(57)【要約】【課題】  入射光の強度如何にかかわらず経時的な劣化を抑制できるＮＤフィルター、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  エージング処理がなされるＮＤフィルターであって、エージング処理温度よりも高い軟化点を有する光透過性の基板１と、基板１上に形成された光吸収層３と、基板１と光吸収層３との間に形成され、基板１もしくは光吸収層３の構成元素の酸化物より構成される酸化物下地層２とを備え、３５０［℃］以上、基板の軟化点以下の温度でエージング処理を行う。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エージング処理がなされるＮＤフィルターであって、
該エージング処理温度よりも高い軟化点を有する光透過性の基板と、
該基板上に形成される光吸収層と、
該基板と該光吸収層との間に形成され、該基板もしくは該光吸収層の構成元素の酸化物下地層より構成される酸化物下地層とを備え、
３５０［℃］以上、該基板の軟化点以下の温度で該エージング処理が行われているＮＤフィルター。
【請求項２】
上記酸化物下地層の膜厚は、１[ｎｍ]以上、１０[ｎｍ]以下であることを特徴とする請求項１に記載のＮＤフィルター。
【請求項３】
上記光吸収層上、及び／又は該基板の光吸収層が積層されている面とは逆側の面に反射防止層が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のＮＤフィルター。
【請求項４】
上記光吸収層が形成されている側の表面粗度Ｒａは、０．５[ｎｍ]以上、１．２[ｎｍ]以下であることを特徴とする請求項１，２，又は３に記載のＮＤフィルター。
【請求項５】
光透過性の基板と光吸収層とを備え、エージング処理がなされるＮＤフィルターの製造方法であって、
該エージング処理温度よりも高い軟化点を有する基板上に、該基板もしくは該光吸収層の構成元素の酸化物よりなる酸化物下地層を形成するステップと、
該酸化物下地層の上に該光吸収層を形成するステップと、
３５０［℃］以上、該基板の軟化点以下の温度でエージングを行うステップとを備えるＮＤフィルターの製造方法。
【請求項６】
上記光吸収層を形成するステップ後であって、上記エージングを行うステップ前に、該光吸収層上、及び／又は該基板の光吸収層が積層されている面とは逆側の面に反射防止層を形成するステップを備えていることを特徴とする請求項５に記載のＮＤフィルターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜型のＮＤ（Neutral  Density）フィルター、及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、光通信機器に好適に用いられるＮＤフィルターとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より撮影系において、被写体輝度が高すぎるときには、ＮＤフィルターを装着して感光面への入射光量を規制することがしばしば行われてきた。ＮＤフィルターとは、入射光を一定量減衰させるためのものである。
このようなＮＤフィルターとしては、例えば、金属膜と誘電体膜とを交互に積層形成したもの（特許文献１）や、光吸収特性を有する不飽和Ｔｉ酸化物下地層を利用したもの（特許文献２）や、密着層を介して基板上にＮｂとＳｉＯ２等を積層形成したものなどが知られている（特許文献３、特許文献４）。
【特許文献１】特開平５−９３８１１号公報
【特許文献２】特開平７−６３９１５号公報
【特許文献３】特開２００２−３５０６１０号公報
【特許文献４】特開２００３−２０７６０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記のようなＮＤフィルターにおいては、ＮＤフィルターの温度が上昇してしまうという問題がある。ＮＤフィルター内で入射光の光エネルギーが熱エネルギーに変換されてしまうためである。
