(57)【要約】【課題】  強誘電体素子において、強誘電体膜の劣化を防止するとともに、配線膜の信頼性の低下を防止することにある。【解決手段】  第１電極３と、第１電極３上に形成された強誘電体膜４と、強誘電体膜４上に形成された第２電極５と、第２電極５の表面に直接形成された第１水素進入防止膜８と、第１水素進入防止膜８上に形成された第１絶縁膜１１と、第１水素進入防止膜８に形成されて第２電極５の一部を露出する第１開口部１０と、第１絶縁膜１１に第１開口部１０よりも大きな開口径で形成された第２開口部１３と、第１及び第２開口部１０，１３を介して第２電極５に接続された配線膜１４と、を備える強誘電体素子。【選択図】      図１２
2005101052.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極上に形成された強誘電体膜と、
前記強誘電体膜上に形成された第２電極と、
前記第２電極の表面に直接形成された第１水素進入防止膜と、
前記第１水素進入防止膜上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１水素進入防止膜に形成されて前記第２電極の一部を露出する第１開口部と、
前記第１絶縁膜に前記第１開口部よりも大きな開口径で形成された第２開口部と、
前記第１及び第２開口部を介して前記第２電極に接続された配線膜と、
を備える強誘電体素子。
【請求項２】
前記第１及び第２開口部は、それぞれ、軸方向に渡って略一定の開口径を有する、請求項１に記載の強誘電体素子。
【請求項３】
前記第１及び第２開口部は別々の工程で形成された請求項２に記載の強誘電体素子。
【請求項４】
前記第１開口部は、前記第１絶縁膜の形成前に前記第１水素進入防止膜に形成された、請求項３に記載の強誘電体素子。
【請求項５】
前記第１開口部のアスペクト比は１以下である、請求項２から４のいずれかに記載の強誘電体素子。
【請求項６】
前記第１及び第２開口部は、前記第２電極から離れるほど開口径が大きくなるように形成された、請求項１に記載の強誘電体素子。
【請求項７】
前記第１及び第２開口部は一度の工程で形成された請求項６に記載の強誘電体素子。
【請求項８】
前記第１絶縁膜は、前記第２開口部が形成された第２水素進入防止膜と、前記第２水素進入防止膜の周囲に形成された第２絶縁膜とを有する、請求項６又は７に記載の強誘電体素子。
【請求項９】
前記第１及び第２開口部は、エッチバックによって自己整合的に形成された、請求項８に記載の強誘電体素子。
【請求項１０】
第１電極、強誘電体膜、第２電極を順に形成するステップと、
前記第２電極の表面に第１水素進入防止膜を直接形成するステップと、
前記第１水素進入防止膜上に第１絶縁膜を形成するステップと、
前記第１水素進入防止膜及び第１絶縁膜に、前記第１水素進入防止膜での開口径が前記第１絶縁膜での開口径よりも小さくなるように前記第２電極の一部を露出する開口部を形成するステップと、
前記開口部を介して前記第２電極に接続される配線膜を形成するステップと、
を含む強誘電体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記開口部を形成するステップは、
前記第１水素進入防止膜に前記第２電極の一部を露出する第１開口部を形成するステップと、
前記第１絶縁膜に前記第１開口部の開口径よりも大きい開口径を有する第２開口部を形成するステップと、
を含む請求項１０に記載の強誘電体素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第１開口部を形成するステップは、前記第１絶縁膜を形成する前に行われる、請求項１１に記載の強誘電体素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第１及び第２開口部は、それぞれ、軸方向に渡って略一定の開口径で形成する、請求項１１又は１２に記載の強誘電体素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第１開口部はアスペクト比が１以下である、請求項１１から１３に記載の強誘電体素子の製造方法。
【請求項１５】
前記開口部は一度の工程で形成される、請求項１０に記載の強誘電体素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第１絶縁膜の形成は、
前記第１水素進入防止膜を第２絶縁膜で覆うステップと、
前記第２電極上方において前記第２絶縁膜に、前記第１水素進入防止膜の一部を露出するように第３開口部を形成するステップと、
前記第２絶縁膜の表面と前記第３開口部の底面及び内壁とに第２水素進入防止膜を形成するステップとを含み、
