(57)【要約】【課題】  電気特性・層間絶縁材層のレーザー加工性に優れる樹脂組成物を提供する。【解決手段】  本発明の紫外線吸収剤としてフラーレンを含んでなる層間絶縁樹脂を用いることにより、通常、乾燥、硬化させる際に、加熱工程を通ることにより、紫外線吸収剤が失活せずに、ＵＶレーザーの加工性をもつ層間絶縁樹脂を得ることができる。前記樹脂組成物から構成される絶縁層を含むことを特徴とする多層配線板。前記樹脂組成物を用いて絶縁層を形成する工程と、回路層を形成する工程と、絶縁層をレーザー照射することにより開孔する工程とを含んでなる多層配線板の製造方法。【選択図】  図１
2005307156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状オレフィン系樹脂と、フラーレンを含んでなる樹脂組成物。
【請求項２】
前記フラーレンは、フラーレンＣ６０および／またはフラーレンＣ７０である請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
前記環状オレフィン系樹脂は、ポリノルボルネンである請求項１または２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
前記環状オレフィン系樹脂は、付加型のポリノルボルネンである請求項１ないし３のいずれかに記載の樹脂組成物。
【請求項５】
前記環状オレフィン系樹脂は、ノルボルネン系単量体の付加重合体である請求項１ないし４のいずれかに記載の樹脂組成物。
【請求項６】
前記環状オレフィン系樹脂は、下記一般式（１）で表される構造を有するものである請求項１ないし５のいずれかに記載の樹脂組成物。
【化１】
2005307156.tif 000006
（式（１）中のＸは、−О−，−ＣＨ２−または−ＣＨ２ＣＨ２−を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４はそれぞれ水素、あるいは、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシシリル基、エステル基、エーテル基、（メタ）アクリル基およびエポキシ基から選ばれる基を示し、これらの基はアルキル基、エーテル基、エステル基を介して結合していても良く、同一であっても異なっていても良い。ｍは１０〜１００００の整数、ｎは０〜５までの整数である。）
【請求項７】
前記環状オレフィン樹脂１００重量部に対して、前記フラーレン０．００１〜５重量部を含有するものである請求項１ないし６のいずれかに記載の樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の樹脂組成物から構成される絶縁層を含むことを特徴とする多層配線板。
【請求項９】
受動部品を内蔵する請求項８に記載の多層配線板。
【請求項１０】
電源層を内蔵する請求項８又は９に記載の多層配線板。
【請求項１１】
前記電源層の絶縁材料が高誘電率有機絶縁材料である請求項１０に記載の多層配線板。
【請求項１２】
請求項１ないし７のいずれかに記載の樹脂組成物を用いて絶縁層を形成する工程と、回路層を形成する工程と、絶縁層をレーザー照射することにより開孔する工程とを含んでなる多層配線板の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁層を形成する工程は、塗布して形成するものである請求項１２に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁層を形成する工程は、前記樹脂組成物を用いて得られたフィルムをラミネートして形成ものである請求項１２に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁層を形成する工程におけるフィルムは、金属層付きフィルムである請求項１４に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁層を加熱硬化する工程を含む請求項１２ないし１５のいずれかに記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁層の表面をプラズマ処理する工程を含む請求項１２ないし１６のいずれかに記載の多層配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物、多層配線板および多層配線板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできている。電子機器の高速伝送化のための課題は、電気信号の劣化である。電気信号の劣化は、導体損失と誘電体損失の和である。特に、層間絶縁材料に起因する誘電体損失は、電気信号周波数の増大に伴い、顕著に増加し、ＧＨｚ帯においは、電気信号劣化の主要因となる。これらの電子部品において、従来より多層配線板などの絶縁材料として使用されてきたエポキシ樹脂やポリイミド樹脂は、特に、誘電率及び誘電正接の電気特性が不足する場合があり、高速伝送化に対応することが困難である。
【０００３】
そこで、誘電特性に優れ、電子機器において、半導体素子やその他の実装部品を実装するための配線板用の材料として熱可塑性ノルボルネン系樹脂が用いられている（例えば、特許文献１参照。）が、これを、ビルドアップ多層配線板の絶縁層に採用した場合、その製造工程において、絶縁層に層間接続用の微細ビアをレーザーで形成し、ビア内を銅ペーストなどの導電性接着剤で穴埋めし、この導電性接着剤により層間の電気的接続を行い、多層配線板を得るが、レーザー加工において、ＵＶレーザーの紫外線波長域に吸収の少ない樹脂を絶縁層に使用すると、樹脂へのダメージが大きく、絶縁層にクラックが生じたり、絶縁層に形成されたランドのえぐれやクラックを生じる問題点がある。
