(57)【要約】【課題】超臨界状態とした段階では液体状の物質が実質的に残っていないという状態が、従来より迅速に実現できるようにする。【解決手段】リンス液１０２及び超臨界物質の液体１０３を超臨界状態としてパターン１０１ａの形成面が超臨界流体１０４，１０５に晒された状態としてから、容器内の超臨界流体１０４，１０５を排出して容器内の圧力を低下させ、容器内の超臨界流体１０４，１０５を気化させる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のパターンが形成された基板の前記パターンの形成面をリンス液に晒してこのリンス液による処理を行う第１工程と、
この第１工程の後、所定の容器内において、前記パターンの形成面に前記リンス液が付着している状態で前記基板の前記パターンの形成面を超臨界物質の液体もしくは前記超臨界物質を超臨界状態とした流体のいずれか一方に所定時間浸漬する第２工程と、
この第２工程の後、前記容器内の圧力及び温度を特定の条件として前記リンス液及び超臨界物質を超臨界状態として前記パターンの形成面が超臨界流体に晒された状態とする第３工程と、
この第３工程の後、前記容器内の超臨界流体を排出して前記容器内の圧力を低下させて前記容器内の超臨界流体を気化させる第４工程と
を少なくとも備え、
前記リンス液は大気雰囲気では液体である物質から構成され、前記超臨界物質は大気雰囲気では気体であり所定の条件で超臨界状態となる物質から構成されたものである
ことを特徴とする超臨界乾燥方法。
【請求項２】
請求項１記載の超臨界乾燥方法において、
前記リンス液は、極性を有する有機物である
ことを特徴とする超臨界乾燥方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の超臨界乾燥方法において、
前記特定の条件は、前記リンス液と前記超臨界物質との混合物が超臨界状態となる共臨界点の条件であることを特徴とする超臨界乾燥方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の超臨界乾燥方法において、
前記超臨界物質は、二酸化炭素であることを特徴とする超臨界乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルコールなどの液体による処理をした後の乾燥における液体の表面張力による微細なパターンの倒れを抑制する超臨界乾燥方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
よく知られているように、ＬＳＩを始めとする大規模・高性能デバイスを作製するためには、極微細パターンが必要となる。この極微細パターンは、例えば、露光，現像，リンス処理を経て形成される、光やＸ線または電子線に感光性を有するレジストのパターンである。また、これらレジストパターンをマスクとした選択エッチングの後、水や薬液などによる液処理を経て形成される酸化物などの無機材料からなるエッチングパターンである。
【０００３】
前述したレジストパターンは、有機材料である感光性レジストの膜をリソグラフィー技術で加工することにより形成できる。感光性レジストの膜に露光を行うと、露光された領域の分子量や分子構造が変化し、未露光の領域との間に現像液に対する溶解性に差が発生するので、この差を利用した現像処理により感光性レジストの膜より微細なパターンが形成できる。
【０００４】
上述した現像処理では、現像を続けていけば、やがて未露光の領域も現像液に溶解し始めてパターンが消滅してしまうので、所定の液体による現像停止を行って現像を停止している。最終的に、乾燥して液体を除去することで、加工マスクとしてのレジストパターンがレジスト膜に形成できる。
このような微細パターン形成における乾燥時の大きな問題点として、図４（ａ）〜図４（ｃ）の工程図に示すようなパターンの倒れがある。
【０００５】
