(57)【要約】【課題】  電荷転送電極―配線層間の層間絶縁膜の薄膜化および平坦化を行い、固体撮像素子の縦方向収縮を行なうことによって、素子の高感度化を図る。【解決手段】  光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備した固体撮像素子において、前記光電変換部に開口を有し、前記電荷転送部を覆う遮光性膜と、前記遮光性膜の上層に形成され、前記光電変換部の表面から前記遮光性膜の一部を覆うように形成され、表面がほぼ平坦となるように前記光電変換部に充填された平坦化膜とを具備し、前記平坦化膜は前記遮光性膜の表面よりも高屈折率を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備した固体撮像素子において、
前記光電変換部に開口を有し、前記電荷転送部を覆うように形成された少なくとも遮光機能を有する遮光性膜と、
前記遮光性膜の上層に形成され、前記光電変換部の表面から前記遮光性膜の一部を覆うように形成され、表面がほぼ平坦となるように前記光電変換部に充填された平坦化膜とを具備したことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
請求項１に記載の固体撮像素子であって、
前記遮光性膜は、その頂面と平坦化膜の頂面とがほぼ同一面となるように構成された固体撮像素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の固体撮像素子であって、
前記遮光性膜は、遮光層と反射防止層との２層膜である固体撮像素子。
【請求項４】
請求項３に記載の固体撮像素子であって、
前記反射防止層は窒化シリコンを含む固体撮像素子。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかに記載の固体撮像素子であって、
前記平坦化膜はＢＰＳＧ膜である固体撮像素子。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれかに記載の固体撮像素子であって、
前記平坦化膜はＴＥＯＳ膜である固体撮像素子。
【請求項７】
半導体基板表面に光電変換部を形成する工程と、
前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送するように、前記光電変換部に近接して配される電荷転送電極を含む電荷転送部を形成する工程と、
前記光電変換部に開口を有し、前記電荷転送部を覆う遮光性膜を形成する工程と、
平坦化膜を形成する工程と、
前記遮光性膜をエッチングストッパとして前記平坦化膜を前記遮光性膜の一部が露呈するまで除去することにより表面を平坦化する工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記平坦化工程は、レジストエッチバック工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記平坦化工程は、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical  Mechanical  Polishing）により平坦化する工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記平坦化膜を形成する工程は、ＢＰＳＧ膜を形成する工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項７乃至９のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記平坦化膜を形成する工程は、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いた常圧ＣＶＤ法により酸化シリコン膜を形成する工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記遮光性膜を形成する工程は、遮光性の金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に窒化シリコン膜を形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子およびその製造方法にかかり、特に固体撮像素子の入射部の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
