(57)【要約】【課題】  環境の変動から露光装置等の基板処理装置の装置状態の変動を予測する。【解決手段】  基板処理工場１０内には複数の基板処理装置１１及び保守管理サーバ１３が設けられている。基板処理装置１１の各々には、外部及び内部等の環境（気温、湿度、気圧等）を検出する各種のセンサが設けられている。保守管理サーバ１３は、予め求めてある環境の変動と各基板処理装置１１の装置状態の変動との相関関係を示す関係式と各種センサの検出結果とに基づいて各基板処理装置１１の装置状態を予測する。装置状態の予測結果が所定の閾値以上である場合には、警告を発し、又は装置状態が悪化した基板処理装置１１に対して装置状態を調整させる制御コマンドを送信する。【選択図】  図１
2005136326.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理装置の装置状態を予測する装置状態予測装置であって、
前記基板処理装置の環境に関する環境情報を収集する環境情報収集手段と、
前記環境の変動と前記基板処理装置の装置状態の変動との相関関係を示す関係式を記憶する記憶手段と、
前記関係式及び前記環境情報収集手段により収集された前記環境情報に基づいて、前記基板処理装置の装置状態を予測する予測手段と、
前記予測手段の予測結果を予め定められた閾値と比較する比較手段と、
前記比較手段の比較結果に基づいて所定の処理を実行する実行手段と
を備えることを特徴とする装置状態予測装置。
【請求項２】
前記関係式は、前記環境を説明変数とし、前記装置状態を目的変数とした回帰式であることを特徴とする請求項１に記載の装置状態予測装置。
【請求項３】
前記基板処理装置の装置状態に関する装置情報を収集する装置情報収集手段と、
前記環境情報及び前記装置情報に基づいて前記記憶手段に記憶された前記関係式を更新する更新手段と
をさらに備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の装置状態予測装置。
【請求項４】
前記実行手段は、前記予測結果を含む保守データを前記基板処理装置の管理を行う管理装置に対して送信処理を実行する送信手段を備えることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の装置状態予測装置。
【請求項５】
前記実行手段は、前記予測結果が前記閾値を超えている場合に警告処理を実行する警告手段を備えることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の装置状態予測装置。
【請求項６】
前記実行手段は、前記予測結果が前記閾値を超えている場合に前記基板処理装置の装置状態の調整処理を実行する調整手段を備えることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の装置状態予測装置。
【請求項７】
前記環境情報収集手段は、前記基板処理装置の内部の温度、湿度及び気圧の少なくとも１つ又は基板処理装置内で使用される液体の温度、圧力、比抵抗の少なくとも１つを検出する内部環境検出手段、前記基板処理装置の外部の温度、湿度及び気圧の少なくとも１つを検出する外部環境検出手段、並びに前記基板処理装置の構造部の温度を検出する構造部温度検出手段のうちの少なくとも１つにより検出された情報を、前記環境情報として収集することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の装置状態予測装置。
【請求項８】
前記基板処理装置は、マスクのパターンを基板に露光転写する露光装置であることを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載の装置状態予測装置。
【請求項９】
前記環境情報収集手段は、ネットワークを介して前記環境情報を収集することを特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載の装置状態予測装置。
【請求項１０】
基板を処理する基板処理装置の装置状態を予測する装置状態予測方法であって、
前記基板処理装置の環境に関する環境情報を収集する環境情報収集ステップと、
前記環境の変動と前記基板処理装置の装置状態の変動との相関関係を示す関係式及び前記環境情報収集ステップで収集された前記環境情報に基づいて、前記基板処理装置の装置状態を予測する予測ステップと、
前記予測ステップで予測された予測結果を予め定められた閾値と比較する比較ステップと、
前記比較ステップにおける比較結果に基づいて所定の処理を実行する実行ステップと
を備えることを特徴とする装置状態予測方法。
【請求項１１】
前記関係式は、前記環境を説明変数とし、前記装置状態を目的変数とした回帰式であることを特徴とする請求項１０に記載の装置状態予測方法。
【請求項１２】
前記基板処理装置の装置状態に関する装置情報を収集する装置情報収集ステップと、
前記環境情報及び前記装置情報に基づいて前記関係式を更新する更新ステップと
をさらに備えることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の装置状態予測方法。
【請求項１３】
前記実行ステップは、前記予測結果を含む保守データを前記基板処理装置の管理を行う管理装置に対して送信する送信ステップを含むことを特徴とする請求項１０〜１２の何れか一項に記載の装置状態予測方法。
【請求項１４】
前記実行ステップは、前記予測結果が前記閾値を超えている場合に警告処理を実行する警告ステップを含むことを特徴とする請求項１０〜１３の何れか一項に記載の装置状態予測方法。
【請求項１５】
前記実行ステップは、前記予測結果が前記閾値を超えている場合に前記基板処理装置の装置状態の調整処理を実行する調整ステップを含むことを特徴とする請求項１０〜１４の何れか一項に記載の装置状態予測方法。
【請求項１６】
前記環境情報収集ステップで収集される環境情報は、前記基板処理装置の内部の温度、湿度及び気圧又は前記基板処理装置内で使用される液体の温度、圧力、比抵抗、前記基板処理装置の外部の温度、湿度及び気圧、並びに前記基板処理装置の構造部の温度のうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１０〜１５の何れか一項に記載の装置状態予測方法。
【請求項１７】
マスクのパターンを基板に露光転写する露光装置の管理システムにおいて、
前記露光装置内外の環境状態を計測する環境計測手段と、
前記環境計測手段が計測する環境状態の変動と前記露光装置の装置状態の変動との相関関係を示す関係式を記憶する記憶手段と、
前記関係式と前記環境計測手段の計測結果に基づいて、前記露光装置の装置状態を予測する予測手段と、
前記予測結果と前記計測結果と前記関係式とを含む保守データを、ネットワークを通じて送信する送信手段と、
送信された前記保守データを受信し、前記露光装置の装置状態を記録して管理する管理装置とを備えることを特徴とする露光装置管理システム。
【請求項１８】
前記環境計測手段は、前記露光装置の内部の温度、湿度及び気圧、前記露光装置内で使用される液体の温度、圧力、比抵抗、前記露光装置の外部の温度、湿度及び気圧、並びに前記露光装置の構造部の温度のうちの少なくとも１つを計測することを特徴とする請求項１７に記載の露光装置管理システム。
【請求項１９】
前記管理装置は、前記保守データに基づいて前記露光装置の保守計画を決定することを特徴とする請求項１７又は１８に記載の露光装置管理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハ又はガラスプレート等の基板の処理を行う基板処理装置の装置状態を予測する装置状態予測装置及び方法、並びに基板の露光処理を行う露光装置を管理する管理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、液晶表示素子、撮像素子、薄膜磁気ヘッド、その他のデバイスは、基板処理装置を用いて半導体ウエハ又はガラスプレート等の基板に対して各種の処理を施すことにより製造される。基板処理装置が基板に対して施す処理は、例えばフォトレジスト等の感光剤を塗布する塗布処理、感光剤が塗布された基板上にマスク又はレチクルのパターンの像を投影露光する露光処理、及び露光処理が施された基板を現像する現像処理等である。
【０００３】
上記の露光処理は露光装置により行われ、上記塗布処理及び現像処理は、露光装置に対してインライン化された所謂コータ・デベロッパといわれる塗布現像装置により行われる。また、上記の露光装置等の基板処理装置には、上記の各種処理が施された基板に形成されるパターンの均一性又はパターンの重なり具合いを評価する評価装置、並びに電子ビームを基板上に照射した際に生ずる二次電子や後方散乱電子を検出して基板上に形成されたパターンの観察及び検査を行う検査装置が設けられることが多い。
【０００４】
上記の露光装置は、露光時において既に基板上に形成されているパターンに対してマスクのパターンを高い重ね合わせ精度で転写する必要があるため、基板の位置及び姿勢を精確に検出するセンサとしてオートフォーカスセンサ及びアライメントセンサを備える。オートフォーカスセンサは、基板に対して斜め方向から基板上の複数の点に検出光を照射し、その反射光を検出することで、投影光学系の光軸方向における基板表面の位置及び姿勢を検出するセンサである。
【０００５】
