(57)【要約】【課題】  発光素子の光取り出し効率を向上させることによって高輝度化を実現する発光装置を提供する。【解決手段】  発光層１０３からＡｌ２Ｏ３基板１０１側に放射される青色光をピット１０１Ａで散乱させて光取り出し面方向に導くとともに、ＬＥＤ素子１０の光取り出し面を覆うＳｉＮパッシベーション膜１０６より高屈折率で薄膜状の高屈折率樹脂部１１０を設ける。これにより発光層１０３から光取り出し面方向に放射される青色光と合わせてＬＥＤ素子１０の内部から効率良く青色光を取り出すことができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層と、前記発光層を含む前記発光層同等の屈折率材料と、前記発光層へ電力を供給するための電極と、前記発光層同等の屈折率材料に形成された部分的な光散乱部と、前記光散乱部に対応し拡散光を外部放射する凸面形状の光学系とを備える発光素子と、前記発光素子周辺を覆う光透過性の媒体とを有する発光装置において、
前記発光層から前記光学系の光放射面との間が、前記媒体に対し１０％以上かつ１．７以上の屈折率材料によって形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記光拡散部は、前記発光層同等の屈折率材料の前記凸面形状の光学系が形成される側の反対側の界面に形成される請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記光拡散部は、前記発光層と異なる屈折率の基板と前記発光層を含む前記発光層同等の屈折率材料との界面に形成されている請求項１記載の発光装置。
【請求項４】
前記光散乱部および前記凸面形状の光学系は、多数個密に形成されている請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光層と前記光学系との間にパッシベーション膜を有する請求項１記載の発光装置。
【請求項６】
前記電極は、少なくとも放射面側が透明電極である請求項１記載の発光装置。
【請求項７】
前記電極は、少なくとも前記発光層から前記光学系の放射面側が前記光拡散部に対応した位置へ部分的に形成されている請求項１記載の発光装置。
【請求項８】
前記光拡散部は、Ａｌ２Ｏ３基板とＧａＮ発光層を含むＧａＮ系半導体材料との界面に形成されている請求項１記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関し、特に、発光素子の光取り出し効率を向上させることによって高輝度化を実現する発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤ（Light-Emitting Diode：発光ダイオード）素子として、サファイア等の基板上に気相成長法を用いて発光層を含むｐ型およびｎ型の半導体層を形成し、さらに信頼性向上のため、半導体層あるいは電極保護を目的としたＳｎＯ２によるパッシベーション膜形成が行われている。また、このパッシベーション膜に代えて発光層から発せられる光を半導体層側の放射面から取り出すようにしたものが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１に記載されるＬＥＤ素子は、サファイア基板上にＧａＮ系化合物半導体（屈折率：ｎ＝２．４）を積層して構成されており、光の放射面側に電極が配置されている。また、電極を設けた部分を除く放射面には透明電極としてのＳｎＯ２膜（ｎ＝１．９）を有し、全体をエポキシ樹脂（ｎ＝１．５）からなる封止部材で砲弾状に覆われている。このＬＥＤ素子によると、ＳｎＯ２膜が全面電極として作用するとともに半導体層内部で発生する多重反射の干渉を抑えるこことにより、ＬＥＤ素子の外部量子効率を高めることができるとの記載がある。
