(57)【要約】【課題】製造基板を分離または除去する際に使用する薬液がデバイス層に浸入しても、配線が断線しないようなデバイス構造を提供することで、配線の断線を防ぐことができ、歩留まりの向上を図る。【解決手段】第１基板上に薄膜デバイス層を形成する工程と、薄膜デバイス層または薄膜デバイス層の被覆層に第１接着層を介して第２基板を接着する工程と、薬液を用いたエッチング処理により第１基板を完全または部分的に除去する工程と、薄膜デバイス層の第１基板側を、第２接着層を介して第３基板に接着する工程とを有する薄膜デバイスの製造方法において、薄膜デバイス層上の配線のすべてまたは一部をエッチング処理に使用した薬液に対して耐性を有している耐薬液性を有する層２１で形成するもので、例えば、耐薬液性を有する層２１と耐薬液性を有さない層２２とを積層させて形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に薄膜デバイス層を形成する工程と、
前記薄膜デバイス層または前記薄膜デバイス層の被覆層に第１接着層を介して第２基板を接着する工程と、
薬液を用いたエッチング処理により前記第１基板を完全または部分的に除去する工程と、
前記薄膜デバイス層の第１基板側を、第２接着層を介して第３基板に接着する工程と
を有する薄膜デバイスの製造方法において、
前記薄膜デバイス層上の配線のすべてまたは一部を前記エッチング処理に使用した薬液に対して耐性を有している材料で形成する
ことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記配線は、複数層に積層されて形成され、そのうちの少なくとも一層は前記エッチング処理に使用した薬液に耐性のある材料層で形成される
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項３】
第１基板上に薄膜デバイス層を形成する工程と、
前記薄膜デバイス層または前記薄膜デバイス層の被覆層に第１接着層を介して第２基板を接着する工程と、
薬液を用いたエッチング処理により前記第１基板を完全または部分的に除去する工程と、
前記薄膜デバイス層の第１基板側を、第２接着層を介して第３基板に接着する工程と
により製造される薄膜デバイスにおいて、
前記薄膜デバイス層上の配線のすべてまたは一部は前記エッチング処理に使用した薬液に対して耐性を有している材料で形成されている
ことを特徴とする薄膜デバイス。
【請求項４】
前記配線は、複数層に積層されて形成され、そのうちの少なくとも一層は前記エッチング処理に使用した薬液に耐性のある材料層で形成される
ことを特徴とする請求項３記載の薄膜デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）表示装置などに使用する薄膜デバイスを耐熱性の高い製造基板上に作製後、実使用基板上に転写する薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置は、使用機器の小型化の影響を受けて、薄型化、軽量化、堅牢化に対する要求を受けている。現状では、それぞれの基板を薄型化、軽量化がなされているが、それぞれ限界に近づいている。例えば、薄膜デバイス層を形成する基板では、高温、真空という環境で作製されるために、製造に使われる基板に制限がある。現在、１０００℃の温度に耐える石英基板、５００℃の温度に耐えるガラス基板が使われており、これらの基板の薄型化も検討されているが、石英基板、ガラス基板を用いる限り、剛性低下による基板サイズ縮小をせざるをえなく、生産性が低下する。また、薄くなれば堅牢さも急激に低下するため、実用上の問題点となっている。薄型、軽量、堅牢化が可能なプラスチック基板上に直接、薄膜トランジスタを作製しようという試みもあるが、耐熱温度の点から困難さが高い。
【０００３】
そこで、耐熱温度の高い製造基板上に形成した薄膜デバイスを実使用基板に転写する技術が検討されている。転写する方法としては、化学エッチングによりガラス基板を剥離してしまう方法などが検討されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３-６８９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
