(57)【要約】【課題】  ＧＨｚ領域での使用においても低損失な高周波同軸ケーブルを提供する。【解決手段】  内部導体を絶縁層で被覆し、該絶縁層の外周に外部導体を周設してなる高周波同軸ケーブルであって、前記絶縁層が、下記式（Ａ）で表される炭素原子１０００個当たりの末端基の数が３０以下のポリエチレンを主成分とする層よりなることを特徴とする、高周波同軸ケーブル。  式（Ａ）：末端基の数（個／1000C）＝３１．２５×（Ａ１３７８／Ａ１３６９−０．２９）〔式中、Ａ１３７８及びＡ１３６９は、それぞれ、ＦＴ−ＩＲによる吸光度測定における末端メチルによるメチル基対称変角振動（１３７８ｃｍ−１付近のピーク）と主鎖のメチレン縦揺れ（１３６９ｃｍ−１付近のピーク）の強度である。〕【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部導体を絶縁層で被覆し、該絶縁層の外周に外部導体を周設してなる高周波同軸ケーブルであって、前記絶縁層が、下記式（Ａ）で表される炭素原子１０００個当たりの末端基の数が３０以下のポリエチレンを主成分とする層よりなることを特徴とする、高周波同軸ケーブル。
式（Ａ）：末端基の数（個／1000C）＝３１．２５×（Ａ１３７８／Ａ１３６９−０．２９）
〔式中、Ａ１３７８及びＡ１３６９は、それぞれ、ＦＴ−ＩＲによる吸光度測定における末端メチルによるメチル基対称変角振動（１３７８ｃｍ−１付近のピーク）と、主鎖のメチレン縦揺れ（１３６９ｃｍ−１付近のピーク）の強度である。〕
【請求項２】
前記ポリエチレンのメルトフローレートが０．０５〜３０ｇ／１０分である、請求項１記載の高周波同軸ケーブル。
【請求項３】
前記ポリエチレンの２ＧＨｚ（温度：２３℃）でのｔａｎδが４．０×１０−４以下である、請求項１または２記載の高周波同軸ケーブル。
【請求項４】
絶縁層の形態が、発泡層単独か、若しくは、発泡層とスキン層の多重層である、請求項１〜３のいずれかに記載の高周波同軸ケーブル。
【請求項５】
内部導体及び／又は外部導体がコルゲート波付銅管である、請求項１〜４のいずれかに記載の高周波同軸ケーブル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波同軸ケーブルに関し、特に減衰特性が従来よりも大きく改善された高周波同軸ケーブルに関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリエチレンは従来から高周波同軸ケーブルの絶縁層（特に発泡絶縁層）に使用されてきた。また、高周波同軸ケーブルにおいては、発泡絶縁層の発泡度が高い程、ケーブルの減衰量特性が向上するため、高発泡度の発泡絶縁層を得るために、発泡剤（物理発泡剤）としてフロンガスが使用されてきた。しかし、近年の環境保護の観点からフロンガスは全面的に使用できなくなったため、ケーブルの減衰量特性の向上のために、発泡絶縁層における発泡剤、成核剤等の添加剤や、その製造（発泡）条件についての更なる検討がなされている。しかしながら、高周波同軸ケーブルの要求特性は年々高くなり、１ＧＨｚ以上を超えるような高周波域での使用においても、低損失なケーブルが求められており、発泡絶縁層における発泡剤等の添加剤や発泡条件の検討だけでは、その要求を十分に満足できていないのが実状である。
【特許文献１】特開２００１−２０００８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記事情に鑑み、本発明はＧＨｚ領域での使用においても低損失な高周波同軸ケーブルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、ポリエチレンの末端基の数がポリエチレンの誘電正接（ｔａｎδ）の低減に大きく作用することを知見し、該知見に基づき更に研究を進めた結果、本発明を完成するに到った。
【０００５】
すなわち、本発明は、
（１）内部導体を絶縁層で被覆し、該絶縁層の外周に外部導体を周設してなる高周波同軸ケーブルであって、前記絶縁層が、下記式（Ａ）で表される炭素原子１０００個当たりの末端基の数が３０以下のポリエチレンを主成分とする層よりなることを特徴とする、高周波同軸ケーブル、
式（Ａ）：末端基の数（個／1000C）＝３１．２５×（Ａ１３７８／Ａ１３６９−０．２９）
