(57)【要約】【課題】  単純な記録パルスストラテジによって２値記録又は３値以上の多値記録が可能な記録再生方法の提供。【解決手段】  案内溝を有する基板と少なくとも１層の記録層を有し、レーザ照射時間又はレーザ照射強度を２値以上に変調させることにより記録・再生を行うことができる追記型光記録媒体に対し、記録パワーを２段階に変化させ、前半の記録パワー（Ｐｆ）と後半の記録パワー（Ｐｂ）の比が０．３≦Ｐｆ／Ｐｂ＜１の範囲にあるストラテジを用いて記録を行うことを特徴とする記録再生方法。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
案内溝を有する基板と少なくとも１層の記録層を有し、レーザ照射時間又はレーザ照射強度を２値以上に変調させることにより記録・再生を行うことができる追記型光記録媒体に対し、記録パワーを２段階に変化させ、前半の記録パワー（Ｐｆ）と後半の記録パワー（Ｐｂ）の比が０．３≦Ｐｆ／Ｐｂ＜１の範囲にあるストラテジを用いて記録を行うことを特徴とする記録再生方法。
【請求項２】
記録マークの記録単位を一定周期とし、レーザ光の照射によって、該記録単位内の記録マークの大きさ及び／又は深さをα種類（α≧３）変化させて多値データを記録し、該記録マークの大きさ及び／又は深さの違いによる互いに異なるα種類（α≧３）の反射レベルを検出して多値データを再生することが可能な追記型光記録媒体に対し、レーザ中心強度の１／ｅ２になるビーム径（レーザ・ビーム直径）Ｄと多値記録マークの記録単位（基本セル）の長さＬの比を、１＜Ｄ／Ｌの範囲として記録を行うことを特徴とする請求項１記載の記録再生方法。
【請求項３】
少なくとも、最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔと基本セル長の時間幅Ｌｔの比が０．３≦Ｗｔ／Ｌｔ≦０．８の範囲にあるストラテジを用いて記録を行うことを特徴とする請求項２記載の記録再生方法。
【請求項４】
案内溝のトラックピッチが０．２５〜０．５μｍ、深さが１５〜１５０ｎｍ、平均溝幅が０．１５〜０．３５μｍ、未記録状態の反射率が２〜５０％である追記型光記録媒体に対し、４５０ｎｍ以下の青色波長域のレーザ光を照射して記録を行うことを特徴とする請求項３記載の記録再生方法。
【請求項５】
案内溝の平均溝幅Ｗｇと多値記録マークの記録単位（基本セル）の長さＬの比が０．７≦Ｗｇ／Ｌ≦１．５の範囲であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の記録再生方法。
【請求項６】
多値記録マークの記録単位（基本セル）の長さＬと案内溝の深さＤｐの比が３≦Ｌ／Ｄｐ≦８の範囲であることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の記録再生方法。
【請求項７】
最大レベルマークの後半の記録パワーのパルス時間幅Ｗｂと最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔの比が０．３≦Ｗｂ／Ｗｔ≦０．８の範囲にあるストラテジを用いて記録を行うことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の記録再生方法。
【請求項８】
前半の記録パワーと後半の記録パワーが切り替わるポイントを基本セルの中心と一致させて記録を行うことを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の記録再生方法。
【請求項９】
基板上に、少なくとも、Ｒ及びＯの各元素（但し、ＲはＹ、Ｂｉ、Ｉｎ、及びランタン系列元素から選ばれる一種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表す）を含有する薄膜（以下、ＲＯ膜という）と有機材料薄膜を有する追記型光記録媒体に対して記録を行うことを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の記録再生方法。
【請求項１０】
ＲＯ膜が、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、及びＮｂの中から選ばれる一種以上の元素Ｍを含有する追記型光記録媒体に対して記録を行うことを特徴とする請求項９記載の記録再生方法。
【請求項１１】
基板上に、少なくとも、ＲＯ膜、有機材料薄膜、反射層が順次積層された追記型光記録媒体に対して記録を行うことを特徴とする請求項９又は１０記載の記録再生方法。
【請求項１２】
基板上に、少なくとも、反射層、有機材料薄膜、ＲＯ膜、カバー層が順次積層された追記型光記録媒体に対して記録を行うことを特徴とする請求項９又は１０記載の記録再生方法。
【請求項１３】
基板上に、少なくともＲ及びＯの各元素（但し、ＲはＹ、Ｂｉ、Ｉｎ、及びランタン系列元素から選ばれる一種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表す）を含有する薄膜（以下、ＲＯ膜という）と、ＺｎＳを主成分とする誘電体層を有する追記型光記録媒体に対して記録を行うことを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の記録再生方法。
【請求項１４】
ＲＯ膜が、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、及びＮｂの中から選ばれる一種以上の元素Ｍを含有する追記型光記録媒体に対して記録を行うことを特徴とする請求項１３記載の記録再生方法。
【請求項１５】
基板上に、少なくとも、ＲＯ膜、ＺｎＳを主成分とする誘電体層、反射層が順次積層された追記型光記録媒体に対し記録を行うことを特徴とする請求項１３又は１４記載の記録再生方法。
【請求項１６】
基板上に、少なくとも、反射層、ＺｎＳを主成分とする誘電体層、ＲＯ膜、カバー層が順次積層された追記型光記録媒体に対して記録を行うことを特徴とする請求項１３又は１４記載の記録再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク等の光記録媒体にレーザ光を照射して２値又は３値以上の多値データを記録する記録再生方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光記録媒体においては、所定の基準周期Ｔを基準にして順次ピット、マークが形成されて所望のデータが記録されるようになっている。このような光記録媒体における記録方法は記録マークの有無の２値記録が一般的であるが、１つの記録単位に複数の情報を書き込む多値記録により、情報の高密度化、高速転送化も試みられている。
例えば特許文献１には、ビーム数の切り換えにより光ディスクに照射するレーザ・ビームの光量をデータ値に応じて切り換え、これにより光ディスクに形成するピットの深さをデータ値に応じて多段階で切り換える方法が提案されている。また特許文献２には、データ値に応じて光量を切り換えたレーザ・ビームを相変化記録媒体に照射することにより、データ値に応じて相変化記録媒体を複数段階に相変化させる方法が提案されている。また特許文献３には、金属錯体における配位環境の変化により多値情報を記録する方法として、例えば８面体配位を使った場合に、最大６通りの変化を使って最大６値により多値記録する方法が提案されている。
ところがこれらの多値記録の方式は、何れも共通して、再生信号における直流レベルの変化、符号間干渉により、高密度記録を行うとエラーレートが著しく劣化するという問題があった。
【０００３】
この他に、特許文献４〜５等には、平均反射率が多段階になるように記録ピットの面積や形状・構造を変化させる方法や、記録マーク位置、配置の組み合わせを複数定義する方法が提案されている。
多値記録によって記録密度を上げるためには、１つの記録単位（ユニット）の大きさを縮小することが必要である。また、その小さなユニット内において、反射率変化のダイナミックレンジを大きくすることが重要である。また、記録スピードやドライブのコスト面から複雑な記録パルスストラテジは避けるべきである。
このような点を考慮すると、特許文献４〜５に示される従来の多値記録方式では、記録パルスストラテジが複雑であるなどの不具合があり、改良の余地が多分にある。また、何よりもこれらの多値記録方式は相変化材料を記録膜に持つ書き換え型光記録媒体の記録方法であり、追記型光記録媒体における多値記録方法で満足のいくものは得られていない。特に短波長レーザ記録が可能な有機色素を記録層に用いた追記型光記録媒体では、青色半導体レーザの発振波長の中心である４０５ｎｍ近傍において大きな屈折率と比較的小さな吸収係数（０．０５〜０．０７程度）を持つ有機色素材料しか使用できないため、記録再生波長の変動に対し不安定な挙動を持つという欠点などがあり、良好な特性の追記型光記録媒体自体が得られていない。
