(57)【要約】      （修正有）【課題】簡易な構成で上方向又は下方向からの外圧に対して回路基板及び面実装部品間のはんだ部分の破断を回避できるようにする。【解決手段】半導体の面実装部品３を実装するための回路基板２であって、当該回路基板２に実装される面実装部品３の角部の近傍に形成された複数のスリット孔５〜８を備えることにより、応力が集中し易い回路基板２のコーナー部分２Ａ〜２Ｄに対して外圧が与えられた場合であっても、スリット孔５〜８によって回路基板２を当該スリット孔５〜８の内周側と外周側とに物理的に分離することができるので、回路基板２のコーナー部分２Ａ〜２Ｄが撓んだときでも当該回路基板２における面実装部品３の角部近傍の周囲部分については撓んだり反り返る等の変形を回避し得、かくして面実装部品３及び回路基板２間のはんだ部分の破断を回避することができる。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体の面実装電子部品を実装するための回路基板であって、
上記回路基板に実装される上記面実装電子部品の角部の近傍に形成された複数のスリット孔
を具えることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
上記複数のスリット孔は、上記面実装電子部品の角部を囲むように形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
上記回路基板は、上記複数のスリット孔に加えて、上記面実装電子部品の角部以外であって当該面実装電子部品の周囲に設けられた複数の補助スリット孔と
を具えることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
半導体の面実装電子部品と、当該面実装電子部品を実装するための回路基板とによって構成される半導体装置であって、
上記回路基板は、
当該回路基板に実装される上記面実装電子部品の角部の近傍に形成された複数のスリット孔
を具えることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
上記複数のスリット孔は、上記面実装電子部品の角部を囲むように形成されている
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
上記回路基板は、上記複数のスリット孔に加えて、上記面実装電子部品の角部以外であって当該面実装電子部品の周囲に設けられた複数の補助スリット孔と
を具えることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板及び半導体装置に関し、例えばＢＧＡ(Ball Grid Array)等の面実装部品を回路基板に実装することにより構成した半導体装置に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、図１６に示すように、半導体装置１００は、回路基板２のほぼ中央エリアにＢＧＡ等の面実装部品３を実装することにより構成されている。このような半導体装置１００では、近年、面実装部品３のサイズの大型化が進むと共に、回路基板２におけるはんだ付ランドの小径化が一段と進んでいる。
【０００３】
図１７（Ａ）に示すように、半導体装置１００は、回路基板２における実装面上の所定位置に面実装部品３を実装する場合、当該面実装部品３のはんだボール４と回路基板２のはんだ付ランド（図示せず）とを対向させた状態で実装するようになされている。
【０００４】
図１７（Ｂ）に示すように、半導体装置１００では、例えば上方向から回路基板２における対角線上のコーナー部分の２点に対して外圧Ｆ１及びＦ２が与えられた場合、コーナー部分では応力が集中するために小さな外圧Ｆ１及びＦ２であっても、回路基板２のコーナー部分が撓むことになるのに対し、当該面実装部品３が回路基板２と同様に撓むことがないので、面実装部品３と回路基板２との間で接続されているはんだボール４のはんだ部分が破断してしまう。
【０００５】
この破断の種類としては、はんだ部分自体が破壊されるケースや、回路基板２又は面実装部品３のはんだ付ランドごと引き剥がされるケース等多種多様である。このような破断を回避するために、面実装部品３と回路基板２との間に液状樹脂であるアンダーフィル樹脂等の樹脂封止材を用いる手法があるが、そのための組立工程を追加しなければならないといった問題もある。
【０００６】
