(57)【要約】【課題】  各層における配線パターンの多ターン化と多層化とを可能にして、高インダクタンス化と低直流抵抗化とを図ったインダクタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】  インダクタ１を、積層体２と端子電極３−１，３−２とで構成する。積層体２は、絶縁層４０〜４４と配線パターン５０〜５３とを交互に積層した構造になっている。具体的には、絶縁層４０（４１〜４３）の上に感光性電極ペーストを塗布し、フォトリソグラフィ法で、露光、現像することにより、配線パターン５０（５１〜５３）を形成する共に、配線パターン５０（５１，５２）の上に感光性絶縁ペーストを塗布し、フォトリソグラフィ法で、露光、現像することにより、ビアホール４１ａ（４２ａ，４３ａ）を有した絶縁層４１（４２〜４３）を形成する。そして、最上位の配線パターン５３を絶縁層４４で覆って保護する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
最下位の絶縁層の上に配線パターンと他の絶縁層とを交互に積層し且つ上記他の絶縁層に設けたビアホールにより当該他の絶縁層の上あるいは下あるいは上，下に位置する配線パターンを接続して一のコイル体を形成した積層体と、この積層体の両側面に設けられ且つ上記一のコイル体の両端にそれぞれ接触する一対の端子電極とを具備するインダクタであって、
上記他の絶縁層は、絶縁ペーストを上記他の絶縁層の下に位置する配線パターン上に塗布して形成したものであり、
上記各配線パターンは、最上位の絶縁層を除く他の絶縁層の上に感光性電極ペーストを塗布し、フォトリソグラフィ法により露光及び現像することで形成したものである、
ことを特徴とするインダクタ。
【請求項２】
上記各配線パターンは、複数ターンのスパイラル状をなす、
ことを特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
【請求項３】
上記他の絶縁層は、下に位置する配線パターンの上に感光性絶縁ペーストを塗布し、フォトリソグラフィ法により露光及び現像することで上記ビアホールと共に形成したものである、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のインダクタ。
【請求項４】
最下位の絶縁層を形成するための第１工程と、
下に位置する絶縁層の上に感光性電極ペーストを塗布し、フォトリソグラフィ法により露光及び現像することで配線パターンを形成するための第２工程と、
絶縁ペーストを下に位置する配線パターン上に塗布して、当該配線パターンの一方端部を覗くビアホールを有した絶縁層を形成するための第３工程と、
上記第２及び第３工程の繰り返し後における最上位に位置する配線パターン上に絶縁ペーストを塗布して最上位の絶縁層を形成するための第４の工程と
を具備することを特徴とするインダクタの製造方法。
【請求項５】
上記第１工程は、キャリアフィルム上に絶縁ペーストを塗布して、上記最下位の絶縁層を形成する、
ことを特徴とする請求項４に記載のインダクタの製造方法。
【請求項６】
上記第１工程は、キャリアフィルム上に感光性絶縁ペーストを塗布し、露光することで上記最下位の絶縁層を形成する、
ことを特徴とする請求項４に記載のインダクタの製造方法。
【請求項７】
上記第１工程は、キャリアフィルム付き生絶縁シートで上記最下位の絶縁層を形成する、
ことを特徴とする請求項４に記載のインダクタの製造方法。
【請求項８】
上記第４工程の後段に、上記キャリアフィルムを剥離するための第５工程を設けた、
ことを特徴とする請求項５ないし請求項７のいずれかに記載のインダクタの製造方法。
【請求項９】
上記第１工程は、生絶縁シート自体で上記最下位の絶縁層を形成する、
ことを特徴とする請求項４に記載のインダクタの製造方法。
【請求項１０】
上記第２工程は、複数ターンのスパイラル状の配線パターンを形成する、
ことを特徴とする請求項４ないし請求項９のいずれかに記載のインダクタの製造方法。
【請求項１１】
