(57)【要約】【課題】  実装基板上に複数のチップが積層された半導体装置の製造工程において、半導体装置の歩留りを低下させることなくチップを確実に接着する。【解決手段】  実装基板１上のチップ搭載領域に対応した平面形状の開口部を有するマスクを、その開口部の位置をチップ搭載領域に合わせて配置し、マスクが配置された実装基板１上にペースト状の接着材４を塗布し、マスクの開口部を接着材４で埋め込んだ後、マスクを取り外してチップ搭載領域にのみ接着材４を残す。次いで、熱処理によって接着材４の表面を乾燥させた後、チップ６を接着材４に熱圧着する。【選択図】  図５
2005101312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）実装基板の主面に選択的に樹脂接着材を塗布する工程、
（ｂ）前記実装基板に熱処理を施し、前記樹脂接着材を半硬化させる工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程後、前記樹脂接着材を介して第１半導体チップを前記樹脂接着材を塗布した領域に接着する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程は、
（ａ１）前記樹脂接着材を塗布した領域に対応する開口部を有するマスクを用意する工程、
（ａ２）平面における前記開口部と前記樹脂接着材を塗布した領域の位置を合わせて前記マスクを前記実装基板の前記主面上に配置する工程、
（ａ３）前記（ａ２）工程後、前記開口部上を含む前記マスク上に前記樹脂接着材を塗布する工程、
（ａ４）前記（ａ３）工程後、前記マスクを前記実装基板から取り外し、前記樹脂接着材を塗布した領域に前記樹脂接着材を残す工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
さらに、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記実装基板および前記第１半導体チップに熱処理を施す工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
（ａ）実装基板の主面に選択的に樹脂接着材を塗布する工程、
（ｂ）前記実装基板に熱処理を施し、前記樹脂接着材を半硬化させる工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程後、前記樹脂接着材を介して第１半導体チップを前記樹脂接着材を塗布した領域に接着する工程、
（ｄ）裏面にフィルム状接着材が貼付された第２半導体チップを用意する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記フィルム状接着材を介して前記第２半導体チップを前記第１半導体チップ上に加熱圧着する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程は、
（ｄ１）その裏面全体に、前記フィルム状接着材が貼り付けられた半導体ウエハを準備する工程と、
（ｄ２）前記半導体ウエハを前記フィルム状接着材とともに分割し、前記第２半導体チップを用意する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、複数の半導体チップを実装基板上に積層した構造を有する半導体装置の製造に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の多機能化、高集積化および小型化を図ることを目的として、実装基板上に複数の半導体チップを三次元的に実装した積層パッケージが種々提案されている。
【０００３】
また、メモリ製品等においては、同一の半導体チップを複数積層し、高集積化を図っているものもある。
【０００４】
たとえば、特許文献１や２には、同一サイズの半導体ＩＣ素子を積層したチップ積層型パッケージ素子およびその製造方法についての記載がある。
【特許文献１】特開２００３−７８１０６号公報
【特許文献２】特開平６−２４４３６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らは、半導体装置の多機能化、高集積化、薄型化および小型化などを図ることを目的として、実装基板上に複数の半導体チップ（以下、単にチップと記す）を積層し、パッケージングする技術について検討している。その中で、下段のチップと実装基板との接着手段、および上段のチップと下段のチップとの接着手段については、以下の（ａ）〜（ｃ）のような例を検討した。
（ａ）下段のチップと実装基板とを熱硬化性樹脂接着材で接着し、上段のチップと下段のチップとを熱可塑性フィルム型接着材で接着する手段。
（ｂ）下段のチップと実装基板とを熱硬化性樹脂接着材で接着し、上段のチップと下段のチップとについても熱硬化性樹脂接着材で接着する手段。
（ｃ）下段のチップと実装基板とを熱可塑性フィルム型接着材で接着し、上段のチップと下段のチップとについても熱可塑性フィルム型接着材で接着する手段。
【０００６】
また、半導体装置の薄型化および小型化を図るために、チップの厚さについては、たとえば１５０μｍ〜３００μｍ程度だったものを２０〜１００μｍ程度にまで薄くすることが要求され、チップと実装基板との接着および２つのチップ間の接着に用いる接着材についても、チップの厚さより薄い、たとえば１０μｍ〜３０μｍとすることが求められている。このような薄型化されたチップを上記（ａ）、（ｂ）または（ｃ）の接着手段を用いて実装基板上に積層する場合には、以下のような課題が存在することを本発明者らは見出した。
【０００７】
すなわち、上記（ａ）または（ｂ）の接着手段を用いた場合には、薄いチップの側面から接着材が這い上がり、その接着材がチップの上面に付着することによってチップの耐湿信頼性が低下してしまう課題が存在する。その這い上がった接着材がチップ上面のボンディングパッドに付着した場合には、ワイヤとそのボンディングパッドとの接合不良が発生してしまう課題が存在する。また、パッケージの小型化に伴って、チップと実装基板上に形成されたボンディングパッドとの距離マージンが確保し難くなっており、接着材が実装基板上に広がり、その実装基板上に形成されたボンディングパッドに付着してしまうことが懸念される。接着材が実装基板上に形成されたボンディングパッドに付着してしまった場合においても、ワイヤの接合不良が発生してしまう課題が存在する。これらの課題は、チップの薄型化およびパッケージの小型化が進むに従って解決し難くなる。
【０００８】
また、チップの厚さが薄くなるに従って、チップの主面（素子形成面）に形成された部材とその下部の部材との熱膨張率の差等に起因する応力の差が生じ、チップの反りが大きくなる。この反りは、たとえば７ｍｍ〜８ｍｍ角のチップで２０μｍ程度になる。このようなチップを熱硬化性樹脂接着材で接着しようとしても、その熱硬化性樹脂接着材が硬化する時にはチップが反ったままの状態となる。チップが反ったままの状態で接着材が硬化してしまうと、チップの接着面の全面で均一な接着材の濡れ性を確保できなくなり、接着不良を引き起こしてしまう課題が存在する。また、チップの接着面の全面で均一な接着材の濡れ性が確保できない場合には、チップの接着面に気泡を含んで接着材が硬化してしまう虞があり、この気泡がリフロー工程時に膨張してチップが割れてしまう課題も存在する。
【０００９】
一方、上記（ｃ）の接着手段を用いた場合には、実装基板の表面に形成された配線パターンに起因する凹凸（１０μｍ〜３０μｍ程度）を厚さ１０μｍ〜３０μｍ程度の熱可塑性フィルム型接着材では埋め込むことができない。そのため、接着面全面で均一な濡れ性を確保できなくなり、その凹凸部にて接着不良を生じてしまう課題が存在する。このような接着不良は、後のリフロー工程時にチップの割れや剥離を引き起こす原因となる。
【００１０】
本発明の目的は、実装基板上に複数のチップが積層された半導体装置の製造工程において、半導体装置の歩留りを低下させることなくチップを確実に接着できる技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１３】
すなわち、本発明による半導体装置の製造方法は、
（ａ）実装基板の主面に選択的に樹脂接着材を塗布する工程と、
（ｂ）前記実装基板に熱処理を施し、前記樹脂接着材を半硬化させる工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程後、前記樹脂接着材を介して第１半導体チップを前記樹脂接着材を塗布した領域に接着する工程とを含む。
【発明の効果】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
（１）半導体装置の歩留りを低下させることなく、確実にチップを実装基板に接着することができる。
（２）実装基板上に複数のチップが積層された半導体装置の製造工程工程数を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１６】
（実施の形態１）
本実施の形態１の半導体装置およびその製造工程について、図１〜図１１を用いて工程に沿って説明する。
【００１７】
