(57)【要約】【課題】本発明は、円筒型空洞共振器を用いるプラズマＣＶＤ装置において、３次元中空容器へのマイクロ波エネルギーの供給を効率良く行い、プラズマ密度分布を均一にして、プラズマ密度の中心位置を任意に設定ができ、均一な薄膜形成が可能で、様々な該容器形状にも対応できる３次元中空容器の薄膜成膜装置を提供する。【解決手段】プラズマＣＶＤ法により薄膜を成膜する３次元中空容器の薄膜成膜装置において、前記円筒型空洞共振器１を形成してマイクロ波エネルギーを封じ込む真空チャンバー２内にマイクロ波電力を供給する手段として、エレメント長がλ／２のスリーブアンテナ１６を用いて該チャンバー２内にマイクロ波を放射しプラズマを発生させることを特徴とする３次元中空容器の薄膜成膜装置である。【選択図】図1
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒型空洞共振器を形成し、３次元中空容器を収納する真空チャンバー内に原料ガスを導入するための原料ガス導入管を配置し、該容器内に原料ガスを導入して、該容器内面にプラズマＣＶＤ法により薄膜を成膜する３次元中空容器の薄膜成膜装置において、前記円筒型空洞共振器を形成してマイクロ波エネルギーを封じ込む真空チャンバー内にマイクロ波電力を供給する手段として、エレメント長がλ／２のスリーブアンテナを用いて該チャンバー内にマイクロ波を放射しプラズマを発生させることを特徴とする３次元中空容器の薄膜成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載の３次元中空容器の薄膜成膜装置において、前記スリーブアンテナの内部導体を円筒型管状とし、該管内に原料ガスを通し、該スリーブアンテナの該内部導体の先端部には原料ガス噴出し口を有しており、該噴出し口から該チャンバー内に原料ガスを供給することを特徴とする３次元中空容器の薄膜成膜装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の３次元中空容器の薄膜成膜装置において、前記スリーブアンテナが円筒型空洞共振器を形成する真空チャンバー内の中心軸上に位置し、高さ方向を任意の位置に配置できることを特徴とする３次元中空容器の薄膜成膜装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項記載の３次元中空容器の薄膜成膜装置において、前記スリーブアンテナが円筒型空洞共振器を形成する真空チャンバー内の底面部に同軸線路着脱機構部を介して固定されており、数種のスリーブアンテナが交換可能な構造を有することを特徴とする３次元中空容器の薄膜成膜装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項記載の３次元中空容器の薄膜成膜装置において、マイクロ波を封じ込める円筒型空洞共振器内に前記スリーブアンテナを覆い被さるように石英ガラス管等のマイクロ波電力の損失が少なく、耐熱性のある非金属性真空チャンバーが配置され、さらに該真空チャンバー内には３次元中空容器がスリーブアンテナを覆うように配置され、該真空チャンバー内を真空状態に保ち、スリーブアンテナからのマイクロ波電力および原料ガスによってプラズマを発生させ、該容器に成膜処理を施すことを特徴とする３次元中空容器の薄膜成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は３次元中空容器、例えばプラスチックボトル、プラスチックカップ、プラスチックトレー、紙容器、紙カップ、紙トレー、その他中空のプラスチック成形品等の表面にプラズマ助成式化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）により薄膜を形成させる装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラスチック容器等の３次元中空容器、例えばプラスチックボトル、プラスチックカップ、プラスチックトレー、紙容器、紙カップ、紙トレー、その他中空のプラスチック成形品等の表面に薄膜を成膜し、容器のガスバリア性、水蒸気バリア性、表面の濡れ性等を向上させる試みがなされている。
【０００３】
これらの機能性薄膜を成膜する方法の１つとしては、従来からプラズマ助成式化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）により、プロセスガスの化学反応により、容器表面に薄膜を形成させる方法がある。