【０００４】
また、特許文献６の発明は低強度のレーザ・ビーム（再生レーザ）を照射しながら記録パルスを照射し、それによりピット形成した直後に一定時間レーザ照射を停止することを特徴としている。ここで紹介されている波形は後述するの波形図１〜図３（特に図２）に類似しているように見えるが全く別の波形である。即ち、特許文献６の発明の記録波形を書き直し、図３０のように本発明の波形図１〜図３と同等の表記にすると本発明との差異は明白である。
特許文献７の発明は可逆的に変化する記録層（相変化記録層）に記録する方法であり、書き換え型媒体に関するストラテジである。これは消去パワー（Ｐｅ）上に記録パワーをかけ、その直後に消去パワー以下の冷却パワー（Ｐｃ）を設けている。これも一見すると本発明の図２と類似の記録パルスであるように見えるが、図３１のように図１〜図３と同等の表記にすると本発明とは全く異なる記録パルスであることは明白である。更に、基本的に相変化材料への記録は書き換えを前提としているので、消去パワー（Ｐｅ）を設けて常にある一定のパワーをかけ続け、これまでに書かれた記録ピットを消去しながら新しい記録ピットを書き込んでいる。しかし従来の追記型光記録媒体への記録の場合、再生パワー又はそれ以下のパワーのレーザ・ビームでフォーカシング及びトラッキングを行い、再生パワーよりも高い記録パワーを照射して記録を行っている。
【０００５】
【特許文献１】特開昭６１−９４２４４号公報
【特許文献２】特開平２−３１３２９号公報
【特許文献３】特開平４−２３８０８８号公報
【特許文献４】特開平８−２８７４６８号公報
【特許文献５】特開平１１−２５４５６号公報
【特許文献６】特開昭６０−１５０２４０号公報
【特許文献７】特開昭６３−１１３９３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は単純な記録パルスストラテジによって２値記録又は３値以上の多値記録が可能な記録再生方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題は、次の１）〜１６）の発明（以下、本発明１〜１６という）によって解決される。
１）  案内溝を有する基板と少なくとも１層の記録層を有し、レーザ照射時間又はレーザ照射強度を２値以上に変調させることにより記録・再生を行うことができる追記型光記録媒体に対し、記録パワーを２段階に変化させ、前半の記録パワー（Ｐｆ）と後半の記録パワー（Ｐｂ）の比が０．３≦Ｐｆ／Ｐｂ＜１の範囲にあるストラテジを用いて記録を行うことを特徴とする記録再生方法。
２）  記録マークの記録単位を一定周期とし、レーザ光の照射によって、該記録単位内の記録マークの大きさ及び／又は深さをα種類（α≧３）変化させて多値データを記録し、該記録マークの大きさ及び／又は深さの違いによる互いに異なるα種類（α≧３）の反射レベルを検出して多値データを再生することが可能な追記型光記録媒体に対し、レーザ中心強度の１／ｅ２になるビーム径（レーザ・ビーム直径）Ｄと多値記録マークの記録単位（基本セル）の長さＬの比を、１＜Ｄ／Ｌの範囲として記録を行うことを特徴とする１）記載の記録再生方法。
３）  少なくとも、最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔと基本セル長の時間幅Ｌｔの比が０．３≦Ｗｔ／Ｌｔ≦０．８の範囲にあるストラテジを用いて記録を行うことを特徴とする２）記載の記録再生方法。
４）  案内溝のトラックピッチが０．２５〜０．５μｍ、深さが１５〜１５０ｎｍ、平均溝幅が０．１５〜０．３５μｍ、未記録状態の反射率が２〜５０％である追記型光記録媒体に対し、４５０ｎｍ以下の青色波長域のレーザ光を照射して記録を行うことを特徴とする３）記載の記録再生方法。
５）  案内溝の平均溝幅Ｗｇと多値記録マークの記録単位（基本セル）の長さＬの比が０．７≦Ｗｇ／Ｌ≦１．５の範囲であることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の記録再生方法。
６）  多値記録マークの記録単位（基本セル）の長さＬと案内溝の深さＤｐの比が３≦Ｌ／Ｄｐ≦８の範囲であることを特徴とする１）〜５）の何れかに記載の記録再生方法。
７）  最大レベルマークの後半の記録パワーのパルス幅Ｗｂと最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔの比が０．３≦Ｗｂ／Ｗｔ≦０．８の範囲にあるストラテジを用いて記録を行うことを特徴とする１）〜６）の何れかに記載の記録再生方法。
８）  前半の記録パワーと後半の記録パワーが切り替わるポイントを基本セルの中心と一致させて記録を行うことを特徴とする１）〜７）の何れかに記載の記録再生方法。
９）  基板上に、少なくとも、Ｒ及びＯの各元素（但し、ＲはＹ、Ｂｉ、Ｉｎ、及びランタン系列元素から選ばれる一種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表す）を含有する薄膜（以下、ＲＯ膜という）と有機材料薄膜を有する追記型光記録媒体に対して記録を行うことを特徴とする１）〜８）の何れかに記載の記録再生方法。
１０）  ＲＯ膜が、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、及びＮｂの中から選ばれる一種以上の元素Ｍを含有する追記型光記録媒体に対して記録を行うことを特徴とする９）記載の記録再生方法。
１１）  基板上に、少なくとも、ＲＯ膜、有機材料薄膜、反射層が順次積層された追記型光記録媒体に対して記録を行うことを特徴とする９）又は１０）記載の記録再生方法。
１２）  基板上に、少なくとも、反射層、有機材料薄膜、ＲＯ膜、カバー層が順次積層された追記型光記録媒体に対して記録を行うことを特徴とする９）又は１０）記載の記録再生方法。
１３）  基板上に、少なくともＲ及びＯの各元素（但し、ＲはＹ、Ｂｉ、Ｉｎ、及びランタン系列元素から選ばれる一種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表す）を含有する薄膜（以下、ＲＯ膜という）と、ＺｎＳを主成分とする誘電体層を有する追記型光記録媒体に対して記録を行うことを特徴とする１）〜８）の何れかに記載の記録再生方法。
１４）  ＲＯ膜が、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、及びＮｂの中から選ばれる一種以上の元素Ｍを含有する追記型光記録媒体に対して記録を行うことを特徴とする１３）記載の記録再生方法。
１５）  基板上に、少なくとも、ＲＯ膜、ＺｎＳを主成分とする誘電体層、反射層が順次積層された追記型光記録媒体に対し記録を行うことを特徴とする１３）又は１４）記載の記録再生方法。
１６）  基板上に、少なくとも、反射層、ＺｎＳを主成分とする誘電体層、ＲＯ膜、カバー層が順次積層された追記型光記録媒体に対して記録を行うことを特徴とする１３）又は１４）記載の記録再生方法。
【０００８】
本発明者らは鋭意検討の結果、追記型光記録媒体においてジッタ又はＳＤＲ値を下げるためには、できるだけ小さなパワーで狭い幅のパルスで記録する必要があることを見出した。そして、記録パワーを２段階に変化させ、前半の記録パワー（Ｐｆ）と後半の記録パワー（Ｐｂ）の比が０．３≦Ｐｆ／Ｐｂ＜１の範囲にあるストラテジを用いて記録を行うことにより、ジッタもしくはＳＤＲ値を下げると共に記録感度を向上させ小さなパワーでも良好な記録信号を得ることに成功した。しかし、前半の記録パワーＰｆを大きくすると感度を下げる効果は殆ど見られなかった。好ましくは０．４≦Ｐｆ／Ｐｂ≦０．９である。本発明１の好適な波形例としては図２が挙げられる。図中のＰｆは前半の記録パワー、Ｐｂは後半の記録パワー、Ｗｆは前半の記録パワーのパルス時間幅、Ｗｂは後半の記録パワーのパルス時間幅である。なお、後述する本発明８の説明でも触れるように、前半と後半が同じパルス時間幅であることが望ましいが、記録特性に影響を与えない程度に前半と後半が分割されれば問題はない。
【０００９】
また、本発明２のように、３値以上の多値記録においてレーザ中心強度の１／ｅ２になるビーム径（レーザ・ビーム直径）Ｄと多値記録マークの記録単位（基本セル）の長さＬの比を、１＜Ｄ／Ｌの範囲とし、ビーム径より短い長さの基本セルに多値記録を行うと、ジッタ又はＳＤＲ値を容易に下げることができることを見出した。
なお、ＳＤＲとは２値記録でのジッタに相当する指標であり、α種類からなる多値レベルｍｉ（ｍ０、ｍ１、ｍ２、・・・、ｍα−２、ｍα−１）の各反射レベルをＲｉ（Ｒ０、Ｒ１、Ｒ２、・・・、Ｒα−２、Ｒα−１）、多値レベルｍｉにおける反射レベルＲｉの標準偏差をσｍｉとすると、次の式で与えられる値である。
