(57)【要約】【課題】  等価直列抵抗が小さく、かつ漏れ電流が十分に低減された固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供することである。【解決手段】  固体電解コンデンサ１００においては、陽極１の表面に、誘電体層２、二酸化マンガン層３、導電性高分子層４、カーボン層５および銀ペイント（ペースト）層６が順に形成されている。陽極１は、ニオブにより形成される。二酸化マンガン層３および導電性高分子層４が電解質層を構成する。銀ペイント層６には、導電性接着剤７を介して陰極端子９が接続され、陽極１に陽極端子８が接続されている。陽極端子８および陰極端子９の端部が外部に引き出されるようにモールド外装樹脂１０が形成されている。誘電体層２にフッ素を含有させることがより好ましい。【選択図】        図１
2005259759.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニオブからなる陽極を備え、前記陽極の表面に酸化ニオブからなる誘電体層が形成され、前記誘電体層上に二酸化マンガンおよび導電性高分子を含む電解質層が形成されたことを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項２】
前記電解質層は、前記誘電体層上に形成された二酸化マンガン層と、前記二酸化マンガン層上に形成された導電性高分子層とを含むことを特徴とする請求項１記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】
前記誘電体層は、フッ素を含有することを特徴とする請求項１または２記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】
前記誘電体層のフッ素の含有率が０．０１重量％以上１．０重量％以下であることを特徴とする請求項３記載の固体電解コンデンサ。
【請求項５】
ニオブからなる陽極の表面を酸化させることにより酸化ニオブからなる誘電体層を形成し、前記誘電体層上に二酸化マンガンおよび導電性高分子を含む電解質層を形成することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項６】
フッ素イオンを含む溶液中で陽極を酸化させることにより前記誘電体層を形成することを特徴とする請求項５記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項７】
前記溶液が、フッ化アンモニウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウムおよびフッ酸よりなる群から選択された少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項６記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体電解コンデンサおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ニオブは従来の固体電解コンデンサの材料であるタンタルに比べて誘電率が約１．８倍大きいことから、次世代の高容量固体電解コンデンサの材料として注目されている。
【０００３】
特許文献１には、タンタル、ニオブ等の弁作用金属粉末を焼結してなる陽極焼結体に二酸化マンガンからなる固体電解質および陰極用導電層を順次形成した固体電解コンデンサが開示されており、特許文献２には、タンタル、およびニオブからなる多孔体表面に誘電体層および導電性高分子層を順次形成した固体電解コンデンサが開示されている。
【特許文献１】特開平０７−１５３６５０号公報
【特許文献２】特開平１１−２１９８６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１記載の固体電解コンデンサにおいては、二酸化マンガンの導電性が低いためＥＳＲ（等価直列抵抗）が大きくなる問題点がある。また、特許文献２記載の固体電解コンデンサにおいては、漏れ電流を十分に低減することができない。
