(57)【要約】  【課題】  金属板２の金属バンプ１２形成側の表面に形成されたエポキシ樹脂４を金属バンプ１２頂面１２ａが露出するまで研磨する工程で、金属バンプ１２頂面１２ａに生じる研磨溝（研磨傷）にＢステージのエポキシ樹脂４からなる残渣が溜まり、金属バンプ１２とその頂面１２ａにて接続される金属層１４或いは配線層１４ｄとの接続性が損なわれるおそれを防止し、更に、上記研磨をウェット研磨によっても為し得るようにし、円滑且つ高能率な研磨を行うことができるようにする。  【解決手段】一方の面に層間接続用の金属バンプ１２が形成された金属板２のその面上に、金属バンプ１２を完全に覆う厚さのＢステージのエポキシ樹脂４を形成すると共に、エポキシ樹脂４をＣステージになるように加圧及び加熱する工程と、Ｃステージになったエポキシ樹脂からなる層間絶縁膜４の表面を各金属バンプ１２の頂面１２ａが露出するまでウェット研磨する工程を有する。【選択図】    図１
2005136361.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に層間接続用の金属バンプが形成された配線膜形成用金属板の該一方の面上に、
層間絶縁膜となる、上記金属バンプを完全に覆う厚さのＢステージの樹脂を形成すると共
に、該樹脂をＣステージになるように加圧及び加熱する工程と、
上記Ｃステージになった樹脂の表面を上記各金属バンプの頂面が露出するまでウェット
研磨する工程と、
を有する配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記ウェット研磨をする工程の後、前記Ｃステージの樹脂の表面及び前記金属バンプの頂
面上に、金属層をメッキにより形成する
ことを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記配線膜形成用金属層のメッキによる形成を、先ず、無電解メッキにより金属メッキ層
を形成し、次に、電解メッキにより上記無電解メッキによる金属メッキ層より厚い金属メ
ッキ層を形成することにより行う
ことを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記Ｃステージの樹脂の表面及び前記金属バンプの頂面上に、金属層をメッキにより形成
する前に、形成すべき配線膜のパターンに対してネガのパターンを有するマスク膜を形成
する工程を有する
ことを特徴とする請求項２又は３記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
一方の面が電解処理により粗面化された金属層のその粗面化された面に層間絶縁膜となり
、後述する金属バンプの高さよりも薄い厚さのＢステージの樹脂層を積層し、
上記金属層と上記樹脂層の積層体を、一方の面に層間接続用の金属バンプが形成された
配線膜形成用金属板の該一方の面に、該面に上記樹脂層が対向する向きで、加圧、加熱す
ることにより積層して上記樹脂層をＣステージにし、
その後、上記金属層及び上記樹脂層を、上記金属バンプの頂面が露出し、更に上記金属
層の他方の面が露出するまでウェット研磨する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記ウェット研磨の終了後、前記配線膜形成用金属板の上記一方の面に、無電解メッキ及
び電解メッキにより前記各金属バンプとその頂面にて接する配線膜形成用金属層を形成す
る
ことを特徴とする請求項５記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
一方の面に層間接続用の金属バンプが形成された配線膜形成用金属板の該一方の面上に、
層間絶縁膜となる、上記金属バンプを完全に覆う厚さのＢステージの樹脂を形成すると共
に、該樹脂をＣステージになるように加圧及び加熱する工程と、上記Ｃステージになった
樹脂の表面を上記各金属バンプの頂面が露出するまでウェット研磨する工程と、該ウェッ
ト研磨をする工程の後、上記Ｃステージの樹脂の表面及び上記金属バンプの頂面上に、金
属層からなるパターニングされた配線膜を形成する工程からなる一連の工程を行い、
その後、その配線膜が形成された面上に少なくとも該配線膜と接続された金属バンプを
形成し、
しかる後、上記一連の工程と同様の工程を少なくとも１回繰り返すことにより金属バン
プを複数段有する配線基板を得る
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
層間絶縁膜の両面に配線膜が形成され、該層間絶縁膜を貫通して両面の該配線膜間を接続
する第１の金属バンプを有する基板の両面に、マスク膜を選択的に形成する工程と、
上記基板の両面に、上記マスク膜をマスクとして金属を成膜することにより該金属から
なり上記配線膜に接続された第２の金属バンプを形成する工程と、
上記マスク膜を除去する工程と、
上記基板の両面に、上記第２の金属バンプを覆う厚さの層間絶縁膜形成用のＢステージ
の樹脂を形成すると共に、加圧及び加熱により該Ｂステージの樹脂をＣステージ状態にし
て層間絶縁膜とする工程と、
上記Ｃステージにされた樹脂からなる層間絶縁膜を上記金属バンプに平坦な頂面が形成
されるまで研磨する工程と、
を少なくとも有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属バンプを層間接続手段として用いた配線基板の製造方法に関するもので
ある。
【背景技術】
【０００２】
本願出願人会社は、多層配線基板製造技術として種々のものを開発したが、その開発し
た技術のなかで多いのは、金属バンプを層間接続手段として用いる技術である。その技術
の具体例を挙げると、バンプ形成用の銅層（厚さ例えば１００μｍ）の一方の主面に例え
ばニッケルからなるエッチングバリア層（厚さ例えば１μｍ）を形成し、更に、該エッチ
ングバリア層の主表面に導体回路形成用の銅箔（厚さ例えば１８μｍ）を形成した三層構
造の金属板からなる配線回路基板形成用部材をベースとして用い、それを適宜加工するこ
とにより表面に例えば層間接続用の微細な突起物であるバンプを有する配線基板を得るも
ので、これに関しては、例えば特願２０００−２３０１４２（：特開２００２−４３５０
６号公報）、特願２０００−３３４３３２号（：特開２００２−１４１６２９号公報）、
