(57)【要約】【課題】  リフロー工程等で受ける高温での熱履歴に対する耐久性が改善された有機ＰＴＣサーミスタ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  有機バインダにフィラーを混合して混合物を得る混合工程と、第１の導体箔上に上記混合物からなる混合物層を形成させて積層体を得る層形成工程と、対向する導体箔により上記混合物層が挟持されるように、上記積層体上に第２の導体箔又は他の上記積層体を積層して挟持物を得る積層工程と、を備える有機ＰＴＣサーミスタの製造方法であって、混合工程、層形成工程及び積層工程の少なくとも一つを減圧下で行う製造方法で得られる、有機ＰＴＣサーミスタ。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機バインダにフィラーを混合して混合物を得る混合工程と、
第１の導体箔上に前記混合物からなる混合物層を形成させて積層体を得る層形成工程と、
対向する導体箔により前記混合物層が挟持されるように、前記積層体上に第２の導体箔又は他の前記積層体を積層して挟持物を得る積層工程と、を備える有機ＰＴＣサーミスタの製造方法であって、
前記混合工程、前記層形成工程及び前記積層工程の少なくとも一つを減圧下で行う、有機ＰＴＣサーミスタの製造方法。
【請求項２】
前記有機バインダが熱硬化性樹脂であり、前記積層工程後に、前記混合物を硬化する硬化工程を更に備える、請求項１記載の有機ＰＴＣサーミスタの製造方法。
【請求項３】
前記熱硬化性樹脂が硬化剤を含有したエポキシ樹脂である、請求項２記載の有機ＰＴＣサーミスタの製造方法。
【請求項４】
前記フィラーが導電性フィラーである、請求項１〜３のいずれか一項記載の有機ＰＴＣサーミスタの製造方法。
【請求項５】
前記混合工程、前記層形成工程及び前記積層工程の少なくとも一つを減圧下で行うことにより、下記式（１）及び（２）が満たされるように前記混合物層のボイドを除去する、請求項１〜４のいずれか一項記載の有機ＰＴＣサーミスタの製造方法。
Ａ≧１００      ・・・（１）
Ｂ／Ａ≧０．５  ・・・（２）
［式中、Ａ及びＢは、下記式（３）及び（４）で算出される抵抗変化率を示す。
Ａ＝（Ｒａ１／Ｒａ０）×１００・・・（３）
Ｂ＝（Ｒｂ１／Ｒｂ０）×１００・・・（４）
ここで、Ｒａ０、Ｒａ１、Ｒｂ０及びＲｂ１は、いずれも有機ＰＴＣサーミスタの電気抵抗値であり、Ｒａ０は２６０℃加熱前の２５℃での値、Ｒａ１は２６０℃加熱前の１８５℃での値、Ｒｂ０は２６０℃加熱後の２５℃での値、Ｒｂ１は２６０℃加熱後の１８５℃での値を示す。］
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項記載の有機ＰＴＣサーミスタの製造方法により得られる有機ＰＴＣサーミスタ。
【請求項７】
対向する１対の電極と、
前記１対の電極の間に配置された、樹脂及びこれに分散したフィラーを含有する有機物層と、を備える有機ＰＴＣサーミスタであって、
下記式（１）及び（２）が満たされるように、前記有機物層のボイドが除去されている有機ＰＴＣサーミスタ。
Ａ≧１００      ・・・（１）
Ｂ／Ａ≧０．５  ・・・（２）
［式中、Ａ及びＢは、下記式（３）及び（４）で算出される抵抗変化率を示す。
Ａ＝（Ｒａ１／Ｒａ０）×１００・・・（３）
Ｂ＝（Ｒｂ１／Ｒｂ０）×１００・・・（４）
ここで、Ｒａ０、Ｒａ１、Ｒｂ０及びＲｂ１は、いずれも有機ＰＴＣサーミスタの電気抵抗値であり、Ｒａ０は２６０℃加熱前の２５℃での値、Ｒａ１は２６０℃加熱前の１８５℃での値、Ｒｂ０は２６０℃加熱後の２５℃での値、Ｒｂ１は２６０℃加熱後の１８５℃での値を示す。］
【請求項８】
前記フィラーが導電性フィラーである、請求項７記載有機ＰＴＣサーミスタ。
【請求項９】
