(57)【要約】【課題】特に高出力を要する情報の消去時または記録時に、光磁気記録媒体から半導体レーザへ不所望な戻り光が入射するのを改善して良好な消去または記録性能を得る光磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ１１からのレーザ光を、往復光路分離素子１３、対物レンズ２２を経て光磁気記録媒体４へ照射して情報の消去又は記録を行い、往復光路分離素子１３で分離される光磁気記録媒体４からの戻り光を受光手段１９，２０で受光して情報の再生を行う光磁気記録再生装置において、往復光路分離素子１３と対物レンズ２２との間に、光磁気記録媒体４へ照射するレーザ光の偏光状態を選択的に切り替える偏光切り替え手段１５を配置し、情報の消去時又は記録時に、制御手段３５，３６，３８により偏光状態の切り替えをオンにして、光磁気記録媒体４からの戻り光が往復光路分離素子１３を経て半導体レーザ１１に戻るのを防止する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザからのレーザ光を、往復光路分離素子および対物レンズを経て光磁気記録媒体へ照射して情報の消去または記録を行い、上記往復光路分離素子で分離される上記光磁気記録媒体からの戻り光を受光手段で受光して情報の再生を行う光磁気記録再生装置において、
上記往復光路分離素子と上記対物レンズとの間に配置され、上記光磁気記録媒体へ照射するレーザ光の偏光状態を選択的に切り替える偏光切り替え手段と、
上記光磁気記録媒体に対する情報の消去時または記録時には、上記光磁気記録媒体の所望のアドレスに対して情報の消去または記録を行う以前に上記偏光切り替え手段による偏光状態の切り替えをオンにし、上記光磁気記録媒体に対する情報の再生時には、上記偏光切り替え手段による偏光状態の切り替えをオフにするように上記偏光切り替え手段をオン／オフ制御する制御手段とを備え、
上記光磁気記録媒体に対する情報の消去時または記録時に、上記光磁気記録媒体からの戻り光が上記往復光路分離素子を経て上記半導体レーザに戻るのを防止するように構成したことを特徴とする光磁気記録再生装置。
【請求項２】
半導体レーザからのレーザ光を、往復光路分離素子および対物レンズを経て光磁気記録媒体へ照射して情報の消去または記録を行い、上記往復光路分離素子で分離される上記光磁気記録媒体からの戻り光を受光手段で受光して情報の再生を行う光磁気記録再生装置において、
上記往復光路分離素子と上記対物レンズとの間に配置され、上記光磁気記録媒体へ照射するレーザ光の偏光状態を選択的に切り替える偏光切り替え手段と、
上記光磁気記録媒体に対する情報の消去時または記録時には、上記半導体レーザの発光タイミングに基づいて上記半導体レーザが発光する以前に上記偏光切り替え手段による偏光状態の切り替えをオンにし、上記光磁気記録媒体に対する情報の再生時には、上記偏光切り替え手段による偏光状態の切り替えをオフにするように上記偏光切り替え手段をオン／オフ制御する制御手段とを備え、
上記光磁気記録媒体に対する情報の消去時または記録時に、上記光磁気記録媒体からの戻り光が上記往復光路分離素子を経て上記半導体レーザに戻るのを防止するように構成したことを特徴とする光磁気記録再生装置。
【請求項３】
上記光磁気記録媒体に照射するレーザ光の偏光比を、（直線偏光の偏光成分）／（直線偏光と直交する方向の偏光成分）と定義したとき、上記偏光比を情報の消去時または記録時には５０未満、情報の再生時には５０以上としたことを特徴とする請求項１または２に記載の光磁気記録再生装置。
【請求項４】