一方、発熱電子デバイスの熱がプリント配線板に伝導することを遮断するため、当該プリント配線板に対してスリット状孔を形成したものがある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平11-40901号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところでかかる構成の半導体装置１００においては、特許文献１のプリント配線板に示されているように、矩形状でなる発熱電子デバイスの４辺に対応させてスリット状孔を形成する点を取り入れて、回路基板２に同様のスリット状孔を形成したとしても、回路基板２における対角線上のコーナー部分の２点に対して上方向から外圧Ｆ１及びＦ２が与えられた場合には、やはり図１７（Ｂ）に示したように回路基板２のコーナー部分が撓むものの当該面実装部品３が撓み難いので、面実装部品３と回路基板２との間で接続されているはんだ部分が破断に至るという問題があった。
【０００８】
さらに図１８（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示すように、半導体装置１００は回路基板２における対角線上のコーナー部分の２点に対して下方向から外圧Ｆ３及びＦ４が与えられた場合、回路基板２が外圧Ｆ３及びＦ４によって上方向へ反り返り、回路基板２と面実装部品３との間におけるはんだ部分がつぶされる結果、外圧Ｆ３及びＦ４が与えられなくなった際はんだ部分に破断が生じてしまうという問題があった。
【０００９】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、簡易な構成で上方向又は下方向からの外圧に対してはんだ部分の破断を回避し得る回路基板及び半導体装置を提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
かかる課題を解決するため本発明においては、半導体の面実装電子部品を実装するための回路基板であって、当該回路基板に実装される面実装電子部品の角部の近傍に形成された複数のスリット孔を備えることにより、応力が集中し易い回路基板のコーナー部分に対して外圧が与えられた場合であっても、回路基板における面実装電子部品の角部近傍部分が外圧で撓んだり反り返る等の変形を複数のスリット孔によって回避し、面実装電子部品及び回路基板間のはんだ部分の破断を回避することができる。
【００１１】
また本発明においては、半導体の面実装電子部品と、当該面実装電子部品を実装するための回路基板とによって構成される半導体装置であって、回路基板は、当該回路基板に実装される面実装電子部品の角部の近傍に形成された複数のスリット孔を備えることにより、応力が集中し易い回路基板のコーナー部分に対して外圧が与えられた場合であっても、回路基板における面実装電子部品の角部近傍部分が外圧で撓んだり反り返る等の変形を複数のスリット孔によって回避し、面実装電子部品及び回路基板間のはんだ部分の破断を回避することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、応力が集中し易い回路基板のコーナー部分に対して外圧が与えられた場合であっても、回路基板における面実装電子部品の角部近傍部分が外圧で撓んだり反り返る等の変形を複数のスリット孔によって回避し、面実装電子部品及び回路基板間のはんだ部分の破断を回避し得る回路基板及び半導体装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【００１４】
（１）第１の実施の形態
図１６との対応部分に同一符号を付して示す図１において、１は全体として本発明の第１の実施の形態における半導体装置を示し、矩形状の回路基板２のほぼ中央に矩形状の面実装部品３が実装され、その面実装部品３の周囲でかつ、当該面実装部品３の角部をそれぞれ覆うように形成されたほぼ直角のＬ字状でなる複数のスリット孔５〜８が設けられている。
【００１５】
このスリット孔５〜８は、回路基板２に対して形成された貫通孔であり、当該回路基板２のコーナー部分２Ａ〜２Ｄに対して外圧が与えられた場合に、回路基板２の撓みが面実装部品３の角部近傍に及ぶことを回避し得るようになされている。
【００１６】
