(57)【要約】【課題】  計測精度の低下を招くことなく、液体の漏れを防止する。【解決手段】  保持面３４Ａで基板Ｐを保持するホルダＰＨと、保持面３４Ａに形成された開口部７１を介して基板Ｐを保持面３４Ａとほぼ直交する方向に駆動する駆動機構７０とを有する。駆動機構７０の駆動に伴って前記直交する方向に移動可能な移動部７６を有し、保持面３４Ａの下側より開口部７１を包囲する包囲部材７６を有する。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持面で基板を保持するホルダと、前記保持面に形成された開口部を介して前記基板を前記保持面とほぼ直交する方向に駆動する駆動機構とを有する基板保持装置であって、
前記駆動機構の駆動に伴って前記直交する方向に移動可能な移動部を有し、前記保持面の下側より前記開口部を包囲する包囲部材を有することを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板保持装置において、
前記包囲部材は、伸縮部材であることを特徴とする基板保持装置。
【請求項３】
請求項２記載の基板保持装置において、
前記伸縮部材は、ベローズであることを特徴とする基板保持装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の基板保持装置において、
前記移動部の一端は前記駆動機構に接続されていることを特徴とする基板保持装置。
【請求項５】
請求項４記載の基板保持装置において、
前記ホルダを支持するテーブルを備え、
前記移動部の他端は前記テーブルに接続されていることを特徴とする基板保持装置。
【請求項６】
請求項２または３記載の基板保持装置において、
前記基板が前記保持面に保持されている際に、前記伸縮部材は伸張状態であることを特徴とする基板保持装置。
【請求項７】
請求項１記載の基板保持装置において、
前記包囲部材は、前記ホルダから前記移動部の内側に延びる壁部を有していることを特徴とする基板保持装置。
【請求項８】
請求項７記載の基板保持装置において、
前記移動部の上面は、常に前記壁部の下面よりも高い位置にあることを特徴とする基板保持装置。
【請求項９】
請求項７または８記載の基板保持装置において、
前記移動部と前記壁部とは非接触であることを特徴とする基板保持装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の基板保持装置において、
前記包囲部材により包囲された空間を吸引する吸引装置を備えることを特徴とする基板保持装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の基板保持装置において、
前記包囲部材により包囲された空間内の液体の有無を検出する液体検出装置を備えることを特徴とする基板保持装置。
【請求項１２】
基板を保持するステージ装置であって、
請求項１から１１のいずれか一項に記載の基板保持装置を備えることを特徴とするステージ装置。
【請求項１３】
基板ステージに保持された基板にパターンを露光する露光装置であって、
前記基板ステージとして請求項１２記載のステージ装置を用いることを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
開口部が形成された保持面に保持された基板にパターンを露光する露光方法において、
前記基板上に液体を供給するステップと、
前記液体を介して前記基板にパターンを露光するステップと、
前記開口部に流入した前記液体を収集するステップとを含むことを特徴とする露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板保持装置、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法に関し、特にホルダ上の基板に対して、投影光学系及び液体を介して露光する際に用いて好適な基板保持装置、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、所謂フォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。近年、デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短いほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。そのため、露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。そして、現在主流の露光波長はＫｒＦエキシマレーザの２４８ｎｍであるが、更に短波長のＡｒＦエキシマレーザの１９３ｎｍも実用化されつつある。また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度（ＤＯＦ）も重要となる。解像度Ｒ、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。
Ｒ＝ｋ１・λ／ＮＡ        …  （１）
δ＝±ｋ２・λ／ＮＡ２     …  （２）
ここで、λは露光波長、ＮＡは投影光学系の開口数、ｋ１、ｋ２はプロセス係数である。（１）式、（２）式より、解像度Ｒを高めるために、露光波長λを短くして、開口数ＮＡを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
【０００３】
焦点深度δが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させることが困難となり、露光動作時のフォーカスマージンが不足するおそれがある。そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば下記特許文献１に開示されている液浸法が提案されている。この液浸法は、投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たして液浸領域を形成し、液体中での露光光の波長が空気中の１／ｎ（ｎは液体の屈折率で通常１．２〜１．６程度）になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約ｎ倍に拡大するというものである。
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記の基板ステージにおいては保持面で基板を保持するホルダが設けられ、そして基板を吸着しながら保持面と直交する方向に駆動されるリフトピンによって基板の受け渡しが行われている。このリフトピンは、保持面に形成された開口部を介して駆動される。ところが、上述した液浸方式の露光装置に対してリフトピンを適用する場合、リフトピンが駆動される開口部から液体が入り込んでしまい、リフトピンを駆動する駆動機構やテーブル制御機器等の電装品に漏電が生じる虞があるとともに、ステージ構成機器に錆が生じる可能性がある。
【０００５】
そこで、開口部をＯリング等のシール材を用いてシールすることも考えられるが、シール材によってリフトピンとテーブル（ホルダ）との間が拘束されるため、テーブルに変形が生じることで、位置計測に用いられる移動鏡の位置が変動して計測精度の低下を招く虞があり、その結果、制御性能が悪化する可能性もある。
【０００６】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、例えば液浸法を用いた場合でも計測精度の低下を招くことなく、液体の漏れを防止できる基板保持装置、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図１８に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の基板保持装置は、保持面（３４Ａ）で基板（Ｐ）を保持するホルダ（ＰＨ）と、保持面（３４Ａ）に形成された開口部（７１）を介して基板（Ｐ）を保持面（３４Ａ）とほぼ直交する方向に駆動する駆動機構（８１）とを有する基板保持装置であって、駆動機構７０の駆動に伴って前記直交する方向に移動可能な移動部（７６、７６Ａ及び１０３、１０６）を有し、保持面（３４Ａ）の下側より開口部（７１）を包囲する包囲部材（７６、７６Ａ及び１０４、１０４Ａ、１０６、１０７、１０８）を有することを特徴とするものである。
【０００８】
従って、本発明の基板保持装置では、駆動機構（８１）の駆動によって基板（Ｐ）を保持面（３４Ａ）から離間させた際に液体が開口部（７１）から流入した場合でも、包囲部材（７６、７６Ａ及び１０４、１０４Ａ、１０６、１０７、１０８）によって開口部（７１）を下側から包囲しているので、流入した液体（１）を包囲部材（７６、７６Ａ及び１０４、１０４Ａ、１０６、１０７、１０８）によって留め（収集し）ておくことが可能になり、液体（１）が漏れて漏電や錆を生じさせることを防止できる。また本発明では、シール部材を設けることなく液体の漏れ出しを防止できるので、テーブル（５２）の変形に起因する位置計測精度の低下も防止することができる。
なお、包囲部材としては、伸縮部材（７６、７６Ａ）を用いる構成や、ホルダ（ＰＨ）から移動部（１０６）の内側に延びる壁部（１０４、１０４Ａ）を有する構成を採用することが好適である。
【０００９】
また、本発明のステージ装置は、基板（Ｐ）を保持するステージ装置（ＰＳＴ）であって、請求項１から１１のいずれか一項に記載の基板保持装置を備えることを特徴とするものである。
【００１０】
従って、本発明のステージ装置では、開口部（７１）から流入した液体（１）が漏れだして漏電や錆を生じさせることなく、保持した基板（Ｐ）を移動させることが可能になる。
