(57)【要約】【課題】  安価な絶縁装置を提供することにある。【解決手段】  マイクロコンピュータ１からのＩＧＢＴ駆動用のオンオフ信号は、送信器２から６個の受信器４，…，９に伝送される。受信器４，…，９によって受信されたオンオフ制御信号により、インバータ回路１０の中の６個のＩＧＢＴ・Tr(UP),Tr(VP),Tr(WP),Tr(UN),Tr(VN),Tr(WN)が、それぞれ、オンオフ制御される。６個の受信器４，…，９が送信する信号の受信周波数は、その奇数倍の周波数が、他の受信器の受信周波数と異なるように設定されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧電源に接続された第１の回路と低圧電源に接続された第２の回路との間の入出力信号を絶縁する絶縁手段とを有する絶縁装置において、
前記絶縁手段は、
前記第１の回路若しくは第２の回路の出力信号を送信する１個若しくは複数個の送信器と、
前記第２の回路若しくは第１の回路に接続され、前記送信器から送信された信号を受信する複数個若しくは１個の受信器とから構成されることを特徴とする絶縁装置。
【請求項２】
請求項１記載の絶縁装置において、
前記複数個の送信器が送信する信号の送信周波数は、その奇数倍の周波数が、他の送信器の送信周波数と異なり、
前記複数個の受信器が受信する信号の受信周波数は、その奇数倍の周波数が、他の受信器の受信周波数と異なることを特徴とする絶縁装置。
【請求項３】
請求項２記載の絶縁装置において、
前記第１の回路は、高圧電源から供給される高電圧をスイッチングする複数個のパワー半導体スイッチング素子を備え、
前記第２の回路は、前記パワー半導体スイッチング素子のオンオフを制御するマイクロコンピュータを備え、
前記マイクロコンピュータが出力する前記パワー半導体スイッチング素子のオンオフ制御信号は、１個の送信器から送信され、前記複数個のパワー半導体スイッチング素子に対応して設けられた複数個の受信器により、前記オンオフ制御信号をそれぞれ受信することを特徴とする絶縁装置。
【請求項４】
請求項２記載の絶縁装置において、
前記第１の回路は、高圧電源から供給される高電圧をスイッチングする複数個のパワー半導体スイッチング素子と、これらの複数個のパワー半導体スイッチング素子のそれぞれを流れる電流が過電流であることを検出する複数個の過電流検出回路とを備え、
前記第２の回路は、前記パワー半導体スイッチング素子の過電流情報を受け取るマイクロコンピュータを備え、
前記過電流検出回路が出力する過電流検出信号は、複数個の過電流検出回路のそれぞれに対応して設けられた複数個の送信器から送信され、前記第１の回路に備えられた１個の受信器により、前記過電流検出を受信することを特徴とする絶縁装置。
【請求項５】
請求項１記載の絶縁装置において、
前記送信器は基板の一方の面に実装され、前記受信器は前記基板の他方の面に実装されたことを特徴とする絶縁装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高電圧回路と低電圧回路の間を絶縁する絶縁装置に係り、特に、自動車用電子回路として用いられるに好適な絶縁装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気自動車（ＥＶ）やハイブリット自動車（ＨＥＶ）などの自動車用のインバータ装置においては、インバータ回路をオンオフ駆動する制御回路と、この制御回路によって駆動され、直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路が用いられている。ここで、制御回路の駆動電圧は、例えば、＋５Ｖの低電圧であるのに対して、インバータ回路には、例えば、＋３００Ｖ程度の高電圧が用いられる。したがって、制御回路とインバータ回路の間には、電気的に絶縁するための絶縁手段が用いられている。
【０００３】