上記第３工程は、感光性絶縁ペーストを下に位置する配線パターンの上に塗布し、フォトリソグラフィ法により露光及び現像することで上記ビアホールを有した絶縁層を形成する、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載のインダクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、移動体通信機器などの電子機器に使用される小型のインダクタ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のインダクタの一例として、フォトリソグラフィ工法によって形成したものがある（例えば、特許文献１）。このインダクタは、感光性電極ペーストを用い、露光、現像によって所定のスパイラル配線パターンを形成するもので、高精度で膜厚が大きな配線パターンを有する点が優れている。
また、他の例として、積層シート工法で形成したインダクタがある（例えば、特許文献２及び特許文献３）。このインダクタは、配線パターンを薄いセラミックシート上にスクリーン印刷で形成し、当該配線パターンとセラミックシートとでなる層を複数積層した後、端子電極を取り付けた構造になっている。かかる構造により、高インダクタンスと低直流抵抗化とを図ろうとするものである。
【０００３】
【特許文献１】特開平０８−３１６０８０号公報
【特許文献２】特開２０００−１１４０８５号公報
【特許文献３】特開２００２−２９９１５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記した従来のインダクタでは、次のような問題がある。
インダクタの小型化に伴い、配線パターンを形成する層の面積が小さくなってきている。
上記フォトリソグラフィ工法によるインダクタでは、高精度のスパイラル状の配線パターンを形成することができるが、インダクタの小型化と高インダクタンス化とを図るためには、配線パターンの線幅を小さくするか、または、配線パターンの層数を多くする必要がある。
このインダクタにおいて層数を増やす場合には、例えば、図９及び図１０に示すように、アルミナ基板１００上にスパイラル状の配線パターン１０１と絶縁層１０２とをフォトリソグラフィ工法で交互に積層した後、端子電極１０３，１０３を取り付ける。
しかし、小型のインダクタの部品高さには制限があり、限られた高さの中で、配線パターン１０１の層数を増やさなければならないにもかかわらず、このインダクタでは、厚いアルミナ基板１００上に積層する構造をとる。このため、層数をアルミナ基板１００の厚さ分だけ犠牲にしなければならず、十分な層数を確保することができない。この結果、配線パターン１０１の厚さを大きくすることができず、高インダクタンス化だけでなく、低直流抵抗化も困難である。
【０００５】
一方、積層シート工法によるインダクタでは、積層数を増やすことができるが、高インダクタンスを取得するために、同一層に形成する配線パターンをスパイラル状にして多ターン化する必要がある。しかし、このインダクタでは、スクリーン印刷で配線パターンを形成するため、印刷時にニジミ等が発生し、また、プレス時の圧力により変形を生じるため、微細な配線パターンを形成することができない。したがって、同一層にスパイラル状の配線パターンを形成することが難しく、現実には、各層に３／４ターン程度の配線パターンしか形成することができない。このため、このインダクタにおいては、高インダクタンス化と低直流抵抗化を図ることが実際には困難であった。
【０００６】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、各層における配線パターンの多ターン化と多層化とを可能にして、高インダクタンス化と低直流抵抗化とを図ったインダクタ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、最下位の絶縁層の上に配線パターンと他の絶縁層とを交互に積層し且つ他の絶縁層に設けたビアホールにより当該他の絶縁層の上あるいは下あるいは上，下に位置する配線パターンを接続して一のコイル体を形成した積層体と、この積層体の両側面に設けられ且つ一のコイル体の両端にそれぞれ接触する一対の端子電極とを具備するインダクタであって、他の絶縁層は、絶縁ペーストを上記他の絶縁層の下に位置する配線パターン上に塗布して形成したものであり、各配線パターンは、最上位の絶縁層を除く他の絶縁層の上に感光性電極ペーストを塗布し、フォトリソグラフィ法により露光及び現像することで形成したものである構成とした。