前記開口部を形成するステップでは、前記第１及び第２水素進入防止膜をエッチバックして、前記第３開口部内の前記第１及び第２水素進入防止膜に、前記第２電極の一部を露出し、かつ、前記第１水素進入防止膜での開口径が前記第２水素進入防止膜での開口径よりも小さい開口部を自己整合的に形成する、
請求項１５に記載の強誘電体素子の製造方法。
【請求項１７】
前記開口部を形成するステップでは、前記第２電極から離れるほど開口径が大きくなるように前記開口部を形成する、請求項１６に記載の強誘電体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、強誘電体素子及びその製造方法、特に、上部電極の表面に水素進入防止膜が直接形成される強誘電体素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
強誘電体素子として、例えば、ＰＺＴ、ＳＢＴ等の強誘電体膜をＰｔ等の上下電極で挟んで構成される強誘電体キャパシタがある。強誘電体キャパシタは、強誘電体膜の自発分極の性質を利用して不揮発的にデータを保持可能であり、不揮発性の半導体メモリ（FeRAM,Ferro-electric Random Access Memory）に利用されている。
【０００３】
半導体メモリ等に用いられる強誘電体キャパシタの構造は、例えば、特許文献１及び２に記載されている。特許文献１及び２に記載されている強誘電体キャパシタでは、下部電極、強誘電体膜及び上部電極を順に積層及びパターニングした後、これらを反応防止膜（水素進入防止膜）及び酸化膜（層間絶縁膜）で順に覆い、水素進入防止膜及び酸化膜にコンタクトホール（開口部）を形成して上部電極を露出し、この開口部を介して上部電極に接続されるメタル配線層（配線膜）を形成している。
【特許文献１】特開２００２−３０５２８８号公報（第３頁、第１図）
【特許文献２】特開平１１−１２１７０４号公報（第１−８頁、第１−６図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１及び２に記載の強誘電体キャパシタでは、下部電極、強誘電体膜及び上部電極を覆う水素進入防止膜及び酸化膜に一定の開口径を有する開口部を形成して、開口部に配線膜を形成するが、開口部において水素進入防止膜が除去されるので、開口部から上部電極を介して強誘電体膜に水素が進入し、強誘電体膜が劣化する虞がある。一方、水素の進入を防止するために開口部を一定の開口径のまま小さくすると、開口部のアスペクト比が大きくなり、開口部を介して上部電極に接続される配線膜のカバレージが悪化して、配線膜の信頼性が低下する虞がある。
【０００５】
本発明の目的は、強誘電体素子において、強誘電体膜の劣化を防止するとともに、配線膜の信頼性の低下を防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る強誘電体素子は、第１電極と、第１電極上に形成された強誘電体膜と、強誘電体膜上に形成された第２電極と、第２電極の表面に直接形成された第１水素進入防止膜と、第１水素進入防止膜上に形成された第１絶縁膜と、第１水素進入防止膜に形成されて第２電極の一部を露出する第１開口部と、第１絶縁膜に第１開口部よりも大きな開口径で形成された第２開口部と、第１及び第２開口部を介して第２電極に接続された配線膜と、を備えている。
【０００７】
本発明に係る強誘電体素子の製造方法は、第１電極、強誘電体膜、第２電極を順に形成するステップと、第２電極の表面に第１水素進入防止膜を直接形成するステップと、第１水素進入防止膜上に第１絶縁膜を形成するステップと、第１水素進入防止膜及び第１絶縁膜に、第１水素進入防止膜での開口径が第１絶縁膜での開口径よりも小さくなるように第２電極の一部を露出する開口部を形成するステップと、開口部を介して第２電極に接続される配線膜を形成するステップと、を含んでいる。
【０００８】
第１絶縁膜は、水素及び／酸素の進入防止膜、窒化膜、酸化膜等の１又は複数の膜から構成されても良い。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る強誘電体素子によれば、第２電極を露出する第１水素進入防止膜での第１開口部の開口径が第１絶縁膜での第２開口部の開口径よりも小さくなるように形成するので、第２電極を覆う第１水素進入防止膜が除去される領域の面積を抑えて、第１開口部から第２電極を介して強誘電体膜に進入する水素を抑制し、強誘電体膜の信頼性を向上させることができる。また、第１水素進入防止膜は一般に第１絶縁膜よりも薄く形成されるため、第１開口部の開口径を小さく形成しても第１開口部のアスペクト比が大きくなりにくく、かつ、膜厚の厚い第１絶縁膜では第２開口部の開口径を大きくして第２開口部のアスペクト比が大きくなるのを抑制しているので、第１及び第２開口部を介して形成される配線膜のカバレージが悪化せず、配線膜の信頼性の低下を防止できる。
