(57)【要約】【課題】  製造不良をなくして歩留まりのよいシリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法並びに液体噴射ヘッドを提供する。【解決手段】  シリコンウェハ１３０から分割された矩形状のシリコン基板３０を有すると共に当該シリコン基板３０にデバイス用貫通孔３１及びデバイス用凹部３２の少なくとも一方を有するシリコンデバイスの製造方法であって、前記シリコンウェハ１３０の外縁領域近傍で前記シリコン基板３０となる領域以外の残り領域の少なくとも角部に、当該シリコンウェハ１３０の少なくとも一方の表面に開口する開口部１４１を形成し、その後、前記シリコンウェハ１３０を分割することで複数の前記シリコンデバイスを形成する。【選択図】        図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェハから分割された矩形状のシリコン基板を有すると共に当該シリコン基板にデバイス用貫通孔及びデバイス用凹部の少なくとも一方を有するシリコンデバイスの製造方法であって、
前記シリコンウェハの外縁領域近傍で前記シリコン基板となる領域以外の残り領域の少なくとも角部に、当該シリコンウェハの少なくとも一方の表面に開口する開口部を形成し、その後、前記シリコンウェハを分割することで複数の前記シリコンデバイスを形成することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記開口部を前記角部のそれぞれに複数形成することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記開口部が前記シリコンウェハを厚さ方向に貫通する貫通孔からなることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかにおいて、前記開口部の内面を前記シリコンウェハの表面に直交する結晶面方位と交差する方向で形成することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかにおいて、前記シリコンウェハの前記シリコン基板となる領域に前記デバイス用貫通孔又は前記デバイス用凹部を形成すると共に同時に前記開口部を形成することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れかにおいて、前記シリコンウェハを異方性エッチングすることにより前記開口部を形成することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６の何れかにおいて、前記シリコンデバイスが、ノズル開口に連通する圧力発生室が画成されると共に、振動板を介して設けられて前記圧力発生室に圧力変化を生じさせる圧電素子を具備する流路形成基板と、前記流路形成基板の前記圧電素子側の面に接合されて前記圧力発生室の共通の液体室となるリザーバ部を有するリザーバ形成基板との接合体であり、前記シリコン基板が前記リザーバ形成基板であることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜６の何れかにおいて、前記シリコンデバイスが、ノズル開口に連通する圧力発生室が画成されると共に、振動板を介して設けられて前記圧力発生室に圧力変化を生じさせる圧電素子を具備する流路形成基板と、前記流路形成基板の前記圧電素子側の面に接合されて前記圧力発生室の共通の液体室となるリザーバ部を有するリザーバ形成基板との接合体であり、前記シリコン基板が前記流路形成基板であることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８の製造方法によって形成されたことを特徴とする液体噴射ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェハを分割することで形成されたシリコン基板を用いたシリコンデバイスの製造方法に関し、特に、液滴を吐出するノズル開口に連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板の表面に圧電素子を形成して、圧電体層の変位により液滴を吐出させる液体噴射ヘッドの製造方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射装置としては、例えば、圧電素子や発熱素子によりインク滴吐出のための圧力を発生させる複数の圧力発生室と、各圧力発生室にインクを供給する共通のリザーバと、各圧力発生室に連通するノズル開口とを備えたインクジェット式記録ヘッドを具備するインクジェット式記録装置があり、このインクジェット式記録装置では、印字信号に対応するノズルと連通した圧力発生室内のインクに吐出エネルギを印加してノズル開口からインク滴を吐出させる。
【０００３】
インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッドには、圧電素子の軸方向に伸長、収縮する縦振動モードの圧電アクチュエータを使用したものと、たわみ振動モードの圧電アクチュエータを使用したものの２種類が実用化されている。
【０００４】
ここで、後者のインクジェット式記録ヘッドの製造方法としては、まず、流路形成基板となるシリコンウェハの一方面に振動板及び圧電素子を形成した後、シリコンウェハの圧電素子側に圧電素子の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部が設けられた接合基板を接合する。その後、シリコンウェハを他方面側からエッチングすることで、圧力発生室を形成した後、シリコンウェハを複数に分割することで形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
