(57)【要約】      （修正有）【課題】水の様なプロトンを含む冷媒であってもその様な冷媒と高周波磁場との干渉を抑制しながらRF送信コイルを冷却する。【解決手段】静磁場発生手段と、各傾斜磁場発生手段と、傾斜磁場電源と、高周波磁場のRF送信コイルと、RF受信コイルと、高周波磁場電源と、高周波送受信部と、計算機と、表示器により構成されているMRI装置において、上記RF送信コイルの表面に近接又は接触する様に配置された管に冷媒を循環させて上記RF送信コイルを冷却する際に、上記高周波磁場の照射中には、上記管内に冷媒を供給せず、かつ、上記管内から上記冷媒が除去されるように冷媒の供給を制御する。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体が置かれる計測空間に静磁場および傾斜磁場をそれぞれ発生する磁場発生手段と、前記被検体の撮影部位に高周波磁場を照射するＲＦ送信コイルを備えた高周波磁場送信手段と、前記被検体からの核磁気共鳴信号を受信する受信手段と、前記傾斜磁場の印加と前記高周波磁場の印加と前記核磁気共鳴信号の受信を制御するパルスシーケンス制御手段と、前記ＲＦ送信コイルを冷却する冷却手段と、前記冷却手段に流す冷媒を制御する冷媒制御手段とを備える磁気共鳴イメージング装置において、
前記冷媒制御手段は、前記パルスシーケンスに同期させて前記冷却手段への冷媒の供給を制御することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
前記冷媒制御手段は、前記被検体に前記高周波磁場が印加されてないときに、前記冷却手段に前記冷媒が供給されるように冷媒の供給を制御することを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
前記冷媒制御手段は、前記任意のパルスシーケンスの終了後から次のパルスシーケンスが始まるまでの間に、前記冷却手段に前記冷媒が供給されるように冷媒の供給を制御することを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
前記冷媒が液体である第１の冷媒と気体である第２の冷媒からなり、
前記冷媒制御手段は、前記高周波磁場の印加中には、前記冷却手段内が第２の冷媒のみによって充填されるように、第１の冷媒と第２の冷媒の供給を制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
前記冷却手段は、気液分離手段を備えて該冷却手段を通過した前記第１の冷媒と前記第２の冷媒を分離した後、それぞれの冷媒を再循環させる手段を備えたことを特徴とする請求項４に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
前記冷却手段は、前記冷媒を流すための管を組み合わせて構成され、それぞれの管が前記ＲＦ送信コイルを構成する各コイルエレメントに近接又は接触して配置されたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】
前記冷却手段は、前記ＲＦ送信コイルの略中央に管を備えて、前記ＲＦ送信コイルの周囲から供給して該ＲＦ送信コイルを冷却した冷媒をその略中央の管に収束させて排出すること、又は、冷媒の流れを逆にして、その略中央の管から冷媒を供給し、前記ＲＦ送信コイルを冷却した冷媒を該ＲＦ送信コイルの周囲から排出することを特徴とした請求項６に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項８】
被検体が置かれる計測空間に静磁場および傾斜磁場をそれぞれ発生する磁場発生手段と、前記被検体の撮影部位に高周波磁場を照射するＲＦ送信コイルを備えた高周波磁場送信手段と、前記被検体からの核磁気共鳴信号を受信する受信手段と、前記ＲＦ送信コイルの前記磁場発生手段側に配置されて高周波磁場を遮蔽する高周波磁場シールド手段と、前記傾斜磁場の印加と前記高周波磁場の印加と前記核磁気共鳴信号の受信を制御するパルスシーケンス制御手段と、前記ＲＦ送信コイルを冷却する冷却手段と、前記冷却手段に流す冷媒を制御する冷媒制御手段とを備える磁気共鳴イメージング装置において、
