(57)【要約】【課題】除去剤を有効利用して廃液量を抑制するとともに、工程数を増加させずに効率良くレジストを除去できる方法を提供する。【解決手段】レジスト除去剤噴射装置１０は、縦長の円筒状中空容器１の内部に気化手段としての加熱板３を備えており、該加熱板３の表面まで、有機塩基と有機溶剤とを含有する除去剤を導入できるように構成されており、除去剤を蒸気化して、基板１１のレジスト膜形成面１３に向けて噴射することにより、レジスト膜を除去する。【選択図】図１
2005259862.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
除去剤を蒸気化して、レジスト膜に向けて噴射することにより、レジスト膜を除去することを特徴とする、レジスト除去方法。
【請求項２】
請求項１において、前記除去剤は、有機塩基と有機溶剤とを含有するものであることを特徴とする、レジスト除去方法。
【請求項３】
中空容器内に除去剤を導入する除去剤導入手段と、
導入された除去剤を加熱して気化させる気化手段と、
気化させた除去剤蒸気をレジスト膜に向けて噴射するノズルと、
を備えたレジスト除去剤噴射装置。
【請求項４】
請求項３において、前記ノズルは除去剤蒸気を扇状に噴射するものである、レジスト除去剤噴射装置。
【請求項５】
請求項４において、前記気化手段は、除去剤と接触してこれを気化させる加熱板を備えており、該加熱板は、耐食性および熱伝導性を有する材質により構成されていることを特徴とする、レジスト除去剤噴射装置。
【請求項６】
外部と遮断されたチャンバー内に、請求項３から請求項５のいずれか１項に記載のレジスト除去剤噴射装置と、レジスト膜形成基板を支持する支持部とを、配備したことを特徴とする、レジスト除去装置。  
【請求項７】
請求項６において、前記支持部は、レジスト膜形成基板を前記ノズルに対して相対移動可能に支持するものであることを特徴とする、レジスト除去装置。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体製造プロセスなどにおいて利用可能なレジスト除去方法、レジスト除去剤噴射装置、およびレジスト除去装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、レジストの除去方法としては、酸素・オゾンなどの活性プラズマを用いてレジストを灰化して除去する方法、過酸化水素、硫酸等の薬液によりレジストを酸化もしくは水溶化することにより除去する方法、有機溶媒とアミン類により構成される除去剤にレジストが塗布されたアレイ基板を浸漬したり、前記薬液をシャワー状に噴霧したりして溶解除去する方法、などが知られている。
【０００３】
また、ミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、レジスト膜を剥離、除去する方法も提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２５０７７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機物であるレジストを酸化除去する目的で活性なプラズマを用いる方法では、基板金属の損傷が懸念されている。過酸化水素や硫酸を用いる方法では、基板損傷の問題に加え、プロセス数が多いため、処理に時間がかかることや、大量の廃液が発生するという問題がある。除去剤を用い浸漬もしくは噴霧する方法は、大量の廃液の発生や有機溶剤の有害性が問題となっている。
【０００６】
また、近年では、リソグラフィーにおいて、イオン注入、ドライエッチングなどの工程が実施されるため、レジストが硬化し、通常の浸漬や噴霧では除去が困難になりつつある。このため、先のプラズマを用いた手法と除去剤を用いる手法とを併用することによって、レジストを除去しているが、これでは工程数の増加を招くことになる。また、上記特許文献１の方法でも、実用上充分なレジストの除去は達成できていない。
【０００７】
従って、本発明は、除去剤を有効利用して廃液量を抑制するとともに、工程数を増加させずに効率良くレジストを除去できる方法を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第1の態様は、除去剤を蒸気化して、レジスト膜に向けて噴射することにより、レジスト膜を除去することを特徴とする、レジスト除去方法である。このレジスト除去方法によれば、除去剤を蒸気化して噴射するという簡易な工程により、溶解などの化学的なレジスト除去作用と、吹き付け力による物理的なレジスト除去作用の両方によって、速やかにレジストを剥離、除去することが可能になる。また、除去剤を蒸気化して用いるので、液体のまま噴射する場合に比べて除去剤の使用量を格段に低減できる。
