(57)【要約】【課題】ゲート電極を導電性金属膜パターンと前記導電性金属膜パターンを酸化させて形成された導電性酸化膜で形成して、ＬＤＤ領域の幅調節が容易で、ゲート電極のアライン不良を防止するＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスター及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板２００上に形成され、ソース/ドレーン領域及びチャンネル領域を具備する活性層２２０と、前記活性層２２０上に形成されたゲート絶縁膜２３０と、前記ゲート絶縁膜２３０上に形成された導電性金属膜パターン２４１及び前記導電性金属膜パターン２４１を囲む導電性酸化膜２４５からなるゲート電極２４０とを含み、前記ソース/ドレーン領域は、ＬＤＤ領域を具備し、前記ＬＤＤ領域は前記ゲート電極２４０と重畳される薄膜トランジスターを提供することを特徴とする。【選択図】図３
2005159303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成され、ソース/ドレーン領域及びチャンネル領域を具備する活性層と、
前記活性層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、導電性金属膜パターン及び前記導電性金属膜パターンを囲む導電性酸化膜からなるゲート電極とを含み、
前記ソース/ドレーン領域は、ＬＤＤ領域を具備し、
前記ＬＤＤ領域は、前記ゲート電極と重畳されることを特徴とする薄膜トランジスター。
【請求項２】
前記導電性金属膜パターンは、当該導電性金属膜パターンとその酸化物が全て導電性を有した物質からなることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスター。
【請求項３】
前記導電性金属膜パターンは、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｉｎまたはそれらの合金からなることを特徴とする請求項２記載の薄膜トランジスター。
【請求項４】
前記導電性酸化膜は、前記導電性金属膜パターンの酸化物からなることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスター。
【請求項５】
前記導電性金属膜パターンの側壁に形成された導電性酸化膜は、２μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスター。
【請求項６】
前記導電性金属膜パターンの側壁に形成された導電性酸化膜は、１μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスター。
【請求項７】
前記ＬＤＤ領域は、前記導電性金属膜パターンの側壁に形成された導電性酸化膜の横方向領域の下部に形成されることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスター。
【請求項８】
前記ＬＤＤ領域の幅は、前記導電性金属膜パターンの側壁に形成された導電性酸化膜の厚さ以下であることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスター。
【請求項９】
前記ＬＤＤ領域は、２μｍ以下の幅を有することを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスター。
【請求項１０】
前記ＬＤＤ領域は、１μｍ以下の幅を有することを特徴とする請求項９記載の薄膜トランジスター。
【請求項１１】
絶縁基板上に活性層を形成する段階と、
前記活性層上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に導電性金属膜パターンを形成する段階と、
前記導電性金属膜パターンをマスクとして前記活性層に低濃度ドーピングする段階と、
前記導電性金属膜パターンを酸化させて導電性酸化膜を形成し、前記導電性金属膜パターン及び前記導電性金属膜パターンを囲む導電性酸化膜からなるゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極をマスクとして前記活性層に高濃度ドーピングしてソース/ドレーン領域を形成する段階とを含み、
前記ソース/ドレーン領域は、ＬＤＤ領域を具備し、
前記ＬＤＤ領域は、前記ゲート電極と重畳されることを特徴とする薄膜トランジスターの製造方法。
【請求項１２】
前記導電性金属膜パターンは、当該導電性金属膜パターンとその酸化物が全て導電性を有した物質からなることを特徴とする請求項１１記載の薄膜トランジスターの製造方法。
【請求項１３】