また、アライメントセンサは、投影光学系の側方に設けられ、検知光を基板上に照射して基板上に形成されたアライメントマークを撮像して得られる画像信号を画像処理し、投影光学系の光軸に直交する平面内におけるアライメントマークの位置を検出するセンサである。アライメントセンサは投影光学系の側方に設けられているため、露光時においてはアライメントセンサの検出結果に対してベースライン量（投影光学系の露光領域の中心とアライメントセンサの計測視野の中心との距離）を加味して、投影光学系の露光領域に対する基板の位置合わせが行われる。
【０００６】
通常、デバイスの製造工場にはクリーンルームが設けられており、このクリーンルーム内に上述した露光装置等を備える基板処理装置が複数並列的にライン化されて設置されている。クリーンルームは気温及び湿度が一定に保たれており、気温、湿度等の環境の変動による基板処理装置の装置状態の変動及び基板処理を行う際の処理条件の変化が極力生じないようにされている。尚、オートフォーカスセンサ及びアライメントセンサを備える露光装置については例えば以下の特許文献１を参照されたい。
【特許文献１】特開平０６−３４９７０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述した通り、クリーンルーム内においては気温及び湿度が一定に保たれるが、完全に一定に保たれる訳ではないため環境の僅かな変動によって基板処理装置の装置状態が変動することがある。例えば、気温及び湿度の僅かな変動によって投影光学系の像面の位置が変化し、前述したオートフォーカスセンサ内に設けられる光学部品又はこの部品を保持する機械的な機構が影響を受けて計測誤差を生じ、又はベースライン量の変動が生ずる。投影光学系の像面の位置変化又はオートフォーカスセンサの計測誤差が生ずると、基板表面と投影光学系の像面との合わせ込みに誤差が生じてフォーカス誤差になる。
【０００８】
このような環境変動による装置状態の変動は、最終的に基板上に形成されるパターンの線幅誤差又は重ね合わせ精度の悪化を引き起こし、デバイスの不良を生じさせる原因となる。このような線幅誤差等を防止するための根本的な対策は、基板処理装置自体の構成を改良して基板処理装置の装置状態が環境の変動の影響を受けにくくすることであるが、かかる作業は極めて手間がかかる作業であり、且つ既に稼働している基板処理装置に対しては対策が困難であるという問題があった。
【０００９】
また、現状では装置状態を把握することができないため、露光処理の実行が許容される装置状態にあっても、処理を行う前に較正（キャリブレーション）を行って装置状態を調整している。例えば、基板処理装置に設けられる露光装置においては、ロット単位の基板を露光処理する前に必ずオートフォーカスセンサのキャリブレーションを行っている。この較正処理は、露光処理の実行が許容される装置状態にある場合においては不要なものであり、しかもロット毎に行われるため、スループットを低下させる一因になっているという問題もあった。
【００１０】
本発明はこのような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、環境の変動から基板処理装置の装置状態の変動を予測することができる装置状態予測装置及び方法、装置状態予測プログラム及び当該プログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な情報記録媒体、並びに露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
以下、この項に示す説明では、本発明を、実施形態を表す図面に示す部材符号に対応付けて説明するが、本発明の各構成要件は、これら部材符号を付した図面に示す部材に限定されるものではない。
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の装置状態予測装置は、基板（Ｗ）を処理する基板処理装置（１１）の装置状態を予測する装置状態予測装置（１３）であって、前記基板処理装置の環境に関する環境情報を収集する環境情報収集手段（ＤＴ１〜ＤＴ３、１０１）と、前記環境の変動と前記基板処理装置の装置状態の変動との相関関係を示す関係式（Ｆｍ）を記憶する記憶手段（１０８）と、前記関係式及び前記環境情報収集手段により収集された前記環境情報に基づいて、前記基板処理装置の装置状態を予測する予測手段（１０２）と、前記予測手段の予測結果を予め定められた閾値（Ｔｈ）と比較する比較手段（１０３）と、前記比較手段の比較結果に基づいて所定の処理を実行する実行手段（１０４〜１０６）とを備えて構成される。
【００１３】
この場合において、前記関係式は、前記環境を説明変数とし、前記装置状態を目的変数とした回帰式であることが望ましい。また、前記基板処理装置の装置状態に関する装置情報を収集する装置情報収集手段（１０１）と、前記環境情報及び前記装置情報に基づいて前記記憶手段に記憶された前記関係式を更新する更新手段（１０７）とをさらに備えることができる。
【００１４】
また、前記実行手段は、前記予測結果を含む保守データを前記基板処理装置の管理を行う管理装置（２１）に対して送信処理を実行する送信手段（１０６）、前記予測結果が前記閾値を超えている場合に警告処理を実行する警告手段（１０５）、前記予測結果が前記閾値を超えている場合に前記基板処理装置の装置状態の調整処理を実行する調整手段（１０４）を備えることができる。
【００１５】
また、前記環境情報収集手段は、前記基板処理装置の内部の温度、湿度及び気圧の少なくとも１つ又は前記基板処理装置内で使用される液体の温度、圧力、比抵抗の少なくとも１つを検出する内部環境検出手段、前記基板処理装置の外部の温度、湿度及び気圧の少なくとも１つを検出する外部環境検出手段、並びに前記基板処理装置の構造部の温度を検出する構造部温度検出手段のうちの少なくとも１つにより検出された情報を、前記環境情報として収集する。更に、前記基板処理装置は、マスクのパターンを基板に露光転写する露光装置とすることができ、前記環境情報収集手段は、ネットワークを介して前記環境情報を収集することができる。
【００１６】
本発明の装置状態予測方法は、基板（Ｗ）を処理する基板処理装置（１１）の装置状態を予測する装置状態予測方法であって、前記基板処理装置の環境に関する環境情報を収集する環境情報収集ステップ（Ｓ１）と、前記環境の変動と前記基板処理装置の装置状態の変動との相関関係を示す関係式及び前記環境情報収集ステップで収集された前記環境情報に基づいて、前記基板処理装置の装置状態を予測する予測ステップ（Ｓ２）と、前記予測ステップで予測された予測結果を予め定められた閾値と比較する比較ステップ（Ｓ３）と、前記比較ステップにおける比較結果に基づいて所定の処理を実行する実行ステップ（Ｓ４）とを備えるものである。
【００１７】
この場合において、前記関係式は、前記環境を説明変数とし、前記装置状態を目的変数とした回帰式であるのが望ましい。また、前記基板処理装置の装置状態に関する装置情報を収集する装置情報収集ステップ（Ｓ５）と、前記環境情報及び前記装置情報に基づいて前記関係式を更新する更新ステップ（Ｓ８）とをさらに備えるものとすることができる。
【００１８】
また、前記実行ステップ（Ｓ４）は、前記予測結果を含む保守データを前記基板処理装置の管理を行う管理装置に対して送信処理を実行する送信ステップ、前記予測結果が前記閾値を超えている場合に警告処理を実行する警告ステップ、前記予測結果が前記閾値を超えている場合に前記基板処理装置の装置状態の調整処理を実行する調整ステップを含むことができる。
【００１９】
また、前記環境情報収集ステップ（Ｓ１）で収集される環境情報は、前記基板処理装置の内部の温度、湿度及び気圧又は前記基板処理装置内で使用される液体の温度、圧力、比抵抗、前記基板処理装置の外部の温度、湿度及び気圧、並びに前記基板処理装置の構造部の温度のうちの少なくとも１つとすることが望ましい。
【００２０】
本発明の露光装置管理システムは、マスク（Ｒ）のパターンを基板（Ｗ）に露光転写する露光装置（３０）の管理システムにおいて、前記露光装置内外の環境状態を計測する環境計測手段（ＴＤ１〜ＴＤ３）と、前記環境計測手段が計測する環境状態の変動と前記露光装置の装置状態の変動との相関関係を示す関係式（Ｆｍ）を記憶する記憶手段（１０８）と、前記関係式と前記環境計測手段の計測結果に基づいて、前記露光装置の装置状態を予測する予測手段（１０２）と、前記予測結果と前記計測結果と前記関係式とを含む保守データを、ネットワーク（Ｎ）を通じて送信する送信手段（１０６）と、送信された前記保守データを受信し、前記露光装置の装置状態を記録して管理する管理装置（２１）とを備えて構成される。
【００２１】
前記環境計測手段（ＴＤ１〜ＴＤ３）は、前記露光装置の内部の温度、湿度及び気圧、前記露光装置内で使用される液体の温度、圧力、比抵抗、前記露光装置の外部の温度、湿度及び気圧、並びに前記露光装置の構造部の温度のうちの少なくとも１つを計測することとするのが望ましい。また、前記管理装置（２１）は、前記保守データに基づいて前記露光装置の保守計画を決定するものとすることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によると、基板処理装置の環境に関する環境情報を収集することによって、基板処理装置の装置状態の変動を予測することが可能になるという効果がある。
【００２３】
