(57)【要約】      （修正有）【課題】  アライメントする際にウェハステージを移動するために用いられる時間の割合を低減すること。【解決手段】  半導体ウェハをアライメントするための測定ステップのシーケンスを制御する方法は、露光装置に半導体ウェハを準備するステップと、第１のアライメント測定ステップを開始するステップと、露光フィールドの最初の数を選択して第１のシーケンスを決定するステップと、ｄ）半導体ウェハをアライメント位置に移動させるステップと、ｅ）最後に移動された露光フィールドのアライメント位置を格納するステップと、ｆ）第１のアライメント測定ステップを終了するステップと、第２のアライメント測定ステップを開始するステップと、位置が格納された露光フィールドを選択するステップと、さらに露光フィールドを選択して第２のシーケンスを決定するステップと、アライメント測定ステップについて、ステップｄ）〜ｆ）を繰返すステップとを包含する。【選択図】図２Ａ
2005101534.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置において半導体ウェハ（１０）をアライメントするための測定ステップのシーケンスを制御する方法であって、該半導体ウェハは、規則的な配列の露光フィールド（１２）を有し、該方法は、
ａ）該露光装置に該半導体ウェハ（１０）を準備するステップと、
ｂ）第１のアライメント測定ステップを開始するステップと、
ｃ）露光フィールド（１６）の最初の数を選択し、かつ、第１のシーケンス（１番、２番）を決定するステップであって、それぞれの場合について、少なくとも１つの測定を実行するために、該選択された露光フィールド（１６）の数が用いられる、ステップと、
ｄ）該選択された露光フィールド（１６、１番、２番）の各々を移動させるために、可動のウェハステージを用いて、該半導体ウェハ（１０）を該露光装置のアライメント光学素子に対してアライメント位置に移動させるステップと、
ｅ）最後に移動された露光フィールド（１６、２番）のアライメント位置を格納するステップと、
ｆ１）第１のアライメント測定ステップを終了するステップと、
ｆ２）直後に続く第２のアライメント測定ステップを開始するステップと、
ｇ）該露光フィールドにおいて露光フィールドの第２のシーケンス内の第１の測定を実行するために、位置が格納された該露光フィールド（１６’、１番）を選択するステップと、
ｈ）さらなる数の露光フィールド（１６’）を選択し、かつ、該第２のシーケンス（２番〜８番）を決定するステップであって、該シーケンスで、該第１の測定の後に、それぞれ、少なくとも１つのさらなる測定を実行するために、該さらなる選択された露光フィールド（１６’、２〜８番）の数が利用される、ステップと、
ｉ）直後に続くアライメント測定ステップについて、該ステップｄ）〜ｆ１）を繰返すステップと
を包含する、方法。
【請求項２】
前記第１および／または前記第２のアライメント測定ステップは、それぞれ、前記露光装置のイメージ平面内の前記ウェハの第１の粗いアライメント、該イメージ平面に対する該ウェハ（１０）の傾斜を決定するステップ、該イメージ平面内の該ウェハ（１０）のファインアライメントからなる群の要素を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ステップｄ）〜ｆ１）は、前記半導体ウェハ（１０）の前記露光の前に、すべてのアライメント測定ステップに対して繰返されることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
複数のアライメントステップを終了した後に、露光装置において、マスクの構造パターンをそれぞれ有するウェハを順次露光する方法であって、該ウェハ（１０）は、規則的配列の露光フィールド（１２）を有する、方法であって、
該ウェハ上で該露光のシーケンス（１〜５６番）で最初に露光されるべき露光フィールド（１２、１番）は、該露光ステップの直前に実行されるアライメント測定ステップにおいて、測定を実行するために、最後の露光フィールド（１６、６番）として用いられる該露光フィールド（１６）と同一であることを特徴とする、方法。