【０００９】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記除去剤は、有機塩基と有機溶剤とを含有するものであることを特徴とする、レジスト除去方法である。この第２の態様によれば、有機塩基と有機溶剤とを含有する除去剤によって、優れた化学的レジスト除去作用が得られる。  
また、水蒸気や水を用いる場合と異なり、水分含有量の少ない除去剤を用いることによって、噴射装置等の金属の腐蝕も抑制され、かつ良好な除去性能が得られる。
【００１０】
本発明の第３の態様は、中空容器内に除去剤を導入する除去剤導入手段と、導入された除去剤を加熱して気化させる気化手段と、気化させた除去剤蒸気をレジスト膜に向けて噴射するノズルと、を備えたレジスト除去剤噴射装置である。
【００１１】
この第３の態様のレジスト除去剤噴射装置によれば、簡易な構成でレジスト膜の除去が可能になる。  
また、中空容器内に気化手段を配備することによって、噴射直前に加熱、気化が行われるため、有機化合物を主成分とする除去剤の変質（成分の分解など）による除去性能の低下や、外部への漏出なども生じにくく、配管などの付帯設備も簡素化することができる。
【００１２】
本発明の第４の態様は、第３の態様において、前記ノズルは除去剤蒸気を扇状に噴射するものである、レジスト除去剤噴射装置である。この第４の態様では、除去剤を扇状に噴射することによって、少ないノズル数で基板表面に均一な噴射を行うことができる。
【００１３】
本発明の第５の態様は、第４の態様において、前記気化手段は、除去剤と接触してこれを気化させる加熱板を備えており、該加熱板は、耐食性および熱伝導性を有する材質により構成されていることを特徴とする、レジスト除去剤噴射装置である。この第５の態様によれば、除去剤成分による加熱板の腐蝕を防止できるので長期間にわたり優れた気化性能を維持できる。
【００１４】
本発明の第６の態様は、外部と遮断されたチャンバー内に、第３の態様から第５の態様のいずれか１つのレジスト除去剤噴射装置と、レジスト膜形成基板を支持する支持部とを、配備したことを特徴とする、レジスト除去装置である。
【００１５】
この第６の態様では、外気と遮断されたチャンバー内にレジスト除去剤噴射装置を配備することによって、除去剤の拡散を防止できるとともに、チャンバー内温度を調整することによって、除去剤蒸気の状態変化をコントロールすることが可能になる。
【００１６】
本発明の第７の態様は、第６の態様において、前記支持部は、レジスト膜形成基板を前記ノズルに対して相対移動可能に支持するものであることを特徴とする、レジスト除去装置である。
【００１７】
この第７の態様によれば、レジスト膜形成基板をノズルに対して相対移動させて噴射を行うことが可能であり、レジスト膜形成面への均一な吹き付けを行うことができる。  
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、除去剤の使用量が少なくてよいので、廃液量を低減できるとともに、工程数を増加させずに、短時間で効率良くレジストを除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明において使用可能な除去剤としては、例えば、有機塩基と有機溶剤とを含有する除去剤を挙げることができる。ここで、有機塩基としては、例えば、モノエタノールアミンなどのアミン類を挙げることができる。また、有機溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、乳酸エチル（ＥＬ）、エチレングリコールアセテート（ＥＧＡ）、２−ヘプタノン（商品名ＭＡＫ；協和醗酵工業株式会社製）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）、メトキシプロピオン酸メチル（ＭＭＰ）、エトキシプロピオン酸エチル（ＥＥＰ）、アニソール、エトキシプロピオン酸メチル（ＭＥＰ）、ｎ−ブチルアセテート等の1種または２種以上の混合物を挙げることができる。
【００２０】
