(57)【要約】【課題】  共振器長が伸長しても、レーザ光の出力特性の悪化を防ぎ、長寿命化が可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】  半導体レーザ素子１１と、半導体レーザ素子１１の共振器伸長方向寸法と同程度の長さと、半導体レーザ素子１１を搭載できる幅とを有する第１主面と、この第１主面と相対向する第２主面と、長さ方向に垂直且つ幅方向に平行で、幅方向両端部が開放且つ第２主面上に開放された複数の溝１５とを有するサブマウント１４と、サブマウント１４を搭載する搭載面を有するヒートブロック１７とを備えて、半導体レーザ素子１１の共振器伸長方向とサブマウント１４の長さ方向が合わされて、半導体レーザ素子１１とサブマウント１４の第１主面とは接合材を介して固定され、サブマウント１４の第２主面とヒートブロック１７の搭載面とは接合材を介して固定されている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子の共振器伸長方向寸法と同程度の長さと、前記半導体レーザ素子を搭載できる幅とを有する第１主面と、前記第１主面と相対向する第２主面と、前記長さ方向に垂直且つ前記幅方向に平行で、前記幅方向両端部が開放且つ前記第２主面上に開放された複数の溝とを有するサブマウントと、
前記サブマウントを搭載する搭載面を有するヒートブロックと、
を備えて、前記半導体レーザ素子の共振器伸長方向と前記サブマウントの長さ方向が合わされて、前記半導体レーザ素子と前記サブマウントの第１主面とは接合材を介して固定され、前記サブマウントの第２主面と前記ヒートブロックの搭載面とは接合材を介して固定されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記溝は空隙であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記溝の少なくとも一部は充填材で充填されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記サブマウントは前記半導体レーザ素子と近似する熱膨張係数を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記ヒートブロックは金属または金属と同等な熱伝導特性を有するセラミックスもしくは複合材料であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置に関し、特に高出力用の半導体レーザ素子を搭載するサブマウントに特徴のある半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  ｄｉｓｃ）やＭＯ(Ｍａｇｎｅｔｉｃ−Ｏｐｔｉｃａｌ)ディスク等の書き込み光源として可視光半導体レーザ装置が用いられている。そして、書き込み速度をより高速にするために、光出力の向上が求められている。この高出力化を達成するために、利得を稼ぎ、放熱効果を大きくする方法として、半導体レーザ素子の共振器長を長くすることが多い。
【０００３】
従来、半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子をサブマウントの上にマウントして、更にヒートシンク機能を有するヒートブロックあるいはステム等の上に載置した組立体を構成して、安定したレーザ発振を得ている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
サブマウントあるいはヒートブロックは、半導体レーザ素子と同等な熱膨張係数等を有し、半導体レーザ素子で発生する熱を放出するのに十分は熱伝導特性を有する材料で構成されることが求められるが、これらを同時に満足し、且つ入手あるいは加工等し易い材料とすることは難しい場合が多い。従って、必要な特性は、適切な材料の組合せや形状を工夫することによって実現される。
【０００５】
