(57)【要約】【課題】基板の表面処理を行った後、時間が経過しても、基板の接触角の変化が抑制される有機ＥＬ表示装置用基板およびその製造方法、ならびに有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置用基板は、第１溶液を用いて形成される第１有機層を含む有機ＥＬ層が設けられる有機ＥＬ表示装置用基板である。この基板の製造方法は、透明導電層が形成された基板を用意する工程と、透明導電層の上に無機層を形成する工程と、無機層の所定の領域を表面改質することによって第１溶液に対する濡れ性を高くするように、所定の領域に表面処理を行う工程とを包含する。無機層の所定の領域は、表面処理工程直後９０分間における水に対する接触角の平均変化率が１分当たり０．０４°以下であり、第１溶液は無機層の所定の領域上に付与される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１溶液を用いて形成される第１有機層を含む有機ＥＬ層が設けられる有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法であって、
透明導電層が形成された基板を用意する工程と、
前記透明導電層の上に無機層を形成する工程と、
前記無機層の所定の領域を表面改質することによって前記第１溶液に対する濡れ性を高くするように、前記所定の領域に表面処理を行う工程とを包含し、
前記無機層の前記所定の領域は、前記表面処理工程直後９０分間における水に対する接触角の平均変化率が１分当たり０．０４°以下であり、
前記第１溶液は前記無機層の前記所定の領域上に付与される、有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項２】
前記表面処理工程は、酸素を含む雰囲気下のプラズマ処理または光照射を含む、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項３】
前記無機層はｐ型半導体層である、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項４】
前記ｐ型半導体層は、ＮｉＯ、ＣｕＯX、ＭｎXＯY、およびＦｅＯXの少なくとも１つを含む、請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項５】
前記ｐ型半導体層は、５ｎｍ以下の厚さを有する、請求項３または４に記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項６】
前記無機層は仕事関数が４．５ｅＶ以上５．５ｅＶ以下の範囲にある、請求項３から５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項７】
前記無機層は絶縁層である、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁層はＳｉＯ2を含む、請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁層は２ｎｍ未満の厚さを有する、請求項７または８に記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記無機層を形成する工程は、低速スパッタリング工程を含む、請求項１から９のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記透明導電層はＩＴＯまたはＩｎＺｎＯを含む、請求項１から１０のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記光照射に波長領域が３８０ｎｍ以下の光を用いる、請求項２から１１のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項１３】
前記無機層が形成された前記基板の上に、前記無機層の前記所定の領域の少なくとも一部を露出するように絶縁膜を形成する工程をさらに包含し、
前記表面処理工程は、前記無機層の前記所定の領域に光照射するとともに、前記無機層の前記所定の領域に隣接する所定の領域の前記絶縁膜にも光照射する工程を含み、前記絶縁膜の表面の前記所定の領域の前記第１溶液に対する濡れ性を高くする、請求項１から１２のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁膜は、前記第１溶液に対する濡れ性の低い材料で形成されている、請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁膜は光触媒およびバインダを含む、請求項１３または１４に記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁膜は界面活性剤を含む、請求項１３から１５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項１７】
前記光照射に波長領域が２００ｎｍ以下の光を用いる、請求項１３から１６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項１８】
前記無機層が形成された前記基板の上に凸部を形成する工程をさらに包含する、請求項１から１２のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項１９】
前記凸部を表面改質することによって前記第１溶液に対する濡れ性を低くする、さらなる表面処理工程を包含する、請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項２０】
前記表面処理工程は、前記さらなる表面処理工程と同時に実行される、請求項１９に記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項２１】
前記凸部は有機材料を用いて形成され、
前記凸部の下に無機材料を用いて形成された凸部下地部が設けられる、請求項１８から２０のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項２２】