図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、例えば半導体装置１は回路基板２のコーナー部分２Ａ及び２Ｂに対して上方向から外圧Ｆ１及びＦ２が与えられた場合や、回路基板２のコーナー部分２Ａ及び２Ｂに対して下方向から外圧Ｆ３及びＦ４が与えられた場合であっても、図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、スリット孔６及び８によって回路基板２を当該スリット孔６及び８の内周側と外周側とに物理的に分離していることにより、回路基板２におけるスリット孔６及び８の外周側部分については外圧Ｆ１及びＦ２によって撓むことになるが、当該スリット孔６及び８の内周側部分２Ｐ及び２Ｑについては外圧Ｆ１及びＦ２や外圧Ｆ３及びＦ４の影響を受けることなく撓むことがない。
【００１７】
すなわち半導体装置１は、回路基板２のコーナー部分２Ａ及び２Ｂに対して上方向又は下方向からの外圧Ｆ１及びＦ２、外圧Ｆ３及びＦ４が与えられた場合であっても、回路基板２のうち面実装部品３の周囲部分２Ｐ及び２Ｑについては当該面実装部品３との平行状態をほぼ保つことができるので、当該回路基板２及び面実装部品３間のはんだ部分に対して何ら影響が与えられることはなく、かくして当該はんだ部分に対する破断を回避し得るようになされている。
【００１８】
このことは、回路基板２のコーナー部分２Ｃ及び２Ｄに対して上方向又は下方向からの外圧Ｆ１及びＦ２、外圧Ｆ３及びＦ４が与えられた場合であっても同様である。
【００１９】
これにより半導体装置１は、応力が集中し易い回路基板２のコーナー部分２Ａ及び２Ｂに対して上方向又は下方向からの外圧Ｆ１及びＦ２、外圧Ｆ３及びＦ４が与えられた場合であっても、面実装部品３の角部を覆うように形成されたスリット孔５〜８によって、当該スリット孔５〜８の内周側に位置する回路基板２の面実装部品３の周囲部分２Ｐ及び２Ｑが撓んだり、反り返る等の変形を回避し得、かくして面実装部品３及び回路基板２間におけるはんだ部分が破断することを防止することができる。
【００２０】
（２）第２の実施の形態
図１との対応部分に同一符号を付して示す図４において、１０は全体として本発明の第２の実施の形態における半導体装置を示し、矩形状の回路基板２のほぼ中央に矩形状の面実装部品３が実装され、その面実装部品３の周囲でかつ、当該回路基板２及び面実装部品３にとって双方の対角線上の所定位置に、当該対角線と直交するように形成された所定長さのスリット孔１１〜１４が設けられている。
【００２１】
このスリット孔１１〜１４についても、第１の実施の形態におけるスリット孔５〜８と同様に、回路基板２に対して形成された貫通孔であり、当該回路基板２のコーナー部分２Ａ〜２Ｄに対して外圧が与えられた場合に、回路基板２の撓みが面実装部品３の角部近傍に及ぶことを回避し得るようになされている。
【００２２】
図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、半導体装置１０は回路基板２のコーナー部分２Ａ及び２Ｂに対して上方向から外圧Ｆ１及びＦ２が与えられた場合や、回路基板２のコーナー部分２Ａ及び２Ｂに対して下方向から外圧Ｆ３及びＦ４が与えられた場合であっても、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、スリット孔１２及び１４によって回路基板２を当該スリット孔１２及び１４の内周側と外周側とに物理的に分離していることにより、回路基板２におけるスリット孔１２及び１４の外周側部分については外圧Ｆ１及びＦ２、外圧Ｆ３及びＦ４によって撓むことになるが、当該スリット孔１２及び１４の内周側部分２Ｒ及び２Ｓについては外圧Ｆ１及びＦ２、外圧Ｆ３及びＦ４の影響を受けることがないので撓まない。
【００２３】
すなわち半導体装置１０は、回路基板２のコーナー部分２Ａ及び２Ｂに対して上方向又は下方向からの外圧Ｆ１及びＦ２、外圧Ｆ３及びＦ４が与えられた場合であっても、回路基板２のうち面実装部品３の周囲部分２Ｒ及び２Ｓについては当該面実装部品３との平行状態をほぼ保つことができるので、当該回路基板２及び面実装部品３間のはんだ部分に対して何ら影響が与えられることはなく、かくして当該はんだ部分に対する破断を回避し得るようになされている。
【００２４】
このことは、回路基板２のコーナー部分２Ｃ及び２Ｄに対して上方向又は下方向からの外圧Ｆ１及びＦ２、外圧Ｆ３及びＦ４が与えられた場合であっても同様である。
【００２５】
