(57)【要約】【課題】  ウィスカ評価を短期にすることができる半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】  金属板からなり、複数のスリットが設けられ、隣接する前記一対のスリットの間に形成されるリードを有するリードフレームの所定部分を封止体で封止する工程と、前記封止体の周面から突出するリードフの上下面及び側面にめっき膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記めっき膜を形成した後、前記封止体の側面から突出する前記リードの一部を横切るように上下から所定時間加圧して前記めっき膜に圧縮応力を加える工程と、前記リードの前記加圧部分におけるリードの側面を観察してウィスカの発生状況を観察する工程と、前記ウィスカの発生状況から前記めっき膜の良否を判定して、製造する半導体装置の良否を判定する工程とを有する。【選択図】        図１
2005101117.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板からなり、複数のスリットが設けられ、隣接する前記一対のスリットの間に形成されるリードを有するリードフレームを用意する工程と、
前記リードフレームの前記各リードの上下面及び側面にめっき膜を形成する工程と、
前記リードの一部を横切るように上下から所定時間加圧して前記めっき膜に圧縮応力を加える工程と、
前記リードの前記加圧部分におけるリードの側面を観察してウィスカの発生状況を観察する工程と、
前記ウィスカの発生状況によって前記めっき膜の良否を判定する工程とを有することを特徴とするめっき膜評価方法。
【請求項２】
請求項１に記載されるめっき膜評価方法において、前記リードフレームを支持台の上面に載置し、下端面が平坦な加圧端子で前記リードフレームの所定のリードの一部を横切るように加圧することを特徴とするめっき膜評価方法。
【請求項３】
請求項２に記載されるめっき膜評価方法において、前記加圧端子の幅は１〜３ｍｍであることを特徴とするめっき膜評価方法。
【請求項４】
請求項１に記載されるめっき膜評価方法において、同じ寸法形状で同じめっき膜構成の前記リードフレームを複数枚用意し、前記各リードフレーム毎に異なる圧力を加えて前記めっき膜に圧縮応力を加え、加圧力の違いによる前記ウィスカ成長の相違を観察することを特徴とするめっき膜評価方法。
【請求項５】
請求項１に記載されるめっき膜評価方法において、前記加圧工程では熱や湿度を加えることなく加圧することを特徴とするめっき膜評価方法。
【請求項６】
請求項１に記載されるめっき膜評価方法において、前記加圧工程では前記複数のリードを加圧することを特徴とするめっき膜評価方法。
【請求項７】
請求項１に記載されるめっき膜評価方法において、前記加圧工程では２０ＭＰａ〜６０ＭＰａの加圧力で２０時間〜１００時間加圧し、室内放置１５００時間に相当する加速試験となるようにすることを特徴とするめっき膜評価方法。
【請求項８】
請求項１に記載されるめっき膜評価方法において、前記リードフレームの前記スリットは各スリットともその幅は一定寸法であり、前記リードは各リードともその幅は所定寸法であることを特徴とするめっき膜評価方法。
【請求項９】
請求項１に記載されるめっき膜評価方法において、前記リードは１乃至複数本ごとに順次幅が広くなり、かつリード幅が広くなるに伴って前記スリット幅も広くなっていることを特徴とするめっき膜評価方法。
【請求項１０】
請求項１に記載されるめっき膜評価方法において、前記めっき膜は錫めっき膜または錫を主体とする鉛フリー半田めっき膜であることを特徴とするめっき膜評価方法。
【請求項１１】
請求項１に記載されるめっき膜評価方法において、前記金属板は銅板または銅合金板もしくは真鍮板であることを特徴とするめっき膜評価方法。
【請求項１２】
金属板からなり、複数のスリットが設けられ、隣接する前記一対のスリットの間に形成されるリードを有するリードフレームの所定部分を封止体で封止する工程と、
前記封止体の周面から突出するリードの上下面及び側面にめっき膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記めっき膜を形成した後、前記封止体の側面から突出する前記リードの一部を横切るように上下から所定時間加圧して前記めっき膜に圧縮応力を加える工程と、
前記リードの前記加圧部分におけるリードの側面を観察してウィスカの発生状況を観察する工程と、
前記ウィスカの発生状況から前記めっき膜の良否を判定して、製造する半導体装置の良否を判定する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載される半導体装置の製造方法において、前記めっき膜の良否の判定において否と判定した場合、この否の情報に基づいて前記めっき膜形成工程におけるめっき膜形成条件を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載される半導体装置の製造方法において、前期リードフレームのリード部分を支持台の上面に載置し、下端面が平坦な加圧端子で前記所定のリードの一部を横切るように加圧することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載される半導体装置の製造方法において、前記加圧端子に記載される半導体装置の製造方法において、前記加圧工程では熱や湿度を加えることなく加圧することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２に記載される半導体装置の製造方法において、前記リードフレームのリード部分の幅は１〜３ｍｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２に記載される半導体装置の製造方法において、前記加圧工程では前記封止体の各側面から突出する複数のリードのうち、少なくとも１側面から突出する全てのリードを加圧することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１２に記載される半導体装置の製造方法において、前記加圧工程では２０ＭＰａ〜６０ＭＰａの加圧力で２０時間〜１００時間加圧し、室内放置１５００時間に相当する加速試験となるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１２に記載される半導体装置の製造方法において、前記めっき膜は錫めっき膜または錫を主体とする鉛フリー半田めっき膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１２に記載される半導体装置の製造方法において、前記金属板は銅板，銅合金板，真鍮板または鉄−ニッケル合金板であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
