(57)【要約】【課題】  ＥＵＶ光を用いる露光装置においては、露光装置の部品から出るアウトガスや、ウエハを露光する際に生じるレジストが気化したガス等により、ミラーが汚染され、ミラーの反射率が低下する恐れがあった。【解決手段】  露光装置であって、ミラーに付着してミラーの反射率の低下の原因となる可能性のある汚染物質をコールドトラップで吸着すると共に、そのコールドトラップによってミラー等が過度に冷却されないように輻射シールド部材を設けたことを特徴としている。【選択図】  図１
2005101537.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ光を用いてレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルからの光を被露光体に導く複数の反射光学素子で構成された投影光学系と、前記レチクルから前記被露光体に至る光路を囲むチャンバとを有する露光装置において、前記チャンバ内にコールドトラップと、前記コールドトラップが所定の部材を輻射冷却するのを防止する輻射シールド部材とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記所定の部材が前記反射光学素子であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記所定の部材が前記チャンバであることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記所定の部材が前記被露光体、前記レチクル及びそれらを搭載するステージの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】
前記輻射シールド部材が、前記反射光学素子または前記コールドトラップを囲むように設けられていることを特徴とする請求項２乃至４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記コールドトラップが配置された空間にガスを供給するガス供給器を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の露光装置。
【請求項７】
前記輻射シールド部材で囲まれた空間にガスを供給するガス供給器を有することを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項８】
前記輻射シールド部材によって囲まれた空間からガスを排気するガス排出器を有することを特徴とする請求項６乃至７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記ガス供給器により供給されるガスは不活性ガスであることを特徴とする請求項６乃至７に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記チャンバが、前記ＥＵＶ光の光路に沿って前記レチクル側から順に、レチクル側チャンバと、該レチクル側チャンバとガス及び光の行き来が可能なウエハ側チャンバとを有しており、前記コールドトラップが前記ウエハ側チャンバ内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記ウエハ側チャンバの露光光が通過する開口部に、開口を有するコールドトラップが配置されていることを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記ウエハ側チャンバ内の圧力をＰｏｗとし、前記ステージを囲む空間の圧力をＰｗとした時、
Ｐｏｗ＞Ｐｗ
の関係を満たしつつ、コールドトラップを再生することを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記チャンバ内のガスを排気するガス排出器と、前記チャンバ内に存在する反射光学素子に対し、もしくは該反射光学素子を囲む空間内にガスを供給するガス供給器とを有し、前記コールドトラップの再生時には、前記ガス排出器と前記ガス供給器とを同時に稼動することを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１４】
前記輻射シールド部材または前記コールドトラップの少なくともどちらか一方の温度制御を行うことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１５】
前記光学素子の温度を測定する手段を有し、前記温度測定手段により得られた結果を基に前記光学素子の温度を一定範囲内に制御することを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
少なくとも２個以上の輻射シールド部材を有し、少なくとも２種類以上の温度設定を行うことを特徴とする請求項１４または１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか記載の露光装置を用いて被露光体を露光する工程と、前記露光された被露光体を現像する工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は微細な回路パターンを転写するための露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造するための焼き付け（リソグラフィー）方法として、紫外線を用いた縮小投影露光が行われてきた。
【０００３】
縮小投影露光で転写できる最小の寸法は転写に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数に反比例する。このため微細な回路パターンを転写するために露光光の短波長化が進められ、水銀ランプｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）と用いられる紫外光の波長は短くなってきた。
【０００４】
しかし半導体素子は急速に微細化しており、上述のような紫外光を用いたリソグラフィーでは限界がある。そこで０．１μｍを下回るような非常に微細な回路パターンを効率よく焼き付けるために、上述の紫外光よりも更に短い波長である１０〜１５ｎｍ程度の波長の極端紫外光（ＥＵＶ光）を用いた縮小投影露光装置が開発されている。
【０００５】
ＥＵＶ波長領域の光に対しては物質による吸収が非常に大きくなるので、可視光領域や上述のような紫外光の波長領域で用いられるような光の屈折を利用したレンズ光学系は実用的ではなく、反射光学系が用いられる。またレチクルに関してもミラーの上に吸収体によって転写すべきパターンを形成した反射型レチクルが用いられている。
【０００６】