例えば、上記の特許文献１に示された半導体レーザ素子からヒートブロックに至る部分（組立体という）だけを取り出して模式的な斜視図で示すと図６のようになる。図６に示すように、組立体５０は、銅（Ｃｕ）あるいはタングステン銅（Ｃｕ−Ｗ）からなるヒートブロック５７の上に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるサブマウント５４を載置し、その上に半導体レーザ素子５１の発光領域５２をサブマウント５４側に配置した所謂フェイスダウンでマウントされている。それぞれの接触部は、金（Ａｕ）／金スズ（ＡｕＳｎ）半田で接続、固定されている。
【０００６】
半導体レーザ装置の光出力が比較的小さい場合は、レーザ発振に寄与する共振器長すなわち半導体レーザ素子の長さが比較的短くできるので、上記構成において、レーザ光の出力特性の悪化が起こらず、長時間の安定発振を得ることができた。
【特許文献１】特開２０００−１１４１７号公報（第８頁、図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、高出力化のために、半導体レーザ素子の共振器長すなわち半導体レーザ素子の長さを長くして、熱工程を経て組み立てると、半導体レーザ素子、サブマウント及びヒートブロックの物理的な性質、すなわち、熱膨張係数や弾性定数等の違いによる応力が半導体レーザ素子に大きな影響を及ぼすことになり、半導体レーザ素子の光出力特性の悪化あるいは寿命の短縮が発生する。
【０００８】
従って、本発明は、共振器長を伸長しても、レーザ光の出力特性の悪化を防ぎ、長寿命化が可能な半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一態様の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子の共振器伸長方向寸法と同程度の長さと、前記半導体レーザ素子を搭載できる幅とを有する第１主面と、前記第１主面と相対向する第２主面と、前記長さ方向に垂直且つ前記幅方向に平行で、前記幅方向両端部が開放且つ前記第２主面上に開放された複数の溝とを有するサブマウントと、前記サブマウントを搭載する搭載面を有するヒートブロックとを備えて、前記半導体レーザ素子の共振器伸長方向と前記サブマウントの長さ方向が合わされて、前記半導体レーザ素子と前記サブマウントの第１主面とは接合材を介して固定され、前記サブマウントの第２主面と前記ヒートブロックの搭載面とは接合材を介して固定されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、共振器長を伸長しても、レーザ光の出力特性の悪化を防ぎ、長寿命化が可能な半導体レーザ素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。以下に示す図では、同一の構成要素には同一の符号を付す。
【実施例１】
【００１２】
本発明の実施例１に係る半導体レーザ装置について、図１乃至図４を参照しながら説明する。図１は半導体レーザ装置の一部に切欠を入れて、内部が見えるようにした模式的な斜視図、図２は半導体レーザ装置の内部に載置された半導体レーザ素子、サブマウント、及びヒートブロックからなる組立体の模式的な斜視図、図３は本発明に係る組立体と比較検討のために使用した組立体の模式的な斜視図、図４は本発明に係る組立体及び比較のための組立体の半導体レーザ素子の共振器に発生する変位量を示すグラフである。
【００１３】
図１に示すように、可視光の半導体レーザ装置１の主要部は、半導体レーザ素子１１、サブマウント１４及びヒートブロック１７からなる組立体５と、この組立体５及びレーザ光をモニタするためのモニタフォトダイオード３２が固定される２本のリ−ドピン２７が電気的絶縁されて植設された金属製のステム２１とで構成されている。半導体レーザ素子１１は、ステム２１の対向側にレーザ光３１を取り出すようにステム２１と垂直に固定されている。また、モニタフォトダイオード３２は、半導体レーザ素子１１の一方においてステム２１に固定されている。これら半導体レーザ素子１１及びモニタフォトダイオード３２は、ワイヤ等によりリード２７と電気的接続されている。
【００１４】
また、金属製のキャップ２３が、組立体５及びモニタフォトダイオード３２等を内蔵してステム２１に封着されている。このキャップ２３の頂部には、レーザ光３１を取り出すためのウィンドウガラス２５が設けられ、半導体レーザ素子１１からのレーザ光３１は、半導体レーザ素子１１の一方の端面からウィンドウガラス２５を通してキャップ２３の外部に向けて放射され、他方の端面からのレーザ光３１は、発光を制御するためのモニタフォトダイオード３２に入射する。
