(57)【要約】【課題】微細な配線層（例えば、信号配線層等）を有する層と比較的粗い配線層を有する層とに層別し、配線層のパターン幅及びパターン密度に応じて、層毎にパターン形成方法（セミアディテイブ法、ブトラクティブ法）を使い分ける多層配線基板の製造方法及び多層配線基板を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁基材１１の一方の面にランド４１ａ、配線層４１ｂ及び信号配線層４１ｃがセミアディティブ法で、さらに絶縁層６１を介してランド４４ａ、電源層４４ｄがサブトラクティブ法で、絶縁基材１１の他方の面にランド４２ａ、配線層４２ｂ及び電源層４２ｄがサブトラクティブ法で、さらに絶縁層６１を介してランド４６ａ、配線層４６ｂがサブトラクティブ法でそれぞれ形成された４層配線基板２００を得る。【選択図】図１
2005136282.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材上に絶縁層を介して配線層が形成され、上下の配線層がビアにて電気的に接続されてなる多層配線基板において、前記配線層がパターン幅及びパターン密度に応じて、層毎にセミアディティブ法、もしくはサブトラクティブ法のいずれかにより形成されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記配線層の膜厚が３〜１８μｍ、前記絶縁層の膜厚が３〜５０μｍであることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
リールツーリール工法により製造される多層配線基板の製造方法であって、少なくとも以下の工程を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板の製造方法。
（ａ）絶縁基材（１１）の一方の面に薄膜導体層（２１）を形成する工程。
（ｂ）薄膜導体層（２１）上の所定位置にパターンめっき用のレジストパターン（３１）を形成する工程。
（ｃ）薄膜導体層（２１）を給電層にして電解めっきを行い、レジストパターン（３１）間に所定厚の導体層（４１）を形成する工程。
（ｄ）レジストパターン（３１）を剥離する工程。
（ｅ）絶縁基材（１１）の他方の面の所定位置にビア用孔（１２）を形成する工程。
（ｆ）絶縁基材（１１）の両面に薄膜導体層（２２）を形成する工程。
（ｇ）絶縁基材（１１）の一方の面に保護膜（５１）を形成し、薄膜導体層（２２）を給電層にして電解めっきを行い、導体層（４２）及びフィルドビア（４３）を形成する工程。
（ｈ）導体層（４２）上の所定位置にエッチングマスク用のレジストパターン（３２）を形成する工程。
（ｉ）レジストパターン（３２）をマスクにして導体層（４２）をエッチングし、レジストパターン（３２）を剥離処理して、絶縁基材（１１）の他方の面にランド（４２ａ）、配線層（４２ｂ）及び電源層（４２ｄ）等を形成する工程。
（ｊ）保護膜（５１）を剥離処理して、薄膜導体層（２１）及び（２２）をフラッシュエッチングにて除去し、絶縁基材（１１）の一方の面のランド（４１ａ）、配線層（４１ｂ）及び信号配線層（４１ｃ）等をセミアディティブ法で、他方の面のランド（４２ａ）、配線層（４２ｂ）及び電源層（４２ｄ）等をサブトラクティブ法でそれぞれ形成する工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基材上に絶縁層を介して少なくとも２層以上の配線層が形成されており、上下の配線層がビアにて電気的に接続されてなる多層配線基板に関し、さらに詳しくは、層毎に配線層のパターン幅に応じてパターン形成方法（セミアディテイブ法、ブトラクティブ法）を使い分ける多層配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の性能向上指向は年々高まり、高密度化、高速化しており、そこに用いられる実装基板にもその対応が求められれている。また、実装基板に組み込まれる半導体の性能も飛躍的に向上し、多端子化の傾向にあり、さらに取り扱われる電気信号も高周波化してきている。一方で、コンピューターのハードディスク内のプリント基板や携帯電話に代表される携帯端末機におけるプリント基板は搭載面積が限られ、さらには製品自体が短薄軽小の傾向に発展しているため、半導体を実装する配線基板（半導体パッケージやプリント基板）も同様の傾向にある。
【０００３】
