(57)【要約】【課題】  多層構造部品１内の引き出し導体パターン７の損傷を防止する。【解決手段】  導体パターン層３と絶縁層４を交互に逐次焼成しながら積層形成して多層構造部品１を製造する。全ての導体パターン層３はメイン導体パターン５を有し、また、最も下側の導体パターン層３よりも上側の導体パターン層３のうちの少なくとも１つの導体パターン層３は、メイン導体パターン５から外部接続用電極８まで伸長形成される引き出し導体パターン７を有する。引き出し導体パターン７よりも下側の少なくとも１つの導体パターン層３には、引き出し導体パターン７に対向させてダミー導体パターン１２を形成する。ダミー導体パターン１２によって、メイン導体パターン５の形成領域に対する引き出し導体パターン７の形成領域の落ち込みが防止されて、その落ち込みに起因した引き出し導体パターン７の損傷を回避できる。【選択図】        図１
2005101276.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と導体パターン層が交互に逐次焼成されながら積層形成されて成る多層構造部品であって、全ての導体パターン層には、それぞれ、絶縁層の端縁位置よりも内側位置にメイン導体パターンが配置形成され、また、最も下側の導体パターン層よりも上側の導体パターン層のうちの少なくとも１つの導体パターン層には、メイン導体パターンに加えて、当該メイン導体パターンから絶縁層の端縁位置まで伸長形成された引き出し導体パターンが形成され、当該引き出し導体パターンの伸長先端部は、絶縁層と導体パターン層の積層体の側面に形成された外部接続用電極に接続されている構成と成しており、その引き出し導体パターンが形成されている導体パターン層よりも下側の１つ以上の導体パターン層には、前記引き出し導体パターンに対向するダミー導体パターンが形成され、このダミー導体パターンは、メイン導体パターンおよび外部接続用電極に接続されていない電気的に浮いた導体パターンであることを特徴とする多層構造部品。
【請求項２】
ダミー導体パターンは、対向している引き出し導体パターンの伸長方向に交差する方向の幅よりも幅広であることを特徴とする請求項１記載の多層構造部品。
【請求項３】
メイン導体パターンと、引き出し導体パターンと、ダミー導体パターンとは、フォトリソグラフィ工法又はスクリーン印刷工法を利用して形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の多層構造部品。
【請求項４】
複数のメイン導体パターンはコイル構成要素と成し、これらコイル構成要素のメイン導体パターンが電気的に接続されてコイルが構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２又は請求項３記載の多層構造部品。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れか１つに記載の多層構造部品の製造方法であって、交互に積層形成される絶縁層と、この絶縁層よりも熱収縮率が小さい導体パターン層との各層を形成する毎に焼成することとし、また、積層される導体パターン層は、全ての層にダミー導体パターンを形成するか、又は、一部の層にダミー導体パターンを形成し、絶縁層と導体パターン層を一層以上交互に積層した上に、引き出し導体パターンを有する導体パターン層を積層して焼成することとして、メイン導体パターン部分が積層されている領域の積層厚み方向の焼成による熱収縮量と、ダミー導体パターンおよび引き出し導体パターンが積層形成される領域の積層厚み方向の焼成による熱収縮量との差を小さくして、引き出し導体パターン形成領域のメイン導体パターン形成領域に対する落ち込みを抑制することを特徴とする多層構造部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の導体パターン層が絶縁層を介しながら積層形成されている多層構造部品およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図５（ａ）には多層構造部品の一例が模式的な断面図により示されている（例えば特許文献１，２参照）。この多層構造部品１は、基板２上に導体パターン層３と絶縁層４が交互に積層形成されて成るものである。この例では、全ての導体パターン層３（３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ）には、それぞれ、絶縁層４の端縁位置よりも内側位置にメイン導体パターン５が形成されている。また、最も下側の導体パターン層３ａには、メイン導体パターン５（５ａ）に加えて、当該メイン導体パターン５ａから絶縁層４の図５（ａ）に示す左側の端縁位置まで伸長形成された引き出し導体パターン６が形成されている。さらに、最も上側の導体パターン３ｄには、メイン導体パターン５ｄに加えて、当該メイン導体パターン５ｄから絶縁層４の図５（ａ）に示す右側の端縁位置まで伸長形成された引き出し導体パターン７が形成されている。
