(57)【要約】【課題】  シリコン薄膜をより低温で製膜する為に必要な珪素含有ＣＶＤ原料、該原料の選定方法を提供する。【解決手段】ＣＶＤ法にてシリコン薄膜を基板上に製膜する際に用いる珪素含有原料であって、（ａ）計算科学的手法により分子内における珪素原子と該珪素原子に隣接する原子（Ｘ）の結合エネルギーＳｉ−Ｘを求め、同様の手法にて得られたＳｉＨ４の珪素原子と水素原子との結合エネルギーより低いこと、（ｂ）計算科学的手法により分子内における珪素原子のラジカル反応性を求め、同様の手法にて得られたＳｉＨ４分子内の珪素原子のラジカル反応性より低いこと、（ｃ）計算科学的手法により分子内における珪素原子に隣接する原子（Ｘ）のラジカル反応性を求め、同様の手法にて得られたＳｉＨ４分子内の水素原子のラジカル反応性と同等又はより高いこと、の条件を満たすシリコン薄膜用珪素含有ＣＶＤ原料、該原料の選定方法、及びシリコン薄膜の製膜方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＶＤ法にてシリコン薄膜を基板上に製膜する際に用いる珪素含有原料であって、下記（ａ）〜（ｃ）の条件を満たすことを特徴とするシリコン薄膜用珪素含有ＣＶＤ原料。
（ａ）計算科学的手法により分子内における珪素原子と該珪素原子に隣接する原子（Ｘ）の結合エネルギーＳｉ−Ｘを求め、該結合エネルギーＳｉ−Ｘが同様の手法にて得られたＳｉＨ４（モノシラン）の珪素原子と水素原子との結合エネルギーよりも低いこと、
（ｂ）計算科学的手法により分子内における珪素原子のラジカル反応性(ラジカル反応性Ｓｉ)を求め、該ラジカル反応性Ｓｉが同様の手法にて得られたＳｉＨ４（モノシラン）分子内の珪素原子のラジカル反応性よりも低いこと、
（ｃ）計算科学的手法により分子内における珪素原子に隣接する原子（Ｘ）のラジカル反応性（ラジカル反応性Ｘ）を求め、該ラジカル反応性Ｘが同様の手法にて得られたＳｉＨ４（モノシラン）分子内の水素原子のラジカル反応性と同等もしくはより高いこと。
【請求項２】
ＣＶＤ法にてシリコン薄膜を基板上に製膜する際に用いる珪素含有原料を選定するにあたり、下記（ａ）〜（ｃ）の条件を満たす化合物を原料として選定することを特徴とするシリコン薄膜用珪素含有ＣＶＤ原料の選定方法。
（ａ）計算科学的手法により分子内における珪素原子と該珪素原子に隣接する原子（Ｘ）の結合エネルギーＳｉ−Ｘを求め、該結合エネルギーＳｉ−Ｘが同様の手法にて得られたＳｉＨ４（モノシラン）の珪素原子と水素原子との結合エネルギーよりも低いこと、
（ｂ）計算科学的手法により分子内における珪素原子のラジカル反応性（ラジカル反応性Ｓｉ）を求め、該ラジカル反応性Ｓｉが同様の手法にて得られたＳｉＨ４（モノシラン）分子内の珪素原子のラジカル反応性よりも低いこと、
（ｃ）計算科学的手法により分子内における珪素原子に隣接する原子（Ｘ）のラジカル反応性（ラジカル反応性Ｘ）を求め、該ラジカル反応性Ｘが同様の手法にて得られたＳｉＨ４（モノシラン）分子内の水素原子のラジカル反応性と同等もしくはより高いこと。
【請求項３】
ＣＶＤ法にてシリコン薄膜を基板上に製膜する際に、請求項１記載のシリコン薄膜用珪素含有ＣＶＤ原料を用いることを特徴とする、シリコン薄膜の製膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学気相法（以下、ＣＶＤ法と称する）によりシリコン薄膜を基板上に製膜する際に用いるシリコン薄膜用珪素含有ＣＶＤ原料、該原料を用いたシリコン薄膜の製膜方法、並びに該原料の選定方法に関する。より詳しくは、例えば液晶ディスプレイ等を製造する際に実施されるガラス基板等上にアモルファスシリコン、ポリシリコン等のシリコン薄膜（以下、これらの薄膜を総称してシリコン薄膜と称する）をＣＶＤ法により製膜する際に用いられる珪素含有ＣＶＤ原料、該原料の選定方法、並びに該原料を用いたシリコン薄膜の製膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、アクティブマトリックス型の液晶ディスプレイの大半は、アモルファスシリコンをＴＦＴ（薄膜トランジスタ）に用いたタイプである。