(57)【要約】【課題】耐久性を改善し、なお且つ表面性を高い次元で改善することか可能である。【解決手段】モジュール支持体上にＩＣチップ、アンテナを有するＩＣモジュールを含む部品が接着剤を介在して設けられるＩＣカードにおいて、ＩＣチップの回路面と反対側に、密着剤を介して第１の補強板、さらに密着材を介して第２の補強板をこの順に具備し、前記ＩＣチップの回路面側が前記モジュール支持体上に形成された前記アンテナと密着し電気的に接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
モジュール支持体上にＩＣチップ、アンテナを有するＩＣモジュールを含む部品が接着剤を介在して設けられるＩＣカードにおいて、
前記ＩＣチップの回路面と反対側に、密着剤を介して第１の補強板、さらに密着材を介して第２の補強板をこの順に具備し、
前記ＩＣチップの回路面側が前記モジュール支持体上に形成された前記アンテナと密着し電気的に接続されていることを特徴とするＩＣカード。
【請求項２】
前記第１の補強板が前記ＩＣチップのＩＣカード平面に垂直方向の投影面積及び外周より大きく、前記第２の補強板が前記第１の補強板の垂直方向の投影面積及び外周より大きいことを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載のＩＣカード。
【請求項３】
前記第２の補強板より前記密着剤の面積及び外周が大きく、前記ＩＣチップが前記密着剤で封止されていることを特徴とすることを特徴とする請求項１及び請求項２に記載のＩＣカード。
【請求項４】
前記ＩＣチップと、前記第１の補強板と、前記第２の補強板は、２％弾性率が０．１以上５５．０ｋｇ／ｍｍ２以下の密着剤を介して固定されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のＩＣカード。
【請求項５】
ＩＣカードの表裏の少なくとも片側に受像層を有し、他方に筆記層を有し、
前記受像層側に前記モジュール支持体の前記ＩＣチップが実装されていない支持体面を、筆記層側に前記第１の補強板、前記第２の補強板が実装されている支持体面となるように、前記ＩＣモジュールを設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のＩＣカード。
【請求項６】
前記ＩＣチップの厚みが３０μｍ以上１９０μｍ以下、前記密着剤の厚みが１μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のＩＣカード。
【請求項７】
前記アンテナが形成される前記モジュール支持体の厚みが１０μｍ以上５０μｍ以下、前記ＩＣモジュールのＩＣチップ部の最大厚みが３５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のＩＣカード。
【請求項８】
前記第１の補強板と前記第２の補強板の重心位置と、前記ＩＣチップの重心位置が略同一であり、
補強板形状は、前記第１の補強板が金属よりなり円形または正方形であり、前記第２の補強板が金属よりなる正方形であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のＩＣカード。
【請求項９】
前記受像層に氏名、顔画像からなる個人識別情報が溶融熱転写、または昇華熱転写で設けられることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のＩＣカード。
【請求項１０】
前記接着剤の２％弾性率が、１以上８８ｋｇｍｍ２以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載のＩＣカード。
【請求項１１】
モジュール支持体上に設けたアンテナにＩＣチップ回路面に設けた接続用バンプを異方導電性接着剤により電気接続した後に、
密着剤をポッティングで設けて第１の補強板を加圧加熱密着し、
さらに密着剤をポッティングで設けて第２の補強板を加圧加熱密着させＩＣモジュールを作成し、
対向する２つの基板間の所定の位置に作成した前記ＩＣモジュールを載置し、接着剤を充填し加圧密着することを特徴とするＩＣカードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、偽造、変造防止等の安全性（セキュリティ）が要求される個人情報等を記憶する非接触式の電子カード、あるいはシートに適用して好適なＩＣカード及びＩＣカードの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
身分証明書カード（ＩＤカード）やクレジットカードなどには、従来磁気記録方式によりデータを記録する磁気カードが広く利用されてきた。しかしながら、磁気カードはデータの書き換えが比較的容易にできるため、データの改ざん防止が十分でないこと、磁気のため外的な影響を受けやすく、データの保護が十分でないこと、さらに記録できる容量が少ないなどの問題点があった。そこで、近年ＩＣチップを内蔵したＩＣカードが普及し始めている。
【０００３】
ＩＣカードは、表面に設けられた電気接点やカード内部のループアンテナを介して外部の機器とデータの読み書きをする。ＩＣカードは磁気カードに比べて記憶容量が大きく、セキュリティ性も大きく向上している。特に、カード内部にＩＣチップと外部との情報のやりとりをするためのアンテナを内蔵し、カード外部に電気接点を持たない非接触式ＩＣカードは、電気接点をカード表面にもつ接触式ＩＣカードに比べてセキュリティ性が優れ、ＩＤカードのようにデータの機密性と偽変造防止性を高く要求する用途に使用されつつある。
【０００４】
このようなＩＣカードとして、例えば第１のシート材と第２のシート材が接着剤を介して貼り合わされ、その接着剤層中にＩＣチップおよびアンテナを有するＩＣモジュールを封入するものがある。
【０００５】
ＩＣカードはセキュリティ性が高いために耐久性が偽造変造の観点からも重要になっている。特に、カード内部にＩＣチップと外部との情報のやりとりをするためのアンテナなどの電気部品が内蔵されているため、その耐久性を確保するためさまざまな試みが行われている。しかしながら、さまざまな用途に使用され普及しつつある中、さらに高い耐久性が必要とされてきた。カードという特性上、常に携帯しズボンのポケット等での繰返し曲げ、落下、コイン等の圧力に対して強い耐久性が要求される。例えば、圧力、曲げ等によるＩＣチップの破壊やアンテナの断線による耐久性に関し、特開平６―１９９０８３、特開平８―３２４１６６に開示されている。
【０００６】
こうした問題を解決する技術としては、従来より、半導体チップに対して、金属或いは樹脂からなる補強板を積層することが知られている（例えば、特開平９−１５６２６５号公報、特開平９−２６３０８２号公報等参照）。このように、ＩＣチップに強固な補強構造物を設ける等の改良が提案されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平６―１９９０８３号公報
【０００８】
【特許文献２】
特開平８―３２４１６６号公報
【０００９】
【特許文献３】
特開平９−１５６２６５号公報
【００１０】
【特許文献４】
特開平９−２６３０８２号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、一定の耐久性の向上は見られるが、さまざまな状況に対して十分な耐久性が得られてなく、例えば急激な応力がかかる衝撃への耐久性、繰返しに応力がかかる繰返し曲げ耐久性、繰返し局所荷重等に対して、ＩＣチップが割れたり、カードが破損し引いては電気動作が不可能になるなどの問題が発生していた。また、これらの耐久性を改善するだけでなく、個人情報等を記載するためには、昇華印画、溶融印字等で濃度変動がなくカスレのないようにするよう平滑なカード表面性が必要になる。
【００１２】
この発明では、このような耐久性を改善し、なお且つ表面性を高い次元で改善することが可能なＩＣカード及びＩＣカードの製造方法を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決し、かつ目的を達成するために、この発明は、以下のように構成した。
【００１４】
請求項１に記載の発明は、モジュール支持体上にＩＣチップ、アンテナを有するＩＣモジュールを含む部品が接着剤を介在して設けられるＩＣカードにおいて、
前記ＩＣチップの回路面と反対側に、密着剤を介して第１の補強板、さらに密着材を介して第２の補強板をこの順に具備し、
前記ＩＣチップの回路面側が前記モジュール支持体上に形成された前記アンテナと密着し電気的に接続されていることを特徴とするＩＣカードである。
【００１５】
この請求項１に記載の発明によれば、ＩＣチップの回路面側がモジュール支持体上に形成されたアンテナと密着し電気的に接続し、ＩＣチップの回路面側は、モジュール支持体でＩＣチップを保護し、かつ、同じ厚みであっても補強板を１板設けたものに比較しても２板にすることで極めて高いレベルで、応力を分散させＩＣチップを破壊より守ることができる。
【００１６】
請求項２に記載の発明は、前記第１の補強板が前記ＩＣチップのＩＣカード平面に垂直方向の投影面積及び外周より大きく、前記第２の補強板が前記第１の補強板の垂直方向の投影面積及び外周より大きいことを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載のＩＣカードである。
【００１７】
この請求項２に記載の発明によれば、第１の補強板がＩＣチップの面積及び外周より大きく、第２の補強板が第１の補強板の面積及び外周より大きいことで、一番大きい第２補強板に曲げたり、押したりしたときの荷重がかかりやすく、破壊しやすいため、ＩＣチップの耐久性が向上する。
【００１８】
請求項３に記載の発明は、前記第２の補強板より前記密着剤の面積及び外周が大きく、前記ＩＣチップが前記密着剤で封止されていることを特徴とすることを特徴とする請求項１及び請求項２に記載のＩＣカードである。
【００１９】
この請求項３に記載の発明によれば、第２の補強板より密着剤の面積及び外周が大きく、ＩＣチップが密着剤で封止されていることから、空隙がなくなり耐久性が向上し、凹凸性が低下してモジュール支持体上になだらかにＩＣチップ部分が形成されることになり、平滑なカード表面を得ることができる。
【００２０】
請求項４に記載の発明は、前記ＩＣチップと、前記第１の補強板と、前記第２の補強板は、２％弾性率が０．１以上５５．０ｋｇ／ｍｍ２以下の密着剤を介して固定されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のＩＣカードである。
【００２１】
この請求項４に記載の発明によれば、２％弾性率が５５．０ｋｇ／ｍｍ２以下になると応力を吸収するのに優れ、ＩＣチップをより破損から守り、０．１ｋｇ／ｍｍ２以上になると、自己支持性がより向上し、補強板との一体化が向上し、ＩＣチップ破損防止効果が高い。
【００２２】
請求項５に記載の発明は、ＩＣカードの表裏の少なくとも片側に受像層を有し、他方に筆記層を有し、
前記受像層側に前記モジュール支持体の前記ＩＣチップが実装されていない支持体面を、筆記層側に前記第１の補強板、前記第２の補強板が実装されている支持体面となるように、前記ＩＣモジュールを設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のＩＣカードである。
