(57)【要約】【課題】ビアや配線溝の開口部への電解集中を緩和し、その内部への埋め込みを高速化できるめっき方法及びめっき装置を提供すること。【解決手段】表面に凹凸形状パターンが形成された基板Ｗの少なくとも一部に導電体層を形成し、この導電体層に陰極電位を与え、該導電体層に対してアノード４３と電気的に接触するめっき液Ｑを供給することによって導電体層上の凹凸形状パターンにめっき膜を埋め込むめっき方法である。めっき膜の埋め込み中に、基板駆動機構５５によって、基板Ｗのめっき膜を埋め込む面を、アノード４３に対して平行な面内で、面の各部が同時に同一方向に移動する偏心往復運動又はその他の往復運動をさせる。これによって各部の配線溝やビア中の攪拌がそれぞれ同一の条件で強く行われ、その内部におけるめっき液の入れ替えがスムーズに行われ、その内部のめっき速度（成膜速度）の高速化が図れる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹凸形状パターンが形成された基板の少なくとも一部に導電体層を形成し、この導電体層に陰極電位を与え、該導電体層に対してアノードと電気的に接触するめっき液を供給することによって該導電体層上の凹凸形状パターンにめっき膜を埋め込むめっき方法において、
前記めっき膜の埋め込み中に、前記基板のめっき膜を埋め込む面を、アノードに対して平行な面内で、面の各部が同時に同一方向に移動する偏心往復運動又はその他の往復運動をさせることを特徴とするめっき方法。
【請求項２】
前記偏心往復運動の偏心半径は、少なくともめっき膜を埋め込もうとする凹凸形状パターンの配線溝幅又はビア開口幅の１／２以上であることを特徴とする請求項１に記載のめっき方法。
【請求項３】
偏心往復運動又はその他の往復運動の往復回数は、５００（回／分）以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のめっき方法。
【請求項４】
前記めっきは、前記基板に所定時間偏心往復運動又はその他の往復運動を行わせた後に、所定時間静止状態を保持することで行われることを特徴とする請求項１又は２又は３に記載のめっき方法。
【請求項５】
前記めっきは、前記基板の偏心往復運動又はその他の往復運動と、基板の静止とを繰り返すことで行われることを特徴とする請求項１又は２又は３に記載のめっき方法。
【請求項６】
前記めっき時の電流値が、１０（ｍＡ／ｃｍ2）以上であることを特徴とする請求項１乃至５の内の何れか一項に記載のめっき方法。
【請求項７】
前記基板の被めっき面に形成された凹凸形状パターンが、配線溝幅又はビア開口幅が３μｍ以上で、アスペクト比が１．０以上のものを含むことを特徴とする請求項１乃至６の内の何れか一項に記載のめっき方法。
【請求項８】
表面に形成された凹凸形状パターンの少なくとも一部に導電体層を形成してなる基板と、
前記基板の導電体層に対向して設置されるアノードと、
前記導電体層とアノード間に介在するめっき液とを具備し、
前記基板の導電体層に陰極電位、前記アノードに陽極電位を印加することによって前記導電体層とアノード間をめっき液を介して電気的に接続して前記導電体層上の凹凸形状パターンにめっき膜を埋め込むめっき装置において、
前記基板に、前記アノードに対して平行な面内でその面の各部が同時に同一方向に移動する偏心往復運動又はその他の往復運動をさせる基板駆動機構を設置したことを特徴とするめっき装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、プリント配線基板、ＣＳＰ（Chip-Size-Package）基板等の基板の凹凸形状で形成した回路パターンに、Ｃｕ（銅）等の金属を高速に埋め込むのに好適なめっき方法及びめっき装置に関し、特に配線溝幅又はビア開口幅が数μｍ以上で、アスペクト比１．０以上の凹凸を有する基板表面に微細配線銅めっき処理を行うのに好適なめっき方法及びめっき装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体基板、プリント配線基板、ＣＳＰ基板等の基板への実装レベルの配線では、回路パターンを形成する凹部として、その配線溝幅やビア開口幅が数μｍ以上で、アスペクト比が１．０以上あるものが使用されており、今後さらにそのアスペクト比は大きくなる傾向にある。そしてこのような開口幅数μｍ以上、アスペクト比１．０以上の配線溝やビアを有する回路パターンについて、Ｃｕめっきで高速に埋め込むことが要求されている。
