(57)【要約】【課題】  簡便かつ安価に作成することができるフォトマスク、フォトマスクの製造方法、およびそれを用いた配線基板、カラーフィルタ、電子光学機器を提供すること。【解決手段】  光透過性を有する可撓性基板１と、可撓性基板１に配置された昇華性色素または熱移行性色素を含有する転写層３と、を備え、転写層３には昇華性色素または熱移行性色素の有無によりパターン４が形成されていることを特徴とする。【選択図】  図３
2005091849.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性を有する可撓性基板と、該可撓性基板に配置された昇華性色素または熱移行性色素を含有する転写層と、を備え、
該転写層には、前記昇華性色素または前記熱移行性色素の有無によりパターンが形成されていることを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
光透過性を有する可撓性基板と、該可撓性基板に配置された金属粒子を含有する転写層と、を備え、
該転写層には、前記金属粒子の有無によりパターンが形成されていることを特徴とするフォトマスク。
【請求項３】
前記可撓性基板が、透明性高分子からなることを特徴とする請求項１または２に記載のフォトマスク。
【請求項４】
光透過性を有する基板に、昇華性色素または熱移行性色素を含有する転写層を形成する転写層形成工程と、
前記転写層の所定の領域にレーザ光を照射してパターンを形成するパターン形成工程と、によりフォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項５】
光透過性を有する基板に、金属粒子を含有する転写層を形成する転写層形成工程と、
前記転写層の所定の領域にレーザ光を照射してパターンを形成するパターン形成工程と、によりフォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項６】
前記転写層形成工程が、前記金属粒子を溶媒で分散した金属インクを前記基板上に塗布することにより行われることを特徴とする請求項５のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項７】
前記転写層形成工程が、前記金属粒子を前記基板上に蒸着して行われることを特徴とする請求項５記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項８】
前記転写層形成工程が、前記金属粒子を前記基板上にスパッタ法により堆積させて行われることを特徴とする請求項５記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項９】
前記レーザ光が、半導体から出射される半導体レーザ光であることを特徴とする請求項４から８のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１０】
前記半導体レーザ光が、赤外線レーザ光であることを特徴とする請求項９記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１１】
前記基板に、光エネルギを熱エネルギに変換する光熱変換材料を含有する光熱変換層が設けられていることを特徴とする請求項５から１１のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１２】
光透過性を有する可撓性基板に、昇華性色素または熱移行性色素を含有する転写層を形成する転写層形成工程と、
前記転写層の所定の領域にレーザ光を照射してパターンを形成するパターン形成工程と、
前記転写層を、光透過性を有する基板上に配置する配置工程と、により製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１３】
光透過性を有する可撓性基板に、金属粒子を含有する転写層を形成する転写層形成工程と、
前記転写層の所定の領域にレーザ光を照射してパターンを形成するパターン形成工程と、
前記転写層を、光透過性を有する基板上に配置する配置工程と、により製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１４】
請求項１から３のいずれかに記載のフォトマスク、または請求項４から１３のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法により製造されたフォトマスクを用いて製造されたことを特徴とするカラーフィルタ。
【請求項１５】
請求項１から３のいずれかに記載のフォトマスク、または請求項４から１３のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法により製造されたフォトマスクを用いて製造されたことを特徴とする配線基板。
【請求項１６】
請求項１５記載の配線基板が搭載されたことを特徴とする電子光学機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク、フォトマスクの製造方法、配線基板、カラーフィルタおよび電子光学機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子線を使用してクロムや金などの金属膜に直接描画してフォトマスクと作成することが広く行われている。この方法を用いることにより、微細なパターンのフォトマスクを作成することができ、下記特許文献１には、金属膜に対して電子線を照射することで金属膜にフォトマスクを形成する技術が開示されている。
【特許文献１】特開平５−２５９０４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述したように、従来のフォトマスクの製造方法においては、電子線を照射する装置が大型かつ高価な装置となり、フォトマスクの作成に手間がかかるため、この装置により作成されるフォトマスクも高価なものになってしまうという問題があった。
【０００４】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、簡便かつ安価に作成することができるフォトマスク、フォトマスクの製造方法、およびそれを用いた配線基板、カラーフィルタ、電子光学機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の第１のフォトマスクは、光透過性を有する可撓性基板と、可撓性基板に配置された昇華性色素または熱移行性色素を含有する転写層と、を備え、転写層には昇華性色素または熱移行性色素の有無によりパターンが形成されていることを特徴とする。