このように、１枚のシリコンウェハに複数の流路形成基板を形成すると、流路形成基板には、圧力発生室や連通部などの貫通孔や凹部などが形成されるため、流路形成基板として分割される領域は他の領域に比べて強度が低くなっている。このため、シリコンウェハの分割工程や、シリコンウェハの研磨等による薄厚化工程などの際に、強度の低い流路形成基板となる領域以外の残り領域の角部に接する流路形成基板となる領域に応力が集中してしまい、シリコンウェハにクラックなどの製造不良が生じてしまうという問題がある。また、流路形成基板となるシリコンウェハと接合基板となるシリコンウェハとを接合した際に、接合基板となるシリコンウェハには、圧電素子保持部が形成されているため、流路形成基板となるシリコンウェハは圧電素子保持部に対向する領域のみが撓み変形する。このときにも、シリコンウェハの残り領域の角部に接する流路形成基板となる領域に応力が集中してしまいクラック等の製造不良が生じてしまうという問題がある。なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッド等の液体噴射ヘッドだけではなく、シリコンウェハを分割することで形成された矩形状のシリコン基板を用いたシリコンデバイスの製造方法においても同様に存在する。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−０３６５４７号公報（第３〜４図、第６〜７頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような課題に鑑み、製造不良をなくして歩留まりのよいシリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法並びに液体噴射ヘッドを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、シリコンウェハから分割された矩形状のシリコン基板を有すると共に当該シリコン基板にデバイス用貫通孔及びデバイス用凹部の少なくとも一方を有するシリコンデバイスの製造方法であって、前記シリコンウェハの外縁領域近傍で前記シリコン基板となる領域以外の残り領域の少なくとも角部に、当該シリコンウェハの少なくとも一方の表面に開口する開口部を形成し、その後、前記シリコンウェハを分割することで複数の前記シリコンデバイスを形成することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる第１の態様では、シリコンウェハの所定領域に開口部を形成することによって、外縁領域よりも脆弱な脆弱部を形成し、脆弱部周辺に応力が集中するのを防止してシリコンデバイスにクラック等の製造不良が生じるのを防止することができ、歩留まりを向上することができる。
【０００９】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記開口部を前記角部のそれぞれに複数形成することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる第２の態様では、開口部を複数形成することで、角部の強度調整を容易に行うことができる。
【００１０】
本発明の第３の態様は、第１又は２の態様において、前記開口部が前記シリコンウェハを厚さ方向に貫通する貫通孔からなることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる第３の態様では、開口部となる貫通孔を容易に且つ高精度に形成することができる。
【００１１】
本発明の第４の態様は、第１〜３の何れかの態様において、前記開口部の内面を前記シリコンウェハの表面に直交する結晶面方位と交差する方向で形成することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる第４の態様では、開口部周辺の強度が著しく低下するのを防止してクラック等が発生するのを防止することができる。
【００１２】
本発明の第５の態様は、第１〜４の何れかの態様において、前記シリコンウェハの前記シリコン基板となる領域に前記デバイス用貫通孔又は前記デバイス用凹部を形成すると共に同時に前記開口部を形成することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる第５の態様では、製造工程を増やすことなく開口部を形成することができ、高コストになるのを防止することができる。
【００１３】
本発明の第６の態様は、第１〜５の何れかの態様において、前記シリコンウェハを異方性エッチングすることにより前記開口部を形成することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる第６の態様では、開口部を容易に且つ高精度に形成することができる。
【００１４】
本発明の第７の態様は、第１〜６の何れかの態様において、前記シリコンデバイスが、ノズル開口に連通する圧力発生室が画成されると共に、振動板を介して設けられて前記圧力発生室に圧力変化を生じさせる圧電素子を具備する流路形成基板と、前記流路形成基板の前記圧電素子側の面に接合されて前記圧力発生室の共通の液体室となるリザーバ部を有するリザーバ形成基板との接合体であり、前記シリコン基板が前記リザーバ形成基板であることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第７の態様では、シリコンウェハの所定の領域に応力が集中するのを防止して、流路形成基板及びリザーバ形成基板にクラック等の製造不良が生じるのを防止することができ、歩留まりを向上することができる。
【００１５】
