(57)【要約】【課題】  狭ピッチ化を可能にし、しかも接続信頼性の高い突起電極の製造を、その工程を簡略化して行えるようにした半導体装置の製造方法と、これによって得られる半導体装置、及び回路基板、電気光学装置、電子機器を提供する。【解決手段】  電極２と、樹脂により形成される突起体４と、電極２に電気的に接続されかつ突起体４の上面に至る導電層８とを有する半導体装置の製造方法である。電極２を避けて樹脂層を形成する工程と、電極２上及び樹脂層上に第１の導電層５を形成する工程と、第１の導電層５上に第２の導電層６を、突起体４に対応させて形成する工程と、加熱処理を行って第２の導電層６に覆われない部分の樹脂層を収縮させ、第２の導電層６に覆われた部分を相対的に突出させてこれを突起体４とする工程と、加熱処理後、第２の導電層６に覆われていない部分の第１の導電層５を除去する工程と、を有する。【選択図】    図１ 
2005109110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極と、前記電極よりも突出し、かつ樹脂により所定のパターンで形成される突起体と、前記電極に電気的に接続し、かつ前記突起体の上面に至る導電層と、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置に前記電極を避けて前記樹脂の層を形成する工程と、
前記電極上及び前記樹脂の層上に第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層上に第２の導電層を、前記突起体の前記所定パターンに対応したパターンに形成する工程と、
加熱処理を行って前記第２の導電層に覆われていない部分の前記樹脂の層を収縮させ、前記第２の導電層に覆われた部分を相対的に突出させてこれを前記突起体とする工程と、
前記加熱処理後、前記第２の導電層に覆われていない部分の前記第１の導電層を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記加熱処理を、前記樹脂のガラス転移温度以上の温度で行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記加熱処理を行う工程の前に、前記第１の導電層上に酸化防止剤を塗布する工程を有することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記の第１の導電層を除去する工程の後、前記半導体装置上に第２の樹脂の層を形成し、この第２の樹脂の層を、前記突起体上の第２の導電層の所定箇所を露出させる開口を有した形状にパターニングする工程と、
前記第２の樹脂の層からなるパターン上の、前記第２の導電層が露出した開口内に外部接続端子を設ける工程と、
を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記突起体を形成する樹脂は、前記第２の樹脂より弾性率が高いことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記外部接続端子を形成する工程の後、該外部接続端子の少なくとも上部を露出させた状態で該外部接続端子と前記第２の樹脂の層との間を第３の樹脂の層で覆う工程を有していることを特徴とする請求項４又は５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の樹脂は、前記第３の樹脂より弾性率が高いことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置が実装されたことを特徴とする回路基板。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体装置、又は請求項９記載の回路基板が実装されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項９記載の回路基板、又は請求項１０記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置とその製造方法、回路基板、電気光学装置、及び電子機器に関す。
【背景技術】
【０００２】
従来、ドライバーＩＣ等の半導体装置の実装には、いわゆるＡｕバンプが多く用いられている。このＡｕバンプの形成時には、半導体素子上に、ＴｉＷ／Ａｕなどのシード層をスパッタし、レジストをパターニングした後に、高さ２０μｍ程度の電解Ａｕメッキを施している。ところが、前記のドライバーＩＣの電極が狭ピッチ化するのに伴い、高アスペクトのレジスト形成、あるいはシード層のエッチングなど、安定したバンプ形成が困難になることが予測される。
【０００３】
また、近年では、液晶表示装置などの表示装置の高精細化が求められるなか、そこに搭載される駆動用ＩＣ（ドライバーＩＣ）については高密度実装が求められている。高密度実装を可能にする技術の一つとして、近年では、ウエハレベルで製造する、いわゆるウエハレベルＣＳＰが注目されている。このウエハレベルＣＳＰでは、樹脂層を有し配線を施された複数の半導体素子をウエハ単位で形成し、その後、各半導体素子毎に切断することで、半導体装置を形成している。