前記冷却手段が前記高周波磁場シールド手段の外側に配置され、熱伝導性部材で前記冷却手段と前記ＲＦ送信コイルとを接続したことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項９】
前記冷媒又は前記第１の冷媒が水であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、核磁気共鳴現象を利用して被検体の所望部位の断層画像を撮影する磁気共鳴イメージング装置に係り、特に、ＲＦ送信コイルの冷却に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気共鳴イメージング装置のＲＦ送信コイルに電力が供給され高周波磁場を発生すると、コイルの構成要素であるダイオード、コンデンサ等の受動素子の発熱により、ＲＦ送信コイルの温度が上昇する。特に、高磁場になるほど高周波磁場の周波数が高くなるため、ＲＦ送信コイルの温度上昇が著しくなる。この様なＲＦ送信コイルの温度上昇を放置するとＲＦ送信コイルの性能が低下し、さらに照射コイルに接近している被検体に火傷等の熱的危害を与える可能性がある。したがって、ＲＦ送信コイルの性能を維持し、被検体の安全を守るため、ＲＦ送信コイルを冷却してその温度を制御する必要がある。
【０００３】
ＲＦ送信コイルを冷却する方法として、冷媒を用いて強制的に冷却することが提案されている。例えば、［公知文献１］には、冷媒としてプロトンを含まない液体（例えばフロンＦＣ−４０など）を用いてＲＦ送信コイルを冷却している。これにより、冷媒と高周波磁場との干渉の抑制、つまり、冷媒による高周波磁場の吸収と、冷媒からの核磁気共鳴信号の発生を抑制している。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−２２４０８４号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
一般的に、水を冷媒として利用した方が取り扱いが簡便で冷却効率も高い。しかし、冷媒として水を用いると水がプロトンを含むために、上述した様に冷媒が高周波磁場を吸収したり、冷媒から不要な核磁気共鳴信号が発生してしまい、画像に予期せぬアーチファクトを発生させる等の悪影響をもたらす。しかし、［特許文献１］には、水の様なプロトンを含む冷媒を用いてＲＦ送信コイルを冷却する場合に発生する上記の様な高周波磁場との干渉を抑制する冷却手段は提案されていない。
そこで本発明は、水の様なプロトンを含む冷媒であってもその様な冷媒と高周波磁場との干渉を抑制しながらＲＦ送信コイルを冷却することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明は以下の様に構成される。
被検体が置かれる空間に静磁場及び傾斜磁場をそれぞれ発生する磁場発生手段と、前記被検体の撮影部位に高周波磁場を照射するＲＦ送信コイルを備えた高周波磁場送信手段と、前記被検体からの核磁気共鳴信号を受信する受信手段と、前記傾斜磁場の印加と前記高周波磁場の印加と前記核磁気共鳴信号の受信を制御するパルスシーケンス制御手段と、前記ＲＦ送信コイルを冷却する冷却手段と、前記冷却手段に供給する冷媒を制御する冷媒制御手段とを備える磁気共鳴イメージング装置において、前記冷媒制御手段は、前記パルスシーケンスに同期させて前記冷却手段への冷媒の供給を制御する。
【０００７】
これにより、水の様なプロトンを含む冷媒を用いる際に、任意のパルスシーケンスに対応して、高周波磁場との干渉を抑制しながらＲＦ送信コイルを冷却することができる。
好ましい一実施態様によれば、前記冷媒制御手段は、前記被検体に前記高周波磁場が印加されてないときに、前記冷却手段に前記冷媒が供給されるように冷媒の供給を制御する。
これにより、冷媒と高周波磁場との干渉を抑制しながら、リアルタイムでＲＦ送信コイルを冷却できる。
【０００８】
また、好ましい一実施態様によれば、前記冷媒制御手段は、前記任意のパルスシーケンスの終了後から次のパルスシーケンスが始まるまでの間に、前記冷却手段に前記冷媒が供給されるように冷媒の供給を制御する。
これにより、冷媒と高周波磁場との干渉を抑制しながら、前記ＲＦ送信コイルを集中して冷却でき、温度を大きく低下させることができる。
【０００９】
また、好ましい一実施態様によれば、前記冷媒が液体である第１の冷媒と気体である第２の冷媒からなり、前記冷媒制御手段は、前記高周波磁場の印加中には、前記冷却手段内が第２の冷媒のみによって充填されるように、第１の冷媒と第２の冷媒の供給を制御する。
