(57)【要約】【課題】  ダイパッドの特徴パターンの認識時間を短縮しつつ、リードフレームの位置ずれにも対応できる半導体製造装置を提供する。【解決手段】  １番目のダイパッドの特徴パターンをデータ上の位置（第１仮位置データで示される位置）にボンディングカメラを移動して認識する。そして、認識した特徴パターンの実際の位置を示す位置データに基づいて半導体チップをダイパッドに搭載する（Ｓ１０１〜Ｓ１０６）。続いて、２番目のダイパッドにおける特徴パターンのデータ上の位置（第２仮位置データで示される位置）から、１番目のダイパッドの認識結果を反映した分だけずらした位置にボンディングカメラを移動する（Ｓ１０８）。次に、２番目のダイパッドの特徴パターンを認識する（Ｓ１０９）。ここで、認識を行なうためのサーチ領域は、１番目のダイパッドの特徴パターンを認識する場合のサーチ領域に比べて狭くする。【選択図】  図９
2005109392.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）同じパターンの第１ダイパッドと第２ダイパッドとを有するリードフレームを搬入する工程と、
（ｂ）前記第１ダイパッド内にある特徴パターンの仮位置を示す第１仮位置データに基づき、撮像装置を移動して、前記第１ダイパッド内の特徴パターンを撮像する工程と、
（ｃ）撮像している領域内の所定領域を第１サーチ領域にして前記第１ダイパッド内の特徴パターンを認識することにより、前記第１ダイパッド内にある特徴パターンの実際の位置を示す第１位置データを取得する工程と、
（ｄ）取得した前記第１位置データに基づいて、前記第１ダイパッド上に半導体チップをボンディングする工程と、
（ｅ）前記第２ダイパッド内にある特徴パターンの仮位置を示す第２仮位置データで特定される位置に対し、前記第１仮位置データと前記第１位置データとの間の差異と同様の差異を考慮してずらした位置に前記撮像装置を移動して、前記第２ダイパッド内の特徴パターンを撮像する工程と、
（ｆ）前記第１サーチ領域より狭い領域を第２サーチ領域にして前記第２ダイパッドの特徴パターンを認識することにより、前記第２ダイパッド内にある特徴パターンの実際の位置を示す第２位置データを取得する工程と、
（ｇ）取得した前記第２位置データに基づいて、前記第２ダイパッド上に半導体チップをボンディングする工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
（ａ）同じパターンの第１ダイパッドと第２ダイパッドとを有するリードフレームを搬入する工程と、
（ｂ）前記第１ダイパッド内にある特徴パターンの仮位置を示す第１仮位置データに基づき、撮像装置を移動して、前記第１ダイパッド内の特徴パターンを撮像する工程と、
（ｃ）撮像している領域内の所定領域を第１サーチ領域にして前記第１ダイパッド内の特徴パターンを認識することにより、前記第１ダイパッド内にある特徴パターンの実際の位置を示す第１位置データを取得する工程と、
（ｄ）取得した前記第１位置データに基づいて、前記第１ダイパッド上にペーストを塗布する工程と、
（ｅ）前記第２ダイパッド内にある特徴パターンの仮位置を示す第２仮位置データで特定される位置に対し、前記第１仮位置データと前記第１位置データとの間の差異と同様の差異を考慮してずらした位置に前記撮像装置を移動して、前記第２ダイパッド内の特徴パターンを撮像する工程と、
（ｆ）前記第１サーチ領域より狭い領域を第２サーチ領域にして前記第２ダイパッドの特徴パターンを認識することにより、前記第２ダイパッド内にある特徴パターンの実際の位置を示す第２位置データを取得する工程と、
（ｇ）取得した前記第２位置データに基づいて、前記第２ダイパッド上にペーストを塗布する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
（ａ）同じパターンの第１ダイパッドと第２ダイパッドとを有するリードフレームを搬入する工程と、
（ｂ）前記第１ダイパッド内にある特徴パターンの仮位置を示す第１仮位置データに基づき、撮像装置を移動して、前記第１ダイパッド内の特徴パターンを撮像する工程と、
（ｃ）撮像している領域内の所定領域を第１サーチ領域にして前記第１ダイパッド内の特徴パターンを認識することにより、前記第１ダイパッド内にある特徴パターンの実際の位置を示す第１位置データを取得する工程と、
（ｄ）取得した前記第１位置データに基づいて、前記第１ダイパッド上に半導体チップをボンディングする工程と、
（ｅ）前記第２ダイパッド内にある特徴パターンの仮位置を示す第２仮位置データで特定される位置に対し、前記第１仮位置データと前記第１位置データとの間の差異と同様の差異を考慮してずらした位置に前記撮像装置を移動して、前記第２ダイパッド内の特徴パターンを撮像する工程と、
（ｆ）前記第１サーチ領域より狭い領域を第２サーチ領域にして前記第２ダイパッドの特徴パターンを認識することにより、前記第２ダイパッド内にある特徴パターンの実際の位置を示す第２位置データを取得する工程と、
（ｇ）取得した前記第２位置データに基づいて、前記第２ダイパッド上に半導体チップをボンディングする工程とを備え、
前記（ｆ）工程は、前記第２ダイパッド内の特徴パターンが認識できない場合、前記第２サーチ領域よりも広い領域をサーチ領域にして、前記第２ダイパッドの特徴パターンの認識を再び行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
（ａ）所定方向に一列に並んでおり、それぞれ同じパターンを有する第１ダイパッド、
第２ダイパッドおよび第３ダイパッドを含むリードフレームを搬入する工程と、
（ｂ）前記第１ダイパッド内にある特徴パターンの仮位置を示す第１仮位置データに基づき、撮像装置を移動して、前記第１ダイパッド内の特徴パターンを撮像する工程と、
（ｃ）撮像している領域内の所定領域を第１サーチ領域にして前記第１ダイパッド内の特徴パターンを認識することにより、前記第１ダイパッド内にある特徴パターンの実際の位置を示す第１位置データを取得する工程と、
（ｄ）取得した前記第１位置データに基づいて、前記第１ダイパッド上に半導体チップをボンディングする工程と、
（ｅ）前記第２ダイパッド内にある特徴パターンの仮位置を示す第２仮位置データで特定される位置に対し、前記第１仮位置データと前記第１位置データとの間の前記所定方向の差異および前記所定方向と垂直の方向における差異の両方の差異と同様の差異を考慮してずらした位置に前記撮像装置を移動して、前記第２ダイパッド内の特徴パターンを撮像する工程と、
（ｆ）前記第１サーチ領域より狭い領域を第２サーチ領域にして前記第２ダイパッドの特徴パターンを認識することにより、前記第２ダイパッド内にある特徴パターンの実際の位置を示す第２位置データを取得する工程と、
（ｇ）取得した前記第２位置データに基づいて、前記第２ダイパッド上に半導体チップをボンディングする工程と、
（ｈ）前記第３ダイパッド内にある特徴パターンの仮位置を示す第３仮位置データで特定される位置に対し、前記第２仮位置データと前記第２位置データとの間の前記所定方向の差異、前記所定方向と垂直の方向における差異および前記第１位置データと前記第２位置データとの間の前記所定方向から前記所定方向に垂直な方向へ回転する方向の差異と同様の差異を考慮してずらした位置に前記撮像装置を移動して、前記第３ダイパッド内の特徴パターンを撮像する工程と、
