(57)【要約】【課題】ウエハ表面を余分に占有することなく、ＨＧＡの組み立てを行なうまでＥＳＤ保護を確実に行なうことができるＭＲ素子を備えたＭＲヘッドの製造方法及びこのＭＲヘッドを備えたＨＧＡの製造方法を提供する。【解決手段】薄膜による複数のＭＲ素子を基板（ウエハ）上に形成し、形成した各ＭＲ素子に電気的に接続された薄膜による各対の接続パッド間を電気的に短絡する薄膜による短絡パターンをウエハ表面上に形成した後、所定の工程で短絡パターンをレーザ照射によって電気的に切断するＭＲヘッドの製造方法及びこのＭＲヘッドを備えたＨＧＡの製造方法が提供される。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜による複数の磁気抵抗効果素子を基板上に形成し、該形成した各磁気抵抗効果素子に電気的に接続された薄膜による各対の接続パッド間を電気的に短絡する薄膜による短絡パターンを該基板表面上に形成した後、所定の工程で前記短絡パターンをレーザ照射によって電気的に切断することを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記所定の工程が、前記基板を複数の磁気抵抗効果素子が列状に配列されたバー部材に切断分離した後、該バー部材の状態で行なわれる工程であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記所定の工程が、前記基板を複数の磁気抵抗効果素子が列状に配列されたバー部材に切断分離し、さらに該各バー部材を個々の磁気ヘッドスライダに切断分離した後、該磁気ヘッドスライダの状態で行なわれる工程であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記短絡パターンが、前記各対の接続パッド間を直線的に結ぶストリップ形状を有していることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記短絡パターンが、スパッタリング又は蒸着により良導電体層を形成し、該良導電体層をエッチングして形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記良導電体層が、金、アルミニウム又は白金層であることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記短絡パターンの膜厚が、０．１〜１０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
薄膜による複数の磁気抵抗効果素子を基板上に形成し、該形成した各磁気抵抗効果素子に電気的に接続された薄膜による各対の接続パッド間を電気的に短絡する薄膜による短絡パターンを該基板表面上に形成した後、所定の工程で前記短絡パターンをレーザ照射によって電気的に切断することを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
【請求項９】
前記所定の工程が、前記基板を複数の磁気抵抗効果素子が列状に配列されたバー部材に切断分離した後、該バー部材の状態で行なわれる工程であることを特徴とする請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記所定の工程が、前記基板を複数の磁気抵抗効果素子が列状に配列されたバー部材に切断分離し、さらに該各バー部材を個々の磁気ヘッドスライダに切断分離した後、該磁気ヘッドスライダの状態で行なわれる工程であることを特徴とする請求項８に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記所定の工程が、前記基板を複数の磁気抵抗効果素子が列状に配列されたバー部材に切断分離し、該各バー部材を個々の磁気ヘッドスライダに切断分離し、さらに該磁気ヘッドスライダを支持部材に取り付けてヘッドジンバルアセンブリを形成した後、該ヘッドジンバルアセンブリの状態で行なわれる工程であることを特徴とする請求項８に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記短絡パターンが、前記各対の接続パッド間を直線的に結ぶストリップ形状を有していることを特徴とする請求項８から１１のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記短絡パターンが、スパッタリング又は蒸着により良導電体層を形成し、該良導電体層をエッチングして形成されることを特徴とする請求項８から１２のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記良導電体層が、金、アルミニウム又は白金層であることを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記短絡パターンの膜厚が、０．１〜１０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項８から１４のいずれか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果（ＭＲ）素子を備えたＭＲヘッドの製造方法及びこのＭＲヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスクドライブ装置（ＨＤＤ）の高密度化に伴って高感度の磁気ヘッドが要求されており、このような要求に答えるものとして、例えばスピンバルブ効果を利用した巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子やトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子を備えたＭＲヘッドが提案されている。