また、予測した装置状態が所定の閾値を越えた場合に、警告処理が行われ、又は基板処理装置の調整処理が行われるため、基板処理装置の装置状態の安定性を向上させることができるという効果がある。
【００２４】
これによって、安定して基板を処理することができ、所期の性能を有するデバイスを高い歩留まりで製造することができる。また、予測された装置状態が所定の閾値を越えたときにのみ警告処理又は調整処理が行われるため、基板処理装置の稼働率を向上させることができ、スループットの向上を図ることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る装置状態予測装置及び露光装置管理システムを備える基板処理システムの全体構成を示すブロック図であり、まず、同図を参照して基板処理システムの全体構成を説明する。
【００２６】
図１において、１０は基板処理を行う基板処理工場を示しており、２０は基板処理工場に設けられた基板処理装置の管理を行う管理センターを示している。基板処理工場１０は、例えば半導体メーカの工場であり、管理センター２０は、例えば基板処理装置メーカの一つの部署内に設けられる。これらの基板処理工場１０と管理センター２０とはインターネット、専用回線、公衆回線等のネットワークＮを介して接続されている。
【００２７】
基板処理工場１０内には、複数の基板処理装置１１、ホストコンピュータ１２、保守管理サーバ１３、端末装置１４、及び接続装置１５が設けられている。これらは、気温及び湿度が管理されたクリーンルーム内に設置され、基板処理工場１０内に敷設されたＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の内部ネットワークＬＮ１に接続されている。基板処理装置１１は、ウエハ等の基板に対して、例えばフォトレジスト等の感光剤を塗布する塗布処理、感光剤が塗布された基板上にマスク又はレチクルのパターンの像を投影露光する露光処理、及び露光処理が施された基板を現像する現像処理等を行う。
【００２８】
詳細は後述するが、基板処理装置１１の内部及び外部には気温を計測する気温センサ、湿度を計測する湿度センサ、及び大気圧を計測する大気圧センサ、並びに各部の構造物（金物等）の温度を計測するセンサが設けられている。尚、以下の説明では基板処理装置１１がウエハに対する処理を行うものである場合を例に挙げて説明するが、ウエハ以外にガラスプレート等に対する処理を行うものにも本発明を適用することができる。
【００２９】
ホストコンピュータ１２は、複数の基板処理装置１１の動作を一括して管理・制御する上位のコンピュータである。保守管理サーバ１３は、各基板処理装置１１に設けられた各種センサの検出結果を示す検出データ又は各基板処理装置１１の装置状態を示す装置データを内部ネットワークＬＮ１を介して収集し、予め求めてある環境の変動と各基板処理装置１１の装置状態の変動との相関関係を示す関係式と収集した検出データとに基づいて各基板処理装置１１の装置状態を予測する。また、保守管理サーバ１３は、予め記憶された基板処理装置１１の装置状態の変動に対する許容値を示す変動閾値と予測した装置状態とを比較する。
【００３０】
この比較の結果、装置状態の変動が閾値を越えている基板処理装置１１があった場合には、保守管理サーバ１３は警告を発してその旨を基板処理工場１０で作業を行う作業員（オペレータ）に通知する。また、保守管理サーバ１３は、変動した装置状態の種類によっては、自動的に装置状態を較正（キャリブレーション）させるための制御データを内部ネットワークＬＮ１を介してその基板処理装置１１へ出力する。また、収集した検出データ及び装置データ、関係式、予測結果を基板処理工場１０及び基板処理装置１１を特定するデータとともに保守データとしてネットワークＮを介して管理センター２０へ送信する。尚、保守管理サーバ１３の詳細については後述する。
【００３１】
保守データの送信は、例えば電子メールで行うことが好ましい。電子メールで保守データを送信するときは、保守データを何ら暗号化せずに平文のまま基板処理工場１０外へ送信すると盗用又は改竄される虞があり、また基板処理装置１１の性能等の情報が第三者に知られる可能性が考えられる。そこで、保守データを暗号化して電子メールにて送信することが好適である。ここで、暗号化方式は、暗号化と復号とを同一の鍵を用いて行う共通鍵方式と、暗号化と復号とをそれぞれ異なる鍵を用いて行う公開鍵暗号化方式とに大別されるが、秘密保持の観点からは公開鍵暗号化方式を用いることが好ましい。
【００３２】
端末装置１４は、基板処理装置１１のメンテナンスを行う作業員（サービスマン）又はオペレータによって操作され、保守管理サーバ１３に格納する各種データの入力等に用いられる。例えば、保守管理サーバ１３で用いられる閾値が入力される。接続装置１５は、基板処理工場１０内に敷設された内部ネットワークＬＮ１とネットワークＮとを接続するための装置であり、例えばルータ等の装置である。尚、基板処理工場１０内で取り扱われる基板処理装置１１の性能及び稼働状況を示すデータが外部に漏洩することを防止するために、接続装置１５はファイヤーウォール機能を有することが望ましい。
【００３３】
次に、管理センター２０内には、管理サーバ２１、複数の端末装置２２、及び接続装置２３が設けられている。これらは、管理センター２０内に敷設されたＬＡＮ等の内部ネットワークＬＮ２に接続されている。管理サーバ２１は、基板処理工場１０からネットワークＮを介して送られてきた保守データを受信し、この保守データを特定の担当者（管理センター２０の作業員の一人又は複数人）宛に送信する。また、管理サーバ２１に基板処理装置１１のメンテナンスを行うサービスマンの技能（スキル）及び作業可能日を示すサービスマンデータを格納し、送られてきた保守データに基づいて、サービスマンの割り当て（スケジューリング）等の保守計画を決定する。
【００３４】
端末装置２２は、管理センター２０の作業員によって操作され、例えば管理サーバ２１に格納する各種データの入力、更新、確認等の作業を行うため、又は管理サーバ２１から各々の作業員宛に送られてきた保守データの内容を確認するために用いられる。尚、端末装置２２と内部ネットワークＬＮ２との接続形態は、有線接続及び無線接続の何れであっても良い。接続装置２３は、管理センター２０内に敷設された内部ネットワークＬＮ２とネットワークＮとを接続するための装置であり、例えばルータ等の装置である。尚、基板処理工場１０に設けられた接続装置１５と同様に、管理センター２０内で取り扱われる各種のデータが外部に漏洩することを防止するために、接続装置２３はファイヤーウォール機能を有することが望ましい。以上説明した保守管理サーバ１３、管理サーバ２１を主体として、基板処理システムの中に露光装置の管理システムが構成されている。
【００３５】
次に、基板処理工場１０内に設けられる基板処理装置１１について説明する。図２は、基板処理装置１１の概略構成を示す上面図である。基板処理装置１１の各々は図２に示す構成と同様の構成である。図２に示す通り、基板処理装置１１は露光装置３０を囲むチャンバにインライン方式で接するように、コータ・デベロッパ部３１が設置されており、また露光装置３０及びコータ・デベロッパ部３１の全体の動作を統轄制御する制御コンピュータ３２が設置されている。この制御コンピュータ３２は基板処理工場１０内に敷設された内部ネットワークＬＮ１に接続されている。
【００３６】
上記のコータ・デベロッパ部３１には、その中央部を横切るようにウエハＷを搬送する搬送ライン３３が配置されている。この搬送ライン３３の一端に未露光の多数のウエハＷを収納するウエハキャリア３４と、露光処理及び現像処理を終えた多数のウエハＷを収納するウエハキャリア３５とが配置されており、搬送ライン３３の他端に露光装置３０のチャンバ側面のシャッタ付きの搬送口（不図示）が設置されている。
【００３７】
また、コータ・デベロッパ部３１に設けられた搬送ライン３３の一方の側面に沿ってコータ部３６が設けられており、他方の側面に沿ってデベロッパ部３７が設けられている。コータ部３６は、ウエハキャリア３４から露光装置３０に向けて、ウエハＷにフォトレジストを塗布するレジストコータ３６ａ、そのウエハＷ上のフォトレジストをプリベークするためのホットプレートからなるプリベーク装置３６ｂ、及びプリベークされたウエハＷを冷却するためのクーリング装置３６ｃが設置されている。
【００３８】
デベロッパ部３７は、露光装置３０からウエハキャリア３５に向けて、露光処理後のウエハＷ上のフォトレジストをベーキングする、即ちいわゆるＰＥＢ（Ｐｏｓｔ−Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）を行うためのポストペーク装置３７ａ、ＰＥＢが行われたウエハＷを冷却するためのクーリング装置３７ｂ、及びウエハＷ上のフォトレジストの現像を行うための現像装置３７ｃが設置されている。更に、本実施形態では、現像装置３７ｃで現像されたウエハに形成されたフォトレジストのパターン（レジストパターン）の形状を測定する測定装置３８がインライン設置されている。測定装置３８は、ウエハＷ上に形成されているレジストパターンの形状（例えばパターンの線幅、パターンの重ね合わせ誤差等）を測定するためのものである。
【００３９】
露光装置３０、コータ部３６及びデベロッパ部３７、測定装置３８、及び制御コンピュータ３２は、有線又は無線で接続されており、各々の処理開始又は処理終了を示す信号が送受信される。また、これらの装置の装置状態を示す装置データ及び測定装置３８による測定結果は制御コンピュータ３２へ出力され、制御コンピュータ３２内に設けられるハードディスク等の記憶装置に記録される。