【請求項５】
前記露光ステップの直前に行われた前記アライメントステップは、前記露光装置のイメージ平面における前記半導体ウェハのファインアライメントのステップであることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置において半導体ウェハをアライメントするための測定ステップのシーケンスを制御する方法、および、複数のアライメント測定ステップが終了した後に、露光装置において、それぞれ、マスクの構造パターンをウェハに順次露光する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の製造において、マスク上に形成されている構造パターンを順次イメージングすることによって、ウェハ上に形成されるべき構造が半導体ウェハ上に設けられた感光層に生成される。通常、露光されるべきウェハに対するこのようなマスクの大きさの比率に基づいて、および、ウェハへのマスクの縮小投影に基づいて、それぞれ同一の構造パターンを備える複数の露光フィールドがウェハ上に提供される。従って、このために用いられる露光装置、ステッパまたはスキャナにおいて、ウェハ上に各露光フィールドが順次連続して転写される。
【０００３】
通常、露光フィールドは、マトリクス形状の規則的な配列でウェハ表面上に分布する。露光フィールドが、それぞれウェハエッジから突き出すと、少なくともそのウェハエッジ上に投影された回路が抜け落ちる結果になる。
【０００４】
ウェハ上でマスクによる第１の層レベルのパターニングを開始する前に、露光フィールドのマトリクスが決定される。第１のレベルを順次露光した後、後続のレベルが、それぞれ、共に回路を共に生成する予めイメージングされた層レベル上にアライメントされる必要がある。ウェハのアライメントは、通常、個々の所定のアライメント測定ステップのシーケンスで実行される。これらのアライメント測定ステップの各々は、形成された構造を含む半導体ウェハの、露光装置における投影系に対する現在位置の検出およびアライメントの一翼を担う。
【０００５】
測定ステップの各々について、それぞれ投影された構造パターンの一部分としての個々の露光フィールド内に専用のアライメントマークが提供される。これらのアライメントマスクは、大きさ、形態、およびアライメントが、個々のアライメント測定ステップにおいて生じる要件に対応する。このようなアライメントマークは、通常、ソーフレームの領域内、すなわち、露光フィールドのエッジ領域、または、例えば、露光フィールドに複数の回路が存在する場合、ウェハ上に形成されるべき２つの集積回路の中間空間に位置付けられる。
【０００６】
各場合について、アライメント測定ステップの１つを実行するために、通常、複数であるが、すべてではない、ウェハ上の露光フィールドが用いられ得る。ここで、大抵の場合、ウェハの表面上に分散した１〜８個の露光フィールドが選択され、かつ、そこに形成されたアライメントマークが位置を決定するための測定後に評価されることで十分である。
【０００７】
一旦位置が決定されると、可動のウェハステージにおいて、例えば、投影系の理想的像平面に対してウェハがとり得る所望でない傾斜角に対して修正を加えることが可能である。他方、特定の位置で、可動のウェハステージの座標系を較正することができ、これにより、露光する場合に正確な位置に移動され得る。
【０００８】
従来技術によると、特に、より多い数の露光フィールドが露光測定ステップに用いられる場合に、露光フィールドが測定のために用いられるそれぞれのシーケンスが最適な方法で決定される。シーケンスを決定する際に、アライメント測定のためのアライメントマークがとぎれることなく連続して用いられる２つの露光フィールドの間隔を可能な限り小さくすることに留意されたい。例えば、主に、ウェハのエッジ領域に位置する露光フィールドにおいて個々の測定を実行するために、露光フィールドの群は円形に移動される。