、λR、λGとした場合、前記光学的距離ＬB、ＬR、ＬGが数１を満たすように、前記有機層の膜厚を設定する
ことを特徴とする請求項２記載の表示装置の製造方法。
【数１】
2005209421.tif 000004
【請求項４】
発光層を含む有機層を有する各色の有機電界発光素子を備えた表示装置であって、
前記各有機電界発光素子の有機層は、輝度の低い順に膜厚が厚く形成されている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
前記表示装置は、青色、赤色、緑色の有機電界発光素子を備えており、
前記各有機電界発光素子の有機層は、青色、赤色、緑色の順に、膜厚が厚く形成されている
ことを特徴とする請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記表示装置は、陽極と陰極との間に発光層を含む有機層が挟持されており、前記発光層で発生した光を前記陽極と前記陰極との間で共振させる共振器構造を有するものであって、
青色（Ｂ）、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）の前記有機電界発光素子の前記発光層で発生した光が、前記陽極および前記陰極で反射する際に生じる位相シフトをΦB、ΦR、ΦG、各色の前記有機電界発光素子の前記陽極と前記陰極との間の光学的距離をＬB、ＬR、ＬG、前記陽極側または前記陰極側から取り出す光のスペクトルのピーク波長をλB、λR、λGとした場合、前記有機層は、前記光学的距離ＬB、ＬR、ＬGが数２を満たすような膜厚に形成されている
ことを特徴とする請求項５記載の表示装置。
【数２】
2005209421.tif 000005
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法およびこれによって得られる表示装置に関し、特に、有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）を備えた表示装置の製造方法および表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ブラウン管に代わる表示装置として、軽量で消費電力の小さいフラット表示装置の研究、開発が行われている。このうち、有機ＥＬ素子を備えた表示装置は、自発光で、応答速度が高速であり、低消費電力での駆動が可能な表示装置として、注目されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置をフルカラー化する構成として、青色（Ｂ）、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）に発光する有機ＥＬ素子を配列した構成がある。この構成においては、発光層を含む有機層を陽極（アノード）と陰極（カソード）とで挟持した発光素子の構成を採用し、発光層で生じた光を陽極と陰極との間で共振させて、陽極側または陰極側から取り出す、マイクロキャビティ（微小光共振器）構造とする構成が提案されている。このような構成とすることにより、取り出し光の色純度を向上させ、共振の中心波長付近の取り出し光の強度を向上させることが可能である。
【０００４】
このため、Ｂ、Ｒ、Ｇの有機ＥＬ素子における取り出し光のスペクトルのピーク波長λB、λR、λGに合わせて、各色の有機ＥＬ素子における共振器構造の光学的距離ＬB、ＬR、ＬGをそれぞれ設定することにより、色純度改善が行われている。この光学的距離ＬB、ＬR、ＬGは、マイクロキャビティ効果を最大限にするために、各色ともに、０次の干渉条件になるように決定されており、波長の長いλR、λG、λBの順に、ＬR＞ＬG＞ＬBとなっている。そして、各色の有機ＥＬ素子の有機層は、この光学的距離に応じた膜厚となっており、Ｒ、Ｇ、Ｂの順に膜厚が厚く形成されている。
【０００５】
