(57)【要約】【課題】  位置精度、信頼性が高く、生産性の向上を図ることが可能な半導体装置の実装方法を提供する。【解決手段】  半導体チップ５を接合する面に、バンプ３を形成する工程と、バンプ３をレベリングする工程と、レベリングされたバンプ３’上に、半導体チップ５を搭載する工程と、バンプ３’及び半導体チップ５を接合する工程を備える。  【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを接合する面に、バンプを形成する工程と、
前記バンプをレベリングする工程と、
レベリングされた前記バンプ上に、半導体チップを搭載する工程と、
前記バンプ及び前記半導体チップを接合する工程を備えることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項２】
前記バンプを、フラッタリングツールを用いて加圧することにより、レベリングすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項３】
基板、リードフレーム、半導体チップの少なくともいずれかに、半導体チップを接合することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項４】
予め樹脂をモールドしたリードフレーム上にバンプを形成する工程と、
前記バンプ上に半導体チップを搭載する工程と、
超音波を印加し、半導体チップを接合する工程を備えることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項５】
前記バンプを形成した後、さらにレベリングする工程を備えることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の実装方法に係り、例えばＬＥＤ等小型チップを実装する半導体チップの実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体チップを基板等と接合する方法として、バンプによる接合が広く用いられている。これは、図９に示すように、例えばリードフレーム１０１の所定位置に直接金バンプ等のバンプ１０２を形成し、その上に半導体素子等のチップ１０３を載置した後、圧着するものである（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平５−１６６８８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年、光半導体装置の小型化等に伴い、小チップを基板等に実装する必要が生じている。しかしながら、特に、小チップとなると、バンプ数が少なくなるため、例えば、図１０に示すように、基板上１０４に形成されたバンプ１０５の高さが異なると、チップ１０６が大きく傾き、位置ズレを生じていた。そのため、チップ１０６をバンプ１０５上に圧着した後、時間を置いてチップ位置が安定させてから超音波等を印加して接合する必要があり、生産性の向上を図ることが困難であった。
【０００４】
また、図１１に示すように、Ａｇペースト等のエポキシ樹脂等を含む導電性ペースト１０７をリードフレーム１０８に塗布してチップ１０９を実装する際、ペースト１０８がチップ１０９のジャンクション位置１０９ａまで這い上がってしまい、ショート不良が発生するという問題があった。そこで、Ａｕ−Ｓｎの共晶接合を用いることが検討されたが、接合温度が３００℃以上と高く、予め樹脂がモールドされたプリモールド付きのリードフレームに実装する際、モールド樹脂が溶融するため、適用することができない。
【０００５】
そこで、本発明は、従来の問題を取り除き、位置精度、信頼性が高く、生産性の向上を図ることが可能な半導体装置の実装方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、半導体チップを接合する面に、バンプを形成する工程と、前記バンプをレベリングする工程と、レベリングされた前記バンプ上に、半導体チップを搭載する工程と、前記バンプ及び前記半導体チップを接合する工程を備えることを特徴とする半導体装置の実装方法が提供される。
【０００７】
また、本発明の一態様によれば、予め樹脂をモールドしたリードフレーム上にバンプを形成する工程と、前記バンプ上に半導体チップを搭載する工程と、超音波を印加し、半導体チップを接合する工程を備えることを特徴とする半導体装置の実装方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一実施態様によれば、位置精度、信頼性が高く、生産性の向上を図ることが可能な半導体装置の実装方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下本発明の実施形態について、図を参照して説明する。
