(57)【要約】【課題】  焦点深度を低減させずに近接効果を低減させることができ、より好ましくは焦点深度を増大させるとともに近接効果を低減させることができるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、有機溶剤（Ｃ）とを含み、（Ａ）成分が、酸解離性溶解抑制基を含み、（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）、構成単位（ａ１）に含まれる前記酸解離性溶解抑制基よりも解離しにくい酸解離性溶解抑制基を含み、（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）、およびラクトン官能基を含み、（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）を有するポジ型レジスト組成物、およびこれを用いたレジストパターン形成方法。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、有機溶剤（Ｃ）とを含むポジ型レジスト組成物であって、
前記（Ａ）成分が、
酸解離性溶解抑制基を含み、かつ（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）、
前記構成単位（ａ１）に含まれる前記酸解離性溶解抑制基よりも解離しにくい酸解離性溶解抑制基を含み、かつ（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）、および
ラクトン官能基を含み、かつ（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）を有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【請求項２】
前記構成単位(ａ１)が、下記一般式（Ｉ）または（ＩＩ）から選択される少なくとも１種であり、
前記構成単位(ａ２)が、下記一般式（ＩＩＩ）または（ＩＶ）から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
【化１】
2005037893.tif 000018
（式中、Ｒは水素原子またはメチル基、Ｒ１は炭素数２以上の低級アルキル基である。）
【化２】
2005037893.tif 000019
（式中、Ｒは水素原子またはメチル基、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、低級アルキル基である。）
【化３】
2005037893.tif 000020
（式中、Ｒは水素原子またはメチル基である）
【化４】
2005037893.tif 000021
（式中、Ｒは水素原子またはメチル基である）
【請求項３】
前記構成単位（ａ１）と前記構成単位（ａ２）の合計に対して構成単位（ａ１）が４０〜９０モル％含まれていることを特徴とする請求項１または２のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】
前記（Ａ）成分を構成する構成単位の合計に対して、前記構成単位（ａ１）と前記構成単位（ａ２）の含有量の合計が３０〜６０モル％であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】
前記（Ａ）成分を構成する構成単位の合計に対して、前記構成単位（ａ３）が２０〜６０モル％含まれていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項６】
前記（Ａ）成分が、少なくとも前記構成単位（ａ１）と前記構成単位（ａ２）を有する共重合体（Ａ１）を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項７】
前記共重合体（Ａ１）が、さらに前記構成単位（ａ３）を有する共重合体であることを特徴とする請求項６記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項８】
前記共重合体（Ａ１）と、前記構成単位（ａ３）を有する重合体が混合されていることを特徴とする請求項６記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項９】
前記（Ａ）成分が、少なくとも前記構成単位（ａ１）を有する重合体と、少なくとも前記構成単位（ａ２）を有する重合体との混合樹脂（Ａ２）を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１０】
前記構成単位（ａ１）を有する重合体、および前記構成単位（ａ２）を有する重合体の少なくとも一方が、前記構成単位（ａ３）を有する共重合体であることを特徴とする請求項９記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１１】
前記構成単位（ａ１）を有する重合体、および前記構成単位（ａ２）を有する重合体の両方が、前記構成単位（ａ３）を有する共重合体であることを特徴とする請求項１０記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１２】
前記酸発生剤成分（Ｂ）が、フッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩である、請求項１ないし１１のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物において、さらにアミン（Ｄ）を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物を基板上に塗布し、プレべークし、選択的に露光した後、ＰＥＢ（露光後加熱）を施し、アルカリ現像してレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項１５】
前記ＰＥＢを施す際の加熱温度を、前記構成単位（ａ１）に含まれる酸解離性溶解抑制基が解離する温度範囲の下限値以上で、かつ前記構成単位（ａ２）に含まれる酸解離性溶解抑制基が解離する温度範囲の下限値未満の範囲内とすることを特徴とする請求項１４記載のレジストパターン形成方法。
【請求項１６】
前記ＰＥＢを施す際の加熱温度が９０〜１２５℃の範囲内とすることを特徴とする請求項１５記載のレジストパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近は、半導体素子の微細化はますます進み、例えばＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を用いたリソグラフィプロセスの開発が精力的に進められている。ＡｒＦエキシマレーザー用の化学増幅型レジストのベース樹脂としては、ＡｒＦエキシマレーザーに対して透明性の高いものが好ましい。