そこで、実装基板の高密度化、高性能化に対応するためには、細線配線回路を有する高精度多層配線基板が求められている。さらに、信号伝送の際の反射や遅延といった伝送劣化を最小限にとどめ、かつ、限られた実装面積内に納めようとすると配線層の細線化と配線層を多層化する必要があり、結果、高精度多層配線基板が要求される。細線化には量産時の歩留まりを考慮すると、１５μｍが限界であると言われており、配線層を多層化することで細線化を緩和する対策がとられている。
【０００４】
また、多層配線基板の信号伝送の高速化に対応するには、高周波の信号伝送する上で多層配線基板の特性インピーダンスの整合という問題がある。数百ＭＨｚやＧＨｚ帯での信号伝送時に、特性インピーダンスが整合していないと、反射や遅延といった現象が起こり、信号伝送の劣化をもたらす。伝送劣化を抑制するために、接地層（グランド層）を設けたストリップライン構造やそれに派生する構造があり、図７（ａ）〜（ｄ）に、多層配線基板における特性インピーダンスを整合するための伝送回路構成の構造例を示す。図７（ａ）はマイクロストリップライン構造、（ｂ）はストリップライン構造、（Ｃ）はコプレーナストリップライン構造、（ｄ）はデュアルストリップライン構造を示す。いずれの構造も２層以上の配線層を必要とする。図７（ｂ）中の絶縁層６４の膜厚Ｈおよびｈ、信号配線層４８のパターン幅が特性インピーダンスに与える影響は非常に大きく、高精度に制御することが求められている。
【０００５】
多層配線基板の製造方法には絶縁層と配線層を交互に形成して多層配線基板を作製するビルドアップ法が知られている（例えば、特許文献１参照）。この方法は、中心回路基板内をスルーホールにより電気的に接続した基板上に絶縁層及び導体層を順次積層し、層間接続処理を施した後に導体層をフォトエッチング法にてパターニング処理し配線層を形成するものである。すなわち、導体層上にフォトレジストを塗布し、露光転写マスクを重ねて露光した後エッチング処理することにより外層の配線層を形成する、いわゆるサブトラクティブ法と呼ばれる配線層形成法である。
【０００６】
しかしながら、ビルドアップ法で用いられる絶縁層は、配線層との密着性を向上させるためにその表面には粗面化処理が施されている。表面に物理的な凹凸を形成する粗面化処理はサブトラクティブ法にて微細な配線層を得るためのエッチングの障害となっている。絶縁層上の凹凸内に金属粒子が残存することは、絶縁性劣化の原因にもなりかねず、パターン幅１５μｍ以下の微細配線層を形成することが難しくなっている。また、等方的にエ
ッチングされるため、配線層の断面形状が台形になる。
【０００７】
そこで、薄膜導体層上にアルカリ水溶性レジストを塗布して感光層を形成し、パターニング処理してレジストパターンを形成し、レジストパターンをめっきマスクにして電解めっき法により所定厚の導体層を形成し、レジストパターンを剥離し、給電層である薄膜導体層をフラッシュエッチング等で除去し微細配線層を形成する方法がある（例えば、特許文献２及び特許文献３参照）。
この方法では、配線層のパターン精度はレジストの解像度に依存するが、サブトラクティブ法では得られにくい１５μｍ以下の配線幅を有する配線層を実現できる。また、レジストパターン間にめっき金属を析出させる工法のため、配線の断面形状は長方形である。一般的にめっき法により金属を析出させて配線層としているため、セミアディティブ法と呼ばれている。
【０００８】
配線層形成法には、上記サブトラクティブ法とセミアディティブ法があるが、導体層上にレジストパターン形成後エッチングし、レジストパターン剥離で配線層が形成されるサブトラクティブ法に比べ、セミアディティブ法では薄膜導体層上にパターンめっき用のレジストパターンを形成し、電解めっきによる導体層形成、レジストパターン剥離、薄膜導体層除去を行わなければならないため、工程数もしくは製造速度の観点からはサブトラクティブ法が有利である。
【特許文献１】特開平４−１４８５９０号公報
【特許文献２】特開２００２−３５９４６９号公報