ＥＵＶ光を用いた露光装置を構成する反射型光学素子としては、多層膜ミラーと斜入射全反射ミラーとがある。ＥＵＶ波長領域の光に対するミラー材料の屈折率の実部は１より僅かに小さいので、ミラー表面で全反射を起こすためにはミラーの反射面に対して小さな角度でＥＵＶ光を入射させなければならない。通常、反射面から測って数度以内の斜入射では数十％以上の高い反射率が得られる。しかし光学設計上の自由度が小さいため、全反射ミラーを投影光学系に用いることは難しい。
【０００７】
直角入射に近い入射角でＥＵＶ光を入射させるＥＵＶ光用のミラーとしては、反射面に光学定数の異なる２種類の物質を交互に積層した多層膜ミラーが用いられる。精密な面形状に研磨されたガラス基板の表面にモリブデンとシリコンを交互に積層する。その層の厚さは、たとえばモリブデン層の厚さは０．２ｎｍ、シリコン層の厚さは０．５ｎｍ程度、積層数は２０層対程度である。２種類の物質の層の厚さを加えたものを膜周期とよぶ。上記例では膜周期は０．２ｎｍ＋０．５ｎｍ＝０．７ｎｍである。
【０００８】
このような多層膜ミラーにＥＵＶ光を入射すると、特定の波長のＥＵＶ光が反射される。
【０００９】
入射角をθ、ＥＵＶ光の波長をλ、膜周期をｄとすると近似的にはブラッグの式２×ｄ×ｓｉｎθ＝λの関係を満足するようなλを中心とした狭いバンド幅のＥＵＶ光だけが効率よく反射される。このときのバンド幅は０．６〜１ｎｍ程度である。
【００１０】
多層膜ミラーのＥＵＶ光に対する反射率は高くても０．７程度であり、各多層膜ミラーでの光量損失がかなり大きい。この多層膜ミラーで反射されなかった光は、多層膜に或いは多層膜ミラーの基板に吸収されて、そのエネルギーの大部分が熱になる。さらに、この熱のせいで多層膜ミラーが膨張したり、変形したりすることで、光学系全体の性能を劣化させてしまう恐れがある。
【００１１】
そこで、広い露光領域をできるだけ少ない枚数のミラーで露光するために、レチクル（原版）とウエハ（被露光体）とを同時に走査して、レチクル上のパターンをウエハに投影露光することが考えられた。例えば図８に、このような走査型露光装置（所謂スキャナ）の構成を示す。この走査型露光装置は、ＥＵＶ光源、照明光学系、反射型レチクル、投影光学系、レチクルステージ、ウエハステージ、アライメント光学系、真空系などで構成される。
【００１２】
ＥＵＶ光源は、たとえばレーザープラズマ光源が用いられる。これは真空容器外に置かれたターゲット供給装置により供給されたターゲット材に高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマを発生させ、これから放射される例えば波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。ターゲット材としては、金属薄膜、不活性ガス、液滴などが用いられ、ガスジェット等の手段で真空容器内に供給される。放射されるＥＵＶ光の平均強度を高くするためにはパルスレーザーの繰り返し周波数は高い方が良く、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数で運転される。
【００１３】
照明光学系は、複数の多層膜または斜入射ミラーとオプティカルインテグレータ等から構成される。初段の集光ミラーはレーザープラズマからほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光を集める役割を果たす。オプティカルインテグレータはレチクルを均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。また照明光学系のレチクルと共役な位置にはレチクル面で照明される領域を円弧状に限定するためのアパーチャが設けられる。
【００１４】
投影光学系は複数のミラーを用いている。ミラー枚数は少ない方がＥＵＶ光の利用効率が高いが、収差補正が難しくなる。収差補正に必要なミラー枚数は４枚から６枚程度である。ミラーの反射面の形状は凸面または凹面の球面または非球面である。開口数ＮＡは０．１〜０．２程度である。
【００１５】
ミラーは低膨張率ガラスやシリコンカーバイド等の剛性・硬度が高く、熱膨張率が小さい材料からなる基板を、研削・研磨して所定の反射面形状を創生した後、反射面にモリブデン／シリコンなどの多層膜を成膜したものである。ミラー面内の場所によって入射角が一定でない場合、前述のブラッグの式から明らかなように、膜周期一定の多層膜では場所によって反射率が高くなるＥＵＶ光の波長がずれてしまう。そこでミラー面内で同一の波長のＥＵＶ光が効率よく反射されるように膜周期分布を持たせることが必要である。
【００１６】
レチクルステージとウエハステージは縮小倍率に比例した速度比で同期して走査する機構をもつ。ここでレチクル又はウエハ面内で走査方向をＸ、それに垂直な方向をＹ、レチクル又はウエハ面に垂直な方向をＺとする。
【００１７】
レチクルは、レチクルステージ上のレチクルチャックに保持される。レチクルステージはＸ方向に高速移動する機構をもつ。また、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、および各軸の回りの回転方向に微動機構をもち、レチクルの位置決めができるようになっている。レチクルステージの位置と姿勢はレーザ干渉計によって計測され、その結果に基づいて位置と姿勢が制御される。
【００１８】
ウエハはウエハチャックによってウエハステージに保持される。ウエハステージはレチクルステージと同様にＸ方向に高速移動する機構をもつ。また、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、および各軸の回りの回転方向に微動機構をもち、ウエハ位置決めができるようになっている。ウエハステージの位置と姿勢はレーザ干渉計によって計測され、その結果に基づいて位置と姿勢が制御される。
【００１９】
アライメント検出機構によってレチクルの位置と投影光学系の光軸との位置関係、およびウエハの位置と投影光学系の光軸との位置関係が計測され、レチクルの投影像がウエハの所定の位置に一致するようにレチクルステージおよびウエハステージの位置と角度が設定される。
【００２０】
また、フォーカス位置検出機構によってウエハ面でＺ方向のフォーカス位置が計測され、ウエハステージの位置及び角度を制御することによって、露光中は常時ウエハ面を投影光学系による結像位置に保つ。
【００２１】
ウエハ上で１回のスキャン露光が終わると、ウエハステージはＸ，Ｙ方向にステップ移動して次の走査露光開始位置に移動し、再びレチクルステージ及びウエハステージが投影光学系の縮小倍率に比例した速度比でＸ方向に同期走査する。
【００２２】
