(57)【要約】【課題】さまざまな環境下に持ち運ばれて使用されるモバイル用では、外来性のノイズでノイジーな環境も考えられるが、こうした環境下でも良好な画質を提供する。【解決手段】Ｘ線画像を検出するマトリックスセンサと該センサから出力された画像データを所定パラメータにより画像処理する手段とＸ線発生装置に対して各種爆射などの撮影条件を与える手段とシステムコントロール用のＰＣと外来性ノイズを検出する手段からなり、Ｘ線を爆射する前に該外来性ノイズ検出手段で外来性ノイズを検出し、その検出内容に応じて該画像処理パラメータ等を変化させることを特徴とするＸ線デジタル画像撮影システム。【選択図】        図１
2005006790.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線画像を検出するフラットパネルセンサとＸ線発生装置に対して各種爆射などの撮影条件を与える手段とシステムコントロール用のＰＣと外来性電磁界ノイズを検出する手段からなり、Ｘ線を爆射する前に該外来性ノイズ検出手段で外来性ノイズを検出し、その検出内容に応じて該Ｘ線発生装置に与える撮影条件を変更させることを特徴とするＸ線デジタル画像撮影システム。
【請求項２】
該外来性ノイズ検出手段は主に交流磁界を検出するものでホール素子、コイルなどを検出器とし、それらの出力はアンプで増幅した後、スペクトル解析、あるいはまた帯域を制限したレベルを検出することを特徴とした第一項記載のＸ線デジタル撮影システム。
【請求項３】
該外来性ノイズ検出手段は、該センサパネル内に近接して配置されることを特徴とする第一項記載のＸ線デジタル撮影システム。
【請求項４】
該外来性ノイズ検出手段は、該センサパネル内の有効領域外のダミーセンサを検出器とし、それらの出力はアンプで増幅した後、スペクトル解析、あるいはまた帯域を制限したレベルを検出することを特徴とした第一項記載のＸ線デジタル撮影システム。
【請求項５】
該外来性ノイズ検出手段で検出したノイズレベルが、予め定めた許容レベルを超えた場合は、該コントロールＰＣに伝達し爆射前に変更せしめる、あるいは爆射を中止するように警告することを特徴とした第一項記載のＸ線デジタル撮影システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放射線を用いて被検体の撮像を行う撮像装置及び方法に関し、検出素子を駆動して信号を読み出して処理する技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、特開平６−３４２０９９の示されるようにＸ線のデジタル撮像装置として近年いわゆるフラットパネルセンサが台頭してきている。これらのセンサは従来のフィルムを使用した撮影システムに置き変わる可能性を秘めておりＸ画像を直接デジタル化したデータを出力することから今後の広範囲に渡る展開が期待されている。
【０００３】
こうしたフラットパネルセンサは主にアモルファス系シリコンを用いるものが多く撮影面積の大型化や高精細化が求められるのと同時に高感度化や高ＳＮが求められている。
【０００４】
しかしながら、近年の医療機器、情報機器、携帯電話などは病院内でさまざまな外来性ノイズを発生し周囲に電磁界ノイズを漏洩している。中でも、ＣＲＴ、液晶ディスプレイ、ＵＰＳ、インバータ式Ｘ線発生装置などは、交流磁界を強力に放射しているものである。ヨーロッパ圏などでは、こうした漏洩磁界に対しての規制が強化されており、低減化に向けての取り組みがあるが、まだ一部であるためこのような問題はまだ残るものと思われる。
【０００５】
フラットパネルセンサに対して影響を及ぼす、外来性ノイズとしては機器からの放射性ノイズ、伝導性ノイズが挙げられる。伝導性ノイズに関しては電源系のフィルタ強化等により比較的容易に対策することが可能であるが、放射性ノイズは空間に放射される電磁界ノイズでありフラットパネルにさまざまな角度から直接入射してくるためその対策は容易ではない。なかでも磁界ノイズからのシールド対策は一般的にも難しい。
【０００６】
フラットパネル全体は金属製の筐体あるいはモールド筐体に電磁シールドを施したもので覆われており基本的に電磁シールドがなされた構造になっている。こうした構造から薄い金属箔でもシールド効果が得られる電界性のノイズに対しては充分な効果がありＥＭＣ試験をクリアするものとなっている。しかし、強力な交流磁界に対してのシールド効果は低い。これは、磁界シールドは基本的にフラットパネルセンサ及び周辺回路を、磁気シールド効果の高い筐体で密閉することで効果を高めることが可能となるが、Ｘ線入射面に外来性ノイズ防御用シールド材（Ｘ線が透過するアルミ等）などを配置することはＸ線透過率が低下して高感度化を妨げるので難しい。このため、Ｘ線入射面から入ってくるノイズを防ぐことには限界がある。
【０００７】
交流磁界が漏洩している機器側の対策として、シールド材でできる限り覆うことがあるが、このような対策である程度は低減化できるものの、扱う信号レベルが大変に低い本発明のような装置の場合、低減化した漏洩磁界でも、センサパネル及びアンプＩＣを含めた信号検出系回路に電磁誘導を引き起こして画像上のノイズとなって影響を及ぼすことになる。特に撮影部がノイズ発生源に近接してくると相互間の空間距離が短くなるため影響はますます増大することになる。
【０００８】
こうした交流磁界ノイズが重畳した場合、画像上には、ラインノイズが周期的に現れてくる。これは信号ラインをサンプルホールドする際に、外来の交流磁界による、誘導ノイズが信号上に重畳し、このノイズとの位相関係が、ラインごとで順次ずれて行くために所定の周波数のビートとして画像上のラインノイズとして出現してしまうためである。
【０００９】
ラインノイズは撮影画像上に重畳されるため、画像品質を著しく低下させてしまい、医療用画像の場合は特に誤診などを引き起こすことにもつながるため大きな問題となる。
【００１０】