除去剤として、前記有機塩基と有機溶剤との混合物を用いる場合、除去対象となるレジストの種類に応じて、有機溶剤の種類や有機塩基と有機溶剤との混合比率を選択することが好ましい。
【００２１】
また、除去剤には水分が含まれていてもよいが、レジスト噴射装置等の金属の腐蝕を防止する観点から、水分含有率は少ない方が好ましく、例えば除去剤中の２〜３０重量％、好ましくは１０〜２０重量％以下に抑えることが好ましい。
【００２２】
除去剤には、前記有機塩基および有機溶剤以外の成分として、その性質を損なわない範囲で、例えば、オゾン、過酸化水素などの酸化性成分；水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウムなどのアルカリ類；硫酸、硝酸、塩酸などの酸類；などを添加することが可能である。これらの酸化性成分、アルカリ類または酸類を、有機塩基や有機溶剤の種類に応じて好適な組合せを選択して除去剤中に配合することにより、除去作用を増強させ得る。
【００２３】
本発明で除去対象となるレジストの範囲は、特に限定されるものではなく、公知のネガ型レジストやポジ型レジストに適用できる。ネガ型レジストとしては、例えば、重クロム酸塩−ポリマーレジスト、ポリケイ皮酸ビニルレジスト、有機アジド化合物−ポリマーレジスト、化学増幅ネガ型レジストなどを挙げることができる。また、ポジ型レジストとしては、例えば、ジアゾナフトキノン−ノボラック樹脂ポジ型レジスト、化学増幅ポジ型レジストなどを挙げることができる。また、いわゆる前工程でイオン注入、ドライエッチング等によって変質、無機化したレジスト変質物についても、除去対象となる。
【００２４】
本発明方法においては、除去剤を蒸気化させて、レジスト膜に噴射する。除去剤の蒸気化は、加熱によって行うことが好ましい。高温の蒸気は、除去剤成分によるレジスト溶解反応の進行を促すので好ましい。加熱の方法は問わないが、例えば、除去剤を高温に加熱された板状部材の表面に接触させることにより瞬時に気化させる方法等を採用することができる。
【００２５】
蒸気化された除去剤は、所定の圧力（例えば０．０５〜１ＭＰａ程度の加圧）によってレジスト膜へ向けて噴射される。除去剤は、蒸気の状態でレジスト膜に到達させてもよく、蒸気の一部がミストとなった蒸気−ミスト混合状態でレジスト膜に到達させてもよい。蒸気−ミスト混合状態の場合、レジスト溶解などの化学的な除去作用に加え、ミストにより、打力による物理的な除去作用が増強される。なお、本発明においては、「蒸気−ミストの混合状態」についても単に蒸気と表記することがある。
【００２６】
除去剤蒸気中におけるミストの生成は、噴射部位（ノズル）からレジスト膜までの噴射区間の距離、噴射速度、噴射区間の温度等によって制御できる。ここで、噴射区間の距離としては、噴射速度にも依存するが、１〜１００ｍｍ程度から選択することが可能であり、３〜５０ｍｍ程度が好ましく、５〜１０ｍｍ程度がより好ましい。噴射区間の距離が短すぎる場合には、打力は大きくなるが、飛翔する除去剤蒸気の拡散が少ないためレジスト膜表面における吹き付け領域の面積が小さくなる。一方、噴射区間の距離が長すぎる場合には、吹き付け領域の面積は大きくなるが、蒸気の打力が弱まってその制御も難しくなる。
【００２７】
また、噴射区間の温度雰囲気は、例えば４０℃〜１００℃程度になるように予熱しておくことが好ましい。除去剤蒸気を高温で吹き付けることにより、レジスト成分に対する化学的な溶解等の反応を速めることができる。さらに、例えば、予熱温度として１００℃前後の高温を選択することにより、ミストの生成を抑え、蒸気の状態でレジスト膜へ到達させることが可能になる。一方、予熱温度を低めに設定することによって、同じ飛翔距離でも除去剤蒸気中のミストの存在比率を高め打力を強めることができる。
【００２８】
レジスト膜への前記除去剤蒸気の打力は、物理的なレジスト除去作用を発揮させる上で重要な要素であり、レジストの種類、除去剤の成分などに応じて適宜調節することが好ましい。
【００２９】
図１は、本発明の一実施形態に係るレジスト除去剤噴射装置１０の概略構成を示す図面である。このレジスト除去剤噴射装置１０は、縦長の円筒状中空容器１の内部に気化手段としての加熱板３を備えており、該加熱板３の表面まで除去剤を導入できるように構成されている。
【００３０】