前記フィラーの含有量が、前記有機物層の質量基準で６０〜７５質量％である、請求項７又は８記載の有機ＰＴＣサーミスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＰＴＣサーミスタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等の有機材料を用いたサーミスタ素体を備える有機ＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）サーミスタとしては、例えば、ポリエチレン等の熱可塑性樹脂に金属粉末やカーボンブラックを分散させたもの（例えば、特許文献１。）、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル等の熱硬化性樹脂に、炭素繊維、金属繊維等の繊維状導電性物質を分散させたもの（例えば、特許文献２。）、高分子材料及び導電性材料を含有する組成物中に気泡を分散させたもの（例えば、特許文献３及び４。）をサーミスタ素体として用いた例が知られている。
【特許文献１】米国特許第３５９１５２６号公報
【特許文献２】米国特許第４９６６７２９号公報
【特許文献３】特開平４−６７５０８号公報
【特許文献４】特開平１０−１２５５０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の有機ＰＴＣサーミスタは、高温での熱履歴を受けたときに、その電気抵抗特性が不可逆的に変化して、動作時と非動作時との電気抵抗値の比（抵抗変化率）が著しく減少し、ＰＴＣサーミスタとしての機能が損なわれてしまう場合があった。
【０００４】
近年、電子機器分野においては、鉛を含有しない、いわゆる鉛フリーのハンダが主流となりつつあるが、この鉛フリーのハンダを用いる場合、リフロー工程に要する温度は従来の鉛ハンダの場合よりも高く、２６０℃程度にまで達する場合があるとされている。したがって、鉛フリーのハンダを用いた電子機器においては、従来の有機ＰＴＣサーミスタが有する上記のような熱履歴に対する耐久性の問題がより顕在化する傾向にある。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、リフロー工程等で受ける高温での熱履歴に対する耐久性が改善された有機ＰＴＣサーミスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の有機ＰＴＣサーミスタの製造方法は、上記課題を解決するために、有機バインダにフィラーを混合して混合物を得る混合工程と、第１の導体箔上に上記混合物からなる混合物層を形成させて積層体を得る層形成工程と、対向する導体箔により上記混合物層が挟持されるように、上記積層体上に第２の導体箔又は他の上記積層体を積層して挟持物を得る積層工程と、を備える有機ＰＴＣサーミスタの製造方法であって、混合工程、層形成工程及び積層工程の少なくとも一つを減圧下で行うことを特徴とする。
【０００７】
従来の有機ＰＴＣサーミスタが高温での熱履歴に対する耐久性に劣る要因については、これまで明確には把握されていなかったが、本発明者らによる検討の結果、サーミスタ素体中に含まれている、微小なボイドが大きく影響していることが明らかとなり、このボイドの量を減少させるべくさらに検討した結果、上記のような本発明の完成に至った。
【０００８】
ボイドが耐久性を低下させるメカニズムについては、例えば、サーミスタ素体が多くのボイドを含んでいる場合、そのボイドが高温で膨張したときに、導電性物質の密度が局所的に高まった領域が生じ、その結果として、特に高温領域での電気抵抗値が異常に低下（ショート）してしまうことが考えられる。ただし、作用はこれに限定されない。
【０００９】
従来、サーミスタ素体が含むボイドのこのような弊害が問題視されたことはほとんどなく、むしろ、例えば上記特許文献４に見られるように、サーミスタ素体中にボイドを積極的に導入する技術が知られていた。これに対し、鉛フリーのハンダを用いる場合のように、より高温での熱履歴を受けるときには、ボイドによる上記のような弊害のほうがかえって支配的になったものと、本発明者らは推察している。
【００１０】
本発明のＰＴＣサーミスタの製造方法は、有機バインダが熱硬化性樹脂であり、積層工程後に、混合物を硬化する硬化工程を更に備えることが好ましい。熱硬化性樹脂を有機バインダとした場合、硬化前の混合物を低粘度とすることができ、熱可塑性樹脂を用いた場合と比較して減圧の効果がより顕著に表れやすい。
【００１１】
また、熱硬化性樹脂が、硬化剤を含有したエポキシ樹脂であることが、硬化時の収縮が小さい点、硬化後の寸法安定性に優れる点等から、より好ましい。
【００１２】