被処理物を載置する支持台と、
ばねによって弾発力を得て前記支持台上の前記被処理物を加圧する加圧端子と、
前記加圧端子及び前記ばねを支持する支持機構とを有し、
前記加圧端子を前記支持台上の前記被処理物に設定した後は設定を解除するまで一定の加圧力で前記被処理物を加圧できる構成になっていることを特徴とする加速試験装置。
【請求項２２】
請求項２１に記載される加速試験装置において、前記加圧端子に加えるばね圧力を調整できる加圧力調整機構が設けられていることを特徴とする加速試験装置。
【請求項２３】
請求項２１に記載される加速試験装置において、前記加圧端子は複数並列に配置されていることを特徴とする加速試験装置。
【請求項２４】
請求項２１に記載される加速試験装置において、前記支持台は所定間隔で一列に複数配列されていることを特徴とする加速試験装置。
【請求項２５】
請求項２４に記載される加速試験装置において、前記支持台の配列方向に沿う前記支持台両端側に前記加圧端子がそれぞれ臨むように構成されていることを特徴とする加速試験装置。
【請求項２６】
請求項２１に記載される加速試験装置において、前記ばねによって前記被処理物を１０ＭＰａ〜６０ＭＰａの加圧力で加圧できるように構成されていることを特徴とする加速試験装置。
【請求項２７】
請求項２１に記載される加速試験装置において、前記加圧端子は加圧面を構成する下端部は細長部となっていることを特徴とする加速試験装置。
【請求項２８】
請求項２７に記載される加速試験装置において、前記加圧端子の前記細長部の幅は１〜３ｍｍであることを特徴とする加速試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき膜評価方法、半導体装置の製造方法及びそれらの方法で使用する加速試験装置に係わり、特に、半導体装置の製造方法において、錫を主体とするめっき膜のウィスカ発生状況を加速試験によって評価できるめっき評価技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
地球環境の汚染を進めないために有害物質の使用が制限され、それら有害物質に代えて地球環境を汚染しない物質の使用が進められている。欧州が制定した２００６年の特定有害物質使用制限指令（ＲｏＨＳ：Restriction of Hazardous Substances)では、鉛，水銀，カドミウムを含む６種類の物質の使用を、いくつかの例外を除いて禁止している。
【０００３】
電子装置には半導体装置を含む電子部品が多数実装されている。これら電子部品の実装基板への搭載には、接合材としてＰｂＳｎ半田が多用されている。
【０００４】
一方、鉛を使用しない接合材（以下鉛フリー半田と呼称）として、Ｓｎ，ＳｎＣｕ，ＳｎＢｉ，ＳｎＡｇ等の鉛フリー半田が使用されている。Ｓｎは自然環境下で針状結晶（ウィスカ）が成長することが知られている。そして、このウィスカによってショート不良が発生するおそれがある。そこで、ウィスカ発生が懸念されるＳｎめっきに対しては１００〜２００℃の高温での熱処理を施してウィスカの発生を抑制する方法がとられている。
【０００５】
他方、加速試験方法としては一般的に高温環境、高温高湿環境が採用されているが、ウィスカ発生に関しては高温環境にすることが発生の抑制効果を有している為に、室温程度の環境での長期保管しかないと結論付けられている（例えば、非特許文献１）。
【０００６】
また、実装後の電気部品（チップ部品）における錫ウィスカの発生状況の判定を行う試験方法及び試験用治具が知られている。この試験方法では、配線基板上に表面実装型の電気部品を鉛フリーはんだで接続固定した後、配線基板に対する電気部品のはんだ付け部に曲げストレスを加え、この状態で加速試験を行いウィスカの発生状況を判定する（例えば、特許文献１）。
【０００７】
【非特許文献１】P.Oberndorff,Intermetallic Formation in Relation to Tin Whiskers:International Conference on Lead Free Electronics,June,2003.pp171-pp178
【特許文献１】特開２００２−３２３５２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
半導体装置は、外観的には、封止体と、その封止体の内外に亘って突出（露出）する複数のリードとからなっている。リードの突出（露出）する部分は外部電極端子になる。封止体内には半導体チップ等を内部に有する構造になっている。そして、このような半導体装置を電子装置に組み込む場合、電子装置の実装基板上に半導体装置を載置し、実装基板のランド上に接合材で外部電極端子（リード）を接続する。この接合材の使用に先立って、金属からなるリードの表面には接合材との濡れ性が良好なめっき膜が設けられる。
【０００９】
従来から実装材料（接合材）として、電子部品の端子メタライズはＳｎＰｂ合金（半田）が使用されてきているが、これは過去にＳｎめっきからのウィスカの対策として採用されたものである。即ち、Ｐｂを含有させるとＳｎのウィスカ成長が抑止できるということから採用されたものである。そして、それ以後、Ｓｎのウィスカ発生のメカニズムの解析等の報告は少ない。また、ウィスカの発生メカニズムも完全に解明されていないのが現状である。
【００１０】
近年、鉛フリー化の要求が高まるなかで、Ｓｎに発生するウィスカに起因するショート不良の問題がクローズアップされてきている。半導体装置はより小型化が図られている結果、リードのピッチはさらに狭くなってきている。リードピッチが０．４ｍｍあるいはさらに狭くなると、リード表面に形成されるＳｎめっき膜に成長するウィスカに伴うショート不良の問題は大きくなり、ウィスカに対する品質保証への要求が強まっている。
【００１１】
従来のウィスカの発生についての考えは、下記のように、特許文献１に記載されている。同文献には、（１）ウィスカ発生の要因には、次の３つが挙げられる。即ち、冷熱サイクル応力による発生、酸化（高温、高湿）による応力による発生、機械的応力（曲げ部内在）による発生等である。
【００１２】
（２）さらに、ウィスカは、温度及び湿度によるストレス、熱衝撃によるストレス、機械的なストレス等が重なることにより、成長が加速される。