上記偏光切り替え手段は、電圧の印加により屈折率を可変して上記光磁気記録媒体へ照射するレーザ光の位相差を調整する液晶部材を有することを特徴とする請求項１，２または３に記載の光磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気記録媒体に対して情報の記録・消去・再生を行う光磁気記録再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の光磁気記録再生装置として、例えば図４に示すようなものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この光磁気記録再生装置は、光磁気記録媒体からの戻り光を楕円偏光に変換して情報を読み取るいわゆる楕円偏光読み出しを行うもので、半導体レーザ５１から発散する直線偏光のレーザ光を、コリメータレンズ５２で平行光とした後、ビームスプリッタ５３を透過させて対物レンズ５４により光磁気記録媒体５５にスポット状に照射している。また、光磁気記録媒体５５での反射光（戻り光）は、対物レンズ５４経てビームスプリッタ５３で反射させた後、１／４波長板５６を透過させて偏光ビームスプリッタ５７に入射させ、ここで直交する偏光成分を分離してそれぞれ光検出器５８，５９で受光し、それらの出力に基づいて情報の再生信号、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号を得るようにしている。
【０００４】
ビームスプリッタ５３は、第１のプリズム５３ａと第２のプリズム５３ｂとの接合面に、光磁気記録媒体５５からの戻り光のＰ偏光成分およびＳ偏光成分間に９０度の位相差を発生させる誘電体多層膜５３ｃを設けて構成されている。また、１／４波長板５６は、その結晶の光学軸の方位が、光磁気記録媒体５５への入射光の偏光面すなわち半導体レーザ５１からのレーザ光の直線偏光の方向に対して４５度となるように配置されている。
【０００５】
すなわち、図４に示す従来の光磁気記録再生装置では、半導体レーザ５１からの直線偏光をビームスプリッタ５３にＰ偏光で入射させることにより、誘電体多層膜５３ｃをそのまま透過させて光磁気記録媒体５５に照射している。また、光磁気記録媒体５５によりカー回転を受けてＳ偏光成分（光磁気信号成分）が含まれた戻り光は、ビームスプリッタ５３の誘電体多層膜５３ｃで反射させることにより、カー回転の方向に応じて右回りまたは左回りの同じ大きさの楕円偏光とし、さらに１／４波長板５６により楕円偏光の回転の向きに応じて長軸方向が直交する同一方向に回転する楕円偏光として、その楕円偏光の長軸方向を偏光ビームスプリッタ５７に対してＰ偏光またはＳ偏光の方向に、短軸方向をＳ偏光またはＰ偏光の方向に一致させて、偏光ビームスプリッタ５７で偏光分離するようにしている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平２−２７６０４５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来の光磁気記録再生装置では、半導体レーザ５１からの直線偏光（Ｐ偏光）を光磁気記録媒体５５に効率よく導くと共に、光磁気記録媒体５５からの戻り光に含まれているカー効果による光磁気信号成分（Ｓ偏光成分）を効率よく光検出器５８，５９に導くため、ビームスプリッタ５３の誘電体多層膜５３ｃを、Ｐ偏光透過率が例えば８０％、Ｓ偏光反射率が例えば１００％、となるように構成している。
【０００８】
このため、光磁気記録媒体５５からの戻り光のうち、Ｐ偏光成分の８０％がビームスプリッタ５３を透過して半導体レーザ５１の出射端面に戻り、半導体レーザ５１の動作が不安定になることが懸念される。
【０００９】
特に、近年使用されている波長６６０ｎｍのレーザ光を出射する高密度記録タイプの半導体レーザにおいては、戻り光による不安定動作が顕著に見られるため、特に高出力を必要とする情報の記録や消去の際に、戻り光による不安定動作で必要出力が得られなかったり、最悪の場合には半導体レーザが劣化したりすることが懸念される。
【００１０】
なお、図４において、半導体レーザ５１への不所望な戻り光の比率を下げるために、ビームスプリッタ５３の分離面５３ａのＰ偏光透過率を下げることも考えられるが、このようにすると半導体レーザ５１から出射される光の利用効率が低下して、情報の記録・消去・再生の高速化ができなくなる。
