(57)【要約】【課題】  ＦＥＤ等に用いられる電界放出型冷陰極における陰極層と下部電極との密着性を高め、安定した導通を得る。【解決手段】  ガラス基板上に下部電極を形成する工程Ａと、導電性微小粒子を含むシリカゾル溶液にカーボン材料を分散する工程Ｂと、シリカゲル溶液を加熱処理する工程Ｃと、工程Ｃにより生成した、シリカゲル層が表面に定着したカーボン材料を溶媒に分散し、ペースト又はスラリーを生成する工程Ｅと、ペースト又はスラリーを下部電極上に塗布し、所定の第１の温度で加熱処理する工程Ｆとにより、電界放出型冷陰極の陰極層を形成する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に下部電極を形成する工程Ａと、
導電性微小粒子を含むシリカゾル溶液にカーボン材料を分散する工程Ｂと、
当該シリカゲル溶液を加熱処理する工程Ｃと、
当該工程Ｃにより生成した、表面にシリカゲル層が定着したカーボン材料を溶媒に分散し、ペースト又はスラリーを生成する工程Ｅと、
当該ペースト又はスラリーを下部電極上に塗布し、所定の第１の温度で加熱処理する工程Ｆと
を備えることを特徴とする電界放出型冷陰極の製造方法。
【請求項２】
工程Ｆの後、
さらに所定の第２の温度で加熱処理する工程Ｇ
を備えることを特徴とする請求項１に記載の電界放出型冷陰極の製造方法。
【請求項３】
工程Ｃの後、工程Ｅの前に、
工程Ｃにより生成した、表面にシリカゲル層が定着したカーボン材料を加熱する工程Ｄを備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の電界放出型冷陰極の製造方法。
【請求項４】
ガラス基板と、
当該ガラス基板上に成形された下部電極と、
当該下部電極上に形成され、導電性微小粒子を含むシリカゲル層を表面に定着したカーボン材料を含む陰極層と、
当該陰極層から所定の距離離れた位置に設置された上部引き出し電極と
を備えることを特徴とする電界放出型冷陰極。
【請求項５】
請求項４に記載の電界放出型冷陰極を備えることを特徴とする電界放出型画像表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えばフィールド・エミッション・ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ。以下、「ＦＥＤ」と記す。）等に用いられる電界放出型冷陰極、及びその製造方法並びに電界放出型画像表示素子に関するものであり、さらに詳しくは、カーボンナノチューブ等によって構成される電界放出型冷陰極の陰極層、及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示装置に対する薄型化の要求が高まっており、薄型画像表示装置としてプラズマディスプレイや液晶ディスプレイの他に、ＦＥＤ等の電界放出型画像表示素子が提案されている。以下に、図１及び図９を用いて、一般的な電界放出型画像表示素子の構造を説明する。図１は電界放出型画像表示素子の一部拡大図である。図１において、ガラス基板１上には下部電極２がストライプ状に形成されている。この下部電極２は、印刷法または蒸着法等によりガラス基板１上に固着されたインジウム錫酸化物（以下、「ＩＴＯ」と記す。）、アルミニウム、銀等である。また、下部電極２の上には、カーボンナノチューブ等のカーボン材料を主成分とする陰極層３が形成される。さらに、ガラス基板１上に設置されたスペーサ４を介し、ガラス基板１から数μｍ乃至数十μｍ離れた位置に上部引き出し電極５が配設される。上部引き出し電極５には、平面視で下部電極２と交差する位置に開口部５ａが設けられている。これらガラス基板１、下部電極２、陰極層３、スペーサ４、上部引き出し電極５を主要構成部として、電界放出型冷陰極６が構成される。さらに、図示しないスペーサを介し、上部引き出し電極５から所定の距離だけ離れた位置に上部ガラス基板７が配設される。上部ガラス基板７の、上部引き出し電極５と対向する面の表面には、ＩＴＯ等の無機金属材料からなる透明のアノード電極８と蛍光体膜９とが設けられる。図９は、図１のＩ−Ｉ断面における一部拡大図である。