【００２３】
この請求項５に記載の発明によれば、モジュール支持体と第１の補強板、第２の補強板との間にＩＣチップが設けられ、このモジュール支持体と補強板とによってＩＣチップを破壊より守ることができる。
【００２４】
請求項６に記載の発明は、前記ＩＣチップの厚みが３０μｍ以上１９０μｍ以下、前記密着剤の厚みが１μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のＩＣカードである。
【００２５】
この請求項６に記載の発明によれば、ＩＣチップが厚いと曲げの応力に対してチップの回路が破壊しやすく、薄すぎると、局部応力により割れやすい。また、密着剤が厚すぎると高強度な補強板が隣接していても補強効果が低下し強度が落ち、逆に薄すぎると応力緩和機能を併せ持つ密着剤の効果が少なくなり曲げ等の応力に弱くなり、ＩＣチップの厚みと、密着剤の厚みを規定することで、耐久性を改善することができる。
【００２６】
請求項７に記載の発明は、前記アンテナが形成される前記モジュール支持体の厚みが１０μｍ以上５０μｍ以下、前記ＩＣモジュールのＩＣチップ部の最大厚みが３５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のＩＣカードである。
【００２７】
この請求項７に記載の発明によれば、ＩＣモジュールのＩＣチップ部の最大厚みとは、回路面側とは逆のモジュール支持体面からＩＣチップの補強板側の上面を言い、モジュール支持体が薄すぎるとアンテナが破壊しやすく、厚すぎるとＩＣカードが厚くなり、ＩＣモジュールのＩＣチップ部が厚すぎると局部応力により割れやすく、アンテナが形成されるモジュール支持体の厚みと、ＩＣモジュールのＩＣチップ部の最大厚みを規定することで、耐久性を改善することができる。
【００２８】
請求項８に記載の発明は、前記第１の補強板と前記第２の補強板の重心位置と、前記ＩＣチップの重心位置が略同一であり、
補強板形状は、前記第１の補強板が金属よりなり円形または正方形であり、前記第２の補強板が金属よりなり正方形であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のＩＣカードである。
【００２９】
この請求項８に記載の発明によれば、補強板形状が、第１の補強板が円形または正方形で、第２の補強板が正方形であることで、第１の補強板と第２の補強板で重心がずれていても良いが、最外層の補強板が重心よりより離れたところにあるほど、曲げ変形等の外部応力が加わったとき最外層が破壊しやすくなるため、略同一の補強板重心であることでその結果ＩＣチップを保護できる。
【００３０】
請求項９に記載の発明は、前記受像層に氏名、顔画像からなる個人識別情報が溶融熱転写、または昇華熱転写で設けられることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のＩＣカードである。
【００３１】
この請求項９に記載の発明によれば、受像層に氏名、顔画像からなる個人識別情報が溶融熱転写、または昇華熱転写で設けられ、濃度変動がなくカスレのない情報記録ができる。
【００３２】
請求項１０に記載の発明は、前記接着剤の２％弾性率が、１以上８０ｋｇｍｍ２以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載のＩＣカードである。
【００３３】
この請求項１０に記載の発明によれば、２％弾性率が８０ｋｇｍｍ２以下になると応力を吸収するのに優れ、ＩＣモジュールをより破損から守り、１ｋｇ／ｍｍ２以上になると、自己支持性がより向上し、ＩＣモジュールとの一体化が向上し、ＩＣモジュール破損効果が高い。
【００３４】
請求項１１に記載の発明は、モジュール支持体上に設けたアンテナにＩＣチップ回路面に設けた接続用バンプを異方導電性接着剤により電気接続した後に、
密着剤をポッティングで設けて第１の補強板を加圧加熱密着し、
さらに密着剤をポッティングで設けて第２の補強板を加圧加熱密着させＩＣモジュールを作成し、
対向する２つの基材間の所定の位置に作成した前記ＩＣモジュールを載置し、接着剤を充填し加圧密着することを特徴とするＩＣカードの製造方法である。
【００３５】
この請求項１１に記載の発明によれば、モジュール支持体上にＩＣチップ回路面に設けた接続用バンプを電気接続した後に、第１の補強板を加圧加熱密着し、第２の補強板を加圧加熱密着させＩＣモジュールを作成し、対向する２つの基材間にＩＣモジュールを載置し、接着剤を充填し加圧密着して、外力を応力分散させ、ＩＣチップを破壊より保護することが可能なＩＣカードを製造することができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明のＩＣカード及びＩＣカード製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明するが、この発明は、この実施の形態に限定されない。また、この発明の実施の形態は、発明の最も好ましい形態を示すものであり、この発明の用語はこれに限定されない。
【００３７】
まず、この発明のＩＣカードについて説明する。図１はＩＣカードの層構成を示す図である。
【００３８】
この実施の形態のＩＣカードは、身分証明書カードやクレジットカードなどに広く適用することができ、対向する２つの裏基材１と表基材２との間に、裏接着剤６と表接着剤７を介在してアンテナ３ａ１、ＩＣチップ３ａ２を有するＩＣモジュール３を含む部品が配置されてなる。
【００３９】
裏接着剤６と表接着剤７は、同じ組成であり、この接着剤の２％弾性率が、１以上８０ｋｇｍｍ２以下である。２％弾性率が８０ｋｇ／ｍｍ２以上になると応力を吸収できず、ＩＣモジュール３を破損し、１ｋｇ／ｍｍ２以下になると、自己支持性が低下し、ＩＣモジュール３との一体化が低下し、ＩＣモジュール３を破損するが、規定の２％弾性率の接着剤を介して固定することでＩＣモジュール３の破損を防止することができる。
【００４０】
一方の裏基材１には筆記可能な筆記層９ａが設けられている。他方の表基材２には、受像層８ａが設けられ、この受像層８ａに氏名、顔画像を含む個人識別情報である認証画像、属性情報８ｂが記録される。受像層８ａには、個人識別情報である認証画像、属性情報８ｂを保護する保護層８ｃが設けられ、この保護層８ｃを設けることで、摩耗や薬品などから、また、落下、コイン等の圧力に対して耐久性が向上する。この受像層８ａに氏名、顔画像からなる個人識別情報が溶融熱転写、または昇華熱転写で設けられ、濃度変動がなくカスレのない情報記録ができる。
【００４１】
このアンテナ３ａ１、ＩＣチップ３ａ２はモジュール支持体３ｄ上に設けられ、モジュール支持体３ｄは、例えばフィルムで構成される。モジュール支持体３ｄには、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１とアンテナ３ａ１とが導電性接着剤９０を介して電気的に接続されている。
【００４２】
このＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１と反対側３ａ２２には、密着剤９１を介して第１の補強板３ｂが接続され、この第１の補強板３ｂには、密着剤９２を介して第２の補強板３ｃが接続されている。このように、ＩＣカードは、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１と反対側に、密着剤９１，９２を介して第１の補強板３ｂ、第２の補強板３ｃを隣接してこの順に具備している。
【００４３】
この密着剤９１と密着剤９２は、同じ組成であるが、この密着剤９１と密着剤９２は同じでも、異なっていてもよい。密着剤９１はＩＣチップ３ａ２を囲むようにようにモジュール支持体３ｄ上に設けられ、ＩＣチップ３ａ２に密着剤９１を介して第１の補強板３ｂが接続される。密着剤９２はＩＣチップ３ａ２及び第１の補強板３ｂを囲むようにようにモジュール支持体３ｄ上に設けられ、第１の補強板３ｂに密着剤９２を介して第２の補強板３ｃが接続されている。
【００４４】
このように、ＩＣチップ３ａ２の回路面側がモジュール支持体３ｄ上に形成されたアンテナ３ａ１と導電性接着剤９０を介して密着し電気的に接続し、ＩＣチップ３ａ２の回路面側は、モジュール支持体３ｄでＩＣチップ３ａ２を保護している。ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１と反対側３ａ２２は、密着剤９１，９２を介して第１の補強板３ｂ、第２の補強板３ｃを具備し、２枚の補強板で強固にＩＣチップ３ａ２を保護し、かつ、応力を分散させ、これによりＩＣチップ３ａ２を破壊より守ることができる。
【００４５】
このＩＣモジュール３は、図２及び図３に示すように構成される。図２はＩＣモジュールの側面図、図３はＩＣチップ部の平面図である。
【００４６】
この実施の形態のＩＣモジュール３は、第１の補強板３ｂがＩＣチップ３ａ２のＩＣチップのＩＣカード平面に垂直方向の投影面積及び外周より大きく、第２の補強板３ｃが第１の補強板３ｂの面積及び外周より大きくなっている。このように、第１の補強板３ｂがＩＣチップ３ａ２の面積及び外周より大きく、第２の補強板３ｃが第１の補強板３ｂの面積及び外周より大きいことで、一番大きい第２補強板３ｃに曲げたり、押したりしたときの荷重がかかりやすく、破壊しやすい、さらに第１の補強板３ｂによりＩＣチップ３ａ２が保護されており、ＩＣチップ３ａ２の耐久性が向上する。
【００４７】
また、第２の補強板３ｃより密着剤９２の面積及び外周が大きく、ＩＣチップ３ａ２が密着剤９２で封止され、モジュール支持体３ｄ上になだらかにＩＣチップ部分が形成されることになり、平滑なカード表面を得ることができる。
【００４８】
この実施の形態のＩＣチップ３ａ２と、第１の補強板３ｂと、第２の補強板３ｃは、２％弾性率が０．１以上５５．０ｋｇ／ｍｍ２以下の密着剤９１，９２を介して固定されている。２％弾性率が５５．０ｋｇ／ｍｍ２以上になると応力を吸収できず、ＩＣチップ３ａ２を破損し、０．１ｋｇ／ｍｍ２以下になると、自己支持性が低下し、第１の補強板３ｂと、第２の補強板３ｃの補強板との一体化が低下し、ＩＣチップ３ａ２を破損するが、０．１以上５５．０ｋｇ／ｍｍ２以下の密着剤９１，９２を介して固定することでＩＣチップ３ａ２の破損を防止することができる。
【００４９】
また、この実施の形態では、表裏の少なくとも片側に受像層８ａを有し、他方に筆記層９ａを有し、受像層８ａ側にモジュール支持体３ｄのＩＣチップ３ａ２が実装されていない支持体面３ｄ１を、筆記層９ａ側に第１の補強板３ｂ、第２の補強板３ｃが実装されている支持体面３ｄ２となるように、ＩＣモジュール３を設けている。モジュール支持体３ｄと第１の補強板３ｂ、第２の補強板３ｃとの間にＩＣチップ３ａ２が設けられ、このモジュール支持体３ｄと補強板とによってＩＣチップ３ａ２を破壊より守ることができる。
【００５０】
この実施の形態では、ＩＣチップ３ａ２の厚みＤ１が３０μｍ以上１９０μｍ以下、密着剤９１，９２の厚みが１μｍ以上５０μｍ以下である。ＩＣチップ３ａ２が厚いと曲げに応力対してチップの回路が破壊しやすく、薄すぎると、局部応力により割れやすい。また、密着剤が厚すぎると高強度な補強板が隣接していても補強効果が低下し強度が落ち、逆に薄すぎると応力緩和機能を併せ持つ密着剤の効果が少なくなり曲げ等の応力に弱くなり、ＩＣチップ３ａ２の厚みと、密着剤９１，９２の厚みを規定することで、耐久性を改善することができる。
