(57)【要約】【課題】  保護膜形成後のカラーフィルタの光透過率低下を防ぎ、保護膜に要求される膜表面の平坦化を実現し、ＩＴＯなどの透明電極を形成する工程でのカラーフィルタの特性劣化、カラーフィルタによる液晶汚染を抑制した液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】  ガラス基板の主面に形成したカラーフィルタとブラックマトリクスの上に金属アルコキシドの加水分解溶液を塗布し、金属アルコキシドの加水分解溶液を塗布したガラス基板を大気中に放置して冷却することにより、当該塗布膜の表面に微細な梨地状の凹凸を形成してＣＦ基板とし、前記ＣＦ基板に薄膜トランジスタ基板を貼り合せ、貼り合せ間隙に液晶を挟持させる【選択図】      なし 【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板の主面に形成したカラーフィルタとブラックマトリクスの上に金属アルコキシドの加水分解溶液を塗布し、
金属アルコキシドの加水分解溶液を塗布したガラス基板を、大気中に放置して冷却することにより、当該塗布膜の表面に微細な梨地状の凹凸を形成してＣＦ基板とし、
前記ＣＦ基板に薄膜トランジスタ基板を貼り合せ、貼り合せ間隙に液晶を挟持させることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
ガラス基板の主面に形成したカラーフィルタとブラックマトリクスの上に金属アルコキシドの加水分解溶液を塗布し、
金属アルコキシドの加水分解溶液を塗布したガラス基板を、大気中に放置して冷却することにより、当該塗布膜の表面に微細な梨地状の凹凸を形成し、
前記表面に微細な梨地状の凹凸を形成した前記塗布膜の上に酸化物からなる透明導電膜を被覆ししてＣＦ基板とし、
前記ＣＦ基板に薄膜トランジスタ基板を貼り合せ、貼り合せ間隙に液晶を挟持させることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記金属アルコキシド保護膜は、エトキシシラン単独、あるいはＺｒ，Ｔｉ，Ｓｎの何れかをイソプロピルアルコールを有機溶媒とした金属アルコキシド溶液を塗布、硬化することにより形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特にそのカラーフィルタ基板の製造に好適な液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置には種々の形式が実用化されているが、現在主流となっているアクティブ・マトリクス型の液晶表示装置は、画素選択回路を形成した薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）と複数色のカラーフィルタを形成したカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）の間に液晶層を挟持して構成される。ＴＦＴ基板は、その大部分の面積を占める画素領域（表示領域）と、この画素領域の外側に配置される駆動回路領域およびその他の回路領域を有する。
【０００３】
画素領域には、通常は３色（赤：Ｒ、緑：Ｇ、青：Ｂ）の副画素（サブピクセル）で構成される１カラー画素（ピクセル）がマトリクス状に配置されている。各副画素は薄膜トランジスタ回路（画素回路）で構成される。一方、ＣＦ基板には、ＴＦＴ基板に有する画素領域を構成する通常は３色の各副画素に対向して配置された赤：Ｒ、緑：Ｇ、青：Ｂのカラーフィルタが形成されている。
【０００４】