【００１５】
図２に示すように、半導体レーザ素子１１は、幅が約２５０μｍ、厚さ約１００μｍ、共振器長方向の寸法（長さ）が約１１００μｍの概ね直方体形状であり、ＧａＡｓ基板の上にＩｎＧａＡｌＰ系の積層を行い、波長６５０ｎｍ帯の可視のレーザ光３１を発振する。レーザ光３１は、半導体レーザ素子１１の伸長した方向に垂直な端面上の共振器の端部である発光領域１２から放射される。半導体レーザ素子１１の厚さ方向に対向する両面、すなわち図の上面及び下面には、Ａｕを主成分とする金属電極（図示略）がそれぞれ形成されている。
【００１６】
サブマウント１４は、幅が約６００μｍ、厚さ約１６０μｍ、長さが約１１００μｍあり、絶縁性を有し、熱伝導率が大きく、熱膨張係数はＧａＡｓ基板の熱膨張係数に近い５．０〜５．５Ｅ−６／℃に調整されたＡｌＮを主成分とする焼結体である。このサブマウント１４の第１主面は幅約６００μｍ、長さ約１１００μｍの平面をなし、第１主面に対向する第２主面には、サブマウント１４の長さ方向に対して垂直な方向、幅方向に平行に伸長した５個の溝１５が設けられている。
【００１７】
溝１５の伸長方向の端面はほぼ長方形をなし、幅約１００μｍ、サブマウント１４の厚さ方向にあたる深さ約１００μｍ、溝１５の長さは、サブマウント１４の幅に相当する約６００μｍである。サブマウント１４は、溝１５の伸長方向に垂直な断面を取ると第２主面側に開かれた櫛形状をなし、溝１５を埋めた形状はほぼ直方体状となる。このサブマウント１４の第１主面及び第２主面には、Ａｕを主成分とする金属電極（図示略）が形成されており、第１主面の金属電極には、組立体５に組み立てた後、外部に電気的接続が可能なボンディング可能領域（図示略）が配設されている。
【００１８】
ヒートブロック１７は、幅が約１０００μｍ、厚さ約８００μｍ、長さが約１５００μｍあり、ＦｅまたはＦｅを主成分とする合金からなり、６面が平面をなす直方体状である。
【００１９】
図２に示すように、組立体５は、図の下から上に向かって、ヒートブロック１７、サブマウント１４、及び半導体レーザ素子１１をそれぞれの厚さ方向を一致させて積み重ねた構成である。半導体レーザ素子１１は、共振器に近い側の面をサブマウント１４の第１主面に、所謂フェイスダウンで接触、半導体レーザ素子１１及びサブマウント１４の長さ方向の両端部が一致するように位置が合わされ、半導体レーザ素子１１及びサブマウント１４のそれぞれに形成された金属電極の間に、例えば、ＡｕＳｎ半田を供給して接合、固定されている。ＡｕＳｎ半田は、固化点（約２８０℃）以上の温度で溶融され、次に、固化点以下に降温することにより半導体レーザ素子１１とサブマウント１４とを固着することができる。
【００２０】
半導体レーザ素子１１をサブマウント１４に搭載した後、サブマウント１４は、その長さ方向の一端面がヒートブロック１７の一端面に一致するか、またはヒートブロック１７の一端面より内側に位置するように配置され、サブマウント１４の第２主面に形成された金属電極とヒートブロック１７との間に、例えば、ＡｕＳｎ半田を供給してヒートブロック１７に接合、固定される。ＡｕＳｎ半田は、固化点以上の温度で溶融され、次に、固化点以下に降温することにより、サブマウント１４とヒートブロック１７とを固着することができる。この結果、サブマウント１４の溝１５部分が空隙となったヒートブロック１７、サブマウント１４、及び半導体レーザ素子１１からなる組立体５が完成する。
【００２１】
本発明者らは、半導体レーザ装置１の開発において、ＡｕＳｎ半田で接合した工程を経た組立体に起こる半導体レーザ素子１１の共振器の変形が、半導体レーザ装置１の光出力特性あるいは寿命等にとっては重要と考え、サブマウントの形状の違いによる半導体レーザ素子１１の変形の程度、すなわち変位量がどの位になるかについて検討した。検討は、組立体に発生する応力あるいは半導体レーザ素子１１の共振器における変位量を、有限要素法に基づくシミュレーションにより求める方法で行った。
【００２２】