【００１１】
したがって、かかる点に鑑みてなされた本発明の目的は、特に高出力を要する情報の消去時または記録時に、光磁気記録媒体から半導体レーザへ不所望な戻り光が入射するのを改善でき、良好な消去または記録性能が得られる光磁気記録再生装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する請求項１に係る発明は、半導体レーザからのレーザ光を、往復光路分離素子および対物レンズを経て光磁気記録媒体へ照射して情報の消去または記録を行い、上記往復光路分離素子で分離される上記光磁気記録媒体からの戻り光を受光手段で受光して情報の再生を行う光磁気記録再生装置において、
上記往復光路分離素子と上記対物レンズとの間に配置され、上記光磁気記録媒体へ照射するレーザ光の偏光状態を選択的に切り替える偏光切り替え手段と、
上記光磁気記録媒体に対する情報の消去時または記録時には、上記光磁気記録媒体の所望のアドレスに対して情報の消去または記録を行う以前に上記偏光切り替え手段による偏光状態の切り替えをオンにし、上記光磁気記録媒体に対する情報の再生時には、上記偏光切り替え手段による偏光状態の切り替えをオフにするように上記偏光切り替え手段をオン／オフ制御する制御手段とを備え、
上記光磁気記録媒体に対する情報の消去時または記録時に、上記光磁気記録媒体からの戻り光が上記往復光路分離素子を経て上記半導体レーザに戻るのを防止するように構成したことを特徴とするものである。
【００１３】
請求項１の発明によると、情報の消去時または記録時には、光磁気記録媒体の所望のアドレスに対して情報の消去または記録を行う以前に偏光状態の切り替えがオンとなるように、制御手段により偏光切り替え手段が制御されるので、その制御に時間遅れがあっても、所望のアドレスに対して実際に情報の消去または記録を行う際には、光磁気記録媒体に照射されるレーザ光の偏光状態が確実に切り替えられることになる。したがって、高出力のレーザ光を要する情報の消去時または記録時に、光磁気記録媒体から半導体レーザへ不所望な戻り光が入射するのを改善でき、良好な消去または記録性能を得ることが可能となる。
【００１４】
請求項２に係る発明は、半導体レーザからのレーザ光を、往復光路分離素子および対物レンズを経て光磁気記録媒体へ照射して情報の消去または記録を行い、上記往復光路分離素子で分離される上記光磁気記録媒体からの戻り光を受光手段で受光して情報の再生を行う光磁気記録再生装置において、
上記往復光路分離素子と上記対物レンズとの間に配置され、上記光磁気記録媒体へ照射するレーザ光の偏光状態を選択的に切り替える偏光切り替え手段と、
上記光磁気記録媒体に対する情報の消去時または記録時には、上記半導体レーザの発光タイミングに基づいて上記半導体レーザが発光する以前に上記偏光切り替え手段による偏光状態の切り替えをオンにし、上記光磁気記録媒体に対する情報の再生時には、上記偏光切り替え手段による偏光状態の切り替えをオフにするように上記偏光切り替え手段をオン／オフ制御する制御手段とを備え、
上記光磁気記録媒体に対する情報の消去時または記録時に、上記光磁気記録媒体からの戻り光が上記往復光路分離素子を経て上記半導体レーザに戻るのを防止するように構成したことを特徴とするものである。
【００１５】
請求項２の発明によると、情報の消去時または記録時には、半導体レーザの発光タイミングを利用して半導体レーザが発光する以前に偏光状態の切り替えがオンとなるように、制御手段により偏光切り替え手段が制御されるので、その制御に時間遅れがあっても、所望のアドレスに対して実際に情報の消去または記録を行う際には、光磁気記録媒体に照射されるレーザ光の偏光状態が確実に切り替えられることになる。したがって、高出力のレーザ光を要する情報の消去時または記録時に、光磁気記録媒体から半導体レーザへ不所望な戻り光が入射するのを改善でき、良好な消去または記録性能を得ることが可能となる。
【００１６】
