(57)【要約】【課題】  挿入損失が小さくかつ逆方向損失大きい小型の集中定数型非可逆素子を提供する。【解決手段】  静磁界を印加したフェライト薄板、該フェライト薄板の第１主面に近接して配し、互いに電気的に絶縁状態で交差する複数の中心導体、該中心導体の一端が接続する入出力端子、前記フェライト薄板の第２主面側に配し、前記中心導体の他端が接続する共通電極を有し、前記共通電極が地導体となる共通部と接続する集中定数型非可逆素子であって、共通電極は、該共通電極面に投影した前記フェライト薄板の投影面積に対してその半分以下の面積を前記共通部に接続した。【選択図】      図１
2005159785.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静磁界が印加されたフェライト薄板、該フェライト薄板の第１主面に近接して配され、互いに電気的に絶縁状態で交差する複数の中心導体、該中心導体の一端が接続する入出力端子、前記フェライト薄板の第２主面側に配され、前記中心導体の他端が接続する共通電極を有し、前記共通電極が地導体となる共通部と接続する集中定数型非可逆素子であって、
前記共通電極は、該共通電極面に投影される前記フェライト薄板の投影面積に対してその半分以下の面積を前記共通部に接続することを特徴とする集中定数型非可逆素子。
【請求項２】
入出力端子と接続する前記複数の中心導体の一端は、前記フェライト薄板における任意の中心線に対して、一方の側に偏って位置していることを特徴とする請求項１記載の集中定数型非可逆素子。
【請求項３】
前記複数の中心導体と前記共通電極が一体の金属薄板で構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の集中定数型非可逆素子。
【請求項４】
前記共通電極に切りかけが設けられたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずいれかに記載の集中定数型非可逆素子。
【請求項５】
前記共通電極が前記フェライト薄板の投影面を越えて延長されており、その延長部分と、前記中心導体の入出力端子側の一端との間に静電容量素子を挟み込んで接続したことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の集中定数型非可逆素子。
【請求項６】
前記共通電極の延長部において、前記静電容量を接続する面に対する裏面側が共通部に接続されるとともに、該裏面部分面積が、前記フェライト薄板が投影される前記共通電極のうちの共通部に接続される部分の面積より、大きいことを特徴とする請求項５に記載の集中定数型非可逆素子。
【請求項７】
前記中心導体に接続する複数の静電容量素子及び抵抗素子が、一体物の誘電構造体の内部もしくは表面に設けられたことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の集中定数型非可逆素子。
【請求項８】
前記中心導体の一端を延長し、該延長部を外部回路との接続のための入出力端子としたことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の集中定数型非可逆素子。
【請求項９】
前記一体物の誘電構造体に外部回路との接続のための入出力端子を形成したことを特徴とする請求項７に記載の集中定数型非可逆素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波用非可逆素子であるサーキュレータ・アイソレータ、特に挿入損失が小さい小型の集中定数型非可逆素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在の広く使われている集中定数型非可逆素子であるアイソレータは、図２１（ｂ）に示すように、三中心導体型非可逆素子であるサーキュレータを基本にしている。３本の中心導体Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の一端は入出力端子となり、他端は共通部ＧＲに接続されている。本回路図では共通部ＧＲは地導体ＧＮＤと同じ電位に置かれている。アイソレータは、前記第３中心導体Ｌ３の一端に抵抗素子Ｒを接続して実現される。この構造は、図に示すように三つの中心導体Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３がお互いに絶縁されてほぼ１２０度の角度で交差しているのが特徴である。これに対して、特許文献１には、図２１（ａ）に示すような簡単な構造を有する二中心導体型非可逆素子であるアイソレータが提案されている。これは、図に示すように、二つの中心導体Ｌ１、Ｌ２がフェライト薄板Ｇの上に直交して配された構造となっている。フェライト薄板Ｇの主面には垂直に静磁界が印加されているが、図面では省略してある。
