(57)【要約】【課題】  積層チップの多くのチップを、簡単で、かつ良好なコスト効率をもって相互に接続するマルチチップモジュールを提供する。【解決手段】  少なくとも１つのコンタクト隆起１１を基板１０上に設ける工程と、再配線素子１２を基板１０及びコンタクト隆起１１の上に塗布し、パターニングしてコンタクト素子１３を設ける工程と、半導体チップ１５を再配線素子１２から成る電気コンタクト接続を有する基板１０上に設ける工程と、電気的導電性を示さない封止素子１６を半導体チップ１５、基板１０、再配線素子１２、及び少なくとも１つのコンタクト隆起１１の上に、その一表面１６’がコンタクト素子１３に接触するように設ける工程とを備える。封止素子１６の第１表面１６’は基板として機能する。本発明による方法は、表面１６’に対応して設けられる再配線素子１２はその下の平面の少なくとも１つのコンタクト隆起１１のコンタクト素子１３と電気接続される。【選択図】      図１５
2005109486.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）少なくとも１つのコンタクト隆起を基板の上に設ける工程と、
（ｂ）再配線素子を前記基板及び前記少なくとも１つのコンタクト隆起の上に塗布し、パターニングして、前記少なくとも１つのコンタクト隆起の上にコンタクト素子を設ける工程と、
（ｃ）半導体チップを、前記再配線素子から成る電気コンタクト接続を有した前記基板の上に設ける工程と、
（ｄ）前記半導体チップ、前記基板、前記再配線素子、及び前記少なくとも１つのコンタクト隆起の上に、電気的導電性を示さない封止素子を、前記少なくとも１つのコンタクト隆起上の前記コンタクト素子が少なくとも前記封止素子の第１表面に接触するように設ける工程と、
（ｅ）少なくとも工程（ａ）及び（ｂ）を少なくとも１回繰り返す工程とを備え、前記封止素子の前記第１表面は１つの基板として機能し、及びこの第１表面に対応して設けられる再配線素子はその下の平面の前記少なくとも１つのコンタクト隆起の前記コンタクト素子との電気コンタクトを行なう、マルチチップモジュールの製造方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つのコンタクト隆起は、印刷により形成する、又は射出成形工程又はスタンピング工程、或いは測光工程によって設けることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
工程（ｂ）と工程（ｃ）との間で、チップコンタクト素子を、工程（ｃ）で前記半導体チップに電気コンタクト接続される前記再配線素子の上に設けることを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記チップコンタクト素子は電気的導電性を示す形で前記再配線素子に、半田付け、導電性接着剤使用の接着接合、噴流式半田付け、又は加圧接合により接続されることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記非導電性の封止素子は、印刷法、又は射出成形工程、ポッティング法、スプレー塗布法、又はスピン塗布法により設けることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
工程（ｄ）に従って前記非導電性の封止素子を設けた後、前記少なくとも１つのコンタクト隆起上の前記コンタクト素子を、好適にはプラズマ工程又はエッチング工程によりクリーニングすることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
半導体チップに加えて、受動素子、メモリ、及び光半導体装置のうちの少なくとも１つを少なくとも１つ前記封止素子内に設け、前記再配線素子との電気コンタクト接続を行なうことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記再配線素子をスパッタリングプロセス又はメッキプロセスにより成膜し、そして次にフォトリソグラフィにより、好適にはウェットエッチング工程を使用してパターニングすることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記マルチチップモジュール上に、かつ最終の封止素子の上方に、半田ボール群又はコンタクト隆起群又はコンタクト領域群を接続素子として設け、それぞれが下の平面に再配線素子を通して導電性を示す形で接続されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