【０００３】
しかしながら従来の技術では、前記埋め込みのためのめっき速度は、数百ｎｍ／ｍｉｎ程度でしか実現できなかった。その理由は、めっき速度を前述の速度より数倍〜数十倍の高速にすると、配線溝やビア内部におけるめっき液は滞留しているので、その入れ替えには時間がかかり、それらの開口部におけるＣｕ＋の濃度に比べてその濃度が小さくなり、これによって配線溝やビアの開口部に電解が集中し、その部分のみの成膜速度が速くなり、図７に示すように配線溝やビア２００内部を完全に埋め込む前に開口部２０１がめっき膜２０３によって閉じ、配線溝やビア２００内部にボイド２０５が発生してしまうためである。
【特許文献１】特開２００１−４９４９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上述の点に鑑みてなされたものでありその目的は、ビアや配線溝の開口部への電解集中を緩和し、その内部への埋め込みを高速化することができるめっき方法及びめっき装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願の請求項１に記載の発明は、表面に凹凸形状パターンが形成された基板の少なくとも一部に導電体層を形成し、この導電体層に陰極電位を与え、該導電体層に対してアノードと電気的に接触するめっき液を供給することによって該導電体層上の凹凸形状パターンにめっき膜を埋め込むめっき方法において、前記めっき膜の埋め込み中に、前記基板のめっき膜を埋め込む面を、アノードに対して平行な面内で、面の各部が同時に同一方向に移動する偏心往復運動又はその他の往復運動をさせることを特徴とするめっき方法にある。
【０００６】
本願の請求項２に記載の発明は、前記偏心往復運動の偏心半径は、少なくともめっき膜を埋め込もうとする凹凸形状パターンの配線溝幅又はビア開口幅の１／２以上であることを特徴とする請求項１に記載のめっき方法にある。
【０００７】
本願の請求項３に記載の発明は、偏心往復運動又はその他の往復運動の往復回数は、５００（回／分）以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のめっき方法にある。
【０００８】
本願の請求項４に記載の発明は、前記めっきは、前記基板に所定時間偏心往復運動又はその他の往復運動を行わせた後に、所定時間静止状態を保持することで行われることを特徴とする請求項１又は２又は３に記載のめっき方法にある。
【０００９】
本願の請求項５に記載の発明は、前記めっきは、前記基板の偏心往復運動又はその他の往復運動と、基板の静止とを繰り返すことで行われることを特徴とする請求項１又は２又は３に記載のめっき方法にある。
【００１０】
本願の請求項６に記載の発明は、前記めっき時の電流値が、１０（ｍＡ／ｃｍ2）以上であることを特徴とする請求項１乃至５の内の何れか一項に記載のめっき方法にある。
【００１１】
本願の請求項７に記載の発明は、前記基板の被めっき面に形成された凹凸形状パターンが、配線溝幅又はビア開口幅が３μｍ以上で、アスペクト比が１．０以上のものを含むことを特徴とする請求項１乃至６の内の何れか一項に記載のめっき方法にある。
【００１２】
本願の請求項８に記載の発明は、表面に形成された凹凸形状パターンの少なくとも一部に導電体層を形成してなる基板と、前記基板の導電体層に対向して設置されるアノードと、前記導電体層とアノード間に介在するめっき液とを具備し、前記基板の導電体層に陰極電位、前記アノードに陽極電位を印加することによって前記導電体層とアノード間をめっき液を介して電気的に接続して前記導電体層上の凹凸形状パターンにめっき膜を埋め込むめっき装置において、前記基板に、前記アノードに対して平行な面内でその面の各部が同時に同一方向に移動する偏心往復運動又はその他の往復運動をさせる基板駆動機構を設置したことを特徴とするめっき装置にある。
