(57)【要約】【課題】短波長レーザ光によって高密度の光情報の記録再生が可能であり、繰り返し操作による光情報の再生記録信号の強度が低下しない光記録媒体を提供すること。【解決手段】溝又はピットが形成されたポリカーボネート製の厚さ０．６ｍｍの第１基板１０１と、第１基板１０１上に設けられたＺｎＳ−ＳｉＯ２を含有する劣化抑制層１０２と、有機色素を含有し、第１基板１０１側から劣化抑制層１０２を介して照射された光により情報の記録及び／又は再生が行われる記録層１０３と、反射層１０４と、反射層１０４上に接着剤により貼着されたポリカーボネート製の第２基板１０５とを有する光記録媒体１００。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝又はピットが形成された基板上に設けられ、照射された光により情報の記録及び／又は再生が行われる有機色素を含有する記録層と、
前記記録層の光が照射される側に設けられた劣化抑制層と、を有することを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記記録層は、波長が３５０〜５３０ｎｍの青色光領域に吸収を有する前記有機色素を含有することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記劣化抑制層は、波長が３００ｎｍ以下の光を遮る性質を有する物質により形成されていることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記劣化抑制層は、Ｚｎ、Ｓｉ、Ａｌから選ばれる金属の窒化物、酸化物又は硫化物を少なくとも１種含有することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記劣化抑制層は、ＺｎＳとＳｉＯ２を含有することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項６】
前記劣化抑制層の厚さが、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項７】
前記基板の厚さが０．６ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に関し、より詳しくは、短波長青色レーザ光による情報の記録・再生が可能な光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、有機色素を記録層に用いた光記録媒体は、コスト的に安価で且つ製造工程が簡略できるという点で優位性を有していることから、例えば、有機色素層の上面に高反射率の金属からなる反射層を設けた書き込み型コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）が量産化され広く知られている。一方、近年、大量の光情報を収容するために光記録媒体の高密度化が進められ、従来のＣＤ−Ｒの記録再生に使用されるレーザよりもさらに短い波長のレーザ光を用いて光情報の記録再生が行われるＤＶＤ−Ｒが開発されている。
【０００３】
また、このような光情報の記録再生に、青色半導体レーザによる３５０ｎｍ〜５３０ｎｍ程度の短波長のレーザ光が用いられるのに伴い、光記録媒体の記録層に使用される有機色素についても、従来から使用されているレーザ光の波長より短い波長において吸収特性を有する色素が検討され、このような色素を記録層に用いた光記録媒体が報告されている（特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−２８７４６６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、有機色素を記録層に用いた光記録媒体は、簡便な製造方法により製造できる利点を有するものの、このような青色半導体レーザによる３５０ｎｍ〜５３０ｎｍ程度の短い波長のレーザ光を用いて光情報を記録層に書き込む操作を繰り返すと、記録層に含有される有機色素が劣化し、再生信号の強度が低下する（再生光劣化）という問題が生じることが判明し、対策が必要とされている。
【０００６】
このように、本発明は、例えば、青色半導体レーザによる短波長のレーザ光を使用して、光情報の記録再生を行う光記録媒体を開発する際に浮き彫りになった問題を解決すべくなされたものである。即ち、本発明の目的は、短波長のレーザ光を用いて、繰り返し操作による光情報の再生記録信号の強度が低下しない光記録媒体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決すべく、本発明においては、記録層を特定の化学構造式で表される有機色素を用いて形成し、さらにこの記録層に含有される色素が入射する光により受けるダメージを除去すべく金属元素からなる劣化抑制層を設けた構成を採用している。即ち、本発明が適用される光記録媒体は、溝又はピットが形成された基板上に設けられ、照射された光により情報の記録及び／又は再生が行われる有機色素を含有する記録層と、この記録層の光が照射される側に設けられた劣化抑制層と、を有することを特徴とするものである。
【０００８】
本発明が適用される光記録媒体において、記録層は、波長が３５０〜５３０ｎｍの青色光領域に吸収を有する有機色素を含有することを特徴とすれば、青色半導体レーザによる短波長のレーザ光を用いて光情報の記録・再生を行うのに適した光記録媒体を得ることができる。