ＮＤフィルターの温度が上昇する結果、ＮＤフィルターの特性が経時において変化してしまう場合があった。例えば、特許文献１のようにＮＤフィルターとして金属層を含んでいる場合、経時で金属酸化が進行し、光吸収特性が変化してしまう場合があった。また、経時において基板が剥離してしまう場合があった。
【０００４】
ところで、ＮＤフィルターは、上記撮影系に限られず光通信機器の分野においても用いられている。光通信機器としては、可変光減衰器（ＶＯＡ）や、高密度波長分割多重方式（ＤＭＤＷ）の機器が挙げられる。前者は、広い光帯域にわたって光量を任意に変化させるためのものであり、後者は１本の光ファイバーに複数の波長の光信号を重ねて送ることで通信網を大容量化するためのものである。
光通信機器においては、上記撮影系で用いられる機器に比して、ＮＤフィルターに入射される入射光強度が一般的に強い。従って、ＮＤフィルターの温度上昇の問題がより深刻となる。より具体的には、ＮＤフィルターにおいて数１００［℃］の温度上昇が見られる場合がある。上記特許文献１乃至４に記載のＮＤフィルターをこのような高温環境下で使用される光通信機器に適用した場合、温度上昇に起因した経時的劣化が深刻となってしまう。
【０００５】
近年、通信量の増大に伴って、ＮＤフィルターに入射される入射光の光量がますます増大する傾向にある。そのため、温度上昇による経時的劣化の問題はより深刻となってきた。
【０００６】
なお、光通信機器に装着されるＮＤフィルターについて生じ得る問題点について説明したが、温度上昇によって経時的劣化が生じ得るＮＤフィルターを装着する各種機器においても上記と同様の課題が生じ得る。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、入射光の強度如何にかかわらず経時的な劣化を抑制できるＮＤフィルター、及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るＮＤフィルターは、エージング処理がなされるＮＤフィルターであって、該エージング処理温度よりも高い軟化点を有する光透過性の基板と、該基板上に形成される光吸収層と、該基板と該光吸収層との間に形成され、該基板もしくは該光吸収層の構成元素の酸化物下地層より構成される酸化物下地層とを備え、３５０［℃］以上、該基板の軟化点以下の温度で該エージング処理が行われているものである。
【０００９】
本発明に係るＮＤフィルターによれば、各層を積層後にＮＤフィルターのエージングを行い、このエージング過程においてＮＤフィルターの光吸収特性変化を促している。その結果、当該エージング後には、ＮＤフィルターの温度が上昇した場合においても光吸収率の変化を抑制することができる。また、基板と光吸収層との間に酸化物下地層を形成させているので、光吸収層が基板から剥離するのを防止できる。その理由は、必ずしも明確ではないが、酸化物下地層を基板もしくは光吸収層の構成元素の酸化物により形成させているために、基板や光吸収層との親和性が良くなるものと考えている。また、酸化物下地層形成後の表面祖度は、基板単体の表面祖度より粗いことから、表面の粗し効果によって光吸収層の付着力が改善されたものと考えている。
ここで、光吸収層とは、入射光を任意の光量に減衰させるための層をいい、インコネル、ステンレス、Ｔｉ，Ａｕ，Ａｇ，Ｎｂ，Ｔａ、Ｚｒなどの比較的耐食性の高い金属、あるいは、ＴｉＮｘ、ＮｂＮｘ、ＴａＮｘ、ＡｌＮｘ等の窒化金属膜、ＴｉＯｙ、Ａｌ２Ｏ３などの酸化金属膜などが好適に用いられる。基板は、エージング温度より軟化点が高く、透過性のある基板であれば用いることができる。
本発明者が鋭意検討を重ねた結果、３５０［℃］以上の温度でエージングを行えば、光吸収特性の経時的変化を抑制できることが明らかとなった。また、基板の軟化点以上の温度で加熱すると、基板が溶融してしまうので使用する基板の軟化点未満の温度でエージングをする必要がある。
なお、エージング時間は、エージング後の光吸収特性の経時的変化を十二分に抑制する観点から５０時間以上行うことが好ましい。
【００１０】
本発明に係るＮＤフィルターは、上記酸化物下地層の膜厚を、１[ｎｍ]、１０[ｎｍ]以下とすることが好ましい。１[ｎｍ]未満では、膜剥離の防止効果が低減する恐れがあるためである。また、１０[ｎｍ]を越えると、表面粗度が悪くなり光学特性に影響を及ぼす恐れがあるためである。
