(57)【要約】  【課題】  エッジショット露光時間とロボットアームの操作を調整してスループットを向上させる露光方法等を提供する。  【解決手段】  ロボットアームＲＡ１又はＲＡ２によるウェハ搬送動作をエッジショットと並行して行う。この露光作業のスループットを最大となるように、これらの搬送動作とエッジショットのタイミングを調整する。ノーマルショット及びエッジショットに要する時間、及び、搬送動作の所要時間をパラメータとして、エッジショット中に搬送動作を行う際のスループットが最大となる露光動作（ショットの順番や所要時間等）を求める。【選択図】  図１
2005136284.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感応基板上の複数箇所の単位露光領域に荷電粒子線を選択的に照射して各々の露光領域にデバイスパターンを形成する露光方法であって、
前記単位露光領域は、前記デバイスパターン全体を形成するノーマルショット領域と、前記デバイスパターンの一部のみを形成するエッジショット領域と、が存在し、
前記感応基板又はパターン原版の搬送装置の動作を、非露光時又は前記エッジショット領域の露光時に行うことを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記搬送装置のロボットアームを、所定位置に毎回戻すことを特徴とする請求項１記載の露光方法。
【請求項３】
前記エッジショット領域を複数続けて露光し、その間に前記感応基板又はパターン原版の搬送装置の動作を行うことを特徴とする請求項１又は２記載の露光方法。
【請求項４】
前記エッジショット領域の露光時間を、ステージ移動の折り返しに要する時間を調整するか、又は、待機時間を設けて長くすることを特徴とする請求項１〜３記載の露光方法。
【請求項５】
感応基板上の複数箇所の単位露光領域に荷電粒子線を選択的に照射して各々の露光領域にデバイスパターンを形成する露光装置であって、
前記単位露光領域は、前記デバイスパターン全体を形成するノーマルショット領域と、前記デバイスパターンの一部のみを形成するエッジショット領域と、が存在し、
前記感応基板又はパターン原版の搬送装置を備え、
前記搬送装置の動作を非露光時又は前記エッジショット領域の露光時に行うことを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路等のリソグラフィに用いられる露光方法及び露光装置に関する。特には、露光中にレチクルやウェハを搬送する装置等を動作させる際に発生する磁場が、露光作業に影響を与えることを防止し、スループットを高めた露光方法及び露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の微細化・高集積化に伴い、長年、微細なパターンを形成する手段の主流であった、光を用いたフォトリソグラフィ技術に代わって、電子線やイオンビームのような荷電粒子線やＸ線を利用する新しい露光方式が検討され、実用化されつつある。これらのうち、電子線を利用してパターンを形成する電子線縮小投影露光方法（ＥＰＬ、Electron Beam Projection Lithography）は、高いスループットを達成し得るものであり、メモリ増産にも対応できるため、特に注目されている。
【０００３】
電子線露光においては、所望のパターンを拡大したパターンをレチクルパターン（原版パターン）として、このレチクルパターンを感応基板（ウェハ）上に電子線で縮小投影露光し、ウェハ上にデバイスパターンを形成する。
【０００４】
ところで、半導体の製造を行う施設では、磁気ノイズを低減することが必要不可欠である。これは、上述のように、半導体製造施設においては、電子ビームやイオンビーム（荷電粒子線と総称する）を用いてウェハのパターニングやデバイスの観察を行っているので、外部環境磁場の変動や、装置の外部にある磁場の発生源等に起因する外乱磁場によって、荷電粒子線の軌道が曲げられてしまい、ウェハ上に形成されるパターンや、デバイスの観察像に歪みが生じる場合があるためである。
