(57)【要約】  【課題】本発明の目的は、熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥、基板裏面傷の発生を抑制し、高品質な半導体装置（デバイス）や基板を製造することができる熱処理用支持具、熱処理装置、熱処理方法、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。  【解決手段】基板６８を支持する熱処理用支持具３０において、前記支持具３０の基板６８と接触する支持部５８を一部が切り欠かれたリング状部材で構成し、基板６８のエッジから５ｍｍ以下の領域の２／３以上の部分を支持するようにした。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持する熱処理用支持具であって、前記支持具の基板と接触する支持部は一部が切り欠かれたリング状部材からなり、基板のエッジから５ｍｍ以下の領域の２／３以上の部分を支持するよう構成されていることを特徴とする熱処理用支持具。
【請求項２】
前記支持部にはテーパ面が設けられ、このテーパ面で基板を支持することを特徴とする請求項１記載の熱処理用支持具。
【請求項３】
前記支持部に設けられたテーパ面のエッジ部がＲ形状となっていることを特徴とする請求項２記載の熱処理用支持具。
【請求項４】
前記支持部の基板との接触面には表面粗さが０．１μｍ以下の鏡面加工が施されていることを特徴とする請求項１記載の熱処理用支持具。
【請求項５】
前記支持具の材質は、ＳｉＣ、表面にＣＶＤ−ＳｉＣコートを施したＳｉＣ、Ｓｉのいずれかであることを特徴とする請求項１記載の熱処理用支持具。
【請求項６】
前記支持具は、複数枚の基板を略水平状態で隙間をもって複数段に支持するよう構成されていることを特徴とする請求項１記載の熱処理用支持具。
【請求項７】
前記支持具は１２００℃以上の熱処理に用いられることを特徴とする請求項１記載の熱処理用支持具。
【請求項８】
基板を熱処理する反応炉と、反応炉内で基板を支持する支持具とを有し、前記支持具の基板と接触する支持部は一部が切り欠かれたリング状部材からなり、基板のエッジから５ｍｍ以下の領域の２／３以上の部分を支持するよう構成されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項９】
基板を処理室に搬入する工程と、
一部が切り欠かれたリング状部材からなり、基板のエッジから５ｍｍ以下の領域の２／３以上の部分を支持するよう構成されている支持部により基板を支持する工程と、
基板を前記支持部により支持した状態で熱処理する工程と、
熱処理後の基板を処理室より搬出する工程と、
を有することを特徴とする熱処理方法。
【請求項１０】
基板を処理室に搬入する工程と、
一部が切り欠かれたリング状部材からなり、基板のエッジから５ｍｍ以下の領域の２／３以上の部分を支持するよう構成されている支持部により基板を支持する工程と、
基板を前記支持部により支持した状態で熱処理する工程と、
熱処理後の基板を処理室より搬出する工程と、
を有することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１１】
基板を処理室に搬入する工程と、
一部が切り欠かれたリング状部材からなり、基板のエッジから５ｍｍ以下の領域の２／３以上の部分を支持するよう構成されている支持部により基板を支持する工程と、
基板を前記支持部により支持した状態で熱処理する工程と、
熱処理後の基板を処理室より搬出する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハやガラス基板等を熱処理するための熱処理用支持具、熱処理装置、熱処理方法、半導体ウェハやガラス基板の製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば縦型バッチ式熱処理炉を用いて、複数のシリコンウェハ等の基板を熱処理する場合、炭化珪素製の支持具（ボート）が用いられている。この支持具には、例えば３点で基板を支持する支持溝が設けられている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−７５９７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
