(57)【要約】【課題】  ＳＡＲの増大を抑制しつつ高い放射効率改善効果を有する積層軟磁性部材等を提供する。【解決手段】  基体フィルム上に導電性金属からなる下地層を形成する工程と、下地層上に軟磁性金属層を形成する工程とを備え、下地層を斜め蒸着により形成する。得られた軟磁性部材は、その面内の磁気的な性質が異方性をなしている。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁樹脂から構成された基体フィルムと、
前記基体フィルム上に直接または間接的に形成された軟磁性金属層と、を備え、
その面内における磁気的な性質が異方性を有することを特徴とする軟磁性部材。
【請求項２】
前記基体フィルムと前記軟磁性金属層との間に導電性金属から構成された下地層が形成され、前記下地層は前記基体フィルムに所定方向の張力が付与された状態で形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の軟磁性部材。
【請求項３】
前記基体フィルムと前記軟磁性金属層との間に導電性金属から構成された下地層が形成され、前記下地層は前記基体フィルムの平面に対して結晶成長の方向が傾斜した組織を有することを特徴とする請求項１に記載の軟磁性部材。
【請求項４】
前記軟磁性金属層は、前記下地層に追従して成長することにより、前記基体フィルムの平面に対して結晶成長の方向が傾斜した組織を有することを特徴とする請求項３に記載の軟磁性部材。
【請求項５】
前記基体フィルム及び前記軟磁性金属層からなるユニット、又は前記基体フィルム、前記下地層及び前記軟磁性金属層からなるユニットが複数積層されたものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の軟磁性部材。
【請求項６】
基体フィルム上に導電性金属からなる下地層を形成する工程と、
前記下地層上に軟磁性金属層を形成する工程とを備え、
前記下地層及び／又は前記軟磁性金属層に対して磁気異方性付与処理を施しながら前記下地層及び／又は前記軟磁性金属層を形成することを特徴とする軟磁性部材の製造方法。
【請求項７】
前記磁気異方性付与処理が、前記基体フィルムに所定方向の張力を付与するものであることを特徴とする請求項６に記載の軟磁性部材の製造方法。
【請求項８】
前記磁気異方性付与処理が、前記基体フィルムに対して所定方向に傾斜させて前記下地層及び／又は前記軟磁性金属層の結晶を成長させるものであることを特徴とする請求項６に記載の軟磁性部材の製造方法。
【請求項９】
前記磁気異方性付与処理を施しながら前記下地層を気相法により形成し、次いで前記軟磁性金属層を電解めっきにより形成することを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の軟磁性部材の製造方法。
【請求項１０】
電子機器の外殻をなす筐体と、
前記筐体内に配設されたシート状の軟磁性部材と、
電波を送信および／または受信する電波通信部と、を備え、
前記軟磁性部材は、その面内における磁気的な性質が異方性を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話等の電子機器、およびこの電子機器に取り付けて使用することのできる軟磁性部材に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の電子機器の高速動作処理化、デジタル化の発展に従って、電磁波障害(ＥＭＩ：Electromagnetic Interference)が増加している。特に、デジタル機器はノイズにより誤動作を起こすこともあることから、デジタル機器から発生するノイズの低減が重要である。
【０００３】
１ＧＨｚを超える高周波領域でのノイズ吸収特性の優れた材料として、軟磁性金属粉末を樹脂、ゴム中に分散させた複合軟磁性部材が提案されている。例えば、扁平状のＦｅ−Ｓｉ系軟磁性合金粉末をゴム、樹脂中に配向・配列した複合磁性材料が提案されている(
例えば特許文献１、非特許文献１参照。)。
【０００４】
【特許文献１】特開平９−３５９２７号公報
【非特許文献１】“工業材料”、平成１０年(１９９８年)１０月号、ｐ．３１〜３５、ｐ．３６〜４０
【０００５】
