(57)【要約】【課題】  より信頼性の高いハーメチックシールカバーを、安価に、大量に、製造することが可能なハーメチックシールカバーおよびその製造方法を提供する。【解決手段】  鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなるフォイル状のシールカバー材の両面にＮｉを被覆し、融点が２６０℃以上でＡｕを主成分とするフォイル状のロウ材の両面にＡｕを被覆し、前記被覆後のシールカバー材とロウ材を重ね合わせ、ロウ材をシールカバー材に溶融接合した後、プレス機を用いてロウ材側がダレ面になるように打ち抜いて個片形状とし、さらに全面に０．０１μｍ〜０．５μｍのＡｕめっきを施した後、ロウ材を再溶融させるか、もしくはロウ材の溶融温度より低い温度で熱処理を行うかにより、ロウ材表面のＡｕめっきをロウ材中に拡散させる。【選択図】  図２
2005322727.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなるフォイル状のシールカバー材の両面にＮｉを被覆し、融点が２６０℃以上でＡｕを主成分とするフォイル状のロウ材の両面にＡｕを被覆し、前記被覆後のシールカバー材とロウ材を重ね合わせ、ロウ材をシールカバー材に溶融接合した後、プレス機を用いてロウ材側がダレ面になるように打ち抜いて個片形状とし、さらに、全面に０．０１μｍ〜０．５μｍのＡｕめっきを施した後、ロウ材を再溶融させるか、もしくはロウ材の溶融温度より低い温度で熱処理を行うかにより、ロウ材表面のＡｕめっきをロウ材中に拡散させることを特徴とするハーメチックシールカバーの製造方法。
【請求項２】
鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなるフォイル状のシールカバー材の両面にＮｉを被覆し、さらにその片面にＡｕを被覆し、融点が２６０℃以上でＡｕを主成分とするフォイル状のロウ材の両面にＡｕを被覆し、前記被覆後のシールカバー材とロウ材をＡｕ被覆が合わさるように重ね合わせ、ロウ材をシールカバー材に溶融接合した後、プレス機を用いてロウ材側がダレ面になるように打ち抜いて個片形状とし、さらに、０．０１μｍ〜０．５μｍのＡｕめっきを施した後、ロウ材を再溶融させるか、もしくはロウ材の溶融温度より低い温度で熱処理を行うかにより、ロウ材表面のＡｕめっきをロウ材中に拡散させることを特徴とするハーメチックシールカバーの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の製造方法により得るハーメチックシールカバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に好適なハーメチックシールカバーおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージの一種に、図１に斜視図として示すセラミックパッケージがある。セラミックパッケージに使用されるセラミック基板（１）は、中央部に半導体素子接合用のメタライズ層を有する下層板と、表面にリードパターンが形成され、かつ、中央部に開口を有する中間板と、該リードパターンのリードの内側先端部が露出する大きさの開口を有する上層板との３つが、一体化された構造を有する。
【０００３】
セラミック基板（１）の長辺側部には、前記リードパターンの外側先端と導通するように接合された金属リード（２）が設けられる。そして、前記上層板の開口の縁部表面には、シールカバー材接着用のメタライズ層（３）が形成される。メタライズ層（３）および前記リードパターンは、通常、Ｍｏ−Ｍｎ系の導電ペーストで形成され、これらとリード（２）には、Ａｕめっきが施される。
【０００４】
セラミック基板（１）を用いるパッケージング工程は、ハーメチックシール工程と言われる。
【０００５】
図５に断面図を示すように、まず、半導体素子（４）をセラミック基板（１）の下層板の半導体素子接合用のメタライズ層に接合し、該半導体素子（４）上の電極と、中間板上にあるリードパターンのリードの内側先端部とを、細いコネクタ線で結合する。
