(57)【要約】【課題】熱電モジュールにおいて、リード線の接合強度が高く、信頼性の高い熱電モジュールを提供する。【解決手段】リード線３と配線導体４の端部４ａとの接合において、リード線３および半田６と熱電素子５に間隙６ａを設けることによって、リード線３および半田６と熱電素子５の反応による劣化を未然に防ぐことができる。  特に、半田６の接合をレーザーにより行い、その冷却時間を制御することによって、上記の効果をさらに高めることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する支持基板と、該支持基板に挟持されて配列された複数の熱電素子と、該複数の熱電素子相互を電気的に接続する配線導体と、該配線導体に半田接合した１対のリード線を具備する熱電モジュールにおいて、前記リード線を接合した半田と熱電素子の間に間隙を設けたことを特徴とする熱電モジュール。
【請求項２】
前記リード線を接合した半田と熱電素子の間隙は、最短距離が０．０００５〜１．５mmであることを特徴とする請求項１記載の熱電モジュール。
【請求項３】
前記リード線と熱電素子の間隙は、最短距離が０．０００５〜１．５mmであることを特徴とする請求項１に記載の熱電モジュール。
【請求項４】
前記リード線を接合した半田と熱電素子の間隙、および／または前記リード線と熱電素子の間隙に、反応防止層を充填したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の熱電モジュール。
【請求項５】
対向する支持基板と、該支持基板に挟持されて配列された複数の熱電素子と、該複数の熱電素子を電気的に接続する配線導体と、該配線導体に半田接合した１対のリード線を具備する熱電モジュールにおいて、前記リード線の半田溶融後の半田の冷却速度を５〜５０℃／秒としたことを特徴とする熱電モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記リード線を接合するための半田は、レーザ光を用いて溶融させることを特徴とする請求項５に記載の熱電モジュールの製造方法
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体等の発熱体の冷却等に好適に用いることのできる熱電モジュールにおいて、リード線および半田と熱電素子の反応による劣化を未然に防止可能な熱電モジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ペルチェ効果を利用した熱電素子は、電流を流すことにより一端が発熱するとともに他端が吸熱するため、冷却用の熱電素子として用いられている。特に、熱電モジュールとしてレーザーダイオードの温度制御、小型で構造が簡単でありフロンレスの冷却装置、冷蔵庫、恒温槽、光検出素子、半導体製造装置等の電子冷却素子、レーザーダイオードの温度調節等への幅広い利用が期待されている。
【０００３】
この室温付近で使用される熱電モジュールに使用される熱電素子用材料は、冷却特性が優れるという観点からＡ２Ｂ３型結晶（ＡはＢｉ及び／又はＳｂ、ＢはＴｅ及び／又はＳｅ）からなる熱電素子が一般的に用いられる。
【０００４】
例えば、Ｐ型の熱電素子にはＢｉ２Ｔｅ３（テルル化ビスマス）とＳｂ２Ｔｅ３（テルル化アンチモン）との固溶体が、Ｎ型の熱電素子にはＢｉ２Ｔｅ３とＢｉ２Ｓｅ３（セレン化ビスマス）との固溶体が特に優れた性能を示す。
【０００５】
熱電モジュールは、図２に示したように、支持基板１及び２の表面に、それぞれ配線導体４が形成され、熱電素子５を挟持するように半田で接合されている。熱電素子５は、Ｎ型熱電素子５ａとＰ型熱電素子５ｂを対にしたものを複数直列に電気的接続を行い、冷却モジュールとして使用されている。
【０００６】
配線導体４の端部４ａはリード線３と接合され、図３に示したように、リード線３およびリード３線接合用の半田６は間隙無く熱電素子５に接合されていた。
【０００７】