前記さらなる表面処理工程は、酸素とフッ素またはフッ素化合物とを含む雰囲気下のプラズマ処理を含む、請求項１９から２１のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項２３】
前記さらなる表面処理工程は、酸素を含む雰囲気下で行われる第１プラズマ処理工程と、前記第１プラズマ処理の後にフッ素またはフッ素化合物を含む雰囲気下で行われる第２プラズマ処理工程とを含む、請求項１９から２１のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法。
【請求項２４】
請求項１から２３のいずれかに記載の方法を用いて製造された、有機ＥＬ表示装置用基板。
【請求項２５】
請求項２４に記載の有機ＥＬ表示装置用基板を用意する工程と、
前記有機ＥＬ表示装置用基板の前記無機層の前記所定の領域に前記第１溶液を付与して、前記無機層に接触するように前記無機層の上に第１有機層を形成する工程と、
前記第１有機層の上に、導電膜を形成する工程とを包含する、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記第１有機層上に第２溶液を付与して、前記第１有機層の上に第２有機層を形成する工程をさらに含み、
前記第１有機層はホール輸送層であり、前記第２有機層は発光層である、請求項２５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記基板上に有機ＥＬ層を形成する工程において、前記第１溶液の付与は、インクジェット方式によって行われる、請求項２５または２６に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２８】
請求項２５から２７のいずれかに記載の方法を用いて製造された有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示装置およびそれに用いる基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、携帯電話や携帯情報端末の高画質化、低消費電力化に伴って、液晶表示装置に変わるディスプレイデバイスとして有望視されている。有機ＥＬ表示装置は、ガラスなどから形成された基板上に下部電極（画素電極）、有機ＥＬ層（例えば、発光層、または発光層と正孔輸送層および／または電子輸送層等との組み合わせ）、および上部電極が順次積層された構造を有し、上部電極と下部電極との間に電流を流すことによって発光する。
【０００３】
従来から有機ＥＬ表示装置用基板に有機ＥＬ層を形成するためには、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、およびドクターブレード法や、各種印刷法、または電着法等、種々の方法が採用されている。
【０００４】
近年、画素ごとに有機ＥＬ層を効率的に形成できるという利点から、インクジェット法が注目されている（例えば特許文献１、および非特許文献１参照）。インクジェット法を用いる場合、インクジェットヘッドから吐出された液状の有機材料（液滴の直径は例えば３０μｍ）が隣接する画素に流出する問題が生じることがある。これは、インクジェットヘッドと基板との間にギャップが必要なため、インクジェットヘッドのノズルから液状の有機材料を吐出させたときに、その液滴の着弾した位置が目標位置に対してずれたり、飛行曲がりが生じるためである。また、上記の問題は、ノズルから吐出する有機材料の液滴サイズを高精度に制御することが困難であることにも起因する。さらに上記の問題は、有機ＥＬ装置の作製において、可動式ＸＹテーブルを用いて基板の位置が機械的に制御されるが、この可動式ＸＹテーブルでは機械的な位置合わせ誤差、例えば、約数十μｍ程度の位置合わせ誤差が生じることにも起因する。以上説明したように、インクジェット法を用いると、所定の位置に精度よく有機ＥＬ層を形成することが困難であるという問題がある。
【０００５】
そこで特許文献２は、図９に示すように、基板３１上の所定の領域に凸部（バンク）３３を形成し、凸部３３で囲まれた領域に有機ＥＬ材料を付与して有機ＥＬ層３４を形成する方法を開示している。さらに、凸部３３で囲まれた領域の底部に設けられた画素電極（ＩＴＯ）３２に紫外線照射または酸素プラズマ処理などの表面処理を施すことにより、画素電極３２に親水性を付与する（水に対する接触角を小さくする）方法を開示している。
【特許文献１】特開平１０−１２３７７号公報
【特許文献２】ＷＯ／４８３３９号公報
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７２，５１９，（１９９８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２の製造方法を用いると、表面処理を施した直後はＩＴＯ表面の接触角は十分小さく、親水性を示すが、表面処理を施してから短時間で接触角が大きくなってしまうので、表面処理後、直ちに有機材料を付与する必要があった。
【０００７】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、基板の表面処理を行った後、時間が経過しても、基板の接触角の変化が抑制される有機ＥＬ表示装置用基板およびその製造方法、ならびに有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法は、第１溶液を用いて形成される第１有機層を含む有機ＥＬ層が設けられる有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法であり、透明導電層が形成された基板を用意する工程と、前記透明導電層の上に無機層を形成する工程と、前記無機層の所定の領域を表面改質することによって前記第１溶液に対する濡れ性を高くするように、前記所定の領域に表面処理を行う工程とを包含し、前記無機層の前記所定の領域は、前記表面処理工程直後９０分間における水に対する接触角の平均変化率が１分当たり０．０４°以下であり、前記第１溶液は前記無機層の前記所定の領域上に付与されることを特徴とする。
【０００９】
前記表面処理工程は、酸素を含む雰囲気下のプラズマ処理または光照射を含むことが好ましい。
【００１０】
前記無機層はｐ型半導体層であってもよい。
【００１１】