例えば、エステル部にアダマンタン骨格のような多環式炭化水素基を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位を主鎖に有する樹脂が注目され、これまでに多数の提案がなされている（下記特許文献１〜８など）。
【特許文献１】特許２８８１９６９号公報
【特許文献２】特開平５−３４６６６８号公報
【特許文献３】特開平７−２３４５１１号公報
【特許文献４】特開平９−７３１７３号公報
【特許文献５】特開平９−９０６３７号公報
【特許文献６】特開平１０−１６１３１３号公報
【特許文献７】特開平１０−３１９５９５号公報
【特許文献８】特開平１１−１２３２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、リソグラフィプロセスに用いられるレジスト材料に要求される重要なパラメータに、焦点深度（ＤＯＦ）と近接効果がある。
【０００４】
焦点深度は、露光焦点がずれても良好な解像度が得られる範囲のことであり、大きいほど好ましい。
近接効果は、形成されるレジストパターンの寸法および形状が、その近傍のパターンによって影響されてしまうものである。近接効果が大きくなるほど、マスクにおけるパターン寸法が同じである場合に、パターンが密な部位(ラインアンドスペース部)と、そうでない部位（孤立パターン部）とでは、形成されるパターンの寸法の差が大きくなってしまうという問題がある。このような寸法差を小さくする必要があり、換言すれば、近接効果を小さくすることが望まれている。
【０００５】
本発明は前記事情に鑑てなされたもので、焦点深度を低減させずに近接効果を低減させることができるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するための第１の発明は、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、有機溶剤（Ｃ）とを含むポジ型レジスト組成物であって、前記（Ａ）成分が、酸解離性溶解抑制基を含み、かつ（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）、前記構成単位（ａ１）に含まれる前記酸解離性溶解抑制基よりも解離しにくい酸解離性溶解抑制基を含み、かつ（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）、およびラクトン官能基を含み、かつ（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）を有することを特徴とするポジ型レジスト組成物である。
第２の発明は、第１の発明のポジ型レジスト組成物を基板上に塗布し、プレべークし、選択的に露光した後、ＰＥＢ（露光後加熱）を施し、アルカリ現像してレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法である。
【発明の効果】
【０００７】
以上説明したように、本発明によれば、焦点深度を低減させずに近接効果を低減させることができるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明に係る実施の形態について、例を挙げて詳細に説明する。
［ポジ型レジスト組成物］
本発明のポジ型レジスト組成物は、下記構成単位（ａ１）、構成単位（ａ２）、および構成単位（ａ３）を有してなり、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（(Ａ)成分）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（(Ｂ)成分）と、有機溶剤（(Ｃ)成分）とを含有する。
かかるポジ型レジスト組成物にあっては、露光により前記（Ｂ）成分から発生した酸が作用することにより（Ａ）成分のアルカリ可溶性が増大するので、レジスト膜に対してマスクパターンを介して露光すると、露光部のアルカリ可溶性が増大し、アルカリ現像することによってレジストパターンを形成できる。
【０００９】
（Ａ）成分
・構成単位（ａ１）（ａ２）
構成単位（ａ１）および構成単位（ａ２）はいずれも（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位である。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステルとメタクリル酸エステルの一方または両方を示す。
また、構成単位（ａ１）および構成単位（ａ２）はいずれも酸解離性溶解抑制基を含み、構成単位（ａ２）に含まれる酸解離性溶解抑制基は、構成単位（ａ１）に含まれる酸解離性溶解抑制基よりも解離しにくい特性を有する。すなわち、（Ａ）成分には、解離しやすさ（酸解離性）が異なる２種類以上の酸解離性溶解抑制基が含まれている。
酸解離性溶解抑制基は、化学増幅型のポジ型レジスト組成物に用いたときに、露光前はポリマー全体をアルカリ不溶とするアルカリ溶解抑制性を有するとともに、露光後は（Ｂ）成分から発生した酸の作用により解離して、ポリマー全体をアルカリ可溶性へ変化させ得るものであればよく、かかる酸解離性溶解抑制基の中から酸解離性が異なる２種を選択して用いることができる。
【００１０】
酸解離性溶解抑制基として、一般的には、（メタ）アクリル酸のカルボキシル基と環状又は鎖状の第３級アルキルエステルを形成するものが広く知られている。
また、透明性と耐エッチング性に優れる点から、脂肪族多環式基を含有する酸解離性溶解抑制基が好ましい。かかる多環式基含有酸解離性溶解抑制基は、ＡｒＦエキシマレーザー用のポジ型レジスト組成物に好適である。
【００１１】
前記多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テロラシクロアルカンなどから１個の水素原子を除いた基などを例示できる。
具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基などが挙げられる。
この様な多環式基は、ＡｒＦエキシマレーザー用レジスト組成物用のポリマー（樹脂成分）において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。
これらの多環式基の中でもアダマンチル基、ノルボルニル基、テトラシクロドデカニル基が工業上好ましい。
【００１２】
具体的には、解離しやすい酸解離性溶解抑制基を含む構成単位（ａ１）が、下記一般式（Ｉ）または（ＩＩ）から選択される少なくとも１種であると好ましく、解離しにくい酸解離性溶解抑制基を含む構成単位（ａ２）が、下記一般式（ＩＩＩ）または（ＩＶ）から選択される少なくとも１種であると好ましい。
【００１３】
【化１】
2005037893.tif 000002
（式中、Ｒは水素原子またはメチル基、Ｒ１は炭素数２以上の低級アルキル基である。）
【００１４】
【化２】
2005037893.tif 000003
