(57)【要約】【課題】  有機系バインダを用いて造粒した後に熱処理することでバインダを熱分解除去して製造されてなるフェライト造粒粉の表面に、湿式めっき処理によって、金属めっき被膜を形成する方法、表面に金属めっき被膜を有するフェライト造粒粉およびこれを用いて作製された温度スイッチ素子を提供することを提供すること。【解決手段】  造粒粉に対し、パラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行い（第１工程）、さらに、パラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行う（第２工程）ことを特徴とする。【選択図】  図５
2005194542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機系バインダを用いて造粒した後に熱処理することでバインダを熱分解除去して製造されてなるフェライト造粒粉の表面に金属めっき被膜を形成する方法であって、造粒粉に対し、パラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行い（第１工程）、さらに、パラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行う（第２工程）ことを特徴とする方法。
【請求項２】
第１工程と第２工程の無電解めっき処理を同一の金属種を用いて行うことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
金属種がＮｉ，Ｃｕ，Ａｇから選ばれるいずれか１つであることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
有機系バインダがポリビニルアルコールであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
有機系バインダを用いて造粒した後に熱処理することでバインダを熱分解除去して製造されてなり、かつ、表面に金属めっき被膜を有してなることを特徴とするフェライト造粒粉。
【請求項６】
金属めっき被膜が請求項１記載の方法によって形成されてなることを特徴とする請求項５記載のフェライト造粒粉。
【請求項７】
金属めっき被膜の膜厚が０．５〜３μｍであることを特徴とする請求項５または６記載のフェライト造粒粉。
【請求項８】
フェライト造粒粉の平均粒径が２０〜３００μｍであることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載のフェライト造粒粉。
【請求項９】
フェライトがソフトフェライトであることを特徴とする請求項５乃至８のいずれかに記載のフェライト造粒粉。
【請求項１０】
請求項９記載のフェライト造粒粉を用いて製作されてなることを特徴とする温度スイッチ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライトなどのソフトフェライトをはじめとする各種のフェライトを、有機系バインダを用いて造粒した後に熱処理することでバインダを熱分解除去して製造されてなる造粒粉の表面に、湿式めっき処理によって、金属めっき被膜を形成する方法、表面に金属めっき被膜を有するフェライト造粒粉およびこれを用いて作製された温度スイッチ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、自動車、ＯＡ製品、家電製品などにおいて、各種の温度センサが用いられている。温度センサには、原理として、抵抗変化を利用したもの（サーミスタ、測温抵抗体）、磁気変化を利用したもの（感温フェライト）、熱起電力を利用したもの（熱電対）、熱膨張を利用したもの（バイメタル、水銀温度計）などがあり、温度を検知する用途に応じてそれぞれが使い分けられている。