本発明において用いるフィラーは、導電性フィラーであることが好ましい。導電性フィラーを用いることによって、得られる有機ＰＴＣサーミスタの抵抗変化率をより効果的に高めることができる。
【００１３】
本発明の製造方法における、混合工程、層形成工程及び積層工程の少なくとも一つを減圧下で行うことにより、下記式（１）及び（２）が満たされるように混合物層のボイドを除去することが好ましい。
Ａ≧１００      ・・・（１）
Ｂ／Ａ≧０．５  ・・・（２）
［式中、Ａ及びＢは、下記式（３）及び（４）で算出される抵抗変化率を示す。
Ａ＝（Ｒａ１／Ｒａ０）×１００・・・（３）
Ｂ＝（Ｒｂ１／Ｒｂ０）×１００・・・（４）
ここで、Ｒａ０、Ｒａ１、Ｒｂ０及びＲｂ１は、いずれも有機ＰＴＣサーミスタの電気抵抗値であり、Ｒａ０は２６０℃加熱前の２５℃での値、Ｒａ１は２６０℃加熱前の１８５℃での値、Ｒｂ０は２６０℃加熱後の２５℃での値、Ｒｂ１は２６０℃加熱後の１８５℃での値を示す。］
【００１４】
減圧の圧力条件等を適宜制御して、上記式を満たすようにボイドを除去することにより、効率的且つ確実に、熱履歴に対する耐久性が改善された有機ＰＴＣサーミスタを得ることができる。
【００１５】
本発明の有機ＰＴＣサーミスタは、対向する１対の電極と、この１対の電極の間に配置された、樹脂及びこれに分散したフィラーを含有する有機物層と、を備える有機ＰＴＣサーミスタであって、上記式（１）及び（２）が満たされるように、前記有機物層のボイドが除去されていることを特徴とするものであり、例えば、上述した本発明の製造方法を採用することによって好適に得られる。
【００１６】
有機物層が含有するフィラーは導電性フィラーであることが好ましく、また、フィラーを、有機物層の質量基準で６０〜７５質量％含有することが好ましい。
【００１７】
上記のような構成を有することによって、本発明の有機ＰＴＣサーミスタは、リフロー工程等で受ける高温での熱履歴に対する耐久性が改善される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、高い抵抗変化率を有しながら、リフロー工程等で受ける高温での熱履歴に対する耐久性が改善された有機ＰＴＣサーミスタが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００２０】
（有機ＰＴＣサーミスタ）
図１は、本発明の一実施形態に係る有機ＰＴＣサーミスタの基本構成を示す模式断面図である。図１に示す有機ＰＴＣサーミスタ１０は、互いに対向する１対の電極２及び３と、これら電極の間に配置された、サーミスタ素体である有機物層１と、電極２及び３にそれぞれ電気的に接続されたリード線４及び５とから構成されている。
【００２１】
有機物層１は、樹脂及びこれに分散したフィラーを含有しており、一定の温度範囲において、その電気抵抗値（以下、「抵抗値」という場合がある。）が温度の上昇とともに急激に増大する、いわゆる「正の抵抗−温度特性」を有する。したがって、電極２及び３を用いて有機物層１の抵抗値の変化を検出することによって、有機ＰＴＣサーミスタ１０を、自己制御型発熱体、温度センサ、限流素子または過電流防止素子等として機能させることができる。なお、有機物層１の厚さは、１０〜２０００μｍであることが好ましい。
【００２２】
有機物層１を構成する樹脂は、主として熱硬化性樹脂の硬化物や、熱可塑性樹脂等であるが、特に、熱硬化性樹脂の硬化物からなることが好ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂及びフェノール樹脂等が挙げられるが、これらの中でも、その硬化剤を含有しているエポキシ樹脂が好ましい。
【００２３】
樹脂に分散させるフィラーとしては、金属、カーボンブラック、グラファイト、セラミック系導電性材料等からなる粒子等の、導電性フィラーを好適に用いることができる。
【００２４】
これらの中でも、特に、過電流保護素子のように、低い室温抵抗値及び高い抵抗変化率の双方が求められる用途の場合、導電性金属粒子を用いることが好ましい。好適な導電性金属粒子としては、銅、アルミニウム、ニッケル、タングステン、モリブデン、銀、亜鉛及びコバルトからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる粒子が挙げられるが、特に、ニッケル粒子を用いることが好ましい。フィラーの形状としては、球状、フレーク状若しくは棒状等が挙げられる。ニッケル粒子の場合、表面にスパイク状の突起を有するものが特に好ましい。
