(57)【要約】【課題】  光コンポーネントおよびパッケージ用の一体型ファイバ取り付けパッドを提供すること。【解決手段】  光コンポーネントのハウジングは、実質的に平面のファイバマウント領域と、実質的に平面のファイバマウント領域に隣接する光コンポーネントマウント領域とを有する基板を備える。基板は、酸化アルミニウムセラミック、ニッケル−コバルト合金、窒化アルミニウムセラミック、または、シリコンカーバイドセラミックからなる群より選択される。実質的に平面のファイバマウント領域上に形成され、かつ、金属ハンダで接合するように構成される。【特許請求の範囲】
【請求項１】
光コンポーネントのハウジングであって、実質的に平面のファイバマウント領域と、該実質的に平面のファイバマウント領域に隣接する光コンポーネントマウント領域とを有する基板を備える、光コンポーネントのハウジング。
【請求項２】
前記基板は、酸化アルミニウムセラミック、ニッケル−コバルト合金、窒化アルミニウムセラミック、または、シリコンカーバイドセラミックからなる群より選択される、請求項１に記載の光コンポーネントのハウジング。
【請求項３】
前記実質的に平面のファイバマウント領域上に形成され、かつ、金属ハンダで接合するように構成される金属マウントパッドをさらに備える、請求項１に記載の光コンポーネントのハウジング。
【請求項４】
前記金属ハンダによって、前記金属マウントパッドに結合されたメタライズ光ファイバをさらに備える、請求項３に記載の光コンポーネントのハウジング。
【請求項５】
前記実質的に平面のファイバマウント領域上に形成され、かつ、ガラスハンダで接合するように構成されるファイバマウントパッドをさらに備える、請求項１に記載の光コンポーネントのハウジング。
【請求項６】
前記ガラスハンダによって、前記ファイバマウントパッドに結合されたむき出しの光ファイバをさらに備える、請求項５に記載の光コンポーネントのハウジング。
【請求項７】
光コンポーネントのハウジングであって、内部に形成された光コンポーネントマウントアパーチャと、基板上、および、該光コンポーネントマウントアパーチャと隣接して形成される、実質的に平面のファイバマウント領域とを備える、光コンポーネントのハウジング。
【請求項８】
前記光コンポーネントマウントアパーチャによって規定された領域内に配置される光コンポーネントをさらに備える、請求項７に記載の光コンポーネントのハウジング。
【請求項９】
前記実質的に平面のファイバマウント領域上に形成され、かつ、金属ハンダで接合するように構成される金属マウントパッドをさらに備える、請求項８に記載の光コンポーネントのハウジング。
【請求項１０】
前記金属ハンダによって前記金属マウントパッドに結合されたメタライズ光ファイバをさらに備え、該ファイバと前記光コンポーネントとを光学的に結合する、請求項９に記載の光コンポーネントのハウジング。
【請求項１１】
前記実質的に平面のファイバマウント領域上に形成され、かつ、ガラスハンダで接合するように構成されるファイバマウントパッドをさらに備える、請求項８に記載の光コンポーネントのハウジング。
【請求項１２】
前記ガラスハンダによって前記ファイバマウントパッドに結合されるむき出しの光ファイバをさらに備え、該ファイバと該光コンポーネントとを光学的に結合する、請求項１１に記載の光コンポーネントのハウジング。
【請求項１３】
ファイバ結合型光コンポーネントは、
第１の導電型の半導体から形成され、かつ、光コンポーネント領域、および該光コンポーネント領域に隣接する実質的に平面のファイバマウント領域を有する基板と、
該光コンポーネント領域上の該基板上に形成されたバルクゲイン材料および量子井戸構造からなる群より選択される活性層と、
該基板とは異なる第２の導電型の半導体層であって、活性層上に形成される、半導体層と、
該半導体層上に形成される高い伝導率の材料の電極層と、
該活性層から放射された光線を提供するために、該活性層の表面上に形成された光出力カップラと
を備える、ファイバ結合型光コンポーネント。
【請求項１４】
前記実質的に平面のファイバマウント領域上に形成され、かつ、金属ハンダで接合するように構成される金属マウントパッドをさらに備える、請求項１３に記載のファイバ結合型光コンポーネント。
【請求項１５】
前記金属ハンダによって前記金属マウントパッドに結合されたメタライズ光ファイバをさらに備え、該ファイバと該光出力カップラとを光学的に結合する、請求項１４に記載のファイバ結合型光コンポーネント。
【請求項１６】
前記実質的に平面のファイバマウント領域上に形成され、かつ、ガラスハンダで接合するように構成されたファイバマウントパッドをさらに備える、請求項１３に記載のファイバ結合型光コンポーネント。
【請求項１７】
前記ガラスハンダによって前記ファイバマウントパッドに結合されるむき出しの光ファイバをさらに備え、該ファイバと前記光出力カップラとを光学的に結合する、請求項１６に記載のファイバ結合型コンポーネント。
【請求項１８】
ファイバ結合型光コンポーネントを形成する方法であって、
ａ）セラミック基板を形成するステップと、
ｂ）該基板の表面に光コンポーネントマウント可能アパーチャを形成するステップと、
ｃ）該セラミック基板の表面上および該光コンポーネントマウント可能アパーチャに隣接して実質的に平面のファイバマウント領域を形成するステップと、
ｄ）該光コンポーネントマウント可能アパーチャ内に光コンポーネントを配置するステップと
を包含する、方法。
【請求項１９】
ｅ）前記実質的に平面のファイバマウント領域上に金属マウントパッドを形成し、かつ、金属ハンダで接合するように該マウントパッドを構成するステップと、
ｆ）該金属ハンダによって、メタライズ光ファイバを該金属マウントパッドに固定して、該ファイバと該光コンポーネントとを光学的に結合する、ステップと
を包含する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
ｅ）前記実質的に平面のファイバマウント領域上にファイバマウントパッドを形成し、かつ、該マウントパッドをガラスハンダで接合するように構成するステップと、
ｆ）該ガラスハンダによって、むき出しの光ファイバを該ファイバマウントに固定して、該ファイバと該光コンポーネントとを光学的に結合するステップと
をさらに包含する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
ファイバ結合型光コンポーネントを形成する方法であって、
ａ）第１の導電型のＩＩＩ−Ｖ属の半導体から基板を形成するステップと、
ｂ）バルクゲイン材料および量子井戸構造からなる群より選択される活性層を形成するステップであって、該活性層は、該基板の一部分の上に形成される、ステップと、
