(57)【要約】【課題】  アウトリガー部の剛性を小さくして、小型のスライダーであっても、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を、精密に調整することのできる、回路付サスペンション基板を提供すること。【解決手段】  回路付サスペンション基板１のジンバル部６を、磁気ヘッドが搭載されるタング部１０と、タング部１０の両側に設けられるアウトリガ−部１１とから形成し、アウトリガー部１１において、導体層４が露出されるように、カバー絶縁層５に開口部１２を形成する。これによって、アウトリガー部１１の剛性を小さくすることができるので、小型のスライダーを搭載する場合であっても、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を、精密に調整することができる。【選択図】    図２
2005322336.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持層と、前記金属支持層の上に形成されたベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成された導体層と、前記導体層を被覆するように、前記ベース絶縁層の上に形成されたカバー絶縁層とを備える回路付サスペンション基板において、
磁気ヘッドが搭載されるタング部と、前記タング部の両側に設けられたアウトリガ−部とを備え、
前記アウトリガー部では、前記導体層の少なくとも一部が、前記カバー絶縁層から露出していることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【請求項２】
前記導体層は、前記アウトリガー部において、前記回路付サスペンション基板の長手方向に沿って連続する長さが２ｍｍ以下で、前記カバー絶縁層から露出していることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項３】
前記アウトリガー部では、前記金属支持層は、前記ベース絶縁層、前記導体層および前記カバー絶縁層と重ならないように、設けられていることを特徴とする、請求項１または２に記載の回路付サスペンション基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板、詳しくは、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板は、磁気ヘッドを支持するサスペンション基板に、その磁気ヘッドとリード・ライト基板とを接続するための配線回路パターンが一体的に形成されている配線回路基板であり、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行するときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持して、磁気ヘッドの良好な浮上姿勢を得ることができるので、近年、広く普及しつつある。
【０００３】
このような回路付サスペンション基板には、通常、その先端部において、磁気ヘッドを搭載するスライダーを搭載するためのタング部と、そのタング部の幅方向両側に配置され、配線回路パターンが形成されるアウトリガー部とを備えるジンバル部が形成されている。そして、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を精密に調整するには、このアウトリガー部の剛性が重要な要因となっている。
【０００４】
一方、回路付サスペンション基板は、例えば、ステンレス箔基材の上にポリイミド樹脂からなる絶縁層を有し、その上に銅導体層からなる所定のパターン回路が薄膜として形成され、更に、その上に端子が形成され、端子を除く全表面が、被覆層によって被覆保護されるように、形成されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１０−２６５５７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかるに、近年、スライダーの小型化に伴なって、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を、より精密に調整することが求められている。
一方、回路付サスペンション基板のアウトリガー部は、とりわけ、小型のスライダーに用いられるものは、剛性が大きく、浮上姿勢（角度）を精密に調整することが困難である。
【０００６】
本発明の目的は、アウトリガー部の剛性を小さくして、小型のスライダーであっても、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を、精密に調整することのできる、回路付サスペンション基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明の回路付サスペンション基板は、金属支持層と、前記金属支持層の上に形成されたベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成された導体層と、前記導体層を被覆するように、前記ベース絶縁層の上に形成されたカバー絶縁層とを備える回路付サスペンション基板において、磁気ヘッドが搭載されるタング部と、前記タング部の両側に設けられたアウトリガ−部とを備え、前記アウトリガー部では、前記導体層の少なくとも一部が、前記カバー絶縁層から露出していることを特徴としている。