【００１１】
本発明に係るＮＤフィルターは、上記光吸収層上、及び／又は、該基板の光吸収層が積層されている面とは逆側の面に反射防止層を形成させることができる。反射防止層としては、例えば、Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｓｎ、Ｓｂ，Ｚｎ、Ｗ、Ｉｎ，Ｂｉ，Ｃｕなどの酸化物や窒化物、Ｍｇ，Ｃａ、Ｃｅなどの弗化物を用いることができる。光吸収層が反射防止層により保護されているので、ＮＤフィルターの温度が上昇した場合においても光吸収特性の変化をより効果的に抑制することができる。特に、光吸収層として、高温環境下で経時的変化が起こりやすい金属層などが積層されているものについてはより効果的である。
【００１２】
本発明に係るＮＤフィルターは、上記光吸収層が形成されている側の表面祖度Ｒａは、０．５[ｎｍ]以上、１．２[ｎｍ]以下となるように設定することが好ましい。１．２[ｎｍ]を越えると、膜の光学特性が劣化する恐れがあるためである。また、０．５[ｎｍ]未満では、光吸収層の酸化物下地層に対する付着力が低減する恐れがあるためである。
【００１３】
本発明に係るＮＤフィルターの製造方法は、光透過性の基板と光吸収層とを備え、エージング処理がなされるＮＤフィルターの製造方法であって、該エージング処理温度よりも高い軟化点を有する基板上に、該基板もしくは該光吸収層の構成元素の酸化物よりなる酸化物下地層を形成するステップと、該酸化物下地層の上に該光吸収層を形成するステップと、３５０［℃］以上、該基板の軟化点以下の温度でエージングを行うステップとを備えるものである。
【００１４】
本発明にかかる製造方法によれば、各層を積層後にＮＤフィルターのエージングを行い、エージング過程においてＮＤフィルターの光吸収特性変化を促している。その結果、当該エージング後には、ＮＤフィルターの温度が上昇した場合においても光吸収率の変化を抑制することができる。また、酸化物下地層を形成させているので、基板と光吸収層との剥離を防止できる。その理由は、必ずしも明確ではないが、基板もしくは光吸収層の構成元素の酸化物により形成させているために、基板や光吸収層との親和性が良くなるものと考えている。また、酸化物下地層形成後の表面祖度は、基板単体の表面祖度より粗いことから、表面の粗し効果によって光吸収層の付着力が改善されたものと考えている。
本発明者が鋭意検討を重ねた結果、３５０［℃］以上の温度でエージングを行えば、光吸収特性の経時的変化を抑制できることが明らかとなった。また、基板の軟化点以上の温度で加熱すると、基板が溶融してしまうので使用する基板の軟化点未満の温度でエージングをする必要がある。
なお、エージング時間は、エージング後の光吸収特性の経時的変化を十二分に抑制する観点から５０時間以上行うことが好ましい。
【００１５】
さらに、本発明に係るＮＤフィルターの製造方法は、上記光吸収層を形成するステップ後であって、上記エージングを行うステップ前に、該光吸収層上、及び／又は該基板の光吸収層が積層されている面とは逆側の面に反射防止層を形成するステップを備えることができる。
反射防止層としては、例えば、Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｓｎ、Ｓｂ，Ｚｎ、Ｗ、Ｉｎ，Ｂｉ，Ｃｕなどの酸化物や窒化物、Ｍｇ，Ｃａ、Ｃｅなどの弗化物を用いることができる。光吸収層が反射防止層により保護されているので、ＮＤフィルターの温度が上昇した場合においても光吸収特性の変化をより効果的に抑制することができる。特に、光吸収層として高温環境下で経時的変化が起こりやすい金属層などが積層されているものについてはより効果的である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、入射光の強度如何にかかわらず経時的な劣化を抑制し、膜剥離を抑制できるＮＤフィルター、及びその製造方法を提供することができるという優れた効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を適用したＮＤフィルターの実施形態の一例について説明する。
