(57)【要約】【課題】従来装置より厚さが薄く、小型化された固体撮像用半導体装置を提供する。【解決手段】固体撮像用半導体装置は、レンズ付着部と、光を画像信号に変換する固体撮像用半導体チップと、固体撮像用半導体チップのスクライブラインに形成されたビアホール内に形成され、固体撮像用半導体チップの上面に形成されたボンディングパッドと下面に形成されたターミナルとを電気的に連結する導電性物質と、固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルを介して電気的に接続する回路基板とを含む。また、この固体撮像用半導体装置は、導電性物質の代りに固体撮像用半導体チップの側面に沿って形成された導電性ラインを利用することができる。【選択図】図１Ａ
2005012207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体撮像用レンズが付着されたレンズ付着部と；
前記固体撮像用レンズの垂直下部に設置され、前記固体撮像用レンズからの光を画像信号に変換する固体撮像用半導体チップと；
前記固体撮像用半導体チップのスクライブラインに形成されたビアホール内に形成され、前記固体撮像用半導体チップの上面に形成されたボンディングパッドと前記固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルとを電気的に連結する導電性物質と；
前記レンズ付着部と接着されて形成され、前記固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルを介して前記固体撮像用半導体チップと電気的に接続する回路基板とを含むことを特徴とする固体撮像用半導体装置。
【請求項２】
前記固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルと前記回路基板上面に形成された金属配線とがソルダボールまたは金属バンプにより電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項３】
前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続される画像処理用半導体チップをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項４】
前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続される画像処理用半導体チップは、ワイヤボンディングを介して前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続されることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項５】
前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続される画像処理用半導体チップは、ソルダボールあるいは金属バンプを介して前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続されることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項６】
前記回路基板は、前記固体撮像用レンズの下部に開口部が形成され、前記画像処理用半導体チップは前記開口部を介して前記固体撮像用半導体チップの後面と接着されていることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項７】
前記画像処理用半導体チップは、ワイヤボンディングを介して前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続されることを特徴とする請求項６に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項８】
前記固体撮像用レンズの垂直下部に設置され、前記固体撮像用半導体チップの垂直上部に形成された赤外線遮断用フィルタをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項９】
前記回路基板は、前記固体撮像用レンズの下部に開口部があるフレキシブル回路基板であって、前記画像処理用半導体チップは前記開口部を介して前記固体撮像用半導体チップの後面と接着されていることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項１０】
前記画像処理用半導体チップは、タップボンディングを介して前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続されることを特徴とする請求項９に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項１１】
前記固体撮像用レンズの垂直下部に設置され、前記固体撮像用半導体チップの垂直上部に形成された赤外線遮断用フィルタをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項１２】
固体撮像用レンズが付着されたレンズ付着部と；
前記固体撮像用レンズの垂直下部に設置され、前記固体撮像用レンズからの光を画像信号に変換する固体撮像用半導体チップと；
前記固体撮像用半導体チップの側面に沿って形成され、前記固体撮像用半導体チップの上面に形成されたボンディングパッドと前記固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルとを電気的に連結する導電性ラインと；
前記レンズ付着部の下段に固定設置され、前記導電性ラインを介して前記固体撮像用半導体チップと電気的に接続する回路基板とを含むことを特徴とする固体撮像用半導体装置。
