(57)【要約】【課題】  圧電薄膜共振子の精密なΔｆ調整を可能とし、かつこれら圧電薄膜共振子で構成されたフィルタの中心周波数を高精度で調整すること。【解決手段】  基板１１上に、Ｒｕ／Ｃｒの２層構造の下部電極膜１２、ＡｌＮの圧電膜１３、およびＲｕの上部電極膜１４を備えており、さらに上部電極膜１４上の下部電極膜１２と対向する領域には、ＳｉＯ２の第２の調整層１６をその上に有するＴｉの第１の調整層１５が設けられている。また、ＳｉＯ２の第２の調整層１６は、下部電極膜１２または上部電極膜１４で被覆されていない基板１１表面上および圧電膜１３表面上にも形成されている。さらに、上部電極膜１４と下部電極膜１２の対向領域に概ね対応する基板１１裏面側には、基板１１の裏側からＳｉをフッ素系ガスでエッチングすることにより、弾性エネルギを閉じ込めるキャビティとしての空隙１７が形成されている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板主面上に、圧電薄膜の一方主面上に設けられた第１の電極膜と、前記圧電薄膜の他方主面上に設けられた第２の電極膜と、前記第１または第２の電極膜上に設けられた周波数調整層とを備え、前記周波数調整層は、前記電極膜上に設けられた第１の調整層と当該第１の調整層上に設けられた第２の調整層の積層膜であることを特徴とする共振子。
【請求項２】
前記第２の調整層は、前記第１の調整層とは材質を異にすることを特徴とする請求項１記載の共振子。
【請求項３】
前記第２の調整層は、前記第１の調整層とは材質を異にする絶縁体膜であることを特徴とする請求項１記載の共振子。
【請求項４】
基板主面上に、圧電薄膜の一方主面上に設けられた第１の電極膜と、前記圧電薄膜の他方主面上に設けられた第２の電極膜と、前記第１または第２の電極膜上に設けられた周波数調整層とを備え、前記周波数調整層は難酸化性の絶縁体膜であることを特徴とする共振子。
【請求項５】
前記第１の調整層は、異なるエッチング選択性を有する少なくとも２種の膜が積層されて構成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の共振子。
【請求項６】
前記基板はキャビティを備え、前記周波数調整層は少なくとも前記キャビティ上部の全域を覆うように設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の共振子。
【請求項７】
前記基板はキャビティを備え、前記周波数調整層は少なくとも前記キャビティ上部の全域を覆うように、前記第１または第２の電極膜上に部分的に設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の共振子。
【請求項８】
前記キャビティは前記基板裏面側に設けられた空隙であることを特徴とする請求項６または７に記載の共振子。
【請求項９】
単一基体上に設けられた請求項１から８の何れかに記載の共振子を複数組み合わせて構成されたフィルタ。
【請求項１０】
前記フィルタは異なる厚みの前記周波数調整層を有する共振子を含むことを特徴とする請求項９に記載のフィルタ。
【請求項１１】
前記フィルタは、前記複数の共振子を梯子型に組み合わせて構成されたラダーフィルタであって、前記共振子のうちの並列接続された共振子の前記周波数調整層の厚みは、直列接続された共振子の前記周波数調整層の厚みよりも大であることを特徴とする請求項９または１０に記載のフィルタ。
【請求項１２】
前記フィルタは、前記複数の共振子を梯子型に組み合わせて構成されたラダーフィルタであって、前記共振子のうちの並列接続された共振子の共振周波数は、直列接続された共振子の共振周波数よりも低周波数となるように調整されていることを特徴とする請求項９または１０に記載のフィルタ。
【請求項１３】
前記直列接続されている共振子が備えている第１の調整層は単一層であり、前記並列接続されている共振子が備えている第１の調整層は異なるエッチング選択性を有する２種の膜が積層されて構成されていることを特徴とする請求項９に記載のフィルタ。
【請求項１４】
前記周波数調整層の膜厚に応じて前記共振子の各々の共振周波数および前記フィルタの中心周波数が調整されていることを特徴とする請求項９に記載のフィルタ。
【請求項１５】
前記共振周波数は前記第１の調整層の膜厚により調整され、前記中心周波数は前記第２の調整層の膜厚により調整されていることを特徴とする請求項９に記載のフィルタ。
【請求項１６】
圧電薄膜の一方主面上の第１の電極膜と、前記圧電薄膜の他方主面上の第２の電極膜と、前記第１または第２の電極膜上に周波数調整層とを形成する第１のステップと、
前記周波数調整層の所望領域の膜厚を制御して前記圧電薄膜の共振周波数を調整する第２のステップとを備えていることを特徴とする共振子の製造方法。
【請求項１７】
圧電薄膜の一方主面上の第１の電極膜と、前記圧電薄膜の他方主面上の第２の電極膜と、前記第１または第２の電極膜上に第１の周波数調整層を形成する第１のステップと、
前記第１の周波数調整層の所望領域の膜厚を制御して前記圧電薄膜の第１の共振周波数を調整する第２のステップと、
前記第１の周波数調整層上に第２の周波数調整層を形成する第３のステップと、
前記第２の周波数調整層の所望領域の膜厚を制御して前記圧電薄膜の第２の共振周波数を調整する第４のステップとを備えていることを特徴とする共振子の製造方法。
【請求項１８】
前記周波数調整層の膜厚制御は、エッチングにより実行されることを特徴とする請求項１６または１７に記載の共振子の製造方法。
【請求項１９】
前記エッチングは、イオンミリング、反応性イオンエッチング、またはパルスレーザにより実行されることを特徴とする請求項１８に記載の共振子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振子、フィルタ、および共振子の製造方法に関し、より詳細には、圧電薄膜共振子およびこれを用いて構成される高周波フィルタならびに共振子の製造方法に関する。特に、本発明は共振周波数の調整技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機に代表される無線機器が急速に普及するにつれて、これらの無線機器に搭載される小型で軽量な共振子および当該共振子を組み合わせて構成されたフィルタの需要が増大している。これまでの共振子やフィルタとしては、圧電体の表面で生じる弾性表面波（Surface Acoustic Wave：SAW）を活用して特定の共振周波数を電気信号として取出す圧電素子であるＳＡＷ共振子および当該ＳＡＷ共振子を用いて構成されたＳＡＷフィルタが使用されてきたが、最近では、高周波特性が良好でかつ小型化・モノリシック化が可能な素子である圧電薄膜共振子およびこれを用いたフィルタが注目されつつある。