【０００４】
しかしながら、このようなウエハレベルＣＳＰの技術も含め、高密度実装を実現するためには、前述したような電極の狭ピッチ化が強く求められている。
狭ピッチ化の要求に対応するための技術としては、例えば安価な無電解Ｎｉバンプの開発も進められているが、このバンプはＡｕバンプに比べて硬いため、特に表示体パネル上に直接ドライバーＩＣを実装するＣＯＧ（Chip On Glass）には、接続信頼性の観点から対応しづらい場合がある。
【０００５】
そこで、特許文献１には、電極と離れた位置に樹脂製の突起部を設け、突起部の表面を覆って電極に接続する接続パターンを導電層として設けることで、突起電極を形成する技術が開示されている。この技術によれば、小径の突起電極形成が容易で半導体チップサイズの縮小化に寄与するとともに、樹脂製突起の弾性により実装時のストレスを吸収して、実装品質の安定化に寄与することができる。
【特許文献１】特開平２−２７２７３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、前記の技術では、突起電極を形成する場合に、半導体素子上に樹脂をコーティングした後にこれをパターニングして突起部を形成し、次いで、スパッタリング等によって導電層を形成し、さらにこの導電層をパターニングする必要がある。したがって、狭ピッチ化を可能にするような微細なパターニングが最低２回必要となることから、工程が煩雑化し、製造コストの高騰を招いてしまうといった問題があった。
【０００７】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、狭ピッチ化を可能にし、しかも接続信頼性の高い突起電極の製造を、その工程を簡略化して行えるようにした半導体装置の製造方法と、これによって得られる半導体装置、及び回路基板、電気光学装置、電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するために本発明の半導体装置の製造方法は、電極と、前記電極よりも突出し、かつ樹脂により所定のパターンで形成される突起体と、前記電極に電気的に接続し、かつ前記突起体の上面に至る導電層と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体装置に前記電極を避けて前記樹脂の層を形成する工程と、前記電極上及び前記樹脂の層上に第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層上に第２の導電層を、前記突起体の前記所定パターンに対応したパターンに形成する工程と、加熱処理を行って前記第２の導電層に覆われていない部分の前記樹脂の層を収縮させ、前記第２の導電層に覆われた部分を相対的に突出させてこれを前記突起体とする工程と、前記加熱処理後、前記第２の導電層に覆われていない部分の前記第１の導電層を除去する工程と、を有することを特徴としている。
【０００９】
この半導体装置の製造方法によれば、突起体のパターンに対応して第２の導電層を形成した後、単に加熱処理を行うことにより、前記樹脂を選択的に収縮させて突起体を形成するようにしたので、樹脂の層のパターニングが不要になり、したがってこのパターニングに用いるフォトマスクが不要になるなど製造工程の簡略化が可能となり、製造コストの低減化を図ることができる。
【００１０】
また、前記半導体装置の製造方法においては、前記加熱処理を、前記樹脂のガラス転移温度以上の温度で行うのが好ましい。
このようにすれば、加熱処理による樹脂の収縮をより良好になさせることが可能になり、したがって、得られる突起体の形状がより良好となる。
【００１１】
また、前記半導体装置の製造方法においては、前記加熱処理を行う工程の前に、前記第１の導電層上に酸化防止剤を塗布する工程を有するのが好ましい。
このようにすれば、加熱処理時に第１の導電層が酸化されてしまうのが防止されることから、加熱処理後の、第２の導電層に覆われていない部分の第１の導電層のエッチングによる除去が容易になる。
【００１２】
また、前記半導体装置の製造方法においては、前記の第１の導電層を除去する工程の後、前記半導体装置上に第２の樹脂の層を形成し、この第２の樹脂の層を、前記突起体上の第２の導電層の所定箇所を露出させる開口を有した形状にパターニングする工程と、前記第２の樹脂の層からなるパターン上の、前記第２の導電層が露出した開口内に外部接続端子を設ける工程と、を有するのが好ましい。
このようにすれば、第２の樹脂の層からなるパターンの開口内に外部接続端子を設けるので、この開口内に露出する第２の導電層に外部接続端子がより良好に接続し、したがって接続信頼性が向上する。また、特に前記の突起電極の技術を、ウエハレベルＣＳＰに適用することが可能となる。
【００１３】
なお、この半導体装置の製造方法では、前記突起体を形成する樹脂を、前記第２の樹脂より弾性率が高いものとするのが好ましい。