このようにして、レチクルの縮小投影像がとウエハ上に結像した状態でそれらを同期走査するという動作が繰り返される（ステップ・アンド・スキャン）。こうして、ウエハ全面にレチクルの転写パターンが転写される。ＥＵＶ光はガスによって強く吸収される。たとえば、空気が１０Ｐａに満たされた空間内を波長１３ｎｍのＥＵＶ光が１ｍ伝播した場合、そのＥＵＶ光の透過率は約５０％程度である。同じように１０Ｐａで以下の気体で満した空間をＥＵＶ光が１ｍ伝播した場合の透過率は、比較的透過率の高いガスであるヘリウムで約８８％、アルゴンで約７１％、水素で約９８％である。ガスによる吸収を避けるためには、透過率の高いヘリウムなどのガスで置換し、ＥＵＶ光が伝播する大部分の空間で少なくとも１０−１Ｐａ以下、望ましくは１０−３Ｐａ以下の圧力かつ酸素、水などの透過率の低いガスの分圧をできる限り低く保たれている必要がある。
【００２３】
またＥＵＶ光が照射される光学素子が置かれた空間に炭化水素などの炭素を含む分子が残留していた場合、光照射によって光学素子表面に炭素が次第に付着し、これがＥＵＶ光を吸収するために反射率が低下してしまうという問題がある。この炭素付着を防止するためにはＥＵＶ光が照射される光学素子が置かれた空間の炭素を含む分子の分圧は少なくとも１０−４Ｐａ以下、望ましくは１０−６Ｐａ以下の圧力に保たれている必要があると考えられている。
【００２４】
しかしながら、露光装置は、感光剤であるレジストが塗布された半導体ウエハを露光装置外部から搬入し、その半導体ウエハ及びレチクルを互いに走査しながらレチクルの情報を転写し、搬出するという行為を繰り返す。すなわち、露光装置は駆動機構を数多く含んでおり、摩擦等によってミラーの透過率低下の原因となるアウトガスが発生する可能性がある。
【００２５】
また、ウエハステージは走査露光を行うための移動機構やウエハを搬送する機構など駆動機構を持っているため表面積が非常に大きい。このような表面積が大きな部品からのアウトガスはなかなか無くならないため、露光空間内の高真空化がむずかしい。
【００２６】
更に、ウエハに塗布されたレジストは露光前に加熱ベーキングされているとはいえ有機物であり、これを真空中に持ち込むとレジストからそれを構成している有機物やその分解された物質である炭素化合物などが発生し、真空にされている装置内に拡散することになる。また、ウエハは大気中から露光装置中へ搬入されてくるが、このウエハの搬入に伴いウエハに付着している水分を含む空気成分を短時間の内になくすことは難しく、真空中において徐々に脱離拡散して行く。これらウエハやレジストからのアウトガスによって、前述したような高真空状態に維持することが非常に困難となる。
【００２７】
その場合、大容量の排気ポンプなどを用いて高真空にすることは可能であるが、問題はその成分であり、前述のように炭素を含む分子や水分が露光装置内の特にミラーやレチクルの設置された空間に拡散することは避けなければならない。
【００２８】
ウエハ等からのアウトガスからミラーを守るための対策として、特開２０００−０５８４４３号公報では、レチクルとウエハとの間に介在するミラーを囲む介在空間を設け、その介在空間からウエハへの光の出口に設けられた、円錐形状の開口部の側面に、ウエハに向けてＥＵＶ光を実質的に吸収しないガス（水素やアルゴンやクリプトン）を噴出させている。
【特許文献１】特開２０００−０５８４４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２９】
しかしながら、所望の抑止効果を得るためには開口部内の圧力を５Ｐａ〜１０Ｐａ程度まで上げる必要があり、開口面積もウエハ面に向かって小さくなっていることから、供給したガスの大部分は投影光学系に放出され、投影光学系が収納される空間の圧力が上昇し、ＥＵＶ光の透過率が減少するために、スループットを落とす原因となっていた。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
この問題点を解決するために、本発明において以下の手段を用いる。
【００３１】
本発明の露光装置は、ＥＵＶ光を用いてレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルからの光を被露光体に導く複数の反射光学素子で構成された投影光学系と、前記レチクルから前記被露光体に至る光路を囲むチャンバとを有する露光装置であって、前記チャンバ内に、コールドトラップと、前記コールドトラップが所定の部材を輻射冷却するのを防止する輻射シールド部材とを配置したことを特徴としている。ここで、前記雰囲気は、中真空から超高真空の範囲内であるのが好ましい。また、該雰囲気の気圧は１０−３Ｐａから１０−８Ｐａの間、より好ましくは１０−４Ｐａから１０−７Ｐａの間であるのが好ましい。
【００３２】
また、前記露光装置が複数の反射光学素子を有しており、前記所定の部材が前記複数の反射光学素子の１つを含むように構成すると好ましい。ここで、前記輻射シールド部材が、前記反射光学素子または前記コールドトラップを囲むように設けられていることが好ましい。
【００３３】
また、前記露光装置が光源から被露光体に至る光路を囲うチャンバを有しており、前記所定の部材が該チャンバを含むように構成すると良い。
【００３４】
また、前記所定の部材が前記被露光体、前記レチクル及びそれらを搭載するステージの少なくとも１つを含むように構成すると良い。
【００３５】
ここで、前記コールドトラップが前記チャンバ、前記被露光体、前記レチクル及びそれらを搭載するステージの少なくとも１つを輻射冷却するのを防止する輻射シールド部材を配置すると良い。
【００３６】
また、前記コールドトラップが配置された空間に、ガスを供給するガス供給手段を有するように構成すると良い。ここで、前記ガス供給手段により供給されるガスはアルゴン、ヘリウム、窒素などの不活性ガスであることが好ましい。
【００３７】
また、前記輻射シールド部材によって囲まれた空間に、不活性ガスを供給するガス供給手段を有するように構成すると良い。
【００３８】
また、前記チャンバが、前記ＥＵＶ光の光路に沿って前記被露光体側から順に、ウエハ側チャンバと、該ウエハ側チャンバとガス及び光の行き来が可能なレチクル側チャンバとを有しており、前記コールドトラップが前記ウエハ側チャンバ内に配置されていることが望ましい。ここで、前記ウエハ側チャンバに、不活性ガスを供給するガス供給装置を有するように構成すると良い。
【００３９】
ここで、前記レチクル側チャンバ内の圧力をＰｏｒとし、前記ウエハ側チャンバ内の圧力をＰｏｗとし、前記ステージを囲む空間の圧力をＰｗとした時、
Ｐｏｗ≧Ｐｗ，Ｐｏｒ
の関係を満たしつつ露光するようにすると良い。ここで、以下の関係を満たしつつ露光すると良い。 
