(57)【要約】【課題】  ステンシルマスクの機械的強度の向上を目的とする。また、ステンシルマスクの開口部を減少させることにより、荷電粒子同士がクーロン力により反発してビームが広がることを抑制する。【解決手段】  荷電粒子線投影露光装置１００と、露光に用いるマスクパターンを細らせて製作したステンシルマスク６を使用する。そして、そのステンシルマスク６を用いて荷電粒子線投影露光装置１００にて露光する際に、電子ビーム２の電子光学系条件、ステンシルマスク６の位置、もしくはウエハ９の位置を変化させることで、ウエハ９に対して電子ビーム２を動かして、ウエハ９に転写されるパターンの線幅を太らせる。これにより、開口部面積の小さいステンシルマスク６の提供を可能とする。【選択図】        図２
2005101292.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有するマスクを使用して荷電粒子線により基板面を露光する荷電粒子線投影露光装置において、
前記開口部を通過する荷電粒子による基板面上の照射範囲を前記基板面上で移動させる照射範囲移動手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線投影露光装置。
【請求項２】
前記照射範囲移動手段は、
荷電粒子線の偏光を制御する偏光制御部を備えたことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線投影露光装置。
【請求項３】
前記照射範囲移動手段は、
前記マスクを保持するとともに前記マスクを移動可能に保持するマスク保持部と、
前記マスク保持部の移動を制御する移動制御部と
を備えたことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線投影露光装置。
【請求項４】
前記照射範囲移動手段は、
基板を支持するとともに前記基板を移動可能に載置するステージと、
前記ステージの移動を制御するステージ制御部と
を備えたことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線投影露光装置。
【請求項５】
荷電粒子線を通過させて基板面を照射して露光し、前記基板面に所定寸法の露光領域を形成する開口域を有する露光用マスクにおいて、
前記開口域は、
通過させた荷電粒子線による前記基板面上への照射範囲を前記基板面上に固定して露光した場合に前記所定寸法の露光領域が形成されるであろう開口域の寸法よりも小さい寸法で形成されたことを特徴とする露光用マスク。
【請求項６】
前記露光用マスクは、
前記開口域を通過して基板面を照射する荷電粒子線の照射範囲を移動させることにより前記基板面上に前記所定寸法の露光域を形成する荷電粒子線投影露光装置に使用され、
前記開口域の有する寸法は、
前記荷電粒子線投影露光装置が荷電粒子線の照射範囲を移動させる移動量と所定の対応関係を有することを特徴とする請求項５記載の露光用マスク。
【請求項７】
前記露光用マスクは、
基板面に転写しようとするマスクパターンを複数に分割した部分を前記開口域として有する分割マスクであることを特徴とする請求項５または６記載の露光用マスク。
【請求項８】
前記露光用マスクは、
基板面に転写しようとするマスクパターンを相補分割した部分を前記開口部として有する相補分割マスクであることを特徴とする請求項５または６記載の露光用マスク。
【請求項９】
荷電粒子線を通過させて基板面を照射して露光し、前記基板面に所定寸法の露光領域を形成する開口域を有する露光用マスクの製造方法において、
前記開口域は、
通過させた荷電粒子線による前記基板面上への照射範囲を前記基板面上に固定して露光した場合に前記所定寸法の露光領域が形成されるであろう開口域の寸法よりも小さい寸法で形成されることを特徴とする露光用マスクの製造方法。
【請求項１０】
荷電粒子線を通過させて基板面を照射して露光し、前記基板面に所定寸法の露光領域を形成する開口域を有する露光用マスクと、開口域を有する露光用マスクを使用して荷電粒子線により基板面を露光する荷電粒子線投影露光装置とを備えた荷電粒子線投影露光システムにおいて、
前記露光用マスクは、
前記開口域が、通過させた荷電粒子線による基板面上への照射範囲を前記基板面上に固定して露光した場合に前記所定寸法の露光領域が形成されるであろう開口域の寸法よりも小さい寸法で形成され、
前記荷電粒子線投影露光装置は、
