(57)【要約】【課題】  静電破壊防止可能な発光ダイオード装置の提供。【解決手段】  表面絶縁基板上に少なくとも一つの第１電力供給回路と少なくとも一つの第２電力供給回路が設けられ、第１電力供給回路が発光ダイオードのＬＥＤ第１電極及び静電防止保護装置のＥＳＤ第２電極に電気的に接続され、第２電力供給回路が発光ダイオードのＬＥＤ第２電極及び静電防止保護装置のＥＳＤ第１電極に接続され、発光ダイオード及び静電防止保護装置が逆接続の並列回路を形成し、第１電力供給回路及び第２電力供給回路の作用面積がＥＳＤ第１電極及びＥＳＤ第２電極より大きい特性により、製造工程を簡易化し生産歩留りを上げ、発光ダイオード装置の使用寿命を高める。【選択図】        図４
2005259754.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面絶縁基板と、少なくとも一つの発光ダイオードと、静電防止保護装置とを具え、
該表面絶縁基板には少なくとも一つの第１電力供給回路と少なくとも一つの第２電力供給回路が設けられ、
該少なくとも一つの発光ダイオードは、各発光ダイオードがＬＥＤ第１電極とＬＥＤ第２電極を具え、該ＬＥＤ第１電極が該表面絶縁基板の第１電力供給回路に直接固定され、ＬＥＤ第２電極は表面絶縁基板の第２電力供給回路に直接固定され、
該静電防止保護装置はＥＳＤ第１電極とＥＳＤ第２電極を具え、該ＥＳＤ第１電極が該表面絶縁基板の第２電力供給回路に直接固定され、該ＥＳＤ第２電極が該表面絶縁基板の第１電力供給回路に直接固定され、静電防止保護装置と発光ダイオードが逆方向並列回路を形成したことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置。
【請求項２】
請求項１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、表面絶縁基板が窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、及び誘電材料を被覆した炭化シリコン（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、シリコン（Ｓｉ）及びその組合せのいずれかの材料で形成されたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置。
【請求項３】
請求項２記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、誘電材料が、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置。
【請求項４】
請求項１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、発光ダイオードがフリップチップ方式で表面絶縁基板に貼り合わされたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置。
【請求項５】
請求項４記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、発光ダイオードのＬＥＤ第１電極とＬＥＤ第２電極が接合材料により第１電力供給回路及び第２電力供給回路に電気的に接続され、該接合材料が、金−シリコン（Ａｕ−Ｓｉ）、金−錫（ＡｕＳｎ）、錫−鉛（ＰｂＳｎ）、金−錫（ＡｕＳｎ）、錫−銀（ＳｎＡｇ）或いは錫インジウム銀（ＳｎＩｎＡｇ）、銀ろう或いは錫ペースト或いはその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置。
【請求項６】
請求項１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、静電防止保護装置が少なくとも一つのツェナダイオード、ショットキーバリアダイオード、シリコンベースダイオード、３−５族元素ダイオード、トランジスタ、静電保護集積回路及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置。
【請求項７】
請求項１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、発光ダイオードが平面型発光ダイオード及び直列型発光ダイオードのいずれかとされたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置。
【請求項８】
請求項７記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、発光ダイオードのＬＥＤ第１電極及びＬＥＤ第２電極が導線及び接合材料のいずれかにより第１電力供給回路及び第２電力供給回路に電気的に接続されたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置。
