(57)【要約】【課題】ドライエッチングを用いてリッジ構造の半導体レーザを作製する場合に、結晶欠陥およびプラズマダメージの発生を防止する製造方法を提供する。【解決手段】ｎ型基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型クラッド層１０３、活性層１０４、ｐ型第１クラッド層１０５、ｐ型エッチングストップ層１０６、およびｐ型第２クラッド層１０７を、順次形成する。次に、ｐ型第２クラッド層１０７上に形成したストライプ状のＳｉＯ2膜１０９をマスクとして第２クラッド層１０７をエッチングストップ層１０６に至るまでドライエッチングする。その後、ドライエッチングにより付着したデポ物を除去し、硫酸系のエッチャントを用いてリッジの周りに露出したエッチングストップ層１０６のみを選択的に除去する。さらに、除去するためにサーマルクリーニングを行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、第１導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型の第１クラッド層と、前記第１導電型のクラッド層よりＡｌ含有率の高いエッチングストップ層と、第２導電型の第２クラッド層とをこの順に形成する工程と、
前記第２導電型の第２クラッド層をレーザ共振器の長手方向に延びるリッジ形状にエッチングする工程と、
前記リッジ形状にエッチングされた第２導電型の第２クラッド層の外側にあるエッチングストップ層を除去する工程と、
前記第２導電型の第１クラッド層の表面および前記リッジ形状の第２導電型の第２クラッド層の側面を化学的に処理する工程と、
前記第２導電型の第２クラッド層まで形成された前記半導体基板を熱処理する工程と、
前記半導体基板上に第１導電型の電流ブロック層を形成する工程と、
前記第１導電型の電流ブロック層上に第２導電型のコンタクト層を形成する工程とを備えた半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項２】
前記エッチングストップ層はＡｌ含有率が前記第２導電型の第２クラッド層より高いことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項３】
前記エッチングストップ層は前記活性層から発する光に対して吸収が起こらない材料であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項４】
前記エッチングストップ層は前記第２導電型のクラッド層と異なる材料系で構成されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項５】
前記エッチングストップ層は１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の膜厚を有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２導電型の第２クラッド層をリッジ形状にエッチングする工程において、
ドライエッチングを用いて前記第２導電型の第２クラッド層をエッチングし、前記エッチングストップ層に対する選択比が３以上であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項７】
前記エッチングストップ層を除去する工程において、
ウエットエッチングを用いて前記エッチングストップ層を除去し、前記第２導電型の第１クラッド層に対する選択比が６０以上であることを特徴とする請求項６記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項８】
前記エッチングストップ層を除去する工程において、
ウエットエッチングにより前記エッチングストップ層が除去され、前記エッチングストップ層のサイドエッチングが０．２μｍ以内であることを特徴とする請求項７記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２導電型の第１クラッド層の表面および前記リッジ形状の第２導電型の第２クラッド層の側面を０．５ｎｍ〜４ｎｍの範囲でエッチングして表面処理を行うことを特徴とする請求項７または８記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体基板の熱処理工程において、結晶成長装置または熱処理炉を用いて６００℃以上、２０分以内の時間で行う請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクの光源として使用される半導体レーザ装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＶＤの登場により光ディスクの高密度化が進展している。ＤＶＤ用ドライブとして、再生のみでなく、記録書き換え可能なＤＶＤ−ＲＡＭやＤＶＤ−ＲＷ等に対応したものが製品化されてきており、その記録倍速も高速化してきている。
【０００３】
このように光ディスク機器の多様化が進むに伴い、その光源である半導体レーザにも高機能化が要望されている。特に記録用途に対して半導体レーザの高出力化が強く望まれている。高出力化を達成するための手段として、いくつか提案されているが、活性層上部のクラッド層を非対称性がなく垂直性の高いリッジストライプ形状とすることが有効な手段の一つである。
【０００４】
リッジの垂直性を上げることで電流分布と光分布を同じになるよう近づける事で高出力化の妨げになっていたキンクレベル向上が図れる。
【０００５】