図１は、本実施形態に係る薄膜型のＮＤフィルターの概略構成を示す断面図である。このＮＤフィルター１０は、光学ガラス等よりなる光透過性のある基板１上に、例えばＳｉＯ２等よりなる酸化物下地層２、光吸収層３、反射防止層４が順次積層されている。また、当該基板の裏面には、反射防止層５が形成されている。
【００１８】
このようなＮＤフィルター１０は、ＲＦ（高周波）スパッタリングなどにより順次各層を積層せしめることにより製造することができる。図２(ａ)及び（ｂ）は、以下の実施例及び比較例において使用した成膜装置（ＲＦスパッタ装置）の概略構成図である。スパッタリング装置は、低真空で放電を起こすことによりプラズマを発生させ、プラズマ中の陽イオンをカソードと呼ばれる負極に設置されたターゲットに衝突させて、ターゲットからたたき出された粒子をターゲットに対置した基板に付着させて薄膜を形成するものである。
【００１９】
ＲＦスパッタ装置２０は、図２（ａ）に示すように、４つのスパッタターゲット２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄを備えている。また、円形の基板ホルダー２３、防着板２５、成膜開口部２７、成膜マスク２８、シャッター２９、チャンバ２２を備えている。基板ホルダー２３は、中心軸で回転するよう構成されており、基板１全体の膜厚分布が小さくなるようになっている。
【００２０】
上記４つのスパッタターゲットは、基板上に積層したい材料からそれぞれ構成されている。本実施形態においては、第１のスパッタターゲット２１ａは酸化物下地層を、第２のスパッタターゲット２１ｂは光吸収層を、第３のスパッタターゲット２１ｃは反射防止層を形成するためのものであり、それぞれ積層する材料から構成されている。各スパッタターゲットの周囲は隔壁で囲まれており、他のスパッタターゲットによる汚染が起こらないように構成されている。
【００２１】
基板ホルダ２３に基板１を固定せしめ、装置内を不図示の真空源により真空状態とする。そして、図示しない電源によって基板１上に第１のスパッタターゲット２１ａと基板とに電力を供給して、酸化物下地層のスパッタリングを行う。この際、基板ホルダー２３に保持された基板１は、均一な薄膜を形成すべく図２（ｂ）の矢印に示すように基板ホルダー２３とともに回転せしめられている。このようにして、基板１上に酸化物下地層２が形成される。
【００２２】
続いて、第２のスパッタターゲット２１ｂを用いて基板上の酸化物下地層２の上に光吸収層が形成される。不図示の成膜マスクを用いることにより、任意の膜厚となるように調整される。
さらに、光吸収層の上に第３のスパッタターゲット２１ｃを用いて反射防止層が形成される。その後、いったん真空を破り、基板を裏向きにした後、第３のスパッタターゲット２１ｃを用いて基板裏面１ｂに反射防止層を積層する。
なお、第４のスパッタターゲット２１ｄは、反射防止層や光吸収層等を２種類の層から構成するときなどに用いることができる。
【００２３】
基板１としては、透過性を有し、かつ、後述するＮＤフィルターのエージング温度よりも軟化点が高いものであれば特に限定されずに用いることができる。好適な例としては、例えば、４５０［℃］以上の軟化点を持つ光学ガラスを用いることができる。
【００２４】
酸化物下地層２は、基板１あるいは光吸収層３の構成元素からなる酸化物から構成される。このようにすることにより、基板や光吸収層との親和性を良好に保つことができるものと考えている。また、酸化物下地層形成後の表面粗度を基板単体の表面粗度より粗くすることができるので、表面粗し効果により光吸収層の付着力が向上したものと考察している。
酸化物下地層２の膜厚は、１[ｎｍ]以上、１０[ｎｍ]以下とすることがより好ましい。１[ｎｍ]未満では、膜剥離の防止効果が低減する恐れがあるためである。また、１０[ｎｍ]を越えると、表面粗度が悪くなり光学特性に影響を及ぼす恐れがあるためである。
【００２５】
