(57)【要約】【課題】非記録時の意図しない情報の消去を抑制し、磁気動作特性を安定に確保することが可能な薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】上部リードシールド層７がバックギャップ１３ＢＧ（バックギャップ後端位置ＴＢＧ）よりも後方まで延在しており、ライトシールド層１５もバックギャップ１３ＢＧよりも後方まで延在している。ボイスコイルモータ等から生じた浮遊外部磁場は上部リードシールド層７だけでなくライトシールド層１５においても取り込まれやすくなり、すなわち上部リードシールド層７に集中しにくくなる。これにより、上部リードシールド層７および磁極層１０と記録媒体との間に不要な磁気的閉ループが形成されにくくなるため、この不要な磁気的閉ループに起因して非記録時に意図しない情報の上書きが行われにくくなる。【選択図】    図１
2005018851.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束を発生させる薄膜コイルと、
媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極層と、
この磁極層の前記媒体進行方向側において前記記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられると共に前記記録媒体対向面から遠い側においてバックギャップを通じて前記磁極層と連結されるように配設された第１の磁気遮蔽層と、
前記磁極層の前記媒体進行方向と反対方向側において前記記録媒体対向面から後方に向かって延在する第２の磁気遮蔽層と、を備え、
前記第１の磁気遮蔽層が、前記バックギャップよりも後方まで延在していると共に、前記第２の磁気遮蔽層から物理的に分離されている
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第２の磁気遮蔽層が、前記バックギャップよりも後方まで延在しており、
前記第１の磁気遮蔽層の長さＬ１と前記第２の磁気遮蔽層の長さＬ２との長さ比Ｌ１／Ｌ２が、０．４５以上である
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記長さ比Ｌ１／Ｌ２が、０．４５以上１．３以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第２の磁気遮蔽層が、前記バックギャップの位置またはそれよりも前方まで延在しており、
前記第１の磁気遮蔽層の長さＬ１と前記第２の磁気遮蔽層の長さＬ２との長さ比Ｌ１／Ｌ２が、１．３以下である
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記長さ比Ｌ１／Ｌ２が、１．０よりも大きく１．３以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記第１の磁気遮蔽層が、前記磁極層から放出された磁束の広がりを防止するものである
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
さらに、磁気抵抗効果を利用して磁気的処理を行う磁気抵抗効果素子を備え、
前記第２の磁気遮蔽層が、前記磁気抵抗効果素子を周囲から磁気的に分離するものである
ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記磁極層が、前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するように構成されている
ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
記録媒体と、この記録媒体に磁気的に情報を記録する薄膜磁気ヘッドとを有し、
この薄膜磁気ヘッドが、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極層と、この磁極層の前記媒体進行方向側において前記記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられると共に前記記録媒体対向面から遠い側においてバックギャップを通じて前記磁極層と連結されるように配設された第１の磁気遮蔽層と、前記磁極層の前記媒体進行方向と反対方向側において前記記録媒体対向面から後方に向かって延在する第２の磁気遮蔽層と、を備え、
前記第１の磁気遮蔽層が、前記バックギャップよりも後方まで延在していると共に、前記第２の磁気遮蔽層から物理的に分離されている
ことを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも記録用の誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、例えばハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という。）の面記録密度の向上に伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。この薄膜磁気ヘッドの記録方式としては、例えば、信号磁界の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）にする長手記録方式や、信号磁界の向きを記録媒体の面と直交する方向にする垂直記録方式が知られている。現在のところは長手記録方式が広く利用されているが、面記録密度の向上に伴う市場動向を考慮すれば、今後は長手記録方式に代わり垂直記録方式が有望視されるものと想定される。なぜなら、垂直記録方式では、高い線記録密度を確保可能な上、記録済みの記録媒体が熱揺らぎの影響を受けにくいという利点が得られるからである。
【０００３】
垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、例えば、記録用の磁束を発生させる薄膜コイルと、この薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極層と、この磁極層から放出された磁束の広がりを防止するライトシールド層とを備えている。この種の薄膜磁気ヘッドとしては、例えば、磁極層のトレーリング側にライトシールド層が配設されたものが知られている（例えば、特許文献１および２参照。）。これらの薄膜磁気ヘッドでは、記録時にライトシールド層の存在に基づいて磁束の広がりが防止され、記録媒体上の記録トラック幅が狭まるため、記録密度が向上するという利点が得られる。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−２５０２０４号公報
【特許文献２】
欧州特許出願公開第０３６０９７８号明細書
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの信頼性を高めるためには、磁気動作特性を安定に確保する必要がある。しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドでは、例えばボイスコイルモータなどの外部磁場発生源から不要な磁場（浮遊外部磁場）が生じると、その浮遊外部磁場の影響によっては非記録時、すなわち薄膜コイルに記録用の電流が供給されていない状態において意図しない書き込み（上書き）が行われ、記録媒体に記録されていた情報が意図せずに消去されるおそれがあるという問題があった。垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの磁気動作特性を安定に確保するためには、上記した非記録時の意図しない情報の消去を可能な限り抑制する技術の確立が急務である。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、非記録時の意図しない情報の消去を抑制し、磁気動作特性を安定に確保することが可能な薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