（ｉ）前記第２サーチ領域で前記第３ダイパッドの特徴パターンを認識することにより、前記第３ダイパッド内にある特徴パターンの実際の位置を示す第３位置データを取得する工程と、
（ｊ）取得した前記第３位置データに基づいて、前記第３ダイパッド上に半導体チップをボンディングする工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）同じパターンの第１ダイパッドと第２ダイパッドとを有するリードフレームを搬入するリードフレーム搬入部と、
（ｂ）前記第１ダイパッド内にある特徴パターンの仮位置を示す第１仮位置データで特定される位置に撮像装置を移動する撮像位置制御部と、
（ｃ）前記第１仮位置データで特定される位置において、前記第１ダイパッド内の特徴パターンを撮像する前記撮像装置と、
（ｄ）撮像している領域内の所定領域を第１サーチ領域にして前記第１ダイパッドの特徴パターンを認識することにより、前記第１ダイパッド内にある特徴パターンの実際の位置を示す第１位置データを取得する特徴パターン認識部と、
（ｅ）前記特徴パターン認識部で取得した前記第１位置データに基づいて、半導体チップをボンディングする位置を調整するボンディング位置調整部と、
（ｆ）前記ボンディング位置調整部による調整に基づいて、前記第１ダイパッド上に半導体チップをボンディングするボンディング部とを備える半導体製造装置であって、
前記撮像位置制御部は、前記第２ダイパッド内にある特徴パターンの仮位置を示す第２仮位置データで特定される位置に対し、前記第１仮位置データと前記第１位置データとの間の差異と同様の差異を考慮してずらした位置に前記撮像装置を移動し、
前記撮像装置は、前記第２仮位置データで特定される位置から前記第１仮位置データと前記第１位置データとの間の差異と同様の差異だけずらした位置において、前記第２ダイパッドの特徴パターンを撮像し、
前記特徴パターン認識部は、前記第１サーチ領域より狭い領域を第２サーチ領域にして前記第２ダイパッドの特徴パターンを認識することにより、前記第２ダイパッド内にある特徴パターンの実際の位置を示す第２位置データを取得し、
前記ボンディング位置調整部は、前記第２位置データに基づいて、半導体チップをボンディングする位置を調整し、
前記ボンディング部は、前記ボンディング位置調整部による調整に基づいて、前記第２ダイパッド上に半導体チップをボンディングすることを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術および半導体製造装置に関し、特に、パターン認識により所定の処理をする半導体装置の製造技術および半導体製造装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程は、大きくいうと前工程と後工程に分けることができる。前工程は、半導体ウェハ上に多数のＩＣチップを同時に作りこむ工程であり、各種の薄膜を形成する成膜工程、膜を一定の形状に加工するフォトリソグラフィ工程およびエッチング工程、導電型不純物を導入する不純物導入工程などが含まれる。
【０００３】
一方、後工程は、半導体ウェハを個々のチップに切り分け、切り分けたチップをパッケージに収納する工程であり、組立工程、選別工程および検査工程などが含まれる。後工程において、切り分けられたチップは、リードフレーム内のダイパッドにボンディング（マウント）されるが、チップをダイパッドにボンディングする装置はダイボンダと呼ばれる（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
ダイボンダは、例えば、以下に示すような動作を行なう。まず、例えばマトリクス状にダイパッドが形成されたリードフレームを搬入し、その後、個々のダイパッド上にチップを接着するためのペーストを塗布する。そして、ペーストを塗布した後は、チップをダイパッド上に搭載する。ペーストの塗布は、プリフォームヘッドにより行なわれ、チップの搭載は、ボンディングヘッドにより行なわれる。
【０００５】
プリフォームヘッドおよびボンディングヘッドには、ダイパッドの位置を認識するための位置認識カメラが搭載されており、この位置認識カメラによって個々のダイパッドの認識が行なわれる。ダイパッドの認識は、以下に示すようにして行なわれる。まず、ダイパッド内の特徴パターンがあるデータ上の位置を示す仮位置データを予め登録しておき、この登録しておいた仮位置データを入力する。そして、入力した仮位置データで示される位置に、位置認識カメラを移動して撮像する。その後、撮像している領域内の所定領域をサーチ領域として、特徴パターンの認識を行ない実際に特徴パターンがある位置を特定する。このようにして、特徴パターンの実際の位置を特定することにより、ペースト塗布あるいはチップを搭載する実際の位置を求め、ダイパッド上にペーストの塗布あるいはチップを搭載する動作を行なう。そして、上記した認識動作を各ダイパッドについて行なう。
【０００６】
このとき、特徴パターンを認識する際のサーチ領域は、各ダイパッドにおける認識動作において同じであり固定されている。
【特許文献１】特開２００３−１８８１９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、リードフレームの搬送時における位置ずれなどにより、ダイパッド内の特徴パターンが予め登録しておいた仮位置データで示される位置から離れている場合が考えられる。したがって、このような場合でも特徴パターンの認識をすることができるように特徴パターンを認識する際のサーチ領域は広くしている。
【０００８】
しかし、特徴パターンを認識する際のサーチ領域を広くすると特徴パターンの認識に要する時間が長くなってしまい、ダイボンダの処理能力が低下してしまう問題点がある。
【０００９】
一方、特徴パターンの認識に要する時間を短縮しようとしてサーチ領域を狭くすると、上記したようにリードフレームが位置ずれを起している場合に特徴パターンの認識動作ができなくなってしまう問題点が生じる。
【００１０】
本発明の目的は、ダイパッド内の特徴パターンの認識時間を短縮しつつ、リードフレームの位置ずれにも対応できる半導体製造装置およびこの半導体製造装置を使用した半導体装置の製造技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１３】
本発明による半導体装置の製造方法は、（ａ）同じパターンの第１ダイパッドと第２ダイパッドとを有するリードフレームを搬入する工程と、（ｂ）前記第１ダイパッド内にある特徴パターンの仮位置を示す第１仮位置データに基づき、撮像装置を移動して、前記第１ダイパッド内の特徴パターンを撮像する工程と、（ｃ）撮像している領域内の所定領域を第１サーチ領域にして前記第１ダイパッド内の特徴パターンを認識することにより、前記第１ダイパッド内にある特徴パターンの実際の位置を示す第１位置データを取得する工程と、（ｄ）取得した前記第１位置データに基づいて、前記第１ダイパッド上に半導体チップをボンディングする工程と、（ｅ）前記第２ダイパッド内にある特徴パターンの仮位置を示す第２仮位置データで特定される位置に対し、前記第１仮位置データと前記第１位置データとの間の差異と同様の差異を考慮してずらした位置に前記撮像装置を移動して、前記第２ダイパッド内の特徴パターンを撮像する工程と、（ｆ）前記第１サーチ領域より狭い領域を第２サーチ領域にして前記第２ダイパッドの特徴パターンを認識することにより、前記第２ダイパッド内にある特徴パターンの実際の位置を示す第２位置データを取得する工程と、（ｇ）取得した前記第２位置データに基づいて、前記第２ダイパッド上に半導体チップをボンディングする工程とを備えるものである。