これにより、高周波磁場の印加中には前記冷却手段から第１の冷媒を完全に排除することができるので、冷媒と高周波磁場との干渉をさらに抑制することができる。
【００１０】
また、好ましい一実施態様によれば、前記冷却手段は、気液分離手段を備えて該冷却手段を通過した前記第１の冷媒と前記第２の冷媒を分離した後、それぞれの冷媒を再循環させる。
これにより、冷媒の再循環に際して、それぞれの冷媒を独立して制御しやすくなるとともに、冷媒を有効利用することができる。
【００１１】
また、好ましい一実施態様によれば、前記冷却手段は、前記冷媒を流すための管を組み合わせて構成され、それぞれの管が前記ＲＦ送信コイルを構成する各コイルエレメントに近接又は接触して配置される。
これにより、前記ＲＦ送信コイルを効率的に冷却することが可能になる。
【００１２】
また、好ましい一実施態様によれば、前記冷却手段は、前記ＲＦ送信コイルの略中央に管を備えて、前記ＲＦ送信コイルの周囲から供給して該ＲＦ送信コイルを冷却した冷媒をその略中央の管に収束させて排出すること、又は、冷媒の流れを逆にして、その略中央の管から冷媒を供給し、前記ＲＦ送信コイルを冷却した冷媒を該ＲＦ送信コイルの周囲から排出する。
【００１３】
これにより、特に超電導磁石による静磁場発生を行う垂直磁場方式の磁気共鳴イメージング装置においては、磁石中央に容易に穴をあける空間を確保できるため、空間的に効率良く管を配置することができる。
【００１４】
また、好ましい一実施態様によれば、被検体が置かれる計測空間に静磁場および傾斜磁場をそれぞれ発生する磁場発生手段と、前記被検体の撮影部位に高周波磁場を照射するＲＦ送信コイルを備えた高周波磁場送信手段と、前記被検体からの核磁気共鳴信号を受信する受信手段と、前記ＲＦ送信コイルの前記磁場発生手段側に配置されて高周波磁場を遮蔽する高周波磁場シールド手段と、前記傾斜磁場の印加と前記高周波磁場の印加と前記核磁気共鳴信号の受信を制御するパルスシーケンス制御手段と、前記ＲＦ送信コイルを冷却する冷却手段と、前記冷却手段に流す冷媒を制御する冷媒制御手段とを備える磁気共鳴イメージング装置において、前記冷却手段が前記高周波磁場シールド手段の磁場発生手段側に配置され、熱伝導性部材で前記冷却手段と前記ＲＦ送信コイルとを接続する。
【００１５】
これにより、冷媒と高周波磁場との干渉がなくなるので、被検体の撮影中に常時冷媒をながすことができるようになる。
また、好ましい一実施態様によれば、前記冷媒又は前記第１の冷媒を水とする。
これにより、冷媒の取り扱いが簡便になり、冷却効率も高くすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１７】
図４は本発明に係る磁気共鳴イメージング（以下、「ＭＲＩ」という）装置の構成を示すブロック図である。
【００１８】
このＭＲＩ装置は、被検体１１６に静磁場を与える静磁場発生手段１と、ＸＹＺ直交座標系において、Ｘ方向に傾斜磁場を発生するＸ方向傾斜磁場発生手段２と、Ｙ方向に傾斜磁場を発生するＹ方向傾斜磁場発生手段３と、Ｚ方向に傾斜磁場を発生するＺ方向傾斜磁場発生手段４と、上記傾斜磁場発生手段に電力を供給する傾斜磁場電源５と、上記被検体の撮影部位に高周波磁場を照射するＲＦ送信コイル６と、上記被検体の生体組織から核磁気共鳴（以下、「ＮＭＲ」という）により放出される高周波磁場を受信するＲＦ受信コイル７と、上記ＲＦ送信コイル６を冷却する冷却管８と、上記高周波磁場を発生させるための電力を供給する高周波磁場電源９と、上記高周波磁場の照射および受信を行う高周波送受信部１１０と、冷媒を搬送するポンプ１１１と、冷媒の熱を除去する熱交換器１１２と、傾斜磁場印加及び高周波送受信部のタイミングを制御してパルスシーケンスの実行制御を行うと共に、上記受信信号を用いて画像再構成演算を行う計算機１１３と、上記計算機で生成された画像信号を入力して断層像として表示する表示器１１４により構成されている。
【００１９】
