(57)【要約】    【課題】ワイヤボンディングの接合強度を向上させることができるチップ型のセラミック電子部品を得る。    【解決手段】フェライト素体２の両端面に外部電極６ａ、６ｂが形成されたチップ型の積層インダクタにおいて、外部電極６ａ、６ｂの最外層のＡｕ皮膜５ａ、５ｂの膜厚が少なくとも０．６μｍ以上であり、しかも外部電極６ａ、６ｂの表面平均粗さＲａが０．４μｍ以下に抑制されている。この積層インダクタは、９５重量％以上（好ましくは１００重量％）が略球形状粉からなるＡｇ粉末を含有した導電性ペーストをフェライト素体２の両端面に塗布・焼付けして下地電極を形成し、その後電解Ｎｉめっき及び電解Ａｕめっきを施してＮｉ皮膜４ａ、４ｂ及びＡｕ皮膜５ａ、５ｂを形成することにより製造される。  【選択図】図１
2005159064.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック素体の表面に外部電極が形成されたセラミック電子部品において、
前記外部電極が、下地電極と、該下地電極の表面に形成された少なくとも１種以上の金属皮膜とからなると共に、
前記金属皮膜の最外層は、膜厚が少なくとも０．６μｍ以上の金皮膜からなり、かつ前記外部電極の表面平均粗さＲａが０．４μｍ以下であることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項２】
前記下地電極と前記金皮膜との間にニッケル皮膜が介在されていることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
金属粉末を含有した導電性ペーストをセラミック素体の表面に塗布して下地電極を形成した後、該下地電極にめっき処理を施し、少なくとも１層以上の金属皮膜を前記下地電極の表面に形成するセラミック電子部品の製造方法において、
前記金属粉末は、平均粒径が２．０μｍ以下の略球形状粉を少なくとも９５重量％以上含有していることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記金属粉末は、平均粒径が全て２．０μｍ以下の略球形状粉であることを特徴とする請求項３記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記金属皮膜は、最外層が金皮膜であることを特徴とする請求項３又は請求項４記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記下地電極と前記金皮膜との間にニッケル皮膜を介在させることを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はセラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法に関し、より詳しくはセラミック素体の表面に外部電極が形成された積層インダクタ、積層インピーダ、積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品等、チップ型のセラミック電子部品、及び該セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、チップ型電子部品の両端面に形成された下地電極にＡｕめっき処理を施すことにより、該チップ型電子部品とセラミック多層基板等のボンディング型電子部品とを直接ワイヤボンディング接続しようとした集積回路の製造方法が知られている（特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−３６５１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１のようにチップ型電子部品に単にＡｕめっき処理を施してＡｕ皮膜を形成しても、その接合強度はボンディング型の電子部品よりも劣るという問題点があった。
【０００５】
すなわち、チップ型電子部品とボンディング型電子部品とでは、下地電極の形成工法が異なり、ボンディング型電子部品の下地電極は、一般にスクリーン印刷等の印刷工法を使用して形成されるのに対し、チップ型電子部品は、ディップ工法により導電性ペーストを塗布・焼付け処理して下地電極を形成している。
