(57)【要約】【課題】  単位面積あたりの洗浄時間のばらつきを少なくする。【解決手段】  被洗浄基板１を載置する載置台１０と、載置台１０を回転させる載置台回転手段１２と、載置台１０に載置された被洗浄基板１に擦接し、該被洗浄基板１を洗浄する洗浄ブラシ２０と、洗浄ブラシ２０を被洗浄基板１の径方向に移動させるブラシ移動手段２２と、載置台１０の回転中心からの洗浄ブラシ２０の位置及び載置台１０の回転速度に基づいて、回転している被洗浄基板１に対する洗浄ブラシ２０の移動速度が一定値（Ｋ）になるように、ブラシ移動手段２２による洗浄ブラシ２０の移動速度（Ｖｒ）を制御する制御部４４とを具備する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被洗浄基板を回転させながら、洗浄手段を前記被洗浄基板の径方向に移動させることにより、該被洗浄基板の表面全面を洗浄する工程を具備し、
前記被洗浄基板の回転中心からの前記洗浄手段の位置（ｒ）及び前記被洗浄基板の回転速度に基づいて、回転している前記被洗浄基板の表面に対する前記洗浄手段の相対移動速度が一定値（Ｋ）になるように、前記洗浄手段の前記径方向における移動速度（Ｖｒ）を制御する、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記洗浄手段の移動速度（Ｖｒ）を、該洗浄手段の位置が前記載置台の回転中心に近づくにつれて速くする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
下記式（１）に従って前記洗浄手段の移動速度を制御する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
Ｖｒ＝（Ｋ２−ｒ２Ｖθ２）0.5・・・式（１）
ただしＶθ＝載置台の角速度。
【請求項４】
被洗浄基板を回転させながら、洗浄手段を前記被洗浄基板の径方向に移動させることにより、前記被洗浄基板の表面全面を洗浄する工程を具備し、
回転している前記被洗浄基板の表面に対する前記洗浄手段の相対移動速度が一定値になるように、前記洗浄手段の前記径方向における移動速度を制御する、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記洗浄手段は、前記被洗浄基板に擦接する洗浄ブラシである請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記洗浄手段は、前記被洗浄基板の表面に水を吹きつけるノズル及び前記被洗浄基板の表面に超音波を加える超音波源である請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記洗浄手段は、前記被洗浄基板の表面に水を吹きつけるノズルである請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
被洗浄基板を載置する載置台と、
前記載置台を回転させる載置台回転手段と、
前記載置台に載置された被洗浄基板の表面を洗浄する洗浄手段と、
前記洗浄手段を被洗浄基板の径方向に移動させる移動手段と、
前記載置台の回転中心からの前記洗浄手段の位置（ｒ）及び前記載置台の回転速度に基づいて、回転している被洗浄基板の表面に対する前記洗浄手段の相対移動速度が一定値（Ｋ）になるように、前記移動手段による前記洗浄手段の移動速度（Ｖｒ）を制御する制御部と
を具備する洗浄装置。
【請求項９】
前記一定値（Ｋ）が入力される入力部を更に具備する請求項８に記載の洗浄装置。
【請求項１０】
前記載置台の回転速度が入力される入力部を更に具備する請求項８又は９に記載の洗浄装置。
【請求項１１】
被洗浄基板を載置する載置台と、
前記載置台を回転させる載置台回転手段と、
前記載置台に載置された被洗浄基板の表面を洗浄する洗浄手段と、
前記洗浄手段を被洗浄基板の径方向に移動させる移動手段と、
回転している被洗浄基板の表面に対する前記洗浄手段の相対移動速度が一定値になるように、前記移動手段による前記洗浄手段の移動速度を制御する制御部と