【００１４】
また、本発明による半導体製造装置は、（ａ）同じパターンの第１ダイパッドと第２ダイパッドとを有するリードフレームを搬入するリードフレーム搬入部と、（ｂ）前記第１ダイパッド内にある特徴パターンの仮位置を示す第１仮位置データで特定される位置に撮像装置を移動する撮像位置制御部と、（ｃ）前記第１仮位置データで特定される位置において、前記第１ダイパッド内の特徴パターンを撮像する前記撮像装置と、（ｄ）撮像している領域内の所定領域を第１サーチ領域にして前記第１ダイパッドの特徴パターンを認識することにより、前記第１ダイパッド内にある特徴パターンの実際の位置を示す第１位置データを取得する特徴パターン認識部と、（ｅ）前記特徴パターン認識部で取得した前記第１位置データに基づいて、半導体チップをボンディングする位置を調整するボンディング位置調整部と、（ｆ）前記ボンディング位置調整部による調整に基づいて、前記第１ダイパッド上に半導体チップをボンディングするボンディング部とを備える半導体製造装置であって、前記撮像位置制御部は、前記第２ダイパッド内にある特徴パターンの仮位置を示す第２仮位置データで特定される位置に対し、前記第１仮位置データと前記第１位置データとの間の差異と同様の差異を考慮してずらした位置に前記撮像装置を移動し、前記撮像装置は、前記第２仮位置データで特定される位置から前記第１仮位置データと前記第１位置データとの間の差異と同様の差異だけずらした位置において、前記第２ダイパッドの特徴パターンを撮像し、前記特徴パターン認識部は、前記第１サーチ領域より狭い領域を第２サーチ領域にして前記第２ダイパッドの特徴パターンを認識することにより、前記第２ダイパッド内にある特徴パターンの実際の位置を示す第２位置データを取得し、前記ボンディング位置調整部は、前記第２位置データに基づいて、半導体チップをボンディングする位置を調整し、前記ボンディング部は、前記ボンディング位置調整部による調整に基づいて、前記第２ダイパッド上に半導体チップをボンディングすることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１６】
特徴パターンの認識時間を短縮しながら、リードフレームの位置ずれにも対応する半導体製造装置を提供できる。このため、装置インデックスが向上し、装置生産性が向上する。
【００１７】
また、特徴パターンの認識時間を短縮しながら、リードフレームの位置ずれにも対応する半導体製造装置を使用することにより、半導体装置の製造工程における生産性向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１９】
（実施の形態１）
本実施の形態は、ダイパッドがマトリクス状に配置されたリードフレームを搬入し、個々のダイパッド上に半導体チップをボンディングするダイボンダ（半導体製造装置）に本発明を適用したものである。
【００２０】
図面を参照しながら本実施の形態１におけるダイボンダ１の構成について説明する。図１は、本実施の形態１におけるダイボンダ１の外観を示した図である。図１において、本実施の形態１におけるダイボンダ１は、ローダ部２、プリフォームヘッド３およびボンディングヘッド４を有している。
【００２１】
ローダ部２は、リードフレームを搬送するように構成されており、リードフレームをプリフォームヘッド３下、ボンディングヘッド４下へ順次、搬送できるようになっている。
【００２２】
プリフォームヘッド３は、搬送されてきたリードフレーム内のマトリクス状に配置されたダイパッドにペーストを塗布することができるように構成されており、ボンディングヘッド４は、ペーストが塗布されたダイパッド上に半導体チップを搭載できるように構成されている。
【００２３】
次に、ダイボンダ１の構成を詳細に説明する。図２は、本実施の形態１におけるダイボンダ１の機能構成を示した図である。図２に示すように、本実施の形態１におけるダイボンダ１は、リードフレーム搬送部１０、ペースト塗布部１１、ボンディング部１２、第１仮位置データ記憶部１３、カメラ位置制御部１４、特徴パターン認識部１５、ダイパッドセンタ算出部１６、ペースト塗布位置算出部１７、ボンディング位置算出部１８、ペースト塗布位置調整部１９ａ、ボンディング位置調整部１９ｂを有している。
【００２４】
リードフレーム搬送部１０は、ダイボンダ１内にリードフレームを搬入し、ダイボンダ１のペースト塗布部１１やボンディング部１２にリードフレームを搬送できるように構成されており、例えば上記したローダ部２が含まれる。このリードフレーム搬送部１０によって搬送されるリードフレームの一例を図３に示す。図３に示すように、リードフレーム２０は、縦方向と横方向にダイパッド２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂが形成された構成をしている。すなわち、リードフレーム２０には、同じパターンを有するダイパッド２１ａ〜２２ｂがマトリクス状に形成されている。
【００２５】
ダイパッド２１ａは、例えば図３に示すように中央部に半導体チップを搭載するチップ搭載領域２３が形成されており、このチップ搭載領域２３の外側に複数の配線２４よりなる配線パターンが形成されている。チップ搭載領域２３には、ダイボンダ１によって半導体チップがボンディングされ、その後の工程で、搭載した半導体チップと各配線２４とを金線などで接続するワイヤボンディングがなされる。
【００２６】
ペースト塗布部１１は、各ダイパッドのチップ搭載領域にペーストを塗布することができるように構成されている。例えば、ペースト塗布部１１は、ペーストを塗布する機構を有するプリフォームヘッド３と、ペーストを塗布するの位置を画像認識するためのプリフォームカメラ１１０を有している。プリフォームカメラ１１０は、例えばプリフォームヘッド３に取り付けられているが、プリフォームヘッド３に取り付けられずに単体で存在するようにしてもよい。このプリフォームカメラ１１０は、後述するカメラ位置制御部１４による制御によって所定範囲を移動することができるようになっている。なお、ペースト塗布部１１によって塗布されるペーストは、ダイパッドと半導体チップとを接着するための接着剤としての役割を有する。
【００２７】
ボンディング部１２は、各ダイパッドのチップ搭載領域に半導体チップをボンディングすることができるように構成されている。例えば、ボンディング部１２は、半導体チップをダイパッドにボンディングするボンディングヘッド４と、半導体チップを搭載する位置を画像認識するためのボンディングカメラ１２０を有している。このボンディングカメラ１２０もプリフォームカメラ１１０と同様に、ボンディングヘッド４に取り付けられていてもいいし、ボンディングヘッドとは別に単体で存在するように構成してもよい。また、ボンディングカメラ１２０も後述するカメラ位置制御部１４による制御によって、所定範囲を移動することができるようになっている。
