(57)【要約】【課題】磁気記憶装置のビット線の側壁に磁性体層を形成する際に、磁気記憶素子上に形成される銅系金属層の腐食を防止することで、磁気記憶装置の信頼性の向上を可能とする。【解決手段】銅系金属層１４ｂが表面に形成された磁気記憶素子１３を被覆する第３絶縁膜４３に銅系金属層１４ｂが底部に露出するように凹部（溝）４４を形成する工程と、溝４４の内面に第１バリア層２１を形成する工程と、第１バリア層２１表面に第１磁性体層２２を形成する工程と、第１磁性体層２２を異方的に除去加工して第１磁性体層２２を溝４４の側壁のみに残す工程と、側壁に残した第１磁性体層２２をマスクにして第１バリア層２１を選択的に除去する工程と、溝４４内にビット線１２を形成する工程と、ビット線１２上に第２磁性体層２６を形成する工程とを備えたことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅系金属層が表面に形成された磁気記憶素子を被覆する絶縁膜に前記銅系金属層が底部に露出するように凹部を形成する工程、
前記凹部の内面にバリア層を形成する工程と、
前記バリア層表面に第１磁性体層を形成する工程と、
前記第１磁性体層を異方的に除去加工して前記第１磁性体層を前記凹部の側壁のみに残す工程と、
前記残された第１磁性体層をマスクにして前記バリア層を選択的に除去する工程と、
前記凹部内に配線を形成する工程と、
前記配線上に第２磁性体層を形成する工程と
を備えたことを特徴とする磁気記憶装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１磁性体層を異方的に除去加工して前記第１磁性体層を前記凹部の側壁のみに残す工程は、
ハロゲンガスと酸素を主成分とするガスとの混合ガスをエッチングガスに用いたドライエッチングにより行う
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記憶装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１磁性体層を異方的に除去加工して前記第１磁性体層を前記凹部の側壁のみに残す工程は、
ハロゲンガスと窒素を主成分とするガスとの混合ガスをエッチングガスに用いたドライエッチングにより行う
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記憶装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１磁性体層を異方的に除去加工して前記第１磁性体層を前記凹部の側壁のみに残す工程は、
一酸化炭素ガスをエッチングガスに用いたドライエッチングにより行う
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記憶装置の製造方法。
【請求項５】
前記素子は磁気抵抗効果素子である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記憶装置の製造方法。
【請求項６】
前記配線は磁気記憶装置のビット線である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記憶装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２磁性体層はバリア層を介して形成される
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記憶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、製造工程が複雑化することなく、ビット線を信頼性高く形成することを容易にした磁気記憶装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的な磁気ランダムアクセスメモリ（通称、ＭＲＡＭ）は、トンネル型磁気抵抗素子(ＴＭＲ素子)により「１」および「０」情報を記憶する。ＴＭＲ素子は二つの磁性層の間に薄い絶縁層を挟んだ構造となっている。このトンネル型磁気抵抗素子は二つの磁性層の磁化方向は所与の時間で２つの安定した方向のうち一つをとる。これら二つの安定した方向、すなわち、平行および逆平行は論理値「１」および「０」を表すものとなる。平行とは二つの磁性層の磁化方向が同一の方向になる場合であり、逆平行とは二つの磁性層の磁化方向が逆向きの方向になる場合である。