アスペクト比の大きい微細なレジストのパターンは、現像を施した後で現像停止処理，乾燥を経て形成される。レジスト以外でもアスペクト比の大きな微細パターンは形成される。例えば、レジストパターンをマスクに基板をエッチングし、高アスペクト比の基板パターンを形成する場合、エッチングの後で洗浄し、図４（ａ）に示すように、基板４０１と共に基板パターン４０２を水やアルコールなどのリンス液４０３に浸漬してリンス処理する。この後、乾燥を行うことになる。
【０００６】
ところが、図４（ｂ）に示すように、乾燥時には、基板パターン４０２の間に残ったリンス液４０３と、外部の空気４０４との圧力差により、曲げ力（毛細管力）４０５が働く。この結果、図４（ｃ）に示すように、基板４０１上で基板パターン４０２のパターン倒れが発生する。この倒れる現象は、パターンが高アスペクト比になるほど顕著になる。上記毛細管力は、水などのリンス液とパターンとの間での液体と気体との界面で生じる表面張力に依存することが報告されている（非特許文献１参照）。
【０００７】
水の表面張力は約７２×１０-3Ｎ／ｍと大きく、上述した毛細管力は、有機材料からなるレジストパターンを倒すだけでなく、無機材料であるシリコンなどのより丈夫なパターンをも歪める力を有している。このため、上述したリンス液による表面張力の問題は、重要となっている。
ここで、液体によるリンス処理をした後、表面張力の小さな液体を用いて乾燥することで、表面張力による乾燥時の問題を低減する技術が提案されている（特許文献１，２参照）。
【０００８】
この技術では、表面張力が１０×１０-3Ｎ／ｍ程度のパーフルオロエーテルなどのフッ素不活性液体を用い、この液体でリンス液を置換してから乾燥させるようにしている。表面張力がより小さい液体で置換してから乾燥することで、パターン倒れをある程度抑制できるようにしている。しかしながら、表面張力の小さい液体を用いればパターン倒れの発生を低減できるが、液体を用いている限りはある程度の表面張力を持つためパターン倒れをなくすことはできない。
【０００９】
以上の技術に対し、超臨界状態の流体を用い、表面張力が作用しない状態としてから乾燥を行うことで、パターンの倒れなどの問題を解消する技術が提案されている（特許文献３，４，５、非特許文献２参照）。
超臨界状態の流体（超臨界流体）は、臨界温度及び臨界圧力を超えた温度及び圧力下の物質であり、液体に近い溶解力を持つが、張力や粘度は気体に近い性質を示すもので、気体の状態を保った液体といえる。このような特徴を有する超臨界流体は、液体と気体との界面を形成しないため、表面張力はゼロになる。従って、超臨界状態で乾燥すれば、表面張力の概念はなくなるため、パターン倒れはなくなることになる。
【００１０】
超臨界流体は、気体の拡散性と液体の溶解性（高密度性）を兼ね備えたもので、液体から気体へ平衡線を介さずに状態変化できる。このため、超臨界流体で満たされた状態から徐々にこの超臨界流体を放出すると、液体と気体との界面が形成されないことから、乾燥対象の超微細パターンに表面張力を作用させずに乾燥させることができる。
【００１１】
超臨界流体としては、多くの場合、臨界点が低く取り扱いの容易な二酸化炭素が使われている。超臨界流体を用いた超臨界乾燥では、リンス処理などをした後、基板表面に付着しているリンス液を、密閉された容器内において液化二酸化炭素に置換することで開始される。二酸化炭素は、６ＭＰａ程度に加圧すれば常温で液化するため、上記置換は、容器内の圧力を６ＭＰａ程度に圧力上昇させた状態で行う。基板に付着していたリンス液が液化二酸化炭素に置換された後、容器内を二酸化炭素の臨界点以上の温度と圧力（二酸化炭素の臨界点；３１度、７．３ＭＰａ）にして液化二酸化炭素を超臨界二酸化炭素に変換する。
【００１２】
最後に、上記温度を保持したまま、容器の一部を開放して超臨界二酸化炭素を外部に放出し、容器内を大気圧にまで減圧し、容器内の超臨界二酸化炭素を気化させることで乾燥を終了する。この減圧時には、二酸化炭素は液化せずに気化するため、表面張力が作用する液体と気体との界面は基板の上に形成されない。このため、基板の上に形成されている超微細パターンに倒れを発生させることなく、これらを乾燥させることができる。
