(57)【要約】【課題】  多重反射による濃度ムラを十分に抑制しつつ高水準の電子写真特性を達成することができ、高水準の画像品質を長期にわたって安定的に得ることが可能な電子写真感光体、並びに当該感光体を用いた画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供すること。【解決手段】  本発明の電子写真感光体は、基体２、金属酸化物微粒子を含有する下引き層３、感光層４を備える感光体１であって、感光体１表面に入射角７０°で光を入射させて生じる反射光のうち、感光体１表面の法線方向に散乱する反射光の反射率の有効画像領域内における平均値が３〜２０％であり、感光体１表面に入射角１５°で光を入射させて生じる正反射光の有効画像領域内における反射率の絶対値の変動幅が５％以下であることを特徴とする。【選択図】  図３
2005043763.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、該基体上に形成されており金属酸化物微粒子を含有する下引き層と、該下引き層上に形成された感光層と、を備える電子写真感光体であって、
前記感光体表面に入射角７０°で光を入射させて生じる反射光のうち、前記感光体表面の法線方向に散乱する反射光の反射率の有効画像領域内における平均値が３〜２０％であり、
前記感光体表面に入射角１５°で光を入射させて生じる正反射光の有効画像領域内における反射率の絶対値の変動幅が５％以下である
ことを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
請求項１に記載の電子写真感光体と、
前記感光体を帯電させる帯電装置と、
帯電した前記感光体を露光して静電潜像を形成させる露光装置と、
前記静電潜像を現像してトナー像を形成させる現像装置と、
前記トナー像を前記感光体から画像出力媒体に転写する転写装置と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電子写真感光体と、
前記感光体を帯電させる帯電装置、帯電した前記感光体を露光して静電潜像を形成させる露光装置、及び前記感光体の表面を清浄化するクリーニング装置から選ばれる少なくとも１種と、
を備えることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真方式の画像形成プロセスに使用される電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジに関する。
【背景技術】
【０００２】
帯電、露光、現像、転写等の工程を含む電子写真方式の画像形成プロセスは、高速で且つ高品質の印字が得られることから、複写機、レーザビームプリンター等の画像形成装置において適用されている。このような画像形成装置に使用される電子写真感光体としては光導電性を示す有機材料を用いた有機感光体が主流となっており、感光体の構成も導電性基体上に電荷発生層及び電荷輸送層を積層した機能分離型感光体へと変遷している。
【０００３】
上述の機能分離型感光体においては、積層構造という構造上の理由により、露光光として単一波長のレーザ光を照射した場合に導電性基体表面や各層表面で多重反射が起こりやすく、反射光の干渉により干渉縞やモアレ像などの濃度ムラが生じることがある。
【０００４】
そこで、かかる現象を回避すべく、導電性基体と感光層との間への下引き層の配置、又は感光体表面の粗面化などによりその反射率等が制御された感光体が提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。
【特許文献１】特開２０００−８９４９４号公報
【特許文献２】特開２０００−３４７４３３号公報
【特許文献３】特開２００１−２８１８９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の感光体であっても、多重反射による濃度ムラを十分に抑制しつつ、他の電子写真特性を維持することは必ずしも容易ではない。特に、接触帯電装置を搭載した画像形成装置や、カラートナーの各色に対応する画像形成ユニットが設けられたタンデム方式の画像形成装置においては感光体により高い電子写真特性が要求されるが、上記従来の感光体はこのような要求特性を十分に満たしているとは言い難い。
【０００６】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、多重反射による濃度ムラを十分に抑制しつつ高水準の電子写真特性を達成することができ、高水準の画像品質を長期にわたって安定的に得ることが可能な電子写真感光体、並びに当該感光体を用いた画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の電子写真感光体は、導電性基体と、該基体上に形成されており金属酸化物微粒子を含有する下引き層と、該下引き層上に形成された感光層と、を備える電子写真感光体であって、感光体表面に入射角７０°で光を入射させて生じる反射光のうち、感光体表面の法線方向に散乱する反射光の反射率の有効画像領域内における平均値が３〜２０％であり、感光体表面に入射角１５°で光を入射させて生じる正反射光の有効画像領域内における反射率の絶対値の変動幅が５％以下であることを特徴とする。
【０００８】
本発明の電子写真感光体によれば、導電性基体上に下引き層及び感光層を設け、感光体表面の法線方向に散乱する反射光の反射率の有効画像領域内における平均値を３〜２０％、感光体表面に入射角１５°で光を入射させて生じる正反射光の有効画像領域内における反射率の絶対値の変動幅を５％以下とすることによって、多重反射による濃度ムラが十分に抑制されると共に他の電子写真特性が高水準で達成されるので、高水準の画像品質を長期にわたって安定的に得ることが可能となる。
【０００９】
なお、本発明でいう「入射角」とは、感光体表面の法線（θ＝０°）を基準とするものである。また、本発明でいう「有効画像領域」とは、感光層塗布領域の両端から３ｍｍ内側の画像領域を意味する。
【００１０】
また、本発明の画像形成装置は、上記本発明の電子写真感光体と、感光体を帯電させる帯電装置と、帯電した感光体を露光して静電潜像を形成させる露光装置と、静電潜像を現像してトナー像を形成させる現像装置と、トナー像を前記感光体から画像出力媒体に転写する転写装置と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明のプロセスカートリッジは、上記本発明の電子写真感光体と、感光体を帯電させる帯電装置、帯電した感光体を露光して静電潜像を形成させる露光装置、及び前記感光体の表面を清浄化するクリーニング装置から選ばれる少なくとも１種と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明の画像形成装置及びプロセスカートリッジにおいては、多重反射による濃度ムラの抑制性と他の電子写真特性とが高水準で両立された本発明の電子写真感光体を用いることで、高水準の画像品質を長期にわたって安定的に得ることが可能となる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の電子写真感光体によれば、多重反射による濃度ムラを十分に抑制すると共に他の電子写真特性が高水準で達成することができる。また、本発明の画像形成装置及びプロセスカートリッジによれば、多重反射による濃度ムラの抑制性と他の電子写真特性とが高水準で両立された本発明の電子写真感光体を用いることで、高水準の画像品質を長期にわたって安定的に得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付することとし、重複する説明は省略する。
【００１５】
図１は本発明の電子写真感光体の好適な一実施形態を示す要部断面図である。図１に示した電子写真感光体１は、導電性基体２上に、金属酸化物微粒子を含有する下引き層３、電荷発生層５、電荷輸送層６をこの順序で積層したものであり、電荷発生層５と電荷輸送層６とが別個に設けられて感光層４が構成される機能分離型感光体である。かかる構成を有する感光体１は以下の反射特性を有する。
【００１６】
すなわち、感光体１の第１の反射特性として、その表面に入射角７０°で光を入射させて生じる反射光のうち、感光体表面の法線方向に散乱する反射光の反射率の有効画像領域内における平均値が３〜２０％であるという条件を満たすことが必要である。当該平均値が３〜２０％の範囲外であると、モアレが発生しやすくなる。また、当該平均値が３％未満であるとゴースト、カブリなどの画質欠陥が発生しやすくなり、他方、２０％を超えると感度低下が起こりやすくなる。
【００１７】
図２は、感光体１の表面に入射角７０°で光を入射させたときの状態を概念的に示す説明図である。図示したように、感光体１の表面の法線ｌ1を基準として、入射角θ1＝７０°で光（入射光）２１を照射すると、その一部は感光体１の表面での正反射により、法線ｌ1に対する角度θ2＝７０°で反射される（正反射光２２ａ）。また、入射光２１の一部は感光体４の内部に進入して隣接する２層の界面で反射される。なお、図２には下引き層３と電荷発生層５との界面における反射を示したが、他の隣接する２層の界面、さらには導電性基体２と下引き層３との界面においても同様の反射は生じ得る。このようにして生じた反射光の一部は正反射光２２ｂとして、感光体１の表面の法線ｌ2に対して角度θ3＝７０°で出射する。また、反射光の一部は散乱され、感光体１の表面の法線に対して任意の角度で出射する（例えば散乱光２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）。
