(57)【要約】【課題】  受信帯域ノイズレベルが低く、小型で低コストなＧａＡｓヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を用いた高周波電力増幅器を提供する。【解決手段】  チップコンデンサ２１の一端は、ボンディングワイヤＢ１を介して、前段バイアス回路１０７に接続され、他端は接地される。チップインダクタ２２は、ボンディングワイヤＢ２を介して、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１のベース電極に接続される。チップコンデンサ２１によって、前段バイアス回路１０７で発生するノイズをグランドに流すことにより、受信帯域ノイズが低減する。【選択図】  図１
2005143079.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号を増幅する高周波電力増幅器であって、
前記高周波信号を増幅する高周波信号増幅用トランジスタと、
前記高周波信号増幅用トランジスタのベース電極に電流を供給するバイアス回路と、
前記高周波信号増幅用トランジスタと前記バイアス回路との間に接続されるインダクタと、
前記バイアス回路と前記インダクタとの間に一端が接続され、他端が接地されるコンデンサとを備える高周波電力増幅器。
【請求項２】
前記コンデンサの容量値が、２０ｐＦ〜１００００ｐＦであることを特徴とする、請求項１に記載の高周波電力増幅器。
【請求項３】
前記インダクタのインダクタンスが、５ｎＨ以上であることを特徴とする、請求項１に記載の高周波電力増幅器。
【請求項４】
前記バイアス回路が、前記高周波信号増幅用トランジスタに電流を供給する電流供給用トランジスタと、
前記高周波信号増幅用トランジスタを温度補償する温度補償回路とを含むことを特徴とする、請求項１に記載の高周波電力増幅器。
【請求項５】
前記高周波信号増幅用トランジスタと前記インダクタとの間に抵抗が接続されていることを特徴とする、請求項４に記載の高周波電力増幅器。
【請求項６】
前記高周波信号増幅用トランジスタおよび前記バイアス回路が、半導体基板上に形成されていることを特徴とする、請求項４に記載の高周波電力増幅器。
【請求項７】
前記高周波信号増幅用トランジスタと前記インダクタとの間に抵抗が接続されていることを特徴とする、請求項６に記載の高周波電力増幅器。
【請求項８】
前記インダクタおよび前記コンデンサが、チップ部品を用いて形成されていることを特徴とする、請求項７に記載の高周波電力増幅器。
【請求項９】
前記電流供給用トランジスタが、前記高周波信号増幅用トランジスタと異なる特性を有することを特徴とする、請求項８に記載の高周波電力増幅器。
【請求項１０】
前記電流供給用トランジスタの高周波利得が、前記高周波信号増幅用トランジスタの高周波利得よりも低いことを特徴とする、請求項８に記載の高周波電力増幅器。
【請求項１１】
前記インダクタが、前記半導体基板上に形成されたスパイラルインダクタであることを特徴とする、請求項６に記載の高周波電力増幅器。
【請求項１２】
前記高周波信号増幅用トランジスタと前記バイアス回路との間の抵抗が、前記スパイラルインダクタによって与えられることを特徴とする、請求項１１に記載の高周波電力増幅器。
【請求項１３】
前記スパイラルインダクタが、５Ω以上の抵抗を有することを特徴とする、請求項１２に記載の高周波電力増幅器。
【請求項１４】
前記高周波信号増幅用トランジスタと前記スパイラルインダクタとの間に抵抗が接続されていることを特徴とする請求項１１に記載の高周波電力増幅器。
【請求項１５】
前記バイアス回路と前記コンデンサとの間に抵抗が接続されていることを特徴とする、請求項１１に記載の高周波電力増幅器。
【請求項１６】
前記コンデンサが、前記半導体基板内の積層構造を用いて形成されていることを特徴とする、請求項１１に記載の高周波電力増幅器。
【請求項１７】
前記コンデンサが、前記半導体基板上に高誘電体材料を用いて形成されていることを特徴とする、請求項１１に記載の高周波電力増幅器。
【請求項１８】
前記高誘電体材料が、ストロンチウム・チタン・オキサイドであることを特徴とする、請求項１７に記載の高周波電力増幅器。
【請求項１９】
高周波信号を増幅する高周波電力増幅器であって、
前記高周波信号を増幅する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのベース電極にバイアス電流を供給するバイアス回路とを備え、
前記バイアス回路が、前記第１のトランジスタと異なる特性を有する第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタを温度補償する温度補償回路とを含むことを特徴とする、高周波電力増幅器。
【請求項２０】
前記第２のトランジスタの高周波利得が、前記第１のトランジスタの高周波利得よりも低いことを特徴とする、請求項１９に記載の高周波電力増幅器。
【請求項２１】
高周波信号を増幅する高周波電力増幅器であって、
前記高周波信号を増幅するトランジスタと、
前記トランジスタのベース電極にバイアス電流を供給するバイアス回路と、
前記トランジスタと前記バイアス回路との間に接続される導体線路と、
前記バイアス回路と前記導体線路との間に一端が接続され、他端が接地されるコンデンサとを備え、
前記導体線路は、前記トランジスタと前記バイアス回路との間に必要なインダクタンスおよび抵抗を分布定数的に供給することを特徴とする高周波電力増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波電力増幅器に関し、より特定的には、携帯電話をはじめとする移動体通信機器に用いられる高周波電力増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話は、通話の手段のみならず、メールやコンテンツなどを送受信する情報伝達手段として、人々の生活に欠かせないものとなっている。現在、携帯電話の通信方式として世界的に採用されているのは、主に第２世代通信方式である。日本国内においては、ＰＤＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｅｌｌｕｌａｒ）方式が採用されており、また、北米においては、ＣＤＭＡ（Ｃｏｄｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ）方式が、欧州においては、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  Ｍｏｂｉｌｅ）方式が採用されている。