請求項３に係る発明は、請求項１または２に記載の光磁気記録再生装置において、上記光磁気記録媒体に照射するレーザ光の偏光比を、（直線偏光の偏光成分）／（直線偏光と直交する方向の偏光成分）と定義したとき、上記偏光比を情報の消去時または記録時には５０未満、情報の再生時には５０以上としたことを特徴とするものである。
【００１７】
請求項３の発明によると、例えば、往復光路分離素子が半導体レーザからの直線偏光の偏光成分を透過し、その直線偏光と直交する偏光成分を反射させる場合、消去時または記録時には、往路において光磁気記録媒体に照射されるレーザ光が偏光切り替え手段により偏光比５０未満とされ、その戻り光は再び偏光切り替え手段に入射することにより偏光比がさらに小さくなって、半導体レーザからの直線偏光と直交する偏光成分が増大するので、往復光路分離素子で戻り光が効果的に反射され、戻り光が往復光路分離素子を透過して半導体レーザへ入射するのを効果的に改善することが可能となる。また、情報の再生時においては、光磁気記録媒体に照射されるレーザ光の偏光比が５０以上で、往路および復路において偏光切り替え手段により偏光状態が切り替えられることがないので、良好な再生特性を得ることが可能となる。
【００１８】
請求項４に係る発明は、請求項１，２または３に記載の光磁気記録再生装置において、上記偏光切り替え手段は、電圧の印加により屈折率を可変して上記光磁気記録媒体へ照射するレーザ光の位相差を調整する液晶部材を有することを特徴とするものである。
【００１９】
請求項４の発明によると、液晶部材を用いるので、偏光切り替え手段を簡単かつ安価に構成することが可能となる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による光磁気記録再生装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２１】
図１は、本発明の第１実施の形態にかかる光磁気記録再生装置の概略構成を示す図である。本実施の形態の光磁気記録再生装置は、光磁気ヘッド１とその制御部２とを有しており、光磁気ヘッド１は分離型のもので、半導体レーザや光検出器等を有する固定部３と、固定部３からのレーザ光をディスク状の光磁気記録媒体４の内周エリアから外周エリアまで導くために可動する可動部５とを有している。
【００２２】
固定部３は、半導体レーザ１１、コリメータレンズ１２、往復光路分離素子であるビームスプリッタ１３、偏光切り替え手段である液晶パネル（液晶部材）１５、１／４波長板１６、集光レンズ１７、偏光ビームスプリッタ１８および受光手段である光検出器１９，２０を有しており、可動部５は、ミラープレート２１および対物レンズ２２を有している。
【００２３】
また、制御部２は、可動部５を駆動する可動部駆動回路３１、可動部駆動回路３１を制御するサーボ制御回路３２、半導体レーザ１１を駆動する半導体レーザ駆動回路３３、光検出器１９，２０からの出力を演算する再生回路３４、液晶パネル１５を駆動する液晶パネル駆動回路３５、再生回路３４からの演算結果に基づいて光磁気記録媒体４に照射している光の位置を読み取るＩＤ読み取り装置３６、ＩＤ読み取り装置３６で読み取られた情報を保存するバッファメモリ３７、および装置全体の動作を制御するホストとなるＣＰＵ３８とを有しており、液晶パネル駆動回路３５、ＩＤ読み取り装置３６およびＣＰＵ３８は、偏光切り替え手段である液晶パネル１５の制御手段を構成している。
【００２４】
ここで、ビームスプリッタ１３は、図４に示したビームスプリッタ５３と同様に、第１のプリズム１３ａと第２のプリズム１３ｂとの接合面に、Ｐ偏光透過率が例えば８０％、Ｐ偏光反射率が２０％、Ｓ偏光反射率が例えば１００％で、光磁気記録媒体４からの戻り光のＰ偏光成分およびＳ偏光成分間に９０度の位相差を発生させる誘電体多層膜１３ｃを設けて構成する。また、１／４波長板１６も、図４に示した１／４波長板５６と同様に、その結晶の光学軸の方位を、光磁気記録媒体４への入射光の偏光面すなわち半導体レーザ１１からのレーザ光の直線偏光の方向に対して４５度となるように配置する。