【発明の効果】
【００１３】
本願の請求項１に記載の発明によれば、めっき膜の埋め込み中に、基板のめっき膜を埋め込む面を、アノードに対して平行な面内で、偏心往復運動又はその他の往復運動をさせるので、基板の被めっき面の各部は同時に同一方向に同一速度で移動し、各部の配線溝やビア中の攪拌がそれぞれ同一の条件で強く行われ、その内部におけるめっき液の入れ替えがスムーズに行われ、その内部のめっき速度（成膜速度）の高速化が図れる。
【００１４】
本願の請求項２に記載の発明によれば、偏心往復運動の偏心半径を、配線溝幅又はビア開口幅の１／２以上にしたので、偏心往復運動によって配線溝又はビアの開口部全体が基板の表面側にある新しいめっき液に触れることとなり、配線溝又はビア内のめっき液を新しい外部のめっき液に入れ替えるのに好適となる。
【００１５】
本願の請求項３に記載の発明によれば、偏心往復運動又はその他の往復運動の往復回数を５００（回／分）以上にしたので、配線溝やビア中の攪拌が効果的に行え、その内部におけるめっき液の入れ替えがよりスムーズに行われ、その内部のめっき速度（成膜速度）の高速化が図れる。
【００１６】
本願の請求項４，請求項５に記載の発明によれば、基板の偏心往復運動又はその他の往復運動と、静止状態とを組み合わせたので、基板の運動時の成膜状態と静止時の成膜状態とを合わせることで、効果的な成膜が実現できる。
【００１７】
本願の請求項６に記載の発明によれば、めっき時の電流値を、１０（ｍＡ／ｃｍ2）以上としたので、従来の一般的な電流値であるこの電流値よりも高い電流値でめっきが行え、めっきの高速化が実現できる。
【００１８】
本願の請求項７に記載の発明によれば、凹凸形状パターンに、配線溝幅又はビア開口幅が３μｍ以上で、アスペクト比が１．０以上のものを含むので、本願のめっき方法によって効果的な埋め込みが行える。
【００１９】
本願の請求項８に記載の発明によれば、基板が偏心往復運動又はその他の往復運動をする基板駆動機構を設置したので、めっき液中で基板の被めっき面の各部は同時に同一方向に同一速度で移動し、各部の配線溝やビア中の攪拌がそれぞれ同一の条件で強く行われ、その内部におけるめっき液の入れ替えがスムーズに行われ、その内部のめっき速度（成膜速度）を高速化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の一実施の形態にかかるめっき装置を有するめっき機構の平面配置図である。このめっき機構は、表面に凹凸形状パターンが形成され更にその上に絶縁膜とシード層（導電体層）を順次形成した基板（半導体ウエハ）Ｗの表面に、銅めっきを施して、前記凹凸形状パターン中のビア（Ｖｉａ）や配線溝（以下単に「ビア」という）の内部に銅を充填させるようにするものである。
【００２１】
図１に示すように、このめっき機構には、半導体ウエハ等の基板を収納した基板カセットを搭載する二台のロード・アンロード部１０と、めっき後の基板を洗浄（リンス）し高速回転させて乾燥させるスピンドライヤ１２と、基板を純水に浸漬させて濡らすことで表面の親水性を良くするプリウエット槽又は基板の表面に形成したシード層表面の電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの薬液でエッチング除去するプリソーク槽の少なくとも一方を備えた前処理槽１４と、基板の表面を純水で水洗する第１の水洗槽１６と、基板の表面に銅めっきを施す本発明にかかるめっき装置３０と、第２の水洗槽１８とが直列に配置されている。更にこれらの機器の側方に位置して、基板を搬送し、これらの機器との間で基板の授受を行う走行型の搬送ロボット２０が配置されている。
【００２２】