【０００６】
次に、メタライズ層（３）の上に、ロウ材（５）つきのシールカバー材（６）であるハーメチックシールカバー（１０）を載せ、ロウ材（５）の融点以上に加熱し、その後、冷却して、ハーメチックシールカバー（１０）をセラミック基板（１）上に取り付ける。
【０００７】
ロウ材（５）には、一般的にＡｕＳｎ合金、ＡｕＧｅ合金などが用いられ、シールカバー材（６）の材質としては、一般的に、鉄ニッケル合金、コバール合金、銅あるいは銅合金、セラミック等が用いられる。
【０００８】
また、ロウ材（５）とシールカバー材（６）との接合には、熱圧着法、溶融法、圧接法、スポット溶接法が用いられる。
【０００９】
図６に、熱圧着法によるハーメチックシールカバーの製造工程のフローの一例を示した。
【００１０】
まず、たとえば、材質がＡｕＳｎ合金である圧延材料にＡｕを被覆するめっき工程と、プレス機を用いた打抜きによるプレス工程とで、所定寸法のリング状に成形加工したロウ材（５）を得る。
【００１１】
次に、たとえば、材質がコバール合金であり、Ｎｉを被覆した圧延材料に、ロウ材（５）が熱圧着される側へＡｕを被覆するめっき工程と、プレス機を用いた打抜きによるプレス工程とで、所定の寸法に成形加工したシールカバー材（６）を得る。
【００１２】
また、材質がコバール合金である圧延材料を、プレス機を用いた打抜きによるプレス工程で、所定の寸法に成形加工したダミー材（７）を得る。
【００１３】
これらを、図７に断面図を示すような順番に積載整列し、一定荷重を加えながら、特定雰囲気において、ロウ材（５）の融点以下の温度に加熱し、冷却することにより接合する（たとえば、特公平３−６５８９７号公報参照）。
【００１４】
ところが、このハーメチックシールカバーの製造工程において、ロウ材は、プレス機を用いた打抜きにより、所定寸法のリング状に成形加工するために、収率が極めて低く、打抜き残りから有価金属を回収する必要があるため、非常に高価となる。
【００１５】
また、携帯端末などで使用される表面弾性波フィルタ(ＳＡＷフィルタ)なども、上述したものと類似のセラミックパッケージとして組み立てられる場合が多い。このような半導体装置は、近年、小型化が進展したことにより、リング状に成型加工されたロウ材に対しては、厚さが２５μｍ以下、リング形状の枠部分の幅が０．２ｍｍ以下という具合に、微細化の要求が高まり、このようなリング状のロウ材を製造すること自体が困難になりつつある。
【００１６】
また、このハーメチックシールカバーの製造工程において、ロウ材（５）とシールカバー材（６）との接合は、熱圧着法を用いるので、積載整列に工数を要し、かつ、加熱および冷却に時間を要し、近年のＳＡＷフィルタのような小型セラミックパッケージでは、さらに量産が困難になってきている。
【００１７】
これらの熱圧着法に関する問題を解決できるロウ材（５）とシールカバー材（６）との接合方法として、リングめっき法が提案されている。この方法では、シールカバー材（６）の上へ所定のリング状にめっきすることによりロウ材（５）を形成する（たとえば、特開２００２−９１８６号公報参照）。このため、シールカバー材（６）上にフォトレジスト膜を塗布した後、ロウ材（５）を形成するリング部分のみフォトレジスト膜を除去し、前処理を実施した上で、合金めっきあるいは単層めっきを交互に繰り返す積層めっきを施し、再びフォトレジスト膜を再塗布してから、シールカバー材を所定の寸法に成形するためのエッチングを施し、プレス機等により、めっき部の電着層を最密充填化した上で、熱処理により合金化させる。従って、リングめっき法でない工程が非常に複雑、かつ、多岐にわたってしまう上に、合金としての組成質量比に、精度が得られ難く、ロウ材としての信頼性に劣るという問題がある。
【００１８】
