(57)【要約】【課題】  半導体ウェハにイオン注入が行われたか否かを簡単に確認することができるようにする。【解決手段】  半導体ウェハ２０にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとしてイオン注入を行うことにより、半導体ウェハ２０に半導体装置用のイオン注入パターン２２を形成する工程とを有するイオン注入工程を具備し、レジストパターンは、半導体装置形成用のイオン注入パターンを有するとともに、半導体ウェハ２０のエッジ又はスクライブラインと重なる位置に目視または金属顕微鏡で確認可能なイオン注入確認用のパターンを有する。イオン注入パターンを形成する工程において、半導体ウェハのエッジ又はスクライブラインにイオン注入確認パターン２４ａ，２４ｂを形成する。【選択図】      図４
2005209762.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ上に、半導体装置形成用イオン注入パターンならびに目視又は金属顕微鏡でイオン注入領域を確認するためのイオン注入確認パターンを有するレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをマスクとしてイオン注入を行うことにより、前記半導体ウェハに半導体装置用のイオン注入パターンを形成するとともに、前記半導体ウェハのエッジ又はスクライブラインに前記イオン注入確認パターンを形成するイオン注入工程を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記レジストパターンを形成する際は、
前記半導体ウェハ上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
レチクルを用いて前記フォトレジスト膜を露光する工程と、
露光した前記フォトレジスト膜を現像することにより前記レジストパターンを形成する工程と
を具備し、
前記レチクルは、半導体装置形成用のイオン注入パターンを有するとともに、前記半導体装置の前記エッジ又は前記スクライブラインに対応する部分にイオン注入確認用パターンを有する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記イオン注入工程を複数回具備し、
前記イオン注入工程それぞれごとに、前記イオン注入確認パターンの形状を変更することにより前記半導体ウェハに形成される前記イオン注入確認パターンの形状を変更する請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記イオン注入工程を複数回具備し、
前記イオン注入工程それぞれごとに、前記イオン注入確認パターンの位置を変更することにより、前記半導体ウェハに形成される前記イオン注入確認パターンの位置を変更する請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体ウェハ上に、該半導体ウェハ用の保持治具に保持される部分及びその周辺部を露出させるパターン、及び半導体装置形成用のイオン注入パターンを有するレジストパターンを形成し、
前記半導体ウェハを前記保持治具で保持し、前記レジストパターンをマスクとしてイオン注入を行うことにより、前記半導体ウェハに半導体装置用のイオン注入パターンを形成するとともに、前記保持治具に保持される部分に前記保持治具の形状を有するイオン注入確認パターンを形成するイオン注入工程を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記イオン注入工程を複数回具備し、
前記イオン注入工程それぞれごとに、前記保持治具の形状を変更することにより、前記イオン注入確認パターンの形状を変更する請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記イオン注入工程を複数回具備し、
前記イオン注入工程それぞれごとに、前記保持治具に保持される部分を変更することにより、前記イオン注入確認パターンが形成される位置を変更する請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記イオンを注入する工程でのイオン注入量は1×１０１４／ｃｍ２以上である請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記イオンを注入する工程において、トランジスタのソース及びドレインとなる不純物層を形成する請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記イオン注入工程の後に、前記イオン注入確認パターンの有無を確認する工程と、