【００２８】
上記のように構成されたペースト塗布部１１およびボンディング部１２に、ダイパッドをマトリクス状に配置したリードフレーム２０を搬送する様子を図４に示す。まず、リードフレーム２０は、リードフレーム搬送部１０によってペースト塗布部１１に搬入される。ペースト塗布部１１では、プリフォームカメラ１１０によってまず、一番右上のダイパッド２１ａの位置認識が行なわれ、その後プリフォームへッド３（図４には図示せず）によって一番右上のダイパッド２１ａにペーストが塗布される。そして、同様にダイパッド２１ｂの認識、ダイパッド２１ｂへのペーストの塗布が行なわれた後、ダイパッド２１ｃの認識、ダイパッド２１ｃへのペーストの塗布が行なわれ、一列目にあるダイパッド２１ａ〜２１ｃへのペーストの塗布が完了する。
【００２９】
続いて、一列分だけリードフレーム２０を右側に移動した後、二列目にあるダイパッドへのペーストの塗布を同様の手順により行なう。このようにして、リードフレーム２０にあるすべてのダイパッドにペーストを塗布する。そして、リードフレーム２０内のすべてのダイパッドにペーストが塗布されると、リードフレーム２０は、ペースト塗布部１１からボンディング部１２へ搬送される。ボンディング部１２では、ボンディングカメラ１２０によって、一番右上のダイパッド２１ａの位置認識が行なわれ、その後ボンディングヘッド４（図４には図示せず）よってダイパッド２１ａ上に半導体チップのボンディングを行なう。同様にしてダイパッド２１ｂ、ダイパッド２１ｃへの半導体チップのボンディングを行なった後、一列分だけリードフレーム２０を右側に移動する。このようにして、リードフレーム２０内のすべてのダイパッドに対して半導体チップのボンディングをする。
【００３０】
なお、上記では一列分のダイパッドを処理した後、一列分だけ右側に移動して同様の処理を行なう例を示したが、これに限らず、例えば、二列分のダイパッドを処理した後、二列分だけ右側に移動して同様の処理を行なってもよいし、三列分のダイパッドを処理した後、三列分だけ右側に移動して同様の処理を行なってもよい。
【００３１】
上記したようにペースト塗布や半導体チップのボンディングの際には、位置を特定するため、ダイパッドの認識を行なう。以下では、ダイパッドを認識するための構成について説明する。
【００３２】
図２に示す第１仮位置データ記憶部１３は、第１仮位置データを記憶するように構成されており、例えばＲＡＭやハードディスクなどが該当する。第１仮位置データとは、例えば図４に示すダイパッドのうち、最初に処理されるダイパッド２１ａ内の特徴パターンの位置を示すデータである。ダイパッド２１ａは、図３で説明したようにチップ搭載領域２３と配線２４よりなる配線パターンが形成されている。したがって、ダイパッド２１ａの内部には、配線パターンの一部よりなる所定の特徴パターン（パターンの一部）が存在し、この特徴パターンの位置を示すのが第１仮位置データである。第１仮位置データとしては、例えばダイパッド２１ａの中心を基準にして座標で示したデータなどが考えられる。ただし、この第１仮位置データは、ダイパッド２１ａ内にある特徴パターンの概略の位置を示したものであり、この第１仮位置データで示される位置と実際に特徴パターンがある位置とは多少のずれが存在する。このずれは、例えばリードフレームを搬送する際のずれやばらつきなどに起因するものである。なお、リードフレーム２０内にあるすべてのダイパッドは、同一のパターンで形成されているため、すべてのダイパッドに上記した特徴パターンが存在する。
【００３３】
カメラ位置制御部（撮像位置制御部）１４は、プリフォームカメラ１１０やボンディングカメラ１２０の移動を制御できるように構成されている。例えば、図４に示すように、最初に処理する一番右上にあるダイパッド２１ａの特徴パターン上にプリフォームカメラ１１０やボンディングカメラ１２０を移動する場合、カメラ位置制御部１４は、第１仮位置データ記憶部１３に記憶されている第１仮位置データに基づいて、プリフォームカメラ１１０やボンディングカメラ１２０を移動させるようになっている。
【００３４】
特徴パターン認識部１５は、カメラ位置制御部１４によって移動した位置において、ダイパッド内にある特徴パターンを認識できるように構成され、特徴パターンを認識することにより実際に特徴パターンの存在する位置を特定できるようになっている。
【００３５】
上記したカメラ位置制御部１４は、図４に示す最初に処理するダイパッド２１ａ（第１ダイパッド）の特徴パターン上にボンディングカメラ１２０（プリフォームカメラ１１０も同様であり以下では省略する）を移動させる場合、第１仮位置データに基づいてボンディングカメラ１２０を移動させるようになっている。
【００３６】
これに対して、ダイパッド２１ａの次に処理するダイパッド２１ｂ（第２ダイパッド）の特徴パターン上にボンディングカメラ１２０を移動する場合、カメラ位置制御部１４は、まず、第１仮位置データとダイパッド２１ａからダイパッド２１ｂへの移動分のデータより、ダイパッド２１ｂにある特徴パターンのデータ上の位置を示す第２仮位置データを算出する。そして、算出した第２仮位置データで示される位置にボンディングカメラ１２０を移動させるのではなく、算出した第２仮位置データに対して以下に示すずれを考慮して、第２仮位置データからずらした位置にボンディングカメラ１２０を移動させる。すなわち、ダイパッド２１ａについては、特徴パターン認識部１５により実際に特徴パターンがある位置の位置データ（第１位置データ）が判明している。したがって、カメラ位置制御部１４は、第１仮位置データと第１位置データとの差異と同様の差異を考慮して第２仮位置データからずらした位置にボンディングカメラ１２０を移動させるようになっている。例えば、ダイパッド２１ａにおいて第１仮位置データと第１位置データとの間にｘ軸方向に＋１、ｙ軸方向に＋２だけ差異が生じている場合、カメラ位置制御部１４は、ダイパッド２１ｂにおいて第２仮位置データで示される位置からｘ軸方向に＋１、ｙ軸方向に＋２だけずらした位置にボンディングカメラ１２０を移動させる。このような補正を行なうのは、ダイパッド２１ａにおいて第１仮位置データと実際の位置データ（第１位置データ）との間のずれが存在する場合、それと同様のずれがダイパッド２１ｂにおいて存在すると推察されるためである。このように、ずれを考慮した位置にボンディングカメラ１２０を移動させることにより、ボンディングカメラ１２０を特徴パターン上に精度良く移動させることができる。
【００３７】
同様にして、カメラ位置制御部１４は、次に処理するダイパッド２１ｃの特徴パターン上にずれを考慮して移動させる。つまり、算出した第３仮位置データに対して、第２仮位置データと実際の位置を示す第２位置データとの間に生ずる差異と同様の差異だけずらした位置にボンディングカメラ１２０を移動させる。このようにして、カメラ位置制御部１４は、最初以外のすべてのダイパッドにおいて、補正を施して特徴パターン上にボンディングカメラ１２０を移動させるようになっている。
【００３８】
