(57)【要約】【課題】本発明は、ピリジンカルボキシアルドキシム類の異性化によりピリジンカルボン酸アミド類を製造するにあたり、環境に有害で毒性の高いハロゲン化剤（メタンスルホン酸クロライド）を使わず、また汚れたハロゲンのアルカリ塩が大量に副生することのない方法で、また触媒を反応後回収再使用できる安価で簡便な方法を提供することを課題とする。【解決手段】親水性ホスフィン化合物を配位子として有する水溶性の遷移金属錯体の存在下または親水性ホスフィン化合物と遷移金属化合物の混合物の存在下、多相系溶媒中でピリジンカルボキシアルドキシム類を異性化させてピリジンカルボン酸アミド類を製造する。また、反応後触媒を含む相を分離して再使用する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
親水性ホスフィン化合物を配位子として有する水溶性の遷移金属錯体の存在下、または、親水性ホスフィン化合物と遷移金属化合物の混合物存在下、多相系溶媒中でピリジンカルボキシアルドキシム類を異性化させてピリジンカルボン酸アミド類を製造することを特徴とするピリジンカルボン酸アミド類の製造方法。
【請求項２】
水溶性の遷移金属錯体または遷移金属化合物における遷移金属が、８族、９族又は１０族の金属である請求項１記載の方法。
【請求項３】
水溶性の遷移金属錯体または遷移金属化合物における遷移金属が、ルテニウムである請求項１記載の方法。  
【請求項４】
多相系溶媒が、水、有機溶媒及びイオン性液体から選ばれる少なくとも２種類の互いに混和しない溶媒の組み合わせである請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
多相系溶媒が、イオン性液体及びイオン性液体と混和しない有機溶媒の混合溶媒である請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
反応終了後の反応混合物から、生成するピリジンカルボン酸アミド化合物をロ別した後に、親水性ホスフィン化合物を配位子として有する遷移金属錯体、または親水性ホスフィン化合物と遷移金属化合物の混合物を、水またはイオン性液体の溶液として回収して反応に再使用する請求項５記載の方法。
【請求項７】
ピリジンカルボキシアルドキシム類が、ピリジンカルボキシアルデヒド類をヒドロキシルアミン又はＯ−アルキル（アリール）置換ヒドロキシアミン類と反応させて得られるピリジンカルボキシアルドキシム類である請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医薬品あるいはその合成中間体、農薬あるいはその合成中間体等として広く利用されるピリジンカルボン酸アミド類の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ピリジンカルボキシアルドキシム類からピリジンカルボン酸アミド類を製造する方法は公知であり、例えば、３−ピリジンカルボキシアルドキシムを水を含んだアルミナとメタンスルホン酸クロライドを用いて異性化して３−ピリジンカルボン酸アミド（ニコチン酸アミド）を得ている例が、次の非特許文献１に記載されている。
【０００３】
【非特許文献１】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ、５８巻、１０３２３ページ〜１０３２８ページ、２００２年
【０００４】
ところが、この方法では、環境に有害で毒性の高いハロゲン化剤（メタンスルホン酸クロライド）を用いており、この酸クロライドは反応終了後にアルカリで中和処理して回収するが、そのときに汚れたハロゲンのアルカリ塩が大量に副生する。また、この反応剤は反応後回収することができないためにコストが高くつく。以上のことから、この従来の方法は工業的に有利な方法とはいいがたい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、ピリジンカルボキシアルドキシム類の異性化によりピリジンカルボン酸アミド類を製造するにあたり、上記従来法の問題点を解決した工業的に適用しうる簡便な方法、即ち、環境に有害で毒性の高いハロゲン化剤（メタンスルホン酸クロライド）を使わず、また汚れたハロゲンのアルカリ塩が大量に副生することのない方法で、また反応試剤を反応後回収再使用できる安価で簡便な方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を行った結果、ピリジンカルボキシアルドキシム類を触媒で異性化してピリジンカルボン酸アミド類を製造する際に、親水性ホスフィン化合物を配位子として有する水溶性の遷移金属錯体を触媒として用い、多相系溶媒中で行う方法によって、目的のピリジンカルボン酸アミド類を選択的に容易に製造できることを見出した。