絶縁手段としては、例えば、特開平８−２８０１６８号公報に記載のように、パワー素子とマイコン信号の間にフォトカプラを用いて、光信号の空間伝達で絶縁するものが知られている。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−２８０１６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、自動車用のインバータ装置においては、３相交流電圧を得る場合、少なくとも１２個のフォトカプラを用いる必要があった。すなわち、１相分について見ると、上アームと下アームとにそれぞれスイッチング回路を設けるため、３相では場合、６個のスイッチング回路が必要であり、フォトカプラも６個必要になる。また、各相の上下アーム毎に、温度異常等を検出回路を設け、その検出信号を制御回路に送る必要があるため、さらに、６個のフォトカプラが必要となる。その結果、インバータ装置全体のコストの内、フォトカプラの占める割合が、１／４〜１／３となり、インバータ装置が高価になるという問題があった。
【０００６】
本発明の目的は、安価な絶縁装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）上記目的を達成するために、本発明は、高圧電源に接続された第１の回路と低圧電源に接続された第２の回路との間の入出力信号を絶縁する絶縁手段とを有する絶縁装置において、前記絶縁手段は、前記第１の回路若しくは第２の回路の出力信号を送信する１個若しくは複数個の送信器と、前記第２の回路若しくは第１の回路に接続され、前記送信器から送信された信号を受信する複数個若しくは１個の受信器とから構成されるようにしたものである。  
かかる構成により、絶縁装置のコストを低減し得るものとなる。
【０００８】
（２）上記（１）において、好ましくは、前記複数個の送信器が送信する信号の送信周波数は、その奇数倍の周波数が、他の送信器の送信周波数と異なり、前記複数個の受信器が受信する信号の受信周波数は、その奇数倍の周波数が、他の受信器の受信周波数と異なるようにしたものである。
【０００９】
（３）上記（２）において、好ましくは、前記第１の回路は、高圧電源から供給される高電圧をスイッチングする複数個のパワー半導体スイッチング素子を備え、前記第２の回路は、前記パワー半導体スイッチング素子のオンオフを制御するマイクロコンピュータを備え、前記マイクロコンピュータが出力する前記パワー半導体スイッチング素子のオンオフ制御信号は、１個の送信器から送信され、前記複数個のパワー半導体スイッチング素子に対応して設けられた複数個の受信器により、前記オンオフ制御信号をそれぞれ受信するようにしたものである。
【００１０】
（４）上記（２）において、好ましくは、前記第１の回路は、高圧電源から供給される高電圧をスイッチングする複数個のパワー半導体スイッチング素子と、これらの複数個のパワー半導体スイッチング素子のそれぞれを流れる電流が過電流であることを検出する複数個の過電流検出回路とを備え、前記第２の回路は、前記パワー半導体スイッチング素子の過電流情報を受け取るマイクロコンピュータを備え、前記過電流検出回路が出力する過電流検出信号は、複数個の過電流検出回路のそれぞれに対応して設けられた複数個の送信器から送信され、前記第１の回路に備えられた１個の受信器により、前記過電流検出を受信するようにしたものである。
【００１１】
（５）上記（１）において、好ましくは、前記送信器は基板の一方の面に実装され、前記受信器は前記基板の他方の面に実装されるようにしたものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、インバータ装置のコストを低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図１〜図６を用いて、本発明の一実施形態によるインバータ装置の構成について説明する。  
最初に、図１を用いて、本実施形態によるインバータ装置の全体構成について説明する。  
図１は、本発明の一実施形態によるインバータ装置の全体構成を示すブロック図である。
【００１４】
３相ブラシレスモータ１１は、マイクロコンピュータ１によって制御される。マイクロコンピュータ１は、３相ブラシレスモータ１１に対するパルス指令となる６相のＰＷＭパルス信号ＵＰ，ＶＰ，ＷＰ，ＵＮ，ＶＮ，ＷＮを、送信器２に出力する。ＰＷＭパルス信号ＵＰ，ＶＰ，ＷＰ，ＵＮ，ＶＮ，ＷＮは、インバータ回路１０の駆動指令となる。
