(57)【要約】【課題】ラミネートロールを用いてフレキシブル性のあるＢＧＡテープに半導体素子を実装することにより、位置決め、マウント、チップ接続を1工程で行い、簡易に生産性を高めることができるＢＧＡテープへの半導体素子の実装方法を提供することを目的とする。【解決手段】電極１３上にはんだバンプ３１を形成したフィルム基材１１に、アンダーフィル材となる液状樹脂を塗布してアンダーフィル層２１を形成したＢＧＡテープ１０を作製し、ＢＧＡテープ１０のはんだバンプ３１と、搬送トレイ５１に搭載された半導体素子４１のバンプ電極４２とを加圧テーブル７１上にて位置合わせし、所定温度に加熱されたラミネートロール６１にて加圧することにより、ＢＧＡテープ１０に半導体素子４１を実装することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＢＧＡテープに半導体素子を実装する実装方法において、予めアンダーフィル層が形成されたＢＧＡテープのはんだバンプと、半導体素子のバンプ電極とを位置合わせし、ラミネートロールにて加熱、加圧して半導体素子を実装することを特徴とするラミネートロールを用いたＢＧＡテープへの半導体素子の実装方法。
【請求項２】
ＢＧＡテープに半導体素子を実装する実装方法において、電極が形成されたフィルム基材と、所定位置にはんだボールを埋め込んだ熱硬化型接着シートとを貼り合わせ、前記フィルム基材上にはんだバンプとアンダーフィル層が形成されたＢＧＡテープを作製し、前記ＢＧＡテープのハンダバンプと、半導体素子のバンプ電極とを位置合わせし、ラミネートロールにて加熱、加圧して半導体素子を実装することを特徴とするラミネートロールを用いたＢＧＡテープへの半導体素子の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、従来のワイヤボンディング法に対して種々のメリットがあるフリップチップ接続によるベアチップ実装に、リール トウ リール工程により作成したＢＧＡテープを使用した半導体素子の実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フリップチップによる半導体素子の実装は通常、予めバンプが形成された個別の半導体素子のバンプをプリント基板に形成されたはんだ電極に位置合わせするようにして、フリップチップ素子をプリント基板上にマウントし、リフローによりはんだを溶融してフリップチップ接続を完成させるという実装方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このとき、ハンダは、バンプそのものである場合もあるし、基板側にプリコートされたハンダである場合もある。このようにしてプリント基板上に搭載された半導体素子は、バンプにかかる微小応力を低減させ、外部の湿度や衝撃から素子を保護し、十分な信頼性を確保する目的で、半導体素子とプリント基板との間にアンダーフィルを形成しており、フリップチップによる半導体素子の実装では必須になっている。
【０００３】
しかし、上記実装方法は、半導体素子とプリント基板の位置決めから実装まで工数がかかるという欠点を有する為、生産性が低いという問題を有している。
【特許文献１】特開平１１−３０７５８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで本発明では、ラミネートロールを用いてフレキシブル性のあるＢＧＡテープに半導体素子を実装することにより、位置決め、マウント、チップ接続を1工程で行い、簡易に生産性を高めることができるＢＧＡテープへの半導体素子の実装方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題を達成するために、まず請求項１においては、ＢＧＡテープに半導体素子を実装する実装方法において、予めアンダーフィル層が形成されたＢＧＡテープのはんだバンプと、半導体素子のバンプ電極とを位置合わせし、ラミネートロールにて加熱、加圧して半導体素子を実装することを特徴とするラミネートロールを用いたＢＧＡテープへの半導体素子の実装方法としたものである。
【０００６】
また、請求項２においては、ＢＧＡテープに半導体素子を実装する実装方法において、電極が形成されたフィルム基材と、所定位置にはんだボールを埋め込んだ熱硬化型接着シートとを貼り合わせ、前記フィルム基材上にはんだバンプとアンダーフィル層が形成されたＢＧＡテープを作製し、前記ＢＧＡテープのハンダバンプと、半導体素子のバンプ電極とを位置合わせし、ラミネートロールにて加熱、加圧して半導体素子を実装することを特徴とするラミネートロールを用いたＢＧＡテープへの半導体素子の実装方法としたものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のＢＧＡテープへの半導体素子の実装方法によれば、ラミネーターロールを用いてＢＧＡテープに半導体素子を実装しているので、最初に位置合わせを行うだけで、ＢＧＡテープに連続的に半導体素子を実装できる為、簡易に高生産性を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、請求項１に係るラミネートロールを用いたＢＧＡテープへの半導体素子の実装方法の一実施例を示す説明図である。
図２は、請求項２に係るラミネートロールを用いたＢＧＡテープへの半導体素子の実装方法の一実施例を示す説明図である。
請求項１に係るラミネートロールを用いたＢＧＡテープへの半導体素子の実装方法について説明する。