ＣＦ基板には、ガラスを好適とする透明絶縁基板の主面に隣接するフィルタ間の光色を防止して色純度とコントラストを向上させるための遮光膜（ブラックマトリクス）と各色のカラーフィルタが形成される。その後、表面に有機材料からなる保護膜（平坦化膜、またはオーバーコート膜とも称する）を形成している。そして、所謂ＩＰＳ型では保護膜の上に直接配向膜を成膜するが、ＴＮ型では、この保護膜の上にＩＴＯなどの透明電極を形成している。
【０００５】
ＣＦ基板側にＩＴＯなどの透明電極を形成する場合の保護膜は、当該透明電極の形成工程においてガスの発生やカラーフィルタ膜の劣化を防止する機能を有している。保護膜の上に形成するＩＴＯなどの透明電極は、スパッタ法などの成膜方法が用いられる。このとき有機材料の保護膜は、ＩＴＯなどの透明電極を形成する際のスパッタの衝撃、プラズマ等による分解でガスを発生する。この発生ガスは成膜条件（酸素量、真空度等）を変化させ、透明電極にバラツキが発生する。また、透明電極の有無に関係なく、ＣＦ基板をＴＦＴ基板と貼り合せ、貼り合せ間隙に液晶を注入して液晶表示装置としたときのカラーフィルタによる液晶汚染を防止する機能も有する。
【０００６】
なお、液晶表示装置を構成するＣＦ基板の保護膜に有機材料を用いたことによる上記したようなＩＴＯなどの透明電極のバラツキ、透明電極の成膜工程での保護膜からの発ガスの対策として、保護膜に無機材料である金属アルコキシドを用いたものが特許文献１、特許文献２に開示されている。特許文献１は、有機材料の平坦化膜（保護膜）に金属アルコキシドを前駆体としてシリカ層を成膜した無機―有機の積層構造とした保護膜を開示する。また、特許文献２は、有機材料の表面に金属アルコキシドで透明皮膜を形成した保護膜を開示する。
【特許文献１】特開平９−２６９４８１号公報
【特許文献２】特開平７−１９９１６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
有機材料からなるＣＦ基板の保護膜は、可視光領域（４００ｎｍ乃至７００ｎｍ）を含む３００ｎｍ乃至８００ｎｍ付近の領域に光吸収があり、特に短波長側（４００ｎｍ乃至５００ｎｍ）で吸収が大きい。そのため、特に青色領域での色度値変化が発生し、色再現性が劣化する。従来から、この保護膜の膜厚は１．０μｍ乃至３．０μｍであり、保護としての機能を満たすためには膜厚が厚いほうがよいが、膜厚が厚くなるほどカラーフィルタの重要な特性である光透過率が低下する。
【０００８】
また、従来の保護膜は、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂およびポリイミド系樹脂等の有機材料で形成されていたために、塗布後ベークでは充分に硬化されない。アクリル系樹脂からなる保護膜の場合、上述の条件による塗布後ベークではカラーフィルタ上に塗布された樹脂膜から溶媒が蒸発するのみである。従って、塗布後ベークの後に紫外線の照射により硬化させ、続いて硬化ベーク工程で硬化を完了させねばならなかった。表１に有機材料で保護膜を形成する場合の焼成（べーク）工程を示す。
【表１】
2005338537.tif 000002
【０００９】
本発明の目的は、保護膜形成後のカラーフィルタの光透過率低下を防ぎ、保護膜に要求される膜表面の平坦化を実現し、ＩＴＯなどの透明電極を形成する工程でのカラーフィルタの特性劣化、カラーフィルタによる液晶汚染を抑制した液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、液晶表示装置を構成するカラーフィルタ基板におけるブラックマトリクスおよびカラーフィルタの上に形成する保護膜を、従来の膜厚（１．０μｍ乃至３．０μｍ）でも可視光領域での光透過率が９０％以上である金属アルコキシドを使用する。金属アルコキシドは保護膜形成後のカラーフィルタの透過率低下を防ぎ、なおかつ保護膜の要求特性である膜表面の平坦化、ＩＴＯなどの透明電極を形成する工程におけるカラーフィルタの膜劣化及びＴＦＴ基板と貼り合せ、液晶を注入して液晶表示装置としたときのカラーフィルタによる液晶汚染を従来と同等以上とした。