【００１５】
ここで、モータ１１に電力を供給する電源ＨＶが数百Ｖの高電圧の場合、例えばインバータ回路１０内のパワー半導体スイッチング素子であるＩＧＢＴ・Ｔｒ（ＵＰ）とＩＧＢＴ・Ｔｒ（ＷＰ）がＯＮしてモータ１１に電力を供給するとき、それぞれの素子のエミッタ電圧は数百Ｖの電位差が発生するため、マイクロコンピュータ１を動作させる１２Ｖ電源ＬＶとモータ１１に電力を供給する電源ＨＶは、絶縁する必要がある。
【００１６】
従来、この絶縁のためには、光半導体素子（フォトカップラ）を用いてＩＧＢＴ駆動パルス信号を絶縁していた。しかし、光半導体は構造上、温度サイクルによる光結合部の劣化を抑えることが困難で、過酷な車載環境では寿命が短くなる問題があった。また、フォトカプラの数が多いため、コスト高になるという問題があった。
【００１７】
そこで、本実施形態では、マイクロコンピュータ１のパルス指令ＵＰ，ＶＰ，ＷＰ，ＵＮ，ＶＮ，ＷＮは、各パルス指令毎に異なる周波数や変調信号を発生する高周波送信器２と、この電波をパルス信号に復調する受信器４，５，６，７，８，９を備え、送信器２と受信器４，…，９の間を、空間またはガラスエポキシ基板による分離で絶縁するようにしている。送信器２と受信器４，…，９は、シールドケース３の内部に収納され、外部から遮蔽されている。
【００１８】
高周波送信器２から送信されたＰＷＭパルス信号ＵＰ，ＶＰ，ＷＰ，ＵＮ，ＶＮ，ＷＮは、それぞれ、対応する受信器４，５，６，７，８，９によって復調され、ドライバ回路Ｄup，Ｄvp，Ｄwp，Ｄun，Ｄvn，Ｄwnに供給される。
【００１９】
インバータ回路１０は、ドライバ回路Ｄup，Ｄvp，Ｄwp，Ｄun，Ｄvn，Ｄwnと、ＩＧＢＴ・Ｔｒ（ＵＰ），Ｔｒ（ＶＰ），Ｔｒ（ＷＰ），Ｔｒ（ＵＮ），Ｔｒ（ＶＮ），Ｔｒ（ＷＮ）と、ダイオードｄup，ｄvp，ｄwp，ｄun，ｄvn，ｄwnと、過電流検出回路Ｉup，Ｉvp，Ｉwp，Ｉun，Ｉvn，Ｉwnとを備えている。
【００２０】
例えば、ＵＰ信号をＨｉにすると、受信器４の出力がＨｉとなり、ドライバ回路ＤupはＨｉレベルの出力を出し、インバータ回路１０内のＵ相の上アームに設けられたＩＧＢＴ・Ｔｒ（ＵＰ）がＯＮし、また、同時に、ＷＮ信号をＨｉにすると、インバータ回路１０内のＷ相の下アームに設けられたＩＧＢＴ・Ｔｒ（ＷＮ）がＯＮし、モータ１１のＵ相とＷ相のコイルが通電する。ＵＰ信号をＬｏｗにするとインバータ回路１０内のＩＧＢＴ・Ｔｒ（ＵＰ）がＯＦＦし、ＷＮ信号をＬｏｗにするとインバータ回路１０内のＩＧＢＴ・Ｔｒ（ＷＮ）がＯＦＦする。同様にして、ＩＧＢＴ・Ｔｒ（ＶＰ），Ｔｒ（ＷＰ），Ｔｒ（ＵＮ），Ｔｒ（ＶＮ）も、ＶＰ信号，ＷＰ信号，ＵＮ信号，ＶＮ信号によってＯＮ・ＯＦＦされる。
【００２１】
過電流検出回路Ｉupは、ＩＧＢＴ・Ｔｒ（ＵＰ）のエミッタ・コレクタ間に接続され、所定の電流値よりも大きな電流が流れると、Ｈｉ信号を出力して、過電流を検出する。過電流検出回路Ｉvp，Ｉwp，Ｉun，Ｉvn，Ｉwnも同様にして、それぞれ対応するＩＧＢＴ・Ｔｒ（ＶＰ），Ｔｒ（ＷＰ），Ｔｒ（ＵＮ），Ｔｒ（ＶＮ），Ｔｒ（ＷＮ）の過電流を検出する。送信器１２は、過電流検出回路ＩupがＨｉ信号を出力すると、所定の周波数で変調した信号をアンテナから出力し、その信号は、受信器１８によって復調，検出される。送信器１３，１４，１５，１６，１７も、同様に、過電流検出回路Ｉvp，Ｉwp，Ｉun，Ｉvn，Ｉwnの出力を変調して出力し、その信号は、受信器１８によって復調，検出される。送信器１２，１３，１４，１５，１６，１７における変調周波数は互いに異なる値としている。送信器１２，１３，１４，１５，１６，１７と受信器１８は、シールドケース１９の内部に収納され、外部から遮蔽されている。
【００２２】
次に、図２を用いて、本実施形態によるインバータ装置に用いる送信器２の構成について説明する。  
図２は、本発明の一実施形態によるインバータ装置に用いる送信器の構成を示すブロック図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００２３】
