(57)【要約】【課題】  単一モード発振するようにした面発光型半導体レーザーを実現する。【解決手段】  第１のミラー層と第２のミラー層との間に活性層が設けられた面発光型半導体レーザーにおいて、  前記第１のミラー層と第２のミラー層の少なくとも一方の所定個所に少なくとも一個設けられた貫通穴を具備したことを特徴とする面発光型半導体レーザーである。【選択図】                    図１
2005322660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のミラー層と第２のミラー層との間に活性層が設けられた面発光型半導体レーザーにおいて、
前記第１のミラー層と第２のミラー層の少なくとも一方の所定個所に少なくとも一個設けられた貫通穴
を具備したことを特徴とする面発光型半導体レーザー。
【請求項２】
前記第１のミラー層と前記第２のミラー層との両方の所定個所に少なくとも一個設けられた貫通穴
を具備したことを特徴とする請求項１記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項３】
第１のミラー層と第２のミラー層との間に活性層が設けられた面発光型半導体レーザーにおいて、
前記第１のミラー層と前記第２のミラー層との少なくとも一方の互いに対向する側の所定個所に少なくとも一個設けられた非貫通穴
を具備したことを特徴とする面発光型半導体レーザー。
【請求項４】
前記第１のミラー層と前記第２のミラー層との両方の所定個所に少なくとも一個設けられた非貫通穴
を具備したことを特徴とする請求項３記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項５】
所定の最低次の横モード発振に対して高次の横モード発振の強度分布で極大となる個所に設けられた穴
を具備したことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項６】
第１のミラー層と第２のミラー層との間に活性層が設けられた面発光型半導体レーザーにおいて、
前記第１のミラー層と第２のミラー層の少なくとも一方に凸形状鏡が使用されたこと
を特徴とする面発光型半導体レーザー。
【請求項７】
前記第１のミラー層と第２のミラー層の両方に凸形状鏡が使用されたこと
を特徴とする請求項６記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項８】
前記第１のミラー層と第２のミラー層の他方に凹形状鏡が使用されたこと
を特徴とする請求項６記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項９】
前記第１のミラー層と第２のミラー層の他方に平面鏡が使用されたこと
を特徴とする請求項６記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項１０】
所定の最低次の横モード発振に対して高次の横モード発振の回析損が大きくなるように前記第１のミラー層と第２のミラー層の少なくとも一方に凸形状鏡が使用されたこと
を特徴とする請求項６乃至請求項９の何れかに記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項１１】
第１のミラー層と第２のミラー層との間に活性層が設けられた面発光型半導体レーザーにおいて、
前記第１のミラー層の面と前記第２のミラー層の面の少なくとも一方の面が光軸に対して傾いていること
を特徴とする面発光型半導体レーザー。
【請求項１２】
前記第１のミラー層の面と前記第２のミラー層の面が他方の鏡に対して傾いていること
を特徴とする請求項１１記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項１３】
前記第１のミラー層の面と前記第２のミラー層の面が光軸の方向に対し同じ側に傾いているが互いに平行ではないこと
を特徴とする請求項１１記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項１４】
前記第１のミラー層と前記第２のミラー層の少なくとも一方あるいは両方が凸形状鏡あるいは凹形状鏡であること
を特徴とする請求項１１乃至請求項１３の何れかに記載の面発光型半導体レーザー。
【請求項１５】
所定の最低次の横モード発振に対して高次の横モード発振の回析損が大きくなるように前記第１のミラー層の面と前記第２のミラー層の面の少なくとも一方の面が光軸に対して傾いていること