この場合、基板と支持具との接触面積が小さく、また基板自重に対する荷重分散が適当でないために局所的な荷重が発生し、基板自重応力を緩和できず、特に１０００°Ｃ程度以上の温度で熱処理すると、支持溝付近で、基板にスリップ転位欠陥が発生し、これがスリップラインになるという問題があった。スリップラインが発生すると、基板の平坦度が劣化する。これらのため、ＬＳＩ製造工程における重要な工程の一つであるリソグラフィ工程で、マスク合わせずれ（焦点ずれ又は変形によるマスク合わせずれ）が生じ、所望パターンを有するＬＳＩの製造が困難であるという問題が発生していた。また、支持具の鋭角部分が基板裏面に局所的に接触したり、支持具の基板との接触部の表面粗度が粗い場合、基板加熱時の基板変形、延び、及び、熱による基板軟化により基板裏面傷が発生するという問題があった。
【０００４】
本発明の目的は、熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥、基板裏面傷の発生を抑制し、高品質な半導体装置（デバイス）や基板を製造することができる熱処理用支持具、熱処理装置、熱処理方法、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の特徴とするところは、基板を支持する熱処理用支持具であって、前記支持具の基板と接触する支持部は一部が切り欠かれたリング状部材からなり、基板のエッジから５ｍｍ以下の領域の２／３以上の部分を支持するよう構成されていることを特徴とする熱処理用支持具にある。
【０００６】
本発明の第２の特徴とするところは、第１の特徴において、前記支持部にはテーパ面が設けられ、このテーパ面で基板を支持することを特徴とする熱処理用支持具にある。
【０００７】
本発明の第３の特徴とするところは、第２の特徴において、前記支持部に設けられたテーパ面のエッジ部がＲ形状となっていることを特徴とする熱処理用支持具にある。
【０００８】
本発明の第４の特徴とするところは、第１の特徴において、前記支持部の基板との接触面には表面粗さが０．１μｍ以下の鏡面加工が施されていることを特徴とする熱処理用支持具にある。
【０００９】
本発明の第５の特徴とするところは、第１の特徴において、前記支持具の材質は、ＳｉＣ、表面にＣＶＤ−ＳｉＣコートを施したＳｉＣ、Ｓｉのいずれかであることを特徴とする熱処理用支持具にある。
【００１０】
本発明の第６の特徴とするところは、第１の特徴において、前記支持具は、複数枚の基板を略水平状態で隙間をもって複数段に支持するよう構成されていることを特徴とする熱処理用支持具にある。
【００１１】
本発明の第７の特徴とするところは、第１の特徴において、前記支持具は１２００℃以上の熱処理に用いられることを特徴とする熱処理用支持具にある。
【００１２】
本発明の第８の特徴とするところは、基板を熱処理する反応炉と、反応炉内で基板を支持する支持具とを有し、前記支持具の基板と接触する支持部は一部が切り欠かれたリング状部材からなり、基板のエッジから５ｍｍ以下の領域の２／３以上の部分を支持するよう構成されていることを特徴とする熱処理装置にある。
【００１３】
本発明の第９の特徴とするところは、基板を処理室に搬入する工程と、一部が切り欠かれたリング状部材からなり、基板のエッジから５ｍｍ以下の領域の２／３以上の部分を支持するよう構成されている支持部により基板を支持する工程と、基板を前記支持部により支持した状態で熱処理する工程と、熱処理後の基板を処理室より搬出する工程と、を有することを特徴とする熱処理方法にある。
【００１４】
本発明の第１０の特徴とするところは、基板を処理室に搬入する工程と、一部が切り欠かれたリング状部材からなり、基板のエッジから５ｍｍ以下の領域の２／３以上の部分を支持するよう構成されている支持部により基板を支持する工程と、基板を前記支持部により支持した状態で熱処理する工程と、熱処理後の基板を処理室より搬出する工程と、を有することを特徴とする基板の製造方法にある。
【００１５】
本発明の第１１の特徴とするところは、基板を処理室に搬入する工程と、一部が切り欠かれたリング状部材からなり、基板のエッジから５ｍｍ以下の領域の２／３以上の部分を支持するよう構成されている支持部により基板を支持する工程と、基板を前記支持部により支持した状態で熱処理する工程と、熱処理後の基板を処理室より搬出する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法にある。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、基板をリング状の部材からなる支持部にて、基板エッジから５ｍｍ以下の領域（デバイス作製領域外）の、２／３以上の部分を保持するようにしたので、基板の自重及び熱処理時の基板変形による擦れが生じたとしても、基板に裏面傷やスリップの発生が抑制され、又、仮に発生したとしてもデバイスの品質には関係ないため、製品歩留まりを向上させることができる。