(57)【要約】【課題】  粒度が適度に細かく、軟磁気特性に優れ、かつ電波吸収体に用いて好適な軟磁性合金粉末及びその製造方法及び軟磁性合金粉末成形体及び電波吸収体を提供する。【解決手段】  Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ及びＢを含むとともに非晶質相を主相とする急冷薄帯を、熱処理前に粉砕処理または粉砕・扁平化処理することにより非晶質合金粉末とし、該非晶質合金粉末を所定の温度で熱処理することにより組織中に平均粒径１００ｎｍ以下の微結晶粒組織を析出させることを特徴とする軟磁性合金粉末の製造方法を提供する。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ及びＢを含むとともに非晶質相を主相とする急冷薄帯を、熱処理前に粉砕処理または粉砕・扁平化処理することにより非晶質合金粉末とし、該非晶質合金粉末を所定の温度で熱処理することにより組織中に平均粒径１００ｎｍ以下の微結晶粒組織を析出させることを特徴とする軟磁性合金粉末の製造方法。
【請求項２】
前記粉砕処理または前記粉砕・扁平化処理により、前記非晶質合金粉末のアスペクト比を１０以上１０００以下の範囲に調整することを特徴とする請求項１に記載の軟磁性合金粉末の製造方法。
【請求項３】
前記粉砕処理または前記粉砕・扁平化処理により、前記非晶質合金粉末の粒度を２０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲に調整することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の軟磁性合金粉末の製造方法。
【請求項４】
前記軟磁性合金粉末におけるＡｌの含有率が４原子％以上であることを特徴とする請求項１に記載の軟磁性合金粉末の製造方法。
【請求項５】
前記軟磁性合金粉末の組成が、以下の組成式で示されることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の軟磁性合金粉末の製造方法。
Ｆｅ１００―ｘ―ｙ―ｚ―ｔ―ｕ―ｖ―ｗＳｉｘＡｌｙＮｂｚ（ＢｂＰ１−ｂ）ｔＣｕｕＮｉｖＣｏｗ
ただし組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗはいずれも原子％で、１４≦ｘ≦２０、４≦ｙ≦１２、２≦ｚ≦５、５≦ｔ≦９、０≦ｕ≦３、０≦ｖ≦５、０≦ｗ≦５の範囲であり、ｂは０≦ｂ≦１の範囲である。
【請求項６】
組成比を示すｕが原子％で、０≦ｕ≦１の範囲であることを特徴とする請求項５に記載の軟磁性合金粉末の製造方法。
【請求項７】
非晶質相を主相とする急冷薄帯が、熱処理前に粉砕処理または粉砕・扁平化処理されることにより非晶質合金粉末とされ、該非晶質合金粉末が所定の温度で熱処理されることにより製造され、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ及びＢが含まれるとともに組織中に平均粒径１００ｎｍ以下の微結晶粒組織が析出されてなることを特徴とする軟磁性合金粉末。
【請求項８】
前記軟磁性合金粉末のアスペクト比が１０以上１０００以下の範囲であることを特徴とする請求項７に記載の軟磁性合金粉末。
【請求項９】
前記軟磁性合金粉末の粒度が２０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の軟磁性合金粉末。
【請求項１０】
前記軟磁性合金粉末におけるＡｌの含有率が４原子％以上であることを特徴とする請求項７に記載の軟磁性合金粉末。
【請求項１１】
前記軟磁性合金粉末の組成が、以下の組成式で示されることを特徴とする請求項７ないし請求項１０のいずれかに記載の軟磁性合金粉末。
Ｆｅ１００―ｘ―ｙ―ｚ―ｔ―ｕ―ｖ―ｗＳｉｘＡｌｙＮｂｚ（ＢｂＰ１−ｂ）ｔＣｕｕＮｉｖＣｏｗ
ただし組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗはいずれも原子％で、１４≦ｘ≦２０、４≦ｙ≦１２、２≦ｚ≦５、５≦ｔ≦９、０≦ｕ≦３、０≦ｖ≦５、０≦ｗ≦５の範囲であり、ｂは０≦ｂ≦１の範囲である。
【請求項１２】
組成比を示すｕが原子％で、０≦ｕ≦１の範囲であることを特徴とする請求項１１に記載の軟磁性合金粉末。
【請求項１３】
請求項７ないし請求項１２のいずれかに記載の軟磁性合金粉末が体積分率１０％以上９０％以下の範囲で樹脂と混合され、固化成形されてなることを特徴とする軟磁性合金粉末成形体。
【請求項１４】
請求項１３に記載の軟磁性合金粉末成形体からなることを特徴とする電波吸収体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、軟磁性合金粉末の製造方法並びに軟磁性合金粉末及び軟磁性合金粉末成形体及び電波吸収体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
軟磁性合金の一種として、ＦｅＣｕＳｉＢＭ系合金（ＭはＮｂ、Ｔｉ、Ｈｆ等）や、ＦｅＭＢ系合金（ＭはＺｒ、Ｔｉ等）に代表される微結晶組織を備えた軟磁性合金がある。この種の軟磁性合金は、液体急冷法により合金溶湯を急冷して急冷薄帯としてから、熱処理、粉砕の順で処理されて製造され、軟磁性合金粉末として提供されている。軟磁性合金粉末は、更に樹脂等と複合化されて、シート状若しくは円環状に成形されて各種磁気部品として使用されている。
【０００３】
ところで、最近の携帯型電子機器の急速な普及に伴い、これら携帯型電子機器が原因と見られる電磁波干渉の問題が報告されている。特に、電磁波干渉による航空機の計器の誤作動や、医療機器の誤動作などが報告されている。いずれの場合も誤動作が人命に関わる重大な影響を及ぼすため、携帯型電子機器における不要電波の輻射や発生の防止が重要になっている。