このようにすれば、前記第２の樹脂からなるパターンが前記突起体より弾性変形し易いことから、この突起体上の外部接続端子が実装時に他の端子と接続した際、該突起体がその弾性によって良好な応力緩和性を発揮し、これにより接続不良等が防止されて接続信頼性が向上する。
【００１４】
また、この半導体装置の製造方法では、前記外部接続端子を形成する工程の後、該外部接続端子の少なくとも上部を露出させた状態で該外部接続端子と前記第２の樹脂の層との間を第３の樹脂の層で覆う工程を有しているのが好ましい。
このようにすれば、第２の樹脂の層からなるパターンの開口内への外部接続端子の接続を、第３の樹脂の層で補強することができ、したがって外部接続端子の接続信頼性が向上する。
【００１５】
なお、この半導体装置の製造方法では、前記第２の樹脂を、前記第３の樹脂より弾性率が高いものとするのが好ましい。
このようにすれば、前記第３の樹脂が前記第２の樹脂より弾性変形し易いことから、外部接続端子が実装時に他の端子と接続した際、該第２の樹脂がその弾性によって良好な応力緩和性を発揮し、これにより接続不良等が防止されて接続信頼性が向上する。
【００１６】
本発明の半導体装置は、前記の製造方法を用いて製造されたことを特徴としている。
この半導体装置によれば、前述したようにその製造工程が簡略化されているので、製造コストの低減化が図られたものとなる。
【００１７】
本発明の回路基板は、前記半導体装置が実装されたことを特徴としている。
この回路基板によれば、製造コストの低減化が図られた半導体装置を実装しているので、この回路基板自体も製造コストの低減化が図られたものとなる。
【００１８】
本発明の電気光学装置は、前記の半導体装置、又は前記の回路基板が実装されたことを特徴としている。
この電気光学装置によれば、製造コストの低減化が図られた半導体装置又は回路基板を実装しているので、この電気光学装置自体も製造コストの低減化が図られたものとなる。
【００１９】
本発明の電子機器は、前記の回路基板、又は前記の電気光学装置を有することを特徴としている。
この電子機器によれば、製造コストの低減化が図られた回路基板、又は電気光学装置を有しているので、この電子機器自体も製造コストの低減化が図られたものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を詳しく説明する。 
まず、本発明の半導体装置の製造方法によって得られる、半導体装置の構造の一例について説明する。
【００２１】
図１（ａ）は、本発明に係る半導体装置としての、半導体素子を形成した基板（半導体基板）の部分平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線矢視断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）におけるＢ−Ｂ線矢視断面図である。なお、本実施形態における基板としては、多数の半導体チップを形成した状態のシリコンウエハ等の半導体基板であってもよく、また、個々の半導体チップからなるものであってもよい。また、半導体チップの場合には、一般的には直方体（立方体を含む）であるが、その形状は限定されず、球状であってもよい。
【００２２】
図１（ａ）〜（ｃ）中、符号１は半導体素子（図示せず）を形成した基板（半導体装置としての半導体基板）、符号２は基板１上に電気信号の入出力を行うために設けられたＡｌ電極、符号３は基板１の能動面を保護するために設けられたパッシベーション膜、符号４は樹脂で形成されＡｌ電極２とほぼ同一ピッチに配置された突起体、符号５はＡｌ電極２及び突起体４の表面（頂面）を覆うように形成された第１の導電層、符号６は第１の導電層５を覆って形成された第２の導電層である。
【００２３】
Ａｌ電極２は、例えばスパッタリングによって成膜され、さらにレジスト等を用いて所定の形状（例えば、矩形形状）にパターニングされたことにより、形成されたものである。また、Ａｌ電極２は、基板１の端縁近傍に、所定のピッチで複数形成されている。なお、本実施形態では、電極２がＡｌで形成されている場合を例に挙げて説明するが、例えばＴｉ（チタン）層、ＴｉＮ（窒化チタン）層、ＡｌＣｕ（アルミニウム／銅）層、及びＴｉＮ層（キャップ層）を順に積層した構造であってもよい。さらに、電極２は、前記の構成に限られず、必要とされる電気的特性、物理的特性、及び化学的特性に応じて適宜変更してもよい。
【００２４】
パッシベーション膜３は、Ａｌ電極２の周辺部を覆い、その開口内にＡｌ電極２を露出させたもので、ＳｉＯ２（酸化珪素）、ＳｉＮ（窒化珪素）、ポリイミド樹脂等によって形成されたものであり、厚みが例えば１μｍ程度に形成されたものである。
