(57)【要約】  【課題】  蓋部材の傾斜、蓋部材による半導体基板又は半導体基板に設けられている各部の破損、及び製造時の半導体基板の破損を防止できる半導体装置、光学装置用モジュール及び半導体装置の製造方法を提供する。  【解決手段】  半導体基板１の表面に撮像素子１２及びマイクロレンズ部１３が形成され、半導体基板１を貫通する貫通電極３，３，…が形成され、表面からガラスリッド１１側へ突出する突起部３ａ，３ａ，…が貫通電極３，３，…上にマイクロレンズ部１３の厚さより厚く形成され、突起部３ａ，３ａ，…が半導体基板１とガラスリッド１１との間に介在している。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が一面に形成され、該一面及び他面を貫通する貫通電極が形成された半導体基板と、前記半導体素子を覆い、前記半導体基板に装着された蓋部材とを備える半導体装置において、
前記一面から蓋部材側へ突出する突起部が前記半導体基板に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記一面にマイクロレンズが設けられ、前記突起部の厚さは前記マイクロレンズの厚さより大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記突起部は前記貫通電極と一体に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記突起部は前記一面上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れかひとつに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記貫通電極と前記突起部とは同一の導電性材料を用いてなることを特徴とする請求項１乃至４の何れかひとつに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記突起部は金属製であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかひとつに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記蓋部材は透光性を有し、前記半導体素子は受光素子又は撮像素子であることを特徴とする請求項１乃至６の何れかひとつに記載の半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れかひとつに記載の半導体装置と、該半導体装置への光路を画定する光路画定器とを備えることを特徴とする光学装置用モジュール。
【請求項９】
半導体基板の一面に半導体素子を形成し、前記一面及び他面を貫通する貫通電極を前記半導体基板に形成し、蓋部材を、前記半導体素子を覆うようにして前記半導体基板に装着する半導体装置の製造方法において、
前記蓋部材を装着する前に、前記半導体基板に、前記一面から突出する突起部を形成し、形成した突起部を前記一面との間に介在して前記蓋部材を前記半導体基板に装着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記一面にマイクロレンズを設け、
前記突起部を形成する場合、前記マイクロレンズの厚さよりも厚く前記突起部を形成することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記貫通電極の形成後、又は前記貫通電極の形成中に、前記突起部が前記貫通電極と一体になるよう前記突起部を形成することを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記半導体基板に対しめっきを行なうことによって前記突起部を形成することを特徴とする請求項９乃至１１の何れかひとつに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記半導体基板に対し金属製ペーストを印刷し、印刷した金属製ペーストを硬化させることによって前記突起部を形成することを特徴とする請求項９乃至１１の何れかひとつに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子及び貫通電極が形成された半導体基板と半導体基板に装着された蓋部材とを備える半導体装置、光学装置用モジュール、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置として、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等のパッケージが用いられ、光学装置用モジュールとして、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等のセンサモジュールが用いられている。
【０００３】
図９は、従来の一の半導体装置の構成を示す断面図である。半導体装置が備える半導体基板１１１には、一面（表面）に受光素子１１３が形成されており、受光素子１１３形成面上にはマイクロレンズ部１１４が形成されている。
【０００４】
半導体基板１１１の他面（裏面）は、セラミック又は合成樹脂で形成された箱状容器１１５内底面上に、接着剤１１７（ダイボンディング用樹脂）にて接着（ダイボンド）されている。箱状容器１１５の開口は、ガラスリッド１１２が接着剤１１９にて装着されることによって封止され、箱状容器１１５内部の受光素子１１３及びマイクロレンズ部１１４が外部環境から保護されている。また、半導体基板１１１表面上に設けられた電極パッド１０９（ボンディングパッド）と、箱状容器１１５内部から外部へ引き出された電極リード１１６とがボンディングワイヤ１１８にて電気的に接続されている。
【０００５】
図１０は、従来の光学装置用モジュールの構成を示す断面図である。図１０に示す光学装置用モジュールは、レンズ１２３とレンズ１２３を保持する筒状の光路画定器１２２と配線基板１２０とを備える。また、光学装置用モジュールは半導体基板１１１を備え、半導体基板１１１は、受光素子１１３、マイクロレンズ部１１４、及び電極パッド１０９を設けてある。半導体基板１１１の裏面は、配線基板１２０上に接着剤１１７にてダイボンドされており、電極パッド１０９は、配線基板１２０上に設けられた導体配線１２１とボンディングワイヤ１１８にて電気的に接続されている。
【０００６】