【０００３】
次に、電界放出型冷陰極の駆動方法について説明する。下部電極２と上部引き出し電極５とにそれぞれ異なる電位を与えると、陰極層３から電子が放出される。放出された電子は、上部引き出し電極５の開口部５ａを通過し、上部ガラス基板７に向かう。そして、電子は、電圧が印加されたアノード電極８に向かって流れ、アノード電極８に到達する際に蛍光体９を発光させる。このような動作により所望の画像を構成し、上部ガラス基板７を通して画像を表示する。
【０００４】
上記で説明したように、陰極層３はカーボンナノチューブを主成分として形成されている。カーボンナノチューブは、炭素原子が規則的に配列されたグラフェンシートにより構成され、例えば直径が数乃至数十ｎｍ、長さが数十μｍとアスペクト比の高い円筒形をなしている。このように高いアスペクト比を持つことから、カーボンナノチューブは先端部に電界集中を起こしやすく、この先端部から放出密度の高い電流を得ることができる。さらに、カーボンナノチューブは物理的、化学的にも安定性が高いという利点もあるので、電界放出型冷陰極の陰極層を形成する材料として用いられている。
【０００５】
ところで、陰極層３を構成するカーボンナノチューブは炭素であるので、無機金属材料により形成される下部電極２との密着性は低く、通常、両者は単に接触しているに過ぎない。そのため両者間の接触抵抗は非常に大きくなり、また抵抗の分布も一様ではない。その結果、下部電極２と陰極層３との間における導通は不安定となり、放出密度の高い電流を得ることや、変動の小さい電流を得ることが難しくなる。
【０００６】
また、下部電極２と上部引き出し電極５との間に電位差を生じさせると、誘起された静電引力により、下部電極２から剥離した、陰極層３を構成する一部のカーボンナノチューブが上部引き出し電極５に接触し、上下電極間を短絡させ画面欠点を発生させる可能性もある。そこで、下部電極２と陰極層３との密着性を高めるために、例えば以下の特許文献に記載されているような陰極層の形成方法が提案されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−１９０２４７号公報
【特許文献２】特開２００３−５９３９１号公報
【特許文献３】特開２００１−３１２９５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記特許文献１に記載されている陰極層の形成方法は、アーク法により生成したカーボンナノチューブに対し、通常行われる粒子状不純物を取り除く精製処理を敢えて実施しない。そして、この粒子状不純物を充填材として用い、陰極層と下部電極との密着性を高めようとするものである。
【０００９】
しかし、アーク法によって得られる粒子状不純物は、主に粒子状グラファイト、アモルファスカーボン等のカーボン系の不純物、つまり炭素である。したがって、これらカーボン系の不純物を充填材として用いても、陰極層と、無機金属材料により構成される下部電極との密着性を十分に確保することができず、静電引力によるカーボンナノチューブの剥離を防止するには不十分である。
【００１０】
上記特許文献２に記載されている陰極層の形成方法は、電気泳動法を用いる方法である。すなわち、アルミニウムや金により構成される下部電極に対し、電気泳動法によりカーボンナノチューブを付着させた後、無酸素雰囲気下で加熱処理を行い、溶解した下部電極を陰極層に浸透させて密着性を確保する方法である。
【００１１】
しかしこの方法では、下部電極を溶融させるために、アルミニウムであれば６７０〜８００℃、金であれば１１００〜１２００℃の温度まで加熱する必要がある。このような高温の下では、図１に示すような構造の電界放出型冷陰極では下部電極を保持するガラス基板１が変形したり、割れが発生する可能性がある。
【００１２】
その他に、上記特許文献３には電気泳動法を用いた、特許文献２に記載の方法とは異なる陰極層の形成方法が記載されている。まず、下部電極上に半導体もしくは導体粒子を含有するポリシラン膜による保持層を設け、このポリシラン膜に紫外線を照射して、ポリシラン膜内部にあるＳｉ原子間の結合を解離させる。そして、解離が生じた部分にカーボンナノチューブを電気泳動法により配列、埋め込んだのちに加熱硬化させる方法である。