【特許文献１】特開平６−２９１３６６号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載されたＬＥＤ素子によると、膜厚の光学距離（光路長と媒質の屈折率との積）が発光波長の１／４、あるいは［（２ｍ＋１）４：ｍは整数］倍であれば、ＧａＮ系化合物半導体からＳｎＯ２膜に至った光のうち、垂直入射光については、エポキシ樹脂とＳｎＯ２膜界面で反射された光との位相差が界面反射光を減じ界面透過光を増す関係にあることにより外部光取り出し効率が向上する。同様に、ＳｎＯ２膜での光学距離（ＧａＮ系化合物半導体からＳｎＯ２膜へ入射し、エポキシ樹脂とＳｎＯ２膜界面で反射され、ＳｎＯ２膜とＧａＮ系化合物半導体へ戻る光の光学距離）が波長の１／４あるいは［（２ｍ＋１）／４：ｍは整数］倍になる角度で入射する光についても、界面反射光を減じ界面透過光を増す関係にあるので外部光取り出し効率が向上する。しかし、この特定の方向へ界面入射する光は、発光層で発光する光全体に対して一部である。
【０００５】
更に、ＧａＮ系化合物半導体から、ＳｎＯ２膜界面へ臨界角以上の角度で入射し、全反射する光については、この光に対し干渉光となるＳｎＯ２膜とエポキシ樹脂との界面で生じる戻り光が存在しないのでＳｎＯ２膜の効果はない。発光層内で発する光は完全拡散光とみなせ、上面のみから外部放射されるとすれば、ＧａＮ系化合物半導体からＳｎＯ２膜界面で全反射する光は全体の約６５％に及ぶ。この光の大半は、ＧａＮ系化合物半導体内で吸収され、これが外部量子効率向上の大きな妨げになっている。
【０００６】
従って、本発明の目的は、発光素子の光取り出し効率を向上させることによって高輝度化を実現する発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記の目的を達成するため、発光層と、前記発光層を含む前記発光層同等の屈折率材料と、前記発光層へ電力を供給するための電極と、前記発光層同等の屈折率材料に形成された部分的な光散乱部と、前記光散乱部に対応し拡散光を外部放射する凸面形状の光学系とを備える発光素子と、前記発光素子周辺を覆う光透過性の媒体とを有する発光装置において、
前記発光層から前記光学系の光放射面との間が、前記媒体に対し１０％以上かつ１．７以上の屈折率材料によって形成されていることを特徴とする発光装置を提供する。
【０００８】
前記光拡散部は、前記発光層同等の屈折率材料の前記凸面形状の光学系が形成される側の反対側の界面に形成されていても良い。
【０００９】
前記光拡散部は、前記発光層と異なる屈折率の基板と前記発光層を含む前記発光層同等の屈折率材料との界面に形成されていても良い。
【００１０】
前記光散乱部および前記凸面形状の光学系は、多数個密に形成されていても良い。
【００１１】
前記発光層と前記光学系との間にパッシベーション膜を有していても良い。
【００１２】
前記電極は、少なくとも放射面側が透明電極であっても良い。
【００１３】
前記電極は、少なくとも前記発光層から前記光学系の放射面側が前記光拡散部に対応した位置へ部分的に形成されている構成としても良い。
【００１４】
前記光拡散部は、Ａｌ２Ｏ３基板とＧａＮ発光層を含むＧａＮ系半導体材料との界面に形成されていても良い。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の発光装置によれば、発光素子の光取り出し効率が向上することによって発光装置の高輝度化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（第１の実施の形態）
（発光装置１の構成）
図１は、第１の実施の形態に係る発光装置の構成を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は光源であるＬＥＤ素子の断面図、（ｃ）は（ｂ）に示すＬＥＤ素子の上面Ｃ方向から見た図、（ｄ）はサファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板に設けられるピットの他の他の構成を示す図、（ｅ）はＬＥＤ素子の他の構成を示す部分図である。発光装置１は、ＧａＮ系半導体化合物によって形成されて上面に高屈折率樹脂部１１０を有するフェイスアップタイプのＬＥＤ素子１０と、ＬＥＤ素子１０と電気的に接続されるＣｕからなるリード部材１１Ａ，１１Ｂと、ＬＥＤ素子１０とリード部材１１Ａ，１１Ｂとを接続するＡｕからなるワイヤ１２と、ＬＥＤ素子１０、リード部材１１Ａ，１１Ｂ、およびワイヤ１２を一体的に封止する光透過性材料部であってエポキシ樹脂（ｎ＝１．５）からなり、表面に凸状レンズ部１３Ａが形成された封止部材１３とを有する。
