(57)【要約】【課題】  少なくとも片面の一部に配線を有する加熱された基板６に冷却板１１ａ，１１ｂを対面させて、該基板６からの放射熱を吸収して冷却するに際し、基板６に比して配線の放射率が低いことによって基板６に生じる温度分布を容易に抑制できるようにする。【解決手段】  冷却板１１ａ，１１ｂに、概略配線の形成領域に対応して、他の領域より放射率の高い異放射率領域を設ける。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に冷却板を対面させて、該基板からの放射熱を吸収して冷却する冷却装置において、前記冷却板に、放射率が均一な冷却板で冷却した場合に基板に生じる温度分布を軽減できるパターンで、他の領域とは放射率が異なる異放射率領域が設けられていることを特徴とする冷却装置。
【請求項２】
前記異熱放射領域が、放射率が均一な冷却板で冷却した場合に、前記基板の中央部と周縁部間に生じる温度分布を軽減できるパターンで設けられていることを特徴とする請求項１に記載の冷却装置。
【請求項３】
前記異熱放射領域が、冷却板の中央部に円形または楕円形のパターンで設けられた、他の領域より放射率が高い領域であることを特徴とする請求項２に記載の冷却装置。
【請求項４】
前記基板が、少なくとも片面の一部に、当該基板とは放射率が異なる異放射率部材を有しており、前記異放射率領域が、放射率が均一な冷却板で冷却した場合に、前記基板と異放射率部材の放射率の相違により基板に生じる温度分布を軽減できるパターンで設けられていることを特徴とする請求項１に記載の冷却装置。
【請求項５】
放射率の高い領域と低い領域とを有する基板に、冷却板を対面させて、該基板からの放射熱を吸収して冷却する冷却装置であって、前記冷却板は、前記基板の放射率の低い領域に対応した、他の領域よりも放射率の高い領域を有していることを特徴とする冷却装置。
【請求項６】
前記放射率の低い領域は、前記基板上に、当該基板よりも放射率の低い部材が配置された領域であることを特徴とする請求項５に記載の冷却装置。
【請求項７】
基板の少なくとも片面の一部に、当該基板とは放射率が異なる異放射率部材が設けられた画像表示パネル用の基板を加熱する加熱装置と、該加熱装置で加熱された前記基板に冷却板を対面させて、該基板からの放射熱を吸収して冷却する冷却装置とを備えた画像表示パネルの製造装置において、前記冷却装置の冷却板が、放射率が均一な冷却板で冷却した場合に、前記基板と前記異放射率部材の放射率の相違により基板に生じる温度分布を軽減できるパターンで、他の領域とは放射率が異なる異放射率領域を有することを特徴とする画像表示パネルの製造装置。
【請求項８】
異放射率部材が、基板の片面に形成された、基板より放射率が低い配線であり、前記冷却板における異放射率領域が、概略前記配線の形成領域に対応して設けられた、他の領域より放射率の高い領域であることを特徴とする請求項７に記載の画像表示パネル型の製造装置。
【請求項９】
前記基板が、基板の片面に、配線と共にスペーサが突設されたもので、前記異放射率領域が設けられた冷却板が、基板の他面側に位置していることを特徴とする請求項８に記載の画像表示パネルの製造装置。
【請求項１０】
放射率の高い領域と低い領域とを有する画像表示用の基板を加熱する加熱装置と、該加熱装置で加熱された前記基板に冷却板を対面させて、該基板からの放射熱を吸収して冷却する冷却装置とを備えた画像表示パネルの製造装置であって、前記冷却装置の冷却板は、前記基板の放射率の低い領域に対応した、他の領域よりも放射率の高い領域を有していることを特徴とする画像表示パネルの製造装置。
【請求項１１】
前記放射率の低い領域は、前記基板上に、当該基板よりも放射率の低い部材が配置された領域であることを特徴とする請求項１０に記載の画像表示パネルの製造装置。
【請求項１２】
前記基板よりも放射率の低い部材は、配線であることを特徴とする請求項１１に記載の画像表示パネルの製造装置。
