(57)【要約】【課題】反射モード及び透過モードにおいて明るい表示を得ることができる反射体を低コストで効率よく作成する製造方法を提供する。【解決手段】透明基体の一面に複数の凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部の内面及び前記凹部の非形成領域である平坦部に反射膜を形成する反射膜形成工程と、前記平坦部に形成した反射膜を除去する反射膜除去工程とからなることを特徴とする反射体の製造方法を採用する。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基体の一面に複数の凹部が設けられるとともに該凹部の非形成領域が平坦部とされてなり、前記凹部の内面に反射膜が成膜されていることを特徴とする反射体。
【請求項２】
前記凹部は、深型凹部と、深型凹部よりも曲率半径の大きい浅型凹部とからなることを特徴とする請求項１に記載の反射体。
【請求項３】
前記深型凹部と前記浅型凹部がランダムに配置されていることを特徴とする請求項２に記載の反射体。
【請求項４】
前記深型凹部と前記浅型凹部がストライプ状に繰り返し配置されていることを特徴とする請求項２に記載の反射体。
【請求項５】
前記一面に対する前記平坦部の面積比が２０％以上４０％以下の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の反射体。
【請求項６】
一対の基板と、該基板間に配置されてなる液晶層とを有する液晶表示パネルを具備してなり、該液晶表示パネルに請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の反射体が備えられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
前記反射体が前記一対の基板間に配置されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
透明基体の一面に複数の凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部の内面及び前記凹部の非形成領域である平坦部に反射膜を形成する反射膜形成工程と、前記平坦部に形成した反射膜を除去する反射膜除去工程とからなることを特徴とする反射体の製造方法。
【請求項９】
前記反射膜除去工程は、前記反射膜の全面にレジスト膜を形成し、前記平坦部の領域を遮光するフォトマスクを前記レジスト膜上に載置してから露光し、前記平坦部上の未露光のレジスト膜を除去し、レジスト膜の除去により露出された前記平坦部上の反射膜をエッチングして除去する工程であることを特徴とする請求項８に記載の反射体の製造方法。
【請求項１０】
前記反射膜除去工程は、砥粒を含んだ研磨液を前記反射膜上に供給し、平坦な研磨面を有する研磨冶具を前記反射膜に当接させ、前記研磨冶具を相対的に回転駆動させることにより、前記平坦部にある反射膜を研磨除去する工程であることを特徴とする請求項８に記載の反射体の製造方法。
【請求項１１】
前記反射膜除去工程は、前記透明基体の一面に対して斜め方向からレーザービームを照射し、該レーザービームが前記反射膜により正反射されている間、前記レーザービームよりも高出力の別のレーザービームを照射することにより、前記平坦部にある反射膜を除去する工程であることを特徴とする請求項８に記載の反射体の製造方法。
【請求項１２】
前記レーザービームと前記別のレーザービームを同一光源から照射させることを特徴とする請求項１１に記載の反射体の製造方法。
【請求項１３】
前記レーザービームと前記別のレーザービームを別々の光源から照射させることを特徴とする請求項１１に記載の反射体の製造方法。
【請求項１４】
前記レーザービーム及び前記別のレーザービームの前記透明基体の一面に対するそれぞれの照射角度を同一角度とし、かつ照射位置を同一位置とすることを特徴とする請求項１１ないし請求項１３のいずれかに記載の反射体の製造方法。
【請求項１５】
透明基体の一面に複数の凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部の非形成領域である平坦部に蒸着防止オイルを塗布する塗布工程と、前記凹部に反射膜材料を減圧雰囲気下で蒸着する蒸着工程とからなることを特徴とする反射体の製造方法。
【請求項１６】
前記蒸着防止オイルとして、下記式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位を有するものの夫々単独、またはこれらの中の２種以上の混合物であるパーフロロアルキルポリエーテルを用いることを特徴とする請求項１５に記載の反射体の製造方法。
式（Ｉ）：−（−Ｃ３Ｆ６Ｏ−）ｎ−
式（ＩＩ）：−（−Ｃ３Ｆ６Ｏ−）ｎ−（−ＣＦ２Ｏ−）ｍ−
式（ＩＩＩ）：−（−Ｃ２Ｆ４Ｏ−）ｎ−（−ＣＦ２Ｏ−）ｍ−
ただし、上記のｎ、ｍは、パーフロロアルキルポリエーテル全体として１０００〜１５０００の平均分子量を与える平均繰り返し単位数を示す。
【請求項１７】
透明基体の一面に対して斜め方向からレーザービームを照射する光源と、該レーザービームの正反射方向に配置された検出器と、前記レーザービームの正反射ビームを前記検出器が検知したときに前記光源に対して前記レーザービームよりも高出力のレーザービームを照射させる制御部と、を具備してなることを特徴とする反射体製造装置。
【請求項１８】
透明基体の一面に対して斜め方向からレーザービームを照射する第１光源と、前記一面に対して前記第１光源と同一の角度から前記レーザービームよりも高出力の別のレーザービームを照射する第２光源と、該レーザービームの正反射方向に配置された検出器と、前記レーザービームの正反射ビームを前記検出器が検知したときに前記第２光源に対して前記別のレーザービームを照射させる制御部と、を具備してなることを特徴とする反射体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、反射体及び液晶表示装置及び反射体の製造方法及び反射体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、周囲が明るい環境下では外光を利用した反射モードとして用いられ、暗所ではバックライトを利用した透過型として用いられる半透過型の液晶表示装置が数多く提案されている。半透過型の液晶表示装置には半透過型の反射体が備えられおり、この反射体としては例えば、液晶表示パネルの偏光板にハーフミラー板を重ねたものが知られている。しかし、ハーフミラーを用いた液晶表示装置は、コストが安いものの、特に透過光が著しく暗くなるといった問題がある。
【０００３】
そこで最近では、液晶表示パネルの内部に反射層を内蔵したものが知られている。例えば、特許文献１に記載されているように、反射層に光透過用の開口部を設けて半透過型の液晶表示装置を構成したものが知られている。また、特許文献２には、偏光板、光学補償板、液晶層の光学条件を詳細に検討した半透過型の液晶表示装置が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】