特願２００２−６６４１０（：特開２００２−４３５０６号公報）等の出願により技術的
提案をした。
【０００３】
図７（Ａ）〜（Ｅ）はそのような技術を駆使した配線基板の製造方法の典型的な具体例
を工程順に示す断面図である。
（Ａ）図７（Ａ）に示すように、一方の表面に金属バンプが形成された金属板１０２を用
意し、更に、その表面に例えばＢステージ状態の例えばガラスクロス或いはガラスマット
を基材とするエポキシ樹脂からなるＢステージの樹脂１０４及び離型シート１０６の積層
体を臨ませる。
この金属板１０２は例えば銅からなる配線膜形成用金属膜１０８の一方の表面に例えば
ニッケルからなるエッチングバリア用金属層１１０を介して例えば銅からなるバンプ１１
２を形成したものである。
【０００４】
該金属板１０２は、例えば、バンプ形成用の銅層（厚さ例えば１００μｍ）の一方の主
面に例えばニッケルからなるエッチングバリア層（厚さ例えば１μｍ）を例えばメッキに
より形成し、更に、該エッチングバリア層の主表面に導体回路形成用の銅箔（厚さ例えば
１８μｍ）を形成した三層構造の金属板を配線基板形成用部材として用い、上記バンプ形
成用の銅層を、選択的にエッチングして金属バンプ１１２を形成し、その後、そのエッチ
ングの際エッチングストッパとして機能させた上記ニッケルからなるエッチングバリア層
１１０を、金属バンプ１１２をマスクとしてエッチングすることにより除去するという方
法で製造される。
【０００５】
この方法に関しては、例えば特願２０００−２３０１４２（：特開２００２−４３５０
６号公報）、特願２０００−３３４３３２号（：特開２００２−１４１６２９号公報）、
特願２００２−６６４１０（：特開２００２−４３５０６号公報）等の出願により技術的
提案が為されている。
上記樹脂１０４は層間絶縁膜となるもので、シート状であり、Ｂステージ状態のエポキ
シ樹脂からなる。１０６は剥離シートで、上記エポキシ樹脂１０４に重ねられる。
【０００６】
該剥離シート１０６は、上記樹脂１０４を上記金属板１０２のバンプ形成面側に形成し
たときに、その樹脂１０４の表面よりも金属バンプ１１２の頂部を適宜突出させ、加圧及
び加熱による積層によって金属バンプ１１２が縮むことを見越した縮代（ちぢみしろ）を
確保するためのものであり、上面を研磨し金属バンプ１１２頂面が露出した後剥離される
ものであり、Ｂステージ状態にある樹脂１０４の表面を汚染しないようにする役割をも果
たす。
尚、この剥離シート１０６及びＢステージの樹脂１０４からなる積層体の上には、図示
はしないが、クッション材が配置され、図示しない加圧プレートにより該クッション材を
介してその積層体が金属板１０２のバンプ形成面側に加圧及び加熱される。この時の加熱
温度はＢステージ状態を保つように１２０℃以下の温度にされる。図７（Ａ）は加圧及び
加熱される直前の状態における金属板１０２及びこの剥離シート１０６及び樹脂１０４か
らなる積層体を示している。
【０００７】
（Ｂ）加圧及び加熱により樹脂１０４と剥離シート１０６からなる積層体を、上記金属板
１０２のバンプ形成面側に積層すると、図７（Ｂ）に示すようになる。
（Ｃ）次に、図７（Ｃ）に示すように、上記樹脂１０４と剥離シート１０６からなる積層
体を、上記各金属バンプ１１２の頂面１１２ａが露出するまでドライ研磨する。ドライ研
磨とは水等の冷却用液体を研磨部分に供給することなく行う研磨のことである。ウェット
研磨、即ち水等の冷却用液体を研磨部分に供給しながら行う研磨を行わないのは、Ｂステ
ージ状態の樹脂１０４に水分等の液体が入ることにより樹脂１０４が徐々に劣化し、樹脂
１０４の本来の樹脂物性が得られなくなることを回避するためである。
【０００８】
（Ｄ）次に、図７（Ｄ）に示すように、上記剥離シート１０６を剥離し、除去する。
（Ｅ）次に、図７（Ｅ）に示すように、例えば銅からなる金属層１１４を、上記樹脂１０
４及び金属バンプ１１２の表面にプレスし、金属層１１４と金属バンプ１１２とを強力な
プレス（加圧力が例えば５．０〜１０．０ＭＰａ）により強固且つ良好に接続させる。こ
れにより金属バンプ１１２は例えば３０％程度縮む。そして、プレスした状態を保ちなが
ら１７０〜２２０℃に加熱してその樹脂１０４をＣステージ状態にして、層間絶縁膜とす
る。
その後は、図示はしないが、上記金属層１０８及び１１４を選択的にエッチングするこ
とによりパターニングして配線膜を形成する。
【特許文献１】特開２００２−４３５０６号公報（特願２０００−２３０１４２号）
【特許文献２】特開２００２−１４１６２９号公報（特願２０００−３３４３３２号）
【特許文献３】特開２００２−４３５０６号公報（特願２００２−６６４１０号）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上述した従来の技術によれば、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、上記研磨
により、研磨用の砥石の砥粒によって必然的に生じる微細な研磨溝（研磨傷）１２０内に
、Ｂステージ状態の樹脂１０４による樹脂残渣１２２が溜まり、それが金属バンプ１１２
とそれに接続される金属層１１４との間の良好な電気的接続性を低減させるおそれの要因
となるという問題があった。
【００１０】
そこで、本願発明者は、その問題の原因を究明したところ、上記樹脂１０４及び剥離シ
ート１０６の積層体を金属バンプ１１２の頂面１１２ａが露出するまで研磨する研磨工程
で、その樹脂１０４がＢステージ状態であり、常温では固化しているが、わずかな温度上
昇で液状化するものであり、ドライ研磨方法では、樹脂が摩擦熱で容易に液化し、Ｂステ
ージ状態で研磨溝１２０内に入り込み残渣として残存することが判明した。
本願発明者は、それ故、その研磨時におけるプリプレグと称されるＢステージ状態の樹
脂を１０４を完全に固体化したＣステージ状態にすることによりそのような問題を回避す
るという着想を得て、更に模索を続け、本発明を為すに至った。
【００１１】
即ち、本発明は、金属板の金属バンプが形成された側の表面に形成されたエポキシ樹脂
等の樹脂を該金属バンプ頂面が露出するまで研磨する研磨工程で該金属バンプ頂面に生じ
る研磨溝（研磨傷）にＢステージ状態、即ち液化した樹脂からなる樹脂残渣が溜まり、そ
の残渣によりその金属バンプとその頂面にて接続される金属層或いは配線層との接続性が