かかる構成により、一対の端子電極を通じてコイル体に通電することができる。この際、各絶縁層上の配線パターンがフォトリソグラフィ法により微細に形成され、しかも、最下位の絶縁層上に配線パターンと他の絶縁層とを交互に積層して、多層化が図られているので、コイル体のインダクタンス値は高く、直流抵抗値は低い。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１に記載のインダクタにおいて、各配線パターンは、複数ターンのスパイラル状をなす構成とした。
かかる構成により、コイル体のインダクタンス値がさらに高くなり、直流抵抗値もさらに低くなる。
【０００９】
請求項３の発明は、請求項１または請求項２に記載のインダクタにおいて、他の絶縁層は、下に位置する配線パターンの上に感光性絶縁ペーストを塗布し、フォトリソグラフィ法により露光及び現像することでビアホールと共に形成したものである構成とした。
かかる構成により、微細且つ高精度のビアホールが形成されており、上，下の配線パターンの接続が確実に行われている。
【００１０】
請求項４の発明に係るインダクタの製造方法は、最下位の絶縁層を形成するための第１工程と、下に位置する絶縁層の上に感光性電極ペーストを塗布し、フォトリソグラフィ法により露光及び現像することで配線パターンを形成するための第２工程と、絶縁ペーストを下に位置する配線パターン上に塗布して、当該配線パターンの一方端部を覗くビアホールを有した絶縁層を形成するための第３工程と、第２及び第３工程の繰り返し後における最上位に位置する配線パターン上に絶縁ペーストを塗布して最上位の絶縁層を形成するための第４の工程とを具備する構成とした。
かかる構成により、第１工程において、最下位の絶縁層が形成され、第２工程において、感光性電極ペーストが下位の絶縁層の上に塗布され、この感光性電極ペーストがフォトリソグラフィ法により露光及び現像されて、配線パターンが形成される。また、第３工程において、絶縁ペーストが下位の配線パターン上に塗布され、当該配線パターンの一方端部を覗くビアホールを有した絶縁層が形成される。そして、第４の工程において、第２及び第３工程の繰り返し後における最上位の配線パターン上に絶縁ペーストが塗布されて、最上位の絶縁層が形成される。
【００１１】
請求項５の発明は、請求項４に記載のインダクタの製造方法において、第１工程は、キャリアフィルム上に絶縁ペーストを塗布して、最下位の絶縁層を形成する構成とし、請求項６の発明は、請求項４に記載のインダクタの製造方法において、第１工程は、キャリアフィルム上に感光性絶縁ペーストを塗布し、露光することで最下位の絶縁層を形成する構成とし、請求項７の発明は、請求項４に記載のインダクタの製造方法において、第１工程は、キャリアフィルム付き生絶縁シートで最下位の絶縁層を形成する構成とした。そして、請求項８の発明は、請求項５ないし請求項７のいずれかに記載のインダクタの製造方法において、第４工程の後段に、キャリアフィルムを剥離するための第５工程を設けた構成とする。
【００１２】
請求項９の発明は、請求項４に記載のインダクタの製造方法において、第１工程は、生絶縁シート自体で最下位の絶縁層を形成する構成とした。
【００１３】
請求項１０の発明は、請求項４ないし請求項９のいずれかに記載のインダクタの製造方法において、第２工程は、複数ターンのスパイラル状の配線パターンを形成する構成とした。
【００１４】
請求項１１の発明は、請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載のインダクタの製造方法において、第３工程は、感光性絶縁ペーストを下に位置する配線パターンの上に塗布し、フォトリソグラフィ法により露光及び現像することでビアホールを有した絶縁層を形成する構成とした。  
