(57)【要約】【課題】  装置の小型化及び簡略化を図り、かつ、処理効率の向上を図れるようにした浮上式基板搬送処理装置を提供すること。【解決手段】  表面から気体を噴射又は噴射及び吸引して基板Ｇを異なる高さに浮上する浮上ステージ２２と、浮上ステージ２２の上方に配設され、基板Ｇの表面に処理液を帯状に供給するレジスト供給ノズル２３と、浮上ステージ２２上に浮上する基板Ｇの両側縁部を支持して、基板Ｇをレジスト供給ノズル２３の下方を通過させる搬送ローラ２４とを設ける。これにより、浮上ステージ上に浮上される基板の両側端部を搬送ローラによって支持して、基板をレジスト供給ノズルの下方に移動しつつレジスト供給ノズルから処理液を帯状に供給して処理を施すことができる。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面から気体を噴射又は噴射及び吸引して被処理基板を異なる高さに浮上する浮上ステージと、
上記浮上ステージの上方に配設され、上記被処理基板の表面に処理液を帯状に供給する処理液供給手段と、
上記浮上ステージ上に浮上する上記被処理基板の両側縁部を支持して、被処理基板を上記処理液供給手段の下方を通過させる搬送ローラと、を具備することを特徴とする浮上式基板搬送処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の浮上式基板搬送処理装置において、
上記搬送ローラは、複数のローラ体によって形成されており、この際、処理液供給手段の下方に位置する被処理基板を支持するローラ体は、処理液供給手段と被処理基板との間隔を所定の間隔に維持すべく所定の高さ位置に配設されている、ことを特徴とする浮上式基板搬送処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の浮上式基板搬送処理装置において、
上記搬送ローラに、被処理基板の側端縁の位置を規制するフランジ部を形成してなる、ことを特徴とする浮上式基板搬送処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の浮上式基板搬送処理装置において、
上記搬送ローラと処理液供給手段とを相対的に移動すべく処理液供給手段を移動可能に形成してなる、基板搬送処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えばＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板に処理液例えばレジスト液を供給して処理を施す浮上式基板搬送処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板としてのＬＣＤ用ガラス基板等（以下に基板という）にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してレジスト膜に転写し、これを現像処理し、その後、基板からレジスト膜を除去する一連の処理が施されている。
【０００３】
例えば、レジスト膜の形成方法として、溶剤に感光性樹脂を溶解してなるレジスト液を帯状に吐出するレジスト供給ノズルと、矩形状の基板とを、レジストの吐出方向と直交する方向に相対的に平行移動させて塗布処理する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
この方法によれば、基板の一辺から他辺に渡ってレジスト液を帯状に吐出(供給)するため、矩形状の基板の全面に平均してレジスト膜を形成することができる。
【特許文献１】特開平１０−１５６２５５号公報（特許請求の範囲、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特開平１０−１５６２５５号公報に記載の技術においては、基板の上方に架設配置されるレジスト供給ノズル又は基板を水平姿勢に保持するステージの少なくとも一方を移動する構造であるため、装置が大型かつ複雑になると共に、重量の嵩むレジスト供給ノズルやステージの移動に多大なエネルギを要するという問題があった。また、重量の嵩むレジスト供給ノズルやステージを処理後に元の位置に復帰移動し、再び移動して処理を施すため、処理効率の低下を招くという問題もあった。
【０００６】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、装置の小型化及び簡略化を図り、かつ、処理効率の向上を図れるようにした浮上式基板搬送処理装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、表面から気体を噴射又は噴射及び吸引して被処理基板を異なる高さに浮上する浮上ステージと、  上記浮上ステージの上方に配設され、上記被処理基板の表面に処理液を帯状に供給する処理液供給手段と、  上記浮上ステージ上に浮上する上記被処理基板の両側縁部を支持して、被処理基板を上記処理液供給手段の下方を通過させる搬送ローラと、を具備することを特徴とする。
【０００８】
この発明において、上記搬送ローラを、複数のローラ体によって形成し、この際、処理液供給手段の下方に位置する被処理基板を支持するローラ体を、処理液供給手段と被処理基板との間隔を所定の間隔に維持すべく所定の高さ位置に配設する方が好ましい（請求項２）。