また、モバイル型のセンサなどでは、特に多種環境の中で使用されることが考えられ、更に緊急用途として使用された場合、所望する画像が得られず大変に問題となることが考えられる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題に鑑み、高感度化を妨げることなく外来性ノイズガあった場合においても安定した画像を提供することが可能なＸ線撮像装置を提供することを目的としたものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的はＸ線画像を検出するフラットパネルセンサとＸ線発生装置に対して各種爆射などの撮影条件を与える手段とシステムコントロール用のＰＣと外来性電磁界ノイズを検出する手段からなり、Ｘ線を爆射する前に該外来性ノイズ検出手段で外来性ノイズを検出し、その検出内容に応じて該Ｘ線発生装置に与える撮影条件を変更させることを特徴とするＸ線デジタル画像撮影システムによって達成される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００１４】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の一実施形態を示すＸ線撮像システムの構成を示すブロック図である。
【００１５】
ここで、１０はＸ線室、１２はＸ線制御室、１４は診断室である。
【００１６】
Ｘ線制御室１２には、本Ｘ線撮像システムの全体的な動作を制御するシステム制御器２０が配置される。Ｘ線曝射要求ＳＷ、タッチパネル、マウス、キーボード、ジョイスティック及びフットスイッチなどからなる操作者インターフェース２２は、操作者２１が種々の指令をシステム制御器２０に入力するのに使用される。操作者２１の指示内容は、例えば、撮影条件（静止画／動画、Ｘ線管電圧、管電流及びＸ線照射時間など）、撮影タイミング、画像処理条件、被検者ＩＤ及び取込み画像の処理方法などがある。撮像制御器２４は、Ｘ線室１０に置かれるＸ線撮像系を制御し、画像処理器２６はＸ線室１０のＸ線撮像系による画像を画像処理する。
【００１７】
画像処理器２６における画像処理は、例えば、画像データの補正、空間フィルタリング、リカーシブ処理、階調処理、散乱線補正及びダイナミックレンジ（ＤＲ）圧縮処理などである。
【００１８】
２８は、画像処理器２６により処理された基本画像データを記憶する大容量高速の記憶装置であり、例えば、（ＲＡＩＤ）等のハードディスクアレーからなる。３０は映像を表示するモニタディスプレイ（以下、モニタと略す。）、３２はモニタ３０を制御して種々の文字及び画像を表示させる表示制御器、３４は、大容量の外部記憶装置（例えば、光磁気ディスク）、３６はＸ線制御室１２と診断室１４とを接続し、Ｘ線室１０での撮影画像などを診断室１４の装置に転送するＬＡＮボードである。
【００１９】
Ｘ線室１０には、Ｘ線を発生するＸ線発生器４０が置かれる。Ｘ線発生器４０は、Ｘ線を発生するＸ線管球４２、撮像制御器２４により制御されてＸ線管球４２を駆動する高圧発生源４４、及びＸ線管球４２により発生されたＸ線ビームを所望の撮像領域に絞り込むＸ線絞り４６からなる。撮影用寝台４８上に被検体としての患者５０が横たわる。撮影用寝台４８は、撮像制御器２４からの制御信号に従って駆動され、Ｘ線発生器４０からのＸ線ビームに対する患者の向きを変更できる。撮影用寝台４８の下には、被検体５０及び撮影用寝台４８を透過したＸ線ビームを検出するＸ線検出器５２が配置されている。
【００２０】
Ｘ線検出器５２は、グリッド５４、シンチレータ５６、光検出器アレー５８及びＸ線露光量モニタ６０の積層体と、光検出器アレー５８を駆動する駆動器６２とからなる。グリッド５４は、被検体５０を透過することによって生じるＸ線散乱の影響を低減するために設けられている。グリッド５４はＸ線低吸収部材と高吸収部材とからなり、例えば、ＡｌとＰｂのストライプ構造からなる。光検出器アレー５８とグリッド５４との格子比の関係によりモアレが生じていることがないように、Ｘ線照射時には、Ｘ線検出器５２は、撮像制御器２４からの設定に基づいて駆動器６２の制御信号に従いグリッド５４を振動させる。
【００２１】
シンチレータ５６では、エネルギーの高いＸ線によって蛍光体の母体物質が励起（吸収）され、その再結合エネルギーにより可視領域の蛍光が発生する。即ち、Ｘ線を可視光に変換する。
【００２２】
その蛍光はＣａＷｏ４やＣｄＷｏ４などの母体自身によるものや、ＣｓＩ：Ｔ１やＺｎＳ：Ａｇなどの母体内に付加された発光中心物質によるものがある。光検出器アレー５８は、シンチレータ５６による可視光を電気信号に変換する。
【００２３】
Ｘ線露光量モニタ６０は、Ｘ線透過量を監視する目的で配置される。Ｘ線露光量モニタ６０としては、結晶シリコンの受光素子などを用いて直接Ｘ線を検出しても良いし、シンチレータ５６による蛍光を検出してもよい。この実施形態では、Ｘ線露光量モニタ６０は、光検出器アレー５８の基板裏面に成膜されたアモルファスシリコン受光素子からなり、光検出器アレー５８を透過した過視光（Ｘ線量に比例する。）を検知して、その光量情報を撮像制御器２４に伝達する。撮像制御器２４は、Ｘ線露光量モニタ６０からの情報に基づいて高圧発生電源４０を制御し、Ｘ線量を調節する。
【００２４】
駆動器６２は、撮像制御器２４の制御下で光検出器アレー５８を駆動し、各画素から信号を読み出す。なお、光検出器アレー５８及び駆動器６２の動作については、後で詳細に説明する。
【００２５】
ＤＣ／ＤＣ電源６５は、ＡＣ／ＤＣ電源８０１からのＤＣ電圧をＸ線検出器５２内の各回路に所定の電圧を供給するＤＣ／ＤＣ電源である。
【００２６】
外来電磁界検出器６６は、外来性電磁界、特に交流磁界を検出する。
【００２７】
この磁界を検出する方法として、ループコイル、ホール素子などがあげられる。
【００２８】
磁界がどの方向からきても検出できるように、三軸方向にセンサを配置して検出する。
【００２９】
なお、フラットパネルセンサの磁界に対しての耐性に方向性がある場合は、磁界の検出軸を限定することは当然可能である。また、検出方法としては、光検出器アレーのダミー部を磁界検出器としてもいい。
【００３０】
ループコイルはＸ線検出器内に近接して内蔵される。なお発信源が特定されている場合、発信源に近接して配置することも可能である。
【００３１】