また、携帯電話機は、年々小型・軽量化されてきており、携帯電話機使用時にそのアンテナの位置は人体、具体的には頭部に極めて近い位置に配置されることになる。このときアンテナの特性は人体の影響を受け、アンテナ性能が低下する傾向にある。つまり、アンテナから放射される電磁波の一部が人体に吸収されることに起因する電力損失が、受信感度の低減、電池の寿命低減を招く。
一方で、人体による電磁波の吸収量が増加し、人体への影響が懸念されている。このため、日本を含め各国で局所吸収指針が定められており、各国が局所吸収指針において定める人体による電磁波の局所吸収の評価量として、以下の式で定義されるＳＡＲ（Specific
Absorption Rate：局所吸収量）が用いられている。
ＳＡＲ＝σＥ2／２ρ
(Ｅ：人体に侵入した電界、σ：組織の誘電率、ρ：組織の密度)
【０００６】
そのため、携帯電話機から放射された電磁波の実効的な利用率、つまりＳＡＲを抑制しつつ放射効率を向上させる方法として、低損失磁性板をアンテナ近傍に配置する方法が提案されている。
また、放射効率を改善する目的で、携帯電話機内に反射板を配置することにより、放射源から放射される電磁波を反対側の方向へ反射させて通信へ寄与させることを可能とするから、放射される電磁波の有効利用を図ることが可能である。さらに、反射板には、電波照射時における電力吸収をほとんど伴わないものを使用することにより、通信へ寄与する電磁波量を向上させることができるので、通話時の放射効率が改善され、通信性能の向上を図ることが可能であることが提案されている（例えば特許文献２参照。）。
【０００７】
【特許文献２】特開２０００−３２３９２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１や非特許文献１にて提案された、磁性微粉と樹脂からなる複合材料を用いた磁性板を使用する方法では、板厚を５ｍｍとしても放射効率改善効果が０
．６ｄＢと小さい。携帯電話機の小型、軽量化に対応するため、板厚を０．２ｍｍ以下、さらには０．１ｍｍ以下にすることが望ましい。したがって、低損失磁性板を携帯電話機へ適用することは困難である。
また、特許文献２に提案されている方法では、放射効率の改善については検討されているものの、さらなる放射効率の改善が希求される。
そこで、本発明は、薄型で、ＳＡＲの増大を抑制しつつ高い放射効率改善効果を有する積層軟磁性部材等を提供することを目的とする。さらに、本発明では、そのような積層軟磁性部材を組み込んだ電子機器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
かかる目的のもと、本発明の軟磁性部材は、絶縁樹脂から構成された基体フィルムと、基体フィルム上に直接または間接的に形成された軟磁性金属層と、を備え、その面内における磁気的な性質が異方性を有することを特徴としている。本発明は磁気的な異方性を導入することにより、放射効率を改善する。
【００１０】
本発明の軟磁性部材において、基体フィルムと軟磁性金属層との間に導電性金属から構成された下地層を形成することができる。この下地層は軟磁性金属層を電解めっきにより形成する際の導電層として利用される。そして、この下地層に磁気的な異方性が付与されていると、その上に形成される軟磁性金属層にも磁気的な異方性を誘導させることができる。下地層に磁気的な異方性が付与するためには、下地層は基体フィルムに所定方向の張力が付与された状態で下地層を形成すればよい。張力を開放した後に下地層には所定方向に応力が残留して磁気的な異方性を付与することができる。また、下地層を、基体フィルムの平面に対して結晶成長の方向が傾斜した組織とすることによっても下地層に磁気的な異方性を付与することができる。この場合、軟磁性金属層は、下地層に追従して成長することにより、結晶が基体フィルムの平面に対して傾斜して成長した組織を有することになる。
本発明の軟磁性部材において、基体フィルム及び軟磁性金属層からなるユニット、又は基体フィルム、下地層及び軟磁性金属層からなるユニットを複数積層して用いることもできる。
【００１１】
以上の軟磁性部材は、基体フィルム上に導電性金属からなる下地層を形成する工程と、下地層上に軟磁性金属層を形成する工程とを備え、下地層及び／又は軟磁性金属層に対して磁気異方性付与処理を施しながら下地層及び／又は軟磁性金属層を形成することを特徴とする軟磁性部材の製造方法によって得ることができる。
