(57)【要約】【課題】  同一基板上に多数のＴＦＤ素子を形成した場合でも、ＴＦＤ素子に電気的特性のばらつきが発生しない電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器を提供すること。【解決手段】  素子基板２０を多数取りきる元基板２００の状態でＴＦＤ素子の絶縁層を陽極酸化で形成する際、元基板２００の中心から支線部分２５３〜２５８を放射状に延ばして各データ線５２およびそれに接続する第１金属層２２２に給電する。従って、元基板２００の中心領域でのアニール処理によるＴＦＤのＩ／Ｖ値のアップ度合いが小さい場合でも、このような領域に形成されている第１金属層２２２には厚い絶縁層が形成されるので、Ｉ／Ｖ特性がばらつかない。【選択図】    図１０
2005101188.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜ダイオード素子を形成するための多数の金属パターン、および該金属パターンに電気的接続する給電ラインを基板上に形成するパターン形成工程と、電解浴中において前記給電ラインを介して前記金属パターンに給電して当該金属パターン表面に薄膜ダイオード素子の絶縁層を形成する陽極酸化工程と、当該基板を熱処理するアニール工程とを有する電気光学装置用基板の製造方法において、
前記給電ラインは、当該給電ラインに対する給電位置から前記基板の中央領域側に位置する前記金属パターンまでの電気的抵抗が前記給電位置から前記基板の外周側に位置する前記金属パターンまでの電気的抵抗に比較して小さいことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記アニール工程は、前記基板を加熱炉内に配置して行うことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、前記アニール工程は、前記加熱炉内において前記基板を複数枚、対向配置した状態で行うことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記給電ラインは、前記基板の中央領域まで延びる幹線部分と、当該中央領域の前記幹線部分から前記基板の中央領域側に位置する前記金属パターン、および前記基板の外周側に位置する前記金属パターンに向けて延びた支線部分とを備えていることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、前記給電ラインは、前記幹線部分の幅寸法が前記支線部分の幅寸法に比較して広いことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、前記パターン形成工程、前記陽極酸化工程、および前記アニール工程は、前記基板が、前記電気光学装置用基板を多数取りできる大型の元基板の状態で行うことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、前記元基板では、前記電気光学装置用基板として切り出す領域が縦横に配列され、当該電気光学装置用基板として切り出す領域の境界部分に沿って前記給電ラインが形成されていることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに規定する方法で製造されたことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項９】
請求項８に規定する電気光学装置用基板を用いた電気光学装置であって、前記電気光学装置用基板は、マトリクス状に配置された多数の画素の各々に前記薄膜ダイオード素子が画素スイッチング素子として形成された基板であり、
当該電気光学装置用基板に対向配置された別の基板との間に液晶が保持されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項９に規定する電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同一の基板上に薄膜ダイオード素子（以下、ＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）という）が形成された電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、この電気光学装置用基板を用いた電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、ＴＦＤを形成するときの陽極酸化技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部として、液晶装置などといった電気光学装置が広く用いられている。