(57)【要約】【課題】  半導体チップ組立体の側面に良好に且つ適量の保護樹脂を塗布する。【解決手段】  ヘッダー部(11)及びリード部(12)を有するリード(5)とヘッダー部(11)間に固着された半導体素子(10)とを備えた複数の半導体チップ組立体(3)を支持体(4)により保持し、流動状態の保護樹脂(6)内に浸漬された浸漬位置から塗布位置に移動する掬上部材(1)により、掬上部材(1)の上面(1a)に付着する流動状態の保護樹脂(6)を半導体チップ組立体(3)の半導体素子(10)の側面(10a)に付着させ、その後、保護樹脂(6)が付着した半導体素子(10)の側面(10a)を樹脂封止体(17)により被覆する。掬上部材(1)から過剰量の保護樹脂(6)が落下し、塗布位置に移動した掬上部材(1)には流動状態にある適当量の保護樹脂(6)が自身の粘性により適度の厚さで付着する。【選択図】  図１
2005109038.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれヘッダー部及びリード部を有する一対のリードと、電気的に接続された状態で前記リードのヘッダー部間に同軸上に固着された半導体素子とを備えた複数の半導体チップ組立体を支持体により保持する工程と、
流動状態の保護樹脂内に浸漬された浸漬位置から塗布位置に掬上部材を移動させる工程と、
塗布位置に移動した前記掬上部材の上面に付着する流動状態の前記保護樹脂を前記半導体チップ組立体の半導体素子の側面に付着させる工程と、
前記保護樹脂が付着した半導体素子の側面を樹脂封止体により被覆する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製法。
【請求項２】
浸漬位置から塗布位置に前記掬上部材を移動させる工程は、前記掬上部材に設けられた開口部から前記掬上部材の上面の前記保護樹脂を零落させる工程を含む請求項１に記載の半導体装置の製法。
【請求項３】
浸漬位置から塗布位置に前記掬上部材を移動させる工程と、
前記掬上部材の上面に付着する流動状態の前記保護樹脂を前記半導体素子の側面に付着させる工程と、
前記掬上部材を浸漬位置に戻す工程とを複数回反復する請求項１又は２に記載の半導体装置の製法。
【請求項４】
複数の半導体チップ組立体を保持する支持体と、
該支持体の下方に配置され且つ流動状態の保護樹脂を収容する貯留槽と、
該貯留槽の保護樹脂内に浸漬された浸漬位置と、該浸漬位置より上方の塗布位置との間で移動可能に設けられた掬上部材とを備え、
浸漬位置から塗布位置に前記掬上部材を移動させて前記掬上部材の上面に付着する流動状態の前記保護樹脂を前記半導体チップ組立体の半導体素子の側面に付着させることを特徴とする半導体チップ組立体の保護樹脂塗布装置。
【請求項５】
浸漬位置から塗布位置に前記掬上部材を移動する際に、前記掬上部材から零落する前記保護樹脂が通過する開口部を前記掬上部材に設けた請求項４に記載の半導体チップ組立体の保護樹脂塗布装置。
【請求項６】
前記掬上部材は、水平に配置された基板と、該基板から一定の間隔で垂直に突出する隔壁とを有し、前記基板及び隣合う隔壁は、前記半導体チップ組立体の半導体素子を個別に収容する収容空間を形成する請求項４又は５に記載の半導体チップ組立体の保護樹脂塗布装置。
【請求項７】
前記掬上部材が塗布位置に移動したとき、前記半導体チップ組立体のヘッダー部は、前記収容空間の内部に配置される請求項６に記載の半導体チップ組立体の保護樹脂塗布装置。
【請求項８】
前記掬上部材を浸漬位置と塗布位置との間で移動させる駆動装置を備えた請求項４〜７の何れか１項に記載の半導体チップ組立体の保護樹脂塗布装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイオード等の半導体装置の製法及び半導体チップ組立体に保護樹脂を確実に付着させる半導体チップ組立体の保護樹脂塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば下記特許文献１に示されるように、ダイオード等の半導体素子の対向する一対の主面に棒状のリードを半田付けし、リードの先端側と半導体素子とを保護樹脂と封止樹脂とにより被覆する電子部品は公知である。この種の電子部品では、電子部品組立体を構成する半導体素子の側面をジャンクションコーティングレジン又はＪＣＲと呼ばれる保護樹脂によって被覆した後に、更に半導体素子の側面とリードの内端部とを封止樹脂により被覆して樹脂封止体を形成する。半導体素子の側面に保護樹脂を形成するには、流動性を有する保護樹脂材を周知のディスペンサを使用して半導体素子の側面に塗布する塗布法と、保護樹脂材内に浸漬したローラを用いて、半導体素子の側面にローラに付着した保護樹脂材を転写する転写法とがある。
