(57)【要約】【課題】半導体装置の製造コストを低くすることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】リードフレーム２のアイランド３に下チップ４を搭載し、その下チップ４の上に上チップ５を搭載して、下チップ４と上チップ５のそれぞれのパッドにあらかじめ金バンプ７及び金バンプ８を形成し、下チップ４と上チップ５間を細い金線９を用いてボンディングによって結線すると共に太い金線６を用いて下チップ４とリード２とをボンディングによって結線する。次いで樹脂１０による樹脂封止を行いリードフレーム２のリードを切断して所定の形状に形成して半導体装置１を得る。【選択図】図１
2005012140.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームのアイランドに複数のチップを搭載してモールド樹脂に封入してなる半導体装置であって、リードフレームのリードとアイランドに搭載したチップとを結線するワイヤの直径よりも小なる直径のワイヤによってチップ相互を結線してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数のチップが積層されることによって上下に配置された上チップと下チップの当該上チップのパッドに金ボールバンプまたは金めっきバンプが形成され、下チップのパッドから上チップのバンプへリバースボンディング法による結線が設けられてなる請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
複数のチップが積層されることによって上下に配置された上チップと下チップの当該下チップのパッドに金ボールバンプまたは金めっきバンプが形成され、リードフレームのリードから下チップの金ボールバンプまたは金めっきバンプへリバースボンディングを行う請求項１または請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
リードフレームのアイランドに複数のチップを搭載し、モールド樹脂に封入する半導体装置の製造方法であって、リードフレームのリードとアイランドに搭載したチップとを結線するワイヤの直径よりも小なる直径のワイヤによってチップ相互を結線することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
複数のチップを上下方向に積層し、上下に配置された上チップと下チップの当該上チップのパッドに金ボールバンプまたは金めっきバンプを形成し、下チップのパッドから上チップのバンプへリバースボンディング法による結線を行う請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
複数のチップを上下方向に積層し、上下に配置された上チップと下チップの当該下チップのパッドに金ボールバンプまたは金めっきバンプを形成し、リードフレームのリードから下チップの金ボールバンプまたは金めっきバンプへリバースボンディングを行う請求項４または請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関するものであって、特に、リードフレームのアイランドに複数のチップを搭載してモールド樹脂に封入してなる半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
リードフレームのアイランドに複数のチップを搭載してモールド樹脂に封入してなる半導体装置のチップ間の結線及びチップとリードフレームのリード間の結線には、一般的に同一の直径の金線が用いられている。係る金線の直径の決定は、チップとリード間に関しては、結線によって得られる結線状態の如何に基づきチップとリードとの相対移動を考慮して行われている。
【０００３】
この半導体装置のチップとリードフレームのリード間の結線に関し特許文献１によれば、図５に示されるようにチップ１０１からインナリード１０４へのワイヤボンディングを直径の異なる２種類の金線１１ａ、１１ｂで行う方法が開示されている。
【０００４】
またこの半導体装置のチップ間の結線及びチップとリードフレームのリード間の結線に関し、特許文献２には、図６に示されるようにチップ１０１ａ、チップ１０１ｂ、チップ１０１ｃとリード１０４とを各々結線する方法が示されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開昭６３−８７７２９
【０００６】
【特許文献２】
特開２００１−１１８８７７
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１の構造では直径の異なる２種類の金線１１ａ、１１ｂを用いているがチップ１０１とインナリード１０４とを結線しているので細いほうの金線の直径は安定量産を保証するためには２１μｍ以上とする必要がある。したがって、太い方の金線の直径は２５μｍ〜３０μｍ以上とする必要があり、太いほうの金線の直径を大きくする分、半導体装置の製造コストが高くなるという欠点がある。
【０００８】
特許文献２の構造もチップ１０１ａ、チップ１０１ｂ、チップ１０１ｃとリード１０４とを各々結線する方法であり、金線１１ａ、１１ｂ、１１ｃの直径を２１μｍ未満にすると安定した量産性を保証することができなくなる。したがって安定した量産性を保証するためには金線１１ａ、１１ｂ、１１ｃのいずれの直径も２１μｍ以上とする必要があり、やはり半導体装置の製造コストが高くなるという欠点がある。
【０００９】
