(57)【要約】【課題】  電子部品のリードの断面方向寸法に対して、回路基板のリード挿通孔の寸法が大きい場合や電子部品のリードの断面形状と回路基板の挿入穴の形状とが合わない場合において、電子部品のリードと接続用ランドとのハンダ付けの際におけるピンホールの発生を防止する。【解決手段】  誘導ランドと接続用ランド間に分離帯を形成することで、ハンダが切れた後接続用ランドから誘導ランドにハンダが戻るのを防ぐ。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融半田槽に所定の搬送方向に搬送されて半田付けが行なわれる回路基板において、リード挿通孔の周囲に形成された接続用ランドと、溶融半田槽で半田付けの際、前記接続用ランドに半田を誘導させる、前記接続用ランドに対して、前記搬送方向の上流側に隣接して形成された誘導ランドと、前記接続用ランドと前記誘導ランドの隣接境界に、前記接続用ランドと前記誘導ランドを分離するように形成されたランド分離帯とを有することを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記ランド分離帯を、シルク印刷にて形成したことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記ランド分離帯を、絶縁性レジスト印刷にて形成したことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記ランド分離帯を、銅箔のスリットにて形成したことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はディップ半田が行われる回路基板に関し、とくに、リード挿通孔の周囲に、接続用ランドおよび前記接続用ランドに隣接する誘導ランドを配置して有しなる回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
図３（ａ）と図３（ｂ）では従来の技術回路基板の接続用ランドとそれに隣接する誘導ランドを電子部品を除いた状態で平面図と断面図で示している。最下層に絶縁板６が形成され、中間層に半田が付着する銅箔５、そして最上層に絶縁性レジスト４によって回路基板が形成されている。絶縁性レジスト４が印刷されずに銅箔５が露出している部分には接続用ランド２と誘導ランド１がディップための基板搬送方向の上流方向に向かって当該搬送方向と平行に延伸し接続用ランド２に連続した状態で配置されている。接続ランド２の中央部には、前記３層を貫通してリード挿通孔３が形成されている。矢印Ａは半田ディップのための回路基板の搬送方向を示している。
【０００３】
図４（ａ）では従来の技術による電子部品のリードと接続ランドにおけるディップ半田槽通過中の回路基板の様子を示したものである。図４（ｂ）では従来の技術による電子部品のリードと接続ランドにおけるディップ半田槽通過後の回路基板の様子を示している。
このような回路基板をディップ半田処理をほどこすと、図４（ａ）で示すようにディップ半田槽中の通過に伴い、誘導ランドに溶解半田９が接触すると同時に接続用ランドへも溶解半田が移動し始める。この時電子部品のリード８の寸法に対して回路基板のリード挿通孔３の寸法が大きい場合、電子部品７のリード８と回路基板のリード挿通孔３の周囲を接続ランド２との間の距離が不均衡になるが、誘導用ランド１に接触した半田９が接続ランド２へ供給されることで、接続用ランド２に付着する半田量が増加し、ピンホールが発生しにくくなる。
【０００４】
しかし、図４（ｂ）で示すように半田槽通過直後は接続用ランド２に付着した半田１０は固まっておらず、半田１０が誘導ランド１に流れ戻り、接続用２ランドの半田の量が減少し、ピンホールが発生する原因となる。接続用ランド２の半田の量が減少するのは、半田の表面張力が低いために接続用ランド２に連続する領域である誘導ランド１に向けて移動しようとするからである。
【０００５】
【特許文献１】特開９−１９１１７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この発明は、このようなディップ半田にピンホールが発生する可能性を低減化することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の課題は、溶融半田槽に所定の搬送方向に搬送されて半田付けが行なわれる回路基板において、リード挿通孔の周囲に形成された接続用ランドと、溶融半田槽で半田付けの際、前記接続用ランドに半田を誘導させる、前記接続用ランドに対して、前記搬送方向の上流側に隣接して形成された誘導ランドと、前記接続用ランドと前記誘導ランドの隣接境界に、前記接続用ランドと前記誘導ランドを分離するように形成されたランド分離帯とを有することを特徴とする回路基板によって、達成される。
