(57)【要約】【課題】新規なスチルベン誘導体、その製造方法および従来に比べて感度が向上した電子写真感光体を提供する。【解決手段】本発明のスチルベン誘導体は下記一般式(1) で表されるものであって、トリフェニルアミンのフェニル基におけるパラ位をホルミル化し、さらにこれにジリン酸エステル誘導体を反応させることによって得られる。また、本発明の電子写真感光体は、スチルベン誘導体(1) を含有する感光層を導電性基体上に設けたものである。【化１】2005263725.tif 000072（式中、Ｒ1 、Ｒ2は同一または異なって、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示し、Ｒ3〜Ｒ14は同一または異なって、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８までのアルコキシ基、または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示す。ｍは２〜５の整数を表わす。）【選択図】無し【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式(1) ：
【化１】
2005263725.tif 000064
（式中、Ｒ1 、Ｒ2は同一または異なって、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示し、Ｒ3〜Ｒ14は同一または異なって、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８までのアルコキシ基、または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示す。ｍは２〜５の整数を表わす。）で表されることを特徴とするスチルベン誘導体。
【請求項２】
前記一般式（１）中のＲ1およびＲ２が、炭素数１〜８のアルキル基であることを特徴とする請求項１に記載のスチルベン誘導体。
【請求項３】
一般式（２a）：
【化２】
2005263725.tif 000065
および一般式（２ｂ）：
【化３】
2005263725.tif 000066
（式中、Ｒ1 、Ｒ2は同一または異なって、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示し、Ｒ3〜Ｒ14は同一または異なって、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８までのアルコキシ基、または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示す。）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体に、一般式(3) ：
【化４】
2005263725.tif 000067
（ｎは０〜３の整数を表わす。）
で表されるジリン酸エステル誘導体を反応させることを特徴とする、請求項1記載のスチルベン誘導体の製造方法。
【請求項４】
前記ホルミル化トリフェニルアミン誘導体(2a)が、一般式(4ａ) ：
【化５】
2005263725.tif 000068
（式中、Ｒ1は置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示し、Ｒ3、Ｒ4は同一または異なって、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８までのアルコキシ基、または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示す。）で表されるアニリン誘導体に置換基を有しても良い少なくとも１種のヨードベンゼン誘導体を反応させて、一般式(５a) ：
【化６】
2005263725.tif 000069
（式中、Ｒ1 は置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示し、Ｒ3〜Ｒ7、Ｒ13は同一または異なって、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８までのアルコキシ基、または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示す。）で表されるトリフェニルアミン誘導体を得、次いでこの化合物(5ａ) をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によりホルミル化することによって得られ、さらに、前記ホルミル化トリフェニルアミン誘導体(2ｂ) が、一般式(4ｂ) ：
【化７】
2005263725.tif 000070
（式中、Ｒ２は置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示し、Ｒ8、Ｒ9は同一または異なって、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８までのアルコキシ基、または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示す。）で表されるアニリン誘導体に置換基有しても良い少なくとも１種のヨードベンゼン誘導体を反応させて、一般式(5ｂ) ：
【化８】
2005263725.tif 000071
（式中、Ｒ２は置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示し、Ｒ8〜Ｒ12、Ｒ14は同一または異なって、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８までのアルコキシ基、または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示す。）で表されるトリフェニルアミン誘導体を得、次いでこの化合物(5ｂ) をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によりホルミル化することによって得られるものである、請求項３記載のスチルベン誘導体の製造方法。
【請求項５】
導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層が、請求項１または請求項２記載の一般式(1) で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【請求項６】
前記感光層が、請求項１または請求項２記載の一般式(1)で表されるスチルベン誘導体とともに、電荷発生剤と電子輸送剤とを含有した単層型の感光層である請求項５記載の電子写真感光体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、優れた電荷輸送能を有するスチルベン誘導体、その製造方法および前記スチルベン誘導体を含有した、静電式複写機、ファクシミリ、レーザービームプリンタ等の画像形成装置に用いられる電子写真感光体に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記画像形成装置においては、当該装置に用いられる光源の波長領域に感度を有する種々の有機感光体が使用されている。
この有機感光体は、従来の無機感光体に比べて製造が容易であり、電荷輸送剤、電荷発生剤、結着樹脂等の感光体材料の選択肢が多様で、機能設計の自由度が高いという利点を有することから、近年、広く用いられている。
【０００３】
有機感光体には、電荷輸送剤を電荷発生剤とともに同一の感光層中に分散させた単層型感光体と、電荷発生剤を含有する電荷発生層と電荷輸送剤を含有する電荷輸送層とを積層した積層型感光体とがある。
上記有機感光体に使用される電荷輸送剤として、下記一般式(6) で表わされるスチルベン誘導体が知られている。（例えば、特許文献１参照）。
一般式（６）：
【０００４】
【化１】
2005263725.tif 000002
【０００５】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ5 およびＲ6 は同一または異なって水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはアリール基を示し、Ｒ3 およびＲ4 は同一または異なってアルキル基、アルコキシ基またはアリール基を示し、ｍは１乃至１０の整数を示し、ｌ，ｎ，ｏ，ｐ，ｑおよびｒは同一または異なって１乃至２の整数を示す。）
【特許文献１】特開平０５−１０５６４６号（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記一般式(6) で表されるスチルベン誘導体のうち、上記公報に具体的に開示されている化合物はバインダー樹脂との相溶性が乏しく、感光層中に均一に分散されにくいため、電荷移動が生じにくくなるという問題がある。
