(57)【要約】      （修正有）【課題】  液晶の汚染および液晶の質の低下のない、液晶ディスプレイを提供すること。【解決手段】  液晶ディスプレイデバイスは、空間をあけられた２つの平行基板と、この２つの基板で密閉された空間を形成するシーラントと、その密閉された空間内に形成される液晶層とを備える。薄膜トランジスタの少なくとも導電層および／または絶縁層およびその上のピクセル電極が、１つの基板上に成膜された後、２つのマスクは、導電層および／または絶縁層を少なくとも覆うのに役立つ。成膜が続けられる場合、１つの基板上に特定のパターンを有する少なくとも１つの導電壁構造および／または絶縁壁構造が形成される。したがって、液晶の汚染および低下を防ぐことができ、さらに、２つの基板は、導電性材料なしに導電することができる。【選択図】  図６Ｆ
2005031617.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平行に空間をあけられる２つの基板と；
前記２つの基板間に提供される密閉された壁構造であって、前記密閉された壁構造および前記２つの基板が、第１の密閉された空間を形成する、密閉された壁構造と；
前記２つの基板間の前記密閉された壁構造の外側に形成されるシーラントであって、前記シーラントおよび前記２つの基板が、第２の密閉された空間を形成する、シーラントと；
前記２つの基板間の前記第１の密閉された空間に形成される液晶層と；そして
前記２つの基板の１つで前記第１の密閉された空間に形成される少なくとも１つの薄膜トランジスタと
を含む、液晶ディスプレイ。
【請求項２】
第１の基板を提供する工程；
前記第１の基板上に第１の導電層を形成する工程；
前記第１の導電層の上に第１の絶縁層を形成する工程；
前記第１の絶縁層の上に第２の導電層を形成する工程を包含する、液晶ディスプレイを製造する方法であって、
ここで、前記第１の基板上に前記第１の導電層を形成する工程と、前記第１の絶縁層の上に前記第２の導電層を形成する工程との間で、前記第１の絶縁層の上に前記第２の導電層を形成する工程の後に、
前記第１の基板の表面の周囲上に密閉された壁を形成する工程；
第２の基板を提供する工程；
前記第１の基板の表面または前記第２の基板の表面のいずれかの上に、シーラントを形成する工程であって、前記シーラントが、前記密閉された壁の外側に配置される工程；
前記第１の基板と前記第２の基板とを共に接続する工程；そして
前記シーラントを照射する工程
をさらに包含する、液晶ディスプレイを製造する方法。
【請求項３】
前記第２の基板に対して導電するように、前記第１の基板上に形成される複数の導電性の壁をさらに含む、請求項２に記載の液晶ディスプレイを製造する方法。
【請求項４】
前記第１の基板表面の周囲上に前記密閉された壁を形成するステップは、以下：
前記導電層および形成される前記絶縁層を少なくとも覆うように第１のマスクを制御する工程；
第２のマスクを制御する工程；
前記第１の基板上に前記第１のマスクおよび前記第２のマスクを重ねる工程；
成膜を続ける工程；そして
前記第１の基板の表面周囲上に前記密閉された壁を形成するために、前記第１のマスクと前記第２のマスクとを除去する工程
をさらに包含する、請求項２に記載の液晶ディスプレイを製造する方法。
【請求項５】
前記第２の導電層上に第２の絶縁層を形成するステップと、前記第１の基板の表面周囲上に前記密閉された壁を形成するステップとをさらに包含する、請求項２に記載の液晶ディスプレイを製造する方法であって、前記ステップは、前記第１の基板上に前記第１の導電層を形成するステップの後で、そして前記第２の導電層上に前記第２の絶縁層を形成するステップの前または後で行われる、方法。
【請求項６】
前記第２の絶縁層上に第３の導電層を形成するステップと、前記第１の基板の表面周囲上に前記密閉された壁を形成するステップとをさらに包含する、請求項５に記載の液晶ディスプレイを製造する方法であって、前記ステップは、前記第１の基板上に前記第１の導電層を形成するステップの後で、前記第２の絶縁層上に前記第３の導電層を形成するステップの前または後で行われる、方法。
【請求項７】
第１の基板を提供する工程；
前記第１の基板上に第１の導電層を形成する工程；
前記第１の導電層上に第１の絶縁層を形成する工程；
前記第１の絶縁層上に第２の導電層を形成する工程
を包含する、液晶ディスプレイを製造する方法であって、
ここで、前記第１の基板上に前記第１の導電層を形成する工程と、そして前記第１の絶縁層上に前記第２の導電層を形成する工程との間で、前記第１の絶縁層上に前記第２の導電層を形成する工程の後に、以下：
前記第１の基板表面上に複数の導電層を形成する工程；
第２の基板を提供する工程；
前記第１の基板表面または前記第２の基板表面のいずれかの上にシーラントを形成する工程；
前記シーラント内に前記第１の基板および前記第２の基板の１つで液晶層を形成する工程；
前記第１の基板および前記第２の基板を共に接続する工程；そして
前記シーラントを照射する工程
をさらに包含する、方法。
【請求項８】
前記第１の基板上に前記導電性の壁を形成する工程は、さらに以下：
前記導電層および形成される前記絶縁層を少なくとも覆うようにマスクを制御する工程；
成膜を続ける工程；そして
前記第１の基板上に前記導電性の壁を形成するように前記マスクを除去する工程
をさらに包含する、請求項７に記載の液晶ディスプレイを製造する方法。
【請求項９】
前記第２の導電層上に第２の絶縁層を形成するステップをさらに包含する、請求項７に記載の液晶ディスプレイを製造する方法。
【請求項１０】