【０００７】
また、本発明の第２の目的は、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載し、磁気動作特性を安定に確保することが可能な磁気記録装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極層と、この磁極層の媒体進行方向側において記録媒体対向面から後方に向かって延在し、記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により磁極層から隔てられると共に記録媒体対向面から遠い側においてバックギャップを通じて磁極層と連結されるように配設された第１の磁気遮蔽層と、磁極層の媒体進行方向と反対方向側において記録媒体対向面から後方に向かって延在する第２の磁気遮蔽層とを備え、第１の磁気遮蔽層が、バックギャップよりも後方まで延在していると共に第２の磁気遮蔽層から物理的に分離されているものである。
【０００９】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、第１の磁気遮蔽層がバックギャップよりも後方まで延在しているため、第１の磁気遮蔽層がバックギャップよりも後方まで延在していない場合とは異なり、第２の磁気遮蔽層および磁極層と記録媒体との間に不要な磁気的閉ループが形成されにくくなる。これにより、不要な磁気的閉ループに起因する意図しない情報の上書きが行われにくくなる。
【００１０】
本発明に係る磁気記録装置は、記録媒体と、この記録媒体に磁気的に情報を記録する薄膜磁気ヘッドとを有し、この薄膜磁気ヘッドが、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極層と、この磁極層の媒体進行方向側において記録媒体対向面から後方に向かって延在し、記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により磁極層から隔てられると共に記録媒体対向面から遠い側においてバックギャップを通じて磁極層と連結されるように配設された第１の磁気遮蔽層と、磁極層の媒体進行方向と反対方向側において記録媒体対向面から後方に向かって延在する第２の磁気遮蔽層とを備え、第１の磁気遮蔽層が、バックギャップよりも後方まで延在していると共に第２の磁気遮蔽層から物理的に分離されているものである。
【００１１】
本発明に係る磁気記録装置では、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載しているため、不要な磁気的閉ループに起因する意図しない情報の上書きが行われにくくなる。
【００１２】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、第２の磁気遮蔽層がバックギャップよりも後方まで延在している場合には、第１の磁気遮蔽層の長さＬ１と第２の磁気遮蔽層の長さＬ２との長さ比Ｌ１／Ｌ２が０．４５以上、特に０．４５以上１．３以下の範囲内であるのが好ましく、一方、第２の磁気遮蔽層がバックギャップの位置またはそれよりも前方まで延在している場合には、第１の磁気遮蔽層の長さＬ１と第２の磁気遮蔽層の長さＬ２との長さ比Ｌ１／Ｌ２が１．３以下、特に１．０よりも大きく１．３以下の範囲内であるのが好ましい。
【００１３】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおける第１の磁気遮蔽層とは、磁極層から放出された磁束の広がりを防止するものであり、いわゆるライトシールド層である。また、第２の磁気遮蔽層とは、磁気抵抗効果素子を周囲から磁気的に分離するものであり、いわゆるリードシールド層である。これらの第１および第２の磁気遮蔽層は、例えば、磁極層が記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するように構成された垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドを構成するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
［第１の実施の形態］
まず、図１〜図３を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図１および図２は薄膜磁気ヘッドの断面構成を表しており、図１はエアベアリング面に垂直な断面を示し、図２はエアベアリング面に平行な断面を示している。また、図３は図１および図２に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の平面構成を表している。なお、図１および図２に示した矢印Ｍは、薄膜磁気ヘッドに対して記録媒体（図示せず）が相対的に進行する方向（媒体進行方向）を表している。
【００１６】
以下の説明では、図１〜図３中に示したＸ軸方向の距離を「幅」、Ｙ軸方向の距離を「長さ」、Ｚ軸方向の距離を「厚さ」と表記する。また、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面に近い側を「前方」、その反対側を「後方」と表記する。これらの表記内容は、後述する図４以降においても同様とする。
【００１７】
この薄膜磁気ヘッドは、例えば、記録・再生の双方の機能を実行可能な複合型ヘッドであり、図１および図２に示したように、例えばアルティック（Ａｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ）などのセラミック材料により構成された基板１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２  Ｏ３  ；以下、単に「アルミナ」という。）などの非磁性絶縁材料により構成された絶縁層２と、磁気抵抗効果（ＭＲ；Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ）を利用して再生処理を実行する再生ヘッド部１００Ａと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成された分離層９と、垂直記録方式の記録処理を実行する単磁極型の記録ヘッド部１００Ｂと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されたオーバーコート層１７とがこの順に積層された構成を有している。
【００１８】
再生ヘッド部１００Ａは、例えば、絶縁層４により周囲を埋設された下部リードシールド層３と、シールドギャップ膜５と、絶縁層８により周囲を埋設された上部リードシールド層７とがこの順に積層された構成を有している。このシールドギャップ膜５には、記録媒体に対向する記録媒体対向面（エアベアリング面）２０に一端面が露出するように、再生素子としてのＭＲ素子６が埋設されている。
【００１９】
