(57)【要約】【課題】  確実に素子と配線基板とを電気的に接続する。【解決手段】  配線基板２の導電部と素子６の導電部とが導電性粒子３１を含む接合材３０を介して接続される素子の実装構造であって、上記配線基板２の導電部あるいは／及び素子６の導電部が上記素子６の平面視形状の外周部に対応して配置される上記接続用端子７とされ、当該接続用端子７には、上記素子６の内側に向けて開口されかつ接続対象に接続される側に開口された凹部７ａが形成されている。【選択図】              図２
2005244064.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板の導電部と素子の導電部とが導電性粒子を含む接合材を介して接続される素子の実装構造であって、
前記配線基板の導電部あるいは／及び素子の導電部が前記素子の平面視形状の外周部に対応して配置される前記接続用端子とされ、当該接続用端子には、前記素子の内側に向けて開口されかつ接続対象に接続される側に開口された凹部が形成されていることを特徴とする素子の実装構造。
【請求項２】
前記接続用端子は、環状に複数形成されていることを特徴とする請求項１記載の素子の実装構造。
【請求項３】
前記接続用端子の凹部は、前記素子の中心部に向けて開口されていることを特徴とする請求項１または２記載の素子の実装構造。
【請求項４】
前記接続用端子は、配置領域の全面に形成されていることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の素子の実装構造。
【請求項５】
前記素子の平面視形状は、円形あるいは５角形以上の多角形であることを特徴とする請求項１〜４いずれかに記載の素子の実装構造。
【請求項６】
前記導電性粒子の粒径が前記凹部の深さ以上であることを特徴とする請求項１〜５いずれかに記載の素子の実装構造。
【請求項７】
配線基板の導電部と素子の導電部とが導電性粒子を含む接合材を介して接続される素子の実装方法であって、
前記配線基板の導電部あるいは／及び素子の導電部が前記素子の平面視形状の外周部に対応して配置されると共に、前記素子の内側に向けて開口されかつ接続対象に接続される側に開口された凹部が形成される接続用端子とされ、
前記素子の中心部に前記接合材を配置する工程と、
前記素子を前記配線基板上に配置する工程と、
前記接合材を加熱・溶解すると共に前記素子を前記配線基板に対して圧着する工程と、
前記加熱・溶解した前記接合材を硬化する工程と
を有することを特徴とする素子の実装方法。
【請求項８】
前記接続用端子は、環状に複数形成されていることを特徴とする請求項７記載の素子の実装方法。
【請求項９】
前記接続用端子の凹部は、前記素子の中心部に向けて開口されている７または８記載の素子の実装方法。
【請求項１０】
前記素子の平面視形状は、円形あるいは５角形以上の多角形であることを特徴とする請求項７〜９いずれかに記載の素子の実装方法。
【請求項１１】
前記接合材は、液滴吐出法によって配置されることを特徴とする請求項７〜１０いずれかに記載の素子の実装方法。
【請求項１２】
請求項１〜６いずれかに記載の素子の実装構造を有することを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子の実装構造及び方法、並びに電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示器（ＬＣＤ）パネル、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示器のような半導体応用装置では、変形や落下による壊れ防止、コスト引き下げ等の理由により下地基板としてプラスチック基板を使用することが望ましい場合がある。
ところが、パネル型の表示器に使用される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ素子）の製造では高温プロセスを使用するため、プラスチック基板や、ＥＬ素子等の回路素子には、高温に耐えられないものがある。
【０００３】
そこで、本出願人は、高温プロセスを含む従来の半導体製造技術によってＴＦＴ素子等の薄膜素子を耐熱の基礎基板上に製造した後に、当該基板から薄膜素子が形成されている素子形成膜（層）を剥離し、これを接合材によりプラスチック基板（配線基板）に貼り付け・転写することによって半導体応用装置を製造する転写技術を提案している。これらの転写技術は、例えば特許文献１〜特許文献３に詳細に説明されている。
【特許文献１】特開平１０−１２５９２９号公報
【特許文献２】特開平１０−１２５９３０号公報
【特許文献３】特開平１０−１２５９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
薄膜素子を配線基板に貼り付ける場合には、配線基板に形成された接続用端子と薄膜素子とが導電性粒子を含む接合材（異方性導電材料）を介して接合される。この際、接合材に含まれる導電性粒子が接続用端子と薄膜素子とを物理的に接続し、これによって接続用端子と薄膜素子とが電気的に導通される。具体的には、薄膜素子を押圧しながら配線基板に貼り付けることによって、接続用端子と薄膜素子とが互いの間に位置する導電性粒子と接触することとなり、接続用端子と薄膜素子とが電気的に導通される。