【００１３】
上記の超臨界乾燥のための装置としては、例えば図５に示すように、密閉可能な容器５０１内の反応室５０２に、ボンベ５０３に封入してある液化二酸化炭素を圧送ポンプ５０４により圧送する装置がある。この装置では、液化二酸化炭素導入側のバルブ５０５を開けることで、容器５０１内に液化二酸化炭素を導入し、バルブ５０５に連通している導入口５０６先端より液化二酸化炭素を吐出し、反応室５０２内のステージ５１２の上に載置されている基板５１１の上に液化二酸化炭素を注入する。
【００１４】
このとき、例えば、ボンベ５０３内の液化二酸化炭素を圧送ポンプ５０４により反応室５０２内に圧送し、この状態で排出側のバルブ５０７の開度を調節し、排出口５０９より排出される液化二酸化炭素の量を制限することで、反応室５０２内の圧力を制御している。排出側のバルブ５０７に、例えば自動圧力弁などを用いれば、上記圧力制御が可能となる。
【００１５】
上述したように、液化二酸化炭素を導入口５０６により基板の上に注入している状態で、ヒータ５１３により容器５０１を例えば３１℃程度に加温し、反応室５０２内の圧力を７．５ＭＰａ以上とすれば、反応室５０２内の基板５１１上に注入された液化二酸化炭素が超臨界状態となる。反応室５０２内の圧力は、例えば、圧送ポンプ５０４による圧送量を増加し、また、バルブ５０７を調節して反応室５０２から排出される液化二酸化炭素の量を減ずることで、上昇させることができる。
この後、バルブ５０５を閉じてバルブ５０７を開放し、反応室５０２内の圧力を低下させ、反応室５０２内に注入された超臨界状態の二酸化炭素を気化させれば、超臨界乾燥が終了する。
【００１６】
なお、出願人は、本明細書に記載した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を本件の出願時までに発見するには至らなかった。
【特許文献１】特開平７−２２６３５８号公報
【特許文献２】特開平９−８２６２９号公報
【特許文献３】特公平１−２２０８２８号公報
【特許文献４】特開平８−１９７０２１号公報
【特許文献５】特公平１−１７００２６号公報
【非特許文献１】アプライド・フィジクス・レターズ、６６巻、２６５５−２６５７頁、１９９５年
【非特許文献２】第４４回応用物理学関係連合講演会予稿集ｐ７７８、１９９７年春
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、上述したような超臨界乾燥を行う場合、リンス液が液化二酸化炭素に完全に置換されないと、パターン倒れなどの問題を完全に解消することができない。
例えば、超臨界乾燥では、図６（ａ）に示すように、基板６０１上のパターン６０２がリンス液６０３に浸漬している状態に、図６（ｂ）に示すように、液化二酸化炭素６０４を追加する。この追加により、図６（ｃ）に示すように、基板６０１の表面を濡らしていたリンス液６０３のほとんどは除去される。しかしながら、パターン６０２の微細な隙間までは液化二酸化炭素６０４が含浸しにくいため、隙間にはリンス液６０３が残る場合がある。
【００１８】
この状態で液化二酸化炭素６０４を超臨界状態にしても、図６（ｄ）に示すように、パターン６０２の間には液体であるリンス液６０３が残り、結果として、図６（ｅ）に示すように、パターン６０２の倒れが発生する。
微細なパターンの間であっても、液化二酸化炭素を導入した状態を長時間保持すれば、パターン間のリンス液を液化二酸化炭素に置換することも可能である。しかしながら、置換に長時間を必要とする状態では、実際のプロセスに適用することは現実的ではない。
【００１９】
