(57)【要約】【課題】放射線画像を得るための画素に対して無用な欠陥補正を行わないようにすることにより、診断に提供する放射線画像の信頼性を向上させるようにする。【解決手段】工場出荷時に抽出された欠陥画素が登録される初期欠陥マップ１と、市場における定期点検時に抽出された欠陥画素が登録されるＱＣ欠陥マップ２と、工場出荷時に抽出された感度異常の擬欠陥画素が登録される擬欠陥マップ３とを作成し、これらを用いて欠陥補正対象となる画素が登録される合成欠陥マップ４を作成することにより、擬欠陥マップ３に登録されている擬欠陥画素を欠陥補正対象から排除することができるようにして、無用な欠陥補正を削減できるようにする。【選択図】      図１
2005006196.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する放射線検出器を用いた放射線撮影方法において、
前記放射線検出器の初期欠陥画素が登録された初期欠陥マップを生成する初期欠陥マップ生成工程と、
一部の機能のみ補正することが必要な擬欠陥画素が登録された擬欠陥マップを生成する擬欠陥マップ生成工程と、
日常点検によって発見された欠陥画素が登録されたＱＣ欠陥マップを生成するＱＣ欠陥マップ生成工程と、
前記初期欠陥マップと前記擬欠陥マップと前記ＱＣ欠陥マップとを用いて、欠陥補正を行う画素が登録された合成欠陥マップを生成する合成欠陥マップ生成工程とを具備することを特徴とする放射線撮影方法。
【請求項２】
前記擬欠陥画素は、感度、暗電流またはそれらの安定性の少なくとも１つが通常画素と異なることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮影方法。
【請求項３】
前記合成欠陥マップ生成工程は、前記初期欠陥マップをＡ１、前記ＱＣ欠陥マップをＡ２、前記擬欠陥マップをＢとしたとき、前記合成欠陥マップＸを次式で算出することを特徴とする請求項１または２に記載の放射線撮影方法。
【数１】
2005006196.tif 000010
【請求項４】
前記合成欠陥マップを用いて欠陥補正を行う欠陥補正工程を具備することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の放射線撮影方法。
【請求項５】
複数の画素を有する放射線検出器を用いた放射線撮影方法において、
前記放射線検出器の画素を少なくとも３種類の欠陥モード別に分類し、それぞれに対応する欠陥マップを生成する欠陥マップ生成工程と、
前記欠陥マップ別に異なる画像処理を行う画像処理工程とを具備することを特徴とする放射線撮影方法。
【請求項６】
前記欠陥モードは、通常画素が分類されるモードと、欠陥画素が分類されるモードと、一部の機能のみ補正することが必要な擬欠陥画素が分類されるモードとを含むことを特徴とする請求項５に記載の放射線撮影方法。
【請求項７】
前記擬欠陥画素は、感度、暗電流またはそれらの安定性の少なくとも１つが前記通常画素と異なることを特徴とする請求項６に記載の放射線撮影方法。
【請求項８】
前記画像処理は、欠陥補正処理を含む平準化処理であることを特徴とする請求項５〜７の何れか１項に記載の放射線撮影方法。
【請求項９】
前記平準化処理は、注目画素の出力を、前記注目画素の出力と、前記注目画素を取り巻く周囲の画素の出力との両方を使って計算した数値に置き換えることを特徴とする請求項８に記載の放射線撮影方法。
【請求項１０】
前記擬欠陥画素は、飽和に到達すると欠陥補正されることを特徴とする請求項６〜９の何れか１項に記載の放射線撮影方法。
【請求項１１】
複数の画素を有する放射線検出器と、前記放射線検出器の欠陥画素マップおよびプログラムを記憶する記憶装置と、前記プログラムを実行する動作を含む制御を行う制御装置とを具備する放射線撮影装置であって、
前記欠陥画素マップは、初期欠陥画素が登録された初期欠陥マップと、一部の機能のみ補正することが必要な擬欠陥画素が登録された擬欠陥マップと、日常点検によって発見された欠陥画素が登録されたＱＣ欠陥マップであり、
前記制御装置は、前記初期欠陥マップと、前記擬欠陥マップと、前記ＱＣ欠陥マップとを用いて、欠陥補正を行う画素が登録された合成欠陥マップを生成し、前記記憶装置に記憶することを特徴とする放射線撮影装置。
【請求項１２】
前記擬欠陥画素は、感度、暗電流またはそれらの安定性の少なくとも１つが通常画素と異なることを特徴とする請求項１１に記載の放射線撮影装置。
【請求項１３】
前記制御装置は、前記合成欠陥マップをＸ、前記初期欠陥マップをＡ１、前記ＱＣ欠陥マップをＡ２、前記擬欠陥マップをＢとしたとき、前記合成欠陥マップＸを次式で算出することを特徴とする請求項１１または１２に記載の放射線撮影装置。
【数２】
2005006196.tif 000011
【請求項１４】
前記制御装置は、前記合成欠陥マップを用いて欠陥補正を行うことを特徴とする請求項１１〜１３の何れか１項に記載の放射線撮影装置。
【請求項１５】
複数の画素を有する放射線検出器と、前記放射線検出器の欠陥画素マップおよびプログラムを記憶する記憶装置と、前記プログラムを実行する動作を含む制御を行う制御装置とを具備する放射線撮影装置であって、
前記制御装置は、前記放射線検出器の画素を少なくとも３種類の欠陥モード別に分類し、それぞれに対応する欠陥マップを生成し、前記欠陥マップ別に異なる画像処理を行うことを特徴とする放射線撮影装置。
【請求項１６】
前記欠陥モードは、通常画素が分類されるモードと、欠陥画素が分類されるモードと、一部の機能のみ補正することが必要な擬欠陥画素が分類されるモードとを含むことを特徴とする請求項１５に記載の放射線撮影装置。
【請求項１７】
前記擬欠陥画素は、感度、暗電流またはそれらの安定性の少なくとも１つが前記通常画素と異なることを特徴とする請求項１６に記載の放射線撮影装置。
【請求項１８】
前記画像処理は、欠陥補正処理を含む平準化処理であることを特徴とする請求項１５〜１７の何れか１項に記載の放射線撮影装置。
【請求項１９】
前記平準化処理は、注目画素の出力を、前記注目画素出力と、前記注目画素を取り巻く周囲の画素の出力との両方を使って計算した数値に置き換えることを特徴とする請求項１８に記載の放射線撮影装置。
【請求項２０】
前記擬欠陥画素は、飽和に到達すると欠陥補正されることを特徴とする請求項１６〜１９の何れか１項に記載の放射線撮影装置。
【請求項２１】
複数の画素を有する放射線検出器の初期欠陥画素が登録された初期欠陥マップを生成する初期欠陥マップ生成工程と、