【００２５】
フィラーは、樹脂中において均一に分散していることが、動作の安定性の点で好ましい。また、有機物層１が含有するフィラーの量は、有機物層の質量基準で６０〜７５質量％であることが好ましい。フィラーの量が６０質量％未満であると、室温での抵抗値が高くなりすぎる傾向にあり、７５質量％を超えると、分散性が低下して抵抗値のバラツキが大きくなる傾向にある。
【００２６】
電極２及び３は、有機物層１に通電させることが可能な導電性の材料で形成されればよいが、ニッケル箔等の金属箔からなることが好ましい。また、その厚さは１〜１００μｍであることが好ましい。
【００２７】
ここで、有機ＰＴＣサーミスタ１０は、下記式（１）及び（２）を満たすように有機物層１からボイドが除去されていることにより、リフロー工程等における熱履歴を経た後でも、適正な抵抗変化率等が保持され、有機ＰＴＣサーミスタとして適切に機能する。
【００２８】
Ａ≧１００      ・・・（１）
Ｂ／Ａ≧０．５  ・・・（２）
［式中、Ａ及びＢは、下記式（３）及び（４）で算出される抵抗変化率を示す。
Ａ＝（Ｒａ１／Ｒａ０）×１００・・・（３）
Ｂ＝（Ｒｂ１／Ｒｂ０）×１００・・・（４）
ここで、Ｒａ０、Ｒａ１、Ｒｂ０及びＲｂ１は、いずれも有機ＰＴＣサーミスタの電気抵抗値であり、Ｒａ０は２６０℃加熱前の２５℃での値、Ｒａ１は２６０℃加熱前の１８５℃での値、Ｒｂ０は２６０℃加熱後の２５℃での値、Ｒｂ１は２６０℃加熱後の１８５℃での値を示す。］
【００２９】
有機ＰＴＣサーミスタの抵抗変化率Ａは、有機ＰＴＣサーミスタ１０の動作時を想定した温度（１８５℃）での抵抗値と、非動作時を想定した温度（２５℃）での抵抗値との比（抵抗変化率）であり、この値が大きいほど、有機ＰＴＣサーミスタの温度検出感度が高い。
【００３０】
なお、Ａの算出に用いる抵抗値である、Ｒａ０及びＲａ１の値は、２６０℃で加熱される前の有機ＰＴＣサーミスタ１０について、その抵抗値と温度との関係（抵抗−温度特性）を、電極２及び３を通じて測定することによって得られる。
【００３１】
一方、抵抗変化率Ｂは、２６０℃での加熱された後の有機ＰＴＣサーミスタ１０について、その抵抗値を上記Ａの場合と同様にして測定して得られる値であり、熱履歴に対する耐久性が低い場合、このＢの値がＡに対して大きく低下し、両者の比であるＢ／Ａが上記式（２）を満たさなくなる。ここで、Ｂの値を得るために２６０℃で熱処理する時間は、１分±３０秒の範囲内とする。
【００３２】
さらに、抵抗変化率Ａは、下記式（５）を満たすことがより好ましい。また、Ｂ／Ａは、耐久性や動作安定性の点から、下記式（６）を満たすことがより好ましい。特に、下記（５）及び（６）をともに満たすことがより一層好ましい。
【００３３】
Ａ≧１０００  ・・・（５）
Ｂ／Ａ≧０．８・・・（６）
【００３４】
（有機ＰＴＣサーミスタの製造方法）
有機ＰＴＣサーミスタ１０は、例えば、有機バインダにフィラーを混合して混合物を得る混合工程と、第１の導体箔上にこの混合物からなる混合物層を形成させて積層体を得る層形成工程と、対向する導体箔により混合物層が挟持されるように、上記積層体上に第２の導体箔又は他の上記積層体を積層して挟持物を得る積層工程と、を備え、混合工程、層形成工程及び積層工程の少なくとも一つを減圧下で行う製造方法で、好適に得ることができる。なお、用いる材料やその形状等は、上記の有機ＰＴＣサーミスタ１０についての説明において述べたものと同様なものを、好適に用いることができる。
【００３５】
混合工程においては、有機バインダにフィラーを混合し、有機バインダにフィラーが分散した混合物を得る。混合は、フィラーを均一に分散させるために、ホモミキサー、ホモジナイザー、ビーズミル分散機、ボールミル分散機、ニーダー、押出機等を用いて混合物を混錬することにより行うことが好ましい。これらの中でも、有機バインダが熱硬化性樹脂である場合には、分散性や作業性に優れるホモジナイザーが好ましい。フィラーを充分に分散させるためには、混錬する時間は通常１５〜６０分の範囲内であればよい。
【００３６】