【００１８】
本発明では、正反射光２２ａ、２２ｂ及び散乱光２３ａ、２３ｂ、２３ｃを含む反射光のうち、感光体１の表面の法線方向に散乱する反射光２３ａを検出し、その反射率が有効画像領域内における平均値が３〜２０％であるという条件を満たすように反射特性を調整する。反射特性の調整は、例えば、金属酸化物微粒子を含有する下引き層３の内部における光の散乱及び吸収、並びに下引き層３の表面（下引き層３と電荷発生層５との界面）での光の散乱を制御することにより有効に実施することができる。あるいは、下引き層、並びに感光層を構成する各層を形成する際の塗布液の塗布速度などの製造条件を選定することで、反射特性を調整することができる。
【００１９】
なお、正反射光の反射率に基づき感光体の反射特性を制御する方法も考えられる。しかしながら、測定対象である正反射光には主として感光体１の表面からの正反射光２２ａが含まれるため、感光層４の内部に進入した正反射光２２ｂに基づき反射特性を制御することは困難である。
【００２０】
次に、感光体１の表面の法線方向に散乱する反射光を検出し、その反射率の有効画像領域内における平均値を求める方法について説明する。図３はかかる平均値を求めるための測定装置の一例を模式的に示す側面図である。図３に示した測定装置においては、電子写真感光体１の表面の法線に対する入射角が７０°となるように感光体１表面に光を照射する露光光源３１と、電子写真感光体１の表面の法線方向に配置された反射光検出装置３２と、反射光検出装置３２に電気的に接続された反射光量測定装置３３と、反射光量測定装置３３に電気的に接続された光量演算処理装置３４と、が一体化して測定ユニット３０を構成している。
【００２１】
測定ユニット３０は電子写真感光体１の回転軸ＡＸに沿って移動可能であり、これにより感光体表面の有効画像領域の軸方向又は円周方向の反射特性の分布を調べることができる。測定部位は１ｍｍ×１ｍｍ〜１ｍｍ×１ｃｍ程度であり、後述する反射光量分布において、感光体１表面はこれらの測定部位の集合体として取り扱われる。なお、測定ユニット３０を固定し、回転する感光体１を回転軸ＡＸに沿って移動させてもよい。
【００２２】
また、露光光源３１から出射される入射光２１及び反射光検出装置３２で検出される散乱光２３ａの光路は感光体１の回転軸ＡＸを含む同一平面内に含まれる。図４はこれらの相対位置を概念的に示す斜視図である。
【００２３】
図３に示した測定装置を用いて反射率を測定する際には、先ず、感光体１をその回転軸を中心として回転させ、回転する感光体１の表面に、露光光源３１からの光を入射角７０°で照射する。露光光源３１としては例えば半導体レーザが使用可能である。また、広域な波長領域を有する光源にバンドパスフィルターを組み合わせて単色化した光源等を用いてもよい。露光光源の発振波長は感光体１が適用される画像形成装置の露光光源の発振波長と同一であることが好ましい。
【００２４】
上述の入射光２１に起因する反射光のうち感光体１の表面の法線方向に散乱する反射光（散乱光２３ａ）は反射光検出装置３２により検出される。検出された散乱光２３ａを光センサーにより電気信号に変換され、当該電気信号は反射光測定装置３３、光量演算処理装置３４に順次送られて反射光量の形に変換される。このとき、反射光検出装置３３には、測定ユニット３０と感光体１との相対的な位置関係に関する情報信号が送られるので、感光体１の測定部位と反射光量との相関データが得られる。かかる測定を回転軸ＡＸに沿って行うことにより、感光体１の測定部位と反射光量との相関（反射光量分布）が、感光体表面の有効画像領域の全域にわたって得られるので、得られた測定結果から感光体１表面の法線方向に散乱する反射光の反射率の有効画像領域内における平均値を求めることができる。
【００２５】
また、感光体１の第２の反射特性として、感光体１表面に入射角１５°で光を入射させて生じる正反射光の有効画像領域内における反射率の絶対値の変動幅が５％以下であるという条件を満たすことが必要である。当該変動幅が５％を超える場合には、入射角７０°の光に起因して感光体表面の法線方向に散乱する反射光の反射率の有効画像領域内における平均値を３〜２０％とした場合であっても、強いモアレが発生する。
【００２６】
また、感光体１表面に入射角１５°で光を入射させて生じる正反射光の有効画像領域内における反射率の絶対値の平均値は、好ましくは１０％以下である。当該平均値が１０％を超えると、モアレが強く発生し、均一な画像濃度が得られなくなる傾向にある。
【００２７】
図５は、感光体１の表面に入射角１５°で光を入射させたときの状態を概念的に示す説明図である。図示したように、感光体１の表面の法線ｌ3を基準として、入射角θ4＝１５°で光（入射光）５１を照射すると、その一部は感光体１の表面での正反射により、法線ｌ3に対する角度θ5＝１５°で反射される（正反射光５２ａ）。また、入射光５１の一部は感光層４の内部に進入して隣接する２層の界面で反射される。なお、図５には下引き層３と電荷発生層５との界面、並びに導電性基体２と下引き層３との界面における反射を示したが、他の隣接する２層の界面においても同様の反射は生じ得る。このようにして生じた反射光の一部は正反射光として、感光体１の表面の法線ｌ4、ｌ5に対してθ6＝１５°及びθ7＝１５°の角度で出射する（例えば正反射光５２ｂ、５２ｃ）。
【００２８】
感光体１の表面で反射される正反射光５２ａ、並びに感光層４の内部で反射される正反射光５２ｂ、５２ｃ等は相互に可干渉であり、各層の膜厚により決定される光路差に依存して反射光量の強弱が発生する。この反射光量の変化は、感光層４内部での吸収光量の変化による画像濃度の不均一化の指標となる。
【００２９】
そこで本発明では、これらの正反射光を検出し、その有効画像領域内における反射率の絶対値の変動幅が５％以下であるという条件を満たすように反射特性を調整する。反射特性の調整は、例えば、金属酸化物微粒子を含有する下引き層３の内部における光の散乱及び吸収、並びに下引き層３の表面（下引き層３と電荷発生層５との界面）での光の散乱を制御することにより有効に実施することができる。あるいは、下引き層、並びに感光層を構成する各層を形成する際の塗布液の塗布速度などの製造条件を選定することで、反射特性を調整することができる。
【００３０】
次に、感光体１の正反射光を検出し、その有効画像領域内における反射率の絶対値の変動幅、さらには反射率の絶対値の平均値を求める方法について説明する。図６はかかる平均値を求めるための測定装置の一例を模式的に示す側面図である。図６に示した測定装置においては、電子写真感光体１の表面の法線に対する光５１の入射角が１５°となるように露光光源３１が配置されている点、並びに反射光検出装置３２が正反射光を検出するために法線を介して露光光源と反対側に１５°となるように配置されている点が異なるが、それ以外は図３に示した測定装置と同様の構成を有している。なお、詳細は図示しないが、露光光源３１から出射される入射光５１及び反射光５２の光路が感光体１の回転軸を含む同一平面内に含まれる点も図３に示した測定装置と同様である。
【００３１】
図６に示した測定装置を用いて反射率を測定する際には、先ず、感光体１をその回転軸を中心として回転させ、回転する感光体１の表面に、露光光源３１からの光５１を入射角１５°で照射する。
【００３２】
入射光５１に起因する正反射光は反射光検出装置３２により検出され、検出された正反射光５２は光センサーにより電気信号に変換される。当該電気信号は、反射光測定装置３３、光量演算処理装置３４に順次送られて、反射光量の形に変換される。このとき、反射光検出装置３３には測定ユニット３０と感光体１との相対的な位置関係に関する情報信号が送られる。かかる測定を回転軸ＡＸに沿って行うことにより、感光体１の測定部位と反射光量との相関（反射光量分布）が、感光体表面の有効画像領域の全域にわたって得られるので、得られた測定結果から感光体１表面の有効画像領域内における反射率の絶対値の変動幅、並びに反射率の絶対値の平均値を求めることができる。
【００３３】
次に、電子写真感光体１の構成要素それぞれについて詳述する。
【００３４】
導電性基体２としては、アルミニウム、銅、鉄、亜鉛、ニッケルなどの金属ドラム；シート、紙、プラスチック又はガラス等の基体上にアルミニウム、銅、金、銀、白金、パラジウム、チタン、ニッケル−クロム、ステンレス鋼、銅−インジウム等の金属を蒸着したもの；上記基体上に酸化インジウム、酸化錫などの導電性金属化合物を蒸着したもの；上記基体上に金属箔をラミネートしたもの；カーボンブラック、酸化インジウム、酸化錫−酸化アンチモン粉、金属粉、沃化銅等を結着樹脂に分散し、上記基体上に塗布することによって導電処理したものなどが挙げられる。導電性基体２の形状としては、ドラム状の他、シート状、プレート状などのいずれであってもよい。
【００３５】
導電性基体２として金属パイプ基材を用いる場合、当該基材の表面は、素管のままであってもよく、また、予め鏡面切削、エッチング、陽極酸化、粗切削、センタレス研削、サンドブラスト、ウエットホーニング、着色処理などの処理を施してもよい。基材表面を粗面化することにより可干渉光源を用いた場合に発生しうる感光体内での干渉光による木目状の濃度斑を防止することができる。