前記イオン注入確認パターンを有する前記半導体ウェハを熱処理する工程と
を具備する請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体ウェハ上に形成されたフォトレジスト膜を露光するレチクルであって、
半導体装置形成用のイオン注入パターンと
前記半導体ウェハのスクライブラインまたはエッジに対応する部分に位置するイオン注入確認用パターンと
を具備するレチクル。
【請求項１２】
半導体ウェハ上に形成されたフォトレジスト膜を露光するレチクルであって、
露光パターンとして、前記半導体ウェハのスクライブラインまたはエッジに対応する部分に位置するイオン注入確認用パターンのみを具備するレチクル。
【請求項１３】
互いに異なるイオン注入工程で用いられる複数のイオン注入装置を備えた半導体製造設備であって、
前記複数のイオン注入装置それぞれは、半導体ウェハを保持する保持治具の形状が、半導体ウェハを保持する部分において互いに異なる半導体製造設備。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、レチクル及び半導体製造設備に関する。特に本発明は、半導体ウェハにイオン注入が行われたか否かを簡単に確認することができる半導体装置の製造方法、レチクル及び半導体製造設備に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する工程の一つにイオン注入を行って半導体基板等に不純物を導入する工程がある。イオン注入は、半導体ウェハにレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとしてイオンを所望のパターン形状に注入する場合が多い。
半導体基板等にイオンが注入されたか否かを確認する方法として、サーマルウェーブを用いる方法がある（例えば特許文献１参照）。その他フォトルミネッセンスを用いる方法や、半導体装置形成後に電気的特性を測定する方法もある。
【特許文献１】特開平５−１２５６６号公報（第３段落及び第６段落）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述したサーマルウェーブやフォトルミネッセンスを用いる方法では、手間やコストがかかるため、量産品の半導体ウェハを検査することは難しかった。また半導体装置形成後に電気的特性を測定する方法では、イオン注入が規定どおり行われなかった半導体装置を発見しても、この半導体装置を再処理して良品にすることはできなかった。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、半導体ウェハにイオン注入が行われたあとに半導体装置の製造途中でイオン注入が規定どおり行われたか否かを簡単に確認することができる半導体装置の製造方法、レチクル及び半導体製造設備を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するため、本発明にかかる半導体装置の製造方法は、
半導体ウェハ上に、半導体装置形成用イオン注入パターンならびに目視又は金属顕微鏡でイオン注入領域を確認するためのイオン注入確認パターンを有するレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをマスクとしてイオン注入を行うことにより、前記半導体ウェハに半導体装置用のイオン注入パターンを形成するとともに、前記半導体ウェハのエッジ又はスクライブラインに前記イオン注入確認パターンを形成するイオン注入工程
を具備する。
【０００５】
この半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェハのエッジ又はスクライブラインにイオン注入確認パターンを形成するため、イオン注入確認パターンの有無を目視又は金属顕微鏡で確認することによりイオン注入が行われたか否かを半導体装置の製造途中で確認することができる。
【０００６】
レジストパターンを形成する際は、半導体ウェハ上にフォトレジスト膜を形成する工程と、レチクルを用いてフォトレジスト膜を露光する工程と、露光したフォトレジスト膜を現像することによりレジストパターンを形成する工程とを具備し、レチクルは、半導体装置形成用のイオン注入パターンを有するとともに、半導体装置のエッジ又はスクライブラインに対応する部分にイオン注入確認用パターンを有していてもよい。