加熱板３は、動力線５に接続しており、通電によって加熱可能に構成されたヒーターである。また、加熱板３は、耐食性を有し、かつ伝熱性に優れた材質のものが好ましく用いられ、例えば、アルマイト処理されたアルミ系合金、ＳｉＣ系セラミックス材料、グラファイト材料などを使用することが好ましい。
【００３１】
円筒状中空容器１の内部は、耐食性を有する材質が好ましく、前記加熱板３と同様に、例えば、アルマイト処理されたアルミ系合金、ＳｉＣ系セラミックス材料、グラファイト材料などによって構成されている。なお、気化手段として、加熱板３に替えて円筒状中空容器１の内面を加熱してヒーターとして用いてもよい。
【００３２】
円筒状中空容器１の下端には、噴射ノズル７が備えられている。この噴射ノズル７は、扇型ノズルであり、細長いスリット状の噴射口（図示せず）を備えている。この扇型の噴射ノズル７により、レジスト膜形成面１３における除去剤蒸気のスプレーパターンが細長い楕円形になる。
【００３３】
円筒状中空容器１の上部には、除去剤導入部８が設けられ、除去剤経路を介して接続された圧送液体ポンプ９とともに除去剤導入手段を構成している。
【００３４】
以上の構成において、除去剤は加圧された状態で円筒状中空容器１に導入される。円筒状中空容器１内に導入された除去剤は、高温の加熱板３の表面に接触し、ここで瞬時に気化する。本実施形態のレジスト除去剤噴射装置１０においては、円筒状中空容器１内でレジスト除去剤を気化させることにより、噴射直前に加熱、気化が行われるように構成されている。このため、有機化合物を主成分とする除去剤成分が分解や化学反応によって変質することが防止され、所望の除去性能が得られる。また、除去剤蒸気が噴射ノズル７以外の部位から外部へ漏出する可能性は低いので、安全性も高く、配管などの付帯設備も簡素化することができる。
【００３５】
円筒状中空容器１内は、圧送液体ポンプ９からの除去剤の導入と除去剤の蒸気圧により、例えば、０．４ＭＰａ程度まで加圧された状態に維持される。
【００３６】
気化した除去剤は、噴射ノズル７の噴射口（図示せず）より対向する基板１１上のレジスト膜形成面１３へ向けて噴射される。この実施形態では、噴射ノズル７の先端と基板１１のレジスト膜形成面１３との距離は、例えば３〜５０ｍｍ程度に設定されている。除去剤は、蒸気あるいは蒸気とミストとの混合物の状態でレジスト膜形成面１３に衝突する。噴射された除去剤蒸気は、噴射口からレジスト膜形成面１３ヘ向けて扇状に広がる。噴射口となるスリットの形状を調節することによって、扇状に拡散する除去剤蒸気の拡散角度を調節できる。
【００３７】
基板１１は既知の機構により、例えば図１の紙面に対して直交する方向に移動可能に構成されているので、扇状に広がった除去剤蒸気の吹き付け領域は、基板１１のレジスト膜形成面１３に対して連続して面状に形成されていき、レジスト膜形成面１３の全体にムラなく均一に吹き付けを行うことが可能になる。
【００３８】
図２は、本発明に係るレジスト除去装置１００の好適な実施形態の概要を示す図面であり、図３は、除去剤蒸気３０のレジスト膜形成面１３におけるスプレーパターン３１（つまり、吹き付け領域に相当する）を説明するための模式図である。このレジスト除去装置１００においては、図１と同様のレジスト除去剤噴射装置１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄが、適度な間隔を以って並列に配備されており、基板１１（図示しない支持体によって紙面に直交する方向に移動する）を含め全体がチャンバー２０にて覆われている。
【００３９】
チャンバー２０内は、外気と遮断され、内部温度が４０℃以上、好ましくは４０〜１００℃程度に保持されている。この保温によって、除去剤成分とレジストとの化学反応の進行を速めることができる。また、チャンバー２０内の温度を変化させることによって、噴射された除去剤蒸気がレジスト膜形成面１３に到達するまでの間にミスト化する割合をコントロールできる。
【００４０】
また、除去剤中に引火性の成分を含有する場合には、チャンバー２０内に窒素などの不活性ガスを充填し、外気圧よりも高い圧力に保持することによって、引火の危険性を回避することができる。
【００４１】
レジスト除去装置１００においては、基板１１のレジスト膜形成面１３に対して図３のようなスプレーパターン３１を形成するように除去剤を噴射できる。ここでは並列に配置された４基のレジスト除去剤噴射装置１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄから、それぞれの吹き付け領域が互いにオーバーラップするように除去剤蒸気を噴射する。前記したように、基板１１は、例えば図３中矢印で示す方向に移動するので、レジスト膜形成面１３全体に渡って、除去剤の蒸気をムラなく、均一に吹き付けることが可能になる。