を特徴とする請求項１１乃至請求項１４の何れかに記載の面発光型半導体レーザー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光通信用の面発光型半導体レーザーの構造に関するものである。
更に詳述すれば、固定波長または可変波長面発光型半導体レーザーを含む面発光型半導体レーザーに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
面発光型半導体レーザーに関連する先行技術文献としては次のようなものがある。
【非特許文献１】D.Vakhschoori等、「2mW CW singlemode operation of a tunable 1550nm vertical cavity surface emitting laser with 50nm tuning rannge」、ELECTORONICS LETTERS 27th May 1999 Vol.35 No.11 pp.1〜pp.2、
【非特許文献２】伊賀健一、小山二三夫編著：「面発光レーザの基礎と応用」共立出版、１９９９年６月２５日初版１刷発行、ｐ．１３３，図８．５、
【０００３】
図１０は、非特許文献１に示されているような、このような従来の面発光型半導体レーザーの一例を示す要部構成説明図である。
図において、１はＩｎＰ基板、２はＩｎＰ基板１に、支持ポスト３を介して形成された薄膜である。
第１のミラー層４は薄膜３に形成されている。
【０００４】
第１のミラー層４は、ミラー形成時に発生する応力により凹面形状に形成されている。
５はＩｎＰ基板１に形成された活性層である。
６はＩｎＰ基板１に形成された凹部である。
７は凹部６の底面に活性層５に接して設けられた第２のミラー層である。
【０００５】
以上の構成において、この場合は、９８０ｎｍの光が注入されて１５５０ｎｍのレーザーが出射される
即ち、ＩｎＰ基板１中の活性層５中の励起エネルギーの注入方式は光励起方式である。
そして、薄膜３とＩｎＰ基板１との間に電圧を印加し、静電気力により、第１、第２のミラー層４，７間（共振器長）を変化させて発振波長を変化させる。
【０００６】
図１１は、非特許文献１に示されているような、このような従来の面発光型半導体レーザーの一例を示す要部構成説明図である。
図において、１１はｎ−ＧａＡｓ基板、１２はｎ−ＧａＡｓ基板１１に設けられた第１のミラー層である。
【０００７】
１３は第１のミラー層１２に対向してｎ−ＧａＡｓ基板１１に設けられた第２のミラー層である。
活性層１４は、第１の光学ミラー層１２と第２のミラー層１３との間に配置されている。
以上の構成において、第１，第２のミラー層１２，１３の両方の位置が固定されているので、発振周波数が固定された固定波長レーザーとなっている。
【０００８】
以上のような構造を有するレーザーに用いられてきた光共振器は、共振器の回折損失（共振器からのエネルギー損失）を極力減らすため、最悪でも平行平板鏡、または片側が平面鏡、もう片側が凹面鏡、あるいは２枚の鏡ともに凹面鏡が用いられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、このような方法で共振器の回折損失を低減すると、共振器のギャップ長で決まる所定の縦モード共振周波数（以下、任意の縦モードに属する最低次の横モードのことを単に「縦モード」と表記する。）以外にも、各縦モード共振周波数に付随して発生する高次の横モード（以下、任意の縦モードに属する横モードで最低次以外の横モードを総称して「横モード」と表記する。）共振も発生しやすく、単一モード発振を行うことが困難となり、特に大出力発振の際には多モード発振になってしまう問題があった。
【００１０】
この横モード(レーザー発振には不必要なモード)による励振を抑制するため、レーザー媒質の位置や大きさを最適配置する方法等があったが、大出力化すると多モード発振してしまう。
【００１１】
本発明の目的は、上記の課題を解決するもので、単一モード発振するようにした面発光型半導体レーザーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような課題を解決するために、本発明では、請求項１の面発光型半導体レーザーにおいては、
第１のミラー層と第２のミラー層との間に活性層が設けられた面発光型半導体レーザーにおいて、
前記第１のミラー層と第２のミラー層の少なくとも一方の所定個所に少なくとも一個設けられた貫通穴を具備したことを特徴とする面発光型半導体レーザー。