【０００６】
すなわち、本発明の第１のフォトマスクは、転写層の昇華性色素または熱移行性色素の有無によりフォトマスクの遮光パターンが形成されている。そのため、昇華性色素を昇華させたり、熱移行性色素に熱を加えたりして色素の無い領域を形成することでフォトマスクを製造することができ、従来の電子線により製造されるフォトマスクよりも簡便にかつ安価に製造することができる。
また、可撓性基板を用いているためフォトマスクも可撓性を備え、フォトマスクを露光対象に密着させることができ、上記パターンを露光対象に正確に露光させることができる。
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の第２のフォトマスクは、光透過性を有する可撓性基板と、可撓性基板に配置された金属粒子を含有する転写層と、を備え、転写層には金属粒子の有無によりパターンが形成されていることを特徴とする。
【０００８】
すなわち、本発明の第２のフォトマスクは、転写層の金属粒子の有無によりフォトマスクの遮光パターンが形成されている。そのため、金属粒子をアブレーションさせることで金属粒子の無い領域を形成してフォトマスクを製造することができ、従来の電子線により製造されるフォトマスクよりも簡便にかつ安価に製造することができる。
金属粒子は光の遮光性がよいため、より確実に遮光することができる。また、金属粒子は、変質しにくいため耐久性が良く、長期間遮光性を維持することができる。
【０００９】
上記の構成を実現するために、より具体的には、可撓性基板が透明性高分子からなるものでもよい。
この構成によれば、可撓性基板が安価な透明性高分子を用いて形成されているため、フォトマスクを安価に製造することができる。透明性高分子としては、例えばポリエチレンテレフタレートや、ポリエチレンナフタレートのようなポリエステル等を例示することができる。
【００１０】
本発明の第１のフォトマスクの製造方法は、光透過性を有する基板に、昇華性色素または熱移行性色素を含有する転写層を形成する転写層形成工程と、転写層の所定の領域にレーザ光を照射してパターンを形成するパターン形成工程と、によりフォトマスクを製造することを特徴とする。
【００１１】
すなわち、本発明の第１のフォトマスクの製造方法は、転写層の所定の領域にレーザ光を照射して発生する熱により、上記所定領域の昇華性色素または熱移行性色素を昇華または移行させ、上記色素の存在する領域、存在しない領域を形成して光を遮光するパターンを形成している。そのため、従来の電子線よりも取扱いが容易なレーザ光でフォトマスクを製造することができ、簡便にかつ安価にフォトマスクを製造することができる。
【００１２】
本発明の第２のフォトマスクの製造方法は、光透過性を有する基板に、金属粒子を含有する転写層を形成する転写層形成工程と、転写層の所定の領域にレーザ光を照射してパターンを形成するパターン形成工程と、によりフォトマスクを製造することを特徴とする。
【００１３】
すなわち、本発明の第２のフォトマスクの製造方法は、転写層の所定の領域にレーザ光を照射して、発生する熱やレーザ光の光エネルギにより金属粒子をアブレーションさせて、金属粒子の存在する領域、存在しない領域を形成して光を遮光するパターンを形成している。そのため、従来の電子線よりも取扱いが容易なレーザ光でフォトマスクを製造することができ、簡便にかつ安価にフォトマスクを製造することができる。
【００１４】
上記の構成を実現するために、より具体的には、転写層形成工程が金属粒子を溶媒で分散した金属インクを基板上に塗布することにより行われてもよい。
この構成によれば、金属インクを基板上に塗布することにより、金属粒子を含有する転写層を容易に形成することができる。金属インクを基板上に塗布する方法としては、基板を回転させながら金属インクを基板上に滴下するスピンコート法や、基板を金属インクの中に浸漬させる浸漬法などを例示することができる。
【００１５】
上記の構成を実現するために、より具体的には、転写層形成工程が金属粒子を基板上に蒸着して行われてもよい。
この構成によれば、金属粒子を基板上に蒸着することにより、金属粒子を含有する転写層を形成することができる。
【００１６】
上記の構成を実現するために、より具体的には、転写層形成工程が金属粒子を基板上にスパッタ法により堆積させて行われてもよい。
この構成によれば、金属粒子を基板上にスパッタ法により堆積させることにより、金属粒子を含有する転写層を形成することができる。
【００１７】
上記の構成を実現するために、より具体的には、レーザ光が半導体から出射される半導体レーザ光であってもよい。
この構成によれば、半導体から出射される半導体レーザ光を用いるため、従来の電子線よりも安価に半導体レーザ光を得ることができ、フォトマスクを安価に製造することができる。
【００１８】
上記の構成を実現するために、より具体的には、半導体レーザ光が赤外線レーザ光であってもよい。
この構成によれば、半導体レーザ光が赤外線レーザ光であるため、従来の電子線や紫外線レーザ光よりも安価に得ることができ、フォトマスクを安価に製造することができる。また、赤外線レーザ光は熱に変換されやすく、転写層の昇華性色素や金属インクを昇華させやすくしたり、熱移行性色素を移行させやすくしたりすることができる。
【００１９】
上記の構成を実現するために、より具体的には、基板に光エネルギを熱エネルギに変換する光熱変換材料を含有する光熱変換層が設けられていてもよい。
この構成によれば、光熱変換層が設けられているため、照射されたレーザ光の光エネルギを効率良く熱エネルギに変換することができる。そのため、転写層の昇華性色素や金属インクを昇華させやすくしたり、熱移行性色素を移行させやすくしたりすることができる。光熱変換材料としては、カーボンブラックや、アルミなどを例示することができる。
【００２０】
本発明の第３のフォトマスクの製造方法は、光透過性を有する可撓性基板に、昇華性色素または熱移行性色素を含有する転写層を形成する転写層形成工程と、転写層の所定の領域にレーザ光を照射してパターンを形成するパターン形成工程と、転写層を、光透過性を有する基板上に配置する配置工程と、により製造することを特徴とする。
【００２１】
すなわち、本発明の第３のフォトマスクの製造方法は、可撓性基板に昇華性色素または熱移行性色素を含有する転写層を形成し、パターンが形成された転写層を基板上に配置している。そのため、直接昇華性色素または熱移行性色素を含有する転写層を形成できない上記基板であっても、フォトマスクを製造することができる。
【００２２】