前記ｐ型半導体層は、ＮｉＯ、ＣｕＯX、ＭｎXＯY、およびＦｅＯXの少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００１２】
前記ｐ型半導体層は、５ｎｍ以下の厚さを有することが好ましい。
【００１３】
前記無機層は仕事関数が４．５ｅＶ以上５．５ｅＶ以下の範囲にあることが好ましい。
【００１４】
前記無機層は絶縁層であってもよい。
【００１５】
前記絶縁層はＳｉＯ2を含んでもよい。
【００１６】
前記絶縁層は２ｎｍ未満の厚さを有することが好ましい。
【００１７】
前記無機層を形成する工程は、低速スパッタリング工程を含むことが好ましい。
【００１８】
前記透明導電層は、典型的にはＩＴＯまたはＩｎＺｎＯを含む。
【００１９】
前記光照射に波長領域が３８０ｎｍ以下の光を用いることが好ましい。
【００２０】
前記無機層が形成された前記基板の上に、前記無機層の前記所定の領域の少なくとも一部を露出するように絶縁膜を形成する工程をさらに包含し、前記表面処理工程は、前記無機層の前記所定の領域に光照射するとともに、前記無機層の前記所定の領域に隣接する所定の領域の前記絶縁膜にも光照射する工程を含み、前記絶縁膜の表面の前記所定の領域の前記第１溶液に対する濡れ性を高くしてもよい。
【００２１】
前記絶縁膜は、前記第１溶液に対する濡れ性の低い材料で形成されていてもよい。
【００２２】
前記絶縁膜は光触媒およびバインダを含むことが好ましい。
【００２３】
前記絶縁膜は界面活性剤を含むことが好ましい。
【００２４】
前記光照射に波長領域が２００ｎｍ以下の光を用いることが好ましい。
【００２５】
前記無機層が形成された前記基板の上に凸部を形成する工程をさらに包含してもよい。
【００２６】
前記凸部を表面改質することによって前記第１溶液に対する濡れ性を低くする、さらなる表面処理工程を包含することが好ましい。
【００２７】
前記表面処理工程は、前記さらなる表面処理工程と同時に実行されることが好ましい。
【００２８】
前記凸部は有機材料を用いて形成され、前記凸部の下に無機材料を用いて形成された凸部下地部が設けられることが好ましい。
【００２９】
前記さらなる表面処理工程は、酸素とフッ素またはフッ素化合物とを含む雰囲気下のプラズマ処理を含んでもよい。
【００３０】
前記さらなる表面処理工程は、酸素を含む雰囲気下で行われる第１プラズマ処理工程と、前記第１プラズマ処理の後にフッ素またはフッ素化合物を含む雰囲気下で行われる第２プラズマ処理工程とを含んでもよい。
【００３１】
本発明の有機ＥＬ表示装置用基板は上記方法を用いて製造されることが好ましい。
【００３２】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記の有機ＥＬ表示装置用基板を用意する工程と、前記有機ＥＬ表示装置用基板の前記無機層の前記所定の領域に前記第１溶液を付与して、前記無機層に接触するように前記無機層の上に第１有機層を形成する工程と、前記第１有機層の上に、導電膜を形成する工程とを包含することを特徴とする。
【００３３】
前記第１有機層上に第２溶液を付与して、前記第１有機層の上に第２有機層を形成する工程をさらに含み、前記第１有機層はホール輸送層であり、前記第２有機層は発光層であってもよい。
【００３４】
前記基板上に有機ＥＬ層を形成する工程において、前記第１溶液の付与は、インクジェット方式によって行われることが好ましい。
【００３５】
本発明の有機ＥＬ表示装は、上記置に記載の方法を用いて製造されることが好ましい。
【発明の効果】
【００３６】
本発明の有機ＥＬ表示装置用基板は、第１溶液を用いて形成される第１有機層を含む有機ＥＬ層が設けられる基板である。本発明の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法では、透明導電層の上に無機層を形成し、無機層に上記第１溶液に対する濡れ性を高くするための表面処理を行うので、表面処理工程後の時間経過に伴う無機層の接触角の変化率が十分小さい。したがって、表面処理工程後、基板に第１溶液を付与するまでの時間を長くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
本発明の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、透明導電層を有する有機ＥＬ表示装置用基板と、上記透明導電層に対向して配置される他の導電層（例えばＡｌ層）と、それらの間に配置される有機ＥＬ層とを備える。有機ＥＬ層は、少なくとも有機発光層を含む。有機ＥＬ層は、有機発光層の単層で構成されていてもよいし、複数の有機層を含んでいてもよい。具体的には、例えば有機ＥＬ層は、有機発光層と、正孔輸送層および電子輸送層をさらに含んでもよく、また有機発光層が電子輸送層を兼ねることもある。有機ＥＬ層には高分子材料を用い、所定の有機材料と溶剤（有機溶剤または水）とを含む液状材料で形成する。この液状材料は、ウェットプロセス（例えばインクジェット法やスピンコート法）で基板上に付与され、例えば溶液中の溶剤の少なくとも一部が除去されて、薄膜となる。
【００３８】
以下では、有機ＥＬ層が単層の有機発光層で構成される場合、その有機発光層を第１有機層と称し、有機ＥＬ層が複数の有機層の積層構造を有する場合、最下層の有機層を第１有機層と称する。また、第１有機層の液状材料を第１溶液と称する。
【００３９】
本発明の実施形態の有機ＥＬ表示装置用基板の製造方法は、透明導電層の上に無機層を形成する工程と、無機層の所定の領域を表面改質することによって第１溶液に対する濡れ性を高くするように、上記所定の領域に表面処理を施す工程とを含むことを特徴としている。
【００４０】
第１有機層を透明導電層上に十分高い密着性で形成するには、第１溶液が付与される層の水に対する接触角が約１０°以下であることが好ましい。本実施形態の製造方法では、無機層の所定の領域は、表面処理工程直後９０分間における水に対する接触角の平均変化率が１分当たり０．０４°以下であり、表面処理工程後、第１溶液が付与される層の接触角が１０°超になるまでの時間が従来よりも長い。したがって、表面処理工程後、基板に第１溶液を付与するまでの時間を従来よりも長くすることができる。なお、表面処理工程直後９０分間における水に対する接触角の平均変化率は、（表面処理工程後９０分の時の水に対する接触角―表面処理工程後０分の時の水に対する接触角）（°）／９０（分）で求める。
