(57)【要約】【課題】エッチング残渣を生じることなく、珪酸ガラスをプラズマエッチングする方法及びマイクロレンズアレイの提供。【解決手段】ＬｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系組成をベースとして有する基板を、フロロカーボンガスに総流量基準で２０〜８０％のホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガスを添加してなる混合ガスを用いてエッチングする。基板表面に形状がほぼ球面の一部をなす複数の凸部が配列してなるマイクロレンズアレイであって、これら凸部が上記エッチングに従って作製される。【選択図】図２
2005263605.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチングガスとして、フロロカーボンガスにホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガスを添加してなる混合ガスを用い、Ａｌ２Ｏ３を含む珪酸ガラスからなる基板をプラズマエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
プラズマ発生手段及び基板バイアス手段を持つエッチング装置内に載置されたＡｌ２Ｏ３を含む珪酸ガラスからなる基板上に、エッチングガスとして、フロロカーボンガスにホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガスを添加してなる混合ガスを導入し、プロセス圧力を２Ｐａ以下にして、該基板をプラズマエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
【請求項３】
前記珪酸ガラス基板が、ＬｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系組成をベースとして有する低膨張結晶化ガラス基板であることを特徴とする請求項１又は２記載のエッチング方法。
【請求項４】
前記珪酸ガラス基板が、Ａｌ２Ｏ３を２０〜３０重量％含むＬｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系組成をベースとして有する低膨張結晶化ガラス基板であることを特徴とする請求項１又は２記載のエッチング方法。
【請求項５】
前記エッチングガス中のホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガスの添加率がエッチングガス総流量基準で２０〜８０％であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のエッチング方法。
【請求項６】
前記珪酸ガラス基板中のＳｉＯ２含量が７０〜８０重量％である基板を用い、エッチングガスとして、フロロカーボンガスにホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガスを添加してなる混合ガスの代わりに又はこの混合ガスと併用して、水素原子を含んでいてもよいフロロカーボンガスに水素ガスを添加してなる混合ガス又は水素原子を含むフロロカーボンガスを用いて該基板をプラズマエッチングすることを特徴とする請求項１又は２記載のエッチング方法。
【請求項７】
前記ホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガスが、ＢＣｌ３ガスであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のエッチング方法。
【請求項８】
Ａｌ２Ｏ３を含む珪酸ガラスからなる基板表面に、その形状がほぼ球面の一部をなす複数の凸部が配列してなり、これら凸部が該基板表面を請求項１〜７のいずれかに記載の方法でプラズマエッチングして得られたものであることを特徴とするマイクロレンズアレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、珪酸ガラスのエッチング方法及びマイクロレンズアレイに関し、特にＡｌ２Ｏ３を含む珪酸ガラスからなる基板のプラズマエッチング方法及びこのエッチングに従って作製されるマイクロレンズアレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＳｉＯ２の屈折率が１．４５前後であるのに対し、低膨張結晶化ガラス又は超耐熱結晶化ガラスとして通常用いられるＬｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２（例えば、ネオセラム(登録商標、日本電気硝子株式会社製)）からなる珪酸ガラスは１．