Ｐｗ＜Ｐｏｒ
さらに、前記ウエハ側チャンバから前記被露光体に至る露光光の開口部に、開口を有するコールドトラップが配置されていることが好ましい。
【００４０】
また、前記レチクル側チャンバ内の圧力をＰｏｒとし、前記ウエハ側チャンバ内の圧力をＰｏｗとし、前記ステージを囲む空間の圧力をＰｗとした時、
Ｐｏｒ＞Ｐｏｗ，Ｐｗ
の関係を満たしつつ、コールドトラップを再生するようにすると良い。ここで、以下の関係を満たしつつ前記コールドトラップを再生するように構成すると良い。 
Ｐｏｗ＞Ｐｗ
ここで、前記ウエハ側空間内の雰囲気を排気する排気手段と、前記ウエハ側空間内に存在する反射光学素子に、もしくは該反射光学素子を囲む空間内にガスを供給するガス供給手段とを有し、前記コールドトラップ再生時には、前記排気手段と前記ガス供給手段とを同時に稼動するように構成すると良い。
【００４１】
また、前記ウエハ側空間の圧力が、前記コールドトラップの再生時には１〜１００Ｐａであることが好ましい。
【００４２】
また、前記ウエハ側空間の圧力が、露光時には０．１〜１０Ｐａであることが好ましい。
【００４３】
また、前記輻射シールド部材または前記コールドトラップの少なくともどちらか一方の温度制御をヒータなどの発熱機構で行うことが好ましい。
【００４４】
また、前記光学素子の温度を測定する手段を有し、前記温度測定手段により得られた結果を基に前記光学素子の温度を一定範囲内に制御することが好ましい。
【００４５】
また、前記コールドトラップがクライオパネルであることが望ましい。また、前記レチクル側空間及び前記ウエハ側空間それぞれの空間から選択的に排気可能な排気手段を有するように構成すると良い。さらには、この両空間に選択的に不活性ガスを供給することが可能なガス供給手段を有するように構成すると良い。
【００４６】
また、本発明のデバイスの製造方法は、前述の露光装置を用いて被露光体を露光する工程と、前記露光された被露光体を現像する工程とを有することを特徴としている。
【発明の効果】
【００４７】
極端紫外光を用いた露光装置において、クライオパネル等のコールドトラップを用いることによって、コンタミネーションがミラー等の光学素子に付着するのを抑制することができる。また、コールドトラップと光学素子の間に輻射シールド部材を設けることによって、光学部材を輻射冷却するのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
ＥＵＶ光などを用いて真空中で露光を行う露光装置において、クライオパネルなどによるコールドトラップ及び輻射シールド、及び、ガス供給手段を有し、融点の低いヘリウムなどのガスはクライオパネルなどに吸着されることなくウエハステージ空間に流れ出し、ウエハ面やステージ空間から発生した脱ガスなどを抑制する。そのうちの拡散によって光路空間に進入した脱ガスなどの炭素化合物に関してはクライオパネルにより吸着することにより、その分圧を低く保つことが可能である。この場合、ガスによる抑制のみの場合と比較し、より高いＥＵＶ光透過率を維持することができスループットを向上することが可能になると共に、ガスの消費量を抑えることが可能になる。
【００４９】
ここで、ＥＵＶ光が通る光路空間の雰囲気は、中真空から超高真空の範囲内であるのが好ましい。また、この雰囲気の気圧は１０−３Ｐａから１０−８Ｐａの間、より好ましくは１０−４Ｐａから１０−７Ｐａの間であるのが好ましい。
【００５０】
また、前記輻射シールドがミラーを取り囲むように空間を構成することで、クライオパネルによるミラーの輻射冷却を抑えると共に、前記輻射シールドとミラーで囲まれた空間に前記ガスを供給することで、ミラー近傍のガス濃度を高めることができ、炭素化合物のミラーへの付着を更に抑えることが可能である。
【００５１】
また、光路空間とステージ空間との間に露光光を通過するための開口を有すると共に、差圧を生じさせることが可能な隔壁を有し、且つ、光路空間内で差圧を発生させ、露光光を通過するための開口を有する絞り部材を有し、前記絞り部材からレチクルまでの空間（以下、Ｓｏｒ）内の圧力をＰｏｒとし、前記絞り部材からウエハまでの空間（以下、Ｓｏｗ）内の圧力をＰｏｗとし、ウエハステージ空間の圧力をＰｗとした時、
Ｐｏｗ≧Ｐｗ，Ｐｏｒ
の関係を満たしつつ露光することで、圧力の高くなっている空間を限定でき、高いＥＵＶ光透過率を維持することができるため、スループットを向上することが可能になる。また、空間Ｓｏｒに流れ出すガスの量を減らすことができるため、ガスの消費量を抑えることが可能になる。
【００５２】
また、ウエハ面上の露光光照射領域上部に露光光を通過するための開口を有するクライオパネルを配置し、前記クライオパネルを露光光を通過するための開口を有する輻射シールドで覆うことで、ウエハ近傍から発生し、光路空間に進入するアウトガスの軌道をガスで曲げると共に、前記クライオパネルで排気することができるために、より低い圧力で、炭素化合物のミラーへの付着を抑えることが可能になる。そのため、不活性ガスの消費量を抑えることが可能になると共に高い透過率を得ることができるために、スループットを向上することが可能になる。
【００５３】
また、前記空間Ｓｏｒにガス供給手段を有し、前記クライオパネルの再生時には空間Ｓｏｒにガスを供給し、
Ｐｏｒ＞Ｐｏｗ，Ｐｗ
の関係を満たすことで、クライオパネルの再生時に放出される吸着されていた炭素化合物などの分子が空間Ｓｏｒに進入するのを抑制することが可能になる。
【００５４】
また、前記空間Ｓｏｒにガス供給手段を有し、空間Ｓｏｒにガスを供給し、
Ｐｏｗ＞Ｐｗ
の関係を満たしつつ、クライオパネルを再生することで、ステージ空間から発生するアウトガスのＳｏｗへの進入を更に抑えることが可能である。
【００５５】
前記空間Ｓｏｗはゲートバルブを介して前記冷凍機以外の排気手段を有し、露光時には前記ゲートバルブを閉じ、クライオパネル再生時には、ゲートバルブを開けると共に、前記ガス供給手段は前記空間Ｓｏｗに存在するミラーにガスを吹き付けることで、ミラー表面近傍でのクライオパネルの再生時に放出されるガスの分圧を下げることが可能になる。
【００５６】
また、前記供給されるガスはアルゴン、ヘリウム、窒素などの不活性ガスを使用することが好ましい。特に、露光中に供給する不活性ガスはＥＵＶ光に対し透過率の高いガスである必要があるので、ヘリウムであることが好ましい。
【００５７】
また、ガスを供給する際の空間圧力をウエハ露光時には０．１〜１０Ｐａ程度、クライオパネルの再生時には１〜１００Ｐａ程度に制御することで、所望の抑制効果を得ることが可能になる。
【００５８】
以下で具体的な実施例について述べる。
【００５９】
（実施例１）