【００４０】
露光装置３０は、ウエハベース８６（図３参照）上を２次元的に移動するウエハステージ８５を備えており、露光対像のウエハＷはウエハホルダ８４を介してウエハステージ８５上に保持される。また、露光装置３０内には、コータ・デベロッパ部３１に設けられた搬送ライン３３の中心軸の延長線にほぼ沿うように第１ガイド部材３９が配置され、第１ガイド部材３９の端部の上方に直交するように、第２ガイド部材４０が配置されている。
【００４１】
第１ガイド部材３９には第１ガイド部材３９に沿って摺動可能に構成されたスライダ４１が配置されており、このスライダ４１には回転及び上下動自在にウエハＷを保持する第１アーム４２が設置されている。また、第２ガイド部材４０にはウエハＷを保持した状態で第２ガイド部材４０に沿って摺動可能に構成された第２アーム４３が配置されている。第２ガイド部材４０は、ウエハステージ８５のウエハのローディング位置まで延びており、第２アーム４３には第２ガイド部材４０に直交する方向にスライドする機構も備えられている。
【００４２】
また、第１ガイド部材３９と第２ガイド部材４０とが交差する位置の近傍にウエハＷのプリアライメントを行うために回転及び上下動ができる受け渡しピン４４が設置され、受け渡しピン４４の周囲にウエハＷの外周部の切り欠き部（ノッチ部）及び２箇所のエッジ部の位置又はウエハＷの外周部に形成されたオリエンテーションフラットを検出するための位置検出装置（不図示）が設置されている。第１ガイド部材３９、第２ガイド部材４０、スライダ４１、第１アーム４２、及び第２アーム４３、及び受け渡しピン４４等からウエハローダ系が構成されている。
【００４３】
更に、基板処理装置１１は、露光装置３０のチャンバ内部の気温を計測する気温センサ、湿度を計測する湿度センサ、及び大気圧を計測する大気圧センサ等のセンサＤＴ１、基板処理装置１１外部（即ち、クリーンルーム内）の気温を計測する気温センサ、湿度を計測する湿度センサ、及び大気圧を計測する大気圧センサ等のセンサＤＴ２、並びに基板処理装置１１の各部の構造物（金物）の温度を計測するセンサＤＴ３を備える。これらのセンサＤＴ１〜ＤＴ３の検出結果を示す検出信号は制御コンピュータ３２に出力され、制御コンピュータ３２内に設けられるハードディスク等の記憶装置に一定期間記録される。尚、図２においては、基板処理装置１１の内部に設けられるセンサをセンサＤＴ１で代表させ、外部に設けられるセンサをセンサＤＴ２で代表させ、構造物の温度を計測するセンサをセンサＤＴ３で代表させて図示しているが、これらのセンサは実際には基板処理装置１１内の各部に設けられている。
【００４４】
上記構成における基板処理装置１１がウエハＷに対する処理を行うときの動作について簡単に説明する。まず、図１中のホストコンピュータ１２から内部ネットワークＬＮ１を介して基板処理装置１１が備える制御コンピュータ３２に処理開始命令が出力される。制御コンピュータ３２はこの処理開始命令に基づいて、露光装置３０、コータ部３６、及びデベロッパ部３７に各種の制御信号を出力する。この制御信号が出力されると、ウエハキャリア３４から取り出された１枚のウエハは、搬送ライン３３を経てレジストコータ３６ａに搬送されてフォトレジストが塗布され、順次搬送ライン３３に沿ってプリベーク装置３６ｂ及びクーリング装置３６ｃを経て露光装置３０の第１アーム４２に受け渡される。
【００４５】
その後、スライダ４１が第１ガイド部材３９に沿って受け渡しピン４４の近傍に達すると、第１アーム４２が回転して、フォトレジストが塗布されたウエハＷが第１アーム４２から受け渡しピン４４上の位置Ａに受け渡されて、ここでウエハの外形基準で中心位置及び回転角の調整（プリアライメント）が行われる。その後、ウエハＷは第２アーム４３に受け渡されて第２ガイド部材４０に沿ってウエハのローディング位置まで搬送され、そこでウエハステージ８５上のウエハホルダ８４にロードされる。そして、そのウエハＷ上の各ショット領域に対してマスクとしてのレチクルの所定のデバイスパターンを通して露光が行われる。
【００４６】
露光処理を終えたウエハＷは、第２ガイド部材４０及び第１ガイド部材３９に沿ってコータ・デベロッパ部３１の搬送ライン３３まで搬送された後、搬送ライン３３に沿って順次ポストペーク装置３７ａ及びクーリング装置３７ｂを経て現像装置３７ｃに送られる。そして、現像装置３７ｃで現像が行われたウエハＷの各ショット領域に、レチクルのデバイスパターンに対応した凹凸のレジストパターンが形成される。このように現像が行われたウエハＷは、必要に応じて形成されたパターンの線幅、重ね合わせ誤差等が測定装置３８で検査され、搬送ライン３３に沿ってウエハキャリア３５に収納される。このリソグラフィ工程の終了後にウエハキャリア３５内の例えば１ロットのウエハは、例えばエッチング又はイオン注入等のパターン形成工程及びレジスト剥離工程等を実行する製造ラインに搬送される。
【００４７】
次に、基板処理装置１１に設けられる露光装置３０について説明する。図３は、基板処理装置１１が備える露光装置の構成を示す図である。本実施形態においてはステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例に挙げて説明するが、かかる方式の露光装置以外にステップ・アンド・リピート方式の露光装置（所謂、ステッパ）であっても良い。尚、以下の説明においては、図中に示したＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。ＸＹＺ直交座標系は、Ｙ軸及びＺ軸が紙面に対して平行となるように設定され、Ｘ軸が紙面に対して垂直となる方向に設定されている。図中のＸＹＺ直交座標系は、実際にはＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直上方向に設定される。Ｙ軸に沿う方向がスキャン（走査）方向である。
【００４８】
図３において、５１は露光光源であり、この露光光源５１は、断面が略長方形状の平行光束である露光光ＩＬを射出するＡｒＦエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）である。この露光光源５１としては、これ以外に、例えばｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を射出する超高圧水銀ランプ、又はＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（波長１４６ｎｍ）、ＹＡＧレーザの高周波発生装置、若しくは半導体レーザの高周波発生装置を用いることができる。
【００４９】
露光光源５１からの波長１９３ｎｍの紫外パルスよりなる露光光ＩＬ（露光ビーム）は、ビームマッチングユニット（ＢＭＵ）５２を通り、光アッテネータとしての可変減光器５３に入射する。ウエハＷ上のフォトレジストに対する露光量を制御するための露光制御ユニット７３が、露光光源５１の発光の開始及び停止、並びに出力（発振周波数、パルスエネルギー）を制御すると共に、可変減光器５３における減光率を段階的、又は連続的に調整する。
【００５０】
可変減光器５３を通った露光光ＩＬは、レンズ系５４ａ，５４ｂよりなるビーム成形系５５を経て第１段のオプティカル・インテグレータ（ユニフォマイザ、又はホモジナイザ）としての第１フライアイレンズ５６に入射する。この第１フライアイレンズ５６から射出された露光光ＩＬは、第１レンズ系５７ａ、光路折り曲げ用のミラー５８、及び第２レンズ系５７ｂを介して第２段のオプティカル・インテグレータとしての第２フライアイレンズ５９に入射する。
【００５１】
第２フライアイレンズ５９の射出面、即ちレチクルＲのパターン面に対する光学的なフーリエ変換面（照明系の瞳面）には開口絞り板６０が、駆動モータ６０ａによって回転自在に配置されている。開口絞り板６０には、通常照明用の円形の開口絞り、輪帯照明用の開口絞り、及び複数（例えば４極）の偏心した小開口よりなる変形照明用の開口絞りや小さいコヒーレンスファクタ（σ値）用の小円形の開口絞り等が切り換え自在に配置されている。露光装置３０の全体の動作を統括制御する主制御系７４が駆動モータ６０ａを介して開口絞り板６０を回転して、照明条件を設定する。
【００５２】
第２フライアイレンズ５９から射出されて開口絞り板６０に形成された何れかの開口絞りを通過した露光光ＩＬは、透過率が高く反射率が低いビームスプリッタ６１に入射する。ビームスプリッタ６１で反射された露光光は、集光用のレンズ７１を介して光電検出器よりなるインテグレータセンサ７２に入射し、インテグレータセンサ７２の検出信号は露光制御ユニット７３に供始されている。インテグレータセンサ７２の検出信号とウエハＷ上での露光光ＩＬの照度との関係は予め高精度に計測されて、露光制御ユニット７３内のメモリに記憶されている。露光制御ユニット７３は、インテグレータセンサ７２の検出信号より間接的にウエハＷに対する露光光ＩＬの照度（平均値）、及びその積分値をモニタできるように構成されている。
【００５３】