【０００３】
このような圧電薄膜共振子は、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）タイプとＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）タイプの２つのタイプに分類される。このうち前者（ＦＢＡＲタイプ）は、Ｓｉやガラスなどの基板上に上部電極膜／圧電膜／下部電極膜の積層構造を有する主要構成要素を備え、上部電極膜と対向する下部電極膜部分の直下に弾性エネルギを閉じ込めるための空隙（キャビティ）が設けられている。なお、この空隙は、基板表面に設けた犠牲層をウェットエッチングしたり、あるいはＳｉ基板裏面からのエッチング（ウェットまたはドライ）などの手法により形成される。一方、後者（ＳＭＲタイプ）は、上記の空隙に代えて、音響インピーダンスの高い膜と低い膜をλ／４（ここでλは弾性波の波長）の膜厚で交互に積層させて音響反射膜とした構造の圧電薄膜共振子である。
【０００４】
なお、このような圧電薄膜共振子の電極膜としては、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）などを用いることができる。また、圧電膜としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）などを用いることができる。
【０００５】
圧電薄膜共振子の上部電極と下部電極との間に電気信号としての高周波電圧を印加すると、上部電極と下部電極に挟まれた圧電膜内部に逆圧電効果に起因する弾性波が励振される。また、弾性波によって生じる歪は圧電効果により電気信号に変換される。このような弾性波は、上部電極膜と下部電極膜がそれぞれ空気に接している面で全反射されるため、圧電膜の厚み方向に主変位をもつ縦振動波となる。このような共振現象を利用することで、所望の周波数特性を有する共振子（あるいはフィルタ）を得ることができる。
【０００６】
例えばＦＢＡＲタイプの圧電薄膜共振子では、空隙上に形成された上部電極膜／圧電膜／下部電極膜を主要な構成要素とする積層構造部分の総膜厚Ｈが、弾性波の波長λの１／２（１／２波長）の整数倍（ｎ倍）となる周波数（Ｈ＝ｎλ／２）において共振が生じる。ここで、圧電膜の材質によって決まる弾性波の伝搬速度をＶとすると、共振周波数ＦはＦ＝ｎＶ／（２Ｈ）となるから、積層構造の総膜厚Ｈにより共振周波数Ｆが制御できる。
【０００７】
このような圧電薄膜共振子を複数配列させてフィルタを設計する場合には、以下のような点が重要となる。第１に、単一の基板（あるいはウェハ）上に作製される圧電薄膜共振子の共振周波数を、相互に僅かに異なる周波数（通常は数％程度）となるように設計する必要がある。なお、このような各圧電薄膜共振子の共振周波数の調整工程を「Δf調整工程」と呼ぶ。また、このΔｆ調整工程で共振周波数が変化する共振子を第１の共振子、変化しない共振子を第２の共振子とする。第２に、これらの共振子の周波数を調整することでフィルタの中心周波数が精度よく調整されていることが必要である。例えば、これら第１および第２の共振子を複数個接続してフィルタを構成した場合には、薄膜の積層構造部分の形成精度などに起因して中心周波数に設計値からのズレが生じるために、フィルタの中心周波数が設計値となるように調整する必要がある。
【０００８】
このように、複数の圧電薄膜共振子を用いて高精度のフィルタを作製する場合には、少なくとも２回の共振周波数の調整を行う必要がある。
【特許文献１】特開２００２−３３５１４１号公報
【特許文献２】特開２００２−３５９５３９号公報
【特許文献３】米国特許第５，８９４，６４７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したように、圧電薄膜共振子（およびそれを用いて構成されるフィルタ）の作製に際しては、第１に、単一の基板（あるいはウェハ）上に第１の共振子と第２の共振子とを作り込み、かつΔｆ調整工程において各第１の共振子の共振周波数を精密に調整すること、第２に、第１の共振子と第２の共振子を複数個接続して構成されるフィルタの中心周波数を精度よく調整すること、が重要なポイントとなる。
【００１０】
ところで、共振子の共振周波数が薄膜積層構造部の厚さ（重量）に反比例することは周知である。すなわち、当該部分の厚さが厚く（重量が重く）なれば共振周波数は低周波数側にシフトし、当該部分の厚さが薄く（重量が軽く）なれば共振周波数は高周波数側にシフトする。
【００１１】
従来、単一基板上に異なる共振周波数の共振子を多数作り込むためのΔf調整方法として以下のような方法が知られている。
【００１２】
第１の方法は、上部電極膜の厚さを薄くして共振周波数を高周波数側にシフトさせることで調整を行う方法である（特許文献１参照）。しかしながら、この方法では、電極薄膜化工程で電極表面が化学的に活性化してしまうために雰囲気中の酸素と化学反応して酸化されてしまうなどの問題があり、安定な共振特性を得ることは難しい。また、第１の共振子と第２の共振子の上部電極の表面状態はΔf調整工程後で異なることとなるため、両者の共振周波数を均一に調整することができず、フィルタ特性を保持したままその中心周波数を安定して調整することは困難である。
【００１３】
第２の方法は、上部電極表面を酸化させて周波数を調整する方法である（特許文献２参照）。しかし、この方法も第１の方法と同様に、異なる表面状態を有する上部電極を均等に酸化させることは難しく、安定して中心周波数を調整することは困難である。
【００１４】
第３の方法は、上部電極膜の厚さを厚くして共振周波数を低周波数側にシフトさせることで調整を行う方法である（特許文献３参照）。しかしながら、この方法では、単一基板上の一部のみに新たに膜を追加するために基板（ウェハ）を一旦真空装置から取り出すことが必要となり、この際に上部電極膜上に自然酸化膜が形成されて新たに追加した膜との間の密着性が悪くなり、良好な共振特性を得ることおよび中心周波数の精度の高い調整を行うことが困難である。また、単一基板上に形成された多数の共振子のうちの一部のみの上部電極膜の厚さを厚くする必要があるため、製造工程数が多くなりコストも上昇してしまうという問題がある。