突起体４は、基板１の能動面側に、Ａｌ電極２より例えば５〜２０μｍ突出する高さに形成されたもので、図１（ａ）に示すようにＡｌ電極２とほぼ同一ピッチでこれらＡｌ電極２と同じ方向に複数配列され形成されたものである。これら突起体４は、例えばポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；BenzoCycloButene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；PolyBenzOxazole）等の樹脂によって形成されている。
【００２５】
第１の導電層５は、後述するように電解メッキによって形成される第２の導電層６の下地となるもので、例えばＴｉＷとこれの上に形成するＡｕとの積層構造が好適とされている。ただし、このような構造以外にも、例えばＣｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、Ａｌ等の金属を単独で用いた構造、または、これらの金属のいくつかを積層した構造を採用することができる。
第２の導電層６は、第１の導電層５上に電解メッキによって選択的に形成されたもので、Ａｌ電極２よりも耐腐食性の高い材料、例えばＡｕによって厚さ０．５μｍ〜１０μｍ程度に形成されたものである。このような構成により、第２の導電層６はＡｌ電極２の腐食を防止し、電気的不良の発生を防止する機能をも備えたものとなっている。
そして、これら第１の導電層５と第２の導電層６とからなる積層パターンにより、Ａｌ電極２に接続し、かつ突起部４上にまで延びる本発明の導電層が形成され、特に突起体４とこれの上に形成された導電層とにより、突起電極８が形成されている。
【００２６】
次に、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態について、特に前記構成の基板１に突起体４を形成する工程を中心にして、図２〜図７を参照して説明する。なお、図２〜図７における（ａ）〜（ｃ）の各図は、図１における（ａ）〜（ｃ）と同様に、（ａ）は基板１の部分平面図、（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線矢視断面図に対応する断面図、（ｃ）は図１（ａ）におけるＢ−Ｂ線矢視断面図に対応する断面図である。
【００２７】
まず、図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板１の能動面上の所定位置に複数のＡｌ電極２を配列した状態に形成し、さらにこれらＡｌ電極２を露出させた状態にパッシベーション膜３を形成する。このパッシベーション膜３の形成については、まず、ＳｉＯ２（酸化珪素）やＳｉＮ（窒化珪素）等による成膜を行い、続いてこれの上にスピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等によってレジスト層を形成し、さらに所定のパターンが形成されたマスクを用いてレジスト層に露光処理及び現像処理を施し、所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。その後、このレジストパターンをマスクにして前記膜のエッチングを行い、Ａｌ電極２を露出させる開口を形成し、パッシベーション膜３を得る。ここで、エッチングにはドライエッチングを用いるのが好ましく、ドライエッチングとしては反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）が好適に用いられる。ただし、エッチングとしてウェットエッチングを用いることもできる。なお、このようにして開口を形成した後には、剥離液等を用いてレジストパターンを除去する。
【００２８】
次に、パッシベーション膜３上に突起体４を構成する既述の樹脂（例えばポリイミド）を例えば１〜３０μｍの範囲、本例では２０μｍ程度に塗布して樹脂層４ａを形成する。そして、樹脂層４ａを、図２（ａ）〜（ｃ）に示したように、パッシベーション膜３の開口内に露出したＡｌ電極２の直上を避けた範囲Ｌの全面に載るようにパターニングする（本実施形態では、Ａｌ電極２と樹脂層４ａとを完全に離間させている）。
続いて、図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、Ａｌ電極２及び樹脂層４ａの表面（頂面）を含む基板１の表面全面に、例えばスパッタリングによってＴｉＷ、Ａｕをこの順に積層することにより、第１の導電層５を形成する。
【００２９】
次いで、第１の導電層５上の全面にレジストをスピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等によって塗布し、レジスト層を形成する。そして、第２の導電層６の平面形状（平面パターン）に対応する開口を形成したマスクを用いてレジスト層に露光処理及び現像処理を施し、これを所定形状にパターニングすることにより、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように形成する突起体のパターン、すなわち所定パターンに対応したレジストパターン７を形成する。
【００３０】
