(57)【要約】    【課題】  本発明はこのような問題を解決し、被転写層の転写方法において薄膜トランジスタ等の被転写層に形成された薄膜素子の劣化を回避し得る転写方法、半導体装置の製造方法及び電子機器を提供することを目的としている。    【解決手段】  基板上に形成された被転写層を他の基材に転写する方法であって、前記基板上に第１分離層を形成する第１工程と、前記第１分離層上に、薄膜素子及び凹部を含む前記被転写層を形成する第２工程と、前記被転写層の少なくとも前記凹部が形成された領域に保護層を形成する第３工程と、前記保護層が形成された前記基板を、接着層を介して前記他の基材に接合する第４工程と、を含む被転写層の転写方法により、上記課題を解決する。【選択図】    図６
2005259984.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された被転写層を他の基材に転写する方法であって、
前記基板上に第１分離層を形成する第１工程と、
前記第１分離層上に、薄膜素子及び凹部を含む前記被転写層を形成する第２工程と、
前記被転写層の少なくとも前記凹部が形成された領域に保護層を形成する第３工程と、
前記保護層が形成された前記基板を、接着層を介して前記他の基材に接合する第４工程と、
を含むことを特徴とする被転写層の転写方法。
【請求項２】
前記接着層が水溶性接着剤より構成される、請求項１に記載の転写方法。
【請求項３】
前記被転写層が接続端子及び／又は機能領域を含み、前記第３工程が当該接続端子及び／又は機能領域を残して、前記被転写層に保護層を形成する工程である、請求項１又は請求項２に記載の転写方法。
【請求項４】
前記第３工程が、前記凹部内に保護層を構成する材料を充填する工程である、請求項１乃至３のいずれかに記載の転写方法。
【請求項５】
前記第３工程が、前記凹部内にＳｉＯ2又はＳｉ3Ｎ4を堆積する工程である、請求項１乃至４のいずれかに記載の転写方法。
【請求項６】
前記第３工程が、前記凹部が形成された領域を薄膜で覆う工程である、請求項１乃至３のいずれかに記載の転写方法。
【請求項７】
基板上に形成された被転写層を一次転写体に転写する方法であって、
前記基板上に第１分離層を形成する第１工程と、
前記第１分離層上に、薄膜素子及び凹部を含む前記被転写層を形成する第２工程と、
前記被転写層の少なくとも前記凹部が形成された領域に保護層を形成する第３工程と、
前記保護層が形成された前記基板に、前記基板側から接着層及び第２分離層の順に層を介在させ、前記一次転写体を接合する第４工程と、
前記基板から前記一次転写体に被転写層を剥離転写する第５工程と、
前記被転写層に二次転写体を接合する第６工程と、
前記一次転写体から前記二次転写体に被転写層を剥離転写する第６工程と、
を含むことを特徴とする被転写層の転写方法。
【請求項８】
前記他の基材が、永久接着剤から構成される層を介して接合される請求項１乃至６のいずれかに記載の転写方法。
【請求項９】
前記凹部が、前記薄膜素子のプロセスの良否を評価するために形成されたテストパターンである、請求項１乃至８のいずれかに記載の転写方法。
【請求項１０】
前記保護層を構成する材料が、前記接着層を構成する材料と親和性のある材料である、請求項１乃至９のいずれかに記載の転写方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の転写方法を利用したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の製造方法により得られる半導体装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜素子の転写技術に関し、詳しくは、被転写層に形成された凹部を基点とする薄膜素子の破壊を回避し得る転写方法、半導体装置の製造方法及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）又はＥＬ素子等を用いたディスプレイを製造する際には、通常、基板上に薄膜トランジスタを形成する工程を経る。薄膜トランジスタの形成工程は一般に高温下でなされるため、薄膜トランジスタが形成される基板には耐熱性が高いことが要求される。しかし、このような耐熱性の高い基板は高価であり、製品のコストが高くなるため、基板上に薄膜トランジスタを形成してから安価な基板に薄膜トランジスタを転写する方法が開発されている。
【０００３】
例えば特開平１０−１２５９３１号公報（特許文献１）には、このような薄膜トランジスタの剥離・転写方法が開示されている。