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、請求項１ないし請求項３の発明によれば、微細且つ高精度に形成されたコイル体によって、インダクタンス値が高く、直流抵抗値が低い通電が可能になるので、高インダクタンス値で低直流抵抗値のインダクタを提供することができるという優れた効果がある。
【００１６】
また、請求項２の発明によれば、コイル体が複数ターンのスパイラル状をなす各配線パターンで構成されるので、さらなる高インダクタンス化と低直流抵抗化とを図ることができる。
【００１７】
また、請求項３の発明によれば、配線パターン間の接続が確実に行われている高品質のインダクタを提供することができる。
【００１８】
請求項４ないし請求項１１の発明に係るインダクタの製造方法によれば、感光性電極ペーストを下位の絶縁層の上に塗布し、この感光性電極ペーストをフォトリソグラフィ法により露光及び現像することで配線パターンを形成するので、印刷ニジミなどがない微細且つ高密度の配線パターンを各絶縁層上に形成することができる。したがって、小型で各層の面積が小さなインダクタにおいても、同一層に形成する配線パターンの密度を増大させることができる。この結果、多ターンのスパイラル状の配線パターンを高精度且つ高密度で形成することができる。さらに、下地に厚い基板を用いず、薄く形成することが可能な絶縁層で下地を形成してあるので、小型で限られた高さのインダクタにおいても、積層数と各配線パターン厚とを増大させることができる。すなわち、この発明の製造方法によれば、基板を用いたスクリーン印刷方式の従来の製造方法に比べて、微細且つ高密度の配線パターンを各絶縁層上に形成することができ、しかも、配線パターンの積層数と厚みとを増大させることができるので、高インダクタンス化と低直流抵抗化とが図られたインダクタを製造することができるという優れた効果がある。
【００１９】
また、請求項５ないし請求項８の発明によれば、キャリアフィルムに絶縁層を形成するので、極薄の絶縁層を最下位に形成することができ、この結果、さらなる多層化が可能となる。
【００２０】
また、請求項１１の発明の発明によれば、フォトリソグラフィ法によりビアホールを有した絶縁層を形成するので、ビアホールが微細且つ高精度に形成され、上，下の配線パターンの接続が確実に行われる。この結果、接続不良のない高品質のインダクタを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
【実施例】
【００２２】
図１は、この発明の一実施例に係るインダクタの分解斜視図であり、図２は、コイル体を示すための斜視図であり、図３は、図２の矢視Ａ−Ａ断面図である。
図１に示すように、この実施例のインダクタ１は、積層体２と一対の端子電極３−１，３−２とを具備している。
【００２３】
積層体２は、最下位の絶縁層４０の上に、配線パターン５０〜５３と他の絶縁層４１〜４３とを交互に積層し、最上位の配線パターン５３を絶縁層４４で保護した構造になっている。
【００２４】
最下層の絶縁層４０は、ガラス等の絶縁性材料で形成された縦０．３ｍｍ，横０．６ｍｍの大きさで厚さが０．０４５ｍｍの層である。
【００２５】
配線パターン５０は、この絶縁層４０の上に積層されている。
配線パターン５０は、後述するフォトリソグラフィ法で形成された銀等のパターンであり、この実施例では、約２ターンのスパイラル状をなす。また、この配線パターン５０には、絶縁層４０の左側縁部に位置する内部電極部５０ａが形成されている。
【００２６】
絶縁層４１は、この配線パターン５０の上に積層されている。
絶縁層４１は、後述するリソグラフィ法によって形成されたガラス等の層であり、下の配線パターン５０の端部５０ｂに対応する部分にビアホール４１ａを有している。
【００２７】
配線パターン５１は、この絶縁層４１の上に積層されている。
配線パターン５１も、配線パターン５０と同様に形成され、約２ターンのスパイラル状をなすが、一方端部５１ａが絶縁層４１のビアホール４１ａ上に位置して、下の配線パターン５０の端部５０ｂと電気的に接続している。
【００２８】