【請求項１３】
前記基板の、前記配線が配置されている一方の面側には、更にスペーサが配置されており、前記冷却板は、前記一方の面の裏面側に位置していることを特徴とする請求項１２に記載の画像表示パネルの製造装置。
【請求項１４】
基板の少なくとも片面の一部に、当該基板とは放射率が異なる異放射率部材が設けられた画像表示パネル用の基板を加熱した後、該加熱した前記基板を、当該基板に冷却板を対面させて、該基板からの放射熱を吸収して冷却する工程を有する画像表示パネルの製造方法において、前記冷却板として、放射率が均一な冷却板で冷却した場合に、前記基板と前記異放射率部材の放射率の相違により基板に生じる温度分布を軽減できるパターンで、他の領域とは放射率の異なる異放射率領域を有するものを用いることを特徴とする画像表示パネルの製造方法。
【請求項１５】
異放射率部材が、基板より放射率が低い配線であり、前記冷却板における異放射率領域を、概略前記配線の形成領域に対応して設けられた、他の領域より放射率の高い領域とすることを特徴とする請求項１４に記載の画像表示パネルの製造方法。
【請求項１６】
前記基板が、基板の片面に、配線と共にスペーサが突設されたもので、前記異放射率領域が設けられた冷却板を、基板の他面側に位置させることを特徴とする請求項１５に記載の画像表示パネルの製造方法。
【請求項１７】
放射率の高い領域と低い領域とを有する画像表示用の基板を加熱した後、該加熱した前記基板を、当該基板に冷却板を対面させて、該基板からの放射熱を吸収して冷却する工程を有する画像表示パネルの製造方法において、前記冷却板として、前記基板の放射率の低い領域に対応した、他の領域よりも放射率の高い領域を有している冷却板を用いることを特徴とする画像表示パネルの製造方法。
【請求項１８】
前記放射率の低い領域は、前記基板上に、当該基板よりも放射率の低い部材が配置された領域であることを特徴とする請求項１７に記載の画像表示パネルの製造方法。
【請求項１９】
前記基板よりも放射率の低い部材は、配線であることを特徴とする請求項１８に記載の画像表示パネルの製造方法。
【請求項２０】
前記基板の、前記配線が配置されている一方の面側には、更にスペーサが配置されており、前記冷却板は、前記一方の面の裏面側に位置させることを特徴とする請求項１９に記載の画像表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、画像表示パネルや半導体装置などの電子・電気機器の製造工程において、当該電子・電気機器に用いられる基板を加熱処理した後の冷却に用いられる冷却装置、これを用いた画像表示パネルの製造装置および画像表示パネルの製造方法に関する。さらに詳しくは、上記電子・電気機器用の加熱された基板に冷却板を対面させ、この冷却板で放射熱を吸収して基板を冷却する冷却装置、これを用いた画像表示パネルの製造装置および画像表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、画像表示パネルや半導体の製造工程などにおいては、真空下で基板を加熱処理して冷却することが行われている。この加熱された基板の真空雰囲気下での冷却は、基板からの放射熱（輻射熱）を吸収することで行われている。例えば、特許文献１には、半導体製造における基板の冷却に際し、基板と平行に金属板を設け、この金属板の基板と対峙する面に輻射吸熱層を形成することにより、基板から発せられた輻射熱を輻射吸収層で吸収し、吸収した熱を金属板に熱伝達し、さらにこの熱を金属板を介して排熱できるようにすることが開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平７−２１６５５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の冷却には、次のような問題がある。
【０００５】