エリアセンサ等に用いられるＣＣＤを用いた固体撮像素子は、フォトダイオードなどの光電変換部と、この光電変換部からの信号電荷を転送するための電荷転送電極を備えた電荷転送部とを有する。電荷転送電極は、半導体基板に形成された電荷転送路上に複数個隣接して配置され、順次駆動される。
【０００３】
近年、ＣＣＤの高画素化に伴い、固体撮像素子においては、高解像度化、高感度化への要求は高まる一方であり、ギガピクセル以上まで撮像画素数の増加が進んでいる。特に固体撮像素子の横方向シュリンクが顕著となっている。
しかしながら、縦方向のシュリンクに対しては鈍化しており、縦横比（アスペクト比）は増加傾向にある。アスペクト比の増加は電荷転送電極を覆う遮光性膜での反射光および散乱光を生じ易く、ＣＣＤにおける光入射角に対するマージンを減少させることになり、光路設計が困難であるという問題があった。
また、このような固体撮像素子は、その一例を図８に示すように、電荷転送電極とこの上層に形成されるアルミニウム配線層（図示せず）との間の層間絶縁膜１７としてＢＰＳＧ膜（borophospho  silicate  glass）あるいはＰＳＧ膜（phospho  silicate  glass）の熱流動性を利用し、光電変換部の真上に凹部を形成し、この凹部にＣＶＤ法によって窒化シリコン膜１８を埋め込み、層内に集光構造を形成している（特許文献１）。
【０００４】
このため、上述の構成では、さらなる感度の向上に対応するのは困難であるという問題があった。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１３５８１１公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このように、従来の固体撮像素子では、縦方向のシュリンクに対しては鈍化しており、縦横比（アスペクト比）は増加傾向にあり、アスペクト比の増加によって電荷転送電極を覆う遮光性膜での反射光および散乱光を生じ易く、ＣＣＤにおける光入射角に対するマージンを減少させることになり、光路設計が困難であるという問題があった。
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、電荷転送電極―配線層間の層間絶縁膜の薄膜化および平坦化を行い、固体撮像素子の縦方向収縮を行なうことによって、素子の高感度化を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで本発明は、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備した固体撮像素子において、前記光電変換部に開口を有し、前記電荷転送部を覆う少なくとも遮光機能を有する遮光性膜と、前記遮光性膜の上層に形成され、前記光電変換部の表面から前記遮光性膜の一部を覆うように形成され、表面がほぼ平坦となるように前記光電変換部に充填された平坦化膜とを具備したことを特徴とする。
【０００８】
上記構成によれば、固体撮像素子表面を覆うように形成していたＢＰＳＧ膜などの層間絶縁膜を、平坦化膜として、凹部にのみ選択的に充填とするともに、この平坦化膜と接する電荷転送電極表面を遮光性膜で覆うようにしているため、縦方向のシュリンクが容易となり、許容光入射角が広がり、高感度の固体撮像素子を形成することが可能となる。ここで、遮光性膜表面の一部を平坦化膜から露呈せしめ、この遮光性膜表面が直接あるいは保護膜を介してフィルタに当接するようにしているため、より薄型化をはかることができる。
なお、前記平坦化膜を前記遮光性膜よりも高屈折率を有する材料で構成することにより、集光効果を得ることができ、さらなる許容入射角の増大を図ることができる。
【０００９】
また本発明は、前記遮光性膜が、その頂面と平坦化膜の頂面とがほぼ同一面となるように構成されたものを含む。
上記構成によれば、遮光性膜表面の一部を平坦化膜から露呈せしめ、平坦化膜が遮光性膜の頂面とほぼ一致するように構成されているため、縦方向のシュリンクが高められ、より薄型化をはかることができる。
【００１０】
また本発明は、前記遮光性膜が、金属製の遮光層と反射防止層との２層膜であるものを含む。
【００１１】
上記構成によれば、反射防止層を備えているため遮光性膜パターンのパターニングに際し、金属製の遮光層とこの反射防止層とを積層した状態で、この上層にマスクパターンを形成すればよいため、高精度のパターニングを実現することが可能となる。
なお、反射防止層としてはＴｉＮなどの金属膜を用いてもよい。
【００１２】
また本発明は、前記反射防止層が窒化シリコンを含むものを含む。