【００５１】
また、アンテナ３ａ１が形成されるモジュール支持体３ｄの厚みＤ３が１０μｍ以上５０μｍ以下、ＩＣモジュール３のＩＣチップ部の最大厚みＤ４が３５０μｍ以下である。ＩＣモジュール３のＩＣチップ部の最大厚みＤ４とは、回路面側とは逆のモジュール支持体面からＩＣチップの補強板側の上面を言う。モジュール支持体３ｄが薄すぎるとアンテナ３ａ１が破壊しやすく、厚すぎるとＩＣカードが厚くなり、ＩＣモジュール３のＩＣチップ部が厚すぎると局部応力により割れやすく、アンテナ３ａ１が形成されるモジュール支持体３ｄの厚みＤ３と、ＩＣモジュール３のＩＣチップ部の最大厚みＤ４を規定することで、耐久性を改善することができる。
【００５２】
この実施の形態では、第１の補強板３ｂと第２の補強板３ｃの重心位置と、ＩＣチップ３ａ２の重心位置が略同一であり、補強板形状は、第１の補強板３ｂが金属よりなる正方形であり、第２の補強板３ｃが金属よりなる正方形である。この第１の補強板３ｂが円形でもよい。補強板形状が、第１の補強板３ｂが円形または正方形で、第２の補強板３ｃが正方形であることで、最外層の補強板が重心よりより離れたところにあるほど、曲げ変形等の外部応力が加わったとき最外層が破壊しやすくなるため、その結果ＩＣチップ３ａ２を保護できる。
【００５３】
このＩＣカードの製造は、図２及び図３に示すように、モジュール支持体３ｄ上に設けたアンテナ３ａ１にＩＣチップ回路面に設けた接続用バンプを、導電性接着剤９０である異方導電性接着剤により電気接続した後に、密着剤９１をポッティングで設けて第１の補強板３ｂを加圧加熱密着し、さらに密着剤９２をポッティングで設けて第２の補強板３ｃを加圧加熱密着させＩＣモジュール３を作成する。
【００５４】
対向する２つの基材である裏基材１と表基材２間の所定の位置に作成したＩＣモジュール３を載置し、接着剤である裏接着剤６と表接着剤７を充填し加圧密着して、外力を応力分散させ、ＩＣチップ３ａ２を破壊より保護することが可能なＩＣカードを製造することができる。
【００５５】
次に、ＩＣモジュール３の他の実施の形態を、図４に示す。図４はＩＣモジュールの側面図である。この実施の形態は、図１乃至図３のＩＣモジュール３と同様に構成されるが、第１の補強板３ｂより密着剤９１のＩＣチップのＩＣカード平面に垂直方向の投影面積及び外周が小さく、密着剤９１は、第１の補強板３ｂとＩＣチップ３ａ２との間に設けられている。また、第２の補強板３ｃより密着剤９２のＩＣチップのＩＣカード平面に垂直方向の投影面積及び外周が小さく、密着剤９２は、第１の補強板３ｂと第２の補強板３ｃとの間に設けられている。この実施の形態の密着剤９１は、図４（ａ）では、ＩＣチップ３ａ２を封止しないように設けられているが、図４（ｂ）では、ＩＣチップ３ａ２を封止するように設けている。
【００５６】
さらに、ＩＣモジュール３の他の実施の形態を、図５に示す。図５はＩＣモジュールの側面図である。この実施の形態は、図１乃至図３のＩＣモジュール３と同様に構成されるが、第１の補強板３ｂと第２の補強板３ｃが同じ形状に形成されている。
【００５７】
さらに、ＩＣモジュール３の他の実施の形態を、図６に示す。図６はＩＣモジュールのＩＣチップ部の平面図である。この実施の形態は、図１乃至図３のＩＣモジュール３と同様に構成されるが、第１の補強板３ｂと第２の補強板３ｃが、円形の同じ形状に形成されている。
【００５８】
さらに、ＩＣモジュール３の他の実施の形態を、図７に示す。図７はＩＣモジュールのＩＣチップ部の平面図である。この実施の形態は、図１乃至図３のＩＣモジュール３と同様に構成されるが、第１の補強板３ｂが円形であり、第２の補強板３ｃが正方形であり、第１の補強板３ｂより第２の補強板３ｃが大きく形成されている。
【００５９】
さらに、ＩＣモジュール３の他の実施の形態を、図８及び図９に示す。図８はＩＣモジュールの側面図、図９はＩＣモジュールのＩＣチップ部の平面図である。この実施の形態は、図４のＩＣモジュール３と同様に構成されるが、第１の補強板３ｂより第２の補強板３ｃが小さく形成されている。この実施の形態では、第１の補強板３ｂと第２の補強板３ｃは、図９に示すように、同じ正方形であるが、円形でもよく、正方形と円形でもよい。
【００６０】
次に、比較例のＩＣモジュールの形態を、図１０に示す。図１０は比較例のＩＣモジュールの側面図である。この比較例のＩＣモジュールは、図１乃至図３のＩＣモジュール３と同様に構成されるが、第１の補強板３ｂを設けるだけであり、密着剤９２及び第２の補強板３ｂは設けていない。
【００６１】
次に、比較例のＩＣモジュールの形態を、図１１に示す。図１１は比較例のＩＣモジュールの側面図である。この比較例のＩＣモジュールは、図１乃至図３のＩＣモジュール３と同様に構成されるが、第２の補強板３ｂは、モジュール支持体３ｄのＩＣチップ３ａ２や第１の補強板３ｂが設けられる面とは反対側の面に設けられている。
【００６２】
次に、他の比較例のＩＣモジュールの形態を、図１２及び図１３に示す。図１２は比較例のＩＣカードの層構成を示す図、図１３は比較例のＩＣモジュールの側面図である。
【００６３】
この比較例のＩＣカードの層構成は、図１の実施の形態と同様に構成されるが、ＩＣモジュール３は、モジュール支持体３ｄが不織布である。また、ＩＣモジュール３は、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１と反対側に、密着剤９１，９２を介して第１の補強板３ｂ、第２の補強板３ｃを隣接してこの順に具備されるが、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１の反対側がモジュール支持体３ｄに設けられ、ＩＣチップ３ａ２の回路面側を筆記層９ａ側にして配置されている。
【００６４】
次に、他の比較例のＩＣモジュールの形態を、図１４及び図１５に示す。図１４は比較例のＩＣカードの層構成を示す図、図１５は比較例のＩＣモジュールの側面図である。
【００６５】
この比較例のＩＣカードの層構成は、図１の実施の形態と同様に構成されるが、ＩＣモジュール３は、モジュール支持体３ｄが樹脂シートであり、例えばＰＥＴ−Ｇシートを用いている。この樹脂シートにアンテナ３ａ１が形成される。ＩＣチップ３ａ２は、リードフレーム３ｅに固定され、このリードフレーム３ｅが密着剤９４によってモジュール支持体３ｄに固定されている。
【００６６】
このような比較例に対し、この発明の実施の形態では、図１６及び図１７に示すような効果がある。
【００６７】
図１６に示すように、ＩＣカードに応力がかかったときに、第１の補強板３ｂがＩＣチップ３ａ２の面積及び外周より大きく、第２の補強板３ｃが第１の補強板３ｂの面積及び外周より大きいことで、一番大きい第２補強板３ｃに曲げたり、押したりしたときの荷重がかかりやすく、第２補強板３ｃから破壊が進行することで、ＩＣチップ３ａ２が保護されてＩＣチップ３ａ２の耐久性が向上する。
【００６８】
また、図１７に示すように、ＩＣチップ３ａ２が密着剤９２で封止されていないで、密着剤９２の面積が小さいと空隙３ｆになりやすく、耐久性、凹凸性が低下しやすいが、第２の補強板３ｃより密着剤９２の面積及び外周が大きく、ＩＣチップ３ａ２が密着剤９２で封止されていると、空隙３ｆがなくなり耐久性が向上し、凹凸性が低下してモジュール支持体３ｄ上になだらかにＩＣチップ部分が形成されることになり、平滑なカード表面を得ることができる。
【００６９】
以下、この発明のＩＣカード及びＩＣカードの製造方法について詳細に説明する。
＜破断伸度、２％弾性率の測定方法＞
接着剤を、厚さ５００μｍの硬化後の接着剤シートを作成し、この接着剤シートを株式会社オリエンテックテンシロン万能試験機ＲＴＡ−１００を用いＡＳＴＭ  Ｄ６３８に準じて、引張弾性率、引張破断点伸度、を測定した。
［基材］
裏表の基材としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート／イソフタレート共重合体等のポリエステル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン樹脂、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ４フッ化エチレン、エチレン−４フッ化エチレン共重合体、等のポリフッ化エチレン系樹脂、ナイロン６、ナイロン６．６等のポリアミド、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体、エチレン／ビニルアルコール共重合体、ポリビニルアルコール、ビニロン等のビニル重合体、生分解性脂肪族ポリエステル、生分解性ポリカーボネート、生分解性ポリ乳酸、生分解性ポリビニルアルコール、生分解性セルロースアセテート、生分解性ポリカプロラクトン等の生分解性樹脂、三酢酸セルロース、セロファン等のセルロース系樹脂、ポリメタアクリル酸メチル、ポリメタアクリル酸エチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、等のアクリル系樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリイミド等の合成樹脂シート、又は上質紙、薄葉紙、グラシン紙、硫酸紙等の紙、金属箔等の単層体或いはこれら２層以上の積層体が挙げられる。この発明の基材の厚みは３０〜３００μｍ望ましくは５０〜２００μｍである。５０μｍ以下であると裏表の基材の貼り合わせ時に熱収縮等を起こし問題である。
【００７０】
この発明においては、基材は１５０℃／３０ｍｉｎにおける熱収縮率が縦（ＭＤ）で１．２％以下、横（ＴＤ）で０．５％以下が好ましい。裏表の基材の両方の面側から、接着剤を塗工又は貼り合わせ生産した場合、温度により基材が熱収縮を起こしてしまいその後の断裁工程、印刷工程での位置あわせが困難であった。しかし、この発明のように低温で接着する接着剤と１５０℃／３０ｍｉｎにおける熱収縮率が縦（ＭＤ）で１．２％以下、横（ＴＤ）で０．５％以下の基材を用いることにより基材の収縮が起きずに従来の問題点を改善することができた。
【００７１】
この発明においては隠蔽性を向上させるために白色の顔料を混入させたり、熱収縮率を低減させるためにアニール処理を行ったりして得られた１５０℃／３０ｍｉｎにおける熱収縮率が縦（ＭＤ）で１．２％以下、横（ＴＤ）で０．５％以下の支持体を用いることが好ましい。縦（ＭＤ）で１．２％以上、横（ＴＤ）で０．５％以上であると基材の収縮により上記した後加工が困難になることが確認された。又上記基材上に後加工上密着性向上のため易接処理を行っていても良く、チップ保護のために帯電防止処理を行っていても良い。
【００７２】
具体的には、帝人デュポンフィルム株式会社製のＵ２シリーズ、Ｕ４シリーズ、ＵＬシリーズ、東洋紡績株式会社製クリスパーＧシリーズ、東レ株式会社製のＥ００シリーズ、Ｅ２０シリーズ、Ｅ２２シリーズ、Ｘ２０シリーズ、Ｅ４０シリーズ、Ｅ６０シリーズＱＥシリーズを好適に用いることができる。
【００７３】
表基材の第２の支持体は場合により、当該カード利用者の顔画像を形成するため受像層、クッション層を設けてもよい。個人認証カード基体表面には画像要素が設けられ、顔画像等の認証識別画像、属性情報画像、フォーマット印刷から選ばれる少なくとも一つが設けられたものが好ましい。
【００７４】