を具備する洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ブラシなどの洗浄手段を洗浄面に沿って移動させることにより表面付着物を除去する半導体装置の製造方法及び洗浄装置に関する。特に本発明は、単位面積あたりの洗浄時間のばらつきを少なくすることができる洗浄装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８（ａ）は、従来の洗浄装置を示す平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）に示す洗浄装置の側面図である。この洗浄装置は、被洗浄基板の一例であるシリコンウェハ１０１を載置する載置台１１０を備えている。載置台１１０の上方にはノズル１０３の噴射口が、シリコンウェハ１０１に洗浄水を噴射するために配置されている。また載置台１１０の近傍には回転軸１０５が配置されており、この回転軸１０５にはアーム１０６の基端が組みつけられている。このアーム１０６の先端には洗浄ブラシ１０２が取り付けられている。
【０００３】
この洗浄装置は以下のように動作する。シリコンウェハ１０１を例えば８００ｒｐｍで回転させつつ、アーム１０６の先端の洗浄ブラシ１０２をシリコンウェハ１０１の表面に軽く押し付ける。そしてノズル１０３から洗浄水を噴射しながら、洗浄ブラシ１０２をシリコンウェハ１０１の表面で回転させる。またアーム１０６の先端をゆっくりシリコンウェハ１０１の中心から外側に向けて移動させる。
このようにしてシリコンウェハ１０１は全面が洗浄される。ここでアーム１０６の移動速度及びシリコンウェハ１０１の回転速度は互いに独立して設定される。
【特許文献１】特開２０００−２９６３６８号公報（第２段落乃至第５段落、図８（ａ）及び（ｂ））
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
被洗浄基板（例えば半導体基板）の全面を均一に洗浄するためには、単位面積あたりの洗浄時間のばらつきを少なくするのが好ましい。このためには被洗浄基板に対するブラシ等の洗浄手段の相対移動速度の変化を少なくする必要がある。例えば被洗浄基板が回転している場合、被洗浄基板の回転速度すなわち接線方向の速度は径方向の位置によって変化する。このため被洗浄基板に対する洗浄手段の相対移動速度には被洗浄基板の径方向における洗浄手段の位置も影響する。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、単位面積あたりの洗浄時間のばらつきを少なくすることができる半導体装置の製造方法及び洗浄装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明に半導体装置の製造方法は、
被洗浄基板を回転させながら、洗浄手段を前記被洗浄基板の径方向に移動させることにより、該被洗浄基板の表面全面を洗浄する工程を具備し、
前記被洗浄基板の回転中心からの前記洗浄手段の位置（ｒ）及び前記被洗浄基板の回転速度に基づいて、回転している前記被洗浄基板の表面に対する前記洗浄手段の相対移動速度が一定値（Ｋ）になるように、前記洗浄手段の前記径方向における移動速度（Ｖｒ）を制御する。
【０００６】
この半導体装置の製造方法によれば、洗浄手段の移動速度（Ｖｒ）を制御することにより、回転している被洗浄基板に対する洗浄手段の相対移動速度が一定値（Ｋ）にすることができる。このため被洗浄基板における単位面積あたりの洗浄時間のばらつきは少なく、被洗浄基板の全面を均一に洗浄することができる。
【０００７】
この半導体装置の製造方法において、前記洗浄手段の移動速度（Ｖｒ）を、該洗浄手段の位置が前記載置台の回転中心に近づくにつれて速くするのが好ましい。さらには、下記式（１）に従って前記洗浄手段の移動速度を制御するのが好ましい。
Ｖｒ＝（Ｋ２−ｒ２Ｖθ２）0.5・・・式（１）
ただしＶθは載置台の角速度である。
【０００８】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
被洗浄基板を回転させながら、洗浄手段を前記被洗浄基板の径方向に移動させることにより、前記被洗浄基板の表面全面を洗浄する工程を具備し、