有利な点は、これによって、ウェハステージの長距離移動が省かれ、これにより、アライメントのためだけに用いられる非生産的な準備時間が著しく短縮されることである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、ウェハが露光装置を占有する全継続時間に対する、アライメントする際にウェハステージを移動するために用いられる時間の割合がさらに低減されることによって、さらなる時間的利点を獲得することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この目的は、露光装置において半導体ウェハをアライメントするための測定ステップのシーケンスを制御する方法によって達成され、ここで、半導体ウェハは、規則的な配列の露光フィールドを有し、この方法は、（ａ）露光装置に半導体ウェハを準備するステップと、（ｂ）第１のアライメント測定ステップを開始するステップと、（ｃ）露光フィールドの最初の数を選択し、かつ、第１のシーケンスを決定するステップであって、それぞれの場合について、少なくとも１つの測定を実行するために、選択された露光フィールドの数が用いられる、ステップと、ｄ）選択された露光フィールドの各々を移動させるために、可動のウェハステージを用いて、半導体ウェハを露光装置のアライメント光学素子に対してアライメント位置に移動させるステップと、ｅ）最後に移動された露光フィールドのアライメント位置を格納するステップと、ｆ１）第１のアライメント測定ステップを終了するステップと、ｆ２）直後に続く第２のアライメント測定ステップを開始するステップと、ｇ）露光フィールドにおいて露光フィールドの第２のシーケンス内の第１の測定を実行するために、位置が格納された露光フィールドを選択するステップと、ｈ）さらなる数の露光フィールドを選択し、かつ、第２のシーケンスを決定するステップであって、シーケンスで、第１の測定の後に、それぞれ、少なくとも１つのさらなる測定を実行するために、さらなる選択された露光フィールドの数が利用される、ステップと、ｉ）直後に続くアライメント測定ステップについて、ステップｄ）〜ｆ１）を繰返すステップとを包含する。
【００１１】
この目的は、複数のアライメント測定ステップが終了した後に、露光装置において、それぞれ、マスクの構造パターンをウェハに順次露光する方法によって達成され、ここで、ウェハは、規則的な配列の露光フィールドを有し、かつ、露光のシーケンスで、最初に露光されるべきウェハ上の露光フィールドは、露光ステップの直前に実行されたアライメント測定において最後の露光フィールドとして測定を実行するために用いられた露光フィールドと同一であることを特徴とする。
【００１２】
本発明は、当該の露光フィールドにおいてアライメントマークを測定するアライメント光学素子の領域に、最後に測定されたものとは異なる露光フィールドを運ぶために、アライメント測定ステップの終了後に、アライメント測定ステップのシーケンスにおいてウェハステージが移動される必要がないという事実により、ウェハが露光装置を占有する時間をさらに節減することが可能であるという発想に基づく。
【００１３】
従って、本発明によると、直後に続くアライメント測定ステップにおいて露光フィールドを選択する場合、および、連続的に測定されるべき露光フィールドのシーケンスを決定する場合に、最後に測定された露光フィールドが、新しい測定ステップにおいて最初に測定されるべき露光フィールドとして用いられることに留意されたい。この場合、新しい測定ステップは前のステップと因果関係を有する必要はない。これらの両方の部分ステップにおいて同じ露光フィールドの同一のアライメントマークが測定される必要もない。決定的に重要であるのは、露光フィールド内で、アライメント光学素子に対して露光フィールドが移動されないか、または大きさの比率の距離だけ、ウェハステージが移動されることである。
【００１４】
アライメント光学素子は、露光装置内部で、ウェハステージに対して投影レンズ系とは別個に設けられたレンズ系であり得、これは、検出器、制御ユニット、および照明器を有するが、このアライメント光学素子は、投影光学素子のレンズ系を用いるアライメント光学素子でもあり得、例えば、露光フィールドにおけるアライメントマークから入射するビームをビームスプリッタによって分ける。