傾斜磁場発生手段２，３，４は、それぞれＸ，Ｙ，Ｚの直交する３方向に傾斜磁場を発生する一組のコイルで構成され、傾斜磁場電源５からの電流供給を受けてそれぞれの傾斜磁場コイルが傾斜磁場を発生する。傾斜磁場の印加の仕方により被検体１１６の任意の断面を選択することができ、またＮＭＲ信号に位置情報を与えることができる。ＮＭＲ信号に位置情報を与える傾斜磁場は、位相エンコード傾斜磁場、周波数エンコード傾斜磁場と呼ばれ、これによって計測データが配置される計測空間（ｋ空間）が規定される。
【００２０】
送信用のＲＦ送信コイル６は高周波磁場電源９からの電力供給を受けて高周波磁場を発生する。この高周波磁場の周波数は撮影対象である原子核スピンの共鳴周波数に同調されている。通常、ＭＲＩ装置の撮影対象は、被検体の主たる構成物質である水素原子核のプロトンである。
【００２１】
ＲＦ受信コイル７からの信号は、高周波送受信部１１０で検出され、計算機１１３で信号処理され、また計算により画像に変換される。画像は表示部１１４で表示される。傾斜磁場電源５、高周波送受信部１１０は、パルスシーケンスに従って計算機１１３で制御される。
【００２２】
図１に本発明の第１の実施例における冷却手段である冷却管の構成と配置を示す。また図２に第１の実施例におけるＲＦ送信コイルの構成を示す。図２はＸＹ平面上に配置されたＲＦ送信コイルの全体をＺ軸の正方向から見た場合の模式図である。このＲＦ送信コイルは、基板２１上に導体２２，２３とコンデンサ２４、ダイオード２５によって構成されている。第１の実施例におけるＲＦ送信コイルは８角形であり、それぞれの辺が導体２２、その対角線が導体２３で構成される同型の８つのエレメントからなる。さらに、辺を構成する導体にはコンデンサ２４が、対角線を構成する導体にはダイオード２５がそれぞれ配置されている。
【００２３】
図１（ａ）にＸＹ平面上に配置された冷却管の全体をＺ軸の正方向から見た場合の模式図を示す。冷却管の全体は図２に示す様にＲＦ送信コイルと同様の８角形であって、同型の８つのエレメントからなる。そして、冷却管の各エレメントは、ＲＦ送信コイルの最寄りのコイルエレメントに近接又は接触して（つまり、熱交換が十分可能な様に熱的に接触して）配置される。図１（ｂ）は冷却管の任意の１エレメントに関する構成を示す。また、図１（ｃ）にはこの８エレメント冷却管の図１（ａ）の管１１と管１５を結ぶ線を通るＸＺ断面での管の配置を示す。尚、管１１，１５の位置は図１（ａ）の位置に限定されず管１３の周囲のいずれの位置で良い。
【００２４】
最初に１個のコイルエレメントに着目した冷媒の流れを説明する。冷媒は管１１より流入し、さらに導体２２の外周に配置した管１３に流入する。管１１と管１３は弁１２によって隔てられており、管１１にある冷媒は弁１２が開の場合に管１３に流入する。管１４は導体２３及び素子２５の上面に沿って配置され、コイル中心部で管１８に接続される。さらに管１４より分岐した管１６は、導体２２および素子２４の上面に沿って配置され、帰路である管１７を経て管１８に合流される。管１８はＲＦ送信コイル中心部においてコイル基板２１を貫通している。管１８は管１５とつながり、冷媒は管１５より流出する。他のコイルエレメント上の管の配置も同様である。管１１と管１５はそれぞれ図示してないポンプの出口側及び図示してない熱交換器の入り口側に接続されている。
【００２５】
以上の構造をもつ冷却管において、冷媒として水を用いてＲＦ送信コイルの温度を制御する方法を説明する。高周波磁場パルス（以下、「ＲＦパルス」という）の照射による冷媒の励起と冷媒からの不要なＮＭＲ信号の発生を回避するために、任意のパルスシーケンスに同期させて、ＲＦパルスの照射タイミングと冷却管への冷媒の流入のタイミングを異ならせ、ＲＦパルスの照射時には冷却管内に冷媒が除去されて存在しないように冷媒の供給を制御する。
【００２６】
図３に示すパルスシーケンス（スピンエコー法）の開始時刻ｔ０において、図１（ｂ）のポンプより供給される冷媒が管１１を通過し、導体２２の外周に配置された管１３に充填されているとする。開始時刻ｔ０では、弁１２は全て閉じており、管１３より先に冷媒は自由に流れて行くことができない。図３のスピンエコー法では、時刻ｔ１において９０°ＲＦパルスが照射され、そのＴＥ／２時間後に１８０°ＲＦパルスが照射され、１回の繰り返し時間ＴＲの間に合計２回のＲＦパルスが照射される。図５（ａ）に示す様に９０°のＲＦパルスの照射時刻ｔ１から遅延時間でτ１後に弁１２を開くと、冷媒は管１４および管１６を通過し、管１８を経て管１５で合流し、図示せぬ熱交換器に入る。ここでτ１＞ＴＥ／２である。一定時間後に弁１２を閉じると、冷媒は管１３を通過できない。このように図５（ａ）では繰り返し時間ＴＲごとに上記弁の開閉を行う場合を示している。尚、図５（ａ）では１８０°ＲＦパルスを省略してある。