【００１０】
本発明に係る強誘電体素子の製造方法によれば、第２電極を露出する第１水素進入防止膜での開口径が第１絶縁膜での開口径よりも小さくなるように開口部を形成するので、第２電極を覆う第１水素進入防止膜が除去される領域の面積を抑えて、開口部から第２電極を介して強誘電体膜に進入する水素を抑制し、強誘電体膜の信頼性を向上させることができる。また、第１水素進入防止膜は一般に第１絶縁膜よりも薄く形成されるため、開口径を小さく形成しても第１水素進入防止膜での開口部のアスペクト比が大きくなりにくく、かつ、膜厚の厚い第１絶縁膜では開口径を大きくして開口部のアスペクト比が大きくなるのを抑制しているので、開口部を介して形成される配線膜のカバレージが悪化せず、配線膜の信頼性の低下を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（１）第１実施形態
図１乃至図１２は、本発明の第１実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図である。ここでは、強誘電体素子として、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Random Access Memory）等に適用される強誘電体キャパシタを例に挙げて説明する。
【００１２】
〔構成〕
本実施形態に係る強誘電体キャパシタは、図１２に示すように、ＳｉＯ２からなる酸化膜１上に、密着膜２、下部電極３（第１電極）、強誘電体膜４及び上部電極５（第２電極）が順に形成され、密着膜２、下部電極３、強誘電体膜４及び上部電極５を直接覆うように水素進入防止膜８（第１水素進入防止膜）及び層間絶縁膜１１（第１絶縁膜）が形成されている。また、水素進入防止膜８には上部電極５の一部を露出する開口部１０（第１開口部）が開口径０．２マイクロメートルで形成されるとともに、層間絶縁膜１１には開口部１０よりも大きな開口径０．６マイクロメートルで開口部１３（第２開口部）が形成されており、開口部１０及び１３を介して上部電極５に接続されたアルミ配線膜１４（配線膜）が形成されている。開口部１０は、軸方向に渡って略一定の開口径０．２マイクロメートルで形成されており、開口部１３は、軸方向に渡って略一定の開口径０．６マイクロメートルで形成されている。
【００１３】
〔製造方法〕
次に、本実施形態に係る強誘電体キャパシタの製造方法について図１乃至図１２を参照して説明する。
【００１４】
まず、図１に示すように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で形成したＳｉＯ２からなる酸化膜１上に、膜厚６０ｎｍのＴｉＮからなる密着膜２、膜厚１５０ｎｍのＩｒからなる下部電極３、膜厚１２０ｎｍのＳＢＴ（SrBi2Ta2O9）からなる強誘電体膜４、膜厚１５０ｎｍのＩｒからなる上部電極５、膜厚２００ｎｍのＴｉＮからなるハードマスク６を形成する。ここで、密着膜２、下部電極３、上部電極５及びハードマスク６はスパッタ法により形成し、強誘電体膜４はスピンコータを用いた塗布法で形成する。また、ハードマスク６上にレジスト膜７を形成し、ホトリソグラフィー工程にて図２に示すようにレジストパターン７を形成する。
【００１５】
ここでは、密着膜２及び下部電極３をＴｉＮで形成したが、ＴｉＮ膜にさらにＩｒＨｆ膜を積層させても良い。また、下部電極３をＩｒで形成したが、ＩｒＯ、Ｐｔ等により形成しても良いし、Ｉｒ膜にさらにＩｒＯ膜、Ｐｔ膜を積層させた多層構造としても良い。また、下部電極３を、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓから選択される１又は複数の膜にＰｔ膜を積層させた構造にしても良い。また、強誘電体膜４をＳＢＴで形成したが、ＰＺＴ（Ｐｂ（ＺｒxＯ1-x）、ＳＢＴＮ（（ＳｒＢｉ2（Ｔａ，Ｎｂ）2Ｏ9）、ＢＬＴ（（Ｂｉ，Ｌａ）4Ｔｉ3Ｏ12）等の他の強誘電体材料によって形成しても良い。
【００１６】
このレジストパターン７をエッチングマスクとして、図３に示すように、ドライエッチング法でハードマスク６を加工する。ドライエッチングの条件は、例えば、ガス流量Ｃｌ２／ＢＣｌ３＝９０／１０ｓｃｃｍ、ＲＦ電力＝６００Ｗ、エッチング圧力＝１０ｍＴｏｒｒ、エッチング時間＝３０ｓｅｃとする。
【００１７】
さらに、加工されたハードマスク６をエッチングマスクとして、図４に示すように、上部電極５、強誘電体膜４、下部電極３をドライエッチング法で加工する。ドライエッチングの条件は、例えば、ガス流量Ｃｌ２／Ｏ２＝１０／１０ｓｃｃｍ、ＲＦ電力＝８００Ｗ、エッチング圧力＝５ｍＴｏｒｒ、エッチング時間＝３００ｓｅｃとする。
【００１８】