【００１１】
金属アルコキシド保護膜の形成は、エトキシシラン単独、あるいはＺｒ，Ｔｉ，Ｓｎ等を含み、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等を有機溶媒とする金属アルコキシド溶液を塗布、硬化することにより形成する。また、保護膜に物理吸着性を付与し、液晶表示装置の長寿命化、高信頼性を実現する。
【００１２】
本発明の代表的な構成を記述すれば、以下のとおりである。すなわち、
（１）ガラス基板の主面に形成したカラーフィルタとブラックマトリクスの上に金属アルコキシドの加水分解溶液を塗布し、
金属アルコキシドの加水分解溶液を塗布したガラス基板を、大気中に放置して冷却することにより、当該塗布膜の表面に微細な梨地状の凹凸を形成してＣＦ基板とし、
前記ＣＦ基板に薄膜トランジスタ基板を貼り合せ、貼り合せ間隙に液晶を挟持させる。
【００１３】
（２）ガラス基板の主面に形成したカラーフィルタとブラックマトリクスの上に金属アルコキシドの加水分解溶液を塗布し、
金属アルコキシドの加水分解溶液を塗布したガラス基板を、大気中に放置して冷却することにより、当該塗布膜の表面に微細な梨地状の凹凸を形成し、
前記表面に微細な梨地状の凹凸を形成した前記塗布膜の上に酸化物からなる透明導電膜を被覆ししてＣＦ基板とし、
前記ＣＦ基板に薄膜トランジスタ基板を貼り合せ、貼り合せ間隙に液晶を挟持させる。
【００１４】
（３）前記金属アルコキシド保護膜は、エトキシシラン単独、あるいはＺｒ，Ｔｉ，Ｓｎの何れかをイソプロピルアルコールを有機溶媒とした金属アルコキシド溶液を塗布、硬化することにより形成する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による金属アルコキシド膜は、膜厚が１．０μｍ乃至３．０μｍで可視光領域での光透過率９８％以上を確保することが可能であるため、従来と同様の平坦度、液晶汚染に対する保護性が維持される。また、完成膜厚が１０μｍでも可視光領域での光透過率９８％以上であるため、厚膜化による表面平坦性の改善、耐液晶汚染性が確保される。さらに、金属アルコキシド膜は物理吸着性を有するため、液晶表示装置の内部での不純物の吸着もなされ、長寿命、高信頼性の液晶表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明では、液晶表示装置を構成するＣＦ基板の主面に形成するブラックマトリクス層とカラーフィルタ層の上に形成する保護膜として、従来の１．０μｍ乃至３．０μｍでも可視光領域での光透過率が９０％以上である金属アルコキシドを使用する。金属アルコキシドは、IV族
（酸化数４）の金属元素であるＳｉ（珪素），Ｔｉ（チタン），Ｚｒ（ジルコニウム），Ｓｎ（錫）に少なくとも一つの炭化水素の官能基（ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ  ｇｒｏｕｐ）が結合された分子構造を有し、次の化学式（１）で一般的に記される。
【００１７】
Ｍ（ＯＲ）n（ＯＨ）4-n  ・・・・（１）
Ｍ：金属元素，Ｒ：アルキル基，ｎは自然数で１≦ｎ≦４を満たす。
【００１８】
例えば、エトキシシランではＭがＳｉ，Ｒがエチル基：−（Ｃ2Ｈ5）となる。金属アルコキシドは比較的低い温度で以下の化学式（２）で記されるポリマーへ変化する。
−［−Ｏ−Ｍ（ＯＲ）x（ＯＨ）2-x−Ｏ−］y−・・・・（２）
ｘは自然数で１≦ｘ≦２を満たし、ｙは自然数で重合度を示す。
【００１９】
例えば、エトキシシランは以下に示すポリオキシシランとなる。
【化１】
2005338537.tif 000003
【００２０】