【００４１】
ここで、無機層の第１溶液に対する濡れ性が高いとは、無機層の第１溶液に対する接触角が、例えば１０°以下であることを意味する。第１溶液は水溶性であるため、無機層の第１溶液に対する濡れ性が高いことを親水性があるという場合がある。これに対して、無機層の第１溶液に対する濡れ性が低いとは、無機層の第１溶液に対する接触角が、例えば４０°以上であることを意味する。なお、濡れ性が低いことを撥水性があるという場合がある。
【００４２】
特許文献２に開示されている従来の製造方法では、ＩＴＯからなる透明導電層に直接、酸素プラズマ処理または紫外線照射によって親水性を付与し、透明導電層上に第１溶液を付与していた。したがって、酸素プラズマ処理または紫外線照射を施してから短時間で、透明導電層の水に対する接触角が大きくなっていた。
【００４３】
本発明者らの知見によると、これは、ＩＴＯの化学的構造に起因することが分かった。すなわち、ＩＴＯは、上記表面処理によってＩｎの価数が３価から４価に変化して、親水性の官能基が生成するが、４価のＩｎは不安定であるため、より安定な３価のＩｎに戻ることによって、ＩＴＯの表面の接触角がもとの状態に戻ってしまうからである。
【００４４】
これに対して本実施形態の製造方法では、透明導電層の上に無機層を形成し、この無機層に親水性を付与するための表面処理を施すので、無機層の表面が改質されて、親水性の官能基が生成する。Ｉｎを含まない無機層は表面が改質されても、上記ＩＴＯの場合に比べて安定な構造を有するので、ＩＴＯの表面に比べて、表面処理後の接触角の変化率を十分小さくできる。
【００４５】
本実施形態の製造方法において、透明導電層の上に形成する無機層には種々の酸化物が用いられ、例えばｐ型半導体層を好適に用いることができる。ｐ型半導体層を用いれば、透明導電層と第１有機層との間のエネルギー障壁をより小さくして、有機ＥＬ表示装置の駆動電圧を低下させるのにも効果的である。ｐ型半導体層は、ＮｉＯ、ＣｕＯX、ＭｎXＯY、およびＦｅＯXの少なくとも１つを含むことが好ましい。後述する実験より、ｐ型半導体層の厚さが５ｎｍ以下であれば、有機ＥＬ表示装置の駆動電圧を低下させるのに効果的であることが確認されている。
【００４６】
透明導電層材料のＩＴＯの仕事関数は４．７ｅＶ〜５．０ｅＶであり、ＩｎＺｎＯの仕事関数は５．１ｅＶ〜５．２ｅＶである。透明導電層と透明導電層に接触する無機層との仕事関数の差は小さいほうが好ましいので、ｐ型半導体層の仕事関数は、４．５ｅＶ〜５．５ｅＶ以下の範囲にあることが好ましい。上記に例示したｐ型半導体層材料のうち、ＮｉＯは仕事関数が５．２ｅＶであるため、透明導電層の仕事関数との差を小さくでき、好ましい。
【００４７】
透明導電層の上に形成する無機層は、絶縁層であってもよい。絶縁層は、例えば、ＳｉＯ2を含むことが好ましい。また、後述する実験より、絶縁層の厚さが２ｎｍ未満であれば、表示装置の駆動電圧を低下させるのにも効果的であることが確認されている。
【００４８】
透明導電層は、典型的には、ＩＴＯやＩｎＺｎＯを用いて形成する。
【００４９】
本発明者らは、ＩＴＯ層（厚さ１７５ｎｍ）上に無機層としてＳｉＯ2層（厚さ２ｎｍ）を形成し、酸素プラズマ処理した場合のＳｉＯ2層の接触角の時間変化と、ＩＴＯ層（厚さ１７５ｎｍ）上に無機層としてＮｉＯ層（厚さ２ｎｍ）を形成し、酸素プラズマ処理した場合のＮｉＯ層の接触角の時間変化と、ＩＴＯ層（厚さ１７５ｎｍ）に酸素プラズマ処理した場合のＩＴＯ層の接触角の時間変化とを測定する実験を行った。接触角は、水に対する接触角であり、酸素プラズマ処理を行った直後（０分）から７０００分までの間における接触角を測定した。なお、酸素プラズマ処理を行った直後（０分）の接触角は、酸素プラズマ処理を行ってから１分以内に測定した接触角をいう。また、酸素プラズマ処理は、基板温度６０℃、出力２００Ｗ、処理時間１０分の条件下で行った。
【００５０】
接触角の測定方法を説明する。本明細書で接触角は、クリーンルーム（温度２０℃、湿度５０％）の中で、一般に液適法と呼ばれる方法を用い、「ＪＩＳ  Ｒ  ３２５７  基板ガラス表面の濡れ性試験方法」に従って測定したものである。接触角は水に対するものであり、測定当日に純水製造装置で作製した純水を用いた。マイクロシリンジを用いて固体サンプル上に水滴１滴を滴下して、接触角（液滴を横から観察したときの盛り上がりの角度）を測定した。測定には、測角器の付いた読み取り顕微鏡を用いた。同一液滴について接触角の測定を５回行い、その平均値を接触角とした。また、同一サンプル面内の異なる数箇所で接触角を測定し、同一値を得ることを確認した。なお、接触角の測定方法は、例えば、社団法人日本科学学会、実験化学講座１８「界面とコロイド」、丸善  第９３〜１０６ページ（１９７７年）に説明されている。
【００５１】
図１（ａ）は、ＳｉＯ2層（本実施形態）およびＩＴＯ層（従来例）の接触角の時間変化を示すグラフであり、図１（ｂ）は、ＮｉＯ層（本実施形態）およびＩＴＯ層（従来例）の接触角の時間変化を示すグラフである。図１（ａ）および（ｂ）のグラフのうち、ｘ軸（時間）が０分〜２００分の範囲における接触角の時間変化をそれぞれ図２（ａ）および（ｂ）に拡大して示す。また、下記の表１にＳｉＯ2層、ＮｉＯ層およびＩＴＯ層の接触角の測定データを示す。
【００５２】
【表１】
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【００５３】
上記実験結果より、ＩＴＯ層に酸素プラズマ処理を行った場合、酸素プラズマ処理後０分から９０分までのＩＴＯ層の接触角の平均変化率は１分当たり約０．１であるのに対し、ＳｉＯ2層の接触角の変化率およびＮｉＯ層の平均変化率は１分当たり０．０４°未満であることが分かった。また、ＩＴＯ層の場合、表面処理後９０分程度で接触角が約１０°になったが、ＳｉＯ2層は表面処理後２６００時間程度、ＮｉＯ層は表面処理後７６０時間程度経過しなければ接触角が約１０°にならないことが分かった。
【００５４】
