(57)【要約】【課題】液晶装置内に存在する水分や、外部から侵入する水分を効果的に除去することができ、高い信頼性と優れた表示品質とを兼ね備えた液晶装置を提供する。【解決手段】本発明は、互いに対向して配置された一対の基板１０，２０と、前記両基板間に挟持された液晶層５０とを具備し、前記基板１０，２０の内面側に吸湿層３１，３２（機能膜）が設けられたことを特徴とする液晶装置を提供する。【選択図】        図３
2005031137.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向して配置された一対の基板と、前記両基板間に挟持された液晶層とを具備した液晶装置において、
少なくとも一方の前記基板の内面側に吸水性又は吸湿性を有する機能膜が設けられたことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記機能膜が、透光性を有して構成されており、画素の表示領域を含む平面領域に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記機能膜の膜厚が、５ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記機能膜が、画素の周辺領域に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記機能膜の膜厚が、５ｎｍ〜１０００ｎｍであることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記機能膜が、前記一対の基板の液晶層側に設けられた配向膜の下層に設けられていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記機能膜が、前記一対の基板の液晶層側に設けられた配向膜の表面に設けられていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置、及び電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶プロジェクタ等の投射型表示装置に搭載される光変調装置や、携帯電話等に搭載される直視型表示装置として用いられる液晶装置は、対向配置された一対の基板の内面に設けられた矩形枠状のシール材の内側に液晶層が挟持された構成を備えたものが一般的である。この種の液晶装置では、液晶層中に水分や不純物イオンが混入すると、液晶が劣化して表示品質が低下するため、係る水分等の侵入を防ぐための技術が種々提案されている。例えば、シール材の外周部にて水分を吸収する工夫をしたもの（特許文献１参照）や、液晶層中に吸水材を分散させたもの（特許文献２参照）が知られている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平６−１２３８８２号公報
【特許文献２】
特開平６−１６７６９８号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、シール材の外周側に吸水材を用いたものでは、液晶装置内部にわずかに存在する水分に対しては効果が得られないという問題があり、液晶層中に吸水材を分散させたものでは、吸水材の液晶特性に対する影響が皆無ではないため、表示特性に影響しない程度に分散量を少なくした場合、十分な吸水効果が得られず、液晶の劣化が生じるおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するために成されたものであって、液晶装置内に存在する水分や、外部から侵入する水分を効果的に除去することができ、高い信頼性と優れた表示品質とを兼ね備えた液晶装置を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、互いに対向して配置された一対の基板と、前記両基板間に挟持された液晶層とを具備した液晶装置において、少なくとも一方の前記基板の内面側に吸水性又は吸湿性を有する機能膜が設けられたことを特徴とする液晶装置を提供する。
このように吸水性又は吸湿性を有する機能膜を基板内面に設ける構成とすることで、液晶に直接影響する装置内部の水分を効果的に除去することが可能になり、経時的な液晶の劣化を防止して、液晶装置の信頼性を高めることができる。また基板上に設けられるスイッチング素子等を水分から保護できるという効果も得られる。このように基板内面に設けられた機能膜上には、さらに液晶装置の構成部材を配置することが可能であるため、機能膜と液晶とが直接に接触しない構成も容易に実現でき、従って、機能膜と液晶との相性を考慮することなく機能膜の構成材料を選択できるという利点もある。
尚、上記機能膜は、少なくとも一方の基板の内面側に設けられていればよいが、両方の基板のそれぞれの内面側に設けることもでき、このような構成とすることで、さらに良好な吸湿作用が得られ、液晶装置の信頼性向上に寄与し得る。
【０００７】
本発明の液晶装置では、前記機能膜が、透光性を有して構成されており、画素の表示領域を含む平面領域に設けられている構成とすることができる。このような構成とすれば、基板の液晶層側全面に前記機能膜を設けることが可能になり、広い面積に設けられた機能膜により水分の除去が効率的に行われ、特に信頼性に優れる液晶装置を提供することができる。また、機能膜を全面ベタ状に形成すれば、機能膜の形成工程を極めて簡素にできるという利点もある。
【０００８】
この構成の液晶装置では、前記機能膜の膜厚が、５ｎｍ〜１００ｎｍであることが好ましい。機能膜が５ｎｍ未満の場合、機能膜による吸湿効果を十分に得られない。一方、画素の表示領域を含む領域に上記機能膜を形成する場合、液晶を駆動するための電極（画素電極等）と液晶層との距離が大きくなるため、機能膜の膜厚を１００ｎｍ以下として、駆動電圧の過度の上昇や表示の焼き付き等が生じないようにすることが望ましい。