（式中、Ｒは水素原子またはメチル基、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、低級アルキル基である。）
【００１５】
【化３】
2005037893.tif 000004
（式中、Ｒは水素原子またはメチル基である）
【００１６】
【化４】
2005037893.tif 000005
（式中、Ｒは水素原子またはメチル基である）
【００１７】
下記一般式（Ｉ）で表される構成単位は、（メタ）アクリル酸構成単位に炭化水素基がエステル結合したものであって、（メタ）アクリレート構成単位のエステル部の酸素原子（−Ｏ−）に隣接するアダマンチル基の炭素原子に、直鎖または分岐鎖のアルキル基が結合することにより、このアダマンチル基の環骨格上に第３級アルキル基が形成されている。
【００１８】
式中、Ｒ１としては、炭素数２〜５の低級の直鎖又は分岐状のアルキル基が好ましく、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられる。
中でも、工業的観点からエチル基が好ましい。
【００１９】
前記一般式（ＩＩ）で表される構成単位は、前記一般式（Ｉ）と同様に（メタ）アクリル酸構成単位に炭化水素基がエステル結合したものであって、この場合は、（メタ）アクリレート構成単位のエステル部の酸素原子（−Ｏ−）に隣接する炭素原子が第３級アルキル基であり、該アルキル基中にさらにアダマンチル基のような環骨格が存在するものである。
また、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、好ましくは炭素数１〜５の低級アルキル基であると好ましい。
具体的に、Ｒ２、Ｒ３としては、それぞれ独立して、炭素数１〜５の低級の直鎖又は分岐状のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられる。中でも、Ｒ２、Ｒ３が共にメチル基である場合が工業的に好ましい。
【００２０】
前記一般式（ＩＩＩ）で表される構成単位は、前記一般式（Ｉ）で表される構成単位のＲ１がメチル基に置き換えられたものである。このような構成単位は、前記一般式（Ｉ）で表される構成単位および前記一般式（ＩＩ）で表される構成単位のいずれよりも酸解離性が低い。
【００２１】
前記一般式（ＩＶ）で表される構成単位は、（メタ）アクリルレート構成単位のエステルではなく、別のエステルの酸素原子（−Ｏ−）にtert−ブチル基が結合しており、（メタ）アクリル酸エステル構成単位と該エステルとがテトラシクロドデカニル基のような環骨格で連結されているものである。
式中、−ＣＯＯＣ（ＣＨ３）３は、式中に示したテトラシクロドデカニル基の３又は４の位置に結合していてよいが、異性体として共に含まれるのでこれ以上は特定できない。また、（メタ）アクリレート構成単位のカルボキシル基残基は、テトラシクロドデカニル基の８又は９の位置に結合していてよいが、上記と同様に、異性体として共に含まれるので特定できない。
【００２２】
これらの中でも、構成単位（ａ１）として一般式（I）の単位を用い、構成単位（ａ２）として一般式（III）の単位を用いる組み合わせが好ましく、それらは共重合体であってもよく、各単位を含む樹脂の混合物でもよい。
【００２３】
構成単位（ａ１）の割合は、前記構成単位（ａ１）と前記構成単位（ａ２）の合計に対して４０〜９０モル％であることが好ましく、より好ましくは５０〜８５モル％である。４０モル％以上とすることにより、コントラストに優れ、高解像性となるし、９０モル％以下とすることにより、焦点深度に優れ、また近接効果の低減効果に優れる。
また、（Ａ）成分を構成する構成単位の合計に対して、構成単位（ａ１）と構成単位（ａ２）の合計が３０〜６０モル％、好ましくは４０〜５５モル％含まれていることが望ましい。下限値以上とすることにより、ポジ型レジスト組成物として用いたときに、ポリマーの溶解性が酸の作用によって変化しやすくなる。上限値をこえると他の構成単位とのバランス等の点から不都合となるおそれがある。
【００２４】
・構成単位（ａ３）
構成単位（ａ３）は、ラクトン官能基を含み、かつ（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位である。ラクトン官能基は、ポジ型レジスト組成物を構成したときに、レジスト膜と基板の密着性を高めたり、現像液との親水性を高める効果に寄与する。
【００２５】
ラクトン官能基の例としては、例えばラクトン含有単環式基としては、γ−ブチロラクトンから水素原子１つを除いた基などが挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、以下の構造式を有するラクトン含有ビシクロアルカンから水素原子を１つを除いた基などが挙げられる。
【００２６】
【化５】
2005037893.tif 000006
【００２７】
さらには、前記ラクトン含有単環又は多環式基が以下の一般式から選択される１種以上であると好ましい。
【００２８】
【化６】
2005037893.tif 000007
【００２９】
さらに具体的には、例えば以下の構造式で表される、ラクトン含有モノシクロアルキル基又はビシクロアルキル基を含む（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましい。
【００３０】
【化７】
2005037893.tif 000008
（式中、Ｒは上記の場合と同様である。）
【００３１】
【化８】
2005037893.tif 000009
（式中、Ｒは上記の場合と同様である。）
【００３２】
【化９】
2005037893.tif 000010
（式中、Ｒは上記の場合と同様である。）
【００３３】
これらの中でも、α炭素にエステル結合を有する（メタ）アクリル酸のγ−ブチロラクトンエステル又はノルボルナンラクトンエステルが、特に工業上入手しやすく好ましい。
【００３４】
構成単位（ａ３）は、（Ａ）成分を構成する全構成単位の合計に対して、２０〜６０モル％含まれていることが好ましく、より好ましくは３０〜５０モル％含まれていると好ましい。下限値より小さいと、解像性が低下し、上限値をこえるとレジスト溶剤に溶けにくくなるおそれがある。
【００３５】
・その他の構成単位
本発明における（Ａ）成分は、構成単位（ａ１）ないし（ａ３）の他に、さらに他の構成単位を含むものであってもよい。
他の構成単位としては、水酸基を有する構成単位（ａ４）；あるいは、構成単位（ａ１）ないし（ａ４）以外の構成単位（ａ５）等が挙げられる。
【００３６】
・・構成単位（ａ４）
水酸基は極性基であるため、水酸基を有する構成単位（ａ４）を（Ａ）成分に含有させると、（Ａ）成分の、レジストパターンを形成する際に用いられるアルカリ現像液に対する親水性が高まる。そのため、ポジ型レジスト組成物用として用いた場合に、露光部におけるアルカリ溶解性が向上し、解像性の向上に寄与するので好ましい。