このような液晶装置のうち、画素スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリックス方式の液晶装置では、画素毎に画素スイッチング用の非線形素子としてのＴＦＤ素子、および画素電極が形成された素子基板（電気光学装置用基板）と、対向電極が形成された対向基板との間に液晶を充填しておき、各画素毎に液晶に印加される電界を制御して、液晶の配向を制御し、所定の画像情報を表示するものである（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような液晶装置を製造するにあたって、素子基板を製造する際には、通常、図１２に示すように、単品サイズの素子基板２０を多数取りできる大型の元基板２００の状態で、データ線５２、およびそれに接続する金属層２２２をタンタル膜により形成し、このタンタル膜を陽極酸化することにより、ＴＦＤ素子の絶縁層を形成する。ここで、元基板２００には、その外周側を覆う第１の給電ライン２５０Ａと、この給電ライン２５０Ａから元基板２００に対する切断予定線に沿って縦横に延びて各データ線５２に接続する第２の給電ライン２５７Ａとを形成しておき、第１の給電ライン２５０Ａの上端部分に設定された給電位置２５９Ａに給電用のクリップなどを挟んでそこから給電することにより、陽極酸化を行う。このため、各金属層２２２には、膜厚の等しい絶縁層が形成されることになる。また、陽極酸化を行った後、元基板２００を加熱炉内に配置してアニール処理を行い、絶縁層内の転位や空孔などの欠陥密度を低減する。
【特許文献１】特開平１０−１７３２５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような陽極酸化工程およびアニール工程を経た元基板２００を用いて液晶装置を組み立てた場合、液晶装置毎に、あるいは１つの液晶装置の画素毎に、ＴＦＤ素子のＩ（電流）／Ｖ（電圧）特性が大きくばらつくという問題点がある。
【０００５】
ここに、本願出願人は、このようなばらつきの原因を種々検討した結果、アニ−ル処理の際、元基板２００の中心領域は、外周領域に比較して熱が伝わりにくいので、アニール温度が低く、その結果、元基板２００の中心領域に形成されたＴＦＤ素子は、アニール処理の効果が小さいので、外周側に形成されたＴＦＤ素子と比較してＩ／Ｖ値が大きいという新たな知見を得た。
【０００６】
以上の問題を鑑みて、本発明の課題は、同一基板上に多数のＴＦＤ素子を形成した場合でも、ＴＦＤ素子に電気的特性のばらつきが発生しない電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、この電気光学装置用基板を用いた電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、薄膜ダイオード素子を形成するための多数の金属パターン、および該金属パターンに電気的接続する給電ラインを基板上に形成するパターン形成工程と、電解浴中において前記給電ラインを介して前記金属パターンに給電して当該金属パターン表面に薄膜ダイオード素子の絶縁層を形成する陽極酸化工程と、当該基板を熱処理するアニール工程とを有する電気光学装置用基板の製造方法において、前記給電ラインは、当該給電ラインに対する給電位置から前記基板の中央領域側に位置する前記金属パターンまでの電気的抵抗が前記給電位置から前記基板の外周側に位置する前記金属パターンまでの電気的抵抗に比較して小さいことを特徴とする。
【０００８】
本発明は、前記アニール工程を、前記基板を加熱炉内に配置して行う場合に適用するとより効果的である。また、本発明は、前記アニール工程を、前記加熱炉内において前記基板を複数枚、対向配置した状態で行う場合に適用すると効果的である。このような方法でアニール処理を行うと、基板の中心領域と外周領域との温度差がかなり大きいが、本発明によれば、そのようなばらつきを絶縁層の厚さで効果的に吸収することができる。
【０００９】
本発明において、前記給電ラインは、例えば、前記基板の中央領域まで延びる幹線部分と、当該中央領域から前記基板の中央領域側に位置する前記金属パターン、および前記基板の外周側に位置する前記金属パターンに向けて延びた支線部分とを備えている。このように構成すると、基板の中央領域側に位置する金属パターンまでの電気的抵抗が小さく、基板の外周側に位置する金属パターンまでの電気的抵抗を大きくすることができる。
【００１０】