従って、上記スチルベン誘導体(6) 自体は高い電荷移動度を有するにもかかわらず、これを電荷輸送剤として感光体に使用したときにはその特性が十分に発揮できず、残留電位が高く、光感度が不十分な感光体しか得られない。
そこで本発明の目的は、上記の技術的な問題を解決し、電子写真感光体の電荷輸送剤として好適に用いることのできる新規なスチルベン誘導体と、その製造方法とを提供することである。
本発明の他の目的は、従来に比べて感度が向上した電子写真感光体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を解決するために、上記一般式(6) で表されるスチルベン誘導体の分子構造について検討を重ねた結果、分子末端のジフェニルアミノ基における一方のフェニル基の２位（オルト位）にアルキル基等の置換基を有しているときは、従来のスチルベン誘導体(6) に比べてバインダー樹脂との相溶性が優れており、電荷移動度が大きく、かつ電荷発生剤からの電荷の注入性に優れているという全く新たな事実を見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明のスチルベン誘導体は、一般式(1) ：
【０００８】
【化２】
2005263725.tif 000003
【０００９】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2は同一または異なって、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示し、Ｒ3〜Ｒ14は同一または異なって、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８までのアルコキシ基、または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示す。ｍは２〜５の整数を表わす。）で表されることを特徴とするスチルベン誘導体である。
【００１０】
本発明のスチルベン誘導体を構成するにあたり、前記一般式（１）中のＲ1およびＲ２が、炭素数１〜８のアルキル基であることが好ましい。
【００１１】
本発明のスチルベン誘導体(1) の製造方法は、一般式(2a) ：
【００１２】
【化３】
2005263725.tif 000004
【００１３】
および一般式（２ｂ）：
【００１４】
【化４】
2005263725.tif 000005
【００１５】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2は同一または異なって、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示し、Ｒ3〜Ｒ14は同一または異なって、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８までのアルコキシ基、または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示す。）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体に、一般式(3) ：
【００１６】
【化５】
2005263725.tif 000006
【００１７】
（ｎは０〜３の整数を表わす。）
で表されるジリン酸エステル誘導体を反応させることを特徴とする。
【００１８】
かかる本発明の製造方法に使用するホルミル化トリフェニルアミン誘導体(2a)は、一般式(4a) ：
【００１９】
【化６】
2005263725.tif 000007
【００２０】
（式中、Ｒ1は置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示し、Ｒ3、Ｒ4は同一または異なって、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８までのアルコキシ基、または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示す。）で表されるアニリン誘導体に少なくとも１種のヨードベンゼン誘導体を反応させて、一般式(5a) ：
【００２１】
【化７】
2005263725.tif 000008
【００２２】
（式中、Ｒ1 は置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示し、Ｒ3〜Ｒ7、Ｒ13は同一または異なって、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８までのアルコキシ基、または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示す。）で表されるトリフェニルアミン誘導体を得、次いでこの化合物(5ａ) をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によりホルミル化することによって得られる。
【００２３】
かかる本発明の製造方法に使用するホルミル化トリフェニルアミン誘導体(2b)は、一般式(4ｂ) ：
【００２４】
【化８】
2005263725.tif 000009
【００２５】
（式中、Ｒ２は置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示し、Ｒ8、Ｒ9は同一または異なって、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８までのアルコキシ基、または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示す。）で表されるアニリン誘導体に少なくとも１種のヨードベンゼン誘導体を反応させて、一般式(5ｂ) ：
【００２６】
【化９】
2005263725.tif 000010
【００２７】
（式中、Ｒ２は置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示し、Ｒ8〜Ｒ12、Ｒ14は同一または異なって、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８までのアルコキシ基、または置換基を有してもよい炭素数１〜２０までのアリール基を示す。）で表されるトリフェニルアミン誘導体を得、次いでこの化合物(5ｂ) をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によりホルミル化することによって得られる。
また、本発明の電子写真感光体は、導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層が、上記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする。
【００２８】
前記感光層は、上記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体とともに、電荷発生剤と電子輸送剤とを含有する単層型の感光層であるのが好ましい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、上記一般式(1) で表される本発明のスチルベン誘導体は、特開平０５−１０５６４６号公報に具体的に開示されていない化合物であるとともに、前記公報に具体的に開示された化合物に比べてバインダー樹脂との相溶性が高く、かつ電荷移動度が大きい。
従って、かかる本発明のスチルベン誘導体(1) を電子写真感光体における電荷（正孔）輸送剤として使用することにより、従来のものより高感度の電子写真感光体を提供することができる。
【００３０】
また、本発明によれば、前記一般式（１）中のＲ1およびＲ２が、炭素数１〜８のアルキル基であることによって、結着樹脂との相溶性にさらに優れており、電荷移動度が大きく、かつ電荷発生剤からの電荷の注入性に優れているスチルベン誘導体を提供することができる。また、このような置換基であれば、比較的導入が容易であって所定のスチルベン誘導体を、比較的高い収率で生産することができる。また、本発明によれば、フェニル基の２位（オルト位）に置換基を有するトリフェニルアミン誘導体(5a) および(5b) をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によってホルミル化することによって、前記ホルミル体(2a)および (2ｂ) を効率よく製造することができ、ひいてはスチルベン誘導体(1) の生産性を向上することができる。
【００３１】
前記トリフェニルアミン誘導体(5a)および(5b) をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によりホルミル化させると、スチルベン誘導体(1) の原料であるトリフェニルアミンのホルミル体(2a)または(2ｂ) のみが高収率で製造される。
