(57)【要約】【課題】電力用半導体チップの動作時に発生する熱の放熱効果が高い電力用半導体装置及び電力用半導体モジュールを実現する。【解決手段】複数の電力用半導体チップ４ａ，４ｂ（電力用トランジスタ等）の各々の間に端子板１の空きスペース１ｃを介して電力用半導体チップ４ａ，４ｂの各々を互いに離隔して配設する。そしてさらに、チップ各々の配設領域下及びチップ間領域下において放熱ブロックを絶縁層（端子板１下のパッケージ及びグリス）に当接させることにより放熱効果を高める。【選択図】図１
2005136264.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面および裏面を有する導電性の端子板と、
前記端子板の前記表面に配設された複数の電力用半導体チップと、
前記端子板の前記裏面に配設された絶縁層と、
前記絶縁層に当接し、前記絶縁層を介して前記端子板とは絶縁された放熱ブロックと
を備え、
前記複数の電力用半導体チップの各々は、前記各々の間に前記端子板の空きスペースを介して互いに離隔して配設され、
少なくとも前記複数の電力用半導体チップの各々の配設領域下及び前記複数の電力用半導体チップ間の領域下において、前記放熱ブロックは前記絶縁層に当接し、前記絶縁層は前記端子板の前記裏面に当接する
電力用半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電力用半導体装置であって、
前記端子板は、外部との電気的接続を行うためのリード部を含み、
前記リード部へと延伸する領域下においても、前記放熱ブロックは前記絶縁層に当接し、前記絶縁層は前記端子板の前記裏面に当接する
電力用半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電力用半導体装置であって、
前記リード部は、前記複数の電力用半導体チップ間の領域から外方に延在する
電力用半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の電力用半導体装置であって、
前記端子板は平坦な板状体である
電力用半導体装置。
【請求項５】
表面を有する放熱ブロックと、
少なくとも一つの電力用半導体チップ及び前記少なくとも一つの電力用半導体チップを覆うパッケージを各々が含む複数の電力用半導体装置と
を備え、
前記複数の電力用半導体装置がいずれも同一の前記放熱ブロックの前記表面に配設された
電力用半導体モジュール。
【請求項６】
請求項５に記載の電力用半導体モジュールであって、
前記複数の電力用半導体装置は前記放熱ブロックの前記表面上において、少なくとも一つの直線に沿って並ぶよう配置された
電力用半導体モジュール。
【請求項７】
請求項６に記載の電力用半導体モジュールであって、
前記少なくとも一つの直線は複数の並列する直線を含み、
前記複数の電力用半導体装置の一部が前記複数の並列する直線の一つに沿って並ぶよう配置され、
前記複数の電力用半導体装置の他の一部は前記複数の並列する直線の他の一つに沿って並ぶよう配置された
電力用半導体モジュール。
【請求項８】
請求項７に記載の電力用半導体モジュールであって、
前記放熱ブロックは、前記複数の電力用半導体装置の前記一部と前記他の一部との間に挟まれた領域下において、空隙部を有する
電力用半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電力用半導体チップを含む電力用半導体装置、及び、電力用半導体装置を搭載した電力用半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
サイリスタやＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等として機能する電力用半導体チップは、半導体基板内にｐ形やｎ形の不純物領域を選択的に形成することにより得られる。そのようにして得られた電力用半導体チップは、リード部の付いた端子板等に接続され、端子板等とともに樹脂封止パッケージで覆われることにより、電力用半導体装置として形成される。
【０００３】
なお、そのような電力用半導体装置に関連する先行技術文献情報としては次のものがある。
【０００４】
【特許文献１】特開昭６０−２２４２５６号公報
【特許文献２】特開平２−７８２６５号公報
【特許文献３】特開平８−１９１１３０号公報
【特許文献４】特開平１０−１１６９５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば上記特許文献１においては、その第１図及び第２図においてサイリスタチップ３及び４が示されている。サイリスタチップ３及び４のような電力用半導体チップは、その動作時に発熱を伴うが、上記特許文献１においては、そのような動作時に発する熱の放熱性については考慮されてはいない。
【０００６】