（ａ）基板の上の少なくとも１つのコンタクト隆起と、
（ｂ）前記基板及び前記少なくとも１つのコンタクト隆起の上にあるとともに、前記少なくとも１つのコンタクト隆起の上にコンタクト素子を有する再配線素子と、
（ｃ）前記再配線素子から成る電気コンタクト接続を有する前記基板の上の半導体チップと、
（ｄ）前記半導体チップ、前記基板、前記再配線素子、及び前記少なくとも１つのコンタクト隆起の上にあるとともに、電気的導電性を示さない封止素子と、前記少なくとも１つのコンタクト隆起の前記コンタクト素子は少なくとも前記封止素子の第１表面に接触することと、
（ｅ）少なくとも構成要素（ａ）及び（ｂ）を少なくとも１回繰り返して形成される構造とを備え、前記封止素子の前記第１表面は１つの基板として機能し、かつこの第１表面に対応して設けられる再配線素子はその下の平面の前記少なくとも１つのコンタクト隆起の前記コンタクト素子との電気コンタクトを行なう、マルチチップモジュール。
【請求項１１】
１つのシートを前記基板として設けることを特徴とする請求項１０記載のマルチチップモジュール。
【請求項１２】
前記コンタクト隆起は非導電性材料、好適にはシリコーン又はポリイミド、又はポリウレタンを含む、又は導電性材料、好適には導電性接着剤を含むことを特徴とする、請求項１０又は１１記載のマルチチップモジュール。
【請求項１３】
前記少なくとも１つのコンタクト隆起はベル形状であり、そして好適には前記基板と前記コンタクト隆起との間の傾斜が小さい移行部分を有することを特徴とする、請求項１２記載のマルチチップモジュール。
【請求項１４】
チップコンタクト素子が前記再配線素子の上に設けられ、そして前記半導体チップ１５及び前記再配線素子に電気コンタクト接続されることを特徴とする、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載のマルチチップモジュール。
【請求項１５】
前記チップコンタクト素子が塗布半田又はスタッドバンプ、又は塗布導電性接着剤として前記再配線素子の上に設けられることを特徴とする、請求項１４記載のマルチチップモジュール。
【請求項１６】
前記封止素子がポリマーを含むことを特徴とする、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載のマルチチップモジュール。
【請求項１７】
前記マルチチップモジュールの少なくとも２つの半導体チップはそれらのチップコンタクトを通じて相対することを特徴とする、請求項１０〜１６のいずれか一項に記載のマルチチップモジュール。
【請求項１８】
前記再配線素子は金属であり、そして好適には、所定領域に半田レジスト層又は保護層を有することを特徴とする、請求項１０〜１７のいずれか一項に記載のマルチチップモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマルチチップモジュールの製造方法及びこの方法によって製造されたマルチチップモジュールに関する。より詳細にはパッケージに搭載するマルチチップシステムの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
完全な半導体システムによる課題の解決を可能にするためには、異なる機能ユニットを１つのコンポーネント内に集積化する機能が必要となる。このような集積化に対して、システムオンチップ（ＳｏＣ）又はシステム  イン  ア  パッケージ（ＳｉＰ）手法を選択することができる。ＳｉＰによれば、パッケージ内で個々のチップをそれぞれ、コスト効率の高い形態で機能ユニットとして最適化し、テストし、そして製品化することができる。これとは対照的にＳｏＣの場合は、機能素子の全てが単一チップ内に集積化される。ＳｉＰの場合に問題となるのは、パッケージ内、好適にはチップスタック内の個々のチップが電気的導電性を有した態様で相互に接続される必要がある。チップスタック内の個々のチップ間のこれらの電気的導電性接続を実現するための多数の技術が公知である。図１６は２つの公知技術を示している。
【０００３】
図１６（ａ）に示した例では、第１のチップＡはその上に配置される第２チップＣにインターポーザＢを挟んで機械的に接続される。チップＡ，ＣはパッケージＥ内のボンディングワイヤＤを通して電気的にコンタクト接続される。パッケージＥはプリント回路基板（図示せず）に例えば半田ボールＦを通して接続することができる。
【０００４】
