(57)【要約】    【課題】  基板表面に、液体材料が不必要に濡れ拡がるのを防ぐことができる撥液性を与えつつ、形成された膜パターンの基板に対する密着性が高い膜パターン形成方法を提供すること。    【解決手段】  基板表面に膜パターンを形成する方法であって、撥液性化合物と、前記基板表面に該撥液性化合物より高い表面自由エネルギーを与える撥液性調節化合物とを含む溶液中に前記基板を浸漬し、表面に自己組織化膜を形成させる工程と、自己組織化膜が形成された基板表面に、液体材料を供与する工程と、を含む膜パターン形成方法。【選択図】    図１
2005109184.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に膜パターンを形成する方法であって、
撥液性化合物と、前記基板表面に該撥液性化合物より高い表面自由エネルギーを与える撥液性調節化合物と、を含む溶液中に前記基板を浸漬し、表面に自己組織化膜を形成させる工程と、
前記自己組織化膜が形成された前記基板表面に、液体材料を供与する工程と、
を含む膜パターン形成方法。
【請求項２】
前記撥液性化合物がフルオロアルキル基を有する、請求項１に記載の膜パターン形成方法。
【請求項３】
前記撥液性化合物がアルコキシ系シランカップリング剤である、請求項１または２に記載の膜パターン形成方法。
【請求項４】
前記撥液性調節化合物が、炭素数６〜２０の炭化水素基を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法。
【請求項５】
前記撥液性調節化合物が、ハロゲン系シランカップリング剤である、請求項１から４のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法。
【請求項６】
前記溶液に含まれる前記撥液性化合物および撥液性調節化合物のモル比（％）が２０／８０〜８０／２０である、請求項１から５のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法。
【請求項７】
前記液体材料を供与する方法として、インクジェット法を用いる、請求項１から６のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法。
【請求項８】
前記液体材料が導電性微粒子を含む、請求項１から７のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法。
【請求項９】
基板と、
前記基板上に形成された、撥液性化合物と、前記基板表面に前記撥液性化合物より低い表面自由エネルギーを与える撥液性調節化合物とからなる自己組織化膜と、
前記自己組織化膜上に形成された膜パターンと、を備える回路素子。
【請求項１０】
請求項８に記載の膜パターン形成方法によって形成された導電膜配線。
【請求項１１】
請求項１０に記載の導電膜配線を備える電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子その他の回路素子における回路パターンや配線パターンを構成する膜と基板との間の密着力を向上させることのできる膜パターン形成方法およびこの方法を用いて形成される回路素子、導電膜配線、電気光学装置並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子その他の回路素子の微細な配線パターン（膜パターン）を形成する方法として、シリコン、ガラス、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などからなる基板表面に、導電性材料を含む液体をインクジェット式記録ヘッドによって吐出し、これを焼結させて導電膜を形成する方法が提案されている（例えば特許文献１および２を参照）。この方法によれば、従来から配線パターンの形成に用いられているフォトリソグラフィー法に比較して、大掛かりな設備を必要とせず、工程も単純で、材料の使用量も少なくてすむという利点がある。
【０００３】
インクジェット式記録ヘッドの解像度は、例えば４００ｄｐｉと微細であるため、個々のノズル穴から液体材料を吐出できれば、μｍオーダーの幅で任意のパターンを形成することができると考えられる。しかしながら、インクジェット方式により吐出された液滴が基板表面で大きく広がってしまったり、液滴の形状がそのまま膜パターンの輪郭に残ったり、凹凸ができてしまうといった問題が生じることがあるため、複数層を備え各層の配線回路などを互いに接続した立体構造を効率よく形成するのは困難であった。
【０００４】
このような問題を解決するものとして、例えば、基板表面に撥液処理や親液処理を行い、基板と吐出された液滴との接触角を制御する方法がある。この方法では、撥液処理と親液処理を行うことによって、パターン形状（パターン線幅）やパターン形成位置を制御する。例えば、撥液処理が行われた基板上では、基板に対する液滴の接触角が大きくなり、液滴と基板との接触面積が小さくなるので、線幅が小さく膜厚が厚いパターンが形成される。
【０００５】