【００１１】
そして、本発明の露光装置は、基板ステージ（ＰＳＴ）に保持された基板（Ｐ）にパターンを露光する露光装置（ＥＸ）であって、基板ステージとして請求項１２記載のステージ装置（ＰＳＴ）を用いることを特徴とするものである。
【００１２】
従って、本発明の露光装置では、例えば露光処理の間に基板を交換する際に基板（Ｐ）を基板ステージ（ＰＳＴ）から移動させる際にも、保持面（３４Ａ）の開口部（７１）から流入した液体（１）が漏れだして漏電や錆を生じさせることを防止できる。
【００１３】
また、本発明の露光方法は、開口部（７１）が形成された保持面（３４Ａ）に保持された基板（Ｐ）にパターンを露光する露光方法において、基板（Ｐ）上に液体（１）を供給するステップと、液体（１）を介して基板（Ｐ）にパターンを露光するステップと、開口部（７１）に流入した液体（１）を収集するステップとを含むことを特徴としている。
【００１４】
従って、本発明では基板（Ｐ）上に供給された液体（１）を介してパターンを露光できる一方、例えば露光ステップの間に基板（Ｐ）を交換する際に基板（Ｐ）を保持面（３４Ａ）から移動させる際にも、開口部（７１）に流入した液体を収集できるため、液体が漏れて漏電や錆を生じさせることを防止できるとともに、シール部材を用いないので、テーブル（５２）の変形に起因する位置計測精度の低下も防止することができる。
なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１５】
本発明では、ホルダに変形を生じさせることなく、開口部から流入して漏れ出した液体により、高価な機器に漏電や錆が生じることを防止できる。特に、本発明のステージ装置及び露光装置では、基板上に液体を供給した場合でも、基板の位置計測精度を維持した状態で基板を移動させることができ、パターンの転写精度の低下を防止することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の基板保持装置、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法の実施の形態を、図１ないし図１９を参照して説明する。
（第１実施形態）
図１は本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、基板（感光基板）Ｐを支持する基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像をステージ装置としての基板ステージＰＳＴに支持されている基板Ｐに投影露光する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。
【００１７】
本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、基板Ｐ上に液体１を供給する液体供給機構１０と、基板Ｐ上の液体１を回収する液体回収機構２０とを備えている。本実施形態において、液体１には純水が用いられる。露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に転写している間、液体供給機構１０から供給した液体１により投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１を含む基板Ｐ上の少なくとも一部に（局所的に）液浸領域ＡＲ２を形成する。具体的には、露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬの先端部の光学素子２と基板Ｐの表面（露光面）との間に液体１を満たし、この投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の液体１及び投影光学系ＰＬを介してマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影し、基板Ｐを露光する。
【００１８】
ここで、本実施形態では、投影光学系ＰＬとして倒立系を用いているので、露光装置ＥＸとしてマスクＭと基板Ｐとを走査方向における互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと一致する方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に垂直な平面内でマスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）をＸ軸方向、Ｚ軸方向及びＹ軸方向に垂直な方向（非走査方向）をＹ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ上に感光性材料であるフォトレジストを塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。
【００１９】
照明光学系ＩＬはマスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ＥＬを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ＥＬによるマスクＭ上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスクＭ上の所定の照明領域は照明光学系ＩＬにより均一な照度分布の露光光ＥＬで照明される。照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。上述したように、本実施形態における液体１は純水であって、露光光ＥＬがＡｒＦエキシマレーザ光であっても透過可能である。また、純水は紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）も透過可能である。
【００２０】
マスクステージＭＳＴはマスクＭを支持するものであって、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な平面内、すなわちＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微小回転可能である。マスクステージＭＳＴはリニアモータ等のマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤにより駆動される。マスクステージ駆動装置ＭＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴにより制御される。マスクステージＭＳＴ上には移動鏡５０が設けられている。また、移動鏡５０に対向する位置にはレーザ干渉計５１が設けられている。マスクステージＭＳＴ上のマスクＭの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計５１によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴはレーザ干渉計５１の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤを駆動することでマスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭの位置決めを行う。
【００２１】
投影光学系ＰＬはマスクＭのパターンを所定の投影倍率βで基板Ｐに投影露光するものであって、基板Ｐ側の先端部に設けられた光学素子（レンズ）２を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒ＰＫで支持されている。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、投影倍率βが例えば１／４あるいは１／５の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、本実施形態の投影光学系ＰＬの先端部の光学素子２は鏡筒ＰＫに対して着脱（交換）可能に設けられており、光学素子２には液浸領域ＡＲ２の液体１が接触する。
【００２２】
光学素子２は螢石で形成されている。螢石は水との親和性が高いので、光学素子２の液体接触面２ａのほぼ全面に液体１を密着させることができる。すなわち、本実施形態においては光学素子２の液体接触面２ａとの親和性が高い液体（水）１を供給するようにしているので、光学素子２の液体接触面２ａと液体１との密着性が高く、光学素子２と基板Ｐとの間の光路を液体１で確実に満たすことができる。なお、光学素子２は水との親和性が高い石英であってもよい。また光学素子２の液体接触面２ａに親水化（親液化）処理を施して、液体１との親和性をより高めるようにしてもよい。また、鏡筒ＰＫは、その先端付近が液体（水）１に接することになるので、少なくとも先端付近はＴｉ（チタン）等の錆びに対して耐性のある金属で形成される。
【００２３】
基板ステージＰＳＴは基板Ｐを支持するものであって、基板ホルダ（ホルダ）ＰＨを介して基板Ｐを保持する基板テーブル（テーブル）５２と、基板テーブル５２を支持するＸＹステージ５３と、ＸＹステージ５３を支持するベース５４とを備えている。基板ステージＰＳＴはリニアモータ等の基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤにより駆動される。基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴにより制御される。基板テーブル５２を駆動することにより、基板テーブルに保持されている基板ＰのＺ軸方向における位置（フォーカス位置）、及びθＸ、θＹ方向における位置が制御される。また、ＸＹステージ５３を駆動することにより、基板ＰのＸＹ方向における位置（投影光学系ＰＬの像面と実質的に平行な方向の位置）が制御される。すなわち、基板テーブル５２は、基板Ｐのフォーカス位置及び傾斜角を制御して基板Ｐの表面をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系ＰＬの像面に合わせ込むＺステージとして機能し、ＸＹステージ５３は基板ＰのＸ軸方向及びＹ軸方向における位置決めを行う。なお、基板ステージの詳細構成については後述する。