ノイズ解析手段６７は前記外来電磁界検出器６６からの信号を受けて、信号増幅後、スペクトル解析あるいは帯域を制限した後レベルの検出を行い、外来ノイズを検出したことと共に、ノイズ情報を、駆動器６２を介して。撮像制御器へ送出する。
【００３２】
ＡＣ／ＤＣ電源８０１は、商用ＡＣ電源ラインより、所定のＤＣ電圧に変換するＸ線撮影部外に設けられた電源である。
【００３３】
診断室１４には、ＬＡＮボード３６からの画像を画像処理したり、診断支援する画像処理端末７０やＬＡＮボード３６からの画像（動画像／静止画）を映像表示モニタ７２、イメージ・プリンタ７４及び画像データを格納するファイルサーバ７６が設けられている。
【００３４】
なお、システム制御器２０からの各機器に対する制御信号は、Ｘ線制御室１２内の操作者インターフェース２２、或いは、診断室１４内にある画像処理端末７０からの指示により発生可能である。
【００３５】
次に、システム制御器２０の基本的な動作を説明する。
【００３６】
システム制御器２０は、Ｘ線撮像系のシーケンスを制御する撮像制御器２４に、操作者２１の指示に基づいて撮影条件を指令し、撮像制御器２４は、その指令に基づき、Ｘ線発生器４０、撮影用寝台４８及びＸ線検出器５２を駆動して、Ｘ線像を撮影させる。Ｘ線検出器５２から出力されるＸ線画像信号は、画像処理器２６に供給され、操作者２１指定の画像処理を施されてモニタ３０に画像表示され、同時に、基本画像データとして記憶装置２８に格納される。システム制御器２０は更に、操作者２１の指示に基づいて、再画像処理とその結果の画像表示、ネットワーク上の装置への画像データの転送、保存、映像表示及びフィルム印刷等を実行する。
【００３７】
次に、信号の流れに従って、図１に示すシステムの基本的な動作を説明する。
【００３８】
Ｘ線発生器４０の高圧電圧源４４は、撮像制御器２４からの制御信号に従いＸ線管球４２にＸ線発生のための高圧を印加する。これにより、Ｘ線管球４２はＸ線ビームを発生する。発生されたＸ線ビームはＸ線絞り４６を介して被検体たる患者５０に照射される。Ｘ線絞り４６は、Ｘ線ビームを照射すべき位置に応じて撮像制御器２４により制御される。即ち、Ｘ線絞り４６は、撮像領域の変更に伴い、不必要なＸ線照射を行わないようにＸ線ビームを整形する。
【００３９】
Ｘ線発生器４０が出力するＸ線ビームは、Ｘ線透過性の撮影用寝台４８の上に横たわった被検体５０、及び撮影用寝台４８を透過してＸ線検出器５２に入射する。なお、撮影用寝台４８は、被検体の異なる部位又は方向でＸ線ビームが透過するように撮像制御器２４により制御される。
【００４０】
Ｘ線検出器５２のグリッド５４は、被検体５０を透過することによって生じるＸ線散乱の影響を低減する。撮像制御器２４は、光検出器アレー５８とグリッド５４との格子比の関係によりモアレが生じないように、Ｘ線照射時にグリッド５４を振動させる。シンチレータ５６では、エネルギーの高いＸ線によって蛍光体の母体物質が励起（Ｘ線を吸収）され、その際に発生する再結合エネルギーにより可視領域の蛍光を発生する。シンチレータ５６に隣接して配置された光検出器アレー５８は、シンチレータ５６で発生する蛍光を電気信号に変換する。即ち、シンチレータ５６がＸ線像を過視光像に変換し、光検出器アレー５８が過視光像を電気信号に変換する。Ｘ線露光量モニタ６０は、光検出器アレー５８を透過した過視光（Ｘ線量に比例）を検出し、その検出量情報を撮像制御器２４に供給する。撮像制御器２４は、このＸ線露光量情報に基づき高圧発生電源４４を制御して、Ｘ線を遮断又は調節する。駆動器６２は、撮像制御器２４の制御下で光検出器アレー５８を駆動し、各光検出器から画素信号を読み出す。なお、光検出器アレー５８と駆動器６２の詳細については、後述する。
【００４１】
Ｘ線検出器５２から出力される画素信号は、Ｘ線制御室１２内の画像処理器２６に印加される。Ｘ線室１０内はＸ線発生に伴うノイズが大きいため、Ｘ線検出器５２から画像処理器２６への信号伝送路は耐雑音性の高いものである必要があり、具体的には、高度の誤り訂正機能を具備するデジタル伝送系、差動ドライバによるシールド付きより対線あるいはまた光ファイバを用いることが望ましい。
【００４２】
画像処理器２６は、詳細は後述するが、システム制御器２０からの指令に基づき画像信号の表示形式を切り換えるが、その他には、画像信号の補正、空間フィルタリング及びリカーシブ処理などをリアルタイムで行い、階調処理、散乱線補正及びＤＲ圧縮処理などを実行できる。画像処理器２６により処理された画像は、モニタ３０の画面に表示される。
【００４３】
リアルタイム画像処理と同時に、画像補正のみを行なわれた画像情報（基本画像）は、記憶装置２８に保存される。また、操作者２１の指示に基づいて、記憶装置２８に格納される画像情報は、所定の規格（例えば、Ｉｍａｇｅ  Ｓａｖｅ＆Ｃａｒｒｙ（ＩＳ＆Ｃ））を満たすように再構成された後に、外部記憶装置３４及びファイルサーバ７６内のハードディスクなどに格納される。
【００４４】
Ｘ線制御室１２の装置は、ＬＡＮボード３６を介してＬＡＮ（又はＷＡＮ）に接続する。
【００４５】
ＬＡＮには、複数のＸ線撮像システムを接続できることは勿論である。ＬＡＮボード３６は、所定のプロトコル（例えば、Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ  ａｎｄ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  ｉｎ  Ｍｅｄｉｃｉｎｅ（ＤＩＣＯＭ））に従って、画像データを出力する。ＬＡＮ（又はＷＡＮ）に接続されたモニタ７２の画面にＸ線画像を高解像静止画及び動画を表示することにより、Ｘ線撮影とほぼ同時に、医師によるリアルタイム遠隔診断が可能になる。
【００４６】
図２は、光検出器アレー５８の構成単位の等価回路の一例を示す回路図である。
【００４７】