【００３６】
下引き層３は、金属酸化物微粒子を含んで構成される。下引き層３に含有される金属酸化物微粒子としては、粒径が平均粒子径０．５μｍ以下の導電粉が好ましく用いられる。ここでいう粒径とは、平均１次粒径を意味する。下引き層はリーク耐性獲得のために適切な抵抗を得ることが必要であり、そのため金属酸化物微粒子としては１０2〜１０11Ω・ｃｍ程度の粉体抵抗が必要である。また、金属酸化物微粒子は２種以上混合して用いることもできるが、上記抵抗値を有する酸化錫、酸化チタン、酸化亜鉛等の金属酸化物微粒子を含有するものを用いるのが好ましい。なお、金属酸化物微粒子の抵抗値が上記範囲の下限よりも低いと十分なリーク耐性が得られず、この範囲の上限よりも高いと残留電位上昇を引き起こしてしまう懸念がある。
【００３７】
本発明では金属酸化物微粒子に表面処理を施すこともできる。金属酸化物微粒子を表面処理する際は、公知の材料で所望の特性が得られるものであればいかなるものも使用可能であるが、中でも加水分解性有機金属化合物が好ましく使用できる。加水分解性有機金属化合物としては所望の感光体特性を得られるものであればいかなる物でも用いることができ、例えばジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料を用いることができる。具体的な加水分解性有機金属化合物の例としてはビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシドなどのジルコニウムキレート化合物、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレートなどのチタニウムキレート化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）などのアルミニウムキレート化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらの加水分解性有機金属化合物は２種以上混合して使用することもできる。下引き層３中の金属酸化物微粒子に対する加水分解性有機金属化合物の量は所望の電気特性を得られる範囲に任意に設定できる。
【００３８】
表面処理方法は公知の方法であればいかなる方法でも使用可能であるが、乾式法あるいは湿式法を用いることができる。乾式法にて表面処理を施す場合には金属酸化物微粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接あるいは有機溶媒または水に溶解させた加水分解性有機金属化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させることによって均一に処理される。添加あるいは噴霧する際には溶剤の沸点以下の温度で行われることが好ましい。溶剤の沸点以上の温度で噴霧すると、均一に攪拌される前に溶剤が蒸発し、加水分解性有機金属化合物が局部的にかたまってしまい均一な処理ができにくい欠点があり、好ましくない。添加あるいは噴霧した後、さらに１００℃以上で焼き付けを行うことができる。焼き付けは所望の電子写真特性が得られる温度、時間であれば任意の範囲で実施できる。乾式法においては金属酸化物微粒子を加水分解性有機金属化合物による表面処理前に加熱乾燥して表面吸着水を除去することができる。この表面吸着水を処理前に除去することによって、金属酸化物微粒子表面に均一に加水分解性有機金属化合物を吸着させることができる。金属酸化物微粒子はせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら加熱乾燥することも可能である。
【００３９】
湿式法としては、金属酸化物微粒子を溶剤中に攪拌、超音波、サンドミルやアトライター、ボールミルなどを用いて分散し、加水分解性有機金属化合物溶液を添加し攪拌あるいは分散したのち、溶剤除去することで均一に処理される。溶剤除去方法は蒸留により留去される。ろ過による除去方法では未反応の加水分解性有機金属化合物が流出しやすく、所望の特性を得るための加水分解性有機金属化合物量をコントロールし難い欠点があり、好ましくない。溶剤除去後にはさらに１００℃以上で焼き付けを行うことができる。焼き付けは所望の電子写真特性が得られる温度、時間であれば任意の範囲で実施できる。湿式法においても金属酸化物微粒子を加水分解性有機金属化合物による表面処理前に表面吸着水を除去することができる。この表面吸着水除去方法には、乾式法と同様に加熱乾燥による除去の他に、表面処理に用いる溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法等により実施される。
【００４０】
下引き層３の結着樹脂としては、ポリビニルブチラールなどのアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂などの公知の高分子樹脂化合物、また電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂やポリアニリン等の導電性樹脂などを用いることができる。中でも上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好ましく用いられ、特にフェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂などが好ましく用いられる。下引き層３中の金属酸化物微粒子と結着樹脂との比率は所望する電子写真感光体特性を得られる範囲で任意に設定できる。
【００４１】
下引き層３には電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加物を用いることができる。添加物としては、クロラニル、ブロモアニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールや２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）１，３，４オキサジアゾールなどのオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物、３，３’，５，５’−テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物などの電子輸送性物質、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料を用いることができる。シランカップリング剤は金属酸化物の表面処理に用いられるが、添加剤としてさらに塗布液に添加して用いることもできる。ここで用いられるシランカップリング剤の具体例としてはビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシランなどである。ジルコニウムキレート化合物の例として、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシドなどが挙げられる。
【００４２】
チタニウムキレート化合物の例としてはテトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレートなどが挙げられる。
【００４３】
アルミニウムキレート化合物の例としてはアルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）などが挙げられる。
【００４４】
これらの化合物は単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いることができる。
【００４５】
下引き層３は、上記成分を所定の溶剤に加えて下引き層形成用塗布液を調製し、当該塗布液を基体２上に塗布し、乾燥させることにより形成することができる。塗布液に用いられる溶媒としては公知の有機溶剤、例えばアルコール系、芳香族系、ハロゲン化炭化水素系、ケトン系、ケトンアルコール系、エーテル系、エステル系等から任意で選択することができる。例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤を用いることができる。また、これらの分散に用いる溶剤は単独あるいは２種以上混合して用いることができる。混合する際、使用される溶剤としては、混合溶剤として結着樹脂を溶解可能なものであれば、いかなるものでも使用することが可能である。
【００４６】
金属酸化物微粒子を分散させる方法としては、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカーなどの方法を用いることができる。さらにこの下引き層を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティング法等の通常の方法を用いることができる。
【００４７】
下引き層３のビッカース強度は３５以上であることが好ましい。また、下引き層３の膜厚は、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０〜５０μｍである。また、下引き層３の表面粗さは、モアレ防止の点から、中心線平均粗さＲａで０．０３〜０．３μｍであることが好ましい。
【００４８】