ｃ）該基板とは異なった第２の導電型のＩＩＩ／Ｖ属の材料からの該活性層上に半導体層を形成するステップと、
ｄ）高い伝導率の材料からの該半導体層上に電極層を形成するステップと、
ｅ）該活性層の面に実質的に反射防止光出力カップラを形成するステップと、
ｆ）該基板の表面上、および該光出力カップラに隣接して、実質的に平面のファイバマウント領域を形成するステップと
を包含する、方法。
【請求項２２】
ｇ）前記実質的に平面のファイバマウント領域上に金属マウントパッドを形成し、かつ、該マウントパッドを金属ハンダで接合するように構成するステップと、
ｈ）該金属ハンダによって、メタライズ光ファイバを前記金属マウントパッドに固定して、該ファイバと前記光出力カップラとを光学的に結合する、ステップと
を包含する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
ｇ）前記実質的に平面のファイバマウント領域上にファイバマウントパッドを形成し、かつ、該マウントパッドをガラスハンダで接合するように構成する、ステップと、
ｈ）該ガラスハンダによって、むき出しの光ファイバを該ファイバマウントパッドに固定して、該ファイバと該光出力カップラとを光学的に結合する、ステップと
をさらに包含する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
光コンポーネントのハウジングであって、
高い熱伝導率のベースと、
内部に実質的に平面のファイバマウント領域を有し、かつ、該ベースと同じレベルの表面を有する該高い熱伝導率のベースと隣接する、低い熱伝導率の基板と、
アパーチャに隣接する該ベース上にマウントされたパッケージングされない光コンポーネントであって、該コンポーネントは、電極として利用されようにメタライゼーションされた上面を有する、パッケージングされない光コンポーネントと
を備える、光コンポーネント。
【請求項２５】
前記実質的に平面のファイバマウント領域上に形成されたメタライズファイバマウントパッドと、金属ハンダで該ファイバマウントパッドにマウントされた、メタラーゼーションされた光ファイバとをさらに備える、請求項２４に記載の光コンポーネントのハウジング。
【請求項２６】
前記実質的に平面のファイバマウント領域上に形成され、かつ、ガラスハンダで接合するように構成されたファイバマウントパッドをさらに備え、むき出しの光ファイバがガラスハンダでファイバマウントパッドにマウントされる、請求項２４に記載の光コンポーネントのハウジング。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（技術分野）
本発明は、概して、ファイバ結合型光コンポーネントに関し、より具体的には、光コンポーネントおよびパッケージ用の一体型ファイバ取り付けパッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
（発明の背景）
任意の光学系における個々のコンポーネントの正確な相互アライメントを達成することの重要性は周知である。最近の光通信システムにおいて用いられるコンポーネントの小型化は、このようなアライメントを達成および維持することの両方を困難にしている。例えば、レーザ投光機の構造における１つの問題は、レーザダイオードからの光出力信号を光ファイバに効率的に結合することである。効率的な結合を取得するために、レーザは、光ファイバの受け取り領域と正確にアライメントされることが好ましい。このようなアライメントが達成された場合、レーザは、理想的には、アライメントがデバイスの耐用期間全体を通じて維持されることを保証する方法によって所定の位置に固定される。
【０００３】
通常、ファイバ結合型ダイオードレーザは、金メッキされた金属パッケージにパッケージングされ、ファイバは、エポキシ、レーザ溶接、または、ハンダによる取り付け技術を用いて、レーザとアライメントされた状態で保たれる。エポキシによる取り付けは低コストであるが、経年変化および温度サイクルからガスの放出およびアライメントのずれが生じるので、長期的には信頼性が低い。レーザ溶接技術は信頼できるが、ファイバの補強（Ｆｅｒｒｕｌｉｚａｔｉｏｎ)にコストがかかり、特に、マウントまたはクリップが補強（ｆｅｒｒｕｌｉｚｅ）されたファイバを溶接で取り付けることができるように設計されている。他方、ハンダによる取り付け技術は、信頼性があり、かつ低コストであるため当該技術において普及している。
【０００４】
ファイバがハンダ付けされる取り付け点は、有効に機能するように、特定の材料特性を有することが望ましい。取り付け点のための許容可能な材料は、パッケージが加熱されてもファイバのアライメントが維持される、低い熱伝導率（例えば、５０Ｗ／ｍ−Ｋ未満）および熱膨張係数（ＴＥＣ）を有することが望ましい。所望される厳密な熱膨張特性は、レーザが取り付けられる材料、ファイバマウントおよびレーザサブマウントのそれぞれの厚さ、および／または動作中に予測される温度プロファイルに依存し得る。ファイバマウント材料は、さらに、ハンダ付けされてもよいし、ハンダ付け可能な材料でメッキされてもよい。ハンダ付けプロセスの間、ファイバマウントは、温度勾配および材料の相違に基づいて膨張が異なるために著しい応力を被り得る。従って、ファイバマウントは、破損を回避するために、大きい引張り強度（例えば、２５ｋｐｓｉよりも大きい）を有することが望ましい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
現在、ファイバ結合型レーザパッケージは、ファイバおよびレーザ用の別個のマウントコンポーネントを備え、主に、パッケージボディに入れるファイバのスナウトフィードスルー（ｓｎｏｕｔ  ｆｅｅｄｔｈｒｏｕｇｈ）を有する。このフィードスルーは、アセンブリプロセスにおける任意のポイントでファイバを通すことを必要とし、これは、ファイバをパッケージ上の側管を通じて供給することが、標準的な自動製造機器で実現することが困難であり得るために製造を複雑にし得る。関連したフィードスルーステップは、光ファイバを水平にスレッディングすることを含むので、自動化することが困難であり、ファイバの破損と関連した歩留まりの問題を引き起こす。
【０００６】
ファイバ結合型レーザパッケージの製造中、カメラおよびマシンビジョンを用いて光ファイバとレーザとのアライメントをモニタリングすることも望ましい。好ましいビューは、プロセスの頭上ビューおよびサイドビューを含み得る。しかしながら、現在用いられているパッケージの多くにおいては、オートメーションモニタリングが複雑なるので、ファイバとレーザとのアライメント領域のサイドビューを取得することは困難である。
【０００７】