このリード線３を配線導体４に半田接合する手法としては、手作業で半田接合する手動方法、リード線３の先端部３ａにクリーム半田を付着させた後、リフロー炉を使って加熱溶融接合する加熱接合方法があった。また、リード線３の先端部３ａにクリーム半田を付着した後、レーザー光を所定の時間照射加熱し、リード線３のクリーム半田付着部を半田接合するレーザー接合方法が開示されていた（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平４−４９６７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の手法に基づくリード線３の接合方法においては、前述のいかなる手法であっても、リード線３およびリード３線接合用の半田６が、間隙無く熱電素子５に接合されてしまい、リード線３のＳｎメッキ成分や半田６中のＳｎ成分等と熱電素子のＴｅ等とが反応し、熱電素子５の性能が劣化したり、耐久性が劣るなどの問題があった。
【０００９】
従って、本発明は、リード線３のＳｎメッキ成分や半田６中のＳｎ成分等と熱電素子５との反応を防止し、熱電素子５の性能や耐久性の向上が可能な熱電モジュールおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記に鑑みて、本発明は対向する支持基板と、該支持基板に挟持されて配列された複数の熱電素子と、該複数の熱電素子相互を電気的に接続する配線導体と、該配線導体に半田接合した１対のリード線を具備する熱電モジュールにおいて、前記リード線を接合した半田と熱電素子の間に間隙を設けたことを特徴とするものである。
【００１１】
また、前記リード線を接合した半田と熱電素子の間隙は、最短距離が０．０００５〜１．５mmであることを特徴とするものである。
【００１２】
また、前記リード線と熱電素子の間隙は、最短距離が０．０００５〜１．５mmであることを特徴とするものである。
【００１３】
また、前記リード線を接合した半田と熱電素子の間隙、および／または前記リード線と熱電素子の間隙に、反応防止層を充填したことを特徴とするものである。
【００１４】
また、対向する支持基板と、該支持基板に挟持されて配列された複数の熱電素子と、該複数の熱電素子を電気的に接続する配線導体と、該配線導体に半田接合した１対のリード線を具備する熱電モジュールにおいて、前記リード線の半田溶融後の半田の冷却速度を５〜５０℃／秒としたことを特徴とするものである。
【００１５】
また、前記リード線を接合するための半田は、レーザ光を用いて溶融させることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の熱電モジュールは、リード線と配線導体との接合において、リード線および半田と熱電素子に間隙を設けることによって、リード線および半田と熱電素子の反応による劣化を未然に防ぐことができる。
【００１７】
特に、半田接合をレーザーにより半田接合を行い、その冷却時間を制御することによって、上記の効果をさらに高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明は、熱電モジュールにおけるリード線の接合に関するものである。
【００１９】
半田接合に用いる熱電モジュールは、図１に示したように、支持基板１及び２の表面に、それぞれ配線導体４が形成され、複数の熱電素子５を挟持するように半田７で接合したものである。
【００２０】
熱電素子５は、複数のＮ型熱電素子５ａ及びＰ型熱電素子５ｂで構成され、これらが電気的に直列になるように配線導体４で接続され、さらに配線導体４はリード線３と半田６で電気的に接続している。
【００２１】
また、熱電素子５は、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｓｅを含む化合物を主体とする焼結体が良く、特にＢｉ２Ｔｅ３、Ｂｉ２Ｓｅ３及びＳｂ２Ｔｅ３のうち少なくとも１種を含むものが好ましい。例えば、Ｎ型熱電素子５ａとしてＢｉ２Ｔｅ２．８５Ｓｅ０．１５やＢｉ２Ｔｅ２．９Ｓｅ０．などが良く、Ｐ型熱電素子５ｂとしてはＢｉ０．４Ｓｂ１．６Ｔｅ３やＢｉ０．5Ｓｂ１．5Ｔｅ３などが好適に使用できる。このような材料を選択することによって、組成ずれの危険が低くなり、より均一な組成及び組織を有する焼結体を得るために有利である。