また、支持具を、基板エッジから５ｍｍ以下の領域の、２／３以上の部分を支持する略リング状の支持部を１０ｍｍピッチ以下で、５０溝以上設けた一体型のボートとして構成したので、ボートの全長を短くすることができ、また、基板保持枚数（一度に処理する基板の処理枚数）を増やすことも可能となる。また、支柱と支持部（リング状部材）とが一体型のため、例えば３本支柱の多溝ボートにリング状部材を載せる構成よりも安価に製作可能であり、また支柱と支持部との擦れによるパーティクルも発生することはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１に、本発明の実施形態に係る熱処理装置１０を示す。この熱処理装置１０は、例えば縦型であり、主要部が配置された筺体１２を有する。この筺体１２には、ポッドステージ１４が接続されており、このポッドステージ１４にポッド１６が搬送される。ポッド１６は、例えば２５枚の基板が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ１４にセットされる。
【００１８】
筺体１２内において、ポッドステージ１４に対向する位置には、ポッド搬送装置１８が配置されている。また、このポッド搬送装置１８の近傍には、ポッド棚２０、ポッドオープナ２２及び基板枚数検知器２４が配置されている。ポッド搬送装置１８は、ポッドステージ１４とポッド棚２０とポッドオープナ２２との間でポッド１６を搬送する。ポッドオープナ２２は、ポッド１６の蓋を開けるものであり、この蓋が開けられたポッド１６内の基板枚数が基板枚数検知器２４により検知される。
【００１９】
さらに、筺体１２内には、基板移載機２６、ノッチアライナ２８及び支持具３０（ボート）が配置されている。基板移載機２６には基板を保持し搬送する基板保持プレート（ツイーザ）３２が設けられ（図１では５枚）、基板移載機２６はこの基板保持プレート３２を動かすことにより、ポッドオープナ２２の位置に置かれたポッド、ノッチアライナ２８及び支持具３０間で基板を搬送する。ノッチアライナ２８は、基板に形成されたノッチまたはオリフラを検出して基板のノッチまたはオリフラを一定の位置に揃えるものである。
【００２０】
図２に、本発明の実施形態に係る反応炉４０を示す。この反応炉４０は、反応管４２を有し、この反応管４２内に支持具３０が挿入される。支持具３０は、複数枚の基板６８を略水平状態で隙間（基板ピッチ間隔）をもって複数段に支持するように構成されている。反応管４２の下方は、支持具３０を挿入するために開放され、この開放部分はシールキャップ４４により密閉されるようにしてある。また、反応管４２の周囲は、均熱管４６により覆われ、さらに均熱管４６の周囲にヒータ４８が配置されている。熱電対５０は、反応管４２と均熱管４６との間に配置され、反応炉４０内の温度をモニタできるようにしてある。そして、反応管４２には、処理ガスを導入する導入管５２と、処理ガスを排気する排気管５４とが接続されている。
【００２１】
次に上述したように構成された熱処理装置１０の作用について説明する。
まず、ポッドステージ１４に複数枚の基板６８を収容したポッド１６がセットされると、ポッド搬送装置１８によりポッド１６をポッドステージ１４からポッド棚２０へ搬送し、このポッド棚２０にストックする。次に、ポッド搬送装置１８により、このポッド棚２０にストックされたポッド１６をポッドオープナ２２に搬送してセットし、このポッドオープナ２２によりポッド１６の蓋を開き、基板枚数検知器２４によりポッド１６に収容されている基板６８の枚数を検知する。
【００２２】
次に、基板移載機２６により、ポッドオープナ２２の位置にあるポッド１６から基板６８を取り出し、ノッチアライナ２８に移載する。このノッチアライナ２８においては、基板６８を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数枚の基板６８のノッチを同じ位置に整列させる。次に、基板移載機２６により、ノッチアライナ２８から基板６８を取り出し、支持具３０に移載する。
【００２３】
このようにして、１バッチ分の基板６８を支持具３０に移載すると、例えば７００°Ｃ程度の温度に設定された反応炉４０内に複数枚の基板６８を装填した支持具３０を装入し、シールキャップ４４により反応管４２内を密閉する。次に、炉内温度を熱処理温度まで昇温させて、導入管５２から処理ガスを導入する。処理ガスには、窒素、アルゴン、水素、酸素等が含まれる。基板６８を熱処理する際、基板６８は例えば１０００°Ｃ程度以上の温度、例えば１２００℃に加熱される。なお、この間、熱電対５０により反応管４２内の温度をモニタしながら、予め設定された昇温、熱処理プログラムに従って基板６８の熱処理を実施する。