本発明において、前記給電ラインは、前記幹線部分の幅寸法が前記支線部分の幅寸法に比較して広いことが好ましい。このように構成すると、基板の中央領域側に位置する金属パターンまでの電気的抵抗と、基板の外周側に位置する金属パターンまでの電気的抵抗の差を拡大することができる。
【００１１】
本発明は、前記パターン形成工程、前記陽極酸化工程、および前記アニール工程は、前記基板が、前記電気光学装置用基板を多数取りできる大型の元基板の状態で行う場合に適用すると効果的である。すなわち、基板が大きいほど、アニール工程において、基板の中心領域と外周領域との温度差が大きいが、本発明によれば、そのようなばらつきを絶縁層の厚さで効果的に吸収することができる。
【００１２】
本発明において、前記元基板では、前記電気光学装置用基板として切り出す領域が縦横に配列され、当該電気光学装置用基板として切り出す領域の境界部分に沿って前記給電ラインが形成されていることが好ましい。
【００１３】
本発明を適用して得た電気光学装置用基板は、例えば、電気光学装置に用いられる。この場合、前記電気光学装置用基板は、マトリクス状に配置された多数の画素の各々に前記薄膜ダイオード素子が画素スイッチング素子として形成された基板として形成され、当該電気光学装置用基板に対向配置された別の基板との間に液晶が保持される。
【００１４】
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。
【発明の効果】
【００１５】
陽極酸化工程およびアニール工程を経て同一基板上に複数のＴＦＤ素子を形成した場合、基板の中心領域へは熱が伝わりにくいので、アニール処理の効果が小さく、その結果、基板の中心領域に形成されたＴＦＤ素子は、Ｉ／Ｖ値が大きくなる傾向にある。このような傾向に合わせて、本発明では、給電ラインに対する給電位置から基板の中央領域側に位置する金属パターンまでの電気的抵抗が給電位置から基板の外周側に位置する金属パターンまでの電気的抵抗に比較して小さくしてあるため、基板の中央領域に形成されたＴＦＤ素子は絶縁層が厚い。従って、基板内における絶縁層の厚さ分布と、アニール工程での温度分布が互いに相殺しあう結果、基板の中央領域に形成されたＴＦＤ素子と、基板の外周領域に形成されたＴＦＤ素子では、Ｉ／Ｖ特性が同等となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下に実施形態を説明するにあたっては、各種の電気光学装置用基板のうち、画素スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置に用いられる素子基板を例に説明する。
【００１７】
［電気光学装置の全体構成］
図１は、本発明が適用される電気光学装置（液晶装置）の電気的構成を示すブロック図である。図２および図３はそれぞれ、電気光学装置の構成を示す斜視図、および断面図である。
【００１８】
図１に示すように、本形態の電気光学装置１００では、複数本の走査線５１行（Ｘ）方向に延在して形成され、また、複数本のデータ線５２が列（Ｙ）方向に延在して形成されている。また、走査線５１とデータ線５２との各交差点に対応する位置に画素５３が形成され、これら画素５３は、マトリクス状に配置されている。各画素５３では、液晶層５４と二端子型アクティブ素子たるＴＦＤ素子５６とが直列接続しており、図１に示す例では、液晶層５４が走査線５１の側に、ＴＦＤ素子５６がデータ線５２の側にそれぞれ接続されている。なお、液晶層５４がデータ線５２の側に、ＴＦＤ素子５６が走査線５１の側にそれぞれ接続されることもある。また、各走査線５１は、走査線駆動回路５７によって駆動される一方、各データ線５２は、データ線駆動回路５８によって駆動される構成となっている。
【００１９】
このような電気光学装置１００は、例えば、図２に示すように構成される。ここで、対向配置された一対の基板のうち、一方の基板は、前記のＴＦＤ素子や画素電極が形成される素子基板２０（電気光学装置基板）であり、他方の基板は、対向基板３０である。
【００２０】
これらの基板のうち、素子基板２０の内側表面には、図３に示すように、複数本のデータ線５２と、それらのデータ線５２に接続される複数のＴＦＤ素子５６と、それらのＴＦＤ素子５６と１対１に接続される画素電極２３とが形成されている。データ線５２は、図３において紙面に対して垂直方向に延在して形成される一方、ＴＦＤ素子５６および画素電極２３は、ドットマトリクス状に配列している。そして、画素電極２３などの表面には、一軸配向処理、例えばラビング処理が施された配向膜２４が形成されている。
【００２１】