水やアルコールなどの液体（リンス液）を液化二酸化炭素に置換する効率を、攪拌することなどにより向上させようとする技術も提案されている（特開平１１−８７３０６号公報，特開２００１−３２４２６３号公報）。しかしながら、攪拌を行うようにしても、置換に要する時間をある程度短縮できるが、実用的な時間内で、問題のない状態にまで置換を完了させることができていない。
以上説明したように、従来の超臨界乾燥では、水やアルコールなどによる液処理（リンス処理）をした後で、超臨界状態とした段階では液体状の物質が実質的に残っていないという状態を、実用的な時間内で達成できていないという問題があった。
【００２０】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、超臨界状態とした段階では液体状の物質が実質的に残っていないという状態が、従来より容易に実現できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明に係る超臨界乾燥方法は、所定のパターンが形成された基板のパターンの形成面をリンス液に晒してこのリンス液による処理を行い、所定の容器内において、パターンの形成面にリンス液が付着している状態で基板のパターンの形成面を超臨界物質の液体もしくは超臨界物質を超臨界状態とした流体のいずれか一方に所定時間浸漬し、この後、容器内の圧力及び温度を特定の条件としてリンス液及び超臨界物質を超臨界状態としてパターンの形成面が超臨界流体に晒された状態とし、最後に、容器内の超臨界流体を排出して容器内の圧力を低下させて容器内の超臨界流体を気化させるようにしたものであり、リンス液は大気雰囲気では液体である物質から構成され、超臨界物質は大気雰囲気では気体であり所定の条件で超臨界状態となる物質から構成されたものである。
この乾燥方法によれば、リンス液が、単独で存在する場合に比較してより低い温度で超臨界状態となり、パターンは、液体と気体との界面が形成される状態を経ることなく、乾燥される。
【００２２】
上記超臨界乾燥方法において、リンス液は、極性を有する有機物である。
また、上記超臨界方法において、特定の条件は、リンス液と超臨界物質との混合物が超臨界状態となる共臨界点の条件である。
また、超臨界物質は、二酸化炭素であればよい。
【発明の効果】
【００２３】
以上説明したように、本発明では、リンス液及び超臨界物質を超臨界状態としてパターンの形成面が超臨界流体に晒された状態としてから、容器内の超臨界流体を排出して容器内の圧力を低下させて容器内の超臨界流体を気化させるようにした。従って、本発明によれば、超臨界状態とした段階では液体状の物質が実質的に残っていないという状態が、より容易に実現できるようになるという優れた効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
まず、図１（ａ）に示すように、所定のパターン１０１ａが形成された基板１０１に対してリンス処理を行い、基板１０１の表面及びパターン１０１ａがリンス液１０２に浸漬した状態とする。リンス液１０２は、例えば２−プロパノールなどの、大気雰囲気では液体であり特定の条件で超臨界状態となる物質である。
【００２５】
次いで、これらを所定の高圧容器の内部（反応室内）に収容し、引き続き、反応室内に大気雰囲気では気体であり所定の条件で超臨界状態となる超臨界物質を高圧として液化した超臨界物質の液体を導入する。大気雰囲気とは、一般的に標準大気とよばれる状態の雰囲気であり、例えば、地球上（地上）気圧１０１３．２５ｈＰａ，地上気温１５℃の状態である。反応室内部は、超臨界物質が液体となる状態の圧力とする。
【００２６】
この結果、図１（ｂ）に示すように、リンス液１０２で表面が濡れている基板１０１が、超臨界物質の液体１０３に浸漬した状態となる。超臨界物質の液体１０３に浸漬した基板１０１の表面では、相容することなどにより、図１（ｃ）に示すように、一部のリンス液１０２が超臨界物質の液体１０３に置換される。
【００２７】