これにより半導体装置１０は、応力が集中し易い回路基板２のコーナー部分２Ａ及び２Ｂに対して上方向又は下方向からの外圧Ｆ１及びＦ２、外圧Ｆ３及びＦ４が与えられた場合であっても、面実装部品３の角部近傍で、当該回路基板２及び面実装部品３における双方の対角線上の所定位置に、当該対角線と直交するように形成されたスリット孔１１〜１４を介して回路基板２における面実装部品３の周囲部分２Ｒ及び２Ｓが撓んだり、反り返る等の変形を回避し得、かくして面実装部品３及び回路基板２間におけるはんだ部分が破断することを防止することができる。
【００２６】
なお半導体装置１０は、スリット孔１１〜１４の長さが長ければ長いほど、回路基板２のコーナー部分２Ａ〜２Ｄに対して与えられる外圧Ｆ１及びＦ２、外圧Ｆ３及びＦ４の面実装部品３に対する影響を少なくすることができるので、外圧Ｆ１及びＦ２、外圧Ｆ３及びＦ４の大きさに応じた任意の長さに設定することができる。
【００２７】
（３）第３の実施の形態
図１との対応部分に同一符号を付して示す図７において、２０は全体として本発明の第３の実施の形態における半導体装置を示し、矩形状の回路基板２のほぼ中央に矩形状の面実装部品３が実装され、その面実装部品３の周囲でかつ、当該面実装部品３の角部をそれぞれ覆うように形成された円弧状でなる複数のスリット孔２１〜２４が設けられている。
【００２８】
このスリット孔２１〜２４は、第１の実施の形態及び第２の実施の形態と同様に、回路基板２に対して形成された貫通孔であり、当該回路基板２のコーナー部分２Ａ〜２Ｄに対して外圧が与えられた場合に、回路基板２の撓みが面実装部品３の角部近傍に及ぶことを回避し得るようになされている。
【００２９】
図８（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、例えば半導体装置２０は回路基板２のコーナー部分２Ａ及び２Ｂに対して上方向から外圧Ｆ１及びＦ２が与えられた場合や、回路基板２のコーナー部分２Ａ及び２Ｂに対して下方向から外圧Ｆ３及びＦ４が与えられた場合であっても、図９（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、スリット孔２２及び２４によって回路基板２を当該スリット孔２２及び２４の内周側と外周側とに物理的に分離していることにより、、回路基板２におけるスリット孔２２及び２４の外周側部分については外圧Ｆ１及びＦ２、外圧Ｆ３及びＦ４によって撓むことになるが、当該スリット孔２２及び２４の内周側部分２Ｔ及び２Ｕについては外圧Ｆ１及びＦ２、外圧Ｆ３及びＦ４の影響を受けることがないので撓まない。
【００３０】
すなわち半導体装置２０は、回路基板２のコーナー部分２Ａ及び２Ｂに対して上方向又は下方向からの外圧Ｆ１及びＦ２、外圧Ｆ３及びＦ４が与えられた場合であっても、回路基板２のうち面実装部品３の周囲部分２Ｔ及び２Ｕについては当該面実装部品３との平行状態をほぼ保つことができるので、当該回路基板２及び面実装部品３間のはんだ部分に対して何ら影響が与えられることはなく、かくして当該はんだ部分に対する破断を回避し得るようになされている。
【００３１】
特に半導体装置２０は、スリット孔２１〜２４の形状が面実装部品３の角部を覆うようにかつ曲線状に形成されていることにより、回路基板２のコーナー部分２Ａ及び２Ｂから僅かにそれた箇所に対して上方向又は下方向からの外圧Ｆ１及びＦ２、外圧Ｆ３及びＦ４が与えられた場合であっても、その外圧Ｆ１及びＦ２、外圧Ｆ３及びＦ４の影響力をスリット孔２１〜２４の外周側へ逃がし易く、回路基板２及び面実装部品３間のはんだ部分に対する影響を極めて小さくして破断を回避し得るようになされている。
【００３２】
これにより半導体装置２０は、応力が集中し易い回路基板２のコーナー部分２Ａ及び２Ｂ近傍に対して外圧Ｆ１及びＦ２、外圧Ｆ３及びＦ４が与えられた場合であっても、面実装部品３の角部を覆うように形成された円弧状のスリット孔２１〜２４によって回路基板２における面実装部品３の周囲部分２Ｔ及び２Ｕが撓んだり、反り返る等の変形を回避し得、かくして面実装部品３及び回路基板２間におけるはんだ部分が破断することを防止することができる。
【００３３】
（４）第４の実施の形態
図１との対応部分に同一符号を付して示す図１０において、３０は全体として本発明の第４の実施の形態における半導体装置を示し、第１の実施の形態における半導体装置１と同様に、矩形状の回路基板２のほぼ中央に矩形状の面実装部品３が実装され、その面実装部品３の周囲でかつ、当該面実装部品３の角部をそれぞれ覆うように形成されたほぼ直角のＬ字状でなる複数のスリット孔５〜８が設けられている。
【００３４】
さらに半導体装置３０は、面実装部品３及び回路基板２の各辺と平行し、複数のスリット孔４〜７の周囲で、当該スリット孔５〜８と部分的に重なるように形成された直線状でなる複数の補助スリット孔３１〜３４が設けられている。
