(57)【要約】【課題】  被処理体を吸引によって誘電体に保持した状態でプラズマ処理を行う際に、高電圧の印加をおこなっても吸引孔と吸引孔に対向する誘電体との間に異常放電を発生させることなく被処理体に対して均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】  一対の電極２０、５０と、前記電極のそれぞれの対向面に設けられ、互いに対向する第１の誘電体６０及び第２の誘電体３０とを有し、前記一対の電極の間に位置する被処理体Ｗにプラズマ処理を行うプラズマ処理装置Ｍにおいて、前記第１の誘電体６０には、前記被処理体Ｗを吸引によって前記第１の誘電体６０に保持し得る吸引孔６１が設けられており、前記第１の誘電体６０の静電容量は、前記第２の誘電体３０の静電容量よりも大きいことを特徴とするプラズマ処理装置。【選択図】  図１
2005071758.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、
前記電極のそれぞれの対向面に設けられ、互いに対向する第１の誘電体及び第２の誘電体とを有し、
前記一対の電極の間に位置する被処理体にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
前記第１の誘電体には、前記被処理体を吸引によって前記第１の誘電体に保持し得る吸引孔が設けられており、
前記第１の誘電体の静電容量は、前記第２の誘電体の静電容量よりも大きいことを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマを利用して被処理体を処理するプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のプラズマ処理装置では、互いに対向する電極の対向面に誘電体が設けられている。このような誘電体には、減圧手段と接続された吸引孔が設けられており、減圧手段の駆動によって、被処理体が吸引孔に吸引されて誘電体の対向面に保持される。
誘電体に保持された被処理体は、電極間に発生したプラズマによってプラズマ処理が行われる（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００１−２１０６２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、本発明者は、吸引孔からの吸引によって被処理体を誘電体に保持した状態でプラズマ処理を行うと、吸引孔の位置に電荷の偏りが生じてしまうため、低電圧の印加であっても、吸引孔とその吸引孔に対向する誘電体との間に異常放電が発生し、被処理体に均一なプラズマ処理を行うことができないという問題があることを見出した。
【０００４】
そこで本発明は、上記本発明者の知見に鑑みてなされたもので、被処理体を吸引によって誘電体に保持した状態でプラズマ処理を行う際に、高電圧の印加をおこなっても吸引孔とその吸引孔に対向する誘電体との間に異常放電を発生させることなく被処理体に対して均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプラズマ処理装置は、一対の電極と、前記電極のそれぞれの対向面に設けられ、互いに対向する第１の誘電体及び第２の誘電体とを有し、前記一対の電極の間に位置する被処理体にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記第１の誘電体には、前記被処理体を吸引によって前記第１の誘電体に保持し得る吸引孔が設けられており、前記第１の誘電体の静電容量は、前記第２の誘電体の静電容量よりも大きいことを特徴としている。
【０００６】
次に、本発明の詳細を説明する。
【０００７】
まず、本発明の放電電極を適用するプラズマ処理は、どのような圧力下の処理であってもよいが、常圧プラズマ処理、特に大気圧近傍下の圧力下での処理に適している。なお、大気圧近傍の圧力下とは、１．３３３×１０4〜１０．６６４×１０4Ｐａの圧力下を指す。中でも、圧力調整が容易で、装置構成が簡便になる９．３３１×１０4〜１０．３９７×１０4Ｐａの範囲である。
【０００８】