回転している前記被洗浄基板の表面に対する前記洗浄手段の相対移動速度が一定値になるように、前記洗浄手段の前記径方向における移動速度を制御する。
【０００９】
上記した半導体装置の製造方法において、前記洗浄手段は、前記被洗浄基板に擦接する洗浄ブラシであってもよいし、前記被洗浄基板の表面に水を吹きつけるノズル及び前記被洗浄基板の表面に超音波を加える超音波源であってもよいし、前記被洗浄基板の表面に水を吹きつけるノズルであってもよい。
【００１０】
本発明に係る洗浄装置は、
被洗浄基板を載置する載置台と、
前記載置台を回転させる載置台回転手段と、
前記載置台に載置された被洗浄基板の表面を洗浄する洗浄手段と、
前記洗浄手段を被洗浄基板の径方向に移動させる移動手段と、
前記載置台の回転中心からの前記洗浄手段の位置（ｒ）及び前記載置台の回転速度に基づいて、回転している被洗浄基板の表面に対する前記洗浄手段の相対移動速度が一定値（Ｋ）になるように、前記移動手段による前記洗浄手段の移動速度（Ｖｒ）を制御する制御部と
を具備する。
【００１１】
この洗浄装置によれば、制御部が移動手段による洗浄手段の移動速度（Ｖｒ）を制御することにより、回転している被洗浄基板に対する洗浄手段の相対移動速度を一定値（Ｋ）にすることができる。このため被洗浄基板における単位面積あたりの洗浄時間のばらつきは少なく、被洗浄基板の全面を均一に洗浄することができる。
【００１２】
この洗浄装置は、一定値（Ｋ）が入力される入力部を更に具備していてもよいし、外部から前記載置台の回転速度が入力される入力部を更に具備していてもよい。
【００１３】
本発明に係る他の洗浄装置は、
被洗浄基板を載置する載置台と、
前記載置台を回転させる載置台回転手段と、
前記載置台に載置された被洗浄基板の表面を洗浄する洗浄手段と、
前記洗浄手段を被洗浄基板の径方向に移動させる移動手段と、
回転している被洗浄基板の表面に対する前記洗浄手段の相対移動速度が一定値になるように、前記移動手段による前記洗浄手段の移動速度を制御する制御部と
を具備する。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。 図１は本発明の第1の実施形態にかかるスクラブ洗浄用の洗浄装置の構成を示す概念図である。この洗浄装置は、被洗浄基板としてのシリコンウェハ１を載置する略円板状の載置台１０を備えている。載置台１０はモーター１２を動力源として回転する。モーター１２は制御部４４によって制御される。載置台１０の上方にはノズル３０の噴射口３２が、シリコンウェハ１に洗浄水を噴射するために設けられており、ノズル３０の噴射口３２の近傍には、シリコンウェハ１の表面に擦接する洗浄ブラシ２０が設けられている。
【００１５】
また本洗浄装置は、ブラシ移動手段２２及びノズル移動手段３４を備えている。ブラシ移動手段２２は、制御部４４からの指示に従って洗浄ブラシ２０をシリコンウェハ１の径方向に移動させ、ノズル移動手段３４は、制御部４４からの指示に従ってノズル３０をシリコンウェハ１の径方向に移動させる。制御部４４には、ユーザーが入力部４２に入力した載置台１０の回転速度すなわちシリコンウェハ１の回転速度（Ｖｗ）が入力される。制御部４４は、この入力値（Ｖｗ）に従ってモータ−１２を制御するとともに、ブラシ移動手段２２及びノズル移動手段３４それぞれを介して洗浄ブラシ２０及びノズル３０の移動速度を制御する。
【００１６】
次に、図２及び図３を用いて制御部４４が行う制御について説明する。図２は制御部４４が行う制御を示すフローチャートであり、図３(ａ)はシリコンウェハ１の回転速度（Ｖｗ）とブラシ移動手段２２による洗浄ブラシ２０の移動速度（Ｖｒ）それぞれを示す模式図であり、図３（ｂ）は回転速度（Ｖｗ）を加味した場合のシリコンウェハ１に対する洗浄ブラシ２０の相対移動速度（Ｖｔ）を説明する模式図である。
まずユーザーが単位時間あたりウェハ回転数すなわちウェハ回転速度（Ｖｗ）を入力部４２に入力する（Ｓ１０）と、制御部４４は、洗浄ブラシ２０の移動速度プロファイル及びノズル３０の移動速度プロファイルを算出する（Ｓ２０）。ここでの移動速度プロファイルは、ノズル３０の位置（ｒ）に対する洗浄ブラシ２０及びノズル３０それぞれの移動速度（Ｖｒ）である。