このアモルファスシリコンＴＦＴ液晶ディスプレイを製造する際には、ＳｉＨ４（以下、モノシランと称する）やＳｉ２Ｈ６（以下、ジシランと称する）等のＳｉ−Ｈ系化合物を原料として用いたＣＶＤ法により、ガラス基板上にアモルファスシリコンを製膜する工程を有する。近年のディスプレイの大面積化に伴い、ガラス基板の熱膨張等の問題が顕著になりつつあり、該製膜工程において、より低温でアモルファスシリコンを製膜する技術が求められている（非特許文献１等参照）。
【０００３】
一方、高精彩、低消費電力化、チップオングラス等の目的で、ガラス基板上にポリシリコン（多結晶シリコンともいう）が製膜され、これをＴＦＴに用いた液晶ディスプレイが知られている。ガラス基板上にポリシリコンを製膜する場合、まず基板にアモルファスシリコンを堆積し、ついでエキシマレーザーアニール（以下、レーザーアニールと称する）を用いて結晶化することによって得る方法が報告されている（特許文献１参照）。この様に、直接ポリシリコンをガラス基板上に製膜せず、レーザーアニールを用いるのは、通常、該液晶ディスプレイに用いられるガラス基板の耐熱性の問題からである。これに対し、レーザーアニール無しで基板上にポリシリコンを製膜する方法としては、通常、基板温度を６００℃〜９００℃以上にする必要があり、高価な石英ガラス基板を使わざるを得ないのが現状であり、コストがかかる。また、レーザーアニール工程等を有する手法では、ガラス基板に無アルカリガラス等の安価なガラスを用いることが出来る。しかしながら依然として、製造工数が増えることにより、アモルファスシリコンをＴＦＴに用いたタイプに比べ、製造コストが高くなる等の問題があり、さらにはディスプレイの大面積化に対応しにくい等の問題が存在している。
【０００４】
そこで高性能、大面積液晶ディスプレイを低コストで製膜する為には、レーザーアニールを用いずに、無アルカリガラス等の液晶ディスプレイ用ガラス基板上に、該ガラス基板の耐熱温度より低い温度でポリシリコン薄膜を直接製膜する技術が求められている。
【０００５】
さらには今後の情報産業の発展に伴い、電子ペーパー用等、軽量化、耐衝撃性、可とう性等の向上を目的とし、ガラス基板よりもさらに融点が低い樹脂フィルムを基板として用い、この樹脂フィルム上にシリコン薄膜を製膜する技術が検討されている。その為、より低い温度においてシリコン薄膜を製膜するプロセスが求められてくることも予想されている。
【０００６】
この様な状況の中で、シリコン薄膜の低温製膜技術の開発としては「製膜装置・プロセスの改良」を中心とした検討が行われている。しかし、珪素含有ＣＶＤ原料としては依然としてシランやジシラン等のＳｉ−Ｈ系原料が用いられており、このＳｉ−Ｈ系原料の化学特性に伴う制約の為、低温製膜化は十分に達成されていない。
【０００７】
珪素含有ＣＶＤ原料の変更もふまえたシリコン薄膜の製膜方法の検討については、例えば特許文献２にＨｘＳｉ（ＮＲ２）４−ｘで示される化合物を原料として用いることが開示されている程度である。該文献によれば、ＣＶＤ法によりさまざまなシリコン膜等を基板上に形成する際に安全かつ膜形成反応の制御が容易であると記載されているが、実施例ではシリコン窒化膜に関する記述のみに留まっており、シリコン薄膜に関する記載は殆どない。
【０００８】
珪素を含有する化合物は多種多様に存在し、この中からより適切なシリコン薄膜用珪素含有ＣＶＤ原料の検討を行うには、該原料の設計・選定技術、必要に応じて該原料の合成技術、高価な装置を使用した製膜評価技術等が必要であり、多大な時間とコストがかかる。従って、現状実施されているトライアンドエラーによるＣＶＤ原料の検討では極めて非効率的となっている。
【０００９】
