(57)【要約】【課題】長期に渡ってデバイスの歩留まりを維持できる露光システムを提供する。【解決手段】ウエハＷに対するレジストの塗布及び現像を行うコータ・デベロッパ５０と露光装置１０の本体チャンバ１２とが、内部にウエハの受け渡し部８３を有する受け渡し室７０によりインラインにて接続されている。この受け渡し室には、給排気装置８５が接続されている。この給排気装置により受け渡し室内の気体は、ドライエア、窒素、希ガスのいずれかにより置換される。従って、レジスト塗布後のウエハが本体チャンバ内に搬入される際にコータ・デベロッパ内で発生した化学的汚染物質などが本体チャンバ内に侵入する前に、受け渡し室内で除去される。これにより、本体チャンバ内へ流入する気体中の化学物質の含有率が所定値以下に抑制され、本体チャンバ内の露光装置本体における露光光透過率低下、像面照度劣化等が抑制される。【選択図】  図１
2005101018.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギビームにより光学系を介して基板を露光する露光装置本体と、該露光装置本体を収容するチャンバと、該チャンバ内の空調を行う空調装置の少なくとも一部を収容する機械室とを有する露光装置と；
前記基板に対する感光剤の塗布及び現像の少なくとも一方を行う基板処理装置と；
前記チャンバと前記基板処理装置とを接続するとともに、その内部に前記基板処理装置と前記露光装置との間で前記基板の受け渡しを行う受け渡し部が設けられた受け渡し室と；
前記受け渡し室内にドライエア、窒素、及び希ガスのいずれかを供給するとともに、前記受け渡し室内の気体を外部に排気する給排気装置と；を備える露光システム。
【請求項２】
前記受け渡し室の内部に配置され、前記基板のベークを行うためのベーキング装置を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の露光システム。
【請求項３】
前記基板処理装置は、コータ・デベロッパ及びデベロッパのいずれかであり、
前記ベークは露光後ベークであることを特徴とする請求項２に記載の露光システム。
【請求項４】
前記基板の受け渡しは、前記ベーキング装置上で行われることを特徴とする請求項２又は３に記載の露光システム。
【請求項５】
前記基板処理装置は、コータ・デベロッパであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光システム。
【請求項６】
エネルギビームにより光学系を介して基板を露光する露光装置本体と、該露光装置本体を収容するチャンバと、該チャンバ内の空調を行う空調装置の少なくとも一部を収容する機械室とを有する露光装置において、
前記基板に対する感光剤の塗布及び現像の少なくとも一方を行う基板処理装置に接続され、その内部に前記基板処理装置と前記露光装置本体との間で前記基板の受け渡しを行う受け渡し部が設けられた受け渡し室と；
前記受け渡し室内にドライエア、窒素、及び希ガスのいずれかを供給するとともに、前記受け渡し室内の気体を外部に排気する給排気装置と；を備える露光装置。
【請求項７】
リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項１〜５のいずれか一項に記載の露光システムを用いることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光システム、露光装置及びデバイス製造方法に係り、更に詳しくは、半導体素子、液晶表示素子等のマイクロデバイスを製造するリソグラフィ工程で用いられる露光システム及び露光装置、前記露光システムを用いるデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体素子、液晶表示素子等を製造するリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置（いわゆるステッパ）や、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ）などの露光装置が用いられている。
【０００３】
近年、これらの露光装置では、半導体素子等の高集積化に応じて回路パターンが微細化し、必然的に解像力の向上が要請されるようになったのに伴い、露光波長が短波長化している。現在では、発振波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザや、更に短波長の発振波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザが光源として使用されるに至っている。
【０００４】
ところで、最近になって露光装置周辺の雰囲気中の微量ガスが、露光装置に対して悪影響をもたらすことが分かってきた。すなわち、露光光の短波長化、高照度化に伴い、雰囲気中の例えばアンモニアガス、硫黄酸化物、あるいは有機珪素化合物などが短波長紫外線による強いエネルギを受けて光化学反応を起こし、露光装置内の光学部品の表面に曇り物質として析出する。この析出が、ある程度の量になってくると露光光の散乱や吸収の原因となり、照射面上での照度低下や照度の面内均一性悪化という現象を生じさせることになる。また、気体中の水蒸気によっても露光装置内の光学部品の表面に曇りが生じることが知られている。
【０００５】
また、最近では、光源の輝度不足を補うためにレジストの感度を上げて対応しようとの観点から、基板上に塗布されるレジストとして、レジスト中の感光剤に酸発生剤を含み、露光で発生した酸により、続く熱処理（ＰＥＢ）において触媒反応が誘起され、現像液に対して不溶化（ネガ型）又は可溶化（ポジ型）が促進される、高感度の化学増幅型レジスト（chemically amplified resist）が用いられるようになっている。
【０００６】
例えば、基板上にポジ型化学増幅型レジストを塗布した場合、雰囲気中のｐｐｂレベルの微量な塩基性ガスが、当該ポジ型化学増幅型レジストの表面に発生した酸触媒を中和して表面難溶化層を形成し、露光して現像した後、矩形になるべきレジスト断面がＴシェイプと呼ばれる、Ｔの字に似たひさしを形成してしまう現象が生じる。そのままでは高感度レジストである化学増幅型レジストを用いることができないので、オーバーコート等が必要となり、スループットが低下することになる。
【０００７】
このような理由により、現状の露光装置では、内部の環境を厳密に管理することが求められている。
【０００８】
最近では、リソグラフィ工程において、レジスト塗布、露光、現像の各処理を一連の処理として出来るだけ効率良く行う等のため、露光装置をコータ・デベロッパ（Coater／Developer：以下、適宜「Ｃ／Ｄ」と略述する）とインライン接続したリソグラフィシステムが主流となりつつある。このようなリソグラフィシステムにおいては、露光装置とＣ／Ｄとの間の基板の受け渡しは、露光装置を構成するチャンバとＣ／Ｄとの隣接するそれぞれの壁面に開口を設け、これら開口を介して搬送ロボット等により行われる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のように、チャンバとＣ／Ｄとの隣接する壁面に設けられた開口を介して基板の受け渡しが行われる場合、装置を長期間にわたり運転させると、チャンバ内部の環境が悪化することがわかってきた。これは、Ｃ／Ｄ内で発生した化学的汚染物質及びクリーンルーム内の汚染物質が、ウエハ交換時等にチャンバに形成された開口を介してチャンバ内部に侵入するためであり、チャンバ内部の気圧が周辺よりも低い場合は、特に環境の悪化が著しい。
