(57)【要約】【課題】転送電極間の隙間と配線間の隙間を調整することで、入射光のＰ偏光成分およびＳ偏光成分の両方を考慮して完全なる遮光を可能とする。【解決手段】第１導電型の半導体基板１１内に形成された電荷転送領域３０となる第1導電型とは逆導電型の第２導電型のチャネル層３１と、チャネル層３１上に絶縁膜を介して配置されたもので電荷を転送する転送電極５２、５３とを備えた電荷転送装置１において、転送電極５２、５３の上方に転送電極５２、５３と立体的に交差するように形成された配線５５、５６を備え、平面視的にみた場合に電荷転送領域３０上における転送電極５２、５３間の隙間および配線５５、５６間の隙間によって形成される開口部５９がどの方向からも０．２μｍ以下とするものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板内に形成された電荷転送領域となる前記第1導電型とは逆導電型の第２導電型のチャネル層と、
前記チャネル層上に絶縁膜を介して配置されたもので電荷を転送する転送電極と
を備えた電荷転送装置において、
前記転送電極の上方に前記転送電極と立体的に交差するように形成された配線もしくは遮光膜を備え、
平面視的にみた場合に前記電荷転送領域上における前記転送電極間の隙間および前記配線間もしくは遮光膜間の隙間によって形成される開口部がどの方向からも０．２μｍ以下とする
ことを特徴とする電荷転送装置。
【請求項２】
前記遮光膜は、前記転送電極および前記配線の少なくとも一方で兼ねる
ことを特徴とする請求項１記載の電荷転送装置。
【請求項３】
前記転送電極は遮光性の電極材料からなる
ことを特徴とする請求項１記載の電荷転送装置。
【請求項４】
前記転送電極は単層構造の電極からなる
ことを特徴とする請求項１記載の電荷転送装置。
【請求項５】
前記転送電極間の下方における前記電荷転送領域のチャネル領域に該チャネル領域よりも高抵抗な領域が形成されている
ことを特徴とする請求項４記載の電荷転送装置。
【請求項６】
第１導電型の半導体基板内に形成された電荷転送領域となる前記第1導電型とは逆導電型の第２導電型のチャネル領域と、
前記チャネル領域上に絶縁膜を介して配置されたもので電荷を転送する転送電極と
を備えた電荷転送装置の製造方法において、
前記転送電極の上方に前記転送電極と立体的に交差するように配線もしくは遮光膜を形成し、
平面視的にみた場合に前記電荷転送領域上における前記転送電極間の隙間および前記配線間もしくは遮光膜間の隙間によって形成される開口部がどの方向からも０．２μｍ以下とする
ことを特徴とする電荷転送装置の製造方法。
【請求項７】
前記転送電極を遮光性の電極材料で形成する
ことを特徴とする請求項６記載の電荷転送装置の製造方法。
【請求項８】
前記転送電極は単層構造の電極で構成される
ことを特徴とする請求項６記載の電荷転送装置の製造方法。
【請求項９】
前記転送電極間の下方における前記電荷転送領域のチャネル領域に該チャネル領域よりも高抵抗な領域を形成する
ことを特徴とする請求項８記載の電荷転送装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体基板に形成された複数の光電変換領域と、
前記半導体基板に前記各光電変換領域と離間して形成された垂直レジスタと、
前記光電変換領域から電荷を読み出してその電荷を前記垂直レジスタに供給するトランスファーゲートとを備えた固体撮像装置において、
前記垂直レジスタは、
前記各光電変換領域と離間して前記半導体基板中に形成された電荷転送領域のチャネル領域と、
前記チャネル領域上に絶縁膜を介して形成されたもので電荷を転送する転送電極と、
前記転送電極の上方に前記転送電極と立体的に交差するように形成された配線もしくは遮光膜を備え、
平面視的にみた場合に前記電荷転送領域上における前記転送電極間の隙間および前記配線間もしくは遮光膜間の隙間によって形成される開口部がどの方向からも０．２μｍ以下とする電荷転送装置からなる
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１１】
前記転送電極は遮光性の電極材料からなる
ことを特徴とする請求項１０記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記転送電極は単層構造の電極で構成される
ことを特徴とする請求項１０記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記転送電極間の下方における前記電荷転送領域のチャネル領域に該チャネル領域よりも高抵抗な領域が形成されている