しかしながら、従来の実装構造では、薄膜素子を配線基板に対して押圧した際に、接合材の流れに伴って導電性粒子が接続用端子と薄膜素子との間から流れ出してしまい接続用端子と薄膜素子とが電気的に導通されない場合があった。
このような問題に対して、接合材における導電性粒子の含有量を増加させることが考えられるが、導電性粒子の含有量を増加させた場合には、接合材内において導電性粒子同士が接触する確率が高くなり、粒子間におけるショートを生じる可能性が高くなる。このため、導電性粒子の含有量を増加させることは現実的ではない。
【０００５】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、確実に素子と配線基板とが電気的に接続される素子の実装構造及び方法、並びに電気光学装置ことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明に係る素子の実装構造は、配線基板の導電部と素子の導電部とが導電性粒子を含む接合材を介して接続される素子の実装構造であって、上記配線基板の導電部あるいは／及び素子の導電部が上記素子の平面視形状の外周部に対応して配置される上記接続用端子とされ、当該接続用端子には、上記素子の内側に向けて開口されかつ接続対象に接続される側に開口された凹部が形成されていることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明に係る素子の実装方法は、配線基板の導電部と素子の導電部とが導電性粒子を含む接合材を介して接続される素子の実装方法であって、上記配線基板の導電部あるいは／及び素子の導電部が上記素子の平面視形状の外周部に対応して配置されると共に、上記素子の内側に向けて開口されかつ接続対象に接続される側に開口された凹部が形成される接続用端子とされ、上記素子の中心部に上記接合材を配置する工程と、上記素子を上記配線基板上に配置する工程と、上記接合材を加熱・溶解すると共に上記素子を上記配線基板に対して圧着する工程と、上記加熱・溶解した上記接合材を硬化する工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
このような特徴を有する本発明に係る素子の実装構造及び方法によれば、素子と配線基板とを圧着する際に、接合材の導電性粒子が接続用端子の凹部に流れ込む。このため、導電性粒子を確実に接続用端子と近接する位置に留めておくことができるため、接合材を硬化させた際に、素子と配線基板とが導電性粒子を介して接続される。したがって、本発明に係る素子の実装構造及び方法によれば、確実に素子と配線基板とを電気的に接続することが可能となる。
【０００９】
また、本発明に係る素子の実装構造及び方法においては、上記接続用端子が環状に複数形成されていることが好ましい。
接合材は、素子と配線基板とを圧着する際に、素子及び配線基板に押圧されることによって、放射状に広がる。したがって、本発明に係る素子の実装構造及び方法のように、接続用端子が環状に複数形成されていることによって、放射状に広がる接合材に含まれる導電性微粒子を効率的に接続用端子の凹部で捕らえることが可能となる。
【００１０】
また、本発明に係る素子の実装構造及び方法においては、上記接続用端子の凹部が上記素子の中心部に向けて開口されていることが好ましい。
接合材は、一般的に素子の中心部に対応した位置に配置される。したがって、素子と配線基板とを圧着する際に、素子及び配線基板に押圧されることによって、素子の中心部から放射状に広がる。このため、本発明に係る素子の実装構造及び方法のように、接続用端子の凹部が素子の中心部に向けて開口されていることによって、導電性微粒子をより効率的に接続用端子の凹部で捕らえることが可能となる。
【００１１】
また、本発明に係る素子の実装構造及び方法においては、上記素子の平面視形状が円形あるいは５角形以上の多角形であることが好ましい。
素子と配線基板とを圧着することによって接合材が放射状に広がるが、本発明に係る実装構造及び方法のように、素子の平面視形状が円形あるいは５角形以上の多角形であることによって、接合材が素子からはみ出すことを抑止することが可能となる。
【００１２】
また、本発明に係る素子の実装構造においては、上記接続用端子が配置領域の全面に形成されていることが好ましい。
このように、接続用端子を配置領域の全面に形成することによって、接続用端子の表面積が増加するため、より確実に接続用端子と導電性粒子との接触を確保することが可能となる。
【００１３】
また、本発明に係る素子の実装構造においては、上記導電性粒子の粒径が上記凹部の深さ以上であることが好ましい。
このように、導電性微粒子の粒径を凹部の深さ以上とすることによって、導電性粒子が凹部に入り込んだ際に、導電性微粒子の一端が接続用端子から飛び出た状態となる。このため、単一の導電性粒子しか凹部において捕らえられなかった場合であっても、導電性粒子と素子あるいは配線基板との導通を図ることが可能となる。