その理由は明らかではないが、前記化合物(5a)および(5b) の３つのフェニル基のうちオルト位に置換基Ｒ1またはＲ２ を有するフェニル基は、他のフェニル基に比べて窒素原子とフェニル基との結合軸が置換基Ｒ1 の影響によってねじれ、窒素原子からの電子供与が乏しくなって当該フェニル基の求核性が低下してしまうため、置換基Ｒ1およびＲ２を有するフェニル基のパラ位はホルミル化されず、その結果、他のフェニル基のパラ位がホルミル化されるものと推測される。
【００３２】
また、本発明の電子写真感光体によれば、上記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体を感光層中に含有することから、バインダー樹脂との相溶性が優れており、有効に結晶化を防ぎ、電荷発生剤で発生した電荷（正孔）を輸送する速度が速く（すなわち電荷移動度が大きく）、帯電および露光時の光感度が優れた電子写真感光体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００３４】
《スチルベン誘導体》
前記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体において、Ｒ1〜Ｒ14に相当するアルキル基としては、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−へプチル、ｎ−オクチル等の基が挙げられる。中でも、炭素数が１〜８の基であるのが好ましい。
【００３５】
また、前記アルキル基は置換基を有していてもよい。
置換基を有するアルキル基としては、例えばヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アミノアルキル基、モノアルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基、アルカノイルオキシアルキル基等が挙げられる。
【００３６】
とりわけ、本発明のスチルベン誘導体(1) においては、電荷移動度を高めるという観点から、前記アルキル基がアルコキシ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基等の電子供与性基を有するのが好ましい。
上記ヒドロキシアルキル基としては、例えばヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、１，１−ジメチル−２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシプロピル、４−ヒドロキシブチル、２−ヒドロキシブチル、１−ヒドロキシペンチル、６−ヒドロキシへキシル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６のヒドロキシアルキル基が挙げられる。
【００３７】
上記アルコキシアルキル基としては、例えばメトキシメチル、メトキシエチル、メトキシブチル、エトキシメチル、エトキシへキシル、ブトキシエチル、ｔ−ブトキシへキシル、ヘキシルオキシメチル等の、アルキル部分およびアルコキシ部分の炭素数がいずれも１〜６であるアルコキシアルキル基が挙げられる。
上記アミノアルキル基としては、例えばアミノメチル、アミノエチル、アミノプロピル、アミノブチル、アミノヘキシル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６であるアミノアルキル基が挙げられる。
【００３８】
上記モノアルキルアミノアルキル基としては、例えばメチルアミノメチル、エチルアミノメチル、ヘキシルアミノメチル、エチルアミノエチル、ヘキシルアミノエチル、メチルアミノプロピル、ブチルアミノプロピル、メチルアミノブチル、エチルアミノブチル、ヘキシルアミノブチル、メチルアミノヘキシル、エチルアミノヘキシル、ブチルアミノヘキシル、ヘキシルアミノヘキシル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６であるアルキルアミノアルキル基が挙げられる。
【００３９】
上記ジアルキルアミノアルキル基としては、例えばジメチルアミノメチル、ジエチルアミノエチル、ジヘキシルアミノメチル、ジエチルアミノエチル、ジヘキシルアミノエチル、ジメチルアミノプロピル、ジブチルアミノプロピル、ジメチルアミノブチル、ジエチルアミノブチル、ジヘキシルアミノブチル、ジメチルアミノヘキシル、ジエチルアミノヘキシル、ジブチルアミノヘキシル、ジヘキシルアミノへキシル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６であるジアルキルアミノアルキル基が挙げられる。
【００４０】
上記ハロゲン置換アルキル基としては、例えばモノクロロメチル、モノブロモメチル、モノヨードメチル、モノフルオロメチル、ジクロロメチル、ジブロモメチル、ジヨードメチル、ジフルオロメチル、トリクロロメチル、トリブロモメチル、トリヨードメチル、トリフルオロメチル、モノクロロエチル、モノブロモエチル、モノヨードエチル、モノフルオロエチル、ジブロモブチル、ジヨードブチル、ジフルオロブチル、クロロへキシル、ブロモへキシル、ヨードへキシル、フルオロへキシル等の、１〜３個のハロゲン原子が置換した炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。
【００４１】
上記アルコキシカルボニルアルキル基としては、例えばメトキシカルボニルメチル、メトキシカルボニルエチル、メトキシカルボニルへキシル、エトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニルエチル、プロポキシカルボニルメチル、イソプロポキシカルボニルメチル、ブトキシカルボニルメチル、ペンチルオキシカルボニルメチル、ヘキシルカルボニルメチル、ヘキシルカルボニルブチル、ヘキシルカルボニルへキシル等の、アルキル部分およびアルコキシ部分のいずれも炭素数が１〜６であるアルコキシカルボニルアルキル基が挙げられる。
【００４２】
上記カルボキシアルキル基としては、例えばカルボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシブチル、カルボキシへキシル、１−メチル−２−カルボキシエチル等の、アルキル部分の炭素数が１〜６であるカルボキシアルキル基が挙げられる。
上記アルカノイルオキシアルキル基としては、例えばアセトキシメチル、２−アセトキシエチル、プロピオニルオキシメチル、１−ヘキサノイルオキシ−２−メチルペンチル等の、炭素数２〜６のアルカノイル部分と、炭素数１〜６のアルキル部分とを有するアルカノイルオキシ基が挙げられる。
【００４３】
Ｒ1〜Ｒ14に相当するアリール基としては、例えばフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル等の基が挙げられる。
【００４４】
上記アリール基は置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基等のほか、前述と同様の置換基を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。
なお、これらの置換基の置換位置については特に限定されない。
【００４５】
Ｒ1〜Ｒ14 に相当するアルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオキシなどの基が挙げられる。
中でも、アルキル部分の炭素数が１〜６の基であるのが好ましい。
また、上記アルコキシ基は置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基等の、前述のアルキル基と同様の置換基が挙げられる。
【００４６】
本発明のスチルベン誘導体は、上記一般式(1) で表される化合物の中でもとりわけ、一般式(1')：
【００４７】
【化１０】
2005263725.tif 000011
【００４８】
（式中、Ｒ1〜Ｒ14は前記と同じである。）で表されるように、基Ｒ1、Ｒ3、Ｒ2、Ｒ9 がいずれもオルト位に置換しているのが、合成の容易さ、あるいはバインダー樹脂との相溶性等の観点から好ましい。
また、合成の容易さあるいはバインダー樹脂との相溶性等の点よりｍが２または３が好ましい。
【００４９】
本発明のスチルベン誘導体(1) の具体例(1-1) 〜(1-9)、(2-1) 〜(2-9)、におけるＲ1 〜Ｒ1４に相当する置換基を下記の表１に示す。
表１中、Ｈは水素原子、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｓ−Ｂｕはｓｅｃ−ブチル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基、Ｐｈはフェニル基、ｎ-Ｏｃｔｙｌはｎ−オクチル基、、ＭｅＯはメトキシ基をそれぞれ示す。