このような方法によれば、高温下で行うプロセスを耐熱性の高い基板上で行った後に、安価で加工し易い基板に被転写体を転写し得るので、大型で安価な液晶ディスプレイ等を容易に製造し得ることになる。
【特許文献１】特開平１０−１２５９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、薄膜トランジスタを製造する際、薄膜トランジスタの製造プロセスが良好に進行したか否か等を評価するために、プロセスTEG(Test Element Group)部又はプロセスモニター部などと呼ばれるテストパターン（検査用領域）を薄膜トランジスタの近傍に形成する。このテストパターンには、評価後に凹部が形成されてしまうことがある。被転写体としての薄膜トランジスタの近傍にこのような凹部が形成されていると、被転写体を一時的に他の基板に転写する際に例えば水溶性の接着剤を用いた場合、この接着剤を溶解するための水分が凹部を通じて薄膜トランジスタを形成した領域にまで浸透し、薄膜トランジスタが劣化する虞がある。
【０００５】
本発明はこのような問題を解決し、被転写層の転写方法において薄膜トランジスタ等の被転写層に形成された薄膜素子の劣化を回避し得る転写方法、半導体装置の製造方法及び電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するために、基板上に形成された被転写層を他の基材に転写する方法であって、上記基板上に第１分離層を形成する第１工程と、上記第１分離層上に、薄膜素子及び凹部を含む上記被転写層を形成する第２工程と、上記被転写層の少なくとも上記凹部が形成された領域に保護層を形成する第３工程と、上記保護層が形成された上記基板を、接着層を介して上記他の基材に接合する第４工程と、を含む被転写層の転写方法を提供するものである。
【０００７】
これによれば、凹部が形成された領域に保護層を設けるので、凹部から水分等が侵入を防止することが可能となり、薄膜素子の劣化を回避することが可能となる。
【０００８】
上記接着層が水溶性接着剤より構成されていてもよい。このように、接着層が水溶性接着剤により構成されていても、凹部が形成された領域に保護層が設けられているので、水溶性接着剤に含まれる水分による薄膜素子の劣化を回避することが可能となる。
【０００９】
上記保護層は、上記被転写層のうち、後の工程で直接加工する必要がある加工予定領域については、形成しないことが好ましい。具体的には、例えば、上記被転写層が接続端子及び／又は機能領域を含み、上記第３工程が当該接続端子及び／又は機能領域を残して、上記被転写層に保護層を形成する工程であることが好ましい。電極パッド等の接続端子は、後に外部との電気的接続を図る必要があるからである。また、画素部等の機能領域は、転写後の工程において、さらに薄膜形成を行う等、後の工程で加工する場合があるからである。具体的には、例えば、被転写層がディスプレイ用デバイスであるような場合において、画素部等の機能領域に転写後さらに薄膜層等を設ける場合があるからである。
【００１０】
上記第３工程が、上記凹部内に保護層を構成する材料を充填する工程であることが好ましい。これによれば、凹部内に保護層を構成する材料を充填することで、より確実に当該凹部を基点とする薄膜素子の劣化を回避することが可能となる。具体的には、例えば、上記凹部内にＳｉＯ2又はＳｉ3Ｎ4を堆積する工程が挙げられる。これによれば、通常の半導体製造プロセスと同様の工程で行えるので、利便性もよい。
【００１１】
上記第３工程が、上記凹部が形成された領域を薄膜で覆う工程であることが好ましい。フィルム等の薄膜を用いることで、より簡便に凹部内への水分等の侵入を防止し得るので好ましい。
【００１２】
本発明の転写方法では、剥離転写する工程は１回であっても２回以上行ってもよい。
すなわち、本発明は、基板上に形成された被転写層を一次転写体に転写する方法であって、上記基板上に第１分離層を形成する第１工程と、上記第１分離層上に、薄膜素子及び凹部を含む上記被転写層を形成する第２工程と、上記被転写層の少なくとも上記凹部が形成された領域に保護層を形成する第３工程と、上記保護層が形成された上記基板に、上記基板側から接着層及び第２分離層の順に層を介在させ、上記一次転写体を接合する第４工程と、上記基板から上記一次転写体に被転写層を剥離転写する第５工程と、上記被転写層に二次転写体を接合する第６工程と、上記一次転写体から上記二次転写体に被転写層を剥離転写する第６工程と、を含む被転写層の転写方法を提供するものであってもよい。