【００１３】
本発明の請求項２においては、請求項１記載の面発光型半導体レーザーにおいて、
前記第１のミラー層と前記第２のミラー層との両方の所定個所に少なくとも一個設けられた貫通穴を具備したことを特徴とする。
【００１４】
請求項３の面発光型半導体レーザーにおいては、
第１のミラー層と第２のミラー層との間に活性層が設けられた面発光型半導体レーザーにおいて、
前記第１のミラー層と前記第２のミラー層との少なくとも一方の互いに対向する側の所定個所に少なくとも一個設けられた非貫通穴を具備したことを特徴とする。
【００１５】
本発明の請求項４においては、請求項３記載の面発光型半導体レーザーにおいて、
前記第１のミラー層と前記第２のミラー層との両方の所定個所に少なくとも一個設けられた非貫通穴を具備したことを特徴とする。
【００１６】
本発明の請求項５においては、請求項１乃至請求項４の何れかに記載の面発光型半導体レーザーにおいて、
所定の最低次の横モード発振に対して高次の横モード発振の強度分布で極大となる個所に設けられた穴を具備したことを特徴とする。
【００１７】
本発明の請求項６の面発光型半導体レーザーにおいては、
第１のミラー層と第２のミラー層との間に活性層が設けられた面発光型半導体レーザーにおいて、
前記第１のミラー層と第２のミラー層の少なくとも一方に凸形状鏡が使用されたことを特徴とする。
【００１８】
本発明の請求項７においては、請求項６記載の面発光型半導体レーザーにおいて、
前記第１のミラー層と第２のミラー層の両方に凸形状鏡が使用されたことを特徴とする。
【００１９】
本発明の請求項８においては、請求項６記載の面発光型半導体レーザーにおいて、
前記第１のミラー層と第２のミラー層の他方に凹形状鏡が使用されたことを特徴とする。
【００２０】
本発明の請求項９においては、請求項６記載の面発光型半導体レーザーにおいて、
前記第１のミラー層と第２のミラー層の他方に平面鏡が使用されたことを特徴とする。
【００２１】
本発明の請求項１０においては、請求項６乃至請求項９の何れかに記載の面発光型半導体レーザーにおいて、
所定の最低次の横モード発振に対して高次の横モード発振の回析損が大きくなるように前記第１のミラー層と第２のミラー層の少なくとも一方に凸形状鏡が使用されたことを特徴とする。
【００２２】
本発明の請求項１１記載の面発光型半導体レーザーにおいて、
第１のミラー層と第２のミラー層との間に活性層が設けられた面発光型半導体レーザーにおいて、
前記第１のミラー層の面と前記第２のミラー層の面の少なくとも一方の面が光軸に対して傾いていることを特徴とする。
【００２３】
本発明の請求項１２においては、請求項１１記載の面発光型半導体レーザーにおいて、
前記第１のミラー層の面と前記第２のミラー層の面が他方の鏡に対して傾いていることを特徴とする。
【００２４】
本発明の請求項１３においては、請求項１１記載の面発光型半導体レーザーにおいて、
前記第１のミラー層の面と前記第２のミラー層の面が光軸の方向に対し同じ側に傾いているが互いに平行ではないことを特徴とする。
【００２５】
本発明の請求項１４においては、請求項１１乃至請求項１３の何れかに記載の面発光型半導体レーザーにおいて、
前記第１のミラー層と前記第２のミラー層の少なくとも一方あるいは両方が凸形状鏡あるいは凹形状鏡であることを特徴とする。
【００２６】
本発明の請求項１５においては、請求項１１乃至請求項１４の何れかに記載の面発光型半導体レーザーにおいて、
所定の最低次の横モード発振に対して高次の横モード発振の回析損が大きくなるように前記第１のミラー層の面と前記第２のミラー層の面の少なくとも一方の面が光軸に対して傾いていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の請求項１から請求項５によれば、次のような効果がある。
所定の最低次の横モード(縦モード)に近接する、最低次以外の横モードの強度分布で、極大になる領域に位置する鏡の部分に穴をあけることで、その横モードについてエネルギーロスを大きくとることが可能になる。
また、穴は貫通穴でなくても非貫通穴（くぼみ）でも十分である。
このとき、最低次の横モードは極大位置が異なるので、穴による影響を受けない。
【００２８】
このように、最低次の横モードと最低次以外の高次の横モードとの間で回折損の差が大きくとれるので、最低次以外の高次の横モード周波数の励振を抑制でき、単一モード発振が出来る面発光型半導体レーザーが得られる。