【０００５】
本発明の目的は、等価直列抵抗が小さく、かつ漏れ電流が十分に低減された固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の発明に係る固体電解コンデンサは、ニオブからなる陽極を備え、陽極の表面に酸化ニオブからなる誘電体層が形成され、誘電体層上に二酸化マンガンおよび導電性高分子を含む電解質層が形成されたものである。
【０００７】
本発明に係る固体電解コンデンサにおいては、誘電体層に欠陥が生成した場合でも、酸化力の強い二酸化マンガンにより誘電体層の欠陥が修復されるものと考える。それにより、固体電解コンデンサの漏れ電流が抑制される。また、導電性高分子により電解質層の導電性が向上する。それにより、等価直列抵抗が低減される。その結果、等価直列抵抗が小さく、かつ漏れ電流が十分に低減された固体電解コンデンサを得ることができる。
【０００８】
電解質層は、誘電体層上に形成された二酸化マンガン層と、二酸化マンガン層上に形成された導電性高分子層とを含んでもよい。
【０００９】
この場合、誘電体層上に二酸化マンガン層が形成されているので、誘電体層に生じる欠陥を酸化力の強い二酸化マンガン層により十分に修復することができる。また、二酸化マンガン層上に導電性高分子層が形成されているので、電解質層の導電性を均一に向上させることができる。
【００１０】
誘電体層は、フッ素を含有してもよい。誘電体層に含有されたフッ素は、誘電体層中の欠陥の生成を抑制する。その結果、さらに漏れ電流を抑制することができる。
【００１１】
誘電体層のフッ素の含有率が０．０１重量％以上１．０重量％以下であることが好ましい。フッ素の含有量が０．０１重量％未満の場合、誘電体層の欠陥の生成を十分に抑制できない。一方、フッ素の含有量が１．０重量％を超えた場合、過剰のフッ素が誘電体層中にドープされるため、逆に誘電体層に欠陥を生じさせる場合がある。誘電体層のフッ素の含有率が０．０１重量％以上１．０重量％以下である場合には、欠陥の生成を抑制することができる。その結果、十分に漏れ電流を抑制することができる。
【００１２】
第２の発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は、ニオブからなる陽極の表面を酸化させることにより酸化ニオブからなる誘電体層を形成し、誘電体層上に二酸化マンガンおよび導電性高分子を含む電解質層を形成するものである。
【００１３】
第２の発明に係る固体電解コンデンサの製造方法においては、誘電体層に欠陥が生成した場合でも、酸化力の強い二酸化マンガンにより誘電体層の欠陥が修復されるものと考える。それにより、固体電解コンデンサの漏れ電流が抑制される。また、導電性高分子により電解質層の導電性が向上する。それにより、等価直列抵抗が低減される。その結果、等価直列抵抗が小さく、かつ漏れ電流が十分に低減された固体電解コンデンサを得ることができる。
【００１４】
フッ素イオンを含む溶液中で陽極を酸化させることにより誘電体層を形成してもよい。この場合、誘電体層がフッ素を含有する。誘電体層に含有されたフッ素は、誘電体層中の欠陥の生成を抑制する。その結果、さらに漏れ電流を抑制することができる。また、固体電解コンデンサに含まれるフッ素の含有量は、溶液中のフッ素イオンの濃度を調整することにより変化させることができる。
【００１５】
溶液が、フッ化アンモニウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウムおよびフッ酸よりなる群から選択された少なくとも１種を含んでもよい。
【００１６】
