(57)【要約】【課題】  ＩＩＩ族窒化物結晶の成長速度を向上させたＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】  ＩＩＩ族元素とアルカリ金属とを含む融液７に窒素プラズマ８ａを接触させることによって、ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法である。また、融液７の表面と基板１０の表面との間の最短距離Ｘが５０ｍｍ以下であることが好ましいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法である。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ族元素とアルカリ金属とを含む融液に窒素プラズマを接触させることによって、ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させることを特徴とする、ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項２】
前記融液中に基板を設置し、前記基板上に前記ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させることを特徴とする、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項３】
前記融液の表面と前記基板の表面との間の最短距離が５０ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項２に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項４】
前記融液の表面と前記基板の表面との間の最短距離が２０ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項３に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項５】
前記融液の表面温度が、前記融液の下方の温度よりも高温となっていることを特徴とする、請求項１または２に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項６】
ＩＩＩ族元素とアルカリ金属とを含む融液中に設置された基板上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法であって、前記融液の表面と前記基板の表面との間の最短距離が５０ｍｍ以下であることを特徴とする、ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項７】
前記融液の表面と前記基板の表面との間の最短距離が２０ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項６に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項８】
前記ＩＩＩ族元素がガリウムであって、前記アルカリ金属がナトリウムであることを特徴とする、請求項１から７のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項９】
前記融液にケイ素が含まれていることを特徴とする、請求項１から８のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法に関し、特にＩＩＩ族窒化物結晶の成長速度を向上させたＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年周知のように、青色光や紫外光を出射する半導体発光ダイオードや半導体レーザ等に利用するため、窒化ガリウム（ＧａＮ）結晶等のＩＩＩ族窒化物結晶の需要が高まっている。
【０００３】
従来から、ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法としては、ハイドライド気相成長法、有機金属気相成長法または化学輸送法等が知られている。
【０００４】
しかしながら、ハイドライド気相成長法や有機金属気相成長法では、反応室内に導入される原料ガスの反応においてＩＩＩ族窒化物結晶内にその構成成分として取り込まれない塩化水素（ＨＣｌ）、アンモニア（ＮＨ3）または水素（Ｈ2）等が反応室内に滞るので、これらのガスを反応室から外部へ排出する必要があった。したがって、ハイドライド気相成長法や有機金属気相成長法では、原料ガスの大半がＩＩＩ族窒化物結晶の成長に寄与することなく捨てられることになり、原料収率が悪いという問題があった。また、大量のＨＣｌ、ＮＨ3、Ｈ2等を廃棄するために大規模の除害設備が必要となり、製造設備のコストが増大するという問題もあった。
【０００５】
他方、閉管内の高温部において気化された原料ガスを低温部に輸送してその低温部で結晶成長させる物理輸送法によれば、反応管の外部にガスを排出しないため、原料収率は良好である。しかしながら、外部から原料ガスが供給されない物理輸送法では、原料ガスの輸送量を増大させることができないため、ＩＩＩ族窒化物結晶の成長速度を向上させることは望めなかった。