次に、反応室の内部圧力及び内部温度を、リンス液１０２及び超臨界物質が超臨界状態となる条件（共臨界点）とし、図１（ｄ）に示すように、基板１０１の表面が、超臨界物質の超臨界流体１０４とリンス液が超臨界状態となった超臨界流体１０５とで覆われた状態とする。なお、超臨界物質を超臨界状態として反応室に導入して充填した状態とし、この後、リンス液１０２及び超臨界物質が超臨界状態となる条件としてもよい。
【００２８】
この後、上述した内部温度を保持した状態で、反応室より内部の流体を徐々に排出し、反応室の内部圧力を低下させることで、上述した各超臨界流体を気化させ、図１（ｅ）に示すように、パターン１０１ａが形成された基板１０１の表面が乾燥した状態とする。本実施の形態によれば、この乾燥が行われる過程で、パターン１０１ａには液体状の物質（液体）が付着していない状態となっている。
【００２９】
なお、図１（ｄ）に示す状態において、超臨界流体１０５は、リンス液１０２に比較して非常に拡散しやすい状態となり、超臨界物質の超臨界流体１０４に置換されやすい状態となる。従って、超臨界状態とすることで、パターン１０１ａの間に残っていた超臨界流体１０５は、超臨界物質の超臨界流体１０４に迅速に置換されて除去された状態が得られる。
【００３０】
このような状態であれば、超臨界状態とした後、反応室の内部圧力を下げる段階で、反応室の内部温度を超臨界状態の温度に保持する必要はなく、温度を下げるようにしてもよい。パターン１０１ａの間に、温度を下げると液体になる超臨界流体１０５がないので、温度を下げてもパタン倒れの問題は発生しない。
【００３１】
次に、上述した超臨界乾燥方法を実施する超臨界乾燥装置について説明する。図２は、上述した超臨界乾燥方法を実施する超臨界乾燥装置の構成例を示す模式的な断面図である。この装置は、密閉可能な容器２０１と、容器２０１の内部に設けられた反応室２０２から構成されている。容器２０１は、例えばステンレスで構成され、壁の厚さが２０ｍｍ程度に形成されている。
【００３２】
このように形成された容器２０１は、図示していない冷媒循環制御部により循環供給される冷媒（冷水）が循環している冷却パイプ２１３により、容器２０１が冷却されるものとなっている。この機構により、密閉性を確保するためのシール２２１も冷却されるようになる。
【００３３】
また、図示しない供給手段より供給される超臨界物質の液体は、配管２０７に輸送されて反応室２０２の内部へ供給される。配管２０７の途中には、導入バルブ２０６が設けられ、供給される流体の流量の制御などが行われる。なお、配管２０７の途中に圧送ポンプを設け、供給する流体を圧送するようにしてもよい。
また、反応室２０２の内部に導入された流体は、排出口２０９より排出される。排出口２０９には、圧力制御バルブ２１０が設けられ、図示しない圧力計による反応室２０２の内部圧力の測定結果により開度を制御し、排出口２０９より排出する流体の量を制御可能としている。
【００３４】
また、反応室２０２の内部には、複数の処理対象の基板２１１を保持するホルダー（基板保持機構）２２３が、ヒータ２２２に連結して配置されている。ヒータ２２２は、例えば、容器２０１の上部を熱的に遮断された状態で嵌通して設けられている。ホルダー２２３は、ヒータ２２２により加熱可能とされ、ヒータ２２２により加熱されたホルダー２２３により、反応室２０２の内部温度が制御される。また、ホルダー２２３が加熱されることにより、ホルダー２２３に固定される各基板２２１も加熱される。
【００３５】
この超臨界乾燥装置では、例えば、圧送ポンプ２１７に圧送される超臨界物質の流体は、配管２０７により反応室２０２に輸送される。例えば、高圧で超臨界状態となる液体が圧送されている状態で、輸送された超臨界状態となる液体で反応室２０２の内部が充填された後、圧力制御バルブ２１０を閉じた状態とすれば、反応室２０２の内部を、臨界点の圧量状態とすることが可能である。この状態で、ヒータ２２２によりホルダー２２３を加熱して反応室２０２の内部温度を臨界点の温度以上とすれば、反応室２０２の内部に充填された超臨界状態となる液体は、超臨界状態となる。