本発明の第４のフォトマスクの製造方法は、光透過性を有する可撓性基板に、金属粒子を含有する転写層を形成する転写層形成工程と、転写層の所定の領域にレーザ光を照射してパターンを形成するパターン形成工程と、転写層を、光透過性を有する基板上に配置する配置工程と、により製造することを特徴とする。
【００２３】
すなわち、本発明の第４のフォトマスクの製造方法は、可撓性基板に金属粒子を含有する転写層を形成し、パターンが形成された転写層を基板上に配置している。そのため、直接金属粒子を含有する転写層を形成できない上記基板であっても、フォトマスクを製造することができる。
【００２４】
本発明のカラーフィルタは、上記本発明のフォトマスク、または上記本発明のフォトマスクの製造方法により製造されたフォトマスクを用いて製造されたことを特徴とする。
【００２５】
すなわち、本発明のカラーフィルタは、上記本発明のフォトマスク、または上記本発明のフォトマスクの製造方法により製造されたフォトマスクを用いて製造されているため、簡便にかつ安価に製造することができる。
【００２６】
本発明の配線基板は、上記本発明のフォトマスク、または上記本発明のフォトマスクの製造方法により製造されたフォトマスクを用いて製造されたことを特徴とする。
【００２７】
すなわち、本発明の配線基板は、上記本発明のフォトマスク、または上記本発明のフォトマスクの製造方法により製造されたフォトマスクを用いて製造されているため、簡便にかつ安価に製造することができる。
【００２８】
本発明の電子光学機器は、上記本発明の配線基板が搭載されたことを特徴とする。
【００２９】
すなわち、本発明の電子光学機器は、上記本発明の配線基板を搭載しているため、安価に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
〔フォトマスクの製造方法〕
以下、本発明に係るフォトマスクの製造方法の実施の形態について図１から図６を参照して説明する。
図１は、本発明におけるフォトマスクの形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。
図１において、本実施形態に係るフォトマスクの製造方法は、基材上に光熱変換材料を含む機能液を塗布する第１材料配置工程（ステップＳ１）と、基材上に塗布された光熱変換材料を含む機能液を乾燥して光熱変換層を形成する第１中間乾燥工程（ステップＳ２）と、その光熱変換層上に昇華性色素を含む機能液を塗布する第２材料配置工程（転写層形成工程）（ステップＳ３）と、基材上に塗布された昇華性色素を含む機能液を乾燥して転写層を形成する第２中間乾燥工程（転写層形成工程）（ステップＳ４）と、その基材に対してレーザ光を照射し、光熱変換材料を使って転写層の少なくとも一部を昇華させるパターン形成工程（ステップＳ５）とを有している。
以下、各工程について説明する。
【００３１】
（第１材料配置工程）
まず、所定の溶剤等を用いて基材が洗浄される。これにより基材上の有機物残渣等が除去される。なお、基材表面に紫外光を照射することでも有機物残渣等を除去できる。紫外光（ＵＶ）を照射することで、基材表面に親液性を付与することもできる。また、処理ガスとして酸素（Ｏ２）を含むガスを用いたＯ２プラズマ処理によっても、基材を洗浄し且つ親液性を付与することができる。そして、所定のコーティング方法を用いて基材上に光熱変換材料を含む機能液が塗布される。
【００３２】
基材としては、レーザ光束を透過可能で可撓性を有する例えば透明性高分子等を用いることができる。透明性高分子としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートのようなポリエステル、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレインとイソフタル酸、テレフタル酸またはこれらの重合物とから誘導された内部重合からなるフルオレンポリエステルポリマー、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリサルホン、ポリイミドおよびこれらのコポリマー、加水分解および非加水分解酢酸セルロース等が挙げられる。また、フッ素を含有するフッ素系の樹脂も使用することができる。透明性高分子により基材を形成した場合、その厚さは１０〜５００μｍであることが好ましい。こうすることにより、例えば、基材を帯状に形成してロール状に巻くことができ、回転ドラム等に巻き付けて保持させつつ搬送（移動）することもできる。
【００３３】
光熱変換材料は光エネルギーを熱エネルギーに変換するものである。光熱変換材料としては公知のものを使用することができ、光を効率よく熱に変換できる材料であれば特に限定されないが、例えば、アルミニウム、その酸化物及び／又はその硫化物よりなる金属や、カーボンブラック、黒鉛又は赤外線吸収色素等が添加された高分子よりなる有機物等が挙げられる。赤外線吸収色素としては、アントラキノン系、ジチオールニッケル錯体系、シアニン系、アゾコバルト錯体系、ジインモニウム系、スクワリリウム系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン系、テトラアリールポリメチレン系、アニリン系、フェニレンジアミン系等が挙げられる。また、エポキシ樹脂等の合成樹脂をバインダとし、そのバインダ樹脂に前記光熱変換材料を溶解又は分散して基材上に設けるようにしてもよい。この場合、エポキシ樹脂は硬化剤としての機能を有し、硬化させることにより光熱変換材料を基材上に定着することができる。また、バインダに溶解又は分散せずに、前記光熱変換材料を基材上に設けることももちろん可能である。
【００３４】
本実施形態では、上記光熱変換材料を溶媒（分散媒）に溶解（分散）して機能液を生成した後、その機能液を一般的なフィルムコーティング方法、例えば、押出コーティング方法、スピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、リバースロールコーティング方法、ロッドコーティング方法、マイクログラビアコーティング方法、ナイフコーティング方法などにより基材上に塗布する。光熱変換材料のコーティング方法においては、基材の表面に帯電した静電気を除電して光熱変換層形成用機能液を均一に基材に形成するのが好ましく、各方法に用いられる装置には除電装置が取り付けてあるのが好ましい。このようなコーティング方法は、光熱変換材料として前記有機物を用いる場合に特に好ましい。一方、光熱変換材料として前記金属を用いる場合には、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、又はスパッタリングを利用して基材上に設けることができる。また、光熱変換材料を含む機能液を、液滴吐出法（インクジェット法）に基づいて基材上に配置することも可能である。