以上説明したように、本実施形態の製造方法では、透明導電層の上に無機層を形成し、無機層の所定の領域に第１溶液に対する濡れ性を高くするための表面処理を行うので、表面処理工程後の時間経過に伴う無機層の接触角の変化率が十分小さい。すなわち、第１溶液が付与される層（無機層）の親水性を、従来（ＩＴＯ層）よりも長時間維持できる。したがって、表面処理工程後、第１溶液を付与するまでの時間を従来よりも長くすることができる。第１溶液が付与される層の水に対する接触角は約１０°以下であることが好ましいので、従来（ＩＴＯ層）は、表面処理後９０分以内に第１溶液を付与する必要があったが、本実施形態のように例えばＳｉＯ2層やＮｉＯ層を形成した場合、表面処理後７００時間以上経過しても、第１溶液を付与できる。
【００５５】
また、面積の大きい基板を用いた場合、基板内の位置によって、表面処理後、第１溶液付与までの時間が異なるため、従来は、たとえ表面処理後９０分以内であっても基板の位置によって接触角が異なるので、基板全面において均質な第１有機層を形成できなかった。これに対して本実施形態の製造方法では、上記のように接触角の変化率が従来よりも小さいので、基板の全面に亘って均質な第１有機層を形成できる。したがって表示むらのない有機ＥＬ表示装置を作製できる。
【００５６】
また、透明導電層の上の無機層上に高い密着性で第１有機層を形成できれば、透明導電層と第１有機層との間のエネルギー障壁を小さくし、透明導電層から第１有機層（例えばホール輸送層）へのホール注入効率を高くできるので、有機ＥＬ表示装置の駆動電圧を低くできる。駆動電圧を低くできれば発熱量を低くすることができるので、有機ＥＬ表示装置の寿命を長くできる。
【００５７】
第１溶液に対する濡れ性を高くするための表面処理工程、すなわち親水化処理は、例えば、酸素を含む雰囲気下のプラズマ処理、または光照射によって行うことができる。光照射には、例えば、波長領域が３８０ｎｍ以下の紫外線を用いることができる。エネルギー照射量は１０００ｍＪから１００００ｍＪ程度が好ましい。
【００５８】
本発明者らは、ＩＴＯ層上に形成した絶縁層（ＳｉＯ2層）に酸素プラズマ処理を行い、絶縁層上に第１有機層を設けた本実施形態の有機ＥＬ表示装置と、ＩＴＯ層上に形成したｐ型半導体層（ＮｉＯ層）に酸素プラズマ処理を行い、ｐ型半導体層上に第１有機層を設けた本実施形態の有機ＥＬ表示装置と、ＩＴＯ層に直接、酸素プラズマ処理を行って、ＩＴＯ層上に第１有機層を設けた従来の有機ＥＬ表示装置との電圧―電流特性を測定する実験を行った。絶縁層およびｐ型半導体層は、厚さを変化させて測定した。また、酸素プラズマ処理は、基板温度６０℃、出力２００Ｗ、処理時間１０分の条件下で行った。有機ＥＬ層は、ＰＥＤＯＴで形成された第１有機層（正孔輸送層）と、第１有機層上のポリフルオレン誘導体で形成された第２有機層（発光層）とで構成した。
【００５９】
図３はＳｉＯ2層（厚さ１ｎｍ、２ｎｍ）を設けた有機ＥＬ表示装置と、従来の有機ＥＬ表示装置の実験結果とを併せて示すグラフであり、図４（ａ）は従来の有機ＥＬ表示装置、図４（ｂ）はＮｉＯ層（厚さ１ｎｍ）を設けた有機ＥＬ表示装置、図４（ｃ）はＮｉＯ層（厚さ５ｎｍ）を設けた有機ＥＬ表示装置の実験結果を示すグラフである。なお、図３に示すように、ＳｉＯ2層（厚さ１ｎｍ）については、酸素プラズマ処理におけるガス流量比（ｓｃｃｍ）Ａｒ／Ｏ2が４５／５である場合と、５０／０である場合とについて測定し、ＳｉＯ2層（厚さ２ｍ）については、５０／５である場合を測定した。
【００６０】
図３に示すように、ＳｉＯ2層の厚さが２ｎｍのときは、従来の有機ＥＬ表示装置よりも閾値電圧（Ｔｕｒｎ‐ｏｎ電圧）が上昇するが、ＳｉＯ2層の厚さが１ｎｍのときは、従来の有機ＥＬ表示装置の閾値電圧と同程度以下となる。したがって、ＳｉＯ2層の厚さが２ｎｍ未満であれば、有機ＥＬ表示装置の駆動電圧を十分低くできることがわかった。
【００６１】
一方、ＮｉＯ層を設けた場合は図４に示すように、ＮｉＯ層の厚さが１ｎｍ（図４（ｂ））、および５ｎｍ（図４（ｃ））のいずれの場合にも、閾値電圧を従来の有機ＥＬ表示装置（図４（ａ））と同程度以下にできる。したがって、ＮｉＯ層の厚さが５ｎｍ以下であれば、有機ＥＬ表示装置の駆動電圧を十分低くできることがわかった。
【００６２】
上述した無機層は膜厚が小さいので、例えば低速スパッタリングを用いて形成することが好ましい。通常のスパッタリングの速度は１０ｎｍ／分程度であるのに対して、低速スパッタリングの速度は例えば１ｎｍ／分程度である。低速スパッタリングを用いれば、製膜時間を制御することによって、５ｎｍ以下の非常に薄い膜厚を精密に制御できる。また、膜厚の均一な、薄い膜厚の無機層を形成できる。
【００６３】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置用基板は、第１溶液に対する濡れ性の高い無機層の所定の領域に隣接する、濡れ性の低い領域を有することが好ましい（第１のタイプの有機ＥＬ表示装置用基板）。第１溶液に対する濡れ性の差異を利用することにより、高い位置精度で第１有機層を形成できるからである。また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置用基板は、無機層の上に凸部が設けられてもよい（第２のタイプの有機ＥＬ表示装置用基板）。画素ごとに有機ＥＬ層を形成する領域を凸部で囲めば、高い位置精度で有機ＥＬ層を形成できるからである。
【００６４】
以下、上記２つのタイプの有機ＥＬ表示装置用基板、およびそれを用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法を具体的に説明する。図５および図６は、第１のタイプの有機ＥＬ表示装置用基板、およびそれを用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための模式図である。
【００６５】
まず、ガラスなどの絶縁基板１上に、たとえばスパッタリング法、電子ビーム蒸着法またはスプレー法などを用いてＩＴＯからなる透明導電層を成膜する。次に、例えばフォトリソグラフィ技術（例えばレジスト塗布、露光および現像工程を含む）を用いて、透明導電層を形成し、図５（ａ）に示すように画素電極２を形成する。画素電極２は、例えば最終的に得られる有機ＥＬ表示装置の陽極として機能する。なお、有機ＥＬ表示装置は、パッシブ駆動でもアクティブ駆動でもよい。アクティブ駆動型の有機ＥＬ装置を作製する場合には、例えば、低温ポリシリコン薄膜トランジスタを基板上に形成する。