【請求項１３】
前記固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルと前記回路基板上面に形成された金属配線とがソルダボールまたは金属バンプにより電気的に接続されることを特徴とする請求項１２に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項１４】
前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続する画像処理用半導体チップをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項１５】
前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続する画像処理用半導体チップは、ワイヤボンディングを介して前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続されることを特徴とする請求項１４に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項１６】
前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続する画像処理用半導体チップは、ソルダボールあるいは金属バンプを介して前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続されることを特徴とする請求項１４に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項１７】
前記回路基板は、前記固体撮像用レンズの下部に開口部が形成され、前記画像処理用半導体チップは前記開口部を介して前記固体撮像用半導体チップの後面と接着されていることを特徴とする請求項１４に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項１８】
前記画像処理用半導体チップは、ワイヤボンディングを介して前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続することを特徴とする請求項１７に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項１９】
前記固体撮像用レンズの垂直下部に設置され、前記固体撮像用半導体チップの垂直上部に形成された赤外線遮断用フィルタをさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項２０】
前記回路基板は、前記固体撮像用レンズの下部に開口部があるフレキシブル回路基板であって、前記画像処理用半導体チップは前記開口部を介して前記固体撮像用半導体チップの後面と接着されていることを特徴とする請求項１４に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項２１】
前記画像処理用半導体チップは、タップボンディングを介して前記回路基板の下面に形成されたターミナルと接続されることを特徴とする請求項２０に記載の固体撮像用半導体装置。
【請求項２２】
前記固体撮像用レンズの垂直下部に設置され、前記固体撮像用半導体チップの垂直上部に形成された赤外線遮断用フィルタをさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の固体撮像用半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体撮像用半導体装置に係り、特に上面に形成されたボンディングパッドと下面に形成されたターミナルとを含み、光を画像信号に変換する固体撮像用半導体チップを含む固体撮像用半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯端末機や携帯電話機などのモバイル装置には、通常、固体撮像用半導体チップとレンズとを組合わせた形態のカメラモジュールが搭載されている。このような小型カメラを備えた携帯電話機は、通話者の映像を小型カメラによって撮像し、画像データとして入力して、通話相手方にその画像データを送信する。
【０００３】
携帯電話機や携帯用パーソナルコンピュータ（携帯型ＰＣ）は、さらに小型化が進行しており、これらに使われるカメラモジュールも小型化が要求されている。このようなカメラモジュールの小型化の要求を満足させるために、レンズと固体撮像用半導体チップとを一体化して形成された半導体装置パッケージが開発されている。
【０００４】
図１１及び図１２は、従来の固体撮像用半導体装置の概略的構成を示したものである。
【０００５】
図１１は、従来のカメラモジュールの構成を示している。すなわち、固体撮像用レンズ２０と赤外線遮断用フィルタ（ＩＲ  ｃｕｔ  ｆｉｌｔｅｒ）２５とが付着しているレンズ付着部１５が、回路基板１０の上部一面に接着剤により固着されている。固体撮像用半導体チップ４０は固体撮像用レンズ２０からの光を画像信号に変換する光電変換素子群で構成されたチップであって、回路基板１０の中心上部に位置して回路基板１０とワイヤボンディング（Ｗｉｒｅ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）２されている。また、回路基板１０は配線接合部３５を介してフレキシブル配線基板３０と接続されている。
【０００６】
図１１に示したような固体撮像用半導体装置の場合、固体撮像用半導体チップ４０はワイヤボンディング２によって回路基板１０に搭載されるので、ワイヤボンディング２用のパッドを固体撮像用半導体チップ４０の周囲と回路基板とに配置する必要があり、これは半導体装置パッケージの小型化の障害となる。
【０００７】