磁気異方性付与処理としては、基体フィルムに所定方向の張力を付与する方法、基体フィルムに対して所定方向に傾斜させて結晶成長させる方法を包含している。
また本発明において、下地層を気相法、例えば真空蒸着により形成し、次いで軟磁性金属層を電解めっきにより形成する場合、下地層形成時に磁気異方性付与処理を行うことができる。本発明の軟磁性部材を効率的に製造することのできる方法である。
【００１２】
本発明の軟磁性部材は、携帯電話等の電子機器に用いることができる。したがって本発明は、電子機器の外殻をなす筐体と、筐体内に配設されたシート状の軟磁性部材と、電波を送信および／または受信する電波通信部と、を備え、軟磁性部材は、その面内における磁気的な性質が異方性を有する電子機器をも提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、複素透磁率の実数成分（μ’）の減衰する周波数が高周波側に移行させることができ、さらには複素透磁率の虚数成分（μ”）を低減することができるため、放射効率を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１および図２は、本発明の軟磁性部材の例を示している。
図１に示す軟磁性部材１は、樹脂フィルム（基体フィルム）２と、樹脂フィルム２上に形成された下地層３と、下地層３上に形成された軟磁性金属層４とから構成される。
樹脂フィルム２は、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フッ素樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂等の耐熱性を有する樹脂材料、または、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の樹脂材料を用いることができる。
軟磁性金属層４は、軟磁性を示す遷移金属元素のいずれか、あるいは遷移金属元素と他の金属元素とからなる合金により構成することができる。具体的な例としては、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉの一種以上を主成分とする合金であり、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ系合金が該当する。これらの中で、飽和磁束密度が１．０Ｔ以上の合金が望ましい。またこの中で、Ｆｅを２０〜８０ｗｔ％含有するＦｅ−Ｎｉ系合金が本発明にとって望ましい。特に、Ｆｅを３０〜７０ｗｔ％、さらにはＦｅを４０〜６５ｗｔ％含有するＦｅ−Ｎｉ系合金が望ましい。また、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金が本発明にとって望ましい。また、Ｃｏを２０〜６０ａｔ％含有するＦｅ−Ｃｏ系合金であって、飽和磁束密度が２.０Ｔ以上の合金を用いるのが望ましい。これら合金において、
１５ａｔ％以下のＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｃｏの一種以上を含有することができる。また、軟磁性金属層４をめっきで形成する場合にはＣおよびＳ等の元素を不可避的に含むが、本発明の軟磁性金属層４は、そのような元素の含有を許容する。
軟磁性金属層４は、結晶質合金および非晶質合金のいずれの態様であっても構わない。非晶質合金としては、Ｃｏ系およびＦｅ系の非晶質合金を用いることができる。また、Ｆｅ系の微結晶合金を用いることも本発明は許容する。微結晶合金は、一般的に、結晶粒径が１０ｎｍ以下の微細な結晶が主体をなす合金として知られている。
【００１５】