また、基Ｒ2 、Ｒ4 およびＲ6 の欄に示した数字は、当該基の置換位置を示す。
従って、例えば「６−Ｍｅ」はトリフェニルアミン部分におけるフェニル基の６位（オルト位）にメチル基が置換していることを示し、「４−Ｅｔ」はフェニル基の４位（パラ位）にエチル基が置換していることを示す。
【００５０】
【表１】
2005263725.tif 000012
【００５１】
また、本発明のスチルベン誘導体(1)には、ビニレン基(−ＣＨ＝ＣＨ−)の両側にある中心のベンゼン環とトリフェニルアミン部分との配置の違いによって、いわゆるシス（ｃｉｓ）体と、トランス（ｔｒａｎｓ）体との２種の異性体が存在する。
本発明において、スチルベン誘導体(1) のシス体、トランス体については特に限定されないが、通常トランス異性体を使用するのが好ましい。
【００５２】
《スチルベン誘導体の製造方法》本発明のスチルベン誘導体(1) の合成方法を説明する。
反応式(１) ：
【００５３】
【化１１】
2005263725.tif 000013
【００５４】
（式中、Ｒ１〜Ｒ14 は前記と同じである。）
一般式(1) で表される本発明のスチルベン誘導体は、上記反応式(１) に示すように、一般式(2a) および(2ｂ)で表されるトリフェニルアミンのホルミル体と一般式(3) で表されるジリン酸エステル誘導体とを適当な無水溶媒中、塩基の存在下で反応させることによって合成される。
【００５５】
上記合成反応に使用する溶媒としては、反応に影響を及ぼさないものであればよく、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が挙げられる。
塩基としては、ナトリウムメトキシド等のナトリウムアルコキシド、水素化ナトリウム等の金属水素化物が挙げられる。
ジリン酸エステル誘導体と、ホルミル化トリフェニルアミン誘導体使用量合計は添加割合を、モル比で１：２．０〜１：２．４の範囲内の値とすることが好ましい。反応は、通常−１０〜３０℃で行われ、１〜１２時間程度で終了する。
なお、スチルベン誘導体(1) のビニレン基(−ＣＨ＝ＣＨ−)を挟んで左右のトリフェニルアミン構造が異なる場合は、ジスリン酸エステル誘導体(3) のリン酸エステル部分に適宜保護基をつけて反応を行えばよい。
【００５６】
トリフェニルアミンのホルミル体(2a)および(2ｂ)は、下記反応式(２a)、 (２ｂ)に示すようにして合成される。
反応式(２a)：
【００５７】
【化１２】
2005263725.tif 000014
【００５８】
反応式(２ｂ)：
【００５９】
【化１３】
2005263725.tif 000015
【００６０】
（式中、Ｒ1〜Ｒ1４は前記と同じである。）
この反応は、アニリン誘導体(4a)または(4ｂ) とヨードベンゼン(90)とをニトロベンゼン中に加え、無水炭酸カリウム、銅、ヨウ化銅等の触媒とともに反応させることによってトリフェニルアミン誘導体(5a) または(5ｂ) を得、次いでこのトリフェニルアミン誘導体をフィルスマイヤー法によりホルミル化することにより、上記反応式(I) の出発原料であるトリフェニルアミンのホルミル体(2a)または(2b)を得るものである。
なお、一般式（５a）または（５ｂ）で表されるトリフェニルアミン誘導体の作成にあたり、一般式（４a）または（４ｂ）で表されるアニリン誘導体を構成するアミノ基の一つの水素をアセチル基で置換することが好ましい。すなわち、アセチル基でアニリン誘導体の一部を保護した後、一種類のヨードベンゼン誘導体と反応させる。次いで、得られたアセチル化ジフェニールアミン誘導体のアセチル基をはずすと同時に水素を付与し、さらに、もう1種類のヨードベンゼン誘導体と反応させることが好ましい。
【００６１】
反応式（２a）、（２b）における前記アニリン誘導体とヨードベンゼン合計量との使用割合は、モル比で１：２〜１：６である。
反応は、通常１６０〜２２０℃で行われ、４〜３０時間程度で終了する。
前記フィルスマイヤー法に使用する試薬（Vilsmeier 試薬）は、(i) オキシ塩化リン、ホスゲン、塩化オキサリル、塩化チオニル、トリフェニルホスフィン−臭素、ヘキサクロロトリホスファザトリエン等のハロゲン化剤と、(ii)Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアニリド（ＭＦＡ）、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド等との組合せにより調製される。
特に本発明では、オキシ塩化リンと、溶媒としても使用できるＤＭＦとの組み合わせが好適に用いられる。
【００６２】
前記Vilsmeier 試薬の調製において、前記(i) と(ii)との使用割合は、通常モル比で１：１〜１：２０好ましくは１：１〜１：５である。
上記 Vilsmeier試薬の使用量は、トリフェニルアミン誘導体(5) に対して０．９〜２倍モル量、好ましくは１〜１．１倍モル量である。
前記化合物(5) のホルミル化は、通常１３０℃以下で行われ、２〜５時間程度で終了する。
ジリン酸エステル誘導体(3) は、下記反応式(III) に示すようにして合成される。
反応式(３) ：
【００６３】
【化１４】
2005263725.tif 000016
【００６４】
（ｎは０〜４の整数を表わす。）
この反応は、ジクロロエチレン誘導体 (91)に亜リン酸トリエステルを無溶媒または適当な溶媒中にて反応させることにより、上記反応式(I) の出発原料であるジリン酸エステル誘導体(3) を得るものである。
その際、第三級アミンを添加すると、反応系からハロゲン化アルキルが除去され、反応が促進する。
【００６５】
上記反応に使用する溶媒としては、反応に影響を及ぼさないものであればよく、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。
上記第三級アミンとしては、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等が挙げられる。
【００６６】
ジクロロエチレン誘導体(91)に対する亜リン酸トリエステルの使用量は、少なくとも２倍モル量、好ましくは２．１〜５倍モル量である。
反応は、通常８０〜１５０℃で行われ、２〜１０時間程度で終了する。
上記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体は、前述のように電荷移動度が大きく、すなわち高い正孔輸送能を有することから、電子写真感光体における正孔輸送剤として好適に使用されるほか、太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子等での種々の分野での利用が可能である。
【００６７】
《電子写真感光体》本発明の電子写真感光体は、前記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体を含有した感光層を、導電性基体上に設けたものである。
感光体には、前述のように単層型と積層型とがあるが、本発明はこのいずれにも適用可能である。
単層型感光体は、導電性基体上に単一の感光層を設けたものである。
この感光層は、一般式(1) で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）、電荷発生剤、結着樹脂、さらに必要に応じて電子輸送剤を適当な溶媒に溶解または分散させ、得られた塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させることで形成される。
かかる単層型感光体は、単独の構成で正負いずれの帯電型にも適用可能であるとともに、層構成が簡単で生産性に優れている。
【００６８】
本発明の単層型電子写真感光体は、前述の特開平０５−１０５６４６号公報において具体的に開示されているスチルベン誘導体を正孔輸送剤として使用して得られる単層型電子写真感光体に比べて、感光体の残留電位が大きく低下しており、感度が向上している。
【００６９】
また、本発明の単層型電子写真感光体の感光層に、さらに電子輸送剤を含有させたときは、電荷発生剤と正孔輸送剤との電子の授受が効率よく行われるようになり、感光体の感度がより一層向上する。
【００７０】
一方、積層型感光体は、まず導電性基体上に、蒸着または塗布等の手段によって、電荷発生剤を含有する電荷発生層を形成し、次いでこの電荷発生層上に、一般式(1) で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）の少なくとも１種と結着樹脂とを含む塗布液を塗布し、乾燥させて電荷輸送層を形成することによって作製される。
また、上記とは逆に、導電性基体上に電荷輸送層を形成し、その上に電荷発生層を形成してもよい。
但し、電荷発生層は電荷輸送層に比べて膜厚がごく薄いため、その保護のためには、導電性基体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成するのが好ましい。