一部の機能のみ補正することが必要な擬欠陥画素が登録された擬欠陥マップを生成する擬欠陥マップ生成工程と、
日常点検によって発見された欠陥画素が登録されたＱＣ欠陥マップを生成するＱＣ欠陥マップ生成工程と、
前記初期欠陥マップと前記擬欠陥マップと前記ＱＣ欠陥マップとを用いて、欠陥補正を行う画素が登録された合成欠陥マップを生成する合成欠陥マップ生成工程とをコンピュータに実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項２２】
複数の画素を有する放射線検出器の画素を少なくとも３種類の欠陥モード別に分類し、それぞれに対応する欠陥マップを生成する欠陥マップ生成工程と、
前記欠陥マップ別に異なる画像処理を行う画像処理工程とをコンピュータに実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項２３】
前記請求項２１または２２に記載のコンピュータプログラムを記録したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項２４】
放射線検出器に設けられた複数の画素の中から、一部の特性のみ補正することが必要な擬欠陥画素を抽出する擬欠陥画素抽出工程と、
前記擬欠陥画素抽出工程により抽出された擬欠陥画素を除いて、上記複数の画素に含まれている欠陥画素に対し欠陥補正を行う欠陥補正工程とを行うことを特徴とする放射線撮影方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放射線撮影方法、放射線撮影装置、コンピュータプログラム及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関し、特に、放射線検出器が有する画素の欠陥を補正するために用いて好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
被写体を透過した放射線像を撮影する放射線撮影装置として、従来は放射線を蛍光に変換する増感紙と、蛍光で感光するフィルムとを密着させた、スクリーン・フィルム系（Ｓ／Ｆ系）と呼ばれる撮影装置が使用されてきた。
また、蛍光体とイメージ・インテンシファイア（Ｉ．Ｉ．）とを組み合わせたものを用いて放射線画像の増倍を行い、この増倍された放射線画像を、光学系を介して撮像管で撮影するＩ．Ｉ．−ＴＶ撮影装置も使用されてきた。
前者は一般撮影と呼ばれる静止画撮影に、また後者は透視撮影やアンギオ撮影と呼ばれる動画撮影に主に使用されてきた。
【０００３】
最近では、画像のデジタル化の要求から、デジタル画像を出力する機能を有するデジタル撮影装置が使用され始めている。
一般撮影では、前述したスクリーン・フィルム系に代わって、放射線像を潜像として蓄積するイメージングプレートを使用し、このイメージングプレートをレーザ走査することにより前記潜像を励起し、これにより発生する蛍光を光電子増倍管で読み取る、コンピューテッド・ラジオグラフィ装置も使用されている。
また、動画撮影では、撮像管の代わってＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）等の固体撮像素子を使用する、Ｉ．Ｉ．−ＤＲ撮影装置も使用されている。
このようなコンピューテッド・ラジオグラフィ装置とＩ．Ｉ．−ＤＲ撮影装置の両者は、デジタル画像を出力する機能を有しており、医療画像のデジタル化に貢献し始めている。
【０００４】
さらに、最近では、蛍光体と大面積アモルファスシリコンセンサとを密着させた放射線平面検出器、いわゆるＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）を使用して、光学系等を介さずに放射線像を直接デジタル化するデジタル撮影装置が実用化されている。
また、アモルファスセレン、よう化鉛（ＰｂＩ２）およびよう化水銀（ＨｇＩ２）等を使用して放射線を電子に変換し、該電子を大面積アモルファスシリコンセンサで検出する放射線平面検出器（ＦＰＤ）も同様に実用化されている。
【０００５】
どちらの放射線平面検出器（ＦＰＤ）も原理的には極めて類似しており、前者は間接型、後者は直接型と呼ばれている。
放射線平面検出器（ＦＰＤ）において、Ｘ線を捕捉して２次量子に変換する部分は、１次センサ（ｐｒｉｍａｒｙ  ｓｅｎｓｏｒ）と呼ばれ、間接型では蛍光体であるのに対し、直接型ではアモルファスセレンなどである。
【０００６】
一方、２次量子を検出する部分は、２次センサ（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  ｓｅｎｓｏｒ）と呼ばれ、間接型では、アモルファスシリコンＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アレイと受光部と電荷蓄積部とを備えた光センサであるのに対し、直接型では、アモルファスシリコンＴＦＴアレイと電荷蓄積部とを備えた電荷センサである。
これらＦＰＤは、原理的に静止画のみならず動画も撮影することが可能なことから、次世代のデジタル撮影装置として期待されている。
【０００７】
ここで、ＦＰＤに使用されている２次センサの読み取り動作原理について、図７を用いて簡単に説明する。図７では、簡単のために９画素からなる２次センサを示している。
図７において、７１ａ〜７１ｉは蛍光を電子に変換する光電変換部、７２ａ〜７２ｉは光電変換部で発生した電子を転送するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、７３は光電変換部７１ａ〜７１ｉにバイアス電圧を与えるバイアス線、７４ａ、７４ｂ、７４ｃはＴＦＴ７２ａ〜７２ｉにスイッチング信号を伝達するゲート線、７５ａ、７５ｂ、７５ｃはＴＦＴ７２ａ〜７２ｉを通過した電子を転送する信号線、７６は信号線７５ａ、７５ｂ、７５ｃから１つの信号線を選択し信号電子を増幅する読み取りＩＣ（Ｒｅａｄ−ｏｕｔ  ｄｅｖｉｃｅ）、７７は増幅されたアナログ信号をデジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換器（Ａ／Ｄ変換器：Ａｎａｌｏｇ−ｔｏ−ｄｉｇｉｔａｌ  ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）、７８はＴＦＴ７２ａ〜７２ｉのスイッチング動作を制御するゲート駆動装置（Ｇａｔｅ  ｄｒｉｖｅｒ）である。
【０００８】