これに対して、フォイル状でのめっき法が考えられる（たとえば、特開２００３−２２９５０４号公報参照）。この方法では、フォイル状のシールカバー材（６）上に、合金めっきあるいは単層めっきを交互に繰り返す積層めっきを施し、熱処理により合金化させた後、所定の寸法に成形するためにプレス機等による打抜き加工をする。従って、前述のリングめっき法よりも、比較的、簡素な工程になる。しかし、合金めっきでは質量比をめっき浴の管理などで制御するために合金としての組成質量比に精度が得られ難く、単層めっきを交互に繰り返すめっきでは質量比をめっき膜厚で制御するため、めっき厚のばらつきなどで同じく合金としての組成質量比に精度が得られ難いことから、やはり合金としての組成質量比に、精度が得られ難く、ロウ材としての信頼性に劣るという問題がある。
【００１９】
その他、溶融めっき法が考えられる（たとえば、特開平１１−３００４７１号公報、特開２０００−３４９１８０号公報、特開２００１−１０５１３１号公報参照）。しかし、 この方法でＡｕを主成分としたロウ材を形成するには、費用がかかるために適していない。また、ＳｎＳｂ合金系の溶融めっき法によりロウ材を形成することも考えられる（たとえば、特開２００２−１８４８８６号公報参照）。しかし、ＳｎＳｂ合金は、固相温度が２４０℃程度であり、実質的に２６０℃以上の耐熱性を求められる半導体パッケージには使用することができない。
【００２０】
【特許文献１】特公平３−６５８９７号公報
【００２１】
【特許文献２】特開２００２−９１８６号公報
【００２２】
【特許文献３】特開２００３−２２９５０４号公報
【００２３】
【特許文献４】特開平１１−３００４７１号公報
【００２４】
【特許文献５】特開２０００−３４９１８０号公報
【００２５】
【特許文献６】特開２００１−１０５１３１号公報
【００２６】
【特許文献７】特開２００２−１８４８８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
本発明は、従来の欠点を解消し、より信頼性の高いハーメチックシールカバーを、安価に、大量に、製造することが可能なハーメチックシールカバーおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
本発明のハーメチックシールカバーの製造方法は、鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなるフォイル状のシールカバー材の両面にＮｉを被覆し、融点が２６０℃以上でＡｕを主成分とするフォイル状のロウ材の両面にＡｕを被覆し、前記被覆後のシールカバー材とロウ材を重ね合わせ、ロウ材をシールカバー材に溶融接合した後、プレス機を用いてロウ材側がダレ面になるように打ち抜いて個片形状とし、さらに、全面に０．０１μｍ〜０．５μｍのＡｕめっきを施した後、ロウ材を再溶融させるか、もしくはロウ材の溶融温度より低い温度で熱処理を行うかにより、ロウ材表面のＡｕめっきをロウ材中に拡散させる。
【００２９】
あるいは、鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなるフォイル状のシールカバー材の両面にＮｉを被覆し、さらにその片面にＡｕを被覆し、融点が２６０℃以上でＡｕを主成分とするフォイル状のロウ材の両面にＡｕを被覆し、前記被覆後のシールカバー材とロウ材をＡｕ被覆が合わさるように重ね合わせ、ロウ材をシールカバー材に溶融接合した後、プレス機を用いてロウ材側がダレ面になるように打ち抜いて個片形状とし、さらに、０．０１μｍ〜０．５μｍのＡｕめっきを施した後、ロウ材を再溶融させるか、もしくはロウ材の溶融温度より低い温度で熱処理を行うかにより、ロウ材表面のＡｕめっきをロウ材中に拡散させる。
【００３０】
本発明のハーメチックシールカバーは、前記のいずれかの製造方法により得る。
【発明の効果】
【００３１】
本発明のハーメチックシールカバーの製造方法により、ＳＡＷフィルタなどの小型パッケージに必要とされるロウ材の微細で高度な枠形状への加工技術を必要とせず、その結果、加工コストを削減でき、量産性、経済性において有利となる。また、得られるハーメチックシールカバーの性能、信頼性は従来と同程度に維持される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