図３（ａ）〜（ｃ）に、ＢＧＡテープ１０（図１のＡ部）、半導体素子４１（図１のＢ部）及びＢＧＡテープ１０に半導体素子４１が接合された状態（図１のＣ部）を模式的に示す構成断面図をそれぞれ示す。
まず、エポキシ、ポリイミド等の絶縁フィルムの電極１３上にはんだバンプ３１及び配線層（特に、図示せず）等を形成したフィルム基材１１に、アンダーフィル材となる液状樹脂を塗布してアンダーフィル層２１を形成したＢＧＡテープ１０を作製する。
一方、搬送トレイ５１の凹み５２にバンプ電極４２が形成された半導体素子４１を載置し、搬送トレイ５１はガイドローラー５３を含む搬送機構により搬送される。
【０００９】
搬送ローラー６２にて搬送されたＢＧＡテープ１０のはんだバンプ３１（図３（ａ）参照）と、搬送トレイ５１に搭載された半導体素子４１のバンプ電極４２（図３（ｂ）参照）とを加圧テーブル７１上にて位置合わせし、所定温度に加熱されたラミネートロール６１にて加圧することにより、ＢＧＡテープ１０のはんだバンプ３１が溶融して、ＢＧＡテープ１０の電極１３と半導体素子４１のバンプ電極４２とがはんだ３１ａにより接合される（図３（ｃ）参照）。
ここで、半導体素子４１のバンプ電極４２は、ニッケル等のはんだバンプ３１よりも硬くて、融点の高い金属で形成し、バンプ電極４２先端を鋭角にしておくとよい。
【００１０】
さらに、半導体素子４１が実装されたＢＧＡテープ１０は、搬送トレイ５１と一緒に搬送されて冷却された後、半導体素子４１は搬送トレイ５１から移行し、半導体素子４１が実装されたＢＧＡテープ１０を得ることができる。
【００１１】
請求項２に係るラミネートロールを用いたＢＧＡテープへの半導体素子の実装方法について説明する。
図４（ａ）〜（ｅ）に、熱硬化型接着シート２２（図２のＡ部）、フィルム基材１２（図２のＢ部）、ＢＧＡテープ１０ａ（図２のＣ部）、半導体素子４１（図２のＤ部）及びＢＧＡテープ１０ａに半導体素子４１が接合された状態（図２のＥ部）を模式的に示す拡大断面図をそれぞれ示す。
【００１２】
まず、エポキシ、ポリイミド等の絶縁フィルムに電極１３及び配線層（特に、図示せず）等を形成したフィルム基材１２を作製する（図４（ａ）参照）。
次に、エポキシ、ポリイミド等の絶縁フィルム１２の所定位置にハンダボール３２を埋め込んだ熱硬化型接着シート２２を作製する（図４（ｂ）参照）。
上記フィルム基材１２の電極１３と、熱硬化型接着シート２２のハンダボール３２とを位置合わせして、搬送ロール６２及び加熱ロール６３で加圧、加熱して、フィルム基材１２の電極１３上にはんだバンプ３２ａとアンダーフィル層２２ａが形成されたＢＧＡテープ１０ａを作製する（図２及び図４（ｃ）参照）。
【００１３】
一方、搬送トレイ５１の凹み５２にバンプ電極４２が形成された半導体素子４１を載置し、搬送トレイ５１はガイドローラー５３を含む搬送機構により搬送される。
【００１４】
ＢＧＡテープ１０ａのはんだバンプ３２ａ（図４（ｃ）参照）と、搬送トレイ５１に搭
載された半導体素子４１のバンプ電極４２（図４（ｄ）参照）とを加圧テーブル７１上にて位置合わせし、所定温度に加熱されたラミネートロール６１にて加熱、加圧することにより、ＢＧＡテープ１０ａのはんだバンプ３２ａが溶融して、ＢＧＡテープ１０の電極１３と半導体素子４１のバンプ電極４２とがはんだ３２ｂで接合される（図２及び図４（ｅ）参照）。
ここで、半導体素子４１のバンプ電極４２は、ニッケル等のはんだバンプ３２ａよりも硬くて、融点の高い金属で形成し、バンプ電極４２先端を鋭角にしておくとよい。
【００１５】
さらに、半導体素子４１が実装されたＢＧＡテープ１０ａは、搬送トレイ５１と一緒に搬送されて冷却された後、半導体素子４１は搬送トレイ５１からＢＧＡテープ１０ａに移行し、半導体素子４１が実装されたＢＧＡテープ１０ａを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】請求項１に係るラミネートロールを用いたＢＧＡテープへの半導体素子の実装方法の一実施例を示す説明図である。
【図２】請求項２に係るラミネートロールを用いたＢＧＡテープへの半導体素子の実装方法の一実施例を示す説明図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、ＢＧＡテープ１０（図１のＡ部）、半導体素子４１（図１のＢ部）及びＢＧＡテープ１０に半導体素子４１が接合された状態（図１のＣ部）を模式的に示す説明図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、熱硬化型接着シート２２（図２のＡ部）、フィルム基材１２（図２のＢ部）、ＢＧＡテープ１０ａ（図２のＣ部）、半導体素子４１（図２のＤ部）及びＢＧＡテープ１０ａに半導体素子４１が接合された状態（図２のＥ部）を模式的に示す説明図である。
【符号の説明】
【００１７】
１０、１０ａ……ＢＧＡテープ
１１、１２……フィルム基材
１３……電極
２１、２２ａ……アンダーフィル層
２２……熱硬化型接着シート
３１、３２ａ……はんだバンプ
３２……はんだボール
３１ａ、３２ｂ……はんだ
４１……半導体素子
４２……バンプ電極
５１……搬送トレイ
５２……凹み
５３……ガイドローラー
６１……ラミネートロール
６２……搬送ロール
６３……加熱ロール
７１……加圧テーブル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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