また、上記特許文献２においても、その第１図及び第２図において回路部品搭載部２５上には２つ一組で四ないし六組の複数の電力用半導体チップが搭載されている。しかし、２つ一組の電力用半導体チップの各々同士が互いに近接配置されており、両チップ間で互いからの放出熱の影響を受けやすい。具体的には例えば２つ一組の電力用半導体チップのうち一方の発熱量が大きい場合に、その発熱により他方の動作温度を高めてしまう可能性がある。よって、やはり動作時の放熱性についての考慮がなされてはいない。
【０００７】
また、上記特許文献１ないし４のいずれにおいても、電力用半導体チップを搭載した電力用半導体装置を複数、集めてモジュール化したときの放熱処理については、記述されていない。
【０００８】
この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、電力用半導体チップの動作時に発生する熱の放熱効果が高い電力用半導体装置、及び、電力用半導体モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、表面および裏面を有する導電性の端子板と、前記端子板の前記表面に配設された複数の電力用半導体チップと、前記端子板の前記裏面に配設された絶縁層と、前記絶縁層に当接し、前記絶縁層を介して前記端子板とは絶縁された放熱ブロックとを備え、前記複数の電力用半導体チップの各々は、前記各々の間に前記端子板の空きスペースを介して互いに離隔して配設され、少なくとも前記複数の電力用半導体チップの各々の配設領域下及び前記複数の電力用半導体チップ間の領域下において、前記放熱ブロックは前記絶縁層に当接し、前記絶縁層は前記端子板の前記裏面に当接する電力用半導体装置である。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、表面を有する放熱ブロックと、少なくとも一つの電力用半導体チップ及び前記少なくとも一つの電力用半導体チップを覆うパッケージを各々が含む複数の電力用半導体装置とを備え、前記複数の電力用半導体装置がいずれも同一の前記放熱ブロックの前記表面に配設された電力用半導体モジュールである。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１に記載の発明によれば、複数の電力用半導体チップの各々は、各々の間に端子板の空きスペースを介して互いに離隔して配設される。よって、端子板のうち、各電力用半導体チップの配設領域下の部分だけでなく、各電力用半導体チップ間に挟まれた部分においても、各電力用半導体チップから発せられる熱を端子板が吸収して、電力用半導体チップの放熱性を高められる。また、互いに離隔して配設されるので、複数の電力用半導体チップ間で互いからの放出熱の影響を受けにくい。さらに、少なくとも複数の電力用半導体チップの各々の配設領域下及び複数の電力用半導体チップ間の領域下において、放熱ブロックは絶縁層に当接し、絶縁層は端子板の裏面に当接する。よって、各電力用半導体チップ間に挟まれた部分においても放熱ブロックが絶縁層を介して端子板の熱を吸収するため、より放熱効果が高い。
【００１２】
請求項５に記載の発明によれば、複数の電力用半導体装置のいずれをも同一の放熱ブロックの表面に配設する。よって、複数の電力用半導体装置から発せられる熱を一つの放熱ブロックで効率よく放熱することが可能である。この場合、複数の電力用半導体装置を近接配置して電力用半導体モジュール全体の小型化を図ることも可能であるし、複数の電力用半導体装置を離隔配置して複数の電力用半導体装置間において互いからの放出熱の影響を受けにくくすることも可能である。また、複数の電力用半導体装置を一つの放熱ブロック上に配設するので、複数の電力用半導体装置の各々ごとに放熱ブロックを固着して、それらを結合する場合に比べて、複数の電力用半導体装置の放熱ブロックへの取り付け作業が短くて済む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
＜実施の形態１＞
本実施の形態は、複数の電力用半導体チップを、その各々の間に端子板の空きスペースを介して互いに離隔するよう配設し、チップ各々の配設領域下及びチップ間領域下において放熱ブロックを絶縁層に当接させ、絶縁層を端子板の裏面に当接させることにより放熱効果を高めた電力用半導体装置である。
【００１４】
図１は、本実施の形態に係る半導体装置Ｄ１を示す上面図である。また、図２は図１における切断線II−IIにおける断面図であり、図３は図１における切断線III−IIIにおける断面図である。
【００１５】
図１に示すように、この半導体装置Ｄ１は、電力用トランジスタ等の複数の電力用半導体チップ４ａ，４ｂを備えている。図１の半導体装置Ｄ１においては例えば、電力用半導体チップ４ａ，４ｂの表面にその主電流電極たる電力用トランジスタのエミッタが設けられ、裏面に他方の主電流電極たる電力用トランジスタのコレクタが設けられる。また、表面のうちエミッタとは別の領域にその制御電極たる電力用トランジスタのベースが設けられる。
【００１６】
そして、この半導体装置Ｄ１は、アルミニウム等で形成された導電性の端子板１および２を備えている。端子板１及び２は平坦な板状体である。
【００１７】
