(57)【要約】【課題】相互接続用の自己封止型銀合金を提供すること。【解決手段】高導電率金属の表面に拡散し、また合金元素酸化物を形成するように酸化可能である、ベリリウムなど合金金属と銀の合金が、その合金を使用する電子回路構造および形成方法と共に提供される。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀と合金元素の合金であって、前記合金元素は、７００℃未満で前記銀との固溶体または中間相を形成せず、４００℃以下の温度で前記銀の表面に拡散し、さらに、１０−５／Ω・ｃｍ未満の導電率の合金元素酸化物を形成するように酸化可能である合金。
【請求項２】
前記合金元素がベリリウムである、請求項１に記載の合金。
【請求項３】
ベリリウムの量が約０．２重量％から約５重量％である、請求項２に記載の合金。
【請求項４】
ベリリウムの量が約０．２重量％から約３重量％である、請求項２に記載の合金。
【請求項５】
ベリリウムの量が約０．２重量％から約２重量％である、請求項２に記載の合金。
【請求項６】
銀と合金元素の合金を備え、前記合金元素は、７００℃未満で前記銀との固溶体または中間相を形成せず、４００℃以下の温度で前記銀の表面に拡散し、１０−５／Ω・ｃｍ未満の導電率を有する合金元素酸化物を形成するように酸化可能であり、さらに、約１ナノメートルから約１０ナノメートルの前記合金元素酸化物の層を前記合金上に備える、相互接続構造。
【請求項７】
前記合金元素がベリリウムである、請求項６に記載の相互接続構造。
【請求項８】
ベリリウムの量が約０．２重量％から約５重量％である、請求項７に記載の相互接続構造。
【請求項９】
実質的に平らな上面を有し、その中に凹部のパターンを有する誘電体層と、凹部内に位置する請求項１に記載の合金とを備える電子回路構造。
【請求項１０】
前記合金が、前記構造の後工程（ＢＥＯＬ）に存在する、請求項９に記載の電子回路構造。
【請求項１１】
前記合金元素がベリリウムである、請求項９に記載の電子回路構造。
【請求項１２】
ベリリウムの量が約０．２重量％から約５重量％である、請求項１１に記載の電子回路構造。
【請求項１３】
相互接続構造を形成する方法であって、
銀と合金元素の合金を供給するステップを備え、前記合金元素は、７００℃未満で前記銀との固溶体または中間相を形成せず、４００℃以下の温度で前記銀の表面に拡散し、さらに、１０−５／Ω・ｃｍ未満の導電率を有する合金元素酸化物を形成するように酸化可能であり、さらに、
約１０−８トルから約１トルの分圧を有する、酸化剤を含んだ酸化性雰囲気中で約２５０℃から約５００℃の温度でアニールすることによって、前記合金元素を選択的に酸化し、合金元素酸化物の層を前記合金上に形成するステップを含む方法。
【請求項１４】
前記酸化剤が酸素または水蒸気を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記合金元素がベリリウムである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
ベリリウムの量が約０．２重量％から約５重量％である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
相互接続構造を電子デバイス上に形成するプロセスであって、
パターン形成されたレジスト層を、絶縁領域および導電性領域を有する基板上に形成するステップと、
請求項１に記載の合金を堆積するステップと、
前記パターン形成されたレジストを除去するステップとを含むプロセス。
【請求項１８】
約１０−８トルから約１トルの分圧を有する、酸化剤を含んだ酸化性雰囲気中で約２５０℃から約５００℃の温度でアニールすることによって、前記合金元素を選択的に酸化し、合金元素酸化物の層を前記合金上に形成するステップをさらに含む、請求項１７に記載のプロセス。
【請求項１９】
相互接続構造を電子デバイス上に形成するプロセスであって、
絶縁材料を基板上に形成するステップと、
相互接続導体材料が堆積される配線またはビアあるいはその両方の凹部を、前記絶縁材料にリソグラフィで画定しかつ形成するステップと、
請求項１に記載の合金を含む相互接続導体材料を堆積するステップと、
結果として得られた構造を平坦化して、個々の配線またはビアあるいはその両方の電気的分離を設けるステップとを含むプロセス。
【請求項２０】
約１０−８トルから約１トルの分圧を有する、酸化剤を含んだ酸化性雰囲気中で約２５０℃から約５００℃の温度でアニールすることによって、前記合金元素を選択的に酸化し、合金元素酸化物の層を前記合金上に形成するステップをさらに含む、請求項１９に記載のプロセス。