【００１７】
（ＬＥＤ素子１０の構成）
ＬＥＤ素子１０は、図１（ｂ）に示されるように、Ａｌ２Ｏ３基板１０１と、光散乱部として矩形状のピット１０１ＡをＡｌ２Ｏ３基板１０１との界面部分に有するＧａＮ系半導体層１０２と、ＧａＮ系半導体層１０２内に形成される発光層１０３と、ＧａＮ系半導体層１０２の上面に設けられるＡｕ／Ｃｏ薄膜電極１０４と、パッド電極１０５と、ＬＥＤ素子１０の電極形成領域を除く表面を覆って設けられる透明な保護層としてのＳｉＮパッシベーション膜（屈折率：ｎ＝１．９）１０６と、ｎ側電極１０７と、ＬＥＤ素子１０の光取り出し面に設けられる薄膜状の材料層である高屈折率樹脂部１１０とを有する。このＬＥＤ素子１０は、エポキシ樹脂による封止加工時にレンズ効果を得るために少なくともｎ＝１．７の屈折率が必要である。
【００１８】
ＧａＮ系半導体層１０２は、例えば、Ａｌ２Ｏ３基板１０１側から、ｎ型ＧａＮクラッド層と、発光層１０３と、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層と、ｐ型ＧａＮコンタクト層とを順に結晶成長させることによって形成されており、Ａｌ２Ｏ３基板１０１とｎ型ＧａＮクラッド層との間にはＡｌＮバッファ層が設けられる。このＧａＮ系半導体層１０２の屈折率はｎ＝２．４である。
【００１９】
ＧａＮ系半導体層１０２のピット１０１Ａは、Ａｌ２Ｏ３基板１０１の表面をレーザ光の照射に基づいて凹状に除去することにより多数個密に形成されており、その表面にＧａＮ系半導体を結晶成長させることによって形成される。なお、レーザ光による除去の他に、Ａｌ２Ｏ３基板１０１の表面にピット１０１Ａの形成パターンに応じたフォトマスクを形成し、エッチングによる除去によって形成することもできる。
【００２０】
発光層１０３は、ＧａＮ障壁層とＩｎＧａＮ井戸層の多重量子井戸構造を有し、ピーク発光波長４６０ｎｍで発光する。
【００２１】
高屈折率樹脂部１１０は、屈折率ｎ＝２．０で薄膜状の熱硬化性樹脂からなり、厚さは１００μｍで形成されている。また、表面には図１（ｃ）に示すように傾斜面１１０ａと頂部１１０ｂからなる六角形状の略同面積の７つの面で形成される凸部１１０Ａが切削加工された金型からの転写によって多数個密に形成されており、頂部１１０ｂは、ＧａＮ系半導体層１０２のピット１０１Ａに対応した位置に配置されている。この凸部１１０Ａを有した高屈折率樹脂部１１０は、予め凸部１１０Ａを切削等でパターニングした熱硬化性樹脂からなる薄膜をＬＥＤ素子１０の光取り出し面に貼り付けることによって形成されている。なお、凸部は、７つの面のそれぞれの面の略中央部の法線が、ピット１０１Ａのやや上方を通る光学面形状としてある。
【００２２】
なお、凸部１１０Ａを有した高屈折率樹脂部１１０は、上記した貼り付けの他に、ワニス状の熱硬化性樹脂を型成型に基づいて設ける方法、ＬＥＤ素子１０の表面に設けられた熱硬化性樹脂を切削することで形成する方法等によって設けることができる。
【００２３】
（作  用）
図２は、ＧａＮ系半導体層１０２のピット１０１Ａで散乱された光の取り出しを示す光路図である。リード部材１１Ａおよび１１Ｂを図示しない電源装置に接続して通電すると、ＬＥＤ素子１０は発光層１０３において発光する。ＧａＮ系半導体層１０２の発光層（図示せず）で発せられる青色光の外部放射について、以下に、凸部１１０Ａ側に放射される青色光と、Ａｌ２Ｏ３基板１０１側に放射される青色光と、ＧａＮ系半導体層１０２に留まる青色光とについて説明する。
【００２４】
（凸部１１０Ａ側に放射される青色光の挙動）