【０００３】
近い将来、携帯電話の市場は、動画などの大容量なコンテンツの通信を可能にするため、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｗｉｄｅｂａｎｄ  Ｃｏｄｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ）方式やＵＭＴ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  Ｓｙｓｔｅｍ）方式といった第３世代通信方式への移行が予想されている。このような市場の変化に対応すべく、第３世代通信方式に対応した小型で多機能な携帯電話や基地局のための設備などの研究開発が進められている。
【０００４】
また、従来から携帯電話の市場においては、より小型で軽量であり、かつ、長時間通話が可能な携帯電話が望まれている。このような携帯電話を実現するためには、携帯電話に備えられるバッテリーの小型化や、消費電力の多い送信用電力増幅器の高効率化（省電力化）が必要とされている。
【０００５】
携帯電話に用いられる送信用電力増幅器は、ＰＡ（Ｐｏｗｅｒ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）モジュールと呼ばれる。このＰＡモジュールには、高周波特性に優れており、かつ、直流電力を高周波電力に変換する際の変換効率に優れているＧａＡｓトランジスタが、従来から用いられている。このＧａＡｓトランジスタには、大きく分けて電界効果型トランジスタ（以下、ＦＥＴと略す）と、ヘテロバイポーラトランジスタ（以下、ＨＢＴと略す）とがある。
【０００６】
携帯電話に用いられるＰＡモジュールには、例えば、特許文献１に記載されているＰＡモジュールのように、ＧａＡｓＦＥＴがＧａＡｓＨＢＴに先行して用いられている。しかし、ＧａＡｓＦＥＴを用いたＰＡモジュールでは、ゲート電極に負バイアス電圧を印加するための電源装置が必要であるため、これに伴うＰＡモジュールの部品点数の増加が、携帯電話の小型化、軽量化や低コスト化を実現するに際して問題となっていた。このため、近年、負電源装置を必要としない、単一正電源動作が可能なＧａＡｓＨＢＴが、ＰＡモジュールに用いられるトランジスタとしてＧａＡｓＦＥＴに置き換わりつつある。
【０００７】
以下において、ＧａＡｓＨＢＴを用いた２段電力増幅を行う従来のＰＡモジュールを、図を参照しながら説明する。図９は、従来のＰＡモジュールの回路図である。図９に示すＰＡモジュールは、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１および１０２、入力端子Ｐｉｎ、出力端子Ｐｏｕｔ、接地端子、コレクタ電源端子Ｖｃｃ１およびＶｃｃ２、チョークコイル１０８および１０９、前段バイアス回路１０７、後段バイアス回路１１０、入力整合回路１０５、段間整合回路１４０、並びに、出力整合回路１０６を備える。
【０００８】
入力端子Ｐｉｎに入力された高周波信号は、入力整合回路１０５を介して、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１に入力される。入力整合回路１０５は、入力端子Ｐｉｎに入力された高周波信号のインピーダンスを整合することにより、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１からの高周波信号の反射を抑える。高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１に入力された高周波信号は、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１において増幅され、段間整合回路１４０を介して、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０２に入力される。
【０００９】
段間整合回路１４０は、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１において増幅された高周波信号のインピーダンスを整合することにより、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０２からの高周波信号の反射を抑える。高周波信号増幅用ＨＢＴ１０２に入力された高周波信号は、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０２において増幅され、出力整合回路１０６を介して、出力端子Ｐｏｕｔから出力される。出力整合回路１０６は、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０２において増幅された高周波信号のインピーダンスを整合することにより、ＰＡモジュールの外部からの高周波信号の反射を抑える。
【００１０】
高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１のコレクタ電極には、チョークコイル１０８を介して、コレクタ電源端子Ｖｃｃ１が接続される。チョークコイル１０８は、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１から出力された高周波信号が、コレクタ電源端子Ｖｃｃ１に漏れることを防ぐ。また、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１のベース電極には、前段バイアス回路１０７が接続される。前段バイアス回路１０７は、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１のベース電極にバイアス電流を供給する。
【００１１】
高周波信号増幅用ＨＢＴ１０２のコレクタ電極にも同様に、チョークコイル１０９を介して、コレクタ電源端子Ｖｃｃ２が接続される。また、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０２のベース電極にも、後段バイアス回路１１０が接続される。後段バイアス回路１１０は、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０２のベース電極にバイアス電流を供給する。
【００１２】