一方、対向基板３０の内側表面には、カラーフィルタ３８が形成されており、「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」の３色の着色層を構成している。なお、これら３色の着色層の隙間には、ブラックマトリクス３９が形成されて、着色層の隙間からの入射光を遮蔽する構成となっている。カラーフィルタ３８およびブラックマトリクス３９の表面にはオーバーコート層３７が形成され、さらにその表面には、走査線５１として機能する対向電極３１が、データ線５２と直交する方向に形成されている。なお、オーバーコート層３７は、カラーフィルタ３８およびブラックマトリクス３９の平滑性を高めて、対向電極３１の断線を防止する目的などのために設けられる。さらに、対向電極３１の表面には、ラビング処理が施された配向膜３４が形成されている。なお、配向膜２４、３４は、一般にポリイミド等から形成される。
【００２２】
素子基板２０と対向基板３０とは、スペーサ（図示省略）を含むシール材１０４によって一定の間隙を保って接合され、この間隙に、液晶１０５が封入された構成となっている。また、素子基板２０の外側表面には、配向膜２４へのラビング方向に対応した光軸を有する偏光板２１７が貼着され、対向基板３０の外側表面には、配向膜３４へのラビング方向に対応した光軸を有する偏光板３１７が貼着されている。
【００２３】
なお、本形態の電気光学装置１００は、図２に示すように、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）技術が適用されて、素子基板２０の表面に直接、液晶駆動用ＩＣチップ２６０が実装されている。この結果、液晶駆動用ＩＣチップ２６０の各出力端子が、データ線５２のそれぞれに接続されている。同様に、対向基板３０の表面にも直接、液晶駆動用ＩＣチップ３５０が実装されて、液晶駆動用ＩＣチップ３５０の各出力端子が、走査線５１たる対向電極３１のそれぞれに接続されている。
【００２４】
なお、ＣＯＧ技術に限られず、それ以外の技術を用いて、ＩＣチップと液晶装置とが接続された構成としても良い。例えば、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を用いて、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）の上にＩＣチップがボンディングされたＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）を電気光学装置に電気的に接続する構成としても良い。また、ＩＣチップをハード基板にボンディングするＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）技術を用いても良い。
【００２５】
［画素の構成］
図４は、電気光学装置において、ＴＦＤ素子を含む数画素分のレイアウトを示す平面図であり、図５は、各画素に形成されたＴＦＤ素子の説明図である。
【００２６】
図４および図５において、ＴＦＤ素子５６は、第１のＴＦＤ素子５６ａおよび第２のＴＦＤ素子５６ｂからなり、素子基板２０の表面に形成された下地層２０１上において、第１金属膜２２２と、この第１金属膜２２２の表面に陽極酸化によって形成された酸化膜からなる絶縁層２２４と、この表面に形成されて相互に離間した第２金属膜２２６ａ、２２６ｂとから構成されている。また、第２金属膜２２６ａは、そのままデータ線５２となる一方、第２金属膜２２６ｂは、画素電極２３に接続されている。なお、データ線５２は、第１金属膜２２２と同時形成された第１金属層２２３を有している。
【００２７】
下地層２０１は、例えば、厚さが５０〜２００ｎｍ程度の酸化レンタル（Ｔａ２Ｏ５）によって構成されている。第１金属層２２２は、例えば、厚さが１００〜５００ｎｍ程度タンタル単体膜、タンタル合金膜等によって形成され、絶縁層２２４は、陽極酸化法によって第１金属層２２２の表面を酸化することによって形成された厚さが１０〜３５ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）である。第２金属層２２６ａ、２２６ｂは、例えばクロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって５０〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されている。
【００２８】