【０００４】
その装置構成例としては、例えば、図５に示すようにマイクロ波における円筒型空洞共振器１を形成する金属容器内に石英ガラス等による円筒管からなる真空チャンバー２があり、その真空チャンバー２内部に成膜対象物である３次元中空容器３が配置され、該真空チャンバー２内部を真空吸引して一定減圧状態を保ち、さらに原料ガス導入菅４より原料ガスを注入する。
【０００５】
次に、成膜対象物である３次元中空容器３の内部に原料ガス導入菅４より原料ガスを注入し、該中空容器３内部にプラズマを発生させるためのマイクロ波電力はマイクロ波発振器５によって生成され、導波管６を介して該円筒型空洞共振器１内部へと導かれ、このマイクロ波エネルギーによって、成膜対象物である３次元中空容器３の内部でプラズマが発生する（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
ここでマイクロ波電力を円筒型空洞共振器１内に導入する方法として、図５では該空洞共振器１の側面方向から注入する方法を示したが、この方法以外にも円筒型空洞共振器１上面の蓋部７より注入する方法もある（例えば、特許文献２参照。）。
【０００７】
また、別のマイクロ波電力を円筒型空洞共振器１内に導入する方法として、図６に示すように、マイクロ波発振器５より生成されたエネルギーは導波管６を介して、インピーダンス整合を行うインピーダンス整合器９へ送られ、さらに同軸導波管変換部１０にて同軸線路１１の伝送モードとなる方法もある。
【０００８】
該同軸線路１１を構成する外部導体１１ｂの外周（アース）は金属製の円筒型空洞共振器１と接続されており、同軸線路１１の内部導体１１ａは、該空洞共振器１の壁面部よりλ／４だけ、該空洞共振器１内部に突き出した形状になっている（例えば、特許文献３参照。）。
【０００９】
これはλ／４ホイップアンテナ１２構成であり、内部導体１１ａの先端部が最も電界が強くなる。
【００１０】
また、この同軸線路１１の該内部導体１１ａはパイプ形状をしており、該容器３などへのマイクロ波電力供給と共に原料ガス注入機構も兼ね備えている（例えば、特許文献４参
照。）。
【００１１】
従って、ガス噴出し口１３である先端部はマイクロ波の電界最強点でもあるので、ここを中心にプラズマが発生する。
【００１２】
以上のような、従来のプラズマ発生方法には幾つかの問題点があり、例えば、図５における装置では、該空洞共振器１内部へのマイクロ波電力供給部分が該空洞共振器１の側面または天面にあるため、真空チャンバー２を構成している内部石英ガラス管等で損失が発生し、該容器３内部でのマイクロ波エネルギーが減少しプラズマ密度に影響を与えてしまう。
【００１３】
また、石英ガラスの物質的電気特性（誘電率等）の不均一性によっては、該容器３内のプラズマ分布に影響を与える可能性もある。
【００１４】
次に、図６における装置では、該空洞共振器１内部に突き出したλ／４ホイップアンテナ部、つまり同軸線路１１の内部導体１１ａの先端部がマイクロ波エネルギーの電界最強点であるため、この部分が最もプラズマ密度が高く、ここを中心にプラズマが広がっていく。
【００１５】
従って、該容器３内部に直接マイクロ波エネルギーを注入するため、図５の装置方式より効率良くプラズマが発生するが、この方式にも幾つかの問題点が存在する。
【００１６】
すなわち、マイクロ波放出部のλ／４ホイップアンテナ１２は、該空洞共振器１底面部からλ／４の高さである。
【００１７】
一般的な使用周波数２．４５ＧＨｚでは僅か３ｃｍ程度であるので、図６に示すように該容器３が高さ方向に長い容器である場合、プラズマは容器の口栓部に集中してしまい、容器底面部ではプラズマ密度が薄い状態であるため該容器３内の成膜均一性に欠け、バラツキを生じてしまう。
【００１８】
この現象を避けるために同軸線路１１の内部導体１１ａが露出している部分をｎ（λ／２）＋（λ／４）（ｎ＝０、１、２、３・・・・）として該空洞共振器１底面部からの高さを得る方法も考えられるが、アンテナ部分での電磁界分布に山・谷を生じ均一でないため、該容器３内でのプラズマ密度にも均一性を損なう。
【００１９】
また、該容器３の高さに変更があった場合、該容器３内部でのプラズマ密度分布の中心位置を任意に設定することが出来ない。
【００２０】
以下に先行技術文献を示す。
【特許文献１】特表２００２−５４３２９２号公報
【特許文献２】特表２００１−５１８６８５号公報