【０００３】
また、従来技術において、三中心導体型非可逆素子のフェライト薄板Ｇと静電容量素子Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３と中心導体Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の概略の組み立て状況は図１９（ｂ）の左図に示すとおりである。中図はＡ−Ａ’の基準線に沿った断面図である。本図では、静電容量素子として、平板型コンデンサーを用いている。すなわち、左図で言えば、中心導体が重なる平面が平板コンデンサーの一端電極であり、他端電極はその裏面となる。平板コンデンサーの他端電極は共通部ＧＲに接続されている。右図はフェライト薄板Ｇを取り除き中心導体を外側に展開した図である。三中心導体型非可逆素子でも二中心導体型非可逆素子でも、従来技術では、右図に示すようにフェライト薄板Ｇの裏面側に配された面積の広い共通電極Ｓに中心導体の他端が接続された構造となっている。図中、共通電極Ｓ上の点状のハッチング部分は共通電極Ｓの裏面が共通部ＧＲに接続される部分である。図のように共通電極Ｓと中心導体は一体で構成されることが多い。このように従来技術では、中心導体は、フェライト薄板Ｇにおける一方の主面の一端から出発し他端で屈曲し共通電極Ｓに接続され、その全部の裏面が共通部ＧＲに接続されるのが一般的であった。
【０００４】
ところが、このような構造では、良好な挿入損失特性を得ることが難しいという問題があった。これは主に、入出力端子に接続される二つの中心導体間Ｌ１、Ｌ２の結合度が満足でないために発生するのが我々の研究で明らかになった。
図２０は、従来技術の図１９（ａ）、図２１（ａ）の二中心導体型非可逆素子に相当し、入力端子（１）から流れた電流がどのように入力側の地導体ＧＮＤに戻ってくるかを模式的に示した電流経路図である。左図は、組み立て状態で上面から見た図であり、右図はフェライト薄板、中心電極と共通電極を取り外し、共通部ＧＲ上での電流の流れを示す。図２０では、端子（１）から進入した電流は、第１中心導体Ｌ１の平行二線路を流れ、フェライト薄板Ｇの縁部側ａ、ｂに達する。この電流は直ちに共通部ＧＲに流れるが、共通部ＧＲそのものは広い一枚の導体であり、この略全面が入力側の地導体ＧＮＤとつながっている。従って、電流は図に示すように幅広く分散した状態で、入力側の地導体ＧＮＤに流れ込む。これと全くおなじことが、出力端子（２）から電流を進入させた場合にも発生する。このように第１中心導体Ｌ１と第２中心導体Ｌ２によるそれぞれの帰還電流が、幅広く分散した状態の面電流となる。このため、お互いに所定の角度で交差する電流成分が減少するだけでなく、フェライト薄板Ｇの中央近傍での電流密度が著しく低下する。これが二つの中心導体Ｌ１、Ｌ２の結合度を大きく低下させている原因である。さらに、中心導体Ｌ１と静電容量素子Ｃ１の並列共振回路を考えると、従来技術の広く分散した面電流経路は、並列共振回路の共振電流との結合も劣化させていると考えられる。このことは、図１９（ｂ）の三中心導体非可逆回路素子でも同じように言える。この現象は直接挿入損失とその比帯域幅に影響を与えるだけでなく、逆方向損失の帯域幅にも悪い影響を与える。これは、ひとえに従来技術における中心導体の共通部ＧＲへの接続方法が、入力側の地導体と離れたフェライト薄板Ｇの縁部側ａ、ｂで生じているためである。
【０００５】
【特許文献１】ＵＳＰ４０１６５１０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
以上詳述したように、従来技術の構造では、共通部ＧＲに流れる帰還電流が分散しているため、中心導体の結合度を向上させることができない。その結果として、挿入損失が小さくかつ小型の集中定数型非可逆素子を実現することは困難であった。