前記第２の絶縁層上に第３の導電層を形成するステップと、前記第１の基板表面の周囲上に前記密閉された壁を形成するステップとをさらに包含する、請求項９に記載の液晶ディスプレイを製造する方法であって、前記ステップは、前記第１の基板上に前記第１の導電層を形成するステップの後で、前記第２の絶縁層上に前記第３の導電層を形成するステップの前または後に行われる、液晶ディスプレイを製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶デバイスおよびその製造法に関する。さらに、本発明は、特に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）成膜およびその中のピクセル電極を用いて、導電性および／または絶縁性の壁を同時に形成するための、液晶デバイスおよび製造法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在の液晶デバイスプロセスは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、液晶デバイス（ＬＣＤ）パネル、および液晶モジュールの形成を含む。通常のＴＦＴ構造は、ゲート金属層、半導体層（ここで、半導体層は、ゲート絶縁層、アモルファス結晶層、およびｎ＋ドーピング層を含む）、ソース／ドレイン金属層、および不動態化層を備える。ＴＦＴプロセスの形成は、繰り返される洗浄、成膜、黄色光の露光、現像、エッチング、および剥離を含む。例えば、ゲート金属層を取り、基板を最初に洗浄し、その後、基板表面上に金属層を成膜させ、その金属層上にフォトレジストをコーティングし、露光し、所望でないパターンを現像して除去し、所望のパターンのためにエッチングし、そして、最後にフォトレジストを剥離し、ゲート金属層を形成する。これに沿って、次のマスク上で続ける。
【０００３】
ＬＣＤパネルの形成プロセスは、主に、図１Ａに示されるような、滴下（Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌ）プロセス（すなわち、ＯＤＦプロセス）を含む。シーラント、例えば紫外線シーラント（ＵＶシーラント）は、基板Ａ１に密閉された形態で適用され、そして液晶は、液晶ディスペンサから図１Ｂに示されるような密閉された領域に滴下される。均一な液晶層Ａ４を形成した後に、別の基板Ａ２を、液晶層Ａ４を有する基板Ａ１に接続させ、シーラントＡ３を照射（例えば、紫外線）続け、２つの基板Ａ１およびＡ２を共に接続する（図１Ｃに図示する如し）。アニーリングプロセスの手順が、最後に行われる。
【０００４】
しかし、この技術の欠点は、基板Ａ１をＡ２に対して接着するためにシーラントＡ３を照射する場合、液晶層Ａ４のいくらかの部分が、露光され、液晶が悪化してしまうことである。
【０００５】
さらに、シーラントＡ３と接触する液晶層Ａ４は、おそらくは汚染され、またこれもディスプレイの質を低下させる。
【０００６】
液晶Ａ４とシーラントＡ３との間の接触汚染を避けるために、米国特許第６，２１９，１２６号は、アクリル性樹脂またはシリコーンで作製される密閉された液晶壁構造を構築するためのコーティング技術またはリソグラフィ技術を用いた方法を開示する。それにもかかわらず、この構造は、プロセスを複雑化する過剰の材料と過剰のステップを必要とする。
【０００７】
そして、特開２００１−２２２０１７号は、液晶壁の均等物を実現するために、成膜されたＣＦ（カラーフィルタ）基板の顔料層（図３に図示する如し）が使用されることを開示する。紫外線光によって液晶が悪化するのを避けるために、マスキング効果は、顔料色およびその濃度制御と結びつく必要がある。
【０００８】
図４に示されるような別の従来技術は、平行なＴＦＴ基板Ｂ１およびカラーフィルタ（ＣＦ）基板Ｂ２を含み、その間に液晶層Ｂ３を含む液晶デバイスである。電圧がかけられるＴＦＴ基板Ｂ１が、ＣＦ基板Ｂ２と異なる電位を有する場合、液晶分子の透過率は、その電圧の差によって操作される。一般的に、ＣＦ基板Ｂ２にかけられる電圧は、ＴＦＴ上のピクセル電極Ｂ１１（示さない）に適用する電圧Ｖを変えるように、共通の電圧Ｖｃｏｍとして固定され、電位差ΔＶ＝Ｖ−Ｖｃｏｍを生じる。しかし、ＣＦ基板Ｂ２に対する端子は存在せず、電圧Ｖｃｏｍは、ＴＦＴによって提供されなければならない。
【０００９】
例えば、通常は、ＴＦＴ基板Ｂ１上の電圧Ｖｃｏｍは、導電性接着剤Ｂ４を介してＣＦ基板Ｂ２に伝わる。しかし、これは過剰の導電性接着剤Ｂ４と過剰のデバイスとを適用することによって、シーラントＢ５の外側に作られなければならない。明らかに、過剰の材料コストがかかり、そしてこのプロセスは、シーラントが硬化された後になされなければならない。
【００１０】
それに加えて、米国特許第６，４０４，４８０号に開示されるように、導電性スペーサＢ６は、ＴＦＴ基板Ｂ１およびＣＦ基板Ｂ２を支持し、導電し、そして電圧Ｖｃｏｍを導電するようにシーラントＢ５と混合するために使用される（図５に図示する如し）。しかし、導電性材料を必要とし、プロセスの困難性が上がり、全てのシーラントＢ５は、硬化するとはいいきれない。
【特許文献１】米国特許第６，２１９，１２６号公報
【特許文献２】特開第２００１−２２２０１７号公報
【特許文献３】米国特許第６，４０４，４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従来技術のこれらの欠点をなくすために、開発および研究の努力が続けられ、本発明の開示に至った。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
したがって、本発明の１つの目的は、成膜ＴＦＴプロセスを用いて液晶壁を同時に形成するような液晶デバイスおよびその製造法を提供することである。
【００１３】
本明細書中で実施され、広く記載されるように、本発明は、液晶デバイス（ＬＣＤ）を提供し、ここで、ＬＣＤは、平行な上面の基板と底面の基板と、それらの基板が密閉された空間を形成するシーラントと、その密閉された空間の中に形成する液晶層とを備える。基板の１つの内部表面上にＴＦＴおよびピクセル電極を形成する場合、マスクは、成膜される絶縁層および／または導電層を形成するいずれかのステップにおいて、少なくとも成膜される絶縁層および／または導電層を覆う。別のより大きなフレームマスクを、基板の１つの上に同時に重ねて、２つのマスクの間にフレーム空間を形成する。ここで、マスク材料が、絶縁層および導電層（つまり、それぞれ導電性材料および絶縁材料）に依存して選択される。フレーム形状の空間の間に連続して成膜し、その結果、成膜層が形成される。成膜のための所定の時間内に、２つのマスクを除去し、密閉された液晶層を形成し、液晶の汚染および／または低下を防止する。
【００１４】
本発明の別の目的は、導電性接着剤または導電性スペーサが排除された液晶デバイスおよびその製造法を提供することである。この目的を達成するために、本発明は以下のように実施される。
【００１５】
液晶デバイス（ＬＣＤ）が提供され、ここで、ＬＣＤは、平行に構成される上面の基板および底面の基板と、この２つの基板で密閉された空間を形成するシーラントと、その密閉された空間内に形成される液晶層とを備える。基板の１つの内部表面上にＴＦＴの導電層およびピクセル電極を形成するステップのいずれかにおいて、回路設計に従って絶縁マスク上に特定のパターンを備え、マスクは、成膜が所定の時間続いた後に除去される。導電性の壁パターンは、他の基板を導電するために基板の１つの内表面上に形成される。