一般には一方の磁性層の磁化方向を固定し、片方の磁性層の磁化方向を変えることにより記憶情報を変化させている。選択されたメモリセルの磁化方向は、選択されたメモリセルと交差するワード線およびビット線に電流を供給することにより変更することができる。この電流はその結合時に選択されたメモリセルの磁化方向を平行から逆平行へ、またはその逆に切り替えることができる磁界を生成する。通常、ワード線およびビット線が協同して、選択されたメモリセルの磁化方向を切り替える。したがって、磁気メモリの消費電力を下げるためにはワード線およびビット線で生成された磁界をできるだけ有効に活用する必要がある。その一つの方法として書き込みワード線およびビット線を磁性体で包んだクラッド構造が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。このように、ワード線およびビット線で生成された磁界をできるだけ有効に活用するには、書き込みワード線およびビット線の各ＴＭＲ素子側の面を除く面を磁性体層で覆う必要があることは当然の如く知られている。
【０００３】
次に、一般的なＭＲＡＭデバイスの断面構造を図３に示す。図３は、従来型の１選択素子と１ＴＭＲ素子（１トランジスタ１接合構造）とで構成されるＭＲＡＭであり、選択素子にＭＯＳトランジスタを用いた例である。
【０００４】
図３に示すように、半導体基板１０１には、選択素子となる電界効果型トランジスタ１２１が形成されている。この電界効果トランジスタ１２１は読み出しのためのスイッチング素子として機能する。上記電界効果型トランジスタ１２１のソース１２２にはプラグ１３１を介して接地線１３３が接続され、ドレイン１２３側にはプラグ１３２、ワード線１３４を介して電流駆動線１１５が接続されている。この電流駆動線１１５は磁気記憶素子として磁気抵抗効果素子（例えばＴＭＲ素子）１１３が接続されている。上記磁気抵抗効果素子１１３の下方には絶縁膜１４１を介して書き込みワード線１１１が配設され、上記磁気抵抗効果素子１１３上にはキャップ層１１４を介して上記書き込みワード線１１１と立体的に交差（例えば直交）するビット線１１２が配設されている。
【０００５】
上記書き込みワード線１１１およびビット線１１２は、磁気抵抗効果素子１１３側の面以外は磁性体層１５１、１５２で囲まれている、いわゆるクラッド構造となっている。したがって、上記書き込みワード線１１１およびビット線１１２に電流を流して磁界を発生させた場合、磁性体層１５１、１５２で囲われていない磁気抵抗効果素子の側面に磁界が集中し、磁気抵抗効果素子を効果的に駆動させる（例えば、記憶層を容易に磁化反転させる）ことが可能となる。
【０００６】
上記磁気抵抗効果素子１１３は、一例として、強磁性体層からなる磁化固定層と、磁化固定層上に形成されたトンネル絶縁層と、トンネル絶縁層上に形成されたもので磁化が比較的容易に回転する記憶層ととから構成されている。また、上記電流駆動線１１５は、例えば、金属配線材料からなる導電層と反強磁性体層との積層構造となっており、また磁化固定層を延長形成されていてもよい。また、磁気抵抗効果素子１１３は電流駆動線１１５を介してワード線１３４との電気的な接続をとっている。
【０００７】
上記キャップ層１１４は、磁気抵抗効果素子１１３と別の磁気抵抗効果素子（図示せず）とを接続する配線との相互拡散防止、接触抵抗低減および記憶層の酸化防止という機能を有する。通常、窒化タンタル（ＴａＮ）、タンタル（Ｔａ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、チタン（Ｔｉ）等のバリア性のある材料層と、銅、銅合金等からなる導電層との積層構造で形成されている。
【０００８】
上記磁気抵抗効果素子１１３は、一般に１０ｎｍ程度の膜厚の積層膜であるため、電気的な接続をビット線１１２と直接とることが難しい。このため、磁気抵抗効果素子１１３上に１００ｎｍ程度の厚さを有する金属膜からなる上記キャップ層１１４が必要となっている。
【０００９】
次に、従来のビット線のクラッド構造の製造方法について、図４および図５を用いて説明する。
【００１０】
