(57)【要約】【課題】フォトレジスト組成物、特にキノンジアジド系および／またはベンゾフェノン系の感光成分を含むフォトレジスト組成物に対して、容器成分の溶出および容器成分からの微粒子の発生が極めて少なく、経時品質安定性の高い低汚染特性を有するフォトレジスト組成物用容器を提供する。【解決手段】フォトレジスト組成物の貯蔵６ヶ月経過後の前記フォトレジスト組成物中に存在する容器の形成材料であるプラスチック由来の粒径０．３μｍを超える微粒子の平均個数を３００.０個／ｍＬ以下とする。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジスト組成物を貯蔵するプラスチック製のフォトレジスト用容器であって、
前記フォトレジスト組成物の貯蔵６ヶ月経過後の前記フォトレジスト組成物中に存在する前記プラスチック由来の粒径０．３μｍを超える微粒子の平均個数を３００.０個／ｍＬ以下とする低汚染特性を有することを特徴とするフォトレジスト組成物用容器。
【請求項２】
クリーンエアによるブロー成型で製造されたことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト組成物用容器。
【請求項３】
成型後、所定期間適当な溶剤をその内部に充填、若しくは前記適当な溶剤に浸漬させ、前記微粒子の発生源である前記プラスチックを前処理することによって、前記低汚染特性を得たことを特徴とする請求項１または２に記載のフォトレジスト組成物用容器。
【請求項４】
前記プラスチックが、ゲルパーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により求められる重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）の比（Ｍｗ／Ｍｎ）が、８〜１５である高密度ポリエチレンであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のフォトレジスト組成物用容器。
【請求項５】
容量が、４０Ｌ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のフォトレジスト組成物用容器。
【請求項６】
前記フォトレジスト組成物が、キノンジアジド系および／またはベンゾフェノン系の感光成分を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のフォトレジスト組成物用容器。
【請求項７】
前記フォトレジスト組成物が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のフォトレジスト組成物用容器。
【請求項８】
前記フォトレジスト組成物が、シンフィルムトランジスタ（ＴＦＴ）形成用フォトレジスト組成物であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のフォトレジスト組成物用容器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトレジスト組成物用容器に関し、さらに詳しくは特定のフォトレジスト組成物に対して、容器成分の溶出による微粒子の発生が極めて少なく、経時品質安定性の高い低汚染特性を有するフォトレジスト組成物用容器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイスやシンフィルムトランジスタ（ＴＦＴ）、液晶表示素子などの製造プロセスにおいては、微細なレジストパターンを形成するために、フォトレジスト組成物が用いられている。このフォトレジスト組成物は、半導体に使用されるため、高純度であることが求められている。そのため、フォトレジスト組成物を貯蔵する容器には、貯蔵中に容器成分の溶出による微粒子の発生が極めて少ないという特性と、内容物であるフォトレジスト組成物の諸特性の劣化等を引き起こさないという特性が求められる。
【０００３】
現在、フォトレジスト組成物の容器としては、ポジ型フォトレジスト液用容器が開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、フォトレジスト組成物の容器ではないが、半導体装置産業分野で用いられる高純度薬品用の容器が開示されている（例えば、特許文献２および３参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平９−６６９８５号公報
【特許文献２】特開平１０−１７７２９号公報