【００２５】
また、液晶パネル１５は、図２（ａ）に拡大図を示すように、２枚のガラス基板４１ａ，４１ｂ間に保持された屈折率異方性をもつ液晶分子４２ａを含む液晶４２と、ガラス基板４１ａ，４１ｂの表面に設けた透明電極４３ａ，４３ｂとを有して構成し、透明電極４３ａ，４３ｂ間に液晶パネル駆動回路３５から選択的に電圧を印加するようにする。これにより、電圧を印加しない状態（Ｖ＝０）では、図２（ａ）に示すように液晶分子４２ａを所定の向きに配向させて入射光をそのまま、すなわち偏光状態および偏光方向を維持したまま透過させ、電圧を印加した状態（Ｖ＝Ｖｏｎ）では、図２（ｂ）に示すように印加した電圧による電界に従って液晶分子４２ａの配向を回転させて、液晶パネル１５を透過する光束の進行方向に垂直な断面内で屈折率分布を持たせることにより、１／４波長板と同様に作用させる。
【００２６】
本実施の形態では、半導体レーザ１１から高出力のレーザ光を出射する情報の消去または記録の際は、液晶パネル１５に電圧を印加して１／４波長板として作用させ、記録した情報のベリファイを含む情報の再生の際は、液晶パネル１５に電圧を印加することなく、入射光をその偏光状態および偏光方向を維持したまま透過させるようにする。
【００２７】
以下、本実施の形態の動作について説明する。
【００２８】
先ず、情報の消去時または記録時には、液晶パネル１５に図２（ｂ）に示すように電圧を印加した状態（Ｖ＝Ｖｏｎ）で、半導体レーザ１１から紙面に対して平行方向に直線偏光（Ｐ偏光）した消去または記録パワーのレーザ光を出射させる。この半導体レーザ１１から発散して出射されるレーザ光は、コリメータレンズ１２で平行光とした後、ビームスプリッタ１３に入射させてその誘電体多層膜１３ｃから偏光状態および偏光方向を維持したまま８０％透過させ、その透過光を電圧が印加された液晶パネル１５に入射させて円偏光に変換し、その円偏光に変換されたレーザ光をミラープレート２１で反射させて対物レンズ２２により光磁気記録媒体４に集光して、情報の消去または記録を行う。
【００２９】
また、光磁気記録媒体４で反射される戻り光は、対物レンズ２２およびミラープレート２１を経て液晶パネル１５に入射させ、ここで円偏光からＳ偏光の直線偏光に変換して、ビームスプリッタ１３の誘電体多層膜１３ｃで１００％反射させる。この誘電体多層膜１３ｃで反射された戻り光は、１／４波長板１６で円偏光に変換して集光レンズ１７を経て偏光ビームスプリッタ１８に入射させ、ここで直交する偏光成分を分離してそれぞれ光検出器１９，２０で受光することにより、光検出器１９，２０の一方または双方の出力に基づいてフォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号を得る。
【００３０】
これに対し、情報の再生時には、液晶パネル１５に図２（ａ）に示すように電圧を印加しない状態（Ｖ＝０）で、半導体レーザ１１からＰ偏光の再生パワーのレーザ光を出射させ、そのレーザ光をコリメータレンズ１２で平行光とした後、ビームスプリッタ１３に入射させてその誘電体多層膜１３ｃから偏光状態および偏光方向を維持したまま８０％透過させ、その透過光を偏光状態および偏光方向を維持したまま液晶パネル１５を透過させて、ミラープレート２１を経て対物レンズ２２により直線偏光のまま光磁気記録媒体４に集光させる。
【００３１】
