(57)【要約】【課題】  高周波領域において優れた誘電特性を有する回路基板及び受動部品を提供する。【解決手段】  ベース基板１１と、ベース基板１１上に下部配線層１２、キャパシタ層１３、上部配線層１４が順次積層されて構成され、第１〜第３層間絶縁層１６，１９，２４は、酸化物誘電体材料にＣａＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3などのＣａ酸化物セラミックスあるいはＭｎＯ、ＭｎＯ2などのＭｎ酸化物セラミックスが混合された微粒子材料をエアロゾル化し吹き付けて形成される。１ＧＨｚ以上の高周波領域での誘電損失を低減する。【選択図】  図１
2005109018.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物誘電体層と導電体層とが積層されてなる回路基板であって、
前記酸化物誘電体層は、エアロゾル化した微粒子材料を吹き付けて堆積されてなり、酸化物誘電体材料と、該酸化物誘電体材料の酸素欠損を防止する酸素欠損防止剤とを含むことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記酸化物誘電体層と、
当該酸化物誘電体層を挟み、前記導電体層の一部からなる電極層と、からなるキャパシタを有し、
前記酸化物誘電体材料が、ＴｉＯ2、ＢａＴｉＯ3、ＢａＳｒＴｉＯ3、ＢａＴｉＺｒＯ3、ＢａＴｉ4Ｏ9、Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20、Ｂａ(Ｍｇ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3、Ｂａ(Ｚｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3、Ｂａ(Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、及びＺｒＳｎＴｉＯ4からなる群のうち、少なくともいずれか１種を含むことを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記酸素欠損防止剤が酸素原子を有する酸化剤であり、
前記酸化剤の含有量は０．１体積％〜１５体積％の範囲に設定されることを特徴とする請求項１または２記載の回路基板。
【請求項４】
前記酸化剤はＣａ酸化物セラミックスまたはＭｎ酸化物セラミックスであることを特徴とする請求項３記載の回路基板。
【請求項５】
エアロゾル化した微粒子材料を吹き付けて堆積されてなる酸化物誘電体層を有し、
前記酸化物誘電体層は、酸化物誘電体材料と、該酸化物誘電体材料の酸素欠損を防止する酸素欠損防止剤とを含むことを特徴とする受動部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エアロゾル化した微粒子材料を吹き付けて堆積した酸化物誘電体層を有し、高周波回路に適した回路基板及び受動部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
パソコンや、オフコン、携帯電話、ＰＤＡ等の情報処理関連電子機器、通信関連電子機器および半導体製造装置等の制御機械装置の中に組み込まれている実装用基板・パッケージ、メモリ・ロジック等の半導体、実装用個別電子部品には、記憶・演算等の能動的機能、アンテナ、フィルタ、コンデンサ等の受動機能を実現させるための種々の誘電体セラミックスが膜状・バルク状で形成されている。これらのデバイス・部品では、誘電体セラミックスに、金属や半導体の無機系材料や、ガラスエポキシ樹脂などの有機系材料などを複合化・多層化することによって集積化して構成されている。
【０００３】
そこで、このような異種材料が複合化されているデバイス・部品では、各材料のプロセス温度・雰囲気を整合化させること、及びプロセス工程中で温度階層を設けることが重要である。種々の材料の中でも、セラミックス材料は焼結の際のプロセス温度が高いため、他材料との整合がとれず、セラミックス材料を上記デバイス中に組み込むことが困難であり、セラミック材料の導入には制限があった。
【０００４】
この問題を解決する方法として、セラミックス微粒子材料を基板等に噴射することにより、衝撃・固化して基板上にセラミックス膜を形成可能なエアロゾルデポジション法が提案されている。エアロゾルデポジション法は、セラミックス膜を形成した後に高温での加熱処理を必要としないため、複合材料を形成する方法として注目されている。
【特許文献１】特開２００１−１５２３６０号公報
【特許文献２】特開２０００−５８０８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、エアロゾルデポジション法を用いて、酸化物セラミックスの微粒子材料を使用して形成した酸化物誘電体層を層間絶縁層として用いた多層積層基板や、誘電体層として用いたキャパシタなどの受動部品が検討されている。酸化物セラミックスとして、ペロブスカイト型の結晶構造を有する材料、例えばＰｂＺｒＴｉＯ3の微粒子材料を使用して、ＰｂＺｒＴｉＯ3のバルク材料が有する高比誘電率を実現しようとするものである。
【０００６】
しかしながら、従来のエアロゾルデポジション法を用いて形成した誘電体膜層の誘電特性が同じ組成のバルク材料と比較して大幅に劣化する場合がある。特に高周波領域、例えば１ＧＨｚ以上での誘電損失が増加してしまう。バルクセラミックの大気焼成では容易に特性が得られる組成であっても、エアロゾルデポジション法では導電性が高まり誘電損失が増加するという問題が生じる。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、高周波領域において優れた誘電特性を有する回路基板及び受動部品を提供することである。さらに、高周波信号の伝送損失を低減し、高速な動作応答の回路基板及び受動部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一観点によれば、酸化物誘電体層と導電体層とが積層されてなる回路基板であって、前記酸化物誘電体層は、エアロゾル化した微粒子材料を吹き付けて堆積されてなり、酸化物誘電体材料と、酸化物誘電体材料の酸素欠損を防止する酸素欠損防止剤とを含む回路基板が提供される。