受像層用としては公知の樹脂を用いることができ、例えばポリ塩化ビニル樹脂、塩化ビニルと他のモノマー（例えばイソブチルエーテル、プロピオン酸ビニル等）との共重合体樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアセタール系樹脂、ポリビニルブチラール系樹脂、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、三酢酸セルロース、ポリスチレン、スチレンと他のモノマー（例えばアクリル酸エステル、アクリロニトリル、塩化エチレン等）との共重合体、ビニルトルエンアクリレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカプロラクトン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、およびそれらの変性物などを挙げることができるが、好ましいのは、ポリ塩化ビニル樹脂、塩化ビニルと他のモノマーとの共重合体、ポリエステル樹脂、ポリビニルアセタ−ル系樹脂、ポリビニルブチラール系樹脂、スチレンと他のモノマーとの共重合体、エポキシ樹脂である。
【００７５】
この発明のクッション層を形成する材料としては、特願２００１−１６９３記載の光硬化型樹脂、ポリオレフィンが好ましい。例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−エチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−水素添加イソプレン−スチレンブロック共重合体、ポリブタジエンの様な柔軟性を有し、熱伝導性の低いものが適する。
＜クッション層＞
この発明のクッション層を形成する材料としては、ポリオレフィンが好ましい。例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−エチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−水素添加イソプレン−スチレンブロック共重合体、ポリブタジエン、光硬化型樹脂層の様な柔軟性を有し、熱伝導性の低いものが適する。具体的には、特願２００１−１６９３４等のクッション層を使用することができる。
【００７６】
この発明でいうクッション層とは、基材と画像を受容する受像層の間に位置し、ＩＣモジュール等の電子部品による凹凸影響を緩和する役割をはたす軟質の樹脂層を意味する。
【００７７】
また、クッション層は、受像層と電子部品の間にクッション層を有する形態であれば特に制限はないが、基材の片面もしくは両面上に塗設あるいは貼合されて、形成されることが特に好ましい。
＜筆記層＞
筆記層は、ＩＤカードの裏面に筆記をすることができるようにした層である。このような筆記層としては、例えば炭酸カルシウム、タルク、ケイソウ土、酸化チタン、硫酸バリウム等の無機微細粉末を熱可塑性樹脂（ポリエチレン等のポリオレフィン類や、各種共重合体等）のフィルムに含有せしめて形成することができる。特開平１−２０５１５５号公報に記載の「書き込み層」をもって形成することができる。前記筆記層は基材における、複数の層が積層されていない方の面に形成される
＜接着剤＞
この発明のＩＣカードに用いられる接着剤は、一般に使用されている樹脂を制限なく用いることができる。好ましくは、ホットメルト接着剤を用いることがよく、ホットメルト接着剤の主成分としては、例えばエチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）系、ポリエステル系、ポリアミド系、熱可塑性エラストマー系、ポリオレフィン系などが挙げられる。但しカード基体がそりやすいとか、カード表面に感熱転写による画像形成のための受像層など高温加工に弱い層が設けられている場合に層がダメージを受け、或いは高温で張り合わせるために基材が熱収縮等を起こし寸法及び張り合わせ時の位置精度が劣化する等の問題点から接着剤を介して張り合わせる場合には、８０℃以下で張り合わせることが好ましくさらには１０〜８０℃、さらに好ましくは２０〜８０であることが好ましい。
【００７８】
低温接着剤の中でも具体的には反応型ホットメルト接着剤が好ましい。反応型ホットメルト接着剤（以下、反応型接着剤）は、樹脂を溶融させて接着した後、湿気を吸収して樹脂が硬化するタイプの接着剤である。その特徴として、通常のホットメルトと比較して硬化反応を有する上、それに要するだけ接着可能時間が長く、かつ接着後に軟化温度が高くなるため耐久性に富み、低温での加工に適していることが挙げられる。反応型接着剤の１例として、分子末端にイソシアネート基含有ウレタンポリマーを主成分とし、このイソシアネート基が水分と反応して架橋構造を形成するものがある。この発明に使用できる反応型接着剤としては住友スリーエム社製ＴＥ０３０、ＴＥ１００、日立化成ポリマー社製ハイボン４８２０、カネボウエヌエスシー社製ボンドマスター１７０シリーズ、Ｈｅｎｋｅｌ社製Ｍａｃｒｏｐｌａｓｔ    ＱＲ    ３４６０等が挙げられる。
【００７９】
反応型ホットメルト接着剤として湿気硬化型の材料で特開２０００−０３６０２６、特開２０００−２１９８５５、特開２０００−２１１２７８、特開２０００−２１９８５５、特願２０００−３６９８５５で開示されている。光硬化型接着剤として特開平１０−３１６９５９、特開平１１−５９６４等が開示されている。
【００８０】
これら接着剤のいずれも使用してもよく、この発明には制限はない材料を用いることが好ましい。
【００８１】
接着剤の膜厚は、この発明の範囲であれば電子部品と含めた厚さで１０〜６００μｍが好ましく、より好ましくは１０〜５００μｍ、更に好ましくは１０μ〜４５０μｍである。
【００８２】
この発明では、弾性率が１〜５５ｋｇ／ｍｍ２の範囲のように低い接着剤を用いることで応力を緩和し、高い耐久性を得ることができる。弾性率が５５ｋｇ／ｍｍ２以上になると応力を吸収できず、ＩＣチップを破損する。弾性率が１ｋｇ／ｍｍ２以下になると、自己支持性が低下し、応力がチップに集中し、ＩＣチップを破損する。
［ＩＣモジュール］
ＩＣモジュールの電子部品とは、情報記録部材のことを示し具体的には電子カードの利用者の情報を電気的に記憶するＩＣチップ及びＩＣチップに接続されたコイル状のアンテナ体からなるＩＣモジュールである。ＩＣチップはメモリのみやそれに加えてマイクロコンピューターなどである。場合により電子部品にコンデンサーを含んでもよい。この発明はこれに限定はされず情報記録部材に必要な電子部品であれば特に限定はない。
【００８３】
ＩＣモジュールはアンテナコイルを有するものであるが、アンテナパターンを有する場合、導電性ペースト印刷加工、或いは銅箔エッチング加工、巻線溶着加工等のいずれかの方法を用いてもよい。プリント基板としては、ポリエステル等の熱可塑性のフィルムが用いられ、更に耐熱性が要求される場合はポリイミドが有利である。ＩＣチップとアンテナパターンとの接合は銀ペースト、銅ペースト、カーボンペースト等の導電性接着剤（日立化成工業のＥＮ−４０００シリーズ、東芝ケミカルのＸＡＰシリーズ等）や、異方性導電フィルム（日立化成工業製アニソルム等）を用いる方法、或いは半田接合を行う方が知られているがいずれの方法を用いてもよい。
【００８４】
この発明では、ＩＣチップの回路面に形成されるバンプが、アンテナ形成されているフィルム支持体と対向して電気的に接合される。フィルム支持体の硬さが高い材料、密着性の高い材料が、回路面の保護効果が増して好ましい。
【００８５】
予めＩＣチップを含む部品を所定の位置に載置してから樹脂を充填するために、樹脂の流動による剪断力で接合部が外れたり、樹脂の流動や冷却に起因して表面の平滑性を損なったりと安定性に欠けることを解消するため、予め基板シートに樹脂層を形成しておいて該樹脂層内に部品を封入するために該電子部品を多孔質の樹脂フィルム、多孔質の発泡性樹脂フィルム、可撓性の樹脂シート、多孔性の樹脂シート又は不織布シート状にし使用されることができる。例えば特願平１１−１０５４７６号等の記載されている方法等を用いることができる。
例えば、アンテナフィルム支持体としてはポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリイミド、ＰＥＴ−Ｇ（イーストマンケミカル社）、ポリエチレンテレフタレート／イソフタレート共重合体等のポリエステル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン樹脂、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ４フッ化エチレン、エチレン−４フッ化エチレン共重合体、等のポリフッ化エチレン系樹脂、ナイロン６、ナイロン６．６等のポリアミド、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体、エチレン／ビニルアルコール共重合体、ポリビニルアルコール、ビニロン等のビニル重合体、生分解性脂肪族ポリエステル、生分解性ポリカーボネート、生分解性ポリ乳酸  、生分解性ポリビニルアルコール、生分解性セルロースアセテート、生分解性ポリカプロラクトン等の生分解性樹脂、三酢酸セルロース、セロファン等のセルロース系樹脂、ポリメタアクリル酸メチル、ポリメタアクリル酸エチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、等のアクリル系樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリイミド等の合成樹脂シート、又は上質紙、薄葉紙、グラシン紙、硫酸紙等の紙、金属箔等の単層体或いはこれら２層以上の積層体が挙げられる。この発明のモジュール支持体の厚みは１０〜５０μｍが好ましい。１０μｍ以下であると裏表の基材の貼り合わせ時に熱収縮等を起こし問題である。５０μｍ以上では、クッション効果が低下し、ＩＣチップが破損しやすくなる。
＜密着剤＞
この発明の密着剤には、この発明の趣旨より反しない限り、一般に使用されている樹脂材を制限なく用いることができる。エポキシ系、ウレタン系、シリコン系、シアノアクリレート系、ニトリルゴム等の合成ゴム系、ＵＶ硬化型、ホットメルト、嫌気性、セルロース系密着剤、酢酸ビニール系密着剤等の密着剤を用いることができる。これらの密着剤単独、または、複数用いることができる。好ましくは、弾性エポキシ密着剤が用いられる。弾性エポキシ樹脂として、例えば、低温時の硬化性を得るために特開昭６３−６３７１６に開示されるような、エポキシ樹脂とメルカプタン系硬化剤との組み合わせからなるエポキシ樹脂組成物や、複素環状ジアミン硬化剤との組み合わせからなるエポキシ樹脂組成物が用いられてきた。また、高強度を得るためには芳香族ポリアミン硬化剤との組み合わせからなるエポキシ樹脂が用いられてきた。作業環境特性、基材との接着性、接着安定性を得るために特開平１０−１２０７６４に開示されているような、ビスフェノール型エポキシ樹脂とアミン系硬化剤として（Ｃ）ポリアミドアミン、（Ｄ）芳香族変性アミン、及び（Ｅ）脂肪族変性ポリアミンとの組み合わせによりエポキシ樹脂組成物が用いられている。また、特開２０００−２２９９２７には、エポキシ樹脂とアミンイミド化合物系硬化剤との組み合わせからなる硬化速度が早いエポキシ樹脂が得られている。特開平６−８７１９０、特開平５−２９５２７２には特殊変性シリコーンプレポリマーを硬化剤と用いた記載がされており樹脂の柔軟性を改良した材料が開示されている。
【００８６】