ここで、一般的に、有機ＥＬ素子の有機層は、真空蒸着法により、基板に蒸着マスクをアライメントした状態で、各色の有機層を蒸着させることで、各色別に塗り分けている。これにより、先に蒸着された色の有機層に、後から異なる色の有機層を蒸着する際に用いる蒸着マスクが接触してしまい、先に蒸着された色の有機層に傷が生じたり、蒸着マスクの異物が転写される。このため、先に蒸着される有機層を有する有機ＥＬ素子では、非発光欠陥が生じ易くなり、後から成膜される有機層を有する有機ＥＬ素子ほど、非発光欠陥が抑制される。
【０００６】
そこで、非発光欠陥の周囲の輝度が高いと非発光欠陥の視認性も高くなることを考慮し、輝度の低い順、すなわち、Ｂ、Ｒ、Ｇの順に有機層を蒸着させる方法がある。また、膜厚の薄い有機層から先に成膜すると、薄い膜厚の有機層に何度も蒸着マスクが接触することで、非発光欠陥が生じ易くなるため、膜厚の厚い順、すなわち、上述したように、Ｒ、Ｇ、Ｂの順に有機層を蒸着させる方法も報告されている。さらには、蒸着マスクと有機層の接触を防ぐために、有機層を成膜する領域内に突起部（スペーサー）を設ける例も報告されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−５９６７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上述したように、各色の有機層を輝度の低い順に成膜すると、膜厚の最も薄いＢの有機層が先に成膜されるため、蒸着マスクの接触の影響を受け易く、Ｂの有機ＥＬ素子の非発光欠陥が多くなる。また、０次の干渉条件でのＢの有機層の膜厚は薄いため、基板上の異物や電極上の凹凸の影響を受け易く、さらに非発光欠陥が多くなる傾向があった。
【０００９】
また、各色の有機層を膜厚順に成膜する場合には、Ｂの有機層は最後に蒸着されるため、Ｂの有機ＥＬ素子の非発光欠陥が抑制されるものの、Ｇの有機層はＢの有機層よりも先に成膜されるため、蒸着マスクの接触により、輝度の最も高いＧの有機ＥＬ素子の非発光欠陥が増加するという現象が生じていた。Ｇの有機ＥＬ素子は輝度が高いため、非発光欠陥の視認性が高い。さらに、有機層を成膜する領域内にスペーサーを設ける方法では、有機層の成膜領域がスペーサーの分だけ低減されるため、この表示装置をスペーサーのないものと同一輝度で点灯させた場合に、発光寿命が低減してしまう、という問題があった。
【００１０】
このため、発光寿命を低減させることなく、各色の有機ＥＬ素子における非発光欠陥を低減可能な有機ＥＬ表示装置が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述したような課題を解決するために、本発明における表示装置の製造方法は、各有機ＥＬ素子の有機層の膜厚を、輝度の低い色順に厚く設定し、基板上に、各有機ＥＬ素子の有機層の少なくとも発光層を、輝度の低い色順に成膜することを特徴としている。
【００１２】
このような表示装置の製造方法によれば、輝度の低い色の有機層から順に成膜されることで、最後に成膜される輝度の高い色の有機層は、蒸着マスクの接触が抑制され、接触による損傷や異物の転写が防止される。このため、輝度の高い有機ＥＬ素子の非発光欠陥が低減される。また、輝度の低い色順に有機層の膜厚が厚く設定されることから、輝度の低い色の有機層ほど膜厚が厚くなることで、蒸着マスクの接触による影響が抑制されるとともに、基板上の異物や電極の凹凸等の外的要因による影響も受け難くなる。したがって、輝度の低い色の有機ＥＬ素子の非発光欠陥も低減される。これにより、背景技術で説明したように、有機層の成膜領域に蒸着マスクとの接触を防ぐためのスペーサーを設けなくても、蒸着マスクの有機層への影響が抑制され、有機ＥＬ素子の非発光欠陥も低減される。
【００１３】
また、本発明における表示装置は、発光層を含む有機層を有する各色の有機ＥＬ素子を備えた表示装置であって、各色の有機ＥＬ素子の有機層は、輝度の低い色順に膜厚が厚く形成されていることを特徴としている。
【００１４】