【０００４】
そこで、先に述べた軟磁性合金粉末を樹脂と混合してシート状に成形し、このシート成形体を電波吸収体として携帯型電子機器に内蔵させることにより、電波干渉の問題を解消する試みがなされている。
【特許文献１】特許第２７１３３６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、液体急冷法により製造された従来組成の微細な結晶粒を有する軟磁性合金は、結晶化熱処理によって脆化されやすく、このため、熱処理後に粉砕された合金はその粒度が非常に小さくなる傾向がある。このような粒度の小さい磁性合金粉末を電波吸収体に用いると、電波吸収体の複素透磁率の虚数部μ”の値が低下し、電波干渉抑制効果が低減するといった問題があった。
一方、熱処理前の従来組成の急冷直後の非晶質組織からなる急冷薄帯は、機械的にねばりがあるため、粉砕処理しても粒度を小さくすることができなくなる。このような粒度の大きな軟磁性合金粉末を電波吸収体に用いても、電波干渉抑制効果が低下してしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、粒度が適度に細かく、軟磁気特性に優れ、かつ電波吸収体に用いて好適な軟磁性合金粉末及びその製造方法及び軟磁性合金粉末成形体及び電波吸収体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の軟磁性合金粉末の製造方法は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ及びＢを含むとともに非晶質相を主相とする急冷薄帯を、熱処理前に粉砕処理または粉砕・扁平化処理することにより非晶質合金粉末とし、該非晶質合金粉末を所定の温度で熱処理することにより組織中に平均粒径１００ｎｍ以下の微結晶粒組織を析出させることを特徴とする。
【０００８】
上記の構成によれば、合金成分にＡｌが添加されているので、Ａｌ無添加の場合と比べて急冷薄帯が脆化しやすく、これにより比較的粒度の小さな軟磁性合金粉末が得られやすくなる。
【０００９】
また本発明の軟磁性合金粉末の製造方法は、先に記載の軟磁性合金粉末の製造方法であり、前記粉砕処理または前記粉砕・扁平化処理により、前記非晶質合金粉末のアスペクト比を１０以上１０００以下の範囲に調整することを特徴とする。
【００１０】
上記構成によれば、得られた軟磁性合金粉末を電波吸収体に好適に用いることができる。
【００１１】
また本発明の軟磁性合金粉末の製造方法は、先に記載の軟磁性合金粉末の製造方法であり、前記粉砕処理または前記粉砕・扁平化処理により、前記非晶質合金粉末の粒度を２０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲に調整することを特徴とする。
【００１２】
上記構成によれば、得られた軟磁性合金粉末を電波吸収体に好適に用いることができる。
【００１３】
また本発明の軟磁性合金粉末の製造方法は、先に記載の軟磁性合金粉末の製造方法であり、前記軟磁性合金粉末におけるＡｌの含有率が４原子％以上であることを特徴とする。
【００１４】
上記構成によれば、急冷薄帯を十分に脆化させることができ、これにより粒度の小さな軟磁性合金粉末が得られる。そして、得られた軟磁性合金粉末を電波吸収体に好適に用いることができる。
【００１５】
また本発明の軟磁性合金粉末の製造方法は、先に記載の軟磁性合金粉末の製造方法であり、前記軟磁性合金粉末の組成が、以下の組成式で示されることを特徴とする。
Ｆｅ１００―ｘ―ｙ―ｚ―ｔ―ｕ―ｖ―ｗＳｉｘＡｌｙＮｂｚ（ＢｂＰ１−ｂ）ｔＣｕｕＮｉｖＣｏｗ
ただし組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗはいずれも原子％で、１４≦ｘ≦２０、４≦ｙ≦１２、２≦ｚ≦５、５≦ｔ≦９、０≦ｕ≦３、０≦ｖ≦５、０≦ｗ≦５の範囲であり、ｂは０≦ｂ≦１の範囲である。
【００１６】
また本発明の軟磁性合金粉末の製造方法は、先に記載の軟磁性合金粉末の製造方法であり、組成比を示すｕが原子％で、０≦ｕ≦１の範囲であることを特徴とする。
【００１７】
上記構成によれば、複素透磁率の虚数部の値が高く、電波干渉抑制効果に優れた軟磁性合金粉末を得ることができる。
【００１８】
次に本発明の軟磁性合金粉末は、非晶質相を主相とする急冷薄帯を、熱処理前に粉砕処理または粉砕・扁平化処理することにより非晶質合金粉末とし、該非晶質合金粉末を所定の温度で熱処理することにより製造され、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ及びＢが含まれるとともに組織中に平均粒径１００ｎｍ以下の微結晶粒組織が析出されてなることを特徴とする。
【００１９】
上記の構成によれば、合金成分にＡｌが添加されているので、Ａｌ無添加の場合と比べて急冷薄帯が脆化されやすく、これにより比較的粒度の小さな軟磁性合金粉末が得られやすくなる。
【００２０】
また本発明の軟磁性合金粉末は、先に記載の軟磁性合金粉末であり、前記軟磁性合金粉末のアスペクト比が１０以上１０００以下の範囲であることを特徴とする。
【００２１】
上記構成によれば、得られた軟磁性合金粉末を電波吸収体に好適に用いることができる。
【００２２】
また本発明の軟磁性合金粉末は、先に記載の軟磁性合金粉末であり、前記軟磁性合金粉末の粒度が２０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲であることを特徴とする。