本発明で規定する反射率の絶対値変動幅を調整する際には、下引き層用分散液中に微粒子を添加してもよい。分散液に添加する微粒子としては、シリコーン微粒子、ポリテトラフルオロエチレン微粒子、架橋型ＰＭＭＡ樹脂粒子等の様々な樹脂微粒子を用いることができる。下引き層３に含有される樹脂微粒子の含有量や粒子径は、所望の表面粗さや電気特性が得られる範囲において任意に設定可能である。樹脂微粒子の粒径の好ましい範囲としては、０．５〜１０μｍ（より好ましくは１〜６μｍ）が例示できる。また、粒子径が異なる樹脂微粒子を２種以上混合して用いてもよい。
【００４９】
また、表面粗さ調整のために下引き層を研磨することもできる。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、ウエットホーニング、研削処理等を用いることもできる。
【００５０】
さらに、下引き層３と感光層４との間に、電気特性向上、画質向上、画質維持性向上、感光層接着性向上などのために中間層を設けてもよい。中間層はポリビニルブチラールなどのアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂などの高分子樹脂化合物のほかに、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、シリコンなどの原子を含有する有機金属化合物などがある。これらの化合物は単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いることができる。中でも、ジルコニウムもしくはもしくはシリコンを含有する有機金属化合物は残留電位が低く環境による電位変化が少なく、また繰り返し使用による電位の変化が少ないなど性能上優れている。
【００５１】
シリコン原子を含有する化合物の例としては、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。これらの中でも、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシシラン）、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤が特に好ましく用いられる。
【００５２】
有機ジルコニウム化合物の例としては、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシドなどが挙げられる。
【００５３】
有機チタン化合物の例としては、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレートなどが挙げられる。
【００５４】
有機アルミニウム化合物の例としてはアルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）などが挙げられる。
【００５５】
中間層は上層の塗布性改善の他に、電気的なブロキング層の役割も果たすが、膜厚が大きすぎる場合には電気的な障壁が強くなりすぎて減感や繰り返しによる電位の上昇を引き起こす。したがって、中間層を形成する場合には、その膜厚は０．１〜３μｍの範囲内に設定される。
【００５６】
電荷発生層５は、電荷発生物質を真空蒸着により形成するか、有機溶剤及び結着樹脂とともに分散し塗布することにより形成される。
【００５７】
分散塗布により電荷発生層５を形成する場合、電荷発生物質を有機溶剤及び結着樹脂、添加剤等とともに分散し、得られた分散液を塗布することにより電荷発生層５が形成される。
【００５８】
電荷発生材料としては、公知の電荷発生物質なら何でも使用できる。赤外光用ではフタロシアニン顔料、スクアリリウム、ビスアゾ、トリスアゾ、ペリレン、ジチオケトピロロピロール、可視光用としては縮合多環顔料、ビスアゾ、ペリレン、トリゴナルセレン、色素増感した金属酸化物微粒子等を用いる。これらの中で、特に優れた性能が得られ、好ましく使用される電荷発生物質として、フタロシアニン系顔料が用いられる。これを用いることにより、特に高感度で、繰り返し安定性の優れる電子写真感光体が得られることができる。また、フタロシアニン顔料は一般に数種の結晶型を有しており、目的にあった感度が得られる結晶型であれば、これらのいずれの結晶型でも用いることができる。特に好ましく用いられる電荷発生物質としては、クロロガリウムフタロシアニン、ジクロロススフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、無金属フタロシアニン、オキシチタニルフタロシアニン、クロロインジウムフタロシアニン等が挙げられる。
【００５９】
本発明に用いるフタロシアニン顔料結晶は公知の方法で製造されるフタロシアニン顔料を、自動乳鉢、遊星ミル、振動ミル、ＣＦミル、ローラーミル、サンドミル、ニーダー等で機械的に乾式粉砕するか、乾式粉砕後、溶剤と共にボールミル、乳鉢、サンドミル、ニーダー等を用いて湿式粉砕処理を行うことによって製造することができる。上記の処理において使用される溶剤は、芳香族類（トルエン、クロロベンゼン等）、アミド類（ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等）、脂肪族アルコール類（メタノール、エタノール、ブタノール等）、脂肪族多価アルコール類（エチレングリコール、グリセリン、ポリエチレングリコール等）、芳香族アルコール類（ベンジルアルコール、フェネチルアルコール等）、エステル類（酢酸エステル、酢酸ブチル等）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン等）、ジメチルスルホキシド、エーテル類（ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等）、さらには数種の混合系、水とこれら有機溶剤の混合系があげられる。使用される溶剤は、顔料結晶１重量部に対して、好ましくは１〜２００重量部、より好ましくは１０〜１００重量部の範囲で用いられる。処理温度は、好ましくは−２０℃〜溶剤の沸点以下、より好ましくは−１０〜６０℃である。
【００６０】
また、顔料を粉砕する際には、食塩、ぼう硝等の磨砕助剤を用いることもできる。磨砕助剤は顔料の重量に対して０．５〜２０倍、好ましくは１〜１０倍用いればよい。また、公知の方法で製造されるフタロシアニン顔料結晶を、アシッドペースティングあるいはアシッドペースティングと前述したような乾式粉砕あるいは湿式粉砕を組み合わせることにより、結晶制御することもできる。アシッドペースティングに用いる酸としては、硫酸が好ましく、濃度が好ましくは７０〜１００％、より好ましくは９５〜１００％のものが使用される。溶解温度は、好ましくは−２０〜１００℃、より好ましくは−１０〜６０℃の範囲に設定される。濃硫酸の量は、フタロシアニン顔料結晶の重量に対して、１〜１００倍、好ましくは３〜５０倍の範囲に設定される。析出させる溶剤としては、水あるいは、水と有機溶剤の混合溶剤が任意の量で用いられる。析出させる温度については特に制限はないが、発熱を防ぐために、氷等で冷却することが好ましい。
【００６１】
電荷発生層５に用いられる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択することができる、また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシランなどの有機光導電性ポリマーから選択することもできる。好ましい結着樹脂としては、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノールＡとフタル酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等の絶縁性樹脂をあげることができるが、これらに限定されるものではない。これらの結着樹脂は単独あるいは２種以上混合して用いることができる。これらの中で特にポリビニルアセタール樹脂が好ましく用いられる電荷発生物質と結着樹脂との配合比（重量比）は、１０：１〜１：１０の範囲が好ましい。
【００６２】
電荷発生層形成用塗布液を調整するための溶媒としては、公知の有機溶剤、例えばアルコール系、芳香族系、ハロゲン化炭化水素系、ケトン系、ケトンアルコール系、エーテル系、エステル系等から任意で選択することができる。例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤を用いることができる。これらの溶剤は１種を単独で用いてもよく、また、混合溶剤として結着樹脂の溶解が可能であれば２種以上混合して用いてもよい。
【００６３】
分散方法としては、金属酸化物微粒子を下引き層に分散する際と同様に、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカーなどの通常の方法を用いることができる。分散の際、粒子を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、さらに好ましくは０．１５μｍ以下の粒子サイズにすることは高感度・高安定性に対して有効である。
【００６４】