【００１６】
または、液晶デバイスは提供され、ここで、ＬＣＤは、平行な上面の基板および底面の基板と、この２つの基板で密閉された空間を形成するシーラントと、その密閉された空間内に形成される液晶層とを備える。基板の１つの内部表面上にＴＦＴの導電層およびピクセル電極を形成するステップのいずれかにおいて、成膜された導電層をマスクで少なくとも覆い、そして、別のより大きなフレームマスクを基板上で同時に適用し、その結果、フレーム形状の空間が、２つのマスク間に形成される。マスクの材料が絶縁されていることに注目のこと。フレームスペーシングの間で成膜プロセスを続け、所定の時間内に２つのマスクを除去した後、密閉された導電性の壁が形成される。
【００１７】
または、液晶デバイスが提供され、ここで、ＬＣＤは、平行な上面の基板および底面の基板と、２つの基板で密閉された空間を形成するシーラントと、その密閉された空間内に形成される液晶層とを備える。基板の１つの内部表面上にＴＦＴの絶縁層およびピクセル電極を形成するステップのいずれかにおいて、１つのマスクを適用して成膜された絶縁層を少なくとも覆い、そして別の大きなフレームマスクを基板に同時に適用し、２つのマスクの間にフレーム形状のマスクを形成する。成膜を続け、所定の時間内に２つのマスクを除去した後、２つのマスクの間に密閉された絶縁壁が形成され、成膜を続けるために絶縁する特定の回路パターンを有するマスクを適用し、所定の時間内にマスクを除去した後、導電性の壁が基板の１つの内部表面上に構築され、別の基板に導電する。
【００１８】
または、液晶デバイスが提供され、ここで、ＬＣＤは、平行な上面の基板および底面の基板と、この２つの基板で密閉された空間を形成するシーラントと、その密閉された空間内の液晶層とを含む。基板の１つの内部表面上にＴＦＴの導電層およびピクセル電極を形成するステップのいずれかにおいて、成膜された層を少なくとも覆うようにマスクを適用し、基板上で別のより大きなフレームマスクを同時に適用し、フレームスペーシングを、２つのマスク間に形成する。マスクの材料は絶縁していることに注目のこと。成膜プロセスを続け、所定の時間内に２つのマスクを除去した後、フレームスペーシングの間に、密閉された導電性の壁が成膜される。別の成膜が適用され、絶縁層上に導電層を形成する。絶縁マスク上にパターン化された特定の回路は、成膜を続けるように適用され、所定の時間後にマスクを除去した後、他の基板に導電するために基板の内部表面上に導電性の壁のパターンを与える。
【００１９】
上記の一般的な記載および以下の詳細な説明は、例示のものであり、これらは、請求されるような本発明のさらなる説明を提供することを意図するものであることが理解されるべきである。
【００２０】
添付の図面は、本発明のさらなる理解を提供するために添付され、本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を構成する。これらの図面は、本発明の実施形態を説明し、説明と共に、本発明の原理を説明するために付される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の利点は以下である。
（１）密閉された壁を形成する一方、基板上にＴＦＴのいずれかの層を形成し、シーラント形成プロセスおよび材料の追加のコストを削減する。
（２）導電性接着剤、導電性スペーサなどの追加の導電性材料を用いることなく、支持および導電が可能である。
（３）液晶が、ＵＶ光の照射によって生じる劣化を起こすのを防ぐ。
（４）ＵＶシーラントと接触することによって生じる液晶の汚染を防ぐ。
（５）液晶が、２つの基板のいずれか１つの上に形成可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（本発明の第１の実施形態）
図６Ａ〜図６Ｆに示されるように、ＴＦＴ形成プロセスは、基板１１上で行われる。単純化するために、本発明の本実施形態および本発明の他の好ましい実施形態では単一のＴＦＴのみが示されている。ゲート金属層１７の成膜の後、ゲート金属層１７を少なくとも覆うようにマスク１３を操作し、基板１１上に別のより大きなフレームマスク１４を同時に重ねる。フレームスペーシング１５（図６Ａの上面図に図示する如し）は、２つのマスク１３および１４の間に形成される。マスク１３および１４の材料は、金属に接続しない材料（例えば、絶縁体）、または金属に接続しないような加工された材料である。マスク１３および１４の操作は自動化されることに注目のこと。
【００２３】
成膜をフレームスペーシング１５（図６Ｂに図示する如し）内で続ける場合、密閉された金属壁１６は、所定の時間内に２つのマスク１３および１４を除去した後に構築される。ＴＦＴ（図６Ｃに図示する如し）の形成を達成するために、液晶は、金属壁１６に滴下され、均一な液晶層１８を形成可能である。紫外線シーラント１９は、別の基板１２にあらかじめ密閉されるために、金属壁１６の周囲（図６Ｄの上面図および図６Ｅの断面図に図示する如し）上にコーティングされる。次いで、ＵＶ光を用いてＵＶシーラント１９を硬化させ、基板１１および１２が接続される。アニーリングプロセスが適用され、液晶ディスプレイパネル（図６Ｆに図示する如し）が完成する。
【００２４】
金属壁１６は、上面の基板１１および底面の基板１２に接続され、したがって、液晶層１８は、ＵＶシーラント１９と接触せず、ディスプレイの質の低下を生じる液晶の汚染を防ぐ。
【００２５】
さらに、ＵＶ光がＵＶシーラント１９に照射され、基板１１および１２をともに接続する場合、密閉された金属壁１６の形成により、２つの接続された基板１１および１２のいずれの側面からもＵＶ光の透過を完全に遮断し、液晶の低下を防ぐ。
【００２６】
さらに、基板１１上に形成される金属壁１６は、別の基板１２と接触し、基板１１（すなわちＴＦＴ基板）を基板１２（すなわち、カラーフィルタ、ＣＦ基板）に対して導電し、その構造を支持する。ここで、導電性材料、例えば、導電接着剤または導電性スペーサは必要ではない。
【００２７】
（第２の好ましい実施形態）
