(57)【要約】【課題】複数の半導体素子が形成されている半導体基板のダイシング時に、この半導体基板の裏面に発生するチッピング（欠落）を容易に除去して、チッピングの再付着を防止することができる半導体基板のダイシング方法を提供する。【解決手段】複数の素子が形成されている基板を切断し、個々の素子チップに分離する基板のダイシング方法において、前記基板の裏面を、フィルム基材に貼着する工程と、前記基板を切断ブレードによって表面から切断し、前記フィルム基材上において個々の素子チップに切り分ける工程と、前記フィルム基材を延伸することにより、前記切り分けられた個々の素子チップ同士の間隙を拡大させる工程と、前記個々の半導体チップ同士の間隙領域を洗浄し、半導体基板の裏面に発生したチッピングを除去する工程と、を有する構成とする。【選択図】            図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子が形成されている基板を切断し、個々の半導体チップに分離する半導体基板のダイシング方法において、
前記基板の裏面を、フィルム基材に貼着する工程と、
前記基板を切断ブレードによって表面から切断し、前記フィルム基材上において個々の半導体チップに切り分ける工程と、
前記フィルム基材を延伸することにより、前記切り分けられた個々の半導体チップ同士の間隙を拡大させる工程と、
前記個々の半導体チップ同士の間隙領域を洗浄し、半導体基板の裏面に発生したチッピングを除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体基板のダイシング方法。
【請求項２】
前記個々の半導体チップに切り分ける工程と、前記個々の半導体チップ同士の間隙を拡大させる工程との間に、前記フィルム基材の接着剤層を硬化させて、粘着力を低下させる工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体基板のダイシング方法。
【請求項３】
複数の半導体素子が形成されている基板を切断し、個々の半導体チップに分離する半導体基板のダイシング方法において、
前記基板の裏面を、フィルム基材の接着剤層に貼着する工程と、
前記基板を切断ブレードによって表面から切断し、前記フィルム基材上において個々の半導体チップに切り分ける工程と、
前記フィルム基材を延伸することにより、前記切り分けられた個々の半導体チップ同士の間隙を拡大させる工程と、
前記フィルム基材の接着剤層を硬化させて、接着力を低下させる工程と、
前記個々の半導体チップ同士の間隙領域を洗浄し、半導体基板の裏面に発生したチッピングを除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体基板のダイシング方法。
【請求項４】
前記粘着力を低下させる工程において、前記フィルム基材の接着剤層に紫外線硬化型の接着剤を用い、紫外光を照射して該接着剤層を硬化させることを特徴とする請求項３に記載の半導体基板のダイシング方法。
【請求項５】
前記紫外光の照射は、ダイシングストリートのみに行われることを特徴とする請求項４に記載の半導体基板のダイシング方法。
【請求項６】
前記ダイシングストリートへの照射は、前記個々の半導体チップ同士の間隙を拡大させる工程後に、該半導体チップ同士の間隔に対し行われることを特徴とする請求項５に記載の半導体基板のダイシング方法。
【請求項７】
前記個々の半導体チップ同士の間隙領域を洗浄し、半導体基板の裏面に発生したチッピングを除去する工程の後に、前記基板の裏面側から紫外光を照射して前記紫外線硬化型の接着剤を硬化させ、接着力を低下させる工程を有することを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の半導体基板のダイシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体素子が形成されている基板を切断し、個々の半導体チップに分離する半導体基板のダイシング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、各種半導体素子は、半導体基板（以下、半導体ウエハと記す。）上に複数個を同時に形成し、ダイシング工程で個々の素子をチップに切り離し、パッケージ封入などの工程を経て製造されている。
従来、図７に示すように半導体ウエハ１は、フレーム１０の合成樹脂製のダイシングテープ１１の中央部に貼着固定され、ダイシング装置上のチャックテーブルの上にフレーム１０を載置固定し、アライメント装置により位置決めされた後に、図５に示すような先端部が断面矩形の回転ブレード７によって、半導体ウエハのストリートに沿ってダイシングされ、完全切断するか又は切り残し量を僅少にして切断される。