ＳＤＲ＝（σｍ０＋σｍ１＋σｍ２＋・・・＋σｍα−２＋σｍα−１）／〔（１
＋α）・｜Ｒ０−Ｒα−１｜〕
【００１０】
本発明３では、本発明２の要件に加えて、少なくとも最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔと基本セル長の時間幅Ｌｔの比が０．３≦Ｗｔ／Ｌｔ≦０．８の範囲にあるストラテジを用いて記録を行う。これにより特にランダム信号記録においてＳＤＲ値を下げることができる。
本発明４は、本発明３の記録再生方法において、案内溝のトラックピッチが０．２５〜０．５μｍ、深さが１５〜１５０ｎｍ、平均溝幅が０．１５〜０．３５μｍ、未記録状態の反射率が２〜５０％である追記型光記録媒体を対象とし、４５０ｎｍ以下の青色波長域のレーザ光を用いて記録を行うものである。この場合にも、特にランダム信号記録においてＳＤＲ値を下げることができる。なお、波長の下限は特になく、ＬＤさえ開発されればいくらでも短い波長を使用できるが、現状ではＢｅＭｇＺｎＳｅが２．６８〜４．７２ｅＶという広い禁制帯幅を有する直接遷移型のII−VI族化合物半導体であり、基板材料として燐化ガリウム（ＧａＰ）やシリコン（Ｓｉ）を用いると、２９５〜３４５ｎｍの紫外領域をカバーできる可能性がある。
また、本発明５のように、案内溝の平均溝幅Ｗｇと多値記録マークの記録単位（基本セル）の長さＬの比を０．７≦Ｗｇ／Ｌ≦１．５の範囲とすることが好ましい。Ｗｇ／Ｌが０．７未満ではクロストークの影響が大きくなり、１．５を超えると符号間干渉が大きくなる。
また、本発明６のように、多値記録マークの記録単位（基本セル）の長さＬと案内溝の深さＤｐの比を３≦Ｌ／Ｄｐ≦８の範囲とすることが好ましい。Ｌ／Ｄｐが３未満では符号間干渉が大きくなり、８を超えるとＳＤＲ値が悪化する。
【００１１】
本発明７では更に、２段階の記録パワーのうち、最大レベルマークの後半の記録パワーのパルス時間幅Ｗｂと全パルス時間幅Ｗｔの比が０．３≦Ｗｂ／Ｗｔ≦０．８の範囲にあるストラテジを用いて記録を行う。これにより更に良好なＳＤＲ値を得ることができる。
本発明８では更に、２段階とした記録パワーの、前半の記録パワー（Ｐｆ）と後半の記録パワー（Ｐｂ）が切り替わるポイントを基本セルの中心と一致させて記録を行う。即ち、本発明の方法により記録される多値信号はそれぞれの基本セルの中心に配置されることが理想であるから、基本セル幅と多値記録パルス位置との相関関係は、図２１に示したようにＰｆとＰｂが切り替わるポイントを基本セルの中心と一致させることが望ましく、これにより、多値信号はそれぞれの基本セルの中心に配置され良好なＳＤＲ値を示すことになる。なお、図２１では多値記録は８値のものを示しており、ＭＬ（マルチレベル）０〜７までである。
また本発明８により多値記録信号が基本セルの中心位置に配置されるようになった効果を図２２に示す。この図は、オシロスコープで基本セルを重ねて各レベルの多値信号を表示させたものであるが、各レベルの多値信号は基本セルの中心位置に揃っており、本発明８のように信号の位置を合わせることに大きな効果があることが分る。
【００１２】
本発明９は、基板上に、少なくとも、Ｒ及びＯの各元素（但し、ＲはＹ、Ｂｉ、Ｉｎ、及びランタン系列元素から選ばれる一種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表す）を含有する薄膜（以下、ＲＯ膜という）と、有機材料薄膜を有する追記型光記録媒体に対し記録を行うものである。有機材料としては主に色素が用いられる。
本発明者らは先に青色領域のレーザにより記録再生可能な追記型光記録媒体に係る発明を出願した（特開２００３−１１０８６７号）。その内容について再度簡潔に説明する。
青色レーザ対応の追記型光記録媒体の記録層に用いる有機材料は、青色レーザ波長に対する光学的性質や分解挙動の適切な材料を選択する必要がある。未記録時の反射率を高め、またレーザの照射によって有機材料が分解し大きな屈折率変化が生じるようにするため（これによって大きな変調度が得られる）、記録再生波長は大きな吸収帯の長波長側の裾に位置するように選択される。何故ならば、有機材料の大きな吸収帯の長波長側の裾は、適度な吸収係数を有し且つ大きな屈折率が得られる波長領域となるためである（図１１参照。従来の有機材料を記録層とした追記型光記録媒体では、図中の斜線部分に記録再生波長を設定する）。
しかしながら、青色レーザ波長に対する光学的性質が実用可能な値を有する有機材料は未だ見出されていない。これは、青色レーザ波長近傍に吸収帯を持つ有機材料を得るためには、分子骨格を小さくするか又は共役系を短くする必要があるが、そうすると吸収係数の低下、即ち屈折率の低下を招くためである。つまり、青色レーザ波長近傍に吸収帯を持つ有機材料は多数存在し、吸収係数を制御することは可能であるが、大きな屈折率を持たないため、大きな変調度を得ることができない。
【００１３】
また、従来の追記型光記録媒体では、有機材料の分解・変質による屈折率変化と共に、基板変形によっても記録が行われている。例えば、図１３〔市販のＤＶＤ−Ｒに記録を行った部分の基板面をＡＦＭ（アトミックフォースマイクロスコープ、Ａｔｏｍｉｃ  ｆｏｒｃｅ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察した図〕に示すように、基板は反射層側に変形しており、この変形によって変調度を発生させている。
また、従来の有機材料を用いた追記型光記録媒体では、記録再生波長近傍に有機材料の主吸収帯が存在するため、図１２に示すように、有機材料の光学定数の波長依存性が大きくなり（波長によって光学定数が大きく変動する）、レーザの個体差や環境温度の変化等による記録再生波長の変動に対し、記録感度、変調度、ジッタ、エラー率といったような記録特性や、反射率等が大きく変化するという問題があった。しかし変形が記録原理の主体となると、良好なジッタや変調度が得られても、記録マーク間の干渉が大きくなるため、各種記録再生特性のマージンが狭くなるという問題がある。よって、変形量の小さい記録マークで、大きな変調度を発生させることが青色波長領域レーザを用いた追記型光記録媒体での課題である。
更に、有機材料は記録光に対して十分な吸収能を持たないため、有機材料の膜厚を薄膜化することが不可能であり、従って、深い溝を持った基板を使用する必要があった（有機材料は通常スピンコート法によって形成されるため、有機材料を深い溝に埋めて厚膜化している）。そのため、深い溝を有する基板の形成が非常に難しくなり、光記録媒体としての品質を低下させる要因になっている。
また、有機材料の膜厚を薄くすることができないため、記録パワーマージン等が狭くなるといった問題点（記録再生特性の各種マージンが狭いという問題）を有していた。
【００１４】
本発明の課題である変形量の小さい記録マークで、大きな変調度を発生させることを実現させるためのポイントは、次の（イ）〜（ニ）である。
（イ）光吸収機能を有する層が分解、変質、組成変化等を起こし、光吸収機能を有する層自体が大きく変形しないようにすること
（ロ）光吸収機能を有する層が分解、変質、組成変化等を起こし、基板等の変形し易い隣接層に多くの熱を伝えないこと（光吸収機能を有する層で発生した熱を、光吸収機能を有する層で消費する。これによって基板等の変形を小さくすることが可能となる。）
（ハ）変形量を低減させても十分な変調度を発生させるために、大きな光学定数変化を起こす層を有すること
（ニ）変形量を低減させても十分な変調度を発生させるために、隣接層との層界面を不明瞭化する記録原理を利用すること
このような機能を有する材料について鋭意検討した結果、本発明９で規定するような特定の材料からなる薄膜と有機材料薄膜の組み合わせを有する追記型光記録媒体が非常に有効であることを発見した。この組み合わせを用いることで、記録マークにおける変形の寄与を従来に比べて非常に小さくすることが可能となり、上記諸々の問題を解決することができる。
【００１５】
ところで、従来の追記型光記録媒体では、有機材料の分解・変質によって記録再生波長における吸収係数を低下させ、これによる大きな屈折率変化を利用して変調度を発生させていた。
これに対し、本発明９に係る追記型光記録媒体では、従来、光吸収機能による熱発生層であり且つ分解・変質に起因した屈折率（複素屈折率の実部）変化による記録層として機能していた有機材料薄膜から、主たる熱発生層の機能を分離させ、有機材料薄膜とは別に光吸収機能を有するＲＯ膜を設けた点に特徴がある。
本発明９に係る追記型光記録媒体では、次のイ）〜リ）の記録原理に基づいて記録マークが形成される。