前記露光用マスクが前記開口域を通過させた荷電粒子線による前記基板面上の照射範囲を前記基板面上で移動させる照射範囲移動手段を有することを特徴とする荷電粒子線投影露光システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクを用いた荷電粒子線投影露光装置に関する。また、荷電粒子線投影露光に用いるマスクに関する。例えば、露光に用いるマスク、マスクの製造方法、及びマスクを用いる露光装置とに関する。
【背景技術】
【０００２】
この電子線投影露光技術として、特開平９−１３９３４４において、電子ビームのビーム径をマスク上で１ｍｍ角程度として、露光用マスクとして４倍のステンシルマスクを用い、ウェハ上での最大露光面積を２５０ｕｍ角（この同時に露光する領域をサブフィールドと呼ぶ）で露光を行う手法が提案されている。ここで用いられるステンシルマスクは試料に形成するチップの全パターンを分割した多数の分割マスクで構成されており、その分割マスクに対して電子ビームによる一括露光を行う手法が提案されている。
【０００３】
図５は、電子線投影露光技術で用いるステンシルマスク６の断面図を示す。ステンシルマスク６は、パターン開口１２（開口域）、メンブレン１３、梁１４、サポート基板部１５を備えている。ステンシルマスク６では、パターンを微細に加工するために非常に薄い、具体的には０．１ｕｍから２ｕｍのＳｉ（ケイ素）などから構成された膜にマスクパターンに相当する部分の開口部（以下、開口域ともいう）を必要とする。このため、図６（ａ）に示すドーナッツ状のパターンは開口中心部のパターンが欠落してしまうため（開口中心部は重力により落ちてしまう）、マスクが形成できないという問題がある（いわゆるドーナッツ問題）。この問題に対応するために、例えば特開平６−１３２２０６では、このようなパターンを複数のマスクに分割するという手法が提案されており、一般に相補分割と呼ばれている。
【０００４】
また、ドーナッツ状パターンだけでなく、図６（ｂ）に示すリーフ状パターンや、図６（ｃ）に示すアスペクト比の大きなパターンなども、相補分割しなければ精度よくマスクが形成できないとされ、そのための相補分割手法も提案されている（特開２００１−２４４１９２など）。
【０００５】
電子線投影露光技術で用いるステンシルマスクでは、前述したように非常に薄いＳｉなどから構成された膜にマスクパターンに相当する部分の開口部を必要とする。このためステンシルマスクは機械的強度が低く、開口部の分布によっては梁として残った部分が細くなったりして非常に歪みやすい。また、露光に電荷をもつ荷電粒子線（主に電子線）を用いるので、ステンシルマスクの開口部を通過した荷電粒子同士がクーロン力により反発してビームが広がってしまうので、開口率を大きくすると解像限界が悪化してしまう。
【０００６】
これらの問題を解決するためにも前述した相補分割は有効である。なぜなら複数のマスクにパターンを分割すれば開口率はマスクの枚数分の一になるし、開口率が下がればそれだけパターン間の距離も大きくなり、つまり梁として残った部分が太くなり機械的強度が高くなるからである。
【０００７】
以上のように、ステンシルマスクは機械的強度向上の要請、開口部の減少の要請が大きいが、例えば、特開平９−１３９３４４は電子ビームの一括露光を開示するに止まり、また、特開平６−１３２２０６、特開２００１−２４４１９２は、相補分割の手法を開示するに止まり、更なるステンシルマスクの機械的強度の向上、開口部の減少についての技術を開示するものではない。
【特許文献１】特開平９−１３９３４４
【特許文献２】特開平６−１３２２０６
【特許文献３】特開２００１−２４４１９２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、この相補分割による機械的強度の向上の効果をさらに進めるもので、ステンシルマスクの機械的強度の向上を目的とする。また、ステンシルマスクの開口部を減少させて荷電粒子同士がクーロン力により反発してビームが広がってしまうことを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の荷電粒子線投影露光装置は、
開口部を有するマスクを使用して荷電粒子線により基板面を露光する荷電粒子線投影露光装置において、
前記開口部を通過する荷電粒子による基板面上の照射範囲を前記基板面上で移動させる照射範囲移動手段を備えたことを特徴とする。
【００１０】
前記照射範囲移動手段は、
荷電粒子線の偏光を制御する偏光制御部を備えたことを特徴とする。
【００１１】
前記照射範囲移動手段は、
前記マスクを保持するとともに前記マスクを移動可能に保持するマスク保持部と、
前記マスク保持部の移動を制御する移動制御部と
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
前記照射範囲移動手段は、