【０００９】
また、上記搬送ローラに、被処理基板の側端縁の位置を規制するフランジ部を形成する方が好ましい（請求項３）。
【００１０】
また、上記搬送ローラと処理液供給手段とを相対的に移動すべく処理液供給手段を移動可能に形成するようにしてもよい（請求項４）。
【発明の効果】
【００１１】
（１）請求項１記載の発明によれば、浮上ステージ上に浮上される被処理基板の両側端部を搬送ローラによって支持して、被処理基板を処理液供給手段の下方に移動しつつ処理液供給手段から処理液を帯状に供給して処理を施すことができる。したがって、浮上した基板を搬送ローラによって搬送するので、装置の小型化活簡略化が図れると共に、処理効率の向上が図れる。
【００１２】
（２）請求項２記載の発明によれば、処理液供給手段と被処理基板との間隔を所定の間隔に維持することができるので、上記（１）に加えて、更に処理液の膜厚を均一にすることができる。
【００１３】
（３）請求項３記載の発明によれば、搬送ローラに、被処理基板の側端縁の位置を規制するフランジ部を形成することにより、被処理基板の幅方向の位置決めを正確にすることができるので、上記（１），（２）に加えて、更に処理精度の向上を図ることができる。
【００１４】
（４）請求項４記載の発明によれば、搬送ローラと処理液供給手段とを相対的に移動すべく処理液供給手段を移動可能に形成することにより、処理時間に対して被処理基板の移動速度及び加速度を低減することができるので、上記（１）〜（３）に加えて、更に装置全体の長さを短くでき、装置の小型化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置をＬＣＤ用ガラス基板のレジスト塗布現像処理装置におけるレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明する。
【００１６】
上記レジスト塗布現像処理装置は、図１に示すように、複数の被処理基板であるＬＣＤ用ガラス基板Ｇ（以下に基板Ｇという）を収容するカセットＣを載置する搬入出部１と、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを具備しており、処理部２の両端にそれぞれ搬入出部１及びインターフェイス部３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布現像処理装置の長手方向をＸ方向、平面視においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
【００１７】
上記搬入出部１は、カセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬入出を行うための搬送機構５を備えており、この搬入出部１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構５は搬送アーム５ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路６上を移動可能であり、搬送アーム５ａによりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬入出が行われるように構成されている。
【００１８】
上記処理部２は、基本的にＸ方向に伸びる基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿って搬入出部１側からインターフェイス部３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１、第１の熱的処理ユニットセクション１６、レジスト処理ユニット１３及び第２の熱的処理ユニットセクション１７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイス部３側から搬入出部１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション１７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）１４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１５及び第３の熱的処理ユニット１８が配列されている。なお、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１２が設けられている。この場合、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１５は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【００１９】
なお、第１の熱的処理ユニットセクション１６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット１３側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２の間に第１の搬送機構３３が設けられている。