【０００３】
特許文献２は、ローラを回転させてローラの外周面に樹脂層を形成し、樹脂層をダイオードチップの外周面に転写するダイオード素子の保護被覆層の形成方法及び装置を示す。この方法では、ローラに並べて配置されたならし体の帯状表面の上にダイオードチップの保護樹脂層を接触させ、ダイオード素子を回転させながら、比較的粘度の高いペースト状保護樹脂をダイオードチップの側面に均一の厚みに塗布する。
【０００４】
図７は、半導体チップ組立体(3)から形成される樹脂モールド形高圧ダイオードを示す。半導体チップ組立体(3)は、それぞれヘッダー部(11)及びリード部(12)を有する一対のリード(5)と、リード(5)のヘッダー部(11)間に電気的に接続された状態で同軸上に積層された複数のシリコンダイオードチップ等の半導体素子(10)を有し、各素子(10)間は、ろう材(24)により接着されて積層チップを形成する。半導体素子(10)の両端には、リード(5)がろう材(24)により接続され、側面(10a)は、保護樹脂(6)により被覆される。保護樹脂(6)は、電気的特性の安定化、耐湿性改良及び樹脂封止体(17)による応力の緩和を目的に形成され、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂又はポリエステル樹脂等の樹脂又はそのワニスが使用される。保護樹脂(6)の外側は更にエポキシ樹脂等の樹脂封止体(17)により被覆される。樹脂モールド形高圧ダイオードでは、ろう材(24)は、例えばアルミニウム（Ａｌ）を主成分とすると共に銀（Ａｇ）を含有する。また、図７に示すように、ろう材(24)は、半導体素子(10)の側面(10a)よりも保護樹脂(6)側に突出する外端部を有する。
【０００５】
次に、樹脂モールド形高圧ダイオードを形成する半導体チップ組立体(3)の製法について説明する。まず、図８に示すように、ｐ＋−ｎ−ｎ＋構造のシリコンウエハ(21)をろう材(24)により積層された状態に接着し、積層ウエハ(20)が形成される。積層ウエハ(20)の両端部のシリコンウエハ(21)には、予めニッケル（Ｎｉ）電極(25)が形成され、その上には、更にろう材(24)が形成される。積層ウエハ(20)は、図９に示すように、ワイヤソウを用いたラップダイスにより０.６mm平方の矩形チップから成る積層された半導体素子(10)に切断及び分断される。続いて、図１０に示すように、半導体素子(10)の両端に予め形成したろう材(24)で銀（Ａｇ）を被覆した銅線（Ｃｕ）から成るリード(5)を接続する。
【０００６】
次に、ラップダイスによる加工歪を除去するため、弗酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）とを含む混酸エッチング液により半導体素子(10)の表面層をエッチング除去する。このとき、ろう材(24)は、僅かにエッチングされる程度であるため、ろう材(24)の外端部は、図１１に示すように、半導体素子(10)の側面(10a)から突出する。ろう材(24)の外端部の厚みもエッチング前と殆ど変わらず、その後の工程により外端部が折れ曲ることもない。この後、図１２に示すように、ポリイミド樹脂形成用の溶液を半導体素子(10)の側面(10a)に塗布し、熱処理を経てポリイミド樹脂から成る保護樹脂(6)を形成する。最後に、周知のトランスファモールド法によりエポキシ樹脂から成る樹脂封止体(17)で封止し、図７の樹脂モールド形高圧ダイオードが得られる。
【０００７】
【特許文献１】特公平２−３７７０２号公報