イオン注入工程を複数回具備する場合、イオン注入工程それぞれごとに、イオン注入確認パターンの形状を変更することにより半導体ウェハに形成されるイオン注入確認パターンの形状を変更してもよいし、イオン注入工程それぞれごとに、イオン注入確認パターンの位置を変更することにより、半導体ウェハに形成されるイオン注入確認パターンの位置を変更してもよい。
【０００７】
本発明にかかる他の半導体装置の製造方法は、
半導体ウェハ上に、該半導体ウェハ用の保持治具に保持される部分及びその周辺部を露出させるパターン、及び半導体装置形成用のイオン注入パターンを有するレジストパターンを形成し、
前記半導体ウェハを前記保持治具で保持し、前記レジストパターンをマスクとしてイオン注入を行うことにより、前記半導体ウェハに半導体装置用のイオン注入パターンを形成するとともに、前記保持治具に保持される部分に前記保持治具の形状を有するイオン注入確認パターンを形成するイオン注入工程を具備する。
【０００８】
この半導体装置の製造方法においても、半導体ウェハのエッジ又はスクライブラインにイオン注入確認パターンを形成するため、イオン注入確認パターンの有無を目視で確認することによりイオン注入が行われたか否かを確認することができる。
【０００９】
イオン注入工程を複数回具備する場合、イオン注入工程それぞれごとに、保持治具の形状を変更することにより、イオン注入確認パターンの形状を変更してもよいし、イオン注入工程それぞれごとに、保持治具に保持される部分を変更することにより、イオン注入確認パターンが形成される位置を変更してもよい。
【００１０】
上記した半導体装置の製造方法において、イオンを注入する工程でのイオン注入量は1×１０１４／ｃｍ２以上である場合、例えばトランジスタのソース及びドレインとなる不純物層を形成する場合は、特にイオン注入確認パターンを目視または金属顕微鏡で確認しやすい。
イオン注入工程の後に、イオン注入確認パターンの有無を確認する工程と、イオン注入確認パターンを有する半導体ウェハを熱処理する工程とを具備してもよい。
【００１１】
本発明にかかるレチクルは、
半導体ウェハに形成されたフォトレジスト膜を露光するレチクルであって、
半導体装置形成用のイオン注入パターンと
前記半導体ウェハのスクライブラインまたはエッジに対応する部分に位置するイオン注入確認用パターンと
を具備する。
本発明にかかる他のレチクルは、半導体ウェハのエッジに形成されたフォトレジスト膜にイオン注入確認用パターンを露光する。
これらのレチクルを用いることにより、上記した半導体装置の製造方法により半導体装置を製造することができる。
【００１２】
本発明にかかる半導体製造設備は、互いに異なるイオン注入工程で用いられる複数のイオン注入装置を備えた半導体製造設備であって、前記複数のイオン注入装置それぞれは、半導体ウェハを保持する保持治具の形状が、半導体ウェハを保持する部分において互いに異なる。
この半導体製造設備を用いて半導体ウェハにイオン注入を行うと、保持治具により保持されていた部分に、イオン注入装置ごとに形状が異なるイオン注入確認パターンを形成することができる。従っていずれのイオン注入装置でイオン注入が規定どおりに行われたかを確認することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。本実施形態にかかる半導体製造設備はイオン注入工程を複数回行うが、それぞれの工程別に露光装置を有する。図１（a）は第１の実施形態にかかる半導体製造設備が有する露光装置の構成を示す斜視概略図であり、図１（ｂ）は同平面概略図である。これらの露光装置はミラープロジェクション方式であり、半導体ウェハの一例であるシリコンウェハ２０を載置するステージ１、レチクル１０ａ又はレチクル１０ｂ、台形ミラー３、凸面鏡４、ならびに凹面鏡５を備える。図示しない光源から照射された光はレチクル１０ａ又は１０ｂを透過してイオン注入パターン像を形成する。このイオン注入パターン像は、台形ミラー３、凸面鏡４、及び凹面鏡５を経てシリコンウェハ２０上のフォトレジスト膜に露光される。レチクル１０ａ又は１０ｂにはシリコンウェハ２０全面に対応するイオン注入パターンが形成されており、レチクル１０ａ又は１０ｂが有するイオン注入パターンは、レチクル１０ａ又は１０ｂとステージ１を同期して走査することによりシリコンウェハ２０全面に転写される。
【００１４】
