(57)【要約】【課題】  分子内の所定位置に所定の置換基を有することにより、所定のドラム感度特性を有するアミンスチルベン誘導体の出発原料として適当なホルミル化アミンスチルベン誘導体およびその製造方法を提供する。【解決手段】  一般式（１）で表されるホルミル化アミンスチルベン誘導体およびその製造方法であって、所定のトリフェニルアミン誘導体を、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して、得ることができる。【化１】2005263737.tif 000020（一般式（１）中、複数のＲ1〜Ｒ10はそれぞれ独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）【選択図】  無し 【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されることを特徴とするホルミル化トリフェニルアミン誘導体。
【化１】
2005263737.tif 000017
（一般式（１）中、複数のＲ1〜Ｒ10はそれぞれ独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【請求項２】
前記一般式（１）中のＲ1〜Ｒ10が、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基であることを特徴とする請求項１に記載のホルミル化トリフェニルアミン誘導体。
【請求項３】
下記反応式（１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体の製造方法であって、一般式（２）で表されるトリフェニルアミン誘導体を、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化することを特徴とするホルミル化トリフェニルアミン誘導体の製造方法。
【化２】
2005263737.tif 000018
（反応式（１）中、複数のＲ1〜Ｒ10はそれぞれ独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【請求項４】
下記反応式（２）で示されるように、前記一般式（２）で表されるトリフェニルアミン誘導体として、一般式（３）で表されるアニリン誘導体と、ヨードベンゼンと、を反応させて、一般式（４）で表されるトリフェニルアミン誘導体を得た後、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して得られた一般式（５）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、一般式（６）で表されるリンイリド誘導体と、をウィッティヒ（Wittig）反応させることによって得られたトリフェニルアミン誘導体を使用することを特徴とする請求項３に記載のホルミル化トリフェニルアミン誘導体の製造方法。
【化３】
2005263737.tif 000019
（反応式（２）中、複数のＲ1〜Ｒ10は、反応式（１）の内容と同様である。）
【請求項５】
前記ウィッティヒ（Wittig）反応の際に、一般式（５）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物と、一般式（６）で表されるリンイリド誘導体とを、触媒の存在下に反応させることを特徴とする請求項４に記載のホルミル化トリフェニルアミン誘導体の製造方法。
【請求項６】
前記ウィッティヒ（Wittig）反応に用いられる触媒が、アルキルリチウムであることを特徴とする請求項５に記載のホルミル化トリフェニルアミン誘導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ホルミル化トリフェニルアミン誘導体およびその製造方法に関し、特に、分子内の所定位置に所定の置換基を有することにより、所定のドラム感度特性を有するアミンスチルベン誘導体の出発原料（中間体）として適当なホルミル化トリフェニルアミン誘導体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、画像形成装置等の電子写真感光体として、電荷輸送剤、電荷発生剤、および結着樹脂（バインダー樹脂）等の有機感光体材料からなる有機感光体が使用されている。かかる有機感光体は、従来の無機感光体に比べて、製造が容易であるとともに、感光体材料の選択肢が多様であることから、構造設計の自由度が高いという利点がある。
このような有機感光体材料のうち、分子内に嵩高い基を備え、結着樹脂との相溶性が高く、かつ高い電荷輸送能（正孔輸送能）を有する電荷輸送剤として、下記一般式（７）で表されるアミンスチルベン誘導体を提案している。
【０００３】
【化１】
2005263737.tif 000002
【０００４】
（一般式（７）中、複数のＲ1〜Ｒ14はそれぞれ独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、かかるアミンスチルベン誘導体の原料となるホルミル化トリフェニルアミン誘導体は、一般に収率が低いという問題が見られた。すなわち、提案されたアミンスチルベン誘導体は、高い電荷移動度を有するにもかかわらず、製造コストが高いという問題が見られた。