【０００９】
次に、本発明が適用される光記録媒体において、劣化抑制層は、波長が３００ｎｍ以下の光を遮る性質を有する物質により形成されていることを特徴とすれば、記録層に含有される有機色素が、光情報の再生記録のための入射光により受けるダメージを除去することができる。
【００１０】
このような劣化抑制層には、Ｚｎ、Ｓｉ、Ａｌから選ばれる金属の窒化物、酸化物又は硫化物を少なくとも１種含有することが好ましい。さらに、劣化抑制層は、ＺｎＳとＳｉＯ２を含有することが好ましい。また、劣化抑制層の厚さが、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１１】
また、本発明が適用される光記録媒体において、基板の厚さが０．６ｍｍであることが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づき、本実施の形態が適用される光記録媒体について詳述する。
図１は、本実施の形態が適用される光記録媒体を説明するための図である。図１に示された光記録媒体１００は、溝又はピットが形成された第１基板１０１と、この第１基板１０１上に順番に積層された劣化抑制層１０２と、有機色素からなる記録層１０３と、反射層１０４と、第２基板１０５とを有する。
【００１３】
第１基板１０１は光透過性材料により成形される。光透過性材料としては、特に限定されないが、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン系樹脂（特に、非晶質ポリオレフィン）、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の合成樹脂；ガラス、又は、ガラス上に光硬化性樹脂等の樹脂層を設けたもの等を使用することができる。
【００１４】
これらの中でも、高生産性、コスト、耐吸湿性等の点からは、射出成型ポリカーボネートが好ましい。耐薬品性、耐吸湿性等の点からは、非晶質ポリオレフィンが好ましい。また、高速応答等の点からは、ガラス基板が好ましい。第１基板１０１上に形成された溝がスパイラル状の場合、この溝ピッチが０．５〜１．２μｍ程度であることが好ましい。
【００１５】
第１基板１０１の厚さは、通常、０．１〜１．２ｍｍ、好ましくは、０．５〜０．７ｍｍ、特に好ましくは０．６ｍｍである。本実施の形態が適用される光記録媒体１００は、第１基板１０１がこの程度の厚さを有し、第１基板１０１側から入射するレーザ光１０６により記録層１０３に光情報の記録・再生が行われるので、現行のＤＶＤの製造設備等を流用し易く、また、現行のＤＶＤとの互換性確保が比較的容易である等の利点を有するものである。
【００１６】
劣化抑制層１０２は、通常はスパッタ法、蒸着法等により第１基板１０１と記録層１０３との間に設けられる。劣化抑制層１０２は、記録層１０３に第１基板１０１側から入射するレーザ光１０６の、光情報の記録再生に用いられる光の波長以外の波長の光を、具体的には、波長３００ｎｍ以下の光を遮る役割を有するものと考えられる。このため、劣化抑制層１０２は波長３００ｎｍ以下の光を遮る性質を有する物質としては、例えば、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｗ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｚｒの金属単体又はこれらの化合物（例えば、酸化物、窒化物、硫化物等）が挙げられる。これらの材料は、融点又は剛性等の諸物性を考慮し、適宜、選択して使用することができ、単独または二種以上を組合せて使用してもよい。これらの中でも、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌから選ばれる金属の窒化物、酸化物及び硫化物を少なくとも１種含有することが好ましく、さらに好ましくはＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳを含有することであり、特に好ましくはＺｎＳとＳｉＯ２を含有することである。
劣化防止層中のＺｎＳとＳｉＯ２の含有比は、ＺｎＳとＳｉＯ２の含有量全体を１００％としたときのＳｉＯ２の含有比が、通常２０％以上、好ましくは３０％以上であり、通常８０％以下、好ましくは７０％以下である。ＳｉＯ２の含有量がこの範囲以内にあれば、本発明の効果である再生光劣化の抑制効果を十分に期待することが出来る。
【００１７】
劣化抑制層１０２の厚さは、通常、１０ｎｍ以上、好ましくは、５０ｎｍ以上である。但し、通常、２００ｎｍ以下、好ましくは、１５０ｎｍ以下である。劣化抑制層１０２の厚さが過度に小さい場合は、本発明の効果である再生光劣化の抑制効果が薄れる傾向がある。劣化抑制層１０２の厚さが過度に大きい場合は、劣化抑制層１０２での光の吸収の為に、光記録媒体１００の感度が下がる傾向がある。
さらに、劣化抑制層１０２を、第１基板１０１に使用する材料と比べて硬度が高い、例えばＺｎＳ、ＳｉＯ２等の材料を用いて形成することにより、記録層１０３に含有される色素の体積が増加し、第１基板１０１に形成された溝又はピットが変形してしまうことをを原因として生ずる、溝又はピットを有する基板を通して記録・再生レーザ光を入射する媒体特有のクロストーク（信号の漏れ込み）の発生を抑制することができる。
【００１８】