光路画定器１２２の開口は、一方がレンズ１２３に対向配置されたガラスリッド１１２及び接着剤１１９によって封止され、他方が配線基板１２０及び図示しない接着剤によって封止され、受光素子１１３及びマイクロレンズ部１１４が外部環境から保護されている。光路画定器１２２を封止する前は、他の手段によって受光素子１１３及びマイクロレンズ部１１４を保護する必要がある。
【０００７】
上述した半導体装置及び光学装置用モジュールは、ボンディングワイヤ１１８を用いて電極パッド１０９と電極リード１１６及び導体配線１２１とを接続するためのスペースを必要とする。また、受光素子１１３が遮光されてしまうため、ボンディングワイヤ１１８、電極パッド１０９等を受光素子１１３又はマイクロレンズ部１１４上に配線することができない。以上の結果、半導体装置及び光学装置用モジュールを小型化することは困難であった。
【０００８】
このため、近年、半導体基板の表面から裏面へ貫通する貫通電極を形成し、半導体基板の裏面に再配線及び実装用端子を形成することによって小型化する半導体装置又は光学装置用モジュールが提案されている（特許文献１，２参照）。
【０００９】
図１１は、従来の他の半導体装置の構成を示す断面図である。図１１（ａ）に示す半導体装置は半導体基板１１１を備え、半導体基板１１１には、受光素子１１３及びマイクロレンズ部１１４が形成されている。ただし、半導体基板１１１は表面から裏面へ貫通電極１２４が形成されており、半導体基板１１１裏面には裏面配線１２５及び実装用端子である半田ボール１２６が形成されている。また、貫通電極１２４と半田ボール１２６とは裏面配線１２５にて電気的に接続されている。
【００１０】
更に、半導体基板１１１に対してガラスリッド１１２が、半導体基板１１１及びガラスリッド１１２が適長離隔して略平行になるよう装着されている。この場合、例えば半導体基板１１１表面にペースト状の接着剤を用いてなる接着部１２７が印刷され、印刷された接着部１２７上にガラスリッド１１２が載置され、その後、熱処理による接着部１２７の硬化が行なわれる。硬化した接着部１２７は半導体基板１１１に対してガラスリッド１１２を固定し、支持する。
【００１１】
このような接着部１２７は、半導体基板１１１表面の周縁部に、受光素子１１３及びマイクロレンズ部１１４を避けて設けられる。ただし、接着部１２７が透光性を有する接着剤（例えば透明樹脂又は低融点ガラス）を用いてなる場合、接着部１２７は受光素子１１３及びマイクロレンズ部１１４上を含む半導体基板１１１表面に設けられることもある。半導体基板１１１とガラスリッド１１２との間は接着部１２７にて封止され、受光素子１１３及びマイクロレンズ部１１４が外部環境から保護される。
【特許文献１】特開２００１−３５１９９７号公報
【特許文献２】特開２００２−９４０８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、従来の半導体装置が備える接着部１２７は、硬化前の硬度が低いため、図１１（ｂ）に示すように、ガラスリッド１１２が接着部１２７に沈み込んでガラスリッド１１２と半導体基板１１１との距離が短くなり、ガラスリッド１１２がマイクロレンズ部１１４、受光素子１１３等に当接することがあった。この場合、マイクロレンズ部１１４又は受光素子１１３が破損するという問題があった。
【００１３】
また、ガラスリッド１１２の接着部１２７への沈み込みによって、ガラスリッド１１２が傾くことがあった。このとき、ガラスリッド１１２を介して入射した光が受光素子１１３に正確に受光されないという問題があった。
【００１４】
以上のような問題に際して、ガラスリッド１１２の接着部１２７への沈み込みを防止するため、予め硬度が高い接着剤を用いて接着部１２７を形成することが考えられる。この場合、接着部１２７上にガラスリッド１１２を装着してもガラスリッド１１２が接着部１２７に沈み込むことが防止される。しかしながら、接着部１２７とガラスリッド１１２及び半導体基板１１１とを確実に接着してガラスリッド１１２及び半導体基板１１１間を封止するためには、硬度が低い接着剤を用いて接着部１２７を形成する場合よりも大きな力でガラスリッド１１２及び半導体基板１１１を加圧する必要があり、このため、加圧時に半導体基板１１１が破損する虞があった。
【００１５】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、半導体基板と蓋部材との間に、半導体基板に設けられた突起部を介在させることにより、蓋部材の傾斜、蓋部材による半導体基板又は半導体基板に設けられている各部の破損、及び加圧による半導体基板の破損を防止することができる半導体装置、該半導体装置を備える光学装置用モジュール、及び前記半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
本発明の他の目的は、突起部の厚さをマイクロレンズの厚さよりも厚く形成することにより、蓋部材によるマイクロレンズの破損を防止することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１７】
本発明の他の目的は、突起部及び貫通電極を一体に形成するか、又は突起部を貫通電極の構成材料／形成手段と同一の材料／手段で形成することにより、簡易かつ低コストに突起部を形成することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明に係る半導体装置は、半導体素子が一面に形成され、該一面及び他面を貫通する貫通電極が形成された半導体基板と、前記半導体素子を覆い、前記半導体基板に装着された蓋部材とを備える半導体装置において、前記一面から蓋部材側へ突出する突起部が前記半導体基板に形成されていることを特徴とする。
【００１９】
本発明に係る半導体装置は、前記一面にマイクロレンズが設けられ、前記突起部の厚さは前記マイクロレンズの厚さより大きいことを特徴とする。
【００２０】
本発明に係る半導体装置は、前記突起部は前記貫通電極と一体に形成されていることを特徴とする。
【００２１】
本発明に係る半導体装置は、前記突起部は前記一面上に形成されていることを特徴とする。
【００２２】
本発明に係る半導体装置は、前記貫通電極と前記突起部とは同一の導電性材料を用いてなることを特徴とする。
【００２３】
本発明に係る半導体装置は、前記突起部は金属製であることを特徴とする。
【００２４】
本発明に係る半導体装置は、前記蓋部材は透光性を有し、前記半導体素子は受光素子又は撮像素子であることを特徴とする。
【００２５】
本発明に係る光学装置用モジュールは、本発明に係る半導体装置と、該半導体装置への光路を画定する光路画定器とを備えることを特徴とする。