そこで、本発明者らは、所定のホルミル化トリフェニルアミン誘導体であれば、所定反応を利用して、収率高く製造でき、結果として、一般式（７）で表されるアミンスチルベン誘導体を安価に製造できるという事実を見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の目的は、一般式（７）で表されるアミンスチルベン誘導体の出発原料（中間体）として好適なホルミル化トリフェニルアミン誘導体、およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、下記一般式（１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体が提供され、上述した問題点を解決することができる。
【０００７】
【化２】
2005263737.tif 000003
【０００８】
（一般式（１）中、複数のＲ1〜Ｒ10はそれぞれ独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【０００９】
また、本発明のホルミル化トリフェニルアミン誘導体を構成するにあたり、一般式（１）中のＲ1〜Ｒ10が、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基であることが好ましい。
【００１０】
また、本発明の別の態様は、下記反応式（１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体の製造方法であって、一般式（２）で表されるトリフェニルアミン誘導体を、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化することを特徴とするホルミル化トリフェニルアミン誘導体の製造方法である。
【００１１】
【化３】
2005263737.tif 000004
【００１２】
（反応式（１）中、複数のＲ1〜Ｒ10はそれぞれ独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【００１３】
また、本発明のホルミル化トリフェニルアミン誘導体の製造方法を実施するにあたり、下記反応式（２）で示されるように、一般式（２）で表されるトリフェニルアミン誘導体として、一般式（３）で表されるアニリン誘導体と、ヨードベンゼンと、を反応させて、一般式（４）で表されるトリフェニルアミン化合物を得た後、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して得られた一般式（５）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物と、一般式（６）で表されるリンイリド誘導体と、をウィッティヒ（Wittig）反応させることによって得られるトリフェニルアミン誘導体を使用することが好ましい。
【００１４】
【化４】
2005263737.tif 000005
【００１５】
（反応式（２）中、複数のＲ1〜Ｒ10は、反応式（１）の内容と同様である。）
【００１６】
また、本発明のホルミル化トリフェニルアミン誘導体の製造方法を実施するにあたり、ウィッティヒ（Wittig）反応の際に、リンイリド誘導体等を、触媒の存在下に反応させることが好ましい。
【００１７】
また、本発明のホルミル化トリフェニルアミン誘導体の製造方法を実施するにあたり、ウィッティヒ（Wittig）反応の際に、触媒としてアルキルリチウムを用いることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、一般式（１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体を提供することができる。したがって、それを出発原料として、ウィッティヒ反応により、分子内に嵩高い基を備え、結着樹脂との相溶性が高く、かつ高い電荷輸送能（正孔輸送能）を有する一般式（７）で表されるアミンスチルベン誘導体を収率高く製造することができる。
【００１９】
また、本発明のホルミル化トリフェニルアミン誘導体によれば、一般式（１）中のＲ1〜Ｒ10が、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基であることにより、出発原料として、結着樹脂との相溶性にさらに優れており、電荷移動度が大きく、かつ電荷発生剤からの電荷の注入性に優れている一般式（７）で表されるアミンスチルベン誘導体を収率高く製造することができる。
【００２０】
また、本発明のホルミル化トリフェニルアミン誘導体の製造方法によれば、所定構造のトリフェニルアミン誘導体を出発原料として、フィルスマイヤー法によりホルミル化することにより、所定構造のホルミル化トリフェニルアミン誘導体を高い収率で得ることができる。すなわち、所定構造のトリフェニルアミン誘導体には、スチリルの先端に二つの置換フェニル基が存在しているため、それらの立体障害により、選択的位置のみをホルミル化することができ、所定構造のホルミル化トリフェニルアミン誘導体を高い収率で得ることができる。