第１に、冷却に供された基板の温度は、表裏面と側端面とから熱が放射される周端縁、特にコーナー部から下がり始まるが、基板の大きさが大きくなるに従って、基板の中心部と端縁との距離が大きくなり、迅速な熱伝導がされにくくなることから、冷却が進行しやすい周縁部と、冷却されにくい中心部とで大きな温度差が付きやすい。この冷却に伴う温度分布は、基板の歪みや破損の原因となる。
【０００６】
第２に、加熱した後に冷却することが必要となる基板の中には、例えば、電子源基板と蛍光体基板とを対向配置した画像表示パネルにおける画像表示パネル用の基板（電子源基板や蛍光体基板）のように、基板の表面の一部に、基板自身とは放射率の異なる部材（例えば、配線や蛍光体など）を設けたものも少なくない。さらに画像表示パネル用の基板を例にして説明すると、通常、基板は比較的放射率の高いガラス、配線は比較的放射率の低い金属であることから、冷却板による冷却は配線の形成領域から外れる基板のコーナー部付近から進行し、やはり基板の歪みや破損の原因となる温度分布を生じやすい問題がある。特に配線が基板の中央寄りに集中すると、上記第１の理由による温度分布がさらに増長され、基板の割れを生じる原因ともなる。
【０００７】
本発明の第１の目的は、加熱された基板に冷却板を対面させて、該基板からの放射熱を吸収して冷却するに際し、板材の中心部と周縁部間に生じる温度分布を容易に抑制できるようにすることにある。また、本発明の第２の目的は、基板が、その少なくとも片面の一部に、当該基板とは放射率が異なる異放射率部材を有している場合において、基板と異放射率部材間の放射率の違いによって基板生じる温度分布を容易に抑制できるようにすることにある。さらに本発明の第３の目的は、画像表示パネル用の基板の加熱と冷却を伴う画像表示パネルの製造に際し、冷却時に基板に生じる温度分布を容易に抑制できるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基板に冷却板を対面させて、該基板からの放射熱を吸収して冷却する冷却装置において、前記冷却板に、放射率が均一な冷却板で冷却した場合に基板に生じる温度分布を軽減できるパターンで、他の領域とは放射率が異なる異放射率領域が設けられていることを特徴とする冷却装置である。
【０００９】
また、本発明は、放射率の高い領域と低い領域とを有する基板に、冷却板を対面させて、該基板からの放射熱を吸収して冷却する冷却装置であって、前記冷却板は、前記基板の放射率の低い領域に対応した、他の領域よりも放射率の高い領域を有していることを特徴とする冷却装置である。
【００１０】
また、本発明は、基板の少なくとも片面の一部に、当該基板とは放射率が異なる異放射率部材が設けられた画像表示パネル用の基板を加熱する加熱装置と、該加熱装置で加熱された前記基板に冷却板を対面させて、該基板からの放射熱を吸収して冷却する冷却装置とを備えた画像表示パネルの製造装置において、前記冷却装置の冷却板が、放射率が均一な冷却板で冷却した場合に、前記基板と前記異放射率部材の放射率の相違により基板に生じる温度分布を軽減できるパターンで、他の領域とは放射率が異なる異放射率領域を有することを特徴とする画像表示パネルの製造装置である。
【００１１】
また、本発明は、放射率の高い領域と低い領域とを有する画像表示用の基板を加熱する加熱装置と、該加熱装置で加熱された前記基板に冷却板を対面させて、該基板からの放射熱を吸収して冷却する冷却装置とを備えた画像表示パネルの製造装置であって、前記冷却装置の冷却板は、前記基板の放射率の低い領域に対応した、他の領域よりも放射率の高い領域を有していることを特徴とする画像表示パネルの製造装置である。
【００１２】