【００７１】
積層型感光体は、上記電荷発生層および電荷輸送層の形成順序と、電荷輸送層に使用する電荷輸送剤の種類によって、正負いずれの帯電型となるかが選択される。
例えば、上記のように、導電性基体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成した場合において、電荷輸送層における電荷輸送剤として、本発明のスチルベン誘導体(1) のような正孔輸送剤を使用した場合には、感光体は負帯電型となる。
この場合、電荷発生層には電子輸送剤を含有させてもよい。
【００７２】
本発明の積層型電子写真感光体は、前述の特開平０５−１０５６４６号公報において具体的に開示されているスチルベン誘導体を正孔輸送剤として使用して得られる積層型電子写真感光体に比べて、感光体の残留電位が大きく低下しており、感度が向上している。
前述のように、本発明の電子写真感光体は、単層型および積層型のいずれにも適用できるが、特に正負いずれの帯電型にも使用できること、構造が簡単で製造が容易であること、層を形成する際の被膜欠陥を抑制できること、層間の界面が少なく、光学的特性を向上できること等の観点から、単層型が好ましい。
次に、本発明の電子写真感光体に用いられる種々の材料について説明する。
（１）本発明に用いられる電荷発生剤としては、例えば、無金属フタロシアニン、オキソチタニルフタロシアニン、ペリレン顔料、ビスアゾ顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、トリスアゾ顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
【００７３】
特に、半導体レーザー等の光源を使用したレーザービームプリンタやファクシミリ等のデジタル光学系の画像形成装置には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば、無金属フタロシアニンやオキソチタニルフタロシアニン等のフタロシアニン系顔料が好適に用いられる。
【００７４】
一方、ハロゲンランプ等の白色の光源を使用した静電式複写機等のアナログ光学系の画像形成装置には、可視領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば、ペリレン顔料やビスアゾ顔料等が好適に用いられる。
（２）  正孔輸送剤
本発明の電子写真感光体においては、正孔輸送剤である本発明のスチルベン誘導体とともに、従来公知の他の正孔輸送剤を感光層に含有させることも好ましい。
【００７５】
このような正孔輸送剤としては、高い正孔輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の一般式(ＨＴ−１〜ＨＴ−１３)で表される化合物等があげられる。
【００７６】
【化１５】
2005263725.tif 000017
【００７７】
（式中、Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は互いに独立しており、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基を示す。ａおよびｂは、同一または異なっていても良い０〜４の整数を示し、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは同一または異なっていても良い０〜５の整数を示す。ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆが２以上のとき、各Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は異なっていても良い。）
【００７８】
【化１６】
2005263725.tif 000018
【００７９】
（式中、Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10 およびＲh11は互いに独立しており、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基を示す。ｇ、ｈ、ｉおよびｊは、同一または異なっていても良い０〜５の整数を示し、ｋは０〜４の整数を示す。ただし、ｇ、ｈ、ｉ、ｊまたはｋが２以上のとき、各Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10およびＲh11は異なっていても良い。）
【００８０】
【化１７】
2005263725.tif 000019
【００８１】
（式中、Ｒh12、Ｒh13、Ｒh14およびＲh15は互いに独立しており、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基を示し、Ｒh16はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、または置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基を示す。ｍ、ｎ、ｏおよびｐは、同一または異なっていても良い０〜５の整数を示し、ｑは、０〜６の整数を示す。ただし、ｍ、ｎ、ｏ、ｐまたはｑが２以上のとき、各Ｒh12、Ｒh13、Ｒh14、Ｒh15およびＲh16は異なっていても良い。）
【００８２】
【化１８】
2005263725.tif 000020
【００８３】
（式中、Ｒh17、Ｒh18、Ｒh19およびＲh20は互いに独立しており、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基を示。ｒ、ｓ、ｔおよびｕは、同一または異なっていても良い、０〜５の整数を示す。ただし、ｒ、ｓ、ｔまたはｕが２以上のとき、各Ｒh17、Ｒh18、Ｒh19およびＲh20は異なっていても良い。）
【００８４】
【化１９】
2005263725.tif 000021
【００８５】
（式中、Ｒh21およびＲh22は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基を示す。Ｒh23、Ｒh24、Ｒh25およびＲh26は互いに独立しており、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜４０のアリール基を示す。）
【００８６】
【化２０】
2005263725.tif 000022
【００８７】
（式中、Ｒh27、Ｒh28およびＲh29は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【００８８】
【化２１】
2005263725.tif 000023
【００８９】
（式中、Ｒh30、Ｒh31、Ｒh32およびＲh33は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【００９０】
【化２２】
2005263725.tif 000024
【００９１】
（式中、Ｒh34、Ｒh35、Ｒh36、Ｒh37およびＲh38は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【００９２】
【化２３】
2005263725.tif 000025
【００９３】
（式中、Ｒh39は水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基を示し、Ｒh40、Ｒh41およびＲh42は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【００９４】
【化２４】
2005263725.tif 000026
【００９５】
（式中、Ｒh43、Ｒh44およびＲh45は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【００９６】
【化２５】
2005263725.tif 000027
【００９７】
（式中、Ｒh46およびＲh47は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、あるいは、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基を示す。）
【００９８】
【化２６】
2005263725.tif 000028
【００９９】
（式中、Ｒh50、Ｒh51、Ｒh52、Ｒh53、Ｒh54およびＲh55は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、あるいは、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基を示す。また、αは１〜１０の整数を示し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚおよびβは同一または異なっていても良い０〜２の