端子板１は略コ字形をしており、外部との電気的接続を行うためのリード部１ａ，１ｅ、コ字屈曲部１ｂ，１ｄ、および、コ字底辺部１ｃを有している。リード部１ａ，１ｅには、それぞれ外部との電気的接続用の接続孔７ａ，７ｃが設けられている。そして、電力用半導体チップ４ａ，４ｂはそれぞれ、端子板１のコ字屈曲部１ｂ，１ｄ近傍に配設されている。すなわち、電力用半導体チップ４ａ，４ｂは、両者間に端子板１のコ字底辺部１ｃを端子板１の空きスペースとして介して互いに離隔して配設されている。なお、端子板１への電力用半導体チップ４ａ，４ｂの配設は、電力用半導体チップ４ａ，４ｂの裏面（例えば電力用トランジスタのコレクタ）が、ハンダ（図示せず）等の導電性材料により端子板１の表面に接着されることにより行われる。
【００１８】
また、端子板２はＩ字形をしており、端子板１のリード部１ａ，１ｅ間に端子板１から離隔して配置される。端子板２にも外部との電気的接続用の接続孔７ｂが設けられている。なお、電力用半導体チップ４ａ，４ｂの表面の主電流電極（例えば電力用トランジスタのエミッタ）と端子板２の表面とは、それぞれボンディングワイヤ６ａ，６ｃ等の導電性材料により電気的に接続される。
【００１９】
また、この半導体装置Ｄ１は、アルミニウム等で形成された導電性の制御信号用端子５ａ，５ｂを備えている。電力用半導体チップ４ａ，４ｂの表面の制御電極（例えば電力用トランジスタのベース）と制御信号用端子５ａ，５ｂの表面とは、それぞれボンディングワイヤ６ｂ，６ｄ等の導電性材料により電気的に接続される。
【００２０】
さらに、この半導体装置Ｄ１は、端子板１，２の一部、電力用半導体チップ４ａ，４ｂ、制御信号用端子５ａ，５ｂの一部およびボンディングワイヤ６ａ〜６ｄを覆う、絶縁性の樹脂封止パッケージ３をも備える。
【００２１】
そして、図２および図３に示すように、樹脂封止パッケージ３の下面は、絶縁性のグリス８を介して放熱ブロック９ａ，９ｂに接着されている。放熱ブロック９ａ，９ｂは、複数のスリットを有するスリット部９ａと蓋部９ｂとが接合されて構成されている。
【００２２】
なお、本実施の形態では、樹脂封止パッケージ３の下面側領域とグリス８とが、端子板１及び２並びに制御信号用端子５ａ，５ｂと放熱ブロック９ａ，９ｂとの絶縁層として機能する。すなわち、本実施の形態においては、端子板１及び２並びに制御信号用端子５ａ，５ｂの裏面に、樹脂封止パッケージ３の下面側領域とグリス８とで構成される絶縁層が配設され、その絶縁層を介して端子板１及び２並びに制御信号用端子５ａ，５ｂと放熱ブロック９ａ，９ｂとは絶縁されていると言える。
【００２３】
そして、電力用半導体チップ４ａ，４ｂの各々の配設領域下、及び、電力用半導体チップ４ａ，４ｂ間の領域（コ字底辺部１ｃ）下、及び、端子板１のリード部１ａ，１ｅへと延伸する領域下において、放熱ブロック９ａ，９ｂは、樹脂封止パッケージ３の下面側領域とグリス８とで構成される上記絶縁層に当接し、上記絶縁層は端子板１及び２並びに制御信号用端子５ａ，５ｂの裏面に当接する。
【００２４】
本実施の形態に係る電力用半導体装置によれば、複数の電力用半導体チップ４ａ，４ｂは、それらの間に端子板１のコ字底辺部１ｃを空きスペースとして介して互いに離隔して配設される。よって、端子板１のうち、各電力用半導体チップ４ａ，４ｂの配設領域下の部分だけでなく、各電力用半導体チップ４ａ，４ｂ間に挟まれた部分においても、各電力用半導体チップ４ａ，４ｂから発せられる熱を端子板１が吸収して、電力用半導体チップ４ａ，４ｂの放熱性を高められる。
【００２５】
また、互いに離隔して配設されるので、複数の電力用半導体チップ４ａ，４ｂ間で互いからの放出熱の影響を受けにくい。さらに、少なくとも電力用半導体チップ４ａ，４ｂの配設領域下及び電力用半導体チップ４ａ，４ｂ間の領域下において、放熱ブロック９ａ，９ｂが樹脂封止パッケージ３の下面側領域とグリス８とで構成される絶縁層に当接し、その絶縁層は端子板１の裏面に当接する。よって、電力用半導体チップ４ａ，４ｂ間に挟まれた部分においても放熱ブロック９ａ，９ｂが樹脂封止パッケージ３の下面側領域とグリス８とで構成される絶縁層を介して端子板１の熱を吸収するため、より放熱効果が高い。
【００２６】
なお、ここでは電力用半導体チップ４ａ，４ｂを２個設ける例を示したが、より多数の電力用半導体チップを設ける場合は、各々の電力用半導体チップの間に端子板１の空きスペースを介して互いに離隔して各チップを配設すればよい。そして、複数の電力用半導体チップの配設領域下及び各電力用半導体チップ間の領域下において、放熱ブロック９ａ，９ｂを樹脂封止パッケージ３の下面側領域とグリス８とで構成される絶縁層に当接させ、その絶縁層を端子板１の裏面に当接させればよい。
【００２７】
また、本実施の形態に係る電力用半導体装置によれば、端子板１は、外部との電気的接続を行うためのリード部１ａ，１ｅを含み、リード部１ａ，１ｅへと延伸する領域下においても放熱ブロック９ａ，９ｂが樹脂封止パッケージ３の下面側領域とグリス８とで構成される絶縁層に当接し、その絶縁層は端子板１の裏面に当接する。よって、リード部１ａ，１ｅへと延伸する領域下においても放熱ブロック９ａ，９ｂが樹脂封止パッケージ３の下面側領域とグリス８とで構成される絶縁層を介して端子板１の熱を吸収するため、より放熱効果が高い。
