(57)【要約】【課題】微細ピッチの電極端子を具備する半導体集積回路装置であっても、超音波併用型熱圧着ワイヤボンダなどによって金ワイヤを容易に接合でき、また回路素子にダメージを与えることなく、かつ容易に検査を実施することを可能にする。【解決手段】半導体集積回路を分割するために設けられているスクライブレーン１３上に、半導体集積回路を検査するための電極端子１２を配置し、このスクライブレーン１３上の電極端子１２に、相対する半導体集積回路の電極端子１１ａ，１１ｂを表層配線１５ａにより接続する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置上のスクライブレーン上に形成された電極端子を、相対する電極端子に各々接続して電気的信号の授受を可能にしたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
スクライブレーン上に形成された前記電極端子に相対して接続された前記電極端子において、該電源端子とＧＮＤ端子とが一致しないように配列させたことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
スクライブレーン上に形成された電極端子にプローブの針を接触させ、半導体集積回路の検査を行うことを特徴とする半導体集積回路装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細ピッチの電極端子を具備する半導体集積回路装置、およびその半導体集積回路装置の検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図６は従来の半導体集積回路装置の一般的な電極端子の配置を示す平面図である。
【０００３】
図６に示すように、半導体集積回路の電極端子１１ａ，１１ｂは半導体集積回路内の外周部に配列されており、半導体集積回路を分割するためのスクライブレーン１３には、拡散状態を電気的に確認するための電極端子が数個、一般的に設けられているのみである。なお、図中の１４は回路素子形成エリアを示す。
【０００４】
前記電極端子１１ａ，１１ｂにプローブ針を接触させ、導通をとり、検査を行なっている。その後、スクライブレーン１３に沿って半導体集積回路を個片に切断し、プローブ針による針跡の付いた電極端子１１ａ，１１ｂに金ワイヤを接合させている。
【特許文献１】特開平６−３７１３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体集積回路の電極端子は、８０μｍ，６０μｍ，４０μｍと年々微細ピッチ化が進んできており、それに伴い、電極端子の大きさも小さくなってきている。さらに電極端子の大きさが小さくなることにより、半導体集積回路を検査したときのプローブ針による針痕も電極端子面積に占める割合も大きくなってきている。
【０００６】
そして前記のような状態にて、外部端子と接続するために超音波併用型熱圧着ワイヤボンダなどを用いて金ワイヤを接合するのであるが、検査時におけるプローブ針の針痕の影響により、金ワイヤを接合させるために必要な合金面積が得られず、金ワイヤの不着を発生させる原因となっている。
【０００７】
また、微細ピッチの電極端子に対応させる検査用プローブカードにおいても、製造および検査方法が困難となってきている。
【０００８】
さらに、この電極端子を半導体集積回路の回路素子上に配置した場合、検査において、プローブ針の押付け荷重によって、電極端子直下の絶縁層間膜、あるいは内層配線にマイクロクラックなどの亀裂あるいはダメージが生じ、品質面に悪影響を及ぼすことも考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記従来の課題を解決するため、本発明は、スクライブレーン上に電極端子を設け、その電極端子にて半導体集積回路の検査を行うことにより、半導体集積回路の電極端子は、プローブ針の針跡に犯されることがなく、常に新生な電極端子にワイヤボンドを行うことが可能となる、
また、半導体集積回路の電極端子を回路素子上に配置した場合においても、半導体集積回路の電極端子と接続がとれているスクライブレーン上の電極端子にて検査を行うことにより、電極端子直下の絶縁層間膜あるいは内層配線に亀裂やダメージを与えることなく、容易に検査を行うことが可能である。さらに、電極端子の微細ピッチに対しても電極端子のピッチが容易に広げることも可能となり、検査が容易となる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、スクライブレーン上に設けた電極端子にてプローブ針による検査を行なうため、半導体集積回路の電極端子にはプローブ痕跡が付くことがなく、金ワイヤとアルミの合金面積を稼ぐことができ、電極端子が微細ピッチとなった場合においても、安定して接合させることが可能となる。また回路素子上に電極端子を設けた場合においても、電極端子直下の絶縁層間膜あるいは内層配線にはダメージを与えることがなくなり、品質の向上が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１２】
図１は本発明の実施形態１である半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図、図２は図１におけるＡ−Ａ’断面図である。
【００１３】
図１において、半導体集積回路を分割するために設けられているスクライブレーン１３は一般的には１００μｍ程度の幅を有しており、そのスクライブレーン１３上に、半導体集積回路を検査するための電極端子１２が配置されている。
【００１４】
そして、このスクライブレーン１３上の電極端子１２は、図２に示すように、相対する半導体集積回路の電極端子１１ａ，１１ｂに対して表層配線１５ａにより接続され、あるいは図３に示すように、内装配線１５ｂにより接続されている。なお、図中の１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄは絶縁層間膜、１７ａ，１７ｂ，１７ｃは内層配線、１８は回路素子を示す。
【００１５】