ことを特徴とする請求項１２記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記電荷転送装置は、
２次元ＣＣＤエリアラインセンサのＣＣＤレジスタである
ことを特徴とする請求項１０記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記電荷転送装置は、
１次元ＣＣＤラインセンサのＣＣＤレジスタである
ことを特徴とする請求項１０記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
前記垂直レジスタからの電荷を受け取って転送する水平レジスタと、
前記水平レジスタからの電荷を検出する電荷検出部と、
前記水平レジスタの転送電極の上部に立体的に交差するように形成された配線もしくは遮光膜とを備え、
前記水平レジスタは、
前記半導体基板中に形成された電荷転送領域の埋め込みチャネル層と、
前記埋め込みチャネル層上に絶縁膜を介して形成されたもので電荷を転送する転送電極とを備え、
前記転送電極の上方に前記転送電極と立体的に交差するように形成された配線もしくは遮光膜を備え、
平面視的にみた場合に前記水平レジスタの電荷転送領域上における前記水平レジスタの転送電極間の隙間および前記水平レジスタの配線間もしくは遮光膜間の隙間によって形成される開口部がどの方向からも０．２μｍ以下とする電荷転送装置からなる
ことを特徴とする請求項１０記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、偏光性に依存することなく遮光を行えるようにすることで、スミアまたは混色の大幅なる改善を容易にした電荷転送装置、電荷転送装置の製造方法および固体撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ型の固体撮像装置では、半導体基板の表面に形成された光電変換領域（例えばフォトダイオード）に光が入射し、その光電変換領域で発生した信号電荷によって映像信号が得られる構成となっている。
【０００３】
例えば２層転送電極構造の固体撮像装置が知られている。ところが、２層転送電極構造の電極転送装置では二つの問題点が生ずる。第１には、２層のポリシリコン電極により垂直ＣＣＤの転送電極が形成されているため、半導体基板界面から遮光膜までの膜厚が高くなり、このことよって半導体基板界面からマイクロレンズを形成するための平坦化層表面までの膜厚が高くなる。平坦化層表面が高くなるとマイクロレンズにより定まる光電変換領域（センサー領域）の半導体基板（シリコン）界面下までの焦点距離が長くなり、このことによってＦ値の小さな、つまりカメラレンズの絞りを開放状態して入射する斜め光は開口領域に入射せずに遮光膜等に入射しやすくなる。こういった光は散乱光となりスミアの悪化を招く。また転送電極が２層となっている部分においては遮光膜の被覆性が悪くなり、これによって遮光膜と半導体基板（シリコン）界面間の絶縁膜に漏れ込む光によってスミアの悪化を招くことになる。
【０００４】
そこで、上記述べた問題点を解決するため、単層電極により構成されたＣＣＤが開示されている。（例えば、非特許文献１、２参照。）。
【０００５】
非特許文献１、２に開示された固体撮像装置によると、単層電極の利点は、非特許文献１では遮光膜による被覆性が改善されること、非特許文献２ではスミアが改善されることに加えて、界面から遮光膜までの高さが低くなったことにより、界面から平坦化膜までの高さが低くなり、カメラレンズの絞りが開放に近づいたときでも感度の低下が抑制できること等の利点が開示されている。
【０００６】
ただし、単層電極からなる転送電極を有する電荷転送装置においてもいくつかの問題点がある、まずは転送効率の問題である。単層電極においては転送電極が２重構造にできないために、特に垂直方向に隣り合う光電変換領域（フォトダイオード）間に転送電極幅の細いところが生じ、これが抵抗を高める原因となっている。このため、パルスなまりが生じ、転送効率を悪化させる原因となっていた。
【０００７】