【００２４】
基板６８の熱処理が終了すると、例えば炉内温度を７００°Ｃ程度の温度に降温した後、支持具３０を反応炉４０からアンロードし、支持具３０に支持された全ての基板６８が冷えるまで、支持具３０を所定位置で待機させる。なお、炉内温度降温の際も、熱電対５０により反応管４２内の温度をモニタしながら、予め設定された降温プログラムに従って降温を実施する。次に、待機させた支持具３０の基板６８が所定温度まで冷却されると、基板移載機２６により、支持具３０から基板６８を取り出し、ポッドオープナ２２にセットされている空のポッド１６に搬送して収容する。次に、ポッド搬送装置１８により、基板６８が収容されたポッド１６をポッド棚２０に搬送し、さらにポッドステージ１４に搬送して完了する。
【００２５】
次に図３乃至図５を用いて、本発明の実施形態に係る支持具としてのボート３０について詳述する。
図３（ａ）は支持具の正面図、図３（ｂ）は支持具の側面図、図３（ｃ）は支持具の背面図、図４（ａ）は支持部の横断面図、図４（ｂ）は支持部の縦断面図、図４（ｃ）は支持部の部分拡大図である。また、図５は基板移載時の支持部と移載機の基板支持プレートとの位置関係を示す図である。
【００２６】
支持具３０は、本体部５６と、本体部５６から延出するよう設けられ基板６８と接触する支持部５８とから主に構成されている。支持部５８は複数個（５０個以上）１０ｍｍピッチ以下で設けられ、本体部５６より支持具正面側と内側に向かってそれぞれが平行となるように延出しており、支持具正面側では肋骨型となっている。支持部５８は本体部５６と一体で構成されている。支持具３０（本体部５６および支持部５８）は、炭化珪素（ＳｉＣ）、表面にＣＶＤ−ＳｉＣコートが施された炭化珪素（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）からなる群より選択された少なくとも１種類の材料からなるが、１０００℃以上、特に１２００℃以上の温度帯では炭化珪素（ＳｉＣ）が好ましい。図３に示すように、本体部５６はリング状の上部板６０、同じくリング状の下部板６２、及び該上部板６０と下部板６２とを接続する複数（ここでは２本）の支柱６４を有する。支柱６４は、円筒状部材の表面の一部（正面側）とその反対側（背面側）の一部を部分的に切り欠くことにより構成されており、その断面は略円弧状に構成される。図中７５ａが正面側の切り欠き部であり、７５ｂが背面側の切り欠き部となっている。
【００２７】
図４に示すように支持部５８は、基板６８と同心円状のリング状（円環状）部材からなる。このリング状の支持部５８は上述のように一部が切り欠かれている。具体的には支持具３０の正面側（基板移載機２６側）と背面側が切り欠かれ、正面側に第１の切り欠き部７５ａが、背面側に第２の切欠き部７５ｂが設けられている。この切り欠きは、図５に示すように支持具３０への基板移載時に、基板移載機２６の基板保持プレート（基板搬送治具）３２が通れるだけのスペースを確保するために設けられている。すなわち基板６８を基板移載機２６の基板保持プレート３２から支持部５８に移載する際に、基板保持プレート３２が支持部５８に干渉せずに通過できるようにするために設けられている。切り欠き部７５ａ、７５ｂにより切り欠かれることにより２つとなった支持部５８および支柱６４はそれぞれ線対称に構成されている。
【００２８】
この支持部５８の上面が基板載置面７７となり、この基板載置面７７に基板６８の下面が接触して基板６８を載置支持する。このとき、支持部５８は基板のエッジから５ｍｍ以下の領域を支持する。なお、第１の切り欠き部７５ａと、第２の切欠き部７５ｂの部分では支持部５８と基板６８は接触しないため、支持部５８は基板外周の２／３程度の部分を支持することとなる。なお、図４（ａ）中１２ａ、１２ｂの角度は６０℃以上とし、基板外周の２／３以上を支持することで基板の自重を外周で均等に受けることが可能となる。よって、支持部５８は、基板のエッジから５ｍｍ以下の領域の、２／３以上の部分を支持するのが好ましい。この支持具３０により、複数枚の基板は略水平状態で隙間をもって複数段に支持されることとなる。
【００２９】
