(57)【要約】【課題】印刷法で課題となる塗膜の均一性、パタ−ン精度及び形状を向上させることができるパターン形成用インキ組成物、パターン形成方法、電子部品の製造法及び電子部品を提供することを目的とする。【解決手段】（Ａ）有機溶剤可溶性樹脂５〜２０ｗｔ％、（Ｂ１）２０℃での表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の溶剤、（Ｂ２）２０℃での蒸気圧が２．０ｈＰａ以下の溶剤、および（Ｃ）添加剤を０．１〜２０ｗｔ％、を含むことを特徴とするパターン形成用インキ組成物、ならびにこれを用いたパターン形成方法、電子部品の製造法及び電子部品を提供する。【選択図】図１
2005259973.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）有機溶剤可溶性樹脂５〜２０ｗｔ％、
（Ｂ１）２０℃での表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の溶剤、
（Ｂ２）２０℃での蒸気圧が２．０ｈＰａ以下の溶剤、および
（Ｃ）添加剤０．１〜２０ｗｔ％、
を含むことを特徴とするパターン形成用インキ組成物。
【請求項２】
前記（Ｃ）添加剤は、体積が３０μｍ３以下の粒子からなることを特徴とする請求項１記載のインキ組成物。
【請求項３】
前記（Ｃ）添加剤は、金属酸化物、金属、顔料、またはこれらの混合物であることを特徴とする請求項１記載のインキ組成物。
【請求項４】
前記（Ａ）有機溶剤可溶性樹脂の含有量をｘ（ｗｔ％）、前記（Ｃ）添加剤の含有量をｙ（ｗｔ％）としたとき、ｘ＞ｙの関係を満たすことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のインキ組成物。
【請求項５】
さらに分散剤を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のインキ組成物。
【請求項６】
（Ａ）有機溶剤可溶性樹脂５〜２０ｗｔ％、
（Ｂ１）２０℃での表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の溶剤、
（Ｂ２）２０℃での蒸気圧が２．０ｈＰａ以下の溶剤、および
（Ｃ）添加剤０．１〜２０ｗｔ％、
を含むインキ組成物を、シリコン樹脂面に塗布してインキ組成物層を形成する塗布工程と、
所定形状を有する凸版を前記インキ組成物層に押圧して、前記凸版の凸部分にインキ組成物を転写することで、上記シリコン樹脂面からインキ組成物層の一部を除去する除去工程と、
前記シリコン樹脂面に残ったインキ組成物層を基板に転写する転写工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項７】
請求項６記載のパターン形成方法によりレジストパターンを形成し、エッチングで下地を加工する工程を含む電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチングレジストのパターン形成に好適なインキ組成物、パターン形成方法、および電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示部材、光学部材、配線版などの電子部品で用いられる微細パターン形成法は一般的にはフォトレジストを用いたフォトリソグラフィー法（以下、フォトリソ法）である。例えば、液晶ディスプレイＬＣＤの製造プロセスの配線パターンや素子形成においては、フォトリソ法によるレジストの加工、エッチングにより製造されている。
【０００３】
近年、基板の大型化に伴い、大型の露光機、現像装置、ベ−ク炉やこれらを設置するクリ−ンル−ムが必要で、設備投資も巨額なものになっている。また１ｍ角以上の基板はスピンコ−タで塗布することが困難になっている。そのため、スリットコ−タなどの塗布装置が用いられているが、塗膜の均一性の確保が難しい問題がある。
【０００４】
さらに、製造コストダウンが強く要求され、上記露光機等の高価な設備を使用するフォトリソ法以外の電子部品の製造法が望まれている。フォトリソ法以外の電子部品の製造法としては電着法、印刷法が従来から提案されている。これらの中で印刷法が安価な製造法として着目されているが、従来の印刷法では表面平滑性が良好で、かつ高精細なパタ−ン寸法及び形状を持つ配線パターンを製造することは困難であった。例えば、オフセット印刷法では印刷インキ用組成物は高粘度の着色ペ−ストを使用しているため、高精細なパタ−ンや均一な塗膜面を得ることが不十分であった。（例えば特許文献１、２参照）
【特許文献１】特開平１１−５８９２１号
【特許文献２】特開２０００−１７４４８４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、印刷法で課題となる塗膜の均一性、パタ−ン精度及び形状を向上させることができるパターン形成用インキ組成物を提供することを目的とする。