【特許文献３】特開平１１−８０２５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、一般に市販されている溶剤または薬品用のプラスチック製容器に、フォトレジスト組成物を貯蔵した場合、容器成分の溶出による微粒子の発生が認められる。特に微粒子の発生は、レジスト膜の微細な加工を妨げ、大きな問題となるため好ましくない。また、上記公知の容器は、特定のフォトレジスト組成物に対して好適化されたものではない。フォトレジスト組成物の中でも、特にキノンジアジド系および／またはベンゾフェノン系の感光成分を含むフォトレジスト組成物（以下、単に「フォトレジスト組成物」ということもある）は、粒子等の異物に対して特に敏感であり、微粒子（容器からの発生、外部からの混入等による）が混入した場合、所望の特性が得られない可能性が非常に大きい。加えて、上記公知の容器は、数ヶ月にわたる長期の貯蔵を行なったときの微粒子数の測定結果の記載は無く、長期間貯蔵した場合の微粒子数について不安がある。
【０００６】
また、上記フォトレジスト組成物の成分が、容器からの溶出成分により変質すれば、上記フォトレジスト組成物からなるフォトレジスト膜の特性に悪影響を与えてしまうおそれがある。従って、上記フォトレジスト組成物を貯蔵する容器には上記フォトレジスト組成物に対して耐性を有するとともに、上記フォトレジスト組成物に含まれる全ての成分に対して悪影響を与えない低汚染特性に優れた容器が求められる。
【０００７】
さらに、上記フォトレジスト組成物はシンフィルムトランジスタ（ＴＦＴ）の形成等において大量に使用されており、大量供給が求められている。しかしながら、現在のところ上記フォトレジスト組成物用の大型容器は見当たらない。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決するために、まず、上記フォトレジスト組成物に含まれていても問題とならない許容微粒子数について検討を行なった。次いで、容器に上記フォトレジスト組成物を充填して使用するまでの通常貯蔵期間についても検討を行なった。本発明はかかる知見に基づいてなされたもので、本発明者らは、一定期間に前記容器から生じる平均微粒子数が一定数以下である容器を用いれば、フォトレジスト組成物、特にキノンジアジド系および／またはベンゾフェノン系フォトレジスト組成物の特性が失われず、上記課題を解決することができるということを知るに至った。
【０００９】
さらに、本発明者らは、微粒子による汚染原因を解析検討したところ、以下の知見を得るに至った。
（ｉ）上記フォトレジスト組成物の品質低下の原因となる微粒子は、主に容器を構成するプラスチック中の低分子量成分が組成物中に溶出し、それが粒子化したものと考えられること。従って、構成プラスチックの分子量が容器の汚染性に関与すること。
（ｉｉ）上記低分子量成分の溶出は、容器の全内表面から組成物中に向かって生じており、微粒子発生個数は容器内表面積と容器内容量によって増減すること。
（ｉｉｉ）前記溶出は、特に使用初期（１〜２ヶ月）に生じる傾向があること。
【００１０】
すなわち、本発明のフォトレジスト組成物用容器は、フォトレジスト組成物を貯蔵するプラスチック製のフォトレジスト用容器であって、前記フォトレジスト組成物の貯蔵６ヶ月経過後の前記フォトレジスト組成物中に存在する前記プラスチック由来の粒径０．３μｍを超える微粒子の平均個数を３００.０個／ｍＬ以下とする低汚染特性を有することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明のフォトレジスト組成物用容器は、クリーンエアによるブロー成型により製造されたことを特徴としていてもよい。
【００１２】
また、本発明のフォトレジスト組成物用容器は、成型後、所定期間適当な溶剤をその内部に充填、若しくは前記適当な溶剤に浸漬させ、前記微粒子の発生源である前記プラスチックを前処理することによって、前記低汚染特性を得たことを特徴としていてもよい。
【００１３】
また、本発明のフォトレジスト組成物用容器は、前記プラスチックが、ゲルパーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により求められる重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）の比（Ｍｗ／Ｍｎ）が、８〜１５である高密度ポリエチレンであることを特徴としていてもよい。
【００１４】
また、現在のところ、主に１８Ｌ程度の容器が使用されているが、通常容量（体積）が２倍となった場合、表面積はそれに伴って２倍とはならず、２倍以下となる。例えば、単純に一辺が２６．２ｃｍの立方体の容器（表面積：４１１８．６４ｃｍ2）の体積は１８Ｌである。一方、体積が２倍の３６Ｌの立方体の容器の一辺は３３．０ｃｍとなり、表面積は６５３４ｃｍ2となる。体積が２倍となっているが、表面積は約１．６倍である。このことより、容量を大きくすれば表面積に対する体積の増加の割合は大きくなり、容器の内表面から生じる微粒子の１ｍＬあたりの微粒子数は、少なくなることとなる。さらに、表面積と体積とのバランスを考慮しつつ縦方向に容器を大きくすれば微粒子数が少ない組成物の割合を大きくすることができる。
すなわち、本発明のフォトレジスト組成物用容器は、容量が４０Ｌ以上であることを特徴とする。