これに対して、金属を用いた単層電極の技術が公開されている（例えば、特許文献１参照。）。この技術をそのまま、インターライン（ＩＴ）型ＣＣＤ、フレームインターライン（ＦＩＴ）型ＣＣＤ等の転送電極に用いた場合、図５に示すように、転送電極５１１，５１２上に照射される光は、転送電極５１１、５１２間の隙間を突き抜けるため、電荷転送領域５０３において漏れた光によるノイズが発生する問題が生じる。この問題を解決するには、遮光膜を形成する技術があるが、金属のような遮光性を有する転送電極の間隔を十分に狭くした場合、可視光線の波長の光ならば透過しないという報告もある（例えば、非特許文献３参照）。この報告によれば、金属電極下部の絶縁膜および遮光膜が一定の膜厚条件を満たし、かつ、電荷転送領域上における転送電極の間隔を０．２μｍ以下とすれば、可視光の波長帯ならば転送電極間を通過して光電変換することにより発生するノイズの問題はほとんどないとしている。
【０００８】
しかしながら、可視光の波長より狭い０．２μｍ以下に電極間隔を狭く形成しても、一方向の偏光光に関しては抑制が可能であるが、実際には一方向の偏光方向と直交する偏光光に関しては効果が小さく、楕円偏光は通過することとなる。例えば、シリコン基板上に３０ｎｍの厚さの絶縁膜を形成し、さらにその上に０．２μｍ幅のスリット（膜厚１５０ｎｍ）を形成し、そのスリットに光を入射した場合におけるシリコン基板内部での光電変換効率をシミュレーションにより調べた結果を、図６に示す。図６は、縦軸に感度を示し、横軸に入射光の波長を示す。
【０００９】
図６に示すように、波長４００ｎｍ、５５０ｎｍ、７００ｎｍのいずれの場合においても、Ｐ偏光の光による光電変換した電荷の発生は激減しているが、Ｓ偏光の光による光電変換した電荷の発生は、Ｐ偏光と比較して３桁以上高くなっていることがわかった。このことは、金属による転送電極を遮光膜として兼用して用いる場合は、一定の方向の直線偏光のみしか遮光性を維持することができないことを表している。
【００１０】
【特許文献１】特開平５−３１５５８８号公報
【非特許文献１】M.Furumiya, K.Hatano, Y.Nakashiba, I.Murakami et al.,「A １/2-in, 1.3M-Pixel Progressive-Scan ＣＣＤ Image Sensor Employing 0.25-μｍ Gap Single-Layer Poly-Si Electorodes」，IEEE Journal of Solid-State Circuits Vol.34  No.12  １９９９年１２月  ｐ．１８３５−１８４２
【非特許文献２】冨留宮正之、畑野啓介、村上一朗、他著  「高フレームレート撮像が可能な１／３インチ１３０万画素単層電極ＣＣＤの開発」，ＮＥＣ技報  第５３巻  第４号  ２０００年４月  ｐ．５０−５３
【非特許文献３】K.Hatano, N.Mutoh, M.Furumiya, I.Murakami et al.,「Optical Limitations to Cell Size Reduction in IT-CCD Image Sensors」，IEEE  TRANSACTIONS  ON  ELECTRON  DEVICE  VOL.44  No.10  １９９７年１０月  ｐ．１５９９−１６０３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
解決しようとする問題点は、光電変換装置や固体撮像装置の遮光膜について、Ｐ偏光およびＳ偏光の両方の偏光性を考慮していなかったため、完全なる遮光ができず、スミアが発生していた点である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の電荷転送装置は、第１導電型の半導体基板内に形成された電荷転送領域となる前記第1導電型とは逆導電型の第２導電型の埋め込みチャネル層と、前記埋め込みチャネル層上に絶縁膜を介して配置されたもので電荷を転送する転送電極とを備えた電荷転送装置において、前記転送電極の上方に前記転送電極と立体的に交差するように形成された配線もしくは遮光膜を備え、平面視的にみた場合に前記電荷転送領域上における前記転送電極間の隙間および前記配線間もしくは遮光膜間の隙間によって形成される開口部がどの方向からも０．２μｍ以下とすることを最も主要な特徴とする。
【００１３】
本発明の電荷転送装置の製造方法は、第１導電型の半導体基板内に形成された電荷転送領域となる前記第1導電型とは逆導電型の第２導電型のチャネル領域と、前記チャネル領域上に絶縁膜を介して配置されたもので電荷を転送する転送電極とを備えた電荷転送装置の製造方法において、前記転送電極の上方に前記転送電極と立体的に交差するように配線もしくは遮光膜を形成し、平面視的にみた場合に前記電荷転送領域上における前記転送電極間の隙間および前記配線間もしくは遮光膜間の隙間によって形成される開口部がどの方向からも０．２μｍ以下とすることを最も主要な特徴とする。