この構成により、遮光性膜パターンのパターン加工時の反射防止膜として作用し、平坦化に際しては、エッチングストッパとして作用するため、信頼性の高いパターンの形成が可能となる。
またハイドロオキシナイトライドＳｉＯＮＨを形成するようにすればよい。
【００１３】
また本発明は、前記平坦化膜はＢＰＳＧ膜であるものを含む。
この構成により、高屈折率でかつ高温工程を経ることなく平坦な膜を形成することが可能となる。
なお、この平坦化膜としてはＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜を用いてもよい。またＣＭＰあるいはエッチバックによる平坦化を行なう場合にはＮＳＧでもよい。
【００１４】
また本発明は、前記平坦化膜はＴＥＯＳを用いた酸化シリコン膜であるものを含む。
この構成により、常圧ＣＶＤ法などにより低温下で効率よく平坦な膜を形成することができる。
【００１５】
また本発明の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板表面に光電変換部を形成する工程と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送するように、前記光電変換部に近接して配される電荷転送電極を含む電荷転送部を形成する工程と、前記光電変換部に開口を有し、前記電荷転送部を覆う少なくとも遮光機能を備えた遮光性膜を形成する工程と、この上層に平坦化膜を形成する工程と、前記遮光性膜をエッチングストッパとして前記平坦化膜を前記遮光性膜の一部が露呈するまで除去することにより表面を平坦化する工程とを含むものを含む。
この構成により、遮光性膜をエッチングストッパとして絶縁性膜などで構成された平坦化膜を平坦化することにより容易に縦方向のシュリンクが可能となる。また許容入射角を大きくすることができる。
【００１６】
また本発明は、前記平坦化工程が、レジストエッチバック工程であるものを含む。
【００１７】
また本発明は、前記平坦化工程は、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical  Mechanical  Polishing）により平坦化する工程であるものを含む。
【００１８】
また本発明は、前記平坦化膜を形成する工程は、ＢＰＳＧ膜を形成する工程であるものを含む。
容易に平坦化可能であるため平坦性の高い膜を形成することが可能となる。
【００１９】
また本発明は、前記平坦化膜を形成する工程は、ＴＥＯＳを用いた常圧ＣＶＤ法により酸化シリコン膜を形成する工程であるものを含む。
この方法によれば、３５０℃から４００℃で平坦性よく絶縁性膜を形成することができるため、素子領域の劣化を招くことなく信頼性の高い固体撮像素子を得ることが可能となる。
【００２０】
また本発明は、前記遮光性膜を形成する工程は、遮光性の金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に窒化シリコン膜を形成する工程とを含む。
この方法によれば、マスクパターン形成のためのフォトリソグラフィ工程において反射を防止することができるため、高精度のパターニングが可能となり、パターン精度を高めることができる。
また反射防止層としてはＴｉＮ等の金属膜も適用可能であり、またＴｉＮと窒化シリコン膜との積層構造を用いてもよい。
【００２１】
望ましくは、前記電荷転送電極の形成工程が、ゲート酸化膜の形成された半導体基板表面に、第１の電極を構成する第１層シリコン系導電性膜のパターンを形成する工程と、前記第１の電極の少なくとも側壁に電極間絶縁膜となる絶縁膜を形成する工程と、前記第１の電極および前記電極間絶縁膜の形成された前記半導体基板表面に第２の電極を構成する第２層シリコン系導電性膜を形成する工程とを含む。
【００２２】
第１層の電極上に第２の電極に重なるようにした複数電極構造膜を形成する場合、縦方向の高さが高くなるが、この方法により、直接平坦化膜を形成するため、縦方向のシュリンクが容易となり、本発明による効果が顕著である。
【００２３】
さらにこの第２層シリコン系導電性膜をＣＭＰにより平坦化し、単層電極構造の電荷転送電極を形成する工程とを含むようにしてもよい。
【００２４】