【０００３】
基板２と導体パターン層３と絶縁層４から成る積層体９の側面には、外部接続用電極８（８Ｌ）が形成されると共に、その外部接続用電極８Ｌと間隔を介して外部接続用電極８（８Ｒ）が形成されている。導体パターン層３ａの引き出し導体パターン６は外部接続用電極８Ｌに接続され、導体パターン層３ｄの引き出し導体パターン７は外部接続用電極８Ｒに接続されている。メイン導体パターン５ａ，５ｄは積層体９の内側に形成されているが、それらメイン導体パターン５ａ，５ｄは、それぞれ、引き出し導体パターン６，７と外部接続用電極８（８Ｌ，８Ｒ）を介して、外部の回路と接続することができる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３４３６４０号公報
【特許文献２】実開平６−２３２１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、最も上側の導体パターン層３ｄの引き出し導体パターン７は、図５（ｂ）の点線に示されるようにメイン導体パターン５ｄから水平方向に沿って外部接続用電極８Ｒまで伸長形成されることが望ましい。しかしながら、後述する理由によって引き出し導体パターン７は、メイン導体パターン５ｄに対して下向きに傾いて形成されてしまう。このように、メイン導体パターン５ｄに対して引き出し導体パターン７が傾き形成されてしまうと、引き出し導体パターン７には、例えばメイン導体パターン５ｄとの接続部分などにおいてパターン切れ（ライン切れ）１０等の損傷が生じる虞がある。
【０００６】
引き出し導体パターン７がメイン導体パターン５ｄに対して傾いてしまう理由を以下に述べる。
【０００７】
多層構造部品１の製造工程では、例えば、まず、図６（ａ）に示されるように、基板２上にメイン導体パターン５ａを形成すると共に引き出し導体パターン６を形成して最も下側の導体パターン層３ａを形成し、その後、その導体パターン層３ａを焼成する。次に、図６（ｂ）に示されるように、その導体パターン層３ａの上側に絶縁層４ａを積層形成し、当該絶縁層４ａを焼成する。このとき、焼成前には図６（ｂ）に示されるように絶縁層４ａの上面はほぼ高さ位置が揃った平坦面であったのにも拘わらず、焼成後には、図６（ｃ）に示されるように、メイン導体パターン５ａおよび引き出し導体パターン６が形成されている領域Ｍに対して導体パターン５，６が形成されていない領域Ｎは、その絶縁層４ａの上面部分が落ち込んで、その領域Ｍの絶縁層４ａ上面部分と領域Ｎの絶縁層４ａ上面部分との間に段差が生じてしまう。
【０００８】
この現象は次に示す理由により生じる。つまり、絶縁層４ａを構成している絶縁材料は、導体パターン５，６を構成している導体材料よりも熱収縮率が大きい。このため、絶縁層４ａの焼成後の冷却により、絶縁層４ａだけの領域Ｎは、導体パターン５，６と絶縁層４ａが積層形成されている領域Ｍよりも、厚み方向の熱収縮量が多くなる。このために、導体パターン５，６が形成されていない領域Ｎの絶縁層４ａ部分の上面は、導体パターン５，６が形成されている領域Ｍの絶縁層４ａ部分の上面よりも落ち込んでしまう。
【０００９】
絶縁層４ａの焼成後には、図６（ｄ）に示されるように、絶縁層４ａの上側にメイン導体パターン５ｂを積層形成して導体パターン層３ｂを形成し、その後、その導体パターン層３ｂを焼成する。さらに、その導体パターン層３ｂの上側に絶縁層４ｂを積層形成する。このとき、その絶縁層４ｂを構成する絶縁材料の一部が、絶縁層４ａの落ち込み部分に入り込んで当該落ち込み部分が補充され、絶縁層４ｂの上面はほぼ高さ位置が揃って平坦な面となる。
【００１０】
その後、絶縁層４ｂを焼成する。この絶縁層４ｂの焼成により、前記同様に、図６（ｅ）に示されるように、メイン導体パターン５ａ，５ｂが積層形成されている領域Ｍ’と、それ以外の領域Ｎ，Ｎ’との厚み方向の焼成による熱収縮量の差に起因して、領域Ｍ’の絶縁層４ｂ部分の上面よりも、領域Ｎ，Ｎ’の絶縁層４ｂ部分の上面は落ち込んでしまう。
【００１１】
その後、上記同様に、絶縁層４ｂの上側にメイン導体パターン５ｃを積層形成して導体パターン層３ｃを形成し、当該導体パターン層３ｃを焼成する。そして、その導体パターン層３ｃの上側に絶縁層４ｃを積層形成して、当該絶縁層４ｃを焼成する。
【００１２】