【０００３】
半導体ウエハ１は、以上のようにダイシングされる際、図６に示すように切り溝８付近からクラック９が発生し、チッピング（欠落）が生じる。このクラックやチッピングは、ペレットピックアップ時に剥離したものは、パーティクルとして汚染の原因となる。そのため、このようなチッピングの再付着を防止する従来例として、例えば特許文献１に記載されているようなダイシングの際、予めライン上にある紫外線硬化型の接着剤の接着力を、紫外線ＵＶや熱線を照射することにより低下させながら、ブレードにて切断する方法が公開されている。
【特許文献１】特開平９−１７７５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記した従来例では、複数の半導体素子が形成されている半導体基板に、Ｓｉウエハのように紫外線ＵＶや熱線を透過しにくい材料を使用した場合、装置構成が複雑になるという問題を有する。
そこで、本発明は、このような課題を解決し、複数の半導体素子が形成されている半導体基板のダイシング時に、この半導体基板の裏面に発生するチッピング（欠落）を容易に除去して、チッピングの再付着を防止することができる半導体基板のダイシング方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下のように構成した半導体基板のダイシング方法を提供するものである。
すなわち、本発明の半導体基板のダイシング方法は、複数の半導体素子が形成されている基板を切断し、個々の半導体チップに分離する半導体基板のダイシング方法において、前記基板の裏面を、フィルム基材に貼着する工程と、前記基板を切断ブレードによって表面から切断し、前記フィルム基材上において個々の半導体チップに切り分ける工程と、前記フィルム基材を延伸することにより、前記切り分けられた個々の半導体チップ同士の間隙を拡大させる工程と、前記個々の半導体チップ同士の間隙領域を洗浄し、半導体基板の裏面に発生したチッピングを除去する工程と、を有することを特徴としている。
また、本発明の半導体基板のダイシング方法は、前記個々の半導体チップに切り分ける工程と、前記個々の半導体チップ同士の間隙を拡大させる工程との間に、前記フィルム基材の接着剤層を硬化させて、粘着力を低下させる工程を有する構成とすることができる。
また、本発明の半導体基板のダイシング方法は、複数の半導体素子が形成されている基板を切断し、個々の半導体チップに分離する半導体基板のダイシング方法において、前記基板の裏面を、フィルム基材の接着剤層に貼着する工程と、前記基板を切断ブレードによって表面から切断し、前記フィルム基材上において個々の半導体チップに切り分ける工程と、前記フィルム基材を延伸することにより、前記切り分けられた個々の半導体チップ同士の間隙を拡大させる工程と、前記フィルム基材の接着剤層を硬化させて、接着力を低下させる工程と、前記個々の半導体チップ同士の間隙領域を洗浄し、半導体基板の裏面に発生したチッピングを除去する工程と、を有することを特徴としている。
また、本発明の半導体基板のダイシング方法は、前記粘着力を低下させる工程において、前記フィルム基材の接着剤層に紫外線硬化型の接着剤を用い、紫外光を照射して該接着剤層を硬化させるように構成することができる。
また、本発明の半導体基板のダイシング方法は、前記紫外光の照射を、ダイシングストリートのみに行うようにすることができる。
また、本発明の半導体基板のダイシング方法は、前記ダイシングストリートへの照射を、前記個々の半導体チップ同士の間隙を拡大させる工程後に、該半導体チップ同士の間隔に対し行う構成を採ることができる。
また、本発明の半導体基板のダイシング方法は、前記個々の半導体チップ同士の間隙領域を洗浄し、半導体基板の裏面に発生したチッピングを除去する工程の後に、前記基板の裏面側から紫外光を照射して前記紫外線硬化型の接着剤を硬化させ、接着力を低下させる工程を有する構成とすることができる。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、複数の半導体素子が形成されている半導体基板のダイシング時に、この半導体基板の裏面に発生するチッピング（欠落）を容易に除去して、チッピングの再付着を防止することができる半導体基板のダイシング方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明を実施するための最良の形態を、以下の実施例により説明する。