劣化抑制層１０２が記録層１０３のレーザ光１０６が入射する側に接して設けられることにより、記録層１０３に光情報を書き込む操作を繰り返す場合においても、記録層１０３に含有される有機色素が劣化する現象が低減される。さらに、劣化抑制層１０２を、第１基板１０１に使用する材料と比べて硬度が高い、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ２等の材料を用いて形成することにより、記録層１０３に含有される色素の体積増加を原因として生ずるクロストーク（信号の漏れ込み）の発生を防止することができる。
なお、劣化抑制層の材料として用いられるＳｉ、Ｚｎ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｗ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｚｒの金属単体又はこれらの化合物（例えば、酸化物、窒化物、硫化物等）、特にＺｎＳとＳｉＯ２は一般に吸水性が高いため、劣化抑制層を形成後、長時間放置しておくと水分を吸収してしまい、記録層へ悪影響を与える虞がある。よって、劣化抑制層の吸水を出来るだけ抑えるために、劣化抑制層を形成した後、素早く記録層、反射層を設け、第２基板を貼り合わせるのが好ましい。
また、劣化抑制層の吸水を更に効果的に抑えるために、劣化抑制層、記録層、反射層を形成後、これらの層を完全に被うように紫外線硬化樹脂等からなる撥水性を持つ保護コートを設けた後、第２基板を張り合わせることも好ましい。
【００１９】
記録層１０３は、有機色素を用いて劣化抑制層１０２上に形成される。記録層１０３の厚さは、記録方法等により適宜選択され特に限定されないが、十分な変調度を得るためには通常１０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは３０ｎｍ以上であり、特に好ましくは５０ｎｍ以上である。但し、適度な反射率を得るためには厚すぎない必要があるため、通常３μｍ以下であり、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下である。
【００２０】
本実施の形態が適用される光記録媒体１００の記録層１０３に使用する有機色素としては、例えば、含金属アゾ系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シアニン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、含金属インドアニリン系色素、トリアリールメタン系色素、メロシアニン系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色素、キサンテン系色素、オキサジン系色素、ピリリウム系色素等が挙げられる。
【００２１】
さらに、記録層１０３には、必要に応じて、バインダー、レベリング剤、消泡剤等を併用することもできる。好ましいバインダーとしては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられる。
【００２２】
また、有機色素の中でも、下記一般式（１）で示される構造の色素は、波長３５０〜５３０ｎｍの青色光領域に吸収を有し、青色半導体レーザを用いる記録に好適な色素として使用することができる。
【００２３】
【化１】
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【００２４】
（式中、Ｘは、酸素原子、硫黄原子又は置換基Ｒ８が結合した窒素原子であり、Ｙは、窒素原子又は置換基Ｒ７が結合した炭素原子であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、それぞれ、独立して水素原子又は任意の置換基であり、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ隣接する２つの置換基が結合した縮合環を形成することがある。）
【００２５】
このような有機色素の中でも、一般式（１）において、Ｘは、置換基Ｒ８が結合した窒素原子であり、Ｙが置換基Ｒ７が結合した炭素原子である下記一般式（２）の構造を有するカルボスチリル系色素；一般式（１）において、Ｘは、酸素原子であり、Ｙは、置換基Ｒ７が結合した炭素原子である下記一般式（３）の構造を有するクマリン系色素；一般式（１）において、Ｘは、置換基Ｒ８が結合した窒素原子であり、Ｙが窒素原子である下記一般式（４）の構造を有する１，８−ナフチリジン系色素；一般式（１）において、Ｘは、酸素原子であり、Ｙは、窒素原子である下記一般式（５）の構造を有するピリジノ−α−ピロン系色素等が好ましい。
【００２６】
【化２】
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【００２７】
【化３】
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【００２８】
【化４】
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【００２９】
【化５】
2005071409.tif 000007
【００３０】