図２（a）は、一の露光装置に用いられるレチクル１０ａの平面概略図である。レチクル１０ａには、シリコンウェハ２０のエッジ及びスクライブラインに対応する部分を除き、チップ領域１２ａが形成されている。チップ領域１２ａそれぞれには、第１導電型トランジスタ（例えばＰチャネルトランジスタ）のソース及びドレインとなる不純物層（例えばＰ型不純物層）を形成するイオン注入パターンが形成されている。またレチクル１０ａには、シリコンウェハ２０のエッジに対応する部分にイオン注入確認用パターン１４ａが形成されている。イオン注入確認用パターン１４ａは、第1導電型の不純物のイオンが注入されたか否かを示すパターンをシリコンウェハ２０のエッジに形成するためのものであり、例えば辺の長さが１ｍｍ程度の正方形の開口部であるが、辺の長さは０．１ｍｍ程度であってもよいし、格子状であってもよい。
【００１５】
図２（ｂ）は他の露光装置に用いられるレチクル１０ｂの平面概略図である。レチクル１０ｂには、レチクル１０ａのチップ領域１２ａと重なる位置に、チップ領域１２ｂが形成されている。チップ領域１２ｂには、第２導電型トランジスタ（例えばＮチャネルトランジスタ）のソース及びドレインとなる不純物層（例えばＮ型不純物層）を形成するイオン注入パターンが形成されている。またレチクル１０ｂは、シリコンウェハ２０のエッジに対応する部分にイオン注入確認用パターン１４ｂが形成されている。イオン注入確認用パターン１４ｂは、レチクル１０ａのイオン注入確認用パターン１４ａとは異なる場所に形成されており、その形状もイオン注入確認用パターン１４ａと異なる。イオン注入確認用パターン１４ｂは第２導電型の不純物のイオンが注入されたか否かを示すパターンをシリコンウェハ２０のエッジに形成するためのものであり、例えば辺の長さが１ｍｍ程度の正三角形の開口部であるが、辺の長さは０．１ｍｍ程度であってもよいし、格子状であってもよい。
【００１６】
図３は、本実施形態にかかる半導体製造設備を用いた半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。まずシリコンウェハ２０にフォトレジスト膜を塗布し（Ｓ２）、このシリコンウェハ２０を、レチクル１０ａを有する露光装置のステージ１上に載置する（Ｓ４）。
【００１７】
次いで露光装置を用いて露光を行った（Ｓ６）後、シリコンウェハ２０を露光装置のステージ１から取り出し、フォトレジスト膜を現像する（Ｓ８）。これによりレチクル１０ａのチップ領域１２ａが有するイオン注入パターンが、フォトレジスト膜のチップ領域に転写されるとともに、イオン注入確認用パターン１４ａが、フォトレジスト膜のうちシリコンウェハ２０のエッジ上に位置する部分に転写される。
【００１８】
次いでシリコンウェハ２０をイオン注入装置に挿入し、クランプを用いてステージ上で固定する。次いでフォトレジスト膜をマスクとして第１導電型（例えばＰ型）の不純物のイオンを注入する（Ｓ１０）。これにより、シリコンウェハ２０には、チップ領域に第１導電型トランジスタのソース及びドレインとなる第１導電型不純物層のパターンが形成されるとともに、エッジに、第１導電型イオン注入確認用の不純物層が形成される。このときのイオン注入量は、例えば1×１０１４／ｃｍ２以上である。
【００１９】
次いでシリコンウェハ２０をイオン注入装置から取り出し、フォトレジスト膜を除去する（Ｓ１２）。次いで第２導電型（例えばＮ型）の不純物のイオンを注入するために、再度フォトレジスト膜を塗布する（Ｓ１４）。次いでこのシリコンウェハ２０を、レチクル１０ｂを有する露光装置のステージ１上に載置する（Ｓ１６）。
【００２０】
次いで露光装置を用いて露光を行った（Ｓ１８）後、シリコンウェハ２０を露光装置のステージ１から取り出し、フォトレジスト膜を現像する（Ｓ２０）。これによりレチクル１０ｂのチップ領域１２ｂが有するイオン注入パターンが、フォトレジスト膜のチップ領域に転写されるとともに、イオン注入確認用パターン１４ｂが、フォトレジスト膜のうちシリコンウェハ２０のエッジ上に位置する部分に転写される。このときイオン注入確認用パターン１４ｂは、イオン注入確認用パターン１４ａとは異なる場所に転写される。
【００２１】
次いでシリコンウェハ２０を他のイオン注入装置に挿入し、クランプを用いてステージ上で固定する。次いでフォトレジスト膜をマスクとして第２導電型の不純物のイオンを注入する（Ｓ２２）。これにより、シリコンウェハ２０には、チップ領域に第２導電型トランジスタ（例えばＮチャネルトランジスタ）のソース及びドレインとなる第２導電型の不純物層のパターンが形成されるとともに、エッジに、第２導電型イオン注入確認用の不純物層が形成される。このときのイオン注入量は、例えば1×１０１４／ｃｍ２以上である。
【００２２】
次いでシリコンウェハ２０をイオン注入装置から取り出し、フォトレジスト膜を除去する（Ｓ２４）。そしてシリコンウェハ２０の状態を目視または金属顕微鏡で確認する（Ｓ２６）。