本発明の第８の態様は、第１〜６の何れかの態様において、前記シリコンデバイスが、ノズル開口に連通する圧力発生室が画成されると共に、振動板を介して設けられて前記圧力発生室に圧力変化を生じさせる圧電素子を具備する流路形成基板と、前記流路形成基板の前記圧電素子側の面に接合されて前記圧力発生室の共通の液体室となるリザーバ部を有するリザーバ形成基板との接合体であり、前記シリコン基板が前記流路形成基板であることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第８の態様では、流路形成基板が形成されるシリコンウェハの所定の領域に応力が集中するのを防止して、流路形成基板にクラック等の製造不良が生じるのを防止することができ、歩留まりを向上することができる。
【００１６】
本発明の第９の態様は、第７又は８の態様の製造方法によって形成されたことを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる第９の態様では、信頼性の高い液体噴射ヘッドを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態）
図１は、本発明の一実施形態に係る液体噴射ヘッドを示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及び断面図である。液体噴射ヘッドを構成する流路形成基板１０は、本実施形態では、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる弾性膜５０が形成されている。この流路形成基板１０には、その他方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁１１によって区画された圧力発生室１２が、幅方向（ノズル開口の並設方向）に並設された列が２列形成されている。また、各列の圧力発生室１２の長手方向（ノズル開口の並設方向と直交する方向）の外側には、後述するリザーバ形成基板３０に設けられるリザーバ部３１と連通し、各圧力発生室１２の共通の液体室となるリザーバ１００を構成する連通部１３が形成されている。また、連通部１３は、液体供給路１４を介して各圧力発生室１２の長手方向一端部とそれぞれ連通されている。この圧力発生室１２は、流路形成基板１０をほぼ貫通して弾性膜５０に達するまでＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングすることにより形成されている。ここで、弾性膜５０は、シリコン単結晶基板をエッチングするアルカリ溶液に侵される量がきわめて小さい。
【００１８】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２の液体供給路１４とは反対側で連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が接着剤や熱溶着フィルム等を介して固着されている。すなわち、本実施形態では、１つの液体噴射ヘッドにノズル開口２１の列が２列設けられている。
【００１９】
一方、流路形成基板１０の開口面とは反対側には、弾性膜５０上に、絶縁体膜５５が形成されており、この絶縁体膜５５上に金属からなる下電極膜６０と、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、金属からなる上電極膜８０とを順次積層することで形成された圧電素子３００が形成されている。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。なお、上述した例では、圧電素子３００の下電極膜６０、弾性膜５０及び絶縁体膜５５が振動板として作用する。また、圧電素子３００の上電極膜８０の長手方向一端部近傍から流路形成基板１０の２列の圧力発生室１２の間まで引き出された引き出し配線として、リード電極９０が延設されている。そして、このリード電極９０は、接続孔３３で後述する駆動ＩＣ１１０とボンディングワイヤ１１１を介して電気的に接続されている。
【００２０】
このような圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上には、リザーバ１００の少なくとも一部を構成するリザーバ部３１を有するリザーバ形成基板３０が接合されている。このリザーバ部３１は、本実施形態では、リザーバ形成基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通の液体室となるリザーバ１００を構成している。
【００２１】
また、リザーバ形成基板３０の圧電素子３００に対向する領域には、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部３２が各圧電素子３００の列に対応して２つ設けられている。また、リザーバ形成基板３０の２つの圧電素子保持部３２の間には、リザーバ形成基板３０を厚さ方向に貫通することで形成された接続孔３３が設けられている。そして、各圧電素子３００から引き出された引き出し配線であるリード電極９０は、その端部近傍が接続孔３３内で露出されており、リード電極９０は接続孔３３内でリザーバ形成基板３０上に設けられた各圧電素子３００を駆動するための駆動ＩＣ１１０の各端子とボンディングワイヤ１１１を介して接続されている。
【００２２】
このようなリザーバ形成基板３０としては、ガラス、セラミック、金属、プラスチック等を挙げることができるが、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料の面方位（１１０）のシリコン単結晶基板を用いて形成した。このようなシリコン単結晶基板からなるリザーバ形成基板３０には、流路形成基板１０の圧力発生室１２と同様に、ＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングによりリザーバ部３１及び圧電素子保持部３２を形成することができる。