また、金属アルコキシドは加水分解により化学式：Ｍ（ＯＨ）4で一般的に記される中間物質を経て、化学式：ＭＯ2で一般的に記される金属酸化物に変わる。
【００２１】
前記した特許文献２は、化学式：ＭＲn（ＯＲ）4-nで一般的に記される金属アルコキシドを加水分解し、重縮合させて、エポキシ樹脂と酸無水物系硬化剤とリン系硬化触媒とを含有するエポキシ系組成物の硬化体からなる透明樹脂基板上に無機酸化物の透明皮膜を形成する技術を開示する。この技術では、上記金属アルコキシドを水とアルコールからなる親水性溶媒に溶解させて溶液を調合し、この溶液が塗布された透明樹脂基板を８０℃〜２００℃の温度で３０分〜１２０分間加熱する。これにより、透明樹脂基板は当該金属の酸化物からなる上記透明皮膜が形成される。
【００２２】
一方、本発明では、金属アルコキシドをイソプロピルアルコール（Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ  Ａｌｃｏｈｏｌ）又はこれにエチルアルコールを混ぜた有機溶媒に溶かし、この溶液をガラス等の基板上に形成されたカラーフィルタ（通常、ブラックマトリクスが含まれる）に塗布する。次に、この基板を上述の塗布後ベークで３０分〜１２０分間に亘り処理する。これに対し、本発明では、水を含まない（不純物として含まれても水分はごく微量）有機溶媒に金属アルコキシドを溶解させるため、その加水分解はある程度抑えられる。
【００２３】
本発明の保護膜は、ガラス基板の主面に形成したカラーフィルタとブラックマトリクスの上に金属アルコキシドの加水分解溶液を塗布する。次いで、５分間乃至６０分間大気中に放置して冷却して、塗布膜の表面に微細な梨地状の凹凸を形成する。この塗布膜の上を酸化物からなる透明導電膜（ＩＴＯ等）で被覆してＣＦ基板とした。
【実施例１】
【００２４】
図１は、本発明の表示装置の実施例１を説明する断面図である。この液晶表示装置は透過型であり、ＴＦＴ基板とＣＦ基板の貼り合せ間隙に液晶層ＬＣを矜持して構成される。ＴＦＴ基板の背面にはバックライトＢＬが設置される。ＴＦＴ基板は、第１のガラス基板ＳＵＢ１の内面（主面）に各色（サブピクセル）ごとに薄膜トランジスタＴＦＴを有し、薄膜トランジスタＴＦＴの出力電極にＩＴＯを好適とする透明画素電極ＰＸが接続されている。そして、透明画素電極ＰＸを覆って第１の配向膜ＯＲＩ１が成膜され、配向処理されている。なお、符号ＧＩはゲート絶縁膜、ＰＡＳはパッシベーション膜である。
【００２５】
一方、ＣＦ基板は、第２のガラス基板ＳＵＢ２の内面（主面）に各色（サブピクセル）のカラーフィルタ（赤フィルタＲＦ、緑フィルタＧＦ、青フィルタＢＦ）がブラックマトリクスＢＭで区画されて配置されている。その上に保護膜ＯＣが成膜されている。そして、保護膜ＯＣの上に透明電極（対向電極）ＩＴＯが成膜され、最上層に第２の配向膜ＯＲＩ２が成膜され、配向処理されている。
【００２６】
本発明の製造方法の実施例１は図１に示した透過型の液晶表示装置を構成するＣＦ基板を製造する方法であり、次の工程を含む。先ず、第２のガラス基板ＳＵＢ２の主面に１．０μｍ乃至２．０μｍの膜厚のブラックマトリクスＢＭを形成する。次いで、１．０μｍ乃至２．０μｍの膜厚で色純度５７．４％、透過率３５．８％の赤フィルタＲＦ、緑フィルタＧＦ、青フィルタＢＦを形成する。
【００２７】
その後、金属アルコキシドとして例えば日板研究所製のセラミカ（商品名）をスピン塗布で１μｍ乃至５μｍの膜厚に形成する。これを５分間乃至６０分間大気中に放置して冷却して、塗布膜の表面に微細な梨地状の凹凸を形成して保護膜とした。凹凸を形成した保護膜の表面平坦性は４６ｎｍ（＝０．０４６μｍ）となった。この保護膜の上に透明電極ＩＴＯを成膜し、最上層に第２の配向膜ＯＲＩ２を成膜し、配向処理してＣＦ基板とした。
【００２８】