【００２６】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の一面に半導体素子を形成し、前記一面及び他面を貫通する貫通電極を前記半導体基板に形成し、蓋部材を、前記半導体素子を覆うようにして前記半導体基板に装着する半導体装置の製造方法において、前記蓋部材を装着する前に、前記半導体基板に、前記一面から突出する突起部を形成し、形成した突起部を前記一面との間に介在して前記蓋部材を前記半導体基板に装着することを特徴とする。
【００２７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記一面にマイクロレンズを設け、前記突起部を形成する場合、前記マイクロレンズの厚さよりも厚く前記突起部を形成することを特徴とする。
【００２８】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記貫通電極の形成後、又は前記貫通電極の形成中に、前記突起部が前記貫通電極と一体になるよう前記突起部を形成することを特徴とする。
【００２９】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記半導体基板に対しめっきを行なうことによって前記突起部を形成することを特徴とする。
【００３０】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記半導体基板に対し金属製ペーストを印刷し、印刷した金属製ペーストを硬化させることによって前記突起部を形成することを特徴とする。
【００３１】
本発明にあっては、半導体基板の一面及び他面を貫通する貫通電極を備える。半導体基板に貫通電極が形成されている場合、一般に、半導体素子を覆う蓋部材を半導体基板に装着することによって半導体装置の小型化を図っている。突起部は、半導体素子が形成された半導体基板の一面側から蓋部材側へ突出するよう半導体基板に形成され、半導体基板の一面側と蓋部材との間に介在することによって、半導体基板、半導体素子、又は半導体基板の一面に設けられる各部（例えば半導体素子形成面上に設けられるマイクロレンズ）に蓋部材が当接することを防止するスペーサとして機能する。
【００３２】
また、本発明にあっては、半導体基板の一面にマイクロレンズが設けられる。この場合、蓋部材がマイクロレンズに当接することを防止するために、突起部の厚さ（半導体基板の一面から突起部の頂点までの長さ）はマイクロレンズの厚さ（半導体基板の一面からマイクロレンズの頂点までの長さ）より大きく設けられる。
【００３３】
更に、本発明にあっては、例えば、半導体基板の一面側の貫通電極端部に、突起部が一体に形成される。
【００３４】
更にまた、本発明にあっては、突起部が、半導体素子の形成面上、及び／又は半導体素子の形成面上を除く半導体基板の一面上に形成される。
【００３５】
また、本発明にあっては、突起部が貫通電極と一体に形成される場合でも別体に形成される場合でも、突起部は貫通電極と同一の導電性材料を用いて形成される。
【００３６】
更に、本発明にあっては、突起部は金属製であり、このため、例えばめっき、又は金属ペーストの印刷及び硬化によって形成される。
【００３７】
更にまた、本発明にあっては、透光性を有する蓋部材と、半導体素子としての受光素子又は撮像素子を備える。このような半導体装置は、例えばＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等のパッケージである。
【００３８】
また、本発明にあっては、本発明の半導体装置と、光路画定器とを備える。このような光学装置用モジュールは、例えばカメラのような光学装置に組み込まれるＣＣＤイメージセンサモジュール、ＣＭＯＳイメージセンサモジュール等である。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、半導体基板に形成された突起部が、半導体基板と蓋部材との間のスペーサとして機能するため、半導体基板又は半導体基板に設けられる各部（半導体素子、マイクロレンズ等）の蓋部材の当接による破損を防止することができる。
【００４０】
また、蓋部材を半導体基板に接着剤を用いて装着する場合、接着剤に対する蓋部材の沈み込みをスペーサである突起部によって防止することができるため、蓋部材の沈み込みを防止すべく硬度が高い接着剤を用いる必要がなく、接着時に蓋部材及び半導体基板を過度に加圧する必要がない。この結果、接着時の過度の加圧による半導体基板の破損を防止することができる。
【００４１】
更に、複数の突起部を備え、しかも各突起部の厚さが略同一である場合、又は単数の突起部を備え、しかも突起部の厚さが略均一である場合、突起部は、蓋部材を半導体基板に対して平行に支持できるため、蓋部材が透光性を有し、半導体素子が受光素子又は撮像素子であるとき、半導体素子が入射光を正確に受光することができる。このような半導体装置及び光学用モジュールは光学的に有利である。
【００４２】
更にまた、複数の突起部が適宜の配置で形成される場合、又は単数の突起部が適宜の形状で形成される場合、蓋部材の沈み込みを確実に防止し、安定して蓋部材を支持することができる。
【００４３】
また、例えば板状の蓋部材を用い、蓋部材の一面の周縁部を半導体基板の一面の周縁部に接着する場合、蓋部材によって半導体素子を、例えば外部の物体との当接から保護することができる。この場合、蓋部材を半導体基板に接着するための接着剤が半導体素子を被覆しないため、蓋部材が透光性を有し、半導体素子が受光素子又は撮像素子であるとき、半導体素子へ入射すべき光が接着剤によって損失することが防止できる。更に、蓋部材が半導体基板の一面の周縁部全周に接着される場合、半導体基板と蓋部材との間が封止されるため、半導体素子を、湿気のような外部環境からも確実に保護することができる。
【００４４】
更にまた、蓋部材は、半導体基板の一面全面に接着されても良い。この場合、蓋部材を半導体基板に接着するための接着剤が半導体素子を被覆し、このため蓋部材の脱離を防止することができる。また、蓋部材及び接着剤によって半導体素子を更に保護することができる。
【００４５】
また、本発明によれば、半導体素子が受光素子、撮像素子等である場合、半導体素子上にはマイクロレンズが設けられる。このため、半導体素子への集光効率を向上させることができる。更に、突起部の厚さはマイクロレンズの厚さより大きいため、蓋部材がマイクロレンズに当接することが防止できる。
【００４６】