【０００３】
このような高感度のＭＲヘッドは静電気放電（ＥＳＤ）に非常に弱く、ＭＲ素子の電極端子をオープンにした状態で製造を行なうと、その工程中にＥＳＤ破壊や特性の劣化が発生する。この傾向は、磁気ディスクが、その記録容量で８０Ｇバイト／プラッタを越える記録密度となったあたりで特に顕著となってきた。
【０００４】
スピンバルブＭＲヘッドにおけるＥＳＤ破壊や特性劣化を防止するために、ウエハ工程において、ＭＲ素子用の１対のリード導体間に短絡回路を電気的に接続し、その後、ウエハを磁気ヘッドが一列に並ぶバー部材へ切断した後、バー部材から個々の磁気ヘッドスライダに切断分離する切断工程の際に、この短絡回路をも切断する方法が提案されている（特許文献１）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１０−２６９５３４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この公知の方法によると、短絡回路をバー部材から個々の磁気ヘッドスライダに切断分離する際に切断されるようなパターンに設計する必要があるため、パターンが長くなってウエハ表面を余分に占有し、ウエハ表面の有効利用がその分低減する。また、ＭＲ素子を短絡してＥＳＤから保護できるのは、個々の磁気ヘッドスライダに切断分離する直前までであり、それ以後の工程では他の保護方法を用いる必要があった。
【０００７】
従って本発明の目的は、ウエハ表面を余分に占有することなくＥＳＤ保護を行なうことができるＭＲ素子を備えたＭＲヘッドの製造方法及びこのＭＲヘッドを備えたＨＧＡの製造方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、ＨＧＡの組み立てを行なうまでＥＳＤ保護を確実に行なうことができるＭＲ素子を備えたＭＲヘッドの製造方法及びこのＭＲヘッドを備えたＨＧＡの製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、薄膜による複数のＭＲ素子を基板（ウエハ）上に形成し、形成した各ＭＲ素子に電気的に接続された薄膜による各対の接続パッド間を電気的に短絡する薄膜による短絡パターンをウエハ表面上に形成した後、所定の工程で短絡パターンをレーザ照射によって電気的に切断するＭＲヘッドの製造方法が提供される。
【００１０】
さらに、本発明によれば、薄膜による複数のＭＲ素子をウエハ上に形成し、形成した各ＭＲ素子に電気的に接続された薄膜による各対の接続パッド間を電気的に短絡する薄膜による短絡パターンをウエハ表面上に形成した後、所定の工程で短絡パターンをレーザ照射によって電気的に切断するＭＲヘッドを備えたＨＧＡの製造方法が提供される。
【００１１】
短絡パターンをレーザ照射によって電気的に切断するようにしているため、どの製造工程においても、短絡パターンを容易に切断可能であり、しかもその短絡パターンをレーザ照射可能であればどの位置に設けても良いので、ウエハ表面を余分に占有することなくウエハの利用効率を低下させることなくＥＳＤによる破壊や特性劣化を未然に防止し、安定した品質の製品を高い歩留まり及び低い製造コストで提供することができる。
【００１２】
所定の工程が、ウエハを複数のＭＲ素子が列状に配列されたバー部材に切断分離した後、バー部材の状態で行なわれる工程であるか、さらに各バー部材を個々の磁気ヘッドスライダに切断分離した後、この磁気ヘッドスライダの状態で行なわれる工程であるか、又はさらに磁気ヘッドスライダを支持部材に取り付けてＨＧＡを形成した後、このＨＧＡの状態で行なわれる工程であることが好ましい。ＨＧＡの状態で行なえば、その時点までＥＳＤ保護を確実に行なうことが可能となる。
【００１３】
短絡パターンが、各対の接続パッド間を直線的に結ぶストリップ形状を有していることも好ましい。これにより、短絡パターンの形状が最も簡易化され、しかもウエハ表面を余分に占有することがないから基板の利用効率が低下しない。
【００１４】
短絡パターンが、スパッタリング又は蒸着により良導電体層を形成し、良導電体層をエッチングして形成されることも好ましい。この場合、良導電体層が、金、アルミニウム又は白金層であるかも知れない。
【００１５】
短絡パターンの膜厚が、０．１〜１０μｍの範囲にあることも好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は本発明によるＨＧＡの製造方法の一実施形態における一部工程を概略的に示すフロー図である。以下、同図を用いて、本実施形態におけるＨＧＡの製造工程について詳しく説明する。
【００１７】
まず、ウエハ上に、薄膜技術によって、多数のＭＲ素子をマトリクス状に形成する（ステップＳ１）。その際に、多数のＭＲ素子の両端部にリード導体を介して電気的に接続される多数対の接続パッドも薄膜技術によって形成される。