図１６（ｂ）に示される例では、半導体チップＡはチップＣに半田ボールＦ’を通して電気的に接続される。同様にチップＣは、再配線用のボンディングワイヤＤを有し、そして半田ボールＦとのコンタクト接続をパッケージＥ内に有する。パッケージＥは半田ボールＦを通して外部から電気的にコンタクト接続することができる。
【０００５】
図１６に従って説明される公知の構成は、高周波における大きな寄生効果により電気特性が悪い。これは、ボンディングワイヤ及び多くの接続ポイントのインダクタンス及び容量、及びインピーダンス不整合に起因する。
【０００６】
基板又はインターポーザを３次元実装パッケージの形で再配線する配線方法も公知である。しかしながらこのような構成により長い信号経路が生じ、これにより同様にして高周波での特性が劣化する。さらには、このような公知の構成は基板コストの高騰につながる。
【０００７】
予めポリマーが埋め込まれたチップのエッジを通してスルーホールメッキ位置に薄膜を再配線する方法も同様に公知である。スルーホールメッキ位置において、ウェハ分割の前に電気的導電性のメッキスルーホールを埋め込みポリマーに形成する。このようなスルーホールメッキ位置は、例えばメタライゼーション技術によって充填するホール又は開口により設ける。この場合には高コストを伴う複雑な処理が不利となる。
【０００８】
さらに、チップ内のメッキスルーホールを、例えばシリコン基板を貫通するビアを使用して形成することが知られている。チップを貫通するコンタクト接続の形成過程では、ビアをこの場合のチップにエッチング（ドライエッチング、ウェットエッチング）によって形成する。その後これらのコンタクト接続は、全ビアに対して次の工程でメタライゼーションを行なうことにより金属で覆われる。ビアはその側壁を金属で覆い、続いてビアを導
電性材料で充填することによりメタライズされる。このプロセスは、チップにスルーホールメッキのために、チップ面積を大きくしてしまう空き領域を設ける必要があるという不利を生じさせる。また、この場合も処理が複雑となり、高コストを伴う。
【特許文献１】ドイツ特許出願公開第１０１５３６０９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って、本発明の目的はマルチチップモジュールの製造方法及び該当するマルチチップモジュールを提供することにある。このマルチチップモジュールを使用して電気的導電性接続をチップ平面からそれを覆うチップ平面の範囲に渡って形成する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明が基づくところの考えは基本的に、まずコンタクト隆起、及びコンタクト隆起上の再配線素子を設け、続いてチップを再配線素子に電気的に接続し、次にこれらを封止素子に埋め込む。コンタクト隆起又は３次元接続素子を、例えばシリコーン、ポリウレタン、ポリイミドのような非導電性材料、又は例えば導電性接着剤のような導電性材料から成る印刷隆起により形成することが好ましく、この隆起は、例えばシートのような下の基板に向かうなだらかな遷移部分を有する。前記基板は金属の、パターン化再配線層を有することが好ましい。
【００１１】
本発明による製造方法及び本発明によるマルチチップモジュールを使用して、積層チップの多くのチップを、簡単で、かつコスト効率の良い態様で利点を生じる形で相互に接続する。従って、コストが高く付く再配線基板又は不利なボンディングワイヤを使用しなくて済む。本発明の製造方法に従えば、生産プロセスにおける高度な並列処理が可能になる。何故なら、例えば１２インチ基板又は矩形基板、或いはリールツーリール方式が使用できるからである。コンタクトホールの複雑なメタライゼーション及び充填は不要であり、積層チップのチップ端に沿った分離の後の縦方向のパターニングがほとんど不要となる。
【００１２】
本発明では、序章で述べた問題が特に、マルチチップモジュールの製造方法を提供することにより解決され、この方法は、少なくとも１つのコンタクト隆起を基板の上に設ける工程、再配線素子を基板及び少なくとも１つのコンタクト隆起の上に塗布し、パターニングして、少なくとも１つのコンタクト隆起の上にコンタクト素子を設ける工程、半導体チップを、再配線素子から成る電気コンタクト接続を有する基板の上に設ける工程、電気的導電性を示さない封止素子を半導体チップ、基板、再配線素子、及び少なくとも１つのコンタクト隆起の上に設ける工程であって、少なくとも１つのコンタクト隆起のコンタクト素子は少なくとも封止素子の第１表面に接触する工程、そして少なくとも最初の２工程を少なくとも１回繰り返す工程であって、封止素子の第１表面は一の基板として機能し、そしてこの第１表面に対応して設けられる再配線素子はその下の平面の少なくとも１つのコンタクト隆起のコンタクト素子との電気コンタクトを行なう工程、を備える。
