(57)【要約】【課題】反応室を排気する排気手段と除害装置との間での副生成物の堆積を低減できると共に、メンテナンス頻度を高くしない基板処理装置を提供する。【解決手段】  第１の排気手段２４６および第２の排気手段３０２と、除害装置３０３とを有する排気システムであって、第１の排気手段２４６、第２の排気手段３０２、除害装置３０３が、上流側からこの順で配置され、第１の排気手段２４６と第２の排気手段３０２との間の第１の距離より、第２の排気手段３０２と除害装置３０３との間の第２の距離が短くなるように配置された排気システムを備える。【選択図】図２
2005109002.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の排気手段および第２の排気手段と、
排気ガスに含まれる有害物質を除去する除害装置とを有する排気システムであって、
該第１の排気手段、第２の排気手段、除害装置が、上流側からこの順で配置され、
且つ、該第１の排気手段と第２の排気手段との間の第１の距離より、該第２の排気手段と除害装置との間の第２の距離が短くなるように配置された前記排気システムを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、半導体ウエハの処理をガスを使用して行う半導体基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来の半導体基板処理装置の排気システムを説明するための概略図である。反応室２０１と、真空排気手段としての真空ポンプ２４６と、排ガス除害装置３０３とを備えており、反応室２０１と真空排気手段２４６との間には排気配管２３１が接続され、真空排気手段２４６と排ガス除害装置３０３との間には排気配管３０７が接続されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体基板処理装置で基板処理中に使用される原料ガスの種類によっては副生成物を排気配管２３１、３０７内で生じることがある。排気配管２３１、３０７はその真空度によって大きく２つの部分に分けられる。一つは反応室２０１と真空排気手段２４６の間の減圧部排気配管である排気配管２３１、もう一つは真空排気手段２４６から排ガス除害装置３０３までの常圧部排気配管である排気配管３０７である。
【０００４】
減圧部排気配管２３１と常圧部排気配管３０７を比較すると、常圧部排気配管３０７の方が副生成物の付着量が多い。これは、常圧部排気配管３０７の方が圧力が高いので反応が促進されること、副生成物が気化しにくくなること、滞留が起こりやすく壁面に付着する確率が高くなること、などが原因と考えられる。
【０００５】
なお、減圧部排気配管２３１よりも常圧部排気配管３０７の方が滞留が起こりやすいのは、次の理由による。減圧ということは、ガス分子の存在が少なく、ガス同士の衝突の確率も小さくなる。また、圧力領域が１０Ｐａオーダなので、流れも層流という滑らかな流れになる。そして、真空ポンプ等の真空排気手段２４６で強制的に排気しているので、ガス流速も非常に速い。このようなことにより、減圧部ではガスが澱みにくい。他方、常圧では、ガス分子が多く存在し、ガス同士が頻繁に衝突する。そして、流れは乱流と呼ばれる状態になる。常圧部排気配管３０７は設備の排気ダクトで引かれているだけなので引きは弱く、減圧部排気配管２３１に比べれば流速はかなり遅く、滞留が起き易い状態となるからである。
【０００６】
このように、常圧部排気配管３０７に副生成物が付着しやすいが、この堆積を放置しておけば、常圧部排気配管内３０７は閉塞し真空排気手段２４６が背圧異常で停止し、装置トラブルの原因となる。
【０００７】
常圧部排気配管３０７を短くできるように、反応室２０１を有する半導体処理装置本体を除害装置３０３のすぐ近くに設置できればよいが、製造ラインのレイアウト上不可能な場合も多く、さらに常圧部排気配管３０７を引き回す際に障害物を避けるため配管の曲がり部ができてしまうこともガスの滞留、混合を助長し、結果として副生成物が堆積しやすくなってしまう。
【０００８】