図３に示すように、比較のための組立体６は、本実施例と同様な半導体レーザ素子１１を、長手方向に伸長させたサブマウント１６に搭載し、更にヒートブロック１７上に搭載された構成である。組立体６は、サブマウント１６に溝が形成されていない点が上記実施例のサブマウント１４とは異なるが、その他の構成部品も含めた部品の大きさ、構成、材質、あるいは、接合法等については、上記実施例の組立体５と同様である。
【００２３】
本発明に係る組立体５と、比較のための組立体６の組立後の変形見積り結果を図４に示す。図４に示すように、共振器長を横軸に取り、室温（２５℃）において、半導体レーザ素子１１の共振器に発生する上下方向の変位量を、ヒートブロックの方向を下として、変位量はマイナスで表し、反対側を上方向、変位量はプラスとして、縦軸に示す。組立体５、６の共振器は上方向、すなわち組立体５、６において半導体レーザ素子１１方向に凸状に湾曲した曲線となる。
【００２４】
この変位量が上方向に湾曲する原因は、半導体レーザ素子１１とサブマウント１４、１６との熱膨張係数は近似していて比較的小さく、一方、ヒートブロック１７の熱膨張係数は半導体レーザ素子１１とサブマウント１４、１６の熱膨張係数よりずっと大きいため、ＡｕＳｎ半田の固化温度約２８０℃から室温に降温した場合、ヒートブロック１７がより大きく収縮した結果である。
【００２５】
本発明に係る組立体５の上方向変位量は、共振器両端部をゼロと置いた時、最大で約０．３１μｍ、共振器長方向の溝の位置に関連した小さな凹凸を有する概略的には凸形の曲線となる。横軸がゼロの位置付近、すなわち、半導体レーザ素子１１、サブマウント１４、及びヒートブロック１７の端面が面一で固定された付近の共振器の上方向変位量は、比較的急な変化となる。一方、反対側の共振器長端面付近である横軸が１１００μｍ付近の上方向変位量は、比較的緩やかな変化となる。これは、横軸方向に伸長した半導体レーザ素子１１及びサブマウント１４が、横軸１１００μｍ付近で途切れた後も、ヒートブロック１７は右側に連続して存在しているためと推測される。
【００２６】
また、比較のための組立体６の上方向変位量は、共振器長両端部をゼロと置いた時、最大で約０．４０μｍ、共振器長方向の組立体６に不連続な箇所はないので、凸形のなだらかな曲線となる。極大値が横軸の中央部から左側に寄っているのは、横軸方向に伸長した半導体レーザ素子１１及びサブマウント１４が途切れた後も、ヒートブロック１７は右側に連続して存在しているためと推測される。
【００２７】
この２つの曲線を比較すると、本発明に係る組立体５の上方向最大変位量は、比較のための組立体６の共振器の上方向最大変位量より約０．０９μｍ小さい。すなわち、サブマウント１４に溝１５を形成して、その上に半導体レーザ素子１１を搭載すると、湾曲の変位量を小さくすることが可能となる。
【００２８】
次に、本発明に係る組立体５及び比較の組立体６を、図１に示すように、ステム２１上に載置、必要な電気的接続等を行い、半導体レーザ装置として、レーザ出力特性評価、及び寿命試験を行った。初期のレーザ出力は、共振器長の短い半導体レーザ装置に比較して、本発明に係る組立体５では約２．５倍、比較の組立体６ではしきい電流の少しの上昇があるものの同程度のレーザ出力を得ることができた。
【００２９】
また、本発明に係る組立体５では、偏光特性等の歩留は共振器長の短い半導体レーザ装置と遜色のない値であったが、組立体６では、歩留の低下が発生した。寿命推定は加速寿命試験にて行い、本発明に係る組立体５の推定寿命は、共振器長の短い半導体レーザ装置と同等の基準を越えており、一方、比較の組立体６の加速寿命試験では同基準の約半分の時間でレーザ出力の極端な低下が発生した。
【００３０】
この共振器の湾曲が、レーザ出力特性や寿命に与える影響は以下のように推定される。ＡｕＳｎ半田の固化点約２８０℃で安定に固着された半導体レーザ素子１１、サブマウント１４、及びヒートブロック１７を室温２５℃に下げると、それぞれの熱膨張係数、弾性定数等に基づく応力が発生し、半導体レーザ素子１１すなわち共振器は上方向に凸状に湾曲する。この湾曲は大きくなる程、共振器中のレーザ光の散乱を大きくして、初期的にはレーザ出力特性のしきい電流の上昇や偏光特性の悪化等を招き、長期的には、一定のレーザ出力を得るためにより多くの電力を消費することにつながり、半導体レーザ素子の劣化を早めることになる。