損なわれるおそれが生じることを防止し、更に、上記研磨工程の研磨をウェット研磨によ
って温度上昇を抑止しながら為し得るようにし、以て円滑且つ高能率な研磨を行うことが
できるようにすることを目的とし、更には、上記樹脂による層間絶縁膜上に上記各金属バ
ンプとその頂面にて接続されように形成される配線膜形成用の金属層と、該層間絶縁膜と
の剥がれ強度を強めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１の配線基板の製造方法は、一方の面に層間接続用の金属バンプが形成された金
属板の該一方の面上に、層間絶縁膜となる、上記金属バンプを完全に覆う厚さのＢステー
ジの樹脂を形成すると共に、該樹脂をＣステージになるように加圧及び加熱して層間絶縁
膜とする工程と、上記Ｃステージになった樹脂からなる層間絶縁膜の表面を上記各金属バ
ンプの頂面が露出するまでウェット研磨する工程を有することを特徴とする。
【００１３】
請求項２の配線基板の製造方法は、請求項１記載の配線基板の製造方法において、前記
ウェット研磨をする工程の後、前記Ｃステージのプリプレグの表面及び前記金属バンプの
頂面上に、金属層をメッキにより形成することを特徴とする。
請求項３の配線基板の製造方法は、請求項２記載の配線基板の製造方法において、前記
配線膜形成用金属層のメッキによる形成を、先ず、無電解メッキにより金属メッキ層を形
成し、次に、電解メッキにより上記無電解メッキによる金属メッキ層より厚い金属メッキ
層を形成することにより行うことを特徴とする。
請求項４の配線基板の製造方法は、請求項２又は３記載の配線基板の製造方法において
、前記Ｃステージのプリプレグの表面及び前記金属バンプの頂面上に、金属層をメッキに
より形成する前に、形成すべき配線膜のパターンに対してネガのパターンを有するマスク
膜を形成する工程を有することを特徴とする。
【００１４】
請求項５の配線基板の製造方法は、一方の面が電解処理により粗面化された金属層のそ
の粗面化された面に層間絶縁膜となり、後述する金属バンプの高さよりも薄い厚さのＢス
テージの樹脂層を積層し、上記金属層と上記樹脂層の積層体を、一方の面に層間接続用の
金属バンプが形成された配線膜形成用金属板の該一方の面に、該面に上記樹脂層が対向す
る向きで、加圧、加熱することにより積層して上記樹脂層をＣステージにし、その後、上
記金属層及び上記樹脂層を上記第２の上記金属バンプの頂面が露出し、更に上記金属層の
他方の面が露出するまでウェット研磨することを特徴とする。
請求項６の配線基板の製造方法は、請求項５記載の配線基板の製造方法において、前記
研磨の終了後、前記配線膜形成用金属板の上記一方の面に、無電解メッキ及び電解メッキ
により前記各金属バンプとその頂面にて接する配線膜形成用の金属層を形成することを特
徴とする。
【００１５】
請求項７の配線基板の製造方法は、一方の面に層間接続用の金属バンプが形成された配
線膜形成用金属板の該一方の面上に、層間絶縁膜となる、上記金属バンプを完全に覆う厚
さのＢステージの樹脂を形成すると共に、該樹脂をＣステージになるように加圧及び加熱
する工程と、上記Ｃステージになった樹脂の表面を上記各金属バンプの頂面が露出するま
でウェット研磨する工程と、該ウェット研磨をする工程の後、上記Ｃステージの樹脂の表
面及び上記金属バンプの頂面上に、金属層からなるパターニングされた配線膜を形成する
工程からなる一連の工程を行い、その後、その配線膜が形成された面上に少なくとも該配
線膜と接続された金属バンプを形成し、しかる後、上記一連の工程と同様の工程を少なく
とも１回繰り返すことにより金属バンプを複数段有する配線基板を得ることを特徴とする
。
【００１６】
請求項８の配線基板の製造方法は、層間絶縁膜の両面に配線膜が形成され、該層間絶縁
膜に両面の該配線膜間を接続する第１の金属バンプを有する基板の両面に、マスク膜を選
択的に形成する工程と、上記基板の両面に、上記マスク膜をマスクとして金属を成膜する
ことにより該金属からなり上記配線膜に接続された第２の金属バンプを形成する工程と、
上記マスク膜を除去する工程と、上記基板の両面に、上記第２の金属バンプを覆う厚さの
Ｂステージの樹脂を形成すると共に、該樹脂を加圧及び加熱によりＣステージ状態にする
工程と、該Ｃステージの樹脂を上記金属バンプに平坦な頂面が形成されるまで研磨する工
程を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１の配線基板の製造方法によれば、金属バンプが形成された金属板の該金属バン
プ形成面上に層間絶縁膜となるＢステージの樹脂を、その金属バンプを完全に覆い、且つ
、該樹脂をＣステージになるように加圧及び加熱し、その後、そのＣステージになった樹
脂の表面を上記各金属バンプの頂面が露出するまで研磨するので、従来においてＢステー
ジ状態の樹脂を研磨することによって生じていた、金属バンプ頂面に生じる研磨溝（研磨
傷）にＢステージ状態の樹脂残渣が溜まり、その金属バンプとその頂面にて接続される金
属層或いは配線層との接続性が損なわれるという問題を回避することができる。
【００１８】
尚、研磨によりＣステージ状態の樹脂によっても研磨屑ができるが、従来におけるＢス
テージ状態の樹脂（プリプレグ）の場合のように摩擦熱により液化し、樹脂残渣として研
磨溝（研磨傷）に詰まり、金属バンプの頂面と金属層との良好な接続性が損なわれるおそ
れが生じることはない。因みに、固化した樹脂は研磨溝（研磨傷）に入ってもエアースプ
レー、水等の液体による洗浄により容易に除去することができる。
また、研磨時には層間絶縁膜を成す樹脂がＢステージ状態からＣステージ状態に変化し
終わっているので、水等の冷却用液体を供給しても樹脂からなる層間絶縁膜はそれによっ
て劣化するおそれがない。
従って、ウェット研磨が可能になり、延いては、ウェット研磨により冷却しながらの研
磨を続けることができ、延いては、円滑且つ迅速な研磨を為し得る。
依って、研磨工程の円滑化及び迅速化を図ることができる。
【００１９】
請求項２の配線基板の製造方法によれば、請求項１の配線基板の製造方法における研磨
の後、そのＣステージ状態の樹脂表面及び金属バンプ頂面上に金属層を形成するメッキに
より形成するので、その金属層からなる配線層を得ることが可能となる。