これを防ぐためには、例えば真空排気手段２４６と除害装置３０３の間にトラップという、副生成物を故意にそこで堆積させるものを設けることもある。このトラップを用いれば他の部品にはなるべく堆積しないようにするので、トラップの定期メンテナンスのみで済む。しかし、副生成物は多量に発生する工程では、場合によっては処理一回毎にトラップ交換が必要となることもあり、それではメンテナンス頻度が多すぎて装置稼働率は下がってしまい好ましくない。
【０００９】
従って、本発明の主な目的は、反応室を排気する排気手段と、除害装置の間での副生成物の堆積を低減できると共に、メンテナンス頻度を高くしない基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、
第１の排気手段および第２の排気手段と、
排気ガスに含まれる有害物質を除去する除害装置とを有する排気システムであって、
該第１の排気手段、第２の排気手段、除害装置が、上流側からこの順で配置され、
且つ、該第１の排気手段と第２の排気手段との間の第１の距離より、該第２の排気手段と除害装置との間の第２の距離が短くなるように配置された前記排気システムを備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１１】
好ましくは、第１の排気手段と第２の排気手段は真空排気手段である。
【００１２】
また、好ましくは、第２の排気手段は、除害装置の直近に設ける。より好ましくは、第２の排気手段と除害装置との間の第２の距離を３ｍ以内とする。
【００１３】
また、上記基板として、半導体ウエハを使用すれば、上記基板処理装置によって半導体ウエハを処理する工程を備える半導体装置の製造方法が得られる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、反応室を排気する排気手段と、除害装置の間での副生成物の堆積を低減できると共に、メンテナンス頻度を高くしない基板処理装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
【実施例１】
【００１６】
図２は、本発明の一実施例の基板処理装置の排気システムを説明するための概略図である。基板処理装置の反応室２０１と、真空排気手段としての真空ポンプ２４６、３０２と、排ガス除害装置３０３とを備えており、真空排気手段２４６、真空排気手段３０２および排ガス除害装置３０３が排ガスの流れの上流側からこの順で配置されている。反応室２０１と真空排気手段２４６との間には排気配管２３１が接続され、真空排気手段２４６と真空排気手段３０２との間には排気配管３０５が接続され、真空排気手段３０２と排ガス除害装置３０３との間には排気配管３０６が接続されている。排気配管２３１、３０５は減圧部排気配管であり、排気配管３０６は常圧部排気配管である。
【００１７】
このように、反応室２０１を真空にする目的の真空排気手段２４６とは別の真空排気手段３０２を除害装置３０３近くに設けることで、真空排気手段２４６の排気側の排気配管３０５も減圧部とし、そこでの副生成物の堆積を抑え、真空排気手段３０２は除害装置３０３の直近に設置することで常圧部排気配管３０６の配管距離、曲がり部等を最小限にでき、堆積を促進するガス滞留の可能性を少なくできる。なお、好ましくは、真空排気手段３０２と除害装置３０３との間の常圧部排気配管３０６の距離を３ｍ以内とする。
【００１８】
また、好ましくは、真空排気手段３０２の下流の常圧部排気配管３０６に不活性ガスを流すことが可能なガスラインを設ける。このガスラインから大量、好ましくは７０Ｌ以上の不活性ガスを加え、希釈することで常圧部排気配管３０６内のガス流速を上げ滞留を防ぎ、常圧部排気配管３０６への副生成物堆積を防ぐ効果を上げることができる。
【００１９】
次に、本実施例として、ウエハ等の基板へのプロセス処理例としてＣＶＤ法の中の１つであるＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いた成膜処理について説明する。
【００２０】
ＡＬＤ法は、ある成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる２種類（またはそれ以上）の原料となるガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し、１原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。