【００１５】
露光フィールドの群の選択、および、さらに、シーケンスの決定が、グループ化、すなわち、前に実行されたアライメント測定ステップにおいて個々の測定を実行する際の露光フィールドの選択、およびこれらのフィールドのシーケンスに応じて実行される。一般に、完全なアライメントシーケンス、すなわち、露光フィールドにおけるすべての個々の測定を伴うアライメント測定ステップ全体は、露光ユニットの制御シーケンスにおいて予め決定される。従って、本発明は、まず、後の、または最後のアライメント測定ステップのために、露光フィールドのシーケンス、およびグループ化、または数が選択および決定されて、その後にようやく、事前のアライメント測定ステップの制御を順次適合させる場合を含む。
【００１６】
ここで、アライメント測定ステップは、複数の露光フィールドにおける測定の閉じたシーケンスであると理解され、ここで、投影装置、特に、アライメント光学素子の関連システムに対するウェハの位置調整または配向を決定する部分的局面が決定される。本発明のアライメント測定ステップのある例は、通常、半導体ウェハにおいて提供されることが多いノッチを用いて、純粋に機械的なアライメントの後の最初のステップとして実行される予備アライメントである。
【００１７】
さらなる例は、いわゆる、チルト測定、すなわち、アライメント光学素子または投影系の理想的なイメージ平面に対するステージ上のウェハの傾斜の傾斜角度および配向の測定に関する。さらに重要なアライメントステップは、ファインアライメントに関し、これはさらにサブステップに分けることができる。
【００１８】
本発明は、特に、ウェハに対して包括的に行われるべきアライメント測定ステップに関する。特に、この場合、露光フィールドは、一連の測定による部分的局面の決定が終了した後に後続の部分局面を検査するために、アライメントの特定の部分局面について、連続的に移動される。
【００１９】
従って、本発明は、例えば、フィールド特有のアライメント測定ステップが個々の順次的露光間に実行される場合にはあまり応用され得ない（これは、特に、焦点値の決定に当てはまる）。しかしながら、焦点の設定は、基本的には、複数の露光フィールドを測定することによって、露光前の包括的ステップにおいても決定され得、これにより、ここでも、本発明による方法が応用され得る。
【００２０】
本発明による方法は、露光装置において半導体ウェハ（１０）をアライメントするための測定ステップのシーケンスを制御する方法であって、該半導体ウェハは、規則的な配列の露光フィールド（１２）を有し、ａ）該露光装置に該半導体ウェハ（１０）を準備するステップと、ｂ）第１のアライメント測定ステップを開始するステップと、ｃ）露光フィールド（１６）の最初の数を選択し、かつ、第１のシーケンス（１番、２番）を決定するステップであって、それぞれの場合について、少なくとも１つの測定を実行するために、該選択された露光フィールド（１６）の数が用いられる、ステップと、ｄ）該選択された露光フィールド（１６、１番、２番）の各々を移動させるために、可動のウェハステージを用いて、該半導体ウェハ（１０）を該露光装置のアライメント光学素子に対してアライメント位置に移動させるステップと、ｅ）最後に移動された露光フィールド（１６、２番）のアライメント位置を格納するステップと、ｆ１）第１のアライメント測定ステップを終了するステップと、ｆ２）直後に続く第２のアライメント測定ステップを開始するステップと、ｇ）該露光フィールドにおいて露光フィールドの第２のシーケンス内の第１の測定を実行するために、位置が格納された該露光フィールド（１６’、１番）を選択するステップと、ｈ）さらなる数の露光フィールド（１６’）を選択し、かつ、該第２のシーケンス（２番〜８番）を決定するステップであって、該シーケンスで、該第１の測定の後に、それぞれ、少なくとも１つのさらなる測定を実行するために、該さらなる選択された露光フィールド（１６’、２〜８番）の数が利用される、ステップと、ｉ）直後に続くアライメント測定ステップについて、該ステップｄ）〜ｆ１）を繰返すステップとを包含し、それにより上記目的が達成される。