また、この発明の課題は、前記ランド分離帯を、シルク印刷、絶縁性レジスト印刷、および／または、銅箔によって形成する上記回路基板によって、達成される。
【発明の効果】
【０００８】
以上のようにこの発明によれば、接続ランドと誘導ランドの隣接境界に分離帯を形成することで、ディップ時に接続ランドに到達した十分な半田の量が、誘導ランドに戻るのを防止できて、接続ランドでの半田量の不足がなく、ピンホールの発生を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、この発明の実施最良形態について説明する。
図１（ａ）と図１（ｂ）では当発明による第１の実施例の回路基板の接続用ランド２ａとそれに隣接する誘導ランド１ａを電子部品７ａが除かれた状態で平面図と断面図で示している。最下層に絶縁板６ａが形成され、中間層に半田が付着する銅箔５ａ、そして最上層に絶縁性レジスト４ａが印刷されずに銅箔５ａが露出している部分には、シルク印刷帯１１ａで全周を囲まれた接続用ランド２ａが形成されている。誘導ランド１ａがディップための基板搬送方向の上流方向に向かって当該搬送方向と平行に延伸し接続用ランド２ａに連続した状態で配置されている。回路基板上に接続用ランド２ａの中央部には、基板を貫通してリード挿通孔３ａが形成されている。矢印Ａは半田ディップのための基板搬送の方向を示している。シルク印刷帯１１ａは接続用ランド２ａの全周を延伸しているので、接続用ランド２ａの隣接する誘導ランド１ａとの隣接境界にも存在する。
【００１０】
図２（ａ）では当発明による第１の実施例における電子部品７ａのリード８ａと接続ランド２ａにおけるディップ半田槽通過中の回路基板の様子を示したものである。図２（ｂ）では当発明による電子部品７ａのリード８ａと接続ランド２ａにおけるディップ半田槽通過後の回路基板の様子を示している。
【００１１】
リード８ａは半田槽通過に伴い誘導ランド２ａからの半田９ａの供給によって、接続用ランド２ａに半田９ａが侵入する。これは、半田槽通過中は半田噴出しの勢いによってシルク印刷帯１１ａの隣接境界部分を乗り越えて誘導ランド１ａから接続用ランド２ａへ半田９ａが侵入した結果によるものである。半田槽通過後は、半田流入の勢いは失われて前記で述べた作用によりこの半田９ａは、接続用ランド２ａに隣接する誘導ランド１ａに、部分的に逆流しようとする。この時はシルク印刷帯１１ａの隣接境界部分は、誘導ランド１ａに対して半田９ａが逆流することを防止する障壁となる。これにより接続用ランド２ａから半田９ａが減少することがなく、ピンホール発生を防止できる。
【００１２】
図５には第２の実施例を示している。リード線挿入孔５−６の直径Ｂは１．０ｍｍで、接続用ランド５−４は、その周りをほほ直径Ｃの３．０ｍｍの円形に広がっている。誘導ランド５−５を、前記接続用ランドと隣接して半田ディップ方向の上流側にそれに平行して延伸させて設ける。誘導ランド５−５の寸法ＥとＦをそれぞれ１．５ｍｍとし、幅Ｄが０．５ｍｍのシルク印刷帯５−３をこの円形の接続ランドの全周に設ける。
【００１３】
リード線挿入孔５−６の直径Ｃは１．０ｍｍであるが、この寸法はたとえばジャンパー線（リード線の直径０．６ｍｍ）を実装機によって自動挿入する場合に適しているが、抵抗やコンデンサ（リード線の直径０．４ｍｍ）を実装機によって自動挿入する場合や、自立型の酸金抵抗（リード線の直径０．７ｍｍ）を手挿入する場合には適さない。抵抗やコンデンサを実装機によって自動挿入する場合や、酸金抵抗を手挿入する場合には、挿通孔は０．９ｍｍが適しており、挿通孔が１．０ｍｍであればその分リード線挿通孔が大きめとなり、リードと接続用ランドとの間の距離が不均衡となり、ピンホール発生の原因となる。誘導ランド５−５の寸法記号Ｅと記号Ｆをそれぞれ１．５ｍｍとすることで、十分な量の半田を接続用ランドに供給し、さらに接続用ランドの全周に設けられたシルク印刷帯によって、半田の逆流を防ぐことで、十分な量の半田を付着させることができる。
【００１４】