【０００８】
また、本発明の回路付サスペンション基板において、前記導体層は、前記アウトリガー部において、前記回路付サスペンション基板の長手方向に沿って連続する長さが２ｍｍ以下で、前記カバー絶縁層から露出していることが好適である。
また、本発明の回路付サスペンション基板において、前記アウトリガー部では、前記金属支持層は、前記ベース絶縁層、前記導体層および前記カバー絶縁層と重ならないように、設けられていることが好適である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の回路付サスペンション基板によれば、アウトリガー部において、導体層の少なくとも一部がカバー絶縁層から露出しているので、その露出部分のカバー絶縁層がない分、剛性を小さくすることができる。そのため、小型のスライダーを搭載する場合であっても、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を、精密に調整することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板におけるジンバル部の要部平面図、図３は、（ａ）では、図２のＡ−Ａ線断面図を示し、（ｂ）では、図２のＢ−Ｂ線断面図を示す。なお、図３では、後述する種膜１６や金属皮膜１８は、省略されている。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行するときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘッドとリード・ライト基板とを接続するための配線回路パターン４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄが、一体的に形成されている。
【００１１】
この回路付サスペンション基板１は、図３に示すように、長手方向に延びる金属支持層としての支持基板２と、その支持基板２の上に形成されたベース絶縁層３と、そのベース絶縁層３の上に配線回路パターンとして形成された導体層４と、その導体層４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成されたカバー絶縁層５とを備えている。
支持基板２は、図１に示すように、長手方向に沿って略クランク形状に形成され、その先端部（長手方向一端部）には、ジンバル部６が形成され、その後端部（長手方向他端部）には、リード・ライト基板と接続される外部端子部７が形成されている。
【００１２】
ベース絶縁層３は、支持基板２の上に連続して形成されており、先端部においては、図２に示すように、後述する磁気ヘッド端子部８に形成され、また、後端部においては、図示しないが、外部端子部７に形成され、それら先端部および後端部の間においては、図２に一部示すように、支持基板２の幅方向（長手方向に直交する方向）両側に互いに所定間隔を隔てて形成されている。
【００１３】
導体層４は、先端部および後端部の間においては、互いに所定間隔を隔てて形成されているベース絶縁層３の上に、並列配置される複数（各２つ）の配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄからなる配線回路パターンとして形成されている。すなわち、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄは、長手方向に沿って設けられ、１対の配線４ａおよび４ｂ、４ｃおよび４ｄが、幅方向において互いに所定間隔を隔てて、ベース絶縁層３の上に並列配置されている。また、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄは、図１に示すように、先端部において、磁気ヘッド端子部８の各端子８ａ、８ｂ、８ｃおよび８ｄに接続され、後端部において、外部端子部７の各端子７ａ、７ｂ、７ｃおよび７ｄに接続されている。
【００１４】
また、カバー絶縁層５は、図２に一部示すように、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄを被覆するように、ベース絶縁層３の上に、ベース絶縁層３に沿って形成されている。
そして、ジンバル部６は、図２に示すように、回路付サスペンション基板１の先端部であって、その外形形状が、支持基板２が回路付サスペンション基板１の幅方向両外側に膨出するように形成されており、その膨出部分を含む先端部とされている。なお、支持基板２の膨出部分の幅方向長さは、例えば、０．０３〜３ｍｍ、好ましくは、１〜２．５ｍｍである。
【００１５】
ジンバル部６において、支持基板２には、平面視略Ｕ字状の切欠部９が形成されており、その切欠部９に挟まれる支持基板２の残部が、磁気ヘッドが搭載されるスライダーを実装するための平面視略矩形状のタング部１０とされている。
また、タング部１０の幅方向両側と、タング部１０と長手方向において対向する切欠部９の幅方向両側とが、アウトリガー部１１とされている。
【００１６】
また、切欠部９およびタング部１０よりも先側が、磁気ヘッドと接続するための磁気ヘッド端子部８とされている。