スナウトフィードスルーの問題およびファイバとレーザとのアライメント領域の所望のサイドビューの欠如に加えて、現在のパッケージは、ファイバ用の別個のマウントを用い、さらに、レーザ用の別個のマウントを用い得る。これにより、各マウントのＴＥＣをベース材料に所望のように整合させることが複雑になり得、ベース材料への各マウントを取得および固定する際に余分な製造部品およびステップをさらに導入する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（発明の要旨）
本発明は、実質的に平面のファイバマウント領域と、この実質的に平面のファイバマウント領域に隣接した光コンポーネントマウント領域とを有する基板を備えるファイバ結合型光コンポーネントのハウジングで具現化される。
【０００９】
この光コンポーネントのハウジングは、実質的に平面のファイバマウント領域にわたって形成され、かつ、金属製ハンダプリフォームに接合するように構成された金属マウントパッドを備え得、この金属製ハンダプリフォームによって金属マウントパッドに結合されたメタライズ光ファイバをさらに備え得る。
【００１０】
これに代わる実施形態において、光コンポーネントのハウジングは、実質的に平面のファイバマウント領域にわたって形成され、かつ、ガラスハンダプリフォームに接合するように構成されたファイバマウントパッドを備え得、このガラスハンダプリフォームによってファイバマウントパッドに結合されたむき出しの光ファイバをさらに備え得る。
【００１１】
本発明のさらなる実施形態において、光コンポーネントは、光コンポーネントおよび光ファイバを光学的に結合するために、光コンポーネントマウント領域によって規定された領域内に配置または形成され得る。
【００１２】
上述の一般的記載および以下の詳細な記載の両方ともが本発明を例示するにすぎず、限定的でないことが理解されるべきである。
【００１３】
本発明は、添付の図面とともに読まれた場合に、以下の詳細な説明から最もよく理解される。一般的なならわしにより、図面の種々の特徴は、縮尺どおりではないことが強調される。逆に、明瞭化のために、種々の特徴の寸法は、任意に拡大または縮小される。
【００１４】
本発明の光コンポーネントのハウジングは、実質的に平面のファイバマウント領域と、該実質的に平面のファイバマウント領域に隣接する光コンポーネントマウント領域とを有する基板を備え、それにより上記目的が達成される。
【００１５】
前記基板は、酸化アルミニウムセラミック、ニッケル−コバルト合金、窒化アルミニウムセラミック、または、シリコンカーバイドセラミックからなる群より選択されてもよい。
【００１６】
前記実質的に平面のファイバマウント領域上に形成され、かつ、金属ハンダで接合するように構成される金属マウントパッドをさらに備えてもよい。
【００１７】
前記金属ハンダによって、前記金属マウントパッドに結合されたメタライズ光ファイバをさらに備えてもよい。
【００１８】
前記実質的に平面のファイバマウント領域上に形成され、かつ、ガラスハンダで接合するように構成されるファイバマウントパッドをさらに備えてもよい。
【００１９】
前記ガラスハンダによって、前記ファイバマウントパッドに結合されたむき出しの光ファイバをさらに備えてもよい。
【００２０】
本発明の光コンポーネントのハウジングは、内部に形成された光コンポーネントマウントアパーチャと、基板上、および、該光コンポーネントマウントアパーチャと隣接して形成される、実質的に平面のファイバマウント領域とを備え、それにより上記目的が達成される。
【００２１】
前記光コンポーネントマウントアパーチャによって規定された領域内に配置される光コンポーネントをさらに備えてもよい。
【００２２】
前記実質的に平面のファイバマウント領域上に形成され、かつ、金属ハンダで接合するように構成される金属マウントパッドをさらに備えてもよい。
【００２３】
前記金属ハンダによって前記金属マウントパッドに結合されたメタライズ光ファイバをさらに備え、該ファイバと前記光コンポーネントとを光学的に結合してもよい。
【００２４】
前記実質的に平面のファイバマウント領域上に形成され、かつ、ガラスハンダで接合するように構成されるファイバマウントパッドをさらに備えてもよい。
【００２５】
前記ガラスハンダによって前記ファイバマウントパッドに結合されるむき出しの光ファイバをさらに備え、該ファイバと該光コンポーネントとを光学的に結合してもよい。
【００２６】
本発明のファイバ結合型光コンポーネントは、第１の導電型の半導体から形成され、かつ、光コンポーネント領域、および該光コンポーネント領域に隣接する実質的に平面のファイバマウント領域を有する基板と、該光コンポーネント領域上の該基板上に形成されたバルクゲイン材料および量子井戸構造からなる群より選択される活性層と、該基板とは異なる第２の導電型の半導体層であって、活性層上に形成される、半導体層と、該半導体層上に形成される高い伝導率の材料の電極層と、該活性層から放射された光線を提供するために、該活性層の表面上に形成された光出力カップラとを備え、それにより上記目的が達成される。
【００２７】
前記実質的に平面のファイバマウント領域上に形成され、かつ、金属ハンダで接合するように構成される金属マウントパッドをさらに備えてもよい。
【００２８】
前記金属ハンダによって前記金属マウントパッドに結合されたメタライズ光ファイバをさらに備え、該ファイバと該光出力カップラとを光学的に結合してもよい。
【００２９】
前記実質的に平面のファイバマウント領域上に形成され、かつ、ガラスハンダで接合するように構成されたファイバマウントパッドをさらに備えてもよい。
【００３０】
前記ガラスハンダによって前記ファイバマウントパッドに結合されるむき出しの光ファイバをさらに備え、該ファイバと前記光出力カップラとを光学的に結合してもよい。
【００３１】
本発明のファイバ結合型光コンポーネントを形成する方法は、ａ）セラミック基板を形成するステップと、ｂ）該基板の表面に光コンポーネントマウント可能アパーチャを形成するステップと、ｃ）該セラミック基板の表面上および該光コンポーネントマウント可能アパーチャに隣接して実質的に平面のファイバマウント領域を形成するステップと、ｄ）該光コンポーネントマウント可能アパーチャ内に光コンポーネントを配置するステップとを包含し、それにより上記目的が達成される。
【００３２】
ｅ）前記実質的に平面のファイバマウント領域上に金属マウントパッドを形成し、かつ、金属ハンダで接合するように該マウントパッドを構成するステップと、ｆ）該金属ハンダによって、メタライズ光ファイバを該金属マウントパッドに固定して、該ファイバと該光コンポーネントとを光学的に結合する、ステップとを包含してもよい。
【００３３】
