(57)【要約】【課題】  狭リードピッチのボンディングを安定させ、かつ放熱板を設けた半導体装置のパッケージクラックを防止する。【解決手段】  放熱板を設けた半導体装置について、半導体チップと接続されるインナーリード先端のリード幅ｗ，リード板厚ｔが、ｗ＜ｔとなっており、前記放熱板にインナーリードを固定する。更に、インナーリードとの固定によって放熱板を支持して吊りリードを排する。半導体チップと接続されるインナーリード先端のリードピッチｐ，リード幅ｗ，リード板厚ｔが、ｗ＜ｔ、ｐ≦１．２ｔとなっており、前記放熱板にインナーリードを固定する。放熱板には半導体チップ搭載領域とインナーリードまでの間に、放熱板の伝熱経路が放射状となる形状に孔を設ける。放熱板に半導体チップを固定し封止体によって封止した半導体装置について、前記インナーリードの先端の板厚ｔ´を他の部分の板厚ｔよりも薄くし、放熱板にインナーリードを固定する。【選択図】        図６
2005101669.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）銅箔で構成された放熱板と、
（ｂ）前記放熱板の周囲にそのインナーリード先端部分が固定された複数のリードと、
（ｃ）その主面に複数のボンディングパッドを有し、かつ、前記インナーリード先端に囲まれた領域において、前記放熱板上に搭載された半導体チップと、
（ｄ）前記半導体チップの複数のボンディングパッドと前記インナーリード先端部分とを電気的に接続するボンディングワイヤと、
（ｅ）前記インナーリード、前記放熱板、前記半導体チップ及び前記複数のボンディングワイヤを封止する樹脂封止体とを有し、
前記放熱板は、前記半導体チップと前記インナーリード先端部分との間に、複数の貫通孔を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記複数の貫通孔の形状は、前記半導体チップから前記インナーリード先端部分に向かう第１方向における長さが、前記第１方向と垂直方向である第２方向における長さよりも長いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記半導体チップは四角形状を有し、前記複数の貫通孔は、前記半導体チップの４つの角部に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１において、前記複数の貫通孔の各々の一部は、前記半導体チップの裏面と平面的に重なっていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、多リードの半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ等の半導体装置は、集積度の向上に伴って、より複雑な回路が搭載されその機能も高度なものとなっている。このような高機能化によって、半導体装置にはより多くの外部端子が必要となり、このために半導体チップに設けられるパッド電極及び半導体装置の外部端子であるリードの数もそれに対応して増加することとなる。例えば、ロジック半導体装置では、外部端子の数は数百にも及んでいる。このような多リードの半導体装置としては、ＱＦＰ（Quad Flat Package）型の半導体装置が知られている。このＱＦＰ型の半導体装置では、半導体チップを封止する封止体の四側面に夫々複数のリードを設けるために、多リード化に適しており、半導体装置を実装基板に実装する場合に、半導体装置周囲のスペースを有効に利用できるという利点がある。
【０００３】
下記非特許文献１には、このようなＱＦＰ型の半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームが示されており、特にＰ１５７及びＰ１５９には具体的なパターンが示されている。
【０００４】
また、下記非特許文献２には、前記微細化によって半導体チップに形成される素子数が増加し、それらの素子がより高速に動作するために、半導体チップからの発熱も増大することとなる。この問題に対処するために放熱性を向上させた半導体装置として、ヒートスプレッダを設けた半導体装置が記載されている。この半導体装置では半導体チップにヒートスプレッダを取り付けることによって、半導体装置の放熱性を向上させている。