【００１３】
この方法により陰極層を形成すると、陰極層と下部電極との間の十分な密着性を確保することができる。しかし、Ｓｉ原子間の結合解離エネルギーは、低く見積もっても数１００ＫＪ／ｍｏｌである。したがって、カーボンナノチューブを保持するために必要な量のＳｉ原子間の結合解離を生じさせるためには、非常に大きなエネルギーが必要となる。そのため、Ｓｉ原子間の結合解離のために、例えば、高圧水銀灯のような定常紫外線光を用いると、数時間以上の照射時間が必要となり、生産性が悪くなる。一方、光子密度の高いレーザー光を照射すると短時間での処理が可能となる。しかし、高光子密度のレーザー光を照射するためには大きな発振器等の設備が必要となる上、照射位置、照射時間等の条件を正確に制御する必要が生じるので、やはり生産性が悪くなる可能性がある。
【００１４】
本発明は、上述の問題点を解消するためになされたもので、カーボン材料を用いて電界放出型冷陰極の陰極層を形成するにあたり、大きな設備の必要がない簡易な方法で、下部電極と陰極層との間の密着性を確保することができる電界放出型冷陰極、及び電界放出型冷陰極の製造方法並びに電界放出型画像表示素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明は、
ガラス基板上に下部電極を形成する工程Ａと、
導電性微小粒子を含むシリカゾル溶液にカーボン材料を分散する工程Ｂと、
シリカゲル溶液を加熱処理する工程Ｃと、
工程Ｃにより生成した、シリカゲル層が表面に定着したカーボン材料を溶媒に分散し、ペースト又はスラリーを生成する工程Ｅと、
ペースト又はスラリーを下部電極上に塗布し、所定の第１の温度で加熱処理する工程Ｆと
を備えることとしたものである。
【発明の効果】
【００１６】
この発明は、ガラス基板上に下部電極を形成する工程と、導電性微小粒子を含むシリカゾル溶液にカーボン材料を分散する工程と、シリカゲル溶液を加熱処理する工程と、加熱処理により生成した、表面にシリカゲル層が定着したカーボン材料を溶媒に分散し、ペースト又はスラリーを生成する工程と、ペースト又はスラリーを下部電極上に塗布し、所定の温度で加熱処理し陰極層を形成する工程とを備えることとしたので、下部電極と陰極層との密着性が高い電界放出型冷陰極を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
実施の形態１．
本発明は、下部電極上の陰極層を形成する材料として、導電性微小粒子を含むシリカゲル層を表面に定着したカーボンナノチューブを用いる。
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
【００１８】
図１はこの発明の実施の形態１に係る及び電界放出型画像表示素子の構造を示す図、図２は図１のＩ−Ｉ断面における一部拡大図である。この実施の形態１に係る電界放出型冷陰極の基本的な構造は、従来の電界放出型冷陰極と同様である。しかし、陰極層３が、導電性微小粒子を含むシリカゲル層を表面に定着したカーボンナノチューブを用いて形成されている点で異なる。したがって、以下に、陰極層３の製造方法を説明する。
【００１９】
まず、導電性微小粒子を含むシリカゾル溶液にカーボンナノチューブを分散する。次に、このシリカゾル溶液を加熱処理し、カーボンナノチューブの表面に、導電性微小粒子を含むシリカゲル層を定着させる。さらに、このカーボンナノチューブを加熱し、シリカゲル層が有するシラノール基の一部を脱水重合、架橋し表面の一部にＳｉＯ２膜を生成する。次に、このカーボンナノチューブを極性溶媒に分散し、ペースト又はスラリーを生成する。生成したペースト又はスラリーを下部電極上に塗布した後、加熱処理により陰極層と下部電極とを結合させる。なお、陰極層を形成する前に、陰極層を載せる下部電極を形成しておく必要がある。
以下、詳細に説明する。
【００２０】