図１２は、他の従来のカメラモジュールの構成を示している。すなわち、固体撮像用レンズ２０と赤外線遮断用フィルタ２５とが付着しているレンズ付着部１５が、回路基板６の上部一面に接着剤により固着されている。回路基板６は一部に開口部を形成したり、透明な素材で構成される。固体撮像用半導体チップ４０は固体撮像用レンズ２０からの光を画像信号に変換する光電変換素子群で構成されたチップであって、回路基板６の中心下部に位置し、回路基板６とフリップチップ（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ）接続４されている。また、回路基板６は配線接合部３５を介してフレキシブル配線基板３０と接続されている。
【０００８】
このように、固体撮像用半導体チップ４０がフリップチップ接続４により回路基板６の下部と接続された場合は、ワイヤボンディング２により接続した場合より実装面積が相対的に小さいが、回路基板６に固体撮像用開口部を形成したり、回路基板６を透明な材料で構成しなければならないという制約を受ける。
【０００９】
このような従来の固体撮像用半導体装置に関しては、特許文献１に開示されるものが知られている。
【特許文献１】大韓民国特開第２００３−０００４３５３号
【特許文献２】米国特許第６，２３５，５５４号
【特許文献３】大韓民国特開第２００３−００２３０４０号
【特許文献４】米国特許第６，３９１，６８５号
【特許文献５】大韓民国特開第２００１−０００１１５９号
【特許文献６】大韓民国特開第２００１−００１８６９４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明が解決しようとする技術的課題は、従来装置より厚さが薄くて、小型化された固体撮像用半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記技術的課題を達成するための本発明の一実施形態による固体撮像用半導体装置は、固体撮像用レンズが付着されたレンズ付着部と、前記固体撮像用レンズの垂直下部に設置され、前記固体撮像用レンズからの光を画像信号に変換する固体撮像用半導体チップと、前記固体撮像用半導体チップのスクライブラインに形成されたビアホール内に形成され、前記固体撮像用半導体チップの上面に形成されたボンディングパッドと前記固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルとを電気的に連結する導電性物質を有するビアホールと、前記レンズ付着部と接着されて形成されて前記固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルを介して前記固体撮像用半導体チップと電気的に接続する回路基板とを含む。
【００１２】
前記技術的課題を達成するための本発明の他の実施形態による固体撮像用半導体装置は、固体撮像用レンズが付着されたレンズ付着部と、前記固体撮像用レンズの垂直下部に設置され、前記固体撮像用レンズからの光を画像信号に変換する固体撮像用半導体チップと、前記固体撮像用半導体チップの側面に沿って形成され、前記固体撮像用半導体チップの上面に形成されたボンディングパッドと前記固体撮像用半導体チップの下面に形成されたターミナルとを電気的に連結する導電性ラインと、前記レンズ付着部の下段に固定設置されて前記導電性ラインを介して前記固体撮像用半導体チップと電気的に接続する回路基板とを含む。
【発明の効果】
【００１３】
前述したように本発明による固体撮像用半導体装置は、固体撮像用半導体チップと回路基板とをビアホールまたは導電性ラインを利用して連結することによって従来装置より厚さを小さく、実装面積も小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付された図面を参照しつつ、詳細に後述されている実施形態の説明から明確になるであろう。しかし本発明は以下に開示する実施形態に限定されるものではなく、多様な形態で実現することができる。本実施形態は単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範ちゅうを完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は請求項の範ちゅうにより定義されるものである。なお、以下の説明においては明細書全体に渡って同一の参照符号は同一の構成要素を示す。
【００１５】
以下、本発明の実施形態１を図１Ａ乃至図１Ｃに基づいて説明する。
【００１６】
図１Ａに示したように、固体撮像用レンズ２０と赤外線遮断用フィルタ２５とが付着しているレンズ付着部１５が回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ；ＰＣＢ）１０の上部一面に接着剤により固着されている。固体撮像用半導体チップ４０は固体撮像用レンズ２０からの光を画像信号に変換する光電変換素子群で構成されたチップであって、回路基板１０の上部に接着剤により固着される。
【００１７】
ここで、固体撮像用半導体チップ４０には、例えばＣＭＯＳイメージセンサ（ＣＭＯＳ  Ｉｍａｇｅ  Ｓｅｎｓｏｒ；ＣＩＳ）を構成する２次元に配列された光電変換素子群で構成される光電変換部（センサ部）、光電変換素子群を順に駆動して信号電荷を得る駆動回路部、信号電荷をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換部と、デジタル信号を映像信号出力に変換する信号処理部、デジタル信号の出力レベルを基礎に電気的に露光時間を制御する露光制御手段を同一の半導体チップ上に形成した半導体回路部などが設置されているものとする。もちろん、固体撮像用半導体チップ４０はＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅｄ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）を含む。