最近、新たな原理を利用した温度センサとして、キュリー点を持つように強磁性体粒子を媒体中に配した磁性体を備え、キュリー点の前後で強磁性体粒子が分散状態に変化し、この状態変化に対応してキュリー点温度より高温側では電気抵抗が大きくなり低温側では電気抵抗が小さくなる温度変化特性を持たせたものが注目されており、特許文献１と特許文献２では、このような温度センサの用途として、温度スイッチ素子が提案されている。強磁性体粒子を用いた温度スイッチ素子は、従来の温度スイッチ素子に比べ、高温環境下でも劣化せず、かつ小型で大電流容量を有するという利点がある。ここで、強磁性体粒子としては、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライトなどのソフトフェライトを、バインダを用いて造粒してなる造粒粉が挙げられるが、このような造粒粉は非導電体であるため、これを温度スイッチ素子の製作に用いるためには、その表面に導電性物質の薄膜を形成する必要がある。特許文献１と特許文献２には、強磁性体粒子の表面に導電性物質としてＡｕの薄膜を形成する方法として、めっき、吸着、スパッタが記載されている。
【特許文献１】特開平１１−３６４１号公報
【特許文献２】特開２０００−１７３４２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
フェライト造粒粉の表面に導電性物質の薄膜を形成する方法としては、湿式めっき処理が最も簡便かつ低コストで行えることから好ましい。上記の通り、特許文献１と特許文献２には、強磁性体粒子の表面にＡｕの薄膜をめっきによって形成することが記載されているが、これらの特許文献には、具体的な方法の開示や実施例がない。湿式めっき処理によってフェライト造粒粉のような非導電体の表面に金属めっき被膜を形成する場合、パラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行うのが通常である。特開昭６２−２０７８７５号公報には、フェライト粒子を含む水懸濁液と、界面活性剤を含むパラジウムヒドロゾルとを混合撹拌して粒子の表面にパラジウムコロイドを吸着させるというパラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行う方法が記載されている。また、特開昭６３−７９９７５号公報には、表面を予めアルカリ土類金属塩化物または第４周期遷移金属塩の水溶液で前処理したフェライト粒子を含む水懸濁液と、界面活性剤を含むパラジウムヒドロゾルとを混合撹拌して粒子の表面にパラジウムコロイドを吸着させるというパラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行う方法が記載されている。しかしながら、本発明者が、有機系バインダを用いて造粒した後に熱処理することでバインダを熱分解除去して製造されてなるフェライト造粒粉の表面に金属めっき被膜を形成しようとしたところ、これまでに知られている、パラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行う方法では、造粒粉の表面に金属めっき被膜を形成することができないという問題に直面した。
そこで本発明は、この問題を解決し、有機系バインダを用いて造粒した後に熱処理することでバインダを熱分解除去して製造されてなるフェライト造粒粉の表面に、湿式めっき処理によって、金属めっき被膜を形成する方法、表面に金属めっき被膜を有するフェライト造粒粉およびこれを用いて作製された温度スイッチ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者は、上記の点に鑑みて鋭意検討を重ねた結果、有機系バインダを用いて造粒した後に熱処理することでバインダを熱分解除去して製造されてなるフェライト造粒粉は、温度スイッチ素子の耐久性や信頼性を向上させるためには、強磁性体粒子の強度や流動性を良くすることが必要であり、この観点から、強磁性体粒子の形状は球状であることが好ましいところ、その形状を球状とすることが容易であり、その点においては優れているものの、このような造粒粉は、１度のパラジウム表面活性化処理では、その後に行う無電解めっき処理によって金属めっき被膜を形成することができるに足る表面活性化を十分に行うことができないことを突き止めた。その理由としては、本発明者の推測によれば、フェライト造粒粉を製造する過程で有機系バインダを熱分解除去しても、造粒粉の表面には有機系バインダに由来する有機成分が微量に残存し、これがパラジウム表面活性化処理の効力、即ち、造粒粉の表面への触媒核として機能するパラジウムの吸着を阻害していることが考えられた。そこでこのような場合に通常行う解決手段、即ち、パラジウム表面活性化処理の条件（処理液組成や浴温や浸漬時間など）の最適化を試みたが、問題の解決には至らなかった。しかしながら、パラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行っても金属めっき被膜を形成することができないにもかかわらずその処理を行い、さらに、パラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行うことで、意外にも、造粒粉の表面に金属めっき被膜を形成することができることがわかった。