また、前段バイアス回路１０７および後段バイアス回路１１０は、それぞれ、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１および１０２を温度補償する機能を有する。これらのバイアス回路は、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１および１０２に流れるアイドリング電流が、周辺温度に依らず一定となるように設計される。
【００１３】
以下、前段バイアス回路１０７の構成について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、従来のＰＡモジュールの前段増幅部に用いられる高周波電力増幅器の回路図である。図１０に示す高周波電力増幅器は、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１、入力端子Ｐｉｎ、接地端子、コレクタ電源端子Ｖｃｃ１、チョークコイル１０８、前段バイアス回路１０７、入力整合回路１０５、段間整合回路１４０、および、抵抗１１５を備える。
【００１４】
前段バイアス回路１０７は、リファレンス電圧端子Ｖｒｅｆ、抵抗１１１および１１４、接地端子、温度補償回路１１２、並びに、直流電流供給用ＨＢＴ１１３を備える。リファレンス電圧端子Ｖｒｅｆと接地端子との間には、抵抗１１１と温度補償回路１１２とが接続される。図１０に示す接続点Ａは、抵抗１１１と温度補償回路１１２とが接続される点である。接続点Ａの電位は、抵抗１１１の抵抗値を変えることにより制御される。
【００１５】
直流電流供給用ＨＢＴ１１３のベース電極は、接続点Ａに接続される。直流電流供給用ＨＢＴ１１３のエミッタ電極は、抵抗１１４を介して、接地される。さらに、直流電流供給用ＨＢＴ１１３のエミッタ電極は、抵抗１１５を介して、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１のベース電極に接続される。以上のような構成により、直流電流供給用ＨＢＴ１１３は、バイアス電流を高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１に供給する。
【００１６】
温度補償回路１１２は、温度補償用ＨＢＴ１１２ａおよび１１２ｂを含む。温度補償用ＨＢＴ１１２ａのベース電極およびコレクタ電極は、接続点Ａに接続される。また、温度補償用ＨＢＴ１１２ａのエミッタ電極は、温度補償用ＨＢＴ１１２ｂのベース電極およびコレクタ電極に接続される。温度補償用ＨＢＴ１１２ｂのエミッタ電極は、接地されている。温度補償用ＨＢＴ１１２ａおよび１１２ｂは、直流電流供給用ＨＢＴ１１３および高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１と同じ特性を有するトランジスタである。以上のような構成により、温度補償回路１１２は、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１を温度補償する。
【特許文献１】特開平１１−１９５９３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
携帯電話の受信性能を規定するものとして受信感度がある。ＰＡモジュールから出力される受信帯域（Ｒｘ）ノイズが所定の値よりも大きい場合には、携帯電話の受信感度が低下し、受信性能に悪影響を及ぼす。このＲｘノイズの許容されるレベルは、一般的に−１３７ｄＢｍ／Ｈｚ以下の値である。
【００１８】
従来のＧａＡｓＦＥＴをＰＡモジュールに用いた携帯電話においては、Ｒｘノイズレベルは−１４０ｄＢｍ／Ｈｚ以下であり、携帯電話を使用するうえで問題とされていなかった。しかし、近年、ＧａＡｓＨＢＴがＧａＡｓＦＥＴに代わりＰＡモジュールに用いられるようになり、Ｒｘノイズが携帯電話の受信感度に与える影響が問題となっている。
【００１９】
最大発振周波数が２５ＧＨｚのＧａＡｓＨＢＴを用いて、図９に示す従来のＰＡモジュールを設計し、実際にＲｘノイズの測定を行った。送信帯域８２４ＭＨｚ〜８４９ＭＨｚにおけるＰＡモジュールの出力電力を２８ｄＢｍ、利得を２８ｄＢに設定した場合では、受信帯域８８４ＭＨｚ〜９０９ＭＨｚにおけるＲｘノイズレベルは、−１３２ｄＢｍ／Ｈｚであった。この結果、ＧａＡｓＨＢＴを用いた従来のＰＡモジュールでは、Ｒｘノイズは、携帯電話の受信感度に悪影響を及ぼすレベルであることが分かった。
【００２０】
通常、Ｒｘノイズは、熱雑音レベル＝−１７４ｄＢｍ／Ｈｚと、ＰＡモジュールの受信帯域での利得（Ｇｒｘ）と、ＰＡモジュールの雑音指数（ＮＦ）とを用いて、計算により求めることができる。従来のＧａＡｓＦＥＴを用いたＰＡモジュールでは、Ｇｒｘ＝２８ｄＢ、ＮＦ＝４ｄＢと設定した場合には、Ｒｘノイズレベルは、−１４２ｄＢｍ／Ｈｚとなる。この結果は、実測値とよく一致している。
【００２１】
一方、ＧａＡｓＨＢＴを用いた従来のＰＡモジュールでは、Ｇｒｘ＝２８ｄＢ、ＮＦ＝６ｄＢと設定した場合には、Ｒｘノイズレベルは、−１４０ｄＢｍ／Ｈｚとなる。したがって、上記の実測値（Ｒｘ＝−１３２ｄＢｍ／Ｈｚ）は、理論値を大きく上回る結果であることが分かる。
【００２２】
これらＧａＡｓＨＢＴを用いたＰＡモジュールにおけるＲｘノイズレベルの実験結果および理論計算の結果を踏まえ、ＧａＡｓＨＢＴを用いたＰＡモジュールとＧａＡｓＦＥＴを用いたＰＡモジュールとの相違点に着目し分析すると、ＧａＡｓＨＢＴを用いたＰＡモジュールにおけるＲｘノイズの発生源は、バイアス回路であると考えられる。すなわち、ＧａＡｓＨＢＴを用いたＰＡモジュールにおけるＲｘノイズは、送信帯域と受信帯域との差の周波数に相当する６０ＭＨｚのノイズ（以下、差周波信号という）が前段バイアス回路１０７において発生し、この差周波信号と送信波信号とがＰＡモジュールにおいてミキシングされることにより発生していると考えられる。
【００２３】
また、近年、携帯電話の小型化を実現するために、共用器の小型化が積極的に進められており、従来のものと比較して、受信帯域の減衰レベルが十分でなくなっている。特に、一般的にＧａＡｓＦＥＴを用いたＰＡモジュールよりもＲｘノイズレベルが高いＧａＡｓＨＢＴを用いたＰＡモジュールでは、Ｒｘノイズの問題は緊急の課題である。
【００２４】
それ故に、本発明は、Ｒｘノイズレベルが低く、小型で低コストなＧａＡｓＨＢＴを用いた高周波電力増幅器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明の高周波電力増幅器は、高周波信号を増幅する高周波信号増幅用トランジスタと、高周波信号増幅用トランジスタのベース電極に電流を供給するバイアス回路と、高周波信号増幅用トランジスタとバイアス回路との間に接続されるインダクタと、バイアス回路とインダクタとの間に一端が接続され、他端が接地されるコンデンサとを備える。