有機バインダは、熱可塑性樹脂及び／または熱硬化性樹脂からなる有機系材料であるが、寸法安定性、耐熱性等の点から、熱硬化性樹脂であることが好ましい。この熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂及びその硬化剤を含有するものであることが好ましい。このとき、硬化剤を投入した後の混錬においては、その反応温度以下で混錬することが好ましい。
【００３７】
また、混合物中には、この他にも、ワックス、油脂、脂肪酸、高級アルコール等の低分子有機化合物等を、必要に応じてさらに混合することもできる。
【００３８】
次に、層形成工程において、混合工程で得た混合物を、金属箔等の導体箔上に塗布する等により、混合物層が形成された積層体を得る。塗布は、印刷法、平型ノズルを用いたノズル塗布法等の方法により行うことができるが、有機バインダが熱硬化性樹脂である場合には、その粘度特性等の点から、印刷法で塗布することが好ましい。
【００３９】
印刷法を採用する場合、例えば、真空印刷装置であるＶＰＥＳ−ＨＡIII（商品名、ニューロング精密工業社製）等の市販の装置を用いて、減圧雰囲気下、真空印刷により塗布することができる。このとき、より具体的には、減圧雰囲気下において、導体箔上にスペーサーとして配置された、厚さ０．１〜２ｍｍの金枠内に、混合物を必要に応じて加熱しながら流し込み、シリコーンゴム製等のスキージを有するスキージヘッドを移動させることにより、混合物をシート状に引き延ばして、導体箔上に混合物層を形成させる。
【００４０】
続いて、積層工程において、対向する導体箔により混合物層が挟持されるように、積層体上に第２の導体箔又は他の積層体を積層して挟持物を得る。他の積層体を積層する場合には、それぞれが有する混合物層同士が隣接するように積層することが好ましい。また、１枚の積層体を、混合物層を挟みこむように折りたたんでもよい。積層工程においては、必要に応じて加熱しながら、挟持物を加圧して導体箔及び混合物層を圧着することが好ましい。
【００４１】
積層工程を行う具体的な方法としては、上記積層体が巻かれた２本のロールから積層体を巻き出しながら、巻き出した積層体の導体箔同士が対向するように、混合物層を挟みながらラミネートして、さらに必要に応じて加熱及び加圧する方法が、高い生産効率が得られるため、好ましい。
【００４２】
さらに、有機バインダが熱硬化性樹脂である場合には、加熱等によって混合物を硬化する硬化工程を経た後に、所定の形状に打ち抜いてから、リード線４及び５を接続して、有機ＰＴＣサーミスタ１０が得られる。このとき、１対の導体箔が電極２及び３に、硬化後の混合物層が有機物層１となる。
【００４３】
硬化工程においては、熱硬化性樹脂が実用上問題ない程度に硬化する温度、時間で加熱すればよいが、エポキシ樹脂の場合には、通常、８０〜２００℃で６０〜６００分加熱すればよい。また、上記積層工程において加熱する場合には、積層工程が硬化工程を兼ねることもできる。
【００４４】
ここで、上記製造方法においては、混合工程、層形成工程及び積層工程の少なくとも一つの工程を、減圧下で行う。これらの中でも、混合物層からボイドを効率的に除去できる点等から、層形成工程及び／または積層工程を減圧下で行うことが好ましい。また、硬化工程を備える場合には、上記の工程に加えて、硬化工程を減圧された雰囲気下で行ってもよい。
【００４５】
各工程における減圧された雰囲気は、例えば、各工程を密閉系で行い、その密閉系を真空ポンプ等によって減圧することで得られる。このとき、密閉系内の圧力が１３．３〜１３３３Ｐａになるように減圧することが好ましい。
【００４６】
また、減圧下で行う工程においては、得られる有機ＰＴＣサーミスタが、上記式（１）及び（２）を満たすようにボイドが除去できる条件で減圧することが好ましい。このような減圧条件は、それぞれの工程における、装置の選択、温度等の制御因子に応じて、雰囲気の圧力を適正化することで得られる。通常、これら制御因子等を調整しながら数回程度の試作を行うことにより、比較的容易に適切な減圧条件を見出すことができる。
【００４７】
