(57)【要約】【課題】  半導体装置の信頼性を向上し、製造歩留りを向上させる。【解決手段】  ＱＦＮパッケージ形態の半導体装置１は、封止樹脂部２と、封止樹脂部２によって封止された半導体チップ３と、複数のリード４と、封止樹脂部２によって封止されかつ複数のリード４と半導体チップ３の表面の複数の電極とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、半導体チップ３が搭載されたチップ搭載部であるタブ７と、タブ７に接続された吊りリード８と、各吊りリード８に設けられたアイランド９とを備えている。半導体チップ３とリード４とはオーバーラップしており、各リード４はその一部が半導体チップ３の下方に位置している。半導体チップ３は、タブ７だけでなくアイランド９にも接合材を介して接着されている。【選択図】  図２ 
2005109007.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップを搭載するチップ搭載部と、
導電体により形成され、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリード部と、
前記複数のリード部と前記半導体チップの前記複数の電極とを電気的に接続する複数のワイヤと、
一端が前記チップ搭載部に接続して前記チップ搭載部の外方に向かって延在する複数の導体部と、
前記半導体チップ、前記チップ搭載部、前記複数のワイヤ、前記複数のリード部および前記複数の導体部を封止する封止樹脂部と、
を具備し、
前記複数のリード部の前記チップ搭載部に対向する側の端部は前記半導体チップの下方に位置し、前記複数の導体部は幅広部を有し、前記半導体チップは前記チップ搭載部と前記複数の導体部の前記幅広部とに接合材を介して接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記複数の導体部は前記チップ搭載部から離れた位置に前記幅広部を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記複数のワイヤの長さは、０．２ｍｍ〜２．５ｍｍの範囲内であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、
前記複数の導体部は、前記半導体装置を製造する際に用いられたリードフレームに前記チップ搭載部を支持するために用いられる導体部からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
複数の電極を有する半導体チップと、
導体部を介して互いに連結され、その上に接合材を介して前記半導体チップを搭載する複数のチップ搭載部と、
導電体により形成され、それぞれ一部が前記半導体チップの下方に位置する複数のリード部と、
前記複数のリード部と前記半導体チップの前記複数の電極とを電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ、前記チップ搭載部、前記複数のワイヤおよび前記複数のリード部を封止する封止樹脂部と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、
前記複数のワイヤの長さは、０．２ｍｍ〜２．５ｍｍの範囲内であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
（ａ）リードフレームを準備する工程、
（ｂ）前記リードフレームのチップ搭載部上に複数の電極を有する半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記リードフレームの複数のリード部と前記半導体チップの前記複数の電極とを複数のワイヤを介して電気的に接続する工程、
（ｄ）前記半導体チップ、前記チップ搭載部、前記複数のワイヤおよび前記複数のリード部を封止する封止樹脂部を形成する工程、
（ｅ）前記リードフレームを切断する工程、
を有し、
前記（ｂ）工程では、前記複数のリード部の前記チップ搭載部に対向する側の端部が前記半導体チップの下方に位置するように、前記半導体チップが前記チップ搭載部上に搭載され、
前記（ｃ）工程では、前記複数のリード部を加熱し、前記半導体チップを前記複数のリード部に接触させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記複数のリード部を接触式の加熱装置により加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記半導体チップに接触する前記複数のリード部を介して前記半導体チップを加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記チップ搭載部の下面を吸着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、加熱された前記複数のリード部に前記半導体チップを接触させた状態で、前記複数のリード部と前記半導体チップの前記複数の電極とを前記複数のワイヤを介して電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記半導体チップの前記各電極に前記ワイヤを接続する毎に、前記半導体チップが前記複数のリード部に接触することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記半導体チップの前記各電極に前記ワイヤを接続する毎に、前記チップ搭載部および前記半導体チップが下降して前記半導体チップが前記複数のリード部に接触することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
（ａ）リードフレームを準備する工程、
（ｂ）前記リードフレームのチップ搭載部上に複数の電極を有する半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記リードフレームの複数のリード部と前記半導体チップの前記複数の電極とを複数のワイヤを介して電気的に接続する工程、
（ｄ）前記半導体チップ、前記チップ搭載部、前記複数のワイヤおよび前記複数のリード部を封止する封止樹脂部を形成する工程、
（ｅ）前記リードフレームを切断する工程、
を有し、
前記（ｂ）工程では、前記複数のリード部の前記チップ搭載部に対向する側の端部が前記半導体チップの下方に位置するように、前記半導体チップが前記チップ搭載部上に搭載され、
前記（ｃ）工程では、非接触式の加熱装置によって前記半導体チップを加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法において、
前記非接触式の加熱装置は、赤外線加熱装置であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記チップ搭載部の下面を保持しながら、前記複数のリード部と前記半導体チップの前記複数の電極とを前記複数のワイヤを介して電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記半導体チップは前記複数のリード部に接触しないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記複数のリード部を接触式の加熱装置により加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、特に、ＱＦＮ（Quad Flat Non leaded package）パッケージ形態の半導体装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