また、本発明の軟磁性合金粉末は、軟磁性合金粉末に含まれる全粒子に対する、粒径２０μｍ以上１５０μｍ以下の粒子の含有率が少なくとも６０重量％以上であることがより好ましい。
更に、本発明の軟磁性合金粉末は、軟磁性合金粉末に含まれる全粒子に対する、粒径６３μｍ以上１０６μｍ以下の粒子の含有率が少なくとも５０重量％以上であることが特に好ましい。
【００２３】
上記構成によれば、得られた軟磁性合金粉末を電波吸収体に好適に用いることができる。
【００２４】
また本発明の軟磁性合金粉末は、先に記載の軟磁性合金粉末であり、前記軟磁性合金粉末におけるＡｌの含有率が４原子％以上であることを特徴とする。
【００２５】
上記構成によれば、非晶質相を主相とする急冷薄帯を十分に脆化させることができ、これにより粒度の小さな軟磁性合金粉末が得られる。そして、得られた軟磁性合金粉末を電波吸収体に好適に用いることができる。
【００２６】
また本発明の軟磁性合金粉末は、先に記載の軟磁性合金粉末であり、前記軟磁性合金粉末の組成が、以下の組成式で示されることを特徴とする。
Ｆｅ１００―ｘ―ｙ―ｚ―ｔ―ｕ―ｖ―ｗＳｉｘＡｌｙＮｂｚ（ＢｂＰ１−ｂ）ｔＣｕｕＮｉｖＣｏｗ
ただし組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗはいずれも原子％で、１４≦ｘ≦２０、４≦ｙ≦１２、２≦ｚ≦５、５≦ｔ≦９、０≦ｕ≦３、０≦ｖ≦５、０≦ｗ≦５の範囲であり、ｂは０≦ｂ≦１の範囲である。
【００２７】
また本発明の軟磁性合金粉末は、先に記載の軟磁性合金粉末であり、組成比を示すｕが原子％で、０≦ｕ≦１の範囲であることを特徴とする。
【００２８】
上記構成によれば、複素透磁率の虚数部の値が高く、電波干渉抑制効果に優れた軟磁性合金粉末を得ることができる。
【００２９】
次に本発明の軟磁性合金粉末成形体は、先のいずれかに記載の軟磁性合金粉末が体積分率１０％以上９０％以下の範囲で樹脂と混合され、固化成形されてなることを特徴とする。
【００３０】
上記の構成によれば、軟磁性合金粉末の粒子同士が樹脂により絶縁されて軟磁性合金粉末成形体自体のインピーダンスが高められ、これにより渦電流の発生が抑制されて１０ＭＨｚ〜数百ＭＨｚの周波数帯域における複素透磁率の虚数部μ”を幅広い範囲で高くすることができ、高周波帯域での電磁波抑制効果に優れた電波吸収体を構成することができる。
【００３１】
また、本発明の電波吸収体は、先に記載の軟磁性合金粉末成形体からなることを特徴とする。
【００３２】
上記の構成により、高周波帯域での電磁波抑制効果を向上させることができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明の軟磁性合金粉末の製造方法によれば、電波吸収体に用いて好適な軟磁性合金粉末を得ることができる。
また、本発明の軟磁性合金粉末によれば、電波吸収体に適用されることで、電波吸収体の複素透磁率の虚数部μ”を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
本発明に係る軟磁性合金粉末の製造方法は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ及びＢを含むとともに非晶質相を主相とする急冷薄帯を、熱処理前に粉砕処理または粉砕・扁平化処理することにより非晶質合金粉末とし、該非晶質合金粉末を所定の温度で熱処理することにより組織中に平均粒径１００ｎｍ以下の微結晶粒組織を析出させる、というものである。
【００３５】
この製造方法により得られる軟磁性合金粉末は、主として、樹脂と混合されてシート状に固化成形され、電波吸収体として用いられる。また、樹脂と混合されてバルク状に形成され、磁気コアなどの各種磁気部品に用いられる。
【００３６】
急冷薄帯は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ及びＢの混合物あるいはこれらの元素からなる合金を、アーク溶解、高周波誘導溶解等の手段で溶解し合金溶湯とし、この合金溶湯を急冷することによって長尺のリボン状の薄帯として得られる。ここで合金溶湯から急冷薄帯を作製する具体的方法としては、特開平４−３２３３５１号公報に記載されているような液体冷却法や、単ロールを用いた急冷法等を採用できる。こうして得られた急冷薄帯は、組織の大部分が非晶質相を主相とする非晶質合金であり、またＡｌを含むために比較的脆い合金になっている。
【００３７】
ついで、作製した急冷薄帯を粉砕処理または粉砕・扁平化処理することによって、扁平状の粒子からなる非晶質合金粉末を得る。粉砕処理は、例えばロータミル等を用いた粉砕工程が含まれる。また、粉砕・扁平化処理は、ロータミル等を用いた粉砕工程と、アトライタを用いた扁平化工程とが含まれる。粉砕工程では十分でない場合に扁平化工程を行うと良い。急冷後の急冷薄帯はＡｌを含むため比較的脆くなっており、ロータミルやアトライタ等を用いることで所望の粒度の合金粉末を容易に得ることができる。
【００３８】
粉砕処理または粉砕・扁平化処理をする際には、アスペクト比を１０以上１０００以下の範囲に調整することが好ましい。非晶質合金粉末のアスペクト比が上記の範囲であれば、電波吸収体を製造する際に粒子の配向性が向上し、電波吸収体自体の密度が高くなり、複素透磁率の虚数部μ”が高くなって電波吸収特性が向上する。また、アスペクト比が１０以上であれば、電波吸収体内部において粒子同士の接触が少なくなり、これにより電波吸収体自体のインピーダンスが増大し、渦電流の発生が抑制されてＭＨｚ帯域における複素透磁率の虚数部μ”が高くなる。またアスペクト比が１０００以下であれば、軟磁性合金粉末の反磁界が過小にならず、低周波数帯域における複素透磁率の実数部μ’が低く抑制され、これと対照的に虚数部μ”が大きくなって電磁波抑制効果が向上する。尚、アスペクト比とは、扁平粒子の長径の値を厚さの値で除した比であり、アスペクト比が大きいほど粒子形状が扁平であることを意味する。