ＧａＮ系半導体層１０２を透過し、ＳｉＮパッシベーション膜１０６と高屈折率樹脂部１１０の界面における臨界角θｃ以内の範囲にある青色光が高屈折率樹脂部１１０に入射し、外部放射される。従って、出射光１２１および１２２は高屈折率樹脂部１１０の凸部１１０Ａから外部放射される。また、出射光１２３および１２４は、ＳｉＮパッシベーション膜１０６を透過して高屈折率樹脂部１１０に入射し、凸部１１０Ａの斜面から外部放射される。
【００２５】
このように高屈折率樹脂部１１０に凸部１１０Ａを設けると、平坦面と比較して界面の面積が増すことにより、各方向から高屈折率樹脂部１１０に入射する青色光の外部放射効率が高まる。
【００２６】
（Ａｌ２Ｏ３基板１０１側に放射される青色光の挙動）
ＧａＮ系半導体層１０２を透過してＡｌ２Ｏ３基板１０１に入射し、Ａｌ２Ｏ３基板１０１の下面で散乱反射されることにより上方に向かう青色光については、凸部１１０Ａ側に放射される青色光と同様に高屈折率樹脂部１１０の凸部１１０Ａから外部放射される。
【００２７】
（ＧａＮ系半導体層１０２に留まる青色光）
ＧａＮ系半導体層１０２内を伝播する青色光について、ピット１０１Ａに至った光はピット１０１Ａにおいて散乱し、ＳｉＮパッシベーション膜１０６と高屈折率樹脂部１１０の界面における臨界角θｃ以内の範囲にある青色光が高屈折率樹脂部１１０に入射し、外部放射される。ここで、高屈折率樹脂部１１０にはピット１０１Ａに対応した位置に凸部１１０Ａが設けられて、光出射面への入射光の角度が垂直入射に近づけるものとされており、このことによって青色光が効率良く外部放射される。
【００２８】
（第１の実施の形態の効果）
（１）第１の実施の形態によると、パッシベーション膜をＳｉＮで形成し、その表面に凸部１１０Ａを有する高屈折率樹脂部１１０を設けているので、青色光の出射面積が拡大され、ＧａＮ系半導体層１０２からパッシベーション膜の臨界角θｃの範囲にある青色光が高屈折率樹脂部１１０に入射し、更に凸部１１０Ａから効率良く外部放射できるようになる。
（２）従来では、ＧａＮ系半導体層１０２に閉じ込められていた光をピット１０１Ａで散乱させることによって、高い確率で外部放射させることができる。ピット１０１Ａで散乱光が生じることにより、ピット１０１Ａを実質的な光源（擬似光源）として扱うことができる。この擬似光源からの光は、高屈折率媒体と低屈折率媒体との界面入射角が小さくなる形状とすることによって界面反射ロスを小にすることができる。
【００２９】
なお、同一の屈折率の光学系であれば、ピット１０１Ａを原点とする球面レンズあるいはその近似面（例えば、略同等面積の７つの面で構成され、それぞれの面の略中央部の法線がピット１０１Ａを位置を通るもの）によって理想的な外部放射を可能にできる。
【００３０】
また、第１の実施の形態では、便宜上、ＬＥＤ素子１０の各層を実際の寸法より厚く記載しているが、実施には、高屈折率樹脂部１１０の凸部１１０Ａと同一のスケールでは表現が困難なほど薄く形成されている。
【００３１】
（Ａｌ２Ｏ３基板１０１の光散乱形状の変形例）
図３（ａ）は、光散乱部の変形例を示す図である。この変形例では、発光層１０３からＡｌ２Ｏ３基板１０１側に放射された青色光を散乱させるピット１０１Ａ（凹部）に代えて、凸部１０１Ｂを光散乱部としてＡｌ２Ｏ３基板１０１に設けたものである。この凸部１０１Ｂは、例えば、Ａｌ２Ｏ３基板１０１の凸部１０１Ｂとなる部分以外の領域をエッチングによって除去することにより形成することができる。このような凸部１０１Ｂを設けることで、ＧａＮ系半導体層１０２を伝搬する青色光を凸形状に基づいて凹形状よりも光が達する確率を増すことにより効率良く散乱して光取り出し面方向に取り出すことができる。
【００３２】
（高屈折率樹脂部１１０の変形例）