図１に本発明の実施例１を示す。
【００６０】
図１において、８はＥＵＶ光、１はレチクル照明ミラー、２は投影系第１ミラー、３は投影系第２ミラー、４は投影系第３ミラー、５は投影系第４ミラー、６は投影系第５ミラー、７は投影系第６ミラー、１１は反射型レチクル、１２はレチクル保持装置、１３はレチクルステージ、１４はレチクルアライメント光学系、２１はウエハ、２２はウエハチャック、２３はウエハステージ、２４はウエハアライメント光学系を示す。
【００６１】
ＥＵＶ光源には、不図示のレーザープラズマ光源が用いられる。これは真空容器外に置かれたターゲット供給装置により供給されたターゲット材に励起用パルスレーザーから発生する高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマを発生させ、これから放射される例えば波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。ターゲット材としては、金属薄膜、不活性ガス、液滴などが用いられ、ガスジェット等の手段で真空容器内に供給される。放射されるＥＵＶ光の平均強度を高くするためにはパルスレーザーの繰り返し周波数は高い方が良く、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数で運転される。
【００６２】
不図示の照明光学系は、複数の多層膜または斜入射ミラーとオプティカルインテグレータ等から構成され、レチクルを均一に所定の開口数で照明する。
【００６３】
投影光学系は複数のミラーを用いている。ミラー枚数は少ない方がＥＵＶ光の利用効率が高いが、収差補正が難しくなる。収差補正に必要なミラー枚数は４枚から６枚程度である。ミラーの反射面の形状は凸面または凹面の球面または非球面である。開口数ＮＡは０．１〜０．２程度である。
【００６４】
ミラーは低膨張率ガラスやシリコンカーバイド等の剛性・硬度が高く、熱膨張率が小さい材料からなる基板を、研削・研磨して所定の反射面形状を創生した後、反射面にモリブデン／シリコンなどの多層膜を成膜したものである。
【００６５】
レチクルステージ１３とウエハステージ２３は縮小倍率に比例した速度比で同期して走査する機構をもつ。ここでレチクル又はウエハ面内で走査方向をＸ、それに垂直な方向をＹ、レチクル又はウエハ面に垂直な方向をＺとする。
【００６６】
レチクル１１は、レチクルステージ１３上のレチクルチャック１２に保持される。レチクルステージ１３はＸ方向に高速移動する機構をもつ。また、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、および各軸の回りの回転方向に微動機構をもち、レチクル１１の位置決めができるようになっている。レチクルステージ１３の位置と姿勢は不図示のレーザ干渉計によって計測され、その結果に基づいて位置と姿勢が制御される。
【００６７】
ウエハ２１はウエハチャック２２によってウエハステージ２３に保持される。ウエハステージ２３はレチクルステージ１３と同様にＸ方向に高速移動する機構をもつ。また、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、および各軸の回りの回転方向に微動機構をもち、ウエハ２１の位置決めができるようになっている。ウエハステージ２３の位置と姿勢は不図示のレーザ干渉計によって計測され、その結果に基づいて位置と姿勢が制御される。
【００６８】
アライメント検出機構１４によってレチクルの位置と投影光学系の光軸との位置関係、およびウエハの位置と投影光学系の光軸との位置関係が計測され、レチクルの投影像がウエハの所定の位置に一致するようにレチクルステージ１３およびウエハステージ２３の位置と角度が設定される。
【００６９】
また、フォーカス位置検出機構２４によってウエハ面でＺ方向のフォーカス位置が計測され、ウエハステージの位置及び角度を制御することによって、露光中は常時ウエハ面を投影光学系による結像位置に保つ。
【００７０】
ウエハ２１上で１回のスキャン露光が終わると、ウエハステージ２３はＸ，Ｙ方向にステップ移動して次の走査露光開始位置に移動し、再びレチクルステージ１３及びウエハステージ２３が投影光学系の縮小倍率に比例した速度比でＸ方向に同期走査する。
【００７１】
このようにして、レチクルの縮小投影像がウエハ上に結像した状態でそれらを同期走査するという動作が繰り返される（ステップ・アンド・スキャン）。こうして、ウエハ全面にレチクルの転写パターンが転写される。
【００７２】
ここで、露光装置内は露光光を通過するための開口を有する隔壁や絞りなどを使用し、空間的に差圧を生じさせることが可能な構成になっている。
【００７３】
（レチクルステージと第１光路空間）
まず、レチクル及びレチクルステージを囲むレチクルステージ空間９１と投影光学系の第１〜３ミラーを囲む第１光路空間９２との間には、遮蔽部材（隔壁）６１を設けている。この隔壁は、レチクルを照明する照明光やレチクルから出射する露光光やアライメント光を通過するための開口を有している。ここで、レチクルステージ空間９１と第１光路空間９２の間の、ガスの行き来が可能な隙間（実施例では、遮蔽部材とレチクル面との間の隙間が１ｍｍ以下になるようにしている）を１ｍｍ以下として、レチクル空間と第１光路空間との間に差圧を発生させている。ここでは、第１光路空間の圧力がレチクル空間の圧力よりも高くなるようにしている。
【００７４】
具体的には、レチクルステージ空間９１はターボ分子ポンプなどの排気装置３１が接続され所定の圧力に保つことができ、空間内の圧力を圧力センサＳ３でモニタできるよう構成されている。また、第１光路空間９２は排気装置３２，３３が接続され所定の圧力に保つことができ、空間内の圧力を圧力センサＳ１でモニタできるよう構成されている。このような構成にすることで、レチクルステージ空間と第１光路空間９１の間に差動排気系を構成し、レチクルステージ空間９１から発生するアウトガスの第１光路空間９２への進入量を抑えることが可能である。ここでは排気装置を２つ設けたが、勿論排気装置は１つであっても構わないし、３つ以上設けても構わない。
【００７５】
（第１光路空間と第２光路空間）
次に、第１光路空間９２と第２光路空間９３との間にも、前述の遮蔽部材に相当する、絞り部材６２が設けられている。この絞り部材６２は、レチクルから出射して第１光路空間９２を経た露光光の第１光路空間からの出口及び第２光路空間９３への入り口を形成している。さらに、この絞り部材６２の開口によって、第１光路空間と第２光路空間とを接続することにより、両空間の間に差圧を発生させている。また、第２光路空間には、ゲートバルブＧＶ１を介して排気装置３４、及び、ゲートバルブＧＶ２を介して排気装置３５が接続され、光路空間９３の圧力は圧力センサＳ２でモニタされている。ここでは、これらの圧力センサからの検出結果及び排気装置等を用いて、第１光路空間９２の圧力が第２光路空間９３の圧力よりも低くなるようにしている。