【００１３】
このように一次転写体に一時的に接合するような場合には、水溶性接着剤が用いられることが多く、このような場合であっても、例えば水溶性接着剤に含まれる水分による薄膜素子の劣化を回避し得る。
【００１４】
また、上記他の基材が、永久接着剤から構成される層を介して接合されていてもよい。永久接着剤としても水溶性接着剤を利用することがあり、このような場合でも水分の影響を回避することが可能となる。また、水溶性接着剤を用いない場合であっても、永久接着剤に含まれる有機溶剤等により、薄膜素子に影響が及ぶ場合もあり、このような場合においても薄膜素子を有効に保護し得る。なお、ここで、永久接着剤とは、部材を半永久的に接合するために用いる接着剤をいうものとし、一時的に固定する目的で使用され、後から除去される仮固定用の接着剤と区別するために用いる。
【００１５】
上記凹部が、上記薄膜素子の形成プロセスの良否を評価するために形成されたテストパターンであってもよい。例えば薄膜トランジスタ等の薄膜素子を形成する場合、近傍に薄膜素子の製造プロセスを評価等するためのテストパターンを設けることがある。このテストパターンは、例えば、検査後に第１分離層まで貫通していることもあり、このような場合には、特に、第１分離層と薄膜素子を含む被転写層との間に水分等が侵入し易いため、薄膜素子が破壊又は劣化する虞がある。本発明の転写方法は、このような場合においても有効である。
【００１６】
上記保護層を構成する材料が、上記接着層を構成する材料と親和性のある材料であることが好ましい。これにより、接着層との結合を強化することが可能となる。
【００１７】
本発明の他の態様は、上記転写方法を利用した半導体装置の製造方法を提供するものである。上記転写方法を利用するので、より信頼性の高い製品を製造することが可能となる。
【００１８】
本発明のさらなる他の態様は、上記製造方法により得られる半導体装置を用いた電子機器を提供するものである。上記転写方法を利用するので、より信頼性の高い製品を製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、各図を参照して本発明の実施形態について説明する。
（第一の実施形態）
本実施形態では、被転写層を一次転写体（例：仮転写基板）及び二次転写体（例：永久基板）へ、二回転写する場合を例に採り説明する。なお、仮転写基板とは一時的に被転写層を転写するための基板であり、永久基板とは製品として用いる最終的な基板をいう。
図１及び図２は、本実施形態の被転写層の転写方法を説明するための図である。本実施形態の転写方法について、半導体装置の製造方法を例に採り説明する。
図１（Ａ）に示すように、基板１０の一方の面に第１分離層１２を介して被転写層１４を形成し、形成された被転写層１４上に保護層１６を形成する。
【００２０】
まず、基板１０上に第１分離層１２を形成する。
基板１０は、例えば、後の工程で照射される照射光２３を透過し得る透光性を有する材料から構成されることが好ましい。また、基板１０は、第１分離層１２及び被転写層１４を形成する際の最高温度をTmaxとしたときに、歪点がTmax以上の材料で構成されていることが好ましい。
【００２１】
第１分離層１２は、照射される光を吸収し、その層内および／または界面において剥離（以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う）を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、光の照射により、第１分離層１２を構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離および／または界面剥離に至るものがよい。
【００２２】
さらに、光の照射により、第１分離層１２から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。すなわち、第１分離層１２に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、第１分離層１２が光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。
【００２３】
このような第１分離層１２としては、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が挙げられる。また、第１分離層１２は多層膜から構成されていてもよい。多層膜は、例えばアモルファスシリコン膜とその上に形成されたＡｌ等の金属膜とからなるものとすることができる。その他、上記性状を有するセラミックス，金属，有機高分子材料などを用いることも可能である。