【００２３】
なお、このようなリザーバ形成基板３０は、詳しくは後述するが、シリコン単結晶基板からなるリザーバ形成基板用シリコンウェハに複数個が一体的に形成される。そして、このリザーバ形成基板用シリコンウェハを複数の流路形成基板１０が一体的に形成された流路形成基板用シリコンウェハに接合した後、リザーバ形成基板用シリコンウェハ及び流路形成基板用シリコンウェハを同時に分割することによって図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０とリザーバ形成基板３０との接合体を形成することができる。
【００２４】
また、このようなリザーバ形成基板３０上には、コンプライアンス基板４０が接合されている。コンプライアンス基板４０のリザーバ１００に対向する領域には、リザーバ１００に液体を供給するための液体導入口４４が厚さ方向に貫通することで形成されている。また、コンプライアンス基板４０のリザーバ１００に対向する領域の液体導入口４４以外の領域は、厚さ方向に薄く形成された可撓部４３となっており、リザーバ１００は、可撓部４３により封止されている。この可撓部４３により、リザーバ１００内にコンプライアンスを与えている。
【００２５】
以下、このような本実施形態の液体噴射ヘッドの製造方法の一例について、図３〜図６を参照して説明する。なお、図３〜図５は、シリコンウェハの圧力発生室１２の長手方向の一部を示す断面図であり、図６は、シリコンウェハの平面図ある。
【００２６】
まず、図３（ａ）に示すように、複数の流路形成基板１０となる流路形成基板用シリコンウェハ１２０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化して弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５２を全面に形成する。この二酸化シリコン膜５２は、詳しくは後述するが、弾性膜５０を構成すると共に流路形成基板用シリコンウェハ１２０をエッチングする際のマスク膜５１として用いられるものである。次いで、図３（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５２）上に、ジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化して酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜５５を形成する。次いで、図３（ｃ）に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜５５上に積層することにより下電極膜６０を形成後、この下電極膜６０を所定形状にパターニングする。
【００２７】
次に、図３（ｄ）に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、例えば、イリジウムからなる上電極膜８０とを流路形成基板用シリコンウェハ１２０の全面に形成し、圧電体層７０及び上電極膜８０を、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。
【００２８】
次に、図４（ａ）に示すように、リード電極９０を形成する。具体的には、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０を流路形成基板用シリコンウェハ１２０の全面に亘って形成すると共に、各圧電素子３００毎にパターニングする。以上が膜形成プロセスである。このようにして膜形成を行った後、図６に示すように、リザーバ形成基板３０となるリザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０にリザーバ部３１、圧電素子保持部３２及び接続孔３３等を形成して、複数のリザーバ形成基板３０を一体的に形成する。ここで、リザーバ部３１、圧電素子保持部３２及び接続孔３３は、リザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０をＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングすることにより形成することができる。なお、圧電素子保持部３２は、リザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０を貫通することなく浅く形成されているため、リザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０を厚さ方向に途中までハーフエッチングすることにより形成することができる。このハーフエッチングは、エッチング時間の調整により行うことができる。
【００２９】
また、リザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０の外縁領域近傍でリザーバ形成基板３０となる領域以外の残り領域の少なくとも角部に開口部１４１を形成する。本実施形態では、リザーバ形成基板３０となる領域の一辺と、これに隣接するリザーバ形成基板３０となる領域の一辺との二辺で画成された三角形状に画成された角部の全面に所定間隔で複数の開口部１４１を形成した。このような開口部１４１によって、リザーバ形成基板３０となる領域以外の領域、すなわち、外縁領域よりも脆弱となる脆弱部１４０が形成されている。なお、開口部１４１は、リザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０の外縁領域よりも脆弱となっていればよく、例えば、リザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０を厚さ方向に貫通した貫通孔や、一方の表面にのみ開口する凹部によって形成することができる。本実施形態では、リザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０に厚さ方向に貫通した貫通孔を形成することで、開口部１４１を形成した。