【００３５】
液滴吐出法では、吐出ヘッドと基材とを対向させた状態で機能液の液滴が吐出ヘッドより吐出される。液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気熱変換方式、静電吸引方式、電気機械変換方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液体材料の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。本実施形態では、電気機械変換方式（ピエゾ方式）を用いる。
【００３６】
図２はピエゾ方式による機能液（液状体材料）の吐出原理を説明するための図である。
図２において、吐出ヘッド２０は、機能液を収容する液体室２１と、その液体室２１に隣接して設置されたピエゾ素子２２とを備えている。液体室２１には、機能液を収容する材料タンクを含む供給系２３を介して機能液が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、吐出ノズル２５から機能液が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００３７】
（第１中間乾燥工程）
図３は、本発明におけるフォトマスクの製造工程を示す図である。
基材（可撓性基板）１に光熱変換材料を含む機能液を塗布した後、溶媒（分散媒）の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理が行われる。乾燥処理は、例えば基材を加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。そして、第１中間乾燥工程により基材上に塗布された機能液の液体成分の少なくとも一部が除去され、図３（ａ）に示すように、基材１上に光熱変換材料を含む光熱変換層２が形成される。ここで、第１材料配置工程と第１中間乾燥工程とを複数回繰り返して行うことで、先に基材１上に配置された機能液の表面を膜化した後、その上に次の機能液を良好に重ねることができるので、形成する光熱変換層２の膜厚を所望の厚さにすることもできる。なお、この第１中間乾燥工程は省略することもできる。
【００３８】
（第２材料配置工程）
次いで、基材１の光熱変換層２上に、昇華性色素を含む機能液が塗布される。本実施形態では、転写層３を形成するための機能液として、溶媒（分散媒）に溶解または分散された１種類以上の昇華性を有する顔料または染料が用いられる。使用することのできる顔料または染料としては、「ＲＡＶＥＮ」４５０（登録商標）、７６９ＵＬＴＲＡ（登録商標）、８９０（登録商標）、１０２０（登録商標）、１２５０（登録商標）、 Ｂｌａｃｋ  Ｐｅａｒｌｓ４８０（登録商標）、Ｖｕｌｃａｎ  ＸＣ７２（登録商標）、Ｂｌａｃｋ  Ｐｅａｒｌｓ１１００（登録商標）、「ＮＥＰＴＵＮ」Ｂｌａｃｋ  Ｘ６０（登録商標）、「ＰＡＬＩＯＧＥＮ」Ｂｌａｃｋ  Ｓ  ００８４（登録商標）、Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈ  Ｖｉｏｌｅｔ  Ｂ−Ｋ（登録商標）、「ＯＲＡＳＯＬ」Ｂｌａｃｋ（登録商標）、「ＮＩＧＲＯＳＩＮＥ」Ｂｌａｃｋ（登録商標）、「ＰＡＬＩＯＴＯＬ」Ｂｌａｃｋ  Ｋ００８０（登録商標）、「ＳＡＮＤＯＬＡＮ」Ｂｌａｃｋ  Ｅ−ＨＬ（登録商標）、「ＮＥＡＺＯＰＡＮ」Ｂｌａｃｋ  Ｌ  ００８０（登録商標）、「ＳＯＬＡＮＴＩＮＥ」Ｂｌａｃｋ  Ｌ（登録商標）、などを例示することができる。
【００３９】
そして、昇華性色素を含む機能液を生成した後、その機能液を、上記第１材料配置工程同様、一般的なフィルムコーティング方法、例えば、押出コーティング方法、スピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、リバースロールコーティング方法、ロッドコーティング方法、マイクログラビアコーティング方法、ナイフコーティング方法などにより光熱変換層２（基材１）上に塗布することができる。この場合においても、第１材料配置工程同様、基材１の表面に帯電した静電気を除電して転写層形成用機能液を均一に光熱変換層２（基材１）上に形成するのが好ましく、各方法に用いられる装置には除電装置が取り付けてあるのが好ましい。また、導電性材料を含む機能液を、上述した液滴吐出法（インクジェット法）に基づいて光熱変換層２（基材１）上に配置することももちろん可能である。
【００４０】
（第２中間乾燥工程）
昇華性色素を含む機能液を塗布した後、溶媒（分散媒）の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理が行われる。第２中間乾燥工程は、第１中間乾燥工程同様、例えば基材を加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理、ランプアニールによって行うこともできる。そして、第２中間乾燥工程により光熱変換層２（基材１）上に塗布された機能液の液体成分の少なくとも一部が除去され、図３（ｂ）に示すように、光熱変換層２上に昇華性色素を含む転写層３が形成される。ここで、第２材料配置工程と第２中間乾燥工程とを複数回繰り返して行うことで、先に光熱変換層２（基材１）上に配置された機能液の表面を膜化した後、その上に次の機能液を良好に重ねることができるので、形成する転写層３の膜厚を所望の厚さにすることができる。なお、この第２中間乾燥工程も省略することができる。
本実施形態では、図３（ｂ）に示すように、光熱変換層２が基材１上にこの基材１とは独立して設けられ、その基材１上に光熱変換層２と転写層３とが隣接して積層される。
【００４１】
（パターン形成工程）
図４は、本発明に係るパターン形成に用いられる照射装置の一実施形態を示す概略構成図である。
図４において、照射装置１０は、所定の波長を有するレーザ光束を射出するレーザ光源１１と、光熱変換層２及び転写層３を有する基材１を巻き付けて支持するドラム１２とを備えている。本実施形態では、転写層３とドラム１２とが対向するように、基材１がドラム１２に支持されている。レーザ光源１１及びドラム１２はチャンバ１４内に配置されている。チャンバ１４には、このチャンバ１４内のガスを吸引可能な吸引装置１３が接続されている。本実施形態では、レーザ光源１１として近赤外半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）が使用される。
【００４２】