アウトリガー部１１において、ベース絶縁層３、カバー絶縁層５およびそれらの間に介在される各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄは、タング部１０の幅方向両外側における切欠部９を、長手方向に沿って通過するように２本で形成されており、つまり、アウトリガー部１１において、支持基板２と重ならないように配置されている。このように配置することにより、アウトリガー部１１の剛性を低下させることができる。
【００１７】
アウトリガー部１１において、１本のベース絶縁層３およびカバー絶縁層５の幅方向長さは、０．０３〜５ｍｍ、好ましくは、１〜３ｍｍである。
また、１本のベース絶縁層３およびカバー絶縁層５の間に介在される１対の配線４ａおよび４ｂ、４ｃおよび４ｄの幅は、例えば、１０〜１５０μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍ、１対の配線４ａおよび４ｂ、４ｃおよび４ｄの間の間隔は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜１５０μｍである。
【００１８】
そして、このアウトリガー部１１においては、切欠部９を通過するカバー絶縁層５が、長手方向に沿って開口されており、その開口部１２から各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄが露出されている。
より具体的には、カバー絶縁層５の開口部１２は、平面視略矩形状をなし、切欠部９を通過する各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄに対応して、先側の開口部１２ａ、１２ｂ、１２ｃおよび１２ｄと、後側の開口部１２ｅ、１２ｆ、１２ｇおよび１２ｈとが、長手方向において所定間隔を隔てて、それぞれ形成されている。
【００１９】
先側の開口部１２ａ、１２ｂ、１２ｃおよび１２ｄの長手方向長さは、例えば、２ｍｍ以下、好ましくは、０．５〜１．５ｍｍで形成されている。後側の開口部１２ｅ、１２ｆ、１２ｇおよび１２ｈの長手方向長さは、例えば、２ｍｍ以下、好ましくは、０．５〜１．５ｍｍで形成されている。開口部１２の長手方向長さが、これより長いと、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄが、ベース絶縁層３から剥離するおそれがある。
【００２０】
また、これら先側の開口部１２ａ、１２ｂ、１２ｃおよび１２ｄと、後側の開口部１２ｅ、１２ｆ、１２ｇおよび１２ｈとの間の間隔は、例えば、０．２〜１ｍｍ、好ましくは、０．２５〜０．５ｍｍである。
また、先側の開口部１２ａ、１２ｂ、１２ｃおよび１２ｄの長手方向長さと、後側の開口部１２ｅ、１２ｆ、１２ｇおよび１２ｈの長手方向長さと、それらの間の長手方向長さとの比は、先側の開口部：後側の開口部：それらの間＝０．６〜３．０：０．６〜３．０：１となるように設定されている。
【００２１】
なお、先側の開口部１２ａ、１２ｂ、１２ｃおよび１２ｄ、および、後側の開口部１２ｅ、１２ｆ、１２ｇおよび１２ｈの幅方向長さは、例えば、０．１〜１ｍｍ、好ましくは、０．２〜０．５ｍｍである。
磁気ヘッド端子部８において、ベース絶縁層３、カバー絶縁層５およびそれらの間に介在される各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄは、支持基板２の上に形成されている。
【００２２】
磁気ヘッド端子部８において、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの遊端部が、磁気ヘッドと接続するための複数の平面視略矩形状の端子８ａ、８ｂ、８ｃおよび８ｄとされている。各端子８ａ、８ｂ、８ｃおよび８ｄは、タング部１０と長手方向において対向する位置に、幅方向に沿って互いに所定間隔を隔てて並列配置されている。また、カバー絶縁層５における各端子８ａ、８ｂ、８ｃおよび８ｄに対応する位置を含む部分は、開口されており、各端子８ａ、８ｂ、８ｃおよび８ｄは、カバー絶縁層５から露出されている。
【００２３】
また、外部端子部７は、図１に示すように、回路付サスペンション基板１の後端部とされている。外部端子部７において、ベース絶縁層３、カバー絶縁層５およびそれらの間に介在される各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄは、支持基板２の上に形成されている。
外部端子部７において、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの遊端部が、リード・ライト基板と接続するための複数の平面視略矩形状の端子７ａ、７ｂ、７ｃおよび７ｄとされている。各端子７ａ、７ｂ、７ｃおよび７ｄは、幅方向に沿って互いに所定間隔を隔てて並列配置されている。また、カバー絶縁層５における各端子７ａ、７ｂ、７ｃおよび７ｄに対応する位置を含む部分は、開口されており、各端子７ａ、７ｂ、７ｃおよび７ｄは、カバー絶縁層５から露出されている。
【００２４】
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法を、図４〜図６を参照して簡単に説明する。なお、図４〜図６においては、各工程ごとにおいて、その上側に、回路付サスペンション基板１におけるアウトリガー部１１が形成される部分を、その回路付サスペンション基板１の長手方向に沿う断面（図２におけるＡ−Ａ線断面）として示し、その下側に、回路付サスペンション基板１におけるアウトリガー部１１が形成される部分を、その回路付サスペンション基板１の幅方向に沿う断面（図２におけるＢ−Ｂ線断面）として示している。