基板を支持するとともに前記基板を移動可能に載置するステージと、
前記ステージの移動を制御するステージ制御部と
を備えたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の露光用マスクは、
荷電粒子線を通過させて基板面を照射して露光し、前記基板面に所定寸法の露光領域を形成する開口域を有する露光用マスクにおいて、
前記開口域は、
通過させた荷電粒子線による前記基板面上への照射範囲を前記基板面上に固定して露光した場合に前記所定寸法の露光領域が形成されるであろう開口域の寸法よりも小さい寸法で形成されたことを特徴とする。
【００１４】
前記露光用マスクは、
前記開口域を通過して基板面を照射する荷電粒子線の照射範囲を移動させることにより前記基板面上に前記所定寸法の露光域を形成する荷電粒子線投影露光装置に使用され、
前記開口域の有する寸法は、
前記荷電粒子線投影露光装置が荷電粒子線の照射範囲を移動させる移動量と所定の対応関係を有することを特徴とする。
【００１５】
前記露光用マスクは、
基板面に転写しようとするマスクパターンを複数に分割した部分を前記開口域として有する分割マスクであることを特徴とする。
【００１６】
前記露光用マスクは、
基板面に転写しようとするマスクパターンを相補分割した部分を前記開口部として有する相補分割マスクであることを特徴とする。
【００１７】
本発明の露光用マスクの製造方法は、
荷電粒子線を通過させて基板面を照射して露光し、前記基板面に所定寸法の露光領域を形成する開口域を有する露光用マスクの製造方法において、
前記開口域は、
通過させた荷電粒子線による前記基板面上への照射範囲を前記基板面上に固定して露光した場合に前記所定寸法の露光領域が形成されるであろう開口域の寸法よりも小さい寸法で形成されることを特徴とする。
【００１８】
本発明の荷電粒子線投影露光システムは、
荷電粒子線を通過させて基板面を照射して露光し、前記基板面に所定寸法の露光領域を形成する開口域を有する露光用マスクと、開口域を有する露光用マスクを使用して荷電粒子線により基板面を露光する荷電粒子線投影露光装置とを備えた荷電粒子線投影露光システムにおいて、
前記露光用マスクは、
前記開口域が、通過させた荷電粒子線による基板面上への照射範囲を前記基板面上に固定して露光した場合に前記所定寸法の露光領域が形成されるであろう開口域の寸法よりも小さい寸法で形成され、
前記荷電粒子線投影露光装置は、
前記露光用マスクが前記開口域を通過させた荷電粒子線による前記基板面上の照射範囲を前記基板面上で移動させる照射範囲移動手段を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ステンシルマスクの開口率を下げることができる。その結果、マスクの機械的強度の向上を図ることができる。また、マスクの開口部を減少させて荷電粒子同士がクーロン力により反発してビームが広がり解像度が低下することを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
実施の形態１．
以下に、本発明の実施の形態１を示す。図１〜図３を使用して説明する。実施の形態１は、マスクに形成するマスクパターンを、ウエハ９（基板）に対して電子ビーム２を移動させない場合に比べて細らせてマスクを製作する。そして、そのマスクを用いて露光する際に、電子ビーム２の電子光学系条件もしくはマスク位置もしくはウエハ９の位置を変化させることで、ウエハ９における電子ビーム２を動かして、ウエハ９に転写されるパターンの線幅をパターンを細らせた量に対応して太らせることにより所望のパターンをウエハ９に露光する。
【００２１】
図１は、実施の形態１に係る荷電粒子線投影露光装置１００を示す図である。実施の形態１では荷電粒子線として電子ビーム２を想定する。荷電粒子線投影露光装置１００は、電子ビーム２の電子光学条件を変化させ、あるいは、ステンシルマスク６の位置を変化させ、あるいは、ウエハ９の位置を変化させることで、ウエハ９に対する電子ビーム２を動かして、ウエハ９に転写されるステンシルマスク６のパターンを太らせることが特徴である。すなわち、ステンシルマスク６のパターン（開口域）は、ウエハ９に転写されるパターンを太らせない場合に比べて、太らせ量に相当する寸法だけ小さい寸法で形成されている。したがって、開口率を下げることができ、ステンシルマスク６の強度を高めることができる。
【００２２】
荷電粒子線投影露光装置１００は、電子ビーム２を発する電子銃１、電子ビーム２を通過させるアパーチャー３、コンデンサレンズ４、電子ビーム２の変更を制御する偏光制御部５、ウエハ９に転写するパターンを有するステンシルマスク６、ステンシルマスク６を保持するマスク保持部７、マスク保持部７の移動を制御する移動制御部８、ウエハ９、ウエハ９を載置するステージ１０、およびステージ１０の移動を制御するステージ制御部１１を備えている。