リードフレームのダイパッド部（タブ）上に半導体チップを搭載し、リードフレームのリード部と半導体チップの表面の電極とをワイヤボンディングした後、樹脂封止を行い、各個片に切断してＱＦＮ（Quad Flat Non leaded package）パッケージ形態の半導体装置が製造される。ＱＦＮパッケージ形態の半導体装置の実装面では、リードフレームのリード部の一部が、外部端子として封止樹脂から露出している。
【０００３】
特開２０００−２４３８９１号公報には、信号用リードと、ダイパッドと、吊りリードと、ダイボンド用のＤＢペーストとを備え、これらは封止樹脂内に封止され、信号用リードの下部は封止樹脂よりも下方に突出して外部電極として機能し、吊りリードには２カ所の曲げ部が設けられていて吊りリードが変形吸収機能を付与されているパワーＱＦＮに関する技術が記載されている（特許文献１参照）。
【０００４】
特開２０００−２９４７１７号公報には、ダイパッドの半切断部により周辺部からアップセットされた中央部（支持部）の上面に、中央部を囲む環状の溝部が形成され、周辺部の上面と半導体チップの裏面との間隙に封止樹脂が充填されて間隙充填部となっている樹脂封止型半導体装置に関する技術が記載されている（特許文献２参照）。
【０００５】
特開平１１−３４０４０９号公報には、信号接続用リード部がアウターリード部と接続してフレーム枠により支持され、少なくとも信号接続用リード部、アウターリード部、フレーム枠の底面は樹脂フィルムが密着され、また信号接続用リード部の各先端部が延在して配置された開口部に露出した樹脂フィルム上にダイパッド部が固着されたリードフレームに関する技術が記載されている（特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２０００−２４３８９１号公報
【特許文献２】特開２０００−２９４７１７号公報
【特許文献３】特開平１１−３４０４０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者の検討によれば、次のことが分かった。
【０００７】
リードフレームのタブの近辺までリード部を延ばし、タブ上に搭載した半導体チップとリード部とがオーバーラップするような構造にすると、半導体チップサイズの選択性を向上することができる。しかしながら、半導体チップとリード部とがオーバーラップして、半導体チップの下方にリード部が位置している場合、樹脂封止を行う際に、半導体チップが傾いて半導体チップとリード部とが接触し、半導体チップとリード部とがショートした状態になってしまう可能性がある。また、ワイヤボンディングの際に、ボンディングワイヤと半導体チップの電極とのボンダビリティが低くなり、ボンディングワイヤの接続強度が低くなりやすい。これらは、半導体装置の信頼性を低下させ、製造歩留りを低下させる。
【０００８】
本発明の目的は、信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１１】
本発明の半導体装置は、複数のリード部のそれぞれの一部が半導体チップの下方に位置し、半導体チップをタブと吊りリードの幅広部とに接合材を介して接合したものである。
【００１２】
本発明の半導体装置は、複数のリード部のそれぞれの一部が半導体チップの下方に位置し、半導体チップを複数のチップ搭載部上に接合材を介して接合したものである。
【００１３】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、リードフレームの複数のリード部とオーバーラップするように半導体チップをリードフレームのタブ上に搭載し、半導体チップの電極とリード部とをワイヤボンディングする際に、リード部を加熱し、半導体チップをリード部に接触させるものである。
【００１４】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、リードフレームの複数のリード部とオーバーラップするように半導体チップをリードフレームのタブ上に搭載し、半導体チップの電極とリード部とをワイヤボンディングする際に、非接触式の加熱装置によって半導体チップを加熱するものである。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１６】
複数のリード部のそれぞれの一部を半導体チップの下方に位置させ、半導体チップをタブと吊りリードの幅広部とに接合材を介して接合したことにより、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００１７】
また、複数のリード部のそれぞれの一部を半導体チップの下方に位置させ、半導体チップを複数のチップ搭載部上に接合材を介して接合したことにより、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００１８】
また、リードフレームの複数のリード部とオーバーラップするように半導体チップをリードフレームのタブ上に搭載し、半導体チップの電極とリード部とをワイヤボンディングする際に、リード部を加熱し、半導体チップをリード部に接触させることにより、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００１９】
また、リードフレームの複数のリード部とオーバーラップするように半導体チップをリードフレームのタブ上に搭載し、半導体チップの電極とリード部とをワイヤボンディングする際に、非接触式の加熱装置によって半導体チップを加熱することにより、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションに分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２２】
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
【００２３】
（実施の形態１）
本実施の形態の半導体装置を図面を参照して説明する。
【００２４】
図１および図２は、本発明の一実施の形態である半導体装置１の平面（上面）透視図であり、図３はその底面図（裏面図）、図４および図５はその断面図である。図１は、封止樹脂部２を透視したときの平面（上面）図に対応し、図２は、封止樹脂部２および半導体チップ３を透視したときの平面（上面）図に対応する。また、図１のＡ−Ａ線の断面が図４にほぼ対応し、図１のＢ−Ｂ線の断面が図５にほぼ対応する。
【００２５】
本実施の形態の半導体装置１は、樹脂封止形で、面実装形の半導体パッケージであり、例えばＱＦＮ（Quad Flat Non leaded package）形態の半導体装置である。
【００２６】
図１〜図５示される本実施の形態の半導体装置１は、封止樹脂部（封止部）２と、封止樹脂部２によって封止された半導体チップ（半導体素子）３と、導電体によって形成された複数のリード（リード部）４と、封止樹脂部２によって封止されかつ複数のリード４と半導体チップ３の表面の複数の電極（ボンディングパッド）３ａとを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ６と、半導体チップ３が搭載されたチップ搭載部であるタブ（ダイパッド部、チップ搭載部）７と、タブ７に接続された複数の吊りリード（導体部）８と、各吊りリード８に設けられたアイランド（幅広部）９とを備えている。
【００２７】
封止樹脂２は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂２を形成することができる。封止樹脂２により、半導体チップ３、リード４、ボンディングワイヤ６、タブ７、吊りリード８およびアイランド９が封止され、保護される。封止樹脂２の裏面（実装面）２ａが、半導体装置１の実装面である。