請求項３の配線基板の製造方法によれば、上記メッキを、無電解メッキをし、その後、
電解メッキをすることにより行うので、メッキ速度が速くメッキ膜の質の良いメッキがで
きる電解メッキ膜の下地を無電解メッキにより形成し、その下地の形成後、電解メッキに
よる金属層を得ることができる。
依って、良質な金属層を迅速に支障なく形成することが可能となる。
【００２０】
請求項４の配線基板の製造方法によれば、請求項２、３記載の配線基板の製造方法にお
ける、金属層を形成するメッキの前に、マスク膜を形成するので、そのマスク膜のパター
ンに対してネガのパターンの配線膜をメッキにより得ることができる。
従って、選択的エッチングによることなく、メッキにより所定のパターンの配線膜を形
成することができるので、サイドエッチングが生ぜず、微細で集積度の高い配線膜を形成
することができる。
【００２１】
請求項５、６の配線基板の製造方法によれば、電解処理により粗面化された金属層のそ
の粗面化された面に層間絶縁膜となるＢステージの樹脂層を積層し、上記金属層と上記樹
脂層による積層体を、加圧、加熱することにより積層して上記樹脂層をＣステージにする
ので、上記金属層と層間絶縁膜となる樹脂層との接着に該金属層の電解処理により粗面化
された面が介在するようにできる。従って、剥がれ強度がより強められる。
依って、その金属層の形成後無電解メッキ、電解メッキにより形成される配線膜形成用
金属層の層間絶縁膜に対する剥がれ強度の強い配線基板を提供することができる。
【００２２】
尚、従来においてＢステージ状態の樹脂を研磨することによって生じていた、金属バン
プ頂面に生じる研磨溝（研磨傷）にＢステージ状態の樹脂残渣が溜まり、その金属バンプ
とその頂面にて接続される金属層或いは配線層との接続性が損なわれるという問題を回避
することができること、研磨によりＣステージ状態の樹脂によっても研磨屑ができるが、
従来におけるＢステージ状態の樹脂（プリプレグ）の場合のように摩擦熱により液化し、
樹脂残渣として研磨溝（研磨傷）に詰まり、金属バンプの頂面と金属層との良好な接続性
が損なわれるおそれが生じることはないこと、固化した樹脂は研磨溝（研磨傷）に入って
もエアースプレー、水等の液体による洗浄により容易に除去することができること、請求
項１の配線基板の製造方法による場合と同じである。
また、研磨時には層間絶縁膜を成す樹脂がＢステージ状態からＣステージ状態に変化し
終わっているので、水等の冷却用液体を供給しても樹脂からなる層間絶縁膜はそれによっ
て劣化するおそれがなく、従って、ウェット研磨が可能になり、延いては、ウェット研磨
により冷却しながらの研磨を続けることができ、延いては、円滑且つ迅速な研磨を為し得
る。依って、研磨工程の円滑化及び迅速化を図ることができることも請求項１の配線基板
の製造方法による場合と同じである。
【００２３】
請求項７の配線基板の製造方法によれば、金属バンプ頂面が露出したＢステージの樹脂
による層間絶縁膜の形成後、配線膜を形成し、その後、金属バンプを形成し、しかる後、
金属バンプ頂面が露出した樹脂による層間絶縁膜の形成後、配線膜を形成するという工程
を複数回繰り返すので、金属バンプを複数段有するより多層化された配線基板を得ること
が、請求項１乃至６の技術を駆使して為し得る。
【００２４】
請求項８の配線基板の製造方法によれば、層間接続をする第１の金属バンプを有する、
両面に配線膜が形成された基板の両面に選択的にマスク膜を形成し、該マスク膜をマスク
として金属を形成することにより第２の金属バンプを形成し、その後、上述した請求項１
等に記載の上記層間絶縁膜形成及び研磨技術を駆使するので、金属バンプを多段に有する
層数の多い配線基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明において、プリプレグとしては、ガラスクロス入りエポキシ樹脂或いはガラスマ
ット入りエポキシ樹脂が好適である。
また、プリプレグを金属板の金属バンプ形成側の主面に形成する際における加圧力は例
えば３〜４ＭＰａ程度が好適であり、従来の５〜１０ＭＰａよりも相当に低くできる。と
いうのは、金属バンプを潰す程度に強く加圧、加熱することにより該金属バンプと金属層
とを接続するということが必要ではなくなるからである。
【００２６】
また、金属バンプと接続される金属層を形成する前に、樹脂からなる層間絶縁膜の表面
は粗化（粗面化）処理を施すようにすると良い。というのは、それによりメッキによる金
属層の層間絶縁膜に対する接着性を強めることができるからである。この処理は、例えば
過マンガン酸カリ液、重クロム酸ナトリウム液或いは濃アルカリ液等の処理液に図１（Ｃ
）に示す金属板２全体を侵漬することにより行うことができ、それによって樹脂からなる
層間絶縁膜の表面を粗化し得る。
【００２７】
また、銅等からなるキャリア箔が接着剤を介してラミネートされた電解金属箔を用いて
金属バンプと接続される配線膜形成用金属層の下地となる金属層を形成することにより層
間絶縁膜からの配線膜形成用金属層の剥がれ強度を強めることも良好な実施の形態である
。即ち、表面が粗面化され更にその表面に微細粒銅が形成された電解銅箔をキャリア銅箔
に有機剤を介して接着したピーラブルタイプのキャリア箔付き電解銅箔がプリント配線基
板の製造に用いられつつあり、それに関して技術開発が著しく、その成果が例えば特開２
００１−１４００９１等により公開されているが、本発明においてもそれを活用すること
ができる。というのは、その微細粒銅が形成された粗面に層間絶縁膜となるＢステージの
樹脂層を積層し、その後の加圧、加熱によりその樹脂層をＣステージ化すると層間絶縁膜
に強固に電解銅箔が接着された状態にすることができ、その電解銅箔を下地とする配線膜
形成用金属層を形成することができる。
【００２８】
尚、上記粗化（粗面化）処理或いはキャリア箔付電解金属箔使用による剥がれ強度の強
化は本発明に不可欠というわけではない。
金属バンプと接続される金属層は、メッキにより形成することができるが、その場合、
先ず、無電解メッキをして電解メッキ膜を形成するための下地膜を形成し、その後、電解
メッキをすることにより行う方がよい。しかし、必ずしもそれに限定されず、例えば、ス
パッタリング、真空蒸着、ＣＶＤ（化学気相成長法）等、他の方法により形成するように
しても良い。
【００２９】