ビームスプリッタ６１を透過した露光光ＩＬは、光軸ＩＡＸに沿ってレンズ系６２，６３を順次経て、固定ブラインド（固定照明視野絞り）６４及び可動ブラインド（可動照明視野絞り）６５に入射する。後者の可動ブラインド６５はレチクル面に対する共役面に設置され、前者の固定ブラインド６４はその共役面から所定量だけデフォーカスした面に配置されている。固定ブラインド６４は、投影光学系ＰＬの円形視野内の中央で走査露光方向と直交した方向に直線スリット状、又は矩形状（以下、まとめて「スリット状」という）に伸びるように配置された開口部を有する。
【００５４】
固定ブラインド６４及び可動ブラインド６５を通過した露光光ＩＬは、光路折り曲げ用のミラー６６、結像用のレンズ系６７、コンデンサレンズ６８、及び主コンデンサレンズ系６９を介して、マスクとしてのレチクルＲのパターン面（下面）の照明領域（照明視野領域）ＩＡを照明する。尚、上記ＢＭＵ５２〜主コンデンサレンズ６９は照明光学系ＩＳを構成する。露光光ＩＬのもとで、レチクルＲの照明領域ＩＡ内の回路パターンの像が両側テレセントリックな投影光学系ＰＬを介して所定の投影倍率β（βは例えば１／４又は１／５等）で、投影光学系ＰＬの結像面に配置されたウエハＷ上のフォトレジスト層のスリット状の露光領域に転写される。
【００５５】
レチクルＲは、レチクルステージ８１上に吸着保持され、レチクルステージ８１は、レチクルベース８２上でＹ方向に等速移動できると共に、Ｘ方向、Ｙ方向、回転方向に傾斜できるように載置されている。レチクルステージ８１（レチクルＲ）の２次元的な位置及び回転角は駆動制御ユニット８３内のレーザ干渉計によってリアルタイムに計測されている。この計測結果、及び主制御系７４からの制御情報に基づいて、駆動制御ユニット８３内の駆動モータ（リニアモータやボイスコイルモータ等）は、レチクルステージ８１の走査速度、及び位置の制御を行う。
【００５６】
一方、ウエハＷは、ウエハホルダ８４を介してウエハステージ８５上に吸着保持され、ウエハステージ８５は、ウエハベース８６上で投影光学系ＰＬの像面と平行なＸＹ平面に沿って２次元移動する。即ち、ウエハステージ８５は、ウエハベース８６上でＹ方向に一定速度で移動すると共に、Ｘ方向、Ｙ方向にステップ移動する。更に、ウエハステージ８５には、ウエハＷのＺ方向の位置（フォーカス位置）、並びにＸ軸及びＹ軸の回りの傾斜角を制御するＺレベリング機構も組み込まれている。
【００５７】
ウエハステージ８５のＸ方向、Ｙ方向の位置、及びＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の回りの回転角は駆動制御ユニット８７内のレーザ干渉計によってリアルタイムに計測されている。この計測結果及び主制御系７４からの制御情報に基づいて、駆動制御ユニット８７内の駆動モータ（リニアモータ等）は、ウエハステージ８５の走査速度、及び位置の制御を行う。また、ウエハステージ８５上の一端には、投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上の露光領域に照射される露光光ＩＬの照度（光量）を検出する照度センサ８８が固定されている。
【００５８】
この照度センサ８８は、例えばピンホールセンサが形成された筐体を有し、このピンホールの形成位置に受光素子の受光面が配置されたセンサであり、ピンホールを介して入射する露光光ＩＬの照度（光量）を検出する。照度センサ８８の検出信号は露光制御ユニット７３に供給されている。ウエハステージ８５上に露光光ＩＬが照射されている状態で、照度センサ８８を露光領域内で移動させることにより、露光光ＩＬの照度むら（光量むら）及び積算光量むらを計測することができる。更に、照度センサ８８をＺ方向に移動させつつ露光光ＩＬの照度を検出することで、投影光学系ＰＬの像面位置（ベストフォーカス位置）を求めることもできる。照度センサ８８を用いた照度、照度むら、及び積算光量むらの測定、並びにベストフォーカス位置の測定は、定期的に又は不定期に実行される。
【００５９】
更に、ウエハステージ８５上の一端には、ウエハステージ８５の基準位置を定める基準部材８９が設けられている。この基準部材８９は、ウエハステージ８５の座標系に対するレチクルＲの相対的な位置及びベースライン量を計測するために用いられる。ここで、ベースライン量とは、例えばレチクルＲに形成されたパターンの投影光学系ＰＬによる投影像の中心位置と後述するウエハ・アライメントセンサ９２の計測視野中心との距離をいう。この基準部材８９には基準マークとして、例えば光透過性の５組のＬ字状パターンから成るスリットパターンと、光反射性のクロムで形成された２組の基準パターン（デューティ比は１：１）とが設けられている。
【００６０】
また、投影光学系ＰＬの側面に、ウエハＷの表面（被検面）の複数の計測点に斜めにスリット像を投影する投射光学系９０ａと、その被検面からの反射光を受光してそれらの複数の計測点のフォーカス位置に対応するフォ−カス信号を生成する受光光学系９０ｂとからなる多点のオートフォーカスセンサも設けられており、それらのフォ−カス信号が主制御系７４に供給されている。投影光学系ＰＬの像面に対するウエハＷの位置ずれであるフォーカス誤差は、上記の照度センサ８８を用いて測定したベストフォーカス位置と、オートフォーカスセンサによって計測される像面位置との差から求められる。
【００６１】
つまり、オートフォーカスセンサは投影光学系ＰＬの像面とウエハＷの表面とが一致している状態において得られる検出結果が零点に設定されている。このため、投影光学系ＰＬの像面の位置又はオートフォーカスセンサ内に設けられる光学部品又はこの部品を保持する機械的な機構が環境変動の影響を受けると、実際にはウエハＷの表面が投影光学系ＰＬの像面に配置されていても、オートフォーカスセンサの検出結果が零点に一致せず、計測誤差が生じた状態になる。ウエハＷのＺ方向の位置はオートフォーカスセンサの検出結果に基づいて制御されるため、オートフォーカスセンサの計測誤差が露光時におけるフォーカス誤差の原因となる。従って、照度センサ８８を用いて測定したベストフォーカス位置とオートフォーカスセンサによって計測される像面位置との差を求めればフォーカス誤差を求めることができる。
【００６２】
また、走査露光を行う際には、予めレチクルＲとウエハＷとのアライメントを行っておく必要がある。そのため、レチクルステージ８１の上方にはレチクルＲのアライメントマーク（レチクルマーク）の位置を計測するＶＲＡ（Ｖｉｓｕａｌ  Ｒｅｔｉｃｌｅ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式のレチクル・アライメントセンサ９１が設置されている。更に、ウエハＷ上のアライメントマーク（ウエハマーク）の位置を計測するために、投影光学系ＰＬの側面にオフ・アクシスで画像処理方式（ＦＩＡ方式：Ｆｌｅｌｄ  Ｉｍａｇｅ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  方式）のウエハ・アライメントセンサ９２が設置されている。ウエハ・アライメントセンサ９２は、例えばハロゲンランプ等からの比較的広い波長域の照明光でウエハＷ上のアライメントマークを照明してＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）等の撮像素子でその像を撮像するものである。ウエハ・アライメントセンサ９２で得られた画像信号は主制御系７４に供給されて画像処理が施され、位置情報が計測される。
【００６３】
主制御系７４は、図２に示した制御コンピュータ３２に設けられており、ウエハＷ上の各ショット領域のフォトレジストを適正露光量で走査露光するための各種露光条件を露光データファイルより読み出して、露光制御ユニット７３とも連携して最適な露光シーケンスを実行する。露光処理に先だって、主制御系７４はオートフォーカスセンサの検出結果に基づいてウエハＷの光軸ＡＸ方向の位置及び姿勢を調整した上で、ウエハ・アライメントセンサ９２を用いてウエハＷ上に形成されたアライメントマークの内から予め定めた所定数（３〜９個）のアライメントマークの位置情報を計測する。そして、計測された位置情報を用いてＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメント）演算といわれる統計演算を行ってウエハＷ上に設定された全てのショット領域の配列を求める。
【００６４】
露光処理が開始されると、主制御系７４は、レチクルステージ８１及びウエハステージ８５のそれぞれの移動位置、移動速度、移動加速度、位置オフセット等の各種情報を駆動制御ユニット８３，８７に送る。これにより、レチクルステージ８１及びウエハステージ８５の加速が開始される。また、主制御系７４は露光制御ユニット７３に対しても走査露光開始指令を発する。レチクルステージ８１及びウエハステージ８５の加速が終了して速度が一定になると、露光制御ユニット７３は露光光源５１の発光を開始すると共に、インテグレータセンサ７２を介してウエハＷに対する露光光ＩＬの照度（単位時間当たりのパルスエネルギーの和）の積分値を算出する。その積分値は走査露光開始時に０にリセットされている。
【００６５】
走査露光中は、レチクルステージ８１を介して露光光ＩＬの照明領域ＩＡに対してレチクルＲが＋Ｙ方向（又は−Ｙ方向）に速度Ｖｒで走査されるのに同期して、ウエハステージ８５を介してレチクルＲのパターン像の露光領域に対してウエハＷが−Ｙ方向（又は＋Ｙ方向）に速度α・Ｖｒ（αはレチクルＲからウエハＷへの投影倍率）で走査される。レチクルＲとウエハＷとの移動方向が逆であるのは、本例の投影光学系ＰＬが反転投影を行うためである。また、走査露光中においても、オートフォーカスセンサの検出結果に基づいて、ウエハＷの姿勢制御が行われる。