【０００５】
一般に、荷電粒子線を用いてウェハのパターニングやデバイスの観察を行う装置には、ウェハやレチクル等をローダから装置に搬入するためのロボットが付属している。このようなロボットは、装置のスループットを向上させるために、荷電粒子線を用いた作業を行っている最中にも、動作させることが望ましい。
【０００６】
しかし、このようなロボットからも荷電粒子線の軌道を曲げる原因となる外乱磁場が発生する。ロボットから外乱磁場が発生する主な要因としては、以下の３点が挙げられる。
（１）  ロボットのモータ等に含まれているマグネット（永久磁石）からのＤＣ外乱。
（２）  ロボットに電力を供給することにより生じるＤＣ外乱及びＡＣ外乱。
（３）  ロボットを駆動させたときに生じるＤＣ外乱及びＡＣ外乱。
ここで、ＤＣ外乱とは、時間的に緩やかに変動する外乱磁場のことであり、ＡＣ外乱とは、概ね数ヘルツ以上の周波数で変動する、時間的変動が比較的激しい外乱磁場のことである。
【０００７】
上述のような外乱磁場のうち、特にロボットを駆動させたときに発生する外乱磁場（上述の（２）及び（３））については、モータに通電した際の電磁石から生じる外乱磁場（２）よりも、ロボットアームの駆動によって生じる外乱磁場（３）の影響の方が大きいことが最近の測定で判明してきている。
【０００８】
これは、以下のような理由によると考えられる。一般に、半導体製造装置のウェハやレチクルの搬送に用いられるロボットには、アームの部材やボールネジ、ベアリング等にステンレス鋼等のような多くの磁性材料が使われているため、これらの磁性材料の動きに伴って、装置の光軸上の磁場分布に変動が生じる。特に、ロボットアーム自体に磁性材料が用いられている場合には、レチクルやウェハの搬送動作を行った際に、ロボットアームが光軸中心に向かって近づく動作をするため、ローダ本体と光軸中心までの距離に関わりなく、ロボットアームの動きに起因する外乱磁場の影響を受けてしまう。一方、ロボットのモータと投影光学系との光軸中心の距離はほぼ一定であり、ロボットのモータに通電したときに生じる磁場の強さは距離の３乗に反比例する。したがって、ロボットアームの動作に伴う外乱磁場（３）の影響の方が、モータ通電時に生じる外乱磁場（２）の影響より大きくなっていると考えられる。
【０００９】
次に、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）装置について説明する。ＣＭＰは、ウェハの表面を平坦化する方法の一つである。ＣＭＰのようなウェハ表面を平坦化する技術は、近年の半導体デバイスの微細化に伴う配線の多層化によって重要視されてきている。多層化された配線においては、下層の形状の影響によって上層に段差が生じる。この段差が露光装置の焦点深度より大きいと、パターンの形成不良が生じる。このような段差に起因したパターンの不良による歩留まりの低下は、デバイス加工技術が線幅０．５μｍレベルに達したあたりから問題とされており、１９９０年代半ばからＣＭＰ装置が本格的に量産ラインに導入されるようになった。
【００１０】
次に、エッジショットについて説明する。通常、一枚のウェハ上には、複数の半導体チップが露光転写される。これらのチップのうち、ビームが照射（ショット）される領域がウェハ上に収まっているものをノーマルショット領域という。これに対して、ウェハの外周付近にあって、ショットの一部がウェハ外にはみ出している（このようなショットを「カケがある」という）ものをエッジショット領域という。
【００１１】
