(57)【要約】【課題】反応室内がエッチングされたり、取り扱いに手間がかかったりすることのない安全で低コストのプロセスによって、反応室内をクリーニングと半導体基板の処理を同時に実施して高い生産性を得ることができるプラズマＣＶＤ装置の処理方法を提供する。【解決手段】反応室９内に配置された基板載置プレート３と、基板載置プレート３に対向するように反応室９内に配置された電極板１と、電力印加手段としてのＲＦ電源７と、を備えたプラズマＣＶＤ装置の基板載置プレート３上に基板８を載置し、反応室９内に窒素ガスを導入するとともに、ＲＦ電源７によって、基板載置プレート３と電極板１との間に電力を印加して窒素プラズマを発生させ、この窒素プラズマによって反応室９内に付着した堆積物と基板８の酸化膜とを同時に除去する。【選択図】図１
2005159182.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室内に配置された基板載置プレートと、この基板載置プレートに対向するように前記反応室内に配置された電極板と、前記基板載置プレートと前記電極板との間に電力を印加してプラズマを発生させる電力印加手段と、を備えたプラズマＣＶＤ装置の前記反応室内に窒素ガスを導入するとともに、前記電力印加手段によって、前記基板載置プレートと前記電極板との間に電力を印加して窒素プラズマを発生させ、この窒素プラズマによって前記反応室内に付着した堆積物を除去してなるプラズマＣＶＤ装置の処理方法。
【請求項２】
反応室内に配置された基板載置プレートと、この基板載置プレートに対向するように前記反応室内に配置された電極板と、前記基板載置プレートと前記電極板との間に電力を印加してプラズマを発生させる電力印加手段と、を備えたプラズマＣＶＤ装置の前記基板載置プレート上に半導体基板を載置し、前記反応室内に窒素ガスを導入するとともに、前記電力印加手段によって、前記基板載置プレートと前記電極板との間に電力を印加して窒素プラズマを発生させ、この窒素プラズマによって前記反応室内に付着した堆積物と前記半導体基板の酸化膜とを同時に除去する窒素プラズマ処理工程を備えてなるプラズマＣＶＤ装置の処理方法。
【請求項３】
前記反応室内に成膜用ガス種を導入するとともに、前記電力印加手段によって、前記基板載置プレートと前記電極板との間に電力を印加してプラズマを発生させ、このプラズマによって前記成膜用ガス種を分解励起させて前記半導体基板に成膜する成膜工程を備えるとともに、この成膜工程は、前記窒素プラズマ処理工程から大気開放せずに連続して行われてなる請求項２に記載のプラズマＣＶＤ装置の処理方法。
【請求項４】
前記成膜工程では、前記半導体基板に窒化物を成膜してなる請求項３に記載のプラズマＣＶＤ装置の処理方法。
【請求項５】
前記半導体基板はシリコン基板であり、窒化物は窒化シリコンである請求項４に記載のプラズマＣＶＤ装置の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板などを処理するプラズマＣＶＤ装置の処理方法において、装置の反応室や半導体基板をプラズマによって処理するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、真空排気機構を備えた反応室内に順次供給される基板上に薄膜を連続して成膜するプラズマＣＶＤ装置が使用されている。
【０００３】
図１はプラズマＣＶＤ装置の反応室構造の一例を示す概略図である。図１は平行平板型プラズマＣＶＤ装置である。図中、１は電力が印加される電極板であり、また、ガスを流すためのシャワープレートとしての機能も兼ね備えている。２はガスの流量を制御するマスフローコントローラーである。３は基板載置プレートであり、その上に成膜される基板８を載置する。また、４はヒーターであり、加熱手段として用いられるほか、基板載置プレート３と接地することで基板載置プレート３が対向電極として機能し、アースに接続されている。５は反応室９内を真空にするための真空ポンプであり、６は反応室９内を一定の圧力に制御するための圧力制御弁である。真空ポンプ５と圧力制御弁６は反応室９内に導入されたガスを排気するラインに接続されている。
【０００４】
基板８が載置された基板載置プレート３は反応室９内で、マスフローコントローラー２で流量制御された膜の原料となる反応ガスが電極板１から流され、さらにＲＦ電源７より電極板１に高周波電力を印加することにより、グロー放電を発生させてプラズマを励起し、反応ガスを分解することによって、基板８に酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などの膜が成膜される。
