(57)【要約】【課題】  落下したフレークによるベローズの破壊を防止する。【解決手段】  チャンバー２内に保持された基板５に分子線を照射して基板５上でエピタキシャル結晶成長を行う分子線エピタキシャル装置であって、チャンバー２に設けられた伸縮部１０と、該伸縮部１０の内部に配置され、当該伸縮部１０に支持軸９を介して取り付けられた可動体８と、可動体８を分子線の暴露領域にある動作位置と暴露域外にある退避位置とに移動させる移動機構とを備えた分子線エピタキシャル装置において、可動体８および／または支持軸９に付着した付着物が伸縮部１０に落下することを防止するための付着物落下防止板１３を設けた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー内に保持された基板に分子線を照射して前記基板上でエピタキシャル結晶成長を行う分子線エピタキシャル装置であって、前記チャンバーに設けられた伸縮部と、該伸縮部の内部に配置され、当該伸縮部に支持軸を介して取り付けられた可動体と、前記可動体を前記分子線の暴露領域にある動作位置と前記暴露域外にある退避位置とに移動させる移動機構とを備えた分子線エピタキシャル装置において、
前記可動体および／または前記支持軸に付着した付着物が前記伸縮部に落下することを防止するための付着物落下防止板を設けたことを特徴とする分子線エピタキシャル装置。
【請求項２】
前記可動体は、分子線に対して基板を覆うメインシャッター、または、前記チャンバー内の状態を計測する計測器であることを特徴とする請求項１に記載の分子線エピタキシャル装置。
【請求項３】
前記伸縮部は、ベローズであることを特徴とする請求項１または２に記載の分子線エピタキシャル装置。
【請求項４】
前記付着物落下防止板は、前記支持軸直下の部位よりも高い縁部を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の分子線エピタキシャル装置。
【請求項５】
前記付着物落下防止板は、傾斜していることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の分子線エピタキシャル装置。
【請求項６】
前記付着物落下防止板は、前記付着物落下防止板の形状または前記移動機構の動きによって、落下物を排出することができることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の分子線エピタキシャル装置。
【請求項７】
前記付着物落下防止板から排出される付着物を溜め、前記チャンバー外へ取り出すことができるポートを備えたことを特徴する請求項６に記載の分子線エピタキシャル装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超高真空中で結晶基板上に化合物半導体等のエピタキシャル結晶成長を行う分子線エピタキシャル装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明に関連する先行技術文献としては次のものがある。
【０００３】
【特許文献１】特開平０４−１３９０８６号公報
【０００４】
従来、分子線エピタキシャル装置１００としては、図１４に示すように、超高真空に保たれたチャンバー１０１（成長室）と、前記チャンバー１０１内に配置された複数の分子線セル１０２（１つのみ図示）と、前記分子線セル１０２に対向してチャンバー１０１内に配置された基板１０５を保持する基板保持機構１０３と、前記チャンバー１０１内の分子線セル１０２と基板保持機構１０３との間に配置されて分子線セル１０２からの分子線に曝され、分子線セル１０２からの分子線を遮断制御するメインシャッター１０４とを備えたものがある（例えば、特許文献１を参照）。基板保持機構１０３には、基板１０５を加熱したり回転させたりする機構を備えられる場合が多い。
【０００５】
この分子線エピタキシャル装置１００の各分子線セル１０２は、分子線材料が充填されたルツボを夫々有し、そのルツボをヒーターで加熱することにより、所望の分子線を発生させて、基板保持機構１０３により加熱され回転する基板１０５上に層構造を形成するものである。また、前記分子線エピタキシャル装置１００では、超高真空状態のチャンバー１０１内で結晶成長を行うため、純度の高い（残留不純物の低い）結晶が得られる。前記分子線エピタキシャル装置１００には、チャンバー１０１内を超高真空にするため、イオンポンプやターボ分子ポンプ等の排気ポンプと共に、クライオパネル１０６（液体窒素シュラウド）を設置している。前記クライオパネル１０６は、内部に液体窒素が充填されており、その表面を低温に保つことによって、チャンバー１０１内の分子を吸着して、清浄な超高真空を実現している。