次いで、前記第１の導電層５のレジストパターン７に覆われない部分、すなわち露出した第１の導電層５をシード層として、電解メッキ処理を施し、図５（ａ）〜（ｃ）に示すようにこのメッキ層によって所望パターン、すなわち前記突起体４の所定パターンに対応したパターンの第２の導電層６を形成する。ここで、電解メッキ処理としては、例えば厚さ０．５〜１０μｍ程度のＡｕメッキ層を形成する処理が採用される。この後、図６（ａ）〜（ｃ）に示すように第１の導電層５上に残留したレジストパターン７を除去する。
【００３１】
次いで、加熱処理を行うことにより、前記第２の導電層６に覆われていない部分の前記樹脂層４ａを、図７（ａ）〜（ｃ）に示すように収縮させる。すると、この収縮によって第２の導電層６に覆われた部分が相対的に突出するようになり、これによってこれら第２の導電層６に覆われた部分が前述した突起体４となる。ここで、この加熱処理には、ホットプレートやクリーンオーブン、キュア炉等が好適に用いられる。また、加熱雰囲気としては、第１の導電層５や第２の導電層６の酸化を防止するため、窒素等の不活性雰囲気で行うのが好ましい。
【００３２】
加熱処理温度については、特に前記樹脂層４ａを構成する樹脂のガラス転移温度以上の温度で行うのが好ましい。このようにすれば、加熱処理による樹脂層４ａの収縮をより良好になさせることができ、したがって、得られる突起体４の形状をより良好にすることができるからである。ここで、樹脂としてガラス転移温度Ｔｇが２６０℃のポリイミドを用いた場合、例えばクリーンオーブンにて３００℃で１時間加熱処理することにより、前述した樹脂層４ａの収縮を約３０％起こさせることができた。すなわち、樹脂層４ａの厚さを２０μｍとした場合に、その厚さ方向に約６μｍ収縮させることができ、したがって突起体４の高さ（段差）を約６μｍに形成することができた。
【００３３】
なお、このような加熱処理を行う前に、特に前記第１の導電層５上に酸化防止剤を塗布しておくのが好ましい。このようにすれば、加熱処理時にこの第１の導電層５が酸化されてしまうのを防止することができ、したがって、後述するようにこの加熱処理後に、第１の導電層５のエッチングによる除去が容易になるからである。酸化防止剤としては、特に限定されることなく、有機化合物からなるものなど従来公知のものが使用可能である。また、第１の導電層５上に酸化防止剤を塗布する際には、基板１の全面に酸化防止剤を塗布し、これにより第２の導電層６上にも酸化防止剤を塗布するようにしてもよい。
【００３４】
このようにして加熱処理により樹脂層４ａを選択的に収縮させ、突起体４を形成したら、前記第２の導電層６に覆われていない部分、すなわち樹脂層４ａにおける収縮した部分の第１の導電層５をエッチングによって除去し、図１（ａ）〜（ｃ）に示したように第１の導電層５と第２の導電層６とからなる積層パターンを形成する。そして、これによってＡｌ電極２に接続しかつ突起部４上にまで延びて形成された、積層パターンからなる再配置配線を形成するとともに、この再配置配線に接続した突起電極８を得る。
その後、ダイシングによって個片化することにより、本発明の半導体装置を得る。
【００３５】
なお、第１の導電層５のエッチングについては、第２の導電層６をマスクにしてこれに覆われない部分の第１の導電層５を選択的にエッチングするのが望ましいが、レジストパターンによるマスクを形成し、これを用いてエッチングを行うようにしてもよい。また、エッチングについては、ウエットエッチング、ドライエッチングのいずれを採用してもよい。
また、このような第１の導電層５のエッチングについては、前記の加熱処理に先だって行ってはならず、必ず加熱処理後に行う必要がある。これは、そのメカニズムについては明らかにはなっていないものの、第２の導電層６に覆われていない部分の第１の導電層５をエッチングによって除去した後、前記の加熱処理を行った場合、前記樹脂層４ａの部分的な収縮が起こらず、したがって突起部４の形成がなされないことが実験によって分かったからである。
【００３６】
このような製造方法にあっては、突起体４のパターンに対応して第２の導電層６を形成した後、単に加熱処理を行うことにより、前記樹脂層４ａを選択的に収縮させて突起体４を形成するようにしたので、突起体４のパターニングが不要になり、したがってこのパターニングに用いるフォトマスクが不要になるなど製造工程の簡略化を図ることができ、これにより製造コストを低減化することができる。また、樹脂からなる突起体４上に第１の導電層５、第２の導電層６からなる突起電極８を形成したので、突起体４を予め狭ピッチとなるように配列形成しておくことにより、突起電極８を狭ピッチ化に対応させて形成することができる。さらに、突起体４が樹脂からなっていることにより、これが金属等に比べて弾性率が低いことから、突起体４上の突起電極８が他の端子と接続した際、該突起体４がその弾性によって良好な応力緩和性を発揮するようになる。
したがって、得られた半導体装置にあっては、製造コストの低減化が図られているのに加え、接続不良等が防止されて接続信頼性が向上したものとなる。
【００３７】
次に、本発明の半導体装置の製造方法の他の実施形態について説明する。