【請求項９】
請求項１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、表面絶縁基板の下方にリードフレームが固定されたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置。
【請求項１０】
請求項１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、発光ダイオードの上方に保護樹脂が設けられたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置。
【請求項１１】
請求項１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、発光ダイオードが赤光発光ダイオード、緑光発光ダイオード、青光発光ダイオード及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、各発光ダイオードにそれと対応する静電防止保護装置が設けられたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置。
【請求項１３】
請求項１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、複数の発光ダイオードが直列に接続されて発光ダイオードセットが形成され、そのうちの一つの発光ダイオードのＬＥＤ第１電極が表面絶縁基板の第１電力供給回路に直接固定され、別の発光ダイオードのＬＥＤ第２電極が該表面絶縁基板の第２電力供給回路に直接固定されたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置。
【請求項１４】
請求項６記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、静電防止保護装置が複数のツェナダイオードを具え、該複数のツェナダイオードが逆方向、正方向及びその組合せのいずれかとされて直列に接続されたものとされることを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種の発光ダイオード装置に係り、特に静電破壊防止可能な発光ダイオード装置であり、製造工程を簡易化し生産歩留りを上げ、且つ発光ダイオード装置の使用寿命を延長できる発光ダイオード装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードは体積が小さく、軽量で、電力消耗が少なく、寿命が長い等の多くの長所を有するため、広くコンピュータ周辺設備、通信製品及びその他の電子装置中に使用されている。しかし、発光ダイオードは製造工程中或いは使用中のいずれにおいても静電放電作用により発光ダイオードの毀損がもたらされる。このため発光ダイオードの静電放電作用により形成される損壊の状況をいかに防止するかが発光ダイオードの設計及び製造上の一大ポイントとなっている。
【０００３】
図１は周知の静電防止効果を有する発光ダイオード装置の回路図である。図示されるように、その主要な構造は発光ダイオード１０及びツェナダイオード２０を具え、両者は並列の方式で逆方向に接続されている。正常な入力電圧Ｖccが入力される時、発光ダイオード１０に関しては、その両端に自然に順方向バイアス（Ｆｏｒｗａｒｄ  Ｂｉａｓ）が形成されて電流が導通させられ、これにより発光ダイオード１０が光を投射する。ツェナダイオード２０に関してはその両端に逆方向バイアス（Ｒｅｖｅｒｓｅｄ  Ｂｉａｓ）が形成され、切断状態を呈し、これにより電気エネルギーを消耗しない。静電放電現象が発生する時、以上に大きい入力電圧Ｖccがツェナダイオードの両端において形成され、ツェナダイオード２０のブレークダウンを形成し、一旦ツェナダイオード２０がブレークダウンすると、その両端に短絡が形成され、ほとんどの電流がツェナダイオード２０を通過して発光ダイオード１０を通過しなくなり、このために発光ダイオード１０の損害が防止される。このほか、もし入力電圧Ｖccが負の値の時、ツェナダイオード２０が順方向バイアスを形成して導通し、発光ダイオード１０は逆方向バイアス状態となり、導通しない。
【０００４】
続いて、図２は上述の周知の静電保護の発光ダイオード装置の構造表示図である。図示されるように、その主要な構造は、発光ダイオード１０のＬＥＤ第２電極１９（例えばｐ電極或いはｎ電極）及びＬＥＤ第１電極１７（例えばｎ電極或いはｐ電極）がそれぞれ第１ソルダボール２９１及び第２ソルダボール２９３でツェナダイオード２０のＺＤ第１電極２７及びＺＤ第２電極２９に電気的に接続され、発光ダイオード１０とツェナダイオード２０が逆方向並列接続状態を形成するものとされる。