【００１５】
このように、従来のΔf調整方法は何れも、共振子の共振周波数およびフィルタの中心周波数を精度よく調整するには不十分であった。
【００１６】
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、単一の基板（あるいはウェハ）上に作り込まれた多数の圧電薄膜共振子の精密なΔｆ調整を可能とし、かつこれら圧電薄膜共振子で構成されたフィルタの中心周波数を高精度で調整するための方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、かかる課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、基板主面上に、圧電薄膜の一方主面上に設けられた第１の電極膜と、前記圧電薄膜の他方主面上に設けられた第２の電極膜と、前記第１または第２の電極膜上に設けられた周波数調整層とを備え、前記周波数調整層は、前記電極膜上に設けられた第１の調整層と当該第１の調整層上に設けられた第２の調整層の積層膜であることを特徴とする。
【００１８】
請求項２に記載の発明は、請求項１記載の共振子において、前記第２の調整層は、前記第１の調整層とは材質を異にすることを特徴とする。
【００１９】
請求項３に記載の発明は、請求項１記載の共振子において、前記第２の調整層は、前記第１の調整層とは材質を異にする絶縁体膜であることを特徴とする。
【００２０】
請求項４に記載の発明は、基板主面上に、圧電薄膜の一方主面上に設けられた第１の電極膜と、前記圧電薄膜の他方主面上に設けられた第２の電極膜と、前記第１または第２の電極膜上に設けられた周波数調整層とを備え、前記周波数調整層は難酸化性の絶縁体膜であることを特徴とする。
【００２１】
請求項５に記載の発明は、請求項１から４のいずれかに記載の共振子において、前記第１の調整層は、異なるエッチング選択性を有する少なくとも２種の膜が積層されて構成されていることを特徴とする。
【００２２】
請求項６に記載の発明は、請求項１から５のいずれかに記載の共振子において、前記基板はキャビティを備え、前記周波数調整層は少なくとも前記キャビティ上部の全域を覆うように設けられていることを特徴とする。
【００２３】
請求項７に記載の発明は、請求項１から５のいずれかに記載の共振子において、前記基板はキャビティを備え、前記周波数調整層は少なくとも前記キャビティ上部の全域を覆うように、前記第１または第２の電極膜上に部分的に設けられていることを特徴とする。
【００２４】
請求項８に記載の発明は、請求項６または７に記載の共振子において、前記キャビティは前記基板裏面側に設けられた空隙であることを特徴とする。
【００２５】
請求項９に記載の発明は、単一基体上に設けられた請求項１から８の何れかに記載の共振子を複数組み合わせて構成されたフィルタである。
【００２６】
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載のフィルタにおいて、前記フィルタは異なる厚みの前記周波数調整層を有する共振子を含むことを特徴とする。
【００２７】
請求項１１に記載の発明は、請求項９または１０に記載のフィルタにおいて、前記フィルタは、前記複数の共振子を梯子型に組み合わせて構成されたラダーフィルタであって、前記共振子のうちの並列接続された共振子の前記周波数調整層の厚みは、直列接続された共振子の前記周波数調整層の厚みよりも大であることを特徴とする。
【００２８】
請求項１２に記載の発明は、請求項９または１０に記載のフィルタにおいて、前記フィルタは、前記複数の共振子を梯子型に組み合わせて構成されたラダーフィルタであって、前記共振子のうちの並列接続された共振子の共振周波数は、直列接続された共振子の共振周波数よりも低周波数となるように調整されていることを特徴とする。
【００２９】
請求項１３に記載の発明は、請求項９に記載のフィルタにおいて、前記直列接続されている共振子が備えている第１の調整層は単一層であり、前記並列接続されている共振子が備えている第１の調整層は異なるエッチング選択性を有する２種の膜が積層されて構成されていることを特徴とする。
【００３０】
請求項１４に記載の発明は、請求項９に記載のフィルタにおいて、前記周波数調整層の膜厚に応じて前記共振子の各々の共振周波数および前記フィルタの中心周波数が調整されていることを特徴とする。
【００３１】
請求項１５に記載の発明は、請求項９に記載のフィルタにおいて、前記共振周波数は前記第１の調整層の膜厚により調整され、前記中心周波数は前記第２の調整層の膜厚により調整されていることを特徴とする。
【００３２】
請求項１６に記載の発明は、圧電薄膜の一方主面上の第１の電極膜と、前記圧電薄膜の他方主面上の第２の電極膜と、前記第１または第２の電極膜上に周波数調整層とを形成する第１のステップと、前記周波数調整層の所望領域の膜厚を制御して前記圧電薄膜の共振周波数を調整する第２のステップとを備えていることを特徴とする共振子の製造方法である。
【００３３】
請求項１７に記載の発明は、圧電薄膜の一方主面上の第１の電極膜と、前記圧電薄膜の他方主面上の第２の電極膜と、前記第１または第２の電極膜上に第１の周波数調整層を形成する第１のステップと、前記第１の周波数調整層の所望領域の膜厚を制御して前記圧電薄膜の第１の共振周波数を調整する第２のステップと、前記第１の周波数調整層上に第２の周波数調整層を形成する第３のステップと、前記第２の周波数調整層の所望領域の膜厚を制御して前記圧電薄膜の第２の共振周波数を調整する第４のステップとを備えていることを特徴とする共振子の製造方法である。
【００３４】
請求項１８に記載の発明は、請求項１６または１７に記載の共振子の製造方法において、前記周波数調整層の膜厚制御は、エッチングにより実行されることを特徴とする。
【００３５】
請求項１９に記載の発明は、請求項１８に記載の共振子の製造方法において、前記エッチングは、イオンミリング、反応性イオンエッチング、またはパルスレーザにより実行されることを特徴とする。
【００３６】