【００１３】
（３）例えば、試験用治具を用いることによって生じる機械的なストレスと、温度及び湿度によるストレス（高温高湿槽内で発生）、又は熱衝撃（熱衝撃槽内で発生）等によるストレスとの組み合わせにより、成長がさらに加速される。
【００１４】
このように、従来のウィスカ試験法は高温試験、温度サイクル試験と、いずれも加熱状態での試験が採用されているが、近年これら加熱を伴う試験方法は不適格であるとの研究報告がなされている（非特許文献１）。
【００１５】
ウィスカのメカニズムの解析が進められる結果以下の事実も判明している。（１）ウィスカは、Ｓｎめっき膜に圧縮応力が作用した時に発生し、銅系の基材の上に形成されたＳｎめっきに多く発生する。
【００１６】
（２）さらに、室温程度の温度で形成されるＣｕＳｎ合金の成長がウィスカの発生に大きく関与している。
【００１７】
また、本発明者の分析検討によって、半導体装置のリードに外装めっきを施した後、リードを上下から加圧（圧縮）すると、リードの側面から長くウィスカが成長し易いという事実を確認した。リードの表面に形成するめっき膜は、リード断面が四角形状であることから、めっき膜はエッジ効果によって角部が厚くなって盛り上がる構造になる。この結果、リードを上下から加圧（圧縮）すると、盛り上がっためっき膜部分は強く加圧され、リードの側面のめっき膜には大きな圧縮応力が発生する。この大きな圧縮応力によってウィスカの成長は増大（加速）する。そして、ウィスカの先端は隣接するリードに近接したり、接触する。
【００１８】
そこで、本発明者は、ウィスカを発生させ難くする温度や湿度を高く設定する従来の手法を排除し、室温程度の環境下でめっき膜に圧縮応力を加え続けてウィスカの成長を早める手法の採用を図った。これにより、半導体装置の端子メタライズを鉛フリー半田めっきにて形成する半導体装置の製造方法において、ウィスカに対する品質を短期に評価し得る本発明をなした。
【００１９】
本発明の一つの目的は、ウィスカ評価を短期にすることができるめっき膜評価方法を提供することにある。
【００２０】
本発明の一つの目的は、ウィスカ評価を短期にすることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００２１】
本発明の一つの目的は、錫を主体とする鉛フリー半田におけるウィスカ評価を短期にすることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００２２】
本発明の一つの目的は、ウィスカ成長を短期に発生させる加速試験装置を提供することにある。
【００２３】
本発明の一つの目的は、電子部品の端子メタライズを鉛フリーめっきにて形成する上で、ウィスカに対する品質を短期で評価し得る手法を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００２５】
（１）本発明の半導体装置の製造方法は、
既に組立が終了したリードフレームであり、金属板（銅合金板）からなり、複数のスリットが設けられ、隣接する前記一対のスリットの間に形成されるリードを有するリードフレームの所定部分を封止体で封止する工程と、
前記封止体の周面から突出するリードフレームの上下面及び側面にめっき膜（錫めっき膜または錫を主体とする鉛フリー半田めっき膜）を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記めっき膜を形成した後、前記封止体の側面から突出する複数の前記リードの一部を横切るように上下から所定時間熱や湿度を加えることなく室温で加圧して前記めっき膜に圧縮応力を加える（２４ＭＰａで９６時間：室内放置１５００時間に相当）工程と、
前記リードの前記加圧部分におけるリードの側面を観察してウィスカの発生状況を観察する工程と、
前記ウィスカの発生状況から前記めっき膜の良否を判定して、製造する半導体装置の良否を判定する工程とを有する。
【００２６】
また、この製造方法において、前記めっき膜の良否の判定において否（不良）と判定した場合、この否の情報に基づいて前記めっき膜形成工程におけるめっき膜形成条件を制御することを特徴とする。
【００２７】
リードを加圧する加速試験装置は、被処理物を載置する支持台と、ばねによって弾発力を得て前記支持台上の前記被処理物を加圧する加圧端子と、前記加圧端子及び前記ばねを支持する支持機構とを有し、前記加圧端子を前記支持台上の前記被処理物に設定した後は設定を解除するまで一定の加圧力で前記被処理物を加圧できる構成になっている。前記支持台は所定間隔で一列に複数配列されている。そして、支持台と支持台との間に封止体が位置し、封止体から延在するリードは各支持台上に載るようになっている。また、支持台の配列方向に沿う支持台両端側に前記加圧端子が臨むように位置するようになっている。また、前記ばねによってリードには２４ＭＰａの加圧力で加圧される。
【発明の効果】
【００２８】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００２９】
前記（１）の手段によれば、（ａ）リードを上下から加圧するため、リードの側面のめっき膜には圧縮応力が加わり、ウィスカが発生し易くなる。従って、圧縮応力を加えて行う加速試験によれば、室温放置１５００時間に相当するウィスカ発生のための加速試験を９６時間と大幅に短縮することができる。
【００３０】
（ｂ）上記加速試験の後、ウィスカの発生状況を顕微鏡で観察し、観察結果に基づいてめっき膜の評価を行うことができる。このめっき膜評価時間は加速試験が短時間で行うことができることから大幅に短時間になる。
【００３１】
（ｃ）鉛フリー半田にてメタライズ処理されたリードからのウィスカ発生の危険性を短期に評価することが可能になる。即ち、機械的に十分に大きな圧縮応力をめっき膜に付与することにより、めっき膜が有しているウィスカの形成し易さを評価することができ、温度、湿度の過度のストレスを与えないために、市場環境では形成されないめっき膜内部での熱化学的な反応を抑制することができるためである。
【００３２】
（ｄ）本発明によれば、ウィスカの発生が少なくかつウィスカ長が短い場合、例えば、２０μｍ程度の場合は、製造される半導体装置は良品として判定し、ウィスカの発生が多くかつウィスカ長が長い場合（即ち、１００μｍを越える長さ）は、製造される半導体装置は不良品と判定してリードフレーム毎に廃棄処分する。これにより、良品として判定されたリードフレームからリードの切断・成形を経て製造される半導体装置は実装の信頼性が高い半導体装置と判定することができる。
【００３３】