基板６８を３点の支持片（溝）で直接接触支持させた場合、炭化珪素製の支持片はシリコンの基板６８より硬いため、基板６８の自重及び熱処理時の基板変形による擦れ、又は、基板移載機構２６により基板６８を移載したとき生じる基板６８と支持片との擦れ等により基板６８の裏面には数μｍ程度の裏面傷が生じる場合がある。また基板６８の自重に対する荷重分散が適当でないために局所的な荷重が発生した場合など、基板６８にスリップが発生する場合がある。この裏面傷、スリップがデバイスの作製領域にある場合、デバイスの歩留りが悪化することが考えられる。よって、本発明における支持部５８は、リング状の部材として構成して基板６８を支持することにより基板にかかる荷重を分散させて、基板に局所的な荷重がかかるのを防止し、基板６８にスリップが発生するのを防止するようにしている。また、支持部５８をリング形状とすることで支持部５８自体の剛性を向上させ、支持部５８の平面度を確保している。これにより、支持部５８の変形による基板への局所荷重の発生と、支持部５８の基板６８との接触部の形状による局所荷重の発生とを防止するようにしている。
【００３０】
また、支持部５８は、支持部５８の基板載置面７７と基板裏面との接触部分がデバイス作製領域に入らないように、基板外縁部（エッジ）から５ｍｍ以内、好ましくは基板エッジから１．５〜３．０ｍｍ程度の非デバイス作製領域において基板を保持するように構成されている。つまり、この支持部５８は、基板６８のエッジからデバイス作製領域に至るまでの領域に対応する裏面部分においてのみ基板６８と接触するよう構成されており、本実施形態では、支持部５８は、基板６８のエッジから５ｍｍ以内、好ましくは基板エッジから１．５〜３ｍｍ程度の領域においてのみ基板６８と接触するよう構成されている。これにより、仮に、支持部５８と基板６８との接触により基板裏面に傷が発生したとしても、非デバイス領域に傷が発生するだけであり、デバイス作製領域には傷が発生しないのでデバイスの品質上問題ない。
【００３１】
また、この基板外縁部から５ｍｍ以下の領域の基板裏面傷を効果的に抑制するために、図４（ｃ）に示すように支持部５８の基板載置面７７に、全周にわたりリング中心方向に向かってθ＝２〜１０°のテーパー角度を有するテーパ面７７ａとなるよう加工を施し、このテーパー面７７ａで基板６８を支持するようにし、支持部５８と基板６８との接触面積を減少させるようにしている。この角度θは基板が熱変形した時に基板と支持部５８との接触面が増加しない程度の角度となっている。またスリップは基板裏面の傷の深さを浅くすることでも抑制できるので、支持部５８の基板載置面７７（テーパ面７７ａ）の摩擦抵抗を減らす為に、基板載置面７７に表面粗度（Ｒａ）が０．１μｍ以下、好ましくは０．０３μｍ以下となるような鏡面加工を施している。なお、ここでＲａとは算術平均粗さをいう（ＪＩＳ  Ｂ  ６０１参照）。また、基板載置面７７（テーパ面７７ａ）のエッジ部７７ｂにはＲまたは面取り加工が施され、支持部５８が鋭角で基板６８と接触するのを防止している。
【００３２】
図６に支持部５８の溝カッター１００による加工状況を示す。円板状の溝カッター１００が溝切り方向（図中矢印方向）に進む際、支持部５８の溝カッター１００と対向する部分である斜線部１０１が鋭角となっていると、鋭角部が破損する可能性がある。そこで、溝加工を行う前に支持部５８正面側の鋭角部（斜線部）１０１を無くし、溝カッター１００と対向する部分に鋭角部がない形状の支持部に対して溝加工を行うようにしている。
【００３３】
図７に支持部５８の溝カッター１００による加工改善で考えられる形状を示す。溝切りで支持部５８背面側の１０２部の加工を実施する際、加工の面積、加工円周距離が長くなるため、溝切り用の潤滑材が十分に溝部に入らず、加工抵抗が上がり、破損の原因となることも考えられる。そこで、支持部５８の背面側である１０３方向からも潤滑材を入れることができるように、支持部５８の背面側を正面側と同様、側面（側壁）部がない形状とするようにしてもよい。
【００３４】
図８に、図７の支持部５８をさらに改善した形状の支持部５８を示す。図８においては、図７の支持部５８の正面側と背面側の側面（側壁）のない部分、すなわち支柱６４以外の部分の面積を最小とした形状としている。これにより支持部５８の軽量化が図れ、支持具３０全体の軽量化も図れる。
【００３５】
本実施形態によれば、支持具を、基板エッジから５ｍｍ以下の領域の、２／３以上の部分を支持する略リング状の支持部を１０ｍｍピッチ以下で、５０溝以上設けた一体型のボートとして構成したので、ボートの全長を短くすることができ、また、基板保持枚数（一度に処理する基板の処理枚数）を増やすことも可能となる。また、支柱と支持部（リング状部材）とが一体型のため、例えば３本支柱の多溝ボートにリング状部材を載せる構成よりも安価に製作可能であり、また支柱と支持部との擦れによるパーティクルも発生することはない。
【００３６】
なお、上記実施形態及び実施例の説明にあっては、熱処理装置として、複数の基板を熱処理するバッチ式のものを用いたが、これに限定するものではなく、枚葉式のものであってもよい。