【０００４】
このような中、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂に紫外線吸収剤を配合してなる樹脂組成物からなる絶縁層を有する多層配線基板が提供されており、例えば、紫外吸収帯が少ない熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂に対し、ＵＶ吸収剤を０．１重量％〜０．５重量％で添加することで、レーザー加工すると少ないレーザーショット数でクラック発生を無くすことができるというものである（例えば、特許文献２参照。）。
しかし、この樹脂組成物から得られる絶縁層を、２００℃〜２５０℃で乾燥・硬化する工程を通すと、樹脂組成物中に含まれる紫外線吸収剤が分解・失活して、その機能を失い、レーザー加工時のビアにおいてクラック発生またはビアの形状不良の原因となって絶縁不良を生じてしまう恐れがある。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２３２１３８号公報
【特許文献２】特開２００２−１２１３６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、レーザー加工性に優れた樹脂組成物、それを用いた多層配線板および多層配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
すなわち、本発明は、
１．  環状オレフィン系樹脂と、フラーレンを含んでなる樹脂組成物、
２．  前記フラーレンは、フラーレンＣ６０および／またはフラーレンＣ７０である第１項に記載の樹脂組成物、
３．  前記環状オレフィン系樹脂は、ポリノルボルネンである第１項または第２項に記載の樹脂組成物、
４．  前記環状オレフィン系樹脂は、付加型のポリノルボルネンである第１項ないし第３項のいずれかに記載の樹脂組成物、
５．  前記環状オレフィン系樹脂は、ノルボルネン系単量体の付加重合体である第１項ないし第４項のいずれかに記載の樹脂組成物、
６．  前記環状オレフィン系樹脂は、下記一般式（１）で表される構造を有するものである第１項ないし第５項のいずれかに記載の樹脂組成物、
【０００８】
【化１】
2005307156.tif 000003
（式（１）中のＸは、−О−，−ＣＨ２−または−ＣＨ２ＣＨ２−を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４はそれぞれ水素、あるいは、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシシリル基、エステル基、エーテル基、（メタ）アクリル基およびエポキシ基から選ばれる基を示し、これらの基はアルキル基、エーテル基、エステル基を介して結合していても良く、同一であっても異なっていても良い。ｍは１０〜１００００の整数、ｎは０〜５までの整数である。）
【０００９】
７．  前記環状オレフィン樹脂１００重量部に対して、前記フラーレン０．００１〜５重量部を含有するものである第１項ないし第６項のいずれかに記載の樹脂組成物、
８．  第１項ないし第７項のいずれかに記載の樹脂組成物から構成される絶縁層を含むことを特徴とする多層配線板、
９．  受動部品を内蔵する第８項に記載の多層配線板、
１０．  電源層を内蔵する第８項又は第９項に記載の多層配線板、
１１．  前記電源層の絶縁材料が高誘電率有機絶縁材料である第１０項に記載の多層配線板、
１２．  第１項ないし第７項のいずれかに記載の樹脂組成物を用いて絶縁層を形成する工程と、回路層を形成する工程と、絶縁層をレーザー照射することにより開孔する工程とを含んでなる多層配線板の製造方法、
１３．  前記絶縁層を形成する工程は、塗布して形成するものである第１２項に記載の多層配線板の製造方法、
１４．  前記絶縁層を形成する工程は、前記樹脂組成物を用いて得られたフィルムをラミネートして形成ものである第１２項に記載の多層配線板の製造方法、
１５．  前記絶縁層を形成する工程におけるフィルムは、金属層付きフィルムである第１４項に記載の多層配線板の製造方法、
１６．  前記絶縁層を加熱硬化する工程を含む第１２項ないし第１５項のいずれかに記載の多層配線板の製造方法、
１７．  前記絶縁層の表面をプラズマ処理する工程を含む第１２項ないし第１６項のいずれかに記載の多層配線板の製造方法、
を提供するものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、レーザー加工性に優れ、電気特性、特に誘電特性にも優れた樹脂組成物を提供することができ、該樹脂組成物を絶縁層に用いることにより電気特性に優れる多層配線板を提供することができる。また、層間接続用の銅ポストなどの導体ポストを形成する際の加工性に優れる多層配線板の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明は、耐熱性のある紫外線吸収剤と熱可塑性樹脂とを含み、電気特性および加工性に優れ、層間絶縁材層を形成した際にレーザー加工性に優れた樹脂組成物を提供するものである。
【００１２】
