(57)【要約】【課題】  連続発振のレーザ光を結合して、照射領域のエネルギ密度の向上を図ること。【解決手段】  複数のレーザ発振器と、少なくとも１つの前記レーザ発振器から出力されたレーザ光がそれぞれ入射され、出射端面の各中心を結ぶ線Xがほぼ直線をなして配列される複数の光ファイバ１６と、前記複数の光ファイバ１６から出射された光をコリメートするコリメートレンズ１８と、前記直線Xと各母線がそれぞれ垂直をなして前記直線方向に配列される複数のシリンドリカルレンズからなる第１のシリンドリカルレンズアレイ２４と、この第１のシリンドリカルレンズアレイ２４を透過した光を集光する集光レンズ２６とを備えることを特徴とするレーザ装置。【選択図】  図２
2005109359.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のレーザ発振器と、
少なくとも１つの前記レーザ発振器から出力されたレーザ光がそれぞれ入射され、出射
端面の各中心を結ぶ線がほぼ直線をなして配列される複数の光ファイバと、
前記複数の光ファイバから出射された光をコリメートするコリメートレンズと、
前記直線と各母線がそれぞれ垂直をなして前記直線方向に配列される複数のシリンドリ
カルレンズからなる第１のシリンドリカルレンズアレイと、
この第１のシリンドリカルレンズアレイを透過した光を集光する集光レンズとを備える
ことを特徴とするレーザ装置。
【請求項２】
前記第１のシリンドリカルレンズアレイと前記コリメートレンズとの間
に、前記直線と各母線がそれぞれ垂直をなして前記直線方向に配列され、前記第１のシリ
ンドリカルレンズアレイが備えるシリンドリカルレンズと同数の複数のシリンドリカルレ
ンズからなる第２のシリンドリカルレンズアレイとを備えることを特徴とする請求項１記
載のレーザ装置。
【請求項３】
前記第１のシリンドリカルレンズアレイは、その前記各シリンドリカル
レンズの凸曲面が前記レーザ光の出射面を向いて配設されており、
前記第２のシリンドリカルレンズアレイは、その各シリンドリカルレンズの凸曲面が前
記レーザ光の入射面を向いて配設されているとともに、
前記第１のシリンドリカルレンズアレイと前記第２のシリンドリカルレンズアレイとの
距離は、前記第１のシリンドリカルレンズアレイの各シリンドリカルレンズの実効焦点距
離であることを特徴とする請求項２記載のレーザ装置。
【請求項４】
前記コリメートレンズと、前記第２のシリンドリカルレンズアレイの間
、または、前記第１のシリンドリカルレンズアレイと前記第２のシリンドリカルレンズの
間、または、前記第１のシリンドリカルレンズアレイと前記集光レンズとの間に配置され
たランダム位相板を備えることを特徴とする請求項２または請求項３記載のレーザ装置。
【請求項５】
前記光ファイバごとに、異なる波長の前記レーザ光が伝播することを特
徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか記載のレーザ装置。
【請求項６】
前記レーザ発振器は、前記各光ファイバに対応して２台ずつ備わってお
り、この２台から出射されたレーザ光を偏向素子で結合して前記光ファイバに入射する構
成であることを特徴とする請求項１乃至請求項４記載のレーザ装置。
【請求項７】
それぞれ波長が５５０ｎｍ以下のレーザ光を出射する複数の第１のレー
ザ発振器と、
波長が５５０ｎｍ以上のレーザ光を出射する少なくとも１つの第２のレーザ発振器と、
少なくとも１つの前記第１のレーザ発振器から出力されたレーザ光または／および前記
第２のレーザ発振器から出力されたレーザ光がそれぞれ入射され、出射端面の各中心を結
ぶ線が直線をなして配列される複数の光ファイバと、
前記複数の光ファイバから出射された光をコリメートするコリメートレンズと、
前記直線と各母線がそれぞれ垂直をなして前記直線方向に配列される複数のシリンドリ
カルレンズからなる第１のシリンドリカルレンズアレイと、
この第１のシリンドリカルレンズアレイを透過した光を集光する集光レンズとを備える
ことを特徴とするレーザ装置。
【請求項８】
透光性基板上に半導体を成膜する工程と、
成膜された前記半導体に連続発振するレーザ光を照射して前記半導体を多結晶化する多結
晶化工程とを備える液晶表示装置の製造方法において、
前記多結晶化工程は、波長が５５０ｎｍ以上の連続発振するレーザ光及び波長が５５０
ｎｍ以下の連続発振するレーザ光を同じ箇所に照射しながら走査する工程を備えているこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