このような撥液処理としては、ＣＦ４ガスを用いたプラズマ処理や、フッ素系シランカップリング剤処理など、表面自由エネルギーの高い化合物を使用する方法が用いられる。ここで、フッ素系シランカップリング剤処理とは、基板上に撥液性の強いフルオロアルキルシランからなる自己組織化膜を形成することにより、基板表面を撥液性にする処理である。
【特許文献１】特開平１１−２７４６７１号公報
【特許文献２】特開２０００−２１６３３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、基板表面の撥液性が高いということは、この基板と他の物質との密着力も低いことを意味する。従って、フッ素系化合物等によって基板表面に撥液性を与えると、吐出された液体材料中に含まれる配線材料等に対する基板表面の親和性も低下し、配線の焼結過程に伴う堆積収縮などの際に、形成された膜パターンが基板表面から剥がれやすくなってしまうという問題がある。
【０００７】
そこで本発明は、基板表面に、液体材料が不必要に濡れ拡がるのを防ぐことができる撥液性を与えつつ、形成された膜パターンの基板に対する密着力が高い、膜パターン形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の課題を解決するために、本発明の膜パターン形成方法は、撥液性化合物と、基板表面にこの撥液性化合物より高い表面自由エネルギーを与える撥液性調節化合物を含む溶液中に基板を浸漬し、表面に自己組織化膜を形成させる工程と、自己組織化膜が形成された基板表面に液体材料を供与する工程と、を含む。
【０００９】
ここで、基板表面の濡れ性や接着性と、基板の表面自由エネルギーとの関係を説明する。
【００１０】
基板表面の濡れ性の指標となる接触角θはｃｏｓθ＝（γＳ−γＳＬ）／γＬ［ここで、γＳは基板の表面自由エネルギーを、γＬは液滴の表面自由エネルギーを、γＳＬは基板と液滴の表面自由エネルギーを表す］で表される。接触角θが大きい場合は、濡れ性が小さいことを意味し、接触角θが小さい場合は、濡れ性が大きいことを意味する。
【００１１】
従って、上記式より、濡れ性を小さくする場合はγＳを小さくするか、γＬ、γＳＬを大きくすればよく、濡れ性を大きくする場合は、γＳを大きくするか、γＬ、γＳＬを小さくすれば良い。
【００１２】
また、接着性の指標となる接着仕事はWＳＬ ＝ γＬ ＋ γＳ − γＳＬと表される。接着仕事とは、基板と液滴を引き離すのに必要なエネルギーであるので、接着仕事が大きいほど接着性が高いことを意味する。
【００１３】
従って、接着性を向上させるにはγＳ、γＬを大きくするか、γＳＬ を小さくすると良い。しかし、γＬを大きくすると、上述のように固体表面に対する濡れ性が小さくなるため、液滴が固体表面に拡がらず接着面積が小さくなる。そのため、面で接着が起こらず点接着となるため実際の接着力は減少することになる。また、γLを大きくすることは液滴材料自身を完全に変えることになるため、現実的な方法ではない。
【００１４】
そこで、濡れ性を大きくし、同時に接着力も向上させるためには、固体表面の改質を行ってγＳ を大きくすることが１つの方法となる。
【００１５】
本発明に係る膜パターン形成方法によれば、基板表面に、撥液性化合物に由来する部分と、撥液性調節化合物に由来する部分が、ほぼ均一に混ざった自己組織化膜が形成される。
【００１６】
これにより、自己組織化膜全体としての表面自由エネルギーは、撥液性化合物単独で自己組織化膜を形成した場合は非常に低いのに対して、適度に上昇する。この結果、十分に線幅を狭く、膜厚が厚いパターンを形成するのに必要な撥液性は維持される一方で、基板との親和性が高く剥がれにくい膜パターンを形成することができる。
【００１７】
上記自己組織化膜は、撥液性化合物と撥液性調節化合物とを基板表面に共吸着させることにより形成されるので、両者を含む溶液中に基板を浸漬させるだけで形成することができる。また、予め基板に密着性を向上するための処理を施す必要がなく、撥液性の付与と、撥液性の適度な劣化とを一つの工程で行うことができるので、プロセスを簡略化することもできる。
【００１８】
ここで、自己組織化膜（自己組織化単分子膜：ＳＡＭ（Self assembled Monolayer））とは、基板の表層原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の有機残基とからなり、有機残基の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は単分子を配向させて形成されているので、膜厚が極めて薄く、しかも分子レベルで均一な膜となる。
【００１９】
上記膜パターン形成方法においては、撥液性化合物として、撥液性の有機残基を有する化合物を用いることが好ましく、撥液性の有機残基としてフルオロアルキル基を有するものが特に好ましい。フルオロアルキル基は基板表面に低い表面自由エネルギーを与えるので、基板に優れた撥液性を付与することができる。フルオロアルキル基は、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）ｙ−［ここで、ｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す］の構造をもつ。
