(57)【要約】  【課題】  基板の反りを直す工程に用いる高融点部材で、繰り返し使用でき、さらには歪みを生じない高融点部材を提供する。【解決手段】 配線パターン１やインナービア２が内部に形成されたグリーンシート３を複数枚積層して焼成した後、最外層４，５に最外層導体６，７を印刷して、セラミック多層基板８を得た後、セラミック多層基板８を焼成して焼結体１３を得、その後、焼結体１３を高融点部材２３で上下方向から挟んで、焼結体１３の反りを直す工程とから成り、前記高融点部材２３としてセラミック部材を用いるので、例え繰り返して使用しても高融点部材が歪むことは無い。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンやインナービアが内部に形成されたグリーンシートを複数枚積層して焼成し焼結基板を得た後、前記焼結基板の表面に導体を印刷して、セラミック多層基板を得る第１の工程と、この第１の工程の後に、前記グリーンシート積層体を前記導体が焼結する温度で焼成して焼結体を得る第２の工程と、この第２の工程の後に、前記焼結体を高融点部材で上下方向から挟んで、前記導体が焼結する温度で前記焼結体の反りを直す第３の工程とから成り、前記高融点部材には、セラミック部材を用いるとともに、前記焼結体側を粗面に形成したセラミック基板の製造方法。
【請求項２】
高融点部材の焼結体側に前記導体と同種類の材料をコーティングした請求項１に記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項３】
前記導体が焼結する温度は、略８５０℃である請求項１に記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項４】
前記高融点部材の前記粗面は、表面粗さＲａが２〜１０μｍである請求項１に記載のセラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来のセラミック基板の製造方法について説明する。従来のセラミック基板の製造方法は、図３に示すように、配線パターン１やインナービア２が内部に形成されたグリーンシート３を複数枚積層して焼成した後、その最外層４，５に最外層導体６，７を印刷してセラミック多層基板８を得る第1の工程９と、この第1の工程９の後に、セラミック多層基板８をインコネルで形成された治具１１上に載置１２して、略８５０度Ｃで焼成して焼結体１３を得る第２の工程１４と、この第２の工程１４の後に、焼結体１３を高融点部材１５で上下方向から挟んで、略８５０度Ｃで焼結体１３の反りを直す第３の工程１６とで製造されていた。ここで、高融点部材１５として鉄等の金属が用いられている。
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平７−２７３４５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながらこのような従来のセラミック基板の製造方法では、高融点部材１５として金属を用いている。このような高融点部材１５を焼結体１３の反りを直すために繰り返して使うと、高融点部材１５が金属であるため線膨張係数が大きく、高温と常温を繰り返すことで膨張と収縮を繰り返し、また高温でのクリ−プ現象も発生するため、高融点部材１５が歪んでしまうと言う問題があった。
【０００４】
そこで本発明は、この問題を解決したもので、繰り返しの使用でも歪まない高融点部材を用いたセラミック基板の製造方法を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この目的を達成するために本発明のセラミック基板の製造方法は、焼結体の反りを直す第３の工程において、高融点部材としてセラミック部材を用いるとともに、前記焼結体側を粗面に形成したものである。これにより、繰り返して使用しても高融点部材が歪むことは無い。
【０００６】
本発明の請求項１に記載の発明は、配線パターンやインナービアが内部に形成されたグリーンシートを複数枚積層して焼成し焼結基板を得た後、前記焼結基板の表面に導体を印刷して、セラミック多層基板を得る第１の工程と、この第１の工程の後に、前記グリーンシート積層体を前記導体が焼結する温度で焼成して焼結体を得る第２の工程と、この第２の工程の後に、前記焼結体を高融点部材で上下方向から挟んで、前記導体が焼結する温度で前記焼結体の反りを直す第３の工程とから成り、前記高融点部材には、セラミック部材を用いるとともに、前記焼結体側を粗面に形成したセラミック基板の製造方法であり、高融点部材として、セラミックを用いているので、例え繰り返して使用しても、金属のように歪むことは無い。