即ち、現状のシリコン薄膜製膜技術には、ＴＦＴ等の液晶ディスプレイを製造する際に、ガラス基板上にシリコン薄膜を低温で製膜する技術が、近年のディスプレイの大面積化に対応しきれていない、またポリシリコン薄膜においてはエキシマレーザーアニールを用いずに、低コストでガラス基板の耐熱温度より低い温度で、ポリシリコン薄膜を直接製膜する技術が確立されていない、さらには電子ペーパー用等、ガラス基板よりもさらに融点が低い樹脂フィルム上にシリコン薄膜を製膜する技術が確立されていない等の様々な問題点を有しておりこれらを解決することが求められている。しかしながらその際に検討されるべき珪素含有ＣＶＤ原料の開発・選定に多大な時間とコストがかかることも大きな問題の一つである。
【特許文献１】特開平１０−１２５４８号公報
【特許文献２】特開平５―２５１３５４号公報
【非特許文献１】液晶  １３１ｐ〜１４２ｐ  ｖｏｌ．４  Ｎｏ．２  ２０００年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の課題は、液晶ディスプレイ等に用いられるシリコン薄膜を、より低温で製膜する為に必要な珪素含有ＣＶＤ原料、該原料を効率的に選定できる方法、並びに該原料を用いたシリコン薄膜の製膜方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、シリコン薄膜をより低温で製膜することを目的として、珪素含有ＣＶＤ原料の選定を中心に鋭意検討した。その結果、分子軌道法を用いた計算科学的手法により「珪素原子と珪素原子に隣接する原子（Ｘ）の結合エネルギー（以下、結合エネルギーＳｉ−Ｘと称する）」「珪素原子のラジカル反応性（以下、ラジカル反応性Ｓｉと称する）」「珪素原子に隣接する原子（Ｘ）のラジカル反応性（以下、ラジカル反応性Ｘと称する）」について計算した際に、特定の条件を満たす珪素含有化合物が、低温でシリコン薄膜を製膜する際に適切な珪素含有ＣＶＤ原料であることを見出し、本発明に至った。
【００１２】
すなわち本発明の第一発明は、ＣＶＤ法にてシリコン薄膜を基板上に製膜する際に用いる珪素含有原料であって、（ａ）計算科学的手法により分子内における珪素原子と該珪素原子に隣接する原子（Ｘ）の結合エネルギーＳｉ−Ｘを求め、該結合エネルギーＳｉ−Ｘが同様の手法にて得られたＳｉＨ４（モノシラン）の珪素原子と水素原子との結合エネルギーよりも低いこと、
（ｂ）計算科学的手法により分子内における珪素原子のラジカル反応性(ラジカル反応性Ｓｉ)を求め、該ラジカル反応性Ｓｉが同様の手法にて得られたＳｉＨ４（モノシラン）分子内の珪素原子のラジカル反応性よりも低いこと、
（ｃ）計算科学的手法により分子内における珪素原子に隣接する原子（Ｘ）のラジカル反応性（ラジカル反応性Ｘ）を求め、該ラジカル反応性Ｘが同様の手法にて得られたＳｉＨ４（モノシラン）分子内の水素原子のラジカル反応性と同等もしくはより高いこと、
の（ａ）〜（ｃ）の三条件を満たすことを特徴とするシリコン薄膜用珪素含有ＣＶＤ原料である。
【００１３】
また第二発明は、ＣＶＤ法にてシリコン薄膜を基板上に製膜する際に用いる珪素含有原料を選定するにあたり、（ａ）計算科学的手法により分子内における珪素原子と該珪素原子に隣接する原子（Ｘ）の結合エネルギーＳｉ−Ｘを求め、該結合エネルギーＳｉ−Ｘが同様の手法にて得られたＳｉＨ４（モノシラン）の珪素原子と水素原子との結合エネルギーよりも低いこと、
（ｂ）計算科学的手法により分子内における珪素原子のラジカル反応性(ラジカル反応性Ｓｉ)を求め、該ラジカル反応性Ｓｉが同様の手法にて得られたＳｉＨ４（モノシラン）分子内の珪素原子のラジカル反応性よりも低いこと、
（ｃ）計算科学的手法により分子内における珪素原子に隣接する原子（Ｘ）のラジカル反応性（ラジカル反応性Ｘ）を求め、該ラジカル反応性Ｘが同様の手法にて得られたＳｉＨ４（モノシラン）分子内の水素原子のラジカル反応性と同等もしくはより高いこと、の（ａ）〜（ｃ）の三条件を満たす化合物を原料として選定することを特徴とするシリコン薄膜用珪素含有ＣＶＤ原料の選定方法である。