５４前後と高い。この低膨張結晶化ガラスはまた、透明であり、耐熱衝撃性や熱線透過性、寸法安定性に優れていることから、石英よりも有利な点が多く、エレクトロニクス等の分野でもその特性が評価されており、今後、新たな用途の開発が行われる可能性が高いと予測される。しかしながら、ＬｉＯ２やＡｌ２Ｏ３を含有するために、従来のＳｉＯ２(石英)加工で通常用いているフロロカーボンガスでエッチングした場合、その表面にエッチング残渣が発生するという新たな問題が生じている。これは、低膨張結晶化ガラス中に含有されているＡｌやＬｉがエッチングで除去されにくいために生じるものと考えられる。特に、このガラスを用いてマイクロレンズを作製する場合には、このようなエッチング残渣が表面平滑性に直接影響を及ぼすことから、致命的な問題となる。
【０００３】
また、特定の濃度分布マスクを用いて、液晶プロジェクタ用マイクロレンズアレイを製作するためにネオセラム基板をフロロカーボンガス（ＣＨＦ３＋ＣＦ４）を用いてプラズマエッチングすることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−３５６４７１号公報（例えば、第８頁左欄）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は、上述の従来技術の問題点を解決することにあり、エッチング残渣を生じることなく、低膨張結晶化ガラスである珪酸ガラスからなる基板をプラズマエッチングする方法及びこのエッチング方法に従って作製されるマイクロレンズアレイを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のエッチング方法は、エッチングガスとして、フロロカーボンガスにホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガス（例えば、ＢＣｌ３ガス等）を添加してなる混合ガスを用い、Ａｌ２Ｏ３を含む珪酸ガラスからなる基板をプラズマエッチングすることを特徴とする。
【０００６】
また、本発明のエッチング方法は、プラズマ発生手段及び基板バイアス手段を持つエッチング装置内に載置されたＡｌ２Ｏ３を含む珪酸ガラスからなる基板上に、エッチングガスとして、フロロカーボンガスにホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガス（例えば、ＢＣｌ３ガス等）を添加してなる混合ガスを導入し、プロセス圧力を２Ｐａ以下、好ましくは１Ｐａ以下にして、基板をプラズマエッチングすることを特徴とする。
【０００７】
上記のようなエッチング方法を実施することにより、基板表面にエッチング残渣を生じることなく、平滑表面を得ることができる。
【０００８】
前記珪酸ガラス基板が、ＬｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系組成をベースとして有する低膨張結晶化ガラス基板であることを特徴とする。
【０００９】
前記珪酸ガラス基板が、Ａｌ２Ｏ３を２０〜３０重量％含むＬｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系組成をベースとして有する低膨張結晶化ガラス基板であることを特徴とする。Ａｌ２Ｏ３含量が２０重量％未満であると、ＢＣｌ３添加率を低くしなければ好都合のエッチングが行われないが、この場合、エッチ表面にあれが残る。また、この含量が３０重量％を超えると、ＢＣｌ３添加率を高くしなければ好都合のエッチングが行われないが、この場合、エッチング速度は低くなる。
【００１０】
前記エッチングガス中のホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガス（例えば、ＢＣｌ３ガス等）の添加率がエッチングガス総流量基準で２０〜８０％であることを特徴とする。２０％未満であるとエッチ表面にあれが残り、８０％を超えるとエッチング速度が低くなりすぎる。
【００１１】