【００７６】
ここで、第２光路空間９３にはクライオ冷凍機４１、４２に接続されたクライオパネル４３、４４が配置される。ここで、クライオパネルとは、第２光路空間内部の温度より低い温度（好ましくは４０Ｋから２００Ｋの間）に設定された部材であり、第２光路空間内に浮遊している物質を吸着する機能を有している。また、チャンバとミラーがクライオパネル４３、４４により輻射冷却されるのを抑えるために、輻射シールド５１、５２、５３、５４を備える。輻射シールド５１は投影系第６ミラー７の冷却を抑えるためにミラーを囲むように配置される。輻射シールド５２は投影系第５ミラー６の冷却を抑えるためにミラーを囲むように配置される。輻射シールド５３、５４はチャンバの冷却を抑えるために配置されている。ここで、クライオパネルを用いてミラーを冷却するように構成しても構わない。その場合は、ミラーの温度を検出する温度センサ（好ましくは非接触で検出する）からの検出結果に基づいて、輻射シールドかクライオパネルの少なくとも一方の温度を調節するように構成するのが好ましい。
【００７７】
また、光路空間９２、９３には窒素やヘリウムなどの不活性ガスを供給するためのガス供給装置を備えており、そのガス供給装置のバルブＶ１、Ｖ２，Ｖ３を備え、必要に応じてバルブＶ４により窒素とヘリウムの供給を切り替えることが可能である。この不活性ガス供給用のバルブは、各光路空間に１つずつであっても構わないし、複数ずつ設けても構わないし、もしくは第１光路空間９２にのみ設けるように構成しても構わないし、もしくは第２光路空間９３にのみ設けるように構成しても構わない。また、窒素やヘリウムに限らず、アルゴンやクリプトン等のガスを供給するように構成しても構わない。
【００７８】
この場合、温度制御はヒータなどの発熱手段を輻射シールドかクライオパネルの少なくともどちらか一方に接続し、温度を調節するように構成しても良いし、また、クライオ冷凍機のＯＮ／ＯＦＦにより温度を調節するように構成しても良い。
【００７９】
また、輻射シールド５３、５４はクライオパネルからチャンバが冷却されるのを抑えるために露光装置の設置される外部雰囲気と同じ温度に設定にするのが好ましく、輻射シールド５１、５２は輻射シールド５３、５４よりも低い温度に設定することで、露光光によるミラー６、７の温度上昇を抑えることが可能である。このようにクライオパネルからの輻射冷却を利用して露光光による光学部品の発熱を抑えるために、輻射シールドごとに異なった温度設定を行っても構わない。
【００８０】
（第２光路空間とウエハステージ空間）
また、第２光路空間９３とウエハステージ空間９４は露光光を通過させるための開口を有する隔壁５２により差圧を発生させ、ウエハステージ空間９４には排気装置３６が接続され、ステージ空間９４内の圧力は圧力センサＳ４によりモニタされる。ここで、第２光路空間とウエハステージ空間との間の、ガスの行き来が可能な開口を有するのは、輻射シールドを兼ねる隔壁５２である必要は無く、輻射シールドとは別体で遮蔽部材６１のような部材を設けても良い。
【００８１】
次に、図２に光路空間９３とウエハステージ空間９４を拡大した図を示す。
【００８２】
ウエハステージ空間９４で発生するアウトガス（汚染物質）はレチクルステージ空間９１同様、差動排気により、抑制することは可能であるが、露光時にウエハ面上のレジストから発生するコンタミネーション（汚染物質）を抑制することができない。そこで、バルブＶ４でヘリウムガスを選択し、バルブＶ１、Ｖ２から第２光路空間９３にヘリウムガスを供給する。バルブＶ１、Ｖ２を介して供給されるヘリウムは第２光路空間９３内に配置された輻射シールド５１と投影系第６ミラー７で囲まれた空間と輻射シールド５２と投影系第５ミラー６で囲まれた空間に供給され、ミラー近傍で最もヘリウム濃度が高くなるように構成される。
【００８３】
第２光路空間９３に供給されたヘリウムは絞り部材６２を介して第１光路空間９２及び輻射シールド５２を介してウエハステージ空間９４に噴出される。この時、第２光路空間９３内の圧力は０．１〜１０Ｐａで制御することで、露光時にウエハ面上から発生するコンタミネーションが第２露光空間や第１露光空間に進入するのを抑制することが可能である。
【００８４】
また、第２光路空間９３で使用されるクライオパネルの温度は１００Ｋ程度に制御されており、第２光路空間内に浮遊する物質を吸着することから、略排気系のような機能を果たしている。１００Ｋ程度のクライオパネルを使用することで、融点の低いヘリウムは第２光路空間９３でクライオパネルに吸着されることはないが、第２光路空間に進入したわずかなコンタミネーションはクライオパネルに吸着することができる。つまり、ヘリウムの消費量を抑えつつ、コンタミネーションのミラー等への付着を抑制することが可能である。なお、排気装置３４、３５に接続されたゲートバルブＧＶ１，ＧＶ２を閉じて露光を行う。但し、露光光の光路上を安定した状態に保つために、若干の排気及び／又は給気を行うようにしても構わない。
【００８５】
ここで、第１光路空間９２、第２光路空間９３、ウエハステージ空間９４の圧力をそれぞれ、Ｐｏｒ，Ｐｏｗ，Ｐｗとした時、以下の関係を満たすように構成する。 
Ｐｏｗ＞Ｐｏｒ，Ｐｗ    （条件式１）
ここで、より好ましくは、
Ｐｏｗ＞Ｐｗ＞Ｐｏｒ    （条件式２）
を満たすように構成する。投影光学系を光の通過順にレチクル側から第１光路空間、第２光路空間とし、ウエハステージを囲む空間をウエハステージ空間としたときに、上記の（条件式１）や（条件式２）のような圧力の関係を満たしつつ露光を行うことにより、ウエハ表面（レジスト）から発生したコンタミネーションがミラー表面に付着するのを抑制することが可能となる。
【００８６】
このような関係を満たすことにより、ウエハステージ空間９４で発生するアウトガス及びウエハの露光領域から露光時に発生するコンタミネーションの第２光路空間９３への進入を抑えると共に第１光路空間９２の圧力上昇を抑えることが可能である。
【００８７】
（クライオパネルの再生）