まず、図１に示すように、チップ搭載用の実装基板１を用意する。この実装基板１は、たとえばエポキシ樹脂（ガラス・エポキシ樹脂）のような汎用樹脂を主体として形成された多層配線基板である。すなわち、表面や裏面に配線を印刷法で形成した、いわゆるプリント基板を複数積層した構造となっており、この複数層のプリント基板の各配線は、各プリント基板に形成されたビアホールを通じて電気的に接続されている。また、実装基板１の主面（チップ搭載面）には、複数のボンディングワイヤ接続用のパッドＰＤ１が形成されている。このパッドＰＤ１は、たとえば実装基板１の外周部に沿って配置される。
【００１８】
続いて、その実装基板１上に、接着材塗布領域に対応した平面形状の開口部２を有するマスク３を、その開口部２の位置を接着材塗布領域に合わせて配置する。この時、パッドＰＤ１は、マスク３によって覆われる。本実施の形態１において、マスク３としては、後の工程で実装基板１上に接着（搭載）するチップの厚さより薄い厚さのものを用いるものであり、厚さ３０μｍ程度以下のシルクスクリーンまたはメタルマスクなどを用いることを例示できる。続いて、常温（室温）で、マスク３が配置された実装基板１上に接着材４を塗布する。この接着材４は、ペースト状であり、たとえば熱可塑性の樹脂接着材、一部が熱可塑性を有し一部が熱硬化性を有する半熱可塑半熱硬化性の樹脂接着材、または熱硬化性の樹脂接着材などを用いることができる。
【００１９】
次に、図１および図２に示すように、スキージ５を用いて開口部２内に接着材４を埋め込む。続いて、図３に示すように、実装基板１上からマスク３を取り外す。これにより、実装基板１上においては、接着材塗布領域にのみ厚さ３０μｍ程度以下の接着材４を残すことができる。
【００２０】
次に、図４に示すように、たとえば実装基板１に８０℃〜２００℃程度の熱処理を施すことによって、接着材４を硬化中間状態である、半硬化状態にする。
【００２１】
次に、図５に示すように、常温（室温）〜２００℃程度の雰囲気中にて、チップ（第１半導体チップ）６を接着材４に圧着する。この時、チップ６に加える圧力は１００ｇ〜１ｋｇ程度とし、圧着時間は１秒程度とすることを例示できる。本実施の形態１においては、チップ６として、厚さが２０μｍ〜１００μｍ程度のものを例示する。また、チップ６中には複数の半導体素子および配線が形成され、その表面は保護膜で覆われている。また、その保護膜に設けられた複数の開口部からは、それぞれボンディングワイヤ接続用のパッドＰＤ２が露出している。パッドＰＤ２は、チップ６内に形成された最上層配線の一部であり、たとえばチップ６の外周部に沿って配置されている。
【００２２】
次に、図６に示すように、チップ６の搭載された実装基板１に８０℃〜２００℃程度の熱処理を施す。それにより、接着材４を硬化させて、チップ６の実装基板１への接着を強固にすることができる。
【００２３】
上記の工程でチップ６を実装基板１へ接着する本実施の形態１によれば、チップ６の厚さが２０μｍ〜１００μｍ程度と薄い場合でも、チップ６を実装基板１へ搭載する時には、接着材４は厚さがチップ６より薄く、かつ半硬化した状態となっているので、接着材４がチップ６の側面から這い上がり、チップ６の上面に付着してしまうことを防ぐことができる。それにより、チップ６の耐湿信頼性が低下してしまうことを防ぐことが可能となる。接着材４がチップ６の側面から這い上がり、パッドＰＤ２に付着した場合には、後のワイヤボンディング工程でワイヤとパッドＰＤ２との接合不良が発生してしまうことが懸念されるが、本実施の形態１によればそのような不具合も防ぐことができる。
【００２４】
また、パッケージの小型化に伴って、チップ６と実装基板１上に形成されたパッドＰＤ１との間の距離が小さくなっている場合には、粘性の低いペースト状の接着材を用いてチップ６と実装基板１とを接着すると、接着材が実装基板１上に広がり、パッドＰＤ１に付着してしまう不具合が懸念される。一方、上記の本実施の形態１のように、チップ６の接着時において、接着材４をチップ６より薄くし、かつ印刷による塗布時に比べて粘性の高い半硬化状態としておくことによって、そのような不具合を防ぐことができる。それにより、後のワイヤボンディング工程でワイヤとパッドＰＤ１との接合不良が発生してしまうことを防ぐことが可能になる。
【００２５】
