(57)【要約】【課題】小型化を図ることが可能であり、調整が容易でコスト的に有利な検知方法および装置を提供すること。【解決手段】軸方向に移動する磁気物体の検知方法であって、磁気に感応して磁気物体を検知するものであって磁気物体の軸方向位置の変化に対して検知される出力値の変化の割合が互いに異なる２つのセンサ素子Ｍ１１，Ｍ１２を、軸方向位置について互いに同じ位置となるように配置し、２つのセンサ素子のそれぞれの出力値に対してしきい値Ｅｒ１，Ｅｒ２を設定し、２つのセンサ素子のそれぞれの出力値がそれぞれのしきい値を越えたときにそれぞれの検知信号を得て、いずれの検知信号が得られたかを識別可能な形で外部に出力する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸方向に移動する磁気物体の検知方法であって、
磁気に感応して前記磁気物体を検知するものであって前記磁気物体の軸方向位置の変化に対して検知される出力値の変化の割合が互いに異なる２つのセンサ素子を、前記軸方向位置について互いに同じ位置となるように配置し、
前記２つのセンサ素子のそれぞれの出力値に対してしきい値を設定し、
前記２つのセンサ素子のそれぞれの出力値がそれぞれのしきい値を越えたときにそれぞれの検知信号を得ることにより、前記変化の割合の大きい方のセンサ素子から検知信号が得られるときの前記磁気物体の軸方向位置の範囲が前記変化の割合の小さい方のセンサ素子から検知信号が得られるときの前記磁気物体の軸方向位置の範囲内に入るようにし、
前記検知信号を、いずれの前記検知信号が得られたかを識別可能な形で外部に出力する、
ことを特徴とする移動する磁気物体の検知方法。
【請求項２】
それぞれの前記検知信号によって互いに異なる色の発光ダイオードを点灯させることによって外部に出力する、
請求項１記載の移動する磁気物体の検知方法。
【請求項３】
軸方向に移動する磁気物体の検知装置であって、
磁気に感応して前記磁気物体を検知する第１のセンサ素子と、
磁気に感応して前記磁気物体を検知するものであって前記磁気物体の軸方向位置の変化に対して検知される出力値の変化の割合が前記第１のセンサ素子よりも小さい第２のセンサ素子と、
前記第１のセンサ素子および第２のセンサ素子を、前記軸方向位置について互いに同じ位置となるように支持する基板と、
前記第１のセンサ素子の出力値が設定された第１のしきい値を越えたときに第１の検知信号を得る第１の比較回路と、
前記第２のセンサ素子の出力値が設定された第２のしきい値を越えたときに第２の検知信号を得る第２の比較回路と、
前記第１の検知信号および前記第２の検知信号を、いずれであるかを識別可能な形で外部に出力する出力回路と、
を有することを特徴とする移動する磁気物体の検知装置。
【請求項４】
前記第１のセンサ素子は、直交する２方向に通過するそれぞれの磁束成分に感応する有指向性の磁気抵抗センサ素子であり、
前記第２のセンサ素子は、１方向に通過する磁束成分のみに感応する無指向性の磁気抵抗センサ素子である、
請求項３記載の移動する磁気物体の検知装置。
【請求項５】
前記基板は、プリント配線基板であり、
前記第１のセンサ素子および前記第２のセンサ素子が、前記プリント配線基板の表裏の互いに対応する同じ位置に設けられてなる、
請求項３または４記載の移動する磁気物体の検知装置。
【請求項６】
前記第１の検知信号が得られるときの前記磁気物体の軸方向位置の範囲が前記第２の検知信号が得られるときの前記磁気物体の軸方向位置の範囲内に入るように、前記第１のしきい値および前記第２のしきい値が設定されている、
請求項３ないし５のいずれかに記載の移動する磁気物体の検知装置。
【請求項７】
前記出力回路は、
前記第１の検知信号または前記第２の検知信号によってそれぞれ異なる色に点灯する発光ダイオードを含む、