しかし、６５０ｎｍ帯の波長を有する可視光半導体レーザは、基板表面の面方位に対してその法線が結晶主軸からずれたオフ角を有する基板上に形成されるのが一般的であるため、ウエットエッチング技術を用いてリッジ形状の加工を行うと、基板のオフ角を反映した非対称な形状が得られ、リッジの非対称性を改善するのは困難であった。
【０００６】
近年、ドライエッチング技術とウエットエッチング技術を併用して、リッジストライプを形成する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
この技術を用いることにより、リッジの非対称性がウエットエッチング処理のみで加工する場合に比べて改善されたリッジストライプ形状が得られている。
【０００８】
また、リッジストライプの安定した形状を得るために、クラッド層の直下にクラッド層よりもエッチングされにくい材質からなるエッチングストップ層を設けるのが一般的である。レーザ発光特性や活性層への電流注入に影響を与えないように、エッチングストップ層は、活性層に対して光吸収の起こらない材料で数十ｎｍ程度の厚さを持つことが望ましい。
【０００９】
リッジストライプを高精度で、かつ再現性良く加工するには、クラッド層とエッチングストップ層との選択性を高くすることが重要である。
【００１０】
選択性をあげるために、特許文献１に示されたようなＧａＩｎＰ単層のエッチングストップ層に代えて、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸構造にすることが提案されており、これによって光吸収抑制と選択性向上がなされている（例えば、特許文献２参照）。
【００１１】
このようにエッチングストップ層を多層構造とすることは、ＧａＡｓ系材料を用いた赤外レーザにおいても提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【００１２】
別の構成として、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザにおいて、エッチングストップ層をＡｌＧａＡｓとする例も示されている（特許文献４参照）。
【００１３】
このうち、特許文献１に示された従来の技術における半導体レーザ装置の製造方法について図３を用いて説明する。
【００１４】
図３（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板３０１上に有機金属気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法という）により、ｎ型ＧａＡｓバッファ層３０２、ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層３０３、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸構造活性層３０４、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１クラッド層３０５、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストップ層３０６、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層３０７、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ中間層３０８を順次エピタキシャル成長させる。なお、特許文献３に示されるように、エッチングストップ層としてＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸構造の多層膜を形成してもよい。
【００１５】
次に、図３（ｂ）に示すようにＳｉＯ2膜３０９などの誘電体膜もしくはレジストを堆積させ、フォトリソグラフィー技術あるいはエッチング技術を併用してこれをストライプ状に加工した後、ドライエッチング技術を用いてｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ中間層３０８とｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層３０７の一部をエッチングする。
【００１６】
次に、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層３０７をエッチングストップ層３０６に至るまでウエットエッチング技術を用いてエッチングし、リッジストライプを形成する。
【００１７】
図３（ｃ）に示すようにｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層３１０、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層３１１を順次成長させる。次に基板表面および基板裏面に電極を形成(図示せず)して半導体レーザ装置を作製する。
【００１８】
上記の製造方法において、エッチングストップ層がリッジストライプ形成後に露出していると、その後の電流ブロック層成長時に、エッチングストップ層と電流ブロック層の界面急峻性によるヘテロ障壁緩和が起こり、電流狭窄ロスになることが、例えば特許文献５に示されており、その対策としてエッチングストップ層を塩素系を用いたドライエッチングにより除去する製造方法が提案されている（特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００３−６９１５４号公報
【特許文献２】特開平７−１６２０８９号公報
【特許文献３】特開平７−１４２８０８号公報
【特許文献４】特開平４−２７１８４号公報