そして触媒として使用した水溶性の遷移金属錯体は反応終了後の反応混合物から分液により容易に回収でき、これを反応に再使用できることも見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち本発明は、親水性ホスフィン化合物を配位子として有する水溶性の遷移金属錯体の存在下、あるいは親水性ホスフィン化合物と遷移金属化合物の混合物の存在下、多相系溶媒中でピリジンカルボキシアルドキシム類を異性化させてピリジンカルボン酸アミド類を製造することを特徴とする、ピリジンカルボン酸アミド類の製造方法に関する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の方法によって、環境に有害で毒性の高いハロゲン化剤（メタンスルホン酸クロライド）を使わず、また汚れたハロゲンのアルカリ塩が大量に副生することのなく、さらに触媒を回収再利用できるので、工業的に有利にピリジンカルボン酸アミド類を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明を以下に詳しく説明する。
本発明に用いられるピリジンカルボキシアルドキシム類とは、例えば以下の化１に示すような、ピリジン環を持ち、分子内にピリジン環に結合した−Ｃ＝Ｎ−Ｏ−Ｒ結合を少なくとも１個有する化合物である。
【００１０】
【化１】
2005255544.tif 000002
（式中、Ｒは水素原子またはいずれもそれぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基或いはアリール基を表す）
【００１１】
当該ピリジンカルボキシアルドキシム類としては、一般に公知の方法によって製造したものを使用できる。例えば、以下に示す反応経路にしたがって、ピリジンカルボキシアルデヒド類をヒドロキシルアミン又はＯ−アルキル（アリール）ヒドロキシルアミン類と反応させて製造したものを用いることができる。
【００１２】
【化２】
2005255544.tif 000003
【００１３】
（式中、Ｒは水素原子またはいずれもそれぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基或いはアリール基を表す）
【００１４】
上記式中Ｒで表される、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基及びアリール基における置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、等の炭素数１〜４のアルキル基；アリル基、ビニル基等の炭素数２〜３のアルケニル基；シクロヘキシル基、シクロペンチル基等のシクロアルキル基；シクロヘキセニル基、シクロペンテニル基等のシクロアルケニル基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基があげられ、また置換基としてはカルボキシ基、アミノ基、ニトロ基。ヒドロキシ基、カルボニル基、シアノ基等をあげることができる。
【００１５】
本発明に用いられるピリジンカルボキシアルドキシム類は、上記の例に限定されず、またシン型及びアンチ型の立体構造についても特に制限はない。
【００１６】
本発明において触媒として用いられる親水性ホスフィン化合物を配位子として有する水溶性の遷移金属錯体（以下、単に水溶性遷移金属錯体という）または親水性ホスフィン化合物と遷移金属化合物の混合物において、親水性ホスフィン化合物は、親水性であって遷移金属原子又はそのイオンとともに錯体を形成し得るホスフィン化合物であればいずれも用いることができ、公知のものを広く適用することができる。親水性ホスフィン化合物は、分子中にリン原子を１個又は２個以上含むもののいずれであってもよく、好ましくは分子中にリン原子を１個又は２個含むものである。
【００１７】
分子中にリン原子を１個含む親水性ホスフィン化合物としては、例えば、式（１）：
【００１８】
【化３】
2005255544.tif 000004
（式中、Ｒ5はスルホナト基（−ＳＯ3Ｍ1：Ｍ1はアルカリ金属イオン又はアンモニウムイオンを表す。以下、同様。）及びカルボキシラート基（−ＣＯＯＭ2：Ｍ2はアルカリ金属イオン又はアンモニウムイオンを表す。以下、同様。）からなる群より選ばれる置換基を１個以上有するアリール基；炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；スルホナト基及びカルボキシラート基からなる群より選ばれる置換基を１個以上有する炭素数１〜６のアルキル基；又は下記式（２）〜（６）から選ばれる基を表し、Ｒ6及びＲ7は互いに同じか或いは異なってそれぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、アリール基或いはアラルキル基を表す。）で示される化合物等が代表的なものとして挙げられる。
【００１９】
式（２）：
【００２０】
【化４】
2005255544.tif 000005
（式中、Ｒ8は水素原子又は炭素数１〜１８のアルキル基を表し、ａは０〜３の整数、ｂは２〜１６の整数である。）
【００２１】
式（３）：
【００２２】
【化５】
2005255544.tif 000006
（式中、Ｍ3はアルカリ金属イオン又はアンモニウムイオンを表し、ｃは２〜１０の整数である。）
【００２３】
式（４）：
【００２４】
【化６】
2005255544.tif 000007