めっき装置３０は、図２に示すように、めっき液Ｑを溜めるめっき槽３１と、めっき槽３１の外周に設置されめっき槽３１の上辺からオーバーフローしためっき液Ｑを溜めるオーバーフロー槽３５と、基板Ｗを保持した状態でめっき槽３１内のめっき液Ｑ中に浸漬される基板ホルダ３９と、基板ホルダ３９に保持した基板Ｗに対向した状態でめっき槽３１内のめっき液Ｑ中に浸漬されるアノード４３と、基板Ｗとアノード４３間に接続されて所定の電圧を印加するめっき電源４７と、めっき液Ｑを攪拌するスターラー５１と、基板ホルダ３９を保持して偏心往復運動させる基板駆動機構５５と、ポンプＰ及び温度調整槽６１及びフィルタ６３及び流量計６５等からなるめっき液循環系とを具備して構成されている。
【００２３】
ここで基板ホルダ３９は、基板Ｗの裏面を水密的にシールした状態で着脱自在に保持するものである。また基板ホルダ３９に保持された基板Ｗの外部に露出する被めっき面は、アノード４３の表面と平行になるように設置されている。基板駆動機構５５は支持台５６の上部に基板駆動部５７を設置し、基板駆動部５７から突出する駆動軸５８を基板ホルダ３９に固定している。そして基板駆動部５７を駆動することで、駆動軸５８を偏心往復運動させ、これに固定している基板ホルダ３９を偏心往復運動させる。ここで偏心往復運動とは、図３に示すように、駆動軸５８を、回転しないで、偏心中心Ｏを中心に円形（楕円を含む）に平行移動していく運動を言う。駆動軸５８をこのように運動させれば、基板Ｗも図４に示すように、偏心往復運動、即ち回転しないで偏心中心Ｏを中心に平行移動〔Ｗ（Ｉ）→Ｗ（II）→Ｗ（III）→Ｗ（IV）→Ｗ（Ｉ）〕することとなる。偏心往復運動の偏心半径Ｌ１は、この実施の形態ではＬ１＝０．５ｍｍである。
【００２４】
次に本発明に用いるめっき液Ｑのめっき液組成としては例えば、
ＣｕＳＯ4  ５Ｈ2Ｏ＝２００ｇ／Ｌ，Ｈ2ＳＯ4＝１０ｇ／Ｌ，Ｃｌ＝６０ｐｐｍ
高分子界面活性剤：ポリエチレングリコール（分子量約３０００）、又はポリプロピレングリコール（分子量１０００）：数百ｐｐｍ
硫黄系飽和有機化合物：ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド（ＳＰＳ）、又はメルカプトプロパンスルホン酸ナトリウム（ＭＰＳ）等：数ｐｐｍ
含窒素高分子ポリマー：ポリジアルキルアミノエチルアクリレート４級塩、又はポリジアリルジメチルアンモニウムクロライド、又はポリエチレンイミン、又はポリビニルピリジン４級塩、又はポリビニルアミジン、又はポリアリルアミン、又はポリアミンスルホン酸：数ｐｐｍ
が好適である。
【００２５】
そしてこの実施の形態では、以下のめっき液組成のものを使用した。
ＣｕＳＯ4  ５Ｈ2Ｏ＝２００ｇ／Ｌ，Ｈ2ＳＯ4＝１０ｇ／Ｌ，Ｃｌ＝６０ｐｐｍ
ポリエチレングリコール（分子量約３０００）＝２００ｐｐｍ
ＳＰＳ＝５ｐｐｍ
ポリエチレンイミン＝１ｐｐｍ
【００２６】
また使用する基板Ｗとしては、この実施の形態ではＣＳＰ基板を用い、その被めっき面に形成された凹凸形状パターンの中にビア開口幅４０μｍ、アスペクト比１．５のものを含み、且つ被めっき面の全面に絶縁膜とＣｕシード層を順次形成したものを用いている。シード層の厚みとしては、５０〜５００ｎｍ程度のものを使用する。
【００２７】
次に図１に示すめっき機構によるめっき処理の手順を説明する。まず前記基板Ｗを収容した基板カセットをロード・アンロード部１０に搭載する。次にロード・アンロード部１０に搭載した基板カセットから、搬送ロボット２０で基板を一枚取り出して前処理槽１４まで搬送し、この前処理槽１４でプリウェットやプリソーク等の前処理を行う。このプリウェットは、例えば純水に浸漬させて基板の表面を濡らし穴の中の空気を水に置換して親水性をよくするための処理で、またプリソークは、硫酸や塩酸などの薬液に基板を浸漬させてシード層表面の電気抵抗の大きい酸化膜をエッチングし、清浄な金属面を露出させるための処理である。そしてこの前処理後の基板を搬送ロボット２０で第１の水洗槽１６まで搬送し、この水洗槽１６で基板の表面を純水で水洗し、水洗後の基板を搬送ロボット２０でめっき装置３０まで搬送する。
【００２８】