（ｅ）リード表面に形成するめっき膜を鉛フリー半田とする半導体装置の製造方法において、ウィスカ評価を短期に行うことができ、不良品の市場流出を効果的に防止することが出来る。
【００３４】
（ｆ）ウィスカの発生が多くかつウィスカ長が長く不良と判定された際、その不良の情報をめっき膜形成工程にフィードバックする方法においては、その後のめっき膜形成条件を前記不良の情報に基づいて制御することができる。これにより、ウィスカ発生が少ない実装の信頼性が高い半導体装置を市場に提供することができる。
【００３５】
（ｇ）上記（ｄ）及び（ｆ）により、ウィスカ発生が少ない実装の信頼性が高い半導体装置を順次市場に提供することができるようになる。
【００３６】
（ｈ）ウィスカ発生の加速試験は、上記加速試験装置の使用によって９６時間の短時間であっても、室内放置１５００時間に相当するウィスカ発生試験になる。上記加速試験装置はウィスカ成長を短期に行えるものとなる。従って、半導体装置の製造方法に上記加速試験装置を使用することによって、ウィスカ発生を検査項目とする半導体装置の製造を短期に行うことができる。
【００３７】
（ｉ）本発明による加速試験装置は、単純な構造で機械的な圧縮応力を付与することができる。従って、加速試験装置の製造コストも安価になり、半導体装置の製造コストの低減を可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【実施例１】
【００３９】
図１乃至図１４は本発明の実施例１であるめっき膜評価方法に係わる図である。本実施例１のめっき膜評価方法は、錫めっき膜または錫を主成分とする鉛フリー半田をリードフレームの表面にめっきし、ついで加速試験装置によってウィスカ（錫）発生を増長させ、その後ウィスカ発生状況を観察してめっき膜の判定評価を行う方法である。
【００４０】
ここで、図３のウィスカ成長のメカニズムと、本発明による加速試験（加速テスト）の位置付けについて説明する。ウィスカの発生メカニズムとしては、ウィスカの成長１は、大別して二つの因子２，３が考えられる。因子２はめっき膜内に圧縮応力を発生させる因子（めっき膜内への圧縮応力発生の因子）であり、因子２はめっき膜内の不純物や結晶方位などのウィスカ発生を促進する因子（ウィスカの発生し易い膜質への変動）３である。そして、これら二つの因子２，３が複雑に作用していると考えられている。
【００４１】
因子２には、ウィスカ発生のさらなる因子として次の４つの因子ａ〜ｄが考えられる。因子ａは、室温放置の長時間の間にめっき膜を形成する結晶粒界に合金が発生し、この合金の発生に起因してウィスカが発生するようなものである。例えばＳｎＣｕ系の鉛フリー半田の場合は、結晶粒界にＣｕ６Ｓｎ５が発生し、これが原因でウィスカが発生する。
【００４２】
因子ｂは、熱膨張係数のミスマッチ（不整合）であり、このミスマッチと因子ｃの温度サイクルによるストレスとが共存した時に膨張・圧縮によってウィスカが発生する。因子ｄは、機械的ストレスによるものである。曲げやスクラッチなどによる機械的ストレスよってウィスカが発生する（因子ｄ）。
【００４３】
因子３には、ウィスカ発生のさらなる因子として次の５つの因子ｇ〜ｋが考えられる。因子ｇはめっき膜中における吸蔵水素量の変動であり、吸蔵水素量の変動によってウィスカの発生し易い膜質となる。因子ｈはめっき膜中における有機系不純物量の変動であり、有機系不純物量の変動によってウィスカの発生し易い膜質となる。因子ｉはめっき膜中の結晶方位の分布と変動であり、結晶方位の分布の違いと変動によってウィスカの発生し易い膜質となる。因子ｊはめっき膜中の結晶粒径／粒サイズの変動であり、結晶粒径／粒サイズの変動によってウィスカの発生し易い膜質となる。因子ｋはめっき膜厚の薄膜化であり、めっき膜が薄くなるほどウィスカの発生し易い膜質となる。
【００４４】
従来の環境ストレスを強くした加速試験法の場合、即ち、上記因子２に係る因子ａ〜ｄでは、ウィスカ形成に係わる因子がすべてこの環境ストレスにより促進されず、多くの因子が逆に抑制されてしまうものがある。非特許文献１には、高温試験、温度サイクル試験等加熱を伴う試験方法は不適格であるとの研究報告がなされている。
【００４５】
一方、本発明者は、リード表面に発生するウィスカの分析検討において、図９（ａ），（ｂ）に示すように、半導体装置のリード１０にめっき膜（外装めっき）１１を施した後、リード１０を上下から加圧（圧縮）すると、リード１０の側面から長くウィスカ１２が成長し易いという事実を確認した。図９（ａ）はリード１０を支持台１３上に載置した状態であり加圧端子１４を下降させない状態の模式図である。図９（ｂ）は加圧端子１４を降下させて支持台１３と加圧端子１４によってリード１０を加圧（圧縮）させた状態の模式図である。
【００４６】
図９（ａ）に示すように、リード１０の表面に形成するめっき膜（外装めっき）１１は、リード断面が四角形状であることから、めっき膜１１はエッジ効果によって角部が厚くなって盛り上がる構造（盛り上がり部１１ａ）になる。この結果、リード１０を上下から加圧（圧縮）すると、盛り上がり部１１ａは強く加圧されて、圧縮変形する（圧縮変形部１１ｂ）とともに、リード１０の側面のめっき膜１１には大きな圧縮応力が加わることになる。そして、この圧縮によってリード側面のめっき膜１１の表面ではウィスカの成長が著しくなり、長いウィスカ１２が発生することになる。ウィスカ１２は長いものでは数１００〜数１０００μｍにも及ぶ。
【００４７】
そこで、本発明者は非特許文献１に述べられているように、ウィスカ発生の有効な試験方法は、室温程度の環境での長期保管しかないという技術思想に、図３に示すように、効果的な圧縮応力の付与という加速テスト（因子ｆ）を組み込んで、ウィスカの短期成長を得ることを考えた。即ち、本発明は、従来の多くの因子に作用する温度条件（含む湿度）による加速法は不適格であることから、めっき膜に直接圧縮応力を付与することによってめっき膜が有するウィスカ発生促進因子の影響を判定することに着眼したものである。
【００４８】
本実施例１では、図２のフローチャートに示す工程を経てめっき膜の評価を行う。本実施例１による鉛フリー半田のめっき膜の評価は、実施例２の半導体装置の製造方法においても行えるものであるが、最初に試料としてのリードフレームを用いてのめっき膜評価方法を実施例１として説明する。その後、実施例２として、半導体装置の製造方法に適用しためっき膜評価方法、換言するならば、ウィスカ評価を含む半導体装置の製造方法の説明をすることにする。
【００４９】