【００２２】
配線導体４にはＣｕ電極が好適に用いられ、熱電素子５と半田接合を強固なものとし、酸化による濡れ性の低下を防止するため、熱電素子５と支持基板１及び２の接続面にはＮｉやＡｕ等のメッキが形成されているのが良い。
【００２３】
そして、図１（ｂ）に示したように、リード線３および半田６と熱電素子５に間隙Ｗ１、Ｗ２を設けることが必要である。
【００２４】
特に、リード線３を接合した半田６と熱電素子５の間隙の最短距離Ｗ１は０．０００５〜１．５mmとした方が良い。
【００２５】
これによって、リード線３を接合した半田６に含まれるＳｎ成分等と熱電素子５が反応することがなくなり、熱電素子５の性能が劣化したり、耐久性が劣るなどの心配もない。
【００２６】
なお、最短距離Ｗ１が０．０００５mmより狭くなると、リード線３を接合した半田６と熱電素子５が反応し、熱電素子５の性能が低下したり、信頼性が低下しやすくなるという問題がある。
【００２７】
一方、最短距離Ｗ１が１．５mmより大きくなると、リード線３を固定する半田量が少なくなり、リード線３の接合強度が低下しやすくなるといった問題が生じるので好ましくない。したがって、リード線３を接合した半田６と熱電素子５の間隙の最短距離Ｗ１は、０．０００５〜１．５mmとするのが良く、好ましくは０．００１〜１mm、さらに好ましくは０．００５〜０．０５ｍｍとするのが良い。
【００２８】
また、リード線３と熱電素子５の間隙の最短距離Ｗ２は、０．０００５〜１．５mmとした方が良い。
【００２９】
これによって、リード線３のＳｎメッキ成分と熱電素子とが反応することがなくなり、熱電素子５の性能が劣化したり、耐久性が劣るなどの心配もない。なお、最短距離Ｗ２が０．０００５mmより狭くなると、リード線３と熱電素子５が反応し、熱電素子５の性能が低下したり、信頼性が低下しやすくなるという問題がある。
【００３０】
一方、最短距離Ｗ２が１．５mmより大きくなると、リード線３を固定可能な長さが短くなり、リード線３の接合強度が低下しやすくなるので好ましくない。したがって、リード線３と熱電素子５の間隙の最短距離Ｗ２は、０．０００５〜１．５mmとするのが良く、好ましくは０．００１〜１mm、さらに好ましくは０．００５〜０．０５mmとするのが良い。
【００３１】
なお、リード線３を接合した半田６と熱電素子５の間隙の最短距離Ｗ１や、リード線３と熱電素子５の間隙の最短距離Ｗ２は、熱電素子５側面から拡大観察することによって確認すれば良い。１００倍程度のＣＣＤカメラが簡便であるが、ＳＥＭやその他の拡大観察を行って判断しても良い。
【００３２】
また、図１（ｃ）に示したように、リード線３を接合した半田６と熱電素子５の間隙６ａ、および／または前記リード線３と熱電素子５の間隙６ａに、反応防止層８を充填しても良い。これによって、間隙６ａを確実なものにすることができ、熱電素子５の性能低下や信頼性低下問題を未然に防止することができる。
【００３３】
前記間隙６ａに充填する反応防止層８は熱電モジュールの使用温度（一般には８０℃程度）に耐え、かつ浸透性の高い樹脂であれば良く、例えばポリエステル樹脂やシリコーン樹脂またはポリイミド樹脂が好適に使用できる。
【００３４】
次に、本発明は対向する支持基板１と、支持基板２に挟持されて配列された複数の熱電素子５と、該複数の熱電素子５を電気的に接続する配線導体４と、該配線導体４に半田７で接合した１対のリード線３を具備する熱電モジュールにおいて、前記リード線３の半田溶融後の半田の冷却速度を５〜５０℃／秒とすることが重要であり、特に好ましくは半田の冷却速度を２０〜４０℃／秒とするのが良い。
【００３５】
これによって、リード線３と配線導体４との接合において、リード線３および半田６と熱電素子５に間隙６ａが生じ、リード線３および半田６と熱電素子５の反応による劣化を未然に防ぐことができる。
【００３６】
なお、半田６の冷却速度は、半田溶融から固相点付近の半田固着までが重要であり、ここでは１００℃〜半田液相温度の範囲における冷却速度を規定した。なお、半田の液相点は、Ｓｎ＝９５体積％、Ｓｂ＝５体積％のＳｎＳｂ半田の場合約２４０℃となり、Ａｕ＝８０体積％、Ｓｂ＝２０体積％のＡｕＳｎ半田の場合約２８０℃となる。  