【０００９】
本発明によれば、酸化物誘電体材料の微粒子に酸素欠損防止剤を添加することによって、エアロゾル化して形成された酸化物誘電体層の誘電損失の増加を防止することができる。本願発明者の検討によれば以下のようなメカニズムによると推察される。すなわち、酸化物誘電体材料の微粒子材料が基板等に堆積する際に、微粒子同士あるいは微粒子と基板等が衝突して微粒子表面に新生面が現れる。その際に微粒子表面に酸素欠損が生じ、酸素欠損が生じた原子サイトにはイオンあるいはホールが生じた状態となる。本発明による酸素欠損防止剤、例えば酸素を含む酸化剤を添加することにより、酸化物誘電体材料の微粒子表面において耐還元作用を及ぼして酸素欠損の発生を防止する。
【００１０】
前記酸化剤はＣａ酸化物セラミックスまたはＭｎ酸化物セラミックスであってもよい。Ｃａ酸化物セラミックスまたはＭｎ酸化物セラミックスを用いることにより、酸化物誘電体層の高周波領域における誘電損失を効果的に低減することができる。また、セラミックスを用いることにより酸化物誘電体材料と混合あるいは固溶して成膜することができ、また、酸化物誘電体材料の微粒子と同時あるいは交互に吹き付けることにより、酸化物誘電体層中に均一に分散させることができる。
【００１１】
本発明の他の観点によれば、エアロゾル化した微粒子材料を吹き付けて堆積されてなる酸化物誘電体層を有し、前記酸化物誘電体層は、酸化物誘電体材料と、該酸化物誘電体材料の酸素欠損を防止する酸素欠損防止剤とを含むことを特徴とする受動部品が提供される。
【００１２】
本発明によれば、上述した作用により、高周波領域における誘電損失を低減して、低インダクタンス化、高速伝送化を図ることができる。ここで、受動部品は、例えば、積層セラミックコンデンサ、薄膜コイル、積層コイル、あるいはこれらを用いたフィルタ、ストリップラインを用いたインダクタ、キャパシタ、フィルタなどである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、酸化物誘電体材料の微粒子に酸素欠損防止剤を添加することによって、エアロゾル化して形成された酸化物誘電体層の誘電損失の増加を防止し、高周波領域において優れた誘電特性を有する回路基板及び受動部品を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、必要に応じて図面を参照しつつ本発明を更に具体的に説明する。
【００１５】
図１は、本発明の実施の形態に係る回路基板の要部断面図である。図１を参照するに、本実施の形態に係る回路基板１０は、ベース基板１１と、ベース基板１１上に下部配線層１２、キャパシタ層１３、上部配線層１４が順次積層されて構成されている。
【００１６】
具体的には、下部配線層１２は、ベース基板１１表面に選択的に形成された第１導電体層１５と、ベース基板１１及び第１導電体層１５を覆う第１層間絶縁層１６と、第１層間絶縁層１６上に選択的に形成された第２導電体層１８と、第１層間絶縁層１３及び第２導電体層１４を覆う第２層間絶縁層１９と、第１導電体層１５と第２導電体層１８などを電気的に接続するビア１７、２０、２６などから構成されている。
【００１７】
キャパシタ層１３は、第２層間絶縁層１９上に形成された第１電極層２１と、第２層間絶縁層１９及び第１電極層２１を覆う誘電体層２２と、第１電極層２１に対向して誘電体層２２上に形成された第２電極層２３などから構成され、キャパシタ２７が形成されている。
【００１８】
上部配線層１４は、キャパシタ層１３の第２電極層２３と、誘電体層２２及び第２電極層２３を覆う第３層間絶縁層２４と、第３層間絶縁層２４上に形成された第３導電体層２５及びスパイラルインダクタ２８と、第２電極層２３と第３導電体層２５とを接続するビア２６などから構成されている。
【００１９】
本実施の形態に係る回路基板は、前記第１〜第３層間絶縁層１６，１９，２４（以下、特別に区別する必要がない場合は層間絶縁層と総称する。）及び誘電体層２２が酸化物誘電体微粒子材料と酸素原子を含む酸化剤が混合されてエアロゾル化され、基板１１や導電体層１５、電極層２３等に吹き付けられて形成されている。このようなエアロゾルデポジション法（以下「ＡＤ法」と称する。）では、微粒子材料が基板等に衝突する際に、微粒子材料と基板、あるいは微粒子材料同士が衝突し、衝突のエネルギーにより微粒子表面が活性化され、基板等と微粒子、あるいは微粒子同士が接着し、連続膜が形成される。したがって、ＡＤ法では基板等を加熱しなくとも成膜できるので、ＬＴＣＣ法のような９００℃〜１０００℃程度の高温での加熱処理（焼成）を必要としない。
【００２０】
図１に戻り、層間絶縁層１６，１９，２４に用いられる酸化物誘電体材料としては、高周波における低誘電損失の観点から、ＭｇＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉO3、ＢａＺｒＯ3、ＺｒＳｎＴｉＯ4、ＢａＴｉ4Ｏ9、Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20、ＭｇＴｉＯ3、ＭｇＺｒＯ3、Ｂａ（Ｚｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3、Ｂａ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｂａ（Ｍｇ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3、Ｂａ（Ｃｏ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3、Ｂａ（Ｃｏ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｂａ（Ｎｉ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3、ＳｒＴｉＯ3、ＳｒＺｒＯ3、Ｎｄ2Ｔｉ2Ｏ7、（ＢａＳｒ）ＴｉＯ3、Ｂａ（ＴｉＺｒ）Ｏ3、ＰｂＺｒＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、ＰｂＺｒＯ3、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2(ムライト）、ＭｇＯ・Ａｌ2Ｏ3(スピネル）、２ＭｇＯ・ＳｉＯ2(フォルステライト）、２Ａｌ2Ｏ3・２ＭｇＯ・５ＳｉＯ2(コージエライト）、ＣａＯ・ＳｉO2(ウォラストナイト）、ＣａＯ・Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉO2（アノーサイト）、ＣａＯ・ＭｇＯ・２ＳｉＯ2（ディオプサイド）、２ＣａＯ・Ａｌ2Ｏ3・ＳｉO2（ゲーレナイト）及びこれらから選択される１種あるいは２種以上の混合物が好適である。