本実施例１のめっき膜評価方法は、図２のフローチャートに示すように、リードフレーム用意Ｓ１０１、めっき膜形成Ｓ１０２、加速試験（圧縮）Ｓ１０３、ウィスカ観察Ｓ１０４、めっき膜良否判定Ｓ１０５の各工程を経て行われる。
【００５０】
試料としてのリードフレーム５は、図４に示すように、長方形状の薄い金属板からなり、平行に複数のスリット６が設けられている。スリット６とスリット６に挟まれる細長片部分がリード１０となる。スリット６は長方形状のリードフレーム５の幅員に沿って延在している。スリット６は所定幅となり、図４の場合は全てのスリット６の幅は一定である。また、リード１０の幅も一定である。また、リードフレーム５は、表現を代えるならば、長枠７ａと短枠７ｂとからなる矩形枠７と、この矩形枠７の一対の長枠７ａ間に平行にリード１０を複数延在した構造とも言える。
【００５１】
図４のリードフレーム５は、スリット６とリード１０の幅が同じ寸法のものとしてあるが、これは特に限定されるものではない。リード１０の幅やスリット６の幅は種々選択すればよい。図５は複数本ごとに順次リード１０の幅を大きくし、かつこれに伴ってスリット６の幅も大きくした例である。この構造では、リード１０の幅の違いがウィスカの発生にどのように作用するかを知ることができる試料になる。また、図示はしないが、リード１０を一本ずつ順次太くするパターンも考えられる。この場合においてもスリット６の幅を一定にする例、あるいはリード１０の幅の増大に対応させて順次スリット６の幅を広くするパターンも考えられる。この例でもウィスカの発生がパターンとの関係でどのように変わるか否かを調べることができる。
【００５２】
リードフレーム５の厚さが、ウィスカの発生に関係があるか否かを調べる場合には、リードフレーム５の厚さを変えたリードフレーム５を複数準備する。また、後述する、加圧による加速試験の場合、加圧力（圧縮応力）の違いによるウィスカの発生状況の変化を調べる場合には、同一の寸法パターンのリードフレーム５を複数枚用意し、各リードフレーム５に対して加圧力を変えて加速試験を行う。
【００５３】
図４に示すリードフレーム５は、半導体装置製造におけるリードフレームのリードを想定して、リード１０とスリット６の幅を同じにしたものである。しかし、半導体装置（製品）においては、リード幅とリードとリードとの間隔が異なるものもあることから、試料としてのリードフレームは図４に限定されるものではない。
【００５４】
試料としてのリードフレーム５は、その材質（基材）は銅板，銅合金板，真鍮板，鉄−ニッケル合金板等によるものである。実施例１では、リードフレーム基材として、Ｃ１９４材と呼称される銅合金板や真鍮板を使用する。これは、前述のように、銅系の基材の上に形成されたＳｎめっき（Ｓｎめっき膜）にはウィスカが多く発生することによる。
【００５５】
また、リード表面を被うめっき膜としては、鉛フリー半田であるＳｎ膜、ＳｎＢｉ系、ＳｎＣｕ系、ＳｎＡｇ系等種々の材質があるが、実施例１ではリード表面にＳｎＣｕめっき膜を形成する場合で説明する。図４及び図５のリードフレーム５は、既にめっき膜１１が形成されているものとする。
【００５６】
上記のようにパターン化されたリードフレーム５を用意（Ｓ１０１）した後、リードフレーム５の表面にＳｎＣｕからなるめっき膜を形成する（Ｓ１０２）。
【００５７】
つぎに、図１に示すように、上面が平坦となる支持台１３上にリードフレーム５を載置し、加圧端子１４を矢印に示すようにリードフレーム５の上面に押し付けてリード１０を加圧する。
【００５８】
ここで、リードフレーム５を加圧してウィスカの成長を促進させる加速試験装置について説明する。加速試験装置２０は、図６に示すように、上面が平坦になる四角形状のステージ２１と、このステージ２１の各隅部にそれぞれ固定される４本の支柱２２とを有している。支柱２２の上端には支持機構２３が着脱自在に取り付けられている。支持機構２３は本体部２４と、この本体部２４の下部両側に張り出すフランジ部２５とからなっている。フランジ部２５にはそれぞれ前記支柱２２に対応する位置に挿入孔が設けられている。この挿入孔にはそれぞれ支柱２２の上端部分が挿入される。図示はしないが、支柱２２の上端部分には雄ねじが設けられている。そして、フランジ部２５の上面側に突出した支柱２２の先端には座金２６が挿入され、かつナット２７が取り付けられる。これによって支持機構２３は支柱２２に固定される。
【００５９】
この挿入固定によって本体部２４のステージ２１に対する高さは一定になる。即ち、支柱２２の雄ねじ部分は一段細くなり、この細くなる段付き部分の段差面がフランジ部２５を支える構造になる。これにより、本体部２４のステージ２１（支持台１３）に対する高さが常に一定になる。
【００６０】
ステージ２１の中央には、被処理物であるリードフレーム５を載置する支持台１３が着脱自在に取り付けられている。支持台１３はリードフレーム５を載置する上面が平坦となる部材である。試料によっては、この支持台の大きさを換える必要があることから、特にその構造は限定はしないが着脱自在の構造になっている。図６では、支持台１３に比較して大幅にサイズが大きいリードフレーム５を載置した図にしてある。
【００６１】
支持機構２３の本体部２４の下面には、穴３０が設けられている。この穴３０には圧縮コイルばね３１、加圧端子１４を取り付ける昇降片３２が挿入されている。このばね３１は圧縮コイルばねとなっている。昇降片３２はばね３１が穴３０から抜け出ないように、ストッパ構造になっている（図示せず）。支持機構２３は加圧端子１４とばね３１を支持する機構となる。
【００６２】
支持台１３上にリードフレーム５を載置し、支柱２２に支持機構２３を取り付けた状態にすると、加圧端子１４はばね３１によって弾発力を得て支持台１３上のリードフレーム５のリード１０を加圧する。図６の構造では、支持台１３の上面にリードフレーム５を載置し、支柱２２に支持機構２３を取り付けることによって、リードフレーム５に対する加圧端子１４の設定が完了し、リードフレーム５のリード１０等の加圧領域に所定の加圧力が加えられる。
【００６３】
このように、加圧端子１４を支持台１３上の被処理物であるリードフレーム５（リード１０）に設定した後は、設定を解除するまで一定の加圧力でリードフレーム５（リード１０）を加圧できる構成になっている。この結果、例えば、ばね３１によってリード１０を５ＭＰａ〜１００ＭＰａの加圧力で加圧できるようになっている。実施例１では、後述するように、１５ＭＰａ，２４ＭＰａ，６５ＭＰａで、例えば、９６時間（ｈ）に亘ってリード１０を加圧してウィスカの発生を増長させた。２４ＭＰａで９６時間加圧することは、加熱や加湿をしない室内放置でウィスカ発生を試験する１５００時間に相当する。
【００６４】