【０００５】
上記の知見に基づいてなされた本発明の有機系バインダを用いて造粒した後に熱処理することでバインダを熱分解除去して製造されてなるフェライト造粒粉の表面に金属めっき被膜を形成する方法は、請求項１記載の通り、造粒粉に対し、パラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行い（第１工程）、さらに、パラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行う（第２工程）ことを特徴とする。
また、請求項２記載の方法は、請求項１記載の方法において、第１工程と第２工程の無電解めっき処理を同一の金属種を用いて行うことを特徴とする。
また、請求項３記載の方法は、請求項２記載の方法において、金属種がＮｉ，Ｃｕ，Ａｇから選ばれるいずれか１つであることを特徴とする。
また、請求項４記載の方法は、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法において、有機系バインダがポリビニルアルコールであることを特徴とする。
また、本発明のフェライト造粒粉は、請求項５記載の通り、有機系バインダを用いて造粒した後に熱処理することでバインダを熱分解除去して製造されてなり、かつ、表面に金属めっき被膜を有してなることを特徴とする。
また、請求項６記載のフェライト造粒粉は、請求項５記載のフェライト造粒粉において、金属めっき被膜が請求項１記載の方法によって形成されてなることを特徴とする。
また、請求項７記載のフェライト造粒粉は、請求項５または６記載のフェライト造粒粉において、金属めっき被膜の膜厚が０．５〜３μｍであることを特徴とする。
また、請求項８記載のフェライト造粒粉は、請求項５乃至７のいずれかに記載のフェライト造粒粉において、フェライト造粒粉の平均粒径が２０〜３００μｍであることを特徴とする。
また、請求項９記載のフェライト造粒粉は、請求項５乃至８のいずれかに記載のフェライト造粒粉において、フェライトがソフトフェライトであることを特徴とする。
また、本発明の温度スイッチ素子は、請求項１０記載の通り、請求項９記載のフェライト造粒粉を用いて製作されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の有機系バインダを用いて造粒した後に熱処理することでバインダを熱分解除去して製造されてなるフェライト造粒粉の表面に金属めっき被膜を形成する方法は、造粒粉に対し、パラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行い（第１工程）、さらに、パラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行う（第２工程）ことを特徴とするものである。本発明によれば、第１工程にて、第２工程でパラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行うことで造粒粉の表面に金属めっき被膜を形成することができるだけの素地作りを行うので、その後に第２工程を行うことで、造粒粉の表面に金属めっき被膜を確実に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明の方法を適用することができる、有機系バインダを用いて造粒した後に熱処理することでバインダを熱分解除去して製造されてなるフェライト造粒粉を構成するフェライトとしては、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライトなどのソフトフェライトが挙げられるが、本発明の方法はハードフェライトに適用することもできる。造粒に用いる有機系バインダとしては、強度や流動性に優れる造粒粉を製造することができることから、ポリビニルアルコールを好適に用いることができる。
【０００８】