【００１０】
現段階においては、このチャンバ内部の環境の悪化への対応策としては、Ｃ／Ｄとチャンバとの間を基板搬送経路にて接続するとともに、その内部の気体を排気する構成が考えられている。しかるに、この方法では、必ずしもチャンバ内部への汚染物質の侵入量を許容範囲内に抑えることができるとは限らない。
【００１１】
本発明は、かかる事情の下になされたものであり、その第１の目的は、露光装置を構成するチャンバ内部の環境の悪化を抑制し、長期にわたって、最終製品であるデバイスの歩留まりを維持することが可能な露光システム及び露光装置を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の第２の目的は、高集積度のデバイスの生産性を向上することができるデバイス製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の露光システムは、エネルギビームにより光学系（２８，ＰＬ）を介して基板（Ｗ）を露光する露光装置本体（２２）と、該露光装置本体を収容するチャンバ（１２）と、該チャンバ内の空調を行う空調装置の少なくとも一部を収容する機械室（１４）とを有する露光装置（１０）と；前記基板に対する感光剤の塗布及び現像の少なくとも一方を行う基板処理装置（５０）と；前記チャンバと前記基板処理装置とを接続するとともに、その内部に前記基板処理装置と前記露光装置との間で前記基板の受け渡しを行う受け渡し部（７７）が設けられた受け渡し室（７０）と；前記受け渡し室内にドライエア、窒素、及び希ガスのいずれかを供給するとともに、前記受け渡し室内の気体を外部に排気する給排気装置（８５）と；を備える。
【００１４】
これによれば、基板に対する感光剤の塗布及び現像の少なくとも一方を行う基板処理装置と露光装置を構成するチャンバとを接続するとともに、両装置間での基板の受け渡しに用いられる受け渡し部を内部に有する受け渡し室を備えており、この受け渡し室においては、給排気装置によりドライエア、窒素、及び希ガスのいずれかが供給されるとともに、内部気体が受け渡し室外部に排気される。すなわちガス置換される。従って、基板処理装置内で発生するチャンバ内部の環境悪化を引き起こす化学物質が受け渡し室内で除去されることにより、チャンバ内に流入する気体中の化学物質の含有率を所定値以下に抑えることができるので、露光装置本体におけるエネルギビームの照度の劣化等を抑えることができる。このため、長期にわたって最終製品であるデバイスの歩留まりを維持することが可能となっている。特に、基板処理装置において、基板に対して塗布される感光剤が化学増幅型レジストの場合には、Ｔシェイプの発生が低減されるのでオーバーコートの必要がなく、スループットの向上を図ることが可能である。
【００１５】
この場合において、請求項２に記載の露光システムの如く、前記受け渡し室の内部に配置され、前記基板のベークを行うためのベーキング装置（７７）を更に備えることとすることができる。
【００１６】
この場合において、基板処理装置としては、コータ（レジスト塗布装置）であっても良いが、請求項３に記載の露光システムの如く、前記基板処理装置は、コータ・デベロッパ及びデベロッパのいずれかであり、前記ベークは露光後ベークであることとすることができる。
【００１７】
上記請求項２及び３に記載の各露光システムにおいて、請求項４に記載の露光システムの如く、前記基板の受け渡しは、前記ベーキング装置上で行われることとすることができる。
【００１８】
上記請求項１〜４に記載の各露光システムにおいて、請求項５に記載の露光システムの如く、前記基板処理装置は、コータ・デベロッパであることとすることができる。
【００１９】
請求項６に記載の露光装置は、エネルギビームにより光学系（２８、ＰＬ）を介して基板（Ｗ）を露光する露光装置本体（２２）と、該露光装置本体を収容するチャンバ（１２）と、該チャンバ内の空調を行う空調装置の少なくとも一部を収容する機械室（１４）とを有する露光装置において、前記基板に対する感光剤の塗布及び現像の少なくとも一方を行う基板処理装置（５０）に接続され、その内部に前記基板処理装置と前記露光装置本体との間で前記基板の受け渡しを行う受け渡し部（７７）が設けられた受け渡し室（７０）と；前記受け渡し室内にドライエア、窒素、及び希ガスのいずれかを供給するとともに、前記受け渡し室内の気体を外部に排気する給排気装置（８５）と；を備える。
【００２０】
これによれば、基板に対する感光剤の塗布及び現像の少なくとも一方を行う基板処理装置と露光装置本体との間における基板の受け渡しに用いられる受け渡し部を内部に有する受け渡し室が、基板処理装置に接続されている。この受け渡し室においては、給排気装置によりドライエア、窒素、及び希ガスのいずれかが供給されるとともに、内部気体が受け渡し室外部に排気される。すなわち、ガス置換される。従って、基板処理装置内で発生するチャンバ内部の環境悪化を引き起こす化学物質が受け渡し室内で除去されることにより、チャンバ内に流入する気体中の化学物質の含有率を所定値以下に抑えることができる。これにより、露光装置本体におけるエネルギビームの照度の劣化等を抑えることができる。このため、長期にわたって最終製品であるデバイスの歩留まりを維持することが可能となっている。特に、基板に対して塗布される感光剤が化学増幅型レジストの場合には、Ｔシェイプの発生が低減されるのでオーバーコートの必要がなく、スループットの向上を図ることが可能である。
【００２１】
請求項７に記載のデバイス製造方法は、リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、前記リソグラフィ工程では、請求項１〜５のいずれか一項に記載の露光システムを用いることを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図４に基づいて説明する。図１には、一実施形態に係る露光システム１００の全体構成が概略的に示されている。
【００２３】
この露光システム１００は、床面Ｆ上に配置された露光装置１０、この露光装置１０の長手方向の一側（−Ｙ側）に所定間隔を隔てて配置された基板処理装置としてのコータ・デベロッパ（Ｃ／Ｄ）５０、露光装置１０とＣ／Ｄ５０とをインラインにて接続する受け渡し室７０等を備えている。
【００２４】
前記露光装置１０は、クリーンルーム内の床面Ｆ上に設置された本体チャンバ１２と、この本体チャンバ１２に隣接して配置された機械室１４とを備えている。
【００２５】