【０００６】
しかしながら、前記分子線エピタキシャル装置１００では、メインシャッター１０４が閉じている場合、ルツボからの分子線がメインシャッター１０４やメインシャッター１０４を支持するメインシャッター支持軸１０７に照射されるため、それらに分子線材料が堆積してポリ結晶１０８となる。このポリ結晶１０８は、メンテナンス作業等でクライオパネル１０６内から液体窒素を抜いた後、再び液体窒素を再供給するとクライオパネルの温度が急激に変化し、熱収縮してフレーク状となり剥離しやすくなる。したがって、メインシャッター１０４をチャンバー１０１から退避させると、超高真空対応の金属ベローズ１０９内部にフレーク（フレーク状のポリ結晶１０８）が落下してしまう。
【０００７】
この状態で、再びメインシャッター１０４がチャンバー１０１内に移動すると、ベローズ１０９の蛇腹部分に入り込んだフレークがベローズ１０９の収縮に伴い蛇腹部分で押しつぶされ、ベローズ１０９が破れてしまうという問題があった。これにより貴金属ベローズ１０９の蛇腹部分が破れてしまうと、チャンバー１０１内が超高真空状態に保てず、所望の結晶が得られない。また、ベローズ１０９の破損に至らなくても、蛇腹部分に入り込んだフレークにより動きが阻害され、メインシャッター１０４を所望位置まで移動させることができない、という問題が発生することもあった。
【０００８】
なお、前記従来例では、基板１０５を分子線の暴露から必要に応じて遮蔽するメインシャッター１０４を例にとって説明したが、チャンバー１０１内には、チャンバー１０１内部空間の温度や圧力、膜厚、分子線の量や種類などを計測する各種の計測器を有することが多い。一部の計測器は、必要に応じて分子線に暴露させたり暴露域から退避させたりしたりすることができるように、上述のメインシャッター１０４と同様に、支持軸やこの支持軸を動かすためのベローズ等の伸縮機構を有している場合がある。これら計測器やその支持軸にはフレークが付着し、メインシャッターと同様の問題を発生することがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明は、前記従来の問題に鑑み、落下したフレークによるベローズなどの伸縮機構の破壊や移動阻害を防止することができる分子線エピタキシャル装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、前記課題を解決するために、チャンバー内に保持された基板に分子線を照射して前記基板上でエピタキシャル結晶成長を行う分子線エピタキシャル装置であって、前記チャンバーに設けられた伸縮部と、該伸縮部の内部に配置され、当該伸縮部に支持軸を介して取り付けられた可動体と、前記可動体を前記分子線の暴露領域にある動作位置と前記暴露域外にある退避位置とに移動させる移動機構とを備えた分子線エピタキシャル装置において、前記可動体および／または前記支持軸に付着した付着物が前記伸縮部に落下することを防止するための付着物落下防止板を設けたものである。
【００１１】
前記発明によれば、付着物落下防止板が設けられているので可動体やその支持軸から剥離した付着物が伸縮部に落下することがなくなる。これにより、付着物が伸縮部に堆積し、伸縮部の伸縮動作が妨げられることがなくなる。付着物落下防止板は、可動体の支持軸の幅よりも広い幅を有し、かつ分子線エピタキシャル装置の成長室のポート内径より小さい寸法を有することが好ましい。また、付着物落下防止板は、可動体や支持軸全体をカバーする必要はなく、可動体が退避位置に位置するとき、少なくとも伸縮部の上方の可動体や支持軸の付着物が付着した部分のみカバーすればよい。すなわち、可動体が動作位置に位置する際に可動体や支持軸が成長室内に突出する部分（付着物が付着する部分）を覆う寸法を有することが好ましい。また、付着物落下防止板は、概ね水平方向に取り付けられている。これは、付着物落下防止板上に溜まった付着物が下へこぼれて更に落下しないよう、例えば、ポート付近や伸縮部内部または成長室とクライオパネルの隙間等に落下しないようにするためである。また、超高真空下での使用となるため、付着物落下防止板の材料は、放出ガスの少ないものとする。これは成長室やクライオパネルと同じ材料で表面処理（例えば、電解研磨等）を施したものが望ましい。
【００１２】
前記可動体は、分子線に対して基板を覆うメインシャッター、または、前記チャンバー内の状態を計測する計測器であることが好ましい。計測器としては、チャンバー内部空間の温度や圧力、膜厚、分子線の量や種類などを計測するセンサーがあげられる。
【００１３】