【特許文献２】特開平１０−２８９９１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、例えば電子レンジ等に使用する高圧ダイオードは、対向する一対のリードの間に３０個程度の多数の半導体チップを積層した積層チップにより形成されるので、リードの延伸方向に長く形成される半導体チップの側面に保護樹脂を塗布しなければならない。このため、ディスペンサを使用して、塗布面の長い半導体チップの側面に保護樹脂を均一に塗布することができなかった。
【０００９】
また、シリコン樹脂又はポリエステル樹脂と比較して固化後に緻密な結合を形成し、高硬度を有するポリイミド樹脂を保護樹脂としてこの種の高圧ダイオードに適用するが、ローラを使用する転写法では、粘性が低いポリイミド樹脂を半導体チップの側面に適度な厚さに塗布して、均一な保護樹脂層を形成することができず、このため、電気的特性及び耐湿性を向上すると共に、樹脂封止体による応力を良好に緩和することができなかった。
【００１０】
本発明は、多数の半導体チップを積層して形成された長い形状を有する半導体チップ組立体の側面に均一に保護樹脂を塗布できる半導体装置の製法及び半導体チップ組立体の保護樹脂塗布装置を提供することを目的とする。また、本発明は、適量の保護樹脂を略均一な厚さに塗布できる半導体装置の製法及び半導体チップ組立体の保護樹脂塗布装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による半導体装置の製法は、それぞれヘッダー部(11)及びリード部(12)を有する一対のリード(5)と、電気的に接続された状態でリード(5)のヘッダー部(11)間に同軸上に固着された半導体素子(10)とを備えた複数の半導体チップ組立体(3)を支持体(4)により保持する工程と、流動状態の保護樹脂(6)内に浸漬された浸漬位置から塗布位置に掬上（すくいあげ）部材(1)を移動させる工程と、塗布位置に移動した掬上部材(1)の上面(1a)に付着する流動状態の保護樹脂(6)を半導体チップ組立体(3)の半導体素子(10)の側面(10a)に付着させる工程と、保護樹脂(6)が付着した半導体素子(10)の側面(10a)を樹脂封止体(17)により被覆する工程とを含む。掬上部材(1)の表面に保護樹脂(6)が付着する浸漬位置から塗布位置に掬上部材(1)を移動させるとき、掬上部材(1)から過剰量の保護樹脂(6)が落下し、塗布位置に移動した掬上部材(1)には流動状態にある適当量の保護樹脂(6)が自身の粘性により適度の厚さで付着する。掬上部材(1)上の保護樹脂(6)を半導体チップ組立体(3)の半導体素子(10)の側面(10a)に押し付けることにより、半導体素子(10)の全側面(10a)に最適量の保護樹脂(6)を付着させることができる。
【００１２】
本発明による半導体チップ組立体の保護樹脂塗布装置は、複数の半導体チップ組立体(3)を保持する支持体(4)と、支持体(4)の下方に配置され且つ流動状態の保護樹脂(6)を収容する貯留槽(2)と、貯留槽(2)の保護樹脂(6)内に浸漬された浸漬位置と浸漬位置より上方の塗布位置との間で移動可能に設けられた掬上部材(1)とを備えている。浸漬位置から塗布位置に掬上部材(1)を移動させて掬上部材(1)の上面(1a)に付着する流動状態の保護樹脂(6)を半導体チップ組立体(3)の半導体素子(10)の側面(10a)に付着させる。掬上部材(1)の上下移動により半導体素子(10)の側面(10a)に最適量の保護樹脂(6)を容易に付着させることができる。
【発明の効果】
【００１３】
細長い半導体チップ組立体の側面の全体に亘って適量の保護樹脂を塗布できるため、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、高圧ダイオードの製造に適用した本発明による半導体装置の製法及び半導体チップ組立体の保護樹脂塗布装置の一実施の形態を図１〜図５について説明する。図１〜図５では図７〜図１２に示す半導体チップ組立体と実質的に同一の部分には同一の符号を付し、半導体チップ組立体の製法の説明を省略する。
【００１５】