（式中、ｄは２〜１６の整数である。）
【００２５】
式（５）：
【００２６】
【化７】
2005255544.tif 000008
（式中、Ｒ9はメチレン基、炭素数２〜６のポリメチレン基又はフェニレン基を表し、ｅは３〜７の整数である。）
【００２７】
式（６）：
【００２８】
【化８】
2005255544.tif 000009
（式中、ｆは３〜７の整数である。）
【００２９】
上記式（１）においてＲ5で表されるスルホナト基及びカルボキシラート基からなる群より選ばれる置換基を１個以上有するアリール基は、好ましくはスルホナト基又はカルボキシラート基を１個又は２個有するフェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基及びビナフチリル基であり、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基は、好ましくはヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基等の炭素数１〜４のヒドロキシアルキル基であり、スルホナト基及びカルボキシラート基からなる群より選ばれる置換基を１個以上有する炭素数１〜６のアルキル基は、好ましくはスルホナト基又はカルボキシラート基を１個有する炭素数１〜４のアルキル基である。
【００３０】
上記式（１）において、式中のＲ6及びＲ7で表される置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、アリール基及びアラルキル基には、上記Ｒ5で示される置換基が包含される。その他の置換基を有していてもよいアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基及びｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６の直鎖状又は分岐鎖状の無置換のアルキル基並びにこれらが、水酸基、ニトロ基、アミノ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる置換基を１個以上有するもの等が挙げられ、置換基を有していてもよいアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、n−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜６の直鎖状又は分岐鎖状の無置換のアルコキシ基並びに当該無置換のアルコキシ基が水酸基、ニトロ基、アミノ基及びハロゲン原子等からなる群より選ばれる置換基を１個以上有するもの等が挙げられ、置換基を有していてもよいアリール基としては、例えば、前記置換基を有していてもよいアルキル基及びアルコキシ基並びに水酸基からなる群より選ばれる置換基を１個以上有していてもよいフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェニルナフチル基並びにビナフチル基等（具体的には、例えば、置換基を有していてもよいフェニル基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クミル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシトリル基等）が挙げられ、置換基を有していてもよいアラルキル基としては、例えば、前記置換基を有していてもよいアルキル基に前記置換基を有していてもよいアリール基が置換したもの等（具体的には、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリルメチル基、キシリルメチル基、（ヒドロキシフェニル）メチル基等）が挙げられる。
【００３１】
分子中にリン原子を１個含む親水性ホスフィン化合物は上記式（１）で示される化合物に限定されない。分子中にリン原子を１個含む親水性ホスフィン化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物を挙げることができる。
【００３２】
【化９】
2005255544.tif 000010
【００３３】
【化１０】
2005255544.tif 000011
（式中、ｈは１、２、４、５又は７である。）
【００３４】
【化１１】
2005255544.tif 000012
（式中、Ｒ10は炭素数４〜１８の直鎖状のアルキル基を表し、ｋは７〜１６の整数、ｍは０〜２の整数、ｎは１〜３の整数であり、ｍ＋ｎ＝３である。）
【００３５】
【化１２】
2005255544.tif 000013
【００３６】
【化１３】
2005255544.tif 000014
（式中、ｐは２〜１６の整数、ｑは０〜２の整数、ｒは１〜３の整数であり、ｑ＋ｒ＝３である。）
【００３７】
【化１４】
2005255544.tif 000015
（式中、ｓは１又は２である。）
【００３８】
【化１５】
2005255544.tif 000016
（式中、ｆは上記と同じ。）
【００３９】
【化１６】
2005255544.tif 000017