【０００６】
また、通常、チップ型電子部品では、良好なハンダ付け性が要求されることから、下地電極の膜厚を厚くする必要があり、このため導電性ペーストの導電性材料として、扁平状粉を略球形状粉に混在させた金属粉末を使用している。
【０００７】
このように従来のチップ型電子部品では、上記扁平状粉を含有した導電性ペーストを使用し、ディップ工法により下地電極を形成しているため、その後、Ａｕめっき処理を行なって下地電極の表面にＡｕ皮膜をめっき析出させた場合、表面平均粗さＲａが大きくなり、セラミック多層基板のようなボンディング型電子部品に比べ、ワイヤボンディングに対する接合強度が劣るという問題点があった。
【０００８】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、ワイヤボンディングの接合強度を向上させることができるチップ型のセラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために本発明者らが鋭意研究をしたところ、金属粉末中の扁平状粉を５重量％以下とし、９５重量％以上が平均粒径２．０μｍ以下の略球形状粉とした導電性ペーストを使用して下地電極を形成することにより、めっき皮膜形成後の外部電極の表面平均粗さＲａを０．４μｍ以下に抑制することができ、これによりチップ型セラミック電子部品においてもワイヤボンディングの接合強度を良好なものにすることができるという知見を得た。しかも、上記扁平状粉は、下地電極の膜厚を厚くするために金属粉末中に混在させたものであり、したがってチップ型電子部品をワイヤボンディングにより直接接続する場合は下地電極の膜厚を厚くする必要もなく、金属粉末中から扁平粉を除去しても何ら支障は生じない。
【００１０】
一方、通常、下地電極に金めっきを施してＡｕ皮膜を形成する場合、まず、下地電極にＮｉめっきを施して下地膜としてのＮｉ皮膜を形成し、その後Ａｕめっきを施してＡｕ皮膜の形成を行なうが、Ａｕ皮膜の膜厚が０．６μｍ未満の場合は、Ａｕ皮膜の膜厚が薄すぎるため、チップ型電子部品を熱処理して実装する際、下地膜を構成するＮｉがＡｕ皮膜の表面に析出してしまい、ワイヤボンディングの接合強度低下を招くおそれがある。したがってワイヤボンディングで所望の接合強度を確保するためには、Ａｕ皮膜の膜厚を少なくとも０．６μｍ以上とすることが必要となる。
【００１１】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック素体の両端面に外部電極が形成されたセラミック電子部品において、前記外部電極が、下地電極と、該下地電極の表面に形成された少なくとも１種以上の金属皮膜とからなると共に、前記金属皮膜の最外層は、膜厚が少なくとも０．６μｍ以上のＡｕ皮膜からなり、かつ前記外部電極の表面平均粗さＲａが０．４μｍ以下であることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明のセラミック電子部品は、前記下地電極と前記Ａｕ皮膜との間にＮｉ皮膜が介在されていることを特徴としている。
【００１３】
また、本発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、金属粉末を含有した導電性ペーストをセラミック素体の両端面に塗布して下地電極を形成した後、該下地電極にめっき処理を施し、少なくとも１層以上の金属皮膜を前記下地電極の表面に形成するセラミック電子部品の製造方法において、前記金属粉末は、平均粒径が２．０μｍ以下の略球形状粉を、少なくとも９５重量％以上含有していることを特徴とし、好ましくは前記金属粉末は、全て平均粒径が２．０μｍ以下の略球形状粉であることを特徴としている。
【００１４】
さらに、本発明のセラミック電子部品の製造方法は、前記金属皮膜は、最外層がＡｕ皮膜であることを特徴とし、また、前記下地電極と前記Ａｕ皮膜との間にＮｉ皮膜を介在させることを特徴としている。
【００１５】