【００３１】
上述したように、空隙の溝１５を有するサブマウント１４上に、共振器長を伸長させた半導体レーザ素子１１を搭載した組立体５を組込んだ半導体レーザ装置１は、レーザ出力を当初目標の値に向上させることができた。また、偏光特性等の光出力特性評価において歩留低下はなく、推定寿命は基準を越えており、一定の水準の信頼性を確保していることが確認された。
【００３２】
本発明によれば、サブマウントに溝を形成してヒートブロックの上に搭載し、サブマウントの上に搭載した半導体レーザ素子の湾曲の度合を小さくすることにより、高出力対応のために半導体レーザ素子の共振器長を長くしても、レーザ光の出力特性の悪化を防ぐことができ、長寿命化が可能な半導体レーザ装置を提供することができる。
【実施例２】
【００３３】
本発明の実施例２に係る半導体レーザ装置について、図５を参照しながら説明する。図５は、半導体レーザ装置の内部に載置された、半導体レーザ素子、サブマウント、及びヒートブロックからなる組立体の模式的な斜視図である。本実施例では、サブマウントの溝が充填材で充填されていることが実施例１とは異なる。なお、実施例１と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００３４】
図５に示すように、組立体７はサブマウント１４の溝１５に充填材１９を充填した構成である。充填材１９として例えばＡｕＳｎ半田を使用することができる。上述の実施例１で示したように、サブマウント１４の第２主面に形成された金属電極（図示略）とヒートブロック１７との間にＡｕＳｎ半田を供給する時に、溝１５には、ＡｕＳｎ半田があふれない程度の量を供給する。なお、溝１５の表面に第２主面に形成された金属電極と同様な金属膜が形成されていてもよい。この後、実施例１と同様に、熱工程を経ることにより、サブマウント１４の第２主面とヒートブロック１７とは接合、固定される。この結果、溝１５にＡｕＳｎ半田からなる充填材１９を充填した組立体７が完成する。
【００３５】
この組立体７について、発生する応力あるいは半導体レーザ素子１１の共振器における変位量を、有限要素法に基づくシミュレーションにより求めた。組立体７の変位量曲線（図示略）は、図４に示す実施例１の組立体５の変位量曲線とほとんど同様であり、上方向、すなわち組立体７において半導体レーザ素子１１方向に凸状に湾曲し、上方向変位量が最大で約０．３１μｍとなることを示した。
【００３６】
そして、組立体７を、図１に示す場合と同様に、ステム２１上に載置、必要な電気的接続等を行い、半導体レーザ装置として、レーザ出力特性評価及び寿命試験を行った。初期のレーザ出力は、共振器長の短い半導体レーザ装置に比較して約２．５倍のレーザ出力を得ることができた。
【００３７】
また、レーザ発振が得られるしきい電流は、実施例１の半導体レーザ装置１に比較して数％の低下が見られた。これは、溝１５に充填した充填材１９を介した熱伝導による熱放出特性の向上が効を奏したと推測される。また、偏光特性等の歩留は、共振器長の短い半導体レーザ装置と遜色のない値であり、加速寿命試験にて行なわれた推定寿命は、共振器長の短い半導体レーザ装置と同等の基準を越えていた。
【００３８】
本実施例によれば、サブマウントに溝を形成して、その溝を充填材で充填することにより、その上に搭載した半導体レーザ素子の湾曲の度合を小さくすることにより、高出力対応のために半導体レーザ素子の共振器長を長くしても、レーザ光の出力特性の悪化を防ぐことができ、長寿命化が可能な半導体レーザ装置を提供することができる。更に、レーザ光出力時に半導体レーザ素子で発生する熱を効率よく放出できるので、実施例１の半導体レーザ装置に比較して、より長時間の安定発振、すなわちより高い信頼性が推定される。
【００３９】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【００４０】
例えば、実施例では、サブマウントの溝の数を５個、断面形状を長方形とした。半導体レーザ素子の長さあるいは出力に応じて、より適する溝の数あるいは形状等に変化させることが可能である。特に、レーザ出力の更なる向上を図ろうとする場合、共振器長を更に伸長させる必要性が出てくることが予想され、それに対応する伸長サブマウントにはより多くの溝を形成する可能性がある。