軟磁性金属層４は、樹脂フィルム２上に直接または間接的に形成される軟磁性金属膜であり、めっき（電解または無電解）、真空蒸着法、スパッタリング法（気相法）等の各種の膜形成プロセスによって作成することができる。これらの膜形成プロセスは、単独で行うことができる。したがって、めっきのみで軟磁性金属層４を形成することもできるし、蒸着のみで軟磁性金属層４を形成することもできる。もちろん、複数の膜形成プロセスを組み合わせることもできる。めっきは、真空蒸着法、スパッタリング法に比べて低温で膜を形成することができる点で好適である。本発明において、軟磁性金属層４は樹脂フィルム２上に形成するため、樹脂フィルム２に熱的な影響を与えないことが望ましいからである。また、めっきは、スパッタリング法に比べて、短時間で所定の厚さの膜を得ることができるメリットがある。なお、めっきにより軟磁性金属層４を得る場合、めっき浴中に含まれているＳ等の元素が軟磁性金属層４に混入することから、他のプロセスによる軟磁性金属層４との区別ができる。
【００１６】
下地層３は、軟磁性金属層４を電解めっきによって樹脂フィルム２上に形成する場合に必要となる導電層としての役割を果たす。下地層３は、例えば、真空蒸着法によって形成することができる。また、無電解めっきにより下地層３を形成した後に、電解めっきにより軟磁性金属層４を形成することもできる。電解めっき以外の方法で軟磁性金属層４を形成する場合には、下地層３を形成する必要はない。つまり、下地層３は本発明において選択的な要素である。もっとも、下地層３に軟磁性金属を用いる場合には、下地層３が軟磁性金属層４の一部を構成することになる。
【００１７】
次に、軟磁性部材１において、樹脂フィルム２の厚さは５０μｍ以下とする。樹脂フィルム２は、本発明の軟磁性部材１において、基体としての役割を果たすとともに、軟磁性部材１を複数積層する場合には軟磁性金属層４同士を絶縁する機能を果たす。しかし、この絶縁層が厚くなると軟磁性金属層４の占有率が低下し、ひいては積層軟磁性部材としての透磁率が低下するためである。望ましい樹脂フィルム２の厚さは１０μｍ以下である。もっとも、極端に薄い樹脂フィルム２は製造が困難であるとともに、軟磁性金属層４を形成するための所定の強度を持つことができなくなる。したがって、０.２μｍ以上あるいは、２μｍ以上の厚さとすることが推奨される。
【００１８】
軟磁性金属層４は、１μｍ以下の厚さとすることが望ましい。これを超える厚さでは、例えば８００ＭＨｚを超える高周波数帯域での渦電流損失が大きくなり、磁性体としての機能が減じてしまうからである。したがって、本実施の形態において、軟磁性金属層４の厚さは、０.５μｍ以下とすることが望ましい。軟磁性金属層４は、緻密に形成されてい
る必要性が高く、したがって、各種プロセスによって緻密な膜を形成することができる程度の最低限の膜厚を有していることが必要である。下地層３は、電解めっき時の導電層として機能するものであり、数１０ｎｍ程度の厚さを有していれば足りる。
【００１９】
図２に示す軟磁性部材１１は、図１に示した軟磁性部材１の軟磁性金属層４が樹脂フィルム２の片面に形成されているのに対して、両面に形成されている点で相違する。つまり、軟磁性部材１１は、樹脂フィルム（基体フィルム）１２と、樹脂フィルム１２の表裏両面に形成された下地層１３ａ、１３ｂと、下地層１３ａ、１３ｂ上に形成された軟磁性金属層１４ａ、１４ｂとから構成される。樹脂フィルム１２、下地層１３ａ、１３ｂおよび軟磁性金属層１４ａ、１４ｂの材質、寸法および作成プロセスは、軟磁性部材１１と同様にすればよい。
また、本発明の軟磁性部材１１において、軟磁性金属層１４ａの上に樹脂層を形成することもできる。
【００２０】
本発明において、以上で説明した軟磁性部材１、１１を単体で使用することができるし、複数の軟磁性部材１、１１を積層して使用することもできる。以下、軟磁性部材１、１１を複数積層した形態の部材を積層軟磁性部材５ということにする。
図３、図４は本実施の形態による積層軟磁性部材５の例を示す断面図である。
図３および図４に示すように、積層軟磁性部材５は、絶縁層６と磁性体層７とが交互に積層された断面構造を有している。このような積層軟磁性部材５は、図１および図２で示した軟磁性部材１、１１を積層することにより得ることができる。図４に示した構成の場合、軟磁性部材１１は、表裏両面に軟磁性金属層１４ａ、１４ｂが露出した構造をなしているので、そのままで積層することはできない。そこで、樹脂フィルム１５を別途用意し、この樹脂フィルム１５を介在させて軟磁性部材１１を積層することにより、積層軟磁性部材５を得る。