【０００５】
【非特許文献１】日経ＢＰ社刊「ＶＬＳＩパッケージング技術（上）」、１９９３年５月３１日発行、Ｐ１５５〜Ｐ１６４
【非特許文献２】日経ＢＰ社刊「ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」Ｐ２００〜Ｐ２０３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記多リード化に対応するために、リードフレームでは、各リード間の間隔であるリードピッチ及びリードの幅寸法を小さくすることが求められている。
【０００７】
また、同様に半導体チップには前記高機能化によって多くのパッド電極が設けられており、各パッド電極間の間隔であるパッドピッチも小さくなっている。一般に半導体チップのパッド電極のピッチは種々のものがあるが、ウエハ当たりのチップ取得数を向上させるために、チップサイズは小さいことが望ましく、このため各パッド電極間のピッチも一段と小さく設定される傾向にある。
【０００８】
このような理由から、多リードと各パッド電極との間をＡｕ等のワイヤを用いてボンディングする場合、パッドピッチが小さくなったことにより、隣接するワイヤ接触して相互にショートが発生しやすくなるという問題がある。
【０００９】
また、ワイヤボンディング後の樹脂モールドの際に、各リードの機械的強度の低下或はワイヤ間隔の減少によって、モールド樹脂の流動によりワイヤが変形するワイヤ流れが生じることがあり、この変形によりワイヤのショートが発生するという問題がある。
【００１０】
加えて、ＱＦＰでは、中央に搭載された半導体チップに近づくにつれてリードの配置領域が狭まってくる。このため、リードの加工精度の限界からリードの太さ及びピッチについては板厚によって限界があり、リードピッチを半導体チップのパッドピッチに対して充分に微細化できない。このため、搭載する半導体チップ寸法のシュリンク化が進み半導体チップの外形寸法は小さくなるに連れて、リードの先端を半導体チップに近付けることができなくなる。従って、ボンディングされるリードの先端と半導体チップのパッド電極との間隔が拡がり、パッド電極とリードとをボンディングするワイヤを長くせざるを得ない。このようにワイヤを長くした場合には、前記ショート或はワイヤ流れの発生の確率が高くなる。
【００１１】
現状では、パッドピッチとして実用化されているのは８０μｍ程度であるが、将来的には６０μｍ〜４５μｍのパッドピッチとすることが必要になると予想される。また、チップのシュリンク化が進むことによってボンディングにおけるワイヤ長も長くなる。現状では、安定してボンディングを行なうためにはワイヤ長を５ｍｍ〜６ｍｍ以下に抑える必要がある。このため、リードの先端ピッチを狭くしてワイヤ長の増大を回避する必要がある。
【００１２】
発明者等が行なったワイヤボンディングについてのシミュレーションの結果を図１に示す。２５６ピンのものを例とし、半導体チップのパッドピッチ毎に、インナーリード先端ピッチと安定してボンディングの行なえるワイヤ長の関係を調べた。その結果から、ボンディングを安定して行なうには、６０μｍパッドピッチでは、リード先端ピッチを１８０μｍ以下とする必要があることが判る。
【００１３】
また、このようなリードの微細化によって、各リードの機械的強度は低下するために、僅かな力により変形しやすくなり、このような変形によっても前記ショートが発生する。
【００１４】
このためインナーリードを絶縁性のテープによって固定して各リードの変形を防止することが考えられた。図２に示すのは従来構造のテープ固定方式リードフレームの平面図であり、図３に示すのはこのリードフレームを用いて組立てた樹脂封止型半導体装置の縦断面図である。
【００１５】
リードフレームは、例えばＣｕ系合金からなり、半導体チップ１（破線にて示す）がタブ２に固定され、搭載される半導体チップ１の全周囲にわたって複数のリード３が配置されている。リード３はインナーリード４及びアウターリード５からなり、インナーリード４の先端が半導体チップ１の周囲に配置されている。
【００１６】