イ）ＲＯ膜を変形させる
ロ）ＲＯ膜の複素屈折率を変化させる
ハ）ＲＯ膜の組成を変化させる
ニ）ＲＯ膜を溶融させる
ホ）ＲＯ膜中の構成元素を隣接層へ拡散させる
ヘ）ＲＯ膜の結晶構造を変化させる
ト）有機材料薄膜の体積を変化させる
チ）有機材料薄膜の複素屈折率を変化させる
リ）有機材料薄膜に空洞部を形成させる
【００１６】
特に本発明９に係る追記型光記録媒体では、ＲＯ膜の各種状態変化〔即ち、上記イ）〜ヘ）〕を主体として記録マークを形成することが好ましい。中でも好ましいのは、ロ）〜ヘ）である。例えば、組成の変化や溶融、或いは構成元素の隣接層への拡散を利用することができるため、ＲＯ膜の複素屈折率を大きく変えることができ、また隣接層との層界面を不明瞭化することができ、多重反射効果を有効でなくすことができるため、小さな変形であっても大きな変調度を得ることができる。
即ち、これらの記録原理を用いることで、次の（１）〜（７）のような特性を有し、変形量の小さい記録マークで大きな変調度を発生させることが可能な追記型光記録媒体を実現することができる。
（１）青色レーザ波長領域（５００ｎｍ以下）、特に４０５ｎｍ近傍の波長領域であっても、２値記録の記録再生が容易に行える高密度記録可能な追記型光記録媒体
（２）青色レーザ波長領域（５００ｎｍ以下）、特に４０５ｎｍ近傍の波長領域であっても、多値記録の記録再生が容易に行える高密度記録可能な追記型光記録媒体
（３）青色レーザ波長領域（５００ｎｍ以下）、特に４０５ｎｍ近傍の波長領域であっても、ＰＲＭＬ方式による信号処理系での記録再生に適した高密度記録可能な追記型光記録媒体
（４）記録パワーの変動に対する、ジッタやエラー率等のマージンの広い追記型光記録媒体
（５）記録再生波長の変動に対し、記録感度、変調度、ジッタ、エラー率といったような記録特性や、反射率等の変化が少ない追記型光記録媒体
（６）転写性のよい浅溝基板でも記録再生が容易に行える追記型光記録媒体
（７）ランド部にも記録が可能な追記型光記録媒体
【００１７】
１．  ＲＯ膜の機能
本発明９に係る追記型光記録媒体では、ＲＯ膜が主たる光吸収機能を担う。
このＲＯ膜は、正常分散を示す材料であるため（有機材料のように、ある波長範囲内に大きな吸収帯を有する材料でないため、複素屈折率の波長依存性が小さい）、レーザの個体差や、環境温度の変化等による記録再生波長の変動に対し、記録感度、変調度、ジッタ、エラー率といったような記録特性や、反射率等が大きく変化するという従来の問題を大幅に解消することができる。
従来の追記型光記録媒体では、有機材料薄膜が記録層と光吸収層の機能を兼用していたため、記録再生波長に対して大きな屈折率ｎと比較的小さな吸収係数ｋを有することが有機材料の必須条件であり、そのため有機材料を分解させる温度まで到達させるには、比較的厚い膜厚が必要となっていた（また相変化型の光記録媒体に対し基板の溝深さが非常に深くなっていた）。
しかし、本発明９に係る追記型光記録媒体では、有機材料薄膜に主たる光吸収機能や記録機能を持たせる必要がないため、有機材料薄膜の膜厚は従来に比べて薄くすることが可能となる。
また、有機材料薄膜の薄膜化が可能となったことにより、転写性（成形性）に優れた溝深さの浅い基板を使用することが可能となり、光記録媒体の信号品質が大幅に向上すると共に従来に比べて基板を容易かつ安価に製造（成形）できる。
また、上記記録原理によるため再生時に基板の溝形状の影響を受け難く、基板形状のばらつきに対する許容度が大きくなり、従来に比べて基板の製造を容易かつ安価に行うことができる。
また、有機材料薄膜を薄くすることが可能なため、記録パワーマージン等を広げることが可能となる。
【００１８】
ＲＯ膜は、光吸収機能と共に記録機能をも有する。
具体的には、ＲＯ膜の光吸収機能によって、ＲＯ膜自身が次のような状態変化を起こす。
イ）変形（但し、従来に比べて変形量が小さい）
ロ）複素屈折率の変化
ハ）組成の変化
ニ）溶融
ホ）構成元素の隣接層への拡散
ヘ）結晶構造の変化
このように、５００ｎｍ以下の記録再生波長に対して光吸収機能を有すると共に、記録機能も持たせるために、Ｒ又はＭとして、５００ｎｍ以下の記録再生波長に対して光吸収機能を有する元素を選択することが好ましい。
また、大きな複素屈折率変化、組成の変化、溶融を起こしたり、或いは隣接層に構成元素を拡散させるために、ＲＯ膜において、Ｒは比較的低融点を有する元素を選択することが好ましい。
以上の観点から、Ｒとしては、Ｙ、Ｂｉ、Ｉｎ、及びランタン系列元素から選ばれる一種以上の元素を用いる。Ｏは酸素を表す。
本発明はここで示した主に青色領域レーザにて記録可能なＲＯ膜を有する追記型光記録媒体に対して良好なジッタもしくはＳＤＲ値を具現化するストラテジに関する発明であるが、青色波長領域以外の広い波長領域のレーザ記録においても有効である。
【００１９】
２．  有機材料薄膜の機能
有機材料薄膜の機能としては、（ａ）変調度の発生機能、（ｂ）再生信号波形を補償する機能、（ｃ）反射率やトラッキング信号等の制御機能、（ｄ）記録感度の制御機能に大別することができる。
具体的には、有機材料薄膜は以下の現象を引き起こすことで、（ａ）変調度の発生機能を発現する。
・記録によって有機材料薄膜の体積が変化する
・記録によって有機材料薄膜の複素屈折率が変化する
・記録によって有機材料薄膜中に空洞部を形成する
・記録によるＲＯ膜の状態変化を受容する
・反射層の変形を受容する
なお、ここで言う「ＲＯ膜の状態変化」とは、変形、複素屈折率の変化、組成の変化、溶融、構成元素の隣接層への拡散（混合）、結晶構造変化等を指す。
【００２０】
（ｂ）の再生信号波形を補償する機能とは、ＲＯ膜のみでは、再生信号波形が乱れる可能性が高いが〔記録極性がＨｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ（ハイ・トゥー・ロー）の単一極性となり難い〕、有機材料薄膜を隣接層として設けることによって、再生信号波形を所望の波形（一般的には、記録極性をＨｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ化する）にすることができる機能である。
有機材料薄膜は、その複素屈折率と膜厚を非常に広い範囲で制御することができるため、（ｃ）の反射率やトラッキング信号等の制御機能を有することは明らかである。
また、（ｄ）の機能については、本発明９に係る追記型光記録媒体ではＲＯ膜に主たる光吸収機能を付与するが、有機材料薄膜の複素屈折率（特に複素屈折率の虚部）を制御することで、有機材料薄膜を光吸収層として補助的に用いることが可能なため、記録感度を制御することができる。
【００２１】
本発明９に係る追記型光記録媒体では、有機材料の選択の幅を大幅に拡大するため、及び有機材料薄膜を用いた追記型光記録媒体でありながら、記録再生波長近傍での複素屈折率変化を小さくするために（波長依存性を小さくする）、有機材料薄膜は、その主吸収帯が記録再生波長に対して長波長側に位置することが好ましい（図１４参照。斜線部分が記録再生波長を示す）。
有機材料薄膜を光吸収層として補助的に用いる場合、有機材料薄膜の記録再生波長での複素屈折率虚部の値は、ＲＯ膜の複素屈折率の虚部の値よりも小さいことが好ましい。何故ならば、有機材料薄膜の記録再生波長での複素屈折率虚部の値を必要以上に大きくすることは、波長依存性を悪化させることに繋がるからである。
また、有機材料薄膜を光吸収層として補助的に用いる場合、有機材料薄膜は、その主吸収帯が記録再生波長に対して長波長側に位置し、かつ、記録再生波長近傍に主吸収帯に帰属しない吸収帯を有することが好ましい。
【００２２】
本発明１０は、本発明９における追記型光記録媒体のＲＯ膜が、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、及びＮｂの中から選ばれる一種以上の元素Ｍを含有することを特徴とする。中でも、いわゆるガーネット構造を形成するＲ３Ｍ５Ｏ１２という組成の場合には、材料の硬度を高めることができ、ＲＯ膜の硬度が高まるので、ＲＯ膜自体の変形、或いは基板等の隣接層の変形を抑制することが可能となり、記録マーク間の干渉を小さくすることができる。
また、保存安定性の一層の向上を図るには、ＲとしてＢｉを選択することが好ましい。４Ｂ族元素としてはＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが挙げられるが、中でもＳｉとＧｅが特に好ましい。また、遷移金属元素としてはＦｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ等が挙げられるが、中でもＦｅとＣｕが特に好ましい。
また、ＢｉＯＭ膜の場合には、添加元素Ｍの作用により、大きな複素屈折率変化、組成の変化、溶融を起こしたり、或いは隣接層に構成元素を拡散させる能力が更に向上する。