【請求項２１】
相互接続構造を電子デバイス上に形成するプロセスであって、
絶縁材料を基板上に堆積するステップと、
相互接続導体材料が堆積される配線またはビアあるいはその両方を、リソグラフィで画定しかつ形成するステップと、
パターン形成されたレジスト層を前記絶縁材料に形成し、請求項１に記載の合金を含む導体材料を堆積するステップと、
前記パターン形成されたレジストを除去するステップとを含むプロセス。
【請求項２２】
約１０−８トルから約１トルの分圧を有する、酸化剤を含んだ酸化性雰囲気中で約２５０℃から約５００℃の温度でアニールすることによって、前記合金元素を選択的に酸化し、合金元素酸化物の層を前記合金上に形成するステップをさらに含む、請求項２１に記載のプロセス。
【請求項２３】
相互接続構造を電子デバイス上に形成するプロセスであって、
導体材料のブランケット層を、絶縁領域および導電性領域を有する基板上に堆積するステップであって、前記導体材料が請求項１に記載の合金を含むステップと、
パターン形成されたレジスト層を前記ブランケット層の上に形成するステップと、
前記パターン形成されたレジストで覆われていない前記導体材料を除去するステップと、
前記パターン形成されたレジストを除去するステップとを含むプロセス。
【請求項２４】
約１０−８トルから約１トルの分圧を有する、酸化剤を含んだ酸化性雰囲気中で約２５０℃から約５００℃の温度でアニールすることによって、前記合金元素を選択的に酸化し、合金元素酸化物の層を前記合金上に形成するステップをさらに含む、請求項２３に記載のプロセス。
【請求項２５】
相互接続構造を電子デバイス上に形成するプロセスであって、
絶縁材料を基板上に形成するステップと、
相互接続導体材料が堆積される配線またはビアあるいはその両方の凹部を、前記絶縁材料にリソグラフィで画定しかつ形成するステップと、
ベリリウムを前記凹部内に堆積するステップと、
銀を前記凹部内の前記ベリリウムの上に堆積するステップと、
約２５０℃から約５００℃の温度でアニールするステップとを含むプロセス。
【請求項２６】
前記絶縁材料が、二酸化シリコン、リンシリケート・ガラス（ＰＳＧ）、ホウ素ドープＰＳＧ、テトラエチルオルソシリケート、および低誘電率（低ｋ）誘電体材料から成るグループから選択された少なくとも１つの部材を含む、請求項２５に記載のプロセス。
【請求項２７】
銀シード層を前記ベリリウムと銀の間に設けるステップをさらに備える、請求項２５に記載のプロセス。
【請求項２８】
結果として得られた構造を平坦化するステップをさらに備える、請求項２５に記載のプロセス。
【請求項２９】
前記低ｋ誘電体材料が、ＣＶＤ多孔質炭素ドープ酸化物、非多孔質炭素ドープ酸化物、多孔質スピンオン有機ケイ酸塩、非多孔質スピンオン有機ケイ酸塩、多孔質スピンオン有機ポリマー、および非多孔質スピンオン有機ポリマーから成るグループから選択された少なくとも１つの部材を含む、請求項２６に記載のプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリ・デバイスおよび論理デバイスなどマイクロエレクトロニクス・デバイスにおける後工程（ＢＥＯＬ）金属導体に特に有用な相互接続に関する。本発明の特定の実施形態は、周囲環境の影響から銀−ベリリウム合金を保護するベリリウム酸化物で自己封止されて、障壁層およびキャップ（capping）層を必要としないで単独で動作すること（stand alone）を可能にする銀−ベリリウム合金に関する。本発明は、多孔質誘電体および空気誘電体（エア・ブリッジ）の使用を可能にする。
【背景技術】
【０００２】
トランジスタのサイズがますます小さくなり、さらにスイッチング速度がますます速くなるにつれて、能動デバイス間の相互接続を介した伝送遅延が問題の主要な原因となっている。この遅延は、抵抗−キャパシタンスに依存し、ＲＣ遅延と呼ばれる。信号遅延の抵抗部分は金属相互接続の抵抗率により、一方、キャパシタンスは導線間に適用される媒体の誘電率に依存している。誘電率を小さくするために、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）が様々な低誘電率（低ｋ）材料に置き換えられる。誘電率をさらに小さくしようとする努力において、これらの新しい材料は多孔質の形（porous form）で使用され、さらに、空気の誘電率は１であるため、ついに、設計の中には、誘電体の一部を空気（エア・ブリッジ）で置き換えているものがある。これによって、金属導体を周囲環境から保護する必要性が増している。