図７において、２次センサの画素の全面を覆う図示されていない蛍光体に放射線が照射されると、蛍光体はその強度に比例した蛍光を発する。光電変換部７１ａ〜７１ｉは、この蛍光を捕捉し信号電子に変換する。ゲート駆動装置７８がゲート線７４ａをＨｉｇｈにすると、このゲート線７４ａに接続された横一列のＴＦＴ７１ａ〜７１ｃが全てＯＮになる。すると、光電変換部７１ａ〜７１ｃに蓄積された信号電子は信号線７５ａ、７５ｂ、７５ｃに転送される。
【０００９】
そして、読み取りＩＣ７６は、信号線７５ａを選択すると、この信号線７５ａに転送されている信号電子を増幅して読み取る。読み取りＩＣ７６にて読み取られた信号電子は、Ａ／Ｄ変換器７７でデジタル信号に変換される。
続いて、読み取りＩＣ７６は、信号線７５ｂ、７５ｃを順次選択し、それぞれの信号線７５ｂ、７５ｃに転送されている信号電子を順次読み取る。
この動作によってゲート線７４ａに接続された横一列分の３画素の信号電子が読み取られ、デジタル信号に変換される。
【００１０】
次に、ゲート線７４ｂ、７４ｃが順次選択され、ゲート線７４ａに接続された画素と同様に、ゲート線７４ｂ、７４ｃにそれぞれ接続された横一列分の３画素の信号電子が順次読み取られ、デジタル信号に変換される。
【００１１】
図８は、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型２次センサの１画素を模擬した等価回路である。
図８において、７１は光電変換部、７２はＴＦＴ、７３はバイアス線、７６は読み取りＩＣ、８２は光電変換部７１にバイアス電圧を伝達する上部電極（Ｄ電極）、８３は上部電極８２と同電位でありａ−Ｓｉ真性半導体ｉ層８４へのホール注入を阻止するｎ＋ドープ層、８４は光電変換を行うａ−Ｓｉ真性半導体ｉ層、８５は電子及び正孔（ホール）の両者の移動を阻止する絶縁層、８６は下部電極（Ｇ電極）である。
【００１２】
ＦＰＤに使用される２次センサは、数百万画素からなっているが、各画素の特性は微妙に異なっている。特に、画像センサとして重要な特性は、暗電流（分布）と感度特性（分布）である。また、１次センサにも感度特性（分布）が存在する。
【００１３】
そこで、ＦＰＤでは、これらの特性を補正する工程（補正工程）を実施し、各画素の特性が実質上均一なセンサとなるようにしている。この補正工程は、前述した間接型でも直接型でもほぼ共通である。以下に、暗電流と感度特性の補正方法について説明する。
【００１４】
まず、暗電流の補正方法について説明する。ここで、暗電流とは、センサへの入力がないときに測定される電流であり、ランダム成分と定常的なオフセット成分とからなるとする。
暗電流がセンサ入力に依存しないと仮定すると、センサに信号を入力したときの画像からセンサに信号を入力しないときの画像を引くことで、画素毎に異なる暗電流のオフセット成分の補正が可能となる。
【００１５】
センサに信号を入力したときの放射線画像をＸ（ｘ，ｙ）、その直後に測定される暗電流画像をＤＸ（ｘ，ｙ）とすると、暗電流を補正した後の１次暗電流補正画像ＣＸ（ｘ，ｙ）は、次の式（１）で表される。ただし、式（１）において、ｘ、ｙは、２次元配列した画素のアドレスである。
【００１６】
【数３】
2005006196.tif 000003
【００１７】
次に、感度特性の補正について説明する。感度補正は、キャリブレーションと呼ぶことがある。感度補正は、センサを構成する画素の感度のばらつきを補正する工程であり、一般に１次センサと２次センサの感度を同時に補正する。
感度が定常的であると仮定すると、センサに信号を入力したときの画像を、センサに一様な入力を与えたときの画像で割ることで、画素毎に異なる感度の補正が可能となる。
【００１８】
センサに一様な入力を与えたときの画像をＣｗ（ｘ，ｙ）、センサに一様な入力を与えたときの画像Ｃｗ（ｘ，ｙ）に含まれる放射線画像成分および暗電流画像成分をそれぞれＷ（ｘ，ｙ）およびＤｗ（ｘ，ｙ）とすると、感度を補正した後の補正画像Ｃ（ｘ，ｙ）は次の式（２）で表される。ただし、式（２）において、上線は平均値を表す。
【００１９】
【数４】
2005006196.tif 000004
【００２０】
そして、式（１）を用いると、式（２）は、次の式（３）のように表される。
【００２１】
【数５】
2005006196.tif 000005
【００２２】
放射線撮影装置では感度補正のために、一様な放射線を照射するのが一般的である。ところが、放射線画像診断に利用する線量レベルでは、放射線量子数の平方根に比例する量子ノイズが放射線画像に重畳している。この量子ノイズは原理的に不可避であるため、センサに一様な入力を与えたときの画像Ｃｗ（ｘ，ｙ）にも当然量子ノイズが重畳している。つまり、センサに一様な入力を与えたときの画像Ｃｗ（ｘ，ｙ）に重畳した量子ノイズによって、感度補正の精度の悪化が懸念される。
【００２３】
そこで、一般的には感度補正のために、複数回の放射線撮影を行って得られた画像の平均を行い、センサに一様な入力を与えたときの画像Ｃｗ（ｘ，ｙ）に含まれる実効的な放射線量子数を増加させることにより感度補正の精度を向上させることが行われている。
【００２４】
加えて、ＦＰＤに使用される２次センサを構成する数百万画素は、すべてが正常に動作するわけではなく、有限個数の欠陥画素が含まれている。診断への影響、歩留まりおよびコストを考慮して、適切な個数の欠陥画素が許容されている。２次センサの欠陥画素は、ＴＦＴ７２ａ〜７２ｉの故障によるリーク、あるいはバイアス線７３、ゲート線７４および信号線７５それぞれのオープン、あるいはこれら相互の短絡などによって発生する。したがって、多様な欠陥モードがある。これら欠陥画素の出力は、正常画素の出力と相関がないことが多い。また、出力がランダムに変動することもある。
【００２５】
同様に、ＦＰＤに使用される蛍光体あるいはアモルファスセレンなどの１次センサにも、有限個数の欠陥画素が存在する。
蛍光体の場合は、蛍光体層内に異物が混入して光が減衰する欠陥モードがある。また、柱状化ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）蛍光体の場合は、結晶成長異常などにより局所的に感度が変化する欠陥モードがある。さらに、アモルファスセレンの場合は、蒸着の際にピンホールが発生し、該ピンホールによって数千ボルトのバイアスが短絡する欠陥モードがあると言われている。
【００２６】
欠陥画素は、欠陥画素を取り巻く周囲の画素の出力を利用して補間される。例えば、図９に示すように、中心の画素９０のみに欠陥があるような孤立点欠陥の場合には、周囲の８画素の平均値を用いて補正されるのが一般的である。