図３（ｂ）は、高屈折率樹脂部１１０の変形例を示す図である。この変形例に示すようにＧａＮ系半導体層１０２のピット１０１Ａに対応した位置にレンズ状凸部１１０Ｂを設けた構成としても良い。このレンズ状凸部１１０Ｂは、曲面で形成されたＧａＮ系半導体層１０２とＳｉＮ系パッシベーション膜１０６との界面あるいはＳｉＮ系パッシベーション膜１０６と高屈折率樹脂部１１０との界面での屈折に対応した扁平状のレンズであり、ピット１０１Ａを原点とする半球形状として形成される凸部と比べて界面での反射を低減するのに有効である。
【００３３】
また、第１の実施の形態では高屈折率樹脂部１１０をＳｉＮパッシベーション膜１０６に積層して設ける構成を説明したが、ＳｉＮパッシベーション膜１０６を設けずに高屈折率樹脂部１１０をＬＥＤ素子１０の表面に設ける構成としても良い。
【００３４】
（第２の実施の形態）
（ＬＥＤ素子１０の構成）
図４は、第２の実施の形態に係るＬＥＤ素子の構成を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）はＬＥＤ素子の上面ｂ方向から見た図である。このＬＥＤ素子１０では、図４（ａ）に示すようにＧａＮ系半導体層１０２に光散乱部として微小な凹凸を集積して形成したピット１０１Ｃを有する構成において第１の実施の形態と相違している。なお、第１の実施の形態と同一の構成を有する部分については同一の引用数字を付している。
【００３５】
ピット１０１Ｃは、図４（ｂ）に示されるようにＬＥＤ素子１０の表面に設けられる高屈折率樹脂部１１０の凸部１１０Ａの形状に対応して六角形状に集積して形成されており、その端面は粗面化されている。
【００３６】
（第２の実施の形態の効果）
（１）第２の実施の形態によると、第１の実施の形態の好ましい効果に加えてピット１０１Ｃの端面が粗面化されていることで青色光の散乱性が向上する。
（２）また、ピット１０１Ｃは微小な凹凸を集積して形成されているので、青色光の散乱面積が大になって高屈折率樹脂部１１０の凸部１１０Ａにおける臨界角内に散乱された青色光を入射させることができ、そのことによってＬＥＤ素子１０からの光取り出し効率を高めることができる。なお、ピット１０１Ｃでは微小な凹凸を六角形状に集積した構成を説明したが、円状や四角等の他の幾何学形状に形成しても良い。また、ピット１０１Ｃを散在させず、Ａｌ２Ｏ３基板１０１との界面部分に連続的に設けるようにしても良い。
【００３７】
（第３の実施の形態）
（ＬＥＤ素子１０の構成）
図５は、第３の実施の形態に係るＬＥＤ素子の断面図である。このＬＥＤ素子１０では、ＧａＮ系半導体層１０２に設けられるピット１０１Ｃおよび高屈折率樹脂部１１０の凸部１１０Ａに対応した位置にＡｕ／Ｃｏ薄膜電極１０４を選択的に設けた構成において第２の実施の形態と相違している。なお、第２の実施の形態と同一の構成を有する部分については同一の引用数字を付している。
【００３８】
（第３の実施の形態の効果）
第３の実施の形態によると、第２の実施の形態の好ましい効果に加えてＧａＮより抵抗の小なるＡｕ／Ｃｏ薄膜電極１０４を設けた部分から発光層１０３に対して電流が注入されることにより、ピット１０１Ｃの位置に対応した発光層１０３で発光して青色光が生じる。発光層１０３から光取り出し面方向に放射される青色光は、第２の実施の形態のピット散乱光と同様に高屈折率樹脂部１１０の凸部１１０Ａにおける臨界角内に照射されることによって反射ロスを抑えながらＬＥＤ素子１０の外部に放射させることができる。
【００３９】
また、発光層１０３からＡｌ２Ｏ３基板１０１側に放射される青色光は、ピット１０１Ｃで散乱されてＡｕ／Ｃｏ薄膜電極１０４が形成されていない方向に放射されることにより、Ａｕ／Ｃｏ薄膜電極１０４による光吸収を抑えながらＬＥＤ素子１０の外部に放射させることができる。
【００４０】
（第４の実施の形態）
（ＬＥＤ素子１０の構成）
図６は、第４の実施の形態に係るＬＥＤ素子の断面図である。このＬＥＤ素子１０では、第２の実施の形態で説明したＬＥＤ素子１０のＡｕ／Ｃｏ薄膜電極１０４に代えてＩＴＯ（Indium Tin Oxide：Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、９０−１０ｗｔ％）１０８を用いた構成、ＧａＮ系半導体層１０２からＡｌ２Ｏ３基板１０１を剥離し、剥離面に光反射部としてＡｇ反射膜１０９を設けた構成、およびＡｇ反射膜１０９の形成面に半田層１１１を介して放熱部として銅ベース１１２を設けた構成において第２の実施の形態と相違している。なお、第２の実施の形態と同一の構成を有する部分については同一の引用数字を付している。