【０００６】
また、本発明は、上記パターン形成用インキ組成物を用いて良好な精度及び形状を有するパターンを形成することができるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【０００７】
さらに、本発明は、パタ−ン精度及び形状を向上させたレジストパターンで下地のエッチングを精度良く行うことができる電子部品の製造法及び電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、下記（１）〜（７）をその特徴とする。
【０００９】
（１）（Ａ）有機溶剤可溶性樹脂５〜２０ｗｔ％、（Ｂ１）２０℃での表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の溶剤、（Ｂ２）２０℃での蒸気圧が２．０ｈＰａ以下の溶剤、および（Ｃ）添加剤０．１〜２０ｗｔ％、を含むことを特徴とするパターン形成用インキ組成物。
【００１０】
（２）前記（Ｃ）添加剤は、体積が３０μｍ３以下の粒子からなることを特徴とする上記（１）記載のインキ組成物。
【００１１】
（３）前記（Ｃ）添加剤は、金属酸化物、金属、顔料、またはこれらの混合物であることを特徴とする上記（１）記載のインキ組成物。
【００１２】
（４）前記（Ａ）有機溶剤可溶性樹脂の含有量をｘ（ｗｔ％）、前記（Ｃ）添加剤の含有量をｙ（ｗｔ％）としたとき、ｘ＞ｙの関係を満たすことを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載のインキ組成物。
【００１３】
（５）さらに分散剤を含むことを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載のインキ組成物。
【００１４】
（６）（Ａ）有機溶剤可溶性樹脂５〜２０ｗｔ％、（Ｂ１）２０℃での表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の溶剤、（Ｂ２）２０℃での蒸気圧が２．０ｈＰａ以下の溶剤、および（Ｃ）添加剤０．１〜２０ｗｔ％、を含むインキ組成物を、シリコン樹脂面に塗布してインキ組成物層を形成する塗布工程と、所定形状を有する凸版を前記インキ組成物層に押圧して、前記凸版の凸部分にインキ組成物を転写することで、上記シリコン樹脂面からインキ組成物層の一部を除去する除去工程と、前記シリコン樹脂面に残ったインキ組成物層を基板に転写する転写工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【００１５】
（７）上記（６）記載のパターン形成方法によりレジストパターンを形成し、エッチングで下地を加工する工程を含む電子部品の製造方法。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、印刷法で課題となる塗膜の均一性、パターン精度および形状を向上させることができ、特に横方向の印刷パターン形状や２０μｍ以下の微細なパターン精度を向上させることができるパターン形成用インキ組成物およびパターン形成方法を提供することができ、さらには、パタ−ン精度及び形状を向上させたレジストパターンで下地のエッチングを精度良く行うことができる電子部品の製造方法および電子部品を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明のインキ組成物は、（Ａ）有機溶剤可溶性樹脂５〜２０ｗｔ％、（Ｂ１）２０℃での表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の溶剤、（Ｂ２）２０℃での蒸気圧が２．０ｈＰａ以下の溶剤、および（Ｃ）添加剤０．１〜２０ｗｔ％、を含むことを特徴としている。
【００１８】
上記（Ａ）有機溶剤可溶性樹脂としては、インキ組成物としたときの成膜性、転写性を有するものであることが好ましい。このような樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン樹脂、アクリル樹脂、アミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等を挙げることができ、これらは１種または２腫以上併用することもできる。なかでもフォトリソ法のレジストに使用されるノボラック樹脂、アクリル樹脂およびポリヒドロキシスチレン樹脂はエッチング耐性の面から好ましい。
【００１９】