前記伸縮部は、ベローズであることが好ましい。ベローズは、入手性や伸縮性が良く、面摺動部を持たないのでダストの発生を招きにくく、クリーンな高真空の維持が可能である。また、ベローズのほかに、複数の管を入れ子式に連接したものでもよい。さらに、複数のスライド板をスライド可能に連接したものや、複数のリンクをマジックハンド状に回動可能に連接したものでもよい。
【００１４】
前記付着物落下防止板は、前記支持軸直下の部位よりも高い縁部を有することが好ましい。例えば、支持軸直下の部位である底板から側壁として立ちあがって縁を成すことにより、付着物落下防止板上に溜まった付着物が、伸縮部に落下することを防止できる。この側壁は、付着部落下防止板に対して０〜９０度の角度を有することが好ましい。また、断面形状が湾曲したものや、管状のものでもよい。
【００１５】
前記付着物落下防止板は、傾斜していてもよい。これにより、フレーク落下防止板に溜まったフレークを集めることができる。
【００１６】
前記付着物落下防止板は、前記付着物落下防止板の形状または前記移動機構の動きによって落下物を排出することができることが好ましい。付着物落下防止板は、例えば、可動体が退避位置に位置するとき略水平であり、可動体が動作位置に移動すると略垂直に回動することにより、付着物落下防止板上に溜まった付着物を集めたり、または付着物落下防止板から排出することができる。
【００１７】
前記付着物落下防止板から排出される付着物を溜め、前記チャンバー外へ取り出すことができるポートを備えることが好ましい。これにより、付着物落下防止板から排出される付着物を容易に取り出すことができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る分子線エピタキシャル装置は、チャンバー内に保持された基板に分子線を照射して前記基板上でエピタキシャル結晶成長を行う分子線エピタキシャル装置であって、前記チャンバーに設けられた伸縮部と、該伸縮部の内部に配置され、当該伸縮部に支持軸を介して取り付けられた可動体と、前記可動体を前記分子線の暴露領域にある動作位置と前記暴露域外にある退避位置とに移動させる移動機構とを備えた分子線エピタキシャル装置において、前記可動体および／または前記支持軸に付着した付着物が前記伸縮部に落下することを防止するための付着物落下防止板を設けたので、メインシャッター支持軸から剥離したフレークが伸縮部に落下することがなくなる。これにより、ベローズの破損や可動体の移動阻害を防止し、可動体に所望の動作を行わせることができ、高純度の結晶成長が実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に従って説明する。
【００２０】
図１は、本発明に係る分子線エピタキシャル装置１の断面図である。チャンバー２（成長室）内に、クライオパネル３（液体窒素シュラウド）と、分子線材料が充填されたルツボ（不図示）を内部に有する分子線セル４と、ウエハ状の結晶基板５を保持するとともに加熱しながら回転させる基板保持機構６とが配置されている。さらに、前記チャンバー２の側壁にはビューポート２ａと排気用ポート２ｂとが設けられている。
【００２１】
また、チャンバー２のポート２ｃには、シャッタ開閉機構７が設けられている。このシャッタ開閉機構７は、分子線セル４から基板５に照射される分子線を遮断したり、暴露させたりするためのものであり、前記分子線セル４と基板保持機構６との間に配置されたメインシャッター８と、メインシャッター８を支持するメインシャッター支持軸９と、伸縮自在な金属ベローズ１０（伸縮部）とを備える。該ベローズ１０は、一端がフランジ７ａを介して前記チャンバー２のポート２ｃに取り付けられており、他端は蓋体１１により閉塞されている。この金属ベローズ１０内部は、チャンバー２内と連通しており同様に超真空である。また、ベローズ１０内部には、前記メインシャッター支持軸９が配置されており、メインシャッター支持軸９の一端は前記蓋体１１内面に取り付け固定されている。メインシャッター支持軸９の他端には、前記メインシャッター８が取り付けられている。メインシャッター８は、図示しない駆動機構（この機構は手動駆動も可能）がシャッタ開閉機構７の蓋体１１を水平方向に駆動することにより、図１に示すように、分子線セル４から照射される分子線を遮断する遮断位置、または図２に示すように、基板５下方から退避した退避位置に駆動されるようになっている。
【００２２】