【００１４】
また、本発明に係る素子の実装方法においては、上記接合材を液滴吐出法によって配置するという構成を採用することができる。
このように、接合材を液滴吐出法によって、配置することによって、容易に接合材を所定位置に所定量だけ配置することが可能となる。
【００１５】
次に、本発明に係る電気光学装置は、本発明に係る素子の実装構造を有することを特徴とする。
本発明に係る素子の実装構造によれば、確実に素子と配線基板とが電気的に接続されるため、信頼性に優れた電気光学装置とすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明に係る素子の実装構造及び方法、並びに電気光学装置の一実施形態について説明する。なお、以下の図面においては、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１７】
図１において、符号１は有機ＥＬ表示体（電気光学装置）である。
この有機ＥＬ表示体１は、配線基板２と、ＥＬ基板３とを接合部４において電気的に接合した構成となっており、これら配線基板２とＥＬ基板３との間は封止樹脂で封止されている。
【００１８】
配線基板２は、絶縁物からなる基板５の表面に導電層２ａ、絶縁層２ｂ及びレジスト層２ｃが積層されて構成されており、レジスト層２ｃ上に有機ＥＬ表示体１の画素の位置に対応して電気素子としてのＴＦＴ素子（素子）６が後述する転写により接続用端子７に接合材３０を介して実装された構成となっている。さらに、レジスト層２ｃ上には、配線基板２の表面を平坦化（平滑化）するために、アクリル等の樹脂材で形成された樹脂層９が設けられている。
【００１９】
図２は、ＴＦＴ素子６近傍の拡大図であり、また、図３は、ＴＦＴ素子６を上方から見た模式図である。これらの図に示すように、接続用端子７は、その下端部が導電材料２ｄ（導電材）を介して導電層２ａと接触されて配置されている。この接続用端子７は、図３に示すように、円形にその平面視形状が形成されたＴＦＴ素子６の外周部に対応して環状に複数形成されている。
【００２０】
図４は、接続用端子７の斜視図である。この図に示すように、本実施形態における接続用端子７には、ＴＦＴ素子６の中心部６ａに向け開口されかつＴＦＴ素子６と接続される側に開口された凹部７ａが形成されている。また、接続用端子７の配線基板２側の面７ｂは、接続用端子７の配置領域（図３参照）の全面に対して形成されている。このように接続用端子７の配線基板２側の面７ｂを配置領域の全面に対して形成することによって、接続用端子７の表面積が増加するため、接続用端子７と後述する導電性粒子３１との接触をより確実にすることが可能となる。
【００２１】
この接続用端子７は接合材３０を介してＴＦＴ素子６と接続されている。接合材３０としては、異方性導電ペースト（ＡＣＰ；Anisotropic Conductive Paste）が用いられている。異方性導電ペーストは、接合用樹脂等のバインダに導電性粒子（フィラー）３１が分散されたもので、分散剤が添加される場合もある。導電性粒子３１は、略球形の樹脂性粒子（樹脂ボール）の表面に金メッキ等の導電性金属メッキを施したものが用いられている。なお、メッキ材料は鉛フリー材料とする。また、導電性粒子３１の粒径は、上述した接続用端子７の凹部７ａの深さ以上とされており、これによって、導電性粒子３１の一端が凹部７ａが飛び出された状態とされている。そして、凹部７ａから飛び出した導電性粒子３１の一端がＴＦＴ素子６と接触されている。
【００２２】
また、後に詳説するが、ＴＦＴ素子６と接続用端子７とは、ＴＦＴ素子６を接合材３０を介して接続用端子７に対して押圧しながら接合材３０を硬化させることによって接続される。このため、接続用端子７に凹部７ａを形成することによって、ＴＦＴ素子６を接続用端子７に対して押圧した際に接合材３０に含まれる導電性粒子３１が凹部７ａに流れ込み、凹部７ａ内に掛かり止められる。このため、接続用端子７の外側に導電性粒子３１が流れ出ることを防止することができる。したがって、ＴＦＴ素子６と接続用端子７との間に確実に導電性粒子３１が存在する状態でＴＦＴ素子６と接続用端子７とが接合材３０を介して接合されるため、確実にＴＦＴ素子６と接続用端子７との導通を確保することが可能となる。
【００２３】
図１に戻り、ＴＦＴ素子６は、ＥＬ基板用端子及び接合部４を介してＥＬ基板３と電気的に接続される。接合部４は、上記接合材３０と同様に異方性導電ペーストが用いられているが、接合材３０に含まれる導電性粒子３１よりも大きな導電性粒子（不図示）を含んでいる。
【００２４】
ＥＬ基板３は、ガラス等の透明基板の表面全体に亘って形成される透明電極層と、正孔注入層及び有機ＥＬ層からなる発光層と、陰極層とが積層されているものであり、例えば、陰極層が接合部４を介して配線基板２と電気的に接続されている。
なお、透明電極層、発光層、陰極層を形成する材料は、公知の有機ＥＬ表示体に用いられている材料と同じものが適用可能である。