【００１４】
本発明の固体撮像装置は、半導体基板に形成された複数の光電変換領域と、前記半導体基板に前記各光電変換領域と離間して形成された垂直レジスタと、前記光電変換領域から電荷を読み出してその電荷を前記垂直レジスタに供給するトランスファーゲートとを備えた固体撮像装置において、前記垂直レジスタは、前記各光電変換領域と離間して前記半導体基板中に形成された電荷転送領域のチャネル領域と、前記チャネル領域上に絶縁膜を介して形成されたもので電荷を転送する転送電極と、前記転送電極の上方に前記転送電極と立体的に交差するように形成された配線もしくは遮光膜を備え、平面視的にみた場合に前記電荷転送領域上における前記転送電極間の隙間および前記配線間もしくは遮光膜間の隙間によって形成される開口部がどの方向からも０．２μｍ以下とする電荷転送装置からなることを最も主要な特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の電荷転送装置は、平面視的にみた場合に電荷転送領域上における転送電極間の隙間および配線間もしくは遮光膜間の隙間によって形成される開口部がどの方向からも０．２μｍ以下とするため、Ｐ偏光の光もＳ偏光の光も偏光性に依存することなく、可視光線の波長領域においては遮光することができるので、スミアや混色の問題を改善することができるという利点がある。
【００１６】
本発明の電荷転送装置の製造方法は、平面視的にみた場合に電荷転送領域上における転送電極間の隙間および配線間もしくは遮光膜間の隙間によって形成される開口部を、どの方向からも０．２μｍ以下とするように形成するため、Ｐ偏光の光もＳ偏光の光も偏光性に依存することなく、可視光線の波長領域においては遮光することができるので、スミアや混色の問題を改善することができるという利点がある。
【００１７】
本発明の固体撮像装置は、上記電荷転送装置を用いているため、上記電荷転送装置と同等の効果を得ることができるので、Ｐ偏光の光もＳ偏光の光も偏光性に依存することなく、可視光線の波長領域においては遮光することができるので、スミアや混色の問題を改善することができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
入射光のＰ偏光およびＳ偏光の両方の偏光性を考慮して完全なる遮光を達成するという目的を、転送電極と遮光膜もしくは配線の配置関係を特定することで、製造工程に負荷を掛けることをせずに実現した。
【実施例１】
【００１９】
本発明の電荷転送装置および固体撮像装置に係る一実施例を、図１の平面視レイアウト図、図２の概略構成断面図によって説明する。
【００２０】
図１および図２に示すように、Ｎ型の半導体基板１１の上部層にＰウェル１２が形成され、Ｐウェル１２内には、入射光を光電変換して信号電荷を得るための光電変換領域２０（例えばフォトダイオード）およびＮ型のチャネル領域３１を含む垂直ＣＣＤ（Charge Coupled Device）の電荷転送領域３０が形成され、上記光電変換領域２０と上記チャネル領域３１との間は、光電変換領域２０からチャネル領域３１に電荷を読み出すトランスファーゲート部４０によって分離されている。さらにＰウエル１２には、光電変換領域２０、トランスファーゲート部４０および電荷転送領域３０等で構成される画素領域を分離するＰ型領域からなるチャネルストップ層５０が形成されている。上記光電変換領域２０は、例えばＮ型領域２１とその上層に形成したＰ型領域２２とからなる。また、電荷転送領域３０のチャネル層３１下層にはＰ型領域３２が形成されている。
【００２１】
また、上記半導体基板１１における上記チャネル領域３１およびトランスファーゲート部４０上には絶縁膜５１を介して転送電極５２、５３が形成されている。上記絶縁膜５１は、ゲート絶縁膜としての機能を有するように、例えば酸化シリコン膜からなり、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、例えば３０ｎｍの膜厚に形成され、上記転送電極５２、５３は、例えば金属またはシリサイド膜からなる単層の電極からなり、例えば１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下、例えば１５０ｎｍの膜厚に形成される。さらに上記転送電極５２上には、絶縁膜５４を介して、立体的に交差するように、すなわち垂直転送方向にそって、裏打ち配線を兼用したアルミニウムまたはタングステン等の遮光性を有する導電性材料からなる配線５５、５６が形成されている。上記絶縁膜５４は、転送電極５２、５３と上層に形成される配線５５、５６との間の耐圧を確保する膜厚とし、例えば１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下の膜厚に形成される。そして、転送電極５２と配線５５とはコンタクト５７によって接続され、転送電極５３と配線５６とはコンタクト５８によって接続されている。