請求項３ないし６のいずれかに記載の移動する磁気物体の検知装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、流体圧シリンダ装置におけるピストンのように軸方向に移動する磁気物体の検知方法および装置に関する。本発明は、特に、ピストンの軸方向位置を狭い範囲と広い範囲との２種類の範囲を区別して検知する、いわゆる２感度検知方式の検知方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、流体圧シリンダにおいては、ピストンの位置（軸方向位置）を検知するために、ピストンに設けられた永久磁石の磁界によってオンオフ動作する検知スイッチが取り付けられている。そのような検知スイッチに用いるセンサ素子として、ＭＲ素子（磁気抵抗素子）がしばしば用いられる。近年においては、ＭＲ素子、増幅回路、および出力回路などを１つの集積回路としてまとめたＩＣ内蔵型のＭＲセンサが市販されている。
【０００３】
一方、流体圧シリンダの検知スイッチにおいては、ピストンの位置が目標位置に正確に到達したか否かを検知するとともに、目標位置ではないがその近辺に達しているか否かをも検知したいという要求がある。つまり、ピストンの位置を狭い範囲とそれを含む広い範囲との両方において互いに識別して検知したいとの要求がある。
【０００４】
このように、ピストンの位置を狭い範囲と広い範囲との２種類の範囲を区別して検知する方式は、２感度検知方式と呼ばれている。２感度検知方式の検知スイッチによる場合には、ピストンの位置が許容範囲内にあるか、または許容範囲内であって且つ最も適正な領域内にあるかを検知することができる。そのため、検知スイッチの取り付けに当たってその位置を調整する際に、検知スイッチを最も適切な位置に位置決めすることができ、その後の使用における温度変化や経年変化によってもその許容範囲内においてピストンを確実に検知することが可能となり、システムの信頼性が向上する。
【０００５】
従来において、そのような２感度検知方式の検知スイッチは次のように構成される。すなわち、互いに感度が同じである２つのセンサ素子を、軸方向に互いにずらした位置に配置する。これによって、２つのセンサ素子からは、ピストンの軸方向位置に対して互いにずれた検知信号が得られる。それら２つの検知信号を、アンド回路を通すことによって狭い範囲である適正領域における適正検知信号と、オア回路を通すことによって広い範囲である許容範囲における許容検知信号とを得る。適正検知信号によって例えば緑色の発光ダイオードを点灯させ、許容検知信号によって例えば赤色の発光ダイオードを点灯させる（特許文献１〜２）。
【特許文献１】特開平１−１５３８０３号
【特許文献２】特開平１１−３１１２１４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上に述べた従来の２感度検知方式の検知スイッチでは、２つのセンサ素子を軸方向に互いにずらした位置に配置するので、２つのセンサ素子の占める長さ寸法が大きくなり、そのため検知スイッチの小型化を図る際の障壁の１つの要因となっていた。
【０００７】
また、２つのセンサ素子の配置位置を一旦決めるとそれによって検知スイッチの構造が決まってしまうため、適正領域および許容範囲を電気的に調整してもその調整範囲が狭く、種々の使用条件に対して適切な適正領域および許容範囲を得るための調整が容易ではない。そのため、流体圧シリンダ装置の種々の機種やシリンダ径などに対応するために多くの種類の検知スイッチを準備しなければならず、これがコスト高の要因になるという問題があった。
【０００８】
また、１つのセンサ素子のみを用い、その出力値に対して２種類のしきい値を設定し、これによって２種類の範囲の検知信号を得るようにした検知スイッチも提案されている。しかし、これによる場合は、適切な２種類の範囲の検知信号が得られるように調整するのが難しく、コスト高になるという問題がある。