また、光磁気記録媒体４で反射されるカー回転による光磁気信号成分（Ｓ偏光成分）を有する戻り光は、対物レンズ２２およびミラープレート２１を経て液晶パネル１５をそのまま透過させてビームスプリッタ１３に入射させ、その誘電体多層膜１３ｃでＰ偏光成分の２０％およびＳ偏光成分の１００％を反射させると共に、その反射光をカー回転の方向に応じて右回りまたは左回りの同じ大きさの楕円偏光に変換する。このビームスプリッタ１３で反射された戻り光は、１／４波長板１６により楕円偏光の回転の向きに応じて長軸方向が直交する同一方向に回転する楕円偏光に変換した後、集光レンズ１７を経て偏光ビームスプリッタ１８に入射させ、ここで直交する偏光成分を分離してそれぞれ光検出器１９，２０で受光することにより、それらの出力に基づいて情報の再生信号、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号を得る。まお、偏光ビームスプリッタ１８は、入射する楕円偏光の長軸方向がＰ偏光またはＳ偏光の方向に、短軸方向がＳ偏光またはＰ偏光の方向に一致させて配置する。
【００３２】
このように、本実施の形態では、半導体レーザ１１から高出力のレーザ光を出射させる情報の消去または記録の際に、液晶パネル１５に電圧を印加して１／４波長板として作用させ、この液晶パネル１５を往路と復路とで合計２回通すことにより、ビームスプリッタ１３に入射する光磁気記録媒体４からの戻り光をＳ偏光に変換するようにしたので、戻り光の殆どをビームスプリッタ１３の誘電体多層膜１３ｃで反射させることができる。したがって、情報の消去時または記録時に、光磁気記録媒体４からの戻り光が半導体レーザ１１に戻ることがないので、良好な記録および消去性能を得ることができる。
【００３３】
なお、本実施の形態では、光磁気記録媒体４に集光させる偏光を、情報の消去時または記録時には円偏光とし、情報の再生時には直線偏光としたが、偏光比を（直線偏光の偏光成分）／（直線偏光と直交する方向の偏光成分）と定義したとき、情報の消去時または記録時には偏光比を５０未満、情報の再生時には偏光比を５０以上とすれば、良好な記録・消去・再生特性を得ることができる。
【００３４】
次に、本実施の形態による光磁気記録再生装置の制御方法について、図３に示すフローチャートを参照しながら説明する。
【００３５】
先ず、命令コマンドを発行するホスト機器から命令コマンドを受信し、コマンド内に記載されている情報よりＬＢＡ／Ｌｅｎｇｔｈを読み出し（ステップＳ１）、光磁気記録媒体４のディスクタイプに応じたフィジカルアドレスヘ変換する（ステップＳ２）。このアドレスが処理を行うべき目標アドレス（トラック／セクタ）となるため、現在の可動部５の位置から所望のエリアヘ可動部５を移動させて、情報の再生、消去、または記録を行う。以下、記録についての制御方法を説明する。
【００３６】
一般に、光磁気記録媒体４への情報の記録は、目標セクタに対し、それぞれ消去処理（Ｅｒａｓｅ）、記録処理（Ｗｒｉｔｅ）、確認再生処理（Ｖｅｒｉｆｙ）の３パスモードの順に実施される（ステップＳ３）。本実施の形態では、３パス処理を例として以下に説明するが、記録処理（Ｗｒｉｔｅ）、確認再生処理（Ｖｅｒｉｆｙ）の２パス処理の場合も同様である。
【００３７】
可動部５の移動の制御は、可動部５の現在位置を、再生回路３４を経てＩＤ読み取り装置３６から光磁気記録媒体４のＩＤを読み取って（ステップＳ４）、現在の可動部５の位置が処理すべき目標アドレスエリアか否かを判断する（ステップＳ５）。ここで、エリアが異なる場合（Ｎｏの場合）は、現在の可動部５の位置から目標アドレスエリアまでの移動トラック数をＣＰＵ３８で算出して求め（ステップＳ６）、サーボ制御回路３２を経て可動部駆動回路３１へ移動処理を実行する（ステップＳ７）。
【００３８】
移動終了の認識は、光磁気記録媒体４に形成されているトラックを可動部５が横断することで発生する信号（以下、トラッククロスパルスと称す）を数えることで実際の移動距離を認識する。目標トラック本数分の移動が終了したことをトラッククロスパルスのカウント結果から認識したら、移動後の光磁気記録媒体４のＩＤ（アドレス）をＩＤ読み取り装置３６で読み取り、目標アドレスエリアに到達したことを確認する（ステップＳ５）。
【００３９】
目標アドレスエリアに到達したら、可動部５を固定する。この目標アドレスエリア到達時点から、その後、ＩＤ読み取り装置３６において目標アドレスが検出されるまでの間は待機状態となる。
【００４０】