【００２０】
また、第２の熱的処理ユニットセクション１７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット１３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット１４側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５の間に第２の搬送機構３６が設けられている。
【００２１】
また、第３の熱的処理ユニットセクション１８は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）１４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８の間に第３の搬送機構３９が設けられている。
【００２２】
なお、インターフェイス部３には、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１と、周辺露光装置（ＥＥ）とタイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）を積層して設けた外部装置ブロック４２と、バッファーステージ（ＢＵＦ）４３及び第４の搬送機構４４が配設されている。
【００２３】
このように構成されるインターフェイス部３において、第２の搬送機構３６によって搬送される基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１へ搬送され、第４の搬送機構４４によって外部装置ブロック４２の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで、第４の搬送機構４４により露光装置４に搬送されて、基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によっては、バッファーステージ（ＢＵＦ）４３に基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。そして、露光終了後、基板Ｇは第４の搬送機構４４により外部装置ブロック４２のタイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて、基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１に載置され、再び処理部２に搬送されるように構成されている。
【００２４】
上記レジスト処理ユニット１３は、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置を適用したレジスト塗布処理装置２０と、このレジスト塗布処理装置２０によって基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器（図示せず）内で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２１とを具備している。
【００２５】
次に、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置を適用したレジスト塗布処理装置２０について説明する。
【００２６】
＜第１実施形態＞
図２は、上記レジスト塗布処理装置２０の第１実施形態の要部を示す概略斜視図、図３は、レジスト塗布処理装置２０により基板Ｇにレジスト液を供給（吐出）する状態を示す基板Ｇの移動方向に沿う概略断面図、図４は、基板Ｇの移動状態を示す概略側面図、図５は、基板Ｇの移動方向と直交する方向に沿う概略断面図である。
【００２７】
上記レジスト塗布処理装置２０は、表面から気体を噴射又は噴射及び吸引して基板Ｇを異なる高さに浮上する浮上ステージ２２と、この浮上ステージ２２の上方に配設され、基板Ｇの表面に処理液であるレジスト液Ｒを帯状に供給する処理液供給手段であるレジスト供給ノズル２３と、浮上ステージ２２上に浮上する基板Ｇの両側縁部を支持して、基板Ｇをレジスト供給ノズル２３の下方を通過させる搬送ローラ２４とで主に構成されている。
【００２８】
この場合、浮上ステージ２２は、図２及び図３に示すように、図示しない搬送アームによって搬送される基板Ｇを受け取る昇降可能な複数例えば４本のリフトピン２８ａを具備する搬入領域２２ａと、レジスト供給ノズル２３と基板Ｇとの隙間を一定の距離例えば１００〜１５０μｍに維持する塗布領域２２ｂと、基板Ｇを受け渡す昇降可能な複数例えば４本のリフトピン２８ｂを具備する搬出領域２２ｃとが設けられている。搬入領域２２ａと搬出領域２２ｃにおいては、浮上ステージ２２の表面に設けられた多数の噴射孔２９ａから気体例えば空気が噴射されて基板Ｇが約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上されている。また、塗布領域２２ｂにおいては、浮上ステージ２２の表面に多数の噴射孔２９ａと吸引孔２９ｂが例えば千鳥状に設けられており、噴射孔２９ａから気体すなわち空気を噴射すると共に、吸引孔２９ｂから吸引することによって基板Ｇが約５０μｍの高さの位置に浮上されている。なお、搬入領域２２ａと塗布領域２２ｂとの間、及び塗布領域２２ｂと搬出領域２２ｃとの間には、それぞれ両者間の高さのギャップを繋げる繋ぎ領域２２ｄ，２２ｅが設けられている。これら繋ぎ領域２２ｄ，２２ｅにおいては、多数の噴射孔２９ａと吸引孔２９ｂとが設けられており、気体である空気の噴射量及び吸引量を調整することによって基板Ｇを徐々に下降又は上昇するように構成されている。