特許第２８７８２３１号公報
【特許文献２】
特許第３２３５１０２号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の特許文献では、半透過型の反射体の製造方法については特に言及されていない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、反射モード、透過モードの何れにおいても明るい表示を得ることができる反射体及びこの反射体を備えた液晶表示装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、反射モード及び透過モードにおいて明るい表示を得ることができる反射体を、低コストで効率よく作成する製造方法並びに製造装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の反射体は、透明基体の一面に複数の凹部が設けられるとともに該凹部の非形成領域が平坦部とされてなり、前記凹部の内面に反射膜が成膜されていることを特徴とする。
【０００７】
上記の構成によれば、平坦部に反射膜が形成されていないため、反射体の一面と反対側の他面に照射された光をこの平坦部によって透過させることが可能となる。また反射膜が凹部内面に成膜されているため、反射膜の形状が凹部の内面形状にほぼ一致し、入射した光が様々な反射角度で反射されることになる。これにより反射光の反射率を広い角度範囲で高めることが可能になる。
【０００８】
また本発明の反射体は、先に記載の反射体であり、前記凹部は、深型凹部と、深型凹部よりも曲率半径の大きい浅型凹部とからなることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、浅型凹部よりも曲率半径の小さい深型凹部からなる低指向性反射領域からの反射によって、充分な視野角が得られる。また、一方、深型凹部よりも曲率半径の大きい浅型凹部からなる高指向性領域からの反射によって、特定の望む方向における充分な明るさを確保できる。
【００１０】
また本発明の反射体においては、前記深型凹部と前記浅型凹部がランダムに配置されていることが好ましい。また、前記深型凹部と前記浅型凹部がストライプ状に繰り返し配置されていてもよい。
【００１１】
前者のランダム配置の場合、特定の箇所に特定の指向性の反射領域が集中しないので、反射むらの少ない反射体とすることができる。また、後者のストライプ状に配置する場合は、特定の指向性の領域を線状に続けて形成できるので、製作が容易である。また、この場合、ストライプのピッチを充分に狭くすれば、反射むらも、実用上無視できる程度となる。
【００１２】
また本発明の反射体は、先に記載の反射体であり、前記一面に対する前記平坦部の面積比が２０％以上４０％以下の範囲であることを特徴とする。この構成により、反射モード、透過モードのいずれのモードにおいても明るい表示を得ることが可能になる。
【００１３】
また本発明の液晶表示装置は、一対の基板と、該基板間に配置されてなる液晶層とを有する液晶表示パネルを具備してなり、該液晶表示パネルに先のいずれかに記載の反射体が備えられていることを特徴とする。この構成により、反射モード、透過モードのいずれのモードにおいても明るい表示を得ることが可能になる。
【００１４】
また本発明の液晶表示装置は、先に記載の液晶表示装置であり、前記反射体が前記一対の基板間に配置されていることを特徴とする。この構成により、液晶表示パネルを薄型にすることが可能になる。
【００１５】
次に、本発明の反射体の製造方法は、透明基体の一面に複数の凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部の内面及び前記凹部の非形成領域である平坦部に反射膜を形成する反射膜形成工程と、前記平坦部に形成した反射膜を除去する反射膜除去工程とからなることを特徴とする。
前記反射膜除去工程は、前記反射膜の全面にレジスト膜を形成し、前記平坦部の領域を遮光するフォトマスクを前記レジスト膜上に載置してから露光し、前記平坦部上の未露光のレジスト膜を除去し、レジスト膜の除去により露出された前記平坦部上の反射膜をエッチングして除去する工程であることが好ましい。
【００１６】
上記の製造方法は、いわゆるフォトリソグラフィ法であり、平坦部に形成した反射膜を確実に除去することができ、半透過型の反射体を容易に製造できる。
【００１７】
また本発明の反射体の製造方法における反射膜除去工程は、砥粒を含んだ研磨液を前記反射膜上に供給し、平坦な研磨面を有する研磨冶具を前記反射膜に当接させ、前記研磨冶具を相対的に回転駆動させることにより、前記平坦部にある反射膜を研磨除去する工程であってもよい。
【００１８】
上記方法は、いわゆるタッチポリッシュ法と呼ばれる方法であり、研磨冶具の研磨面が平坦部に形成された反射膜にのみ接し、凹部内部に形成された反射膜には接しないので、平坦部の反射膜のみを除去することができ、半透過型の反射体を容易に製造できる。また、平坦部の表面粗さを低減することができ、透過光の乱反射を防止できる。
【００１９】
また本発明の反射体の製造方法における前記反射膜除去工程は、前記透明基体の一面に対して斜め方向からレーザービームを照射し、該レーザービームが前記反射膜により正反射されている間、前記レーザービームよりも高出力の別のレーザービームを照射することにより、前記平坦部にある反射膜を除去する工程であることを特徴とする。
【００２０】
上記の方法は、レーザービームのみ用いた乾式法であり、各種の液を用いた湿式法ではないため、反射基体や反射膜を液体に曝す必要がなく、反射基体や反射膜の光学特性の劣化を防止することができる。
【００２１】
また本発明の反射体の製造方法では、前記レーザービームと前記別のレーザービームを同一光源から照射させることが好ましい。また、前記レーザービームと前記別のレーザービームを別々の光源から照射させてもよい。
更に、前記レーザービーム及び前記別のレーザービームの前記透明基体の一面に対するそれぞれの照射角度を同一角度とし、かつ照射位置を同一位置としてもよい。
【００２２】
また本発明の反射体の製造方法は、先に記載の反射体の製造方法であり、透明基体の一面に複数の凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部の非形成領域である平坦部に蒸着防止オイルを塗布する塗布工程と、前記凹部に反射膜材料を減圧雰囲気下で蒸着する蒸着工程とからなることを特徴とする。
【００２３】
上記の反射体の製造方法によれば、蒸着防止オイルがマスク層として機能するため、平坦部に反射膜を形成させることなく、凹部のみに反射膜を形成することができる。
【００２４】
また本発明の反射体の製造方法は、先に記載の反射体の製造方法であり、前記蒸着防止オイルとして、下記式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位を有するものの夫々単独、またはこれらの中の２種以上の混合物であるパーフロロアルキルポリエーテルを用いることを特徴とする。
式（Ｉ）：−（−Ｃ３Ｆ６Ｏ−）ｎ−
式（ＩＩ）：−（−Ｃ３Ｆ６Ｏ−）ｎ−（−ＣＦ２Ｏ−）ｍ−