ここで、第１のＴＦＤ素子５６ａは、データ線５２の側からみると順番に、第２金属膜２２６ａ／絶縁層２２４／第１金属膜２２２となって、金属（導電体）／絶縁体／金属（導電体）のサンドイッチ構造を採るため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を有することになる。一方、第２のＴＦＤ素子５６ｂは、データ線５２の側からみると順番に、第１金属膜２２２／絶縁層２２４／第２金属膜２２６ｂとなって、第１のＴＦＤ素子５６ａとは、反対のダイオードスイッチング特性を有することになる。従って、ＴＦＤ素子５６は、２つのダイオードを互いに逆向きに直列接続した形となっているため、１つのダイオードを用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化されることになる。なお、このように非線形特性を厳密に対称化する必要がないのであれば、１つのＴＦＤ素子のみを用いても良い。
【００２９】
画素電極２３は、透過型として用いられる場合には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの導電性の透明膜から形成される一方、反射型として用いられる場合には、アルミニウムや銀などの反射率の大きな反射性金属膜から形成される。なお、画素電極２３は、反射型であってもＩＴＯなどの透明性金属から形成される場合もある。この場合には、反射層としての反射性金属が形成された後、絶縁層を介して透明な画素電極２３が形成される。一方、半透過反射型として用いられる場合には、反射層を極く薄く形成して半透過反射膜とするか、あるいは、スリットが設けられる構成となる。素子基板２０自体は、例えば、石英やガラスなどの絶縁性を有するものが用いられる。なお、透過型として用いる場合には、透明であることも素子基板２０の要件となるが、反射型として用いる場合には、透明であることが要件にならない。また、図５において、素子基板２０の表面に下地層２０１が設けられる理由は、熱処理により、第１金属膜２２２、２２３が下地から剥離しないようにするとともに、第１金属膜２２２、２２３に不純物が拡散しないようにするためである。したがって、これが問題とならない場合には、下地層２０１は省略可能である。
【００３０】
［電気光学装置の製造方法］
図６は、本形態の電気光学装置１００の製造方法の一例を示す工程図である。図７は、電気光学装置を構成する１対の基板を製造するのに用いた元基板を模式的に示す斜視図である。図８は、素子基板形成工程を示す工程断面図である。図９（Ａ）、（Ｂ）は、絶縁層形成工程、およびアニール工程の説明図である。
【００３１】
本形態において、電気光学装置１００を製造するにあたっては、図６に示す能動素子形成工程Ｐ１〜シール材印刷工程Ｐ５からなる素子基板形成工程と、カラーフィルタ形成工程Ｐ６〜ラビング処理工程Ｐ１０からなる対向基板形成工程とは別々に行われる。また、これらの工程は、素子基板２０および対向基板３０を多数取りできる大型の元基板の状態で行われる。
【００３２】
素子基板形成工程（能動素子形成工程Ｐ１〜シール材印刷工程Ｐ５）においては、図７に示すような大面積の元基板２００を準備する。この元基板２００は、例えば、ガラス等といった透光性材料によって形成されている。ここで、元基板２００は、後々、一点鎖線で示す仮想の１次切断予定線Ｌ１１、および二点鎖線で示す仮想の二次切断予定線Ｌ１２に沿って切断されて素子基板２０が複数個取りされ、その周辺領域２０９は、廃棄される。
【００３３】
本形態では、元基板２００に対して、まず、能動素子形成工程Ｐ１を行うことにより、電気光学装置複数個分のデータ線５２およびＴＦＤ素子５６を形成する。図７では、便宜上、元基板２００から素子基板２０を８枚分、形成する様子を示してあるが、実際の工程では、より多数の素子基板２０が元基板２００から製造される。
【００３４】
まず、能動素子形成工程Ｐ１は、例えば、図８に示す下地層形成工程（ａ）において、元基板２００の表面にタンタル酸化物、例えば、Ｔａ2Ｏ5を一様な厚さに成膜して下地層２０１を形成する。
【００３５】
次に、第１金属層形成工程（ｂ）において、例えば、Ｔａをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらにフォトリソグラフィ技術を用いてデータ線５２の第１金属層２２３、およびＴＦＤ素子５６の第１金属層２２２を同時に形成する。このとき、データ線５２の第１層と第１金属層２２２とはブリッジ部（図示せず）で繋がっている。また、この工程で、後述する給電パターンも形成する。
【００３６】