構成単位（ａ４）としては、水酸基を含有し、かつ（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましく、例えばＡｒＦエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。
また水酸基含有脂肪族多環式基を含み、かつ（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位がより好ましい。該多環式基としては、前記構成単位（ａ１）および（ａ２）の説明において例示したものと同様の多数の多環式基から適宜選択して用いることができる。
具体的に、構成単位（ａ４）としては、水酸基含有アダマンチル基（水酸基の数は好ましくは１〜３、さらに好ましくは１である。）、カルボキシル基含有テトラシクロドデカニル基（カルボキシル基の数は好ましくは１〜３、さらに好ましくは１である。）を有するものが好ましく用いられる。
【００３７】
さらに具体的には、下記一般式（Ｖ）で表される構成単位を用いると、ポジ型レジスト組成物用として用いたときに、耐ドライエッチング性を上昇させ、パターン断面形状の垂直性を高める効果を有するため、好ましい。
【００３８】
【化１０】
2005037893.tif 000011
（式中Ｒは水素原子又はメチル基である）
【００３９】
また、上記一般式（ＶＩ）で表される構成単位を用いると、ポジ型レジスト組成物用として用いたときに、耐ドライエッチング性を上昇させ、パターン断面形状の垂直性を高める効果を有するため、好ましい。
【００４０】
【化１１】
2005037893.tif 000012
（式中Ｒは水素原子又はメチル基である）
【００４１】
一般式（ＶＩ）において、−ＣＯＯＨは、式中に示したテトラシクロドデカニル基の３又は４の位置に結合していてよいが、異性体として共に含まれるのでこれ以上は特定できない。また、（メタ）アクリレート構成単位のカルボキシル基残基は、テトラシクロドデカニル基の８又は９の位置に結合していてよいが、上記と同様に、異性体として共に含まれるので特定できない。
【００４２】
構成単位（ａ４）は（Ａ）成分の必須成分ではないが、これを（Ａ）成分に含有させる際には、（Ａ）成分を構成する全構成単位の合計に対して、５〜５０モル％、好ましくは１０〜４０モル％含まれていると好ましい。下限値以上とすることにより、ＬＥＲ（ラインエッジラフネス）の向上効果が良好となり、上限値をこえると他の構成単位のバランスの点等からレジストパターン形状が劣化するおそれがある。
【００４３】
・・構成単位（ａ５）
構成単位（ａ５）は、上述の構成単位（ａ１）ないし（ａ４）に分類されない他の構成単位であれば特に限定するものではない。すなわち酸解離性溶解抑制基、ラクトン官能基、水酸基を含有しないものであればよい。例えば脂肪族多環式基を含み、かつ（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位などが好ましい。この様な構成単位を用いると、ポジ型レジスト組成物用として用いたときに、孤立パターンからセミデンスパターン（ライン幅１に対してスペース幅が１．２〜２のラインアンドスペースパターン）の解像性に優れ、好ましい。
【００４４】
該多環式基は、例えば、前記の構成単位（ａ１）および（ａ２）の場合に例示したものと同様のものを例示することができ、ＡｒＦポジレジスト材料として従来から知られている多数のものから適宜選択して使用可能である。
特にトリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基から選ばれる少なくとも１種以上であると、工業上入手し易いなどの点で好ましい。
【００４５】
これら構成単位（ａ５）の例示を下記［化１２］〜［化１４］に示す。
【００４６】
【化１２】
2005037893.tif 000013
（式中Ｒは水素原子又はメチル基である）
【００４７】
【化１３】
2005037893.tif 000014
（式中Ｒは水素原子又はメチル基である）
【００４８】
【化１４】
2005037893.tif 000015
（式中Ｒは水素原子又はメチル基である）
【００４９】
構成単位（ａ５）は（Ａ）成分の必須成分ではないが、これを（Ａ）成分に含有させる際には、（Ａ）成分を構成する全構成単位の合計に対して、構成単位（ａ５）を１〜３０モル％、好ましくは１０〜２０モル％含有させると、孤立パターンからセミデンスパターンの解像性において良好な向上効果が得られるので好ましい。
【００５０】
・（Ａ）成分の形態
（Ａ）成分には、構成成分（ａ１）、構成成分（ａ２）、および構成成分（ａ３）が含まれていればよく、その形態は特に限定されない。
当該（Ａ）成分は、
（イ）：少なくとも構成単位（ａ１）と構成単位（ａ２）を有する共重合体（Ａ１）を含むものであってもよいし、
（ロ）：少なくとも構成単位（ａ１）を有する重合体と、少なくとも構成単位（ａ２）を有する重合体との混合樹脂（Ａ２）を含むものであってもよい。
【００５１】
（イ）：前記共重合体（Ａ１）は、構成単位（ａ１）と構成単位（ａ２）の他に、構成単位（ａ３）を有するものであってもよく、または、共重合体（Ａ１）とは別に構成単位（ａ３）を有する重合体を調製し、これを共重合体（Ａ１）と混合させてもよい。
特に、構成単位（ａ１）と構成単位（ａ２）と構成単位（ａ３）とが共重合されている方が、レジスト膜と基板との良好な密着性を得るうえで、より好ましい。
【００５２】
（ロ）：前記混合樹脂（Ａ２）において、構成単位（ａ１）を有する重合体および構成単位（ａ２）を有する重合体の少なくとも一方が、構成単位（ａ３）を有する共重合体であってもよい。  特に、構成単位（ａ１）と構成単位（ａ３）を有する共重合体、および構成単位（ａ２）と構成単位（ａ３）を有する共重合体を用いる方が、レジスト膜と基板との良好な密着性を得るうえで、より好ましい。
【００５３】
（Ａ）成分に、構成単位（ａ４）および／または構成単位（ａ５）を含有させる場合、構成単位（ａ４）および／または（ａ５）を他の構成単位と共重合させた形態で用いてもよく、または他の構成単位を有する重合体または共重合体とは別に、構成単位（ａ４）および／または（ａ５）を有する重合体または共重合体を調製し、これらを混合してもよい。
これらの形態中でも、特に、構成単位（ａ１），（ａ２），（ａ３）及び（ａ４）又は（ａ５）の四元単位を含む場合、
・（ａ１），（ａ３）及び（ａ４）の三元共重合体、
・（ａ２），（ａ３）及び（ａ４）の三元共重合体、
・（ａ１），（ａ３）及び（ａ５）の三元共重合体、
・（ａ２），（ａ３）,及び（ａ５）の三元共重合体
・（ａ１），（ａ２），（ａ３）及び（ａ４）の四元共重合体、
・（ａ１），（ａ２），（ａ３）及び（ａ５）の四元共重合体、
・（ａ１），（ａ３）,（ａ４）及び（ａ５）の四元共重合体、
・（ａ２），（ａ３）,（ａ４）及び（ａ５）の四元共重合体等から、単独又は適宜組み合わせて（Ａ）成分とすればよい。このような三元又は四元単位を含む場合は、安定して各単位の割合を有する共重合体が得られやすいことから、これらの共重合体やその混合物を用いることができる。