【００２３】
図２は、実施の形態１に係るステンシルマスク６を説明するための概念図である。図２（ａ）、図２（ｂ）では、ハッチングをつけた部分がパターン（開口域）である。また、図２（ｃ）ではハッチングをつけた部分が露光後のパターンを示している。実施の形態１に係るステンシルマスク６は、図２（ｂ）に示すパターン（開口域）を有することが大きな特徴である。実施の形態１に係るマスクは、全体的な形状は図５に示すマスクと同様である。図２（ａ）は、パターン（開口域）を通過させた電子ビーム２によるウエハ９の面上への照射範囲をウエハ９の面上に固定して露光した場合に所望の露光パターンが形成されるであろう前記パターン（開口域）の寸法を示している。なお、線幅の寸法のみを示し他の寸法は省略してある。この寸法のパターンを以下、「元のパターン」ともいう。すなわち、「元のパターン」は、電子ビーム２の電子光学条件、ステンシルマスク６の位置、あるいは、ウエハ９の位置等のいずれも変化させずウエハ９に対する電子ビーム２を動かさないで所望のマスクパターンをウエハ９に露光する場合のマスクのパターンである。図２（ｂ）は、パターン（開口域）を通過させた電子ビーム２によるウエハ９の面上への照射範囲をウエハ９の面上に固定して露光した場合に、所望の露光パターンが形成されるであろう前記パターン（開口域）よりも小さい寸法により、マスクに実際に形成されるパターンを示す。ここで、「前記パターン（開口域）よりも小さい寸法」とは、パターンの一部の寸法が小さくても良いし、パターンの全部の寸法が小さい場合でもよい。マスクに実際に形成されるパターンの開口部（開口域）の面積が減少すればよい。露光時には図２（ｃ）のように、リサイズした量に対応して、例えばステンシルマスク６の位置を基板に対して上下左右に動かすことで「元のパターン」で転写しようとした所望のパターンと同じパターン（露光領域）をウエハ９上に形成することが可能である。
【００２４】
その他、ステンシルマスク６をウエハ９に対して動かすのではなく、荷電粒子線投影露光装置１００の電子光学系の条件を変化させて、「元のパターン」と同じ線幅のパターンが形成できるように荷電粒子ビームを動かしても良い。これら線幅を太らせる手段については後述する。
【００２５】
なお、図２（ｂ）に示すパターンを有する実施の形態１に係るマスクは、マスクの製造方法として把握することも可能である。すなわち、パタンーン（開口域）は、通過させた電子ビーム２によるウエハ９上への照射範囲をウエハ９に固定して露光した場合に所望の露光領域が形成されるであろうパターンの寸法よりも小さい寸法で形成された露光用マスクとして把握が可能である。
【００２６】
図２（ａ）をもとにステンシルマスク６のパターンの開口率の低減を検討すると次のようである。「元のパターン」の線幅を２００ｎｍでピッチを５００ｎｍとする。リサイズ量を片側４０ｎｍとした場合、「元のパターン」における開口率は、２００ｎｍ÷５００ｎｍ＝０．４となり元の開口率は４０％である。これに対して、リサイズにより片側４０ｎｍ細くするので開口率は、（２００ｎｍ−４０ｎｍ−４０ｎｍ）÷５００ｎｍ＝０．２４となり、リサイズによって２４％と約半分になる。このように、開口率の減少により、それだけクーロン反発力が低下し電子ビームの広がり（ボケ）が減少し、かつ、残った梁が太くなることで機械的強度も向上し破損の心配も減少する。
【００２７】
次に、ウエハ９面上の電子ビーム２の照射範囲をウエハ９面上で移動させる手段について説明する。
【００２８】
まず、ウエハ９面上の電子ビーム２の照射範囲は、図１の偏光制御部５により電子ビーム２を偏光させることで移動させることができる。図３は電子ビーム２が偏光制御部５により変更された状態を示す概念図である。図３では、ステンシルマスク６の断面の一部を示している。偏光制御部５により電子ビーム２のウエハ９への照射角度が変化するので、照射範囲を移動することができる。破線で示す電子ビーム２は偏光前を示す。実線の電子ビーム２は偏光後を示している。偏光による入射角度の違いで太らせ量の分だけ線幅を太くすることができる。
【００２９】