また、チップ６の厚さが薄くなるに従って、チップ６の主面（素子形成面）に形成された部材とその下部の部材との熱膨張率の差等に起因する応力の差が生じ、チップ６の反りが大きくなる。このように反ってしまったチップ６を、たとえば熱硬化性樹脂接着材で接着しようとすると、チップ６が反ったままの状態で熱硬化性樹脂接着材が硬化してしまい、チップ６の接着面の全面で均一な接着材の濡れ性を確保できなくなり、接着不良を引き起こしてしまう不具合が懸念される。チップ６の接着面の全面で均一な接着材の濡れ性が確保できない場合には、チップ６の接着面に気泡を含んで接着材が硬化してしまう虞があり、この気泡が後のリフロー工程時に膨張してチップ６が割れてしまう不具合も懸念される。一方、上記の本実施の形態１の接着手段では、チップ６が反っている場合でも、熱圧着することによって、接着後においてチップ６を平坦な状態で固定できる。それにより、チップ６の接着面の全面で均一な接着材の濡れ性を確保し、チップ６を平坦な状態で実装基板１に接着することができる。それにより、前述したチップ６の接着不良および割れといった不具合を防ぐことができる。
【００２６】
また、本実施の形態１の接着材４のような樹脂接着材の代わりにフィルム状接着材を用いてチップ６を実装基板１に接着する場合には、実装基板１の表面に形成された配線パターンに起因する凹凸をフィルム状接着材では埋め込むことができず、接着面全面で均一な濡れ性を確保できなくなり、その凹凸部にて接着不良を生じてしまうことが懸念される。このような接着不良が生じた場合には、後のリフロー工程時にチップ６の割れや剥離といった不具合の発生が懸念される。一方、上記の本実施の形態１の接着手段では、接着材４として粘性の低いペースト状の接着材を用いるので、実装基板１の表面に形成された配線パターンに起因する凹凸を接着材４で埋め込むことができる。それにより、チップ６の接着面の全面で均一な接着材の濡れ性を確保できるので、前述したチップ６の割れや剥離といった不具合を防ぐことが可能となる。
【００２７】
ところで、図４を用いて説明した熱処理後において、ペースト状の状態に比較して、粘性の高い半硬化状態となった接着材４が、チップ６を接着しかつ搬送時にチップ６が剥離しない程度以上のタック性（接着性）を有している場合には、そのタック性を利用してチップ６を仮接着状態にして、図５を用いて説明した熱圧着工程および図６を用いて説明した熱処理工程を省略してその後の工程を進めてもよい。すなわち、チップ６上にさらに他のチップを積層する際の熱圧着工程および熱処理工程で一括して処理することもできる。
【００２８】
次に、図７に示すように、裏面にフィルム状の接着材７が貼付されたチップ（第２半導体チップ）８を用意する。チップ８の裏面へ接着材７を貼り付けるには、たとえば半導体ウエハを個々のチップ８へ分割する前に、その半導体ウエハの裏面を研削して所定の厚さにした後、半導体ウエハの裏面全面に熱可塑性のフィルム状の接着材７を貼付し、その後、接着材７ごと半導体ウエハを個々のチップ８へ分割することで実現できる。本実施の形態１においては、チップ８として、厚さが２０μｍ〜１００μｍ程度のものを例示する。また、チップ８中には複数の半導体素子および配線が形成され、その表面は保護膜で覆われている。その保護膜に設けられた複数の開口部からは、それぞれボンディングワイヤ接続用のパッドＰＤ３が露出している。パッドＰＤ３は、チップ８内に形成された最上層配線の一部であり、たとえばチップ８の外周部に沿って配置されている。
【００２９】
続いて、チップ６が接着された実装基板１を加熱ステージＨＳ上に配置し、１００℃〜２００℃程度の温度で加熱する。その状態で、チップ６上に上記接着材７を介してチップ８を熱圧着する。この時、チップ８に加える圧力は１００ｇ〜５００ｇ程度とし、熱圧着時間は１秒程度とすることを例示できる。チップ８の接着に熱可塑性のフィルム状の接着材７を用いることにより、接着材７がチップ８の側面から這い上がり、チップ８の上面に付着してしまうことを防ぐことができる。それにより、チップ８の耐湿信頼性が低下してしまうことを防ぐことが可能となる。接着材７がチップ８の側面から這い上がり、パッドＰＤ３に付着した場合には、後のワイヤボンディング工程でワイヤとパッドＰＤ３との接合不良が発生してしまうことが懸念されるが、本実施の形態１によればそのような不具合も防ぐことができる。また、パッケージの小型化に伴って、チップ８とチップ６に形成されたパッドＰＤ２との間の距離が小さくなっている場合においても、接着材７がチップ６上に広がってパッドＰＤ２に付着してしまうような不具合を防ぐことができる。それにより、後のワイヤボンディング工程でワイヤとパッドＰＤ２との接合不良が発生してしまうことを防ぐことが可能になる。
【００３０】
また、前述したチップ６の場合と同様に、チップ８が接着時に反っている場合でも、チップ６への接着は熱圧着により行われるので、接着後においてチップ８を平坦な状態で固定できる。
【００３１】
続いて、チップ６、８の搭載された実装基板１に８０℃〜２００℃程度の熱処理を施す。それにより、接着材７を硬化させて、チップ８のチップ６への接着を強固にすることができる。
【００３２】
