(57)【要約】【課題】ピクセル面積を微小化することなくＸ線撮像の高精細化を図ることができるＸ線撮像方法を提供すること。【解決手段】Ｘ線撮像方法は、半導体撮像素子のＦＰＤ（フラット  パネル  ディテクタ）からなるＸ線イメージセンサ１により第１回目の撮像を行う第１撮像過程と、第１回目の撮像後、積層圧電素子２，３を用いてＸ線イメージセンサ１をＸ軸方向及び／又はＹ軸方向にＸ線イメージセンサ１の画素補間位置まで微細移動し、Ｘ線イメージセンサ１により第２回目の撮像を行う第２撮像過程とからなる。【選択図】図１
2005286785.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体撮像素子のＦＰＤ（フラット  パネル  ディテクタ）からなるＸ線イメージセンサにより第１回目の撮像を行う第１撮像過程と、
前記第１回目の撮像後、積層圧電素子を用いて前記Ｘ線イメージセンサをＸ軸方向及び／又はＹ軸方向に該Ｘ線イメージセンサの画素補間位置まで微細移動し、該Ｘ線イメージセンサにより第２回目の撮像を行う第２撮像過程と
からなることを特徴とするＸ線撮像方法。
【請求項２】
前記第２回目の撮像後、前記積層圧電素子を用いて前記Ｘ線イメージセンサをＸ軸方向及び／又はＹ軸方向に該Ｘ線イメージセンサの残りの画素補間位置まで微細移動し、該Ｘ線イメージセンサにより第３回目の撮像を行う第３撮像過程と、
前記第３回目の撮像後、前記積層圧電素子を用いて前記Ｘ線イメージセンサをＸ軸方向及び／又はＹ軸方向に該Ｘ線イメージセンサの残りの画素補間位置まで微細移動し、該Ｘ線イメージセンサにより第４回目の撮像を行う第４撮像過程と
を有することを特徴とする請求項１に記載のＸ線撮像方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体撮像素子のＦＰＤ（フラット  パネル  ディテクタ）からなるＸ線イメージセンサを用いたＸ線撮像方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、Ｘ線撮像分野において、従来のフィルムの代替として、半導体撮像素子のＦＰＤからなるＸ線イメージセンサが用いられつつあり、このＸ線イメージセンサは、透過Ｘ線から間接的あるいは直接的に変換された電荷を蓄えて読み出し画像化する。
【０００３】
そして、Ｘ線撮像の高精細化を図るために、Ｘ線イメージセンサの半導体撮像素子のピクセル面積を微小化させる手法が使われる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、半導体撮像素子のピクセル面積を微小化すると、電荷蓄積のバケツにあたる電荷キャパシティが減るため、ダイナミックレンジが低下するという問題が生じる。Ｘ線撮像において、必要階調として１０ビット〜１２ビットの階調を維持するためには、電荷キャパシティ確保のため２０ミクロン程度以上のピクセルが必要とされている。
【０００５】
本発明は、上記のような問題点に鑑みなされたものであり、ピクセル面積を微小化することなくＸ線撮像の高精細化を図ることができるＸ線撮像方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のＸ線撮像方法は、半導体撮像素子のＦＰＤ（フラット  パネル  ディテクタ）からなるＸ線イメージセンサにより第１回目の撮像を行う第１撮像過程と、前記第１回目の撮像後、積層圧電素子を用いて前記Ｘ線イメージセンサをＸ軸方向及び／又はＹ軸方向に該Ｘ線イメージセンサの画素補間位置まで微細移動し、該Ｘ線イメージセンサにより第２回目の撮像を行う第２撮像過程とからなることを特徴とする。
【０００７】
本発明のＸ線撮像方法によると、積層圧電素子を利用したことによりＸ線イメージセンサを画素補間位置まで微細移動させることが可能となり、また、第２回目の撮像により画素間を補間する撮像が行われる。このため、ピクセル面積を微小化することなくＸ線撮像の高精細化を図ることができる。
【０００８】
また、本発明のＸ線撮像方法は、前記第２回目の撮像後、前記積層圧電素子を用いて前記Ｘ線イメージセンサをＸ軸方向及び／又はＹ軸方向に該Ｘ線イメージセンサの残りの画素補間位置まで微細移動し、該Ｘ線イメージセンサにより第３回目の撮像を行う第３撮像過程と、前記第３回目の撮像後、前記積層圧電素子を用いて前記Ｘ線イメージセンサをＸ軸方向及び／又はＹ軸方向に該Ｘ線イメージセンサの残りの画素補間位置まで微細移動し、該Ｘ線イメージセンサにより第４回目の撮像を行う第４撮像過程とを有する。このＸ線撮像方法によると、第３回目及び第４回目の撮像により、第２回目の撮像を行った場合よりもＸ線撮像のさらなる高精細化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１０】