本発明は、上記従来技術の状況を鑑みてなされたもので、挿入損失が小さくかつ逆方向損失大きい小型の集中定数型非可逆素子を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の発明は、静磁界が印加されたフェライト薄板、該フェライト薄板の第１主面に近接して配され、互いに電気的に絶縁状態で交差する複数の中心導体、該中心導体の一端が接続する入出力端子、前記フェライト薄板の第２主面側に配され、前記中心導体の他端が接続する共通電極を有し、前記共通電極が地導体となる共通部と接続する集中定数型非可逆素子であって、前記共通電極は、該共通電極面に投影される前記フェライト薄板の投影面積に対してその半分以下の面積を前記共通部に接続することを特徴とした集中定数型非可逆素子である。
【０００８】
請求項２の発明は、入出力端子と接続する前記複数の中心導体の一端は、前記フェライト薄板における任意の中心線に対して、一方の側に偏って位置していることを特徴としている。
【０００９】
請求項３の発明は、前記複数の中心導体と前記共通電極が一体の金属薄板で構成されていることを特徴としている。
【００１０】
請求項４の発明は、前記共通電極に切りかけが設けられたことを特徴としている。
【００１１】
請求項５の発明は、前記共通電極が前記フェライト薄板の投影面を越えて延長されており、その延長部分と、前記中心導体の入出力端子側の一端との間に静電容量素  子を挟み込んで接続したことを特徴としている。
【００１２】
請求項６の発明は、前記共通電極の延長部において、前記静電容量を接続する面に対する裏面側が共通部に接続されるとともに、該裏面部分面積が、前記フェライト薄板が投影される前記共通電極のうちの共通部に接続される部分の面積より、大きいことを特徴としている。
【００１３】
請求項７の発明は、前記中心導体に接続する複数の静電容量素子及び抵抗素子が、一体物の誘電構造体の内部もしくは表面に設けられたことを特徴としている。
【００１４】
請求項８の発明は、前記中心導体の一端を延長し、該延長部を外部回路との接続のための入出力端子としたことを特徴としている。
【００１５】
請求項９の発明は、前記一体物の誘電構造体に外部回路との接続のための入出力端子を形成したことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の集中定数型非可逆素子であるアイソレータは、挿入損失が小さくかつ高い逆方向損失を有しており、携帯電話機用小型アイソレータとして好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
最初に本発明の原理について述べる。
本発明のフェライト薄板Ｇと静電容量素子と中心導体の概略の組立て状況を図１７（ａ）（ｂ）に示す。左図は上面図、中図はＡ−Ａ’の基準線に沿った断面図である。右図はフェライト薄板Ｇを取り除き中心導体を外側に展開した図である。三中心導体型非可逆素子でも二中心導体型非可逆素子でも、右図に示すように面積の広い共通電極Ｓに中心導体の他端が接続された構造は従来技術と同じである。異なる点は、共通電極Ｓのうちの共通部ＧＲに接続される部分Ｓｇが、点状のハッチングで示すように全面ではなく、かなり小さく設計されていることである。しかも、その位置は入出力端子に対応する二つの中心導体Ｌ１、Ｌ２に対応する静電容量素子Ｃ１、Ｃ２に近い方に偏っている。これが本発明の基本的な考え方である。中図の断面図にはこれを実現するための一手法が示されている。すなわち、共通電極Ｓを共通部ＧＲから部分的に絶縁するための絶縁体Ｚと部分的に導通させる金属板Ｄが共通電極Ｓと共通部ＧＲの間に挿入されている。左図の中心導体の他端である屈曲部Ａ、Ｂは直接共通部ＧＲには接続されない。
以上のような構造にすることにより、集中定数型非可逆素子において、挿入損失が劣化しない、かつ逆方向損失大きいアイソレータを実現できた。
【００１８】
図１８は、本発明の効果が発揮される理由を説明する図である。すなわち、入力端子（１）から進入した電流は、中心導体Ｌ１の平行二線を通り、屈曲点ＡＢでフェライト薄板Ｇの裏面に回る。この電流は、従来技術と異なり急には拡がらず、図のように共通部への接続部Ｓｇにまっすぐ進み、その後に、再び入力端子側の地導体ＧＮＤに帰ってゆく。本発明技術の図１８と従来技術の図２０と比較して明らかなごとく、フェライト薄板Ｇの裏面の中心近傍を帰還電流のほとんどが通るようになり、飛躍的に第１中心導体Ｌ１と第２中心導体Ｌ２の結合が向上する。これが、挿入損失を改善させる本発明の原理である。共通電極Ｓのうちでどの程度の広さのＳｇであれば有効であるかの検討を行った。その結果、面積比Ｓｇ／Ｓで約１／２以下であれば効果がはっきり現れることが分かった。Ｓｇが小さくなるほど電流の局在化が起こり、従来技術の欠点を補うという点では有効であるが、余り小さくなり過ぎると、電気抵抗が増加し挿入損失が再び増加する。従って、最適なＳｇが存在するように見える。実際には、次に示すような方法があり、このことを心配する必要はない。これが、本発明の請求範囲として、Ｓｇがゼロをも含む理由である。