【０００９】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたもので、小型化を図ることが可能であり、調整が容易でコスト的に有利な検知方法および装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る方法は、軸方向に移動する磁気物体の検知方法であって、磁気に感応して前記磁気物体を検知するものであって前記磁気物体の軸方向位置の変化に対して検知される出力値の変化の割合が互いに異なる２つのセンサ素子を、前記軸方向位置について互いに同じ位置となるように配置し、前記２つのセンサ素子のそれぞれの出力値に対してしきい値を設定し、前記２つのセンサ素子のそれぞれの出力値がそれぞれのしきい値を越えたときにそれぞれの検知信号を得ることにより、前記変化の割合の大きい方のセンサ素子から検知信号が得られるときの前記磁気物体の軸方向位置の範囲が前記変化の割合の小さい方のセンサ素子から検知信号が得られるときの前記磁気物体の軸方向位置の範囲内に入るようにし、前記検知信号を、いずれの前記検知信号が得られたかを識別可能な形で外部に出力する。
【００１１】
好ましくは、それぞれの前記検知信号によって互いに異なる色の発光ダイオードを点灯させることによって外部に出力する。
【００１２】
本発明に係る装置は、軸方向に移動する磁気物体の検知装置であって、磁気に感応して前記磁気物体を検知する第１のセンサ素子と、磁気に感応して前記磁気物体を検知するものであって前記磁気物体の軸方向位置の変化に対して検知される出力値の変化の割合が前記第１のセンサ素子よりも小さい第２のセンサ素子と、前記第１のセンサ素子および第２のセンサ素子を、前記軸方向位置について互いに同じ位置となるように支持する基板と、前記第１のセンサ素子の出力値が設定された第１のしきい値を越えたときに第１の検知信号を得る第１の比較回路と、前記第２のセンサ素子の出力値が設定された第２のしきい値を越えたときに第２の検知信号を得る第２の比較回路と、前記第１の検知信号および前記第２の検知信号を、いずれであるかを識別可能な形で外部に出力する出力回路とを有する。
【００１３】
好ましくは、前記第１のセンサ素子は、直交する２方向に通過するそれぞれの磁束成分に感応する有指向性の磁気抵抗センサ素子であり、前記第２のセンサ素子は、１方向に通過する磁束成分のみに感応する無指向性の磁気抵抗センサ素子である。
【００１４】
また、前記基板は、プリント配線基板であり、前記第１のセンサ素子および前記第２のセンサ素子が、前記プリント配線基板の表裏の互いに対応する同じ位置に設けられてなる。
【００１５】
また、前記第１の検知信号が得られるときの前記磁気物体の軸方向位置の範囲が前記第２の検知信号が得られるときの前記磁気物体の軸方向位置の範囲内に入るように、前記第１のしきい値および前記第２のしきい値が設定されている。
【００１６】
また、前記出力回路は、前記第１の検知信号または前記第２の検知信号によってそれぞれ異なる色に点灯する発光ダイオードを含む。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によると、小型化を図ることが可能であり、調整が容易でコスト的に有利な検知方法および装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は本発明の実施形態に係る検知スイッチ３の動作原理を説明するための図、図２は本発明の実施形態に係る検知スイッチ３の外観を示す斜視図、図３は検知スイッチ３の回路図、図４はセンサ素子Ｍ１１，Ｍ１２の動作を説明するための図である。
【００１９】
図１において、流体圧シリンダ１は、シリンダチューブ１１の内周面を軸方向（Ｘ方向）に摺動するピストン１２、ピストン１２に連結されたロッド１３、シリンダチューブ１１の両端面を密閉する図示しないカバーなどから構成されている。ピストン１２には、軸方向にＮ極およびＳ極が配置された環状の永久磁石ＭＧが取り付けられている。
【００２０】
検知スイッチ３は、２つのセンサ素子Ｍ１１，Ｍ１２を有している。これら２つのセンサ素子Ｍ１１，Ｍ１２は、永久磁石ＭＧの軸方向位置の変化に対して検知される出力値の変化の割合が互いに異なる。つまり、図１の中の出力電圧の変化を示すグラフで理解されるように、永久磁石ＭＧの軸方向位置の変化に対して検知される出力値の変化の割合が、センサ素子Ｍ１２よりもセンサ素子Ｍ１１の方が大きい。
【００２１】
２つのセンサ素子Ｍ１１，Ｍ１２は、プリント配線基板である基板ＫＢ１の表裏に、基板ＫＢ１を挟んで互いに対応する同じ位置に取り付けられている。基板ＫＢ１は、センサ素子Ｍ１１，Ｍ１２が取り付けられた面が検知スイッチ３の検知面２３（図２における下面）に対して直角となるように配置され、ケーシング２１に収納されている。