図７Ａ〜図７Ｆは、基板２１の表面でのＴＦＴの形成を示す。ソース／ドレイン金属層２７が成膜された後、ソース／ドレイン金属層２７を少なくとも覆うようにマスク２３を操作する。別のより大きなフレームマスク２４は、基板２１上に同時に重ねられ、２つのマスク２３および２４の間にフレームスペーシング２５を形成する（図７Ａの上面図に図示する如し）。マスク２３および２４が、金属に接続しない材料（例えば、絶縁体）、または金属と接続しない加工された材料で作製されることに注目のこと。さらに、マスク２３および２４の操作は自動化される。
【００２８】
成膜は、フレームスペーシング２５中で続けられ（図７Ｂに図示する如し）、密閉された金属壁２６は、２つのマスク２３および２４の除去の後に形成され、ＴＦＴ形成プロセス（図７Ｃに図示する如し）が完成する。液晶を金属壁２６に滴下し、均一な液晶層２８を形成した後、金属壁２６の周囲に沿ってＵＶシーラント２９でコーティングする（図７Ｄの上面図および図７Ｅの断面図に図示する如し）。次いで、別の基板２２は、接着され、加工され、ＵＶシーラント２９に影響を与えるようにＵＶ光を露光し、すなわち基板２１および２２をともに接続する。最後のプロセスステップは、アニーリングであり、液晶ディスプレイパネルのプロセスは完了する（図７Ｆに図示する如し）。
【００２９】
金属壁２６が上面の基板２１および底面の基板２２に接続されるために、液晶層２８は、ＵＶシーラント２９と接触しない。その結果、液晶の汚染およびディスプレイの質の低下が防がれる。
【００３０】
それに加えて、基板２１および２２を接続するためにＵＶ光を照射してＵＶシーラント２９を硬化させるが、基板２１および２２を接続することによって、任意の側面からのＵＶ光は完全に遮蔽され、したがって、液晶の質の低下を防ぐ。
【００３１】
さらに、基板２１上に形成される金属壁２６は、別の基板２２と接触し、基板（ＴＦＴ基板）を基板２２（ＣＦ基板）に対して同時に導電し、その構造を支持する。ここで、導電接着剤または導電スペーサは必要でない。
【００３２】
（第３の好ましい実施形態）
図８Ａ〜図８Ｆを参照すると、ＴＦＴ形成プロセスは、基板３１上で行われる。ピクセル電極層（インジウム−スズ酸化物、例えば、ＩＴＯ）を成膜した後、ピクセル電極層３７を少なくとも覆うようにマスク３３を操作する。同時に基板３１上に重ねるようにより大きなフレームマスク３４を操作し、２つのマスク３３および３４の間にフレームスペーシング３５を形成する（図８Ａの上面図に図示する如し）。マスク３３および３４を構築する材料が、金属に接続しない材料（例えば、絶縁体）、または金属と接続しない加工された材料であることに注目のこと。また、マスク３３および３４の操作は自動化されることに注目のこと。
【００３３】
成膜が続けられる場合、成膜は、フレームスペーシング３５内で行われる。２つのマスク３３および３４が所定の時間内に除去されると、密閉された金属壁３６が形成され、ＴＦＴ形成プロセスを続ける（図８Ｃに図示する如し）。液晶は、金属壁３６に滴下され、均一な液晶層３８を形成可能である。ＵＶシーラント３９は、金属壁３６に沿ってさらにコーティングされる（図８Ｄの上面図および図８Ｅの断面図に図示する如し）。別の基板３２を用いてあらかじめ密閉するために、ＵＶシーラント３９がＵＶ照射によって硬化され、基板３１および３２を共に接続する。アニーリングステップが行われ、液晶ディスプレイパネル（図８Ｆに図示する如し）が完成する。
【００３４】
金属壁３６が基板３１および３２に接続されると、液晶層３８は、ＵＶシーラント３９によって遮蔽され、ディスプレイの質の悪化を引き起こす液晶の汚染を防ぐ。
【００３５】
さらに、基板３１上の金属壁３６の形成は、別の基板３２に接触し、導電性接着剤または導電性スペーサなしで、基板３１（すなわちＴＦＴ基板）を基板３２（すなわちＣＦ基板）に対して同時に導電し、その構造を支持する。
【００３６】
（第４の好ましい実施形態）
図９Ａ〜図９Ｆを参照すると、ＴＦＴ形成プロセスは、ここでは基板４１上で実施される。半導体層４７が成膜される場合、半導体層４７を少なくとも覆うために、マスク４３を操作する。また、基板４１上に同時に重ねるために別のより大きなフレームマスク４４を操作する。このように、フレームスペーシング４５は、２つのマスク４３および４４の間に形成される（図９Ａの上面図に図示する如し）。マスク４３および４４の材料は、絶縁体に接続しない材料（例えば、導電性材料）、または絶縁体と接続しない加工された材料に接続しない材料であることに注目のこと。また、マスク４３および４４の操作が自動化されることに注目のこと。
【００３７】
成膜が続けられる場合、成膜は、フレームスペーシング４５内で行われる（図９Ｂに図示する如し）。密閉された絶縁壁４６は、所定の時間内に２つのマスク４３および４４を除去した後に構築される。ＴＦＴ形成プロセス（図９Ｃに図示する如し）を完了させるために、液晶は、絶縁壁４６に滴下され、均一な液晶層４８を形成可能である。ＵＶシーラント４９は、絶縁壁４６の周囲に沿ってコーティングされ、別の基板４２をあらかじめ密閉する（図９Ｄの上面図および図９Ｅの断面図に図示する如し）。次いで、ＵＶ型シーラントは、ＵＶ照射によって硬化され、基板４１および４２をとも接続する。アニーリングプロセスは、最後に行われ、したがって、液晶ディスプレイパネル（図９Ｆに図示する如し）が形成される。
【００３８】
絶縁壁４６は、基板４１および４２に接続されるため、液晶層４８は、ＵＶシーラント４９と接触せず、液晶は、ディスプレイの質を低下させる汚染とは無縁である。
【００３９】
さらに、基板４１上に形成される絶縁壁４６は、従来のスペーサと同様に、構造を支持する。
【００４０】
（第５の好ましい実施形態）
図１０Ａ〜図１０Ｆを参照すると、ＴＦＴ形成プロセスは、ここでは基板５１上で行われる。不動態化層５７を成膜した後、不動態化層５７を少なくとも覆うようにマスク５３を操作し、別のより大きなフレームマスク５４を操作して基板５１上に同時に重ねる。したがって、フレームスペーシング５５は、２つのマスク５３および５４の間に形成される（図１０Ａの上面図に図示する如し）。マスク５３および５４の材料が絶縁体に接続しない材料（例えば、導電性材料）、または絶縁体に接続しないような加工された材料であることに注目のこと。また、マスク５３および５４の操作が自動化されることに注目のこと。
【００４１】