各リード３は、ダムバー６により、或はリードフレームの枠体となるタイバー８により一体となっており、各リード３のダムバー６内側部分及び外側部分が夫々インナーリード４及びアウターリード５となる。タブ２はインナーリード４の間に設けられるタブ吊りリード７によって支持されて、各インナーリード４及びタブ吊りリード７は矩形枠状の絶縁性テープ９に固定されている。
【００１７】
このリードフレームを用いた半導体装置では、半導体チップ１をレジン又は銀ペーストによってタブ２に固定し、半導体チップ１のパッド電極１０とインナーリード４とがボンディングワイヤ１１によって接続されている。ボンディング後に半導体チップ１、タブ３、インナーリード４、ボンディングワイヤ１１が例えばエポキシ樹脂からなる封止体１２によって封止され、ダムバー６及びタイバー８が切断されて各リード３は電気的に分離される。この後、封止体１２から延在するアウターリード５は、一例として図３ではガルウイング状に、成形されて半導体装置が完成する。
【００１８】
図２、図３から明らかなように、テープ固定方式リードフレームでは、リードフレームの汎用性を考慮してインナーリード４の中間部分をテープ９によって固定しているため、テープ９の位置がインナーリード４の先端から離れている。このため、ワイヤボンディングの行なわれるインナーリード４先端の固定としては、不安定であり、効果が不十分であった。
【００１９】
加えて、最近の半導体装置では、高機能化・高性能化によって半導体チップの発生する熱が増加してきたために、半導体チップにヒートスプレッダ等の放熱板を取り付けることによって、半導体装置の放熱性を向上させたものがある。
【００２０】
図４は、本発者等が研究した銅箔を接着材によって半導体チップに取り付けて放熱板としたヒートスプレッダ内蔵型ＱＦＰ（以下ＨＱＦＰと云う）用のリードフレームを示す平面図であり、図５はこのリードフレームを用いて組立てた半導体装置を示す縦断面図である。
【００２１】
前述したリードフレーム，半導体装置とは異なり、半導体チップ１（破線にて示す）が放熱板１３に固定され、この放熱板１３にインナーリード４も固定されている。
【００２２】
こうしたＨＱＦＰ型の半導体装置では、封止体１２と放熱板１３との接触部分が多く、封止体１２である樹脂と放熱板１３である金属との接着力が弱いため、放熱板１３と封止体１２との界面にて、吸収された水分が、リフロー加熱時に気化膨張することによってパッケージクラックが発生するという問題があった。図６に示す半導体装置では、リフロー性に考慮して放熱板１３の中央に円形の孔を設け、この部分にて封止体１２と半導体チップ１とが接着する構成としているが、未だ充分ではない。
【００２３】
本発明の課題は、多リードの半導体装置のボンディングを安定させることが可能な技術を提供することにある。
本発明の他の課題は、放熱板を設けた半導体装置のパッケージクラックを防止することが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００２５】
放熱板に半導体チップを固定し封止体によって封止した半導体装置について、前記半導体チップと接続されるインナーリード先端のリード幅ｗ，リード板厚ｔについて、ｗ＜ｔとなっており、前記放熱板にインナーリードの少なくとも先端部分を固定する。
【００２６】
放熱板に半導体チップを固定し封止体によって封止した半導体装置について、前記半導体チップと接続されるインナーリード先端のリード幅ｗ，リード板厚ｔについて、ｗ＜ｔとなっており、前記放熱板にインナーリードの少なくとも先端部分を固定して放熱板を支持することによって、放熱板を支持する吊りリードを排する。
【００２７】
放熱板に半導体チップを固定し封止体によって封止した半導体装置について、前記半導体チップと接続されるインナーリード先端のリードピッチｐ，リード幅ｗ，リード板厚ｔが、ｗ＜ｔ、かつｐ≦１．２ｔとなっており、前記放熱板にインナーリードの少なくとも先端部分を固定する。
【００２８】
放熱板に半導体チップを固定し封止体によって封止した半導体装置について、前記放熱板には半導体チップ搭載領域とインナーリードまでの間に、放熱板の伝熱経路が放射状となる形状に孔を設ける。
【００２９】
放熱板に半導体チップを固定し封止体によって封止した半導体装置について、前記インナーリードの先端の板厚ｔ´をインナーリードの他の部分の板厚ｔよりも薄くし、前記放熱板に前記インナーリードの少なくとも先端を固定する。