【００２４】
基板ステージＰＳＴ（基板テーブル５２）上には移動鏡５５が設けられている。また、移動鏡５５に対向する位置にはレーザ干渉計５６が設けられている。基板ステージＰＳＴ上の基板Ｐの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計５６によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴはレーザ干渉計５６の計測結果に基づいて基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤを駆動することで基板ステージＰＳＴに支持されている基板Ｐの位置決めを行う。
【００２５】
基板テーブル５２の近傍には、基板Ｐ上のアライメントマークあるいは基板テーブル５２上に設けられた基準マーク（後述）を検出する基板アライメント系３５０が配置されている。また、マスクステージＭＳＴの近傍には、マスクＭと投影光学系ＰＬとを介して基板テーブル５２上の基準マークを検出するマスクアライメント系３６０が設けられている。なお、基板アライメント系３５０の構成としては、特開平４−６５６０３号公報に開示されているものを用いることができ、マスクアライメント系３６０の構成としては、特開平７−１７６４６８号公報に開示されているものを用いることができる。
【００２６】
液体供給機構１０は所定の液体１を基板Ｐ上に供給するものであって、液体１を供給可能な第１液体供給部１１及び第２液体供給部１２と、第１液体供給部１１に流路を有する供給管１１Ａを介して接続され、この第１液体供給部１１から送出された液体１を基板Ｐ上に供給する供給口１３Ａを有する第１供給部材１３と、第２液体供給部１２に流路を有する供給管１２Ａを介して接続され、この第２液体供給部１２から送出された液体１を基板Ｐ上に供給する供給口１４Ａを有する第２供給部材１４とを備えている。第１、第２供給部材１３、１４は基板Ｐの表面に近接して配置されており、基板Ｐの面方向において互いに異なる位置に設けられている。具体的には、液体供給機構１０の第１供給部材１３は投影領域ＡＲ１に対して走査方向一方側（−Ｘ側）に設けられ、第２供給部材１４は他方側（＋Ｘ側）に設けられている。
【００２７】
第１、第２液体供給部１１、１２のそれぞれは、液体１を収容するタンク、及び加圧ポンプ等を備えており、供給管１１Ａ、１２Ａ及び供給部材１３、１４のそれぞれを介して基板Ｐ上に液体１を供給する。また、第１、第２液体供給部１１、１２の液体供給動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御され、制御装置ＣＯＮＴは第１、第２液体供給部１１、１２による基板Ｐ上に対する単位時間あたりの液体供給量をそれぞれ独立して制御可能である。また、第１、第２液体供給部１１、１２のそれぞれは液体の温度調整機構を有しており、装置が収容されるチャンバ内の温度とほぼ同じ温度（例えば２３℃）の液体１を基板Ｐ上に供給するようになっている。
【００２８】
液体回収機構２０は基板Ｐ上の液体１を回収するものであって、基板Ｐの表面に近接して配置された回収口２３Ａ、２４Ａを有する第１、第２回収部材２３、２４と、この第１、第２回収部材２３、２４に流路を有する回収管２１Ａ、２２Ａを介してそれぞれ接続された第１、第２液体回収部２１、２２とを備えている。第１、第２液体回収部２１、２２は例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、気液分離器、及び回収した液体１を収容するタンク等を備えており、基板Ｐ上の液体１を第１、第２回収部材２３、２４、及び回収管２１Ａ、２２Ａを介して回収する。第１、第２液体回収部２１、２２の液体回収動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御され、制御装置ＣＯＮＴは第１、第２液体回収部２１、２２による単位時間あたりの液体回収量を制御可能である。
【００２９】
図２は液体供給機構１０及び液体回収機構２０の概略構成を示す平面図である。図２に示すように、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１はＹ軸方向（非走査方向）を長手方向とするスリット状（矩形状）に設定されており、液体１が満たされた液浸領域ＡＲ２は投影領域ＡＲ１を含むように基板Ｐ上の一部に形成される。そして、投影領域ＡＲ１の液浸領域ＡＲ２を形成するための液体供給機構１０の第１供給部材１３は投影領域ＡＲ１に対して走査方向一方側（−Ｘ側）に設けられ、第２供給部材１４は他方側（＋Ｘ側）に設けられている。
【００３０】
第１、第２供給部材１３、１４のそれぞれは平面視略円弧状に形成されており、その供給口１３Ａ、１４ＡのＹ軸方向におけるサイズは、少なくとも投影領域ＡＲ１のＹ軸方向におけるサイズより大きくなるように設定されている。そして、平面視略円弧状に形成されている供給口１３Ａ、１４Ａは、走査方向（Ｘ軸方向）に関して投影領域ＡＲ１を挟むように配置されている。液体供給機構１０は、第１、第２供給部材１３、１４の供給口１３Ａ、１４Ａを介して投影領域ＡＲ１の両側で液体１を同時に供給する。
【００３１】
液体回収機構２０の第１、第２回収部材２３、２４のそれぞれは基板Ｐの表面に向くように円弧状に連続的に形成された回収口２３Ａ、２４Ａを有している。そして、互いに向き合うように配置された第１、第２回収部材２３、２４により略円環状の回収口が形成されている。第１、第２回収部材２３、２４それぞれの回収口２３Ａ、２４Ａは液体供給機構１０の第１、第２供給部材１３、１４、及び投影領域ＡＲ１を取り囲むように配置されている。
【００３２】
第１、第２供給部材１３、１４の供給口１３Ａ、１４Ａから基板Ｐ上に供給された液体１は、投影光学系ＰＬの先端部（光学素子２）の下端面と基板Ｐとの間に濡れ拡がるように供給される。また、投影領域ＡＲ１に対して第１、第２供給部材１３、１４の外側に流出した液体１は、この第１、第２供給部材１３、１４より投影領域ＡＲ１に対して外側に配置されている第１、第２回収部材２３、２４の回収口２３Ａ、２４Ａより回収される。
【００３３】
本実施形態において、基板Ｐを走査露光する際、走査方向に関して投影領域ＡＲ１の手前から供給する単位時間あたりの液体供給量が、その反対側で供給する液体供給量よりも多く設定される。例えば、基板Ｐを＋Ｘ方向に移動しつつ露光処理する場合、制御装置ＣＯＮＴは、投影領域ＡＲ１に対して−Ｘ側（すなわち供給口１３Ａ）からの液体量を＋Ｘ側（すなわち供給口１４Ａ）からの液体量より多くし、一方、基板Ｐを−Ｘ方向に移動しつつ露光処理する場合、投影領域ＡＲ１に対して＋Ｘ側からの液体量を−Ｘ側からの液体量より多くする。また、走査方向に関して、投影領域ＡＲ１の手前での単位時間あたりの液体回収量が、その反対側での液体回収量よりも少なく設定される。例えば、基板Ｐが＋Ｘ方向に移動しているときには、投影領域ＡＲ１に対して＋Ｘ側（すなわち回収口２４Ａ）からの回収量を−Ｘ側（すなわち回収口２３Ａ）からの回収量より多くする。
【００３４】
図３は基板テーブル５２（基板ステージＰＳＴ）を上方から見た平面図、図４は基板Ｐを保持した基板テーブル５２を上方から見た平面図、図５は基板テーブルの内部構成を模式的に示す断面図である。なお、図５においては、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
図３及び図４において、平面視矩形状の基板テーブル５２の互いに垂直な２つの縁部に移動鏡５５が配置されている。また、基板テーブル５２のほぼ中央部に平面視円形の凹部３１が形成されている（図８参照）。この凹部３１には、基板テーブル５２の一部を構成する基板ホルダＰＨが配置されており、基板Ｐは基板ホルダＰＨの保持面３４Ａで保持される。基板Ｐの周囲には、基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）の平坦面３２Ａを有するプレート部材３２が設けられている。プレート部材３２は基板ホルダＰＨ（基板Ｐ）を囲むように配置されている。プレート部材３２は、例えばポリ四フッ化エチレン（テフロン（登録商標））などの撥液性を有する材料によって形成されている。基板Ｐの周囲に、基板Ｐ表面とほぼ面一の平坦面３２Ａを有するプレート部材３２を設けたので、基板Ｐのエッジ領域Ｅを液浸露光するときにおいても、投影光学系ＰＬの像面側に液浸領域ＡＲ２を良好に形成することができる。
【００３５】
図５に示すように、ＸＹステージ５３には、基板テーブル５２（すなわち基板Ｐ）に対してオートフォーカス・レベリングを行うアクチュエータ８０と、基板ＰをＺ方向に駆動する（昇降させる）駆動機構８１とが設けられている。これら基板テーブル５２、基板ホルダＰＨ及び駆動機構８１により本発明に係る基板保持装置が構成される。