フッ化アンモニウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウムおよびフッ酸の少なくとも１種を含む溶液中で陽極酸化を行うことにより誘電体層にフッ素を含有させることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、等価直列抵抗が小さく、かつ漏れ電流が十分に低減された固体電解コンデンサを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を実施の形態に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明は下記実施の形態に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能なものである。
【００１９】
（第１の実施の形態）
図１は第１の実施の形態に係る固体電解コンデンサの構造図である。
【００２０】
図１に示すように、固体電解コンデンサ１００においては、陽極１の表面に、誘電体層２、二酸化マンガン層３、導電性高分子層４、カーボン層５および銀ペイント（ペースト）層６が順に形成されている。陽極１は、ニオブにより形成される。二酸化マンガン層３および導電性高分子層４が電解質層を構成する。
【００２１】
銀ペイント層６には、導電性接着剤７を介して陰極端子９が接続され、陽極１に陽極端子８が接続されている。陽極端子８および陰極端子９の端部が外部に引き出されるようにモールド外装樹脂１０が形成されている。
【００２２】
陽極１は、ニオブ粒子の多孔質焼結体からなる。ニオブ粒子の多孔質焼結体は大きな表面積を有するため、大容量化が可能となる。誘電体層２は絶縁性の高い酸化ニオブ（Ｎｂ2 Ｏ5 ）からなる。
【００２３】
二酸化マンガン層３は、二酸化マンガン（ＭｎＯ2 ）からなる。導電性高分子層４は、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性高分子からなる。カーボン層５はカーボンペーストからなり、銀ペイント層６は、銀粒子、保護コロイドまたは／および有機溶媒を混合することによる銀ペーストからなる。
【００２４】
次に、本発明の実施の形態に係る固体電解コンデンサ１００の製造方法について説明する。
【００２５】
まず、ニオブ粒子の粉体を焼結させることにより多孔質焼結体からなる陽極１を形成する。この場合、ニオブ粒子間が溶着する。
【００２６】
次に、陽極１をリン酸水溶液中で酸化させることにより、陽極１の表面に酸化ニオブ（Ｎｂ2 Ｏ5 ）からなる誘電体層２を形成する。
【００２７】
次いで、誘電体層２が形成された陽極１を硝酸マンガン水溶液中に含浸させ、熱処理を行う。それにより、誘電体層２の表面は二酸化マンガン層３で被覆される。
【００２８】
続いて、電解重合等によりポリピロールまたはポリチオフェン等の導電性高分子からなる導電性高分子層４で二酸化マンガン層３の表面を被覆する。
【００２９】
その後、導電性高分子層４上にカーボンペーストを塗布することにより、導電性高分子層４上にカーボン層５を形成する。さらに、カーボン層５上に銀ペーストを塗布し、所定の温度で乾燥させることによりカーボン層５上に銀ペイント層６を形成する。銀ペイント層６に導電性接着剤７を介して陰極端子９を接続する。また、ニオブからなる陽極１に陽極端子８を接続する。
【００３０】
その後、陽極端子８および陰極端子９の端部が外部に引き出されるようにモールド外装樹脂１０を形成する。以上の方法により、固体電解コンデンサ１００が作製される。
【００３１】
以上のように、第１の実施の形態に係る固体電解コンデンサ１００においては、誘電体層２の表面に二酸化マンガン層３および導電性高分子層４が順に形成される。この固体電解コンデンサ１００をリフロー等の工程において高熱に晒した場合、誘電体層２の一部に酸素欠損が生じた酸化物（欠陥）が生じる。この欠陥は、導電性が高いため電解質層と接触し短絡するため漏れ電流が大きくなる。
【００３２】
しかし、この場合でも誘電体層２の表面に二酸化マンガン層３が形成されているので、二酸化マンガン層３の酸化力により、欠陥が修復されて漏れ電流を抑制できる。
【００３３】
また、導電性高分子の電導度（１０2 （Ｓ／ｃｍ））は、二酸化マンガンの電導度（１０-1（Ｓ／ｃｍ））よりも大きい。固体電解コンデンサ１００においては、二酸化マンガン層３上に導電性高分子層４が形成されているので、電解質層の導電性が均一に向上する。その結果、ＥＳＲ（等価直列抵抗）を低く抑えることができる。