【００２２】
検知スイッチ３は、検知面２３が流体圧シリンダ１のシリンダチューブの表面に接近して配置される。センサ素子Ｍ１１，Ｍ１２は、ピストン１２に装着された永久磁石ＭＧの磁界によって動作する。
【００２３】
図３に示すように、２つのセンサ素子Ｍ１１，Ｍ１２は、それぞれの一方の端子が接地線Ｇに、他方の端子が電圧Ｅｃの電圧源に、中間の端子が比較回路３１，３２に、それぞれ接続されている。つまり、センサ素子Ｍ１１，Ｍ１２のそれぞれの両端には電圧Ｅｃが印加され、中間から信号Ｓ１，Ｓ２が取り出され、信号Ｓ１，Ｓ２が比較回路３１，３２に入力される。比較回路３１，３２には、それぞれ、基準電圧（しきい値）Ｅｒ１，Ｅｒ２が与えられ、信号Ｓ１，Ｓ２が基準電圧Ｅｒ１，Ｅｒ２とそれぞれ比較される。比較回路３１，３２は、信号Ｓ１，Ｓ２が基準電圧Ｅｒ１，Ｅｒ２よりも低くなったときに、オンの出力信号Ｓ３，Ｓ４をそれぞれ出力する。なお、２つの基準電圧Ｅｒ１，Ｅｒ２は、本実施形態では互いに同じ電圧値に設定される。しかし、基準電圧Ｅｒ１，Ｅｒ２をそれぞれ異なる電圧値に設定することも可能である。
【００２４】
出力信号Ｓ３，Ｓ４は、エクスクルーシブオア回路３３に入力され、出力信号Ｓ５が出力される。
【００２５】
出力信号Ｓ３のオンに対応して緑色の発光ダイオード３４が点灯し、出力信号Ｓ５のオンに対応して赤色の発光ダイオード３５が点灯する。出力信号Ｓ４は、検知信号として端子３８から外部に出力される。
【００２６】
なお、比較回路３１，３２、エクスクルーシブオア回路３３、発光ダイオード３４，３５などは、基板ＫＢ１に設けられている。
【００２７】
図４（Ａ）に示すように、一方のセンサ素子Ｍ１１は、センサ素子Ｍ１１を通過する磁束のうち、そのＸ方向成分に感応して抵抗値が低下する磁気抵抗素子Ｒ１２と、そのＹ方向成分に感応して抵抗値が低下する磁気抵抗素子Ｒ１１とが直列に接続されて構成されている。
【００２８】
したがって、永久磁石ＭＧがセンサ素子Ｍ１１の直下位置Ｐ１にある場合には、磁気抵抗素子Ｒ１２を通過する磁束のＸ方向成分が最大となり、磁気抵抗素子Ｒ１２の抵抗値は最も低くなる。そのとき、磁気抵抗素子Ｒ１１を通過する磁束のＹ方向成分は０となるので、その抵抗値に変化はない。そのため、そのときの信号Ｓ１の電圧値は、図１に示すように最も低くなる。
【００２９】
永久磁石ＭＧが軸方向の左右のいずれかに移動すると、その移動量に応じて、磁気抵抗素子Ｒ１２を通過する磁束のＸ方向成分が減少し、磁気抵抗素子Ｒ１２の抵抗値は増大する。これと同時に、磁気抵抗素子Ｒ１１を通過する磁束のＹ方向成分が増大し、これによって磁気抵抗素子Ｒ１１の抵抗値が減少するので、信号Ｓ１の電圧値は、図１に示すように急激に増大する。つまり、永久磁石ＭＧの軸方向位置の変化に対して検知される出力値の変化の割合が大きい。本明細書において、このような特性を有するセンサ素子を「有指向性」のセンサ素子という。
【００３０】
これに対して、図４（Ｂ）に示すように、他方のセンサ素子Ｍ１２は、センサ素子Ｍ１２を通過する磁束のうち、そのＸ方向成分に感応して抵抗値が低下する磁気抵抗素子Ｒ２２と、磁束に影響されない抵抗素子Ｒ２１とが直列に接続されて構成されている。
【００３１】
したがって、永久磁石ＭＧがセンサ素子Ｍ１２の直下位置Ｐ１にある場合には、磁気抵抗素子Ｒ２２を通過する磁束のＸ方向成分が最大となり、磁気抵抗素子Ｒ２２の抵抗値は最も低くなる。そのため、そのときの信号Ｓ２の電圧値は最も低くなる。
【００３２】
永久磁石ＭＧが軸方向の左右のいずれかに移動すると、その移動量に応じて、磁気抵抗素子Ｒ１２を通過する磁束のＸ方向成分が減少し、磁気抵抗素子Ｒ１２の抵抗値は増大する。しかし、抵抗素子Ｒ２１の抵抗値には変化がないので、信号Ｓ１の電圧値は、図１に示すように緩やかに増大する。つまり、永久磁石ＭＧの軸方向位置の変化に対して検知される出力値の変化の割合は、センサ素子Ｍ１１の場合よりも小さい。本明細書において、このような特性を有するセンサ素子を「無指向性」のセンサ素子という。