次に、絶縁層形成工程（ｃ）においては、図９（Ａ）に示すように、複数枚の元基板２００を電解槽４１０内で電解液に浸漬した状態で、クリップ４２０などを介して元基板２００に給電し、陽極酸化を行う。その際、データ線５２の第１金属層２２３を介して第１金属層２２２に給電され、それらの表面には、絶縁層２２４として作用する陽極酸化膜が形成される。
【００３７】
次に、アニール工程（ｄ）においては、図９（Ｂ）に示すように、複数枚の元基板２００を加熱炉４３０内に対向配置し、加熱する。その結果、絶縁層２２４内の転位や空孔などの欠陥密度が低減されるので、ＴＦＤ素子５６のＩ／Ｖ値を高くすることができる。このようなアニール処理は、例えば、窒素雰囲気下において、例えば４００℃で行われる。
【００３８】
次に、第２金属層形成工程（ｅ）において、Ｃｒをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、データ線５２の最上層、第１ＴＦＤ素子５６ａの第２金属層２２６ａ、および第２ＴＦＤ素子５６ｂの第２金属層２２６ｂを形成する。以上により、能動素子であるＴＦＤ素子５６が元基板２００の表面に素子基板２０の枚数分だけ形成される。
【００３９】
次に、ブリッジ部除去及び下地層除去工程（ｆ）においては、例えば、ドライエッチングによりブリッジ部を元基板２００から除去する。これにより、第１ＴＦＤ素子５６ａおよび第２ＴＦＤ素子５６ｂの第１金属層２２２および絶縁層２２４が、データ線５２から島状に分断される。なお、この工程では、ブリッジ部の他に、後述する給電パターンのうち、元基板２００を切断予定線Ｌ１１、Ｌ１２に沿って切断した際に各素子基板２０に残ってしまう不要な部分についても除去する。また、画素電極２３に相当する領域の下地層２０１除去して元基板２００を露出させる。
【００４０】
次に、図６の画素電極形成工程Ｐ２が行われる。具体的には、電極形成工程（ｇ）において、画素電極２３を形成するためのＩＴＯをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらに、フォトリソグラフィ技術により、１画素分の大きさに相当する所定形状の画素電極２３をその一部が第２金属層２２６ｂに重なるように形成する。これらの一連の工程により、図４および図５に示すＴＦＤ素子５６および画素電極２３が形成される。
【００４１】
しかる後には、図６の配向膜工程Ｐ３において、元基板２００の表面にポリイミド、ポリビニルアルコール等を一様な厚さに形成することによって配向膜２４を形成した後、ラビング処理工程Ｐ４において、配向膜２４に対してラビング処理その他の配向処理を行う。
【００４２】
次に、シール材印刷工程Ｐ５において、図２に示すように、ディスペンサーやスクリーン印刷等によってシール材１０４を環状に塗布する。なお、シール材１０４の一部分には、液晶注入口（図示せず）を形成しておく。
【００４３】
以上の素子基板形成工程とは別に、対向基板形成工程（カラーフィルタ形成工程Ｐ６〜ラビング処理工程Ｐ１０）を行う。それには、まず、図７において、例えば、ガラス基板等といった透光性材料によって形成された大面積の大型基板３００を用意した後、カラーフィルタ形成工程Ｐ６において、元基板３００の表面上に対向基板３０の枚数分、ブラックマトリクス３９、およびカラーフィルタ３８を形成する。
【００４４】
この元基板３００は、後々、一点鎖線で示す仮想の１次切断予定線Ｌ２１、および二点鎖線で示す仮想の二次切断予定線Ｌ２２に沿って切断されて対向基板３０が複数個取りされる。なお、図７では、便宜上、対向基板３０、８枚分が表されているが、実際の工程では、より多数の対向基板３０が形成される。ここで、カラー表示が必要でない場合には、カラーフィルタ３８を形成する必要はない。
【００４５】
次に、平坦化層形成工程Ｐ７において、カラーフィルタ３８の上に平坦化層３７を一様な厚さに形成して表面を平坦化する。
【００４６】
次に、対向電極形成工程Ｐ８において、ＩＴＯ膜等によりストライプ状の対向電極３１、すなわち、走査線５１を形成する。
【００４７】
次に、配向膜形成工程Ｐ９において、走査線５１等の上にポリイミド等によって一様な厚さの配向膜３４を形成した後、ラビング処理工程Ｐ１０において、配向膜３４に対してラビング処理等といった配向処理を施す。これにより対向基板側の元基板３００が完成する。
【００４８】