【００３４】
以上のことより、本実施の形態に係る固体電解コンデンサ１００では、等価直列抵抗を小さく、かつ漏れ電流を十分に低減することができる。
【００３５】
（第２の実施の形態）
図２は第２の実施の形態に係る固体電解コンデンサの構造図である。
【００３６】
図２に示す固体電解コンデンサ１００ａが、図１の固体電解コンデンサ１００と異なるのは以下の点である。
【００３７】
図２に示すように、固体電解コンデンサ１００ａにおいては、陽極１の表面に、誘電体層２ａ、二酸化マンガン層３、導電性高分子層４、カーボン層５および銀ペイント（ペースト）層６が順に形成されている。誘電体層２ａは、フッ素を含有した絶縁性の高い酸化ニオブ（Ｎｂ2 Ｏ5 ）からなる。
【００３８】
次に、第２の実施の形態に係る固体電解コンデンサ１００ａの製造方法について説明する。図２の固体電解コンデンサ１００ａが図１の固体電解コンデンサ１００の製造方法と異なるのは以下の点である。
【００３９】
まず、ニオブ粒子の粉体を焼結させることにより多孔質焼結体からなる陽極１を形成する。この場合、ニオブ粒子間が溶着する。
【００４０】
次に、陽極１をフッ化アンモニウム水溶液中で酸化させることにより、陽極１の表面にフッ素を含んだ酸化ニオブ（Ｎｂ2 Ｏ5 ）からなる誘電体層２ａを形成する。
【００４１】
以下、第１の実施の形態の固体電解コンデンサ１００と同様に二酸化マンガン層３、導電性高分子層４、カーボン層５、銀ペイント層６、導電性接着剤７、陽極端子８および陰極端子９を順に形成する。その後、陽極端子８および陰極端子９の端部が外部に引き出されるようにモールド外装樹脂１０を形成する。以上の方法により、固体電解コンデンサ１００ａが作製される。
【００４２】
以上のように、第２の実施の形態に係る固体電解コンデンサ１００ａにおいては、固体電解コンデンサ１００ａの誘電体層２ａがフッ素を含むことにより、誘電体層中の欠陥の生成を抑制することができる。その結果、さらに漏れ電流を抑制することができる。
【００４３】
以上のことより、本実施の形態に係る固体電解コンデンサ１００ａは、等価直列抵抗を小さく、かつ漏れ電流を十分に低減することができる。
【実施例】
【００４４】
以下の実施例１においては、上記第１の実施の形態に基づいて固体電解コンデンサを作製し、実施例２〜１５においては、上記第２の実施の形態に基づいて固体電解コンデンサを作製し、評価を行った。
【００４５】
（実施例１）
実施例１では、次の方法で図１に示す固体電解コンデンサ１００を作製した。
【００４６】
（酸化ステップ１）
まず、平均粒径１０ｎｍのニオブ粉末を焼結させて、多孔質焼結体からなる陽極１を形成した。これによりニオブ粒子間が溶着する。その陽極１を６０℃に保持した０．５重量％のリン酸水溶液中において１０Ｖの定電圧で１０時間酸化させ、陽極１の表面に酸化ニオブからなる誘電体層２を形成した。
【００４７】
（二酸化マンガン層形成ステップ）
次に、誘電体層２が形成された陽極１を硝酸マンガン水溶液（モル濃度１ｍｏｌ／Ｌ）中に５分間含浸させた。その後、２５０℃で１時間熱処理を行い、誘電体層２の表面を二酸化マンガンで被覆した。このステップを３回繰り返すことにより、誘電体層２の表面に十分な厚みの二酸化マンガン層３を形成した。
【００４８】
（導電性高分子層形成ステップ）
続いて、電解重合によりポリピロールの導電性高分子からなる導電性高分子層４で二酸化マンガン層３の表面を被覆した。
【００４９】
（電極形成ステップ）
その後、導電性高分子層４上にカーボンペーストを塗布することにより、導電性高分子層４上にカーボン層５を形成した。さらに、カーボン層５上に銀ペーストを塗布し、所定の温度で乾燥させることによりカーボン層５上に銀ペイント層６を形成した。銀ペイント層６に導電性接着剤７を介して陰極端子９を接続した。また、陽極１に陽極端子８を接続した。
【００５０】
以上の方法により、実施例１における固体電解コンデンサ１００を作製した。