上記のような大きな加圧力を得るため、加圧端子１４の加圧面を構成する下端部は細長部１４ａとなっている。例えば、細長部１４ａの幅は１〜２ｍｍである。
【００６５】
図７に示す加速試験装置２０は、加圧端子に加えるばね圧力を調整できる加圧力調整機構を設けた例である。図７に示すように、本体部２４の穴３０の底部分に、外部から調整ねじ３５が取り付けられ、調整ねじ３５のねじ部３５ａの先端とばね３１の上端上に可動片３６を介在させた構成になっている。従って、調整ねじ３５を回転制御することによってねじ部３５ａの先端の位置を制御でき、この結果ばね３１の撓み量を変化させることができる。これによってリード１０に対する加圧力を調整することができる。
【００６６】
また、図８に示す加速試験装置２０は、加圧端子１４を複数並列に配置した構成である。図８では、加圧端子１４は所定ピッチで３個配置された構造になっている。そして、図８では１枚のリードフレーム５の各部を加圧できる構成になっているが、各ステージ１３上にそれぞれ別のリードフレーム５を載置して各リードフレーム５の加速試験を行うことも可能である。
【００６７】
図１に示すように、加速試験装置２０によってリードフレーム５のリード１０を所定圧力で所定時間加圧することによって、リード１０の表面、特に側面でのウィスカの成長は増長される。この結果、図１０乃至図１２の顕微鏡写真で示すように、リードの側面からウィスカが発生する。そこで、圧縮による加速試験（Ｓ１０３）の後、ウィスカの発生状況を観察する（Ｓ１０４）。そして、この観察によって、めっき膜の良否の判定を行う（Ｓ１０５）。
【００６８】
図１０は、図１に示すようなリードフレーム５を、４０℃の雰囲気で２４ＭＰａの加圧力で９６時間加圧する加速試験後のウィスカの発生状況を示す顕微鏡写真である。試料であるリードフレーム５はＣ１９４材であり、リードピッチは３００μｍ、リード幅は１００μｍ、リード厚さは１００μｍである。リード１０の上下面及び側面にはめっき膜１１として、厚さ３μｍのＳｎＣｕめっき膜が形成されている。２４ＭＰａで９６時間加圧する加速試験は、室温放置による加速試験の１５００時間に略相当する。即ち、本加速試験装置による加速試験では、室温放置１５００時間に比較して９６時間と大幅に試験時間を短縮することができる。
【００６９】
写真の中央を左下から右上にかけて示す１本の細い線（白線）から、矢印で示す左上側の領域は加圧端子１４によって加圧された領域（加圧領域）であり、白線から右下の領域が加圧しない領域（加圧無領域）である。写真から分かるように、左から２本目のリードには、加圧領域において多数のウィスカ（細い白線：以下図１１及び図１２も同様））が確認できる。長いものでは１００μｍ程度にもなっている。
【００７０】
図１１はめっき膜の厚さを変えた４枚の写真である。リードフレーム５の寸法は図１０のものと同じである。左上の写真はめっき膜の厚さが３μｍのもの、右上の写真はめっき膜の厚さが７μｍのもの、左下の写真はめっき膜の厚さが１０μｍのもの、右下の写真はめっき膜の厚さが１５μｍのものである。これらの写真において、白線から左上側が加圧領域であり、白線から右下側が加圧無領域である。
【００７１】
写真配列の右下のめっき膜の厚さが１５μｍのものは、加圧領域においてもウィスカの発生は見られない。これに対して、めっき膜の厚さが３μｍ、７μｍ、１０μｍのものは、加圧領域のリードの側面にウィスカが発生していることが認められる。そして、めっき膜の膜厚が薄くなるほどウィスカの発生数が多い傾向も認められる。加速試験ではリードの上下面を加圧することから、リードの上下面ではウィスカの発生は起きなくなる。
【００７２】
図１２は、図１０の場合とは異なり、リードを真鍮で形成した場合でのウィスカの発生状況を示す顕微鏡写真である。リードフレームの寸法形状は図１０のものと同じである。加速試験では、処理時の雰囲気温度を室温とした点が異なるが、加圧力は２４ＭＰａであり、加速試験時間も９６時間である。左側の写真が加圧したリード部分（加圧部分）を示すものであり、右側の写真が加圧しないリード部分を示す加圧無部分である。加圧無部分ではウィスカが発生していないが、加圧部分ではウィスカが発生していることがわかる。長いものでは、ウィスカは７０〜８０μｍにも及ぶ。
【００７３】
図１３及び図１４は、図１２で示す真鍮によるリードフレームを複数枚用意し、それぞれのリードフレームに対して、加圧力のみを変化させて加速試験を行った場合におけるウィスカの発生密度を示すグラフである。図１３は加圧力の違いによるウィスカ形成密度（相対値）と加圧時間との相関を示すグラフ、図１４は加圧端子による圧力とウィスカ形成密度（相対値）との相関を示すグラフである。加圧力は１５ＭＰａ、２４ＭＰａ、６５ＭＰａと変えて加速試験を行った。図１３では、２４ＭＰａで９６時間による加速試験が、室内放置による試験の１５００時間（約９週間）に相当することを明示してある。
【００７４】
図１３から分かるように、加圧力が６５ＭＰと大きすぎるとウィスカは発生しない。また、加圧力が１５ＭＰａと小さいとウィスカ形成密度は小さい。図１４はウィスカ形成密度と圧力（加圧力：ＭＰａ）との相関を示すグラフである。同グラフでは加圧力が２４ＭＰａをウィスカ形成密度の頂点となるように示してあるが、これは加圧力を変えた試験データが少ないことによる。しかし、いずれにしても、この２４ＭＰａの前後にウィスカ形成密度の頂点が存在することは明らかである。即ち、加速試験の短縮を図るためには、加圧力は２０ＭＰａ〜４０ＭＰａが望ましい。
【００７５】
本実施例によれば、以下の効果を有する。
【００７６】
（１）リード１０を上下から加圧するため、リード１０の側面のめっき膜１１には圧縮応力が加わり、室温放置１５００時間に相当するウィスカ発生試験が行える。この加速試験は９６時間で極めて短時間で行えることになる。また、ウィスカ１２の発生状況を顕微鏡で観察し、観察結果に基づいてめっき膜１１の評価を行うことができる。めっき膜評価は加速試験が極めて短時間に行えることから大幅に短時間で行うことができる。
【００７７】
（２）リード１０の幅を含む寸法を一定とし、めっき膜１１の厚さがそれぞれ異なるリードフレーム５を用いて加速試験を行うことによって、ウィスカ１２の発生が無い、または少ないめっき膜１１の範囲を知ることができる。
【００７８】
（３）リード１０の幅を含む寸法を１乃至複数本ごとに順次大きくするリードフレーム５を用いてウィスカ発生の加速試験を行うことによって、ウィスカの発生とリードの寸法との相関を知ることができ、めっき膜評価が可能になる。
【００７９】