図２に、本発明のハーメチックシールカバーの製造工程をフロー図で示す。図３に、本発明のハーメチックシールカバー（１０）を断面図で示す。
【００３３】
まず、鉄ニッケル合金およびコバール合金のいずれかからなるフォイル状のシールカバー材（圧延材料）（６）の両面にＮｉめっきによりＮｉを被覆して皮膜（８）を設ける。鉄ニッケル合金およびコバール合金は、加工性と経済性に優れており、Ｎｉの被覆（８）により、耐酸化性が向上する。さらに、前記シールカバー材（圧延材料）（６）に、Ｎｉを被覆した上に、さらにＡｕをその片面に被覆して、皮膜（８）としてもよい。これにより、ロウ材（５）との濡れ性がさらに向上する。被覆には、圧接やめっきが用いられる。圧接は、基材となるフォイル状の鉄ニッケル合金またはコバール合金を、その上下から被覆材となるＮｉのフォイルで挟み、これらを圧延機でロール圧下することによりなされる。一般的には、基材とＮｉの互いに接合する面を予めワイヤブラシを用いて研磨し、ロール圧下する際には、加工率（ロール圧下する前後における基材と被覆材の板厚の合計値の減少率）が５０％以上となるように圧下することにより、良好な被覆が得られる。
【００３４】
次に、融点が２６０℃以上で、Ａｕを主成分とするフォイル状のロウ材（圧延材料）（５）の両面にＡｕめっきによりＡｕを被覆する。本発明で使用できるロウ材（５）は、多岐に渡るが、ハーメチックシール工程おいて、ロウ付けの信頼性に優れていることから、特にＡｕＳｎ合金、ＡｕＧｅ合金またはＡｕＳｉ合金が好ましい。 
そして被覆されたシールカバー材（６）とロウ材（５）を重ね合わせ、ロウ材（５）をシールカバー材（６）に溶融接合する。この際、ロウ材表面のＡｕは、ロウ材（５）の中に拡散する。
【００３５】
ロウ材（５）の溶融は、加温した連続炉あるいは環状炉を用いて、ロウ材（５）の融点より２０℃〜１２０℃、高い温度に加温する。これにより、シールカバー材（６）へのロウ材（５）の接合力が増加する。また、加温時に脱酸化雰囲気にすることにより、ロウ材（５）の酸化による濡れ不良が防止される。
【００３６】
ここで、Ａｕを主成分とするフォイル状のロウ材（５）は、Ａｕで被覆しなくても、シールカバー材（６）への溶融接合自体は可能である。しかしながら、Ａｕが被覆されていない場合には、ロウ材（５）の表面に不可避的に存在する表面酸化皮膜の影響により、ピンホールが発生するなどの弊害が起きる場合があるため、工業的に安定して生産するためには、予め、フォイル状のロウ材（５）に、酸化することのないＡｕによるめっき皮膜を施しておくことが効果的である。
【００３７】
次に、図３（ｂ）に示すように、ロウ材（５）をシールカバー材（６）に溶融接合して得られたフォイルから、プレス加工により、所望形状のハーメチックシールカバー（１０）を得る。この場合、プレス機を用いてロウ材側がダレ面になるように、すなわち図３（ａ）において下から上へ、打ち抜いて個片形状とする。ロウ材面側にバリが立つ方向、すなわち図３（ａ）において上から下へ、打抜きを行うと、セラミックパッケージのハーメチックシール工程において、ロウ材（５）で接合する面側にバリが立ち、バリによってシール不良が発生する危険性が高いからである。
【００３８】
この状態のままで、セラミックパッケージのハーメチックシールを行っても、使用上は実質的に問題はない。しかし、バリにより打ち抜いた端面(せん断加工面）はＮｉやＡｕで被覆されずに、鉄ニッケル合金またはコバール合金が露出した状態となっている。このため、パッケージングおよびその後の熱履歴によって、鉄ニッケル合金またはコバール合金が露出した部分が酸化して変色し、美麗な外観が保てない場合がある。これを避けるために、図３（ｃ）に示すように、プレス加工を行った後、０．０１μｍ〜０．５μｍのＡｕめっき皮膜（９）をロウ材（５）と反対側に施すことが効果的である。Ａｕめっき皮膜（９）が０．０１μｍよりも薄い場合には、前述の変色を防止する効果が不充分となりやすく、０．５μｍを超えると、変色を防止するための必要量以上にＡｕを使用することとなり、不経済である。