【特許文献３】特開２００３−１７８３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法による配線層形成について説明したが、セミアディティブ法の利点はサブトラクティブ法に比べ微細配線層形成が可能である。一方でサブトラクティブ法の利点は配線層形成の生産性である。そこで、本発明では、微細な配線層（例えば、信号配線層等）を有する層と比較的粗い配線層を有する層とに層別し、配線層のパターン幅及びパターン密度に応じて、層毎にパターン形成方法（セミアディテイブ法、サブトラクティブ法）を使い分ける多層配線基板の製造方法及び多層配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記課題を達成するために、まず請求項１においては、絶縁基材上に絶縁層を介して配線層が形成され、上下の配線層がビアにて電気的に接続されてなる多層配線基板において、前記配線層がパターン幅及びパターン密度に応じて、層毎にセミアディティブ法、もしくはサブトラクティブ法のいずれかにより形成されていることを特徴とする多層配線基板としたものである。
【００１１】
また、請求項２においては、前記配線層の膜厚が３〜１８μｍ、前記絶縁層の膜厚が３〜５０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板としたものである。
【００１２】
また、請求項３においては、リールツーリール工法により製造される多層配線基板の製造方法であって、少なくとも以下の工程を有することを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁基材１１の一方の面に薄膜導体層２１を形成する工程。
（ｂ）薄膜導体層２１上の所定位置にパターンめっき用のレジストパターン３１を形成する工程。
（ｃ）薄膜導体層２１をカソードにして電解めっきを行い、レジストパターン３１間に所定厚の導体層４１を形成する工程。
（ｄ）レジストパターン３１を剥離する工程。
（ｅ）絶縁基材１１の他方の面の所定位置にビア用孔１２を形成する工程。
（ｆ）絶縁基材１１の両面に薄膜導体層２２を形成する工程。
（ｇ）絶縁基材１１の一方の面に保護膜５１を形成し、薄膜導体層２２を給電層にして電解めっきを行い、導体層４２及びフィルドビア４３を形成する工程。
（ｈ）導体層４２上の所定位置にエッチングマスク用のレジストパターン３２を形成する工程。
（ｉ）レジストパターン３２をマスクにして導体層４２をエッチングし、レジストパターン３２を剥離処理して、絶縁基材１１の他方の面にランド４２ａ、配線層４２ｂ及び電源層４２ｄ等を形成する工程。
（ｊ）保護膜５１を剥離処理して、薄膜導体層２１及び２２をフラッシュエッチングにて除去し、絶縁基材１１の一方の面のランド４１ａ、配線層４１ｂ及び信号配線層４１ｃ等をセミアディティブ法で、他方の面のランド４２ａ、配線層４２ｂ及び電源層４２ｄ等をサブトラクティブ法でそれぞれ形成する工程。
【発明の効果】
【００１３】
本発明における多層配線基板の製造方法によれば、配線層のパターン幅及びパターン密度に応じてパターン形成方法（セミアディテイブ法、サブトラクティブ法）を層毎に使い分けることができるため、配線層のパターン再現性を維持しながら、工程数及び製造時間の短縮が計れ、生産性を向上することができる。
また、品質性能及び信頼性試験に優れた多層配線基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の多層配線基板の一実施例を示す模式構成断面図である。
【００１５】
図１（ａ）の多層配線基板１００は、絶縁性樹脂フィルムからなる絶縁基材１１の一方の面のランド４１ａ、配線層４１ｂ及び信号配線層４１ｃをセミアティティブ法にて、他方の面のランド４２ａ、配線層４２ｂ及び電源層４２ｄをサブトラクティブ法にて作製した２層配線基板の事例である。
【００１６】
図１（ｂ）の多層配線基板２００は、２層配線基板１００の両面のランド４４ａ電源層４４ｄ、ランド４６ａ、配線層４６ｂをサブトラクティブ法にて形成した４層配線基板の事例である。
【００１７】
上記の場合、信号配線層４１ｃのように微細なパターン幅（配線層／スペース＝１０／１０μｍ）を有する配線層のある層はセミアティティブ法にて、比較的粗い（配線層／スペース＝３０／３０μｍ）配線層を有する層はサブトラクティブ法にてパターン形成を行ったものである。このようにすれば、配線層のパターン精度を維持しながら、多層配線基板の生産性を向上させることができる。
【００１８】
図２（ａ）〜（ｆ）及び図３（ｇ）〜（ｊ）、図３（ｋ）〜（ｋ）及び図４（ｌ）〜（ｐ）は本発明の多層配線基板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成断面図である。