本実施形態が図１〜図７に示した実施形態と異なるところは、本実施形態は、本発明の突起電極の技術を、特にウエハレベルＣＳＰに適用している点である。
すなわち、本実施形態では、高密度実装を実現するための狭ピッチ化がなされたウエハレベルＣＳＰとして、前記の突起電極８上に外部接続端子を形成することで再配置配線を行っている。
【００３８】
このようなウエハレベルＣＳＰを形成するには、図８に示すように基板（半導体基板）１０を用意し、この基板１０の能動面上の所定位置に、前記実施形態と同様にして複数のＡｌ電極１１を配列形成し、さらにこれらＡｌ電極１１を露出させた状態にパッシベーション膜１２を形成する。
続いて、パッシベーション膜１２上に突起体形成用の樹脂（例えばポリイミド）を塗布し、さらにこれをパターニングして樹脂層１３ａを形成する。
【００３９】
次いで、Ａｌ電極１１及び樹脂層１３ａの表面（頂面）を含む基板１０の表面全面に、例えばスパッタリングによってＴｉＷ、Ｃｕをこの順に積層することにより、第１の導電層１４を形成する。
次いで、第１の導電層１４上の全面にレジストをスピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等によって塗布し、レジスト層を形成する。そして、第１の導電層１４の平面形状（平面パターン）に対応する開口が形成されたマスクを用いてレジスト層に露光処理及び現像処理を施し、これを所定形状にパターニングすることにより、突起体のパターン、すなわち所定パターンに対応したレジストパターン（図示せず）を形成する。
【００４０】
次いで、前記第１の導電層１４のレジストパターンに覆われない部分、すなわち露出した第１の導電層１４をシード層として電解メッキ処理を施し、このメッキ層によって所望パターン、すなわち形成する突起体の所定パターンに対応したパターンの第２の導電層１５を形成する。ここで、電解メッキ処理としては、例えばＣｕメッキ層を形成する処理が採用される。この後、第１の導電層１４上に残留したレジストパターンを除去する。
【００４１】
次いで、加熱処理を行うことにより、前記実施形態と同様に、第２の導電層１５に覆われていない部分の前記樹脂層１３ａを、図９に示すように収縮させる。すると、この収縮によって第２の導電層１５に覆われた部分が相対的に突出するようになり、これによってこれら第２の導電層１５に覆われた部分が突起体１３となる。ここで、この加熱処理には、前述したようにホットプレートやクリーンオーブン、キュア炉等が好適に用いられる。また、加熱雰囲気としては、第１の導電層１４や第２の導電層１５の酸化を防止するため、窒素等の不活性雰囲気で行うのが好ましく、さらに、このような加熱処理に先立ち、特に前記第１の導電層１４上に酸化防止剤を塗布しておくのが、後工程において、第１の導電層１４のエッチングによる除去が容易になるため好ましい。また、加熱処理温度については、特に前記樹脂層１３ａを構成する樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）以上の温度で行うのが好ましい。
【００４２】
このようにして加熱処理により樹脂層１３ａを選択的に収縮させ、突起体１３を形成したら、前記第２の導電層１５に覆われていない部分、すなわち樹脂層１３ａにおける収縮した部分の第１の導電層１４をエッチングによって除去し、図１０に示すように第１の導電層１４と第２の導電層１５とからなる積層パターンを形成する。そして、これによってＡｌ電極１１に接続しかつ突起部１３上にまで延びて形成された、積層パターンからなる再配置配線を形成するとともに、この再配置配線に接続した突起電極１８を得る。
【００４３】
次いで、このように突起電極１８までを形成した半導体装置上に、レジスト等からなる第２の樹脂の層を形成し、さらにこの第２の樹脂の層に対して露光処理、現像処理を施し、これによってこの第２の樹脂の層を、図１１に示すように前記突起体１３上の第２の導電層１５の所定箇所を露出させる開口を有した形状にパターニングする。これにより、第２樹脂層１６を形成する。ここで、第２の樹脂としては、前記の樹脂層１３ａを形成する樹脂より、その弾性率が低いものを用いるのが好ましい。
【００４４】
次いで、この第２樹脂層１６上の、前記第２の導電層１５が露出した開口内に、図１２に示すように例えば鉛フリーはんだからなる外部接続端子１７を設ける。
その後、これら外部接続端子１７に対し、図１３に示すように少なくともその上部が露出するようにして、これら外部接続端子１７と前記第２樹脂層１６との間に第３の樹脂を塗布し、外部接続端子１７の根元を覆った状態に第３樹脂層１９を形成し、本実施形態におけるウエハレベルＣＳＰの半導体装置を得る。ここで、第３の樹脂としては、前記の第２の樹脂より、その弾性率が低いものを用いるのが好ましい。
【００４５】