【００５１】
（実施例２）
実施例２では、次の方法で図２に示す固体電解コンデンサ１００ａを作製した。
【００５２】
（酸化ステップ２）
まず、平均粒径１０ｎｍのニオブ粉末を焼結させて、多孔質焼結体からなる陽極１を形成した。これによりニオブ粒子間が溶着する。その陽極１を６０℃に保持した０．１重量％のフッ化アンモニウム水溶液中（フッ素イオン濃度０．０５重量％）において１０Ｖの定電圧で１０時間酸化させ、陽極１の表面に酸化ニオブからなる誘電体層２ａを形成した。
【００５３】
その他の点については、実施例１と同様の二酸化マンガン層形成ステップ、導電性高分子層形成ステップおよび電極形成ステップを行い、固体電解コンデンサ１００ａを作製した。
【００５４】
（比較例１）
比較例１では、実施例１の導電性高分子層形成ステップを行わずに、実施例１における酸化ステップ１、二酸化マンガン層形成ステップおよび電極形成ステップの方法を用いて比較例１における固体電解コンデンサを作製した。
【００５５】
（比較例２）
比較例２では、実施例１の二酸化マンガン層形成ステップを行わずに、実施例１における酸化ステップ１、導電性高分子層形成ステップおよび電極形成ステップの方法を用いて比較例１における固体電解コンデンサを作製した。
【００５６】
（比較例３）
比較例３では、実施例２の導電性高分子層形成ステップを行わずに、実施例２における酸化ステップ２、二酸化マンガン層形成ステップおよび電極形成ステップの方法を用いて比較例３における固体電解コンデンサを作製した。
【００５７】
（比較例４）
比較例４では、実施例２の二酸化マンガン層形成ステップを行わずに、実施例２における酸化ステップ２、導電性高分子層形成ステップおよび電極形成ステップの方法を用いて比較例４における固体電解コンデンサを作製した。
【００５８】
（評価）
まず、実施例２の固体電解コンデンサの陽極１および誘電体層２についてＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光分析装置：Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）にてニオブ、酸素およびフッ素の分布状態を測定した。
【００５９】
図３は、実施例２の固体電解コンデンサについてのＥＳＣＡによる測定結果を示す図である。
【００６０】
図３において、縦軸は固体電解コンデンサ中の元素の含有量を示し、横軸はスパッタ時間を示す。スパッタ時間は、固体電解コンデンサの厚み方向の位置に対応する。スパッタ時間の１分が、ほぼ厚み１０ｎｍに対応する。また、厚み２７ｎｍ〜２８ｎｍ（スパッタ時間２．７分〜２．８分）において陽極１と誘電体層２との界面が存在する。
【００６１】
実施例２の固体電解コンデンサ１００ａの誘電体層２には、０．２重量％の濃度のフッ素が含有されていた。また、図３より陽極１と誘電体層２との間にフッ素が多く含有されていることがわかった。これはニオブと酸素との結合力よりもニオブとフッ素との結合力の方が強いため、酸化ステップ２の際に陽極１の表面付近に酸素の代わりにフッ素が入り込んだためと考えられる。それにより、陽極１と誘電体層２との界面近傍のフッ素の含有率が高い部分では、酸素の含有率が低くなっている。
【００６２】
また、実施例１，２および比較例１〜４の固体電解コンデンサの熱処理後の漏れ電流および等価直列抵抗を測定した。
【００６３】
漏れ電流の計測方法は、以下のとおりである。まず、実施例１，２および比較例１〜４の固体電解コンデンサを２５０℃で１０分間熱処理を施した。続いて、５Ｖの定電圧を印加し、２０秒後の電流をそれぞれ測定した。それらの測定結果を表１に示す。
【００６４】
なお、表１においては、実施例１，２および比較例１〜４の固体電解コンデンサの漏れ電流および等価直列抵抗（ＥＳＲ）の測定結果を実施例２の測定結果を１００として規格化し、規格化した漏れ電流および等価直列抵抗の値を示している。
【００６５】
【表１】
2005259759.tif 000003
【００６６】