同様に、チャンバー２のポート２ｄには、センサ移動機構３０が設けられている。このセンサ移動機構３０は、分子線セル４から基板５に照射される分子線量を計測するためのものであり、前記分子線セル４と基板保持機構６との間に配置されたセンサー３１と、センサー３１を支持するセンサー支持軸３２と、伸縮自在な金属ベローズ３３（伸縮部）とを備える。該ベローズ３３は、一端がフランジ３０ａを介して前記チャンバー２のポート２ｄに取り付けられており、他端は蓋体３４により閉塞されている。この金属ベローズ３３内部は、チャンバー２内と連通しており同様に超真空である。また、ベローズ３３内部には、前記センサー支持軸３２が配置されており、センサー支持軸３２の一端は前記蓋体３４内面に取り付け固定されている。センサー支持軸３２の他端には、前記センサー３１が取り付けられている。センサー３１は、図示しない駆動機構（この機構は手動駆動も可能）がセンサー移動機構３０の蓋体３４を水平方向に駆動することにより、図１に示すように、分子線セル４から照射される分子線の照射域にある動作位置、または図２に示すように、照射域外から退避した退避位置に移動されるようになっている。
【００２３】
図３に示すように、前記チャンバー２のポート２ｃ，２ｄには、ロッド１２を介してフレーク落下防止板（付着物落下防止板）１３が溶接などにより取り付け固定されている。フレーク落下防止板１３は、ベローズ１０，３３内で水平方向に配置されており、その先端は、図１に示すように、メインシャッター８やセンサー３１が動作位置にあってベローズ１０，３３が縮んだ状態であっても蓋体１１，３４内面には当接せず、メインシャッター８やセンサー３１の移動を阻害しないようになっている。また、フレーク落下防止板１３は、図４に示すように、メインシャッター支持軸９やセンサー支持軸３２の幅ｗ１よりも広い幅ｗ２を有し、かつ分子線エピタキシャル装置１のチャンバー２のポート２ｃ，２ｄ内径より小さい寸法を有する。また、フレーク落下防止板１３やロッド１２の材料は、チャンバー２やクライオパネル３と同じ材料で表面処理（例えば、電解研磨等）を施したものが望ましい。これは、超高真空下で用いたとき、放出ガスが少なく好適であるためである。
【００２４】
前記構成からなる分子線エピタキシャル装置１において、図１に示すように、分子線セル４から蒸発した材料をメインシャッター８により遮断する場合、また分子線照射中にセンサー３０を分子線に暴露される分子線照射角度内に移動した場合、分子線セル４からの分子（原子）がメインシャッター８表面やメインシャッター支持軸９、センサー３１やセンサー支持軸３２に付着してポリ結晶１４が堆積する。その後、メンテナンス作業等でクライオパネル３内から液体窒素を抜いた後、再び液体窒素を再供給するとクライオパネル３の温度が急激に変化し、ポリ結晶１４が熱収縮してフレーク状となる。
【００２５】
この状態で、図２に示すように、メインシャッター８やセンサー３１をチャンバー２から退避させたときフレーク状のポリ結晶１４（フレーク）に振動や衝撃などが加わったり、液体窒素を導入後に起こる急激な温度変化、またはそれ以外にもフレークの長期間の蓄積によりそれ自体の自重で、フレークが剥離して落下する。このとき、メインシャッター８やメインシャッター支持軸９、またはセンサー３１やセンサー支持軸３３に付着したポリ結晶１４の下方にフレーク落下防止板１３が設けられているので、メインシャッター８やメインシャッター支持軸９、またはセンサー３１やセンサー支持軸３３から剥離したフレークは、ベローズ１０，３３に落下することなくフレーク落下防止板１３上に落下する。これにより、従来の分子線エピタキシャル装置のように、フレークがベローズ１０，３３の蛇腹部分に入り込み、ベローズ１０，３３の伸縮動作を妨げたり、ベローズ１０，３３の伸縮動作時にベローズ１０，３３の蛇腹部分を破損させたりすることがなくなる。
【００２６】
また、フレーク落下防止板１３は、水平方向に設けられているので、フレーク落下防止板１３上に溜まったフレークは、ベローズ１０，３３に落下しない。
【００２７】
前記実施形態の変形例として、図５に示すように、前記フレーク落下防止板１３の縁部に側壁２０を設けてもよい。フレーク落下防止板１３の底板１３ａに対して各側壁２０は、０〜９０度の角度を有する。これにより、フレーク落下防止板１３上に溜まったフレークが、外部、内部からの何らかの衝撃により動くことがあっても、ベローズ１０，３３に落下しない。また、フレーク落下防止板１３の垂直方向から見た形状は、矩形状に限らず楕円形状などであってもよい。
【００２８】