このような表示装置によれば、輝度の低い色順に有機層の膜厚が厚く形成されている。これにより、輝度の低い色の有機層ほど膜厚が厚くなるため、基板上の異物や電極の凹凸等の外的要因による影響も受け難くなり、非発光欠陥が低減される。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明における表示装置の製造方法およびこれにより得られる表示装置によれば、有機層の成膜領域を低減することなく、有機ＥＬ素子の非発光欠陥を低減することができる。したがって、発光寿命を低減させることなく、表示装置の表示品質を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１７】
図１は本発明の表示装置の製造方法によって得られる表示装置の一構成例を模式的に示す断面図である。この図に示す表示装置１０は、基板１１上に、青色（Ｂ）の光が取り出される有機ＥＬ素子１２Ｂ、赤色（Ｒ）の光が取り出される有機ＥＬ素子１２Ｒ、緑色（Ｇ）の光が取り出される有機ＥＬ素子１２Ｇを発光素子として配列形成してなるフルカラーの表示装置である。
【００１８】
有機ＥＬ素子１２Ｂ、１２Ｒ、１２Ｇは、基板１１側から順に、陽極１３、有機層１４、電子注入層１５および陰極１６を積層した構成となっている。そして、有機層１４において生じた発光光ｈを、陰極１６側から取り出す、上面発光型として構成されている。以下、各部材の詳細な構成を製造工程順に説明する。
【００１９】
まず、例えばガラスなどの絶縁材料からなる基板１１上に、薄膜トランジスタ（Thin film Transistor(ＴＦＴ)）（図示省略）を形成する。そして、このＴＦＴが形成された基板１１上に、ここでの図示は省略するが、例えばポリイミドを塗布、露光、現像、焼成して平坦化膜を形成する。この露光により平坦化膜にコンタクトホールを形成することで、後工程で形成する陽極１３がこのコンタクトホールを介して上述したＴＦＴと接続される。
【００２０】
次に、例えば真空雰囲気下でのスパッタ法により、平坦化膜（図示省略）上に、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜１３ａ、Ａｇ合金膜１３ｂ、ＩＴＯ膜１３ｃが基板１１側から順次積層された導電層を形成する。続いて、この導電層上にレジストパターン（図示省略）を形成し、このレジストパターンをマスクに用いたエッチングにより、パターニングすることで、陽極１３を形成する。その後、レジストパターンを除去する。この陽極１３におけるＡｇ合金膜１３ｂは、以降に詳細に説明する共振器構造の反射層として用いられることとする。
【００２１】
次に、陽極１３上に、通常のリソグラフィ技術により素子分離のための絶縁層（図示省略）を形成することで、各色の有機ＥＬ素子１２Ｂ、１２Ｒ、１２Ｇの形成領域を分離する。続いて、窒素（Ｎ2）雰囲気下でベークを行い、酸素（Ｏ2）プラズマにより、基板１１の前処理を行う。
【００２２】
次いで、例えば真空蒸着法により、陽極１３上に、有機ＥＬ素子１２Ｂの有機層１４Ｂ、有機ＥＬ素子１２Ｒの有機層１４Ｒ、有機ＥＬ素子１２Ｇの有機層１４Ｇをそれぞれ形成する。本発明では、各有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇの膜厚を、輝度の低い色から順に厚く設定することが特徴的であり、輝度の低い色順は、Ｂ、Ｒ、Ｇとなることから、有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇの順に膜厚が厚く設定される。そして、各有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇの膜厚は、有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇにおいて生じた発光光ｈのうち目的とする波長の光を、陽極１３中のＡｇ合金膜１３ｂ（反射層）と陰極１６との間で共振させることが可能な膜厚に設定されることとする。
【００２３】