この絶縁層４ｃの焼成後には、図６（ｆ）に示されるように、前記同様に、メイン導体パターン５が積層形成されている領域Ｍ’と、それ以外の領域Ｎ，Ｎ’との厚み方向の焼成による熱収縮量の差に起因して、領域Ｍ’の絶縁層４ｃ部分の上面よりも、領域Ｎ，Ｎ’の絶縁層４ｃ部分の上面が落ち込んでしまう。
【００１３】
そのような絶縁層４ｃの上側にメイン導体パターン５ｄおよび引き出し導体パターン７が積層形成されて導体パターン層３ｄが設けられる。つまり、メイン導体パターン５ｄは、上面位置が高い領域Ｍ’の絶縁層４ｃ部分に積層形成され、引き出し導体パターン７は、上面位置が領域Ｍ’よりも落ち込んでいる領域Ｎの絶縁層４ｃ部分に積層形成される。このために、引き出し導体パターン７は、メイン導体パターン５ｄに対して下方側に傾いて形成される。
【００１４】
このように、引き出し導体パターン７がメイン導体パターン５ｄに対して下方に傾くことにより、前記したように、引き出し導体パターン７には、例えばメイン導体パターン５ｄとの接続部分などにおいてパターン切れ等の損傷が生じる虞がある。引き出し導体パターン７が損傷すると、引き出し導体パターン７に電流（信号）が流れ難くなって、例えば多層構造部品１の性能が悪化する等の問題が発生して、多層構造部品１の性能に対する信頼性を低下させてしまう。
【００１５】
この発明は上記課題を解決するために成されたものであり、その目的は、メイン導体パターンに対する引き出し導体パターンの傾き形成を抑制して、その傾き形成に起因した引き出し導体パターンの損傷を防止できる多層構造部品およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために、この発明は次に示す構成をもって前記課題を解決するための手段としている。すなわち、この発明の多層構造部品は、絶縁層と導体パターン層が交互に逐次焼成されながら積層形成されて成る多層構造部品であって、全ての導体パターン層には、それぞれ、絶縁層の端縁位置よりも内側位置にメイン導体パターンが配置形成され、また、最も下側の導体パターン層よりも上側の導体パターン層のうちの少なくとも１つの導体パターン層には、メイン導体パターンに加えて、当該メイン導体パターンから絶縁層の端縁位置まで伸長形成された引き出し導体パターンが形成され、当該引き出し導体パターンの伸長先端部は、絶縁層と導体パターン層の積層体の側面に形成された外部接続用電極に接続されている構成と成しており、その引き出し導体パターンが形成されている導体パターン層よりも下側の１つ以上の導体パターン層には、前記引き出し導体パターンに対向するダミー導体パターンが形成され、このダミー導体パターンは、メイン導体パターンおよび外部接続用電極に接続されていない電気的に浮いた導体パターンであることを特徴としている。
【００１７】
また、この発明の多層構造部品は、ダミー導体パターンが、対向している引き出し導体パターンの伸長方向に交差する方向の幅よりも幅広であることや、メイン導体パターンと、引き出し導体パターンと、ダミー導体パターンとは、フォトリソグラフィ工法又はスクリーン印刷工法を利用して形成されていることや、複数のメイン導体パターンはコイル構成要素と成し、これらコイル構成要素のメイン導体パターンが電気的に接続されてコイルが構成されていることをも特徴としている。
【００１８】
さらに、この発明の製造方法は、本発明において特徴的な構成を持つ多層構造部品の製造方法であって、交互に積層形成される絶縁層と、この絶縁層よりも熱収縮率が小さい導体パターン層との各層を形成する毎に焼成することとし、また、積層される導体パターン層は、全ての層にダミー導体パターンを形成するか、又は、一部の層にダミー導体パターンを形成し、絶縁層と導体パターン層を一層以上交互に積層した上に、引き出し導体パターンを有する導体パターン層を積層して焼成することとして、メイン導体パターン部分が積層されている領域の積層厚み方向の焼成による熱収縮量と、ダミー導体パターンおよび引き出し導体パターンが積層形成される領域の積層厚み方向の焼成による熱収縮量との差を小さくして、引き出し導体パターン形成領域のメイン導体パターン形成領域に対する落ち込みを抑制することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１９】
この発明の多層構造部品は、絶縁層と導体パターン層が交互に逐次焼成されながら積層形成されて成るものであり、全ての導体パターン層には、絶縁層の端縁位置よりも内側位置にメイン導体パターンが形成されている。また、最も下側の導体パターン層よりも上側の少なくとも１つの導体パターン層には、メイン導体パターンが形成されると共に、このメイン導体パターンから外部接続用電極に伸長形成される引き出し導体パターンが形成されている。
【００２０】