また、一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ８で表される置換基としては次のようなものが例示される。水素原子；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−へプチル基等の炭素数１〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の炭素数３〜１８のシクロアルキル基；ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜１８の直鎖又は分岐のアルケニル基；シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数３〜１８のシクロアルケニル基；２−チエニル基、２−ピリジル基、フリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、モルホリノ基、ピロリジニル基、テトラヒドロチオフェンジオキサイド基等の飽和もしくは不飽和の複素環基等が挙げられる。
【００３１】
また、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基等の炭素数６〜１８のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７〜２０のアラルキル基；アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基等の炭素数２〜１８の直鎖又は分岐のアシル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜１８の直鎖または分岐のアルコキシ基；プロペニルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペンテニルオキシ基等の炭素数３〜１８の直鎖または分岐のアルケニルオキシ基；メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基等の炭素数１〜１８の直鎖または分岐のアルキルチオ基等が挙げられる。
【００３２】
さらに、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ニトロ基；シアノ基；ヒドロキシ基；ホルミル基；スルホン酸基；カルボキシル基；−ＯＣＯＲ９で表されるアシルオキシ基；−ＮＲ１０Ｒ１１で表されるアミノ基；−ＮＨＣＯＲ１２で表されるアシルアミノ基；−ＮＨＣＯＯＲ１３で表されるカーバメート基；−ＮＨＳＯ２Ｒ１４で表されるスルホンアミド基；−ＣＯＯＲ１５で表されるカルボン酸エステル基；−ＣＯＮＲ１６Ｒ１７で表されるカルバモイル基；−ＳＯ２ＮＲ１８Ｒ１９で表されるスルファモイル基；−ＳＯ３Ｒ２０で表されるスルホン酸エステル基等が挙げられる。
【００３３】
これらの置換位置は特に限定されず、複数の置換基を有する場合、同種でも異なってもよい。また、Ｒ１〜Ｒ８の内、隣接する２つが環を形成する場合としては、基本骨格であるキノリン環や１，８−ナフチリジン環に縮合する、飽和または不飽和の炭化水素環または複素環、Ｒ７とＲ８が窒素原子と共に形成するピペリジニル基、ピロリジニル基等の含窒素複素環やさらに酸素原子を含んだモルホリニル基、或いはＲ７とＲ８、Ｒ７とＲ６、またはＲ８とＲ５が結合して形成するジュロリジン環等が挙げられる。これらの環はさらに置換基を有していても良い。
【００３４】
また、各化合物においてＲ１〜Ｒ８のうち隣接する２つが結合して形成した環は、置換基を有していても良い。Ｒ９〜Ｒ２０はそれぞれ水素原子、置換されてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基、置換されてもよい直鎖、分岐または環状のアルケニル基、置換されてもよいアリール基、または置換されてもよいアラルキル基を表す。また、Ｒ１〜Ｒ２０で示される基に含まれるアルキル基、アルケニル基、アリール基、複素環基は、更に置換されていても良い。
【００３５】
この場合の置換基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メトキシブトキシ基等の炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基；メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基等の炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルコキシ基；アリルオキシ基等が挙げられる。
【００３６】
また、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数６〜１２のアリール基（これらは置換基でさらに置換されていてもよい。）；フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数６〜１２のアリールオキシ基；アリルオキシ基、ビニルオキシ基等の炭素数２〜１２のアルケニルオキシ基；アセチル基、プロピオニル基等のアシル基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシル基；テトラヒドロフリル基；アミノ基；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基等の炭素数１〜１０のアルキルアミノ基；メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニルアミノ基等が挙げられる。