【０００６】
また、特許文献１〜６においては、Ｎａ（ナトリウム）等をフラックスとして用いたフラックス法により、ＧａＮ結晶を成長させる方法が開示されている。しかしながら、特許文献１〜６に開示された方法においても、ＧａＮ結晶の成長速度が遅く高圧容器が必要であるためＧａＮ結晶の製造コストが高くなるという問題と、ＧａＮ結晶の導電性の制御が困難であるという問題があった。
【特許文献１】米国特許５８６８８３７号明細書
【特許文献２】特開２００１−５８９００号公報
【特許文献３】特開２００１−６４０９７号公報
【特許文献４】特開２００１−６４０９８号公報
【特許文献５】特開２００１−１０２３１６号公報
【特許文献６】特開２００２−２０１１００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、ＩＩＩ族窒化物結晶の成長速度を向上させたＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ＩＩＩ族元素とアルカリ金属とを含む融液に窒素プラズマを接触させることによって、ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法である。
【０００９】
ここで、本発明のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法においては、融液中に基板を設置し、基板上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させることができる。
【００１０】
また、本発明のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法においては、融液の表面と基板の表面との間の最短距離が５０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１１】
また、本発明のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法においては、融液の表面と基板の表面との間の最短距離が２０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１２】
また、本発明のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法においては、融液の表面温度が融液の下方の温度よりも高温となっていることが好ましい。
【００１３】
また、本発明は、ＩＩＩ族元素とアルカリ金属とを含む融液中に設置された基板上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法であって、融液の表面と基板の表面との間の最短距離が５０ｍｍ以下であるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法である。
【００１４】
また、本発明のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法においては、融液の表面と基板の表面との間の最短距離が２０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１５】
また、本発明のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法においては、ＩＩＩ族元素がガリウムであって、アルカリ金属がナトリウムであり得る。
【００１６】
また、本発明のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法においては、融液にケイ素を含めることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ＩＩＩ族窒化物結晶の成長速度を向上させたＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本願の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００１９】
（実施の形態１）
図１に本発明のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法に用いられる製造装置の好ましい一例の一部の模式的な断面図を示す。この製造装置は、ステンレス製の反応管１と、反応管１の上部に設置された石英製のガス導入管２と、反応管１の内部に設置されたアルミナ製の坩堝３と、マイクロ波を発生させる発振器４と、マイクロ波を導波するアルミニウム製の導波管５と、反応管１の外部に設置された加熱装置６とを含む。
【００２０】
また、坩堝３内には、坩堝３に粉末状のＧａとＮａとを充填した後に加熱装置６が坩堝３を加熱することによって得られたＧａとＮａとを含む融液（Ｇａ−Ｎａ融液）７が収容されている。
【００２１】