【特許文献１】特開２００３−１５８１２３号公報
【特許文献２】特開２００３−７６２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところがプラズマＣＶＤ法で成膜すると、被成膜体である基板８だけでなく電極板１や反応室９の内壁にも同様に堆積する。これらの堆積物はプラズマＣＶＤ装置内で成膜が繰り返されるごとに徐々に蓄積され、特に電極板１に成膜された堆積物は、厚みが増すと電極板１から剥がれて粒子状になり、基板載置プレート３に落下する。基板載置プレート３には基板８が載置されるので、成膜中の基板８の上に堆積物が落下すると欠陥の原因や、成膜中の活性ガスと反応して膜品質を変化させたりするため、歩留りが低下するという問題がある。
【０００６】
これらの問題を防ぐために、この電極板１や反応室９の内壁に堆積した不要な膜を定期的に洗浄して除去する必要が有る。例えば、電極板１を装置から取り出して薬液で化学的にエッチングする方法があるが、この方法においては、装置から電極板１を取り出すために生産を中断しなければならず、交換頻度が多い場合には著しく稼動率が低下し、生産性が低下するという問題がある。
【０００７】
また、特許文献１ではチャンバー内にフッ素系エッチングガスとキャリアガスとして窒素やアルゴンなどの不活性ガスを導入し、プラズマエッチングにより除去する方法が開示されている。しかし、この方法ではフッ化ガスによるプラズマエッチングによって、反応室９内や基板載置プレート３などもエッチングされてしまい、損傷してしまうため、装置の寿命が低下し、頻繁に交換する必要があり、生産性が低下する。また、エッチングに使用するガスが高価であり、取り扱いが難しく、またガスを除害するための設備が必要であり、高コストとなる問題があった。
【０００８】
さらに、特許文献２では、プラズマエッチングによるクリーニングの前に、基板載置プレート３の表面にプラズマエッチングに対する保護膜を形成する方法が開示されている。この方法では、フッ化ガスによるプラズマエッチングによって、反応室９の内壁や基板載置プレート３などがエッチングされるの抑制し、損傷を抑えることはできるが、保護膜はある程度の膜厚をもって成膜する必要があるため、成膜時間がかかり、生産性が低下する。また、エッチングに使用するガスが高価であり、取り扱いが難しく、またガスを除害するための設備が必要であり、高コストとなる問題があった。
【０００９】
本発明はこのような従来の問題に鑑みてなされたものであり、反応室内がエッチングされたり、取り扱いに手間がかかったりすることのない安全で低コストのプロセスによって、反応室内をクリーニングと半導体基板の処理を同時に実施して高い生産性を得ることができるプラズマＣＶＤ装置の処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１にかかるプラズマＣＶＤ装置の処理方法は、反応室内に配置された基板載置プレートと、この基板載置プレートに対向するように前記反応室内に配置された電極板と、前記基板載置プレートと前記電極板との間に電力を印加してプラズマを発生させる電力印加手段と、を備えたプラズマＣＶＤ装置の前記反応室内に窒素ガスを導入するとともに、前記電力印加手段によって、前記基板載置プレートと前記電極板との間に電力を印加して窒素プラズマを発生させ、この窒素プラズマによって前記反応室内に付着した堆積物を除去してなる。このように、窒素ガス雰囲気下でプラズマ放電することによりクリーニングするようにしたので、反応性の高くない窒素プラズマによって穏やかに処理が行われ、反応室内に損傷を与えることなく、反応室内がクリーニングされる。
【００１１】
また、本発明の請求項２にかかるプラズマＣＶＤ装置の処理方法は、反応室内に配置された基板載置プレートと、この基板載置プレートに対向するように前記反応室内に配置された電極板と、前記基板載置プレートと前記電極板との間に電力を印加してプラズマを発生させる電力印加手段と、を備えたプラズマＣＶＤ装置の前記基板載置プレート上に半導体基板を載置し、前記反応室内に窒素ガスを導入するとともに、前記電力印加手段によって、前記基板載置プレートと前記電極板との間に電力を印加して窒素プラズマを発生させ、この窒素プラズマによって前記反応室内に付着した堆積物と前記半導体基板の酸化膜とを同時に除去する窒素プラズマ処理工程を備えてなる。窒素ガス雰囲気下でプラズマ放電することによりクリーニングするので、反応室内に損傷を与えることなくクリーニングされ、同時に半導体基板表面の酸化膜が窒素プラズマにより除去されるので、その後の工程を効率よく行うことができる。また、基本的に窒素プラズマは反応性が高くないため、半導体基板の酸化膜（自然酸化膜）を除去するときにも、半導体基板に損傷を与えにくいという利点を有する。
