(57)【要約】  【課題】  封止用メタライズ層に蓋体をろう材により接合するときに、熱履歴によるクラックや、周波数特性の変化による不良を防止する。  【解決手段】  上面に圧電振動子３を収納するための凹部５を有する絶縁基体１と、凹部５の内側から絶縁基体１の外表面にかけて導出された配線導体６と、絶縁基体１の上面の凹部５の周囲に形成された封止用メタライズ層２と、封止用メタライズ層２を被覆する金めっき層１０と、絶縁基体１の上面に凹部５を塞ぐようにして金−シリコン合金ろう材１１を介して取着されるシリコンから成る蓋体７とを具備している。【選択図】  図１
2005244543.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に圧電振動子を収納するための凹部を有する絶縁基体と、前記凹部の内側から前記絶縁基体の外表面にかけて導出された配線導体と、前記絶縁基体の上面の前記凹部の周囲に形成された封止用メタライズ層と、該封止用メタライズ層を被覆する金めっき層と、前記絶縁基体の上面に前記凹部を塞ぐようにして金−シリコン合金ろう材を介して取着されるシリコンから成る蓋体とを具備していることを特徴とする圧電振動子収納用パッケージ。
【請求項２】
前記封止用メタライズ層は、その外周が前記絶縁基体の外側面の上端部に延出していることを特徴とする請求項１記載の圧電振動子収納用パッケージ。
【請求項３】
前記凹部の底面の外周部に前記圧電振動子の電極が接続される電極パッドが形成されており、前記封止用メタライズ層は、平面視で前記電極パッドに沿った内周端に非形成部が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の圧電振動子収納用パッケージ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の圧電振動子収納用パッケージと、前記凹部内に収納されるとともに端部に形成された電極が前記配線導体と電気的に接続された圧電振動子と、前記絶縁基体の上面に前記凹部を覆うように取着された蓋体とを具備していることを特徴とする圧電装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基体と蓋体とで形成される容器の内部に圧電素子や水晶振動子等の圧電振動子を収容するための圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置に関するものであり、特に比較的低温で蓋体と絶縁基体とを接合することが可能な圧電振動子および圧電装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、内部に圧電振動子を収容するための圧電振動子収納用パッケージは、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，ガラスセラミックス等のセラミックス材料から成り、その上面中央部に圧電振動子３４を収容するための直方体状の凹部３５を有するとともに、この凹部３５の底面の外周部に、圧電振動子３４の端部が取着される電極パッド３３を有する絶縁基体３１と、この絶縁基体３１の凹部３５の周囲の上面に形成された封止用メタライズ層３２と、封止用メタライズ層３２にろう材４３を介して接合される金属製蓋体４２とから構成されている。なお、通常、電極パッド３３から絶縁基体３１の側面や下面等の外表面にかけて配線導体３６が導出されている。なお、図２（ａ）は、従来の圧電振動子収納用パッケージの一例を示す平面図であり、図２（ｂ）は、その断面図である。また、電極パッド３３は、圧電振動子３４の下面と凹部３５の底面との間に隙間が形成されるように、凹部３５の底面に形成した凸部や段差部上に形成されている。これにより、圧電振動子３４の中央部や他の端部が良好に振動することができる。
【０００３】
そして、この従来の圧電振動子収納用パッケージによれば、絶縁基体３１の凹部３５内に圧電振動子３４を収納するとともにこの圧電振動子３４の端部に形成されている電極（図示せず）を凹部３５内の外周部の電極パッド３３上に例えば導電性接着剤３８等の電気的接続手段を介して電気的に接続し、しかる後、凹部３５の周囲の上面に形成された封止用メタライズ層３２の上面に金属製蓋体４２を、ろう材４３を介してシームウエルド法により溶接すること等によって、絶縁基体３１と金属製蓋体４２とから成る容器の内部に圧電振動子３４が気密に封止され、それにより製品としての圧電装置となる。
【０００４】