混合工程においては、ホモジナイザー等の混錬装置を密閉系に設置すること等により、混合物を減圧雰囲気下で混錬することができる。例えば、有機バインダが熱硬化性樹脂であり、ホモジナイザーを用いて混錬する場合は、通常、雰囲気の圧力が１３．３〜１３３３Ｐａ、混合物の温度が２０〜８０℃の範囲内で混錬することにより、上記式（１）及び（２）を満たすようにボイドが除去された有機ＰＴＣサーミスタが得られる。
【００４８】
層形成工程は、上述した真空印刷等の方法を採用することによって、減圧下で行うことができる。例えば、有機バインダが熱硬化性樹脂であり、真空印刷によって塗布する場合、通常、雰囲気の圧力が１３．３〜１３３３Ｐａ、混合物の温度が２０〜８０℃の範囲内で塗布することにより、上記式（１）及び（２）を満たすようにボイドが除去された有機ＰＴＣサーミスタが得られる。
【００４９】
積層工程においては、有機バインダが熱硬化性樹脂である場合、通常、雰囲気の圧力が１３．３〜１３３３Ｐａ、混合物の温度が２０〜８０℃の範囲内となる条件とすることで、上記式（１）及び（２）を満たすようにボイドが除去された有機ＰＴＣサーミスタが得られる。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５１】
（実施例１）
＜有機ＰＴＣサーミスタの作製＞
エポキシ樹脂であるリカレジンＢＰＯ２０Ｅ（商品名、新日本理化社製）１００重量部、エポキシ樹脂の硬化剤であるエピクロンＢ−５７０（商品名、大日本インキ化学工業社製）５０重量部及び導電性フィラーであるニッケル粒子（日興理化社製）４５重量部を混合し、この混合物をホモジナイザーを用いて常圧下で混錬して、混合物を得た。
次に、この混合物を、真空印刷装置であるＶＰＥＳ−ＨＡIII（商品名、ニューロング精密工業社製）を用いて、１３３Paの雰囲気下で、電極であるニッケル箔上に塗布し、混合層を形成させ、積層体を得た。
続いて、１対の上記積層体を、常圧下で、互いに対向するように、混合物層を挟んで張り合わせたものを加圧して、挟持体を得た。
そして、この挟持体を１５０℃で１０時間加熱することにより、混合物を硬化させた後、ネコプレスを用いて所定の大きさに複数打ち抜いたものを、有機ＰＴＣサーミスタとした。
【００５２】
＜抵抗変化率の測定＞
得られた有機ＰＴＣサーミスタの一つについて、昇温速度３℃／分で昇温しながら、抵抗−温度特性を測定した。このとき、２５℃における抵抗値Ｒａ０は０．００１２Ω、１８５℃における抵抗値Ｒａ１は２．１Ωであった。したがって、熱処理前の抵抗変化率Ａは１．７５×１０５と算出され、上記式（１）を満たしていた。
さらに、上記で得られた有機ＰＴＣサーミスタの別の一つを、２６０℃で１．５分熱処理した。熱処理後の有機ＰＴＣサーミスタについて、上記と同様にその抵抗値を測定したところ、２５℃における抵抗値Ｒｂ０は０．００１４Ω、１８５℃における抵抗値Ｒｂ１は２．４３Ωであった。したがって、熱処理後の抵抗変化率Ｂは１．７４×１０５、抵抗変化率の比であるＢ／Ａは０．９９と算出され、上記式（２）を満たしていた。
【００５３】
（比較例１）
＜有機ＰＴＣサーミスタの作製＞
実施例１において得た、混合工程後の混合物を、真空デシケータ中、１３３Ｐａの雰囲気下、２５℃で、３０分放置した。
続いて、混合物を、常圧下、ニッケル箔上に塗布して混合物層を形成させた。
その後の手順（積層及び硬化）は、実施例１と同様にして、有機ＰＴＣサーミスタを得た。
【００５４】
＜抵抗変化率の測定＞
実施例１と同様にして、得られた有機ＰＴＣサーミスタについて、２６０℃での熱処理前後におけるその抵抗変化率を測定した。Ｒａ０は０．００１２Ω、Ｒａ１は１０２５Ω、Ｒｂ０は０．００１４Ω、Ｒｂ１は１．２Ωであり、Ａは８．５４×１０７、Ｂは１．２０×１０５、Ｂ／Ａは０．００１４とそれぞれ算出された。すなわち、Ａは式（１）を満たしたものの、熱処理後の抵抗変化率Ｂが大きく低下して、Ｂ／Ａは式（２）を満たす範囲内になかった。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＰＴＣサーミスタの基本構成を示す模式断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１…有機物層、２、３…電極、４、５…リード線、１０…有機ＰＴＣサーミスタ。
【図１】
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