【００２１】
また、本発明のホルミル化トリフェニルアミン誘導体の製造方法によれば、所定構造のホルミル化トリフェニルアミン化合物と、所定構造のリンイリド誘導体とを、ウィッティヒ反応させることにより、所定構造のトリフェニルアミン誘導体を高い収率で得ることができる。したがって、得られたトリフェニルアミン誘導体を使用して、フィルスマイヤー法により所定構造のホルミル化トリフェニルアミン誘導体を高い収率で得ることができる。
【００２２】
また、本発明のホルミル化トリフェニルアミン誘導体の製造方法によれば、所定構造のホルミル化トリフェニルアミン化合物と、所定構造のリンイリド誘導体とを、触媒の存在下にウィッティヒ反応させることにより、ホルミル化トリフェニルアミン化合物におけるアルデヒド基に対して、オレフィン基を介してジフェニル構造を効率よく導入することができる。したがって、特定構造のホルミル化トリフェニルアミン誘導体を効率よく製造することができる。
【００２３】
また、本発明のホルミル化トリフェニルアミン誘導体の製造方法によれば、所定構造のホルミル化トリフェニルアミン化合物と、所定構造のリンイリド誘導体とを、アルキルリチウムの存在下にウィッティヒ反応させることにより、ホルミル化トリフェニルアミン化合物におけるアルデヒド基に対して、オレフィン基を介してジフェニル構造をさらに効率よく導入することができる。したがって、特定構造のホルミル化トリフェニルアミン誘導体をさらに効率よく製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明のホルミル化トリフェニルアミン誘導体、およびその製造方法に関する実施の形態を、具体的に説明する。
【００２５】
[第１の実施形態]
第１の実施形態は、下記一般式（１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体である。なお、一般式（１）中のＲ1〜Ｒ10は、既に上述した定義である。
【００２６】
【化５】
2005263737.tif 000006
【００２７】
ここで、一般式(１)で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体の化合物例として、下記式(１４)で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体を示す。
【００２８】
【化６】
2005263737.tif 000007
【００２９】
[第２の実施形態]
第２の実施形態は、下記反応式（１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体の製造方法であって、一般式（２）で表されるトリフェニルアミン誘導体を、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化することを特徴とする一般式（１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体の製造方法である。
なお、反応式（１）中の複数のＲ1〜Ｒ10は、特に断りがない限り、一般式（１）の説明において定義した内容である。
【００３０】
【化７】
2005263737.tif 000008
【００３１】
１．トリフェニルアミン誘導体の合成
反応式（１）における出発原料としての一般式（２）で表されるトリフェニルアミン誘導体は、下記反応式(２)に示すように、第一工程〜第三工程を含んで、フィルスマイヤー法とウィッティヒ反応とを用いて、合成することができる。
すなわち、第一工程として、一般式（３）で表されるアニリン誘導体と、ヨードベンゼンと、を反応させて、一般式（４）で表されるトリフェニルアミン化合物を得る。
次いで、第二工程として、得られた一般式（４）で表されるトリフェニルアミン化合物から、フィルスマイヤー法により、一般式（５）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物を得る。
次いで、第三工程として、得られた一般式（５）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物と、一般式（６）で表されるリンイリド誘導体とをウィッティヒ反応させて、一般式（２）で表されるトリフェニルアミン誘導体を合成する。
なお、反応式（２）中の複数のＲ1〜Ｒ10は、特に断りがない限り、一般式（１）の説明において定義した内容である。
【００３２】
【化８】
2005263737.tif 000009
【００３３】
（１）第一工程
第一工程において、一般式（３）で表されるアニリン誘導体と、ヨードベンゼンとを反応させるにあたり、その添加割合を、モル比で１：２〜１：４の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるアニリン誘導体と、ヨードベンゼンとの添加割合が、１：２．０未満の値になると、目的物であるトリフェニルアミン誘導体の生成量が低下する場合があるためである。一方、かかるアニリン誘導体と、ヨードベンゼンとの添加割合が、１：４を超えると、未反応のヨードベンゼンが多く残留するため、目的物であるトリフェニルアミン誘導体の精製が困難になる場合があるためである。