本発明のエッチング方法はまた、前記珪酸ガラス基板中のＳｉＯ２含量が７０〜８０重量％である基板を用い、エッチングガスとして、フロロカーボンガスにホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガス（例えば、ＢＣｌ３ガス等）を添加してなる混合ガスの代わりに又はこの混合ガスと併用して、水素原子を含んでいてもよいフロロカーボンガスに水素ガスを添加してなる混合ガス又は水素原子を含むフロロカーボンガスを用いて基板をプラズマエッチングすることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明のマイクロレンズアレイは、  Ａｌ２Ｏ３を含む珪酸ガラスからなる基板表面に、その形状がほぼ球面の一部をなす複数の凸部が配列してなり、これら凸部が該基板表面を前記エッチング方法でプラズマエッチングして得られたものであることを特徴とする。基板表面にエッチング残渣がなく、平滑表面が得られるので、液晶表示素子等の分野で微少寸法のマイクロレンズアレイとして利用できる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、フロロカーボンガスにホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガス（例えば、ＢＣｌ３ガス）を添加してなる混合ガスを用いてプラズマエッチングするので、低膨張結晶化ガラスである珪酸ガラスからなる基板を、その表面にエッチング残渣を生じせしめることなくエッチングすることができると共に、このエッチング方法に従って作製される、表面にエッチング残渣のないマイクロレンズアレイを提供できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１に、本発明に従って、低膨張結晶化ガラスである珪酸ガラスからなる基板をエッチングするためのプラズマエッチング（ドライエッチング）装置を示す。このエッチング装置１は、低温、高密度プラズマによるエッチングが可能なものであり、ターボ分子ポンプ等の真空排気手段２ａを備えた真空チャンバー２を有する。この真空チャンバー２の上部には、誘電体円筒状壁により形成されたプラズマ発生部３が設けられ、その下部には、基板電極部４が設けられている。プラズマ発生部３の側壁（誘電体側壁）５の外側には、三つの磁場コイル６、７、８が設けられ、この磁場コイル６、７、８によって、プラズマ発生部３内に環状磁気中性線（図示せず）が形成される。誘電体側壁５の外壁にはプラズマ発生用高周波アンテナコイル９が配置され、この高周波アンテナコイル９は、高周波電源１０に接続され、三つの磁場コイル６、７、８によって形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生するように構成されている。
【００１５】
磁気中性線の作る面と対向させて基板電極部４内には、被処理基板Ｓを載置する基板電極１１が設けられている。この基板電極は、絶縁体１１ａを介して真空チャンバー２内に設置されている。この基板電極１１は、コンデンサー１２を介して高周波電源１３に接続され、電位的に浮遊電極となって負のバイアス電位となるように構成されている。また、プラズマ発生部３の天板１４は、誘電体側壁５の上部フランジに密封固定され、電位的に浮遊状態として対向電極を形成する。この天板１４の内面には、真空チャンバ２内にエッチングガスを導入するガス導入ノズル１５が設けられ、このガス導入ノズル１５が、ガス流量制御手段（図示せず）を介してガス源に接続されている。
【００１６】
本発明によれば、エッチング加工する低膨張結晶化ガラスからなる基板は、Ａｌ２Ｏ３を含む珪酸ガラス、例えば、ＬｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２をベース組成とする低膨張結晶化ガラスからなる基板であり、好ましくはＡｌ２Ｏ３がベース中に２０〜３０重量％含まれている基板である。この珪酸ガラス中のＳｉＯ２（石英）含量が７０〜８０重量％である基板を用いることもできる。市販されている低膨張結晶化ガラス基板としては、例えば前記ネオセラム基板を本発明における被処理基板として用いることができる。
【００１７】
本発明によれば、前記基板をプラズマエッチングするためのエッチングガスとしては、フロロカーボンガスにホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガスを添加してなる混合ガスを用いることができる。このホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガスには、ホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含む化合物ガスや、これら化合物ガスの混合ガスが含まれる。これらの添加ガスとしては、例えばＢＣｌ３ガスが好ましい。
【００１８】