【００１２】
そして、本発明の請求項３にかかるプラズマＣＶＤ装置の処理方法は、請求項２に記載のプラズマＣＶＤ装置の処理方法において、前記反応室内に成膜用ガス種を導入するとともに、前記電力印加手段によって、前記基板載置プレートと前記電極板との間に電力を印加してプラズマを発生させ、このプラズマによって前記成膜用ガス種を分解励起させて前記半導体基板に成膜する成膜工程を備えるとともに、この成膜工程は、前記窒素プラズマ処理工程から大気開放せずに連続して行われてなる。このようにしたので、半導体基板の酸化膜が、窒素プラズマにより除去された後に、半導体基板が大気に触れることがない。したがって、反応室内の堆積物がクリーニングされた状態で、酸化膜が存在しない半導体基板の表面に高品質な膜を成膜することができる。
【００１３】
また、本発明の請求項４にかかるプラズマＣＶＤ装置の処理方法は、請求項３に記載のプラズマＣＶＤ装置の処理方法において、前記成膜工程では、前記半導体基板に窒化物を成膜してなるようにしたので、あらかじめ窒素プラズマにより半導体基板の表面が穏やかに窒化処理がなされている。そして、その上に窒化物を成膜すれば、均一に核生成が行われ均一かつ高品質な膜を形成することができる。
【００１４】
さらに、本発明の請求項５にかかるプラズマＣＶＤ装置の処理方法は、請求項４に記載のプラズマＣＶＤ装置の処理方法において、前記半導体基板はシリコン基板であり、窒化物は窒化シリコンである。したがって、シリコン基板の酸化膜（自然酸化膜）は、窒素プラズマ処理によって除去され、同時に表面がわずかに窒化されて、酸素がわずかに混合した変成層が形成される。そして、この変成層上に高品質な窒化シリコン膜が均一に成膜される。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように、本発明の請求項１にかかるプラズマＣＶＤ装置の処理方法によれば、窒素ガス雰囲気下でプラズマ放電することによりクリーニングするようにしたので、反応性の高くない窒素プラズマによって穏やかに処理が行われ、反応室内に損傷を与えることなく、反応室内がクリーニングされる。これによって、成膜により電極板などに成長した不要な堆積物を窒素プラズマ処理によって、反応室内の堆積物が微粉末化され、窒素ガスと共に真空ポンプにより外部に排気される。そして、プレート上に載置した基板上に堆積物が落下することを防ぐことができる。また、窒素ガスを用いることで、フッ素系エッチングガスと違い電極板やプレート、反応室内壁に損傷を与えることなく、電極板や反応室内壁などがクリーニングされる。また、フッ素系エッチングガスに比べて窒素ガスは、はるかに安全で安価な安定したガスあり、窒素のための特別な取り扱いや、安全装置、除害設備を設ける必要もなく、環境にも悪影響を与えない。よって、低コストで生産性を低下させることなくクリーニングが行われる。
【００１６】
また、本発明の請求項２にかかるプラズマＣＶＤ装置の処理方法によれば、窒素ガス雰囲気下でプラズマ放電することによりクリーニングするので、反応室内に損傷を与えることなくクリーニングされ、同時に半導体基板表面の酸化膜が窒素プラズマにより除去されるので、その後の工程を効率よく行うことができる。また、基本的に窒素プラズマは反応性が高くないため、半導体基板の酸化膜（自然酸化膜）を除去するときにも、半導体基板に損傷を与えにくいという利点を有する。
【００１７】
そして、本発明の請求項３にかかるプラズマＣＶＤ装置の処理方法によれば、半導体基板の酸化膜が、窒素プラズマにより除去された後に、半導体基板が大気に触れることがない。したがって、反応室内の堆積物がクリーニングされた状態で、酸化膜が存在しない半導体基板の表面に高品質な膜を成膜することができる。
【００１８】
また、本発明の請求項４にかかるプラズマＣＶＤ装置の処理方法によれば、あらかじめ窒素プラズマにより半導体基板の表面が穏やかに窒化処理がなされている。そして、その上に窒化物を成膜すれば、均一に核生成が行われ均一かつ高品質な膜を形成することができる。
【００１９】