【００４２】
＜作用＞
本発明方法では、レジスト除去剤を蒸気化して噴射することにより、除去剤を高エネルギー状態とし、反応性を飛躍的に向上させることが可能となる。また、蒸気化する容器内で高圧化した除去剤をレジスト膜に吹き付けることによって、運動エネルギーも加味されるので、レジストを化学的に溶解除去する作用に加え、除去剤蒸気の衝突による物理的な剥離、除去効果も得られる。従って、イオン注入やドライエッチングによって変質、無機化したレジスト変質物についても充分に剥離、除去することができる。
【００４３】
以下、実施例等を挙げ、本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれにより何ら制約されるものではない。  
なお、実施例では、以下に示す方法でレジスト膜形成基板を準備した。
【００４４】
基板としては、５μｍのライン状パターンを持つアルミ配線基板（ガラス基板１５０ｍｍ角またはシリコン基板４インチ角）を用いた。  
（１）レジスト膜サンプル：
スパッタリング法によりガラス基板上もしくはシリコン基板上にアルミ膜を作成し、その上にｇ線対応ポジ型レジストを１．３μｍの厚みでスピンコーターを用いて塗布した。このものを７０℃でプリベイクし、マスクを用いてレジストを露光する。この後、現像液でレジスト不要部分を除去し、乾燥する。これをドライエッチングすることで、５μｍ幅のアルミパターン（レジスト付）を作成した。  
（２）イオン注入サンプル：
上記（１）のレジスト上に７０ｋｅＶの条件で１ｅ１５程度のドーズ量でリンイオンをドープすることにより作成した。  
（３）レジスト除去剤：
ナガセケムテックス株式会社製Ｎ３２１（商品名）を用いた。
【００４５】
実施例１
上記（１）のサンプル（ガラス基板）を用いてレジスト除去試験を行った。  
除去剤噴射装置およびサンプルを断熱したチャンバーに入れ、内部温度を６０℃となるまで加熱した。除去剤噴射装置としては、図１と同様の構成のものを用い、直径２０ｍｍの円筒容器内面を２５０℃に加熱し、除去剤を１０ｍｌ／分の速度で供給した。このときの円筒容器内の圧力は、０．４ＭＰａであった。
【００４６】
除去剤蒸気は、扇型ノズル（散布角８０°程度）を通して、基板上に噴霧した。ノズルと基板の距離は、５０ｍｍとした。基板は５０ｍｍ／秒の速度で一方向に移動させた。試験後の基板を純水でリンスし、乾燥後電子顕微鏡にて観察した結果、除去剤蒸気を吹き付けた部分のレジストおよびレジスト変質層は全て剥離、除去されていることを確認した。また、パターンの損傷は見当たらなかった。
【００４７】
実施例２
上記（２）のサンプル（ガラス基板）を用いてレジスト除去試験を行った。  
除去剤噴射装置およびサンプルを断熱したチャンバーに入れ、内部温度を６０℃となるまで加熱した。除去剤噴射装置としては、図１と同様の構成のものを用い、直径２０ｍｍの円筒容器内面を２５０℃に加熱し、除去剤を１０ｍｌ／分の速度で供給した。このときの円筒容器内の圧力は、０．４ＭＰａであった。
【００４８】
除去剤蒸気は、扇型ノズル（散布角８０°程度）を通して基板上に噴霧した。ノズルと基板の距離は５０ｍｍとした。基板は３０ｍｍ／秒の速度で一方向に移動させた。試験後の基板を純水でリンスし、乾燥後、電子顕微鏡にて観察した結果、除去剤蒸気を吹き付けた部分のレジストおよびレジスト変質層（イオン注入層、およびエッチング変質層）は全て剥離、除去されていることを確認した。また、パターンの損傷は見当たらなかった。
【００４９】
実施例３
上記（１）のサンプル（シリコン基板）を用いて除去試験を行った。蒸気化装置およびサンプルを断熱したチャンバーに入れ、内部温度を６０℃となるまで加熱した。除去剤噴射装置としては、図１と同様の構成のものを用い、直径２０ｍｍの円筒容器内面を２５０℃に加熱し、除去剤を１０ｍｌ／分の速度で供給した。このときの円筒容器内の圧力は、０．４ＭＰａであった。
【００５０】