図１に示す本実施の形態による半導体チップ組立体の保護樹脂塗布装置は、例えば高圧ダイオードを形成するダイオードチップ組立体（半導体チップ組立体）(3)を保持する支持体(4)と、支持体(4)の下方に配置され且つ流動状態の保護樹脂（ポリイミド樹脂）(6)を収容する貯留槽(2)と、貯留槽(2)の保護樹脂(6)内に浸漬された浸漬位置と浸漬位置より上方の塗布位置との間で移動可能に設けられた掬上（すくいあげ）部材(1)と、掬上部材(1)を浸漬位置と塗布位置との間で移動させる駆動装置(7)とを備える。
【００１６】
ダイオードチップ組立体(3)は、例えば、３０枚のダイオードチップ（半導体素子）(10)が半田又はろう材から成る導電性接着剤層(24)を介して積層される。ダイオードチップ(10)の１枚の厚みは２４０μm程度であり、３０枚のダイオードチップ(10)を積層して成るダイオード積層体の長さは約９mmの長さに形成される。また、隣り合うダイオードチップ(10)の間に介在する導電性接着剤層(24)の直径はダイオードチップ(10)の直径よりも大きく、隣り合うダイオードチップ(10)の間から導電性接着剤層(24)が径方向に突出する。ダイオードチップ(10)から径方向に突出する導電性接着剤層(24)には流動状態の保護樹脂(6)が良好に付着するため、積層されたダイオードチップ(10)の細長い側面(10a)に保護樹脂(6)を略均一な厚さで良好に塗布することができる。ダイオードチップ(10)の両端面に同軸上に固着された一対のリード(5)のヘッダー部(11)の直径は、ダイオードチップ(10)の間に形成された導電性接着剤層(24)の直径より大きく、ヘッダー部(11)は、ダイオード積層体よりも外周側に突出する。
【００１７】
支持体(4)は、枠状に形成された冶具から成り、複数のダイオードチップ組立体(3)のリード部(12)を支持する切欠部（係止部）(14)を上部に有する。複数のダイオードチップ組立体(3)のリード部(12)を支持体(4)の切欠部(14)上に取り付けて、ダイオードチップ組立体(3)を支持体(4)上に配置する。支持体(4)は、ダイオードチップ組立体(3)を水平に保持し、ダイオードチップ組立体(3)に保護樹脂(6)を均一に塗布できる。切欠部(14)は、図１に示すように、リード配置溝から成り、例えば３０〜４０個程度のダイオードチップ組立体(3)を保持する。ダイオードチップ組立体(3)は、一対のリード部(12)がリード配置溝に収容され、枠状の支持体(4)に橋梁状態で配置される。図示しないが、切欠部(14)は、リード(5)を切欠部(14)内に保持する固定装置を有する。支持体(4)の内側に形成される移動空間内を掬上部材(1)が上下移動又は垂直移動する。また、支持体(4)は、図示しない搬送装置によって移動可能であり、洗浄工程から保護樹脂(6)の塗布工程及びその後の乾燥工程に対しダイオードチップ組立体(3)を移動させることができる。
【００１８】
貯留槽(2)は、保護樹脂(6)内に浸漬する浸漬位置に掬上部材(1)を配置したとき、保護樹脂(6)を十分に収容できる大きさを有する。図２に示すように、掬上部材(1)を下方に移動して槽内に浸漬すると、貯留槽(2)内の保護樹脂(6)中に掬上部材(1)の上面(1a)を浸漬させて、保護樹脂(6)を掬上部材(1)上に掬い上げることができる。駆動装置(7)は、例えば図示しないモータと、モータの動力を掬上部材(1)に伝達するカム及び掬上部材(1)の外側の隔壁(16)に備えられた支持アームとから構成され、掬上部材(1)を上下移動させることにより、掬上部材(1)を図２に示す浸漬位置から図３及び図４に示す塗布位置に移動し、その後、塗布位置から図５に示す浸漬位置に再び移動することができる。
【００１９】
掬上部材(1)は、水平に配置された基板(15)と、基板(15)の上面(1a)から一定の間隔で垂直に突出する隔壁(16)と、浸漬位置から塗布位置に移動する際に、掬上部材(1)上から零落する保護樹脂(6)が通過する開口部(19)とを有し、隣合う隔壁(16)は、ダイオードチップ組立体(3)のダイオードチップ(10)を個別に収容する。自身の粘着性により基板(15)の表面に残留する保護樹脂(6)は、隔壁(16)により均等に分割されるため、隔壁(16)間に個別に収容される各ダイオードチップ(10)及びヘッダー部(11)の側面(10a,11a)に保護樹脂(6)が均等に付着する。
【００２０】