【００３７】
さらに、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。
【００３８】
記録層１０３の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等の乾式製膜法；ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等の湿式製膜法が挙げられる。量産性、コスト面からは湿式製膜法が好ましく、特に、スピンコート法が好ましい。また、厚みの均一な記録層が得られるという点からは、真空蒸着法等が好ましい。
【００３９】
湿式製膜法において使用する溶媒は、特に限定されないが、通常、ジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒；ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン等の鎖状炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の環状炭化水素系溶媒；テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒；乳酸メチル、乳酸エチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶媒等が挙げられる。尚、スピンコート法による成膜の場合、回転数は５００〜１５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの後、場合によっては加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行っても良い。
【００４０】
真空蒸着法の場合は、例えば、記録層１０３を形成する有機色素その他各種添加剤等の成分を、１０−２〜１０−５Ｐａ程度の減圧下で加熱・蒸発させて、劣化抑制層１０２上に蒸着させることにより記録層１０３を形成する。また、記録層１０３の安定及び耐光性向上のために、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物（例えば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等）等や、記録感度向上のために金属系化合物等の記録感度向上剤を含有していても良い。
【００４１】
このような記録感度向上剤として使用する金属系化合物とは、遷移金属等の金属が原子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるものを言う。具体例としては、例えば、エチレンジアミン系錯体、アゾメチン系錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロリン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキシム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メタロセン系錯体、ポルフィリン系錯体等の有機金属化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されないが、遷移金属であることが好ましい。
【００４２】
反射層１０４は、記録層１０３上に形成される。反射層１０４を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。反射層１０４の厚さは、通常、５０〜３００ｎｍ、好ましくは、８０〜２００ｎｍである。反射層１０４の材料としては、再生光の波長に対して反射率の十分高いものが用いられ、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く反射層の材料として好ましい。さらに、例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属及び半金属を含有してもよい。
【００４３】
第２基板１０５は、反射層１０４上に形成される。第２基板１０５を形成する材料は、第１基板１０１と同様な光透過性材料が用いられ、適当な接着剤により、反射層１０４上に貼着される。第２基板１０５の厚さは、通常、０．１〜１．１ｍｍ、好ましくは、０．５〜０．７ｍｍである。
【００４４】
本実施の形態が適用される光記録媒体１００について使用されるレーザ光は、高密度記録のため波長は短いほど好ましいが、特に３５０〜５３０ｎｍのレーザ光が好ましい。このようなレーザ光の代表例としては、中心波長４１０ｎｍ、５１５ｎｍのレーザ光が挙げられる。波長３５０〜５３０ｎｍの範囲のレーザ光の一例としては、４１０ｎｍの青色または５１５ｎｍの青緑色の高出力半導体レーザを使用することにより得ることができる。その他、例えば、（ａ）基本発振波長が７４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な半導体レーザ、または（ｂ）半導体レーザによって励起され、且つ基本発振波長が７４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な固体レーザのいずれかを第二高調波発生素子（ＳＨＧ）により波長変換することによっても得ることができる。このようなＳＨＧとしては、反転対称性を欠くピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ、ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体等が好ましい。第二高調波の具体例としては、基本発振波長が８６０ｎｍの半導体レーザの場合、その倍波の４３０ｎｍ、また半導体レーザ励起の固体レーザの場合は、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ６結晶（基本発振波長８６０ｎｍ）からの倍波の４３０ｎｍ等が挙げられる。