絶縁層４２，４３も絶縁層４１と同様に、配線パターン５１，５２上にそれぞれ積層されている。また、配線パターン５２，５３も、配線パターン５１と同様に、絶縁層４２，４３上に積層され、配線パターン５２の一方端部５２ａが絶縁層４２のビアホール４２ａを通じて、配線パターン５１の他方端部５１ｂに接続され、他端部５２ｂが絶縁層４３のビアホール４３ａを通じて配線パターン５３の一方端部５３ａに接続されている。
そして、配線パターン５３に絶縁層４３の右側縁部に位置する内部電極５３ｂが形成され、この配線パターン５３の上に保護層としての絶縁層４４が積層されている。
【００２９】
絶縁層４４は、絶縁層４０と同様にガラス等の絶縁材料で形成された厚さ０．０４５ｍｍの層である。
【００３０】
すなわち、積層体２は、図２に示すように、配線パターン５０〜５３をビアホール４１ａ〜４３ａ（図１参照）で接続してなる一のコイル体６を、絶縁層４０〜４４でなる絶縁部材で被覆した構造であり、配線パターン５０の内部電極部５０ａと配線パターン５３の内部電極５３ｂのみが外部に露出している。この実施例では、絶縁層４０，４４を除くコイル体６の部分の厚さを０．１９ｍｍにしており、厚さ０．０２ｍｍの端子電極３−１，３−２がこの積層体２の両側面に設けられている。
具体的には、図３に示すように、端子電極３−１が積層体２の左側面部に設けられて、コイル体６の内部電極部５０ａと接触し、端子電極３−２が積層体２の右側面部に設けられてコイル体６の内部電極５３ｂに接触している。
これにより、図４に示すように、インダクタ１の端子電極３−１，３−２を基板２００のパッド２０１，２０２に実装することで、端子電極３−１，３−２を通じて、基板２００からの電流をコイル体６に通電させることができる。
【００３１】
次に、上記インダクタ１の製造方法の一例を説明する。
図５は、製造方法の第１及び第２工程を示す工程図であり、図６は、第３工程を示す工程図であり、図７は、第４工程を示す工程図であり、図８は、第５工程を含む最終工程を示す模式的工程図である。
なお、以下の製造方法は、請求項４の発明に係る製造方法を具体的に実行するものである。
【００３２】
まず、図５に示す第１工程を実行する。
第１工程は、最下位の絶縁層を形成する工程である。
具体的には、図５（ａ）に示すように、大きさ３インチ角のキャリアファイル４の上にガラス等の絶縁ペースト４０′を印刷にて塗布する。そして、図５（ｂ）に示すように、この絶縁ペースト４０′を紫外線Ｖで全面露光することにより、最下位の絶縁層４０を形成する。このように、フォトリソグラフィを用いて、キャリアファイル４上に絶縁層４０を形成することで、０．０４５ｍｍという極薄の絶縁層４０を形成することができる。
以下、図５（ｃ）〜（ｅ），図６及び図７では、キャリアファイル４に絶縁層４０が形成された３インチ角シートの一部分、即ち、１つのインダクタ１が形成される部分についてのみ拡大表示する。
【００３３】
上記第１工程実行後、第２工程を実行する。
第２工程は、絶縁層上に配線パターンを形成する工程である。
図５（ｃ）に示すように、最下位の絶縁層４０の上に感光性電極ペースト５０′を印刷にて塗布し、フォトリソグラフィ法により配線パターン５０を形成する。
具体的には、図５（ｄ）に示すように、配線パターン５０と同形の窓２１０ａを有したマスク２１０を感光性電極ペースト５０′の上方に配し、紫外線Ｖをマスク２１０を介して感光性電極ペースト５０′上に照射する。そして、アルミナ溶液などで現像することで、図５（ｅ）に示すように、約２ターンのスパイラル状の配線パターン５０を得る。
【００３４】
そして、図６に示す第３工程を実行する。
第３工程は、配線パターン上にビアホールを有した絶縁層を形成する工程である。
図６（ａ）に示すように、配線パターン５０上にガラスなどの感光性絶縁ペースト４１′を印刷にて塗布し、フォトリソグラフィ法により絶縁層４１を形成する。
具体的には、図６（ｂ）に示すように、ビアホール４１ａに対応した部位のみを隠すマスク２１０を感光性絶縁ペースト４１′の上方に配し、紫外線Ｖをマスク２１０を介して感光性絶縁ペースト４１′上に照射する。そして、アルミナ溶液などで現像することで、図６（ｃ）に示すように、配線パターン５０の端部５０ｂに対応した部位にビアホール４１ａを有した絶縁層４１を得る。これにより、絶縁層４１のビアホール４１ａが配線パターン５０の端部５０ｂを覗いた状態になる。