【００２１】
即ち、利用する化学反応は、例えばＳｉＮ（窒化珪素）膜形成の場合、ＡＬＤ法ではＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２、ジクロルシラン）とＮＨ３（アンモニア）を用いて３００〜６００℃の低温で高品質の成膜が可能である。また、ガス供給は、複数種類の反応性ガスを１種類ずつ交互に供給する。そして、膜厚制御は、反応性ガス供給のサイクル数で制御する。（例えば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形成する場合、処理を２０サイクル行う。）
【００２２】
図３は、本実施例にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面で示し、図４は本実施例にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を横断面で示す。加熱手段であるヒータ２０７の内側に、基板であるウエハ２００を処理する反応容器として反応管２０３が設けられ、この反応管２０３の下端開口は蓋体であるシールキャップ２１９により気密部材であるＯリング２２０を介して気密に閉塞され、少なくとも、このヒータ２０７、反応管２０３、及びシールキャップ２１９により処理炉２０２を形成し、反応管２０３及びシールキャップ２１９により反応室２０１を形成している。シールキャップ２１９には石英キャップ２１８を介して基板保持手段であるボート２１７が立設され、石英キャップ２１８はボートを保持する保持体となっている。そして、ボート２１７は処理炉２０２に挿入される。ボート２１７にはバッチ処理される複数のウエハ２００が水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。ヒータ２０７は処理炉２０２に挿入されたウエハ２００を所定の温度に加熱する。
【００２３】
そして、処理炉２０２へは複数種類、ここでは２種類のガスを供給する供給管としての２本のガス供給管２３２ａ、２３２ｂが設けられる。ここでは第１のガス供給管２３２ａからは流量制御手段である第１のマスフローコントローラ２４１ａ及び開閉弁である第１のバルブ２４３ａを介し、更に後述する処理炉２０２内に形成されたバッファ室２３７を介して処理炉２０２に反応ガスが供給され、第２のガス供給管２３２ｂからは流量制御手段である第２のマスフローコントローラ２４１ｂ、開閉弁である第２のバルブ２４３ｂ、ガス溜め２４７、及び開閉弁である第３のバルブ２４３ｃを介し、更に後述するガス供給部２４９を介して処理炉２０２に反応ガスが供給されている。
【００２４】
処理炉２０２はガスを排気する排気管であるガス排気管２３１により第４のバルブ２４３ｄを介して排気手段である真空ポンプ２４６に接続され、真空排気されるようになっている。尚、この第４のバルブ２４３ｄは弁を開閉して処理炉２０２の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。
【００２５】
処理炉２０２を構成している反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間には、反応管２０３の下部より上部の内壁にウエハ２００の積載方向に沿って、ガス分散空間であるバッファ室２３７が設けられており、そのバッファ室２３７のウエハ２００と隣接する壁の端部にはガスを供給する供給孔である第１のガス供給孔２４８ａが設けられている。この第１のガス供給孔２４８ａは反応管２０３の中心へ向けて開口している。この第１のガス供給孔２４８ａは、下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
【００２６】
そしてバッファ室２３７の第１のガス供給孔２４８ａが設けられた端部と反対側の端部には、ノズル２３３が、やはり反応管２０３の下部より上部にわたりウエハ２００の積載方向に沿って配設されている。そしてノズル２３３には複数のガスを供給する供給孔である第２のガス供給孔２４８ｂが設けられている。この第２のガス供給孔２４８ｂの開口面積は、バッファ室２３７と処理炉２０２の差圧が小さい場合には、上流側から下流側まで同一の開口面積で同一の開口ピッチとすると良いが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大きくするか、開口ピッチを小さくすると良い。