こうして製造した本実施例のＣＦ基板では、保護膜の下層にあるカラーフィルタと透明導電膜を透過する光（特に、青色付近の短波長領域の光）を減衰させることなく通過させ、かつカラーフィルタやブラックマトリクスによる液晶汚染を抑制することができる。
【００２９】
図２は、透過型の液晶表示装置に本発明を適用した実施例の保護膜と従来の有機樹脂の保護膜との可視光領域での一回の光透過率を示す図である。図２において、符号ａで示すグラフは実施例１の保護膜、符号ｂで示すグラフは従来の保護膜である。
【実施例２】
【００３０】
図３は、本発明の表示装置の実施例２を説明する断面図である。この液晶表示装置は部分反射型の液晶表示装置である。図３に示した部分反射型の液晶表示装置の構造は、基本的には図１と同様であるが、反射表示動作の際の白色輝度を補うため、各カラーフィルタにホトリソグラフィルタ法あるいはレーザビーム加工などで対角または直径が１０μｍ乃至２００μｍ程度の矩形あるいは円形の開口ＡＰを設けている。また、ＴＦＴ基板に設ける画素電極は反射電極ＰＸ−Ｒである。その他の構成は図１と同様である。
【００３１】
実施例２のＣＦ基板を製造する方法は次の工程を含む。先ず、第２のガラス基板ＳＵＢ２の主面に１．０μｍ乃至２．０μｍの膜厚のブラックマトリクスＢＭを形成する。次いで、１．０μｍ乃至２．０μｍの膜厚で色純度５７．４％、透過率３５．８％の赤フィルタＲＦ、緑フィルタＧＦ、青フィルタＢＦを形成する。各色のカラーフィルタの一部に開口ＡＰを加工する。この開口ＡＰは液晶表示装置の反射表示動作の際に、光源となる外部光が入射時と反射時の２回透過した時の白色として各色の輝度を補う。
【００３２】
その後、Ｚｉ，Ｔｉ，ＳｉＯ2 を主成分とする金属アルコキシドの加水分解溶液を実施例１と同様にして塗布する。カラーフィルタに設けた開口ＡＰの部分では、保護膜の膜厚は２μｍ乃至５μｍとなる。
【００３３】
図４は、部分反射型の液晶表示装置に本発明を適用した実施例の保護膜と従来の有機樹脂の保護膜との可視光領域での同じく二回の光透過率を示す図である。図４において、符号ａで示すグラフは実施例２の保護膜、符号ｂで示すグラフは従来の保護膜である。図４に示されたように、開口ＡＰの部分での保護膜の膜厚が最大膜厚の５μｍであっても、当該開口ＡＰを光が２回透過する時の分光特性は、９５％以上の透過率となる。
【００３４】
図２、図４に示されたように、本発明の実施例１，２における保護膜では、短波長側を含め、１００％に近い透過率が得られる。屈折率で比較すると、アクリル樹脂は１．４９〜１．５０、本実施例の保護膜の原料であるテトラエトキシシラン（Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ，Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）は１．３８１〜１．３８５である。一方、テトラエトキシシランの加水分解で得られる二酸化シリコンの屈折率は１．４５〜１．４７と見込まれる。従って、本実施例による保護膜の従来のそれにない良好な光透過率特性は、テトラエトキシシランの加水分解を抑制したことによる保護膜の屈折率の最適化に起因するものと考えられる。
【００３５】
従って、本発明の実施例における保護膜の特徴は、その屈折率が、その前駆体となる金属アルコキシドの加水分解で生じる金属酸化膜の屈折率と異なり、例えば、金属酸化膜の屈折率より小さいものとなる。
【００３６】
保護膜表面の平坦性に関し、前記した特許文献１には、カラーフィルタ上に塗布焼成型セラミック膜を、その前駆体として金属アルコキシドを用いて形成する技術が開示される。特許文献１に開示される技術では、金属アルコキシドを２５０〜２７０℃の温度で焼成して、カラーフィルタとの界面に無機−有機複合層を形成する。これにより得られた塗布焼成型セラミック膜の表面（上面）の平坦性は、山／谷（Ｐｅａｋ−ｔｏ−Ｖａｌｌｅｙ）の差が±０．０７μｍとなる。