【００３０】
放熱板に半導体チップを固定し封止体によって封止した半導体装置の製造方法について、前記半導体チップと接続されるインナーリード先端のリードピッチｐ，リード幅ｗ，リード板厚ｔについて、ｗ＜ｔ、かつｐ≦１．２ｔとなっており、前記放熱板に少なくとも先端部分が固定されたインナーリードと前記半導体チップのパッド電極とを接続する工程を含む。
【００３１】
放熱板に半導体チップを固定し封止体によって封止した半導体装置の製造方法について、前記放熱板には半導体チップ搭載領域とインナーリードまでの間に、放熱板の伝熱経路が放射状となる形状に孔が設けられており、樹脂封止の際にこの孔によって放熱板を貫通して封止体を形成する工程を含む。
【００３２】
放熱板に半導体チップを固定し封止体によって封止した半導体装置の製造方法について、前記インナーリードの先端の板厚ｔ´をインナーリードの他の部分の板厚ｔよりも薄くしたリードフレームの放熱板に半導体チップを固定する工程と、前記放熱板に前記インナーリードの少なくとも先端が固定された状態で、インナーリードと前記半導体チップのパッド電極とを接続する工程とを含む。
【００３３】
半導体チップが固定される半導体チップ搭載領域が設けられた放熱板と複数のリードとを有するリードフレームについて、前記半導体チップと接続される前記リードのインナーリード先端のリードピッチｐ，リード幅ｗ，リード板厚ｔについて、ｗ＜ｔ、かつｐ≦１．２ｔとなっており、前記放熱板にインナーリードの少なくとも先端部分が固定されている。
【００３４】
半導体チップが固定される半導体チップ搭載領域が設けられた放熱板と複数のリードとを有するリードフレームについて、前記放熱板には半導体チップ搭載領域と前記リードのインナーリードまでの間に、放熱板の伝熱経路が放射状となる形状に孔が設けられている。
【００３５】
半導体チップが固定される半導体チップ搭載領域が設けられた放熱板と複数のリードとを有するリードフレームについて、前記リードのインナーリードの先端の板厚ｔ´をインナーリードの他の部分の板厚ｔよりも薄くし、前記放熱板に前記インナーリードの少なくとも先端を固定する。
【００３６】
本発明によれば、インナーリードの先端を放熱板に固定することによって、半導体チップを搭載するタブを支持するタブ吊りリードを排し、タブ吊りリードの設けられていた領域をインナーリードの配置に利用して、同一のリードピッチであっても、インナーリードの先端をより半導体チップに接近させることが可能となる。
【００３７】
また、本発明によれば、インナーリードの先端を放熱板に固定することによって、ボンディングが安定し、かつインナーリードの変形を防止することができる。
【００３８】
また、本発明によれば、放熱板に伝熱経路を放射状に形成する孔を設けることによって耐リフロー性を向上させながら、放熱特性の低下を抑えることができる。
【００３９】
更に、本発明によれば、インナーリード先端の板厚を薄くすることによって、インナーリード先端の加工精度を高め、かつ放熱板に固定することによって、インナーリード先端の変形を防止することができる。
【発明の効果】
【００４０】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）本発明によれば、インナーリードの先端を放熱板に固定することができるという効果がある。
（２）本発明によれば、上記効果（１）により、ボンディングが安定するという効果がある。
（３）本発明によれば、上記効果（１）により、インナーリードの変形を防止することができるという効果がある。
（４）本発明によれば、インナーリードの先端を前記半導体チップ搭載領域の全周囲にわたって等間隔に配置することにより、前記インナーリードの先端をより半導体チップ搭載領域に接近させることができるという効果がある。
（５）本発明によれば、上記効果（４）により、ボンディングワイヤの長さを短縮することができるという効果がある。
（６）本発明によれば、放熱板に伝熱経路を放射状に形成する孔を設けることによって耐リフロー性を向上させることができるという効果がある。
（７）本発明によれば、放熱板に伝熱経路を放射状に形成する孔を設けることによって、放熱特性の低下を抑えることができるという効果がある。