この発明の多層構造部品およびその製造方法では、その引き出し導体パターンが形成されている下側の１つ以上の導体パターン層には、引き出し導体パターンに対向するダミー導体パターンが形成されている。このように、引き出し導体パターンが形成される領域にダミー導体パターンを形成することによって、引き出し導体パターンが形成される領域の単位体積当たりの導体パターンの形成量を、メイン導体パターンの積層形成領域の単位体積当たりの導体パターンの形成量と同程度又は近付けることができる。
【００２１】
絶縁層を構成している絶縁材料は、メイン導体パターンや引き出し導体パターンやダミー導体パターンよりも焼成による熱収縮率が大きいことから、単位体積当たりの導体パターンの形成量が、メイン導体パターンの積層形成領域よりも引き出し導体パターンの形成領域の方が格段に少ないと、引き出し導体パターンが形成される領域は、メイン導体パターンの積層形成領域よりも焼成による厚み方向の熱収縮量が大きくなる。これにより、メイン導体パターンの積層形成領域に対して、引き出し導体パターンの形成領域が落ち込んでしまうという問題が生じる。
【００２２】
これに対して、この発明では、上記のように、引き出し導体パターンの形成領域にダミー導体パターンを形成することによって、引き出し導体パターンの形成領域の単位体積当たりの導体パターンの形成量を、メイン導体パターンの積層形成領域の単位体積当たりの導体パターンの形成量と同程度又は近付けることができるので、引き出し導体パターンの形成領域の焼成による厚み方向の熱収縮量を、メイン導体パターンの積層形成領域の焼成による厚み方向の熱収縮量と同程度にすることが可能となる。これにより、メイン導体パターンの積層形成領域に対する引き出し導体パターンの形成領域の落ち込みを抑制できる。
【００２３】
ところで、絶縁層と導体パターン層を交互に積層形成し、全ての絶縁層と導体パターン層を積層形成し終えた後に、それら絶縁層と導体パターン層の全てを一括的に焼成することがある。このような製造工程の場合には、例えばメイン導体パターン等の導体パターンの形成位置に関係無く、その導体パターンの上側に積層形成される絶縁層の上面はフラットとなって当該フラットな（平坦な）上面にメイン導体パターン等の導体パターンを形成することとなる。このため、引き出し導体パターンを有する導体パターン層を形成する際に、メイン導体パターンの積層形成領域に対する引き出し導体パターンの形成領域の落ち込みは無くて、絶縁層上に、メイン導体パターンに対して引き出し導体パターンが傾いて形成されてしまうという問題は生じない。
【００２４】
これに対して、絶縁層と導体パターン層を交互に逐次焼成しながら積層形成する場合には、導体パターン層の上側に絶縁層を積層形成して当該絶縁層を焼成する度に、その下側のメイン導体パターンの形成位置に応じて前述したような厚み方向の焼成による熱収縮量の差に起因した凹凸が絶縁層の上面に生じてしまう虞がある（つまり、メイン導体パターンの積層形成領域よりもそれに隣接している領域が落ち込んでしまう虞がある）が、この発明では、絶縁層と導体パターン層を交互に逐次焼成して積層形成していきながら、前述したようなダミー導体パターンを形成することによって、メイン導体パターンの積層形成領域に対する引き出し導体パターンの形成領域の落ち込みを防止できる。このため、メイン導体パターンおよび引き出し導体パターンを有する導体パターン層を形成する際に、メイン導体パターンに対する引き出し導体パターンの傾き形成を防止しながら、メイン導体パターンおよび引き出し導体パターンを形成できる。これにより、引き出し導体パターンの傾き形成に因る引き出し導体パターンの損傷を防止することができて、引き出し導体パターン損傷に起因した多層構造部品の性能悪化等の問題を抑制でき多層構造部品の信頼性を向上させることができる。
【００２５】
また、メイン導体パターンに対する引き出し導体パターンの傾き形成に起因した引き出し導体パターンの損傷を防止するために、引き出し導体パターンおよび当該引き出し導体パターンに連接するメイン導体パターンを他の導体パターン層のメイン導体パターンよりも厚く形成することが考えられるが、この場合には、前記引き出し導体パターンの傾き形成に因る引き出し導体パターンの損傷を防止できる程にメイン導体パターンおよび引き出し導体パターンを厚く形成すると、メイン導体パターンおよび引き出し導体パターンの製造の精度が悪くなってしまうという問題が生じる。これにより、多層構造部品に設計通りの性能を持たせることが難しくなるという問題が発生してしまう。
【００２６】