【実施例】
【０００８】
［実施例１］
図１は、本発明の実施例１におけるダイシング方法の概要を示す工程図である。
図１により本実施例のダイシング方法を説明すると、まず、図１の（１）に示す第１工程において、切断しようとする半導体ウエハ１の裏面全面に、合成樹脂製のダイシングテープを貼着する。ここでの半導体ウエハ１としてＳｉウエハを用いる。
本実施例のダイシングテープは、フィルム状基材３の表面に所定の接着力を備えた接着剤２が塗布されており、その接着剤層側がウエハ裏面側に対して貼着されている。本実施例で、半導体ウエハの厚みは６００μｍ程度であり、ダイシングテープはリンテック株式会社製のＤ−１０５Ｖが用いられる。また、接着剤の厚みは１０μｍで、基材となるフィルムの厚みは８０μｍである。
【０００９】
つぎに、図１の（２）に示す第２工程において、ダイシングするためのダイシングブレードとして、株式会社ディスコ製で製品型番ＮＢＣ−ＺＢ２０３０を用いる。図２に、この工程において上記ダイシングブレードによってダイシングされた半導体ウエハ１及びダイシングテープ１１の関係を示す。ここでのダイシングテープ１１の接着剤の表層の厚さは、上記したとおり１０μｍで、フィルムの厚みを８０μｍとしたので、貼付シート全体の厚みは９０μｍである。ここで、ダイシングブレードの先端をダイシングテープに４０μｍまで切り込む。それによりダイシングテープは４０μｍの切り残しができる。ダイシングブレードはダイシングテープを粘着剤の層よりも更に下方まで４０μｍだけ切断しているので、ダイシングブレードの先端付近の先細状の部分は半導体ウエハの切断部分にはかからず、半導体ウエハの切断面を平面にすることができる。なおダイシングの速度は５ｍｍ／ｓとする。ダイシングを行うと切断時のチップの振動等により基板の裏面が欠けることにより、裏面チッピング４が生じる。
【００１０】
つぎに、図１の（３）の第３工程において放射状延伸を行う。これにより、チップの影に隠れていた裏面チッピング４がチップから離れてダイシングテープの表面に現れる。
続いて、図１の（４）の第４工程において、エアーブローまたは流水洗浄６によりストリート近傍の裏面チッピング４の除去を行うことにより、裏面チッピング４を容易に除去ができる。
最後に、図１の（５）の第５工程において、チップのピックアップを行うが、このように裏面チッピングの除去を行った後にチップのピックアップを行うことで、裏面チッピング４がパーティクルとなり汚染することを防止できる。
【００１１】
［実施例２］
図３は、本発明の実施例２におけるダイシング方法の概要を示す工程図である。本実施例では、上記実施例１におけるダイシング方法の第２工程と第３工程の間に、ウエハ裏面から紫外線を照射する工程を設け、ウエハ裏面側をダイシングテープに貼着している紫外線硬化型接着剤の接着力を低下させ、エアーブローまたは流水洗浄により、裏面チッピング４を容易に除去するようにしたものである。上記実施例１とは、図３の（１）に示す第１工程において、ダイシングテープにおけるフィルム状基材３の表面に、所定の接着力を備えた接着剤２として紫外線硬化型の接着剤が塗布されている点と、ウエハ裏面から紫外線を照射する第３工程が付加されている点が相違しており、その他は基本的に上記実施例１と同様である。
【００１２】
まず、図３の（１）に示す第１工程において、切断しようとする半導体ウエハ１の裏面全面に、合成樹脂製のダイシングテープを貼着する。ここでの半導体ウエハ１としてＳｉウエハを用いる。
本実施例のダイシングテープは、フィルム状基材３の表面に紫外線硬化型の所定の接着力を備えた接着剤２が塗布されており、その接着剤層側がウエハ裏面側に対して貼着されている。本実施例で、半導体ウエハの厚みは６００μｍ程度であり、ダイシングテープはリンテック株式会社製のＤ−１０５Ｖが用いられる。また、接着剤の厚みは１０μｍで、基材となるフィルムの厚みは８０μｍである。  つぎに、図３の（２）に示す第２工程において、ダイシングするためのダイシングブレードとして、株式会社ディスコ製で製品型番ＮＢＣ−ＺＢ２０３０を用いる。図２に、この工程において上記ダイシングブレードによってダイシングされた半導体ウエハ１及びダイシングテープ１１の関係を示す。ここでのダイシングテープ１１の接着剤の表層の厚さは、上記したとおり１０μｍで、フィルムの厚みを例えば８０μｍとしたので、貼付シート全体の厚みは９０μｍである。ここで、ダイシングブレードの先端をダイシングテープに４０μｍまで切り込む。それによりダイシングテープは４０μｍの切り残しができる。ダイシングブレードはダイシングテープを粘着剤の層よりも更に下方まで４０μｍだけ切断しているので、ダイシングブレードの先端付近の先細状の部分は半導体ウエハの切断部分にはかからず、半導体ウエハの切断面を平面にすることができる。なおダイシングの速度は５ｍｍ／ｓとする。ダイシングを行うと切断時のチップの振動等により基板の裏面が欠けることにより、裏面チッピング４が生じる。