ここで、積層軟磁性部材５全体としての厚さは、０．５ｍｍ以下とすることが重要である。前述のように、携帯電話機に積層軟磁性部材５を貼り付ける場合には、携帯電話機の小型化に対応する必要があるからである。より望ましい厚さは、０．２ｍｍ、さらには０．１ｍｍ以下である。
【００２１】
そして、得られた積層軟磁性部材５において、軟磁性部材１、１１の樹脂フィルム２、１２、１５が絶縁層６を構成することになる。そのため、絶縁層６の厚さは５０μｍ以下となる。もっとも、軟磁性部材１、１１を積層する場合に接着剤を層間に介在させると、絶縁層６が樹脂フィルム２、１２、１５の厚さより厚くなる場合がある。したがって、接着剤を用いる場合には、絶縁層６の厚さが５０μｍ以下となるように樹脂フィルム２、１２、１５の厚さを定める必要がある。このとき、接着剤が樹脂で形成されていると、接着剤層も絶縁層６を構成することになる。
また、磁性体層７は、軟磁性部材１、１１における軟磁性金属層４、１４ａ、１４ｂによって構成されることになる。また、下地層３、１３ａ、１３ｂが、軟磁性金属によって形成される場合、この下地層３、１３ａ、１３ｂも、軟磁性金属層４、１４ａ、１４ｂと
ともに磁性体層７を構成する。
【００２２】
以上の軟磁性部材１、１１及び積層軟磁性部材５は、その面内における磁気的な性質が異方性を有している。この異方性により磁化の一斉回転を実現できるため、複素透磁率の虚数成分（μ”）を低減することができる。
軟磁性部材１、１１及び積層軟磁性部材５において、その面内における磁気的な性質が異方性を有するものとするには、少なくとも軟磁性金属層４、１４ａ、１４ｂに面内における磁気的な異方性（以下、面内におけるは省略することがある）が付与されている必要がある。軟磁性金属層４、１４ａ、１４ｂに対する磁気的な異方性の付与は、下地層３、１３ａ、１３ｂを設ける場合には、下地層３、１３ａ、１３ｂに磁気的な異方性を付与することによって実現することができる。下地層３、１３ａ、１３ｂ上に形成される軟磁性金属層４、１４ａ、１４ｂに磁気的な異方性が下地層３、１３ａ、１３ｂから誘導される。もちろん、下地層３、１３ａ、１３ｂに磁気的な異方性を付与することなく、軟磁性金属層４、１４ａ、１４ｂのみに磁気的な異方性を付与することもできる。したがって、下地層３、１３ａ、１３ｂを設ける場合には、下地層３、１３ａ、１３ｂ及び軟磁性金属層４、１４ａ、１４ｂの両者に磁気的な異方性が付与されている形態、軟磁性金属層４、１４ａ、１４ｂのみに磁気的な異方性が付与されている形態の２つの形態が存在する。なお、積層軟磁性部材５に磁気的な異方性を付与するためには、それを構成する全ての軟磁性部材１、１１に磁気的な異方性が付与されている必要はない。つまり本発明においては、一部の軟磁性部材１、１１には磁気的な異方性が付与されていなくとも、積層軟磁性部材５に全体として磁気的な異方性が付与されていれば足りる。
磁気的な異方性を付与するための手段は、後述する製造方法についての説明において言及する。
【００２３】
上記のような構成の積層軟磁性部材５は、携帯電話機内に配設することができる。なお、ここでは電子機器として携帯電話機を例にするが、これはあくまで本発明の適用事例にすぎない。
積層軟磁性部材５を携帯電話機内に配設する様子を図５に模式的に示している。携帯電話機（電子機器）３０は、その外殻をなす筐体としてフロント・カバー３１とケース３４とを備え、その間に必要に応じてホイップ・アンテナが取り付けられる回路基板３２が配設される。ケース３４内には内蔵アンテナ（電波通信部）３６が収容されており、積層軟磁性部材５は、内蔵アンテナ３６とその一部が重なるように、回路基板３２とケース３４との間に配設される。なお、積層軟磁性部材５の固定は、粘着剤、両面粘着テープ等を用いて行うことができる。
【００２４】
以下、図６に基づいて、積層軟磁性部材５を得るのに好適な製造方法を説明する。
図６において、はじめに樹脂フィルム２に、例えば、気相法である真空蒸着法により下地層３を形成する（図６（ａ））。