【０００５】
そのうち、発光ダイオード１０はダイ基板１１、ダイ基板１１上方に成長した第１エピタキシャル層１３、第１エピタキシャル層１３の一部上方に成長した第２エピタキシャル層１５、第２エピタキシャル層の上表面に固定されたＬＥＤ第２電極１９、第１エピタキシャル層の上に固定されたＬＥＤ第１電極１７を具えている。このほか、ツェナダイオード２０は第２ドープ領域２５、第１ドープ領域２３、第２ドープ領域２５に接続されたＺＤ第２電極２９及び第１ドープ領域２３に接続されたＺＤ第１電極２７を具えている。また、第１ドープ領域２３の上に第１外部電極２１が設けられ、使用時は、第１外部電極２１及びツェナダイオードのＺＤ第２電極２９（即ち第２外部電極）に電力を供給すればよい。
【０００６】
しかし、上述の周知の発光ダイオード装置静電防止効果を具備して発光ダイオード１０の損壊を防止する機能を有するものの、製造過程に、発光ダイオード１０を逆に置き、並びにツェナダイオード２０の上に固定しなければならず、このような工程は正確なアライメント設備を必要とし、コストがかかるほか、製造の困難度が増す。このほか、このようにツェナダイオード２０を発光ダイオード１０のサブマウント（Ｓｕｂ  ｍｏｕｎｔ）とする設計は、ツェナダイオード２０の体積が相当に大きく、このため多くの材料及び製造コストを浪費する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ゆえに静電放電による発光ダイオードの破壊を防止できるだけでなく、製造工程を簡易化し生産コストを下げられる新規な発光ダイオード装置が求められている。
【０００８】
本発明の主要な目的は、一種の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置を提供することにあり、それは発光ダイオードと静電防止保護装置がそれぞれ表面絶縁基板の第１電力供給回路と第２電力供給回路に直接固定され、静電防止効果を具備するだけでなく、製造工程と生産歩留りを高めることができるよう形成された、発光ダイオード装置であるものとする。
【０００９】
本発明の次の目的は、一種の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置を提供することにあり、それは、異なる静電防止保護装置が異なる色光の発光ダイオード操作電圧に組み合わされることにより、発光ダイオードのタイプと使用範囲を広げることができるよう形成された、発光ダイオード装置であるものとする。
【００１０】
本発明のもう一つの目的は、一種の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置を提供することにあり、それは、体積が小さい静電防止保護装置を使用することで、生産コストを減らし従来と同様の静電放電保護効果を達成できるよう形成された、発光ダイオード装置であるものとする。
【００１１】
本発明のさらにもう一つの目的は、一種の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置を提供することにあり、それは、熱膨張係数が発光ダイオードと接近する絶縁材料が基板材料に選択されることで、発光ダイオードと絶縁基板の高い作業温度による離脱を防止して製品の使用寿命を延長できるよう形成された、発光ダイオード装置であるものとする。
【００１２】
本発明の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置は、表面絶縁基板と、少なくとも一つの発光ダイオードと、静電防止保護装置を具えている。該表面絶縁基板上に少なくとも一つの第１電力供給回路と少なくとも一つの第２電力供給回路が設けられ、第１電力供給回路が発光ダイオードのＬＥＤ第１電極及び静電防止保護装置のＥＳＤ第２電極に電気的に接続され、第２電力供給回路が発光ダイオードのＬＥＤ第２電極及び静電防止保護装置のＥＳＤ第１電極に接続され、発光ダイオード及び静電防止保護装置が逆接続の並列回路を形成する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１の発明は、表面絶縁基板と、少なくとも一つの発光ダイオードと、静電防止保護装置とを具え、
該表面絶縁基板には少なくとも一つの第１電力供給回路と少なくとも一つの第２電力供給回路が設けられ、
該少なくとも一つの発光ダイオードは、各発光ダイオードがＬＥＤ第１電極とＬＥＤ第２電極を具え、該ＬＥＤ第１電極が該表面絶縁基板の第１電力供給回路に直接固定され、ＬＥＤ第２電極は表面絶縁基板の第２電力供給回路に直接固定され、