この段階におけるシリコンウェハ２０の平面概略図を図４に示す。シリコンウェハ２０には、複数のチップ領域２２が形成されている。各々のチップ領域２２には、第１導電型の不純物層のパターン及び第２導電型の不純物層のパターンが形成されている。またシリコンウェハ２０のエッジには、第１導電型のイオンが注入されたことを示す第１導電型イオン注入確認パターン２４ａと、第２導電型のイオンが注入されたことを示す第２導電型イオン注入確認パターン２４ｂが形成されている。これらのパターンはシリコンウェハ２０の熱処理前では目視で確認することができる。第１導電型イオン注入確認パターン２４ａと、第２導電型イオン注入確認パターン２４ｂとは異なる場所に形成されているため、これらの有無を目視または金属顕微鏡で確認することにより第１導電型及び第２導電型のイオンが規定どおり注入されたか否かを確認することができる。またこれらの形状を互いに変えているため、第１導電型及び第２導電型の双方のイオンが注入されたことを確認しやすくなっている。なおイオン注入量が1×１０１４／ｃｍ２以上である場合、第１導電型イオン注入確認パターン２４ａ及び第２導電型イオン注入確認パターン２４ｂの有無が特に目視で確認しやすい。
【００２３】
次いで図３に戻り、イオンが規定どおり注入されていたシリコンウェハ２０に熱処理を行い、トランジスタのソース及びドレインを形成する（Ｓ２８）。
【００２４】
上記のように本実施形態によれば、レチクル１０ａ，１０ｂのチップ領域１２ａ，１２ｂに、半導体装置形成用のイオン注入パターンを形成するとともに、レチクル１０ａ，１０ｂにシリコンウェハ２０のエッジに転写されるイオン注入確認用パターン１４ａ，１４ｂを形成し、このレチクル１０ａ，１０ｂを用いてシリコンウェハ２０上のフォトレジスト膜を露光している。そしてこのフォトレジスト膜を現像して形成されたレジストパターンをマスクとしてイオン注入を行うため、シリコンウェハ２０のエッジに、第１導電型のイオンが注入されたことを示す第１導電型イオン注入確認パターン２４ａ及び第２導電型のイオンが注入されたことを示す第２導電型イオン注入確認パターン２４ｂそれぞれが、互いに異なる場所に形成される。このためシリコンウェハ２０を目視または金属顕微鏡で確認することにより、イオン注入が規定どおり行われたか否かを簡単、迅速、かつコストをかけずに半導体装置の製造途中で確認することができる。
なおイオン注入が規定どおりに行われなかったシリコンウェハ２０は、注入されている不純物の量を測定し、その後不足している量を補うためにイオン注入を再度行う。これにより不良品であったシリコンウェハ２０が良品になるため、歩留まりが向上する。
【００２５】
次に図５を用いて第２の実施形態にかかる半導体製造設備について説明する。本半導体製造設備及びこれを用いた半導体装置の製造方法は、レチクル１０ａ，１０ｂが有するパターン形状を除いて第１の実施形態と同一である。このため第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【００２６】
図５は本実施形態にかかるレチクル１０ａの平面概略図である。このレチクル１０ａは、イオン注入確認用パターン１４ａが、シリコンウェハ２０のスクライブラインに対応する部分に形成されている。それ以外の構成は第１の実施形態にかかるレチクル１０ａと同一である。また図示しないが、本実施形態にかかるレチクル１０ｂにおいても、イオン注入確認用パターン１４ｂが、シリコンウェハ２０のスクライブラインに対応する部分に形成されている。なおイオン注入確認用パターン１４ａ，１４ｂはシリコンウェハ２０上の互いに異なる部分に対応している。
本実施形態においても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００２７】
次に図６〜図８を用いて第３の実施形態にかかる半導体製造設備について説明する。本実施形態において第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
図６は本実施形態にかかる半導体製造設備が有する露光装置の構成を示す図である。本実施形態にかかる半導体製造設備もイオン注入工程を複数回行い、またそれぞれの工程に対応した露光装置を有する。これらの露光装置はステッパ方式であり、ステージ１、光源３１、反射鏡３３，３４、レチクル４０ａ又はレチクル４０ｂ、ならびにレンズ３５を有する。光源３１から照射された光は反射鏡３３，３４によりレチクル４０ａ又は４０ｂに照射され、レチクル４０ａ又は４０ｂを透過してイオン注入パターン像を形成する。このイオン注入パターン像は、レンズ３５を経てシリコンウェハ２０上のフォトレジスト膜に露光される。レチクル４０ａ，４０ｂが有するイオン注入パターンは、ステージ１すなわちシリコンウェハ２０を動かしつつ複数回露光される。これによりシリコンウェハ２０上のフォトレジスト膜には、エッジ及びスクライブラインを除いた全面にレチクル４０ａ，４０ｂのイオン注入パターンが形成される。