〔式中、Ａ１３７８及びＡ１３６９は、それぞれ、ＦＴ−ＩＲによる吸光度測定における末端メチルによるメチル基対称変角振動（１３７８ｃｍ−１付近のピーク）と、主鎖のメチレン縦揺れ（１３６９ｃｍ−１付近のピーク）の強度である。〕
（２）前記ポリエチレンのメルトフローレートが０．０５〜３０ｇ／１０分である、上記（１）記載の高周波同軸ケーブル、
（３）前記ポリエチレンの２ＧＨｚ（温度：２３℃）でのｔａｎδが４．０×１０−４以下である、上記（１）または（２）記載の高周波同軸ケーブル、
（４）絶縁層の形態が、発泡層単独か、若しくは、発泡層とスキン層の多重層である、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の高周波同軸ケーブル、及び
（５）内部導体及び／又は外部導体がコルゲート波付銅管である、上記（１）〜（４）のいずれかに記載の高周波同軸ケーブル、に関する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、１ＧＨｚ以上を超えるような高周波域での使用においても減衰量が十分に少ない、従来では得られなった低損失な高周波同軸ケーブルを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明をより詳しく説明する。
本発明の高周波同軸ケーブル（以下、単に「ケーブル」ともいう）は、内部導体を被覆する絶縁層を、下記式（Ａ）で表される炭素原子１０００個当たりの末端基の数が３０以下のポリエチレンを主成分とする層で構成したことが特徴である。
【０００８】
式（Ａ）：末端基の数（個／1000C）＝３１．２５×（Ａ１３７８／Ａ１３６９−０．２９）
〔式中、Ａ１３７８及びＡ１３６９は、それぞれ、ＦＴ−ＩＲによる吸光度測定における末端メチルによるメチル基対称変角振動（１３７８ｃｍ−１付近のピーク）と、主鎖のメチレン縦揺れ（１３６９ｃｍ−１付近のピーク）の強度である。〕
【０００９】
すなわち、本発明は、ポリエチレンの末端基の数がその誘電正接（ｔａｎδ）低減に有効に作用し、前記式（Ａ）で規定される炭素原子１０００個当たりの末端基の数（個／1000C）が３０以下の特定のポリエチレンにあっては、ＧＨｚ領域での誘電正接（ｔａｎδ）が大きく減少し、かかる特定のポリエチレンを用いて絶縁層を形成することで、ＧＨｚ領域での使用においても十分に低損失なケーブルを達成できることを見出したものである。
【００１０】
本発明で使用する上記式（Ａ）で規定される炭素原子１０００個当たりの末端基の数（個／1000C）が３０以下のポリエチレンは、例えば、高圧下で（例えば、数百気圧）でエチレンガスをラジカル重合する方法や、メタロセン系、酸化クロム系、モリブデン系、チーグラー系等の触媒を用いて、中圧下（例えば、１０〜１００気圧）で重合することにより得られる。また、これらの各重合法で得られたポリエチレンを種々混合してもよい。
【００１１】
後述の実施例に示すように、当該炭素原子１０００個当たりの末端基の数（個／1000C）が３０以下のポリエチレンは、２ＧＨｚ（温度：２３℃）での値が４．０×１０−４以下（好ましくは３．０×１０−４以下）という、ＧＨｚ領域において、極めて低い誘電正接（ｔａｎδ）を示し、それによって、かかるポリエチレンを主材にした絶縁層を形成してなるケーブルはＧＨｚ領域での使用において従来では得られなかった低減衰量特性を示すものとなる。
【００１２】
当該ポリエチレンにおいて、炭素原子１０００個当たりの末端基の数（個／1000C）は２０以下が好ましい。しかしながら、かかる炭素原子１０００個当たりの末端基の数（個／1000C）が少なすぎる場合、そのようなポリエチレンは、溶融粘度が低過ぎて押出しが困難となる。特に、絶縁層を発泡させている場合は、絶縁層がたれて形状を保てず、泡が均質にならない等の問題が生じるため好ましくない。従って、当該ポリエチレンにおける炭素原子１０００個当たりの末端基の数（個／1000C）の下限は５以上が好ましく、より好ましくは１０以上である。
【００１３】
また、当該ポリエチレンは、メルトフローレート（ＭＦＲ）が０．０５〜３０ｇ／１０分が好ましく、０．１〜５ｇ／１０分が特に好ましい。かかるメルトフローレート（ＭＦＲ）を有することで、押出しが容易で、絶縁層を発泡させる場合に適度な粘度となり、より好ましい結果が得られる。