なお、上記では、第２仮位置データ、第３仮位置データなどは、第１仮位置データに基づいて算出するように構成したが、これに限らず、例えば予め第１仮位置データ記憶部１３などの記憶部に記憶しておくように構成してもよい。
【００３９】
次に、特徴パターン認識部１５による認識方法について図面を参照しながら説明する。図５は、例えばボンディング部１２に搬送されてきたリードフレーム２０の一部を上部から見た図である。図５において、最初に認識されるのは、一番右上にあるダイパッド２１ａであり、その次に認識されるのは、ダイパッド２１ｂであるとする。まず、上述したように第１仮位置データに基づき、ボンディングカメラ１２０を移動して最初のダイパッド２１ａの特徴パターン２６を撮像した様子を図６に示す。図６において、外枠は撮像領域２５を示しており、この撮像領域２５内にダイパッド２１ａの特徴パターン２６が撮像されている。特徴パターン２６は、撮像領域２５の中心部からややはずれた場所に写っている。これは、撮像領域２５の中心をデータ上の位置を示す第１仮位置データに基づきボンディングカメラ１２０を移動したためである。したがって、最初のダイパッド２１ａの特徴パターン２６を認識するためのサーチ領域２７ａは、図６に示すようにかなり広くとっている。このため、特徴パターン２６を認識するのに要する時間は長くなる。
【００４０】
続いて、次に処理するダイパッド２１ｂの特徴パターン２６を撮像した様子を図７に示す。図７を見てわかるように、図６に比べて特徴パターン２６の位置が撮像領域２５の中心部にきている。これは、ダイパッド２１ｂでは、データ上の位置である第２仮位置データで示される位置ではなく、この位置からずれを補正した位置にボンディングカメラ１２０を移動させたためである。すなわち、ダイパッド２１ａにおける第１仮位置データと実際に認識した位置を示す第１位置データとの間のずれを反映して、ボンディングカメラ１２０を移動させたためである。したがって、ダイパッド２１ｂの特徴パターン２６を認識するためのサーチ領域２７ｂを図６に示すサーチ領域２７ａに比べて狭くしても、特徴パターン２６を認識することができる。
【００４１】
このように、本実施の形態１におけるダイボンダ１によれば、２番目以降のダイパッドにおける特徴パターンの認識を比較的短時間で行なうことができる。すなわち、２番目以降のダイパッドにおいて、特徴パターンの認識をするためのサーチ領域を狭くすることができるため、認識時間の短縮化を図ることができる。したがって、ダイボンダ１の処理能力の向上を図ることができるため、装置インデックスが向上し、装置生産性が向上する。
【００４２】
つまり、本実施の形態１におけるダイボンダ１によれば、特徴パターンのデータ上の位置（仮位置データ）と実際にある位置（位置データ）との間のずれを反映して、次のダイパッドにおける特徴パターンの撮像位置を決定しているため、リードフレーム搬送の際のばらつきやずれが存在する場合であってもサーチ領域を狭くすることができ、認識時間の短縮化を図ることができる。
【００４３】
次に、図２に示すダイパッドセンタ算出部１６は、特徴パターン認識部１５で特徴パターンを認識することにより取得した、実際に特徴パターンの存在する位置を示す位置データから実際のダイパッドの中央（センタ）を算出することができるように構成されている。
【００４４】
ペースト塗布位置算出部１７は、ダイパッドセンタ算出部１６によって算出された実際のセンタに基づいて、ペーストを塗布する位置を算出できるように構成されており、同様にボンディング位置算出部１８は、実際のセンタに基づいて、半導体チップをボンディングする位置を算出できるように構成されている。
【００４５】
ペースト塗布位置調整部１９ａは、ペースト塗布位置算出部１７により算出されたペースト塗布位置に基づいて、ペースト塗布部１１のプリフォームヘッド３をペースト塗布位置に移動させることができるように構成されている。
【００４６】
また、ボンディング位置調整部１９ｂは、ボンディング位置算出部１８により算出されたボンディング位置に基づいて、ボンディング部１２のボンディングヘッド４をボンディング位置に移動させることができるように構成されている。
【００４７】
本実施の形態１におけるダイボンダ１は、上記のように構成されており、以下に半導体装置の製造工程中におけるダイボンダ１の動作について説明する。
【００４８】
図８は、半導体装置の製造工程の概略を示したフローチャートである。図８において、まず、各種の薄膜を形成する成膜工程、膜を一定の形状に加工するフォトリソグラフィ工程およびエッチング工程、導電型不純物を導入する不純物導入工程などを半導体ウェハに対して施すことにより、半導体ウェハ上に、半導体素子および配線を形成した複数のチップ領域を形成する（Ｓ１１）。
【００４９】
続いて、半導体ウェハをダイシング（切断）することにより、個々の半導体チップを形成する（Ｓ１２）。そして、個々に切り分けた半導体チップをダイパッド上に接着する（Ｓ１３）。
【００５０】
以下に、半導体チップをダイパッド上に接着するダイボンディングについて図２、図４および図９を参照しながら説明する。図９は、本実施の形態１におけるダイボンダ１の動作を示すフローチャートである。なお、図４に示すようにダイパッドがマトリクス状に配置されたリードフレーム２０がダイボンダ１のペースト塗布部１１に搬入され、各ダイパッドにペーストが塗布された後の動作について説明する。
【００５１】
リードフレーム２０がリードフレーム搬送部１０によりボンディング部１２に搬入される（Ｓ１０１）。そして、カメラ位置制御部１４は、第１仮位置データ記憶部１３に記憶されている第１仮位置データを取得し、取得した第１仮位置データに基づき、ボンディングカメラ１２０を、ダイパッド２１ａの特徴パターン上に移動させる（Ｓ１０２）。
【００５２】
次に、移動したボンディングカメラ１２０により、ダイパッド２１ａの特徴パターンを撮像する。その後、特徴パターン認識部１５は、リードフレーム２０の搬送によるばらつきに対応できる広さの領域を第１サーチ領域にして、ダイパッド２１ａの特徴パターンを認識する。そして、認識したダイパッド２１ａの特徴パターンが実際にある位置を示す第１位置データを取得する（Ｓ１０３）。
【００５３】
続いて、ダイパッドセンタ算出部１６は、特徴パターン認識部１５より第１位置データを入力して、第１仮位置データと実際の第１位置データとのずれから実際のダイパッドセンタを算出する（Ｓ１０４）。そして、ボンディング位置算出部１８は、ダイパッドセンタ算出部１６で算出したダイパットセンタから実際にボンディングするボンディング位置を算出する（Ｓ１０５）。
【００５４】
次に、ボンディング位置調整部１９ｂは、ボンディング位置算出部１８により算出されたボンディング位置に基づいて、ボンディング部１２を移動させる。そして、ボンディング部１２は、移動した位置においてダイパッド２１ａ上に半導体チップを搭載させるボンディング動作を行なう（Ｓ１０６）。このようにして、ダイパッド２１ａ上に半導体チップを搭載することができる。
【００５５】
その後、ダイボンダ１は、次のダイパッドがあるかを判断する（Ｓ１０７）。今の場合、次のダイパッドとなるダイパッド２１ｂがあるため、以下に示すようにしてダイパッド２１ｂ上に半導体チップが搭載される。
【００５６】