整数を示す。ただし、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚまたはβが２のとき、各Ｒh50、Ｒh51、Ｒh52、Ｒh53、Ｒh54およびＲh55は異なっていても良い。）
【０１００】
【化２７】
2005263725.tif 000029
【０１０１】
（式中、Ｒh56、Ｒh57、Ｒh58およびＲh59は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Φは次式のいずれかで表される基である。）
【０１０２】
【化２８】
2005263725.tif 000030
【０１０３】
また、本発明においては、上記例示の正孔輸送剤ＨＴ−１〜ＨＴ−１３等とともに、従来公知の正孔輸送物質、２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アント
ラセン等のスチリル系化合物、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、有機ポリシラン化合物、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素環式化合物、縮合多環式化合物等の１種単独または２種以上の組み合わせが挙げられる。
（３）  電子輸送剤
本発明に用いられる電子輸送剤としては、高い電子輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の一般式(ＥＴ−１〜ＥＴ−１７)で表される化合物等があげられる。
【０１０４】
【化２９】
2005263725.tif 000031
【０１０５】
（式中、Ｒe1、Ｒe2、Ｒe3、Ｒe4およびＲe5は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基またはアラルキル基、置換または非置換のフェノキシ基を示す。）
【０１０６】
【化３０】
2005263725.tif 000032
【０１０７】
（式中、Ｒe6は置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基、Ｒe7は置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基またはアラルキル基、ハロゲン原子、またはハロゲン化アルキル基を示す。γは０〜５の整数を示す。ただし、γが２以上のとき、各Ｒe7は互いに異なっていてもよ良い。）
【０１０８】
【化３１】
2005263725.tif 000033
【０１０９】
（式中、Ｒe8およびＲe9は互いに独立しており、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基を示す。δは１〜４の整数を示し、εは０〜４の整数を示す。ただし、δおよびεが２以上のとき、各Ｒe8およびＲe9は異なっていても良い。）
【０１１０】
【化３２】
2005263725.tif 000034
【０１１１】
（式中、Ｒe10は置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基またはアラルキル基、ハロゲン化アルキル基、またはハロゲン原子を示す。ζは０〜４、ηは０〜５の整数を示す。ただし、ηが２以上のとき、各Ｒe10は異なっていても良い。）
【０１１２】
【化３３】
2005263725.tif 000035
【０１１３】
（式中、Ｒe11は置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基を示し、σは１〜４の整数を示す。ただし、σが２以上のとき、各Ｒe11は異なっていても良い。）
【０１１４】
【化３４】
2005263725.tif 000036
【０１１５】
（式中、Ｒe12およびＲe13は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基、アラルキルオキシカルボニル基、水酸基、ニトロ基、またはシアノ基を示す。Ｘは酸素原子、＝Ｎ−ＣＮ基または＝Ｃ（ＣＮ）2 基を示す。）
【０１１６】
【化３５】
2005263725.tif 000037
【０１１７】
（式中、Ｒe14は水素原子、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基を示し、Ｒe15はハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シアノ基、またはニトロ基を示す。λは０〜３の整数を示す。ただし、λが２以上のとき、各Ｒe15は互いに異なっていても良い。）
【０１１８】
【化３６】
2005263725.tif 000038
【０１１９】
（式中、θは１〜２の整数を示す。）
【０１２０】
【化３７】
2005263725.tif 000039
【０１２１】
（式中、Ｒe16およびＲe17は互いに独立しており、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基を示す。νおよびξは０〜３の整数を示す。ただし、νまたはξが２以上のとき、各Ｒe16およびＲe17は互いに異なっていても良い。）
【０１２２】
【化３８】
2005263725.tif 000040
【０１２３】
（式中、Ｒe18およびＲe19は互いに独立しており、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基、縮合多環式基または複素環式基を示し、これらの基は置換基を有していても
良い。）
【０１２４】
【化３９】
2005263725.tif 000041
【０１２５】
（式中、Ｒe20はアミノ基、ジアルキルアミノ基、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコシキ基、または置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基を示し、πは１〜２の整数を示す。ただし、πが２のとき、各Ｒe20は互いに異なっていても良い。）
【０１２６】
【化４０】
2005263725.tif 000042
【０１２７】
（式中、Ｒe21は水素原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアル
コキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基またはアラルキル基を示す。）
【０１２８】
【化４１】
2005263725.tif 000043
【０１２９】
（式中、Ｒe22は、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基またはアラルキル基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シアノ基、またはニトロ基を示す。μは０〜３の整数を示す。ただし、μが２以上のとき、各Ｒe22は互いに異なっていても良い。）
【０１３０】
【化４２】
2005263725.tif 000044
【０１３１】
（式中、Ｒe23は、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基または置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基を示し、Ｒe24は、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基または置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基、または−Ｏ−Ｒe24で表される基を示す。上記基中のＲe24は、上述した置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基または置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基を示す。）
【０１３２】
【化４３】
2005263725.tif 000045
【０１３３】
（式中、Ｒe25、Ｒe26、Ｒe27、Ｒe28、Ｒe29、Ｒe30およびＲe31は互いに独立しており
置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基またはアラルキル基、ハロゲン原子、またはハロゲン化アルキル基を示す。χおよびφは同一または異なっていても良い０〜４の整数を示す。）
【０１３４】
【化４４】
2005263725.tif 000046
【０１３５】
（式中、Ｒe32およびＲe33は互いに独立しており、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基、ハロゲン原子、またはハロゲン化アルキル基を示す。τおよびψは同一または異なっていても良い０〜４の整数を示す。）
【０１３６】
【化４５】
2005263725.tif 000047