また、本発明は、基板の少なくとも片面の一部に、当該基板とは放射率が異なる異放射率部材が設けられた画像表示パネル用の基板を加熱した後、該加熱した前記基板を、当該基板に冷却板を対面させて、該基板からの放射熱を吸収して冷却する工程を有する画像表示パネルの製造方法において、前記冷却板として、放射率が均一な冷却板で冷却した場合に、前記基板と前記異放射率部材の放射率の相違により基板に生じる温度分布を軽減できるパターンで、他の領域とは放射率の異なる異放射率領域を有するものを用いることを特徴とする画像表示パネルの製造方法である。
【００１３】
また、本発明は、放射率の高い領域と低い領域とを有する画像表示用の基板を加熱した後、該加熱した前記基板を、当該基板に冷却板を対面させて、該基板からの放射熱を吸収して冷却する工程を有する画像表示パネルの製造方法において、前記冷却板として、前記基板の放射率の低い領域に対応した、他の領域よりも放射率の高い領域を有している冷却板を用いることを特徴とする画像表示パネルの製造方法である。
【００１４】
なお、本明細書において放射率とは、黒体からの放射量に対する同じ温度の試料からの放射量の比のことをいう。黒体炉と分光放射測定器の組み合わせで測定することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、冷却板に設けられた異放射率領域により、基板面の冷却速度をコントロールすることができ、全面をほぼ均一な速度で冷却することができるので、基板の歪みや損傷の原因となる温度分布の発生を抑制することができる。
【００１６】
また、本発明によれば、やはり冷却板に設けられた異放射率領域により、基板面の冷却速度をコントロールすることができるので、例えば配線などの基板とは放射率が異なる異放射率部材が設けられている場合でも、それに起因して生じる基板の温度分布を軽減することができ、歩留まりのよい画像表示パネルの製造が可能となるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、画像表示パネル用の基板を処理対象とする場合を例にして、図面に基づいて本発明を更に詳細に説明する。
【００１８】
図１は、画像表示パネルの製造装置の一部として用いられる、本発明に係る冷却装置を有する加熱・冷却装置の第１の例で、基板を加熱している状態の模式的説明図、図２は、図１の加熱・冷却装置で基板を冷却している状態を示す模式的説明図、図３は、処理対象の一例である、片面に配線を有する基板の平面図、図４は、図３に示される基板が有する配線の形成領域に概略対応して設けられた異放射率領域のパターンを示す図である。
【００１９】
図１及び図２に示されるように、本第１の例に係る加熱・冷却装置は、内部が真空雰囲気に保たれる真空チャンバー１内に、加熱装置２と冷却装置３を別々に設けたもので、加熱装置２と冷却装置３間にはガイド４が設けられており、このガイド４に沿って真空チャンバー１内を移動する駆動ユニット５が設けられている。また、処理対象である画像表示パネル用の基板６は、駆動ユニット５から延出した支持アーム７に水平に支持されており、駆動ユニット５の移動によって、加熱装置２と冷却装置３間を搬送されるものとなっている。
【００２０】
加熱装置２は、上下一対の板状のヒーター８ａ，８ｂと、両ヒーター８ａ，８ｂを囲む、リフレクター９と、基板６の搬入と搬出時に開閉されるシャッター１０とを備えたものとなっている。リフレクター９およびシャッター１０は、表裏共に、銅に代表されるような低放射率の材料で構成されており、基板６の加熱効率を向上させると同時に、加熱エリア外への放熱をおさえることで、冷却装置３での冷却中の基板６への熱の移動を低減させることができるようになっている。
【００２１】
上記加熱装置２による基板６の加熱は、シャッター１０を開いて、支持アーム７に基板６を支持した駆動ユニット５をリフレクター９内に導き入れて速やかにシャッター１０を閉じ、図１に示されるように、基板６を両ヒーター８ａ，８ｂ間に位置させ、基板６の上下面にそれぞれ対面する両ヒーター８ａ，８ｂからの輻射熱によって行われる。
【００２２】