まず、カメラ位置制御部１４は、第１仮位置データに基づいて、ダイパッド２１ｂにある特徴パターンの仮位置（実際の位置ではなくデータ上の位置）を示す第２仮位置データを算出する。そして、算出した第２仮位置データで示される位置に対して、ダイパッド２１ａの認識結果を反映した分だけずらした位置にボンディングカメラ１２０を移動させる（Ｓ１０８）。すなわち、ダイパッド２１ａの第１仮位置データと実際の位置を示す第１位置データとのずれと同様のずれを考慮して第２仮位置データで示される位置からずらした位置にボンディングカメラ１２０を移動させる。
【００５７】
続いて、移動したボンディングカメラ１２０により、ダイパッド２１ｂの特徴パターンを撮像する。その後、特徴パターン認識部１５は、上記した第１サーチ領域より狭い領域を第２サーチ領域にして、ダイパッド２１ｂの特徴パターンを認識する。そして、認識したダイパッド２１ｂの特徴パターンが実際にある位置を示す第２位置データを取得する（Ｓ１０９）。
【００５８】
次に、ダイパッドセンタ算出部１６は、特徴パターン認識部１５より第２位置データを入力して、第２仮位置データと実際の第２位置データとのずれから実際のダイパッドセンタを算出する（Ｓ１０４）。そして、ボンディング位置算出部１８は、ダイパッドセンタ算出部１６で算出したダイパットセンタから実際にボンディングするボンディング位置を算出する（Ｓ１０５）。
【００５９】
次に、ボンディング位置調整部１９ｂは、ボンディング位置算出部１８により算出されたボンディング位置に基づいて、ボンディング部１２を移動させる。そして、ボンディング部１２は、移動した位置においてダイパッド２１ｂ上に半導体チップを搭載させるボンディング動作を行なう（Ｓ１０６）。このようにして、ダイパッド２１ｂ上に半導体チップを搭載することができる。あとは同様にして、リードフレーム２０内にあるすべてのダイパッド上に半導体チップを搭載することができる。なお、本実施の形態１では上述したように認識結果を反映してボンディングカメラ１２０を移動させているが、この認識結果は、対象としているダイパッドの直前に認識を行なったダイパッドの結果を反映するように行なわれる。つまり、図４でいえば、対象とするダイパッドがダイパッド２１ｂの場合はダイパッド２１ａの認識結果を反映してボンディングカメラ１２０を移動させ、対象とするダイパッドがダイパッド２１ｃの場合はダイパッド２１ｂの認識結果を反映してボンディングカメラ１２０を移動させる。
【００６０】
続いて、図８に示すように、ダイパッド上に搭載された半導体チップとダイパッドに形成されている配線とを金線などによりワイヤボンディングする（Ｓ１４）。そして、外部から半導体チップを保護するため、樹脂により半導体チップの封止を行った後（Ｓ１５）切断形成してパッケージを形成する（Ｓ１６）。次に、パッケージの表面に刻印でマーキングを行なった後（Ｓ１７）、製品検査され（Ｓ１８）、出荷される。このようにして本実施の形態１におけるダイボンダ１を使用して半導体装置（半導体製品）を製造することができる。
【００６１】
以上のように、本実施の形態１におけるダイボンダ１によれば、特徴パターンのデータ上の位置（仮位置データ）と実際にある位置（位置データ）との間のずれを反映して、次のダイパッドにおける特徴パターンの撮像位置を決定しているため、リードフレーム搬送の際のばらつきやずれが存在する場合であってもサーチ領域を狭くすることができ、認識時間の短縮化を図ることができる。すなわち、特徴パターンの認識時間を短縮しながら、リードフレームの位置ずれにも対応する半導体製造装置を使用することにより、半導体装置の製造工程における生産性向上を図ることができる。
【００６２】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、サーチ領域を狭くしたために特徴パターンの認識を行なうことができない場合、サーチ領域を広げて再度特徴パターンの認識を行なうことができるダイボンダについて説明する。
【００６３】
本実施の形態２におけるダイボンダも前記実施の形態１におけるダイボンダ１と同様の構成をとっているため同様の部分の説明は省略する。異なる点は、特徴パターン認識部１５に付加的な機能が追加されている点である。以下にこの機能について図面を参照しながら説明する。
【００６４】
図１０は、直前のダイパッドにおける特徴パターンのデータ上の位置（仮位置データ）と実際にある位置（位置データ）との間のずれを反映して、対象としているダイパッドにおける特徴パターンの撮像位置を決定した場合を示している。通常、直前のダイパッドの認識結果を反映した場合、撮像領域２５内に撮像されている特徴パターン２６は、狭くしたサーチ領域２７ｂに内包される。しかし、図１０においてはサーチ領域２７ｂ内に特徴パターン２６が内包されずに一部がはみ出している。このような場合、対象としているダイパッドにおいて、特徴パターン２６の認識は失敗し、この後の処理が行なえなくなる。
【００６５】
そこで、本実施の形態２における特徴パターン認識部１５においては、特徴パターンの認識に失敗した場合、サーチ領域２７ｂより広い領域をサーチ領域２７ｃとして再度特徴パターンの認識を行なうように構成されている。
【００６６】
図１１に、サーチ領域２７ｃで特徴パターン２６の認識を行なっている様子を示す。図１１を見てわかるように、広げたサーチ領域２７ｃに特徴パターン２６が内包されていることがわかる。したがって、サーチ領域２７ｃにおいては、特徴パターン２６の認識を行なうことができる。このように本実施の形態２では、特徴パターンの位置がずれているためにサーチ領域２７ｂから特徴パターン２６がはみ出し、特徴パターン２６の認識ができない場合、再度サーチ領域２７ｂより広い領域をサーチ領域２７ｃとすることにより、特徴パターン２６を認識できる。したがって、特徴パターンの認識失敗により、この後の工程の処理が行なえなくなることを抑制できる。
【００６７】
以下に、本実施の形態２におけるダイボンダの動作について、図２、図４および図１２を参照しながら説明する。
【００６８】
図１２は、本実施の形態２におけるダイボンダの動作を示したフローチャートである。まず、前記実施の形態１で述べた動作と同様の動作をすることにより、リードフレーム２０の一番右上にあるダイパッド２１ａ（図４参照）の特徴パターンを認識する。そして、認識した特徴パターンの実際の位置を示す位置データ（第１位置データ）に基づいて半導体チップをダイパッド２１ａに搭載する（Ｓ２０１〜Ｓ２０６）。
【００６９】
続いて、次のダイパッド２１ｂ（図４参照）があるので（Ｓ２０７）、カメラ位置制御部１４は、ダイパッド２１ｂにおける特徴パターンのデータ上の位置（第２仮位置データで示される位置）から、ダイパッド２１ａの認識結果を反映した分だけずらした位置にボンディングカメラ１２０を移動する（Ｓ２０８）。そして、移動した位置において、ダイパッド２１ｂの特徴パターンを撮像して、この特徴パターンの認識を行なう（Ｓ２０９）。ここで、認識を行なうためのサーチ領域は、ダイパッド２１ａの特徴パターンを認識する場合のサーチ領域に比べて狭くなっている。
【００７０】
次に、特徴パターン認識部１５は、ダイパッド２１ｂの特徴パターンの認識が正常に行なわれたかを判断する（Ｓ２１０）。正常に行なわれた場合は、特徴パターンの実際の位置データ（第２位置データ）に基づいて、半導体チップをダイパッド２１ｂに搭載する（Ｓ２０４〜Ｓ２０６）。