ここで図７は、下地層３を形成する方法を模式的に示す図である。図７において、樹脂フィルム２は巻出しロールＲ１から巻出され、中間ロールＲ２を経由して巻取りロールＲ３にて巻取られる。樹脂フィルム２には、巻出しロールＲ１、中間ロールＲ２及び巻取りロールＲ３の回転力を調整することにより、その長手方向に張力を付与している。本実施の形態は、このように樹脂フィルム２に張力が付与された状態で樹脂フィルム２上に下地層３を蒸着Ｄにより形成することによって、下地層３上に形成される軟磁性金属層４に磁気的な異方性を付与させることができる。付与する張力は、樹脂フィルム２の引張り強さをσとすると、０．０１σ以上σ未満とする。０．０１σ未満では十分な磁気的な異方性を付与することができないためである。望ましい張力は、０．０４σ〜０．８σである。
図８は下地層３を形成する他の方法を模式的に示す図である。図７に示す方法が樹脂フィルム２に対して垂直に蒸着Ｄを施す（以下、垂直蒸着）のに対して、図８に示す方法は樹脂フィルム２に対して傾斜させて蒸着Ｄを施す（以下、斜め蒸着）点で相違する。垂直
蒸着によって形成された下地層３のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）による断面組織写真を図９に、また斜め蒸着による下地層３のＳＥＭによる断面組織写真を図１０に示す。図１０に示すように、斜め蒸着によると下地層３は樹脂フィルム２の長手方向に傾斜して結晶成長した組織となることがわかる。このように下地層３を異方的に結晶成長させることによっても、下地層３上に形成される軟磁性金属層４に磁気的な異方性を付与させることができる。なお、斜め蒸着による傾斜角度は図１０のαで定義されるものとする。αは１５〜９０°（９０°は含まず）の範囲、望ましくは２５〜８０°の範囲とする。
【００２５】
以上では下地層３に磁気的な異方性を付与することにより、その上に形成される軟磁性金属層４に磁気的な異方性を付与したが、本発明はこれに限定されない。例えば、下地層３に磁気的な異方性を付与することなく、軟磁性金属層４に対して磁気的な異方性を付与することもできる。例えば、軟磁性金属層４を蒸着、その他の気相法により形成する場合に、下地層３が既に形成された樹脂フィルム２に張力を付与することが一例として掲げられる。また、他の例として、下地層３が既に形成された樹脂フィルム２に対して斜め蒸着により軟磁性金属層４を形成することもできる。さらに、樹脂フィルム２に張力を付与しつつ蒸着Ｄ、その他の気相法により軟磁性金属層４を直接樹脂フィルム２に形成することができる。同様に、樹脂フィルム２に対して斜め蒸着により軟磁性金属層４を直接形成することもできる。
【００２６】
下地層３を形成した後、例えば電解めっきにより軟磁性金属層４を下地層３上に形成することによって、図１に示した軟磁性部材１を得ることができる（図６（ｂ））。
軟磁性部材１を所定の枚数作成し、各軟磁性部材１の樹脂フィルム２と軟磁性金属層４とを対向させた状態で積層することにより、図３に示した積層軟磁性部材５を得ることができる（図６（ｃ））。
【００２７】
軟磁性部材１の積層は、軟磁性部材１間に例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の接着剤を配置して行なうことができる。接着剤の粘度は、１０００ｃＰ以下、望ましくは３００ｃＰ以下、さらに望ましくは２００ｃＰ以下とする。溶剤を加えた接着剤を軟磁性部材１に塗布し、その後接着剤が粘着性を保持する程度まで溶剤を蒸発させ、しかる後に軟磁性部材１を積層する。軟磁性部材１を構成する樹脂フィルム２の静電気により、接着剤を用いることなく積層状態を維持することもできる。この場合、接合強度を向上するために、軟磁性部材１を積層後に、接着剤に浸漬して外周部のみを接着することもできる。また、接着剤層は絶縁層６として機能するので、軟磁性金属層４同士を対向させた状態、又は樹脂フィルム２同士を対向させた状態で積層してもよい。
【００２８】
積層軟磁性部材５を得た後に、応力緩和熱処理を行なうことにより、磁気特性の向上を図ることもできる。応力緩和熱処理は、例えば軟磁性部材１同士の接合に接着剤を用いた場合には、接着剤の乾燥のための加熱を兼ねて行なうこともできる。応力緩和熱処理を行なう場合には、樹脂フィルム２に耐熱性に優れたポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂又はＰＰＳ（ポニフェニレンサルファイド）樹脂を用いることが望ましい。