【０００９】
本発明の液晶装置では、前記機能膜が、画素の周辺領域に設けられている構成とすることもできる。この構成によれば、前記機能膜を画素の表示領域外に設けるようにすることで、機能膜による光の吸収が表示輝度に影響しないようにすることができ、明るい表示が得られる液晶装置を提供することができる。また、機能膜が表示に影響しないため、吸湿性、吸水性を優先して機能膜の材質を選択でき、膜厚も大きくできるので、形成領域が狭くなっても十分な吸湿性、吸水性を備える機能膜を形成できる。
【００１０】
この構成の液晶装置では、前記機能膜の膜厚が、５ｎｍ〜１０００ｎｍであることが好ましい。機能膜の膜厚が５ｎｍ未満では、十分な吸水、吸湿効果を得ることができない。また、画素の表示領域外に機能膜を設ける場合、表示領域内に機能膜を設ける場合に比して厚い膜厚に形成することができるが、厚くするほど機能膜による段差が大きくなり、この段差に起因して配向膜の形成工程やラビング工程の困難性が増したり、段差周辺の液晶分子に配向不良を生じやすくなるため、１０００ｎｍ以下の膜厚とすることが望ましい。
【００１１】
本発明の液晶装置では、前記機能膜が、前記一対の基板の液晶層側に設けられた配向膜の下層に設けられている構成とすることが好ましい。この構成によれば、上記機能膜と液晶層との間に配向膜が介在するので、液晶と機能膜とが直接接触せず、機能膜自身による液晶の劣化や配向不良が生じるのを防止できる。また、配向膜の種類によっては、電極等の不純物が配向膜を貫通して液晶を劣化させる場合があるが、この構成とすることで、機能膜により前記不純物が液晶層へ拡散するのを防止できるという効果も得られる。
【００１２】
また、本発明の液晶装置では、前記機能膜が、前記一対の基板の液晶層側に設けられた配向膜の表面に設けられている構成も適用可能である。このような構成とすれば、機能膜による水分の除去を最も効率よく行うことが可能になる。
【００１３】
次に、本発明は、先に記載の本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器を提供する。係る電子機器では、先の本発明の液晶装置を採用したことで、信頼性及び表示品質に優れた表示部を備えたものとなる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面を参照して詳しく説明する。
（第１の実施の形態）
本実施の形態の液晶装置は、アクティブマトリクス型液晶装置である。
図１は、液晶装置の表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図であり、図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。また、図３は、図２のＡ−Ａ’線断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ’線断面図である。
尚、図１〜図４においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１５】
本実施の形態の液晶装置において、図１に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極９と、この画素電極９を制御するためのスイッチング素子である薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，  以下、ＴＦＴと略記する）３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対してグループ毎に供給される。また、走査線３ａがＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。画素電極９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。また、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。
【００１６】
本実施の形態の液晶装置の場合、図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板上に、マトリクス状に複数の透明な矩形状の画素電極９が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが設けられている。データ線６ａは、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち、後述のソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されており、画素電極９ａは、半導体層１ａのうち、後述のドレイン領域にコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうち、後述のチャネル領域（図中左上がりの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはチャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能する。なお、半導体層１ａはポリシリコンに限るものではなく、例えば単結晶シリコンにより形成してもよい。