そして、金属層を全面的に形成するのではなく、例えば、無電解メッキの核剤となるパ
ラジウム粒子を形成（核付け）した上で、例えばフォトレジストによるマスク膜を形成し
、そのマスク膜をマスクとして無電解メッキにより金属層を成長させることにより、或い
はその後電解メッキ等することにより、パターニングされた金属層、即ち、配線膜を形成
することができる。勿論、メッキを無電解メッキではなく、電解メッキのみにより行うよ
うにしても良いし、また、メッキ以外のスパッタリング、真空蒸着、或いはＣＶＤ（化学
気相成長）により配線膜を形成するようにしても良い。
また、金属バンプ頂面が露出したエポキシ樹脂等の樹脂による層間絶縁膜の形成後、配
線膜を形成し、その後、金属バンプを形成し、しかる後、金属バンプ頂面が露出した例え
ばエポキシ樹脂等の樹脂による層間絶縁膜の形成、その後、配線膜を形成するという工程
を複数回繰り返すことにより、金属バンプを複数段有するより多層化された配線基板を得
るようにしても良い。
【実施例１】
【００３０】
以下、本発明を図示実施例に従って詳細に説明する。
図１（Ａ）〜（Ｇ）は本発明配線基板の製造方法の第１の実施例を工程順（Ａ）〜（Ｇ
）に示す断面図である。
（Ａ）図１（Ａ）に示すように、一方の表面に金属バンプが形成された金属板２を用意し
、更に、その表面に例えばＢステージ状態の例えばエポキシ樹脂４及び離型シート６の積
層体を臨ませる。このエポキシ樹脂としては、ガラスクロス入りエポキシ樹脂或いはガラ
スマット入りエポキシ樹脂が好適である。本実施例及び以下に述べる第２の実施例以下の
各実施例においても、使用するエポキシ樹脂はガラスクロス入りエポキシ樹脂或いはガラ
スマットが入っている。
また、上記金属板２は例えば銅からなる配線膜形成用金属膜８の一方の表面に例えばニ
ッケルからなるエッチングバリア用金属層１０を介して例えば銅からなるバンプ１２を形
成したものである。
【００３１】
該金属板２は、例えば、バンプ形成用の銅層（厚さ例えば６０μｍ）の一方の主面に例
えばニッケルからなるエッチングバリア層（厚さ例えば１μｍ）を例えば無電解メッキに
より形成し、更に、該エッチングバリア層の主表面に導体回路形成用の銅箔（厚さ例えば
１８μｍ）を形成した三層構造の金属板を配線基板形成用部材として用い、上記バンプ形
成用の銅層を、選択的にエッチングして金属バンプ１２を形成し、その後、そのエッチン
グの際エッチングストッパとして機能させた上記ニッケルからなるエッチングバリア層を
、金属バンプ１２をマスクとしてエッチングすることにより除去するという方法で製造さ
れる。
【００３２】
（Ｂ）加圧及び加熱によりエポキシ樹脂４と離型シート６からなる積層体を、上記金属板
１０２のバンプ形成面側に積層すると、図１（Ｂ）に示すようになる。この場合、積層の
ための加圧の圧力は３〜４ＭＰａ程度で、加熱温度は１６０〜２５０℃であり、エポキシ
樹脂４をＢステージからＣステージ状態にする。このように、本発明においては、エポキ
シ樹脂４を研磨前に、ＢステージからＣステージ状態に変化させてしまうのである。
（Ｃ）次に、離型シート６を剥がし、その後、露出した上記エポキシ樹脂４を、上記各金
属バンプ１２の頂面１２ａが露出するまで研磨する。この研磨は、ウェット研磨、即ち水
等の冷却用液体を研磨部分に供給しながら行う研磨により行う。図１（Ｃ）はその研磨後
の状態を示す。
【００３３】
尚、研磨によりＣステージ状態、即ち完全に固体化し硬化したエポキシ樹脂（層間絶縁
膜として機能し得る状態になっている）４によっても研磨屑ができるが、従来におけるよ
うに、Ｂステージ状態の樹脂（プリプレグ）が研磨溝（研磨傷）に詰まり、樹脂残渣とし
て残存し、金属バンプの頂面と金属層との良好な接続性が損なわれてしまうというおそれ
は、全くなくなる。
また、研磨時にはエポキシ樹脂がＢステージ状態からＣステージ状態に変化し終わって
いるので、水等の冷却用液体を供給してもエポキシ樹脂等からなる層間絶縁膜はそれによ
って劣化するおそれがない。従って、その研磨は、ウェット研磨により行うことができる
。そして、ウェット研磨による研磨は冷却用の液、例えば水を供給しながら、即ち、冷却
しながら行うことができるので、研磨効率を上げることができ、延いては高速で円滑な研
磨ができる。
【００３４】
（Ｄ）次に、図１（Ｄ）に示すように、エポキシ樹脂（Ｃステージ状態になり、充分に硬
化し層間絶縁膜となっているので、以後、このＣステージ状態になっているエポキシ樹脂
を「層間絶縁膜」と称する。）４の表面を粗化（粗面化）する。この粗化は、後でメッキ
により形成する金属層の層間絶縁膜に対する接着性を強めるため行う。この処理は、例え
ば過マンガン酸カリ液、重クロム酸ナトリウム液或いは濃アルカリ液等の処理液に金属板
２全体を侵漬することにより行う。尚、前述の通り、この粗化（粗面化）処理は不可欠と
いうわけではない。
（Ｅ）次に、図１（Ｅ）に示すように、上記金属バンプ１２の頂面１２ａが露出したエポ
キシ樹脂４表面に例えば銅（或いはニッケル或いは錫）からなる無電解メッキ膜１４ａを
形成する。これが次に形成される、例えば銅からなる電解メッキ膜（１４ｂ）の下地とな
る。
【００３５】
（Ｆ）次に、上記無電解メッキ膜１４の表面に例えば銅からなる電解メッキ膜１４ｂを形
成する。上記無電解メッキ膜１４ａと電解メッキ膜１４ｂにより配線膜形成用金属膜１４
が形成される。図１（Ｆ）はその配線膜形成用金属膜１４形成後の状態を示す。
（Ｇ）次に、図１（Ｇ）に示すように、上記金属膜８及び金属膜１４を選択的エッチング
によりパターニングし、以て金属板２の層間絶縁膜４の両面に配線膜８ａ、１４ｄを得る
。
【００３６】
本実施例によれば、金属バンプ１２が形成された金属板２の該金属バンプ形成面上に層
間絶縁膜となるＢステージ状態のエポキシ樹脂４を、その金属バンプ１２を完全に覆い、
且つ、該エポキシ樹脂４をＣステージになるように加圧及び加熱し、その後、そのＣステ
ージになったエポキシ樹脂、即ち層間絶縁膜４の表面を各金属バンプ１２の頂面が露出す
るまで研磨するので、従来の上述した問題を解決できる。
その問題を改めて説明すると、Ｂステージ状態のエポキシ樹脂４を研磨することによっ
て生じていた、金属バンプ頂面に生じる研磨溝（研磨傷）にそのＢステージ状態の樹脂が
樹脂残渣として詰まり、その金属バンプとその頂面にて接続される金属層或いは配線層と