更にまた、本発明によれば、突起部と貫通電極とが一体であるため、突起部を、貫通電極の形成工程と同時的又は連続的に形成することが可能である。この結果、突起部の形成工程を別途設ける必要がなく、突起部を形成することによる工程数の増大を防止することができる。また、通常、貫通電極の一面側上には何も配置されないため、ここに突起部を配置することは可能であり、しかも、突起部配置用のスペースを他の部分に設ける必要がない。更に、突起部によって半導体装置が大型化することが防止できる。
【００４７】
更にまた、本発明によれば、突起部が、半導体素子の形成面上、及び／又は半導体素子の形成面上を除く一面上に形成されるため、突起部によって半導体装置が大型化することが防止できる。
【００４８】
また、本発明によれば、突起部が貫通電極と同一の導電性材料を用いて形成されるため、突起部を形成するための他の材料を用意する必要がない。この結果、突起部を形成することによる材料費の増大を低減できる。更に、突起部を貫通電極の形成工程と同時的又は連続的に形成することが可能である。この結果、突起部の形成工程を別途設ける必要がなく、突起部を形成することによる工程数の増大を防止することができる。
【００４９】
更にまた、本発明によれば、突起部は金属製であり、めっき、又は金属ペーストの印刷及び硬化によって形成することができる。一方、貫通電極もめっき、又は金属ペーストの印刷及び硬化によって形成することができるため、貫通電極形成用の設備を突起部形成用の設備として利用することができる。また、突起部を貫通電極の形成工程と同時的又は連続的に形成することが可能である。この結果、突起部の形成工程又は形成用設備を別途設ける必要がなく、突起部を形成することによる工程数又は設備費の増大を防止することができる。
【００５０】
更に、本発明によれば、透光性を有する蓋部材と、半導体素子としての受光素子又は撮像素子を備えるため、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等のパッケージとして、デジタルカメラ又はカメラ機能付き携帯電話機のような光学装置に組み込むための光学装置用モジュールを構成することができる。
【００５１】
更にまた、本発明によれば、本発明の半導体装置と光路画定器とを備えるため、例えばＣＣＤイメージセンサモジュール、ＣＭＯＳイメージセンサモジュール等として、デジタルカメラ又はカメラ機能付き携帯電話機のような光学装置に組み込むことができる。
【００５２】
また、本発明の半導体装置は、貫通電極を備えない従来の半導体装置より小型化されているため、小型化された半導体装置を備える光学装置用モジュールも小型化することができる等、本発明は優れた効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
以下、本発明を、その実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。本実施の形態において例示する半導体装置は、半導体素子である撮像素子が形成された半導体基板を備えるＣＣＤイメージセンサのＣＳＰ（チップサイズパッケージ）である。しかしながら、これに限るものではなく、例えば、受光素子、発光素子等が形成された半導体基板を備える半導体装置でも良い。
【００５４】
実施の形態  １．
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置１４の構成を示す平面図である。また、図２は半導体装置１４の構成を示す断面図であり、図１におけるII−II線の断面図である。更に、図３は半導体装置１４が備える貫通電極３及び突起部３ａの構成を示す拡大断面図であり、図２における１個の貫通電極３及び突起部３ａ近傍の拡大図である。ただし図２では、図３における貫通孔絶縁膜２、裏面絶縁膜５、電極パッド８及び表面保護膜９の図示は省略してある。
【００５５】
図１及び図２に示すように、半導体装置１４は平面視が矩形の半導体基板１を備える。半導体基板１は、例えばＳｉを用いてなる平板であり、半導体基板１の一面には、平面視が矩形の撮像素子１２が形成されている。撮像素子１２は多数の画素配列を有し、各画素が受光センサとして機能する。撮像素子１２の形成面上には、撮像素子１２の集光効率を向上するために、撮像素子１２の画素と一対一対応に多数のマイクロレンズが配列されてなるマイクロレンズ部１３が形成されている。
【００５６】
ここで、半導体基板１に関し、撮像素子１２が形成された一面を半導体基板１の表面とし、撮像素子１２が形成されていない他面を半導体基板１の裏面とする。半導体基板１は、夫々が表面及び裏面を貫通する複数の貫通電極３，３，…を備える。貫通電極３，３，…は、互いに、並びに撮像素子１２及びマイクロレンズ部１３から適長離隔して、撮像素子１２及びマイクロレンズ部１３を囲むように配置されている。貫通電極３，３，…の個数及び配置は、撮像素子１２に対する配線の必要性に応じて設定されている。
【００５７】
半導体基板１は、貫通電極３，３，…と一対一対応の突起部３ａ，３ａ，…を備える。各突起部３ａは、対応する貫通電極３と一体に形成されて、半導体基板１表面から、後述するガラスリッド１１側へ突出している。また、各突起部３ａは平面視が矩形であり、頂部に水平面を有し、各突起部３ａの厚さはマイクロレンズ部１３の厚さよりも大きく、突起部３ａ，３ａ，…同士の厚さは略等しい。本実施の形態における突起部３ａ，３ａ，…は貫通電極３，３，…の半導体基板１表面側端部上に形成されており、突起部３ａ，３ａ，…の形状、厚さ、個数及び配置は、ガラスリッド１１の安定した支持が可能であるように設定されている。このため、半導体基板１は、突起部３ａが形成されていない貫通電極３を備えても良い。
【００５８】
なお、半導体基板１は、貫通電極３，３，…上の突起部３ａ，３ａ，…に加えて、又はこれらの突起部３ａ，３ａ，…の代わりに、貫通電極３，３，…、撮像素子１２及びマイクロレンズ部１３から適長離隔した半導体基板１表面上に突起部３ａ，３ａ，…とは異なる形態の突起部を備えても良い。該突起部の形状、厚さ、個数及び配置は、ガラスリッド１１の安定した支持が可能であるように設定され、前記突起部の構成材料は貫通電極３，３，…（及び突起部３ａ，３ａ，…）の構成材料と同じ導電性材料でも異なる材料でも良く、金属材料又は非金属材料に限定されない。以上で説明した何れの場合も、各突起部は撮像素子１２上に形成されないため、各突起部は撮像素子１２の受光を妨げない。
【００５９】