なお、本発明においての「微粒子」には、プラスチック中の低分子量成分が粒子化したものだけでなく、触媒等として用いられ樹脂中に残存している金属不純物、外部から混入したものをも含む。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、フォトレジスト組成物、特にキノンジアジド系および／またはベンゾフェノン系フォトレジスト組成物に含まれる全ての成分に対して悪影響を与えず、長期間にわたり容器からの微粒子の発生が少ないフォトレジスト組成物用容器を提供することができる。
さらに、本発明の容器を大型化することにより、単位容量（ｍＬ）あたりの平均微粒子数を減らすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明の実施形態について説明する。
本発明のフォトレジスト組成物用容器は、上記フォトレジスト組成物の貯蔵６ヶ月経過後の上記フォトレジスト組成物中に存在する上記プラスチック由来の粒径０．３μｍを超える微粒子の平均個数を３００.０個／ｍＬ以下とする低汚染特性を有することを特徴とする。
【００１７】
本発明のフォトレジスト組成物用容器は、上記フォトレジスト組成物の貯蔵６ヶ月経過後の上記フォトレジスト組成物中に存在する上記プラスチック由来の粒径０．３μｍを超える微粒子の平均個数を３００.０個／ｍＬ以下とする低汚染特性を有すれば、いかなる材料を用いて形成してもよい。
【００１８】
さらに、例えば、通常、容器の形成に使用されるポリエチレン等を材料としてフォトレジスト組成物用容器を形成した場合、容器成型後、所定期間適当な溶剤をその内部に充填、若しくは前記適当な溶剤に浸漬させ、前記微粒子の発生源である前記プラスチックを前処理することによって、前記低汚染特性を得てもよい。本前処理により微粒子の発生源である上記プラスチック中の低分子量成分を低減化することができる。
【００１９】
上述したように予め微粒子の発生源である低分子量成分を低減化する前処理を行なう場合、前処理後に発生する平均微粒子数が３００．０個／ｍＬ以下となった容器を本発明のフォトレジスト組成物用容器として用いることとしてもよい。
【００２０】
内部に充填、若しくは浸漬させる溶剤の種類、期間については、実際に貯蔵することとなるフォトレジスト組成物の種類によって、適宜選択、調整することができる。
【００２１】
また、前記プラスチックとして、以下に述べる高密度ポリエチレンを用いて本発明のフォトレジスト組成物用容器を形成してもよい。この場合、容器成型後直ちに使用することができる。これは、高密度ポリエチレンは、微粒子を発生しにくい材料であるためである。
【００２２】
前記高密度ポリエチレンのゲルパーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により求められる重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）の比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、５〜２０が好ましく、８〜１５であることがより好ましい。Ｍｗ／Ｍｎが５未満だと流動性が劣るため作業性が悪く、また、成型が困難となる。さらに、樹脂の劣化を促進させる。一方、Ｍｗ／Ｍｎが２０を超えると、低分子量のものを多く含むこととなり微粒子が発生しやすくなる。
【００２３】
また、本発明のフォトレジスト組成物用容器の形成に用いることができる高密度ポリエチレンとしては、密度が０．９４２〜０．９７０ｇ／ｃｍ3が好ましい。また、分子量は２０万以上であることが好ましい。さらに、Ｌｏｇ分子量で１０4.5以下の分子が少ないものが好ましい。ここで、Ｌｏｇ分子量とは、分子量を対数表示したものであり、Ｌｏｇ分子量が小さい分子を含まなければ含まないほど微粒子が発生しにくくなる。
【００２４】
本発明に用いられる高密度ポリエチレンは、周知の方法であるＺｉｅｇｌｅｒ法で合成することができる。Ｚｉｅｇｌｅｒ法で合成することにより、Ｍｗ／Ｍｎが８〜１５の範囲となり、フォトレジスト組成物用容器からの微粒子の発生が少なくなる。また、適度な剛性を有するものとなる。なお、ポリエチレンの合成法としては、Ｚｉｅｇｌｅｒ法以外にＰｈｉｌｌｉｐｓ法が知られている。Ｐｈｉｌｌｉｐｓ法で合成したポリエチレンは、微粒子の発生が多いため、容器形成後直ちに使用することはできす、上述したように所定期間適当な溶剤を貯蔵、または浸漬することによって、予め微粒子を発生させておくという前処理を行なうのがよい。
【００２５】