【００２８】
半導体チップ３は、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、必要に応じて半導体基板の裏面研削を行ってから、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップ３に分離したものである。半導体チップ３は、その表面（半導体素子形成側の主面）が上方を向くようにタブ７上に搭載され、半導体チップ３の裏面（半導体素子形成側の面とは逆側の主面）が導電体からなるタブ７に、例えば銀ペーストまたは絶縁ペーストなどの接合材（ダイボンディング材）１０を介して接着（接合）されている。更に、本実施の形態では、半導体チップ３の裏面は、各吊りリード８の途中に設けられたアイランド９に接合材１０を介して接着（接合）されている。このため、半導体チップ３は、タブ７およびアイランド９上に搭載されており、タブ７およびアイランド９がチップ搭載部として機能することができる。
【００２９】
半導体チップ３の表面には、複数の電極（ボンディングパッド、パッド電極）３ａが形成されている。電極３ａは、半導体チップ３に形成された半導体素子または半導体集積回路に電気的に接続されている。半導体チップ３の表面の各電極３ａは、各リード４の上面４ａに、例えば金（Ａｕ）線などの金属細線などからなるボンディングワイヤ６を介して電気的に接続されている。
【００３０】
リード４はタブ７の周囲に、その一端がタブ７に対向するように配置されている。リード４は、封止樹脂部２に埋め込まれたインナリードと、封止樹脂部２の裏面２ａに露出するアウタリードとの両者の機能を兼ねている。すなわち、封止樹脂部２によって封止され、リード４のボンディング部として機能し得るリード４の上面４ａに、ボンディングワイヤ６が接続（接合）され、封止樹脂部２の裏面２ａに、外部接続用端子部として機能し得るリード４の下面の露出部である下部露出面４ｂが露出している。リード４の上面４ａには、ボンディングワイヤ６の接続を容易にするためにめっき層（例えば銀めっき層）を形成することもできる。リード４の下部露出面４ｂは、略長方形状または略正方形状を有している。
【００３１】
リード４のタブ７に対向する側の端部とは逆側の端部として、リード４の切断面（側面、端面）４ｃが封止樹脂部２の切断面（側面）２ｂで露出している。リード４の切断面４ｃおよび封止樹脂部２の切断面２ｂは、半導体装置を製造する際の切断工程により生じた側面（端面）である。
【００３２】
リード４はタブ７の近辺にまで延在しており、リード４のタブ７に対向する側の端部であるリード４の先端部４ｄは半導体チップ３の下方に位置している。すなわち、各リード４は、一部が半導体チップ３の下方に位置している。このため、半導体チップ３とリード４とが平面的にオーバーラップした構造となっている。リード４と半導体チップ３との間は封止樹脂２を構成する材料で満たされており、リード４と半導体チップ３とが接触しないようになっている。また、隣り合うリード４間は封止樹脂部２を構成する材料により満たされており、互いに接触しないようになっている。
【００３３】
封止樹脂部２の裏面２ａに対応する半導体装置１の裏面（底面）が、半導体装置１の実装面となり、各リード４の下部露出面４ｂが封止樹脂部２の裏面２ａ（すなわち半導体装置１の裏面）で露出して半導体装置１の外部端子（外部接続用端子）を構成する。また、封止樹脂部２の裏面２ａで露出するリード４の下部露出面４ｂ上にはめっき層が形成されているが、理解を簡単にするために、めっき層の図示を省略している。リード４の下部露出面４ｂ上にめっき層が形成されていることで、半導体装置１を基板（外部基板、マザーボード）に実装する際に、基板上の端子または導体パターンと半導体装置１の端子（リード４の下部露出面４ｂ）との間の電気的接続の信頼性を向上することができる。
【００３４】
タブ７には、複数（ここでは４本）の吊りリード（導体部）８が接続されている。各吊りリード８は、導電体材料からなり、一端がタブ７に接続され、タブ７の外方に向かって延在している。吊りリード８は、半導体装置１の製造に用いられたリードフレーム（のフレーム枠）にタブ７を保持または支持するために設けられ、封止樹脂部２の形成後にリードフレームから切断され、吊りリード８の切断により生じた側面（すなわちタブ７に接続された側の端部とは逆側の端部）である切断面（側面、端面）８ｃが封止樹脂部２の切断面（側面）２ｂで露出している。吊りリード８の下面の一部は封止樹脂部２の裏面２ａで露出しており、ここでは吊りリード８の切断面８ｃ近傍領域の下面である下部露出面８ｂが、封止樹脂部２の裏面２ａで露出している。吊りリード８には屈曲部８ａが設けられており、吊りリード８のうち下部露出面８ｂよりもタブ７側の部分は上方に持ち上げられて、タブ７とともに封止樹脂部２内に封止されている。
【００３５】
各吊りリード８（の途中）にはアイランド（幅広部）９が設けられており、半導体チップ３の裏面（半導体素子形成側の面とは逆側の主面）が、各アイランド９に、例えば銀ペーストまたは絶縁ペーストなどの接合材（ダイボンディング材）１０を介して接着（接合）されている。アイランド９は、そこに半導体チップ３を接合材１０で接着（接合）できるように吊りリード８の一部を（吊りリード８よりも）幅広にした領域（幅広部）である。アイランド９は、吊りリード８の屈曲部８ａによって上方に持ち上げられた領域に形成されており、また、タブ７から所定の距離だけ離れた位置に形成されている。アイランド９の上面（半導体チップ３搭載側の面）とタブ７の上面（半導体チップ３搭載側の面）とはほぼ同じ平面上にあり、アイランド９およびタブ７は封止樹脂２内に封止されている。
【００３６】
本実施の形態では、半導体チップ３は、タブ７と吊りリード８のアイランド９とに接合材１０を介して接着されている。すなわち、タブ７と、タブ７に接続されタブ７の外方に向かって延在する複数の吊りリード８の一部（アイランド９）とに、半導体チップ３が接合材１０で接着されている。従って、半導体チップ３は、チップ搭載部としてのタブ７と、吊りリード８の幅広部としてのアイランド９とに接合材１０を介して搭載されているものとみなすことができる。また、タブ７だけでなくアイランド９もチップ搭載部として機能することができるので、半導体チップ３は、タブ７とアイランド９とからなる複数のチップ搭載部上に接合材１０を介して搭載されているものとみなすこともできる。リード４、タブ７、吊りリード８およびアイランド９は、いずれも導電体材料からなり、例えば半導体装置の製造の際にリードフレームに用いられた共通の導電体材料からなる。
【００３７】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造工程について説明する。図６は、本実施の形態の半導体装置の製造に用いられるリードフレーム２１の要部平面図である。図７〜図１１は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示す断面図である。図７と図８とは同じ工程中の断面図であり、図１０と図１１とは同じ工程中の断面図であり、図７、図９および図１０が図１のＡ−Ａ線の断面（すなわち図４と同じ断面）にほぼ対応し、図８および図１１が図１のＢ−Ｂ線の断面（すなわち図５と同じ断面）にほぼ対応する。また、図６には、リードフレーム２１の一つの半導体パッケージに対応する領域が示されており、モールドライン２２が点線で示されている。
【００３８】