この発明で用いることができる弾性エポキシ密着剤とは、例えば、セメダイン株式会社製、セメダインＥＰ−００１、株式会社スリーボンド社製、３９５０シリーズ、３９５０，３９５１，３９５２、コニシ株式会社製ボンドＭＯＳシリーズ、ＭＯＳ０７、ＭＯＳ１０、東邦化成工業株式会社ウルタイト１５００シリーズ、ウルタイト１５４０灯を用いることが好ましい。
【００８７】
密着剤の膜厚は、電子部品と含めた厚さで１００〜８００μｍが好ましく、より好ましくは２００〜８００μｍ、更に好ましくは２５０μ〜７００μｍである。
【００８８】
この発明における密着剤樹脂とは、２３℃における粘度が１０００〜３５０００ｃｐｓであることが好ましく、更に好ましくは３０００〜３５０００である。粘度が１０００ｃｐｓ以下であるとＩＣチップと補強構造物密着時に粘度が低すぎるため設けた液が流れてしまい膜厚制御、膜厚ムラができてしまい問題となる。また、粘度が３５０００以上であると製造時に塗工スジ、気泡が発生してしまい密着性が劣化してしまう。
【００８９】
この発明に使用する密着剤５００μｍ硬化後の樹脂物性が２％弾性率（ｋｇｆ／ｍｍ２）においても硬化後の物性が０．１〜５５（ｋｇｆ／ｍｍ２）で有ることが好ましく、０．１（ｋｇｆ／ｍｍ２）以下、５５（ｋｇｆ／ｍｍ２）以上であるとＩＣチップまたは補強構造物への応力、変形がＩＣチップに集中的にかかり、耐久性が低下し、問題となってしまう。
【００９０】
また、この発明の密着剤は、ポッティング、塗布、噴射、印刷等、特に制限なく補強構造物上、ＩＣチップ上に設けることができる。ポッティングで設ける場合、ポッティングノズル数を多くすることが好ましい。塗布で設ける場合、平滑に設けることが好ましい。いずれも、ＩＣチップに補強構造物を固定する時、均一に密着剤を設けることが好ましく、この発明においては、密着剤面積がＩＣチップ面積を上回っていることが好ましい。チップ／補強構造物間に密着剤が満たされないと耐久性が低下する。
【００９１】
この発明では、この発明の趣旨より反しない限り、添加剤を加えることができる。特に密着剤に弾性粒子を含有するのが好ましい。密着剤に添加可能な素材としては、ＷＡＸ、熱可塑性樹脂、無機微粒子、レベリング剤、ゴム弾性粒子、熱可塑性エラストマー、熱可塑性樹脂、粘着剤、硬化剤、硬化触媒、流展剤、平板上粒子、針状粒子、その他添加剤等を配合することも可能である。
【００９２】
弾性粒子を添加することで、補強構造物を固定する製造工程で、ＩＣチップにかかる応力を緩和し、歪みが残留せず、耐久性を向上する事ができ特に好ましい。カード化された後においても、ＩＣチップにかかる応力を緩和し、耐久性を向上する事ができる。
【００９３】
平板上粒子としては、例えばマイカ、タルク、層状珪酸塩、ハロゲン化銀等の平板状物質が使用できる。
【００９４】
平板状物質である平板状シリカ系化合物は、アルカリ、アルカリ土類金属、アルミニウムなどを含有する層状ケイ酸塩、即ち、平板状ケイ酸塩を指し、これらとしては、カオリン鉱物、雲母粘土鉱物、スメクタイトなどが挙げられる。カオリン鉱物としては、カオリナイト、デイッカイト、ナクライト、ハロイサイト、蛇文石などが挙げられる。雲母粘土鉱物としては、パイロフィライト、タルク、白雲母、膨潤性合成フッ素雲母、セリサイト、緑泥石などが挙げられる。スメクタイトとしては、スメクタイト、バーミキュライト、膨潤性合成フッ素パーミキュライトなどが挙げられる。スメクタイトには、天然物と合成物の２種類があるが、天然物の例としては、モンモリロナイトとバイデライトなどがあり、ベントナイト、酸性白土などと呼ばれる粘土として得られる。合成スメクタイトの例としては、例えば、コープケミカル（株）製のルーセンタイトＳＷＮ（以下、ＳＴＴ−１という。）、ルーセンタイトＳＷＦ（フッ素を２〜５重量％含む）（以下、ＳＴＴ−２という。）などを挙げることができる。
【００９５】
この発明に用いられる平板状粒子の好ましい使用量は、添加すべき層のバインダーに対して乾燥重量比で０．１０〜０．９０で、特に好ましくは０．２〜０．８である。
【００９６】
針状粒子としては、バリウムフェライト、ストロンチウムフェライト等の六方晶系フェライトを挙げることができる。また、アラミド繊維などの高弾性率の繊維片であってもよい。
【００９７】
また、必要に応じて、さらに他の微粒子を併用しても良い。他の微粒子としては、各種無機酸化物、炭化物、窒化物、硼化物が好適に用いられる。例えば、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、チタン酸バリウム、チタン酸アルミニウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸カルシウム、酸化亜鉛、酸化クロム、酸化セリウム、酸化アンチモン、酸化タグステン、酸化錫、酸化テルル、酸化マンガン、酸化硼素、炭化珪素、炭化硼素、炭化チタン、窒化珪素、窒化チタン、窒化硼素等が挙げられる。
【００９８】
粘着性ポリマーとしては、ポリジメチルシロキサン、ポリジフェニルシロキサンなどのシリコーンゴムと、トリメチルシリル基もしくはトリフェニルシリル基を有するポリシロキサンなどのシリコーンレジンとの混合物のようなシリコーン類；ポリエステル類；ポリウレタン類；ポリエーテル類；ポリカーボネート類；ポリビニルエーテル類；ポリ塩化ビニル類；ポリ酢酸ビニル類；ポリイソブチレン類などのアクリル系以外のポリマーや、アクリルゴム、アクリロニトリル／ブタジエンゴム（ＮＢＲ）、ランダム型スチレン／ブタジエンゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム（ＩＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、エチレン／プロピレンゴム（ＥＰＭ）、エチレン／プロピレン／ジエンゴム（ＥＰＤＭ）、ウレタンゴム、スチレン／イソプレン／スチレンブロックゴム（ＳＩＳ）、スチレン／エチレン／ブタジエン／スチレンブロックゴム（ＳＥＢＳ）、スチレン／ブタジエンブロックゴムなどの合成ゴム系ポリマーを用いてもよい。熱軟化点の低い樹脂、例えば、ガラス転移点が低いアルキルアクリレートを主成分とするアクリル系ポリマーが、該ポリマー単体で適度な感圧接着性を発揮し得るため好適に用いられる。＜補強構造物＞
この発明では、ＩＣチップの耐久性向上のためＩＣチップに、第１の補強板、第２の補強板の補強構造物を固定する。この発明の補強構造物は、機械的強度に優れることが好ましい。強度確保のため補強構造物を厚くするとカード厚みが厚くなり、表面印画性などが低下するため補強構造物は高強度の素材が好ましい。金属、セラミック、カーボンファイバー、ガラス繊維、アラミド繊維、高弾性樹脂などが上げられる。これらより選択される。１種または複数からなる複合材料でもよい。特にヤング率１００ＧＰａ以上の素材が主構造に使用されているのが好ましい。厚みとしては、１０〜３００μｍ、好ましくは、２０〜２００μｍ、さらに好ましくは、３０〜１５０μｍがよい。補強構造物の形状としては、この発明の趣旨に反しない限り、適宜用いることができる。この発明では、補強構造物形状は、複数の部材が好ましく、特に第１の補強板、第２の補強板の構造より形成される。
【００９９】
＜裏基材と表基材との間に所定の厚みのＩＣモジュールとを備える方法＞
この発明の裏基材と表基材との間に所定の厚みのＩＣモジュールとを備えるための製造方式としては、熱貼合法、接着剤貼合法及び射出成形法が知られているが、いずれの方法で貼り合わせしてもよい。又、裏基材と表基材は貼り合わせる前後いずれかにフォーマット印刷又は、情報記録を行ってもよく、オフセット印刷、グラビア印刷、シルク印刷、スクリーン印刷、凹版印刷、凸版印刷、インクジェット方式、昇華転写方式、電子写真方式、熱溶融方式等のいずれの方式によって形成することができる。
【０１００】
この発明のＩＣカードの製造方法は、少なくとも、常温状態では固形物又は粘調体であり、加熱状態では軟化する接着部材をカード用の支持体に設ける工程と、ＩＣモジュールの電子部品を、このモジュール支持体上に配置する工程と、このモジュール支持体上の電子部品を覆うように接着部材を設けた表面用の基材を配置する工程と、所定の加圧加温条件の下で支持体、電子部品及び表面用の基材とを貼り合わせる工程とを有し貼り合わせることが好ましい。
【０１０１】
固形物又は粘調体の加熱状態で軟化する接着部材とは、接着剤自身をシート状に形成し具備する方法と接着剤自身を加熱又は常温で溶融し射出成型によって貼り合わせることが好ましい。
【０１０２】
裏基材と表基材との間に所定の電子部品の接着可能な温度は、８０℃以下であることが好ましく、より好ましくは０〜８０℃、更に好ましくは２０℃〜７０℃である。貼り合わせ後に基材のそり等を低減させるために冷却工程を設けることが好ましい。冷却温度は７０℃以下であることが好ましく、より好ましくは−１０〜７０℃、更に好ましくは１０〜６０℃である。
【０１０３】
貼り合わせる時には、基材の表面平滑性、裏基材と表基材との間に所定の電子部品の密着性をあげるために加熱及び加圧を行うことが好ましく、上下プレス方式、ラミネート方式等で製造することが好ましい、更にはＩＣ部品の割れを考慮して、線接触に近く、僅かなズレでも無理な曲げ力が加わるローラを避けて平面プレス型とするのが好ましい。加熱は、１０〜１２０℃が好ましく、より好ましくは３０〜１００である。加圧は、０．１〜３００ｋｇｆ／ｃｍ２が好ましく、より好ましくは０．１〜１００ｋｇｆ／ｃｍ２である。これより圧が高いＩＣチップが破損する。加熱及び加圧時間は好ましくは、０．１〜１８０ｓｅｃより好ましくは０．１〜１２０ｓｅｃである。
【０１０４】
前記接着剤貼合法や樹脂射出法で連続シートとして形成された貼り合わせた枚葉シート又は連続塗工ラミロールは、接着剤の所定硬化時間に合わした時間内放置後、認証識別画像や書誌事項を記録をしても良く、その後所定のカードサイズに成形しても良い。所定のカードサイズに形成する方法としては打ち抜く方法、断裁する方法等が主に選択される。
＜画像記録体の画像形成方法＞
この発明のＩＣカードである画像記録体には画像要素が設けられ、顔画像等の認証識別画像、属性情報画像、フォーマット印刷から選ばれる少なくとも一つが設けられた基体上の該画像又は印刷面側に形成したものである。
【０１０５】
顔画像は通常の場合、階調を有するフルカラー画像で、例えば昇華型感熱転写記録方式、ハロゲン化銀カラー写真方式等により作製される。又、文字情報画像は二値画像よりなり、例えば溶融型感熱転写記録方式、昇華型感熱転写記録方式、ハロゲン化銀カラー写真方式、電子写真方式、インクジェット方式等により作製されている。この発明においては、昇華型感熱転写記録方式により顔画像等の認証識別画像、属性情報画像を記録することが好ましい。
【０１０６】
属性情報は氏名、住所、生年月日、資格等であり、属性情報は通常文字情報として記録され溶融型感熱転写記録方法が一般的である。フォーマット印刷又は、情報記録を行ってもよく、オフセット印刷、グラビア印刷、シルク印刷、スクリーン印刷、凹版印刷、凸版印刷、インクジェット方式、昇華転写方式、電子写真方式、熱溶融方式等のいずれの方式によって形成することができる。
【０１０７】
さらに、偽変造防止の目的では透かし印刷、ホログラム、細紋等が採用されてもよい。偽造変造防止層としては印刷物、ホログラム、バーコード、マット調柄、細紋、地紋、凹凸パターンなどで適時選択さ、可視光吸収色材、紫外線吸収材、赤外線吸収材、蛍光増白材、金属蒸着層、ガラス蒸着層、ビーズ層、光学変化素子層、パールインキ層、隣片顔料層などからなる。