【００２８】
またレチクル４０ａを有する露光装置は、レチクル４０ｃを有しており、レチクル４０ｂを有する露光装置はレチクル４０ｄを有する。レチクル４０ｃ，４０ｄそれぞれは、シリコンウェハ２０のエッジにイオン注入確認用パターンを形成するために用いられる。
【００２９】
図７（ａ）はレチクル４０ａの平面概略図である。レチクル４０ａには複数のチップ領域４２ａが形成されている。チップ領域４２ａそれぞれは、第１導電型トランジスタのソース及びドレインとなる第１導電型不純物層を形成するイオン注入パターンを有する。またレチクル４０ｂはレチクル４０ａと同様の構成である。すなわちレチクル４０ｂには、複数のチップ領域４２ｂが形成されている。チップ領域４２ｂそれぞれは、第２導電型トランジスタのソース及びドレインとなる第２導電型不純物層を形成するイオン注入パターンを有する。
【００３０】
図７（ｂ）はレチクル４０ｃの平面概略図である。レチクル４０ｃには、シリコンウェハ２０のエッジに対応する部分にイオン注入確認用パターン４４ａが形成されている。
図７（ｃ）はレチクル４０ｄの平面概略図である。レチクル４０ｄには、シリコンウェハ２０のエッジに対応する部分にイオン注入確認用パターン４４ｂが形成されている。イオン注入確認用パターン４４ｂはイオン注入確認用パターン４４ａとは形状が異なり、さらに露光される位置も異なる。
【００３１】
本実施形態にかかる半導体製造設備を用いて半導体装置を製造する方法は、第１の実施形態と同じである。ただしそれぞれの露光装置において、シリコンウェハ２０のエッジ以外の部分を露光する場合にはレチクル４０ａ，４０ｂが用いられ、シリコンウェハ２０のエッジを露光する場合にはレチクル４０ｃ，４０ｄが用いられる。
【００３２】
図８に、第１導電型不純物及び第２導電型不純物のイオン注入を行った後のシリコンウェハ２０の平面概略図を示す。シリコンウェハ２０にはチップ領域２２、第１導電型イオン注入確認パターン２４ａ、及び第２導電型イオン注入確認パターン２４ｂが形成されている。チップ領域２２には、チップ領域４２ａが有するイオン注入パターンに対応する第１導電型不純物層、及びチップ領域４２ｂが有するイオン注入パターンに対応する第２導電型不純物層が形成されている。またシリコンウェハ２０のエッジには、第１導電型イオン注入確認パターン２４ａ及び第２導電型イオン注入確認パターン２４ｂが、それぞれ互いに異なる場所に形成されている。
本実施形態においても第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００３３】
次に図９及び図１０を用いて第４の実施形態にかかる半導体製造設備について説明する。本実施形態はレチクルにイオン注入確認用パターンが形成されていない点、シリコンウェハ２０上のフォトレジスト膜のパターン形状、及びイオン注入装置が有するクランプの形状を除いて第１の実施形態と同一である。このため第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００３４】
図９（ａ）は、第１導電型不純物用のイオン注入装置に挿入されたシリコンウェハ２０の平面概略図である。シリコンウェハ２０上のフォトレジスト膜２１ａには、レチクル１０ａのチップ領域１２ａのイオン注入パターンが転写されることによりチップ領域２６ａが複数形成されている。またシリコンウェハ２０のエッジは、イオン注入装置のクランプ５０ａにより部分的に押さえられている。この押さえられている部分及びその周辺には、シリコンウェハ２０が露出するようにフォトレジスト膜２１ａにパターンが形成されている。
【００３５】
図９（ｂ）は、第２導電型不純物用のイオン注入装置に挿入されたシリコンウェハ２０の平面概略図である。シリコンウェハ２０上のフォトレジスト膜２１ｂには、レチクル１０ｂのチップ領域１２ｂのイオン注入パターンが転写されることによりチップ領域２６ｂが複数形成されている。またシリコンウェハ２０のエッジは、イオン注入装置のクランプ５０ｂにより部分的に押さえられている。この押さえられている部分及びその周辺には、フォトレジスト膜２１ｂが形成されていない。またクランプ５０ｂにより押さえられている部分はクランプ５０ａに押さえられる部分と一部が重なっている。なおクランプ５０ｂの形状はクランプ５０ａと異なっている。
【００３６】