【００３５】
次いで、図７に示す第４工程を実行する。
第４の工程は、第２及び第３工程の繰り返した後、最上位の配線パターン上に絶縁層を形成して、配線パターンを保護する工程である。
すなわち、図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、第２工程と同様にして、下位の絶縁層４１（４２，４３）の上に感光性電極ペースト５１′（５２′，５３′）を印刷にて塗布し、配線パターン５１（５２，５３）と同形の窓２１０ａを有したマスク２１０を介して、紫外線Ｖを感光性電極ペースト５１′（５２′，５３′）上に照射する。そして、アルミナ溶液などで現像することで、図７（ｃ）に示すように、一方端部５１ａ（５２ａ，５３ａ）がビアホール４１ａ（４２ａ，４３ａ）を通じて下位の配線パターン５０（５１，５２）と接続した約２ターンのスパイラル状の配線パターン５１（５２，５３）を得る。これと交互して、第３工程と同様に、下位の配線パターン５１（５２）上にガラスなどの感光性絶縁ペースト４２′（４３′）を印刷にて塗布し、ビアホール４２ａ（４３ａ）に対応した部位のみを隠すマスクを介して、紫外線を感光性絶縁ペースト４２′（４３′）上に照射する。そして、アルミナ溶液などで現像することで、配線パターン５１（５２）の端部５１ｂ（５２ｂ）に対応した部位にビアホール４２ａ（４３ａ）を有した絶縁層４２（４３）を得る。かかる第２工程と第３工程との繰り返しにより、図７（ｄ）に示すように、最上位に配線パターン５３を得るので、ガラスなどの絶縁ペーストをこの配線パターン５３上に印刷にて塗布して最上位の絶縁層４４を形成することにより、第４工程を終了する。
【００３６】
以上のように、第２〜第４工程において、フォトリソグラフィ法によりビアホール４１ａ〜４３ａを有した絶縁層４１〜４３を形成するので、ビアホール４１ａ〜４３ａを微細且つ高精度に形成することができる。この結果、配線パターン５０〜５３間を確実に接続することができ、配線パターン５０〜５３間の接続不良は生じない。
なお、外装となる絶縁層４０〜４４を形成するための感光性絶縁ペースト４０′〜４３′に対する紫外線Ｖの露光量は、配線パターン５０〜５３を形成するための感光性電極ペースト５０′〜５３′に対する紫外線Ｖの露光量より大きい方が好ましい。これは、感光性絶縁ペースト４０′〜４３′をできるだけ固めておき、絶縁層４０〜４３が感光性電極ペースト５０′〜５３′の現像の際に溶融することを可能な限り防止するためである。
【００３７】
最後に、図８に示す最終工程を実行する。
上記第１〜第４工程を経て作成されたウエハ２′′を、図８（ａ）に示すように、ダイシングソウ２２０でダイシングして、図８（ｂ）に示すように、縦０．３ｍｍで横０．６ｍｍの大きさのチップ２′に分割する。
そして、図８（ｃ）に示すように、第５工程を実行して、チップ２′からキャリアファイル４を剥離した後、図８（ｄ）に示すように、焼成して、積層体２を作成する。続いて、図８（ｅ）に示すように、積層体２の両端部を銀ペーストにディップした後、焼き付けを行って、端子電極３−１，３−２を形成する。しかる後、図８の（ｆ）に示すように、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｓｎなどをこれらの端子電極３−１，３−２にメッキして、インダクタ１の製造を完了する。
【００３８】
以上のように、この実施例の製造方法では、感光性電極ペースト５０′〜５３′をフォトリソグラフィ法により露光及び現像することで配線パターン５０〜５３を形成するので、印刷ニジミなどがない微細且つ高密度の配線パターン５０〜５３を絶縁層４０〜４３上に形成することができる。したがって、小型で各層の面積が縦０．３ｍｍ×横０．６ｍｍという小さなインダクタにおいても、同一層４０（４１〜４３）に形成する約２ターンのスパイラル状配線パターン５０（５１〜５３）を高精度で形成することができる。