さらに、本発明の請求項５にかかるプラズマＣＶＤ装置の処理方法によれば、シリコン基板の酸化膜（自然酸化膜）は、窒素プラズマ処理によって除去され、同時に表面がわずかに窒化されて、酸素がわずかに混合した変成層が形成される。そして、この変成層上に高品質な窒化シリコン膜が均一に成膜される。そのため、例えば、結晶シリコン基板を用いた太陽電池素子などの用途において、窒化シリコン膜をパッシベーション膜や反射防止膜の用途に応用する場合などに非常に効果的である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明のプラズマＣＶＤ装置の処理方法について、実施形態を詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本発明にかかるプラズマＣＶＤ装置の反応室の基本構造の一例を示す概略図である。
【００２２】
このプラズマＣＶＤ装置は、平行平板型プラズマＣＶＤ装置であり、反応室９を有している。そして、反応室９内には、基板載置プレート３と、基板載置プレート３に対向するように電極板１とが設置されている。そして、基板載置プレート３と電極板１との間に電力を印加してプラズマを発生させる電力印加手段としてＲＦ電源７が具備されている。
【００２３】
基板載置プレート３は、その上に半導体基板である基板８を載置して成膜などの処理を行うことができるように構成されている。この基板載置プレート３は、基板８を載置した状態で反応室９に自由に搬入・搬出ができるように構成されており、反応室９には、基板載置プレート３の搬入・搬出口（不図示）が設けられ、搬送室（不図示）との間で基板載置プレート３の搬入及び搬出が行われるようになっている。
【００２４】
また、反応室９内には加熱手段として基板載置プレート３や基板８の成膜温度を調節するヒーター４が設けられている。ヒーター４はアースされ、反応室９に基板載置プレート３を搬入した状態で、ヒーター４と接地することで基板載置プレート３が電極板１に対して対向電極として機能する。
【００２５】
反応室９には、マスフローコントローラー２により流量が制御された反応ガスが導入され、例えば、多数の小孔が形成されてシャワープレートとしての機能を有する電極板１をによって整流されて、基板８へ向けて均等に流れる。そして、反応室９には、真空排気系として真空ポンプ５が配置されており、真空ポンプ５の前には反応室９内を一定の圧力に制御するための圧力制御弁６が配置されている。
【００２６】
次に、このプラズマＣＶＤ装置を用いた成膜について説明する。例えば、シリコンなどの半導体基板である基板８を基板載置プレート３に載置した状態で、反応室９に挿入し、ヒーター４上に載置する。真空ポンプ５により、反応室９内を所定の圧力まで真空排気した後、ヒーター４により基板８の温度が所定の温度まで上昇したら、マスフローコントローラー２を介して反応ガスを、例えば窒化シリコン膜を成膜する場合においては、シランガス（ＳｉＨ４）とアンモニアガス（ＮＨ３）と、この混合ガスを希釈するための窒素ガスを電極板１から反応室９内に導入する。圧力制御弁６で反応室９内を所定の圧力に制御した後、電極板１にＲＦ電源７から高周波電力を印加することで電極板１と基板載置プレート３の間にグロー放電を発生させてプラズマを励起し、反応ガスを分解することによって、基板上には窒化シリコン膜が成膜される。なお、このとき電極板１、基板載置プレート３、反応室９の内壁などにも膜の堆積物が付着する。
【００２７】
次に、反応室９内に付着した堆積物を除去する方法として、本発明の請求項１にかかる窒素プラズマの処理方法を説明する。
【００２８】
基板載置プレート３を反応室９に挿入し、ヒーター４上に載置する。このとき、基板載置プレート３の上に基板８を載置していても、してなくてもどちらでも構わない。真空ポンプ５を用いて反応室９内を十分に真空排気した後、マスフローコントローラー２を介して窒素ガスを電極板１から反応室９内に導入する。圧力制御弁６で反応室９内を所定の圧力に制御した後、電極板１にＲＦ電源７から高周波電力を印加することで電極板１と基板載置プレート３の間に窒素プラズマが得られる。
【００２９】
この窒素プラズマは、気体温度に比べて電子温度が高くなったいわゆる非平衡プラズマであり、主に窒素分子や窒素イオン、窒素ラジカルなどの活性種によって、一定時間プラズマ放電を起こすことにより、電極板１や基板載置プレート３、反応室９内壁の堆積物が微粉末化され、窒素ガスと共に真空ポンプ５により外部に排気され、反応室９内がクリーニングされる。特に電極板１に付着した堆積物が除去されることで、成膜中の基板８の上に堆積物が落下することがないため、歩留り低下を抑制することができる。