これに対して、この発明では、他の導体パターン層のメイン導体パターンよりも引き出し導体パターンおよび当該引き出し導体パターンに連接するメイン導体パターンを厚く形成しなくとも、引き出し導体パターンの傾き形成に因る引き出し導体パターンの損傷を防止することができる。このため、引き出し導体パターンの傾き形成に因る引き出し導体パターンの損傷を防止しながら、引き出し導体パターンおよびそれに連接するメイン導体パターンを他の導体パターン層の導体パターンと同様の薄さに形成できて、その引き出し導体パターンおよびメイン導体パターンを他の導体パターン層の導体パターンと同様に、精度良く作製することができる。また、全ての導体パターン層の導体パターンを同じ薄さに形成できるので、製造工程の煩雑化を防止することができる。
【００２７】
さらに、ダミー導体パターンを、対向している引き出し導体パターンよりも幅広にすることによって、製造時に導体パターンに多少の位置ずれが生じてしまっても、ダミー導体パターンと引き出し導体パターンを対向配置させることができることとなり、上記同様の効果を得ることができる。
【００２８】
さらに、メイン導体パターンと、引き出し導体パターンと、ダミー導体パターンとをフォトリソグラフィ工法又はスクリーン印刷工法を利用して形成することによって、それら導体パターンを精度良く作製することができる。
【００２９】
さらに、この発明では、ダミー導体パターンは、メイン導体パターンおよび外部接続用電極に接続されていない電気的に浮いた導体パターンであるために、次に示すような効果を得ることができる。
【００３０】
例えば、複数のメイン導体パターンはコイル構成要素と成し、これらコイル構成要素のメイン導体パターンが電気的に接続されてコイルが構成されているものにあっては、仮にダミー導体パターンがメイン導体パターン又は外部接続用電極に接続されていると仮定すると、そのダミー導体パターンによる浮遊容量がコイルの寄生容量に加算されて当該寄生容量が増加してしまって、コイルの自己共振周波数が下がるという問題が発生する。これに対して、この発明では、ダミー導体パターンはコイル（メイン導体パターン）および外部接続用電極に接続されていないので、ダミー導体パターンに起因したコイルの寄生容量増加を抑制することができる。これにより、コイルの自己共振周波数の低下を防止することができて、コイルの高周波特性の悪化を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に、この発明に係る実施形態例を図面に基づいて説明する。なお、以下に述べる実施形態例の説明において、図５に示す多層構造部品と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。
【００３２】
図１（ａ）には本発明に係る多層構造部品の一実施形態例が模式的な断面図により示され、図１（ｂ）には図１（ａ）の多層構造部品が模式的な分解図により示されている。
【００３３】
この実施形態例の多層構造部品１はインダクタ部品であり、例えばセラミックス等から成る基板２の表面上に、導体パターン層３と絶縁層４が交互に逐次焼成されながら積層形成されて作製されるものである。
【００３４】
この実施形態例では、基板２と導体パターン層３と絶縁層４から成る積層体９の側面には外部接続用電極８Ｌ，８Ｒが互いに間隔を介して形成されている。また、全ての導体パターン層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄには、それぞれ、絶縁層４の端縁位置よりも内側位置に、スパイラル状のメイン導体パターン５（５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ）が形成されている。さらに、最も下側の導体パターン層３ａには、メイン導体パターン５ａに加えて、当該メイン導体パターン５ａの外側端部ａoから外部接続用電極８Ｌに伸長形成された引き出し導体パターン６が形成されている。さらにまた、最も上側の導体パターン層３ｄには、メイン導体パターン５ｄに加えて、当該メイン導体パターン５ｄの外側端部ｄoから外部接続用電極８Ｒに伸長形成された引き出し導体パターン７が形成されている。
【００３５】
この実施形態例では、メイン導体パターン５ａの外側端部ａoは引き出し導体パターン６を介して外部接続用電極８Ｌに接続され、メイン導体パターン５ａの内側端部ａiは絶縁層４ａに形成されたビアホール１４ａを介してメイン導体パターン５ｂの内側端部ｂiに接続されている。メイン導体パターン５ｂの外側端部ｂoは絶縁層４ｂに形成されたビアホール１４ｂを介してメイン導体パターン５ｃの外側端部ｃoに接続され、メイン導体パターン５ｃの内側端部ｃiは絶縁層４ｃに形成されたビアホール１４ｃを介してメイン導体パターン５ｄの内側端部ｄiに接続されている。メイン導体パターン５ｄの外側端部ｄoは引き出し導体パターン７を介して外部接続用電極８Ｒに接続されている。すなわち、メイン導体パターン５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄはコイル構成要素と成し、これらメイン導体パターン５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄは電気的に直列に接続されて、図２の多層構造部品１の等価回路図に示されるようなコイル（インダクタ）１３を構成している。このコイル（インダクタ）１３は外部接続用電極８Ｒ，８Ｌによって外部の回路に組み込むことが可能となっている。