ここで、本実施形態の表示装置１０における有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇの膜厚を設定するための共振器構造について詳細に説明する。この表示装置１０は、後述するように、陽極１３上に形成される有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇ上に電子注入層１５を介して陰極１６が形成されている。そして、陽極１３中のＡｇ合金膜１３ｂと陰極１６との間に挟持される、陽極１３における最上層のＩＴＯ膜１３ｃと、有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇと、電子注入層１５とを合わせた共振部Ｃにおいて、目的とする波長の光を共振させて、陰極１６側から取り出すように構成されている。
【００２４】
この表示装置１０は、フルカラー表示を得るために、発光層２３Ｂ、２３Ｒ、２３Ｇで生じる発光光ｈは、Ｂ、Ｒ、Ｇの波長領域で発光強度を有している。そして、各有機ＥＬ素子１２Ｂ、１２Ｒ、１２Ｇにおいて、Ａｇ合金膜１３ｂと陰極１６との間の光学的距離ＬB、ＬR、ＬGは、それぞれの有機ＥＬ素子１２Ｂ、１２Ｒ、１２Ｇに設定した所望の波長λB、λR、λGの光が、共振部Ｃで共振する値にそれぞれ設定されている。従来の表示装置では、この光学的距離ＬB、ＬR、ＬGは、０次の干渉条件となるように設定されており、ＬR＞ＬG＞ＬBとなっていた。
【００２５】
これに対し、本実施形態では、ＬR、ＬGを従来のまま０次の干渉条件で設定し、ＬBのみを１次の干渉条件となるように設定する。これにより、例えば、各有機ＥＬ素子１２Ｂ、１２Ｒ、１２Ｇの発光層２３Ｂ、２３Ｒ、２３Ｇで発生した発光光ｈが、Ａｇ合金膜１３ｂおよび陰極１６で反射する際に生じる位相シフトをΦB、ΦR、ΦG（ラジアン）、有機ＥＬ素子１２Ｂ、１２Ｒ、１２ＧにおけるＡｇ合金膜１３ｂと陰極１６との間の光学的距離をＬB、ＬR、ＬG、陰極１６側から取り出す光のスペクトルのピーク波長をλB、λR、λGとした場合、光学的距離ＬB、ＬR、ＬGが数３を満たすようにする。
【００２６】
【数３】
2005209421.tif 000003
【００２７】
これにより、ＬB＞ＬR＞ＬGとなる範囲で、ＬR、ＬGはｑ次の干渉条件であり、ＬBは（ｑ＋１）次の干渉条件で設定される。例えば、ＬR、ＬGを１次の干渉条件とし、ＬBを２次の干渉条件としてもよい。ただし、光学的距離ＬB、ＬR、ＬGは、光学的距離ＬR、ＬGが正の最小値となるように、すなわち、ＬR、ＬGを０次の干渉条件とし、ＬBを１次の干渉条件とすることが、マイクロキャビティ効果が高いため、好ましい。そして、この光学的距離ＬB、ＬR、ＬGに応じて、有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇの順に膜厚を厚く設定する。
【００２８】
ここで、例えば有機層１４Ｂは、後述するように、正孔注入層２１Ｂ、正孔輸送層２２Ｂ、発光層２３Ｂ、電子輸送層２４Ｂで構成されるが、有機層１４Ｂの膜厚を設定する場合には、上記のどの層の膜厚で調整してもよく、各層の構成材料により適宜設定されることとする。有機層１４Ｇ、１４Ｒについても同様である。
【００２９】
そして、上記のような膜厚順に設定された有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇを、この膜厚順、すなわち輝度の低い色から順に成膜する。具体的には、次のように成膜工程を行う。
【００３０】
例えば、真空雰囲気下で、基板１１上に蒸着マスク（図示省略）をアライメントして、有機ＥＬ素子１２Ｂの形成領域における陽極１３上に、正孔注入層２１Ｂ、正孔輸送層２２Ｂ、発光層２３Ｂ、電子輸送層２４Ｂを順番に蒸着することで、青色の有機層１４Ｂを形成する。
【００３１】
次いで、真空雰囲気を維持した状態で、基板１１上に蒸着マスク（図示省略）をアライメントして、有機ＥＬ素子１２Ｒの形成領域に、正孔注入層２１Ｒ、正孔輸送層２２Ｒ、発光層２３Ｒ、電子輸送層２４Ｒを順番に蒸着することで、赤色の有機層１４Ｒを形成する。
【００３２】
その後、真空雰囲気を維持した状態で、基板１１上に蒸着マスク（図示省略）をアライメントして、有機ＥＬ素子１２Ｇの形成領域に、正孔注入層２１Ｇ、正孔輸送層２２Ｇ、発光層２３Ｇ、電子輸送層２４Ｇを順番に蒸着することで、緑色の有機層１４Ｇを形成する。
【００３３】