その後、素子基板形成用の元基板２００と対向基板形成用の元基板３００とを位置合わせした上でシール材１０４を間に挟んで、元基板２００、３００同士を貼り合わせ（貼り合わせ工程Ｐ１１）、さらに紫外線硬化その他の方法でシール材１０４を硬化させる（シール材硬化工程Ｐ１２）。これにより、液晶装置複数個分を含んでいる空のパネル構造体が形成される。その後、空のパネル構造体に対して、図７を参照して説明した第１の切断予定線Ｌ１１、Ｌ２１に沿って切断溝を形成し、さらに切断溝を基準にパネル構造体を短冊状のパネル構造体に切断する（１次切断工程Ｐ１３）。この短冊状のパネル構造体において、元基板２００、３００に対する切断個所では、シール材１０４の途切れ部分からなる液晶注入口が外部に開口しているので、露出した液晶注入口からパネル構造体の内側に液晶を減圧注入した後（液晶注入工程Ｐ１４）、各液晶注入口に対して樹脂等の封止材を塗布して、各液晶注入口を封止する（注入口封止工程Ｐ１５）。なお、この工程により、パネル構造体に液晶が付着するので、液晶を注入し終えたパネル構造体は洗浄処理を受ける（洗浄工程Ｐ１６）。その後、パネル構造体に対しては、図７を参照して説明した第２の切断予定線Ｌ１２、Ｌ２２に沿って切断溝を形成した後、この切断溝に沿って短冊状のパネル構造体において元基板２００、３００を切断することにより、複数個の電気光学装置１００が切り出される（２次切断工程Ｐ１７）。しかる後に、電気光学装置１００に液晶駆動用ＩＣチップ２６０、３５０などを実装し、電気光学装置１００が完成する（実装工程Ｐ１８）。
【００４９】
（絶縁層形成工程の詳細説明）
図１０は、本発明を適用した電気光学装置の各製造工程のうち、絶縁層形成工程を行う際、元基板に形成されている給電ラインの説明図である。
【００５０】
本形態では、電気光学装置１００を製造するにあたって、元基板２００に対しては、第１金属層形成工程（ｂ）において、図９（Ａ）に示すように、Ｔａ膜などによって、データ線５２の第１金属層２２３、およびＴＦＤ素子５６の第１金属層２２２を形成する際、元基板２００の外周縁に沿って、幅広の給電ライン２５０を形成する。ここで、給電ライン２５０の上辺部には、図９（Ａ）に示すクリップ４２０が接続される給電位置２５９が設定される。
【００５１】
また、データ線５２の第１金属層２２３に接続する各第１金属層２２２に給電するために、本形態では、給電ライン２５０の上辺部から、中央の切断予定線Ｌ１２に沿って幅広の幹線部分２５１（給電ライン）を下方の延びるように形成する。ここで、幹線部分２５１の先端部２５２は、元基板２００の中央領域に届いている。
【００５２】
そして、幹線部分２５１の先端部２５２からは、幹線部分２５１よりも幅の狭い第１の支線部分２５３（給電ライン）を切断予定線Ｌ１２に沿ってさらに下方に延ばし、その下端部からは、第１の切断予定線Ｌ１１に沿って第２の支線部分２５４（給電ライン）を横方向に延ばす。その結果、第２の支線部分２５４は、元基板２００の最下段から切り出される素子基板２０の各データ線５２に接続する。
【００５３】
また、幹線部分２５１の先端部２５２からは、第１の切断予定線Ｌ１１に沿って第３の支線部分２５５（給電ライン）を横方向に延ばす。その結果、第３の支線部分２５５は、元基板２００の下から２段目から切り出される素子基板２０の各データ線５２に接続する。
【００５４】
さらに、幹線部分２５１の先端部２５２からは、第１の切断予定線Ｌ１１および幹線部分２５１に沿うように上方に向かって第４の支線部分２５６（給電ライン）を延ばす。そして、第４の支線部分２５６の途中位置から、第１の切断予定線Ｌ１１に沿って第５の支線部分２５７（給電ライン）を横方向に延ばす。その結果、第５の支線部分２５７は、元基板２００の上から２段目から切り出される素子基板２０の各データ線５２に接続する。
【００５５】
さらに、第４の支線部分２５６の上端部から、第１の切断予定線Ｌ１１に沿って第６の支線部分２５８（給電ライン）を横方向に延ばす。その結果、第６の支線部分２５８は、元基板２００の最上段から切り出される素子基板２０の各データ線５２に接続する。
【００５６】
その結果、各支線部分２５３〜２５８は、元基板２００の中心から放射状に延びた状態にある。このため、給電位置２５９からみたとき、元基板２００の外周側に位置する第１金属層２２２ほど給電経路の電気的抵抗が大きく、元基板２００の中央に位置する第１金属層２２２ほど給電経路の電気的抵抗が小さい。従って、図９（Ａ）に示すように陽極酸化を行うと、元基板２００の外周側に位置する第１金属層２２２ほど給電経路の電気的抵抗が大きいので、表面に形成される絶縁層２２４が薄く、元基板２００の中央に位置する第１金属層２２２ほど給電経路の電気的抵抗が小さいので、表面に形成される絶縁層２２４が厚いことになる。
【００５７】