【００３６】
この実施形態例において特徴的なことは、導体パターン層３ａ，３ｂ，３ｃには、それぞれ、メイン導体パターン５（５ａ，５ｂ，５ｃ）に加えて、ダミー導体パターン１２（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）が、最も上側の導体パターン層３ｄの引き出し導体パターン７に対向させて形成されていることである。
【００３７】
図３には、ダミー導体パターン１２（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）と、引き出し導体パターン７との配置関係の一例が、絶縁層４ｄの位置から引き出し導体パターン７側を見た模式的な平面図により示されている。この図にも示されているように、上記の如くダミー導体パターン１２（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）と、引き出し導体パターン７とは対向配置されている。また、ダミー導体パターン１２（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）は、引き出し導体パターン７の伸長方向（つまり、メイン導体パターン５ｄの外側端部ｄoから外部接続用電極８Ｒに向かう方向）に交差する方向の幅Ｗ7よりも広幅に形成されている。
【００３８】
そのように、ダミー導体パターン１２の幅Ｗ12を引き出し導体パターン７よりも幅広にする理由は、導体パターンの製造精度の問題からダミー導体パターン１２と引き出し導体パターン７が多少位置ずれしても、ダミー導体パターン１２と引き出し導体パターン７を対向配置できるようにするためである。このことを考慮し、例えば引き出し導体パターン７の幅Ｗ7に基づいて、ダミー導体パターン１２の幅Ｗ12が設計される。そのダミー導体パターン１２の幅Ｗ12は特に限定されるものではないが、その一例を挙げると、例えば、ダミー導体パターン１２の幅Ｗ12は引き出し導体パターン７の幅Ｗ7の２倍程度とする。
【００３９】
また、この実施形態例では、ダミー導体パターン１２（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）は、外部接続用電極８（８Ｒ）およびメイン導体パターン５（５ａ，５ｂ，５ｃ）に接続されていない電気的に浮いた状態となっている。これにより、図２の点線に示されるようなインダクタ１３に必然的に生じる寄生容量Ｃpに、ダミー導体パターン１２に起因した浮遊容量が加算されることが回避できて、インダクタ１３の寄生容量Ｃpの増加を防止することができる。インダクタ１３の寄生容量Ｃpが増加すると、インダクタ１３の自己共振周波数が低下して、多層構造部品１（インダクタ部品）の高周波特性が悪化するという問題が発生するが、この実施形態例では、ダミー導体パターン１２の浮遊容量に起因したインダクタ１３の寄生容量Ｃpの増加を防止できるので、ダミー導体パターン１２を設けても、多層構造部品１の高周波特性の悪化を回避することができる。
【００４０】
この実施形態例の多層構造部品１は上記のように構成されている。以下に、この実施形態例の多層構造部品１の製造工程例を説明する。例えば、まず、基板２を用意し、その基板２の表面上に、メイン導体パターン５ａを形成すると共に、引き出し導体パターン６およびダミー導体パターン１２ａを形成する。なお、それらメイン導体パターン５ａと引き出し導体パターン６とダミー導体パターン１２ａを作製するための工法には、例えばフォトリソグラフィ工法やスクリーン印刷工法等の様々な工法があり、ここでは、何れの工法を利用して導体パターン５ａ，６，１２ａを作製してもよいが、フォトリソグラフィ工法を利用した場合の一例を次に説明する。例えば、基板２の表面全面に感光性導電ペースト（例えば感光性のＡｇペースト）を例えばベタ印刷して当該感光性導電ペーストを乾燥する。その後、その感光性導電ペーストの上側に導体パターン形成用のフォトマスクを配置し、このフォトマスクを介して導体パターン５ａ，６，１２ａとなる感光性導電ペースト部分に光を照射して硬化させる（露光させる）。
【００４１】