図２，図３において、スクライブレーン１３上に形成した電極端子１２と接続されている相対する半導体集積回路の電極端子１１ａ，１１ｂが、電源を供給する電極端子とアース（ＧＮＤ）をとる電極端子とが一致しないように、各々の半導体集積回路の電極端子１１ａ，１１ｂを配置する。
【００１６】
そして、このスクライブレーン１３上の電極端子１２にプローブ針２１を接触させて、導通が取れるようにし、各々の半導体集積回路の検査を行う。
【００１７】
その後、スクライブレーン１３に沿って半導体集積回路を切断し、個片に分割する。
【００１８】
この個片に分割された半導体集積回路の電極端子１１ａ，１１ｂには、検査におけるプローブ針２１の針跡が付いておらず、常に新生な面状態の電極端子１１ａ，１１ｂが確保される。
【００１９】
この新生な面状態の電極端子１１ａ，１１ｂに外部端子との接続をとるために、一般的には超音波併用型熱圧着でのワイヤボンダにて、金ワイヤを接合させるのであるが、電極端子１１ａ，１１ｂにプローブ針２１による針跡が存在しないために、電極端子１１ａ，１１ｂの材質であるアルミと金ワイヤとの合金面積を大きくさせることが可能となるため、微細ピッチにおいても金ワイヤの接合が可能となる。
【００２０】
例えば、電極端子のピッチが６０μｍの場合、５０μｍ程度の金ボール径となるように接合するのであるが、検査時にプローブ針による針痕が１回あたり３００μｍ２とすれば、金ワイヤを接合させるのに必要な最低合金面積が４００μｍ２程度といわれているため、検査回数は５回までとなる。実際には接合面の合金化率の関係より、検査回数は３〜４回までと規制されることになる。
【００２１】
すなわち、スクライブレーン１３上の電極端子１２を用いて半導体集積回路の検査を行なうことにより、半導体集積回路の電極端子１１ａ，１１ｂはプローブ針２１の針跡の影響を受けない新生な面上での金ワイヤの接合であるから、６０μｍ，４５μｍといった微細な電極端子においても接合に必要な最低合金面積を満たすことが可能となり、十分に金ワイヤを半導体集積回路の電極端子１１ａ，１１ｂに接合させることが可能となる。
【００２２】
図４は本発明の実施形態２である半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図、図５は図４におけるＡ−Ａ’断面図である。
【００２３】
図示したように、金ワイヤを接合させる電極端子１１ａ，１１ｂを半導体集積回路の回路素子形成エリア１４上に設けた場合においても、スクライブレーン１３上の電極端子１２により検査を行うことにより、プローブ針２１による半導体集積回路の電極端子１１ａ，１１ｂ直下の絶縁層間膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ、あるいは内層配線１７ａ，１７ｂ，１７ｃにダメージを与えることがなくなるため、十分な押付け荷重をプローブ針２１に与えることができ、電極端子１２とプローブ針２１との良好な接続性を維持させながら検査を実施することが可能となる。
【００２４】
また、メモリ混載プロセスなどでは、その半導体集積回路の機能の検査を別々に行うため、プローブ針を電極端子に複数回接触させる必要がある。この場合においても、スクライブレーン１３上の電極端子１２を用いて、この検査をすることにより、半導体集積回路の電極端子１１ａ，１１ｂは、プローブ針２１の針跡による損傷を受けることなく、非常に扱いが容易となる。
【００２５】
このように、本実施形態によれば、スクライブレーン上に電極端子を設けることにより、半導体集積回路の電極端子が微細ピッチとなった場合においても、容易に超音波併用型熱圧着ワイヤボンダなどによって金ワイヤを接合させることが可能であり、また、半導体集積回路の電極端子が回路素子上に設けられたとしても、スクライブレーン上の電極端子により検査を行うことにより、検査時に使用するプローブ針により、電極端子直下にある回路素子にダメージを与えることなく、容易に検査を実施することが可能となる。
【００２６】
さらに、電極端子が微細ピッチとなった場合においても、スクライブレーンを用いることによって、電極端子の微細ピッチを広げることも可能となるため、検査を容易に行うことが可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００２７】
本発明は、微細ピッチの電極端子を具備する半導体集積回路装置、およびその半導体集積回路装置の検査方法に適用され、特に超音波併用型熱圧着ワイヤボンダなどによって金ワイヤを容易に接合させることが要求され、また回路素子にダメージを与えることなく、かつ容易に検査を実施することが要求される半導体集積回路装置、およびその半導体集積回路装置の検査方法に用いて有効である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施形態１である半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図
【図２】実施形態１の図１におけるＡ−Ａ’断面図
【図３】実施形態１の変形例を示す断面図
【図４】本発明の実施形態２である半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図
【図５】実施形態２の図４におけるＡ−Ａ’断面図
【図６】従来の半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図
【符号の説明】
【００２９】
１１ａ  電極端子
１１ｂ  相対する電極端子
１２  スクライブレーン上の電極端子
１３  スクライブレーン
１４  回路素子形成エリア
１５ａ  電極端子を接続する表層配線
１５ｂ  電極端子を接続する内層配線
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ  絶縁層間膜
１７ａ，１７ｂ，１７ｃ  内層配線
１８  回路素子
２１  プローブ針
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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