【００２７】
本発明において、第２のガス供給孔２４８ｂの開口面積や開口ピッチを上流側から下流にかけて調節することで、まず、第２の各ガス供給孔２４８ｂよりガスの流速の差はあるが、流量はほぼ同量であるガスを噴出させる。そしてこの各第２のガス供給孔２４８ｂから噴出するガスをバッファ室２３７に噴出させて一旦導入し、ガスの流速差の均一化を行うこととした。
【００２８】
すなわち、バッファ室２３７において、各第２のガス供給孔２４８ｂより噴出したガスはバッファ室２３７で各ガスの粒子速度が緩和された後、第１のガス供給孔２４８ａより処理炉２０２に噴出する。この間に、各第２のガス供給孔２４８ｂより噴出したガスは、各第１のガス供給孔２４８ａより噴出する際には、均一な流量と流速とを有するガスとすることができた。
【００２９】
さらに、バッファ室２３７に、細長い構造を有する第１の電極である第１の棒状電極２６９及び第２の電極である第２の棒状電極２７０が上部より下部にわたって電極を保護する保護管である電極保護管２７５に保護されて配設され、この第１の棒状電極２６９又は第２の棒状電極２７０のいずれか一方は整合器２７２を介して高周波電源２７３に接続され、他方は基準電位であるアースに接続されている。この結果、第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間のプラズマ生成領域２２４にプラズマが生成される。
【００３０】
この電極保護管２７５は、第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０のそれぞれをバッファ室２３７の雰囲気と隔離した状態でバッファ室２３７に挿入できる構造となっている。ここで、電極保護管２７５の内部は外気（大気）と同一雰囲気であると、電極保護管２７５にそれぞれ挿入された第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０はヒータ２０７の加熱で酸化されてしまう。そこで、電極保護管２７５の内部は窒素などの不活性ガスを充填あるいはパージし、酸素濃度を充分低く抑えて第１の棒状電極２６９又は第２の棒状電極２７０の酸化を防止するための不活性ガスパージ機構が設けられる。
【００３１】
さらに、第１のガス供給孔２４８ａの位置より、反応管２０３の内周を１２０°程度回った内壁に、ガス供給部２４９が設けられている。このガス供給部２４９は、ＡＬＤ法による成膜においてウエハ２００へ、複数種類のガスを１種類ずつ交互に供給する際に、バッファ室２３７とガス供給種を分担する供給部である。
【００３２】
このガス供給部２４９もバッファ室２３７と同様にウエハと隣接する位置に同一ピッチでガスを供給する供給孔である第３のガス供給孔２４８ｃを有し、下部では第２のガス供給管２３２ｂが接続されている。
【００３３】
第３のガス供給孔２４８ｃの開口面積はバッファ室２３７と処理炉２０２の差圧が小さい場合には、上流側から下流側まで同一の開口面積で同一の開口ピッチとすると良いが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大きくするか開口ピッチを小さくすると良い。
【００３４】
反応管２０３内の中央部には複数枚のウエハ２００を多段に同一間隔で載置するボート２１７が設けられており、このボート２１７は図中省略のボートエレベータ機構により反応管２０３に出入りできるようになっている。また処理の均一性を向上するためにボート２１７を回転するための回転手段であるボート回転機構２６７が設けてあり、ボート回転機構２６７を回転することにより、石英キャップ２１８に保持されたボート２１７を回転するようになっている。
【００３５】