本体チャンバ１２の内部は、環境条件（清浄度、温度、圧力等）がほぼ一定に維持され、その内部空間内には、機械室１４側の１つの大部屋１６と、この大部屋１６の機械室１４と反対側に上下２段に配置された２つの小部屋１８、２０とが設けられている。この内、大部屋１６は、その内部に露光装置本体２２が収容された露光室となっている。以下においては、この大部屋１６を、露光室１６と呼ぶものとする。
【００２６】
上記一方の小部屋１８は、その内部に、複数枚のマスクとしてのレチクルを保管するレチクルライブラリ８０、水平多関節型ロボットから成るレチクルローダ８２が、露光室１６と反対側から順次配置されている。レチクルローダ８２によって、レチクルＲが露光装置本体２２を構成する後述するレチクルステージＲＳＴ上に搬入され、かつレチクルステージＲＳＴ上から搬出される。本実施形態では、これらレチクルライブラリ８０とレチクルローダ８２とによってレチクルローダ系が構成され、このレチクルローダ系が小部屋１８に収容されている。そこで、以下においては、小部屋１８を、レチクルローダ室１８と呼ぶものとする。
【００２７】
なお、レチクルローダ系は、上記構成に限られるものではなく、例えば複数枚のレチクルを収容可能なボトムオープンタイプの密閉式カセット（コンテナ）をレチクルライブラリ８０の代わりに用いても良いし、あるいはレチクルローダとして搬送アームをスライドさせる機構を用いても良い。また、レチクル保管部（レチクルライブラリ８０）とレチクルローダ８２とを異なる部屋に配置しても良いし、あるいは上述の密閉式カセットをレチクルローダ室１８の上部に載置し、その気密性を維持した状態でボトムオープンにてレチクルをレチクルローダ室１８内に搬入するようにしても良い。すなわち、小部屋１８にはレチクルローダのみが配置されていても良い。
【００２８】
また、他方の小部屋２０は、その内部に、複数枚の基板としてのウエハを保管するウエハキャリア８４、ウエハキャリア８４に対してＣ／Ｄ５０によってレジストが塗布されたウエハを搬入し、あるいは露光装置本体２２にて露光されたウエハＷをＣ／Ｄ５０に向けて小部屋２０から搬出する水平多関節型ロボット８６及び該ロボット８６と露光装置本体２２を構成する基板ステージとしてのウエハステージＷＳＴとの間でウエハを搬送するウエハ搬送装置８８とが収容されている。本実施形態では、これらウエハキャリア８４、ロボット８６及びウエハ搬送装置８８によってウエハローダ系が構成され、このウエハローダ系が小部屋２０に収容されている。そこで、以下においては、小部屋２０をウエハローダ室２０と呼ぶものとする。ここで、実際には、図４（Ａ）等に示されるように、ウエハローダ室２０を区画する−Ｙ側の側壁には、出入り口２０ａが形成されている。この出入り口２０ａは、扉２１によって開閉可能な構造となっている。この扉２１は、不図示の駆動系を介して不図示の制御装置によって開閉制御されるようになっている。
【００２９】
なお、ウエハローダ系は、上記構成に限られるものではなく、例えば多関節型のロボットのみでウエハローダ系を構成しても良い。
【００３０】
図１に戻り、上記露光室１６、レチクルローダ室１８、ウエハローダ室２０は、ステンレス（ＳＵＳ）あるいはテフロン等の脱ガスの少ない素材から成る給気管路２４及び伸縮可能な蛇腹状の接続部２６を介して機械室１４に接続されている。
【００３１】
前記露光室１６に収容された露光装置本体２２は、ミラーＭ１，Ｍ２を含む照明光学系２８、この照明光学系２８の下方に配置された投影光学系ＰＬ、この投影光学系ＰＬと照明光学系２８との間に配置され、マスクとしてのレチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬの下方に配置され、基板としてのウエハＷを保持するウエハステージＷＳＴ、及び投影光学系ＰＬを保持するとともにウエハステージＷＳＴが搭載された本体コラム３０等を備えている。
【００３２】
照明光学系２８は、ミラーＭ１，Ｍ２の他、オプティカルインテグレータ、視野絞り（いずれも図示省略）等を含み、これらの光学部材が不図示の照明系ハウジング内に所定の位置関係で収容されて成る。この照明光学系２８は、不図示の引き回し光学系（リレー光学系）を介して不図示の光源としてのＫｒＦエキシマレーザ（出力波長２４８ｎｍ）あるいはＡｒＦエキシマレーザ（出力波長１９３ｎｍ）等のエキシマレーザに接続されている。上記の引き回し光学系は、その少なくとも一部にビーム・マッチング・ユニットと呼ばれる、光源と照明光学系２８との間の光軸調整用の光学系を含む。また、図示は省略されているが、照明光学系２８が収容される照明系ハウジング、上記引き回し光学系が収容される筐体（鏡筒）は、それぞれ内部が不活性ガス（例えば窒素、ヘリウムなど）でパージされ、清浄度が極めて良好に維持されるようになっている。
【００３３】
なお、照明光学系２８の少なくとも一部を露光室１６の外部に配置しても良いし、これに加えて、あるいは単独で、光源、引き回し光学系、及び照明光学系２８を除く残りの一部（例えばウエハステージＷＳＴなど）を露光室とは別の筐体内に配置しても良い。この場合、上記別の筐体は、露光室１６の内部に配置しても良いし、露光室外に配置しても良い。要は、露光室１６内には露光装置本体の少なくとも一部が配置されていれば良く、露光室１６内に配置する部材やその構成は任意で構わない。
【００３４】
前記本体コラム３０は、本体チャンバ１２の底面上に設置されたベースプレートＢＰの上方に複数の防振台３２を介して支持されている。この本体コラム３０は、防振台３２によって支持されたメインコラム３４と、このメインコラム３４上部に立設されたサポートコラム３６とを有している。メインコラム３４の天井面を成すメインフレームにファーストインバと呼ばれる不図示の保持部材を介して投影光学系ＰＬがその光軸方向を上下方向として保持されている。この投影光学系ＰＬとしては、ここでは、投影倍率が１／４あるいは１／５の縮小光学系が用いられている。サポートコラム３６は、不図示の照明系ハウジングの少なくとも一部を下方から支持している。
【００３５】
ウエハステージＷＳＴは、メインコラム３４の底板を構成するステージベース上で不図示の平面モータやリニアモータ等の駆動装置によって２次元方向に駆動される。このウエハステージＷＳＴの上面には、ウエハホルダ３８を介してウエハＷが真空吸着等によって固定されている。ウエハステージＷＳＴのＸＹ面内の位置、及び回転量（Ｘ，Ｙ，Ｚ軸の少なくとも１軸に関する回転量）は、ウエハステージＷＳＴ上に設けられた不図示の移動鏡を介してレーザ干渉計ＩＦによって例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で計測されている。
【００３６】
前記レチクルステージＲＳＴは、メインコラム３４の上面に設けられた不図示のセカンドインバと呼ばれる支持部材の天井部を構成する不図示のレチクルステージベース上に載置されている。このレチクルステージＲＳＴは、露光装置本体２２が静止露光を行うタイプの場合には、水平面内で微少駆動可能に構成され、走査露光を行うタイプの場合には、上記に加え、所定の走査方向に所定ストローク範囲で駆動可能に構成される。
【００３７】
