(57)【要約】【課題】  成形品の様々な部位においてもバラツキの少ない一定範囲の表面抵抗率を有し、成形品自身が汚染源にならず、かつ寸法精度や外観も良好なクリーンルーム用成形品を提供すること。【解決手段】  環状オレフィン重合体６０〜８０重量％、及び体積固有抵抗値が１０−１〜１０３Ω・ｃｍ、繊維径が５〜３０μｍ、かつ繊維長が０．１〜１ｍｍである炭素繊維２０〜４０重量％からなる樹脂組成物を、所定条件によって射出成形して、表面抵抗率が１０５〜１０１２Ω／□であるクリーンルーム用成形品を製造する。半導体基板、ディスプレイ基板及び記録媒体基板から選択される板状体が収納される容器や、原料、中間製品又は完成品を取り扱う治工具などが好適な実施態様である。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状オレフィン重合体６０〜８０重量％、及び体積固有抵抗値が１０−１〜１０３Ω・ｃｍ、繊維径が５〜３０μｍ、かつ繊維長が０．１〜１ｍｍである炭素繊維２０〜４０重量％からなる樹脂組成物からなるクリーンルーム用成形品。
【請求項２】
前記環状オレフィン重合体の荷重たわみ温度（Ｔｄ：ＡＳＴＭ  Ｄ６４８に基づいて１．８２ＭＰａ応力で測定）が６０〜１５０℃である請求項１記載のクリーンルーム用成形品。
【請求項３】
前記炭素繊維がサイジング剤の付着していないものである請求項１又は２記載のクリーンルーム用成形品。
【請求項４】
前記樹脂組成物のＭＦＲ（ＡＳＴＭ  Ｄ１２３８に基づいて、２４０℃、２．１６ｋｇ荷重で測定）が０．２〜１０ｇ／１０分である請求項１〜３のいずれかに記載のクリーンルーム用成形品。
【請求項５】
表面抵抗率が１０５〜１０１２Ω／□である請求項１〜４のいずれか記載のクリーンルーム用成形品。
【請求項６】
成形品の複数の位置で表面抵抗率を測定したときの、最大値と最小値との比が１００以下である請求項１〜５のいずれか記載のクリーンルーム用成形品。
【請求項７】
１５０℃で３０分間加熱した時の脱ガス総量が、ヘキサデカン換算で１０μｇ／ｇ以下である請求項１〜６のいずれか記載のクリーンルーム用成形品。
【請求項８】
半導体基板、ディスプレイ基板及び記録媒体基板から選択される板状体が収納される容器である請求項１〜７のいずれか記載のクリーンルーム用成形品。
【請求項９】
原料、中間製品又は完成品を取り扱う治工具である請求項１〜７のいずれか記載のクリーンルーム用成形品。
【請求項１０】
環状オレフィン重合体６０〜８０重量％、及び体積固有抵抗値が１０−１〜１０３Ω・ｃｍであり、繊維径が５〜３０μｍであり、かつ繊維長が０．１〜１ｍｍである炭素繊維２０〜４０重量％を溶融混練して得られた樹脂組成物を射出成形するクリーンルーム用成形品の製造方法。
【請求項１１】
射出成形時のシリンダー設定温度（Ｔｓ）と、環状オレフィン重合体の荷重たわみ温度（Ｔｄ：ＡＳＴＭ  Ｄ６４８に基づいて１．８２ＭＰａ応力で測定）とが、下記式（１）を満足する請求項１０記載のクリーンルーム用成形品の製造方法。
Ｔｄ＋１４０≦Ｔｓ≦Ｔｄ＋２００      （１）
【請求項１２】
射出スピードが２０〜２００ｍｌ／ｓｅｃである請求項１０又は１１に記載のクリーンルーム用成形品の製造方法。
【請求項１３】
金型温度（Ｔｍ）と、環状オレフィン重合体の荷重たわみ温度（Ｔｄ：ＡＳＴＭ  Ｄ６４８に基づいて１．８２ＭＰａ応力で測定）とが、下記式（２）を満足する請求項１０〜１２のいずれか記載のクリーンルーム用成形品の製造方法。
Ｔｄ−４０≦Ｔｍ≦Ｔｄ＋１０      （２）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、環状オレフィン重合体と炭素繊維とからなる樹脂組成物からなるクリーンルーム用成形品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスにおけるシリコンウェーハ、液晶パネル製造プロセスにおけるガラス基板、ハードディスク製造プロセスにおける金属ディスクなどは汚染を防止するためクリーンルーム中で取り扱われる。これらの製造プロセスにおいては、これらの基板を効率良くハンドリングするための容器、トレー、ピンセットなど、各種の樹脂成形品が使用されている。例えば、複数枚の基板を同時に収容して、クリーンルーム内で特定のプロセスから次のプロセスに輸送する場合の容器、各種の処理を施すための容器、枚葉ウェーハを持ち運ぶピンセットなどの治工具が使用されている。クリーンルーム内で使用されるこれらの成形品は、電子デバイスを取り扱うために帯電防止処理がなされることが多い。
【０００３】
２つの帯電レベルの異なる導電物質が接触した場合、瞬時に電荷の移動が起こり、帯電レベルが等しくなるとともに、電流が流れる。デバイスのＥＳＤ（Electrostatic Discharge）破壊は、この電荷の移動に伴い発生する電流が原因で起こると考えられている。従って、デバイスをＥＳＤ破壊から守るためにはこの電荷の移動速度を制御し、発生する電流を制御することが重要である。すなわち、デバイスと接する部材に電荷移動速度が比較的遅くかつ帯電しない材料を使用することでＥＳＤ破壊が抑制される。
【０００４】
また、クリーン化技術に関しては、半導体ウェーハ等の汚染における、ＥＳＡ（Electrostatic Attraction；静電気による微粒子吸着）が着目されている。特に近年は、デバイスの微細化に伴いパーティクルの管理対象粒径が０．３μｍ以下にまで小さくなったために、ＥＳＡによるウェーハへの沈着が重力沈降よりも支配的となっており、ＥＳＡ対策が一段と重要視されている。
【０００５】
成形品の表面抵抗率が１０１２Ω／□より大きい場合は、摩擦による帯電のみならず、帯電することによるパーティクルの吸着も引き起こしやすくなる。また、ＥＳＤ破壊対策には、表面抵抗率を１０５〜１０１２Ω／□程度の範囲に制御することが重要である。したがって、クリーンルーム内で使用される成形品の表面抵抗率を、厳密に制御できる手法が望まれている。
【０００６】
特開平５−１１７４４６号公報（特許文献１）には、体積固有抵抗値が１０−１〜１０３Ω・ｃｍである炭素繊維の短繊維１０〜４０重量部及びポリマー９０〜６０重量部からなる、体積固有抵抗値が１０５〜１０１３Ω・ｃｍの樹脂組成物が記載されている。通常の炭素繊維よりも高い抵抗値を有する炭素繊維を使用することによって、体積固有抵抗値が一定の範囲に制御された短繊維含有樹脂組成物を得ることができるとされている。しかしながら、ここで使用されるポリマーの例示の中には環状オレフィン重合体は記載されていない。
【０００７】
特開平７−１２６４３４号公報（特許文献２）には、二種類の長さの炭素繊維の配合物１〜５０重量部を熱可塑性ノルボルネン系樹脂１００重量部に配合してなる樹脂組成物からなる成形品が記載されている。当該成形品の表面抵抗値は、好適には１０５〜１０１２Ωであり、成形品表面のどの部分で測定してもほぼ同じ値を示し、ムラがないとされている。ここで使用されている炭素繊維は、通常の体積固有抵抗値、すなわち１０−１Ω・ｃｍ以下の体積固有抵抗値を有する炭素繊維である。しかしながら、このように体積固有抵抗値の低い炭素繊維を使用したのでは、複雑な形状を有することが多いクリーンルーム用成形品において、バラツキを抑えて比較的高い表面抵抗率を再現性よく得ることは、容易ではない。しかも、溶融混練操作において炭素繊維の切断は避けられないので、二種類の長さの炭素繊維の配合によって表面抵抗率を制御することも容易ではない。さらに、短すぎる炭素繊維は発塵を引き起こすおそれもある。
【０００８】
【特許文献１】特開平５−１１７４４６号公報
【特許文献２】特開平７−１２６４３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、ＥＳＤとＥＳＡのいずれをも抑制することができ、電荷移動の速度は遅く、かつ帯電しない範囲の表面抵抗率を有するクリーンルーム用成形品及びその製造方法を提供することを目的とするものである。特に、複雑な成形品の様々な部位においても、バラツキの少ない表面抵抗率を有する成形品を提供することを目的とするものである。さらに、成形品自身が汚染源にならず、かつ寸法精度も良好な成形品を得ることも本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題は、環状オレフィン重合体６０〜８０重量％、及び体積固有抵抗値が１０−１〜１０３Ω・ｃｍ、繊維径が５〜３０μｍ、かつ繊維長が０．１〜１ｍｍである炭素繊維２０〜４０重量％からなる樹脂組成物からなるクリーンルーム用成形品を提供することによって解決される。このとき、環状オレフィン重合体の荷重たわみ温度（Ｔｄ：ＡＳＴＭ  Ｄ６４８に基づいて１．８２ＭＰａ応力で測定）が６０〜１５０℃であることが好適である。前記炭素繊維がサイジング剤の付着していないものであることも好適である。また、前記樹脂組成物のＭＦＲ（ＡＳＴＭ  Ｄ１２３８に基づいて、２４０℃、２．１６ｋｇ荷重で測定）が０．２〜１０ｇ／１０分であることが好適である。