【００３７】
一方、本発明者らが比較のためにアクリル系樹脂で形成した従来と同様の保護膜の表面の平坦性は、±０．０３４μｍとなり、テトラエトキシシランを原料に用いて形成した本発明による保護膜の表面の平坦性は±０．０４６μｍとなった。なお、前記した特許文献２には、上記透明保護膜の表面の平坦性に係る記載は無い。金属アルコキシドで形成された膜は多孔質ゆえ、その表面は有機材料のそれに比べて粗くなると見られるが、本発明による保護膜の表面は予想よりも粗くなかった。
【００３８】
この原因として、本発明の保護膜は、カラーフィルタ上に塗布された金属アルコキシドを塗布後に空気中に放置することで、低温で硬化させたことが考えられる。また、本発明の保護膜は、有機樹脂で形成した従来の保護膜より表面が若干粗いことにより、これと接する配向膜や電極（ＩＴＯ膜）との界面における反射を抑える効果もある。さらに、本発明の保護膜は、特許文献１に記載された塗布焼成型セラミック膜よりは平坦であるため、透過光を余計に散乱させない効果もある。
【００３９】
保護膜によるパネル内の残留ガス吸着に関して、本発明の保護膜が、前駆体となる金属アルコキシドを低温で硬化させて形成されることには、もう一つの根拠がある。この根拠は、上述の温度範囲において金属アルコキシドを硬化させる過程で、これに吸蔵されたガスが効率よく排出されることにある。このため、液晶層内に気泡が生じることによる液晶表示パネルが不良品となる確率は著しく抑えられる。
【００４０】
このような不良発生原因として、液晶層に直に接する配向膜や、カラーフィルタ並びにその保護膜、及びＩＴＯ膜におけるガスの吸蔵が指摘されていた。ここで、本発明による保護膜（テトラエトキシシランを原料に用いて形成）とアクリル系樹脂で形成された保護膜との加熱温度に対する脱ガス量を図５，図６に示す。
【００４１】
図５は、本発明による保護膜の脱ガス量を説明する図である。また、図６は、従来技術による保護膜の脱ガス量を説明する図である。なお、図７は、図６の縦軸を拡大して見易くした図である。測定対象ガスは、窒素ガス（Ｎ2），水分（Ｈ2Ｏ），水素ガス（Ｈ2）である。
【００４２】
図５を見る限り、特に１００℃近辺にて本発明の保護膜から排出される窒素ガスは１．７×１０17個／ｃｍ2にも達するため、かなりのガスが吸蔵されているような印象を受ける。しかし、言い換えると、塗布後ベークの処理により本発明の保護膜から吸蔵されたガスが出尽くされ、吸蔵ガスが枯れた状態で硬化が完了することを図５は示すものでもある。これに対し、図６（図７）に示されたアクリル系樹脂で形成された従来の保護膜を、硬化ベークが完了した段階で加熱すると、ガスの排出量は本発明の保護膜のそれに比べて１桁以上少ないものの、温度上昇に応じて一様に増加する。このことは、従来の保護膜が形成されたＣＦ基板は、当該保護膜に大半の吸蔵ガスが残された状態で、その上にＩＴＯ膜や配向膜が形成され、他の基板（例えば、ＴＦＴ基板）と貼り合わされ、最後にこれらの基板間に液晶材料が封入されることになる。
【００４３】
一方、本発明による保護膜は、塗布後ベークにて多量のガスが排出されただけ、保護膜がガスを再び吸蔵する能力を得る。このような状態で、本発明による保護膜が形成されたカラーフィルタ基板が他の基板と貼り合わせられ、この基板間に液晶材料が封入されると、ＩＴＯ膜や配向膜に吸蔵されていたガスや液晶材料の封入時に基板間に混入した微量のガスを本発明による保護膜が捕捉することになる。従って、液晶表示パネルが上述した液晶層の気泡発生により不良品となる頻度は抑えられる。
【００４４】
なお、本発明の保護膜の前駆体（原料）に用いられる他の金属アルコキシドとして、下記を挙げることができる。