表１に示すように、実施例１の固体電解コンデンサは、実施例２の固体電解コンデンサとほぼ等しい等価直列抵抗を示し、実施例２の固体電解コンデンサの１．８倍の漏れ電流を生じる。
【００６７】
また、比較例１の固体電解コンデンサは、実施例２の固体電解コンデンサの５倍の等価直列抵抗を示し、４倍の漏れ電流を生じる。比較例２の固体電解コンデンサは、実施例２の固体電解コンデンサとほぼ同じ等価直列抵抗を示すが、実施例２の１０倍の漏れ電流を生じる。
【００６８】
比較例３の固体電解コンデンサは、実施例２の固体電解コンデンサの５倍の等価直列抵抗を示し、３．５倍の漏れ電流を生じる。比較例４の固体電解コンデンサは、実施例２の固体電解コンデンサとほぼ同じ等価直列抵抗を示すが、実施例２の７倍の漏れ電流を生じる。
【００６９】
以上のことから、誘電体層２ａの表面に二酸化マンガン層３および導電性高分子層４が形成された実施例１および実施例２の固体電解コンデンサでは、表面に二酸化マンガン層３および導電性高分子層４の一方のみが形成された比較例１〜比較例４の固体電解コンデンサに比べて、等価直列抵抗が小さく、かつ漏れ電流が十分に低減されていることがわかった。
【００７０】
また、実施例１および比較例１との測定結果、または実施例２と比較例３との測定結果から、二酸化マンガン層３の表面に導電性高分子層４が形成されない場合、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が大きくなることがわかった。
【００７１】
さらに、実施例１および比較例２との測定結果、または実施例２と比較例４との測定結果から、誘電体層２ａの表面に二酸化マンガン層３が形成されない場合、漏れ電流を低減できないことがわかった。
【００７２】
また、実施例１および実施例２との測定結果から、誘電体層２ａにフッ素を含有させることにより、欠陥の生成を低減させることができ、漏れ電流の値を十分に低減できることがわかった。
【００７３】
（実施例３〜１１）
次に、実施例３〜１１においては、フッ素の含有量と漏れ電流との相関性についての検証を行った。
【００７４】
ここで、実施例３〜１１においては、実施例２の固体電解コンデンサ１００ａの作製工程における酸化ステップ２のフッ化アンモニウム水溶液の濃度を変化させ、固体電解コンデンサを作製した。
【００７５】
実施例３〜１１における酸化ステップ２のフッ化アンモニウム水溶液の濃度は、０．００３、０．００５、０．０１、０．０２、０．１、０．２、０．５、１．０および１．２重量％である。
【００７６】
その他の点については、実施例２と同様に固体電解コンデンサを作製した。なお、実施例７の固体電解コンデンサは実施例２で作製した固体電解コンデンサと同じである。
【００７７】
（評価）
実施例３〜１１の固体電解コンデンサについて誘電体層中のフッ素含有量、漏れ電流および等価直列抵抗を表２に表す。
【００７８】
なお、表２においても、表１と同様に、実施例３〜１１の固体電解コンデンサの漏れ電流および等価直列抵抗の測定結果を実施例７の固体電解コンデンサの漏れ電流および等価直列抵抗の測定結果を１００として規格化し、規格化した漏れ電流および等価直列抵抗の値を示している。
【００７９】
また、ＥＳＣＡで定量分析した結果、実施例３〜１１の固体電解コンデンサの誘電体層２中のフッ素含有量は、それぞれ０．００５、０．０１、０．０２、０．１、０．２、０．５、０．７５、１．０および１．２重量％であった。
【００８０】
【表２】
2005259759.tif 000004
【００８１】
表２より、誘電体層２中のフッ素含有量が０．０１重量％以上１．０重量％以下のニオブ固体電解コンデンサであれば、漏れ電流の小さい固体電解コンデンサが得られることがわかった。等価直列抵抗は、フッ素含有量にほとんど依存せず低い値となった。
【００８２】
したがって、誘電体層２中のフッ素含有量が０．０１重量％以上１．０重量％以下のニオブ固体電解コンデンサは、等価直列抵抗が小さく、かつ漏れ電流が十分に低減されていることがわかった。
【００８３】
（実施例１２〜１５）