また、クライオパネルはその表面に吸着した分子の蓄積量が多くなるにつれ、吸着（排気）速度が遅くなるために、定期的な再生を必要とする。対策なしで、クライオパネルを再生した場合（クライオパネルの温度を上げて、吸着されていた物質を拡散させてしまった場合）、クライオパネルに吸着していた物質（チャンバ内に存在した水分や各種部材から発生したアウトガスや先に述べたウエハ面上から発生したコンタミネーション）が第２光路空間内に拡散してしまい、それらがミラーに吸着する恐れがある。このように、クライオパネル再生時に発生するガスがミラー表面で吸着されることになり、クライオパネル再生後、所定の圧力レベルまで減圧するのに時間を要するためスループットの低下につながると共に、炭素系化合物や水分などがミラーに吸着した状態で露光を開始することはミラー表面の酸化やミラーの反射率低下につながる。そのため、クライオパネルの再生時の対策を図３を用いてその内容を説明する。
【００８８】
バルブＶ４により窒素を選択し、Ｖ３を介して第１光路空間９２に窒素を供給する。また、バルブＶ２、Ｖ１を介して輻射シールド５１と投影系第６ミラーで囲まれた空間と輻射シールド５２と投影系第５ミラー６で囲まれた空間に窒素を供給する。そして、排気装置３４、３５を動作させた状態で、ゲートバルブＧＶ１、ＧＶ２を開け、各空間の圧力が以下の関係を満たすよう制御する。 
Ｐｏｒ＞Ｐｏｗ，Ｐｗ    （条件式３）
より好ましくは、
Ｐｏｒ＞Ｐｏｗ＞Ｐｗ    （条件式４）
を満足するようにする。
【００８９】
その後、クライオパネル４３、４４の再生を開始する。
【００９０】
上記条件を満たしつつ、光路空間９２，９３の圧力を１〜１００Ｐａ程度で制御することで、再生時にクライオパネル４３，４４から発生するガスの大部分は排気装置３４、３５で排気されることになり、投影光学系第５ミラー６、投影系第６ミラー７近傍への拡散を抑え、ミラー表面への吸着を抑えると共に、光路空間９２への拡散を抑え、ウエハステージ空間９４で発生するアウトガスが光路空間９３に進入するのを抑制することが可能になる。この際、第２光路空間内のミラー表面近傍にあるバルブ（ガス給気口）からガスを第２光路空間内にガスを供給するように構成すれば、ミラー近傍が第２光路空間内のガスの流れの最上流になるため、クライオパネルから拡散する物質がミラー表面に付着することをさらに抑制することができる。
【００９１】
また、本実施例ではレチクルステージ空間のアウトガスの抑制方法として差動排気を説明したが、ウエハステージ空間同様の対策をレチクルステージ空間９１と第１光路空間９２の間に施しても、光路空間全体の圧力が上昇するために露光光の透過率が減少するもののレチクルステージ空間に存在するアウトガスの光路空間９２への進入を差動排気と同様に抑制することは可能である。
【００９２】
また、露光時にはヘリウムを供給し、クライオパネル再生時には窒素を供給するというようにガスの切り替えを行っているが、ヘリウムだけというような１種類のガスだけを使用しても良いし、アルゴンや水素などのＥＵＶ光に対し透過率の高いガスを使用しても良い。
【００９３】
また、クライオパネルにより投影光学系が有するミラーが冷却されるのを抑制する輻射シールドを、ヒータなどを用いて温調することにより、クライオパネルのミラー（或いはチャンバ）への輻射冷却の影響を更に抑えることは可能である。
【００９４】
また、本実施例はクライオパネルとガス（の差圧）による抑制を併用した方式であるが、露光時にガスを供給しない状態でクライオパネルを使用しても、ウエハ等から発生するコンタミネーションのミラーへの付着を抑制することができる。また、本方式のクライオパネルの再生方法により、クライオパネル再生時のミラーの汚染を防止することが可能である。すなわち、第２光路空間９３内に配置されたクライオパネル４３（４４）と、そのクライオパネルによって、投影系のミラー６（７）が（過度に）輻射冷却されないようにする輻射シールド部材５２（５１）と、第２光路空間９３にガスを供給するガス供給装置とを有しており、その供給装置により第２光路空間９３にガスが供給される給気口が、輻射シールド部材５２（５１）よりミラー６側に設けられているように構成すると、クライオパネルの再生時に投影系のミラーに汚染物質が付着することを抑制しつつ、クライオパネルを再生させることが可能となる。
【００９５】
また、クライオパネルを用いずに、各空間ごとの差圧を使って、コンタミネーションがミラーに付着するのを抑制しても構わない。
【００９６】
（実施例２）
第二の実施例の構成を図４に示す。図４は投影系第５ミラー６の近傍を拡大した図であり、本実施例では投影系第５ミラー６の右側に露光光を通過するための開口を有すると共に、周辺に輻射シールドを有するクライオパネルを配置したものである。第１の実施例同様に、露光時、及び、クライオパネル再生時にはガスを供給する。
【００９７】
ウエハ面上の露光領域上部にクライオパネル４５を配置することで、拡散によって光路空間９３に進入しようとするコンタミネーション（汚染物質）の軌道がバルブＶ１を介して供給されるヘリウムにより曲げられ、コンタミネーションがクライオパネル４５に衝突し、クライオパネルに吸着される（排気される）確率が高くなる。
【００９８】
この効果を熱流体シミュレーションにより解析した結果を図５に示す。図５は横軸に第２光路空間９３の絶対圧力を示し、縦軸に露光時にウエハ面上から発生し、第２光路空間９３に進入するコンタミネーション（ＣｘＨｙ）の分圧を示したグラフである。＃１（○印）はクライオパネルを動作させずヘリウムのみを供給した場合の結果であり、＃２（塗りつぶし□印）はクライオパネル４３、４４を動作させると共にヘリウムを供給した場合の結果であり、＃３（×印）はクライオパネル４３、４４、４５動作させると共にヘリウムを供給した場合の結果である。なお、ヘリウムを供給しない場合にはおよそＣｘＨｙの分圧は１Ｅ−４Ｐａ程度であった。この結果からもわかるように＃１の条件に対し、＃２、＃３の結果がより低い圧力においてウエハから発生するコンタミネーションのミラーへの付着を抑制する効果を得ることが可能であることが理解できる。
【００９９】
このようにして、実施例１に対してより少ないヘリウムの供給量で、同程度の抑制効果を得ることが可能である。
【０１００】
また、先の実施例では輻射シールドでミラーを囲むように配置したが、図６に示すように通常のクライオポンプのようにクライオパネルを取り囲むように輻射シールド５６、５７を配置し、投影系第５ミラー６、投影系第６ミラー７にヘリウムを供給する構成にしても良い。この場合、輻射シールドによりクライオパネルが囲まれるため、クライオパネルの排気速度が遅くなるものの、ヘリウムのみを供給する場合に比べ、第２光路空間９３内の炭素化合物の分圧をより低く抑えることが可能である。この輻射シールド５６、５７は、複数の板状部材を有しており、それらの板状部材の形状は、図６のようにそれぞれが折り曲がっている必要は無く、それぞれの断面は直線状や曲線状であっても構わない。
【０１０１】