式（ＩＩＩ）：−（−Ｃ２Ｆ４Ｏ−）ｎ−（−ＣＦ２Ｏ−）ｍ−
ただし、上記のｎ、ｍは、パーフロロアルキルポリエーテル全体として１０００〜１５０００の平均分子量を与える平均繰り返し単位数を示す。
【００２５】
本発明において、パーフロロアルキルポリエーテルをマスクとして用いることにより、反射膜材料の蒸着に際し、反射膜の縁部を鮮明にすることができる。
即ち、本発明で用いるパーフロロアルキルポリエーテルは、従来のマスキング油に比べてかなり高い平均分子量（１０００〜１５０００）を有し、また表面張力が約２０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下という極めて小さな表面張力を有し、且つ離型性にも優れる。従って、パーフロロアルキルポリエーテルが減圧雰囲気下で蒸発するにせよ、また油膜として残留している状態においても、その大きな分子が、反射膜材料の付着に対するマスキング効果を発揮し、且つその高度な化学的不活性および優れた離型性が蒸着核の形成防止にも寄与する。また、表面張力が極めて小さいため、パーフロロアルキルポリエーテル自体の蒸発あるいは反射膜材料との衝突により、残油量が減少しても、凝集による塗布形状の縮少は防止される。このような要因により、パーフロロアルキルポリエーテルは優れた蒸着物付着防止効果ならびに縁部が鮮明な反射膜を形成する効果を有するものとなる。
【００２６】
次に本発明の反射体製造装置は、透明基体の一面に対して斜め方向からレーザービームを照射する光源と、該レーザービームの正反射方向に配置された検出器と、前記レーザービームの正反射ビームを前記検出器が検知したときに前記光源に対して前記レーザービームよりも高出力のレーザービームを照射させる制御部と、を具備してなることを特徴とする。
【００２７】
また本発明の反射体製造装置は、透明基体の一面に対して斜め方向からレーザービームを照射する第１光源と、前記一面に対して前記第１光源と同一の角度から前記レーザービームよりも高出力の別のレーザービームを照射する第２光源と、該レーザービームの正反射方向に配置された検出器と、前記レーザービームの正反射ビームを前記検出器が検知したときに前記第２光源に対して前記別のレーザービームを照射させる制御部と、を具備してなることを特徴とする。
【００２８】
上記の構成により、レーザービームのみ用いた乾式法により反射膜を除去するので、反射基体や反射膜を液体に曝す必要がなく、反射基体や反射膜の光学特性の劣化を防止することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態を図面を参照して説明する。図１に本実施形態の反射体の斜視図を示し、図２には図１のＡ−Ａ線に対応する断面図を示す。尚、これらの図において図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、発明を説明する都合上、必ずしも実際の反射体の寸法関係と一致するものではない。
【００３０】
図１及び図２に示すように、本実施形態の反射体１は、例えばガラス、透明樹脂等からなる基板２上に積層された感光性樹脂層等からなる平板状の透明基体３の一面３ａ上に、複数の凹部４が相互に離間して設けられ、更に各凹部４内に反射膜５が成膜されて構成されている。凹部４の内面形状は、対称の球面形状とされている。また凹部４の輪郭は、透明基体の一面３ａ上から平面視したときにほぼ円形になっている。更に、凹部４の非形成領域は、透明基体３の一面３ａが残存した平坦部６とされている。この平坦部６には反射膜５が何ら形成されず、透明基体の一面３ａが露出した状態になっている。
【００３１】
図１及び図２に示す反射体１では、透明基体の一面３ａ側から入射した光を反射膜５によって反射させると共に、一面３ａと反対側の他面３ｂから入射した光を平坦部６により透過させることが可能になっている。
【００３２】
透明基体３には、凹部４として曲率半径Ｒ１の浅型凹部４ａ…と曲率半径Ｒ２の深型凹部４ｂ…の２種類の凹部４…が設けられている。透明基体３の一面３ａにおいて浅型凹部４ａと深型凹部４ｂとが混在して形成されている。各々の半径Ｒ１とＲ２とは、Ｒ１≧Ｒ２の関係にあり、かつ４０μｍ≦Ｒ１≦１００μｍ、５μｍ≦Ｒ２≦５０μｍの範囲で選択されている。
【００３３】
浅型凹部４ａは、比較的大きい曲率半径を有しているため、その傾斜角θａは比較的絶対値の小さい範囲、具体的には、２．５゜≦θａ≦１０゜および−１０゜≦θａ≦−２．５゜の範囲で変化するようになっている。このように、浅型凹部４ａは、比較的絶対値の小さい傾斜角を有するため、高指向性の反射領域となっている。一方、深型凹部４ｂは、比較的小さい曲率半径を有しているため、その傾斜角θｂは比較的絶対値の大きい範囲、具体的には、６゜≦θｂ≦２０゜および−２０゜≦θｂ≦−６゜の範囲で変化するようになっている。このように、深型凹部４ｂは、比較的絶対値の大きい傾斜角を有するため、低指向性の反射領域となっている。
【００３４】
隣接する凹部４のピッチは５ないし５０μｍの範囲で、浅型凹部４ａと深型凹部４ｂが混在するように、ランダムに形成されている。凹部４のピッチに規則性があると、光の干渉色が出て反射光が色付いてしまうおそれがあるので好ましくない。また、隣接する凹部４のピッチが５μｍ未満であると、反射体形成用母型の製作上の制約があり、加工時間が極めて長くなる、所望の反射特性が得られるだけの形状が形成できない、干渉光が発生する等の問題が生じるので好ましくない。また、反射体形成用母型の製作に使用し得るダイヤモンド圧子を用いる場合の実用上の観点からも、隣接する凹部４のピッチを５ないし５０μｍとすることが望ましい。
【００３５】
凹部４の深さｄは、浅型凹部４ａと深型凹部４ｂの何れにおいても、０．１ないし３μｍの範囲で各凹部毎にランダムな値をとる。凹部４の深さが３μｍを超えると、後工程で凹部４を平坦化する場合に凸部の頂上が平坦化膜で埋めきれず、所望の平坦性が得られなくなり、０．１μｍに満たないと、正反射が強くなり過ぎるからである。
【００３６】
反射膜５は、Ａｌ、Ａｇなどの反射率の高い金属から構成され、蒸着法等により形成されている。反射膜５の形成方法の詳細については後述する。反射膜５の膜厚は８０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲であることが好ましい。膜厚が８０ｎｍ未満だと、反射膜５による光の反射率が過小となって表示が暗くなるので好ましくなく、膜厚が２００ｎｍを超えると必要以上に成膜コストがかかることや、凹部４…による起伏が小さくなってしまうので好ましくない。
【００３７】
また、透明基体３の一面３ａに対する平坦部６の面積比は、２０％以上４０％以下の範囲とされている。この構成により、反射モード、透過モードのいずれのモードにおいても明るい表示を得ることが可能になる。平坦部６の面積比が２０％未満だと透過光が暗くなるので好ましくなく、平坦部６の面積比が４０％を越えると反射光が暗くなってしまうので好ましくない。
【００３８】