【００３０】
窒素プラズマ処理はフッ素系エッチングガスと違い、反応性が高くないので、電極板１や基板載置プレート３、反応室９内壁に損傷を与えることなく、電極板１や反応室９内が穏やかにクリーニング処理される。これは、フッ素系ガスなどのエッチングガスとは異なり窒素自体にはエッチング作用がないため、化学的な作用により堆積物がエッチングされるのではなく、窒素分子や窒素イオン、窒素ラジカルなどのプラズマ種による衝撃などにより堆積物が微粉末化されたものだと考えられる。また、フッ素系エッチングガスに比べて窒素ガスは、はるかに安全で安価な安定したガスあり、窒素のための特別な取り扱いや、安全装置、除害設備を設ける必要もなく、環境にも悪影響を与えない。また、窒化シリコン膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置においては、成膜時のキャリアガスとしても使用されるので、ガスを使用するための付帯設備の導入や、設備改造などを別途行う必要もない。よって、低コストで生産性を低下させることなくクリーニング処理が行われる。
【００３１】
窒素ガスの流量としては、５００〜４０００ｍｌ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）の範囲とすることが望ましく、この範囲よりも低いと、プラズマによる活性種の供給が律速となり、処理速度が遅くなる。また、この範囲よりも大きいと、プラズマによる活性種が反応室９内の堆積物を処理する前に排気される割合が増えて、逆に処理速度が遅くなる。
【００３２】
また、反応圧力としては、５０〜１５０Ｐａの範囲とすることが望ましく、この範囲よりも小さいときは、プラズマ種の平均自由工程が伸びて、プラズマ温度が高くなりすぎ、反応室９内に損傷を与える恐れがあり、逆にこの範囲を超えると均一なプラズマとならない恐れがある。
【００３３】
なお、プラズマＣＶＤ装置の処理条件については、装置によって条件が異なり、規定することはできないが、例えば、周波数としては２００〜５００ｋＨｚ、電力としては６００〜１０００Ｗ、処理時間としては５〜３０ｓｅｃ程度を目安として各装置ごとに最大の効果が得られる条件に設定すればよい。
【００３４】
次に、本発明の請求項２にかかる窒素プラズマによる反応室のクリーニング処理と半導体基板の酸化膜除去処理について説明する。
【００３５】
上述の構成とは、シリコンなどの半導体基板である基板８を基板載置プレート３上に載置した状態で、窒素プラズマ処理を行う点のみが異なる。このようにすれば、窒素プラズマにより反応室９内の堆積物が微粉末化され、窒素ガスと共に真空ポンプ５により外部に排気され、それと同時に、基板８の表面の酸化膜（自然酸化膜）を除去することができる。
【００３６】
このように、窒素ガス雰囲気下でプラズマ放電することによりクリーニング処理するので、反応室９内に損傷を与えることなくクリーニング処理され、同時に半導体基板である基板８表面の酸化膜が窒素プラズマにより除去されるので、その後の工程を効率よく行うことができる。また、基本的に窒素プラズマは反応性が高くないため、半導体基板の酸化膜（自然酸化膜）を除去するときにも、基板８に損傷を与えにくいという利点を有する。
【００３７】
なお、基板８の酸化膜を除去した後に、大気開放せずに連続して、マスフローコントローラー２で成膜に必要な反応ガスを電極板１から導入し、同様にプラズマ放電を行うことで基板８に成膜を行う成膜工程を設けることが望ましい。基板８の酸化膜が、窒素プラズマにより除去された後に、基板８が大気に触れることがない。したがって、反応室９内の堆積物がクリーニングされた状態で、酸化膜が存在しない基板８の表面に高品質な膜を成膜することができる。また、窒素プラズマ処理によって、特に電極板１に付着した堆積物が除去されるため、堆積物落下に伴う歩留り低下を抑制することができ、また大気開放せずに連続して成膜工程が行えるので、生産性を向上させることができる。
【００３８】