下部リードシールド層３および上部リードシールド層７（第２の磁気遮蔽層）は、ＭＲ素子６を周囲から磁気的に分離するものであり、例えば、ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）；以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）などの磁性材料により構成され、それらの厚さは約１．０μｍ〜２．０μｍである。これらの下部リードシールド層３および上部リードシールド層７は、例えば、図３に示したように、幅Ｗ３を有する矩形状の平面形状を有している。ただし、下部リードシールド層３と上部リードシールド層７とは必ずしも互いに等しい幅（Ｗ３）を有しているわけではなく、互いに異なる幅を有している場合もある。なお、絶縁層４，８は、それぞれ下部リードシールド層３および上部リードシールド層７を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。参考までに、例えば、図３では、図示の関係上、上部リードシールド層３，７を縦長（長さ＞幅）の矩形状に示しているが、実際の上部リードシールド層３，７は横長（幅＞長さ）の矩形状を有している。この図示上の都合は、後述するライトシールド層１５に関しても同様である。
【００２０】
シールドギャップ膜５は、ＭＲ素子６を周囲から電気的に分離するものであり、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。
【００２１】
ＭＲ素子６（磁気抵抗効果素子）は、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ；Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ）またはトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ；Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ）などを利用して磁気的処理（再生処理）を行うものである。
【００２２】
記録ヘッド部１００Ｂは、例えば、絶縁層１１，１２により周囲を埋設された磁極層１０と、連結用の開口（バックギャップ１３ＢＧ）が設けられたギャップ層１３と、絶縁層１６により埋設された薄膜コイル１４と、ライトシールド層１５とがこの順に積層された構成を有している。なお、図３では、再生ヘッド部１００Ａのうちの下部リードシールド層３および上部リードシールド層７と、記録ヘッド部１００Ｂのうちの磁極層１０およびライトシールド層１５とを示している。
【００２３】
磁極層１０は、薄膜コイル１４において発生した磁束を収容し、その磁束を記録媒体に向けて放出するものであり、エアベアリング面２０から後方に向かって延在している。特に、磁極層１０は、例えば、主要な磁束の放出部分として機能する主磁極層１０２と、この主磁極層１０２の磁気ボリューム（磁束収容量）を確保するための補助的な磁束の収容部分として機能する補助磁極層１０１とが積層された２段構成を有している。なお、絶縁層１１，１２は、それぞれ補助磁極層１０１および主磁極層１０２を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。
【００２４】
補助磁極層１０１は、主磁極層１０２のリーディング側においてエアベアリング面２０から後退した位置から後方に向かって延在し、具体的にはバックギャップ１３ＢＧまで延在しており、その主磁極層１０２に連結されている。この補助磁極層１０１は、例えば、主磁極層１０２と同様の磁性材料により構成されており、図３に示したように、幅Ｗ３よりも小さな幅Ｗ２（Ｗ２＜Ｗ３）を有する矩形状の平面形状を有している。なお、本発明で言うところの「連結」とは、単に物理的に接触しているだけでなく、物理的に接触した上で磁気的導通が可能な状態にあることを意味している。また、上記した「バックギャップ１３ＢＧまで延在している」ときの「バックギャップ１３ＢＧ」とは、厳密には、そのバックギャップ１３ＢＧの後端の位置（バックギャップ後端位置）ＴＢＧである。この「バックギャップ１３ＢＧ（バックギャップ後端位置ＴＢＧ）」を基準とした延在範囲の説明は、以下においても同様である。
【００２５】
主磁極層１０２は、エアベアリング面２０から後方に向かって延在し、具体的にはバックギャップ後端位置ＴＢＧまで延在しており、例えば、パーマロイや鉄コバルト系合金（例えば鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）や鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）等）により構成されている。この主磁極層１０２は、例えば、図３に示したように、エアベアリング面２０に近い側から順に、記録トラック幅を規定する一定幅Ｗ１（＝約０．１５μｍ）を有する先端部１０２Ａと、この先端部１０２Ａの後方に連結され、先端部１０２Ａの幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ２（Ｗ２＞Ｗ１）を有する後端部１０２Ｂとを含んでいる。後端部１０２Ｂの幅は、例えば、後方において一定幅Ｗ２を有し、かつ前方において先端部１０２Ａに近づくにしたがって次第に狭まっている。主磁極層１０２の幅が先端部１０２Ａ（幅Ｗ１）から後端部１０２Ｂ（幅Ｗ２）へ拡がる位置は、「フレアポイントＦＰ」と呼ばれている。
【００２６】
ギャップ層１３は、磁極層１０とライトシールド層１５とを磁気的に分離するためのギャップを構成するものである。このギャップ層１３は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されており、その厚さは約０．２μｍ以下である。
【００２７】
薄膜コイル１４は、記録用の磁束を発生させるものであり、例えば、銅（Ｃｕ）などの高導電性材料により構成されている。この薄膜コイル１４は、例えば、バックギャップ１３ＢＧを中心としてスパイラル状に巻回する巻線構造を有しており、特に、バックギャップ１３ＢＧよりも前方において巻線幅が狭く、かつバックギャップ１３ＢＧよりも後方において巻線幅が広い特徴的な構成を有している。なお、図１では、薄膜コイル１４を構成する複数の巻線のうちの一部のみを示している。
【００２８】
絶縁層１６は、薄膜コイル１４を覆って周囲から電気的に分離するものであり、バックギャップ１３ＢＧを塞がないようにギャップ層１３上に配設されている。この絶縁層１６は、例えば加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹脂）やスピンオングラス（ＳＯＧ）などにより構成されており、その端縁近傍部分が丸みを帯びた斜面を有している。この絶縁層１６の最前端の位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つである「スロートハイトゼロ位置ＴＰ」である。このスロートハイトゼロ位置ＴＰとエアベアリング面２０との間の距離は「スロートハイトＴＨ（μｍ）」であり、約０，３μｍ以下である。なお、図１および図３では、例えば、スロートハイトゼロ位置ＴＰがフレアポイントＦＰに一致している場合を示している。
【００２９】
ライトシールド層１５（第１の磁気遮蔽層）は、磁極層１０から放出された磁束の広がり成分を取り込み、その磁束の広がりを防止するものである。このライトシールド層１５は、磁極層１０のトレーリング側においてエアベアリング面２０から後方に向かって延在し、エアベアリング面２０に近い側においてギャップ層１３により磁極層１０から隔てられると共にエアベアリング面２０から遠い側においてバックギャップ１３ＢＧを通じて磁極層１０と連結されており、再生ヘッド部１００Ａの下部リードシールド層３および上部リードシールド層７から離間され、物理的に分離されている。特に、ライトシールド層１５は、互いに別体をなす２つの構成要素、すなわち主要な磁束の取り込み口として機能するＴＨ規定層１５１と、このＴＨ規定層１５１から取り込まれた磁束の流路として機能するヨーク層１５２とを含んでいる。