以下、本発明の多層配線基板の製造方法について図面を用いて説明する。
【００１９】
まず、ポリイミドフィルム等の絶縁性樹脂フィルムからなる絶縁基材１１の一方の面に薄膜導体層２１を形成する（図２（ａ）参照）。ここで、薄膜導体層は後工程の電解銅めっきで導体層を形成するための給電層として作用し、フラッシュエッチングにより除去する必用があるため、薄膜であることが望ましく、０．１〜５μｍが好適である。薄膜導体
層は薄銅箔を積層するか、無電解めっき、スパッタリング法にて形成する。薄膜導体層と絶縁基材、もしくは絶縁層との層間密着強度は３００ｇｆ／ｃｍ以上が好ましい。
【００２０】
次に、絶縁基材１１の薄膜導体層２１上にフォトレジストを塗布するか、感光性ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、パターンめっき用のレジストパターン３１を形成する（図２（ｂ）参照）。
レジストパターン３１の膜厚は形成する導体層厚以上であれば良い。
【００２１】
次に、薄膜導体層２１を給電層として電解めっきによりレジストパターン３１間に所定厚の導体層４１を形成する（図２（ｃ）参照）。ここで、電解めっきにて析出する導体層としてはＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｇなどの金属もしくはこれらの金属を含む合金が挙げられる。電解めっき法にはＤＣ（Directed Current）法やＰＲ（Pulsed Reverse）法があるが、通電し、溶液内のイオンまたは電荷の帯電している粒子を析出して導体層を形成するものであればいずれの方法でもよい。
【００２２】
次に、レジストパターン３１を専用の剥離液で剥離し（図２（ｄ）参照）、絶縁基材１１の他方の面の所定位置に所定のエネルギー密度を有するレーザー光をバースト加工にて照射することで絶縁基材１１のみが孔加工されるビア用孔１２を形成する（図２（ｅ）参照）。ここで、ビア用孔１２は炭酸ガスレーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ等を用いたレーザー加工法、または、絶縁層が感光性を有するものであればフォトリソグラフィーにより孔形成を行うこともできる。また、穴あきマスクを用いたプラズマエッチング等により一括形成を行ってもよい。種々のビア用孔形成法があるがコストおよびスループットを考慮して適宜選択されるべきである。
【００２３】
さらに、上記ビア用孔１２内は通常有機物残渣が存在し、そのままではビアホールの導通阻害、さらには接続信頼性を低下させる原因になるため、乾式法ならびに湿式法による残渣除去（デスミア）を行う。
【００２４】
次に、ビア用孔１２内及び絶縁基材１１上にスパッタリング法、無電解銅めっき法、イオンプレーティング法、蒸着法等により薄膜導体層２２を形成する（図２（ｆ）参照）。ここで、薄膜導体層２２の膜厚は３μｍ以下が望ましい。また層間接続を導電ペーストを用いたスクリーン印刷法により行う場合はこの工程を省略することができる。
【００２５】
次に、絶縁基材１１の導体層４１が形成された側に保護膜５１を形成し、薄膜導体層２２を給電層として電解めっきを行い、絶縁基材１１の他方の面に所定厚の導体層４２を、ビア用孔１２内にフィルドビア４３を形成する（図３（ｇ）参照）。保護膜５１は複数層であっても良い。
ここで、電解めっきにて析出する導体層としてはＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｇなどの金属もしくはこれらの金属を含む合金が挙げられる。また、保護膜５１は、例えば導電性のないフィルム等でよく、耐酸性のドライフィルム、プラスチックフィルム等が挙げられる。ただし後工程で除去する必要があるので、剥離性を有する保護膜を選択する必要がある。また、ここではビア用孔１２内にフィルドビア４３を形成したがコンフォーマルビアであっても良い。
【００２６】
次に、導体層４２上にフォトレジストを塗布するか、感光性ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、導体層４２上の所定位置にエッチングマスク用のレジストパターン３２を形成する（図３（ｈ）参照）。
【００２７】
次に、レジストパターン３２をマスクにして導体層４２をエッチングし、レジストパタ
ーン３２を専用の剥離液で剥離処理して、絶縁基材１１の他方の面にランド４２ａ、配線層４２ｂ及び電源層４２ｄを形成する（図３（ｉ）参照）。