送信器２は、マイクロコンピュータ１から出力された各パルスＵＰ，ＶＰ，ＷＰ，ＵＮ，ＶＮ，ＷＮに応じて変調信号を発生する変調回路２０と、その信号レベルを増幅する高周波増幅器２１から構成される。変調回路２０は、それぞれ発振周波数の異なる正弦波発振器２３，２４，２５，２６，２７，２８と、加算回路３０と、振幅変調回路２９とから構成される。
【００２４】
マイクロコンピュータ１のパルス指令ＵＰ，ＶＰ，ＷＰ，ＵＮ，ＶＮ，ＷＮの各指令は、それぞれ、正弦波発振器２３，…，２８に印加され、各パルス信号が入力したときに発振器２３，…，２８が発振するように構成する。正弦波発振器２３，…，２８の発信周波数はそれぞれ異なっており、例えば、発振器２３の発信周波数が１１ＭＨｚであり、発振器２４の発信周波数が１９ＭＨｚであり、発振器２５の発信周波数が２９ＭＨｚであり、発振器２６の発信周波数が４１ＭＨｚであり、発振器２７の発信周波数が５３ＭＨｚであり、発振器２８の発信周波数が６１ＭＨｚである。これらの周波数は、後述するように、復調器で復調する際に、高次高調波による干渉を防止するように選択されている。
【００２５】
発振器２３，…，２８の出力信号は、加算回路３０により合成され、振幅変調回路２９により２．４ＧＨｚのキャリア信号を振幅変調する。このキャリア周波数の波長λは１ＧＨｚで約３０ｃｍであり、周波数が高くなるほど短くなる。２．４ＧＨｚの場合、波長λは、約１２．５ｃｍである。また、この波長の１／２のアンテナを用いると効率的に電波を空間に放射できるため、インバータの小型化のためにはキャリア周波数を１ＧＨｚ程度以上の高周波にすることが望ましいものである。
【００２６】
例えば、ＵＰとＷＮのパルスがＨｉの場合、１１ＭＨｚ発振器２３と４１ＭＨｚ発振器２６が動作し、この合成信号で振幅変調された２．４ＧＨｚの高周波信号を高周波増幅器２１で増幅し出力する。
【００２７】
次に、図３及び図４を用いて、本実施形態によるインバータ装置に用いる受信器４，…，９の構成について説明する。  
図３は、本発明の一実施形態によるインバータ装置に用いる受信器の構成を示すブロック図である。図４は、本発明の一実施形態によるインバータ装置に用いる受信器の具体的構成を示す回路図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００２８】
図３に示すように、受信器４，…，９は、それぞれ、アンテナ４５，５５，６５，７５，８５，９５と、２．４ＧＨｚの振幅変調された信号に同調する同調回路４１，５１，６１，７１，８１，９１と、受信器４，…，９の各周波数に同調する同調回路４２，５２，６２，７２，８２，９２と、各同調回路４２，…，９２により通過した信号を整流し波形整形する整流回路４３，５３，６３，７３，８３，９３とを備えており、受信した信号をパルス信号に変換する。
【００２９】
さらに、図４に具体的に示すように、同調回路４１，４２は、コイル４１１とコンデンサ４１２により２．４ＧＨｚの同調回路を、コイル４２１とコンデンサ４２２により１１ＭＨｚの同調回路構成する。また、同調回路４１は、半波整流するためのダイオード４１３を備えている。同調回路は、式（１）で示すように各コイルとコンデンサの容量を調整することにより通過周波数を変更することができる。
【００３０】
通過周波数（Ｈｚ）＝１／（２π√（ＬＣ））  …（１）
ただし、Ｌ：コイル４１１，４２１のインダクタンス（Ｈ）であり、Ｃ：コンデンサ４１２、４２２のキャパシタンス（Ｆ）である。
【００３１】
同調回路４２，５２，６２，７２，８２，９２は、それぞれＬとＣの値を異なる値とし、通過する周波数を１１ＭＨｚ，１９ＭＨｚ，２９ＭＨｚ，４１ＭＨｚ，５３ＭＨｚ，６１ＭＨｚとしている。この周波数は、正弦波に波形ひずみが起きた場合でも、他チャンネルに影響を及ぼさないように選択されている。正弦波信号に歪みが発生した場合、その基本周波数の高次高調波が発生する。一例として１１ＭＨｚが方形波となった場合、３３ＭＨｚ，５５ＭＨｚ，７７ＭＨｚ，…の奇数倍高次高調波が発生する。このため、各周波数の設定は、それぞれの周波数の奇数の整数倍が、一致しない（異なる）周波数を選択する。このことにより、正弦波信号に歪みが発生した場合でも、他のチャンネルへの影響を防ぐことができる。ただし、波形歪み、ノイズ環境などは様々な状況があるため、このような周波数設定に限定するものではない。