図１０は、第１導電型不純物及び第２導電型不純物のイオン注入を行った後のシリコンウェハ２０の平面概略図である。シリコンウェハ２０には複数のチップ領域２２が形成されている。またイオン注入装置のクランプ５０ａに押さえられていた部分には第１導電型不純物のイオンが注入されていないため、第１導電型イオン注入確認パターン２８ａが形成されている。またクランプ５０ｂに押さえられていた部分には第２導電型不純物のイオンが注入されていないため、第２導電型イオン注入確認パターン２８ｂが形成されている。なおクランプ５０ａが押さえる部分とクランプ５０ｂが押さえる部分とは一部が重なっているため、第１導電型イオン注入確認パターン２８ａと第２導電型イオン注入確認パターン２８ｂは一部が重なって形成される。
このように本実施形態においても、第１導電型イオン注入確認パターン２８ａ及び第２導電型イオン注入確認パターン２８ｂの有無を確認することにより、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００３７】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
例えば上述した実施形態ではＰ型及びＮ型の不純物の双方を注入し、これらが規定どおり注入されたか否かを確認していたが、Ｐ型及びＮ型の不純物の一方のみを注入する場合にも適用することができる。
また、第1の実施形態においてレチクル１０ａが有するイオン注入確認用パターン１４ａとレチクル１０ｂが有するイオン注入確認用パターン１４ｂを同一の形状にしてもよい。また第１の実施形態において、イオン注入を行うたびにイオン注入確認用パターンの有無を確認してもよい。
【００３８】
また第３の実施形態において、レチクル４０ａにイオン注入確認用パターン４４ａを、シリコンウェハ２０のスクライブラインに対応する部分に形成してもよい。同様にレチクル４０ｂにイオン注入確認用パターン４４ｂを、シリコンウェハ２０のスクライブラインに対応する他の部分に形成してもよい。この場合はレチクル４０ｃ，４０ｄを用いてシリコンウェハ２０のエッジを露光しなくても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
また第４の実施形態においてイオン注入装置のクランプ５０ａ，５０ｂが、互いにシリコンウェハ２０の別の部分を押さえるようにしてもよい。この場合第１導電型イオン注入確認パターン２８ａと第２導電型イオン注入確認パターン２８ｂは互いに異なる場所に形成される。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】（ａ）は第１の実施形態にかかる半導体製造設備が有する露光装置の構成を示す斜視概略図、（ｂ）は同平面概略図。
【図２】（ａ）は一の露光装置に用いられるレチクル１０ａの平面概略図、（ｂ）は他の露光装置に用いられるレチクル１０ｂの平面概略図。
【図３】本実施形態にかかる半導体製造設備を用いた半導体装置の製造方法を示すフローチャート。
【図４】第１導電型不純物及び第２導電型不純物のイオン注入を行った後のシリコンウェハ２０の平面概略図
【図５】第２の実施形態にかかるレチクル１０ａの平面概略図。
【図６】第３の実施形態にかかる半導体製造設備が有する露光装置の構成を示す図。
【図７】（ａ）はレチクル４０ａの平面概略図、（ｂ）はレチクル４０ｃの平面概略図、（ｃ）はレチクル４０ｄの平面概略図。
【図８】第１導電型不純物及び第２導電型不純物のイオン注入を行った後のシリコンウェハ２０の平面概略図
【図９】（ａ）は、第１導電型不純物用のイオン注入装置に挿入されたシリコンウェハ２０の平面概略図、ｂ）は、第２導電型不純物用のイオン注入装置に挿入されたシリコンウェハ２０の平面概略図。
【図１０】第１導電型不純物及び第２導電型不純物のイオン注入を行った後のシリコンウェハ２０の平面概略図
【符号の説明】
【００４０】
１…ステージ、３…台形ミラー、４…凸面鏡、５…凹面鏡、１０ａ，１０ｂ，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ…レチクル、１２ａ，１２ｂ，４２ａ，４２ｂ…チップ領域、１４ａ，１４ｂ，４４ａ，４４ｂ…イオン注入確認用パターン、２０…シリコンウェハ、２１ａ，２１ｂ…フォトレジスト膜、２２…チップ領域、２４ａ，２８ａ…第１導電型イオン注入確認パターン、２４ｂ，２８ｂ…第２導電型イオン注入確認パターン、２６ａ，２６ｂ…チップ領域、３１…光源、３３，３４…反射鏡、３５…レンズ、５０ａ，５０ｂ…クランプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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