さらに、この成膜工程では、基板８に窒化物を成膜することが望ましい。その理由として、あらかじめ窒素プラズマ処理によって基板８の表面が穏やかに窒化処理がなされているので、その上に窒化物を成膜すれば、均一に核生成が行われ均一かつ高品質な膜を形成することができるからである。また、基板８としては、シリコン基板を用い、成膜工程において、窒化シリコン膜を成膜するようにすれば、シリコン基板の酸化膜（自然酸化膜）は、窒素プラズマ処理によって除去され、同時に表面がわずかに窒化されるとともに、酸化膜由来の酸素がわずかに混合した変成層が形成される。そして、このような変成層は、窒化シリコンと非常になじみがよく、その上に窒化シリコンを成膜すれば均一に核生成することができるので、高品質な窒化シリコン膜が均一に成膜される。したがって、例えば、結晶シリコン基板を用いた太陽電池素子などの用途において、窒化シリコン膜をパッシベーション膜や反射防止膜の用途に応用する場合などに非常に効果的である。
【００３９】
なお、本発明の実施形態は上述の例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることはもちろんである。
【００４０】
窒素プラズマ処理によるクリーニング処理は、毎回成膜前後に行ってもよいし、ある一定の決められたサイクルで実施してもよい。この窒素プラズマ処理を行うことで、電極板１の交換頻度、メンテナンス頻度を大幅に削減できる効果が得られ、生産性の低下を抑制することができる。例えば、実際に、基板８上に窒化シリコン膜を４００Å程度成膜させるプロセスにおいて、窒素プラズマ処理によるクリーニングを成膜前後に５ｓｅｃ程度実施したところ、電極板１の堆積物除去のメンテナンス頻度を２８％削減することが可能であった。
【００４１】
また、プラズマＣＶＤ装置の反応室９および電極板などの平面形状は方形であってもよいし、円形であってもかまわない。
【００４２】
なお、、本実施形態では、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を例にとって説明したが、それ以外のプラズマＣＶＤ装置、例えば誘導結合型プラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマを用いたプラズマＣＶＤ装置、あるいは、所定の条件を有する磁場を印加してマイクロ波との間に電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を起こさせて高いプラズマ密度を得るＥＣＲプラズマＣＶＤ装置などに応用しても同様な効果が得られることは容易に推察される。以下、本発明の技術思想から把握できる構成について記載する。
【００４３】
（１）反応室内に電力を印加してプラズマを発生させる電力印加手段を備えたプラズマＣＶＤ装置の前記反応室内に窒素ガスを導入するとともに、前記電力印加手段によって電力を印加して前記反応室内に窒素プラズマを発生させ、この窒素プラズマによって前記反応室内に付着した堆積物を除去してなるプラズマＣＶＤ装置の処理方法。
【００４４】
（２）反応室内に配置された基板載置プレートと、前記反応室内に電力を印加してプラズマを発生させる電力印加手段を備えたプラズマＣＶＤ装置の前記基板載置プレート上に半導体基板を載置し、前記反応室内に窒素ガスを導入するとともに、前記電力印加手段によって電力を印加して前記反応室内に窒素プラズマを発生させ、この窒素プラズマによって前記反応室内に付着した堆積物と前記半導体基板の酸化膜とを同時に除去する窒素プラズマ処理工程を備えてなるプラズマＣＶＤ装置の処理方法。
【００４５】
（３）反応室内に配置された基板載置プレートと、前記反応室内に電力を印加してプラズマを発生させる電力印加手段を備えたプラズマＣＶＤ装置の前記基板載置プレート上に半導体基板を載置し、前記反応室内に窒素ガスを導入するとともに、前記電力印加手段によって電力を印加して前記反応室内に窒素プラズマを発生させ、この窒素プラズマによって前記反応室内に付着した堆積物と前記半導体基板の酸化膜とを同時に除去する窒素プラズマ処理工程と、前記反応室内に成膜用ガス種を導入するとともに、前記電力印加手段によって電力を印加して前記反応室内にプラズマを発生させ、このプラズマによって前記成膜用ガス種を分解励起させて前記半導体基板に成膜する成膜工程を備えるとともに、この成膜工程は、前記窒素プラズマ処理工程から大気開放せずに連続して行われてなるプラズマＣＶＤ装置の処理方法。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明にかかるプラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００４７】
１：電極板
２：マスフローコントローラー
３：基板載置プレート
４：ヒーター
５：真空ポンプ
６：圧力制御弁
７：ＲＦ電源
８：基板
９：反応室
【図１】
2005159182.tif 000003