図示はしないが、半導体基板に、駆動素子、接地線、ワード線、書き込みワード線等を形成し、それらを第１絶縁膜で被覆する。そして、図４（１）に示すように、第１絶縁膜２４１上にワード線（図示せず）に接続する電流駆動線２１５を形成し、この電流駆動線２１５上に磁気記憶素子として磁気抵抗効果素子(例えばＴＭＲ素子)２１３を形成する。この磁気抵抗効果素子２１３を形成する際には、磁気抵抗効果素子２１３上部にキャップ層２１４を形成する。このキャップ層２１４は、例えば下層にバリア層を形成し、上層に銅系金属層を形成した積層膜からなる。次いで、上記キャップ層２１４、磁気抵抗効果素子２１３および電流駆動線２１５を被覆する第２絶縁膜２４２を形成した後、キャップ層２１４表面を露出させるように第２絶縁膜２４２表面を平坦化する。さらに第２絶縁膜２４２上に第３絶縁膜２４３を形成する。図示はしないが、通常、第２絶縁膜２４２と第３絶縁膜２４３との間には絶縁膜からなるエッチングストッパ層を形成する。
【００１１】
次に、例えば、通常のレジスト塗布、リソグラフィー技術によって、エッチングマスク（図示せず）を形成した後、上記第３絶縁膜２４３にビット線を形成するための溝２４４を形成する。この溝２４４は、例えば深さ４００ｎｍ程度に形成される。
【００１２】
次に、図４（２）に示すように、上記溝２４４の内面を含む上記第３絶縁膜２４３上にバリア層２２１として、例えばタンタル（Ｔａ）膜を１０ｎｍの厚さに形成する。この成膜方法としては、例えばスパッタリング法を用いる。次いで、スパッタリング法によって上記バリア層２２１上に磁性体層２２２を、例えばニッケル鉄（ＮｉＦｅ）合金で形成する。上記バリア層２２１にタンタル膜を用いることにより、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）合金の磁性体層２２２と第２、第３絶縁膜２４２、２４３との密着性が向上する。
【００１３】
次に、図４（３）に示すように、異方性エッチングにより上記磁性体層２２２およびバリア層２２１をエッチングして、溝２４４の側壁のみに上記磁性体層２２２およびバリア層２２１を残す。したがって、第３絶縁膜２４３上の磁性体層２２２およびバリア層２２１は除去される。このエッチングは、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）型エッチング装置を用いて以下の条件で行った。エッチングガスには塩素（Ｃｌ2）とアルゴン（Ａｒ）との混合ガスを用い、塩素の流量を２０ｃｍ3／ｍｉｎ、アルゴンの流量を９０ｃｍ3／ｍｉｎとした。またソースパワーを１４００Ｗ，バイアスパワーを５００Ｗに設定し、エッチング雰囲気の圧力を０．６７Ｐａ、カソード温度を２２５℃に設定した。
【００１４】
次に、図４（４）に示すように、溝２４４の内面を含む上記第３絶縁膜２４３上にバリア層２２３として、例えばタンタル（Ｔａ）膜を５ｎｍの厚さに形成する。この成膜方法としては、例えばスパッタリング法を用いる。次いで、スパッタリング法によって上記バリア層２２３上にシード層（図示せず）を、例えば銅で形成する。その後、めっき法によって上記溝２４４を埋め込むように銅を堆積してシード層を含む銅膜２２４を形成する。
【００１５】
次に、図５（５）に示すように、化学的機械研磨によって、上記第３絶縁膜２４３上の余剰な上記銅膜２２４および上記バリア層２２３を除去して、溝２４４内に銅膜２２４を残すことでビット線２１２を形成する。
【００１６】
次に、図５（６）に示すように、スパッタリング法によって、上記ビット線２１２を被覆するように上記第３絶縁膜２４３上にバリア層２２５を形成し、さらに磁性体層２２６を形成する。バリア層２２５はタンタル（Ｔａ）を１０ｎｍの厚さに堆積し、磁性体層２２６はニッケル鉄合金を２０ｎｍの厚さに堆積して形成した。次いで、通常のリソグラフィー技術によりレジストマスク２５１を形成した。その後、異方性ドライエッチングによって上記磁性体層２２６およびバリア層２２５を加工して、図５（７）に示すように、上記ビット線２１２上のみに残すようにバリア層２２５を介して磁性体層２２６を形成した。その後、アッシング処理によって、レジストマスク２５１〔前記図５（６）参照〕を除去した。
【００１７】
これにより磁気抵抗効果素子を用いた磁気記憶装置において、磁気抵抗効果素子２１３側を除くビット線２１２の側壁および上面に磁性体層２２２および磁性体２２６からなるクラッド構造が形成された（例えば、特許文献２参照。）。
【００１８】
【特許文献１】特開２００２−２４６５６６号公報
【特許文献２】特願２００３−１６１４５１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