【００２８】
また、本実施の形態に係る電力用半導体装置によれば、端子板１は平坦な板状体である。よって、放熱ブロック９ａ，９ｂを有していても、電力用半導体装置の厚みを抑制することが可能である。
【００２９】
＜実施の形態２＞
本実施の形態は、実施の形態１に係る電力用半導体装置の変形例であって、実施の形態１における端子板１，２の代わりにＴ字形の端子板とＩ字形の端子板とを採用するものである。
【００３０】
図４は、本実施の形態に係る半導体装置Ｄ２を示す上面図である。また、図５は図４における切断線V−Vにおける断面図であり、図６は図４における切断線VI−VIにおける断面図である。
【００３１】
図４に示すように、この半導体装置Ｄ２は、アルミニウム等で形成された導電性の端子板１０および２ａ，２ｂを備えている。端子板１０及び２ａ，２ｂも端子板１，２と同様、平坦な板状体である。
【００３２】
端子板１０はＴ字形をしており、外部との電気的接続を行うためのリード部１０ａ、Ｔ字両翼部１０ｂ，１０ｄ、および、Ｔ字結合部１０ｃを有している。リード部１０ａには、外部との電気的接続用の接続孔７ｅが設けられている。そして、電力用半導体チップ４ａ，４ｂはそれぞれ、端子板１０のＴ字両翼部１０ｂ，１０ｄ近傍に配設されている。すなわち、電力用半導体チップ４ａ，４ｂは、両者間に端子板１０のＴ字結合部１０ｃを空きスペースとして介して互いに離隔して配設されている。なお、端子板１０への電力用半導体チップ４ａ，４ｂの配設は、電力用半導体チップ４ａ，４ｂの裏面（例えば電力用トランジスタのコレクタ）が、ハンダ（図示せず）等の導電性材料により端子板１０の表面に接着されることにより行われる。
【００３３】
また、端子板２ａ，２ｂはともにＩ字形をしており、端子板１０のリード部１０ａを挟むように端子板１０から離隔して配置される。端子板２ａ，２ｂにもそれぞれ、外部との電気的接続用の接続孔７ｄ，７ｆが設けられている。なお、電力用半導体チップ４ａ，４ｂの表面の主電流電極（例えば電力用トランジスタのエミッタ）と端子板２ａ，２ｂの表面とは、それぞれボンディングワイヤ６ａ，６ｃ等の導電性材料により電気的に接続される。
【００３４】
その他の構成については、実施の形態１に係る電力用半導体装置と同じであるため、説明を省略する。
【００３５】
本実施の形態によれば、端子板１０のリード部１０ａは、電力用半導体チップ４ａ，４ｂ間の領域から外方に延在する。よって、リード部１０ａは、その両脇の電力用半導体チップ４ａ，４ｂで発生した熱を吸収して外方に放出することができ、放熱効果が高い。また、リード部１０ａがその両脇の電力用半導体チップ４ａ，４ｂで発生した熱を吸収するため、その両脇の電力用半導体チップ４ａ，４ｂ間で互いの放出熱の影響を受けにくい。
【００３６】
なお、ここでは電力用半導体チップ４ａ，４ｂを２個設ける例を示したが、より多数の電力用半導体チップを設ける場合は、各々の電力用半導体チップの領域から端子板１０のリード部を外方に延在させればよい。
【００３７】
＜実施の形態３＞
本実施の形態は、実施の形態１及び２に係る電力用半導体装置を用いて電力用半導体モジュールを構成したものである。
【００３８】
図７は、本実施の形態に係る電力用半導体モジュールＤ３の回路図である。また、図８は、本実施の形態に係る半導体モジュールＤ３を示す上面図である。また、図９は図８における切断線IX−IXにおける断面図である。
【００３９】
図７に示すように、本実施の形態に係る電力用半導体モジュールＤ３は、６個の電力用トランジスタＴ１〜Ｔ６を用いて三相インバータを構成したものである。電力用トランジスタＴ１，Ｔ３，Ｔ５のコレクタは共通して端子Ｐに接続され、電力用トランジスタＴ２，Ｔ４，Ｔ６のエミッタは共通して端子Ｎに接続される。また、電力用トランジスタＴ１のエミッタと電力用トランジスタＴ２のコレクタとが共通して端子Ｕに接続される。そして、電力用トランジスタＴ３のエミッタと電力用トランジスタＴ４のコレクタとは共通して端子Ｖに接続され、電力用トランジスタＴ５のエミッタと電力用トランジスタＴ６のコレクタとは共通して端子Ｗに接続される。
【００４０】
本実施の形態に係る電力用半導体モジュールＤ３は、図８及び図９に示すように、電力用トランジスタＴ１〜Ｔ６として、実施の形態１に係る電力用半導体装置と略同様の構造の電力用半導体装置Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃ、及び、実施の形態２に係る電力用半導体装置と略同様の構造の電力用半導体装置Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃを備える。
【００４１】