前記導電性金属膜パターンは、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｉｎまたはそれらの合金からなることを特徴とする請求項１２記載の薄膜トランジスターの製造方法。
【請求項１４】
前記導電性酸化膜は、前記導電性金属膜パターンの酸化物からなることを特徴とする請求項１１記載の薄膜トランジスターの製造方法。
【請求項１５】
前記導電性金属膜パターンの側壁に形成される導電性酸化膜は、２μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１１記載の薄膜トランジスターの製造方法。
【請求項１６】
前記導電性金属膜パターンの側壁に形成される導電性酸化膜は、１μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１５記載の薄膜トランジスターの製造方法。
【請求項１７】
前記ＬＤＤ領域は、前記導電性金属膜パターンの側壁に形成された導電性酸化膜の横方向領域の下部に形成されることを特徴とする請求項１１記載の薄膜トランジスターの製造方法。
【請求項１８】
前記ＬＤＤ領域の幅は、前記導電性金属膜パターンの側壁に形成された導電性酸化膜の幅以下であることを特徴とする請求項１１記載の薄膜トランジスターの製造方法。
【請求項１９】
前記ＬＤＤ領域の幅は、２μｍ以下であることを特徴とする請求項１１記載の薄膜トランジスターの製造方法。
【請求項２０】
前記ＬＤＤ領域の幅は、１μｍ以下であることを特徴とする請求項１９記載の薄膜トランジスターの製造方法。
【請求項２１】
請求項1〜２０のいずれかに記載の薄膜トランジスターを使用することを特徴とするアクティブマトリックス平板表示装置。
【請求項２２】
前記平板表示装置は、液晶表示装置または有機電界発光表示装置であることを特徴とする請求項２１記載のアクティブマトリックス平板表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタとその製造方法及びそれを使う平板表示装置に関し、より詳しくは、ＧＯＬＤＤ(Gate Overlapped Lightly Doped Drain)構造の薄膜トランジスタとその製造方法及びそれを使う平板表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
スイッチング素子として薄膜トランジスターを使うアクティブマトリックス方式(Active Matrix Type)の平板表示装置には、各画素ごとに形成されて前記各画素を駆動する画素駆動用薄膜トランジスターと、前記画素駆動用薄膜トランジスターを作動して走査線(gate line)と信号線(data line)に信号を印加する駆動回路用薄膜トランジスターが形成されている。
【０００３】
前記薄膜トランジスターの中で多結晶シリコーン薄膜トランジスターは、レーザーを利用した結晶化技術の発展により非晶質シリコーン薄膜トランジスターと類似な温度で製作が可能になったし、非晶質シリコーン薄膜トランジスターに比べて電子や正孔の移動度が高くて、ｎチャンネルとｐチャンネルを具備するＣＭＯＳ(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)薄膜トランジスターの具現が可能で、大型絶縁基板上に前記駆動回路用と画素駆動用で同時に形成されることができるようになった。
【０００４】
しかし、前記ＣＭＯＳ多結晶シリコーン薄膜トランジスターの中でＮＭＯＳ薄膜トランジスターの場合、一般的にドーピングイオンでリン(Ｐ)を使うことによって、ＰＭＯＳ薄膜トランジスター製作時にドーピングイオンで使うホウ素(Ｂ)より質量面で相対的に大きいのでシリコーン結晶が破壊されて損傷領域が発生するようになり、その損傷領域は後続活性化工程でも完全に回復できなくなる。
【０００５】
このような損傷領域の存在によりソース領域からドレーン領域へ電子が加速される時にゲート絶縁膜またはモールス界面へ電子が流入されるホットキャリアストレス(Hot Carrier Stress)が発生して電子移動度が減少されることにより平板表示装置の駆動時に回路動作の安全性に致命的な影響を与え、また、オフ電流(Off Current)が大きくなる問題点がある。
【０００６】
このような問題点を解決するためにゲートとソース/ドレーン領域(Source/ Drain Region)の間の一定部分に未ドーピング領域を形成するオフセットを設定してこの部分の大きい抵抗により接合部位にかける電場を減少させてオフ電流を減らす方法(off-set構造)と、ソース/ドレーン領域の一定部分を低濃度でドーピングしてオフ電流を減らしてオン電流の減少を最小化できるようにＬＤＤ(Lightly Doped Drain)を形成する方法(ＬＤＤ構造)などが提案されている。
【０００７】