解決しようとする問題点は、溝側壁にのみ磁性体層を残すエッチングの際に、キャップ層の銅膜が磁性体層をエッチングするエッチングガス、特に塩素ガスによって腐食されることである。この腐食は以下のようにして起こる。ビット線が形成される溝の内面に磁性体層を形成するときに、絶縁膜上に堆積される磁性体層の膜厚に対して溝底部に形成される磁性体層の膜厚のほうが１／２〜１／３程度の膜厚となり薄くなる。このため、溝の側壁のみに磁性体層を残す異方性エッチングの際に、絶縁膜上の磁性体層は完全に除去する必要があるので、溝底部の磁性体層に対するエッチングはオーバーエッチングとなり、溝底部の磁性体層が完全に除去された後もエッチングが継続されることになる。このため、溝底部に露出されるキャップ層の銅膜が磁性体層をエッチングするエッチングガス、特に塩素ガスにさらされることになり、銅膜表面に腐食を発生させ、磁気記憶装置の信頼性が劣化するという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の磁気記憶装置の製造方法は、銅系金属層が表面に形成された磁気記憶素子を被覆する絶縁膜に前記銅系金属層が底部に露出するように凹部を形成する工程、前記凹部の内面にバリア層を形成する工程と、前記バリア層表面に第１磁性体層を形成する工程と、前記第１磁性体層を異方的に除去加工して前記第１磁性体層を前記凹部の側壁のみに残す工程と、前記残された第１磁性体層をマスクにして前記バリア層を選択的に除去する工程と、前記凹部内に配線を形成する工程と、前記配線上に第２磁性体層を形成する工程とを備えたことを最も主要な特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の磁気記憶装置の製造方法は、第１磁性体層を異方的に除去加工して第１磁性体層を凹部の側壁のみに残した後、第１磁性体層をマスクにしてバリア層を選択的に除去するため、溝の底部に露出する銅系金属層表面が第１磁性体層のエッチングにより腐食されることが無くなるので、磁気記憶装置の信頼性を確保することができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
磁気記憶装置のビット線の側壁に磁性体層を形成する際に、磁気記憶素子上に形成される銅系金属層の腐食を防止するという目的を、第1磁性体層の加工（エッチング）とバリア層の加工（エッチング）とを別個に行うことで、プロセス的な負荷を掛けずに実現した。
【実施例１】
【００２３】
本発明の磁気記憶装置の製造方法に係る一実施例を、図１および図２の製造工程図によって説明する。
【００２４】
図示はしないが、半導体基板に、駆動素子、接地線、ワード線、書き込みワード線等を形成し、それらを第１絶縁膜で被覆する。そして、図１（１）に示すように、第１絶縁膜４１上にワード線（図示せず）に接続する電流駆動線１５を形成する。この電流駆動線１５は、例えば導電層と反強磁性体層との積層構造で形成する。上記電流駆動線１５上に磁気記憶素子として磁気抵抗効果素子(例えばＴＭＲ素子)１３を形成する。この磁気抵抗効果素子１３を形成する際には、磁気抵抗効果素子１３上部にキャップ層１４を形成する。このキャップ層１４は、例えば下層に導電性を有するバリア層を形成し、上層に銅系金属層１４ｂを形成した積層膜からなる。次いで、上記キャップ層１４、磁気抵抗効果素子１３および電流駆動線１５を被覆する第２絶縁膜４２を形成した後、キャップ層１４表面を露出させるように第２絶縁膜４２表面を平坦化する。さらに第２絶縁膜４２上に第３絶縁膜４３を形成する。図示はしないが、通常、第２絶縁膜４２と第３絶縁膜４３との間には絶縁膜からなるエッチングストッパ層を形成する。
【００２５】
次に、例えば、通常のレジスト塗布、リソグラフィー技術によって、エッチングマスク（図示せず）を形成した後、上記第３絶縁膜４３にビット線を形成するための凹部（以下、溝として説明する）４４を形成する。この溝４４は、例えば深さ４００ｎｍ程度に形成される。
【００２６】
次に、図１（２）に示すように、上記溝４４の内面を含む上記第３絶縁膜４３上に第１バリア層２１を形成する。この第１バリア層２１は、例えば、スパッタリング法を用いて、タンタル（Ｔａ）を１０ｎｍの厚さに堆積して形成する。次いで、上記バリア層２１上に第１磁性体層２２を形成する。この第１磁性体層２２は、例えば、スパッタリング法によってニッケル鉄（ＮｉＦｅ）合金を５０ｎｍの厚さに堆積して形成する。上記バリア層２１にタンタル膜を用いることにより、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）合金の第１磁性体層２２と第３絶縁膜４３との密着性が向上する。