【０００３】
数年前、銅の抵抗率がより小さいため、すなわち、非合金アルミニウムの抵抗率２．６５マイクロΩ・ｃｍに対して１．６８マイクロΩ・ｃｍであるために、Ａｌ−Ｃｕ合金相互接続は銅相互接続に置き換えられた。しかし、銅は酸化の傾向が非常に強く、３００°までで形成されるＣｕ２Ｏは、開いた結晶（open crystal）構造を有して、さらなる酸化に対する障壁にならない。
【０００４】
したがって、銅は、障壁層（barrier layer）とキャップ層（cappinglayer）で保護される。相互接続の線幅が減少するにつれて、あらゆる方向で銅線を保護する層の厚さは、銅線幅の大きな部分になる。この保護層は良好な導体でも低ｋ誘電体でもないので、抵抗率のより低い導体および低ｋ誘電体を使用する際の利得の一部が失われる。
【０００５】
また、国家半導体技術ロードマップ（National TechnologyRoadmap for Semiconductor）は、１００ｎｍデバイス寸法のノードでは、後工程（ＢＥＯＬ）相互接続に関連するＲＣ遅延を減らすために、誘電率約２．０の材料が必要になるだろうと予想している。そのような材料を開発する最も有望な方法は、高密度誘電体材料に多孔性を導入することである。このような誘電体を、銅または銀をベースとするデュアル・ダマシン方式に取り込むことの１つの問題は、比較的低温で周囲条件に曝露しても、この本来高導電率の金属の導電率を害する酸化物および硫化物の形成が起こる傾向があることである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、銀の酸化または硫化あるいはその両方の問題に対処する。具体的には、本発明によれば、銀の酸化耐性または硫化耐性あるいはその両方が、ある特定の種類の合金元素と合金化することによって改善される。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
具体的には、本発明は銀と合金元素の合金に関し、この合金元素は、７００℃未満で銀との固溶体または中間相を形成せず、４００℃以下の温度で銀の表面に拡散し、さらに、１０−５／Ω・ｃｍ未満の導電率を有する合金元素酸化物を形成するように酸化可能である。
【０００８】
本発明の他の態様は、上記で開示された合金を含む相互接続構造に関し、さらに厚さ約２ナノメートル乃至約１０ナノメートルの合金元素酸化物の層が合金上に位置する。
【０００９】
本発明のさらに他の態様は、実質的に平らな上面を有し、その上面に凹部（recess）のパターンを有する誘電体層を備えた電子回路構造（electronicstructure）に関し、上記で開示された合金が凹部内に位置する。
【００１０】
また、本発明は相互接続構造を形成する方法に関し、この方法は、上記で開示されたような合金を供給すること、および、約１０−８トルから約１トル（Torr=133.32Pa）までの分圧で酸化剤（oxidizing agent）を有する酸化性雰囲気中において約２５０℃から約５００℃の温度でアニールすることによって、合金元素を選択的に酸化し、合金上に合金元素酸化物の層を形成することを含む。
【００１１】
本発明のさらに他の態様は、電子デバイス上に相互接続構造を形成するプロセスに関し、このプロセスは、絶縁領域および導電性領域を有する基板上にパターン形成されたレジスト層を形成するステップと、上記で開示された合金を堆積するステップと、パターン形成されたレジストを除去するステップとを含む。
【００１２】
本発明のさらに他の態様は、電子デバイス上に相互接続構造を形成するプロセスに関し、このプロセスは、
基板上に絶縁材料を形成するステップと、
相互接続導体材料が堆積される配線またはビアあるいはその両方の凹部を絶縁材料にリソグラフィで画定しかつ形成するステップと、
上記で開示された合金を含む相互接続導体材料を堆積するステップと、
結果として得られた構造を平坦化して個々の配線またはビアあるいはその両方の電気的分離を設けるステップとを含む。
【００１３】
さらに、本発明は電子デバイス上に相互接続構造を形成するプロセスに関し、このプロセスは、
基板上に絶縁材料を堆積するステップと、
相互接続導体材料が堆積される配線またはビアあるいはその両方をリソグラフィで画定しかつ形成するステップと、
絶縁材料上にパターン形成されたレジスト層を形成するステップと、
上記で開示されたような合金を含む導体材料を堆積するステップと、
パターン形成されたレジストを除去するステップとを含む。
【００１４】