本発明の放電電極を構成する電極の材質としては、例えば、鉄、銅、アルミニウム等の金属単体や、ステンレス、真鍮等の合金等が挙げられる。また、電極の構造は、電界集中によるアーク放電の発生を避けるために、電極間距離が一定となるように配置されていることが好ましい。このような電極の構造としては、例えば平行平板型、同軸円筒型等が挙げられる。
【０００９】
一対の電極のそれぞれの対向面には、誘電体が設けられる。
誘電体としては、例えば、アルミナ、石英、テトラフルオロエチレン、ガラス等の固体誘電体が挙げられる。
【００１０】
また、被処理体が設けられる第１の誘電体の静電容量は、もう一方の第２の誘電体側の静電容量よりも大きいものが用いられる。第１の誘電体の静電容量が、第２の誘電体の静電容量よりも大きいものが用いられることによって、吸引孔の位置に発生する電荷の偏りを軽減することができるので、吸引孔とその吸引孔に対向する誘電体との間に異常放電が発生することを防ぐことができる。
【００１１】
誘電体を電極の対向面に設ける方法としては、例えば、吸引や押圧等によって板状の誘電体を電極の対向面に物理的に密着させる方法や、溶射等によって電極の対向面に誘電体をコーティングする方法や、シート状の誘電体を電極の対向面に接着する方法等が挙げられる。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように、本発明によれば、被処理体が設けられる側の第１の誘電体の静電容量は、もう一方の第２の誘電体の静電容量より大きいので、電極間に電圧を印加する際に、吸引孔の位置に発生する電荷の偏りを軽減することができ、第１の誘電体に設けられる吸引孔とその吸引孔に対向する誘電体との間における異常放電の発生開始電圧を上昇させることができる。ひいては吸引孔に異常放電を発生させることなく被処理体に対して均一なプラズマ処理を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための最良の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明のプラズマ処理装置の模式的斜視図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿うプラズマ処理装置の模式的断面図である。
【００１４】
プラズマ処理装置Ｍは、上下に対向して設けられる一対のユニットＵ１、Ｕ２を有している。
上部ユニットＵ１は、上部ホルダ１０、ホット電極２０、石英板（第２の誘電体）３０等を有しており、下部ユニットＵ２には、下部ホルダ４０、アース電極５０、アルミナ板（第１の誘電体）６０等を有している。
【００１５】
まず、上部ユニットＵ１に設けられたホット電極２０と、下部ユニットＵ２に設けられたアース電極５０について説明する。
上側に位置するホット電極２０と下側に位置するアース電極５０は、互いに対向して設けられている。電極２０、５０は、それぞれステンレス等の金属導電体からなる平板状の形状をなしている。また、ホット電極２０とアース電極５０との間に所定の距離が空けられており、ホット電極２０とアース電極５０とが対向する空間に放電空間７０が形成されている。
【００１６】
上部ユニットＵ１について説明する。
上部ユニットＵ１には、上部ホルダ１０、平板状のホット電極２０、平板状の石英板３０等が設けられている。
上部ホルダ１０は絶縁性の樹脂から構成されており、その下面には、上部ホルダ１０の内部に向かって窪んだ凹部１１ａが形成されている。ホット電極２０は、上部ホルダ１０の凹部１１ａの内部に収容されており、ホット電極２０と上部ホルダ１０とはボルト８０によって固定されている。また、ホット電極２０は、給電線２２を介して電源２１と接続されて電圧印加電極となっている。
【００１７】
ホット電極２０の内部には、冷媒路２３ｃが設けられている。冷媒路２３ｃの両端はホット電極２０の上面に開口しており、冷媒路の一方の端部には冷媒供給路２３ｂが接続され、他方の端部には冷媒排出路２３ｄが接続されている。冷媒は、チラー２３ａの駆動によって、チラー２３ａから冷媒導入管を介して冷媒路２３ｃに供給され、冷媒路から冷媒排出管２３ｄを介して再びチラー２３ａに送られる。
【００１８】