【００２７】
次に、図１（３）に示すように、異方性エッチングにより上記第１磁性体層２２のみをエッチングして、上記第１磁性体層２２を溝４４の側壁のみに残す。したがって、第３絶縁膜４３上の第１磁性体層２２は第１バリア層２１を残して除去される。このエッチングは、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）型エッチング装置を用いて以下の条件で行う。エッチングガスには、ハロゲンガスと酸素を主成分とするガスとの混合ガスとして、塩素（Ｃｌ2）と酸素（Ｏ2）とアルゴン（Ａｒ）との混合ガスを用い、一例として、塩素の流量を５ｃｍ3／ｍｉｎ、酸素の流量を５ｃｍ3／ｍｉｎ、アルゴンの流量を９０ｃｍ3／ｍｉｎとした。またＩＣＰ型エッチング装置のソースパワーを１４００Ｗ、バイアスパワーを５００Ｗに設定し、エッチング雰囲気の圧力を０．６７Ｐａ、カソード温度を２２５℃に設定した。
【００２８】
または、上記エッチングガスには、ハロゲンガスと窒素を主成分とするガスとの混合ガスとして、塩素（Ｃｌ2）と窒素（Ｎ2）とアルゴン（Ａｒ）との混合ガスを用いることができ、一例として、塩素の流量を５ｃｍ3／ｍｉｎ、酸素の流量を５ｃｍ3／ｍｉｎ、アルゴンの流量を９０ｃｍ3／ｍｉｎとすることができる。このエッチングガスを用いた場合、一例として、ＩＣＰ型エッチング装置のソースパワーを１４００Ｗ、バイアスパワーを５００Ｗに設定し、エッチング雰囲気の圧力を０．６７Ｐａ、カソード温度を２２５℃に設定した。
【００２９】
または、上記エッチングガスには、一酸化炭素ガスを用いることもできる。
【００３０】
上記エッチングでは、エッチングガスに含まれる酸素や窒素によって、第１バリア層２１表面が酸化もしくは窒化される。例えば、第１バリア層２１をタンタル膜で形成した場合には、表面に酸化タンタルもしくは窒化タンタルが生成されるので、第１磁性体層２２をエッチング加工するときには第１バリア層２１の酸化層もしくは窒化層がエッチングストッパとしての機能を果たし、第１バリア層２１表面でエッチングを停止させることが可能になる。
【００３１】
次に、図１（４）に示すように、上記側壁に残した第１磁性体層２２をマスクにして、異方性エッチングにより、上記第１バリア層２１をエッチングして、溝４４の側壁のみに上記側壁磁性体層２２および第１バリア層２１を残す。したがって、第３絶縁膜４３上の第１磁性体層２２および第１バリア層２１は除去される。このエッチングは、ＩＣＰ型エッチング装置を用いて以下の条件で行った。エッチングガスには、四フッ化炭素（ＣＦ4）とトリフルオロメタン（ＣＨＦ3）とアルゴン（Ａｒ）との混合ガスを用い、四フッ化炭素の流量を４０ｃｍ3／ｍｉｎ、トリフルオロメタンの流量を２０ｃｍ3／ｍｉｎ、アルゴンの流量を６０ｃｍ3／ｍｉｎとした。またソースパワーを１１００Ｗ，バイアスパワーを１５０Ｗに設定し、エッチング雰囲気の圧力を１．３７Ｐａ、カソード温度を４０℃に設定した。このように、上記第１バリア層２１のエッチングに塩素系ガスを用いていないため、キャップ層１４の銅系金属層は腐食されることはない。
【００３２】
次に、図２（５）に示すように、溝４４の内面を含む上記第３絶縁膜４３上に導電性を有するバリア層２３として、例えばタンタル（Ｔａ）膜を５ｎｍの厚さに形成する。この成膜方法としては、例えばスパッタリング法を用いる。次いで、スパッタリング法によって上記バリア層２３上にシード層（図示せず）を、例えば銅で形成する。その後、めっき法によって上記溝４４を埋め込むように銅を例えば４００ｎｍの厚さに堆積してシード層を含む銅膜２４を形成する。
【００３３】
次に、図２（６）に示すように、化学的機械研磨によって、上記第３絶縁膜４３上の余剰な上記銅膜２４および上記バリア層２３を除去して、溝４４内に銅膜２４を残すことでビット線１２を形成する。
【００３４】
次に、図２（７）に示すように、スパッタリング法によって、上記ビット線１２を被覆するように上記第３絶縁膜４３上に第２バリア層２５を形成し、さらに第２磁性体層２６を形成する。第２バリア層２５はタンタル（Ｔａ）を１０ｎｍの厚さに堆積し、第２磁性体層２６はニッケル鉄合金を２０ｎｍの厚さに堆積して形成した。次いで、通常のリソグラフィー技術によりレジストマスク５１を形成した。その後、異方性ドライエッチングによって上記第２磁性体層２６および第２バリア層２５を加工して、図２（８）に示すように、上記ビット線１２上のみに残すように第２バリア層２５を介して第２磁性体層２６を形成した。その後、アッシング処理によって、レジストマスク〔前記図２（７）参照〕を除去した。上記第２磁性体層２６と第２バリア層２５のエッチングは、ＩＣＰ型エッチング装置を用いて以下の条件で行った。エッチングガスには塩素（Ｃｌ2）とアルゴン（Ａｒ）との混合ガスを用い、塩素の流量を５ｃｍ3／ｍｉｎ、アルゴンの流量を９０ｃｍ3／ｍｉｎとした。またソースパワーを１４００Ｗ，バイアスパワーを５００Ｗに設定し、エッチング雰囲気の圧力を０．６７Ｐａ、カソード温度を２２５℃に設定した。