製造基板上に薄膜デバイスを形成した後、薬液により製造基板を分離または除去する場合は、デバイス層を形成する前に、薄膜で構成される保護層を形成し、薬液がデバイス層まで浸入しないようにしなければならない。しかしながら、スパッタリング法や蒸着法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法で製造される薄膜層には、その成膜条件やプロセス変動によっては、微小なピンホールがあいていることもあり、このピンホールを通じて薬液がデバイス層まで浸入してしまい、薬液がデバイス層を破壊してしまう可能性がある。特にデバイス層の中でも、配線がエッチングされてしまうと断線がおき、表示デバイス上では線欠となって見えるため問題となる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の薄膜デバイスの製造方法は、第１基板上に薄膜デバイス層を形成する工程と、前記薄膜デバイス層または前記薄膜デバイス層の被覆層に第１接着層を介して第２基板を接着する工程と、薬液を用いたエッチング処理により前記第１基板を完全または部分的に除去する工程と、前記薄膜デバイス層の第１基板側を、第２接着層を介して第３基板に接着する工程とを有する薄膜デバイスの製造方法において、前記薄膜デバイス層上の配線（ここでいう配線は電極も含む）のすべてまたは一部を前記エッチング処理に使用した薬液に対して耐性を有している材料で形成することを最も主要な特徴とする。
【０００７】
本発明の薄膜デバイスは、第１基板上に薄膜デバイス層を形成する工程と、前記薄膜デバイス層または前記薄膜デバイス層の被覆層に第１接着層を介して第２基板を接着する工程と、薬液を用いたエッチング処理により前記第１基板を完全または部分的に除去する工程と、前記薄膜デバイス層の第１基板側を、第２接着層を介して第３基板に接着する工程とにより製造される薄膜デバイスにおいて、前記薄膜デバイス層上の配線（ここでいう配線は電極も含む）のすべてまたは一部は前記エッチング処理に使用した薬液に対して耐性を有している材料で形成されていることを最も主要な特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスは、薄膜デバイス上の配線のすべてまたは一部が第１基板を除去するエッチング処理に使用した薬液に対して耐性を有している材料で形成されているため、薄膜デバイスの転写技術において、たとえ上記薬液が薄膜デバイス層を被覆する保護層に生じたピンホール等を通って薄膜デバイス層にまで侵入したとしても、配線層の少なくとも一部はエッチングされないで残るので配線の断線を防ぐことができる。この結果、歩留まりを向上させることができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明は、製造基板を分離または除去する際に使用する薬液がデバイス層に浸入しても、配線が断線しないようなデバイス構造を提供するという目的を、薄膜デバイス層上の配線のすべてまたは一部を前記エッチング処理に使用した薬液に対して耐性を有している材料で形成することで実現した。また、低抵抗なフッ酸耐性のない材料と高抵抗だがフッ酸耐性のある材料を積層することで、電極（配線）の低抵抗の要求を実現した。
【実施例１】
【００１０】
本発明の薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスに係る一実施例を、図１〜図５の製造工程断面図によって説明する。本実施例では、プラスチック基板を用いた液晶用のアクティブ基板を作製した。
【００１１】
まず、薄膜デバイス層の形成方法を図２によって説明する。図２に示すように、第１基板１０１上に、後に行うフッ酸によるエッチングの第１基板１０１の保護層１０２を形成する。上記第１基板１０１には、例えば厚さ０．４〜１．１ｍｍ程度、例えば０．７ｎｍ厚のガラス基板を用いる。このガラス基板のかわりに石英基板を用いてもよい。上記保護層１０２は、フッ酸に耐えられる材料を用いて形成するもので、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）層を用い、例えば５００ｎｍの厚さに形成した。今回、酸化アルミニウム層の膜厚を５００ｎｍとしたが、フッ酸に耐えられるならば、厚さを適宜変更しても問題ない。この保護層１０２は、例えばスパッタリング法によって成膜することができる。その後、絶縁層１０３を形成する。この絶縁層１０３は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ2）膜を５００ｎｍの厚さに成膜して形成する。この絶縁層１０３は、例えばプラズマＣＶＤ法によって成膜することができる。
【００１２】