上記発明において、前記絶縁体膜を金属酸化膜または金属窒化膜とすることができる。また、上記発明において、前記金属酸化膜をシリコン酸化物（ＳｉＯ２）であり、前記金属窒化物はシリコン窒化物（ＳｉＮ）またはアルミニウム窒化物（ＡｌＮ）で構成することができる。さらに、上記発明において、前記第１の調整層は少なくとも１種の導電膜を含む構成とすることができる。さらに、上記発明は、前記導電膜を金属膜または合金膜で構成することができる。さらに、上記発明において、前記第１の調整層を少なくとも１種の絶縁膜を含む構成とすることができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明の共振子は周波数調整用の層を２つ備えることとし、これらの２層を、Δf調整に用いる第１の調整層と、フィルタ製造過程で生じた各共振子の共振周波数のずれを補正するために用いる第２の調整層として用いることとしたので、Δf調整とフィルタの中心周波数調整を独立に実行することが可能となり、単一の基板（あるいはウェハ）上に互いに異なる共振周波数を有する圧電薄膜共振子を多数作り込むことが可能となると同時に、これらの共振子を複数個接続して構成されるフィルタの中心周波数を精密に調整することができる。
【００３８】
また、周波数調整層を酸化され難い材質（例えば酸化物や窒化物など）の絶縁膜で構成することにより、Δｆ調整工程で生じた上部電極膜表面の酸化などによる共振特性の劣化や当該共振特性の劣化がフィルタの中心周波数調整工程に及ぼす悪影響を抑制することができ、さらには、バンプやワイヤ接続のための導電性下地層との密着性低下に起因する歩留まり低下などの問題を回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、本発明の実施例を説明する。
【実施例１】
【００４０】
図１は、本発明の圧電薄膜共振子の第１の構成例を説明するための図で、図１（ａ）は上平面図、図１（ｂ）および図１（ｃ）はそれぞれ本発明の圧電薄膜共振子を直列共振子または並列共振子とした場合の図１（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００４１】
この圧電薄膜共振子は、基板１１としてＳｉ基板を用い、Ｒｕ膜１２ａとＣｒ膜１２ｂを積層させたＲｕ／Ｃｒの２層構造の下部電極膜１２、ＡｌＮの圧電膜１３、およびＲｕの上部電極膜１４を備えており、さらに上部電極膜１４上の下部電極膜１２と対向する領域には、ＳｉＯ２の第２の調整層１６をその上に有するＴｉの第１の調整層１５が設けられている。また、ＳｉＯ２の第２の調整層１６は、下部電極膜１２または上部電極膜１４で被覆されていない基板１１表面上および圧電膜１３表面上にも形成されている。なお、第２の調整層１６の材料はＳｉＯ２に限定されるものではなく、酸化され難い材料（例えばＳｉＯ２以外の金属酸化物あるいはＳｉＮやＡｌＮなどの金属窒化物）であってもよい。下部電極膜１２は、圧電膜１３に形成されたコンタクト窓１９を介して露出している。
【００４２】
さらに、上部電極膜１４と下部電極膜１２の対向領域に概ね対応する基板１１裏面側には、基板１１の裏側からＳｉをフッ素系ガスでエッチングすることにより、弾性エネルギを閉じ込めるキャビティとしての空隙１７が形成されている。ここで、空隙１７部の上開口部はその全面が周波数調整用の層（１５、１６）で覆われている。換言すれば、周波数調整用の層（１５、１６）は、少なくとも空隙１７の上開口部全部を覆うように設けられており、上部電極１４の表面の一部に設けられている。このような空隙１７の設け方は以下の実施例においても同様である。
【００４３】
なお、上記の各膜の厚みは、例えば、５．２ＧＨｚの共振周波数の圧電薄膜共振子とする場合には、下部電極膜１２のＲｕ膜１２ａが１００ｎｍ、Ｃｒ膜１２ｂが５０ｎｍ、圧電膜１３のＡｌＮが４００ｎｍ、上部電極膜１４のＲｕ膜が１００ｎｍとなる。
【００４４】
次に、共振子をラダーに組み合わせてフィルタを構成した場合の梯子型フィルタの通過特性についての一般的な説明をしておく。なお、ここでは共振子としてＦＢＡＲタイプのものを例として説明する。
【００４５】
図２は、フィルタの通過特性を示す図であり、図２（ａ）はＦＢＡＲ共振子を１つ直列接続したフィルタの通過特性、図２（ｂ）はＦＢＡＲ共振子を１つ並列接続したフィルタの通過特性、そして図２（ｃ）はＦＢＥＲ共振子を直列腕および並列腕に１つずつ配置して構成したフィルタの通過特性を示す図である。
【００４６】
これらの図に示されているように、ＦＢＡＲ共振子は共振周波数と反共振周波数の二重共振特性をもつ。図２（ａ）に示されるように、ＦＢＡＲ共振子を直列に接続した場合には、挿入損失は共振周波数（ｆｒｓ）で最小となり反共振周波数（ｆａｓ）で最大となる。一方、図２（ｂ）に示されるように、ＦＢＡＲ共振子を並列に接続した場合には、挿入損失は共振周波数（ｆｒｐ）で最大となり反共振周波数（ｆａｐ）で最小となる。また、図２（ｃ）に示されるように、直列腕と並列腕にそれぞれ１つずつの共振子を配置し、直列共振子の共振周波数（ｆｒｓ）と並列共振子の反共振周波数（ｆａｐ）がほぼ等しいときには、中心周波数（ｆｃ）のバンドパスフィルタが一組形成され、直列共振子と並列共振子の共振特性と図２（ｃ）に示される梯子型の組み合わせ方を最適化することによって、所望のフィルタ特性を得ることができる。
【００４７】
図３は、図１に示した本発明の圧電薄膜共振子を、直列椀と並列椀に複数個配置して構成したフィルタの一例を説明するための図で、図３（ａ）は上平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）中のＡ´−Ａ´線に沿う断面図、図３（ｃ）は図３（ａ）に示すフィルタの回路図である。この図には、４つの直列共振子（Ｓ）と３つの並列共振子（Ｐ）が図示されている。なお、これらの圧電薄膜共振子の基本構造は図１に示した圧電薄膜共振子の基本構造と概ね同じであるが、フィルタとして構成する場合には、並列共振子の共振周波数を低くしてバンドパスフィルタ特性を得るために、直列共振子の第１の調整層１５の膜厚は、並列共振子の第１の調整層の膜厚１５よりも薄くする必要がある。
【００４８】
以下に、図４〜図６を用いて、このような共振子（およびフィルタ）の作製プロセスの例について説明する。まず、例えば３００μｍの厚みのＳｉの基板１１（図４（ａ））上に、下部電極膜１２として、Ｒｕ膜１２ａとＣｒ膜１２ｂの積層膜（Ｒｕ／Ｃｒ膜）をスパッタリング法により成膜する（図４（ｂ））。次に、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術（ウエットエッチングまたはドライエッチング）により、下部電極膜１２を所望の形状にパターニングする（図４（ｃ））。続いて、圧電膜１３としてＡｌＮ薄膜を成膜し（図４（ｄ））、さらに上部電極膜１４としてＲｕ膜、第１の調整層１５としてＴｉ膜を、それぞれスパッタリング法により成膜する（図４（ｅ））。