このため、アニール工程（ｄ）においては、図９（Ｂ）に示すように、元基板２００を複数枚、一定間隔で平行に並べた状態で加熱炉４３０内でアニール処理を行った際、元基板２００の中心領域への熱の伝わりが低く、この中央領域でのアニール温度が低くてアニール処理によるＴＦＤ５６のＩ／Ｖ値のアップ度合いが小さい場合でも、このような領域に形成されている第１金属層２２２には厚い絶縁層２２４が形成されている。これに対して、元基板２００の外周側に位置する第１金属層２２２の表面には、薄い絶縁層２２４が形成されることになるが、このような領域では、アニール処理によるＩ／Ｖ値のアップ度合いが大きい。従って、本形態によれば、元基板２００内における絶縁層２２４の厚さ分布と、アニール工程での温度分布が互いに相殺しあう結果、元基板２００の中央領域に形成されたＴＦＤ素子５６と、元基板２００の外周領域に形成されたＴＦＤ素子５６では、Ｉ／Ｖ特性が同等となる。元基板２００のいずれの位置から切り出した素子基板２０を用いても、安定性した特性の電気光学装置１００を製造することができる。また、１枚の素子基板２０内においても、各ＴＦＤ素子５６のＩ／Ｖ特性にばらつきがない。
【００５８】
（電子機器の実施形態）
図１１は、本発明に係る電気光学装置が搭載される電子機器の一例を示す携帯電話機の説明図である。
【００５９】
図１１に示すように、携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、本発明を適用した電気光学装置１を有している。
【００６０】
なお、本形態の電気光学装置は、携帯電話機の他、モバイル型のパーソナルコンピュータなどに用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
陽極酸化工程およびアニール工程を経て同一基板上に複数のＴＦＤ素子を形成した場合、基板の中心領域へは熱が伝わりにくいので、アニール温度が低く、その結果、基板の中心領域に形成されたＴＦＤ素子は、Ｉ／Ｖ値が大きくなる傾向にあるが、このような傾向に合わせて、本発明では、給電ラインに対する給電位置から基板の中央領域側に位置する金属パターンまでの電気的抵抗が給電位置から基板の外周側に位置する金属パターンまでの電気的抵抗に比較して小さいため、基板の中央領域に形成されたＴＦＤ素子では、絶縁層が厚い。従って、基板内における絶縁層の厚さ分布と、アニール工程での温度分布が互いに相殺しあう結果、基板の中央領域に形成されたＴＦＤ素子と、基板の外周領域に形成されたＴＦＤ素子では、Ｉ／Ｖ特性が同等となる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明が適用される電気光学装置（液晶装置）の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】電気光学装置の構成を示す斜視図である。
【図３】電気光学装置の構成を示す断面図である。
【図４】電気光学装置において、ＴＦＤ素子を含む数画素分のレイアウトを示す平面図である。
【図５】電気光学装置において、各画素に形成されたＴＦＤ素子の説明図である。
【図６】本発明を適用した電気光学装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図７】本発明を適用した電気光学装置を構成する１対の基板を製造するのに用いた元基板を模式的に示す斜視図である。
【図８】本発明を適用した電気光学装置の製造工程のうち、素子基板形成工程を示す工程断面図である。
【図９】本発明を適用した電気光学装置の製造工程のうち、絶縁層形成工程、およびアニール工程の説明図である。
【図１０】本発明を適用した電気光学装置の各製造工程のうち、絶縁層形成工程を行う際、元基板に形成されている給電ラインの説明図である。
【図１１】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
【図１２】従来の電気光学装置の各製造工程のうち、絶縁層形成工程を行う際、元基板に形成されている給電ラインの説明図である。
【符号の説明】
【００６３】
１  電気光学装置、２０  素子基板（電気光学装置用基板）、２３  画素電極、３０  対向基板、５１  走査線、５２  データ線、５３  画素、５６、５６ａ、５６ｂ  ＴＦＤ素子、２２２、２２３  第１金属膜、２２４  絶縁層、２２６ａ．２２６ｂ  第２金属膜
２５１  幹線部分（給電ライン）、２５３〜２５８  支線部分（給電ライン）、２５９  給電位置、Ｌ１１、Ｌ２１  １次切断予定線、Ｌ１２、Ｌ２２  ２次切断予定線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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