次に、図５に示すように、ハードマスク６及び露出している密着膜２をドライエッチング法で除去する。ドライエッチングの条件は、例えば、エッチングガス流量Ｃｌ２／ＢＣｌ３＝７０／３０ｓｃｃｍ、ＲＦ電力＝８００Ｗ、エッチング圧力＝５ｍＴｏｒｒ、エッチング時間＝４０ｓｅｃとする。
【００１９】
その後、図６に示すように、Ａｌ２Ｏ３からなる水素進入防止膜８をＣＶＤ法で全面に渡って膜厚５０ｎｍで形成する。次に、図７に示すように、水素進入防止膜８上にレジスト膜を塗布し、ホトリソグラフィー工程によって０．２マイクロメートルの開口部を有するレジストパターン９を形成する。このレジストパターン９をエッチングマスクとして、図８に示すように、水素進入防止膜８に開口径０．２マイクロメートルの開口部１０を形成し、上部電極５の表面中央部を露出させる。ここでは、水素進入防止膜８をＡｌ２Ｏ３で形成したが、水素進入防止膜８は、水素の透過を防止する材料であれば良く、ＳｒＴａＯｘ、ＡｌＮ、ＳｒＲｕＯ3、ＺｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＳｒＯｘ等で形成しても良い。
【００２０】
ドライエッチングの条件は、例えば、ガス流量Ｃｌ２／ＢＣｌ３＝５０／５０ｓｃｃｍ、ＲＦ電力＝８００Ｗ、エッチング圧力＝５ｍＴｏｒｒ、エッチング時間＝８０ｓｅｃとする。
【００２１】
レジストパターン９をアッシングにより除去した後、図９に示すように、ＳｉＯ２からなる膜厚３００ｎｍの層間絶縁膜１１を形成する。
【００２２】
次に、図１０に示すように、層間絶縁膜１１上にホトリソグラフィー工程で開口径０．６マイクロメートルの開口部を有するレジストパターン１２を形成し、このレジストパターン１２をエッチングマスクとして、図１１に示すように、層間絶縁膜１１に開口径０．６マイクロメートルの開口部１３をドライエッチング法で形成する。
【００２３】
ドライエッチングの条件は、例えば、ガス流量ＣＨＦ３＝１００ｓｃｃｍ、ＲＦ電力＝６００Ｗ、エッチング圧力＝５ｍＴｏｒｒ、エッチング時間＝６０ｓｅｃとする。このエッチング条件では、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３との選択比は２０以上であるため、水素進入防止膜８（Ａｌ２Ｏ３）はほとんど加工されない。
【００２４】
その後、レジストパターン１１をアッシングにより除去し、図１２に示すように、開口部１３及び１０を介して上部電極５に接続されるアルミ配線膜１４を形成する。
【００２５】
〔作用効果〕
以上説明した製造方法で製造される強誘電体キャパシタでは、上部電極５にアルミ配線膜１４を接続するためのコンタクトホール（開口部１３及び１０）を、水素進入防止膜８及び層間絶縁膜１１に一定の開口径で形成せずに、水素進入防止膜８に形成される開口部１０の開口径（０．２マイクロメートル）を層間絶縁膜１１に形成される開口部１３の開口径（０．６マイクロメートル）よりも小さく形成することにより、上部電極５の表面に直接形成された水素進入防止膜８が除去される領域の面積を抑制し、水素進入防止膜８でカバーされない上部電極５表面の面積を抑制する。この結果、開口部１０から上部電極５を介して進入する水素を抑制でき、強誘電体膜４の劣化を防止できる。
【００２６】
また、膜厚の薄い水素進入防止膜８（５０ｎｍ）では開口部１０の開口径を小さくしても（０．２マイクロメートル）、開口部１０のアスペクト比が０．０５／０．２＝０．２５であり、開口部１０のアスペクト比の過度な増大を抑制できる。また、膜厚の厚い層間絶縁膜１１（３００ｎｍ）の開口部１３では、開口径を大きくして（０．６マイクロメートル）、アスペクト比を０．３／０．６＝０．５として、開口部１３のアスペクト比の過度な増大を抑制するので、開口部１３及び１０を介して形成されるアルミ配線膜１４のカバレージの悪化を抑制し、アルミ配線膜１４の信頼性の低下を防止できる。
【００２７】
なお、アルミ配線膜１４のカバーレージを悪化させないためには、アスペクト比が１以下であることが好ましい。また、本実施形態では、開口部１０及び１３の開口径をそれぞれ０．２マイクロメートル、０．６マイクロメートルとしたが、開口部１０の開口径が開口部１３の開口径よりも小さければ、強誘電体膜４の劣化を防止する効果を得ることができる。さらに、アルミ配線膜１４のカバーレージを悪化させないためには、開口部１０のアスペクト比が１以上にならない範囲で、開口部１０の開口径を小さくするほど、水素進入防止効果を向上し得る。
【００２８】
（２）第２実施形態
図１３乃至図１７は、本発明の第２実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図である。
【００２９】
〔構成〕