【特許文献３】特開平９−３０１７９５号公報
【特許文献４】特開平７−１３５０９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
本発明は係る従来技術の問題点を解決するものであり、円筒型空洞共振器を用いるプラズマＣＶＤ装置において、３次元中空容器へのマイクロ波エネルギーの供給を効率良く行い、プラズマ密度分布を均一にして、あらゆる高さの該容器でもプラズマ密度の中心位置を任意に設定することができ、該容器への均一な薄膜形成が可能で、様々な該容器形状にも対応できる３次元中空容器の薄膜成膜装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明は、上記のような課題を解決するために成されたもので、本発明の請求項１に係る発明は、円筒型空洞共振器１を形成し、３次元中空容器３を収納する真空チャンバー２内に原料ガスを導入するための原料ガス導入管を配置し、該容器３内に原料ガスを導入して、該容器３内面にプラズマＣＶＤ法により薄膜を成膜する３次元中空容器の薄膜成膜装置において、前記円筒型空洞共振器１を形成してマイクロ波エネルギーを封じ込む真空チャンバー２内にマイクロ波電力を供給する手段として、エレメント長がλ／２のスリーブアンテナ１６を用いて該チャンバー２内にマイクロ波を放射しプラズマを発生させることを特徴とする３次元中空容器の薄膜成膜装置である。
【００２３】
本発明の請求項２に係る発明は、請求項１記載の３次元中空容器の薄膜成膜装置において、前記スリーブアンテナ１６の内部導体１１ａを円筒型管状とし、該管内に原料ガスを通し、該スリーブアンテナ１６の該内部導体１１ａの先端部には原料ガス噴出し口１３を有しており、該噴出し口１３から該チャンバー２内に原料ガスを供給することを特徴とする３次元中空容器の薄膜成膜装置である。
【００２４】
本発明の請求項３に係る発明は、請求項１又は２記載の３次元中空容器の薄膜成膜装置において、前記スリーブアンテナ１６が円筒型空洞共振器１を形成する真空チャンバー２内の中心軸上に位置し、高さ方向を任意の位置に配置できることを特徴とする３次元中空容器の薄膜成膜装置である。
【００２５】
本発明の請求項４に係る発明は、請求項１乃至３のいずれか１項記載の３次元中空容器の薄膜成膜装置において、前記スリーブアンテナ１６が円筒型空洞共振器１を形成する真空チャンバー２内の底面部に同軸線路着脱機構部１７を介して固定されており、数種のスリーブアンテナ１６が交換可能な構造を有することを特徴とする３次元中空容器の薄膜成膜装置である。
【００２６】
本発明の請求項５に係る発明は、請求項１乃至４のいずれか１項記載の３次元中空容器の薄膜成膜装置において、マイクロ波を封じ込める円筒型空洞共振器１内に前記スリーブアンテナ１６を覆い被さるように石英ガラス管等のマイクロ波電力の損失が少なく、耐熱性のある非金属性真空チャンバー２が配置され、さらに該真空チャンバー２内には３次元中空容器３がスリーブアンテナ１６を覆うように配置され、該真空チャンバー２内を真空状態に保ち、スリーブアンテナ１６からのマイクロ波電力および原料ガスによってプラズマを発生させ、該容器３に成膜処理を施すことを特徴とする３次元中空容器の薄膜成膜装置である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明は、円筒型空洞共振器を形成し、３次元中空容器を収納する真空チャンバー内に原料ガスを導入するための原料ガス導入管を配置し、該容器内に原料ガスを導入して、該容器内面にプラズマＣＶＤ法により薄膜を成膜する３次元中空容器の薄膜成膜装置において、前記円筒型空洞共振器を形成してマイクロ波エネルギーを封じ込む真空チャンバー内にマイクロ波電力を供給する手段として、エレメント長がλ／２のスリーブアンテナを用いて該チャンバー内にマイクロ波を放射しプラズマを発生させることにより、３次元中空容器へのマイクロ波エネルギーが効率良く供給でき、また、成膜処理空間のプラズマ密度
分布をほぼ均一にすることが出来るので、成膜面での処理結果のバラツキも減少し、安定した薄膜が形成でき、更に、あらゆる高さの該容器形状でもプラズマ密度の中心位置を任意の高さに設定することができるので、様々な該容器形状にも対応できる３次元中空容器の薄膜成膜装置を提供できるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明における３次元中空容器の薄膜成膜装置の基本構成について図１から図４を用いて説明する。