【００１７】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に伸びる本線部（すなわち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。そして、図２中、右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。より具体的には、第１遮光膜１１ａは、夫々、画素部において半導体層１ａのチャネル領域を含むＴＦＴ３０をＴＦＴアレイ基板の側から見て覆う位置に設けられており、さらに、容量線３ｂの本線部に対向して走査線３ａに沿って直線状に伸びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って隣接する後段側（すなわち、図中下向き）に突出した突出部とを有する。第１遮光膜１１ａの各段（画素行）における下向きの突出部の先端は、データ線６ａ下において次段における容量線３ｂの上向きの突出部の先端と重なっている。この重なった箇所には、第１遮光膜１１ａと容量線３ｂとを相互に電気的に接続するコンタクトホール１３が設けられている。すなわち、本実施の形態では、第１遮光膜１１ａは、コンタクトホール１３により前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続されている。
【００１８】
次に、断面構造を見ると、図３に示すように、本実施の形態の液晶装置は、一対の透明基板を有しており、その一方の基板をなすＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置された他方の基板をなす対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板やハードガラスを基体としてなり、対向基板２０は例えばガラス基板や石英基板を基体としてなるものである。
【００１９】
ＴＦＴアレイ基板１０には、例えばインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ，以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜からなる画素電極９が設けられ、ＴＦＴアレイ基板１０上の各画素電極９に隣接する位置に、各画素電極９をスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁する絶縁薄膜（ゲート絶縁膜）２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００２０】
また、上記走査線３ａ上、絶縁薄膜２上を含むＴＦＴアレイ基板１０上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５、および高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が各々形成された第２層間絶縁膜４が形成されている。つまり、データ線６ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。
【００２１】
また、データ線６ａ上および第２層間絶縁膜４上には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が形成された第３層間絶縁膜７が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４、第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８を介して画素電極９と電気的に接続されている。なお、画素電極９と高濃度ドレイン領域１ｅとは、データ線６ａと同一レイヤーのＡｌ膜や走査線３ｂと同一レイヤーのポリシリコン膜を中継して電気的に接続する構成としてもよい。
【００２２】
また、本実施の形態では、図３および図４に示すように、ゲート絶縁膜となる絶縁薄膜２を走査線３ａの一部からなるゲート電極に対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体層１ａを延設して図２に示す平面視略Ｌ字状の第１蓄積容量電極１ｆとし、さらにこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。
【００２３】
また、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０表面の各画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対応する位置には、第１遮光膜１１ａが設けられている。また、第１遮光膜１１ａと複数の画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１層間絶縁膜１２が設けられている。第１層間絶縁膜１２は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的に絶縁するために設けられるものである。さらに、第１層間絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されており、第１遮光膜１１ａパターンの段差を解消するために表面が研磨され、平坦化処理が施されている。
【００２４】
さらに、蓄積容量７０においては、図３に示すように、第１遮光膜１１ａは、第２蓄積容量電極としての容量線３ｂの反対側において第１蓄積容量電極１ｆに第１層間絶縁膜１２を介して第３蓄積容量電極として対向配置されることにより（図３の右側の蓄積容量７０参照）、蓄積容量が更に付与されるように構成されている。また、図２および図３に示したように、ＴＦＴアレイ基板１０に第１遮光膜１１ａを設けるのに加えて、コンタクトホール１３を介して第１遮光膜１１ａは、前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続するように構成されている。
【００２５】
他方、対向基板２０には、ほぼ全面にわたって対向電極２１が設けられている。対向電極２１は、ＴＦＴアレイ基板１０の画素電極９と同様、ＩＴＯ等の透明導電膜から形成されている。