さらに、０．０４５ｍｍという極薄の絶縁層４０を下地とするので、高さが０．３ｍｍという小型のインダクタにおいても、配線パターン５０〜５３の厚さと積層数とを増大させることができる。この結果、高インダクタンス値と低直流抵抗値とを有したインダクタ１が製造される。
【００３９】
例えば、図９及び図１０に示した従来の技術では、面積が約０．６ｍｍ×０．３ｍｍで高さが０．３ｍｍのインダクタを製造する場合に、下地としての０．１５ｍｍ厚のアルミナ基板１００と、０．０４５ｍｍ厚の最上位絶縁層１０２と、０．０２ｍｍ厚の端子電極１０３とが必要となるので、アルミナ基板１００と最上位絶縁層１０２と端子電極１０３とを除いたコイル部の厚みは、僅か０．０８５ｍｍである。
これに対して、この実施例では、基板を使用せず、下地として０．０４５ｍｍ厚の絶縁層４０を用いることができるので、０．０４５ｍｍ厚の最下位及び最上位の絶縁層４０，４４と端子電極３−１（３−２）を除いたコイル部の厚みが０．１９ｍｍとなる。すなわち、コイル部の厚みを従来のインダクタの約２．２倍も確保することができ、その分、配線パターン５０〜５３の厚さと積層数とを増大させることができるので、インダクタ１の高インダクタンス化と低直流抵抗化と図ることができる。
【００４０】
なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記実施例に係る製造方法では、第１工程として、キャリアファイル４の上に絶縁ペースト４０′を印刷にて塗布し、フォトリソグラフィを用いて、キャリアファイル４上に絶縁層４０を形成する方法を例示したが、第１工程としては、最下位の絶縁層を形成する方法であれば任意であり、これに限定されるものではない。したがって、第１工程として、キャリアフィルムに絶縁ペーストを塗布し、硬化させることで絶縁層を形成する方法や、キャリアフィルム付き生絶縁シートで最下位の絶縁層を形成する方法をとっても良い。また、生絶縁シート自体で最下位の絶縁層を形成する方法もとることができ、この場合には、キャリアフィルムを剥離するための第５工程を省くことができる。
【００４１】
また、上記実施例では、配線パターンとして、スパイラル状の配線パターン５０を例示したが、配線パターンの形状はこれに限定されるものではない。
【００４２】
また、上記実施例では、第３工程として、下位の配線パターン５０〜５２上に感光性絶縁ペースト４１′〜４３′を印刷にて塗布し、フォトリソグラフィ法により絶縁層４１〜４３を形成する方法を例示したが、これに限るものではなく、フォトリソグラフィを用いずに、絶縁ペーストを下位の配線パターン上に塗布して、当該配線パターンの一方端部を覗くビアホールを有した絶縁層を形成するいかなる方法をも第３工程として発明の範囲に含まれる。
【００４３】
また、上記実施例では、約２ターンのスパイラル状配線パターン５０〜５３の例について説明したが、上記したように、この発明の製造方法によれば、多ターン化が可能であり、発明者等は実際に最大３．５ターンの配線パターン形成を試作段階で成功している。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】この発明の一実施例に係るインダクタの分解斜視図である。
【図２】コイル体を示すための斜視図である。
【図３】図２の矢視Ａ−Ａ断面図である。
【図４】インダクタの実装を説明するための斜視図である。
【図５】製造方法の第１及び第２工程を示す工程図である。
【図６】第３工程を示す工程図である。
【図７】第４工程を示す工程図である。
【図８】第５工程を含む最終工程を示す模式的工程図である。
【図９】従来例に係るインダクタの斜視図である。
【図１０】従来例に係るインダクタの断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１…インダクタ、  ２…積層体  ３−１，３−２…端子電極、  ４…キャリアファイル、  ６…コイル体、  ４０〜４４…絶縁層、  ４１ａ〜４３ａ…ビアホール、  ５０〜５３…配線パターン、  ５０ａ，５３ｂ…内部電極部、  ５１ａ〜５３ａ，５０ｂ〜５２ｂ…端部、  ４０′，４１′…感光性絶縁ペースト、  ５０′，５１′…感光性電極ペースト。