【００２１】
また、誘電体層２２に用いられる酸化物誘電体材料としては、高周波における高比誘電率及び低誘電損失の観点から、ＴｉＯ2、ＢａＴｉＯ3、ＺｒＳｎＴｉＯ4、ＢａＴｉ4Ｏ9、ＢａＴｉＺｒＯ3、Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20、Ｂａ(Ｚｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3、Ｂａ(Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｂａ(Ｍｇ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3、（ＢａＳｒ）ＴｉＯ3、及びこれらから選択される１種あるいは２種以上の混合物が好適である。
【００２２】
上記酸素原子を含む酸化剤の酸化物誘電体材料への添加量は、添加後の全体の体積を基準として、０．１ｖｏｌ％〜２０ｖｏｌ％に設定されることが好ましく、１ｖｏｌ％〜１０ｖｏｌ％が特に好ましい。０．１体積％を下回ると誘電損失が増加し、２０体積％を超えると酸化剤の誘電特性が発現し酸化物誘電体層の誘電特性が劣化してしまう。
【００２３】
酸素原子を含む酸化剤としては、例えばＣａ酸化物セラミックスやＭｎ酸化物セラミックス酸化物が挙げられる。Ｃａ酸化物セラミックスとしては、ＣａＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3、ＣａＳｎＯ3、ＣａＯ、及びこれらの混合物が挙げられる。また、Ｍｎ酸化物セラミックスとしては、ＭｎＯ、ＭｎＯ2、Ｍｎ2Ｏ3、Ｍｎ3Ｏ4、ＭｎＴｉＯ3、及びこれらの混合物が挙げられる。ＡＤ法により層間絶縁層１６，１９，２４や誘電体層２２の成膜の際に、基板と酸化物誘電体材料の微粒子との衝突、あるいは微粒子同士の衝突により、酸化物誘電体材料の微粒子表面から酸素原子が脱離し、酸化物誘電体材料中に酸素欠陥が形成される。Ｃａ酸化物セラミックス又はＭｎ酸化物セラミックスを添加することにより、酸素欠陥の形成が防止され、その結果、形成された層間絶縁層１６，１９，２４や誘電体層２２の誘電損失の低減することができる。
【００２４】
なお、Ｍｎ酸化物セラミックスのうち、保存時あるいは成膜時の化学的安定性の観点からは、ＭｎＯ、Ｍｎ2Ｏ3、Ｍｎ3Ｏ4、ＭｎＴｉＯ3、及びこれらの混合物を用いることが好ましい。ＭｎＯ2は金属製のエアロゾル発生器やノズル等を腐食させ易い。
【００２５】
酸化物誘電体材料及びＣａ酸化物セラミックス又はＭｎ酸化物セラミックス（以下、Ｃａ酸化物等と略称する。）の微粒子の平均粒径は、１０ｎｍ〜１０μｍの範囲に設定される。１０ｎｍより小さいと基板への密着強度が不足し、１０μｍより大きいと連続膜が形成しにくくなり脆弱な膜になってしまう。酸化物誘電体材料とＣａ酸化物等を混合してＡＤ法により吹き付ける場合は、平均粒径の比（酸化物誘電体材料／Ｃａ酸化物等）が、１／１〜１００／１の範囲内であることが好ましい。酸化物誘電体材料の微粒子の表面を覆うように形成することができるため、効果的に酸素欠損を防止することができる。
【００２６】
酸化物誘電体材料にＣａ酸化物等を添加する手法としては、互いに混合あるいは固溶させることが挙げられる。例えば、微粒子状のＣａ酸化物等を予め酸化物誘電体材料に混合・分散させて噴射してもよく（以下、「混合噴射法」という。）、酸化物誘電体材料と独立の噴射ノズルより同時に吹き付けて堆積してもよく（以下、「同時噴射法」という。）、酸化物誘電体材料と交互に吹き付けてもよい（以下、「交互噴射法」という。）。形成された誘電体膜の均一性の観点からは混合噴射法がよく、混合比率の制御性の観点からは同時噴射法が好ましい。また、酸素欠損防止剤を固溶する方法としては、酸素欠損防止剤を予め酸化物誘電体材料に混合・分散させ、加熱処理することにより固溶することができる。
【００２７】
図２は、本発明に用いられるＡＤ法による成膜装置の概略構成図である。図２を参照するに、ＡＤ膜形成装置５０は、大略、微粒子材料をエアロゾル化するエアロゾル発生器５１と、エアロゾル化された微粒子材料を噴射して基板１１上に層間絶縁層等を形成する成膜室５２などから構成されている。
【００２８】
エアロゾル発生器５１には、ガスボンベ５３及びマスフローコントローラ５４が配管６６を介して接続されている。ガスボンベ５３に充填された高圧のアルゴン等のキャリアガスをマスフローコントローラ５４において制御する。マスフローコントローラ５４によりエアロゾル発生器５１の容器５６内での微粒子の発塵量や成膜室５２におけるエアロゾル化された微粒子の噴出量を制御することができる。キャリアガスは、アルゴンガスの他、ヘリウム、ネオン、窒素の不活性ガスを用いることができる。なお、微粒子材料としてペロブスカイト構造を有する酸化物セラミックスを用いる場合は、キャリアガスは酸化性のガス、例えば酸素や空気を用いてもよく、不活性ガスに添加してもよい。成膜の際に酸化物セラミックス微粒子材料の酸素欠損を補うことができる。
【００２９】
また、エアロゾル発生器５１には、超音波振動や電磁振動、機械的振動により微粒子を一次粒子化する振動機５８が設けられている。振動機５８により微粒子を一次粒子化させることができ、その結果、緻密かつ均一な層間絶縁層等を形成することができる。
【００３０】
成膜室５２には、エアロゾル発生器５１から配管５９を介して接続されたノズル６０と、ノズル６０と対向して基板１１を保持する基板保持台６１が設けられ、さらに、基板１１の位置を制御するＸＹＺステージ６２が基板保持台６１に連結されている。また、成膜室５２内の圧力を低圧とするためのメカニカルブースタ６４とロータリポンプ６５が接続されている。ＸＹＺステージ６２は基板保持台６１を定速・繰り返し駆動動作を行うものであってもよい。