【００４１】
Ａｇ反射膜１０９は、Ａｌ２Ｏ３基板１０１を剥離することによって露出したＧａＮ系半導体層１０２のピット１０１Ｃ形成面にＡｇを蒸着させることによって鏡面状に形成されている。
（第４の実施の形態の効果）
（１）第４の実施の形態によると、第２の実施の形態の好ましい効果に加えてＧａＮ系半導体層１０２のピット１０１Ｃ形成面側から青色光の漏れを生じることなく、高屈折率樹脂部１１０からの光取り出し効率を向上させることができる。
（２）ＩＴＯ１０８を用いることでＡｕ／Ｃｏ薄膜電極１０４と比べて光吸収が小になり、ＧａＮ系半導体層１０２の横方向伝搬光が増加してピット１０１Ｃで散乱される青色光が増えるので、ＬＥＤ素子１０の外部に放射され易くなる。
（３）熱伝導性に優れる銅ベース１１２がピット１０１Ｃ形成面に一体的に設けられることによって放熱性が向上し、発光装置の高輝度化、大出力化に対応することができる。
【００４２】
なお、放熱部として設けられる銅ベース１１２は、例えば、アルミニウム等の他の熱伝導性に優れる金属材料によって形成されても良い。
【００４３】
また、ＩＴＯ以外の電極材料として、ＡＺＯ（ＺｎＯ：Ａｌ）、ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ、９０−１０ｗｔ％）を用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の構成を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は光源であるＬＥＤ素子の断面図、（ｃ）は（ｂ）に示すＬＥＤ素子の上面Ｃ方向から見た図、（ｄ）はサファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板に設けられるピットの他の他の構成を示す図、（ｅ）はＬＥＤ素子の他の構成を示す部分図である。
【図２】ＧａＮ系半導体層のピットで散乱された光の取り出しを示す光路図である。
【図３】（ａ）は、光散乱部の変形例を示す図である。  （ｂ）は、高屈折率樹脂部の変形例を示す図である。
【図４】第２の実施の形態に係るＬＥＤ素子の構成を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）はＬＥＤ素子の上面ｂ方向から見た図である。
【図５】第３の実施の形態に係るＬＥＤ素子の断面図である。
【図６】第４の実施の形態に係るＬＥＤ素子の断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１、発光装置  １０、ＬＥＤ素子  １１Ａ，１１Ｂ、リード部材
１２、ワイヤ  １３、封止部材  １３Ａ、凸状レンズ部
１０１、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板  １０１Ａ、ピット（凹部）
１０１Ｂ、凸部  １０１Ｃ、ピット  １０２、ＧａＮ系半導体層
１０３、発光層  １０４、Ａｕ／Ｃｏ薄膜電極  １０５、パッド電極
１０６、ＳｉＮパッシベーション膜  １０７、ｎ側電極
１０９、Ａｇ反射膜  １１０、高屈折率樹脂部  １１０Ａ、凸部
１１０Ｂ、レンズ状凸部  １１０ａ、傾斜面  １１０ｂ、頂部
１１１、半田層  １１２、銅ベース
【図１】
2005259891.tif 000003
【図２】
2005259891.tif 000004
【図３】
2005259891.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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