その後は、一般的な低温ポリシリコン技術、例えば「２００３  ＦＰＤテクノロジー大全」（電子ジャーナル２００３年３月２５日発行、ｐ．１６６−１８３およびｐ．１９８−２０１）、「'９９最新液晶プロセス技術」（プレスジャーナル１９９８年発行、ｐ．５３−５９）、「フラットパネル・ディスプレイ１９９９」（日経ＢＰ社、１９９８年発行、ｐ．１３２−１３９）等に記載されているような低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ（以下薄膜トランジスタをＴＦＴと記す）プロセスでＴＦＴを含む薄膜デバイス層を形成した。薄膜デバイス層の形成方法の一例を以下に説明する。
【００１３】
まず、第１基板１０１上に保護層１０２を介して形成された絶縁層１０３上にゲート電極１０４を形成するための導電膜を形成した。この導電膜には例えば厚さが１００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）膜を用いた。モリブデン膜の形成方法としては例えばスパッタリング法を用いた。そして上記導電膜をゲート電極１０４に形成した。このゲート電極１０４は、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングして形成した。次いで、ゲート電極１０４上を被覆するようにゲート絶縁膜１０５を形成した。ゲート絶縁膜１０５は、例えばプラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ2）層、または酸化珪素（ＳｉＯ2）層と窒化珪素（ＳｉＮx）層との積層体で形成した。さらに連続的に非晶質シリコン層(厚さ３０ｎｍ〜１００ｎｍ)を形成した。
【００１４】
この非晶質シリコン層に波長３０８ｎｍのＸｅＣlエキシマレーザパルスを照射し熔融再結晶化し結晶シリコン層（ポリシリコン層）を作製した。このポリシリコン層を用いて、チャネル形成領域となるポリシリコン層１０６を形成し、その両側にｎ-型ドープ領域からなるポリシリコン層１０７、ｎ+型ドープ領域からなるポリシリコン層１０８を形成した。このように、アクティブ領域は高いオン電流と低いオフ電流を両立するためのＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とした。またポリシリコン層１０６上にはｎ-型のリンイオン打込み時にチャネルを保護するためのストッパー層１０９を形成した。このストッパー層１０９は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ2）層で形成した。
【００１５】
さらに、プラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ2）層、または酸化珪素（ＳｉＯ2）層と窒化珪素（ＳｉＮx）層との積層体からなるパッシベーション膜１１０を形成した。このパッシベーション膜１１０上に、各ポリシリコン層１０８に接続するソース電極１１１およびドレイン電極１１２を形成した。各ソース電極１１１およびドレイン電極１１２は例えばモリブデン層とアルミニウム層の積層体で形成した。
【００１６】
ここで、電極（配線）構造の一例を、図１の概略構成断面図によって説明する。
【００１７】
図１（１）に示すように、本実施例では、ソース電極１１１およびドレイン電極１１２には、薬液に耐性（エッチング耐性）を有する層２１（例えば薬液がフッ酸の場合にはモリブデン層）と、薬液に耐性（エッチング耐性）を有さない層２２（例えば薬液がフッ酸の場合にはアルミニウム層）との積層構造とした。以下、薬液がフッ酸の場合について説明する。薬液に耐性を有する層２１のモリブデンの厚さは、必要な導電率によって決定されるが、例えば３０ｎｍ〜２００ｎｍとした。また、薬液に耐性を有さない層２２のアルミニウムの厚さは、例えば３０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度とした。本実施例では、モリブデンからなる薬液に耐性を有する層２１の厚さを１００ｎｍ、アルミニウムからなる薬液に耐性を有さない層２２の厚さを５００ｎｍとした。上記積層構造とした理由は、アルミニウム層は導電性に優れているが耐フッ酸性がなく、モリブデン層は導電性がアルミニウムより劣るためにモリブデン層だけでは配線の電気抵抗が高くなりすぎるためである。
【００１８】
また、パネルが小さく、搭載されている回路が小規模であり、モリブデン層でも導電率で十分な場合には、図１（２）に示すように、モリブデンを用いた薬液に耐性を有する層２１の単層構造でも問題がない。
【００１９】