【００３１】
膜形成材料となる微粒子をエアロゾル発生器５１の容器５６に充填して、ガスボンベ５３から、例えば１９．６Ｐａ〜４９Ｐａ（２〜５ｋｇ／ｃｍ2）の圧力のアルゴンガスをキャリアガスとして成膜室５２に供給し、微粒子を振動機５８により加振してエアロゾル化する。エアロゾル化した微粒子はキャリアガス共に、容器５６内の圧力より低圧に設定されている成膜室５２に配管５９を通じて搬送される。成膜室５２においてノズル６０からキャリアガスと共に微粒子が噴射され、ジェット流となって微粒子が図１に示す基板１１等の上に堆積し、例えば第１層間絶縁層１６が形成される。噴射速度は、ノズル６０の形状、導入されるキャリアガスの圧力及び容器５６内と成膜室５２内との圧力差により制御することができ、３ｍ／秒〜４００ｍ／秒（好ましくは２００ｍ／秒〜４００ｍ／秒）の範囲に設定される。この範囲に噴射速度を設定することにより、基板１１等の下地との密着強度が高い第１層間絶縁層１６等を形成することができる。微粒子が基板１１との衝突の際に基板１１の表面の汚染層や水分を除去し、また、第１導電体層１５等の表面の汚染層や酸化物層を除去して表面を活性化する。また、微粒子自体の表面も微粒子相互の衝突により同様に活性化される。その結果、微粒子が基板１１や第１導電体層１５等の表面に結合し、さらに微粒子同士が結合するので付着強度が高く緻密な第１層間絶縁層１６等が形成される。なお、噴射速度が４００ｍ／秒より大となると基板１１に損傷を与えるおそれがあり、３ｍ／秒より小さいと十分な付着強度を確保することができない。
【００３２】
上述した成膜装置５０を用いて、予めＣａ酸化物等を酸化物誘電体材料に混合して成膜する混合噴射法により酸化物誘電体層を形成することができる。また、上述した同時噴射法あるいは交互噴射法では独立した複数のノズルを備えた成膜装置を使用する。
【００３３】
図３は、本発明に用いられるＡＤ法による他の成膜装置の概略構成図である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００３４】
図３を参照するに、成膜装置７０は、キャリアガスを供給するボンベ５３Ａ，５３Ｂと、マスフローコントーラ５４Ａ，５４Ｂと、容器５６Ａ，５６Ｂを有するエアロゾル発生器５１Ａ，５１Ｂと、成膜室５２内にノズル６０Ａ，６０Ｂが２系統独立して設けられ、微粒子材料がノズル６０Ａ，６０Ｂより同時にあるいは交互に噴射できるようになっている。エアロゾル発生器５１Ａの容器５６Ａに酸化物誘電体層材料を充填し、エアロゾル発生器５１Ｂの容器５６ＢにＣａ酸化物等を充填し、同時あるいは交互に噴射しエアロゾル化した微粒子を吹き付ける。
【００３５】
同時噴射法では、各々の微粒子をエアロゾル化してキャリアガス流量等により配合量を制御する。また、交互噴射法ではキャリアガス流量、各々の微粒子の吹き付け時間等により配合量を制御する。
【００３６】
図１に戻り、第１〜第３導電体層１６，１９，２４、第１及び第２電極層２１，２３，２５（以下総称して導電体層という。）、ビア２６は、金属あるいは合金などの導電材料をめっき法、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などより形成することができる。導電体層のパターニングは、予めパターニングしたレジスト膜や導電体層を形成した後にエッチングするなどの公知の方法を用いることができる。
【００３７】
ＡＤ法では高温の加熱処理を必要としないので導電体層に低融点金属材料を用いることができ、また、金属材料のみの連続膜とすることができるので、導電体層等を金属あるいは合金の材料本来の低比抵抗とすることができる。したがって、ＣＲ遅延を抑制することができる。導電材料は、比抵抗の点からＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌあるいはこれらの合金などが好ましい。また、導電材料は、酸素を含むガスをキャリアガスとした時に酸化され難い点で、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄあるいはこれらの合金が好ましい。
【００３８】
本実施の形態に係る回路基板は、層間絶縁層１６，１９，２４や誘電体層２２が高周波における誘電損失が低減されているので、高周波信号の伝送損失を低減することができる。さらに導電体層等１６，１９，２４，２１，２３，２５が低比抵抗材料により形成されているので高周波信号のＣＲ遅延、ひいては電子部品の動作応答遅延を防止することができる。
【００３９】
本発明は、図１に示したように回路基板中にキャパシタ２７、スパイラルインダクタ２８などの受動部品を形成できることはもちろんであるが、同様にして、受動部品の単体あるいは集合体に適用することができる。本発明が適用される受動部品としては、例えば、積層セラミックコンデンサ、薄膜コイル、積層コイル、あるいはこれらを用いたフィルタ、ストリップラインあるいはマイクロストリップラインを用いたキャパシタ、インダクタ、カップラー、スプリッター、フィルタなどが挙げられる。
【００４０】
図４は、本発明の他の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。図４を参照するに、積層セラミックコンデンサ３０は、誘電体層２２ａ〜２２ｆと内部電極層２１ａ〜２１ｅとが交互に積層されてなり、内部電極層２１ａ〜２１ｅは第１外部電極層３１及び第２外部電極層３２に電気的に接続されて構成されている。
【００４１】
誘電体層２２ａ〜２２ｆは、図１に示す誘電体層２２と同様に形成され、内部電極層２１ａ〜２１ｅは図１に示す導電体層等１６，１９，２４，２１，２３，２５と同様に形成されている。したがって、高周波領域における低インダクタンス、かつ誘電損失の少ない積層セラミックコンデンサを実現することができる。
【００４２】
また、導電層により形成された接地電極層とマイクロストリップラインとの間に酸化物誘電体層を形成したマイクロストリップラインを用いた受動部品においても、本発明の酸化物誘電体層を用いることができる。高周波領域での誘電損失が低く、さらに図１に示す誘電体層２２と同様の高比誘電率材料を用いることにより回路を小型化することができる。
【００４３】