【００３３】
なお、センサ素子Ｍ１２において、抵抗素子Ｒ２１を、純粋な抵抗素子によって構成することが可能であり、また、磁気抵抗素子を用い且つその磁気抵抗素子を磁界の影響がないように磁気シールドを施すことによって構成することも可能である。
【００３４】
これらのセンサ素子Ｍ１１，Ｍ１２のそれぞれの特性それ自体は公知である。例えば、有指向性のセンサ素子Ｍ１１としてＮＥＣ社のＭＲＳＳ２２Ｌを、無指向性のセンサ素子Ｍ１２としてＮＶＥ社のＡＤ０８Ｘシリーズを用いることができる。
【００３５】
次に、センサＭ１１，Ｍ１２の検知範囲および磁界によるオンオフ動作について説明する。
【００３６】
図１に示すように、永久磁石ＭＧが位置Ｐ１にある場合には、２つのセンサ素子Ｍ１１，Ｍ１２の信号Ｓ１，Ｓ２の電圧値は最も低下し、したがって出力信号Ｓ３，Ｓ４はいずれもオンである。センサ素子Ｍ１１は永久磁石ＭＧの位置の変化に対して検知される出力値の変化の割合が大きいので、永久磁石ＭＧを検知する軸方向位置の範囲Ｋ１は狭い。これに対して、センサ素子Ｍ１２は永久磁石ＭＧの位置の変化に対して検知される出力値の変化の割合が小さいので、永久磁石ＭＧを検知する軸方向位置の範囲Ｋ２は広い。そして、検知範囲Ｋ１は、検知範囲Ｋ２の範囲内に入っている。
【００３７】
このように、２つのセンサ素子Ｍ１１，Ｍ１２の永久磁石ＭＧの位置の変化に対する出力値の変化の割合に差があるので、基準電圧Ｅｒ１，Ｅｒ２が同じであっても、範囲の広さが充分に異なる２つの出力信号Ｓ３，Ｓ４を得ることができる。
【００３８】
因みに、従来のように１つのセンサ素子Ｍを用い、２つの異なる基準電圧（しきい値）を設定して２種類の範囲の検知信号を得るようにした場合には、検知範囲の広さを充分に異ならせることができない。しかも、基準電圧をできるだけ離して設定する必要があるので、電圧の下限のぎりぎりのところに設定する必要があり、温度変化や経年変化によって特性や永久磁石ＭＧの強さに変化があると、センサ素子が永久磁石ＭＧを検知しなくなるおそれがある。
【００３９】
これに対して、本実施形態の検知スイッチ３では、基準電圧Ｅｒ１，Ｅｒ２を同じにすることができるので、基準電圧Ｅｒ１，Ｅｒ２を上下限のぎりぎりではなく余裕をもって設定することができ、環境変化や経年変化に対し安定した検知が可能である。また、基準電圧Ｅｒ１，Ｅｒ２を同じにすることによって、回路が簡単になり調整も容易である。
【００４０】
しかし、それら基準電圧Ｅｒ１，Ｅｒ２を別々の値に設定できるようにしてもよい。そのようにすると、検知範囲Ｋ１，Ｋ２の調整可能範囲が増大し、調整の自由度が増す。
【００４１】
また、２つのセンサ素子Ｍ１１，Ｍ１２を基板ＫＢ１の表裏の同じ位置に配置しているので、軸方向の寸法が増大することなく、検知スイッチ３の小型化を図ることが可能である。また、回路が簡単であり、低コストで製作可能である。
【００４２】
なお、赤色の発光ダイオード３５は、検知範囲Ｋ２の全部で点灯するのではなく、検知範囲Ｋ３，Ｋ４においてのみ点灯する。このようにすると、いずれの出力信号Ｓ３，Ｓ４が得られたかを識別可能な形で外部に表示し出力することができるとともに、消費電力の低減が図られる。
【００４３】
上の実施形態において、センサ素子Ｍ１１，Ｍ１２として、それぞれ２つの磁気抵抗素子Ｒ１１，１２、Ｒ２１，２２を持つものを用いたが、それぞれ４つの磁気抵抗素子または２つの磁気抵抗素子と２つの抵抗素子をブリッジ接続したものを用いてもよい。その場合に、抵抗素子の一部または全部を外付けとしてもよい。また、センサ素子Ｍ１２として、１つの磁気抵抗素子Ｒ２２のみからなるものを用い、他方の抵抗素子Ｒ２１は外付けとしてもよい。
【００４４】
図５は本発明の他の実施形態に係る検知スイッチ３Ｂの回路図である。
【００４５】
図５において、検知スイッチ３Ｂは、ケーシング２１、２つのセンサＭＳ１１，ＭＳ１２、定電流ダイオードＲＤ１、緑色と赤色の２つの発光ダイオードＬＥＤ１１，ＬＥＤ１２、ダイオードＤ１、および接続端子となるリード線２２ａ，ｂからなる。リード線２２ａ，ｂには、電源ＰＳ１および負荷ＲＬが直列に接続される。
【００４６】