制御手段であるコントローラ１２１は、第１、第２のマスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂ、第１〜第４のバルブ２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄ、ヒータ２０７、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２６７、図中省略のボート昇降機構、高周波電源２７３、整合器２７２に接続されており、第１、第２のマスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂの流量調整、第１〜第３のバルブ２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｃの開閉動作、第４のバルブ２４３ｄの開閉及び圧力調整動作、ヒータ２０７温度調節、真空ポンプ２４６、３０２の起動・停止、ボート回転機構２６７の回転速度調節、ボート昇降機構の昇降動作制御、高周波電極２７３の電力供給制御、整合器２７２によるインピーダンス制御が行われる。
【００３６】
次にＡＬＤ法による成膜例について、ＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２、ジクロロシラン）及びＮＨ３ガスを用いて窒化膜（ＳｉＮ膜）を成膜する例で説明する。
【００３７】
まず成膜しようとするウエハ２００をボート２１７に装填し、処理炉２０２に搬入する。搬入後、次の３つのステップを順次実行する。
【００３８】
なお、下の例ではＤＣＳを先に炉内に流しているが、ＮＨ３を先に流す方法でもほぼ同じである。
【００３９】
（１）ＤＣＳをガス溜め２４７に２４３ｂ開、２４３ｃ閉の状態で所望の量、前もって留めておく（１サイクル目は前もって、２サイクル目以降はガス溜め２４７からの原料を放出するイベント以外の時間に、ガス溜め２４７に原料を溜めこんでおけば時間の無駄が無く好ましい。）
【００４０】
（２）ガス溜め２４７に溜めたＤＣＳを放出する前に、バッファ室２３７からＮ２等の不活性ガスを前もって流しておくことが好ましい。これは次のイベントでガス溜め２４７に溜まったＤＣＳがガス溜め２４７と反応管２０３との間の差圧で一気に反応管２０３内に流れ込み、さらにそれがバッファ室２３７のガス供給口２４８ａからバッファ室２３７内に逆流することを防ぐためである。
【００４１】
（３）ガス溜め２４７に溜めたＤＣＳをガス溜め２４７の下流にあるバルブ２４３ｃを開けることで、バッファ室（ガス供給部）２４９を通って、バッファ室（ガス供給部）２４９に基板間隔１枚毎に設けられたガス供給口２４８ｃから被処理基板であるウエハ２００上に供給する。原料の吸着を促進するためにＤＣＳの分圧が高くなるように炉内圧力の調整手段（排気配管途中に設けたバタフライ弁等のバルブ２４３ｄ等）は圧力が高くなるように設定する。この時もバッファ室２３７からはＮ２等の不活性ガスを流しつづけることが好ましい。このときのウエハ温度は、３００〜６００℃である。
【００４２】
（４）バルブ２４３ｃを閉じてＤＣＳのガス溜め２４７からの供給を止める。バルブ２４３ｃを閉じた後は、次の供給が始まるまでの時間をＤＣＳの溜め時間に当てることができる（つまり、他のイベント実施中にＤＣＳガスをガス溜め２４７に溜めることができるので、溜め時間のみのイベントとして余分に時間をとる必要がない）。
【００４３】
（５）つぎに反応管２０３内、バッファ室（ガス供給部）２４９内からのＤＣＳの除去を行うが、真空排気手段２４３、３０２による排気で行う。この際、バッファ室（ガス供給部）２４９とバルブ２４３ｃの間に不活性ガスのラインを追加して、不活性ガスによる押しだしと真空引きを組み合わせるのもガス置換には効果的である。
【００４４】
（６）次にガス供給管２３２ａからバッファ室２３７内に接続されたノズル２３３を通してバッファ室２３７内にＮＨ３を供給する。この時も上と同じ理由で、バッファ室（ガス供給部）２４９からは不活性ガスを流しておくのが好ましい。
【００４５】
（７）ノズル２３３からバッファ室２３７に供給されたＮＨ３は、バッファ室２３７内の圧力が均一になるように供給され、バッファ室２３７に基板間隔１枚毎に設けられたガス供給孔２４８ｂから被処理基板としてのウエハ２００上に供給される。本実施例を用いれば、複数枚の被処理基板としてのウエハ２００上に同じようにＮＨ３を供給可能である。
このときのヒータ２０７温度はウエハ２００が３００〜６００℃になるよう設定してある。ＮＨ３は反応温度が高いため、上記ウエハ温度では反応しないので、プラズマ励起することにより活性種としてから流すようにしており、このためウエハ温度は設定した低い温度範囲のままで行える。