以下、本発明の実施例について説明する。実施例１〜１０は、混合噴射法を用いて、酸化物誘電体材料にＣａ酸化物セラミックスを添加して成膜した例である。
【００４４】
［実施例１］
平均粒径０．２５μｍのＳｒＺｒＯ3粉末（堺化学社製）に、平均粒径０．５μｍのＣａＺｒＯ3粉末（堺化学社製）を５．０ｖｏｌ%添加して市販の混合機により撹拌し混合粉体を得た。この混合粉体を図２に示すＡＤ法による成膜装置を使用し、ガラス基板上に厚さ５０μｍの誘電体膜を形成した。圧力１９．６Ｐａの高純度窒素ガス（純度９９．９％）をキャリアガスとして、キャリアガスの流量を４Ｌ／分に設定してエアロゾル化した。成膜室を５Ｐａ〜１０Ｐａに設定し、混合粉体の流量を３０ｇ／時間に設定して３０分間噴射した。
【００４５】
また、誘電特性測定用として、本実施例の誘電体膜をＣｒ膜（厚さ０．１μｍ）／Ｃｕ膜（厚さ０．５μｍ）の積層体よりなる下部電極及び上部電極を用いて、ガラス基板／下部電極／誘電体膜／上部電極の構成のキャパシタを形成した。なお、上記ＣａＺｒＯ3粉末の体積濃度は混合粉体の体積を基準とした。
【００４６】
［実施例２］
平均粒径０．５μｍのＢａ（Ｍｇ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3粉末（高純度化学研究所社製）に、実施例１に用いた平均粒径０．５μｍのＣａＺｒＯ3粉末を４．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＣａＺｒＯ3含有Ｂａ（Ｍｇ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3膜を成膜し、合わせて誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００４７】
［実施例３］
平均粒径０．８μｍのＢａＴｉ9Ｏ20粉末（高純度化学研究所社製）に、実施例１に用いた平均粒径０．５μｍのＣａＺｒＯ3粉末を３．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＣａＺｒＯ3含有ＢａＴｉ9Ｏ20膜を成膜し、合わせて誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００４８】
［実施例４］
平均粒径０．２５μｍのＳｒＺｒＯ3粉末２０重量部と、平均粒径０．５μｍのＢａ（Ｚｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3粉末８０重量部に、実施例１に用いた平均粒径０．５μｍのＣａＺｒＯ3粉末を２．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＣａＺｒＯ3含有ＳｒＺｒＯ3／ＢａＴｉ9Ｏ20膜を成膜し、合わせて誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００４９】
［実施例５］
平均粒径０．８μｍのＢａＴｉ4Ｏ9粉末に、平均粒径０．３μｍのＣａＯ粉末（高純度化学研究所社製）を３．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＣａＯ含有ＢａＴｉ4Ｏ9膜を成膜し、合わせて誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００５０】
［実施例６］
平均粒径０．１μｍのＡｌ2Ｏ3粉末１０重量部に、平均粒径０．５μｍのＢａ（Ｚｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3粉末９０重量部に、実施例５に用いた平均粒径０．３μｍのＣａＯ粉末を３．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＣａＯ含有Ａｌ2Ｏ3／Ｂａ（Ｚｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3膜を成膜し、合わせて誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００５１】
［実施例７］
平均粒径０．２５μｍのＳｒＺｒＯ3粉末に、平均粒径０．２μｍのＣａＳｎＯ3粉末（高純度化学研究所社製）を５．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＣａＯ含有ＳｒＺｒＯ3膜を成膜し、合わせて誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００５２】
［実施例８］
平均粒径０．８μｍのＢａＴｉ4Ｏ9粉末に、平均粒径０．２μｍのＣａＳｎＯ3粉末を５．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＣａＳｎＯ3含有ＢａＴｉ4Ｏ9膜を成膜し、合わせて誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００５３】
［実施例９］
平均粒径０．２５μｍのＳｒＺｒＯ3粉末に、平均粒径０．２μｍのＣａＴｉＯ3粉末（高純度化学研究所社製）を３．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＣａＴｉＯ3含有ＳｒＺｒＯ3膜を成膜し、合わせて誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００５４】
［実施例１０］
平均粒径０．６μｍのＢａＴｉ4Ｏ9粉末に、平均粒径０．２μｍのＣａＴｉＯ3粉末を３．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＣａＴｉＯ3含有ＢａＴｉ4Ｏ9膜を成膜し、合わせて誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００５５】
［比較例１］
実施例１においてＣａＺｒＯ3粉末を添加しなかった以外は実施例１と同様にしてＳｒＺｒＯ3膜を成膜した。
【００５６】
［比較例２］
実施例５においてＣａＯ粉末を添加しなかった以外は実施例５と同様にしてＢａＴｉ4Ｏ9膜を成膜した。
【００５７】
図５は、Ｃａ酸化物セラミックスを添加した酸化物誘電体層の特性を示す図である。なお、図中、斜線を付した欄はＣａ酸化物セラミックスを添加していないことを示す。