シームウエルド法による金属製蓋体４２と封止用メタライズ層３２との溶接は、クラッドタイプの金属製蓋体４２（金属製蓋体４２の裏面にろう材が一体成形されたもの）を、あらかじめ封止用メタライズ層３２の上面に位置決めして載せ、その後、金属製蓋体４２の上面の外周部に沿って電極ローラーを移動させてろう材を加熱溶融し、ろう材４３を介して金属製蓋体４２と封止用メタライズ層３２とを接合させることにより行なわれる。ろう材４３が溶融する温度は、銀合金や銅合金のろう材であれば、通常８００〜９００℃であり、このときの接合部位における局所的な加熱温度は１０００℃以上となる。
【０００５】
なお、このような圧電振動子収納用パッケージにおいては、封止用メタライズ層３２は、金属製蓋体４２の接合面積を極力大きくするため、凹３５の周囲の上面全体を覆うようにして設けられている。
【特許文献１】特開２００２−３３６３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の圧電振動子収納用パッケージにおいては、金属製蓋体４２と絶縁基体３１（封止用メタライズ層３２）とを接合する際に、８００〜９００℃程度と非常に高い温度に加熱する必要があるため、そのときに加えられる熱により、絶縁基体３１にクラック等の機械的な破壊が生じやすく、気密封止の信頼性が低下するという問題があった。
【０００７】
また、この熱により圧電振動子、特に水晶振動子に周波数特性の異常が誘発されやすく、圧電装置としての周波数特性の精度が低くなりやすいという問題があった。
【０００８】
特に、近時における圧電装置の小型化の要求に伴い、絶縁基体３１の大きさが数ｍｍ角程度の極めて小さなものとなってきているため、上記のような熱の影響をより受けやすくなって機械的な破壊が生じやすくなってきているため、気密封止の信頼性の低下が顕著なものとなってきている。
【０００９】
また、金属性蓋体４２が加熱されて絶縁基体３１に接合される部位と圧電振動子３４との間の距離が非常に短くなるとともに、圧電振動子３４の大きさがさらに小さくなり、シームウエルド法等による熱履歴により周波数特性がさらに変化し易くなってきている。
【００１０】
例えば、近時における電子装置の薄型化の要求に伴い、絶縁基体３１の厚みも０．４〜０．８ｍｍ程度と非常に薄くなってきている。
【００１１】
また、凹部３５の周囲の上面の幅（金属製蓋体４２が接合される封止幅）が約０．２〜０．５ｍｍ程度と非常に狭いものとなっている。
【００１２】
このように、凹部３５の周囲の上面の幅が０．２〜０．５ｍｍ程度と非常に狭い封止用メタライズ層３２に金属製蓋体４２をシームウエルド法により溶接した場合、その熱が金属製蓋体４２を熱膨張させる。その一方で絶縁基体３１は封止用メタライズ層３２を介して熱が伝わるが、熱源から離れているため、金属製蓋体４２と絶縁基体３１との間には温度差が生じる。この状態から冷えるに従って、金属製蓋体４２の外周は封止用メタライズ層３２にろう材４３により強固に接合されるが、接合後の金属製蓋体４２が冷えて収縮することにより絶縁板体３１の上面を凹部３５の中央部へ収縮させようとする応力が発生して、薄い絶縁基体３１にクラックが発生する。
【００１３】
本発明は、かかる問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、小型化，薄型化した場合でも、絶縁基体と蓋体とを、絶縁基体にクラック等の機械的な破壊が生じたり、圧電振動子の周波数特性を変化させたりすることがない程度の低い温度で接合することが可能な、気密封止および周波数特性の精度に優れた圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の圧電振動子収納用パッケージは、上面に圧電振動子を収納するための凹部を有する絶縁基体と、前記凹部の内側から前記絶縁基体の外表面にかけて導出された配線導体と、前記絶縁基体の上面の前記凹部の周囲に形成された封止用メタライズ層と、該封止用メタライズ層を被覆する金めっき層と、前記絶縁基体の上面に前記凹部を塞ぐようにして金−シリコン合金ろう材を介して取着されるシリコンから成る蓋体とを具備していることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の圧電振動子収納用パッケージは、好ましくは、前記封止用メタライズ層は、その外周が前記絶縁基体の外側面の上端部に延出していることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の圧電振動子収納用パッケージは、好ましくは、前記凹部の底面の外周部に前記圧電振動子の電極が接続される電極パッドが形成されており