【００４６】
（８）ＮＨ３を反応管２０３内に流すことを止める。
【００４７】
（９）つぎに反応管２０３内およびバッファ室２３７内からＮＨ３の除去を行うが、真空排気手段２４３、３０２による排気で行う。この際も上と同様に、不活性ガスによる押しだしと真空引きを組み合わせるのも効果的である。
以上で１cycleとなり、これら（１）〜（９）を繰り返すことにより、成膜を進行させる。
【００４８】
ＡＬＤ装置では、ガスは下地膜表面に吸着する。このガスの吸着量は、ガスの圧力、及びガスの暴露時間に比例する。よって、希望する一定量のガスを、短時間で吸着させるためには、ガスの圧力を短時間で大きくする必要がある。この点で、本実施例では、バルブ２４３ｄを閉めたうえで、ガス溜め２４７内に溜めたＤＣＳを瞬間的に供給しているので、反応管２０３内のＤＣＳの圧力を急激に上げることができ、希望する一定量のガスを瞬間的に吸着させることができる。
【００４９】
また、本実施例では、ガス溜め２４７にＤＣＳを溜めている間に、ＡＬＤ法で必要なステップであるＮＨ３ガスをプラズマ励起することにより活性種として供給、及び処理炉２０２の排気をしているので、ＤＣＳを溜めるための特別なステップを必要としない。また、処理炉２０２内を真空排気手段２４３、３０２によって排気してＮＨ３ガスを除去してからＤＣＳを流すことになるので、両者はウエハ２００に向かう途中で反応しない。供給されたＤＣＳは、ウエハ２００に吸着しているＮＨ３とのみ有効に反応させることができる。
【００５０】
さらに、この例ではＤＣＳとＮＨ３を同時に流さないため、滞留の少ない減圧部排気配管２３１、３０５では副生成物の付着量が少ない。
【００５１】
また、真空排気手段３０２は除害装置３０３の直近、好ましくは３ｍ以内に設置しているので、常圧部排気配管３０６の配管距離、曲がり部等を最小限にでき、堆積を促進するガス滞留の可能性を少なくできる。
【００５２】
また、真空排気手段３０２の下流の常圧部排気配管３０６に７０Ｌ以上の不活性ガスを流すことが可能なガスライン（図示せず）を設けることにより、このガスラインから大量の不活性ガスを加え、希釈することで常圧部排気配管３０６内のガス流速を上げ滞留を防ぎ、常圧部排気配管３０６への副生成物堆積を防ぐ効果を上げることができる。
【００５３】
なお、図１に示すような排気ラインに反応室２０１を接続した場合には、本実施例の場合とは異なり、常圧部排気配管３０７の特に配管の曲がり部等に副生成物としてＮＨ４Ｃｌ（塩化アンモニウム）が堆積しやすくなってしまう。
【００５４】
次に、図５を参照して本発明が適用される基板処理装置の一例である半導体製造装置についての概略を説明する。
【００５５】
筐体１０１内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット１００の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ１０５が設けられ、カセットステージ１０５の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ１１５が設けられ、カセットエレベータ１１５には搬送手段としてのカセット移載機１１４が取りつけられている。又、カセットエレベータ１１５の後側には、カセット１００の載置手段としてのカセット棚１０９が設けられると共にカセットステージ１０５の上方にも予備カセット棚１１０が設けられている。予備カセット棚１１０の上方にはクリーンユニット１１８が設けられクリーンエアを筐体１０１の内部を流通させるように構成されている。
【００５６】
筐体１０１の後部上方には、処理炉２０２が設けられ、処理炉２０２の下方には基板としてのウエハ２００を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート２１７を処理炉２０２に昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ１２１が設けられ、ボートエレベータ１２１に取りつけられた昇降部材１２２の先端部には蓋体としてのシールキャップ２１９が取りつけられボート２１７を垂直に支持している。ボートエレベータ１２１とカセット棚１０９との間には昇降手段としての移載エレベータ１１３が設けられ、移載エレベータ１１３には搬送手段としてのウエハ移載機１１２が取りつけられている。又、ボートエレベータ１２１の横には、開閉機構を持ち処理炉２０２の下面を塞ぐ遮蔽部材としての炉口シャッタ１１６が設けられている。