１つの素子は、光検出部８０と電荷の蓄積及び読み取りを制御するスイッチング薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）８２とからなり、一般には、ガラス基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）により形成される。光検出部８０は更に、光ダイオード８０ａとコンデンサ８０ｂの並列回路、及び、前記コンデンサ８０ｂと直列に接続されたコンデンサ８０ｃとからなる。また、光電効果による電荷を定電流源８１として記述している。コンデンサ８０ｂは光ダイオード８０ａの寄生容量でも、光ダイオード８０ａのダイナミックレンジを改善する追加的なコンデンサでもよい。光検出部８０の共通バイアス電極（以下、Ｄ電極）はバイアス配線Ｌｂを介してバイアス電源８４に接続する。光検出部８０のスイッチングＴＦＴ８２側電極（以下、Ｇ電極）は、スイッチングＴＦＴ８２を介してコンデンサ８６及び電荷読出し用プリアンプ８８に接続する。プリアンプ８８の入力はまた、リセット用スイッチ９０及び信号線バイアス電源９１を介してアースに接続する。
【００４８】
ここで、図３を用いて光検出部８０のデバイス動作について説明する。
【００４９】
図３（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本実施形態のリフレッシュ及び光電変換モードの動作を示す光電変換素子のエネルギバンド図であり、各層の厚さ方向の状態を表している。３０１はＣｒで形成された下部電極（Ｇ電極）である。３０２は電子、ホール共に通過を阻止するＳｉＮで形成された絶縁層であり、その厚みはトンネル効果により電子、ホールが移動できないほどの厚さである５０ｎｍ以上に設定される。３０３は水素化アモルファスシリコンａ−Ｓｉの真性半導体ｉ層で形成された光電変換半導体層、３０４は光電変換半導体層３０３へのホールの注入を阻止するａ−Ｓｉのｎ層の注入阻止層、３０５はＡｌで形成される上部電極（Ｄ電極）である。本実施形態ではＤ電極はｎ層を完全には覆っていないがＤ電極とｎ層との間は電子の移動が自由に行われるためＤ電極とｎ層の電位は常に同電位であり以下の説明ではそれを前提としている。本光電変換素子にはＤ電極、Ｇ電極の電圧印加の仕方によりリフレッシュモードと光電変換モードとの２種類の動作がある。
【００５０】
図３（ａ）において、Ｄ電極はＧ電極に対して負の電位が与えられており、ｉ層３０３中の黒丸で示されたホールは電界によりＤ電極に導かれる。同時に白丸で示された電子はｉ層３０３に注入される。このとき一部のホールと電子はｎ層３０４，ｉ層３０３において再結合して消滅する。十分に長い時間この状態が続けばｉ層３０３内のホールはｉ層３０４から掃き出される。
【００５１】
この状態から光電変換モードの図３（ｂ）のようにするには、Ｄ電極にＧ電極に対して正の電位を与える。するとｉ層３０３中の電子は瞬時にＤ電極に導かれる。しかし、ホールはｎ層３０４が注入阻止層として働くためｉ層３０３に導かれる事はない。この状態でｉ層３０３に光が入射すると、光は吸収されて電子・ホール対が発生する。この電子は電界によりＤ電極に導かれ、ホールはｉ層３０３内を移動してｉ層３０３と絶縁層３０２との界面に達する。しかし、絶縁層３０２内には移動できないため、ｉ層３０３内の絶縁層３０２界面に移動するため、素子内の電気的中性を保つため電流がＧ電極から流れる。この電流は光により発生した電子・ホール対に対応するため、入射した光に比例する。ある期間、光電変換モードの図３（ｂ）の状態を保った後、再びリフレッシュモードの図３（ａ）の状態になると、ｉ層３０３に留まっていたホールは前述のようにＤ電極に導かれ、同時にこのホールに対応した電流が流れる。このホールの量は光電変換モード期間に入射した光の総量に対応する。この時、ｉ層３０３内に注入される電子の量に対応した電流も流れるが、この量はおよそ一定であるため差し引いて検出すればよい。つまり、本実施形態においての光電変換素子はリアルタイムに入射する光の量を出力すると同時に、ある期間に入射した光の総量も出力する事もできる。
【００５２】
しかしながら、何等かの理由により光電変換モードの期間が長くなったり、入射する光の照度が強い場合、光の入射があるにもかかわらず電流が流れない事がある。これは図３（ｃ）のように、ｉ層３０３内にホールが多数留まり、このホールのためｉ層３０３内のホールと再結合してしまうからである。この状態で光の入射の状態が変化すると、電流が不安定に流れる事もあるが、再びリフレッシュモードにすればｉ層３０３のホールは掃き出され次の光電変換モードでは再び光に比例した電流が流れる。
【００５３】
また、前述の説明において、リフレッシュモードでｉ層３０３内のホールを掃き出す場合、全てのホールを掃き出すのが理想であるが、一部のホールを引き出すだけでも効果は有り、前述と等しい電流が得られ、問題はない。つまり、次の光電変換モードでの検出機会において図３（ｃ）の状態になっていなければよく、リフレッシュモードでのＤ電極のＧ電極に対する電位、リフレッシュモードの期間及びｎ層３０４の注入阻止層の特性を決めればよい。また、更にリフレッシュモードにおいてｉ層３０３への電子の注入は必要条件ではなく、Ｄ電極のＧ電極に対する電位は負に限定されるものでもない。ホールが多数ｉ層３０３に留まっている場合には例えＤ電極のＧ電極に対する電位が上であってもｉ層３０３内の電界はホールをＤ電極に導く方向に加わるからである。ｎ層３０４の注入阻止層の特性も同様に電子をｉ層３０３に注入できる事が必要条件ではない。
【００５４】
図２に戻り、１画素の信号の読み出しについて述べる。
【００５５】
先ず、スイッチングＴＦＴ８２とリセット用スイッチ９０を一時的にオンにし、バイアス電源８４をリフレッシュモード時の電位に設定する。コンデンサ８０ｂ，８０ｃがリセットされた後に、バイアス電源８４を光電変換モード時の電位に設定し、スイッチングＴＦＴ８２とリセット用スイッチ９０を順次オフにする。一その後、Ｘ線を発生させて、被検体５０に曝射する。シンチレータ５４が被検体５０を透過してＸ線像を可視光線像に変換し、光ダイオード８０ａは、その可視光線像により導通状態になり、コンデンサ８０ｂの電荷を放電させる。スイッチングＴＦＴ８２をオンにして、コンデンサ８０ｂとコンデンサ８６を接続する。これにより、コンデンサ８０ｃの情報がコンデンサ８６にも伝達される。プリアンプ８８によりコンデンサ８６の蓄積電荷による電圧の増幅、もしくは点線で示されたコンデンサ８９により電荷−電圧変換され、外部に出力される。