構成単位（ａ１），（ａ２），（ａ３），（ａ４）及び（ａ５）の五元単位を含む場合は、五元共重合体でもかまわないが、安定して同一の各単位の割合を有する共重合体が得られにくくなることから、混合樹脂とした方が有利である。その際には、前記した構成単位（ａ１），（ａ２），（ａ３）及び（ａ４）の四元共重合体と（ａ１），（ａ２），（ａ３）及び（ａ５）の四元共重合体の混合物、（ａ１），（ａ３）,（ａ４）及び（ａ５）の四元共重合体と（ａ２），（ａ３）,（ａ４）及び（ａ５）の四元共重合体の混合物等を用いることができる。
混合物とする際は、前記した（Ａ）成分中の各単位の割合となるように適宜混合すればよい。
【００５４】
（Ａ）成分の構成単位は、構成単位（ａ１）、（ａ２）及び（ａ３）に対し構成単位（ａ４）及び／又は（ａ５）を用途等によって適宜選択して組み合わせて用いることができるが、さらに構成単位（ａ４）を含むものが好ましい。
構成単位（ａ４）を含む四元系の場合は、構成単位（ａ１）は全構成単位中１０〜５５モル％、好ましくは３０〜５０モル％とし、構成単位（ａ２）は全構成単位中５〜５０モル％、好ましくは１０〜３０モル％、（ａ３）は全構成単位中２０〜６０モル％、好ましくは３０〜５０モル％、（ａ４）は全構成単位中１０〜４０モル％、好ましくは１０〜３０モル％とすると、レジスト溶媒の溶解性の高い樹脂となり、また解像性に優れ好ましい。
また、さらに構成単位（ａ５）を含む五元系の場合は、前記四元系において、全構成単位中１〜３０モル％、好ましくは２〜２０モル％とすると、上記特性を維持しつつ、孤立パターン、セミデンスパターンの解像性に優れ好ましい。
また、（Ａ）成分を構成する共重合体（Ａ１）、または混合樹脂（Ａ２）を構成する、重合体または共重合体の質量平均分子量は特に限定するものではないが５０００〜３００００、さらに好ましくは７０００〜２００００とされる。この範囲よりも大きいとレジスト溶剤への溶解性が悪くなり、小さいとレジストパターン断面形状が悪くなるおそれがある。
【００５５】
なお、共重合体（Ａ１）や混合樹脂（Ａ２）を構成する重合体または共重合体は、相当する（メタ）アクリル酸エステルモノマーなどをアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）のようなラジカル重合開始剤を用いる公知のラジカル重合等により容易に製造することかできる。
前記構成単位（ａ１）ないし（ａ５）に相当するモノマーは上市されており入手可能なものである。
【００５６】
（Ｂ）成分
（Ｂ）成分としては、従来化学増幅型レジストにおける酸発生剤として公知のものの中から任意のものを適宜選択して用いることができる。
【００５７】
この酸発生剤の例としては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、（４−メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートなどのオニウム塩などを挙げることができる。特にフッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩が好ましく、フッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするスルホニム塩がより好ましい。
【００５８】
この（Ｂ）成分は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
その配合量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、０．５〜３０質量部、好ましくは１〜１０質量部とされる。０．５質量部以上とすることにより、パターン形成が十分に行われる様になり、３０質量部以下とすることにより均一な溶液が得られ、保存安定性が向上する傾向がある。
【００５９】
（Ｃ）成分
ポジ型レジスト組成物は、前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分と、後述する任意の（Ｄ）成分を、好ましくは（Ｃ）成分に溶解させて製造することができる。ポジ型レジスト組成物の（Ｃ）成分の量は特に限定されず、例えば基板等の上に塗布可能なポジ型レジスト組成物が得られる濃度とされる。
（Ｃ）成分としては、前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来化学増幅型レジストの溶剤として公知の有機溶剤の中から任意のものを１種又は２種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類や、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、又はジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体や、ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルピン酸メチル、ピルピン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類などを挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、２種以上の混合溶剤として用いてもよい。
【００６０】
特に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）と、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、乳酸エチル（ＥＬ）、γ−ブチロラクトン等のヒドロキシ基やラクトン官能基を有する極性溶剤との混合溶剤は、ポジ型レジスト組成物の保存安定性が向上するため、好ましい。
ＥＬを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＥＬの質量比が６：４〜４：６であると好ましい。
ＰＧＭＥを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＰＧＭＥの質量比が８：２ないし２：８、好ましくは８：２ないし５：５であると好ましい。
また、有機溶剤（Ｃ）として、他にはＰＧＭＥＡ及び乳酸エチルの中から選ばれる少なくとも１種とγ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは７０：３０〜９５：５とされる。
【００６１】
（Ｄ）成分
ポジ型レジスト組成物には、レジストパターン形状、引き置き安定性等の向上のために、さらに任意の（Ｄ）成分としてアミン、特には第２級低級脂肪族アミンや第３級低級脂肪族アミンを含有させることができる。