上記ノボラック樹脂としては、例えば、フェノール、クレゾール、キシレノールなどとホルムアルデヒドとの重縮合体を使用することができる。上記アクリル樹脂としては、例えば、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、ビス・グリシジルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ラウリルメタクリレート、ステアリルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、ベンジルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、ブチルメタクリレート、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、ブチルアクリレート、ヘキシルメタクリレート、ヘキシルアクリレート、オクチルメタクリレート、オクチルアクリレート、含リンメタクリレート等のアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステル、スチレン、スチレン誘導体、その他の重合性モノマの単独重合体又は共重合体、（メタ）アクリル酸（アクリル酸及びメタクリル酸を意味する。以下同様）、イタコン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、マレイン酸モノアルキルエステル、シトラコン酸、無水シトラコン酸、シトラコン酸モノアルキルエステル等のカルボキシル基含有重合性モノマと（メタ）アクリル酸エステル、スチレンのスチレン誘導体、その他の重合性モノマとの共重合体等を使用することができる。上記ポリヒドロキシスチレン樹脂としては、ヒドロキシスチレン、α−メチルスチレンなどの単独重合体のほか、前述の重合性モノマとの共重合体組成を用いることができる。
【００２０】
ノボラック樹脂を用いる場合、その重量平均分子量は１，０００以上であることが好ましく、２，０００以上であることがより好ましい。重量平均分子量が１０００未満ではエッチング耐性が低下する。
【００２１】
また、アクリル樹脂を用いる場合、その重量平均分子量は１，５００〜２００，０００の範囲内であることが好ましく、５，０００〜１００，０００の範囲内であることがより好ましく、１０，０００〜５０，０００の範囲内であることが特に好ましい。アクリル樹脂の重量平均分子量が１５００未満ではエッチング耐性が低下し、重量平均分子量が２００，０００を超えると有機溶剤に対する溶解性が低下する。
【００２２】
ポリヒドロキシスチレン樹脂を用いる場合、その重量平均分子量は１，０００〜１００，０００の範囲であることが好ましく、２，０００〜５０，０００の範囲内であることがより好ましく、５，０００〜３０，０００の範囲内であることが特に好ましい。重量平均分子量が１０００未満ではエッチング耐性が低下し、重量平均分子量が１００，０００を超えると有機溶剤に対する溶解性が低下する。
【００２３】
なお、本明細書において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて換算した値である。
【００２４】
また、（Ａ）有機溶剤可溶性樹脂として、光または熱重合性不飽和結合を有する樹脂を使用してもよい。このような樹脂の好ましい例としては、高酸価のカルボキシ基含有アクリル系樹脂に、グリシジルメタクリレート、グルシジルアクリレート、アリルグリシジルエーテル、α−エチルグリシジルアクリレート、クロトニルグリシジルエーテル、イタコン酸モノアルキルグリシジルエーテル等のオキシラン環とエチレン性不飽和結合をそれぞれ１個有する化合物やアリルアルコール、２−ブテン−４−オール、フルフリルアルコール、オレイルアルコール、シンナミルアルコール、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、Ｎ−メチロールアクリルアミド等の水酸基とエチレン性不飽和結合をそれぞれ１個有する化合物（不飽和アルコール）を反応させた樹脂、水酸基を有するカルボキシル基含有樹脂に遊離イソシアネート基含有不飽和化合物を反応させた樹脂、エポキシ樹脂と不飽和カルボン酸との付加反応物に多塩基酸無水物を反応させた樹脂、共役ジエン重合体や共役ジエン共重合体と不飽和ジカルボン酸無水物との付加反応物に水酸基含有重合性モノマを反応させた樹脂などが挙げられる。
【００２５】
上記光重合性不飽和結合を分子内に２個以上有するモノマとしては、例えば、ＥＯ変性ビスフェノールＡジアクリレート、ＥＣＨ変性ビスフェノールＡジアクリレート、ビスフェノールＡジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、グリセロールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ＥＯ変性リン酸ジアクリレート、ＥＣＨ変性フタル酸ジアクリレート、ポリエチレングリコール４００ジアクリレート、ポリプロピレングリコール４００ジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ＥＣＨ変性１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ＥＯ変性リン酸トリアクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリアクリレート、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリアクリレート（ＰＯはプロピレンオキシドを意味する。