【００２２】
さらに配線５５、５６はＰＳＧ等のシリコン酸化膜からなるパッシベーション膜６１により被膜され、さらにその上には平坦化層６２が形成されている。そして、上記光電変換領域２０上の平坦化層６２上にはマイクロレンズ６３が形成され、入射光を光電変換領域２０に導いている。
【００２３】
また、転送電極５２、５３間下部のチャネル領域３１には高抵抗領域（図示せず）が形成されることが好ましい。この高抵抗領域は、Ｎ型のチャネル領域３１にＰ型の不純物、例えばホウ素を導入することにより形成することができる。これにより、転送電極５２、５３間のチャネル領域３１におけるフリンジ電界を高めることができるので、電荷転送効率を高めることができる。
【００２４】
上記電荷転送装置１では、平面視的にみた場合に上記電荷転送領域３０上における上記転送電極５５、５６間の隙間および配線５２、５３間の隙間によって形成される開口部５９がどの方向からも０．２μｍ以下となるように形成されている。なお、この開口部５９は光を透過する、いわば光学的な開口部である。上記開口部５９が平面視的にみて矩形に形成されている場合には、その対角線の長さが０．２μｍ以下とする。例えば、開口部５９が正方形に形成されている場合には、その対角線の長さが０．２μｍ以下となり、一辺の長さが０．１４１μｍ以下となる。なお、上記転送電極５２、５３同士および配線５５、５６同士が接触されるように配置されることはないので、必ず開口部５９は生じることになる。
【００２５】
上記電極転送装置１では平面視的にみた場合に上記電荷転送領域（垂直ＣＣＤ）３０上における上記転送電極５２、５３間の隙間および配線５５、５６間の隙間によって形成される開口部５９がどの方向からも０．２μｍ以下となるように形成されていることから、入射光の偏光性に依存することなく、すなわちＰ偏光の光もＳ偏光の光も可視光線の波長領域において遮光することができる。この結果、電荷転送領域３０内のチャネル領域３１内で発生するノイズ成分、いわゆる遮光膜からの透過光によって発生するスミア成分は問題のないレベルまで抑えることができる。また、混色も抑制することができる。よって、この電極転送装置１を搭載した固体撮像装置は、スミアの発生が抑制できる撮影映像の品質にすぐれた固体撮像装置とすることができる。さらに、転送電極５２、５３と配線５５、５６とをコンタクト５７、５８により電気的の接続して、配線５５、５６をいわゆる裏打ち配線として用いていることから、転送電極５２、５３を、タングステンやアルミニウム等の金属よりは電気抵抗が高いがシリコンよりは電気抵抗が低いシリサイド膜を用いて形成することもできる。したがって、転送電極５２、５３にシリサイド膜を用いても、高速転送が可能となっている。
【実施例２】
【００２６】
次に、本発明の電荷転送装置の製造方法に係る一実施例を、図３の製造工程断面図および図４の平面視レイアウト図によって説明する。図面は、垂直転送方向の断面を示すものであり、主として電極および配線の形成方法を示す。
【００２７】
図３（１）に示すように、Ｎ型の半導体基板１１にＰウエル１２を形成し、さらに通常の製造方法により、チャネルストップ領域（図示せず）を形成し、さらに電荷転送領域を形成する。図面は電荷転送領域のＮ型のチャネル領域３１を形成した状態を示した。上記Ｐウエル１２およびチャネル領域３１は、例えばイオン注入法により形成することができる。
【００２８】
次いで、図３（２）に示すように、半導体基板１１上に絶縁膜５１を、例えば酸化シリコン膜を３０ｎｍの厚さに成膜して形成した。次いで転送電極を形成するための導電膜７１を形成する。この導電膜７１は、例えば遮光性を有するタングステン、アルミニウム等の金属膜、もしくはシリサイド膜で形成することができ、ここでは一例として、厚さが１５０ｎｍのタングステン膜で形成した。
【００２９】