【００２６】
本発明の高周波電力増幅器に含まれるコンデンサの容量値は、２０ｐＦ〜１００００ｐＦであることが好ましい。
【００２７】
また、本発明の高周波電力増幅器に含まれるインダクタのインダクタンスは、５ｎＨ以上であることが好ましい。
【００２８】
本発明の高周波電力増幅器に含まれるバイアス回路は、高周波信号増幅用トランジスタに電流を供給する電流供給用トランジスタと、高周波信号増幅用トランジスタを温度補償する温度補償回路とを含むことが好ましい。
【００２９】
また、本発明の高周波電力増幅器に含まれる高周波信号増幅用トランジスタとインダクタとの間には、抵抗が接続されていることが好ましい。
【００３０】
また、本発明の高周波電力増幅器に含まれる高周波信号増幅用トランジスタおよびバイアス回路は、半導体基板上に形成されていることが好ましい。
【００３１】
また、本発明の高周波電力増幅器に含まれるインダクタおよびコンデンサは、チップ部品を用いて形成されていてもよい。
【００３２】
また、本発明の高周波電力増幅器に含まれる電流供給用トランジスタの高周波利得は、高周波信号増幅用トランジスタの高周波利得よりも低いことが好ましい。
【００３３】
本発明の高周波電力増幅器に含まれるインダクタは、半導体基板上に形成されたスパイラルインダクタであることが好ましい。
【００３４】
また、高周波信号増幅用トランジスタとバイアス回路との間の抵抗が、スパイラルインダクタによって与えられることが好ましい。
【００３５】
さらに、本発明の高周波電力増幅器に含まれるスパイラルインダクタは、５Ω以上の抵抗を有することが好ましい。
【００３６】
また、本発明の高周波電力増幅器に含まれる高周波信号増幅用トランジスタとスパイラルインダクタとの間には、抵抗が接続されていることが好ましい。
【００３７】
より好ましくは、本発明の高周波電力増幅器に含まれるバイアス回路とコンデンサとの間に抵抗が接続されているとよい。
【００３８】
本発明の高周波電力増幅器に含まれるコンデンサは、半導体基板内の積層構造を用いて形成されていてもよい。
【００３９】
また、本発明の高周波電力増幅器に含まれるコンデンサは、半導体基板上に高誘電体材料を用いて形成されていてもよい。
【００４０】
上記の高誘電体材料は、ストロンチウム・チタン・オキサイドであってもよい。
【００４１】
本発明の高周波電力増幅器は、高周波信号を増幅する高周波信号増幅用トランジスタと、高周波信号増幅用トランジスタのベース電極にバイアス電流を供給するバイアス回路とを備えており、バイアス回路が、高周波信号増幅用トランジスタと異なる特性を有する電流供給用トランジスタと、第１のトランジスタを温度補償する温度補償回路とを含んでいることが好ましい。
【００４２】
本発明の高周波電力増幅器に含まれる電流供給用トランジスタの高周波利得は、高周波信号増幅用トランジスタの高周波利得よりも低いことが好ましい。
【００４３】
本発明の高周波電力増幅器は、高周波信号を増幅する高周波信号増幅用トランジスタと、高周波信号増幅用トランジスタのベース電極にバイアス電流を供給するバイアス回路と、高周波信号増幅用トランジスタとバイアス回路との間に接続される導体線路と、バイアス回路と導体線路との間に一端が接続され、他端が接地されるコンデンサとを備えており、この導体線路が高周波信号増幅用トランジスタとバイアス回路との間に必要なインダクタンスおよび抵抗を分布定数的に供給することが好ましい。
【発明の効果】
【００４４】
本発明の高周波電力増幅器は、高周波信号を増幅する高周波信号増幅用トランジスタと、高周波信号増幅用トランジスタのベース電極に電流を供給するバイアス回路と、高周波信号増幅用トランジスタとバイアス回路との間に接続されるインダクタと、バイアス回路とインダクタとの間に一端が接続され、他端が接地されるコンデンサとを備える。本発明の高周波電力増幅器は、上記のコンデンサを備えることにより、バイアス回路において発生するノイズをグランドに流し、高周波信号増幅用トランジスタに入力されるノイズのレベルを低減する。また、本発明の高周波電力増幅器は、上記のインダクタを備えることにより、高周波信号がグランドに流れることによる高周波信号の損失を低減する。これにより、Ｒｘノイズレベルを所定の値以下に低減することができる。
【００４５】
本発明の高周波電力増幅器は、２０ｐＦ〜１００００ｐＦの容量値を有するコンデンサを用いることにより、Ｒｘノイズを効果的に低減することができる。
【００４６】
本発明の高周波電力増幅器は、５ｎＨ以上のインダクタンスを有するインダクタを用いることにより、高周波信号の損失を効果的に低減することができる。
【００４７】
また、本発明の高周波電力増幅器は、バイアス回路が高周波信号増幅用トランジスタに電流を供給する電流供給用トランジスタと、高周波信号増幅用トランジスタを温度補償する温度補償回路とを含む。これにより、高周波信号増幅用トランジスタおいて増幅された高周波信号が歪むことを防ぐことができ、また、高周波信号増幅用トランジスタの熱暴走を防ぐことができる。
【００４８】
また、本発明の高周波電力増幅器は、電流供給用トランジスタに、高周波利得が高周波信号増幅用トランジスタの高周波利得よりも低いトランジスタを用いる。これにより、バイアス回路で発生するノイズの増幅を抑え、Ｒｘノイズを低減することができる。
【００４９】
本発明の高周波電力増幅器は、高周波電力増幅器を半導体基板上に形成し、また、インダクタとしてスパイラルインダクタを半導体基板上に形成する。これにより、高周波電力増幅器の小型化および低コスト化が実現できる。
【００５０】
本発明の高周波電力増幅器は、高周波信号増幅用トランジスタとスパイラルインダクタとの間に抵抗を接続する。これにより、高周波電力増幅器の回路設計時において、スパイラルインダクタのインダクタンスを変更することなく、高周波信号増幅用トランジスタとバイアス回路の間に必要な抵抗を正確に得ることができる。
【００５１】
また、本発明の高周波電力増幅器は、バイアス回路とコンデンサとの間に抵抗を接続する。これにより、この抵抗において発生するノイズをコンデンサによってグランドに流すことができ、Ｒｘノイズをさらに低減することができる。
【００５２】
本発明の高周波電力増幅器は、コンデンサを半導体基板内の積層構造を用いて形成する。これにより、高周波電力増幅器をさらに小型化することができる。
【００５３】