【００２１】
前記第１および／または前記第２のアライメント測定ステップは、それぞれ、前記露光装置のイメージ平面内の前記ウェハの第１の粗いアライメント、該イメージ平面に対する該ウェハ（１０）の傾斜を決定するステップ、該イメージ平面内の該ウェハ（１０）のファインアライメントからなる群の要素を含むことを特徴としてもよい。
【００２２】
前記ステップｄ）〜ｆ１）は、前記半導体ウェハ（１０）の前記露光の前に、すべてのアライメント測定ステップに対して繰返されることを特徴としてもよい。
【００２３】
本発明の方法は、複数のアライメントステップを終了した後に、露光装置において、マスクの構造パターンをそれぞれ有するウェハを順次露光する方法であって、該ウェハ（１０）は、規則的配列の露光フィールド（１２）を有する、方法であって、該ウェハ上で該露光のシーケンス（１〜５６番）で最初に露光されるべき露光フィールド（１２、１番）は、該露光ステップの直前に実行されるアライメント測定ステップにおいて、測定を実行するために、最後の露光フィールド（１６、６番）として用いられる該露光フィールド（１６）と同一であることを特徴とし、それにより上記目的が達成される。
【００２４】
前記露光ステップの直前に行われた前記アライメントステップは、前記露光装置のイメージ平面における前記半導体ウェハのファインアライメントのステップであることを特徴とし、それにより上記目的が達成される。
【００２５】
本発明は、ここで、例示的実施形態を参照し、かつ図面を用いてより詳細に説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
露光フィールド１２のマトリクス形状の規則的な配列が、２００ｍｍの直径を有するウェハ１０のそれぞれの上面図で、および、アライメントする例示的方法ステップのシーケンスで図１に示される。ウェハ上の配列の正確な位置付けは、通常、可能な限り最大数の配置可能な露光フィールドまたは回路／チップが製品のウェハ表面上に配置されることを保証する最適化方法で行われる。
【００２７】
図１に示される例示的実施形態は、アライメント測定ステップを制御するために、従来適用された方法に対応する。Ｃａｎｏｎ  ＦＰＡ  ５０００−ＥＳ２＋が、ここで、露光装置として用いられ得る。前述の平面において、すでに露光フィールドに投影された構造パターンにおいて、適切な装置専用のアライメントマークがすでに設計に組み込まれている。
【００２８】
リソグラフィ投影分野の当業者には、ここで説明された方法が、他の製造業者の露光装置、特に、ＮｉｋｏｎまたはＡＳＭＬ製の露光装置にも同様に適用可能であること、および、ウェハ上に複数の露光フィールドの余地がある場合、３００ｍｍのウェハ、またはこれよりも大きい直径のウェハも用いられ得ることが明らかである。
【００２９】
この例において、ウェハ上の少なくとも部分的に、５６個の露光フィールドの余地がある。個々の露光フィールドを決定するために、図面においてロウおよびカラムに数がそれぞれ与えられる。
【００３０】
実際の測定を行わない第１のアライメントステップ（図示せず）は、ウェハステージ上へのウェハ１０の機械的実装であり、この場合、ウェハエッジにおけるノッチは、ウェハステージ上の対応するデバイスとぶつかり、これにより、ウェハは、まだ非常に大まかに、まず、単に機械的にプレアライメントされ得る。
【００３１】
第１のアライメント測定ステップが、図１Ａに示される。通常は全体が明色で示された露光フィールドに暗色の陰影を付することによって、この測定ステップのために選択された２つの露光フィールドがマーキングされる。測定ステップは、事前のまたは粗いアライメントとして示される（しかし、機械的アライメントとは区別され得、この機械的アライメントと比較して、これらのアライメントは、すでにはるかに正確な結果をもたらす）（ＴＶプレアライメント、ＴＶＰＡ）。
【００３２】
投影光学素子のＸＹイメージ平面におけるウェハステージの座標を較正するために、アライメントマークは、このアライメント測定ステップの間に検査され、かつ設計において既知の位置が用いられる。測定するためにここで選択された露光フィールド１４は、露光フィールドが互いに間隔を空け、ウェハのエッジのすぐ近くにならないように配置され得る基準を用いて選択される。個々の測定のシーケンスは任意である。