該静電防止保護装置はＥＳＤ第１電極とＥＳＤ第２電極を具え、該ＥＳＤ第１電極が該表面絶縁基板の第２電力供給回路に直接固定され、該ＥＳＤ第２電極が該表面絶縁基板の第１電力供給回路に直接固定され、静電防止保護装置と発光ダイオードが逆方向並列回路を形成したことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置としている。
請求項２の発明は、請求項１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、表面絶縁基板が窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、及び誘電材料を被覆した炭化シリコン（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、シリコン（Ｓｉ）及びその組合せのいずれかの材料で形成されたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置としている。
請求項３の発明は、請求項２記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、誘電材料が、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置としている。
請求項４の発明は、請求項１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、発光ダイオードがフリップチップ方式で表面絶縁基板に貼り合わされたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置としている。
請求項５の発明は、請求項４記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、発光ダイオードのＬＥＤ第１電極とＬＥＤ第２電極が接合材料により第１電力供給回路及び第２電力供給回路に電気的に接続され、該接合材料が、金−シリコン（Ａｕ−Ｓｉ）、金−錫（ＡｕＳｎ）、錫−鉛（ＰｂＳｎ）、金−錫（ＡｕＳｎ）、錫−銀（ＳｎＡｇ）或いは錫インジウム銀（ＳｎＩｎＡｇ）、銀ろう或いは錫ペースト或いはその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置としている。
請求項６の発明は、請求項１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、静電防止保護装置が少なくとも一つのツェナダイオード、ショットキーバリアダイオード、シリコンベースダイオード、３−５族元素ダイオード、トランジスタ、静電保護集積回路及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置としている。
請求項７の発明は、請求項１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、発光ダイオードが平面型発光ダイオード及び直列型発光ダイオードのいずれかとされたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置としている。
請求項８の発明は、請求項７記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、発光ダイオードのＬＥＤ第１電極及びＬＥＤ第２電極が導線及び接合材料のいずれかにより第１電力供給回路及び第２電力供給回路に電気的に接続されたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置としている。
請求項９の発明は、請求項１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、表面絶縁基板の下方にリードフレームが固定されたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置としている。
請求項１０の発明は、請求項１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、発光ダイオードの上方に保護樹脂が設けられたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置としている。
請求項１１の発明は、請求項１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、発光ダイオードが赤光発光ダイオード、緑光発光ダイオード、青光発光ダイオード及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置としている。
請求項１２の発明は、請求項１１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、各発光ダイオードにそれと対応する静電防止保護装置が設けられたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置としている。