ホット電極２０の対向面には、平板状の石英板３０（Ｗ１０ｃｍ×Ｌ１０ｃｍ×ｔ１ｍｍ）が設けられている。石英板３０は、ホット電極２０の対向面よりも大きな面積を有しており、ホット電極２０の対向面を覆うとともに、ホット電極２０の周縁から大きく突出している。石英板３０がホット電極２０の周縁から突出していることによって、沿面放電による異常放電を防ぐことができる。
また、石英板３０の両側の縁はナイフエッジ状に尖るエッジ部３１が設けられている。
【００１９】
上部ホルダ１０の凹部１１ａの周縁には、浅い凹部１１ｂが形成されている。浅い凹部１１ｂの周縁には断面レ字状の凹溝１２が形成されている。石英板は、エッジ部３１が凹溝１２に挿入されることによって上部ホルダ１０に保持される。また、この浅い凹部１１ｂに石英板３０の周縁部が収容されており、石英板３０と上部ホルダ１０の周縁部のそれぞれの下面が面一になっている。
なお、石英板３０についての説明は、本発明の特徴に係る部分であり、後述する。
【００２０】
上部ホルダ１０の内部には、処理ガスの導入路１４ｃと処理ガスの排出路１５ｃが左右（図２の紙面と直交する方向）に長く形成されている。上部ホルダ１０の下面には、処理ガスの導入路１４ｃの一端にスリット状の処理ガスの吹出口１４ｄが形成されている。このスリット状の吹出口１４ｄは、左右に長く形成されており、放電空間７０を向いて斜め下方向に伸びている。また、上部ホルダ１０の上面には、導入路１４ｃの他端と接続された導入管１４ｂが設けられている。さらに、導入管１４ｂは、例えばＮ2やＯ2等の処理ガスが充填された処理ガス源１４ａと接続されている。
【００２１】
上部ホルダ１０の下面には、処理ガスの排出路１５ｃの一端に小孔状の排出口１５ｄが左右に一定の間隔を空けて複数設けられている。この排出口１５ｄは、放電空間７０を向いて斜め下方向に伸びている。また、上部ホルダ１０の上面には、排出路１５ｃの一端と接続された処理ガスの排出管１５ｂが設けられている。さらに、排出管１５ｂは、真空ポンプ１５ａと接続されている。
【００２２】
下部ユニットＵ２について説明する。
下部ユニットＵ２には、下部ホルダ４０、アース電極５０、アルミナ板６０等が設けられている。
【００２３】
絶縁性の樹脂によって構成される下部ホルダ４０の上面には、下部ホルダ４０の内部に向かって窪んだ凹部４１ａが形成されており、この凹部４１ａにアース電極５０が収容されている。下部ホルダ４０とアース電極５０とはボルト８１によって固定されている。また、アース電極５０は、接地線５１を介して接地されている。
【００２４】
アース電極５０の内部には、冷媒路５３ｃと吸引路５７が設けられている。
冷媒路５３ｃは、アース電極５０の内部に冷媒が広く行き渡るように蛇行した形状をなしている。冷媒路５３ｃの両端部はアース電極５０の側面に達しており、一方の端部には冷媒供給路５３ｂが接続され、他方の端部には冷媒排出路５３ｄが接続されている。冷媒は、チラー５３ａの駆動によって、チラー５３ａから冷媒導入管を介して冷媒路５３ｃに供給され、冷媒路から冷媒排出管５３ｄを介して再びチラー５３ａに送られる。
アース電極５０は、冷媒が冷媒路５３ｃを通過することによって、冷却や加熱等の温度調節が行われる。
【００２５】
アース電極５０の内部に設けられた吸引路５７は、アース電極５０の対向面と水平方向に伸びるヘッダ路５７ａと、このヘッダ路５７ａからアース電極５０の上面に向けて分岐された橋絡路５７ｂとを有している。橋絡路５７ｂは、ヘッダ路５７ａの長さ方向に沿って等間隔で配置されており、アース電極５０の上面に開口部５７ｃを有している。
また、ヘッダ路５７ａの一端部は、吸引管５６を介して真空ポンプ５５に接続されている。
【００２６】
アース電極５０の対向面には、石英板３０と等しい形状の平板状のアルミナ板６０（Ｗ１０ｃｍ×Ｌ１０ｃｍ×ｔ１ｍｍ）が設けられている。アルミナ板６０は、アース電極５０の対向面を覆うとともに、アース電極５０の周縁から大きく突出した形状をなしている。また、アルミナ板６０は、下部ホルダ４０の凹部４１ａの周縁に形成された浅い凹部４１ｂに収容されている。アルミナ板６０が浅い凹部４１ｂに収容されることによって、橋絡路５７ｂの開口部５７ｃは、アルミナ板６０によって覆われる。
【００２７】
アルミナ板６０には、厚さ方向に貫通する吸引孔６１が多数形成されており、吸引孔６１の内径は、橋絡路５７ｂの内径よりも十分小さくなっている。吸引孔６１は、格子点状をなすように均一に分散して配置されており、アルミナ板６０がその吸引孔６１を覆うように設けられている。一部の橋絡路５７ｂの位置と吸引孔６１の位置とが一致している。また、被処理体Ｗは、全ての吸引孔６１を塞ぐようにしてアルミナ板６０の上にセットされる。