【００３６】
また、測定される反応室２０２の内部の圧力値が臨界点の圧力を保持する範囲で、圧力制御バルブ２１０の開度を調整し、また、上記圧力値が臨界点の圧力を保持する範囲で、圧送ポンプによる圧送の圧力を調整することも可能である。このようにすることで、反応室２０２の内部に、常に新たな超臨界流体が供給され、反応室２０２の内部の超臨界流体が常に更新されている状態が得られる。
【００３７】
ここで、上述したリンス液と超臨界物質とが混在した状態における超臨界状態について説明する。以下では、リンス液として２−プロパノール、超臨界物質として二酸化炭素を用いた場合を例に説明する。
【００３８】
図３は、二酸化炭素と２−プロパノールとの混合物の共臨界点の変化を示している。液体であるリンス液と気体である超臨界物質の混合物における臨界温度・臨界圧力は、組成比で変化する。２−プロパノールと二酸化炭素の組み合わせの場合、臨界温度は直線的に変化する。また、これらの組み合わせの場合、臨界圧力は極大値を持つように変化する。反応室内もしくは処理対象の基板表面における、リンス液と超臨界物質との組成比が判明していれば、リンス液と超臨界物質とをともに超臨界状態にする条件を容易に設定することができる。
【００３９】
例えば、２−プロパノールによるリンス処理をした後、２−プロパノールで濡れている基板を反応室内に搬入し、この反応室内を液化二酸化炭素で充填すると、微細なパターンが形成されている基板の表面では、２−プロパノールと二酸化炭素との比が、１：１０以下となる。この比が１：１０であれば、反応室の内部条件を圧力９ＭＰａ，温度６７℃（３４０Ｋ）とすれば、基板の表面の混合流体は超臨界状態となる。また、２−プロパノールが３０％反応室内に残留する場合には、反応室の内部条件を１３ＭＰａ・９７℃（３７０Ｋ）にすればよい。
【００４０】
以上に示したように、リンス液を単独で超臨界状態とする場合に比較し、超臨界物質を加えた状態で超臨界状態とすることで、臨界温度をより低い状態とすることが可能となる。この結果、時間を短縮できるなど、より容易に超臨界乾燥が行えるようになる。大気雰囲気では液体であるリンス液を単独で超臨界状態とすることは、容易ではない場合が多い。これに対し、超臨界物質を加えて共臨界点条件で超臨界状態とすることで、より容易に超臨界乾燥が行えるようになる。
【００４１】
また、リンス処理の前に水による処理がされており、基板の上の微細なパターン間に微量の水が残っていると、アルコールなどの極性溶剤によるリンス処理を施しても、残っている水をアルコールに完全には置換できない場合がある。このような場合であっても、上述したことで超臨界状態となったアルコールにより、残っている水をクラスター構造とし、微細なパターン間より搬送して除去することが可能となるものと考えられる。
【００４２】
以下、本発明の超臨界乾燥方法について、実施例を持ってより詳細に説明する。
まず、５０ｎｍの間隔で５０ｎｍの幅の複数のストライプパターンが形成されたシリコン基板を用意し、この基板を２−プロパノールに浸漬してリンス処理をする。
次いで、この基板を反応室の内部に搬入し、この反応室の内部を液化二酸化炭素で充填する。例えば、液化二酸化炭素を１００ｍｌ／ｍｉｎで圧送することで、反応室内部を液化二酸化炭素で充填する。なお、反応室の内部温度は２３℃とする。
【００４３】
反応室の内部が液化二酸化炭素で充填された後、反応室の内部を２００℃・１０ＭＰａの状態とし、２−プロパノールと液化二酸化炭素とを同時に超臨界状態とする。
この後、反応室の温度を保持したまま、反応室の内部の流体を徐々に排出して反応室内部の圧力を低下させる。このことにより、反応室の内部の超臨界状態は気化する。反応室の内部圧力が大気圧程度となったところで、基板を搬出する。基板の上に形成されているパターンに倒れが発生することなく、乾燥された状態が得られる。
【００４４】