【００４９】
次に、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術（ウエットエッチングまたはドライエッチング）により、第１の調整層１５と上部電極膜１４とを所望の形状にパターニングする（図５（ａ））。なお、この第１の調整層１５と上部電極膜１４のパターニングをリフトオフにより実行することとしてもよい。
【００５０】
フォトリソグラフィ技術により第１の調整層１５の一部をレジスト１８によりマスキングした後（図５（ｂ））、ドライエッチングにより、第１の調整層１５の一部の膜厚を漸減させ、第１の調整層１５の重量を調整してレジスト１８を除去する（図５（ｃ））。なお、第１の調整層１５および上部電極膜１４のパターニング工程と、第１の調整層１５の一部の膜厚を漸減させる工程の順序を逆にしても構わない。
【００５１】
次に、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術（ウエットエッチングまたはドライエッチング）により圧電膜１３を所望の形状にパターニングし（図５（ｄ））、ＳｉＯ２の第２の調整層１６をスパッタリング法で成膜した後（図６（ａ））、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術（ウエットエッチングまたはドライエッチング）により、上部電極膜１４上にある第１の調整層１５と第２の調整層１６の余分な部分を除去し、その部分にバンプパッド（不図示）を形成する（図６（ｂ））。
【００５２】
最後に、Ｓｉ基板１１の裏面に、フォトリソグラフィ技術により、空隙１７を形成するためのドライエッチング用のレジストをパターニングし、Ｓｉ基板１１の裏面からドライエッチングすることで上部電極膜１４と下部電極膜１２が対向する領域に対応する基板１１の裏面側に空隙１７を形成する（図６（ｃ））。これにより、図１に示すような圧電薄膜共振子（および図３に示すようなフィルタ）が作製される(図６（ｄ）)。
【００５３】
ここで、空隙形成のためのドライエッチングは、ＳＦ６ガスによるエッチングとＣ４Ｆ８ガスによる空隙１７の側壁保護膜形成とを交互に繰り返す条件で実行している。このようなエッチング条件とすることにより、空隙１７の側壁形状がＳｉ基板１１の主面に対して略垂直の空隙１７を形成することができる。
【００５４】
なお、上述した基板１１、電極膜１２および１４、ならびに圧電膜１３の各材料は例示に過ぎず、従来から一般に用いられている材料としても本発明の共振子およびフィルタが奏する作用・効果を得ることが可能である。また、第１の調整層１５の材料も上記のＴｉに限定されず、エッチングのための励起エネルギを照射してその一部の膜厚を漸減可能な導電膜（金属膜や合金膜）や絶縁膜（例えばＳｉＯ２、ＳｉＮやＡｌＮなど）であればよい。なお、このようなエッチング方法としては、イオンミリング、反応性イオンエッチング、パルスレーザなどがある。さらに、第２の調整層１６も上記ＳｉＯ２である必要はなく、同じくエッチングのための励起エネルギを照射してその一部の膜厚を漸減可能な絶縁膜（例えばＳｉＯ２、ＳｉＮやＡｌＮなど）でも構わない。なお、下部電極膜１２の下側に空隙１７を形成するに際しては、犠牲層を用いる方法によることとしてもよい。また、空隙１７に代えて、音響インピーダンスが高い膜と低い膜を交互にλ／４（λは弾性波の波長）の膜厚で積層させた音響反射膜を設けた構造とすることもできる（ＳＭＲタイプ）。
【００５５】
図７は、上述の手順に従って作製された本発明のフィルタの中心周波数調整前後の特性を説明するための図で、横軸は周波数（ＧＨｚ）、縦軸は通過帯域内の挿入損失（抑圧度：ｄＢ）である。ここで、中心周波数の調整は第２の調整層であるＳｉＯ２をドライエッチングして、その一部の膜厚を漸減することによって実行した。この図に示されているように、第２の調整層の膜厚（すなわち重量）に応じて周波数特性が変化し、中心周波数の調整が可能であることが分かる。
【００５６】
図８は、フィルタの中心周波数変動量（Δω）の第２の調整層のエッチング時間依存性を説明するための図である。この図に示されているように、中心周波数変動量Δωは第２の調整層のエッチング時間（すなわちエッチング量）に略リニアに変化する。
【００５７】
このように、第１の調整層の膜厚（重量）調整により各圧電薄膜共振子の共振周波数を調整するためのΔf調整を実行し、第２の調整層（重量）調整によりフィルタの中心周波数のΔω調整を実行することとすれば、Δf調整とフィルタの中心周波数調整を独立に実行することが可能となり、フィルタ特性を悪化させることなく中心周波数のずれを補正することが可能である。
【実施例２】
【００５８】
図９は、本発明の圧電薄膜共振子の第２の構成例を説明するための図で、図９（ａ）は上平面図、図９（ｂ）および図９（ｃ）はそれぞれ本発明の圧電薄膜共振子を直列共振子または並列共振子とした場合の図９（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００５９】
この圧電薄膜共振子は、基板５１としてＳｉ基板を用い、Ｒｕ膜５２ａとＣｒ膜５２ｂを積層させたＲｕ／Ｃｒの２層構造の下部電極膜５２、ＡｌＮの圧電膜５３、およびＲｕの上部電極膜５４を備えており、さらに上部電極膜５４上の下部電極膜５２と対向する領域には、ＳｉＯ２の第２の調整層５６をその上に有するＣｒ膜５５ｂ（直列共振子の場合）、または異なるエッチング選択性を有するＴｉ膜５５ａとＣｒ膜５５ｂのＴｉ／Ｃｒ積層膜（並列共振子の場合）からなる第１の調整層５５が設けられている。また、ＳｉＯ２の第２の調整層５６は、下部電極膜５２または上部電極膜５４で被覆されていない基板５１表面上および圧電膜５３表面上にも形成されている。なお、第２の調整層５６の材料はＳｉＯ２に限定されるものではなく、酸化され難い材料（例えばＳｉＯ２以外の酸化物あるいはＳｉＮやＡｌＮなどの窒化物）であってもよい。下部電極膜５２は、圧電膜５３に形成されたコンタクト窓５９を介して露出している。
【００６０】
さらに、上部電極膜５４と下部電極膜５２の対向領域に対応する基板５１には、基板５１の裏側からＳｉをフッ素系ガスでエッチングすることにより、弾性エネルギを閉じ込めるキャビティとしての空隙５７が形成されている。
【００６１】
なお、上記の各膜の厚みは、例えば、５．２ＧＨｚの共振周波数の圧電薄膜共振子とする場合には、下部電極膜５２のＲｕ膜５２ａが１００ｎｍ、Ｃｒ膜５２ｂが５０ｎｍ、圧電膜５３のＡｌＮが４００ｎｍ、上部電極膜５４のＲｕ膜が１００ｎｍとなる。