ｅ）前記実質的に平面のファイバマウント領域上にファイバマウントパッドを形成し、かつ、該マウントパッドをガラスハンダで接合するように構成するステップと、ｆ）該ガラスハンダによって、むき出しの光ファイバを該ファイバマウントに固定して、該ファイバと該光コンポーネントとを光学的に結合するステップとをさらに包含してもよい。
【００３４】
本発明のファイバ結合型光コンポーネントを形成する方法であって、ａ）第１の導電型のＩＩＩ−Ｖ属の半導体から基板を形成するステップと、ｂ）バルクゲイン材料および量子井戸構造からなる群より選択される活性層を形成するステップであって、該活性層は、該基板の一部分の上に形成される、ステップと、ｃ）該基板とは異なった第２の導電型のＩＩＩ／Ｖ属の材料からの該活性層上に半導体層を形成するステップと、ｄ）高い伝導率の材料からの該半導体層上に電極層を形成するステップと、ｅ）該活性層の面に実質的に反射防止光出力カップラを形成するステップと、ｆ）該基板の表面上、および該光出力カップラに隣接して、実質的に平面のファイバマウント領域を形成するステップとを包含し、それにより上記目的が達成される。
【００３５】
ｇ）前記実質的に平面のファイバマウント領域上に金属マウントパッドを形成し、かつ、該マウントパッドを金属ハンダで接合するように構成するステップと、ｈ）該金属ハンダによって、メタライズ光ファイバを前記金属マウントパッドに固定して、該ファイバと前記光出力カップラとを光学的に結合する、ステップとを包含し、それにより上記目的が達成される。
【００３６】
ｇ）前記実質的に平面のファイバマウント領域上にファイバマウントパッドを形成し、かつ、該マウントパッドをガラスハンダで接合するように構成する、ステップと、ｈ）該ガラスハンダによって、むき出しの光ファイバを該ファイバマウントパッドに固定して、該ファイバと該光出力カップラとを光学的に結合する、ステップとをさらに包含してもよい。
【００３７】
本発明の光コンポーネントのハウジングは、高い熱伝導率のベースと、内部に実質的に平面のファイバマウント領域を有し、かつ、該ベースと同じレベルの表面を有する該高い熱伝導率のベースと隣接する、低い熱伝導率の基板と、アパーチャに隣接する該ベース上にマウントされたパッケージングされない光コンポーネントであって、該コンポーネントは、電極として利用されようにメタライゼーションされた上面を有する、パッケージングされない光コンポーネントとを備え、それにより上記目的が達成される。
【００３８】
前記実質的に平面のファイバマウント領域上に形成されたメタライズファイバマウントパッドと、金属ハンダで該ファイバマウントパッドにマウントされた、メタラーゼーションされた光ファイバとをさらに備えてもよい。
【００３９】
前記実質的に平面のファイバマウント領域上に形成され、かつ、ガラスハンダで接合するように構成されたファイバマウントパッドをさらに備え、むき出しの光ファイバがガラスハンダでファイバマウントパッドにマウントされてもよい。
【発明の効果】
【００４０】
ファイバ結合型光コンポーネントおよびハウジングは、実質的に平面のファイバマウント領域、およびこのファイバマウント領域に隣接する光コンポーネントマウント領域を有する基板を備える。光コンポーネントは、光コンポーネントマウント領域によって規定された領域内に配置または形成され、光コンポーネントと光ファイバとを所望のように光学的に結合し得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
（発明の詳細な説明）
ここで、同じ参照符号が種々の図面全体を通じて同じ素子を示す図面を参照して、図１Ａは、従来技術による、パッケージ１００を示し、図１Ｂは、パッケージ１００の一部分をクローズアップする。
【００４２】
従来技術のパッケージ１００は、スナウトフィードスルー１０１に挿入され、ハンダでファイバマウント１０２に取り付けられた光ファイバ１１４を備える。光ファイバ１１４は、さらに、光コンポーネント１１１（たとえば、半導体レーザ）と光学的に結合される。光ファイバ１１４が、光コンポーネント１１１とは別個のファイバマウント１０２にマウントされ、かつ、ファイバ１１４が光コンポーネント１１１とアライメントおよび結合されるべき領域に関する利用可能なサイドビューが欠如し得ることがわかり得る。さらに、ファイバ１１４がスナウトフィードスルー１０１を通るように挿入することは、非垂直方向の製造プロセスを必要とし、これは、製造プロセスを複雑にして、歩留まりの問題を引き起こし得る。
【００４３】
図２は、高い熱伝導率（例えば、１３０Ｗ／ｍ−Ｋ）のベース２００を有し、ファイバ結合型光コンポーネントのハウジング２１０がベース２００上にマウントされた基本パッケージとして本発明の例示的実施形態を示す。ハウジング２１０は、標準的サブマウントパッケージ内のレーザか、または、パッケージングされない半導体レーザ（図２に図示せず）等の光コンポーネントが結合され得る光コンポーネントマウント２１１を規定する。ハウジング２１０は、光ファイバ（図２に図示せず）が結合され得るファイバマウント可能パッド３１３、および電気リード２０３が、動作電力をパッケージに供給するために結合され得る電気的接触３０３をさらに備え得る。ハウジング２１０は、パッケージのふた（図２に図示せず）が結合されるシールリング３１４をさらに備え得る。
【００４４】
図３Ａは、本発明の例示的実施形態の側面図を示し、ハウジング下部層３００およびハウジング上部層３１０を備え、電気リード２０３がハウジング下部層３００に結合されたハウジング２１０を示す。
【００４５】
図３Ｂは、ベース２００よりも低い熱伝導率（例えば、２０Ｗ／ｍ−Ｋ）を有し得る上部層３１０の例示的実施形態を示す。上部層３１０は、シールリング３１４と、ファイバマウント可能パッド３１３と、上部層アパーチャ３１１とが上に形成され得る上部層基板３１５を備える。
【００４６】
本発明のある実施形態において、シールリング３１４およびファイバマウント可能パッド３１３は、耐熱材料（例えば、タングステン）から形成され、ニッケル、その後、金でメッキされ、ここで、メタライゼーション３１６の選択的薄型ストリップが所望のように形成されて、シールリング３１４およびファイバマウント可能パッド３１３を電気的に結合し、これにより、これらのすべてが単一ステップで電気メッキされ得る。
【００４７】
図３Ｃは、さらに、ベース２００よりも低い熱伝導率（例えば、２０Ｗ／ｍ−Ｋ）を有し得る下部層３００の例示的実施形態を示す。下部層３００は、電気的接触３０３と下部層アパーチャ３０１とが上に形成され得る下部層基板３０５を備える。電気的接触３０３は、好ましくは、耐熱材料（例えば、タングステン）から形成され、ニッケル、その後、金でメッキされ得る。
【００４８】