また、マスク保持部７を移動させることにより、電子ビーム２のウエハ９への照射範囲を移動する手段を説明する。ステンシルマスク６を保持するマスク保持部７は、荷電粒子線投影露光装置１００に対して移動可能に設置されている。すなわち、マスク保持部７は、ウエハ９面に対する略水平方向Ｈ，及び略垂直方向Ｖに移動が可能である。マスク保持部７に保持されたステンシルマスク６は、マスク保持部７の移動に伴い移動することで、ウエハ９への電子ビーム２の照射範囲を移動させることができる。マスク保持部７の移動は、移動制御部８が制御する。移動制御部８には、予めマスク保持部７の「移動に関する情報」が入力されており、移動制御部８は、この入力情報に基いてマスク保持部７の移動を制御して、ウエハ９面に所望のパターンを転写することができる。ここで、「移動に関する情報」とは、「元のパターン」の寸法、マスクに実際に形成されるパターンの寸法、あるいはリサイズ量などである。
【００３０】
また、ウエハ９位置を移動することで、電子ビーム２のウエハ９への照射範囲を移動させることができる。ウエハ９を載置するステージ１０は、荷電粒子線投影露光装置１００に対して移動可能に設置されている。すなわち、ステージ１０は、ウエハ９面に対する略水平方向Ｈ，及び略垂直方向Ｖに移動が可能である。ステージ１０に載置されたウエハ９は、ステージ１０の移動に伴い移動することで、ウエハ９への電子ビーム２の照射範囲を移動させることができる。ステージ１０の移動は、ステージ制御部１１が制御する。ステージ制御部１１には、ステージ１０の移動に関する情報が入力されており、ステージ制御部１１は、この入力情報に基づいてステージ１０の移動を制御して、ウエハ９面に所望のパターンを転写する。なお「移動に関する情報」は前述の場合と同様である。
【００３１】
また、ウエハ９面を照射する電子ビーム２のピントをぼかしても構わない。ピントのぼかしは、電子光学条件により実現しても良いし、マスク保持部７、あるいはステージ１０を略垂直方向Ｖに移動させることにより実現しても構わない。
【００３２】
以上、電子ビーム２のウエハ９への照射範囲を移動させる手段について述べたが、前記移動手段による移動量とステンシルマスク６のパターン（開口域）の寸法とは、当然に関係がある。例えば１：１でウエハ９にパターンを転写する場合は、リサイズ量の分が移動量となる。例えば図２（ｂ）において、４０ｎｍが移動量となる（前後左右への移動量）。また、４分の１に縮小して転写する場合においては、リサイズ量の４分の１の１０ｎｍが移動量（前後左右への移動量）となる。
【００３３】
以上のように、実施の形態１に係る荷電粒子線投影露光装置１００は、ステンシルマスク６の開口部を通過する電子ビーム２によるウエハ９面上の照射範囲をウエハ９面上で移動させる各種の手段を有するので、ウエハ９面上で電子ビーム２を太らせることができる。このため開口部の少ない、開口率の小さいマスクの提供が可能となり、マスクの強度向上、クーロン反発を抑制した解像度の向上を図ることができる。
【００３４】
以上のように、実施の形態１に係るステンシルマスク６は、開口部を細らせて形成しているので、開口率の低減によりマスクの強度を向上することができる。また、強度の向上に伴い、歩留まりを向上することができる。さらに、クーロン反発による電子ビーム２の広がりを抑制することができる。
【００３５】
以上のように、実施の形態１は、荷電粒子線投影露光において、露光に用いるマスクパターンを細らせてマスクを製作し、そのマスクを用いて露光する際に荷電粒子線投影露光装置の電子光学系条件もしくはマスク位置を変化させることで、基板に対して荷電粒子線を動かして、基板に転写されるパターンの線幅を太らせることを特徴とする。
【００３６】
実施の形態２．
図４を用いて実施の形態２を説明する。実施の形態２は、転写しようとするパターンに、いわゆる相補分割問題がある場合である。
【００３７】
図４（ａ）は、マスクに形成しようとする「元のパターン」を示す図である。なお、図４（ａ）、図４（ｂ）、図４（ｃ）は、いずれもハッチングの部分がマスクに形成する開口部のパターンを示している。この「元のパターン」を相補分割する際に、「元のパターン」の線幅に応じてそれぞれの相補マスクにパターンを振り分けることとする。図４（ｂ）は、細い側の相補マスクのパターンを示してあり、図４（ｃ）には太い側の相補マスクのパターンを示してある。リサイズ量を相補分割の振り分け条件（線幅）に応じて確定する。本例では２００ｎｍ未満か以上かで相補分割で細い側と太い側のマスクに振り分けることとした。すなわち、２００ｎｍ以上を「太い」とし、２００ｎｍ未満を「細い」としている。この例では、リサイズ量は細い側は０ｎｍ（リサイズなし）とし、太い側は４０ｎｍ（片側）としている。このようにして作成したデータを用いてマスクを製作する。このマスクを用いて露光する際には、どの相補分割領域ではどれだけのリサイズ量なのかを荷電粒子線投影露光装置１００に付加情報として入力し、その入力条件に応じて露光時に太らせて露光する。例えば、図１における偏光制御部５、移動制御部８、あるいはステージ制御部１１に付加情報として入力する。なお、露光時の太らせ方は実施の形態１と同様である。