以下同様）、トリス（メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート等のアクリレート、これらに対応するメタクリレートなどが挙げられる。これらのモノマは、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２６】
本発明のインキ組成物を熱もしくは紫外線で硬化させる場合には、熱重合開始剤もしくは光開始剤を使用することも可能である。熱重合開始剤としては、例えば、ベンゾイルパーオサイド、クメンヒドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、アゾビスイソブチロニトリルなどを用いることができる。これらの熱重合開始剤は単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。光開始剤としては、例えばベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ′−テトラエチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４′−ジメチルアミノベンゾフェノン、ベンジル、２，２−ジエトキシアセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、チオキサントン、２−クロロチオキサントン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノ−１−プロパン、ｔ−ブチルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２，３−ジクロロアントラキノン、３−クロル−２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、１，２−ベンゾアントラキノン、１，４−ジメチルアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体などが挙げられる。これらの光開始剤は単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００２７】
また、（Ａ）有機溶剤可溶性樹脂は、インキ組成物中、５〜２０ｗｔ％添加されるが、より好ましくは、８〜１０ｗｔ％添加される。（Ａ）有機溶剤可溶性樹脂が５ｗｔ％未満の場合、転写性の低下と分散性の低下、耐エッチング性の低下が生じ、２０ｗｔ％を超えると、塗膜形成不良や転写不良が生じやすくなる。
【００２８】
本発明における（Ｂ）溶剤としては、（Ｂ１）２０℃での表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の溶剤、および（Ｂ２）２０℃での蒸気圧が２．０ｈＰａ以下の溶剤をそれぞれ一種類以上使用する。
【００２９】
（Ｂ１）２０℃での表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の溶剤は、シリコン樹脂面またはシリコンブランケットに均一な塗膜を形成するために必要な溶剤である。このような溶剤としては、特に限定されないが、例えば、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等のエステル系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶剤などが挙げられる。また、インキ組成物中の含有量としては、特に限定されないが、１０〜９６ｗｔ％の範囲であることが好ましい。
【００３０】
また、（Ｂ２）２０℃での蒸気圧が２．０ｈＰａ以下の溶剤は、基板への転写性を向上させるために必要な溶剤である。このような溶剤としては、特に限定されないが、例えば、アルキレングリコールエーテル化合物などが挙げられる。