【００３０】
このようにリザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０に開口部１４１を形成することにより、外縁領域よりも脆弱な脆弱部１４０を形成することができ、後の工程で、流路形成基板１０となる流路形成基板用シリコンウェハ１２０と接合した際に、流路形成基板用シリコンウェハ１２０の脆弱部１４１に近接する領域、すなわち、流路形成基板１０となる領域に応力が集中するのを防止して、流路形成基板用シリコンウェハ１２０にクラック等の製造不良が生じるのを防止することができる。
【００３１】
なお、脆弱部１４０を構成する複数の開口部１４１は、リザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０に複数のリザーバ形成基板３０を一体的に形成する際に同時に形成することができる。すなわち、開口部１４１は、リザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０をＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングすることによりリザーバ部３１等と同時に形成することができる。これにより、開口部１４１を容易に且つ高精度に形成することができると共に、開口部１４１を別途形成する工程が不要となり、製造工程が増加するのを防止して製造コストが高コストになるのを防止することができる。
【００３２】
また、開口部１４１の内面は、異方性エッチングにより形成された表面と直交する結晶面方位、すなわち、リザーバ部３１、圧電素子保持部３２及び接続孔３３の内面である（１１１）面とは交差する方向であるのが好ましい。これは、開口部１４１の内面を（１１１）面で形成すると、（１１１）面に沿ってクラックが生じやすくなると共に、開口部１４１で構成された脆弱部１４０周辺の強度が脆弱になり過ぎて脆弱部１４０の周辺が破壊されてしまう虞があるからである。
【００３３】
次に、図４（ｂ）に示すように、流路形成基板１０の圧電素子３００側にリザーバ部３１、圧電素子保持部３２、接続孔３３及び脆弱部１４０が設けられたリザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０を接合する。このとき、流路形成基板用シリコンウェハ１２０は、リザーバ部３１、圧電素子保持部３２、接続孔３３及び脆弱部１４０に対向する領域で、リザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０側に撓み変形する。これにより、流路形成基板用シリコンウェハ１２０の脆弱部１４０に近接する領域、すなわち、流路形成基板１０となる領域に応力が集中するのを防止して、流路形成基板１０にクラック等の製造不良が生じるのを防止することができると共に歩留まりを向上することができる。
【００３４】
次に、図４（ｃ）に示すように、流路形成基板１０となる流路形成基板用シリコンウェハ１２０の圧電素子３００が設けられた面とは反対側の面に設けられたマスク膜５１を所定形状にパターニングし、パターニングされたマスク膜５１を介して流路形成基板用シリコンウェハ１２０を異方性エッチングすることにより、圧力発生室１２、連通路１３及び液体供給路１４を有する流路形成基板１０を複数一体的に形成する。次に、図５に示すように、流路形成基板用シリコンウェハ１２０及びリザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０を同時に分割することで、図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０及びリザーバ形成基板３０の接合体とする。このとき、脆弱部１４０が形成された領域は切断されるため、リザーバ形成基板３０には脆弱部１４０が残ることがない。なお、流路形成基板用シリコンウェハ１２０及びリザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０の分割は、例えば、ダイヤモンドカッターを用いたダイシング等により行うことができる。その後は、流路形成基板１０の圧力発生室１２等が開口する面側にノズル開口２１の設けられたノズルプレート２０を接合すると共に、リザーバ形成基板３０上にコンプライアンス基板４０を接合することで、液体噴射ヘッドを形成することができる。
【００３５】
（他の実施形態）
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、開口部１４１をリザーバ部３１と同時に形成するようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、開口部１４１をリザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０にリザーバ部３１及び圧電素子保持部３２を形成するのとは別工程で形成するようにしてもよい。勿論、開口部１４１の形成方法は、ウェットエッチングに限定されず、例えば、ドライエッチング等により形成してもよい。
【００３６】