アクチュエータ８０は、三角形を形成する頂点位置に三カ所配置されており（図５では２つのみ図示）、ＸＹステージ５３に設けられた固定子８０Ａと基板テーブル５２に設けられた可動子８０Ｂとからなる、例えばボイスコイルモータで構成されている。各アクチュエータ８０が同一の変位でＺ方向に駆動することで基板テーブル５２（すなわち基板Ｐ）をＺ方向に移動させてフォーカス調整を実施することができる。また、各アクチュエータ８０の変位を互いに異ならせて駆動することで、基板テーブル５２（すなわち基板Ｐ）の姿勢（レベリング）を調整することができる。なお、オートフォーカス・レベリング検出系の構成としては、例えば特開平８−３７１４９号公報に開示されているものを用いることができる。
【００３６】
駆動機構８１は、Ｚ軸周りに等間隔で配置され連結部８３により一体的に連結された３つのリフトピン７０（図５では２つのみ図示、図３参照）と、連結部８３を介してリフトピン７０をＺ方向に駆動するアクチュエータ８４とを主体に構成されている。各リフトピン７０には、先端上面に開口する吸気路が７０ａが形成されており、各吸気路７０ａは連結部８３に形成された吸気路８３ａ、アクチュエータ８４に形成された吸気路８４ａ、ＸＹステージ５３に形成された吸気路５３ａを介して真空吸引源８７に接続されている。
【００３７】
基板ホルダＰＨの各リフトピン７０と対応する位置には保持面３４Ａに開口する開口部７１（図３参照）と、保持面３４Ａよりも下側で段部７２を形成し開口部７１よりも大径の凹部７３とが形成されている。また、基板テーブル５２の各リフトピン７０と対応する位置には、開口部７１、凹部７３と連通し、且つ凹部７３と略同一径の孔部７４が形成されている。
【００３８】
リフトピン７０の連結部８３近傍には、円板状のブラケット７５がそれぞれ水平方向に突設されている。そして、ブラケット７５の上面には、リフトピン７０の周囲を囲うように配置された伸縮部材としてＺ方向に伸縮自在なベローズ７６の一端（下端）が固定されている。ベローズ７６の他端（上端）は、孔部７４及び凹部７３を介して段部７２に係合・固定されている。つまり、ベローズ７６は、ブラケット７５と協働して開口部７１（保持面３４Ａ）を下側から包囲し、且つリフトピン７０の駆動に伴ってＺ方向に移動・伸縮する構成となっている。また、ベローズ７６は、リフトピン７０の上面が保持面３４Ａよりも下側にあるとき（換言すると、基板Ｐが保持面３４Ａに保持されているとき）に伸張状態で取り付けられている。
【００３９】
また本実施形態の基板ステージＰＳＴ（基板保持装置）には、ベローズ７６（及びブラケット７５）により包囲された空間８２内の液体の有無を検出する液体検出装置８５と、空間８２を吸引する吸引装置８６とが設けられている。
液体検出装置８５は、空間８２に臨むようにブラケット７５に設けられており、例えば投光した検知ビームの反射率が液体の有無で異なることを用いて液体の有無を検出するセンサが用いられている。液体検出装置８５の検出結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、出力された検出結果に基づいて第１、第２液体供給部１１、１２の液体供給動作を制御する。
【００４０】
吸引装置８６は、空間８２に臨むようにブラケット７５に形成された吸引孔８６ａに接続された排液管８６ｂと、ＸＹステージ５３に形成され排液管８６ｂに接続された排液路８６ｃと、排液路８６ｃに接続された負圧吸引源８８とから構成されている。負圧吸引源８８の駆動は制御装置ＣＯＮＴに制御される。制御装置ＣＯＮＴは、露光シーケンスに応じて負圧吸引源８８の駆動を制御する。
【００４１】
図３に戻り、基板テーブル５２上のプレート部材３２の所定位置には、複数の開口部３２Ｋ、３２Ｌ、３２Ｎが形成されている。開口部３２Ｋには、ガラス材で形成された基準部材３００が配置されている。基準部材３００には、基板アライメント系３５０により検出される基準マークＰＦＭと、マスクアライメント系３６０により検出される基準マークＭＦＭとが所定の位置関係で設けられている。また、基準部材３００の上面３０１Ａはほぼ平坦面となっており、フォーカス・レベリング検出系の基準面として使ってもよい。更に、基準部材３００の上面３０１Ａは基板Ｐ表面、プレート部材３２の表面（平坦面）３２Ａとほぼ同じ高さ（面一）に設けられている。また、基準部材３００は平面視において矩形状に形成されており、開口部３２Ｋに配置された基準部材３００とプレート部材３２との間にはギャップＫが形成される。本実施形態において、ギャップＫは例えば０．３ｍｍ程度である。
【００４２】
基準部材３００は、図６に示すように、プレート部材３２の開口部３２Ｋ及び基板ホルダＰＨに形成された孔部３０２に、基板テーブル５２上のスペーサ３０３を介して設置されている。孔部３０２に臨むプレート部材３２と基板ホルダＰＨとは、Ｏリング３０６により液密にシールされている。また、孔部３０２に臨む基板テーブル５２と基板ホルダＰＨとは、Ｏリング３０７により液密にシールされている。
そして、基板テーブル５２には、基板ホルダＰＨとスペーサ３０３との間の隙間に位置し、孔部３０２に開口する排液路３０４が形成されている。排液路３０４は負圧吸引源３０５に接続されており、開口部３２Ｋから孔部３０２に流入した液体は負圧吸引源３０５の駆動により排液路３０４から吸引・排液される。
【００４３】
開口部３２Ｌには、ガラス部材４００と、光学センサとして例えば特開昭５７−１１７２３８号公報に開示されているような照度ムラセンサ４１０と、例えば特開平１１−１６８１６号公報に開示されているような照射量センサ（照度センサ）４２０と設けられている。ガラス部材４００の上面４００Ａは、基板Ｐ表面、プレート部材３２の表面（平坦面）３２Ａとほぼ同じ高さ（面一）に設けられている。図７に示すように、ガラス部材４００は、プレート部材３２の開口部３２Ｌ及び基板ホルダＰＨに形成された孔部４３０に、基板テーブル５２上のスペーサ４３１を介して設置されている。孔部４３０に臨むプレート部材３２とガラス部材４００とは、Ｏリング４３２により液密にシールされている。
【００４４】
開口部３２Ｎには、光学センサとして例えば特開２００２−１４００５号公報に開示されているような空間像計測センサ５００が設けられている。空間像計測センサ５００の上板５０１の上面５０１Ａはほぼ平坦面となっており、フォーカス・レベリング検出系の基準面として使ってもよい。そして、上面５０１Ａは、基板Ｐ表面、プレート部材３２の表面３２Ａとほぼ同じ高さ（面一）に設けられている。空間像計測センサ５００の上面５０１Ａには、光を通過可能なスリット部５７０が設けられている。上面５０１Ａのうち、スリット部５７０以外はクロムなどの遮光性材料で覆われている。また、空間像計測センサ５００（上板５０１）は平面視において矩形状に形成されており、空間像計測センサ５００（上板５０１）と開口部３２Ｎとの間にはギャップＮが形成されている。本実施形態において、ギャップＮは基板Ｐの外形の製造公差と同程度、例えば０．３ｍｍ程度にする。このように、基板Ｐを保持する基板テーブル５２の上面は、全面でほぼ面一となっている。なお、空間像計測センサ５００が設けられた開口部３２Ｎは、基準部材３００が設けられた開口部３２Ｋと同様の構成でシール及び排液がなされるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【００４５】
図３及び図８に示すように、基板テーブル５２の一部を構成する基板ホルダＰＨは、略円環状の周壁部３３と、この周壁部３３の内側のベース部３５上に設けられ、基板Ｐを支持する複数の支持部３４と、支持部３４の間に配置され、基板Ｐを吸着保持するための複数の吸引口４１とを備えている。支持部３４及び吸引口４１は周壁部３３の内側において一様に配置されている。なお、図においては、周壁部３３の上端面は比較的広い幅を有しているが、実際には１〜２ｍｍ程度の幅しか有していない。また、ベース部３５には、基板Ｐを昇降する上述したリフトピン７０を配置した開口部７１が設けられている。
【００４６】
図８は基板Ｐを保持した基板テーブル５２の要部拡大断面図である。図８において、基板テーブル５２の凹部３１内部に、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨが配置されている。周壁部３３及び支持部３４は、基板ホルダＰＨの一部を構成する略円板状のベース部３５上に設けられている。支持部３４のそれぞれは断面視台形状であり、基板Ｐはその裏面ＰＣを保持面である複数の支持部３４の上端面３４Ａに保持される。
なお、基板Ｐに対する保持面は複数の上端面３４Ａによって形成されるが、図５（及びそれ以降の図）においては、便宜上、平面として図示している。
【００４７】
周壁部３３の上面３３Ａは平坦面となっている。周壁部３３の高さは支持部３４（上端面３４Ａ）の高さよりも低くなっており、基板Ｐと周壁部３３との間にはギャップＢが形成されている。ギャップＢは、プレート部材３２と基板Ｐの側面ＰＢとの間のギャップＡより小さい。また、凹部３１の内側面３６と、この内側面３６に対向する基板ホルダＰＨの側面３７との間にギャップＣが形成されている。ここで、基板ホルダＰＨの径は基板Ｐの径より小さく形成されており、ギャップＡはギャップＣより小さい。なお、本実施形態においては、基板Ｐには位置合わせのための切欠部（オリフラ、ノッチ等）は形成されておらず、基板Ｐはほぼ円形であり、その全周にわたってギャップＡは０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ、本実施形態では０．３ｍｍ程度になっているため、液体の流入を防止できる。なお、基板Ｐに切欠部が形成されている場合には、その切欠部に応じてプレート部材３２や周壁部３３に突起部を設けるなど、プレート部材３２や周壁部３３を切欠部に応じた形状にすればよい。こうすることにより、基板Ｐの切欠部においても基板Ｐとプレート部材３２との間でギャップＡを確保することができる。