【０００７】
また、請求項２に記載の発明は、高融点部材の焼結体側に前記導体と同種類の材料をコーティングした請求項１に記載のセラミック基板の製造方法であり、焼結体に形成する導体と同種類の材料を高融点部材にコーティングしているので、例え、焼結体上に形成する導体にコーティング材が付着しても、同種類の材料であり、悪影響を及ぼすことは無い。
【０００８】
さらに、請求項３に記載の発明は、前記導体が焼結する温度は、略８５０℃である請求項１に記載のセラミック基板の製造方法を特徴としたものである。
【０００９】
さらに、請求項４に記載の発明は、前記高融点部材の前記粗面は、表面粗さＲａが２〜１０μｍである請求項１に記載のセラミック基板の製造方法を特徴としたものである。
【発明の効果】
【００１０】
以上のように本発明によれば、高融点部材にセラミックを用いているので、例え繰り返して使用しても、セラミックの線膨張係数は小さいので膨張と収縮による熱ストレスが小さく、セラミックは高温クリ−プ現象もほとんど無いため、従来の金属を用いた高融点部材のように歪むことは無い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、従来と同じものについては、同符号を用いて説明を簡略化している。
本発明のセラミック基板の製造方法は、図１に示すように、配線パターン１やインナービア２が内部に形成されたグリーンシート３を複数枚積層して焼成した後、その最外層４，５に最外層導体６，７を印刷して、セラミック多層基板８を得る第１の工程９と、この第１の工程９の後に、セラミック多層基板８をインコネルで形成された治具１１上に載置１２して、略９００度Ｃで焼成して焼結体１３を得る第２の工程１４と、この第２の工程１４の後に、焼結体１３を高融点部材２３で上下方向から挟んで、略８５０度Ｃで焼結体１３の反りを直す第３の工程２２とで製造される。
ここで、高融点部材２３としては図２に示すように、セラミック（Ａｇ２Ｏ３とＳｉＯ２の複合体）を用い、その当接面２３ａには、最外層４，５に敷設された最外層導体６，７と同種類の材料をコーティングしている。
【００１２】
導体６，７には、Ａｇ粉末に樹脂を混合したＡｇペーストを用いている。それで、セラミック２３の当接面２３ａにはＡｇをコーティングしている。また、この当接面２３ａは凹凸をした粗面を形成している。この当接面２３ａの粗面の表面粗さＲａは、Ｒａ＝２〜１０μｍが適切である。この表面粗さが２μｍ未満では、当接面２３ａと導体６，７およびセラミック多層基板８の表面との接触面積が大きくなるため、導体６、７に不純物が付き、セラミック多層基板８の構成材料のガラス成分とセラミック２３とが反応し密着してしまうという問題が生じる。また、表面粗さが１０μｍを越えると、導体６，７の表面にセラミック２３の粗面の圧痕が残り、導体表面の平滑性に不都合が生じる。
【００１３】
このように、セラミック２３を用いているので、繰り返し使用しても歪むことは無い。また、当接面２３ａは粗面を形成しているので、導体６，７に不純物がついて拡散反応をすることは無い。更に、Ａｇコーティングしているので、図３に示すように、例え、コーティングのＡｇが導体６，７の当接面２３ａに付着２４しても、同金属であり、悪影響はない。
【００１４】
なお、本実施の形態におけるセラミック多層基板８は、焼成後の厚さが０．４ｍｍ以下のものに好適である。この薄さ以下の基板は、焼成後に大きな反りが生ずるので、反りを直す工程を必要とする。
【産業上の利用可能性】
【００１５】
本発明にかかるセラミック基板の製造方法は、繰り返しの使用にも歪まない高融点部材を使用しており、セラミック焼成後の反りを直した電子部品実装基板等の製造に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施の形態におけるセラミック基板の製造工程図
【図２】同、要部拡大断面図
【図３】従来のセラミック基板の製造工程図
【符号の説明】
【００１７】
１  配線パターン
２  インナービア
３  グリーンシート
６  最外層導体
７  最外層導体
９  第１の工程
１３  焼結体
１４  第２の工程
１５  鉄等の金属により形成された高融点部材
１６  第３の工程
２２  第３の工程
２３  セラミックで形成された高融点部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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