このようにして構成された露光装置本体２２によると、不図示のエキシマレーザから出射されたパルス紫外光が、各種レンズやミラー等からなる照明光学系２８で必要な大きさ、及び照度均一性に整形されて、所定のパターンが形成されたレチクルＲを照明し、このレチクルＲに形成されたパターンが投影光学系ＰＬを介してウエハステージＷＳＴ上に保持されたウエハＷ上の各ショット領域に縮小転写されるようになっている。
【００３８】
本実施形態では、ウエハＷとして、例えば、その表面に感光剤としてポジ型の化学増幅型レジストがＣ／Ｄ５０内のコータによって塗布されたものが使用される。
【００３９】
本体チャンバ１２内における前記給気管路２４の一端（機械室１４側の端部）には、ケミカルフィルタＣＦ１が配置されている。
【００４０】
給気管路２４の他端側は、２つに分岐され、その一方の分岐路２４ａはレチクルローダ室１８に接続され、そのレチクルローダ室１８側の噴き出し口の部分には、レチクルローダ室１８内に流入する空気中のパーティクルを除去するＵＬＰＡフィルタ（ultra low penetration air-filter）及びフィルタプレナムから成るフィルタボックスＡＦ１が設けられている。また、レチクルローダ室１８のフィルタボックスＡＦ１と反対側には、リターン部４０が設けられ、このリターン部４０の外側の部分に排気経路としてのリターンダクト４２の一端が接続され、このリターンダクト４２の他端側は機械室１４の底面の一部に接続されている。
【００４１】
前記分岐路２４ａには、更に分岐路２４ｃが設けられ、この分岐路２４ｃは、ウエハローダ室２０に接続され、そのウエハローダ室２０側の噴き出し口の部分には、ウエハローダ室２０内に流入する空気中のパーティクルを除去するＵＬＰＡフィルタ及びフィルタプレナムから成るフィルタボックスＡＦ２が設けられている。また、ウエハローダ室２０のフィルタボックスＡＦ２と反対側には、リターン部４４が設けられ、このリターン部４４のウエハローダ室２０と反対側には、リターンダクト４２に連通する排気口が設けられている。
【００４２】
また、前記他方の分岐路２４ｂは、レチクルローダ室１８の露光室１６との境界部に形成された噴き出し口９０のレチクルローダ室１８側に配置された露光室１６内に流入する空気中のパーティクルを除去するＵＬＰＡフィルタ及びフィルタプレナムから成るフィルタボックスＡＦ３に接続されている。そして、噴き出し口９０から均一な気流がサイドフローにて露光室１６の上部空間に送り込まれるようになっている。噴き出し口９０が形成されたレチクルローダ室１８と露光室１６との境界部分には、図１のＡ−Ａ線断面図である図２に示されるように、レチクル搬送エリア９２を除いて、その周囲に複数のフィルタボックスＡＦ３が配置されている。
【００４３】
また、露光室１６の底部の機械室１４側には、図１に示されるように、リターン部４６が設けられ、このリターン部４６下方の本体チャンバ１２の底壁には、排気経路としてのリターンダクト４８の一端側に連通する排気口が形成され、リターンダクト４８の他端側は機械室１４の底面の一部に接続されている。
【００４４】
前記機械室１４底部の本体チャンバ１２と反対側には、外気取り入れ口としてのＯＡ口４９が形成され、このＯＡ口４９部分に対向してケミカルフィルタＣＦ４が配置されている。本体チャンバ１２内、特に露光室１６内は、清浄度を保つために、外部に対して常に陽圧に保たれており、そのため本体チャンバ１２の前面等から空気が外部に漏れており、この漏れ分の外気を取り入れるため、ＯＡ口４９が設けられている。また、本実施形態では、本体チャンバ１２内の環境の悪化を抑制する（化学増幅型レジストのいわゆるＴシェイプ対策や、エネルギビームの照度劣化を抑制する）ため等の目的で、ＯＡ口４９を介して露光装置内部に取り込まれる空気中の化学的汚染物質（不純物）を除去して清浄な空気のみを装置内に取り入れるため、ケミカルフィルタＣＦ４がＯＡ口４９部分に設けられている。
【００４５】
機械室１４内部の高さ方向中央やや下側の位置には、クーラー（ドライコイル）５２が設けられている。このクーラー５２の出口部分には、クーラー表面の温度を検出する第１温度センサ５４が配置されている。この第１温度センサ５４の検出値は、不図示の制御装置に供給されている。
【００４６】
機械室１４内の空気通路のクーラー５２上方には、クーラー５２から所定間隔を隔てて第１ヒータ５６が配置されている。この第１ヒータ５６上方の機械室１４の出口部分には、第１送風機５８が配置されている。
【００４７】
また、機械室１４内の空気通路の第１ヒータ５６の下方には、クーラー５２を下方から上方に通過した空気の約１／５が流れ込む分岐路６０が設けられ、この分岐路６０の機械室１４側の端部は、伸縮可能な蛇腹状部材６０ａにより構成されている。分岐路６０の蛇腹状部材６０ａより機械室１４と反対側の部分は、露光室１６内に配置されている。分岐路６０内には、第２ヒータ６２、第２送風機６４が順次配置され、この第２送風機６４の機械室１４と反対側に、ウエハステージＷＳＴ近傍に対する空気の噴き出し口が形成されている。なお、クーラー５２、第１ヒータ５６、第２ヒータ６２により、温度調整装置が構成され、この温度調整装置、第１送風機５８、第２送風機６４及びこれらの制御系等により、空調装置が構成されている。
【００４８】
ウエハステージＷＳＴ近傍の、第２送風機６４から送られる空気の噴き出し口部分にケミカルフィルタＣＦ２、ＵＬＰＡフィルタ及びフィルタプレナムから成るフィルタボックスＡＦ４が配置されている。これらケミカルフィルタＣＦ２、フィルタボックスＡＦ４が設けられた噴き出し口に対向して、露光室１６のウエハローダ室２０寄りの部分には、排気経路としてのリターンダクト６６の一端側の開口端が配置され、このリターンダクト６６の他端側は機械室１４の底面の一部に接続されている。
【００４９】
前記３つのリターンダクト４２，４８，６６が接続された機械室１４の底面の一部には、開口が形成され、この開口部に対向してケミカルフィルタＣＦ３が設けられている。このケミカルフィルタＣＦ３は、機械室１４に設けられた不図示の開閉扉を介して容易に出し入れできるようになっている。
【００５０】
更に、機械室１４内のクーラー５２の下方には、ドレインパン６８が配置されている。
【００５１】
前記本体チャンバ１２内の前記給気管路２４の分岐部の機械室１４寄りの部分には、給気管路２４内部の空気の温度を検出する第２温度センサ７２が配置されている。この第２温度センサ７２の検出値は、不図示の制御装置に供給されている。
【００５２】
また、ケミカルフィルタＣＦ２の上流側には、第２送風機６４から送り出される空気の温度を検出する第３温度センサ７４が配置されている。この第３温度センサ７４の検出値は、不図示の制御装置に供給されている。
【００５３】
次に、上述のようにして構成された露光装置１０における空調について図１に基づいて説明する。
【００５４】