また、本発明は電子デバイス上に相互接続構造を形成するプロセスに関し、このプロセスは、
絶縁領域および導電性領域を有する基板上に、上記で開示された合金のブランケット（全面被覆）層（blanket layer）を堆積するステップと、
このブランケット層上にパターン形成されたレジスト層を形成するステップと、
パターン形成されたレジストで覆われていない導体材料を除去するステップと、
パターン形成されたレジストを除去するステップとを含む。
【００１５】
さらに、本発明によれば、上記で開示されたような合金を堆積するのでなく、パターン形成された構造にベリリウムの比較的薄い層をライナ（liner）障壁として堆積し、それに続いて銀を所望の厚さに堆積することにより、様々な集積化方式（integration scheme）について構造を形成することができる。この構造を、例えば上記で開示された温度でアニールする。この形成方法では、ＢｅＯは銀の３つの側面に生成されるが、銀の上面には生成されない。銀をＰＶＤではなく無電解メッキまたは電解メッキで堆積すべき場合には、ベリリウムと銀付着層の間に銀のシード層が堆積される。シード層は、一般に、連続したまたは実質的に連続した層を形成するように十分に厚い。
【００１６】
本発明の他の目的および利点は、次の詳細な説明から当業者には容易に明らかになるであろう。この詳細な説明では、本発明を実施する企図された最良モードの本発明の好ましい実施形態だけが単に例示として示され、また説明される。理解できるように、本発明は他の異なる実施形態が可能であり、また本発明のいくつかの細部は、本発明から逸脱することなしに様々な自明の態様で修正が可能である。したがって、この説明は本質的に例示と見なすべきであり、制限するものと見なすべきでない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の理解を容易にするために、図面を参照する。図３は、デュアル・ダマシン構造を形成するための構造を示す。図３で、シリコン、シリコン・ゲルマニウム合金、および炭化ケイ素またはガリウム砒素など半導体基板１２上の分離層（isolation layer）１４に、ビア（via）１６が設けられる。
【００１８】
例示的な分離または誘電体１４には、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、リンシリケート・ガラス（ＰＳＧ：phosphosilicate glass）、ホウ素ドープＰＳＧ（ＢＤＰＳＧ）、またはテトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）がある。さらに、誘電体は、ＣＶＤ（化学的気相堆積法による）炭素ドープ酸化物、多孔質ＣＶＤ炭素ドープ酸化物、多孔質および非多孔質スピンオン有機ケイ酸塩、多孔質および非多孔質有機スピンオン・ポリマーなど低誘電率材料を含むことができる。
【００１９】
図４で、電子ビーム蒸着またはマグネトロン・スパッタリングを含む物理的気相堆積法（physicalvapor deopsition）などによって、合金層が堆積される。例として、合金は、約２ミリ・トルから約１５ミリ・トル、より典型的には約４ミリ・トルから約１０ミリ・トルのアルゴン雰囲気内で、約５０ワットから約６００ワット、典型的には約２００ワットから約４００ワットの電力を加えて、本明細書で以下で定義されるターゲットからスパッタされる。
【００２０】
合金は銀を含む。本発明によれば、使用される合金成分は、７００℃未満の温度で銀との固溶体または中間相を形成せず、したがって金属の導電率を望ましくない程度に害することはない。合金元素は、４００℃以下の温度で拡散によって金属表面とは分離（segregate）され、選択的に酸化される。金属は合金元素（alloying element）の酸化物で封止されているので、金属は酸化しない。この酸化物は、高抵抗率であり、したがって酸化物の成長に必要な電子の輸送を許さない。その結果として、比較的薄い、典型的には約２ナノメートルから約１０ナノメートル程度の自己制限型酸化物（self-limitingoxide）が作られる。この酸化物は、一般に、著しいキャパシタンスの増加を引き起こさないように比較的低い誘電率を有し、また一般に優れた熱伝導率を有する。
【００２１】
好ましい合金元素はベリリウム（beryllium）である。他の合金元素はＡｌおよびＳｉである。本発明による典型的な合金は、典型的には約０．２重量％から約５重量％のベリリウムを含み、より典型的には約０．２重量％から約３重量％のベリリウムを含み、さらにより典型的には約０．２重量％から約２重量％のベリリウムを含む銀−ベリリウム合金である。