【００６６】
次に図５（ｂ）に示すように、画素電極２を有する基板１の全面に、低速スパッタリング法を用いて例えばＳｉＯ2またはＮｉＯを用いて無機層３を形成する。スパッタリング速度は、例えば１ｎｍ／分に設定する。ＳｉＯ2層（絶縁層）を用いて無機層３を形成する場合、スパッタリング時間を０．５分以上１分以下の範囲に設定することが好ましい。ＮｉＯ2層（ｐ型半導体層）を用いて無機層３を形成する場合、スパッタリング時間を２分以上５分以下の範囲に設定することが好ましい。なお、０．５分未満であると、均一な膜を得ることができない場合がある。
【００６７】
低速スパッタリングを行うための装置には、一般的なスパッタリング装置（例えば中外炉株式会社製の汎用スパッタリング装置）を、回転速度が通常よりも遅くなるよう、かつ、ターゲットと基板との距離が通常よりも大きくなるように改造した装置を用いることができる。本実施形態では、回転速度を通常５回／分であるのに対して１５回／分とし、ターゲットと基板との距離を通常２ｃｍであるのに対して２５ｃｍとする。例えば基板温度２０℃、キャリアガス比（ｓｃｃｍ）Ｎ2／Ｏ2＝５０／０〜４５／５の雰囲気下でスパッタリングを行う。
【００６８】
次に図５（ｃ）に示すように、画素電極２および無機層３を有する基板１上に、絶縁膜４を形成する。絶縁膜４は、例えば、スピンコート法を用いて基板１の全面に絶縁層を成膜した後、図５（ｃ）に示すように、画素電極２上の無機層３の一部の表面が露出するように、公知の方法でパターニングを行うことによって形成する。絶縁膜４は、隣接する画素電極２の間隙と、画素電極２の端辺の上およびその近傍とに選択的に形成することが好ましい。
【００６９】
絶縁膜４は、例えば、撥水性を示すＳｉ元素を含む界面活性剤が混合された、有機系の感光性樹脂材料を用いて形成する。界面活性剤は、ポストベーク時に絶縁膜の表面に染みだしてくる（ブリード現象という）ため、絶縁膜４の表面に撥水性が付与される。また、この絶縁膜表面の界面活性剤の層は非常に薄いため、紫外線照射等によって容易に除去可能である。従って、後述する光照射工程で光照射された領域の絶縁膜の表面の界面活性剤が除去されて、光照射領域の絶縁膜表面が選択的に親水性になる。
【００７０】
親水性を示す材料を用いて絶縁膜を形成する場合には、光照射を行う前に、あらかじめ、絶縁膜の表面に撥水性を付与するように表面改質を行えばよい。例えば四フッ化炭素等のフッ素を含む雰囲気下で絶縁膜にプラズマ処理を施しておけば、絶縁膜の表面に撥水性を付与できる。
【００７１】
絶縁膜の材料として有機系の樹脂材料を用いると、有機溶剤に溶解した状態で例えばスピンコートなどの方法で絶縁層を成膜できるため、製造プロセスの簡略化が図れるという利点がある。また、感光性樹脂材料を用いることにより、後述する工程で絶縁層をパターニングする工程を簡略化できる。
【００７２】
また、絶縁膜形成後の工程で、基板上に付与した有機ＥＬ材料を加熱処理する必要があるため、絶縁膜は、耐熱性を有するアクリル系、ノボラック系、ポリイミド等の材料を用いて形成されることが好ましい。
【００７３】
次に図６（ａ）に示すように、フォトマスク６を介して基板１に紫外線７を照射する。フォトマスク６を用いた紫外線照射工程により、フォトマスク６の透過部に対応して紫外線照射された無機層３の表面領域に親水性を付与する（第１溶液に対する濡れ性を高くする）とともに、紫外線照射された絶縁膜４の表面領域に親水性を付与できる。一方、フォトマスク６の遮光部に対応し、紫外線が照射されなかった絶縁膜４の表面領域では、撥水性が維持される。
【００７４】
紫外線には、波長が２００ｎｍ以下のものを用いることが望ましい。紫外線照射による濡れ性変化は絶縁膜近傍における酸素の活性種と絶縁膜表面との反応による効果が大きく、紫外線の波長は酸素ガスによって吸収される領域、即ち真空紫外領域（２００ｎｍ以下）が望ましいからである。
【００７５】
紫外線照射工程は、例えば、酸素が存在する雰囲気（例えば空気中）で、照射光波長１７２ｎｍ（Ｘｅエキシマランプ）、照射光強度１０ｍＷ／ｃｍ2、照射時間１分の条件の下で行う。真空紫外線を用いる場合、フォトマスクを構成する基板の材質は真空紫外線を透過するものである必要があるため、石英を主成分とする基板を有するフォトマスクを用いる。フォトマスク６は、所定の領域に例えばクロム層６ｃが設けられており、この領域がフォトマスク６の遮光部に対応し、他の領域がフォトマスク６の透過部に対応する。
【００７６】
上記の紫外線照射工程により、無機層３および絶縁膜４の表面改質を同一の表面処理工程で行うことができるが、もちろん無機層３および絶縁膜４の表面改質を別々の表面処理工程で行ってもよい。ただし、同一の表面処理工程で無機層３および絶縁膜４の表面改質をすれば、製造工程をより簡易にできるという効果が得られる。無機層３および絶縁膜４の表面改質を別工程で行う場合には、例えば、透明導電膜２の上に無機層３を形成した後（図５（ｂ））、所定のマスクを用いて無機層３の所定の領域を紫外線照射または酸素プラズマ処理すればよい。紫外線には波長領域が３８０ｎｍ以下のものを用いることができる。
【００７７】
画素電極上の親水性を有する無機層に、撥水性を有する絶縁膜の領域が直接隣接すると、後述する工程で画素電極上の無機層の上に第１有機層を形成する際に、画素電極と絶縁膜との境界領域で第１有機層の厚さが小さくなり、第１有機層の厚さが不均一になり、画素電極と上部電極との間の電気的短絡が生じやすいという問題が生じる。これに対して、本実施形態の製造方法では、絶縁膜４の全表面のうち、画素電極２上の無機層３の露出領域８ｂに隣接する絶縁膜４の領域８ａを選択的に親水性に表面改質するため、画素電極２と絶縁膜４との境界領域上においても均一な厚さで第１有機層を形成でき、画素電極２上の無機層３と上部電極６（図６（ｃ）参照）との間の電気的短絡を防止できる。
【００７８】
なお、画素電極２上の無機層３の露出された領域８ｂの幅は例えば８０μｍ程度であり、画素電極２上の無機層３の露出された領域８ａに隣接し、選択的に親水性にされる絶縁膜４の領域８ａの幅は例えば１０μｍ程度である。
【００７９】