（８）本発明によれば、インナーリード先端の板厚を薄くすることによって、インナーリード先端の加工精度を高めることが可能となるという効果がある。
（９）本発明によれば、インナーリード先端の板厚を薄くし放熱板に固定することによって、インナーリード先端の変形を防止することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。以下、本発明の実施の形態を説明する。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００４２】
図６は本発明の一実施の形態であるＨＱＦＰ型半導体装置のリードフレームを示す平面図であり、図７は図６に示すリードフレームを用いて組立てた半導体装置を示す縦断面図である。また、図６に示したリードフレームのインナーリード先端部分の縦断面図を図８に示す。なお図８中の（ａ）にはエッチングによるリードを、（ｂ）にはプレスによるリードを示してある。
【００４３】
リードフレームは、例えばＦｅ‐Ｎｉ系合金或いはＣｕ系合金等からなり、半導体チップ１（破線にて示す）の全周囲にわたって複数のリード３のインナーリード４の先端が配置されている。各リード３は、ダムバー６により、或はリードフレームの枠体となるタイバー８により一体となっており、各リード３のダムバー６内側部分及び外側部分が夫々インナーリード４及びアウターリード５となる。半導体チップ１は放熱板１３に固定され、この放熱板１３にインナーリード４も固定されている。
【００４４】
このリードフレームを用いた半導体装置では、半導体チップ１をレジン又は銀ペーストによって放熱板１３に固定し、半導体チップ１のパッド電極１０とインナーリード４とがボンディングワイヤ１１によって接続されている。ボンディング後に半導体チップ１、放熱板１３、インナーリード４、ボンディングワイヤ１１が例えばエポキシ樹脂からなる封止体１２によって封止され、ダムバー６及びタイバー８が切断されて各リード３は電気的に分離される。この後、封止体１２から延在するアウターリード５は、ガルウイング状等に、成形されて半導体装置が完成する。
【００４５】
また、エッチングによるリードフレームでは、リード幅ｗを削減し、なおかつボンディングの行なわれる上面のリード幅を確保するために、上面の幅を下面の幅よりも広くしてある。このような断面形状とするためには、上面側からのエッチングと下面側からのエッチングとで、エッチングの条件を変える等の方法がある。
【００４６】
特にリードピッチｐが狭くなるリード先端では、リード板厚ｔよりもリード幅ｗの方が狭いため、ボンディング時にワイヤの不圧着等の不具合が発生し易くなる。また横方向の変形に対しても弱くなる。従って、インナーリード先端ピッチが１８０μｍ即ちリード板厚の１．２倍以下となるリードフレームでは、インナーリード４を放熱板１３に固定することが有効である。
【００４７】
放熱板１３にインナーリード４が固定されることよって、ワイヤボンディング時のリード先端部分の固定性が確保され、ワイヤボンディングの確実性が向上する。このことは、図９に示した、図２のリードフレームのインナーリード４先端部分の縦断面図と比較すると明らかである。
【００４８】
現状にてリードフレームの板厚は１５０μｍ程度であり、アウターリード５の変形等の点から略限界となっており、リードピッチとしては例えば１８５μｍ、リード幅が１００μｍリード間の間隙が８５μｍとなっており、将来的な狭リードピッチのリードフレームでは、インナーリード４先端でのリードピッチが１８０μｍ以下、リード幅がリードの板厚よりも小となる、即ちインナーリード先端ピッチｐ，リード幅ｗ，リード板厚ｔについて、ｗ＜ｔ、かつｐ≦１．２ｔとなることが予想され、こうした場合に本発明では、リードフレームについて、放熱板１３にインナーリード４を固定することによって、ワイヤボンディング時のリード先端部分の固定性を確保して、ワイヤボンディングの確実性を向上させるものである。
【００４９】
また、本発明のリードフレームでは、インナーリード４によって固定された放熱板１３の半導体チップ搭載領域に半導体チップ１を固定する。このため、半導体チップを搭載するタブを支持するタブ吊りリードは設けられておらず、タブ吊りリードの設けられていた領域をインナーリード４の配置に利用している。