【特許文献５】特開２００２−１９０６４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかし、エッチングストップ層と、活性層材料ならびにリッジストライプ加工するｐ型第２クラッド層材料とが同じＰ系材料であると、特にリッジ形状の加工をすべてドライエッチングで行う際、エッチングストップ層に対する選択性の確保が困難であり、エッチングストップ層を突き抜けてエッチングが進行するおそれが高く、歩留まり低下の大きな要因となりうる。
【００２０】
そのため、上記の従来技術では、リッジストライプ加工を、最初はドライエッチングで行い、次にウエットエッチングで行っているのだが、ウエットエッチングを行うと、結晶面方位に依存した加工形状となるため、オフ角を有する基板上では、その上にエピタキシャル成長した膜も同じ結晶方位となり、せっかくドライエッチングで得られたリッジの垂直形状を崩してしまうという問題があった。このことが高出力化を阻害する要因となるのは既に述べたとおりである。
【００２１】
また、後からウエットエッチングを行う場合には、エッチングストップ層の選択性を比較的高くできるが、それでも、ドライエッチングのエッチング深さばらつき等の影響でウエハの一部にてエッチングストップ層が抜けてしまうという問題が残ってしまい、歩留り低下の原因にもなりうる。
【００２２】
また、特許文献２にあるように、エッチングストップ層をＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸構造にすることで選択性のさらなる確保が可能となるが、この場合、エッチング後の最表面は、クラッド層との選択比から考えてＧａＩｎＰ層になる。
【００２３】
そうすると、この上にＡｌＩｎＰ電流ブロック層を形成した際、エッチングストップ層の間にヘテロ障壁による電流ブロックロスが生じる。この対策として特許文献３にあるように塩素系ガスを用いたドライエッチングでエッチングストップ層を除去することも考えられるが、エッチングストップ層のエッチングを、直下のＡｌＧａＩｎＰクラッド層表面で制御性よく停止させることはかなり困難である。これはクラッド層のＡｌ組成が３割程度と低いためである。また、このエッチングにより塩素系ガスを用いることによるプラズマダメージを受けたり、すでに形成しているリッジ形状を損なう恐れがある。
【００２４】
また、特許文献５に示されるようにＡｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ層として、Ａｌ組成を高くし、エッチング選択性を向上させる方法もあるが、この場合も、プラズマダメージを除去することなく埋め込み成長を行うため、界面準位の影響による結晶性の悪化を起こし、良好なデバイス特性を得るのが困難である。
【００２５】
本発明は、前記従来の問題を解決するため、ドライエッチング技術、ウエット技術のどちらを用いてもエッチングストップ層で高い選択性でエッチングを停止させ、精度良く、再現性良く、垂直性の高いリッジ形状を可能にすることで電流分布と光分布の偏りがなくなり高出力化が図れるだけでなく、選択性の高いエッチングストップ層を用いることで、ウエットエッチングにより容易にエッチングストップ層を除去することを可能にし、更にプラズマダメージを熱処理により除去するために、エッチングストップ層のロスならびにその後の電流ブロック層成長時の界面急峻による電流ブロックロスを抑制できるために発振効率の高い半導体レーザ装置とその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記の目的を達成するため、本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、半導体基板上に、第１導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型の第１クラッド層と、前記第１導電型のクラッド層よりＡｌ含有率の高いエッチングストップ層と、第２導電型の第２クラッド層とをこの順に形成する工程と、前記第２導電型の第２クラッド層をレーザ共振器の長手方向に延びるリッジ形状にエッチングする工程と、前記リッジ形状にエッチングされた第２導電型の第２クラッド層の外側にあるエッチングストップ層を除去する工程と、前記第２導電型の第１クラッド層の表面および前記リッジ形状の第２導電型の第２クラッド層の側面を化学的に処理する工程と、前記第２導電型の第２クラッド層まで形成された前記半導体基板を熱処理する工程と、前記半導体基板上に第１導電型の電流ブロック層を形成する工程と、前記第１導電型の電流ブロック層上に第２導電型のコンタクト層を形成する工程とを備えている。
【００２７】
前記エッチングストップ層はＡｌ含有率が前記第２導電型の第２クラッド層より高いことが好ましい。
【００２８】
前記エッチングストップ層は前記活性層から発する光に対して吸収が起こらない材料であることが好ましい。
【００２９】
前記エッチングストップ層は前記第２導電型のクラッド層と異なる材料系で構成されることが好ましい。
【００３０】
前記エッチングストップ層は１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の膜厚を有することが好ましい。
【００３１】
前記第２導電型の第２クラッド層をリッジ形状にエッチングする工程において、ドライエッチングを用いて前記第２導電型の第２クラッド層をエッチングし、前記エッチングストップ層に対する選択比が３以上であることが好ましい。
【００３２】
前記エッチングストップ層を除去する工程において、ウエットエッチングを用いて前記エッチングストップ層を除去し、前記第２導電型の第１クラッド層に対する選択比が６０以上であることが好ましい。
【００３３】