【００２４】
第１分離層１２の形成方法は、特に限定されず、膜組成や膜厚等の諸条件に応じて適宜選択される。たとえば、ＣＶＤ、スパッタリング等の各種気相成膜法、各種メッキ法、スピンコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェットコーティング法、粉末ジェット法等が挙げられ、これらのうちの２以上を組み合わせて形成することもできる。
【００２５】
なお、図１（Ａ）には示されないが、基板１０及び第１分離層１２の性状に応じて、両者の密着性の向上等を目的とした中間層を基板１０と第１分離層１２の間に設けても良い。この中間層は、例えば製造時または使用時において被転写層を物理的または化学的に保護する保護層、絶縁層、被転写層へのまたは被転写層からの成分の移行（マイグレーション）を阻止するバリア層、反射層としての機能のうち少なくとも一つを発揮するものである。
【００２６】
次に、第１分離層１２上に、被転写層１４を形成する。
図３は、被転写層１４の一例の構成を説明するための斜視図である。図３に示すように、被転写層１４は、薄膜素子３４（例：薄膜トランジスタ）、凹部３６、及び薄膜素子３４と外部との接続を図るための接続端子としての電極パッド３８を含み構成されている。凹部３６は、例えば、薄膜素子３４の形成プロセスの良否等を評価するために形成されたテストパターン（例：プロセスモニター部又はプロセスTEG部）の評価（検査）をした後に生じたものであってもよい。
【００２７】
このような被転写層１４上の少なくとも凹部３６が形成された領域に保護層１６を形成する。保護層１６を構成する材料としては、例えば、凹部３６に充填しても薄膜素子３４に影響を与えないような材料であれば特に限定されず、ポリイミド等の樹脂であってもＳｉＯ2又はＳｉ3Ｎ4等の無機材料であってもよい。水分の影響をより回避し得るという観点からは、無機材料が好ましい。なお、樹脂としてレジスト材を用いてもよく、レジスト材を用いた場合は、フォトリソグラフィー技術によるパターニングが可能となるので、容易に後述する保護層１６のパターンを形成し得る。また、後の工程で接合される一次転写体３０との接着性を向上させるという観点からは、接着層１８を構成する接着剤と親和性のある材料であることが好ましい。例えば、接着層１８を構成する接着剤として水溶性接着剤を用いた場合には、親水性の材料を用いることにより、接着層１８との親和性を高めることが可能となる。
【００２８】
図４及び図５に、保護層１６の形成パターンの一例を示す。図４に示すように、保護層１６は、少なくとも凹部３６を覆うように形成されていればよい。これにより、凹部３６内への水分等の侵入を防止することが可能となり、凹部３６を基点として薄膜素子３４が劣化するのを回避することが可能となる。また、図５に示すように、凹部３６内への水分等の侵入をより回避するという観点からは、接続端子３８が形成された領域を残し、全体が保護層１６で覆われていることが好ましい。
【００２９】
保護層１６の形成方法としては、特に限定するものではないが、例えば、樹脂を用いる場合はコーティングした後、不要部位をエッチング等により除去することにより形成が可能であり、また、ＳｉＯ2又はＳｉ3Ｎ4等の無機材料を用いる場合には、ＣＶＤ等により蒸着した後、不要部位をエッチング等により除去することにより形成することが可能である。また、その他の方法により、必要部位にのみ保護層１６を形成してもよい。
【００３０】
図６（Ａ）に、保護層１６が形成された基板１０の断面図を示す。図６（Ａ）に示すように、保護層１６は凹部３６を埋めるように形成することが好ましい。これにより、より確実に水分の侵入を回避し得る。また、図６（Ｂ）に示すように、フィルム状の保護膜を貼り付けることにより保護層１６を形成してもよい。
【００３１】
次に、図１（Ｂ）に示すように、基板１０に、基板１０側から接着層１８及び第２分離層２０の順に層を介在させて、一次転写体２２を接合する。一次転写体２２は、薄膜素子を含む被転写層１４の形成後に接合されるものであるので、被転写層１４の製造時のプロセス温度等に対する制約はなく、常温で保型性があればよい。ここでは、後の工程で光照射を行うことから、例えばガラス基板、合成樹脂等の透光性材料から構成されているものを用いる。また、接着層１８は、第２分離層２０と保護層１６を接着させるために使用されるものであり、また、後に一次転写体２２を剥離する際に除去容易なものであることが好ましい。このような接着層１８を構成する接着剤としては、例えば、アクリル樹脂系の水溶性接着剤が用いられる。また、第２分離層２０としては、第１分離層１２と同様のものが用いられる。