【００２５】
ＴＦＴ素子６は、本実施形態においては、その平面視形状が円形とされており、図６（ｆ）に示すように、ＴＦＴ基板１６上に複数形成される。ＴＦＴ基板１６は、例えば、１０００℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板１９上に剥離層２０が形成され、剥離層２０上に複数のＴＦＴ素子６が形成された構成となっている。透光性耐熱基板１９の厚さには、大きな制限要素はないが、基板の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基板の透過率が低い場合に後述する照射光の減衰を招くため、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることがより好ましい。
【００２６】
剥離層２０は、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）を生ずる。即ち、一定の強度の照射光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層２０に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層２が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
剥離層２０の組成としては、例えば、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を使用することができる。この非晶質シリコン中には、水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０％ａｔ％であることが更に好ましい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層２０に内圧が発生し、これが剥離を促進する。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。この他の剥離層材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
【００２７】
剥離層２０の厚さとしては、剥離層２０の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じ、剥離層２０の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層２０の残渣を除去するのに時間を要したりするため、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍ程度であるのが更に好ましい。
剥離層２０の形成方法としては、均一な厚みで剥離層２０を形成可能な方法であればよく、剥離層２０の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
特に剥離層２０の組成が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また、剥離層２０をゾル−ゲル（sol-gel）法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
そして、この剥離層２０上に、シリコン酸化膜の絶縁層、不純物がドープされたソース・ドレイン領域を含むシリコン層、ゲート絶縁膜、ゲート配線膜、層間絶縁膜、ソース・ドレインの配線膜等によって構成されるＴＦＴ素子６が公知の技術により複数形成される。
【００２８】
このような本実施形態に係るＴＦＴ素子６の実装構造によれば、接続用端子７の凹部７ａによって確実に導電性粒子３１を捕らえることができ、ＴＦＴ素子６と配線基板２とが確実に電気的に導通される。また、このようなＴＦＴ素子６の実装構造を有する有機ＥＬ表示体１によれば、信頼性に優れた有機ＥＬ表示体とすることが可能となる。
【００２９】
続いて、上記構成の有機ＥＬ表示体の製造手順について図５〜図７を参照して説明する。なお、これらの図においても、理解を容易にするため、各層や各部材毎に簡略化して図示するとともに縮尺を異ならせてある。
【００３０】
まず、図５（ａ）に示すように、スパッタリングやフォトリソ等の公知の技術を用いて、導電層２ａが形成された基板５上に絶縁層２ｂ、導電層２ａ及び導電材料２ｄを形成する。
次に、図５（ｂ）に示すように、導電層２ａを覆うように配線基板２上にさらにレジスト層２ｃを全面配置する。
そして、フォトマスクを用いたフォトリソ等の手法により、図５（ｃ）に示すように、導電層２ａの中、導電材料２ｄ及びＴＦＴ素子６との接続部８（ＥＬ基板用端子８）が露出するように絶縁層２ｂに開口部１０を形成する。この際、導電材料２ｄ上に形成される開口部１０は、後に接続されるＴＦＴ素子６の外周部に対応して環状に複数形成され、さらに各々の平面視形状がＴＦＴ素子６の中心部を向くようなコの字状に形成されている。
【００３１】
