(57)【要約】【課題】プローブの先端部の被検査物に接触する面側と反対側に、プローブにより発生の削り屑をプローブの左右に均等に逃がすガイド部を設け、削り屑による物理的ダメージを回避する。【解決手段】プローブ１先端の被検査物に接触する側の面（接触側面１ａ）の反対側（上面側１４）に、プローブ１が電極パッド面３ａ上を摺動する時に発生する削り屑を、プローブ１が摺動する矢印Ｓ方向において左右へ均等に逃がすガイド部１０を設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査物に対して電気的検査を行うプローブ装置に使用するプローブであって、
前記プローブの先端部が前記被検査物と接触する側の面と反対側で前記先端部近傍の上部半分に先端中央部から左右対称、かつ放射状で前記プローブ内側に凸状曲面の切除部を設けたことを特徴とするプローブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ等のデバイスである被検査物に対して、回路試験等の電気的検査を行うためのプローブ装置において使用するプローブに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般にプローブ装置は、半導体チップ等の電気的検査を実施するにあたり、半導体チップ上に設けられている電極パッド上、あるいは電極パッド上に形成されているバンプに上部からプローブと呼ばれるコンタクトピンを押圧接触させて、半導体チップ等の電気的検査を行う。このとき、半導体チップをテスター等と電気的に接続する際には、プローブが取り付けられたプローブカードと呼ばれる回路基板を介して接続している。
【０００３】
従来技術によるプローブは、図２に示すように円柱状のプローブ１の先端部にて被検査物（半導体チップ）と接触する接触側面１ａの一面を切除して、この接触側面１ａと鈍角αをなす傾斜面１ｂを形成し、この傾斜面１ｂと接触側面１ａとの交差稜線２が被検査物（半導体チップ）の電極パッド面３ａへの接触部となる。
【０００４】
また、図３に示すように、プローブ１は保持リング７により中央に空孔６ａを有するプローブカード６に取り付けられており、プローブ１の末端部１ｅはハンダ５を介して、プローブカード６上に形成された配線（図示せず）に接続されている。プローブカード６には、被検査物４（半導体チップ）の電気的検査を実施するためのテスター８が接続されている。
【０００５】
被検査物４の電気的検査にあたっては、プローブカード６が被検査物４上方より一定量だけ矢印Ｐ方向に下降することにより、プローブ１の先端の交差稜線２が電極パッド面３ａ上に接触するとともに、プローブ１の先端は電極パッド面３ａに対してプローブ１の先端方向、すなわち矢印Ｓの方向（図２参照）に摺動し、同時にプローブ１の先端は、プローブ１自身の弾性力によって電極パッド３に押圧される。これにより、テスター８はプローブカード６，プローブ１を介して被検査物４と電気的に接続され、電気的検査を実行することができる（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−３１１７４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このような構成のプローブでは、電極パッド面３ａが主にアルミニウムから構成される場合、図４に示すように、プローブ１が電極パッド面３ａ上を矢印Ｓの方向に摺動すると、交差稜線２により電極パッド面３ａ上の酸化アルミニウムが削り取られ、削り屑９がプローブ１先端の傾斜面１ｂ、先端部１ｃと電極パッド面３ａに囲まれる空隙部分に堆積するため、電気的検査終了後、プローブカード６が上昇してプローブ１が矢印Ｔ方向に移動すると、削り屑９が電極パッド面３ａ上に大きく隆起した状態で残される。
【０００７】
そのため、後工程でウェハーレベルバーンイン（ＷＬＢＩ:Wafer Level Burn-In）によってコンタクトピンが電極パッド３上に押圧された際、あるいは電極パッド３上にワイヤボンディング，スタッドバンプ形成が行われた際に、コンタクトピン下降により削り屑９を噛み込んだり、ワイヤ接合もしくはスタッドバンプ形成前のイニシャルボールが削り屑９を噛み込んだりすることによって、削り屑９直下の領域に高い応力が発生し、電極パッド３下の回路構造に物理的ダメージが発生する可能性があった。
【０００８】
本発明は、前記従来技術の課題を解決することに指向するものであり、プローブの先端部の被検査物に接触する面側と反対面側に、プローブが電極パッド面上を摺動する際に発生した削り屑をプローブの左右に均等に逃がすためのガイド部を設け、削り屑に起因する物理的ダメージを回避するプローブを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的を達成するために、本発明に係るプローブは、被検査物に対して電気的検査を行うプローブ装置に使用するプローブであって、プローブの先端部が被検査物と接触する側の面と反対側で先端部近傍の上部半分に先端中央部から左右対称、かつ放射状で前記プローブ内側に凸状曲面の切除部を設けたことを特徴とする。