【００１３】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、少なくとも１つのコンタクト隆起１１を基板１０の上に設ける工程と、再配線素子１２を前記基板１０及び前記少なくとも１つのコンタクト隆起１１の上に塗布し、パターニングして、前記少なくとも１つのコンタクト隆起１１の上にコンタクト素子１３を設ける工程と、半導体チップ１５を、前記再配線素子１２から成る電気コンタクト接続を有した前記基板１０の上に設ける工程と、前記半導体チップ１５、前記基板１０、前記再配線素子１２、及び前記少なくとも１つのコンタクト隆起１１の上に、電気的導電性を示さない封止素子１６を、前記少なくとも１つのコンタクト隆起１１上の前記コンタクト素子１３が少なくとも前記封止素子１６の第１表面１６’に接触するように設ける工程と、少なくとも工程及びを少なくとも１回繰り返す工程とを備え、前記封止素子１６の前記第１表面１６’は１つの基板として機能し
、及びこの第１表面に対応して設けられることを要旨とする。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、前記少なくとも１つのコンタクト隆起１１は、印刷により形成する、又は射出成形工程又はスタンピング工程、或いは測光工程によって設けることを特徴とする請求項１記載のことを要旨とする。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、工程と工程との間で、チップコンタクト素子１４を、工程で前記半導体チップ１５に電気コンタクト接続される前記再配線素子１２の上に設けることを特徴とする請求項１又は２記載のことを要旨とする。
【００１６】
請求項４に記載の発明は、前記チップコンタクト素子１４は電気的導電性を示す形で前記再配線素子１２に、半田付け、導電性接着剤使用の接着接合、噴流式半田付け、又は加圧接合により接続されることを特徴とする請求項３記載のことを要旨とする。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法において、前記非導電性の封止素子１６は、印刷法、又は射出成形工程、ポッティング法、スプレー塗布法、又はスピン塗布法により設けることを要旨とする。
【００１８】
請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法において、工程に従って前記非導電性の封止素子１６を設けた後、前記少なくとも１つのコンタクト隆起１１上の前記コンタクト素子１３を、好適にはプラズマ工程又はエッチング工程によりクリーニングすることを要旨とする。
【００１９】
請求項７に記載の発明は、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法において、半導体チップ１５に加えて、受動素子、メモリ、及び光半導体装置のうちの少なくとも１つを少なくとも１つ前記封止素子１６内に設け、前記再配線素子１２との電気コンタクト接続を行なうことを要旨とする。
【００２０】
請求項８に記載の発明は、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法において、前記再配線素子１２をスパッタリングプロセス又はメッキプロセスにより成膜し、そして次にフォトリソグラフィにより、好適にはウェットエッチング工程を使用してパターニングすることを要旨とする。
【００２１】
請求項９に記載の発明は、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法において、前記マルチチップモジュール上に、かつ最終封止素子１６の上方に、半田ボール群又はコンタクト隆起群１７又はコンタクト領域群を接続素子として設け、それぞれが下の平面に再配線素子１８を通して導電性を示す形で接続されることを要旨とする。
【００２２】