除去剤蒸気は、扇型ノズル（散布角８０°程度）を通して、基板上に噴霧した。ノズルと基板の距離は、５０ｍｍとした。基板はスピン装置により回転させ、除去剤を１０秒間噴霧し続けた。試験後の基板を純水でリンスし、乾燥後電子顕微鏡にて観察した結果、除去剤蒸気を吹き付けた部分のレジストおよびレジスト変質層は全て剥離、除去されていることを確認した。また、パターンの損傷は見当たらなかった。
【００５１】
実施例４
上記（２）のサンプル（シリコン基板）を用いて除去試験を行った。蒸気化装置およびサンプルを断熱したチャンバーに入れ、内部温度を６０℃になるまで加熱した。除去剤噴射装置としては、図１と同様の構成のものを用い、直径２０ｍｍの円筒容器内面を２５０℃に加熱し、除去剤を１０ｍｌ／分の速度で供給した。このときの円筒容器内の圧力は、０．４ＭＰａであった。
【００５２】
除去剤蒸気は、扇型ノズル（散布角８０°程度）を通して、基板上に噴霧した。ノズルと基板の距離は、５０ｍｍとした。基板はスピン装置により回転させ、除去剤を１０秒間噴霧し続けた。試験後の基板を純水でリンスし、乾燥後電子顕微鏡にて観察した結果、除去剤蒸気を吹き付けた部分のレジストおよびレジスト変質層（イオン注入層、およびエッチング変質層）は全て剥離、除去されていることを確認した。また、パターンの損傷は見当たらなかった。
【００５３】
試験例１
図１の除去剤噴射装置を用い、水蒸気を噴射した場合と、除去剤としてナガセケムテックス株式会社製Ｎ３２１（商品名）を使用して蒸気化した場合と、におけるレジスト除去性能の比較を行った。
【００５４】
上記（１）のサンプル（ガラス基板）を用いて除去試験を行った。除去剤噴射装置およびサンプルを断熱したチャンバーに入れ、内部温度を６０℃となるまで加熱した。除去剤噴射装置としては、直径２０ｍｍの円筒容器内面を２５０℃に加熱し、除去剤を１０ｍｌ／分の速度で供給した。このときの円筒容器内の圧力は、０．４ＭＰａであった。
【００５５】
除去剤蒸気は、扇型ノズル（散布角８０°程度）を通して、基板上に噴霧した。基板は５０ｍｍ／秒の速度で一方向に移動させた。ノズルと基板の距離、および噴射時間は、表１および表２に示すように変化させた。試験後の基板を純水でリンスし、乾燥後電子顕微鏡にて観察し、下記の基準で評価した。水蒸気を噴射した場合の結果を表１に、また除去剤蒸気を噴射した場合の結果を表２に示した。
【００５６】
評価基準：
白  丸：レジスト残存なし（除去性良好）。  
白三角：極僅かにレジストが残存。  
黒三角：僅かにレジストが残存。  
バツ印：レジストが残存。
【００５７】
【表１】
2005259862.tif 000003
【００５８】
【表２】
2005259862.tif 000004
【００５９】
以上の結果から、水蒸気噴射の場合、６０秒の長時間吹き付けにおいても基板との距離が３ｍｍ以下でないと、良好なレジスト除去性能は得られず、すべての距離で良好なレジスト除去性能を得るためには、３００秒という長時間の噴射が必要であった。
【００６０】
一方、除去剤蒸気を噴射した場合は、短時間噴射でも充分な除去性能が得られることが示された。なお、表２において、距離１ｍｍ、噴射時間1秒における除去性能が若干低いが、これは噴射区間の距離および噴射時間が短すぎる結果、除去剤蒸気の拡散が不十分であったためと考えられる。
【００６１】
以上、本発明を種々の実施形態に関して述べたが、本発明は上記実施形態に制約されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で、他の実施形態についても適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、半導体製造などのリソグラフィー工程等においてレジスト膜を除去する目的で利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】レジスト除去剤噴射装置の構造を示す模式図。
【図２】レジスト除去装置の概要を示す模式図。
【図３】レジスト除去剤のスプレーパターンの形状を示す模式図。
【符号の説明】
【００６４】
１  中空容器
３  加熱板
５  動力線
７  ノズル
８  除去剤導入口
９  圧送液体ポンプ
１０  レジスト除去剤噴射装置
１１  基板
１３  レジスト膜形成面
２０  チャンバー
３０  除去剤蒸気
３１  スプレーパターン
１００  レジスト除去装置
【図１】
2005259862.tif 000005
【図２】
2005259862.tif 000006
【図３】
2005259862.tif 000007