【実施例１】
【００２９】
図１は、本発明における一実施例を示した側断面図であり主に、マイクロ波を閉じ込める金属製の円筒型空洞共振器１とその内部には真空状態を保つための真空チャンバー２があり、さらにその内側には成膜対象物である３次元中空容器３が配置されている。
【００３０】
該真空チャンバー２は石英ガラス管等、マイクロ波電力の損失が少なく、プラズマ熱に対して耐熱性があり、真空状態で機械的に十分耐える非金属のものであればなんでもよいが、ここでは、この真空チャンバー２を石英ガラス管として説明する。
【００３１】
次に、真空ポンプ部（図示せず）によって排気口１４を介して真空チャンバー２である石英ガラス管内を真空状態にする。
【００３２】
円筒型空洞共振器１および石英ガラス管の上部には成膜対象物である該容器３が出し入れ可能なように開口部が設けられており、さらにこの開口部を密閉するための蓋部７が存在する。
【００３３】
該蓋部７は金属製であり、該空洞共振器１におけるマイクロ波電力の完全密閉、真空チャンバー２での完全シールが可能な構造となっている。
【００３４】
該容器３は口栓部を下向きに挿入し、石英ガラス管下部には、該容器３を保持するスペーサー部８が存在する。
【００３５】
プラズマを発生させるためのマイクロ波エネルギー注入方法は、まずマイクロ波発振器５によってプラズマのエネルギー源となる電磁波が放射される。
【００３６】
この電磁波の周波数は一般的には２．４５ＧＨｚがよく用いられるが別の周波数でも問題ない。
【００３７】
放射されたマイクロ波は導波管６を介して電力を効率よく該空洞共振部１へ供給させるために行うインピーダンスマッチング用のインピーダンス整合器９に送られ、さらに同軸導波管変換部１０へ進行する。
【００３８】
一般的に該整合器９はスリースタブチューナーやＥ−Ｈチューナーが用いられ、同軸導波管変換部１０では同軸線路１１の内部導体１１ａのみが導波管６内部に侵入している状態であり、同軸線路１１の外部導体１１ｂは導波管６と電気的に接続されている。
【００３９】
該導波管６内を進行してきたマイクロ波は、この同軸線路１１の内部導体１１ａに励起し、同軸線路１１の伝送モードとなって該空洞共振器１へと進行する。
【００４０】
また、プランジャー１５を移動して調整することによって同軸線路伝送モードへの変換を効率よく行える。
【００４１】
ここで同軸線路１１の内部導体１１ａであるが、該内部導体１１ａは、本発明の特徴である円筒型管状、つまりパイプ形状を形成しており、ガスを供給するためガス供給源（図示せず）などからその管内に原料ガスを通し、成膜対象物である３次元中空容器３へのマイクロ波電力供給と共に原料ガス注入機構も兼ね備えている。
【００４２】
そして、同軸線路１１は該空洞共振器１内部の成膜対象物である３次元中空容器３のほぼ中央部まで達し、その先端部にはマイクロ波エネルギーを放射するスリーブアンテナ１６が配置されている。
【００４３】
次に、該スリーブアンテナ１６周辺について、図２を用いて詳細に説明する。
【００４４】
該同軸線路１１の外部導体１１ｂは円筒型空洞共振器１底部と電気的に接触しており、この底部には同軸線路１１を交換できる同軸線路着脱機構部１７が設けてある。
【００４５】
これによって成膜対象物である該容器３のサイズが変わったときは、スリーブアンテナ１６を含めた同軸線路１１を最適なものに交換することが出来る。
【００４６】
該同軸線路１１は外部導体１１ｂと内部導体１１ａを常に一定の間隔に保つために同軸スペーサー１８が挿入されており、また、この同軸スペーサー１８には真空リークしないような加工が施されている。
【００４７】
そして、内部導体１１ａ先端部には原料ガス噴出し口１３が設けられており、ここから成膜対象物である該容器３へのガス供給を行うようになっている。
【００４８】
また、内部導体１１ａは、同軸線路１１の先端部にて約λ／４の長さで露出し、また外部導体１１ｂは内部導体１１ａの露出部分から約λ／４の長さで折り返されている。
【００４９】
つまりスリーブアンテナ１６はその電波の放射部分において、λ／２ダイポールアンテナを構成しており、放射特性もλ／２ダイポールアンテナと同じであり、同軸線路１１のアース部（外部導体１１ｂ）の影響を受けない構造である。
【００５０】