【００５８】
図５を参照するに、酸化物誘電体層の緻密性を示す吸水率（０．５％以下を合格とする。）、及び基板との密着性を示す密着強度（２ｋｇ／ｍｍ2以上を合格とする。）については、実施例１〜１０及び比較例１、２の総てが膜質および機械的強度の点で十分な膜が形成されていることが分かる。
【００５９】
誘電特性については、Ｃａ酸化物セラミックスを添加しない比較例１及び２は誘電損失が４％〜１０％であるのに対し、Ｃａ酸化物セラミックスを添加した実施例１〜１０は誘電損失が０．００３％〜０．１％であるので、大幅に低くなっている。より詳細には、比較例１の誘電損失が１０％であるのに対して、ＣａＺｒＯ3粉末を５．０ｖｏｌ％添加した実施例１は誘電損失が０．０１％であり、ＣａＺｒＯ3粉末添加の効果が高いことが分かる。また同様に、比較例２の誘電損失が４％であるのに対して、ＣａＯ粉末を３．０ｖｏｌ％添加した実施例５は誘電損失が０．０５％、ＣａＳｎＯ3粉末を５．０ｖｏｌ％添加した実施例７は０．２％、ＣａＴｉＯ3粉末を３．０ｖｏｌ％添加した実施例１０は０．１％であり、これらのＣａ酸化物セラミックスの添加の効果が高いことが分かる。
【００６０】
なお、酸化物誘電体層の吸水率は、酸化物誘電体層が形成された基板を水に１時間浸漬し、その前後の質量の差を酸化物誘電体層の質量で割って求めた。吸水率が低いほど緻密性が高いことを示す。また、酸化物誘電体層と基板との密着性はセバスチャン法を用いて測定した。セバスチャン法は、酸化物誘電体層が形成された基板を固定し、酸化物誘電体層の表面に密着試験子を接着剤で固定する。そして、密着試験子を引き上げて酸化物誘電体層が基板から剥がれたときの密着試験子単位面積当りの引き上げ力（ｋｇ／ｍｍ2）の大きさを密着性の指標とするものであり、引き上げ力が大きいほど密着性が大きいことが示す。
【００６１】
また、比誘電率は実施例及び比較例のキャパシタの電極に周波数１ＧＨｚの高周波電圧を印加して測定した。誘電損失は摂動法を用いて、ネットワークアナライザを使用して測定した。
【００６２】
次に、実施例１１〜２０は、混合噴射法を用いて酸化物誘電体材料にＭｎ酸化物セラミックスを添加して成膜したものである。
【００６３】
［実施例１１］
平均粒径０．２５μｍのＳｒＺｒＯ3粉末に、平均粒径０．５μｍのＭｎＯ2粉末を４．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＭｎＯ2含有ＳｒＺｒＯ3膜を成膜し、合わせて誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００６４】
［実施例１２］
平均粒径０．５μｍのＢａ（Ｚｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3粉末に、平均粒径０．５μｍのＭｎＯ2粉末を２．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＭｎＯ2含有Ｂａ（Ｚｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3膜を成膜し、誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００６５】
［実施例１３］
平均粒径０．５μｍのＢａ（Ｚｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3粉末に、平均粒径０．５μｍのＭｎＯ粉末（高純度化学研究所社製）を３．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＭｎＯ含有Ｂａ（Ｚｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3膜を成膜し、誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００６６】
［実施例１４］
平均粒径０．８μｍのＢａＴｉ4Ｏ9粉末に、平均粒径０．５μｍのＭｎＯ粉末を３．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＭｎＯ含有ＢａＴｉ4Ｏ9膜を成膜し、誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００６７】
［実施例１５］
平均粒径０．２５μｍのＳｒＺｒＯ3粉末に、平均粒径０．５μｍのＭｎ2Ｏ3粉末（高純度化学研究所社製）を３．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＭｎ2Ｏ3含有ＳｒＺｒＯ3膜を成膜し、誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００６８】
［実施例１６］
平均粒径０．８μｍのＢａＴｉ4Ｏ9粉末に、平均粒径０．５μｍのＭｎ2Ｏ3粉末を３．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＭｎ2Ｏ3含有ＢａＴｉ4Ｏ9膜を成膜し、誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００６９】
［実施例１７］
平均粒径０．２５μｍのＳｒＺｒＯ3粉末に、平均粒径０．５μｍのＭｎ3Ｏ4粉末を３．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＭｎ3Ｏ4含有ＳｒＺｒＯ3膜を成膜し、誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００７０】
［実施例１８］
平均粒径０．８μｍのＢａＴｉ4Ｏ9粉末に、平均粒径０．５μｍのＭｎ3Ｏ4粉末を３．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＭｎ3Ｏ4含有ＢａＴｉ4Ｏ9膜を成膜し、誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００７１】
［実施例１９］
平均粒径０．２５μｍのＳｒＺｒＯ3粉末に、平均粒径０．５μｍのＭｎＴｉＯ3粉末（高純度化学研究所社製）を３．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＭｎＴｉＯ3含有ＳｒＺｒＯ3膜を成膜し、誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００７２】