半導体装置１４は、平面視の寸法が半導体基板１の寸法に略等しい矩形平板状のガラスリッド１１（透光性を有する蓋部材）を備える。ガラスリッド１１は突起部３ａ，３ａ，…上に載置されることによって半導体基板１に対し適長離隔して略平行に配置されている。この場合、ガラスリッド１１は撮像素子１２及びマイクロレンズ部１３を覆い、突起部３ａ，３ａ，…は半導体基板１とガラスリッド１１との間のスペーサとして機能する。
【００６０】
また、各突起部３ａ及びガラスリッド１１、並びに半導体基板１及びガラスリッド１１は合成樹脂製の接着剤を用いてなる接着封止部１０によって装着されている。ただし、接着封止部１０は、半導体基板１の表面周縁部上に、撮像素子１２及びマイクロレンズ部１３から適長離隔して形成されている。また、接着封止部１０は、半導体基板１及びガラスリッド１１の周縁部を封止している。このため、半導体基板１とガラスリッド１１との間に存在する撮像素子１２及びマイクロレンズ部１３は、湿気、異物の付着又は当接等から保護される。
【００６１】
この結果、半導体基板１に対するガラスリッド１１の装着後は、撮像素子１２及びマイクロレンズ部１３を別途保護する必要がなく、このため半導体装置１４の製造工程が簡略化される。また、半導体装置１４の製造歩留まりが向上し、半導体装置１４の信頼性が向上する。
【００６２】
図３に示すように、半導体基板１には、半導体基板１の表面から裏面へ貫通する貫通孔が形成され、貫通孔の内壁には貫通孔絶縁膜２が形成され、貫通孔絶縁膜２を介して貫通孔内に貫通電極３が形成されている。このため、貫通電極３と半導体基板１とは電気的に絶縁されている。
【００６３】
突起部３ａの面積は、貫通孔表面側開口の面積よりも大きく、このため突起部３ａは、貫通電極３上及び半導体基板１表面上に形成されている。ただし、突起部３ａと半導体基板１表面との間には、膜状の電極パッド８が介在している。また、電極パッド８上を除く半導体基板１表面には表面保護膜９が形成されており、電極パッド８及び表面保護膜９下には、図示しない絶縁膜が形成されている。接着封止部１０と半導体基板１とは、表面保護膜９及び絶縁膜を介して接着されている。
【００６４】
半導体基板１の裏面には、貫通孔裏面側開口を避けるようにして裏面絶縁膜５が形成してあり、更に、貫通孔裏面側開口の中央部及び裏面絶縁膜５の一部に対して、貫通孔裏面側から貫通電極３に電気的に接続された膜状の裏面配線４が積層されている。更にまた、裏面絶縁膜５の他部及び裏面配線４の一部に対して、裏面保護膜６が積層されており、裏面配線４の他部には、半田を用いたバンプとして、裏面配線４に電気的に接続された半田ボール７が形成されている。
【００６５】
以上のような半導体装置１４においては、貫通電極３が半導体基板１の表面側と裏面側とを電気的に接続している。半導体装置１４外部の光は、ガラスリッド１１、ガラスリッド１１とマイクロレンズ部１３との間の空隙、及びマイクロレンズ部１３の順に透過して、撮像素子１２へ入射する。この場合、撮像素子１２及びマイクロレンズ部１３はＣＣＤとして機能し、光電変換された電気信号が貫通電極３，３，…、裏面配線４、及び半田ボール７を介して半導体装置１４外部に取り出される。
【００６６】
また、ガラスリッド１１が突起部３ａ，３ａ，…上に載置されているため、半導体基板１とガラスリッド１１とは略平行であり、更にまた、ガラスリッド１１とマイクロレンズ部１３とは離隔している。この結果、ガラスリッド１１が撮像素子１２又はマイクロレンズ部１３に当接したり、これらを破損したりすることが防止され、また、ガラスリッド１１を介して入射した光が撮像素子１２に正確に受光される。
【００６７】
更に、接着封止部１０が半導体基板１及びガラスリッド１１の周縁部に形成されているため、ガラスリッド１１と撮像素子１２及びマイクロレンズ部１３との間には空隙が設けられている。即ち、ガラスリッド１１と撮像素子１２及びマイクロレンズ部１３との間に接着部が介在しない。この結果、接着部による入射光の減衰、散乱等が防止され、入射光が撮像素子１２に正確に受光される。
【００６８】
なお、本実施の形態における蓋部材はガラス製であるが、合成樹脂製でも良い。また、蓋部材は、撮像素子１２へ光を入射させるために透光性を有するが、半導体基板１に形成された半導体素子に光が入射されない又は半導体素子が光を放射しない場合は、蓋部材が透光性を有する必要はない。
【００６９】
図４〜図６は、半導体装置１４の製造方法の説明図であり、図４〜図６では各部の断面を示している。ただし、図４〜図６では、貫通孔絶縁膜２、裏面絶縁膜５、電極パッド８、及び表面保護膜９の図示は省略してある。
【００７０】
半導体装置１４は、１枚の半導体基板（半導体ウエハ）に対し複数の半導体装置１４，１４，…を形成してから個々の半導体装置１４に分割することによって製造される。又は、半導体ウエハに対し、夫々撮像素子１２、マイクロレンズ部１３、貫通電極３、突起部３ａ等を複数形成してから個々の半導体基板１（半導体チップ）に分割し、分割した半導体基板１にガラスリッド１１を装着したり半田ボール７を形成したりすることによって半導体装置１４（ＣＳＰ）が製造される。以下では、１個の半導体装置１４に注目して説明する。
【００７１】
まず、半導体基板１００の一面に、撮像素子１２、電極パッド８を含む周辺回路（不図示）及びマイクロレンズ部１３等を形成する（図４（ａ））。半導体基板１００は図１〜３に示す半導体基板１よりも厚く、Ｓｉを用いてなる平板であり、また、後述する図５（ａ）の時点で半導体基板１となる。半導体基板１００の一面は、半導体基板１の表面に該当し、撮像素子１２は、半導体基板１００の一面側に形成される。撮像素子１２及び電極パッド８を含む周辺回路を形成後、撮像素子１２の形成面上を含む半導体基板１００一面上に、図示しない透光性の絶縁膜が形成される。
【００７２】
絶縁膜の形成後、透光性の平坦化膜、カラーフィルタ、絶縁膜（夫々不図示）を介在してマイクロレンズ部１３が設けられる。マイクロレンズ部１３を形成後、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ4 等を用いて保護膜が形成され、形成された保護膜の内、電極パッド８上の保護膜が除去されることによって、表面保護膜９が形成される。
【００７３】
表面保護膜９の形成後、半導体基板１００の一面側に、複数の穴部１ａ，１ａ，…を形成する（図４（ｂ））。まず、半導体基板１００一面側にレジストを塗布して露光及び現像を行なうことによって電極パッド８上が窓開けされ、次に、レジスト窓開け部分のエッチングをドライエッチングにて行ない窓開け部分の電極パッド８、該電極パッド８下の絶縁膜、及び半導体基板１００のＳｉを除去することによって穴部１ａ，１ａ，…が形成され、最後にレジストが除去される。なお、ドライエッチング前に、例えばウエットエッチングにより窓開け部分の電極パッド８及び絶縁膜を除去しても良い。また、電極パッド８下の絶縁膜形成時又は電極パッド８形成時に穴部１ａ，１ａ，…形成部の絶縁膜又は電極パッド８を予め除去しておいても良い。