、前記封止用メタライズ層は、平面視で前記電極パッドに沿った内周端に非形成部が形成されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明の圧電装置は、上記構成の圧電振動子収納用パッケージと、前記凹部内に収納されるとともに端部に形成された電極が前記配線導体と電気的に接続された圧電振動子と、前記絶縁基体の上面に前記凹部を覆うように取着された蓋体とを具備していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の圧電振動子収納用パッケージによれば、上面に圧電振動子を収納するための凹部を有する絶縁基体と、凹部の内側から絶縁基体の外表面にかけて導出された配線導体と、絶縁基体の上面の凹部の周囲に形成された封止用メタライズ層と、封止用メタライズ層を被覆する金めっき層と、絶縁基体の上面に凹部を塞ぐようにして金−シリコン合金ろう材を介して取着されるシリコンから成る蓋体とを具備していることから、凹部内に圧電振動子を収納した後、融点が３００〜４００℃と低い金−シリコン合金を介して絶縁基体の上面に蓋体を接合し取着して封止することが可能となるとともに、シリコンから成る蓋体の成分および封止用メタライズ層の成分が金−シリコン合金ろう材に良好に拡散することによって、３００〜４００℃と低い温度でもきわめて良好な接合強度を得ることができる。よって、蓋体を接合する際の熱による絶縁基体の機械的な破壊を効果的に防止し、気密封止の信頼性を優れたものとすることができる。また同時に、熱履歴による圧電振動子の周波数の変化を有効に防止し周波数特性の精度を優れたものとすることができる。
【００１９】
また、本発明の圧電振動子収納用パッケージは、好ましくは、封止用メタライズ層は、その外周が絶縁基体の外側面の上端部に延出していることから、封止用メタライズ層を絶縁基体の表面から側面にかけて広く形成することができ、シリコンからなる蓋体を金−シリコン合金ろう材で絶縁基体に接合する場合に、金−シリコン合金ろう材と封止用メタライズ層との接合、および封止用メタライズ層と絶縁基体との接合をより一層強固なものとすることができ、気密封止の信頼性をより向上させることができる。
【００２０】
また、本発明の圧電振動子収納用パッケージは、好ましくは、凹部の底面の外周部に圧電振動子の電極が接続される電極パッドが形成されており、封止用メタライズ層は、平面視で電極パッドに沿った内周端に非形成部が形成されていることから、金−シリコン合金ろう材が絶縁基体の凹部の縁部における電極パッドに沿った部位に達するのを有効に防止することができ、封止用メタライズ層上にシリコンからなる蓋体を金−シリコン合金ろう材で接合する際に、金−シリコン合金ろう材が蓋体と封止用メタライズ層との接合面から凹部内の電極パッドの上面に飛散することを効果的に防止することができる。
【００２１】
よって、この飛散した金−シリコン合金ろう材により封止用メタライズ層と配線導体との間のショート（電気的短絡）や、圧電振動子の電極間のショート等の不具合が発生することを防止することができる。
【００２２】
また、本発明の圧電装置は、上記構成の圧電振動子収納用パッケージと、凹部内に収納されるとともに端部に形成された電極が配線導体と電気的に接続された圧電振動子と、絶縁基体の上面に凹部を覆うように取着された蓋体とを具備していることから、内部に収納する圧電振動子の気密封止の信頼性に優れるとともに、周波数特性を安定して振動させることが可能な高信頼性かつ高精度のものとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
次に、本発明の圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置を添付の図面を基に説明する。
【００２４】
図１（ａ）は、本発明の圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置の実施の形態の一例を示した上面図であり、図１（ｂ）はそのＡ−Ａ’線における断面図である。同図において１は絶縁基体、２は封止用メタライズ層、３は圧電振動子、４は圧電振動子の端部の表面に形成された電極が接合される電極パッド、６は配線導体、７は蓋体である。そして、主として絶縁基体１，封止用メタライズ層２，電極パッド４，配線導体６および蓋体７により本発明の圧電振動子収納用パッケージが構成されている。
【００２５】
絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，ガラスセラミックス等のセラミックス材料等の電気絶縁材料から成り、例えば一辺の長さが２〜２０ｍｍ程度で厚みが０．５〜３ｍｍ程度の四角形状である。そして、その上面中央部に圧電振動子３を収容するための直方体状の凹部５が設けてあり、この凹部５の内側から絶縁基体１の側面や下面等の外表面にかけて配線導体６が形成されている。
【００２６】
配線導体６は、圧電振動子３の各電極を、外部の電気回路に電気的に接続するための導電路として機能する。
【００２７】
また、配線導体６のうち凹部５の内側に露出する部位には、配線導体６と電気的に接続するようにして電極パッド４が形成されている。電極パッド４は、圧電振動子３の電極との接続面積を大きくして電極の電気的な接続を容易かつ強固なものとする機能を有している。
【００２８】
例えば、電極パッド４に圧電振動子３の各電極を導電性接着剤９等の電気的接続手段を介して電気的に接続し、配線導体６のうち絶縁基体１の側面や下面に導出した部位を外部電気回路（図示せず）に半田等を介して電気的に接続することにより、圧電振動子３の電極が、電極パッド４および配線導体６を介して外部電気回路と電気的に接続される。
【００２９】
電極パッド４は、例えば、圧電振動子３が水晶振動子の場合であれば、その下面の端部に形成されている電極の接続に適するように、凹部５の底面の外周部に形成される。なお、電極パッド４は、圧電振動子３の形態や配線導体６の引き回し等の設計上の都合等に応じて、凹部５の他の部位に設けてもよい。
【００３０】
配線導体６および電極パッド４は、タングステンやモリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金等の金属材料により形成される。
【００３１】
また、電極パッド４は、圧電振動子３の下面と凹部５の底面との間に隙間が形成されるように、凹部５の底面に形成した凸部や段差部上に形成されている。これにより、圧電振動子３の中央部や他の端部が絶縁基体の凹部５の底面に接触することなく良好に振動することができる。
【００３２】
また、絶縁基体１の上面の凹部５の周囲には、タングステンやモリブデン，銅，銀等の金属粉末メタライズから成る四角枠状の封止用メタライズ層２が被着形成されており、この封止用メタライズ層２の上面に蓋体７の下面の外周部分を取着することにより、圧電振動子３を気密に封止するための容器が形成される。
【００３３】
このような絶縁基体１，配線導体６，電極パッド４および封止用メタライズ層２は、絶縁基体１が酸化アルミニウム質焼結体から成り、かつ配線導体６，電極パッド４および封止用メタライズ層２がタングステンメタライズから成る場合であれば、酸化アルミニウム，酸化珪素，酸化マグネシウム，酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダ，溶剤，可塑剤等を添加混合して泥漿状となすとともに、これを例えばドクタブレード法等のシート成形法によりシート状となすことにより複数枚のセラミックグリーンシートを得て、次にそれらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに配線導体６や電極パッド４，封止用メタライズ層２となる金属ペーストを印刷塗布し、しかる後、それらのセラミックグリーンシートを上下に積層するとともにその積層体を高温で焼成することにより製作される。
【００３４】
なお、配線導体６および電極パッド４の露出表面には、配線導体６および電極パッド４の酸化腐食を防止するとともに配線導体６や電極パッド４と圧電振動子３の電極との接続および配線導体６と外部電気回路との接続を強固なものとするために、１０〜２０μｍ程度の厚みのニッケルめっき層と０．１〜３μｍ程度の厚みの金めっき層１０とが順次被着されているのがよい。
【００３５】
そして、凹部５内に圧電振動子３を収納するとともに、その電極を電極パッド４に接続し、凹部５を塞ぐようにして絶縁基体１の上面に蓋体７を取着することにより、絶縁基体１と蓋体７とから成る容器の内部に圧電振動子３が気密封止され、圧電装置が形成される。圧電装置は、配線導体６のうち絶縁基体１の外表面に導出された部位が外部電気回路にはんだ等を介して電気的、機械的に接続され、圧電振動子３から外部電気回路に所定の発振信号が伝えられる。
【００３６】
本発明の圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置においては、封止用メタライズ層２を金めっき層１０で被覆するともに、絶縁基体１の上面に金−シリコン合金ろう材１１を介してシリコンから成る蓋体７を取着し、凹部５を塞ぐようにしている。