センサＭＳ１１，ＭＳ１２は、いずれも背景技術の項で述べたＩＣ内蔵型のＭＲセンサであり、磁界に応動してオンオフする。一方のセンサＭＳ１１は、上に述べた有指向性のセンサ素子を内蔵し、他方のセンサＭＳ１２は無指向性のセンサ素子を内蔵する。そして、図３に示す比較回路３１，３２およびそれぞれオープンコレクタの出力回路を備え、それぞれ出力信号Ｓ３，Ｓ４に類似の出力信号Ｓ１３，Ｓ１４を出力する。
【００４７】
つまり、センサＭＳ１１，ＭＳ１２は、電源端子Ａ、接地端子Ｇ、および出力端子Ｔの３つの端子を有する。電源端子Ａと接地端子Ｇとの間に直流電圧を加えることによって動作状態（動作可能状態）となり、磁気を検知したときに出力端子Ｔが「Ｌ」の状態となって接地端子Ｇに導通する。出力端子Ｔが「Ｌ」の状態が、出力信号Ｓ１３，Ｓ１４を出力した状態である。
【００４８】
永久磁石ＭＧが検知範囲Ｋ２の外側にあるときには、センサＭＳ１１，ＭＳ１２はいずれもオフの状態である。このとき、無指向性のセンサＭＳ１２のみに電源が供給され、有指向性のセンサＭＳ１１には電源が供給されない。したがって、このときの漏れ電流は、センサＭＳ１２の漏れ電流のみである。
【００４９】
永久磁石ＭＧが検知範囲Ｋ３，Ｋ４に入ると、センサＭＳ１２がオンして出力信号Ｓ１４を出力する。これによって、電源ＰＳ１から負荷ＲＬに電流が流れ、負荷ＲＬが動作する。これとともに、発光ダイオードＬＥＤ１２が赤色に点灯し、且つ、有指向性のセンサＭＳ１１にも電源が供給される。
【００５０】
永久磁石ＭＧが検知範囲Ｋ１に入ると、有指向性のセンサＭＳ１１もオンして出力信号Ｓ１３を出力する。これによって発光ダイオードＬＥＤ１１が緑色に点灯する。センサＭＳ１１のオンによって、発光ダイオードＬＥＤ１２およびダイオードＤ１に加わる電圧が低下してそれらに電流が流れなくなり、発光ダイオードＬＥＤ１２は消灯する。
【００５１】
このように、ＩＣ内蔵型の２つのセンサＭＳ１１，ＭＳ１２を用いることにより、感度調整が不要で消費電流の少ない安価な２線２灯式の検知スイッチ３Ｂが得られる。
【００５２】
上に述べた実施形態において、発光ダイオードの点灯時の色は上に述べた以外の種々の色とすることができる。検知スイッチ３，３Ｂの回路構成、回路素子の種類および値、構造、形状、寸法、個数などは、本発明の趣旨に沿って種々変更することができる。
【００５３】
本発明は、流体圧シリンダ１のピストン１２または永久磁石ＭＧ以外の種々の磁気物体の検知に利用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
流体圧シリンダ装置におけるピストンのように軸方向に移動する磁気物体の検知スイッチとして利用される。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の検知スイッチの動作原理を説明するための図である。
【図２】本発明の実施形態に係る検知スイッチの外観を示す斜視図である。
【図３】検知スイッチの回路図である。
【図４】センサ素子の動作を説明するための図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る検知スイッチの回路図である。
【符号の説明】
【００５６】
１２  ピストン（磁気物体）
３  検知スイッチ（検知装置）
３１  比較回路（第１の比較回路）
３２  比較回路（第２の比較回路）
３４，３５  発光ダイオード（出力回路）
ＭＧ  永久磁石（磁気物体）
Ｍ１１  センサ素子（第１のセンサ素子）
Ｍ１２  センサ素子（第２のセンサ素子）
ＫＢ１  基板
３Ｂ  検知スイッチ（検知装置）
ＭＳ１１  センサ（第１のセンサ素子）
ＭＳ１２  センサ（第２のセンサ素子）
ＬＥＤ１１，１２  発光ダイオード（出力回路）
【図１】
2005291387.tif 000003
【図２】
2005291387.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005291387.tif 000006
【図５】
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