【００３２】
次に、同調回路４２を通過した検波信号は、整流回路４３によりパルス信号に復調される。まず、同調回路４２を通過した正弦波信号をダイオード４３１により半波整流した後、コンデンサ４３２による積分回路で平滑する。この平滑信号は、検波信号（正弦波信号）があれば電圧レベルが大きくなり、ない場合は小さくなる。この電圧レベルをコンパレータ回路４３５を用いて基準電圧４３４と比較してパルス信号に変換することにより、ＩＧＢＴ駆動パルスに復調することができる。なお、放電抵抗４３３は、同調回路４２の検波信号がなくなったときにコンデンサ４３２を放電させるための抵抗である。
【００３３】
なお、前述の例では振幅変調（ＡＭ）で示したが、周波数変調（ＦＭ）やパルスコード変調（ＰＣＭ）など他の変調方式を用いてもよい。ＦＭ変調は振幅方向にノイズが重畳してもリミッタでカットすることができるため、変調情報の劣化を少なくすることができる。また、ＰＣＭ変調はエラー検出および訂正のための符号を付加することによりノイズによる情報の劣化を少なくすることができる。パルス伝達の信頼性を向上することができる。
【００３４】
送信器１２，…，１７と、受信器１８の構成も、送信器２や、受信器４，…，９と同様な構成となる。しかしながら、送信器１２，…，１７については、図２に示した構成に対して、加算器３０は備えておらず、それぞれ、１個の発振器と、１個の振幅変調器とによって変調回路が構成され、さらに、高周波増幅器を備えた構成となる。受信器１８については、図３に示した構成に対して、これらの受信器４，…，９が複合され、１個の２．４ＧＨｚ同調回路と、６個の同調周波数の異なる低周波同調回路と、６個の復調回路とから構成される。
【００３５】
次に、図５を用いて、本実施形態によるインバータ装置に用いる送受信器の実装配置について説明する。  
図５は、本発明の一実施形態によるインバータ装置に用いる送受信器の実装配置を示す平面配置図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００３６】
ガラスエポキシなどで構成されたプリント基板３１の上には、送信器２及び送信器２のキャリア周波数２．４ＧＨｚを効率よく電波に変換するアンテナ２２，２２’とが配置されている。また、同じくプリント基板３１の上には、受信アンテナ４５，５５，６５，７５，８５，９５と、受信器４，…，９が配置されている。
【００３７】
送信アンテナ２２，２２’の長さは、送信器２のキャリア周波数２．４ＧＨｚの波長λ（約１２．５ｃｍ）の１／２である約６．２５ｃｍであり、受信アンテナ４５，５５，６５，７５，８５，９５の長さは、送信器２のキャリア周波数２．４ＧＨｚの波長λ（約１２．５ｃｍ）の１／４である約３．１ｃｍ程度としており、効率のよい送受信が可能である。送信アンテナ２２，２２’と、受信アンテナ４５，５５，６５，７５，８５，９５との間、及び送信器２と、受信器４，…，９との間には、それぞれ、例えば、両者の電位差ΔＶが３００Ｖの場合には、９．５ｍｍ程度以上の沿面距離を設けて配置しており、これにより、送信器２と受信器４，…，９を絶縁することが可能となる。なお、受信アンテナ４５，５５，６５，７５，８５，９５の長さは、λ／１０程度の小型アンテナを用いても特に問題は無いものである。
【００３８】
次に、図６を用いて、本実施形態によるインバータ装置に用いる送受信器の他の実装配置について説明する。  
図６は、本発明の一実施形態によるインバータ装置に用いる送受信器の他の実装配置を示す斜視配置図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００３９】
プリント基板３１の表面には、送信器２と、送信アンテナ２２が実装される。また、プリント基板３１の裏面には、受信機４と、アンテナ４５が実装される。なお、図示は省略しているが、受信アンテナ５５，６５，７５，８５，９５と、受信器５，…，９も同様に、プリント基板３１の裏面に実装される。各送信器２や，受信器４，…，９は、シールドケース３の内部に収納される。シールドケース３は、電波や磁気を通しにくい鉄などの材料からなる。