このような製造方法にあっては、前記実施形態と同様に、突起体１３のパターンに対応して第２の導電層１５を形成した後、単に加熱処理を行うことにより、前記樹脂層１３ａを選択的に収縮させて突起体１３を形成するようにしたので、突起体１３のパターニングが不要になり、したがってこのパターニングに用いるフォトマスクが不要になるなど製造工程の簡略化を図ることができ、これにより製造コストを低減化することができる。
また、第２樹脂層１６の開口内に外部接続端子１７を設けるようにしたので、この開口内に露出する第２の導電層１５に外部接続端子１７がより良好に接続し、したがって接続信頼性が向上することなどにより、特に本発明の突起電極１８の技術をウエハレベルＣＳＰに良好に適用することができ。
【００４６】
また、前記突起体１３を形成する樹脂として、前記第２の樹脂より弾性率が高いものを用いれば、前記第２樹脂層１６が前記突起体１３より弾性変形し易くなることから、この突起体１３上の外部接続端子１７が実装時に他の端子と接続した際、該突起体１３がその弾性によって良好な応力緩和性を発揮するようになる。したがって、得られた半導体装置にあっては、接続不良等が防止されて接続信頼性が向上したものとなる。
また、外部接続端子１７を形成した後、該外部接続端子１７の少なくとも上部を露出させた状態で該外部接続端子１７と前記第２樹脂層１６との間を第３樹脂層１９で覆っているので、第２樹脂層１６の開口部への外部接続端子１７の接続を、第３樹脂層１９で補強することができ、したがって外部接続端子１７の接続信頼性を向上することができる。
また、前記第２の樹脂を、前記第３の樹脂より弾性率が高いものを用いれば、前記第３樹脂層１９が前記第２樹脂層１６より弾性変形し易くなることから、外部接続端子１７が実装時に他の端子と接続した際、該第２樹脂層１６がその弾性によって良好な応力緩和性を発揮するようになる。したがって、得られた半導体装置にあっては、接続不良等が防止されて接続信頼性が向上したものとなる。
【００４７】
図１４は、本発明の回路基板及び電気光学装置の一実施形態としての、液晶表示装置の概略構成を示す斜視図である。図１４に示す液晶表示装置は、電気光学パネルとしてのカラーの液晶パネル５１と、この液晶パネル５１に接続されたＣＯＦ（Chip On Film）式の回路基板１００とを備えて構成されたものであり、回路基板１００は、前記半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置１０１を備えて構成されたものである。このような構成のもとに、回路基板１００は本発明の回路基板の一実施形態となっており、また液晶表示装置は本発明の電気光学装置の一実施形態となっている。なお、前記液晶表示装置においては、バックライト等の照明装置やその他の付帯機器が、必要に応じて液晶パネル５１に付設されるようになっている。また、回路基板１００としては、ＣＯＦ式のものに限定されることなく、ＣＯＢ（Chip On Board）のものを用いることもできる。
【００４８】
また、本発明は、前記ＣＯＦ式のものやＣＯＢ式のもの以外にも、表示体パネル（液晶パネル）上に直接ドライバーＩＣ等を実装するＣＯＧ（Chip On Glass）式の電気光学装置にも適用可能である。図１５に、ＣＯＧ式液晶表示装置の一例を示す。
この図において、電気光学装置としての液晶表示装置５０は、金属板から成る枠状のシールドケース６８と、電気光学パネルとしての液晶パネル５２と、液晶駆動用ＬＳＩ５８と、液晶パネル５２と液晶駆動用ＬＳＩ５８の能動面に形成されたバンプとをＣＯＧ実装方式によって互いに電気的に接続するための図示しないＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film ：異方性導電膜）、あるいはＮＣＦ（Non Conductive Film）と、全体の強度を保つための保持部材１７２とを有して構成されている。
【００４９】
この液晶パネル５２は、一方の面に第１透明電極層を設けた０．７ｍｍ厚のソーダガラスからなる第１基板５３と、一方の面に第２の透明電極層を設けた０．７ｍｍ厚のソーダガラスからなる第２基板５４とが、第１透明電極層と第２透明電極層とが相対向するようにして貼り合わされ、さらに、これらの基板間に液晶組成物が封入されたことにより、形成されている。そして、ＣＯＧ用ＡＣＦ、あるいはＮＣＦによって液晶駆動用ＬＳＩ５８が一方の基板５４上に直接、電気的に接続されており、このようにして、ＣＯＧ型の液晶パネル５２が形成されている。ここで、前記液晶駆動用ＬＳＩ５８は、前記半導体装置の製造方法によって製造されている。
【００５０】
なお、電気光学装置としては、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ表示装置に用いることができる。図１６は、本発明による電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置に設けられる有機ＥＬパネルの断面図である。有機ＥＬパネル（電気光学パネル）３０は、基板３１上にマトリクス状にＴＦＴ（Thin Film Transistor）３２を形成し、さらにその上に複数の積層体３３を形成して概略構成されたものである。ＴＦＴ３２は、ソース電極、ゲート電極、及びドレイン電極を有したもので、ゲート電極及びソース電極は、例えば図１に示した突起電極８の何れかと電気的に接続されている。前記積層体３３は、陽極層３４、正孔注入層３５、発光層３６、及び陰極層３７を含んで構成されたものである。前記陽極層３４は、ＴＦＴ３２のドレイン電極と接続されており、ＴＦＴ３２がオン状態にあるときに電流が、ＴＦＴ３２のソース電極及びドレイン電極を介して陽極層３４に供給されるようになっている。