【００１８】
図１Ｂは、図１Ａの固体撮像用半導体チップ４０を拡大した断面図である。
【００１９】
図１Ｃは、図１Ａの固体撮像用半導体チップ４０を拡大した部分の切開斜視図である。
【００２０】
図１Ａ乃至図１Ｃに示すように、本発明の一実施形態において、素子形成領域３００とスクライブライン３０５とで構成された固体撮像用半導体チップ４０のスクライブライン３０５に、エッチング技術またはレーザを利用してビアホール４５を形成する。ビアホール４５は固体撮像用半導体チップ４０の上面に形成されたボンディングパッド３２０と電気配線３１０で連結される。また、ビアホール４５の内部に形成された導電性物質を介して半導体チップ４０の上面に形成されたボンディングパッド３２０と固体撮像用半導体チップ４０の下面に形成されたターミナル３１５とは電気的に連結される。導電性物質としてはＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉなどを用いるのが望ましい。導電性物質はスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、化学気相蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）または電気メッキ（ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ）などの方法で形成することができる。また、ビアホール４５の下部はソルダボール、金属バンプまたは異方性導電樹脂（Ａｎｉｓｏｔｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ；ＡＣＦ）に含有された導電性粒子などの電気的接合手段３３０を用いて回路基板１０と連結される。
【００２１】
ビアホール（ｖｉａｈｏｌｅ）４５の形成及びビアホールと回路基板との連結方法は公知であり、例えば特許文献２や特許文献３などに開示されている。
【００２２】
回路基板１０とフレキシブル配線基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｃａｂｌｅ）３０とは、配線接合部３５によって電気的に接続される。
【００２３】
図１Ａに示すように構成される本発明による固体撮像用半導体装置は、固体撮像用レンズ２０及び赤外線遮断用フィルタ２５を介して回路基板１０上の固体撮像用半導体チップ４０におけるセンサ部に被写体像を結像させて光電変換することにより、例えばデジタルまたはアナログのイメージ信号が出力されるように動作する。
【００２４】
次に、本発明の実施形態２を図２に基づいて説明する。図２は実施形態２の構成を示した概略図である。図２において、図１Ａと同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００２５】
図１Ａと異なる点は、回路基板１０の後面のターミナル（図示せず）とワイヤボンディング６５された画像処理用半導体チップ６０とをさらに含む点である。ここで、画像処理用半導体チップ６０は固体撮像用半導体チップ４０からのイメージ信号を処理する役割を有する。
【００２６】
本実施形態においては、画像処理用半導体チップ６０をトランスファモールド技術による絶縁性封止樹脂７０により封止するため、ワイヤボンディング６５の接続部の信頼性を向上させることができ、強度も補強できる。絶縁性封止樹脂７０は、例えばエポキシ樹脂、シリコン樹脂などが使われる。
【００２７】
次に、本発明の実施形態３を図３に基づいて説明する。図３は実施形態３の構成を示した概略図である。図３において、図１Ａと同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００２８】
図１Ａと異なる点は、画像処理用半導体チップ６０が回路基板１０の下部に形成された配線と電気的接合手段１６５を介して電気的に連結される点である。電気的接合手段１６５はバンプ（Ｂｕｍｐ）、ソルダボール（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｂａｌｌ）または異方性導電樹脂（Ａｎｉｓｏｔｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ；ＡＣＦ）に含有された導電性粒子などで構成される。もちろん、電気的接合手段１６５を絶縁性封止樹脂（図示せず）で封止し、電気的に接合された部分の信頼性の向上と電気的接合手段の強度の補強とを図ることができる。絶縁性封止樹脂（図示せず）は例えばエポキシ樹脂、シリコン樹脂などが使われる。
【００２９】
本実施形態において固体撮像用半導体装置は、画像処理用半導体チップ６０をワイヤボンディングで接続する代わりに金属バンプまたはソルダボールのような電気的接合手段１６５を用いるために、さらに一層薄く形成することができる。
【００３０】
次に、本発明の実施形態４を図４に基づいて説明する。図４は実施形態４の構成を示した概略図である。図４において、図２と同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００３１】
図２と異なる点は、固体撮像用レンズ２０と対向する回路基板１１０の一部に開口部９０が形成され、固体撮像用半導体チップ４０が開口部９０上に形成され、画像処理用半導体チップ６０が回路基板１１０の開口部９０内部の固体撮像用半導体チップ４０の後面に接合された形態で配置され、回路基板１１０の後面に形成されているターミナル（図示せず）とワイヤボンディング６５を介して接続されるという点である。
【００３２】
本実施形態において固体撮像用半導体装置は、画像処理用半導体チップ６０が回路基板１１０の開口部９０内部に配置され、固体撮像用半導体チップ４０の後面と接着剤で固着されているので、回路基板１１０の厚さだけさらに一層固体撮像用半導体装置パッケージを薄く形成することができる。