【００１４】
また第三発明は、ＣＶＤ法にてシリコン薄膜を基板上に製膜する際に、前記のシリコン薄膜用珪素含有ＣＶＤ原料を用いることを特徴とするシリコン薄膜の製膜方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、効率的にシリコン薄膜を低温で製膜することが可能な化合物を選定でき、更にシリコン薄膜を低温で製膜することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明について詳細に説明する。
尚、本発明の分子軌道法による計算科学的手法は、富士通社のＣＡＣｈｅ５．０を用い、ＰＭ３法による計算値を用いた。
【００１７】
まず、本発明のシリコン薄膜用珪素含有ＣＶＤ原料および該原料の選定方法について述べる。
【００１８】
本発明のシリコン薄膜用珪素含有ＣＶＤ原料は、分子軌道法による計算科学的手法により計算した場合において、
（ａ）分子内における珪素原子と該珪素原子に隣接する原子（Ｘ）の結合エネルギー（結合エネルギーＳｉ−Ｘ）を計算し、該結合エネルギーＳｉ−Ｘが同様の手法にて得られたＳｉＨ４（モノシラン）の珪素原子と水素原子との結合エネルギーよりも低いこと、
（ｂ）計算科学的手法により分子内における珪素原子のラジカル反応性（ラジカル反応性Ｓｉ）を計算し、該ラジカル反応性Ｓｉが同様の手法にて得られたモノシラン分子内珪素原子のラジカル反応性よりも低いこと、
（ｃ）計算科学的手法により分子内における珪素原子に隣接する原子（Ｘ）のラジカル反応性（ラジカル反応性Ｘ）を計算し、該ラジカル反応性Ｘが同様の手法にて得られたモノシラン分子内の水素原子のラジカル反応性と同等もしくはより高いこと、
の上記（ａ）〜（ｃ）の三条件を満たす化合物から選定されることを特徴とするものである。
【００１９】
本発明における条件（ａ）の結合エネルギーＳｉ−Ｘの求め方としては、計算する化合物の生成熱（Ｉ）を有効数字２桁まで求め、次にＳｉ−Ｘ結合が開裂することにより生じる２つのラジカルについてそれぞれの生成熱（IIa、IIｂ）を有効数字２桁まで求め、その生成熱の和（II＝IIa＋IIｂ））を有効数字２桁まで求める。ついでこれらの差（II−I）を求め、結合エネルギーＳｉ−Ｘと定義した。
【００２０】
ここで結合エネルギーＳｉ−Ｘの高低の判断は、モノシランの珪素原子と水素原子の結合（Ｓｉ−Ｈ結合）の結合エネルギー（以下、モノシランの結合エネルギーと称する）の計算値（有効数字２桁）を基準とする。具体的には、結合エネルギーＳｉ−Ｘの計算値を、モノシランの結合エネルギーの計算値で除した値を小数点第一位まで求め、この値が１．０をこえた場合、結合エネルギーＳｉ−Ｘがモノシランの結合エネルギーより大きいと判断する。同様に、１．０の場合は該モノシランの結合エネルギーと同等、１．０未満の場合には、該モノシランの結合エネルギーよりも低いと判断する。この結合エネルギーＳｉ−Ｘが低い化合物ほど低温で分解反応が進むことが期待され、シリコン薄膜用珪素含有ＣＶＤ原料として好ましい。具体的には、結合エネルギーＳｉ−Ｘがモノシランの結合エネルギーに対して０．８以下であることが好ましい。
【００２１】
本発明における条件（ｂ）のラジカル反応性Ｓｉについては、富士通社のＣＡＣｈｅ５．０を用いたＰＭ３法による計算でＳｉ原子のradical  susceptibilityを求め、この値をもって本発明のラジカル反応性Ｓｉとした。
【００２２】