また、薬液を用いたエッチングの際に、図１（１）の構成では、モリブデン層はフッ酸によって腐食されないものの、アルミニウム層はフッ酸によって腐食されてしまう。このように一部のアルミニウム層が腐食されて問題となる場合は、アルミニウム層が腐食されてしまうのを避けるために、図１（３）に示すように、薬液に耐性を有さない層２２を薬液に耐性を有する層２１および薬液に耐性を有する層２３で挟む構造や、図１（４）に示すように、薬液に耐性を有さない層２２を薬液に耐性を有する層２１および薬液に耐性を有する層２３で完全に囲むように構成してもよい。
【００２０】
上記モリブデン層およびアルミニウム層はともにスパッタリング法で形成することができる。当然のことながら、スパッタリング以外の既知の成膜方法であれば如何なる成膜方法でもよく、例えば蒸着法、化学的気相成長法等の堆積法を採用することもできる。
【００２１】
また前記図１（１）によって説明した構成では、アルミニウム層とモリブデン層を連続でスパッタリング成膜した後、例えばリソグラフィー技術により形成したマスクを用いて、混酸〔例えば、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）７２wt％、硝酸（ＨＮＯ3）３wt％、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）１０wt％〕によりエッチングを行い、所望の電極（もしくは配線）形状にパターニングした。または、モリブデン層とアルミニウム層を１層ずつスパッタリングにより成膜した後、その都度、電極（配線）形状にエッチング加工してもよい。もしくは、モリブデン層を成膜するスパッタリングとアルミニウム層を成膜するスパッタリングを連続して行った後、アルミニウム層を加工するエッチングとモリブデン層を加工するエッチングとの２回のエッチングにより電極（配線）を形成してもよい。
【００２２】
また、前記図１（３）によって説明した構成では、モリブデン層、アルミニウム層、モリブデン層の順に３層を連続してスパッタリング成膜した後、その積層膜をエッチング加工すればよい。また、前記図１（４）によって説明した構成では、モリブデン層、アルミニウム層、モリブデン層を１層ずつスパッタした後に１層ずつエッチング加工して、所望の電極（配線）形状に形成する。上記各エッチング加工は、上記混酸によるエッチングに限定されることはなく、電極（配線）を構成する材料層をエッチング加工できるのであれば、ドライエッチングであってもウエットエッチングであってもよい。もしくはイオンミリングを用いることもできる。
【００２３】
上記配線材料にはモリブデンを用いたが、配線の材料としてはフッ酸に耐性のあるタングステン、金、白金、ニッケル合金（ハステロイ、インコネル等）、ニッケルと銅を基礎とする合金などの金属、ＭＣアロイタングステンまたは導電性を有するポリシリコンなども使用することができる。また、配線に低抵抗が求められる場合は、低抵抗なフッ酸耐性のない材料（例えばアルミニウムなど）と高抵抗だがフッ酸耐性のある材料を積層することで、問題を解決する。
【００２４】
上記ニッケル合金には、ニッケル基超合金にアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）を添加したものとして、例えばインコネル６２５、インコネル６０１、インコネル６００があり、ニッケル基超合金にクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）などの合金元素を含むものものとして、ハステロイＢ−２、ハステロイＣ−２７６、ハステロイＣ−２２がある。またニッケルと銅を基礎とする合金として、Ｎｉ：６０％〜７０％、Ｃｕ：２６％〜３４％に少量の鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、シリコン（Ｓｉ）、炭素（Ｃ）などを添加した合金、例えば、モネルがある。
【００２５】
各ソース電極１１１およびドレイン電極１１２形成した後、カラーフィルター１１３を形成した。カラーフィルター１１３は、カラーレジストを全面に塗布した後、リソグラフィー技術でパターニングを行って形成した。カラーフィルター１１３には、ソース電極１１１と後に形成する液晶駆動用電極が接続されるようにコンタクトホール１１３Ｃを形成した。このカラーフィルターの形成工程を３回行って、ＲＧＢの３色（赤、緑、青）を形成した。次に、平坦化を行うために保護膜１１４を形成した。保護膜１１４は例えばポリメチルメタクリル酸樹脂系の樹脂により形成した。また保護膜１１４には、ソース電極１１１と液晶駆動用電極とが接続されるようにコンタクトホール１１４Ｃを形成した。その後、ソース電極１１１に接続する画素電極１１５を形成した。この画素電極１１５は、例えば、透明電極で形成される。透明電極としては、例えばインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）により形成され、その形成方法としてはスパッタリング法が用いられる。