また、樹脂フィルム２にＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）又はＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）を使用する場合、加熱処理による収縮応力を利用して誘導異方性を付与することにより、磁気特性の向上を図ることもできる。
また、積層軟磁性部材５は、温間プレス加工によって、所望する形状に加工することもできる。さらに、切断を行なって、所望する寸法に加工することもできる。
【実施例１】
【００２９】
膜厚６μｍのＰＥＴフィルムを用意し、このＰＥＴフィルム上（片面）に、真空蒸着により厚さ０．０４６μｍの下地層としてのＮｉ膜を形成して２種類の試料を作成した。こ
のときの蒸着は垂直蒸着とし、一方の試料（試料１）はＰＥＴフィルムに張力を付与せずに蒸着を行い、他方の試料（試料２）はＰＥＴフィルムに０．０５σ（ただし、σ＝ＰＥＴフィルムの引張り強さ）の張力を付与した状態で蒸着を行った。Ｎｉを蒸着した後に、試料１及び試料２に対して以下に示すめっき液を用いてＮｉ膜上に軟磁性合金である５３ｗｔ％Ｎｉ−４７ｗｔ％Ｆｅ合金膜を０．２２μｍ形成し、軟磁性部材を得た。なお、めっき液の条件は、浴温が３５〜５５℃、ＰＨが２.０〜３.０であり、電流密度は２Ａ／ｄｍ2とした。なお、めっき膜の欠陥防止およびめっき液の表面張力低減のために、界面活
性剤を適宜添加した。
【００３０】
薬 品 名 称            化 学 式          液組成(ｇ/ｌ)
硫酸ニッケル６水和物   ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ    １５０〜４５０
塩化ニッケル６水和物   ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ      １５〜４５
硼酸                       Ｈ3ＢＯ3            １０〜４０
硫酸第一鉄７水和物     ＦｅＳＯ4・７Ｈ2Ｏ        １〜２０
光沢剤                         −             ０.１〜２
【００３１】
Ｎｉ膜が形成された状態の試料１及び試料２についてＢ−Ｈ曲線をＶＳＭ（振動試料型磁力計）で測定した。その結果を図１１及び図１２に示す。なお、図１１は試料１についてのＢ−Ｈ曲線、図１２は試料２についてのＢ−Ｈ曲線である。図１１、図１２に示すようにＰＥＴフィルムに張力を付与することなく下地層を形成した試料１はＰＥＴフィルムの長手方向（Ｈ）と長手方向（Ｈ）に対して垂直方向（Ｖ）でＢ−Ｈ曲線がほぼ一致しているのに対して、ＰＥＴフィルムに張力を付与した状態で下地層を形成した試料１はＰＥＴフィルムの長手方向（Ｈ）と垂直方向（Ｖ）でＢ−Ｈ曲線が相違している。
５３ｗｔ％Ｎｉ−４７ｗｔ％Ｆｅ合金膜を形成した後に、１１０℃で６０秒間保持する熱処理を施した後に、複素透磁率を測定した。その結果を図１３及び図１４に示す。なお、図１３は試料１（ＰＥＴフィルムに張力を付与せず）についての測定結果を、また図１４は試料２（ＰＥＴフィルムに張力を付与）についての測定結果を示している。図１３及び図１４に示すように、ＰＥＴフィルムに張力を付与した状態で下地層を形成した試料の方が、複素透磁率の実数成分（μ’）の減衰する周波数が高周波側に移行しており、放射効率の改善にとって望ましいことがわかる。
また、５３ｗｔ％Ｎｉ−４７ｗｔ％Ｆｅ合金膜を形成した後にＢ−Ｈ曲線を測定した結果を図１５に示すが、ＰＥＴフィルムの長手方向（Ｈ）と垂直方向（Ｖ）でＢ−Ｈ曲線が相違しており、磁気的に異方性を有していることが確認された。
【実施例２】
【００３２】
膜厚６μｍのＰＥＴフィルムを用意し、このＰＥＴフィルム上（片面）に０．１σ（ただし、σ＝ＰＥＴフィルムの引張り強さ）の張力を付与した状態で真空蒸着により０．０４μｍのＮｉ下地層を形成した後に、実施例１と同様の条件で厚さ０．２３μｍの４０ｗｔ％Ｎｉ−６０ｗｔ％Ｆｅ合金膜を形成して軟磁性部材（試料３）を得た。また、上記ＰＥＴフィルム上に斜め蒸着（真空、α＝３０度）により０．０４μｍのＮｉ下地層を形成した後に、実施例１と同様の条件で厚さ０．２４μｍの４０ｗｔ％Ｎｉ−６０ｗｔ％Ｆｅ合金膜を形成して軟磁性部材（試料４）を得た。試料３及び試料４ともに１００℃で６０秒間保持する熱処理を施した後に、複素透磁率を測定した。その結果を図１６及び図１７に示す。なお、図１６は試料３（ＰＥＴフィルムに張力を付与）についての測定結果を、また図１７は試料４（斜め蒸着）についての測定結果を示している。