【００１１】
また、上記課題は、環状オレフィン重合体６０〜８０重量％、及び体積固有抵抗値が１０−１〜１０３Ω・ｃｍ、繊維径が５〜３０μｍ、かつ繊維長が０．１〜１ｍｍである炭素繊維２０〜４０重量％からなるクリーンルーム用成形品用樹脂組成物を提供することによっても解決される。
【００１２】
本発明のクリーンルーム用成形品において、その表面抵抗率が１０５〜１０１２Ω／□であることが好適である。また、成形品の複数の位置で表面抵抗率を測定したときの、最大値と最小値との比が１００以下であることも好適である。さらに、１５０℃で３０分間加熱した時の脱ガス総量が、ヘキサデカン換算で１０μｇ／ｇ以下であることも好適である。本発明のクリーンルーム用成形品の好適な実施態様としては、半導体基板、ディスプレイ基板及び記録媒体基板から選択される板状体が収納される容器が挙げられる。また、他の好適な実施態様としては、原料、中間製品又は完成品を取り扱う治工具も挙げられる。
【００１３】
また、上記課題は、環状オレフィン重合体６０〜８０重量％、及び体積固有抵抗値が１０−１〜１０３Ω・ｃｍであり、繊維径が５〜３０μｍであり、かつ繊維長が０．１〜１ｍｍである炭素繊維２０〜４０重量％を溶融混練して得られた樹脂組成物を射出成形するクリーンルーム用成形品の製造方法を提供することによっても解決される。
【００１４】
このとき、射出成形時のシリンダー設定温度（Ｔｓ）と、環状オレフィン重合体の荷重たわみ温度（Ｔｄ：ＡＳＴＭ  Ｄ６４８に基づいて１．８２ＭＰａ応力で測定）とが、下記式（１）を満足することが好適である。
Ｔｄ＋１４０≦Ｔｓ≦Ｔｄ＋２００      （１）
また、射出スピードが２０〜２００ｍｌ／ｓｅｃであることも好適である。さらに、金型温度（Ｔｍ）と、環状オレフィン重合体の荷重たわみ温度（Ｔｄ：ＡＳＴＭ  Ｄ６４８に基づいて１．８２ＭＰａ応力で測定）とが、下記式（２）を満足することも好適である。
Ｔｄ−４０≦Ｔｍ≦Ｔｄ＋１０      （２）
【発明の効果】
【００１５】
本発明のクリーンルーム用成形品は、電荷移動の速度は遅く、かつ帯電しない範囲の表面抵抗率を有しているので、ＥＳＤとＥＳＡのいずれをも抑制することができる。特に、複雑な成形品の様々な部位においても、バラツキの少ない表面抵抗率を有することができる。さらに、成形品自身が汚染源にならず、かつ寸法精度も良好である。また、本発明のクリーンルーム用成形品の製造方法は、そのような成形品を得るのに適した製造方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明は、環状オレフィン重合体と炭素繊維とからなる樹脂組成物からなるクリーンルーム用成形品である。
【００１７】
本発明で使用する環状オレフィン重合体は、重合体の主鎖又は側鎖に飽和炭化水素環構造を有する、非結晶性、透明性のものであり、具体的には、特開昭６３−２６４６４６号公報、特開昭６４−１７０５号公報、特開平１−１６８７２４号公報、特開平１−１６８７２５号公報などに開示されるノルボルネン環を有するモノマーの開環重合体及びその水素添加物、特開昭６０−１６８７０８号公報などに開示されるノルボルネン環を有するモノマーとα−オレフィン類との付加重合体、特開平６−１３６０５７号公報や、特開平７−２５８３６２号公報などに開示されている環状オレフィンや環状ジエンの付加重合体やその水素添加物などをあげることができる。これらの樹脂は、例えば、三井化学株式会社から商標名「アペル」、「トーパス」の名称で、日本ゼオン株式会社から商標名「ゼオネックス」、「ゼオノア」の名称で販売されており、市販品を容易に入手することが可能である。これらの市販品には、耐久性や成形性を改善するための添加剤が添加されていることも多いので、クリーンルーム内の汚染を最小限に抑えるためには、添加剤を加える前の樹脂を使用して成形することが好ましい場合もある。また、触媒残渣や残存揮発分を特別に低減した樹脂を使用することが好ましい場合もある。
【００１８】
環状オレフィン重合体は、嵩高い骨格を有する重合体であるために、成形品が配向しにくく、特に炭素繊維を配合したことによって異方性が発現しやすい本発明の成形品においても、均一な表面抵抗率を有する成形品が得られやすい。また、環状オレフィン重合体は、成形する際の金型寸法からの収縮率が小さいので、寸法精度の良好な成形品が得られやすい。さらに、官能基を有さない場合には、吸水率が低いので、吸水による物性や寸法変化の影響も受けにくい。
【００１９】
ノルボルネン環を有するモノマーとしては、エチレンとシクロペンタジエンの付加体である２環体オレフィンのビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン（慣用名ノルボルネン）、さらにシクロペンタジエンが付加した４環体オレフィンのテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−ドデカ−３−エン（単にテトラシクロドデセンともいう）、シクロペンタジエンの２量体で３環体ジエンであるトリシクロ［４．３．０．１2,5］デカ−３，７−ジエン（慣用名ジシクロペンタジエン）、その不飽和結合の一部を水素添加により飽和させた３環体オレフィンであるトリシクロ［４．３．０．１2,5］デカ−３−エン、シクロペンタジエンの３量体で５環体ジエンであるペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］ペンタデカ−３，１０−ジエン及びペンタシクロ［７．４．０．１3,6．１10,13．０2,7］ペンタデカ−４，１１−ジエン、その不飽和結合の一部を水素添加により飽和させた５環体オレフィンであるペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］ペンタデカ−３，１０−ジエン及びペンタシクロ［７．４．０．１3,6．１10,13．０2,7］ペンタデカ−４，１１−ジエン；並びにこれらの置換体などが例示される。
【００２０】
上記置換体としては、アルキル基、アルキリデン基又は芳香族基などの極性基を持たない基により置換された誘導体又は水素添加誘導体又はそれらから脱水素して得られる誘導体（例えば、２−メチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、２，２−ジメチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、２−エチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、２−ブチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、２−ヘキシル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、２−フェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、２−オクチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、２−オクタデシル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、２−エチリデン−２−ノルボルネンなどの２環体のノルボルネン誘導体、８−メチル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−ドデカ−３−エン、８−エチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−ドデカ−３−エン、８−メチリデンテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−ドデカ−３−エン、８−エチリデンテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−ドデカ−３−エン、８−ビニルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−ドデカ−３−エン、８−プロペニル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−ドデカ−３−エンなどのテトラシクロドデセン（４環体）構造を有する４環体の誘導体など）；ハロゲン、水酸基、エステル基、アルコキシ基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基などの極性基により置換された置換体（例えば、５−メトキシ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、５−シアノ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、５−メチル−５−メトキシカルボニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エンなど、３−メチル−３−メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−ドデカ−３−エン）を挙げることができる。これらのノルボルネン類の中でも、得られる容器の内容物への汚染が少ないことから極性基を有さないものが好ましい。
【００２１】
α−オレフィンとしては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、４−メチルペンテンー１などの狭義のオレフィンに加え、これらの一部をハロゲンなどの極性基で置換したオレフィン性モノマーを挙げることができる。
【００２２】
環状オレフィンとしては、シクロブテン、１−メチルシクロペンテン、３−メチルシクロブテン、３，４−ジイソプロペニルシクロブテン、シクロペンテン、３−メチルシクロペンテン、シクロヘキセン、シクロオクテン、１−メチルシクロオクテン、５−メチルシクロオクテン、シクロオクタテトラエン、シクロドデセンなどの単環シクロオレフィンや前記のノルボルネン環を有するモノマーのうち不飽和結合が一つのものを挙げることができる。
【００２３】
環状ジエンとしては、シクロペンタジエン、１，３−シクロヘキサジエン、１，４−シクロヘキサジエン等の単環ジエンや、前記のノルボルネン環を有するモノマーのうち不飽和結合を２個有するものを挙げることができる。
【００２４】
更に、開環重合、付加重合とも、それぞれの重合しようとする触媒系において、共重合可能な各種のモノマーを共重合しても良い。共重合可能なモノマーは、前記のノルボルネン環を有するモノマー、α−オレフィン、環状オレフィン、環状ジエンの他に、ブタジエンやイソプレン等の直鎖又は分岐のジエン類を挙げることができる。重合はランダムであっても、ブロック型であっても、交互型であってもよく、また付加重合で１，２−付加と１，４−付加がある場合どちらが主であっても良い。
【００２５】
重合後の重合体に不飽和結合が残る場合、すなわちノルボルネン環を有するモノマーの開環重合体又は、環状ジエンの付加重合体の場合は、残留する不飽和結合により、重合体の耐候安定性や熱安定性が低下するため、これを改良することを目的として、水素添加することにより不飽和結合の８０％以上、好ましくは９０％以上を飽和化させて用いることが好ましい。水素添加方法、水素添加触媒については公知の方法により行うことができる。
【００２６】
上記環状オレフィン重合体の中でも、エチレンとノルボルネン環を有するモノマー（ノルボルネン類）とのランダム共重合体が好適に使用される。このランダム共重合体は、成形時の寸法精度に優れ、吸水率が低く、加熱時の分解による脱ガスの発生が少ないからである。ノルボルネン環を有するモノマーの含有量は好適には１０〜５０モル％であり、より好適には２０〜４０モル％である。ノルボルネン環を有するモノマーの含有量が増加するほど樹脂の耐熱性が向上するので、用途に応じて適宜調整される。
【００２７】
また、上記環状オレフィン重合体の中でも、ノルボルネン環を有するモノマー（ノルボルネン類）の開環重合体の水素添加物も好ましい。この重合体の水素添加物も、成形時の寸法精度に優れ、吸水率が低く、加熱時の分解による脱ガスの発生が少ない。ノルボルネン類の開環重合体の水素添加物の場合、ノルボルネン類のうち、２環体若しくは３環体のノルボルネン類は５０重量％以上、好ましくは６０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上であり、１００重量％以下である。２環体若しくは３環体のノルボルネン類の量がこのような範囲にあることによって、成形される容器の耐熱性と成形性のバランスが良好となる。また開環重合する場合には、全単量体のうちノルボルネン類の合計は、７０重量％以上、好ましくは８０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上であり、１００重量％以下である。
【００２８】
本発明で原料として使用する環状オレフィン重合体の荷重たわみ温度（Ｔｄ）は、６０〜１５０℃であることが好適である。この荷重たわみ温度は、ＡＳＴＭ  Ｄ６４８に基づいて１．８２ＭＰａの応力で測定したものである。荷重たわみ温度が６０℃未満の場合には得られる成形品の耐熱性が十分でなく、より好適には７０℃以上であり、さらに好適には８０℃以上である。一方、荷重たわみ温度が１５０℃を超える場合には、炭素繊維と溶融混練する際や、射出成形の際の温度が高くなりすぎ、熱分解生成物が増加するおそれがある。またこの場合に、熱分解を抑制するために成形温度を低下させたのでは、成形性が悪化し、均一な表面抵抗率を有する成形品を得ることが困難になるとともに、成形品の表面状態も悪化するおそれがある。荷重たわみ温度は、より好適には１４０℃以下であり、さらに好適には１３０℃以下である。
【００２９】
本発明で原料として使用する環状オレフィン重合体のＭＦＲは、１〜３０ｇ／１０分であることが好適である。このＭＦＲは、ＡＳＴＭ  Ｄ１２３８に基づいて２４０℃、２．１６ｋｇの荷重で測定したものである。ＭＦＲが１ｇ／１０分未満の場合には、樹脂組成物の溶融粘度が高くなりすぎ、成形性が悪化するとともに、射出成形時に大きい剪断力が発生し、樹脂の分解を引き起こすおそれがある。ＭＦＲはより好適には１．５ｇ／１０分以上であり、さらに好適には２ｇ／１０分以上である。一方、ＭＦＲが３０ｇ／１０分を超えると、成形品の強度が不十分になるおそれがあり、摩擦や衝撃による発塵も発生しやすくなる。ＭＦＲはより好適には２０ｇ／１０分以下であり、さらに好適には１５ｇ／１０分以下である。
【００３０】
本発明の成形品に含まれる炭素繊維の体積固有抵抗値は１０−１〜１０３Ω・ｃｍである。現在市販されている炭素繊維のほとんどは体積固有抵抗値が１０−１Ω・ｃｍ未満のものであるが、これに比べて、大きな体積固有抵抗値を有する炭素繊維を使用することが本発明の大きな特徴である。このような大きな体積固有抵抗値を有する炭素繊維を使用することによって、高充填率で炭素繊維を配合した場合であっても、表面抵抗率が小さくなりすぎるのを防止することができるものである。比較的大きい表面抵抗率を安定的に再現するためには、炭素繊維の体積固有抵抗値は、より好適には１００〜１０３Ω・ｃｍであり、さらに好適には１０１〜１０３Ω・ｃｍである。
【００３１】
また、本発明の成形品に含まれる炭素繊維の繊維径は５〜３０μｍである。ここでいう繊維径は光学顕微鏡で観察される繊維径である。通常の炭素繊維では、繊維長にはバラツキがあるものの、繊維径は繊維ごとにほぼ一定である。繊維径が５μｍ未満の場合には、繊維を製造するのが困難な上に、切断されやすく、好適には１０μｍ以上である。一方、繊維径が３０μｍを超えると樹脂組成物中での炭素繊維相互間の接触点の数が減少して均一な導電性能を発現するのが困難になるおそれがあり、好適には２０μｍ以下である。
【００３２】