【００１９】
図１６（ａ）（ｂ）にＳｇがゼロでも本発明の原理の効果を発揮できる構造を示す。図１６（ａ）は二中心導体型非可逆素子に対応し、（ｂ）は三中心導体型非可逆素子に対応する。すなわち、右図に示すように、共通電極Ｓの周辺部分がフェライト薄板の投影部分より外側に跳び出して、静電容量素子の下側まで伸びている形状である。そして共通部ＧＲに接続される部分は、共通電極Ｓではなく静電容量素子が共通部に投影される部分Ｓｃ１、Ｓｃ２、Ｓｃ３である。これを、図中点状のハッチングで示した。中図は、左図のＡ−Ａ’断面図である。共通電極Ｓが直接共通部ＧＲに接続されるのを防ぐために絶縁体Ｚが共通電極Ｓと共通部ＧＲの間に挿入されている。共通電極Ｓの延長部Ｓｃの裏面を共通部ＧＲに接続するための金属板Ｄが二つの間に挿入されている。この様にすることにより、さらに電流を局在化でき、挿入損失を改善できる見通しを得た。特に、この構造では、静電容量素子と中心導体を流れる共振電流と、入力側から供給される電流が重なる部分が大きくなるのでその効果は大きい。特に、図１６（ｂ）では、この効果をさらに助長するために切りかけＫが共通電極Ｓに設けられている。また、この場合、静電容量素子Ｃ３が投影される部分のＳｃ３も共通部に接続されるように示されているが、挿入損失だけを重視する場合は、これは必ずしも必要ではない。
【００２０】
図１は本発明の他の実施例を示す。矩形状のフェライト薄板Ｇに二中心導体が巻回された構造である。静電容量素子Ｃ１、Ｃ２は一体の誘電構造体Ｓｕの内部もしくは表面に形成されている。図中、Ｃ１ｕ、Ｃ２ｕは静電容量素子の上面電極、Ｃｂは静電容量素子の共通の下面電極である。この構造をアイソレータとして動作させるためには、図２１に示したように、抵抗素子Ｒと整合容量Ｃｍが必要であるが図面では省略してある。これらは、誘電構造体Ｓｕの上面にチップ状で搭載してもよいし、積層技術を用いて内蔵してもよい。左図は上面図、中図は左図のＡ−Ａ’断面図、右図は裏面図である。共通電極Ｓの上半分が共通部に接続される部分Ｓｇとなっている。これを実現するために、絶縁体Ｚと金属板Ｄが共通電極Ｓと共通部ＧＲの間に挿入される。
【００２１】
図２は、上記図１の共通部に接続される部分Ｓｇを実現するための他の実施例を示す。左図は金属板Ｄを用いる代わりに、共通電極Ｓの共通部に接続される部分Ｓｇに相当する部分を僅かに下に折り曲げて、共通部に接続させた場合である。右図は、共通部ＧＲに段差をつくり、その間に絶縁体Ｚを挿入した構造を示す。
【００２２】
図３は、上記図１の構造を実現するための中心導体と共通電極を一体物とした金属薄板の展開図である。共通電極Ｓの上にフェライト薄板を載せて、中心導体を折り曲げて、図１を完成させる。左図は共通電極Ｓが一様である場合である。右図は平行二線路の不連続性を避けるために徐々にその間隔を変えた場合である。
【００２３】
図４は本発明の他の実施例を示す。図１と異なる点は、共通電極Ｓは共通部ＧＲに接続されておらず、静電容量素子の下に延長形成された部分Ｓｃが共通部ＧＲに接続されている。この実施例の特徴は共通電極Ｓには大きなきりかけＫが設けられていることである。裏面の電極は共通電極Ｓというより、それぞれの中心導体Ｌ１、Ｌ２の延長ともみなせる。中図は左図のＡ−Ａ’断面図であり、共通電極の延長部Ｓｃの部分だけを共通部ＧＲに接続するために金属板Ｄを挿入する方法を示す。
【００２４】
図５は、上記図４の構造を達成するためのもう一つの方法である。金属板Ｄを取り除き、絶縁体Ｚだけで構成している。共通電極Ｓとその延長部Ｓｃとの境目の部分で折り曲げられており、延長部Ｓｃの裏面が共通部ＧＲに接続される。
【００２５】
図６は、上記図４の構造を実現するための中心導体Ｌ１，Ｌ２と共通電極Ｓとその延長部Ｓｃを金属薄板からなる一体物として作成し、それを展開した図である。左図のものは直接図４に対応するが、右図は、それぞれの中心導体において平行二線の形状を保ちながら徐々に共通電極Ｓに接続される状態を示す。
【００２６】