【００２５】
この方法では、まず、図４（ａ）に示すように、支持基板２を用意する。支持基板２としては、金属箔または金属薄板を用いることが好ましく、例えば、ステンレス、４２アロイがなどが好ましく用いられる。また、その厚さが、１０〜２５μｍ、さらには、１５〜２５μｍ、その幅が、５０〜５００ｍｍ、さらには、１２５〜３００ｍｍのものが好ましく用いられる。
【００２６】
次に、この方法では、図４（ｂ）〜図４（ｄ）に示すように、ベース絶縁層３を、上記した所定パターンで形成する。ベース絶縁層３を形成するための絶縁体としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテルニトリル系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂などの合成樹脂が挙げられる。これらのうち、上記した所定パターンでベース絶縁層３を形成するためには、感光性の合成樹脂が好ましく用いられ、感光性ポリイミド樹脂がさらに好ましく用いられる。
【００２７】
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、支持基板２の上に、上記した所定パターンでベース絶縁層３を形成する場合には、まず、図４（ｂ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（ポリアミック酸樹脂）の溶液を、その支持基板２の全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜３ａを形成する。
【００２８】
次に、図４（ｃ）に示すように、その皮膜３ａを、フォトマスク１５を介して露光させ、必要により所定温度に加熱した後、現像することにより、皮膜３ａを、上記した所定パターンに形成する。
また、照射された皮膜３ａの露光部分は、例えば、１３０℃以上１５０℃未満で加熱することにより、次の現像処理において可溶化（ポジ型）し、また、例えば、１５０℃以上１８０℃以下で加熱することにより、次の現像処理において不溶化（ネガ型）する。また、現像は、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いる、浸漬法やスプレー法などの公知の方法が用いられる。なお、この方法においては、ネガ型でパターンを得ることが好ましく、図４では、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。
【００２９】
そして、図４（ｄ）に示すように、このようにしてパターン化されたポリイミド樹脂の前駆体の皮膜３ａを、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、これによって、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３を、上記した所定パターンで形成する。
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、合成樹脂を、上記した所定パターンのドライフィルムとして予め成形しておき、それを、支持基板２の上に貼着すればよい。
【００３０】
また、このようにして形成されるベース絶縁層３の厚みは、例えば、５〜３０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。
次いで、この方法では、ベース絶縁層３の上に、上記した配線回路パターンで導体層４を形成する。配線回路パターンとして形成する導体層４は、導体からなり、そのような導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。また、導体層４を形成するには、ベース絶縁層３の表面に、導体層４を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法によって、配線回路パターンとして形成すればよい。
【００３１】
サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層３の表面の全面に、必要により接着剤層を介して導体層４を積層し、次いで、この導体層４の上に、配線回路パターンと同一パターンのエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層４をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去するようにする。
また、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の上に、導体の薄膜からなる種膜を形成し、次いで、この種膜の上に、配線回路パターンと反転パターンでめっきレジストを形成した後、種膜におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、配線回路パターンとして導体層４を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の種膜を除去するようにする。
【００３２】