【００３２】
次に、図１（Ｃ）に示すように、基板１０の裏面側１１から照射光２３を照射する。この照射光２３は、基板１０を透過し、第１分離層１２に照射される。これにより、第１分離層１２に層内剥離及び／又は界面剥離が生じる。第１分離層１２の層内剥離及び／又は界面剥離が生じる原理は、第１分離層１２の構成材料にアブレーションが生じること、また、第１分離層１２に含まれるガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものであると推定される。
【００３３】
ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（第１分離層１２の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、第１分離層１２の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、前記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。
【００３４】
照射光２３の光源としては、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線等のいかなるものであってもよい。このような中でも、アブレーションを生じさせ易いという観点から、レーザ光が好適に用いられる。レーザ光の種類は、気体レーザ、固体レーザ（半導体レーザ）等のいずれでもよく、中でも、エキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ2レーザ、ＣＯレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が好ましく、さらにエキシマレーザが好ましい。
【００３５】
次に、図１（Ｄ）に示すように、基板１０と一次転写体２２を分離する。例えば基板１０と一次転写体２２に、双方を離間させる方向に力を加えることによって、基板１０を一次転写体２２から取り外す。前記光照射によって、転写すべき被転写層１４は一次転写体２２側に接合され、基板１０から剥離しているため容易に剥離転写がなされる。
【００３６】
なお、図１（Ｄ）においては、第１分離層１２が基板１０側に付着する場合を示したが、第１分離層１２内又は第１分離層１２と基板１０との間で剥離が生じる場合もある。この場合には、被転写層１４に第１分離層１２が付着して残るが、この被転写層１４に付着した第１分離層１２は、洗浄、エッチング、アッシング等により除去することが可能である。
【００３７】
次に、図１（Ｅ）に示すように、被転写層１４に、二次転写体２６を接着層２４を介して接合する。ここで、接着層２４を構成する接着剤としては永久接着剤が用いられ、その好適な例としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、光硬化型接着剤（例：紫外線硬化型接着剤）、嫌気硬化型接着剤等が挙げられる。接着剤の組成は、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系のいずれであってもよい。二次転写体２６としては、特に限定するものではないが、基板（板材）、より具体的には、ガラス、樹脂等から構成される透明基板が挙げられる。なお、基板は、平板であっても湾曲しているものであってもよい。
【００３８】
次に、図２（Ａ）に示すように、二次転写体２６に仮固定基板３０を接着層２８を介して接合する。ここで、仮固定基板３０は、二次転写体２６の強度を支持するために使用されるものである。例えば、二次転写体２６が薄い場合や可撓性を有する場合に、このような仮固定基板３０で二次転写体２６を支持することにより、二次転写体２６の取扱いを容易とし、また、例えば後の剥離工程において、剥離を容易とすることが可能となる。このような仮固定基板３０としては、特に限定するものではないが、二次転写体２６を支持するという趣旨からは、剛性を有するものであることが好ましい。接着層２８は、後で除去可能な接着剤から構成されていることが好ましい。このような接着剤としては、例えば水溶性接着剤が挙げられる。
【００３９】