透光性基板上に半導体を成膜する工程と、
成膜された前記半導体に連続発振するレーザ光を照射して前記半導体を多結晶化する多
結晶化工程とを備える液晶表示装置の製造方法において、
前記多結晶化工程のおけるレーザ光の照射は請求項１乃至請求項７のいずれか記載のレ
ーザ装置を用いることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ装置ならび液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶表示装置の製造工程において、透光性の基板上に低温プロセスで非晶質の
シリコン薄膜を成膜した後に、このシリコン薄膜をレーザでアニールして多結晶化するこ
とにより半導体特性の大幅な向上を図ることが行われている。
【０００３】
このアニール工程において通常はレーザの種類としてエキシマレーザが用いられる。し
かし、エキシマレーザはパルス波のため結晶粒が大きくできないという問題と、ランニン
グコストが高いという問題があった。
【０００４】
近年はこうした問題を抱えるエキシマレーザに変えて、連続発振の固体レーザを用いてシ
リコンの多結晶化を行う方法が開発されつつある。しかし、シリコンに吸収のある波長５
５０ｎｍ以下で、かつ、連続発振のレーザ光の出力は、最大でも１０W程度にとどまる。
【０００５】
このため、多結晶化に必要なエネルギ密度を確保するためには、照射面積を小さくせざる
を得ず、その結果スループットが落ちるという問題がある。
【特許文献１】特開２００３−５９８５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
こうした問題を解決してレーザ出力を増やすためには、複数のレーザ光を結合すること
が考えられる。従来のレーザ光の結合方法は、偏向素子を用いて偏向の異なる２つのレー
ザ光を結合する方法や、波長により透過率が異なるミラーを用いて異なる波長のレーザ光
を結合する方法などがあった。しかし、これら方法の場合、結合できるレーザ光の数に限
りがある。
【０００７】
また、その他にも結合方法はあるが、結合した結果ビームサイズが大きくなるような結合
方法の場合、必要なエネルギ密度を確保することが困難である。
【０００８】
特にシリコン等の多結晶化工程で用いる場合は、ラインビームの長手方向のエネルギ密
度をほぼ均等にするという要請もある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで本発明は、複数のレーザ発振器と、少なくとも１つの前記レーザ発振器から出力
されたレーザ光がそれぞれ入射され、出射端面の各中心を結ぶ線がほぼ直線をなして配列
される複数の光ファイバと、前記複数の光ファイバから出射された光をコリメートするコ
リメートレンズと、前記直線と各母線がそれぞれ垂直をなして前記直線方向に配列される
複数のシリンドリカルレンズからなる第１のシリンドリカルレンズアレイと、この第１の
シリンドリカルレンズアレイを透過した光を集光する集光レンズとを備えることを特徴と
するレーザ装置である。
【００１０】
また、それぞれ波長が５５０ｎｍ以下のレーザ光を出射する複数の第１のレーザ発振器
と、波長が５５０ｎｍ以上のレーザ光を出射する少なくとも１つの第２のレーザ発振器と
、少なくとも１つの前記第１のレーザ発振器から出力されたレーザ光または／および前記
第２のレーザ発振器から出力されたレーザ光がそれぞれ入射され、出射端面の各中心を結
ぶ線が直線をなして配列される複数の光ファイバと、前記複数の光ファイバから出射され
た光をコリメートするコリメートレンズと、前記直線と各母線がそれぞれ垂直をなして前
記直線方向に配列される複数のシリンドリカルレンズからなる第１のシリンドリカルレン
ズアレイと、この第１のシリンドリカルレンズアレイを透過した光を集光する集光レンズ
とを備えることを特徴とするレーザ装置である。
【００１１】
また、透光性基板上に半導体を成膜する工程と、成膜された前記半導体に連続発振する
レーザ光を照射して前記半導体を多結晶化する多結晶化工程とを備える液晶表示装置の製
造方法において、前記多結晶化工程は、波長が５５０ｎｍ以上の連続発振するレーザ光及
び波長が５５０ｎｍ以下の連続発振するレーザ光を同じ箇所に照射しながら走査する工程