【００７４】
穴部１ａ，１ａ，…は半導体基板１００を貫通しておらず、各穴部１ａの開口は５０μｍ〜１００μｍ四方、深さは１００μｍ〜１５０μｍである。各穴部１ａの位置及び深さは、半導体基板１が有する各貫通孔の位置及び深さに略等しい。
【００７５】
穴部１ａ，１ａ，…の形成後、穴部１ａ，１ａ，…内に、図５（ａ）の時点で貫通電極３，３，…となる金属部３３，３３，…、及び突起部３ａ，３ａ，…を、Ｃｕを用いた電解めっきにて形成する（図４（ｃ））。金属部３３，３３，…及び突起部３ａ，３ａ，…は、各金属部３３が各穴部１ａを穴埋めし、また、半導体基板１００の一面側に突出した突起部３ａ同士の厚さが略等しく、しかもマイクロレンズ部１３の厚さより厚くなるように形成される。なお、金属部３３，３３，…、及び突起部３ａ，３ａ，…の材料は、めっきに適した導電性材料であれば、Ｃｕでなくても良い。
【００７６】
以下、１個の穴部１ａに注目して金属部３３及び突起部３ａの形成手順を詳述する。穴部１ａの形成後、穴部１ａ内壁及び底部に、図５（ａ）の時点で貫通孔絶縁膜２となる図示しない絶縁膜が形成される。このような絶縁膜は、例えばＣＶＤ法によりＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 等の無機膜を穴部１ａに形成することによって、又はポリイミド系若しくはエポキシ系の有機膜を穴部１ａに塗布することによって形成される。絶縁膜の形成後、穴部１ａ内壁及び底部を含む半導体基板１００表面上に、Ｔｉ及びＣｕを用いたスパッタ法により、めっき用シード層とバリアメタル層とを兼ねた金属層が形成される。
【００７７】
金属層の形成後、マイクロレンズ部１３の厚さよりも厚くレジストが塗布され、次いで露光と現像とを行なうことによって穴部１ａ及び電極パッド８の形成位置、即ち図５（ａ）の時点で貫通電極３となる金属部３３及び突起部３ａを形成すべき位置の窓開けがなされてレジスト窓部が形成される。
【００７８】
レジスト窓部の形成後、電解Ｃｕめっきを行なうことによってレジスト窓部及び穴部１ａ内部の金属層上にＣｕが堆積する。このとき、レジスト窓部及び穴部１ａが導電性材料であるＣｕによって穴埋めされることによって金属部３３及び金属製の突起部３ａが形成される。塗布されたレジストは、金属部３３及び突起部３ａの形成後、除去される。突起部３ａ，３ａ，…は電解めっきにより同時的に形成されるため、突起部３ａ，３ａ，…同士の厚さは略等しくなる。
【００７９】
金属部３３，３３，…及び突起部３ａ，３ａ，…の形成後、半導体基板１００を半導体基板１となし、金属部３３，３３，…を貫通電極３，３，…となす（図５（ａ））。具体的には、半導体基板１００の他面側を研磨し、穴部１ａ，１ａ，…の底部に至るまで半導体基板１００の他面側Ｓｉ及び穴部１ａ，１ａ，…底部の絶縁膜を除去することによって、半導体基板１が形成される。このとき金属部３３，３３，…の底部（半導体基板１裏面側端部）が露出し、半導体基板１を貫通する貫通電極３，３，…となる。また、穴部１ａ，１ａ，…内部の絶縁膜の残部が貫通孔絶縁膜２となる。
【００８０】
半導体基板１００の他面側研磨は、金属部３３，３３，…の底部が露出するまで行なう。又は、まず、半導体基板１００の他面側を研磨し、金属部３３，３３，…を露出させずに半導体基板１００の他面側Ｓｉを厚み５μｍ〜３０μｍだけ残して研磨を終了し、次に、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）にて残りの他面側Ｓｉをエッチングして金属部３３，３３，…底部を露出させ、最後に、半導体基板１裏面の清浄化を行なうためにＣＭＰ法にて更に研磨を行なう。
【００８１】
以上のようにして貫通電極３及び突起部３ａは一体に、しかも同時的に形成されている。なお、穴部１ａ，１ａ，…内における絶縁膜の形成後、電解めっきを行なう代わりに、穴部１ａ，１ａ，…の開口及び開口周辺を除く表面保護膜９上に印刷マスクを形成し、印刷マスクが形成されていない部分、即ち穴部１ａ，１ａ，…内及び開口周辺に導電性の金属ペーストを印刷し、印刷した金属ペーストを硬化させることによって金属部３３，３３，…及び突起部３ａ，３ａ，…を一体形成しても良い。この場合、突起部３ａ，３ａ，…の厚さは印刷マスクの厚さを調節することによって均一化される。また、半導体基板１に、エッチング、レーザ照射等で貫通穴を形成し、形成した貫通穴に、ＣＶＤ法、電解めっき等で貫通電極３を形成し、続いて突起部３ａを形成しても良い。
【００８２】
半導体基板１及び貫通電極３，３，…の形成後、半導体基板１の裏面側に、裏面配線４及び裏面保護膜６を形成する（図５（ｂ））。この場合、まず裏面絶縁膜５が形成され、次に、貫通電極３，３，…に接続された裏面配線４が形成され、次いで、図６（ｂ）にて形成される半田ボール７，７，…の配置箇所（ランド部）を除く裏面絶縁膜５及び裏面配線４に対して、裏面保護膜６が積層される。
【００８３】
ここで、１個の貫通電極３に注目して裏面配線４、裏面絶縁膜５及び裏面保護膜６の形成を詳述する。貫通電極３及び突起部３ａの形成後、貫通電極３の底部（半導体基板１裏面側端部）を除く半導体基板１の裏面に対して裏面絶縁膜５が積層される。裏面絶縁膜５は、次に形成される裏面配線４と半導体基板１とを絶縁するための絶縁膜である。
【００８４】
このような裏面絶縁膜５は、例えば、貫通電極３の底部を含む半導体基板１裏面に対して感光性の有機膜を積層してから露光及び現像を行ない、貫通電極３底部に対応する部分の窓開けを行なった後、熱処理によるキュアリング（熱キュア）を行なって有機膜を硬化させることによって形成される。又は、裏面絶縁膜５は、貫通電極３の底部を含む半導体基板１裏面に対してＳｉＯ2 、ＳｉＮ4 等の無機膜を積層してからレジストを塗布して露光及び現像を行ない、貫通電極３に対応する部分の窓開け後、貫通電極３の底部を覆う無機膜をエッチングにて除去し、最後にレジストを除去することによって形成される。
【００８５】