【００２９】
上記レジスト供給ノズル２３は、浮上ステージ２２の上方を跨ぐ門形の保持体（図示せず）に垂直方向の位置を調整可能に取り付けられており、図示しないレジストタンクに接続される供給管２３ａによって供給されるレジスト液Ｒを、基板Ｇの表面に帯状に供給（吐出，滴下）するように構成されている。
【００３０】
上記搬送ローラ２４は、上記浮上ステージ２２の両側にそれぞれ配設される径の異なる複数のローラ体２５，２６，２７のローラ群によって形成されている。これらローラ体２５，２６，２７は、浮上ステージ２２の搬入及び搬出領域２２ａ，２２ｃ、繋ぎ領域２２ｄ，２２ｅ及び塗布領域２２ｂにおける浮上高さに対応した高さ位置に配設されている。これらローラ体２５，２６，２７は、後述する駆動手段１００によって回転可能に形成されている。
【００３１】
駆動手段１００は、図６に示すように、駆動源である１つのモータ１０１と、このモータ１０１の動力を２本の駆動軸１０２に伝達する伝達機構１０３と、各駆動軸１０２及び各ローラ体２５，２６，２７（図面ではローラ体２５を代表例として示す）の回転軸１０４に装着される歯車機構１０５とで主に構成されており、１つのモータ１０１の駆動によって各ローラ体２５（２６，２７）が独立して駆動されるように構成されている。
【００３２】
この場合、モータ１０１の駆動軸１０６に装着される駆動プーリ１０７と、一方の駆動軸１０２に装着された従動プーリ１０８には、第１のタイミングベルト１０９が掛け渡されている。また、両駆動軸１０２にはそれぞれ第１の伝達プーリ１１０が装着されており、これら第１の伝達プーリ１１０と、各駆動軸１０２の下方にそれぞれ平行に配置される２本の中間軸１１１に装着された第２の伝達プーリ１１２には、それぞれ第２のタイミングベルト１１３が掛け渡されている。また、両中間軸１１１に装着されたプーリ（図面では、第２の伝達プーリ１１２を兼用する）には、第３のタイミングベルト１１４が掛け渡されている。これら、駆動プーリ１０７，従動プーリ１０８，第１及び第２の伝達プーリ１１０，１１２と、第１，第２，第３のタイミングベルト１０９，１１３，１１４とで、伝達機構１０３が構成されている。
【００３３】
上記歯車機構１０５は、駆動軸１０２に装着される駆動側傘歯車１０５ａと、各ローラ体２４の回転軸１０４に装着される従動側傘歯車１０５ｂとで構成されており、浮上ステージ２２と平行に配設される駆動軸１０２の回転方向を直交する方向に変換して各ローラ体２５（２６，２７）に伝達している。
【００３４】
なお、上記説明では、１つの駆動源であるモータ１０１によって各ローラ体２５，２６，２７を駆動しているが、後述するように、ローラ体２５，２６，２７の径が異なるが、搬入及び搬出領域２２ａ，２２ｃ、繋ぎ領域２２ｄ，２２ｅ及び塗布領域２２ｂのいずれか２つの領域に基板Ｇが跨るときは、ローラ体２５，２６，２７と基板Ｇとがスリップしないようにするため、２つの領域に対応するローラ体２５，２６，２７の周速度が同じとなるようにローラ体２５，２６，２７の回転数をそれぞれ制御する。なお、基板Ｇが２つの領域に跨っていないときはそれぞれ周速度が異なっても問題はない。なお、駆動手段１００を搬入及び搬出領域２２ａ，２２ｃ、繋ぎ領域２２ｄ，２２ｅ及び塗布領域２２ｂ毎にそれぞれ別個に設けて、ローラ体２５，２６，２７の周速度をこれら領域２２ａ〜２２ｅ毎にそれぞれ所望の速度に制御するようにしてもよい。
【００３５】
なお、浮上ステージ２２に設けられた噴射孔２９ａに供給する気体の圧力と吸引孔２９ｂに連通する吸引の圧力をそれぞれ所定値に設定することにより、基板Ｇの浮上量は一定となるので、浮上ステージ２２の表面から搬送ローラ２４（具体的には、ローラ体２５，２６，２７）が突出する量は、搬送ローラ２４が無い状態での気体の噴射や吸引による基板Ｇの浮上量とほぼ同等となるように予め設定しておく方が望ましい。更に、基板Ｇの実荷重よりも基板Ｇが載置された各ローラ体２５，２６，２７にかかる基板Ｇの荷重の総計の方が小さくなるように設定してもよい。このように搬送ローラ２４（ローラ体２５，２６，２７）の突出量を設定することにより、搬送ローラ２４上の基板Ｇは、搬送ローラ２４の軸方向（基板Ｇの移動方向と直交する方向）でほぼ水平となり、かつ搬送ローラ２４上でスリップすることなく基板Ｇを搬送することができる。
【００３６】
また、浮上ステージ２２の搬入及び搬出領域２２ａ，２２ｃの両側に配設される第１のローラ体２５の直径Ｄ1と、繋ぎ領域２２ｄ，２２ｅの両側に配設される第２のローラ体２６の直径Ｄ2と、塗布領域２２ｂの両側に配設される第３のローラ体２７の直径Ｄ3の関係は、Ｄ1＞Ｄ2＞Ｄ3となっている。このように浮上ステージ２２の搬入及び搬出領域２２ａ，２２ｃ、繋ぎ領域２２ｄ，２２ｅ及び塗布領域２２ｂにおけるローラ体２５，２６，２７の直径Ｄ1，Ｄ2，Ｄ3を変えることにより、浮上高さの異なる基板Ｇをスムーズに移動（搬送）することができる。