ところで、図４を用いて説明した熱処理後において、半硬化状態となった接着材４が、チップ６を接着しかつ搬送時にチップ６が剥離しない程度以上のタック性（接着性）を有している場合には、そのタック性を利用してチップ６を仮接着状態にして、図５を用いて説明した熱圧着工程および図６を用いて説明した熱処理工程を省略してもよい旨を前述したが、その熱圧着工程をチップ８のチップ６への熱圧着工程で一括して行い、その熱処理工程をチップ８の搭載後の熱処理工程で一括して行ってもよい。それにより、本実施の形態の半導体装置の製造工程数を低減することができる。
【００３３】
また、接着材４が、半硬化状態のままでもチップ６を搭載する場合、およびその後の工程において問題を起こす可能性が十分に小さい場合には、チップ６搭載時の加熱、あるいはその後に接着材４に施す熱処理工程が不要になる場合もある。
【００３４】
また、ペースト状の接着材を塗布した工程の後に、熱処理などの工程によって接着材が常温で完全に硬化する状態にしてもよい。また、その場合には、その後のチップを搭載する工程において、接着材の熱可塑性を利用して、接着材を加熱することによって、接着材が適当な粘性を保つ程度に軟化させた状態でチップ６を搭載してもよい。
【００３５】
また、ペースト状の接着材を塗布する工程の後に、接着材を半硬化する方法としては、熱を加える方法に限らない。たとえば、接着材が紫外線に反応して硬化する性質を持つ場合には、紫外線を照射することによって半硬化あるいは硬化させてもよい。
【００３６】
次に、図８に示すように、実装基板１を加熱ステージＨＳ上に搭載し、約１００℃〜２５０℃で加熱しながら、実装基板１上のパッドＰＤ１とチップ６のパッドＰＤ２とをワイヤ９で電気的に接続（ワイヤボンディング）し、実装基板１上のパッドＰＤ１とチップ８のパッドＰＤ３とをワイヤ１０で電気的に接続する。本実施の形態１において、ワイヤ９、１０は、Ａｕ（金）などの導電性材料とすることを例示でき、ワイヤボンディング処理は、超音波振動と熱圧着とを併用したワイヤボンダを使用して行うことを例示できる。
【００３７】
次に、図９に示すように、実装基板１、チップ６、８、およびワイヤ９、１０を金型（図示は省略）で挟持し、その金型のキャビティ内に１５０℃〜２００℃程度で溶融したモールド樹脂１１を注入し、実装基板１、チップ６、８、およびワイヤ９、１０をそのモールド樹脂１１によって封止する。金型のキャビティ内へのモールド樹脂１１の注入時には、金型もモールド樹脂１１と同程度の温度で加熱しておく。また、図６を用いて説明した熱処理工程および図７を用いて説明した熱処理工程における温度条件が、このモールド樹脂１１による封止工程時の温度と合致する場合には、前述の熱処理をこの封止工程時の熱を利用して一括して行ってもよい。
【００３８】
次に、図１０に示すように、実装基板１側を上面とし、実装基板１上にバンプ電極１２を形成する。このバンプ電極１２は、たとえばＳｎ（スズ）−Ａｇ（銀）−Ｃｕ（銅）共晶合金から形成されたはんだボールを実装基板１の上面（チップ搭載側の逆側）に供給した後、実装基板１等を２４０℃〜２６０℃の雰囲気中に配置し、はんだボールをリフローすることで形成することができる。その後、図１１に示すように、バンプ電極１２の形成面を下側とし、本実施の形態１の半導体装置が略完成する。
【００３９】
ところで、上記の本実施の形態１では、チップを２段に積層する例について説明したが、さらに多段に積層してもよい。たとえば、図１２に示すように、チップ８をチップ６に積層した手段と同様の手段により、チップ１４をチップ８に積層する。すなわち、接着材７と同様の熱可塑性のフィルム状の接着材１５を用いてチップ１４をチップ８に熱圧着し、ワイヤ９、１０と同様のワイヤ１６によって、チップ１４に形成されたパッドＰＤ４と実装基板１上のパッドＰＤ１とを電気的に接続するものである。
【００４０】
（実施の形態２）
本実施の形態２の半導体装置は、たとえば平面で実装基板上に複数のチップが配置されたＭＣＭ（Multi Chip Module）である。このような本実施の形態２の半導体装置およびその製造工程について、図１３〜図１６を用いて工程に沿って説明する。
【００４１】
まず、図１３に示すように、前記実施の形態１で用いた実装基板１と同様のチップ搭載用の実装基板１Ａを用意する。実装基板１Ａの接着材塗布領域には、たとえば２箇所のチップ搭載領域が設けられ、その接着材塗布領域の周りには複数のボンディングワイヤ接続用のパッドＰＤ１Ａ、ＰＤ１Ｂが形成されている。
【００４２】