【００２７】
また、図５（ｂ）では１被検体について少なくとも複数回の撮影を行うプロトコル（一連のパルスシーケンスを組み合わせて複数の目的を持つ画像を撮影する、その組み合わせ）において、任意の撮影（パルスシーケンス）の終了から次の撮影（パルスシーケンス）の開始の合間に弁の開閉を行う場合を示している。ここで位相エンコード回数をｎとして、τ１＞ｎ  ×ＴＲとする。このようにＲＦパルスの照射のタイミングと管１４及び１６への冷媒の流入のタイミングを異ならせることにより、ＲＦパルスが冷媒を励起し、必要のない信号が発生すること抑制することができる。なお弁１２の開閉制御は、撮影条件又は撮影プロトコルによって計算機１３を介して行われる。
【００２８】
次に、撮影条件からＲＦ送信コイルの温度上昇勾配を推定する方法を説明する。ここでは基準となるパルスシーケンスとして図３に示すスピンエコー法を適用する。図３に示すとおりエコー時間ＴＥの１／２の時間にフリップアングル９０°と１８０°のＲＦパルスをそれぞれ印加する。ここでＴＥは９０°ＲＦパルスの照射時刻からエコー信号のピーク位置までの時間である。またＧｓ，Ｇｐ，Ｇｆはそれぞれスライス傾斜磁場、位相エンコード傾斜磁場、周波数エンコード傾斜磁場を表しており、Ｇｓは断面の切り出し、Ｇｐ，ＧｆはＮＭＲ信号に位置情報を付与するために印加される。以上を繰り返し時間ＴＲの間隔で位相エンコード回数繰り返す。
【００２９】
ここでフリップアングル９０°のＲＦパルスのエネルギー強度を１とすると、フリップアングル１８０°のＲＦパルスのエネルギー強度は２となる。また、撮影条件によってＴＲ，ＴＥ、位相エンコード回数が変化した時、これらのパラメータの定義から、ＲＦ送信コイルの大凡の温度上昇を推定することが可能である。例えばＴＲが１／２となった時、撮影時間も１／２となるので温度上昇勾配は２倍になる。ある１つの条件のパルスシーケンスを実施して素子（コンデンサ２４とダイオード２５）部、導体部それぞれの温度上昇を事前に一度測定しておけば、同じＲＦ送信コイルについては、他の撮影条件における温度上昇勾配も推定可能となる。
【００３０】
この温度上昇勾配を利用して、以下で述べる冷媒の循環において、冷媒の流量の最適化が可能となる。すなわち、温度上昇の大きくなるパルスシーケンスを実施する場合には、冷媒の流量を増大させる。例えば、本シーケンスの実施により予想される導体部２２，２３の温度上昇をΔＴｂ、コンデンサ２４の温度上昇を△Ｔｃ、ダイオード２５の温度上昇を△Ｔｄとし、管１４の長さをＬ１４、管１６の長さをＬ１６、管１４の断面積をＳ１４、管１６の断面積をＳ１６とすると、
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とした管の設計により、管の断面積の違いで冷媒の流量を制御し、ＲＦ送信コイルの特定部位の過熱を防ぐ。つまり、温度上昇の大きい部位には大量の冷媒を流し、小さい部位には少量の冷媒を流すことで、どの部位も同等に冷却する。
【００３１】
次に、上記冷媒が液体である場合に、上記ＲＦパルス照射中に上記管１４及び管１６にこの液体冷媒が残留する可能性があるので、この様な液体冷媒を積極的に除去する第２の実施例を説明する。この第２の実施例では、冷媒として、液体である第１の冷媒と気体である第２の冷媒の供給を制御して使用し、第１の冷媒が主としてＲＦ送信コイルの冷却を担い、第２の冷媒が主として第１の冷媒の除去を担う。
【００３２】
図６に第２の実施例を示す。空気等の気体冷媒（第２の冷媒）を管内に噴射して、管内に残留する液体冷媒（第１の冷媒）を積極的に押し出して除去し、上記ＲＦパルス照射時には、管内は気体冷媒で充填され液体冷媒が皆無となるように液体冷媒と気体冷媒の供給を制御する。つまり、管１４及び管１６を含む冷却部６６において、図１（ａ）に示すように弁１２の後に設置したノズル６２より空気を噴射する。ＲＦ送信コイルを通過した冷媒は気液分離器６３で水と空気に分離され、空気はポンプ６０に送られ、圧縮機６１を経て再度ノズル６２から噴射される。また水は熱交換器６４に送られ再度ポンプ６５で循環される。