の接続性が損なわれるおそれがあるという問題であり、本発明によれば、この問題を確実
に回避することができる。
【００３７】
尚、研磨によりＣステージ状態のエポキシ樹脂（層間絶縁膜）４によっても研磨屑がで
きるが、それは完全に硬化した樹脂による研磨屑なので、従来におけるようにＢステージ
状態の樹脂が研磨溝（研磨傷）に詰まり、樹脂残渣として残存し続け金属バンプの頂面と
金属層との良好な接続性が損なうというおそれはない。
また、研磨時にはプリプレグがＢステージ状態からＣステージ状態に変化し終わってい
るので、水等の冷却用液体を供給してもエポキシ樹脂からなる層間絶縁膜４はそれによっ
て劣化するおそれがない。
従って、ウェット研磨が可能になり、延いては、ウェット研磨により冷却しながらの研
磨を続けることができ、延いては、円滑且つ迅速な研磨を為し得る。
依って、研磨工程の円滑化及び迅速化を図ることができる。
【実施例２】
【００３８】
図２（Ａ）〜（Ｆ）は本発明配線基板の製造方法の第２の実施例を工程順に示す断面図
である。
（Ａ）先ず、図２（Ａ）に示すように、ピーラブル（剥がすことが可能な）キャリア銅箔
付き電解銅箔６０を用意する。該キャリア銅箔付き電解銅箔６０は、一方の表面が粗面化
され更にその粗面上に電解により微細銅粒が形成されて粗度が高められた銅箔本体部分（
厚さ例えば約３μｍ）６２の他方の面を、接着剤６４を介してキャリア銅箔（厚さ例えば
約３５μｍ）６６の一方の面に接着してなるものである。
（Ｂ）次に、図２（Ｂ）に示すように、上記キャリア銅箔付き電解銅箔６０の銅箔本体部
分６２の表面（粗面化された表面）に層間絶縁膜となるＢステージ状態のエポキシ樹脂４
（厚さは後述するバンプ１２の高さよりも薄い。ガラスクロス入り或いはガラスマット入
りであっても良い。）を接着する。
【００３９】
（Ｃ）次に、上記キャリア銅箔付き電解銅箔６０のキャリア銅箔６６を剥がし、残った銅
箔本体部（以後、この銅箔本体部を「単に電解銅箔」という。）６０とＢステージ状態の
エポキシ樹脂４との接着体を、図１（Ａ）に示した金属板２と同じ金属板２の金属バンプ
１２形成側の面上方に、エポキシ樹脂４側が金属バンプ１２を向く向きで臨ませる。更に
、その接着体の反金属板２側に別のキャリア銅箔６８を臨ませる。図２（Ｃ）はその金属
板２の上方に、電解銅箔６２とＢステージ状態のエポキシ樹脂４との接着体及びキャリア
銅箔６８を臨ませた状態を示す。
（Ｄ）次に、図２（Ｃ）に示すように、上記接着体及びキャリア銅箔６８を上記金属板１
２に加圧し、加熱して積層する。これによりエポキシ樹脂４がＣステージ状態の層間絶縁
膜となる。この積層の加圧及び加熱の条件は図１に示す第１の実施例の積層と同じで良い
。
【００４０】
（Ｅ）次に、上記キャリア銅箔６８を例えば剥がすことなく上記キャリア銅箔６８、上記
電解銅箔６２、層間絶縁膜４及び金属バンプ４を、該電解銅箔６２の金属バンプ４・４間
における部分の表面（粗面化された面と反対側の面）が露出するまで研磨する。図２（Ｅ
）はその研磨終了後の状態を示す。この研磨で、層間絶縁膜４の表面に各金属バンプ４の
頂面が露出すると共に各金属バンプ４・４間に電解銅箔６２の表面（粗面化された面と反
対側の面）が露出した状態になる。
尚、上記研磨の前に、キャリア銅箔６８を剥がしておくようにしても良い。
（Ｆ）次に、図２（Ｆ）に示すように、メッキにより配線膜形成用の銅箔７０を上記層間
絶縁膜６８表面上に形成する。
該銅箔７０が配線膜形成用金属層を成し、最終的に選択的にエッチングされて配線膜と
なる。
【００４１】
尚、銅箔７０を形成するメッキは、無電解メッキと電解メッキの２段階で行う。という
のは、メッキ開始時は被メッキ面が金属バンプ４及び電解銅箔６２の存在する部分を除き
層間絶縁膜４表面となり、電解メッキが不可能なので、先ず無電解メッキを行い、メッキ
膜が全面に形成された状態となった後は膜質が良好でメッキ速度が速い電解メッキで行う
ことが合理的であるからである。
このような銅箔（配線膜形成用金属層）７０は電解銅箔６２を下地とする部分を有し、
その電解銅箔６２は粗面化された面を介して樹脂からなる層間絶縁膜４に接着された状態
になっているので、層間絶縁膜４に対する接着性が強い。即ち、銅箔（配線膜形成用金属
層）７０の層間絶縁膜４に対するピール強度（剥がれ強度）を強めることができる。
【００４２】
本実施例においては、層間絶縁膜形成用の樹脂としてエポキシ樹脂を用いていたが、レ
ジスト・コーティッド・カッパ（ＲＣＣ）タイプの部材を構成できる樹脂であれば、エポ
キシ樹脂に代えてポリイミド樹脂を用いることができる。
また、層間絶縁膜形成用の樹脂としてクロス入りのものを用いるようにしても良い。そ
して、銅箔として必ずしもピーラブルなものを用いることは不可欠ではない。
このような実施例によれば、第１の実施例によると同様に、従来の問題点、即ち、Ｂス
テージ状態のエポキシ樹脂４を研磨することによって生じていた、金属バンプ頂面に生じ
る研磨溝（研磨傷）にそのＢステージ状態の樹脂が樹脂残渣として詰まり、その金属バン
プとその頂面にて接続される金属層或いは配線層との接続性が損なわれるおそれがあると
いう問題を確実に回避することができる。
【００４３】
尚、研磨によりＣステージ状態のエポキシ樹脂（層間絶縁膜）４によっても研磨屑がで
きるが、それは完全に硬化した樹脂による研磨屑なので、従来におけるようにＢステージ
状態の樹脂が研磨溝（研磨傷）に詰まり、樹脂残渣として残存し続け金属バンプの頂面と
金属層との良好な接続性が損なうというおそれはない。この点でも第１の実施例と共通す
る。
また、研磨時にはプリプレグがＢステージ状態からＣステージ状態に変化し終わってい
るので、水等の冷却用液体を供給してもエポキシ樹脂からなる層間絶縁膜４はそれによっ
て劣化するおそれがない。
【００４４】
従って、ウェット研磨が可能になり、延いては、ウェット研磨により冷却しながらの研
磨を続けることができ、延いては、円滑且つ迅速な研磨を為し得ること第１の実施例と共
通する。
そして、銅箔（配線膜形成用金属層）７０の層間絶縁膜４に対するピール強度（剥がれ
強度）を強めることができること前述の通りである。
【実施例３】
【００４５】
図３（Ａ）〜（Ｅ）は本発明配線基板の製造方法の第３の実施例を工程順（Ａ）〜（Ｅ
）に示す断面図である。