成膜が続けられる場合、成膜は、フレームスペーシング５５中で行われる（図１０Ｂに図示する如し）。２つのマスク５３および５４を所定の時間内に除去した後、密閉された絶縁壁５６は、その中に構築される。ＴＦＴ形成プロセス（図１０Ｃに図示する如し）を完成させるために、液晶は、絶縁壁５６に滴下され、均一な液晶層５８を形成可能である。ＵＶシーラント５９は、絶縁壁５６の周囲に沿ってコーティングされ、別の基板５２をあらかじめ密閉する（図１０Ｄの上面図および図１０Ｅの断面図に図示する如し）。次いで、ＵＶシーラントは、ＵＶ光によって照射され、その結果、基板５１および５２は、共に接続される。アニーリングステップが最後に行われ、液晶ディスプレイパネルが完成する（図１０Ｆに図示する如し）。
【００４２】
絶縁壁５６が基板５１および５２に接続されるため、液晶層５８は、ＵＶシーラント５９と接触せず、ディスプレイの質を低下させる汚染を防ぐ。
【００４３】
さらに、基板５１上に形成される絶縁壁５６は、従来のスペーサと同様の構造を支持する。
【００４４】
（第６の好ましい実施形態）
図１１Ａ〜図１１Ｆを参照すると、ＴＦＴ形成プロセスは、基板６１上で行われる。導電層６７（ゲート金属層、ドレイン／ソース金属層またはピクセル電極層、ここで、ゲート金属層が、例として紹介される）が成膜された後、特定の回路設計でパターン化されたマスク６３を操作し、基板５１上に重ねる。マスク６３の材料が、金属に接続しない材料（例えば、絶縁体）、または金属と接続しない加工された材料であることに注目のこと。また、マスク６３の操作は自動化されることも注目のこと（図１１Ｂに図示する如し）。
【００４５】
成膜が続けられる場合、マスク６３を所定の時間内に除去した後、導電性の壁６４のパターンは、その中に形成される。ＴＦＴ形成プロセス（図１１Ｃに図示する如し）を完成させるために、ＵＶシーラント６６は、基板６１の周囲に沿ってコーティングされ、液晶は、導電性の壁６４に滴下され、均一な液晶層６５を形成可能である（図１１Ｄの上面図および図１１Ｅの断面図に図示する如し）。別の基板６２をあらかじめ密閉するために、ＵＶシーラントは、ＵＶ光に露光されて硬化され、基板６１および６２をともに接続する。最終的に、アニーリングプロセスが行われ、液晶ディスプレイパネル（図１１Ｆに図示する如し）が完成する。
【００４６】
導電性材料（例えば、導電性接着剤または導電性スペーサ）は、必要でないことに注目のこと。というのは、基板６１上に形成される導電性の壁パターン６４は、基板６１（すなわち、ＴＦＴ基板）を別の基板６２（すなわち、ＣＦ基板）に対して導電し、その構造を支持するからである。
【００４７】
（第７の好ましい実施形態）
図１２Ａ〜図１２Ｈを参照すると、ＴＦＴ形成プロセスのプロセスは、基板７１上で行われる。絶縁層７１１（半導体層または不動態化層、ここでは、半導体層が例示される）が成膜された後、絶縁層７１１を少なくとも覆うようにマスク７３を操作し、そして、より大きなフレームマスク７４を操作して、基板７１上に同時に重ねる。したがって、２つのマスク７３および７４の間にフレームスペーシング７５が実現される（図１２Ａに図示する如し）。マスク７３および７４は、絶縁材料に接続しない材料（例えば、導電性材料）、または絶縁材料に接続しない加工された材料である。マスク７３および７４の操作は自動化されることに注目のこと。
【００４８】
成膜が続けられる場合、そして、フレームスペーシング７５中に成膜される場合（図１２Ｂに図示する如し）、密閉された絶縁壁７６は、２つのマスク７３および７４を所定の時間内に除去した後、形成される。導電層（例えば、ソース／ドレイン金属層またはピクセル電極層）がその後に成膜される場合、成膜を進めながら特定のパターン化されたマスク７７（図１２Ｃに図示する如し）を操作し（図１２Ｄに図示する如し）、特定の導電壁パターン７６１は、マスク７７を所定の時間内に除去した後に、基板７１上に形成される。ＴＦＴ形成のプロセス（図１２Ｅに図示する如し）を完成させるために、液晶は、絶縁壁７６に滴下され、均一な液晶層７８を形成可能である。ＵＶシーラント７９は、絶縁壁７６の周囲に沿ってコーティングされる（図１２Ｆの上面図および図１２Ｇの断面図に図示する如し）。別の基板７２をあらかじめ密閉するために、ＵＶシーラント７９は、ＵＶ光に露光されて硬化され、そして、基板７１および７２を共に接続する。最後に、アニーリングプロセスが行われ、液晶ディスプレイパネル（図１２Ｈに図示する如し）が完成する。
【００４９】
絶縁壁７５が基板７１および７２に接続するため、液晶層７８は、ＵＶシーラント７９に接触せず、液晶の汚染およびディスプレイの質の低下を防ぐ。
【００５０】
また、導電性材料（例えば、導電性接着剤または導電性スペーサ）は必要ではない、とういうのは、基板７１上に形成される導電性の壁パターンは、基板７１（すなわち、ＴＦＴ基板）から別の基板７２（すなわち、ＣＦ基板）へ導電し、この構造を支持するからである。
【００５１】
（第８の好ましい実施形態）
図１３Ａ〜図１３Ｈを参照すると、ＴＦＴ形成プロセスのプロセスは、基板８１上で行われる。導電層８１１（ゲート金属層またはソース／ドレイン金属層またはピクセル電極層、ここでゲート金属層は、本実施形態で例示される）が成膜された後、導電層８１１を少なくとも覆うようにマスク８３を操作する。また、基板８１の上に同時に重ねるために、さらに大きなフレームマスク８４を操作し、２つのマスク８３および８４の間にフレームスペーシング８５が形成される（図１３Ａの上面図に図示する如し）。マスク８３および８４は、導電性材料に接続しない材料（例えば、絶縁材料）、または導電性材料に接続しない加工された材料である。マスク８３および８４の操作は自動化されることに注目のこと。
【００５２】
成膜が続けられる場合、そしてフレームスペーシング８５（図１３Ｂに図示する如し）内に成膜される場合、密閉された絶縁壁８６は、２つのマスク８３および８４を所定時間内に除去した後に構築される。絶縁層（例えば、半導体層または不動態化層）がその後に成膜されるにつれて、成膜を進めながら特定のパターン化されたマスク８７（図１３Ｃの上面図に図示する如し）を操作し（図１３Ｄに図示する如し）、特定の導電壁パターン８６１が、所定の時間内にマスク８７を除去した後に、基板８１上に形成される。ＴＦＴ形成のプロセス（図１３Ｅに図示する如し）を完結するために、液晶は、滴下され、均一な液晶層８８の形成を可能にする。ＵＶシーラント８９は、導電性の壁８６の周囲に沿ってコーティングされる（図１３Ｆの上面図および図１３Ｇの断面図に図示する如し）。別の基板８２をあらかじめ密閉するために、ＵＶシーラント８９は、ＵＶ光に露光されて硬化され、基板８１と８２とを共に接続する。最後に、アニーリングプロセスが行われ、液晶ディスプレイパネル（図１３Ｈに図示する如し）が完成する。