本発明のある実施形態において、上部層３１０上の１つ以上のシールリング３１４、ファイバマウント可能パッド３１３、およびメタライゼーション３１６をベース２００に結合するために、１つ以上のベース接続ビア３０６が形成され得、従って、パッケージ全体が最小の接続（ベース２００への１つの接続、および、電気リード２０３への別の接続）で電気メッキされ得る。ベース接続ビア３０６は、さらに、ベース２００への非常に小さい熱経路を提供し、デバイスの動作中に熱を散逸させ得る。図３Ｃにより示される例示的実施形態において、２つのベース接続ビア３０６を供える下部層３００が示される。しかしながら、本発明の他の実施形態は、必要に応じて、任意の数のビアを備え得ることが理解される。
【００４９】
例示的実施形態において、高い熱伝導率のベース２００は、好ましくは、銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）から形成され、基板３０５および３１５は、アルミニウム酸化物（アルミナ）から形成され得るが、これは、これらの材料が所望の熱膨張係数（ＴＥＣ）の適合性を有するからである。さらに、電気リード２０３は、ニッケル−コバルト−鉄の合金（例えば、Ｋｏｖａｒ、ＡＳＴＭ合金Ｆ１５）から形成され得る。
【００５０】
さらに、ハウジング上部層３１０およびハウジング下部層３００は、高温同時焼結セラミック（ＨＴＣＣ）プロセスを通じてハウジング２１０を形成するために、好ましくは、結合され得、ハウジング２１０およびベース２００は、好ましくは、銀−銅ろうでロウ付けすることによって結合され得る。電気リード２０３もまた、好ましくは、銀−銅ろうでロウ付けされることによって電気的接触３０３に結合され得る。さらに、上部層アパーチャ３１１および下部層アパーチャ３０１の組み合わせは、光コンポーネントマウント２１１を規定する。
【００５１】
図４は、光コンポーネント４００（例えば、半導体レーザ）および光ファイバ４１０がインストールされた例示的パッケージを示す。光コンポーネント４００は、光コンポーネントマウント２１１を通じてベース２００上にマウントされ、さらに、ワイヤボンディング４０１で対応する電気的接触３０３に電気的に結合される。さらに、光コンポーネント４００は、インジウム合金ハンダ（例えば、ＩｎＰｂ）から形成され得るサブマウントプリフォーム５０１（図４に図示せず）を有する光コンポーネントマウント可能アパーチャ２１１によって規定された領域内でベース２００に結合され得る。さらに、光ファイバ４１０は、光コンポーネント４００に光学的に結合されるようにアライメントされ、その後、ファイバハンダプリフォーム４１１でファイバマウント可能パッド３１３に固定される。
【００５２】
例示的実施形態において、ワイヤボンディング４０１が金から形成され得、光ファイバ４１０は、好ましくは、金−ニッケル−金でメタライゼーションされ、これにより、金―スズハンダから形成されるファイバハンダプリフォーム４１１と適合し得る。これに代わる実施形態において、光ファイバ４１０は、非メタライズであり得、ファイバハンダプリフォーム４１１は、その後、ガラスハンダから形成され得る。このような代替的実施形態において、ファイバマウント可能パッド３１３は必要とされ得ず、光ファイバ４１０は、ガラスハンダから形成されたファイバハンダプリフォーム４１１でハウジング２１０に直接固定され得る。
【００５３】
さらに、光ファイバ４１０は、好ましくは、アライメントプロセスによって光コンポーネントに光学的に結合され得る：１）上部および側方からのカメラビューを利用する光ビジョンカメラを用いて粗く配置し、２）光コンポーネントを起動し、３）ファイバを３軸方向に正確に移動し、これにより、ファイバ出力インターフェースにおける光コンポーネントからの出力信号は所望の値になる。通常、光ファイバ４１０と光コンポーネント４００との間が５〜１０ミクロン分離する。
【００５４】
図５は、例示的実施形態のさらなるコンポーネントを別個にともなう分解組立て斜視図を示す。ファイバ結合型光コンポーネントパッケージを製造する例示的方法は、ハウジング２１０をベース２００に結合するステップと、電気リード２０３をハウジング２１０に結合するステップと、光コンポーネント４００をサブマウントプリフォーム５０１でハウジング２１０に結合するステップと、光ファイバ４１０を光ファイバプリフォーム４１１でハウジング２１０に結合するステップと、光ファイバ４１０をファイバシール５０３でハウジング２１０およびパッケージのふた５４０にさらに結合するステップと、パッケージのふたをふたシールプリフォーム５０２でハウジング２１０に結合するステップとを包含する。方法は、好ましくは、光学シール剤５０５を付与して、光ファイバ４１０と、ハウジング２１０と、ベース２００と、パッケージのふた５４０との間のギャップを充填するステップをさらに包含し得る。
【００５５】
ある例示的実施形態において、パッケージのふた５４０は、コバールおよびファイバシール５０３から形成され得、ふたシールプリフォーム５０２は、サブマウントプリフォーム５０１のものよりも低い融点を有するインジウム合金ハンダ（例えば、ＩｎＳｎ）から形成され得る。これに代わる実施形態において、ファイバシール５０３およびふたシールプリフォーム５０２は、エポキシから形成され得る。さらに、光学シール剤５０５は、エポキシ、シリコン、またはハンダであり得る。
【００５６】
図６は、ベース２００、ベース２００上にマウントされたハウジング２１０、ハウジング２１０に結合されたリード２０３、ハウジング２１０に結合されたファイバ４１０、ハウジング２１０の上に取り付けられたパッケージのふた５４０、およびベース２００の一部分の上のファイバ開口部５４４（図６に図示せず）におけるファイバ４１０に付与される光学シール剤５０５を有するアセンブルされたパッケージを示す。光学シール剤５０５は、好ましくは、ファイバ４１０と、ベース２００と、ハウジング２１０と、ふた５４０との間のギャップを充填するように付与される。
【００５７】
図７は、本発明の例示的実施形態の製造のいくつかの例示的方法を示すフローチャートである。例示的代替的方法は、フローチャートにおいて決定ブロックを用いて示される。現在のアセンブリ方法は、それぞれの経路の１つを用い、決定ブロックがない。
【００５８】