また、本発明の成形品に含まれる炭素繊維の繊維長は０．１〜１ｍｍである。ここでいう繊維長は、長さ重み付け加重平均長さとして求めたものであり、その測定方法は実施例に示すとおりである。炭素繊維は溶融混練することによって一部が切断されることが多いので、成形品から取出した炭素繊維の長さを測定したものである。炭素繊維の繊維長が１ｍｍを超える場合には、樹脂組成物の流動性が低下するおそれがあるうえに、炭素繊維の樹脂への分散が不十分となるおそれもある。特に、本発明では一定量以上の配合比で炭素繊維を配合するために樹脂組成物の溶融粘度が上昇して、剪断発熱を起こしやすくなるので、そのような剪断発熱による樹脂の分解を防止するためにも、炭素繊維の繊維長は１ｍｍ以下であることが重要である。繊維長は、好適には０．６ｍｍ以下であり、さらに好適には０．４ｍｍ以下である。一方、炭素繊維の繊維長が０．１ｍｍ未満の場合には、所定の表面抵抗率を得るために必要な炭素繊維量が多くなりすぎるため、炭素繊維と樹脂との複合が困難となるおそれがある。また、炭素繊維の繊維長が０．１ｍｍ未満の場合には、表面抵抗率のバラツキが大きくなるおそれがあるとともに、発塵の原因となる可能性もある。炭素繊維の繊維長は好適には０．１ｍｍ以上であり、より好適には０．２ｍｍ以上である。
【００３３】
炭素繊維の繊維長は分布を有するが、それが広すぎないことが好ましい。例えば特開平７−１２６４３４号公報に記載されているように、二種類の長さの炭素繊維の配合物を使用したのでは、分布が広くなりすぎて、前述の課題のいずれを解決することも困難となるおそれがある。したがって、本発明で使用する炭素繊維の繊維長のＣｖ値（変動率）が１００％以下であることが好ましく、７５％以下であることがより好ましい。ここで、Ｃｖ値（％）は、得られた繊維長の値の標準偏差を平均値で割った値に１００を掛けて得られる値であり、分布状態を表すパラメータである。この値が小さいほどシャープな繊維長分布であることを示すものである。
【００３４】
このような炭素繊維としては、ピッチ系炭素繊維やＰＡＮ系炭素繊維のいずれも使用可能であるが、ピッチ系炭素繊維の方が体積固有抵抗値を調整しやすくて好適である。なかでもピッチ系等方性炭素繊維が、１０−１〜１０３Ω・ｃｍの体積固有抵抗値を得るのに好適である。上記体積固有抵抗値を有する炭素繊維とするための製造方法は特に限定されないが、例えば、通常の炭素繊維を製造する際の焼成温度を低めに設定することによって炭化の進行を不完全にすることによって製造することができる。この場合の具体的な焼成温度としては、７００〜８００℃程度の温度を採用することができる。焼成後、炭素繊維を切断して本発明の樹脂組成物に配合される炭素繊維が製造される。具体的な切断方法としては、ミルで粉砕する方法が好適に採用される。成形品からの脱ガス量を低減させるためには、サイジング剤の付着していない炭素繊維を使用することが好ましい。
【００３５】
本発明の成形品を構成する樹脂組成物は、前記環状オレフィン重合体６０〜８０重量％及び前記炭素繊維２０〜４０重量％からなるものである。炭素繊維の含有量が２０重量部未満の場合には、樹脂組成物中において、炭素繊維相互間の接触点が少なくなり、成形品における表面抵抗率のバラツキを抑制することが困難であるし、表面抵抗率の絶対値も大きくなりすぎる。炭素繊維の配合量は、好適には２４重量％以上であり、より好適には２８重量％以上である。このとき、環状オレフィン重合体の含有量は好適には７６重量％以下であり、より好適には７２重量％以下である。一方、炭素繊維の配合量が４０重量％を超える場合には、炭素繊維と樹脂との複合が困難であり、樹脂の流動性の低下が著しく、成形性が悪化するとともに、発塵も起こりやすい。炭素繊維の配合量は、好適には３７重量％以下であり、より好適には３５重量％以下である。このように、比較的大量の炭素繊維を配合することによって、表面抵抗率のバラツキの抑制された成形品を得ることができる。
【００３６】
本発明の成形品を構成する樹脂組成物には、安定剤や、滑剤などの各種添加剤を、本発明の目的を損ねない範囲で、添加して使用することができる。しかしながら、発塵の原因となるような成分や、分解ガスの発生原因となるような成分を配合することは好ましくないので、添加剤の種類や量については、慎重に判断すべきである。
【００３７】
環状オレフィン重合体と炭素繊維との配合方法は特に限定されないが、各種混練機、例えば単軸押出機、２軸押出機、ロール、バンバリーミキサー等によって溶融混練することができる。こうして溶融混練された樹脂組成物は、そのまま成形に供しても良いし、一旦ペレット化してから溶融成形に供しても良い。
【００３８】
本発明の成形品を構成する樹脂組成物のＭＦＲは、０．２〜１０ｇ／１０分であることが好適である。このＭＦＲは、ＡＳＴＭ  Ｄ１２３８に基づいて２４０℃、２．１６ｋｇの荷重で測定したものであり、通常、射出成形の前後で大きく変化しない。ＭＦＲが０．２ｇ／１０分未満の場合には、成形性が悪化するとともに、射出成形時に大きい剪断力が発生し、樹脂の分解を引き起こすおそれがある。ＭＦＲはより好適には０．５ｇ／１０分以上である。一方、ＭＦＲが１０ｇ／１０分を超えると、成形品の強度が不十分になるおそれがあり、摩擦や衝撃による発塵も発生しやすくなるおそれもある。ＭＦＲはより好適には５ｇ／１０分以下であり、さらに好適には２ｇ／１０分以下である。
【００３９】
こうして得られた樹脂組成物を用いて、本発明のクリーンルーム用成形品が溶融成形される。成形方法は特に限定されないが、射出成形することが好適である。射出成形に際しては、樹脂の分解を抑制しながら、表面抵抗率のバラツキの少ない、外観の良好な、しかも寸法精度に優れた成形品を得るために、以下のように成形条件を工夫することが好ましい。
【００４０】
射出成形に際しては、射出成形時のシリンダー設定温度（Ｔｓ）と、原料の環状オレフィン重合体の荷重たわみ温度（Ｔｄ）とが、下記式（１）を満足することが好ましい。
Ｔｄ＋１４０≦Ｔｓ≦Ｔｄ＋２００      （１）
シリンダー設定温度が低すぎる場合には、形状が複雑な部分や微細な部分に対する樹脂の充填が不完全になったり、成形品の表面状態が悪化したりするなど、成形性が悪化するおそれがある。また、シリンダー設定温度が高すぎる場合には、樹脂が熱分解して成形品からの脱ガス量が増加するおそれがあるとともに、樹脂の熱分解によって成形品の強度が低下するおそれもある。下記式（１’）を満足することがより好適であり、下記式（１”）を満足することがさらに好適である。
Ｔｄ＋１５０≦Ｔｓ≦Ｔｄ＋１９５      （１’）
Ｔｄ＋１６０≦Ｔｓ≦Ｔｄ＋１９０      （１”）
【００４１】
樹脂組成物がノズル、ゲート、ランナーあるいは金型内を流動するときの剪断速度が大きすぎる場合には、剪断発熱のために樹脂が分解して、成形品が臭気を発生するおそれがある。また、金型形状が複雑な場合に樹脂の分解によるガスの発生によって金型内部のガス圧力が上昇し、樹脂の流動が妨げられて充填が不十分になることもある。さらに、炭素繊維が切断されて繊維長が短くなりすぎて帯電防止性能が低下するおそれもある。したがって、剪断速度があまり大きくならないような速度で樹脂組成物を送り出すことが望ましい。具体的には、射出スピードが２０〜２００ｍｌ／ｓｅｃであることが好適である。ここでいう射出スピードとは、射出成形機において、ノズルから送り出される樹脂組成物の速度（ｍｌ／ｓｅｃ）、すなわち、単位時間あたりの樹脂組成物の送出量である。通常、射出成形機においては、スクリューの射出設定スピードを制御することが多いが、スクリューの射出設定スピードにスクリューの断面積を掛けた値が、実際に樹脂組成物が送り出される速度として把握される。過剰な剪断発熱を効率的に防止するためには、射出スピードはより好適には１５０ｍｌ／ｓｅｃ以下であり、さらに好適には１００ｍｌ／ｓｅｃ以下である。一方、射出スピードが低すぎると生産性が低下するとともに、形状が複雑な部分や微細な部分に対する樹脂の充填が不完全になるおそれがあり、より好適には５０ｍｌ／ｓｅｃ以上である。
【００４２】
さらに、金型温度（Ｔｍ）と、原料の環状オレフィン重合体の荷重たわみ温度（Ｔｄ）とが、下記式（２）を満足することも好適である。
Ｔｄ−４０≦Ｔｍ≦Ｔｄ＋１０      （２）
金型温度が低すぎると、成形品の表面状態が悪化しやすく、逆に金型温度が高すぎると、成形品の寸法精度が低下しやすい。下記式（２’）を満足することがより好ましく、下記式（２”）を満足することがさらに好ましい。