【００３５】
スリット孔５〜８は、回路基板２に対して形成された貫通孔であり、当該回路基板２のコーナー部分２Ａ〜２Ｄに対して外圧が与えられた場合に、回路基板２の撓みが面実装部品３の角部近傍に及ぶことを回避し得るようになされている。
【００３６】
一方、補助スリット孔３１〜３４も、回路基板２に対して形成された貫通孔であり、例えば当該回路基板２の左右両辺中央部分近傍２Ｖ、２Ｗに対して上方向からの外圧Ｆ１及びＦ２が与えられた場合、又は下方向からの外圧（図示せず）が与えられた場合に、回路基板２の左右両辺部分に対する撓みが面実装部品３の側面近傍に及ぶことを回避し得るようになされている。
【００３７】
図１２（Ａ）に示すように、半導体装置３０は回路基板２のコーナー部分２Ａ及び２Ｂに対して上方向から外圧Ｆ１及びＦ２がかけられた場合、スリット孔６及び８によって回路基板２を当該スリット孔６及び８の内周側と外周側とに物理的に分離していることにより、図１３（Ａ）に示すように、回路基板２におけるスリット孔６及び８の外周側部分については外圧Ｆ１及びＦ２によって撓むことになるが、当該スリット孔６及び８の内周側部分については外圧Ｆ１及びＦ２の影響を受けることがないので撓まない。
【００３８】
また図１２（Ｂ）に示すように、半導体装置３０は回路基板２における左右両辺中央部分近傍２Ｖ、２Ｗに対して上方向からの外圧Ｆ１及びＦ２が与えられた場合、補助スリット孔３１〜３４によって回路基板２を当該補助スリット孔３１〜３４の内周側と外周側とに物理的に分離していることにより、図１３（Ｂ）に示すように、当該左右両辺中央部分近傍２Ｖ、２Ｗの外周側部分については外圧Ｆ１及びＦ２によって左右両辺部分が撓むことになるが、当該左右両辺中央部分近傍２Ｖ、２Ｗの内周側部分については外圧Ｆ１及びＦ２の影響を受けることがないので撓まない。
【００３９】
すなわち半導体装置３０は、回路基板２のコーナー部分２Ａ及び２Ｂ及び左右両辺中央部分近傍２Ｖ、２Ｗに対して上方向からの外圧Ｆ１及びＦ２が与えられた場合、又は下方向からの外圧が与えられた場合であっても、回路基板２のうち面実装部品３の周囲部分について当該面実装部品３との平行状態をほぼ保つことができるので、当該回路基板２及び面実装部品３間のはんだ部分に対して何ら影響が与えられることはなく、かくして当該はんだ部分に対する破断を回避し得るようになされている。
【００４０】
このように半導体装置３０では、スリット孔５〜８及び補助スリット孔３１〜３４によって、当該スリット孔５〜８及び補助スリット孔３１〜３４の内周側にある面実装部品３と、当該スリット孔５〜８及び補助スリット孔３１〜３４の外周側にある回路基板２のコーナー部分２Ａ〜２Ｄ及び左右両辺中央部分近傍２Ｖ、２Ｗとを擬似的にではあるが物理的に切り離したような構成としたことにより、スリット孔５〜８及び補助スリット孔３１〜３４よりも外周側となる回路基板２のいずれの箇所に外圧Ｆ１及びＦ２が与えられた場合であっても、面実装部品３に対してその影響が及ぶことを未然に回避し得るようになされている。
【００４１】
このことは、回路基板２のコーナー部分２Ｃ及び２Ｄに対して上方向からの外圧Ｆ１及びＦ２が与えられた場合及び下方向からの外圧が与えられた場合であっても同様であり、上下両辺中央部分２Ｘ及び２Ｙに対して上方向からの外圧Ｆ１及びＦ２が与えられた場合及び下方向からの外圧が与えられた場合であっても同様である。
【００４２】
これにより半導体装置３０は、応力が集中し易い回路基板２のコーナー部分２Ａ及び２Ｂに対して上方向からの外圧Ｆ１及びＦ２がかけられた場合であっても、また回路基板２の左右両辺中央部分近傍２Ｖ、２Ｗに対して上方向からの外圧Ｆ１及びＦ２が与えられた場合であっても、スリット孔４〜７及び補助スリット孔３１〜３４によって回路基板２における面実装部品３の周囲部分が撓んだり、反り返る等の変形を回避し得、かくして面実装部品３及び回路基板２間におけるはんだ部分が破断することを確実に防止することができる。
【００４３】
（５）他の実施の形態
なお上述の第４の実施の形態においては、スリット孔５〜８の周囲に補助スリット孔３１〜３４を設けることにより半導体装置３０（図１０）を構成するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図１０との対応部分に同一符号を付して示す図１３に示すように、第２の実施の形態で示したスリット孔１１〜１４（図４）の周囲に補助スリット孔３１〜３４を設けることにより半導体装置４０を構成するようにしても良い。