【００４８】
基板Ｐの露光面である表面ＰＡにはフォトレジスト（感光材）９０が塗布されている。本実施形態において、感光材９０はＡｒＦエキシマレーザ用の感光材（例えば、東京応化工業株式会社製TARF-P6100）であって撥液性（撥水性）を有しており、その接触角は７０〜８０°程度である。
また、本実施形態において、基板Ｐの側面ＰＢは撥液処理（撥水処理）されている。具体的には、基板Ｐの側面ＰＢにも、撥液性を有する上記感光材９０が塗布されている。これにより、表面が撥液性のプレート部材３２と基板Ｐ側面とのギャップＡからの液体の浸入を防止することができる。更に、基板Ｐの裏面ＰＣにも上記感光材９０が塗布されて撥液処理されている。
【００４９】
本実施形態において、基板テーブル５２のうち、載置面５２ａ、及び内側面３６が撥液性を有している。更に、基板ホルダＰＨの一部の表面も撥液処理されて撥液性となっている。本実施形態において、基板ホルダＰＨのうち、周壁部３３の上面３３Ａ、及び側面３７が撥液性を有している。基板テーブル５２及び基板ホルダＰＨの撥液処理としては、例えば、フッ素系樹脂材料あるいはアクリル系樹脂材料等の撥液性材料を塗布、あるいは前記撥液性材料からなる薄膜を貼付する。撥液性にするための撥液性材料としては液体１に対して非溶解性の材料が用いられる。なお、基板テーブル５２や基板ホルダＰＨ全体を撥液性を有する材料（フッ素系樹脂など）で形成してもよい。
【００５０】
基板ホルダＰＨの周壁部３３に囲まれた第１空間３８は、吸引装置４０によって負圧にされる。吸引装置４０は、基板ホルダＰＨのベース部３５上面に設けられた複数の吸引口４１と、基板テーブル５２外部に設けられた真空ポンプを含むバキューム部４２と、ベース部３５内部に形成され、複数の吸引口４１のそれぞれとバキューム部４２とを接続する流路４３とを備えている。吸引口４１はベース部３５上面のうち支持部３４以外の複数の所定位置にそれぞれ設けられている。吸引装置４０は、周壁部３３と、ベース部３５と、支持部３４に支持された基板Ｐとの間に形成された第１空間３８内部のガス（空気）を吸引してこの第１空間３８を負圧にすることで、支持部３４に基板Ｐを吸着保持する。なお、基板Ｐの裏面ＰＣと周壁部３３の上面３３ＡとのギャップＢは僅かであるので、第１空間３８の負圧は維持される。
【００５１】
また、凹部３１の内側面３６と基板ホルダＰＨの側面３７との間の第２空間３９に流入した液体１は、回収部６０で回収される。本実施形態において、回収部６０は、液体１を収容可能なタンク６１と、基板テーブル５２内部に設けられ、空間３９とタンク６１とを接続する流路６２とを有している。そして、この流路６２の内壁面にも撥液処理が施されている。
【００５２】
次に、上述した構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法について説明する。
基板Ｐに対して露光処理を実施する際には、図５に示すように、アクチュエータ８４の駆動により、先端面（上端面）が保持面３４Ａよりも低くなるようにリフトピン７０を下降させるとともに、図８に示したバキューム部４２の駆動により基板Ｐを基板ホルダＰＨの保持面３４Ａに吸着保持させる。このとき、制御装置ＣＯＮＴは、負圧吸引源８７、８８の運転を停止させて開口部７１の下側空間８２における吸引を停止させる。これにより、空間８２が負圧になって基板Ｐが撓むことを回避できるとともに、負圧吸引で生じる振動が基板Ｐ（基板テーブル５２）に伝わることを回避できる。また、リフトピン７０が下降状態にあるとき（基板Ｐが保持面３４Ａに保持されているとき）には、ベローズ７６が伸張状態となっているので、縮んでいて横方向（保持面３４Ａに沿う方向）の剛性が高い状態ではなく、剛性が低い状態となり基板ホルダＰＨにかける負荷を軽減できる。
【００５３】
この後、液体供給機構１０により基板Ｐ上に液体１を供給しつつ（液体供給ステップ）、液体回収機構２０により基板Ｐ上の液体１を回収して液浸領域ＡＲ２を形成する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、投影光学系ＰＬと液体１とを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射し、基板Ｐを支持した基板ステージＰＳＴを移動させながらマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影し、基板Ｐを露光する液浸露光を行う（露光ステップ）。
【００５４】
一方、基板Ｐに対する露光処理が終了して基板を交換する際には、液浸露光の完了後、基板Ｐ上などに残留した液体１を液体回収機構２０などを使って回収した後、制御装置ＣＯＮＴがバキューム部４２の駆動を停止させて、基板Ｐの基板ホルダＰＨ（の保持面３４Ａ）への吸着保持を解除するとともに、真空吸引源８７を駆動させながらアクチュエータ８４によりリフトピン７０を上昇させる。これにより、リフトピン７０はベローズ７６を伴って、図９に示すように、基板Ｐの裏面ＰＣを吸着保持した状態で上昇して、基板Ｐを基板ホルダＰＨから離間させる。このとき、段部７２とブラケット７５との距離が短くなるのに伴ってベローズ７６はＺ方向に縮むので、リフトピン７０の上昇に支障を来さない。そして、リフトピン７０によって上昇した基板Ｐと基板テーブル５２との間に不図示の搬送アームが進入し、基板Ｐの下面を支持する。そして、搬送アームは、基板Ｐを基板テーブル５２（基板ステージＰＳＴ）から搬出する。
【００５５】
基板Ｐが基板ホルダＰＨから離間すると開口部７１が開放されるため、液浸露光中に基板Ｐの裏面ＰＣに回り込んで回収しきれなかった液体が開口部７１から入り込む場合がある。ここで、開口部７１は、下側からベローズ７６及びブラケット７５で包囲された空間８２となっているため、開口部７１から流入した液体は、自重により空間８２に滴下、またはベローズ７６の内面を伝って空間８２の底部（ブラケット７５の上面）に達し（または開口部７１やベローズ７６の内面に付着し）、収集される（液体収集ステップ）。
【００５６】
また、制御装置ＣＯＮＴは、アクチュエータ８４の駆動量に基づいて、基板Ｐが基板ホルダＰＨから離間したタイミングで負圧吸引源８８を作動させる。これにより、開口部７１から流入して空間の底部で収集された液体は、吸引孔８６ａから排液管８６ｂ及び排液路８６ｃを介して排液される。
なお、例えば液浸露光中に開口部７１から液体が流入した場合、液体検出装置８５が液体の存在（流入）を検出すると、制御装置ＣＯＮＴは何らかの異常が生じたと判断し、液体供給機構１０による液体供給を停止させるとともに、オペレータコールを行う。
【００５７】
なお、図６に示した基準部材３００が設けられた開口部３２Ｋから孔部３０２に液体が流入した場合、Ｏリング３０６、３０７によりプレート部材３２、基板ホルダＰＨ、基板テーブル５２の間がシールされているため、これらの隙間に液体が回り込むことを防止できる。また、孔部３０２の底部に溜まった液体は、負圧吸引源３０５の駆動により排液路３０４を介して排液されるため、基準部材３００を用いたアライメント精度に液体が悪影響を及ぼすことを防止できる。特に、基準部材３００に直接Ｏリングを接触させてシールする構成ではないので、シールに伴う負荷が基準部材３００に加わって計測精度を低下させることを防ぐことができる。
【００５８】
同様に、図７に示した照度ムラセンサ４１０及び照射量センサ４２０が設けられた開口部３２Ｌから液体が流入した場合、Ｏリング４３２によりプレート部材３２とガラス部材４００との間がシールされているため、これらの隙間に液体が回り込んで照度ムラセンサ４１０及び照射量センサ４２０の計測精度に悪影響を及ぼすことを防止できる。
【００５９】
以上、説明したように本実施の形態では、リフトピン７０とともにＺ方向に移動・伸縮するベローズ７６が保持面３４Ａの下側から開口部７１を包囲するので、開口部７１から液体１が流入した場合でも、漏れることなく液体１を収集することができる。そのため、本実施の形態では、開口部７１から流入して漏れ出した液体により、アクチュエータ８０、８４等の高価な機器に漏電や錆が生じることを防止できる。また、この際、Ｏリング等のシール材で開口部７１をシールする構成としていないので、基板ホルダＰＨや基板テーブル５２に変形を生じさせず、従って移動鏡５５の位置変動も生じさせることもなく、計測精度の低下を防止することが可能である。
【００６０】
また、本実施の形態では、ベローズ７６を用いることで簡単な構成でリフトピン７０の移動に支障を来すことなく確実、且つ容易にに液体１の収集が可能になり、装置の簡素化及び低価格化にも寄与できる。さらに、本実施の形態では、基板Ｐが保持面３４Ａに保持されている際、すなわち基板Ｐに対する露光処理を行っている際に伸張状態で低い剛性となるようにベローズ７６を設けているので、基板ホルダＰＨに加わる負荷を低減して転写精度の低下を抑制することが可能である。
【００６１】
加えて、本実施の形態では、空間８２に溜まった液体を吸引装置８６によって排液するので、液体を長期間留まらないようにすることができ、液体の排出作業を省略して作業性の向上が期待できるとともに、バクテリアの発生等も抑制することが可能になる。
さらに、本実施の形態では、空間８２内の液体の有無を液体検出装置８５によって検出しているので、不測の事態が生じて液浸露光中に開口部７１から液体１が流入した場合であっても、露光を中断させて不良品が生じることを回避する等、迅速な対処が可能になる。
【００６２】
（第２実施形態）