【００６６】
また、走査露光中は、露光制御ユニット７３において、露光光ＩＬの照度の積分値が逐次算出され、この結果に応じて、走査露光後のウエハＷ上のフォトレジストの各点で適正露光量が得られるように、露光光源５１の出力（発振周波数、及びパルスエネルギー）及び可変減光器５３の減光率を制御する。そして、当該ショット領域への走査露光の終了時に、露光光源５１の発光が停止される。この動作が繰り返されることにより、ウエハＷ上に設定された複数のショット領域に対して露光処理が行われる。
【００６７】
主制御系７４には、半導体メモリ又はハードディスク等の記憶装置が設けられており、インテグレータセンサ７２の検出結果を示すデータ、照度センサ８８を用いて計測して得られた照度、照度むら、及び積算光量むらを示すデータ、レチクルステージ８１とウエハステージ８５との同期誤差を示すデータ、オートフォーカスセンサで得られた投影光学系ＰＬの像面に対するウエハＷの位置ずれ量（フォーカス誤差）を示すデータ等の各種データが装置データとして一定期間記憶される。主制御系７４は、図１に示す保守管理サーバ１３からデータの送信要求があったときに、一時的に記憶した装置データを読み出して、内部ネットワークＬＮ１を介して保守管理サーバ１３へ出力する。
【００６８】
次に、図１中の基板処理工場１０内に設けられる保守管理サーバ１３について説明する。図４は、保守管理サーバ１３に設けられる機能を示す機能ブロック図である。図４に示す通り、保守管理サーバ１３は、データ収集部１０１、装置状態予測部１０２、比較部１０３、制御コマンド出力部１０４、表示部１０５、メール送信部１０６、関係式更新部１０７、及び記憶部１０８を含んで構成される。
【００６９】
上記記憶部１０８は、図４に示す通り、関係式Ｆｍと変動閾値Ｔｈを記憶する。関係式Ｆｍは、環境の変動と各基板処理装置１１の装置状態の変動との相関関係を示す関係式である。この関係式Ｆｍは、基板処理装置１１に設けられる各種センサ（図２に代表的に示すセンサＤＴ１〜ＤＴ３）から得られる検出データを説明変数とし、基板処理装置１１の装置状態を目的変数とした重回帰式である。尚、本実施形態では、目的変数とする基板処理装置１１の装置状態が、図３に示す露光装置３０に設けられる投影光学系ＰＬの像面に対するウエハＷの位置ずれ（フォーカス誤差）である場合を例に挙げて説明する。
【００７０】
ここで、ｎ（ｎは自然数）個の説明変数をＸ１〜Ｘｎとし、目的変数をＹとすると、重回帰式は以下の（１）式で表される。
【００７１】
【数１】
2005136326.tif 000003
【００７２】
上記（１）式において、β０は定数項であり、β１〜βｎは回帰係数である。上記の関係式Ｆｍとして記憶されるのは、上記（１）に示す定数項β０及び回帰係数β１〜βｎの値である。尚、定数項β０及び回帰係数β１〜βｎの求め方については後述する。また、本実施形態では基板処理装置１１に設けられる各種センサから得られる検出データを説明変数としているため、上記（１）式中のｎはセンサの数以下の数である。
【００７３】
変動閾値Ｔｈは、基板処理装置１１の装置状態の変動に対する許容値であり、例えば基板処理装置１１の設置時に、図１に示す基板処理工場１０内に設けられた端末装置１４からサービスマンによって入力される。本実施形態においては、目的変数とする基板処理装置１１の装置状態がフォーカス誤差である場合を挙げているため、許容されるフォーカス変動量を示す数値が変動閾値Ｔｈとして記憶される。許容されるフォーカス変動量は、投影光学系ＰＬの焦点深度、露光されるパターンの線幅、レジストプロセス等によって種々の値を取り得るが、概ね数十ｎｍ〜数μｍ程度の値である。
【００７４】
保守管理サーバ１３に設けられるデータ収集部１０１は、基板処理工場１０内に設けられた基板処理装置１１の各々に対して各種センサの検出データ又は装置状態を示す装置データの送信要求を送出し、この送信要求に応答して送られてくる検出データ又は装置データを収集して一定期間記憶する。検出データ及び装置データの送信要求は所定の期間（例えば、数時間、一日、又は数日単位）毎に行われる。尚、基板処理装置１１に設けられた各種センサの検出データ及び装置状態を示す装置データは、図２に示す制御コンピュータ３２（図３に示す主制御系７４）に記録されるため、長期（例えば、数ヶ月）に亘るデータを一度に収集するようにしても良い。
【００７５】
装置状態予測部１０２は、データ収集部１０１が収集した検出データと記憶部１０８に記憶された関係式Ｆｍとを用いて装置状態の１つであるフォーカス誤差を予測する。具体的には、以下の（２）式を用いてフォーカス誤差の予測値Ｙ＾を得る。尚、本明細書においては、表記の都合上記号「Ｙ」の上部にハット記号「＾」が付された記号を「Ｙ＾」と表示する。
【００７６】
【数２】
2005136326.tif 000004
【００７７】
上記（２）式中の定数項β０及び回帰係数β１〜βｎは、関係式Ｆｍとして記憶部１０８に記憶されているため、検出データを説明変数Ｘ１〜Ｘｎとして上記（２）式に代入すれば、フォーカス誤差の予測値Ｙ＾が得られる。
【００７８】
比較部１０３は、装置状態予測部１０２から出力される予測値（フォーカス誤差の予測値Ｙ＾）と、記憶部１０８に記憶されている変動閾値Ｔｈとを比較し、予測値Ｙ＾が変動閾値Ｔｈを越えているか否かを判断する。制御コマンド出力部１０４は、比較部１０３において、フォーカス誤差の予測値Ｙ＾が変動閾値Ｔｈを越えていると判断された場合に、かかる判断がされた基板処理装置１１に対して装置状態を調整させる制御コマンドを内部ネットワークＬＮ１を介して出力する。この制御コマンドは、具体的にはフォーカス誤差を小さくするためにオートフォーカスセンサの較正（キャリブレーション）を実行させるコマンドである。
【００７９】
表示部１０５は、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）又は液晶表示素子等の表示装置を備えており、比較部１０３の判断結果に基づいて、装置状態予測部１０２の予測結果をハイライト表示する等の警告表示を行い、オペレータにその旨を通知する。メール送信部１０６は、比較部１０３の判断結果に基づいて、基板処理工場１０及び基板処理装置１１を特定する情報とともに装置状態予測部１０２の予測結果を含む保守データを管理センター２０に通知するメールを作成して送信する。
【００８０】
装置状態の１つであるフォーカス誤差はオートフォーカスセンサのキャリブレーションを行うことによって基板処理装置１１自らが小さくすることができるが、装置状態の種類によっては、サービスマンによるメンテナンスが必要になる場合がある。かかる場合に、メール送信部１０６が保守データをメール形式で送信することにより、サービスマンによる対処が可能になる。関係式更新部１０７は、環境の変動と装置状態の変動との相関関係が変化した場合に、両者の相関関係を定期的に調査して、記憶部１０８に記憶された関係式Ｆｍを更新する。
【００８１】
ここで、（１）式に示す回帰式中の定数項β０及び回帰係数β１〜βｎを得る方法について説明する。まず、基板処理装置１１に設けられる各種センサの検出データと、その検出データが得られたときのフォーカス誤差の計測結果とを数ヶ月間に亘って得る。次に、得られた検出データ及びフォーカス誤差の計測結果をそれぞれ説明変数Ｘ１〜Ｘｎ及び目的変数Ｙとして上記（１）式に代入して複数の関係式を求める。
【００８２】
いま、検出データとフォーカス誤差の計測結果とがｋ（ｋは自然数）組あるとすると、ｋ個の関係式が得られる。これらｋ個の関係式の内のｉ（ｉは１≦ｉ≦ｋを満たす整数）番目の式は、以下の（３）式で表される。尚、下記（３）式において、例えばＸｉ１なる項は第ｉ番目の説明変数Ｘ１を表しており、あるセンサで得られたｉ番目の検出データを示している。
【００８３】
【数３】
2005136326.tif 000005
【００８４】
定数項β０及び回帰係数β１〜βｎは、上記（３）式に示される関係式に対して、最小二乗法を用いて以下の（４）式に示すように最も残差が少なくなるような定数項β０及び回帰係数β１〜βｎの組み合わせを求めることで得られる。
【００８５】
【数４】
2005136326.tif 000006
【００８６】
また、環境の変動を示す検出データと、基板処理装置１１の装置状態の１つであるフォーカス誤差との相関関係は、重回帰分析を行うことにより調査することができる。この重回帰分析においては、全体寄与率（重相関係数の２乗）Ｒ２、部分寄与率（自由度調整済みの重相関係数の２乗）Ｒ２＊、Ｆ値、及び危険率が用いられる。上記全体寄与率Ｒ２は、以下の（５）式に示す通り、全体の平方和Ｓｔと残差の平方和Ｓｅとを用いて表され、目的変数Ｙの全変動のうち、回帰によって説明できる割合を示すものである。尚、以下の（５）式において、記号「Ｙｉ」の上部にバー記号「￣」が付された記号は、目的変数Ｙ１〜Ｙｋの平均値を示す。
【００８７】
【数５】
2005136326.tif 000007
【００８８】
また、説明変数Ｘ１〜Ｘｎの数を増やすと、数の増加につれて寄与率は値「１」に近づく変化を示すため、寄与率が高くなった原因が追加された説明変数の効果であるのか否かが分からなくなる。部分寄与率Ｒ２＊は、説明変数Ｘ１〜Ｘｎ各々の寄与率を示すものであり、以下の（６）式に示す通り、全体の平均平方ＭＳｔと残差の平均平方ＭＳｅとを用いて表される。尚、以下の（６）式において、ｎは標本数であり、ｐは説明変数の個数であって回帰の自由度を示し、（ｎ−ｐ−１）は残差の自由度を示している。