本実施の形態では、上記の待機状態において、実行するコマンド処理（ステップＳ８）に応じて、ＣＰＵ３８から液晶素子駆動回路３５へ液晶パネル１５に電圧を印加するか否かの指示を与える。ここでは、先ず消去処理を行うので、ＣＰＵ３８から液晶素子駆動回路３５に対して液晶パネル１５への電圧印加のオン指示を与え（ステップＳ９）、これにより液晶素子駆動回路３５から液晶パネル１５の透明電極４３ａ，４３ｂ間に所定の電圧を印加する。
【００４１】
また、ＣＰＵ３８は、ＩＤ読み取り装置３６へ消去コマンドの指示を与え（ステップＳ１０）、これによりＩＤ読み取り装置３６において目標アドレスを検出し、目標アドレスを検出したら半導体レーザ駆動回路３３へ消去コマンドの指示に応じた発光指示を与えて、半導体レーザ１１から消去に適したパワーのレーザ光を発光させる。
【００４２】
その後、コマンドの実行が終了したら、ＩＤ読み取り装置３６からＣＰＵ３８へコマンド終了を報告し、そのコマンド終了をＣＰＵ３８が認識することで消去コマンドを終了する（ステップＳ１１）。この消去コマンドが終了したら、ＣＰＵ３８から液晶素子駆動回路３５に対して液晶パネル１５への電圧印加のオフ指示を与え（ステップＳ１２）、これにより液晶パネル１５への電圧印加をオフにして消去処理の実行コマンドを終了する（ステップＳ１３）。
【００４３】
なお、ステップＳ１３において、消去処理の実行コマンドが正常終了ではなく中断終了の場合には、エラーテーブルにエラー情報を登録し（ステップＳ１４）、未処理のセクタに対してアドレスを計算して（ステップＳ１５）、ステップＳ３に戻り上記の動作を繰り返す。
【００４４】
ステップＳ１３において、消去処理の実行コマンドが正常に終了したら、ライト処理が終了したか否かを判断する（ステップＳ１６）。ここでは、未だ、記録処理および再生確認処理が終了していないので、実行アドレスを最初に戻し、次の実行コマンドをセットして（ステップＳ１７）、ステップＳ３に戻り、次の記録処理を実行する。この記録処理では、光磁気記録媒体４を回転させて可動部５を目標アドレスに到達させるまでは、液晶素子駆動回路３５による液晶パネル１５への電圧印加をオフとし、可動部５が目標アドレスに到達したら、ステップＳ９において液晶パネル１５への電圧印加を指示して記録処理を実行する。その他の制御は、半導体レーザ１１から記録に適したパワーのレーザ光を、記録すべき情報に応じて変調して発光させる点を除いて、消去処理とほぼ同じであるので、詳細な説明は省略する。
【００４５】
その後、記録処理の実行コマンドが正常に終了したら、ステップＳ１６およびステップＳ１７を経てステップＳ３に戻り、次の再生確認処理を実行する。この再生確認処理では、光磁気記録媒体４を回転させて可動部５を目標アドレスに到達させた後も、液晶素子駆動回路３５に対して液晶パネル１５への電圧印加を指示することなく、すなわち液晶パネル１５への電圧印加をオフとした状態で再生確認処理を実行する。なお、その他の制御は、半導体レーザ１１から再生に適したパワーのレーザ光を発光させる点を除いて、消去処理とほぼ同じであるので、詳細な説明は省略する。
【００４６】
以上の消去処理、記録処理および再生確認処理が終了したら、ライト処理を終了する（ステップＳ１８）。
【００４７】
なお、本実施の形態では、光磁気記録媒体４からの戻り光が半導体レーザ１１へ戻ることによる影響が一番大きい消去処理時および記録処理時に液晶パネル１５への電圧印加をオンとしたが、液晶パネル１５への電圧印加がオフでなければならないのは、光磁気記録媒体４から光磁気信号を再生している時だけであるので、待機状態時やＩＤ読み取り時等のその他の動作時については、液晶パネル１５への電圧印加はオン／オフどちらの状態でもよく、任意に設定することができる。
【００４８】
次に、本発明の第２実施の形態について説明する。
【００４９】
本実施の形態は、液晶素子駆動回路３５に対する液晶パネル１５への電圧印加のオン／オフ指示を、図１に破線で示すように、ＣＰＵ３８に代えてＩＤ読み取り装置３６から与えるようにしたもので、その他の構成は第１実施の形態と同様である。