また、本発明の高周波電力増幅器は、高誘電体材料を用いたコンデンサを半導体基板上に形成する。これにより、コンデンサをＧａＡｓトランジスタチップ上に形成することができ、高周波電力増幅器の小型化が実現できる。
【００５４】
本発明の高周波電力増幅器は、高周波信号を増幅する高周波信号増幅用トランジスタと、高周波信号増幅用トランジスタのベース電極にバイアス電流を供給するバイアス回路と、高周波信号増幅用トランジスタとバイアス回路との間に接続される導体線路と、バイアス回路と導体線路との間に一端が接続され、他端が接地されるコンデンサとを備え、この導体線路が高周波信号増幅用トランジスタとバイアス回路との間に必要なインダクタンスおよび抵抗を分布定数的に供給する。これにより、高周波電力増幅器の低コスト化が実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５５】
以下、本発明の高周波電力増幅器の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、全ての実施形態において、簡単のためにＰＡモジュールの前段増幅部のみを図示した。また、各実施形態に係る高周波電力増幅器の効果を検証する実験においては、各実施形態に係る高周波増幅器にＰＡモジュールの後段増幅部を接続し、２段電力増幅を行うＰＡモジュールを作成して実験を行った。なお、ＰＡモジュールの後段増幅部は、図１０に示す従来の高周波電力増幅器と同じ高周波電力増幅器である。
【００５６】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路図である。本実施形態に係る高周波電力増幅器は、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１、入力端子Ｐｉｎ、接地端子、コレクタ電源端子Ｖｃｃ１、チョークコイル１０８、前段バイアス回路１０７、入力整合回路１０５、段間整合回路１４０、チップコンデンサ２１、チップインダクタ２２、ボンディングワイヤＢ１およびＢ２、パッド端子Ｐ１〜Ｐ４、並びに、抵抗１１５を備える。図１に示す高周波電力増幅器は、チップコンデンサ２１とチップインダクタ２２とを備えることによって、高周波電力増幅器内で発生するＲｘノイズを低減する。
【００５７】
前段バイアス回路１０７は、図１に示すように、リファレンス電圧端子Ｖｒｅｆ、抵抗１１１および１１４、接地端子、温度補償回路１１２、並びに、直流電流供給用ＨＢＴ１１３を備える。リファレンス電圧端子Ｖｒｅｆと接地端子との間には、抵抗１１１と温度補償回路１１２とが接続される。図１に示す接続点Ａは、抵抗１１１と温度補償回路１１２とが接続される点である。接続点Ａの電位は、抵抗１１１の抵抗値を変えることにより制御される。また、直流電流供給用ＨＢＴ１１３のベース電極は、接続点Ａに接続され、エミッタ電極は、抵抗１１４を介して、接地される。
【００５８】
温度補償回路１１２は、温度補償用ＨＢＴ１１２ａおよび１１２ｂを備える。温度補償用ＨＢＴ１１２ａのベース電極およびコレクタ電極は、接続点Ａに接続され、また、温度補償用ＨＢＴ１１２ａのエミッタ電極は、温度補償用ＨＢＴ１１２ｂのベース電極およびコレクタ電極に接続される。温度補償用ＨＢＴ１１２ｂのエミッタ電極は接地される。温度補償用ＨＢＴ１１２ａおよび１１２ｂは、直流電流供給用ＨＢＴ１１３および高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１と同じ特性を有するトランジスタである。以上のような構成により、温度補償回路１１２は、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１を温度補償する。
【００５９】
直流電流供給用ＨＢＴ１１３のエミッタ電極は、パッド端子Ｐ１に接続される。パッド端子Ｐ１とパッド端子Ｐ３とは、ボンディングワイヤＢ１によって接続される。チップコンデンサ２１の一端は、パッド端子Ｐ３に接続され、他端は接地される。チップインダクタ２２は、パッド端子Ｐ３とパッド端子Ｐ４との間に接続される。パッド端子Ｐ４とパッド端子Ｐ２とは、ボンディングワイヤＢ２によって接続される。抵抗１１５の一端は、パッド端子Ｐ２に接続され、他端は高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１のベース電極に接続される。以上のような構成により、直流電流供給用ＨＢＴ１１３は、バイアス電流を高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１に供給する。
【００６０】
チップコンデンサ２１は、前段バイアス回路１０７において発生する差周波信号をグランドに流すために設けられる。これにより、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１に入力される差周波信号のレベルを低減することができる。
【００６１】
また、チップインダクタ２２は、入力整合回路１０５から出力された高周波信号が、チップコンデンサ２１を介してグランドに流れないようにするために設けられる。これにより、高周波信号がグランドに流れることによる高周波信号の損失を低減することができる。
【００６２】
図２は、図１に示す高周波電力増幅器を半導体基板上に形成し、ＰＡモジュールを作成した場合の構造の一例を示す図である。図２に示すＰＡモジュールは、モジュール基板１３４、ＧａＡｓＨＢＴチップ１２５、受動チップ部品１２３、ボンディングワイヤ１２６、裏面端子１２１、および、金属配線１２２を備える。モジュール基板１３４は、３層からなるセラミック基板により構成される。また、このセラミック基板内には、裏面端子１２１と金属配線１２２等を接続するための貫通穴１２４が設けられる。
【００６３】
図１に示す入力整合回路１０５や段間整合回路１４０などは、チップコンデンサ、チップ抵抗、チップインダクタ等の受動チップ部品１２３と金属配線１２２とにより形成される。モジュール基板１３４の最下層の裏面端子１２１には、高周波信号の入力端子、高周波信号の出力端子、接地端子、電源端子、コントロール端子等の各種端子が形成される。
【００６４】
また、ＰＡモジュールの小型化のために、モジュール基板１３４の内層には、λ／４インピーダンス変成器等の金属線路（図示せず）が形成される。また、３層の各セラミック基板上に形成された金属配線１２２の一部は、貫通穴１２４を介して、裏面端子１２１に接続される。モジュール基板１３４の最上層の上面に形成されるグランド電極上には、ＧａＡｓＨＢＴチップ１２５が実装される。ＧａＡｓＨＢＴチップ１２５と金属配線１２２とは、ボンディングワイヤ１２６によって接続される。