そして、ＴＦＴアレイ基板１０における画素電極９上および第３層間絶縁膜７上に、吸湿層３１が設けられており、対向基板２０における対向電極２１上に、吸湿層３２が設けられている。さらに、これらの吸湿層３１，３２をそれぞれ覆うように配向膜４０，６０が設けられ、これらの基板間に液晶が挟持されて液晶層５０が形成されている。
上記配向膜４０，６０としては、特に限定はなく、ポリイミド等の有機材料からなるものや、酸化シリコン等の無機材料からなるものを適宜用いることができる。
【００２６】
本実施の形態の液晶装置は、図３及び図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の配向膜４０と、画素電極９、第３層間絶縁膜７との間の基板１０全面に吸湿層３１が設けられ、対向基板２０の配向膜６０と、対向電極２１との間の基板２０全面に吸湿層３２が設けられている点に特徴を有している。吸湿層３１，３２としては、例えばＭｇＯやＳｉＯ等、吸水性と透光性とを備えた材料の薄膜により構成することができる。
本実施形態の場合、基板１０，２０の液晶層５０側全面に吸湿層３１，３２が設けられているので、基板本体１０Ａ、２０Ａ及びこれらの液晶層５０側に設けられた各部材に存在する水分が、液晶層５０へ移動するのを遮断することができ、もって液晶層５０に劣化が生じるのを防止することができる。また、多湿環境にて液晶装置を使用する際には、液晶層５０を封止しているシール材（図示略）を透過して水分が液晶層５０中に侵入する可能性があるが、その場合にも、吸湿層３１，３２により効果的に水分の除去を行うことができるので、液晶層５０を水分から保護することができ、さらには上記水分が、画素電極９や対向電極２１、ＴＦＴ３０等に及ぶのを効果的に防止することができる。
【００２７】
また、本実施形態の場合、配向膜４０，６０の下側に吸湿層３１，３２が設けられているので、吸湿層３１，３２と液晶層５０とが直接に接触することがなく、従って、これらの吸湿層を設けたことにより液晶の配向制御性が低下したり、液晶に劣化を生じることはない。
また、配向膜４０，６０として無機材料の斜方蒸着膜を用いた場合には、画素電極９や対向電極２１の構成材として用いられるＩＴＯ、Ａｌ、Ａｇ等から拡散される不純物により液晶に劣化を生じる場合があったが、本実施形態では、吸湿層３１，３２が配向膜４０，６０と画素電極９，対向電極２０との間に設けられているため、電極９，２０からの不純物の拡散を吸湿層３１，３２により遮断することができ、この点においても液晶装置の信頼性を高め得る技術として有効である。
【００２８】
本実施形態に係る吸湿層３１，３２の膜厚は、画素の表示領域内で５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲とすることが好ましい。膜厚が５ｎｍ未満の場合には、吸湿層３１，３２にて十分な吸湿効果が得られず、パネル内部に存在する水分や外部から侵入する水分により液晶等に劣化を生じるおそれがある。一方、１００ｎｍを超える場合には、画素電極９と液晶層５０との距離が大きくなりすぎるために、焼き付き等の表示不良が生じるおそれがある。
また、本実施の形態では、吸湿層３１，３２の膜厚が基板全面でほぼ均一であるとして説明しているが、これらの吸湿層３１，３２は、基板面上で部位により異なる膜厚に形成してもよいのは勿論であり、例えば、液晶装置の表示エリア（画素電極９がマトリクス状に配置されている領域）と、シール材との間の非表示領域の吸湿層３１，３２の膜厚を相対的に厚く形成し、シール材を透過して侵入する水分の除去をこの非表示領域にて効率的に行えるようにすることもできる。尚、吸湿層３１，３２の非表示領域における膜厚は、１００ｎｍ以上としても構わない。
【００２９】
このように、本実施形態の液晶装置によれば、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のそれぞれの液晶層５０側に吸湿層３１，３２が設けられているので、パネル内部に存在する水分や、シール材を透過して外部から液晶層５０中に侵入する水分を効果的に除去することができる。これにより、経時的な液晶の劣化が極めて生じ難く、長期間に渡り高品位の表示を得ることが可能であり、高信頼性の液晶装置を提供することができる。また、吸湿層３１，３２を配向膜４０，６０の下層側に設ける構成としたことで、吸湿材３１，３２によって液晶が劣化したり、液晶の配向制御性が低下するという問題が生じないため、液晶装置の表示品質を低下させることなく信頼性を向上させることができる利点がある。
【００３０】
（第２の実施の形態）
上記第１の実施の形態では、基板１０，２０の全面に吸湿層３２，２２を設けた構成としたが、係る吸湿層（機能膜）を画素の表示領域の外側に設けることもできる。本実施の形態では、このように画素電極９の外周に吸湿層を設けた場合の構成について図５を参照して説明する。尚、以下の本実施の形態の液晶装置は、上記吸湿層の構成以外は、第１の実施の形態の液晶装置とほぼ同様の構成を備えており、必要に応じて図１ないし図４を参酌して説明することとする。
【００３１】
図５は、本実施の形態の液晶装置の部分断面図であり、同図に示す断面構造は、平面的には図２のＢ−Ｂ’線に対応している。図６は、本実施の形態の液晶装置のＴＦＴアレイ基板１０に設けられた吸湿層３３の部分平面構造を示す図である。
図５に示すように、本実施の形態の液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０の配向膜４０と第３層間絶縁膜７との間の画素電極９と同層に、吸湿層３３が設けられており、この吸湿層３３は、図６に示す如く平面視格子状を成して、マトリクス状に配置された画素電極９の間に設けられている。対向基板２０の構成は、図３に示した第１の実施形態の液晶装置と同様である。
【００３２】
本実施形態の場合、画素電極９の外周端に沿って吸湿層３３が設けられているので、先の第１実施形態の液晶装置に比して、画素電極９と液晶層５０との距離が大きくならず、駆動電圧の点で有利である。また、吸湿層による光の吸収が、表示輝度に影響しないため、明るい表示を得やすいという利点がある。