【００２６】
以上の工程により、第１基板１０１上に透過型のアクティブマトリックス基板が作製できた。また、今回は、ボトムゲート型ポリシリコンＴＦＴを作製したが、トップゲート型ポリシリコンＴＦＴやアモルファスＴＦＴでも同じように実施できる。
【００２７】
次に、第１基板１０１上の薄膜デバイス層１２１をプラスチック基板上に移載する工程を説明する。
【００２８】
図３（１）に示すように、第１基板１０１上に保護層１０２、絶縁層１０３、薄膜デバイス層１２１を形成したものをホットプレート１２２で８０℃〜１４０℃に加熱しながら、第１接着剤１２３を厚さ１ｍｍ程度に塗布し、第２基板１２４を上に載せ、加圧しながら、室温まで冷却した。第２基板１２４には、例えば厚さ１ｍｍのモリブデン基板を用いた。または、第２基板１２４にガラス基板を用いてもよい。または、第２基板１２４上に第１接着剤１２３を塗布して、その上に保護層１０２から薄膜デバイス層１２１が形成された第１基板１０１の薄膜デバイス層１２１側を載せてもよい。上記第１接着剤１２３には、例えばホットメルト接着剤を用いた。
【００２９】
次に、図３（２）に示すように、第２基板１２４を貼り付けた第１基板１０１をフッ酸（ＨＦ）１２５に浸漬して、第１基板１０１のエッチングを行った。このエッチングは、保護層１０２である酸化アルミニウム層がフッ酸１２５にエッチングされないため、このエッチングは保護層１０２で自動的に停止する。ここで用いたフッ酸１２５は、一例として、重量濃度が５０％のもので、このエッチング時間は３．５時間とした。フッ酸１２５の濃度とエッチング時間は、第１基板１０１のガラスを完全にエッチングすることができるならば、変更しても問題はない。
【００３０】
上記フッ化水素酸１２５によるエッチングの結果、図４（３）に示すように、第１基板１０１〔前記図３（２）参照〕が完全にエッチングされ、保護層１０２が露出される。
【００３１】
今回、フッ酸耐性を有する酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）からなる保護層１０２にピンホールが空いていた場合、ガラス基板からなる第１基板１０１を完全にエッチングした際に少量のフッ酸が薄膜デバイス層１２１まで侵入することがある。この場合、配線に耐フッ酸性の材料を使用してない場合には配線が断線してしまい、線欠陥となる。しかしながら、本実施例では、配線にモリブデン層またはモリブデン層とアルミニウム層の積層構造体を使用しているため、配線は断線しない。モリブデン層とアルミニウム層の積層構造体からなる配線の場合、アルミニウム層はフッ酸によってエッチングされるが、フッ酸に対して腐食耐性を有するモリブデン層が残るため、配線は断線しない。また、アルミニウム層がエッチングにより無くなる分、配線抵抗が増加するが、ピンホールから浸入するフッ酸は少量のため、腐食されるアルミニウムも少量であり、問題とならない。
【００３２】
次に、図４（４）に示すように、上記エッチング後に、薄膜デバイス層１２１の裏面側、すなわち保護層１０２表面に、第２接着層１２６を形成した。続けて、上記第２接着層に第３基板（プラスチック板）１２７を貼り付けた。そして紫外線を照射して上記第２接着層１２６を硬化させ、保護層１０２と第３基板１２７とを接着した。ここでは、保護層１０２側に第２接着層１２６を塗布したが、プラスチック基板の第３基板１２７に第２接着層１２６を塗布形成した後、保護層１０２に第３基板１２７を貼り合わせてよい。
【００３３】
次に、図４（５）に示すように、上記基板をアルコール（図示せず）中に浸漬し、ホットメルト接着剤からなる第１接着層１２３〔前記図３（１）参照〕を溶かして第２基板１２４〔前記図３（１）参照〕を外した。その結果、第３基板１２７上に第２接着層１２６、保護層１０２、絶縁層１０３を介して薄膜デバイス層１２１が載った薄膜デバイス（アクティブ基板）を得た。
【００３４】
上記第３基板１２７には、プラスチック基板として０.２ｍｍの厚さを有するポリカーボネートフィルムを用いたが、ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート等の他の光学用フィルムを用いることもできる。
【００３５】