【００６５】
ＧａＡｓＨＢＴチップ１２５上には、図１に示すパッド端子Ｐ１およびＰ２、前段バイアス回路１０７、並びに、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１が形成される（図示せず）。また、パッド端子Ｐ３およびＰ４は、金属配線１２２により形成される。図１に示すチップインダクタ２２およびチップコンデンサ２１は、受動チップ部品１２３により形成される。また、ボンディングワイヤＢ１およびＢ２は、ボンディングワイヤ１２６として形成される。
【００６６】
チップコンデンサ２１の容量値について実験した結果、差周波信号の周波数が４０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚ程度の場合には、２０ｐＦ〜１００００ｐＦの容量値を有するコンデンサが、Ｒｘノイズの低減に効果があることが分かった。
【００６７】
また、チップインダクタ２２のインダクタンスについて実験した結果、高周波信号の周波数が８００ＭＨｚ〜２ＧＨｚ程度の場合には、５ｎＨ以上のインダクタンスを有するインダクタが、高周波信号の損失を防ぐ効果があることが分かった。
【００６８】
本実施形態に係る高周波電力増幅器に後段増幅部を接続し、ＰＡモジュールを作成することにより実験を行った。その結果、１０００ｐＦの容量値を有するチップコンデンサ２１、および、１０ｎＨのインダクタンスを有するチップインダクタ２２を使用し、送信帯域８２４ＭＨｚ〜８４９ＭＨｚにおけるＰＡモジュールの利得を２８ｄＢに設計した場合において、受信帯域８８４ＭＨｚ〜９０９ＭＨｚにおけるＲｘノイズレベルは、−１３７ｄＢｍ／Ｈｚであった。したがって、図９に示す従来のＰＡモジュールと比較すると、Ｒｘノイズレベルを５ｄＢｍ／Ｈｚ低減することができた。
【００６９】
以上のように、本実施形態に係る高周波電力増幅器は、一端が接地されたチップコンデンサ２１を、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１と前段バイアス回路１０７との間に備えることにより、前段バイアス回路１０７において発生する差周波信号をグランドに流し、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１に入力される差周波信号のレベルを低減する。また、本実施形態に係る高周波電力増幅器は、チップインダクタ２２を、チップコンデンサ２１と高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１との間に備えることにより、高周波信号がグランドに流れることによる高周波信号の損失を低減する。これにより、Ｒｘノイズレベルを携帯電話の受信感度に影響を及ぼさない程度まで低減することができる。
【００７０】
（第２の実施形態）
図３は、本発明の第２の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路図である。本実施形態に係る高周波電力増幅器と第１の実施形態に係る高周波電力増幅器との違いは、前段バイアス回路１１７に含まれる直流電流供給用ＨＢＴ１１６の高周波利得が、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１のそれよりも低いことである。その他の構成要素については、第１の実施形態に係る高周波電力増幅器と同じであるので、ここではこれらの構成要素の説明は省略する。
【００７１】
従来の高周波電力増幅器では、前段バイアス回路１０７に含まれる直流電流供給用ＨＢＴは、高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１と同じ特性のものが使用されてきた。したがって、本実施形態に係る高周波電力増幅器のように、Ｒｘノイズの低減を目的として、両者のＨＢＴに異なる特性のものが使用されることはなかった。
【００７２】
一方、上述したように、Ｒｘノイズは、前段バイアス回路１０７において発生する差周波信号と送信波信号とのミキシングによって発生すると考えられる。したがって、差周波信号のレベルが低減されれば、Ｒｘノイズが低減されると考えられる。また、前段バイアス回路１０７においては、直流電流供給用ＨＢＴによって電力の増幅が行われる。よって、前段バイアス回路１０７において発生すると考えられる差周波信号も、直流電流供給用ＨＢＴによって増幅される。
【００７３】
以上のような考察から、差周波信号の周波数付近での利得が比較的低いＨＢＴを直流電流供給用ＨＢＴとして用いれば、差周波信号の電力の増幅を抑えることができ、高周波電力増幅器において発生するＲｘノイズを低減できると考えられる。このような観点から、本実施形態に係る高周波電力増幅器は、高周波利得が高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１のそれよりも低い直流電流供給用ＨＢＴ１１６を備えることにより、差周波信号の電力を低減し、高周波電力増幅器で発生するＲｘノイズの低減する。
【００７４】
本実施形態に係る高周波電力増幅器に後段増幅部を接続し、ＰＡモジュールを作成することにより実験を行った。その結果、最大発振周波数が２５ＧＨｚのＨＢＴを高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１に使用し、最大発振周波数が３ＧＨｚのＨＢＴを直流電流供給用ＨＢＴ１１６に使用し、送信帯域８２４ＭＨｚ〜８４９ＭＨｚにおけるＰＡモジュールの利得を２８ｄＢに設計すると、受信帯域８８４ＭＨｚ〜９０９ＭＨｚにおけるＲｘノイズレベルは、−１４０ｄＢｍ／Ｈｚであった。第１の実施形態に係る高周波電力増幅器を用いた実験では、Ｒｘノイズレベルは、−１３７ｄＢｍ／Ｈｚであったので、本実施形態に係る高周波電力増幅器は、Ｒｘノイズレベルをさらに３ｄＢｍ／Ｈｚ低減することが分かった。
【００７５】
以上のように、本実施形態に係る高周波電力増幅器は、チップコンデンサ２１およびチップインダクタ２２に加え、高周波利得が高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１のそれよりも低い直流電流供給用ＨＢＴ１１６を備えることにより、Ｒｘノイズレベルをさらに低減する。
【００７６】