まず、不図示の制御装置により、第１、第２送風機５８，６４が作動され、これにより、フィルタボックスＡＦ１，ＡＦ２，ＡＦ３，ＡＦ４をそれぞれ介してレチクルローダ室１８、ウエハローダ室２０、露光室１６及び露光室１６内のウエハステージＷＳＴ近傍に、空気が送り込まれ、前記各部の空調が行われる。この場合、レチクルローダ室１８、ウエハローダ室２０内では、ダウンフローにより空調が行われる。また、露光室１６内では、前述した露光動作中の露光装置本体２２の各部の空調がサイドフローにより行われる。そして、リターン部４０，４４をそれぞれ介してリターンダクト４２に戻された空気、リターン部４６を介してリターンダクト４８に戻された空気、及びリターンダクト６６に戻された空気は、これらのリターンダクトの機械室１４側の出口（本実施形態では機械室１４の入口）部分に設けられたケミカルフィルタＣＦ３を通過する。このケミカルフィルタＣＦ３を通過中に、各リターンダクト４２，４８，６６内の空気に含まれる化学的汚染物質がケミカルフィルタＣＦ３によって吸着除去される。
【００５５】
そして、このケミカルフィルタＣＦ３を通過したケミカルクリーンな空気は、ＯＡ口４９を介して露光装置外から取り入れられ、ケミカルフィルタＣＦ４を通過したケミカルクリーンな空気と一緒になって空調装置を構成するクーラー５２によって所定温度まで冷却される。この場合において、本実施形態では、不図示の制御装置により、第１温度センサ５４の出力をモニタしつつ、クーラー５２の冷却動作が制御され、この際、クーラー部分を通過する空気の湿度、圧力においてクーラー表面に結露が生じない程度の温度、例えば５℃より僅かに高い温度ないしは１５℃前後まで冷却される。このように、クーラー５２表面には、結露が生じないので、本実施形態ではドレイン配管系を設けていない。但し、第１温度センサ５４の故障や、クーラー５２の何らかの不具合の発生により、上述したようなクーラー５２の表面温度制御が困難となるおそれがある。そこで、本実施形態ではかかる非常事態を考慮して、ドレインパン６８を設けているのである。
【００５６】
そして、クーラー５２を通過して所定温度まで冷却された空気は、約８０％が第１ヒータ５６に送り込まれ、残りの約２０％が分岐路６０内の第２ヒータ６２に送り込まれ、それぞれの目標温度まで加熱される。この場合、不図示の制御装置では、第２温度センサ７２の検出値に基づいて第１ヒータ５６をフィードバック制御するとともに、第３温度センサ７４の検出値に基づいて第２ヒータ６２をフィードバック制御する。この場合、給気管路２４を介して露光室１６等の内部に噴き出される空気の目標温度（温度制御範囲を含む）と、分岐路６０を介してウエハステージＷＳＴ近傍に噴き出される空気の目標温度（温度制御範囲を含む）とは、それぞれ個別に設定することができる。
【００５７】
そして、第１、第２ヒータ５６，６２によりそれぞれの目標温度まで加熱された化学的に相当に清浄な空気は、第１、第２送風機５８，６４により、ケミカルフィルタＣＦ１，ＣＦ２にそれぞれ送り込まれる。そして、ケミカルフィルタＣＦ１を通過した空気は、本体チャンバ１２内の給気管路２４及びフィルタボックスＡＦ１，ＡＦ２，ＡＦ３をそれぞれ介して、レチクルローダ室１８、ウエハローダ室２０、露光室１６内にそれぞれ送り込まれる。また、ケミカルフィルタＣＦ２を通過した空気は、フィルタボックスＡＦ４を通過してウエハステージＷＳＴ（及びレーザ干渉計ＩＦ）の近傍に送り込まれる。
【００５８】
空気中のパーティクルは、フィルタボックスＡＦ１，ＡＦ２，ＡＦ３，ＡＦ４内のＵＬＰＡフィルタをそれぞれ通過することにより、ほぼ確実に除去されるので、レチクルローダ室１８、ウエハローダ室２０、露光室１６内及びウエハステージＷＳＴ近傍には、パーティクル及び化学的汚染物質等の微小粒子を含まないという意味で清浄度の高い空気のみが供給され、この清浄な空気によってレチクルローダ系、ウエハローダ系、露光装置本体２２が空調される。そして、この空調が終了し、露光装置本体２２等からの脱ガスに起因する化学的汚染物質を含む化学的に汚れた空気が、リターンダクト４２，４８，６６内に戻され、以後、上述したようにして各部の空調が繰り返し行われる。
【００５９】
前記Ｃ／Ｄ５０は、チャンバ等の筐体と、該筐体の内部に設けられた不図示のコータ（レジスト塗布装置）、デベロッパ（現像装置）、及びウエハの搬送を行うＣ／Ｄ内搬送系７１等を備えている。Ｃ／Ｄ５０の筐体には、図４（Ａ）等に示されるように＋Ｙ側の側壁部分に、出入り口（開口）５０ａが形成されており、出入り口５０ａは、扉５１によって開閉可能な構造となっている。この扉５１は、不図示の駆動系を介して不図示の制御装置によって開閉制御されるようになっている。
【００６０】
前記Ｃ／Ｄ内搬送系７１は、水平多関節ロボットから成り、Ｃ／Ｄ５０内のコータにおいてレジスト塗布が行われたウエハを、後述する受け渡し室７０内のベーキング装置７７上まで搬送するとともに、前述したウエハローダ室２０内のロボット８６によりベーキング装置７７まで搬送されてきた露光終了後のウエハをＣ／Ｄ５０内のデベロッパまで搬送する機能を有している。
【００６１】
また、図１に示されるように、露光装置１０を構成する本体チャンバ１２とＣ／Ｄ５０との間には、本体チャンバ１２とＣ／Ｄ５０とをインラインにて接続する受け渡し室７０が設けられている。この受け渡し室７０は、その一部を破砕して示す図３の斜視図から分かるように、ＸＺ断面が矩形の筒状部材７３と、該筒状部材７３のＹ軸方向の両端部に設けられたＸＺ断面が矩形で筒状部材７３よりも幾分厚く形成されたフレーム７５Ａ，７５Ｂとから成る中空の筐体によって区画されている。この受け渡し室７０の内部には、ベーキング装置７７が配設されている。
【００６２】
前記筒状部材７３及び前記フレーム７５Ａ，７５Ｂは、ステンレス（ＳＵＳ）あるいはテフロン等の脱ガスの少ない素材から形成されている。
【００６３】
前記ベーキング装置７７は、受け渡し室７０の内部底面上に載置されたヒータ７９と、該ヒータ７９の本体上に搭載され、その上面（＋Ｚ側の面）がウエハ載置面とされるホットプレート８１とを備えている。
【００６４】
前記ヒータ７９は、例えば、赤外線ヒータ、赤外線ランプ等を有する加熱装置から成り、このヒータ７９によりホットプレート８１の全体が均一に加熱されるようになっている。なお、上述のような赤外線加熱方式のヒータに代えて、抵抗加熱方式のヒータや、熱風加熱方式のヒータを採用することも可能である。
【００６５】
前記ホットプレート８１は、円板状の金属プレートから成り、その上面は、ウエハを載置してもウエハに変形が生じない程度に平坦に加工されている。このホットプレート８１には、一直線上にない少なくとも３つ（図３では４つ）の円形の丸孔が上下方向に形成されている。これらの丸孔の内部には、ヒータ７９の本体の上部に設けられた図３に示される上下動ピン８３がそれぞれ挿入されている。これらの上下動ピン８３は、不図示の駆動機構により上下方向に駆動されるようになっている。すなわち、上下動ピン８３は、丸孔をそれぞれ介してホットプレート８１の上面側に出没自在の構造となっている。
【００６６】
また、受け渡し室７０を形成する筒状部材７３の天井部分には、給気管８７Ａ及び排気管８７Ｂそれぞれの一端が接続されている。給気管８７Ａの他端側は、図１に示される給排気装置８５の一端に接続され、排気管８７Ｂの他端側は、給排気装置８５の他端に接続されている。給排気装置８５は、その内部に、不活性ガス（窒素、希ガス等）を供給するための供給装置、排気ポンプ、及びフィルタユニット等（いずれも図示省略）を有している。本実施形態では、給排気装置８５の供給装置からフィルタユニット及び給気管８７Ａを介して不活性ガスが受け渡し室７０内に供給されるとともに、受け渡し室７０の内部ガスが排気ポンプによって排気管８７Ｂを介して強制的に排気されるようになっている。