最低次の横モードに対しては、レーザー媒質の効率や、投入パワーで補完する事でエネルギーのロスは補間でき、レーザー発振は可能となる。
【００２９】
本発明の請求項６から請求項１０によれば、次のような効果がある。
第１のミラー層と第２のミラー層の少なくとも一方に凸形状鏡が使用された。
従って、光共振器は不安定となり、共振器の回折損失が大きくなる。所定の最低次の横モード(縦モード)についてみると、最低次の横モードの損失も高くなるが、それ以上に、最低次の横モードに付随する最低次以外の高次の横モードの回折損が極端に大きくなるので、最低次の横モードと最低次以外の高次のモードとの間で回折損の差が大きくとれるので、最低次以外の高次の横モード周波数の励振を抑制でき、単一モード発振が出来る面発光型半導体レーザーが得られる。
【００３０】
最低次の横モードに対しては、レーザー媒質の効率や、投入パワーで補完する事でエネルギーのロスは補間でき、レーザー発振は可能となる。
【００３１】
本発明の請求項１１から請求項１５によれば、次のような効果がある。
第１のミラー層の面と第２のミラー層の面の少なくとも一方の面が光軸に対して傾いていること且つ活性層の面が第１のミラー層の面と第２のミラー層の面と平行でないあるいは一方の鏡と平行であることを特徴とする面発光型半導体レーザーが設けられた。
【００３２】
従って、第１のミラー層と第２のミラー層の面を傾け、２つの鏡の平行性をくずすと、最低次の横モードの回折損に対して、最低次以外の高次の横モードの回折損が極端に高くなり、最低次の横モードのみ選択的に残すようにする。傾けることで、最低次の横モードと最低次以外の高次の横モードとの間で回折損の差が大きくとれるので、最低次以外の高次の横モード周波数の励振を抑制でき、単一モード発振が出来る面発光型半導体レーザーが得られる。
【００３３】
最低次の横モードに対しては、レーザー媒質の効率や、投入パワーで補完する事でエネルギーのロスは補間でき、レーザー発振は可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
図１は本発明の一実施例の要部構成説明図、図２は図１の動作説明図である。
図において、貫通穴２１は、第１のミラー層２２と第２のミラー層２３の少なくとも一方の所定個所に少なくとも一個設けられている。
この場合は、第１のミラー層２２に２個の貫通穴２１が設けられている。
活性層２４は、第１のミラー層２２と第２のミラー層２３との間に設けられている。
【００３５】
なお、貫通穴２１は、第１のミラー層２２と第２のミラー層２３との両方の所定個所に少なくとも一個設けられても良い。
また、穴２１は、非貫通穴でも良い。
また、穴２１は、所定の最低次の横モード発振に対して最低次以外の高次の横モード発振の強度分布で極大となる個所に設けられても良い。
【００３６】
図２は光共振器(ファブリ・ペロー共振器)の安定性を表すダイアグラムである。
図２は、浅見義弘ほか共著、「レーザー工学」、東京電機大学出版局、昭和５８年４月２０日第１版７刷発行、Ｐ２７、図２・９に示されている。
図２で縦軸と横軸は、それぞれ、第１のミラー層２２と第２のミラー層２３の２枚の鏡のどちらかの曲面の形状をあらわすパラメータである。
【００３７】
ここで、ｒ１とｒ２は第１のミラー層２２と第２のミラー層２３の２枚の鏡それぞれの曲率半径、lは光共振器の幅(ギャップ)を表している。
光共振器のエネルギー損失を極力減らす方向での設計においては、図２において、領域Ａ、Ｂの領域にあるような鏡の形状で共振器を形成する。
【００３８】
しかし、この場合、必要な最低次の横モード以外にも、最低次の横モードに付随する最低次以外の高次の横モードについても同様にエネルギーロスが低減するので、特別な工夫がないと、レーザー発振させた場合、必要な最低次の横モード以外にもそれに付随する最低次以外の横モードについても発振してしまい、単一モードでの発振が難しくなる。
【００３９】
そこで、最低次の横モードに近接する最低次以外の横モードの強度分布で、極大になる領域に位置する鏡の部分に穴をあけることで、その横モードについてエネルギーロスを大きくとることが可能になる。
また、穴は貫通穴でなくても非貫通穴（くぼみ）でも十分である。
【００４０】
このとき、必要な最低次の横モードは極大位置が異なるので、穴による影響を受けない。
このように、必要な最低次の横モードと高次の横モードとの間で回折損の差が大きくとれるので、高次の横モード周波数の励振を抑制できる。