なお、ＳｉＯ２含量が７０〜８０重量％である基板の場合には、エッチングガスとして、フロロカーボンガスにＢＣｌ３ガス等のホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガスを添加してなる混合ガスの代わりに又はこの混合ガスと併用して、水素原子を含んでいてもよいフロロカーボンガスに水素ガスを添加した混合ガス又は水素原子を含むフロロカーボンガス(ヒドロフロロカーボンガス)を用いることが好ましい。
【００１９】
本発明で用いる上記フロロカーボンガスには、特にことわらない限り、例えば炭素原子の数が１〜２である炭化水素(ＣｘＨｙ)の水素原子の一部又は全部をフッ素原子で置換したフロロカーボンが含まれる。例えば、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＣＦ２ＣＨ２Ｆ、ＣＦ３ＣＨＦ２等が含まれる。
【００２０】
本発明によれば、エッチングは、例えば、プロセス圧力：０．１〜２Ｐａ、好ましくは０．１〜１Ｐａ、アンテナパワー：１０００〜２０００Ｗ、バイアスパワー：３００〜８００Ｗ、基板温度：０〜１０℃にプロセス条件を設定し、所定のエッチングガス流量を用いて実施することができる。また、キャリアーガスとしては、ヘリウム等の通常用いるガスを用いることができる。
【実施例１】
【００２１】
本実施例では、フロロカーボンガスにＢＣｌ３ガスを添加した場合のエッチング効果を検討した。
【００２２】
この場合のエッチング加工は、図１に示すエッチング装置を用いて行った。すなわち、プラズマ発生用高周波アンテナコイル９に接続した高周波電源１０の出力（アンテナパワー）を５００Ｗ、基板電極１１に接続した高周波電源１３の出力（バイアスパワー）を５０Ｗ、基板温度を０℃、真空チャンバ２の圧力を０．６７Ｐａに設定してエッチング加工を行った。被処理基板として、低膨張結晶化ガラス基板（ネオセラム基板）を用い、また、エッチングガス種として、フロロカーボンガス（ＣＨＦ３ガス）にＢＣｌ３ガスを添加してなるガス（流量比：ＣＨＦ３／ＢＣｌ３＝６０ｓｃｃｍ／４０ｓｃｃｍ）を用いた場合と、ＣＨＦ３単独のガスを使用した場合とについてエッチングを実施した。キャリアーガスとしてヘリウムを用いた。
【００２３】
得られたエッチング結果について、基板表面のＳＥＭ写真を図２(ａ)及び(ｂ)に示す。フロロカーボンガス単独でエッチングした場合、図２(ａ)に示すＳＥＭ写真から明らかなように、基板表面にエッチング残渣が生じていることが分かる。これに対して、本発明のようにフロロカーボンガスにＢＣｌ３ガスを添加してなる混合ガスを用いてエッチングした場合には、図２(ｂ)に示すＳＥＭ写真から明らかなように  基板表面にエッチング残渣が生じておらず、平滑な表面が得られていることが分かる。
【実施例２】
【００２４】
本実施例では、エッチングガス中のＢＣｌ３添加率依存性を検討した。この場合のエッチング加工は、プラズマ発生用高周波アンテナコイル９に接続した高周波電源１０の出力（アンテナパワー）を５００Ｗ、基板電極１１に接続した高周波電源１３の出力（バイアスパワー）を５０Ｗ、基板温度を０℃、真空チャンバ２の圧力を０．６７Ｐａ、エッチング時間を１４１０ｓｅｃに設定し、エッチングガス種として、ＣＨＦ３／ＢＣｌ３（６０ｓｃｃｍ／４０ｓｃｃｍ）、ＣＨＦ３／ＢＣｌ３（４０ｓｃｃｍ／６０ｓｃｃｍ）、ＣＨＦ３／ＢＣｌ３（２０ｓｃｃｍ／８０ｓｃｃｍ）を用いて行った。被処理基板は実施例１のものと同じものを用いた。キャリアーガスとしてヘリウムを用いた。
【００２５】
得られたエッチング結果について、基板表面のＳＥＭ写真を図３(ａ)〜(ｃ)に示す。ＢＣｌ３の添加率を増すに従い、エッチング表面の残渣が除去されていくことが分かる。この場合、低膨張結晶化ガラス（ＬｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２）中のＡｌがＢで置換されて、ＡｌはＡｌｘＣｌｙを形成し、ＢはＢｘＦｙを形成する。そして、Ａｌはイオンエネルギーによって脱離除去され、また、Ｌｉは物理的にスパッタ除去される結果、残渣のないエッチング表面が得られるものと考えられる。ただし、ＢＣｌ３添加量を増加するに従って、得られたマイクロレンズアレイ表面には残渣がないのできれいになり、得られた凸部（レンズ部）の間隔は広くなる。
【００２６】
なお、高圧プロセス（例えば、１０Ｐａ）を用いた場合には、弾性衝突によりイオンのエネルギーが低下し、ラジカル反応が大きくなることから、例えばマスクのレジストのエッチング速度が上昇し、選択比が低下するという問題が生じるため不具合である。しかし、本発明によるエッチング方法は、２Ｐａ以下の低圧プロセスで行われることから、いわゆるイオン支援エッチングプロセスであり、高圧の場合のような上記問題は生じない。