を備えていることを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１２】
（第１の実施の形態）
本発明に係るレーザ装置によれば、高出力のレーザ光を照射することが可能となる。ま
た、本発明に係る液晶表示装置の製造方法によれば、液晶表示装置の製造のスループット
を向上することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を用いて本発明に係るレーザ装置１０の説明をする。
【００１４】
図１は、本発明に係るレーザ装置１０の概略構成図である。図２は、このレーザ装置１
０の結合部１２の概略構成図であり、図１（a）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【００１５】
図１（a)に示されているように、このレーザ装置１０は全部で１０台のレーザ発振器
１４を備えている。各レーザ発振器１４は、Nd:YAGレーザのSHG光（５３２ｎｍ）を連続
発振で出射し、各出力は最大で約１０Wである。このレーザ発振器１４は、２台で一組と
なっており、互いに偏光が９０度異なるレーザ光を出射するように構成されている。
【００１６】
光ファイバ１６は、全部で５本備わっており、各ファイバ１６のコア径は１００μmで
ある。図３は、光ファイバ１６の出射端面を示した図であるが、この図に示されるように
、各出射端面の中心間距離Dは、０．５ｍｍ乃至１．０ｍｍであり、各出射端面の中心を
通る線Xは直線となるように配置されている。
【００１７】
光結合部１２は、レーザ光の光路順に、コリメートレンズ１８、ランダム位相板２０、
第２シリンドリカルレンズアレイ２２、第1シリンドリカルレンズアレイ２４、集光レン
ズ２６が配列されている。
【００１８】
コリメートレンズ１８は実効焦点距離が５００ｍｍであり、光ファイバ１６の出射端面
と５００ｍｍ離れて配置されている。
【００１９】
コリメートレンズ１８の直後には、ランダム位相板２０が配置される。図４はランダム
位相板２０を模式的に示したものであり、円板に位相差が０度、９０度、１８０度、２７
０度となる４階調のパターンが５０μm角ピッチで形成されている。なお、このランダム
位相板２０は、図示しない回転手段により１０００〜３０００ｒｐｍに回転可能な構成と
なっている。
【００２０】
図５は、第２シリンドリカルレンズアレイ２２を示している。この図に示されるように
、ひとつのシリンドリカルレンズの形状は、幅５０ｍｍ、高さ５ｍｍ、厚さ３ｍｍであり
、一方の端面は平面、他方の端面は、曲率およそ５０ｍｍ（実効焦点距離１００ｍｍ）の
凸面である。このシリンドリカルレンズが高さ方向に１０個配列してシリンドリカルレン
ズアレイ２２が形成されている。
【００２１】
第２シリンドリカルレンズアレイ２２は、図２（a)に示されるように、凸面がレーザ
光の入射面を向いて、各シリンドリカルレンズの各母線（シリンドリカルレンズの凸面の
頂点をなす直線）が、光ファイバ１６の出射端面中心を結ぶ直線Xと垂直をなす方向を向
いて配置されている。
【００２２】
また、第１シリンドリカルレンズアレイ２４も第２シリンドリカルレンズアレイ２２と
同一の光学素子であり、凸面がレーザ光の出射面となり、各シリンドリカルレンズの各母
線が、直線Xと垂直をなす方向を向いて配置されている。なお、第１のシリンドリカルレ
ンズアレイ２４と第２のシリンドリカルレンズアレイ２２の距離は１００ｍｍである。
【００２３】
その後に配列される集光レンズ２６は、実効焦点距離が１００ｍｍであり、加工対象物
Wと１００ｍｍ離間して配設されている。
【００２４】
なお、加工対象物Wはここでは、透光性基板上に成膜された非晶質シリコン膜である。
【００２５】
以下、このような構成のレーザ装置１０の動作説明をする。
【００２６】
各レーザ発振器１４からは、波長５３２ｎｍのレーザ光が出射される。対をなす2つの
レーザ発振器１４からのレーザ光は偏光結合される。すなわち、一方のレーザ発振器１４
aから出力されるレーザ光は偏向子２８を透過し、他方のレーザ発振器１４ｂから出力さ
れるレーザ光は全反射ミラー３０で全反射した後、偏向子２８で反射する。
【００２７】
このようにして２つのレーザ光が偏光結合され、集光レンズ３２により光ファイバ１６
に入射する。
【００２８】
各光ファイバ１６内を伝播したレーザ光は、光ファイバ１６の出射端面から出射する。
【００２９】
出射するレーザ光のビーム広がり角は、半角で約０．０５radである。一方で、コリメ