紫外線照射する際の基板１とマスク６との間隙９は、大きすぎるとパターンがぼやけて精度が落ち、基板１とマスク６とを密着させると最も高い精度が得られる。但し、密着させるとマスクが傷つけられたり、汚染されたりするので、実用的には例えば、１００μｍ以下、３０〜５０μｍ程度の間隙９を設けることが好ましい。
【００８０】
以上により、有機ＥＬ表示装置用基板が作製される。この有機ＥＬ表示装置用基板は、画素電極２上に無機層３が設けられており、その無機層３に親水性を付与するための表面処理が施されているので、表面処理工程後の時間経過に伴う無機層の接触角の変化率が十分小さい。したがって、表面処理工程後、時間が経過しても、無機層３の上に高い密着性で第１有機層を形成できる。
【００８１】
次にインクジェット法により、第１溶液（インク（第１有機層の液状材料））を付与する。図６（ａ）に示した前の工程で、紫外線照射された領域が親水性、それ以外の領域が撥水性になっているので、インクの着弾位置が多少ずれたとしても、親水領域に掛かっていれば、所定の位置に第１有機層が自己パターニングされる。その後ホットプレート上で加熱することにより、図６（ｂ）に示すように有機ＥＬ層５が形成される。なお、有機ＥＬ層は単層の第１有機層（発光層）で形成してもよいし、第１有機層（例えばホール輸送層）と第１有機層上の１または２以上の有機層（例えば発光層と電子輸送層）とで形成してもよい。
【００８２】
発光層の材料（インク）には、有機溶剤中に高分子材料であるポリフルオレン誘導体を０．５ｗｔ％の濃度で有機溶剤に溶解した溶液を用いることができる。勿論、高分子材料として、ポリスピロやポリ−パラフェニレンビニレン、ポリアリーレン、ポリビニルカルバゾール等も使用可能であり、含有濃度も０．５ｗｔ％に限ったものではなく、０．１〜数ｗｔ％程度の間で最適化すればよい。有機溶剤としてはテトラリン（テトラヒドロナフタレン）を使用できる。他にもインク吐出工程時にノズルの目詰まりを生じにくく、基板上に滴下されて即座に乾燥してしまわないような高沸点溶媒、例えば１、２、３、４−テトラメチルベンゼン、１、２、４−トリメチルベンゼン、１、３、５−トリメチルベンゼン、ｐ−シメン、ドデシルベンゼン等も使用可能である。インク塗布後の乾燥は、１００℃〜２００℃で１時間程度行うこととし、７０ｎｍ程度の膜厚とする。
【００８３】
本実施形態では、発光効率・輝度をより向上させるために、有機ＥＬ層を、例えば第１有機層（正孔輸送層）と第２有機層（発光層）とで構成する。具体的には、例えば、発光層を形成する前に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネート）膜（正孔輸送層）を形成する。この正孔輸送層は、上記発光層と同様に、インクジェット法によって水溶液を付与後、２００℃で乾燥焼成することにより形成できる。この正孔輸送層の膜厚は８０ｎｍ程度であり、ＩＴＯ表面に絶縁破壊を引き起こす原因となりうる凹凸（スパイク）がある場合でも平坦化する、言わばバッファ層としての役割も果たす。
【００８４】
有機ＥＬ層５を形成した後、抵抗加熱蒸着法により、図６（ｃ）に示すように上部電極６を形成する。本実施形態では、上部電極６は陰極として機能する。有機ＥＬ表示装置がアクティブ駆動の場合、上部電極６は基板の表示部の全面に形成されればよく、細かなパターニングは不要である。なお、パッシブ駆動の場合、上部電極がストライプ形状を有するように、例えばメタルマスクを用いてパターニングを施す必要がある。
【００８５】
上部電極６の材料には、アルミニウム／カルシウムの積層膜を用いることができる。仕事関数の低いカルシウムを発光層と直接コンタクトさせることにより、電子の注入効率の向上が図れると同時に、アルミニウムが水や酸素を遮断するキャップ電極としての役割を果たすため、信頼性が向上する。カルシウム膜の厚さを５ｎｍ、アルミニウム膜の厚を３００ｎｍとする。
【００８６】
上部電極６形成後、ＵＶ硬化シール樹脂ディスペンス、ガラスからなる対向基板の貼合わせを行うことで封止を行い、ＩＴＯ（画素電極、陽極）／ＰＥＤＯＴ（正孔輸送層）／ポリフルオレン誘導体（発光層）／カルシウム（陰極）／アルミニウム（キャップ電極）という積層構造を有する有機ＥＬ表示装置が作製される。
【００８７】
なお、絶縁膜４は、液状薄膜材料に対する表面の濡れ性が光照射によって変化する材料であれば、上記のものに限られず、例えば光触媒およびバインダを含む材料を用いることも可能である。具体的には、例えば特開２０００−２２３２７０号公報に説明されているが、光触媒に酸化チタン、バインダに反応性シリコーンを架橋したオルガノポリシロキサンなどを挙げることができる。これらの材料を用いて形成される有機絶縁膜では、光照射による光触媒の作用によって、バインダの一部が酸化または分解等され、光照射領域の有機絶縁膜表面が選択的に親水性になる。
【００８８】
図７および図８は、第２のタイプの有機ＥＬ表示装置用基板、およびそれを用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための模式図である。
【００８９】
まず、第１のタイプの製造方法と同様に、ガラスなどの絶縁基板１上にＩＴＯからなる透明導電層を成膜した後、ストライプ状にパターニングし、図７（ａ）に示すように画素電極２を形成する。
【００９０】
次に第１のタイプの製造方法と同様に、図７（ｂ）に示すように、画素電極２を有する基板１の全面に、低速スパッタリング法を用いて例えばＳｉＯ2またはＮｉＯを用いて無機層３を形成する。
【００９１】
次に図８（ａ）に示すように、画素電極２および無機層３を有する基板１上に、凸部下地膜２１および凸部２２を形成する。凸部下地膜２１は無機材料を用いて形成することが好ましく、凸部２２は有機材料を用いて形成することが好ましい。無機材料は一般に水に対する濡れ性が高く、有機材料は一般に水に対する濡れ性が低いので、濡れ性の違いを利用することにより、後の工程で凸部および凸部下地膜２１によって周囲を囲まれた領域に有機ＥＬ層を高い密着性で形成できるからである。
【００９２】
凸部下地膜２１は、例えばＳｉＯ2膜、シリコン窒化膜、アモルファスシリコン膜を用いて形成でき、後の工程で形成する有機ＥＬ層２４の厚さと同程度の厚さにすることが好ましい。凸部２２は、例えばポリイミドで形成できる。
【００９３】
凸部下地膜２１および凸部２２は例えば以下のように形成する。