また、前記実施形態の他の変形例として、図６に示すように、フレーク落下防止板１３の先端側を基端側に比べて高くしてフレーク落下防止板１３を傾斜させてもよい。さらに、図７に示すように、前記フレーク落下防止板１３は、垂直方向から見て台形状であることが好ましい。また、フレーク落下防止板１３の縁部には、フレーク落下防止板１３の基端側を除いて側壁２０が設けられている。これにより、フレーク落下防止板１３状に堆積したフレークは、フレーク落下防止板１３の基端側に集められ、そこから排出されて下方に落下する。この落下したフレークは、チャンバー２のポート２ｃ，２ｄに形成された落下物溜り２１に溜まる。この落下物溜り２１には、溜める際には開けられているバルブ２１ａと継手２１ｂが設けられており、バルブ２１ａを閉じることによりチャンバー２の真空状態を破ることなく落下物溜り２１からフレークを取り出すことができるようになっている。
【００２９】
また、前記実施形態の他の変形例として、図８に示すように、支持軸９，３２の直下の部位よりも縁部が高くなるように、フレーク落下防止板１３の断面形状が湾曲し、さらに縁部が支持軸９，３２の側方までせり上がっていてもよい。これにより、フレーク落下防止板１３上に堆積したフレークを、フレーク落下防止板１３の最下部に集めることができ、フレークが割れて側方へ飛散した場合でもベローズ１０，３３への落下を防ぐことができる。さらに、図９に示すように、フレーク落下防止板１３の断面形状が、メインシャッター支持軸９やセンサー支持軸３２を内包する管形状であってもよい。これにより、フレークのベローズ１０，３３への落下を完全に防ぐことができる。なお、支持軸９，３２は管の断面中心よりもやや上方に位置している。このため、管内部にフレークが堆積しても、支持軸９，３２の管内での移動を妨げないようになっている。
【００３０】
また、前記実施形態の他の変形例として、図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、フレーク落下防止板１３の断面形状を湾曲させるとともに、フレーク落下防止板１３の先端側を基端側に比べて高くしてフレーク落下防止板１３を傾斜させ、このフレーク落下防止板１３の基端側および先端側に側壁２０をそれぞれ設けてもよい。また、フレーク落下防止板１３の基端側最下部には、フレーク落下防止板１３上のフレークを集塵するための集塵部２２が設けられている。この集塵部２２は、フレーク落下防止板１３をチャンバー２のポート２ｃに取り付けるための前記ロッド１２を兼用している。また、このロッド１２は、ポート２ｃとベローズ１０を繋ぐフランジ７ａのベローズ１０側に取り付けられている。このため、メンテナンスなどのためにベローズ１０を取り外す際、フレーク落下防止板１３、ロッド１２、支持軸９，３２は、ベローズ１０とともに取り外されるので、ベローズ１０の蛇腹部分に支持軸９，３２からのフレークが落下することがなくなる。
【００３１】
また、図１１は、前記実施形態の他の変形例を示す。この分子線エピタキシャル装置１のフレーク落下防止板１３は、その一端が水平方向に配置された回動軸２３を介してメインシャッター支持軸９やセンサー支持軸３２に軸支され、回動軸２３を回動中心として回動可能である。また、チャンバー２のポート２ｃ，２ｄには、段差付傾斜面２４が形成されており、この段差付傾斜面２４には、フランジ７ａ、３０ａを挟んで２つの滑車２５ａ，２５ｂ（駆動補助部）が設けられている。
【００３２】
次に、図１１の変形例におけるメインシャッター８やセンサー３１の移動に伴うフレーク落下防止板１３上のフレークの集積および排出の動作について説明する。先ず、メインシャッター８，センサー３１が退避位置に位置する場合、前記フレーク落下防止板１３は、図１１（ａ）に示す位置にあり、その上向きに湾曲した先端部が滑車２５ａに係止され、先端部を下にして傾斜している。このとき、フレーク落下防止板１３の先端部が、上向きに湾曲しているのでフレークがフレーク落下防止板１３から落下することはない。次に、メインシャッター８が遮断位置に向かって駆動されたとき、前記フレーク落下防止板１３は、その下面が滑車２５ａ上で摺動を開始する。やがて、図１１（ｂ）に示すように、メインシャッター８，センサー３１の移動に伴い、フレーク落下防止板１３の先端部を下にした傾斜が大きくなり、フレーク落下防止板１３の下面は、滑車２５ｂ上を摺動し始める。フレーク落下防止板１３が、図１１（ｂ）に示すように、より基板側へ近づいた位置にあるとき、フレーク落下防止板１３の先端が上方に湾曲しているため、未だフレークが落下し始めることは無い。さらに続くメインシャッター８，センサー３１の移動に伴い、フレーク落下防止板１３の傾斜がさらに大きくなると、フレーク落下防止板１３上のフレークが先端部から落下し始める。このとき、フレークは図示しない落下物溜り内へ落下する。メインシャッター８，センサー３１の移動が終了し、メインシャッター８，センサー３１が動作位置に位置する場合、図１１（ｃ）に示すように、前記フレーク落下防止板１３は回動して略垂直に下垂する。このとき、フレーク落下防止板１３のフレーク全てがフレーク落下防止板１３から排出され、落下したフレークは図示しない落下物溜りに集められる。また、ベローズ１０，３３を取り外す際、フレーク落下防止板１３は滑車２５ａに係止された状態で取り外せるので、ベローズ１０，３３の蛇腹部分にフレークが落下することがない。