【００２０】
また、上記撥液性化合物は、自己組織化膜を形成させるために基板表面と反応可能な官能基を有するものが好ましく、このような化合物として、ガラスなどの基板に膜を形成できるという点でシランカップリング剤が特に好ましい。シランカップリング剤は、一般にＹｎＳｉＸ（４−ｎ）［ここで、Ｙはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示表し；Ｘはアルコキシル基またはハロゲンを表し；ｎは１〜３の整数を表す］で表される。Ｘ部分は加水分解によりシラノールを形成し、基板表面のヒドロキシル基と結合する結合性官能基として機能し、これによって自己組織化膜が好適に形成される。この結果ＹｎＳｉが基板表面を向き、該基板表面が高い撥液性を有するようになる。本発明で用いるシランカップリング剤は、溶液の保存と成膜の安定性から、反応性の高いハロゲン系シランカップリング剤（Ｘがハロゲンであるシランカップリング剤）よりも、Ｘがメトキシ基やエトキシ基などのアルコキシル基であるアルコキシ系シランカップリング剤が好ましい。
【００２１】
また上記膜パターン形成方法では、撥液性調節化合物がその一端に基板表面の撥液性の調節に寄与する有機残基を有することが好ましく、このような化合物として一端に炭素数６〜１８の炭化水素基を有するものが特に好ましい。炭化水素基を用いることにより、必要な密着性を維持できる一方で、撥液性の過度な低下も防ぐことができる適度な表面自由エネルギーを基板表面に与えることができる。また、撥液性化合物と相性が悪いために生じる基板表面における相分離を、過度に引き起こさないことも撥液性調節化合物として好ましい。炭化水素基は、基板表面に撥液性化合物より高い表面自由エネルギーを与える限り、フェニル基などの置換基を有していてもよく、また分岐していてもよい。
【００２２】
また、上記撥液性調節化合物は、一端に基板と結合可能な結合性官能基を有するものが好ましく、このような化合物としてハロゲン系シランカップリング剤を用いることが好ましい。反応性の高いハロゲン系シランカップリング剤を用いることによって、撥液性調節化合物を素早く基板表面に吸着させることができ、撥液性化合物と撥液性調節化合物を好適な割合で共吸着させることができる。
【００２３】
基板を浸漬させる溶液における撥液性化合物と撥液性調節化合物とのモル比（％）は特に限定されず、用いる化合物の種類や、所望の強さの撥液性および密着力の強さに応じて当業者が適宜選択することができる。好ましくは、モル比（％）を２０／８０〜８０／２０とすれば、共吸着の速度に大きな差がつかず、好適な割合で両者を吸着させることができる。
【００２４】
上記膜パターン形成方法においては、インクジェット式吐出ヘッドを用いて、基板表面に液体材料を供与することが好ましい。これにより、高い解像度で微細な膜パターンを形成することができる。
【００２５】
また、上記膜パターン形成方法で用いる液体材料は、導電性微粒子を含むことが望ましい。これによって、形成された膜パターンを導電膜配線パターンとして用いることができる。
【００２６】
本発明に係る導電膜配線は、上記膜パターン形成方法によって形成されることを特徴とする。これによれば、膜厚が厚く、微細に形成され、配線パターンが基板表面から剥がれにくい導電膜配線とすることができる。
【００２７】
また、本発明に係る電気光学装置は、本発明に係る導電膜配線を備えることを特徴とする。本発明の電気光学装置としては、例えば液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等を挙げることができる。
【００２８】
また本発明に係る電子機器は、本発明に係る電気光学装置を備えることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態による膜パターン形成方法について、図面を参照して説明する。本実施の形態では、本発明の膜パターン形成方法の一例である導電膜パターン形成方法について説明する。
（自己組織化膜形成工程）
図１に本実施形態による自己組織化膜形成工程の模式図を示す。撥液性化合物１０と、撥液性調節化合物１２とを含む溶液１４中に、基板１６を浸漬させるにことにより、撥液性化合物１０と撥液性調節化合物１２が均一に混合された自己組織化膜が形成される。
【００３０】
基板１６としては、Ｓｉウエハー、石英ガラス、ガラス、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができ、また基板表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されていてもよい。
【００３１】
図１右に拡大して示されるように、撥液性化合物１０は、一端に基板表面を構成する原子と反応可能な結合性官能基１８を有し、もう一端に撥液性部分２２を有する。撥液性調節化合物１２は、一端に基板表面を構成する原子と反応可能な結合性官能基２０を有し、もう一端に撥液性の劣化に寄与する撥液性調節部分２４を有する。