尚、本発明では、上記略球形状粉とは、金属粉末粒子の長軸と短軸とのアスペクト比（縦横比）が１．０〜１．５のものをいう。
【発明の効果】
【００１６】
上記セラミック電子部品によれば、金属皮膜の最外層は、膜厚が少なくとも０．６μｍ以上のＡｕ皮膜からなり、かつ前記外部電極の表面平均粗さＲａが０．４μｍ以下であるので、Ａｕ皮膜の表面に下地のＮｉが析出することもなく、Ａｕ皮膜の表面平均粗さＲａを改善することができ、これによりチップ型のセラミック電子部品におけるワイヤボンディングの接合強度向上を図ることができる。
【００１７】
また、上記セラミック電子部品の製造方法によれば、金属粉末は、平均粒径が２．０μｍ以下の略球形状粉を、少なくとも９５重量％以上含有し、好ましくは平均粒径が全て２．０μｍ以下の略球形状粉であるので、外部電極の表面平均粗さＲａを容易に０．４μｍ以下に抑制することができ、これにより所望のワイヤボンディング接合強度を確保することができるセラミック電子部品を容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００１９】
図１は本発明に係るセラミック電子部品としてのチップ型積層インダクタの一実施の形態を模式的に示す断面図であって、該積層インダクタは、ビアホール（不図示）を介して電気的に接続されたコイル導体１が磁性体材料で形成されたフェライト素体（セラミック素体）２に埋設されると共に、該フェライト素体２の両端部にはＡｇやＣｕを主成分とした下地電極３ａ、３ｂが形成され、さらに該下地電極３ａ、３ｂの表面にはＮｉ皮膜４ａ、４ｂ及びＡｕ皮膜５ａ、５ｂが形成され、該下地電極３ａ、３ｂ、Ｎｉ皮膜４ａ、４ｂ及びＡｕ皮膜５ａ、５ｂで外部電極６ａ、６ｂを構成している。
【００２０】
そして、コイル導体１の一方の引出部１ａは外部電極６ａと電気的に接続され、他方の引出部１ｂは外部電極６ｂと電気的に接続されている。
【００２１】
上記積層インダクタは、Ａｕ皮膜５ａ、５ｂの膜厚が少なくとも０．６μｍ以上であり、かつ外部電極６ａ、６ｂの表面平均粗さＲａは０．４μｍ以下に抑制されている。
【００２２】
次に、Ａｕ皮膜５ａ、５ｂの膜厚及び外部電極６ａ、６ｂの表面平均粗さＲａを上述のように限定した理由を詳述する。
【００２３】
（１）Ａｕ皮膜５ａ、５ｂの膜厚
積層インダクタをプリント基板等に実装する場合、温度１５０〜２００℃での熱処理により熱硬化するダイボンド剤を使用するのが一般的である。
【００２４】
一方、ワイヤボンディングの接合強度としては、少なくとも４６ＭＰａは必要である。
【００２５】
しかしながら、Ａｕ皮膜５ａ、５ｂの膜厚が０．６μｍ未満になると、膜厚が薄くなりすぎるため、熱処理条件によっては、下地膜を構成するＮｉがＡｕ皮膜５ａ、５ｂの表面に析出し、その結果ワイヤボンディングの接合強度が４６ＭＰａ未満となって所望の接合強度を得ることができなくなることがある。
【００２６】
そこで、上記積層インダクタでは、電解Ａｕめっきのめっき条件を制御することにより、Ａｕ皮膜５ａ、５ｂの膜厚が少なくとも０．６μｍ以上となるようにしている。
【００２７】
尚、Ａｕ皮膜５ａ、５ｂの膜厚の上限は特に限定されるものではないが、コスト低減の観点からは２．０μｍが好ましい。
【００２８】
（２）外部電極６ａ、６ｂの表面平均粗さＲａ
ワイヤボンディングの接合強度は、外部電極６ａ、６ｂの表面平均粗さＲａと相関関係があり、該表面平均粗さＲａが小さいほどワイヤボンディングの接合強度は向上する。
【００２９】
そして、外部電極６ａ、６ｂの表面平均粗さＲａが０．４μｍを超えると、外部電極の表面粗化が顕著となり、ワイヤボンディングを行った場合、所望の接合強度を得ることができなくなる。
【００３０】
そこで、上記積層インダクタでは、導電性ペーストに含有される金属粉末中の平均粒径Ｄ５０と金属粉末の形状を制御することにより、表面平均粗さＲａが０．４未満となるようにしている。
【００３１】
次に、上記積層インダクタの製造方法を説明する。
【００３２】