しかし、上述のようなオフセット構造とＬＤＤ構造は、現在のＬＴＰＳ(Low Temperature Poly Silicon)の技術が固集積化されることによってショットチャンネルデバイス(short channel device)の信頼性を向上させることにその限界がある。したがって、上述した問題点を解決するためにＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスターが提案されている。
【０００８】
以下、添付された図面を参照して従来技術について説明する。
【０００９】
図４乃至図７は、従来のＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスターを説明するための工程断面図である。図４を参照すると、絶縁基板１００上にバッファー層１１０を形成し、前記バッファー層１１０上に非晶質シリコーン膜を蒸着して結晶化した後、パターニングして多結晶シリコーンからなる活性層１２０を形成する。
【００１０】
前記活性層１２０を形成した後、前記活性層１２０を具備する前記絶縁基板１００の全面にゲート絶縁膜１３０を形成する。前記ゲート絶縁膜１３０を形成した後、所定の導電型を有する不純物を低濃度でドーピング、即ち、ＬＤＤドーピングするための第１フォトレジストパターン１４０を形成する。
【００１１】
前記第１フォトレジストパターン１４０を形成した後、前記第１フォトレジストパターン１４０をマスクとして低濃度ドーピングを実施して前記活性層１２０に低濃度ソース/ドレーン領域１２３Ｓ、１２３Ｄを形成する。この時、前記低濃度ソース/ドレーン領域１２３Ｓ、１２３Ｄの間の領域は薄膜トランジスターのチャンネル領域１２１で作用する。
【００１２】
図５を参照すると、前記活性層１２０に低濃度の不純物をドーピングして前記低濃度ソース/ドレーン領域１２３Ｓ、１２３Ｄを形成した後、前記第 1 フォトレジストパターン１４０を除去し、前記ゲート絶縁膜１３０上にゲート電極物質膜１５０を形成した後、ゲート電極の形成のための第２フォトレジストパターン１６０を形成する。
【００１３】
この時、前記第２フォトレジストパターン１６０は、前記低濃度ソース/ドレーン領域１２３Ｓ、１２３Ｄと一部分が重畳されるように形成され、その重畳される領域の幅はステッパー(stepper)の解像度により０．５μｍ以上になるように制約を受ける。
【００１４】
図６を参照すると、前記第２フォトレジストパターン１６０をマスクとして前記ゲート電極物質膜１５０をパターニングしてゲート電極１５５を形成する。この時、前記ゲート電極１５５は、前記第２フォトレジストパターン１６０により前記低濃度ソース/ドレーン領域１２３Ｓ、１２３Ｄの各々と一部分が重畳されるように形成される。
【００１５】
前記低濃度ソース/ドレーン領域１２３Ｓ、１２３Ｄと一部分が重畳されるように前記ゲート電極１５５を形成した後、前記ゲート電極１５５をマスクとして前記活性層１２０に高濃度不純物をドーピングして高濃度ソース/ドレーン領域１２５Ｓ、１２５Ｄを形成する。
【００１６】
図７を参照すると、前記ゲート電極１５０を具備する絶縁基板１００の全面に前記高濃度ソース/ドレーン領域１２５Ｓ、１２５Ｄの一部分を露出させるコンタクトホール１７１、１７５を具備する層間絶縁膜１７０を形成し、前記コンタクトホール１７１、１７５を通じて前記高濃度ソース/ドレーン領域１２５Ｓ、１２５Ｄと電気的に接続されるソース/ドレーン電極１８１、１８５を形成してＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスターを形成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、上述のような従来のＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスターにおいて、前記ゲート電極と重畳される前記低濃度ソース/ドレーン領域、即ち、ＬＤＤ領域の幅はステッパーの解像度により制約を受けて０．５μｍ以下では調節しにくい問題点がある。
【００１８】
また、フォトレジストマスクを利用して低濃度ドーピングを実行して、ゲート電極を形成した後、高濃度ドーピングを実行することにより、低濃度ドーピングのための追加的なマスクが必要であり、前記ゲート電極のアライン不良が発生する問題点がある。
【００１９】
したがって、本発明は、上述したような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、ゲート電極を導電性金属膜パターンと前記導電性金属膜パターンを酸化させて形成された導電性酸化膜で形成して、ＬＤＤ領域の幅調節が容易で、ゲート電極のアライン不良を防止するＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスター及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