【００６７】
次に、上記のように構成される受け渡し室７０内を経由して、Ｃ／Ｄ５０内からウエハローダ室２０内にウエハＷを搬送する一連の動作について、図４（Ａ）〜図４（Ｃ）に基づいて、かつ適宜他の図面を参照しつつ説明する。以下の各部の動作は、不図示の制御装置の制御動作によって実現されるが、ここでは説明を簡略化するため制御装置に関する説明は省略する。
【００６８】
まず、Ｃ／Ｄ５０内においてレジストの塗布が終了したウエハＷが、Ｃ／Ｄ内搬送系７１のアームに受け渡されると、そのアームによるウエハＷの受け渡し室７０に向けての搬送が開始される。このとき、受け渡し室７０内では、予め給気管８７Ａ、排気管８７Ｂを介して給排気装置８５により前述の如くして内部ガスと不活性ガスとの置換が行われている。そして、ウエハＷを保持したＣ／Ｄ内搬送系７１のアームが受け渡し室７０に対して所定距離内に近づいた時点で扉５１が開放される。このとき、受け渡し室７０とウエハローダ室２０との境界の出入り口２０ａは、扉２１により閉鎖されている。また、扉５１の開放前にはガス置換は一時的に停止されている。
【００６９】
そして、ウエハＷを保持したＣ／Ｄ内搬送系７１のアームが、図４（Ａ）に示されるように、受け渡し室７０内に侵入し、ウエハＷがベーキング装置７７を構成するホットプレート８１上方（ほぼ真上）に位置するまで進んで停止する。この状態で、上下動ピン８３が上昇し、ウエハＷが上下動ピン８３により支持されると、Ｃ／Ｄ内搬送系７１のアームは受け渡し室７０内から退避する。そして、この直後に扉５１は閉鎖される。なお、この扉５１の閉鎖とともに受け渡し室７０内のガス置換が再開される。
【００７０】
そして、上下動ピン８３がウエハを支持したまま下降することにより、図４（Ｂ）に示されるようにウエハＷがホットプレート８１上に載置される。このときホットプレート８１は、前述したようにヒータ７９により加熱されているので、ウエハＷがホットプレート８１上に載置された時点より、ウエハＷに対するいわゆるプリベーク（ＰＡＢ）が行われることになる。受け渡し室７０内では、このプリベーク（ＰＡＢ）の間、ガス置換は継続されており、不活性ガス（窒素、ヘリウム等）の純度が所定値以上、すなわち、受け渡し室７０内の化学的汚染物質等の含有量が極力低く維持されている。
【００７１】
なお、上記プリベークが既にＣ／Ｄ５０内で行われている場合には、上記の如き受け渡し室７０内でのプリベークを省略することもできる。この場合には、受け渡し室７０内に、ウエハ受け渡し部のみを設けておいても良い。但し、Ｃ／Ｄ５０内にてウエハＷの表面に付着した水分を除去する（蒸発させる）目的で、Ｃ／Ｄ５０内でのプリベークの後に、再度、受け渡し室７０内のベーキング装置７７を用いてプリベークを行うこととすることもできる。この場合におけるプリベークの温度としては、Ｃ／Ｄ５０内でのプリベークの温度（例えば、１１０℃）よりも低く、かつ付着した水分を蒸発させるのに十分な温度（例えば、１０５℃）となるように、ホットプレート８１の温度を調節することとしても良い。
【００７２】
特に、露光光が波長１５７ｎｍのＦ2レーザ光である場合には、ウエハＷ表面に付着した水分による露光光の吸収が甚大であるため、Ｃ／Ｄ５０内においてプリベークが完了している場合でも、受け渡し室７０内にて再度プリベークを行うことが望ましい。なお、受け渡し室７０内のベーキング装置７７を省略し、ウエハローダ室２０内にベーキング装置（又はホットプレート）を設け、本体チャンバ１２（ウエハローダ室２０）内でプリベークを行うこととしても良い。
【００７３】
上記プリベーク（ＰＡＢ）が終了する、あるいは、プリベーク（ＰＡＢ）を受け渡し室７０内で行わないときには受け渡し室７０内のウエハ受け渡し部にウエハが搬送されてから所定時間経過すると、受け渡し室７０内のガス置換が一時的に停止されるとともに、ウエハローダ室２０の扉２１が不図示の開閉機構により開放され、これに続きロボット８６のアームが、図４（Ｃ）に示されるように、受け渡し室７０内に侵入する。このとき、受け渡し室７０内の化学的汚染物質等の含有率が極力低く設定されていることから、扉２１が開放されても、ウエハローダ室２０内へ化学的汚染物質等が混入することはほとんどない。また、ロボット８６のアームが受け渡し室７０内に侵入するのと並行して、上下動ピン８３が上昇し、ロボット８６のアームがウエハＷの下側に入り込む。そして、この状態から上下動ピン８３が再度下降することで、ロボット８６のアームへのウエハＷの受け渡しが行われる。そして、ウエハＷを保持したロボット８６のアームが受け渡し室７０内から退避した直後に、扉２１が閉鎖される。
【００７４】
このようにして、ウエハＷのＣ／Ｄ５０からウエハローダ室２０への搬送が完了する。
【００７５】
また、受け渡し室７０内を経由して、ウエハＷをウエハローダ室２０内からＣ／Ｄ５０内に搬送する動作は、上述の動作とほぼ反対の手順で行われる。
【００７６】
すなわち、露光室１６内の露光装置本体２２により全ショット領域への露光が終了したウエハＷが、図１に示されるウエハ搬送装置８８によりウエハローダ室２０内に搬送されてくると、そのウエハＷはロボット８６のアームに渡され、そのアームによるウエハＷの受け渡し室７０に向けての搬送が開始される。そして、前述とは反対の動作によりウエハＷが受け渡し室７０内に搬入されると、上下動ピン８３を介して、ベーキング装置７７のホットプレート８１上に載置される。このとき、ホットプレート８１は加熱されているので、ウエハＷがホットプレート８１に載置された時点より、露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われることになる。この露光後ベーク（ＰＥＢ）中にも、受け渡し室７０内が給気管８７Ａ、排気管８７Ｂを介して給排気装置８５によりガス置換されており、不活性ガス（窒素、ヘリウム等）の純度が所定値以上、すなわち化学的汚染物質等の含有量が極力低く維持されている。そして、露光後ベーク終了後、ウエハＷはＣ／Ｄ内搬送系７１によりＣ／Ｄ５０内に搬入される。
【００７７】
これまでの説明から明らかなように、本実施形態では、ベーキング装置７７を構成する上下動ピン８３により受け渡し部が構成されている。また、照明光学系２８と投影光学系ＰＬとにより光学系が構成されている。
【００７８】
以上詳細に説明したように、本実施形態の露光システム１００によると、Ｃ／Ｄ５０と露光装置１０を構成する本体チャンバ１２とを接続する受け渡し室７０内に、給排気装置８５により不活性ガスが供給され、且つこの給排気装置８５により受け渡し室７０内の気体が外部に排気される。このため、本体チャンバ１２内への、光学系の透過率等に影響を与える化学物質の侵入が抑制される。また、露光装置１０を構成する本体チャンバ１２と、Ｃ／Ｄ５０との間におけるウエハ搬送の際に、外気（クリーンルーム内の雰囲気）あるいはアンモニアガス、硫黄酸化物、あるいは有機珪素化合物などの不純物を含む気体に対して、ウエハに塗布されたレジストが晒されることを防ぐことができる。すなわち、露光前、あるいは露光終了後におけるウエハに塗布されたレジストの感度変化を防止することができる。従って、露光装置本体２２での露光光（エネルギビーム）の透過率の低下、像面における照度劣化、あるいはウエハに塗布された化学増幅型レジストのＴシェイプの発生等が抑制されるので、デバイスの歩留まりを長期にわたって維持することが可能である。