これらのパターンニング法のなかでは、微細な配線回路パターンを形成すべく、図４（ｅ）〜図５（ｉ）に示すように、アディティブ法が好ましく用いられる。すなわち、アディティブ法では、まず、図４（ｅ）に示すように、支持基板２およびベース絶縁層３の全面に、導体の薄膜からなる種膜１６を形成する。種膜１６の形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ましく用いられる。また、種膜１６となる導体は、クロムや銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、支持基板２およびベース絶縁層３の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次形成することが好ましい。なお、クロム薄膜の厚みが、１００〜６００Å、銅薄膜の厚みが、５００〜２０００Åであることが好ましい。
【００３３】
次いで、図５（ｆ）に示すように、その種膜１６の上に、配線回路パターンと反転パターンのめっきレジスト１７を形成する。めっきレジスト１７は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法により、上記したレジストパターンとして形成すればよい。次いで、図５（ｇ）に示すように、種膜１６におけるめっきレジスト１７が形成されていない部分に、めっきにより、配線回路パターンの導体層４を形成する。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれでもよいが、電解めっきが好ましく用いられ、とりわけ、電解銅めっきが好ましく用いられる。
【００３４】
導体層４の厚みは、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。
そして、図５（ｈ）に示すように、めっきレジスト１７を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去した後、図５（ｉ）に示すように、めっきレジスト１７が形成されていた部分の種膜１６を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。これによって、ベース絶縁層３の上に、導体層４が上記した配線回路パターン（磁気ヘッド端子部８の端子８ａ、８ｂ、８ｃおよび８ｄ、および、外部端子部７の端子７ａ、７ｂ、７ｃおよび７ｄを含む。）として形成される。
【００３５】
次いで、図５（ｊ）に示すように、導体層４の表面に、金属皮膜１８を形成する。この金属皮膜１８は、無電解ニッケルめっきによって、硬質のニッケル薄膜として形成することが好ましく、その厚みは、導体層４の表面が露出しない程度であればよく、例えば、０．０５〜０．１μｍである。なお、この金属皮膜１８は、支持基板２の表面にも形成される。
【００３６】
次いで、図６（ｋ）〜図６（ｍ）に示すように、導体層４を被覆するためのカバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に形成する。カバー絶縁層５を形成するための絶縁体としては、ベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、カバー絶縁層５を形成する場合には、図６（ｋ）に示すように、ベース絶縁層３および金属皮膜１８の上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（ポリアミック酸樹脂）の溶液を、その全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜５ａを形成し、次に、図６（ｌ）に示すように、その皮膜５ａを、フォトマスク１９を介して露光させ、必要により露光部分を所定の温度に加熱した後、現像することにより、皮膜５ａによって、導体層４が被覆される所定パターンとして形成する。
【００３７】
また、このカバー絶縁層５のパターン形成においては、上記したように、アウトリガー部１１における開口部１２、磁気ヘッド端子部８における開口部、外部端子部７における開口部が形成されるようにして、それぞれにおいて導体層４を露出させる。
なお、この露光および現像の条件は、ベース絶縁層３を露光および現像する条件と同様の条件でよく、また、ネガ型でパターンを得ることが好ましく、図６においては、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。
【００３８】
そして、このようにしてパターン化されたポリイミド樹脂の前駆体の皮膜５ａを、図６（ｍ）に示すように、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、これによって、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層５を、導体層４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成する。なお、カバー絶縁層５の厚みは、例えば、２〜２５μｍ、好ましくは、３〜７μｍである。
【００３９】
次いで、図６（ｎ）に示すように、支持基板２を、化学エッチングによって、上記した略Ｕ字状の切欠部９が形成されるような所定形状に切り抜いた後、図６（ｏ）に示すように、アウトリガー部１１における開口部１２、磁気ヘッド端子部８における開口部、外部端子部７における開口部から露出する金属皮膜１８を、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。なお、このときに、支持基板２の表面に形成されている金属皮膜２０も除去される。