【００８９】
【数６】
2005136326.tif 000008
【００９０】
Ｆ値は、環境の変動を示す検出データと、基板処理装置１１の装置状態の１つであるフォーカス誤差との相関関係が認められるか否かの判断を行うために用いられるものである。このＦ値は、以下の（７）式に示す通り残差の平均平方ＭＳｅと回帰の平均平方ＭＳｒとを用いて表される。
【００９１】
【数７】
2005136326.tif 000009
【００９２】
図５は、重回帰分析の結果の一例を示す図である。図５において、「センサ番号」は基板処理装置１１に設けられた各種センサに付された番号である。これらのセンサには、例えばクリーンルームの気温、露光装置３０のチャンバ内の湿度、及びチャンバ内の大気圧等を計測するためのセンサが含まれている。尚、図５に示す例において、重回帰分析を行う際に、センサ番号Ｘ１〜Ｘ１６が付された１６個のセンサの検出データを用いたが、センサ番号Ｘ７，Ｘ１３のセンサの検出結果は回帰分析に役立たないため説明変数から除外している。
【００９３】
図５に示す通り、各センサで検出される環境の変動が目的変数Ｙであるフォーカス誤差の変動に寄与する部分寄与率及び全体寄与率、Ｆ値及び危険率（有意確率）が求められている。尚、図５においては、全体寄与率に基づいて値の大きな順に各項目の並べ替えを行って図示している。部分寄与率に着目すると、Ｆ値が最も大きなセンサ番号Ｘ１５で検出される環境変動の部分寄与率が他よりも抜きん出て大きく、以下並べ替えの順にほぼ値が小さくなることが分かる。
【００９４】
関係式更新部１０７は、得られた重回帰分析結果からＦ値の大きなセンサ番号が付されたセンサの検出データのみを用いて関係式Ｆｍを作成し、又は関係式Ｆｍを更新する。図５に示す例では、例えばＦ値が大きなセンサ番号Ｘ１５，Ｘ１，Ｘ１６，Ｘ６，Ｘ８，Ｘ１１，Ｘ１０，Ｘ９，Ｘ１４，Ｘ５が付された１０個のセンサの検出データのみを用いる。但し、これらの検出データのうち、経時変化がほぼ等しい検出データ（相関が高い検出データ）が複数ある場合には、これらのうちの１つの検出データのみを用いる。図５に示す例においては、センサ番号Ｘ６，Ｘ８が付されたセンサから得られた検出データの相関が高く、センサ番号Ｘ１０，Ｘ９が付されたセンサから得られた検出データの相関が高いため、センサ番号Ｘ６，Ｘ１０が付されたセンサの検出データを除いてセンサ番号Ｘ８，Ｘ９が付されたセンサの検出データを用いている。
【００９５】
このようにして、フォーカス誤差を求める上で有用なＦ値が大きなセンサ番号Ｘ１，Ｘ５，Ｘ８，Ｘ９，Ｘ１１，Ｘ１４，Ｘ１５，Ｘ１６が付された８個のセンサの検出データのみを用いて関係式Ｆｍを作成し、又は関係式Ｆｍを更新する。関係式Ｆｍの作成及び更新は、まず上記の（１）式に、８個のセンサの検出データ及びフォーカス誤差の計測結果をそれぞれ説明変数Ｘ１〜Ｘｎ及び目的変数Ｙとして代入して（３）式を得る。次に、この（３）式に示される関係式に対して、最小二乗法を用いて上記の（４）式に示すように最も残差が少なくなるような定数項β０及び回帰係数β１〜βｎの組み合わせを求めることで得られる。
【００９６】
尚、図５に示す重回帰分析を行った検出データから、センサ番号Ｘ１，Ｘ５，Ｘ８，Ｘ９，Ｘ１１，Ｘ１４，Ｘ１５，Ｘ１６が付された８個のセンサの検出データのみを用いて得られた全体寄与率Ｒ２として、０．８２２４が得られた。従って、各種センサの検出データからフォーカス変動を予測するために作成した関係式Ｆｍは、予測に有用であることが分かる。
【００９７】
次に、この基板処理システムの動作について説明する。図６は、保守管理サーバ１３の動作を示すフローチャートである。尚、以下の説明においては、環境の変動を示すセンサＤＴ１〜ＤＴ３の検出データと、基板処理装置１１の装置状態の１つであるフォーカス誤差との相関関係を示す関係式Ｆｍが既に求められており、保守管理サーバ１３の記憶部１０８に記憶されるものとする。
【００９８】
基板処理装置１１に設けられる制御コンピュータ３２（露光装置３０に設けられる主制御系７４を含む）は、定期的に基板処理装置１１に設けられたセンサＤＴ１〜ＤＴ３から出力される検出信号をサンプリングして検出データとして不図示の記憶装置に記憶している。検出データの収集時期が到来すると、保守管理サーバ１３のデータ収集部１０１は、各基板処理装置１１に対して検出データの送信要求を送出する。この送信要求は、ネットワークＬＮ１を介して各基板処理装置１１に送信される。
【００９９】
この送信要求に基づいて、各基板処理装置１１に設けられた制御コンピュータ３２（主制御系７４）は、不図示の記憶装置に記憶した検出データを読み出して内部ネットワークＬＮ１を介して保守管理サーバ１３へ送信する。このようにして、装置データ収集部１０１は基板処理装置１１の各々から検出データの収集を行う（ステップＳ１）。検出データが収集されると、収集された検出データは装置状態予測部１０２へ出力される。装置状態予測部１０２はデータ収集部１０１が収集した検出データと記憶部１０８に記憶された関係式Ｆｍとを用いて、基板処理装置１１毎に装置状態の１つであるフォーカス誤差を予測する（ステップＳ２）。具体的には、収集された検出データを説明変数Ｘ１〜Ｘｎとして前述した（２）式に代入して予測値ｙ＾（フォーカス誤差の予測値）を得る。
【０１００】
装置状態予測部１０２で得られた基板処理装置１１毎の予測値ｙ＾は比較部１０３へ出力され、比較部１０３において変動閾値Ｔｈとの比較が行われ、予測値ｙ＾が変動閾値Ｔｈを越えているか否かが判断される（ステップＳ３）。全ての基板処理装置１１に対する予測値ｙ＾が変動閾値Ｔｈを越えていない場合には、判断結果が「ＮＯ」となり、今回の処理は終了する。
【０１０１】
一方、基板処理装置１１毎の予測値ｙ＾のうち、予測値ｙ＾が変動閾値Ｔｈを越えているものがあった場合には、判断結果が「ＹＥＳ」となり、その旨を示す情報及び基板処理装置１１を特定する装置情報が比較部１０４から制御コマンド出力部１０４へ出力される。これらの情報が入力されると、制御コマンド出力部１０４は装置情報で特定される基板処理装置１１に対して装置状態（フォーカス誤差）を調整させる制御コマンドを内部ネットワークＬＮ１を介して出力する（ステップＳ４）。
【０１０２】
制御コマンドが送られてくると、その基板処理装置１１に設けられた制御コンピュータ３２（主制御系７４）は、フォーカス誤差を調整するために、オートフォーカスセンサのキャリブレーション機能を起動してキャリブレーションを行う。このようにして、基板処理装置１１の装置状態が予測され、この予測結果に基づいてオートフォーカスセンサのキャリブレーションが行われる。
【０１０３】
図７は、フォーカス誤差の実測値及び予測値の一例を示す図である。図７に示すグラフにおいては、横軸に時間をとり、縦軸にフォーカス誤差をとって図示している。尚、横軸の時間は数ヶ月のスケールである。図７中においては実測値を実線で結び、予測値を点線で結んだ折れ線グラフとして実測値及び予測値をそれぞれ図示している。図７を参照すると、予測値が実測値とほぼ一致しているため、本発明による環境変動から装置状態を予測する方法は有効であることが分かる。上記実施形態においては、オートフォーカスのキャリブレーションを行ってフォーカス誤差を調整していたが、予測精度が高ければキャリブレーションを実行せずに、予測値に基づいて直接フォーカス誤差を調整しても良い。
【０１０４】
図６に戻って保守管理サーバ１３の動作の説明を続ける。データ収集部１０１はオートフォーカスセンサのキャリブレーション結果（装置データ）を送信するよう基板処理装置１１に対して要求する。この送信要求に応じて、基板処理装置１１は装置データを内部ネットワークＬＮ１を介して保守管理サーバ１３へ送信する。このようにして、装置データ収集部１０１は基板処理装置１１から装置データの収集を行う（ステップＳ５）。収集された装置データは、先に収集した検出データと共に関係式更新部１０７に送られ、最新の検出データと装置データとに基づいて前述した重回帰分析を行う（ステップＳ６）。その結果、環境の変動と装置状態の変動との相関関係が変化したと判断した場合には、関係式更新部１０７は関係式Ｆｍを更新し、新たな関係式Ｆｍを記憶部１０８に記憶される（ステップＳ８）。
【０１０５】
以上の処理によって、基板処理装置１１が備える露光装置３０のフォーカス誤差を一定以下に保つことができ、装置状態の安定性を向上させることができる。これによって、微細なパターンをウエハ上に安定して形成することができ、所期の性能を有するデバイスを高い歩留まりで製造することができる。また、オートフォーカスのキャリブレーションは必要な時（フォーカス誤差が閾値を越えて大きくなったとき）のみに行われるため、従来は必ずロットの先頭で行われていたキャリブレーションを大幅に省略することができ、スループット（単位時間に処理することができるウエハＷの数）を向上させることもできる。
【０１０６】
尚、以上の説明においては、装置状態としてキャリブレーションにより自動的に調整することができるフォーカス誤差を例に挙げて説明したが、装置状態を改善するためにオペレータの操作が必要なものである場合には、ステップＳ４において、予測値ｙ＾が変動閾値Ｔｈを越えたものがあった旨を示す情報が比較部１０３から出力されるとともに、装置状態予測部１０２の予測結果が表示部１０５に出力され、例えば表示状態予測部１０２の予測結果をハイライト表示する等の警告表示が行われる。