【００３７】
また、搬送領域２２ｂに配設される第３のローラ体２７は、レジスト供給ノズル２３と基板Ｇとの間隔を所定の間隔Ｓ（１００〜１５０μｍ）に維持すべく所定の高さ位置に配設されている。なお、第３のローラ体２７のうち少なくともレジスト供給ノズル２３の下方に位置する基板Ｇを支持するローラ体の高さを上記のように設定しておけばよい。
【００３８】
このように少なくともレジスト供給ノズル２３の下方に位置する基板Ｇを支持する第３のローラ体２７の高さを、レジスト供給ノズル２３と基板Ｇとの間隔を所定の間隔Ｓ（１００〜１５０μｍ）に維持する高さにすることにより、基板Ｇ表面上に塗布されるレジストの膜厚を均一にすることができる。
【００３９】
なお、この場合、図８に示すように、搬送ローラ２４(具体的には、ローラ体２５，２６，２７)に、基板Ｇの側端縁の位置を規制するフランジ部５０を形成することにより、基板Ｇの幅方向の位置決めを行うことができるので、更に処理精度の向上を図ることができる。
【００４０】
次に、上記のように構成されるレジスト塗布処理装置２０の動作態様について説明する。まず、熱的処理ユニット（ＴＢ）３１によって熱処理された基板Ｇが図示しない搬送アームによって浮上ステージ２２の搬入領域２２ａ上に搬入されると、リフトピン２８ａが上昇して基板Ｇを受け取る。その後、搬送アームは浮上ステージ２２上から外方へ退避する。基板Ｇを受け取った後、リフトピン２８ａが下降すると、基板Ｇは搬入領域２２ａの表面から噴出する空気によって約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上され、この浮上高さ位置で第１のローラ体２５によって支持される。これにより基板Ｇは浮上ステージ２２の搬入領域２２ａ上の約１００〜１５０μｍの高さの位置に水平状態に維持される。
【００４１】
次いで、搬送ローラ２４の駆動機構が駆動して基板Ｇが塗布領域２２ｂに搬送される。塗布領域２２ｂにおいては、浮上ステージ２２の表面から空気の噴出及び吸引のバランスと第３のローラ体２７の支持によって基板Ｇは約５０μｍの高さの位置に浮上され、レジスト供給ノズル２３との間に所定の間隔Ｓ（１００〜１５０μｍ）を維持する。この状態で、レジスト供給ノズル２３からレジスト液Ｒを帯状に供給（吐出）すると共に、基板Ｇを移動することによって、基板Ｇの表面にレジスト膜が均一に形成される。
【００４２】
レジスト膜が形成された基板Ｇは搬出領域２２ｃに移動されると、基板Ｇは搬出領域２２ｃの表面から噴出する空気によって約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上されると共に、第１のローラ体２５によって支持される。すると、リフトピン２８ｂが上昇して基板Ｇを上方の受渡し位置へ移動する。この状態で、図示しない搬送アームが基板Ｇを受け取って基板Ｇを次工程の減圧乾燥装置（ＶＤ）２１へ搬送する。
【００４３】
＜第２実施形態＞
図９は、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置を適用したレジスト塗布処理装置２０Ａの第２実施形態の動作を説明する概略側面図である。
【００４４】
第２実施形態は、基板Ｇの搬送と同時にレジスト供給ノズル２３を相対移動させて、処理時間に対する基板Ｇの移動速度及び加速度を低減させると共に、装置全体の長さを短くできるようにした場合である。すなわち、第２実施形態においては、上記第１実施形態と同様に、基板Ｇは搬送ローラ２４によって移動(搬送)可能に形成されており、更に、レジスト供給ノズル２３を取り付けた保持体６０を移動機構７０によって浮上ステージ２２と平行に移動可能に形成されている。この場合、移動機構７０は、保持体６０の脚部に設けられた可動子６１を図示しない多数のボールを介して摺動自在に支持するボールねじ軸７１と、このねじ軸７１を正逆回転するモータ７２とを具備するボールねじ機構によって形成されている。なお、移動機構７０を、ボールねじ機構に代えてタイミングベルトを用いた別と機構やリニアモータ等を用いてもよい。
【００４５】
なお、第２実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一具号を付して、説明は省略する。
【００４６】
次に、第２実施形態のレジスト塗布処理装置２０Ａの動作態様について説明する。まず、熱的処理ユニット（ＴＢ）３１によって熱処理された基板Ｇが図示しない搬送アームによって浮上ステージ２２の搬入領域２２ａ上に搬入されると、リフトピン２８ａが上昇して基板Ｇを受け取る。その後、搬送アームは浮上ステージ２２上から外方へ退避する。基板Ｇを受け取った後、リフトピン２８ａが下降すると、基板Ｇは搬入領域２２ａの表面から噴出する空気によって約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上され、この浮上高さ位置で第１のローラ体２５によって支持される。これにより基板Ｇは浮上ステージ２２の搬入領域２２ａ上の約１００〜１５０μｍの高さの位置に水平状態に維持される（図９（ａ）参照）。