電荷発生層用塗布液には、電気特性向上、画質向上などのために種々の添加剤を添加することもできる。添加物としては、クロラニル、ブロモアニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールや２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）１，３，４オキサジアゾールなどのオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物、３，３’，５，５’−テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物などの電子輸送性物質、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料を用いることができる。
【００６５】
シランカップリング剤の例としては、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
【００６６】
ジルコニウムキレート化合物の例としては、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシドなどが挙げられる。
【００６７】
チタニウムキレート化合物の例としては、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレートなどが挙げられる。
【００６８】
アルミニウムキレート化合物の例としては、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）などが挙げられる。
【００６９】
これらの化合物は単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いることができる。
【００７０】
電荷発生層形成用塗布液の塗布方法としては、金属酸化物微粒子を下引き層を塗布する際と同様に通常の方法を用いることができる。
【００７１】
このようにして形成される電荷発生層５の膜厚は、所望の感光体特性が得られる範囲であれば任意に設定できる。
【００７２】
電荷輸送層６は電荷輸送物質を含んで構成される。電荷輸送層６に含有される電荷輸送物質としては、公知のものならいかなるものでも使用可能であるが、
２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールなどのオキサジアゾール誘導体、１，３，５−トリフェニル−ピラゾリン、１−［ピリジル−（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリンなどのピラゾリン誘導体、トリフェニルアミン、トリ（Ｐ−メチル）フェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−４−アミン、ジベンジルアニリン、９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）フルオレノン−２−アミンなどの芳香族第３級アミノ化合物、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミンなどの芳香族第３級ジアミノ化合物、３−（４’ジメチルアミノフェニル）−５，６−ジ−（４’−メトキシフェニル）−１，２，４−トリアジンなどの１，２，４−トリアジン誘導体、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン、４−ジフェニルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン、［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］（１−ナフチル）フェニルヒドラゾンなどのヒドラゾン誘導体、２−フェニル−４−スチリル−キナゾリンなどのキナゾリン誘導体、６−ヒドロキシ−２，３−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−ベンゾフランなどのベンゾフラン誘導体、ｐ−（２，２−ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアニリンなどのα−スチルベン誘導体、エナミン誘導体、Ｎ−エチルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体などの正孔輸送物質；
クロラニル、ブロモアニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールや２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）１，３，４オキサジアゾールなどのオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物、３，３’，５，５’−テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物などの電子輸送物質、
などが挙げられる。あるいは以上に示した化合物からなる基を主鎖又は側鎖に有する重合体などがあげられる。これらの電荷輸送材料は、１種又は２種以上を組み合せて使用できる。
【００７３】
電荷輸送層６の結着樹脂は公知のものであればいかなるものでも使用することが出来るが、電機絶縁性のフィルム形成可能な樹脂が好ましい。例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレンーブタジエン共重合体、塩化ビニリデンーアクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂。シリコン−アルキッド樹脂、フェノールーホルムアルデヒド樹脂、スチレンーアルキッド樹脂、ポリーＮ―カルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルフォルマール、ポリスルホン、カゼイン、ゼラチン、ポリビニルアルコール、エチルセルロース、フェノール樹脂、ポリアミド、カルボキシーメチルセルロース、塩化ビニリデン系ポリマーワックス、ポリウレタン等があげられるが、これらに限定されるものではない。これらの結着樹脂は、単独又は２種類以上混合して用いられるが、特にポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂が電荷輸送材との相溶性、溶剤への溶解性、強度の点で優れ好ましく用いられる。
【００７４】
結着樹脂と電荷輸送物質との配合比（重量比）はいずれの場合も任意に設定することができるが、電気特性低下、膜強度低下に注意しなくてはならない。
【００７５】
電荷輸送層６は、上記の電荷輸送材料及び結着樹脂を所定の溶媒に混合／分散した塗布液を用いて形成することができる。塗布液に用いる溶媒としては電荷発生層用塗布液の説明において例示された溶媒が使用できるが、電荷発生層の結着樹脂に対する溶解性が低いものを選定することが好ましい。
塗布液を調製する際の分散方法及び塗布液の塗布方法としては、下引き層３や電荷発生層５の場合と同様の方法が適用可能であり、得られる電荷輸送層６の膜厚は５〜５０μｍ、好ましくは１０〜４０μｍが適当である。
【００７６】
また、電荷輸送層６には磨耗を低減する目的のために固形潤滑剤や金属酸化物を分散することができる。固形潤滑剤としてはフッ素含有樹脂粒子（四フッ化エチレン、三フッ化塩化エチレン、四フッ化エチレン六フッ化プロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、二フッ化二塩化エチレンおよびそれらの共重合等）、ケイ素含有樹脂粒子等を挙げることができる。また、金属酸化物としては、シリカ、アルミナ、酸化チタン、酸化スズ等を挙げることができる。固形潤滑剤を分散すると、電荷輸送層表面の摩擦係数が減少するため、摩耗を抑制することができる。また、金属酸化物を分散すると、電荷輸送層の機械的硬度が上昇するため、摩耗を抑制することができる。また、フッ素含有樹脂粒子は難分散粒子のためフッ素含有高分子系分散助剤を用いると分散性が向上される。上記固形潤滑剤や金属酸化物を分散させる方法としては、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー、ホモジナイザー、高圧処理式ホモジナイザー等の方法を用いることができる。この分散の際、分散粒子を１．０μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下にすることが有効である。
【００７７】
さらに、電子写真装置中で発生するオゾンや酸化性ガス、あるいは光・熱による感光体の劣化を防止する目的で、感光層中に酸化防止剤・光安定剤などの添加剤を添加する事ができる。
【００７８】
酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン及びそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物などが挙げられる。
【００７９】