（Ａ）図１（Ａ）〜（Ｃ）に示す工程を経てＣステージ状態のエポキシ樹脂からなる層間
絶縁膜４を、上記各金属バンプ１２の頂面１２ａが露出するまで研磨した金属板２を得る
。その後、その層間絶縁膜４の表面を粗化することが好適であるが、粗化しない場合もあ
り得る。
その後、その層間絶縁膜４表面及び金属バンプ１２頂面１２ａ上に、無電解メッキの下
地となるところのパラジウムからなる核剤２０を形成する。図３（Ａ）はその核剤２０形
成後の状態を示す。尚、該核剤２０はそのまま残存させても絶縁性をさほど低下させない
ので、残存させても良いが、後の工程で除去してより高い絶縁性を確保するようにしても
良い。
【００４６】
（Ｂ）次に、図３（Ｂ）に示すように、上記層間絶縁膜４表面及び金属バンプ１２頂面１
２ａ上に、例えばレジストからなるメッキマスク膜２２を形成する。該メッキマスク膜２
２は形成すべき配線膜のパターンに対してネガのパターンに形成する。
（Ｃ）次に、上記層間絶縁膜４表面及び金属バンプ１２頂面１２ａ上に無電解メッキによ
り例えば銅、ニッケル或いは錫からなる電解メッキの下地となる膜を形成し、その後、そ
の下地膜を下地として電解メッキにより例えば銅からなる膜を形成し、以て、上記メッキ
マスク膜２２のパターンに対してネガのパターンを有する配線膜１４ｄを形成する。図３
（Ｃ）はその配線膜１４ｄ形成後の状態を示す。
【００４７】
（Ｄ）次に、図３（Ｄ）に示すように、上記レジスト膜２２を除去する。
（Ｅ）次に、図３（Ｅ）に示すように、上記配線膜形成用金属膜８を選択的エッチングに
よりパターニングし、それにより配線膜８ａを形成する。
尚、本実施例（第２の実施例）の変形例として、図示はしないが、図３（Ａ）に示す前
の段階、即ち核剤（パラジウム粒子）を形成する前の段階で、基板２ａの裏面の金属層を
全面的にエッチング除去し、両面に無電解メッキ用の核剤（パラジウム粒子）を形成し、
両面にメッキマスク膜を形成し、該メッキマスク膜をマスクとして両面に金属を無電解メ
ッキすることにより、或いは無電解メッキ後、更に電解メッキすること等により両面に配
線膜を形成する配線基板の製造方法が挙げられる。
【００４８】
本実施例によれば、金属層１４を形成するメッキの前に、マスクとなるレジスト膜２２
を形成するので、少なくとも、そのマスクとなるレジスト膜２２のパターンに対してネガ
のパターンの配線膜１４ｄをメッキにより得ることができる。
従って、選択的エッチングによることなく、メッキにより所定のパターンの配線膜１４
ｄを形成することができるので、サイドエッチングが生ぜず、微細で集積度の高い配線膜
１４ｄを形成することができる。
【実施例４】
【００４９】
図４（Ａ）〜（Ｄ）及び図５（Ｅ）、（Ｆ）は本発明配線基板の製造方法の第４の実施
例を工程順（Ａ）〜（Ｆ）に示す断面図である。
（Ａ）例えば、既に金属バンプにより層間接続された配線膜を両面に有する配線基板、例
えば図１に示した配線基板の製造技術、或いは図３に示した配線基板の製造技術を駆使し
て製造された配線基板２ａを用意する。図４（Ａ）はその用意した配線基板２ａを示す。
図４において、４は例えばＢステージ状態のエポキシ樹脂をＣステージ状態化すること
により形成された層間絶縁膜、８ａは例えば銅からなる配線膜、１０は例えばニッケルか
らなるエッチングバリア用金属層、１２は例えば銅からなる金属バンプ、１４ｄは例えば
銅等からなる配線膜である。
【００５０】
（Ｂ）次に、配線基板２ａの両面に、例えばニッケルからなるエッチングバリア用金属層
２６を例えば無電解メッキにより形成し、その後、その両面に銅からなる金属バンプ形成
用金属膜２８を形成する。図４（Ｂ）はその金属バンプ形成用金属膜２８形成後の状態を
示す。
（Ｃ）次に、上記配線基板２ａ両面の金属バンプ形成用金属膜２８を選択的にエッチング
することにより、図４（Ｃ）に示すように、金属バンプ３０を形成する。
（Ｄ）次に、上記金属バンプ３０をマスクとして上記例えばニッケルからなるエッチング
バリア用金属層２６をエッチングすることにより各金属バンプ３０をそれぞれ他の金属バ
ンプ３０から電気的に独立させる。図４（Ｄ）はそのエッチングバリア用金属層２６に対
するエッチング後の状態を示す。
【００５１】
（Ｅ）次に、配線基板２ａの両面に、エポキシ樹脂３４及び離型シート３６からなる積層
体を加圧及び加熱により積層し、Ｂステージのエポキシ樹脂３４をＣステージ状態にする
。つまり、第１の実施例の図１（Ａ）、（Ｂ）に示すところの、その実施例の工程（Ａ）
、（Ｂ）と同じ工程により、金属バンプ３０を覆うエポキシ樹脂３４を形成し、その後、
離型シート３６を除去する。図５（Ｅ）はその離型シート３６除去後の状態を示す。
（Ｆ）次に、図５（Ｆ）に示すように、上記両面のエポキシ樹脂３４をその金属バンプ３
０の頂面３０ａが露出するまで研磨する。この研磨はウェット研磨により行う。
その後は、図示はしないが、その両面のエポキシ樹脂３４上に配線膜が適宜形成される
ことになる。この金属バンプ３０の段数は本実施例では３段であるが、配線膜の形成、金
属バンプの形成、層間絶縁膜の形成及びＣステージ化、研磨の各工程からなる一連の工程
の繰り返し回数を増やすことにより金属バンプのより一層の多段化を図り、以て配線基板
のより層数の増加を図ることができ、延いては配線基板の高集積化を図ることができる。
【００５２】
このように、金属バンプ１４により層間接続された配線膜８ａ及び１４ｄをエポキシ樹
脂を用いた層間絶縁膜４の両面に形成した配線基板２ａをベースとし、その配線膜８ａ、
１４ｄに接続された金属バンプ３０、３０を形成し、その後、上述した層間絶縁膜形成技
術と略同様の技術を駆使して両面に、プリプレグによる層間絶縁膜３４を形成し、ウェッ
ト研磨するという技術を駆使することにより金属バンプの多段化を図ることができ、配線
基板の多層化を図ることができる。
【実施例５】
【００５３】
図６（Ａ）〜（Ｆ）は本発明配線基板の製造方法の第５の実施例を工程順に示す断面図
である。
（Ａ）例えば、図１に示した配線基板の製造技術、或いは図３に示した配線基板の製造技
術を駆使して製造された配線基板２ｂを用意する。図６（Ａ）はその用意した配線基板２
ｂ〔図４（Ａ）に示す配線基板２ａと同じ構造〕を示す。４は例えばＢステージ状態のエ
ポキシ樹脂をＣステージ状態化することにより形成された層間絶縁膜、８ａは例えば銅か