次にめっき装置３０では、図２に示すように、基板Ｗを基板ホルダ３９で保持し、この基板Ｗをめっき液Ｑ中に浸漬しアノード４３と対向するように配置し、基板ホルダ３９とアノード４３との間にめっき電源４７を接続することで、基板ホルダ３９を介して基板Ｗのシード層（導電体層）に陰極電位、アノード４３に陽極電位を印加し、これによってシード層とアノード４３間をめっき液Ｑを介して電気的に接続して前記シード層上の凹凸形状パターンにめっき膜を埋め込む。なおこのときスターラー５１は例えば４００ｒｐｍの回転速度で回転してめっき液Ｑを攪拌する。まためっき槽３１をオーバーフローしためっき液Ｑはオーバーフロー槽３５に回収された後、ポンプＰ，温度調整槽６１，フィルタ６３，流量計６５を介して再びめっき槽３１に注入される。
【００２９】
そして本発明のめっき装置３０においては、前記めっき中に、前記基板駆動機構５５を駆動することで、前記基板Ｗを前記アノード４３に対して平行な面内で基板Ｗの面の各部が同時に同一方向に移動する偏心往復運動させる。つまり基板Ｗに前述の図４で説明した動作を行わせる。その偏心往復運動の偏心半径（偏心量）は、前述のようにこの実施の形態では０．５ｍｍであり、また偏心往復運動の往復回数は、１００（回／分）とした。まためっき電流は、１５（ｍＡ／ｃｍ2）、めっき時間は、３時間とした。
【００３０】
なお前記めっき時間中、基板Ｗを常に偏心往復運動させるのではなく、基板Ｗに所定時間偏心往復運動を行わせた後に、所定時間静止状態を保持するようにしてもよい（例えば最初の一時間半は偏心往復運動を行ってビア内のめっきをボトムアップした後、残りの一時間半は静止したまま従来と同じ方法でめっきする）。また基板Ｗの偏心往復運動と基板Ｗの静止とを繰り返して行うようにしてもよい（例えば一分ごと）。即ちめっきの条件（ビアの状態、めっき液の種類、めっき電流値等）によっては、基板の偏心往復運動時の成膜状態と静止時の成膜状態とを合わせることで効果的な成膜が実現できる場合があるからである。
【００３１】
これによって、基板Ｗの被めっき面は、図５に示すように、その各部のビアａ（ａ１，ａ２，ａ３等）が同時に同一方向に同一速度で移動する。従って各部のビアａ中の攪拌が同じ条件で強く行われ、ビアａ内部におけるめっき液はスムーズに入れ替わり、ビアａ内へのＣｕ＋の供給が増え、ビアａ中での電気抵抗が低くなり、ビアａ内部のめっき速度（成膜速度）が上昇し、高速（従来の約二倍以上）でビアａの埋め込みが可能になる。従ってたとえめっき電流値を高くするなどによって埋め込みのためのめっき速度を上昇させても、ビアａ内部を埋め込む前に開口部が閉じることはなく、ビアａ内部にボイドが発生することを防止できる。
【００３２】
なおめっき液Ｑ中で基板Ｗを回転運動させてもビア中のめっき液をスムーズに入れ替えることができる。しかしながら回転運動の場合、回転中心からそのビアまでの距離が短い場合はめっき液に対するビアの相対移動速度が遅くなり、回転中心からそのビアまでの距離が長い場合はめっき液に対するビアの相対移動速度が速くなる。従って基板Ｗの各部にあるビアに対して均一なめっき液の供給が行われず、各ビアにおけるめっきの埋め込み状態が変化し、その均一性が阻害される。これに対して本願発明の場合は、何れのビアに対してもめっき液に対する相対速度は同一となるので、各ビアにおけるめっきの埋め込み状態が同一となり、その均一性が確保される。
【００３３】
次に図１に戻って、めっき装置３０によって基板Ｗの被めっき面のめっきが完了した基板Ｗは、搬送ロボット２０によって第２の水洗槽１８に搬送され、ここで基板Ｗの表面が純水で洗浄される。そして洗浄の完了した基板Ｗはスピンドライヤ１２に搬送され、ここで基板Ｗの洗浄（リンス）と高速回転によるスピンドライが行われた後、ロード・アンロード部１０の基板カセットに戻され一連の作業が完了する。
【００３４】
以上本発明の実施の形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内において種々の変形が可能である。例えば、