【００１４】
本発明において、絶縁層が、炭素原子１０００個当たりの末端基の数（個／1000C）が３０以下のポリエチレンを主成分（主材）とする層で構成されるとは、当該ポリエチレン単体で絶縁層を形成するか、または、当該ポリエチレンに添加剤を配合した組成物により絶縁層を形成することを意味する。なお、これらの添加剤については後記において詳述する。
【００１５】
また、本発明において、絶縁層の形態は特に限定されず、例えば、充実層、発泡層、テープ巻き層及びこれらから選ばれる２種以上の層を重ねた多重層等の形態、若しくは、コルデル螺旋等が挙げられ、なかでも、発泡層単独か、或いは、発泡層と充実層とを重ねた多重層が好ましい。発泡層単独か、或いは、内部導体の外周に薄い（例えば、０．１ｍｍ）充実層を設けたものの外周に発泡層を設けることで、均質に高発泡化させることが可能となる。ここで、「充実層」とは、発泡処理等の空孔形成処理を実質的に行わずに形成される、層内が層形成材料で満たされ、実質的に多孔性を有していない層を意味し、発泡層に重ねて形成する場合は一般に「スキン層」とも呼ばれるものである。なお、発泡層を形成する際の製造条件によって発泡層の表層部分を、実質的に多孔性を示さない（層表面が凹凸をもたない）状態に形成することができるが、このような場合の該表層部分も「スキン層」と呼ぶことができる。
【００１６】
絶縁層の厚みは（多重層の場合は多重層全体の厚み）は、絶縁層の形態によっても異なるが、一般に１〜３０ｍｍ程度である。なお、厚みが３ｍｍを超える発泡層を設ける場合、スキン層（充実層）を先に設け、その上に発泡層を設け、絶縁層全体の厚みが３０ｍｍ以下となるようにするのが均質な高発泡絶縁層を得る観点から好ましく、この場合のスキン層の厚みは０．０１〜０．５ｍｍの範囲から選択するのが好ましい。
【００１７】
本発明の高周波同軸ケーブルは、内部導体を絶縁層で被覆し、絶縁層の外周に外部導体を周設した構造を基本構造とする。ケーブルの具体的用途に応じて、この種のケーブルにおける内部導体、絶縁層及び外部導体以外の公知の機能層を付加することもできる。なお、ケーブルの最外層にはシースを設けるのが一般的である。
【００１８】
本発明の高周波同軸ケーブルにおいて、絶縁層を、炭素原子１０００個当たりの末端基の数（個／1000C）が３０以下のポリエチレンに添加剤を配合した組成物の層で構成する場合のポリエチレンに配合する添加剤としては、酸化防止剤、金属不活性剤、絶縁層を発泡層とする場合の成核材、発泡剤等が挙げられる。
【００１９】
酸化防止剤としては、例えば、以下のものを例示することができる。
（Ａ）モノフェノール系：２，６−ジ−第三−ブチルフェノール、２，６−ジ−第三−ブチル−４−エチルフェノール、２，６−ジ−第三−ブチル−４−メチルフェノール、２，６−ジ−第三−ブチル−α−ジメチルアミノ−ｐ−クレゾール、２，４，６−トリ−第三−ブチルフェノール、オルト−第三−ブチルフェノール等。
【００２０】
（Ｂ）ビス、トリス、ポリフェノール系：２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−第三−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−第三−ブチルフェノール）、４，４’−メチレン−ビス−（２，６−ジ−第三−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデン−ビス−（４−メチル−６−第三−ブチルフェノール）、アルキル化ビスフェノール、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−第三−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン等。
【００２１】
（Ｃ）ヒンダード・フェノール系：テトラキス−〔メチレン−３−（３’，５’−ジ−第三−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタン、ｎ−オクタデシル−３−（４’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−第三−ブチル・フェニル）プロピオネート、ヒンダードフェノール、ヒンダードビスフェノール等。