【００２３】
Ｒ及びＯ、更にはＲ、Ｏ及びＭの各元素からなる材料を用いる利点は以下の通りである。
（１）酸化物とすることで膜の硬度を高めることができる（ＲＯ膜自体の変形、或いは基板等の隣接層の変形を抑制することが可能である）
（２）酸化物とすることで保存安定性を高めることができる
（３）Ｂｉ等の５００ｎｍ以下の波長域の光に対して光吸収率が高い元素を含ませることで、記録感度を向上させることができる
（４）Ｂｉ等の低融点元素、或いは、拡散を起こし易い元素を含ませることで、大きな変形を伴わないにも拘わらず大きな変調度を発生させる記録マークを形成させることができる
（５）スパッタ等の気相成長法により良好な薄膜を形成することができる
なお、ＲＯ膜の厚さは２０〜５００Åが望ましい。
これらＲＯ膜と有機材料薄膜を用いた構成は、本発明１１〜１２のように、基板上に、少なくともＲＯ膜、有機材料薄膜、反射層を順次積層するか、或いは、基板上に、少なくとも反射層、有機材料薄膜、ＲＯ膜、カバー層を順次積層した追記型光記録媒体に有効であり、本発明のストラテジを用いることによりＳＤＲ値の低い優れた多値記録を実現できる。
【００２４】
本発明１３は、基板上に、少なくともＲ及びＯの各元素（但し、ＲはＹ、Ｂｉ、Ｉｎ、及びランタン系列元素から選ばれる一種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表す）を含有する薄膜（以下、ＲＯ膜という）と、ＺｎＳを主成分とする誘電体層とを有する追記型光記録媒体に対し記録を行うものである。ここで主成分とするとはＺｎＳを少なくとも５０モル％含むことを意味する。
上記本発明９が有機材料薄膜を有する追記型光記録媒体を対象とするのに対し、本発明１３では有機材料薄膜を無くし、ＺｎＳを主成分とする誘電体層を用いた構造の追記型光記録媒体を対象とする。記録原理その他の詳細については本発明９の場合と同様である。
本発明１４は、本発明１０と同様に、追記型光記録媒体のＲＯ膜が、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、及びＮｂの中から選ばれる一種以上の元素Ｍを含有することを特徴とする。本発明１４についても詳細は本発明１０と同様である。
これらＲＯ膜とＺｎＳを主成分とする誘電体層を用いた構成は、本発明１５〜１６のように、基板上に、少なくともＲＯ膜、ＺｎＳを主成分とする誘電体層、反射層を順次積層するか、或いは、基板上に、少なくとも反射層、ＺｎＳを主成分とする誘電体層、ＲＯ膜、カバー層を順次積層した追記型光記録媒体に有効であり、本発明のストラテジを用いることによりＳＤＲ値の低い優れた多値記録を実現できる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、単純な記録パルスストラテジによって２値記録又は３値以上の多値記録が可能な記録再生方法を提供できる。
【実施例】
【００２６】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により限定されるものではない。
【００２７】
実施例１
案内溝（溝深さ５０ｎｍ）を有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、スパッタ法で膜厚６５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜、膜厚１２ｎｍのＢｉ２Ｏ３薄膜を順次設け、その上に下記〔化１〕で示される色素からなる有機材料薄膜（平均膜厚約３０ｎｍ）をスピンコート法で形成し、その上にスパッタ法で膜厚１５０ｎｍのＡｇ反射層を設け、その上にスピンコート法で紫外線硬化型樹脂（商品名：ＳＤ１７００、大日本インキ化学工業社製）からなる膜厚約５μｍの保護層を設けて追記型光記録媒体を作成した。
【化１】
2005310227.tif 000003
上記光記録媒体に対し、パルステック工業（株）製の光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００〔波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５、レーザ中心強度（１／ｅ２となるビーム径）：約０．５５μｍ〕を用い、記録ストラテジの設定（記録時のレーザ光の発光波形制御）に、ソニーテクトロニクス（株）製のＡＷＧ−６１０を用いて、基本セル長（記録マークの記録単位）：０．２４μｍ、基本セル長の時間幅：４８ｎｓ、クロック周波数：２．５ＧＨｚ、記録再生線速度：５．０ｍ／ｓで、８値（レベル０〜レベル７）の多値記録を行なった。再生パワーは０．５ｍＷに設定した。ここでレーザ中心強度の１／ｅ２になるビーム径（レーザ・ビーム直径）Ｄと多値記録マークの基本セル長Ｌの比は１＜Ｄ／Ｌの範囲にある。
【００２８】
まず、図１〜図３に示す記録波形のうちどの波形が良いかを特定するため、図４に示すような階段波ストラテジにより媒体を評価した。
図４は、多値レベルを８つとした場合の例であって、記録単位（仮想セル）５個分の連続した多値レベルｍ０（レベル０）と、記録単位（仮想セル）３２個分の連続した多値レベルｍｉを記録するパターンを基本とし、この基本パターンを全ての多値レベルｍｉ（ｉ＝０〜７）について記録するパターンをテストパターンとして選択し、これを光記録媒体に記録し、そのテストパターンが記録された部分を再生した例である。
このテストパターンは、明らかに符号間干渉が固定された状態であり、多値レベルｍ０（レベル０）〜多値レベルｍ７（レベル７）は一定の反射レベルを示す。
これらの実施例では、テストパターンとして、記録単位（仮想セル）５個分の連続した多値レベルｍ０（レベル０）と、記録単位（仮想セル）３２個分の連続した多値レベルｍｉを記録するパターンを基本とし、この基本パターンを全ての多値レベルｍｉ（ｉ＝０〜７）について記録するパターンをテストパターンとして選択した。
多値レベルｍｉの反射レベルを正確に判断するには、連続する複数回のサンプリングにおいても、同一の多値レベルｍｉの反射レベルが得られる長さとなるように多値レベルｍｉが連続する複数の記録単位に渡るテストパターン（例えばオシロスコープによる観察上、多値レベルｍｉが略直線状に観察できるようなテストパターン）を選択することが好ましく、例えば、多値レベルｍｉを複数の連続する記録単位（仮想セル）に渡って繰返し記録し、その（繰返し数）×（記録単位の長さ）が、再生光の直径以上となるようなテストパターンが好ましい。
【００２９】
上記テストパターンでは、多値レベルｍｉが変るごとに多値レベルｍ０が挿入されるようなパターンとしたが、このｍ０の挿入は必須ではない。但し、ｍ０を挿入することによって、多値レベルｍｉの切替わりが明確になりサンプリングのタイミングが正確になるというメリットや、多値レベルｍｉの切替わり時に発生する符合間干渉を抑制でき、多値レベルｍｉの均一性がより高められるというメリットがある。今後この図４の波形での記録パターンを階段波記録と呼ぶ。階段波記録では一般に符号間干渉が小さいためランダム波記録よりも低いＳＤＲ値を得ることができるので、階段波記録のＳＤＲとランダム波記録のＳＤＲとを並べて比較することはできない。
なお、基本セル長の時間幅は４８ｎｓに相当し、レベル１（２番目に小さな大きさ及び／又は深さを有する記録マーク）形成用のレーザ光のパルス長設定値（レーザ光素子へ印加されるパルス電圧における時間幅の設定値。以下同様）は１０．２ｎｓ、レベル２形成用のレーザ光のパルス長設定値は１４．５ｎｓ、レベル３形成用のレーザ光のパルス長設定値は１２．８ｎｓ、レベル４形成用のレーザ光のパルス長設定値は２１．３ｎｓ、レベル５形成用のレーザ光のパルス長設定値は２３．５ｎｓ、レベル６形成用のレーザ光のパルス長設定値は１９．２ｎｓ、レベル７（最大の大きさ、及び／又は深さを有する記録マーク）形成用のレーザ光のパルス長設定値は３３．６ｎｓに固定した。
【００３０】
以下に示す図中の「全パルス幅」という表記は、基本セル長の時間幅を１００等分し、そのうちのレベル７（最大レベル）の全パルス時間幅の設定値である。即ち、上記の基本セル長の時間幅が４８ｎｓでレベル７のパルス長設定値が３３．６ｎｓの例において、全パルス幅は７０ということになる。また、全パルス幅を振る場合（変化させる場合）、その他のレベル１〜６のパルス長設定値はそれに比例して変更される。
図５に、図１〜図３に示す記録波形を用いて階段波記録を行い、パワー依存性を調査した結果を示す。図２の波形での記録が本発明の例であり、図１、図３の波形での記録は参考例である。後述する各図においても同様である。また本図及び後述する図中のＰｆ、Ｐｂ、Ｗｆ、Ｗｂは図１の場合と同じ意味である。ここでＷｂ／Ｗｆのパルス幅比は１／１で、Ｗｂ／Ｗｆのパワー比は、図１の波形が１／２、図２の波形が２／１、図３の波形が１／１とし、全パルス時間幅Ｗｔは７０とした。再生パワーは０．５ｍＷに設定した。