【００３７】
本発明の熱処理装置は、基板の製造工程にも適用することができる。
【００３８】
ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハの一種であるＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  Ｏｘｙｇｅｎ）ウエハの製造工程の一工程に本発明の熱処理装置を適用する例について説明する。
【００３９】
まずイオン注入装置等により単結晶シリコンウエハ内へ酸素イオンをイオン注入する。その後、酸素イオンが注入されたウエハを上記実施形態の熱処理装置を用いて、例えばＡｒ、Ｏ２雰囲気のもと、１３００°Ｃ〜１４００°Ｃ、例えば１３５０°Ｃ以上の高温でアニールする。これらの処理により、ウエハ内部にＳｉＯ２層が形成された（ＳｉＯ２層が埋め込まれた）ＳＩＭＯＸウエハが作製される。
【００４０】
また、ＳＩＭＯＸウエハの他、水素アニールウエハの製造工程の一工程に本発明の熱処理装置を適用することも可能である。この場合、ウエハを本発明の熱処理装置を用いて、水素雰囲気中で１２００°Ｃ程度以上の高温でアニールすることとなる。これによりＩＣ（集積回路）が作られるウエハ表面層の結晶欠陥を低減することができ、結晶の完全性を高めることができる。
【００４１】
また、この他、エピタキシャルウエハの製造工程の一工程に本発明の熱処理装置を適用することも可能である。
【００４２】
以上のような基板の製造工程の一工程として行う高温アニール処理を行う場合であっても、本発明の熱処理装置を用いることにより、基板のスリップの発生を防止することができる。
【００４３】
本発明の熱処理装置は、半導体装置の製造工程にも適用することも可能である。
特に、比較的高い温度で行う熱処理工程、例えば、ウェット酸化、ドライ酸化、水素燃焼酸化（パイロジェニック酸化）、ＨＣｌ酸化等の熱酸化工程や、硼素（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等の不純物（ドーパント）を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程等に適用するのが好ましい。
このような半導体デバイスの製造工程の一工程としての熱処理工程を行う場合においても、本発明の熱処理装置を用いることにより、スリップの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施形態に係る熱処理装置を示す概略斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る反応炉を示す概略断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る支持具を示す図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は背面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る支持部を示す図であり、（ａ）は横断面図、（ｂ）は縦断面図、（ｃ）は部分拡大図である。
【図５】本発明の実施形態に係る基板移載時の支持部と移載機のプレートの位置関係を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係る支持部の溝カッターによる加工状況を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係る支持部の溝カッターによる加工改善で考えられる形状を示す図である。
【図８】本発明の実施形態に係る支持部の面積を最小とした形状を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０    熱処理装置
３０    支持具
３２    基板移載機の基板支持プレート
５６    本体部
５８    支持部
６４    支柱
６８    基板
７５ａ  正面側切り欠き部
７５ｂ  背面側切り欠き部
７７    基板載置面
７７ａ  テーパ面
７７ｂ  エッジ部
【図１】
2005101161.tif 000003
【図２】
2005101161.tif 000004
【図３】
2005101161.tif 000005
【図４】
2005101161.tif 000006
【図５】
2005101161.tif 000007
【図６】
2005101161.tif 000008
【図７】
2005101161.tif 000009
【図８】
2005101161.tif 000010