ステップ７０１において、上部層および下部層アパーチャは、アルミナ製グリーンテープにパンチングされ、その後、その上部および下部層基板は、グリーンテープからパンチングされ、各々がそれぞれのアパーチャを備える。次に、ステップ７０２において、光コンポーネントマウント可能アパーチャを含むファイバ結合型光コンポーネントハウジングは、上部層基板と下部層基板とを結合することによって形成される。一般に、ハウジングは、任意の数の基板層を備え得ることが理解される。動作パワーを受取るための電気コンタクトメタライゼーションは、其の後、ステップ７０３において、下部層基板上に形成され得る。代替的実施形態において、ステップ７０３は、ステップ７０２の前に実行される。本発明の例示的実施形態において、電気的接触メタライゼーションは、タングステンインクを用いて形成される。コンタクトメタライゼーションが下部層基板上に形成された後、上部層基板および下部層基板は、例えば、高温同時焼結セラミック（ＨＴＣＣ）プロセスを用いて積層化および加熱されてハウジングを形成する。この時点で、ステップ７０３ａにおける高い熱伝導率の基板に結合され得る。この時点で、ハウジングは、例えば、ロウ付けによってステップ７０３ａにおいて高い熱伝導率のベースに結合され得るが、このステップは、通常、ステップ７１０にまで後に先送りされ得る。
【００５９】
ステップ７０４において、製造プロセスが、金属ハンダでハウジングに固定されるか、または、むき出しの光ファイバがガラスハンダでハウジングに固定されるようにメタライズ光ファイバを用いるかどうかという決定が下される。
【００６０】
メタライズファイバが用いられるべき場合、ステップ７０５ａにおいて、ハウジングの上面を通り、かつ、ベースに接続する１つ以上のビアがハウジング上に形成される。ステップ７０６ａにおいて金属ファイバマウントパッドが形成され、１つ以上のメタライゼーションの薄型ストリップが形成され、ステップ７０７ａにおいて、１つ以上のベース接続ビアにマウントパッドを接続する。ステップ７０６ａおよび７０７ａは、通常、相互交換可能である。ステップ７０８ａにおいて、パッケージのふたがハンダを用いて固定されるべきかどうかの決定が下される。固定されるべき場合、ステップ７０９ａにおいて、ハウジングの表面上に金属シールリングが形成される。固定されない場合、製造ステップは、ステップ７１０に進み、ここで、すべてのメタライゼーションが電気メッキされる。
【００６１】
ステップ７０４にて、むき出しの光ファイバをガラスハンダで用いるという決定が下された場合、ステップ７０５ｂにおいて、パッケージのふたがハンダを用いて固定されるべきかどうかの決定が下される。固定されるべき場合、ステップ７０６ｂにおいて、ハウジングの上面を通り、かつ、ベースに接続する１つ以上のビアがハウジング上に形成される。ステップ７０７ｂにおいて、金属シールリングがハウジングの表面上に形成される。製造は、ステップ７１０に進み、ここで、シールリングメタライゼーションが電気メッキされる。７０５ｂにおいて、パッケージのふたがハンダを用いて固定されるべきでないという決定が下された場合、製造は、ステップ７１１に進む。
【００６２】
ステップ７１１にて、光コンポーネント４００（例えば、半導体レーザ）がハウジングアパーチャ３１１によって規定された領域内でベース２００にマウントされる。ステップ７１２において、光ファイバ４１０は、光コンポーネントの所望の出力信号を受信するようにアライメントされ、その後、ガラスハンダまたは金属ハンダを用いてその位置で固定され、ガラスハンダプリフォームは、ファイバ上に直接、およびセラミックハウジング上に付与され、および金属ハンダプリフォームは、メタライズファイバ上に直接、および、金属ファイバマウントパッド３１３上に付与される。一旦プリフォームが所定の位置に配置されると、このプリフォームは、１つ以上のレーザ（図示せず）でその融解温度にまで加熱されて、ハンダを融かしてファイバを固定する。
【００６３】
パッケージのふた５４０は、その後、ステップ７１３において、１つ以上のハウジング２１０、光コンポーネント４００、およびファイバ４１０の一部分上に配置される。さらにパッケージのふたは、ハンダまたはエポキシを用いて固定され得る。ステップ７１３ａにおいて、光ファイバシール５０３は、ファイバが通ることを可能にするパッケージのふた５４４の開口部に付与され得る。この選択的シールは、ファイバをファイバ開口部に固定するために利用され、例えば、ハンダまたはエポキシであり得る。ステップ７１４において、選択的光学シール剤は、パッケージのふた、ファイバ、およびベースの１つ以上に付与されて、ギャップを充填してファイバをさらに固定し得る。
【００６４】
本発明の例示的実施形態は、垂直方向のアセンブリプロセスステップのみを用いて実現され得る。さらに、図３Ａおよび図５に示されるように、ベース２００上にマウントされたハウジング２１０のサイドビューへのアクセスが提供され得る。これにより、カメラによる製造のモニタリングし、次に、光学的に光コンポーネント４００に結合するファイバ４１０と関連したアライメント精度を改善することが可能になる。これは、製造歩留まりを改善し、かつ、プロセスサイクルタイムを低減し得る。図１Ａおよび図１Ｂに示される従来技術は、カメラへのサイドビューアクセスをサポートしない。さらに、光コンポーネント４００および光ファイバ４１０は、共有されるハウジング２１０にマウントされ、必要とされるコンポーネントの数を低減し、分離ファイバマウント５をパッケージ１に配置および取りつける従来技術のプロセスステップを省略する。
【００６５】
上述のように、本発明の代替的実施形態において、ガラスハンダを用いて光ファイバ４１０をハウジング２１０に固定し、エポキシを用いてパッケージのふた５４０をハウジング２１０に固定し、これにより、ハウジング２１０の上面３１０上の任意のメタライゼーションおよびベース接続ビア３０６の必要をなくす。
【００６６】
図８は、本発明の別の実施形態を示す。この実施形態において、光ファイバ８１０は、レーザ８００のレーザ出力カップラ８０７に光学的に結合される。ファイバ８１０は、さらに、ファイバマウントパッド８０９上のファイバ８１０上に直接付与されたハンダプリフォーム８０８によってレーザ基板８０２に機械的に結合される。これに代わる実施形態において、ファイバ８１０は、ファイバマウントパッド８０９なしに、レーザ基板８０２に直接ハンダ付けされる。レーザ８００は、例えば、バルクゲイン材料または量子井戸構造であり得る活性層内でレイジングを提供するために格子を備え得る基板８０２を備える。半導体層８０５は、活性層８０４上に形成され、好ましくは、活性層内に生成された光を隔離する屈折率を有する材料である。レーザ８００の前面および後面は、さらに、活性層内でレイジングを提供するために、実質的に反射する。メタライズ光ファイバが用いられた場合、メタライズファイバマウントパッドは、実質的に反射するレーザ出力カップラ８０７に隣接して実質的に平面のフィアバマウント領域８０９上に形成され、これにより、光ファイバ８１０は、実質的に平面のファイバマウント領域８０９に、金属ハンダであり得るハンダ８０８にハンダ付けされ得る。非メタライズ光ファイバは、実質的に平面のファイバマウント領域８０９上のレーザ基板８０２に直接ハンダ付けされる。電極８０６は、動作パワーを提供するように活性層の上部に形成される。レーザ８００は、さらに、パッケージのふた（図８に図示せず）が固定され得る高い熱伝導率のベース８０１に結合され得る。例示的実施形態において、基板８０２は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、燐化インジウム（ＩｎＰ）、またはひ化ガリウム（ＧａＡｓ）から形成され得る。