【００３９】
プレス加工を行った後にＡｕめっき皮膜（９）を施した場合、ロウ材（５）が溶融接合された面とその反対面に、Ａｕめっき皮膜が等しく施されることとなり、両面の識別が難しくなるという問題が発生する。この問題を解消するためには、Ａｕめっき皮膜（９）を施した後、ロウ材（５）を再溶融させるか、もしくはロウ材の溶融温度より低い温度で熱処理を行うかにより、図３（ｄ）に示すように、ロウ材（５）表面のＡｕめっき皮膜を、ロウ材（５）の中に拡散させることが有効である。ロウ材（５）中にＡｕが拡散することにより、ロウ材（５）が溶融接合された面の色調は、元来のロウ材（５）の色調と同じになり、特にロウ材（５）としてＡｕＳｎ合金を使用している場合には、銀白色となるので、金色であるハーメチックシールカバーの反対面と識別することが極めて容易である。
【００４０】
ここで、シールカバー材（６）を被覆するＡｕが、ロウ材（５）を溶融する過程で拡散することや、打ち抜いた後に被覆するＡｕが、これに続くロウ材（５）の再溶融または溶融温度よりも低い温度での熱処理によって、ロウ材（５）中に拡散することで、ロウ材（５）の組成質量比の変動が起こるので、あらかじめこれらを見込んで、ロウ材（５）の組成質量比において、目標とする組成よりもＡｕを少なく配合しておくことことがより望ましい。
【００４１】
本発明のハーメチックシールカバーの製造方法においては、ロウ材（５）をリング状にしないため、従来、不要であるシールカバー材（６）の中央部にも、ロウ材（５）を使用することになるが、ロウ材（５）の厚みを、例えば１０〜２０μｍと、薄く抑えることにより、使用するＡｕ量を少なくすることができ、また、従来、必要とされていたロウ材（５）単体での成形加工工程が省力できるので、結果的に経済性に優れる。
【００４２】
また、所定寸法に形成する前に、シールカバー材（６）とロウ材（５）とを溶融接合することにより、従来、必要とされていた積載整列工程が省力でき、この点でも経済性に優れる。
【００４３】
図４に、本発明のハーメチックシールカバーを用いて組み立てられた半導体装置を断面図で示す。
【００４４】
セラミック基板（１）は、従来のままであり、中央部に半導体素子接合用のメタライズ層を有する下層板と、表面にリードパターンが形成され、かつ、中央部に開口を有する中間板と、該リードパターンのリードの内側先端部が露出する大きさの開口を有する上層板との３つが、一体化された構造である。セラミック基板（１）の長辺側部には、前記リードパターンの外側先端と導通するように接合された金属リード（２）が設けられる。そして、前記上層板の開口の縁部表面には、シールカバー材接着用のメタライズ層（３）が形成される。メタライズ層（３）および前記リードパターンは、通常、Ｍｏ−Ｍｎ系の導電ペーストで形成され、これらとリード（２）には、Ａｕめっきが施される。
【００４５】
次に、半導体素子（４）をセラミック基板（１）の下層板の半導体素子接合用のメタライズ層に接合し、該半導体素子（４）上の電極と、中間板上にあるリードパターンのリードの内側先端部とを、細いコネクター線で結合する。
【００４６】
最後に、メタライズ層（３）の上に、ロウ材（５）側を下にしてハーメチックシールカバー（１０）を載せ、ロウ材（５）の融点以上に加熱し、その後、冷却して、ハーメチックシールカバー（１０）をセラミック基板（１）上に取り付ける。
【実施例】
【００４７】
（実施例１）
厚さ１０μｍのＮｉ材（８）が両面に圧接された厚さ０．２０ｍｍのコバール合金のフォイル材に、０．１μｍ厚のＡｕめっきを片面に施して、シールカバー材（６）を得た。次に、該シールカバー材のＡｕめっきを施した面の側に、両面にＡｕめっきを施したＳｎ２０％含有のＡｕＳｎ共晶合金（融点２８０℃）のロウ材（５）を重ね合わせ、連続炉により窒素雰囲気中にて３６０℃に加温し、溶融接合した。
【００４８】