従って、この部分からだけの電磁波放射となり同軸線路１１の長さを変更しても何ら問題はなく、従来技術のように、該空洞共振器１底面部分から同軸線路１１の内部導体１１ａの露出部分をｎ（λ／２）＋（λ／４）（ｎ＝０、１、２、３・・・）の長さにしたアンテナ構造では、内部導体１１ａの露出部分に電磁界強度の山・谷が発生するため、プラズマ密度分布にも影響を及ぼしてしまう。
【００５１】
従って、本発明でのスリーブアンテナ方式では電磁波放射源が一点であるため、成膜対象物である３次元中空容器３に対して、ほぼ均一なプラズマ密度分布を与えることが可能であり、また、該容器３のサイズ変更においても同軸線路長を任意に設定できるため、常に最適なアンテナ位置に配置できるため、様々な該容器３にも対応可能である。
【実施例２】
【００５２】
次に、本発明における別の実施例について図３を用いて説明する。
【００５３】
図３における実施例は、図１で示した基本装置を基に一つのマイクロ波発振器５（図示せず）および一つの真空ポンプ部（図示せず）によって、成膜対象物である３次元中空容器３を同時に薄膜成膜処理しようとするものである。
【００５４】
図３では、４つの該容器３を同時に薄膜成膜する状態を記しているが、成膜数はこの限りではない。
【００５５】
直線型導波管６には、同軸導波管変換部１０が管軸方向に複数個、等間隔に平行配設され、マイクロ波電力の供給側から該導波管６の先端に向かって、マイクロ波電力に対する結合係数を順次に増大させるように各同軸導波管変換部１０は構成されており、これにより、各円筒型空洞共振器１へ均等なマイクロ波エネルギーを供給可能としている。
【００５６】
該各同軸導波管変換部１０は図１でも説明したように、同軸線路１１の内部導体１１ａのみが導波管６内部に侵入した構成であり、同軸線路１１の外部導体１１ｂは該導波管６と電気的に接続されている。
【００５７】
該導波管６内を進行してきたマイクロ波は、この同軸線路１１の内部導体１１ａに励起し、同軸線路１１の伝送モードとなって各空洞共振器１へと進行する。
【００５８】
また、この内部導体１１ａはパイプ形状を形成しており、各石英ガラス管への原料ガス供給のためにガス供給源（図示せず）などからその管内に原料ガスを通し、各成膜対象物へのマイクロ波電力供給と共に原料ガス注入機構も兼ね備えている。
【００５９】
そして、各同軸線路１１は各空洞共振器１内部の成膜対象物である３次元中空容器３のほぼ中央部まで達し、その先端部にはマイクロ波エネルギーを放射するスリーブアンテナ１６が配置されている。
【００６０】
該各円筒型空洞共振器１は金属製ベース板２２に設置され、電気的に完全導通状態でありマイクロ波電力の漏洩が無い構造である。
【００６１】
また、図１での説明と同様に、各円筒型空洞共振器１および真空チャンバー２である石英ガラス管の上部には成膜対象物である３次元中空容器３の出し入れが可能なように開口部が設けてあり、成膜中はマイクロ波電力・真空状態のリークを防止するために金属製の蓋部７が設けられている。
【００６２】
このような装置構成とすることで一つのマイクロ波発振器５および真空ポンプで複数の成膜対象物である３次元中空容器３を同時処理することが可能である。
【実施例３】
【００６３】
次に、本発明におけるさらに別の実施例について図４を用いて説明する。
【００６４】
図４における実施例は、図１で示した基本装置および図３に示す複数同時成膜装置を基に発展させた形態であり、一つのマイクロ波発振器５（図示せず）および一つの真空ポンプ部（図示せず）によって、成膜対象物である３次元中空容器３を同時に成膜処理しようとするものである。
【００６５】
図４では８つの該容器３を同時に薄膜成膜する状態を記しているが、成膜数はこの限りではない。
【００６６】
この装置の原理は、マイクロ波発振器５（図示せず）からのマイクロ波エネルギーは導波管６を介して同軸導波管変換部１０へ送り込まれる。
【００６７】
該同軸導波管変換部１０は、図１でも説明したように、同軸線路１１の内部導体１１ａのみが導波管６内部に侵入した構成であり、同軸線路１１の外部導体１１ｂは導波管６と
電気的に接続されている。
【００６８】
該導波管６内を進行してきたマイクロ波エネルギーは、この同軸線路１１の内部導体１１ａに励起し、同軸線路１１の伝送モードとなって上部にある円形型空洞共振器１９の中心部分へ供給される。
【００６９】
この時、同軸線路１１の内部導体１１ａは、前記実施例１、２とは異なり原料ガスの供給は必要としないので金属の棒状を形成している。
【００７０】
該円形型空洞共振器１９は、厚みが導波管６断面の短辺方向程度の厚みであり、円形面積は上部に設置する真空チャンバー２が十分に搭載できるだけの面積を有している。