続いて、その実装基板１Ａ上に、前記実施の形態１におけるマスク３（図１参照）と同様に、実装基板１Ａ上の接着材塗布領域に対応した平面形状の開口部２Ａ、２Ｂを有するマスク３Ａを、その開口部２Ａ、２Ｂの位置を接着材塗布領域に合わせて配置する。この時、パッドＰＤ１Ａ、ＰＤ１Ｂは、マスク３Ａによって覆われる。次いで、前記実施の形態１にて図１および図２を用いて説明した工程と同様の工程によって、実装基板１Ａ上に接着材４を塗布し、スキージ５を用いて開口部２Ａ、２Ｂ内に接着材４を埋め込む（図１４参照）。次いで、図１５に示すように、実装基板１Ａ上からマスク３Ａを取り外す。これにより、実装基板１Ａ上においては、接着材塗布領域にのみ選択的に接着材４を残すことができる。
【００４３】
その後、前記実施の形態１において図４〜図１２を用いて説明した工程と同様の工程を経ることによって本実施の形態２の半導体装置を製造する。すなわち、実装基板１Ａ上の２箇所の接着材塗布領域のうち、一方の接着材塗布領域に前記実施の形態１で説明したチップ６と同様のチップ６を接着し、他方の接着材塗布領域にチップ（第１半導体チップ）６Ａを接着する。次いで、チップ６上にチップ８を接着する。次いで、実装基板１Ａ上のパッドＰＤ１Ａとチップ６のパッドＰＤ２とをワイヤ９で電気的に接続し、実装基板１Ａ上のパッドＰＤ１Ａとチップ８のパッドＰＤ３とをワイヤ１０で電気的に接続し、実装基板１Ａ上のパッドＰＤ１Ｂとチップ６ＡのパッドＰＤ２Ａとをワイヤ９Ａで電気的に接続する。なお、チップ６上へのチップ８の積層は必要に応じて行うものであり、実装基板１Ａ上に搭載されたチップが単層の状態でも、モールド樹脂１１によって封止してしまってもよい。
【００４４】
上記のような本実施の形態２によっても、前記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００４５】
（実施の形態３）
図１７は、本実施の形態３の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【００４６】
本実施の形態３では、平面で接着材４の残された領域がチップ６より大きくなるようにするものである。すなわち、実装基板１上の接着材塗布領域は、多種のチップを搭載できるように設計されているので、その接着材塗布領域に搭載可能なチップのうち最大のチップの大きさに合わせてマスク３（図１参照）の開口部２（図１参照）を形成しておく。このような開口部２を有するマスク３を用いた場合には、チップ６がその接着材塗布領域と同じサイズでないと接着材４が残る範囲Ｌがチップ６の配置されている範囲Ｐより大きくなるが、前記実施の形態と同様の工程を経ることによって、接着材４がチップ６の側面から這い上がってチップ６の上面に付着してしまったり、接着材４が実装基板１上に広がってパッドＰＤ１に付着してしまう不具合を防ぐことができる。また、接着材４として、ポリイミド系またはエポキシ系の熱硬化性樹脂接着材を選択することによって、後の工程で実装基板１およびチップ６などを樹脂封止した際に、平面でチップ６からはみ出した接着材４とモールド樹脂１１（図１１参照）との接着性が低下してしまう不具合を防ぐことができる。
【００４７】
また、本実施の形態３のようにマスク３を形成しておくことにより、チップ６の平面サイズに合わせた開口部２を有するマスク３を準備することなく、実装基板１に異なる種類のチップを接着する場合でも同一のマスク３を用いることが可能となる。それにより、実装基板１に接着するチップの種類毎にマスク３を交換する必要がなくなり、接着材４の塗布条件の再設定も不要になるので、本実施の形態３の半導体装置を短いＴＡＴ（Turn Around Time）で製造できるようになる。また、実装基板１に異なる種類のチップを接着する場合でも同一のマスク３を用いることができることから、実装基板１に異なる種類のチップを接着する場合でも工程を標準化することが可能となる。また、実装基板１に異なる種類のチップを接着する場合でも同一のマスク３を用いることができることから、複数種類のマスク３を形成する必要がなくなるので、本実施の形態３の半導体装置の製造コストを低減することが可能となる。
【００４８】
ところで、前記実施の形態２で説明したようなＭＣＭを製造する場合においても、２つのチップ間において実装基板１Ａにパッドが配置されていない場合には、上記のようなマスク３を用いることができる。すなわち、図１８に示すように、２つのチップ６、６Ａの接着される領域を１箇所の接着材塗布領域と見なし、上記マスク３を用いて接着材４の塗布を行うものである。それにより、ＭＣＭを製造する場合でも同一のマスク３を用いることが可能となる。
【００４９】
上記の本実施の形態３によっても、前記実施の形態１、２と同様の効果を得ることができる。