得られたフォイルを、ロウ材側がダレ面になるように、３．６３ｍｍ角の板状にロウ材（５）側よりプレス機で１，０００個、打ち抜いて、ハーメチックシールカバー（１０）を得た。この後、電解バレルめっきにより、厚さ０．０２μｍのＡｕめっきを施し、該ハーメチックシールカバー（１０）を連続炉により窒素雰囲気中にて２９０℃に加温し、ロウ材を溶融させることにより、ロウ材表面のＡｕめっき皮膜をロウ材中に拡散させて、ロウ材表面がＡｕＳｎ共晶合金の元来の色調である銀白色になるようにした。
【００４９】
このようにして、得られたハーメチックシールカバー（１０）のうち５０個を用いて、連続炉により窒素雰囲気中にて最高温度３２０℃でセラミックパッケージに封止した。得られた５０個のパッケージを用いて、０．４５ＭＰａ、２時間のヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。また、セラミックパッケージの外観を観察しても、ハーメチックシールカバー打抜き加工の端面（せん断面）における変色は、一切、認められなかった。
【００５０】
（実施例２）
実施例１と同様にして得られたハーメチックシールカバー（１０）に、電解バレルめっきにより、厚さ０．０２μｍのＡｕめっきを施し、該ハーメチックシールカバー（１０）と、環状炉により窒素雰囲気中にて２５０℃で１０分間、加温し、ロウ材が溶融しない状態で、ロウ材表面のＡｕめっき皮膜をロウ材中に拡散させて、ロウ材表面がＡｕＳｎ共晶合金の元来の色調である銀白色になるようにした。
【００５１】
このようにして、得られたハーメチックシールカバー（１０）を用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。また、セラミックパッケージの外観を観察しても、ハーメチックシールカバー打抜き加工の端面（せん断面）における変色は、一切、認められなかった。
【００５２】
（実施例３）
厚さ０．１５ｍｍの４２アロイ合金のフォイル材（６）に、２．０μｍ厚のＮｉめっき（８）を両面に施して、シールカバー材を得た後、該シールカバー材の片面に、両面にＡｕめっきを施したＳｎ２０％含有のＡｕＳｎ共晶合金（融点２８０℃）のロウ材（５）を重ね合わせ、連続炉により水素雰囲気中にて３４０℃に加温し、溶融接合した。
【００５３】
得られたフォイルを、ロウ材側がダレ面になるように、２．３５×１．８５ｍｍの板状にロウ材（５）側よりプレス機で１，０００個、打ち抜いて、ハーメチックシールカバー（１０）を得た。この後、電解バレルめっきにより、厚さ０．１μｍのＡｕめっきを施し、該ハーメチックシールカバー（１０）を連続炉により窒素雰囲気中にて２９０℃に加温し、ロウ材を溶融させることによってロウ材表面のＡｕめっき皮膜をロウ材中に拡散させて、ロウ材表面がＡｕＳｎ共晶合金の元来の色調である銀白色になるようにした。
【００５４】
このようにして、得られたハーメチックシールカバー（１０）を用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。また、セラミックパッケージの外観を観察しても、ハーメチックシールカバー打抜き加工の端面（せん断面）における変色は、一切、認められなかった。
【００５５】
（実施例４）
実施例３と同様にして得られたハーメチックシールカバー（１０）に電解バレルめっきにより、厚さ０．１μｍのＡｕめっきを施し、該ハーメチックシールカバー（１０）を環状炉により窒素雰囲気中にて２５０℃で１０分間、加温し、ロウ材（５）が溶融しない状態で、ロウ材表面のＡｕめっき皮膜をロウ材中に拡散させて、ロウ材表面がＡｕＳｎ共晶合金の元来の色調である銀白色になるようにした。
【００５６】
このようにして、得られたハーメチックシールカバーを用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。また、セラミックパッケージの外観を観察しても、ハーメチックシールカバー打抜き加工の端面（せん断面）における変色は、一切、認められなかった。
【００５７】
（実施例５）