なお、従来の高周波電力増幅器において、直流電流供給用ＨＢＴに、高周波利得が高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１のそれよりも低いＨＢＴを使用することにより、Ｒｘノイズレベルを低減することも可能である。図４にその回路図を示す。
【００７７】
（第３の実施形態）
図５は、本発明の第３の実施形態に係る高周波電力増幅器の構成を示す回路図である。本実施形態に係る高周波電力増幅器と、図１に示す第１の実施形態に係る高周波電力増幅器とは、以下の２点で相違する。すなわち、本実施形態に係る高周波電力増幅器では、インダクタとしてスパイラルインダクタ３１が用いられる。また、本実施形態に係る高周波電力増幅器は図１に示す抵抗１１５を含まない。
【００７８】
スパイラルインダクタ３１を図２に示すモジュール基板１３４上に形成した場合には、チップ部品のインダクタを用いた場合と比較して、以下のような利点がある。まず、チップ部品を用いた場合には、パッド端子Ｐ１およびＰ２を１つのＧａＡｓチップ上に形成し、かつ、パッド端子Ｐ３およびＰ４をセラミック基板上に形成する必要があることから、ボンディングワイヤＢ１およびＢ２のためのパッド面積が大きくなり、高周波電力増幅器の小型化に際して問題となる場合がある。これに対して、本実施形態の高周波電力増幅器では、ボンディングワイヤのためのパッド端子は、パッド端子Ｐ１およびＰ３のみになるため、上記の問題は大幅に緩和される。
【００７９】
また、インダクタとしてチップ部品を用いた場合には、パッド端子Ｐ２とパッド端子Ｐ４とを接続して、高周波に関わる回路を一度ＧａＡｓチップの外に取り出す必要がある。このため、半導体チップ内で整合回路を形成することができないことから、パッド端子Ｐ２からインダクタまでを入力整合回路１０５の一部として回路設計をする必要があり、高周波回路設計が複雑になる問題が生じる。さらに、入力整合回路１０５の一部がセラミック基板上に形成されることから、入力整合回路１０５と高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１用のλ／４インピーダンス変成器との高周波的な分離が難しくなり、高周波信号のフィードバックによる異常発振が発生しやすくなるという問題が生じる。これに対して、本実施形態に係る高周波電力増幅器では、入力整合回路部が１つのＧａＡｓチップ内に収まることから、チップ部品のインダクタを用いた場合に比べ高周波回路設計が容易になり、上記のような問題が解決される。
【００８０】
次に、スパイラルインダクタ３１について説明する。スパイラルインダクタ３１の面積は、スパイラルインダクタ３１の線幅、配線間隔および巻き数により決まる。また、スパイラルインダクタ３１の線幅、配線間隔および巻き数は、必要とされるインダクタンスや抵抗値などにより決まる。
【００８１】
スパイラルインダクタ３１のインダクタンスを１０ｎＨ、抵抗を２０Ωとして、実際にスパイラルインダクタを作成した。材料にＧａＡｓを使用し、線幅を４μｍ、配線間隔を４μｍ、巻き数を８としたところ、スパイラルインダクタ３１の面積は、高々１１０μｍ×１１０μｍであった。この結果から、スパイラルインダクタ３１を用いると、チップ部品のインダクタを使用するよりも、小型なインダクタを作成することができることが分かった。
【００８２】
また、直流電流供給用ＨＢＴ１１３と高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１との間に、５Ω程度の比較的小さな抵抗が必要な場合においても、本実施形態に係る高周波電力増幅器によれば、スパイラルインダクタ３１の面積は、１５０μｍ×１５０μｍ程度に抑えることができる。これにより、高周波電力増幅器を実使用上問題のない大きさに抑えることができる。
【００８３】
本実施形態に係る高周波電力増幅器は、半導体基板上にスパイラルインダクタ３１を形成する。これにより、高周波回路設計が容易であり、かつ、小型な高周波電力増幅器が実現される。
【００８４】
なお、図２に示すＰＡモジュールにおいて、チップコンデンサの代わりに、コンデンサをモジュール基板１３４内の積層構造を用いて形成しても良い。これにより、高周波電力増幅器をさらに小型化できる。
【００８５】
また、容量値が１００ｐＦ程度のコンデンサであれば、高誘電体材料であるストロンチウム・チタン・オキサイド（ＳＴＯ：誘電率εｒ＝１００）を層間膜に使用することにより、コンデンサを作成することができる。この場合、コンデンサの膜厚は２０００Å程度で良く、また、面積は１５０μｍ×１５０μｍ程度で作成できることから、コンデンサを１つのＧａＡｓチップ上に集積化できる。
【００８６】
（第４の実施形態）
図６は、本発明の第４の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路図である。第３の実施形態に係る高周波電力増幅器との違いは、本実施形態に係る高周波電力増幅器が、スパイラルインダクタ３２と高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１との間に、抵抗１１８を備えることである。
【００８７】
高周波電力増幅器の回路設計において、直流電流供給用ＨＢＴ１１３と高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１との間に必要な抵抗値を、スパイラルインダクタ３２のみを用いて正確に得ることが困難な場合がある。しかし、本実施形態に係る高周波電力増幅器によれば、回路設計時において抵抗１１８の抵抗値を調整することにより、スパイラルインダクタ３２のインダクタンス値を変えることなく、直流電流供給用ＨＢＴ１１３と高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１との間に必要な抵抗値を精度良く得ることができる。
【００８８】
例えば、本実施形態に係る高周波電力増幅器において、直流電流供給用ＨＢＴ１１３と高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１との間に必要な抵抗値が２０Ωであり、スパイラルインダクタ３２から得られる抵抗値が必要な抵抗値の８０％程度（１６Ω程度）であった場合に、残りの抵抗値２０％程度（４Ω程度）を抵抗１１８によって補うことが容易に行える。
【００８９】
（第５の実施形態）
図７は、本発明の第５の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路図である。第３の実施形態に係る高周波電力増幅器との違いは、抵抗１１９が直流電流供給用ＨＢＴ１１３のエミッタ電極とパッド端子Ｐ１との間に接続されることである。