【００２２】
（Ｄ）チオビスフェノール系：４，４’−チオビス−（６−第三−ブチル−３−メチルフェノール）、４，４’−チオビス−（６−第三−ブチル−ｏ−クレゾール）、ビス（３，５−ジ−第三−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）スルフィド、ジアルキル・フェノール・スルフィド等。
【００２３】
（Ｅ）リン系：トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（混合物−およびジ−ノニル−フェニル）ホスファイト等。
【００２４】
（Ｆ）その他：ジラウリル・チオジプロピオネート、ジステアリル・チオジプロピオネート、ジステアリル−β，β−チオジブチレート、ラウリル・ステアリル・チオジプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオジプロピオネート、ジトリデシル−３，３’−チオジプロピオネート、含硫黄エステル系化合物、アミル−チオグリコレート、１，１’−チオビス−（２−ナフトール）、２−メルカプトベンズイミダゾール、ヒドラジン誘導体等。
【００２５】
酸化防止剤は１種または２種以上を使用できる。
【００２６】
金属不活性剤は、ポリエチレンの金属害(特に銅害)を抑制する化合物であり、この種の分野でポリエチレン用として知られている公知の化合物を使用できる。例えば、３−（Ｎ−サリチロイル）アミノ−１，２，４−トリアゾール、イソフタル酸ビス（２−フェノキシプロピオニル−ヒドラジッド）、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−（α−メチルシクロヘキシル）−５，５’−ジメチル・ジフェニルメタン、トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−第三−ブチルフェニル）ブタン、２−メルカプトベンズイミダゾールとフェノール縮合物との混合物等が好適である。これらはいずれか１種又は２種以上を使用できる。
【００２７】
また、成核剤としては、通常、含フッ素モノマーの単独重合体やその他のモノマーとの共重合体などの粉末であるフッ素樹脂粉末が使用される。かかるフッ素樹脂粉末としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶｄＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）等の粉末が挙げられる。これらはいずれか１種又は２種以上を使用できる。
【００２８】
なお、フッ素樹脂粉末は平均粒径が０．１〜１００μｍであるのが好ましく、特に好ましくは平均粒径が０．２〜１０μｍである。
【００２９】
絶縁層における酸化防止剤及び金属不活性剤の添加量は特に限定されないが、酸化防止剤においては、ポリエチレン１００重量部当たり０．００１〜０．０５重量部の範囲から選択するのが好ましい。また、金属不活性剤においては、ポリエチレン１００重量部当たり０．００１〜０．０５重量部の範囲から選択するのが好ましい。また、成核剤の添加量は、ポリエチレン１００重量部当たり０．５〜５．０重量部の範囲から選択するのが好ましい。なお、発泡層とする場合、酸化酸化防止剤及び／又は金属不活性剤の量を、ポリエチレンと成核剤と酸化防止剤及び／又は金属不活性剤との合計量に対して０．１５重量％以下にするのが絶縁層の損失低減の点から好ましい。
【００３０】
絶縁層を発泡層とする場合、ポリエチレン（炭素１０００個当たりの末端基の数（個／1000C）が３０以下のポリエチレン）、成核材および必要に応じて添加する成核材以外の添加剤を混合し、ついでバンバリーミキサー、熱ロール、高速混合機などの通常の混練機で混練して混練物（発泡用組成物）を調製し、窒素ガス、ヘリウム、アルゴンガス等の不活性ガス及び／または炭酸ガスからなる発泡剤を組成物中に圧入、機械的分散などの手段で分散させて発泡させるのが好ましい。また、発泡層の発泡度は７０％以上が好ましく、７５％以上が特に好ましい。発泡層の発泡度が７０％以上であることにより、発泡同軸絶縁ケーブルの減衰特性がより一層向上する。
【００３１】