ここで低級脂肪族アミンとは炭素数５以下のアルキルまたはアルキルアルコールのアミンを言い、この第２級や第３級アミンの例としては、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどが挙げられるが、特にトリエタノールアミンのようなアルカノールアミンが好ましい。
これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらのアミンは、（Ａ）成分１００質量部に対して通常０．０１〜２質量部の範囲で用いられる。
【００６２】
（Ｅ）有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体
ポジ型レジスト組成物には、前記（Ｄ）成分と同様のレジストパターン形状、引き置き安定性等の向上の目的で、さらに任意の（Ｅ）成分として、有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体を含有させることができる。なお、（Ｄ）成分と（Ｅ）成分は併用することもできるし、いずれか１種を用いることもできる。
有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。
リンのオキソ酸若しくはその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ‐ｎ‐ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステルなどのリン酸又はそれらのエステルのような誘導体、ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸‐ジ‐ｎ‐ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなどのホスホン酸及びそれらのエステルのような誘導体、ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸などのホスフィン酸及びそれらのエステルのような誘導体が挙げられ、これらの中で特にホスホン酸が好ましい。
（Ｅ）成分は、（Ａ）成分１００質量部当り０．０１〜５質量部の割合で用いられる。
【００６３】
ポジ型レジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤などを添加含有させることができる。
【００６４】
なお、このポジ型レジスト組成物は、波長２００ｎｍ以下の波長に対して透明性が高いので、特にＡｒＦエキシマレーザー用のポジ型レジスト組成物として有用であるが、それより短波長のＦ２レーザー、ＥＵＶ（極紫外線）、ＶＵＶ（真空紫外線）、電子線、Ｘ線、軟Ｘ線などの放射線に対しても有効である。
【００６５】
このポジ型レジスト組成物は、樹脂成分（Ａ）中に、酸解離性が異なる２種以上の酸解離性溶解抑制基が含有されており、かかる樹脂成分（Ａ）を含有するポジ型レジスト組成物によれば、焦点深度を低減させずに近接効果を低減させることができる。また、後述の実施例における孤立パターンを含む場合など、焦点深度を増大させるとともに近接効果を低減させることができる。
また、このポジ型レジスト組成物は、樹脂成分（Ａ）中に、酸解離性が互いに異なる酸解離性溶解抑制基を有する前記構成単位（ａ１）および（ａ２）に加えて、ラクトン官能基を有する構成単位（ａ３）を含有するので、該ラクトン官能基による親水性の向上効果が得られるほか、孤立パターンの焦点深度が向上するという利点が得られる。
【００６６】
［レジストパターン形成方法（製造方法）］
本発明のレジストパターン形成方法は例えば以下の様にして行うことができる。
すなわち、まずシリコンウェーハのような基板上に、上記ポジ型レジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、８０〜１５０℃の温度条件下、プレベークを４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間施し、これに例えばＡｒＦ露光装置などにより、ＡｒＦエキシマレーザー光を所望のマスクパターンを介して選択的に露光した後、ＰＥＢ（露光後加熱）を施す。
その後、これをアルカリ現像液、例えば０．１〜１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像処理することにより、マスクパターンの形状が転写されたレジストパターンが得られる。
なお、基板とレジスト組成物の塗布層との間には、有機系または無機系の反射防止膜を設けることもできる。
【００６７】
ＰＥＢを施す際の加熱温度は、（Ａ）成分中に存在する、前記構成単位（ａ１）に含まれる酸解離性溶解抑制基が解離する温度範囲の下限値（以下ＰＥＢminという）以上で、かつ前記構成単位（ａ２）に含まれる酸解離性溶解抑制基が解離する温度範囲の下限値（以下ＰＥＢmaxという）未満の範囲内とすることが好ましい。
なお、ＰＥＢminにおいては、前記構成単位（ａ１）に含まれる酸解離性溶解抑制基がほとんど解離するが、完全に解離するものではなく、またＰＥＢmaxにおいて前記構成単位（ａ２）に含まれる酸解離性溶解抑制基はわずかに解離し、全く解離しないわけではない。
【００６８】
従って、『構成単位（ａ１）に含まれる酸解離性溶解抑制基が解離する』とは１００％解離を意味するものではない。また、『構成単位（ａ２）に含まれる酸解離性溶解抑制基が解離する温度範囲の下限値未満』にて、構成単位（ａ２）に含まれる酸解離性溶解抑制基が０％解離を意味するものではない。
本発明は構成単位（ａ１）と（ａ２）を酸解離性溶解抑制基として含むものの、そのうち（ａ１）をほとんど解離させ、（ａ２）はわずかに解離させる必要があり、（ａ１）単位の酸解離性溶解抑制基を１００％解離させ、同時に（ａ２）単位の酸解離性溶解抑制基まったく解離させないことにあるわけではない。
したがって、ＰＥＢminは約９０〜１３０℃であり、ＰＥＢmaxは１１０〜１４０℃であるが、以上のことから、本発明方法における好ましいＰＥＢは約９０〜１２５℃、好ましくは９０〜１２０℃である。また、構成単位（ａ１）に含まれる酸解離性溶解抑制基は、構成単位（ａ２）に含まれる酸解離性溶解抑制基よりも解離し易く、したがって構成単位（ａ１）に含まれる酸解離性溶解抑制基が解離する温度範囲の下限値は、構成単位（ａ２）に含まれる酸解離性溶解抑制基が解離する温度範囲の下限値よりも低い。
【００６９】
化学増幅型のポジ型レジスト組成物にあっては、ＰＥＢ時に酸解離性溶解抑制基の解離反応が行われ、該解離反応の程度によってアルカリ可溶性が決まるので、かかる温度範囲内で、現像処理後に形成されるレジストパターンのプロファイルが良好となるような加熱条件に設定することが好ましい。
ＰＥＢ時の加熱温度が、構成単位（ａ１）に含まれる酸解離性溶解抑制基が解離する温度範囲の下限値よりも低いと、レジストのアルカリ可溶性が不足して良好に解像されず、構成単位（ａ２）に含まれる酸解離性溶解抑制基が解離する温度範囲の下限値よりも高すぎると、樹脂成分（Ａ）中に、酸解離性が異なる２種以上の酸解離性溶解抑制基を含有させたことによる、焦点深度を低減させずに近接効果を低減させる効果、または焦点深度を増大させるとともに近接効果を低減させる効果が十分に得られない。