ただし、電力用半導体装置Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃ，Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃは、個別には放熱ブロック９ａ，９ｂを備えておらず、いずれもグリス８を介して共通の放熱ブロック９ｃ，９ｄの表面に配設されている。放熱ブロック９ｃ，９ｄは、複数のスリットを有するスリット部９ｃと蓋部９ｄとが接合されて構成されている。なお、スリット部９ｃにおいて、電力用半導体装置Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃの並ぶ列と電力用半導体装置Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃの並ぶ列との間には、空隙部９ｅが設けられている。
【００４２】
また、電力用半導体モジュールＤ３は、図９に示すように制御信号用端子に制御信号を与えるための制御基板１１をも備えている（ただし、図８では電力用半導体装置Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃ，Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃを明示するために、制御基板１１の図示を省略）。
【００４３】
また、電力用半導体装置Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃについては、そのリード部に段差１ａ１，１ｅ１が設けられている。また、電力用半導体装置Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃについては、両端のリード部が延在部２ａ１，２ｂ１を有しており、中央のリード部よりも両端のリード部が長くなっている。そして、向かい合う電力用半導体装置Ｄ１ａ及びＤ２ａ、Ｄ１ｂ及びＤ２ｂ、Ｄ１ｃ及びＤ２ｃのそれぞれにおいて、図９に示すように段差１ａ１，１ｅ１より外方の部分と延在部２ｂ１，２ａ１とがそれぞれ当接している。
【００４４】
その他の構造については、実施の形態１に係る電力用半導体装置及び実施の形態２に係る電力用半導体装置と同様のため、説明を省略する。
【００４５】
なお、電力用半導体装置Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃの中央のリード部が図７における端子Ｎに相当し、電力用半導体装置Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃの中央のリード部が図７における端子Ｐに相当する。また、電力用半導体装置Ｄ１ａ，Ｄ２ａの両端のリード部が図７における端子Ｕに相当し、電力用半導体装置Ｄ１ｂ，Ｄ２ｂの両端のリード部が図７における端子Ｖに相当し、電力用半導体装置Ｄ１ｃ，Ｄ２ｃの両端のリード部が図７における端子Ｗに相当する。
【００４６】
本実施の形態に係る電力用半導体モジュールＤ３は、放熱ブロック９ｃ，９ｄと、少なくとも一つの電力用半導体チップ及びそれを覆うパッケージを各々が含む複数の電力用半導体装置Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃ，Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃとを備え、電力用半導体装置Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃ，Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃがいずれも放熱ブロック９ｃ，９ｄの表面に配設されている。よって、複数の電力用半導体装置Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃ，Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃから発せられる熱を一つの放熱ブロック９ｃ，９ｄで効率よく放熱することが可能である。
【００４７】
この場合、電力用半導体装置Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃ（または電力用半導体装置Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃ）のように複数の電力用半導体装置を近接配置して電力用半導体モジュール全体の小型化を図ることも可能であるし、電力用半導体装置Ｄ１ａとＤ２ａ（または電力用半導体装置Ｄ１ｂとＤ２ｂもしくはＤ１ｃとＤ２ｃ）のように複数の電力用半導体装置を離隔配置して各電力用半導体装置間において互いからの放出熱の影響を受けにくくすることも可能である。
【００４８】
また、複数の電力用半導体装置Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃ，Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃを一つの放熱ブロック９ｃ，９ｄ上に配設するので、複数の電力用半導体装置の各々ごとに放熱ブロックを固着して、それらを結合する場合に比べて、複数の電力用半導体装置の放熱ブロックへの取り付け作業が短くて済む。