吸引孔６１の内径が橋絡路５７ｂの内径よりも小さくなっているので、アルミナ板６０が橋絡路５７ｂの開口部５７ｃの内部に突出し、橋絡路５７ｂの開口部５７ｃの周縁部からの異常放電の発生を防いでいる。また、吸引孔６１の内径が橋絡路５７ｂの内径よりも十分小さくなっているので、被処理体Ｗの材質が軟質であったり、被処理体Ｗの厚みが薄膜をなしていても、被処理体Ｗを吸引孔６１内に吸い込んで変形させることがない。
【００２８】
ここで、真空ポンプ５５を駆動すると、橋絡路５７ｂが真空引きされ、橋絡路５７ｂからの吸引によってアルミナ板６０がアース電極５０に吸い付けられて密着する。このとき、アルミナ板６０は、アース電極５０と密着しているので、アルミナ板６０とアース電極５０との間で異常放電が発生することを防ぐことができる。
【００２９】
また、真空ポンプ５５による橋絡路５７ｂからの吸引によって、アルミナ板６０の上にセットされる被処理体Ｗがアルミナ板６０に吸い付けられる。被処理体Ｗがアルミナ板６０に吸い付けられることによって、被処理体Ｗを下部ユニットＵ２に安定した状態で載置できるだけでなく、被処理体Ｗをアルミナ板６０に密着させて被処理体Ｗがアルミナ板６０から浮き上がって隙間を形成することを防止することができる。被処理体Ｗとアルミナ板６０との間に隙間を形成することを防止することができるので、アルミナ板６０と被処理体Ｗとの間で異常放電が発生することを確実に防止することができる。
【００３０】
下部ホルダ４０の上面には、絶縁性の樹脂からなるスペーサー９０、９０が設けられている。このスペーサー９０、９０の上に上部ユニットＵ１が載置され、下部ホルダ４０の上面と上部ホルダ１０の下面との距離を１．５ｍｍに保持している。
【００３１】
ここで、本発明の特徴に係る部分について説明する。
石英板３０の静電容量は０．３６ｎＦである。また、被処理体Ｗが吸着されるアルミナ板６０の静電容量は０．８２ｎＦであり、石英板３０の静電容量よりも２倍以上大きくなされている。
被処理体Ｗが吸着されるアルミナ板６０の静電容量が、石英板３０の静電容量よりも大きくなっていることによって、吸引孔６１に生じる電荷の偏りを相対的に小さくし、電荷の偏りから生ずる異状放電の発生開始電圧を上昇させることができる。異状放電の発生開始電圧を上昇させることができるので、本発明のプラズマ処理装置は、より高い電圧を印可しても異状放電を発生することなく、被処理体Ｗに対して均一なプラズマ処理を行うことができる。
【００３２】
ここで、アルミナ板６０と石英板３０とが同一の厚み（例えば、１ｍｍ）を有する場合、吸引孔６１が設けられた誘電体であるアルミナ板６０の比誘電率は、石英板３０の比誘電率よりも大きいものが用いられる。なお、本実施形態において、アルミナ板６０の比誘電率は８、石英板３０の比誘電率は３．５である。
【００３３】
また、本実施形態で用いられる誘電体が同一の比誘電率を有する材質である場合、吸引孔を有する誘電体（第１の誘電体）の厚みは、もう一方の誘電体（第２の誘電体）の厚みよりも薄いものが用いられる。
例えば、ホット電極２０とアース電極５０のそれぞれの対向面に比誘電率８のアルミナ板が設けられている場合、ホット電極２０には吸引孔を有する厚さ１ｍｍのアルミナ板（第１の誘電体）が設けられ、アース電極５０には厚さ２ｍｍのアルミナ板（第２の誘電体）が設けられる。
【００３４】
ここで、アルミナ板６０や石英板３０の面積が電極２０、５０の対向面の面積よりも大きい場合、アルミナ板６０と石英板３０との静電容量の大小関係は、これらが電極２０、５０の対向面を覆っている領域における静電容量によって適宜決定される。
【００３５】
また、電極２０、５０に複数層からなる誘電体が設けられている場合、それぞれの電極２０、５０に設けられた誘電体の静電容量の大小関係は、複数層からなる誘電体全体における静電容量によって適宜決定される。
【００３６】
上記の構成によるプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法を説明する。