【００５３】
導電性の壁８６が基板８１および８２に接続するために、液晶層８８は、ＵＶシーラント８９と接触せず、液晶の汚染およびディスプレイの質の低下を防ぐ。
【００５４】
それに加えて、ＵＶシーラント８９は、硬化のためおよび基板８１と８２とを接続するためにＵＶ光を露光され、ＵＶ光は、密閉された導電性の壁８６のために、基板８１および８２の任意の側面から完全に遮蔽される。（ゲート金属層またはソース／ドレイン金属層、例えば、ＩＴＯであるピクセル電極層を提供すると、単に、その光透過性のためにマスキング効果の代わりに導電硬化が起こる。）したがって、液晶の低下は、所望のように防がれる。
【００５５】
また、導電性材料（例えば、導電性接着剤または導電性スペーサ）は必要ではないことに注目のこと。というのは、基板８１上に形成される導電性の壁パターンは、基板８１（すなわち、ＴＦＴ基板）から別の基板８２（すなわち、ＣＦ基板）へ電圧を導電し、そしてその構造を支持するからである。
【００５６】
（第９の好ましい実施形態）
上記の実施形態にしたがって、そして図１４Ａ〜図１４Ｃを参照すると、ＵＶシーラント９３は、場合により基板９２をコーティングし、その結果、ＵＶシーラント９３は、別の基板９１に接続するように、形成された導電性／絶縁性の壁９４の外側に配置される（図１４Ａに図示する如し）。これは、ＴＦＴ基板９１に対応する。次いで、液晶が導電性／絶縁性の壁９４に滴下され、均一な液晶壁９５（図１４Ｂに図示する如し）を形成可能である。２つの基板９１および９２をあらかじめ密閉するために、基板９２および基板９１は、ＵＶ光に露光されＵＶシーラント９３が硬化され、２つの基板を共に接続する。最後に、アニーリングプロセスが行われ、液晶ディスプレイパネル（図１４Ｃに図示する如し）がそれによって完成する。
【００５７】
本発明で記載されるマスク（例えば、フォトマスク）の形状および設計は、疑いようもなく例示のために供されており、必ずしも上記の好ましい実施形態には、本発明は限定されない。マスクの操作は、任意の自動化装置によって自動化される。マスク上のパターンは、回路的な要求に依存してこの設計に付され、一方、シーラント（フォト−シーラント、例えば、ＵＶシーラント、ＩＲシーラント、またはＬＡＳＥＲシーラント）はまた、導電性／絶縁性の壁と接続するか、または導電性／絶縁性の壁に沿って空間を形成する。導電性／絶縁性の壁の形成は、ＴＦＴまたはピクセル電極を形成する、すなわち、少なくとも単一の層／壁を形成する（すなわち導電性構造／絶縁性構造の２つ以上の層／壁の形成の繰り返しは、紹介されている）任意の成膜ステップを併用する。形成ステップ、形成順序および材料は、本発明に限定されず、例えば、導電性／絶縁性の層の上に導電性／絶縁性の層を形成することは、導電性／絶縁性の層の形成ステップの１つとしてとらえるべきであり、導電層は、金属に限定されず、ＴＦＴ形成プロセスは、特定のマスクプロセスに限定されない、などである。
【００５８】
種々の改変および変更は、本発明の範囲または精神を逸脱することなく、本発明の構造に対してなされることが当業者には明らかである。以上の観点において、本発明は、添付の特許請求の範囲およびそれらの均等物の範囲内にある本発明の改変および変形を含むと意図される。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１Ａ】従来の液晶滴下プロセスの図の第１の一連の図の１を示す。
【図１Ｂ】従来の液晶滴下プロセスの図の第１の一連の図の１を示す。
【図１Ｃ】従来の液晶滴下プロセスの図の第１の一連の図の１を示す。
【図２】従来の液晶滴下プロセスの図の第２の一連の図を示す。
【図３】従来の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）パネルの第１の断面図を示す。
【図４】従来のＬＣＤパネルの第２の断面図を示す。
【図５】従来のＬＣＤパネルの第３の断面図を示す。
【図６Ａ】本発明の第１の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第１の一連の図の１を示す。
【図６Ｂ】本発明の第１の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第１の一連の図の１を示す。
【図６Ｃ】本発明の第１の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第１の一連の図の１を示す。
【図６Ｄ】本発明の第１の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第１の一連の図の１を示す。
【図６Ｅ】本発明の第１の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第１の一連の図の１を示す。
【図６Ｆ】本発明の第１の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第１の一連の図の１を示す。
【図７Ａ】本発明の第２の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第２の一連の図の１を示す。
【図７Ｂ】本発明の第２の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第２の一連の図の１を示す。
【図７Ｃ】本発明の第２の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第２の一連の図の１を示す。
【図７Ｄ】本発明の第２の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第２の一連の図の１を示す。
【図７Ｅ】本発明の第２の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第２の一連の図の１を示す。
【図７Ｆ】本発明の第２の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第２の一連の図の１を示す。
【図８Ａ】本発明の第３の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第３の一連の図の１を示す。