【００５６】
図４は、光検出器アレー５８の構成単位の等価回路の別の一例を示す回路図である。
【００５７】
１つの素子は、光検出部８０と電荷の蓄積及び読み取りを制御するスイッチング薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）８２とからなり、一般には、ガラス基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）により形成される。光検出部８０は更に、光ダイオード８０ａとコンデンサ８０ｂの並列回路からなり、光電効果による電荷を定電流源８１として記述している。コンデンサ８０ｂは光ダイオード８０ａの寄生容量でも、光ダイオード８０ａのダイナミックレンジを改善する追加的なコンデンサでもよい。光検出部８０（光ダイオード８０ａ）のカソードは共通電極（Ｄ電極）であるバイアス配線Ｌｂを介してバイアス電源８５に接続する。光検出部８０（光ダイオード８０ａ）のアノードは、ゲート電極（Ｇ電極）からスイッチングＴＦＴ８２を介してコンデンサ８６及び電荷読出し用プリアンプ８８に接続する。プリアンプ８８の入力はまた、リセット用スイッチ９０及び信号線バイアス電源９１を介してアースに接続する。
【００５８】
先ず、スイッチングＴＦＴ８２とリセット用スイッチ９０を一時的にオンにして、コンデンサ８０ｂをリセットし、スイッチングＴＦＴ８２とリセット用スイッチ９０をオフにする。その後、Ｘ線を発生させて、被検体５０に曝射する。シンチレータ５４が被検体５０を透過してＸ線像を可視光線像に変換し、光ダイオード８０ａは、その可視光線像により導通状態になり、コンデンサ８０ｂの電荷を放電させる。スイッチングＴＦＴ８２をオンにして、コンデンサ８０ｂとコンデンサ８６を接続する。これにより、コンデンサ８０ｂの放電量の情報がコンデンサ８６にも伝達される。プリアンプ８８によりコンデンサ８６の蓄積電荷による電圧の増幅、もしくは点線で示されたコンデンサ８９により電荷−電圧変換され、外部に出力される。
【００５９】
次に、図２、図４に示す光電変換素子を２次元に拡張して構成した場合の光電変換動作を説明する。図５は２次元配列の光電変換素子を具備する光検出器アレー５８の等価回路である。
【００６０】
２次元読み出し動作は前記２種類の等価回路において同様であるので、図５は、図４に示した等価回路を用いて示している。
【００６１】
光検出器アレー５８は、２０００×２０００〜４０００×４０００程度の画素から構成され、アレー面積は２００ｍｍ×２００ｍｍ〜５００ｍｍ×５００ｍｍ程度である。図３では、光検出器アレー５８は４０９６×４０９６の画素から構成され、アレー面積は４３０ｍｍ×４３０ｍｍである。従って、１画素のサイズは約１０５μｍ×１０５μｍである。横方向に配置した４０９６個の画素を１ブロックとし、４０９６個のブロックを縦方向に配置して、２次元構成としている。
【００６２】
図５では、４０９６×４０９６画素からなる光検出器アレーを１枚の基板で構成した例を示した。
【００６３】
図２、図４で説明したように、１つの画素は、１つの光検出部８０とスイッチングＴＦＴ８２とからなる。光電変換素子ＰＤ（１，１）〜（４０９６，４０９６）は光検出部８０に対応し、転送用スイッチＳＷ（１，１）〜（４０９６，４０９６）はスイッチングＴＦＴ８２に対応する。光電変換素子ＰＤ（ｍ，ｎ）のゲート電極（Ｇ電極）は、対応するスイッチＳＷ（ｍ，ｎ）を介してその列に対する共通の列信号線Ｌｃｍに接続する。例えば、第１列の光電変換素子ＰＤ（１，１）〜（４０９６，１）は、第１の列信号線Ｌｃ１に接続する。各光電変換素子ＰＤ（ｍ，ｎ）の共通電極（Ｄ電極）は全て、バイアス配線Ｌｂを介してバイアス電源８５に接続する。
【００６４】
同じ行のスイッチＳＷ（ｍ，ｎ）の制御端子は、共通の行選択線Ｌｒｎに接続する。例えば、第１行のスイッチＳＷ（１，１）〜（１，４０９６）は、行選択線Ｌｒ１に接続する。行選択線Ｌｒ１〜４０９６は、ラインセレクタ９２を介して撮像制御器２４に接続する。ラインセレクタ９２は、撮像制御器２４からの制御信号を解読し、どのラインの光電変換素子の信号電荷を読み出すべきかを決定するアドレスデコーダ９４と、アドレスデコ一ダ９４の出力に従って開閉される４０９６個のスイッチ素子９６から構成される。この構成により、任意のラインＬｒｎに接続するスイッチＳＷ（ｍ，ｎ）に接続する光電変換素子ＰＤ（ｍ，ｎ）の信号電荷を読み出すことができる。ラインセレクタ９２は、最も簡単な構成としては、単に液晶ディスプレイなどに用いられているシフトレジスタによって構成してもよい。
【００６５】
列信号線Ｌｃ１〜４０９６は、撮像制御器２４により制御される信号読出し回路１００に接続する。信号読出し回路１００で、１０２−１〜４０９６はリセット用スイッチであり、それぞれ列信号線Ｌｃ１〜４０９６をリセット基準電位１０１にリセットする。１０６−１〜４０９６は、それぞれ列信号線Ｌｃ１〜４０９６からの信号電位を増幅するプリアンプ、１０８−１〜４０９６はそれぞれプリアンプ、１０６−１〜４０９６の出力をサンプルホールドするサンプルホールド（Ｓ／Ｈ）回路１０８−１〜４０９６の出力を時間軸上で多重化するアナログ・マルチプレクサ、１１２はマルチプレクサ１１０のアナログ出力をデジタル化するＡ／Ｄ変換器である。Ａ／Ｄ変換器１１２の出力は画像処理器２６に供給される。
【００６６】
図５に示す光検出器アレーでは、４０９６×４０９６個の画素を列信号線Ｌｃ１〜４０９６により４０９６個の列に分け、１行あたりの４０９６画素の信号電荷を同時に読み出し、各列信号線Ｌｃ１〜４０９６、プリアンプ１０６−１〜４０９６及びＳ／Ｈ回路１０８−１〜４０９６を介してアナログ・マルチプレクサ１１０に転送し、ここで時間軸多重化して、順次、Ａ／Ｄ変換器１１２によりデジタル信号に変換する。
【００６７】