必要な最低次の横モードに対しては、レーザー媒質の効率や、投入パワーで補完する事でエネルギーのロスは補完でき、レーザー発振は可能となる。
【００４１】
図３は本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
本実施例においては、第１のミラー層３１に貫通穴３２が設けられた面発光型半導体レーザーである。
活性層３３は、第１のミラー層３１と第２のミラー層３４との間に設けられている。
【００４２】
図４は本発明の他の実施例の要部構成説明図、図５は図４の動作説明図である。
本実施例においては、第１のミラー層４１と第２のミラー層４２の少なくとも一方に凸形状鏡が使用されている。
この場合は、第１のミラー層４１に凸形状鏡が使用されている。
活性層４３は、第１のミラー層４１と第２のミラー層４２との間に設けられている。
【００４３】
なお、第１のミラー層４１と第２のミラー層４２の両方に凸形状鏡が使用されても良い。
また、第１のミラー層４１と第２のミラー層４２の他方に凹形状鏡が使用されても良い。
また、第１のミラー層４１と第２のミラー層４２の他方に平面鏡が使用されても良い。
【００４４】
また、所定の最低次の横モード発振に対して、最低次以外の高次の横モード発振の回析損が大きくなるように、第１のミラー層４１と第２のミラー層４２の少なくとも一方に凸形状鏡が使用されても良い。
【００４５】
図５は光共振器(ファブリ・ペロー共振器)の安定性を表すダイアグラムである。
図５は、浅見義弘ほか共著、「レーザー工学」、東京電機大学出版局、昭和５８年４月２０日第１版７刷発行、Ｐ２７、図２・９に示されている。
図５で縦軸と横軸は、それぞれ、第１のミラー層４１と第２のミラー層４２の２枚の鏡のどちらかの曲面の形状をあらわすパラメータである。
【００４６】
ここで、ｒ１とｒ２は第１のミラー層４１と第２のミラー層４２の２枚の鏡それぞれの曲率半径、lは光共振器の幅(ギャップ)を表している。
図５において、領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄのように第１のミラー層４１と第２のミラー層４２中の鏡の片方、または両方が凸面になると、光共振器は不安定となり、共振器の回折損失が大きくなる。
【００４７】
この場合、必要な最低次の横モードについてみると、必要な最低次の横モードの損失も高くなるが、それ以上に、必要な最低次の横モードに付随する最低次以外の高次の横モードの回折損が極端に大きくなるので、必要な最低次の横モードと最低次以外の高次のモードとの間で回折損の差が大きくとれるので、最低次以外の高次の横モード周波数の励振を抑制できる。
【００４８】
必要な最低次の横モードに対しては、レーザー媒質の効率や、投入パワーで補完する事でエネルギーのロスは補完でき、レーザー発振は可能となる。
【００４９】
図６は本発明の他の実施例の要部構成説明図、図７は図６の動作説明図である。
本実施例においては、第１のミラー層５１の面と第２のミラー層５２の面の少なくとも一方の面が、光軸Ａに対して傾いている。
この場合は、第１のミラー層５１の面が、光軸Ａに対して傾いている。また、活性層５３の面と第２のミラー層５２の面とが平行であって、光軸Ａに対して垂直となっている。
【００５０】
図７は光共振器(ファブリ・ペロー共振器)の安定性を表すダイアグラムである。
図７は、浅見義弘ほか共著、「レーザー工学」、東京電機大学出版局、昭和５８年４月２０日第１版７刷発行、Ｐ２７、図２・９に示されている。
図７で縦軸と横軸は、それぞれ、第１のミラー層５１と第２のミラー層５２の２枚の鏡のどちらかの曲面の形状をあらわすパラメータである。
【００５１】
ここで、ｒ１とｒ２は第１のミラー層５１と第２のミラー層５２の２枚の鏡それぞれの曲率半径、lは光共振器の幅(ギャップ)を表している。
光共振器のエネルギー損失を極力減らす方向での設計においては、図７において、領域Ａ、Ｂの領域にあるような鏡の形状で共振器を形成する。
【００５２】
しかし、この場合、必要な最低次の横モード以外にも、必要な最低次の横モードに付随する最低次以外の高次の横モードについても同様にエネルギーロスが低減するので、特別な工夫がないと、レーザー発振させた場合、必要な最低次の横モード以外にもそれに付随する最低次以外の高次の横モードについても発振してしまい、単一モードので発振が難しくなる。
【００５３】
