(57)【要約】【課題】本発明では、高い接続信頼性、吸湿特性、寸法安定性を有する多層回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁体層を介したスルーホール導体を有する両面金属張積層板と別に用意した絶縁体層を介し、スルーホール導体を有する両面金属張積層板とを加熱加圧成形にて貼り合わせ、積層する。その際、絶縁体層同士の融着を行う加熱加圧成形時の条件で、前記絶縁体層同士を熱融着させるとともに、一括して同時に中間配線層の金属接触部分を金属結合にて接続され、高い接続信頼性及び接続強度を有する多層回路基板とする。【選択図】図１
2005012135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体層を有する両面金属張積層板に形成したスルーホール導体同士を貼りあわせて積層する多層回路基板。
【請求項２】
前記絶縁体層を加熱加圧成形にて積層している多層回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁体層が液晶ポリマーにて構成されていることを特徴とする請求項１の多層回路基板。
【請求項４】
多層回路構造における各導体層間の接続を、絶縁体層同士を融着させる加熱加圧成形の条件にて一括同時に行うことを特徴とする請求項１記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記多層回路構造における各層間の接続を金錫共晶による金属結合にて形成していることを特徴とする請求項１記載の多層回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、各種の電子機器に広範に使用されている回路基板及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型軽量化及び高性能化に伴い、プリント配線基板においても小型軽量化及び高密度実装化が求められている。従来の技術として多層回路基板においては、各層間の接続形態としては導電性ペーストの充填やビアホールめっき、銅バンプ等にて形成された導体部分とそれに接続される配線導体が接触しているものである。
【０００３】
このような多層回路基板における接続形態としては、近年特許公開２００２−２６４７９に示されている方法等が従来技術としてある。
【０００４】
【特許文献】特許公開２００２−２６４７９
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の多層回路基板では、各層間の接続形態としては、導電性ペーストや銅バンプ等で形成したビアホール導体と配線導体を接触させているだけのものである為、高い接続信頼性や接続強度を得ることができない。
【０００６】
そこで、本発明は上記問題を解決するために、多層化する過程で、絶縁体層同士を貼りあわせる加熱加圧工程において、同時に中間配線層同士の接続を金属結合にて接続することを特徴とし、高い接続信頼性に優れた多層回路基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の回路基板は、絶縁体層を有する両面金属張積層板に形成されたスルーホール導体同士を加熱加圧し貼りあわせて多層化し、これらの基板は中間配線層部分が金属結合を介して接続し、高い接続信頼性及び接続強度を有する回路基板となる。
【０００８】
前記絶縁体層は液晶ポリマーにて構成され、簡便性、耐熱性、耐湿性、耐薬品性、寸法安定性に優れた回路基板である。
【０００９】
本発明の回路基板は、液晶ポリマー基材同士の融着にて多層化構造を成しており、前記液晶ポリマー基材を熱融着する加熱加圧成形の条件にて中間配線層間の金属接合を一括して行うことを特徴とする製造方法である。
【００１０】
前記中間配線層の金属接合は、金錫共晶であることを特徴とする回路基板である。
【００１１】
前記中間配線層は、予めスルーホール導体を介して導通確保された両面金属張積層板同士を貼りあわせて形成され、更に金属結合にて接続しているため、高い接続信頼性を有する回路基板である。
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。
【００１２】
本発明の実施例による多層回路基板は図１において、１は配線層、２ａ及び２ｂは絶縁体層、３はスルーホール導体、４は中間配線層である。
【００１３】
２ａ及び２ｂの絶縁体層は、所要の絶縁性を確保できるものであればいかなる材料でも適用でき、例えば、ポリイミド、エポキシ、アクリル、液晶ポリマー等のプラスチック材料を使用できる。しかしながら、後述する加工工程における簡便性やコスト、寸法安定性、材料特性等の観点から、液晶ポリマーが使用される。
【００１４】
１の配線層や４の中間配線層に用いられる金属箔に用いられる金属としては、良好な導電性を有するいずれもが使用され得る。例えば、銅、銅合金、ニッケル、アルミニウム、金、銀など良導電性金属を使用でき、通常、銅が使用される。