また、ＣＭＰの後、アルカリ系薬液による表面処理工程を行うことにより、シリコン系導電性膜、特に第２層シリコン系導電性膜表面に対しアルカリ系薬液による表面処理を行なうようにしているため、ＣＭＰ処理後に形成される表面窪み等のダメージを除去し、表面荒れに起因する電極の局所細りや断線、短絡を抑制することができる。またこの表面処理工程は、酸化処理工程と、フッ素イオンを含む溶液を用いて表面処理する工程とを含むようにすれば、より良好な表面状態を得ることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の方法によれば、電荷転送電極と配線との間の層間絶縁膜を平坦化し薄膜化することで、固体撮像素子の許容入射角を広く確保し、高感度の固体撮像素子を形成することが可能となる。
また、遮光層に加えて反射防止層をもつことにより、反射防止層の存在により、フォトリソ加工時のパターン精度を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下本発明の実施の形態について図面を参照しつ説明する。
（第１の実施の形態）
この固体撮像素子は、図１および図２に示すように、光電変換部３０と、前記光電変換部３０で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部４０とを具備し、この光電変換部の光電変換部に開口を有し、前記電荷転送部を覆う遮光性膜（遮光層７１および反射防止層７２）と、前記反射防止層７２の上層に形成され、前記光電変換部の表面から前記遮光性膜の一部を覆うように形成され、表面がほぼ平坦となるように前記光電変換部に充填された平坦化膜７３としてのＢＰＳＧ膜とを具備し、さらにこの平坦化膜上にポリイミド樹脂からなるパッシベーション膜７４を介して、フィルタ５０およびレンズ６０を形成してなることを特徴とするものである。
これにより、遮光性膜はその一部でパッシベーション膜７４を介して直接フィルタ５０に当接しており、この固体撮像素子は極めて薄型となっている。従って、この固体撮像素子によれば、良好に表面の平坦化をはかることができ、大幅に薄型化をはかることができる。
【００２７】
なおこのゲート酸化膜２は、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との３層構造膜で構成される。
【００２８】
ここで、図１は断面概要図、図２は平面概要図である。図１は図２のＡ−Ａ断面を示す。シリコン基板１には、複数のフォトダイオード３０が形成され、フォトダイオード３０で検出した信号電荷を転送するための電荷転送部４０が、フォトダイオード３０の間に形成される。
【００２９】
電荷転送電極によって転送される信号電荷が移動する電荷転送チャネルは、図２では図示していないが、電荷転送部４０が延在する方向と交差する方向に、形成される。
【００３０】
なお、図２においては、電極間絶縁膜の内、フォトダイオード領域と電荷転送部４０との境界近傍に形成されるものの記載を省略してある。
【００３１】
また図１に示すように、シリコン基板１内には、フォトダイオード３０、電荷転送チャネル（図示せず）、チャネルストップ領域（図示せず）、電荷読み出し領域（図示せず）が形成され、シリコン基板１表面には、ゲート酸化膜２が形成される。ゲート酸化膜２表面には、酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜４と電荷転送電極（第１層ドープトアモルファスシリコン膜３ａからなる第１の電極、第２層ドープトアモルファスシリコン膜３ｂからなる第２の電極）が形成され、複数電極構造を構成している。
【００３２】
電荷転送部４０は、上述したとおりであるが、図１に示すように、電荷転送部４０の電荷転送電極上面には中間部７０が形成される。そしてフォトダイオード３０部分を除いて遮光層７１、窒化シリコン膜からなる反射防止層７２が設けられ、凹部にＢＰＳＧ膜からなる平坦化膜７３が形成される。そしてこの上層に窒化シリコン膜からなるパッシベーション膜７４が設けられる。なおさらにこの窒化シリコン膜の上層に透明樹脂を用いた平坦化層を形成しても良い。
【００３３】
そしてこの中間部７０の上方には、さらにカラーフィルタ５０、マイクロレンズ６０が設けられる。また、カラーフィルタ５０とマイクロレンズ６０との間には、必要に応じて絶縁性の透明樹脂等からなる平坦化層が充填されていてもよい。
また、この例では、いわゆるハニカム構造の固体撮像素子を示しているが、正方格子型の固体撮像素子にも適用可能であることはいうまでもない。
【００３４】
次にこの固体撮像素子の製造工程について図３および図４を参照しつつ詳細に説明する。