【００９０】
本発明の第４の実施形態において説明したように、スパイラルインダクタ３２と抵抗を用いることにより、直流電流供給用ＨＢＴ１１３と高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１との間に必要な抵抗値が精度良く得られる。しかし、抵抗の種類によっては、この抵抗においてノイズが発生し、発生したノイズがＲｘノイズレベルを増大するという問題が生じる場合がある。
【００９１】
このような問題を解消するため、本実施形態に係る高周波電力増幅器は、抵抗１１９を直流電流供給用ＨＢＴ１１３のエミッタ電極とパッド端子Ｐ１との間に備えることにより、抵抗１１９で発生するノイズをチップコンデンサ２１によってグランドに流す。これにより、抵抗１１９において発生するノイズを低減することができることから、Ｒｘノイズを低減することができる。
【００９２】
本実施形態に係る高周波電力増幅器に後段増幅部を接続し、ＰＡモジュールを作成することにより実験を行った。また、比較のために第４の実施形態に係る高周波電力増幅器についても同じ条件で実験を行った。実験条件としてスパイラルインダクタ３２の抵抗値を１６Ω、抵抗１１８および１１９の抵抗値を、それぞれ、１４Ωに設計した結果、本実施形態に係る高周波電力増幅器におけるＲｘノイズレベルは、第４の実施形態に係る高周波電力増幅器のそれと比較して２ｄＢｍ／Ｈｚ低い値を得た。また、本実施形態に係る高周波電力増幅器と第４の実施形態に係る高周波電力増幅器とは、抵抗の位置が異なるだけで、スパイラルインダクタと抵抗による合成抵抗の抵抗値が等しいことから、温度特性などを含む高周波特性が同じであることが分かった。
【００９３】
以上のように、本実施形態に係る高周波電力増幅器は、抵抗１１９において発生するノイズをチップコンデンサ２１により低減する。これにより、高周波電力増幅器の高周波特性を変えることなく、Ｒｘノイズをさらに低減することができる。
【００９４】
（第６の実施形態）
図８は、本発明の第６の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路図である。第１の実施形態に係る高周波電力増幅器との違いは、本実施形態に係る高周波電力増幅器が、図１に示すチップインダクタ２２の代わりに導体線路３３を備えていることである。導体線路３３は、図２に示す金属配線１２２により形成される。
【００９５】
本実施形態に係る高周波電力増幅器によれば、送信周波数における導体線路３３の位相回転によるインピーダンスと、第１の実施形態に係る高周波電力増幅器におけるチップインダクタ２２のインピーダンスとを等しくすることにより、第１の実施形態に係る高周波電力増幅器と同様の効果を得ることができる。
【００９６】
また、本実施形態に係る高周波電力増幅器は、チップインダクタ２２やスパイラルインダクタ３１の代わりに導体線路３３を備えることにより、高周波電力増幅器の低コスト化を実現する。
【００９７】
なお、導体線路３３は、図２に示すモジュール基板１３４の表面に形成されたマイクロストリップ線路でも、セラミック層の間に形成されたストリップ線路であってもよい。
【００９８】
また、導体線路３３が、直流電流供給用ＨＢＴ１１３と高周波信号増幅用ＨＢＴ１０１との間に必要な抵抗とインダクタンスとを分布定数的に有している場合には、抵抗１１５は無くてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９９】
以上に述べたように、本発明の高周波電力増幅器は、受信帯域ノイズレベルが低く、小型で低コストな高周波電力増幅器であることから、携帯電話をはじめとする移動体通信器等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路図
【図２】本発明の第１の実施形態に係る高周波電力増幅器を半導体基板上に形成し、ＰＡモジュールを作成した場合における構造の一例を示す図
【図３】本発明の第２の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路図
【図４】本発明の第２の実施形態に係る高周波電力増幅器の他の例を示す回路図
【図５】本発明の第３の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路図
【図６】本発明の第４の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路図
【図７】本発明の第５の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路図
【図８】本発明の第６の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路図
【図９】従来の２段電力増幅を行うＰＡモジュールの回路図
【図１０】従来の高周波電力増幅器の回路図
【符号の説明】
【０１０１】
２１  チップコンデンサ
２２  チップインダクタ
３１、３２  スパイラルインダクタ
３３  導体線路
１０１、１０２  高周波信号増幅用ＨＢＴ
１０５  入力整合回路
１０６  出力整合回路
１０７、１１７  前段バイアス回路
１０８、１０９  チョークコイル
１１０  後段バイアス回路
１１１、１１４、１１５、１１８、１１９  抵抗
１１２  温度補償回路
１１２ａ、１１２ｂ  温度補償用ＨＢＴ
１１３、１１６  直流電流供給用ＨＢＴ
１２１  裏面端子
１２２  金属配線
１２３  受動チップ部品
１２４  貫通穴
１２５  ＧａＡｓＨＢＴチップ
１２６、Ｂ１、Ｂ２  ボンディングワイヤ
１３４  モジュール基板
１４０  段間整合回路
Ｐ１〜Ｐ４  パッド端子
Ｐｉｎ  入力端子
Ｐｏｕｔ  出力端子
Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２  コレクタ電源端子
Ｖｒｅｆ  リファレンス電圧端子
【図１】
2005143079.tif 000003
【図２】
2005143079.tif 000004
【図３】
2005143079.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005143079.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005143079.tif 000011
【図１０】
2005143079.tif 000012