このようなエッジショット領域は、製品としての機能を果たさないが、エッジショット領域を設けなかった場合、つまり、ウェハの外周付近を露光しなかった場合、ウェハの外周付近の露光されていない部分とノーマルショット領域との間に大きな段差が生じてしまう。このため、特に、ＣＭＰ処理を行った際に、チップの外周付近で欠陥が生じやすいとデバイスメーカーから指摘されている。更に、エッジショット領域を設けなかった場合、エッチング等の後のプロセスの条件を変えなければならなくなる場合もある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述のように、電子ビームやイオンビームを用いた半導体製造装置についてまとめると次のようになる。
（イ）  スループットを高めるために、露光作業中にロボットアームを動作させると、ロボットアームに用いられている磁性材料の影響で、パターニングの精度が劣化する。
（ロ）  ウェハ上のエッジショット領域は、製品として用いることはないので、パターニングの精度を要しない。したがって、エッジショット時には、外乱磁場があってもかまわないので、ロボットアームを作動可能である。
（ハ）  ウェハ上のエッジショット領域はＣＭＰ等の処理等のために必要である。
上記の点に鑑み、本発明は、エッジショット露光時間とロボットアームの操作を調整してスループットを向上させる露光方法等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の露光方法は、感応基板上の複数箇所の単位露光領域に荷電粒子線を選択的に照射して各々の露光領域にデバイスパターンを形成する露光方法であって、前記単位露光領域は、前記デバイスパターン全体を形成するノーマルショット領域と、前記デバイスパターンの一部のみを形成するエッジショット領域と、が存在し、  前記感応基板又はパターン原版の搬送装置を備え、前記搬送装置の動作を、非露光時又は前記エッジショット領域の露光時に行うことを特徴とする。
【００１４】
ここで、搬送装置の動作とは、ロボットアームやゲートバルブを動作させることをいう。また、非露光時とは、感応基板に荷電粒子線を当てていない時や、荷電粒子線の校正、感応基板やパターン原版のアライメントの時間等をいう。
【００１５】
本発明によれば、ノーマルショット時に搬送装置を動作させないので、ロボットアームの稼動に伴う磁場の変動がない。したがって、荷電粒子線束（ビーム）が外乱磁場の影響で乱れることがないので、高精度なパターン形成を行うことができる。また、露光作業と並行してウェハ等の搬送動作を行うことができるので、スループットを高めることができる。
【００１６】
上記の露光方法においては、前記搬送装置のロボットアームを、所定位置に毎回戻すことが好ましい。
ノーマルショット時にロボットアームを常に同じ位置に待機させることにより、ロボットアームに起因する外乱磁場（上記の（１））を一様な状態に保つことができ、露光作業への影響を抑えることができる。
【００１７】
上記の露光方法においては、前記エッジショット領域を複数続けて露光し、その間に前記感応基板又はパターン原版の搬送装置の動作を行ってもよい。
【００１８】
上記の露光方法においては、前記エッジショット領域の露光時間を、ステージ移動の折り返しに要する時間を調整するか、又は、待機時間を設けて長くしてもよい。
【００１９】
本発明の露光装置は、感応基板上の複数箇所の単位露光領域に荷電粒子線を選択的に照射して各々の露光領域にデバイスパターンを形成する露光装置であって、前記単位露光領域は、前記デバイスパターン全体を形成するノーマルショット領域と、前記デバイスパターンの一部のみを形成するエッジショット領域と、が存在し、前記感応基板又はパターン原版の搬送装置の動作を非露光時又は前記エッジショット領域の露光時に行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、荷電粒子線束（ビーム）がロボットアームの稼動に起因する磁場の変動（外乱磁場）の影響で乱れることがないので、高精度なパターン形成を行うことができる。そして、露光作業と並行して、エッジショット時にウェハ等の搬送動作を行うことができるので、スループットを高めることができる。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図３は、電子線露光装置（分割転写方式）の光学系全体における結像関係を示す模式図である。