【００１０】
前記構成によれば、検査時にプローブによって発生する電極パッドの削り屑を、電極パッド面上で低くほぼ均等にすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように、本発明によれば、被検査物の検査時にプローブにより発生する電極パッドの削り屑を、電極パッド面上で低くほぼ均等にできるため、削り屑直下に発生する応力は従来よりも抑えることができ、後工程における電極パッド下の回路構造の物理的ダメージの発生を防止することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら本発明における実施の形態を詳細に説明する。
【００１３】
図１は本発明の実施の形態であるプローブを示す（ａ）は側面図、（ｂ）は（ａ）の矢印Ａ方向から見た正面図である。ここで、前記従来例を示す図２において説明した構成部材に対応して同等の機能を有するものには同一の符号を付す。
【００１４】
図１（ａ）に示すように、プローブ１先端の被検査物に接触する側の面（接触側面１ａ）の反対側（上面側１４）に、プローブ１が電極パッド面３ａ上を摺動する際に発生する削り屑をプローブ１の摺動する矢印Ｓ方向の左右へ均等に逃がすための切除部であるガイド部１０を設ける。このガイド部１０は、図１（ｂ）に示すように、プローブ１先端を上面側１４から見て左右対称である。
【００１５】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、ガイド部１０は面１１、コーナー部１２から構成される。コーナー部１２は図１（ｂ）のように、プローブ１先端の上面側から見てプローブ１内側に凸状の曲面で先端部から放射状である。プローブ１先端中央の鋭角部分１３には、左右のコーナー部１２により削り屑を振り分けるため角度βを形成する。
【００１６】
また、面１１として、プローブ１の直径をＤとすると、プローブ１先端の部分において、上面側１４からの深さＨが、Ｄ／４以上でＤ／２以下であることが望ましい。なお、面１１はコーナー部１２と交差する曲面であってもよい。また、プローブ１の断面形状は四角形をはじめとする多角形でもよい。その際、前記直径Ｄは側面から見たプローブ１の高さとする。また、プローブ１先端のガイド部１０形状は、図１（ｂ）に示すようなホーニング加工が施された形状に限定されない。
【００１７】
このようなガイド部１０を設けることにより、プローブ１が電極パッド面３ａ上を摺動することにより発生する削り屑は、プローブ１の摺動とともに左右に均等に振り分けられながらスクラブ部分の外周に高さを低く抑えて堆積することができる。このため、検査後の工程で、電極パッド面上にウェハーレベルバーンイン（ＷＬＢＩ）によるコンタクトピンが押圧されたり、ワイヤボンディングあるいはスタッドバンプ形成のためにイニシャルボールが押圧されても、削り屑直下に発生する応力は従来よりも低く抑えられ、電極パッド下の回路構造の物理的ダメージ発生を防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【００１８】
本発明に係るプローブは、半導体チップ等のデバイスである被検査物の検査時に、プローブによって生じる電極パッドの削り屑を電極パッド面上で低くほぼ均等にできるため、後工程における削り屑直下に発生する応力を低く抑えて、電極パッド下の回路構造への物理的ダメージを防ぎ、プローブを用いる回路試験を行う電気的検査等に用いて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態におけるプローブを示す（ａ）は側面図、（ｂ）は（ａ）の矢印Ａ方向から見た正面図
【図２】従来のプローブを示す側面図
【図３】従来のプローブを用いたプローブ装置を示す側面図
【図４】従来のプローブによる電極パッド面の削り屑の堆積状態を表す側面図
【符号の説明】
【００２０】
１  プローブ
１ａ  接触側面
１ｂ  傾斜面
１ｃ  先端部
１ｅ  末端部
２  交差稜線
３  電極パッド
３ａ  電極パッド面
４  被検査物（半導体チップ）
５  ハンダ
６  プローブカード
６ａ  空孔
７  保持リング
８  テスター
９  削り屑
１０  ガイド部
１１  面
１２  コーナー部
１３  鋭角部分
１４  上面側
【図１】
2005338040.tif 000003
【図２】
2005338040.tif 000004
【図３】
2005338040.tif 000005
【図４】
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