したがって、一般式（３）で表されるアニリン誘導体と、ヨードベンゼンとの添加割合を、モル比で１：２．１〜１：３．５の範囲内の値とすることがより好ましく、１：２．２〜１：３の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００３４】
また、第一工程において、一般式（３）で表されるアニリン誘導体と、ヨードベンゼンとを反応させるにあたり、反応温度を、通常１６０〜２２０℃の範囲内の値とするとともに、反応温度を４〜３０時間の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このような反応条件であれば、比較的簡易な製造設備を用いて、所望の反応を効率的に実施できるためである。
【００３５】
（２）第二工程
次いで、第二工程において、フィルスマイヤー法を実施して、一般式（４）で表されるトリフェニルアミン化合物から、一般式（５）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物を得るにあたり、１３０℃以下の温度で行い、反応時間を２〜５時間の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このような反応条件であれば、比較的簡易な製造設備を用いて、所望の反応効率を得ることができるためである。
【００３６】
また、第二工程において、フィルスマイヤー法を実施するにあたり、フィルスマイヤー試薬としては、以下の化合物(i)および(ii)の組み合わせを用いることが好ましい。
(i)オキシ塩化リン、ホスゲン、塩化オキサリル、塩化チオニル、トリフェニルホスフィン−臭素、ヘキサクロロトリホスファザトリエン等のハロゲン化剤
(ii)Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアニリド（ＭＦＡ）、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド
特に、本発明では、フィルスマイヤー試薬として、オキシ塩化リンと、溶媒としても使用できるＤＭＦとの組み合わせが好適に用いられる。
【００３７】
また、フィルスマイヤー試薬の調製において、化合物(i)と(ii)との使用割合は、通常モル比で、１：１〜１：２０の範囲内の値とすることが好ましく、１：１〜１：５の範囲内の値とすることがより好ましい。
さらに、フィルスマイヤー試薬の使用量に関して、一般式（５）で表されるトリフェニルアミン誘導体１モルに対して、０．９〜２倍モル量の範囲内の値とすることが好ましく、１〜１．１倍モル量の範囲内の値とすることがより好ましい。
【００３８】
（３）第三工程
次いで、第三工程として、一般式（５）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物と、一般式（６）で表されるリンイリド誘導体と、をウィッティヒ反応させるにあたり、反応温度を、通常−１０〜３０℃の範囲内の値とするともに、その反応時間を１〜１２時間の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このような反応条件であれば、比較的簡易な製造設備を用いて、所望の反応効率を得ることができるためである。
【００３９】
また、一般式（５）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物と、一般式（６）で表されるリンイリド誘導体とのウィッティヒ反応に使用する好適な溶媒としては、当該反応に影響を及ぼさないものであればよいが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が挙げられる。
【００４０】
また、かかるウィッティヒ反応に使用する触媒としては、例えば、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム等の一価のアルキリリチウム、ジリチオメタン、１，４−ジリチオブタン、１，６−ジリチオへキサン等の二価のアルキルリチウム、ナトリウムメトキシドやナトリウムエトキシド等のナトリウムアルコキシド、水素化ナトリウムや水素化カリウム等の金属水素化物が好適なものとして挙げられる。
なお、転化効率がより高く、生成物の精製が容易であることから、アルキルリチウムを用いることがより好ましい。
【００４１】
ここで、かかる塩基の添加量を、一般式（５）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物１モルに対して、１．１〜１．２モルの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる塩基の添加量が１．１モル未満の値となると、一般式（５）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物と、一般式（６）で表されるリンイリド誘導体と、の間の反応性が著しく低下する場合があるためである。