【００２２】
図１および２は、銀−ベリリウム平衡相図（equilibrium phasediagram）を示し、７６０℃未満で、中間相の形成だけでなく銀とベリリウムの相互固溶体も無いことを示している。これらの図は、原子パーセント（図１）と重量パーセント（図２）の両方で相図を示す。ベリリウム（軽金属）と銀（重金属）の密度の大きな違いために、ベリリウムの小さな重量パーセントが大きな原子パーセントを表している。
【００２３】
合金は、例えば、Ａｇ−Ｂｅターゲットからスパッタされ、あるいは別個の銀ターゲットとベリリウム・ターゲットから同時スパッタすることができる。合金が電解液（electrolyte）に曝露されないようにするために、合金層の上面に薄い銀層を堆積することができる。
【００２４】
銀−ベリリウム層は、後続の銀メッキのためのシード層（seed layer）として働く。ビアを充填するように、銀を電解メッキするか、または無電解メッキすることができる。普通、シアン化カリウム溶液を使用して、銀を電解メッキする。このシアン化カリウム溶液は最も高いメッキ電流密度を示す。銀は、アミン族を含むグルコース（glucose）溶液と混合されたＮａＯＨおよびアンモニア性ＡｇＮＯ３の２溶液系で無電解メッキされる。図５を参照されたい。
【００２５】
次いで、充填された構造を、化学的機械研磨（ＣＭＰ：chemicalmechanical planarization）または電解研磨などで平坦化することができる。このプロセスはいくつかのレベルで繰り返すことができる。低ｋ誘電体の一部をエッチ・バック（etchingback）で除去して、図６に示すようにエア・ブリッジ１８を作る。
【００２６】
ベリリウムの選択酸化は、約２５０℃から５００℃の温度で、約１０−８トルから約１トルなど低分圧の、酸素および水蒸気など酸化剤の雰囲気中で行うことができる。熱処理の時間は、温度に応じて典型的には約１０分から約３０分である。熱処理中に、ベリリウムは銀の表面に拡散して、表面に薄い緻密な膜（compact film）を形成する。酸素含有ガスにさらすことにより、表面にＢｅＯ膜１９が生成され、これによって、ベリリウムの表面への拡散がさらに押し進められ、また、下にある銀が酸素または硫黄含有ガスに対して保護される。熱力学的な考察によると、Ａｇ２ＯではなくＢｅＯの形成が有利である。というのは、生成熱（heatof formation）がそれぞれ酸素１モル当り２８６キロ・カロリーおよび１４キロ・カロリーであるからである。図７を参照されたい。ＢｅＯは、銀の表面で誘電体材料との界面だけに形成されるが、金属ビアとの界面には形成されないことは留意すべき重要なことである。約１９０℃の温度でＡｇ２Ｏは分解して銀と酸素になることもまた留意すべき重要なことである。
【００２７】
当然ながら、ダマシン構造を形成することのほかに他の形成技術を、本発明に従って使用することができる。そのような技術には、導体要素を形成することが含まれる。
【００２８】
平らなベースにマスクを通してメッキするプロセスは、基板上に絶縁層を設け、続いてパターン形成されたレジスト層を設けることを含む。本発明の合金は、パターン形成されたレジストを通してメッキされる。次いで、レジストが除去される。
【００２９】
掘削（excavate）されたベースにマスクを通してメッキするプロセスは、基板上の絶縁層にビアまたは溝（channel）を形成することを含む。絶縁層を覆ってパターン形成されたレジストが形成される。本発明の合金は、マスクまたはレジストを通してビアにメッキされる。次いで、マスクまたはレジストが除去される。
【００３０】
全面メッキ（blanket plating）するプロセスは、基板上の絶縁層全体を覆って本発明の合金を全面メッキすることを含む。このブランケット（全面被覆）層の上にレジスト層が形成され、リソグラフィでパターン形成される。次いで、レジストで保護されていないところをエッチングして、または他のプロセスで除去して、このブランケット層がパターン形成される。次いで、レジストが除去される。
【００３１】
次の実施例は、本発明をさらに例示するために示すが、制限を与えるわけではない。
【実施例１】
【００３２】
パターン形成された低ｋ誘電体の後工程（ＢＥＯＬ）構造のトレンチに、物理的気相堆積法によって、０．２重量％Ｂｅ−Ａｇ合金を充填し、ＣＭＰを用いて平坦化する。このプロセスをいくつかのレベル（層）で繰り返す。低ｋ誘電体の一部をエッチ・バックしてエア・ブリッジを形成することができる。各レベルが完了した後で、または、複数のレベルまたは全レベルが完了した後で、２５０℃で２０分間、酸素分圧６×１０−８トルでアニールを行う。この処理中に、ベリリウムは多層導体の表面に拡散し、酸化してＢｅＯになり、このＢｅＯが銀金属を封止する。