請求項１３の発明は、請求項１記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、複数の発光ダイオードが直列に接続されて発光ダイオードセットが形成され、そのうちの一つの発光ダイオードのＬＥＤ第１電極が表面絶縁基板の第１電力供給回路に直接固定され、別の発光ダイオードのＬＥＤ第２電極が該表面絶縁基板の第２電力供給回路に直接固定されたことを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置としている。
請求項１４の発明は、請求項６記載の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置において、静電防止保護装置が複数のツェナダイオードを具え、該複数のツェナダイオードが逆方向、正方向及びその組合せのいずれかとされて直列に接続されたものとされることを特徴とする、静電破壊防止可能な発光ダイオード装置としている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は一種の発光ダイオード装置を提供し、特に静電破壊防止可能な発光ダイオード装置を提供し、それは製造工程を簡易化し生産歩止まりを上げ、発光ダイオード装置の使用寿命を高める。ゆえに本発明は新規性、進歩性及び産業上の利用価値を有する発明である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図３及び図４は本発明の好ましい実施例の構造分解図及びその組合せ表示図である。図示されるように、本発明の静電破壊防止可能な発光ダイオード装置３０は、発光ダイオード（ＬＥＤ）３３と静電防止保護装置３５がフリップチップ逆転後、少なくとも一つの第１電力供給回路３１１及び少なくとも一つの第２電力供給回路３１３を具えた表面絶縁基板３１の上に貼り合わされる。
【００１６】
そのうち、発光ダイオード３３、例えば本実施例に示される平面型発光ダイオードは、ＬＥＤ第２電極３３３及びＬＥＤ第１電極３３１を具えている。静電防止保護装置３５はＥＳＤ第２電極３５３とＥＳＤ第１電極３５１を具えている。発光ダイオード３３が表面絶縁基板３１に貼り合わされる時、ＬＥＤ第２電極３３３は第２電力供給回路３１３に電気的に接続され、ＬＥＤ第１電極３３１は第１電力供給回路３１１に電気的に接続される。反対に、静電防止保護装置３５のＥＳＤ第１電極３５１は第２電力供給回路３１３に電気的に接続され、ＥＳＤ第２電極３５３は第１電力供給回路３１１に電気的に接続される。こうして発光ダイオード３３と静電防止保護装置３５が逆方向並列回路を形成する。その電気的接続の方法は、例えば金−シリコン（Ａｕ−Ｓｉ）、錫−鉛（ＰｂＳｎ）、金−錫（ＡｕＳｎ）、錫−銀（ＳｎＡｇ）或いは錫インジウム銀（ＳｎＩｎＡｇ）等の接合材料で形成した共結晶或いはソルダリング製造方法が採用され、共結晶或いはソルダリング製造方法で使用される金−錫（ＡｕＳｎ）、錫−鉛（ＰｂＳｎ）、錫−銀（ＳｎＡｇ）或いは錫インジウム銀（ＳｎＩｎＡｇ）は高い熱伝導係数を具備し、接着性が良好で、且つ発光ダイオード３３の発生する高温を速やかに表面絶縁基板３１より導出し、発光ダイオード３３に正常な作業温度を保持させて、これによりその発光効率を高めることができる。また、これら接合材料は耐高温（２００℃以上）であり、ゆえに表面絶縁基板３１をヒートシンクに接合する後続工程に非常に便利である。
【００１７】
また、第１電力供給回路３１１と第２電力供給回路３１３の作用面積は周知のツェナダイオード２０のＺＤ第１電極２７及びＺＤ第２電極２９より非常に大きく、これにより電極貼り合わせ時に、その許容する誤差範囲は比較的広く、このため、ＬＥＤ第１電極３３１、ＬＥＤ第２電極３３３、ＥＳＤ第１電極３５１、ＥＳＤ第２電極３５３の相互の電気的接続の製作の困難度を下げるのに有効であり、且つこれにより製品の生産歩留りを高めることができる。
【００１８】
また、表面絶縁基板３１には発光ダイオード３３の材料により熱伝導性が良好で、且つ熱膨張係数が発光ダイオード３３及び静電防止保護装置３５に近い電気絶縁材料が選択され、例えば、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、及び誘電材料（ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 等）を被覆した炭化シリコン（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）等の絶縁材料が選択され、これにより作業温度上昇時に、発光ダイオード３３と表面絶縁基板３１に発生しうる剥離が防止される。これにより発光ダイオード３３の静電防止保護機能が確保され、製品の使用寿命が延長される。