【００７０】
酸解離性溶解抑制基が解離する温度範囲は、該酸解離性溶解抑制基の構造によって異なり、また構成単位（ａ１）または（ａ２）の酸解離性溶解抑制基以外の部分の構造によって異なるが、レジスト組成物である以上それぞれほぼ決まっている。
例えば、構成単位（ａ１）に含まれる酸解離性溶解抑制基が解離する温度範囲（以下、酸解離温度範囲ということもある）は、
前記一般式（Ｉ）のＲが水素原子でＲ１がエチル基である場合は９０〜１２０℃程度、
前記一般式（Ｉ）のＲがメチル基でＲ１がエチル基である場合は１００〜１３０℃程度、
前記一般式（ＩＩ）のＲが水素原子でＲ２及びＲ３がともにメチル基である場合は９０〜１２０℃程度、
前記一般式（ＩＩ）のＲがメチル基でＲ２及びＲ３がともにメチル基である場合は１００〜１３０℃程度である。
構成単位（ａ２）に含まれる酸解離性溶解抑制基が解離する温度範囲は、
前記一般式（ＩＩＩ）のＲが水素原子である場合は１００〜１３０℃程度、
前記一般式（ＩＩＩ）のＲがメチル基である場合は１１０〜１４０℃程度、
前記一般式（ＩＶ）のＲが水素原子である場合は１００〜１３０℃程度、
前記一般式（ＩＶ）のＲがメチル基である場合は１１０〜１４０℃程度である。
【実施例】
【００７１】
以下、本発明を実施例を示して詳しく説明する。
実施例１
以下の（Ａ）ないし（Ｄ）成分を混合、溶解してポジ型レジスト組成物を製造した。
（Ａ）成分：以下のモノマー
２−エチル−２−アダマンチルアクリレート  ４０モル％（構成単位（ａ１）に相当）、
２−メチル−２−アダマンチルアクリレート  １０モル％（構成単位（ａ２）に相当）、
ノルボルナンラクトンアクリレート(以下Ｎラクトンという)  ３０モル％（構成単位（ａ３）に相当し、［化７］において、Ｒは水素原子である単位を構成する）、
３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート(以下ＡＤＯＨという)  ２０モル％（構成単位（ａ４）に相当し、一般式(V)において、Ｒは水素原子）
を共重合させた共重合体（質量平均分子量１００００、分散度２．０）  １００質量部
（Ｂ）成分：トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート  ３．０質量部
（Ｃ）成分：ＰＧＭＥＡ  ７５０質量部と、γ−ブチロラクトン  ３０質量部との混合溶剤
（Ｄ）成分：トリエタノールアミン  ０．１質量部
【００７２】
ついで、このポジ型レジスト組成物をスピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で１１０℃、９０秒間プレベーク（ＰＡＢ処理）し、乾燥することにより、膜厚４００ｎｍのレジスト層を形成した。
ついで、ＡｒＦ露光装置ＮＳＲ−Ｓ３０２Ａ（ニコン社製；ＮＡ（開口数）＝０．６０，σ＝０．７５）により、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を、ハーフトーンマスクパターンを介して選択的に照射した。
そして、１００℃、９０秒間の条件でＰＥＢ処理し、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で、２３℃の温度条件下で６０秒間パドル現像し、その後２０秒間水洗して乾燥してレジストパターンを形成した。
【００７３】
形成された幅１４０ｎｍのコンタクトホールパターンは、パターン間隔を１：１．４としたＤｅｎｓｅタイプと、パターン間隔を１：１０としたＩｓｏタイプとをそれぞれ形成した。
Ｄｅｎｓｅにおける焦点深度（表ではＤＯＦと記載する、以下同様）は４００ｎｍであり、Ｉｓｏにおける焦点深度は３００ｎｍであった。
また、近接効果を評価するために、Ｉｓｏにおける現像後のレジストパターン幅が１４０ｎｍとなる露光量に固定したときの、Ｄｅｎｓｅにおける現像後のパターン幅から１４０ｎｍを減じた値（Ｉ／Ｄ寸法差）を求めたところ、１８ｎｍであった。該Ｉ／Ｄ寸法差が小さいと近接効果が小さく好ましい。
これらの結果を下記表１にまとめて示す。
なお、本実施例における共重合体を用いたレジストの好適なＰＥＢ温度は９０〜１１０℃である。
【００７４】
実施例２
実施例１において、（Ａ）成分を変更したほかは、実施例１と同様にしてポジ型レジスト組成物を製造した。（Ｂ）ないし（Ｄ）成分については実施例１と同じ組成とした。
（Ａ）成分：
以下のモノマー
２−エチル−２−アダマンチルアクリレート  ５０モル％（構成単位（ａ１）に相当）、
Ｎラクトン  ３０モル％（構成単位（ａ３）に相当）、
ＡＤＯＨ  ２０モル％（構成単位（ａ４）に相当）
を共重合させた第１の共重合体（質量平均分子量１００００、分散度２．０）  ８０質量部と、
以下のモノマー
２−メチル−２−アダマンチルアクリレート  ５０モル％（構成単位（ａ２）に相当）、
Ｎラクトン  ３０モル％（構成単位（ａ３）に相当）、
ＡＤＯＨ  ２０モル％（構成単位（ａ４）に相当）、
を共重合させた第２の共重合体（質量平均分子量１００００、分散度２．０）  ２０質量部とを混合した混合樹脂１００質量部を（Ａ）成分とした。
【００７５】
得られたポジ型レジスト組成物を用いて、実施例１と同じ製造条件でコンタクトホールパターンを形成した。
Ｄｅｎｓｅにおける焦点深度は４００ｎｍであり、Ｉｓｏにおける焦点深度は３００ｎｍであった。またＩ／Ｄ寸法差は２０ｎｍであった。
これらの結果を下記表１にまとめて示す。
なお、本実施例における共重合体を用いたレジストの好適なＰＥＢ温度は９０〜１１０℃である。
【００７６】
比較例１
実施例１において、（Ａ）成分を変更したほかは、実施例１と同様にしてポジ型レジスト組成物を製造した。（Ｂ）ないし（Ｄ）成分については実施例１と同じ組成とした。
（Ａ）成分：
以下のモノマー
２−メチル−２−アダマンチルアクリレート  ５０モル％（構成単位（ａ２）に相当）、
Ｎラクトン  ３０モル％（構成単位（ａ３）に相当）、
ＡＤＯＨ（構成単位（ａ４）に相当）  ２０モル％、
を共重合させた共重合体（質量平均分子量１００００、分散度２．０）  １００質量部を（Ａ）成分とした。
【００７７】
得られたポジ型レジスト組成物を用いて、実施例１と同じ製造条件でレジストパターンを形成しようとしたが、ＤｅｎｓｅおよびＩｓｏのいずれも解像しなかった。
【００７８】
比較例２
比較例１において、ＰＡＢ処理温度を１３０℃に変更し、ＰＥＢ処理温度を１２０℃に変更した他は同様にしたところ、レジストパターンが形成された。
Ｄｅｎｓｅにおける焦点深度は３００ｎｍであり、Ｉｓｏにおける焦点深度は１００ｎｍであった。またＩ／Ｄ寸法差は２６ｎｍであった。
これらの結果を下記表１にまとめて示す。
【００７９】