【００４５】
なお、本願発明は、必要に応じて任意の他の層を挟んでも良い。或いは媒体の最外面に任意の他の層を設けても良い。例えば反射層と記録層の間、記録層と劣化抑制層との間などに２つの層の混和を防止し、相溶を防ぐ目的でバッファー層を設けても良い。さらに他の目的を持つ任意の層を形成しても良い。
さらに、本実施形態は上記の態様に限定されるものではなく、種々変形することができる。例えば、光記録媒体が３つ以上の複数の記録層を有していても良い。
【００４６】
【実施例】
以下に実施例を挙げて、本実施の形態が適用される光記録媒体を、より具体的に説明する。尚、本実施の形態は、実施例に限定されるものではない。また、実施例中の％は、特に断らない限り総て重量基準である。
【００４７】
（光記録媒体の作製）
ポリカーボネートの射出成形により直径１２０ｍｍの第１基板を作成した。第１基板には光の案内溝として、溝幅２００ｎｍ、深さ９０ｎｍの溝が成形されている。次に、この第１基板上に、スパッタ法により、厚さ約１００ｎｍのＺｎＳ／ＳｉＯ２混合物（含有比５０：５０）からなる劣化抑制層を形成した。続いて、この劣化抑制層上に、所定の有機色素のオクタフルオロペンタノール０．６％溶液をスピンコート法により塗布し、１００℃で３０分間加熱し、厚さ約９０ｎｍの色素記録層を形成した。次に、この色素記録層上に、スパッタ法により、厚さ１００ｎｍの銀合金からなる反射層を形成した。最後に、この反射層上に、第１基板と同じ形状のポリカーボネート製のダミー基板を、接着剤により貼り合わせ、１．２ｍｍ厚の光記録媒体を作製した。
【００４８】
（実施例１）
下記構造式で表される有機色素Ａを含有する記録層と、この記録層のレーザ光が入射する側に接して設けた劣化抑制層とを有する光記録媒体について、波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．６５の光学系を用いて、記録信号の記録強度（Ｃ／Ｎ）と、レーザ光を照射しながら記録したデータを再生し、記録直後のＣ／Ｎの値と、約１０５回再生した後のＣ／Ｎとの差をみることにより、Ｃ／Ｎの時間的な変化について評価を行った。結果を表１に示す。尚、記録条件は、線速５．７ｍ／ｓで、８Ｔ＝６９０ｎｍのマークを記録パワー１１ｍＷで記録した。これを、再生強度０．２ｍＷのレーザー光で照射しながらデータを読み出した。
【００４９】
【化６】
2005071409.tif 000008
【００５０】
（実施例２）
下記構造式で表される有機色素Ｈを用いた以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、この光記録媒体について、実施例１と同様の操作により記録再生特性の評価を行った。結果を表１に示す。
【００５１】
【化７】
2005071409.tif 000009
【００５２】
（実施例３）
劣化抑制層をＳｉＯ２に変更した以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、この光記録媒体について、実施例１と同様の操作により記録再生特性の評価を行った。結果を表１に示す。
【００５３】
（比較例１）
劣化抑制層を設けない他は、実施例１において用いた光記録媒体と同様な構造の光記録媒体について、実施例１と同様な条件で光記録媒体に光情報の記録再生特性の評価を行った。結果を表１に示す。
【００５４】
（比較例２）
劣化抑制層を設けない以外は、実施例２と同様にして光記録媒体を作製し、出来上がった光記録媒体に対して実施例１と同様に記録再生特性の評価を行った。結果を表１に示す。
【００５５】
【表１】
2005071409.tif 000010
【００５６】
表１の結果から、記録層のレーザ光が入射する側に接して設けた劣化抑制層を有する光記録媒体（実施例１〜２）は、３５０ｎｍ〜５３０ｎｍ程度の短い波長のレーザ光によって高密度の光情報の記録再生が可能であり、また、繰り返し操作により光情報の再生記録信号の強度（Ｃ／ＮｄＢ）が低下しないことが分かる。
【００５７】
これに対して、記録層のレーザ光が入射する側に接して劣化抑制層を設けない光記録媒体（比較例１、２）の場合は、繰り返し操作により光情報の再生記録信号の強度が低下することが分かる。
【００５８】
【発明の効果】
かくして本発明によれば、繰り返し操作により光情報の再生記録信号の強度が低下しない光記録媒体が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態が適用される光記録媒体を説明するための図である。
【符号の説明】
１００…光記録媒体、１０１…第１基板、１０２…劣化抑制層、１０３…記録層、１０４…反射層、１０５…第２基板、１０６…レーザ光
【図１】
2005071409.tif 000011