光吸収層３は、入射光を任意の光量に減衰させるための層をいう。インコネル、ステンレス、Ｔｉ，Ａｕ，Ａｇ，Ｎｂ，Ｔａ、Ｚｒなどの比較的耐食性の高い金属、あるいは、ＴｉＮｘ、ＮｂＮｘ、ＴａＮｘ、ＡｌＮｘ等の窒化金属膜、ＴｉＯｙ、Ａｌ２Ｏ３などの酸化金属膜などが好適に用いられる。
【００２６】
２つの反射防止層４及び５は、入射光の反射を防止するために設けられている。本実施形態においては、光吸収層の表面と基板の裏面１ｂとにそれぞれ積層されている。反射防止層としては、例えば、Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｓｎ、Ｓｂ，Ｚｎ、Ｗ、Ｉｎ，Ｂｉ，Ｃｕなどの酸化物や窒化物、Ｍｇ，Ｃａ、Ｃｅなどの弗化物を用いることができる。光吸収層が反射防止層により保護されているので、入射光量の大きいもの（例えば、レーザー光など）によりＮＤフィルターの温度が上昇した場合においても光吸収特性の変化をより効果的に抑制することができる。特に、光吸収層として金属層などの酸化しやすいものを用いたときにより効果的である。
【００２７】
光吸収層、あるいは反射防止層の表面粗度Ｒａは、０．５[ｎｍ]以上、１．２[ｎｍ]以下となるように設定することがより好ましい。１．２[ｎｍ]を越えると、膜の光学特性が劣化する恐れがあるためである。また、０．５[ｎｍ]未満では、光吸収層の酸化物下地層に対する付着力が低減する恐れがあるためである。
【００２８】
得られた積層膜は、４００［℃］で、５０時間空気中にてエージング処理を行った。エージング条件について、本発明者が鋭意検討を重ねたところ３５０［℃］以上の温度でエージングを行えば、光吸収特性の経時的変化を抑制できることが明らかとなった。また、基板の軟化点以上の温度で加熱すると、基板が溶融してしまうので使用する基板の軟化点未満の温度でエージングをする必要がある。エージング時間は、エージング後の光吸収特性の経時的変化を十二分に抑制する観点から５０時間以上行うことが好ましい。
【実施例１】
【００２９】
以下、本発明を実施例などによりその一例を具体的に説明するが、本発明はそれにより何ら限定されない。
（実施例１）
図３は、本実施例１に係るＮＤフィルターの概略構成を示す要部断面図である。同図に示すように、本実施例１に係る薄膜型のＮＤフィルター１０ａは、ガラス基板１ａ（ショット社製のＢＫ−２）の片面上に、酸化物下地層２ａ、膜厚を徐々に変化させた光吸収層３ａ、２層から構成される表面反射防止層４ａ−１、４ａ―２をスパッタリング法により形成した。そして、ガラス基板１ａの反対側の面上に、２層から構成される裏面反射防止層５ａ−１、５ａ−２を成膜することにより薄膜型のＮＤフィルターを得た。各層の成膜条件を表１に示す。
表１に示す条件にて成膜後、４００［℃］で５０時間エージングを行い、所定の形状（１０［ｍｍ］×３［ｍｍ］×０．５［ｍｍ］）に加工して可変ＮＤフィルターを得た。
なお、このような可変ＮＤフィルターは、光吸収層の膜厚によって透過光量が変わるのでＮＤフィルターをモータで動かすことにより、所望の透過光量となるように調整することができる。
【表１】
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【００３０】
（実施例２）
図４は、本実施例２に係るＮＤフィルターの概略構成を示す要部断面図である。基本的な薄膜型ＮＤフィルターの構成は、上記実施例１と同様であるが、基板と、各積層膜の構成物質と、その膜厚と、光吸収層の成膜条件とが異なっている。すなわち、上記実施例１においては、基板としてショット社製のＢＫ−２を用いたが、本実施例２においては、ショット社製の石英ガラスを用いている。また、上記実施例１においては、光吸収層の膜厚を徐々に変化させるように成膜したが、本実施例２においては膜厚が均一となるように成膜している。各層の成膜条件を表２に示す。
【表２】
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【００３１】
（実施例３）
エージング温度を、３５０［℃］とした以外の他の条件は、上記実施例１と同様にして可変ＮＤフィルターを作製した。
【００３２】
（比較例１）基本的な薄膜型ＮＤフィルターの構成は、上記実施例１と同様である。異なる点は、上記実施例１においては、酸化物下地層２ａを設けているのに対し、本比較例１では酸化物下地層を設けていない点である。