また、この場合、クライオパネルの再生時にはミラーを囲むカバーの役目をしていた輻射シールドがないために、ミラー表面にヘリウムを供給しても、クライオパネルから発生する汚染物質を含むガスに対して高い抑制効果を得ることはできない。そのため、図７に示すように、輻射シールド５７、５８の内側に排気用の流路を設け、再生時にはバルブＶ７、Ｖ８を開けることで、輻射シールドで囲まれた空間からガスを排気する装置３７、３８を配置することが望ましい。このように、排気装置３７、３８によって、第２光路空間９３内の窒素を排気するように構成することで、ミラー近傍でのクライオパネルから放出された汚染物質の濃度の上昇を抑えることが可能である。
【０１０２】
また、本実施例においても、輻射シールドをヒータなどにより温調することにより、クライオパネルのミラーへの輻射冷却の影響を更に抑えることは可能である。
【０１０３】
また、本実施例はクライオパネルとガスによる抑制を併用した方式であるが、露光時にクライオパネルのみを使用した方式であっても、本方式のクライオパネルの再生方法により、クライオパネル再生時のミラーの汚染を防止することが可能である。すなわち、第２光路空間９３内に配置されたクライオパネル４３（４４）と、第２光路空間内でそのクライオパネルを含む空間を形成する部材５４、５７（５３、５６）と、そのクライオパネルを含む空間内に排気口を有し、この排気口から排気する排気装置とを有するような構成にすれば、クライオパネルの再生時に投影系のミラーに汚染物質が付着することを抑制することができる。
【０１０４】
また、図１１に示すようにウエハステージ空間９４内にクライオ冷凍機４８に接続されたクライオパネル４７を配置し、クライオパネルを取り囲むように輻射シールド５９、６０を配置しても構わない。その場合、不図示の輻射シールドの温度を検出する温度センサからの検出結果に基づいて、輻射シールド５９、６０、またはクライオパネル４７の少なくともどちらか一方の温度を調節するように構成するのが好ましい。また、温度制御はヒータなどの発熱手段を輻射シールドかクライオパネルの少なくともどちらか一方に接続し、温度を調節するように構成しても良いし、また、クライオ冷凍機のＯＮ／ＯＦＦにより温度を調節するように構成しても良い。
【０１０５】
輻射シールド５９，６０はクライオパネルからウエハ、チャンバやステージが冷却されるのを抑えるために露光装置の設置される外部雰囲気と同じ温度に設定にするのが好ましい。また同様にレチクルステージ空間に同様の構成を配置しても構わない。このような構成にすることで、各ステージ空間内の各構成部材から発生するコンタミネーションの分圧を一桁程度下げることが可能である。
【０１０６】
また、本実施例においては、ＥＵＶ光を用いて露光を行っているが、ＥＵＶ光に限らず、真空中もしくは高真空中で露光を行う露光装置になら、本実施例は適用可能である。また、波長０．５ｎｍ〜２０ｎｍの極端紫外光を用いて露光を行う露光装置にも好適である。また、クライオパネル以外でコールドトラップを用いて、露光装置中のコンタミネーションを除去する方法を用いた場合にも、本実施例は適用可能である。
【０１０７】
また、本実施例１，２においては、投影光学系の光学素子を囲むチャンバを２つの空間（第１光路空間と第２光路空間、もしくはレチクル側チャンバとウエハ側チャンバ）に分けたが、勿論チャンバ内を３つ以上の空間に分離しても構わない。その場合、クライオパネル（コールドトラップ）を配置するのは、最もウエハに近い空間であるのが好ましい。
【０１０８】
また、クライオパネルを投影光学系の最下面（最もウエハステージに近い面）に配置するようにしても良い。但し、その場合はウエハが輻射冷却により過度に冷却されてしまわないように、クライオパネルとウエハとの間に輻射シールドを設けるようにするのが望ましい。
【０１０９】
本実施例によれば、光路空間内にクライオパネルを使用することによりヘリウムなどのＥＵＶ光に対し透過率の高いガスでウエハ面上から発生する炭素化合物の抑制する場合に、より低い圧力で所望の抑制効果を得ることが可能になるため、圧力上昇に伴うＥＵＶ露光光の透過率低下を抑え、高いスループットを維持することが可能である。
【０１１０】
また、抑制ガスの供給量を抑えることができるため、ランニングコストを削減することが可能である。
【０１１１】
また、クライオパネルの再生時に蓄積したガスがミラー近傍に拡散するのを抑えることで、ミラーの汚染を抑えることが可能である。
【０１１２】
次に、図９及び図１０を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例３を説明する。
【０１１３】
図９は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。本実施形態においては、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウエハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いてリソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
【０１１４】
図１０は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置２００によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【０１１５】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本願実施例は、実施例１及び２及び３を任意に組み合わせても構わない。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本発明のＥＵＶ露光装置の構成を説明する図である。
【図２】第１の実施例のガスの流れを説明する図である。
【図３】クライオパネル再生時のガスの流れを説明する図である。
【図４】ウエハ面上の露光領域上部にクライオパネルを配置した図である。
【図５】効果を示すグラフである。
【図６】別の実施例を示す模式図である。
【図７】別の実施例のクライオパネ再生を示す模式図である。
【図８】従来のＥＵＶ露光装置の構成図である。
【図９】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図１０】図９に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【図１１】別の実施例を示す模式図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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