一方、かかる塩基の添加量が１．２モルを超えると、一般式（５）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物と、一般式（６）で表されるリンイリド誘導体と、の間のウィッティヒ反応を制御することが著しく困難になる場合があるためである。
【００４２】
一般式（５）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物と、一般式（６）で表されるリンイリド誘導体と、の間のウィッティヒ反応を実施するにあたり、添加割合を、モル比で１：３〜３：１の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるホルミル化トリフェニルアミン化合物と、リンイリド誘導体との添加割合が、１：３未満の値になると、未反応のリンイリド誘導体が多く残留する場合があるためである。一方、かかる添加割合が、３：１を超えると、未反応のホルミル化トリフェニルアミン化合物が多く残留し、精製を困難にする場合があるためである。
したがって、一般式（５）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物と、一般式（６）で表されるリンイリド誘導体と、の添加割合を、モル比で１：２〜２：１の範囲内の値とすることがより好ましい。
【００４３】
２．ホルミル化トリフェニルアミン誘導体の合成
得られた一般式（２）で表されるトリフェニルアミン誘導体を、フィルスマイヤー法によりホルミル化して、一般式（１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体を得ることができる。
なお、フィルスマイヤー法の条件については、一般式（２）で表されるトリフェニルアミン誘導体を得るための第二工程において説明したようなフィルスマイヤー法における反応温度および反応時間と同様の内容することが好ましい。
【００４４】
［第３の実施形態］
第３の実施形態は、一般式（１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体の使用方法に関する態様であって、下記反応式（３）で示されるように、一般式（１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体から、一般式（７）で表されるアミンスチルベン誘導体を合成することができるとともに、それを用いて構成した電子写真感光体である。
【００４５】
【化９】
2005263737.tif 000010
【００４６】
（反応式（３）中、複数のＲ1〜Ｒ14はそれぞれ独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【００４７】
１．一般式（７）で表されるアミンスチルベン誘導体の合成
（１）  反応温度と反応時間
また、反応式（３）で示されるように、一般式（１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、一般式（８）で表されるジリン酸エステル誘導体とを、ウィッティヒ反応させることにより、一般式（７）で表されるアミンスチルベン誘導体を合成することができる。
その際、反応温度を、通常−１０〜３０℃の範囲内の値とするともに、その反応時間を１〜１２時間の範囲内の値とすることが好ましい。
【００４８】
（２）  溶媒
また、一般式（１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、一般式（８）で表されるジリン酸エステル誘導体とのウィッティヒ反応に使用する好適な溶媒としては、当該反応に影響を及ぼさないものであればよいが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が挙げられる。
【００４９】
（３）  塩基
また、かかる反応に使用する塩基としては、ナトリウムメトキシドやナトリウムエトキシド等のナトリウムアルコキシド、水素化ナトリウムや水素化カリウム等の金属水素化物が好適なものとして挙げられる。
ここで、かかる塩基の添加量を、ホルミル化トリフェニルアミン誘導体１モルに対して、１．１〜１．２モルの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる塩基の添加量が１．１モル未満の値となると、一般式（１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、一般式（８）で表されるジリン酸エステル誘導体と、の間の反応性が著しく低下する場合があるためである。
一方、かかる塩基の添加量が１．２モルを超えると、一般式（１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、一般式（８）で表されるジリン酸エステル誘導体と、の間のウィッティヒ反応を制御することが著しく困難になる場合があるためである。