図７は本発明の他の実施例を示す。矩形状のフェライト薄板Ｇの上面に三中心導体が巻回された構造である。静電容量素子Ｃ１、Ｃ２は一体の誘電構造体Ｓｕ１の内部もしくは表面に形成されている。静電容量素子Ｃ３と抵抗素子Ｒは別の誘電構造体Ｓｕ２の内部もしくは表面に形成されている。左図は上面図、中図は左図のＡ−Ａ’断面図、右図は裏面図である。共通電極Ｓの上半分が共通部に接続される部分Ｓｇとなっている。これを実現するために、絶縁体Ｚが共通電極Ｓと共通部ＧＲの間に挿入される。この実施例は共通電極Ｓを途中で折り曲げて共通部と接続する。
【００２７】
図８の左図は、上記図７の構造を実現するための中心導体と共通電極Ｓの展開図である。右図は、図７の変形として、共通電極Ｓの一部を延長し、静電容量素子と共通部の間にＳｃとして挿入した場合の中心導体と共通電極Ｓの展開図である。この場合は共通電極Ｓが極端に小さくなり、延長部分Ｓｃが大きくなっており、これが直接共通部ＧＲに接続される。
【００２８】
図９は本発明の他の実施例を示す。矩形状のフェライト薄板Ｇの上面に三中心導体が巻回された構造は図７と同じである。異なる点は、第３中心導体Ｌ３が共通電極Ｓ及びその延長部Ｓｃに対して中心導体Ｌ１、Ｌ２と同じ方向に接続されていることである。このような構造にすることにより、三つの静電容量素子Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３は一体の誘電構造体Ｓｕの内部もしくは表面に形成できるようになった。左図は上面図、中図は左図のＡ−Ａ’断面図、右図は裏面図である。右図から分かるように、この場合は、共通電極Ｓは直接共通部ＧＲに接続されるのではなく、幅広く形成され、その延長部Ｓｃが共通部ＧＲに接続されている。これを実現するために、絶縁体Ｚと金属板Ｄが共通電極Ｓと共通部ＧＲの間に挿入される。
【００２９】
図１０の左図は、上記図９の構造を実現するための中心導体と共通電極Ｓの展開図である。右図は、中心導体の平行二線の状態を徐々に狭くして共通部Ｓに接続する場合の展開図である。図８の展開図と比較して分かるように、本実施例を用いると、三つの中心導体が共通電極Ｓの片側に偏在しているので、一枚の銅板からフォトエッチングなどで作成する場合、その収率が高くなり、コスト低減に役立つ。
ここで、図７と図８を除く図１から図１０までの本発明の実施例では、複数の中心導体の一端が、フェライト薄板のほぼ中心を通る中心線のうち紙面で水平な中心線に対して、上方に偏在している。このような構造では、誘電構造体Ｓｕが一個で済むこと、また中心導体と共通電極とその延長部の展開図を小さくできることから、コスト低減に極めて有効であることが分かる。この中心線は任意の中心線のうちどれか一つの中心線に対して偏在していればその効果が発揮できることから、本発明の請求項のひとつとした。
【００３０】
図１１は、本発明のアイソレータ組み立ての実施例を示し、図４、図５の中心導体、フェライト薄板と共通電極、誘電構造体の組み立て体を、磁気ヨークＹの中に、永久磁石Ｍｇと一緒に組み入れた概略構造を示す。本実施例の特徴は、中心導体の一端が伸びてそのまま入出力端子（１）、（２）となっていることである。誘電構造体Ｓｕは、低温焼成セラミックスを用いて電極を内包した積層体としている。その積層平面がフェライト薄板Ｇの主面と平行、すなわち紙面と平行に配されている。このような構造とすることにより、別個の端子構造体を用いる必要がなく、中心導体がそのまま端子になるので、低コストなアイソレータを構成できた。
【００３１】
図１２は、図１１の実施例とほぼ同じであるが、誘電構造体Ｓｕの積層平面がフェライト薄板Ｇの主面と垂直に配されている。このような構造とすることにより、図１１に比較して内部の平面空間を大きくすることにより、フェライト薄板Ｇの寸法を大きくできるという利点がある。これはアイソレータの逆方向損失の比帯域幅増加及び挿入損失の低減に大いに効果がある。
【００３２】
図１３の左図は、図１１の端子部を拡大して示した斜視図である。右図は図１２の端子部を拡大した斜視図である。中心導体Ｌ２の一端の延長部分と誘電構造体Ｓｕ上の静電容量素子一端電極Ｃ２ｕとの接続方法は、はんだ付け、銀蝋付け、超音波溶接などあるが、積層部品としてアイソレータをはんだリフローする場合のことを考えると、できるだけ接合温度の高い銀蝋づけや超音波溶接などが好適である。
図１１と図１２は二中心導体型の場合であったが、三中心導体型でも全く同じようなことが言える。図１４は、三中心導体型の図９の応用例として、中心導体の一端を図１３の右図のようにした場合の、中心導体、共通電極、その延長部Ｓｃ及び端子部を一体として作成する場合の展開図である。図中の点線は折り曲げ部を示す。
【００３３】