【００５１】
以上の構成の有機ＥＬパネル３０において、陽極層３４から正孔注入層３５を介して発光層３６に注入された正孔（ホール）と、陰極層３７から発光層３６に注入された電子とが発光層３６内において再結合して生ずる光は、基板３１側から射出される。
【００５２】
次に、本実施形態の電気光学装置が搭載される電子機器について説明する。以上に説明した電気光学装置としての液晶表示装置、ＣＰＵ（中央処理装置）等を備えたマザーボード、キーボード、ハードディスク等の電子部品を筐体内に組み込むことで、例えば図１７に示すノート型のパーソナルコンピュータ６０（電子機器）が製造される。
【００５３】
図１７は、本発明の一実施形態による電子機器としてのノート型コンピュータを示す外観図である。図１７において６１は筐体であり、６２は液晶表示装置（電気光学装置）であり、６３はキーボードである。なお、図１７においては、液晶表示装置を備えるノート形コンピュータを示しているが、液晶表示装置に代えて有機ＥＬ表示装置を備えていても良い。
【００５４】
また、前記実施形態では、電子機器としてノート型コンピュータを例に挙げて説明したが、これらに限らず、携帯電話、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することが可能である。
【００５５】
以上、本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器について説明したが、本発明は前記実施形態に制限されることなく、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。
例えば前述した実施の形態の「半導体チップ」や「半導体素子」を「電子素子」に置き換えて、電子部品を製造することもできる。このような電子素子を使用して製造される電子部品として、例えば、光素子、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム又はヒューズなどがある。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る半導体装置の概略構成図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は図１に示した半導体装置の製造工程図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は図１に示した半導体装置の製造工程図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は図１に示した半導体装置の製造工程図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は図１に示した半導体装置の製造工程図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は図１に示した半導体装置の製造工程図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は図１に示した半導体装置の製造工程図である。
【図８】本発明に係る半導体装置の概略構成図である。
【図９】図８に示した半導体装置の製造工程図である。
【図１０】図８に示した半導体装置の製造工程図である。
【図１１】図８に示した半導体装置の製造工程図である。
【図１２】図８に示した半導体装置の製造工程図である。
【図１３】図８に示した半導体装置の製造工程図である。
【図１４】本発明に係る液晶表示装置の概略構成を示す斜視図である。
【図１５】ＣＯＧ式液晶表示装置の一例を示す分解斜視図である。
【図１６】本発明に係る有機ＥＬパネルの断面図である。
【図１７】本発明の電子機器を示す外観図である。
【符号の説明】
【００５７】
１…基板（半導体基板）、２、１１…Ａｌ電極（電極）、４、１３…突起体、
４ａ、１３ａ…樹脂層、５、１４…第１の導電層、６、１５…第２の導電層、
８、１８…突起電極（導電層）、１６…第２樹脂層、１７…外部接続端子、
１９…第３樹脂層、３０…有機ＥＬパネル（電気光学パネル）、
６０…パーソナルコンピュータ（電子機器）、６２…液晶表示装置（電気光学装置）、
１００…回路基板、１０１…半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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