【００１９】
このほか、静電防止保護装置３５にはツェナダイオード、ショットキーバリアダイオード、シリコンベースダイオード、３−５族元素で構成されたダイオード、静電保護集積回路或いはその他の同じ機能を有するダイオードが使用され、その選択には、発光ダイオードの静電防護のために設定されたブレークダウン電圧を考慮するほか、それと表面絶縁基板３１の熱膨張の組合せが考慮される。
【００２０】
本発明は発光ダイオード３３及び静電防止保護装置３５が表面絶縁基板３１に貼り合わされ、周知の技術のように発光ダイオード１０がツェナダイオード２０を直接サブマウントとする設計ではないため、静電防止保護装置３５の体積が大幅に減らされ、且つ周知の技術と同様の機能を発揮でき、これにより多くのコストを節約できる。
【００２１】
さらに、図５、６は本発明の別の実施例の平面図及びその電気回路図である。図示されるように、発光ダイオード装置４０は複数の発光ダイオード３３７、３３８、３３９及び一つの静電防止保護装置３５の二つの電極が並列方式で表面絶縁基板４１の第１電力供給回路４１１或いは第２電力供給回路４１３に接合されて、ハイパワー発光ダイオードアレイを形成している。入力電圧Ｖccが正常駆動電圧である時、各発光ダイオード３３７、３３８、３３９が順方向バイアスの状態となり、これにより、設定された色光を発生し、静電防止保護装置３５は逆方向バイアスにより切断状態となり、電気エネルギーを消耗しない。静電放電時には、異常に大きな入力電圧Ｖccが入力され、静電防止保護装置３５がブレークダウン状態となり導通することにより、ほとんどの電流が静電防止保護装置３５を通過し、これにより発光ダイオード３３７、３３８、３３９の毀損が防止される。また、入力電圧Ｖccが負の値の時、静電防止保護装置３５が導通状態となり、同様に電流が静電防止保護装置３５を通過し、発光ダイオード３３７、３３８、３３９の強大な逆方向電圧による毀損が防止される。
【００２２】
また図７は本発明の別の実施例の構造側面図である。図示されるように、発光ダイオード装置５０は、図５、６の実施例の表面絶縁基板４１の下方に結合層５３でヒートシンク５１が連設され、表面絶縁基板４１の上方が保護樹脂５５で被覆されている。そのうち結合層５３には金−錫（ＡｕＳｎ）、錫−鉛（ＰｂＳｎ）、錫−銀（ＳｎＡｇ）或いは錫インジウム銀（ＳｎＩｎＡｇ）、銀ろう或いは錫ペースト等の材料が使用され、これにより発光ダイオード３３７、３３８、３３９の発生する作業熱が迅速にヒートシンク５１より管路に排出され、その使用寿命が延長され、その発光効率が高められる。このほか、保護樹脂５５は外部の有害物質を隔離でき、これにより発光ダイオード３３７、３３８、３３９が酸化により破壊される機会を減らす。
【００２３】
図８は本発明のまた別の実施例の構造平面図である。図示されるように、発光ダイオード装置４０は表面絶縁基板７１の上に共同電力供給回路６１１、赤光電力供給回路６１３、緑光電力供給回路６１５、青光電力供給回路６１７が設けられている。そのうち、赤光電力供給回路６１３、緑光電力供給回路６１５、青光電力供給回路６１７に少なくとも一つの赤光発光ダイオード６３３及び一つの静電防止保護装置６５３、緑光発光ダイオード６１５及び一つの静電防止保護装置６５５、青光発光ダイオード６３７及び一つの静電防止保護装置６５７が固着されている。これにより、赤光、青光、緑光が混合される時、白光或いはフルカラー光を発生しうる。静電防止保護装置６５３、６５５、６５７には異なるブレークダウン電圧のダイオードが採用され、これにより赤光電力供給回路６１３、緑光電力供給回路６１５、青光電力供給回路６１７の操作電圧に組み合わされ、これにより最良の静電防止効果が達成される。
【００２４】
また、図９、１０は本発明の更にまた別の実施例の側面図及び平面図である。図示されるように、それは直立型発光ダイオード７０に応用され、該直立型発光ダイオード７０はＬＥＤ第１電極７３１とＬＥＤ第２電極７３３を具え、それらはそれぞれ発光ダイオードエピタキシャル層７３の上下両側に位置し、結合層７９、例えば、錫−鉛（ＰｂＳｎ）、金−錫（ＡｕＳｎ）、錫−銀（ＳｎＡｇ）或いは錫インジウム銀（ＳｎＩｎＡｇ）、銀ろう、錫ペースト、金−シリコン（Ａｕ−Ｓｉ）等を利用し、ＬＥＤ第２電極７３３が直接基板７１の第２電力供給回路７１３に接合される。また、ＬＥＤ第１電極７３１は導線７７を利用して第１電力供給回路７１１に電気的に接続される。第１電力供給回路７１１及び第２電力供給回路７１３の間に静電防止保護装置３５が接続されて、発光ダイオード７０の静電防止保護機能が確保されている。
【００２５】