上記の構成によれば、平坦部６に反射膜５が形成されていないため、反射体１の一面３ａと反対側の他面３ｂ側から照射された光をこの平坦部６によって透過させることが可能となる。また反射膜５が凹部４内面に成膜されているため、反射膜５の形状が凹部４の内面形状にほぼ一致し、入射した光が様々な反射角度で反射されることになる。これにより反射光の反射率を広い角度範囲で高めることが可能になる。このようにして、本実施形態の反射体１は、半透過型の反射体として用いることができる。
【００３９】
また、上記の反射体１によれば、曲率半径の小さい深型凹部４ｂが低指向性反射領域となり、この領域からの反射によって、充分な視野角が得られる。また、深型凹部４ｂよりも曲率半径の大きい浅型凹部４ａが高指向性領域となり、この領域からの反射によって、特定の望む方向における充分な明るさを確保できる。
また、浅型凹部４ａと深型凹部４ｂとが、ランダムに配置されているので、特定の箇所に特定の指向性の反射領域が集中しない。そのため、反射むらの少ない反射体とすることができる。
【００４０】
また、平坦部６を透過する透過光は、平担面である一面３ａ及び他面３ｂを通過するために散乱されるおそれがない。
【００４１】
尚、本実施形態では、浅型凹部４ａと深型凹部４ｂとがランダムに配置された例について説明したが、深型凹部と浅型凹部がそれぞれストライプ状に配置され、かつ深型凹部及び浅型凹部からなるストライプがそれぞれ交互に繰り返し配置されたものでもよい。これにより、曲率半径が同一の凹部を線状に連続して形成できるので、製作が容易である。また、この場合、ストライプのピッチを充分に狭くすれば、反射むらも、実用上無視できる程度となる。
【００４２】
また凹部４の内面形状は、図示した球面形状に限るものではない。即ち、凹部４を平面視した場合に、凹部４の輪郭が楕円形、円周の一部が直線である略円形、丸みを帯びた四角形など、様々な形状のものを例示できる。また、凹部４の内面形状としては、球面または曲率が連続的若しくは不連続的に変化するような曲面またはこれらの一部に平面を有する形状等としてもよい。
【００４３】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図面を参照して説明する。図３は、本実施形態の液晶表示装置を示す図であって液晶表示装置の端部を含む部分断面構造を模式的に示した図である。尚、この図において図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、発明を説明する都合上、必ずしも実際の液晶表示装置の寸法関係と一致するものではない。
【００４４】
図３に示すように、本実施形態の液晶表示装置は、いわゆる半透過型液晶表示装置とよばれるもので、液晶表示パネル４０の背面側に、バックライト１０５が配設されて構成されている。液晶表示パネル４０は、液晶層１３０を挟持して対向する透明なガラスなどからなる第１基板１１０及び第２基板１２０とを具備してなり、これらの基板１１０、１２０の周縁部に略環状に設けられたシール材１４０で接着一体化されて構成されている。
【００４５】
第１基板１１０の液晶層１３０側には順に、反射膜１１２に凹凸の形状を与えるための有機膜１１１と、液晶パネル４０に入射した光を反射させるための金属反射膜１１２と、カラー表示を行うためのカラーフィルタ１１３と、有機膜１１１と金属反射膜１１２を被覆して保護するとともに有機膜１１１やカラーフィルタによる凹凸を平坦化するためのオーバーコート膜１１４と、液晶層１３０を駆動するための電極層１１５と、液晶層１３０を構成する液晶分子の配向を制御するための配向膜１１６とが積層形成されている。また、第２基板１２０の液晶層１３０側には順に、電極層１２５、オーバーコート膜１２４、配向膜１２６が積層形成されている。
【００４６】
第１の基板１１０の液晶層１３０側と反対側（第１の基板１１０の外面側）には偏光板１１８が設けられており、第２の基板１２０の液晶層１３０側と反対側（第２の基板２０の外面側）には位相差板１２７と偏光板１２８がこの順で積層されている。
【００４７】
有機膜１１１は、その上に形成されている金属反射膜１１２に凹凸形状を与えて反射光を効率よく散乱させるために設けられているものである。この有機膜１１１、金属反射膜１１２及び第１基板１１０は、図１及び２に示した反射体１における反射膜５、透明基体３３及び基板２に各々対応し、第１の実施形態の反射体１を構成している。この反射体１は、第１の実施形態で説明したように、裏面（背面）からのバックライト１０５の光を透過できるように半透過型に構成されている。
【００４８】
本実施形態の液晶表示装置においては、第１の実施形態の反射体１と同一構成の部材（有機膜１１１、金属反射膜１１２及び第１基板１１０）を備えており、この構成により、反射モード、透過モードのいずれのモードにおいても明るい表示を得ることができる。
また、本実施形態の液晶表示装置では、金属反射膜１１２（反射体１）自体が広い反射角度にわたる高い反射率と適度な指向性を兼ね備えているので、使用者が通常に表示面を見る方向を中心として、広い視野角と充分な明るさを兼ね備えた表示面とすることができる。また、裏面から透過するバックライト１０５の光は第１の実施形態における平坦部６を透過するために散乱されず、特定の望む方向における充分な明るさを確保できる。
【００４９】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態の反射体の製造方法について説明する。本実施形態の反射体の製造方法は、凹部形成工程と、反射膜形成工程と、いわゆるフォトリソグラフィ法を用いた反射膜除去工程とを主体として構成されている。以下、各工程について詳細に説明する。
【００５０】
まず、凹部形成工程では、透明基体の一面に複数の凹部を形成を行う。図４に凹部形成工程の工程図を示す。まず図４Ａに示すように、例えば黄銅等からなる平板状の母型基材７を用意する。そして、先端の径が図１、図２に示す凹部４（４ａ、４ｂ）に対応する特定形状のダイヤモンド圧子８で母型基材７の表面を繰り返し押圧することで、深さや配列ピッチが異なる多数の凹部７ａを母型基材７の表面に転造し、図４Ｂに示すような反射体形成用母型９を形成する。
【００５１】
次に、図４Ｃに示すように、母型９を箱形容器１０に収納し、容器１０に例えばシリコーンなどの樹脂材料１１を流し込んで硬化させ、硬化済みの樹脂製品を容器１０から取り出して不要な部分を切除することにより、図４Ｄに示すような、母型９の型面をなす多数の凹部と逆の凹凸形状である多数の凸部を持つ型面１２ａを有する転写型１２を作成する。
【００５２】
次に、ガラス基板の上面に、アクリル系レジスト等の感光性樹脂液をスピンコート法等の塗布法により塗布する。塗布終了後、加熱炉等の加熱装置を用いて感光性樹脂液に対してプリベークを行い、基板上に透明基体３としての感光性樹脂層を形成する。ここで形成する感光性樹脂層の膜厚は２〜５μｍの範囲とすることが好ましい。
【００５３】