また周囲の画素の出力に応じて適応的（ａｄａｐｔｉｖｅ）に欠陥補正を行うことも可能である。例えば、周囲の画素の情報から、エッヂが欠陥画素と重なっていると推定されたときは、エッヂをシャープに再現するように演算を行った結果を欠陥画素の出力とすることも可能である。
【００２７】
欠陥の定義は、放射線撮影装置によって異なると考えられるが、一般的にはＦＰＤに均一な放射線を照射したときの画像を使用する。ＦＰＤの感度特性あるいは量子ノイズによってこの画像は揺らいでおり有限の標準偏差を有している。しかし、欠陥画素はこれら揺らぎの程度を超えた出力を呈していることが多い。そこで、ＦＰＤに均一な放射線を照射したときの画像において、例えば１２８×１２８画素のＲＯＩ（Ｒｅｇｉｏｎ  Ｏｆ  Ｉｎｔｅｒｅｓｔ）を設定し、該ＲＯＩ内の平均値ｍと標準偏差σとを求め、出力が（ｍ±５σ）を超えた画素を欠陥と定義する方法が考えられる。また、出力が（ｍ±０．２ｍ）を超えた画素を欠陥と定義する方法も考えられる。また、ＦＰＤに放射線を照射しないときに得られる暗電流画像を利用して、同様に欠陥画素を検出する方法も考えられる。
【００２８】
これらの欠陥は、通常の使用状態における装置の寿命範囲では、数においても程度においても殆ど劣化しないことが実験的に確かめられている。そこで、工場出荷時に欠陥マップを作成し、補間処理によって欠陥画素の出力を正しいと推定される出力に置き換えている。また、万一欠陥が増加したことを考慮して、市場における定期点検時などに欠陥マップを更新している。
【００２９】
例えば、特許文献１に記載の技術では、イメージ・インテンシファイア（Ｉ．Ｉ．）およびイメージ・インテンシファイアの出力光像を撮像するテレビカメラ（ＴＶ）に起因する欠陥位置を予め記憶し、該記憶した欠陥位置に基づいて診断画像を補償する方法が開示されている。
【００３０】
また、特許文献２および特許文献３に記載の技術では、工場出荷時の欠陥を初期欠陥マップとして登録し、さらに定期点検時などに新たに欠陥マップを作成し、両者から合成欠陥マップを作成し、診断画像の欠陥画素の補正（欠陥補正工程）を行う方法が開示されている。
【００３１】
これら欠陥補正工程を、図１０を用いて説明する。
図１０において、３１は欠陥補正プログラム、３２は工場出荷時に生成される初期欠陥マップ、３３は市場における日常点検時に生成されるＱＣ欠陥マップ、３４は撮影画像、３５は論理和工程部、３６は合成欠陥マップ、３７は欠陥補正工程部、３８は補間画像、３９は置き換え工程部、４０は処理後画像である。
【００３２】
なお、初期欠陥マップ３２およびＱＣ欠陥マップ３３において、正常画素は白画素、欠陥画素は黒画素として表示されている。初期欠陥マップ３２とＱＣ欠陥マップ３３が部分的に一致しないのは、両者を生成するための検査方法およびアルゴリズムが異なるためである。
また、撮影画像３４では欠陥画素の出力レベルが不特定なことを考慮して、欠陥画素は白画素あるいは黒画素のいずれかで表現されている。
【００３３】
欠陥補正プログラム３１に対する入力は、初期欠陥マップ３２、ＱＣ欠陥マップ３３および撮影画像３４である。論理和工程部３５において、初期欠陥マップ３２およびＱＣ欠陥マップ３３を用いて合成欠陥マップ３６が生成される。続いて、撮影画像３４と合成欠陥マップ３６とが欠陥補正工程部３７に入力され、欠陥画素の画素値が補間処理などにより推定され、補間画像３８が生成される。最後に置き換え工程部３９において、撮影画像３４に含まれる欠陥画素のみが補間画像３８によって置き換えられて、処理後画像４０が生成され、該生成された処理後画像４０が欠陥補正プログラム３１から出力される。
【００３４】
【特許文献１】
特許第２７１２４９５号明細書
【特許文献２】
特開２００１−８１０６号公報
【特許文献３】
特開２００１−８１０７号公報
【００３５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、本願発明者らは、前述した欠陥モードの解析を進めたところ、従来の欠陥の定義では、欠陥を過大に計数していることが分かった。例えば、蛍光体における一部の欠陥モードは、単純に光量が減衰するだけであり、感度を補正することによって、正常な画素として取り扱うことができることが分かった。
【００３６】
同様に、２次センサの欠陥モードの一部も単純に出力が低下（上昇）しているだけであり、感度を補正することによって、正常な画素として取り扱うことができることが分かった。
つまり、例えば、前述した欠陥の定義により欠陥と定義される、出力が（ｍ±５σ）あるいは（ｍ±０．２ｍ）を超えた画素であっても、実は欠陥ではない擬欠陥画素が存在することが分かった。
【００３７】
これら欠陥に見えるが正常に使用可能な擬欠陥画素と、本当の欠陥画素とを見分けるには精密な試験が必要である。この場合、例えば、放射線強度レベルを変えて何度も撮影し、画素のリニアリティを検査する方法が有効である。また、同じ撮影を何度か繰り返し、出力の安定性を検査する方法も有効である。
【００３８】
しかしながら、このような検査を放射線撮影装置の設置先で行うのは困難である。さらに、擬欠陥画素と（本当の）欠陥画素とを、ユーザが行う日常点検で見分けるのは困難である。そこで、これら擬欠陥画素と欠陥画素とを分類する工程は工場出荷前に行うことが望ましい。
【００３９】
ところが、設置先の日常点検において簡単な欠陥検査を行うと、これらの擬欠陥画素を欠陥画素として抽出してしまい、抽出した擬欠陥画素を欠陥マップに追加登録してしまう可能性がある。画素値を置き換える欠陥補正処理には、原理的に何らかの推定が入るため、欠陥補正処理は必要最小限に留めるべきであり、擬欠陥画素を欠陥補正対象に含めるのは望ましくない。
【００４０】
また、放射線撮影装置によっては、連結した欠陥を認めない仕様を有していることがある。蛍光体における一部の欠陥モードでは、光量減衰が数画素に及ぶことがある。これをもし欠陥と定義すると、無用な欠陥補正が増加するばかりか、場合によっては誤ってセンサそのものが不良品と判断される可能性がある。
【００４１】
本発明は前述の問題点に鑑みてなされたものであり、放射線画像を得るための画素に対して無用な欠陥補正を行わないようにすることにより、診断に提供する放射線画像の信頼性を向上させるようにすることを目的とする。
【００４２】
【課題を解決するための手段】