【００３３】
また、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、メインシャッター支持軸９，センサー支持軸３２に軸受２６を設け、この軸受２６に前記回動軸２３を設けてフレーク落下防止板１３を回動可能に軸支するようにしてもよい。また、軸受２６は、メインシャッター支持軸９，センサー支持軸３２，センサー支持軸３２に軸受２６を挟むように形成された突起部９ａに当接することにより、メインシャッター支持軸９，センサー支持軸３２の軸方向に移動することはない。また、メインシャッター支持軸９，センサー支持軸３２をベローズ１０，３３外部から回転させた場合でも、フレーク落下防止板１３は、メインシャッター支持軸９，センサー支持軸３２に対して常に下方に位置している。
【００３４】
なお、前記実施形態は、伸縮部であるベローズ１０を備える分子線エピタキシャル装置１を例に説明したが、本発明は、それに限らず例えば、図１３に示すように、複数の管状のスライド板２７ａを摺動自在に連接したスライド摺動部２７を備える分子線エピタキシャル装置１にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係る分子線エピタキシャル装置の断面図である。
【図２】本発明に係る分子線エピタキシャル装置の断面図である。
【図３】図２の一部拡大図である。
【図４】フレーク落下防止板およびメインシャッター支持軸を示した平面図である。
【図５】本発明に係る分子線エピタキシャル装置のフレーク落下防止板の変形例を示した斜視図である。
【図６】本発明に係る分子線エピタキシャル装置のフレーク落下防止板の変形例を示した拡大断面図である。
【図７】図６のフレーク落下防止板を示した平面図である。
【図８】本発明に係る分子線エピタキシャル装置のフレーク落下防止板の変形例を示した断面図である。
【図９】本発明に係る分子線エピタキシャル装置のフレーク落下防止板の変形例を示した断面図である。
【図１０】（ａ）は、本発明に係る分子線エピタキシャル装置のフレーク落下防止板の変形例を示した断面図である。（ｂ）は、（ａ）の平面図である。（ｃ）は、（ｂ）の側面図である。
【図１１】（ａ）は、本発明に係る分子線エピタキシャル装置のフレーク落下防止板の変形例を示した拡大断面図であり、（ｂ）および（ｃ）は移動過程を示した拡大断面図である。
【図１２】（ａ）は、本発明に係る分子線エピタキシャル装置のフレーク落下防止板の変形例を示した断面図である。（ｂ）は、（ａ）の側面図である。
【図１３】本発明に係る分子線エピタキシャル装置の変形例を示した断面図である。
【図１４】従来の分子線エピタキシャル装置を示した断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１…分子線エピタキシャル装置
２…チャンバー
４…分子線セル
５…基板
７…シャッタ開閉機構
８…メインシャッター（可動体）
９…メインシャッター支持軸
１０…ベローズ（伸縮部）
１３…フレーク落下防止板
３０…センサー移動機構
３１…センサー（可動体）
３２…センサー支持軸
３３…ベローズ（伸縮部）
【図１】
2005286271.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005286271.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005286271.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005286271.tif 000009
【図８】
2005286271.tif 000010
【図９】
2005286271.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2005286271.tif 000013
【図１２】
2005286271.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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