らなる配線膜、１０は例えばニッケルからなるエッチングバリア用金属層、１２は例えば
銅からなる金属バンプ（第１の金属バンプ）、１４ｄは例えば銅等からなる配線膜１４ｄ
である。
【００５４】
（Ｂ）次に、図６（Ｂ）に示すように、配線基板２ｂの両面に例えばレジストからなるメ
ッキマスク膜４０を選択的に形成する。メッキマスク膜４０は後で形成する第２の金属バ
ンプ（４２）のパターンに対してネガのパターンを有するように形成する。
（Ｃ）次に、図６（Ｃ）に示すように、上記メッキマスク膜４０をマスクとして金属、例
えば銅等を無電解メッキにより、或いは無電解メッキとその後の電解メッキ等によりを形
成し、以て、第２の金属バンプ４２とする。
（Ｄ）次に、図６（Ｄ）に示すように、例えばレジストからなる上記メッキマスク膜４０
を除去する。
【００５５】
（Ｅ）次に、図６（Ｅ）に示すように、Ｂステージ状態のエポキシ樹脂４４と離型シート
４６との積層体を配線基板２ｂの両面に加圧及び加熱により積層し、そのエポキシ樹脂４
４をＣステージ状態の層間絶縁膜にする。この場合、圧力は例えば３．０〜４．０ＭＰａ
程度で、加熱温度は例えば１６０〜２５０℃であり、これによりエポキシ樹脂４４をＢス
テージからＣステージ状態にすることができること、図１に示した実施例と同じである。
（Ｆ）次に、配線基板２ｂの両面の離型シート４６を剥離して除去し、その後、Ｃステー
ジ状態のエポキシ樹脂からなる層間絶縁膜４４を上記第２の金属バンプ４２の頂面が露出
し、その頂面が平坦である程度の拡がり（金属バンプ４２の基部における断面積に近似し
た大きさまでの拡がり）になるまで研磨する。
尚、この研磨は、研磨される層間絶縁膜４４がＣステージ状態のエポキシ樹脂からなる
ので、ウェット研磨が可能になること前述の通りである。
その後、図示はしないが更に両面に上記第２の金属バンプ４２と接続されたものを少な
くとも有する配線膜が形成されることになる。
【００５６】
本実施例によれば、層間手段である第１の金属バンプ１２により貫通されたＣステージ
状態のエポキシ樹脂からなる層間絶縁膜４の両面に配線膜８ａ、１４ｄが形成された基板
２ｂの両面に選択的にメッキマスク膜４０を形成し、該メッキマスク膜４０をマスクとし
て金属を形成することにより第２の金属バンプ４２を形成し、その後、上述した請求項１
等に記載の上記層間絶縁膜形成及び研磨技術を駆使して層間絶縁膜４４の形成及び配線膜
の形成をするので、金属バンプ１２、４２を多段に有する層数の多い配線基板を得ること
ができる。
そして、更に、この金属バンプ１２、４２を形成した配線基板の両面に金属バンプ４２
を形成し、層間絶縁膜４４の形成及び研磨、並びに配線膜の形成という一連の工程を繰り
返すことにより、より一層の金属バンプ４２の多段化、配線膜の多層化、配線基板の高集
積化を図ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は、例えば銅からなる金属バンプを層間接続手段として用い、例えばエポキシ樹
脂等の樹脂を層間絶縁膜として用いた配線基板の製造に利用可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】（Ａ）〜（Ｇ）は本発明配線基板の製造方法の第１の実施例を工程順（Ａ）〜（Ｇ）に示す断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明配線基板の製造方法の第２の実施例を工程順（（Ａ）〜（（Ｆ）に示す断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明配線基板の製造方法の第３の実施例を工程順（Ａ）〜（Ｅ）に示す断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明配線基板の製造方法の第４の実施例の工程（Ａ）〜（Ｆ）のうちの工程（Ａ）〜（Ｄ）を順に示す断面図である。
【図５】（Ｅ）、（Ｆ）は本発明配線基板の製造方法の第４の実施例の工程（Ａ）〜（Ｆ）のうちの工程（Ｅ）、（Ｆ）を順に示す断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｇ）は本発明配線基板の製造方法の第５の実施例を工程順（Ａ）〜（Ｇ）に示す断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｅ）は配線基板の製造方法の一つの従来例を工程順（Ａ）〜（Ｅ）に示す断面図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）は従来例の問題点（本発明が解決しようとする課題）を示すもので、（Ａ）は金属バンプの頂面を示す平面図、（Ｂ）は金属バンプを示す断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
２、２ａ・・・配線基板、４・・・樹脂からなる層間絶縁膜、  ６・・・離型シート、
８・・・配線膜形成用金属層、８ａ・・・配線層、
１０・・・エッチングバリア用金属層（ニッケル膜）、１２・・・金属バンプ、
１２ａ・・・金属バンプの頂面、１４ａ・・・無電解メッキ層、
１４ｂ・・・電解メッキ層、１４ｄ・・・配線層、２０・・・核剤、２２・・・マスク膜
、
２６・・・エッチングバリア用金属層（ニッケル膜）、
２８・・・金属バンプ形成用金属膜（銅膜）、３０・・・金属バンプ、
３４・・・樹脂からなる層間絶縁膜、３６・・・離型シート、
４０・・・メッキマスク膜、４２・・・金属バンプ（第２の金属バンプ）、
４４・・・樹脂からなる層間絶縁膜、
６０・・・ラミネートシート（キャリア銅箔付き電解銅箔）、
６２・・・金属層（電解銅箔）、６６・・・第１のキャリア箔（キャリア銅箔）、
６８・・・第２のキャリア箔（キャリア銅箔）、
７０・・・配線膜形成用金属層（メッキによる銅箔）。
【図１】
2005136361.tif 000003
【図２】
2005136361.tif 000004
【図３】
2005136361.tif 000005
【図４】
2005136361.tif 000006
【図５】
2005136361.tif 000007
【図６】
2005136361.tif 000008
【図７】
2005136361.tif 000009
【図８】
2005136361.tif 000010