図３では、信号読出し回路１００が、１つのＡ／Ｄ変換器１１２のみを具備するように図示されているが、実際には複数の系統で同時にＡ／Ｄ変換を実行する。これは、アナログ信号帯域とＡ／Ｄ変換レートを不必要に大きくすることなく、画像信号の読み取り時間を短くすることが要求されるためである。信号電荷の蓄積時間とＡ／Ｄ変換時間とは密接な関係にある。高速にＡ／Ｄ変換を行うとアナログ回路の帯域が広くなり所望のＳ／Ｎを達成することが難しくなるので、通常は、Ａ／Ｄ変換速度を不必要に速くすることなく、画像信号の読み取り時間を短くすることが要求される。多くのＡ／Ｄ変換器でマルチプレクサ１１０の出力をＡ／Ｄ変換すればよいが、Ａ／Ｄ変換器の数を増せば、それだけコストが高くなる。よって、上述の点を考慮して適当な数のＡ／Ｄ変換器を用いる。
【００６８】
Ｘ線の照射時間はおよそ１０〜５００ｍｓｅｃであるので、全画面の取り込み時間あるいは電荷蓄積時間を１００ｍｓｅｃのオーダーあるいはやや短めにすることが適当である。
【００６９】
例えば、全画素を順次駆動して１００ｍｓｅｃで画像を取り込むためには、アナログ信号帯域を５０ＭＨｚ程度にし、例えば、１０ＭＨｚのサンプリングレートでＡ／Ｄ変換を行うと、最低でも４系統のＡ／Ｄ変換器が必要になる。本実施形態では、１６系統で同時にＡ／Ｄ変換を行う。１６系統のＡ／Ｄ変換器の出力はそれぞれに対応する１６系統の図示しないメモリ（ＦＩＦＯなど）に入力される。そのメモリを選択して切り替えることにより、連続した１ラインの走査線にあたる画像データが画像処理器２６に転送される。
【００７０】
図６はセンサ読み出しの概要タイミングチャートであり、図５と併せて１回のＸ線照射により静止画撮像を行う場合の二次元駆動について述べる。
【００７１】
６０１は、Ｘ線への曝射要求制御信号、６０２はＸ線の曝射状態、６０３はセンサ内電流源８１の電流、６０４は行選択線Ｌｒｎの制御状態、６０５はＡＤ変換器１１２へのアナログ入力をそれぞれ模式的に示している。
【００７２】
図２参照の等価回路センサでは、先ず、駆動器６２はバイアス配線をリフレッシュモード時のバイアス値Ｖｒにし、全ての列信号配線Ｌｃ１〜４０９６を、列信号配線Ｌｃの所期バイアス値に初期化するためにリセット基準電位１０１に接続し、全ての行選択配線Ｌｒ１〜４０９６に正電圧Ｖｇｈを印加する。すると、ＳＷ（１，１）〜（４０９６，４０９６）がオンし、全ての光電変換素子のＧ電極はＶｂｔに、Ｄ電極はＶｒにリフレッシュされる。
【００７３】
その後、駆動器６２はバイアス配線Ｌｂを光電変換時のバイアス値Ｖｓにし、全ての列信号配線Ｌｃ１〜４０９６をリセット基準電位１０１から開放にし、ＳＷ（１，１）〜（４０９６，４０９６）をオフするために全ての行選択配線Ｌｒ１〜４０９６に電圧Ｖｇ１を印加する。これにより、光電変換モードヘ移行する。
【００７４】
ここからは図２、図４参照のそれぞれの等価回路センサに共通の動作であるので、同時に説明を加える。バイアス配線を光電変換時のバイアス値Ｖｓのまま、全ての列信号配線Ｌｃをリセット基準電位１０１に接続し、列信号線をリセットする。その後、行選択配線Ｌｒ１に正電圧Ｖｇｈを印加し、ＳＷ（１，１）〜（１，４０９６）をオンし、第１列の光電変換素子のＧ電極をＶｂｔにリセットする。次に行選択配線Ｌｒ１を正電圧Ｖｇ１にしてＳＷ（１，１）〜（１，４０９６）をオフする。
【００７５】
行の選択を順次繰り返し、全ての画素のリセットを行い撮影準備が完了する。以上の動作は信号電荷の読み出し操作と同じであり、信号電荷を取り込むか否かの差しかないので、このリセット操作を以後「空読み」と呼ぶ。この空読み動作中で、行選択配線Ｌｒを全て同時にＶｇｈにする事は可能であるが、この場合では読み出し準備完了時に、信号配線電位がリセット電圧Ｖｂｔから大きくずれることなり、高Ｓ／Ｎの信号を得ることが難しい。また、前述の例では、行選択配線Ｌｒを１から４０９６ヘリセットしたが、撮像制御器２４の設定に基づいた駆動器６２の制御により任意の順番でリセットを行うことが可能である。
【００７６】
空読み動作を繰り返して、Ｘ線の曝射要求を待つ。
【００７７】
曝射要求が発生すると、画像取得準備のために、再度空読み動作を行いＸ線曝射に備える。画像取得準備が整った時に、撮像制御機２４の指示に従いＸ線が曝射される。
【００７８】
Ｘ線曝射後、光電変換素子８０の信号電荷を読み出す。まず、光電変換素子アレーのある行（例えばＬｒ１）に対する行選択配線ＬｒにＶｇｈを印加し、蓄積電荷信号を信号配線Ｌｃ１〜４０９６に出力する。列信号配線Ｌｃ１〜４０９６から１列ずつ４０９６画素分の信号を同時に読み出す。
【００７９】
次に、異なる行選択配線Ｌｒ（例えぱＬｒ２）にＶｇｈを印加し、蓄積電荷信号を信号配線Ｌｃ１〜４０９６に出力する。列信号配線Ｌｃ１〜４０９６から１列づつ４０９６画素分の信号を同時に読み出す。この動作を４０９６の列信号配線に順次繰り返す事により、すべての画像情報を読み出す。
【００８０】
前記動作中、各センサの電荷蓄積時間は、リセット動作が完了した時、即ち空読み時のＴＦＴ８２をオフしてから、次に電荷読み出しが行われるためにＴＦＴ８２がオンするまでの間である。従って、各行選択毎に蓄積時間及び時刻が異なる。
【００８１】
Ｘ線画像を読み出した後、補正用画像を取得する。これは、Ｘ線画像の補正に使用するためであり、高画質の画像を取得するために必要な補正データである。基本的な画像取得方法はＸ線を曝射しない点以外は同じである。電荷蓄積時間は、Ｘ線画像を読み出す際と、補正画像を読み出す際とで同じにする。
【００８２】
図７はＸ線検出器５２の撮像動作を含むタイミングチャートである。
【００８３】
図７を中心にＸ線検出器５２の動作について説明する。
【００８４】
７０１は操作者インターフェース２２に対する撮像要求信号、７０２は実Ｘ線曝射状態、７０３は操作者２１の指示に基づいた撮像制御器２４から駆動器６２への撮影要求信号、７０４はＸ秤検出器５２の撮影レディ信号、７０５はグリッド５４の駆動信号、７０６は外来ノイズ検出信号、７０７はＸ線検出器の駆動状態（特に光検出器アレー５８からの電荷読み出し動作）をそれぞれしている。７０８は画像データの転送状態や、画像処理や表示の状態を概念的に表している。
【００８５】