【００１８】
このウエハ工程の最終段階で、プローブテストも終了した後、各対の接続パッド間を電気的に短絡する短絡パターンを形成する（ステップＳ２）。
【００１９】
このステップＳ２では、まず、例えば金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）又は白金（Ｐｔ）などの腐食しにくい金属による、例えば０．１〜１０μｍの厚さを有する良導電体層をスパッタリング又は蒸着により形成する。次いで、これをエッチングして短絡パターンを形成する。
【００２０】
図２の（Ａ）は、このようにして形成した短絡パターンを説明するために磁気ヘッドスライダを素子形成面側から見た平面図である。同図において、１０はＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子からなるヘッド素子、１１はＭＲ読出しヘッド素子の両端部に電気的に接続されたＭＲ素子用の１対の接続パッド、１２はインダクティブ書込みヘッド素子の両端部に電気的に接続されたインダクティブ素子用の１対の接続パッド、１３はＭＲ素子用の１対の接続パッドを電気的に短絡する短絡パターン、１４はこの磁気ヘッドスライダの浮上面（ＡＢＳ）をそれぞれ示している。同図から分かるように、短絡パターン１３は、直線状のストリップ形状をなしており、１対の接続パッド１１間を最短距離で結ぶようにこの接続パッド１１間に設けられている。
【００２１】
次いで、ウエハを切断して、複数のＭＲ素子が１列状に配列された複数のバー部材を形成する（ステップＳ３）。
【００２２】
次いで、このバー部材に対して、種々の加工処理、例えばラッピング、溝形成、レール形成などを行なう（ステップＳ４）。
【００２３】
次いで、このバー部材を個々の磁気ヘッドスライダに切断分離する（ステップＳ５）。
【００２４】
その後、別途作成した各サスペンション上に各磁気ヘッドスライダを固着し、接続パッドをサスペンション上に形成された配線導体などにボンディングする電気的配線を行なってＨＧＡを形成する（ステップＳ６）。
【００２５】
次いで、このＨＧＡに組み付けた状態において、各磁気ヘッドスライダの短絡パターンに例えばＹＡＧレーザなどのレーザ光源からのレーザビームを照射してトリミングし、この短絡パターンを切断する（ステップＳ７）。
【００２６】
図２の（Ｂ）は、短絡パターンの切断を説明するために磁気ヘッドスライダを素子形成面側から見た平面図である。同図に示すように、レーザビーム１５を照射して短絡パターン１３を切断する。
【００２７】
以上述べたように、本実施形態によれば、ＨＧＡが完成するまで短絡パターンによりＭＲ素子の両端が電気的に短絡されているため、ＥＳＤによる破壊や特性劣化を未然に防止し、安定した品質の製品を高い歩留まり及び低い製造コストで提供することができる。また、ＨＧＡの配線導体側でＭＲ素子に接続される線路を短絡しておけば、このＨＧＡが最終的にＨＤＤに装着されるまでＥＳＤ保護を有効にすることができる。さらに、短絡パターンが直線状のストリップ形状をなしており、１対の接続パッド間を最短距離で結ぶようにこれら接続パッド間に設けられているため、この短絡パターンがウエハ表面を余分に占有することはなく、ウエハの利用効率を低下させることもない。しかも、短絡パターンの切断をレーザで行なっているため、接続パッドに非接触で処理が行え、ＨＧＡに組み付けた後も容易に切断を行なうことが可能となる。
【００２８】
図３は本発明によるＨＧＡの製造方法の他の実施形態における一部工程を概略的に示すフロー図である。以下、同図を用いて、本実施形態におけるＨＧＡの製造工程について詳しく説明する。
【００２９】
まず、ウエハ上に、薄膜技術によって、多数のＭＲ素子をマトリクス状に形成する（ステップＳ１１）。その際に、多数のＭＲ素子の両端部にリード導体を介して電気的に接続される多数対の接続パッドも薄膜技術によって形成される。
【００３０】
このウエハ工程の最終段階で、プローブテストも終了した後、各対の接続パッド間を電気的に短絡する短絡パターンを形成する（ステップＳ１２）。
【００３１】
このステップＳ１２では、まず、例えば金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）又は白金（Ｐｔ）などの腐食しにくい金属による、例えば０．１〜１０μｍの厚さを有する良導電体層をスパッタリング又は蒸着により形成する。次いで、これをエッチングして短絡パターンを形成する。
【００３２】
次いで、ウエハを切断して、複数のＭＲ素子が１列状に配列された複数のバー部材を形成する（ステップＳ１３）。
【００３３】
次いで、このバー部材に対して、種々の加工処理、例えばラッピング、溝形成、レール形成などを行なう（ステップＳ１４）。
【００３４】
次いで、このバー部材を個々の磁気ヘッドスライダに切断分離する（ステップＳ１５）。
【００３５】
次いで、各磁気ヘッドスライダの短絡パターンに例えばＹＡＧレーザなどのレーザ光源からのレーザビームを照射してトリミングし、この短絡パターンを切断する（ステップＳ１６）。
【００３６】
その後、別途作成した各サスペンション上に各磁気ヘッドスライダを固着し、接続パッドをサスペンション上に形成された配線導体などにボンディングする電気的配線を行なってＨＧＡを形成する（ステップＳ１７）。
【００３７】