本発明の高周波同軸ケーブルにおいて、内部導体には、通常、銅、アルミニウム等が使用されるが、銅が好ましい。また、内部導体の形態は充実線状体、中空線状体（管体）のいずれでもよいが、ケーブルの重量や可撓性の観点から中空線状体（管体）が好ましく、中でも可撓性の観点から、管外面にコルゲート加工を施したコルゲート波付中空線状体（管体）が特に好ましい。従って、内部導体は、コルゲート波付銅管が最も好ましい。
【００３２】
内部導体の太さ（外径）は、ケーブルの具体的用途に応じて適宜決定されるが、一般的には、１．０〜２．０ｍｍの範囲から選択される。
【００３３】
本発明のケーブルにおいて、外部導体には、通常、銅、アルミニウム等が使用されるが、銅が好ましい。また、外部導体の形態も、絶縁層の外周に配置（周設）できる形態であればよく、公知の形態をそのまま適用できるが、管体であるか、あるいは、導体箔と編組との組み合わせ（多重層）が好適であり、管体が特に好ましい。また、管体である場合、可撓性の観点から、管外面にコルゲート加工を施したコルゲート波付管体が好適であり、コルゲート波付管体の中でもリング波付管体が好ましい。
【００３４】
外部導体の太さ（外径）は、ケーブルの具体的用途に応じて適宜決定されるが、一般的には、３．０〜５０ｍｍの範囲から選択される。
【００３５】
本発明のケーブルにおいて、シース層としては、外部導体を物理的、生物的及び化学的損傷から保護する機能を有する材料であれば特に限定はされないが、例えば、ポリエチレン、ポリウレタン、ナイロン、ポリ塩化ビニル等が挙げられる。また、シース層の厚みは、ケーブルの具体的用途によって適宜決定されるが、一般的には０．１〜５．０ｍｍであり、好ましくは０．５〜２．０ｍｍである。
【００３６】
本発明の高周波同軸ケーブルはこの種のケーブルの製造方法として知られている公知の方法を用いて製造することができる。例えば、充実層の形態の絶縁層を形成する場合には、走行する内部導体の上（外周面）に、ポリエチレン又はポリエチレン組成物を直接押出して被覆することにより製造することができる。また、図１は、ポリエチレンに少なくとも成核剤及び発泡剤を配合（混入）した発泡用組成物を発泡させて、本発明の高周波同軸ケーブルを製造する際の製造装置の一例であり、１は導体供給部、２は導体予備加熱器、３は発泡剤を充填したボンベ、３１は後記する第一押出機４のバレルに設置された発泡剤注入ノズル、３２は減圧弁、４は第一押出機、４１は第一押出機４のホッパー、４２は第一押出機４の吐出口、５は第二押出機、５１は第二押出機５の吐出口、６は第二押出機５のクロスヘッド、７は冷却装置である。第一押出機４は、その吐出口４２を介して第二押出機５とＴ字型に接続されている。
【００３７】
発泡用組成物の原料（ペレット）が、第一押出機４のホッパー４１に投入され、第一押出機４内で溶融される。発泡剤は、ボンベ３から減圧弁３２、発泡剤注入ノズル３１を経由して第一押出機４内に注入され、上記溶融物に圧入される。その後、第一押出機４内で混合され発泡剤が圧入された組成物は、吐出口４２を経由して第二押出機５に移送される。移送された組成物は、第二押出機５内で一層充分に混合され、吐出口５１を経由してクロスヘッド６に移送される。
【００３８】
導体供給部１から連続的に供給された導体８は、予備加熱器２、クロスヘッド６、および冷却装置７を順次通過して走行する。一方、第二押出機５内の組成物は、吐出口５１を経由してクロスヘッド６に移送されて連続走行する導体８上に供給され、クロスヘッド６の吐出口に設置されたダイス（図示せず）を通過して大気中に押出されて発泡し、導体８上に電気絶縁発泡体層を形成する。該電気絶縁発泡体層は、冷却装置７を通過する間に冷却され、かくして発泡絶縁ケーブル９が製造され、巻取装置１０に巻き取られる。その後、かくして製造された発泡絶縁ケーブル９に外部導体およびシースを被覆して発泡同軸絶縁ケーブルが得られる。
【００３９】
本発明の高周波同軸ケーブルは、種々の用途に使用できるが、例えば、ケーブルテレビ用、移動体基地局用（携帯電話）、アンテナ給電線用等を挙げることができる。
【００４０】
本明細書中の特性または物性の測定方法は以下のとおりである。
１．ポリエチレンの炭素原子１０００個当たりの末端基の数