Ｔｄ−３０≦Ｔｍ≦Ｔｄ          （２’）
Ｔｄ−２０≦Ｔｍ≦Ｔｄ−５      （２”）
【００４３】
こうして得られた本発明のクリーンルーム用成形品は、その表面抵抗率が１０５〜１０１２Ω／□であることが好ましい。表面抵抗率がこのような範囲にあることによって、ＥＳＤとＥＳＡのいずれをも抑制することができ、電荷移動の速度は遅く、かつ帯電しない範囲の表面抵抗率を有するクリーンルーム用成形品を提供することができる。表面抵抗率は１０７Ω／□以上であることがより好ましく、１０８Ω／□以上であることがさらに好ましい。また、１０１１Ω／□以下であることがより好ましい。また、その表面における測定可能な部位の全てにおいて上記範囲の表面抵抗率を示すことがより好ましい。
【００４４】
また、本発明の成形品は、成形品の複数の位置で表面抵抗率を測定したときの、最大値と最小値との比が１００以下であることが好ましい。すなわち、成形品の様々な場所において同程度の表面抵抗率を示すことが好ましい。特に、寸法の大きな成形品や、形状の複雑な成形品においてもこのような均一な表面抵抗率を有することができる点に、本発明のような構成の樹脂組成物を使用する利益が大きい。当該比は２０以下であることがより好ましく、１０以下であることがさらに好ましい。
【００４５】
本発明の成形品は、１５０℃で３０分間加熱した時の脱ガス総量が、ヘキサデカン換算で１０μｇ／ｇ以下であることが好ましい。このように少ない脱ガス量とすることによって、半導体製造プロセスにおけるシリコンウェーハ、液晶パネル製造プロセスにおけるガラス基板、ハードディスク製造プロセスにおける金属ディスクなどの中間製品あるいは製品の汚染を防止できる。脱ガス総量は、より好適には５μｇ／ｇ以下である。
【００４６】
本発明のクリーンルーム用成形品は、クリーンルーム内で使用される成形品であればよく、特に限定されない。クリーンルーム内において、原料、中間製品あるいは製品を取り扱うための容器、トレー、治工具などが例示される。好適な実施態様としては、半導体基板、ディスプレイ基板及び記録媒体基板から選択される板状体が収納される容器が例示される。ここでいう板状体は、大寸法のものばかりでなく、それを切断して得られるチップも含むものである。板状体のなかでも、ＥＳＤ破壊が発生する可能性の大きい、半導体基板及びディスプレイ基板の容器が好適な実施態様である。特に、管理レベルの厳しい半導体基板用容器が最も好適な実施態様である。また、別の好適な実施態様としては、原料、中間製品又は完成品を取り扱う治工具が挙げられる。このような治工具は、原料、中間製品又は完成品に直接接触することが多いので、本発明の成形品を適用する利益が大きい。このような治工具としては、ピンセットなどが例示される。当該治工具が取り扱うものは特に限定されず、板状体、ブロック、容器など各種の形態のものを取り扱うことができる。なかでも、半導体基板、ディスプレイ基板及び記録媒体基板から選択される板状体を取り扱う治工具が好適である。そして、ＥＳＤ破壊が発生する可能性の大きい半導体基板及びディスプレイ基板を取り扱う治工具がより好適であり、特に管理レベルの厳しい半導体基板を取り扱う治工具が最も好適である。
【００４７】
半導体基板としては、集積回路製造用の基板、太陽電池製造用の基板などが例示される。その材料はシリコンに代表されるが特に限定されるものではない。また、その形態もシリコンウェーハのような円形であっても良いし、太陽電池セルのような四角形であっても良い。また、シリコンウェーハを切断したチップの形態であっても構わない。
【００４８】
中でも代表的な実施態様がシリコンウェーハ用の容器である。表面抵抗率が好適な範囲に保たれ、脱ガスや発塵が少ない本発明のクリーンルーム用容器はシリコンウェーハ収納用に好適である。近年では、シリコンウェーハの大口径化が進行しており、それに対応してシリコンウェーハ用容器の寸法も大きくなってきている。したがって、寸法が大きくなるにしたがって、成形品全体としての寸法精度の要求レベルも厳しくなることから、寸法精度良く成形できる本発明のクリーンルーム容器が好適である。
【００４９】
このとき、シリコンウェーハが直接配列されるキャリアと称される容器である場合には、シリコンウェーハが直接キャリアに接触するので、特にＥＳＤ破壊が問題になりやすいし、処理液等を介してクロスコンタミネーションを生じやすい。したがって、このようなキャリアに対して本発明のクリーンルーム用成形品を使用することが好ましい。また、前記キャリアが内部に収容される、ケースやボックスと称される容器や、キャリアとケースの役割を同時に果たす一体型の容器に対しても、本発明のクリーンルーム用成形品は好適に使用される。
【００５０】
ディスプレイ基板としては、液晶ディスプレイ製造用の基板、プラズマディスプレイ製造用の基板、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイ製造用の基板などが例示される。これらの基板の材料は代表的にはガラスであるが、その他のもの、例えば透明樹脂などであっても構わない。これらのディスプレイ基板の場合にも、画素駆動用の回路が存在し、ＥＳＤ破壊が問題になるから、本発明のクリーンルーム用成形品を採用することが好適である。また、ディスプレイ基板は特に大型のものが多いことから、寸法精度に優れた本発明のクリーンルーム用成形品を使用することが好ましい。
【００５１】
また、記録媒体基板としては、ハードディスク基板や光ディスク基板が例示される。ハードディスク基板の場合の素材は、金属やガラスなどが代表的に使用されるが、それに限定されるものではない。また、光ディスク基板の場合の素材はポリカーボネートに代表される透明プラスチックが代表的であるが、それに限定されるものではない。これらの記録媒体については、その記録形式によって記録膜の組成は異なるが、近年では記録密度の飛躍的向上によって、僅かな汚染物質がその性能に与える影響が大きくなってきており、本発明のクリーンルーム用成形品が好適に使用される。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例を使用して本発明をさらに詳細に説明する。
【００５３】
実施例１
環状オレフィン重合体（ＣＰＯ）として、三井化学株式会社製「アペル６０１１Ｔ」を使用した。当該環状オレフィン重合体の１．８２ＭＰａの応力での荷重たわみ温度（ＡＳＴＭ  Ｄ６４８）は９５℃であり、温度２４０℃、荷重２．１６ｋｇでのＭＦＲ（ＡＳＴＭ  Ｄ１２３８）は１１．６ｇ／１０分である。
【００５４】
炭素繊維として、株式会社ドナック製ピッチ系等方性炭素繊維「ドナカーボ（登録商標）ＳＬ−２４２」を使用した。当該炭素繊維は、渦流紡糸によって製造されたものであり、サイジング剤を使用せず、得られた原糸をミルで粉砕して製造されたものである。当該炭素繊維の直径は１３μｍ、繊維長は０．３７ｍｍであり、体積固有抵抗値は１０２Ω・ｃｍである。炭素繊維の繊維長は、オリンパス工業株式会社製光学顕微鏡「ＳＺＨ」を用いて観察した５０倍の画像において、オリンパス工業株式会社製画像解析装置「ＸＬ５００」を用いて、２００本以上の繊維の長さを読み取り、長さ重み付け加重平均長さとして求めたものである。繊維長のＣｖ値（変動率）は約６０％である。ここで、前記Ｃｖ値（％）は、標準偏差を平均値で割った値に１００を掛けて得られる値である。
【００５５】
前記環状オレフィン重合体６８重量部と前記炭素繊維３２重量部とを二軸押出機（株式会社プラスチック工学研究所製、スクリュー直径３２ｍｍ、Ｌ／Ｄ＝３３）を用いて溶融混練した。炭素繊維はベント口より重量式フィーダーを使用して添加し、２３０℃で溶融押出ししてストランドを得た。このストランドをペレタイザーでカットすることによって樹脂組成物ペレットを得た。このペレットの温度２４０℃、荷重２．１６ｋｇでのＭＦＲ（ＡＳＴＭ  Ｄ１２３８）は１．１ｇ／１０分であった。
【００５６】
この樹脂組成物ペレットを、住友重機械工業株式会社製射出成形機「ネスタールＰ２０４／１００」に供給し、樹脂温度２４０℃、金型温度１００℃、形締め圧１００ｔの条件で成形し、直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円盤状の試験片と長さ１２５ｍｍ、幅１３ｍｍ、厚さ３ｍｍの直方体の試験片とを得た。
【００５７】