請求項１０に記載の発明は、基板１０の上の少なくとも１つのコンタクト隆起１１と、前記基板１０及び前記少なくとも１つのコンタクト隆起１１の上にあるとともに、前記少なくとも１つのコンタクト隆起１１の上にコンタクト素子１３を有する再配線素子１２と、前記再配線素子１２から成る電気コンタクト接続を有する前記基板１０の上の半導体チップ１５と、前記半導体チップ１５、前記基板１０、前記再配線素子１２、及び前記少なくとも１つのコンタクト隆起１１の上にあるとともに、電気的導電性を示さない封止素子１６と、前記少なくとも１つのコンタクト隆起１１の前記コンタクト素子１３は少なくとも前記封止素子１６の第１表面１６’に接触することと、少なくとも構成要素及びを少なくとも１回繰り返して形成される構造とを備え、前記封止素子１６の前記第１表面１６’は１つの基板として機能し、かつこの第１表面に対応して設けられることを要旨とする。
【００２３】
請求項１１に記載の発明は、１つのシートを前記基板１０として設けることを特徴とす
る請求項１０記載のことを要旨とする。
請求項１２に記載の発明は、前記コンタクト隆起１１は非導電性材料、好適にはシリコーン又はポリイミド、又はポリウレタンを含む、又は導電性材料、好適には導電性接着剤を含むことを特徴とする、請求項１０又は１１記載のことを要旨とする。
【００２４】
請求項１３に記載の発明は、前記少なくとも１つのコンタクト隆起１１はベル形状であり、そして好適には前記基板１０と前記コンタクト隆起１１との間の傾斜が小さい移行部分を有することを特徴とする、請求項１２記載のことを要旨とする。
【００２５】
請求項１４に記載の発明は、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載のマルチチップモジュールにおいて、チップコンタクト素子１４が前記再配線素子１２の上に設けられ、そして前記半導体チップ１５及び前記再配線素子１２に電気コンタクト接続されることを要旨とする。
【００２６】
請求項１５に記載の発明は、前記チップコンタクト素子１４が塗布半田又はスタッドバンプ、又は塗布導電性接着剤として前記再配線素子１２の上に設けられることを特徴とする、請求項１４記載のことを要旨とする。チップコンタクト素子１４は塗布半田又は固定コンタクトとして再配線素子の上に設けられる。
【００２７】
請求項１６に記載の発明は、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載のマルチチップモジュールにおいて、前記封止素子１６がポリマーを含むことを要旨とする。
請求項１７に記載の発明は、請求項１０〜１６のいずれか一項に記載のマルチチップモジュールにおいて、前記マルチチップモジュールの少なくとも２つの半導体チップ１５はそれらのチップコンタクトを通じて相対することを要旨とする。
【００２８】
請求項１８に記載の発明は、請求項１０〜１７のいずれか一項に記載のマルチチップモジュールにおいて、前記再配線素子１２は金属であり、そして好適には、所定領域に半田レジスト層又は保護層を有することを要旨とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
図１は基板１０、好適にはシートを断面図で示している。図２に従って、少なくとも１つのコンタクト隆起１１を基板に設ける。コンタクト隆起１１は例えばポリマーから成り、このポリマーは例えば導電性接着剤のような導電性材料、又は例えばシリコーン、ポリウレタン、ポリイミドのような非導電性材料とすることができる。少なくとも１つのコンタクト隆起１１の形成は、印刷操作又は測光操作、又は射出成形操作、又はスタンピング工程により行なうのが好ましい。少なくとも１つのコンタクト隆起１１はベル形状に設けられることが好ましく、かつ基板１０からコンタクト隆起１１への遷移部分の傾斜が小さい。この接続部では、小さい傾斜は０．５よりも小さい傾斜と考える。
【００３０】
図３によれば、再配線素子１２を基板１０及び少なくとも１つのコンタクト隆起１１の上に塗布し、そしてパターニングする。この場合、再配線素子１２はそれぞれ一のコンタクト隆起１１の上に一のコンタクト素子１３を有することが好ましい。コンタクト隆起１１上のコンタクト素子１３は、コンタクト隆起１１が導電性材料から成り、従って再配線素子１２がコンタクト隆起１１と電気的に接続される場合には設けないことが好ましい。再配線素子１２はスパッタリング又は電気化学メッキにより成膜し、そしてフォトリソグラフィプロセスにより、好適にはウェットエッチング技術を使用してパターニングし、さらに所定部分（図示せず）を覆う保護層又は半田レジスト層を有することが好ましい。
【００３１】
図４によれば、その後、チップコンタクト素子１４を設けて再配線素子１２に電気的導電性を示す形に接続される。図３〜１１による断面図にはそれぞれ、互いに電気的に絶縁