以上のように、有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇを形成した後、真空雰囲気を維持した状態で、基板１１上に蒸着マスク（図示省略）をアライメントして、真空蒸着法により、有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇ上に、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）からなる電子注入層１５を形成する。その後、真空蒸着法により、この蒸着マスクを用いて例えばＭｇＡｇ合金からなる陰極１６を形成する。この陰極１６は、有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇで生じた発光光ｈを取り出す側となるため、その光透過率が膜厚等で調整されていることとする。そして、この陰極１６と上述した陽極１３との間には、ここでの図示は省略した電流注入用の駆動電源が接続されていることとする。
【００３４】
次いで、スパッタ法により、基板１１上に陰極１６を蒸着する際に用いた蒸着マスクをアライメントして、陰極１６上に、例えば酸化インジウム亜鉛（Indium Zinc Oxide（ＩＺＯ））からなる透明導電層（図示省略）を形成する。この透明導電層は、陰極１６の電気抵抗を下げるために形成される。
【００３５】
その後、化学的気相成長（Chemical Vapor Deposition(ＣＶＤ)）法により、マスクをアライメントした状態で、透明導電層上に窒化シリコン（ＳｉＮx）からなる保護膜（図示省略）を成膜する。次に、基板１１の周縁部上に、熱硬化性の樹脂を塗布し、この樹脂上にガラス基板（図示省略）を張り合わせた状態で、加熱することで樹脂封止を行う。
【００３６】
このような表示装置の製造方法およびこれにより得られる表示装置によれば、有機ＥＬ素子１２Ｂ、１２Ｒ、１２Ｇの有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇの膜厚を、Ｂ、Ｒ、Ｇの順に厚く設定し、有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇの順に成膜する。これにより、有機ＥＬ素子１２Ｇの有機層１４Ｇが最後に形成されるため、蒸着マスクの接触が抑制され、この接触に起因する有機層１４Ｇの損傷や異物混入が防止される。したがって、輝度の高い有機ＥＬ素子１２Ｇの非発光欠陥を低減することができる。
【００３７】
また、有機ＥＬ素子１２Ｂの光学的距離ＬBを１次の干渉条件にすることで、従来の０次の干渉条件の場合には最も薄く設定される有機層１４Ｂの膜厚が、最も厚く設定される。これにより、輝度の低い色の有機層１４Ｂを最初に成膜しても、従来よりも膜厚が厚いため、蒸着マスクの接触による影響や基板１１上の異物、陽極１３の凹凸等の外的要因の影響が抑制される。したがって、有機ＥＬ素子１２Ｂの非発光欠陥を低減することができる。
【００３８】
さらに、有機ＥＬ素子１２Ｒの有機層１４Ｒは２番目に成膜されるため、従来のように、光学的距離ＬB、ＬG、ＬRを０次の干渉条件とし、膜厚の厚い色順、すなわち有機層１４Ｒを最初に成膜する場合と比較して、有機層１４Ｒへの蒸着マスクの接触が抑制され、この接触による影響も抑制される。したがって、有機ＥＬ素子１２Ｒの非発光欠陥も低減することができる。
【００３９】
よって、有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇの成膜領域に蒸着マスクと有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇとの接触を防ぐためのスペーサーを設けなくても、蒸着マスクの接触による有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇへの影響を抑制でき、有機ＥＬ素子１２Ｂ、１２Ｒ、１２Ｇの非発光欠陥を低減することができる。したがって、発光寿命を低減させることなく、表示装置１０の表示品質を高めることができる。