最後に、図１１、１２は本発明のまた別の実施例の回路図及びその構造平面図である。図示されるように、発光ダイオード装置８０は複数の発光ダイオード８３７〜８３９が直列に接続されてなる発光ダイオードセット８３を具え、そのうち一つの発光ダイオード８３７の第１電極及びそのほかの発光ダイオードの第２電極が個別に表面絶縁基板８１の第１電力供給回路８１１、第２電力供給回路８１３に接続され、並びに直列方式で第１電力供給回路８１１と第２電力供給回路８１３の間に電気的に接続されている。このほか、第１電力供給回路８１１と第２電力供給回路８１３の間に少なくとも一対の逆方向に接続されたツェナダイオード８５１、８５３が直列に接続され、これによりそのブレークダウン電圧値が高められている。このように複数の発光ダイオードが直列に接続された設計は、異なる駆動電圧の発光ダイオード装置を組み合わせて形成することができ、且つ静電防止保護装置（ツェナダイオード８５１、８５３）の異なる配置方式により、実際の必要に応じて異なる保護電圧値を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】周知の静電防止効果を有する発光ダイオード装置の回路図である。
【図２】図１の周知の静電保護の発光ダイオード装置の構造表示図である。
【図３】本発明の好ましい実施例の構造分解図である。
【図４】本発明の好ましい実施例の組合せ表示図である。
【図５】本発明の別の実施例の平面図である。
【図６】本発明の別の実施例の電気回路図である。
【図７】本発明の別の実施例の構造側面図である。
【図８】本発明のまた別の実施例の構造平面図である。
【図９】本発明の更にまた別の実施例の側面図である。
【図１０】本発明の更にまた別の実施例の平面図である。
【図１１】本発明のまた別の実施例の回路図である。
【図１２】本発明のまた別の実施例の構造平面図である。
【符号の説明】
【００２７】
１０  発光ダイオード              １１  ダイ基板
１３  第１エピタキシャル層        １５  第２エピタキシャル層
１７  ＬＥＤ第１電極              １９  ＬＥＤ第２電極
２０  ツェナダイオード            ２１  第１外部電極
２３  第１ドープ領域              ２５  第２ドープ領域
２７  ＺＤ第１電極                ２９  ＺＤ第２電極
２９１  第１ソルダボール          ２９３  第２ソルダボール
３０  発光ダイオード装置          ３１  表面絶縁基板
３１１  第１電力供給回路          ３１３  第２電力供給回路
３３  発光ダイオード              ３３１  ＬＥＤ第１電極
３３３  ＬＥＤ第２電極            ３３７  発光ダイオード
３３８  発光ダイオード            ３３９  発光ダイオード
３５  静電防止保護装置            ３５１  ＥＳＤ第１電極
３５３  ＥＳＤ第２電極            ４０  発光ダイオード装置
４１  表面絶縁基板                ４１１  第１電力供給回路
４１３  第２電力供給回路          ５０  発光ダイオード装置
５１  リードフレーム              ５３  結合層
５５  保護樹脂                    ６０  発光ダイオード装置
６１  表面絶縁基板                ６１１  共同電力供給回路
６１３  赤光電力供給回路          ６１５  緑光電力供給回路
６１７  青光電力供給回路          ６３３  赤光電力供給回路
６３５  緑光電力供給回路          ６３７  青光電力供給回路
６５３  静電防止保護装置          ６５５  静電防止保護装置
６５７  静電防止保護装置          ７０  発光ダイオード
７１  基板                        ７１１  第１電力供給回路
７１３  第２電力供給回路          ７３  発光ダイオードエピタキシャル層
７３１  ＬＥＤ第１電極            ７３３  ＬＥＤ第２電極
７７  導線                        ７９  結合層
８０  発光ダイオード装置          ８１  表面絶縁基板
８１１  第１電力供給回路          ８１３  第２電力供給回路
８３  発光ダイオードセット        ８３７  発光ダイオード
８３８  発光ダイオード            ８３９  発光ダイオード
８５１  ツェナダイオード          ８５３  ツェナダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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