【００３９】
また、粉砕処理または粉砕・扁平化処理をする際には、粒度を２０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲に調整することが望ましく、６３〜１０６μｍの範囲にすることがより望ましい。粒度が２０μｍ〜１５０μｍの範囲を外れると、複素透磁率の虚数部μ”の値が低下し、電磁波抑制効果が低下するので電波吸収体の構成材料として好ましくない。
特に、本発明の製造方法では、軟磁性合金粉末に含まれる全粒子の内、粒径２０μｍ以上１５０μｍ以下の粒子の含有率が少なくとも６０重量％以上となるように調整することがより好ましく、粒径６３μｍ以上１０６μｍ以下の粒子の含有率が少なくとも５０重量％以上となるようにすることが特に好ましい。
【００４０】
次に、非晶質合金粉末を所定の温度で熱処理して、組織中に平均粒径１００ｎｍ以下の微結晶粒組織を析出させる。この微結晶組織は主に、微細な規則格子を一部含むＦｅを主成分とする体心立方格子相から構成される。熱処理は合金の組成に応じて若干異なるが、いずれの組成系においても４５０〜６５０℃の範囲、より好ましくは５００〜５５０℃の範囲である。
熱処理により平均結晶粒径１００ｎｍ以下の微細な規則格子を一部含む体心立方格子相が析出するのは、急冷状態の非晶質合金粉末が非晶質相を主体とする組織となっており、これを加熱すると、ある温度以上で平均結晶粒径が１００ｎｍ以下のＦｅを主成分とし、規則格子を一部含む体心立方格子相を主体とする結晶粒からなる微細結晶相が析出するからである。これらの微細結晶相が析出する温度は、合金の組成によるが４５０℃〜６５０℃）、好ましくは５００℃〜５５０℃の範囲である。
【００４１】
また、上記の熱処理温度まで昇温するときの昇温速度は、２０〜２００Ｋ／分の範囲が好ましく、４０〜２００Ｋ／分の範囲とするのがより好ましい。昇温速度が遅いと製造時間が長くなるので昇温速度は速い方が好ましいが、加熱装置の性能上、２００Ｋ／分程度が上限とされる。
また、非晶質合金粉末を上記保持温度に保持する時間は、０〜１８０分間とすることができ、合金の組成によっては０分、すなわち、昇温後直ちに降温させて保持時間無しとしても、目的とする効果を得ることができる。また、保持時間は１８０分より長くしても磁気特性は向上せず、製造時間が長くなり生産性が悪くなる。
【００４２】
次に、本発明に係る軟磁性合金粉末について説明する。本発明に係る軟磁性合金粉末は、上記の製造方法により得られたものであり、非晶質相を主相とする急冷薄帯を、熱処理前に粉砕処理または粉砕・扁平化処理することにより非晶質合金粉末とし、該非晶質合金粉末を所定の温度で熱処理することにより製造されたものであり、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ及びＢが含まれるとともに組織中に平均粒径１００ｎｍ以下の微結晶粒組織が析出されてなるものである。
【００４３】
本発明に係る軟磁性合金粉末は、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｎｂ-Ｂからなる合金にＡｌを添加することにより、急冷後の急冷薄帯を脆化させて、適度な粒度に粉砕させやすくしたものである。また、本発明に係る軟磁性合金は、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｎｂ-Ｂからなる合金にＡｌを添加することにより、合金の高周波帯域における保磁力を低くして、比抵抗を高め、渦電流の発生を低減し、これにより高周波での損失低減をなし得たものである。また、Ｐおよび／もしくはＮｉを含むことが更には好ましい。更に、Ｃｏを含むことが磁気特性の温度特性を向上させる点でより好ましい。Ｃｏを添加することにより、特に複素透磁率の実数部μ’及び虚数部μ”の温度特性が向上する。
【００４４】
また軟磁性合金粉末におけるＡｌの含有率は４原子％以上であることが好ましい。
更に、軟磁性合金粉末は、その組成が、以下の組成式で示されるものであることが好ましい。
Ｆｅ１００―ｘ―ｙ―ｚ―ｔ―ｕ―ｖ―ｗＳｉｘＡｌｙＮｂｚ（ＢｂＰ１−ｂ）ｔＣｕｕＮｉｖＣｏｗ
ただし組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗはいずれも原子％で、１４≦ｘ≦２０、４≦ｙ≦１２、２≦ｚ≦５、５≦ｔ≦９、０≦ｕ≦３、０≦ｖ≦５、０≦ｗ≦５の範囲であり、ｂは０≦ｂ≦１の範囲である。
【００４５】
本発明に係る軟磁性合金粉末の組成において、主成分であるＦｅは、磁性を担う主要元素であり、高い飽和磁束密度と優れた軟磁気特性を得るために重要である。
また、本発明に係る軟磁性合金粉末には、微細結晶核の成長速度を小さくするとともに非晶質形成能を向上することにより組織の微細化を図る元素として、Ｎｂが添加される。Ｎｂは、比較的酸化しずらく、α-Ｆｅに対してほとんど固溶しないとされるが、合金を急冷して非晶質化することで、Ｎｂを過飽和に固溶させ、この後に施す熱処理によりＮｂの固溶量を調節して一部結晶化し、微細結晶相として析出させることで、得られる軟磁性合金粉末の軟磁気特性を向上させる作用がある。
また、微細結晶相を析出させ、その微細結晶相の結晶粒の粗大化を抑制するには、結晶粒成長の障害となり得る非晶質相を粒界に残存させることが必要であると考えられる。さらに、この粒界非晶質相は、熱処理温度の上昇によってα−Ｆｅから排出されるＮｂを固溶することで軟磁気特性を劣化させるＦｅ−Ｎｂ系化合物の生成を抑制すると考えられる。よって、Ｆｅ−Ｎｂ系の合金にＢを添加することが好ましい。