【００４９】
また、本実施の形態に係る電力用半導体モジュールＤ３においては、電力用半導体装置Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃを放熱ブロック９ｃ，９ｄの表面上において、直線Ｃ２に沿って並ぶよう配置し、電力用半導体装置Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃを放熱ブロック９ｃ，９ｄの表面上において、直線Ｃ２に並列する直線Ｃ１に沿って並ぶよう配置している。
【００５０】
このような直線的配置を採用すれば、電力用半導体装置Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃ，Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃ上に冷媒管路（例えば水冷用の水流管）を直線Ｃ１，Ｃ２に沿って設けた場合に、冷媒管路の曲がり部（カーブする部分）を少なくすることができる。よって、冷媒を冷媒管路内に流したときに冷媒管路内の曲がり部における摩擦損失の総量を少なくすることができる。よって、エネルギー効率よく複数の電力用半導体装置を冷却することが可能となる。
【００５１】
また、本実施の形態に係る電力用半導体モジュールＤ３においては、複数の電力用半導体装置の一部たる電力用半導体装置Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃを直線Ｃ２に沿って並ぶよう配置し、他の一部たる電力用半導体装置Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃを直線Ｃ２に並列する直線Ｃ１に沿って並ぶよう配置している。
【００５２】
よって、複数の電力用半導体装置の一部たる電力用半導体装置Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃと他の一部たる電力用半導体装置Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃとの間の間隔を広く設けることにより、電力用半導体装置Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃと電力用半導体装置Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃとの間において互いからの放出熱の影響を受けにくくすることが可能である。
【００５３】
また、本実施の形態に係る電力用半導体モジュールＤ３においては、放熱ブロック９ｃ，９ｄは、電力用半導体装置Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃと電力用半導体装置Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃとの間に挟まれた領域下において、空隙部９ｅを有する。
【００５４】
よって、放熱ブロック９ｃ，９ｄの軽量化および材料費低減によるコストダウンを図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】実施の形態１に係る電力用半導体装置を示す上面図である。
【図２】実施の形態１に係る電力用半導体装置を示す断面図である。
【図３】実施の形態１に係る電力用半導体装置を示す断面図である。
【図４】実施の形態２に係る電力用半導体装置を示す上面図である。
【図５】実施の形態２に係る電力用半導体装置を示す断面図である。
【図６】実施の形態２に係る電力用半導体装置を示す断面図である。
【図７】実施の形態３に係る電力用半導体モジュールの回路図である。
【図８】実施の形態３に係る電力用半導体モジュールを示す上面図である。
【図９】実施の形態３に係る電力用半導体モジュールを示す断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１，２，２ａ，２ｂ，１０  端子板、３  樹脂封止パッケージ、４ａ，４ｂ  電力用半導体チップ、５ａ，５ｂ  制御用端子、６ａ〜６ｄ  ボンディングワイヤ、７ａ〜７ｆ  接続孔、８  グリス、９ａ〜９ｄ  放熱ブロック、９ｅ  空隙部、１１  制御基板。
【図１】
2005136264.tif 000003
【図２】
2005136264.tif 000004
【図３】
2005136264.tif 000005
【図４】
2005136264.tif 000006
【図５】
2005136264.tif 000007
【図６】
2005136264.tif 000008
【図７】
2005136264.tif 000009
【図８】
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【図９】
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