次に、図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示すように、一次転写体２２側から第２分離層２０に照射光３１を照射し、一次転写体２２を接着層１８が付着した被転写層１４から剥離する。この光照射工程は、図１（Ｃ）及び図１（Ｄ）に示したのと同様に行われる。
【００４０】
次に、図２（Ｄ）に示すように、接着層１８、接着層２８及び仮固定基板３０を除去する。接着層１８及び接着層２８が水溶性接着剤から構成される場合には、水洗等により除去することが可能である。また、接着層２８を洗い流すことにより、仮固定基板３０を分離することが可能となる。このようにして、半導体装置を得ることが可能となる。
なお、接着層１８及び接着層２８が、水溶性接着剤以外の材料から構成されている場合、例えば、光照射等により分解可能な接着剤から構成されている場合には、適当な光を照射することにより接着層１８及び接着層２８を除去することが可能となる。
【００４１】
本実施形態によれば、テストパターンとしての凹部３６が形成された領域に保護層１６を設けるので、凹部３６から水分等が侵入を防止することが可能となり、凹部３６を基点とする薄膜素子３４の劣化を回避することが可能となる。
【００４２】
特に、一次転写体２２に接合する場合には、後で除去可能なように、第１分離層２０を介在させて被転写層１４と接合される。この際、第１分離層２０と被転写層１４との接合力をより強固にするために、接着層１８が介在される場合がある。この接着層１８には、後で取り除くことが可能なように、例えば水溶性接着剤１８のような除去可能な接着剤が用いられる。水溶性接着剤１８は、水溶性であるため、水洗除去した際に、凹部３６内に水が浸透し、凹部３６内の層間の隙間から薄膜素子３４が形成された領域まで水分が浸透し、薄膜素子３４を破壊又は劣化させてしまう虞がある。また、水溶性接着剤１８の塗布時においても、溶媒として水又は吸水性の溶剤が含まれている場合には、同様の虞がある。さらに、吸水性でない場合であっても、接着剤を溶解する溶剤が各層間に浸透することにより、薄膜素子３４に影響を与える虞がある。
【００４３】
しかし、本実施形態によれば、凹部３６に保護層１６を設けることで、このような水分等による影響をより確実に防止することができ、信頼性の高い半導体装置を製造し得る。
なお、仮固定基板３０は、二次転写体２６の強度が十分である場合には、特に用いなくてもよい。
【００４４】
（第二の実施形態）
第一の実施形態では、被転写層１４を一次転写体２２及び二次転写体２６へ、二回転写する場合を例に採り説明した。本実施形態では、被転写層１４を二次転写体（永久基板）２６に直接転写（一回転写）する場合について説明する。
【００４５】
図７は、本実施形態の被転写層の転写方法を説明するための図である。本実施形態の転写方法について、半導体装置の製造方法を例に採り説明する。なお、図１及び図２と同じ要素については、同一符号を付して説明を省略する。
【００４６】
図１（Ａ）と同様に、被転写層１４上に保護層１６が形成された基板１０を準備する（図７（Ａ））。次に、図７（Ｂ）に示すように、保護層１６上に接着層２４を介して二次転写体２６を接合する。図７（Ｃ）に示すように、二次転写体２６の強度を支持し、取扱いを容易とするために、接着層２８を介して仮固定基板３０を接合する。次に、図７（Ｄ）乃至図７（Ｅ）に示すように、基板１０の裏面１１から照射光２３を照射することにより基板１０を分離し、その後、仮固定基板３０を取除くことにより、半導体装置を得ることができる。
【００４７】
このように、一回転写する場合においても、接着層２４を構成する永久接着剤を塗布する際に、凹部３６（図６参照）内に水等の接着剤を溶解する溶剤が浸透する虞がある。このような場合においても、本発明によれば、凹部３６を介する水分等の影響を回避することが可能となるので、信頼性の高い製品を提供し得る。  
【００４８】
（電気光学装置及び電子機器）
上記方法により製造された半導体装置は、電気光学装置又は電子機器等に好適に用いられる。本発明の電気光学装置及び電子機器の具体例を図８及び図９を参照しながら説明する。図８及び図９は、電気光学装置６００（例：有機ＥＬ表示装置）を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。
【００４９】