【００６２】
図１０は、図９に示した本発明の圧電薄膜共振子を直列椀と並列椀に複数個配置して構成したフィルタの一例を説明するための図で、図１０（ａ）は上平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）中のＡ´−Ａ´線に沿う断面図である。この図には、４つの直列共振子（Ｓ）と３つの並列共振子（Ｐ）が図示されている。なお、これらの圧電薄膜共振子の基本構造は図９に示した圧電薄膜共振子の基本構造と概ね同じであるが、フィルタとして構成する場合には、並列共振子の共振周波数を低くしてバンドパスフィルタ特性を得るために、直列共振子の第１の調整層をＣｒ層５５ｂのみとし、並列共振子の第１の調整層をＴｉ層５５ａとＣｒ層５５ｂのＴｉ／Ｃｒ積層膜とする。ここで、Ｃｒ層５５ｂは上部電極膜５４と第２の調整層５６との密着層としての役割も果たす。
【００６３】
以下に、図１１〜図１３を用いて、このような共振子（およびフィルタ）の作製プロセスの例について説明する。まず、例えば３００μｍの厚みのＳｉの基板５１（図１１（ａ））上に、下部電極膜５２として、Ｒｕ膜５２ａとＣｒ膜５２ｂの積層膜（Ｒｕ／Ｃｒ膜）をスパッタリング法により成膜する（図１１（ｂ））。次に、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術（ウエットエッチングまたはドライエッチング）により、下部電極膜５２を所望の形状にパターニングする（図１１（ｃ））。続いて、圧電膜５３としてＡｌＮ薄膜を成膜し（図１１（ｄ））、さらに、上部電極膜５４としてＲｕ膜、第１の調整層５５としてＴｉ膜５５ａおよびＣｒ膜５５ｂを、それぞれスパッタリング法により成膜する（図１１（ｅ））。
【００６４】
次に、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術（ウエットエッチングまたはドライエッチング）により、第１の調整層５５と上部電極膜５４とを所望の形状にパターニングする（図１２（ａ））。なお、この第１の調整層５５と上部電極膜５４のパターニングをリフトオフにより実行することとしてもよい。
【００６５】
フォトリソグラフィ技術により第１の調整層５５の一部をレジスト５８によりマスキングした後（図１２（ｂ））、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより、第１の調整層５５のＣｒ膜５５ｂは全てを残存させる状態でＴｉ膜５５ａの一部領域を除去する（図１２（ｃ））。すなわち、第１の調整層５５の一部の膜厚を漸減させる。ここで、残存するＣｒ膜５５ｂは上部電極膜５４と第２の調整層５６との密着層としての役割も果たす。なお、第１の調整層５５および上部電極膜５４のパターニング工程と、第１の調整層５５の一部の膜厚を漸減させる工程の順序を逆にしても構わない。また、Ｔｉ膜５５ａとＣｒ膜５５ｂを逆に積層させてＣｒ／Ｔｉ積層構造とするようにしてもよい。さらに、第１の調整層５５の材料はＴｉおよびＣｒに限定されるものではなく、これら以外のエッチング選択性のある２種類の導電膜や絶縁膜（例えばＳｉＯ２、ＳｉＮやＡｌＮなど）を用いることとしてもよい。
【００６６】
次に、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術（ウエットエッチングまたはドライエッチング）により圧電膜５３を所望の形状にパターニングし（図１２（ｄ））、ＳｉＯ２の第２の調整層５６をスパッタリング法で成膜した後（図１３（ａ））、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術（ウエットエッチングまたはドライエッチング）により、上部電極膜５４上にある第１の調整層５５と第２の調整層５６の余分な部分を除去し、その部分にバンプパッド（不図示）を形成する（図１３（ｂ））。なお、第２の調整層５６は上記ＳｉＯ２である必要はなく、エッチングのための励起エネルギを照射してその一部の膜厚を漸減可能な絶縁膜（例えばＳｉＯ２、ＳｉＮやＡｌＮなど）でも構わない。
【００６７】
最後に、Ｓｉ基板５１の裏面に、フォトリソグラフィ技術により、空隙５７を形成するためのドライエッチング用のレジストをパターニングし、Ｓｉ基板５１の裏面からドライエッチングすることで上部電極膜５４と下部電極膜５２が対向する領域に対応する基板５１の裏面側に空隙５７を形成する（図１３（ｃ））。これにより、図９に示すような圧電薄膜共振子（および図１０に示すようなフィルタ）が作製される（図１３（ｄ））。
【００６８】
ここで、空隙形成のためのドライエッチングは、ＳＦ６ガスによるエッチングとＣ４Ｆ８ガスによる空隙５７の側壁保護膜形成とを交互に繰り返す条件で実行している。このようなエッチング条件とすることにより、空隙５７の側壁形状がＳｉ基板５１の主面に対して略垂直の空隙５７を形成することができる。
【００６９】
なお、上述した基板５１、電極膜５２および５４、ならびに圧電膜５３の各材料は例示に過ぎず、従来から一般に用いられている材料としても本発明の共振子およびフィルタが奏する作用・効果を得ることが可能である。なお、下部電極膜５２の下側に空隙５７を形成するに際しては、犠牲層を用いる方法によることとしてもよい。また、空隙５７に代えて、音響インピーダンスが高い膜と低い膜を交互にλ／４（λは弾性波の波長）の膜厚で積層させた音響反射膜を設けた構造とすることもできる。
【００７０】
このような共振子の作製方法によれば、共振周波数のずらし量は第１の調整層５５のＴｉ膜５５ａの厚みで制御可能であり、従来から用いられている電極膜のエッチングによる調整方法よりも高い精度で共振周波数をずらすことが可能である。また、上部電極膜５４と第２の調整層５６との密着力が高まってフィルタ特性が向上する。さらには、フィルタの中心周波数は第１の調整層５５とは異なる材料で構成される第２の調整層の膜厚（重量）で行われるため、安定して中心周波数調整を実行することができる。
【実施例３】
【００７１】
図１４は、本発明の圧電薄膜共振子の第３の構成例を説明するための図で、図１４（ａ）は上平面図、図１４（ｂ）および図１４（ｃ）はそれぞれ本発明の圧電薄膜共振子を直列共振子または並列共振子とした場合の図１４（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００７２】