【００１７】
ここで制御部４４が算出する移動速度プロファイルについて、図３を用いて説明する。以下の説明においては洗浄ブラシ２０について説明を行うが、ノズル３０についても以下の説明が当てはまる。
シリコンウェハ１には複数の半導体チップが形成されるが、これらのばらつきを抑えるためには単位面積あたりの洗浄時間をシリコンウェハ１の全面において一定値にするのが好ましい。単位面積あたりの洗浄時間を一定値にするためには、シリコンウェハ１に対する洗浄ブラシ２０の相対移動速度（Ｖｔ）を一定にする必要がある。
【００１８】
図３(ａ)に示すように、シリコンウェハ１を洗浄している時にはシリコンウェハ１が回転している。このため、洗浄ブラシ２０の相対移動速度（Ｖｔ）には、ブラシ移動手段２２による移動速度（Ｖｒ）のほかに、シリコンウェハ１の回転速度（Ｖｗ）も影響する。シリコンウェハ１の回転速度（Ｖｗ）は、シリコンウェハ１の径方向の位置（ｒ）によって変化する。すなわちシリコンウェハ１の角速度をＶθとすると、シリコンウェハ１の回転速度（Ｖｗ）はｒＶθとなる。
【００１９】
そこで制御部４４は、載置台１０の回転中心すなわちシリコンウェハ１の中心からの洗浄ブラシ２０の位置（ｒ）及び載置台１０の回転速度（Ｖｗ）に基づいて、回転しているシリコンウェハ１に対する洗浄ブラシ２０の移動速度が一定値（Ｋ）になるように、ブラシ移動手段２２による洗浄ブラシ２０の移動速度（Ｖｒ）を制御する。ここで一定値（Ｋ）は予め制御部４４に設定されていても良いし、ユーザーが入力部４２に入力した値であってもよい。
【００２０】
具体的には、制御部４４は、洗浄ブラシ２０の位置が載置台１０の回転軸に近づくにつれて洗浄ブラシ２０の移動速度を速くする。好ましくは、下記式（１）に従って洗浄ブラシ２０の移動速度を制御する。
Ｖｒ＝（Ｋ２−ｒ２Ｖθ２）0.5・・・式（１）
【００２１】
この理由は以下のとおりである。上記したように洗浄ブラシ２０の相対移動速度（Ｖｔ）には、ブラシ移動手段２２による移動速度（Ｖｒ）のほかに、シリコンウェハ１の回転速度（Ｖｗ）も影響する。このため図３（ｂ）に示すように、洗浄ブラシ２０の相対移動速度ベクトル（Ｖｔ）は、ブラシ移動手段２２による洗浄ブラシ２０の移動速度ベクトル（Ｖｒ）と、シリコンウェハ１の回転速度（Ｖｗ）を合成して求められる。これらは直角であるため、洗浄ブラシ２０の相対移動速度（Ｖｔ）を一定値（Ｋ）にするには、上記式（１）に従って洗浄ブラシ２０の相対移動速度（Ｖｔ）を制御するのが好ましくなる。
【００２２】
そして図２に戻り、制御部４４は洗浄装置全体を制御しつつ、シリコンウェハ１の表面全面の洗浄を行う（Ｓ３０）。
このように本実施形態によれば、制御部４４は、載置台１０の回転中心すなわちシリコンウェハ１の中心からの洗浄ブラシの位置（ｒ）及び載置台１０の回転速度（Ｖｗ）に基づいて洗浄ブラシ２０の移動速度及びノズル移動手段３４によるノズル３０の移動速度（Ｖｒ）を制御することにより、単位面積あたりの洗浄時間がシリコンウェハ１のいずれの部分においても一定値になるようにする。このためシリコンウェハ１の表面全面を均一に洗浄することができる。
【００２３】
図４は、第２の実施形態に係る洗浄装置の構成を示す概念図である。この洗浄装置はいわゆるメガソニック洗浄方法により洗浄を行う装置であり、洗浄ブラシ２０の代わりに超音波源５２を備えている点、及びブラシ移動手段２２の代わりに超音波源移動手段５４を備えている点を除き、第１の実施形態に係る洗浄装置と構成が同一である。
【００２４】
超音波源移動手段５４は、制御部４４からの指示に従って超音波源５２をシリコンウェハ１の径方向に移動させる。制御部４４は、ユーザーが入力部４２に入力したシリコンウェハ１の回転速度（Ｖｗ）に従ってモータ−１２を制御するとともに、超音波源移動手段５４及びノズル移動手段３４それぞれを介して超音波源５２及びノズル３０の移動速度を制御する。
【００２５】