こうして得られた円盤状試験片５個について、株式会社アドバンテスト製高抵抗測定器「Ｒ８３４０」を用い、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７に従い、印加電圧１００Ｖで表面抵抗率を測定した。その結果、最大値が２×１０１０Ω／□、最小値が３×１０９Ω／□、平均値が７×１０９Ω／□であった。また長方形の試験片につき垂直方向（ＴＤ）と流れ方向（ＭＤ）につき、ノギスを用いて金型寸法を基に収縮率を算出したところ、ＴＤが０．５％でＭＤが０．１％であった。円盤状の試験片の一部をカッター刃で切り取り、シクロヘキサンに溶かし炭素繊維を濾別した。得られた炭素繊維について、上記方法と同様に光学顕微鏡で観察し、画像解析装置を用いて平均長さを測定したところ、０．２５ｍｍであった。評価結果を表１にまとめて示す。
【００５８】
実施例２
環状オレフィン重合体として、三井化学株式会社製「アペル６５０９Ｔ」を使用した。当該環状オレフィン重合体の１．８２ＭＰａの応力での荷重たわみ温度（ＡＳＴＭ  Ｄ６４８）は７０℃であり、温度２４０℃、荷重２．１６ｋｇでのＭＦＲ（ＡＳＴＭ  Ｄ１２３８）は１４．９ｇ／１０分である。炭素繊維として、実施例１と同様に株式会社ドナック製ピッチ系等方性炭素繊維「ドナカーボ（登録商標）ＳＬ−２４２」を使用した。
【００５９】
前記環状オレフィン重合体６８重量部と前記炭素繊維３２重量部とを、実施例１と同じ二軸押出機を用いて溶融混練した。炭素繊維はベント口より重量式フィーダーを使用して添加し、２１０℃で溶融押出ししてストランドを得た。このストランドをペレタイザーでカットすることによって樹脂組成物ペレットを得た。このペレットの温度２４０℃、荷重２．１６ｋｇでのＭＦＲ（ＡＳＴＭ  Ｄ１２３８）は１．５ｇ／１０分であった。このペレットを、実施例１と同じ射出成形機に供給し、樹脂温度２３０℃、金型温度８０℃、形締め圧１００ｔの条件で成形し、実施例１と同じ、円盤状の試験片と直方体の試験片を得た。
【００６０】
こうして得られた円盤状試験片５個について、実施例１と同様に表面抵抗率を測定したところ、最大値が２×１０１０Ω／□、最小値が６×１０９Ω／□、平均値が９×１０９Ω／□であった。また直方体の試験片につき垂直方向（ＴＤ）と流れ方向（ＭＤ）につき、実施例１と同様に収縮率を算出したところ、ＴＤが０．６％でＭＤが０．１％であった。また、実施例１と同様に試験片中の炭素繊維の繊維長を測定したところ、０．２７ｍｍであった。評価結果を表１にまとめて示す。
【００６１】
実施例３
環状オレフィン重合体として、日本ゼオン株式会社製「ゼオノア１０２０Ｒ」を使用した。当該環状オレフィン重合体の１．８２ＭＰａの応力での荷重たわみ温度（ＡＳＴＭ  Ｄ６４８）は１０１℃であり、温度２４０℃、荷重２．１６ｋｇでのＭＦＲ（ＡＳＴＭ  Ｄ１２３８）は２．７ｇ／１０分である。炭素繊維として、実施例１と同様に株式会社ドナック製ピッチ系等方性炭素繊維「ドナカーボ（登録商標）ＳＬ−２４２」を使用した。
【００６２】
前記環状オレフィン重合体６８重量部と前記炭素繊維３２重量部とを、実施例１と同じ二軸押出機を用いて溶融混練した。炭素繊維はベント口より重量式フィーダーを使用して添加し、２３０℃で溶融押出ししてストランドを得た。このストランドをペレタイザーでカットすることによって樹脂組成物ペレットを得た。このペレットの温度２４０℃、荷重２．１６ｋｇでのＭＦＲ（ＡＳＴＭ  Ｄ１２３８）は１．０ｇ／１０分であった。このペレットを、実施例１と同じ射出成形機に供給し、樹脂温度２５５℃、金型温度１００℃、形締め圧１００ｔの条件で成形し、実施例１と同じ、円盤状の試験片と直方体の試験片を得た。
【００６３】
こうして得られた円盤状試験片５個について、実施例１と同様に表面抵抗率を測定したところ、最大値が３×１０９Ω／□、最小値が８×１０８Ω／□、平均値が１×１０９Ω／□であった。また長方形の試験片につき垂直方向（ＴＤ）と流れ方向（ＭＤ）につき、実施例１と同様に収縮率を算出したところ、ＴＤが０．４％でＭＤが０．１％であった。また、実施例１と同様に試験片中の炭素繊維の繊維長を測定したところ、０．２３ｍｍであった。評価結果を表１にまとめて示す。
【００６４】
実施例４
環状オレフィン重合体として、日本ゼオン株式会社製「ゼオノア１４２０Ｒ」を使用した。当該環状オレフィン重合体の１．８２ＭＰａの応力での荷重たわみ温度（ＡＳＴＭ  Ｄ６４８）は１３６℃であり、温度２４０℃、荷重２．１６ｋｇでのＭＦＲ（ＡＳＴＭ  Ｄ１２３８）は２．４ｇ／１０分である。炭素繊維として、実施例１と同様に株式会社ドナック製ピッチ系等方性炭素繊維「ドナカーボ（登録商標）ＳＬ−２４２」を使用した。
【００６５】
前記環状オレフィン重合体６８重量部と前記炭素繊維３２重量部とを、実施例１と同じ二軸押出機を用いて溶融混練した。炭素繊維はベント口より重量式フィーダーを使用して添加し、２６０℃で溶融押出ししてストランドを得た。このストランドをペレタイザーでカットすることによって樹脂組成物ペレットを得た。このペレットの温度２４０℃、荷重２．１６ｋｇでのＭＦＲ（ＡＳＴＭ  Ｄ１２３８）は０．９ｇ／１０分であった。このペレットを、実施例１と同じ射出成形機に供給し、樹脂温度２８５℃、金型温度１００℃、形締め圧１００ｔの条件で成形し、実施例１と同じ、円盤状の試験片と直方体の試験片を得た。
【００６６】
こうして得られた円盤状試験片５個について、実施例１と同様に表面抵抗率を測定したところ、最大値が１×１０１０Ω／□、最小値が３×１０９Ω／□、平均値が７×１０９Ω／□であった。また長方形の試験片につき垂直方向（ＴＤ）と流れ方向（ＭＤ）につき、実施例１と同様に収縮率を算出したところ、ＴＤが０．７％でＭＤが０．２％であった。また、実施例１と同様に試験片中の炭素繊維の繊維長を測定したところ、０．２２ｍｍであった。評価結果を表１にまとめて示す。
【００６７】
比較例１
環状オレフィン重合体として、実施例１と同様に三井化学株式会社製「アペル６０１１Ｔ」を使用した。炭素繊維として、株式会社ドナック製ピッチ系等方性炭素繊維「ドナカーボ（登録商標）Ｓ−２４２」を使用した。当該炭素繊維の直径は１３μｍ、繊維長は０．３７ｍｍであり、体積固有抵抗値は１０−２Ω・ｃｍである。炭素繊維の繊維長は、実施例１と同様にして求めたものである。
【００６８】
前記環状オレフィン重合体６８重量部と前記炭素繊維３２重量部とを、実施例１と同様に溶融混練して樹脂組成物ペレットを得た。このペレットの温度２４０℃、荷重２．１６ｋｇでのＭＦＲ（ＡＳＴＭ  Ｄ１２３８）は１．０ｇ／１０分であった。このペレットを、実施例１と同様に射出成形して円盤状の試験片と直方体の試験片を得た。こうして得られた円盤状試験片５個について、実施例１と同様に表面抵抗率を測定したところ、最大値が２×１０５Ω／□、最小値が４×１０４Ω／□、平均値が９×１０４Ω／□であった。また、実施例１と同様に試験片中の炭素繊維の繊維長を測定したところ、０．２５ｍｍであった。評価結果を表１にまとめて示す。
【００６９】
比較例２
環状オレフィン重合体として、実施例１と同様に三井化学株式会社製「アペル６０１１Ｔ」を使用した。炭素繊維として、株式会社ドナック製ピッチ系等方性炭素繊維「ドナカーボ（登録商標）Ｓ−２４４」を使用した。当該炭素繊維の直径は１３μｍ、繊維長は０．７ｍｍであり、体積固有抵抗値は１０−２Ω・ｃｍである。炭素繊維の繊維長は、実施例１と同様にして求めたものである。
【００７０】
前記環状オレフィン重合体８２重量部と前記炭素繊維１８重量部とを、実施例１と同様に溶融混練して樹脂組成物ペレットを得た。このペレットの温度２４０℃、荷重２．１６ｋｇでのＭＦＲ（ＡＳＴＭ  Ｄ１２３８）は１．９ｇ／１０分であった。このペレットを、実施例１と同様に射出成形して円盤状の試験片と直方体の試験片を得た。こうして得られた円盤状試験片５個について、実施例１と同様に表面抵抗率を測定した。５個の試験片の表面抵抗率は、それぞれ、絶縁（＞１０１５Ω／□）、１×１０１１Ω／□、２×１０８Ω／□、５×１０８Ω／□及び１×１０５Ω／□であった。また、実施例１と同様に試験片中の炭素繊維の繊維長を測定したところ、０．３１ｍｍであった。評価結果を表１にまとめて示す。
【００７１】
比較例３