【００５０】
（４）  添加割合
一般式（１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、一般式（８）で表されるジリン酸エステル誘導体と、の間のウィッティヒ反応を実施するにあたり、添加割合を、モル比で２：１〜４：１の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、ジリン酸エステル誘導体との添加割合が、２：１未満の値になると、未反応のジリン酸エステル誘導体が多く残留する場合があるためである。
一方、かかる添加割合が、４：１を超えると、未反応のホルミル化トリフェニルアミン誘導体が精製を困難にする場合があるためである。
したがって、一般式（１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、一般式（８）で表されるジリン酸エステル誘導体との添加割合を、モル比で２．２：１〜３：１の範囲内の値とすることがより好ましい。
【００５１】
２．電子写真感光体
導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、感光層に、一般式（１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、一般式（８）で表されるジリン酸エステル誘導体との間のウィッティヒ反応から得られる一般式（７）で表されるアミンスチルベン誘導体を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
なお、電子感光体には、単層型と積層型とがあるが、本発明のアミンスチルベン誘導体は、いずれにも適用可能である。
ただし、特に正負いずれの帯電型にも使用できること、構造が簡単で製造が容易であること、層を形成する際の被膜欠陥を抑制できること、層間の界面が少なく、光学的特性を向上できること等の観点から、単層型に適用することが好ましい。
【００５２】
（１）単層型感光体
図１（ａ）に示すように、単層型感光体１０は、導電性基体１２上に単一の感光層１４を設けたものである。
この感光層は、例えば、一般式（１）で表されるアミンスチルベン誘導体（正孔輸送剤）と、電荷発生剤と、結着樹脂と、さらに必要に応じて電子輸送剤を適当な溶媒に溶解または分散させ、得られた塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させることで形成することができる。かかる単層型感光体は、単独の構成で正負いずれの帯電型にも適用可能であるとともに、層構成が簡単であって、生産性に優れているという特徴がある。
また、得られた単層型感光体は、一般式（１）で表されるアミンスチルベン誘導体を含んでいることから、残留電位が低下しているとともに、所定感度を有しているという特徴がある。
【００５３】
また、単層型感光体に用いられる電荷発生剤としては、例えば、無金属フタロシアニン、オキソチタニルフタロシアニン、ペリレン顔料、ビスアゾ顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、トリスアゾ顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
また、単層型感光体に用いられる電子輸送剤としては、高い電子輸送能を有する種々の化合物があげられる。
また、単層型感光体に用いられる結着樹脂としては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、アクリル共重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂；シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂；エポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等の光硬化型樹脂等が使用可能である。
【００５４】
また、単層型感光体の場合、電荷発生剤は、結着樹脂１００重量部に対して０．１〜５０重量部、好ましくは０．５〜３０重量部の割合で配合すればよい。本発明のアミンスチルベン誘導体（正孔輸送剤）は、結着樹脂１００重量部に対して２０〜５００重量部、好ましくは３０〜２００重量部の割合で配合すればよい。電子輸送剤を含有させる場合、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜１００重量部、好ましくは１０〜８０重量部とするのが適当である。
【００５５】
また、単層型感光体における感光層の厚さは５〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍである。
そして、このような感光層が形成される導電性基体としては、導電性を有する種々の材料を使用することができ、例えば鉄、アルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等の金属や、上記金属が蒸着またはラミネートされたプラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で被覆されたガラス等があげられる。