詳細には、制御部４４は、載置台１０の回転中心すなわちシリコンウェハ１の中心からの超音波源５２の位置（ｒ）及び載置台１０の回転速度（Ｖｗ）に基づいて、回転しているシリコンウェハ１に対する超音波源５２の移動速度が一定値（Ｋ）になるように、超音波源移動手段５４による超音波源５２の移動速度（Ｖｒ）を制御する。ここで一定値（Ｋ）は予め制御部４４に設定されていても良いし、ユーザーが入力部４２に入力した値であってもよい。
具体的には、制御部４４は、超音波源５２の位置が載置台１０の回転軸に近づくにつれて超音波源５２の移動速度を速くする。好ましくは、第１の実施形態において示した式（１）に従って超音波源５２の移動速度を制御する。
この第２の実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００２６】
図５は、第３の実施形態に係る洗浄装置の構成を示す概念図である。この洗浄装置は、洗浄ブラシ２０及びブラシ移動手段２２を備えていない点を除き、第１の実施形態に係る洗浄装置と構成が同一である。
【００２７】
すなわち本実施形態においてはノズル３０が純水を吹き付けることによりシリコンウェハ１の全面を洗浄する。制御部４４がノズル移動手段３４を介して行うノズル３０の制御は第１の実施形態と同一である。このため第３の実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００２８】
次に第４の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を、図６及び図７を用いて説明する。図６は本実施形態において製造される半導体装置の構成を示す断面図であり、図７は、図６に示した半導体装置の製造方法の一部を示すフローチャートである。
【００２９】
図６に示す半導体装置は、半導体素子としてＭＯＳトランジスタを備えている。すなわちシリコンウェハ１の表面には素子分離膜２が形成されており、この素子分離膜２の相互間の素子領域には、ソース拡散層及びドレイン拡散層である２つの不純物層７が形成されている。不純物層７の間にはゲート電極４が形成されている。ゲート電極４はゲート酸化膜３の上に形成されており、側面にはサイドウォール５が形成されている。素子分離膜２、ゲート電極４、サイドウォール５及び不純物層７の上には層間絶縁膜８が形成されている。層間絶縁膜８には、ゲート電極４の上に位置するコンタクトホール８ａ、及び２つの不純物層７それぞれの上に位置するコンタクトホール(図示せず)が形成されている。コンタクトホール８ａ上にはＡｌ合金配線９ａが形成されており、不純物層７上のコンタクトホール上にはＡｌ合金配線９ｂが形成されている。Ａｌ合金配線９ａは、コンタクトホール８ａの中に埋め込まれているＡｌ合金によってゲート電極４と接続している。またＡｌ合金配線９ｂは不純物層７上のコンタクトホールの中に埋め込まれているＡｌ合金によって不純物層７と接続している。
【００３０】
この半導体装置は、例えば以下のようにして、同一のシリコンウェハ１に複数製造される。まずシリコンウェハ１にＬＯＣＯＳ法により素子分離膜２を形成し、素子分離膜２の相互間の素子領域に熱酸化法によりゲート酸化膜３を形成する。次いで、このゲート酸化膜３を含む全面上に、ポリシリコン膜及びレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜をエッチングすることにより、ゲート酸化膜３の上にゲート電極４を形成する。次いで、このゲート電極４をマスクとしてシリコンウェハ１に不純物イオンをイオン注入する。次いで、ゲート電極４の側壁にサイドウォール５を形成し、このサイドウォール５及びゲート電極４をマスクとして不純物イオンをイオン注入し、所定の熱処理を施す。これにより、シリコンウェハ１のＬＤＤ領域には低濃度拡散層６が形成され、シリコンウェハ１のソース/ドレイン領域にはソース拡散層及びドレイン拡散層である不純物層７が形成される。
【００３１】
さらに層間絶縁膜８及びレジストパターンを形成する。層間絶縁膜８は、例えば酸化シリコン膜である。次いで、レジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより層間絶縁膜８にコンタクトホール８ａ及び不純物層７上のコンタクトホールを形成する。次いでこれらコンタクトホール及び層間絶縁膜８上にＡｌ合金膜をスパッタリングにより堆積する。次いで、このＡｌ合金膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてＡｌ合金膜をエッチングすることにより、Ａｌ合金配線９ａおよび９ｂを形成する。