【００４６】
Ａｌの含有量は、４原子％以上１２原子％以下が好ましい。Ａｌが４原子％未満であると、急冷薄帯の機械的なねばりが向上し、このような急冷薄帯を粉砕しても１５０μｍ以下の粒度の軟磁性合金粉末の得られる量が減少するので好ましくない。また、Ａｌが１２原子％を越えると、急冷薄帯が脆くなりすぎて軟磁性合金粉末の粒度が大幅に低下し、複素透磁率の虚数部μ”が低下してしまうので好ましくない。
【００４７】
Ｎｉの含有量は０原子％以上、好ましくは０.１原子％以上５原子％以下が好ましい。Ｎｉを含有させることで結晶粒径が小さくなり複素透磁率の実数部μ’が向上する。これにより従来のＣｏ基アモルファス材料と同程度の優れた低保磁力と高い透磁率が得られる。
【００４８】
Ｐの含有量は、５原子％以上９原子％以下が好ましい。Ｐはこの系の軟磁性合金に対して保磁力を下げる効果を有する。Ｐを添加する際にはＢに置換する形で添加することができる。特にＢ含有量の低い組成系において粘いものが得られ、ＢとＰの比率を最適化することで好ましい脆性の合金が得られる。またＰには、液体急冷法における合金溶湯の射出性を向上させる効果がある。従ってＰを添加することにより、合金粉末を容易に製造することができる。
Ｂには、軟磁性合金の非晶質形成能を高める効果、結晶組織の粗大化を防ぐ効果、および熱処理工程において磁気特性に悪影響を及ぼす化合物相の生成を抑制する効果があると考えられる。Ｂを少なくすると、粘いものが得られ易くなる反面、非晶質化が難しくなり易いので、Ｐを含有させることで特性向上を図ることができる。
これらのことから、ＢとＰの含有量の比率をＢbＰ1-bの式で示した場合に０≦ｂ≦１の範囲で適宜定めることができるが、０．３５≦ｂ≦０．７５の範囲あることがより好ましく、この範囲であるならば低保磁力か容易で歪の面でも良好なものが得られ易い。
【００４９】
Ｃｏの含有量は０原子％以上、５原子％以下が好ましい。Ｃｏを含有させることで、保磁力及び透磁率等の温度変化に対する変化量が少なくなり、温度特性が向上する。これにより従来のＣｏ基アモルファス材料と同程度の優れた温度特性が得られる。
【００５０】
Ｓｉの含有量は、１４原子％以上２０原子％以下が好ましい。Ｓｉは半金属元素として知られており、Ｆｅを主成分とする体心立方晶の相に固溶する。また、Ｓｉを添加することで、合金溶湯の急冷時に非晶質相が析出しやすくなる。
また、Ｃｕの含有量は０原子％以上３原子％以下の範囲が好ましく、０原子％以上１原子％以下の範囲がより好ましい。Ｃｕを含有させると軟磁気特性が改善される。Ｃｕのように、Ｆｅと固溶しない元素を微量添加することにより、組成が揺らぎ、Ｃｕが結晶化の初期段階にクラスターを形成し、相対的にＦｅリッチな領域が生じ、α−Ｆｅの核生成頻度を増加させることができる。
【００５１】
その他、上記組成系の軟磁性合金において、Ｈ、Ｎ、Ｏ、Ｓ等の不可避的不純物については所望の特性が劣化しない程度に含有していても本発明で用いる軟磁性合金の組成と同一とみなすことができるのは勿論である。
【００５２】
軟磁性合金粉末のアスペクト比は、上述したように、１０以上１０００以下の範囲であることが好ましい。また、軟磁性合金粉末の粒度は、上述したように、粒度が２０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲であることが好ましく、６３〜１０６μｍの範囲であることがより望ましい。特に、本発明の軟磁性合金粉末では、粒径２０μｍ以上１５０μｍ以下の粒子を少なくとも６０重量％以上含むことがより好ましく、粒径６３μｍ以上１０６μｍ以下の粒子を少なくとも５０重量％以上含むことが特に好ましい。
【００５３】
次に、本発明に係る電波吸収体（軟磁性合金粉末成形体）について説明する。本発明に係る電波吸収体は、上記の軟磁性合金粉末と樹脂とが少なくとも混合され、シート状に固化成形されてなるものである。
【００５４】
この電波吸収体は、軟磁性合金粉末が樹脂により結着されてなり、軟磁性合金粉末が樹脂中で分散した状態となっており、軟磁性合金粉末を構成する個々の粒子が樹脂によって絶縁されている。このように、軟磁性合金粉末の粒子同士が絶縁されることで、電波吸収体自体のインピーダンスが高められ、これにより渦電流の発生が抑制されて１０〜数百ＭＨｚの周波数帯域における複素透磁率の虚数部μ”を幅広い範囲で高くすることができ、高周波帯域での電磁波抑制効果が向上される。
【００５５】
樹脂は、塩素化ポリエチレンやシリコーンエラストマー等を用いることができる。これらの樹脂は、電波吸収体のインピーダンスを高める他に、軟磁性合金粉末を結着して電波吸収体の形状を保持する。
また樹脂の他にステアリン酸アルミニウム等からなる潤滑剤を添加すると、軟磁性合金粉末が密に充填されて電波吸収体の密度が向上する。これにより複素透磁率の虚数部μ”が向上する。
【００５６】
また電波吸収体の密度は３．０ｇ／ｃｍ３以上であることが好ましい。密度が３．０ｇ／ｃｍ３以上であれば、軟磁性合金粉末が密に充填されて粉末の粒子同士の隙間が少なくなり、これによってＭＨｚ帯域における複素透磁率の虚数部μ”が向上し、電磁波抑制効果が向上する。
尚、電波吸収体の密度は高いほど好ましいが、あまりに高くなると軟磁性合金粉末が密に充填されて電波吸収体のインピーダンスが低減し、渦電流が発生して複素透磁率の虚数部μ”が低くなる。従って電波吸収体の密度の上限を６．５ｇ／ｃｍ３以下に設定することが好ましい。
【００５７】