本発明の放射線撮影方法は、複数の画素を有する放射線検出器を用いた放射線撮影方法において、前記放射線検出器の初期欠陥画素が登録された初期欠陥マップを生成する初期欠陥マップ生成工程と、一部の機能のみ補正することが必要な擬欠陥画素が登録された擬欠陥マップを生成する擬欠陥マップ生成工程と、日常点検によって発見された欠陥画素が登録されたＱＣ欠陥マップを生成するＱＣ欠陥マップ生成工程と、前記初期欠陥マップと前記擬欠陥マップと前記ＱＣ欠陥マップとを用いて、欠陥補正を行う画素が登録された合成欠陥マップを生成する合成欠陥マップ生成工程とを具備することを特徴としている。
また、本発明の他の特徴とするところは、複数の画素を有する放射線検出器を用いた放射線撮影方法において、前記放射線検出器の画素を少なくとも３種類の欠陥モード別に分類し、それぞれに対応する欠陥マップを生成する欠陥マップ生成工程と、前記欠陥マップ別に異なる画像処理を行う画像処理工程とを具備する点にある。
かかる方法では、擬欠陥マップに登録された擬欠陥画素を欠陥補正の対象外にして、無用な欠陥補正を削減する。
【００４３】
本発明の放射線撮影装置は、複数の画素を有する放射線検出器と、前記放射線検出器の欠陥画素マップおよびプログラムを記憶する記憶装置と、前記プログラムを実行する動作を含む制御を行う制御装置とを具備する放射線撮影装置であって、前記欠陥画素マップは、初期欠陥画素が登録された初期欠陥マップと、一部の機能のみ補正することが必要な擬欠陥画素が登録された擬欠陥マップと、日常点検によって発見された欠陥画素が登録されたＱＣ欠陥マップであり、前記制御装置は、前記初期欠陥マップと、前記擬欠陥マップと、前記ＱＣ欠陥マップとを用いて、欠陥補正を行う画素が登録された合成欠陥マップを生成し、前記記憶装置に記憶することを特徴としている。
また、本発明の他の特徴とするところは、複数の画素を有する放射線検出器と、前記放射線検出器の欠陥画素マップおよびプログラムを記憶する記憶装置と、前記プログラムを実行する動作を含む制御を行う制御装置とを具備する放射線撮影装置であって、前記制御装置は、前記放射線検出器の画素を少なくとも３種類の欠陥モード別に分類し、それぞれに対応する欠陥マップを生成し、前記欠陥マップ別に異なる画像処理を行う点にある。
【００４４】
本発明のコンピュータプログラムは、複数の画素を有する放射線検出器の初期欠陥画素が登録された初期欠陥マップを生成する初期欠陥マップ生成工程と、一部の機能のみ補正することが必要な擬欠陥画素が登録された擬欠陥マップを生成する擬欠陥マップ生成工程と、日常点検によって発見された欠陥画素が登録されたＱＣ欠陥マップを生成するＱＣ欠陥マップ生成工程と、前記初期欠陥マップと前記擬欠陥マップと前記ＱＣ欠陥マップとを用いて、欠陥補正を行う画素が登録された合成欠陥マップを生成する合成欠陥マップ生成工程とをコンピュータに実行させることを特徴としている。
【００４５】
本発明のコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、前記記載のコンピュータプログラムを記録したことを特徴としている。
【００４６】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
次に、図面を参照しながら、本発明の第１の実施の形態を説明する。
本実施の形態における放射撮影方法（欠陥補正方法）では、工場出荷時に登録する欠陥マップを欠陥モードに応じて２種類生成する。この２種類の欠陥マップの一方は、機能しない欠陥画素のみを有する初期欠陥マップであり、もう一方は、感度異常の擬欠陥画素のみを有する擬欠陥マップである。擬欠陥画素を欠陥補正の対象外とすることで、欠陥補正を行う画素数を減少させることができる。なお、擬欠陥画素は通常の感度補正により平準化される。
【００４７】
本実施の形態における放射撮影方法（欠陥補正方法）を、図１を用いて説明する。
図１において、１は初期欠陥マップ、２はＱＣ欠陥マップ、３は擬欠陥マップ、４は合成欠陥マップ、５は論理和工程部、７は論理積工程部、８は中間欠陥マップである。
【００４８】
工場出荷時に初期欠陥マップ１と擬欠陥マップ３とが生成され、放射線撮影装置に記憶される。初期欠陥マップ１と擬欠陥マップ３の生成方法の一例としては、まず、ＦＰＤに均一な放射線を照射したときの画像（以下、均一照射画像と称する）において、１２８×１２８画素のＲＯＩを設定し、該ＲＯＩ内の平均値ｍを求め、注目欠陥候補ｐ（ｘ，ｙ）との感度比Ｓｅｎ（ｘ，ｙ）を求める。そして、感度比Ｓｅｎ（ｘ，ｙ）が１±０．２を超えた画素を欠陥候補として初期欠陥マップ１に登録する。
【００４９】
次に、均一照射画像を複数枚撮影し、前記欠陥候補となった画素の安定性を評価する。注目欠陥候補ｐ（ｘ，ｙ）の複数枚にわたる平均値をＭ（ｘ，ｙ）、注目欠陥候補ｐ（ｘ，ｙ）の複数枚にわたる標準偏差と平均値Ｍ（ｘ，ｙ）との比により求められる安定度をＳｔａ（ｘ，ｙ）としたとき、安定度Ｓｔａ（ｘ，ｙ）が±０．０１を超えない画素は安定性があるとする。
【００５０】
表１に、欠陥と擬欠陥の分類を示す。
また、平均値ｍ、感度比Ｓｅｎ（ｘ，ｙ）、注目欠陥候補ｐ（ｘ，ｙ）の複数枚にわたる平均値Ｍ（ｘ，ｙ）、および安定度Ｓｔａ（ｘ，ｙ）の定義を、それぞれ式（４）〜式（７）に示す。
ただし、式（４）〜式（７）において、ｘおよびｙは画素のアドレス、ＸおよびＹはＲＯＩの画素数、Ｎは撮影回数である。
また、表１の分類において擬欠陥とされた欠陥画素（擬欠陥画素）は、初期欠陥マップ１から削除し擬欠陥マップ３に登録するのが好ましい。ただし、後述するように（図６及び式（８）を参照）、擬欠陥マップ３に登録されている擬欠陥画素と重複する画素については欠陥補正の対象から除外することができるので、初期欠陥マップ１から削除せずに、擬欠陥画素を擬欠陥マップ３に登録するようにしてもよい。
【００５１】
【数６】
2005006196.tif 000006
【００５２】
【表１】
2005006196.tif 000007
【００５３】
なお、表１の感度比Ｓｅｎにおける１±０．２は、２次センサの異常画素を欠陥として排除する基準である。すなわち、感度比Ｓｅｎが、０．８以上１．２以下の範囲に入らない画素を欠陥候補する。
【００５４】
また、１±０．５は、１次センサの感度異常画素を欠陥として排除する基準である。すなわち、前述した欠陥候補の画素のうち、感度比Ｓｅｎが、０．５以上１．５以下の範囲に入らない画素を欠陥とする。
【００５５】
また、安定度Ｓｔａが±０．０１を超えなければ、感度比Ｓｅｎが１±０．５（０．５以上１．５以下）までは感度補正によって十分補正することが可能である。したがって、前述した欠陥候補の画素のうち、安定度Ｓｔａが±０．０１を超えない画素については擬欠陥画素とする。
【００５６】