【００４１】
サブマウントは、ＡｌＮとしたが、熱膨張係数がＧａＡｓに近いＭｏ、Ｗ−Ｃｕ、アルミナ、ダイモンドあるいはダイモンド複合材料等を選択することが可能である。
【００４２】
ヒートブロックは、直方体としたが、サブマウントから遠ざかる程、すなわち下側に行く程、断面積が広がる形状とすることは差し支えない。ヒートブロックの材料としてＦｅあるいはＦｅを主成分とする合金を使用したが、熱伝導率の高いＣｕ、Ｗ−Ｃｕ、Ｍｏ等を初めとする金属、セラミック、セラミックと金属の複合材料等を使用することは可能である。
【００４３】
組立体を構成する半導体レーザ素子、サブマウント、及びヒートブロックの組立順序、あるいは組立体の組立からステムに固定する順序までを含む組立順序は、上記実施例において一例を示したに過ぎず、これらの順序の変更は差し支えない。
【００４４】
また、半導体レーザ素子、サブマウント、及びヒートブロックからなる組立体がステムとキャップで封止される半導体レーザ装置の例を示したが、組立体がリードフレームにプラスチックを組合せたパッケージに内蔵されるタイプ等の別種のパッケージに内蔵されていても差し支えない。更に、半導体レーザ装置として独立したパッケージを持たず、半導体レーザ素子を搭載した溝を有するサブマウントを、他の部品等が搭載される台座やシートシンクを兼ねたヒートブロックに搭載して使用する、例えば、光ピックアップの光ユニット等の形態であっても差し支えない。
【００４５】
実施例２では、充填材としてＡｕＳｎ半田を使用する例を示したが、別材料の充填材を使用することが可能である。上述の実施例１と同様に半導体レーザ素子、サブマウント、及びヒートブロックを組み立てた後、例えばペースト状のＳｎ系の半田等からなる充填材を溝に充填して、熱工程を経て組立体を完成させても差し支えない。
【００４６】
また、本実施例では、ＧａＡｓ基板上にＩｎＧａＡｌＰ系を積層した半導体レーザ素子を溝が形成されたサブマウントに搭載する例を示した。この半導体レーザ素子を、ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＡｓ系を積層した半導体レーザ素子、ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓＰ系を積層した半導体レーザ素子、あるいはＧａＮ基板上にＩｎＧａＡｌＮ系を積層した半導体レーザ素子等に置き換えることは可能である。その場合、溝が形成されたサブマウントの材料を、ＩｎＰ基板あるいはＧａＮ基板の熱膨張係数にそれぞれ近い材料で作製すればよいことはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体レーザ装置の一部に切欠を入れて、内部が見えるようにした模式的な斜視図。
【図２】本発明の実施例１に係る半導体レーザ装置の内部にあり、半導体レーザ素子、サブマウント、及びヒートブロックからなる組立体の模式的な斜視図。
【図３】本発明の実施例１に係る組立体と比較検討のために使用した組立体の模式的な斜視図。
【図４】本発明の実施例１に係る組立体及び比較のための組立体の半導体レーザ素子の共振器に発生する変位量を示すグラフ。
【図５】本発明の実施例２に係る半導体レーザ素子、サブマウント、及びヒートブロックからなる組立体の模式的な斜視図。
【図６】従来の半導体レーザ素子、サブマウント、及びヒートブロックからなる組立体の模式的な斜視図。
【符号の説明】
【００４８】
１  半導体レーザ装置
５、６、７、５０  組立体
１１、５１  半導体レーザ素子
１２、５２  発光領域
１４、１６、５４  サブマウント
１５  溝
１７、５７  ヒートブロック
１９  充填材
２１  ステム
２３  キャップ
２５  ウィンドウガラス
２７  リードピン
３１  レーザ光
３２  モニタフォトダイオード
【図１】
2005259851.tif 000003
【図２】
2005259851.tif 000004
【図３】
2005259851.tif 000005
【図４】
2005259851.tif 000006
【図５】
2005259851.tif 000007
【図６】
2005259851.tif 000008