電波吸収体における軟磁性合金粉末の含有率は、１０体積％以上９０体積％以下であることが好ましく、３０体積％以上７０体積％以下であることがより好ましい。軟磁性合金粉末の含有率が１０体積％以上であれば軟磁性合金粉末の量が十分となり、電磁波抑制効果を有効に発揮させることができる。また含有率が９０体積％以下であれば、合金粉末同士が接触してインピーダンスが低下することがなく、複素透磁率の虚数部μ”を高く維持して電磁波抑制効果を有効に発揮させることができる。
【００５８】
尚、樹脂の含有率は、軟磁性合金粉末を除いた残部である。また、潤滑剤を添加する場合には、電波吸収体に対して０．１重量％以上５重量％以下の範囲で添加することが好ましい。
【００５９】
更に軟磁性合金粉末の構成粒子を水ガラスで被覆しても良い。粒子を水ガラスで被覆すると、粒子同士の絶縁性が高められて電波吸収体のインピーダンスが更に向上し、高周波数帯域における複素透磁率の虚数部μ”をより高くすることができ、電磁波抑制効果を向上できる。
【実施例】
【００６０】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
（実験例１）
ＦｅとＳｉとＡｌとＮｂとＢとＣｕの含有量を試料に応じて適宜変更した原料を調整し、それらをＡｒガス雰囲気中で高周波溶解し、溶解した原料を鋳型に流し込み母合金を得た。
室温で０.２１×１０5ＰａのＡｒガス雰囲気中において、石英製の溶湯ノズルから上記母合金を溶解した合金溶湯を高速回転している銅ロールの冷却面に吹き出させて急冷する液体急冷法を用いて、非晶質相を主相とする各種の急冷薄帯を得た。
次に、得られた各種組成の急冷薄帯から試料を切り出し、以下に説明する各試験に供した。
【００６１】
図１には、得られたＦｅ７４−ｘＳｉ１５．５ＡｌｘＮｂ３Ｂ６．５Ｃｕ１なる組成の急冷薄帯試料における熱処理前の破壊歪におけるＡｌ含有量依存性を測定した結果を示す。
ここで示す破壊歪とは、λｆ＝ｄ／（Ｒ−ｄ）の関係式（この式においてｄは薄帯の板厚、Ｒは曲げ直径を示す）から求められる値である。簡略して言えば破壊歪の値（λｆ）とは薄帯を曲げた場合に折れるときの直径Ｒと見ることができる。
図１においてフリー面外側の試料とは、急冷法により回転している銅ロールに合金溶湯を吹き付けて急冷薄帯を製造した場合、急冷薄帯には通常でロールに接触する側の面を外側にしてロールに接触していないフリー面を内側にするようなカールが自然に付されており、このカールに沿って自然に曲げた場合の破壊歪の測定結果を示す。これに対して、フリー面外側の試料とは、薄帯のフリー面を外側にロール面を内側にして先の自然なカール方向とは逆方向に曲げた場合の破壊歪を示す。
【００６２】
図１の縦軸の数値において１０の値の場合約２ｍｍ程度の直径まで曲げることができることを意味し、縦軸１０００の場合に１８０゜曲げ（密着曲げ）できることを意味する。即ち、図１の縦軸の数値が小さいほど、薄帯が脆いことを意味している。
図１に示す結果ではロール面外側の曲げの方が曲げに強く、機械的にねばりがあることが分かる。一方、ロール面内側の曲げの方は曲げに弱く、機械的に脆いことが分かる。
また、曲げ直径は急冷薄帯の板厚が薄くなると小さくなる傾向があるが、板厚に影響されないλｆの値は、フリー面外側についてＡｌが４原子％以上で２０×１０−３以下となり、フリー面内側でもＡｌが７原子％以下でλｆが２０×１０―３以下になっている。このように、Ａｌ添加量が４原子％以上になると、薄帯が急速に脆くなることが分かる。
【００６３】
従って本発明においては、合金中のＡｌ添加量を４原子％以上とすることにより、非晶質合金からなる急冷薄帯が脆化して粉砕しやすくなり、電波吸収体を構成する軟磁性合金粉末として適度な粒度を有するものが得られることが分かる。
【００６４】
（実験例２）
実験例１と同様にして４種類の組成の非晶質相を主相とする合金薄帯を製造した。合金組成はそれぞれ、ＦｅｂａｌＳｉ１５．５Ａｌ２Ｎｂ２Ｂ６．５Ｃｕ１（Ｎｏ．１）、ＦｅｂａｌＳｉ１５．５Ａｌ４Ｎｂ２Ｂ６．５Ｃｕ１（Ｎｏ．２）、ＦｅｂａｌＳｉ１５．５Ａｌ８Ｎｂ２Ｂ４．５Ｐ２Ｃｕ１（Ｎｏ．３）、ＦｅｂａｌＳｉ１７．５Ａｌ８Ｎｂ２Ｂ４．５Ｐ２Ｃｕ１（Ｎｏ．４）であった。次に、得られたＮｏ．１〜４の急冷薄帯をローターミルで粉砕することによりＮｏ．１〜４の非晶質合金粉末とした。得られた非晶質合金粉末について、粒度分布を測定した。表１に各組成の非晶質合金粉末の粒度分布の測定結果を示し、図２〜図５には、Ｎｏ．１〜４の非晶質合金粉末の粒度分布のヒストグラムを示す。
【００６５】
更に、Ｎｏ．１〜４の非晶質合金粉末について、アルゴン雰囲気中で５００〜５２５℃（７７３〜７９８Ｋ）の温度で３０分間熱処理を行い、組織中に微細結晶粒組織を析出させてＮｏ．５〜８の軟磁性合金粉末とした。得られた軟磁性合金粉末について粒度分布を測定した。表２に、各組成の非晶質合金粉末の粒度分布の測定結果を示す。尚、Ｎｏ．５はＮｏ．１を５００℃で熱処理したものであり、Ｎｏ．６はＮｏ．２を５００℃で、Ｎｏ．７はＮｏ．３を５２５℃で、Ｎｏ．８はＮｏ．４を５２５℃でそれぞれ熱処理したものである。
【００６６】
更に、Ｎｏ．１〜４の非晶質合金薄帯をそれぞれ熱処理し、熱処理後の１００ｋＨｚにおける複素透磁率の実数部μ’、比抵抗（ρ／μ）及び磁歪（λｓ）を測定した。結果を表３に示す。
【００６７】
【表１】
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【００６８】
【表２】
2005194565.tif 000003
【００６９】
【表３】
2005194565.tif 000004
【００７０】