本発明のフォトレジスト組成物用容器が好適に使用されうるフォトレジスト組成物としては、キノンジアジド系および／またはベンゾフェノン系の感光性成分を含むフォトレジスト組成物が挙げられる。上記キノンジアジド系および／またはベンゾフェノン系の感光性成分を含むフォトレジスト組成物は、微粒子等の異物に対して特に敏感なフォトレジスト組成物であるためである。上記フォトレジスト組成物は、主にＴＦＴ製造用として用いられる。貯蔵温度は、０〜３０℃であることが好ましい。この温度範囲で貯蔵することにより、より微粒子が発生しにくくするとともに、フォトレジスト組成物の物性変化を防止することができるためである。キノンジアジド系および／またはベンゾフェノン系の感光性成分を含むフォトレジスト組成物について、さらに詳細に説明すると、例えばアルカリ可溶性樹脂と、キノンジアジド基含有化合物および／またはベンゾフェノン含有化合物からなる感光性成分と、溶剤とを含むものなどが挙げられる。
【００２６】
上記アルカリ可溶性樹脂としては、バインダーすなわち被膜形成用物質として作用するものであれば特に制限はなく、従来のフォトレジスト組成物において、被膜形成用物質として慣用されているアルカリ可溶性樹脂、例えばフェノール、クレゾールやキシレノールなどの芳香族ヒドロキシ化合物とホルムアルデヒドのようなアルデヒド類とを酸性触媒の存在下に縮合させたものや、ポリヒドロキシスチレン及びその誘導体などが挙げられる。
【００２７】
上記キノンジアジド基含有化合物からなる感光性成分としては、感光性成分であれば特に制限はなく、例えば２，３，４‐トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベンゾフェノンとナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スルホン酸又はナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐４‐スルホン酸との完全エステル化物や部分エステル化物を始め、オルトベンゾキノンジアジド、オルトナフトキノンジアジド、オルトアントラキノンジアジド又はオルトナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類のようなこれらの核置換誘導体、さらにはオルトキノンジアジドスルホニルクロリドと水酸基又はアミノ基をもつ化合物、例えばフェノール、ｐ‐メトキシフェノール、ジメチルフェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールＡ、ナフトール、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロールモノメチルエテール、ピロガロール‐１，３‐ジメチルエーテル、没食子酸、水酸基を一部残してエステル化又はエーテル化された没食子酸、アニリン、ｐ‐アミノジフェニルアミンなどとの反応生成物などが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２８】
上記ベンゾフェノン含有化合物からなる感光性成分としては、例えば２，４‐ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２，２′‐ジヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２，２′‐ジヒドロキシ‐４，４′‐ジメトキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐ｎ‐オクトキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐メトキシ‐２′‐カルボキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐オクタデシロキシベンゾフェノン、４‐ドデシロキシ‐２‐ヒドロキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐（２‐ヒドロキシ‐３‐メタクリロキシ）プロポキシベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ′‐テトラメチル‐４，４′‐ジアミノベンゾフェノン、２‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ヒドロキシベンゾフェノン、４，４′‐ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４‐トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，５‐トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６‐トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，４′‐トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，３，４‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