【００５０】
このために、従来タブ吊りリードの設けられていたコーナー部にもインナーリード４が配置されており、同一のリードピッチであっても、インナーリード４の先端をより半導体チップ１に接近させることが可能となる。このため、半導体チップ１の搭載後にワイヤボンディングを行う際に、ワイヤ長さを短縮することが可能となり、樹脂封止時のワイヤ流れを低減しワイヤ間のショートが低減する。
【００５１】
また、インナーリード４の先端を接近させずにリードピッチを拡げる又はリードの数を増やすことも可能である。
【００５２】
また、放熱板１３には半導体チップ１１搭載領域とインナーリード４までの間に孔（図中斜線を付す）を設けてある。孔を設けることによって、封止体１２が放熱板１３を貫通し、放熱板１３と封止体１２との剥離が生じにくくなる。このように封止体１２が貫通することによって耐リフロー性が向上するのは、封止体が半導体チップ１を抑える力が増加することと、放熱板１３と封止体１２との界面が分断されるため、水分の気化・膨張によって生じる力も分断されることとによるものと考えられる。
【００５３】
また、この孔は、矢印にて示すように、放熱板１３の伝熱経路が放射状となる形状に設けられる。例えば、参考のために破線にて示す伝熱経路に対して直交する孔では、孔によって伝熱経路がさえぎられている。図１０は、夫々の孔による熱抵抗の差を示す図である。前者をスリット１５、後者をスリット１６として、全く孔を設けない場合と比較した。この図から、本実施の形態の孔では熱抵抗の上昇が低く抑えられ、放熱性の劣化を少なくしていることが明らかである。
【００５４】
このようなＨＱＦＰでは、インナーリード４先端或いは半導体チップ１のパッド電極１０の配置を交互に位置をずらした所謂千鳥配列とすることによって、更にボンディングの確実性を得ることが可能である。
【００５５】
例えば、通常は図１１（図中、右側に平面図を左側にその縦断面図を示してある）に示すごとくインナーリード４先端或いは半導体チップ１のパッド電極１０は、夫々一列に整列して設けられている。これに対して、図１２（図中、右側に平面図を左側にその縦断面図を示してある）に示すごとく、隣接する半導体チップ１のパッド電極１０を交互に配置して、夫々を高さの異なるボンディングを行なうことによって、パッド電極１０についてのボンディングを容易とすることができる。
【００５６】
また同様に、図１３（図中、右側に平面図を左側にその縦断面図を示してある）に示すごとく、隣接するインナーリード４先端を交互に配置して、夫々を高さの異なるボンディングを行なうことによって、インナーリード４についてのボンディングを容易とすることができる。更に、図１４（図中、右側に平面図を左側にその縦断面図を示してある）に示すごとく、隣接するインナーリード４先端及び半導体チップ１のパッド電極１０を夫々交互に配置して、夫々を高さの異なるボンディングを行なうことによって、インナーリード４及びパッド電極１０についてのボンディングを容易とすることができる。
【００５７】
放熱板１３に設ける孔については、図１５乃至図１９に示すように種々のパターンが考えられる。
【００５８】
図１５，図１７に示す例では、耐リフロー性を優先させ、図１５に示すものでは放熱性を優先させたものとなっており、図１７に示す例は夫々の中間的な特性となっている。図１５に示すものと図１７に示すものとでは、形状が略同一でありその方向が異なっているが、図１５に示すものでは封止体１２が半導体チップ１の角部を規制するために耐リフロー性で優り、図１７に示すものでは半導体チップ１と放熱板１３との接触面積が増加するので放熱特性で優っている。従って、半導体装置に求められる条件によって、適宜の形状を選択することができる。
【００５９】
また、図１９に示す例では、図１５に示すものと孔の形状は同一であるが、インナーリード４先端を千鳥状に配置してボンディングを容易にしてある。このようなインナーリード４の配置は、他の形状の孔を設けたものについても適用が可能である。また、半導体チップ１のパッド電極１０の配置についても同様である。
【００６０】