［昇華画像形成方法］
昇華型感熱転写記録用インクシートは、基材とその上に形成された昇華性色素含有インク層とで構成することができる。
−基材−
基材としては、寸法安定性がよく、感熱ヘッドでの記録の際の熱に耐える限り特に制限がなく、従来から公知のものを使用することができる。
−昇華性色素含有インク層−
上記昇華性色素含有インク層は、基本的に昇華性色素とバインダーとを含有する。
【０１０８】
前記昇華性色素としてはシアン色素、マゼンタ色素およびイエロー色素を挙げることができる。
【０１０９】
前記シアン色素としては、特開昭５９−７８８９６号公報、同５９−２２７９４８号公報、同６０−２４９６６号公報、同６０−５３５６３号公報、同６０−１３０７３５号公報、同６０−１３１２９２号公報、同６０−２３９２８９号公報、同６１−１９３９６号公報、同６１−２２９９３号公報、同６１−３１２９２号公報、同６１−３１４６７号公報、同６１−３５９９４号公報、同６１−４９８９３号公報、同６１−１４８２６９号公報、同６２−１９１１９１号公報、同６３−９１２８８号公報、同６３−９１２８７号公報、同６３−２９０７９３号公報などに記載されているナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、アゾメチン系色素等が挙げられる。
【０１１０】
前記マゼンタ色素としては、特開昭５９−７８８９６号公報、同６０−３０３９２号公報、同６０−３０３９４号公報、同６０−２５３５９５号公報、同６１−２６２１９０号公報、同６３−５９９２号公報、同６３−２０５２８８号公報、同６４−１５９号、同６４−６３１９４号公報等の各公報に記載されているアントラキノン系色素、アゾ色素、アゾメチン系色素等が挙げられる。
【０１１１】
イエロー色素としては、特開昭５９−７８８９６号公報、同６０−２７５９４号公報、同６０−３１５６０号公報、同６０−５３５６５号公報、同６１−１２３９４号公報、同６３−１２２５９４号公報等の各公報に記載されているメチン系色素、アゾ系色素、キノフタロン系色素およびアントライソチアゾール系色素が挙げられる。
【０１１２】
また、昇華性色素として特に好ましいのは、開鎖型または閉鎖型の活性メチレン基を有する化合物をｐ−フェニレンジアミン誘導体の酸化体またはｐ−アミノフェノール誘導体の酸化体とのカップリング反応により得られるアゾメチン色素およびフェノールまたはナフトール誘導体またはｐ−フェニレンジアミン誘導体の酸化体またはｐ−アミノフェノール誘導体の酸化体のとのカップリング反応により得られるインドアニリン色素である。
【０１１３】
また、受像層中に金属イオン含有化合物が配合されているときには、この金属イオン含有化合物と反応してキレートを形成する昇華性色素を、昇華性色素含有インク層中に含めておくのが良い。このようなキレート形成可能な昇華性色素としては、例えば特開昭５９−７８８９３号、同５９−１０９３４９号、同特願平２−２１３３０３号、同２−２１４７１９号、同２−２０３７４２号に記載されている、少なくとも２座のキレートを形成することができるシアン色素、マゼンタ色素およびイエロー色素を挙げることができる。
【０１１４】
キレートの形成可能な好ましい昇華性色素は、下記一般式で表わすことができる。
【０１１５】
Ｘ１−Ｎ＝Ｎ−Ｘ２−Ｇ
ただし、式中Ｘ１は、少なくとも一つの環が５〜７個の原子から構成される芳香族の炭素環、または複素環を完成するのに必要な原子の集まりを表わし、アゾ結合に結合する炭素原子の隣接位の少なくとも一つが、窒素原子またはキレート化基で置換された炭素原子である。Ｘ２は、少なくとも一つの環が５〜７個の原子から構成される芳香族複素環または、芳香族炭素環を表わす。Ｇはキレート化基を表わす。
【０１１６】
いずれの昇華性色素に関しても前記昇華性色素含有インク層に含有される昇華性色素は、形成しようとする画像が単色であるならば、イエロー色素、マゼンタ色素、およびシアン色素の何れであっても良く、形成しようとする画像の色調によっては、前記三種の色素のいずれか二種以上もしくは他の昇華性色素を含んでいても良い。前記昇華性色素の使用量は、通常、基材１ｍ２当たり０．１〜２０ｇ、好ましくは０．２〜５ｇである。
【０１１７】
インク層のバインダーとしては特に制限がなく従来から公知のものを使用することができる。さらに前記インク層には、従来から公知の各種添加剤を適宜に添加することができる。
【０１１８】
昇華型感熱転写記録用インクシートは、インク層を形成する前記各種の成分を溶媒に分散ないし溶解してなるインク層形成用塗工液を調製し、これを基材の表面に塗工し、乾燥することにより製造することができる。かくして形成されたインク層の膜厚は、通常、０．２〜１０μｍであり、好ましくは、０．３〜３μｍである。
［実施例］
以下、実施例を挙げて、この発明を詳細に説明するが、この発明の態様はこれに限定されない。尚、以下において「部」は「重量部」を示す。
［接着剤の作成］
接着剤１
Ｈｅｎｋｅｌ社製Ｍａｃｒｏｐｌａｓｔ  ＱＲ３４６０（湿気硬化型ホットメルト接着剤（２％弾性率１５ｋｇ／ｍｍ２、湿気硬化型接着剤））を使用した。
［ＩＣモジュールの作製］
［密着剤］
密着剤１
２液硬化型弾性エポキシ接着剤：東邦化成工業株式会社製
ウルタイト１５４０セット（硬化後、２％弾性率０．４％、）を用いた主剤と硬化剤を使用した。
密着剤２
２液硬化型弾性エポキシ接着剤：東邦化成工業株式会社製  ウルタイト１５４
０セット                                                    ９０部
シリコーン樹脂粉末（トスパール１５０；ＧＥ東芝シリコーン社製）  １０部
上記成分６０分間、ホモジナイザーにて攪拌し、作成した。硬化剤は使用する直前に添加した。
（２％弾性率１ｋｇｆ／ｍｍ２）
密着剤３
スリーボンド本剤２００２Ｈ／硬化剤２１０５Ｆ（硬化後２％弾性率０．０５％）を用いた主剤と硬化剤を使用した。
密着剤４
アロンアルファＧＥＬ−１０（２％弾性率６０ｋｇ／ｍｍ２、東亜合成（株）製）を使用した。
密着剤５
セミコート２２０Ｈ（２％弾性率３００ｋｇ／ｍｍ２、信越化学社製）を使用した。
ＩＣモジュール１；図１乃至図３に示す。
【０１１９】
エッチングによりアンテナパターンの形成された厚み３８μの透明ＰＥＴ支持体に、厚み６０μｍ、３×３ｍｍ角のＩＣチップを導電性接着剤厚み２０μ接合し、ＳＵＳ３０１からなる厚み５０μｍの４×４ｍｍ角板状の第１の補強板を回路面と反対側に密着剤樹脂１を１０μの厚さになるようポッティングしチップを封止するよう加圧接着した。
【０１２０】
ついで、第１の補強板の上にＳＵＳ３０１からなる厚み５０μｍの５×５ｍｍ角板状の第２の補強板を密着剤樹脂１により第２の補強板の面積より大きくなり厚み１０μになるようポッティングしチップを封止するよう加圧接着させＩＣモジュール１を得た。ＩＣチップ部の最大厚みは、２６２μｍであった。
ＩＣモジュール２；図４に示す。
【０１２１】
密着剤樹脂１をチップを風刺しない程度に密着させた以外は、ＩＣモジュール１と同様とした。
ＩＣモジュール３；図１乃至図３に示す。
【０１２２】
フィルム支持体を２５μｍのＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルムにし、ＩＣチップを１８０μｍにし、補強板厚みをそれぞれ３０μｍにした以外はＩＣモジュール１と同様とした。ＩＣチップ部の最大厚みは、３２７μｍであった。
ＩＣモジュール４；図１乃至図３に示す。
【０１２３】
フィルム支持体を１０μｍのポリイミドフィルムにし、ＩＣチップを１２０μｍにした以外はＩＣモジュール１と同様とした。ＩＣチップ部の最大厚みは、２９２μｍであった。
ＩＣモジュール５；図５及び図６に示す。
【０１２４】
第１，２の補強板を５ｍｍφの円形にし、ＩＣチップを１２０μｍにした以外はＩＣモジュール１と同様とした。ＩＣチップ部の最大厚みは、３２０μｍであった。
ＩＣモジュール６；図７に示す。
【０１２５】
第１の補強板を４ｍｍφの円形にし、ＩＣチップを１２０μｍにし、密着剤２を用いた以外はＩＣモジュール１と同様とした。ＩＣチップ部の最大厚みは、３２０μｍであった。
ＩＣモジュール７；図１乃至図３に示す。
【０１２６】
密着剤３を用いた以外、ＩＣモジュール６と同様にした。ＩＣチップ部の最大厚みは、３２０μｍであった。
ＩＣモジュール８；図１乃至図３に示す。
【０１２７】
密着剤４を用いた以外、ＩＣモジュール６と同様にした。ＩＣチップ部の最大厚みは、３２０μｍであった。
ＩＣモジュール９；図１乃至図３に示す。
【０１２８】
ＩＣチップ厚みを２００μｍに、補強板の厚みをそれぞれ３０μｍにした以外は、ＩＣモジュール１と同様にした。ＩＣチップ部の最大厚みは、３６０μｍであった。
ＩＣモジュール１０；図１乃至図３に示す。
【０１２９】
密着剤の厚みをそれぞれ５５μｍ、補強板の厚みをそれぞれ３０μｍにした以外は、ＩＣモジュール１と同様にした。ＩＣチップ部の最大厚みは、３１０μｍであった。
ＩＣモジュール１１；図１乃至図３に示す。
【０１３０】
フィルム支持体の厚みを７５μｍ、補強板の厚みをそれぞれ３０μｍにした以外は、ＩＣモジュール１と同様にした。ＩＣチップ部の最大厚みは、２５７μｍであった。
ＩＣモジュール１２；図１乃至図３に示す。
【０１３１】
第２の補強板を３ｍｍ×３ｍｍ角にした以外は、ＩＣモジュール２と同様とした。ＩＣチップ部の最大厚みは、２６０μｍであった。
ＩＣモジュール１３；図８及び図９に示す。
【０１３２】
ＩＣチップ厚みを２５μｍにした以外は、ＩＣモジュール１と同様にした。ＩＣチップ部の最大厚みは、２２５μｍであった。
ＩＣモジュール１４；図１０に示す。
【０１３３】
第２の補強板を設けない以外、ＩＣモジュール１と同様とした。ＩＣチップ部の最大厚みは、２７０μｍであった。
ＩＣモジュール１５；図１１に示す。
【０１３４】
エッチングによりアンテナパターンの形成された厚み３８μの透明ＰＥＴ支持体に、厚み１２０μｍ、３×３ｍｍ角のＩＣチップを導電性接着剤厚み２０μ接合し、ＳＵＳ３０１からなる厚み５０μｍの４×４ｍｍ角板状の第１の補強板を回路面と反対側に密着剤樹脂１を１０μの厚さになるようポッティングしチップを封止するよう加圧接着した。
【０１３５】
ついで、チップを接合した透明ＰＥＴ支持体のＩＣチップと反対側にＳＵＳ３０１からなる厚み５０μｍの４×４ｍｍ角板状の第２の補強板を密着剤樹脂１により第２の補強板面積より大きくなり厚み１０μになるようポッティングし加圧接着させＩＣモジュール１５を得た。ＩＣチップ部の最大厚みは、３２０μｍであった。
ＩＣモジュール１６；図１２及び図１３に示す。
【０１３６】
エッチングによりアンテナパターンの形成された厚み２５０μの透明ＰＥＴ支持体に、厚み１８０μｍ、３×３ｍｍ角のＩＣチップを厚み１１０μｍの４×５ｍｍ角板状のリードフレーム金属板上にを回路面と反対側を、密着剤樹脂５を５μの厚さになるようポッティングしチップ密着座せ、ワイヤーボンディングにより回路とリードフレームを電気的に接続した後、封止するよう密着剤樹脂５をさらにＩＣチップ上に８０μｍとなるようポッティングしＩＣチップを封止した。ついでアンテナを形成した透明ＰＥＴにチップ封止部を勘合しリードフレームとアンテナを導電性接着剤により電気的に接合しＩＣモジュール１６を得た。ＩＣチップ部の最大厚みは、３７０μｍであった。