ラジカル反応性Ｓｉの高低の判断も、モノシラン分子内珪素原子のラジカル反応性の計算値（小数点第二位まで）を基準とする。具体的には、ラジカル反応性Ｓｉの計算値を小数点第二位まで求め、同様にモノシラン分子内珪素原子のラジカル反応性の計算値を小数点第二位まで求め、このラジカル反応性Ｓｉの計算値をモノシラン分子内珪素原子のラジカル反応性の計算値で除した値を小数点第一位まで求め、この値が１．０をこえた場合、ラジカル反応性Ｓｉがモノシラン分子内珪素原子のラジカル反応性より高いと判断する。同様に、１．０の場合は該モノシラン分子内珪素原子と同等、１．０未満の場合には、該モノシラン分子内珪素原子のラジカル反応性よりも低いと判断する。このラジカル反応性Ｓｉが低いほど、Ｓｉ原子のラジカル反応性が低くなると判断される。Ｓｉ原子のラジカル反応性が低くなれば、Ｓｉ原子が他の原子と反応することによりシリコン膜が不純物原子を取り込む可能性が低くなり、好ましい。具体的には、ラジカル反応性Ｓｉがモノシラン分子内珪素原子のラジカル反応性に対して０．７以下であることが好ましい。
【００２３】
本発明における条件（ｃ）のラジカル反応性Ｘについても、富士通社のＣＡＣｈｅ５．０を用いたＰＭ３法による計算で、分子内における珪素原子に隣接する原子（Ｘ）のradical  susceptibilityを求め、この値をもって本発明のラジカル反応性Ｘとした。
【００２４】
ラジカル反応性Ｘの高低の判断も、モノシラン分子内水素原子のラジカル反応性の計算値（小数点第二位まで）を基準とする。具体的には、ラジカル反応性Ｘの計算値を小数点第二位まで求め、ついで同様にモノシラン分子内水素原子のラジカル反応性の計算値を小数点第二位まで求め、ラジカル反応性Ｘの計算値をモノシラン分子内水素原子のラジカル反応性の計算値で除した値を小数点第一位まで求め、この値が１．０をこえた場合、ラジカル反応性Ｘがモノシラン分子内水素原子のラジカル反応性より高いと判断する。同様に、１．０の場合は該モノシラン分子内水素原子と同等、１．０未満の場合には、該モノシラン分子内水素原子のラジカル反応性よりも低いと判断する。この値が高いほど、Ｘ原子のラジカル反応性が高くなり、珪素含有ＣＶＤ原料がより低温で分解しやすくなる為好ましい。
【００２５】
シリコン薄膜製膜時には、珪素含有ＣＶＤ原料の分解を促進する為、水素存在下で行うことが好ましい。この水素存在下での製膜を例にとって、条件（ａ）（ｂ）（ｃ）についてより詳細に説明する。
【００２６】
まず条件（ａ）を満たすことにより、珪素含有ＣＶＤ原料が低温で分解し易くなる。但し、単に分解するだけでは、製膜したシリコン薄膜の膜質自体が良好であるとは限らず、ここで条件（ｂ）のラジカル反応性Ｓｉが重要となる。ラジカル反応性Ｓｉが低いほど、シリコン薄膜中に水素等が含有する可能性が低くなり好ましい。ラジカル反応性Ｓｉが高くなれば膜質が劣化する可能性がある。特にシリコン薄膜としてポリシリコン薄膜を製膜する場合には、膜中に水素を含有しない方が好ましい為、条件（ｂ）が重要である。さらに条件（ｃ）のラジカル反応性Ｘが高い程、水素による分解反応がより低温で促進される為、好ましい。
【００２７】
本発明の珪素含有ＣＶＤ原料は、その用途から特定の条件下で蒸気圧を持つものの中から選定される。例えば、−２００℃〜３００℃の温度範囲の少なくとも一点において１〜７６０Ｔｏｒｒの蒸気圧を有するものである。該ＣＶＤ原料の使用目的を考慮すれば、より低い温度で高い蒸気圧を持つものが好ましい。
【００２８】
さらに、該ＣＶＤ原料の使用目的を考慮すれば、これらのガスは、室温で気体状もしくは液状のものが好ましい。室温で固体である場合には融点が２００℃以下、より好ましくは１００℃以下のものが好ましい。融点が高くなれば、該ＣＶＤ原料の供給が困難になる。
【００２９】
次に、本発明のシリコン薄膜の製膜方法について詳述する。本発明のシリコン薄膜の製膜方法は、前述の選定方法により選定した珪素含有ＣＶＤ原料を用いることを特徴とする。
【００３０】
本発明のシリコン薄膜の製膜方法は、ＣＶＤ装置を用いて、基板上にシリコン薄膜を製膜するものである。ＣＶＤ装置は、主にＣＶＤ原料の供給・気化装置、および気化した原料を分解し基板上にシリコン薄膜として堆積させるＣＶＤ反応製膜装置（以下、ＣＶＤチャンバーという）からなるものが好ましい。