この圧電薄膜共振子は、基板１０１としてＳｉ基板を用い、Ｒｕ膜１０２ａとＣｒ膜１０２ｂを積層させたＲｕ／Ｃｒの２層構造の下部電極膜１０２、ＡｌＮの圧電膜１０３、およびＲｕの上部電極膜１０４を備えており、さらに上部電極膜１０４上の下部電極膜１０２と対向する領域には、ＳｉＯ２の第２の調整層１０６をその上に有するＳｉＯ２の第１の調整層１０５が設けられている。すなわち、本実施例の第１および第２の調整層は共にＳｉＯ２の膜で構成されている。以下ではこれらの２層を合わせて周波数調整層１０９と呼ぶことがある。下部電極膜１０２は、圧電膜１０３に形成されたコンタクト窓１２９を介して露出している。
【００７３】
なお、この周波数調整層１０９は、下部電極膜１０２または上部電極膜１０４で被覆されていない基板１０１表面上および圧電膜１０３表面上にも形成されている。さらに、上部電極膜１０４と下部電極膜１０２の対向領域に対応する基板１０１には、基板１０１の裏側からＳｉをフッ素系ガスでエッチングすることにより、弾性エネルギを閉じ込めるキャビティとしての空隙１０７が形成されている。
【００７４】
なお、上記の各膜の厚みは、例えば、５．２ＧＨｚの共振周波数の圧電薄膜共振子とする場合には、下部電極膜１０２のＲｕ膜１０２ａが１００ｎｍ、Ｃｒ膜１０２ｂが５０ｎｍ、圧電膜１０３のＡｌＮが４００ｎｍ、上部電極膜１０４のＲｕ膜が１００ｎｍとなる。
【００７５】
図１５は、図１４に示した本発明の圧電薄膜共振子を直列椀と並列椀に複数個配置して構成したフィルタの一例を説明するための図で、図１５（ａ）は上平面図、図１５（ｂ）は図１５（ａ）中のＡ´−Ａ´線に沿う断面図である。この図には、４つの直列共振子（Ｓ）と３つの並列共振子（Ｐ）が図示されている。なお、これらの圧電薄膜共振子の基本構造は図１４に示した圧電薄膜共振子の基本構造と概ね同じであるが、フィルタとして構成する場合には、並列共振子の共振周波数を低くしてバンドパスフィルタ特性を得るために、並列共振子の周波数調整層１０９を直列共振子の周波数調整層１０９よりも厚くしてその重量を重くする。なお、図示はしないが、上部電極膜１０４と周波数調整層１０９との間に密着性を高めるための薄い層を設けるようにしてもよい。
【００７６】
以下に、図１６〜図１８を用いて、このような共振子（およびフィルタ）の作製プロセスの例について説明する。まず、例えば３００μｍの厚みのＳｉの基板１０１（図１６（ａ））上に、下部電極膜１０２として、Ｒｕ膜１０２ａとＣｒ膜１０２ｂの積層膜（Ｒｕ／Ｃｒ膜）をスパッタリング法により成膜する（図１６（ｂ））。次に、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術（ウエットエッチングまたはドライエッチング）により、下部電極膜１０２を所望の形状にパターニングする（図１６（ｃ））。続いて、圧電膜１０３としてＡｌＮ薄膜を成膜し（図１６（ｄ））、さらに、上部電極膜１０４としてＲｕ膜、第１の調整層１０５および第２の調整層１０６としてのＳｉＯ２をスパッタリング法により成膜して周波数調整層１０９を形成する（図１６（ｅ））。このとき、上部電極膜１０４と周波数調整層１０９との間に両層の密着性を高めるための薄膜層を設けるようにしてもよい。
【００７７】
次に、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術（ウエットエッチングまたはドライエッチング）により、周波数調整層１０９と上部電極膜１０４とを所望の形状にパターニングする（図１７（ａ））。なお、この周波数調整層１０９と上部電極膜１０４のパターニングをリフトオフにより実行することとしてもよい。
【００７８】
フォトリソグラフィ技術により周波数調整層１０９の一部をレジスト１０８によりマスキングした後（図１７（ｂ））、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより、周波数調整層１０９のＳｉＯ２の一部領域を除去して周波数調整層１０９の一部の膜厚を漸減させる（図１７（ｃ））。なお、周波数調整層１０９および上部電極膜１０４のパターニング工程と、周波数調整層１０９の一部の膜厚を漸減させる工程の順序を逆にしても構わない。
【００７９】
次に、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術（ウエットエッチングまたはドライエッチング）により圧電膜１０３を所望の形状にパターニングし（図１７（ｄ））、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術（ウエットエッチングまたはドライエッチング）により、上部電極膜１０４上にある周波数調整層１０９の余分な部分を除去し、その部分にバンプパッド（不図示）を形成する（図１８（ａ））。
【００８０】
最後に、Ｓｉ基板１０１の裏面に、フォトリソグラフィ技術により、空隙１０７を形成するためのドライエッチング用のレジストをパターニングし、Ｓｉ基板１０１の裏面からドライエッチングすることで上部電極膜１０４と下部電極膜１０２が対向する領域に対応する基板１０１の裏面側に空隙１０７を形成する（図１８（ｂ））。これにより、図１４に示すような圧電薄膜共振子（および図１５に示すようなフィルタ）が作製される（図１８（ｃ））。
【００８１】
ここで、空隙形成のためのドライエッチングは、ＳＦ６ガスによるエッチングとＣ４Ｆ８ガスによる空隙１０７の側壁保護膜形成とを交互に繰り返す条件で実行している。このようなエッチング条件とすることにより、空隙１０７の側壁形状がＳｉ基板１０１の主面に対して略垂直の空隙１０７を形成することができる。
【００８２】
なお、上述した基板１０１、電極膜１０２および１０４、ならびに圧電膜１０３の各材料は例示に過ぎず、従来から一般に用いられている材料としても本発明の共振子およびフィルタが奏する作用・効果を得ることが可能である。また、周波数調整層１０９の材料はＳｉＯ２に限定されるものではなく、酸化され難い材料（例えばＳｉＯ２以外の酸化物あるいはＳｉＮやＡｌＮなどの窒化物）であってもよい。さらに、下部電極膜１０２の下側に空隙１０７を形成するに際しては、犠牲層を用いる方法によることとしてもよく、空隙１０７に代えて、音響インピーダンスが高い膜と低い膜を交互にλ／４（λは弾性波の波長）の膜厚で積層させた音響反射膜を設けた構造とすることもできる。
【００８３】