【００４５】
テトライソブチルオキシチタン：Ｔｉ（ＯＣ4Ｈ9）4，
テトライソブチルオキシジルコニウムＺｒ（ＯＣ4Ｈ9）4
スズイソプロポキシド：Ｓｎ（ＯＣ3Ｈ7）4
さらに、以下に分子構造を示すテトライソプロピルチタン：Ｔｉ（ＯＣ3Ｈ7）4  を用いることができる。
【化２】
2005338537.tif 000004
【００４６】
図８は、アクティブ・マトリクス型液晶表示装置の画素配列例と各サブピクセルのカラーフィルタの配列を駆動回路配置とともに示す等価回路である。図８において、符号ＡＲは画素領域を示し、ＴＦＴ基板側には、マトリクス配列された薄膜トランジスタＴＦＴを有する。この薄膜トランジスタＴＦＴは１カラー画素のサブピクセルを構成する。Ｃａｄｄは付加容量を示す。そして、ＣＦ基板側に上記各サブピクセルに対応して３色のカラーフィルタＲ，Ｇ．Ｂが形成されている。なお、ＴＦＴ基板側には、この画素領域ＡＲの外側に走査信号線駆動部ＧＤＲ、映像（画像）信号線駆動部ＤＤＲの各回路が配置されている。
【００４７】
さらに、液晶表示装置は、ＴＦＴ基板とは別に外部信号源ＨＯＳＴと接続するためのインターフェース基板Ｉ／Ｆを有する。インターフェース基板Ｉ／Ｆには外部信号源ＨＯＳＴから入力する表示信号を液晶表示装置の表示用信号とするためのコントローラ部および電源部を備えている。
【００４８】
走査信号線駆動部ＧＤＲは、走査信号線ＧＴＭ（Ｇ−１，Ｇ０、Ｇ１，Ｇ２，・・・Ｇｅｎｄ，Ｇｅｎｄ＋１）に順次走査信号を供給する。映像信号線駆動部ＤＤＲは、映像信号線ＤＴＭ（ＤｉＲ，ＤｉＧ，ＤｉＢ，Ｄｉ＋１Ｒ，Ｄｉ＋１Ｇ，Ｄｉ＋１Ｂ，・・・）に走査信号で選択された走査線につながる薄膜トランジスタに映像信号を印加する。これにより、二次元の映像（画像）を表示する。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の表示装置の実施例１を説明する断面図である。
【図２】透過型の液晶表示装置に本発明を適用した実施例の保護膜と従来の有機樹脂の保護膜との可視光領域での一回の光透過率を示す図である。
【図３】本発明の表示装置の実施例２を説明する断面図である。
【図４】部分反射型の液晶表示装置に本発明を適用した実施例の保護膜と従来の有機樹脂の保護膜との可視光領域での同じく二回の光透過率を示す図である。
【図５】本発明による保護膜の脱ガス量を説明する図である。
【図６】従来技術による保護膜の脱ガス量を説明する図である。
【図７】図６の縦軸を拡大して見易くした図である。
【図８】アクティブ・マトリクス型液晶表示素の画素配列例と各サブピクセルのカラーフィルタの配列例を駆動回路配置とともに示す等価回路である。
【符号の説明】
【００５０】
ＳＵＢ１・・・・第１のガラス基板、ＴＦＴ・・・・薄膜トランジスタ、ＰＸ・・・・透明画素電極、ＯＲＩ１・・・・第１の配向膜、ＧＩ・・・・ゲート絶縁膜、ＰＡＳ・・・・パッシベーション膜、ＳＵＢ２・・・・第２のガラス基板、    ＲＦ・・・・赤フィルタ、ＧＦ・・・・緑フィルタ、ＢＦ・・・・青フィルタ、ＢＭ・・・・ブラックマトリクス、ＯＣ・・・・保護膜、ＩＴＯ・・・・透明電極（対向電極）、ＯＲＩ２・・・・第２の配向膜、ＡＰ・・・・開口、ＢＬ・・・・バックライト。
【図１】
2005338537.tif 000005
【図２】
2005338537.tif 000006
【図３】
2005338537.tif 000007
【図４】
2005338537.tif 000008
【図５】
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【図６】
2005338537.tif 000010
【図７】
2005338537.tif 000011
【図８】
2005338537.tif 000012