光学系の最上流（図の上方）には、電子銃１が配置されている。この電子銃１は、図の下方に向けて電子線を照射する。電子銃１の下方には、２段のコンデンサレンズ２、３が備えられている。電子線は、これらのコンデンサレンズ２、３によって収束され、ブランキング開口７にクロスオーバーＣ．Ｏ．を結像する。
【００２２】
コンデンサレンズ３の下方には、照明ビーム成形開口４が配置されている。この開口４の像は、レンズ９によって、レチクル１０に結像される。
【００２３】
照明ビーム成形開口４の下方には、ブランキング偏向器５が配置されている。この偏向器５は、必要に応じて照明ビームを偏向させ、ブランキング開口７の非開口部に当てて、ビームがレチクル１０に当たらないようにする。
【００２４】
ブランキング開口７の下方には、照明ビーム偏向器８が配置されている。この偏向器８は、照明ビームをＸ軸方向に順次走査して、光学系の視野内にあるレチクル１０の各サブフィールドの照明を行う。
偏向器８の下方には、照明レンズ９が配置されている。照明レンズ９は、レチクル１０上に照明ビーム成形開口４を結像させる。
【００２５】
レチクル１０は、光軸に垂直な平面（ＸＹ平面）に広がっており、多数のサブフィールドを有する（図４を参照して後述する）。レチクル１０上には、全体として１つの半導体チップをなすデバイスパターンが形成されている。なお、１つのチップをなすデバイスパターンを複数のレチクル上に分割、形成してもよい。
【００２６】
レチクル１０は、移動可能なレチクルステージ１１上に保持されており、このレチクルステージ１１をＸＹ方向に動かすことにより、照明光学系の視野よりも広範囲に広がる、レチクル１０上の各サブフィールドを照明することができる。このレチクルステージ１１には、位置検出器（干渉計）１２が付属しており、レチクルステージ１１の位置を正確に把握することができる。
【００２７】
レチクル１０の下方には、投影レンズ１５、１９及び偏向器１６が設けられている。レチクル１０の１つのサブフィールドを通過した電子線は、投影レンズ１５、１９及び偏向器１６によって、ウェハ２３上の所望の位置に結像される。
【００２８】
ウェハ２３上には、適当なレジストが塗布されている。このレジストに電子線のドーズが与えられ、レチクル１０上のデバイスパターンが縮小、転写される。
【００２９】
レチクル１０とウェハ２３との間を縮小率比で内分する位置には、クロスオーバーＣ．Ｏ．が形成され、この位置に、コントラスト開口１８が設けられている。この開口１８は、レチクル１０の非パターン部で散乱された電子線がウェハ２３に到達しないように遮断する。
【００３０】
ウェハ２３は、静電チャック（図示されていない）を介して、Ｘ方向及びＹ方向に移動可能なウェハステージ２４上に配置されている。上記のレチクルステージ１１とウェハステージ２４とを、互いに逆方向に同期移動させることにより、光学系の視野を越えて広がるデバイスパターンを順次露光、転写することができる。なお、ウェハステージ２４にも、上記のレチクルステージ１１と同様、位置検出器２５が付属している。
【００３１】
ウェハ２３の直上には、反射電子検出器２２が配置されている。この反射電子検出器２２は、ウェハ２３の露光面やウェハステージ２４上のマークで反射される電子の量を検出する。例えば、レチクル１０上のマークパターンを通過したビームでウェハ２３上のマークを走査し、マークによって反射される電子を検出することにより、レチクル１０とウェハ２３の相対的位置関係を知ることができる。
【００３２】
上記の各レンズ２、３、９、１５、１９及び各偏向器５、８、１６は、それぞれに対応するコイル電源制御部２ａ、３ａ、９ａ、１５ａ、１９ａ及び５ａ、８ａ、１６ａを介して、コントローラ３１により制御される。また、レチクルステージ１１及びウェハステージ２４も、それぞれに対応するステージ制御部１１ａ、２４ａを介して、コントローラ３１により制御される。