【００３３】
次に、本発明の実施形態５を図５に基づいて説明する。図５は実施形態５の構成を示した概略図である。図５において、図１Ａと同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００３４】
図１Ａと異なる点は、回路基板２１０が固体撮像用レンズ２０と対向する部分に開口部９０が形成されているフレキシブル回路基板であって、開口部９０内部に配置された画像処理用半導体チップ６０が回路基板２１０の銅導線（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｌｅａｄ）８０とタップボンディング（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ；ＴＡＢ）しているという点である。
【００３５】
本実施形態においては、画像処理用半導体チップ６０を絶縁性封止樹脂１７０により封止するため、タップボンディングの接続部の信頼性を向上させることができ、強度も補強できる。ここで、絶縁性封止樹脂は液状であって熱硬化性樹脂であることが望ましい。
【００３６】
次に、本発明の実施形態６を、図６Ａ乃至図６Ｃに基づいて説明する。図６Ａは実施形態６の構成を示した概略図である。
【００３７】
図６Ｂは、図６Ａの固体撮像用半導体チップ４０を拡大した断面図である。
【００３８】
図６Ｃは、図６Ａの固体撮像用半導体チップ４０を拡大した部分の切開斜視図である。
【００３９】
図６Ａ乃至図６Ｃに示したように、本発明の一実施形態において、固体撮像用半導体チップ４０のスクライブラインにエッチング技術またはレーザを利用してビアホールを形成し、ビアホールの内部に導電性物質を形成した後、ビアホールを切削して導電性ライン１４５を形成することができる。
【００４０】
図６Ａ乃至図６Ｃにおいて、図１Ａと同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。図１Ａと異なる点は、固体撮像用半導体チップ４０の側面に形成された導電性ライン１４５で固体撮像用半導体チップ４０と回路基板１０とが電気的に接続されるという点である。導電性ライン１４５は電気が通じるようにＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ等のような導電性金属で構成されることが望ましい。導電性物質はスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、化学気相蒸着または電気メッキ（ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ）などの方法で形成することができる。
【００４１】
ビアホールは、レーザまたはエッチング工程とグラインド工程などを介してウエーハのスクライブラインに沿って形成される。また、導電性ライン１４５は固体撮像用半導体チップ４０の上面に形成されたボンディングパッド３２０と電気配線４１０で連結される。さらに、導電性ライン１４５はボンディングパッド３２０と固体撮像用半導体チップ４０の下面に形成されたターミナル４１５を介して電気的に連結される。また、導電性ライン１４５の下部はソルダボール、金属バンプまたは異方性導電樹脂（Ａｎｉｓｏｔｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ；ＡＣＦ）に含有された導電性粒子などの電気的接合手段３３０を用いて回路基板１０と連結される。
【００４２】
したがって、図１Ａに示した本発明の一実施形態と同様にワイヤボンディング２を用いないので半導体装置パッケージの小型化を実現することができる。
【００４３】
導電性ライン１４５及び導電性ライン１４５と回路基板との連結関係は公知であり、例えば、特許文献４乃至６に開示されている。
【００４４】
次に、本発明の実施形態７を図７に基づいて説明する。図７は実施形態７の構成を示した概略図である。図７において、図６Ａと同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００４５】
図６Ａと異なる点は、回路基板１０の後面とワイヤボンディング６５された画像処理用半導体チップ６０をさらに含む点である。ここで、画像処理用半導体チップ６０は固体撮像用半導体チップ４０からのイメージ信号を処理する役割を有する。
【００４６】
本実施形態においては、画像処理用半導体チップ６０をトランスファモールド技術による絶縁性封止樹脂７０により封止するため、ワイヤボンディング６５の接続部の信頼性を向上させることができ、強度も補強できる。絶縁性封止樹脂７０には例えばエポキシ樹脂、シリコン樹脂などが使われる。
【００４７】
本発明の実施形態による固体撮像用半導体装置は、画像処理用半導体チップ６０と固体撮像用半導体パッケージとを一体化するため、半導体装置パッケージの小型化を実現することができる。
【００４８】
次に、本発明の実施形態８を図８に基づいて説明する。図８は実施形態８の構成を示した概略図である。図８において、図６Ａと同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００４９】
図６Ａと異なる点は、回路基板１０の下部に画像処理用半導体チップ６０をさらに含む点である。ここで、画像処理用半導体チップ６０は回路基板１０の下部に形成されたターミナルと電気的接合手段１６５を介して電気的に連結される。電気的接合手段１６５はバンプ（Ｂｕｍｐ）、ソルダボール（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｂａｌｌ）または異方性導電樹脂（Ａｎｉｓｏｔｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ；ＡＣＦ）に含有された導電性粒子などで構成される。もちろん、電気的接合手段１６５を絶縁性封止樹脂（図示せず）で封止して、電気的に接合された部分の信頼性の向上と電気的接合手段の強度の補強とを図ることができる。絶縁性封止樹脂（図示せず）には例えばエポキシ樹脂、シリコン樹脂などが使われる。