本発明は以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであって、半導体装置の製造コストを低くすることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００１０】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を達成する本発明の半導体装置は、リードフレームのアイランドに複数のチップを搭載してモールド樹脂に封入してなる半導体装置であって、リードフレームのリードとアイランドに搭載したチップとを結線するワイヤの直径よりも小なる直径のワイヤによってチップ相互を結線してなることを特徴とする。
【０００１１】
以上の本発明の半導体装置によればチップ同志の結線に必要以上に太い金線が用いられることはなく金線に要する費用を節減し半導体装置の製造コストを低くすることができる。
【０００１２】
さらに本発明の半導体装置の製造方法は、リードフレームのアイランドに複数のチップを搭載し、モールド樹脂に封入する半導体装置の製造方法であって、リードフレームのリードとアイランドに搭載したチップとを結線するワイヤの直径よりも小なる直径のワイヤによってチップ相互を結線することを特徴とする。
【０００１３】
以上の本発明の半導体装置の製造方法によればチップ同志の結線に細い金線を用いることができ金線に要する費用を節減し半導体装置の製造コストを低くすることができる。
【００１４】
【作用】
リードフレームのアイランドに複数のチップを搭載してモールド樹脂に封入してなる半導体装置のチップとリードフレームのリード間の結線に用いられる金線の直径の決定は、結線によって得られる結線状態の如何に基づきチップとリードとの相対移動を考慮して行う必要がある。しかし、チップ相互間の結線には振動による相対移動がないという点を考慮するとチップとリードフレームのリード間の結線に用いられる金線よりも細くすることが可能である。係る点から本発明の半導体装置ではリードとチップのボンディングにあたって用いられる金線よりも経の小さな金線を用いて、チップ相互間のボンディングを行うので半導体装置の製造コストを削減することができる。また、チップのパッドにあらかじめ金バンプを形成した後にリバースボンディング法により行うので、金線の高さを低くすることができる。すなわちボンディングワイヤの一端がそれぞれボールボンディングによりボンディングパッドにボンドされ、他端がそれぞれステッチボンディングによりチップパッドの金バンプにボンドされる。従って、ボンディングワイヤのワイヤループの高さが低くなり、これにより、チップ相互間の空間の高さを最小化することができ、パッケージの全体厚さを低減することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
次に本発明の半導体装置の一実施の形態について、図面を用いて説明する。
図１に示されるように本実施の形態では、半導体装置１のリードフレーム２のアイランド３に下チップ４が接着剤により搭載され、その上に上チップ５が同じく接着剤によって搭載されている。下チップ４とリードは太い金線６で結線され、下チップ４と上チップ５それぞれには金バンプ７及び金バンプ８が設けられ、この金バンプ７及び金バンプ８間が前記金線６より細い金線９で結線されている。太い金線６の直径は２１μｍ程度以上であり、細い金線９の直径は２０μｍ以下である。また半導体装置１は樹脂１０によって下チップ４及び上チップ５が樹脂封止されて構成されている。
【００１６】
本発明の半導体装置１の製造過程を図２から図４に示す。
まず図２に示されるようにリードフレーム２のアイランド３に下チップ４を接着剤を用いて搭載し、その下チップ４の上にもうひとつの上チップ５をこれも接着剤を用いて搭載する。
次に図３に示されるように金線６、９を用いてワイヤボンディングを行う。まず、下チップ４と上チップ５のそれぞれのパッドにあらかじめ金バンプ７及び金バンプ８を形成する。次に下チップ４と上チップ５間を細い金線９を用いてボンディングによって結線する。  次に太い金線６を用いて下チップ４とリード２とをボンディングによって結線する。以上の下チップ４と上チップ５間のワイヤボンディングと下チップ４とリード２とのワイヤボンディングとの順序は何れを先行して行っても良い。
次いで図４に示されるように図示しない金型を用いて樹脂１０による樹脂封止を行う。その後、リードフレーム２のリードを切断して所定の形状に形成し、図１に示される半導体装置１を得る。
【００１７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体装置ではリードとチップのボンディングにあたって用いられる金線よりも経の小さな金線を用いて、上下チップ間のボンディングを行うので半導体装置の製造コストを削減することができる。また、チップのパッドにあらかじめ金バンプを形成した後にリバースボンディング法により結線を行うので、金線の高さを低くすることができ、パッケージの全体厚さを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の半導体装置の構造を説明する断面模式図である。
【図２】図１に示す本発明の実施の形態の半導体装置の製造工程を示す説明図である。
【図３】同じく図１に示す本発明の実施の形態の半導体装置の製造工程を示す説明図である。
【図４】同じく図１に示す本発明の実施の形態の半導体装置の製造工程を示す説明図である。
【図５】従来の半導体装置の結線状態を示す説明図である。
【図６】同じく従来の半導体装置の結線状態を示す説明図である。
【符号の説明】
１・・・半導体装置、２・・・リードフレーム、３・・・アイランド、４・・・下チップ、５・・・上チップ、６，９・・・金線、７，８・・・金バンプ、１０・・・樹脂
【図１】
2005012140.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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