された２本の再配線素子１２が示される、すなわち再配線素子１２の形での電気的導電性接続が図４に示すようにチップコンタクト素子１４の間には設けられない。チップコンタクト素子１４は半田又は導電性接着剤を塗布する、或いはスタッドバンプを配置することにより設けることが好ましい。
【００３２】
図５において、図４の構成の上に半導体チップ１５を搭載する、好適には接着接合すると、チップコンタクト素子１４は半導体チップ１５のチップコンタクト（図示せず）に電気的導電性を示す形で接続される。これは半導体チップ１５の基板１０上の位置が正確であることを前提とする。チップコンタクト（図示せず）のチップコンタクト素子１４との電気コンタクト接続は、半田リフロー又は圧接法を使用することにより、或いは噴流式半田付け（溶融半田を拡散して噴流させる方法）又は導電性接着剤を使用する接着接合接続により行なうことが好ましい。
【００３３】
図６によれば、封止素子１６を半導体チップ１５、再配線素子１２、少なくとも１つのコンタクト隆起、及び基板１０の上を覆って非導電性ポリマーの形に形成する。封止素子１６は、非導電性材料を印刷法又は射出成形法、又は噴霧コーティング法、又はスピンコーティング法により塗布することが好ましい。この場合、封止素子１６の縦寸法は少なくとも１つのコンタクト隆起１１の縦寸法を超えず、コンタクト隆起１１上のコンタクト素子１３又はコンタクト隆起１１自体が封止素子１６の少なくとも１つの表面１６’（カバー領域）に接触するようにする。好適には、コンタクト隆起１１の縦寸法は封止素子１６の縦寸法よりも大きい。図６に従った構成の場合、この構成を形成した後にコンタクト隆起１１の先端、特にコンタクト隆起１１の先端上のコンタクト素子１３を、好適にはプラズマ工程又はウェットエッチング工程によりクリーニングすることが好ましい。
【００３４】
図７は、コンタクト隆起１１を封止素子１６の表面１６’に設けた後の図６の構成を示している。表面１６’上のコンタクト隆起１１は、下の平面のコンタクト隆起１１の露出したコンタクト素子１３に対して横方向に隣接して配置される。表面１６’上のコンタクト隆起１１は、図２を参照しながら説明した方法で形成される。この後、図８に従って、封止素子１６の表面１６’に再配線素子１２を塗布してパターニングし、そしてコンタクト隆起１１を表面１６’に設け、この隆起にコンタクト素子１３を形成する。再配線素子１２は、図３を参照しながら説明した再配線素子と同じようにして塗布し、そしてパターニングする。図８に示す断面図に反して、表面１６’上の再配線素子１２から成り、表面１６’上のコンタクト隆起１１に接続され、かつ先端上のコンタクト素子１３を形成する導電体配線は下の平面のコンタクト隆起１１上のコンタクト素子１３にコンタクト接続されないことが好ましく、横方向に隣接する導電体配線（断面図には示さず）に再配線接続される。
【００３５】
図９によれば、チップコンタクト素子１４を図８に従った構成の上に設け、この素子は下の平面のチップコンタクト素子１４と同じであることが好ましい。
図１０は図９の構成に続いて形成される構成を示し、図９の構成に対して、第２半導体チップ１５を、再配線素子１２のコンタクト接続を有する表面１６’に、好適にはチップコンタクト素子１４を介して取り付ける。表面１６’上の第２半導体チップ１５の配置及び固定方法は、図５を参照しながら記載した操作に対応する。
【００３６】
図１１によれば、図６に従って構成される封止素子１６を同じようにして、表面１６’上のそれぞれ第２の半導体チップ１５、再配線素子１２、コンタクト隆起１１の上に設ける。
【００３７】
図１２はマルチチップモジュールの断面を示し、このモジュールは、図１１と比較すると、２つの追加の半導体チップ１５を図１１の構成の上に更に設けられる２つの平面に有
する。多くのコンタクト隆起１７を最終の封止素子１６の最終の表面１６’の上に設ける。例えばプリント回路基板又はインターポーザ（どの場合にも示さず）とのコンタクト接続を行なうこれらの接続素子は、図２を参照しながら記載したように、導電性又は非導電性の材料を含むポリマー隆起の形で同じようにして設けることが好ましい。再配線素子１８を同じようにして最上層の封止素子１６の表面１６’に設け、この再配線素子がコンタクト隆起１７の先端上のコンタクト素子１９も構成することが好ましい。再配線素子１８は電気的導電性を示す形で下の平面のコンタクト隆起１１上のコンタクト素子１３に接続される。
【００３８】