続いて、本発明に係る基板保持装置の第２実施形態について図１０を参照して説明する。これらの図において、図５及び図９に示す第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
上記第１実施形態では、リフトピン７０毎にベローズ７６を設ける構成としたが、第２実施形態では複数（ここでは３本）のリフトピン７０（開口部７１）を一括して囲むベローズ７６Ａ（伸縮部材、包囲部材、移動部）が設けられている。
【００６３】
以下、詳細に説明する。
図１０に示すように、リフトピン７０を連結する連結部８３Ａは円板形状に形成されており、その外周にはブラケット７５Ａが突設されている。ブラケット７５Ａの上面には、３つのリフトピン７０の周囲を囲む大きさ（直径）のベローズ７６Ａの一端（下端）が固定されている。本実施の形態では、基板ホルダＰＨに形成された開口部７１は、各リフトピン７０毎に設けられているが、保持面３４Ａよりも下側で段部７２Ａを形成する凹部７３Ａ及び基板テーブル５２の孔部７４Ａは、３つの開口部７１を含む大きさ（直径）で設けられている。そして、ベローズ７６Ａの他端（上端）は、孔部７４Ａ及び凹部７３Ａを介して段部７２Ａに係合・固定されている。
つまり、ベローズ７６Ａは、連結部８３Ａ及びブラケット７５Ａと協働して、３つの開口部７１を一括して下側から包囲する空間８２Ａを形成する構成となっている。
他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００６４】
上記の構成の基板保持装置では、上記第１実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、使用するベローズの数が減ることで、組み立てやメンテナンスの作業量を減らすことができ、コストダウン及び生産性向上に寄与できる。
【００６５】
（第３実施形態）
続いて、本発明に係る基板保持装置の第３実施形態について図１１及び図１２を参照して説明する。これらの図において、図５及び図９に示す第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
上記第１実施形態では、ベローズの一端を基板ホルダＰＨに固定する構成としたが、第３実施形態では基板ホルダＰＨには固定しない構成としている。
【００６６】
以下、詳細に説明する。
図１１に示すように、本実施の形態では基板ホルダＰＨにおいて段部７２を形成する凹部７３と基板テーブル５２に形成された孔部７４とは、リフトピン７０に設けられたブラケット７５の直径よりも大径に形成されている。また、凹部７３の深さ（すなわち段部７２のＺ方向の位置）は、図１２に示すように、アクチュエータ８４の駆動でリフトピン７０が上昇したときにもブラケット７５と接触しない値に設定されている。
【００６７】
また、基板テーブル５２の下面には、有底筒状の筒状部材８９が下方に向けて垂設されている。筒状部材８９は、基板テーブル５２の孔部７４よりも大径でリフトピン７０の周囲を囲む周壁部８９ａと、周壁部８９ａの下端に接続しリフトピン７０が貫通する貫通孔８９ｃを有する底壁部８９ｂとから構成されている。そして、ベローズ７６の一端（上端）はブラケット７５の下面に固定され、他端（下端）は底壁部８９ｂの上面に固定されている。この場合、ベローズ７６の直径は、貫通孔８９ｃよりも大径に、且つブラケット７５の外径よりも小径に設定されている。
この構成により、ベローズ７６は筒状部材８９及びリフトピン７０のブラケット７５と協働して開口部７１（保持面３４Ａ）を下側から包囲する空間８２Ｂを形成する。また、この構成では、吸引装置８６を構成する吸引孔８６ａは筒状部材８９の底壁部８９ｂに形成され、排液管８６ｂは底壁部８９ｂに接続される。また、液体検出装置８５も、空間８２Ｂに臨むように底壁部８９ｂに設けられる。
【００６８】
上記の構成では、基板Ｐに対する露光処理が終了して基板を交換する際には、基板Ｐ上などに残留した液体１を回収し、基板Ｐの基板ホルダＰＨ（の保持面３４Ａ）への吸着保持を解除した後に、図１２に示すように、アクチュエータ８４によりリフトピン７０を上昇させる。これにより、ベローズ７６は伸張し、リフトピン７０は図１２に示すように、基板Ｐの裏面ＰＣを吸着保持した状態で上昇して、基板Ｐを基板ホルダＰＨから離間させる。基板Ｐが基板ホルダＰＨから離間して開放された開口部７１から液体が流入した場合、この液体１は段部７２、凹部７３、孔部７４を伝って空間８２Ｂの底部に収集されるか、ブラケット７５からベローズ７６を伝って空間８２Ｂの底部に収集される。空間８２Ｂの底部に収集された液体１は吸引装置８６によって排液される。
【００６９】
このように、本実施の形態では、上記第１実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、ベローズ７６の他端が筒状部材８９を介して基板テーブル５２に接続されており、基板ホルダＰＨに固定されていないので、基板ホルダＰＨの脱着作業が容易になり作業効率が向上する。また、本実施の形態では、吸引装置８６の排液管８６ｂが筒状部材８９に接続されているので、リフトピン７０が昇降しても排液管８６ｂの移動がなく、排液管８６ｂの移動に伴う振動が基板Ｐに伝わってパターンの転写精度に悪影響を及ぼすことを防止できる。
【００７０】
（第４実施形態）
次に、本発明に係る基板保持装置の第４実施形態について図１３を参照して説明する。
この図において、図１１及び図１２に示す第３実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
上記第３実施形態では、リフトピン７０毎にベローズ７６及び筒状部材８９を設ける構成としたが、第４実施形態では図１０に示した第２実施形態と同様に、複数（ここでは３本）のリフトピン７０（開口部７１）を一括して囲むように筒状部材８９Ａとベローズ７６Ａとが設けられている。
【００７１】
図１３に示すように、リフトピン７０を連結する連結部８３Ａは円板形状に形成されており、その外周にはブラケット７５Ａが突設されている。そして本実施形態では、保持面３４Ａよりも下側で段部７２Ａを形成する凹部７３Ａ及び基板テーブル５２の孔部７４Ａは、３つの開口部７１を含む大きさ（直径）で、且つブラケット７５Ａの外径よりも大径に形成されている。そして、基板テーブル５２の下面には、ブラケット７５Ａの外径よりも小径の貫通孔８９ｃを有する底壁部８９ｂと、孔部７４Ａよりも大径に形成された周壁部８９ａとからなる筒状部材８９Ａが下方に向けて垂設されている。ベローズ７６Ａの一端は、ブラケット７５Ａの下面に固定され、他端は底壁部８９ｂの上面に固定されている。ベローズ７６の直径は、貫通孔８９ｃよりも大径に、且つブラケット７５の外径よりも小径に設定されている。つまり、ベローズ７６Ａは、連結部８３Ａ、ブラケット７５Ａ及び筒状部材８９Ａと協働して、３つの開口部７１を一括して下側から包囲する空間８２Ａを形成する構成となっている。
他の構成は、上記第３実施形態と同様である。
【００７２】
上記の構成の基板保持装置では、上記第３実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、使用するベローズ７６Ａ及び筒状部材８９Ａの数が減ることで、組み立てやメンテナンスの作業量を減らすことができ、コストダウン及び生産性向上に寄与できる。
【００７３】
（第５実施形態）
続いて、本発明に係る基板保持装置の第５実施形態について図１４を参照して説明する。この図において、図５及び図９に示す第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
上記第１実施形態では、ベローズを用いて保持面３４Ａの下側から開口部７１を包囲する構成としたが、第５実施形態では上方向に延びる壁部と下方向に延びる壁部とが互いに隙間をあけて、且つ高さ方向にオーバーラップして配置された、いわゆるラビリンス構造を用いている。
【００７４】
図１４に示すように、各リフトピン７０の底部近傍には、当該リフトピン７０を中心として水平方向に突出する円板状の底壁部１０１と底壁部の先端からリフトピン７０を囲むように上方へ向けて延びる周壁部１０２とからなる有底筒状の筒状体（移動部）１０３が設けられている。この底壁部１０１には、吸引装置８６を構成する吸引孔８６ａが形成されるとともに、液体検出装置８５が設けられている。
【００７５】
また、基板ホルダＰＨには、筒状体１０３の周壁部１０２の内側に、当該周壁部と水平方向に隙間をあけて（非接触で）延びる壁部１０４が延設されるとともに、壁部１０４の外側に位置して、アクチュエータ８４の駆動によりリフトピン７０が筒状体１０３を伴って上昇した際にも筒状体１０３の周壁部１０２との間に隙間を形成する大きさ（非接触）の凹部１０５が設けられている。壁部１０４と周壁部１０２とは、高さ方向にオーバーラップして配置されるように、周壁部１０２の上面１０２ａは、常に壁部１０４の下面１０４ａよりも高い位置にある大きさに設定されている。これら壁部１０４及び筒状体１０３は、保持面３４Ａの下側から開口部７１を包囲する包囲部材として空間８２Ｃを形成する。
【００７６】
上記の構成では、壁部１０４が筒状体１０３の周壁部１０２の内側に位置しており、また周壁部１０２の上面１０２ａが壁部１０４の下面１０４ａよりも常に高い位置にあることから、開口部７１が基板Ｐにより閉じられていた場合、及びリフトピン７０が基板Ｐを吸着保持して上昇して開口部７１が開放された場合のいずれにおいても、開口部７１から流入した液体１は、壁部１０４を伝って空間８２Ｃの底部（筒状体１０３の内側）に収集される。収集された液体１は、吸引装置８６の駆動により排液される。
【００７７】