ところで、リード線３の接合用の半田６の冷却速度が５０℃／秒を越えると、半田６の偏析が大きくなり、半田６の接合信頼性が劣化してしまうという問題がある。また、リード線３の接合用の半田６の冷却速度が５℃／秒より小さくなると、リード線３および半田６と熱電素子５に間隙６ａを設けることができなくなる。なお、半田６の冷却方法は、接合部分に直接常温の窒素を注入する窒素ブローによる冷却が好ましいが、熱容量の小さなレーザ光による半田接合であれば、自然放冷であっても５〜５０℃／秒の冷却速度を達成することが可能となる。
【００３７】
さらに、リード線３を接合するための半田は、ビームスポット径が０．０５〜１ｍｍのレーザ光を用いて溶融させることが好ましい。これにより、半田接合部６のみを加熱可能となり、熱電素子５の特性劣化を防止でき、且つ均質な半田接合が可能となる。
【００３８】
一方、ビームスポット径が１ｍｍを越えると、過熱による熱電素子５の特性劣化等の悪影響が生じてしまう。ビームスポット径が０．０５ｍｍより小さくなると、半田６を全体的に加熱できなくなり、均質な半田接合が困難になる。
【００３９】
なお、このときの半田６は、半田６の液相温度に対して５０℃程高い温度となるよう加熱するのが良い。液相温度に近すぎると、半田６の溶融が不完全となり、高すぎると半田６の飛散や酸化による接合強度の劣化等が生じるためである。このためのレーザ出力は、２０〜５０Watt程が好ましい。
【００４０】
また、リード線３を接合するための半田６は、レーザー光の照射を開始するタイミングに合わせて、糸半田を所定の速度でリード線３の接合部３ａに対して前進させ、レーザー光の照射が完了するタイミングに合わせて糸半田の供給を停止するといった半田送給ロボットによる定量供給が好ましい。一方、所定の大きさに成形されたプリフォーム半田も定量供給が可能であり、好適に用いることができる。
【００４１】
なお、プリフォーム半田の形状については、リード線３を包み込むような形状であっても良いが、配線導体４の端部４ａに合わせた１×１×０．０５mm程の箔形状であっても、好適に用いることができる。
【００４２】
なお、リード線３の少なくとも半田接合部３ａには、あらかじめ液状フラックスを塗布し、これを乾燥させてから上記レーザー光を照射することが好ましい。フラックスの成分については、特に限定されるものではないが、ロジン２５％、イソプロピルアルコール７４．８％、ステアリン酸等からなる有機化合物０．２％からなる非腐食性のフラックスが好適に使用できる。
【００４３】
また、糸半田についてはフラックスを含有させた所謂ヤニ入り半田を使用してもかまわない。
【実施例１】
【００４４】
図１の熱電モジュールを準備した。熱電素子５には、Ｎ型熱電素子５ａとしてＢｉ２Ｔｅ２．８５Ｓｅ０．１５、Ｐ型熱電素子５ｂとしてＢｉ０．４Ｓｂ１．６Ｔｅ３を用いた。なおＮ型熱電素子５ａにはドーパントとしてＳｂＩ３を０．０９重量％添加した。
【００４５】
支持基板１及び２は、長さ１２ｍｍ、幅８ｍｍ、厚み０．３ｍｍのアルミナセラミックを用いた。配線導体４としてＣｕを支持基板１及び２の端面に形成し、Ｎ型熱電素子５ａと、Ｐ型熱電素子５ｂとを配線導体４上に、電気的に直列になるように配置し、熱電素子５を支持基板１及び２で挟持するように半田７を用いて接合した。
【００４６】
なお、Ｎ型熱電素子５ａと、Ｐ型熱電素子５ｂの配列数は３７対とした。
【００４７】
リード線３を配線導体４の端部４ａに接合するための半田６としては、Ｓｂ−Ｓｎ又はＳｎ−Ａｕの糸半田を用いた。リード線３としてはＣｕを主成分とし、表面にＳｎメッキしたものを用いた。
【００４８】
このようなリード線３を接合するための熱電モジュールを準備し、リード線３の少なくとも半田６を接合する先端部３ａに、レーザー光照射前にあらかじめ液状フラックスを塗布した。
【００４９】
なお、フラックスとして、ロジン２５％、イソプロピルアルコール７４．８％、ステアリン酸等からなる有機化合物０．２％からなる非腐食性のフラックス（ＲＭＡ）を用いた。
【００５０】