操作者２１からの検出器準備要求または撮影要求が有るまで、駆動器６２はパワー制御をオフ状態で待機する。具体的には、図５において行選択線Ｌｒ、列信号線Ｌｃ、バイアス配線Ｌｂの電位を図示しないスイッチにより同電位（特に信号ＧＮＤレベル）に保ち、光検出器アレー５８にバイアスを印加しない。更には、信号読出し回路１００、ラインセレクタ９２、バイアス電源８４または８５を含む電源を遮断することにより、前記行選択線Ｌｒ、列信号線Ｌｃ、バイアス配線Ｌｂの電位をＧＮＤ電位に保っても良い。
【００８６】
操作者２１の操作者インターフェース２２に対する撮影準備の要求指示（７０１：１ｓｔＳＷ）により、撮像制御器２４はＸ線発生器４０を撮影レディ状態に遷移させるとともに、Ｘ線検出器５２に対して撮影準備状態へ移行させる指示を出す。指示を受けた駆動器６２は光検出器アレー５８にバイアスを印加するとともに、（リフレッシュ及び）空読みＦｉを繰り返す。要求指示は、例えば、Ｘ線発生装置への曝射要求ＳＷの１ｓｔスイッチ（通常は管球のロータアップなどが開始される。）や、Ｘ線検出器５２が撮影準備のために所定時間（数秒以上）を要する場合などは、Ｘ線検出器５２の準備を開始するための指示である。
【００８７】
また、このとき同時に、撮像制御器２４は、外来ノイズがないか、ある場合はどのようなノイズであるのか、ノイズ解析手段６７からの外来ノイズ情報を駆動器６２を介して取得する。ノイズ解析手段６７は、外来電磁界検出器６６からの出力を逐次解析し、撮像制御器２４からの要請に応える。
【００８８】
なお、操作者２１が、Ｘ線検出器５２に対すじで意識的に撮影準備の要求指示を出さなくても良い。即ち、操作者インターフェース２２に対して、患者情報、撮影情報などが入力されたことをもって、撮像制御機２４は検出器準備の要求指示と解釈して、Ｘ線検出器５２を検出器準備状態へ移行させ、外来ノイズの情報取得をしても良い。
【００８９】
検出器準備状態では、光電変換モードにおいて、空読み後、光検出部８０に暗電流が徐々に蓄積されてコンデンサ８０ｂ（ｃ）が飽和状態で保持されることを避けるため、（リフレッシュＲ及び）空読みＦｉを所定間隔で繰り返す。この操作者２１からの撮影準備要求が有りながら実際のＸ線曝射要求が発生していない期間に行う駆動、即ち、検出器準備状態に行う空読みＦｉを所定時間間隔Ｔ１で繰り返す駆動を以後「アイドリング駆動」と呼び、アイドリング駆動を行っている検出器準備状態の期間を「アイドリング駆動期間」と呼ぶ。このアイドリング駆動期間は、どの程度続くかが実使用上、未定義のため、光検出器アレー５８（特にＴＦＴ８２）に負荷のかかる読み出し動作は極力少なくするためにＴ１は通常の撮影動作時よりも長く設定し、通常の読み出し駆動ＦｒよりもＴＦＴ８２のオン時間の短いアイドリング専用空読み駆動Ｆｉを行う。また、リフレッシュＲ動作が必要なセンサの場合には、空読みＦｉ数回に対して１回リフレッシュＲ動作を行うようにする。
【００９０】
次に、Ｘ線検出器５２を中心としたＸ線画像取得について述べる。
【００９１】
Ｘ線検出器５２のＸ線画像取得時の駆動は大きく二つの画像取得からなる。７０７に示した通り、１つはＸ線画像取得駆動であり、残りは補正用暗画像取得駆動である。それぞれの駆動は概ね同じであり、Ｘ線曝射が行われる動作が有るか否かが主な違いである。更にそれぞれの駆動とも、撮像準備シーケンス、電荷蓄積（曝射ウィンドウ）、画像読み出しの３つの部分から構成される。
【００９２】
以下、順を追ってＸ線画像取得について述べる。
【００９３】
操作者２１から操作者インターフェース２２に対する撮影要求指示（７０１：２ｎｄＳＷ）により、撮像制御器２４はＸ線発生器４０とＸ線検出器５２との同期を取りながら撮影動作を制御する。撮影要求指示（７０１：２ｎｄＳＷ）に従いＸ線曝射要求信号７０３に示すタイミングでＸ線検出器に対し、撮像要求信号をアサートする。
【００９４】
それとともに、撮像制御器２４は、ノイズ解析手段６７からの外来ノイズ情報を駆動器６２を介して取得する。撮像制御器２４は、外来ノイズ情報とＸ線発生器４０に事前に設定している、Ｘ線爆射条件から、外来ノイズレベルに合わせて、撮影画像に影響が現れないようにＸ線爆射条件を変更する。Ｘ線爆射条件としては、Ｘ線発生装置の管電流ならびに爆射時間、及び管電圧の設定などがある。比較的容易であるのは、管電流および管電圧をそのままとして、爆射時間を制御することであり、この後はその例で説明する。なお、管電流及び管電圧の設定変更する場合では、撮像制御器２４がＸ線発生器４０に再設定をおこなう。外来ノイズレベルと最適Ｘ線照射線量の関係についてはあらかじめ最適化して設定してあり、撮影部位などに応じて対応させることも可能である。
【００９５】
なお、爆射量の限界値はあらかじめ設定している。
【００９６】
また、あらかじめ設定してある外来ノイズ許容限界レベルを超えた、外来ノイズを検出した場合、撮像制御器２４は、表示制御器３２を介して、外来ノイズの警告を発するとともに、Ｘ線爆射を中止し、操作者に外来ノイズの発振源からＸ線検出器を離すように促す。
【００９７】
元にもどって、一方撮影要求指示により、駆動器は撮像要求信号に呼応して撮像駆動状態７０７に示すように所定の撮像準備シーケンス駆動を行う。具体的には、リフレッシュが必要な場合はリフレッシュを行い、そして、撮像シーケンスのための専用空読みＦＰを所定回数及び電荷蓄積状態専用空読みＦｐｆを行って電荷蓄積状態（撮像ウィンドウ：Ｔ４）に遷移する。
【００９８】
その際、撮像シーケンスのための空読みＦｐの回数及び時間間隔丁２は、撮像制御機２４から撮像要求に先んじて予め設定された値に基づいて行う。これは操作者２１の要求により操作性重視なのか画質重視なのか、または撮像部位により自動的に最適な駆動を選択して切り替える。曝射要求から撮影準備完了までの期間（Ｔ３）は所用時間が短いことが実使用上要求されるので、そのために撮像準備シーケンス専用空読みＦｐを行う。さらに、アイドリング駆動のいかなる状態からも曝射要求が発生した場合は、即時撮像準備シーケンス駆動に入ることにより曝射要求から撮影準備完了までの期問（Ｔ３）を短くすることにより、操作性の向上を図る。
【００９９】
さて、駆動器６２は検出器アレー５８の撮像準備を行うのと同期して、グリッド５４を移動させ始める。これは実Ｘ線曝射７０２に同期してグリッドを最適な移動状態で撮像を行うためである。この場合も、駆動器６２は撮像制御器により設定された、最適グリッド移動開始タイミング、最適グリッド移動速度で動作する。