ートレンズ１８と出射端面との距離はおよそ５００ｍｍであるから、コリメートされたレ
ーザ光のビーム断面径は約５０ｍｍの円形となる（５００mm×tan（0.05rad）×２=50m
m)。
【００３０】
次いで、コリメートされたレーザ光はランダム位相板２０に入射する。ランダム位相板
２０は図示しない回転手段により１０００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍで回転している。この
ため、このランダム位相板２０の透過により、レーザ光のコヒーレンスは低減される。
【００３１】
さらに、このレーザ光は第1及び第２シリンドリカルレンズアレイ２４、２２ならびに
集光レンズ２６を透過する。
【００３２】
ここでレーザ光の結像について、光ファイバ１６の配列方向と垂直な方向から見た場合
（図２（a））と、平行な方向から見た場合（図２（ｂ））とに分けて説明する。
【００３３】
まず、光ファイバ１６の配列方向と垂直な方向から見た場合であるが、第1及び第２シ
リンドリカルレンズアレイ２４、２２は、同一形状であり、かつ、レーザの光路に垂直な
面に対してほぼ対称に配置されている。このため、第１シリンドリカルレンズアレイ２４
を透過したレーザ光はほぼ平行に集光レンズ２６に入射することとなる。また、第１シリ
ンドリカルレンズアレイ２４の各シリンドリカルレンズの実効焦点距離は１００ｍｍであ
り、各シリンドリカルレンズから１００ｍｍの位置には、第２シリンドリカルレンズアレ
イ２２の各シリンドリカルレンズの凸面が位置している。したがって、加工対象物Wの表
面上において第２シリンドリカルレンズアレイ２２の各シリンドリカルレンズの凸面が重
なり合って結像することとなる。
【００３４】
また、第２シリンドリカルレンズアレイ２２のシリンドリカルレンズの実効焦点距離な
らびに集光レンズ２６の実効焦点距離は等しい（１００ｍｍ）ので、加工対象物Wの表面
上において第２シリンドリカルレンズアレイ２２のシリンドリカルレンズが等倍で結像さ
れることとなり、ここでシリンドリカルレンズの幅は５ｍｍのため、加工対象物Wの表面
上においても５ｍｍで結像される。しかも、第１シリンドリカルレンズアレイ２４の各シ
リンドリカルレンズを透過したレーザ光が重なり合うためレーザ光の強度分布が均等化さ
れている。
【００３５】
一方で、光ファイバ１６の配列方向と平行な方向から見た場合（図２（ｂ））、コリメ
ートレンズ１８で平行にされたレーザ光が集光レンズ２６により加工対象物Wの表面上で
集光されることとなり、光ファイバ１６の出射端面の像が加工対象物W表面上で結像され
ることとなる。ここで、コリメートレンズ１８の実効焦点距離は５００ｍｍであり、集光
レンズ２６の実効焦点距離は１００ｍｍであり、光ファイバ１６のコア径はここでは１０
０μmであるから、加工対象物W表面上では２０μm（１００μm×１００／５００）とな
る。
【００３６】
以上のように、本発明の第1の実施の形態に係るレーザ装置１０にあっては、２０μm×
５ｍｍのラインビームを加工対象物Wに照射することが可能となる。ここで、上述したよ
うに光ファイバ１６の配列方向についてはレーザ光のエネルギ強度の均等化を図ることが
可能となる。また、各レーザ発振器１４の出力は１０Wであり、合計１０台のレーザ発振
器１４を用いているから、連続発振でありながら１００W前後の出力を確保することが可
能となる。さらに、ランダム位相板２０を挿入したことによりレーザ光を重ね合わせたこ
とにより生じるスペックルや干渉の問題を低減することが可能となる。
【００３７】
なお、発振器１４の数ならびに光ファイバ１６の数を増やすことにより照射領域をほぼ変
化させることなく出力の増加を図ることが可能となる。
【００３８】
すなわち、レーザ発振器１４の数や光ファイバ１６の数は得たい出力に応じて種々変更
可能である。
【００３９】
また、必ずしも偏向子２８で結合して光ファイバ１６に入射させる必要はなく、１本の
光ファイバ１６について1台のレーザ発振器１４を備える構成であっても良い。また、偏
光結合に変えて波長結合により各光ファイバ１６にレーザ光を入射させる構成でも良い。
【００４０】
また、各シリンドリカルレンズアレイが備えるシリンドリカルレンズの個数は１０個に
限られるものではない。ただし、個数が多いほうがエネルギ強度の均等化を図ることが可
能となる。
【００４１】
また、ランダム位相板２０は必要に応じて用いなくても良い。また、ランダム位相板２