なお、上述では、リンス液として２−プロパノールを例にしたが、これに限るものではない。アルコール類，ケトン類，およびエーテル類など、極性を有する有機物（有機溶媒）をリンス液として用いることができる。また、フッ化プロパノールなどのフッ素アルコールをリンス液として用いるようにしてもよい。また、洗浄剤として一般に利用されているハイドロクロロフルオロカーボンなどのフッ素系溶剤をリンス液として用いるようにしてもよい。
【００４５】
また、フッ化炭素類や炭化水素などの非極性の有機物の液体であってもよい。例えば炭素の数が３以上のフッ化炭素類であれば大気圧下で液体であり、リンス液として用いることができる。また、当然であるが、水をリンス液として用いるようにしてもよい。水を二酸化炭素などの超臨界物質と混合することで、より低い温度で超臨界状態とすることが可能となる。
また、リンス液は、単独の物質から構成されたものに限らず、混合液であっても良く、また、界面活性剤などが添加されていてもよい。
【００４６】
また、超臨界物質としては、二酸化炭素の他に、亜酸化質素やフッ化炭素類などを用いることができる。
例えば、超臨界物質は、三フッ化メタンやフッ化カルボニルなどのフッ化カルボニル系の化合物であってもよい。三フッ化メタンやフッ化カルボニルは、常温常圧（温度１５℃、気圧１０１３．２５ｈＰａ程度）で、気体の状態であり、より低い臨界点で超臨界状態となる。
【００４７】
同様に、超臨界物質は、ＣＨ2Ｆ2，（臨界温度７８℃，臨界圧力５．８３ＭＰａ）、ＣＨ3Ｆ（臨界温度４４℃，臨界圧力５．８８ＭＰａ）、Ｃ2ＨＦ5（臨界温度６６℃，臨界圧力３．６２ＭＰａ）、Ｃ2Ｆ3Ｈ3（臨界温度７３℃，臨界圧力３．７６ＭＰａ）、Ｃ2Ｈ2Ｆ4（臨界温度１０１℃，臨界圧力４．０６ＭＰａ）、Ｃ2Ｈ4Ｆ2（臨界温度１１３℃，臨界圧力４．５ＭＰａ）などのフッ化炭素類を用いるようにしてもよい。これらも、臨界温度が１００℃近辺もしくは１００℃以下と、扱いやすい材料である。
【００４８】
また、超臨界物質は、ＣＦ3ＯＦ，ＣＦ3ＣＯＦ，ＣＨＦ2ＯＣＨＦ2，ＦＮＯ，Ｆ3ＮＯを用いるようにしても良く、フッ化カルボニル系化合物の他に、ハイポフルオライト化合物や、ハロゲン化窒素化合物を用いるようにしても良い。また、超臨界物質は、窒素や、ヘリウム，アルゴン，キセノンなどの不活性ガスであってもよい。ただし、二酸化炭素は、扱いやすい超臨界物質である。
なおまた、上述では、シリコンのパターンを乾燥する場合について説明したが、これに限るものではなく、リソグラフィー技術のマスクパターンに用いられるレジストパターンの乾燥にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施の形態における超臨界乾燥方法を説明するための工程図である。
【図２】超臨界乾燥装置の構成例を示す模式的な断面図である。
【図３】二酸化炭素と２−プロパノールとの混合物の共臨界点の変化を示す特性図である。
【図４】パターン倒れを示す模式的な断面図である。
【図５】従来よりある超臨界乾燥装置の構成を概略的に示す模式的な断面図である。
【図６】従来よりある超臨界乾燥方法を説明するための工程を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０１…基板、１０１ａ…パターン、１０２…リンス液、１０３…超臨界物質の液体、１０４…超臨界物質の超臨界流体、１０５…超臨界流体。
【図１】
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【図２】
2005101074.tif 000004
【図３】
2005101074.tif 000005
【図４】
2005101074.tif 000006
【図５】
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【図６】
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