なお、実質的には、例えば、感度比Ｓｅｎが０．２であっても問題はないが、感度補正において５倍の補正が必要となり、ＳＮＲ（Ｓ／Ｎ比）が５倍悪化することを考えて安全のために欠陥としている。また、感度比Ｓｅｎが２程度であってもやはり実質的に問題ないが、Ａ／Ｄ変換器７７の飽和に早く到達することを考えて安全のために欠陥としている。したがって、擬欠陥画素とする安定度の基準値は、±０．０１に限定されない。
【００５７】
同様に、暗電流画像も使用して欠陥画素を抽出し、初期欠陥マップ１に登録する。なお、ＲＯＩ内の標準偏差σを使用した分類も可能である。
【００５８】
次に、市場に放射線撮影装置を設置した後にユーザが日常点検を行い、ＱＣ欠陥マップ２が生成される。日常点検によるＱＣ欠陥マップ２の生成方法の一例としては、均一照射画像において、１２８×１２８画素のＲＯＩを設定し、該ＲＯＩ内の平均値ｍを求め、感度比Ｓｅｎが１±０．３を超えた画素を欠陥画素としてＱＣ欠陥マップ２に登録する。また、暗電流画像も使用して、同様に欠陥画素を抽出し、ＱＣ欠陥マップ２に登録する。ユーザに放射線撮影を繰り返し実施させるのは現実的でないため、撮影回数を制限する代わりに規格を緩和しているのが特徴である。
【００５９】
続いて論理和工程部５において、初期欠陥マップ１とＱＣ欠陥マップ２の論理和を計算し、中間欠陥マップ８を生成する。
次に、論理積工程部７において、中間欠陥マップ８と擬欠陥マップ３の論理積を計算し、合成欠陥マップ４を生成する。
【００６０】
なお、初期欠陥マップ１およびＱＣ欠陥マップ２において、正常画素は白画素、欠陥画素は黒画素として表示されている。また、擬欠陥マップ３において、擬欠陥画素は白画素として表示されている。
【００６１】
図２に、入力Ａおよび入力Ｂをそれぞれ中間欠陥マップ８および擬欠陥マップ３の値とし、出力Ｘを合成欠陥マップ４の値をとしたときの真理値を示す。
図２の真理値表２０において、出力Ｘは、次の式（８）で表される。
【００６２】
【数７】
2005006196.tif 000008
【００６３】
ただし、式（８）において、記号×は、論理積演算を行うことを表し、記号＋は論理和演算を行うことを表す。
また、Ａ１は初期欠陥マップ１の値であり、Ａ２はＱＣ欠陥マップ２の値である。
【００６４】
そして、入力Ａが０となる画素が正常画素、１となる画素が異常画素である。また、入力Ｂが０となる画素が擬欠陥画素である。また、出力Ｘが０となる画素が合成欠陥マップ４に登録されない登録外画素であり、１となる画素が合成欠陥マップ４に登録される登録画素である。従来の欠陥補正では、入力Ａが１のときは必ず欠陥補正されていたが、本実施の形態では、入力Ａが１、且つ入力Ｂが０のときは擬欠陥画素であるので欠陥補正されない。代わりに擬欠陥画素は図示していない感度補正工程により、通常の画素と同様にその出力が活用されて感度が補正される。
【００６５】
以上のように本実施の形態では、擬欠陥マップ３を作成して擬欠陥画素を欠陥補正対象から排除することにより、無用な欠陥補正を削減した欠陥補正工程が実現可能である。特に、市場において欠陥を発見する定期点検（ＱＣ）を行ったとしても、擬欠陥画素を欠陥補正の対象から排除することにより、無用な欠陥補正を削減した欠陥補正工程が実現可能である。これにより、診断に提供する放射線画像の信頼性を向上させることが可能になるとともに、１次センサまたは２次センサが不良品と判断されてしまうことを可及的に防止することができる。
【００６６】
なお、本実施の形態では、初期欠陥マップ１と擬欠陥マップ３は別々のマップとして扱ったが、これは本発明の範囲を限定するものではない。すなわち、本実施の形態では、欠陥マップを２値化画像と仮定したため、初期欠陥マップ１と擬欠陥マップ３とを別々のマップとして扱ったが、多値化画像を用いれば同一画像中にこれらすべてのマップを登録することが可能である。
また、市場において詳細な検討が可能であれば、初期欠陥マップ１および擬欠陥マップ３の両者は市場においても更新することが可能である。
【００６７】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態を説明する。
本実施の形態における放射線撮影方法（欠陥補正方法）は、前述した第１の実施の形態と同様に、擬欠陥画素を欠陥補正の対象外とすることで、欠陥補正する画素数を減少させるものである。ただし、擬欠陥画素は専用の画像処理により平準化されるのが特徴である。
【００６８】
このように、本実施の形態と前述した第１の実施の形態とは、擬欠陥画素に対する処理方法が異なるだけであるので、前述した第１の実施の形態と重複する部分については、図１及び図２に付した符号と同一の符号を付すなどして詳細な説明を省略する。
【００６９】
本実施の形態における欠陥と擬欠陥の分類を表２に示す。表２に示すように、本実施の形態では擬欠陥の分類を増加することにより実質的に規格を緩和していることが特徴である。
【００７０】
【表２】
2005006196.tif 000009
【００７１】
表２において、第１の擬欠陥は、前述した第１の実施の形態で説明した擬欠陥と同様であり、欠陥補正の対象としない。一方、第２の擬欠陥は、単純な感度補正を行うとＳＮＲ（Ｓ／Ｎ比）の低下が懸念されるため、本実施の形態では、感度補正後にフィルタ処理によりＳＮＲの回復を図る。
【００７２】
図３を用いてこのフィルタ処理を説明する。
図３において、４１は孤立欠陥、４２は２連欠陥、４３は３連欠陥を中心とした９×９画素のブロックであり、白画素が正常画素、グレー画素が前記第２擬欠陥に分類される画素、黒画素が欠陥に分類される画素である。
【００７３】
このフィルタ処理の特徴は、注目擬欠陥画素の画素値と、注目擬欠陥画素の周囲に位置する正常画素の画素値との両方を活用することである。
孤立欠陥４１では、擬欠陥画素に１／２、周囲に位置する正常画素の各々に１／１６の重み付けをした画素値を擬欠陥画素の画素値と置き換える処理を行う。２連欠陥４２では、擬欠陥画素に１／２、周囲に位置する正常画素の各々に１／１４の重み付けをした画素値を擬欠陥画素の画素値と置き換える処理を行う。同様に３連欠陥画素４３では、擬欠陥画素に１／２、周囲に位置する正常画素の各々に１／１２の重み付けをした画素値を擬欠陥画素の画素値と置き換える処理を行う。
【００７４】
このようなフィルタ処理によって、擬欠陥画素の画素値と周囲に位置する正常画素の画素値との両方が活用できるため、単純な感度補正に比べて画素値のＳＮＲが向上する。
【００７５】