【実施例２】
【００３３】
パターン形成された低ｋ誘電体のＢＥＯＬ構造のトレンチに、化学的気相堆積法によって、０．３重量％Ｂｅ−Ａｇ合金を充填し、実施例１のようにプロセスを続ける。
【実施例３】
【００３４】
パターン形成された多孔質低ｋ誘電体のＢＥＯＬ構造のトレンチの内側を、物理的気相堆積法によって、３重量％Ｂｅ−Ａｇ合金で覆う。その後、物理的気相堆積法でやはり堆積された純粋な銀でトレンチを充填し、ＣＭＰで平坦化する。実施例１のようにプロセスを続ける。
【実施例４】
【００３５】
パターン形成された低ｋ誘電体のＢＥＯＬ構造のトレンチの内側を、物理的気相堆積法によって、２．０重量％Ｂｅ−Ａｇ合金で覆う。この合金は、後続の電解メッキのシード層として働く。次いで、周知のシアン化銀メッキ槽から適切な電流密度で純粋な銀を電解メッキする。充填された構造をＣＭＰで平坦化し、いくつかのレベルについてプロセスを繰り返す。各レベルが完了した後で、または複数のレベルが完了した後で、３５０℃で１０分間、酸素分圧１×１０−８トルでアニールを行う。この処理中に、ベリリウムはライナ（liner；内張り部）から導体の表面に拡散し、酸化してＢｅＯになり、このＢｅＯが銀金属を封止する。この例を図３〜７に示す。
【実施例５】
【００３６】
無電解メッキでライナ／シード層に銀を堆積することを除いて、実施例４を繰り返す。無電解メッキ槽は、ＡｇＮＯ３をベースとする槽である。
【実施例６】
【００３７】
Ａｇ−Ｂｅライナ層の上にやはり物理的気相堆積法で純粋な銀の薄い層を堆積して電解液からベリリウムを保護することを除いて、実施例５を繰り返す。
【実施例７】
【００３８】
誘電体のトレンチの内側を、原子層堆積または他の適切な手段で堆積された約０．５ナノメートルから約３ナノメートルの純粋なベリリウムで覆い、それ続いて銀シード層を堆積し、続いて銀の電解メッキまたは無電解メッキによってトレンチを埋める。その後、この構造を約２５０℃から約５００℃の温度でアニールする。アニールによって、誘電体からの酸素ゲッタリングによって薄いＢｅＯ障壁層の形成が可能になる。ＢｅＯは銀の３つの側面に形成されるが、銀の上面には形成されない。ＢｅＯは誘電率６の絶縁物であるので、次のＣＭＰで、ＢｅＯを導体配線間に残ったままの状態にしておくことができる。
【００３９】
本発明の上記の説明は、本発明を例示しかつ説明する。さらに、開示は、本発明の好ましい実施形態だけを示しかつ説明するが、上述のようにように、本発明は、様々な他の組合せ、修正および環境で使用することができ、さらに、本明細書に述べられている本発明の概念の範囲内で、上記の教示または関連技術の技能もしくは知識、あるいはその両方に対応して変更および修正が可能であることを理解されたい。上述の実施形態は、さらに、本発明を実施する周知の最良モードを説明し、当業者が、そのようなまたは他の実施形態で、また本発明の特定の応用例または使用によって必要とされる様々な修正と共に、本発明を使用することができるように意図されている。したがって、この説明は、本発明を本明細書に開示された形態に制限しないものとする。また、特許請求の範囲は代替の実施形態を含むように解釈されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】Ａｇ−Ｂｅ平衡相図（原子パーセント）である。
【図２】Ａｇ−Ｂｅ平衡相図（重量パーセント）である。
【図３】本発明に従って導体を組み込むエア・ブリッジ構造を示す図である。
【図４】本発明に従って導体を組み込むエア・ブリッジ構造を示す図である。
【図５】本発明に従って導体を組み込むエア・ブリッジ構造を示す図である。
【図６】本発明に従って導体を組み込むエア・ブリッジ構造を示す図である。
【図７】本発明に従って導体を組み込むエア・ブリッジ構造を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１２  半導体基板
１４  分離層
１６  ビア
１８  エア・ブリッジ
１９  ＢｅＯ膜
【図１】
2005136412.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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