【００３３】
ステージ位置検出器１２、２５は、アンプやＡ／Ｄ変換器等を含むインターフェイス１２ａ、２５ａを介して、コントローラ３１に信号を送る。また、反射電子検出器２２も同様に、インターフェイス２２ａを介して、コントローラ３１に信号を送る。
【００３４】
コントローラ３１は、ステージの位置合わせ誤差を把握し、その誤差を像位置調整偏向器１６で補正する。これにより、レチクル１０上のサブフィールドの縮小像がウェハ２３上の目標位置に正確に転写される。そして、ウェハ２３上で各サブフィールドの像がつなぎ合わされて、レチクル１０上のデバイスパターン全体がウェハ上に転写される。
【００３５】
次に、レチクル１０について説明する。
図４は、電子線露光において用いられるレチクルの一例を模式的に示す図である。図４（Ａ）は、全体の平面図であり、図４（Ｂ）は、一部の斜視図であり、図４（Ｃ）は、一つの小メンブレン領域の平面図である。このようなレチクルは、例えば、シリコンウェハに電子線を用いて描画した後、エッチングを行うことにより製作できる。
【００３６】
図４（Ａ）に示すレチクル１０には、デバイスパターンが分割配置されている。図４（Ａ）中に示す多数の正方形４１は、各々１つのサブフィールドに対応したデバイスパターンを含む単位露光領域（小メンブレン領域）である。この小メンブレン領域４１は、一例で厚さが０．１μｍから数μｍである。
【００３７】
図４（Ｃ）に示すように、小メンブレン領域４１は、中央のサブフィールド４２と、その周囲を額縁状に囲むスカート４３とからなる。スカート４３は、パターンが形成されていない額縁状（一例で幅が０．０５ｍｍ）の部分であり、照明ビームの縁が当たる。
【００３８】
サブフィールド４２は、一例で１辺が０．５〜５ｍｍ程度の正方形である。投影の際の縮小率を１／５とすると、ウェハ２３上に投影されるサブフィールド４２の像は、１辺が０．１〜１ｍｍ程度の正方形となる。このようなサブフィールドにパターンを形成する形態としては、電子線が散乱しながら透過する散乱メンブレンに孔の開いた部分を設ける散乱ステンシルタイプと、電子線をよく散乱する高散乱体からなるパターン層を電子透過体として非常に薄いメンブレン上に形成する連続メンブレンタイプとがある。
【００３９】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）の小メンブレン領域４１周囲の格子状の部分（支持体層）は、マイナーストラット４５である。マイナーストラット４５は、レチクル１０の機械強度を保つための梁（一例で厚さ０．５〜１ｍｍ、幅０．１ｍｍ）である。
【００４０】
図４（Ａ）に示すように、図のＸ方向に多数の小メンブレン領域４１が並んで１つのグループ（エレクトリカルストライプ４４）を形成し、エレクトリカルストライプ４４が図のＹ方向に多数並んで１つのメカニカルストライプ４９を形成している。エレクトリカルストライプ４４の長さ（メカニカルストライプ４９の幅）は、光学系の偏向によってカバー可能な視野の広さによって制限される。
【００４１】
メカニカルストライプ４９は、図のＸ方向に複数並んでいる。隣り合うメカニカルストライプ４９の間の部分は、メジャーストラット４７である。メジャーストラット４７は、マイナーストラット４５よりもやや太い梁であって、レチクル１０のたわみを低減する。ストラット４７とマイナーストラット４５とは一体となっている。図に示すレチクル１０には、メカニカルストライプ４９が４つ形成されている。
【００４２】
レチクル１０の露光は、図のＸ方向には、電子線を偏向させることにより、エレクトリカルストライプ４４の小メンブレン領域４１（以下の説明では、サブフィールド４１という）の列を順次露光する。そして、図のＹ方向には、連続ステージ走査により順次露光する。
【００４３】
なお、１つのエレクトリカルストライプ４４内において、隣り合うサブフィールドの間に、スカートやマイナーストラットのような非パターン領域を設けない方式も検討されている。