【０１０７】
また、予測した装置状態が、装置状態を改善するためにはサービスマンのメンテナンスが必要なものである場合には、ステップＳ４において、予測値ｙ＾が変動閾値Ｔｈを越えたものがあった旨を示す情報が比較部１０３から出力されるとともに、装置状態予測部１０２の予測結果がメール送信部１０６に出力され、基板処理工場１０及び基板処理装置１１を特定するデータとともに保守データとしてネットワークＮを介して管理センター２０へメールで送信される。管理センター２０のサービスマンは、この保守データの内容に応じて、保守データに含まれるデータにより特定される基板処理装置１１の保守作業を行い、装置状態を改善する。
【０１０８】
また、上記実施形態においてはステップＳ３において予測値 ｙ＾が変動閾値Ｔｈを超えている場合に関係式Ｆｍの更新を行うシーケンスについて説明したが、予測値ｙ＾が変動閾値Ｔｈを超えていない場合であっても定期的に関係式の更新の要否を判断するのが望ましい。露光装置３０においては定期的に（例えば１日に１度）フォーカス誤差等の測定が行われている。保守管理サーバ１３は、上記測定と同時にステップＳ１およびステップＳ５〜Ｓ８を実行して関係式Ｆｍの更新の要否を確認し、必要に応じて関係式Ｆｍを更新すればよい。これによって信頼性の高い関係式Ｆｍで常に予測値ｙ＾を算出することができ、予測精度を向上することができる。
【０１０９】
更に、上記実施形態においては、内部ネットワークＬＮ１に接続された保守管理サーバ１３が各基板処理装置１１から検出データを収集して基板処理装置１１の装置状態を予測するようにしていた。しかしながら、保守管理サーバ１３の機能を各基板処理装置１１の制御コンピュータ３２内に設けて、基板処理装置１１単独で装置状態を予測して装置状態が悪化した場合には装置状態を調整するようにしても良い。
【０１１０】
以上説明した実施形態では、フォーカス変動を装置状態の一例として挙げ、フォーカス変動を予測して調整する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、予測対象とする装置状態は、フォーカス誤差以外に、露光装置３０で用いられる露光光の露光量、ウエハ・アライメントセンサ９２のフォーカス誤差、ベースライン量、ウエハ・アライメントセンサ９２の計測結果からＥＧＡ演算を行って得られるウエハＷの倍率及びショット領域の倍率、並びにレチクル・アライメントセンサ８１及びウエハ・アライメントセンサ９２のテレセントリシティーの崩れ等の種々のものがあり得る。
【０１１１】
また、上記実施形態においては、基板処理装置１１の内部及び外部に気温、湿度、及び大気圧を計測するセンサを設けた場合を例に挙げて説明した。しかしながら、これら以外に、空気中の各種不純物濃度を検出するセンサを設けて、このセンサの検出結果を説明変数Ｘ１〜Ｘｎの１つ又は複数として用いても良い。更に、国際公開第ＷＯ９９／４９５０４号パンフレット等に開示された液浸式の露光装置の場合には、投影光学系とウエハとの間の空間に供給する液体の液温、液圧、比抵抗、並びに液体中の不純物濃度及びｐＨをそれぞれ検出するセンサを設けて、これらのセンサの検出結果を説明変数Ｘ１〜Ｘｎの１つ又は複数として用いても良い。
【０１１２】
次に、本発明の実施形態に係るデバイスの製造について説明する。図８は、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造工程の一例を示すフローチャートである。図８に示されるように、まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、デバイスの機能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
【０１１３】
次に、ステップＳ１３（ウエハプロセスステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、リソグラフィ技術によってマスクに形成されたパターンをウエハ上に転写する露光処理、露光処理を終えたウエハを現像する現像処理、現像処理を終えたウエハに対して、例えばエッチングを行う基板処理等の処理を行って、ウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（組立ステップ）において、ステップＳ１３において処理されたウエハを用いてチップ化する。このステップＳ１４には、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程が含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。
【０１１４】
尚、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【０１１５】
例えば、図４に示す保守管理サーバ１３の各ブロックの機能をハードウェアで構成することも可能であり、ソフトウェアで実現することも可能である。ソフトウェアで実現する場合には、保守管理サーバ１３のハードウェア構成を、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、通信インタフェース、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク等の外部記憶装置等から構成し、上述した処理を行うプログラムを保守管理サーバ１３に読み込ませて、そのプログラムを実行させることにより実現される。
【０１１６】
更に、上記実施形態では、制御コンピュータ３２（主制御系７４）にキャリブレーション機能を設けて、保守管理サーバ１３から制御コマンドを受信した場合に、キャリブレーション機能を起動してキャリブレーションを行うようにしていた。しかしながら、保守管理サーバ１３が基板処理装置１１を制御する機能を設けて、保守管理サーバ１３が基板処理装置１１を制御することで、キャリブレーション等の処理を行うようにしても良い。
【０１１７】
また、上記実施形態では、露光装置３０が露光光ＩＬとしてＡｒＦエキシマレーザ等から射出されるレーザ光を用いていたが、レーザプラズマ光源、又はＳＯＲから発生する軟Ｘ線領域、例えば波長１３．４ｎｍ、又は１１．５ｎｍのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光を用いるようにしてもよい。さらに、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いてもよい。また、投影光学系ＰＬは、反射光学系、屈折光学系、及び反射屈折光学系のいずれを用いてもよい。
【０１１８】
また、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザを、例えばエルビウム（又はエルビウムとイットリビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いてもよい。
【０１１９】
さらに、基板処理装置１１は、半導体素子の製造に用いられるデバイスパターンをウエハＷ上に転写する露光装置だけでなく、液晶表示素子などを含むディスプレイの製造に用いられるデバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられるデバイスパターンをセラミック露光光上に転写する露光装置、撮像素子（ＣＣＤなど）、マイクロマシン、及びＤＮＡチップなどの製造に用いられる露光装置等を備えていても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の実施形態に係る装置状態予測装置を備える基板処理システムの全体構成を示すブロック図である。
【図２】基板処理装置の概略構成を示す上面図である。
【図３】基板処理装置が備える露光装置の構成を示す図である。
【図４】保守管理サーバに設けられる機能を示す機能ブロック図である。
【図５】重回帰分析の結果の一例を示す図である。
【図６】保守管理サーバの動作を示すフローチャートである。
【図７】フォーカス誤差の実測値及び予測値の一例を示す図である。
【図８】デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１２１】
１１…基板処理装置
１３…保守管理サーバ（装置状態予測装置）
３０…露光装置（基板処理装置）
３２…制御コンピュータ（制御手段）
７４…主制御系（記憶手段、予測手段、実行手段）
１０１…データ収集部（環境情報収集手段）
１０２…装置状態予測部（予測手段）
１０４…制御コマンド出力部（調整手段）
１０５…表示部（警告手段）
１０６…メール送信部（警告手段）
１０７…関係式更新部（更新手段）
１０８…記憶部（記憶手段）
ＤＴ１…センサ（環境情報収集手段、内部環境検出手段、環境計測手段）
ＤＴ２…センサ（環境情報収集手段、外部環境検出手段、環境計測手段）
ＤＴ３…センサ（環境情報収集手段、構造部温度検出手段、環境計測手段）
Ｆｍ…関係式
ＬＮ１…内部ネットワーク（ネットワーク）
Ｒ…レチクル（マスク）
Ｔｈ…動閾値（閾値）
Ｗ…ウエハ（基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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