次いで、図３（３）に示すように、通常のレジストマスクを形成する技術を用いて、上記導電膜７１上に、転送電極形状のレジストマスク７２を形成した。その際、転送電極間の隙間ｄが０．１４μｍ以下となるように形成した。この隙間ｄは、後の電極転送領域上に形成される配線の間隔によって適宜変更される。すなわち、転送電極間の隙間と配線間の隙間とによって形成される光学的な開口部は、その開口部の最大長が可視光線を遮光する０．２μｍ以下となるように、形成される必要がある。ここでは、その開口部を正方形に形成するため、上記のように転送電極間の隙間が０．１４μｍ以下となるようにした。その後、エッチング加工を施し、上記導電膜７１を加工して、転送電極５２、５３を形成した。
【００３０】
次いで、図３（４）に示すように、上記転送電極５２、５３上に上記レジストマスク７２を残した状態で、イオン注入により上記チャネル領域３１に、このチャネル領域３１よりシート抵抗を高くするように、チャネル領域３１とは逆導電型の不純物を導入する。ここでは、イオン注入法によりＰ型不純物であるホウ素（Ｂ）を注入する。
【００３１】
この結果、導電膜７１中に不純物を注入することなく転送電極５２、５３間の隙間領域の下部にセルフアライン的にＰ型不純物を注入することができる。これによって、転送電極５２、５３間の隙間領域下部のチャネル領域３１に高抵抗領域３２が形成される。これにより、転送電極５２、５３間のチャネル領域３１におけるフリンジ電界を高めることができるので、電荷転送効率を高めることができる。
【００３２】
その後、上記レジスタマスク７２を除去する。次に、図示はしないが、一般的な製造方法により、転送電極５２、５３を被覆する絶縁膜（図示せず）を形成した後、図４に示すように、電荷転送領域３０上に平行に配置される配線５５、５６を形成する。その際、配線５５、５６の間隔を０．１４１μｍ以下となるようにする。これにより、転送電極５２、５３間の隙間と配線５５、５６間の隙間とによって形成される光学的な開口部５９は、その開口部５９の最大長（対角線の長さ）が可視光線を遮光する０．２μｍ以下となり、入射光の偏光性に依存することなく、すなわちＰ偏光の光もＳ偏光の光も可視光線の波長領域において遮光することができるようになる。また、上記配線５５、５６は下層の転送電極５２、５３とコンタクト５７、５８によって接続されるように形成される。
【００３３】
その後、図示はしないが、配線５５、５６を被覆するよういに全面にパッシベーション膜を形成し、さらにパッシベーション膜上に平坦化層を形成する。さらに、光電変換領域に入射光を効率良く導くように、平坦化膜上にマイクロレンズを形成する。このようにして、前記第１実施例で説明した電荷転送装置を形成することができる。なお、今回は垂直ＣＣＤを例に製造方法を説明したが、水平ＣＣＤにおいても同様の方法により形成できる。
【００３４】
上記製造方法により製造された電極転送装置１は、前記実施例１で説明したような作用効果を得ることができる。
【００３５】
上記実施例１および２では、配線５５、５６として説明したが、この配線５５、５６は、転送電極５２、５３の裏打ち配線として用いる必要がない場合には、コンタクト５７、５８を形成せず、単に遮光膜として形成することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明の電荷転送装置、電荷転送装置の製造方法および固体撮像装置は、１層電極構造の電荷転送電極を備えた電荷転送装置、電荷転送装置の製造方法および固体撮像装置に適用することが好適である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の電荷転送装置および固体撮像装置に係る一実施例を示す平面視レイアウト図である。
【図２】本発明の電荷転送装置および固体撮像装置に係る一実施例を示す概略構成断面図である。
【図３】本発明の電荷転送装置の製造方法に係る一実施例を示す製造工程断面図である。
【図４】本発明の電荷転送装置の製造方法に係る一実施例を示す平面視レイアウト図である。
【図５】従来の電荷転送装置の転送電極を示す平面視レイアウト図である。
【図６】電極転送装置の感度とオーバフローバリアの深さとの関係図である。
【符号の説明】
【００３８】
１…電荷転送装置、１１…半導体基板、３０…電荷転送領域、３１…チャネル層、３２…絶縁膜、５２，５３…転送電極、５５，５６…配線、５９…開口部
【図１】
2005209674.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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