前記目的を達成するために本発明は、絶縁基板上に形成され、ソース/ドレーン領域及びチャンネル領域を具備する活性層と、前記活性層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、導電性金属膜パターン及び前記導電性金属膜パターンを囲む導電性酸化膜からなるゲート電極を含み、前記ソース/ドレーン領域はＬＤＤ領域を具備し、前記ＬＤＤ領域は前記ゲート電極と重畳される薄膜トランジスターを提供することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明は、絶縁基板上に活性層を形成する段階と、前記活性層上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に導電性金属膜パターンを形成する段階と、前記導電性金属膜パターンをマスクとして前記活性層に低濃度ドーピングする段階と、前記導電性金属膜パターンを酸化させて導電性酸化膜を形成し、前記導電性金属膜パターン及び前記導電性金属膜パターンを囲む導電性酸化膜からなるゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極をマスクとして前記活性層に高濃度ドーピングしてソース/ドレーン領域を形成する段階とを含み、前記ソース/ドレーン領域はＬＤＤ領域を具備し、前記ＬＤＤ領域は前記ゲート電極と重畳される薄膜トランジスターの製造方法を提供することを特徴とする。
【００２２】
好ましくは、前記導電性金属膜パターンは、自分とその酸化物が全て導電性を有した物質からなり、より好ましくは、前記導電性金属膜パターンは、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｉｎまたはその合金からなる。好ましくは、前記導電性酸化膜は、前記導電性金属膜パターンの酸化物からなる。好ましくは、前記導電性金属膜パターンの側壁に形成される導電性酸化膜は２μｍ以下の厚さを有し、より好ましくは、前記導電性金属膜パターンの側壁に形成される導電性酸化膜は１μｍ以下の厚さを有する。好ましくは、前記ＬＤＤ領域は、前記導電性金属膜パターンの側壁に形成された導電性酸化膜の横方向領域の下部に形成される。好ましくは、前記ＬＤＤ領域の幅は、前記導電性金属膜パターンの側壁に形成された導電性酸化膜の厚さ以下である。また、好ましくは、前記ＬＤＤ領域の幅は２μｍ以下であり、より好ましくは、前記ＬＤＤ領域の幅は１μｍ以下である。
【００２３】
また、本発明は、上述した薄膜トランジスターを使用するアクティブマトリックス液晶表示装置またはアクティブマトリックス有機電界発光表示装置などのアクティブマトリックス平板表示装置を提供することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によると、ゲート電極を導電性金属膜パターンと、前記導電性金属膜パターンを酸化させて形成された導電性酸化膜で形成して、ＬＤＤ領域の幅調節が容易で、ゲート電極のアライン不良を防止するＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスターとその製造方法及びそれを使う平板表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施例について詳しく説明する。
【実施例１】
【００２６】
図１乃至図３は、本発明の実施例によるＧＯＬＤＤ構造薄膜トランジスターを説明するための工程断面図である。
【００２７】
本発明の実施例によるＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスターは、導電性金属膜パターン２４１及び前記導電性金属膜パターン２４１を囲む導電性酸化膜２４５からなるゲート電極２４０と、活性層２２０の低濃度ドーピング領域であるＬＤＤ領域が重畳されている構造を有する。
【００２８】
図１を参照すると、絶縁基板２００上に前記絶縁基板２００から金属イオンなどの不純物が拡散されて活性層(多結晶シリコーン)に侵透することを防止するためのバッファー層２１０(buffer layer; diffusion barrier)をＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、スパッタリング(sputtering)などの方法を通じて蒸着する。
【００２９】
前記バッファー層２１０を形成した後、前記バッファー層２１０上にＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、スパッタリングなどの方法を利用して非晶質シリコーン膜(amorphous Ｓｉ)を蒸着する。そして、真空炉(furnace)で脱水素工程を実施する。前記非晶質シリコーン膜をＬＰＣＶＤやスパッタリングで蒸着した場合、脱水素しないこともある。