まず、下部電極２の製造法について説明する。下部電極２は、ＩＴＯ、アルミニウム、銀等の無機金属材料を蒸着法や印刷法等を用いて、ガラス基板１上にストライプ状に形成される（工程Ａ）。なお、この工程Ａは、後述するペースト又はスラリーを下部電極２上に塗布する工程の前に行えばよく、ペースト又はスラリーの塗布前であれば、後述する他の工程との前後は問わない。図３は、この工程により形成された下部電極２の一部拡大図である。
【００２１】
次に、陰極層３の製造方法について説明する。まず、陰極層３の主成分となるカーボンナノチューブ３ａを、アーク法等により製造する。なお、カーボンナノチューブの製造方法は、アーク法以外の方法であってもよい。また、陰極層３には、カーボンナノチューブ以外のカーボン材料、例えばダイヤモンドや、カーボンナノチューブよりも直径が大きいグラファイトナノファイバーを用いても良い。以下、カーボンナノチューブを用いて説明する。
【００２２】
次に、超音波分散法等を用いて、アーク法等により製造したカーボンナノチューブ３ａを導電性微小粒子３ｂを含むシリカゾル溶液に分散する（工程Ｂ）。導電性微粒子３ｂには、ＩＴＯ、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、酸化ルテニウム等の金属酸化物、金、銀、銅、ニッケル等の金属微粒子、その他、窒化チタン、フッ化マグネシウム等を用いる。導電性微粒子３ｂの粒径は、例えば数ｎｍから数十ｎｍ程度である。また、シリカゾル溶液中に溶媒としてアルコールを混入してもよく、シリカゾル溶液へのカーボンナノチューブ３ａの分散を促進するために、有機系分散剤を添加してもよい。さらに、工程Ｂにおける、シリカゾル溶液へ導電性微小粒子３ｂを混入するタイミングは、カーボンナノチューブ３ａをシリカゾル溶液に入れる前でもよく、また、カーボンナノチューブ３ａと導電性微小粒子３ｂを同じタイミングで混入してもよい。
【００２３】
次に、工程Ｂにより製造されたシリカゾル溶液を加熱し、カーボンナノチューブの表面に導電性微小粒子３ｂを含むシリカゲル層３ｃを析出、定着させる（工程Ｃ）。なお、工程Ｃにおける加熱処理は、加熱後の残留物が目視で乾燥していることを確認できる程度の処理でよい。
【００２４】
ここで、工程Ｃにより製造したカーボンナノチューブをそのまま用いてペーストを調合してもよいが、工程Ｃが終了した時点でのシリカゲル層３ｃは、シラノールの架橋が十分に成長していない可能性がる。そのため、後述する工程Ｅにおける、ペーストやスラリーの調合作業中に生じるせん断力により、カーボンナノチューブ３ａからシリカゲル層３ｃや導電性微小粒子３ｂが剥離する可能性がある。この剥離を防止するために、工程Ｃにより製造したカーボンナノチューブを例えば約２００℃、約２０分間程度加熱処理する。この処理により、カーボンナノチューブ３ａの表面に定着したシリカゲル層３ｃが有するシラノール基（−Ｓｉ−Ｏ−Ｈ）の一部を脱水重合により架橋し（−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−）、シリカゲル層の表面の一部にＳｉＯ２膜３ｃを形成する（工程Ｄ）。図４は、工程Ｄにより製造したカーボンナノチューブを示した図である。
【００２５】
なお、工程Ｄの脱水重合の反応が促進される加熱温度は１５０℃以上である。一方、２５０℃以上の温度で加熱すると脱水重合反応が進み過ぎ、後述する極性溶媒への分散性や下部電極３への密着性に関係するシラノール基の量が少なくなる。したがって、工程Ｄにおける加熱温度は、１５０℃以上２５０℃以下が望ましい。
【００２６】
次に、工程Ｄにより製造したカーボンナノチューブを用いて、下部電極２上に塗布するペースト又はスラリーを調合する（工程Ｅ）。ペーストは例えば、工程Ｄで製造したカーボンナノチューブを組成比７％、ペーストの粘度を調節する有機バインダーとしてのエチルセルロースを組成比６％、極性溶媒としてのブチルカルビトールを組成比８％、ブチルカルビトールと同様、極性溶媒としてのブチルカルビトールアセテートを組成比７９％のそれぞれを混合することにより製造される。また、ペーストよりも粘度が低いスラリーは、有機バインダーの量を調節することにより製造される。
【００２７】