【０１３７】
（式中、Ｒe34、Ｒe35、Ｒe36およびＲe37は互いに独立しており、水素原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基またはアラルキル基、シクロアルキル基またはアミノ基を示す。ただし、Ｒe34 、Ｒe35 、Ｒe36 およびＲe37 のうち少なくとも２つは、水素原子でない同一の基である。）
また、本発明においては、上記例示のほかに従来公知の電子輸送物質、すなわち例えばベンゾキノン系化合物、マロノニトリル、チオピラン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアントラセン、ジニトロアクリジン、ニトロアントラキノン、ジニトロアントラキノン、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸等の１種単独または２種以上の組み合わせが挙げられる。
（４）  結着樹脂
各成分を分散させるための結着樹脂は、従来より感光層に使用されている種々の樹脂を使用することができる。例えばスチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、アクリル共重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂；シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂；エポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等の光硬化型樹脂等の樹脂が使用可能である。
【０１３８】
特に、ポリカーボネート樹脂は、透明性や耐熱性に優れているばかりか、機械的特性や正孔輸送剤との相溶性にも優れていることから好ましい結着樹脂である。
（５）  添加剤
また、感光層には、上記各成分のほかに、電子写真特性に悪影響を与えない範囲で、従来公知の種々の添加剤、例えば酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、一重項クエンチャー、紫外線吸収剤等の劣化防止剤、軟化剤、可塑剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、アクセプター、ドナー等を配合することができる。また、感光層の感度を向上させるために、例えばテルフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン等の公知の増感剤を電荷発生剤と併用してもよい。
（６）  配合割合および厚さ
本発明の電子写真感光体が単層型の感光体である場合、電荷発生剤は、結着樹脂１００重量部に対して０．１〜５０重量部、好ましくは０．５〜３０重量部の割合で配合すればよい。本発明のスチルベン誘導体（正孔輸送剤）は、結着樹脂１００重量部に対して２０〜５００重量部、好ましくは３０〜２００重量部の割合で配合すればよい。電子輸送剤を含有させる場合、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜１００重量部、好ましくは１０〜８０重量部とするのが適当である。
【０１３９】
また、本発明の電子写真感光体が積層型の感光体である場合、電荷発生層を構成する電荷発生剤と結着樹脂とは、種々の割合で使用することができるが、結着樹脂１００重量部に対して電荷発生剤を５〜１０００重量部、好ましくは３０〜５００重量部の割合で配合するのが適当である。電荷発生層に正孔輸送剤を含有させる場合は、正孔輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して１０〜５００重量部、好ましくは５０〜２００重量部とするのが適当である。
【０１４０】
電荷輸送層を構成する正孔輸送剤と、結着樹脂とは、電荷の輸送を阻害しない範囲および結晶化しない範囲で種々の割合で使用することができるが、光照射により電荷発生層で生じた電荷が容易に輸送できるように、結着樹脂１００重量部に対して、本発明のスチルベン誘導体 （正孔輸送剤）を１０〜５００重量部、好ましくは２５〜２００樹脂の割合で配合するのが適当である。電荷輸送層に電子輸送剤を含有させる場合は、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜２００重量部、好ましくは１０〜１００重量部とするのが適当である。
（７）  構造
また、単層型感光体における感光層の厚さは５〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍである。積層型感光体における感光層の厚さは、電荷発生層が０．０１〜５μｍ程度、好ましくは０．１〜３μｍ程度であり、電荷輸送層が２〜１００μｍ、好ましくは５〜５０μｍ程度である。
【０１４１】
そして、このような感光層が形成される導電性基体としては、導電性を有する種々の材料を使用することができ、例えば鉄、アルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等の金属や、上記金属が蒸着またはラミネートされたプラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で被覆されたガラス等があげられる。
【０１４２】
また、導電性基体の形状は、使用する画像形成装置の構造に合わせて、シート状、ドラム状等のいずれであってもよく、基体自体が導電性を有するか、あるいは基体の表面が導電性を有していればよい。また、導電性基体は、使用に際して十分な機械的強度を有するものが好ましい。前記感光層を塗布の方法により形成する場合には、前記例示の電荷発生剤、電荷輸送剤、結着樹脂等を適当な溶剤とともに、公知の方法、例えばロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイントシェーカー、超音波分散機等を用いて分散混合して分散
液を調整し、これを公知の手段により塗布して乾燥させればよい。
（８）  製造方法
分散液を作るための溶剤としては、種々の有機溶剤が使用可能であり、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類；ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチ
ル、酢酸メチル等のエステル類；ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等があげられる。これらの溶剤は単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
【０１４３】
さらに、電荷輸送剤や電荷発生剤の分散性、感光層表面の平滑性を良くするために界面活性剤、レベリング剤等を使用してもよい。
【実施例】
【０１４４】
以下、実施例および比較例を挙げて本発明を詳細に説明する。
以下、合成例、実施例および比較例を挙げて本発明を説明する。
［実施例１］
（１）スチルベン誘導体の合成
（１）−１  トリフェニルアミン誘導体の合成
下記式（１３）で表されるトリフェニルアミン誘導体の合成を、下記の反応式（４）に沿って実施した。
すなわち、容量５００ｍｌの２つ口フラスコ内に、無水炭酸カリウム１５２．０ｇ（１．１０ｍｏｌ）、および粉末銅銅９．５g（０．１５ｍｏｌ）を加え、２時間加熱して、均一になるまで攪拌した。次いで、室温まで冷却した後、下記式（１２）で表されるアニリン化合物６７．６ｇ（０．５ｍｏｌ）と、ヨードベンゼン３０５．９ｇ（１．５ｍｏｌ）とを添加した後、２２０℃に再加熱し、２．５時間反応させた。その後、室温まで冷却した後、１００ｍｌのトルエンを添加し、ろ過処理をした。得られた残渣をトルエンで溶解し、活性白土を用いて乾燥させた。その後、残渣をトルエンで溶解し、さらにメタノールを添加して晶析させた。その後、もう一度、残渣をトルエンで溶解し、さらにメタノールを添加して晶析させ、得られた結晶をろ別して、乾燥した。その後、得られた結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／へキサン溶媒）を用いて精製し、式（１３）で表されるトリフェニルアミン誘導体７９．３ｇを得た（収率５５．２％）。  
反応式（４）：
【０１４５】
【化４６】
2005263725.tif 000048
【０１４６】
（１）−２  ホルミル化トリフェニルアミン誘導体の合成
次いで、式（１４）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体の合成を、下記の反応式（５）に沿って実施した。
【０１４７】