この反応管１の内部は、真空ポンプ（図示せず）によって、たとえば反応管１の内部の圧力が１０-2Ｐａ程度になるまで一旦排気される。その後、反応管１の上部に設置されたガス導入管２から窒素ガス８を反応管１内に導入して、反応管１の内部の圧力をたとえば１００Ｐａから５０００Ｐａとする。その際に、反応管１の上部に設けられた導波管５を介して、たとえば周波数２．４５ＧＨｚで出力１００Ｗのマイクロ波９が窒素ガス８に印加され、窒素プラズマ８ａが生成させられる。そして、この窒素プラズマ８ａがＧａ−Ｎａ融液７に接触することで、坩堝３の内壁等にＩＩＩ族窒化物結晶であるＧａＮ結晶が成長する。
【００２２】
このように、本実施の形態においては、分子である窒素ガス８よりも反応性の高い窒素プラズマ８ａがＧａ−Ｎａ融液７に接触する。また、窒素プラズマ８ａは窒素ガス８よりも遥かに高温であるため、Ｇａ−Ｎａ融液７の表面温度がＧａ−Ｎａ融液７の下方の温度よりも高温となり、高温であるＧａ−Ｎａ融液７の表面近傍において多量の窒素が溶解し、低温であるＧａ−Ｎａ融液７の下方において多量にＧａＮ結晶が析出することとなる。さらに、本実施の形態においては、Ｇａ−Ｎａ融液７中のＮａの触媒的な作用によってＧａＮ結晶の成長が大きく促進される。それゆえ、本実施の形態においては、ＧａＮ結晶の成長速度を大きく向上させることができるのである。
【００２３】
また、本実施の形態においては、Ｇａ−Ｎａ融液７の下方においてＧａＮ結晶が成長することから、成長したＧａＮ結晶がＧａ−Ｎａ融液７で覆われるため、ＧａＮ結晶と窒素プラズマ８ａの衝突によってＧａＮ結晶が損傷しにくくなる。それゆえ、本発明においては、ＧａＮ結晶の品質も向上させることができる。
【００２４】
また、本実施の形態においては、反応管１内の圧力を高圧にする必要がないため、Ｇａ−Ｎａ融液７の温度制御、反応管１内の圧力制御および窒素ガス８の導入作業等が反応管１内を高圧とする場合と比べて非常に容易となり、しかも製造装置の構成を簡略化することができるため、ＧａＮ結晶の製造コストを大幅に削減することができる。
【００２５】
また、本実施の形態においては、加熱装置６の加熱温度を制御することによって、Ｇａ−Ｎａ融液７の表面温度をＧａ−Ｎａ融液７の下方の温度よりも高温とした後に窒素プラズマ８ａを接触させることによって、Ｇａ−Ｎａ融液７中への窒素の溶解量が増大し、さらにＧａＮ結晶の成長速度を向上させることができる傾向にある。ここで、Ｇａ−Ｎａ融液７の表面から下方へかけての温度勾配が単調減少となっている場合には、さらに高品質のＧａＮ結晶が得られやすくなる傾向にある点で好ましい。
【００２６】
（実施の形態２）
図２に本発明のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法に用いられる製造装置の好ましい他の例の一部の模式的な断面図を示す。本実施の形態においては、サファイア基板の（０００１）面上にＧａＮ薄膜を形成したＧａＮテンプレート基板１０をＧａ−Ｎａ融液７中に平置きに設置し、窒素ガス８をプラズマ化することなくＧａ−Ｎａ融液７に接触させてＧａＮテンプレート基板１０上にＩＩＩ族窒化物結晶であるＧａＮ結晶を成長させることに特徴がある。
【００２７】
ここで、Ｇａ−Ｎａ融液７の表面とＧａＮテンプレート基板１０の表面との間の最短距離Ｘが５０ｍｍ以下であることが好ましく、２０ｍｍ以下であることがより好ましい。これは、Ｇａ−Ｎａ融液７の表面とＧａＮテンプレート基板１０の表面との間の最短距離Ｘが５０ｍｍ以下である場合には、Ｇａ−Ｎａ融液７の表面に窒素ガス８が接触するとすぐにＧａＮテンプレート基板１０上にＧａＮ結晶が成長し、また坩堝３の壁面にＧａＮ結晶が生成することが少なくなる傾向にあり、特にこの最短距離Ｘが２０ｍｍ以下である場合にはその傾向が大きくなることを本発明者が見出したためである。また、この場合にはＧａ−Ｎａ融液７に温度勾配を形成することなく、ＧａＮ結晶の成長速度を向上させることができる。この理由としては、Ｇａ−Ｎａ融液７の表面とＧａＮテンプレート基板１０との間にあるＧａ−Ｎａ融液７中の窒素濃度が、最短距離Ｘが短いほど均一かつ高濃度になるためと考えられる。
【００２８】
さらに、本実施の形態において、反応管１の内部の圧力は、１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であることが好ましく、３ＭＰａ以上８ＭＰａ以下であることがより好ましい。反応管１の内部の圧力が１ＭＰａ未満である場合には窒素ガス８がＧａ−Ｎａ融液７に溶解せずＧａＮ結晶が成長しない傾向にあり、１０ＭＰａよりも高い場合にはＧａＮ結晶の成長速度が速くなりすぎてＧａＮテンプレート基板１０よりも坩堝３の壁面に多結晶のＧａＮ結晶が多量に成長し、ＧａＮテンプレート基板１０上に成長するＧａＮ結晶も多結晶化する傾向にある。３ＭＰａ以上８ＭＰａ以下である場合には、結晶性の高いＧａＮ結晶が効率的に成長する傾向にある。
【００２９】
（実施の形態３）