次に、図４Ｅに示すように、図４Ｄに示した転写型１２を用い、この転写型１２の型面１２ａを透明基体３に一定時間押し付けた後、転写型１２を樹脂基材３から外す。このようにして、図４Ｆに示すように、透明基体３の表面に転写型型面１２ａの凸部を転写して多数の凹部４を形成する。また、型押し時のプレス圧は用いる樹脂基材３の種類にあった値を選択することが好ましく、例えば３０〜５０ｋｇ／ｃｍ２程度の圧力とするのがよい。プレス時間についても用いる樹脂基材３の種類にあった値を選択することが好ましく、例えば３０秒〜１０分程度の時間とする。
【００５４】
その後、透明なガラス基板の裏面側から樹脂基材３を硬化させるための紫外線等の光線を照射し、透明基体３を硬化させる。ここで照射する紫外線等の光線は、上記種類の感光性樹脂層からなる樹脂基材３の場合、５０ｍＪ／ｃｍ２以上の強度であれば透明基体３を硬化させるのに充分であるが、感光性樹脂層の種類によってはこれ以外の強度で照射してもよいことは勿論である。そして、プリベークで用いたのと同様の加熱炉、ホットプレート等の加熱装置を用いてガラス基板上の樹脂基材３を例えば２４０℃程度で１分以上加熱するポストベークを行ってガラス基板上の透明基体３を焼成する。
【００５５】
次に、反射膜形成工程では、凹部形成工程により得られた透明基体３の一面全面に反射膜を形成する。図５には透明基体３の一面３ａ全面に対して反射膜５ａを成膜した状態を示す。反射膜５ａは、凹部４の内面及び凹部４の非形成領域である平坦部６に形成する。反射膜５ａの形成方法としては、蒸着法、エレクトロンビーム蒸着法などの手段により行う。反射膜５ａの膜厚は、８０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲とすることが好ましい。
【００５６】
次に、反射膜除去工程では、透明基体３の一面全面に形成した反射膜５ａのうち、平坦部６に形成した反射膜５ａを除去する。図６には反射膜除去工程の工程図を示す。まず図６Ａに示すように、反射膜５ａの全面にレジスト膜１３を形成する。レジスト膜１３は、アクリル系レジスト等の感光性樹脂液をスピンコート法等の塗布法により塗布、プリベークすることにより形成する。レジスト膜１３の膜厚は０．５〜２μｍの範囲とすることが好ましい。
【００５７】
次に、図６Ｂに示すように、フォトマスク１４をレジスト膜１３上に載置する。フォトマスク１４としては、凹部４に対応する窓部１４ａを有するものを用いる。このフォトマスク１４を重ねることで平坦部６の領域が遮光された状態になる。次に、フォトマスク１４上から紫外線１５を照射して凹部４の形成位置に対応する部分のレジスト膜１３を露光する。
【００５８】
次に、図６Ｃに示すように、未露光のレジスト膜、即ち平坦部６上に形成されたレジスト膜１３を除去する。レジスト膜１３の除去によって、平坦部６上の反射膜５ａが露出する。次に図６Ｄに示すように、露出した反射膜５ａをエッチングして除去する。最後に、残存するレジスト膜１３を除去することにより、図１及び図２に示したものと同一構成の反射体１が得られる。
【００５９】
本実施形態の反射体の製造方法によれば、いわゆるフォトリソグラフィ法を用いて、平坦部６に形成された反射膜５ａを除去することができるので、半透過型の反射体１を効率よく製造することができる。
【００６０】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態の反射体の製造方法について説明する。本実施形態の反射体の製造方法は、凹部形成工程と、反射膜形成工程と、いわゆるタッチポリッシュ法を用いた反射膜除去工程とを主体として構成されている。凹部形成工程及び反射膜形成工程は、第３の実施形態で説明したものと同じ工程なので説明を省略する。従って本実施形態ではタッチポリッシュ法を用いた反射膜除去工程について詳細に説明する。
【００６１】
本実施形態の反射膜除去工程では、透明基体３の一面全面に形成した反射膜５ａのうち、平坦部６に形成した反射膜５ａを除去する。図７には反射膜除去工程の工程図を示す。まず図７Ａに示すように、砥粒１７を含んだ研磨液１６を反射膜５ａ上に供給する。研磨液１６としては、酸化セリウム粉末からなる砥粒１７…を水１８により懸濁させたものを用いる。酸化セリウム粉末としては、平均粒径２μｍ以下であり、かつ一次粒子径が０．０５μｍ以下のものが好ましい。酸化セリウム粉末以外では、コロイダルシリカを用いても良い。
【００６２】
次に、図７Ｂに示すように、透明基体３を固定した状態で、回転ディスク１９（研磨冶具）を透明基体の一面３ａに当てながら回転させる。回転ディスク１９は直径１００〜２００ｃｍの円板状のもので、底面が研磨面１９ａとされており、また研磨面１９ａと反対側には回転軸１９ｂが設けられており、回転軸１９ｂは図示略の駆動手段に連結されている。研磨面１９ａを透明基体３の一面３ａに押し当てると、砥粒１７…を挟んで平坦部６上の反射膜に研磨面１９ａが接する。この状態で回転ディスク１９を回転させることで、平坦部６上の反射膜５ａのみを研磨して除去する。凹部４に形成された反射膜５ａは研磨されずに残る。回転ディスク１９の研磨加重は、０．１〜０．５ｋｇ／ｃｍ２の範囲が好ましく、回転速度は１０〜１００ｒｐｍの範囲が好ましい。
【００６３】
最後に図７Ｃに示すように、研磨液を洗浄除去する。平坦部６の表面粗さは平均粗さで０．１μｍ以下となり、研磨によって平坦性が向上する。
【００６４】
研磨面１９ａは平坦部６に形成された反射膜にのみ接し、凹部４内部に形成された反射膜には接しないので、平坦部６の反射膜のみを除去することができ、半透過型の反射体１を容易に製造できる。また、平坦部６の表面粗さを低減することができ、透過光の乱反射を防止できる。
【００６５】
（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態の反射体の製造方法について説明する。本実施形態の反射体の製造方法は、凹部形成工程と、反射膜形成工程と、レーザービームを用いた反射膜除去工程とを主体として構成されている。凹部形成工程及び反射膜形成工程は、第３の実施形態で説明したものと同じ工程であるので説明を省略する。従って本実施形態では、レーザービームを用いた反射膜除去工程について詳細に説明する。
【００６６】
本実施形態の反射膜除去工程では、透明基体３の一面全面に形成した反射膜５ａのうち、平坦部６に形成した反射膜５ａを除去する。図８には反射膜除去工程に用いられる反射体製造装置を示す。図８Ａ及び図８Ｂに示すように、反射膜５ａが形成された透明基体３を、反射体製造装置１５０に設置する。本実施形態の反射体製造装置１５０は、光源１５１と検出器１５２と制御部１５３とを主体として構成されている。また、透明基体３は図示略のＸＹステージに載置されている。
【００６７】
光源１５１は、レーザービームを照射するものであり、透明基体３の一面３ａの法線Ｍに対するレーザービームの照射光軸Ｒ１が傾斜角度θ１となるように配置されている。この配置関係により、透明基体３の一面３ａに対して斜め方向からレーザービームを照射できるようになっている。また、光源１５１は２種類のレーザービームを照射できるようになっている。即ち、走査用レーザービーム（レーザービーム）と、走査用レーザービームよりも出力が大きな除去用レーザービーム（別のレーザービーム）を照射できるようになっている。これらのレーザービームの切換は制御部１５３によって制御されている。また、光源１５１と透明基体３の間には、レーザービームのビーム径を調整可能なアパーチャ１５４が設置されている。