ここで、以下の説明において、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸及びＹ軸のそれぞれに直交する方向（鉛直方向）をＺ軸方向とする。
【００４３】
ドラム１２は、基材１を支持した状態で水平並進方向（走査方向、Ｘ方向）、回転方向（Ｙ方向）、及び鉛直方向（Ｚ軸方向）に移動可能に設けられており、基材１はドラム１２の移動により光源１１から射出された光束に対して移動可能となっている。ここで、光源１１とドラム１２に支持された基材１との間には不図示の光学系が配置されている。基材１を支持したドラム１２はＺ軸方向に移動することにより、前記光学系の焦点に対する基材１の位置を調整可能となっている。そして、光源１１より射出された光束は、ドラム１２に支持されている基材１を照射するようになっている。
【００４４】
なお、ここでは基材１を水平並進方向、回転方向、鉛直方向に移動可能なドラム１２に支持させているが、基材１をＸＹＺ方向に並進移動するステージに支持させてもよい。この場合、基材１として、上記の可撓性を有した材料から形成されたプラスチックフィルムだけでなく、例えば石英板のようなガラス板も使用することができる。
【００４５】
パターンの形成を行う際には、図３（ｃ）に示す模式図のように、基材１の転写層３が設けられた面側から所定の光束径を有するレーザ光が光源１１より照射される。レーザ光束が照射されることにより、その照射領域に対応する基材１及び光熱変換層２が加熱される。光熱変換層２は照射されたレーザ光束の光エネルギーを熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーを転写層３に供与する。これにより、転写層３のうち、光照射領域に対応する一部の領域に対して熱エネルギーが供与される。
そして、熱エネルギーを供与された転写層３の一部の領域では、加熱された熱により昇華性色素が昇華することにより、その一部の領域において光の透過性が確保されて、図３（ｄ）に示すように、光透過領域と遮光領域とからなる遮光パターン（パターン）４に変換される。
【００４６】
このとき、照射するレーザ光束に対してドラム１２をＸＹ方向に移動することにより、そのステージ１２の移動軌跡に応じた領域の昇華性色素を昇華させることができ、昇華性色素の昇華領域をパターニングすることができる。
ここで、昇華性色素の昇華領域では光を透過し、昇華性色素が昇華していない領域では光を遮光するため、ドラム１２を予め設定された移動軌跡で移動することで、基材１上に任意の遮光パターン４を形成することができる。なお、ドラム１２を移動せずに、基材１に対してレーザ光束を移動してもよいし、レーザ光束及びドラム１２の双方を移動してもよい。
【００４７】
上記の構成によれば、転写層３の所定の領域にレーザ光を照射して発生する熱により、所定領域の昇華性色素を昇華させ、昇華性色素の存在する領域、存在しない領域を形成することにより、光を透過する領域と遮光する領域とかなる遮光パターンを形成することができる。そのため、従来使用されていた電子線よりも取扱いが容易なレーザ光によりフォトマスクを製造することができ、簡便にかつ安価にフォトマスクを製造することができる。
また、基材１上に光熱変換層２が設けられているため、照射されたレーザ光の光エネルギを効率良く熱エネルギに変換することができる。そのため、転写層３の昇華性色素を昇華させるのに十分な熱エネルギを転写層３に与えることができ、昇華性色素を昇華させやすくすることができる。
【００４８】
半導体から出射される半導体レーザ光（本実施の形態においては赤外線レーザ光）を用いるため、従来使用されていた電子線よりも安価に半導体レーザ光を得ることができ、フォトマスクを安価に製造することができる。
また、赤外線レーザ光は熱に変換されやすいため、転写層３の昇華性色素に熱を与えやすくなり、昇華性色素を昇華させやすくすることができる。
【００４９】
また、フォトマスクは、基材１に可撓性を有する透明性高分子を用いているためフォトマスク自体も可撓性を備え、フォトマスクを露光対象に密着させることができ、遮光パターンを露光対象に正確に露光させることができる。
【００５０】
図５は、フォトマスクのパターン形成に用いる照射装置の別の実施の形態を示す概略構成図である。
なお、転写層３の所定領域をパターン形成する場合、図５に示すように、所定のパターンを有するマスク１５に光を照射し、マスク１５を介した光を基材１に照射する構成を採用することができる。図５において、マスク１５は、マスク１５を透過した光を通過するための開口部１６Ａを有するマスク支持部１６に支持されている。光源１１から射出された光束は、光学系１７により均一な照度分布を有する照明光に変換された後、マスク１５を照明する。マスク１５を通過した光は、ドラム１２に支持されている基材１を照射する。これにより、照射するレーザ光束径以下の微細な導電膜パターンを形成することができる。一方、図４を参照して説明した実施形態のように、レーザ光束に対して基材１を移動しつつレーザ光束を照射して導電膜パターンを描画することにより、マスクを製造する手間を省くことができる。
【００５１】
なお、本実施形態において、光熱変換層２と転写層３とは隣接するように積層されているが、例えば基材１の一方の面側に光熱変換層２を設け、他方の面側に転写層３を設ける等、光熱変換層２と転写層３との間に別の層を介在させてもよい。こうすることによっても、光熱変換層２で生成された熱エネルギーを基材１（別の層）を介して転写層３に供与し、その熱エネルギーを使って転写層３の昇華性色素を昇華させることができる。一方、光熱変換層２と転写層３とを隣接するように積層することにより、光熱変換層２で生成された熱エネルギーを効率良く転写層３に供与できる。
【００５２】
上記実施形態において、光熱変換層２と転写層３との間に、例えば光熱変換層２の光熱変換作用を均一化するための中間層を設けることもできる。前記中間層を形成する中間層形成用材料としては、上記要件を満たすことのできる樹脂材料を挙げることができる。このような中間層は、基材１上に光熱変換層２を形成した後（すなわち第１中間乾燥工程Ｓ２の後）、所定の組成を有する樹脂組成物を例えばスピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、ダイコーティング法等の公知のコーティング方法に基づいて光熱変換層２の表面に塗布し、乾燥させることによって形成可能である。レーザ光束が照射されると、光熱変換層２の作用により、光エネルギーが熱エネルギーに変換され、さらにこの熱エネルギーが中間層の作用により均一化される。したがって、光照射領域に該当する部分の転写層３には均一な熱エネルギーが供与される。