まず、被処理体Ｗを下部ユニットＵ２のアルミナ板６０の上に載せ、真空ポンプ５５を駆動させる。真空ポンプ５５の駆動によって、橋絡路５７ｂが真空引きされてアルミナ板６０がアース電極５０に吸い付けられ、アルミナ板６０とアース電極５０とが密着した状態になる。また、真空ポンプ５５の駆動によって、橋絡路５７ｂを介して吸引孔６１が真空引きされて被処理体Ｗがアルミナ板６０に吸い付けられ、被処理体Ｗがアース電極５０に固定される。被処理体Ｗは、アース電極５０と密着して被処理体Ｗとアース電極５０との間に隙間が形成されない。
【００３７】
被処理体Ｗがアース電極５０に固定された状態で、上部ユニットＵ１に接続された処理ガス源１４ａから、放電空間７０に向けて処理ガスが供給される。
処理ガス源１４ａに充填された処理ガスは、導入管１４ｂを介して導入路１４ｃに導入される。導入路１４ｃは、導入管１４ｂとの接続部から途中で枝分かれして吹出口１４ｄと接続されいるので、処理ガスび濃度を均一化することができる。均一化された処理ガスは、吹出口１４ｄから放電空間７０に向けて流量が調整された状態で供給される。
【００３８】
そして、電源２１のスイッチをオンにする。これによって、給電線２２を介してホット電極２０にパルス電圧が印加される。パルス電圧の印加によって、放電空間７０に均一なグロー放電が形成される。
放電空間７０に発生したグロー放電によって、放電空間７０に供給された処理ガスはプラズマ化され、プラズマ化した処理ガスによって被処理体Ｗのホット電極２０側の面にプラズマ処理が施される。なお、被処理体Ｗは、真空ポンプ５５の駆動によってアルミナ板６０と密着しており、処理ガスの供給やプラズマ処理等によってアルミナ板６０から浮き上がることはない。ひいては被処理体Ｗとアルミナ板６０との間で異常放電が発生することを防ぐことができる。
【００３９】
また、被処理体Ｗが設けられたアルミナ板６０の静電容量は、石英板３０の静電容量より大きくなっているので、アルミナ板６０の吸引孔６１と石英板３０との間における異常放電の発生開始電圧を上昇させることができる。ひいては異常放電を発生させることなくより高い電圧を電極２０、５０に印可することができる。
【００４０】
プラズマ処理に用いられた使用済みの処理ガスは、上部ホルダ１０に形成された排出口１５ｄに吸い込まれ、排出管１５ｂを経て真空ポンプ１５ａに吸い込まれて排気される。
【００４１】
プラズマ処理が終了したときは、真空ポンプ１５ａを停止し、吸引孔６１及び橋絡路５７ｂの吸引を停止する。真空ポンプ１５ａの停止によって、被処理体Ｗのアルミナ板６０への固定が解除され、被処理体Ｗをアルミナ板６０から簡単に取り出すことができる。
【００４２】
本発明の実施形態は上記実施形態のみに限定されず、種々の形態をとることができる。
例えば、ホット電極２０に設けられる誘電体の静電容量が、アース電極５０に設けられた誘電体の静電容量より大きくてもよい。このとき、被処理体Ｗは、ホット電極２０側の誘電体に設けられる。
【００４３】
誘電体の形状としては、板状やシート状のものに限られず、電極に溶射によって設けられたものでもよい。
また、電極２０、５０が垂直方向に対向して設けられてもよい。
電極の形状としては、それぞれが平行平板に限定されず、ロール状電極と平板状電極との対、またはロール状電極と湾曲板状電極との対になっていてもよく、あるいは同軸円筒状になっていてもよい。
【００４４】
上部ユニットＵ１又は下部ユニットＵ２にコンベアなどの搬送手段を設け、被処理体Ｗをホット電極２０と相対的に搬送可能にしてもよい。被処理体Ｗが搬送可能になっていることによって、被処理体Ｗに対して連続的にプラズマ処理を行うことができる。
【００４５】
本発明のプラズマ処理装置は、グロー放電だけでなく、コロナ放電や沿面放電によるプラズマ処理にも適用され、成膜、洗浄、表面改質、アッシング、エッチング等の種々のプラズマ処理に広く適用することができる。
【実施例】
【００４６】
以下に実施例及び比較例を掲げて本発明を更に詳しく説明する。
なお、実施例１−１、１−２及び比較例１−１〜１−３は、吸引孔が設けられた誘電体（第１の誘電体）がアース電極５０側に設けられており、吸引孔が設けられていない誘電体（第２の誘電体）がホット電極２０側に設けられている。また、実施例２−１、２−２及び比較例２−１〜２−３は、吸引孔が設けられた誘電体（第１の誘電体）がホット電極２０側に設けられており、吸引孔が設けられていない誘電体（第２の誘電体）がアース電極５０側に設けられている。