［実施例２０］
平均粒径０．８μｍのＢａＴｉ4Ｏ9粉末に、平均粒径０．５μｍのＭｎＴｉＯ3粉末を３．０ｖｏｌ%添加し、以下実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ５０μｍのＭｎＴｉＯ3含有ＢａＴｉ4Ｏ9膜を成膜し、誘電特性測定用のキャパシタを作製した。
【００７３】
［比較例３］
実施例１２においてＭｎＯ2粉末を添加しなかった以外は実施例１２と同様にしてＢａＴｉ4Ｏ9膜を成膜した。
【００７４】
図６は、Ｍｎ酸化物セラミックスを添加した酸化物誘電体層の特性を示す図である。図中、説明の便宜のため図４に示した比較例１を示す。なお、図中、斜線を付した欄はＭｎ酸化物セラミックスを添加していないことを示す。
【００７５】
図６を参照するに、吸水率及び密着強度については、実施例１１〜２０及び比較例１、３の総てが膜質および機械的強度の点で十分な膜が形成されていることが分かる。
【００７６】
誘電特性については、Ｍｎ酸化物セラミックスを添加しない比較例１及び３は誘電損失が１０％〜１５％であるのに対し、Ｍｎ酸化物セラミックスを添加した実施例１１〜２０は誘電損失が０．００５％〜０．２％と大幅に低くなっている。より詳細には、酸化物誘電体材料をＳｒＺｒＯ3とする比較例１の誘電損失が１０％であるのに対して、ＭｎＯ2粉末、Ｍｎ2Ｏ3粉末、Ｍｎ3Ｏ4粉末、ＭｎＴｉＯ3粉末をそれぞれ添加した、実施例１１、実施例１５、実施例１７、実施例１９は、誘電損失が０．０１％、０．０１％、０．１％、０．２％であり、これらのＭｎ酸化物セラミックスの添加により誘電損失が１／１０００〜１／５０に大幅に低減されていることが分かる。
【００７７】
また、酸化物誘電体材料をＢａ（Ｚｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3とする比較例３の誘電損失が１５％であるのに対して、ＭｎＯ2粉末、ＭｎＯ粉末をそれぞれ添加した、実施例１２、実施例１３は、誘電損失が０．０５％、０．００５％であり、これらのＭｎ酸化物セラミックスの添加により誘電損失が１／３０００〜１／３００に大幅に低減されていることが分かる。
【００７８】
以下、実施例２１〜２３、比較例４及び５はＣａ酸化物セラミックスの添加量を異ならせた例である。
【００７９】
［実施例２１〜実施例２３］
実施例１の平均粒径０．５μｍのＣａＺｒＯ3粉末を下記の量を添加した以外は実施例１と同様にして、ＣａＺｒＯ3含有ＳｒＺｒＯ3膜及びキャパシタを形成した。
【００８０】
実施例２１：  ０．２ｖｏｌ%
実施例２２：  １．０ｖｏｌ%
実施例２３：１５．０ｖｏｌ%
［比較例４、５］
実施例１の平均粒径０．５μｍのＣａＺｒＯ3粉末を下記の量を添加した以外は実施例１と同様にして、ＣａＺｒＯ3含有ＳｒＺｒＯ3膜及びキャパシタを形成した。
【００８１】
比較例４：  ０．０５ｖｏｌ%
比較例５：２５．０ｖｏｌ%
図８は、Ｃａ酸化物セラミックスの添加量を異ならせた酸化物誘電体層の特性を示す図である。図中、説明の便宜のため図５に示した実施例１を示す。
【００８２】
図８を参照するに、吸水率及び密着強度については、実施例１、２１〜２３及び比較例４、５の総てが膜質および機械的強度の点で十分な膜が形成されていることが分かる。
【００８３】
誘電特性については、比較例４及び５は誘電損失が２％〜５％であるのに対し、ＣａＺｒＯ3粉末の添加量が０．２ｖｏｌ％（実施例２１）〜１５ｖｏｌ％（実施例２３）は０．０１％〜０．１％と大幅に低くなっていることが分かる。したがって、添加量をこの範囲とすることにより誘電損失を低減することができる。
【００８４】
さらに、実施例２１と比較例４、実施例２３と比較例５の誘電損失の値から、ＣａＺｒＯ3粉末の添加量を０．１ｖｏｌ％〜２０ｖｏｌ％まで拡張することができると考えられる。
【００８５】
以下、実施例２４〜２６は、混合噴射法に代えて、酸化物誘電体材料とＣａ酸化物セラミックスを予め固溶させる方法、同時噴射法、交互噴射法を用いた例である。
【００８６】
［実施例２４］
平均粒径０．２５μｍのＳｒＺｒＯ3粉末に平均粒径０．５μｍのＣａＺｒＯ3粉末（堺化学社製）を５．０ｖｏｌ%を添加して市販の混合機により撹拌し混合粉体を得た。この混合粉体をアルミナるつぼに入れ、大気中で加熱処理（１０００℃、５時間）を行った。加熱処理を行った粉体を市販のボールミルを用いて１０時間粉砕処理を行い、平均粒径が０．５μｍの固溶された粉体を得た。この粉体を実施例１と同様にしてガラス基板上にＣａＺｒＯ3含有ＳｒＺｒＯ3膜及びキャパシタを形成した。
【００８７】
［実施例２５］
図３に示す成膜装置を用いて、平均粒径０．２５μｍのＳｒＺｒＯ3粉末と、平均粒径０．５μｍのＣａＺｒＯ3粉末をそれぞれエアロゾル発生器１１Ａ，１１Ｂに充填し、エアロゾル発生器１１Ａには圧力１９．６Ｐａの高純度窒素ガス（純度９９．９％）をキャリアガス（流量：８Ｌ／分）に設定し、エアロゾル発生器１１Ｂには圧力９．８Ｐａの高純度窒素ガス（純度９９．９％）をキャリアガス（流量：２Ｌ／分）に設定して導入した。それぞれのノズル２０Ａ、２０Ｂからエアロゾルの噴射を３０分行い、ガラス基板上に厚さ５０μｍのＣａＺｒＯ3含有ＳｒＺｒＯ3膜及びキャパシタを形成した。
【００８８】
［実施例２６］
図３に示す成膜装置を用いて、平均粒径０．２５μｍのＳｒＺｒＯ3粉末と、平均粒径０．５μｍのＣａＺｒＯ3粉末をそれぞれエアロゾル発生器１１Ａ，１１Ｂに充填し、エアロゾル発生器１１Ａには圧力１９．６Ｐａの高純度窒素ガス（純度９９．９％）をキャリアガス（流量：８Ｌ／分）に設定し、エアロゾル発生器１１Ｂには圧力９．８Ｐａの高純度窒素ガス（純度９９．９％）をキャリアガス（流量：２Ｌ／分）に設定して導入した。それぞれのノズル２０Ａ、２０Ｂからエアロゾルを５分毎に交互に計３０分噴射を行い、ガラス基板上に厚さ５０μｍのＣａＺｒＯ3含有ＳｒＺｒＯ3膜及びキャパシタを形成した。
【００８９】
図８は、形成方法の異なる酸化物誘電体層の特性を示す図である。図中、説明の便宜のため図５に示した実施例１を示す。
【００９０】