図２は、浸漬位置に移動した掬上部材(1)を示し、図１及び図３は、塗布位置に移動した掬上部材(1)を示す。掬上部材(1)を浸漬位置から塗布位置に移動させるとき、流動状態の保護樹脂(6)が所望厚さの層状に掬上部材(1)の上面(1a)に付着している。このため、流動状態の保護樹脂(6)をダイオードチップ(10)及びヘッダー部(11)の側面(10a,11a)に付着させると、ダイオードチップ(10)及びヘッダー部(11)の側面(10a,11a)は、掬上部材(1)の上面(1a)に付着する保護樹脂(6)内に略浸漬するので、掬上部材(1)の上下移動によりダイオードチップ(10)及びヘッダー部(11)の側面(10a,11a)に最適量の保護樹脂(6)を容易に付着させることができる。掬上部材(1)は、支持体(4)内側の移動空間内を移動し、隔壁(16)の間に形成される収容空間(18)内にダイオードチップ組立体(3)がそれぞれ一個づつ配置される。保護樹脂(6)の粘性により基板(15)及び隣り合う隔壁(16)間に捕捉された保護樹脂(6)内にダイオードチップ組立体(3)が浸漬され、ダイオードチップ組立体(3)のダイオードチップ(10)及びヘッダー部(11)の外周面に保護樹脂(6)が付着する。
【００２１】
隣り合う隔壁(16)との間隔は略均一に形成され、その間隔は、ダイオードチップ組立体(3)のヘッダー部(11)及び導電性接着剤層(24)の直径よりも大きく且つダイオードチップ(10)の径の３〜５倍程度に設定される。隔壁(16)の間隔がダイオードチップ組立体(3)のヘッダー部(11)及び導電性接着剤層(24)の直径より大きいため、ダイオードチップ組立体(3)を隣り合う隔壁(16)の内側に配置することができる。また、隔壁(16)の間隔をダイオードチップ組立体(3)の直径の約３〜５倍に設定すると、ダイオードチップ(10)及びヘッダー部(11)の側面(10a,11a)に保護樹脂(6)を良好に塗布することができる。
【００２２】
隔壁(16)の一端と他端は、外側に開放され、開口部(19)を形成する。基板(15)と隔壁(16)とにより形成される収容空間(18)は、開口部(19)により掬上部材(1)の外側に開放状態になるため、掬上部材(1)が貯留槽(2)内の浸漬位置に移動するとき、図２に示すように、開口部(19)を通じて収容空間(18)内に保護樹脂(6)が流入する。また、掬上部材(1)が支持体(4)の内側を通って塗布位置に移動するとき、ダイオードチップ組立体(3)のヘッダー部(11)は、収容空間(18)の内部に配置される。また、その際に収容空間(18)内に収容される保護樹脂(6)は、開口部(19)から外部に流出又は零落する。掬上部材(1)を浸漬位置から塗布位置に掬上部材(1)を移動するとき、掬上部材(1)から過剰量の保護樹脂(6)が落下し、塗布位置に移動した掬上部材(1)の収容空間(18)には流動状態にある適当量の保護樹脂(6)が自身の粘性により適度の厚さで付着する。掬上部材(1)の上面(1a)の保護樹脂(6)をダイオードチップ組立体(3)のダイオードチップ(10)の側面(10a)に押し付けることにより、ダイオードチップ(10)の全側面(10a)に最適量の保護樹脂(6)を均一の厚みに付着させることができる。ダイオードチップ組立体(3)のヘッダー部(11)を収容空間(18)の内部に配置することで、ヘッダー部(11)の側面(11a)にも保護樹脂(6)を塗布することができる。また、ヘッダー部(11)のダイオードチップ(10)が固着された側と反対の主面にも保護樹脂(6)が付着する。
【００２３】
掬上部材(1)に形成される開口部(19)は、ダイオードチップ(10)及びヘッダー部(11)の側面(10a,11a)に保護樹脂(6)を均一に塗布する上で極めて重要である。隣り合う隔壁(16)の一端と他端にも側壁を形成して収容空間(18)を閉塞すると、ダイオードチップ組立体(3)のヘッダー部(11)のダイオードチップ(10)が固着された側と反対側の主面に必要以上に保護樹脂が付着する。ヘッダー部(11)のダイオードチップ(10)が固着された側と反対の主面に多量の保護樹脂が付着すると、樹脂封止体(17)によって過剰量の保護樹脂(6)を完全に包囲することができず、耐湿性等の特性が劣化する。一方、ヘッダー部(11)のダイオードチップ(10)が固着された側と反対側の主面に保護樹脂(6)が塗布されないと、リード部(12)と樹脂封止体(17)との界面から進入した水分がダイオードチップ(10)に到達して電気的特性を劣化させる。