これらを比較してみると、図３、図２、図１の順で感度は良く、２段波ストラテジよりも矩形波ストラテジの方が感度は良いことが分る。しかし、ＳＤＲ値が最も良好（低い値）なのは図２のストラテジのように後半の記録パワーＷｂが大きい場合であった。図２のストラテジの場合は図１のストラテジのように前半の記録パワーが大きい場合よりも感度が良く、且つＳＤＲ値も低かった。
【００３１】
図６に、図３の矩形波（９．０ｍＷ）、図２の２段波（１０．７ｍＷ）を用いて記録した、ランダム記録における最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔと基本セル長の時間幅Ｌｔの比（Ｗｔ／Ｌｔ）とＳＤＲ値との関係を示す。
図６から分るように、どちらのストラテジも、最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔが、０．２４μｍの基本セル長の時間幅Ｌｔを１００等分した内の３０〜８０である場合、即ち０．３≦Ｗｔ／Ｌｔ≦０．８の範囲において良好なＳＤＲ値を示した。更に好ましい範囲は０．３５≦Ｗｔ／Ｌｔ≦０．７である。また、図２の２段波の場合（本発明）の方が図３の矩形波の場合よりもＳＤＲ値が低かった。図２の２段波におけるＰｂ／Ｐｆのパワー比は１／２とした。
【００３２】
また、各種因子において案内溝の平均溝幅Ｗｇと基本セル長Ｌの関係は多値記録の特性を向上させるために非常に重要である。
図７に、図３の矩形波（９．０ｍＷ）、図２の２段波（１０．７ｍＷ）を用いて記録した、ランダム記録における案内溝の平均溝幅Ｗｇと基本セル長Ｌの比（Ｗｇ／Ｌ）とＳＤＲ値との関係を示す。基本セル長は０．２４μｍで固定し、案内溝の平均溝幅Ｗｇを０．１５〜０．３８μｍの範囲で振った（変化させた）。
図７から分るように、０．７≦Ｗｇ／Ｌ≦１．５の範囲においてＳＤＲは良好な値を示したが、その範囲外では急激にその値が悪化した。また、図２の２段波の場合（本発明）の方が図３の矩形波の場合よりもＳＤＲ値が低かった。
同様に、各種因子において案内溝の深さＤｐと基本セル長Ｌの関係も多値記録の特性を向上させるために非常に重要である。
図８に、図３の矩形波（９．０ｍＷ）、図２の２段波（１０．７ｍＷ）を用いて記録した、ランダム記録における基本セル長Ｌと案内溝の深さＤｐの比（Ｌ／Ｄｐ）とＳＤＲ値との関係を示す。基本セル長は０．２４μｍで固定し、案内溝の深さＤｐを２５〜１２０ｎｍの範囲で振った。
図８から分るように、３≦Ｌ／Ｄｐ≦８の範囲においてＳＤＲは良好な値を示したが、その範囲外では急激に値が悪化した。好ましくは４≦Ｌ／Ｄｐ≦７である。また、図２の２段波の場合（本発明）の方が図３の矩形波の場合よりもＳＤＲ値が低かった。
【００３３】
図９に、図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における記録パワーＰｆとＰｂの比（Ｐｆ／Ｐｂ）とＳＤＲ値との関係を示す。基本セル長は０．２４μｍとし、最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔは基本セル長の時間幅Ｌｔを１００等分した内の半分の５０とし、ＷｂとＷｆとのパルス幅比は１／１とした。
図９から分るように、０．３≦Ｐｆ／Ｐｂ＜１の範囲で良好なＳＤＲ値を示した。特に０．４≦Ｐｆ／Ｐｂ≦０．９の範囲でＳＤＲは低い値を示し、その比の値が大きいほど記録パワーが下がった。即ち記録感度が上がった。
図１０に、図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における最大レベルマークのパルス時間幅Ｗｂと全パルス時間幅Ｗｔの比（Ｗｂ／Ｗｔ）とＳＤＲ値との関係を示す。基本セル長は０．２４μｍとし、最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔは基本セル長の時間幅Ｌｔを１００等分した内の半分の５０又は６０とし、ＰｆとＰｂとの記録パワーの比は１／２とした。また、本実験は図４の階段波形を用いて行った。
図１０から分るように、０．３≦Ｗｂ／Ｗｔ≦０．８の範囲で良好なＳＤＲ値を示した。特に０．４≦Ｗｂ／Ｗｔ≦０．８の範囲でＳＤＲは低い値を示し、その比の値が大きいほど記録パワーが下がった。即ち記録感度が上がった。
【００３４】
なお、上記実験で用いた光記録媒体のＢｉ２Ｏ３膜の代りにＹ２Ｏ３膜、Ｉｎ２Ｏ３膜を用いた媒体についても、上記と同様の結果が得られた。
また、Ｂｉ２Ｏ３膜が、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、及びＮｂの中から選ばれる一種以上の元素Ｍを含有する場合にも同様の結果が得られた。
また、基板上の層構成を逆にし、案内溝（溝深さ５０ｎｍ）を有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、膜厚１５０ｎｍのＡｇ反射層をスパッタ法で設け、その上に、前記〔化１〕で示される色素からなる有機材料薄膜（平均膜厚約３０ｎｍ）をスピンコート法で形成し、その上にスパッタ法で、膜厚１２ｎｍのＢｉ２Ｏ３薄膜、膜厚６５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜を順次設け、更に厚さ０．０８ｍｍのカバー層を厚さ０．０２ｍｍの両面粘着シートで貼り合わせて本発明の追記型光記録媒体を作成した。
上記光記録媒体に対し、パルステック工業（株）製の光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．８５）を用いて、カバー層側から記録を行った。基板の構成順序が変わり、ＮＡの大きなレーザを用いても本発明の効果は同様に得られた。また、本実施例と同様な多値記録において案内溝のトラックピッチが０．２５〜０．５μｍ、深さが１５〜１５０ｎｍ、平均溝幅が０．１５〜０．３５μｍ、未記録状態の反射率が２〜５０％の媒体においても本発明の効果は同様に得られた。
【００３５】
実施例２
案内溝（溝深さ２６ｎｍ）を有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、スパッタ法で膜厚２０ｎｍのＢｉ２Ｏ３薄膜、膜厚６５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜、膜厚１５０ｎｍのＡｇ反射層を順次設け、その上に、スピンコート法で紫外線硬化型樹脂（商品名：ＳＤ１７００、大日本インキ化学工業社製）からなる膜厚約５μｍの保護層を設けて追記型光記録媒体を作成した。
上記光記録媒体に対し、パルステック工業（株）製の光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００〔波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５、レーザ中心強度（１／ｅ２となるビーム径）：約０．５５μｍ〕を用い、記録ストラテジの設定（記録時のレーザ光の発光波形制御）に、ソニーテクトロニクス（株）製のＡＷＧ−６１０を用いて、基本セル長（記録マークの記録単位）：０．２４μｍ、基本セル長の時間幅：４８ｎｓ、クロック周波数：２．５ＧＨｚ、記録再生線速度：５．０ｍ／ｓで、８値（レベル０〜レベル７）の多値記録を行なった。再生パワーは０．５ｍＷである。ここでレーザ中心強度の１／ｅ２になるビーム径（レーザ・ビーム直径）Ｄと多値記録マークの基本セル長Ｌの比は１＜Ｄ／Ｌの範囲にある。
まず、図１〜図３に示す記録波形のうちどの波形が良いかを特定するため、図４に示すような階段波ストラテジにより媒体を評価した。
図１〜図３のストラテジを用いて階段波形を記録し、パワー依存性を調査した結果を図１５に示す。ここで、Ｗｂ／Ｗｆのパルス幅比は１／１、Ｗｂ／Ｗｆのパワー比はそれぞれ１／２、２／１、１／１とし、最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔは５０とした。最大レベルマークの全パルス時間幅とは、基本セル長を１００等分し、その内のレベル７の全パルス時間幅の設定時間値である。
これらを比較してみると、図３、図２、図１の順で感度は良く、２段波ストラテジよりも矩形波ストラテジの方が感度は良いことが分る。しかし、ＳＤＲ値が最も良好（低い値）なのは図２のストラテジのように後半の記録パワーＷｂが大きい場合であった。図２のストラテジは図１のストラテジのように前半の記録パワーが大きい場合よりも感度が良く、且つＳＤＲ値も低かった。