本実施形態に係る強誘電体キャパシタは、図１７に示すように、ＳｉＯ２からなる酸化膜１上に密着膜２、下部電極３（第１電極）、強誘電体膜４及び上部電極５（第２電極）が順に形成され、密着膜２、下部電極３、強誘電体膜４及び上部電極５を覆うように水素進入防止膜８（第１水素進入防止膜）及び層間絶縁膜２０（第２絶縁膜）が形成されている。層間絶縁膜２０には開口部２２が形成されており、開口部２２には水素進入防止膜２３（第２水素進入防止膜）が形成されている。
【００３０】
また、水素進入防止膜８及び２３には、上部電極５の一部を露出する開口部２４が形成されており、開口部２４を介して上部電極５に接続されたアルミ配線膜１４（配線膜）が形成されている。
【００３１】
開口部２４は、上部電極５の一部を露出する底面の部分において開口径が０．２マイクロメートルであり、上部電極５の反対側の上面において開口径が約０．６マイクロメートルであり、上部電極５から離れるほど開口径が連続的に大きくなるように形成されている。
【００３２】
〔製造方法〕
以下、本実施形態に係る強誘電体キャパシタの製造方法を図１３乃至図１７を参照して説明する。
【００３３】
第１実施形態の図１乃至図６の工程を終了後、ＣＶＤ法で水素進入防止膜８上に、ＳｉＯ２により膜厚３００ｎｍの層間絶縁膜２０を形成し、さらに、ホトリソグラフィー工程で、上部電極５の上方に開口径０．６マイクロメートルの開口部を有するレジストパターン２１を形成する。
【００３４】
次に、図１４に示すように、レジストパターン２１をエッチングマスクとして、ドライエッチング法で層間絶縁膜２０に開口径０．６マイクロメートルの開口部２２を形成する。ドライエッチングの条件は、例えば、ガス流量ＣＨＦ３＝１００ｓｃｃｍ、ＲＦ電力６００Ｗ、エッチング圧力＝５ｍＴｏｒｒ、エッチング時間＝６０ｓｅｃである。
【００３５】
レジストパターン２１をアッシングにより除去した後、図１５に示すように、ＣＶＤ法でＡｌ２Ｏ３からなる膜厚２００ｎｍの第２の水素進入防止膜２３を形成する。この水素進入防止膜２３は、層間絶縁膜２０の表面と開口部２２の内壁及び底面に形成され、開口部２２の底面では水素進入防止膜８に連続するように形成される。水素進入防止膜２３は、水素進入防止膜８と同じ材料であることが望ましいが、水素進入防止膜８とともに一度のエッチング工程で加工できる材料であれば水素進入防止膜８と異なる材料であっても良い。水素進入防止膜２３は、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｒＴａＯｘ、ＡｌＮ、ＳｒＲｕＯ3、ＺｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＳｒＯｘ等で形成する。
【００３６】
次に、図１６に示すように、水素進入防止膜２３をドライエッチング法で全面エッチバックする。このエッチバックでは、上部電極５の表面中央部において水素進入防止膜２３及び８をエッチングして上部電極５の表面中央部が露出するとともに、開口部２２の内壁に水素進入防止膜２３を残し、水素進入防止膜８及び２３に開口部２４を形成する。開口部２４は、上部電極５が露出される底面での開口径が０．２マイクロメートル、上部電極５とは反対側の上面で開口径が約０．６マイクロメートルになるように形成する。ドライエッチングの条件は、例えば、ガス流量Ｃｌ２／ＢＣｌ３＝５０／５０ｓｃｃｍ、ＲＦ電力＝８００Ｗ、エッチング圧力＝５ｍＴｏｒｒ、エッチング時間＝２４０ｓｅｃとする。
【００３７】
その後、図１７に示すように、開口部２４を介して上部電極５に接続されるアルミ配線膜２５を形成する。
【００３８】
図１８は、水素進入防止膜２３の膜厚と、上部電極２３を露出する開口部２４の底面での開口径との関係を説明する図である。ここで、同図（ａ）に示す水素進入防止膜２３ａの膜厚よりも、同図（ｂ）に示す水素進入防止膜２４ｂの膜厚の方が大きい。同図（ａ）、（ｂ）に示すように、膜厚の厚い水素進入防止膜２３ｂをエッチバックした場合の方が、開口部２４ｂの内壁に残る水素進入防止膜２３ｂの厚さが開口部２４ａの内壁に残る水素進入防止膜２３ａの厚さよりも厚くなり、開口部２４ｂの底面の開口径が開口部２４ａの底面の開口径よりも小さくなる。従って、水素進入防止膜２３の膜厚を調整することにより、開口部２４の底面の開口径を制御することができる。
【００３９】
〔作用効果〕
本実施形態では、開口部２４の開口径が上部電極５から離れるほど大きくなるように形成されているため、第１実施形態と同様に、水素進入防止膜８及び２３が取り除かれて上部電極５が露出される領域の面積を抑制し、開口部２４から上部電極５を介して進入する水素を抑制することができる。この結果、強誘電体膜４の信頼性を向上できる。
【００４０】