まず、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ等のフェライト素原料を配合してフェライト材料を調製する。次いで、このフェライト材料を、有機バインダや有機溶剤、必要に応じて可塑剤や分散剤等の添加物と混練させ、ドクターブレード法等の成形加工法を使用して所定膜厚の磁性体シート（セラミックグリーンシート）を作製する。その後、レーザ加工機を使用し、磁性体シートの所定箇所にビアホールを形成する。次いで、ＡｇやＣｕ等の導電性材料を含有した汎用の導電性ペーストを使用し、磁性体シートに略コ字状の導体パターンが形成されるようにスクリーン印刷を施す。
【００３３】
次いで、導体パターンの形成された複数枚の磁性体シートがビアホールを介してコイル導体を形成するように積層し、導体パターンの形成されていない磁性体シートで挟持・圧着し、所定寸法に切断した後、焼成処理を行ない、これによりセラミック焼結体を作製する。
【００３４】
そしてこの後、アルミナ粉末等の研磨材を使用してバレル研磨を行ない、角部をＲ（アール）状とし、フェライト素体（セラミック素体）を得る。
【００３５】
次に、下地電極用導電性ペーストを作製する。
【００３６】
すなわち、まず、平均粒径Ｄ５０が２．０μｍ以下であって、略球形状粉を少なくとも９５重量％以上含有したＡｇ等の金属粉末を用意する。
【００３７】
ここで、金属粉末の平均粒径Ｄ５０及び金属粉末の形状を、上述のように限定したのは以下の理由による。
【００３８】
（１）金属粉末の平均粒径Ｄ５０
金属粉末の平均粒径Ｄ５０は、微粉状になるほど表面平均粗さＲａは小さくなり、ワイヤボンディングの接合強度を向上させることができる。
【００３９】
具体的には、金属粉末の平均粒径Ｄ５０が、２．０μｍを超えると、金属粉末の粒子が大きくなりすぎて表面平均粗さＲａが０．４μｍを超えてしまい、ワイヤボンディングの接合強度が４６ＭＰａ未満となって所望の接合強度を得ることができなくなる。
【００４０】
そこで、本製造方法では、平均粒径Ｄ５０が２．０μｍ以下の金属粉末を使用している。
【００４１】
（２）金属粉末の形状
金属粉末の形状は、外部電極６ａ、６ｂの表面平均粗さＲａと相関関係があり、金属粉末中に扁平状粉が多量に混在すると、前記表面平均粗さＲａが粗くなってワイヤボンディング時の接合強度が劣化する。
【００４２】
具体的には、金属粉末中の略球形状粉が９５重量％未満の場合は、扁平状粉が５重量％を超えることとなるため、金属粉末中の扁平状粉の含有量が多くなりすぎ、このため外部電極６ａ、６ｂの表面平均粗さＲａが０．４μｍを超えて粗くなり、ワイヤボンディングの接合強度が４６ＭＰａ未満となって所望の接合強度を得ることができなくなる。
【００４３】
そこで、本製造方法では、略球形状粉を少なくとも９５重量％以上、好ましくは１００重量％の金属粉末を使用している。
【００４４】
尚、本実施の形態では、略球形状粉とは、図２に示すように、長軸Ｌと該長軸Ｌと直交する短軸Ｄとのアスペクト比Ｌ／Ｄが１．０〜１．５のものをいう。
【００４５】
このように平均粒径Ｄ５０が２．０μｍ以下の略球形状粉を９５重量％以上含有した金属粉末と、ガラスフリット及び有機質ビヒクルとが所定比率となるように配合し、３本ロールミルにより十分に混練し、これにより下地電極用導電性ペーストを作製する。
【００４６】
ここで、有機ビヒクルの組成成分は特に限定されるものではなく、例えば、エチルセルロース１０重量部をα―テルピネオール９０重量部に溶解したものや、公知のブチラール樹脂、アクリル樹脂などを適当な有機溶剤に溶解したものを使用することができる。
【００４７】
次に、前記下地電極用導電性ペーストをディップ工法によりフェライト素体２の両端面に塗布し、所定温度で焼付け処理を行ない、下地電極３ａ、３ｂを形成する。
【００４８】
そしてその後、周知の方法で電解Ｎｉめっき及び電解Ａｕめっきを順次施し、Ｎｉ皮膜４ａ、４ｂ及びＡｕ皮膜５ａ、５ｂを形成する。
【００４９】
すなわち、電解Ｎｉめっきを施す場合は、まず、例えば、硫酸ニッケル、塩化ニッケル及びホウ酸を含有したＮｉめっき浴でめっき槽を満たす。
【００５０】