【００３３】
図１Ｂは、第１のアライメント測定ステップに従い、かつ、例えば、２５個の実質的に同一のウェハを含むバッチの第１のウェハ１０に対してのみ実行されるさらなる第２のアライメント測定ステップ（ＧＴＩＬＴ、グローバルチルト）を示す。すべてのさらなるウェハについて、後続のステップが図１Ｅに示される例に対応し、これは、さらに後述され、かつ、ファインアライメントを示す。
【００３４】
第２のアライメント測定ステップは、ここで、いわゆるチルト測定によって表される。例えば、選択された露光フィールド１４’（暗色で陰影付けされた）内の所定の位置、および、所定の角度で、ウェハの表面を照射するためにレーザが用いられる。位置は、第１の測定ステップによって、十分な精度ですでに見出され得る。表面によって反射されるビームを検出するためにセンサが用いられ得、ここから、表面の傾斜角、すなわち、ウェハの傾斜を計算することが可能である。結果に応じてウェハステージが調整され得る。
【００３５】
８個の露光フィールド１４’がこのアライメント測定ステップのために提供される。これらの露光フィールドは、さらに、各々がウェハ１０のエッジからそう遠くない距離に配置され、従って、選択のこの環状配置は、さらに、１枚のそりを定義し得る（露光フィールドの傾斜の異なった角度）。
【００３６】
アライメント光学素子は、ここで、チルト測定、すなわち、露光フィールドにおける傾斜の局所的角度の測定用のセンサの構成である。ここで、ウェハステージは、露光フィールドの各々をチルトセンサに向かって移動させ、これにより、これは、チルト測定を行い得る。移動経路を最小にするために、従って、このアライメントステップの時間を節減するために、ウェハステージは、環状に設けられた選択部分を時計周りに円形に走査する。測定ステップのための露光フィールドのシーケンスは（他のすべての描画においてもそうであるように）、選択された露光フィールド内の数１４、１４’等によって表される。
【００３７】
測定されるべき第１の露光フィールドは、配列において右下に任意に配置される。従って、ウェハステージは、ＴＶＰＡ測定（図１Ａ：シーケンスにおける２番、マトリクス配列における位置：ロウ５、カラム７）の最後に測定された露光フィールド１４から、ＧＴＩＬＴ測定の（図１Ｂ：シーケンスにおける１番、マトリクス配列における位置：ロウ２、カラム６）測定されるべき第１の露光フィールド１４’への距離を通って移動される。これは、約１００ｍｍの距離に対応する。
【００３８】
以下において、さらなるアライメント測定ステップとして、ただ１つの露光フィールドを用いてレンズ制御（ＬＣＶＣ、レンズ制御値チェック：図１Ｃ）、および、センサとアライメントマークとの間の距離の、基準値（ＳＰＯＣ、センサ−パターンオフセットチェック：図１Ｄ）からのずれのチェックが実行され、このために、再び、より大きい数の選択された露光フィールド１４’’が必要とされる。この場合も、右下に配置され、かつ、任意の開始位置を表する露光フィールドにおけるウェハ１０にて開始される。  
【００３９】
図１Ｅおよび図１Ｆは、ファインアライメントのステップ（アドバンスグローバルアライメント、ＡＧＡ＿ｐｒｅｌおよびＡＧＡ＿ｍａｉｎ）を示し、図１Ｅに示される構成は、別々に実行されるプレアライメントを表す。この場合、星印でマーキングされたフィールドは、メインアライメントにおいて追加的に用いられるフィールドの位置を識別する（図１Ｆ）。これらの測定ステップにおいて、ウェハステージは、後続の露光のために、ＸＹイメージ平面内に数ナノメートルで正確に適合される。露光フィールドにおけるアライメントマークは、ここで、ＸまたはＹ方向に長く延びる並行の角材の形状を有する。この場合、レンズ系を有するアライメント光学素子によって基準位置（例えば、基準マーク）に対するずれが測定される。アライメント光学素子は、ここで、高解像度レンズ系を備える。
【００４０】