【００４７】
（実施例１−１）
上記の実施形態において、放電空間７０には処理ガスが供給されず、大気圧近傍の圧力の空気が存在している。この状態で、電極２０、５０の間に周波数１０ｋＨｚ、波高値１４．８ｋＶのパルス電圧の印加を開始した。その後、徐々に印加電圧を増加し、吸引孔６１と石英板３０との間に異常放電が発生したときの印加電圧を測定した。なお、異常放電の発生を確認するため、吸引孔６１が設けられたアルミナ板６０には被処理体Ｗが設けられていない。
なお、実施例１−１において、アース電極５０側のアルミナ板には吸引孔が設けられており、ホット電極２０側の石英板には吸引孔が設けられていない。
【００４８】
（実施例１−２）
実施例１−１において、ホット電極２０側に設けた石英板３０に代えて、誘電体として、実施例１−１のアース電極５０で用いたものと同一のアルミナ板６０を３枚積層した積層体（積層体の静電容量：０．３１ｎＦ）を使用したこと以外は、実施例１−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、実施例１−２において、アース電極５０側のアルミナ板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、ホット電極２０側の積層体には吸引孔が設けられていない。
【００４９】
（比較例１−１）
実施例１−１において、ホット電極２０側に設けた石英板３０に代えて、誘電体として、アース電極５０で用いたものと同一のアルミナ板６０を使用したこと以外は、実施例１−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、比較例１−１において、アース電極５０側のアルミナ板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、ホット電極２０側のアルミナ板には吸引孔が設けられていない。
【００５０】
（比較例１−２）
実施例１−１において、アース電極５０側に設けたアルミナ板６０に代えて、誘電体として、ホット電極２０で用いたものと同一の石英板６０を使用したこと以外は、実施例１−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、比較例１−２において、アース電極５０側の石英板板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、ホット電極２０側の石英板には吸引孔が設けられていない。
【００５１】
（比較例１−３）
実施例１−１において、ホット電極２０側に設けた石英板３０に代えて、誘電体として、実施例１−１のアース電極５０で用いたものと同一のアルミナ板６０を使用し、更に、アース電極５０側に設けられたアルミナ板６０に代えて、誘電体として、実施例１−１のホット電極２０で用いたものと同一の石英板３０を使用したこと以外は、実施例１−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、比較例１−３において、、アース電極５０側の石英板板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、ホット電極２０側のアルミナ板には吸引孔が設けられていない。
【００５２】
（実施例２−１）
実施例１−１において、給電線２２や接地線５１の配線を入れ換え、上部ユニットＵ１に設けられた電極をホット電極２０とし、下部ユニットＵ２に設けられた電極をアース電極５０としたこと以外は、実施例１−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、実施例２−１において、ホット電極２０側のアルミナ板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、アース電極５０側の石英板には吸引孔が設けられていない。
【００５３】
（実施例２−２）