【００２４】
また、図４に示すように、隔壁(16)の高さＨ1は、ダイオードチップ組立体(3)のヘッダー部(11)及び導電性接着剤層(24)の直径Ｈ2より大きいため、ダイオードチップ組立体(3)を隔壁(16)の間に配置したとき、ダイオードチップ組立体(3)のヘッダー部(11)又は導電性接着剤層(24)が掬上部材(1)の上面(1a)に接触するのを防止できる。隔壁(16)の長さＬ1は、ダイオードチップ組立体(3)のヘッダー部(11)間の長さＬ2より若干大きい。Ｌ1をＬ2よりも若干大きくすることにより、ダイオードチップ(10)及びヘッダー部(11)の側面(10a,11a)に保護樹脂(6)を良好に塗布することができると共に、ヘッダー部(11)のダイオードチップ(10)が固着された側と反対の主面にも適量の保護樹脂(6)を塗布できる。Ｌ1をＬ2よりも小さくすると、ダイオードチップ(10)及びヘッダー部(11)の側面(10a,11a)全体に保護樹脂(6)を良好に塗布できない。また、ヘッダー部(11)のダイオードチップ(10)が固着された側と反対の主面に保護樹脂(6)を塗布できない。
【００２５】
本実施の形態によるダイオードチップ組立体の保護樹脂塗布装置では、隔壁(16)の長さＬ1をダイオードチップ組立体(3)のヘッダー部(11)間の長さＬ2よりも若干大きくして、掬上部材(1)の開口部(19)と相俟ってダイオードチップ組立体(3)のヘッダー部(11)のダイオードチップ(10)が固着された側と反対の主面に適量の保護樹脂(6)を付着できる。例えば１.６４〜１.８９mm程度の長さにＬ2を形成したダイオードチップ組立体(3)では、隔壁(16)の長さＬ1は、２.７mm程度に設定され、２.５４〜３.９９mm程度の長さにＬ2を形成したダイオードチップ組立体(3)では、隔壁(16)の長さＬ1は、４.８mm程度に設定される。
【００２６】
更に、本実施の形態によるダイオードチップ組立体の保護樹脂塗布装置では、浸漬位置から塗布位置に掬上部材(1)を移動させ、掬上部材(1)の上面(1a)に付着する流動状態の保護樹脂(6)をダイオードチップ(10)の側面(10a)に付着し、その後、掬上部材(1)を浸漬位置に戻す動作を複数回、好ましくは２回又は３回程度反復させる。ダイオードチップ(10)の側面(10a)に塗布する保護樹脂(6)の量が不充分な場合は、浸漬位置から塗布位置に掬上部材(1)を移動させて、保護樹脂(6)の付着を必要に応じて複数回反復することにより最適量の保護樹脂(6)をダイオードチップ(10)の全側面(10a)に塗布することができる。
【００２７】
ダイオードチップ(10)の側面(10a)に付着した過剰量の保護樹脂(6)は、粘着力より勝る自重で下方に落下するので、自動的に適当量の保護樹脂(6)がダイオードチップ(10)の側面(10a)に残留する。掬上部材(1)は、駆動装置(7)により、例えば１５.５mm上下移動させて２回塗布動作を行うとき、浸漬位置から塗布位置に移動して再び浸漬位置に戻るまでの１サイクルの動作時間を、例えば１回目１.７秒、２回目２.１秒に設定する。掬上部材(1)の１サイクルの動作時間が短くなると、ダイオードチップ組立体(3)への保護樹脂(6)の付着量は増加する。２回目以降と比較して保護樹脂(6)が付着し難い１回目の塗布動作の動作時間を短くすると、ダイオードチップ組立体(3)に効率的に保護樹脂(6)を付着することができる。本実施の形態によるダイオードチップ組立体の保護樹脂塗布装置では、ポリイミド樹脂等の粘性が低い保護樹脂(6)を２５〜４５μm程度の適度な厚さにダイオードチップ組立体(3)に塗布することができる。
【００２８】
本発明によるダイオードチップ組立体の保護樹脂塗布装置によりダイオードチップ(10)及びヘッダー部(11)の側面(10a,11a)に保護樹脂(6)を塗布したダイオードチップ組立体(3)は、乾燥工程の後、従来と同様に、保護樹脂(6)の外側に更にエポキシ樹脂等の樹脂封止体(17)が被覆され、図６に示す高圧ダイオードが形成される。
【００２９】