試料３及び試料４ともにＧＨｚ帯まで複素透磁率の実数成分（μ’）が高い値を示しているが、斜め蒸着を行った試料４は複素透磁率の虚数成分（μ”）が低下しており放射効率の改善にとって望ましいことがわかる。
また、試料３を５枚積層した積層軟磁性部材（試料５）について同様に複素透磁率を測定した。その結果を図１８に示すが、ＧＨｚ帯まで複素透磁率の実数成分（μ’）が高い
値を示し、かつ複素透磁率の虚数成分（μ”）が低下しており放射効率の改善にとってより望ましいことがわかる。
以上の実施例１及び２より、ＰＥＴフィルムに張力を付与しながら下地層を形成することで、得られた軟磁性部材に磁気的な異方性を付与することができること、さらに斜め蒸着により下地層を形成することにより軟磁性部材の磁気的な異方性の程度を大きくすることができることが確認された。よって、得られた軟磁性部材、積層軟磁性部材は、ＧＨｚ帯域において高透磁率、低損失となる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本実施の形態における軟磁性部材の構成を示す断面図である。
【図２】他の軟磁性部材の構成を示す断面図である。
【図３】図１に示した軟磁性部材を用いた積層軟磁性部材の構成を示す断面図である。
【図４】図２に示した軟磁性部材を用いた積層軟磁性部材の構成を示す断面図である。
【図５】積層軟磁性部材を組み込む電子機器の概略構成を示す図である。
【図６】図３に示した積層軟磁性部材の製造方法を示す図である。
【図７】下地層を形成する方法を模式的に示す図である。
【図８】下地層を形成する他の方法を模式的に示す図である。
【図９】軟磁性部材に張力を付与せず、かつ垂直に蒸着を行うことにより得た下地層のＳＥＭ写真である。
【図１０】軟磁性部材に張力を付与し、かつ斜め蒸着を行うことにより得た下地層のＳＥＭ写真である。
【図１１】Ｎｉ膜が形成された状態の試料１（ＰＥＴフィルムに張力を付与せず）について測定されたＢ−Ｈ曲線である。
【図１２】Ｎｉ膜が形成された状態の試料２（ＰＥＴフィルムに張力を付与した状態でＮｉ膜形成）について測定されたＢ−Ｈ曲線である。
【図１３】Ｎｉ膜及び５３ｗｔ％Ｎｉ−４７ｗｔ％Ｆｅ合金膜が形成された試料１（ＰＥＴフィルムに張力を付与せず）について測定された複素透磁率の周波数依存性を示すグラフである。
【図１４】Ｎｉ膜及び５３ｗｔ％Ｎｉ−４７ｗｔ％Ｆｅ合金膜が形成された試料２（ＰＥＴフィルムに張力を付与した状態でＮｉ膜形成）について測定された複素透磁率の周波数依存性を示すグラフである。
【図１５】Ｎｉ膜及び５３ｗｔ％Ｎｉ−４７ｗｔ％Ｆｅ合金膜が形成された試料２（ＰＥＴフィルムに張力を付与した状態でＮｉ膜形成）について測定されたＢ−Ｈ曲線である。
【図１６】Ｎｉ膜及び４０ｗｔ％Ｎｉ−６０ｗｔ％Ｆｅ合金膜が形成された試料３（ＰＥＴフィルムに張力を付与した状態でＮｉ膜形成）について測定された複素透磁率の周波数依存性を示すグラフである。
【図１７】Ｎｉ膜及び４０ｗｔ％Ｎｉ−６０ｗｔ％Ｆｅ合金膜が形成された試料４（斜め蒸着によりＮｉ膜形成）について測定された複素透磁率の周波数依存性を示すグラフである。
【図１８】Ｎｉ膜及び４０ｗｔ％Ｎｉ−６０ｗｔ％Ｆｅ合金膜が形成された試料３を積層して得られた軟磁性部材について測定された複素透磁率の周波数依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３４】
１、１１…軟磁性部材、２、１２、１５…樹脂フィルム（基体フィルム）、３、１３ａ、１３ｂ…下地層、４、１４ａ、１４ｂ…軟磁性金属層、５…積層軟磁性部材、６…絶縁層、７…磁性体層、３０…携帯電話機（電子機器）、３１…フロント・カバー、３４…ケース、３６…内蔵アンテナ（電波通信部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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