本実施の形態では、上記第１実施形態と同様の効果が得られることに加えて、壁部１０４と筒状体１０３とが非接触であるので、リフトピン７０の駆動に伴う力が基板ホルダＰＨ及び基板テーブル５２に伝わらない。従って、本実施の形態では、テーブル５２の変形を生じさせてステージの制御性能低下を招くことを抑制できる。また、本実施の形態では、ベローズ等の伸縮部材を用いないので寿命に優れており、コスト低下及び伸縮部材の交換作業が省略できるという効果を奏する。
【００７８】
（第６実施形態）
次に、本発明に係る基板保持装置の第６実施形態について図１５を参照して説明する。
この図において、図１４に示す第５実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
上記第５実施形態では、リフトピン７０毎に筒状体１０３を設ける構成としたが、第６実施形態では図１０に示した第２実施形態及び図１３に示した第４実施形態と同様に、複数（ここでは３本）のリフトピン７０（開口部７１）を一括して囲むように筒状部材１０３Ａが設けられている。
【００７９】
リフトピン７０を連結する連結部８３Ａは円板形状に形成されており、その外周にはブラケット７５Ａが突設されている。ブラケット７５Ａの先端には、壁部（移動部）１０６が下方に向けてＺ軸周りにリング状に突設されている。また基板ホルダＰＨには、３つの開口部７１を含む大きさ（直径）で、且つ壁部１０６の外側に隙間をあけてＺ軸周りにリング状の壁部１０４Ａが下方に向けて形成されている。そして、壁部１０４Ａ、１０６の下方には、断面視有底筒状の筒状部材１０３Ａが設けられている。筒状部材１０３Ａは、底壁部１０１と、底壁部１０１の外側端部から上方へ向けて突設され壁部１０４Ａの外側に隙間をもって設けられた外筒壁部１０７と、底壁部１０１の内側端部から上方へ向けて突設され壁部１０６の内側に隙間をもって設けられた内筒壁部１０８とから構成されている。
【００８０】
壁部１０４Ａ、１０６と筒壁部１０７、１０８とは、高さ方向にオーバーラップして配置されるように、筒壁部１０７、１０８の上面１０７ａ、１０８ａは、常に壁部１０４Ａ、１０６の下面１０４ａ、１０６よりも高い位置にある大きさに設定されている。これら壁部１０４Ａ、１０６及び筒壁部１０７、１０８は、保持面３４Ａの下側から開口部７１を包囲する包囲部材として空間８２Ｄを形成する。
【００８１】
上記の構成では、筒状部材１０３Ａの外筒壁部１０７及び内筒壁部１０８が壁部１０４Ａ、１０６の周囲を囲んでおり、また外筒壁部１０７の上面１０７ａ及び内筒壁部１０８の上面１０８ａが壁部１０４Ａの下面１０４ａ及び壁部１０６の下面１０６ａよりも常に高い位置にあることから、開口部７１が基板Ｐにより閉じられていた場合、及びリフトピン７０が基板Ｐを吸着保持して上昇して開口部７１が開放された場合のいずれにおいても、開口部７１から流入した液体１は、壁部１０４Ａまたは壁部１０６を伝って空間８２Ｄの底部（底壁部１０１の上部）に収集される。収集された液体１は、吸引装置８６の駆動により排液される。
【００８２】
本実施の形態では、上記第５実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、使用する筒状部材１０３Ａの数が減ることで、組み立てやメンテナンスの作業量を減らすことができ、コストダウン及び生産性向上に寄与できる。また、本実施の形態では、吸引装置８６の排液管８６ｂがリフトピン７０と分離して配置された筒状部材１０３Ａに接続されているので、リフトピン７０が昇降しても排液管８６ｂの移動がなく、排液管８６ｂの移動に伴う振動が基板Ｐに伝わり、パターンの転写精度に悪影響を及ぼすことを防止できる。
【００８３】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００８４】
例えば上記実施形態では、伸縮部材としてベローズを用いる構成としたが、他の部材を設ける構成としてもよい。また、ラビリンス構造についても上記実施形態で説明した構成は一例であり、他の構成としてもよい。
また、上記実施形態では、吸引装置８６を設ける構成としたが、吸引装置８６は必須の構成ではなく、自重により液体を排出する構成であってもよい。また、吸引装置８６による排液した後も吸引動作を継続させてベローズや筒状体１０３、筒状部材１０３Ａを含む排液経路を乾燥させる構成としてもよい。さらに、吸引装置８６にエア供給装置を付設し、排液経路にエアを送り込んで乾燥させる構成とすることも可能である。
【００８５】
また、図６に示した基準部材３００が配置された開口部３２Ｋ及び基板ホルダＰＨの孔部３０２においては、開口部３２Ｋから孔部３０２に流入した液体を負圧吸引源３０５の駆動により排液路３０４から吸引・排液する構成としたが、例えば図１６に示すように、プレート部材３２から延びるゴム部材１１１を設け、基準部材３００の周囲に当接させる構成としてもよい。これにより、ゴム部材１１１と基準部材３００との間がシールされ、開口部３２Ｋから流入した液体が孔部３０２へ漏れ出ることを防止できる。
この場合、ゴム部材１１１は薄膜状として、基準部材３００とゴム部材１１１との接触による負荷が、大部分がゴム部材１１１の弾性変形に費消される構成とすることが好ましい。なお、この構成を採った上で負圧吸引源３０５及び排液路３０４を設ける構成としてもよい。
【００８６】
さらに、図１７に示すように、基準部材３００の側面に水平方向に突出する突条１１２を全周に亙って設け、この突条１１２を対向状態で挟持する一対の挟持部１１３と、外側に延びる薄膜部１１４とを有するゴム部材１１５を設ける構成としてもよい。この場合、挟持部材１１６、１１７を用いて薄膜部１１４を挟持した状態でゴム部材１１５を基板ホルダＰＨに固定することで、基準部材３００とゴム部材１１５との間、及びゴム部材１１５と挟持部材１１６との間がシールされるため、開口部３２Ｋから流入した液体が孔部３０２へ漏れ出ることを防止できる。なお、挟持部１１３による基準部材３００の突条１１２への挟持は、閉じた状態で負荷を付与しているので、基準部材３００の変形等を生じさせるものではない。また、基板ホルダＰＨとゴム部材１１５との連結も薄膜部１１４を介しており基準部材３００を拘束しないので、基板ホルダＰＨと基準部材３００との間で力の伝達は行われず、基準部材３００を用いた位置計測精度には悪影響を及ぼすものではない。
【００８７】
さらに、図１８に示すように、基準部材３００の側面から突出する突部１１８に全周に亙って凹条１１９を設けるとともに、基板ホルダＰＨに固定されたプレート部材１２０に凹条１１９と一定の距離で離間した凹条１２１を設け、各凹条１１９、１２１に圧入される圧入部１２２、１２３とこれら圧入部１２２、１２３を連結する薄膜部１２４とを有するゴム部材１２５を用いる構成としてもよい。
この場合、基準部材３００とゴム部材１２５の圧入部１２２との間、基板ホルダＰＨとゴム部材１２５の圧入部１２３との間がシールされて開口部３２Ｋから流入した液体が孔部３０２へ漏れ出ることを防止できる。
なお、この構成においても基準部材３００への圧入部１２２の圧入も閉じた状態で負荷を付与しているので、基準部材３００の変形等を生じさせるものではない。また、圧入部１２２、１２３の連結も薄膜部１２５を介しており基準部材３００を拘束しないので、基板ホルダＰＨと基準部材３００との間で力の伝達は行われず、基準部材３００を用いた位置計測精度には悪影響を及ぼすものではない。
なお、上述したゴム部材１１１、１１５、１２５としては、液体１に対して撥液性を有しているものが好ましく、例えばフッ素ゴムを用いることができる。
【００８８】
上述したように、本実施形態においては露光光としてＡｒＦエキシマレーザ光を用いているため、液浸露光用の液体として純水が供給される。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板（ウエハ）上のフォトレジストや光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板の表面、及び投影光学系の先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。
【００８９】
波長が１９３ｎｍ程度の露光光に対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４といわれている。露光光の光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、基板上では１／ｎ、すなわち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。さらに、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４倍に拡大される。
また、液体としては、その他にも、露光光に対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系や基板表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なものを用いることも可能である。
露光光としてＦ２レーザ光を用いる場合は、液体としてＦ２レーザ光を透過可能な、例えばフッ素系オイルや過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）等のフッ素系の液体を用いればよい。
【００９０】