【００３０】
ＴＨ規定層１５１は、ギャップ層１３に隣接し、エアベアリング面２０からこのエアベアリング面２０とバックギャップ１３ＢＧとの間の位置（より具体的にはエアベアリング面２０と薄膜コイル１４との間の位置）まで延在している。このＴＨ規定層１５１は、例えば、パーマロイや鉄コバルト系合金などの磁性材料により構成されており、例えば、図３に示したように、再生ヘッド部１００Ａの下部リードシールド層３や上部リードシールド層７と同様に幅Ｗ３を有する矩形状の平面形状を有している。このＴＨ規定層１５１には薄膜コイル１４を埋設している絶縁層１６が隣接しており、すなわちＴＨ規定層１５１は絶縁層１６の最前端位置（スロートハイトゼロ位置ＴＰ）を規定する役割を担っている。
【００３１】
ヨーク層１５２は、絶縁層１６を覆うようにエアベアリング面２０からバックギャップ１３ＢＧの後方まで延在しており、ＴＨ規定層１５１および磁極層１０の双方に連結されている。より詳細には、ヨーク層１５２は、バックギャップ１３ＢＧよりも前方においてＴＨ規定層１５１に乗り上げて連結し、バックギャップ１３ＢＧにおいて磁極層１０に部分的に連結し、バックギャップ１３ＢＧよりも後方においてギャップ層１３、絶縁層１１，１２および分離層９により下部リードシールド層３および上部リードシールド層７から物理的に分離されている。このヨーク層１５２は、例えば、ＴＨ規定層１５１と同様の磁性材料により構成されており、例えば、図３に示したように、幅Ｗ３を有する矩形状の平面形状を有している。
【００３２】
なお、「トレーリング側」とは、図１に示した媒体進行方向Ｍに向かって移動する記録媒体の移動状態を１つの流れと見た場合に、その流れの流出する側（媒体進行方向側）をいい、ここでは厚さ方向（Ｚ軸方向）における上側をいう。これに対して、流れの流入する側（媒体進行方向側と反対方向側）は「リーディング側」と呼ばれ、ここでは厚さ方向における下側をいう。
【００３３】
次に、図１および図３を参照して、この薄膜磁気ヘッドの特徴部分である下部リードシールド層３および上部リードシールド層７の構成とライトシールド層１５の構成との関係について説明する。
【００３４】
下部リードシールド層３および上部リードシールド層７は、例えば、いずれもバックギャップ１３ＢＧ（バックギャップ後端位置ＴＢＧ）よりも後方まで延在している。より具体的には、例えば、下部リードシールド層３は薄膜コイル１４の途中まで延在し、上部リードシールド層７は薄膜コイル１４よりも後方まで延在しており、すなわち上部リードシールド層７は下部リードシールド層３よりも後方まで延在し、長さＬ２を有している。一方、ライトシールド層１５は、バックギャップ１３ＢＧ（バックギャップ後端位置ＴＢＧ）よりも後方まで延在している。より具体的には、例えば、ライトシールド層１５は薄膜コイル１４よりも後方まで延在し、長さＬ１を有している。このライトシールド層１５は、例えば、上部リードシールド層７の幅Ｗ３に等しい幅（Ｗ３）を有している。なお、ライトシールド層１５は必ずしも上部リードシールド層７と等しい幅を有しているわけではなく、例えば、上部リードシールド層７と異なる幅を有する場合もある。特に、ライトシールド層１５の長さＬ１は上部リードシールド層７の長さＬ２に基づいて規定されており、例えば、ライトシールド層１５の長さＬ１と上部リードシールド層７の長さＬ２との長さ比Ｌ１／Ｌ２は０．４５以上（０．４５≦Ｌ１／Ｌ２）、好ましくは０．４５以上１．３以下の範囲内（０．４５≦Ｌ１／Ｌ２≦１．３）である。なお、図１および図３では、例えば、ライトシールド層１５の長さＬ１と上部リードシールド層７の長さＬ２とが等しい場合（Ｌ１＝Ｌ２）を示している。
【００３５】
ここで、上記したライトシールド層１５の長さＬ１と対比されるリードシールド層の長さＬ２とは、バックギャップ１３ＢＧよりも後方まで延在している下部リードシールド層３および上部リードシールド層７のうち、より後方まで延在している方（より長さが大きい方）の長さである。すなわち、図１および図３に示した場合には、上部リードシールド層７が下部リードシールド層３よりも後方まで延在しているため、その上部リードシールド層７の長さがＬ２として対比されることとなる。なお、参考までに、例えば、図４に示したように、下部リードシールド層３が上部リードシールド層７よりも後方まで延在している場合には、その下部リードシールド層３の長さがＬ２として対比される。もちろん、図示はしないが、下部リードシールド層３の長さと上部リードシールド層７の長さとが互いに等しい場合には、双方の長さがＬ２として対比されることは言うまでもない。
【００３６】
次に、図１〜図３を参照して、薄膜磁気ヘッドの動作について説明する。
【００３７】
この薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録時において、図示しない外部回路を通じて記録ヘッド部１００Ｂの薄膜コイル１４に電流が流れると、その薄膜コイル１４において磁束が発生する。このとき発生した磁束は、磁極層１０を構成する補助磁極層１０１および主磁極層１０２に収容されたのち、主に主磁極層１０２内を後端部１０２Ｂから先端部１０２Ａへ流れる。この際、主磁極層１０２内を流れる磁束は、その主磁極層１０２の幅の減少に伴い、フレアポイントＦＰにおいて絞り込まれて集束するため、先端部１０２Ａのうちのトレーリング側部分に集中する。このトレーリング側部分に集中した磁束が先端部１０２Ａから外部に放出されると、記録媒体の表面と直交する方向に記録磁界が発生し、この記録磁界により記録媒体が垂直方向に磁化されるため、記録媒体に磁気的に情報が記録される。なお、情報の記録時には、先端部１０２Ａから放出された磁束の広がり成分がライトシールド層１５に取り込まれるため、その磁束の広がりが防止される。このライトシールド層１５に取り込まれた磁束は、バックギャップ１３ＢＧを通じて磁極層１０に環流される。
【００３８】
一方、再生時においては、再生ヘッド部１００ＡのＭＲ素子６にセンス電流が流れると、記録媒体からの再生用の信号磁界に応じてＭＲ素子６の抵抗値が変化する。そして、この抵抗変化がセンス電流の変化として検出されるため、記録媒体に記録されている情報が磁気的に読み出される。
【００３９】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、下部リードシールド層３および上部リードシールド層７がバックギャップ１３ＢＧよりも後方まで延在している場合において、ライトシールド層１５がバックギャップ１３ＢＧよりも後方まで延在しているので、以下の理由により、非記録時の意図しない情報の消去を抑制し、磁気動作特性を安定に確保することができる。
【００４０】
図５は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに対する比較例としての薄膜磁気ヘッドの断面構成を表しており、図１に対応している。この薄膜磁気ヘッドは、ライトシールド層１５がバックギャップ１３ＢＧ（バックギャップ後端位置ＴＢＧ）よりも後方まで延在しておらず、そのバックギャップ１３ＢＧにおいて終端している点を除き、図１に示した本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと同様の構成を有している。この比較例の薄膜磁気ヘッドでは、上部リードシールド層７がバックギャップ１３ＢＧよりも後方まで延在しているにも関わらず、ライトシールド層１５がバックギャップ１３ＢＧにおいて終端しているため、例えばボイスコイルモータなどの外部磁場発生源から浮遊外部磁場が生じると、その浮遊外部磁場が上部リードシールド層７において取り込まれやすくなる一方で、ライトシールド層１５において取り込まれにくくなり、すなわち浮遊外部磁場が上部リードシールド層７に集中しやすくなる。この場合には、浮遊外部磁場が上部リードシールド層７に集中した結果、上部リードシールド層７および磁極層１０と記録媒体との間に不要な磁気的閉ループが形成されると、この不要な磁気的閉ループに起因して非記録時に意図しない上書きみが行われ、記録媒体に記録されていた情報が意図せずに消去されるおそれがある。