【００３７】
この構成により、凹部５内に圧電振動子３を収納した後、融点が３００〜４００℃と低い金−シリコン合金ろう材１１を介して絶縁基体１の上面に蓋体７を接合し取着して封止することが可能となり、熱による絶縁基体１の機械的な破壊を効果的に防止し、気密封止の信頼性を優れたものとすることができる。また同時に、熱履歴による圧電振動子３の周波数の変化を有効に防止し周波数特性の精度を優れたものとすることができる。
【００３８】
この場合、絶縁基体１の上面の封止用メタライズ層２が金めっき層１０で被覆されているとともに、蓋体７がシリコンから成ることから、絶縁基体１の上面と蓋体７との金−シリコン合金ろう材１１を介しての接合を容易かつ強固なものとすることができる。例えば、絶縁基体１の上面に蓋体７の下面を密着させて加熱するだけで、別途ろう材等を介在させることなく、金めっき層１０の金と、蓋体７のシリコンとの間で相互に拡散させて合金層をろう材として生成させ、この合金層を介して接合させることができる。また、これにより、凹部５の周囲の上面の幅（蓋体７が接合される封止幅）が約０．２〜０．５ｍｍ程度と非常に狭いものとなっても、気密封止性に優れた接合が可能となる。
【００３９】
ここで、金−シリコン合金を溶融するための加熱方法としては、金−シリコン合金の融点よりも５０℃程度高温となるようなピーク温度をもつリフロー炉が用いられる。圧電振動子３が収納された絶縁基体１は、絶縁基体１の上面の凹部５の周囲に形成された封止用メタライズ層２に金−シリコン合金の金属紛からなる金属ペーストを塗布し、その後、シリコンから成る蓋体７を絶縁基体１に合うように位置決めしてリフロー炉に入炉することで、圧電振動子３が絶縁基体１の凹部５に気密封止されることになる。
【００４０】
この場合、金めっき層１０は、その厚さを０．３μｍ以上とすることが好ましい。０．３μｍ未満では金−シリコン合金ろう材１１の接合を強固なものとすることが難しい。また、生産性や経済性を考慮すれば、０．３μｍ〜０．５μｍの範囲がより一層好ましい。
【００４１】
金めっき層１０は、電解法や無電解法等のめっき法により形成することができ、例えば、電解法による場合であれば、シアン化金を金供給源とし、ｐＨ調整剤、錯化剤等を添加して成る金めっき液中に封止用メタライズ層２が形成されている絶縁基体１を浸漬し、所定の電流密度，時間で封止用メタライズ層２に通電することにより形成することができる。
【００４２】
また、封止用メタライズ層２と金めっき層１０との間に、ニッケルめっき層や銅めっき層等の下地めっき層（図示せず）を介在させてもよい。封止用メタライズ層２および金めっき層１０の両者に対して密着性に優れたニッケル層等を下地めっき層として介在させておくと、金めっき層１０の封止用メタライズ層２に対する被着の強度をより一層強固なものとすることができる。
【００４３】
この場合、例えば、封止用メタライズ層２がタングステンのメタライズ層から成る場合であれば、厚さが２μｍ〜１０μｍ程度のニッケルめっき層が、封止用メタライズ層２および金めっき層１０に対する密着性や、下地めっき層の内部応力に起因する剥がれの防止の点で好ましい。
【００４４】
また、シリコンから成る蓋体は、シリコンの基板にダイシング加工を施して所定寸法に切断すること等により形成される。
【００４５】
また、本発明の圧電振動子収納用パッケージにおいては、封止用メタライズ層２は、その外周が絶縁基体１の外側面の上端部に延出していることが好ましい。
【００４６】
これにより、シリコンからなる蓋体７を金−シリコン合金ろう材１１で接合する場合に、封止用メタライズ層２を絶縁基体１の表面から外側面の上端部にかけて広く形成することができ、金−シリコン合金ろう材１１と封止用メタライズ層２との接合、および封止用メタライズ層２と絶縁基体１との接合を強固なものとすることができ、気密封止の信頼性をより向上させることができる。
【００４７】
また、絶縁基体１の上面から外側面の上端部にかけて形成された封止用メタライズ層２と蓋体７との間の接合面積を封止用メタライズ層２の厚み分だけ広く取れるとともに、余分な金−シリコン合金ろう材１１は絶縁基体１の側面に形成した封止用メタライズ層２に保持できることから、金−シリコン合金ろう材１１の凹部５内への飛散を防止できる。凹部５内に金−シリコン合金ろう材１１が飛散すると、飛散した金−シリコン合金ろう材１１が電極パッド４等に被着して電極パッド４と封止用メタライズ層２との間の電気的短絡等を生じ、圧電振動子３が正常に振動しなくなるおそれがある。
【００４８】