【００３２】
撥液性化合物１０としては、アルコキシ系シランカップリング剤が好ましく、特に撥液性部分２２としてフルオロアルキル基を含むものが好ましい。かかる撥液性化合物としては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン（以下「ＦＡＳ１７」という）、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。これらのうち１種を用いてもよいし、２種以上の化合物を組み合わせて使用しても、本発明の書記の目的を損なわなければ制限されない。
【００３３】
撥液性調節化合物１２としては、ハロゲン系シランカップリング剤が好ましく、特に撥液性調節部分２４として炭化水素基を有するものが好ましい。このような撥液性調節化合物としては、ヘキシルトリクロロシラン、オクチルトリクロロシラン（以下「ＯＴＣＳ」という）、デシルトリクロロシラン、ドデシルトリクロロシラン、テトラデシルトリクロロシラン、ヘキサデシルトリクロロシラン、フェニルトリクロロシランなどが挙げられる。
【００３４】
基板１６は、まず紫外線照射、酸素プラズマ処理やオゾン洗浄などの前処理をしてから用いることが好ましく、その後、例えば、撥液性化合物１０および撥液性調節化合物１２を５０／５０の割合で含む溶液１４に、基板１６を１０分間浸漬する。溶液から基板１６を引き上げ、有機溶媒で洗浄後乾燥させる。
（液体材料の供与工程）
図２（ａ）に、インクジェット法により基板表面に液体材料を供与する工程の概略図を示す。導電性微粒子を含有する液体材料をインクジェット式吐出ヘッド２６により基板１６表面に吐出することにより、基板１６表面に液体材料からなるパターン２８が形成される。
【００３５】
用いる導電性微粒子としては、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルのいずれかを含有する金属微粒子のほか、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などを用いることもできる。微粒子が液体材料中で好適に分散するように、微粒子表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。溶剤への分散しやすさとインクジェット法の適用の観点から、微粒子の粒径は５０ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。
【００３６】
上記液体材料は、導電性微粒子を溶媒に分散させて調製する。使用する溶媒は室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、塗布膜を形成するときに溶媒が先に蒸発してしまい、良好な塗布膜を形成することが困難となるためである。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い溶媒の場合、乾燥が遅くなり塗布膜中に溶媒が残留しやすくなり、後工程の熱および／または光処理後に良質の導電膜が得られにくい。また、上記溶液の塗布を後述のインクジェット装置によって行なう場合には、溶媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下であることが望ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、インクジェット装置で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こり易く、安定な吐出が困難となる。一方、蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い場合には吐出したインクの乾燥が遅くなり導電膜中に溶媒が残留し易くなり、後工程の熱処理後にも良質の導電膜が得られ難い。
【００３７】
使用する溶媒としては、上記の微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されないが、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系溶媒、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系溶媒、更にプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性溶媒を挙げることができる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、またインクジェット法への適用のし易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒が好ましく、更に好ましい溶媒としては水、炭化水素系溶媒を挙げることができる。これらの溶媒は、単独でも、あるいは２種以上の混合物としても使用できる。
【００３８】