リードフレーム２１は、例えば、銅または銅合金、あるいは４２−アロイなどの導電体材料からなる。リードフレーム２１は、半導体チップ３を搭載するためのタブ７と、その一端がフレーム枠２３と接続し他端がタブ７の四隅に接続してタブ７を（フレーム枠２３に）保持または支持する吊りリード８と、その一端がタブ７と離間して対向するように配置され他端がフレーム枠２３と接続するリード４とを有している。吊りリード８には幅広領域としてアイランド９が設けられている。
【００３９】
図４、図７、図９および図１０などからも分かるように、リード４は、タブ７に対向する側とは逆側の端部近傍領域（下部露出面４ｂに対応する領域）においてその厚みが相対的に厚くなり、それ以外の領域ではリード４の下面側をハーフエッチングすることなどにより厚みが相対的に薄くなるように形成されている。このため、封止樹脂部２を形成した際には、封止樹脂部２の裏面２ａでは、厚みが相対的に厚いリード４の下部露出面４ｂが露出し、下部露出面４ｂ以外の、厚みが相対的に薄くなっている領域は封止樹脂部２内に封止される。このような加工は、金型により行うことも可能である。
【００４０】
このようなリードフレーム２１を準備した後、例えば次のようにして半導体装置が製造される。
【００４１】
まず、図７および図８に示されるように、リードフレーム２１のタブ７およびアイランド９上に半導体チップ３を銀ペーストまたは絶縁ペーストなどの接合材１０を介して接着（接合）する。
【００４２】
次に、図９に示されるように、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ３の複数の電極３ａとリードフレーム２１の複数のリード４の上面４ａとを複数のボンディングワイヤ６を介してそれぞれ電気的に接続する。
【００４３】
次に、図１０および図１１に示されるように、モールド工程（例えばトランスファモールド工程）を行って、半導体チップ３およびボンディングワイヤ６を封止樹脂部２によって封止する。このモールド工程では、リードフレーム２１のモールドライン２２内にあるリード４、タブ７、吊りリード８およびアイランド９も封止樹脂部２によって封止される。この際、モールドライン２２内の領域では、封止樹脂部２が相対的に厚く形成され、モールドライン２２の周囲近傍領域では、リード４間などが封止樹脂部２を構成する材料で満たされる。
【００４４】
次に、必要に応じてリードフレーム２１の封止樹脂部２から露出する部分（導電体からなる部分）上にめっき層（図示せず）を形成した後、リードフレーム２１が所定の位置で切断されて、図１〜図５に示されるような個片に分割された半導体装置１が得られる（製造される）。
【００４５】
なお、リードフレーム２１のリード４の下面側をハーフエッチングする場合について説明したが、リード４をハーフエッチングする代わりに、金型などを用いてリード４に屈曲部を設け、リード４の下部露出面４ｂよりもタブ７側の領域を上方に持ち上げることもできる。図１２は、そのようにして製造された他の実施の形態の半導体装置１ａの断面図であり、図４に対応する。図１２に示される半導体装置１ａでは、金型などを用いてリード４に屈曲部４ｅが設けられ、リード４の下部露出面４ｂよりもタブ７側の領域が上方に持ち上げられて、封止樹脂部２内に封止されている。半導体装置１ａの他の構成は半導体装置１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【００４６】
ＱＦＮパッケージ形態の半導体装置１の製造に用いられる半導体チップ３は、必要に応じて種々の種類や寸法の半導体チップから選択される。すなわち、搭載される半導体チップ３の寸法は、製品仕様などに応じて変更される。半導体チップ３の寸法の変更に応じてリードフレームの設計を変更する場合、搭載する半導体チップ３の寸法毎に（製品毎に）異なる設計（形状）のリードフレームを用意する必要があり、半導体装置の製造コストを増大させてしまう。このため、半導体チップ３の寸法（平面寸法）を変更しても、リードフレームを変更する必要がない、搭載する半導体チップ３の寸法に対して汎用性の高いリードフレームを用いることが好ましい。これにより、半導体装置の製造コストを低減することが可能になる。本実施の形態では、後述するように、半導体チップ３の寸法を変更しても、リードフレーム２１の設計を変更する必要がない。このため、半導体装置の製造コストの低減が可能である。
【００４７】
本実施の形態では、リードフレーム２１のリード４の先端部４ｄをタブ７に相対的に近い位置にまで延在させている。このため、相対的に大きな寸法（平面寸法）の半導体チップ３を搭載した際には、リード４の先端部４ｄは半導体チップ３の下方に位置し、半導体チップ３とリード４とが平面的にオーバーラップした構造となる。このような場合、一端が半導体チップ３の電極３ａと接続するボンディングワイヤ６の他端は、リード４の上面４ａのうち、半導体チップ３の端部から比較的近い位置に接続することができ、例えば、図４などに示されるように、厚みが相対的に厚い部分（下部露出面４ｂの反対面）に接続することができる。
【００４８】
図１３は、半導体装置１の製造に用いられたリードフレーム２１を使用して、半導体チップ３よりも相対的に小さな寸法（平面寸法）の半導体チップ３ｂを搭載して製造したＱＦＮパッケージ形態の半導体装置１ｂの平面透視図であり、図１４はその断面図である。図１３は、封止樹脂部２を透視したときの平面（上面）図に対応する。また、図１３のＣ−Ｃ線の断面が図１４にほぼ対応する。
【００４９】
図１３および図１４に示されるように、相対的に小さな寸法（平面寸法）の半導体チップ３ｂをタブ７上に接合材１０を介して搭載した際には、リード４の先端部４ｄは半導体チップ３ｂの下方には位置せず、半導体チップ３ｂとリード４とが平面的にオーバーラップしない構造となる。このような場合、一端が半導体チップ３ｂの電極３ｃと接続するボンディングワイヤ６の他端は、リード４の上面４ａのうち、半導体チップ３ｂの端部から比較的近い位置に接続することができ、図１３および図１４に示されるように、例えばリード４の上面４ａのうちの先端部４ｄ近傍の部分に接続することができる。このため、ボンディングワイヤ６の長さを比較的短くすることができる。
【００５０】
ボンディングワイヤ６が長いと、封止樹脂２を形成するためのモールド工程において、封止樹脂２を構成する樹脂材料を金型のキャビティ内に導入した際に導入された樹脂材料によってボンディングワイヤ６が流されてしまい、ボンディングワイヤ６の接続の信頼性が低下してしまう可能性がある。また、ボンディングワイヤ６の長さが長いと、半導体装置の電気的特性が低下する可能性もある。
【００５１】
本実施の形態では、リード４をタブ７に相対的に近い位置にまで延在させ、タブ７上に相対的に大きな寸法の半導体チップ３を搭載した際には、半導体チップ３の下方にリード４を延在させ、半導体チップ３の電極３ａに一端が接続するボンディングワイヤ６の他端を、リード４の上面４ａのうちの半導体チップ３の外方で半導体チップ３から比較的近い位置、例えば下部露出面４ｂの反対面に接続する。また、タブ７上に相対的に小さな寸法の半導体チップ３ｂを搭載した際には、半導体チップ３ｂの電極３ｃに一端が接続するボンディングワイヤ６の他端を、リード４の上面４ａのうちの半導体チップ３の外方で半導体チップ３から比較的近い位置、例えばリード４の先端部４ｄ近傍領域に接続する。このため、半導体チップ３の寸法を変更しても使用するをリードフレーム２１を変更する必要がなく、また、いずれの寸法の半導体チップを搭載する場合でも、ボンディングワイヤ６の長さを短くすることができる。このため、ボンディングワイヤの接続の信頼性を向上することができ、また、半導体装置の電気的特性を向上することができる。従って、半導体装置の製造歩留りを向上できる。また、リードフレームの汎用性を高めることができ、リードフレームの標準化が可能になり、同じリードフレームに対して大型の半導体チップ、小型の半導体チップの搭載のいずれの搭載も可能になる。半導体装置の製造コストも低減できる。また、ワイヤボンディング可能な領域が広くなり、一つのリード４に対して複数のボンディングワイヤ６を接続する、いわゆるダブルボンディングやトリプルボンディングを容易に行うことができる。