【００３８】
上記は相補分割についてであるが、マスクパターンの細らせる量を、荷電粒子線投影露光における分割マスクごとに、その分割マスクに含まれるパターンの線幅に応じて確定し、そのマスクを用いて露光する際に荷電粒子線の電子光学系条件もしくはマスク位置を変化させる量も分割マスクごとに変化させても構わない。
【００３９】
以上のように、実施の形態２では相補分割する際に、「元のパターン」の線幅に応じてそれぞれの相補マスクにパターンを振り分けてリサイズ量を決定する。したがって、線幅の太いパターンはリサイズ量が大きく大きな開口率の低減を図ることができる。また、きめの細かいリサイズを行うことができるので効率的に開口率を低減することができる。
【００４０】
以上のように、実施の形態２では相補分割する際に、「元のパターン」の線幅に応じてそれぞれの相補マスクにパターンを振り分けてリサイズ量を決定する。したがって、線幅の細いパターンはリサイズが不要となる場合があり、リサイズの効率化を図ることができる。
【００４１】
以上のように、実施の形態２では、分割マスクについは、分割マスクごとにその分割マスクに含まれるパターンの線幅に応じて細らせ量を確定し、確定した細らせ量（リサイズ量）に対応して、露光時に上記で述べた手段により太らせる。したがって、相補分割の場合と同様に、分割マスクのパターンが太い場合は大きな開口率の低減を図ることできる。また、分割マスクのパターンが細い場合はリサイズ不要となる場合もあり、効率化が図れる。
【００４２】
以上のように、実施の形態２は、マスクパターンの細らせる量を、相補分割時のマスクパターンの振り分けるパターンの線幅に応じて確定し、そのマスクを用いて露光する際に荷電粒子線の電子光学系条件もしくはマスク位置を変化させる量も相補分割時の指定に応じて変化させることを特徴とする。
【００４３】
以上のように、本実施の形態２は露光に用いるマスクパターンを細らせてマスクを製作し、そのマスクを用いて露光する際に荷電粒子線投影露光装置の電子光学系条件もしくはマスク位置もしくは基板位置を変化させることで、基板に転写されるパターンの線幅を太らせる。ここで、マスクパターンの細らせる量及び露光時の太らせ量（電子光学系条件もしくはマスク位置の変化量（移動量）もしくは基板の変化量（移動量））を決める手段として、例えば、次の３種類がある。第１は、マスク内の全パターンを一律に細らせ、そして、露光時に前記に述べた手段により、一律に太らせることである。第２は、相補分割時に振り分けるパターンの線幅に応じて細らせ量を確定し、確定した細らせ量に対応して、露光時に上記で述べた手段により太らせることである。第３としては、分割マスクごとにその分割マスクに含まれるパターンの線幅に応じて細らせ量を確定し、確定した細らせ量に対応して、露光時に上記で述べた手段により太らせることである。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】実施の形態１に係る荷電粒子線投影露光装置１００を示す図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、ステンシルマスクにおける開口部を示す図である。（ｃ）は、ウエハ上に露光されたパターンを示す図である。
【図３】電子ビームの基板に対する偏光を示す図である。
【図４】（ａ）は、相補分割されようとするパターンを示す。（ｂ）は、相補分割される細い側の相補パターンを示す。（ｃ）は、リサイズ後の太い側の相補パターンを示す。
【図５】従来のステンシルマスクの断面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）及び（ｃ）は、相補分割問題を有する従来例を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  電子銃、２  電子ビーム、３  アパーチャー、４  レンズ、５  偏光制御部、６  ステンシルマスク、７  マスク保持部、８  移動制御部、９  ウエハ、１０ステージ、１１  ステージ制御部、１２  パターン開口、１３  メンブレン、１４  梁、１５  サポート基板部、１００  荷電粒子線投影露光装置。
【図１】
2005101292.tif 000003
【図２】
2005101292.tif 000004
【図３】
2005101292.tif 000005
【図４】
2005101292.tif 000006
【図５】
2005101292.tif 000007
【図６】
2005101292.tif 000008