【００７１】
一方、ダイパッド２１ｂの特徴パターンの認識が正常に行なわれない場合、サーチ領域を広げて再度ダイパッド２１ｂの特徴パターンの認識を行なう。その後は、認識した特徴パターンの実際の位置データ（第２位置データ）に基づいて、半導体チップをダイパッド２１ｂに搭載する（Ｓ２０４〜Ｓ２０６）。このようにして、特徴パターンの認識失敗を抑制することができる。
【００７２】
（実施の形態３）
本実施の形態３では、前のダイパッドの認識結果（特徴パターンのデータ上の位置と実際にある位置とのずれ）を反映して次のダイパッドの特徴パターン上にボンディングカメラを移動させる場合に、所定方向（ｙ軸方向）のずれと所定方向と垂直方向（ｘ軸方向）のずれだけでなく、ｘ軸方からｙ軸方向へ回転する方向のずれも考慮してボンディングカメラを移動させるダイボンダについて説明する。
【００７３】
本実施の形態３におけるダイボンダも前記実施の形態１におけるダイボンダ１と同様の構成をとっているため同様の部分の説明は省略する。異なる点は、カメラ位置制御部１４に付加的な機能が追加されている点である。以下にこの機能について図面を参照しながら説明する。
【００７４】
図１３は、ダイパッドがマトリクス状に配置されたリードフレーム２０の一部を示した図である。図１３においてダイパッドは、縦方向（ｙ軸方向）と横方向（ｘ軸方向）に多数配置されている。このように配置されたダイパッドのうち、ｙ軸方向に並んで配置されたダイパッド２１ａ、２１ｂ、２１ｃについて考える。
【００７５】
まず、最初にダイパッド２１ａの特徴パターン２６を認識するため、カメラ位置制御部１４は、ダイパッド２１ａにおける特徴パターン２６のデータ上の位置を示す第１仮位置データに基づいてボンディングカメラ１２０を移動させる。図１３に示すように、このボンディングカメラ１２０によって撮像された撮像領域２５に特徴パターン２６があることがわかる。ここで、ダイパッド２１ａの特徴パターン２６の認識は、最初であるため過去の認識結果を考慮していない。つまり、データ上の位置を示す第１仮位置データだけでボンディングカメラ１２０を移動させている。
【００７６】
次に、ダイパッド２１ｂの特徴パターン２６上にボンディングカメラ１２０を移動させる場合を考える。この場合、既にダイパッド２１ａの認識がなされているため、カメラ位置制御部１４は、ダイパッド２１ａの認識結果を反映させてダイパッド２１ｂの特徴パターン２６上にボンディングカメラ１２０を移動させるようになっている。すなわち、ダイパッド２１ｂにおける特徴パターン２６のデータ上の位置（第２仮位置データ）に対して、ダイパッド２１ａにおける特徴パターンのデータ上の位置を示す第１仮位置データと実際の位置を示す第１位置データとの間のｘ軸方向のずれおよびｙ軸方向のずれと同様のずれを反映させた位置に、ボンディングカメラ１２０を移動させる。
【００７７】
続いて、ダイパッド２１ｃの特徴パターン２６上にボンディングカメラ１２０を移動させる場合を考える。この場合、カメラ位置制御部１４は、ダイパッド２１ｂの認識結果だけでなく、ダイパッド２１ａにおける特徴パターン２６の実際の位置とダイパッド２１ｂにおける特徴パターン２６の実際の位置より算出したθ方向（x軸方向からｙ軸方向に回転する方向）のずれを考慮してボンディングカメラ１２０を移動させるようになっている。すなわち、本実施の形態３では、ダイパッド２１ｃの特徴パターン２６上にボンディングカメラ１２０を移動させる際、ダイパッド２１ｂの認識結果から得られたx軸方向のずれ、ｙ軸方向のずれだけでなく、ｘ軸方向からｙ軸方向の回転する方向であるθ方向のずれも考慮するように構成されている。
【００７８】
図１３のダイパッド２１ｃにおいて、破線で示した撮像領域２５ａは、θ方向のずれを考慮しない場合を示しており、実線で示した撮像領域２５ｂは、θ方向のずれを考慮した場合を示している。図１３を見てわかるように、θ方向のずれを考慮した撮像領域２５ｂの方がより中心部に近い領域で特徴パターン２６を捉えていることがわかる。つまり、本実施の形態３におけるダイボンダによれば、リードフレーム２０にθ方向のずれが存在する場合であっても、θ方向のずれを考慮することによって、ボンディングカメラ１２０を特徴パターン２６の存在する実際の位置に近い位置へ移動させることができる。
【００７９】
次に、本実施の形態３におけるダイボンダの動作について、図２、図１３および図１４を参照しがら説明する。
【００８０】
図１４は、本実施の形態３におけるダイボンダの動作を示したフローチャートである。まず、前記実施の形態１で述べた動作と同様の動作をすることにより、リードフレーム２０の一番右上にあるダイパッド２１ａ（図１３参照）の特徴パターン２６を認識する。そして、認識した特徴パターン２６の実際の位置を示す位置データ（第１位置データ）に基づいて半導体チップをダイパッド２１ａに搭載する（Ｓ３０１〜Ｓ３０６）。
【００８１】
次に、処理するダイパッド２１ｂ（図１３参照）があるため（Ｓ３０７）、ステップ３０８へ進む。そして、本実施の形態３におけるダイボンダは、認識する対象となっているダイパッドが３番目以降に認識されるダイパッドであるか判断する（Ｓ３０８）。認識する対象であるダイパッド２１ｂは、ダイパッド２１ａについで２番目に認識されるダイパッドであるため、θ方向のずれは考慮できない。すなわち、カメラ位置制御部１４は、ダイパッド２１ｂにおける特徴パターン２６のデータ上の位置（第２仮位置データで示される位置）から、ダイパッド２１ａの認識結果を反映した分だけｘ軸方向およびｙ軸方向にずらした位置にボンディングカメラ１２０を移動させる（Ｓ３０９）。そして、移動した位置において、ダイパッド２１ｂの特徴パターン２６を撮像して、この特徴パターン２６の認識を行ない、実際の位置を示す位置データ（第２位置データ）を取得する（Ｓ３１１）。ここで、認識を行なうためのサーチ領域は、ダイパッド２１ａの特徴パターン２６を認識する場合のサーチ領域に比べて狭くなっている。
【００８２】
その後、特徴パターン２６の実際の位置データ（第２位置データ）に基づいて、半導体チップをダイパッド２１ｂに搭載する（Ｓ３０４〜Ｓ３０６）。
【００８３】
次に、処理するダイパッド２１ｃ（図１３参照）があるため（Ｓ３０７）、ステップ３０８へ進む。そして、本実施の形態３におけるダイボンダは、認識する対象となっているダイパッドが３番目以降に認識されるダイパッドであるか判断する（Ｓ３０８）。認識する対象であるダイパッド２１ｃは、ダイパッド２１ｂについで３番目に認識するダイパッドであるため、θ方向のずれも考慮する。すなわち、カメラ位置制御部１４は、ダイパッド２１ｃにおける特徴パターン２６のデータ上の位置（第３仮位置データ）から、ダイパッド２１ｂの認識結果を反映した分だけｘ軸方向およびｙ軸方向にずらすとともに、ダイパッド２１ａにおける特徴パターン２６の実際の位置（第１位置データ）とダイパッド２１ｂにおける特徴パターン２６の実際の位置（第２位置データ）に基づいて算出したθ方向のずれを反映した位置に、ボンディングカメラ１２０を移動させる（Ｓ３１０）。このように、リードフレーム２０にθ方向のずれが存在する場合であっても、θ方向のずれを考慮することによって、ボンディングカメラ１２０を特徴パターン２６の存在する実際の位置に近い位置へ移動させることができる。