まず、通常の方法で複数電極（２層電極）構造の電荷転送電極を形成する。すなわち不純物濃度１．０×１０１６ｃｍ−３程度のｎ型のシリコン基板１表面に、膜厚１５ｎｍの酸化シリコン膜と、膜厚５０ｎｍの窒化シリコン膜と、膜厚１０ｎｍの酸化シリコン膜を形成し、３層構造のゲート酸化膜２を形成する。
【００３５】
続いて、このゲート酸化膜２上に、ＰＨ３とＮ２とを添加したＳｉＨ４を反応性ガスとして用いた減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．４μｍのリンドープの第１層ドープトアモルファスシリコン膜３ａを形成する。このときの基板温度は５００〜６００℃とする。
【００３６】
この後、フォトリソグラフィにより第１層ドープトアモルファスシリコン膜３ａをパターニングし、下層側に位置する第１の電極を形成し、この第１の電極表面を熱酸化することにより膜厚１５ｎｍの酸化シリコン膜４を形成する。このパターニングに際してはＨＢｒとＯ２との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行い、第１の電極および周辺回路の配線を形成する。ここではＥＣＲあるいはＩＣＰなどのエッチング装置を用いるのが望ましい。
【００３７】
そしてこの上層に同様にしてＰＨ３とＮ２とを添加したＳｉＨ４を反応性ガスとして用いた減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．４μｍのリンドープの第２層ドープトアモルファスシリコン膜３ｂを形成し、フォトリソグラフィによりパターニングし第２の電極を形成する。そして、更にこの上層に減圧ＣＶＤ法により膜厚５０ｎｍの窒化シリコン膜５を形成する（図３（ａ））。
【００３８】
そしてこの上層にスパッタリング法により窒化チタン（ＴｉＮ）層とＷ（タングステン）とからなる遮光層７１を形成する（図３（ｂ））。
【００３９】
続いて、この上層に反射防止層としての窒化シリコン膜７２をプラズマＣＶＤ法により形成する。そしてこの上層にポジレジストを厚さ０．５〜１．４μｍとなるように塗布し、フォトリソグラフィにより所望のマスクを用いて露光し、現像、水洗を行い、レジストパターンＲ１を形成する（図３（ｃ））。ここでは反射防止層として窒化シリコン膜を用いたが、遮光性膜加工用のレジストパターン形成露光波長にあった無機反射防止膜を所望の厚さとなるように成膜して使用すればよい。
【００４０】
そしてこのレジストパターンＲ１をマスクとして、反射防止層７２および遮光層７１をパターニングする（図３（ｄ））。
【００４１】
次に、アッシングによりレジストパターンＲ１を除去し（図４（ａ））、遮光性膜（反射防止層７２および遮光層７１）のパターンを得る。
【００４２】
そして、図４（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法によりボロンリン拡散防止膜としてノンドープの酸化シリコン膜（図示せず）を成膜し、この後平坦化膜７３としてのＢＰＳＧ膜を常圧ＣＶＤ法により形成する。
そして、８５０℃３０分の熱処理により平坦化膜７３を流動化させ平坦化を行なった後、さらにレジストエッチバックにより、図４（ｃ）に示すように、表面の平坦化を行なう。
【００４３】
さらにこの上層に窒化シリコンからなるパッシベーション膜７４を形成する。
この後、カラーフィルタ５０、マイクロレンズ６０などを形成して、図１および図２に示したような固体撮像素子を得る。
【００４４】
この固体撮像素子によれば、電荷転送電極表面と平坦化膜の表面がほぼ同レベルとなるように構成しており、縦方向シュリンクにより受光面に対する許容光入射角が広くなり高感度化を図ることができる。
【００４５】
また、電荷転送部が遮光性膜で被覆されており、受光部が高精度に規定されるため、入射角に対する許容マージンを高めることができる。
この方法によれば、遮光性膜のパターニングに際し、ＴｉＮとＷの２層膜で構成された遮光層７１の表面に反射防止層としての窒化シリコンで被覆した状態でフォトリソグラフィが実施されるため、ハレーションによるパターン精度の劣化もない。
ここで遮光層７１の表面に反射防止層を形成した時の反射率と波長との関係を測定した結果を図７に直線で示す。なお、反射防止層を形成しない場合の反射率を点線で示す。
【００４６】
このようにして、ハレーションによるパターン精度の劣化もなく、光電変換部を囲むように遮光性膜がパターン精度よく形成され、スミア特性に悪影響を及ぼすことなく、高感度で信頼性の高い固体撮像素子を実現することができる。
【００４７】