【００２８】
次に、保護膜５１を剥離処理して、薄膜導体層２１及び２２をフラッシュエッチングにて除去し、絶縁基材１１の一方の面にランド４１ａ、配線層４１ｂ及び信号配線層４１ｃを形成し、絶縁基材１１の一方の面のランド４１ａ、配線層４１ｂ及び信号配線層４１ｃがセミアディティブ法で、他方の面のランド４２ａ、配線層４２ｂ及び電源層４２ｄがサブトラクティブ法でそれぞれ形成され、ランド４１ａとランド４２ａがフィルドビア４３にて電気的に接続された２層配線基板１００を得る（図３（ｊ）参照）。
【００２９】
さらに、２層配線基板１００を用いて４層配線基板を作製する製造方法について説明する
まず、２層配線基板１００の両面に接着層付きフレキシブルテープ基板に銅箔が積層された片面銅箔付フレキシブルテープ基板を積層し、絶縁層６１及び導体層７１を形成する（図３（ｋ）参照）。ここで、フレキシブルテープ基板が接着性を有するものであれば接着層は介在させる必要はない。
【００３０】
次に、エネルギー密度の異なるレーザー光をバースト加工にて照射するレーザー加工にて、導体層７１及び絶縁層６１の所定位置にビア用孔１３を形成し（図４（ｌ）参照）、デスミア処理を行った後、無電解銅めっき等によりビア用孔１３内及び導体層７１上に薄膜導体層２３を形成し（図４（ｍ）参照）、薄膜導体層２３及び導体層７１を給電層として電解銅めっきを行い、所定厚の導体層４４及び４６を、ビア用孔１３内にフィルドビア４５及び４７を形成する（図４（ｎ）参照）。
【００３１】
次に、導体層４４及び４６上にフォトレジストを塗布するか、感光性ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、導体層４４及び４６上の所定位置にエッチングマスク用のレジストパターン３３及び３４を形成する（図４（ｏ）参照）。
【００３２】
次に、レジストパターン３３及び３４をマスクにして導体層４４、導体層４６、薄膜導体層２３及び導体層７１をエッチングし、レジストパターン３３及び３４を専用の剥離液で剥離処理して、２層配線基板１００の一方の面のランド４４ａ及び電源層４４ｄがサブトラクティブ法で、他方の面のランド４６ａ及び配線層４６ｂがサブトラクティブ法で形成され、ランド４１ａとランド４４ａがフィルドビア４５にて、ランド４２ａとランド４６ａがフィルドビア４７にてそれぞれ電気的に接続された４層配線基板２００を得る（図４（ｐ）参照）。
【００３３】
上記したように、配線層のパターン幅及びパターン密度により、層毎にパターン形成方法をセミアディティブ法、もしくはサブトラクティブ法のいずれかを選択することにより、配線層のパターン精度を維持しながら、多層配線基板の生産性を効率よく行うことができる。
【実施例１】
【００３４】
まず、２５μｍ厚のポリイミドテープからなる絶縁基材１１の両面に銅箔が積層された両面銅箔付きポリイミドテープ（三井化学製）を用い、両面の銅箔を全面エッチングし、無電解銅めっきにて０．５μｍ厚の薄膜導体層２１を形成した（図２（ａ）参照）。ここでは、市販の片面銅箔付き基板では所定のピール強度が得られないために、両面銅箔付き基板におけるポリイミド表面の物理的な凹凸を生かし、配線層の高ピール強度を得ることとした。得られるピール強度は１ｋｇｆ／ｃｍである。
【００３５】
次に、薄膜導体層２１上に１５μｍ厚のドライフィルム（ニチゴーモートン社製）をラミネートし、約５０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線でパターン露光を行い、３０℃の１％炭酸ナト
リウム溶液で現像することでパターンめっき用のレジストパタ−ン３１を形成した（図２（ｂ）参照）。
【００３６】
次に、アトテック社製の酸性クリーナー溶液に４０℃４分間浸漬し、酸洗浄した後、薄膜導体層２１を給電層として２Ａ／ｄｍ2で１５分間ＤＣ電解銅めっきを行い、レジストパタ−ン３１間に１０μｍ厚の導体層４１を形成した（図２（ｃ）参照）。ここで、電解銅めっき浴の組成は硫酸銅７０ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、塩素５０ｍｇ／Ｌである。さらに、レジストパターン３１を５０℃３％の水酸化ナトリウム溶液にて剥離した（図２（ｄ）参照）。
【００３７】