【００６８】
次に検出器１５２は、走査用レーザービームの正反射ビームを検出するものであり、レーザービームの照射光軸Ｒ１の正反射方向である正反射光軸Ｒ２上に配置されている。この配置関係により、透明基体３の一面から正反射したレーザービームのみを検出できるようになっている。ここで、透明基体３により正反射されるレーザービームは、平坦部６に照射されるレーザービームのみである。凹部４に照射されたレーザービームは略球面の凹部内面によって拡散反射されるため、正反射されることがない。また、検出器１５２と透明基体３の間には、正反射されたレーザービームのビーム径を絞るアパーチャ１５５が設置されている。
【００６９】
次に制御部１５３は、検出器１５２がレーザービームの正反射ビームを検出したときに検出信号を発し続ける信号部１５３ａと、光源１５１に電力を供給するとともに信号部１５３ａからの検出信号を受けている間光源１５１に対して除去用レーザービームを照射するよう命じる光源制御部１５３ｂとから構成されている。この構成により、検出器１５２によってレーザービームの正反射ビームを検出している間、光源からは除去用レーザービームが照射される。
【００７０】
次に、反射膜除去工程について説明する。まず図９に示すように、光源１５１から透明基体３に対して走査用レーザー光Ｌ１を照射する。照射された走査用レーザー光Ｌ１は透明基体３の平坦部６により正反射されて正反射ビームＬ２となり、この正反射ビームＬ２が検出器１５２によって検出される。正反射ビームＬ２が検出されると、制御部１５３の信号部１５３ａが検出信号を発生させて光源制御部１５３ｂに送る。検出信号を受けた光源制御部１５３ｂは光源１５１に対して除去用レーザービームを照射するように指令する。
【００７１】
光源制御部１５３ｂから指令を受けた光源１５１は、図１０に示すように透明基体３に対して除去用レーザービームＬ３を照射する。除去用レーザービームＬ３によって、平坦部６上の反射膜５ａが除去される。透明基体３はＸＹステージによって徐々に図中矢印Ｎ方向に移動させられ、その間に走査用レーザービームと除去用レーザービームの照射が交互に繰り返し行われ、正反射ビームＬ２の検出と反射膜の除去とが交互に行われる。走査用レーザービームＬ１と除去用レーザービームＬ３の照射周期は、１ｋＨｚ〜１０ＭＨｚとするのが好ましい。
【００７２】
次に図１１に示すように、走査用レーザービームＬ１が凹部４内に照射されると、走査用レーザービームＬ１は正反射されずに拡散反射される。検出器１５２には正反射光が届かないため、走査用レーザービームＬ１が凹部４内に照射される間は除去用レーザービームＬ２が照射されることがない。
【００７３】
尚、除去レーザービームＬ３の出力は、１パルス当たり０．５ｍＪ〜２０ｍＪの範囲とすることが好ましい。また、レーザー光としてはＹＡＧレーザーを用いることが好ましく、波長として３５５ｎｍ、５３２ｎｍ若しくは１０６４ｎｍのものが好ましい。更に、反射膜５ａ上における除去用レーザービームＬ３のビーム径は、１５〜４０μｍの範囲とすることが好ましい。
【００７４】
出力エネルギーが０．５ｍＪ未満になると、反射膜５ａの除去が困難になるので好ましくなく、出力エネルギーが２０ｍＪを越えると、反射膜５ａが過剰に溶融したり、透明基体３が損傷してしまうので好ましくない。
【００７５】
また走査用レーザービームＬ１の出力は、１パルス当たり０．１ｍＪ〜０．５ｍＪの範囲とすることが好ましい。レーザー光としてはＹＡＧレーザーを用いることが好ましく、波長として３５５ｎｍ、５３２ｎｍ若しくは１０６４ｎｍのものが好ましい。更に、反射膜５ａ上における走査用レーザービームＬ１のビーム径は、１５〜４０μｍの範囲とすることが好ましい。出力エネルギーが０．１ｍＪ未満になると、検出器１５２による正反射ビームの検出が困難になるので好ましくなく、出力エネルギーが０．５ｍＪを越えると、拡散反射ビームの一部が検出器１５２で検知されてしまい、除去用レーザービームＬ３を誤って照射してしまうおそれがあるので好ましくない。
【００７６】
上記の方法は、レーザービームのみ用いた乾式法であり、各種の液を用いた湿式法ではないため、反射基体３や反射膜５ａを液体に曝す必要がなく、反射基体３や反射膜５の光学特性の劣化を防止することができる。
【００７７】
（第６の実施形態）
次に、本発明の第６の実施形態の反射体の製造方法について説明する。本実施形態の反射体の製造方法は、凹部形成工程と、反射膜形成工程と、レーザービームを用いた反射膜除去工程とを主体として構成されている。凹部形成工程及び反射膜形成工程は、第３の実施形態で説明したものと同じ工程であるので説明を省略する。従って本実施形態では、レーザービームを用いた反射膜除去工程について詳細に説明する。
【００７８】
本実施形態の反射膜除去工程では、透明基体３の一面全面に形成した反射膜５ａのうち、平坦部６に形成した反射膜５ａを除去する。図１２には反射膜除去工程に用いられる反射体製造装置を示す。図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、反射膜５ａが成膜された透明基体３を、反射体製造装置１６０に設置する。本実施形態の反射体製造装置１６０は、第１光源１６１と第２光源１６２と検出器１５２と制御部１６３を主体として構成されている。また、透明基体３は図示略のＸＹステージに載置されている。
【００７９】
第１光源１６１は、走査用レーザービーム（レーザービーム）を照射するものであり、透明基体３の一面の法線Ｍに対するレーザービームの照射光軸Ｒ１が傾斜角度θ１となるように配置されている。この配置関係により、透明基体３の一面３ａに対して斜め方向から走査用レーザービームを照射できるようになっている。走査用レーザービームの照射は、制御部１６３によって制御されている。また、第１光源１６１と透明基体３の間には、レーザービームのビーム径を調整可能なアパーチャ１５４ａが設置されている。
【００８０】
第２光源１６２は、除去用レーザービーム（別のレーザービーム）を照射するものであり、透明基体３の一面の法線Ｍに対するレーザービームの照射光軸Ｒ３が傾斜角度θ１となるように配置されている。また図１２Ｂに示すように、第２光源１６２は、照射光軸Ｒ３の方向が第１光源１６１の照射光軸Ｒ１に対して角度θ２の方向だけ傾斜した状態で配置され、かつ走査用レーザービームの照射位置と同じ位置に除去用レーザービームを照射できるように配置されている。この配置関係により、透明基体３の一面３ａに対して斜め方向から除去用レーザービームを照射できるようになっている。除去用レーザービームの照射は、制御部１６３によって制御されている。また、第２光源１６２と透明基体３の間には、レーザービームのビーム径を調整可能なアパーチャ１５４ｂが設置されている。
【００８１】