【００３３】
さらに、第３の実施例として、被検体の検査中に冷媒を常時循環させる例を説明する。この場合、冷媒は図１（ｃ）に示す様に、ＲＦ送信コイルの上面（つまり計測空間側の面）に配置した管１４，１６を循環すると、ＲＦパルスの照射によって冷媒から不要なＮＭＲ信号を発生してしまう。そこで冷媒がＲＦパルスの影響を受けないようにするために、図７に示す様に管を基板２１及び高周波磁場シールド２６の外側（つまり、静磁場発生手段側であり、被検体が配置される計測空間の反対側）に配置する。しかしながら、図１（ｃ）の場合と比較して、管とＲＦ送信コイルの構成要素（素子、導体）の距離は拡大し、管の冷却効果が及ばなくなってしまうため、図７に示す様に熱伝達性部材４１を基板２１に通し、管とＲＦ送信コイルの構成要素とを熱伝達性部材４１を介して熱的に接触させる。これにより、ＲＦ送信コイルの構成要素より発せられる熱エネルギーを熱伝達性部材４１を介して冷媒に移動させることができる。
【００３４】
以上、ＲＦ送信コイルを冷却する冷却管を用いたＭＲＩ装置の構成と動作の実施形態を説明したが、本発明のＭＲＩ装置は上記実施形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、ＲＦ送信コイルと冷却管の構成は８角形以外の多角形や円形でも可能である。また、ＲＦ送信コイルと冷却管は同型のエレメントから構成される例を説明したが、同型である必要はなく、互いに異なる形状のエレメントから構成しても良い。また、（第１の）冷媒として水の例を説明したが、特に水である必要はなく、他の冷却効率の高い液体（例：代替フロン物質）又は気体の冷媒（例：窒素ガス）でもよい。また、冷媒の流す方向をＲＦ送信コイルの周囲から中央の場合を説明したが、その逆でも良い。また、以上の実施例の説明では垂直磁場方式のＭＲＩ装置を例にしたが、水平磁場方式のＭＲＩ装置でも同様に本発明を適用することができる。
【００３５】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、水の様なプロトンを含む冷媒を用いて、冷媒の高周波磁場との干渉を抑制しながらＲＦ送信コイルを冷却することが可能になるため、取り扱いが簡単で冷却効率の高い冷媒、例えば水を使用することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例における冷却管の構成と配置を示す図。
（ａ）ＸＹ平面上に配置された冷却管の全体をＺ軸の正方向から見た場合の図。
（ｂ）冷却管の任意の１エレメントに関する冷却管の構成を示す図。
（ｃ）冷却管のＸＺ断面での管の配置を示す図。
【図２】本発明の第１の実施例におけるＲＦ送信コイルの構成を示す図。
【図３】典型的なパルスシーケンス（スピンエコー法）の図。
【図４】本発明に係るＭＲＩ装置の構成を示すブロック図。
【図５】パルスシーケンスに同期した冷媒制御を示す図。
（ａ）ＲＦパルスが印加されてないタイミングで冷媒を流す場合の図。
（ｂ）連続するパルスシーケンスの合間で冷媒を流す場合の図。
【図６】第２の実施例を示す図。
【図７】第３の実施例を示す図。
【符号の説明】
１…静磁場発生手段
２…Ｘ方向傾斜磁場発生手段
３…Ｙ方向傾斜磁場発生手段
４…Ｚ方向傾斜磁場発生手段
５…傾斜磁場電源
６…ＲＦ送信コイル
７…ＲＦ受信コイル
８…冷却管
９…高周波磁場電源
６０…第２の冷媒用ポンプ
６１…第２の冷媒用圧縮機
６２…第２の冷媒用ノズル
６３…気液分離器
６４…熱交換機
６５…第１の冷媒用ポンプ
６６…冷却部
１１０…高周波磁場送受信機
１１１…ポンプ
１１２…熱交換器
１１３…計算機
１１４…表示器
１１５…ベッド
１１６…被検体
【図１】
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【図２】
2005000269.tif 000005
【図３】
2005000269.tif 000006
【図４】
2005000269.tif 000007
【図５】
2005000269.tif 000008
【図６】
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【図７】
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