（１）上記めっき装置３０においては、基板Ｗの偏心往復運動時の偏心半径を０．５ｍｍとしたが、この偏心半径はそれ以下でもそれ以上であってもよく、要は偏心往復運動の偏心半径は、少なくともめっき膜を埋め込もうとする凹凸形状パターンの配線溝幅又はビア開口幅の１／２以上であればよい。これは図６に示すように、ビアａが偏心往復運動を行う際の偏心半径がビア開口幅ｈの１／２（即ちビアａの半径）以上であれば、この偏心半径で偏心往復運動をさせた場合、ビアａの開口部の全部（全面積）が基板Ｗの表面側にある新しいめっき液に触れることとなり、ビアａ内のめっき液を新しい外部のめっき液に入れ替えるのに好適だからである。なおめっき膜を埋め込もうとする凹凸形状パターンの配線溝幅又はビア開口幅が３μｍ以下に小さくなると、これら配線溝又はビア内部のめっき液の入れ替えによるめっきの埋め込み作用よりも、これら配線溝又はビア内に予めあるめっき液のみによってめっきの埋め込みが完了するようになるので、本発明はめっき膜を埋め込もうとする凹凸形状パターンの配線溝幅又はビア開口幅が３μｍ以上のものに有効であり、従って偏心往復運動時の偏心半径も１．５μｍ以上が効果的である。また本発明は、前記配線溝又はビア開口のアスペクト比が１．０以上のものに用いて効果的である。アスペクト比１．０以下のものは偏心往復運動をしなくてもめっき膜の埋め込みが比較的容易に行えるからである。
【００３５】
（２）上記実施の形態では基板Ｗを偏心往復運動させることでめっきの埋め込みを高速化したが、偏心往復運動の代りに直線的な往復運動、または曲線的な往復運動によってめっきの埋め込みを高速化してもよい。さらにこれら基板の偏心往復運動又はその他の往復運動と、回転運動とを組み合わせても良い。また、基板の運動はめっき面の各部が同時に同一方向に移動するものであるが、この移動にめっき面の回転を組み合わせてもよい。
【００３６】
（３）上記実施の形態では基板Ｗの偏心往復運動の往復回数を１００（回／分）としたが、１（回／分）回転以上で回転すれば上記本発明の効果を生じることを確認した。但しこの往復回転数は、早い方が良いことも確認されており、１〜５０００（回／分）、好ましくは５００〜５０００（回／分）が好適である。なお上限の５０００（回／分）は機械的な限界（振動等）を考慮したもので、めっきの埋め込みのみを考えればもっと高速でも良い。
【００３７】
（４）上記実施の形態ではめっき電流を１５（ｍＡ／ｃｍ2）としたが、めっき電流は１０（ｍＡ／ｃｍ2）以上であることが好ましい。１０（ｍＡ／ｃｍ2）は基板を静止して行うめっきの一般値であり、本発明はこれよりも大きいめっき電流値でもよいのである。
【００３８】
（５）上記実施の形態では基板ＷとしてＣＳＰ基板を用いたが、その代わりに半導体基板、プリント配線基板等を用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の一実施の形態にかかるめっき装置を有するめっき機構の平面配置図である。
【図２】めっき装置３０の概略構成図である。
【図３】駆動軸５８の偏心往復運動時の動作説明図である。
【図４】基板Ｗの偏心往復運動時の動作説明図である。
【図５】偏心往復運動時の基板Ｗ上の各点の動作説明図である。
【図６】偏心半径がビア開口幅ｈの１／２の場合のビアａの動作説明図である。
【図７】配線溝やビア２００内部に銅を埋め込む際の従来の問題点説明図である。
【符号の説明】
【００４０】
Ｗ  基板
Ｑ  めっき液
１０  ロード・アンロード部
１２  スピンドライヤ
１４  前処理槽
１６  第１の水洗槽
１８  第２の水洗槽
２０  搬送ロボット
３０  めっき装置
３１  めっき槽
３５  オーバーフロー槽
３９  基板ホルダ
４３  アノード
４７  めっき電源
５１  スターラー
５５  基板駆動機構
５７  基板駆動部
５８  駆動軸
【図１】
2005120423.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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