然る後に、未硬化な感光性導電ペースト部分を除去する現像処理を行って、導体パターン５ａ，６，１２ａを形作る。そして、それら導体パターン５ａ，６，１２ａを焼成する。このようにして、導体パターン層３ａを作製することができる。
【００４２】
次に、導体パターン層３ａの上側に絶縁層４ａを形成する。この絶縁層４ａの形成工法に関しても、様々な工法があり、何れの工法を利用して絶縁層４ａを形成してもよいが、ここでは、フォトリソグラフィ工法を利用して絶縁層４ａを形成する場合の一例を説明する。例えば、導体パターン層３ａの上側に、絶縁層４ａとなる感光性絶縁ペーストを印刷工法により形成する。そして、ビアホール形成用のフォトマスクを利用して、ビアホール１４ａとなる部分以外の感光性絶縁ペースト部分を露光させて硬化させる。その後、未硬化な感光性絶縁ペースト部分を除去する現像処理を行うことにより、ビアホール１４ａ用の孔部が形作られる。このようにして、ビアホール１４ａ用の孔部が形成された絶縁層４ａが作製される。然る後に、その絶縁層４ａを焼成する。なお、その後、絶縁層４ａの上側に導体パターン層３ｂを形成すべく導体材料が積層形成されて導体材料の一部がビアホール１４ａ用の孔部内に入り込むことにより、ビアホール１４ａが形成される。
【００４３】
上記同様にして導体パターン層３ｂ，３ｃと絶縁層４ｂ，４ｃを交互に逐次焼成しながら積層形成していく。
【００４４】
ところで、導体パターン５，６，７，１２を構成する導体材料は、絶縁層４を構成する絶縁材料よりも熱収縮率が小さい。このために、前述したように、メイン導体パターン５が積層形成されている領域よりも、それに隣接している領域の方が、導体パターンの形成量が少ない分、焼成を行ったときの厚み方向の熱収縮量が多くなって、メイン導体パターン５の積層形成領域と、それに隣接している領域との間に段差が生じることが懸念される。
【００４５】
これに対して、この実施形態例では、引き出し導体パターン７が形成される領域には、引き出し導体パターン７よりも下側の全ての導体パターン層３（３ａ，３ｂ，３ｃ）にダミー導体パターン１２が引き出し導体パターン７に対向するように形成されている。換言すれば、引き出し導体パターン７の形成領域では、メイン導体パターン５の積層領域と同様に、全ての導体パターン層３に、導体パターンが形成されている。このため、絶縁層４ｃの焼成後において、引き出し導体パターン７の形成領域の絶縁層４ｃ部分の上面は、メイン導体パターン５の積層領域の絶縁層４ｃ部分の上面と高さ位置が揃って、絶縁層４ｃにおける引き出し導体パターン７の形成領域とメイン導体パターン５の積層領域の上面部分はほぼフラットとなっている。
【００４６】
このような絶縁層４ｃの上面にメイン導体パターン５ｄおよび引き出し導体パターン７を積層形成して導体パターン層３ｄを形成する。このために、引き出し導体パターン７は、メイン導体パターン５ｄに対して下方に傾き形成されることなく、水平方向に沿うように形成することができる。これにより、メイン導体パターン５ｄに対して引き出し導体パターン７が傾き形成されることに因る引き出し導体パターン７の損傷を防止することができる。
【００４７】
その後、そのメイン導体パターン５ｄおよび引き出し導体パターン７を有する導体パターン層３ｄを焼成する。そして、その導体パターン層３ｄの上側に絶縁層４ｄを上記同様に積層形成する。
【００４８】
この実施形態例では、ここまでの製造工程は、基板２の親基板の状態のままで行われており、絶縁層４ｄまで積層形成した以降に、親基板を各多層構造部品１毎に例えばダイシングやレーザースクライブ等の切断工法により分離分割する。そして、それら各多層構造部品１毎にそれぞれ外部接続用電極８を形成する。
【００４９】
この実施形態例では、ダミー導体パターン１２は、絶縁層４の端縁位置まで伸長形成されていないので（換言すれば、ダミー導体パターン１２の端部は絶縁層４の端縁位置と間隔を介して配置されているので）、親基板の切断工程において、ダミー導体パターン１２の端部がバリとなったり、ダミー導体パターン１２が変形してしまったり、ダミー導体パターン１２が剥離する等の問題を防止することができる。
【００５０】
なお、この発明はこの実施形態例の形態に限定されるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例えば、この実施形態例では、導体パターン層３ｄよりも下側の全ての導体パターン層３（３ａ，３ｂ，３ｃ）に、それぞれ、引き出し導体パターン７に対向するダミー導体パターン１２を形成したが、例えば、引き出し導体パターン７よりも下側の全ての導体パターン層３にダミー導体パターン１２を形成しなくとも、メイン導体パターン５ｄに対する引き出し導体パターン７の傾き形成を防止できる場合には、例えば、引き出し導体パターン７よりも下側の導体パターン層３のうちの選択した２つあるいは１つの導体パターン層３だけにダミー導体パターン１２を形成する構成としてもよい。