【００３０】
前記非晶質シリコーン膜に高エネルギーを照射する非晶質シリコーンの結晶化工程を通じて非晶質シリコーンを結晶化して多結晶シリコーン膜(poly-Si)を形成する。好ましくは、前記結晶化工程でＥＬＡ、ＭＩＣ、ＭＩＬＣ、ＳＬＳ、ＳＰＣなどの結晶化工程が使用される。
【００３１】
前記多結晶シリコーン膜を形成した後、前記多結晶シリコーン膜をパターニングして活性層(２２０、active layer)を形成する。
【００３２】
前記活性層２２０上にゲート絶縁膜２３０を蒸着して、前記ゲート絶縁膜２３０上に導電性金属膜を蒸着した後、前記導電性金属膜をパターニングして導電性金属膜パターン２４１を形成する。
【００３３】
この時、前記導電性金属膜パターン２４１は、自分とその酸化物が導電性を有した物質であることが好ましい。より好ましくは、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｉｎまたはその合金からなる。これは以後に形成される導電性酸化膜が前記導電性金属膜パターンと共にゲート電極で作用するようにするためである。
【００３４】
前記導電性金属膜パターン２４１を形成した後、前記導電性金属膜パターン２４１をマスクとして所定の導電性を有する不純物を低濃度ドーピング、即ち、ＬＤＤドーピングを実施して、低濃度ソース/ドレーン領域２２３Ｓ、２２３Ｄを形成する。この時、前記低濃度ソース/ドレーン領域２２３Ｓ、２２３Ｄの間の領域は、薄膜トランジスターのチャンネル領域２２１で作用する。
【００３５】
図２を参照すると、前記低濃度ソース/ドレーン領域２２３Ｓ、２２３Ｄを形成した後、熱処理工程を実行して前記導電性金属膜パターン２４１を酸化させる。この時、導電性金属膜パターン２４１の外部へ露出される部分が酸化されて導電性酸化膜２４５が形成されて、前記導電性金属膜パターン２４１と導電性酸化膜２４５からなるゲート電極２４０を形成する。
【００３６】
この時、前記導電性金属膜パターン２４１の酸化時に前記導電性金属が酸素と反応して前記導電性金属膜パターン２４１の幅は多少減少し、導電性酸化膜２４５は前記導電性金属膜パターン２４１の幅の減少幅より厚く形成されて、前記ゲート電極２４０の幅は前記導電性金属膜パターン２４１の幅より増加するようになる。したがって、前記ゲート電極２４０と前記低濃度ソース/ドレーン領域(２２３Ｓ、２２３Ｄ)の一部分が重畳された構造を有するようになる。
【００３７】
また、前記導電性金属膜パターン２４１の側壁に形成される導電性酸化膜２４５は２μｍ以下の厚さを有することが好ましい。より好ましくは、前記導電性金属膜パターン２４１の側壁に形成される導電性酸化膜２４５は１μｍ以下の厚さを有する。導電性酸化膜２４５は前記導電性金属膜パターン２４１と一緒に以後に実行される高濃度ドーピングのマスクで作用してＧＯＬＤＤ構造を形成するようになり、前記低濃度ソース/ドレーン領域２２３Ｓ、２２３Ｄ、即ち、ＬＤＤ領域の幅を決定するようになる。
【００３８】
即ち、前記導電性金属膜パターン２４１の熱処理条件によって前記導電性酸化膜２４５の厚さが変化し、前記導電性酸化膜２４５の厚さによってＬＤＤ領域２２３Ｓ、２２３Ｄの幅を２μｍ以下で形成でき、好ましくは、ＬＤＤ領域２２３Ｓ、２２３Ｄの幅を１μｍ以下で形成することができる。
【００３９】
前記導電性金属膜パターン２４１と導電性酸化膜２４５からなるゲート電極２４０を形成した後、前記ゲート電極２４０をマスクとして前記活性層２２０に高濃度ドーピングを実施して高濃度ソース/ドレーン領域２２５Ｓ、２２５Ｄを形成する。
【００４０】
この時、前記導電性金属膜パターン２４１の側壁に形成された前記導電性酸化膜２４５下部の前記低濃度ソース/ドレーン領域２２３Ｓ、２２３Ｄは、前記ゲート電極２４０により高濃度ドーピングされなくて低濃度ドーピング状態で残留してＬＤＤ領域で作用するようになり、前記ゲート電極２４０と低濃度ドーピング領域２２３Ｓ、２２３Ｄ、即ち、ＬＤＤ領域が重畳されるＧＯＬＤＤ構造を形成する。即ち、前記ＬＤＤ領域は前記導電性金属膜パターン２４１の側壁に形成された導電性酸化膜２４５の横方向領域の下部に形成される。
【００４１】
また、前記ＧＯＬＤＤ構造のＬＤＤ領域は、前記導電性金属膜パターン２４１の側壁に形成された前記導電性酸化膜２４５の厚さによって幅が決定されるので、前記ゲート電極２４０と重畳されるＬＤＤ領域の幅は、前記導電性金属膜パターン２４１の側壁に形成された前記導電性酸化膜２４５の厚さ以下で形成される。
【００４２】
図３を参照すると、前記高濃度ソース/ドレーン領域２２５Ｓ、２２５Ｄを形成した後、前記絶縁基板２００の全面に層間絶縁膜２５０を形成して、パターニングして前記高濃度ソース/ドレーン領域２２５Ｓ、２２５Ｄの一部分を露出させるコンタクトホール２５１、２５５を形成する。