【００４０】
以上、実施の形態により本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇにおける全ての層を、輝度の低い順に色別に形成する例について説明したが、有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇのうち、少なくとも発光層２３Ｂ、２３Ｒ、２３Ｇを輝度の低い色から順に成膜すればよい。例えば有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇの膜厚が、各有機層の発光層２３Ｂ、２３Ｒ、２３Ｇの膜厚の差のみで異なり、有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇにおける発光層２３Ｂ、２３Ｒ、２３Ｇ以外の層が同一材料であって、これらの層を同一工程で形成することが可能な場合には、発光層２３Ｂ、２３Ｇ、２３Ｒのみを輝度の低い色から順に成膜すればよい。
【００４１】
また、上記の実施形態では、発光光ｈを陽極１３側で反射させ、半透過性のＡｇＭｇ合金で形成された陰極１６側、すなわち上面側から取り出す構成としたが、陽極１３を半透過性の材質で形成し、陰極１６を反射性の高い材質で形成することで、発光光ｈを陽極１３側、すなわち下面側から取り出す構成としてもよい。
【００４２】
さらに、陽極１３と陰極１６とを半透過性の材質で形成することで、両面から発光光ｈを取り出すような構造にすることも可能である。
【００４３】
また、上記の実施形態においては基板１１上に形成された陽極１３上に、有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇを形成し、これらの上部に、電子注入層１５を介して陰極１６を形成し、陰極１６側から光を取り出すように構成した例について説明したが、積層順序を逆にして、基板１１上に形成された陰極１６上に、電子注入層１５を介して有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇを形成した後、これらの上部に、陽極１３を形成し、陽極１３側から光を取り出すように構成してもよい。
【実施例】
【００４４】
さらに、本発明の具体的な実施例について説明する。本実施例では、上記実施の形態と同様の方法により、表示装置を製造した。
【００４５】
まず、ＴＦＴが形成された基板１１上に、コンタクトホールが設けられた平坦化膜（図示省略）を形成した。次に、平坦化膜上に、ＩＴＯ膜１３ａ、Ａｇ合金膜１３ｂ、ＩＴＯ膜１３ｃが基板１１側から順次積層された導電層を形成した。ここでの膜厚は、ＩＴＯ膜１３ａ／Ａｇ合金膜１３ｂ／ＩＴＯ膜１３ｃ＝約３０ｎｍ／約１００ｎｍ／約１０ｎｍとした。続いて、この導電層をパターニングすることで、陽極１３を形成した。
【００４６】
次に、陽極１３上に素子分離のための絶縁層（図示省略）を形成し、各色の有機ＥＬ素子１２Ｂ、１２Ｒ、１２Ｇの形成領域を分離した。続いて、Ｎ2雰囲気下でベークを行い、Ｏ2プラズマにより、基板１１の前処理を行った。
【００４７】
次いで、真空雰囲気下でこの基板１１を有機層１４Ｂを成膜するチャンバーに搬送し、基板１１上に蒸着マスク（図示省略）をアライメントして、有機ＥＬ素子１２Ｂの陽極１３上に、正孔注入層２１Ｂ、正孔輸送層２２Ｂ、発光層２３Ｂ、電子輸送層２４Ｂを順次蒸着することで、有機層１４Ｂを形成した。有機層１４Ｂの膜厚は、１次の干渉条件の光学的距離ＬBに応じて設定し、約２００ｎｍとした。
【００４８】
次いで、真空雰囲気を維持した状態で、有機層１４Ｒを成膜するチャンバーに搬送し、基板１１上に蒸着マスク（図示省略）をアライメントして、有機ＥＬ素子１２Ｒの形成領域の陽極１３上に、正孔注入層２１Ｒ、正孔輸送層２２Ｒ、発光層２３Ｒ、電子輸送層２４Ｒを順次蒸着することで、有機層１４Ｒを形成した。有機層１４Ｒの膜厚は、０次の干渉条件の光学的距離ＬRに応じて設定し、約１５０ｎｍとした。
【００４９】