続いて、図６（ｄ）に示すように、開口部１０の内壁及び開口部１０において露出された導電材料２ｄに下地膜７１を形成する。ここで、下字膜７１は、バリア層及びシード層からなり、まずバリア層を形成した後で、バリア層上にシード層を形成することによって成膜される。ここで、バリア層は例えばＴｉ及びＴｉＮによって形成され、シード層はＮｉによって形成される。これらは、例えばＩＭＰ（イオンメタルプラズマ）法、又は、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のＰＶＤ（Phisical Vapor Deposition）法で形成される。なお、バリア層及びシード層は配線基板２全面に形成し、最後に不要部をエッチングで除去することによって、図６（ｄ）に示すようにパターニングされる。
【００３２】
下地膜７１の形成が終了したら、図６（ｅ）に示すように、下地膜７１を基材として無電解メッキ法、もしくは電界メッキ法（メッキ工法）によって接続用端子７を完成させる。具体的には、Ａｕ等の金属材を下地膜７１上に成長させることによって、図４において示した凹部７ａを有する接続用端子７を形成する。メッキ材料、金属材料は鉛フリー材料とする。
【００３３】
この後、図６（ｆ）に示すように、接合材３０を複数の接続用端子７によって囲まれた領域の中心部、すなわちＴＦＴ素子６の中心部６ａに対応する位置に配置し、複数のＴＦＴ素子６が形成されたＴＦＴ基板１６を配線基板２に対向配置する。なお、接合材３０を配置する際には、液滴吐出法を用いて行うことができる。このように液滴吐出法を用いて接合材３０を配置することによって、所望の位置に所定量の接合材３０を配置することが可能となる。
【００３４】
続いて、ＴＦＴ素子６の接続端子（図示せず）が接続用端子７と対向するようにＴＦＴ基板１６を配置する。このとき、ＴＦＴ基板１６を押圧しながら接合することで、導電性粒子３１がＴＦＴ素子６の接続端子と接続することとなるが、接合材３０は、ＴＦＴ素子６と配線基板２とによって押圧されることによって、配置位置から放射状に広がる。
そして、接続用端子７には、図４に示すように、ＴＦＴ素子６の中心部６ａに対応するように向けて開口されかつＴＦＴ素子６と接続される側に対応するように向けて開口された凹部７ａ形成されているためバインダの流動に伴って導電性粒子３１が接続用端子７の凹部７ａに流れ込む。しがって、確実に接続用端子７とＴＦＴ素子６とを電気的に接続することが可能となる。また、ＴＦＴ素子６の平面視形状が円形であるため、接合材３０のＴＦＴ素子６の外側にはみ出す量を抑止することができる。
この後、バインダを硬化させることにより、配線基板２とＴＦＴ素子６とが固着される。
【００３５】
そして、図７（ｇ）に示すように、複数のＴＦＴ素子の中、所定のＴＦＴ素子６に対して、透光性耐熱基板１９の裏面側（照射光入射面１９ａ側）から照射光２１を選択的（局所的）に照射する。この照射光２１は、基板１９を透過した後、界面側から剥離層２０に照射される。
照射光２１としては、剥離層２０に層内剥離及び／又は界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α線、β線、γ線）等が挙げられるが、そのなかでも、分離層２の剥離（アブレーション）を生じさせ易いという点で、レーザ光が好ましい。このレーザ光を発生させるレーザ装置としては、各種気体レーザ、固体レーザ（半導体レーザ）等が挙げられるが、エキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ２レーザ、ＣＯレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が好適に用いられ、その中でもエキシマレーザが特に好ましい。エキシマレーザは、短波長域で高エネルギーを出力するため、極めて短時間で剥離層２０にアブレーションを生じさせることができ、よって、隣接する又は近傍のＴＦＴ素子６、基板１９等に温度上昇をほとんど生じさせることなく、すなわち劣化、損傷を生じさせることなく剥離層２０を剥離することができる。
これにより、照射光２１が照射された剥離層２０に層内剥離及び／又は界面剥離が生じ、結合力が減少又は消滅するので、基板１９とＴＦＴ素子６とを離間させると、図７（ｈ）に示すように、ＴＦＴ素子６が基板１９から離脱して、配線基板２へ転写される。
【００３６】
そして、レジスト層２ｃに形成された開口部において露出されたＥＬ接続部８上に接合部４を形成し、その後、ＥＬ基板３を配線基板２に対して位置決めしながら、接合部４において陰極層を接合する。続いて、接合部４を形成する異方性導電樹脂を硬化させるとともに、ＥＬ基板３と配線基板２との隙間を封止樹脂２５で封止することにより、有機ＥＬ表示体１が完成する。
【００３７】
このように、本第１実施形態に係る素子の実装構造及び方法によれば、接続用端子７における導電性粒子３１を捕らえる凹部７ａが形成されているため、ＴＦＴ素子６を接続用端子７に対して押圧した際に、この凹部７ｂに接合材の導電性粒子３１が掛かり止められる。したがって、確実に接続用端子７とＴＦＴ素子６とを電気的に接続することが可能となる。