本発明は、図１〜図６に示す本実施の形態に限定されず、他の形態により実施可能であり、特許請求の範囲に該当する全ての変更を包含する。例えば図１〜図５では、基板(15)の幅を隔壁(16)の長さと同一にしたが、基板(15)の幅を隔壁(16)の長さよりも大きくして、隔壁(16)の両端から基板(15)を外側に突出させてもよい。支持体(4)は、上部にリード配置溝を有し、複数のダイオードチップ組立体(3)を配置する枠状の冶具に限定されず、ダイオードチップ組立体(3)のリード(5)を図示しない狭持装置により個別に保持させてもよい。また、ダイオードチップ組立体(3)の一方及び他方のリード(5)をそれぞれ異なる支持体(4)により保持してもよい。また、ダイオード以外の半導体を使用する装置の製造に本発明を適用することができる。
【００３０】
本実施の形態のダイオードチップ組立体の保護樹脂塗布法及びその装置では、上記の構成により、下記の作用効果が得られる。
［１］  掬上部材(1)を浸漬位置から塗布位置に移動させる際に、掬上部材(1)に設けられた開口部(19)から掬上部材(1)上の保護樹脂(6)を漏洩させ、掬上部材(1)上から過剰量の保護樹脂(6)を落下させることができる。
［２］  保護樹脂(6)の付着を必要に応じて複数回反復することにより最適量の保護樹脂(6)をダイオードチップ(10)の全側面(10a)に塗布できる。
［３］  掬上部材(1)は、隔壁(16)がダイオードチップ組立体(3)を個別に収容するため、自身の粘着性により基板(15)及び隔壁(16)の表面に付着する保護樹脂(6)をダイオードチップ組立体(3)の側面(10a,11a)に塗布できる。
［４］  掬上部材(1)が塗布位置に移動したとき、ダイオードチップ組立体(3)のヘッダー部(11)が収容空間(18)の内部に配置されるため、ヘッダー部(11)の側面(11a)及びダイオードチップ(10)が固着された側と反対の主面に保護樹脂(6)が塗布されて、リード部(12)と樹脂封止体(17)との界面から進入した水分がダイオードチップ(10)に到達することを完全に防止できる。このため、ダイオードチップ組立体(3)の耐湿性及び電気的特性を向上することができる。
［５］  掬上部材(1)を浸漬位置と塗布位置との間で移動させる駆動装置(7)を備えるため、ダイオードチップ(10)への塗布操作を自動化することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
ダイオード等の半導体チップ組立体の側面に保護樹脂を付着する工程に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明によるダイオードチップ組立体の保護樹脂塗布装置の一実施の形態を示す斜視図
【図２】浸漬位置の掬上部材を示す断面図
【図３】塗布位置の掬上部材を示す断面図
【図４】塗布位置の掬上部材を示す他の断面図
【図５】ダイオードチップ組立体に保護樹脂を塗布後の浸漬位置の掬上部材を示す断面図
【図６】封止樹脂により被覆されたダイオードチップ組立体を示す断面図
【図７】高圧ダイオードを示す断面図
【図８】積層ウエハを示す断面図
【図９】積層ウエハを切断して形成されたダイオードチップを示す斜視図
【図１０】両端にリードを接続したダイオードチップを示す断面図
【図１１】表面層をエッチング除去したダイオードチップを示す断面図
【図１２】外周面に保護樹脂を塗布したダイオードチップを示す断面図
【符号の説明】
【００３３】
(1)・・掬上部材、  (1a)・・上面、  (2)・・貯留槽、  (3)・・ダイオードチップ組立体（半導体チップ組立体）、  (4)・・支持体、  (5)・・リード、  (6)・・保護樹脂、  (7)・・駆動装置、  (10)・・ダイオードチップ（半導体素子）、  (10a)・・側面、  (11)・・ヘッダー部、  (12)・・リード部、  (15)・・基板、  (16)・・隔壁、  (17)・・樹脂封止体、  (18)・・収容空間、  (19)・・開口部、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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