図２０に示すのは本実施の形態の変形例であり、この例ではインナーリードの先端の板厚ｔ´をリード３の他の部分の板厚ｔよりも薄くしてある。部分的に板厚を変えるためには、その部分を部分的にエッチングする等の方法が考えられる。リードの加工については、精度に占める板厚の要因が大きいので、精度の必要となるインナーリード４先端を薄くすることによって加工精度を高め、他の部分については充分な板厚によって強度を保証することができる。このようにインナーリード４先端を薄くした場合には、放熱板１３に固定してその変形を防ぐことが重要となる。
【００６１】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【００６２】
例えば、前記実施の形態では各リードが固定される放熱板として方形状のものを例示したが、放熱板として円形状のものを用いることも可能である。このような円形状の放熱板を用いた場合には、樹脂モールド時に樹脂の流れがスムーズになるので、ボイドの発生を減少できるという効果が得られる。
【００６３】
また、前記実施の形態で用いた放熱板にアースボンドを目的としたボンディングエリアを設けることによって、アースボンド対応可能なリードフレームとして更に広い用途への適用が可能となる。
【００６４】
さらに、放熱板に対して搭載する半導体チップは１個に限定されず、複数個の半導体チップを搭載することも可能であり、これによりマルチチップの半導体装置に本発明を適用することも可能である。
【００６５】
以上の説明では、主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である半導体装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、本発明は、リードフレームを用いて電子部品を実装するものには広く適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】ワイヤボンディングについてのシミュレーションの結果を示す図である。
【図２】従来構造のテープ固定方式リードフレームの平面図である。
【図３】図２に示すリードフレームを用いて組立てた樹脂封止型半導体装置の縦断面図である。
【図４】本発者等が研究したＨＱＦＰ用リードフレームの平面図である。
【図５】図４に示すリードフレームを用いて組立てた樹脂封止型半導体装置の縦断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態であるリードフレームを示す平面図である。
【図７】図６に示すリードフレームを用いて組立てた樹脂封止型半導体装置の縦断面図である。
【図８】図６に示したリードフレームのインナーリード先端部分の縦断面図である。
【図９】図２に示したリードフレームのインナーリード先端部分の縦断面図である。
【図１０】放熱板に設けた孔の形状による熱抵抗の違いを示す図である。
【図１１】インナーリード先端或いは半導体チップのパッド電極の配置を示す平面図及び縦断面図である。
【図１２】インナーリード先端或いは半導体チップのパッド電極の配置を示す平面図及び縦断面図である。
【図１３】インナーリード先端或いは半導体チップのパッド電極の配置を示す平面図及び縦断面図である。
【図１４】インナーリード先端或いは半導体チップのパッド電極の配置を示す平面図及び縦断面図である。
【図１５】放熱板に設けた孔の形状を変えたリードフレームを示す平面図である。
【図１６】放熱板に設けた孔の形状を変えたリードフレームを示す平面図である。
【図１７】放熱板に設けた孔の形状を変えたリードフレームを示す平面図である。
【図１８】放熱板に設けた孔の形状を変えたリードフレームを示す平面図である。
【図１９】放熱板に設けた孔の形状を変えたリードフレームを示す平面図である。
【図２０】図２０は本実施の形態の変形例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１…半導体チップ、２…タブ、３…リード、４…インナーリード、５…アウターリード、６…ダムバー、７…タブ吊りリード、８…タイバー、９…テープ、１０…パッド電極、１１…ボンディングワイヤ、１２…封止体、１３…放熱板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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