また、反射防止層としての窒化シリコン膜は平坦化のためのレジストエッチバック工程において終点検知に有効であるため、膜減りを防止することができる。これはＣＭＰによる平坦化においても有効である場合もある。
なお反射防止層としてはＣＶＤ法で形成した、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜の他、プラズマ窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、酸窒化シリコ（ＳｉＯＮ）膜など、平坦化膜であるＢＰＳＧ膜に対してエッチングあるいは研磨選択性のある材料であればよい。また、この終点検知に遮光層を用いるような条件選択をしてもよい。この場合、反射防止層はエッチング除去されてしまう可能性があるが、遮光層がエッチング選択性をもつことにより、過研磨による膜減りを防止することができる。
さらにまた、平坦化膜としてはＢＰＳＧ膜に限定されることなくＰＳＧ膜などでもよい。
なお前記実施の形態では、平坦化膜としてＢＰＳＧを用いたが、ＳＯＧ膜、ＳＯＤ膜を用いてもよい。
また、この平坦化膜７３として前記遮光層７１の表面よりも高屈折率を有する材料を用いることにより、さらに集光性を高めることができる。
【００４８】
（第２の実施の形態）
前記第１の実施の形態では平坦化膜としてＢＰＳＧ膜を用いたが、本発明の第２の実施の形態としては、図５に示すように、平坦化膜７３としてＢＰＳＧ膜を用い、これをリフローすることによって平坦化し、ＣＭＰ処理した後、光電変換部に所望のレジストパターンを形成し等方性エッチング処理を行なうことで、制御性よく凸レンズ面を形成することができる。
その他については前記第１の実施の形態と同様に構成する。
【００４９】
（第３の実施の形態）
前記第１および第２の実施の形態では、複数電極構造の電荷転送電極をもつ固体撮像素子について説明したが、本実施の形態では単層電極構造の電荷転送電極をもつ固体撮像素子についても適用可能である。
図６に単層電極構造の電荷転送電極をもつ固体撮像素子を示す。第２層ドープトアモルファスシリコン３ｂをＣＭＰにより平坦化して、第１層ドープトアモルファスシリコン３ａと並置される構成している点が異なるのみで他は第１の実施の形態と同様である。
本実施の形態では、第２層シリコン系導電性膜をＣＭＰにより平坦化して、単層電極構造の電荷転送電極を形成している。他の部分については前記第１および第２の実施の形態と同様である。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
以上説明してきたように、本発明によれば、層間絶縁膜を電荷転送部の表面を覆う遮光性膜のレベルよりも高くならないようにしているため、縦方向のシュリンクをはかることができ光入射角に対するマージンを減少することができるため、小型カメラなど、微細でかつ高感度の固体撮像装置の形成に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子を示す上面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の固体撮像素子を示す図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態の固体撮像素子を示す図である。
【図７】本発明および従来例の遮光層のフォトリソグラフィに際し、露光波長と反射率との関係し測定した結果を示す図である。
【図８】従来例の固体撮像素子を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  シリコン基板
２  ゲート酸化膜
３ａ  第１の電極（第１層ドープトアモルファスシリコン膜）
３ｂ  第２の電極（第２層ドープトアモルファスシリコン膜）
４  酸化シリコン膜
５  窒化シリコン膜
３０  フォトダイオード部
４０  電荷転送部
５０  カラーフィルタ
６０  マイクロレンズ
７０  絶縁膜
７１  遮光層
７２  反射防止層
７３  平坦化膜
７４  パッシベーション膜
【図１】
2005322833.tif 000003
【図２】
2005322833.tif 000004
【図３】
2005322833.tif 000005
【図４】
2005322833.tif 000006
【図５】
2005322833.tif 000007
【図６】
2005322833.tif 000008
【図７】
2005322833.tif 000009
【図８】
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