（式中、ｔは２〜１６の整数である。）
【００４０】
【化１７】
2005255544.tif 000018
【００４１】
また、分子中にリン原子を２個含む親水性ホスフィン化合物としては、例えば、式（７）：
【００４２】
Ｒ11Ｒ12Ｐ−Ａ−ＰＲ13Ｒ14      （７）
［式中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14は互いに同じか或いは異なってそれぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアラルキル基を表し、Ａは置換基を有していてもよいアルキレン基；置換基を有していてもよいアリーレン基；又は式（８）：
【００４３】
【化１８】
2005255544.tif 000019
（式中、ｕは１〜６の整数である。）で示される基を表し、Ａが置換基を有していてもよいアルキレン基又はアリーレン基の場合、当該アルキレン基及びアリーレン基はスルホナト基及びカルボキシラート基からなる群より選ばれる置換基を１個以上有し及び／又はＲ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14の少なくとも１個は式（１）中のＲ5と同様である。］で示される化合物が挙げられる。
【００４４】
式（７）中のＲ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14の置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、アリール基及びアラルキル基は、上記式（１）におけるＲ6及びＲ7と同様である。
【００４５】
また式（７）中のＡで表される置換基を有していてもよいアルキレン基としては、例えば、メチレン基；エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基及びヘキサメチレン基等のポリメチレン基；これらが置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基［上記式（１）におけるＲ6及びＲ7のそれらと同様］、スルフォナト基及びカルボキシラート基からなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基を有していてもよい基等が挙げられる。置換基を有していてもよいアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基及びビナフチリレン基並びにこれらが置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基及びアリール基［上記式（１）におけるＲ6及びＲ7のそれらと同様］並びにスルフォナト基及びカルボキシラート基からなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基を有していてもよい基が挙げられる。
【００４６】
分子中にリン原子を２個含む親水性ホスフィン化合物は、上記式（７）で示される化合物に限定されるものではない。分子中にリン原子を２個含む親水性ホスフィン化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物を挙げることができる。
【００４７】
【化１９】
2005255544.tif 000020
【００４８】
【化２０】
2005255544.tif 000021
【００４９】
【化２１】
2005255544.tif 000022
【００５０】
【化２２】
2005255544.tif 000023
【００５１】
【化２３】
2005255544.tif 000024
【００５２】
【化２４】
2005255544.tif 000025
【００５３】
【化２５】
2005255544.tif 000026
【００５４】
【化２６】
2005255544.tif 000027
【００５５】
【化２７】
2005255544.tif 000028
【００５６】
【化２８】
2005255544.tif 000029
【００５７】
【化２９】
2005255544.tif 000030
【００５８】
【化３０】
2005255544.tif 000031
【００５９】
【化３１】
2005255544.tif 000032
【００６０】
なお親水性ホスフィン化合物は、従来公知の方法に従って調製することができる。
本発明の水溶性遷移金属錯体は、親水性である限りにおいて、親水性ホスフィン化合物以外に、他の配位子を含んでいてもよい。他の配位子としては、具体的には、例えば、トリフェニルホスフィン、１，５−シクロオクタジエン、ハロゲンイオン（塩素イオン、臭素イオン又はヨウ素イオン）、２，２‘−ジピリジル、ｐ−シメン、ＣＯ、トリ（シクロヘキシル）ホスフィン、シクロペンタジエン、ペンタメチルシクロペンタジエン、エチレンジアミン及びノルボルナジエン等、従来公知の遷移金属錯体に含まれる配位子を挙げることができる。
【００６１】