【００３６】
図１６に、図３の矩形波、図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔと基本セル長の時間幅Ｌｔの比（Ｗｔ／Ｌｔ）とＳＤＲ値との関係を示す。
図１６から分るように、どちらのストラテジも最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔが、０．２４μｍの基本セル長の時間幅Ｌｔを１００等分した内の３０〜８０である場合、即ち０．３≦Ｗｔ／Ｌｔ≦０．８の範囲において良好なＳＤＲ値を示した。更に好ましい範囲は０．３５≦Ｗｔ／Ｌｔ≦０．７である。また、図２の２段波の場合（本発明）の方が図３の矩形波の場合よりもＳＤＲ値が低かった。
また、各種因子において案内溝の平均溝幅Ｗｇと基本セル長Ｌとの関係は多値記録の特性を向上させるために非常に重要である。
図１７に、図３の矩形波、図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における案内溝の平均溝幅Ｗｇと基本セル長Ｌの比（Ｗｇ／Ｌ）とＳＤＲ値との関係を示す。基本セル長は０．２４μｍで固定し、案内溝の平均溝幅Ｗｇを０．１５〜０．３８μｍの範囲で振った。
図１７から分るように、どちらのストラテジも、０．７≦Ｗｇ／Ｌ≦１．５の範囲においてＳＤＲは良好な値を示したが、その範囲外では急激に値が悪化した。また、図２の２段波の場合（本発明）の方が図３の矩形波の場合よりもＳＤＲ値が低かった。
同様に、各種因子において案内溝の深さＤｐと基本セル長Ｌの関係も多値記録の特性を向上させるために非常に重要である。
図１８に、図３の矩形波、図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における基本セル長Ｌと案内溝の深さＤｐの比（Ｌ／Ｄｐ）とＳＤＲ値との関係を示す。基本セル長は０．２４μｍで固定し、案内溝の深さＤｐを２５〜１２０ｎｍの範囲で振った。
図１８から分るように、どちらのストラテジも、３≦Ｌ／Ｄｐ≦８の範囲においてＳＤＲは良好な値を示したが、その範囲外では急激に値が悪化した。好ましくは４≦Ｌ／Ｄｐ≦７である。また、図２の２段波の場合（本発明）の方が図３の矩形波の場合よりもＳＤＲ値が低かった。
【００３７】
図１９に、図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における記録パワーＰｆとＰｂの比（Ｐｆ／Ｐｂ）とＳＤＲ値との関係を示す。基本セル長は０．２４μｍとし、最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔは、基本セル長の時間幅Ｌｔを１００等分した内の半分の５０とし、ＷｂとＷｆとのパルス幅比は１／１とした。
図１９から分るように、０．３≦Ｐｆ／Ｐｂ＜１の範囲で良好なＳＤＲ値を示した。特に０．４≦Ｐｆ／Ｐｂ≦０．９の範囲でＳＤＲは低い値を示し、その比の値が大きいほど記録パワーが下がった。即ち記録感度が上がった。
図２０に、図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における最大レベルマークのパルス時間幅Ｗｂと全パルス時間幅Ｗｔの比（Ｗｂ／Ｗｔ）とＳＤＲ値との関係を示す。基本セル長は０．２４μｍとし、最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔは、基本セル長の時間幅Ｌｔを１００等分した内の半分の５０又は６０とし、ＰｆとＰｂとの記録パワーの比は１／２とした。また、本実験は図４の階段波形を用いて行った。
図２０から分るように、０．３≦Ｗｂ／Ｗｔ≦０．８の範囲で良好なＳＤＲ値を示した。特に０．４≦Ｗｂ／Ｗｔ≦０．７の範囲でＳＤＲは低い値を示し、その比の値が大きいほど記録パワーが下がった。即ち記録感度が上がった。
【００３８】
なお、上記実験で用いた光記録媒体のＢｉ２Ｏ３膜の代りにＹ２Ｏ３膜、Ｉｎ２Ｏ３膜を用いた媒体についても、上記と同様の結果が得られた。
また、Ｂｉ２Ｏ３膜が、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、及びＮｂの中から選ばれる一種以上の元素Ｍを含有する場合にも同様の結果が得られた。
また、基板上の層構成を逆にし、案内溝（溝深さ２６ｎｍ）を有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、スパッタ法で膜厚１５０ｎｍのＡｇ反射層、膜厚６５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜、膜厚１２ｎｍのＢｉ２Ｏ３薄膜を順次設け、更に厚さ０．０８ｍｍのカバー層を厚さ０．０２ｍｍの両面粘着シートで貼り合わせて追記型光記録媒体を作成した。
上記光記録媒体に対し、パルステック工業（株）製の光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．８５）を用いて、カバー層側から記録を行った。基板の構成順序が変わり、ＮＡの大きなレーザを用いても本発明の効果は同様に得られた。また、本実施例と同様な多値記録において案内溝のトラックピッチが０．２５〜０．５μｍ、深さが１５〜１５０ｎｍ、平均溝幅が０．１５〜０．３５μｍ、未記録状態の反射率が２〜５０％の媒体においても本発明の効果は同様に得られた。
【００３９】
実施例３（その他の媒体へ本発明のストラテジを適用した実施例）
＜フタロシアニン系媒体＞
案内溝（溝深さ２６ｎｍ）を有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、下記〔化２〕で示されるフタロシアニンをスピンコート法で塗布した。なお、スピンコートは、色素を次の組成の混合溶媒に溶解して調製した溶液を用いて行った。
溶媒                重量％
メタノール              ２３％
エタノール              ５５％
２−プロパノール        ２２％
波長４０５ｎｍにおける色素の吸光度は０．６５で統一した。
【化２】
2005310227.tif 000004
【００４０】
＜ＴｅＯ系媒体＞
案内溝（溝深さ２６ｎｍ）を有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、スパッタ法で膜厚６５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜、膜厚２０ｎｍのＴｅＯ２薄膜、膜厚６５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜、膜厚１５０ｎｍのＡｇ反射層を順次設け、その上にスピンコート法で紫外線硬化型樹脂（商品名：ＳＤ１７００、大日本インキ化学工業社製）からなる膜厚約５μｍの保護層を設けて追記型光記録媒体を作成した。
上記２種の光記録媒体に対し、実施例２と同様にして記録を行った。
図１〜図３のストラテジを用いて階段波系を記録し、パワー依存性を調査した結果を図２３、図２４に示す。図２３はフタロシアニン系媒体について、図２４はＴｅＯ系媒体についての図である。ここでＷｂ／Ｗｆのパルス幅比は１／１で、Ｗｂ／Ｗｆのパワー比はそれぞれ１／２、２／１、１／１とし、最大レベルマークの全パルス時間幅は５０とした。最大レベルマークの全パルス時間幅とは、基本セル長を１００等分したうちのレベル７の全パルス幅の設定時間値である。再生パワーは０．５ｍＷとした。
図２３、図２４から、図３、図２、図１の順で感度が良く、２段波ストラテジよりも矩形波ストラテジの方が感度が良いことが分る。しかし、ＳＤＲ値が最も良好（低い値）なのは、図２のストラテジのように後半の記録パワーＷｂが大きい場合であった。図２のストラテジは、図１のストラテジのように前半の記録パワーが大きい場合よりも感度が良く、且つＳＤＲ値も低かった。即ち、これらの媒体においても本発明の記録方法の効果は同じ傾向で得られた。
【００４１】
図２５に、図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔと基本セル長の時間幅Ｌｔの比（Ｗｔ／Ｌｔ）とＳＤＲ値との関係を示す。
図２５から分るように、どちらの媒体についても、最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔが、０．２４μｍの基本セル長の時間幅Ｌｔを１００等分した内の３０〜８０である場合において、即ち０．３≦Ｗｔ／Ｌｔ≦０．８の範囲において良好なＳＤＲ値を示した。更に好ましい範囲は０．３５≦Ｗｔ／Ｌｔ≦０．７である。
また、各種因子において案内溝の平均溝幅Ｗｇと基本セル長Ｌとの関係は多値記録の特性を向上させるために非常に重要である。