ＩＣモジュール１７；図１４及び図１５に示す。
【０１３７】
５０μｍφの銅線アンテナに厚み１８０μｍ、３×３ｍｍ角のＩＣチップのバンプを電気的に直接接続し、ＳＵＳ３０１からなる厚み３０μｍの４×４ｍｍ角板状の第１の補強板を回路面と反対側に密着剤樹脂１を１０μの厚さになるようポッティングしチップを加圧接着した。ついで第１の補強板の上にＳＵＳ３０１からなる厚み３０μｍの５×５ｍｍ角板状の第２の補強板を密着剤樹脂１により厚み１０μになるようポッティングしチップを加圧接着した。ついで厚み５０μｍの不織布支持体上に補強板とアンテナを密着させＩＣモジュール１７を得た。ＩＣチップ部の最大厚みは、３７０μｍであった。
＜実施例１＞
［ＩＣカードの作成］
表１に実施例を示す。
図１乃至図３は、この発明のＩＣカード、個人認証カードの積層構成の一例である。
基材１；
表基材及び裏基材は、厚さ１８８μｍの白色ＰＥＴシートを使用した。
（表支持体の作成）
＜基材１＞
１８８μｍにコロナ放電処理した面に下記組成の第１受像層形成用塗工液、第２受像層形成用塗工液及び第３受像層形成用塗工液をこの順に塗布乾燥して、それぞれの厚みが０．２μｍ、２．５μｍ、０．５μｍになる様に積層することにより受像層を形成した。
〈第１受像層形成用塗工液〉
ポリビニルブチラール樹脂                                        ９部
〔積水化学工業（株）製：エスレックＢＬ−１〕
イソシアネート                                                  １部
〔日本ポリウレタン工業（株）製：コロネートＨＸ〕
メチルエチルケトン                                            ８０部
酢酸ブチル                                                    １０部
〈第２受像層形成用塗工液〉
ポリビニルブチラール樹脂                                        ６部
〔積水化学工業（株）製：エスレックＢＸ−１〕
金属イオン含有化合物（化合物ＭＳ）                              ４部
メチルエチルケトン                                            ８０部
酢酸ブチル                                                    １０部
〈第３受像層形成用塗工液〉
ポリエチレンワックス                                            ２部
〔東邦化学工業（株）製：ハイテックＥ１０００〕
ウレタン変性エチレンアクリル酸共重合体                          ８部
〔東邦化学工業（株）製：ハイテックＳ６２５４〕
メチルセルロース〔信越化学工業（株）製：ＳＭ１５〕          ０．１部
水                                                            ９０部
（フォーマット印刷）
樹脂凸版印刷法により、ロゴとＯＰニスを順次印刷した。
（裏基材の作成）
（筆記層の作成）
前記基材の裏シート１８８μｍにコロナ放電処理した面に下記組成の第１筆記層形成用塗工液、第２筆記層形成用塗工液及び第３筆記層形成用塗工液をこの順に塗布乾燥して、それぞれの厚みが２μｍ、１０μｍ、０．２μｍになる様に積層することにより筆記層を形成した。
〈第１筆記層形成用塗工液〉
ポリエステル樹脂〔東洋紡績（株）製：バイロン２００〕            ８部
イソシアネート                                                  １部
〔日本ポリウレタン工業（株）製：コロネートＨＸ〕
カーボンブラック                                                微量
二酸化チタン粒子〔石原産業（株）製：ＣＲ８０〕                  １部
メチルエチルケトン                                            ８０部
酢酸ブチル                                                    １０部
〈第２筆記層形成用塗工液〉
ポリエステル樹脂                                                ４部
〔東洋紡績（株）製：バイロナールＭＤ１２００〕
シリカ                                                          ５部
二酸化チタン粒子〔石原産業（株）製：ＣＲ８０〕                  １部
水                                                            ９０部
〈第３筆記層形成用塗工液〉
ポリアミド樹脂〔三和化学工業（株）製：サンマイド５５〕          ５部
メタノール                                                    ９５部
得られた筆記層の中心線平均粗さは１．３４μｍであった。
［ＩＣカード用のシートの作成］
図１８はＩＣカードの製造方法の一例を示す図である。ＩＣカードの製造装置１０９には、第１のシート材１０１を送り出す送出軸１１０が設けられ、この送出軸１１０から送り出される第１のシート材１０１はガイドローラ１１１、駆動ローラ１１２に掛け渡されて供給される。送出軸１１０とガイドローラ１１１間には、プリケーターコーター１１３が配置されている。アプリケーターコーター１１３は接着剤層１０２ａを所定の厚さでシートに塗工する。
【０１３８】
また、ＩＣカードの製造装置１０９には、第２のシート材１０４を送り出す送出軸１１４が設けられ、この送出軸１１４から送り出される第２のシート材１０４はガイドローラ１１５、駆動ローラ１１６に掛け渡されて供給される。送出軸１１４とガイドローラ１１５間には、アプリケーターコーター１１７が配置されている。アプリケーターコーター１１７は接着剤層１０２ｂを所定の厚さでシートに塗工する。
【０１３９】
接着剤が塗工された第１のシート材と、第２のシート材とは離間して対向する状態から接触して搬送路１１８に沿って搬送される。第１のシート材と、第２のシート材の離間して対向する位置には、ＩＣモジュール１０３が挿入される。
ＩＣモジュール１０３は単体あるいはシートやロール状で複数で供給される。ＩＣカードの製造装置１０９の搬送路１１８中には、第１のシート材と、第２のシート材の搬送方向に沿って、加熱ラミネート部１１９、切断部１２０が配置される。加熱ラミネートは真空加熱ラミネートであることが好ましい。又加熱ラミネート部１１９の前には保護フィルム供給部を設けても良く、搬送路１１８の上下に対向して配置されるのが好ましい。加熱ラミネート部１１９は、搬送路１１８の上下に対向して配置される平型の加熱ラミネート上型１２１と加熱ラミネート下型１２２とからなる。加熱ラミネート上型１２１と下型１２２は互いに接離する方向に移動可能に設けられている。加熱ラミネート部１１９を経た後は切断部にてシート材から所定の大きさにカットする。
（ＩＣカード用シート１の作成）
図１８のカード製造装置を使用し、裏基材及び表基材として＜基材１＞を用いて作成した前記裏基材及び受像層を有する表基材を使用した。
【０１４０】
受像層を有する表基材に接着剤１をＴダイを使用して厚みが４０μｍになるように塗工し、裏基材に接着剤１をＴダイを使用して貼り合わせ後のシート全厚が厚みが７６０μｍになるように厚み調整し塗工し表基材にＩＣモジュール１を受像層側にＩＣモジュールのＩＣチップが実装されていない支持体面となるように載置し上下のシートで挟み込み７０℃で１分間ラミネートして作製した。このように作成されたＩＣカード用シートの厚みは７６０μｍであった。作製後は２５℃５０％ＲＨの環境化で７日間保存した。
［打ち抜き］
このように作成された、ＩＣカード用のシートを、以下のＩＣカードを打ち抜き金型装置によって、打ち抜き加工を施した。
【０１４１】
図１９は打抜金型装置の全体概略斜視図であり、図２０は打抜金型装置の主要部の正面端面図である。この打抜金型装置は、上刃２１０及び下刃２２０を有する打抜金型を有する。そして、上刃２１０は、外延の内側に逃げ２４１が設けられた打抜用ポンチ２１１を含み、下刃２２０は、打抜用ダイス２２１を有する。打抜用ポンチ２１１を、打抜用ダイス２２１の中央に設けられたダイス孔２２２に、下降させることにより、ダイス孔２２２と同じサイズのＩＣカードを打ち抜く。また、このために、打抜用ポンチ２１１のサイズは、ダイス孔２２２のサイズより若干小さくなっている。
［個人認証用カードへの個人情報記載方法及び表面保護方法］
打ち抜き加工を施したＩＣカードに下記により顔画像と属性情報とフォーマット印刷を設けた個人認証カードの作成を行った。
（昇華型感熱転写記録用のインクシートの作成）
裏面に融着防止加工した厚さ６μｍのポリエチレンテレフタレートシートに下記組成のイエローインク層形成用塗工液、マゼンタインク層形成用塗工液、シアンインク層形成用塗工液を各々の厚みが１μｍになる様に設け、イエロー、マゼンタ、シアンの３色のインクシートを得た。
〈イエローインク層形成用塗工液〉
イエロー染料（化合物Ｙ−１）                                    ３部
ポリビニルアセタール                                        ５．５部
〔電気化学工業（株）製：デンカブチラールＫＹ−２４〕
ポリメチルメタアクリレート変性ポリスチレン                      １部
〔東亜合成化学工業（株）製：レデダＧＰ−２００〕
ウレタン変性シリコンオイル                                  ０．５部
〔大日精化工業（株）製：ダイアロマーＳＰ−２１０５〕
メチルエチルケトン                                            ７０部
トルエン                                                      ２０部
〈マゼンタインク層形成用塗工液〉
マゼンタ染料（化合物Ｍ−１）                                    ２部
ポリビニルアセタール                                        ５．５部
〔電気化学工業（株）製：デンカブチラールＫＹ−２４〕
ポリメチルメタアクリレート変性ポリスチレン                      ２部
〔東亜合成化学工業（株）製：レデダＧＰ−２００〕
ウレタン変性シリコンオイル                                  ０．５部
〔大日精化工業（株）製：ダイアロマーＳＰ−２１０５〕
メチルエチルケトン                                            ７０部
トルエン                                                      ２０部
〈シアンインク層形成用塗工液〉
シアン染料（化合物Ｃ−１）                                  １．５部