【００４７】
次いで、搬送ローラ２４の駆動機構が駆動して基板Ｇが塗布領域２２ｂに搬送されと同時に、移動機構７０のモータ７２が駆動して保持体６０と共にレジスト供給ノズル２３が搬入領域２２ａ側に移動する（図９（ｂ）参照）。なお、塗布領域２２ｂにおいては、浮上ステージ２２の表面から空気の噴出及び吸引のバランスと第３のローラ体２７の支持によって基板Ｇは約５０μｍの高さの位置に浮上され、レジスト供給ノズル２３との間が所定の間隔Ｓ（１００〜１５０μｍ）に維持されている。この状態、すなわち基板ＧがＬ1移動し、レジスト供給ノズル２３がＬ2移動した状態で、レジスト供給ノズル２３からレジスト液Ｒを帯状に供給（吐出）すると共に、基板Ｇとレジスト供給ノズル２３を相対移動することによって、基板Ｇの移動速度及び加速度を低減させた状態で基板Ｇの表面にレジスト膜が均一に形成される。
【００４８】
レジスト膜が形成された基板Ｇは搬出領域２２ｃに移動されると、基板Ｇは搬出領域２２ｃの表面から噴出する空気によって約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上されると共に、第１のローラ体２５によって支持される。すると、リフトピン２８ｂが上昇して基板Ｇを上方の受渡し位置へ移動する。この状態で、図示しない搬送アームが基板Ｇを受け取って基板Ｇを次工程の減圧乾燥装置（ＶＤ）２１へ搬送する。なお、レジスト膜を形成した後、移動機構７０のモータ７２が逆回転して保持体６０及びレジスト供給ノズル２３は初期位置に復帰する（図９（ｃ）参照）。
【００４９】
＜その他の実施形態＞
上記実施形態では、搬送ローラ２４を構成するローラ体２５，２６，２７の径が異なる場合について説明したが、全てのローラ体２５，２６，２７の径を同じにして、浮上ステージ２２の表面からローラ体２５，２６，２７が突出する量、例えばローラ体２５，２６，２７の取付高さを、搬入及び搬出領域２２ａ，２２ｃ、繋ぎ領域２２ｄ，２２ｅ及び塗布領域２２ｂで変えるようにしてもよい。
【００５０】
また、搬送ローラ２４は、例えば搬入及び搬出領域２２ａ，２２ｃ、繋ぎ領域２２ｄ，２２ｅ及び塗布領域２２ｂ毎に一括して、かつ搬入及び搬出領域２２ａ，２２ｃ、繋ぎ領域２２ｄ，２２ｅ及び塗布領域２２ｂ毎に独立して浮上ステージ２２の表面から搬送ローラ２４（ローラ体２５，２６，２７）が突出する量、例えば高さ方向の調整が可能な構造としてもよい。このようにすることにより、高さ方向の調整が容易となる。なお、高さ調整は、基板Ｇを搬送ローラ２４上に載置して、気体の噴射や吸引を行い、浮上した基板Ｇがほぼ水平となるように調整すればよい。
【００５１】
また、上記実施形態では、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置をレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明したが、レジスト塗布処理装置以外の装置、例えば現像処理装置にも適用できることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】この発明に係る浮上式基板搬送処理装置を適用したＬＣＤ用ガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す概略平面図である。
【図２】上記浮上式基板搬送処理装置を適用したレジスト塗布処理装置の第１実施形態を示す概略斜視図である。
【図３】上記レジスト塗布処理装置の基板の移動方向に沿う概略断面図である。
【図４】この発明における基板Ｇの移動状態を示す概略側面図である。
【図５】上記レジスト塗布処理装置の基板の移動方向と直交する方向に沿う概略断面図である。
【図６】この発明における搬送ローラの駆動手段の一例を示す概略平面図（ａ）、概略正面図（ｂ）及び概略側面図（ｃ）である。
【図７】この発明における搬送ローラの基板支持状態を示す概略断面図である。
【図８】この発明における別の搬送ローラの基板支持状態を示す概略断面図である。
【図９】この発明に係る浮上式基板搬送処理装置を適用したレジスト塗布処理装置の第２実施形態の動作を示す概略側面図である。
【符号の説明】
【００５３】
Ｇ  ＬＣＤ用ガラス基板（被処理基板）
２２  浮上ステージ
２３  レジスト供給ノズル（処理液供給手段）
２４  搬送ローラ
２５  第１のローラ体
２６  第２のローラ体
２７  第３のローラ体
５０  フランジ部
６０  保持体
７０  移動機構
【図１】
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【図２】
2005247516.tif 000004
【図３】
2005247516.tif 000005
【図４】
2005247516.tif 000006
【図５】
2005247516.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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