【００５７】
ウエハ２００が装填されたカセット１００は、図示しない外部搬送装置からカセットステージ１０５にウエハ２００が上向き姿勢で搬入され、ウエハ２００が水平姿勢となるようカセットステージ１０５で９０°回転させられる。更に、カセット１００は、カセットエレベータ１１５の昇降動作、横行動作及びカセット移載機１１４の進退動作、回転動作の協働によりカセットステージ１０５からカセット棚１０９又は予備カセット棚１１０に搬送される。
【００５８】
カセット棚１０９にはウエハ移載機１１２の搬送対象となるカセット１００が収納される移載棚１２３があり、ウエハ２００が移載に供されるカセット１００はカセットエレベータ１１５、カセット移載機１１４により移載棚１２３に移載される。
【００５９】
カセット１００が移載棚１２３に移載されると、ウエハ移載機１１２の進退動作、回転動作及び移載エレベータ１１３の昇降動作の協働により移載棚１２３から降下状態のボート２１７にウエハ２００を移載する。
【００６０】
ボート２１７に所定枚数のウエハ２００が移載されるとボートエレベータ１２１によりボート２１７が処理炉２０２に挿入され、シールキャップ２１９により処理炉２０２が気密に閉塞される。気密に閉塞された処理炉２０２内ではウエハ２００が加熱されると共に処理ガスが処理炉２０２内に供給され、ウエハ２００に処理がなされる。
【００６１】
ウエハ２００への処理が完了すると、ウエハ２００は上記した作動の逆の手順により、ボート２１７から移載棚１２３のカセット１００に移載され、カセット１００はカセット移載機１１４により移載棚１２３からカセットステージ１０５に移載され、図示しない外部搬送装置により筐体１０１の外部に搬出される。尚、炉口シャッタ１１６は、ボート２１７が降下状態の際に処理炉２０２の下面を塞ぎ、外気が処理炉２０２内に巻き込まれるのを防止している。
カセット移載機１１４等の搬送動作は、搬送制御手段１２４により制御される。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】従来の基板処理装置の排気システムを説明するための概略図である。
【図２】本発明の一実施例の基板処理装置の排気システムを説明するための概略図である。
【図３】本発明の一実施例の基板処理装置の縦型の基板処理炉を説明するための概略縦断面図である。
【図４】本発明の一実施例の基板処理装置の縦型の基板処理炉を説明するための概略横断面図である。
【図５】本発明の一実施例の基板処理装置本体を説明するための概略斜視図である。
【符号の説明】
【００６３】
２００…ウエハ
２０１…反応室
２０２…処理炉
２０３…反応管
２０７…ヒータ
２１７…ボート
２１８…石英キャップ
２１９…シールキャップ
２２０…Ｏリング
２２４…プラズマ生成領域
２３１…（減圧部）排気配管
２３２ａ…第１のガス供給管
２３２ｂ…第２のガス供給管
２３３…ノズル
２３７…バッファ室
２４１ａ…第１のマスフローコントローラ
２４１ｂ…第２のマスフローコントローラ
２４３ａ…第１のバルブ
２４３ｂ…第２のバルブ
２４３ｃ…第３のバルブ
２４３ｄ…第４のバルブ
２４６…真空ポンプ（真空排気手段）
２４７…ガス溜め
２４８ａ…第１のガス供給孔
２４８ｂ…第２のガス供給孔
２４８ｃ…第３のガス供給孔
２４９…ガス供給部
２６７…ボート回転機構
２６９…第１の棒状電極
２７０…第２の棒状電極
２７１…アース
２７２…整合器
２７３…高周波電源
２７５…電極保護管
３０２…真空ポンプ（真空排気手段）
３０３…排ガス除害装置
３０５…（減圧部）排気配管
３０６…（常圧部）排気配管
３０７…（常圧部）排気配管
３２１…コントローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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