厚さ０．１５ｍｍの４２アロイ合金のフォイル材（６）に、２．０μｍ厚のＮｉめっき（８）を両面に施して、シールカバー材を得た後、該シールカバー材の片面に、両面にＡｕめっきを施したＳｎ２０％含有のＡｕＳｎ共晶合金（融点２８０℃）のロウ材（５）を重ね合わせ、連続炉により水素雰囲気中にて３４０℃に加温し、溶融接合した。得られたフォイルを、ロウ材側がダレ面になるように、２．３５×１．８５ｍｍの板状にロウ材（５）側よりプレス機で１，０００個、打ち抜いて、ハーメチックシールカバー（１０）を得た。この後、電解バレルめっきにより、厚さ０．４μｍのＡｕめっきを施し、該ハーメチックシールカバー（１０）を連続炉により窒素雰囲気中にて２９０℃に加温し、ロウ材を溶融させることによって、ロウ材表面のＡｕめっき皮膜をロウ材中に拡散させて、ロウ材表面がＡｕＳｎ共晶合金の元来の色調である銀白色になるようにした。
【００５８】
このようにして、得られたハーメチックシールカバー（１０）を用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。また、セラミックパッケージの外観を観察しても、ハーメチックシールカバー打抜き加工の端面（せん断面）における変色は、一切、認められなかった。
【００５９】
（実施例６）
実施例５と同様にして得られたハーメチックシールカバー（１０）に、電解バレルめっきにより、厚さ０．４μｍのＡｕめっきを施し、該ハーメチックシールカバー（１０）を環状炉により窒素雰囲気中にて２５０℃で１０分間、加温し、ロウ材が溶融しない状態で、ロウ材表面のＡｕめっき皮膜をロウ材中に拡散させて、ロウ材表面がＡｕＳｎ共晶合金の元来の色調である銀白色になるようにした。
【００６０】
このようにして、得られたハーメチックシールカバー（１０）を用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。また、セラミックパッケージの外観を観察しても、ハーメチックシールカバー打抜き加工の端面（せん断面）における変色は、一切、認められなかった。
【００６１】
（実施例７）
ロウ材（５）を、両面にＡｕめっきを施したＧｅ１２％含有のＡｕＧｅ共晶合金（融点３５６℃）とし、溶融接合温度を４４０℃とし、ロウ材を溶融させる温度を３７０℃とすることにより、ロウ材表面がＡｕＧｅ共晶合金の元来の色調である鈍い金色になるようにした以外は、実施例１と同様にハーメチックシールカバー（１０）を得た。
【００６２】
このようにして、得られたハーメチックシールカバー（１０）を用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。また、セラミックパッケージの外観を観察しても、ハーメチックシールカバー打抜き加工の端面（せん断面）における変色は、一切、認められなかった。
【００６３】
（実施例８）
ロウ材（５）を、両面にＡｕめっきを施したＧｅ１２％含有のＡｕＧｅ共晶合金（融点３５６℃）とし、溶融接合温度を４４０℃とし、環状炉により１０分間、加温する温度を３３０℃とすることにより、ロウ材表面がＡｕＧｅ共晶合金の元来の色調である鈍い金色になるようにした以外は、実施例２と同様にハーメチックシールカバー（１０）を得た。
【００６４】
このようにして、得られたハーメチックシールカバー（１０）を用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。また、セラミックパッケージの外観を観察しても、ハーメチックシールカバー打抜き加工の端面（せん断面）における変色は、一切、認められなかった。
【００６５】
（実施例９）
ロウ材（５）を、両面にＡｕめっきを施したＧｅ１２％含有のＡｕＧｅ共晶合金（融点３５６℃）とし、溶融接合温度を４２０℃とし、ロウ材を溶融させる温度を３７０℃とすることにより、ロウ材表面がＡｕＧｅ共晶合金の元来の色調である鈍い金色になるようにした以外は、実施例３と同様にハーメチックシールカバー（１０）を得た。
【００６６】