次に、波長３５５ｎｍの紫外線レーザーを用いて、絶縁基材１１他方の面から穴止め加工（ブラインドビア加工）を行い、４０μｍφのビア用孔１２を形成した（図２（ｅ）参照）。ここで、２Ｊ／ｃｍ2のエネルギー密度を有するレーザー光をバースト加工にて照射することで絶縁基材１１のみが孔加工された。
次に、過マンガン酸塩を主成分とするデスミア処理を行って、無電解銅めっきにてビア用孔１２内壁及び絶縁基材１１上に０．５μｍ厚の薄膜導体層２２を形成した（図２（ｆ）参照）。
【００３８】
次に、絶縁基材１１の導体層４１が形成された側にニチゴーモートン社製ドライフィルムをラミネートして保護膜５１を形成し、薄膜導体層２２を給電層として、浴温２５℃、電流密度２Ａ／ｄｍ2において４０分間ＤＣ電解銅めっきを行い、絶縁基材１１の他方の面に１２μｍ厚の導体層４２を、ビア用孔１２内にフィルドビア４３を形成した（図３（ｇ）参照）。ここで、電解銅めっき浴の組成は硫酸銅２００ｇ／Ｌ、硫酸８０ｇ／Ｌ、塩素５０ｍｇ／Ｌ、添加剤微少量であり、添加剤の効果によりフィルドビアを形成できる。
【００３９】
次に、導体層４２上に１５μｍ厚のドライフィルム（ニチゴーモートン社製）をラミネートし、約５０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線でパターン露光を行い、３０℃の１％炭酸ナトリウム溶液で現像することでエッチングマスク用のレジストパタ−ン３２を形成した（図３（ｈ）参照）。
【００４０】
次に、レジストパターン３２をマスクにして導体層４２を５０℃、比重１．３の塩化第２鉄液溶液にてエッチングし、レジストパターン５２を専用の剥離液で剥離処理して、絶縁基材１１の他方の面にランド４２ａ及び電源層４２ｄを形成した（図３（ｉ）参照）。ここで、ランド４２ａ及び電源層４２ｄの仕上がり寸法は最も狭幅な部分で配線／スペース＝３０／３０μｍであった。
【００４１】
次に、保護膜５１を剥離処理して、薄膜導体層２１及び２２をフラッシュエッチングにて除去し、絶縁基材１１の一方の面にランド４１ａ、配線層４１ｂ及び信号配線層４１ｃを形成し、絶縁基材１１の一方の面のランド４１ａ、配線層４１ｂ及び信号配線層４１ｃがセミアディティブ法で、他方の面のランド４２ａ、配線層４２ｂ及び電源層４２ｄがサブトラクティブ法でそれぞれ形成され、ランド４１ａとランド４２ａがフィルドビア４３にて電気的に接続された２層配線基板１００を得た（図３（ｊ）参照）。
【００４２】
ここで、ランド４１ａ、配線層４１ｂ及び信号配線層４１ｃの仕上がり寸法は最も狭幅な部分で配線／スペース＝１０／１０μｍであった。
【００４３】
次に、１３μｍ厚のポリイミドフィルムに１２μｍ厚の銅箔が積層された三井化学社製の片面銅箔付きフレキシブルテープ基板をエポキシ系の熱硬化性接着フィルムを用い積層し、２層配線基板１００の両面に２５μｍ厚の絶縁層６１及び１２μｍ厚の導体層７１を形成した（図３（ｋ）参照）。ランド、配線層上の接着フィルムは熱負荷により流動し、凹凸面である配線層をすべて埋め込むことができた。
【００４４】
次に、２０Ｊ／ｃｍ2のエネルギー密度（導体層７１の加工時）及び２Ｊ／ｃｍ2のエネルギー密度（絶縁層６１の加工時）のレーザー光をバースト加工にて導体層７１及び絶縁層６１の所定位置に照射して４０μｍφのビア用孔１３を形成し（図４（ｌ）参照）、デスミア処理を行った後、無電解銅めっきによりビア用孔１３内及び導体層７１上に０．５μｍ厚の薄膜導体層２３を形成し（図４（ｍ）参照）、薄膜導体層２３及び導体層７１を給電層として電解銅めっきを行い、１８μｍ厚の導体層４４及び４６を、ビア用孔１３内にフィルドビア４５および４７を形成した（図４（ｎ）参照）。
【００４５】
次に、導体層４４及び４６上に１５μｍ厚のドライフィルム（ニチゴーモートン社製）をラミネートし、約５０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線でパターン露光を行い、３０℃の１％炭酸ナトリウム溶液で現像することでエッチングマスク用のレジストパタ−ン３３及び３４を形成した（図４（ｏ）参照）。
【００４６】
次に、レジストパターン３３及び３４をマスクにして導体層４４、薄膜導体層２３及び導体層７１を５０℃、比重１．３の塩化第２鉄液溶液にてエッチングし、レジストパターン３３及び３４を専用の剥離液で剥離処理して、２層配線基板１００の一方の面のランド４４ａ及び電源層４４ｄ及び他方の面のランド４６ａ及び配線層４６ｂをサブトラクティブ法で形成し、配線層のパターン幅及びパターン密度に応じてパターン形成方法（セミアディテイブ法、ブトラクティブ法）を層毎に使い分けた４層配線基板２００を得た（図４（ｐ）参照）。