２′３，４，４′‐ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３，３′４，４′，５′‐ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、４‐アミノ‐２′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐アミノ‐４′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐アミノ‐６′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐２′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐４′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐６′‐ヒドロキシベンゾフェノン、２‐ジメチルアミノ‐２′，４′‐ジヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐２′，４′‐ジヒドロキシベンゾフェノン、６‐ジメチルアミノ‐２′，４′‐ジヒドロキシベンゾフェノン、２‐ジエチルアミノ‐２′，４′‐ジヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジエチルアミノ‐２′，４′‐ジヒドロキシベンゾフェノン、６‐ジエチルアミノ‐２′，４′‐ジヒドロキシベンゾフェノン、２‐ジメチルアミノ‐２′，４′，６′‐トリヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐２′，４′，６′‐トリヒドロキシベンゾフェノン、６‐ジメチルアミノ‐２′，４′，６′‐トリヒドロキシベンゾフェノンなどが挙げられる。
【００２９】
上記溶剤としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、フォトレジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを１種または２種以上適宜選択して用いることができる。例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、２−メトキシブチルアセテート、３−メトキシブチルアセテート、４−メトキシブチルアセテート、２−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−エチル−３−メトキシブチルアセテート、２−エトキシブチルアセテート、４−エトキシブチルアセテート、４−プロポキシブチルアセテート、２−メトキシペンチルアセテート、３−メトキシペンチルアセテート、４−メトキシペンチルアセテート、２−メチル−３−メトキシペンチルアセテート、３−メチル−３−メトキシペンチルアセテート、３−メチル−４−メトキシペンチルアセテート、４−メチル−４−メトキシペンチルアセテート、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルシソブチルケトン、エチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチル、メチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキシプロピオネート、エチル−３−プロポキシプロピオネート、プロピル−３−メトキシプロピオネート、イソプロピル−３−メトキシプロピオネート、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、炭酸メチル、炭酸エチル、炭酸プロピル、炭酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、ピルビン酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ベンジルメチルエーテル、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸イソプロピル、乳酸ブチル等が挙げられる。中でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）は、塗布性がよいことから好適に用いることができる。
【００３０】
なお、本発明のフォトレジスト組成物用容器に貯蔵される上記フォトレジスト組成物中に含まれていても許容される平均微粒子数は、３００．０個／ｍＬであり、好ましくは４９．０個／ｍＬである。
【００３１】