画像表示パネル用の基板６は、例えば、複数の電子放出素子およびこの電子放出素子を駆動するためのマトリクス配線などを設けた電子源基板と、この電子源基板からの電子線の照射によって画像を形成する蛍光体を設けた蛍光体基板とを対向配置した画像表示パネルにおいては、上記電子源基板や蛍光体基板として用いられるもので、その加熱は、配線や電子放出素子構成部材の形成、蛍光体の形成、付着成分除去などのために、画像表示パネルの製造完了までに複数回行われるのが通常である。また、上記のようにして加熱処理を受けた基板６は、次工程での処理のために、一旦冷却されるのが通常である。
【００２３】
本例の加熱・冷却装置における基板６の冷却は、上記のようにして加熱装置２での加熱を行った後、シャッター１０を開いて駆動ユニット５をリフレクター９外へと出し、速やかにシャッター１０を閉じると共に、支持アーム７に基板６を支持した駆動ユニット５を冷却装置３へと移動させて行われる。
【００２４】
冷却装置３は、前記加熱装置２と同じ真空チャンバー１内に収容されており、搬送されて来る基板６の上下面とそれぞれ対面し、それぞれ基板６より広い対向面を有する冷却板１１ａ，１１ｂを備えたものとなっている。冷却板１１ａ，１１ｂは、アルミや銅などに代表される熱伝導率の良い材料で構成されており、その内部には、冷却水などの冷却媒体を循環させるための冷却経路１２ａ，１２ｂを備えている。
【００２５】
ところで、本例における処理対象である画像表示パネル用の基板６は、画像表示パネルの電子源基板で、図３に示されるように、その片面に、縦横に多数の配線１３が密に形成されたものとなっている。基板６は、放射率の高いガラスなどの絶縁性物質で構成され、配線１３は、基板６に比して放射率の低い銀などの金属で構成されている。即ち、配線１３は、基板６自信とは放射率が異なる異放射率部材となっている。また、基板６の他面は、放射率の高いガラスなどの絶縁性物質が露出した、ほぼ均一な放射率の面となっている。
【００２６】
加熱装置２で加熱された上記基板６は、前記のように駆動ユニット５の移動によって冷却装置３の冷却板１１ａ，１１ｂ間へと搬送され、上下面に対面する冷却板１１ａ，１１ｂによる放射熱の吸収によって冷却される。基板６からの放射熱を吸収した冷却板１１ａ，１１ｂは、それぞれに設けられた冷却経路１２ａ，１２ｂ内を流れる冷媒によって冷却されることになる。
【００２７】
図３に示される、異放射率部材である配線１３を有する基板６を、対向面が均一な放射率の冷却板１１ａ，１１ｂで冷却した場合、他の領域より放射率の低い異放射率部材である配線１３が密に形成された領域の冷却が遅れる一方、放射率の高いガラスの基板６面が広く露出している基板６の四隅部は迅速に冷却されることになり、基板６に大きな温度分布を生じやすくなる。
【００２８】
そこで、本例の冷却装置３における冷却板１１ａ，１１ｂの基板６との対向面には、図４に示されるように、当該面が均一な放射率である場合に基板６に生じる温度分布を軽減できるよう、配線１３の形成領域に対応して、他の領域とは放射率の異なる異放射率領域１４が設けられている。具体的には、本例における異放射率部材である配線１３は基板６比して放射率が低く、配線１３の形成領域の冷却が遅れることから、この配線１３の形成領域の熱を吸収しやすくして冷却速度を上げるべく、本例における異放射率領域１４は、例えばセラミックコーティングなどを施すことで、基板６との対向面における他の領域より放射率の高い領域として形成されている。また、この異放射率領域１４は、図４に示されるように、略十字形に形成されており、冷却板１１ａ，１１ｂの四隅は、冷却板１１ａ，１１ｂのベース材料であるアルミや銅など、熱伝導率は高いが、放射率は異放射率領域１４に比して低い材料の表面が露出しているので、これに対向する基板６の配線１３形成面における四隅（基板６の露出領域）からの熱の吸収が抑制され、上記配線１３の形成領域の冷却速度の向上と相俟って、冷却に伴う基板６への温度分布の発生が抑制される。