また、上述した実施形態では、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置や、ステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する液浸露光装置にも本発明を適用可能である。露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置の構造及び露光動作については、例えば特開平６−１２４８７３号公報に、ステージ上に所定深さの液体槽を形成してその中に基板を保持する液浸露光装置については、例えば特開平１０−３０３１１４号公報や、米国特許第５，８２５，０４３号にそれぞれ開示されている。
【００９１】
また、本発明は、ツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号（対応米国特許５，９６９，４４１号）あるいは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。
【００９２】
なお、上述したような液浸法を用いた場合には、投影光学系の開口数ＮＡが0.9〜1.3になることもある。このように、投影光学系の開口数ＮＡが大きくなる場合には、従来から露光光として用いられているランダム偏光光では偏光効果によって結像特性が悪化することもあるので、偏光照明を用いることが望ましい。その場合、マスク（レチクル）のライン・アンド・スペースパターンのラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明を行い、マスク（レチクル）のパターンからは、Ｓ偏光成分（ＴＥ偏光成分）、すなわちラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分の回折光が多く射出されるようにするとよい。投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面に塗布されたレジストとの間が液体で満たされている場合、投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面に塗布されたレジストとの間が空気（気体）で満たされている場合に比べて、コントラストの向上に寄与するＳ偏光成分（ＴＥ偏光成分）の回折光のレジスト表面での透過率が高くなるため、投影光学系の開口数ＮＡが1.0を超えるような場合でも高い結像性能を得ることができる。また、位相シフトマスクや特開平６−１８８１６９号公報に開示されているようなラインパターンの長手方向に合わせた斜入射照明法（特にダイポール照明法）などを適宜組み合わせるとより効果的である。
【００９３】
また、例えばＡｒＦエキシマレーザ光を露光光とし、１／４程度の縮小倍率の投影光学系ＰＬを使って、微細なライン・アンド・スペースパターン（例えば２５〜５０ｎｍ程度のＬ／Ｓ）を基板Ｐ上に露光するような場合、マスクＭの構造（例えばパターンの微細度やクロムの厚み）によっては、Wave guide効果によりマスクＭが偏光板として作用し、コントラストを低下させるＰ偏光成分（ＴＭ偏光成分）の回折光よりＳ偏光成分（ＴＥ偏光成分）の回折光が多くマスクから射出されるようになる。この場合も、上述したような直線偏光照明を用いることが望ましいが、ランダム偏光光でマスクＭを照明しても、開口数ＮＡが0.9〜1.3のように大きい投影光学系を使って高い解像性能を得ることが可能になる。
【００９４】
また、マスクＭ上の極微細なライン・アンド・スペースパターンを基板Ｐ上に露光するような場合には、Wave guide効果によりＰ偏光成分（ＴＭ偏光成分）がＳ偏光成分（ＴＥ偏光成分）よりも大きくなる可能性もあるが、例えばＡｒＦエキシマレーザ光を露光光とし、１／４程度の縮小倍率の投影光学系を使って、２５ｎｍよりも大きいライン・アンド・スペースパターンを基板Ｐ上に露光するような条件であれば、Ｓ偏光成分（ＴＥ偏光成分）の回折光がＰ偏光成分（ＴＭ偏光成分）の回折光よりも多くマスクから射出されるので、投影光学系の開口数ＮＡが0.9〜1.3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。
【００９５】
さらに、マスク（レチクル）のラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明（Ｓ偏光照明）だけでなく、光軸を中心とした円の接線（周）方向に直線偏光する偏光照明法と斜入射照明法との組み合わせも効果的である。特に、マスク（レチクル）のパターンが所定の一方向に延びるラインパターンだけでなく、複数の異なる方向に延びるラインパターンが混在する場合には、光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法とを併用することによって、投影光学系の開口数ＮＡが大きい場合でも高い結像性能を得ることができる。
【００９６】
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００９７】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明は基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００９８】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００９９】
基板ステージＰＳＴやマスクステージＭＳＴにリニアモータ（USP5,623,853またはUSP5,528,118参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージＰＳＴ、ＭＳＴは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。
【０１００】
各ステージＰＳＴ、ＭＳＴの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージＰＳＴ、ＭＳＴを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージＰＳＴ、ＭＳＴに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージＰＳＴ、ＭＳＴの移動面側に設ければよい。
【０１０１】
基板ステージＰＳＴの移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、特開平８−１６６４７５号公報（USP5,528,118）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。
マスクステージＭＳＴの移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、特開平８−３３０２２４号公報（US S/N 08/416,558）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。
【０１０２】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１０３】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１９に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】液体供給機構及び液体回収機構の概略構成を示す平面図である。
【図３】基板テーブルを上方から見た平面図である。
【図４】基板を保持した基板テーブルを上方から見た平面図である。
【図５】本発明に係る基板保持装置を有する基板ステージの第１実施形態を示す概略的な構成図である。
【図６】開口部に設置された基準部材を示す図である。
【図７】開口部に照度ムラセンサ及び照射量センサが設置された図である。
【図８】基板テーブルの断面図である。
【図９】リフトピンによって基板が基板ホルダから離間した図である。
【図１０】本発明に係る基板保持装置の第２実施形態を示す図である。
【図１１】本発明に係る基板保持装置の第３実施形態を示す図である。
【図１２】リフトピンによって基板が基板ホルダから離間した図である。
【図１３】本発明に係る基板保持装置の第４実施形態を示す図である。
【図１４】本発明に係る基板保持装置の第５実施形態を示す図である。
【図１５】本発明に係る基板保持装置の第６実施形態を示す図である。
【図１６】基準部材に対するシール構造の別の形態を示す図である。
【図１７】基準部材に対するシール構造の別の形態を示す図である。
【図１８】基準部材に対するシール構造の別の形態を示す図である。
【図１９】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
【０１０５】
ＥＸ  露光装置
Ｍ  マスク（レチクル）
Ｐ  基板（感光基板）
ＰＨ  基板ホルダ（ホルダ）
ＰＬ  投影光学系
ＰＳＴ  基板ステージ（ステージ装置）
１  液体
３４Ａ  保持面
５２  基板テーブル（テーブル）
７０  リフトピン（駆動機構）
７１  開口部
７６、７６Ａ  ベローズ（伸縮部材、包囲部材、移動部）
８１  駆動機構
８２、８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃ、８２Ｄ  空間
８５  液体検出装置
８６  吸引装置
１０２ａ  上面
１０３  筒状体（移動部）
１０４、１０４Ａ  壁部（包囲部材）
１０４ａ  下面
１０６  壁部（移動部、包囲部材）
１０７  外筒壁部（包囲部材）
１０８  内筒壁部（包囲部材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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