ポリエチレンペレット（０．１ｇ）をプレスして厚み０．０５ｍｍの試料を作成し、ＦＴ−ＩＲ(perkin elemersystem 2000）を用いて試料の吸光度を測定し、波長１３６９ｃｍ−１付近のピーク強度（Ａ１３６９）と、波長１３７８ｃｍ−１付近のピーク強度（Ａ１３７８）求め、これらの値を下記式（Ａ）に代入して算出した。
【００４１】
式（Ａ）：末端基の数（個／1000C）＝３１．２５×（Ａ１３７８／Ａ１３６９−０．２９）
【００４２】
２．ポリエチレンのメルトフローレート
ＪＩＳ  Ｋ  ７２１０に規定するメルトインデクサーを用い、且つそこに規定する方法で温度１９０℃、荷重２．１６ｋｇの条件で測定した。
【００４３】
３．ポリエチレンの２ＧＨｚ（温度：２３℃）での誘電正接（ｔａｎδ）
空洞共振器を用いて測定した。
【００４４】
４．絶縁層の発泡度
被発泡体たる発泡用組成物の発泡前の比重をＳ１ 、その発泡体の比重をＳ２として、下式（Ｂ）により算出した。比重Ｓ１及び比重Ｓ２は、ＪＩＳ−Ｋ−７１１２に規定する水中置換法（Ａ法）により測定した。
式（Ｂ）：発泡度（％）＝（Ｓ１−Ｓ２）×１００／Ｓ１
【００４５】
５．フッ素樹脂粉末の平均粒径
測定対象とする粉末を水あるいはエタノールなどの有機液体に投入し、３５〜４０ｋＨｚ程度の超音波を付与した状態にて約２分間分散処理して得た分散液を用い、且つその場合の粒状物の量は該分散液のレーザ透過率（入射光量に対する出力光量の比）が７０〜９５％となる量とし、ついで該分散液に就いて、マイクロトラック粒度分析計にかけてレーザー光の散乱により個々の粒状物の粒径（Ｄ1 、Ｄ2 、Ｄ3 ・・）、および各粒径毎の存在個数（Ｎ1 、Ｎ2 、Ｎ3 ・・・）を計測した（個々の粒状物の粒径（Ｄ）は、マイクロトラック粒度分析計によれば種々の形状の粒状物毎に球相当径が自動的に測定される。）。そして、平均粒径（μｍ）は、視野内に存在する個々の粒子の個数（Ｎ）と各粒径（Ｄ）とから下記式（Ｃ）にて算出した。
式（Ｃ）：平均粒径（μｍ）＝（ΣＮＤ3 ／ΣＮ）1/3 
【００４６】
６．ケーブルの２ＧＨｚ（温度：２３℃）での減衰量特性
ネットワークアナライザーにて測定した。すなわち、アジレントテクノロジー社製のネットワークアナライザ（型名：８７２０ＥＳ）を用いて測定した。
【実施例】
【００４７】
以下、実施例を示して本発明をより具体的に説明すると共に、比較例をも示して本発明の顕著な効果を明らかにする。
【００４８】
［実施例１〜８及び比較例１〜３］
下記構成の同軸ケーブルを作製した。
内部導体：螺旋コルゲート加工した波付銅管（最大外径：１７．３ｍｍ）
絶縁層：下記表１記載のポリエチレンからなる発泡層。
成核剤はＰＴＦＥ粉末、発泡剤はＡｒガスを使用。
外部導体：リングコルゲート加工した波付銅管（最大外径：４６．５ｍｍ）
シース層：ポリエチレン（厚み：２．０ｍｍ）
【００４９】
同軸ケーブルにおける静電容量（特性インピーダンス）が一定（目標値：５０Ω）となるように発泡度を調整して製造した。
【００５０】
【表１】
2005078931.tif 000002
【００５１】
［実施例９〜１２及び比較例４］
下記構成の同軸ケーブルを作製した。
内部導体：螺旋コルゲート加工した波付銅管（最大外径：１７．３ｍｍ）
絶縁層：下記表２記載のポリエチレンからなる充実層（スキン層）（厚み０．５ｍｍ）及び発泡層（発泡度は表２中に記載）よりなる多重層。
発泡層の成核剤はＰＴＦＥ粉末、発泡剤はＡｒガスを使用。
外部導体：リングコルゲート加工した波付銅管（最大外径：４６．５ｍｍ）
シース層：ポリエチレン（厚み：２．０ｍｍ）
【００５２】
同軸ケーブルにおける静電容量（特性インピーダンス）が一定（目標値：５０Ω）となるように発泡度を調整して製造した。
【００５３】
【表２】
2005078931.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】発泡同軸絶縁ケーブルの製造装置例の説明図である。
【符号の説明】
【００５５】
１      導体供給部
２      導体予備加熱器
３      発泡剤を充填したボンベ
３１    発泡剤注入ノズル
４      第一押出機
５      第二押出機
６      第二押出機のクロスヘッド
７      冷却装置
【図１】
2005078931.tif 000004