裏面絶縁膜５の形成後、貫通電極３の底部、及び裏面絶縁膜５の所定位置に層状の裏面配線４が形成される。裏面配線４を形成するために、まず、貫通電極３の底部及び裏面絶縁膜５に対して、Ｔｉ及びＣｕを用いたスパッタ法によりめっき用シード層とバリアメタル層とを兼ねた金属層が積層される。次に、レジストが塗布され、塗布したレジストに対して、露光及び現像により貫通電極３の底部及び裏面絶縁膜５の所定位置に窓開け部が形成される。窓開け部の形成後、電解Ｃｕめっきを行なうことによって窓開け部がＣｕによって穴埋めされ、裏面配線４が形成される。最後に、レジストを除去することによって、レジストに覆われた不要な金属層が除去される。
【００８６】
なお、貫通電極３の底部及び裏面絶縁膜５に対して、裏面配線４を構成する金属（Ｃｕ、ＣｕＮｉ、Ｔｉ等）を用いてスパッタ法により金属層を積層し、レジストを塗布して露光及び現像を行ない、エッチングにて裏面配線４を形成しても良い。
【００８７】
裏面配線４の形成後、図６（ｂ）の時点で半田ボール７が形成される位置を除く裏面配線４、及び裏面絶縁膜５に対して、裏面配線４を保護するための裏面保護膜６が積層される。裏面保護膜６は、裏面配線４及び裏面絶縁膜５に対して、感光性の有機膜を積層後、露光及び現像を行ない半田ボール７が形成される位置に窓開けし、次いで、熱キュアを行ない有機膜を硬化させることによって形成する。なお、裏面保護膜６は、裏面配線４及び裏面絶縁膜５に対して、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ4 等の無機膜を積層してからレジストを塗布して露光及び現像を行ない、半田ボール７が形成される位置の窓開けをエッチングにて行なうことによって形成しても良い。
【００８８】
裏面保護膜６の形成後、突起部３ａ，３ａ，…の上面を含む半導体基板１表面に、撮像素子１２及びマイクロレンズ部１３から離隔して、合成樹脂製の接着剤部１０１を形成する（図５（ｃ））。接着剤部１０１は、ペースト状の接着剤を、印刷によって半導体基板１表面に転写することにより形成され、図６（ａ）の時点で接着封止部１０となる。このようにして形成された接着剤部１０１は、接着封止部１０となるまで適宜の柔軟性を有する。
【００８９】
接着剤部１０１の形成後、半導体基板１に対しガラスリッド１１を装着し、接着剤部１０１を硬化させて接着封止部１０となす（図６（ａ））。この場合、まず、ガラスリッド１１が接着剤部１０１を介して突起部３ａ，３ａ，…上に載置され、次に、半導体基板１及びガラスリッド１１が、ガラスリッド１１の一面（半導体基板１側の面）が突起部３ａの上面に当接するまで適宜加圧され、最後に、熱キュアにて接着剤部１０１が硬化する。これによって接着封止部１０が形成され、接着封止部１０を介して半導体基板１及び突起部３ａ，３ａ，…とガラスリッド１１とが固定される。この結果、半導体基板１及びガラスリッド１１間が接着封止部１０によって封止される。
【００９０】
なお、接着封止部１０は、感光性の接着剤を半導体基板１表面に塗布して露光及び現像を行なうことによって形成されても良い。
【００９１】
半導体基板１に対するガラスリッド１１の装着に関し、接着剤部１０１は柔軟性を有するため、半導体基板１及びガラスリッド１１の加圧時に半導体基板１が破損することが防止される。また、接着剤部１０１は柔軟性を有するが、突起部３ａ，３ａ，…がスペーサとして半導体基板１及びガラスリッド１１間に介在するため、ガラスリッド１１が接着剤部１０１に沈み込み、傾斜したり、マイクロレンズ部１３又は撮像素子１２に当接したりすることが防止される。
【００９２】
なお、半導体基板１に対するガラスリッド１１の装着は、個々の半導体基板１に対し１枚のガラスリッド１１を装着しても良く、複数の半導体基板１，１，…に対し１枚のガラス板を装着してからガラス板をガラスリッド１１，１１，…に分割しても良い。また、ガラスリッド１１の面積は、突起部３ａ，３ａ，…に接触可能な面積であれば半導体基板１の面積よりも小さくて良い。この場合、半導体装置１４が小型化される。ただし、半導体基板１の面積は、撮像素子１２及びマイクロレンズ部１３を覆うために、これらの面積より大きい必要がある。
【００９３】
半導体基板１に対するガラスリッド１１の装着後、半導体基板１の裏面に半田ボール７，７，…を形成する（図６（ｂ））。この場合、まずランド部（即ち、裏面保護膜６に覆われていない裏面配線４）にロジン系のフラックスを塗布し、次にＳｎ-Ａｇ-Ｃｕの半田をボール状に形成し、最後に熱処理を行なってフラックスを洗浄除去する。
【００９４】
図７は、本発明の実施の形態１に係る光学装置用モジュールの構成を示す断面図である。光学装置用モジュールは、円筒状の光路画定器１７を備える。光路画定器１７は一端側にてレンズ１８を保持しており、配線基板１５によって他端側の開口を光路画定器１７外部側から閉鎖されており、光路画定器１７の他端側と配線基板１５との間は図示しない接着部で接着及び封止されている。配線基板１５は、少なくとも光路画定器１７内部側の一面に導体配線１６がパターニング形成されている。
【００９５】
半導体装置１４は、半導体基板１裏面側を配線基板１５側に向けて光路画定器１７内部に配置されており、フリップチップボンディングにて半田ボール７，７，…と導体配線１６とが電気的に接続されている。
【００９６】
このような光学装置用モジュールにおける光路画定器１７は、マイクロレンズ部１３及び撮像素子１２への光路を画定する。また、光路画定器１７は、レンズ１８を保持する保持具、及び半導体装置１４、導体配線１６等を外部環境から保護する保護具としても機能する。
【００９７】
以上のような光学装置用モジュールは、ボンディングワイヤによる電極間の接続が不要である。このため、ボンディングワイヤ接続が必要であった従来の光学装置用モジュールに比べて、ボンディングワイヤ接続に要するスペースの分だけ幅方向（図中矢符方向）の面積及び厚さ方向（図中白抜矢符方向）の長さが小型化されている。
【００９８】
また、半導体装置１４は半導体基板１とガラスリッド１１とが一体的に構成され、更に光学装置用モジュールが備える光路画定器１７の一端側（レンズ１８側）開口部にガラスリッド１１が接触するまで半導体装置１４を近づけることができるために、光学装置用モジュールの厚さがより低減されている。
【００９９】
また、半導体装置１４は、光路画定器１７内部に配置される前にガラスリッド１１と接着封止部１０とに封止されて撮像素子１２及びマイクロレンズ部１３が保護されているため、光学装置用モジュールの製造時に撮像素子１２又はマイクロレンズ部１３に異物が付着したり当接したり、これらが破損したりすることが防止される。この結果、光学装置用モジュールの製造工程が簡略化される。また光学装置用モジュールの製造歩留まりが向上し、光学装置用モジュールの信頼性が向上する。
【０１００】