前記エッチングストップ層を除去する工程において、ウエットエッチングにより前記エッチングストップ層が除去され、前記エッチングストップ層のサイドエッチングが０．２μｍ以内であることが好ましい。
【００３４】
前記第２導電型の第１クラッド層の表面および前記リッジ形状の第２導電型の第２クラッド層の側面を０．５ｎｍ〜４ｎｍの範囲でエッチングして表面処理を行うことが好ましい。
【００３５】
前記半導体基板の熱処理工程において、結晶成長装置または熱処理炉を用いて６００℃以上、２０分以内の時間で行うことが好ましい。
【発明の効果】
【００３６】
以上のように、エッチングストップ層としてリッジ形状に加工される第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層と異なる材料系であるＡｌＧａＡｓを用いることにより、ドライエッチングを用いて垂直性の高いリッジストライプ形成を可能にし、電流分布と光分布の対称性を大幅に改善することで、キンクレベルの飛躍的な向上が図れる。
【００３７】
また、リッジ形成後にエッチングストップ層をウエットエッチングにより選択的に除去した後、リッジ側面および第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層の表面処理による平滑性の向上とダメージ層の結晶回復をアニールにより行うことで、その後の結晶成長においても電流ブロックロスの生じない良好な電流ブロック層形成ができ、発振効率の高い素子特性が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態における製造方法の各工程を示す断面図である。
【００３９】
まず図１（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１０３、ＧａＩｎＰ系材料の活性層１０４、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１クラッド層１０５、ｐ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓエッチングストップ層１０６、およびｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層１０７、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ中間層１０８を順次形成する。
【００４０】
なお、本実施の形態で用いたｎ型ＧａＡｓ基板１０１は、数度から十数度程度基板主軸が表面から傾いたオフ基板である。
【００４１】
また、ＧａＩｎＰ系材料の活性層１０４は、従来例と同様にＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸構造の活性層であってもよい。
【００４２】
次に図１（ｂ）に示すように、ｐ型第２クラッド層１０７上に、ＳｉＯ2膜１０９を形成した後、フォトリソグラフィーとドライエッチング技術により、ストライプ状に加工する。ストライプ状のＳｉＯ2膜１０９をマスクとして第２クラッド層１０７をＡｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓエッチングストップ層１０６に至るまでドライエッチングする。
【００４３】
この場合、誘導結合型プラズマもしくは、反応性イオンプラズマを用いたエッチングが垂直形状を制御性よく保つには有効である。リッジストライプ加工時のエッチングガスとして、ＳＦ6にＳｉＣｌ4、Ｏ2ガスなどを適度な比率で混合したガスを用いた。
【００４４】
その後、図１（ｃ）に示すようにドライエッチングにより付着したデポ物を除去し、硫酸系のエッチャントを用いてリッジの周りに露出したエッチングストップ層１０６のみを選択的に除去する。
【００４５】
次に、図１（ｄ）に示すように、上記の各層が形成された基板１０１を硫酸系のエッチャントを用いて表面処理をした後、再びＭＯＣＶＤ反応炉に設置し、ＳｉＯ2膜１０９をマスクとして、ｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１１０を選択成長させる。その際に、ドライエッチングにより形成されたダメージを除去するためにサーマルクリーニングを行う(図示せず)。
【００４６】
その後、ＭＯＣＶＤ反応炉から取り出してＳｉＯ2膜１０９を除去し(図示せず)、再びＭＯＣＶＤ反応炉に設置して、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１を成長させる。なお、プラズマダメージ層除去のためのサーマルクリーニングはＭＯＣＶＤ炉に限らず熱処理炉を用いても同様な効果が得られる。
【００４７】
以上のようにエッチングストップ層１０６としてＡｌＧａＡｓ系材料を用いる事でドライエッチングのみでリッジストライプを形成することができ、垂直性の高い形状を得ることができる。
【００４８】
また、エッチングストップ層とクラッド層とを異種材料とすることで、エッチングストップ層のみを容易にウエットエッチングすることができる。
【００４９】
なお、エッチングストップ層１０６のＡｌ含有率が低いと、光吸収抑制とドライエッチングによる選択性の確保が困難であるため、エッチングストップ層の組成は、ＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ≧０．４）であることが望ましい。
【００５０】
特にｐ型第２クラッド層１０７よりもＡｌ含有率が高いと、選択比を高く保つことが容易である。
【００５１】
Ａｌ含有量が低いと発光波長のエネルギーよりもエッチングストップ層１０６のエネルギーギャップが小さくなり、光吸収が起こって出力の低下や熱的暴走等が起こる恐れがあるからである。