【００５２】
また、ボンディングワイヤ６の長さは２．５ｍｍ以下であれば好ましい。ボンディングワイヤ６の長さが２．５ｍｍよりも長くなると、封止樹脂２を形成するためのモールド工程において、上記のようなボンディングワイヤ６が樹脂材料によって流されてボンディングワイヤ６の接続の信頼性が低下してしまう現象が生じやすくなる。このため、リードフレーム２１に搭載する可能性がある最小の寸法（平面寸法）の半導体チップ（例えば半導体チップ３ｂ）をタブ７上に搭載したときに、その半導体チップの端部とリード４の先端部４ｄとの間隔が例えば２ｍｍ以下程度になるように、リード４の先端部４ｄをタブ７の近辺にまで延在させていればより好ましい。また、ボンディングワイヤ６の長さは０．２ｍｍ以上であることが好ましく、これにより、半導体チップに接触しないようにワイヤループを的確に形成して半導体チップの電極とリード４とを電気的に接続することが可能になる。
【００５３】
しかしながら、本発明者の検討によれば、半導体チップ３の下方にリード４が位置している場合、２つの問題が生じることが分かった。第１の問題は、モールド工程で封止樹脂２を形成する際に、半導体チップ３が傾いて半導体チップ３とリード４とが接触する可能性があることである。半導体チップ３とリード４とが接触した状態で封止樹脂２が形成（硬化）されると、半導体チップ３とリード４とがショートした状態になってしまう。これは、半導体装置の製造歩留りを低下させる。
【００５４】
そこで、本実施の形態では、半導体チップ３の裏面をタブ７だけでなく、吊りリード８のアイランド９にも接合材１０を介して接着（接合）する。これにより、モールド工程で封止樹脂２を形成する際に、半導体チップ３が傾くのを抑制または防止することができ、半導体チップ３とリード４とが接触するのを防止することができる。
【００５５】
また、本実施の形態では、吊りリード８のタブ７の位置を上昇させるために折り曲げられた部分（屈曲部８ａ）が、例えばインナーリードの先端（リード４の先端部４ｄ）に比較して厚くなっていることにより、吊りリード８の強度が向上しているものである。吊りリード８の強度が向上していることにより、モールド工程で封止樹脂２を形成する際に、半導体チップ３が傾くのを抑制または防止することができる。
【００５６】
図１５〜図１８は、本実施の形態における封止樹脂２の形成工程（モールド工程）の説明図（要部断面図）である。図１５と図１６とは同じ工程中の要部断面図であり、図１７と図１８とは同じ工程中の要部断面図であり、図１５および図１７は図１のＡ−Ａ線の断面（すなわち図４と同じ断面）にほぼ対応し、図１６および図１８は図１のＢ−Ｂ線の断面（すなわち図５と同じ断面）にほぼ対応する。
【００５７】
図１５および図１６に示されるように、封止樹脂２を形成する際には、上金型３１と下金型３２とでリードフレーム２１を挟む。このため、図１６に示されるように、吊りリード８の端部は上金型３１と下金型３２とでしっかりと挟持される。従って、図１７および図１８に示されるように、上金型３１と下金型３２とによって形成されるキャビティ３３内に封止樹脂２を形成するための樹脂材料２ｅを導入した際には、吊りリード８自身はあまり撓まない。
【００５８】
しかしながら、本実施の形態とは異なり、半導体チップ３をタブ７にだけ接着していた場合は、比較的大きな寸法を有する半導体チップ３は、キャビティ３３内に樹脂材料２ｅを導入した際に、その樹脂材料２ｅによって容易に傾いてしまう。半導体チップ３の下方にリード４が存在していなければ、半導体チップ３が傾いたとしてもそれほど問題にはならないが、半導体チップ３の下方にリード４が存在している場合は、半導体チップ３が傾いたまま樹脂材料２ｅが硬化すると、半導体チップ３とリード４とが接触した状態で封止樹脂２が形成されてしまう可能性がある。これは、半導体装置の製造歩留りを低下させる。
【００５９】
本実施の形態では、半導体チップ３をタブ７だけでなく吊りリード８のアイランド９にも接着している（すなわち、半導体チップ３をタブ７およびアイランド９に接合材１０を介して接合している）ので、半導体チップ３がタブ７およびアイランド９に固定される。端部を上金型３１と下金型３２とでしっかりと挟持された吊りリード８のアイランド９にも半導体チップ３を固定（接着）しているので、キャビティ３３内に樹脂材料２ｅを導入しても、半導体チップ３が傾くのを抑制または防止することができる。このため、半導体チップ３とリード４とが接触するのを防止することができ、半導体装置の製造歩留りを向上することができる。
【００６０】
また、本実施の形態では、上記のようにリード４の先端部４ｄをタブ７に比較的近い位置にまで延在させている。このため、上記のように、半導体チップ３の寸法を変更してもボンディングワイヤ６の長さを比較的短くすることが可能となる。しかしながら、リード４の先端部をタブ７に比較的近い位置にまで延在させると、タブ７の面積をあまり大きくすることはできなくなり、相対的に大きな寸法の半導体チップ３を搭載した際には、タブ７だけに半導体チップ３を接着すると、半導体チップ３の接着個所が半導体チップ３裏面の中央近傍の一箇所になり、しかもタブ７の面積が比較的小さいことに対応して半導体チップ３の接着面積が小さくなるので、封止樹脂２の形成工程（モールド工程）で上記のように半導体チップ３が傾く現象が生じやすくなる。本実施の形態では、タブ７とは所定の距離だけ離れた位置にアイランド９を設け、タブ７だけでなくアイランド９にも半導体チップ３の裏面を接着するので、半導体チップ３の接着個所が半導体チップ裏面の複数箇所になり、しかもタブ７の面積が比較的小さくても、タブ７およびアイランド９の全体の面積に対応する半導体チップ３の接着面積を大きくできるので、封止樹脂２の形成工程（モールド工程）で半導体チップ３が傾くのを抑制または防止することができる。このため、半導体チップ３とリード４とが接触するのを防止することができ、半導体装置の製造歩留りを向上することができる。
【００６１】
また、本発明者の検討によって分かった、半導体チップ３の下方にリード４が位置している場合に生じる第２の問題は、ボンディングワイヤ６と半導体チップ３の電極３ａとのボンダビリティが低くなり、ボンディングワイヤ６と半導体チップ３の電極３ａとの接続強度が低くなりやすいことである。
【００６２】
ワイヤボンディングを行う際には、リード４と半導体チップ３のワイヤボンディング予定領域とを、ワイヤボンディングに適した所定の温度に加熱してから、半導体チップ３の電極３ａとリード４との間をボンディングワイヤ６を介して電気的に接続する。しかしながら、半導体チップ３の下方にリード４が位置していると、半導体チップ３のワイヤボンディング予定領域の加熱が難しく、また、ワイヤボンディング工程中の半導体チップ３の固定または保持が難しいことなどもあって、ボンディングワイヤ６と半導体チップ３の電極３ａとの接続強度が低くなりやすい。ボンディングワイヤ６の接続強度の低下は、半導体装置の信頼性を低下させ、半導体装置の製造歩留りを低下させる。
【００６３】
そこで、本実施の形態では、次のようにしてワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ３の電極３ａとリード４とをボンディングワイヤ６を介して電気的に接続し、ボンディングワイヤ６の接続強度を高くする。