そして、リード線３を配線導体４の端部４ａに半田６接合した。レーザー光として、ＹＡＧレーザーから発振される３０Ｗａｔｔのレーザー光を、φ０．３ｍｍのビームスポット径に調整して用いた。
【００５１】
このようにして得た熱電モジュールに対し、リード線３および半田６と熱電素子５の間隙６ａを測定した。測定は、リード線３の取り付け部位を１００倍に拡大したＣＣＤカメラ像によって行った。さらに、リード線３および半田６と熱電素子５の間隙６ａに、ポリエステル樹脂やシリコーン樹脂を充填し、反応防止層８としての効果を調査するための熱電モジュールも試作した。
【００５２】
次に、リード線３の接合強度を測定した。リード線３の接合強度は、支持基板１上の配線導体４の端部４ａに半田６で接合したリード線３を引き剥がすのに必要な力を、インストロン製万能試験機１１２５型で測定することによって行い、１０Ｎ以上のものを合格とした。
【００５３】
また、熱電モジュール性能とその信頼性を測定した。熱電モジュール性能は初期値としての最大吸熱量Ｑｃｍａｘを測定し、―４０℃〜８５℃の雰囲気に３０分毎に５０００サイクル暴露した後の最大吸熱量Ｑｃｍａｘを再び測定し、その変化率を評価した。なお、熱電モジュール性能の測定は、１Ｐａ真空中において、熱電モジュールの放熱面を２７℃に保った状態で、冷却面を別途用意したヒータで加熱しつつ、熱電モジュールの放熱面と冷却面温度が同一となったときのヒータ電力を計測することによって行った。この結果を表１に示した。
【表１】
2005101473.tif 000003
【００５４】
本発明の試料Ｎｏ．１〜１６は、外観も良好で、接合強度が１０Ｎ以上、最大吸熱量Ｑｃｍａｘは８Ｗａｔｔ以上と高く、しかもその変化率が５％以下と優れた特性を示した。
【００５５】
特に、リード線３を接合した半田６と熱電素子５の間隙の最短距離Ｗ１、および／または前記リード線３と熱電素子５の間隙の最短距離Ｗ２を変えた試験を行った試料Ｎｏ．１〜１２のうち、間隙の最短距離Ｗ１およびＷ２を０．０００５〜１．５mmとした試料Ｎｏ．６〜１１は、リード線３の接合強度が１０Ｎ以上と大きく、しかも最大吸熱量の変化率が５％以下と小さいことから、信頼性の高い熱電モジュールを得ることができることがわかった。
【００５６】
なお、リード線３を接合した半田６と熱電素子５の間隙６ａ、および／または前記リード線３と熱電素子５の間隙６ａに反応防止層８を充填した試験を行った試料Ｎｏ．１４〜１６は、間隙６ａに充填のない試料Ｎｏ．１３と同様に高いリード線３の接合強度を得た。また、間隙６ａに１×１０１２Ωcm以上の比抵抗を有するポリエステル樹脂やシリコーン樹脂等の絶縁体を充填した試料Ｎｏ．１５〜１６は、半田６との反応による熱電素子５の劣化もなく、試料Ｎｏ．１３と同様に高い信頼性が得られた。
【００５７】
ただし、間隙６ａに１×１０３Ωcm以下の比抵抗を有する導電性の樹脂を充填した試料Ｎｏ．１４は、信頼性がやや劣った。
【００５８】
一方、従来の知見に基づく比較例１〜２は、リード線３の接合強度が低く、また信頼性も悪いものとなった。
【実施例２】
【００５９】
図１の熱電モジュールを準備した。熱電素子５には、Ｎ型熱電素子５ａとしてＢｉ２Ｔｅ２．８５Ｓｅ０．１５、Ｐ型熱電素子５ｂとしてＢｉ０．４Ｓｂ１．６Ｔｅ３を用いた。なおＮ型熱電素子５ａにはドーパントとしてＳｂＩ３を０．０９重量％添加した。
【００６０】
支持基板１及び２は、長さ１２ｍｍ、幅８ｍｍ、厚み０．３ｍｍのアルミナセラミックを用いた。配線導体４としてＣｕを支持基板１及び２の端面に形成し、Ｎ型熱電素子５ａと、Ｐ型熱電素子５ｂとを配線導体４上に、電気的に直列になるように配置し、熱電素子５を支持基板１及び２で挟持するように半田７を用いて接合した。なお、Ｎ型熱電素子５ａと、Ｐ型熱電素子５ｂの配列数は３７対とした。
【００６１】
リード線３を配線導体４の端部４ａに接合するための半田６としては、Ｓｂ−Ｓｎ又はＳｎ−Ａｕの糸半田を用いた。リード線３としてはＣｕを主成分とし、表面にＳｎメッキしたものを用いた。
【００６２】