本発明のフォトレジスト組成物用容器は、クリーンエアでブロー成型することができる。クリーンエアでブロー成型することにより、外部から不純物である微粒子等が混入するおそれが無い。また、本発明の容器に上記フォトレジスト組成物を貯蔵する際に、当該容器を洗浄する必要がないため、洗浄液等の廃棄物の廃棄コストを削減することができる。さらに、洗浄および洗浄に伴うフォトレジスト置換、乾燥等の工程が不要となるため、製造コストを削減することができる。ブロー成型は、通常の条件で行なうことができる。なお、本発明においてクリーンエアとは、０．１μｍ以上の粒径の塵が９９．９９９９％以上除かれたエアであり、エアをフィルタに通すことにより調整することができる。
【００３２】
容器の形状は特に限定されないが、表面積と体積とのバランスを考慮しつつ縦方向に容器を大きくすれば微粒子数が少ない組成物の割合を大きくすることができる。具体的には、ドラム缶形状（円筒形）等が挙げられる。
【００３３】
本発明のフォトレジスト組成物用容器には、容器の開口部に管継手（コネクター）を取り付けることによって、フォトレジスト組成物の汲み出しを容易にすることが好ましい。具体的には、気密にした容器上部空間に不活性ガスを封入しつつ、ポンプによってフォトレジスト組成物を汲み出す機構を採用する。そのためにはガス流路接続用、液体流路接続用のコネクターを容器の上蓋に取り付ける。この場合、容器の上蓋にはガス圧入口と、液汲み出し口とを設け、ガス圧入口にはガス流路接続用コネクターを取り付け、液汲み出し口には液体流路用コネクターを取り付ける。ガス流路接続用コネクターは、容器の上部空間に開口させる。液体流路用コネクターの容器内部側には汲み上げ用のサイフォン管を連結し、このサイフォン管の先端を容器底部に位置させる。前記ガス流路接続用コネクターには、不活性ガス源に接続したガス供給用ホースを接続する。一方の液体流路用コネクターには、ポンプが介装された汲み出しホースを接続する。かかる構成によって、不活性ガスがガス供給用ホースからフォトレジスト組成物用容器に送り込まれると同時に、ポンプにより容器内のフォトレジスト組成物がサイフォン管の下端部から汲み上げられる。
【００３４】
本発明のフォトレジスト組成物用容器に用いられるコネクターとしては、特に限定されないが、接液部における液溜まりが少ないものが好ましい。不純物が溶出するおそれが少ないためである。例えば、このコネクターは、前記容器に用いた材料、あるいはフッ素樹脂等の不純物の溶出することが少ない材料を用いることが好ましい。
【００３５】
さらに、容器とホースとの接続部における液溜まりを防止できる構造のコネクターを用いることが好ましい。これは、特に接続部において液溜まり部があると、この液溜まり部におけるフォトレジスト組成物が変質してしまい、メンテナンスを要するためである。変質したフォトレジスト組成物は不純物となり好ましくない。たとえば、前記コネクター、容器の開口部に取り付けられたプラグ、および該プラグに連結されるソケットからなり、前記ソケットに接続されたホースを介して外部に容器内部に貯蔵されたフォトレジスト組成物を引き出すようになっている、前記プラグは、容器の開口部に固定された蓋本体と、該蓋本体に設けられ、前記ソケットに連結可能なプラグ部と、前記蓋本体から容器内部に延在されたサイフォン管とを有している。さらに、ソケットおよびプラグには、互いに嵌合状態に連結されたときに相互に押圧することによってサイフォン管およびホースと連通する流路を開く弁体が設けられている。
また、上記ホースには、不純物の溶出の少ないフッ素樹脂、あるいは前記容器と同様の材料を用いることが好ましい。
【００３６】
上述した条件を満たすコネクターとしては、具体的には、例えばサーパス社製のプッシュダウンクイックコネクター／ＵＳＥ−ＯＮＥ（商品名）等のワンタッチ脱着式のコネクターを挙げることができる。
【００３７】
上記フォトレジスト組成物は、特にＴＦＴの形成等に使用される場合には、大量供給が求められる。本発明のフォトレジスト組成物用容器には、Ｍｗ／Ｍｎが５〜２０である高密度ポリエチレンを使用しているため、成形性が良好で４０Ｌ以上、例えば２００Ｌにまで大型化することができる。本発明のフォトレジスト組成物用容器は、上記フォトレジスト組成物を貯蔵後、６ヶ月間での前記容器から生じる微粒子の数自体が少ないが、大型化することによってさらに単位容量（ｍＬ）あたりの微粒子数を少なくすることができる。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例に基づき、本発明についてさらに詳細に説明する。なお、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【００３９】
〔実施例１〕
高密度ポリエチレンとして東ソー社製８Ｄ０１Ａ（商品名）を用い、クリーンエアでブロー成型して円筒形状で、内容積２００Ｌ容量のフォトレジスト組成物用容器を作製した。なお、使用した高密度ポリエチレンの重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）の比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１４程度であり、分子量は２２０〜２３０×１０3、密度は０．９５６ｇ／ｃｍ3である。