本実施形態では、磁気ヘッドスライダに分離した状態でかつＨＧＡへの組み付け前に短絡パターンの切断が行なわれている。このため、ＨＧＡの組み付け工程においては、ＥＳＤ保護がこの短絡パターンではなされないが、それ以前の工程では、短絡パターンによりＭＲ素子の両端が電気的に短絡されているため、ＥＳＤによる破壊や特性劣化を未然に防止し、安定した品質の製品を高い歩留まり及び低い製造コストで提供することができる。また、短絡パターンが直線状のストリップ形状をなしており、１対の接続パッド間を最短距離で結ぶようにこれら接続パッド間に設けられているため、この短絡パターンがウエハ表面を余分に占有することはなく、ウエハの利用効率を低下させることもない。しかも、短絡パターンの切断をレーザで行なっているため、接続パッドに非接触で処理が行え、磁気ヘッドスライダ単体の状態でも容易に切断を行なうことが可能となる。
【００３８】
図４は本発明によるＨＧＡの製造方法のさらに他の実施形態における一部工程を概略的に示すフロー図である。以下、同図を用いて、本実施形態におけるＨＧＡの製造工程について詳しく説明する。
【００３９】
まず、ウエハ上に、薄膜技術によって、多数のＭＲ素子をマトリクス状に形成する（ステップＳ２１）。その際に、多数のＭＲ素子の両端部にリード導体を介して電気的に接続される多数対の接続パッドも薄膜技術によって形成される。
【００４０】
このウエハ工程の最終段階で、プローブテストも終了した後、各対の接続パッド間を電気的に短絡する短絡パターンを形成する（ステップＳ２２）。
【００４１】
このステップＳ２２では、まず、例えば金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）又は白金（Ｐｔ）などの腐食しにくい金属による、例えば０．１〜１０μｍの厚さを有する良導電体層をスパッタリング又は蒸着により形成する。次いで、これをエッチングして短絡パターンを形成する。
【００４２】
次いで、ウエハを切断して、複数のＭＲ素子が１列状に配列された複数のバー部材を形成する（ステップＳ２３）。
【００４３】
次いで、このバー部材に対して、種々の加工処理、例えばラッピング、溝形成、レール形成などを行なう（ステップＳ２４）。
【００４４】
次いで、各バー部材における磁気ヘッドスライダの短絡パターンに例えばＹＡＧレーザなどのレーザ光源からのレーザビームを照射してトリミングし、この短絡パターンを切断する（ステップＳ２５）。
【００４５】
次いで、このバー部材を個々の磁気ヘッドスライダに切断分離する（ステップＳ２６）。
【００４６】
その後、別途作成した各サスペンション上に各磁気ヘッドスライダを固着し、接続パッドをサスペンション上に形成された配線導体などにボンディングする電気的配線を行なってＨＧＡを形成する（ステップＳ２７）。
【００４７】
本実施形態では、バー部材の状態で短絡パターンの切断が行なわれている。このため、それ以降の工程においては、ＥＳＤ保護がこの短絡パターンではなされないが、それ以前の工程では、短絡パターンによりＭＲ素子の両端が電気的に短絡されているため、その分、ＥＳＤによる破壊や特性劣化を未然に防止し、安定した品質の製品を高い歩留まり及び低い製造コストで提供することができる。また、短絡パターンが直線状のストリップ形状をなしており、１対の接続パッド間を最短距離で結ぶようにこれら接続パッド間に設けられているため、この短絡パターンがウエハ表面を余分に占有することはなく、ウエハの利用効率を低下させることもない。しかも、短絡パターンの切断をレーザで行なっているため、接続パッドに非接触で処理が行え、バー部材の状態でも容易に切断を行なうことが可能となる。
【００４８】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【００４９】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、短絡パターンをレーザ照射によって電気的に切断するようにしているため、どの製造工程においても、短絡パターンを容易に切断可能であり、しかもその短絡パターンをレーザ照射可能であればどの位置に設けても良いので、ウエハ表面を余分に占有することなくウエハの利用効率を低下させることなくＥＳＤによる破壊や特性劣化を未然に防止し、安定した品質の製品を高い歩留まり及び低い製造コストで提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＨＧＡの製造方法の一実施形態における一部工程を概略的に示すフロー図である。
【図２】短絡パターン及びその切断を説明するために磁気ヘッドスライダを素子形成面側から見た平面図である。
【図３】本発明によるＨＧＡの製造方法の他の実施形態における一部工程を概略的に示すフロー図である。
【図４】本発明によるＨＧＡの製造方法のさらに他の実施形態における一部工程を概略的に示すフロー図である。
【符号の説明】
１０  ヘッド素子
１１  ＭＲ素子用の接続パッド
１２  インダクティブ素子用の接続パッド
１３  短絡パターン
１４  ＡＢＳ
１５  レーザビーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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