シアン染料（化合物Ｃ−２）                                  １．５部
ポリビニルアセタール                                        ５．６部
〔電気化学工業（株）製：デンカブチラールＫＹ−２４〕
ポリメチルメタアクリレート変性ポリスチレン                      １部
〔東亜合成化学工業（株）製：レデダＧＰ−２００〕
ウレタン変性シリコンオイル                                  ０．５部
〔大日精化工業（株）製：ダイアロマーＳＰ−２１０５〕
メチルエチルケトン                                            ７０部
トルエン                                                      ２０部
（溶融型感熱転写記録用のインクシートの作成）
裏面に融着防止加工した厚さ６μｍのポリエチレンテレフタレートシートに下記組成のインク層形成用塗工液を厚みが２μｍになる様に塗布乾燥してインクシートを得た。
〈インク層形成用塗工液〉
カルナバワックス                                                １部
エチレン酢酸ビニル共重合体                                      １部
〔三井デュポンケミカル社製：ＥＶ４０Ｙ〕
カーボンブラック                                                ３部
フェノール樹脂〔荒川化学工業（株）製：タマノル５２１〕          ５部
メチルエチルケトン                                            ９０部
（顔画像の形成）
受像層と昇華型感熱転写記録用のインクシートのインク側を重ね合わせインクシート側からサーマルヘッドを用いて出力０．２３Ｗ／ドット、パルス幅０．３〜４．５ｍ秒、ドット密度１６ドット／ｍｍの条件で加熱することにより画像に階調性のある人物画像を受像層に形成した。この画像においては上記色素と受像層のニッケルが錯体を形成している。
（文字情報の形成）
ＯＰニス部と溶融型感熱転写記録用のインクシートのインク側を重ね合わせインクシート側からサーマルヘッドを用いて出力０．５Ｗ／ドット、パルス幅１．０ｍ秒、ドット密度１６ドット／ｍｍの条件で加熱することにより文字情報をＯＰニス上に形成した。
［表面保護方法］
［表面保護層形成方法］
［活性光線硬化型転写箔１の作成］
０．１μｍのフッ素樹脂層の離型層を設けた厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムー２の離型層上に下記組成物を積層し活性光線硬化型転写箔１の作成を行った。
（活性光線硬化性化合物）
新中村化学社製
Ａ−９３００／新中村化学社製  ＥＡ−１０２０＝３５／１１．７５部
反応開始剤
イルガキュア１８４日本チバガイギー社製                          ５部
添加剤不飽和基含有樹脂                                          ４８部
その他の添加剤
大日本インキ界面活性剤Ｆ−１７９                          ０．２５部
〈中間層形成塗工液〉    膜厚１．０μｍ
ポリビニルブチラール樹脂〔積水化学（株）製：エスレックＢＸ−１〕３．５部
タフテックスＭ−１９１３（旭化成）                                  ５部
硬化剤
ポリイソシアネート［コロネートＨＸ  日本ポリウレタン製］      １．５部
メチルエチルケトン                                              ９０部
塗布後硬化剤の硬化は、５０℃、２４時間で行った。
〈接着層形成塗工液〉    膜厚０．５μｍ
ウレタン変性エチレンエチルアクリレート共重合体
〔東邦化学工業（株）製：ハイテックＳ６２５４Ｂ〕                    ８部
ポリアクリル酸エステル共重合体
〔日本純薬（株）製：ジュリマーＡＴ５１０〕                          ２部
水                                                                ４５部
エタノール
さらに画像、文字が記録された前記受像体上に前記構成からなる活性光線硬化型転写箔１を用いて表面温度２００℃に加熱した、直径５ｃｍゴム硬度８５のヒートローラーを用いて圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２で１．２秒間熱をかけて転写を行った。
［評価］
＜繰り返し曲げ試験＞
；ＪＩＳ  Ｋ６４０４−６  の揉み試験装置を用い、チップ上をクランプし振幅５０ｍｍ、間隙３０ｍｍ、１２０回／分で繰り返し曲げを１００回行った。試験後動作および変形、破損を確認した。
◎・・・変形・剥離なく変化なし。動作も変化なし。
○・・・変形・剥離なく問題ないが痕跡が残っている。動作も変化なし。
△・・・剥離破損はないが変形している。一部動作しない。
×・・・変形・剥離破損あり。全く動作しない。
＜点圧強度試験＞
；先端直径１ｍｍの鋼球で１ｋｇ荷重をＩＣチップの回路面、非回路面それぞれ硬度５０のゴムシート上で２００回かけた。試験後動作および変形、破損を確認した。
◎・・・変形・剥離なく変化なし。動作も変化なし。
○・・・変形・剥離なく問題ないが痕跡が残っている。動作も変化なし。
△・・・剥離破損はないが変形している。一部動作しない。
×・・・変形・破損あり。全く動作しない。
＜衝撃試験＞
；ＪＩＳ  Ｋ５６００‐５−３の落体式衝撃試験機を用い、内径２７ｍｍの穴の空いた受け台にＩＣチップが中心にくるようにカードを上下より挟んで強固に固定し、先端直径２０ｍｍ、重さ１００ｇ重の重り（Ｓ４５Ｃ鋼）を１０ｃｍの高さより受け台中心のＩＣチップ上に自由落下させた。試験後動作および変形、破損を確認した。
◎・・・変形・剥離なく変化なし。動作も変化なし。
○・・・変形・剥離なく問題ないが痕跡が残っている。動作も変化なし。
△・・・剥離破損はないが変形している。一部動作しない。
×・・・変形・剥離破損あり。全く動作しない。
＜凹凸性＞
作成したカードに昇華画像を印画し、かすれ具合を評価した。
◎・・・問題なく印画できる
○・・・一部濃度が低下する部分があるが判別できるレベルである
△・・・一部濃度が低下し判別できないレベルである
×・・・完全に色抜けする部分がある
表１に実施例、表２に結果を示す。
＜実施例２＞
モジュール２を用いた以外、実施例１と同様とした。
＜実施例３＞
モジュール３を用いた以外、実施例１と同様とした。
＜実施例４＞
モジュール３を用い、筆記層側にＩＣモジュールのＩＣチップが実装されていない支持体面を裁置し、筆記層側の接着剤厚みを４０μｍと受像層側の接着剤厚みを全厚７６０μｍになるよう調整した以外、実施例１と同様とした。
＜実施例５＞
モジュール４を用いた以外、実施例１と同様とした。
＜実施例６＞
モジュール５を用いた以外、実施例１と同様とした。
＜実施例７＞
モジュール６を用いた以外、実施例１と同様とした。
＜実施例８＞
モジュール７を用いた以外、実施例１と同様とした。
＜実施例９＞
モジュール８を用いた以外、実施例１と同様とした。
＜実施例１０＞
モジュール９を用いた以外、実施例１と同様とした。
＜実施例１１＞
モジュール１０を用いた以外、実施例１と同様とした。
＜実施例１２＞
モジュール１１を用いた以外、実施例１と同様とした。
＜実施例１３＞
モジュール１２を用いた以外、実施例１と同様とした。
＜実施例１４＞
モジュール１３を用いた以外、実施例１と同様とした。
＜比較例１＞
モジュール１４を用いた以外、実施例１と同様とした。
＜比較例２＞
モジュール１５を用いた以外、実施例１と同様とした。
＜比較例３＞
モジュール１６を用いた以外、実施例１と同様とした。
＜比較例４＞
モジュール１７を用いた以外、実施例１と同様とした。
表１
2005031721.tif 000003
表２
2005031721.tif 000004
【０１４２】
【発明の効果】
前記したように、請求項１乃至請求項１１に記載の発明は、ＩＣチップの回路面側がモジュール支持体上に形成されたアンテナと密着し電気的に接続し、ＩＣチップの回路面側は、モジュール支持体でＩＣチップを保護し、かつ、同じ厚みであっても補強板を１板設けたものに比較しても２板にすることで極めて高いレベルで、応力を分散させＩＣチップを破壊より守ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＩＣカードの層構成を示す図である。
【図２】ＩＣモジュールの側面図である。
【図３】ＩＣチップ部の平面図である。
【図４】ＩＣモジュールの側面図である。
【図５】ＩＣモジュールの側面図である。
【図６】ＩＣチップ部の平面図である。
【図７】ＩＣチップ部の平面図である。
【図８】ＩＣチップ部の平面図である。
【図９】ＩＣチップ部の平面図である。
【図１０】比較例のＩＣモジュールの側面図である。
【図１１】比較例のＩＣモジュールの側面図である。
【図１２】比較例のＩＣカードの層構成を示す図である。
【図１３】比較例のＩＣモジュールの側面図である。
【図１４】比較例のＩＣカードの層構成を示す図である。
【図１５】比較例のＩＣモジュールの側面図である。
【図１６】この発明の実施の形態のＩＣモジュールの保護説明する図である。
【図１７】この発明の実施の形態のＩＣモジュールの保護説明する図である。
【図１８】ＩＣカード製造装置の概略構成図である。
【図１９】打抜金型装置の全体概略斜視図である。
【図２０】打抜金型装置の主要部の正面端面図である。
【符号の説明】
１  裏支持体
２  表支持体
３  ＩＣモジュール
３ａ１  アンテナ
３ａ２  ＩＣチップ
３ｂ  第１の補強板
３ｃ  第２の補強板
３ｄ  モジュール支持体
６  裏密着剤
７  表密着剤
８ａ  受像層
８ｃ  保護層
９ａ  筆記層
【図１】
2005031721.tif 000005
【図２】
2005031721.tif 000006
【図３】
2005031721.tif 000007
【図４】
2005031721.tif 000008
【図５】
2005031721.tif 000009
【図６】
2005031721.tif 000010
【図７】
2005031721.tif 000011
【図８】
2005031721.tif 000012
【図９】
2005031721.tif 000013
【図１０】
2005031721.tif 000014
【図１１】
2005031721.tif 000015
【図１２】
2005031721.tif 000016
【図１３】
2005031721.tif 000017
【図１４】
2005031721.tif 000018
【図１５】
2005031721.tif 000019
【図１６】
2005031721.tif 000020
【図１７】
2005031721.tif 000021
【図１８】
2005031721.tif 000022
【図１９】
2005031721.tif 000023
【図２０】
2005031721.tif 000024