図２６に、案内溝の平均溝幅Ｗｇとランダム記録における基本セル長Ｌの比（Ｗｇ／Ｌ）とＳＤＲ値との関係を示す。基本セル長は０．２４μｍで固定し、案内溝の平均溝幅Ｗｇを０．１５〜０．３８μｍの範囲で振った。
図２６から分るように、どちらの媒体についても、０．７≦Ｗｇ／Ｌ≦１．５の範囲においてＳＤＲは良好な値を示したが、その範囲外では急激にその値が悪化した。
同様に各種因子において案内溝の深さＤｐと基本セル長Ｌとの関係も多値記録の特性を向上させるために非常に重要である。
図２７に、図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における基本セル長Ｌと案内溝の深さＤｐの比（Ｌ／Ｄｐ）とＳＤＲ値との関係を示す。基本セル長は０．２４μｍで固定し、案内溝の深さＤｐを２５〜１２０ｎｍの範囲で振った。
図２７から分るように、どちらの媒体についても、３≦Ｌ／Ｄｐ≦８の範囲においてＳＤＲは良好な値を示したが、その範囲外では急激にその値が悪化した。好ましくは４≦Ｌ／Ｄｐ≦７である。
【００４２】
図２８に、図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における記録パワーＰｆとＰｂの比（Ｐｆ／Ｐｂ）とＳＤＲ値との関係を示す。クロストークは無しで、基本セル長は０．２４μｍとし、最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔは基本セル長の時間幅Ｌｔを１００等分した内の半分の５０とし、ＷｂとＷｆとのパルス幅比は１／１とした。
図２８から分るように、どちらの媒体についても、０．３≦Ｐｆ／Ｐｂ＜１の範囲で良好なＳＤＲ値を示した。特に０．４≦Ｐｆ／Ｐｂ≦０．９の範囲でＳＤＲは低い値を示し、その比の値が大きいほど記録パワーが下がった。即ち記録感度が上がった。
図２９に、図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における最大レベルマークのパルス時間幅Ｗｂと全パルス時間幅Ｗｔの比（Ｗｂ／Ｗｔ）とＳＤＲ値との関係を示す。基本セル長は０．２４μｍとし、最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔは基本セル長の時間幅Ｌｔを１００等分した内の半分の５０とし、ＰｆとＰｂとの記録パワーの比は１／２とした。また、本実験は図４の階段波形を用いて行った。
図２９から分るように、どちらの媒体についても、０．３≦Ｗｂ／Ｗｔ≦０．８の範囲で良好なＳＤＲ値を示した。特に０．４≦Ｗｂ／Ｗｔ≦０．７の範囲でＳＤＲは低い値を示し、その比の値が大きいほど記録パワーが下がった。即ち記録感度が上がった。
【００４３】
以上、本発明の記録方法は、本発明９〜１６で対象とした媒体以外に適用してもその効果は大きく、同様の傾向の効果を示した。
また、本実施例と同様な多値記録において案内溝のトラックピッチが０．２５〜０．５μｍ、深さが１５〜１５０ｎｍ、平均溝幅が０．１５〜０．３５μｍ、未記録状態の反射率が２〜５０％の媒体においても本発明の効果は同様に得られた。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】ストラテジＡの記録波形を示す図。
【図２】ストラテジＢの記録波形を示す図。
【図３】ストラテジＣの記録波形を示す図。
【図４】階段波が記録された部分から得られる再生信号を示した図。
【図５】図１〜図３に示す記録波形を用いて階段波記録を行い、パワー依存性を調査した結果を示す図。
【図６】図３の矩形波、及び図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔと基本セル長の時間幅Ｌｔの比（Ｗｔ／Ｌｔ）と、ＳＤＲ値との関係を示す図。
【図７】図３の矩形波、図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における案内溝の平均溝幅Ｗｇと基本セル長Ｌの比（Ｗｇ／Ｌ）とＳＤＲ値との関係を示す図。
【図８】図３の矩形波、図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における基本セル長Ｌと案内溝の深さＤｐの比（Ｌ／Ｄｐ）とＳＤＲ値との関係を示す図。
【図９】図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における記録パワーＰｆとＰｂの比（Ｐｆ／Ｐｂ）とＳＤＲ値との関係を示す図。
【図１０】図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における最大レベルマークのパルス時間幅Ｗｂと全パルス時間幅Ｗｔの比（Ｗｂ／Ｗｔ）とＳＤＲ値との関係を示す図。
【図１１】有機材料の複素屈折率の実部ｎと虚部ｋの変化を示す図。
【図１２】有機材料の主吸収帯と記録再生波長の関係を示す図。
【図１３】市販のＤＶＤ−Ｒに記録を行った部分の基板面をＡＦＭ観察した図。
【図１４】有機材料の主吸収帯と記録再生波長の関係を示す図。
【図１５】図１〜図３に示す記録波形を用いて階段波記録を行い、パワー依存性を調査した結果を示す図。
【図１６】図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔと基本セル長の時間幅Ｌｔの比（Ｗｔ／Ｌｔ）とＳＤＲ値との関係を示す図。
【図１７】図３の矩形波、図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における案内溝の平均溝幅Ｗｇと基本セル長Ｌの比（Ｗｇ／Ｌ）とＳＤＲ値との関係を示す図。
【図１８】図３の矩形波、図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における基本セル長Ｌと案内溝の深さＤｐの比（Ｌ／Ｄｐ）とＳＤＲ値との関係を示す図。
【図１９】図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における記録パワーＰｆとＰｂの比（Ｐｆ／Ｐｂ）とＳＤＲ値との関係を示す図。
【図２０】図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における最大レベルマークのパルス時間幅Ｗｂと全パルス時間幅Ｗｔの比とＳＤＲ値との関係を示す図。
【図２１】基本セル幅と多値記録パルス位置との相関関係を示す図。
【図２２】各レベルの多値信号と中心位置との関係を示す図。
【図２３】実施例３のフタロシアニン系媒体について、図１〜図３のストラテジを用いて階段波系を記録し、パワー依存性を調査した結果を示す図。
【図２４】実施例３のＴｅＯ系媒体について、図１〜図３のストラテジを用いて階段波系を記録し、パワー依存性を調査した結果を示す図。
【図２５】図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における最大レベルマークの全パルス時間幅Ｗｔと基本セル長の時間幅Ｌｔの比（Ｗｔ／Ｌｔ）とＳＤＲ値との関係を示す図。
【図２６】案内溝の平均溝幅Ｗｇとランダム記録における基本セル長Ｌの比（Ｗｇ／Ｌ）とＳＤＲ値との関係を示す図。
【図２７】図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における基本セル長Ｌと案内溝の深さＤｐの比（Ｌ／Ｄｐ）とＳＤＲ値との関係を示す図。
【図２８】図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における記録パワーＰｆとＰｂの比（Ｐｆ／Ｐｂ）とＳＤＲ値との関係を示す図。
【図２９】図２の２段波を用いて記録した、ランダム記録における最大レベルマークのパルス時間幅Ｗｂと全パルス時間幅Ｗｔの比（Ｗｂ／Ｗｔ）とＳＤＲ値との関係を示す図。
【図３０】特許文献６の発明の記録波形を書き直し、本発明の波形図１〜３と同等の表記にした図。
【図３１】特許文献７の発明の記録波形を書き直し、本発明の波形図１〜３と同等の表記にした図。
【符号の説明】
【００４５】
Ｐｆ  前半の記録パワー
Ｐｂ  後半の記録パワー
Ｗｆ  前半の記録パワーのパルス時間幅
Ｗｂ  後半の記録パワーのパルス時間幅
Ｗｇ  案内溝の平均溝幅
Ｗｔ  全パルス時間幅
Ｌ  基本セル長
Ｄｐ  案内溝の深さ
δｎ  記録再生波長におけるｎの変化幅
δｋ  記録再生波長におけるｋの変化幅
δλ  記録再生波長
ＭＬ０〜ＭＬ７  マルチレベル０〜７
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図４】
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