アルキレングリコールエーテル化合物としては、例えば、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールイソプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール−ｔ−ブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールメチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールプロピルエーテルアセテート、トリエチレングリコールイソプロピルエーテルアセテート、トリエチレングリコールブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコール−ｔ−ブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコ−ルジメチルエ−テル、ジプロピレングリコ−ルモノブチルエ−テル等を挙げることができる。ただし、これらの高沸点アルコ−ル系有機溶剤の添加量は有機溶剤全体の５０％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましい。添加量が５０％を超えると基板への転写性が低下する。
【００３１】
さらに、上記必須の溶剤のほかに、塗膜の均一性、乾燥性、転写性を調整するために、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、イソペンタン、イソヘキサン、イソオクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロペンタンなどの炭化水素系溶剤、メタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ−ル、イソプロパノ−ル、セカンダリブタノ−ル、タ−シャリブタノ−ルなどのアルコ−ル系溶剤、２−アセトキシ−１−メトキシプロパンなどを組み合わせて使用することができる。
【００３２】
本発明のインキ組成物中、溶剤（Ｂ１）、（Ｂ２）および必要に応じて使用されるその他の溶剤は、（Ａ）有機溶剤可溶性樹脂および（Ｃ）添加剤の全量１００重量部に対して、少なくとも１００重量部添加することが好ましい。１００重量部未満ではインキ組成物製造時の粘度が高すぎて、特にボールミル、サンドミル、ビーズミルなどで溶解または分散させることが困難になる可能性がある。
【００３３】
本発明で用いられる（Ｃ）添加剤としては、横方向の印刷パターン形成能や２０μｍ以下の微細なパターン形成能をインキ組成物に付与することができるものが好ましい。このような添加剤としては、金属酸化物、金属、有機顔料、無機顔料が挙げられる。金属酸化物としては、特に限定されないが、例えば、市販ガラス、酸化シリコン、酸化アルミ、酸化チタン、酸化タンタル、酸化セリウムなどが挙げられる。金属としては、特に限定されないが、例えば、アルミ、クロム、金、銀、銅、などが挙げられる。顔料としては、例えば、アゾ系、フタロシアニン系、インジゴ系、アントラキノン系、ペリレン系、キナクリドン系、メチン・アゾメチン系、イソインドリノン系等、カーボンブラック、黒鉛、チタンカーボン、黒鉄、二酸化マンガンが挙げられる。
【００３４】
（Ｃ）添加剤の添加量としては、インキ組成物中、０．１〜２０ｗｔ％であるが、より好ましくは０．１〜１０ｗｔ％である。添加剤の含有量が０．１ｗｔ％未満の場合、横方向の印刷パターン形成能や２５μｍ以下の微細なパターン形成能が劣り、所望のパターン形状が得難くなる。添加剤の含有量が２０ｗｔ％を超えると、転写性が低下し、所望の塗布面へのレジストの均一な転写が損なわれる。さらに、インキ組成物中の（Ａ）有機溶剤可溶性樹脂の含有量をｘ（ｗｔ％）、（Ｃ）添加剤の含有量をｙ（ｗｔ％）としたとき、ｘ＞ｙの関係を満たすことが好ましい。（Ａ）有機溶剤可溶性樹脂より（Ｃ）添加剤の重量％が多い場合、インキ組成物の転写性、分散性、耐エッチング性等が低下する傾向がある。
【００３５】
さらに、（Ｃ）添加剤の大きさは、特に限定されないが、インキ組成物の成膜性、転写性を良好なものとするために３０μｍ３以下とすることが好ましい。３０μｍ３を超えると、微細なパターン形成をしたときに、レジストパターンエッジが所望の直線あるいは曲線でなくなり、パターン幅精度が劣化する傾向がある。一方、大きさの下限は、製造上の理由から、いわゆるナノ粒子と言われるサイズ未満のものは存在しないため、検討できていない。また、仮に、ナノ粒子以下のサイズを添加しても、添加剤としての機能であるレジストパターンの微細化能を有しないと考えられる。
【００３６】
また、本発明のインキ組成物の分散性や分散安定性を確保するために、分散剤を添加してもよい。分散剤としては、例えば、ポリカルボン酸型高分子界面活性剤、ポリスルホン酸型高分子界面活性剤等のアニオン系分散剤、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックポリマ等のノニオン系分散剤、アントラキノン系、ペリレン系、フタロシアニン系、キナクリドン系等の有機色素にカルボキシル基、スルホン酸塩基、カルボン酸アミド基、水酸基等の置換基を導入した有機色素の誘導体などがある。分散剤は、上記（Ｃ）添加剤１００重量部に対して５０重量部以下で用いることが好ましい。５０重量部を越えると転写性が低下する傾向がある。また、顔料を分散する場合、顔料１００重量部に対して樹脂を少なくとも２０重量部用いることが好ましい。樹脂が少なすぎると顔料の分散安定性が低下する傾向がある。