【００４１】
これに対して、本実施の形態では、図１に示したように、上部リードシールド層７がバックギャップ１３ＢＧよりも後方まで延在しており、ライトシールド層１５もバックギャップ１３ＢＧよりも後方まで延在しているため、浮遊外部磁場は上部リードシールド層７だけでなくライトシールド層１５においても取り込まれやすくなり、すなわち上部リードシールド層７に集中しにくくなる（上部リードシールド層７に集中する浮遊外部磁場の絶対量が減少する）。この場合には、浮遊外部磁場が上部リードシールド層７に集中しやすい比較例の場合とは異なり、上部リードシールド層７および磁極層１０と記録媒体との間に不要な磁気的閉ループが形成されにくくなるため、この不要な磁気的閉ループに起因して非記録時に意図しない情報の上書きが行われにくくなる。したがって、本実施の形態では、非記録時の意図しない情報の消去を抑制し、磁気動作特性を安定に確保することができるのである。
【００４２】
特に、本実施の形態では、ライトシールド層１５の長さＬ１と上部リードシールド層７の長さＬ２との長さ比Ｌ１／Ｌ２を０．４５≦Ｌ１／Ｌ２≦１．３とすれば、浮遊外部磁場に起因する不要な磁気的閉ループの形成を回避し、意図しない情報の消去を防止することができる。
【００４３】
また、本実施の形態では、上部リードシールド層７とライトシールド層１５とが互いに等しい長さおよび幅を有するようにしたので、ライトシールド層１５において上部リードシールド層７と同等の体積が確保され、すなわちライトシールド層１５において上部リードシールド層７と同等の磁気ボリュームが確保される。この場合には、上部リードシールド層７とライトシールド層１５とにほぼ均等に浮遊外部磁場が取り込まれるため、不要な磁気的閉ループを形成し得るまで上部リードシールド層７に大量の磁束が取り込まれにくくなると共に、磁束飽和を生じ得るまでライトシールド層１５に大量の磁束が取り込まれにくくなる。したがって、本実施の形態では、この観点においても非記録時の意図しない情報の消去の抑制に寄与することができる。
【００４４】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
【００４５】
図６は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成を表しており、図１に対応している。また、図７は図６に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の平面構成を表しており、図３に対応している。この薄膜磁気ヘッドは、例えば、下部リードシールド層３および上部リードシールド層７がバックギャップ１３ＢＧよりも後方まで延在していた上記第１の実施の形態とは異なり、それらの下部リードシールド層３および上部リードシールド層７がバックギャップ１３ＢＧの位置（バックギャップ後端位置ＴＢＧ）またはそれよりも前方まで延在しており、それらの下部リードシールド層３および上部リードシールド層７の長さに基づいてライトシールド層１５の長さが規定されている点を除き、上記第１の実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッドと同様の構成を有している。
【００４６】
下部リードシールド層３および上部リードシールド層７は、例えば、いずれもバックギャップ１３ＢＧ（バックギャップ後端位置ＴＢＧ）よりも前方まで延在しており、例えば、長さ方向において同一の位置で終端し、互いに等しい長さＬ２を有している。一方、ライトシールド層１５は、バックギャップ１３ＢＧ（バックギャップ後端位置ＴＢＧ）よりも後方まで延在しており、バックギャップ１３ＢＧよりも後方における絶縁層１６上で終端し、長さＬ１を有している。このライトシールド層１５の長さＬ１は、上記したように、上部リードシールド層７の長さ（または下部リードシールド層３の長さ）Ｌ２に基づいて規定されており、例えば、ライトシールド層１５の長さＬ１と上部リードシールド層７の長さＬ２との長さ比Ｌ１／Ｌ２は１．３以下（Ｌ１／Ｌ２≦１．３）、好ましくは１．０よりも大きく１．３以下の範囲内（１．０＜Ｌ１／Ｌ２≦１．３）である。
【００４７】
ここで、上記したライトシールド層１５の長さＬ１と対比される上部リードシールド層の長さＬ２とは、バックギャップ１３ＢＧよりも前方まで延在している下部リードシールド層３および上部リードシールド層７のうち、より後方まで延在している方（より長さが大きい方）の長さである。すなわち、図６に示した場合には、下部リードシールド層３と上部リードシールド層７とが互いに同一の位置で終端しているため、それらの下部リードシールド層３または上部リードシールド層７の長さがＬ２として対比されるが、例えば、図８に示したように、上部リードシールド層７が下部リードシールド層３よりも後方まで延在し、具体的にはバックギャップ１３ＢＧの位置（バックギャップ後端位置ＴＢＧ）まで延在している場合には、その上部リードシールド層７の長さがＬ２として対比される。もちろん、図示はしないが、下部リードシールド層３が上部リードシールド層７よりも後方まで延在している場合には、その下部リードシールド層３の長さがＬ２として対比されることは言うまでもない。
【００４８】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、下部リードシールド層３および上部リードシールド層７がバックギャップ１３ＢＧよりも前方まで延在している場合において、ライトシールド層１５がバックギャップ１３ＢＧよりも後方まで延在しているので、上記第１の実施の形態と同様の作用により、この場合においても上部リードシールド層７（または下部リードシールド層３）および磁極層１０と記録媒体との間に不要な磁気的閉ループが形成されにくくなり、非記録時に意図しない情報の上書きが行われにくくなくなる。したがって、本実施の形態においても、意図しない情報の消去を抑制し、磁気動作特性を安定に確保することができる。
【００４９】
特に、本実施の形態では、ライトシールド層１５の長さＬ１と上部リードシールド層７（下部リードシールド層３）の長さＬ２との長さ比Ｌ１／Ｌ２を１．０＜Ｌ１／Ｌ２≦１．３とすれば、浮遊外部磁場に起因する不要な磁気的閉ループの形成を回避し、非記録時の意図しない情報の消去を防止することができる。
【００５０】
なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに関する上記以外の動作、作用および効果は上記第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００５１】
以上をもって、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについての説明を終了する。
【００５２】