【００１３】
つぎに、図３の（３）に示す第３工程において、ウエハ裏面へ紫外線照射装置により紫外線照射を行う。照射する紫外光５の光強度は５００ｍｊ／ｃｍ2としている。照射された接着剤は硬化しその接着力が低下或いはなくなった状態となる。このときダイシングテープの粘着力は、紫外線の照射前に４００ｇ／２５ｍｍであり、紫外線照射後は４０ｇ／２５ｍｍ程度に低下する。粘着力はＳｉウエハに対する粘着力である。
【００１４】
つぎに、図３の（４）の第４工程において放射状延伸を行う。これにより、チップの影に隠れていた裏面チッピング４がチップから離れてダイシングテープの表面に現れる。
続いて、図３の（５）の第５工程において、エアーブローまたは流水洗浄６によりストリート近傍の裏面チッピング４の除去を行うことにより、裏面チッピング４を容易に除去ができる。
最後に、図３の（６）の第６工程において、チップのピックアップを行う。本実施例によれば、このような紫外線の照射により、図３の（５）の第５工程においてエアーブローまたは流水洗浄によりストリート近傍の裏面チッピングの除去を行う際に、紫外線硬化型の接着剤の硬化により裏面チッピングとテープの剥離強度が低下しているため、裏面チッピング４を容易に除去することが可能となる。
【００１５】
［実施例３］
図４は、本発明の実施例３におけるダイシング方法の概要を示す工程図である。
図４により本実施例のダイシング方法を説明すると、まず、図４の（１）に示す第１工程において、切断しようとする半導体ウエハの裏面全面にダイシングテープを貼着する。ここでの半導体ウエハ１としてＳｉウエハを用いる。
つぎに、図４の（２）に示す第２工程において、ダイシングを行う。その際、切断時のチップの振動等により基板の裏面に基板がかけることにより裏面チッピングが生じる。
つぎに、図４の（３）に示す第３工程において、放射状延伸にてチップとチップの間隔を広げる。これにより、チップの影に隠れていた裏面チッピング４がチップから離れてダイシングテープの表面に現れる。
つぎに、図４の（４）に示す第４工程において紫外線照射装置により、ウエハ上面側から紫外線照射を行う。照射された紫外光はＳｉチップの存在しないＡの領域の接着剤層を露光する。照射された接着剤は硬化しその接着力が低下或いはなくなった状態となる。これによりＡの領域にある裏面チッピング４の接着力が落ちる。
つぎに、図４の（５）に示す第５工程において、エアーブローまたは流水洗浄６により、容易に裏面チッピング４の除去が可能となる。また、ハイプレッシャー等の高圧での洗浄を行ってもＢ領域の接着力は維持されているため、Ｓｉチップが飛散してしまうことは無い。
続いて、洗浄及び乾燥を行った後、図４の（６）に示す第６工程において、裏面より紫外光を照射し、Ｂ領域も含めウエハ全域の接着力を落とす。これによって、図４の（７）に示す第７工程において、チップのピックアップを良好に行うことが可能となる。
また、本実施例において表面より紫外光照射を行う際、ストリートに限定して照射しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施例１におけるダイシング方法の概要を示す工程図である。
【図２】本発明の実施例１におけるフルダイシングの状態を示す部分断面図である。
【図３】本発明の実施例２におけるダイシング方法の概要を示す工程図。
【図４】本発明の実施例３におけるダイシング方法の概要を示す工程図。
【図５】回転ブレード先端部を示した図である。
【図６】ダイシングされた半導体ウエハの断面図である。
【図７】フレームに固定された半導体ウエハの状態図である。
【符号の説明】
【００１７】
１：半導体ウエハ
２：接着剤
３：フィルム状基材
４：裏面チッピング
５：紫外光
６：エアーブロー・流水洗浄
７：回転ブレード
８：切り溝
９：クラック
１０：フレーム
１１：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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