次に、実施例１２〜１５においては、陽極１の酸化時に用いる溶液種と固体電解コンデンサの漏れ電流との相関性について検証を行った。
【００８４】
（実施例１２）
実施例１２では、実施例２の酸化ステップ２において用いた０．１重量％のフッ化アンモニウム水溶液（フッ素イオン濃度０.０５重量％）の代わりに０．１６重量％のフッ化カリウム水溶液（フッ素イオン濃度０．０５重量％）を用いた。
【００８５】
その他の点については、実施例２と同様の二酸化マンガン層形成ステップ、導電性高分子層形成ステップおよび電極形成ステップを行い、固体電解コンデンサを作製した。
【００８６】
（実施例１３）
実施例１３では、実施例２の酸化ステップ２において用いた０．１重量％のフッ化アンモニウム水溶液（フッ素イオン濃度０.０５重量％）の代わりに０．１１重量％のフッ化ナトリウム水溶液（フッ素イオン濃度０．０５重量％）を用いた。
【００８７】
その他の点については、実施例２と同様の二酸化マンガン層形成ステップ、導電性高分子層形成ステップおよび電極形成ステップを行い、固体電解コンデンサを作製した。
【００８８】
（実施例１４）
実施例１４では、実施例２の酸化ステップ２において用いた０．１重量％のフッ化アンモニウム水溶液（フッ素イオン濃度０.０５重量％）の代わりに０．０５重量％のフッ酸水溶液（フッ素イオン濃度０．０５重量％）を用いた。
【００８９】
その他の点については、実施例２と同様の二酸化マンガン層形成ステップ、導電性高分子層形成ステップおよび電極形成ステップを行い、固体電解コンデンサを作製した。
【００９０】
（実施例１５）
実施例１５では、実施例２と同様の酸化ステップ２、二酸化マンガン層形成ステップ、導電性高分子層形成ステップおよび電極形成ステップを行い、固体電解コンデンサを作製した。
【００９１】
なお、実施例１５の固体電解コンデンサは実施例２または実施例７で作製した固体電解コンデンサと同じである。
【００９２】
（評価）
実施例１２〜１５の固体電解コンデンサについて作製時に使用した溶液、漏れ電流および等価直列抵抗を表３に表す。
【００９３】
【表３】
2005259759.tif 000005
【００９４】
なお、表３においても、表１と同様に、実施例１２〜１５の固体電解コンデンサの漏れ電流および等価直列抵抗の測定結果を実施例１５の固体電解コンデンサの漏れ電流および等価直列抵抗の測定結果を１００として規格化し、規格化した漏れ電流および等価直列抵抗の値を示している。
【００９５】
表３に示すように、実施例１２〜１４の固体電解コンデンサは、実施例１５の固体電解コンデンサと同様に、等価直列抵抗が小さく、かつ漏れ電流が十分に低減されていることがわかった。
【００９６】
その結果、フッ化アンモニウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウムおよびフッ酸の少なくとも１種を含む溶液中で陽極酸化を行うことにより誘電体層にフッ素を含有させることができ、漏れ電流が十分に低減された固体電解コンデンサを作製することができることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００９７】
本発明は、固体電解コンデンサおよびその製造方法において利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】第１の実施の形態に係る固体電解コンデンサの構造図である。
【図２】第２の実施の形態に係る固体電解コンデンサの構造図である。
【図３】実施例２の固体電解コンデンサについてのＥＳＣＡによる測定結果を示す図である。
【符号の説明】
【００９９】
１  陽極
２  誘電体層
３  二酸化マンガン層
４  導電性高分子層
５  カーボン層
６  銀ペイント（ペースト）層
７  導電性接着剤
８  陽極端子
９  陰極端子
１０  モールド外装樹脂
【図１】
2005259759.tif 000006
【図２】
2005259759.tif 000007
【図３】
2005259759.tif 000008