次に、図９および図１０を参照して、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の構成について説明する。図９は磁気記録装置の切り欠き概観構成を表し、図１０は磁気記録装置の主要部の外観構成を拡大して表している。この磁気記録装置は、上記第１および第２の実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッドを搭載したものであり、例えばハードディスクドライブである。
【００５３】
この磁気記録装置は、図９に示したように、例えば、筐体２００の内部に、情報が記録される記録媒体としての複数の磁気ディスク２０１と、各磁気ディスク２０１に対応して配置され、先端にヘッドスライダ２１０が取り付けられた複数のアーム２０２とを備えている。磁気ディスク２０１は、筐体２００に固定されたスピンドルモータ２０３を中心として回転可能になっている。アーム２０２は、動力源としての駆動部２０４に接続されており、筐体２００に固定された固定軸２０５を中心として、ベアリング２０６を介して旋回可能になっている。駆動部２０４は、例えば、ボイスコイルモータなどの駆動源を含んで構成されている。なお、図９では、例えば、固定軸２０５を中心として複数のアーム２０２が一体的に旋回するモデルを示している。
【００５４】
ヘッドスライダ２１０は、図１０に示したように、アーム２０２の旋回時に生じる空気抵抗を減少させるために凹凸構造が設けられた略直方体状の基体２１１のうち、エアベアリング面２２０と直交する一側面（図１０中、手前側の面）に、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッド２１２が配設された構成を有している。この薄膜磁気ヘッド２１２は、例えば、上記実施の形態において説明した構成を有するものである。なお、図１０では、ヘッドスライダ２１０のうちのエアベアリング面２２０側の構造を見やすくするために、図９に示した状態とは上下を反転させた状態を示している。
【００５５】
なお、薄膜磁気ヘッド２１２の詳細な構成については、上記各実施の形態において既に詳細に説明したので、その説明を省略する。
【００５６】
この磁気記録装置では、情報の記録時においてアーム２０２が旋回することにより、磁気ディスク２０１のうちの所定の領域（記録領域）までヘッドスライダ２１０が移動する。そして、磁気ディスク２０１と対向した状態において薄膜磁気ヘッド２１２が通電されると、上記各実施の形態において説明したように動作することにより、薄膜磁気ヘッド２１２が磁気ディスク２０１に情報を記録する。
【００５７】
この磁気記録装置では、本発明の薄膜磁気ヘッド２１２を備えるようにしたので、上記各実施の形態と同様の作用により、非記録時の意図しない情報の消去を抑制し、磁気動作特性を安定に確保することができる。
【００５８】
なお、この磁気記録装置に関する上記以外の動作、作用および効果は上記各実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００５９】
【実施例】
次に、本発明に関する実施例について説明する。
【００６０】
上記各実施の形態において説明した本発明の薄膜磁気ヘッドの諸特性を調べたところ、以下のことが確認された。なお、本発明の薄膜磁気ヘッドの諸特性を調べる際には、その諸特性を比較評価するために、図５に示した比較例の薄膜磁気ヘッドの諸特性も調べた。
【００６１】
まず、上記各実施の形態において説明した本発明の薄膜磁気ヘッドを代表して第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッド（図１〜図３参照）を磁気記録装置（図９および図１０参照）に搭載した際に、その薄膜磁気ヘッドが非記録時において保有する磁場強度の分布を調べたところ、図１１に示した結果が得られた。図１１は非記録時の薄膜磁気ヘッドの磁場強度分布を表しており、「横軸」はヘッド位置（任意の位置を基準（０μｍ）とした場合における薄膜磁気ヘッドの厚さ方向における位置；μｍ）を示し、「縦軸」は磁場強度（外部磁場を与えた際に薄膜磁気ヘッドが保有した磁場強度；×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ＝Ｏｅ）を示している。磁場強度分布を調べるために薄膜磁気ヘッドに与えた外部磁場は、５０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍである。「横軸」では、ヘッド位置順に、領域Ｒ１が下部リードシールド層３の配設領域に対応し、領域Ｒ２が上部リードシールド層７の配設領域に対応し、領域Ｒ３が主磁極層１０２の配設領域に対応し、領域Ｒ４がライトシールド層１５の配設領域に対応している。なお、図１１に示した「１１Ａ（破線）」は比較例の薄膜磁気ヘッドについて示し、「１１Ｂ（実線）」は本発明の薄膜磁気ヘッドについて示している。
【００６２】
図１１に示した結果から判るように、比較例の薄膜磁気ヘッド（１１Ａ）では、領域Ｒ２，Ｒ３に互いに逆方向（＋方向または−方向）の磁場強度ピークが見られ、特に、主磁極層１０２の配設領域に対応している領域Ｒ３では、磁場強度の絶対値が４００×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ程度であったのに対して、上部リードシールド層７の配設領域に対応している領域Ｒ２では、磁場強度の絶対値が４００×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ以上であった。この結果は、ボイスコイルモータ等から生じた浮遊外部磁場が上部リードシールド層７に集中した結果、上部リードシールド層７と主磁極層１０２とが互いに逆方向の磁場を保有したため、それらの上部リードシールド層７および主磁極層１０２と記録媒体との間に不要な磁気的閉ループが形成されたことを示している。
【００６３】
これに対して、本発明の薄膜磁気ヘッド（１１Ｂ）では、比較例の薄膜磁気ヘッドとは異なり、領域Ｒ２，Ｒ３に互いに同一方向（＋方向）の磁場強度ピークが見られ、それらの領域Ｒ２，Ｒ３における磁場強度の絶対値は互いにほぼ等しかった。この結果は、浮遊外部磁場が上部リードシールド層７およびライトシールド層１５に配分されて取り込まれた結果、上部リードシールド層７と主磁極層１０２とが互いに同一方向の磁場を保有したため、それらの上部リードシールド層７および主磁極層１０２と記録媒体との間に不要な磁気的閉ループが形成されなかったことを示している。このことから、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、非記録時の意図しない情報の消去を誘発する不要な磁気的閉ループの形成を防止し得ることが確認された。
【００６４】
続いて、図１１に示した磁場強度特性を有する本発明の薄膜磁気ヘッドおよび比較例の薄膜磁気ヘッドについて外部磁場耐性を調べたところ、図１２に示した結果が得られた。図１２は再生出力強度の外部磁場依存性を表しており、「横軸」は外部磁場強度（外部から供給した磁場強度；×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ＝Ｏｅ）を示し、「縦軸」は再生出力比を示している。この「再生出力比」とは、記録媒体に一旦記録し、引き続き非記録状態（未通電状態）の薄膜磁気ヘッドで記録箇所をトレースしたのちに再生した際の再生出力強度Ｐ１と、記録媒体に記録したのち、非記録状態の薄膜磁気ヘッドで記録箇所をトレースせずに再生した際の再生出力強度Ｐ２との比Ｐ１／Ｐ２、すなわち再生出力強度の減衰率である。なお、図１２に示した「□」は比較例の薄膜磁気ヘッドについて示し、「○」は本発明の薄膜磁気ヘッドについて示している。
【００６５】