なお、半導体装置１４は、半田ボール７，７，…を形成する代わりに半田ペーストを塗布して層状の半田電極を形成し、形成された半田電極と導体配線１６とが電気的に接続される構成としても良い。この場合、光学装置用モジュールの厚さが更に小型化される。
【０１０１】
また、半導体装置１４又は半導体装置１４を備える光学装置用モジュールが、ガラスリッド１１又はマイクロレンズ部１３に形成されたカラーフィルタ、赤外線遮断膜等の光学フィルタを備える構成でも良い。
【０１０２】
更に、配線基板１５を備えず、裏面側が光路画定器１７外部に露出した半導体基板１と光路画定器１７の他端側との間を接着及び封止する構成でも良い。この場合、配線基板１５を備えない分だけ光学装置用モジュールが小型化される。
【０１０３】
以上のような半導体装置１４を備える光学装置用モジュールは、デジタルカメラ又はカメラ機能付き携帯電話機のような光学装置に備えられるが、撮像素子１２の面積に対する配線基板１５及び光路画定器１７の平面投影面積が最小限で済むため、高密度実装化が実現される。
【０１０４】
実施の形態  ２．
図８は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置１４の構成を示す断面図である。本実施の形態の半導体装置１４と実施の形態１の半導体装置１４との差異は、突起部３０，３０，…を備えるか否かである。このため、実施の形態１に対応する部分には同一符号を付してそれらの説明を省略する。
【０１０５】
半導体基板１は、貫通電極３，３，…と一対一対応の突起部３ａ，３ａ，…を備える。ただし、貫通電極３，３，…の個数は実施の形態１の半導体装置１４が備える貫通電極３，３，…の個数より少なく、又は貫通電極３，３，…の配置は実施の形態１の半導体装置１４が備える貫通電極３，３，…の配置に比べて偏っており、突起部３ａ，３ａ，…だけではガラスリッド１１の安定した支持が不可能である。
【０１０６】
このため、半導体基板１は、撮像素子１２の形成面上に、ガラスリッド１１側へ突出している突起部３０，３０，…を備える。突起部３０，３０，…同士の厚さは突起部３ａ，３ａ，…の厚さに略等しく、突起部３０，３０，…の形状、厚さ、個数並びに配置は、突起部３ａ，３ａ，…及び突起部３０，３０，…によりガラスリッド１１の安定した支持が可能であるように設定されている。
【０１０７】
突起部３０，３０，…は、貫通電極３，３，…及び突起部３ａ，３ａ，…と同一の材料を用いて、電解めっき又は金属製ペーストの印刷及び硬化による貫通電極３，３，…及び突起部３ａ，３ａ，…の形成時に、同時的に又は貫通電極３，３，…及び突起部３ａ，３ａ，…の形成の形成と連続的に形成される。
【０１０８】
突起部３０，３０，…が位置する撮像素子１２の形成面上には、マイクロレンズ部１３のマイクロレンズが形成されていない。また、ガラスリッド１１と半導体基板１との間は接着封止部１０により確実に接着及び封止されているため、突起部３０，３０，…の上面とガラスリッド１１とは接着されていても良く、接着されていなくても良い。更に、撮像素子１２の受光を妨げないよう、突起部３０，３０，…の周囲には接着封止部１０は形成されていない。
【０１０９】
以上のように、突起部３ａ，３ａ，…及び突起部３０，３０，…は、撮像素子１２の形成面外に限定されず、半導体基板１の表面に適宜の形状、厚さ、個数及び配置で形成される。
【０１１０】
なお、本実施の形態１，２における半導体装置１４は複数の突起部を備えるが、単数の突起部を備えても良い。この場合、突起部は、例えば撮像素子１２及びマイクロレンズ部１３をロ字型又はコ字型に取り囲む壁状に形成されて、ガラスリッド１１を安定して支持する。
【０１１１】
また、半導体基板１の表面上に形成される突起部は、その一部が少なくとも１個の貫通電極３と一体に形成されても良く、貫通電極３，３，…と別体に形成されても良い。更に、貫通電極３と一体に形成される突起部は、半導体基板１の表面上には形成されない構成でも良い。更にまた、半導体基板１の表面上に突起部を形成しない場合、例えば半導体基板１の端部にＬ字状の突起部を形成しても良い。また、突起部を半導体基板１に形成してある構成ではなく、突起部をガラスリッド１１に形成してある構成でも良い。更に、突起部の代わりに、半導体基板１、ガラスリッド１１等とは別体のスペーサを半導体基板１及びガラスリッド１１間に介在しても良い。
【０１１２】
また、突起部と貫通電極３とが別体である場合、又は、突起部と貫通電極３とが一体である場合でも、突起部と貫通電極３とが完全に同一の材料で形成される必要はない。また、突起部はＣｕ以外の金属製でも良く非金属製でも良い。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る半導体装置が備える貫通電極及び突起部の構成を示す拡大断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法の説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法の説明図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る光学装置用モジュールの構成を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図９】従来の一の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１０】従来の光学装置用モジュールの構成を示す断面図である。
【図１１】従来の他の半導体装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１  半導体基板
３  貫通電極
３ａ  突起部
１１  ガラスリッド（蓋部材）
１２  撮像素子（半導体素子）
１３  マイクロレンズ部（マイクロレンズ）
１４  半導体装置
１７  光路画定器
【図１】
2005209967.tif 000003
【図２】
2005209967.tif 000004
【図３】
2005209967.tif 000005
【図４】
2005209967.tif 000006
【図５】
2005209967.tif 000007
【図６】
2005209967.tif 000008
【図７】
2005209967.tif 000009
【図８】
2005209967.tif 000010
【図９】
2005209967.tif 000011
【図１０】
2005209967.tif 000012
【図１１】
2005209967.tif 000013