表１及び図２〜図５について、熱処理前に粉砕した場合の粒度６３〜１０６μｍの範囲の頻度と、１０６〜１５０μｍの範囲の頻度とに着目すると、Ａｌの組成比が高くなるにつれてこれらの粒度範囲の頻度が高くなっていることがわかる。一方、１５０μｍ超の粒度範囲については、Ａｌ組成比が高くなるにつれてその頻度が低下していることが分かる。このように、Ａｌ組成比が高くなるにつれて粒度分布が低粒度寄りにシフトしたのは、実験例１で明らかになったように、Ａｌ組成比の増加とともに急冷薄帯が脆くなり、粉砕により粒度が細かいものが得られたためと考えられる。
【００７１】
一方、熱処理後に粉砕した場合の粒度分布をみると、表２に示すように、６３〜１０６μｍの範囲と、１０６〜１５０μｍの範囲では、頻度が数％程度と極端に少なくなっていることがわかる。一方、６３μｍ以下の範囲では、頻度が極めて大きくなっていることが分かる。このように、熱処理後に粉砕した場合は、熱処理前に粉砕した場合よりも更に粒度が小さくなることがわかる。
【００７２】
尚、表３に示すように、熱処理後のＮｏ．１〜４の組成の軟磁性合金薄帯は、概ね良好な磁気特性を示していることがわかる。このことにより、同組成の合金Ｎｏ．１〜４を粉砕した合金粉末においても、熱処理後に概ね良好な特性を示すことがうかがえる。
【００７３】
次に比較例として、従来組成の急冷薄帯を熱処理前に粉砕した場合の粒度分布の結果を表４に示す。表４中、Ｎｏ．９の組成はＦｅ８４Ｎｂ７Ｂ９であり、Ｎｏ．１０はＦｅ８４Ｎｂ４Ｚｒ２Ｂ８．５であり、Ｎｏ．１１はＦｅ７７Ｓｉ１３．５Ｂ９．５であり、Ｎｏ．１２の組成はＦｅｂａｌＳｉ１５．５Ｎｂ２Ｂ６．５Ｃｕ１である。下記表４に示すように、Ａｌを全く含まない従来組成の急冷薄帯を粉砕した場合は、粒度１５０μｍ超の頻度が９０％以上になっていることがわかる。これは、Ａｌが含まれないために急冷薄帯が機械的にねばりを持ち、これにより粉砕されにくくなって粒度が高くなったものと考えられる。
【００７４】
【表４】
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【００７５】
以上、表１に示したように、Ａｌを添加するとともに、急冷後の熱処理前の時点で粉砕を行うことにより、６３〜１５０μｍの範囲の粒度を有する軟磁性合金粉末が得られることが分かる。この粒度範囲の軟磁性合金粉末から製造された電波吸収体は、複素透磁率の虚数部μ”の値が高くなり、優れた電磁波遮蔽効果を示すものとなる。
【００７６】
（実験例３）
実験例１と同様にして４種類の組成の非晶質相を主相とする急冷薄帯を製造した。合金組成はそれぞれ、ＦｅｂａｌＳｉ１５．５Ａｌ８Ｎｂ３Ｂ６．５Ｃｕ１（組成１）、ＦｅｂａｌＳｉ１５．５Ａｌ４Ｎｂ３Ｂ６．５Ｃｕ１（組成２）、ＦｅｂａｌＳｉ１７．５Ａｌ８Ｎｂ３Ｂ６．５Ｃｕ１（組成３）、ＦｅｂａｌＣｏ２Ｓｉ１５．５Ａｌ８Ｎｂ３Ｂ６．５Ｃｕ１（組成４）であった。次に、得られた組成１〜４の急冷薄帯をローターミルで粉砕することにより非晶質合金粉末とした。
【００７７】
次に、得られた非晶質合金粉末のうち、組成１については６５〜１０６μｍの粒度範囲に分級した。また、組成２〜４については１０６〜１５０μｍの粒度範囲に分級した。
【００７８】
次に、組成１の非晶質合金粉末については、アトライタにより扁平化処理を施した後、粒度分布を測定した。結果を表５に示す。表５におけるＮｏ．１３は回転数２１０ｒｐｍ、処理時間１６時間の条件で扁平化したものであり、表５におけるＮｏ．１４は回転数２１０ｒｐｍ、処理時間２４時間の条件で扁平化したものである。
また、組成２〜４の非晶質合金粉末についても同様に、アトライタにより扁平化処理を施した後、粒度分布を測定した。結果を表５に示す。表５におけるＮｏ．１５〜１８はいずれも回転数２１０ｒｐｍ、処理時間２４時間の条件で扁平化したものである。
【００７９】
【表５】
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【００８０】
また、比較例として、組成１〜３の急冷薄帯を５５０〜５２５℃で３０分間熱処理してからローターミルで粉砕し、更に２０〜６０μｍの粒度範囲に分級した。使用した粉末粒径が小さいのは、ロータミルの粉砕時に粉末が細かくされたためである。こうして得られた合金粉末についてアトライタにより扁平化処理を施し、その後、粒度分布を測定した。結果を表６に示す。表６におけるＮｏ．１９は回転数２１０ｒｐｍ、処理時間６時間の条件で扁平化したものであり、Ｎｏ．２０は回転数２１０ｒｐｍ、処理時間１２時間、Ｎｏ．２１は回転数２１０ｒｐｍ、処理時間２４時間、Ｎｏ．２２は回転数２１０ｒｐｍ、処理時間６時間の条件でそれぞれ扁平化したものである。
【００８１】
【表６】
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【００８２】
表５に示すように、アトライタによって扁平化処理されたＮｏ．１３〜１８の非晶質合金粉末は、元の粒度範囲よりも小さな粒径の粒子が増えていることが分かる。これは、表６に示したＮｏ．１９〜２２についても同様である。ただし、比較例であるＮｏ．１９〜２２については、熱処理後に粉砕したため、Ｎｏ．１３〜１８と比較して粒度範囲がかなり低いものになった。
次に、扁平化処理されたＮｏ．１３〜１５及び１７〜１８の非晶質合金粉末の電子顕微鏡写真（ＳＥＭ写真）を図６〜図１５にそれぞれ示す。図６〜図１５の結果から、Ｎｏ．１３の粒子の厚みは２〜４μｍの範囲であり、Ｎｏ．１４の粒子の厚みは１〜３μｍの範囲であり、Ｎｏ．１５の粒子の厚みは２〜４μｍの範囲であり、Ｎｏ．１７の粒子の厚みは２〜４μｍの範囲であり、Ｎｏ．１８の粒子の厚みは１〜２μｍの範囲であることが分かった。また、Ｎｏ．１６の粒子の厚みは１〜３μｍの範囲であった。これにより、本実験例における扁平化後の非晶質合金粉末のアスペクト比は、最大で１０６であることが分かる。