図１２に示した結果から判るように、比較例の薄膜磁気ヘッド（□）では、外部磁場強度が３０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ以下において再生出力比が一定（１．０）であったが、外部磁場強度が３０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍよりも大きくなると再生出力比が減少し、特に、８０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ以上になると再生出力比が約０．１以下まで減少した。この結果は、外部磁場強度が３０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍよりも大きくなると、浮遊外部磁場の影響を受けて不要な磁気的閉ループが形成され、その不要な磁気的閉ループに起因して意図せずに情報が上書きされて消去されたことを示している。この場合には、例えば、良好な再生動作を確保する上で必要な再生出力比を９５％以上とすると、外部磁場耐性（良好な再生動作を確保することが可能な外部磁場強度の上限値）は４０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ以下となり、著しく低くなってしまう。
【００６６】
これに対して、本発明の薄膜磁気ヘッド（○）では、外部磁場強度が１１０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ以上になっても再生出力比が減少せず、一定（１．０）であった。この結果は、外部磁場強度が１１０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ以下では浮遊外部磁場の影響を受けて不要な磁気的閉ループが形成されず、非記録時に意図せずに情報が上書きされて消去されないことを示している。この場合には、外部磁場耐性が少なくとも１１０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍとなり、実用上必要な外部磁場耐性（１００×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ）が達成され、再生出力比が確保される。このことから、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、非記録時に不要な磁気的閉ループに起因する意図しない情報の消去を防止し得ることが確認された。
【００６７】
続いて、第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッド（図１参照）に関して、意図しない情報の消去を防止する上で適性化を図ったところ、図１３に示した結果が得られた。図１３は非記録時において薄膜磁気ヘッドが保有する磁場強度の長さ比依存性を表しており、「横軸」は長さ比Ｌ１／Ｌ２（ライトシールド層１５の長さ１と上部リードシールド層７の長さＬ２との比）を示し、「縦軸」は磁場強度（非記録時において薄膜磁気ヘッドが保有した磁場強度；×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ＝Ｏｅ）を示している。磁場強度の長さ比依存性を調べるために設定した上部リードシールド層７の長さＬ２は、Ｌ２＝１１２μｍである。なお、図１３に示した「○」は上部リードシールド層７について示し、「□」は主磁極層１０２について示している。
【００６８】
図１に示したように、上部リードシールド層７がバックギャップ１３ＢＧよりも後方まで延在しており、ライトシールド層１５もバックギャップ１３ＢＧよりも後方まで延在している第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッドでは、図１３に示した結果から判るように、上部リードシールド層７が保有する磁場強度（○）は、長さ比Ｌ１／Ｌ２が増加するにしたがって次第に減少して＋から−に転じ、一方、主磁極層１０２が保有する磁場強度（□）は、長さ比Ｌ１／Ｌ２が増加するにしたがって次第に増加して−から＋に転じた。このことから、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、ライトシールド層１５をバックギャップ１３ＢＧよりも後方まで延在させることにより、主磁極層１０２に上部リードシールド層７と逆方向の磁場が生じにくくなり、不要な磁気的閉ループが形成されにくくなることが確認された。
【００６９】
この場合には、特に、不要な磁気的閉ループに起因する意図しない情報の消去を防止するために薄膜磁気ヘッドが保有する磁場状態を適性化する上で、上部リードシールド層７が保有する磁場強度を０Ａ／ｍ以上８００×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ以下とすると共に、主磁極層１０２が保有する磁場強度を０Ａ／ｍよりも大きくする必要があるとすると、この条件は、長さ比Ｌ１／Ｌ２が０．４５≦Ｌ１／Ｌ２≦１．３であれば満たされる。このことから、本発明の第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッドでは、長さ比Ｌ１／Ｌ２を０．４５≦Ｌ１／Ｌ２≦１．３とすれば、不要な磁気的閉ループが形成されなくなり、意図しない情報の消去が防止されることが確認された。
【００７０】
続いて、第２の実施の形態の薄膜磁気ヘッド（図６参照）の構成に関して、意図しない情報の消去を防止する上で適性化を図ったところ、図１４に示した結果が得られた。図１４は非記録時において薄膜磁気ヘッドが保有する磁場強度の長さ比依存性を表しており、「横軸」は長さ比Ｌ１／Ｌ２を示し、「縦軸」は磁場強度（非記録時において薄膜磁気ヘッドが保有した磁場強度；×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ＝Ｏｅ）を示している。磁場強度の長さ比依存性を調べるために設定した上部リードシールド層７の長さＬ２は、Ｌ２＝１２μｍである。なお、図１４に示した「○」は上部リードシールド層７について示し、「□」は主磁極層１０２について示している。
【００７１】
図６に示したように、上部リードシールド層７がバックギャップ１３ＢＧよりも前方まで延在しており、ライトシールド層１５がバックギャップ１３ＢＧよりも後方まで延在している第２の実施の形態の薄膜磁気ヘッドでは、図１４に示した結果から判るように、上部リードシールド層７が保有する磁場強度は、長さ比Ｌ１／Ｌ２が増加するにしたがって次第に増加し、一方、主磁極層１０２が保有する磁場強度は、長さ比Ｌ１／Ｌ２が増加するにしたがって次第に減少して＋から−に転じた。このことから、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおいても、ライトシールド層１５をバックギャップ１３ＢＧよりも後方まで延在させることにより、主磁極層１０２に上部リードシールド層７と逆方向の磁場が生じにくくなり、不要な磁気的閉ループが形成されにくくなることが確認された。
【００７２】