より具体的には、フェノール系酸化防止剤としては、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチル  フェノール、スチレン化フェノール、ｎ−オクタデシル−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）−プロピオネート、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２−ｔ−ブチル−６−（３’−ｔ−ブチル−５’−メチル−２’−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、４，４’−ブチリデン−ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチル−フェノール）、４，４’−チオ−ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，３，５−トリス（４−ｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−２，６−ジメチルベンジル）イソシアヌレート、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシ−フェニル）プロピオネート］−メタン、３，９−ビス［２−［３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］−１，１−ジメチルエチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカンなどが挙げられる。
【００８０】
また、ヒンダードアミン系化合物としては、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ］エチル］−４−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ］−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，３，８−トリアザスピロ［４，５］ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、コハク酸ジメチル−１−（２−ヒドロキシエチル）−４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン重縮合物、ポリ［｛６−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）イミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイミル｝｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝ヘキサメチレン｛（２，３，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝］、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチルマロン酸ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノプロピル）エチレンジアミン−２，４−ビス［Ｎ−ブチル−Ｎ−（１，２，２，６，６，−ペンタメチル−４ピペリジル）アミノ］−６−クロロ−１，３，５−トリアジン縮合物などが挙げられる。
【００８１】
有機イオウ系酸化防止剤としては、ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス−（β−ラウリル−チオプロピオネート）、ジトリデシル−３，３’−チオジプロピオネート、２−メルカプトベンズイミダゾールなどが挙げられる。
【００８２】
有機燐系酸化防止剤としてトリスノニルフェニル  フォスフィート、トリフェニルフォスフィート、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）フォスフィートなどが挙げられる。
【００８３】
有機硫黄系および有機燐系酸化防止剤は２次酸化防止剤と呼ばれ、フェノール系あるいはアミン系などの１次酸化防止剤と併用することにより相乗効果を得ることができる。
【００８４】
光安定剤としては、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、ジチオカルバメート系、テトラメチルピペリジン系などの誘導体が挙げられる。
【００８５】
ベンゾフェノン系光安定剤としては、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノンなどが挙げられる。
【００８６】
ベンゾトリアゾール系系光安定剤としては、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−［２’−ヒドロキシ−３’−（３”，４”，５”，６”−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５’−メチルフェニル］ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾールなどが挙げられる。
【００８７】
その他の化合物として２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシベンゾエート、ニッケル  ジブチルジチオカルバメートなどがある。
【００８８】
また、感度の向上、残留電位の低減、繰り返し使用時の疲労低減等を目的として少なくとも１種の電子受容性物質を含有せしめることができる。本発明の感光体に使用可能な電子受容性物質としては、例えば無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、ｏ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、クロラニル、ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、ピクリン酸、ｏ−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、フタル酸などをあげる事ができる。これらのうち、フルオレノン系、キノン系や、Ｃｌ，ＣＮ，ＮＯ2等の電子吸引性置換基を有するベンゼン誘導体が特によい。また、電荷輸送層にはシリカやＰＴＦＥ、シリコーン樹脂のような微粒子を含有させることもできる。
【００８９】
また塗布液には塗膜の平滑性向上のためのレベリング剤としてシリコーンオイルを微量添加することもできる。
【００９０】
上記構成を有する感光体１において、高解像度を得る点からは、電荷発生層５よりも上層の機能層の膜厚の合計が５０μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以下であることがより好ましい。
【００９１】
なお、機能層が薄膜である場合、感光体１の表面に強度を付与したい場合には、表面層として保護層を設けてもよい。図７は保護層を備える電子写真感光体の一実施形態を示す要部断面図である。図７に示した感光体１は、電荷輸送層６上に保護層７を備える点が異なるだけで、他の構成は図１に示した感光体１と同様である。
【００９２】
保護層７には導電性材料を含有させてもよい。保護層７に用いる導電性材料としては、Ｎ，Ｎ’−ジメチルフェロセン等のメタロセン化合物、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン等の芳香族アミン化合物、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化アンチモン、酸化錫、酸化チタン、酸化インジウム、酸化錫とアンチモンあるいは酸化アンチモンとの固溶体の担体またはこれらの混合物、あるいは単一粒子中にこれらの金属酸化物を混合したもの、あるいは被覆したものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００９３】
保護層７に用いる結着樹脂としては、ポリアミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルケトン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等が挙げられ、これらは必要に応じて架橋して使用することも出来る。さらに電荷輸送性を有し、架橋構造を有するシロキサン系樹脂を保護層として使用することもできる。電荷輸送性化合物を含むシロキサン樹脂硬化膜の場合、電荷輸送性化合物として公知の材料であればいかなるものでも使用可能であるが、例えば特開平１０−９５７８７号公報、特開平１０−２５１２７７号公報、特開平１１−３２７１６号公報、特開平１１−３８６５６号公報、特開平１１−２３６３９１号公報に示された化合物等が挙げられるがこれに限定されるものではない。
【００９４】
次に、本発明の画像形成装置及びプロセスカートリッジについて説明する。
【００９５】
図８は本発明の画像形成装置の好適な一実施形態の基本構成を概略的に示す断面図である。図８に示す画像形成装置２００は、本発明の電子写真感光体２０７と、電子写真感光体２０７を帯電させる接触帯電方式の帯電装置（接触帯電装置）２０８と、帯電装置２０８に接続された電源２０９と、帯電装置２０８により帯電される電子写真感光体２０７を露光して静電潜像を形成する露光装置２１０と、露光装置２１０により形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置２１１と、現像装置２１１により形成されたトナー像を被転写媒体５００に転写する転写装置２１２と、クリーニング装置２１３と、除電器２１４と、定着装置２１５とを備える。この場合、除電器２１４が設けられていないものもある。