また図９に示した単純補間処理に比べて、補間による解像度劣化を低減させることができるという効果が得られる。なお、フィルタのマトリクスサイズおよび係数は図３に示したものに限定されるものではなく、任意のマトリクスサイズおよび係数が応用可能である。
【００７６】
また、感度比Ｓｅｎが２の擬欠陥画素は、Ａ／Ｄ変換器７７において正常画素に比べて早く飽和するため、飽和に達した後は欠陥画素として取り扱いすることで平準化するなどして、他の擬欠陥画素とは別に画像処理を行うことも可能である。
【００７７】
なお、特開２００２−３４９６１号公報に記載の技術では、飽和時に特性が変化して欠陥として振舞う画素を画像から検出して、欠陥補正を行う技術が開示されている。しかしながら、本実施の形態では、予め飽和が早いことが判っている画素に対して平準化処理を行うものであり、前記特開２００２−３４９６１号に記載の技術のように、予測を行わずに飽和が起こった場合に適応的（ａｄａｐｔｉｖｅ）に診断画像を解析するものではない。したがって、飽和が起こった場合の欠陥補正を、前記特開２００２−３４９６１号公報に記載の技術よりも迅速且つ確実に行うことができる。
【００７８】
以上のように本実施の形態では、第１の擬欠陥に分類された擬欠陥画素については、感度補正を行う一方、感度補正を行うとＳＮＲ（Ｓ／Ｎ比）の低下が懸念される第２の擬欠陥に分類された擬欠陥画素については、感度補正後にフィルタ処理を行うようにした。すなわち、欠陥モードに応じて擬欠陥画素を分類し、欠陥モード別に平準化処理を行うようにしたので、無用な欠陥補正を行う画素数を削減できるという第１の実施の形態における効果に加え、補間された画素における鮮鋭度の低下とＳＮＲの低下とを制限することができる。
【００７９】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態を説明する。なお、本実施の形態は、前述した第１および第２の実施の形態で説明した放射線撮影方法（欠陥補正方法）を実現する放射線撮影装置に関するものであるので、前述した第１および第２の実施の形態並びに従来の技術と重複する部分については、図１〜図３、並びに図７〜１０に付した符号と同一の符号を付すなどして詳細な説明を省略する。
【００８０】
図４〜図６を用いて、本実施の形態の放射線撮影装置について説明する。
図４は、本実施の形態の放射線撮影装置の構成の一例を示す図である。
【００８１】
図４において、５１はＸ線管、５２は患者、５３は撮影部、５４は散乱線を除去するグリッド、５５は放射線画像を撮影する放射線検出器、５６は放射線撮影装置を制御するＣＰＵ（中央処理装置）、５７は放射線発生装置、５８は放射線曝射を行うための曝射ボタン、５９は撮影画像を表示すると共にユーザインターフェース（Ｉ／Ｆ）を兼用する表示装置、６０は放射線画像および放射線撮影装置に関する情報を記憶する記憶装置、６１は放射線撮影装置を構成する各ユニットを結ぶバスラインである。
【００８２】
図５は、放射線撮影装置に組み込まれる前処理プログラムで行われる処理の一例を説明する図である。
図５において１６０は前処理プログラム、６１は感度補正用放射線画像、６２は感度補正用暗電流画像、６３は放射線画像、６４は暗電流画像、６５Ｗおよび６５Ｘは減算器、６６Ｗおよび６６Ｘは対数変換器、６７は減算器、６８は欠陥補正プログラム、６９は前処理後画像である。
【００８３】
まず、工場において放射線撮影装置を動作させて、初期欠陥マップ１および擬欠陥マップ３を生成する。初期欠陥マップ１および擬欠陥マップ３の生成方法は、第１および第２の実施の形態に示した通りである。生成された初期欠陥マップ１および擬欠陥マップ３は、記憶装置６０に保存される。
【００８４】
次に、放射線撮影装置を市場に設置して稼動準備を行う。設置作業者は、患者５２がいない状態で曝射ボタン５８を押して放射線を発生させ、感度補正用放射線画像１６１および感度補正用暗電流画像１６２を撮影する。
放射線検出器５５から発生したこれらの画像１６１、１６２は、減算器６５Ｗに入力され、式（１）に示した暗電流補正が行われ、さらに対数変換器６６Ｗに入力されて対数変換されてから、バスライン６１を通じて記憶装置６０に保存される。同時にこれらの画像１６１、１６２を使用してＱＣ欠陥マップ２が生成され、同様に記憶装置６０に保存される。
【００８５】
稼動準備が終了した後に、操作者が患者５２を整位して曝射ボタン５８を押すと、放射線画像１６３および暗電流画像１６４がほぼ同時に連続して撮影される。これらの画像１６３、１６４は減算器６５Ｘに入力され、式（１）に示した暗電流補正が行われ、さらに対数変換器６６Ｘに入力されて対数変換される。
次に、これらの画像１６３、１６４と、記憶装置６０から呼び出された感度補正用画像１６１、１６２とが、減算器６７に入力されて、式（２）に示した感度補正が行われる。
【００８６】
さらに、この感度補正された患者画像３４と、記憶装置６０から呼び出された初期欠陥マップ１、ＱＣ欠陥マップ２および擬欠陥マップ３とが、欠陥補正プログラム６８に入力され欠陥補正が行われる。欠陥補正の方法は、前述した第１および第２の実施の形態に示した通りである。また、図６に示すように、合成欠陥マップ４を用いて生成される補間画像３８と、補間画像３８を用いて生成される前処理後画像６９の生成方法も、前述した通りである。
これらの結果、前処理後画像６９が出力として得られる。さらに、前処理後画像６９は図示していない画像処理プログラムによって診断に適した画像処理が施され、表示装置５９に診断画像として表示される。
【００８７】
以上のように本実施の形態によれば、前述した第１および第２の実施の形態における効果を有した放射線撮影装置を提供することができる。すなわち、放射線検出器５５に組み込まれる１次センサおよび２次センサにおける無用な欠陥補正を削減して、１次センサおよび２次センサの歩留まりを向上させることができるので、低コストの放射線撮影装置を提供することができる。
【００８８】
なお、本実施の形態では、欠陥補正を対数画像に対して行うようにしたが、これは本発明の範囲を限定するものではなく、欠陥補正を線形画像に対して行っても同様の効果が得られる。
【００８９】
また、上述した第１〜第３の実施の形態では、安定度が±０．０１を超えない感度異常の画素を擬欠陥画素としたが、擬欠陥画素とする画素は感度異常のものに限定されない。すなわち、一部の特性（機能）のみを補正することで、通常の画素と同様に出力を活用することができる画素であれば、どのような画素を擬欠陥画素としてもよい。例えば、感度、感度の安定性、暗電流、暗電流の安定性及び解像度の少なくとも何れか１つを補正すれば、通常の画素と同様に出力を活用することができる画素を擬欠陥画素としてもよい。尚、解像力の補正方法としては、例えば、擬欠陥部分にのみ解像力を強調するフィルタを掛けることが考えられる。