実施例２−１において、アース電極５０側に設けた石英板３０に代えて、誘電体として、実施例２−１のホット電極２０で用いたものと同一のアルミナ板６０を３枚積層した積層体（積層体の静電容量：０．３１ｎＦ）を使用したこと以外は、実施例２−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、実施例２−２において、ホット電極２０側のアルミナ板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、アース電極５０側の積層体には吸引孔が設けられていない。
【００５４】
（比較例２−１）
実施例２−１において、ホット電極２０側に設けたアルミナ板６０に代えて、誘電体として、アース電極５０で用いたものと同一の石英板３０を使用したこと以外は、実施例２−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、比較例２−２において、ホット電極２０側の石英板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、アース電極５０側の石英板には吸引孔が設けられていない。
【００５５】
（比較例２−２）
実施例２−１において、アース電極５０側に設けた石英板３０に代えて、誘電体として、実施例２−１のホット電極２０で用いたものと同一のアルミナ板６０を使用したこと以外は、実施例２−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、比較例２−１において、ホット電極２０側のアルミナ板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、アース電極５０側のアルミナ板には吸引孔が設けられていない。
【００５６】
（比較例２−３）
実施例２−１において、ホット電極２０側に設けたアルミナ板６０に代えて、誘電体として、アース電極５０で用いたものと同一の石英板３０を使用し、更に、アース電極５０側に設けられた石英板３０に代えて、誘電体として、実施例２−１のホット電極２０で用いたものと同一のアルミナ板６０を使用したこと以外は、実施例２−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、比較例２−３において、ホット電極２０側の石英板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、アース電極５０側のアルミナ板には吸引孔が設けられていない。
【００５７】
以上の実施例１−１、１−２及び比較例１−１〜１−３において、アース電極５０側に吸引孔が設けられた誘電体が設けられた場合、吸引孔６１と吸引孔に対向する誘電体板との間に異常放電が発生したときの印加電圧を表１に示す。
また、実施例２−１、２−２及び比較例２−１〜２−３において、ホット電極２０側に吸引孔が設けられた誘電体が設けられた場合、吸引孔６１と吸引孔に対向する誘電体板との間に異常放電が発生したときの印加電圧を表２に示す。
【００５８】
【表１】
2005071758.tif 000003
【表２】
2005071758.tif 000004
【００５９】
表１、２より、実施例１−１、１−２、２−１、２−２では、波高値３０ｋＶまで印加電圧を上昇しても吸引孔と吸引孔に対向する誘電体との間で異常放電が発生せず、より高い電圧を印加しても安定したプラズマを発生できることが確認された。
また、比較例１−１〜１−３、２−１〜２−３では、比較的低い電圧でも吸引孔と吸引孔に対向する誘電体との間で異常放電の発生が確認され、高い電圧を印加した際に安定したプラズマを発生することができなかった。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の模式的斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿うプラズマ処理装置の模式的断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
Ｍ  プラズマ処理装置
Ｕ１  上部ユニット
Ｕ２  下部ユニット
１０  上部ホルダ
２０  ホット電極
３０  石英板
４０  下部ホルダ
５０  アース電極
６０  アルミナ板
６１  吸引孔
７０  放電空間
Ｗ  被処理体
【図１】
2005071758.tif 000005
【図２】
2005071758.tif 000006