【００５３】
上記実施形態では、基材１の転写層３が設けられた面側からレーザ光を照射しているが、基材１の転写層３が設けられていない面側からレーザ光を照射することも可能である。照射されたレーザ光は転写層３を介して光熱変換層２に照射され、レーザ光を照射された光熱変換層２はその光の光エネルギーを熱エネルギーに変換して転写層３に供与することができる。一方、基材１の転写層３が設けられていない面側からレーザ光を照射することにより、レーザ光を透明な基材１を介して光熱変換層２に直接的に照射できるため、その光熱変換層２によりレーザ光の光エネルギーを熱エネルギーに効率良く変換することができる。
【００５４】
なお、上記実施形態では、光熱変換材料は、基材１とは独立した層（光熱変換層２）に設けられているが、基材１に光熱変換材料を混在させる構成も可能である。このような構成であっても、照射したレーザ光の光エネルギーを熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーを転写層３に供与することができる。なお、光熱変換材料が混在された基材１上に、それとは別に光熱変換層２を設けてもよい。
【００５５】
光熱変換層２を設けた場合、光熱変換材料に応じた波長を有する光を照射することが好ましい。つまり、使用する光熱変換材料に応じて良好に吸収する光の波長帯域は異なるため、光変換材料に応じた波長を有する光を照射することにより、光エネルギーを熱エネルギーに効率良く変換できる。換言すれば、照射する光に応じて使用する光熱変換材料を選択する。本実施形態では、レーザ光源として近赤外半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）を使用しているため、光熱変換材料としては、赤外線〜可視光線領域の光を吸収する性質を有している材料を用いることが好ましい。
【００５６】
なお、上記実施形態における光源１１は近赤外半導体レーザであるが、これに限られず、水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、フラッシュランプなどを用いることも可能である。また、紫外線レーザなど、近赤外線レーザ以外の全ての汎用的なレーザを用いることができる。
【００５７】
なお、上記の実施の形態においては、昇華性色素を含む機能液を塗布することにより、転写層を形成していたが、昇華性色素の他にも熱移行性色素を用いることができる。熱移行性色素としては、例えば、ハロゲン化銀、ベヘン酸銀、ステアリン酸銀、オレイン酸銀、エルカ酸銀、ラウリン酸銀、カプロン酸銀、ミスチリン酸銀、パルミチン酸銀、マレイン酸銀、フマル酸銀、酒石酸銀、リノール酸銀、樟脳酸銀、およびそれらの混合物等を例示することができる。分散媒としては、上記の熱移行性色素を分散できるもので、照射されるレーザ光に対して透明で、良好な被膜形成性、長時間露光に対する耐黄変性を備えたものが望ましい。例えば、アクリル酸、メタクリル酸（並びにそのエステル、アミドおよびニトリル誘導体）、無水マレイン酸、並びにスチレン、１−アルケン、ハロゲン化ビニル、ビニルエーテルおよびビニルエステルのようなビニルモノマーのポリマーおよびコポリマー、ポリエステル、ポリカーボネート、セルロースエステル、メタクリル酸エステルのポリマーおよびコポリマー、スチレン−無水マレイン酸コポリマー並びにセルロースアセテートブチレート等を例示できる。
これらの材料を用いた時の光熱変換材料としては、例えば、シアニン、メロシアニン、アミンカチオンラジカル色素、スクアリリム色素、クロコニウム色素、テトラアリールポリメチレン色素、オキソノール色素等を例示できる。
【００５８】
なお、上記の実施の形態においては、昇華性色素を含む機能液を塗布することにより転写層を形成していたが、その他にも金属粒子を含む機能液を塗布して転写層を形成してもよい。
転写層形成用金属粒子を含む機能液としては、銀微粒子を分散媒に分散した分散液を用いることも可能である。金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、及びニッケルのうちの少なくともいずれか１つを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。分散媒としては、上記の金属粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００５９】
そして、その機能液を、上記第１材料配置工程同様、一般的なフィルムコーティング方法、例えば、押出コーティング方法、スピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、リバースロールコーティング方法、ロッドコーティング方法、マイクログラビアコーティング方法、ナイフコーティング方法などにより光熱変換層２（基材１）上に塗布することができる。
なお、上述した方法の他にも、金属粒子を基材１上に蒸着して転写層３を形成してもよいし、金属粒子を基材１上にスパッタ法により堆積させて転写層３を形成してもよい。
【００６０】
金属粒子を含有する機能液を用いて形成された転写層３にレーザ光が照射されると、その照射領域に対応する基材１及び光熱変換層２が加熱される。光熱変換層２は照射されたレーザ光束の光エネルギーを熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーを転写層３に供与する。転写層３においては、熱エネルギにより金属粒子が昇華し、レーザ光が照射された領域において光の透過性が確保されて光透過領域と遮光領域とからなる遮光パターン４が形成される。または、転写層３の金属粒子が、レーザ光の光エネルギを直接受け取ってアブレーションを起こし、レーザ光が照射された領域において光の透過性が確保されて光透過領域と遮光領域とからなる遮光パターン４が形成される。
【００６１】
上記の構成によれば、転写層の所定の領域に照射したレーザ光により発生する熱により金属粒子を昇華させたり、レーザ光の光エネルギにより金属粒子をアブレーションさせたりして、金属粒子の存在する領域、存在しない領域を形成することができる。そのため、光を透過する領域、光を遮光する領域からなる遮光パターンを形成することができる。その結果、従来の電子線よりも取扱いが容易なレーザ光でフォトマスクを製造することができ、簡便にかつ安価にフォトマスクを製造することができる。
【００６２】
図６は、本発明におけるフォトマスクの別の製造工程を示す図である。