ここで、ランド４４ａ、ランド４６ａ、電源層４４ｄ及び配線層４６ｂの仕上がり寸法は最も狭幅な部分で配線／スペース＝３０／３０μｍであった。また、ランド４４ａ、ランド４６ａ、配線層４６ｂ及び電源層４４ｄは銅箔よりなる導体層７１、薄膜導体層２３及び電解めっき銅による導体層４４及び４６で構成されているが、電気特性上問題はない。また、４層配線基板２００には図４（ｐ）に示すように、マイクロストリップライン部、ストリップライン部が設計されている。
【００４７】
さらに、４層配線基板２００の両面にソルダーマスク７１及びＮｉ／Ａｕめっき被膜７２を形成し（図５参照）、はんだバンプ８１及び８２を形成し、フリップチップ接続によりＩＣチップ９１を搭載、実装した半導体装置３００の一例を図６に示す。
【００４８】
上記、４層配線基板２００の信頼性試験結果を表１に、実装レベルの半導体装置３００の信頼性試験結果を表２に示す。
【００４９】
【表１】
2005136282.tif 000003
【００５０】
【表２】
2005136282.tif 000004
表１及び表２に示すように、いずれの信頼試験でも問題ないことが確認された。
【００５１】
本実施例では信号配線層４１ｃのある層のみをセミアディティブ法により形成し、他の層のランド、配線層はサブトラクティブ法により形成した。なぜならば、信号配線層４１ｃのパターン幅が配線／スペース＝１０／１０μｍの高密度配線であったためである。本実施例によれば多層配線基板作製の総工程数は多段階水洗浄を除けば３５工程であった。また、セミアディティブ法を全層に適用した場合、配線層４４ｂ、４６ｂを同時に配線形成する場合では３８工程（製造時間２０％増）、片面ごとの逐次配線層形成では４６工程（製造時間３５％増）であった。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】（ａ）は、本発明の多層配線基板の一実施例を示す模式構成部分断面図である。
【００５３】
（ｂ）は、本発明の多層配線基板の他の実施例を示す模式構成部分断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の多層配線基板の製造方法における工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図３】（ｇ）〜（ｋ）は、本発明の多層配線基板の製造方法における工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図４】（ｌ）〜（ｐ）は、本発明の多層配線基板の製造方法における工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図５】本発明の多層配線基板の他の実施例を示す模式構成部分断面図である。
【図６】本発明の多層配線基板にＩＣチップを搭載、実装した半導体装置の一例を模式的に示す説明図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、多層配線基板における特性インピーダンスを整合するための伝送回路構成の構造例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５４】
１１、１５……絶縁基材
１２、１３……ビア用孔
２１、２２、２３……薄膜導体層
３１、３２、３３、３４……レジストパターン
４１、４２、４４、４６、７１……導体層
４１ａ、４２ａ、４４ａ、４６ａ……ランド
４１ｂ、４２ｂ、４４ｂ、４６ｂ……配線層
４１ｃ、４８……信号配線層
４２ｄ、４４ｄ……電源層
４７……フィルドビア
４９……接地または電源層
５１……保護膜
６１、６４……絶縁層
７１……ソルダーマスク
７２……ニッケル、金めっき被膜
８１、８２……はんだバンプ
６２……アンダーフィル
１００……２層配線基板
２００……４層配線基板
３００……半導体装置
【図１】
2005136282.tif 000005
【図２】
2005136282.tif 000006
【図３】
2005136282.tif 000007
【図４】
2005136282.tif 000008
【図５】
2005136282.tif 000009
【図６】
2005136282.tif 000010
【図７】
2005136282.tif 000011