次いで、被めっき物、導電性媒体をバレル容器に収容すると共に、Ｎｉ製の陽極、陰極、及び前記バレル容器をめっき槽に浸漬し、該バレル容器を回転、揺動、振動等させてフェライト素体を陰極に接触させつつ、所定の電流密度で陽極、陰極間に所定時間通電し、これにより電解Ｎｉめっきを施し、下地電極３ａ、３ｂの表面にＮｉ皮膜４ａ、４ｂを形成する。
【００５１】
また、Ａｕめっきを施す場合は、まず、例えば、シアン化カリウムやクエン酸カリウム、リン酸一水素カリウムを含有したシアン系Ａｕめっき浴でめっき槽を満たす。
【００５２】
次いで、被めっき物、導電性媒体をバレル容器に収容すると共に、Ａｕ製の陽極、陰極、及び前記バレル容器をめっき槽に浸漬し、該バレル容器を回転、揺動、振動等させてフェライト素体を陰極に接触させつつ、Ａｕ皮膜５ａ、５ｂの膜厚が０．６μｍ以上となるようにめっき条件（電流密度及び／又は通電時間）を制御しながら、陽極、陰極間に通電して電解Ａｕめっきを施し、Ｎｉ皮膜４ａ、４ｂの表面にＡｕ皮膜５ａ、５ｂを形成し、これにより積層インダクタを製造する。
【００５３】
このように本実施の形態では、平均粒径Ｄ５０が２．０μｍ以下の略球形状粉を９５重量％以上含有した金属粉末を使用して下地電極用導電性ペーストを作製し、該下地電極用導電性ペーストを使用して下地電極３ａ、３ｂを形成しているので、Ａｕ皮膜５ａ、５ｂ形成後の外部電極６ａ、６ｂの表面平均粗さＲａを０．４μｍ以下に抑制することができ、またＡｕ皮膜５ａ、５ｂの膜厚を０．６μｍ以上としているので、実装時に熱処理を行なっても下地膜を構成するＮｉがＡｕ皮膜５ａ、５ｂの表面に析出することもなく、したがってチップ型セラミック電子部品である積層インダクタにワイヤボンディングを行なっても、ボンディング型の電子部品と同様の接合強度を得ることが可能となる。
【００５４】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態では、チップ型セラミック電子部品として、積層インダクタについて説明したが、積層インピーダや積層セラミックコンデンサにも同様に適用できることができ、また積層型以外のチップ型セラミック電子部品にも広く適用できるのはいうまでもない。
【００５５】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【００５６】
Ｆｅ２Ｏ３が４９．０重量％、ＮｉＯが９．６重量％、ＣｕＯが１０．４重量％、ＺｎＯが３１．０重量％となるように、これらフェライト素原料を秤量し、該フェライト素原料を純水と共にボールミルに投入し、十分に拡散混合してスラリーを作製した。
【００５７】
次に、このスラリーをスプレー式乾燥機で乾燥した後、温度８２０℃で１時間仮焼し、固相反応を生じさせて仮焼物を得た。次いで、この仮焼物を純水と共にボールミルに投入して解砕し、十分に撹拌してスラリー化し、さらにこのスラリーをスプレー式乾燥機で乾燥させ、これにより粉末状のフェライト材料を得た。
【００５８】
次に、フェライト材料に有機バインダとしてのブチラール樹脂、有機機溶剤としてのトルエン及びエタノールを加えて混練し、フェライトスラリーを得た。そしてこのフェライトスラリーを剥離性のプラスチックフィルム上にドクターブレード法で膜状に塗布した後、乾燥させ、膜厚５０μｍの磁性体シートを作製した。
【００５９】
次に、このようにして作製した磁性体シートを複数枚用意し、レーザ加工機を使用して磁性体シートの所定位置にビアホールを貫設した。
【００６０】
次に、導電性材料としてＡｇを含有した汎用の内部電極用導電性ペーストを使用し、前記磁性体シートに略コ字状の導体パターンが形成されるようにスクリーン印刷を施した。
【００６１】
次に、コイル導体を形成するように前記磁性体シートを積層した後、導体パターンの形成されていない磁性体シートで挟持し、上下方向から１．２×１０８Ｐａの圧力を負荷して圧着させ積層体を得た。
【００６２】
次いで、この積層体を所定寸法に切断した後、大気中、温度５００℃に加熱し、積層体に含有されている有機バインダを燃焼除去させ、その後、温度９００℃で焼成処理を行ない、セラミック焼結体を作製した。
【００６３】
次いで、平均粒径Ｄ５０が１．０μｍのアルミナ粉末を研磨材として前記フェライト素体にバレル研磨を施し、角部をＲ（アール）状とし、これによりフェライト素体を得た。