【００５０】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５１】
たとえば、前記実施の形態においては、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ共晶合金から形成されたはんだボールを用いて実装基板にバンプ電極を形成する場合について説明したが、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ共晶合金の代わりにＳｎ−Ｐｂ（鉛）共晶合金から形成されたはんだボールを用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の半導体装置の製造方法は、実装基板上にチップを積層して形成される半導体装置の製造工程に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造方法を説明する要部断面図である。
【図２】図１に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３】図２に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図４】図３に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図５】図４に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図６】図５に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図７】図６に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図８】図７に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図９】図８に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１０】図９に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１１】図１０に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２である半導体装置の製造方法を説明する要部断面図である。
【図１４】図１３に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１５】図１４に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１６】図１５に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態３である半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態３である半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１、１Ａ  実装基板
２、２Ａ、２Ｂ  開口部
３、３Ａ、３Ｂ  マスク
４  接着材
５  スキージ
６、６Ａ  チップ（第１半導体チップ）
７  接着材
８  チップ（第２半導体チップ）
９、９Ａ、１０  ワイヤ
１１  モールド樹脂
１２  バンプ電極
１４  チップ
１５  接着材
１６  ワイヤ
ＨＳ  加熱ステージ
ＰＤ１、ＰＤ１Ａ、ＰＤ１Ｂ  パッド
ＰＤ２、ＰＤ２Ａ、ＰＤ３、ＰＤ４  パッド
【図１】
2005101312.tif 000003
【図２】
2005101312.tif 000004
【図３】
2005101312.tif 000005
【図４】
2005101312.tif 000006
【図５】
2005101312.tif 000007
【図６】
2005101312.tif 000008
【図７】
2005101312.tif 000009
【図８】
2005101312.tif 000010
【図９】
2005101312.tif 000011
【図１０】
2005101312.tif 000012
【図１１】
2005101312.tif 000013
【図１２】
2005101312.tif 000014
【図１３】
2005101312.tif 000015
【図１４】
2005101312.tif 000016
【図１５】
2005101312.tif 000017
【図１６】
2005101312.tif 000018
【図１７】
2005101312.tif 000019
【図１８】
2005101312.tif 000020