【００９６】
接触帯電装置２０８は帯電ロールを有しており、感光体２０７を帯電させる際には帯電ロールに電圧が印加される。帯電ロールとしては、芯材の外周面に弾性層、抵抗層、保護層等を設けたものが好適に用いられる。なお、帯電ロールの代わりに、ブラシ状、ブレード状、ピン電極状の導電性部材を用いてもよい。また、印加電圧は直流電圧、直流電圧に交流電圧を重畳したもののいずれでもよい。なお、接触帯電装置２０８の代わりにコロトロン、スコロトロン等の非接触帯電方式の帯電装置を用いてもよい。
【００９７】
露光装置２１０としては、電子写真感光体表面に、半導体レーザ、ＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）、液晶シャッター等の光源を所望の像様に露光できる光学系装置等を用いることができる。
【００９８】
現像装置２１１としては、一成分系、ニ成分系等の正規又は反転現像剤を用いた従来より公知の現像装置等を用いることができる。現像装置２１１に使用されるトナーの形状については、特に制限はなく、不定形、球形あるいは他の特定の形状のものであっても、使用することができる。
【００９９】
転写装置２１２としては、ローラー状の接触帯電部材の他、ベルト、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、あるいはコロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等、が挙げられる。
【０１００】
クリーニング装置２１３は、転写工程後の電子写真感光体の表面に付着する残存トナーを除去するためのもので、これにより清浄面化された電子写真感光体は上記の画像形成プロセスに繰り返し供される。クリーニング装置としては、クリーニングブレードの他、ブラシクリーニング、ロールクリーニング等を用いることができるが、これらの中でもクリーニングブレードを用いることが好ましい。また、クリーニングブレードの材質としてはウレタンゴム、ネオプレンゴム、シリコーンゴム等が挙げられる。
【０１０１】
また、本発明の画像形成装置は、図８に示したように、イレース光照射装置２１４をさらに備えていてもよい。これにより、電子写真感光体が繰り返し使用される場合に、電子写真感光体の残留電位が次のサイクルに持ち込まれる現象が防止されるので、画像品質をより高めることができる。
【０１０２】
図９は本発明の画像形成装置の他の実施形態の基本構成を概略的に示す断面図である。図９に示す画像形成装置２２０は中間転写方式の画像形成装置であり、ハウジング４００内において４つの電子写真感光体４０１ａ〜４０１ｄ（例えば、電子写真感光体４０１ａがイエロー、電子写真感光体４０１ｂがマゼンタ、電子写真感光体４０１ｃがシアン、電子写真感光体４０１ｄがブラックの色からなる画像をそれぞれ形成可能である）が中間転写ベルト４０９に沿って相互に並列に配置されている。
【０１０３】
ここで、画像形成装置２２０に搭載されている電子写真感光体４０１ａ〜４０１ｄは、それぞれ本発明の電子写真感光体である。
【０１０４】
電子写真感光体４０１ａ〜４０１ｄのそれぞれは所定の方向（紙面上は反時計回り）に回転可能であり、その回転方向に沿って帯電ロール４０２ａ〜４０２ｄ、現像装置４０４ａ〜４０４ｄ、１次転写ロール４１０ａ〜４１０ｄ、クリーニングブレード４１５ａ〜４１５ｄが配置されている。現像装置４０４ａ〜４０４ｄのそれぞれにはトナーカートリッジ４０５ａ〜４０５ｄに収容されたブラック、イエロー、マゼンタ、シアンの４色のトナーが供給可能であり、また、１次転写ロール４１０ａ〜４１０ｄはそれぞれ中間転写ベルト４０９を介して電子写真感光体４０１ａ〜４０１ｄに当接している。
【０１０５】
さらに、ハウジング４００内の所定の位置にはレーザ光源（露光装置）４０３が配置されており、レーザ光源４０３から出射されたレーザ光を帯電後の電子写真感光体４０１ａ〜４０１ｄの表面に照射することが可能となっている。これにより、電子写真感光体４０１ａ〜４０１ｄの回転工程において帯電、露光、現像、１次転写、クリーニングの各工程が順次行われ、各色のトナー像が中間転写ベルト４０９上に重ねて転写される。
【０１０６】
中間転写ベルト４０９は駆動ロール４０６、バックアップロール４０８及びテンションロール４０７により所定の張力をもって支持されており、これらのロールの回転によりたわみを生じることなく回転可能となっている。また、２次転写ロール４１３は、中間転写ベルト４０９を介してバックアップロール４０８と当接するように配置されている。バックアップロール４０８と２次転写ロール４１３との間を通った中間転写ベルト４０９は、例えば駆動ロール４０６の近傍に配置されたクリーニングブレード４１６により清浄面化された後、次の画像形成プロセスに繰り返し供される。
【０１０７】
また、ハウジング４００内の所定の位置にはトレイ（被転写媒体トレイ）４１１が設けられており、トレイ４１１内の紙などの被転写媒体５００が移送ロール４１２により中間転写ベルト４０９と２次転写ロール４１３との間、さらには相互に当接する２個の定着ロール４１４の間に順次移送された後、ハウジング４００の外部に排紙される。
【０１０８】
なお、上述の説明においては中間転写体として中間転写ベルト４０９を使用する場合について説明したが、中間転写体は、上記中間転写ベルト４０９のようにベルト状であってもよく、ドラム状であってもよい。ベルト状とする場合中間転写体の基材として用いる樹脂材料としては、従来公知の樹脂を用いることができる。例えば、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリアルキレンテレフタレート（ＰＡＴ）、エチレンテトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）／ＰＣ、ＥＴＦＥ／ＰＡＴ、ＰＣ／ＰＡＴのブレンド材料、ポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド等の樹脂材料及びこれらを主原料としてなる樹脂材料が挙げられる。さらに、樹脂材料と弾性材料をブレンドして用いることができる。
【０１０９】
図１０は、本発明の電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジの好適な一実施形態の基本構成を概略的に示す断面図である。プロセスカートリッジ３００は、電子写真感光体２０７とともに、帯電装置２０８、現像装置２１１、クリーニング装置（クリーニング手段）２１３、露光のための開口部２１８、及び、除電露光のための開口部２１７を取り付けレール２１６を用いて組み合わせ、そして一体化したものである。
【０１１０】
そして、このプロセスカートリッジ３００は、転写装置２１２と、定着装置２１５と、図示しない他の構成部分とからなる画像形成装置本体に対して着脱自在としたものであり、画像形成装置本体とともに画像形成装置を構成するものである。
【０１１１】
上述の画像形成装置及びプロセスカートリッジにおいては、多重反射による濃度ムラの抑制性と他の電子写真特性とが高水準で両立された本発明の電子写真感光体を用いることで、高水準の画像品質を長期にわたって安定的に得ることが可能となる。
【０１１２】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、図５には感光体の基体と反対側の面（外周面）を露光する画像形成装置を示したが、円筒状基体の内周面により形成される空間に露光装置を配置し、感光体の内側から露光して静電潜像を形成させる背面露光システムとしてもよい。かかる背面露光システムを適用する場合には、上述したように、基体の全光線透過率を７０％以上とすることが好ましい。
【０１１３】
また、本発明にかかる被転写媒体とは、電子写真感光体上に形成されたトナー像を転写する媒体であれば特に制限はない。例えば、電子写真感光体から直接、紙等の被転写媒体に転写する場合は、紙等が被転写媒体である。また、中間転写体を用いる場合には、中間転写体が被転写媒体である。
【実施例】
【０１１４】
以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【０１１５】
［実施例１］
先ず、導電性基体として直径３０ｍｍ、長さ３４０ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム基材を用意し、その外周面に鏡面研削を施した。
【０１１６】
一方、酸化亜鉛（テイカ社製試作品、平均粒子径：７０ｎｍ、比表面積値：１５ｍ2／ｇ）１００重量部をトルエン５００重量部と攪拌混合し、シランカップリング剤（ＫＢＭ６０３、信越化学社製）１．２５重量部を添加し、２時間攪拌した。その後、トルエンを減圧蒸留にて留去し、１５０℃で２時間焼き付けを行った。
【０１１７】