【００６７】
図９は、図８に示される例示的実施形態の製造の例示的方法を示すフローチャートである。例示的代替的方法は、フローチャートにおける決定ブロックを用いて示される。実際のアセンブリ方法は、いずれの決定ブロックもなしに、それぞれの経路の１つを用いる。
【００６８】
ステップ９０１において、基板８０２は、第1の導電型の半導体材料から形成される。半導体材料は、ｐ型またはｎ型ＩＩＩ−Ｖ属の材料であり得る。活性層８０４は、その後、ステップ９０３における基板の上部に形成され、量子井戸構造またはバルクゲイン材料であり得る。代替的実施形態において、ステップ９０３における基板の部分の上に形成された活性層８０４内のレイジングを増加させるために、選択的ステップ９０２が基板の一部分にわたって格子を形成するために実行され得る。ステップ９０４において、第２の導電型の半導体層８０５が形成される。半導体層は、活性層内の放射を隔離するために選択された屈折率を有する基板とは異なるタイプのＩＩＩ−Ｖ属の材料であり得る。基板８０２、活性層８０４、および半導体層８０５は、Ｐ−Ｉ−Ｎレーザダイオード構造を形成する。ステップ９０５において、電極層８０６は、レーザに動作パワーを提供するために高い導電性材料から形成される。選択的ステップ９０６は、ｃｌｅａｖｅｄ  ｆａｃｅｔ、誘電体ミラー、および反射面コーティングの１つ以上から、デバイスの実質的に反射性前面および後面８０３を生成する。これは、さらに、活性層内のレイジングフィードバックを増加させることである。ステップ９０６は、ステップ９０５の後に行われることが示されるが、これは、活性層が形成された後、および、パッケージのふたが所定の位置に配置される前の任意のポイントにて実行され得る。ステップ９０７において、傾斜面、反射防止面コーティング、および埋め込み面の１つ以上から、実質的にトランスペアレントな光出力カップラ８０７が形成される。
【００６９】
ステップ９０８にて、製造プロセスが、メタルハンダで基板に固定されるべきメタライズ光ファイバを用いるか、またはむき出しの光ファイバがガラスハンダで基板に固定されるべきむき出しの光ファイバを用いるかの決定が下される。
【００７０】
メタライズファイバが用いられるべき場合、ステップ９０９ａにおいて、実質的に平面のファイバマウント領域８０９上に金属ファイバマウントパッドが形成される。其の後、ステップ９１０ａにおいて、メタライズファイバ８１０は、光出力カプラの所望の出力信号を受信するようにアライメントされ、かつ、金属ハンダプリフォーム８０８でファイバマウントパッド上の所定の位置にハンダ付けされ得る。
【００７１】
むき出しのファイバが用いられるべき場合、ステップ９０９ｂにおいて、ガラスハンダ適合ファイバマウントパッドが実質的に平面のファイバマウント領域８０９上に形成される。その後、９１０ｂにおいて、むき出しのファイバ８１０は、光出力カプラの所望の出力信号を受信するようにアライメントされ、かつ、ガラスハンダプリフォーム８０８でファイバマウントパッドの上の所定の位置にハンダ付けされる。
【００７２】
一旦それぞれのハンダプリフォームが所定の位置に配置されると、これは、１つ以上のレーザ（図示せず）でその融解点に加熱されて、ハンダを融かしてファイバを固定する。
【００７３】
この時点で、光コンポーネントは、選択的ステップ９１１において、例えば、ハンダ付けによって高い熱伝導率のベース８０１に結合され得るが、このステップは、通常、ステップ９０２のように早期に実行されてもよい。
【００７４】
パッケージのふたは、その後、選択的ステップ９１２において光コンポーネント上に配置され得る。パッケージのふたは、ハンダまたはエポキシを用いて固定され得る。
【００７５】
図１０Ａ、図１０Ｂ、図１１Ａおよび１１Ｂは、本発明のさらなる実施形態を示し、ここで、光コンポーネント（例えば、半導体レーザチップ）が、パッケージハウジングに直接結合されて、光コンポーネントパッケージサブマウント（例えば、図５における４００）の使用を回避する。図１０Ａ、１０Ｂ、１１Ａ、および１１Ｂの両方の実施形態において、光コンポーネントは、高い熱伝導率のベース上に直接マウントされる。
【００７６】
図１０Ａは、光コンポーネント１８４０が高い熱伝導率のベース１８０１に直接マウントされるようなある実施形態の斜視図を示す。高い熱伝導率のベース１８０１は、低い熱伝導率の基板１８０２のアパーチャを通って延びるメサ部分を示す（図１０Ａに示される、切断線１１Ｂ−１１Ｂに沿う図１０Ｂの側方断面図により明確に見られる）。低い熱伝導率の基板１８０２は、例えば、銀−銅ろうでろう付けすることによって、または、例えば、金−ゲルマニウムまたは金−シリコンハンダでろう付けすることによって、高い熱伝導率ベース１８０１に結合され得る。さらに、動作パワーまたはグラウンドを提供するために、好ましくは、電気的接触として利用されるように、光コンポーネントの上面がメタライズされ得る。さらなるメタライゼーション（図１０に図示せず）は、グラウンドまたは動作パワーをそれぞれ提供するための電気的接触として利用されるように、低い熱伝導率のベース１８０２上に形成され得る。パッケージ上にふた（図１０に図示せず）を取りつけるため、および、金属ハンダ１８１１でファイバマウント領域１８１５上にメタライズ光ファイバ１８１０を取りつけるために、さらなるメタライゼーション（図１０に図示せず）が低い熱伝導率の基板１８０２上に形成され得る。
【００７７】
図１１Ａは、光コンポーネント１９４０が高い熱伝導率のベース１９０１に直接マウントされるような別の実施形態の斜視図を示す。高い熱伝導率ベース１９０１は、ベースと同じレベルの上面と接触する低い熱伝導率の基板１９０２（図１１Ａに示される、切断線１１Ｂ−１１Ｂに沿う図１１Ｂの側方断面図により明確に見られる）を示す。低い熱伝導率の基板１９０２は、例えば、銀−銅ろうでロウ付けすることによって、または、例えば、金−ゲルマニウムまたは金−シリコンハンダでハンダ付けすることによって、高い熱伝導率のベース１９０１に結合され得る。さらに光コンポーネントの上面は、動作パワーまたはグラウンドを提供するために、好ましくは、電気的接触として利用されるようにメタライズされ得る。さらなるメタライゼーション（図１１に図示せず）は、メタライズ光ファイバ１９１０に金属ハンダ１９１１をマウントするためにファイバマウント領域１９１５上の低い熱伝導率ベース１９０２上に形成され得る。