【００５６】
さらに、単層型感光体１０の構成に関して、図１（ｂ）に示すように、導電性基体１２と感光層１４との間に、感光体の特性を阻害しない範囲でバリア層１６が形成されていてもよい。また、図１（ｃ）に示すように、感光層１４の表面には、保護層１８が形成されていてもよい。
【００５７】
（２）積層型感光体
また、図２（ａ）に示すように、積層型感光体２０は、導電性基体１２上に、蒸着または塗布等の手段によって、電荷発生剤を含有する電荷発生層２４を形成し、次いでこの電荷発生層２４上に、一般式（１）で表されるアミンスチルベン誘導体（正孔輸送剤）の少なくとも１種と結着樹脂とを含む塗布液を塗布し、乾燥させて電荷輸送層２２を形成することによって作製される。
また、上記構造とは逆に、図２（ｂ）に示すように、導電性基体１２上に電荷輸送層２２を形成し、その上に電荷発生層２４を形成してもよい。
ただし、電荷発生層２４は、電荷輸送層２２に比べて膜厚がごく薄いため、その保護のためには、図２（ａ）に示すように、電荷発生層２４の上に電荷輸送層２２を形成することがより好ましい。
また、電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、結着剤等については、単層型感光体と同様の内容とすることができる。
さらに、積層型感光体における感光層の厚さは、電荷発生層が０．０１〜５μｍ程度、好ましくは０．１〜３μｍ程度であり、電荷輸送層については２〜１００μｍ、好ましくは５〜５０μｍ程度である。
【実施例】
【００５８】
以下、実施例および比較例を挙げて本発明を詳細に説明する。
【００５９】
［実施例１］
下記反応式（４）〜反応式（８）を順次実施することによる式（１´）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体の合成例を示す。
【００６０】
（１）トリフェニルアミン化合物の合成
まず、下記式（１０）で表されるトリフェニルアミン化合物の合成を、下記の反応式（４）に沿って実施した。
すなわち、容量５００ｍｌの２つ口フラスコ内に、無水炭酸カリウム１５２．０ｇ（１．１０ｍｏｌ）、および粉末銅９．５g（０．１５ｍｏｌ）を加え、２時間加熱して、均一になるまで攪拌した。次いで、室温まで冷却した後、下記式（９）で表されるアニリン化合物６７．６ｇ（０．５ｍｏｌ）と、ヨードベンゼン３０５．９ｇ（１．５ｍｏｌ）とを添加した後、２２０℃に再加熱し、２．５時間反応させた。その後、室温まで冷却した後、１００ｍｌのトルエンを添加し、ろ過処理をした。得られた残渣をトルエンで溶解し、活性白土を用いて乾燥させた。その後、残渣をトルエンで溶解し、さらにメタノールを添加して晶析させた。その後、もう一度、残渣をトルエンで溶解し、さらにメタノールを添加して晶析させ、得られた結晶をろ別して、乾燥した。その後、得られた結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（展開溶媒：クロロホルム／へキサン溶媒）を用いて精製し、式（１０）で表されるトリフェニルアミン化合物７９．３ｇを得た（収率５５．２％）。
【００６１】
【化１０】
2005263737.tif 000011
【００６２】
（２）ホルミル化トリフェニルアミン化合物の合成
次いで、式（１１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物の合成を、下記の反応式（５）に沿って実施した。
すなわち、５００ｍｌのフラスコ内に、式（１０）で表されるトリフェニルアミン化合物６０ｇ（０．２１ｍｏｌ）と、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）４５０ｍｌと、オキシ塩化リン酸４１．８ｇ（０．２７ｍｏｌ）と、を収容し、８５℃以上で、３時間撹拌した。反応後、反応液をイオン交換水６００ｍｌ中に滴下し、析出した固体をろ別した。得られた固体はイオン交換水にて撹拌洗浄した。その後、固体をトルエンに溶解させ、有機層をイオン交換水にて５回洗浄した。その後、得られた有機層に無水硫酸ナトリウムおよび活性白土を加え、乾燥および吸着処理を行った。その後、トルエンを減圧留去し、残渣を２００ｍｌのトルエンに溶解させ、メタノールより晶析させ、式（１１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物５１．４ｇを得た（収率７７．６％）。
【００６３】
【化１１】
2005263737.tif 000012
【００６４】
（３）リンイリド誘導体の合成
次いで、式（１２）で表されるリンイリド誘導体の合成を、下記の反応式（６）に沿って実施した。
すなわち、α−ブロモジフェニルメタン１５０ｇ（０．６１ｍｏｌ）と、トリエタノールリン酸１２１ｇ（０．７２ｍｏｌ）とを添加して、２１０℃で加熱し、１時間撹拌した。その後、室温まで冷却した後、真空蒸留にて精製を実施した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（展開溶媒：酢酸エチル溶媒）を用いて精製し、式（１２）で表されるリンイリド誘導体１６８．４ｇを得た（収率９０．７％）。