そこで、2つの鏡の平行性をくずす(傾ける)と、最低次以外の高次の横モードの回折損が極端に高くなり、必要な最低次の横モードのみ選択的に残すようにする。傾けることで必要な最低次の横モードと最低次以外の高次のモードとの間で回折損の差が大きくとれるので、最低次以外の高次の横モード周波数の励振を抑制できる。
必要な最低次の横モードに対しては、レーザー媒質の効率や、投入パワーで補完する事でエネルギーのロスは補完でき、レーザー発振は可能となる。
【００５４】
図８は本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
本実施例においては、第１のミラー層６１の面と第２のミラー層６２の面が他方の鏡に対して傾いている。
【００５５】
この場合は、第１のミラー層６１の面と第２のミラー層６２の面が互いに他方の鏡に対して傾いている。
活性層６３の面は光軸Ａに対して垂直となっている。
【００５６】
図９は本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
本実施例においては、第１のミラー層７１の面と第２のミラー層７２の面が光軸Ａの方向に対し同じ側に傾いているが、互いに平行ではない。
活性層７３の面は、光軸Ａに対して垂直となっている。
【００５７】
なお、第１のミラー層７１と第２のミラー層７２の少なくとも一方あるいは両方が凸形状鏡あるいは凹形状鏡であっても良い。
また、所定の最低次の横モード発振に対して、最低次以外の高次の横モード発振の回析損が大きくなるように、第１のミラー層７１の面と第２のミラー層７２の面の少なくとも一方の面が光軸Ａに対して傾いていること、且つ活性層７３の面が第１のミラー層７１の面と第２のミラー層７２の面と平行でない、あるいは一方の鏡と平行であっても良い。
【００５８】
なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。
したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施例の要部構成説明図である。
【図２】図１の動作説明図である。
【図３】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
【図４】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
【図５】図４の動作説明図である。
【図６】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
【図７】図６の動作説明図である。
【図８】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
【図９】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
【図１０】従来より一般に使用されている従来の要部構成説明図である。
【図１１】従来より一般に使用されている他の従来の要部構成説明図である。
【符号の説明】
【００６０】
１      ＩｎＰ基板
２      薄膜
３      支持ポスト
４      第１のミラー層
５      活性層
６      凹部
７      第２のミラー層
１１    ｎ−ＧａＡｓ基板
１２    第１のミラー層
１３    第２のミラー層
１４    活性層
２１    貫通穴
２２    第１のミラー層
２３    第２のミラー層
２４    活性層
３１    第１のミラー層
３２    貫通穴
３３    活性層
３４    第２のミラー層
４１    第１のミラー層
４２    第２のミラー層
４３    活性層
５１    第１のミラー層
５２    第２のミラー層
５３    活性層
６１    第１のミラー層
６２    第２のミラー層
６３    活性層
７１    第１のミラー層
７２    第２のミラー層
７３    活性層
Ａ      光軸
【図１】
2005322660.tif 000003
【図２】
2005322660.tif 000004
【図３】
2005322660.tif 000005
【図４】
2005322660.tif 000006
【図５】
2005322660.tif 000007
【図６】
2005322660.tif 000008
【図７】
2005322660.tif 000009
【図８】
2005322660.tif 000010
【図９】
2005322660.tif 000011
【図１０】
2005322660.tif 000012
【図１１】
2005322660.tif 000013