図８（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話８３０はアンテナ部８３１、音声出力部８３２、音声入力部８３３、操作部８３４、および本発明の電気光学装置６００を備えている。図８（Ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ８４０は受像部８４１、操作部８４２、音声入力部８４３、および電気光学装置６００を備えている。図８（Ｃ）は携帯型パーソナルコンピュータ（いわゆるＰＤＡ）への適用例であり、当該コンピュータ８５０はカメラ部８５１、操作部８５２、および電気光学装置６００を備えている。図８（Ｄ）はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ８６０はバンド８６１、光学系収納部８６２および電気光学装置６００を備えている。
【００５０】
図９（Ａ）はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン９００は電気光学装置６００を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に電気光学装置６００を適用し得る。図９（Ｂ）はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン９１０は電気光学装置６００を備えている。
【００５１】
なお、上記例では、電気光学装置の一例として有機ＥＬ表示装置を挙げたが、これに限定されるものではなく、他の種々の電気光学素子（例えば、プラズマ発光素子、電気泳動素子、液晶素子など）を用いて構成される電気光学装置の製造方法に適用することも可能である。また、本発明の適用範囲は、電気光学装置及びその製造方法に限定されるものでもなく、転写技術を用いて形成される各種装置に広く適用することが可能である。また、電気光学装置は、上述した例に限らず、例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳など各種の電子機器に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】図１は、本実施形態の被転写層の転写方法を説明するための図である。
【図２】図２は、本実施形態の被転写層の転写方法を説明するための図である。
【図３】図３は、被転写層１４の一例の構成を説明するための斜視図である。
【図４】図４は、保護層１６の形成パターンの一例を示す図である。
【図５】図５は、保護層１６の形成パターンの一例を示す図である。
【図６】図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、保護層１６が形成された基板１０の一例の断面図を示す図である。
【図７】図７は、本実施形態の被転写層の転写方法を説明するための図である。
【図８】図８は、電気光学装置（例：有機ＥＬ表示装置）を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。
【図９】図９は、電気光学装置（例：有機ＥＬ表示装置）を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０・・・基板、１１・・・裏面、１２・・・第１分離層、１４・・・被転写層、１６・・・保護層、１８・・・水溶性接着剤、１８・・・接着層、２０・・・第２分離層、２２・・・一次転写体、２３・・・照射光、２４・・・接着層、２６・・・二次転写体、２８・・・接着層、３０・・・一次転写体、３０・・・仮固定基板、３１・・・照射光、３４・・・薄膜素子、３６・・・凹部、３８・・・接続端子、６００・・・電気光学装置、８３０・・・携帯電話、８３１・・・アンテナ部、８３２・・・音声出力部、８３３・・・音声入力部、８３４・・・操作部、８４０・・・ビデオカメラ、８４１・・・受像部、８４２・・・操作部、８４３・・・音声入力部、８５０・・・コンピュータ、８５１・・・カメラ部、８５２・・・操作部、８６０・・・ヘッドマウントディスプレイ、８６１・・・バンド、８６２・・・光学系収納部、９００・・・テレビジョン、９１０・・・ロールアップ式テレビジョン
【図１】
2005259984.tif 000003
【図２】
2005259984.tif 000004
【図３】
2005259984.tif 000005
【図４】
2005259984.tif 000006
【図５】
2005259984.tif 000007
【図６】
2005259984.tif 000008
【図７】
2005259984.tif 000009
【図８】
2005259984.tif 000010
【図９】
2005259984.tif 000011