【００６５】
【化１２】
2005263737.tif 000013
【００６６】
（４）トリフェニルアミン誘導体の合成
次いで、下記式（１３）で表されるトリフェニルアミン誘導体の合成を、下記の反応式（７）に沿って実施した。
すなわち、１０００ｍｌの四つ口フラスコ内に、式（１２）で表されるリンイリド誘導体２５ｇ（０．０８２ｍｏｌ）を加えた後、アルゴンガス置換をおこない、さらにＴＨＦ１００ｍｌを収容して、５℃以下で反応させた。その後、ｎ−ＢｕLi（ヘキサン溶液中で１．６Ｍ）５１．２ｍｌを滴下して、７℃以下で３０分間撹拌した。さらに、式（１１）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物１８ｇ（０．０５７ｍｏｌ）をＴＨＦ４５ｍｌに溶解したものを滴下し、６℃以下で３０分間撹拌した。この反応液をイオン交換水５００ｍｌに加え、トルエン抽出を行った。さらに得られた有機層を、イオン交換水を用いて、５回洗浄をしたあと、有機層を無水硫酸マグネシウムおよび活性白土を用いて、乾燥および吸着処理をおこなった。その後、有機溶媒を留去して、常温で２日間放置し、析出した固体を石油エーテルを用いてろ別し、得たれた固体状物を減圧乾燥した。得られた固体状物は、カラムクロマトグラフィ（展開溶媒：クロロホルム／へキサン溶媒）にて精製をして、式（１３）で表されるトリフェニルアミン誘導体２１．４ｇを得た（収率８０．６％）。
【００６７】
【化１３】
2005263737.tif 000014
【００６８】
（５）ホルミル化トリフェニルアミン誘導体の合成
次いで、下記式（１４）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体を、下記の反応式（８）に沿って実施した。
すなわち、５００ｍｌのフラスコ内に、式（１３）で表されるトリフェニルアミン誘導体２０ｇ（０．０４３ｍｏｌ）と、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）３００ｍｌと、オキシ塩化リン酸８．６ｇ（０．０６ｍｏｌ）と、を収容して、９５℃で、３時間攪拌させた。その後、反応液をイオン交換水５００ｍｌに注ぎ、析出した結晶をろ別した。得られた固体をイオン交換水にて２回撹拌洗浄した。さらに、得られた結晶をトルエンに溶解させて、有機層をイオン交換水を用いて５回洗浄した。さらに、有機層に無水硫酸マグネシウム、および活性白土を加え、乾燥および吸着処理をした後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（展開溶媒：クロロホルム溶媒）にて精製し、式（１４）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体１７．８ｇを得た（収率８４．０％）。
【００６９】
【化１４】
2005263737.tif 000015
【００７０】
［比較例１］
下記反応式（９）を実施することにより、下記式（１５）で表されるジトリフェニルアミン化合物をフィルスマイヤー法によりホルミル化して、下記式（１６）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体の合成を試みた。
しかしながら、ほとんどフィルスマイヤー反応が生じず、一般式（１６）で表されるアミンスチルベン誘導体自体の収率が極めて低いことが確認された。
すなわち、下記式（１６）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体の収率が低いため、下記式（１７）で表されるアミンスチルベン誘導体が得られないことがわかった。
【００７１】
【化１５】
2005263737.tif 000016
【産業上の利用可能性】
【００７２】
以上詳述したように、本発明のホルミル化トリフェニルアミン誘導体およびその製造方法によれば、分子内の所定位置にホルミル基を有するトリフェニルアミン誘導体を高い収率で得ることができる。
したがって、当該ホルミル化トリフェニルアミン誘導体を出発原料（中間体）として、分子内に嵩高い基を備え、結着樹脂との相溶性が高く、かつ高い電荷輸送能（正孔輸送能）を有しているアミンスチルベン誘導体が効率的に得られることから、結果として、安価かつ安定的に電子写真感光体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、単層型感光体の基本構造および変形構造を説明するために供する図である。
【図２】（ａ）〜（ｂ）は、積層型感光体の基本構造および変形構造を説明するために供する図である。
【符号の説明】
【００７４】
１０：単層型感光体
１２：導電性基体
１４：感光層
１６：バリア層
１８：保護層
２０：積層型感光体
２２：電荷輸送層
２４：電荷発生層
【図１】
2005263737.tif 000021
【図２】
2005263737.tif 000022