【００４４】
以下に、ウェハ搬送装置について説明する。
図２は、本発明の一実施形態に係るウェハ搬送装置を示す図である。
図の右下には、カセットＣＳＴ、ウェハプリアライナW-pre1及びロボットアームＲＡ２が示されている。これらは、大気中に置かれている。カセットＣＳＴには、ウェハが複数枚格納されている。
【００４５】
図の中央には、真空ローダ室ＶＬが示されている。真空ローダ室の内部には、ロボットアームＲＡ１が配置されている。真空ローダ室ＶＬは、ゲートバルブＧＶ３（図の下部）及びＧＶ４（図の右下部分）を介して、ロードロック室（ウェハ搬出用）ＬＬＢ及びロードロック室（ウェハ搬入用）ＬＬＡとそれぞれ接続されている。各ロードロック室ＬＬＢ及びＬＬＡには、それぞれゲートバルブＧＶ５及びＧＶ６が取り付けられており、また、図示せぬ真空ポンプが付属している。
【００４６】
真空ローダ室ＶＬの図中左下部分には、ウェハプリアライナW-pre2が示されている。真空ローダ室ＶＬとウェハプリアライナW-pre2の内部はつながっている。真空ローダ室ＶＬのゲートバルブＧＶ３及びＧＶ４は通常閉じており、真空ローダ室ＶＬとウェハプリアライナW-pre2の内部はともに真空に保たれている。
【００４７】
真空ローダ室ＶＬの図中上側には、露光装置（ウェハチャンバＷＣ及び鏡筒ＬＢ）が示されている。鏡筒ＬＢには、図３で説明した露光装置の光学系等が含まれている。ウェハチャンバＷＣ及び鏡筒ＬＢの内部は真空に保たれている。ウェハチャンバＷＣは、ゲートバルブＧＶ２を介して、真空ローダ室ＶＬと接続されている。
【００４８】
ここで、ウェハの搬送経路について説明する。なお、以下の説明では、ウェハの搬送動作を適宜簡略化して表記する。例えば、ウェハがウェハプリアライナW-pre1からロードロック室ＬＬＡに搬入されるまでを、W-pre1→ＬＬＡのように表記する。
【００４９】
まず、ウェハは、ロボットアームＲＡ２で、カセットＣＳＴから一枚ずつ取り出され、ウェハプリアライナW-pre1に載置される（ＣＳＴ→W-pre1）。そして、このウェハＷは、ウェハプリアライナW-pre1（大気中）においてプリアライメントされる。
【００５０】
ウェハプリアライメントの後、ゲートバルブＧＶ６が開かれ、ウェハＷは、ロボットアームＲＡ２で、ウェハプリアライナW-pre1から取り出されて、ゲートバルブＧＶ６を通ってロードロック室（ウェハ搬入用）ＬＬＡに搬送される（W-pre1→ＬＬＡ）。そして、ゲートバルブＧＶ６が閉じられ、ロードロック室ＬＬＡが真空引きされる。
【００５１】
ロードロック室ＬＬＡの真空引きの後、ゲートバルブＧＶ４が開かれ、ウェハＷは、ロボットアームＲＡ１によって、ロードロック室ＬＬＡからウェハプリアライナW-pre2に搬送・載置される（ＬＬＡ→W-pre2）。そして、ウェハＷは、ウェハプリアライナW-pre2（真空中）においてプリアライメントされる。
【００５２】
ウェハプリアライメントの後、ゲートバルブＧＶ２が開かれ、ウェハＷは、ロボットアームＲＡ１で、ウェハプリアライナW-pre2から取り出されて、ゲートバルブＧＶ２を通ってウェハチャンバＷＣ内に搬送され、鏡筒ＬＢ内のLoad Point（ＬＰ）に置かれる（W-pre2→ＬＰ）。そして、ゲートバルブＧＶ２が閉じられ、露光が行われる。
【００５３】
露光の終了後、ゲートバルブＧＶ２及びＧＶ３が開かれ、ウェハＷは、ロボットアームＲＡ１で、ロードポイントＬＰから取り出されて、ゲートバルブＧＶ３を通って真空に保たれているロードロック室（ウェハ搬出用）ＬＬＢ内に搬送される。そして、ゲートバルブＧＶ３が閉じられ、ゲートバルブＧＶ５が徐々に開かれ、ロードロック室ＬＬＢ内に大気が導入される。
【００５４】
その次に、ウェハＷは、ロボットアームＲＡ２によって、ロードロック室ＬＬＢから取り出されて、カセットＣＳＴに格納される。そして、ゲートバルブＧＶ５が閉じられ、ロードロック室ＬＬＢは、次にウェハが搬送されてくるまでの間に真空引きされる。