【００４３】
前記コンタクトホール２５１、２５５を形成した後、前記絶縁基板２００の全面に所定の導電膜を蒸着してパターニングして前記高濃度ソース/ドレーン領域２２５Ｓ、２２５Ｄと電気的に接続されるソース/ドレーン電極２６１、２６５を形成してＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスターを形成する。
【００４４】
上述のようなＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスターは、低濃度ドーピングのための追加的なマスクを使用しない。したがって、ゲート電極２４０のアライン不良を防止することができる。
【００４５】
また、導電性金属膜パターン２４１を酸化させて、前記導電性酸化膜２４５を形成して ＧＯＬＤＤ構造を形成することにより、ＬＤＤ領域の幅を前記導電性金属膜パターン２４１の側壁に形成される前記導電性酸化膜２４５の厚さで調節する。したがって、ＬＤＤ領域幅の調節が容易でＬＤＤ領域の幅を２μｍ以下で形成することができ、好ましくは、１μｍ以下で形成することが可能である。
【００４６】
また、上述のようなＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスターを利用して、一般的なアクティブマトリックス平板表示装置の製造方法、即ち、アクティブマトリックス液晶表示装置またはアクティブマトリックス有機電界発光表示装置の製造方法を実行してアクティブマトリックス平板表示装置を提供することができる。
【００４７】
以上、本発明の好適な実施の形態について添付の図面を参照して詳細に説明したが、以上の説明及び添付図面における多くの特定詳細は本発明のより全般的理解のために提供されるだけ、これら特定事項が本発明の範囲内で所定の変形や変更が可能であることは、当該技術分野で通常の知識を有する者には自明なことであろう。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、薄膜トランジスターとその製造方法及びそれを使う平板表示装置に関し、より詳しくは、ＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスターとその製造方法及びそれを使う平板表示装置に関する。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施例によるＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスターを説明するための工程断面図である。
【図２】本発明の実施例によるＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスターを説明するための工程断面図である。
【図３】本発明の実施例によるＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスターを説明するための工程断面図である。
【図４】従来のＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスターを説明するための工程断面図である。
【図５】従来のＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスターを説明するための工程断面図である。
【図６】従来のＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスターを説明するための工程断面図である。
【図７】従来のＧＯＬＤＤ構造の薄膜トランジスターを説明するための工程断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
２００  絶縁基板
２１０  バッファー層
２２０  活性層
２２１  チャンネル領域
２２３Ｓ  低濃度ソース領域
２２３Ｄ  低濃度ドレーン領域
２２５Ｓ  高濃度ソース領域
２２５Ｄ  高濃度ドレーン領域
２３０  ゲート絶縁膜
２４０  ゲート電極
２４１  導電性金属膜パターン
２４５  導電性酸化膜
２５０  層間絶縁膜
２５１、２５５  コンタクトホール
２６１  ソース電極
２６５  ドレーン電極
【図１】
2005159303.tif 000003
【図２】
2005159303.tif 000004
【図３】
2005159303.tif 000005
【図４】
2005159303.tif 000006
【図５】
2005159303.tif 000007
【図６】
2005159303.tif 000008
【図７】
2005159303.tif 000009