【００１０】
（実施形態１）
本実施形態においては、図１（ａ）〜（ｄ）を参照して、ＬＥＤチップをツェナーダイオード上にマウントする例を示す。
【００１１】
先ず、図１（ａ）に示すように、基板１上に搭載されたツェナーダイオード２上に、通常のバンプボンダーを用いて、金バンプ３（例えば３箇所）を形成する。このとき、バンプ３の先端は細く尖っており、その高さも夫々異なった状態である。
【００１２】
次いで、図１（ｂ）に示すように、フラッタリングツールを用いて、バンプ成形ヘッド４によりバンプ３上部から２〜５Ｎ程度で加圧し、レベリングする。そして、図１（ｃ）に示すように、レベリングされたバンプ３’上に、図１（ｄ）に示すように、ＬＥＤチップ５を搭載・圧着し、超音波を印加して接合する。そして、ツェナーダイオード２のパッド部２ａと、基板１を金ワイヤー等で接続する。
【００１３】
このようにして、ツェナーダイオード上に形成されたバンプをレベリングした後、ＬＥＤチップをマウントすることにより、バンプ高さのばらつきによるチップの傾き（θズレ）が抑えられ、位置ズレを抑制することができる。そして、従来のように時間を置くことなく、超音波を印加して接合することができ、生産性を向上することが可能となる。
【００１４】
（実施形態２）
本実施形態においては、図２乃至図８を参照して、プリモールド付きのリードフレームにＬＥＤチップをマウントする例を示す。
【００１５】
先ず、図２に示すように、プリモールド６ａ付きのリードフレーム６を、ヒータブロック７により１５０℃程度に加熱する。
【００１６】
次いで、図３に示すように、リードフレーム６をフレーム押さえで固定した状態で、リードフレーム６b上に実施形態１と同様にバンプ８を形成する。このとき、バンプ８はＬＥＤチップの大きさにより１個或いは複数個が形成される。
【００１７】
この状態で、バンプ８の先端は細く尖っており、このままＬＥＤチップを搭載すると、位置ズレが生じるため、図４、５に示すように、実施形態１と同様に、バンプ成形ヘッド９によりバンプ８上部から２〜５Ｎ程度で加圧し、レベリング行う。
【００１８】
そして、図６に示すように、ヒータブロック７により１５０℃程度に加熱しながら、リードフレーム６をフレーム押さえで固定した状態で、ダイボンダにてキャピラリー１０を用いて、バンプ８上に、ＬＥＤチップ１１の裏面電極１１ａが接触するように搭載する。さらに図７に示すように、加圧しながら超音波を印加し、図８に示すように、ＬＥＤチップを接合する。
【００１９】
このようにして、プリモールド付きのリードフレームに、ＬＥＤチップをバンプをレベリングした後、接合することにより、ジャンクションの位置の低いチップにおいても、ショート不良を生じることなくマウントすることが可能となる。
【００２０】
これら実施形態において、ＬＥＤチップをマウントしたが、これに限定されるものではなく、種々の半導体チップのマウントに適用することが可能である。そして、ＬＥＤチップもＵＶ、可視、赤外と、その発光波長が特に限定されるものではない。そして、これらチップがマウントされるものも、プリント基板や、半導体チップ上、或いはリードフレーム等、特に限定されるものではない。また、超音波を印加することにより、チップを接合しているが、熱圧着を用いても良い。
【００２１】
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施態様におけるＬＥＤチップのマウント工程を示す図。
【図２】本発明の一実施態様におけるＬＥＤチップのマウント工程を示す図。
【図３】本発明の一実施態様におけるＬＥＤチップのマウント工程を示す図。
【図４】本発明の一実施態様におけるＬＥＤチップのマウント工程を示す図。
【図５】本発明の一実施態様におけるＬＥＤチップのマウント工程を示す図。
【図６】本発明の一実施態様におけるＬＥＤチップのマウント工程を示す図。
【図７】本発明の一実施態様におけるＬＥＤチップのマウント工程を示す図。
【図８】本発明の一実施態様におけるＬＥＤチップのマウント工程を示す図。
【図９】従来のマウント工程を示す図。
【図１０】従来のマウント工程の問題を示す図。
【図１１】従来のマウント工程の問題を示す図。
【符号の説明】
【００２３】
１、１０４  基板
２  ツェナーダイオード
３、３’、８、１０２、１０５  バンプ
４、９  バンプ成形ヘッド
５、１１  ＬＥＤチップ
６  プリモールド付きリードフレーム
７  ヒータブロック
１０  キャピラリー
１０３、１０６、１０９  チップ
１０７  ペースト
１０１、１０８  リードフレーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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