有機系バインダを用いて造粒した後に熱処理することでバインダを熱分解除去して製造されてなるフェライト造粒粉は、自体公知の方法で製造されてなるものでよく、例えば、温度スイッチ素子の製作に強磁性体粒子として用いることができるソフトフェライト造粒粉としては、平均粒径が０．０１〜１０μｍの原料粉を、容器に入れ、容器や回転板の回転、あるいは熱風の吹込みにより原料粉を流動状態にしておき、そこへバインダ液を噴霧して行う流動造粒によって作製される造粒体や、原料粉をバインダ液に混合、攪拌してスラリーとし、これを熱風中に噴霧して瞬時に乾燥させて行う噴霧乾燥（spray drying）によって作製される造粒体を、不活性ガス雰囲気や窒素ガス雰囲気において９００〜１３００℃で１〜１０時間熱処理することでバインダを熱分解除去して製造されてなる平均粒径が２０〜３００μｍのものが挙げられる。なお、造粒体の作製は、より球状に近く、流動性に優れた造粒体が得られることから、噴霧乾燥によって行うことが好ましい。
【０００９】
フェライト造粒粉に対する第１工程と第２工程におけるパラジウム表面活性化処理は、造粒粉の表面にパラジウムを吸着させるための自体公知の方法で行うことができる。簡便には、例えば、浴温１０〜７０℃の、塩化パラジウムと塩酸を用いた公知の組成の処理液（パラジウムコロイド溶液）に、造粒粉を１〜１０分間浸漬することで行えばよい。
【００１０】
パラジウム表面活性化処理を行った後のフェライト造粒粉は、濾過して水洗を行い、次いで、無電解めっき処理に付す。無電解めっき処理はどのような金属種を用いて行ってもよく、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇなどを用いることができる。第１工程と第２工程における無電解めっき処理を同一の金属種を用いて行うようにすれば、準備するめっき浴は１つで済むという利点がある。好適な金属種としては、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇから選ばれるいずれか１つが挙げられる。
【００１１】
無電解Ｎｉめっき処理を行う場合、使用するＮｉめっき処理液は特段制限されるものではないが、例えば、硫酸ニッケル水溶液に、錯化剤（乳酸、ヒドロキシ酢酸、コハク酸、サリチル酸、グリシン、フタル酸、酒石酸など）、還元剤（次亜リン酸ナトリウムなど）、緩衝剤（酢酸、プロピオン酸などのモノカルボン酸など）などを添加して調製した処理液が挙げられる。浴温を２０〜１００℃に調整した処理液にパラジウム表面活性化処理を行ったフェライト造粒粉を浸漬し、５〜１２０分間攪拌することで、第１工程においては第２工程でパラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行うことで造粒粉の表面に金属めっき被膜を形成することができるだけのＮｉ素地を、第２工程においてはＮｉめっき被膜を形成することができる。
【００１２】
無電解Ｃｕめっき処理を行う場合、使用するＣｕめっき処理液は特段制限されるものではないが、例えば、硫酸銅水溶液に、錯化剤（エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン、ロッセル塩など）、還元剤（ホルムアルデヒドなど）、安定剤（２−メルカプトベンゾチアゾール、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム、チオ尿素、ロダニン、α，α’−ジピリジルなど）などを添加して調製した処理液が挙げられる。浴温を２０〜７０℃に調整した処理液にパラジウム表面活性化処理を行ったフェライト造粒粉を浸漬し、５〜１２０分間攪拌することで、第１工程においては第２工程でパラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行うことで造粒粉の表面に金属めっき被膜を形成することができるだけのＣｕ素地を、第２工程においてはＣｕめっき被膜を形成することができる。
【００１３】