【００３１】
製膜方法の一例を挙げると、本発明の方法により選定された珪素含有ＣＶＤ原料を、ＣＶＤ装置の原料供給・気化装置に充填する。ついで、該供給・気化装置で気化された原料は、ＣＶＤチャンバー内に供給される。ＣＶＤチャンバー内には、基板が設置してあり、該チャンバー内において該ＣＶＤ原料が分解することで、基板上にシリコン薄膜を製膜することができる。
【００３２】
ＣＶＤチャンバー内において、珪素含有ＣＶＤ原料が分解されるが、この分解方法は熱分解（熱ＣＶＤ法）、プラズマによる分解（プラズマＣＶＤ法）、タングステン等の熱線による分解（触媒ＣＶＤ法、ＣＡＴ−ＣＶＤ法とも言う）等、既存の方式をいずれも採用することができ、特に限定されない。また原料ガスの分解を促進する為に、チャンバー内に水素を共存させることが好ましい。
【００３３】
製膜する基板としては、無アルカリガラス等の液晶ディスプレイ用ガラス、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムが挙げられるが、特に限定されない。
【００３４】
また本発明の製膜方法は、液晶ディスプレイ用の基板のみならず、ＬＳＩ用Ｓｉウエハ等にも適用することができる。この場合、半導体集積回路製造時に実施されるシリコン薄膜の製膜工程の低温化に寄与することができる。
【００３５】
製膜する際の基板温度は、本発明の珪素含有ＣＶＤ原料を用いれば通常４００度℃以下で製膜可能である。基板の性質（耐熱性、熱膨張率等）、製膜するシリコン薄膜の要求特性、ＣＶＤの分解方法等を考慮して適宜決定されるものであり、特に限定されない。例えば、液晶用ガラス基板に熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法でシリコン薄膜を製膜する場合には好ましくは３００℃以下、樹脂フィルム上にプラズマＣＶＤ法でシリコン薄膜を製膜する場合には好ましくは１００℃以下となる。
【００３６】
製膜されるシリコン薄膜は、アモルファスシリコン薄膜、ポリシリコン薄膜等、膜特性への要求性能、製膜方法等により適宜選択される。
【実施例１】
【００３７】
表１に示す各化合物について、分子軌道法による計算科学的手法を用い、分子内における珪素原子と該珪素原子に隣接する原子（Ｘ）の「結合エネルギーＳｉ−Ｘ」、分子内における珪素原子のラジカル反応性「ラジカル反応性Ｓｉ」、および分子内における珪素原子に隣接する原子（Ｘ）のラジカル反応性「ラジカル反応性Ｘ」をそれぞれ求めた。それぞれの計算結果も併せて表１に示した。尚、本発明の分子軌道法による計算科学的手法は、富士通社のＣＡＣｈｅ５．０を用い、ＰＭ３法による計算を実施した。また比較の為に、ＳｉＨ４（モノシラン）の計算結果も示した。
【００３８】
ここで表１の計算値は、「結合エネルギーＳｉ―Ｘ」については有効数字２桁（３桁目を四捨五入）、「ラジカル反応性Ｓｉ」「ラジカル反応性Ｘ」については、それぞれ小数点第二位（第三位を四捨五入）まで求めた。
【００３９】
以下に、Ｓｉ(ＣＨ３)４の計算例を示すが、本実施例における他の化合物も同様の手法でおこなった。
【００４０】
［計算例：Ｓｉ(ＣＨ３)４］
（１）まず、Ｓｉ(ＣＨ３)４の構造を入力した。
（２）ついで、Beautifyを実行し、構造を調整した。
（３）（２）で調整した構造について、Propertyにoptimized  geometryを、Usingにstandard  Procedureをそれぞれ選択して計算を実行し、heat  of  formation（生成熱）を求めた。
（４）得られた値をKJ／molに単位変換し、Ｓｉ(ＣＨ３)４の生成熱（Ｉ）とした。生成熱（Ｉ）は−２３０kJ／molとなった。
（５）ついで、（２）で調整した構造から、ＣＨ３を一つ消去し、ラジカル状態のＳｉ(ＣＨ３)３の構造を作り、このままBeautifyを実行せずに（３）（４）と同様に計算し、ラジカル状態のＳｉ(ＣＨ３)３のheat  of  formationを求めた。