【００５５】
次に、ウェハ上のショットについて説明する。
図１（Ａ）は、ウェハ上のショットを示す平面図である。
図１（Ａ）のウェハ２３上には、２１個のチップＣ１〜Ｃ２１が露光（ショット）されている。ウェハ２３の中央の矩形領域Ａ１に含まれているチップＣ１〜Ｃ９（実線）ノーマルショットであり、周辺部の４つの長円Ａ２に含まれているチップＣ１０〜Ｃ２１（破線）は、ショットの一部がウェハの外にはみ出しており、エッジショットとなっている。
【００５６】
図４で説明したように、１つのチップは、複数（４つ）のメカニカルストライプ４９に分割されて露光される。図の各チップには、このメカニカルストライプ４９に相当する４つの長方形１、２、３、４（以下の説明では、ストライプという）が示されている。
【００５７】
図１（Ｂ）は、一つのチップを露光する手順の一例を示す平面図である。図中の矢印は、露光の進行方向を示している。図１（Ｂ）に示す例では、右端のストライプ１を下から上へ（＋Ｙ方向に）、ストライプ２を上から下へ（−Ｙ方向に）、ストライプ３を下から上へ（＋Ｙ方向に）、ストライプ４を上から下へ（−Ｙ方向に）順次露光する。
【００５８】
図１（Ｂ）に示すように、一つのストライプの露光が終わって次のストライプの露光に移る際に、ステージ（図３のレチクルステージ１１及びウェハステージ２４）の折り返し動作（３つのＵ字状の矢印）を行う。したがって、一つのチップの露光に要する時間は、４つのストライプ１〜４を露光する時間と、ステージの折り返し動作に要する時間（Delay Time）の和となる。
【００５９】
以下の説明では、４つのストライプ１〜４の露光に要する時間をｔexp、ノーマルショット１チップ当たりのDelay Timeをｔnormalとし、エッジショット１チップ当たりのDelay Timeをｔedgeとする。すると、ノーマルショット１チップに要する時間は、（ｔexp＋ｔnormal）となり、エッジショット１チップに要する時間は、（ｔexp＋ｔedge）となる。なお、通常の露光の際にはｔnormalとｔedgeとは等しい。
また、ウェハの搬送動作ＣＳＴ→W-pre1、W-pre1→ＬＬＡ、ＬＬＡ→W-pre2、W-pre2→ＬＰの所要時間をそれぞれｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４とする。
【実施例１】
【００６０】
本実施例においては、上述のロボットアームＲＡ１又はＲＡ２によるウェハ搬送動作のうち４つ（ＣＳＴ→W-pre1、W-pre1→ＬＬＡ、ＬＬＡ→W-pre2及びW-pre2→ＬＰ）をエッジショットと並行して行う。この露光のスループットを最大となるように、これらの搬送動作とエッジショットのタイミングを調整する。本実施例では、ｔnormal、ｔedge、及び、搬送動作の所要時間ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４をパラメータとして、エッジショット中に搬送動作を行う際のスループットが最大となる露光動作（ショットの順番や所要時間等）を求める。
【００６１】
本実施例では、ノーマルショットであるかエッジショットであるかに拘わらず、任意の順番で露光を行う。例えば、図中下側の列のチップ（Ｃ２１）から、
Ｃ２１→Ｃ２０→Ｃ１９→Ｃ１８→Ｃ７→Ｃ８→Ｃ９→…→Ｃ１５
の順番で露光する。
【００６２】
そして、以下の表に示すように、任意のエッジショット中に、ロボットアームＲＡ１及びＲＡ２を動作させて、上記の搬送動作（ＣＳＴ→W-pre1、W-pre1→ＬＬＡ、ＬＬＡ→W-pre2、W-pre2→ＬＰ）のいずれかを行う。
【表１】
2005136284.tif 000003
なお、エッジショット中にロボットアームを動作させた後、ノーマルショットを開始する際には、ロボットアームを動作の開始前の状態に戻しておき、ロボットアームに起因する外乱磁場を常に一様な状態に保つ。
【００６３】