無電解Ａｇめっき処理を行う場合、使用するＡｇめっき処理液は特段制限されるものではないが、例えば、Ａｇ塩として、シアン化銀、硝酸銀、シアン化銀ナトリウムなどを使用し、錯化剤として、アンモニア、アンモニア水、シアン化カリウム、シアン化ナトリウムなどを使用し、還元剤として、グルコース、転化糖、ホルムアルデヒド、デキストリン、グリオキサール、アスコルビン酸塩、ソルビトール、ヒドロキシルアミン、ヒドラジン、水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボランなどを使用し、安定剤として、３−ヨードチロシン、３，５−ジヨードチロシンなどを使用して調製した処理液が挙げられる。浴温を２０〜１００℃に調整した処理液にパラジウム表面活性化処理を行ったフェライト造粒粉を浸漬し、５〜１２０分間攪拌することで、第１工程においては第２工程でパラジウム表面活性化処理を行った後に無電解めっき処理を行うことで造粒粉の表面に金属めっき被膜を形成することができるだけのＡｇ素地を、第２工程においてはＡｇめっき被膜を形成することができる。
【００１４】
本発明の方法によってフェライト造粒粉の表面に形成する金属めっき被膜の膜厚は特段制限されるものではないが、温度スイッチ素子の製作に強磁性体粒子として用いるソフトフェライト造粒粉の表面に形成する金属めっき被膜の膜厚は０．５〜３μｍが好ましい。金属めっき被膜の膜厚は処理液への浸漬時間によって調整することができる。
【００１５】
なお、本発明の方法によってフェライト造粒粉の表面に形成された金属めっき被膜の表面にさらに自体公知の被膜を自体公知の方法で形成してもよい。
【実施例】
【００１６】
以下、本発明を実施例と比較例によってさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定して解釈されるものではない。
【００１７】
（実施例１）
自体公知の方法で製造した平均粒径が０．２μｍのＭｎ−Ｚｎ系フェライト原料粉と有機系バインダとしてポリビニルアルコールを用い、噴霧乾燥によって造粒体を作製し、窒素ガス雰囲気において１１００℃で１０時間熱処理することでバインダを熱分解除去して平均粒径が１００μｍの球状のＭｎ−Ｚｎ系フェライト造粒粉を製造した。
上記の方法で製造したＭｎ−Ｚｎ系フェライト造粒粉１ｇを、浴温２５℃のパラジウムコロイド溶液（上村工業社製ＡＴ−４５０を水で１００ｍＬ／Ｌに希釈したもの）６０ｍＬに２分間浸漬することで、造粒粉に対してパラジウム表面活性化処理を行った後、濾過して水洗した。次いで、Ｃｕめっき処理液として上村工業社製スルカップＰＥＡ（商品名）３００ｍＬを浴温３６℃に調整し、ここにパラジウム表面活性化処理を行った造粒粉を浸漬し、１０分間攪拌することにより無電解Ｃｕめっき処理を行い、濾過して水洗後、空気乾燥した。このような第１工程を行った後の造粒粉は行う前の造粒粉と何らの外観変化はなく、その表面にはＣｕめっき被膜は形成されていなかった（表面観察による）。続いて、第２工程を行うべく、第１工程を行った造粒粉を第１工程と同じ浴温２５℃のパラジウムコロイド溶液に５分間浸漬することで、造粒粉に対してパラジウム表面活性化処理を行った後、濾過して水洗した。次いで、第１工程と同じ浴温３６℃のＣｕめっき処理液にパラジウム表面活性化処理を行った造粒粉を浸漬し、９０分間攪拌することにより無電解Ｃｕめっき処理を行い、濾過して水洗後、空気乾燥した。第１工程を行う前の造粒粉のＥＰＭＡ分析による表面２次電子像を図１に示す。また、第２工程を行った後の造粒粉のＥＰＭＡ分析による表面２次電子像を図２に、断面２次電子像を図３に、断面鉄Ｘ線像を図４に、断面銅Ｘ線像を図５に示す。図１〜図５から明らかなように、第１工程と第２工程を行うことで、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト造粒粉の表面に膜厚が１μｍ程度の非常に均一なＣｕめっき被膜を形成することができた。
こうして得られた表面にＣｕめっき被膜を有するＭｎ−Ｚｎ系フェライト造粒粉を用い、特許文献２に記載の方法に従って、耐久性や信頼性に優れる温度スイッチ素子を製作した。
【００１８】
（実施例２）
実施例１で製造したＭｎ−Ｚｎ系フェライト造粒粉と同じ造粒粉１ｇを、浴温２５℃のパラジウムコロイド溶液（上村工業社製ＡＴ−４５０を水で１００ｍＬ／Ｌに希釈したもの）６０ｍＬに２分間浸漬することで、造粒粉に対してパラジウム表面活性化処理を行った後、濾過して水洗した。次いで、Ｎｉめっき処理液として上村工業社製ニムデンＬＰＸ（商品名）３００ｍＬを浴温８０℃に調整し、ここにパラジウム表面活性化処理を行った造粒粉を浸漬し、３０分間攪拌することにより無電解Ｎｉめっき処理を行い、濾過して水洗後、空気乾燥した。続いて、第２工程を行うべく、第１工程を行った造粒粉を第１工程と同じ浴温２５℃のパラジウムコロイド溶液に５分間浸漬することで、造粒粉に対してパラジウム表面活性化処理を行った後、濾過して水洗した。次いで、第１工程と同じ浴温８０℃のＮｉめっき処理液にパラジウム表面活性化処理を行った造粒粉を浸漬し、９０分間攪拌することにより無電解Ｎｉめっき処理を行い、濾過して水洗後、空気乾燥した。その結果、造粒粉の表面に膜厚が１μｍ程度の非常に均一なＮｉめっき被膜を形成することができた（ＥＰＭＡ分析による）。