【００３５】
これにより磁気抵抗効果素子１３を磁気記憶素子に用いた磁気記憶装置において、磁気抵抗効果素子１３側を除くビット線１２の側壁および上面に第１磁性体層２２と第２磁性体層２６とからなるクラッド構造が形成できた。
【００３６】
本発明の磁気記憶装置の製造方法は、第１磁性体層２２を異方的に除去加工して第１磁性体層２２を凹部（溝）４４の側壁のみに残した後、残した第１磁性体層２２をマスクにして第１バリア層２１を選択的に除去するため、第１磁性体層２２のエッチング時にはキャップ層１４の銅系金属層１４ｂ表面は第１バリア層２１に被覆されているため、第１磁性体層２２のエッチングガス中に含まれる塩素のプラズマにさらされることがない。また、第１磁性体層２２のエッチング時に第１バリア層２１表面はエッチングガスに含まれる酸素もしくは窒素によって酸化もしくは窒化されるため、第１磁性体層２２のエッチングにおいて、オーバーエッチングを行っても、第１バリア層２１がエッチングされることは防止される。よって、第１磁性体層２２のエッチング時に、キャップ層１４の銅系金属層１４ｂ表面が第１磁性体層２２のエッチングにより腐食されることが無くなるので、磁気記憶装置の信頼性を確保することができるという利点がある。
【００３７】
上記製造方法では、第１磁性体層２２をエッチングする際のハロゲンガスとして塩素ガスを用いたが、塩素ガスと同様に、表面が酸化もしくは窒化された第１バリア層２１をエッチングしないガスとして、ヨウ化水素（ＨＩ）ガス、臭化水素（ＨＢｒ）ガスを用いることもできる。なお、流量については、それぞれのガスによって適宜決定されることが好ましい。
【００３８】
上記製造方法では、第１バリア層２１のエッチングガスに四フッ化炭素（ＣＦ4）とトリフルオロメタン（ＣＨＦ3）とアルゴン（Ａｒ）との混合ガスを用いたが、このエッチングガスは上記第１磁性体層２２をエッチングすることなく、第１バリア層２１をエッチングすることができるエッチングガスであればよく、例えばサルファーヘキサフルオライド（ＳＦ6）とアルゴン（Ａｒ）との混合ガスを用いることもできる。
【００３９】
上記製造方法では、第１バリア層２１にタンタル膜を用いたが、例えばチタン膜、タングステン膜等を用いることもできる。この場合には、上記タンタル膜のエッチング条件を採用することができる。また、第１バリア層２１に酸化タンタル（ＴａＯx）や窒化タンタル（ＴａＮx）を用いることもできる。この場合には、第１磁性体層２２のエッチングに用いるエッチングガスに酸素や窒素を含まないエッチングガスを採用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明の磁気記憶装置の製造方法は、電流を流すことにより磁界を発生させる配線を備えた各種磁気記憶装置の製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の磁気記憶装置の製造方法に係る一実施例を示した製造工程断面図である。
【図２】本発明の磁気記憶装置の製造方法に係る一実施例を示した製造工程断面図である。
【図３】従来の磁気記憶装置の構造を示した概略構成断面図である。
【図４】従来の磁気記憶装置の製造方法に係る一例を示した製造工程断面図である。
【図５】従来の磁気記憶装置の製造方法に係る一例を示した製造工程断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１２…ビット線、１３…磁気記憶素子、１４ｂ…銅系金属層、２１…バリア層、２２…第１磁性体層、２６…第２磁性体層、４３…第３絶縁膜、４４…凹部（溝）
【図１】
2005209675.tif 000003
【図２】
2005209675.tif 000004
【図３】
2005209675.tif 000005
【図４】
2005209675.tif 000006
【図５】
2005209675.tif 000007