このようにして表面処理を施した酸化亜鉛６０重量部と、硬化剤（ブロック化イソシアネート  スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）１３．５重量部と、ブチラール樹脂（ＢＭ−１、積水化学社製）１５重量部をメチルエチルケトン８５重量部に溶解した溶液３８重量部と、メチルエチルケトン２５重量部と、を混合し、直径１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間の分散を行い分散液を得た。得られた分散液に触媒としてジオクチルスズジラウレート：０．００５重量部を添加し、さらに、シリコーン微粒子（トスパール１３０、ＧＥ東芝シリコーン社製、平均粒径：２．５μｍ）４重量部を添加して、下引き層塗布用液を得た。この塗布液を浸漬塗布法にてアルミニウム基材上に塗布し、１６０℃、４０分の乾燥硬化を行い厚さ２０μｍの下引き層を得た。
【０１１８】
次に、下引き層上に感光層を形成した。まず、電荷発生物質としてのＣｕｋα線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン１５重量部、結着樹脂としての塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０重量部、ｎ−ブチルアルコール３００重量部からなる混合物を、１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液を電荷発生層用の塗布液として下引き層上に浸漬塗布し、乾燥して電荷発生層を形成した。
【０１１９】
さらに、Ｎ，Ｎ’ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’］ビフェニル−４，４−ジアミン４重量部とビスフェノールＺポリカー
ボネート樹脂（粘度平均分子量：４０，０００）６重量部とをクロルベンゼン８０重量部に加えて溶解した塗布液を電荷発生層上に塗布し、１３５℃、４０分の乾燥を行うことにより膜厚３２μｍの電荷輸送層を形成し、図１に示す構成を有する電子写真感光体を得た。
【０１２０】
次に、得られた感光体の反射特性を評価した。先ず、図３に示す測定装置を用い、入射角７０°で光を照射し、感光体表面の法線方向に散乱する反射光の反射率の有効画像領域内における平均値を求めた。また、図６に示す測定装置を用い、入射角１５°で光を照射し、正反射光の有効画像領域内における反射率の絶対値の変動幅を求めた。露光光源としては、いずれの場合も発振波長７８０ｎｍのレーザ光源を用いた。得られた結果を表１に示す。
【０１２１】
次に、得られた感光体を用いて図９に示す構成を有する画像形成装置を作製した。作製した画像形成装置は接触帯電装置及び中間転写装置を備えるもので、感光体以外の構成は富士ゼロックス社製フルカラープリンターＤｏｃｕ  Ｐｒｉｎｔ  Ｃ６２０と同様である。この画像形成装置を用いてプリント試験を行い、濃度むら及び画質欠陥の有無を観察した。得られた結果を表１に示す。
【０１２２】
［実施例２］
電荷発生層形成時の浸漬塗布速度を実施例１の２倍にしたこと以外は実施例１と同様にして、感光体を作製し、その反射特性を評価した。得られた結果を表１に示す。
【０１２３】
また、得られた感光体を用いたこと以外は実施例１と同様にして、画像形成装置を作製し、プリント試験を行った。得られた結果を表１に示す。
【０１２４】
［実施例３］
実施例１において下引き層形成用塗布液に添加したシリコーン微粒子の代わりに、別のシリコーン微粒子（トスパール１４５、ＧＥ東芝シリコーン社製、平均粒径：４．０μｍ）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、感光体を作製し、その反射特性を評価した。得られた結果を表１に示す。
また、得られた感光体を用いたこと以外は実施例１と同様にして、画像形成装置を作製し、プリント試験を行った。得られた結果を表１に示す。
【０１２５】
［実施例４］
実施例１において下引き層塗布液に添加したシリコーン微粒子（トスパール１３０、ＧＥ東芝シリコーン社製、平均粒径：２．５μｍ）の量を８重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、感光体を作製し、その反射特性を評価した。得られた結果を表１に示す。
【０１２６】
また、得られた感光体を用いたこと以外は実施例１と同様にして、画像形成装置を作製し、プリント試験を行った。得られた結果を表１に示す。
【０１２７】
［実施例５］
実施例１と同様に下引き層及び電荷発生層を形成した。次に、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’］ビフェニル−４，４’−ジアミン４重量部及びビスフェノールＺポリカーボネート樹脂（分子量：４万）６重量部をクロルベンゼン８０重量部に加えて溶解し、四フッ化エチレン粒子１重量部（ルブロンＬ２：ダイキン工業社製）を加えた。さらに、分散助剤（アロンＧＦ３００、東亜合成社製）を固形分量として０．３重量部混合し、ホモジナイザーにて分散処理して電荷輸送層形成用塗布液を得た。この塗布液を電荷発生層上に塗布し、１１５℃、４０分の乾燥を行って膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成し、目的の電子写真感光体を得た。得られた感光体について、実施例１と同様にして反射特性を評価した。得られた結果を表１に示す。
【０１２８】
また、得られた感光体を用いたこと以外は実施例１と同様にして、画像形成装置を作製し、プリント試験を行った。得られた結果を表１に示す。
【０１２９】
［比較例１］
下引き層塗布液にシリコーン微粒子（トスパール１３０、ＧＥ東芝シリコーン社製、平均粒径：２．５μｍ）を添加しなかったこと以外は実施例１と同様にして、感光体を作製し、その反射特性を評価した。得られた結果を表１に示す。
【０１３０】
また、得られた感光体を用いたこと以外は実施例１と同様にして、画像形成装置を作製し、プリント試験を行った。得られた結果を表１に示す。
【０１３１】
［比較例２］
下引き層塗布液に添加するシリコーン微粒子（トスパール１３０、ＧＥ東芝シリコーン社製、平均粒径：２．５μｍ）を１重量部とした以外は実施例１と同様にして、感光体を作製し、その反射特性を評価した。得られた結果を表１に示す。
【０１３２】
また、得られた感光体を用いたこと以外は実施例１と同様にして、画像形成装置を作製し、プリント試験を行った。得られた結果を表１に示す。
【０１３３】
［比較例３］
実施例１と同様にして下引き層を形成した後、電荷発生層形成時の浸漬塗布速度を実施例１の半速（０．５倍速）にしたこと以外は実施例１と同様にして、感光体を作製し、その反射特性を評価した。得られた結果を表１に示す。
【０１３４】
また、得られた感光体を用いたこと以外は実施例１と同様にして、画像形成装置を作製し、プリント試験を行った。得られた結果を表１に示す。
【０１３５】
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【０１３６】
【図１】本発明の電子写真感光体の好適な一実施形態を示す模式断面図である。
【図２】図１に示した感光体の表面に入射角７０°で光を入射させたときの状態を概念的に示す説明図である。
【図３】感光体の表面の法線方向に散乱する反射光を検出し、その反射率の有効画像領域内における平均値を求める測定装置の一例を示す概略構成図である。
【図４】図３中の露光光源から出射される入射光及び反射光検出装置で検出される散乱光の光路と、感光体の回転軸との相対位置を概念的に示す斜視図である
【図５】図１に示した感光体の表面に入射角１５°で光を入射させたときの状態を概念的に示す説明図である。
【図６】感光体の正反射光を検出し、その有効画像領域内における反射率の絶対値の変動幅及び反射率の絶対値の平均値を求める測定装置の一例を示す概略構成図である。
【図７】本発明の電子写真感光体の他の実施形態を示す模式断面図である。
【図８】本発明の画像形成装置の好適な一実施形態を示す概略構成図である。
【図９】本発明の画像形成装置の他の実施形態を示す概略構成図である。
【図１０】本発明のプロセスカートリッジの好適な一実施形態を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【０１３７】
１…電子写真感光体、２…導電性基体、３…下引き層、４…感光層、５…電荷発生層、６…電荷輸送層、７…保護層、２１、５１…入射光、２２、５２…正反射光、２３…散乱光、３０…測定ユニット、３１…露光光源、３２…反射光検出装置、３３…反射光量測定装置、３４…光量演算処理装置、２００…画像形成装置、２０７…電子写真感光体、２０８…帯電装置、２０９…電源、２１０…露光装置、２１１…現像装置、２１２…転写装置、２１３…クリーニング装置、２１４…除電器、２１５…定着装置、２１６…取り付けレール、２１７…除電露光のための開口部、２１８…露光のための開口部、３００…プロセスカートリッジ、４００…ハウジング、４０２ａ〜４０２ｄ…帯電ロール、４０３…レーザー光源（露光装置）、４０４ａ〜４０４ｄ・・・現像装置、４０５ａ〜４０５ｄ…トナーカートリッジ、４０６…駆動ロール、４０７…テンションロール、４０８…バックアップロール、４０９…中間転写ベルト、４１０ａ〜４１０ｄ…１次転写ロール、４１１…トレイ（被転写体トレイ）、４１２…移送ロール、４１３…２次転写ロール、４１４…定着ロール、４１５ａ〜４１５ｄ…クリーニングブレード、４１６…クリーニングブレード、５００…被転写媒体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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