ラジカル状態のＳｉ(ＣＨ３)３のheat  of  formationは−６０kJ／mol(生成熱  IIa）となった。
（６）さらに、同様に（２）で調整した構造から、Ｓｉ(ＣＨ３)３消去し、ラジカル状態のＣＨ３の構造を作り、このままBeautifyを実行せずに（３）（４）と同様に計算し、ラジカル状態のＣＨ３のheat  of  formationを求めた。
ラジカル状態のＣＨ３のheat  of  formationは１２０kJ／mol（生成熱  IIb)となった。
（７）（５）（６）で求めた、「ラジカル状態のＳｉ(ＣＨ３)３のheat  of  formation（−６０kJ／mol）」と、「ラジカル状態のＣＨ３のheat  of  formation（１２０kJ／mol）」の和を求めることにより、「Ｓｉ−Ｘ（この場合Ｘ＝Ｃ）結合が開裂することにより生じる２つのラジカルについて生成熱の和（II）」を求めた。該生成熱の和（ＩＩ）は６０kJ／molとなった。
（８）ついで、（７）で求めた該生成熱の和（II）と（４）で得られたＳｉ(ＣＨ３)４の生成熱（Ｉ）の差（II−Ｉ）を求め、結合エネルギーＳｉ−Ｘとした。該結合エネルギーＳｉ−Ｘは２９０kJ／molとなった。
（９）さらに、（３）で計算後の構造において、Ｓｉのradical  susceptibilityを求め、この値をラジカル反応性Ｓｉとした。ラジカル反応性Ｓｉは０．８１となった。
（１０）同様に（３）で計算後の構造において、Ｃのradical  susceptibilityを求め、この値をラジカル反応性Ｘとした。ラジカル反応性Ｘは０．２４となった。
（１１）上記、得られた結果を表１に示した。
【００４１】
【表１】
2005146337.tif 000002
【００４２】
ついで、各化合物について「結合エネルギーＳｉ−Ｘ」「ラジカル反応性Ｓｉ」「ラジカル反応性Ｘ」のそれぞれの値を、モノシランの値で除した計算値を表２に示した。ここで表２の計算値は、小数点第一位（第二位を四捨五入）まで求めた。
【００４３】
【表２】
2005146337.tif 000003
【００４４】
表２の結果より、本実施例で検討した化合物の中において、本発明の条件（ａ）（ｂ）（ｃ）を満たす化合物として、即ちシリコン薄膜用珪素含有ＣＶＤ原料としてＳｉ{Ｎ（ＣＨ３）２}４を選定した。
【実施例２】
【００４５】
実施例１で選定したシリコン薄膜用珪素含有ＣＶＤ原料Ｓｉ{Ｎ（ＣＨ３）２}４[融点１６℃、蒸気圧１Ｔｏｒｒ（１２℃）]を用い、シリコン薄膜の製膜を行った。
【００４６】
製膜はチャンバー内に水素を共存させた熱ＣＶＤ法で行い、基板温度３００℃で実施した。基板には液晶用ガラス基板を用いた。その結果、基板上にシリコン薄膜の堆積が確認された。
【００４７】
この薄膜について、Ｘ線光電子分光法（ＥＳＣＡ）で分析したところ、珪素は確認されたが、炭素、窒素は確認されなかった。また、赤外分光法（ＩＲ）で分析したところ、Ｓｉ−Ｈのピークは確認されなかった。
【００４８】
比較例１
シリコン薄膜用珪素含有ＣＶＤ原料として、Ｓｉ{Ｎ（ＣＨ３）２}４の代わりにモノシランを用いた以外は、実施例２と同様の方法でシリコン薄膜を製膜することを試みた。その結果、ガラス基板上にシリコン薄膜が堆積しなかった。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
液晶ディスプレイ用ガラス基板へのシリコン薄膜の製膜や、電子ペーパー用等、耐熱性が低い樹脂フィルム上へのシリコン薄膜の製膜に利用可能である。また、半導体集積回路製造時に実施されるシリコン薄膜の製膜工程の低温化にも利用可能である。さらにはシリコン薄膜用珪素含有ＣＶＤ原料の選定を簡便にすることにより、シリコン薄膜の開発期間短縮・開発コスト削減にも寄与する。