【００９４】
まず、無機層３の全面に公知の方法（例えばスピンコート方法）でＳｉＯ2膜を形成する。次に、印刷法などを用いて、ＳｉＯ2膜上の所定の領域にポリイミドを用いて凸部２２を形成する。凸部２２は画素に対応して形成する。凸部２２形成後、凸部２２をマスクとしてＳｉＯ2膜をエッチングし、所定の形状の凸部下地膜２１を得ることができる。以上のようにして、凸部下地膜２１および凸部２２が作製される。
【００９５】
次に図８（ｂ）に示すように、得られた基板１に、酸素およびフッ素を含む雰囲気下のプラズマ処理または、酸素およびフッ素化合物（たとえば、ＣＦ4、ＳＦ6、ＣＨＦ3などのハロゲンガス）を含む雰囲気下のプラズマ処理を行う。プラズマ処理は減圧下で行ってもよいし、大気圧下で行ってもよい。フッ素またはフッ素化合物が酸素よりも過多の雰囲気下でプラズマ処理を行えば、無機層３および無機材料で形成された凸部下地膜２１の第１溶液に対する濡れ性を高くするとともに、有機材料で形成された凸部２２の第１溶液に対する濡れ性を低くできる。例えば、ＣＦ4とＯ2との混合ガス下（例えばＣＦ4／ＣＦ4＋Ｏ2＝７５％）でプラズマ処理を行えば、無機層３および凸部下地膜２１と、凸部下地膜２１との接触角の差を十分大きくできる。
【００９６】
上記混合ガス下でのプラズマ処理に代えて、酸素を含む雰囲気下のプラズマ処理と、フッ素またはフッ素化合物を含む雰囲気下のプラズマ処理とを連続して行ってもよい。この連続プラズマ処理によっても、混合ガス下でのプラズマ処理と同様に、無機層３および凸部下地膜２１の第１溶液に対する濡れ性を高くするとともに、凸部２２の第１溶液に対する濡れ性を低くできる。
【００９７】
具体的には、例えば、まず、酸素ガス流量５００ＳＣＣＭ、パワー１．０Ｗ／ｃｍ2、圧力１ｔｏｒｒという条件で、酸素プラズマ処理を１分間行い、続いて、ＣＦ4ガス流量９００ＳＣＣＭ、パワー１．０Ｗ／ｃｍ2、圧力１ｔｏｒｒという条件で、ＣＦ4プラズマ処理を３０分間行う。
【００９８】
上記では、無機層３の表面改質を行う工程と、凸部２２および凸部下地膜２１の表面改質を行う工程とを同一の工程（混合ガス下でのプラズマ処理または連続プラズマ処理）で行う場合を説明したが、もちろん別工程で行ってもよい。別工程で行う場合には、例えば、透明導電膜２の上に無機層３を形成した後（図７（ｂ））、所定のマスクを用いて無機層３の所定の領域を紫外線照射または酸素プラズマ処理すればよい。
【００９９】
以上により、本実施形態の有機ＥＬ表示装置用基板が作製される。この有機ＥＬ表示装置用基板は、画素電極２の上に無機層３が設けられており、無機層３に親水性を付与するための表面処理が行われているので、表面処理工程後の時間経過に伴う無機層の接触角の変化率が十分小さい。したがって、表面処理工程後、時間が経過しても、無機層３の上に高い密着性で第１有機層を形成できる。
【０１００】
次に、第１のタイプの製造方法と同様にインクジェット法により、第１溶液（インク（液状の第１有機層の材料））を付与し、無機層３の上に設けられる第１有機層を含む有機ＥＬ層５を形成する。
【０１０１】
有機ＥＬ層５を形成した後、第１のタイプの製造方法と同様に上部電極を形成する。上部電極６形成後、対向基板の貼合わせを行うことで封止を行い、ＩＴＯ（画素電極、陽極）／ＰＥＤＯＴ（正孔輸送層）／ポリフルオレン誘導体（発光層）／カルシウム（陰極）／アルミニウム（キャップ電極）という積層構造を有する有機ＥＬ表示装置が作製される。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本発明は、有機ＥＬ層の材料に溶液材料を用いる有機ＥＬ表示装置に広く利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】（ａ）はＳｉＯ2層（本実施形態）およびＩＴＯ層（従来例）の接触角の時間変化を示すグラフであり、（ｂ）は、ＮｉＯ層（本実施形態）およびＩＴＯ層（従来例）の接触角の時間変化を示すグラフである。
【図２】（ａ）は、図１（ａ）のｘ軸（時間）０分〜２００分の範囲における接触角の時間変化を拡大して示すものであり、（ｂ）は、図１（ｂ）のｘ軸（時間）０分〜２００分の範囲における接触角の時間変化を拡大して示すものである。
【図３】ＳｉＯ2層（厚さ１ｎｍ、２ｎｍ）を設けた有機ＥＬ表示装置および、従来の有機ＥＬ表示装置の閾値電圧の測定結果を示すグラフである。
【図４】（ａ）は従来の有機ＥＬ表示装置、（ｂ）はＮｉＯ層（厚さ１ｎｍ）を設けた有機ＥＬ表示装置、（ｃ）はＮｉＯ層（厚さ５ｎｍ）を設けた有機ＥＬ表示装置の閾値電圧の測定結果を示すグラフである。
【図５】（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、第１のタイプの有機ＥＬ表示装置用基板、およびそれを用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、第１のタイプの有機ＥＬ表示装置用基板、およびそれを用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、第２のタイプの有機ＥＬ表示装置用基板、およびそれを用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、第２のタイプの有機ＥＬ表示装置用基板、およびそれを用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図９】従来の有機ＥＬ表示装置用基板を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１    絶縁基板
２    画素電極
３    無機層
４    絶縁層
５    有機ＥＬ層
６    フォトマスク
６ｃ    クロム層
７    紫外線
２１    凸部下地膜
２２    凸部
２４    有機ＥＬ層
３１    基板
３２    ＩＴＯ層
３３    凸部
３４    有機ＥＬ層
【図１】
2005259479.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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