比較例３
実施例１において、（Ａ）成分を変更したほかは、実施例１と同様にしてポジ型レジスト組成物を製造した。（Ｂ）ないし（Ｄ）成分については実施例１と同じ組成とした。
（Ａ）成分：
以下のモノマー
２−エチル−２−アダマンチルアクリレート  ５０モル％（構成単位（ａ１）に相当）、
Ｎラクトン  ３０モル％（構成単位（ａ３）に相当）、
ＡＤＯＨ（構成単位（ａ４）に相当）  ２０モル％、
を共重合させた共重合体（質量平均分子量１００００、分散度２．０）  １００質量部を（Ａ）成分とした。
【００８０】
得られたポジ型レジスト組成物を用いて、実施例１と同じ製造条件でコンタクトホールパターンを形成した。
Ｄｅｎｓｅにおける焦点深度は４００ｎｍであり、Ｉｓｏにおける焦点深度は２００ｎｍであった。またＩ／Ｄ寸法差は３０ｎｍであった。
これらの結果を下記表１にまとめて示す。
【００８１】
【表１】
2005037893.tif 000016
【００８２】
実施例３
以下の（Ａ）ないし（Ｄ）成分を混合、溶解してポジ型レジスト組成物を製造した。
（Ａ）成分：以下のモノマー
２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート  ２０モル％（構成単位（ａ１）に相当）、
２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート  １５モル％（構成単位（ａ２）に相当）、
γ−ブチロラクトンアクリレート(以下γラクトンという)    ３５モル％（構成単位（ａ３）に相当し、［化９］において、Ｒは水素原子である単位を構成する）、
ＡＤＯＨ  １５モル％（構成単位（ａ４）に相当）、
トリシクロデカニルメタクリレート（以下ＴＣＤという）  １５モル％（構成単位（ａ５）に相当し、［化１２］において、Ｒはメチル基である単位を構成する）を共重合させた共重合体（質量平均分子量１００００、分散度２．０）  １００質量部
（Ｂ）成分：トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート  ３．０質量部
（Ｃ）成分：ＰＧＭＥＡ  ７５０質量部と、γ−ブチロラクトン  ３０質量部との混合溶剤
（Ｄ）成分：トリエタノールアミン  ０．２質量部
【００８３】
ついで、このポジ型レジスト組成物をスピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で１１０℃、９０秒間プレベーク（ＰＡＢ処理）し、乾燥することにより、膜厚３００ｎｍのレジスト層を形成した。
ついで、ＡｒＦ露光装置ＮＳＲ−Ｓ３０２Ａ（ニコン社製；ＮＡ（開口数）＝０．６０，σ＝０．７５）により、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を、マスクパターンを介して選択的に照射した。
そして、１１０℃、９０秒間の条件でＰＥＢ処理し、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で、２３℃の温度条件下で６０秒間パドル現像し、その後２０秒間水洗して乾燥してレジストパターンを形成した。
【００８４】
形成された幅１２０ｎｍのラインアンドスペースパターンは、パターン間隔を１：１としたＤｅｎｓｅタイプと、パターン間隔を１：１０としたＩｓｏタイプとをそれぞれ形成した。
Ｄｅｎｓｅにおける焦点深度は８００ｎｍであり、Ｉｓｏにおける焦点深度は５００ｎｍであった。
また、近接効果を評価するために、Ｉｓｏにおける現像後のレジストパターン幅が１２０ｎｍとなる露光量に固定したときの、Ｄｅｎｓｅにおける現像後のパターン幅から１２０ｎｍを減じた値（Ｉ／Ｄ寸法差）を求めたところ、２１ｎｍであった。
これらの結果を下記表２にまとめて示す。
なお、本実施例における共重合体を用いたレジストの好適なＰＥＢ温度は１００〜１２０℃である。
【００８５】
比較例４
実施例３において、（Ａ）成分を変更するとともに、（Ｂ）成分の配合量を２質量部に変更したほかは、実施例３と同様にしてポジ型レジスト組成物を製造した。（Ｃ）および（Ｄ）成分については実施例３と同じ組成とした。
（Ａ）成分：以下のモノマー
２−メチル−２−アダマンチルアクリレート  ３５モル％（構成単位（ａ２）に相当）、
γラクトン  ３５モル％（構成単位（ａ３）に相当）、
ＡＤＯＨ  １５モル％（構成単位（ａ４）に相当）、
ＴＣＤ  １５モル％（構成単位（ａ５）に相当）を共重合させた共重合体（質量平均分子量１００００、分散度２．０）  １００質量部
（Ｂ）成分：トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート  ２．０質量部
【００８６】
得られたポジ型レジスト組成物を用いて、実施例３と同じ製造条件でレジストパターンを形成しようとしたが、ＤｅｎｓｅおよびＩｓｏのいずれも解像せず、ＤｅｎｓｅにおいてはＴ−トップが生じていた。
【００８７】
比較例５
比較例４において、ＰＡＢ処理温度を１３０℃に変更し、ＰＥＢ処理温度を１３０℃に変更した他は同様にしたところ、レジストパターンが形成された。
Ｄｅｎｓｅにおける焦点深度は６００ｎｍであり、Ｉｓｏにおける焦点深度は４００ｎｍであった。またＩ／Ｄ寸法差は２６ｎｍであった。
これらの結果を下記表２にまとめて示す。
【００８８】
比較例６
実施例３において、（Ａ）成分を変更するとともに、（Ｂ）成分の配合量を２質量部に変更したほかは、実施例３と同様にしてポジ型レジスト組成物を製造した。（Ｃ）および（Ｄ）成分については実施例３と同じ組成とした。
（Ａ）成分：
以下のモノマー
２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート  ３５モル％（構成単位（ａ１）に相当）、
γラクトン  ３５モル％（構成単位（ａ３）に相当）、
ＡＤＯＨ  １５モル％（構成単位（ａ４）に相当）、
ＴＣＤ  １５モル％（構成単位（ａ５）に相当）を共重合させた共重合体（質量平均分子量１００００、分散度２．０）  １００質量部
（Ｂ）成分：トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート  ２．０質量部
【００８９】
得られたポジ型レジスト組成物を用いて、実施例３と同じ製造条件でラインアンドスペースパターンを形成した。
Ｄｅｎｓｅにおける焦点深度は８００ｎｍであり、Ｉｓｏにおける焦点深度は４００ｎｍであった。またＩ／Ｄ寸法差は３６ｎｍであった。
これらの結果を下記表２にまとめて示す。
【００９０】
【表２】
2005037893.tif 000017
【００９１】
表１の結果より、実施例１，２は比較例２，３に比べて、焦点深度は同等または向上しており、近接効果の指標となるＩ／Ｄ寸法差は大幅に低減されていた。
表２の結果より、実施例３は比較例５，６に比べて、焦点深度は同等または向上しており、近接効果の指標となるＩ／Ｄ寸法差は大幅に低減されていた。