なお、１チップのエッジショットに要する時間より各搬送動作の所要時間が長くなり（[ｔexp＋ｔedge]＜ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４）、エッジショット中に搬送動作が終了しない場合も考えられる。このような場合には、エッジショットのDelay Time ｔedgeを調整する（長くする）か、又は、ブランキング等で露光を中断する時間（待機時間）を設けて、[ｔexp＋ｔedge]≧ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４となるようにする。
【実施例２】
【００６４】
本実施例においては、ノーマルショットＣ１〜Ｃ９と、エッジショットＣ１０〜Ｃ２１をそれぞれまとめて露光する。例えば、図１において、
Ｃ１→Ｃ２→Ｃ３→Ｃ４→…→Ｃ９
の順番でノーマルショットを露光した後、
Ｃ２１→Ｃ２０→Ｃ１９→Ｃ１８→Ｃ１７→…→Ｃ１０
の順番でエッジショットを露光する。なお、エッジショットをノーマルショットより先に露光することもできる。
【００６５】
そして、エッジショットをまとめて行っている間に、一連のウェハの搬送動作ＣＳＴ→W-pre1→ＬＬＡ→W-pre2→ＬＰを行う。この場合には、ウェハ搬送動作には、上記のｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４に加えて、ロードロック室ＬＬＡの真空引きやプリアライメントにも時間がかかる。このため、本実施例においても、エッジショット中に搬送動作が終了しない場合も考えられるが、エッジショットのDelay Time ｔedgeを調整するか、又は、待機時間を設けることで対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】（Ａ）  ウェハ上のショットを示す平面図である。  （Ｂ）  一つのチップを露光する手順の一例を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施例に係るウェハ搬送装置を示す図である。
【図３】電子線露光装置（分割転写方式）の光学系全体における結像関係を示す模式図である。
【図４】電子線露光において用いられるレチクルの一例を模式的に示す図である。  （Ａ）  全体の平面図である。  （Ｂ）  一部の斜視図である。  （Ｃ）  一つの小メンブレン領域の平面図である。
【符号の説明】
【００６７】
Ａ１  ノーマルショット領域
Ａ２  エッジショット領域
Ｃ１〜Ｃ９  ノーマルショット
Ｃ１０〜Ｃ２１  エッジショット
ＣＳＴ  ウェハカセット
W-pre1、W-pre2  プリアライナ
ＲＡ１、ＲＡ２  ロボットアーム
ＶＬ  真空ローダ室
ＬＬＡ、ＬＬＢ  ロードロック室
ＧＶ２、…、ＧＶ６  ゲートバルブ
ＷＣ  ウェハチャンバ
ＬＢ  鏡筒
１  電子銃
２、３  コンデンサレンズ
４  照明ビーム成形開口
５  ブランキング偏向器
７  ブランキング開口
８  照明ビーム偏向器
９  照明レンズ
１１  レチクルステージ
１２、２５  位置検出器
１５、１９  投影レンズ
１６  偏向器
１８  コントラスト開口
２２  反射電子検出器
２３  ウェハ
２４  ウェハステージ
２ａ、３ａ、５ａ、８ａ、９ａ、１５ａ、１６ａ、１９ａ  コイル電源制御部
１１ａ、２４ａ  ステージ制御部
１２ａ、２５ａ  インターフェイス
３１  コントローラ
４１  小メンブレン領域
４２  サブフィールド
４３  スカート
４４  エレクトリカルストライプ
４５  マイナーストラット
４７  メジャーストラット
４９  メカニカルストライプ
５０  保持部
【図１】
2005136284.tif 000004
【図２】
2005136284.tif 000005
【図３】
2005136284.tif 000006
【図４】
2005136284.tif 000007