【図８Ｂ】本発明の第３の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第３の一連の図の１を示す。
【図８Ｃ】本発明の第３の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第３の一連の図の１を示す。
【図８Ｄ】本発明の第３の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第３の一連の図の１を示す。
【図８Ｅ】本発明の第３の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第３の一連の図の１を示す。
【図８Ｆ】本発明の第３の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第３の一連の図の１を示す。
【図９Ａ】本発明の第４の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第４の一連の図の１を示す。
【図９Ｂ】本発明の第４の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第４の一連の図の１を示す。
【図９Ｃ】本発明の第４の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第４の一連の図の１を示す。
【図９Ｄ】本発明の第４の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第４の一連の図の１を示す。
【図９Ｅ】本発明の第４の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第４の一連の図の１を示す。
【図９Ｆ】本発明の第４の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第４の一連の図の１を示す。
【図１０Ａ】本発明の第５の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第５の一連の図の１を示す。
【図１０Ｂ】本発明の第５の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第５の一連の図の１を示す。
【図１０Ｃ】本発明の第５の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第５の一連の図の１を示す。
【図１０Ｄ】本発明の第５の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第５の一連の図の１を示す。
【図１０Ｅ】本発明の第５の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第５の一連の図の１を示す。
【図１０Ｆ】本発明の第５の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第５の一連の図の１を示す。
【図１１Ａ】本発明の第６の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第６の一連の図の１を示す。
【図１１Ｂ】本発明の第６の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第６の一連の図の１を示す。
【図１１Ｃ】本発明の第６の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第６の一連の図の１を示す。
【図１１Ｄ】本発明の第６の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第６の一連の図の１を示す。
【図１１Ｅ】本発明の第６の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第６の一連の図の１を示す。
【図１１Ｆ】本発明の第６の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第６の一連の図の１を示す。
【図１２Ａ】本発明の第７の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第７の一連の図の１を示す。
【図１２Ｂ】本発明の第７の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第７の一連の図の１を示す。
【図１２Ｃ】本発明の第７の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第７の一連の図の１を示す。
【図１２Ｄ】本発明の第７の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第７の一連の図の１を示す。
【図１２Ｅ】本発明の第７の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第７の一連の図の１を示す。
【図１２Ｆ】本発明の第７の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第７の一連の図の１を示す。
【図１２Ｇ】本発明の第７の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第７の一連の図の１を示す。
【図１２Ｈ】本発明の第７の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第７の一連の図の１を示す。
【図１３Ａ】本発明の第８の好ましい実施形態に係るＬＣＤの形成の図の第８のセットを示す。
【図１３Ｂ】本発明の第８の好ましい実施形態に係るＬＣＤの形成の図の第８のセットを示す。
【図１３Ｃ】本発明の第８の好ましい実施形態に係るＬＣＤの形成の図の第８のセットを示す。
【図１３Ｄ】本発明の第８の好ましい実施形態に係るＬＣＤの形成の図の第８のセットを示す。
【図１３Ｅ】本発明の第８の好ましい実施形態に係るＬＣＤの形成の図の第８のセットを示す。
【図１３Ｆ】本発明の第８の好ましい実施形態に係るＬＣＤの形成の図の第８のセットを示す。
【図１３Ｇ】本発明の第８の好ましい実施形態に係るＬＣＤの形成の図の第８のセットを示す。
【図１３Ｈ】本発明の第８の好ましい実施形態に係るＬＣＤの形成の図の第８のセットを示す。