【００７８】
通常、初期のバーンイン（ｂｕｒｎ−ｉｎ）の間、歩留まりの問題のために、レーザクリップ取り付けのために、サブマウントが用いられる。レーザクリップがバーンインに失敗した場合、サブマウントのコストを最終製品のコストに著しく貢献させる。しかしながら、サブマウントは用いられる。なぜなら、従来技術によるコンポーネントパッケージは、通常、サブマウントなしで、直接レザーチップのバーンインを可能にすることは、通常、過度に高価である。本発明の例示的実施形態は、従来技術のパッケージよりもはるかに安く製造され得るが、依然としてサブマウントほど安価ではない。しかしながら、サブマウントと本発明の例示的実施形態との間のコストの差は、初期アセンブリステップの間に光コンポーネントを最終パッケージアセンブリに直接マウントすることによって取得される製造材料およびアセンブリステップの低減によって相殺され得る。
【００７９】
ある特定の実施形態を参照して例示および記載されてきたが、本発明は、示された詳細に限定されることを決して意図しない。むしろ、請求項の均等物の範囲およびレンジ内、および本発明から逸脱することなく、細部にわたって種々の改変が成され得る。
【００８０】
ファイバ結合型光コンポーネントおよびハウジングは、実質的に平面のファイバマウント領域、およびこのファイバマウント領域に隣接する光コンポーネントマウント領域を有する基板を備える。光コンポーネントおよびハウジングは、ファイバマウント領域上に形成され、かつ、金属ハンダプリフォームに接合するように構成された金属マウントパッドを備え得、および、金属ハンダプリフォームによって金属マウントパッドに結合されたメタライズ光ファイバをさらに備え得る。あるいは、光コンポーネントおよびハウジングは、ファイバマウント上に形成され、かつ、ガラスハンダプリフォームに接合するように構成されたファイバマウントパッドを備え得、そして、ガラスハンダウｐリフォームによってファイバーマウントパッドに結合されたむき出しの光ファイバをさらに備え得る。光コンポーネントは、光コンポーネントマウント領域によって規定された領域内に配置または形成され、光コンポーネントと光ファイバとを所望のように光学的に結合し得る。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１Ａ】図１Ａは、従来技術による、パッケージ内の別個のマウントコンポーネントにハンダ付けされた光ファイバのスナウトフィードスルーおよび光ファイバを示すファイバ結合型光コンポーネントパッケージの斜視図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、従来技術による、図１Ａに示されるパッケージの一部分の拡大図である。
【図２】図２は、本発明による、リードが取り付けられたベースにマウントされたハウジングの上面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明による、リードが取り付けられたベースにマウントされたハウジングの側面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明による、光コンポーネントのハウジングの上部層の上面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明による、光コンポーネントのハウジングの下部層の上面図である。
【図４】図４は、本発明による、リードが取り付けられハウジング、および、所定の位置にあり、電気的コンタクトにワイヤボンディングされた光コンポーネントの上面図である。
【図５】図５は、本発明による、パッケージの分解組立て斜視図である。
【図６】図６は、本発明による、コンポーネントが取り付けられ、パッケージのふたが所定の位置にあり、ファイバシール剤が所定の位置にあるパッケージの斜視図である。
【図７】図７は、本発明による、例示的製造手順の概観を示すフローチャートである。
【図８】図８は、同じ基板上に形成された光コンポーネントおよびファイバマウントを示す本発明の代替的実施形態の平面図である。
【図９】図９は、図８に具現化された、本発明による、例示的製造手順の概観を示すフローチャートである。
【図１０Ａ】図１０Ａは、本発明による、パッケージの斜視図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、本発明による、図１０Ａにおけるパッケージの切断線１０Ｂ−１０Ｂに沿う側方の断面図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、本発明による、別のパッケージの斜視図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、本発明による、図１１Ａにおけるパッケージの切断線１１Ｂ−１１Ｂに沿う側方の断面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１００    パッケージ
１０１    スナウトフィールドスルー
１０２    ファイバマウント
１１１    光コンポーネント
１１４    光ファイバ
２００    ベース
２０３    電気リード
２１０    ハウジング
２１１    光コンポーネントマウント
３００    ハウジング下部層
３１０    ハウジング上部層
３０３    電気的接触
３１３    ファイバマウント可能パッド
３１４    シールリング
３１５    上部層基板
３１６    メタライゼーション
【図１Ａ】
2005037947.tif 000002
【図１Ｂ】
2005037947.tif 000003
【図２】
2005037947.tif 000004
【図３Ａ】
2005037947.tif 000005
【図３Ｂ】
2005037947.tif 000006
【図３Ｃ】
2005037947.tif 000007
【図４】
2005037947.tif 000008
【図５】
2005037947.tif 000009
【図６】
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【図７】
2005037947.tif 000011
【図８】
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【図９】
2005037947.tif 000013
【図１０Ａ】
2005037947.tif 000014
【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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