（４）リード１０の幅を含む寸法を一定とするリードフレーム５を複数枚用い、加圧力をそれぞれ変化して加速試験を行うことによって、加速試験における加速試験時間短縮のための好ましい加圧力範囲を知ることができる。
【００８０】
（５）本発明による加速試験装置２０は、単純な構造で機械的な圧縮応力を付与することができる。従って、加速試験装置２０の製造コストも安価になり、半導体装置の製造コストの低減を可能になる。
【実施例２】
【００８１】
図１５乃至図１９は本発明の実施例２である半導体装置の製造方法に係わる図であり、図１５は半導体装置の製造工程の一部を示すフローチャートである。
【００８２】
本実施例２の半導体装置の製造においては、図１５のフローチャートに示すように、組立終了のリードフレーム５を用意する（Ｓ２０１）。即ち、半導体装置の製造においては、金属製のリードフレームが用意され、リードフレームの半導体チップの固定部分に半導体チップが固定され、その後半導体チップの電極とリードを導電性のワイヤで接続し、ついでトランスファモールディング装置によればリードフレームの所定箇所に絶縁性樹脂からなる封止体を形成して前記半導体チップやワイヤ等を被う。その後、封止体から突出するリードフレーム表面に外装めっきとしてめっき膜を形成し、さらに不要リードフレームを切断除去して半導体装置を製造する。不要リードフレームの切断除去後、必要に応じて封止体の側面から突出するリードを実装に適した形状に成形するものである。
【００８３】
そこで、本実施例２では、最初に封止体を形成した後のリードフレーム５を用意する（Ｓ２０１）。このリードフレーム５は、図１６に示すように、リードフレーム５の各単位リードパターン４０の中央部分に絶縁性樹脂で形成された封止体４１が形成されている。この封止体４１内に半導体チップが封止され、かつ封止体４１内にはリード１０の先端と半導体チップの電極を電気的に接続するワイヤも位置している。また、四角形状からなる封止体４１の４辺から所定ピッチでリード１０が突出している。リードフレーム５は、Ｃ１９４材で形成され、例えば、リードの厚さは０．１５ｍｍ、リードの幅は０．２ｍｍ、リードピッチは０．５ｍｍである。
【００８４】
ここで、半導体装置の製造において採用されているリードピッチとリード幅との関係を、図１７に示す。リードピッチが１．２７ｍｍの場合リード幅は０．４ｍｍとなる。以下リードピッチが１．０、０．８、０．６５、０．５、０．４ｍｍと狭くなるに従って、リード幅も０．３５、０．３５、０．２８、０．２、０．１６ｍｍと変化する。なお、これらの場合において、リードの厚さは０．１５ｍｍである。
【００８５】
つぎに、図１５のフローチャートで示すように、封止体４１が設けられたリードフレーム５に外装めっきを施す。この外装めっきは、封止体４１の各辺から突出するリード１０の表面（上下面及び側面）に設けられる（Ｓ２０２）。外装めっきは鉛フリー半田めっきであり、例えば、ＳｎＣｕめっき膜である。ここで、ＳｎＣｕめっき膜を、実施例１でも分かるように、半導体装置の実装後、ウィスカの成長で隣接するリードがショートを起こさないようにするため、めっき膜（外装めっき）１１の厚さを、例えば、１０μｍとなるようにめっき処理条件を設定する。
【００８６】
つぎに、図１５のフローチャートに示すように加速試験を行う（Ｓ２０３）。加速試験は、実施例１と同様に、リード１０を支持台１３上に載置し、支持台１３上のリード１０を加圧端子１４で加圧するものである。支持台１３は、封止体４１が外力が加わらないように窪み１３ａに非接触状態で納まるようになっている。図１８は封止体４１の１辺から突出するリード１０を加圧端子１４の細長部１４ａで加圧する構成である。封止体４１の複数辺から突出するリード１０を加圧するには、例えば、図１９に示す構成の加速試験装置２０が使用される。図１９の加速試験装置２０は、図８の加速試験装置２０と同様に加圧端子１４を複数有する構成であり、図８の加速試験装置２０において、加圧端子１４のした端の両端に細長部１４ａをそれぞれ設け、隣接する封止体４１の対面する各側面から突出するリード１０をそれぞれ加圧する構成になっている。即ち、各細長部１４ａは、下降して、隣接する封止体４１の対面する各側面から突出するリード１０に臨むようになっている。図１９の構成では、ステージ２１の上面に所定間隔に支持台１３を配置してリード１０を支え、隣接する支持台１３間の窪んだ部分に非接触状態で封止体４１を収容するようになっている。
【００８７】
本実施例２においても加速試験はリード１０に２４ＭＰａの加圧力が加わる状態で９６時間加圧する。この際、特に加熱や加湿はせず、室温で加速試験を行う。
【００８８】
つぎに、図１５のフローチャートに示すように、ウィスカ観察（Ｓ２０４）を行う。この観察は顕微鏡観察によって行う。そして、例えば、ウィスカの発生数、ウィスカの長さの測定を行う。
【００８９】
つぎに、図１５のフローチャートに示すように、ウィスカの良否判定を行う（Ｓ２０５）。例えば、ウィスカ発生数を数によってランクを付ける。また、ウィスカの長さをいくつかの長さに分け、発生したウィスカの最長の長さによってランク付けを行う。そして、前記ランクによって、製造される半導体装置の実装時のウィスカ発生の危険度をランク付けしてウィスカ良否判定を行う。
【００９０】
判定で良と判定された良品リードフレームは、図１５のフローチャートに示すように、次工程のリード切断や成型（Ｓ２０６）に搬送される。また、判定で不良と判定された不良品リードフレームは、図１５のフローチャートに示すように、不良品廃棄工程（Ｓ２０７）に搬送される。
【００９１】
また、不良と判定された場合は、不良の情報は外装めっき工程（Ｓ２０２）にフィードバックされる。そして、この不良の情報に基づいてめっき膜形成工程におけるめっき膜形成条件を制御する。
【００９２】
本実施例２によれば以下の効果を有する。（１）リード１０を上下から加圧するため、リード１０の側面のめっき膜１１には圧縮応力が加わり（図９参照）、ウィスカ１２が発生し易くなる。従って、圧縮応力を加えて行う加速試験によれば、室温放置１５００時間に相当するウィスカ発生のための加速試験を９６時間と大幅に短縮することができる。
【００９３】
（２）上記加速試験の後、ウィスカ１２の発生状況を顕微鏡で観察し、観察結果に基づいてめっき膜１１の評価を行うことができる。このめっき膜評価時間は加速試験が短時間で行うことができることから大幅に短時間になる。
【００９４】
（３）鉛フリー半田にてメタライズ処理されたリード１０からのウィスカ発生の危険性を短期に評価することが可能になる。即ち、機械的に十分に大きな圧縮応力をめっき膜に１１付与することにより、めっき膜１１が有しているウィスカ１２の形成し易さを評価することができ、温度、湿度の過度のストレスを与えないために、市場環境では形成されないめっき膜内部での熱化学的な反応を抑制することができるためである。