【図１４Ａ】本発明の第９の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第９の一連の図の１を示す。
【図１４Ｂ】本発明の第９の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第９の一連の図の１を示す。
【図１４Ｃ】本発明の第９の好ましい実施形態に係るＬＣＤパネルの形成の第９の一連の図の１を示す。
【符号の説明】
【００６０】
Ａ１  基板
Ａ２  基板
Ａ３  シーラント
Ａ４  液晶層
Ａ５
Ｂ１  ＴＦＴ基板
Ｂ１１  ピクセル電極
Ｂ２  ＣＦ基板
Ｂ３  液晶層
Ｂ４  導電性接着剤
Ｂ５  シーラント
Ｂ６  導電性スペーサ
１１  基板
１２  基板
１３  マスク
１４  フレームマスク
１５  フレームスペーシング
１６  金属壁
１７  ゲート金属層
１８  液晶層
１９  紫外線シーラント
２１  基板
２２  基板
２３  マスク
２４  フレームマスク
２５  フレームスペーシング
２６  金属壁
２７  ソース／ドレイン金属層
２８  液晶層
２９  ＵＶシーラント
３１  基板
３２  基板
３３  マスク
３４  フレームマスク
３５  フレームスペーシング
３６  金属壁
３７  ピクセル電極層
３８  液晶層
３９  ＵＶシーラント
４１  基板
４２  基板
４３  マスク
４４  フレームマスク
４５  フレームスペーシング
４６  絶縁壁
４７  半導体層
４８  液晶層
４９  ＵＶシーラント
５１  基板
５２  基板
５３  マスク
５４  フレームマスク
５５  フレームスペーシング
５６  絶縁壁
５７  不動態化層
５８  液晶層
５９  ＵＶシーラント
６１  基板
６２  基板
６３  マスク
６４  導電性の壁
６５  液晶層
６６  ＵＶシーラント
６７  導電層
７１  基板
７１１  絶縁層
７２  基板
７３  マスク
７４  フレームマスク
７５  フレームスペーシング
７６  絶縁壁
７６１  導電壁パターン
７７  マスク
７８  液晶層
７９  ＵＶシーラント
８１  基板
８１１  導電層
８２  基板
８３  マスク
８４  フレームマスク
８５  フレームスペーシング
８６  絶縁壁
８６１  導電壁パターン
８７  マスク
８８  液晶層
８９  ＵＶシーラント
９１  基板
９２  基板
９３  ＵＶシーラント
９４  導電性／絶縁性の壁
９５  液晶壁
【図１Ａ】
2005031617.tif 000003
【図１Ｂ】
2005031617.tif 000004
【図１Ｃ】
2005031617.tif 000005
【図２】
2005031617.tif 000006
【図３】
2005031617.tif 000007
【図４】
2005031617.tif 000008
【図５】
2005031617.tif 000009
【図６Ａ】
2005031617.tif 000010
【図６Ｂ】
2005031617.tif 000011
【図６Ｃ】
2005031617.tif 000012
【図６Ｄ】
2005031617.tif 000013
【図６Ｅ】
2005031617.tif 000014
【図６Ｆ】
2005031617.tif 000015
【図７Ａ】
2005031617.tif 000016
【図７Ｂ】
2005031617.tif 000017
【図７Ｃ】
2005031617.tif 000018
【図７Ｄ】
2005031617.tif 000019
【図７Ｅ】
2005031617.tif 000020
【図７Ｆ】
2005031617.tif 000021
【図８Ａ】
2005031617.tif 000022
【図８Ｂ】
2005031617.tif 000023
【図８Ｃ】
2005031617.tif 000024
【図８Ｄ】
2005031617.tif 000025
【図８Ｅ】
2005031617.tif 000026
【図８Ｆ】
2005031617.tif 000027
【図９Ａ】
2005031617.tif 000028
【図９Ｂ】
2005031617.tif 000029
【図９Ｃ】
2005031617.tif 000030
【図９Ｄ】
2005031617.tif 000031
【図９Ｅ】
2005031617.tif 000032
【図９Ｆ】
2005031617.tif 000033
【図１０Ａ】
2005031617.tif 000034
【図１０Ｂ】
2005031617.tif 000035
【図１０Ｃ】
2005031617.tif 000036
【図１０Ｄ】
2005031617.tif 000037
【図１０Ｅ】
2005031617.tif 000038
【図１０Ｆ】
2005031617.tif 000039
【図１１Ａ】
2005031617.tif 000040
【図１１Ｂ】
2005031617.tif 000041
【図１１Ｃ】
2005031617.tif 000042
【図１１Ｄ】
2005031617.tif 000043
【図１１Ｅ】
2005031617.tif 000044
【図１１Ｆ】
2005031617.tif 000045
【図１２Ａ】
2005031617.tif 000046
【図１２Ｂ】
2005031617.tif 000047
【図１２Ｃ】
2005031617.tif 000048
【図１２Ｄ】
2005031617.tif 000049
【図１２Ｅ】
2005031617.tif 000050
【図１２Ｆ】
2005031617.tif 000051
【図１２Ｇ】
2005031617.tif 000052
【図１２Ｈ】
2005031617.tif 000053
【図１３Ａ】
2005031617.tif 000054
【図１３Ｂ】
2005031617.tif 000055
【図１３Ｃ】
2005031617.tif 000056
【図１３Ｄ】
2005031617.tif 000057
【図１３Ｅ】
2005031617.tif 000058
【図１３Ｆ】
2005031617.tif 000059
【図１３Ｇ】
2005031617.tif 000060
【図１３Ｈ】
2005031617.tif 000061
【図１４Ａ】
2005031617.tif 000062
【図１４Ｂ】
2005031617.tif 000063
【図１４Ｃ】
2005031617.tif 000064