吸湿層３３の膜厚は、５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲とすることが好ましい。５ｎｍ未満の場合、十分な吸湿効果が得られず、水分による液晶の劣化が生じ易くなる。また、吸湿層３３は、画素の表示領域外に設けられており、その膜厚が表示品質に影響することがないため、第１の実施形態に比して厚く形成することができるが、１０００ｎｍを超える膜厚では、ＴＦＴアレイ基板１０表面の段差が大きくなることにより、配向膜４０の形成が困難になったり、配向膜へのラビング処理時に膜剥がれが生じやすくなる等の問題が生じ易くなる。また、上記段差が大きくなると、その周辺で液晶の配向乱れが生じ、コントラストや輝度の低下を生じるため好ましくない。
吸湿層３３としては、先の吸湿層３１と同様、ＭｇＯやＳｉＯ等を用いることができるが、本実施の形態では、吸湿層３３は画素の表示領域外に設けられているため、必ずしも透光性を備えている必要はない。さらに、本実施形態の場合、吸湿層３３は画素の表示領域外に設けられるため、吸湿層３３により液晶の配向制御を行う必要がないことから、液晶に対して劣化、配向不良等のを及ぼさない材料を選択することで、配向膜４０上に吸湿層３３を配置することが可能になる。この場合、液晶層５０内に含まれる水分の吸収をさらに効果的に行うことができ、また配向膜４０の形成や配向処理が容易になるという利点が得られる。
【００３３】
尚、上記第１、第２実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の内面、及び対向基板２０の内面の両方に、吸湿層３１ないし３３を設けた構成として、良好な吸湿作用を得られるようにしているが、これらの基板１０，２０のうち、少なくとも一方の基板の内面に吸湿層が設けられていれば、係る吸湿層による吸湿作用を得ることが可能であり、液晶層５０を保護して液晶装置の信頼性を高めることができる。
【００３４】
［電子機器］
以下、上記の液晶装置を用いた電子機器の一例として、投射型表示装置について説明する。
図７は、３つの液晶ライトバルブを用いた、いわゆる３板式の投射型液晶表示装置の一例を示す概略構成図である。ここでは上記実施の形態の液晶装置を液晶ライトバルブとして用いている。図中、符号５１０は光源、５１３，５１４はダイクロイックミラー、５１５，５１６，５１７は反射ミラー、５１８，５１９，５２０はリレーレンズ、５２２，５２３，５２４は液晶ライトバルブ、５２５はクロスダイクロイックプリズム、５２６は投射レンズ系を示す。
【００３５】
光源５１０は、超高圧水銀灯等のランプ５１１とランプ５１１の光を反射するリフレクタ５１２とから構成されている。青色光・緑色光反射のダイクロイックミラー５１３は、光源５１０からの白色光のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー５１７で反射され、赤色光用液晶ライトバルブ５２２に入射される。
【００３６】
一方、ダイクロイックミラー５１３で反射された色光のうち、緑色光は、緑色光反射のダイクロイックミラー５１４によって反射され、緑色用液晶ライトバルブ５２３に入射される。一方、青色光は、第２のダイクロイックミラー５１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ５１８、リレーレンズ５１９、出射レンズ５２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段５２１が設けられ、これを介して青色光が青色光用液晶ライトバルブ５２４に入射される。
【００３７】
各ライトバルブにより変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム５２５に入射する。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されたものである。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ系５２６によってスクリーン５２７上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００３８】
この投射型液晶表示装置は、上記の液晶装置を備えたものであるので、経時的な液晶の劣化が極めて生じ難く、高い信頼性と優れた表示品位とを兼ね備えた投射型表示装置となっている。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態の液晶装置の等価回路図。
【図２】図２は、同、複数の画素の平面図。
【図３】図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図。
【図４】図４は、図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面図。
【図５】図５は、第２実施形態に係る部分断面図。
【図６】図６は、同、吸湿層の部分平面構成図。
【図７】図７は、電子機器の一例を示す構成図。
【符号の説明】
３ａ  走査線、  ３ｂ  容量線、  ６ａ  データ線、  ９  画素電極、
１０  ＴＦＴアレイ基板、  ２０  対向基板、  ２１  対向電極、
３０  ＴＦＴ、  ３１〜３３  吸湿層（機能膜）、  ４０，６０  配向膜、
５０  液晶層、  ７０  蓄積容量
【図１】
2005031137.tif 000003
【図２】
2005031137.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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