【００２９】
なお、本例のように、冷却対象である基板６がガラスである場合においては、ガラスが主に５μ〜２０μという限定された波長しか放射（吸収）を行わない特性があるため、当然のことながらこれと同程度の波長域である５μ〜２０μの分光放射率ελのことを放射率とする。また、放射率は、プロセス温度である常温〜４００℃の範囲における任意の温度で測定することができる。
【００３０】
上記異放射率領域１４は、異熱放射部材である配線１３の形成領域に一致させて形成してもよいが、基板６の中央部より周縁部の方が冷却されやすいことから、配線１３の形成領域より小さく形成してバランスをとることが好ましい。
【００３１】
上記の例は、異放射率部材（上記の例では配線１３）が基板６より放射率が低い場合であるが、基板６より放射率が低い異放射率部材が設けられていることによって基板６に温度分布を生じてしまう場合については、異放射率領域１４を他の領域よりも放射率が高い領域とすることで対応することができる。
【００３２】
異放射率領域１４は、画像表示パネル用基板６の上下面（表裏面）にそれぞれ対面する冷却板１２ａ，１２ｂにそれぞれ設けることが最も好ましいが、いずれか一方のみとすることもできる。いずれか一方のみとする場合、異放射率部材が設けられた基板６の面と対面する側の冷却板１２ａまたは１２ｂに設けることが好ましい。
【００３３】
冷却板１２ａ，１２ｂの基板６との対向面における異放射率領域１４以外の領域の放射率をさらに下げたいときには、この領域を研磨処理することによって放射率を下げることができる。
【００３４】
ところで、画像表示パネル用の基板６は、画像表示パネルの製造過程で、種々の状態で加熱および冷却処理を受ける。例えば、前記電子源基板や蛍光体基板の製造に際しては、電子放出素子、配線１３、蛍光体などを設ける前に、基板６単独の状態で、付着性分を除去するためのベーキングと称される加熱処理を受けた後に冷却される。この基板６単独の状態は表裏面共にほぼ放射率が均一な状態である。基板６が単独の場合、冷却板１２ａ，１２ｂの基板６と対向する面の中央部分に、図５に示されるような円形または図６に示されるような楕円形で、その他の領域に比して放射率が高い異放射率領域１４を設けることが好ましい。このようにすることによって、熱放射面が広いことで冷却されやすい基板６の周縁部に比して冷却が遅れる基板６中央部の冷却を促すことができ、冷却に伴って基板６に生じる温度分布を抑制することができる。円形の異放射率領域１４は基板６がほぼ正方形である場合に適しており、楕円形の異放射率領域１４は基板６が長方形である場合に適している。
【００３５】
また、画像表示パネル用の基板６が前記電子源基板の場合、配線１３と共に、配線１３の形成領域内にガラスなどのスペーサー（図示されていない）が突設された状態で処理を受けることがある。このスペーサーは、細く熱容量が非常に小さいため、冷却時には急速に冷却されてしまう。そのため、スペーサーが急冷されて、基板６との温度差が大きくなると、熱膨張の差でスペーサーに割れが生じやすくなる。
【００３６】
そこで、このように基板６に配線１３と共にスペーサーが設けられた画像表示パネル用の基板６の冷却においては、配線１３の形成領域に概略対応して設けられる、放射率の高い前記異放射率領域１４は、配線１３とスペーサーが設けられた基板６の面と対面する冷却板１１ａではなく、基板６の裏面と対面する冷却板１１ｂとし、冷却板１１ａは、この放射率の高い異放射率領域１４を有さないものとすることが好ましい。
【００３７】
次に、図７に基づいて、画像表示パネルの製造装置の一部として用いられる、本発明に係る冷却装置を有する加熱・冷却装置の第２の例を説明する。
【００３８】