【００４０】
その後、必要により、磁気ヘッド端子部８における開口部、外部端子部７における開口部から露出する導体層４に、ニッケルめっき層や金めっき層を、電解ニッケルめっきや電解金めっきにより順次形成することにより、回路付サスペンション基板１を得る。
このような回路付サスペンション基板１では、アウトリガー部１１のカバー絶縁層５における開口部１２から、導体層４が露出しているので、その露出部分のカバー絶縁層５がない分、剛性を小さくすることができる。そのため、磁気ヘッド端子部８に、小型のスライダーを搭載する場合であっても、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を、精密に調整することができる。
【００４１】
なお、上記の説明では、アウトリガー部１１におけるカバー絶縁層５を部分的に開口して、開口部１２を形成したが、例えば、アウトリガー部１１にカバー絶縁層５を形成しないようにして、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄを露出させてもよい。
また、上記の説明では、アウトリガー部１１において、ベース絶縁層３、カバー絶縁層５およびそれらの間に介在される各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄが、支持基板２と重ならないように、切欠部９を形成したが、ベース絶縁層３、カバー絶縁層５およびそれらの間に介在される各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄが、支持基板２と重なるように、切欠部９を形成してもよい。
【実施例】
【００４２】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
下記の各工程を、ロールツーロール法を用いて実施することにより、回路付サスペンション基板を得た。
【００４３】
幅３００ｍｍ、厚み２０μｍ、長さ１２０ｍのステンレス箔からなる支持基板を用意し（図４（ａ）参照）、ポリアミック酸樹脂の溶液を、その支持基板の全面に塗工した後、１００℃で加熱することにより、厚み２５μｍのポリアミック酸樹脂の皮膜を形成した（図４（ｂ）参照）。その皮膜を、フォトマスクを介して、７２０ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、１８０℃で加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した（図４（ｃ）参照）。その後、最高温度４２０℃で硬化させることにより、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を、先端部においては、磁気ヘッド端子部に形成され、また、後端部においては、外部端子部に形成され、それら先端部および後端部の間においては、支持基板の幅方向両側に互いに所定間隔を隔てて形成されるパターンとして、形成した（図４（ｄ）参照）。このベース絶縁層の厚みは、１０μｍであった。
【００４４】
次いで、支持基板およびベース絶縁層の全面に、厚み４００Åのクロム薄膜と厚み７００Åの銅薄膜とを、スパッタ蒸着法によって順次形成することにより種膜を形成した（図４（ｅ）参照）。その後、種膜の上に、感光性ドライフィルムレジストを積層した後、フォトマスクを介して２３５ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、アルカリ現像液を用いて未露光部を除去するように現像することにより、配線回路パターンと逆パターンのめっきレジストを形成した（図４（ｆ）参照）。
【００４５】
そして、ベース絶縁層におけるめっきレジストが形成されていない部分に、電解銅めっきにより、導体層を配線回路パターンとして形成した（図４（ｇ）参照）。
この配線回路パターンは、先端部および後端部の間においては、互いに所定間隔を隔てて形成されているベース絶縁層の上に、並列配置される各２つの配線からなり、先端部においては、磁気ヘッド端子部の各端子として形成され、後端部においては、外部端子部の各端子として形成した。導体層の厚みは１２μｍであった。
【００４６】
その後、めっきレジストを剥離した後（図４（ｈ）参照）、めっきレジストが形成されていた部分の種膜を化学エッチングにより除去した（図４（ｉ）参照）。次いで、導体層の表面に、無電解ニッケルめっきによって、厚み０．１μｍの硬質のニッケル薄膜からなる金属皮膜を形成した（図４（ｊ）参照）。なお、金属皮膜は、支持基板の表面にも形成された。
【００４７】
次いで、ベース絶縁層および金属皮膜の上に、ポリアミック酸樹脂の溶液を、その全面に塗工した後、１００℃で加熱することにより、厚み２０μｍのポリアミック酸樹脂の皮膜を形成し（図６（ｋ）参照）、その皮膜を、フォトマスクを介して、７２０ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、１８０℃で加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、皮膜によって導体層が被覆されるようにパターン化した（図４（ｌ）参照）。なお、このパターン化においては、皮膜が、ベース絶縁層の上に形成され、かつ、アウトリガー部における開口部、磁気ヘッド端子部における開口部、外部端子部における開口部が形成されるようにした。その後、最高温度４２０℃で硬化させることにより、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を、所定のパターンで形成した（図６（ｍ）参照）。このカバー絶縁層の厚みは、５μｍであった。