図６（ａ）と図６（ｂ）に第３の実施例を示す。最下層に絶縁板６−６が形成され、中間層に半田が付着する銅箔６−５、そして最上層に絶縁性レジスト６−４によって回路基板が形成されている。絶縁性レジスト６−４が印刷されずに銅箔６−５が露出している部分には接続用ランド６−２と誘導ランド６−１が形成されている。前記回路基板の三層を貫通して形成されたリード挿通孔６−３の周囲に形成された接続用ランド６−２と、半田槽で半田付けの際、前記接続用ランド６−３に半田を誘導させる、前記接続用ランド６−３に対して、半田搬送方向の上流側に隣接して形成された誘導ランド６−１と前記接続用ランド６−２と前記誘導ランド６−１の隣接境界に、前記接続用ランド６−２と前記誘導ランド６−１を分離するように形成されたシルク印刷帯６−７形成されている。
【００１５】
図７（ａ）と図７（ｂ）に第４の実施例を示す。最下層に絶縁板７−６が形成され、中間層に半田が付着する銅箔７−５、そして最上層に絶縁性レジスト７−４によって回路基板が形成されている。絶縁性レジスト７−４が印刷されずに銅箔７−５が露出している部分には接続用ランド７−２と誘導ランド７−１が形成されている。前記回路基板の三層を貫通して形成されたリード挿通孔７−３の周囲に形成された接続用ランド７−２と、半田槽で半田付けの際、前記接続用ランド７−３に半田を誘導させる、前記接続用ランド７−３に対して、半田搬送方向の上流側に隣接して形成された誘導ランド７−１との隣接境界に、前記絶縁性レジスト７−４は前記接続用ランド７−２と前記誘導ランド７−１を分離するレジスト部分７−４ａを有する。
【００１６】
図８（ｂ）と図８（ｂ）に第５の実施例を示す。最下層に絶縁板８−６が形成され、中間層に半田が付着する銅箔８−５、そして最上層に絶縁性レジスト８−４によって回路基板が形成されている。絶縁性レジスト８−４が印刷されずに銅箔８−５が露出している部分には接続用ランド８−２と誘導ランド８−１が形成されている。前記三層を貫通して形成されたリード挿通孔８−３の周囲に形成された接続用ランド８−２と、半田槽で半田付けの際、前記接続用ランド８−３に半田を誘導させる、前記接続用ランド８−３に対して、半田搬送方向の上流側に隣接して形成された誘導ランド８−１と前記接続用ランド８−２と前記誘導ランド８−１の隣接境界に、前記接続用ランド８−２と前記誘導ランド８−１を分離するように形成された絶縁性レジスト８−４と銅箔８−５をスリットさせた分離帯８−７を形成させることで絶縁板８−６が露出している。
【００１７】
接続用ランドと誘導ランドの隣接境界に図６から図８に示す第３ないし第５の実施例において、このように種々の分離帯を形成することができる。いずれの分離帯によっても、ディップ時の半田の逆流を防止して、接続用ランド内に付着する半田量を増すことができ、半田のピンホールの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】この発明による第１の実施例の回路基板を示し（ａ）はその平面図、（ｂ）はその断面図である。
【図２】この発明による回路基板を示し、（ａ）及び（ｂ）は共に、その断面図である。
【図３】従来技術による回路基板を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその断面図である。
【図４】従来技術による回路基板を示し、（ａ）及（ｂ）は共に、その断面図である。
【図５】この発明による第２の実施例の回路基板一部分例の平面図である。
【図６】この発明による第３の実施例の回路基板一部分例を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその断面図である。
【図７】この発明による第４の実施例の回路基板一部分例を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその断面図である。
【図８】この発明による第５の実施例の回路基板一部分例を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその断面図である。
【符号の説明】
【００１９】
１，１ａ  誘導用ランド
２，２ａ  接続ランド
１１ａ  シルク印刷帯
３，３ａ  リード挿通孔
４，４ａ  絶縁性レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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