成形に供する材料として、ＬＮＰエンジニアリングプラスチックス社製樹脂組成物ペレット「ＰＤＸ−Ｗ−０２８４０」を使用した。当該ペレットは、ポリブチレンテレフタレートに炭素繊維が配合されて導電性が付与された樹脂組成物からなるペレットであり、市販されているものである。当該樹脂組成物ペレットを、実施例１と同じ射出成形機に供給し、樹脂温度２３０℃、金型温度７０℃、形締め圧１００ｔの条件で成形し、実施例１と同じ、直方体の試験片を得た。こうして得られた直方体の試験片につき垂直方向（ＴＤ）と流れ方向（ＭＤ）につき、実施例１と同様に収縮率を算出したところ、ＴＤが３．９％でＭＤが０．４％であった。評価結果を表１にまとめて示す。
【００７２】
【表１】
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【００７３】
表１に示されるように、実施例１〜４で得られた本発明の成形品は、１０８〜１０１１Ω／□の範囲の表面抵抗率を示している。しかもこれらの成形品においては、表面抵抗率の最大値が最小値の１０倍未満の値となっており、成形品の間でのバラツキも少ないことがわかる。すなわち、適当な表面抵抗率の値を再現性良く示すことが可能となっている。これに対し、比較例１のように、体積固有抵抗値が１０−１Ω・ｃｍよりも小さい炭素繊維を使用したのでは、成形品の表面抵抗率が１０５Ω／□未満の値になってしまう。比較例２のように、体積固有抵抗値が１０−１Ω・ｃｍよりも小さい炭素繊維を少ない量配合したのでは、成形品の間での表面抵抗率の値のバラツキが大きくなってしまう。また、実施例１〜４で得られた本発明の成形品は、ＰＢＴを使用した比較例３の成形品に比べて、収縮率が小さく、寸法精度に優れている。
【００７４】
実施例５
実施例１で製造した樹脂組成物ペレットをファナック株式会社製射出成形機「ＲＯＢＯＳＨＯＴ  α−１５０ｉＡ」に供給して直径１５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円盤状試験片を得た。当該射出成形機のスクリューの直径は４４ｍｍである。また、成形条件は、以下のとおりである。
・シリンダー設定温度：２７０℃
・金型設定温度：８０℃
・スクリューの射出設定スピード：５０ｍｍ／ｓｅｃ
（樹脂組成物の射出スピード：７６ｍｌ／ｓｅｃ）
・射出設定圧力：２００ＭＰａ
得られた試験片について、以下に示す方法にしたがって表面状態と臭気官能評価を評価した。その結果を表２にまとめて示す。
【００７５】
（１）表面状態
射出成形して得られた成形品の外観を５名のテストパネラーにより目視評価を行なった。評点は次の基準にしたがった。
４点：繊維の配向は確認されない。また、表面には艶がある。
３点：繊維の配向は確認されるが、表面には艶がない。
２点：繊維の配向がはっきりと確認されるが、表面のザラツキはない。
１点：繊維の配向がはっきりと確認され、表面がザラザラしている。
【００７６】
（２）臭気
射出成形して得られた成形品を室温で２４時間放置した後、ポリエチレン製の袋に密封して室温で２４時間放置した。その後、５名の臭覚敏感なテストパネラーにより密閉した袋を開けてその臭気の程度を嗅ぎ、臭気の官能評価を行なった。評点は次の基準にしたがった。
５点：臭いを感じない。
４点：わずかに臭いを感じる。
３点：臭いを感じる。
２点：かなり臭いを感じる。
１点：明らかに強い臭いを感じる。
【００７７】
実施例６及び７
シリンダー設定温度を、２３０℃（実施例６）及び２５０℃（実施例７）に変更した以外は、実施例５と同様にして円盤状試験片を得た。得られた試験片について、上記方法にしたがって表面状態と臭気を評価した。その結果を表２にまとめて示す。
【００７８】
実施例８及び９
スクリューの射出設定スピードを、１００ｍｍ／ｓｅｃ（実施例８）及び１５０ｍｍ／ｓｅｃ（実施例９）に変更した以外は、実施例５と同様にして円盤状試験片を得た。このときの樹脂組成物の射出スピードは、それぞれ１５２ｍｌ／ｓｅｃ（実施例８）及び２２８ｍｌ／ｓｅｃ（実施例９）であった。得られた試験片について、上記方法にしたがって表面状態と臭気を評価した。その結果を表２にまとめて示す。
【００７９】
実施例１０
実施例２で製造した樹脂組成物ペレットをファナック株式会社製射出成形機「ＲＯＢＯＳＨＯＴ  α−１５０ｉＡ」に供給して直径１５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円盤状試験片を得た。当該射出成形機のスクリューの直径は４４ｍｍである。また、成形条件は、以下のとおりである。
・シリンダー設定温度：２４０℃
・金型設定温度：６０℃
・スクリューの射出設定スピード：５０ｍｍ／ｓｅｃ
（樹脂組成物の射出スピード：７６ｍｌ／ｓｅｃ）
・射出設定圧力：２００ＭＰａ
得られた試験片について、上記方法にしたがって表面状態と臭気官能評価を評価した。その結果を表２にまとめて示す。
【００８０】
実施例１１及び１２
シリンダー設定温度を、２００℃（実施例１１）及び２２０℃（実施例１２）に変更した以外は、実施例１０と同様にして円盤状試験片を得た。得られた試験片について、上記方法にしたがって表面状態と臭気を評価した。その結果を表２にまとめて示す。
【００８１】
実施例１３及び１４
スクリューの射出設定スピードを、１００ｍｍ／ｓｅｃ（実施例１３）及び１５０ｍｍ／ｓｅｃ（実施例１４）に変更した以外は、実施例１０と同様にして円盤状試験片を得た。このときの樹脂組成物の射出スピードは、それぞれ１５２ｍｌ／ｓｅｃ（実施例１３）及び２２８ｍｌ／ｓｅｃ（実施例１４）であった。得られた試験片について、上記方法にしたがって表面状態と臭気を評価した。その結果を表２にまとめて示す。
【００８２】
【表２】
2005075914.tif 000004
【００８３】
実施例５〜７を比較すればわかるように、シリンダー設定温度が高いほうが、成形品の表面状態は良好である。この点は、実施例１０〜１２においても同様である。また、実施例５、８及び９を比較すればわかるように、射出スピードが速すぎると臭気を発生し易くなることがわかる。この点は、実施例１０、１３及び１４においても同様である。すなわち、樹脂の熱分解を起こさない範囲で高めのシリンダー設定温度としながら、射出スピードを落として成形するのが好ましい。また、原料の環状オレフィン重合体の荷重たわみ温度が高い場合には、シリンダー設定温度及び金型温度を高くするのが好ましい。
【００８４】
実施例１５
実施例１で使用したのと同じ樹脂組成物ペレットを、株式会社日本製鋼所製射出成形機「Ｊ４５０Ｅ−Ｃ５」に供給して、図１〜３に示される１５０ｍｍウェーハキャリアを成形した。当該射出成形機のスクリューの直径は７６ｍｍである。また、成形条件は、以下のとおりである。
・シリンダー設定温度：２９０℃
・金型設定温度：８０℃
・スクリューの射出設定スピード：２０ｍｍ／ｓｅｃ
（樹脂組成物の射出スピード：９１ｍｌ／ｓｅｃ）
・射出設定圧力：２００ＭＰａ
得られた試験片について、以下に示す方法にしたがって寸法精度、表面抵抗率、脱ガス総量、発塵量の各評価を行った。その結果を表３にまとめて示す。
【００８５】
（３）寸法精度
射出成形して得られた成形品を室温で２４時間放置した後、２３℃、湿度５０％ＲＨ下で６時間以上状態調整した。状態調節後の成形品について、図３に示す部位の寸法（ｍｍ）を画像処理検査装置にて測定した。検査装置として、オーガスト・テクノロジー社製自動ウェーハキャリア外観検査装置「ＣＶ−９８００型」を用いた。５個の成形品について前記寸法を測定し、５個の測定値それぞれと、それらの平均値との差の絶対値を求め、その絶対値の平均値を寸法バラツキ（ｍｍ）として求めた。
【００８６】
（４）表面抵抗率
射出成形して得られた成形品を室温で２４時間放置した後、２３℃、湿度５０％ＲＨ下で６時間以上状態調整した。状態調節後の成形品について、図４及び図５に示す８箇所の部位の表面抵抗率（Ω／□）を、東亜電波工業株式会社製抵抗計「ＳＵＰＥＲ  ＭＥＧＯＨＭＭＥＴＥＲ  ＳＭ−２１Ｅ」にて１００Ｖの印加電圧を与えて測定した。このとき、正極及び負極の端子と成形品表面との間には、いずれも厚さ２ｍｍで、１０ｍｍ角の導電性ゴムを配置し、それらの導電性ゴム相互間の間隔は１０ｍｍとした。ここで使用した導電性ゴムの抵抗値は、評価する成形品よりもはるかに小さく、それに由来する抵抗値は無視することが可能である。
【００８７】
（５）脱ガス総量