【００８３】
次に、アトライタ処理後の上記のＮｏ．１３〜１８の非晶質合金粉末を５００℃〜５２０℃で熱処理することにより、組織中に微細結晶粒組織を析出させて軟磁性合金粉末とした。この軟磁性合金粉末を塩素化ポリエチレン樹脂と混合してシート状に固化成形することにより、Ｎｏ．１３〜１８の電波吸収体を製造した。
また、比較例として、熱処理してから粉砕したＮｏ．１９〜２２の合金粉末についても同様に、塩素化ポリエチレン樹脂と混合してシート状に固化成形することにより、Ｎｏ．１９〜２２の電波吸収体を製造した。
得られた電波吸収体について、１００ｋＨｚ及び３００ｋＨｚにおける複素透磁率の虚数部μ”の値を測定した。結果を表７に示す。
【００８４】
【表７】
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【００８５】
表７に示すように、粉砕してから熱処理した合金粉末からなるＮｏ．１３〜１８の電波吸収体は、熱処理してから粉砕した合金粉末からなるＮｏ．１９〜２２の電波吸収体に比べて、複素透磁率の虚数部μ”の値が大きくなっており、電磁波遮蔽効果に優れていることが分かる。このような特性の差は、使用した合金粉末の粒度範囲の差によるものと考えられる。
【００８６】
以上のように、Ａｌを添加するとともに、急冷後の熱処理前の時点で粉砕処理と扁平化処理を行うことにより、６３〜１５０μｍの範囲の粒度を中心とする適度な粒度範囲の軟磁性合金粉末が得られることが分かる。そして、この粒度範囲の軟磁性合金粉末から製造された電波吸収体は、複素透磁率の虚数部μ”の値が高くなり、優れた電磁波遮蔽効果を示すことがわかる。
【００８７】
（実験例４）
実験例１と同様にして各種の組成の非晶質相を主相とする急冷薄帯を製造した。得られた急冷薄帯をローターミルで粉砕するとともに、アトライタで扁平化することにより非晶質合金粉末とした。得られた非晶質合金粉末のうち、６３〜１０６μｍの粒度範囲のものを分級した。そして、分級後の非晶質合金粉末をアルゴン雰囲気中、５００〜５２５℃で３０分間熱処理することにより、微細結晶粒組織を析出させて軟磁性合金粉末とした。
得られた軟磁性合金粉末を塩素化ポリエチレン樹脂と混合してシート状に固化成形することにより、実施例１〜７及び比較例１〜５の電波吸収体を製造した。そして、得られた電波吸収体について、周波数１〜１０００ＭＨｚにおける複素透磁率の実数部μ’及び虚数部μ”の値を測定した。結果を図１６及び図１７に示す。
また、電波吸収体に用いた軟磁性合金粉末の合金組成、アトライタによる扁平化処理条件、電波吸収体の物性を表８にそれぞれ示す。
【００８８】
【表８】
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【００８９】
図１６に示すように、複素透磁率の実数部μ’については、１〜１００ＭＨｚの範囲において、実施例１〜７が比較例１〜５よりも概ね高い値を示していることが分かる。また、図１７に示すように、複素透磁率の虚数部μ”については、１０〜１００ＭＨｚの範囲において、実施例１〜７が比較例１〜５よりも概ね高い値を示していることが分かる。
【００９０】
以上のように、Ａｌを添加するとともに、急冷後の熱処理前の時点で粉砕処理と扁平化処理を行うことにより、適度な粒度範囲の軟磁性合金粉末を得、そしてこの軟磁性合金粉末から製造した電波吸収体は、複素透磁率の虚数部μ”の値が高くなり、優れた電磁波遮蔽効果を示すことがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】図１は、Ｆｅ７４−ｘＳｉ１５．５ＡｌｘＮｂ３Ｂ６．５Ｃｕ１なる組成の急冷薄帯のＡｌ含有率と破壊歪との関係を示グラフ。
【図２】図２は、Ｎｏ．１のＦｅｂａｌＳｉ１５．５Ａｌ２Ｎｂ２Ｂ６．５Ｃｕ１なる組成の非晶質合金粉末の粒度分布を示すヒストグラム。
【図３】図３は、Ｎｏ．２のＦｅｂａｌＳｉ１５．５Ａｌ４Ｎｂ２Ｂ６．５Ｃｕ１なる組成の非晶質合金粉末の粒度分布を示すヒストグラム。
【図４】図４は、Ｎｏ．３のＦｅｂａｌＳｉ１５．５Ａｌ８Ｎｂ２Ｂ４．５Ｐ２Ｃｕ１なる組成の非晶質合金粉末の粒度分布を示すヒストグラム。
【図５】図５は、Ｎｏ．４のＦｅｂａｌＳｉ１７．５Ａｌ８Ｎｂ２Ｂ４．５Ｐ２Ｃｕ１なる組成の非晶質合金粉末の粒度分布を示すヒストグラム。
【図６】図６は、Ｎｏ．１３の非晶質合金粉末のＳＥＭ写真。
【図７】図７は、Ｎｏ．１３の非晶質合金粉末のＳＥＭ写真であって、図６の部分拡大写真。
【図８】図８は、Ｎｏ．１４の非晶質合金粉末のＳＥＭ写真。
【図９】図９は、Ｎｏ．１４の非晶質合金粉末のＳＥＭ写真であって、図の８部分拡大写真。
【図１０】図１０は、Ｎｏ．１５の非晶質合金粉末のＳＥＭ写真。
【図１１】図１１は、Ｎｏ．１５の非晶質合金粉末のＳＥＭ写真であって、図１０の部分拡大写真。
【図１２】図１２は、Ｎｏ．１７の非晶質合金粉末のＳＥＭ写真。
【図１３】図１３は、Ｎｏ．１７の非晶質合金粉末のＳＥＭ写真であって、図１２の部分拡大写真。
【図１４】図１４は、Ｎｏ．１８の非晶質合金粉末のＳＥＭ写真。
【図１５】図１５は、Ｎｏ．１８の非晶質合金粉末のＳＥＭ写真であって、図１４の部分拡大写真。
【図１６】図１６は実施例１〜７及び比較例１〜５の電波吸収体の複素透磁率の実数部μ’と周波数との関係を示すグラフ。
【図１７】図１７は実施例１〜７及び比較例１〜５の電波吸収体の複素透磁率の虚数部μ”と周波数との関係を示すグラフ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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