【００３７】
さらに、本発明のインキ組成物に、基板との密着性を向上させるためのチタネートカップリング剤（ビニル基、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基等を有したシランカップリング剤やイソプロピルトリメタクリロイルチタネート、ジイソプロピルイソステアロイル−４−アミノベンゾイルチタネート等）、膜の平滑性を向上させるための界面活性剤（フッ素系、シリコン系、炭化水素系等）及びその他、紫外線吸収剤、酸化防止剤などを必要に応じて適宜添加することができる。
【００３８】
本発明のインキ組成物は、上記（Ａ）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ）並びに必要に応じて添加される分散剤等を超音波分散機、三本ロール、ボールミル、サンドミル、ビーズミル、ホモジナイザー、ニーダー等の装置を用いて混練、分散処理することで得ることができる。なお、（Ｃ）添加剤が顔料である場合には、前述の高沸点のアルキレングリコールエーテルを使用すると顔料の微細な分散が比較的容易となるが、炭化水素系溶剤では顔料の微細分散が難しい。
【００３９】
次に、本発明のインキ組成物を用いて基板上にパターンを形成する方法について、図面を用いて説明する。
【００４０】
図１に示すように、まず、本発明のインキ組成物をキャップコ−タ等を使用してロ−ル形状のシリコン樹脂面に塗布し、数分間風乾してインキ組成物層を形成する。キャップコ−タは、毛管現象を利用して印刷組成物を供給するものであり、シリコン樹脂面は、シリコンゴム、シリコン樹脂、シリコンシートなどの表面を指す。
【００４１】
ついで、ロ−ル状または平板状の凸板をインキ組成物層に押圧し、不要なインキ組成物層の一部を凸版の凸部に転写し除去する。その後、ロ−ル形状のシリコン樹脂面に残ったインキ組成物を基板面に転写し、これを１００℃から１５０℃で１〜１５分乾燥させることで所望のパタ−ンを得ることができる。
【００４２】
上記基板としては、用途により選択されるが、例えば、白板ガラス、青板ガラス、シリカコート青板ガラス等の透明ガラス板、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂等の合成樹脂製シート、フィルム又は板、アルミニウム板、銅板、ニッケル板、ステンレス板等の金属板、その他セラミック板、光電変換素子を有する半導体基板などが挙げられる。
【００４３】
このようにして形成されたパターンの厚みは、用途によって適宜定まるが、０．１〜１０μｍの範囲であることが好ましく、０．２〜５μｍの範囲であることがより好ましい。
【００４４】
また、本発明の電子部品は、上記のようにして基板上にパターンを形成し、ついで、公知のエッチング方法により下地を加工することで得ることができる。
【００４５】
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【００４６】
（実施例１）
（１）１リットルスケールの四つ口フラスコに３６０ｇのジエチレングリコールジメチルエーテルを秤取り、Ｎ２でバブリングしながら、液温を９０℃に保った。
【００４７】
（２）１リットルビーカー内でジエチレングリコールジメチルエーテル２７５ｇ、ベンジルメタクリレート１０１．３ｇ、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド４５ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート４５ｇ、メタクリル酸メチル３３．８ｇを混合し、Ｎ２バブリングしながら溶解させた。Ｎ−シクロヘキシルマレイミドの溶解を確認した後、２’２−アゾビスイソブチロニトリル３ｇを溶解させた。
【００４８】
（３）上記（２）の溶液を上記（１）の溶液に３時間かけて連続的に滴下し、その後これを３時間９０℃で保った。
【００４９】
（４）３時間９０℃で保っている間、ジエチレングリコールジメチルエーテル４０ｇの中にあらかじめ溶解させておいた２’２−アゾビスイソブチロニトリル０．６ｇを数回に分けて残存モノマ低減のため添加した。
【００５０】
（５）合計６時間９０℃で反応を行った後、１２０℃で１時間保ち、その後、これを自然冷却し、共重合体Ａを得た。
【００５１】
（６）２−アセトキシ−１−メトキシプロパン２５０ｇに、添加剤としてＣ．Ｉ．ピグメントイエロ−１３９を２ｇ、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン２５４を１３ｇ、添加剤の分散性を向上させるために上記共重合体Ａを６０ｇ加え、ビーズミルを用いて２時間分散処理をした（ＮＶ２３．１％）。