【００６４】
図１９〜図２１は、本実施の形態におけるワイヤボンディング工程（ボンディングワイヤ６の接続工程）の説明図（要部断面図）である。
【００６５】
半導体チップ３を搭載した後、図１９に示されるように、ヒートブロック４１上にリードフレーム２１を配置する。ヒートブロック４１内には例えばヒータなどが内蔵されており、所定の温度（例えば二百数十℃程度）に加熱される。ヒートブロック４１の下方にヒータを配置してヒートブロック４１を加熱することもできる。リード４は、その下面がヒートブロック４１の上面に密着（接触）しており、ヒートブロック４１によってリード４が加熱される。このため、リード４は接触式の加熱装置により加熱されることになる。リード４は、厚みが相対的に厚い部分（下部露出面４ｂ）と相対的に薄い部分（下部露出面４ｂよりも先端部４ｄ側の領域）とを有しているので、相対的に厚い部分と相対的に薄い部分との両方がヒートブロック４１の上面に接触できるように、段差（窪み）４２がヒートブロック４１の上面に設けられている。更に、ヒートブロック４１には窪み部４３が設けられており、窪み部４３の底部には真空吸着用の吸着穴４４が形成されている。
【００６６】
それから、図２０に示されるように、例えばゴムなどからなる治具４５によって半導体チップ３の表面を加圧し、半導体チップ３を押し下げてタブ７の下面（半導体チップ３搭載側の面とは逆側の面）７ａを窪み部４３に接触させるとともに、吸着穴４４から真空吸引してタブ７の下面７ａを吸着する。タブ７が吸着穴４４によって吸着されたとき、半導体チップ３の裏面３ｄがリード４の上面４ａに丁度接触するように、窪み部４３の深さが調節されている。また、窪み部４３の平面形状は、吸着穴４４によってタブ７を吸着した際に、窪み部４３にタブ７およびタブ７に接続する吊りリード８（およびアイランド９）を収容できるような形状を有している。このため、吸着穴４４によってタブ７を吸着することで、半導体チップ３の裏面３ｄがリード４の上面４ａに密着（接触）し、その状態で半導体チップ３が固定または保持される。吸着穴４４によってタブ７を吸着した後は、治具４４は半導体チップ３から離間させることができる。リード４は、その下面がヒートブロック４１の上面に密着しており、ヒートブロック４１によって加熱される。リード４に密着（接触）した半導体チップ３のワイヤボンディング予定領域（電極３ａ近傍領域）も、ヒートブロック４１からリード４を介して伝導された熱によって加熱される。
【００６７】
半導体チップ３のワイヤボンディング予定領域（電極３ａ近傍領域）をワイヤボンディングに適した所定の温度に加熱してから、図２１に示されるように、半導体チップ３の電極３ａとリード４との間をボンディングワイヤ６を介して電気的に接続する。この際、まず半導体チップ３の電極３ａにボンディングワイヤ６の一端を接続してから、リード４にボンディングワイヤ６の他端を接続する。吸着穴４４によってタブ７を吸着し、加熱されたリード４に半導体チップ３を密着（接触）させた状態で、半導体チップ３の各電極３ａと各リード４とのワイヤボンディングを順次行い、半導体チップ３の複数の電極３ａと複数のリード４との間を複数のボンディングワイヤ６を介して電気的に接続する。
【００６８】
本実施の形態では、ワイヤボンディング工程において、リード４をヒートブロック４１（接触式の加熱装置）により加熱し、上記のように、タブ７の下面７ａを吸着することで半導体チップ３の裏面３ｄをリード４の上面４ａに接触（密着）させ、半導体チップ３をワイヤボンディングに適した温度に加熱することができる。更に、タブ７の下面７ａを吸着することで半導体チップ３の裏面３ｄをリード４の上面４ａに接触させて半導体チップ３を固定または保持することができる。半導体チップ３（およびリード４）をワイヤボンディングに適した温度に加熱し、しかもしっかりと半導体チップ３を固定または保持した状態で半導体チップ３の電極３ａ（およびリード４）にボンディングワイヤ６を接続できるので、ボンディングワイヤ６と半導体チップ３の電極３ａとのボンダビリティ（およびボンディングワイヤ６とリード４とのボンダビリティ）を向上し、ボンディングワイヤ６の接続強度を高めることができる。これにより、半導体装置の信頼性を向上し、半導体装置の製造歩留りを向上することができる。
【００６９】
（実施の形態２）
図２２〜図２４は、本発明の他の実施の形態におけるワイヤボンディング工程（ボンディングワイヤ６の接続工程）の説明図（要部断面図）であり、上記実施の形態１における図１９〜図２１に対応する。
【００７０】
本実施の形態は、半導体装置の構造および半導体装置の製造工程のうち、ワイヤボンディング工程（ボンディングワイヤ６の接続工程）以外については上記実施の形態１と同様であるので、ここではその説明を省略する。
【００７１】
図２２に示されるように、ヒートブロック５１上にリードフレーム２１を配置する。ヒートブロック５１内には例えばヒータなどが内蔵されており、所定の温度（例えば二百数十℃程度）に加熱される。ヒートブロック５１の下方にヒータを配置してヒートブロック５１を加熱することもできる。リード４は、その下面がヒートブロック５１の上面に密着（接触）しており、ヒートブロック５１によってリード４が加熱される。このため、リード４は接触式の加熱装置により加熱されることになる。リード４は、厚みが相対的に厚い部分（下部露出面４ｂ）と相対的に薄い部分（下部露出面４ｂよりも先端部４ｄ側の領域）とを有しているので、相対的に厚い部分と相対的に薄い部分との両方がヒートブロック５１の上面に接触できるように、段差（窪み）５２がヒートブロック５１の上面に設けられている。また、ヒートブロック５１には窪み部５３が設けられているが、上記実施の形態１におけるヒートブロック５１とは異なり、窪み部５３の底部には真空吸着用の吸着穴４４は形成されていない。
【００７２】
ワイヤボンディングの際には、まず半導体チップ３の電極３ａにボンディングワイヤ６の一端を接続してから、リード４にボンディングワイヤ６の他端を接続する。半導体チップ３の電極３ａにボンディングワイヤ６の一端を接続する際には、ワイヤボンディング装置のキャピラリ（図示せず）の先端（の金球）が半導体チップ３の電極３ａに押し付けられるが、このときキャピラリにより押された半導体チップ３は、図２３に示されるように、吊りリード８の弾性変形により押し下げられる。すなわち、半導体チップ３はタブ７およびアイランド９とともに下降する。窪み部５３の平面形状は、キャピラリによって半導体チップ３が押し下げられた際に、窪み部５３にタブ７およびタブ７に接続する吊りリード８（およびアイランド９）を収容できるような形状を有している。また、半導体チップ３が押し下げられて半導体チップ３の裏面３ｄがリード４の上面４ａに接触するまでタブ７の下面７ａが窪み部５３の底部に接触しないように、窪み部５３の深さが調節されている。このため、半導体チップ３が押し下げられることで、半導体チップ３の裏面３ｄがリード４の上面４ａに密着（接触）する。リード４は、その下面がヒートブロック５１の上面に密着しているのでヒートブロック５１によって加熱されており、リード４に接触した半導体チップ３のワイヤボンディング予定領域（電極３ａ近傍領域）も、ヒートブロック５１からリード４を介して伝導された熱によって加熱されることになる。そして、図２４に示されるように、半導体チップ３の電極３ａにボンディングワイヤ６の一端を接続してから、リード４にボンディングワイヤ６の他端を接続することで、半導体チップ３の電極３ａとリード４との間をボンディングワイヤ６を介して電気的に接続する。このようなワイヤボンディングの動作を半導体チップ３の各電極３ａおよび各リード４に対して行う（繰り返す）ことで、半導体チップ３の複数の電極３ａと複数のリード４との間を複数のボンディングワイヤ６を介して電気的に接続する。ワイヤボンディング毎に、すなわち半導体チップ３の各電極３ａに対してボンディングワイヤ６の一端を接続する毎に、半導体チップ３は吊りリード８の弾性変形によって押し下げられ、リード４の上面４ａに半導体チップ３の裏面３ｄを密着（接触）させることで加熱される。