上記微粒子を溶媒に分散する場合の溶質濃度は１重量％以上８０重量％以下であり、所望の導電膜の膜厚に応じて調整することができる。８０重量％を超えると凝集をおこしやすくなり、均一な塗布膜が得にくい。
【００３９】
上記微粒子分散液は、目的の機能を損なわない範囲で必要に応じてフッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加することができる。ノニオン系表面張力調節剤は、溶液の塗布対象物への濡れ性を良好化し、塗布した膜のレベリング性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生などの防止に役立つものである。
【００４０】
こうして調製した微粒子を含む液体材料の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。後述のインクジェット装置にて液体を塗布する場合、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるためである。
【００４１】
さらに、こうして調製した微粒子分散液の表面張力は２０ｄｙｎ／ｃｍ以上７０ｄｙｎ／ｃｍ以下の範囲に入ることが望ましい。後述のインクジェット装置で液体を塗布する場合、表面張力が２０ｄｙｎ／ｃｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じ易くなり、７０ｄｙｎ／ｃｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないためインク組成物の吐出量、吐出タイミングの制御が困難になるためである。
（熱処理工程）
図２（ａ）に示すように、微粒子を含む液体材料２８が所定パターンに塗布された基板１６は、溶媒を除去し、微粒子間の電気的接触をよくするために、熱処理に供される。熱処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。上記の熱処理の処理温度は溶媒の沸点（蒸気圧）、圧力および微粒子の熱的挙動により適宜定めればよく、特に限定されるものではないが室温以上３００℃以下で行なうことが望ましい。プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。
【００４２】
熱処理は通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【００４３】
図２（ｂ）に、以上の工程によって導電膜３０が形成された基板１６を示す。本実施形態によれば、細線、厚膜で、基板から剥がれにくい導電膜パターンを形成することができる。
【実施例１】
【００４４】
（基板洗浄）
ガラス基板をＵＶ（２５４ｎｍ  １０ｍＷ／ｃｍ２）で１０分間洗浄した。
（自己組織化膜の形成）
トルエンを溶媒とし、フルオロアルキル基を有するアルコキシ系シランカップリング剤であるヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン（ＦＡＳ１７）を撥液性化合物、炭化水素基を有するハロゲン系シランカップリング剤であるオクチルトリクロロシラン（ＯＴＣＳ）を撥液性調製化合物として、合計で１０ｍＭ含む溶液を５種類調製し、それぞれＦＡＳ１７／（ＦＡＳ１７＋ＯＴＣＳ）を、１００、８０、５０、２０、０とした。
【００４５】
これに洗浄済みのガラス基板を１０分間浸漬させ、トルエンで洗浄後乾燥させた。さらにオーブンにて、７０℃で１０分間乾燥させた。
（液体材料の供給および接触角の測定）
金微粒子を含む溶剤系液体材料、および銀微粒子を含む水系液体材料を各２μＬずつ、基板表面に供給した。このときの基板および液滴の断面図を図３に示す。液体材料３２が乾燥する前に接触角θを測定した。
【００４６】
銀微粒子を含む水系液体材料は、硝酸銀９０ｍｇを水５００ｍｌに溶解して１００℃に加熱し、撹拌しながら更に１％濃度のクエン酸ナトリウム水溶液１０ｍｌを加え、そのまま８０分間沸騰させて調製した。この方法により、凝集を防止するためクエン酸で周囲を覆われた銀コロイドを溶液中に分散した液体材料が得られる。銀コロイドの平均粒径は３０ｎｍ、液体材料の粘度は５ｃｐ、表面張力は２２ｍＮ／ｍであった。
【００４７】
金微粒子を含む溶剤系液体材料は、直径１０ｎｍの金微粒子をトルエン中に分散した金微粒子分散液（真空冶金社製、商品名「パーフェクトゴールド」）にキシレンを添加し、粘度を８ｃｐ、表面張力を２４ｍＮ／となるよう調製した。
【００４８】
図４に示すように、ＦＡＳ１７の濃度が低いほど、接触角が小さくなり、撥液性調節化合物であるＯＴＣＳを混合することで撥液性が劣化することがわかった。
（密着力の評価）
液体材料の乾燥後、３Ｍ社製メンディングテープにより密着力を評価する剥離試験を行った。形成された膜パターンを覆うようにメンディングテープを密着させた後、このテープを剥がす。
【００４９】
剥離率をテープ剥離後に基板表面に残った膜パターンの面積／剥離試験前の膜パターンの面積、として計算した。結果を表１に示す。
【００５０】
【表１】
2005109184.tif 000003