【００５２】
ＡｌＧａＡｓ材料におけるＡｌ含有率と吸収波長との関係を図２に示す。本実施の形態では、６５０ｎｍ帯の発光波長を有するＧａＩｎＰ系材料の活性層１０４を用いている事より、その波長よりも短波長の発光が得られるよう組成決定を行う事が必要である。
【００５３】
上記のように組成を決定しても、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層１０７とＡｌＧａＡｓエッチングストップ層１０６とでは材料系が異なり、またＡｌ組成が異なることから、ドライエッチング時において３以上のエッチング選択比を確保することが可能である。
【００５４】
また、エッチングストップ層１０６の膜厚は１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下とした。これは、エッチングストップ層１０６を除去する工程で、エッチングストップ層１０６がリッジ内部に向かってサイドエッチングされるのを抑制するためであり、また、そのことによる水平拡がり角への影響を抑制するためである。このように膜厚設定する事で、リッジ底部において、エッチングストップ層１０６のサイドエッチングを０．２μｍ以内とすることが可能である。
【００５５】
図１（ｃ）で示したエッチングストップ層１０６除去工程では、Ａｓ系材料を使用しているために、Ｐ系材料であるクラッド層に対して高い選択性を保つことができ、選択比を６０以上とすることも可能である。このことにより、精度良く容易にエッチングストップ層除去が行える。
【００５６】
例えば、硫酸に過酸化水素を適当に混合する事で高い選択性でエッチングが可能である。
【００５７】
また、上記した表面処理として、エッチングレートが数ｎｍ／分となるような硫酸系のエッチャントを用いて処理を行い、ｐ型第１クラッド層１０５の表面およびリッジ形状に加工されたｐ型第２クラッド層１０７の側面を０．５ｎｍ〜４ｎｍ程度、数原子層相当をエッチングした。
【００５８】
このことにより、ｐ型第１クラッド層１０５とエッチングストップ層１０６との界面に変成層ができていたり、ｐ型第２クラッド層１０７の側面にポリマー層等が形成されている場合でも、これらを除去して表面平滑性の向上をさせ、続けて行う工程で、良好な結晶性を有するｎ型電流ブロック層１１０を得ることが可能となる。
【００５９】
また、ドライエッチングにより生じたプラズマダメージ層を除去するために、ｎ型電流ブロック層１１０を成長させる工程で、水素もしくは窒素雰囲気中で約７００℃、２分ほどのアニールを行って結晶性を回復させダメージを除去した後、ｎ型電流ブロック層１１０を成長させた。
【００６０】
このことにより、先に行った表面処理と合わせて結晶欠陥の発生を抑制し、良好な結晶成長が行える。さらに、界面準位の発生も抑えられ、デバイス特性もまた良好なものとすることが可能である。
【００６１】
なお、アニールは６００℃以上で行えば本発明の効果を発揮できるが、ｐ型のドーパントであるＺｎ拡散によるデバイス特性への影響を抑制するために、７００℃にて行う場合は、２０分以内とすることが望ましい。
【００６２】
また、ＲＴＰ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）による短時間アニールを用いても同様な効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、リッジ形状を改善してさらに電流ブロック層の結晶性を損なわないため、高出力かつ高信頼性の半導体レーザ装置が得られる製造方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施の形態における半導体レーザ装置の製造工程説明図
【図２】本発明の実施の形態におけるエッチングストップ層のＡｌ含有率と吸収端波長を示した図
【図３】従来の技術における半導体レーザ装置の製造工程説明図
【符号の説明】
【００６５】
１０１、３０１  ｎ型ＧａＡｓ基板
１０２、３０２  ｎ型ＧａＡｓバッファ層
１０３、３０３  ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層
１０４  ＧａＩｎＰ系材料の活性層
１０５、３０５  ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１クラッド層
１０６  ｐ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓエッチングストップ層
１０７、３０７  ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層
１０８、３０８  ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ中間層
１０９、３０９  ＳｉＯ2膜
１１０、３１０  ｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層
１１１、３１１  ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
３０４  ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸構造活性層
３０６  ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストップ層
【図１】
2005159229.tif 000003
【図２】
2005159229.tif 000004
【図３】
2005159229.tif 000005