上記実施形態では、基材１上に遮光パターン４を形成する構成であるが、図６（ａ）に示すように、例えばラミネートフィルムからなる基材１上の昇華性色素、熱移行性色素または金属粒子を含有する転写層３に遮光パターンを形成し、図６（ｂ）に示すように、例えば石英板からなる所定の基板６にラミネートしてフォトマスクを形成することもできる。
この構成によれば、直接昇華性色素、熱移行性色素または金属粒子を含有する転写層を形成できない基板上であっても、フォトマスクを製造することができる。
【００６３】
＜実施例＞
基材１としてポリエチレンテレフタレート製シートを用い、そのシート中に光熱変換層２としてカーボンブラックを混合した熱硬化型エポキシ樹脂を配置させたものを使用した。さらに、その基材１上に昇華性色素を含む機能液を塗布して転写層３を形成した。そして、そのシートを転写層が外側となるように回転ドラムに保持させ、その回転ドラムを１３０ｒｐｍで回転しつつ、シートに対して出力１１Ｗの近赤外半導体レーザ装置より波長８３０ｎｍのレーザ光を照射した。すると、レーザ光が照射された領域において昇華性色素の色が消失し、基材１を視認できるようになった。また、レーザ光を照射していない領域では昇華性色素の色は消失しておらず、光照射領域において昇華性色素が除去されたことを確認できた。
【００６４】
〔カラーフィルタ〕
次に、本発明のフォトマスクを用いて形成されるカラーフィルタの製造方法について説明する。
図７は、カラーフィルタの製造工程を示す図である。
まず、図７（ａ）に示すように、透明の基板（基材）Ｐの一方の面に対し、ブラックマトリクス（バンク）５２を形成する。このブラックマトリクス５２は、カラーフィルタ形成領域を区画するものであり、ブラックマトリクス５２の凹部の底面５２ａには親液処理が施され、凹部の側面５２ｂおよび凸部の上面５２ｃには撥液処理が施されている。
【００６５】
ブラックマトリクス５２の親液処理および撥液処理の手順について説明する。
まず、ブラックマトリクス５２が形成された基板Ｐと、フッ素を含むアルキル化合物（（例えばトリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリクロロシラン）を入れたビンと、をテフロン（登録商標）製の容器内に入れる。基板Ｐは、固定台に設置されており、この状態で容器内を減圧し、容器全体の温度を略８０℃まで上げてその温度を略１時間保持する。これにより、ビン内のアルキル化合物が蒸発し、ブラックマトリクス５２の全表面に化学気相蒸着される。その結果、ブラックマトリクス５２の化学気相蒸着された面はテトラデカンに対し７２°の接触角を示し、撥液処理されたことがわかる。
【００６６】
次に、図７（ｂ）に示すように、本発明に係る製造方法でブラックマトリクス５２の底面５２ａ領域のみ紫外線（ＵＶ光）を透過するように製造されたフォトマスクＭを、基板Ｐ上に配置する。このとき、フォトマスクＭはフォトマスクの転写層３を基板Ｐ側に向け、ＵＶ光の透過領域と底面５２ａとが一致するように配置されている。
この状態で、基板Ｐに、ＵＶ光（例えば１７２ｎｍ、２５４ｎｍ、３１３ｎｍ、３６５ｎｍ、４３６ｎｍのＵＶ光）をフォトマスクＭ側に１．５ｍｍ離れた位置から１０分間照射する。その結果、ＵＶ光が照射された底面５２ａではテトラデカンに対する接触角が３５°となり、親液化されたことがわかる。フォトマスクＭによりＵＶ光が遮光された側面５２ｂおよび上面５２ｃでは、テトラデカンに対する接触角が６５°となり、底面５２ａと比較して撥液性が残っていることがわかる。
【００６７】
上述したように、ブラックマトリクス５２の親液、撥液処理を行ったら、次に図７（ｃ）に示すように、吐出ヘッドからカラーフィルタ用の機能液５４の液滴を吐出し、これをフィルタエレメント５３に着弾させる。吐出する機能液５４の量については、過熱工程（乾燥・焼成工程）における機能液の体積減少を考慮した十分な量とする。また、ブラックマトリクスの底面５２ａが親液化され、側面５２ｂおよび上面５２ｃが撥液化されているので、機能液５４は底面５２ａにて広がりやすくなり、側面５２ｂまたは上面５２ｃに付着した機能液５４は、底面５２ａに向かって流れ落ちるようになっている。
【００６８】
このようにして基板Ｐ上の全てのフィルタエレメント５３に液滴５４を充填した後、ヒータを用いて基板Ｐが所定の温度（例えば７０℃程度）となるように加熱処理する。この加熱処理により、機能液の溶媒が蒸発して機能液の体積が減少する。この体積減少の激しい場合には、カラーフィルタとして十分な膜の厚みが得られるまで、液滴吐出工程と加熱工程とを繰り返す。この処理により、機能液に含まれる溶媒が蒸発して、最終的に機能液に含まれる固形分（機能性材料）のみが残留して膜化し、図７（ｄ）に示すようにカラーフィルタ５５となる。
【００６９】
図８は、カラーフィルタの製造工程を示す図である。
ついで、基板Ｐを平坦化し、かつカラーフィルタ５５を保護するために、図８（ａ）に示すように、カラーフィルタ５５やブラックマトリクス５２を覆って基板Ｐ上に保護膜５６を形成する。この保護膜５６の形成にあたっては、スピンコート法、ロールコート法、リッピング法等の方法を採用することができるが、カラーフィルタ５５の場合と同様に、上記吐出装置を用いて行うこともできる。
ついで、図８（ｂ）に示すように、この保護膜５６の全面に、スパッタ法や真空蒸着法等によって透明導電膜５７を形成する。その後、透明導電膜５７をパターニングし、図８（ｃ）に示すように、画素電極５８をフィルタエレメント５３に対応させてパターニングする。
なお、液晶表示パネルの駆動にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いる場合には、このパターニングは不要となる。このようなカラーフィルタの製造において、吐出ヘッドを用いているので、カラーフィルタ材料を支障なく連続的に吐出することができ、したがって良好なカラーフィルタを形成することができるとともに、生産性を向上することができる。
【００７０】
〔プラズマディスプレイ〕
次に、本発明のフォトマスクを用いて形成された配線基板を有する電気光学装置の一例として、プラズマディスプレイ（プラズマ表示装置）について図９および図１０を参照しながら説明する。
図９は、アドレス電極５１１とバス電極５１２ａとが製造されたプラズマディスプレイ５００を示す分解斜視図である。
このプラズマディスプレイ５００は、互いに対向して配置されたガラス基板５０１とガラス基板５０２と、これらの間に形成された放電表示部５１０とから概略構成されている。
【００７１】