次に検出器１５２は、走査用レーザービームを検出するものであり、走査用レーザービームの照射光軸Ｒ１の正反射方向である正反射光軸Ｒ２上に配置されている。この配置関係により、透明基体３の一面３ａで正反射した走査用レーザービームのみを検出できるようになっている。ここで、透明基体３により正反射される走査用レーザービームは、平坦部６に照射されるレーザービームのみである。凹部４に照射された走査用レーザービームは略球面である凹部内面によって拡散反射されるため、正反射されることがない。また、検出器１５２と透明基体３の間には、正反射されたレーザービームのビーム径を絞るアパーチャ１５５が設置されている。
【００８２】
次に制御部１６３は、検出器１５２が走査用レーザービームの正反射光を検出したときに検出信号を発し続ける信号部１６３ａと、第１，第２光源１６１、１６２に電力を供給するとともに信号部１６３ａからの検出信号を受けている間第２光源１６２に対して除去用レーザービームを照射するよう命じる光源制御部１６３ｂとから構成されている。この構成により、検出器１５２によって走査用レーザービームの正反射光を検出している間、第２光源１６２からは除去用レーザービームが照射される。
【００８３】
次に、反射膜除去工程について説明する。まず図１３に示すように、第１光源１６１から透明基体３に対して走査用レーザービームＬ１を照射する。照射された走査用レーザービームＬ１は透明基体３の平坦部６で正反射されて正反射ビームＬ２とされ、この正反射ビームＬ２が検出器１５２により検出される。正反射ビームＬ２が検出されると、制御部１６３の信号部１６３ａが検出信号を発生させて光源制御部１６３ｂに送る。検出信号を受けた光源制御部１６３ｂは第２光源１６２に対して除去用レーザービームを照射するように指令する。
【００８４】
光源制御部１６３ｂから指令を受けた第２光源１６１は、図１４に示すように透明基体３に対して除去用レーザービームＬ３を照射する。除去用レーザービームＬ３によって、平坦部６上の反射膜５ａが除去される。透明基体３はＸＹステージによって徐々に図中矢印Ｎ方向に移動させられ、その間に走査用レーザービームＬ１と除去用レーザービームＬ３の照射が同時に行われ、正反射ビームＬ２の検出と反射膜５ａの除去とが同時に行われる。
【００８５】
次に図１１に示すように、走査用レーザービームＬ１が凹部４内に照射されると、走査用レーザービームＬ１は正反射されずに拡散反射される。検出器１５２には正反射ビームが届かず、第２光源１６２による除去用レーザービームＬ３の照射が停止する。これにより、走査用レーザービームＬ１が凹部４内に照射される間は除去用レーザービームＬ３が照射されることがない。
【００８６】
尚、走査用及び除去用レーザービームＬ１、Ｌ３の出力、レーザー光の種類、波長、ビーム径は、第５の実施形態の場合と同様である。
【００８７】
上記の方法は、レーザービームのみ用いた乾式法であり、各種の液を用いた湿式法ではないため、反射基体３や反射膜５ａを液体に曝す必要がなく、反射基体３や反射膜５の光学特性の劣化を防止することができる。
【００８８】
（第７の実施形態）
次に、本発明の第７の実施形態の反射体の製造方法について説明する。本実施形態の反射体の製造方法は、凹部形成工程と、凹部４の非形成領域である平坦部６に蒸着防止オイルを塗布する塗布工程と、凹部４に反射膜材料を減圧雰囲気下で蒸着する蒸着工程とから構成されている。凹部形成工程は、第３の実施形態で説明したものと同じ工程である。従って本実施形態では、塗布工程及び蒸着工程について説明する。
【００８９】
図１６には、塗布工程及び蒸着工程において好適に用いられる反射膜形成装置の模式図を示す。図１６に示す反射膜形成装置６０は、塗布工程室６０ａと蒸着室６０ｂとを具備してなり、塗布工程室６０ａと蒸着室６０ｂの間は、一部に窓部６０ｃが設けられた隔壁６０ｄによって区画されている。圧力は真空ポンプ６０ｅによって１０−３Ｐａ〜１０−５Ｐａ程度に調整されている。
【００９０】
塗布工程室６０ａ内には、長尺の透明基体３が巻回された巻出しロール６１と、ガイドローラ６２、６３と、蒸着防止オイルを透明基体３にパターン塗布するためのオフセット印刷機６４と、冷却ロール６５と、ガイドローラ６６，６７と、巻取りロール６８とが備えられている。冷却ロール６５は、窓部６０ｃから蒸着室６０ｂを望む位置に配置されている。
また、蒸着室６０ｂ内には、反射膜材料が充填された蒸着源６９が設置されている。蒸着源６９は、窓部６０ｃを介して冷却ロール６５と対向するように配置されている。
また、オフセット印刷機６４は、蒸着防止オイルを貯蔵するとともにこれを噴霧する噴霧器６４ａと、噴霧器６４ａの上側に配置された回転駆動するオフセットロール６４ｂと、オフセットロールに接触してオフセットロール６４ｂにより回転駆動される転写ロール６４ｃとから構成されている。このオフセット印刷機６４は、噴霧器６４ａにより噴霧された蒸着防止オイルがオフセットロール６４ｂ表面に付着され、次に付着された蒸着防止オイルがオフセットロール６４ｂから転写ロール６４ｃに転写され、最終的に蒸着防止オイルが転写ロール６４ｃによって透明基体３の平坦部６に塗布されるように構成されている。即ち、オフセットロール６４ｂ表面には透明基体３の平坦部６に対応する印刷版６４ｄが備えられており、蒸着防止オイルが印刷版６４ｄの図示略の画線部にパターン塗布され、このパターン塗布された蒸着防止オイルが最終的に透明基体３に塗布されるように構成されている。
【００９１】
次に、反射膜形成装置６０による反射膜１２の形成方法を、図１６及び図１７を参照して説明する。まず図１６に示すように、巻出しロール６１から巻き出した透明基体３をガイドローラ６２，６３により案内させてオフセット印刷機６４の転写ローラ６３に導く。転写ローラ６３の表面には蒸着防止オイルが所定のパターンで付着しており、この蒸着防止オイルを透明基体３の平坦部６に転写させる。図１７Ａには、透明基体３の平坦部６に蒸着防止オイル７０がパターン塗布された状態を示す。
【００９２】
次に図１６に示すように、蒸着防止オイルが塗布された透明基体３を冷却ロール６５に導く。冷却ロール６５の下方には反射膜材料が充填された蒸着源６９が配置されており、蒸着源６９により反射膜材料を加熱するとともに蒸着室６０ｂを減圧雰囲気に導いて反射膜材料の蒸気を発生させ、この蒸気を透明基体３に蒸着させる。透明基体３が冷却ロール６５によって冷却されているので、反射膜材料の蒸気が透明基体３に接触すると直ちに蒸着する。また、透明基体３の一面３ａが減圧状態の蒸着室６０ｂに曝されるため、透明基体３にパターン塗布されていた蒸着防止オイルの一部または全部が徐々にゆっくりと揮発する。この様子を図１７Ｂに示す。
図１７Ｂに示すように、反射膜材料が凹部４…に堆積することによって反射膜５が形成される。一方、平坦部６からは蒸着防止オイル７０の蒸気が発生し、この蒸気が飛来して来る反射膜材料の蒸着粒子に衝突する。従って、平坦部６には反射膜材料が蒸着することがない。このため、凹部４…にのみ反射膜５が形成される。
【００９３】
そして、反射膜材料の蒸着の際に蒸着防止オイルが全て蒸発した場合は、透明基体３をそのまま巻き取りロール６８に巻き取る。また、蒸着防止オイルの一部のみ蒸発して残部が残った場合は、適当な洗浄液を用いて残部を洗浄除去した後に、透明基体３を巻き取りロール６８に巻き取る。そして、巻き取られた長尺の透明基体３を適当な大きさに裁断し、ガラス基板２に貼り合わせることにより、図１７Ｃに示すような、反射体１が得られる。