【００９０】
（本発明の他の実施形態）
上述した実施形態の機能を実現するべく各種のデバイスを動作させるように、該各種デバイスと接続された装置あるいはシステム内のコンピュータに対し、前記実施形態の機能を実現するためのソフトウェアのプログラムコードを供給し、そのシステムあるいは装置のコンピュータ（ＣＰＵあるいはＭＰＵ）に格納されたプログラムに従って前記各種デバイスを動作させることによって実施したものも、本発明の範疇に含まれる。
【００９１】
また、この場合、前記ソフトウェアのプログラムコード自体が上述した実施形態の機能を実現することになり、そのプログラムコード自体、およびそのプログラムコードをコンピュータに供給するための手段、例えば、かかるプログラムコードを格納した記録媒体は本発明を構成する。かかるプログラムコードを記憶する記録媒体としては、例えばフレキシブルディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用いることができる。
【００９２】
また、コンピュータが供給されたプログラムコードを実行することにより、上述の実施形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードがコンピュータにおいて稼働しているＯＳ（オペレーティングシステム）あるいは他のアプリケーションソフト等と共同して上述の実施形態の機能が実現される場合にもかかるプログラムコードは本発明の実施形態に含まれることは言うまでもない。
【００９３】
さらに、供給されたプログラムコードがコンピュータの機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに格納された後、そのプログラムコードの指示に基づいてその機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合にも本発明に含まれることは言うまでもない。
【００９４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、複数の画素を有する放射線検出器の初期欠陥画素が登録された初期欠陥マップと、一部の機能のみ補正することが必要な擬欠陥画素が登録された擬欠陥マップと、日常点検によって発見された欠陥画素が登録されたＱＣ欠陥マップとを生成し、前記初期欠陥マップと前記擬欠陥マップと前記ＱＣ欠陥マップとを用いて、欠陥補正を行う画素が登録された合成欠陥マップを生成するようにしたので、擬欠陥マップを用いて、擬欠陥画素を欠陥補正対象から排除することができるようになる。したがって、無用な欠陥補正を削減することが実現可能になる。
特に、市場において欠陥画素を発見する日常点検を行ったとしても、擬欠陥画素を欠陥補正対象から排除することができるので、無用な欠陥補正を削減することが実現可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示し、合成欠陥マップを生成する際のアルゴリズムの一例を説明する図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態を示し、欠陥と擬欠陥とを分類する真理値表の一例を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示し、感度補正後に行うフィルタ処理を説明する図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態を示し、放射線撮影装置の構成の一例を示す図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態を示し、前処理プログラムで行われる処理を説明する図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態を示し、欠陥補正プログラムで行われる欠陥補正工程を説明する図である。
【図７】従来の技術を示し、２次センサの構成を機能的に示す図である。
【図８】従来の技術を示し、２次センサを構成する画素の等価回路を示す図である。
【図９】従来の技術を示し、孤立点欠陥の場合の補正処理を説明する図である。
【図１０】従来の技術を示し、一般的な欠陥補正工程を説明する図である。
【符号の説明】
１  初期欠陥マップ
２  ＱＣ欠陥マップ
３  擬欠陥マップ
４  合成欠陥マップ
５  論理和工程部
７  論理積工程部
８  中間欠陥マップ
２０  真理値表
３１  欠陥補正プログラム
３２  初期欠陥マップ
３３  ＱＣ欠陥マップ
３４  撮影画像
３５  論理和工程
３６  合成欠陥マップ
３７  欠陥補正工程部
３８  補間画像
３９  置き換え工程部
４０  処理後画像
４１  孤立欠陥を中心とした画素ブロック
４２  ２連欠陥を中心とした画素ブロック
４３  ３連欠陥を中心とした画素ブロック
５１  Ｘ線管
５２  患者
５３  撮影部
５４  グリッド
５５  放射線検出器
５６  ＣＰＵ
５７  放射線発生装置
５８  曝射ボタン
５９  表示装置
６０  記憶装置
６１  バスライン
１６０  前処理プログラム
１６１  感度補正用放射線画像
１６２  感度補正用暗電流画像
１６３  放射線画像
１６４  暗電流画像
６５、６７  減算器
６６  対数変換器
６８  欠陥補正プログラム
６９  前処理後画像
７１  光電変換部
７２  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
７３  バイアス線
７４  ゲート線
７５  信号線
７６  読み取りＩＣ
７７  Ａ／Ｄ変換器
７８  ゲート駆動装置
８２  上部電極
８３  ｎ＋ドープ層
８４  ａ−Ｓｉ真性半導体ｉ層
８５  絶縁層
８６  下部電極
【図１】
2005006196.tif 000012
【図２】
2005006196.tif 000013
【図３】
2005006196.tif 000014
【図４】
2005006196.tif 000015
【図５】
2005006196.tif 000016
【図６】
2005006196.tif 000017
【図７】
2005006196.tif 000018
【図８】
2005006196.tif 000019
【図９】
2005006196.tif 000020
【図１０】
2005006196.tif 000021