【００４４】
また上述の第４の実施の形態においては、スリット孔５〜８の周囲に補助スリット孔３１〜３４を設けることにより半導体装置３０（図１０）を構成するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図１０との対応部分に同一符号を付して示す図１４に示すように、第３の実施の形態で示したスリット孔２１〜２４（図７）の周囲に補助スリット孔３１〜３４を設けることにより半導体装置５０を構成するようにしても良い。
【００４５】
さらに上述の第４の実施の形態においては、スリット孔５〜８の周囲に補助スリット孔３１〜３４を設けることにより半導体装置３０（図１０）を構成するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図１５に示すように、第３の実施の形態で示したスリット孔２１〜２４（図７）の周囲に円弧状の補助スリット孔６１〜６４を設けることにより半導体装置６０を構成するようにしても良い。
【００４６】
さらに上述の第１〜第４の実施の形態においては、回路基板２に対する実装対象の面実装電子部品としてＢＧＡ等の面実装部品３を用いるようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ＬＧＡ(Land Grid Array)、ＰＧＡ(Pin Grid Array)、ＱＦＮ(Quad Flat Non-Lead Package)等のその他種々の面実装部品を用いるようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明の回路基板及び半導体装置は、例えば面実装部品が実装された回路基板に対して外圧が与えられる他の種々の用途に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体装置の構成を示す略線図である。
【図２】第１の実施の形態におけるコーナー部分に対する上下方向からの外圧が与えられたときの状態を示す略線図である。
【図３】第１の実施の形態における外圧に対する破断回避状態の説明に供する略線図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態における半導体装置の構成を示す略線図である。
【図５】第２の実施の形態におけるコーナー部分に対する上下方向からの外圧が与えられたときの状態を示す略線図である。
【図６】第２の実施の形態における外圧に対する破断回避状態の説明に供する略線図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態における半導体装置の構成を示す略線図である。
【図８】第３の実施の形態におけるコーナー部分に対する上下方向からの外圧が与えられたときの状態を示す略線図である。
【図９】第３の実施の形態における外圧に対する破断回避状態の説明に供する略線図である。
【図１０】本発明の第４の実施の形態における半導体装置の構成を示す略線図である。
【図１１】第４の実施の形態におけるコーナー部分及び左右両辺中央部分近傍に対する上方向からの外圧が与えられたときの状態を示す略線図である。
【図１２】第４の実施の形態における外圧に対する破断回避状態の説明に供する略線図である。
【図１３】他の実施の形態における半導体装置（１）の構成を示す略線図である。
【図１４】他の実施の形態における半導体装置（２）の構成を示す略線図である。
【図１５】他の実施の形態における半導体装置（３）の構成を示す略線図である。
【図１６】従来の回路基板の構成を示す略線図である。
【図１７】上方向からの外圧時における破断の説明に供する略線図である。
【図１８】下方向からの外圧時における破断の説明に供する略線図である。
【符号の説明】
【００４９】
１、１０、２０、３０、４０、５０、６０、１００……半導体装置、２……回路基板、２Ａ〜２Ｄ……コーナー部分、２Ｐ、２Ｑ、２Ｒ、２Ｓ、２Ｔ、２Ｕ、２Ｖ、２Ｗ……周囲部分、３……面実装部品、４……はんだボール、５〜７、１１〜１４、２１〜２４……スリット孔、３１〜３４、６１〜６４……補助スリット孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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