【００２７】
以上のことから、弾性衝突を低減し、ラジカル反応を抑制するためには、プロセス圧力を２Ｐａ以下にして、エッチング表面（底面）の残渣を抑制又は除去するために、適量の塩素原子とホウ素原子とを含む添加ガスを用いてエッチングすることは、平滑エッチング加工の重要な鍵となることが分かる。
【実施例３】
【００２８】
本実施例では、エッチング加工中のプロセス圧力の影響を検討した。この場合のエッチング条件として、アンテナパワー、バイアスパワー、基板温度、エッチング時間は実施例２の場合と同様にし、真空チャンバ２の圧力を０．６７Ｐａ及び０．４０Ｐａに設定し、エッチングガス種として、ＣＨＦ３／ＢＣｌ３（６０ｓｃｃｍ／４０ｓｃｃｍ）を用いた。
【００２９】
得られたエッチング結果について、基板表面のＳＥＭ写真を図４(ａ)及び(ｂ)に示す。図４(ａ)及び(ｂ)から明らかなように、エッチング表面残渣が除去されていると共に、プロセス圧力を低くする方がレンズ形状が立っており、レンズ高さが高くなることが分かる。なお、このようにプロセス圧力を制御することにより、所望のレンズ高さのものを得ることができる。かくして、焦点距離が調節可能のレンズを提供できる。
【００３０】
上記実施例２及び３から、得られるエッチング表面のレンズ形状及びレンズ高さは、それぞれ、エッチングガス中のホウ素原子及び塩素原子を含むガス（ＢＣｌ３）の添加率、プロセス圧力を調整することにより制御可能であることが分かる。
【実施例４】
【００３１】
本実施例では、実施例１におけるＣＨＦ３ガスへのＢＣｌ３ガスの添加量、アンテナパワー、バイアスパワー等の条件を代えてエッチング加工を行った。
【００３２】
すなわち、アンテナパワーを１５００Ｗ、バイアスパワーを５００Ｗ、基板バイアス周波数を１３．５６ＭＨｚ、基板温度を０℃、真空チャンバの圧力を０．４０Ｐａに設定し、エッチングガス種として、ＣＨＦ３／ＢＣｌ３（８０ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃｍ）を用いてエッチング加工した。被処理基板は実施例１のものと同じものを用い、キャリアーガスとしてヘリウムを用いた。
【００３３】
その結果、実施例１の場合と同様に、残渣のない平滑なエッチング表面が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明のエッチング方法によれば、エッチングガスとしてフロロカーボンガスにホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガスを添加してなる混合ガスを用いて珪酸ガラス基板をプラズマエッチングすることにより、表面にエッチング残渣を生じることなく、平滑な表面を有する基板を得ることができる。そのため、例えば液晶表示素子用マイクロレンズアレイ等を作製する分野で適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に従って被処理基板をエッチングするためのプラズマエッチング装置の概略を示す構成図。
【図２】低膨張結晶化ガラス基板をプラズマエッチングする際に、(ａ)はフロロカーボンガス単独を用いた場合、(ｂ)はフロロカーボンガスにＢＣｌ３ガスを添加した混合ガスを用いた場合の、それぞれのエッチング加工された基板表面のＳＥＭ写真。
【図３】低膨張結晶化ガラス基板をプラズマエッチングする際に、(ａ)はＣＨＦ３／ＢＣｌ３（６０ｓｃｃｍ／４０ｓｃｃｍ）ガスを用いた場合、(ｂ)はＣＨＦ３／ＢＣｌ３（４０ｓｃｃｍ／６０ｓｃｃｍ）ガスを用いた場合、(ｃ)はＣＨＦ３／ＢＣｌ３（２０ｓｃｃｍ／８０ｓｃｃｍ）ガスを用いた場合の、それぞれのエッチング加工された基板表面のＳＥＭ写真。
【図４】低膨張結晶化ガラス基板をプラズマエッチングする際のプロセス圧力依存性を示すものであり、(ａ)は０．６７Ｐａの場合、(ｂ)は０．４０Ｐａの場合の、それぞれのエッチング加工された基板表面のＳＥＭ写真。
【符号の説明】
【００３６】
１  エッチング装置                      ２  真空チャンバー
３  プラズマ発生部                      ４  基板電極部
【図１】
2005263605.tif 000003
【図２】
2005263605.tif 000004
【図３】
2005263605.tif 000005
【図４】
2005263605.tif 000006