また、本発明の圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置においては、凹部５の底面の外周部に圧電振動子３の電極が接続される電極パッド４が形成されており、封止用メタライズ層２は、平面視で電極パッド４に沿った内周端に非形成部８が形成されていることが好ましい。
【００４９】
凹部５の底面の外周部に電極パッド４を形成しておくと、端部の下面に電極を有する水晶振動子等の圧電振動子３を凹部５内に効率よく収納することができ、圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置の小型化がより容易となる。
【００５０】
水晶振動子等の圧電振動子３は、通常、長方形板状であり、その短辺側の一方の２隅部に電極が形成されているため、この圧電振動子３の電極が取着される凹部５の底面の外周部の電極パッド４は、凹部５の短辺側の一方の２隅部に形成される。
【００５１】
また、封止用メタライズ層２は、平面視で電極パッド４に沿った内周端に非形成部８が形成されていることから、金−シリコン合金ろう材１１が絶縁基体１の凹部５の縁部における電極パッド４に沿った部位に達するのを有効に防止することができ、封止用メタライズ層２上にシリコンからなる蓋体７を金−シリコン合金ろう材１１で接合する際に、金−シリコン合金ろう材１１が蓋体７と封止用メタライズ層２との接合面から凹部５内の電極パッド４の上面に飛散することを効果的に防止することができる。
【００５２】
この非形成部８は、例えばスクリーン印刷法で金属ペーストを印刷して封止用メタライズ層２を形成するときに、スクリーンの印刷パターンを凹部５の電極パッド４に沿った内周端の非形成部８部分がマスクされる形状にしておくことによって形成される。
【００５３】
封止用メタライズ層２に非形成部８を設ける場合、非形成部８は、凹部５の周囲の上面のうち、短辺側では、辺の内周に沿って連続するようにして形成することが好ましい。これにより、特に圧電振動子３の電極が近接して形成されている短辺側で金−シリコン合金ろう材１１の飛散を特に効果的に防止し、圧電振動子３をより一層確実に正常に作動させることができる。なお、もちろん凹部５の周囲の上面の内周側全周にわたって非形成部８を設けてもよい。
【００５４】
ここで、封止用メタライズ層２の厚みを１０〜３０μｍとすることにより、この非形成部８に内部の金−シリコン合金ろう材１１’のフィレットが形成されるようにろう材量の調節等を行なうことにより、蓋体７と封止用メタライズ層２との接合の信頼性を確保することができるので、気密封止性には全く影響はない。
【００５５】
かくして、上述の本発明の圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置によれば、絶縁基体１の凹部５内に圧電振動子３を搭載するとともに圧電振動子３の電極とメタライズの配線導体６とを導電性接着剤９を介して電気的に接続した後、封止用メタライズ層２にシリコンから成る蓋体７を接合して絶縁基体１と蓋体７とから成る容器の内部に圧電振動子３を気密に封止することにより、内部に収容する圧電振動子３を確実に正常に作動させることができる優れた圧電装置とすることができる。
【００５６】
なお、この例では、絶縁基体１は三層のセラミック層を積層することにより形成されているが、絶縁基体１は三層以外のセラミック層を積層することにより形成されていたり、絶縁基体１の片方のみの電極パッド４ではなく、両端に電極パッド４があり、両端の封止用メタライズ層２の上面に非形成部８を形成したり、内周側全周にわたって非形成部８を形成してもよいのは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置の実施の形態の一例を示す上面図および断面図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ従来の圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置の例を示す上面図および断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１・・・・・・・絶縁基体
２・・・・・・・封止用メタライズ層
３・・・・・・・圧電振動子
４・・・・・・・電極パッド
５・・・・・・・凹部
６・・・・・・・配線導体
７・・・・・・・蓋体
８・・・・・・・非形成部
１０・・・・・・金めっき層
１１、１１’・・金−シリコン合金ろう材
【図１】
2005244543.tif 000003
【図２】
2005244543.tif 000004