図８を参照するに、吸水率及び密着強度については、実施例１及び実施例２４〜実施例２６の総てが膜質および機械的強度の点で十分な膜が形成されていることが分かる。
【００９１】
誘電特性については、実施例１及び実施例２４〜実施例２６で略同様の０．０１％〜０．０７％であり、混合噴射法、予め固溶する方法、同時噴射法、交互噴射法のうち、いずれの方法を用いても良好な結果を示すことが分かる。図７では混合噴射法、及び予め固溶する方法が特に優れていることが分かる。
【００９２】
以上本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００９３】
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１）  酸化物誘電体層と導電体層とが積層されてなる回路基板であって、
前記酸化物誘電体層は、エアロゾル化した微粒子材料を吹き付けて堆積されてなり、酸化物誘電体材料と、該酸化物誘電体材料の酸素欠損を防止する酸素欠損防止剤とを含むことを特徴とする回路基板。
（付記２）  前記導電体層は、金属あるいは合金材料よりなる連続膜であることを特徴とする付記１記載の回路基板。
（付記３）  前記酸化物誘電体層と、
当該酸化物誘電体層を挟み、前記導電体層の一部からなる電極層と、からなるキャパシタを有し、
前記酸化物誘電体材料が、ＴｉＯ2、ＢａＴｉＯ3、ＢａＳｒＴｉＯ3、ＢａＴｉＺｒＯ3、ＢａＴｉ4Ｏ9、Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20、Ｂａ(Ｍｇ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3、Ｂａ(Ｚｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3、Ｂａ(Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、及びＺｒＳｎＴｉＯ4からなる群のうち、少なくともいずれか１種を含むことを特徴とする付記１または２記載の回路基板。
（付記４）  前記酸素欠損防止剤が酸素原子を有する酸化剤であり、
前記酸化剤の含有量は０．１体積％〜１５体積％の範囲に設定されることを特徴とする付記１〜３のうち、いずれか一項記載の回路基板。
（付記５）  前記酸化物誘電体材料の平均粒径は１０ｎｍ〜１０μｍの範囲に設定されることを特徴とする付記１〜４のうち、いずれか一項記載の回路基板。
（付記６）  前記酸化剤はＣａ酸化物セラミックスまたはＭｎ酸化物セラミックスであることを特徴とする付記４または５記載の回路基板。
（付記７）  前記Ｃａ酸化物セラミックスはＣａＯ、ＣａＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3、及びＣａＳｎＯ3からなる群のうち少なくとも１種を含むことを特徴とする付記６項記載の回路基板。
（付記８）  前記Ｍｎ酸化物セラミックスはＭｎＯ、ＭｎＯ2、Ｍｎ2Ｏ3、Ｍｎ3Ｏ4、及びＭｎＴｉＯ3からなる群のうち少なくとも１種を含むことを特徴とする付記６記載の回路基板。
（付記９）  エアロゾル化した微粒子材料を吹き付けて堆積されてなる酸化物誘電体層を有し、
前記酸化物誘電体層は、酸化物誘電体材料と、該酸化物誘電体材料の酸素欠損を防止する酸素欠損防止剤とを含むことを特徴とする受動部品。
（付記１０）  酸化物誘電体層と導電体層とが積層されてなる回路基板の製造方法であって、
微粒子よりなる酸化物誘電体材料及び酸素欠損防止剤をエアロゾル化して基板に吹き付けて酸化物誘電体層を形成する工程とを含む回路基板の製造方法。
（付記１１）  酸化物誘電体層と導電体層とが積層されてなる回路基板の製造方法であって、
微粒子よりなる酸化物誘電体材料及び酸素欠損防止剤を混合して微粒子混合物を形成する工程と、
前記微粒子混合物をエアロゾル化して基板に吹き付けて酸化物誘電体層を形成する工程とを含む回路基板の製造方法。
（付記１２）  酸化物誘電体層と導電体層とが積層されてなる回路基板の製造方法であって、
微粒子よりなる酸化物誘電体材料及び酸素欠損防止剤を各々異なる噴射ノズルより同時あるいは交互に吹き付けて酸化物誘電体層を形成する工程とを含む回路基板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の実施の形態に係る回路基板の要部断面図である。
【図２】本発明に用いられるＡＤ法による成膜装置の概略構成図である。
【図３】本発明に用いられるＡＤ法による他の成膜装置の概略構成図である。
【図４】本発明の他の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。
【図５】Ｃａ酸化物セラミックスを添加した酸化物誘電体層の特性（その１）を示す図である。
【図６】Ｍｎ酸化物セラミックスを添加した酸化物誘電体層の特性を示す図である。
【図７】Ｃａ酸化物セラミックスを添加した酸化物誘電体層の特性（その２）を示す図である。
【図８】形成方法の異なる酸化物誘電体層の特性を示す図である。
【符号の説明】
【００９５】
１０      回路基板
１１      ベース基板
１２      下部配線層
１３      キャパシタ層
１４      上部配線層
１５      第１導電体層
１６      第１層間絶縁層
１７、２０、２６  ビア
１８      第２導電体層
１９      第２層間絶縁層
２１      第１電極層
２２      誘電体層
２３      第２電極層
２４      第３層間絶縁層
２５      第３導電体層
２７      キャパシタ
２８      スパイラルインダクタ
３０      積層セラミックコンデンサ
３１      第１外部電極層
３２      第２外部電極層
５０、７０  ＡＤ膜形成装置
【図１】
2005109018.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005109018.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005109018.tif 000009
【図８】
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