射出成形して得られた成形品を短冊状に切断した試料約０．１ｇを秤量して試験管に入れ、１５０℃で３０分間加熱した際に発生するガスを−４０℃で捕集した後、ガスクロマトグラフ装置にオンライン注入して脱ガス総量を求めた。脱ガス総量はヘキサデカン換算値にて算出した。発生ガスの捕集には日本分析工業株式会社製キュリーポイントパージアンドトラップサンプラ「ＪＨＳ−１００Ａ型」を使用し、分析・定量には株式会社島津製作所製ＧＣ−１４Ａ型及びＱＰ１１００ＥＸ型のガスクロマトグラフ−質量分析計（ＧＣ／ＭＳ分析計）を用いた。このとき、既知濃度のヘキサデカン溶液について同一条件で測定し（１５０℃３０分加熱、−４０℃捕集、ＧＣ／ＭＳ分析）、得られたピーク面積を基準にして試料発生ガスのヘキサデカン換算値を求めた。
【００８８】
（６）発塵量
クラス２（ＪＩＳ  Ｂ９９２０基準）のクリーンルーム内にて、ウェーハ挿入側ティース付近にサンプリングチューブをセットし、キャリア外側より非発塵性のスティックで約２５〜３０ｇの荷重にて１００回／分のタイミングで衝撃を与えた。その時に発生する０．１〜１．０μｍの発塵数を、Ｈａｃｈ  Ｕｌｔｒａ  Ａｎａｌｙｔｉｃｓ社製レーザーパーティクルカウンター「ＭｅｔＯｎｅモデルＡ２１００Ｂ」にて測定した。測定は５回繰り返し、その平均値を求めた。
【００８９】
実施例１６
実施例２で使用したのと同じ樹脂組成物ペレットを用い、成形条件を以下のように変更した以外は実施例１５と同様にして１５０ｍｍウェーハキャリアを成形した。
・シリンダー設定温度：２４０℃
・金型設定温度：６０℃
・スクリューの射出設定スピード：２０ｍｍ／ｓｅｃ
（樹脂組成物の射出スピード：９１ｍｌ／ｓｅｃ）
・射出設定圧力：２００ＭＰａ
得られた試験片について、上記方法にしたがって寸法精度、表面抵抗率、脱ガス総量、発塵量の各評価を行った。その結果を表３にまとめて示す。
【００９０】
実施例１７
実施例３で使用したのと同じ樹脂組成物ペレットを用い、成形条件を以下のように変更した以外は実施例１５と同様にして１５０ｍｍウェーハキャリアを成形した。
・シリンダー設定温度：２６０℃
・金型設定温度：６０℃
・スクリューの射出設定スピード：２０ｍｍ／ｓｅｃ
（樹脂組成物の射出スピード：９１ｍｌ／ｓｅｃ）
・射出設定圧力：２００ＭＰａ
得られた試験片について、上記方法にしたがって寸法精度、表面抵抗率、脱ガス総量、発塵量の各評価を行った。その結果を表３にまとめて示す。
【００９１】
比較例４
持続性帯電防止ポリプロピレン（ＰＰ）ペレット（三菱化学株式会社製「ＥＣＸ  Ｔ−３９６ＮＡ」）を材料として用い、成形条件を以下のように変更した以外は実施例１５と同様にして１５０ｍｍウェーハキャリアを成形した。当該ペレットは、親水性ポリマーからなる帯電防止剤がポリプロピレンにブレンドされたものである。
・シリンダー設定温度：２１０℃
・金型設定温度：５０℃
・スクリューの射出設定スピード：２０ｍｍ／ｓｅｃ
（樹脂組成物の射出スピード：９１ｍｌ／ｓｅｃ）
・射出設定圧力：２００ＭＰａ
得られた試験片について、上記方法にしたがって寸法精度、表面抵抗率、脱ガス総量、発塵量の各評価を行った。その結果を表３にまとめて示す。
【００９２】
比較例５
持続性帯電防止ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）ペレット（ウインテックポリマー株式会社製「ＣＡ７２００ＮＸ」）を材料として用い、成形条件を以下のように変更した以外は実施例１５と同様にして１５０ｍｍウェーハキャリアを成形した。当該ペレットは、親水性ポリマーからなる帯電防止剤がポリブチレンテレフタレートにブレンドされたものである。
・シリンダー設定温度：２４０℃
・金型設定温度：５０℃
・スクリューの射出設定スピード：２０ｍｍ／ｓｅｃ
（樹脂組成物の射出スピード：９１ｍｌ／ｓｅｃ）
・射出設定圧力：２００ＭＰａ
得られた試験片について、上記方法にしたがって寸法精度、表面抵抗率、脱ガス総量、発塵量の各評価を行った。その結果を表３にまとめて示す。
【００９３】
比較例６
東レ株式会社製ポリブチレンテレフタレート樹脂ペレット「トレコン１４０１−Ｘ０６」８５重量部と、ライオン株式会社製ケッチェンブラック「ケッチェンブラックＥＣ」１５重量部とを二軸押出機（株式会社プラスチック工学研究所製、スクリュー直径３２ｍｍ、Ｌ／Ｄ＝３３）を用いて溶融混練した。ケッチェンブラックはベント口より重量式フィーダーを使用して添加し、２３０℃で溶融押出ししてストランドを得た。このストランドをペレタイザーでカットすることによってペレットを得た。
【００９４】
得られたペレットを材料として用い、成形条件を以下のように変更した以外は実施例１５と同様にして１５０ｍｍウェーハキャリアを成形した。
・シリンダー設定温度：２８０℃
・金型設定温度：８０℃
・スクリューの射出設定スピード：２０ｍｍ／ｓｅｃ
（樹脂組成物の射出スピード：９１ｍｌ／ｓｅｃ）
・射出設定圧力：２００ＭＰａ
得られた試験片について、上記方法にしたがって寸法精度、表面抵抗率、脱ガス総量、発塵量の各評価を行った。その結果を表３にまとめて示す。
【００９５】
比較例７
持続性帯電防止ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）ペレット（ビクトレックス・エムシー株式会社製「ＫＮＥ５０１０」）を材料として用い、成形条件を以下のように変更した以外は実施例１５と同様にして１５０ｍｍウェーハキャリアを成形した。当該ペレットは、導電性カーボン粉末がポリエーテルエーテルケトンにブレンドされたものである。
・シリンダー設定温度：４２０℃
・金型設定温度：１８０℃
・スクリューの射出設定スピード：２０ｍｍ／ｓｅｃ
（樹脂組成物の射出スピード：９１ｍｌ／ｓｅｃ）
・射出設定圧力：２００ＭＰａ
得られた試験片について、上記方法にしたがって寸法精度、表面抵抗率、脱ガス総量、発塵量の各評価を行った。その結果を表３にまとめて示す。
【００９６】
【表３】
2005075914.tif 000005
【００９７】
実施例１５〜１７に示されるように、本発明の成形品は、寸法精度に優れ、成形品のいずれの部位においても１０８〜１０１０Ω／□の範囲の表面抵抗率を示し、脱ガス総量が少なく、しかも発塵量も少ない。これに対し、比較例４〜７に示すような、市販されている帯電防止樹脂組成物を使用したのでは、以下のような問題がある。すなわち、比較例４のように、ポリプロピレンに親水性ポリマーからなる帯電防止剤を配合したものを使用したのでは、寸法のバラツキが大きく、脱ガス総量が大きい。比較例５のように、ポリブチレンテレフタレートに親水性ポリマーからなる帯電防止剤を配合したものを使用した場合にも、寸法のバラツキ及び脱ガス総量のいずれも実施例よりも劣る。比較例６のように、ポリブチレンテレフタレートに炭素粉末を配合したものを使用した場合には、炭素粉末の分散状態に依存する発塵が顕著になる上に、表面抵抗率のバラツキも大きくなる。比較例７のように、ポリエーテルエーテルケトンに炭素粉末を配合したものを使用した場合には、樹脂特性に由来する寸法精度と脱ガス総量は良好であるものの、炭素粉末の分散状態に依存する表面抵抗率が低く、また、発塵量も多くなる。表面抵抗率の分布状況については図６にまとめて示す。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】実施例１５〜１７及び比較例４〜７で成形したウェーハキャリアの正面図である。
【図２】実施例１５〜１７及び比較例４〜７で成形したウェーハキャリアの背面図である。
【図３】実施例１５〜１７及び比較例４〜７で成形したウェーハキャリアの平面図である。
【図４】実施例１５〜１７及び比較例４〜７で成形したウェーハキャリアの表面抵抗率の測定部位である。
【図５】実施例１５〜１７及び比較例４〜７で成形したウェーハキャリアの表面抵抗率の測定部位である。
【図６】実施例１５〜１７及び比較例４〜７で測定した表面抵抗率の分布状況のグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2005075914.tif 000008
【図４】
2005075914.tif 000009
【図５】
2005075914.tif 000010
【図６】
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