図３に本発明のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法に用いられる製造装置の好ましいさらに他の例の一部の模式的な断面図を示す。本実施の形態においては、窒素ガス８をプラズマ化した窒素プラズマ８ａをＧａ−Ｎａ融液７に接触させること、およびＧａ−Ｎａ融液７の表面とＧａＮテンプレート基板１０の表面との間の最短距離Ｘを５０ｍｍ以下、好ましくは２０ｍｍ以下としたことに特徴がある。
【００３０】
したがって、本実施の形態においては、反応性の高い窒素プラズマ８ａがＧａ−Ｎａ融液７の表面に接触してすぐにＧａＮ結晶がＧａＮテンプレート基板１０上に成長することから、ＧａＮ結晶の成長速度を向上させることができる。
【００３１】
（その他）
上記実施の形態においては、ＩＩＩ族窒化物結晶としてＧａＮ結晶を成長させる場合について説明したが、本発明においては、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）結晶またはＩｎＮ（窒化インジウム）結晶等を成長させることもできる。
【００３２】
また、上記実施の形態においては、Ｇａ−Ｎａ融液７にケイ素（Ｓｉ）等の不純物を含有させることにより、導電性のＩＩＩ族窒化物結晶を製造することもできる。
【００３３】
また、上記実施の形態においては、ＧａＮテンプレート基板１０の代わりに、サファイア基板またはＧａＮ単結晶基板を用いることもできる。
【００３４】
また、上記実施の形態においては、２．４５ＧＨｚのマイクロ波の代わりに、たとえば１３．５６ＭＨｚ等の高周波によって窒素プラズマを生成することもできる。
【００３５】
また、上記実施の形態においては、Ｎａの代わりに、高温でアルカリ金属と窒素ガスとに分解するアジ化ナトリウム（ＮａＮ3）等のアルカリ金属のアジ化物を用いることもできる。
【実施例】
【００３６】
（実施例１）
図１に示す坩堝３内に２０ｇのＧａと１５ｇのＮａとを充填した後に加熱装置６により加熱してＧａ−Ｎａ融液７を作製した。ここで、Ｇａ−Ｎａ融液７の表面温度を９００℃とし、Ｇａ−Ｎａ融液７の底部の温度が８００℃となるようにＧａ−Ｎａ融液７の表面から下方にかけての温度勾配が単調減少となるように加熱装置６の加熱温度を制御した。そして、反応管１の内部の圧力が１０-2Ｐａとなるまで排気し、ガス導入管２から窒素ガス８を反応管１内に導入して、反応管１の内部の圧力を１０００Ｐａとした。その際に、反応管１の上部に設けられた導波管５を介して、たとえば周波数２．４５ＧＨｚで出力１００Ｗのマイクロ波９が窒素ガス８に印加され、窒素プラズマ８ａが生成した。そして、この窒素プラズマ８ａをＧａ−Ｎａ融液７に接触させることで、坩堝３の底面にＧａＮ結晶を成長させた。このときのＧａＮ結晶の成長速度を表１に示す。１００時間成長後、坩堝３の底面一面に成長したＧａＮ結晶の厚さは２ｍｍ程度であり、表１に示すように、実施例１におけるＧａＮ結晶の成長速度は２０μｍ／時間であった。
【００３７】
（実施例２）
図３に示す坩堝３内に、幅１０ｍｍ×長さ１０ｍｍ×厚さ０．４ｍｍのサファイア基板の（０００１）面上に有機金属気相成長法により厚さ３μｍのＧａＮ薄膜を形成したＧａＮテンプレート基板１０を平置きに設置し、ＧａとＮａのモル比率は一定のまま、Ｇａ−Ｎａ融液７の表面と平坦なＧａＮテンプレート基板１０の表面との間の最短距離Ｘを５５ｍｍとしたこと以外は実施例１と同様にしてＧａＮテンプレート基板１０上にＧａＮ結晶を成長させた。このときのＧａＮ結晶の成長速度を表１に示す。表１に示すように、実施例２におけるＧａＮ結晶の成長速度は２５μｍ／時間であった。また、ＧａＮテンプレート基板１０を平置きにすることでＧａＮテンプレート基板１０の表面上に均一な厚みのＧａＮ結晶が成長した。
【００３８】
（実施例３）
ＧａとＮａのモル比率は一定のまま、Ｇａ−Ｎａ融液７の表面と平坦なＧａＮテンプレート基板１０の表面との間の最短距離Ｘを５０ｍｍとしたこと以外は実施例２と同様にしてＧａＮテンプレート基板１０上にＧａＮ結晶を成長させた。このときのＧａＮ結晶の成長速度を表１に示す。表１に示すように、実施例３におけるＧａＮ結晶の成長速度は４５μｍ／時間であった。
【００３９】
（実施例４）
ＧａとＮａのモル比率は一定のまま、Ｇａ−Ｎａ融液７の表面と平坦なＧａＮテンプレート基板１０の表面との間の最短距離Ｘを２０ｍｍとしたこと以外は実施例２と同様にしてＧａＮテンプレート基板１０上にＧａＮ結晶を成長させた。このときのＧａＮ結晶の成長速度を表１に示す。表１に示すように、実施例４におけるＧａＮ結晶の成長速度は６０μｍ／時間であった。
【００４０】
（比較例１）
図１に示す坩堝３内にＮａを充填せずにＧａ融液を作製して、このＧａ融液の表面に窒素プラズマ８ａを接触させたこと以外は実施例１と同様にして坩堝３の内壁にＧａＮ結晶を成長させた。このときのＧａＮ結晶の成長速度を表１に示す。表１に示すように、比較例１におけるＧａＮ結晶の成長速度は１２μｍ／時間であった。
【００４１】
【表１】
2005194146.tif 000003
【００４２】
表１からもわかるように、実施例１から４のＧａＮ結晶の成長速度は比較例１のＧａＮ結晶の成長速度よりも速かった。
【００４３】