本発明の遷移金属化合物は次の配位子を含んでいてもよい。配位子としては、具体的には、例えば、トリフェニルホスフィン、１，５−シクロオクタジエン、ハロゲンイオン（塩素イオン、臭素イオン又はヨウ素イオン）、２，２‘−ジピリジル、ｐ−シメン、ＣＯ、トリ（シクロヘキシル）ホスフィン、シクロペンタジエン、ペンタメチルシクロペンタジエン、エチレンジアミン及びノルボルナジエン等、従来公知の遷移金属錯体に含まれる配位子を挙げることができる。
【００６２】
また本発明における水溶性遷移金属錯体または遷移金属化合物を構成する遷移金属としては、例えば、８族、９族及び１０族の遷移金属が挙げられ、好ましくは、ルテニウムである。これら遷移金属は、０価の原子又は陽イオンとして本発明の水溶性遷移金属錯体を構成する。
【００６３】
本発明における水溶性遷移金属錯体は、上記親水性ホスフィン化合物を、上記遷移金属化合物と反応させて調製することができる。水溶性遷移金属錯体の調整原料として用いられる遷移金属化合物としては、例えば、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）ルテニウム（II）、ジクロロトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（II）等を挙げることができるが、これらに限定されない。
【００６４】
本発明の水溶性遷移金属錯体の調整方法は特に限定されず、従来公知の方法を適用することができ、例えば、親水性ホスフィン化合物を調整原料の遷移金属化合物と溶媒中で反応させた後、溶媒を除去し、得られた固体を再結晶等により精製する方法が挙げられる。
【００６５】
本発明において、水溶性遷移金属錯体の使用量は、原料のピリジンカルボキシアルドキシム類１モルに対して通常０．００００１〜０．２モル、好ましくは０．０００１〜０．１モルである。
【００６６】
本発明のピリジンカルボキシアルドキシム類の異性化は、多相系溶媒中で行われる。多相系溶媒とは、互いに混和しない２種以上の溶媒の組み合わせからなり、静置状態でそれぞれの溶媒の相に層分離する混合溶媒である。具体的には、例えば、水、有機溶媒及びイオン性液体から選ばれる少なくとも２種類の互いに混和しない溶媒を組み合わせて用いた混合溶媒である。有機溶媒としては、例えば、ｎ−ヘキサン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素、テトラリン等の脂環式炭化水素、ジエチルエーテル等のエーテル類等が挙げられ、イオン性液体としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換イミダゾリウム＝テトラフルオロボレート、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換イミダゾリウム＝ヘキサフルオロホスフェート、Ｎ−アルキル置換ピリジニウム＝ヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。ここで、水、有機溶媒及びイオン性液体の組み合わせは、本発明における水溶性遷移金属錯体と、目的物のピリジンカルボン酸アミド類とそれ以外の副生物、のそれぞれを異なる溶媒の相に溶解して容易に分離できるような組み合わせが好ましく、生成物ピリジンカルボン酸アミド類と副生物類の溶解特性に応じて決定すればよい。
【００６７】
特に好ましくは多相系溶媒としてイオン性液体及びイオン性液体と混和しない有機溶媒の混合溶媒を用いる。目的物のピリジンカルボン酸アミド類の多くは、水にもイオン性液体にも有機溶媒相にも溶解しにくいので、反応終了後冷却してロカすれば生成物のアミドはほとんどすべて分離できる。
また、残りのロ液の水相と有機相を分液すれば、水溶性遷移金属錯体または親水性ホスフィン化合物と遷移金属化合物の混合物を水相に、残存生成ピリジンカルボン酸アミド類と副生物類とを有機溶媒相に、それぞれ溶解して分離、回収することができる。
また残存生成アミド及び副生物類が水及び有機溶媒のいずれにも溶解し得る場合には、水相と有機溶媒相を分液した後、更に水相から副生物類を水と混和しない有機溶媒で抽出して分離してもよい。
なお、このようにして得られるイオン性液体相に含まれる親水性遷移金属錯体、または親水性ホスフィン化合物と遷移金属化合物の混合物は、そのまま、本発明のピリジンカルボキシアルドキシム類の反応の触媒として再利用することができる。
【００６８】
多相系溶媒の使用量は特に限定されないが、ピリジンカルボキシアルドキシム類１に対して通常０．５〜１００重量倍、好ましくは２〜２０重量倍である。
【００６９】
本発明の反応の反応温度は、通常０〜２００℃の範囲でよく、好ましくは５０〜１５０℃である。反応時間は特に制限はない。
【００７０】
本発明のピリジンカルボン酸アミド類の製造法を実施するには、反応器にピリジンカルボキシアルドキシム類、水溶性遷移金属錯体または親水性ホスフィン化合物と遷移金属化合物の混合物、及び多相系溶媒を仕込んだ後、上記反応温度にて攪拌すればよい。なお反応は、低酸素状態もしくは酸素が存在しない条件下で実施するのが好ましく、反応に用いる化合物が液体であるときには脱気した後に使用するのが好ましい。また、反応は窒素やアルゴン等の不活性な気体の雰囲気下で実施することが好ましい場合もある。