放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されてなり、複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。前記（ガラス）基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、それらアドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成され、さらに誘電体層５１９上においてアドレス電極５１１、５１１間に位置して各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。なお、隔壁５１５においてはその長手方向の所定位置においてアドレス電極５１１と直交する方向にも所定の間隔で仕切られており（図示略）、基本的にはアドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁により仕切られる長方形状の領域が形成され、これら長方形状の領域に対応するように放電室５１６が形成され、これら長方形状の領域が３つ対になって１画素が構成される。また、隔壁５１５で区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００７２】
次に、前記ガラス基板５０２側には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数のＩＴＯからなる透明表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されるとともに、高抵抗のＩＴＯを補うために金属からなるバス電極５１２ａが形成されている。また、これらを覆って誘電体層５１３が形成され、さらにＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。そして、前記基板５０１とガラス基板５０２の基板２が、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされ、基板５０１と隔壁５１５とガラス基板５０２側に形成されている保護膜５１４とで囲まれる空間部分を排気して希ガスを封入することで放電室５１６が形成されている。なお、ガラス基板５０２側に形成される表示電極５１２は各放電室５１６に対して２本ずつ配置されるように形成されている。 前記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続され、各電極に通電することで必要な位置の放電表示部５１０において蛍光体５１７を励起発光させて、カラー表示ができるようになっている。
【００７３】
図１０は、プラズマディスプレイの製造工程の一部を示す図である。
そして、本例では、特に前記アドレス電極５１１とバス電極５１２ａとが、本発明に係るフォトマスクを用いて、所定のパターンに形成される。アドレス電極５１１とバス電極５１２ａとの形成は略同じ手順で形成されるので、アドレス電極５１１の形成手順について説明し、バス電極５１２ａの形成手順の説明については省略する。
まず、ガラス基板５０１と、フッ素を含むアルキル化合物（（例えばトリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリクロロシラン）を入れたビンと、をテフロン（登録商標）製の容器内に入れる。ガラス基板５０１は、固定台に設置されており、この状態で容器内を減圧し、容器全体の温度を略８０℃まで上げてその温度を略１時間保持する。これにより、ビン内のアルキル化合物が蒸発し、ガラス基板５０１の表面に化学気相蒸着され撥液層５０１ａが形成されることにより、撥液処理が施される。
次に、図１０（ａ）に示すように、本発明に係る製造方法でアドレス電極５１１の配線パターン領域のみ紫外線（ＵＶ光）を透過するように製造されたフォトマスクＭを、ガラス基板５０１上に配置する。このとき、フォトマスクＭはその転写層３をガラス基板５０１側に向くように配置されている。
この状態で、ガラス基板５０１に、ＵＶ光（例えば１７２ｎｍ、３１３ｎｍ、３６５ｎｍ、４３６ｎｍのＵＶ光）をフォトマスク側に１．５ｍｍ離れた位置から１０分間照射する。その結果、ＵＶ光が照射された撥液層５０１ａのアドレス電極５１１の配線パターン領域は親液化される。
【００７４】
上述したように、基板５０１の親液、撥液処理を行ったら、次に図１０（ｂ）に示すように、吐出ヘッドから金属コロイド材料（例えば金コロイドや銀コロイド）や導電性微粒子（例えば金属微粒子）を分散させてなる機能液５１１ａを吐出し、これを基板５０１に着弾させる。基板５０１の親液処理された領域に着弾した機能液５１１ａは広がりやすくなり、撥液処理された領域には広がらない。そのため、アドレス電極５１１の配線パターンを正確に描画することができるとともに、配線の線幅を正確に描画することができる。
また、蛍光体５１７についても、蛍光体材料を溶媒に溶解させあるいは分散媒に分散させた機能液を吐出ヘッド２０より吐出し、乾燥・焼成することによって形成可能である。
【００７５】
なおここでは電気光学装置としてプラズマ表示装置を例にして説明したが、有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置を構成する配線パターンを形成する際にも、本発明の導電膜パターンの形成方法を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明におけるフォトマスクの形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。
【図２】ピエゾ方式による機能液の吐出原理を説明するための図である。
【図３】本発明におけるフォトマスクの製造工程を示す図である。
【図４】フォトマスクのパターン形成に用いる照射装置の一例を示す概略構成図である。
【図５】フォトマスクのパターン形成に用いる照射装置の別の実施の形態を示す概略構成図である。
【図６】本発明におけるフォトマスクの別の製造工程を示す図である。
【図７】カラーフィルタの製造工程を示す図である。
【図８】カラーフィルタの製造工程を示す図である。
【図９】アドレス電極とバス電極とが製造されたプラズマディスプレイを示す分解斜視図である。
【図１０】プラズマディスプレイの製造工程の一部を示す図である。
【符号の説明】
【００７７】
１・・・基材（可撓性基板）、  ２・・・光熱変換層、  ３・・・転写層、  ４・・・遮光パターン（パターン）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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