【００３２】
ここで、図７を用いてポリシリコン膜をエッチングしてゲート電極４を形成する方法について詳細に説明する。ポリシリコン膜をシリコンウェハ１の表面に形成した（Ｓ１０）後、ポリシリコン膜の上にフォトレジスト膜を塗布し（Ｓ２０）、このフォトレジスト膜を露光（Ｓ３０）及び現像（Ｓ４０）することにより、ポリシリコン膜上にレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜をエッチングすることにより、ゲート電極４を形成する（Ｓ５０）。そしてレジストパターンを除去する（Ｓ６０）。
【００３３】
そしてゲート電極４のパターンが形成されたシリコンウェハ１の表面をスクラブ洗浄する（Ｓ７０）。このスクラブ洗浄は、第１の実施形態に示した洗浄装置を用いて行われるため、シリコンウェハ１全面を均一に洗浄して均一に異物を除去することができる。また、ゲート電極４を構成するパターンのうち特定の場所にダメージが集中しない。従ってパターン飛びなどが生じにくくなる。
【００３４】
なおポリシリコン膜をエッチングした後、層間絶縁膜８上をエッチングした後、及びＡｌ合金膜の上をエッチングした後それぞれに、第１の実施形態に示した洗浄装置を用いてスクラブ洗浄を行ってもよい。この場合も上記した効果を得ることができる。
【００３５】
このように本実施形態は、半導体装置の製造方法において第１の実施形態に係る洗浄装置を用いているため、シリコンウェハ１全面を均一に洗浄することができる。従ってシリコンウェハ１に形成されている複数の半導体装置においてパターン飛びなどの異常を生じにくくすることができる。
【００３６】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
例えば被洗浄基板の例としてシリコン基板を用いたが、他の半導体基板を洗浄することも可能である。また本発明に係る洗浄装置は、ＣＭＰ研磨後の半導体基板の洗浄に用いることも可能であるし、半導体基板以外の基板の洗浄、例えば液晶表示装置用ガラス基板の洗浄や、プラズマディスプレイパネル用のガラス基板の洗浄に用いることも当然可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】第1の実施形態にかかるスクラブ洗浄用の洗浄装置の構成を示す概念図。
【図２】制御部４４が行う制御を示すフローチャート。
【図３】(ａ)はシリコンウェハ１の回転速度（Ｖｗ）とブラシ移動手段２２による洗浄ブラシ２０の移動速度（Ｖｒ）それぞれを示す模式図、（ｂ）は回転速度（Ｖｗ）を加味した場合のシリコンウェハ１に対する洗浄ブラシ２０の相対移動速度（Ｖｔ）を説明する模式図。
【図４】第２の実施形態に係る基板洗浄用の洗浄装置の構成を示す概念図
【図５】第３の実施形態に係る基板洗浄用の洗浄装置の構成を示す概念図
【図６】半導体装置の構成を示す断面図
【図７】図６に示した半導体装置の製造方法の一部を示すフローチャート
【図８】（ａ）は、従来の洗浄装置を示す平面図、（ｂ）は（ａ）に示す洗浄装置の側面図。
【符号の説明】
【００３８】
１，１０１…シリコンウェハ、２…素子分離膜、３…ゲート酸化膜、４…ゲート電極、５…サイドウォール、６…低濃度拡散層、７…不純物層、８…層間絶縁膜、８ａ…コンタクトホール、９ａ，９ｂ…Ａｌ合金配線、１０，１１０…載置台、１２…モーター、２０，１０２…洗浄ブラシ、２２…ブラシ移動手段、３０，１０３…ノズル、３２…噴射口、３４…ノズル移動手段、４２…入力部、４４…制御部、５２…超音波源、５４…超音波源移動手段、１０５…回転軸、１０６…アーム
【図１】
2005260000.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005260000.tif 000009
【図８】
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