【００７９】
また、本実施形態では、受け渡し室７０の内部にウエハのベークを行うためのベーキング装置が配置され、露光前後にベークを行うこととしている。これにより、ウエハに塗布されたレジスト膜中の残留溶剤の蒸発及びレジスト膜とウエハの密着性強化、化学増幅型レジストの触媒反応の促進を実現することが可能である。この場合、レジスト膜中の残留溶剤を受け渡し室７０内で蒸発させても、残留溶剤の蒸気は給排気装置８５により受け渡し室７０内から排出されるので、露光装置を構成する本体チャンバ１２の内部環境への影響はほとんどない。
【００８０】
なお、受け渡し室７０内にベーキング装置７７を設けているため、ウエハＷの表面に付着した水分を蒸発させる（除去する）ことができ、特に露光光が波長１５７ｎｍのＦ2レーザ光である場合には、ウエハＷ表面に付着した水分による露光光の吸収を抑制することができる。
【００８１】
また、ウエハの受け渡しをベーキング装置７７上で行うので、受け渡しのための機構を別途設けなくても、ベーク及び受け渡しを迅速に行うことができるので、スループットの向上を図ることが可能となっている。
【００８２】
また、受け渡し室７０内にベーキング装置７７を設けることにより、受け渡し室７０内の化学的汚染物質等を低減するためのガス置換を行っている間に、プリベークあるいは露光後ベークを行うことが可能であることから、両動作を別々に行う場合と比べ、スループットの向上を図ることが可能である。
【００８３】
また、上記実施形態の露光システムによれば、露光装置にインラインにてコータ・デベロッパが接続されているので、レジスト塗布、露光、現像の各処理を一連の処理として効率良く行うことが可能となっている。
【００８４】
なお、上記実施形態では、ベーキング装置としてホットプレートおよび該ホットプレートを加熱するヒータのみを設けるものとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、現像の均一性を向上させるために、デベロッパに搬送する前に、加熱されたウエハの温度を所定の温度に調整するためのクーリングプレートをホットプレートに加えて、併設することとしても良い。
【００８５】
なお、上記実施形態では、受け渡し室７０内に給排気装置から不活性ガス（窒素、希ガス等）を供給するものとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、空気から水蒸気が除かれたドライエアを用いることとしても良い。
【００８６】
但し、露光光が波長１５７ｎｍのＦ2レーザ光である場合には、ウエハに対する露光が行われる位置（ウエハステージ室内の所定位置）は、大気中の酸素や、水蒸気による露光光の吸収を避けるために、後述するように、その周囲を、気密性の高い隔壁で覆い、その内部の空間から酸素や水蒸気を追放し、ヘリウムや窒素ガスなどの不活性ガス（露光光の吸収が抑制されたガス）によってガス置換する必要がある。従って、ウエハステージ室内への酸素や水蒸気の混入を防止するために、ウエハステージ室に隣接するウエハローダ室２０内に上記の如きガス置換機能を持たせることが必要である。
【００８７】
なお、受け渡し室７０内のガス置換のタイミングとしては、上記実施形態に示すものに限られるものではない。すなわち、受け渡し室７０とウエハローダ室２０との間の扉２１を開放する際に、受け渡し室７０内の不活性ガス（窒素、ヘリウム等）の純度が所定値以上となっていれば良いことから、扉２１を開放する直前からガス置換を開始し、不活性ガスが所定の純度に達した時点で扉２１を開放するようにしても良い。
【００８８】
また、受け渡し室７０内のガス置換を、受け渡し室７０内に複数枚のウエハを収容した状態で行うこととしても良い。また、受け渡し室７０内に複数のホットプレートを設置して、同時に複数のウエハをプリベークすることとしても良い。
【００８９】
なお、上記実施形態では露光装置にインラインにて接続されるものとしてコータ・デベロッパを採用するものとしたが、デベロッパのみ、あるいはコータのみをインラインにて接続するものとしても良い。
【００９０】
また、受け渡し室内には、少なくとも受け渡し部が設けられていれば良く、本実施形態のように必ずしもベーキング装置を設けなくても良い。
【００９１】
なお、上記実施形態では、ベーキング装置を用いたベークを露光の前後で行うものとしたが、露光前ベークは必ずしも行わなくても良い。
【００９２】
なお、上記実施形態では、受け渡し室内の給排気を行うための給気管路及び排気管路を、受け渡し室を形成する隔壁の天井部に設けるものとしたが、これに限らず、天井部に加え、底部に設けるようにしても良いし、側壁に設けることとしても良い。いずれの場合にも、受け渡し室内の給排気を効率的に行うことが可能となる。
【００９３】
なお、図１では本体チャンバに隣接して機械室を配置するものとしたが、クリーンルームの床下（ユーティリティスペース）などに機械室を配置するようにしても良い。この場合、光源もその床下に配置しても良い。また、空調装置では空気の温度を制御するものとしたが、それに加えて圧力をも制御するようにしても良い。
【００９４】
また、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を露光用照明光として用いる場合には、照明光学系２８と同様に、投影光学系ＰＬの鏡筒内、あるいは投影光学系ＰＬを収容する筐体内にも不活性ガス（窒素など）が供給される。さらに、Ｆ2レーザ光（波長１５７ｎｍ）を露光用照明光として用いる場合には、レチクルステージ及びウエハステージがそれぞれサブチャンバ内に配置され、照明光学系２８及び投影光学系ＰＬに加えて、照明光学系２８と投影光学系ＰＬとの間、及び投影光学系ＰＬとウエハＷとの間にもそれぞれ不活性ガス（ヘリウムなど）が供給される。従って、光源内を含めてその光源からウエハＷに至る照明光路の少なくとも一部を密閉してその内部に不活性ガスなどを供給する露光装置では、例えば照明光学系に供給された不活性ガスが通る排気経路の途中、又は出口にも、化学物質除去フィルタ（ケミカルフィルタ）を設けておくことが好ましい。勿論、不活性ガスの流入経路の途中又は入り口にもケミカルフィルタを設けても良く、これは特に回収した不活性ガスを清浄化して再利用する場合に有効である。また、上述のように、例えば波長１２０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の真空紫外域に属する光を露光用照明光として用いる場合などには、空調用空気として上記不活性ガス（窒素ガス、ヘリウムガスなど）が用いられる。
【００９５】