【００５０】
すなわち、ＩＤ読み取り装置３６は、第１実施の形態で説明したように、可動部５が目標アドレスエリアに到達してから目標アドレスに到達するまでの待機状態において、ＣＰＵ３８から所望のコマンド（消去、記録または確認再生）処理が与えられ、その後、目標アドレスを検出すると、半導体レーザ駆動回路３３に対して与えられたコマンド処理に応じた発光指示を与えて半導体レーザ１１を発光させる。
【００５１】
本実施の形態では、コマンド処理が消去処理および記録処理の場合に、ＩＤ読み取り装置３６から半導体レーザ駆動回路３３に対してコマンド処理に応じた発光指示を与える際に、実行セクタに対する半導体レーザ１１の発光タイミングに基づいて、ＩＤ読み取り装置３６から液晶素子駆動回路３５に対して液晶パネル１５への電圧印加のオン／オフ指示を与える。
【００５２】
なお、実際には、ＩＤ読み取り装置３６からオン／オフ指示が出力されてから液晶パネル１５がオン／オフするまでには時間遅れがあるので、この時間遅れを考慮して、半導体レーザ１１の発光タイミングに基づいて半導体レーザ１１が発光する前に液晶素子駆動回路３５に対して液晶パネル１５への電圧印加のオン／オフ指示を与えて、液晶パネル１５への電圧印加をオン／オフするのが好ましい。
【００５３】
本発明は、上記実施の形態にのみ限定されるものではなく、幾多の変形または変更が可能である。例えば、本発明は、上記実施の形態で説明したような、光磁気記録媒体からの戻り光を楕円偏光に変換して情報を読み取るいわゆる楕円偏光読み出しに限らず、光磁気記録媒体からの直線偏光の戻り光をそのまま、あるいは１／２波長板を用いて回転させて情報を読み取るいわゆる直線偏光読み出しにも有効に適用することができる。
【００５４】
また、光磁気ヘッド１は、固定部３と可動部５とを有する分離型に限らず、光磁気ヘッド全体が一体に移動可能な一体型の場合にも本発明を有効に適用することができる。また、ビームスプリッタ１３は往路において透過、復路において反射させるように構成することもできる。
【００５５】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、光磁気記録媒体に対する情報の消去時または記録時に、光磁気記録媒体に照射するレーザ光の偏光状態を切り替えて、光磁気記録媒体からの戻り光が往復光路分離素子を経て半導体レーザに戻るのを防止するようにしたので、良好な消去または記録性能を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施の形態にかかる光磁気記録再生装置の概略構成を示す図である。
【図２】図１に示す液晶パネルの構成および動作を示す図である。
【図３】図１に示す光磁気記録再生装置の制御方法を説明するためのフローチャートである。
【図４】従来の技術を説明するための図である。
【符号の説明】
１  光磁気ヘッド
２  制御部
３  固定部
４  光磁気記録媒体
５  可動部
１１  半導体レーザ
１２  コリメータレンズ
１３  ビームスプリッタ（往復光路分離素子）
１３ｃ  誘電体多層膜
１５  液晶パネル（偏光切り替え手段）
１６  １／４波長板
１７  集光レンズ
１８  偏光ビームスプリッタ
１９，２０  光検出器（受光手段）
２１  ミラープレート
２２  対物レンズ
３１  可動部駆動回路
３２  サーボ制御回路
３３  半導体レーザ駆動回路
３４  再生回路
３５  液晶パネル駆動回路
３６  ＩＤ読み取り装置
３７  バッファメモリ
３８  ＣＰＵ
４１ａ，４１ｂ  ガラス基板
４２  液晶
４２ａ  液晶分子
４３ａ，４３ｂ  透明電極
【図１】
2005018824.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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