【００５１】
さらに、この実施形態例では、ダミー導体パターン１２は、引き出し導体パターン７の幅Ｗ7よりも広幅に形成されていたが、例えばダミー導体パターン１２および引き出し導体パターン７の製造精度が非常に高くて、ダミー導体パターン１２と引き出し導体パターン７を殆ど位置ずれ無く対向配置できる場合には、ダミー導体パターン１２の幅Ｗ12は、引き出し導体パターン７の幅Ｗ7と等幅であってもよいし、また、メイン導体パターン５ｄに対する引き出し導体パターン７の傾き形成を防止できる範囲内において、ダミー導体パターン１２の幅Ｗ12を引き出し導体パターン７の幅Ｗ7よりも細くしてもよい。
【００５２】
さらに、この実施形態例では、導体パターン層３と絶縁層４は４層ずつ積層形成されていたが、導体パターン層３が２層以上形成されていれば、それら導体パターン層３と絶縁層４の積層数は限定されるものでない。
【００５３】
さらに、この実施形態例では、導体パターン層３のメイン導体パターン５はスパイラル状であったが、もちろん、他の形状であってもよい。さらに、この実施形態例では、多層構造部品１はインダクタ部品であったが、この発明は、例えばコンデンサ部品や、コンデンサとインダクタを内蔵したＬＣ複合部品等のインダクタ部品以外の多層構造部品にも適用することができるものである。例えば、図４（ａ）の分解図に示されるような多層構造部品１にも本発明は適用することができる。この図４（ａ）の多層構造部品１は、図４（ｂ）の等価回路図に示されるように、コンデンサ１６とインダクタ１７を内蔵したＬＣ複合部品である。
【００５４】
つまり、図４（ａ）において、基板２の表面上には、メイン導体パターン５ａを有した導体パターン層３ａと、メイン導体パターン５ｂを有した導体パターン層３ｂとが絶縁層４ａを介して積層形成されている。メイン導体パターン５ａ，５ｂによってコンデンサ１６が構成されている。メイン導体パターン５ａの図４（ａ）に示す左側端部は絶縁層４の端縁位置まで伸長形成されており、この伸長先端部が、基板２と導体パターン層３と絶縁層４の積層体９の側面に形成される外部接続用電極（図４では図示せず）に接続される。
【００５５】
導体パターン層３ｂの上側には、絶縁層４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅと、スパイラル状のメイン導体パターン５（５ｃ，５ｄ，５ｅ）を有する導体パターン層３（３ｃ，３ｄ，３ｅ）とが交互に積層形成されている。それらスパイラル状のメイン導体パターン５ｃ，５ｄ，５ｅは、絶縁層４ｃ，４ｄに形成されたビアホール１４ｃ，１４ｄを介して直列に接続されてインダクタ（コイル）１７が構成されている。スパイラル状のメイン導体パターン５ｃ，５ｄ，５ｅのなかで最も下側のメイン導体パターン５ｃは、絶縁層４ｂに形成されたビアホール１４ｂを介してコンデンサ１６に接続されている。また、最も上側の導体パターン層３ｅには、メイン導体パターン５ｅが形成されると共に、当該メイン導体パターン５ｅから絶縁層４の端縁位置まで伸長形成された引き出し導体パターン７が形成されている。
【００５６】
この図４の多層構造部品１では、導体パターン層３ｃ，３ｄには、それぞれ、引き出し導体パターン７に対向するダミー導体パターン１２（１２ｃ，１２ｄ）が形成されている。これにより、上記実施形態例と同様に、メイン導体パターン５ｅに対して引き出し導体パターン７が傾き形成されて、引き出し導体パターン７が損傷するという問題を回避できる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明に係る多層構造部品の一実施形態例を説明するための図である。
【図２】図１に示す多層構造部品の等価回路図である。
【図３】引き出し導体パターンと、それに対向配置するダミー導体パターンとの配置関係例を説明するための図である。
【図４】その他の実施形態例を説明するための図である。
【図５】多層構造部品の従来例を説明するための図である。
【図６】図５に示す多層構造部品の製造工程例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５８】
１  多層構造部品
３  導体パターン層
４  絶縁層
５  メイン導体パターン
６，７  引き出し導体パターン
８  外部接続用電極
１２  ダミー導体パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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