(57)【要約】  【課題】  レーザー照射のエネルギーによるパッケージの損傷部を小さくするゲート処理方法及びゲート処理装置を提供する。  【解決手段】  サブランナ４とパッケージ２とを連結するゲート５をレーザー照射によって切断するゲート処理方法において、ゲート５を焼き切るために必要なエネルギーを複数回に分けて照射する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブランナとパッケージとを連結するゲートをレーザー照射によって切断するゲート処理方法において、ゲートを焼き切るために必要なエネルギーを複数回に分けて照射することを特徴とするゲート処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のゲート処理方法において、レーザー照射の走査速度を上げることを特徴とするゲート処理方法。
【請求項３】
請求項１に記載のゲート処理方法において、レーザー照射の出力を下げることを特徴とするゲート処理方法。
【請求項４】
サブランナとパッケージとを連結するゲートをレーザー照射によって切断するゲート処理装置において、ゲートを焼き切るために必要なエネルギーを複数回に分けて照射することを特徴とするゲート処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は樹脂封止型の半導体装置において、サブランナとパッケージとを連結するゲートをレーザー照射によって切断するゲート処理方法及びゲート処理装置に関し、特にパッケージの損傷部を小さくする技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
樹脂封止型の半導体装置は、帯状のリードフレームに射出成形により多数の半導体パッケージを形成した後、タイバー切断、樹脂バリ取り、外装めっき、捺印、リード加工等の工程を経て製造される。その際、サブランナとパッケージとを連結するゲートを切断するゲート処理工程は、前記各工程と同一装置を用いて実施されることが多い。
【０００３】
従来のゲート処理は、パッケージを金型で挟持し、パンチを用いて機械的に切断する方法が多用されている。しかし、パッケージの小型化、薄型化により、相対的にパッケージの樹脂厚がゲートの樹脂厚に対し薄くなると、ゲート処理時の機械的な応力によってパッケージの欠けやクラックが発生するという問題があった。
【０００４】
これに対し、機械的な処理によらずレーザー照射によってゲート部分を焼き切るゲート処理方法が種々提案されている。例えば、図２に示すように、矢印で示したレーザー照射位置１をゲート５の位置に合わせてレーザー照射し、ゲート５を焼き切る方法（特許文献１参照）や図３に示すようにゲート５にレーザー照射によってノッチ８を形成した後、機械的に切断する方法（特許文献２参照）が開示されている。
【特許文献１】特許第３４３０１２４公報（第３〜４頁、第４図）
【特許文献２】特開平７−２０１８９８号公報（第３〜５頁、第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述のゲート処理方法及びゲート処理装置には下記のような残された課題があった。すなわち、レーザー照射のエネルギーによってパッケージの温度が上昇し、本来パッケージであるべき部分が熱損傷によって脆くなったり削り取られてしまう。
【０００６】
この様子を図４及び図５を用いて説明する。図４において、サブランナ４とパッケージ２を連結するゲート５の位置にレーザー照射位置１を合わせ、紙面上方又は下方に向かってレーザーを１回走査する。これにより図４の要部断面図である図５に示すように、ゲート５はテーパ状に焼き切られ、その加工面には前述の熱損傷による脆くて削り落ちやすい損傷部６が形成される。
【０００７】
本発明の課題は、レーザー照射のエネルギーによるパッケージの損傷部を小さくするゲート処理方法及びゲート処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１記載のゲート処理方法は、サブランナとパッケージとを連結するゲートをレーザー照射によって切断するゲート処理方法において、ゲートを焼き切るために必要なエネルギーを複数回に分けて照射する。
【０００９】
本発明の請求項４記載のゲート処理装置は、サブランナとパッケージとを連結するゲートをレーザー照射によって切断するゲート処理装置において、ゲートを焼き切るために必要なエネルギーを複数回に分けて照射する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のゲート処理方法及びゲート処理装置によれば、ゲートを焼き切るために必要なエネルギーを複数回に分けて照射するため、レーザー照射のエネルギーによるパッケージの温度上昇が小さく、パッケージの損傷部を小さくできるという優れた産業上の効果を奏し得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照し、従来例と同一物には同一の符号を用いて説明する。
【００１２】
本発明の実施形態であるゲート処理方法及びゲート処理装置は、図１に示すように、サブランナ４とパッケージ２を連結するゲート５の位置にレーザー照射位置１を合わせ、紙面表面から裏面又は裏面から表面に向かって、ゲートを焼き切るために必要なエネルギーを複数回に分けて照射する。
【００１３】
本発明によれば、複数回に分けて照射することで照射間に放熱（クールダウン効果）が起こるため、パッケージの温度上昇が小さくなり、パッケージの損傷部を小さくできる。これにより得られる加工形状は、図１に示すように、切断部のテーパが小さく、損傷部６の小さい（浅い）形状となる。
【００１４】
以下、実施例について述べる。厚さ０．２５ｍｍのゲートに対し、ＳＵＮＸ社製ＣＯ２レーザーＬＰ−２１１を用い、従来、出力１０Ｗ、走査速度７５ｍｍ／ｓｅｃで１回レーザー照射を行っていた。この時の、損傷部を含む照射側の加工幅は、１５０μmであり、パッケージまで損傷部が達する場合があった。
【００１５】
これに対し、同一条件で、走査速度３００ｍｍ／ｓｅｃ、５回レーザー照射を実施したところ、損傷部を含む照射側の加工幅は、１２０μmとなり、パッケージまで損傷部が達することはなかった。
【００１６】
同一部分へのレーザー照射回数は、５〜１０回が好ましく、少ないと温度上昇を抑える効果が小さく、多いと加工時間が長くなり作業効率が悪化する。
【００１７】
ゲートを焼き切るために必要なエネルギーを複数回に分ける方法は、レーザー出力を下げる方法でも良いが、加工時間が長くなるため、上記のように走査速度を上げる方法が好ましい。
【００１８】
レーザーの種類は、ＣＯ２であってもＹＡＧであっても良い。
【００１９】
本発明のゲート処理装置は、ゲート処理のみの装置に限られるものではなく、タイバー切断、樹脂バリ取り、外装めっき、捺印、リード加工等の加工装置との複合装置としても適用可能である。
【００２０】
尚、本発明のゲート処理方法及びゲート処理装置は、樹脂封止型の半導体装置のゲート切断を想定した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得る。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態を示す断面図。
【図２】従来のレーザーによるゲート処理を示す平面図。
【図３】従来の別のレーザーによるゲート処理を示す断面図。
【図４】従来の別のレーザーによるゲート処理を示す平面図。
【図５】従来の別のレーザーによるゲート処理の課題を示す断面図。
【符号の説明】
【００２２】
１  レーザー照射位置
２  パッケージ
３  リード
４  サブランナ
５  ゲート
６  損傷部
７  リードフレーム
８  ノッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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