マトリクス配列における測定シーケンスは、下部または下部の右で開始するという任意の条件付きで、図１Ｅと図１Ｆとの比較は、ここでも、ウェハステージは、ロウ２、カラム３（図１Ｅにおける２番）からロウ２、カラム６（図１Ｆにおける１番）の位置に移動されなければならず、これは、その後、長い移動経路を表すことを示す。
【００４１】
露光（図１Ｇと比較）は、示されるマトリクス配列のすべてのフィールドにわたって実行され、すなわち、さらに、すべての露光フィールド１２は、エッジ領域を覆う。ウェハステージに対する一様な移動スキーマを生成するという任意の考察すべき事項に基づいて、露光シーケンスは、さらに、マトリクス配列における右下、すなわち、位置ロウ８、カラム６で開始し、再び、ファインアライメントにおいて最後に測定された位置ロウ７、カラム３とは異なる。従って、ウェハステージは、露光の開始時に移動されなければならない。
【００４２】
本発明による方法が図２に示される。図２Ａ〜図２Ｇのアライメント測定ステップは、図１Ａ〜図１Ｇの上述の測定ステップに対応する。本発明により、露光フィールドの選択およびシーケンスにおける発明により差が生じる。
【００４３】
従って、例えば、ＧＴＩＬＴ測定（図２Ｂ）のアライメントステップにおける測定のために最初に用いられる露光フィールド１６’（１番）は、ＴＶＰＡ測定（図２Ａ）のシーケンスで測定された最後のフィールド（選択における２つの露光フィールドの２番）と同じ位置（ロウ６、カラム６）を有する。従って、ウェハステージは、有利にも、第１から第２のアライメント測定ステップに移行する際に動かされない。
【００４４】
例えば、バッチの第２またはより後のウェハ１０’（図２において矢印で示される）がアライメントされるべき場合に同じことが言える。この場合、ファインアライメント（図１Ｅ）は、ＴＶＰＡ測定（図１Ａ）の直後に開始する。第１の露光フィールドは、同様にこの位置をとる。
【００４５】
従って、本発明によると、露光プロセスの選択は、前のプロセスの露光プロセスに依存する。なぜなら、前のアライメント測定ステップの最後の露光フィールドは、少なくともここでも選択によって覆われなければならないからである。さらに、現在のアライメント測定ステップのシーケンスは、前のアライメント測定ステップのシーケンスに依存する。
【００４６】
レンズ制御（図２Ｃ）の１つの選択された露光フィールド１６を含むアライメント測定ステップの場合、１つの選択された露光フィールドの位置は、さらに、この条件に適合される。事前測定（図２ｂにおける８番）は、ウェハのエッジ領域の近傍に位置するので、ここで測定されるべき露光フィールドの位置も（図２Ｃにおける１番）、エッジ領域の近傍であり、かつ、最後に測定された露光フィールドの位置（８番）と同一である。
【００４７】
ＳＰＯＣ測定（図２Ｄ）のために、再び、ウェハステージの移動運動は必要でない。チルト測定（図２Ｂ）の終了からＳＰＯＣ測定開始（図２Ｄ）まで、移動運動は全く行われない。ここで、節減された時間の寄与率が配分的に特に高い。
【００４８】
図２Ｅおよび図２Ｆは、露光フィールドの選択およびシーケンスに関する本発明による方法は、バッチの第１のウェハのファインアライメントについても一貫して守られる。
【００４９】
露光（図２Ｇ）も、本発明による方法によって新しい状態に適合される。これは、ウェハのエッジ上で部分的に突き出す露光フィールドは、アライメントには、ほとんど用いることができないので、第１の露光フィールド（図２Ｇにおける１番）は、ファインアライメントの場合に最後の測定の対応する位置（６番：ロウ７、カラム５）のマトリクス配列の内部に引き込まれ、残りの５５個の露光フィールドのシーケンスに適合される。
【００５０】
露光装置においてウェハをアライメントするための測定ステップのシーケンスで測定を実行する各ステップについて、それぞれ最後に用いられる半導体ウェハ上の露光フィールドが、新しいアライメントステップと関連した測定の第１の露光フィールドとして、シーケンスにおける直後に続くアライメントステップのために用いられる。すなわち、後続のステップにおいて、この露光フィールドは、測定のための適切なアライメント光学素子の前に第１の露光フィールドとして移動される。その結果、可動のウェハステージの移動が、ステップの各々ごとに回避され、これにより、半導体製品を露光するための貴重な機器時間が節減される。