このようなリード線３を接合するための熱電モジュールを準備し、リード線３の少なくとも半田６を接合する部位３ａに、レーザー光照射前にあらかじめ液状フラックスを塗布した。なお、フラックスとして、ロジン２５％、イソプロピルアルコール７４．８％、ステアリン酸等からなる有機化合物０．２％からなる非腐食性のフラックス（ＲＭＡ）を用いた。
【００６３】
そして、リード線３を配線導体４に半田６接合した。半田接合の手段としては、レーザー光による手段の他に、リフロー炉やホットプレートを用いた。
【００６４】
ここで、リード線３を接合した半田６と熱電素子５の間隙の最短距離Ｗ１、および／または前記リード線３と熱電素子５の間隙の最短距離Ｗ２と半田６の冷却速度に関する実験を行った。
【００６５】
なお、この時の半田接合にけるレーザー光の照射時間τは、０．５〜１０秒とした。
【表２】
2005101473.tif 000004
【００６６】
本発明の試料Ｎｏ．１〜７は、リード線３を接合した半田６と熱電素子５の間隙の最短距離Ｗ１、および／または前記リード線３と熱電素子５の間隙の最短距離Ｗ２を、０．０００５〜１．５mmに確保することができ、良好な製造方法であることがわかった。特に、半田６の冷却速度を２０〜４０℃／秒とした試料Ｎｏ．２〜３のものは、リード線３を接合した半田６と熱電素子５の間隙の最短距離Ｗ１、および／または前記リード線３と熱電素子５の間隙の最短距離Ｗ２を０．００５mmに保つことができ、最も優れていた。
【００６７】
なお、この試料Ｎｏ．１〜７の場合、配線導体４にリード線３を半田接合する方法は、リード線３と配線導体４と半田６を加熱する第一工程、半田溶融して熱電素子５に付着させる第二工程、半田６を冷却し熱電素子５から剥離して間隙６ａを形成する第三工程から成っていた。
【００６８】
次に、レーザ光のビームスポット径を変更してリード線３を接合する試験を行った試料Ｎｏ．４〜７においては、ビームスポット径を０．０３ｍｍとした試料Ｎｏ．５が信頼性がやや低く、またビームスポット径を１．２ｍｍとした試料Ｎｏ．７も信頼性がやや低い結果となった。しかし、ビームスポット径が０．０５〜１ｍｍのレーザ光を用いて溶融させた試料Ｎｏ．４および試料Ｎｏ．６は半田接合部６のみを加熱可能となり、良好な信頼性を得られた。
【００６９】
一方、従来の知見に基づく比較例１〜４は、リード線３を接合した半田６と熱電素子５の間隙の最短距離Ｗ１、および／または前記リード線３と熱電素子５の間隙の最短距離Ｗ２が不適切であり、信頼性も悪いものとなった。また、この比較例１〜３の場合、配線導体４にリード線３を半田接合する方法は、リード線３と配線導体４と半田を加熱する第一工程、半田溶融して熱電素子５に付着させる第二工程までであって、半田を冷却し熱電素子５から剥離して間隙６ａを形成する第三工程は行われず、したがってリード線３を接合した半田６と熱電素子５の間隙６ａ、および／または前記リード線３と熱電素子５の間隙６ａは皆無であった。
【００７０】
さらに、リード線３接合用の半田６の冷却速度を５０℃／秒以上とした比較例４は、半田６の偏析が大きくなり、熱電モジュールの信頼性が劣化してしまうという問題が生じた。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の熱電モジュールの半田接合部分を示すもので、（ａ）拡大断面図、（ｂ）間隙拡大断面図、（ｃ）反応防止層の拡大断面図である。
【図２】熱電モジュールを示す斜視図である。
【図３】従来の熱電モジュールの半田接合部分を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１、２・・・支持基板
３ａ・・・リード線の先端部（半田接合部）
４・・・配線導体
４ａ・・・配線導体の端部（リード線の取付部）
５・・・熱電素子
５ａ・・・Ｎ型熱電素子
５ｂ・・・Ｐ型熱電素子
６・・・熱電素子とリード線の接合部の半田
６ａ・・・熱電素子とリード線及び／またはリード線の接合用半田の間隙
７・・・熱電素子と配線導体の接合部の半田
８・・・反応防止層
【図１】
2005101473.tif 000005
【図２】
2005101473.tif 000006
【図３】
2005101473.tif 000007