ＦＡＳ１７の濃度が低いほど、言い換えればＯＴＣＳ濃度が高いほど、微粒子パターンの剥離率（％）が低くなり、ＯＴＣＳによって密着性が改善されることが確認された。
【００５１】
上記実施の形態では、本発明の膜パターン形成方法を、回路基板の導電膜配線や半導体の実装配線等の配線パターンを形成する場合を一例に説明したが、これに限らず、例えば、有機エレクトロルミネッセンス装置、液晶表示装置、あるいはプラズマ表示装置等の電気光学装置をはじめとする各種デバイスの材料層や配線パターンを製造する場合についても適用可能である。
【００５２】
上記実施形態のデバイスの製造方法で製造した膜パターンを有するデバイスの一例として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置を備えた電子機器の例について説明する。
【００５３】
図５は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図５において符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
【００５４】
図６は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図６において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の有機ＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
【００５５】
図７は、ワープロ、パソコンなど携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図７において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の有機ＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
【００５６】
図５〜７に示す電子機器は、上記実施形態の表示装置（デバイス）を備えているので、表示品位に優れ、明るい画面の表示部を備えた電子機器を実現できる。
【００５７】
本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、種々に変形して適用することが可能である。例えば、導電性微粒子を含む液体材料の代わりに、強誘電体の前駆体化合物を含有する液体材料を用いることができ、この場合、基板表面に強誘電体膜パターンが形成される。強誘電体の前駆体化合物を含有する液体としては、強誘電体の前駆体化合物のゾル液を用いることができる。強誘電体がジルコニウム酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）の場合は、ＰＺＴの原料成分である酢酸塩、ジルコニウムアセチルアセトナート、チタニウムテトライソプロポキシドを１００：５２：４８の割合で有機系溶媒（例えば、２−ｎ−ブトキシエタノール等）に溶かしてゾル液とすることができる。このゾル液をインクジェット法で吐出してパターンを形成し、熱処理工程を行うことによって強誘電体膜パターンに変換することができる。
【００５８】
また、透明度の高い高分子材料（例えば、ポリスチレン、アクリル樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂およびこれらのフッ素化物、重水素化物等）による膜パターンを形成し、光導波路とすることもできる。この場合、液体材料として、例えば上記高分子材料の前駆体を有機溶媒（例えば、塩化メチレン等）に溶解させ、インクジェット法で吐出してパターンを形成する。これを乾燥し、必要に応じて焼成すれば光導波路を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施形態による自己組織化膜の形成工程を示す模式図である。
【図２】図２は、本発明に係る膜パターン形成方法の液体材料供与工程および熱処理工程を示す工程図である。
【図３】自己組織化膜を形成された基板表面および液体材料を示す断面図である。
【図４】ＦＡＳ１７およびＯＴＣＳの濃度比と接触角の関係を示す。
【図５】本発明に係る電子機器を示す図である。
【図６】本発明に係る電子機器を示す図である。
【図７】本発明に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０…撥液性化合物、１２…撥液性調節化合物、１４…溶液、１６…基板、１８、２０…結合性官能基、２２…撥液性部分、２４…撥液性調節部分、２６…インクジェット式吐出ヘッド、２８…膜パターン、３０…導電膜、３２…液体材料、
【図１】
2005109184.tif 000004
【図２】
2005109184.tif 000005
【図３】
2005109184.tif 000006
【図４】
2005109184.tif 000007
【図５】
2005109184.tif 000008
【図６】
2005109184.tif 000009
【図７】
2005109184.tif 000010