【００１５】
図２は本発明の多層回路基板の製造方法の各段階を示す断面図である。図２において２１及び２６は配線層、２２及び２７は絶縁体層、２３及び２８は貫通穴、２４及び２９はスルーホール導体、２５及び３０は金属めっき層である。
【００１６】
次に、多層回路基板の製造方法について図２に基づき詳細に説明する。
【００１７】
図２（ａ）に示すように、絶縁体層を介した両面金属張積層板を準備する。図２（ｂ）に示すようにドリル、レーザー、プラズマ、ウェットエッチング等を利用して貫通穴２３を形成する。図２（ｃ）に示すように、スルーホールめっきを行い、両面金属箔同士を導通させる。図２（ｄ）に示すように、両面金属箔のうち、どちらか一方の金属箔をエッチング等を用いて中間配線層の配線パターンを形成し、スルーホール導体２４を形成する。図２（ｅ）に示すように、配線パターンを形成した金属箔上に金属めっきを行う。図２（ｆ）に示すように、絶縁体層を介した両面金属張積層板を準備する。図２（ｇ）に示すように、ドリル、レーザー、プラズマ、ウェットエッチング等を利用して貫通穴２８を形成する。図２（ｈ）に示すように、スルーホールめっきを行い、両面金属箔同士を導通させる。図２（ｉ）に示すように、両面金属箔のうち、どちらか一方の金属箔をエッチング等を用いて中間配線層の配線パターンを形成し、スルーホール導体２９を形成する。図２（ｊ）に示すように、配線パターンを形成した金属箔上に金属めっきを行う。図２（ｋ）に示すように、基板図２（ｅ）と基板図２（ｊ）とを加熱加圧成形により、積層する。図２（ｌ）に示すように、表層の金属箔をエッチング等を用いて配線パターンを形成し、多層回路基板が得られる。更に、場合によっては、前記表層配線パターンの金属箔の酸化防止として金等の貴金属めっきを行う。
【００１８】
なお、上記説明の中で貫通穴や配線パターン、スルーホール導体、積層の加工方法や形成方法を挙げたが、これらに限定されるものではなく、銅ポストやバンプ等を用いた他の接続形態、形成方法を用いることもできる。
【００１９】
【実施例】
以下、実施例に基づき説明する。
【００２０】
先ず、２５μｍ〜３００μｍ厚の液晶ポリマーフィルム及び９μｍ〜１８μｍ厚の銅合金からなる両面銅張積層板の所定の位置にマイクロドリルを利用して、直径１５０μｍの貫通穴を形成した。前記貫通穴に無電解銅めっき行った後、電解銅めっきを施し、両面の銅箔を導通させた。次に、積層する際に中間配線層となる面の銅箔を塩化第二鉄液にてエッチングし、中間配線層パターン１を形成した。更に、形成した配線パターン上に無電解錫めっきを施した。
【００２１】
次に、積層する基板となる２５μｍ〜３００μｍ厚の液晶ポリマーフィルム及び９μｍ〜１８μｍ厚の銅合金からなる両面銅張積層板を準備し、所定の位置にマイクロドリルを利用して直径１５０μｍの貫通穴を形成した。前記貫通穴に無電解銅めっきを行った後、電解銅めっきを施し、両面の銅箔を導通させた。次に、積層する際に中間配線層となる面の銅箔を塩化第二鉄液にてエッチングし、中間配線層パターン２を形成した。更に、形成した配線パターン上に無電解金めっきを施した。
【００２２】
上記２つの基板を中間配線層同士が重なり合うように位置合わせ用治具を利用して位置決めを行い、耐熱テープにて仮止めし、真空ホットプレス機にて３３５℃、圧力７．０ｋｇｆ／ｃｍ２で１０分間加熱加圧し、積層した。この時、絶縁体層である液晶ポリマーフィルムを熱融着させるのと同時に、錫めっき及び金めっきを施した中間配線層となる金属接触部分をこの時の加熱温度にて金錫共晶として金属結合させているものである。
【００２３】
続いて、上記積層した材料の表層の銅箔を塩化第二鉄液にてエッチングし、表層配線パターンを形成した。
【００２４】
なお、本実施の形態においては、各配線層間の接続方法としてスルーホール導体に限定されるものではなく、導電性ペースト、ブラインドビアめっき等を利用することもできる。
【００２５】
また、本実施の形態において、中間配線層の接続形態である金属結合は、金錫共晶に限定されるものではなく、パラジウム、半田、銀等の金属を利用することもできる。
【００２６】
【発明の効果】
本発明によれば、高い接続安定性や接続強度、吸湿特性、寸法安定性を有する多層回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による多層回路基板を模式的に示す断面図である。
【図２】図１に示す多層回路基板の作製工程を説明する為の模式的な断面図である。
【符号の説明】
１  配線層
２ａ，２ｂ  絶縁体層
３  スルーホール導体
４  中間配線層
２１，２６  配線層
２２，２７  絶縁体層
２３，２８  貫通穴
２４，２９  スルーホール導体
２５，３０  金属めっき層
【図１】
2005012135.tif 000003
【図２】
2005012135.tif 000004