本例に係る加熱・冷却装置は、図１及び図２に示される加熱装置２と冷却装置３を一体にしたもので、画像表示パネル用の基板６を出し入れするためのシャッター７０を有する真空チャンバー７１内に、基板６をほぼ水平に支持するための支持ピン７２と、この支持ピン７２で支持された基板６の上下面に対面する位置にそれぞれ設けられた冷却板７３ａ，７３ｂと、基板６と冷却板７３ａ，７３ｂ間にそれぞれ間隔をあけて並列設置された線または棒状のヒーター７４ａ，７４ｂとを備えたものとなっている。また、冷却板７３ａ，７３ｂはそれぞれ冷却経路７５ａ，７５ｂを有するものとなっている。
【００３９】
本例における冷却板７３ａ，７３ｂは、前記第１の例における冷却板１１ａ，１１ｂと同様に、基板６の状態に応じて、異放射率領域１４（図４〜図６参照）を有するものとなっている。
【００４０】
本例の加熱・冷却装置における加熱は、シャッター７０を開いて基板６をヒーター７４ａ，７４ｂ間（冷却板７３ａ，７３ｂ間）で支持ピン７２に支持させた後、シャッター７０を閉じた状態でヒーター７４を作動させることで行われる。また、加熱した基板６の冷却は、基板６を移動させることなく、そのままの状態でヒーター７４ａ，７４ｂを止め、冷却経路７５ａ，７５ｂに冷媒を流し、第１の例で説明したように、冷却板７３ａ，７３ｂに設けた異放射率領域１４（図４〜図６参照）で基板６の温度分布を抑制しながら行われる。この冷却時に、基板６からの放射熱の冷却板７３ａ，７３ｂによる吸収をできるだけ妨げないよう、ヒーター７４ａ，７４ｂは断面円形で、できるだけ細いものであることが好ましい。
【００４１】
本発明は、上述した例で取上げた基板６、すなわちガラスに限定されることはない。例えば、冷却対象の主な材料がガラスではなく、ＳｉＣのようなセラミックのように、分光放射率ελが全ての波長において比較的一定である特性に近いものであるとしても、同様の形態で実施することができる。しかし、その際には、波長を限定した分光放射率ελではなく、全放射率εを放射率とする。すなわち、本発明における放射率とは、その冷却対象の特性により、分光放射率ελのことであり、あるいは全放射率εのことである。また、その測定の際には、プロセスにみあった温度での測定を行う。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】画像表示パネルの製造装置の一部として用いられる、本発明に係る冷却装置を有する加熱・冷却装置の第１の例を示す、基板を加熱している状態の模式的説明図である。
【図２】図１の加熱・冷却装置で基板を冷却している状態を示す模式的説明図である。
【図３】処理対象の一例である、片面に配線を有する基板の平面図である。
【図４】図３に示される基板が有する配線の形成領域に概略対応して設けられた異放射率領域のパターンを示す図である。
【図５】異放射率領域の他のパターンを示す図である。
【図６】異放射率領域のさらに他のパターンを示す図である。
【図７】画像表示パネルの製造装置の一部として用いられる、本発明に係る冷却装置を有する加熱・冷却装置の第２の例を示す模式的説明図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  真空チャンバー
２  加熱装置
３  冷却装置
４  ガイド
５  駆動ユニット
６  基板
７  支持アーム
８ａ，８ｂ  ヒーター
９  リフレクター
１０  シャッター
１１ａ，１１ｂ  冷却板
１２ａ，１２ｂ  冷却経路
１３  配線（異放射率部材）
１４  異放射率領域
７０  シャッター
７１  真空チャンバー
７２  支持ピン
７３ａ，７３ｂ  冷却板
７４ａ，７４ｂ  ヒーター
７５ａ，７５ｂ  冷却経路
【図１】
2005310761.tif 000003
【図２】
2005310761.tif 000004
【図３】
2005310761.tif 000005
【図４】
2005310761.tif 000006
【図５】
2005310761.tif 000007
【図６】
2005310761.tif 000008
【図７】
2005310761.tif 000009