０の挿入位置は、レーザ光が重ねあわされる前であればよく、たとえば第１シリンドリカ
ルレンズアレイ２４と第２シリンドリカルレンズアレイ２２との間や、第１シリンドリカ
ルレンズアレイ２４と集光レンズ２６との間に挿入する構成であっても良い。
【００４２】
また、第２シリンドリカルレンズアレイ２２を用いなくとも良い。この場合であっても
第１シリンドリカルレンズアレイ２４の各シリンドリカルレンズを透過したレーザ光は集
光レンズ２６により重ね合わされるため、レーザ光の均等化ならびに照射領域の増大化を
図ることが可能となるためである。ただし、第２シリンドリカルレンズアレイ２２を配設
した場合と比較して効率が低下する場合がある。
【００４３】
また、第１シリンドリカルレンズアレイ２４のシリンドリカルレンズの実効焦点距離（
１００ｍｍ）と集光レンズ２６の実効焦点距離（１００ｍｍ）は必ずしも一致させること
はない。この場合、加工対象物W表面でのビーム幅が変化することとなる。たとえば、第
１シリンドリカルレンズアレイ２４のシリンドリカルレンズの焦点距離を集光レンズ２６
の焦点距離よりも小さくし、同時に第１シリンドリカルレンズアレイ２４と第２シリンド
リカルレンズアレイ２２の距離を焦点距離に近づけると、ビームの幅を広げることが可能
となる。
【００４４】
また、シリンドリカルレンズの幅が異なるシリンドリカルレンズアレイを用いれば、ビ
ーム幅を変化させることも可能である。
【００４５】
また、第１のシリンドリカルレンズアレイ及び第２のシリンドリカルレンズアレイの各
凸面の方向は任意でも良く、入射側または出射側のいずれかを向いていれば良い。
【００４６】
また、第２のシリンドリカルレンズアレイの凸面の曲率は必ずしも第１のシリンドリカ
ルレンズアレイの凸面の曲率と一致させることはない。
【００４７】
また、YAGレーザのSHG光に限られるものでもなく、YAGレーザのTHG光や、Nd:YVO4の
SHG光、これらのTHG光またはAr＋（アルゴンイオンレーザ）などでも良い。
【００４８】
なお、このレーザ装置１０の用途は広く加工一般に用いることが可能であり、特にエネ
ルギ密度を高くかつ均等化を図る必要がある場合に好適に用いることが可能となる。
【００４９】
その他本発明は種々変形可能である。
【００５０】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態は、第１シリンドリカルレンズアレイ２４と第２シリンドリカルレン
ズアレイ２２との距離を適宜調整することにより、ビーム幅を変化させる発明に関する。
【００５１】
すなわち、第２シリンドリカルレンズアレイ２２を図示しない駆動テーブルで光軸方向
に移動させることにより結像位置でのビーム幅を変化させることが可能となる。なお、そ
の他の構成は第1の実施の形態の場合と同様であるので説明を省略する。
【００５２】
図６（a）は両者の距離が第１シリンドリカルレンズアレイ２４のシリンドリカルレン
ズの実効焦点距離と等しい場合、（ｂ）は、第２シリンドリカルレンズアレイ２２を（a
）の場合よりも遠ざけた場合、（ｃ）は第２シリンドリカルレンズアレイ２２を(a)の
場合より近づけた場合である。なお、簡略化のためにシリンドリカルレンズは１つしか図
示していない。
【００５３】
(a)の場合は、第1の実施の形態の場合であり、この場合シリンドリカルレンズの幅（
５ｍｍ）が等倍で結像される。
【００５４】
(b)の場合は、第１シリンドリカルレンズアレイ２４から１００ｍｍ地点において、
ファイバ１６の配列方向と垂直な方向から見た場合のビーム幅は４ｍｍである。したがっ
て、結像されても、この方向から見た場合のビーム幅は４ｍｍとなる。このため、ビーム
の照射領域は４ｍｍ×２０μmとなる。
【００５５】
(c)の場合は、第１シリンドリカルレンズアレイ２４から１００ｍｍ地点において、
ファイバ１６の配列方向と垂直な方向から見た場合のビーム幅は６ｍｍと同等となる。し
たがって、結像されても、この方向から見た場合のビーム幅は６ｍｍとなる。このため、
ビームの照射領域は６ｍｍ×２０μmとなる。
【００５６】
このように、第１シリンドリカルレンズアレイ２４と第２シリンドリカルレンズアレイ２
２との距離を調整する距離調整手段を配設し、適宜両者の距離を調整することによりビー
ム幅を変化させることが可能となる。
【００５７】
より具体的には、第１シリンドリカルレンズアレイ２４と第２シリンドリカルレンズア