また、Ｇａ−Ｎａ融液７の表面とＧａＮテンプレート基板１０の表面との間の最短距離Ｘが５０ｍｍである実施例３および最短距離Ｘが２０ｍｍである実施例４のＧａＮ結晶の成長速度は、最短距離Ｘが５５ｍｍである実施例２のＧａＮ結晶の成長速度よりも速かった。
【００４４】
また、最短距離Ｘが２０ｍｍである実施例４のＧａＮ結晶の成長速度は、最短距離Ｘが５０ｍｍである実施例３のＧａＮ結晶の成長速度よりも速かった。
【００４５】
（実施例５）
図２に示す製造装置を用いて窒素ガス８をＧａ−Ｎａ融液７に接触させ、反応管１の内部の圧力を５ＭＰａとしたこと以外は実施例３と同様にして平坦なＧａＮテンプレート基板１０上にＧａＮ結晶を成長させた。このときのＧａＮ結晶の成長速度を表２に示す。表２に示すように、実施例５におけるＧａＮ結晶の成長速度は７μｍ／時間であった。
【００４６】
（実施例６）
Ｇａ−Ｎａ融液７の表面とＧａＮテンプレート基板１０の表面との間の最短距離Ｘを２０ｍｍとしたこと以外は実施例５と同様にして平坦なＧａＮテンプレート基板１０上にＧａＮ結晶を成長させた。このときのＧａＮ結晶の成長速度を表２に示す。表２に示すように、実施例６におけるＧａＮ結晶の成長速度は１５μｍ／時間であった。
【００４７】
（比較例２）
Ｇａ−Ｎａ融液７の表面と平坦なＧａＮテンプレート基板１０の表面との間の最短距離Ｘを５５ｍｍとしたこと以外は実施例５と同様にしてＧａＮテンプレート基板１０上にＧａＮ結晶を成長させた。このときのＧａＮ結晶の成長速度を表２に示す。表２に示すように、比較例２におけるＧａＮ結晶の成長速度は１μｍ／時間であった。
【００４８】
（比較例３）
反応管１の内部の圧力を１０００Ｐａ（１０-3ＭＰａ）としたこと以外は実施例５と同様にしてＧａＮテンプレート基板１０上にＧａＮ結晶を成長させることを試みた。しかしながら、１０００Ｐａという低い圧力では窒素ガス８がＧａ−Ｎａ融液７中に溶解せずＧａＮ結晶が成長しなかったため、表２に示すように、比較例３におけるＧａＮ結晶の成長速度は０μｍ／時間であった。
【００４９】
【表２】
2005194146.tif 000004
【００５０】
表２からもわかるように、最短距離Ｘが５０ｍｍである実施例５および最短距離Ｘが２０ｍｍである実施例６のＧａＮ結晶の成長速度は、最短距離Ｘが５５ｍｍである比較例２のＧａＮ結晶の成長速度よりも速かった。
【００５１】
また、最短距離Ｘが２０ｍｍである実施例６のＧａＮ結晶の成長速度は、最短距離Ｘが５０ｍｍである実施例５のＧａＮ結晶の成長速度よりも速かった。
【００５２】
（実施例７）
図３に示す坩堝３内にＧａおよびＮａと共に０．０２ｇのＳｉを充填してＧａ−Ｎａ融液７を作製したこと以外は実施例４と同様にして平坦なＧａＮテンプレート基板１０上にＧａＮ結晶を成長させた。
【００５３】
このＧａＮ結晶をｖａｎ  ｄｅｒ  Ｐａｕｗ法のホール測定で評価したところｎ型の導電性を示し、３．１×１０18／ｃｍ3のキャリア濃度、６０ｃｍ2／Ｖｓの電子移動度および０．０３Ω・ｃｍの比抵抗値を有していた。
【００５４】
（実施例８）
図２に示す坩堝３内にＧａおよびＮａと共に０．０２ｇのＳｉを充填してＧａ−Ｎａ融液７を作製したこと以外は実施例６と同様にして平坦なＧａＮテンプレート基板１０上にＧａＮ結晶を成長させた。
【００５５】
このＧａＮ結晶をｖａｎ  ｄｅｒ  Ｐａｕｗ法のホール測定で評価したところｎ型の導電性を示し、２．２×１０18／ｃｍ3のキャリア濃度、８０ｃｍ2／Ｖｓの電子移動度および０．０４Ω・ｃｍの比抵抗値を有していた。
【００５６】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明においては、ＩＩＩ族窒化物結晶の成長速度を向上させたＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供することができるため、本発明は、ＩＩＩ族窒化物結晶を用いた光デバイスおよび電子デバイスの分野に好適に利用される。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法に用いられる製造装置の好ましい一例の一部の模式的な断面図である。
【図２】本発明のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法に用いられる製造装置の好ましい他の例の一部の模式的な断面図である。
【図３】本発明のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法に用いられる製造装置の好ましいさらに他の例の一部の模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１  反応管、２  ガス導入管、３  坩堝、４  発振器、５  導波管、６  加熱装置、７  Ｇａ−Ｎａ融液、８  窒素ガス、８ａ  窒素プラズマ、９  マイクロ波、１０  ＧａＮテンプレート基板。
【図１】
2005194146.tif 000005
【図２】
2005194146.tif 000006
【図３】
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