【００５１】
以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１Ａ】図１Ａは、測定のために用いられるべき露光フィールドを選択するアライメント測定ステップのシーケンス、および従来技術による例示的方法による測定のシーケンスをそれぞれ示す。
【図１Ｂ】図１Ｂは、測定のために用いられるべき露光フィールドを選択するアライメント測定ステップのシーケンス、および従来技術による例示的方法による測定のシーケンスをそれぞれ示す。
【図１Ｃ】図１Ｃは、測定のために用いられるべき露光フィールドを選択するアライメント測定ステップのシーケンス、および従来技術による例示的方法による測定のシーケンスをそれぞれ示す。
【図１Ｄ】図１Ｄは、測定のために用いられるべき露光フィールドを選択するアライメント測定ステップのシーケンス、および従来技術による例示的方法による測定のシーケンスをそれぞれ示す。
【図１Ｅ】図１は、測定のために用いられるべき露光フィールドを選択するアライメント測定ステップのシーケンス、および従来技術による例示的方法による測定のシーケンスをそれぞれ示す。
【図１Ｆ】図１Ｆは、測定のために用いられるべき露光フィールドを選択するアライメント測定ステップのシーケンス、および従来技術による例示的方法による測定のシーケンスをそれぞれ示す。
【図１Ｇ】図１Ｇは、測定のために用いられるべき露光フィールドを選択するアライメント測定ステップのシーケンス、および従来技術による例示的方法による測定のシーケンスをそれぞれ示す。
【図２Ａ】図２Ａは、図１に類似であるが、本発明による例示的方法による図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図１に類似であるが、本発明による例示的方法による図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、図１に類似であるが、本発明による例示的方法による図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、図１に類似であるが、本発明による例示的方法による図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、図１に類似であるが、本発明による例示的方法による図である。
【図２Ｆ】図２Ｆは、図１に類似であるが、本発明による例示的方法による図である。
【図２Ｇ】図２Ｇは、図１に類似であるが、本発明による例示的方法による図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０  半導体ウェハ
１２  ウェハ上のマトリクス形状配列の露光フィールド
１４  選択された露光フィールド（従来技術）
１４’  選択された露光フィールド（従来技術）
１４’’  選択された露光フィールド（従来技術）
１６  選択された露光フィールド（本発明による）
１６’  選択された露光フィールド（本発明による）
【図１Ａ】
2005101534.tif 000003
【図１Ｂ】
2005101534.tif 000004
【図１Ｃ】
2005101534.tif 000005
【図１Ｄ】
2005101534.tif 000006
【図１Ｅ】
2005101534.tif 000007
【図１Ｆ】
2005101534.tif 000008
【図１Ｇ】
2005101534.tif 000009
【図２Ａ】
2005101534.tif 000010
【図２Ｂ】
2005101534.tif 000011
【図２Ｃ】
2005101534.tif 000012
【図２Ｄ】
2005101534.tif 000013
【図２Ｅ】
2005101534.tif 000014
【図２Ｆ】
2005101534.tif 000015
【図２Ｇ】
2005101534.tif 000016