【００１９】
（実施例３）
自体公知の方法で製造した平均粒径が０．２μｍのＮｉ−Ｚｎ系フェライト原料粉と有機系バインダとしてポリビニルアルコールを用い、噴霧乾燥によって造粒体を作製し、窒素ガス雰囲気において１１００℃で１０時間熱処理することでバインダを熱分解除去して平均粒径が１００μｍの球状のＮｉ−Ｚｎ系フェライト造粒粉を製造した。この造粒粉１ｇに対し、実施例１と全て同じ方法でその表面にＣｕめっき被膜を形成した。その結果、造粒粉の表面に膜厚が１μｍ程度の非常に均一なＣｕめっき被膜を形成することができた（ＥＰＭＡ分析による）。
【００２０】
（実施例４）
実施例３で製造したＮｉ−Ｚｎ系フェライト造粒粉と同じ造粒粉１ｇに対し、実施例２と全て同じ方法でその表面にＮｉめっき被膜を形成した。その結果、造粒粉の表面に膜厚が１μｍ程度の非常に均一なＮｉめっき被膜を形成することができた（ＥＰＭＡ分析による）。
【００２１】
（比較例１）
実施例１で製造したＭｎ−Ｚｎ系フェライト造粒粉と同じ造粒粉１ｇに対し、実施例１の第２工程と同じ工程を行い、造粒粉の表面にＣｕめっき被膜を形成することを試みたが、Ｃｕめっき被膜を形成することはできなかった（表面観察による）。
【００２２】
（比較例２）
特開昭６３−７９９７５号公報に記載の方法に従い、実施例１で製造したＭｎ−Ｚｎ系フェライト造粒粉と同じ造粒粉１ｇを、０．１Ｍの硫酸銅水溶液（浴温２５℃）３００ｍＬに１０分間浸漬した後、濾過して水洗した。この処理を行った造粒粉に対し、実施例１の第２工程と同じ工程を行い、造粒粉の表面にＣｕめっき被膜を形成することを試みたが、Ｃｕめっき被膜は形成できなかった（表面観察による）。
【００２３】
（比較例３）
実施例１で製造したＭｎ−Ｚｎ系フェライト造粒粉と同じ造粒粉１ｇに対し、実施例１の第１工程におけるパラジウム表面活性化処理と同じ処理を行い、濾過して水洗した。この処理を行った造粒粉に対し、比較例２と同じ方法で造粒粉の表面にＣｕめっき被膜を形成することを試みたが、Ｃｕめっき被膜は形成できなかった（表面観察による）。
【００２４】
（比較例４）
実施例１で製造したＭｎ−Ｚｎ系フェライト造粒粉と同じ造粒粉１ｇに対し、実施例１の第１工程におけるパラジウム表面活性化処理と同じ処理を行い、濾過して水洗した。この処理を行った造粒粉１ｇを、ホルムアルデヒド１．５ｍＬを添加した０．１Ｍの硫酸銅水溶液（浴温２５℃）３００ｍＬに１０分間浸漬した後、濾過して水洗した。この処理を行った造粒粉に対し、実施例１の第２工程と同じ工程を行い、造粒粉の表面にＣｕめっき被膜を形成することを試みたが、Ｃｕめっき被膜は形成できなかった（表面観察による）。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
本発明は、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライトなどのソフトフェライトをはじめとする各種のフェライトを、有機系バインダを用いて造粒した後に熱処理することでバインダを熱分解除去して製造されてなる造粒粉の表面に、湿式めっき処理によって、金属めっき被膜を形成する方法、表面に金属めっき被膜を有するフェライト造粒粉およびこれを用いて作製された温度スイッチ素子を提供することができる点において産業上の利用可能性を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施例１における第１工程を行う前の造粒粉のＥＰＭＡ分析による表面２次電子像である。
【図２】実施例１における第２工程を行った後の造粒粉のＥＰＭＡ分析による表面２次電子像である。
【図３】同、断面２次電子像である。
【図４】同、断面鉄Ｘ線像である。
【図５】同、断面銅Ｘ線像である。
【図１】
2005194542.tif 000003
【図２】
2005194542.tif 000004
【図３】
2005194542.tif 000005
【図４】
2005194542.tif 000006
【図５】
2005194542.tif 000007