以上説明したように、本発明の共振子は周波数調整用の層を２つ備えることとし、これらの２層を、Δf調整に用いる第１の調整層と、フィルタ製造過程で生じた各共振子の共振周波数のずれを補正するために用いる第２の調整層として用いる。共振子にこのような２つの周波数調整層を予め設けておくことによりΔf調整とフィルタの中心周波数調整を独立に実行することが可能となり、単一の基板（あるいはウェハ）上に互いに異なる共振周波数を有する圧電薄膜共振子を多数作り込むことが可能となると同時に、これらの共振子を複数個接続して構成されるフィルタの中心周波数を精密に調整することができる。
【００８４】
また、上記第２の調整層は、酸化され難い材質（例えば酸化物や窒化物など）の絶縁膜であって、かつ上部電極膜とは異なる材質で形成される。このような材質選択により、Δf調整工程で生じた上部電極膜表面の酸化などによる共振特性の劣化や当該共振特性の劣化がフィルタの中心周波数調整工程に及ぼす悪影響を抑制することができ、さらには、バンプやワイヤ接続のための導電性下地層との密着性低下に起因する歩留まり低下などの問題を回避することができる。
【００８５】
本発明によれば、単一の基板（あるいはウェハ）上に作り込まれた多数の圧電薄膜共振子の精密なΔｆ調整を可能とし、かつこれら圧電薄膜共振子で構成されたフィルタの中心周波数を高精度で調整することが可能となる。
【００８６】
なお、本発明のフィルタは、単一の通過帯域を持つフィルタに限定されず、複数の通過帯域を有するデュプレクサやデュアルバンドフィルタを含む。例えば、本発明のデュプレクサは、アンテナに接続され、近接する送信信号と受信信号を分波する。本発明のデュプレクサは、単一の基板または個別の基板を用いて形成された送信側フィルタと受信側フィルタとを含む。送信側フィルタと受信側フィルタはそれぞれ、複数の共振子を梯子型に接続した構成で、近接する送信信号通過帯域と受信信号通過帯域とを有する。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の圧電薄膜共振子の第１の構成例を説明するための図で、（ａ）は上平面図、図（ｂ）および図（ｃ）はそれぞれ本発明の圧電薄膜共振子を直列共振子または並列共振子とした場合の図（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図２】フィルタの通過特性を示す図であり、図（ａ）はＦＢＡＲ共振子を１つ直列接続したフィルタの通過特性、図（ｂ）はＦＢＡＲ共振子を１つ並列接続したフィルタの通過特性、そして図（ｃ）はＦＢＥＲ共振子を直列腕および並列腕に１つずつ配置して構成したフィルタの通過特性を示す図である。
【図３】図１に示した本発明の圧電薄膜共振子を、直列椀と並列椀に複数個配置して構成したフィルタの一例を説明するための図で、図（ａ）は上平面図、図（ｂ）は図（ａ）中のＡ´−Ａ´線に沿う断面図、同（ｃ）はフィルタの回路図である。
【図４】第１の実施例における共振子（およびフィルタ）の作製プロセスの例について説明するための図である。
【図５】第１の実施例における共振子（およびフィルタ）の作製プロセスの例について説明するための図である。
【図６】第１の実施例における共振子（およびフィルタ）の作製プロセスの例について説明するための図である。
【図７】本発明のフィルタの中心周波数調整前後の特性を説明するための図である。
【図８】フィルタの中心周波数変動量（Δω）の第２の調整層のエッチング時間依存性を説明するための図である。
【図９】本発明の圧電薄膜共振子の第２の構成例を説明するための図で、（ａ）は上平面図、図（ｂ）および図（ｃ）はそれぞれ本発明の圧電薄膜共振子を直列共振子または並列共振子とした場合の図（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図１０】図９に示した本発明の圧電薄膜共振子を、直列椀と並列椀に複数個配置して構成したフィルタの一例を説明するための図で、図（ａ）は上平面図、図（ｂ）は図（ａ）中のＡ´−Ａ´線に沿う断面図である。
【図１１】第２の実施例における共振子（およびフィルタ）の作製プロセスの例について説明するための図である。
【図１２】第２の実施例における共振子（およびフィルタ）の作製プロセスの例について説明するための図である。
【図１３】第２の実施例における共振子（およびフィルタ）の作製プロセスの例について説明するための図である。
【図１４】本発明の圧電薄膜共振子の第３の構成例を説明するための図で、（ａ）は上平面図、図（ｂ）および図（ｃ）はそれぞれ本発明の圧電薄膜共振子を直列共振子または並列共振子とした場合の図（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図１５】図１４に示した本発明の圧電薄膜共振子を、直列椀と並列椀に複数個配置して構成したフィルタの一例を説明するための図で、図（ａ）は上平面図、図（ｂ）は図（ａ）中のＡ´−Ａ´線に沿う断面図である。
【図１６】第３の実施例における共振子（およびフィルタ）の作製プロセスの例について説明するための図である。
【図１７】第３の実施例における共振子（およびフィルタ）の作製プロセスの例について説明するための図である。
【図１８】第３の実施例における共振子（およびフィルタ）の作製プロセスの例について説明するための図である。
【符号の説明】
【００８８】
１１、５１、１０１  基板
１２、５２、１０２  下部電極膜
１２ａ、５２ａ、１０２ａ  Ｒｕ膜
１２ｂ、５２ｂ、１０２ｂ  Ｃｒ膜
１３、５３、１０３  圧電膜
１４、５４、１０４  上部電極膜
１５、５５、１０５  第１の調整層
１６、５６、１０６  第２の調整層
１７、５７、１０７  空隙
１８、５８、１０８  レジスト
１０９  周波数調整層
【図１】
2005286945.tif 000003
【図２】
2005286945.tif 000004
【図３】
2005286945.tif 000005
【図４】
2005286945.tif 000006
【図５】
2005286945.tif 000007
【図６】
2005286945.tif 000008
【図７】
2005286945.tif 000009
【図８】
2005286945.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2005286945.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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