【００５２】
（７）１リットルスケールの四つ口フラスコに、有機溶剤可溶性樹脂としてクレゾールノボラック樹脂（明和化成社製  重量平均分子量５，０００、ｐ−クレゾール：ｍ−クレゾール＝６０：４０）１２５ｇを秤取り、ここに酢酸エチル（２０℃での表面張力２３．８ｍＮ／ｍ、蒸気圧９７ｈＰａ）２００ｇ、ジエチレングリコール（２０℃での表面張力４８．５ｍＮ／ｍ、蒸気圧０．０３ｈＰａ）５０ｇ、２−アセトキシ−１−メトキシプロパン２５０ｇを添加し、窒素雰囲気下、６時間攪拌してクレゾールノボラック樹脂を溶解させた。
【００５３】
（８）上記（６）の溶液３０ｇに上記（７）の溶液２７０ｇを加えて混合し、２ミクロンテフロン(登録商標)フィルターで加圧ろ過し、実施例１のインキ組成物を得た。
【００５４】
（９）上記で得たインキ組成物を、図１に示すようにシリコン樹脂面（ブランケット）上にキャップコ−タを用いて塗布し、これを２〜３分間乾燥させて膜厚１．０μｍのインキ組成物層を形成した。その後、表面に凸部を有する版胴を用いて不要部分のインキ組成物層を除去し、ついで、シリコン樹脂面に残ったインキ組成物層をガラス基板面に転写した。
【００５５】
（１０）転写されたパタ−ンの精度、形状を顕微鏡で観察したところ、２５ミクロン幅レジストのストライプパターンが形成されていた。さらに、このレジストパターンを用いて、ＴＦＴ電極用下地ゲート膜基板（Ｍｏ／Ａｌ  Ｎｄ）をリン酸／硝酸／酢酸水溶液でエッチングした（４０℃、２分）ところ、２５ミクロン幅の配線を形成することができた。また、シリコン樹脂面上のインキ組成物層を、上記除去工程を省略し、ガラス基板面に転写して、転写されたインキ組成物層の外観（むら、はじき等）を目視及び顕微鏡で観察したところ、はじき、むらは確認されなかった。
【００５６】
（実施例２〜４）
各実施例とも下記表１に示す組成に変えたほかは、実施例１と同様の条件でインキ組成物を調製し、評価した。その結果、いずれもインキ組成物層の外観にはじき、むらは認められなかった。また、２５ミクロン幅レジストのストライプパターンを形成することができ、さらに、このレジストパターンを用いてＴＦＴ電極用下地ゲート膜基板（Ｍｏ／Ａｌ  Ｎｄ）をリン酸／硝酸／酢酸水溶液でエッチングした（４０℃、２分）ところ、２５ミクロン幅の配線を形成することができた。
【００５７】
（実施例５）
実施例１の（６）において、２−アセトキシ−１−メトキシプロパンと共重合体Ａを加えずに、添加剤として平均粒径２μｍのシリカのみを用いた以外は、実施例１と同様の条件でインキ組成物を調製し、評価した。その結果、インキ組成物層の外観にはじき、むらは認められなかった。また、２５ミクロン幅レジストのストライプパターンを形成することができ、さらに、このレジストパターンを用いてＴＦＴ電極用下地ゲート膜基板（Ｍｏ／Ａｌ  Ｎｄ）をリン酸／硝酸／酢酸水溶液でエッチングした（４０℃、２分）ところ、２５ミクロン幅の配線を形成することができた。
【００５８】
（実施例６）
添加剤として平均粒径３μｍのアルミナを用いた以外は、実施例５と同様の条件でインキ組成物を調製し、評価した。その結果、インキ組成物層の外観にはじき、むらは認められなかった。また、２５ミクロン幅レジストのストライプパターンを形成することができ、さらに、このレジストパターンを用いてＴＦＴ電極用下地ゲート膜基板（Ｍｏ／Ａｌ  Ｎｄ）をリン酸／硝酸／酢酸水溶液でエッチングした（４０℃、２分）ところ、２５ミクロン幅の配線を形成することができた。
【００５９】
（比較例１）
下記表１に示す組成に変えたほかは、実施例１と同様の条件でインキ組成物を調製し、評価した。その結果、インキ組成物層の外観にはじき、むらは認められなかったものの、２５ミクロン幅レジストのストライプパターンを形成することができなかった。
【００６０】
（比較例２及び３）
下記表１に示す組成に変えたほかは、実施例５と同様の条件でインキ組成物を調製し、評価した。その結果、シリコン樹脂面上のインキ組成物層を基板に転写することができなかった。
【表１】
2005259973.tif 000003
【００６１】
各実施例および比較例の評価結果を表２にまとめて示す。また、表３は、本実施例で使用した溶剤の蒸気圧と表面張力の値をまとめたものである。
【表２】
2005259973.tif 000004
【００６２】
【表３】
2005259973.tif 000005
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明のパターン形成方法の一例を示す断面図。
【符号の説明】
【００６４】
１  インキ組成物
２  主胴
３  インキ組成物層
４  ブランケット（シリコン樹脂）
５  版胴
６  凸部
７  基板
８  ＣＡＰコータ
【図１】
2005259973.tif 000006