その後、真空雰囲気を維持した状態で、有機層１４Ｇを成膜するチャンバーに搬送し、基板１１上に蒸着マスク（図示省略）をアライメントして、有機ＥＬ素子１２Ｇの形成領域の陽極１３上に、正孔注入層２１Ｇ、正孔輸送層２２Ｇ、発光層２３Ｇ、電子輸送層２４Ｇを順番に蒸着することで、有機層１４Ｇを形成した。有機層１４Ｇの膜厚は、０次の干渉条件の光学的距離ＬGに応じて設定し、約１００ｎｍとした。
【００５０】
次に、真空雰囲気を維持した状態で、電子注入層１５および陰極１６を蒸着するチャンバーに基板１１を搬送し、基板１１上に蒸着マスク（図示省略）をアライメントして、有機層１４Ｂ、１４Ｒ、１４Ｇ上に、ＬｉＦからなる電子注入層１５を約１ｎｍの膜厚で形成した。その後、この蒸着マスクを用いてＭｇＡｇ合金からなる陰極１６を約１００ｎｍの膜厚で形成した。
【００５１】
次いで、真空雰囲気を維持した状態で、スパッタ法により透明導電層（図示省略）を成膜するチャンバーに基板１１を搬送し、基板１１上に陰極１６を蒸着する際に用いた蒸着マスクをアライメントして、陰極１６上にＩＺＯよりなる透明導電層を約１００ｎｍの膜厚で成膜した。
【００５２】
その後、真空雰囲気を維持した状態で、ＣＶＤ法により保護膜（図示省略）を成膜するチャンバーに基板１１を搬送し、マスクをアライメントした状態で、透明導電層上にＳｉＮxからなる保護膜を約１μｍの膜厚で成膜した。次に、基板１１の周縁部上に、熱硬化性の樹脂を塗布し、この樹脂上にガラス基板（図示省略）を張り合わせた状態で、加熱することで樹脂封止を行った。
【００５３】
本実施例に対する比較例として、背景技術で説明したように、光学的距離ＬB、ＬR、ＬGを０次の干渉条件とし、これに応じて、有機層１４Ｂの膜厚を約７０ｎｍ、有機層１４Ｒの膜厚を約１５０ｎｍ、有機層１４Ｇの膜厚を約１００ｎｍとした。そして、膜厚の厚い色から順に、すなわち、有機層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂの順で、各色別に成膜した。なお、有機層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂの成膜工程以外は、実施例と同様の方法で行い、同様の構成とした。
【００５４】
得られた実施例および比較例の表示装置について、所定の電流値で連続点灯させた場合の非発光欠陥の経時変化を調べた。その結果を図２に示す。図２のグラフでは、比較例における３４０時間連続点灯させた場合の、青色の有機ＥＬ素子１２Ｂの非発光欠陥の数を１００として、実施例および比較例における各色の有機ＥＬ素子１２Ｂ、１２Ｒ、１２Ｇの非発光欠陥の経時変化を表している。
【００５５】
このグラフに示すように、連続点灯させた場合の非発光欠陥の経時変化を比較したところ、本実施例の有機ＥＬ素子１２Ｂ、１２Ｒ、１２Ｇは、各色ともに非発光欠陥が低減されることが確認された。特に、比較例では、有機ＥＬ素子１２Ｂと有機ＥＬ素子１２Ｇで非発光欠陥が経時的に著しく増加したのに対し、本実施例では、有機ＥＬ素子１２Ｂと有機ＥＬ素子１２Ｇの非発光欠陥はほとんど増加せず、大幅に改善することができた。すなわち、有機層１４Ｂのみを１次の干渉条件の光学的距離ＬBに応じた膜厚とし、輝度の低い順に成膜することで、有機ＥＬ素子１２Ｂ、１２Ｒ、１２Ｇの非発光欠陥が低減されることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の表示装置の製造方法およびこれによって得られる表示装置に係る実施形態を説明するための模式的な断面図である。
【図２】本発明の実施例および比較例における各色の有機ＥＬ素子の非発光欠陥数の経時変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５７】
１０…表示装置、１１…基板、１２Ｂ，１２Ｒ，１２Ｇ…有機ＥＬ素子、１３…陽極、１４Ｂ，１４Ｒ，１４Ｇ…有機層、１６…陰極、ＬB，ＬR，ＬG…光学的距離、２３Ｂ，２３Ｒ，２３Ｇ…発光層
【図１】
2005209421.tif 000006
【図２】
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