【００９５】
（４）本発明によれば、ウィスカ１２の発生が少なくかつウィスカ長が短い場合、例えば、２０μｍ程度の場合は、製造される半導体装置は良品として判定し、ウィスカ１２の発生が多くかつウィスカ長が長い場合（即ち、１００μｍを越える長さ）は、製造される半導体装置は不良品と判定してリードフレーム５毎に廃棄処分する。これにより、良品として判定されたリードフレーム５からリードの切断・成形を経て製造される半導体装置は実装の信頼性が高い半導体装置と判定することができる。
【００９６】
（５）リード表面に形成するめっき膜を鉛フリー半田とする半導体装置の製造方法において、ウィスカ評価を短期に行うことができ、納期の短縮が可能になる。
【００９７】
（６）ウィスカ１２の発生が多くかつウィスカ長が長く不良と判定された際、その不良の情報をめっき膜形成工程にフィードバックする方法においては、その後のめっき膜形成条件を前記不良の情報に基づいて制御することができる。これにより、ウィスカ発生が少ない実装の信頼性が高い半導体装置を市場に提供することができる。
【００９８】
（７）上記（４）及び（６）により、ウィスカ発生が少ない実装の信頼性が高い半導体装置を順次市場に提供することができるようになる。
【００９９】
（８）ウィスカ発生の加速試験は、上記加速試験装置の使用によって９６時間の短時間であっても、室内放置１５００時間に相当するウィスカ発生試験になる。上記加速試験装置はウィスカ成長を短期に行えるものとなる。従って、半導体装置の製造方法に上記加速試験装置を使用することによって、ウィスカ発生を検査項目とする半導体装置の製造を短期に行うことができる。
【０１００】
（９）本発明による加速試験装置２０は、単純な構造で機械的な圧縮応力を付与することができる。従って、加速試験装置２０の製造コストも安価になり、半導体装置の製造コストの低減を可能になる。
【０１０１】
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。即ち、本実施例では半導体装置の製造方法に本発明を適用した例について説明したが、前記実施例同様のリード端子を有する他の電子部品の製造にも同様に適用でき同様な効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の実施例１であるめっき膜評価方法における加速試験方法の概要を示す模式的斜視図である。
【図２】本実施例１であるめっき膜評価方法を示すフローチャートである。
【図３】ウィスカ成長のメカニズムと加速試験の位置付けを示す模式図である。
【図４】加速試験で用いる第１の試料のパターンを示す平面図である。
【図５】加速試験で用いる第２の試料のパターンを示す平面図である。
【図６】実施例１のめっき膜評価方法で用いる加速試験装置の概要を示す一部を断面とした正面図である。
【図７】加速試験装置の変形例１を示す一部を断面とした正面図である。
【図８】加速試験装置の変形例２を示す一部を断面とした正面図である。
【図９】加速試験装置の加圧端子に加圧される前後のリード断面を示す模式図である。
【図１０】本実施例１のめっき膜評価方法におけるウィスカ観察結果を示す顕微鏡写真であって、加速試験の有無の違いによるウィスカの発生状況の違いを示す写真である。
【図１１】めっき膜の厚さが異なるリードにおけるウィスカの発生状況の違いを示す顕微鏡写真である。
【図１２】リードが真鍮である場合における加速試験の有無によるウィスカの発生状況の違いを示す顕微鏡写真である。
【図１３】本実施例１のめっき膜評価方法における加圧端子の圧力の違いによるウィスカ形成密度と加圧時間との相関を示すグラフである。
【図１４】本実施例１のめっき膜評価方法における加圧端子による圧力とウィスカ形成密度との相関を示すグラフである。
【図１５】本発明のめっき膜評価方法を適用した半導体装置の製造方法に係わる例（実施例２）であり、半導体装置の製造工程の一部を示すフローチャートである。
【図１６】実施例２の半導体装置の製造において、所定部に樹脂封止体が形成されたリードフレームを示す平面図である。
【図１７】実際に使用するリードフレームにおけるリードピッチとリード幅の寸法関係の一例を示す表である。
【図１８】実施例２において、半導体装置の封止体から突出するリードを加圧する加圧装置を示す一部を断面とする正面図である。
【図１９】実施例２において、半導体装置の封止体の両側から突出するリードを加圧する加圧装置を示す一部を断面とする正面図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１…ウィスカの成長、２…めっき膜内への圧縮応力発生の因子、３…ウィスカの発生し易い膜質への変動、５…リードフレーム、６…スリット、７…矩形枠、７ａ…長枠、７ｂ…短枠、１０…リード、１１…めっき膜（外装めっき）、１１ａ…盛り上がり部、１１ｂ…圧縮変形部、１２…ウィスカ、１３…支持台、１４…加圧端子、２０…加速試験装置、２１…ステージ、２２…支柱、２３…支持機構、２４…本体部、２５…フランジ部、２６…座金、２７…ナット、３０…穴、３１…ばね、３２…昇降片、３５…調整ねじ、３５ａ…ねじ部、３６…可動片、４０…単位リードパターン、４１…封止体
【図１】
2005101117.tif 000003
【図２】
2005101117.tif 000004
【図３】
2005101117.tif 000005
【図４】
2005101117.tif 000006
【図５】
2005101117.tif 000007
【図６】
2005101117.tif 000008
【図７】
2005101117.tif 000009
【図８】
2005101117.tif 000010
【図９】
2005101117.tif 000011
【図１０】
2005101117.tif 000012
【図１１】
2005101117.tif 000013
【図１２】
2005101117.tif 000014
【図１３】
2005101117.tif 000015
【図１４】
2005101117.tif 000016
【図１５】
2005101117.tif 000017
【図１６】
2005101117.tif 000018
【図１７】
2005101117.tif 000019
【図１８】
2005101117.tif 000020
【図１９】
2005101117.tif 000021