【００６４】
次に、下地電極用導電性ペーストを作製した。
【００６５】
すなわち、まず、導電性材料として、表１に示すように、３種類（Ａ〜Ｃ）のＡｇ粉末を用意した。
【表１】
2005159064.tif 000003
すなわち、Ａｇ粉末Ａは、平均粒径が２．０μｍであり、形状は、長軸Ｌと短軸Ｄとのアスペクト比Ｌ／Ｄが１．２であり、図３のＳＥＭ像（走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮像した写真画像）で示すように、略球形状を有している（略球形状粉）。
【００６６】
Ａｇ粉末Ｂは、平均粒径が１．０μｍであり、形状は、前記アスペクト比Ｌ／Ｄが１．２であり、図４のＳＥＭ像に示すように、略球形状を有している（略球形状粉）。
【００６７】
Ａｇ粉末Ｃは、平均粒径が１０．０μｍであり、形状は図５のＳＥＭ像に示すように、扁平状を有している（扁平状粉）。
【００６８】
次に、Ａｇ粉末Ａ〜Ｃの配合比率が異なる８種類のＡｇ粉末を作製した。    
また、エチルセルロース１０重量部をα―テルピネオール９０重量部に溶解させた有機ビヒクルを作製した。
【００６９】
次いで、上記Ａｇ粉末：７０重量％、ガラスフリット：５重量％、有機ビヒクル：２５重量％となるように、Ａｇ粉末、ガラスフリット、及び有機ビヒクルを配合し、３本ロールミルで十分に混練し、これにより８種類の下地電極用導電性ペーストを作製した。
【００７０】
次に、ディップ工法により前記下地電極用導電性ペーストをフェライト素体の両端面に塗布し、次いで温度８５０℃で焼付け処理を施し、膜厚４０μｍの下地電極を形成した。
【００７１】
そしてこの後、フェライト素体にＮｉめっき及びＡｕめっきを順次施し、下地電極の表面にＮｉ皮膜及びＡｕ皮膜を形成した。
【００７２】
すなわち、まず、硫酸ニッケル、塩化ニッケル及びホウ酸を含有したＮｉめっき浴（ワット浴）を用意し、めっき槽をワット浴で満たした。
【００７３】
次いで、フェライト素体、導電性媒体をバレル容器に収容すると共に、Ｎｉ製の陽極、陰極、及び前記バレル容器をめっき槽に浸漬し、該バレル容器を回転させてフェライト素体を陰極に接触させながら、電流密度０．６Ａ／ｄｍ２、通電時間６０分で電解Ｎｉめっき処理を行ない、下地電極上に膜厚３μｍのＮｉ皮膜を形成した。
【００７４】
次に、シアン化カリウムやクエン酸カリウム、リン酸一水素カリウムを含有したシアン系Ａｕめっき浴を用意し、めっき槽をこのシアン系Ａｕめっき浴で満たした。
【００７５】
次いで、フェライト素体、導電性媒体をバレル容器に収容すると共に、Ａｕ製の陽極、陰極、及び前記バレル容器をめっき槽に浸漬し、該バレル容器を回転させてフェライト素体を陰極に接触させながら、電流密度０．３Ａ／ｄｍ２、通電時間１５分で電解Ａｕめっきを施し、Ｎｉ皮膜の表面に膜厚０．７μｍのＡｕ皮膜（純度９９．９９％）を形成し、これにより試料番号１〜８の積層インダクタを製造した。
【００７６】
次に、各試料番号１〜８について、レーザ変位計で表面平均粗さＲａを測定した。
【００７７】
また、ワイヤボンディング実装機を使用し、各試料番号１〜８について、下記の条件で外部電極にワイヤーボンディングを施した。
【００７８】
〔ワイヤボンンディング条件〕
超音波発振周波数：６０ｋＨＺ
荷重：７８４ｍＮ
温度：１００℃
処理時間：８０ｍｓ
ワイヤ径：２５μｍ（純度９９．９％のＡｕ）  
次に、米国ＡＳＴＭ規格（Ｆ１２６９―８９）に準拠したボールシェア試験を行ない、接合強度を測定した。
【００７９】
表２は、各試料番号１〜８のＡｇ粉末仕様と、表面平均粗さＲａ及び接合強度を示している。尚、接合強度の評価基準は４６ＭＰａ以上を「良」、４６ＭＰａ未満を「不可」とした。
【表２】
2005159064.tif 000004
この表２から明らかなように試料番号５〜８は、Ａｇ粉末中、略球形状粉であるＡｇ粉末Ａがいずれも９０重量％以下であり、平均粒径Ｄ５０が１０．０μｍの扁平状粉であるＡｇ粉末Ｃが１０重量％以上と多いため、表面平均粗さＲａが０．５μｍ以上となり、接合強度は４３ＭＰａ以下の低い結果が得られた。