図１５（ａ）（ｂ）は本発明の他の実施例であり、誘電構造体Ｓｕに端子部を形成した場合を示す。（ａ）は誘電構造体Ｓｕである積層体の積層面が、フェライト薄板の主面と平行に配される場合、（ｂ）は垂直に配される場合に対応する。（ａ）の場合は、ヨークの厚み部分に相当する厚みの分だけ厚膜印刷により入出力端子（１）、（２）が形成されている。（ｂ）の場合は、誘電構造体Ｓｕの中央部分に切りかけをヨークの厚みの部分だけ設けてある。この場合はそれほど厚い印刷は必要ない。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
以上実施例を用いて詳述したように、本発明の集中定数型非可逆素子であるアイソレータは、挿入損失が小さくかつ高い逆方向損失を有しており、携帯電話機用小型アイソレータとして好適である。もって、携帯電話機の軽量化、バッテリー消費の低減等に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の技術による非可逆素子の組立図
【図２】本発明の技術による非可逆素子の断面図
【図３】本発明の技術による中心導体の展開図
【図４】本発明の技術による非可逆素子の組立図
【図５】本発明の技術による非可逆素子の断面図
【図６】本発明の技術による中心導体の展開図
【図７】本発明の技術による非可逆素子の組立図
【図８】本発明の技術による中心導体の展開図
【図９】本発明の技術による非可逆素子の組立図
【図１０】本発明の技術による中心導体の展開図
【図１１】本発明の技術による非可逆素子の組立図
【図１２】本発明の技術による非可逆素子の組立図
【図１３】本発明の技術による端子部の斜視図
【図１４】本発明の技術による中心導体の展開図
【図１５】本発明の技術による誘電体構造体の組立図
【図１６】本発明の技術による非可逆素子の組立図と展開図
【図１７】本発明の技術による非可逆素子の組立図と展開図
【図１８】本発明の技術の効果を説明するための電流経路図
【図１９】従来技術による非可逆素子の組立図と展開図
【図２０】従来技術の問題点を説明するための電流経路図
【図２１】従来技術による非可逆素子の等価回路図
【符号の説明】
【００３６】
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３  …  中心導体
Ｇ  …  フェライト薄板
Ｓｕ、Ｓｕ１、Ｓｕ２  …  誘電構造体
Ｚ  …  絶縁板
Ｄ  …  金属板
Ｍｇ  …  永久磁石
Ｙ  …  磁気ヨーク
ＧＲ  …  共通部
ＧＮＤ  …  地導体
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３    …  静電容量素子
Ｃｍ  …  整合静電容量素子
Ｃｕ、Ｃｂ  …  静電容量素子の一端電極と他端電極
Ｒ  …  抵抗素子
（１）、（２）、（３）  …  入出力端子
ａ，  ｂ  …  中心導体が共通部に接続される部分
Ａ，  Ｂ  …  中心導体の屈曲部
Ａ−Ａ’  …  基準線
Ｓ  …  共通電極
Ｓｇ  …  共通電極の共通部に接続される部分
Ｓｃ  …  共通電極の延長部分
Ｋ  …  切りかけ
【図１】
2005159785.tif 000003
【図２】
2005159785.tif 000004
【図３】
2005159785.tif 000005
【図４】
2005159785.tif 000006
【図５】
2005159785.tif 000007
【図６】
2005159785.tif 000008
【図７】
2005159785.tif 000009
【図８】
2005159785.tif 000010
【図９】
2005159785.tif 000011
【図１０】
2005159785.tif 000012
【図１１】
2005159785.tif 000013
【図１２】
2005159785.tif 000014
【図１３】
2005159785.tif 000015
【図１４】
2005159785.tif 000016
【図１５】
2005159785.tif 000017
【図１６】
2005159785.tif 000018
【図１７】
2005159785.tif 000019
【図１８】
2005159785.tif 000020
【図１９】
2005159785.tif 000021
【図２０】
2005159785.tif 000022
【図２１】
2005159785.tif 000023