【００７１】
該導波管６からの同軸線路１１は、該円形型空洞共振器１９の底面部の中心部に接続され、同軸線路１１の外部導体１１ｂと円形型空洞共振器１９底部とは電気的に完全導通状態である。
【００７２】
該同軸線路１１の内部導体１１ａは、円形型空洞共振器１９底面部から内側にλ／４の長さだけ突き出している。
【００７３】
つまり、λ／４ホイップアンテナ１２を形成し、ここからマイクロ波は放射状に円形型空洞共振器１９の壁面方向に広がっていく。
【００７４】
そして、この中心部から同一距離の円周上に等間隔になるように第２同軸導波管変換部２０が設置されている。
【００７５】
このように配置することによって各成膜対象物である３次元中空容器３へ均一なマイクロ波エネルギーを供給することができる。
【００７６】
該円形型空洞共振器１９内を放射状に進行してきたマイクロ波は、該第２同軸導波管変換部２０の内部導体１１ａに励起し、同軸線路１１の伝送モードとなって円形型空洞共振器１９上部の真空チャンバー２内部へと進行する。
【００７７】
また、この内部導体１１ａはパイプ形状を形成しており、各真空チャンバー２内への原料ガス供給のためにガス供給源（図示せず）などからその管内に原料ガスを通し、各成膜対象物である３次元中空容器３へのマイクロ波電力供給と共に原料ガス注入機構も兼ね備えている。
【００７８】
該第２同軸導波管変換部２０は、円形型空洞共振器１９上面部より上方向では同軸線路１１形状を形成し、その先端部にはマイクロ波エネルギーを放射するスリーブアンテナ１６が配置されて、このアンテナ１６は各真空チャンバー２内の成膜対象物である該容器３のほぼ中央部に位置している。
【００７９】
該真空チャンバー２上部には成膜対象物である該容器３の出し入れが可能なように開口部があり、蓋部７を装備している（図示せず）。
【００８０】
真空引きについては、円形型空洞共振器１９は、エアリークしない構造体であり、上部の真空チャンバー２との通気孔を有しており、真空チャンバー２の減圧工程は、真空ポンプ（図示せず）によって、排気口１４より円形型空洞共振器１９の内部を介して真空引きされる。
【００８１】
また、円形型空洞共振器１９の上部には、各真空チャンバー２を覆うように金属製カバー２１があり、このカバー２１と該円形型空洞共振器１９とが接する部分はマイクロ波が漏洩しないように電気的に完全導通状態に保たれている。
【００８２】
該カバー２１は、真空チャンバー２が石英ガラス管等のマイクロ波を透過する材質で構成された場合、装置外部へのマイクロ波漏洩を防止するためである。
【００８３】
該真空チャンバー２が金属製であり、該円形型空洞共振器１９との接合部分が完全にシールドされ、蓋部からのマイクロ波電力の漏洩がない構成であれば、このカバーは不必要であり、このような装置構成とすることで一つのマイクロ波発振器５および真空ポンプで複数の成膜対象物である３次元中空容器３を同時処理することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明に係わる薄膜成膜装置の一実施例を示す側断面図である。
【図２】本発明に係わる薄膜成膜装置の一実施例の一部を示す拡大側断面図である。
【図３】本発明に係わる薄膜成膜装置の別の実施例を示す側断面図である。
【図４】本発明に係わる薄膜成膜装置のさらに別の実施例を示す斜視図である。
【図５】従来技術である薄膜成膜装置の一実施例を示す側断面図である。
【図６】従来技術である薄膜成膜装置の別の実施例を示す側断面図である。
【符号の説明】
【００８５】
１…円筒型空洞共振器
２…真空チャンバー
３…３次元中空容器（成膜対象物）
４…原料ガス導入管
５…マイクロ波発振器
６…導波管
７…蓋部
８…スペーサー部
９…インピーダンス整合器
１０…同軸導波管変換部
１１…同軸線路    １１ａ…内部導体    １１ｂ…外部導体
１２…λ／４ホイップアンテナ
１３…原料ガス噴出し口
１４…排気口
１５…プランジャー
１６…スリーブアンテナ
１７…同軸線路着脱機構部
１８…同軸スペーサー
１９…円形型空洞共振器
２０…第２同軸導波管変換部
２１…金属性カバー
２２…金属性ベース板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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