【００４８】
次いで、感光性ドライフィルムレジストを、切欠部を形成する部分を除いて、支持基板を被覆するように積層した後、１０５ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、アルカリ現像液を用いて現像することによりエッチングレジストを形成した後、そのエッチングレジストをレジストとして、塩化第二鉄溶液を用いてエッチングすることにより、切欠部を形成した（図６（ｎ）参照）。
【００４９】
その後、アウトリガー部における開口部、磁気ヘッド端子部における開口部、外部端子部における開口部から露出する金属皮膜を、化学エッチングにより除去した（図６（ｏ）参照）。なお、このときに、支持基板の表面に形成されている金属皮膜も除去した。
その後、磁気ヘッド端子部における開口部、外部端子部における開口部から露出する導体層に、ニッケルめっき層および金めっき層を、電解ニッケルめっきおよび電解金めっきにより順次形成することにより、回路付サスペンション基板を得た。
【００５０】
このようにして得られた回路付サスペンション基板において、アウトリガー部の開口部は、先側の開口部と後側の開口部とが、長手方向において所定間隔を隔てて設けられるように、形成した。
先側の開口部の長手方向長さは、０．８ｍｍで、後側の開口部の長手方向長さは、０．８ｍｍで、これらの間の長手方向長さは、０．３ｍｍであった。
【００５１】
実施例２
アウトリガー部に、カバー絶縁層を形成せず、アウトリガー部における導体層をすべて露出させた以外は、実施例１と同様の方法により、回路付サスペンション基板を得た。
このようにして得られた回路付サスペンション基板において、アウトリガー部の長手方向長さ（カバー絶縁層が形成されていない部分の長手方向長さ）は、１．５ｍｍであった。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す平面図である。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板におけるジンバル部の要部平面図である。
【図３】図２に示す回路付サスペンション基板のジンバル部において、（ａ）は、図２のＡ−Ａ線断面図を示し、（ｂ）は、図２のＢ−Ｂ線断面図を示す。
【図４】図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を、支持基板の全面に塗工した後、加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｃ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光させ、現像することにより、所定のパターンに形成する工程、（ｄ）は、皮膜を硬化させ、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を所定のパターンで形成する工程、（ｅ）は、支持基板およびベース絶縁層の全面に、導体の薄膜からなる種膜を形成する工程を示す。
【図５】図４に続いて、図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ｆ）は、種膜の上に配線回路パターンと反転パターンのめっきレジストを形成する工程、（ｇ）は、ベース絶縁層におけるめっきレジストが形成されていない部分に、めっきにより、配線回路パターンの導体層を形成する工程、（ｈ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｉ）は、めっきレジストが形成されていた部分の種膜を除去する工程、（ｊ）は、導体層の表面および支持基板の表面に、金属皮膜を形成する工程を示す。
【図６】図５に続いて、図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ｋ）は、ベース絶縁層および金属皮膜の上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を、その全面に塗工した後、加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｌ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光させ、現像することにより、皮膜によって、導体層が被覆されるようにパターン化する工程、（ｍ）は、皮膜を硬化させ、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を、導体層を被覆するようにベース絶縁層の上に形成する工程、（ｎ）は、支持基板を、切欠部が形成されるように切り抜く工程、（ｏ）は、金属皮膜を除去する工程を示す。
【符号の説明】
【００５３】
１    回路付サスペンション基板
２    支持基板
３    ベース絶縁層
４    導体層
５    カバー絶縁層
１０  タング部
１１  アウトリガ−部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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