【００５０】
本実施形態において固体撮像用半導体装置は、画像処理用半導体チップ６０をワイヤボンディングで接続する代わりに金属バンプまたはソルダボールのような電気的接合手段１６５を用いるために、さらに一層小型化できる。
【００５１】
次に、本発明の実施形態９を図９に基づいて説明する。図９は実施形態９の構成を示した概略図である。図９において、図７と同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００５２】
図７と異なる点は、固体撮像用レンズ２０と対向する回路基板１１０の一部に開口部９０が形成され、固体撮像用半導体チップ４０が開口部９０上に形成され、画像処理用半導体チップ６０が回路基板１１０の開口部９０内部の固体撮像用半導体チップ４０の後面に接合された形態で配置され、回路基板１１０の下部に形成されているターミナルとワイヤボンディング６５を介して接続されるという点である。
【００５３】
本実施形態において固体撮像用半導体装置は、画像処理用半導体チップ６０が回路基板１１０の開口部９０内部に配置され、固体撮像用半導体チップ４０の後面と接着剤で固着されているので、回路基板１１０の厚さだけさらに一層固体撮像用半導体装置パッケージを薄く形成することができる。
【００５４】
次に、本発明の実施形態１０を図１０に基づいて説明する。図１０は実施形態１０の構成を示した概略図である。図１０において、図６Ａと同一または該当部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００５５】
図６Ａと異なる点は、回路基板２１０が固体撮像用レンズ２０と対向する部分に開口部９０が形成されているフレキシブル回路基板であって、開口部９０内部に配置された画像処理用半導体チップ６０が回路基板２１０の銅導線（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｌｅａｄ）８０とタップボンディング（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ；ＴＡＢ）により接続されている点である。
【００５６】
本実施形態においては、画像処理用半導体チップ６０を絶縁性封止樹脂１７０により封止するため、タップボンディングの接続部の信頼性を向上させることができ、強度も補強できる。ここで絶縁性封止樹脂は液状であって熱硬化性樹脂であることが望ましい。
【００５７】
以上、添付した図面を参照しながら本発明の実施形態を説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は本発明の技術的思想や必須な特徴を変更することなく他の具体的な形態で本発明が実施できることを理解するであろう。それゆえ、上述した実施形態はすべて例示であって、限定するものではないということを理解しなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明はＣＭＯＳイメージセンサまたはＣＣＤを含む固体撮像用半導体装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１Ａ】本発明の一実施形態による固体撮像用半導体装置の概略的構成図である。（実施形態１）
【図１Ｂ】図１Ａの固体撮像用半導体チップ４０を拡大した断面図である。
【図１Ｃ】図１Ａの固体撮像用半導体チップ４０を拡大した部分の切開斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態による固体撮像用半導体装置の概略的構成図である。（実施形態２）
【図３】本発明の一実施形態による固体撮像用半導体装置の概略的構成図である。（実施形態３）
【図４】本発明の一実施形態による固体撮像用半導体装置の概略的構成図である。（実施形態４）
【図５】本発明の一実施形態による固体撮像用半導体装置の概略的構成図である。（実施形態５）
【図６Ａ】本発明の一実施形態による固体撮像用半導体装置の概略的構成図である。（実施形態６）
【図６Ｂ】図６Ａの固体撮像用半導体チップ４０を拡大した断面図である。
【図６Ｃ】図６Ａの固体撮像用半導体チップ４０を拡大した部分の切開斜視図である。
【図７】本発明の一実施形態による固体撮像用半導体装置の概略的構成図である。（実施形態７）
【図８】本発明の一実施形態による固体撮像用半導体装置の概略的構成図である。（実施形態８）
【図９】本発明の一実施形態による固体撮像用半導体装置の概略的構成図である。（実施形態９）
【図１０】本発明の一実施形態による固体撮像用半導体装置の概略的構成図である。（実施形態１０）
【図１１】従来の固体撮像用半導体装置の概略的構成図である。
【図１２】従来の固体撮像用半導体装置の概略的構成図である。
【符号の説明】
【００６０】
２：ワイヤボンディング
４：フリップチップ接続
６：開口部が形成された回路基板
１０：回路基板
１５：レンズ付着部
２０：固体撮像用レンズ
２５：赤外線遮断用フィルタ
３０：フレキシブル配線基板
３５：配線接合部
４０：固体撮像用半導体チップ
４５：ビアホール
６０：画像処理用半導体チップ
６５：ワイヤボンディング
７０：絶縁性封止樹脂
８０：銅導線
９０：開口部
１１０：開口部が形成された回路基板
１４５：導電性ライン
１６５：電気的接続手段
１７０：絶縁性封止樹脂
２１０：フレキシブル回路基板
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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