【０１００】
Ｘ線検出器５２の撮像準備が整った時点で、駆動器６２は撮像制御器２４に対し、Ｘ線検出器レディ信号７０４を返し、撮像制御器２４はこの信号の遷移を元にして、Ｘ線発生要求信号７０２としてＸ線発生器４ｑにアサートする。Ｘ線発生器４０は、Ｘ線発生要求信号７０２が与えられている間、Ｘ線を発生し、その後、前述したように外来ノイズレベルに応じてその発生時間を制御する。検出した外来ノイズに対して影響を与えない所定Ｘ線量を発生したら撮像制御器２４はＸ線発生要求信号７０２をネゲートするとともにＸ線撮像要求信号７０３をネゲートすることによりＸ線検出器５２へ画像取得タイミングを通知する。
【０１０１】
このタイミングを元にして駆動器６２は直ちにグリッド５４を静止するとともに、読出し回路１００の動作を開始させる。
【０１０２】
グリッド５４静止時間及び信号読み出し回路１００の安定のための所定ウェイト時間後、駆動器６２に基づいてＸ線検出器アレー５８から画像データを読み出して画像処理器２６に生画像を取得する処理が完了すると駆動器６２は読み出し回路１００を再び待機状態に遷移させる。
【０１０３】
引き続き、Ｘ線検出器５２は補正画像を取得する。即ち、先の撮像のための撮像シーケンスを繰り返し、Ｘ線照射の無い暗画像を取得し、画像処理器２６に補正用暗画像を転送する。
【０１０４】
この時、撮像シーケンスは撮影の度にＸ線曝射時間など若干異なる可能性が有るが、それも含めて全く同じ撮影シーケンスを再現して略画像を取得することにより、より高画質な画像が得られる。但し、グリッド５４の動作はこの限りでなく、略画像取得時には振動の影響を抑えるために静止させておくようにしてもよい。この場合、ほぼ画像を取得した後、画質に影響しない所定のタイミングでグリッド５４の初期化動作を行う。
【０１０５】
なお、撮像制御器２４が、外来ノイズ確認を行うタイミングを撮影準備の要求指示（７０１：１ｓｔＳＷ）としたが、これに限定されることはなく、撮影要求指示（７０１：２ｎｄＳＷ）であっても、さらには爆射中であってもよい。ただしその場合は、爆射時間を制御することに限定される。管電流及び管電圧を制御するには、撮影準備の要求指示（７０１：１ｓｔＳＷ）が出た時点がよい。
【０１０６】
図８は画像処理器２６の画像データの流れを示している。８０１はデータパスを選択するマルチプレクサ、８０２及び８０３はそれぞれＸ線画像用及び略画像用フレームメモリ、８０４はオフセット補正回路、８０５はゲイン補正データ用フレームメモリ、８０６はゲイン補正用回路、８０７は欠陥補正回路、８０８はその他の画像処理回路を代表してそれぞれ現している。
【０１０７】
図７でＸ線画像取得フレームＦｒｘｏフレームで取得されたＸ線画像が、マルチプレクサ８０１を経由してＸ線画像用フレームメモリ８０２に記憶され、続いて補正画像取得フレームＦｒｎｏフレームで取得された補正画像が、同様にマルチプレクサ８０１を経由して暗画像用フレームメモリ８０３に記憶される。
【０１０８】
ほぼ画像の記憶完了から、オフセット補正回路８０４によりオフセット補正（例えばＦｒｘｏ−Ｆｒｎｏ）が行われ、引き続き予め取得されゲイン補正用フレームメモリに記憶してあるゲイン補正用データＦｇを用いて、ゲイン補正回路８０６がゲイン補正（例えば、（Ｆｒｘｏ−Ｆｒｎｏ）／Ｆｇ）を行う。引き続き欠陥補正回路８０７に転送されたデータは、不感画素や複数パネルで構成されたＸ線検出器５２のつなぎ日部などに違和感を生じないように画像を連続的に補間して、Ｘ線検出器５２に由来するセンサ依存の補正処理を完了する。
【０１０９】
更に、その他の画像処理回路８０８にて、一般的な画像処理、例えば、階調処理、周波数処理、強調処理などの処理を施した後、表示制御機３２に処理済データを転送して、モニタ３０に撮影画像を表示する。
【０１１０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によればＸ線発生装置に対して各種爆射などの撮影条件を与える手段とシステムコントロール用のＰＣと外来性ノイズを検出する手段からなり、Ｘ線を爆射する前に該外来性ノイズ検出手段で外来性ノイズを検出し、その検出内容に応じて該Ｘ線発生装置に与える撮影条件を変更させることによりさまざまな環境下に持ち運ばれて使用されるモバイル用など、外来性ノイズがノイジーな環境下でも良好な画質を提供することが可能となる。
【０１１１】
さらには、許容外の強力な外来ノイズを受けた場合は、システムコントロール用ＰＣに伝達し、爆射を中止するよう警告を発するため、無用な爆射を避けることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ｘ線撮像システムの概要を示す模式図である。
【図２】第１の光検出部の等価回路を示す回路図である。
【図３】第１の光検出部のエネルギバンドを示す特性図である。
【図４】第２の光検出部の等価回路を示す回路図である。
【図５】光検出器アレーの構成例を示す模式図である。
【図６】光検出器アレーの駆動概念を示すタイミングチャートである。
【図７】第１の実施形態のＸ線撮像システムのタイミングチャートである。
【図８】取得画像の処理を示すフローブロック図である。
【符号の説明】
１０  Ｘ線室
１２  Ｘ線制御室
１４  診断室
２０  システム制御器
２１  操作者
２４  撮像制御器
２６  画像処理器
３０  モニタ
４０  Ｘ線発生器
４８  撮影用寝台
５０  患者
５２  Ｘ線検出器
５４  グリッド
５８  光検出器アレー
６２  駆動器
８０  光検出部
８２  スイッチング薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
８４  バイアス電源
８５  バイアス電源
９２  ラインセレクタ
１００  信号読出し回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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