【図１】
2005109097.tif 000003
【図２】
2005109097.tif 000004
【図３】
2005109097.tif 000005
【図４】
2005109097.tif 000006
【図５】
2005109097.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005109097.tif 000009
【図８】
2005109097.tif 000010
【図９】
2005109097.tif 000011
【図１０】
2005109097.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月27日(2004.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
まず、図５に示す第１工程を実行する。
第１工程は、最下位の絶縁層を形成する工程である。
具体的には、図５（ａ）に示すように、大きさ３インチ角のキャリアフィルム４の上にガラス等の絶縁ペースト４０′を印刷にて塗布する。そして、図５（ｂ）に示すように、この絶縁ペースト４０′を紫外線Ｖで全面露光することにより、最下位の絶縁層４０を形成する。このように、フォトリソグラフィを用いて、キャリアフィルム４上に絶縁層４０を形成することで、０．０４５ｍｍという極薄の絶縁層４０を形成することができる。
以下、図５（ｃ）〜（ｅ），図６及び図７では、キャリアフィルム４に絶縁層４０が形成された３インチ角シートの一部分、即ち、１つのインダクタ１が形成される部分についてのみ拡大表示する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
最後に、図８に示す最終工程を実行する。
上記第１〜第４工程を経て作成されたウエハを、図示しないダイシングソウでダイシングして、縦０．３ｍｍで横０．６ｍｍの大きさのチップ２′に分割する。
そして、図８（ａ）に示すように、第５工程を実行して、チップ２′からキャリアフィルム４を剥離した後、図８（ｂ）に示すように、焼成して、積層体２を作成する。続いて、図８（ｃ）に示すように、積層体２の両端部を銀ペーストにディップした後、焼き付けを行って、端子電極３−１，３−２を形成する。しかる後、図８の（ｄ）に示すように、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｓｎなどをこれらの端子電極３−１，３−２にメッキして、インダクタ１の製造を完了する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記実施例に係る製造方法では、第１工程として、キャリアフィルム４の上に絶縁ペースト４０′を印刷にて塗布し、フォトリソグラフィを用いて、キャリアフィルム４上に絶縁層４０を形成する方法を例示したが、第１工程としては、最下位の絶縁層を形成する方法であれば任意であり、これに限定されるものではない。したがって、第１工程として、キャリアフィルムに絶縁ペーストを塗布し、硬化させることで絶縁層を形成する方法や、キャリアフィルム付き生絶縁シートで最下位の絶縁層を形成する方法をとっても良い。また、生絶縁シート自体で最下位の絶縁層を形成する方法もとることができ、この場合には、キャリアフィルムを剥離するための第５工程を省くことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
１…インダクタ、  ２…積層体  ３−１，３−２…端子電極、  ４…キャリアフィルム、  ６…コイル体、  ４０〜４４…絶縁層、  ４１ａ〜４３ａ…ビアホール、  ５０〜５３…配線パターン、  ５０ａ，５３ｂ…内部電極部、  ５１ａ〜５３ａ，５０ｂ〜５２ｂ…端部、  ４０′，４１′…感光性絶縁ペースト、  ５０′，５１′…感光性電極ペースト。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
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