すなわち、５００ｍｌのフラスコ内に、式（１３）で表されるトリフェニルアミン誘導体６０ｇ（０．２１ｍｏｌ）と、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）４５０ｍｌと、オキシ塩化リン酸４１．８ｇ（０．２７ｍｏｌ）と、を収容し、８５℃以上で、３時間撹拌した。反応後、反応液をイオン交換水６００ｍｌ中に滴下し、析出した固体をろ別した。得れた固体はイオン交換水にて撹拌洗浄した。その後、固体をトルエンに溶解させ、有機層をイオン交換水にて５回洗浄を行った。その後、得られた有機層を無水硫酸ナトリウムおよび活性白土を加え、乾燥および吸着処理を行った。その後、トルエンを減圧留去し、残渣を２００ｍｌのトルエンに溶解させ、メタノールより晶析させ、式（１４）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体５１．４ｇを得た（収率７７．６％）。
反応式（５）：
【０１４８】
【化４７】
2005263725.tif 000049
【０１４９】
（１）−３  ジリン酸エステル誘導体の合成  式（１７）で表されるジリン酸エステル誘導体の作成を、下記反応式（６）に沿って作成した。すなわち、容量５００ｍｌのフラスコ内に、ジクロロブテン１００ｇ（０．８ｍｏｌ）を添加した後、亜リン酸トリエチルエステルを３１９ｇ（１．９２ｍｏｌ）加え、１８０℃の条件で、８時間、反応させた。次いで、室温まで冷却した後、過剰な亜リン酸トリエチルエステルを減圧留去した。得られた白色残渣をｎ−へキサンで洗浄し、真空乾燥させて式（３０）で表されるジリン酸エステル誘導体を２２３ｇ得た（収率８５％）。
反応式（６）：
【０１５０】
【化４８】
2005263725.tif 000050
【０１５１】
（１）−４  スチルベン誘導体の合成  
次いで、前述した表１の式（２−１）で表されるスチルベン誘導体の合成を、下記の反応式（７）に沿って実施した。  すなわち、５００ｍｌの２つ口フラスコ内に、（１）−３で得られた式（１７）で表されるジリン酸エステル８．２ｇ（０．０２５ｍｏｌ）を添加し、アルゴン置換した後、ＴＨＦ５０ｍｌと、ＮａＯＭｅ４．８ｇ（０．０２５ｍｏｌ）／ＴＨＦ３０ｍｌと、を収容し、３０分攪拌した。次いで、この容器内に、上述した式（１６）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体１６ｇ（０．０５１ｍｏｌ）を溶解させた後、室温で約１２時間撹拌した。次いで、反応液をイオン交換水５００ｍｌに注ぎ、希塩酸を用いて、水層を中性から弱酸性にした。さらに、トルエン抽出をおこなって、有機層をイオン交換水にて５回洗浄した。その後、有機層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥して、溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィ（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン）で精製して、式（９）で表されるスチルベン誘導体１２．４ｇを得た（収率７６％）。
反応式（７）：
【０１５２】
【化４９】
2005263725.tif 000051
【０１５３】
（２）結晶化評価および電気特性（初期表面電位、半減露光量および残留電位）の測定得られたスチルベン誘導体を正孔輸送剤として、単層型の電子写真感光体を作成して、感光体の結晶化状態を評価し、また電気特性評価として、初期表面電位、半減露光量および残留電位を測定した。すなわち、正孔輸送剤として、得られたスチルベン誘導体を６０重量部と、電荷発生剤として、下記式で表されるＸ型無金属フタロシアニン（ＣＧＭ−１）を５重量部と、結着樹脂として、下記式で表されるポリカーボネート（Ｒｅｓｉｎ−１）樹脂１００重量部と、を溶媒としてのテトラヒドロフラン８００重量部に対して添加した。次いで、ボールミルを用いて５０時間混合分散して、単層型感光層用の塗布液を作成した。得られた塗布液を、導電性基材（アルミニウム素管）上に、ディップコート法にて塗布し、１００℃、３０分間の条件で熱風乾燥して、膜厚２５μｍの単層型感光層を有する電子写真感光体を得た。
【０１５４】
次いで、得られた電子写真感光体の結晶化状態を観察し、さらに初期電気特性、すなわち、半減露光量（Ｅ1/２）および残留電位（Ｖｒ)を、ドラム感度試験機（ＧＥＮＴＥＣ社製）を用いて、表面電位が７１０Ｖになるように帯電させて測定した。なお、半減露光量（Ｅ1/２）については、ハロゲンランプの光からバンドパスフィルターを用いて取り出した波長７８０ｎｍの単色光（半値幅：２０ｎｍ、光強度：１．５μＪ／ｃｍ2）を露光して、表面電位が１／２になるまでに要した時間を測定した。さらに、残留電位については、露光開始から３３０ｍ秒経過した時点での表面電位を測定し、それを残留電位とした。
【０１５５】
それぞれ得られた結果を、表２に示す。
【０１５６】
結晶化評価：○  結晶化無し、  ×  結晶化が目視にて確認できる。
【０１５７】
結果から明らかなように、得られた電子写真感光体は、残留電位の値が低く、半減露光量も０．９秒以内であって、所定感度を有することを確認した。
ＣＧＭ−１:
【０１５８】
【化５０】
2005263725.tif 000052
【０１５９】
Ｒｅｓｉｎ−１:
【０１６０】
【化５１】
2005263725.tif 000053
【０１６１】
［実施例２］    実施例１の塗布液中に、電子輸送材料として、下記式で表されるキノン誘導体（ＥＴ−Ａ）をさらに３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
【０１６２】
ＥＴ−Ａ:
【０１６３】
【化５２】
2005263725.tif 000054
【０１６４】
［実施例３］  実施例１における塗布液中に、電子輸送材料として、下記式別のキノン誘導体（ＥＴ−Ｂ）をさらに３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
ＥＴ−Ｂ:
【０１６５】
【化５３】
2005263725.tif 000055
【０１６６】
［実施例４］  実施例１における塗布液中に、電子輸送材料として、下記式で表される別のキノン誘導体（ＥＴ−Ｃ）をさらに３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
【０１６７】
【化５４】
2005263725.tif 000056
【０１６８】
［実施例５〜８］  実施例１におけるスチルベン誘導体（２−１）のかわりに、正孔輸送材料として、前述した表１中のスチルベン誘導体（２−２）を用いたほかは、実施例１〜４と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
【０１６９】
【化５５】
2005263725.tif 000057
【０１７０】
［実施例９〜１２］  実施例１におけるスチルベン誘導体（２−１）のかわりに、正孔輸送材料として、前述した表１中のスチルベン誘導体（３−１）を用いたほかは、実施例１〜４と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
【０１７１】
【化５６】
2005263725.tif 000058
【０１７２】
［実施例１３〜１６］  実施例１におけるスチルベン誘導体（２−１）のかわりに、正孔輸送材料として、前述した表１中のスチルベン誘導体（２−４）を用いたほかは、実施例１〜４と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
【０１７３】
【化５７】
2005263725.tif 000059
【０１７４】
［実施例１７〜２０］  実施例１におけるスチルベン誘導体（２−１）のかわりに、正孔輸送材料として、前述した表１のスチルベン誘導体（１−１）を用いたほかは、実施例１〜４と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
【０１７５】
【化５８】
2005263725.tif 000060
【０１７６】
［比較例１］  実施例１におけるスチルベン誘導体（２-１）のかわりに、正孔輸送材料として、下記式（ＨＴ−Ａ）で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
【０１７７】
【化５９】
2005263725.tif 000061
【０１７８】
［比較例２］  実施例１におけるスチルベン誘導体（２-１）のかわりに、正孔輸送材料として、スチルベン誘導体（ＨＴ−Ｂ）を用いたほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
【０１７９】
【化６０】
2005263725.tif 000062
【０１８０】
表から明らかなように、実施例１〜２０の電子写真感光体は、残留電位Ｖr の絶対値が小さく、半減露光量Ｅ1/2についても、良好な値が得られた。一方、比較例の電子写真感光体は結晶化が発生し電気特性が評価できなかった。
【０１８１】
【表２】
2005263725.tif 000063