レイ２２との距離を第１シリンドリカルレンズアレイ２４のシリンドリカルレンズの実効
焦点距離よりも短くした構成の場合、ビーム幅を長くすることが可能となり、第１シリン
ドリカルレンズアレイ２４と第２シリンドリカルレンズアレイ２２との距離を第１シリン
ドリカルレンズアレイ２４のシリンドリカルレンズの実効焦点距離よりも長くした構成の
場合、ビーム幅を短くすることが可能となる。
【００５８】
その他の変形については、第1の実施の形態の説明の際に記載したのと同様に種々適用
可能である。
【００５９】
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態は、液晶表示装置の製造方法に関するものであり、特にレーザアニ−
ルによる多結晶化工程に特徴を有する。
【００６０】
この多結晶化工程に用いるレーザ装置１０の構成において、第1の実施の形態と異なる
点は、10台のレーザ発振器１４のうち２台を連続発振で出力がそれぞれ５０WのYAGレ
ーザ発振器（図示せず）に変える点である。したがって、５本の光ファイバ１６のうち１
本には、YAGレーザ光（１０６４ｎｍ）が伝播することになる。
【００６１】
その他の構成については第１の実施の形態と同様である。
【００６２】
このようなレーザ装置１０を用いて、透光性基板G上に成膜された非晶質のシリコン膜
Siにレーザ光を照射する。図７は、レーザ光が照射されたときの様子を模式的に示した
ものであり、図８は波長ごとのシリコンの吸収率を固体のときと液体のときとでそれぞれ
概略で示したグラフである。
【００６３】
図８に示されるように、シリコンの吸収率は、固体の場合は５５０ｎｍ以上の波長にな
ると吸収率が低くなり、シリコンが液体の場合は、５５０ｎｍ以上の波長であっても吸収
率は固体の場合ほど低下しない。
【００６４】
したがって、図７(a)に示されるように固体の場合は５３２ｎｍのSHG光は吸収さ
れるが、１０６４ｎｍのYAGレーザ光は吸収が低い。
【００６５】
しかし、ひとたびシリコン膜Siの一部が液体になると、１０６４ｎｍのレーザ光を吸
収して、この部分から熱伝導により周囲の固相のシリコン膜Siの融解が促進されること
とる。この状態で、ラインビームの長手方向方向と垂直方向に基板Gを移動させてレーザ
光を走査させることにより、好適な多結晶化が可能となる。
【００６６】
以上のように、シリコンに対して吸収率が高い５５０ｎｍ以下のレーザ光と、大出力が
可能な５５０ｎｍ以上のレーザ光とを組み合わせてシリコンに照射して多結晶化を行うこ
とにより連続発振のレーザ光でも好適な多結晶化を促進することが可能となる。そのため
、従来の連続発振タイプの多結晶化の場合よりもスループットの向上を図ることが可能と
なり、ひいては液晶表示装置のスループットの向上につながる。
【００６７】
なお、第1または第2の実施の形態で示したレーザ装置１０を用いてアニールを行っても
良い。この場合であっても従来の連続発振タイプと比較して高出力化は可能であり、結果
的にスループットの向上に寄与するものである。なお、本実施の形態にあっても他の実施
の形態の場合と同様種々変形可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第1の実施の形態に係るレーザ装置１０の概略構成図。
【図２】本発明の第1の実施の形態に係るレーザ装置１０の結合部１２の概略構成図。
【図３】本発明の第1の実施の形態において、光ファイバ１６の出射端面の模式図。
【図４】本発明の第1の実施の形態に係るランダム位相板２０の模式図。
【図５】本発明の第1の実施の形態に係る第2シリンドリカルレンズアレイ２２の概略構成図。
【図６】本発明の第2の実施の形態に係り、第1シリンドリカルレンズアレイ２４と第2のシリンドリカルレンズアレイ２２の距離とラインビーム幅との関係の説明図。
【図７】本発明の第3の実施の形態に係り、透光性基板G上に成膜された非晶質シリコン膜Siにラインビームが照射された様子を示す模式図。
【図８】シリコンの吸収率と波長との関係を示すグラフ。
【符号の説明】
【００６９】
１０  レーザ装置、１４  レーザ発振器、１６  光ファイバ、２０  ランダム位相板、
２２  第２シリンドリカルレンズアレイ、２４  第１シリンドリカルレンズアレイ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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