このようにして、得られたハーメチックシールカバー（１０）を用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。また、セラミックパッケージの外観を観察しても、ハーメチックシールカバー打抜き加工の端面（せん断面）における変色は、一切、認められなかった。
【００６７】
（実施例１０）
ロウ材（５）を、両面にＡｕめっきを施したＧｅ１２％含有のＡｕＧｅ共晶合金（融点３５６℃）とし、溶融接合温度を４２０℃とし、環状炉により１０分間、加温する温度を３３０℃とすることにより、ロウ材表面がＡｕＧｅ共晶合金の元来の色調である鈍い金色になるようにした以外は、実施例４と同様にハーメチックシールカバー（１０）を得た。
【００６８】
このようにして、得られたハーメチックシールカバー（１０）を用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。また、セラミックパッケージの外観を観察しても、ハーメチックシールカバー打抜き加工の端面（せん断面）における変色は、一切、認められなかった。
【００６９】
（実施例１１）
ロウ材（５）を、両面にＡｕめっきを施したＧｅ１２％含有のＡｕＧｅ共晶合金（融点３５６℃）とし、溶融接合温度を４２０℃とし、ロウ材を溶融させる温度を３７０℃とすることにより、ロウ材表面がＡｕＧｅ共晶合金の元来の色調である鈍い金色になるようにした以外は、実施例５と同様にハーメチックシールカバー（１０）を得た。
【００７０】
このようにして、得られたハーメチックシールカバー（１０）を用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。また、セラミックパッケージの外観を観察しても、ハーメチックシールカバー打抜き加工の端面（せん断面）における変色は、一切、認められなかった。
【００７１】
（実施例１２）
ロウ材（５）を、両面にＡｕめっきを施したＧｅ１２％含有のＡｕＧｅ共晶合金（融点３５６℃）とし、溶融接合温度を４２０℃とし、環状炉により１０分間、加温する温度を３３０℃とすることにより、ロウ材表面がＡｕＧｅ共晶合金の元来の色調である鈍い金色になるようにした以外は、実施例６と同様にハーメチックシールカバー（１０）を得た。
【００７２】
このようにして、得られたハーメチックシールカバー（１０）を用いて、実施例１と同様にして、ヘリウムリーク試験を行った。その結果、リーク不良はなかった。また、セラミックパッケージの外観を観察しても、ハーメチックシールカバー打抜き加工の端面（せん断面）における変色は、一切、認められなかった。
【００７３】
【表１】
2005322727.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】セラミック基板を用いた半導体パッケージの要部を示した斜視図である。
【図２】本発明のハーメチックシールカバーの製造工程フロー図である。
【図３】本発明のシールカバーの断面図である。
【図４】本発明の半導体装置例の断面図である。
【図５】従来のシールカバーを用いて組み立てた半導体装置の断面図である。
【図６】従来のハーメチックシールカバーの製造工程フロー図である。
【図７】従来の製造工程におけるハーメチックシールカバーの積載整列の図である。
【符号の説明】
【００７５】
１  セラミック基板
２  金属リード
３  カバー接着用メタライズ層
４  半導体素子
５  ロウ材
６  シールカバー材
７  ダミー材
８  シールカバー表面のＮｉまたはＮｉおよびＡｕの皮膜
９  電解バレルめっき法によるＡｕ皮膜
１０  ハーメチックシールカバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2005322727.tif 000008
【図６】
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【図７】
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