図１は、本発明の一実施形態に係るＸ線撮像方法を実施するためのＸ線撮像システムの構成を示す。
【００１１】
図１において、Ｘ線撮像システムは、半導体撮像素子のＦＰＤ（フラット  パネル  ディテクタ）からなるＸ線イメージセンサ１を備える。Ｘ線イメージセンサ１の各ピクセルは２０ミクロン程度である。Ｘ線イメージセンサ１のＸ方向（Ｘ軸方向）の一端及びＹ方向の一端には、それぞれＸ線イメージセンサ１をＸ方向及びＹ方向（Ｙ軸方向）へ１／２画素だけ微細移動するための積層圧電素子２，３が配設されており、また、Ｘ線イメージセンサ１のＸ方向の他端及びＹ方向の他端には、それぞれシリコンラバー４，５が配設され、シリコンラバー４，５によりＸ線イメージセンサ１の微細移動及び位置の保持が可能となっている。
【００１２】
各積層圧電素子２，３の長さ寸法は約２０ｍｍであり、各積層圧電素子２，３は、システムコントローラ６からの制御信号に従って動作する駆動回路７により駆動され、物理的変位をすることによりＸ線イメージセンサ１を微細移動する。Ｘ線イメージセンサ１は、システムコントローラ６からの制御信号に従って動作するタイミング駆動回路７により駆動される。Ｘ線イメージセンサ１の撮像信号は、タイミング駆動回路７の制御信号に基づいたタイミングで読み出され、増幅器（ＡＭＰ）及びアナログ・デジタル変換器（Ａ／Ｄ）８を経由してフレームメモリ９に格納される。
【００１３】
次に、Ｘ線イメージセンサ１の動作を図２及び図３に基づいて説明する。
【００１４】
図２は、第１実施形態を示す。この第１実施形態は、図２図示実線のピクセル位置（初期位置）で第１回目の撮像を行い（第１撮像過程）、次に、積層圧電素子２，３を用いてＸ線イメージセンサ１をＸ軸方向及びＹ軸方向に１／２ピクセルだけ微細移動して図２図示破線のピクセル位置（画素補間位置）に保持し、第２回目の撮像を行う（第２撮像過程）よう構成される。第１撮像過程及び第２撮像過程により得られた撮像信号（データ）はフレームメモリ９に格納される。
【００１５】
この第１実施形態によると、積層圧電素子２，３を利用したことによりＸ線イメージセンサ１を画素補間位置まで微細移動させることが可能となり、また、第２回目の撮像により水平、垂直方向の画素間を内挿補間する撮像（処理）が行われるため、ピクセル面積を微小化することなくＸ線撮像の高精細化を図ることができる。
【００１６】
図３は、第２実施形態を示す。この第２実施形態は、図３図示「１」のピクセル位置（初期位置）で第１回目の撮像を行ない（第１撮像過程）、次に、積層圧電素子２，３を用いてＸ線イメージセンサ１をＸ方向に１／２ピクセルだけ微細移動して図３図示「２」のピクセル位置（画素補間位置）に保持し、第２回目の撮像を行い（第２撮像過程）、次に、積層圧電素子２，３を用いてＸ線イメージセンサ１を初期位置を基準としてＹ方向に１／２ピクセルだけ微細移動して図３図示「３」のピクセル位置（画素補間位置）に保持し、第３回目の撮像を行い（第３撮像過程）、次に、積層圧電素子２，３を用いてＸ線イメージセンサ１を初期位置を基準としてＸ方向及びＹ方向に１／２ピクセルだけ微細移動して図３図示「４」のピクセル位置（画素補間位置）に保持し、第４回目の撮像を行う（第４撮像過程）よう構成される。第１撮像過程、第２撮像過程、第３撮像過程及び第４撮像過程により得られた撮像信号（データ）はフレームメモリ９に格納される。
【００１７】
この第２実施形態によると、第３回目の撮像及び第４回目の撮像により、第２回目の撮像を行った場合よりもＸ線撮像のさらなる高精細化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態に係るＸ線撮像方法を実施するためのＸ線撮像システムの構成図である。
【図２】動作説明図である。
【図３】同じく動作説明図である。
【符号の説明】
【００１９】
１    Ｘ線イメージセンサ
２，３    積層圧電素子
【図１】
2005286785.tif 000003
【図２】
2005286785.tif 000004
【図３】
2005286785.tif 000005