【００７１】
反応終了後、冷却してロカ、または抽出等の手段によって、目的とするピリジンカルボン酸アミド類を得ることができる。また、必要によりカラムクロマトグラフィー或いは晶析等により精製することもできる。
【００７２】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【実施例】
【００７３】
以下の実施例におけるガスクロマトグラフィーの分析条件は次の通りである。
＜ガスクロマトグラフィー分析条件＞
・カラム：ＤＢ−１（Ｊ＆Ｗサイエンス社製）
・キャリアガス及び流量：ヘリウム、４０ｍｌ／分
・カラム温度：８０℃から２５０℃まで５℃／分で昇温した後、２５０℃で３０分間保持。
【００７４】
参考例１（親水性配位子の合成）
９５％濃硫酸１０ｍｌに３０％発煙硫酸を氷冷下攪拌しながら加え、さらに２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）５．０ｇ（８ｍｍｏｌ）を少量ずつゆっくり加える。温度を４０℃まで２時間かけて上昇し、この液をＮａＯＨ水溶液（ＮａＯＨ４７ｇ＋水１８０ｍｌ）にゆっくり滴下する。析出した結晶をロカ、水洗浄することで、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−［１，１’−ビナフタレン］−５，５’−ジスルホン酸ジナトリウム塩（以下スルホン化ＢＩＮＡＰと略する）の粗結晶を得る。この粗結晶を減圧乾燥後、エタノール洗浄および再結晶することでスルホン化ＢＩＮＡＰ２．２７ｇ（収率３４％）を得た。
【００７５】
参考例２（４−ピリジンカルボキシアルドキシムの合成）
４−ピリジンカルボキシアルデヒド５．３６ｇ（５０ミリモル）、塩酸ヒドロキシルアミン３．４７ｇ（５０ミリモル）、中和剤としてのＮａＨＣＯ３８．４ｇ及び水５０ｍｌを混合し、室温で１時間攪拌して反応させた。反応終了後、塩化メチレンで抽出し、塩化メチレン相をＭｇＳＯ４で乾燥後濃縮して、析出した白色結晶をロカして、４−ピリジンカルボキシアルデヒドキシム５．４ｇ（収率９０％）を得た。
【００７６】
参考例３（２−ピリジンカルボキシアルドキシム、３−ピリジンカルボキシアルドキシムの合成）
参考例２において、４−ピリジンカルボキシアルデヒドのかわりに２−ピリジンカルボキシアルデヒドもしくは３−ピリジルカルボキシアルデヒドを用いた以外は参考例２と同様に反応を行った。その結果、２−ピリジルカルボキシアルドキシムを５．０ｇ（収率８２％）、３−ピリジルカルボキシアルドキシムを５．１ｇ（収率８４％）それぞれ得た。
【００７７】
実施例１
２０ｍｌステンレス製オートクレーブ［ガラス内筒つき、耐圧ガラス工業（株）製］中をアルゴンガスで満たし、参考例２で得た４−ピリジンカルボキシアルドキシム０．３ｇ（２．４６ミリモル）、１−ブチル−４−メチルイミダゾリウム・ＰＦ６塩（イオン性液体）を２．０ｍｌ及びベンゼン２．０ｍｌを仕込み、さらに参考例１で得たスルホン化ＢＩＮＡＰ０．０２２ｇ（０．０２７ミリモル）とＲｕＣｌ２（ｃｏｄ）０．００３７ｇ（０．０１３ミリモル）を加えた。
次いでオートクレーブ内をアルゴンで置換して密閉した後、１００℃に昇温し、同温度で２４時間攪拌して反応させた。反応終了後冷却し、内容物を取り出しロカした。反応後４−ピリジンカルボン酸アミドの結晶は析出せず、そのまま分液して、下層のイオン性流体相を用いて、次のバッチの同じ反応を行った。同様に合計５バッチ反応を行った。２バッチ目には反応後４−ピリジンカルボン酸アミドの結晶が０．４４ｇ析出し、次の３バッチ目も０．４７ｇ析出した。４バッチ目にはピリジンアミド結晶は析出せず、５バッチ目は０．４５ｇ析出した。ロカで得られたアミド結晶および分液したベンゼン相の原料と生成物をガスクロマトグラフィーにて分析した結果、反応生成物は表１のような結果であった。収率は、それぞれのバッチで析出したアミド量を合計して、５バッチトータルとして計算したところ、４−ピリジンカルボキシアルドキシムから９４．５％であった。
【００７８】
【表１】
2005255544.tif 000033
【００７９】
（注１）１バッチ目ではアミドの析出がなかったので、１バッチでの収率が定量的にいったとき１００％として、２バッチ目では１バッチ分の原料仕込量に対して、析出したアミドの収率を出している。３バッチ目以降も同様に示した。
以下の表２，表３でも表１と同様に表示した。  
【００８０】
実施例２
４−ピリジルアルデヒドオキシムの替わりに２−ピリジルアルデヒドオキシムを用いた以外は、実施例１と同様に反応した。結果は表２に示す。２−ピリジンカルボン酸アミドは３，５，６バッチ目のみ析出した。
【００８１】
【表２】
2005255544.tif 000034
【００８２】
実施例３
４−ピリジンカルボキシアルドキシムのかわりに３−ピリジンカルボキシアルドキシムを用いた以外は、実施例１と同様に反応した。結果は表３に示す。生成物のアミドは２，３，５バッチ目のみ析出した。
【００８３】
【表３】
2005255544.tif 000035