なお、上記実施形態では、光源としてＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ等を用いる場合について説明したが、これに限らず、光源としてＦ2レーザ、Ａｒ2レーザを用いても良く、あるいは金属蒸気レーザやＹＡＧレーザを用い、これらの高調波を露光用照明光としても良い。あるいは、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（Ｅｒ）（又はエルビウムとイッテルビウム（Ｙｂ）の両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を、露光用照明光として用いても良い。
【００９６】
また、本発明はステップ・アンド・リピート方式、ステップ・アンド・スキャン方式、又はステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置だけでなく、例えばミラープロジェクション・アライナー、プロキシミティ方式の露光装置、及びフォトリピータなどにも適用することができる。即ち、露光装置本体の構成などに関係なく、環境制御（空調等）を行う必要のある露光システムであれば本発明を適用できる。
【００９７】
《デバイス製造方法》
次に、上述した露光システム１００をリソグラフィ工程で使用したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
【００９８】
図５には、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートが示されている。図５に示されるように、まず、ステップ２０１（設計ステップ）において、デバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップ２０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ２０３（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
【００９９】
次に、ステップ２０４（ウエハ処理ステップ）において、ステップ２０１〜ステップ２０３で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップ２０５（デバイス組立ステップ）において、ステップ２０４で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップ２０５には、ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。
【０１００】
最後に、ステップ２０６（検査ステップ）において、ステップ２０５で作製されたデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。
【０１０１】
図６には、半導体デバイスの場合における、上記ステップ２０４の詳細なフロー例が示されている。図６において、ステップ２１１（酸化ステップ）においてはウエハの表面を酸化させる。ステップ２１２（ＣＶＤステップ）においてはウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ２１３（電極形成ステップ）においてはウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ２１４（イオン打込みステップ）においてはウエハにイオンを打ち込む。以上のステップ２１１〜ステップ２１４それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【０１０２】
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ２１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップ２１６（露光ステップ）において、上で説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップ２１７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップ２１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップ２１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
【０１０３】
これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【０１０４】
以上説明した本実施形態のデバイス製造方法を用いれば、レジスト形成工程（ステップ２１５）、露光工程（ステップ２１６）、現像工程（ステップ２１７）等において上記実施形態の露光システム１００が用いられるので、長期に渡って化学的汚染物質等による露光精度の低下等を効果的に抑制することができ、これにより高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
【０１０５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の露光システムによれば、露光装置を構成するチャンバ内部の環境の悪化を抑制し、長期に渡って最終製品であるデバイスの歩留まりを維持することができるという効果がある。
【０１０６】
また、本発明の露光装置によれば、長期に渡って最終製品であるデバイスの歩留まりを維持することができるという効果がある。
【０１０７】
また、本発明デバイス製造方法によれば、高集積度のデバイスの生産性を向上することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施形態に係る露光システムの概略的な構成を示す図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】受け渡し室を一部破砕して示す斜視図である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、コータ・デベロッパ、本体チャンバ間のウエハの受け渡し方法を説明するための図である。
【図５】本発明に係るデバイス製造方法の実施形態を説明するためのフローチャートである。
【図６】図５のステップ２０４の詳細を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１０…露光装置、１２…本体チャンバ（チャンバ）、１４…機械室、２２…露光装置本体、２８…照明光学系（光学系の一部）、５０…コータ・デベロッパ（基板処理装置）、７０…受け渡し室、７７…ベーキング装置（受け渡し部）、８５…給排気装置、１００…露光システム、ＰＬ…投影光学系（光学系の一部）、Ｗ…ウエハ（基板）。
【図１】
2005101018.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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