【００７３】
本実施の形態では、半導体チップ３の各電極３ａにボンディングワイヤ６を接続する毎に、キャピラリによって押された半導体チップ３が吊りリード８の弾性変形によって押し下げられ、ヒートブロック５１（接触式の加熱装置）によって加熱されたリード４の上面４ａに半導体チップ３の裏面３ｄを接触（密着）させることで、半導体チップ３のワイヤボンディング予定領域（電極３ａ近傍領域）を加熱する。このため、半導体チップ３（およびリード４）をワイヤボンディングに適した温度に加熱して半導体チップ３の電極３ａ（およびリード４）にボンディングワイヤ６を接続することができるので、ボンディングワイヤ６と半導体チップ３の電極３ａとのボンダビリティ（およびボンディングワイヤ６とリード４とのボンダビリティ）を向上し、ボンディングワイヤ６の接続強度を高めることができる。これにより、半導体装置の信頼性を向上し、半導体装置の製造歩留りを向上することができる。
【００７４】
（実施の形態３）
図２５および図２６は、本発明の他の実施の形態におけるワイヤボンディング工程（ボンディングワイヤ６の接続工程）の説明図（要部断面図）であり、上記実施の形態１における図１９〜図２１に対応する。
【００７５】
本実施の形態は、半導体装置の構造および半導体装置の製造工程のうち、ワイヤボンディング工程（ボンディングワイヤ６の接続工程）以外については上記実施の形態１と同様であるので、ここではその説明を省略する。
【００７６】
図２５に示されるように、ヒートブロック６１上にリードフレーム２１を配置する。ヒートブロック６１内には例えばヒータなどが内蔵されており、所定の温度（例えば二百数十℃程度）に加熱される。ヒートブロック６１の下方にヒータを配置してヒートブロック６１を加熱することもできる。リード４は、その下面がヒートブロック６１の上面に密着（接触）しており、ヒートブロック６１によってリード４が加熱される。このため、リード４は接触式の加熱装置により加熱されることになる。リード４は、厚みが相対的に厚い部分（下部露出面４ｂ）と相対的に薄い部分（下部露出面４ｂよりも先端部４ｄ側の領域）とを有しているので、相対的に厚い部分と相対的に薄い部分との両方がヒートブロック６１の上面に接触できるように、段差（窪み）６２がヒートブロック６１の上面に設けられている。ヒートブロック６１には、タブ７の下面７ａが接触して固定または保持されるような窪み部６３が設けられているが、上記実施の形態１におけるヒートブロック４１とは異なり、窪み部６３の底部には真空吸着用の吸着穴４４は形成されていない。更に、本実施の形態では、非接触式の加熱装置、例えば赤外線加熱装置６５（赤外線ランプなどの赤外線を用いた加熱装置）が、半導体チップ３（ワイヤボンディング予定領域）の上方に配置される。
【００７７】
ワイヤボンディングの際には、半導体チップ３のワイヤボンディング予定領域（電極３ａ近傍領域）を赤外線加熱装置６５から照射された赤外線によって加熱する。赤外線加熱装置６５などを用いて非接触で半導体チップ３をワイヤボンディングに適した温度に加熱してから、図２６に示されるように、半導体チップ３の電極３ａにボンディングワイヤ６の一端を接続し、リード４にボンディングワイヤ６の他端を接続する。タブ７の下面７ａは、窪み部６３の底部に接触して固定または保持されており、チップ搭載部としてのタブ７の下面を保持しながらワイヤボンディングを行うので、上記実施の形態２のようにワイヤボンディング毎に半導体チップ３が押し下げられることはない。このため、半導体チップ３の裏面３ｄがリード４に接触せず、ヒートブロック６１によって半導体チップ３のワイヤボンディング予定領域を加熱することはできないが、本実施の形態では赤外線加熱装置６５などを用いて非接触で半導体チップ３のワイヤボンディング予定領域を加熱するので、半導体チップ３をワイヤボンディングに適した温度に加熱してから半導体チップ３の電極３ａにボンディングワイヤ６を接続することができる。赤外線加熱装置６５によって半導体チップ３のワイヤボンディング予定領域をワイヤボンディングに適した所定の温度に加熱し、半導体チップ３の各電極３ａと各リード４とのワイヤボンディングを順次行い、半導体チップ３の複数の電極３ａと複数のリード４との間を複数のボンディングワイヤ６を介して電気的に接続する。
【００７８】
本実施の形態では、リード４をヒートブロック６１（接触式の加熱装置）により加熱し、半導体チップ３（のワイヤボンディング予定領域）を非接触型の加熱装置、例えば赤外線加熱装置６５によって非接触で加熱する。このため、半導体チップ３（およびリード４）をワイヤボンディングに適した温度に加熱して半導体チップ３の電極３ａ（およびリード４）にボンディングワイヤ６を接続することができるので、ボンディングワイヤ６と半導体チップ３の電極３ａとのボンダビリティ（およびボンディングワイヤ６とリード４とのボンダビリティ）を向上し、ボンディングワイヤ６の接続強度を高めることができる。これにより、半導体装置の信頼性を向上し、半導体装置の製造歩留りを向上することができる。
【００７９】
（実施の形態４）
図２７および図２８は、本発明の他の実施の形態の半導体装置（ここではＱＦＮパッケージ形態の半導体装置）の半導体装置１ｃの平面（上面）透視図であり、図２９はその底面図（裏面図）、図３０〜図３２はその断面図である。図２７は、封止樹脂部２を透視したときの平面（上面）図に対応し、図２８は、封止樹脂部２および半導体チップ３を透視したときの平面（上面）図に対応する。また、図２７のＤ−Ｄ線の断面が図３０にほぼ対応し、図２７のＥ−Ｅ線の断面が図３１にほぼ対応し、図２７のＦ−Ｆ線の断面が図３２にほぼ対応する。
【００８０】
図２７〜図３２に示されるように、本実施の形態の半導体装置１ｃは、上記実施の形態１の半導体装置１における複数のリード４の代わりに、複数のリード（リード部）７４と複数のリード（リード部）７５とを有している。
【００８１】
リード７４とリード７５とは、タブ７の周囲にリード７４とリード７５とが交互に配置されている。リード７４とリード７５とはリード４と同様の機能を有しており、半導体チップ３の表面の各電極３ａが、各リード７４，７５に、ボンディングワイヤ６を介して電気的に接続されている。リード７４，７５はタブ７の近辺にまで延在しており、タブ７に対向する側の端部であるリード７４の先端部７４ｄとリード７５の先端部７５ｄとは、半導体チップ３の下方に位置している。このため、半導体チップ３とリード７４，７５とが平面的にオーバーラップした構造となっている。リード７４，７５と半導体チップ３との間は封止樹脂２を構成する材料で満たされており、リード７４とリード７４との間は封止樹脂部２を構成する材料により満たされており、互いに接触しないようになっている。
【００８２】
リード７４，７５は、封止樹脂部２に埋め込まれたインナリードと、封止樹脂部２の裏面２ａに露出するアウタリードとの両者の機能を兼ねており、封止樹脂部２によって封止されリード７４，７５のボンディング部として機能し得るリード７４，７５の上面７４ａ，７５ａに、ボンディングワイヤ６が接続（接合）され、封止樹脂部２の裏面２ａに、外部接続用端子部として機能し得るリード７４，７５の下面の露出部である下部露出面７４ｂ，７５ｂが露出している。リード７４，７５の上面７４ａ，７５ａには、ボンディングワイヤ６の接続を容易にするためにめっき層（例えば銀めっき層）を形成することもできる。リード７４の下部露出面７４ｂは略長方形状を有し、リード７５の下部露出面７５ｂは略長方形状または略正方形状を有している。