【００９４】
上記の製造方法で用いられる蒸着防止オイルとしては、両端がＦ基、ＣＦ３  基、ＣＦ３  Ｏ基またはＣ２  Ｆ５  基で安定化され、繰返し単位が下式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）示される構造を有するパーフロロアルキルポリエーテルの夫々単独またはそれらの中の２種以上の混合物が例示される。
【００９５】
式（Ｉ）：−（−Ｃ３Ｆ６Ｏ−）ｎ−
式（ＩＩ）：−（−Ｃ３Ｆ６Ｏ−）ｎ−（−ＣＦ２Ｏ−）ｍ−
式（ＩＩＩ）：−（−Ｃ２Ｆ４Ｏ−）ｎ−（−ＣＦ２Ｏ−）ｍ−
ただし、ｎ，ｍは、パーフロロアルキルポリエーテル全体として１０００〜１５０００の平均分子量を与える平均繰り返し単位数を示す。
【００９６】
尚、式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）中のｎ：ｍは、例えば約３０〜４０：１というように、前者がかなり大であるのが通常である。繰返し単位−（−Ｃ３  Ｆ６  Ｏ  −）ｎ  −は、直鎖構造または分岐構造の何れであってもよい。
上記のパーフロロアルキルポリエーテルには平均分子量が１０００〜１５０００のものが用いられるが、特に１５００〜１００００の範囲のものが好ましく用いられる。分子量が１０００未満のものは、蒸気圧が高く真空蒸着中の蒸発損失が大きい。また、パーフロロアルキルポリエーテルは透明基体３に対するパターン塗布に適した粘度を有する必要があり、１５０００を超えるものは、塗布のために高温への加熱が必要となり、透明基体３ヘの塗布時に透明基体３の変形を招くため好ましくない。
【００９７】
また、反射膜材料としては、Ａｌの他に、Ａｇ等の金属が好ましく用いられる。また、オフセット印刷装置６４に代えて、各種転写手段あるいは印刷手段を用いることができ、更に蒸着防止オイルを透明基体３に直接噴霧してパターン塗布する噴霧手段を用いることができる。
尚、透明基体３に適量の蒸着防止オイルが均一に塗布されるように、透明基体３に直接接触する転写ロール６３に先立って、オフセットロール６４ｂに先ず蒸着防止オイルを付着させるのが好ましい。オフセットロール６４ｂへのオイルの付着は塗布、浸漬、蒸発ないし噴霧の各方法が採られる。
【００９８】
上記の反射体の製造方法によれば、蒸着防止オイルが塗布されていない凹部４…に反射膜材料を蒸着して反射膜５を形成するので、蒸着防止オイル７０がマスク層として機能し、平坦部６への反射膜５の形成を防止することができる。
また、蒸着防止オイルのパターン塗布をオフセット印刷により行うので、マスク層となる蒸着防止オイルを容易に塗布することができ、反射膜の形成を簡単にすることができる。
更に、パーフロロアルキルポリエーテルをマスク層として用いることにより、反射膜材料の蒸着に際し、蒸着物の付着がなく且つ縁部の鮮明な反射膜５を形成することができる。
【００９９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の反射体によれば、平坦部に反射膜が形成されていないため、反射体の一面と反対側の他面に照射された光をこの平坦部によって透過させることが可能となり、半透過型の反射体とすることができる。また反射膜が凹部内面に成膜されているため、反射膜の形状が凹部の内面形状にほぼ一致し、入射した光が様々な反射角度で反射されることになり、反射光の反射率を広い角度範囲で高めることができ、優れた反射特性を得ることができる。
また、本発明の液晶表示装置によれば、上記の反射体を備えているので、反射モード、透過モードのいずれのモードにおいても明るい表示を得ることが可能となり、表示特性に優れた液晶表示装置を構成することができる。
【０１００】
更に本発明の反射体の製造方法によれば、フォトリソグラフィ法、タッチポリッシュ法、レーザービーム法等を用いて、平坦部に形成された反射膜を除去することができるので、半透過型の反射体を効率よく製造することができる。
更にまた本発明の反射体製造装置によれば、レーザービームのみ用いた乾式法により反射膜を除去するので、反射基体や反射膜の光学特性の劣化を防止することができ、反射モード、透過モードの何れの場合でも明るい表示を実現可能な反射体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態である反射体を示す斜視図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に対応する断面模式図。
【図３】本発明の第２の実施形態である液晶表示装置を示す拡大断面模式図。
【図４】本発明の第３の実施形態である反射体の製造方法の凹部形成工程を説明する工程図。
【図５】本発明の第３の実施形態である反射体の製造方法の反射膜形成工程を説明する工程図。
【図６】本発明の第３の実施形態である反射体の製造方法の反射膜除去工程を説明する工程図。
【図７】本発明の第４の実施形態である反射体の製造方法の反射膜除去工程を説明する工程図。
【図８】本発明の第５の実施形態である反射体の製造方法の反射膜形成工程に用いられる反射体製造装置を示す図であって、Ａは正面模式図であり、Ｂは平面模式図。
【図９】本発明の第５の実施形態である反射体の製造方法の反射膜形成工程を説明する工程図。
【図１０】本発明の第５の実施形態である反射体の製造方法の反射膜形成工程を説明する工程図。
【図１１】本発明の第５の実施形態である反射体の製造方法の反射膜形成工程を説明する工程図。
【図１２】本発明の第６の実施形態である反射体の製造方法の反射膜形成工程に用いられる反射体製造装置を示す図であって、Ａは正面模式図であり、Ｂは平面模式図。
【図１３】本発明の第６の実施形態である反射体の製造方法の反射膜形成工程を説明する工程図。
【図１４】本発明の第６の実施形態である反射体の製造方法の反射膜形成工程を説明する工程図。
【図１５】本発明の第６の実施形態である反射体の製造方法の反射膜形成工程を説明する工程図。
【図１６】本発明の第７の実施形態である反射体の製造方法の塗布工程と蒸着工程に用いられる反射体製造装置を説明する模式図。
【図１７】本発明の第７の実施形態である反射体の製造方法の塗布工程及び蒸着工程を説明する工程図。
【符号の説明】
１…反射体、３…透明基体、３ａ…一面、４…凹部、４ａ…浅型凹部（凹部）、４ｂ…深型凹部（凹部）、５、５ａ…反射膜、６…平坦部、１３…レジスト膜、１４…フォトマスク、１６…研磨液、１７…砥粒、１９…研磨冶具、１９ａ…研磨面、４０…液晶表示パネル、７０…蒸着防止オイル、１１０，１２０…基板、１３０…液晶層、１５０，１６０…反射体製造装置、１５１…光源、１５２…検出器、１５３、１６３…制御部、１６１…第１光源、１６２…第２光源、Ｌ１…走査用レーザービーム（レーザービーム）、Ｌ２…正反射ビーム、Ｌ３…除去用レーザービーム（別のレーザービーム）
【図１】
2005043552.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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