【００８０】
これに対し、試料番号１〜３は、略球形状粉であるＡｇ粉末Ａ又は／及びＢを使用し、また、試料番号４は、Ａｇ粉末中、Ａｇ粉末Ａ及びＡｇ粉末Ｂの総含有量が９５重量％であり、扁平状粉であるＡｇ粉末Ｃの含有量が５重量％であるので、表面平均粗さＲａは０．４μｍ以下となって接合強度も７０ＭＰａ以上となり、ワイヤボンディングを行なっても十分な接合強度を有するチップ型の積層インダクタを得ることができた。
【００８１】
そして、これらの結果から表面平均粗さＲａを０．４μｍ以下とするためには、Ａｇ粉末中、略球形状粉が９５重量％以上である必要のあることが確認された。
【００８２】
図６は試料番号６の顕微鏡による拡大写真であり、Ａｇ粉末中、Ａｇ粉末Ａの含有量が７０重量％と少なく、Ａｇ粉末Ｃの含有量が３０重量％と多いため、外部電極の表面が粗くなっている。
【００８３】
これに対して図７は試料番号１の顕微鏡による拡大写真であり、Ａｇ粉末中、Ａｇ粉末Ａが１００重量％を占め、Ａｇ粉末Ｃが含まれていないため、外部電極の表面も平滑になることが分かる。
【実施例２】
【００８４】
まず、上記試料番号１のＡｇ粉末仕様（Ａｇ粉末Ａ：１００重量％）を使用し、実施例１と同様の方法・手順で下地電極用導電性ペーストを作製した。次いで、実施例１と同様の方法・手順で、フェライト素体の両端面に膜厚４０μｍの下地電極を作製し、その後、電解Ｎｉめっきを施して膜厚３μｍのＮｉ皮膜を作製した。
【００８５】
次に、実施例１と同様のＡｕめっき浴を使用し、めっき条件（電流密度及び通電時間）を変えて電解Ａｕめっきを施し、膜厚がそれぞれ０．１μｍ、０．３μｍ、０．６μｍ、及び１．０μｍのＡｕ皮膜を有する試料番号１１〜１４の積層インダクタを作製した。
【００８６】
次に、各試料番号１１〜１４の積層インダクタについて、１５０℃、２００℃、２５０℃、及び３００℃の各温度で１時間、熱処理を行ない、熱処理を行なわなかった場合を含め、実施例１と同様の方法で接合強度を測定した。
【００８７】
表３はＡｕ皮膜の膜厚及び熱処理温度と、そのときの接合強度を示している。
【表３】
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この表３から明らかなように試料番号１１は、Ａｕ皮膜の膜厚が０．１μｍと薄く、また試料番号１２もＡｕ皮膜の膜厚が０．３μｍと薄いため、温度２５０℃で１時間の熱処理を行なうと接合強度が４６ＭＰａ以下に低下し、所望の接合強度を得ることができなくなった。これは試料番号１１及び試料番号１２ではＡｕ皮膜の膜厚が０．３μｍ以下と薄すぎるため、下地膜を構成するＮｉがＡｕ皮膜の表面に析出し、その結果接合強度の低下を招いたものと思われる。
【００８８】
これに対して試料番号１３及び試料番号１４は、Ａｕ皮膜の膜厚が０．６μｍ以上と厚いため、温度３００℃で１時間の熱処理を行なってもＮｉがＡｕ皮膜の表面に析出することもなく、５５ＭＰａ以上の接合強度を確保することができ、所望の接合強度を得ることができることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明に係るセラミック電子部品の一実施の形態としての積層インダクタを模式的に示した断面図である。
【図２】略球形状粉の定義を説明するための図である。
【図３】実施例１におけるＡｇ粉末ＡのＳＥＭ像を示す図である。
【図４】実施例１におけるＡｇ粉末ＢのＳＥＭ像を示す図である。
【図５】実施例１におけるＡｇ粉末ＣのＳＥＭ像を示す図である。
【図６】実施例１における試料番号６の顕微鏡による拡大写真を示す図である。
【図７】実施例１における試料番号１の顕微鏡による拡大写真を示す図である。
【符号の説明】
【００９０】
２  フェライト素体（セラミック素体）
３ａ、３ｂ  下地電極
４ａ、４ｂ  Ｎｉ皮膜（金属皮膜）
５ａ、５ｂ  Ａｕ皮膜（金属皮膜）
６ａ、６ｂ  外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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