【００４０】
作製した容器の洗浄を行なわないで、フォトレジスト組成物（アルカリ可溶性樹脂としてフェノールノボラック樹脂、感光剤としてベンゾフェノン系ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、溶剤としてＰＧＭＥＡを含む）をろ過充填し、室温（約２５℃）で静置した。そして、任意の時期にフォトレジスト組成物用容器から上記フォトレジスト組成物を採取し、微粒子数の測定および実際にフォトレジスト膜を形成し、諸性質の検討を行なった。
【００４１】
表１は、上記フォトレジスト組成物中の平均微粒子数を測定した結果である。平均微粒子数は、１ヶ月後、２ヶ月後、３ヶ月後に、異物サンプルを採取しパーティクルカウンタにて異物数を測定した。微粒子は、粒径が０．２５μｍを超える大きさのものを測定し、その中でも０．３μｍを超えるものの数も計測した。その結果を示したものが表１である。なお、表中の「初期」とは保存直後のことを指す。
【００４２】
【表１】
2005263264.tif 000002
【００４３】
表１に示すように、１、２、および３ヶ月の全てにおいてレジスト組成物中の微粒子数は３００．０個／ｍＬ以下であり、フォトレジスト組成物に影響を与える数ではなかった。また、粒径が０．３μｍを超える微粒子の経時的な増加が認められなかったのみならず、より小さな粒径（０．２５μｍ以上）の微粒子の経時的な増加も認められなかった。３ヶ月以降も微粒子数が増加する傾向は、認められなかった。組成物の粘度等にも変化は無かった。次に、貯蔵後のフォトレジスト組成物を用いてフォトレジスト膜を形成し、レジストパターンを形成したところ、感度、膜べり、膜厚等の諸特性の劣化も認められなかった。
【００４４】
〔実施例２〕
実施例１と同様にして２００Ｌ容量のフォトレジスト組成物用容器を成型した。成型した容器の洗浄を行なわないで、フォトレジスト組成物（実施例１と同様のフォトレジスト組成物）をろ過充填し、６ヶ月間、室温（約２５℃）で静置した。そして、充填直後、および充填６ヶ月でフォトレジスト組成物中の微粒子数を測定した。その結果、充填直後における粒径が０．３μｍを超える微粒子の平均微粒子数は、６．２個／ｍＬであった。この平均微粒子数は、異なる容器における平均値であり、最多２８．０個／ｍＬ、最少０．３個／ｍＬであった。また、充填後６ヶ月後における粒径が０．３μｍの平均微粒子数は５５個／ｍＬであり、粒径が０．２５μｍの平均微粒子数は９９個／ｍＬであった。
【００４５】
〔実施例３〕
実施例１と同様にして２００Ｌ容量のフォトレジスト組成物用容器を成型した。この容器にフォトレジスト組成物（実施例１と同様のフォトレジスト組成物）を充填した後、サーパス社製のプッシュダウンクイックコネクター／ＵＳＥ−ＯＮＥ（商品名）を取り付けた。そして、不活性ガスをガス供給用ホースからフォトレジスト組成物用容器に送り込み、容器内の組成物をサイフォン管の下端部から汲み上げることによって、フォトレジスト組成物を取り出した。その結果を示したのが表２である。なお、表中の「初期」とは、保存する前のフォトレジスト組成物のことをいう。「３Ｌ目、１０Ｌ目、．．．．」とは、フォトレジスト組成物用容器から３Ｌ抜き出した直後に採取したもの、１０Ｌ抜き出した直後に採取したものということを意味する。
【表２】
2005263264.tif 000003
【００４６】
表２に示すように、どの液層から抜き出したレジスト組成物中の微粒子数も３００．０個／ｍＬ以下であり、フォトレジスト組成物として問題はなかった。
【００４７】
〔比較例１〕
Ｐｈｉｌｌｉｐｓ法で合成したポリエチレンを用い、実施例１と同様にクリーンエアでブロー成型を行なってフォトレジスト組成物用容器を成型した。成型した容器の洗浄を行なわないで、また、上記前処理を行なわないで、キノンジアジド系および／またはベンゾフェノン系フォトレジスト組成物（実施例１と同様のフォトレジスト組成物）をろ過充填し、室温（約２５℃）で静置した。そして、１および２ヵ月後に上記フォトレジスト組成物を採取し、微粒子数の測定および実際にフォトレジスト膜を形成し、諸性質の検討を行なった。
【００４８】
その結果、上記表１に示すように微粒子の増加が認められた。また、フォトレジスト膜を形成し、レジストパターンを形成したところ、上記諸性質の劣化が認められ、使用レベルではなかった。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
以上のように、本発明のフォトレジスト組成物用容器を使用することにより、フォトレジスト、特にキノンジアジド系および／またはベンゾフェノン系フォトレジスト組成物を安定に貯蔵することができ、高精度のレジストパターンを形成することができる。