また、例えば、上述した実施形態では、流路形成基板用シリコンウェハ１２０及びリザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０として、面方位（１１０）のシリコンウェハを用いるようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、面方位（１１１）のシリコンウェハを用いるようにしてもよい。さらに、例えば、上述した実施形態では、開口部１４１をリザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０のリザーバ形成基板３０となる領域で画成される角部に複数形成するようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、リザーバ形成基板３０となる領域以外の残り領域の各角部に、１つの大きな貫通孔又は凹部からなる開口部を形成するようにしてもよい。この場合、開口部により形成された脆弱部がリザーバ形成基板３０となる領域に比べて著しく脆弱になると、破壊され易くなってしまうため、リザーバ形成基板３０となる領域の強度に合わせた大きさで適宜設けるようにすればよい。また、上述した実施形態では、開口部１４１をリザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０のリザーバ形成基板３０となる領域以外の残り領域の角部にのみ形成するようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、リザーバ形成基板３０となる領域以外の残り領域の全てに開口部１４１を形成するようにしてもよい。
【００３７】
さらに、上述した実施形態では、リザーバ形成基板３０に圧電素子保持部３２を設けるようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、リザーバ形成基板の圧電素子３００に対向する領域に厚さ方向に貫通した圧電素子保持孔を設けるようにしてもよい。この場合、例えば、圧電素子３００及びリード電極９０の表面を無機絶縁材料からなる絶縁膜によって覆い、水分（湿気）に起因する圧電体層７０の破壊を防止するようにすればよい。
【００３８】
また、上述した実施形態では、リザーバ形成基板用シリコンウェハ１３０に脆弱部１４０を形成するようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、流路形成基板用シリコンウェハ１２０の流路形成基板１０となる領域以外の残りの領域の少なくとも角部に開口部を形成して脆弱部を形成するようにしてもよい。なお、流路形成基板用シリコンウェハ１２０は、分割工程や研磨等による薄厚化工程などの際にも応力がかかるため、このときの応力による流路形成基板１０の破壊を脆弱部によって防止することができる。また、流路形成基板用シリコンウェハ１２０の一方面には下電極膜６０等の金属膜が形成されているため、流路形成基板用シリコンウェハ１２０には金属膜とシリコンウェハとの熱膨張率の違いや、金属膜の収縮などにより応力がかかり、流路形成基板用シリコンウェハ１２０にはクラック等の製造不良が発生しやすい。このような製造不良も、流路形成基板用シリコンウェハ１２０に開口部で形成された脆弱部を形成することにより、流路形成基板用シリコンウェハ１２０に応力が集中するのを防止してクラック等の製造不良が発生するのを防止することができる。
【００３９】
また、上述した実施形態では、成膜及びリソグラフィプロセスを応用して製造される薄膜型の液体噴射ヘッドを例にしたが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、グリーンシートを貼付する等の方法により形成される厚膜型の液体噴射ヘッドにも本発明を採用することができる。さらに、上述した実施形態では、プリンタ等の画像記録装置に用いられる記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等の液体噴射ヘッドの製造方法を一例として説明したが、本発明は、広くシリコンウェハを用いたシリコンデバイスの製造方法を対象としたものである。すなわち、上述した実施形態では、シリコンデバイスに用いられるシリコン基板としてとしてリザーバ形成基板３０を例示し、シリコン基板のデバイス用貫通孔及びデバイス用凹部としてそれぞれリザーバ形成基板３０のリザーバ部３１及び圧電素子保持部３２を例示したものである。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施形態に係る液体噴射ヘッドの概略を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る液体噴射ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係るヘッドの製造工程を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０  流路形成基板、１２  圧力発生室、１３  連通部、１４  液体供給路、２０  ノズルプレート、２１  ノズル開口、３０  リザーバ形成基板、３１  リザーバ部、４０  コンプライアンス基板、５０  弾性膜、５５  絶縁体膜、６０  下電極膜、７０  圧電体層、８０  上電極膜、１００  リザーバ、１１０  駆動ＩＣ、１２０  流路形成基板用シリコンウェハ、１３０  リザーバ形成基板用シリコンウェハ、１４０  脆弱部、１４１  開口部、３００  圧電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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