一般的に、カーボンナノチューブのようなカーボン材料は極性が小さく、極性溶媒に対する分散性は非常に小さい。しかし、工程Ｃを経て製造されたカーボンナノチューブの表面にはシラノール基を有するシリカゲル層３ｃが定着していることから、工程Ｅにおける極性溶媒への分散性は、非常に良好となる。
【００２８】
次に、工程Ｅにて製造したペースト又はスラリーを下部電極２上に塗布し、約１２０℃以上１５０℃以下の温度で約１０分程度の加熱処理を行う（工程Ｆ）。工程Ｆにより、例えばダングリングボンドに起因する、下部電極２の表面上に存在する極性の大きな部分と、カーボンナノチューブ３ａの表面に定着しているシリカゲル層３ｃが有するシラノール基とが吸着配位するため、従来よりも下部電極２と陰極層３との密着性が向上する。
【００２９】
さらに、工程Ｆの後、例えば約３５０℃、約２０分にて加熱し、有機バインダーを除去し、シリカゲル層３ｃを脱水、固化することにより下部電極２上に陰極層３を焼成する（工程Ｇ）。図５は、工程Ｇにより形成された陰極層３を示す図であり、図２を一部拡大したものである。図５に示すように、陰極層３は、カーボンナノチューブ３ａと、導電性微小粒子３ｂを含むシリカゾル層３ｃとからなる。なお、陰極層３は、数μｍから数十μｍの厚さである。
【００３０】
さらに、工程Ｇにおける下部電極２と陰極層３との結合について図６を用いて説明する。図６（ａ）は、ペーストを下部電極３に塗布した状態、（ｂ）は、焼成後の状態をそれぞれ示す。（ａ）では、単に陰極層３が下部電極２上に載っているだけにすぎないが、加熱、焼成することにより、陰極層３中のシリカゲル層が持つシラノール基と、下部電極２を構成する無機金属材料（Ｍｅ）とが化学的に結合する（−Ｓｉ−Ｏ−Ｍｅ）。これにより、下部電極２と陰極層３との密着性が向上する。
【００３１】
その後、ガラス基板１上にスペーサ４を設置し、このスペーサ４上に上部引き出し電極５を配設する（工程Ｈ）。上部引き出し電極５は、平面視で下部電極２の交差する位置において開口部５ａが設けられている。
【００３２】
以上のような工程Ａ〜工程Ｈにより、電界放出型冷陰極を製造する。
【００３３】
次に、上記の工程により製造された電界放出型冷陰極について行った、下部電極２と陰極層３との密着性の評価試験と、電界放出性能の評価試験との結果を示す。評価対象は、工程Ａから工程Ｈまでのすべての工程を経て製造された第１の評価対象、及び、比較対象として、工程Ｂにおいて、シリカゾル溶液に導電性微小粒子の添加を行わず、シリカゾル溶液のみを用い、工程Ｂ以外はすべて工程Ａから工程Ｈを経て製造された第２の評価対象と、さらに、シリカゾル溶液を使用せず、工程Ａにより製造したカーボンナノチューブをそのまま用いてペースト又はスラリーを製造し（工程Ｅ’）、その後工程Ｆ、工程Ｇ、工程Ｈを経て製造された第３の評価対象との３種類である。
【００３４】
したがって、第２の評価対象では、シリカゾル層には導電性微小粒子が存在せず、第３の評価対象では、カーボンナノチューブの表面にはシリカゾル層も存在しない。
【００３５】
図７に、電界放出性能の評価試験を行った際の電界放出型画像表示素子と電流の測定系の概略を示す。図７に示すように、それぞれの評価対象につき、５つの下部電極２ａ〜ｅと、１つが２ｍｍ×２ｍｍの大きさである陰極層３ａ〜ｅを５個形成した電界放出型画面表示素子を、約２．６７×１０−４Ｐａである真空槽に設置し、上部引き出し電極４に所定の電圧、例えば４００Ｖを印加したとき、陰極層３から放出された電子により生じる、下部電極２とアース間の電流値（以下、「カソード電流値」と記す。）Ｉｃを測定することにより行った。したがって、カソード電流値Ｉｃが大きいほど電界放出性能が良いことを示す。
【００３６】
下部電極２と陰極層３との密着性の評価試験は、先端Ｒがφ０．０５ｍｍのサファイア針に一定の荷重を加え、０．５ｍｍ／ｓｅｃのスピードで陰極層３の表面を引っ掻いたときに、陰極層３の剥離が発生する最低荷重値を測定することにより行った。
【００３７】
電界放出性能の評価試験の結果、及び下部電極２と陰極層３との密着性の評価試験の結果を図８に示す。