（比較例２）基本的な薄膜型ＮＤフィルターの構成は、上記実施例２と同様である。異なる点は、上記実施例１においては、酸化物下地層２ｂを設けているのに対し、本比較例１では酸化物下地層を設けていな点である。
（比較例３）薄膜型ＮＤフィルターの基本的な構成は、上記実施例１と同様である。異なる点は、上記実施例１においては、ＳｉＯ２よりなる酸化物下地層２ａの膜厚を３[ｎｍ]としているのに対し、本比較例３ではその膜厚を１２[ｎｍ]とした点である。
（比較例４）薄膜型ＮＤフィルターの基本的な構成は、上記実施例２と同様である。異なる点は、上記実施例２においては、Ｃｒ２Ｏ３よりなる酸化物下地層２ｂの膜厚を７[ｎｍ]としているのに対し、本比較例４ではその膜厚を１４[ｎｍ]とした点である。
（比較例５）薄膜型ＮＤフィルターの基本的な構成は、上記実施例１と同様である。異なる点は、上記実施例１においては、成膜された基板のエージング温度を４００［℃］としているのに対し、本比較例５ではその温度を３００［℃］とした点である。
（比較例６）薄膜型ＮＤフィルターの基本的な構成は、上記実施例２と同様である。異なる点は、上記実施例２においては、成膜された基板のエージング温度を４００［°Ｃ］としているのに対し、本比較例６ではその温度を３００［℃］とした点である。
【００３３】
上記のようにして得られた薄膜型のＮＤフィルターは、７０［Ｗ］の大出力レーザー光を連続５０時間照射した。そして、偏光依存損失（ＰＤＬ）、透過率変化（ｄＢ）、ＮＤフィルター表面の表面祖度（Ｒａ）を測定した。
偏光依存損失（ＰＤＬ）は、光吸収層の膜厚５[ｎｍ]の位置で測定波長１５００[ｎｍ]〜１６３０[ｎｍ]にて測定を行った。また、透過率変化（ｄＢ）は、４００［℃］の条件化、５０時間環境試験前後の光吸収層の膜厚１０[ｎｍ]の位置における透過率の変化量を測定した。これらの結果を表３に示す。
【表３】
2005338385.tif 000005
【００３４】
表３に示すように、基板もしくは光吸収層の構成元素の酸化物下地層の存在によって、膜剥離が防止できることがわかる。偏光依存損失（ＰＤＬ）の結果から、酸化物下地層の膜厚が１０[ｎｍ]以下であると、表面祖度が良好となり光学特性が良好であることがわかる。更に、４００［℃］５０時間連続の環境試験前後の透過率変化の値から、３５０［℃］以上のエージングを行うと、ＮＤフィルターの透過率変化が１［ｄＢ］以下となり、光学特性の経時変化を抑制できることが明らかとなった。
本実施例に係る薄膜型ＮＤフィルターによれば、経時変化を抑制して、膜剥離を防止できる。
【００３５】
なお、上記実施形態においてはスパッタリング装置によりＮＤフィルターを作製したが、これに限定されるものではなく蒸着法など公知の薄膜形成技術を適宜使用することができる。また、酸化物下地層、光吸収層をそれぞれ１種類の層からなる例について説明したが、これに限定されるものではなく、材料の異なる複数の層から構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本実施形態に係る薄膜型ＮＤフィルターの概略構成を示す要部断面図。
【図２】（ａ）は本実施形態に係るスパッタリング装置のスパッタターゲット部の説明図、（ｂ）は本実施形態に係るスパッタリング装置の概略説明図。
【図３】本実施例１に係る薄膜型ＮＤフィルターの概略構成を示す要部断面図。
【図４】本実施例２に係る薄膜型ＮＤフィルターの概略構成を示す要部断面図。
【符号の説明】
【００３７】
１、１ａ、１ｂ  基板
２、２ａ、２ｂ  酸化物下地層
３、３ａ、３ｂ  光吸収層
４、４ａ、４ｂ  表面反射防止層
５、５ａ、５ｂ  裏面反射防止層
１０、１０ａ、１０ｂ  薄膜型ＮＤフィルター
２０  スパッタリング装置
【図１】
2005338385.tif 000006
【図２】
2005338385.tif 000007
【図３】
2005338385.tif 000008
【図４】
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