【００８３】
封止樹脂部２の裏面２ａに対応する半導体装置１ｃの裏面（底面）が、半導体装置１ｃの実装面となり、各リード７４，７５の下部露出面７４ｂ，７５ｂが封止樹脂部２の裏面２ａ（すなわち半導体装置１ｃの裏面）で露出して半導体装置１ｃの外部端子（外部接続用端子）を構成する。また、封止樹脂部２の裏面２ａで露出するリード７４，７５の下部露出面７４ｂ，７５ｂ上にはめっき層が形成されているが、理解を簡単にするために、めっき層の図示を省略している。
【００８４】
リード７４の下部露出面７４ｂは、封止樹脂部２の裏面２ａの周辺領域（外周部）に配置され、ここでは封止樹脂部２の裏面２ａの側辺に接する位置に配置され、リード７５の下部露出面７５ｂは、封止樹脂部２の裏面２ａの下部露出面７４ｂよりも内部側（内側）の位置に配置され、ここでは封止樹脂部２の裏面２ａの側辺から所定の距離だけ離れた位置に配置されている。リード７４とリード７５とはタブ７（半導体チップ３）の周囲に交互に配置（配列）されており、半導体装置１ｃの外部端子として機能する下部露出面７４ｂ，７５ｂは、封止樹脂部２の裏面２ａの周辺部近傍領域で側辺に沿って千鳥状（千鳥配列）に２列に配置される。このような配置にすることで、半導体装置１ｃの多端子化を実現できる。
【００８５】
封止樹脂部２、半導体チップ３、ボンディングワイヤ６、タブ７、吊りリード８およびアイランド９、接合材１０の構成および半導体装置の製造工程については、上記実施の形態１〜３とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【００８６】
本実施の形態では、上記実施の形態１と同様に、リード７４，７５をタブ７に相対的に近い位置にまで延在させ、タブ７上に相対的に大きな寸法の半導体チップ３を搭載した際には、半導体チップ３の下方にリード７４，７５を延在させ、半導体チップ３の電極３ａに一端が接続するボンディングワイヤ６の他端を、リード７４，７５の上面７４ａ，７５ａに接続している。このため、タブ７上に相対的に小さな寸法の半導体チップを搭載した際には、上記実施の形態１の図１３および図１４と同様にして、ボンディングワイヤ６を、リード７４，７５の上面４ａのうちの半導体チップから比較的近い位置、例えば先端部７４ｄ，７５ｄ近傍領域に接続することができる。従って、いずれの寸法の半導体チップを搭載する場合でも、ボンディングワイヤ６の長さを短くすることができる。これにより、ボンディングワイヤの接続の信頼性を向上することができ、また、半導体装置の電気的特性を向上することができる。
【００８７】
また、本実施の形態では、上記実施の形態１と同様に、半導体チップ３をタブ７および吊りリード８のアイランド９に接合材１０を介して接着している。封止樹脂部２の形成のためのモールド工程において、半導体チップ３がタブ７およびアイランド９に固定されるので、上記実施の形態１と同様に、半導体チップ３が傾くのを抑制または防止することができる。このため、半導体チップ３とリード７４，７５とが接触した状態で封止樹脂部２が形成されてしまうのを防止でき、半導体装置の製造歩留りを向上することができる。
【００８８】
また、本実施の形態においても、上記実施の形態１〜３と同様にしてボンディングワイヤ６の接続工程を行うことで、ボンディングワイヤ６と半導体チップ３の電極３ａとのボンダビリティを向上し、接続強度を高めることができる。これにより、半導体装置の信頼性を向上し、半導体装置の製造歩留りを向上することができる。
【００８９】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は、例えばＱＦＮパッケージ形態の半導体装置に適用して有効である。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の平面透視図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体装置の平面透視図である。
【図３】図１の半導体装置の底面図である。
【図４】図１の半導体装置の断面図である。
【図５】図１の半導体装置の断面図である。
【図６】リードフレームの要部平面図である。
【図７】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図８】図７の製造工程中の要部断面図である。
【図９】図７に続く半導体装置の製造工程中における要部断面図である。
【図１０】図８に続く半導体装置の製造工程中における要部断面図である。
【図１１】図１０の製造工程中の要部断面図である。
【図１２】本発明の他の実施の形態の半導体装置の断面図である。
【図１３】小さな寸法の半導体チップを搭載して製造した半導体装置の平面透視図である。
【図１４】図１３の半導体装置の断面図である。
【図１５】封止樹脂の形成工程の説明図である。
【図１６】封止樹脂の形成工程の説明図である。
【図１７】封止樹脂の形成工程の説明図である。
【図１８】封止樹脂の形成工程の説明図である。
【図１９】ワイヤボンディング工程の説明図である。
【図２０】ワイヤボンディング工程の説明図である。
【図２１】ワイヤボンディング工程の説明図である。
【図２２】本発明の他の実施の形態におけるワイヤボンディング工程の説明図である。
【図２３】本発明の他の実施の形態におけるワイヤボンディング工程の説明図である。
【図２４】本発明の他の実施の形態におけるワイヤボンディング工程の説明図である。
【図２５】本発明の他の実施の形態におけるワイヤボンディング工程の説明図である。
【図２６】本発明の他の実施の形態におけるワイヤボンディング工程の説明図である。
【図２７】本発明の他の実施の形態である半導体装置の平面透視図である。
【図２８】本発明の他の実施の形態である半導体装置の平面透視図である。
【図２９】図２７の半導体装置の底面図である。
【図３０】図２７の半導体装置の断面図である。
【図３１】図２７の半導体装置の断面図である。
【図３２】図２７の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００９２】
１  半導体装置
１ａ  半導体装置
１ｂ  半導体装置
１ｃ  半導体装置
２  封止樹脂部
２ａ  裏面
２ｂ  切断面
２ｅ  樹脂材料
３  半導体チップ
３ａ  電極
３ｂ  半導体チップ
３ｃ  電極
３ｄ  裏面
４  リード
４ａ  上面
４ｂ  下部露出面
４ｃ  切断面
４ｄ  先端部
４ｅ  屈曲部
６  ボンディングワイヤ
７  タブ
７ａ  下面
８  吊りリード
８ａ  屈曲部
８ｂ  下部露出面
８ｃ  切断面
９  アイランド
１０  接合材
２１  リードフレーム
２２  モールドライン
２３  フレーム枠
３１  上金型
３２  下金型
３３  キャビティ
４１  ヒートブロック
４２  段差
４３  窪み部
４４  吸着穴
４５  治具
５１  ヒートブロック
５２  段差
５３  窪み部
６１  ヒートブロック
６２  段差
６３  窪み部
６５  赤外線加熱装置
７４  リード
７４ａ  上面
７４ｂ  下部露出面
７４ｄ  先端部
７５  リード
７５ａ  上面
７５ｂ  下部露出面
７５ｄ  先端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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