【００３８】
図８は、本実施形態における有機ＥＬ表示体１を備える電子機器の具体例を示す図である。
図８（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図８（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は本実施形態の有機ＥＬ表示体を備えた表示部を示している。
図８（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図８（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は本実施形態の有機ＥＬ表示体を備えた表示部を示している。
図８（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図８（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は本実施形態の有機ＥＬ表示体を備えた表示部を示している。
図８（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の有機ＥＬ表示体を備えたものであるので、信頼性に優れた電子機器となる。
【００３９】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る素子の実装構造及び方法、並びに電気光学装置の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。上述した実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００４０】
例えば、上記実施形態において、接続用端子７を配線基板２側に形成した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、ＴＦＴ素子６側に接続用端子７を形成する、あるいは、ＴＦＴ素子６と配線基板２との両側に接続用端子７を形成しても良い。
【００４１】
また、上記実施形態において、接続用端子７をＴＦＴ素子６の外周部に対応して環状に複数形成した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、複数の接続用端子からなる接続用端子列を２つ平行に配置し、これらの接続用端子の凹部を素子の内側に向けて形成する構成を採用しても良い。
【００４２】
また、上記実施形態においては、接合材３０のはみ出しを抑止するために、ＴＦＴ素子６の平面視形状を円形とした。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、ＴＦＴ素子６の平面視形状を５角形以上の多角形状としても良い。このような場合であっても、接合材３０のはみ出しを抑止することができる。なお、ＴＦＴ素子６の平面視形状を多角形状とする場合には、正多角形状とすることが好ましい。
【００４３】
また、上記実施形態においては、接合材３０としてＡＣＰを用いた。しかしながら、本発明は、これに限定されるものではなく、例えば、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を接合材として用いても良い。
【００４４】
また、上記実施形態においては、導電性粒子の粒径が接続用端子７の凹部７ａの深さよりも大きいとしが、これに限定するものではなく、導電性粒子の粒径が凹部７の深さより小さくても良い。この場合には、導電性粒子が凹部７ａに複数捕らえられることによって積層されるため、複数の導電性粒子を介してＴＦＴ素子６と配線基板２との導通を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示体の概略構成図である。
【図２】図１におけるＴＦＴ素子近傍の拡大図である。
【図３】図１におけるＴＦＴ素子を上方から見た図である。
【図４】接続用端子の斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示体の製造方法の説明図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示体の製造方法の説明図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示体の製造方法の説明図である。
【図８】本発明の電気光学装置を適用した電子機器の具体例を示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１……有機ＥＬ表示体（電気光学装置）、２……配線基板、３……ＥＬ基板、６……ＴＦＴ素子（薄膜素子、素子）、７……接続用端子、７ａ……凹部、３０……接合材、３１……導電性粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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