まず、電界放出性能の結果について説明する。第１の評価対象、第２の評価対象とも第３の評価対象と比較して、カソード電流値Ｉｃが非常に大きく、かつバラツキも小さい。これは、第１の評価対象、第２の評価対象とも陰極層３中にあるシリカゲル層が有するシラノール基と、下部電極２を構成する無機金属材料とが化学的に結合することにより、陰極層３と下部電極２との密着性が高まり、両者間の導通の状態が安定的に確保できることを示している。さらに、第１の評価対象は、シリカゲル層に導電性微小粒子が含まれているので、第２の評価対象よりもカソード電流値Ｉｃがさらに高くなっている。一方、第３の評価対象は、第１、第２の評価対象とは異なり陰極層３中にシラノール基を含むシリカゲル層が存在しないため、陰極層３と下部電極２との密着性が低く、導通の状態が不安定となる。したがって、カソード電流値Ｉｃ低くなり、バラツキも大きくなる。さらに、一部の測定対象では電界放出性能の評価試験中に陰極層３が下部電極から剥離したため、カソード電流値Ｉｃの測定ができない事態も発生した。
【００３８】
次に、密着性の評価試験の結果について説明する。電界放出性能の評価試験の説明でも述べたが、第１、第２の評価対象は、陰極層３中にシラノール基を有するシリカゲル層を有するため、シラノール基と下部電極２を構成する無機金属材料とが化学的に結合し密着性を高めることができるため、第３の評価対象よりも良好な測定値を得ることができた。一方、第３の評価対象は、シラノール基と金属との化学的結合が存在しないため、密着性の評価は非常に低い値となっている。なお、今回の評価試験では、導電性微小粒子の存在しない第２の評価対象の方が、導電性微小粒子が存在する第１の評価対象よりも密着性が高い結果が出た。
【００３９】
ところで、上記実施の形態１では、下部電極２を形成した後に、下部電極２上にペースト又はスラリーを塗布し、乾燥、焼成することにより陰極層３を形成したが、下部電極２をパターン蒸着法で形成し、工程Ｅにおいてバインダーを入れることなく溶液を調合し、スピンコート法にてこの陰極層を形成した後、ブラスト法等で陰極層３の形を整える方法を採用してもよい。
また、下部電極２の形状はストライプ状以外の形状であってもよい。
【００４０】
また、有機バインダーを除去する必要があるため、工程Ｇにおける加熱温度を約３５０℃としたが、図６（ａ）の状態から図６（ｂ）の状態となる反応自体は１５０℃以上であれば進行する。したがって、有機バインダーを含まずにペーストを調合した場合は、工程Ｆの後、１５０℃以上の温度で加熱してもよい（工程Ｇ’）。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】この発明の実施の形態１における電界放出型画像表示素子の図である。
【図２】この発明の実施の形態１における電界放出型画像冷陰極の断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１における下部電極の製造方法を説明する図である。
【図４】この発明の実施の形態１におけるカーボンナノチューブの製造方法を説明する図である。
【図５】この発明の実施の形態１における陰極層を説明する図である。
【図６】この発明の実施の形態１における陰極層の製造方法を説明する図である。
【図７】この発明の実施の形態１における評価試験の測定系を説明する図である。
【図８】この発明の実施の形態１における評価試験の結果を説明する図である。
【図９】従来の電界放出型冷陰極の断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  ガラス基板
２  下部電極
３  陰極層
４  スペーサ
５  上部引き出し電極
６  電界放出型画像冷陰極
７  上部ガラス基板
８  透明電極
９  蛍光体
【図１】
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【図２】
2005071863.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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