図１３は本発明の別の実施形態を示し、この実施形態では相対するチップコンタクト（図示せず）を有する２つの半導体チップ１５を設け、これらのチップコンタクトはそれぞれ電気的導電性を示す形でチップコンタクト素子１４に接続される。図１３の図から得られる印象とは異なり、上側の半導体チップ１５及び下側の半導体チップ１５のチップコンタクト素子は電気的導電性を示す形で直接相互に接続されるのではない。この構成にするには製造プロセスを変更する必要がある。
【００３９】
図１４に従った更に別の実施形態では、図１３の構成の相対するチップ、及びそれらの上方に配置される別の半導体チップ１５が設けられる。別の半導体チップを設けることにより生じる基本的な特徴は上述の説明に準じたものとなる。
【００４０】
本発明の一の実施形態を説明するための断面図及び平面図を図１５を参照しながら図式的に示す。この場合、断面図は破線ＺＺ’に沿った断面に対応する。
本発明は好適な例示としての実施形態をベースにして上に記載してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されるのではなく、種々の態様で変形させることができる。従って特に、他の形状のコンタクト隆起を、例えばバンプ、ビーズとして設ける、又は横方向及び縦方向の寸法を変更して設けることが考えられる。さらに、記載した種々の考えられる構成に加えて、コンタクト隆起を形成する方法は、予備成形した隆起を設ける、特に接着接合することによっても実施することができる。
【００４１】
さらに、コンタクト素子１９をその先端に有するコンタクト隆起１７の代わりに、他のコンタクト素子を設けて、例えば再配線素子１８を通してコンタクト接続されるコンタクト領域又は半田ボールのような更に別の電気部品又は電子部品との電気的接続を行なうことが可能である。積層構造の高さ及びチップ又はチップ配置に関してはどのような所望の構成も可能であるので、例えば本発明によるマルチチップモジュールの平面内でチップを異なるチップサイズとする、又は複数のチップを互いに隣接するように設けることができる。さらに、図に再現した相対サイズは単なる例示として考えられたい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施形態によるマルチチップモジュールの製造における連続する工程の模式断面図。
【図２】本発明の一実施形態によるマルチチップモジュールの製造における連続する工程の模式断面図。
【図３】本発明の一実施形態によるマルチチップモジュールの製造における連続する工程の模式断面図。
【図４】本発明の一の実施形態によるマルチチップモジュールの製造における連続する工程の模式断面図。
【図５】本発明の一の実施形態によるマルチチップモジュールの製造における連続する工程の模式断面図。
【図６】本発明の一の実施形態によるマルチチップモジュールの製造における連続する工程の模式断面図。
【図７】本発明の一の実施形態によるマルチチップモジュールの製造における連続する工程の模式断面図。
【図８】本発明の一の実施形態によるマルチチップモジュールの製造における連続する工程の模式断面図。
【図９】本発明の一の実施形態によるマルチチップモジュールの製造における連続する工程の模式断面図。
【図１０】本発明の一の実施形態によるマルチチップモジュールの製造における連続する工程の模式断面図。
【図１１】本発明の一の実施形態によるマルチチップモジュールの製造における連続する工程の模式断面図。
【図１２】本発明のそれぞれの実施形態によるマルチチップモジュールの模式断面図。
【図１３】本発明のそれぞれの実施形態によるマルチチップモジュールの模式断面図。
【図１４】本発明のそれぞれの実施形態によるマルチチップモジュールの模式断面図。
【図１５】本発明の一の実施形態を明らかにするための、マルチチップモジュールの模式平面図及び模式断面図。
【図１６】２つの公知のマルチチップモジュールを示す断面図。
【符号の説明】
【００４３】
１０…基板、１１…コンタクト隆起、１２…再配線素子、１３…コンタクト素子、１４…チップコンタクト素子、１５…半導体チップ、１６…封止素子、１６’…封止素子の表面、１７…コンタクト隆起、１８…再配線素子、１９…コンタクト素子、Ａ…チップ、Ｂ…インターポーザ、Ｃ…チップ、Ｄ…ボンディングワイヤ、Ｅ…パッケージ、Ｆ，Ｆ’…半田ボール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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