また、開口部２４の開口径が上部電極５から離れるほど連続的に大きくなるように形成されるので、開口径の異なる開口部１０及び１３を形成する上記実施形態の場合よりも、開口部内にアルミ配線膜を形成し易い。従って、開口部２４の底面での開口径を、第１実施形態における開口部１０の開口径より小さくすることが可能であり、開口部２４からの水素の進入をさらに防止できる。
【００４１】
第１実施形態では、アルミ配線膜１４と上部電極５とのコンタクトを採るために、水素進入防止膜８の開口部１０と層間絶縁膜１１の開口部１３とを別々の工程、即ち２度のホトリソグラフィー及びエッチング工程で形成したが、本実施形態では、開口部２４を水素進入防止膜２３を全面エッチバックして自己整合的に形成するため、２度のホトリソグラフィー工程を省略すると共に、エッチング工程を１回削減できる。
【００４２】
また、開口部２４をエッチバックして自己整合的に形成するため、エッチング量を調節することにより、開口部２４の底面の開口径を任意に縮小することが可能である。
【００４３】
また、小さな開口部をホトリソグラフィー工程で形成する場合にはレジストパターンのアライメントずれが発生する虞があるが、開口部２４を自己整合的に形成するためアライメントずれが発生する虞がない。
【００４４】
また、第２の水素進入防止膜２３の膜厚を調整することによって、開口部２４の底面での開口径を簡易に制御できる。即ち、上部電極５表面で水素進入防止膜８が取り除かれる領域の面積を容易に制御できる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】第１実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図（その１）。
【図２】第１実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図（その２）。
【図３】第１実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図（その３）。
【図４】第１実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図（その４）。
【図５】第１実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図（その５）。
【図６】第１実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図（その６）。
【図７】第１実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図（その７）。
【図８】第１実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図（その８）。
【図９】第１実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図（その９）。
【図１０】第１実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図（その１０）。
【図１１】第１実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図（その１１）。
【図１２】第１実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図（その１２）。
【図１３】第２実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図（その１）。
【図１４】第２実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図（その２）。
【図１５】第２実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図（その３）。
【図１６】第２実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図（その４）。
【図１７】第２実施形態に係る強誘電体素子の製造方法を説明する断面図（その５）。
【図１８】第２実施形態における開口部の開口径の制御を説明するを説明する断面図。
【符号の説明】
【００４６】
１  酸化膜
２  密着膜
３  下部電極
４  強誘電体膜
５  上部電極
６  ハードマスク
７，９，１２，２１  レジスト膜、レジストパターン
８，２３  水素進入防止膜
１０，１３，２２，２４  開口部
１１，２０  層間絶縁膜
１４，２５  アルミ配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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