【００８４】
そして、移動した位置において、ダイパッド２１ｃの特徴パターン２６を撮像して、この特徴パターン２６の認識を行ない、実際の位置を示す位置データ（第２位置データ）を取得する（Ｓ３１１）。ここで、認識を行なうためのサーチ領域は、ダイパッド２１ａの特徴パターン２６を認識する場合のサーチ領域に比べて狭くなっている。
【００８５】
その後、特徴パターン２６の実際の位置データ（第２位置データ）に基づいて、半導体チップをダイパッド２１ｂに搭載する（Ｓ３０４〜Ｓ３０６）。以下、同様の動作を繰り返す。
【００８６】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８７】
前記実施の形態１では、２番目以降に認識するダイパッドにおいて、直前に行なったダイパッドの認識結果を反映することにより、最初のダイパッドを認識する際に用いたサーチ領域より狭い領域で、ダイパッドの特徴パターンを認識している例を示したが、サーチ領域を狭くするモードとサーチ領域を狭くせずに固定にするモードとを選択できるようにダイボンダを構成してもよい。このようにすることにより、ダイボンダの処理能力を向上させたい場合は、サーチ領域を狭くするモードでダイボンダを稼働し、スループットがそれほど必要ない場合、サーチ領域を固定するモードで稼働させることができる。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法を、（ａ）同じパターンの第１ダイパッドと第２ダイパッドとを有するリードフレームを搬入する工程と、（ｂ）前記第１ダイパッド内にある特徴パターンの仮位置を示す第１仮位置データに基づき、撮像装置を移動して、前記第１ダイパッド内の特徴パターンを撮像する工程と、（ｃ）撮像している領域内の所定領域を第１サーチ領域にして前記第１ダイパッド内の特徴パターンを認識することにより、前記第１ダイパッド内にある特徴パターンの実際の位置を示す第１位置データを取得する工程と、（ｄ）取得した前記第１位置データに基づいて、前記第１ダイパッド上に半導体チップをボンディングする工程と、（ｅ）前記第２ダイパッド内にある特徴パターンの仮位置を示す第２仮位置データで特定される位置に対し、前記第１仮位置データと前記第１位置データとの間の差異と同様の差異を考慮してずらした位置に前記撮像装置を移動して、前記第２ダイパッド内の特徴パターンを撮像する工程と、（ｆ）前記第１サーチ領域あるいは前記第１サーチ領域より狭い第２サーチ領域のいずれかの領域をサーチ範囲にして前記第２ダイパッドの特徴パターンを認識することにより、前記第２ダイパッド内にある特徴パターンの実際の位置を示す第２位置データを取得する工程と、（ｇ）取得した前記第２位置データに基づいて、前記第２ダイパッド上に半導体チップをボンディングする工程とを備えるようにしてもよい。
【００８８】
前記実施の形態２では、サーチ領域を広げて再度特徴パターンの認識を行なうようにしたが、このようにサーチ領域を広げて再度特徴パターンを認識するモードと再度特徴パターンの認識を行なわないモードとを設けて個々のモードを選択できるようにしてもよい。
【００８９】
前記実施の形態３では、θ方向のずれを考慮してボンディングカメラを移動させる例を示したが、θ方向のずれを考慮するモードとθ方向のずれを考慮しないモードとを設けて個々のモードを選択できるようにしてもよい。
【００９０】
前記実施の形態では、半導体製造装置の一例としてダイボンダを例にとって説明したが、これに限らず、例えばチップマウンタ装置やペレットボンダ装置のように、リードフレームなどを搬送し、カメラ認識にて位置決めを行なう半導体製造装置に幅広く適用することができる。
【００９１】
前記実施の形態ではダイパッドに半導体チップを搭載する動作を例にとって説明したが、これに限らず、例えばダイパッド上にペーストを塗布する動作にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明は、例えば半導体装置（半導体製品）を製造する製造業に幅広く利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の一実施の形態であるダイボンダの外観を示した図である。
【図２】本発明の一実施の形態であるダイボンダの機能構成を示した図である。
【図３】マトリクス型リードフレームの一部を示した図である。
【図４】リードフレームの搬送の様子を示した図である。
【図５】マトリクス型リードフレームの一部を示した図である。
【図６】ダイパッドの特徴パターンを撮像した様子をサーチ領域とともに示した図である。
【図７】ダイパッドの特徴パターンを撮像した様子をサーチ領域とともに示した図である。
【図８】半導体装置の製造工程を示したフローチャートである。
【図９】本発明の一実施の形態であるダイボンダの動作を示したフローチャートである。
【図１０】ダイパッドの特徴パターンを撮像した様子をサーチ領域とともに示した図である。
【図１１】ダイパッドの特徴パターンを撮像した様子をサーチ領域とともに示した図である。
【図１２】本発明の一実施の形態であるダイボンダの動作を示したフローチャートである。
【図１３】マトリクス型リードフレームの一部を示した図であって、θ方向のずれ補正を説明した図である。
【図１４】本発明の一実施の形態であるダイボンダの動作を示したフローチャートである。
【符号の説明】
【００９４】
１  ダイボンダ
２  ローダ部
３  プリフォームヘッド
４  ボンディングヘッド
１０  リードフレーム搬送部
１１  ペースト塗布部
１２  ボンディング部
１３  第１仮位置データ記憶部
１４  カメラ位置制御部
１５  特徴パターン認識部
１６  ダイパッドセンタ算出部
１７  ペースト塗布位置算出部
１８  ボンディング位置算出部
１９ａ  ペースト塗布位置調整部
１９ｂ  ボンディング位置調整部
２０  リードフレーム
２１ａ  ダイパッド
２１ｂ  ダイパッド
２１ｃ  ダイパッド
２２ａ  ダイパッド
２２ｂ  ダイパッド
２３  チップ搭載領域
２４  配線
２５  撮像領域
２５ａ  撮像領域
２５ｂ  撮像領域
２６  特徴パターン
２７ａ  サーチ領域
２７ｂ  サーチ領域
２７ｃ  サーチ領域
１１０  プリフォームカメラ
１２０  ボンディングカメラ
【図１】
2005109392.tif 000003
【図２】
2005109392.tif 000004
【図３】
2005109392.tif 000005
【図４】
2005109392.tif 000006
【図５】
2005109392.tif 000007
【図６】
2005109392.tif 000008
【図７】
2005109392.tif 000009
【図８】
2005109392.tif 000010
【図９】
2005109392.tif 000011
【図１０】
2005109392.tif 000012
【図１１】
2005109392.tif 000013
【図１２】
2005109392.tif 000014
【図１３】
2005109392.tif 000015
【図１４】
2005109392.tif 000016