【００４０】
このように、プリント基板３１の表裏面にそれぞれ送信器と受信器を分離して実装することにより、より電気的絶縁を良くすることができる。また、シールドケース３でプリント基板３１を覆うことにより、外部からの電波の影響や、外部への電波の放射を防止することができる。
【００４１】
なお、以上の説明では、自動車用のモータを制御するために、直流を交流に変換するインバータ装置を例にしたが、例えば、複数のバッテリーセルを直列接続した高圧バッテリーの電圧を検出し、各バッテリーセルを制御するバッテリー制御装置等にも用いることができる。また、前述の例は、車載用途を前提にしているが、長期にわたる信頼性が向上するため一般産業用途やエアコン、冷蔵庫、洗濯機などの家電用途適用した場合でも、故障の少ない良質なインバータを提供することができる。
【００４２】
以上のように、制御回路とインバータ回路とを電気的に絶縁する絶縁手段として、送受信器を用いることにより、送受信器は集積化技術やパターン配線技術により安価に構成することができるため、従来のフォトカプラによる絶縁手段に対してコストを低減できる。さらに、受信器が複数個の場合には、送信器を１個とし、また、送信器が複数個の場合には、受信器を１個とすることにより、回路の一部を共用化でき、さらに、コストを低減できるものである。
【００４３】
また、一般に自動車に用いられる電子回路は、例えば−４０℃から１２５℃までの広い動作温度範囲や１０年以上の長期にわたる振動などの条件を満足しなければならない。しかし、従来用いられているフォトカプラなどの光半導体は、構造上温度サイクルによる光結合部の劣化を抑えることが難しく、過酷な車載環境では寿命が短くなる恐れがある。それに対して、送受信器を用いることにより、パワー素子への絶縁信号伝達回路を−４０℃から１２５℃までの広い動作温度範囲や１０年以上の長期にわたる振動などの車載用途条件を満足することができ、パワー素子への絶縁信号伝達を長寿命，高信頼化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一実施形態によるインバータ装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態によるインバータ装置に用いる送信器の構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の一実施形態によるインバータ装置に用いる受信器の構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の一実施形態によるインバータ装置に用いる受信器の具体的構成を示す回路図である。
【図５】本発明の一実施形態によるインバータ装置に用いる送受信器の実装配置を示す平面配置図である。
【図６】本発明の一実施形態によるインバータ装置に用いる送受信器の他の実装配置を示す斜視配置図である。
【符号の説明】
【００４５】
１…マイクロコンピュータ
２，１２，１３，１４，１５，１６，１７…送信器
３…シールドケース
４，５，６，７，８，９，１９…受信器
１０…インバータ回路
１１…モータ
２０…変調回路
２１…高周波増幅回路
２２，２２’…アンテナ
２３，２４，２５，２６，２７，２８，２９…発振器
３０…振幅変調回路
３１…基板
４１，４２，５１，５２，６１，６２，７１，７２，８１，８２，９１，９２…同調回路
４３，５３，６３，７３，８３，９３…復調回路
Ｄup，Ｄvp，Ｄwp，Ｄun，Ｄvn，Ｄwn…ドライバ回路
ｄup，ｄvp，ｄwp，ｄun，ｄvn，ｄwn…ダイオード
ＨＶ…高圧電源
Ｉup，Ｉvp，Ｉwp，Ｉun，Ｉvn，Ｉwn…過電流検出回路
ＬＶ…低圧電源
Ｔｒ（ＵＰ），Ｔｒ（ＶＰ），Ｔｒ（ＷＰ），Ｔｒ（ＵＮ），Ｔｒ（ＶＮ），Ｔｒ（ＷＮ）…ＩＧＢＴ
【図１】
2005261104.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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