この場合には、特に、不要な磁気的閉ループに起因する意図しない情報の消去を防止するために薄膜磁気ヘッドが保有する磁場状態を適性化する上で、上記したように、上部リードシールド層７が保有する磁場強度を０Ａ／ｍ以上８００×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ以下とすると共に、主磁極層１０２が保有する磁場強度を０Ａ／ｍよりも大きくする必要があるとすると、この条件は、長さ比Ｌ１／Ｌ２が１．０≦Ｌ１／Ｌ２≦１．３であれば満たされる。この範囲は、上部リードシールド層７がバックギャップ１３ＢＧよりも前方まで延在しているのに対して、ライトシールド層１５がバックギャップ１３ＢＧよりも後方まで延在しているため、これらのライトシールド層１５の長さＬ１と上部リードシールド層７の長さＬ２とが互いに一致し得ないことを考慮すれば、１．０＜Ｌ１／Ｌ２≦１．３となる。このことから、本発明の第２の実施の形態の薄膜磁気ヘッドでは、長さ比Ｌ１／Ｌ２を１．０＜Ｌ１／Ｌ２≦１．３とすれば、不要な磁気的閉ループが形成されなくなり、意図しない情報の消去が防止されることが確認された。
【００７３】
以上、いくつかの実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態および実施例に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記実施の形態では、本発明を単磁極型ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、リング型ヘッドに適用してもよい。また、上記実施の形態では、本発明を複合型薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。もちろん、本発明を、書き込み用の素子および読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘッドについても適用可能である。
【００７４】
また、上記実施の形態では、本発明を垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、本発明を長手記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用することも可能である。
【００７５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、第１の磁気遮蔽層がバックギャップよりも後方まで延在するようにしたので、第１の磁気遮蔽層がバックギャップよりも後方まで延在していない場合とは異なり、浮遊外部磁場の影響を受けて第２の磁気遮蔽層および磁極層と記録媒体との間に不要な磁気的な閉ループが形成されにくくなり、非記録時に意図しない情報の上書きが行われにくくなる。したがって、非記録時の意図しない情報の消去を抑制し、磁気動作特性を安定に確保することができる。
【００７６】
また、本発明に係る磁気記録装置によれば、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載し、第１の磁気遮蔽層がバックギャップよりも後方まで延在するようにしたので、非記録時の意図しない情報の消去を抑制し、磁気動作特性を安定に確保することができる。
【００７７】
また、上記の他、本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、第２の磁気遮蔽層がバックギャップよりも後方まで延在している場合に、第１の磁気遮蔽層の長さＬ１と第２の磁気遮蔽層の長さＬ２との長さ比Ｌ１／Ｌ２が０．４５以上１．３以下の範囲内となるようにすれば、浮遊外部磁場に起因する不要な磁気的閉ループの形成を回避し、意図しない情報の消去を防止することができる。
【００７８】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、第２の磁気遮蔽層がバックギャップよりも前方まで延在している場合に、第１の磁気遮蔽層の長さＬ１と第２の磁気遮蔽層の長さＬ２との長さ比Ｌ１／Ｌ２が１．０よりも大きく１．３以下の範囲内となるようにすれば、浮遊外部磁場に起因する不要な磁気的閉ループの形成を回避し、意図しない情報の消去を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成（エアベアリング面に垂直な断面構成）を表す断面図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの断面構成（エアベアリング面に平行な断面構成）を表す断面図である。
【図３】図１および図２に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の平面構成を表す平面図である。
【図４】図１に示した薄膜磁気ヘッドの他の態様を説明するための断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに対する比較例としての薄膜磁気ヘッドの断面構成（エアベアリング面に垂直な断面構成）を表す断面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成（エアベアリング面に垂直な断面構成）を表す断面図である。
【図７】図６に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の平面構成を表す平面図である。
【図８】図６に示した薄膜磁気ヘッドの他の態様を説明するための断面図である。
【図９】本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の切り欠き外観構成を表す斜視図である。
【図１０】図９に示した磁気記録装置の主要部の外観構成を拡大して表す斜視図である。
【図１１】非記録時の薄膜磁気ヘッドの磁場強度分布を表す図である。
【図１２】再生出力強度の外部磁場依存性を表す図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが非記録時において保有する磁場強度の長さ比依存性を表す図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが非記録時において保有する磁場強度の長さ比依存性を表す図である。
【符号の説明】
１…基板、２，４，８，１１，１２，１６…絶縁層、３…下部リードシールド層、５…シールドギャップ膜、６…ＭＲ素子、７…上部リードシールド層、９…分離層、１０…磁極層、１３…ギャップ層、１３ＢＧ…バックギャップ、１４…薄膜コイル、１５…ライトシールド層、１７…オーバーコート層、２０，２２０…エアベアリング面、１００Ａ…再生ヘッド部、１００Ｂ…記録ヘッド部、１０１…補助磁極層、１０２…主磁極層、１０２Ａ…先端部、１０２Ｂ…後端部、１５１…ＴＨ規定層、１５２…ヨーク層、２００…筐体、２０１…磁気ディスク、２０２…アーム、２０３…スピンドルモータ、２０４…駆動部、２０５…固定軸、２０６…ベアリング、２１０…ヘッドスライダ、２１１…基体、２１２…薄膜磁気ヘッド、ＦＰ…フレアポイント、Ｍ…媒体進行方向、ＴＢＧ…バックギャップ後端位置、ＴＨ…スロートハイト、ＴＰ…スロートハイトゼロ位置。
【図１】
2005018851.tif 000003
【図２】
2005018851.tif 000004
【図３】
2005018851.tif 000005
【図４】
2005018851.tif 000006
【図５】
2005018851.tif 000007
【図６】
2005018851.tif 000008
【図７】
2005018851.tif 000009
【図８】
2005018851.tif 000010
【図９】
2005018851.tif 000011
【図１０】
2005018851.tif 000012
【図１１】
2005018851.tif 000013
【図１２】
2005018851.tif 000014
【図１３】
2005018851.tif 000015
【図１４】
2005018851.tif 000016