この後は、図示はしないが、上記アクティブ基板を対向基板と張り合わせ、基板間に設けた隙間に液晶を注入し、液晶セルとした。これは、一般的に行われている液晶セル組み立て工程で行えばよい。
【００３６】
本発明の薄膜デバイスは、前記図４（５）によって説明した構成であれば、上記図１〜図４によって説明した製造方法によらなくてもよい。すなわち、薄膜デバイス層１２１上に形成される電極（配線）、例えばソース電極１１１、ドレイン電極１１２を、第１基板１０１をエッチング処理する際に使用した薬液（フッ酸）に対して耐性を有している材料で形成したものであればよい。すなわち、前記図１によって説明した配線構成を有するものであればよい。
【実施例２】
【００３７】
また、上記実施例１では、ゲート配線（第１層配線）およびソース電極（第２層配線）とドレイン電極(第２層配線)の２層配線構造としたが、さらにその上に配線を形成し、多層配線にしてもよい。例えば図５に示すように、前記第１実施例で説明したように、ソース電極１１１、ドレイン電極１１２までを形成する。その後、ソース電極１１１およびドレイン電極１１２を被覆する層間絶縁膜１５１を形成した後、ソース電極１１１およびドレイン電極１１２に通じるコンタクトホール１５２、１５３を形成する。その後、ソース電極１１１、ドレイン電極１１２に接続する配線１５４、配線１５５を形成する。このようにして多層配線構造を形成する。ここでも、ソース電極（配線）１１１、ドレイン電極（配線）１１２とともに配線１５４、配線１５５は、耐薬液（例えばフッ酸）性のある材料を使用することが望ましい。例えば、各配線（電極）には、前記図１（１）によって説明したような、モリブデン層とアルミニウム層との積層構造を使用した。また、上記多層配線においては、前記図１（２）、図１（２）および図１（４）によって説明した配線構造を採用することもできる。多層配線を形成した後の工程は、前記第１実施例で説明したのと同様にカラーフィルターを形成する工程以降を行えばよい。
【００３８】
上記各実施例において説明したように、薄膜デバイス層上の全てもしくは一部の配線（電極も含む）に前記図１（１）〜（４）によって説明したような配線構造を採用することによって、第１基板を薬液（例えばフッ酸）でエッチングした際に配線まで薬液（例えばフッ酸）が侵入したとしても、配線の配設方向に上記説明したような耐薬液（例えばフッ酸）性の導電材料からなる層が形成されることから、配線が断線することが無くなる。このため、本発明の薄膜デバイスを用いて液晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置を構成した場合、フッ酸腐食による配線の断線が無くなるので表示画面において線欠陥の発生が無くなり、表示装置の品質の向上、歩留りの向上が得られるようになる。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明の薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスは、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置などに使用する薄膜デバイスを耐熱性の高い製造基板上に作製後、プラスチック基板からなる実使用基板上に転写する技術に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスに係る一実施例を示した配線（電極）構造の概略構成断面図である。
【図２】薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスに係る一実施例を示した製造工程断面図である。
【図３】薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスに係る一実施例を示した製造工程断面図である。
【図４】薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスに係る一実施例を示した製造工程断面図である。
【図５】薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスに係る多層配線構造の実施例を示した製造工程断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
２１…耐薬液性を有する層、２２…耐薬液性を有さない層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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