本発明に用いる環状オレフィン樹脂は、環状オレフィンモノマーとして、例えばシクロヘキセン、シクロオクテン等の単環体、ノルボルネン、ノルボルナジエン、ジシクロペンタジエン、ジヒドロジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセン、トリシクロペンタジエン、ジヒドロトリシクロペンタジエン、テトラシクロペンタジエン、ジヒドロテトラシクロペンタジエン等の多環体などより重合したものが挙げられる。
【００１３】
このような環状オレフィンモノマーの重合体には、例えば環状オレフィンモノマーの（共）重合体、環状オレフィンモノマ−とα−オレフィン類等の共重合可能な他のモノマ−との共重合体、およびこれらの共重合体の水素添加物等が挙げられる。これらの公知の重合体は、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。これら環状オレフィン系樹脂は、公知の重合法により製造することが可能であり、その重合方法には付加重合法と開環重合法とが挙げられる。このうち、ノルボルネン型モノマーを重合（特に、付加（共）重合）することによって得られたポリマーが好ましいが、本発明はなんらこれに限定されるものではない。
【００１４】
このような重合体として、例えば、特開平３−１４８８２号や特開平３−１２２１３７号、特開平４−６３８０７号などで公知の樹脂を用いることができ、具体的には、ノルボルネン系単量体の開環重合体、その水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネン単量体とオレフィンの付加重合体、これらの重合体の変性物などが挙げられる。環状オレフィン系樹脂は、周波数がＧＨｚ帯において、優れた誘電率、誘電正接を示すものであり、また、特に、付加型のポリノルボルネンは耐熱性にも優れるものであり、中でも、下記一般式（１）で表される構造を有する付加型のポリノルボルネンの化学構造における主鎖骨格は、ガラス転移温度が３００℃前後の耐熱性を有し好適である。
【００１５】
【化２】
2005307156.tif 000004
式（１）中のＸは、−О−，−ＣＨ２−または−ＣＨ２ＣＨ２−を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４はそれぞれ水素、あるいは、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシシリル基、エステル基、エーテル基、（メタ）アクリル基およびエポキシ基から選ばれる基を示し、これらの基はアルキル基、エーテル基、エステル基を介して結合していても良く、同一であっても異なっていても良い。ｍは１０〜１００００の整数、ｎは０〜５までの整数である。
【００１６】
前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基およびイソブチル基などの側鎖を有していても良い（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル基、前記シクロアルキル基としては、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基およびメチルシクロヘキシル基などの（Ｃ３−Ｃ１５）シクロアルキル基、前記アルケニル基としては、例えば、（Ｃ３−Ｃ１０）アルケニル基、前記アルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロペニル基、ヘキセイニル基、オクテニル基およびヘプテニル基などの（Ｃ２−Ｃ２０）アルキニル基、前記アルキリデニル基としては、例えば、（Ｃ１−Ｃ６）アルキリデニル基、前記アリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基、ベンジル基およびフェニルエチニル基などの（Ｃ６−Ｃ４０）アリール基、前記アラルキル基としては、例えば、（Ｃ７−Ｃ１５）アラルキル基、前記アルコキシシリル基としては、例えば、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、トリエトキシシリル基およびトリエトキシシリルエチル基などのアルコキシシリル基、前記エステル基としては、例えば、メチルエステル基、エチルエステル基、ｎ−ブチルエステル基、ｔ−ブチルエステル基およびｎ−プロピルエステル基などのエステル基、前記（メタ）アクリル基としては、例えば、メタクリロキシメチル基などの（メタ）アクリル基、前記エポキシ基としては、例えば、グリシジルエーテル基などのエポキシ基が挙げられる。
【００１７】
本発明においては、ノルボルネン系単量体の付加重合体であることが好ましく、特に、上記の置換基を有するノルボルネン系単量体を２種以上用いて付加共重合体とすることにより、置換基由来の特性をバランスよく付与することができるので、より好ましい。
そのようなモノマーより得られた重合体の例として、前記一般式（１）で表される構造を有する付加型のポリノルボルネンにおいて、置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、目的に応じて、その置換基の種類と該置換基を有する繰り返し単位の割合を調整することにより、特性を好ましいものとすることができる。例えば、前記一般式（１）において、Ｘは−ＣＨ２−とし、Ｒ３およびＲ４は水素とし、ｎは０の場合、Ｒ１およびＲ２として、例えば、前記アルキル基を導入した場合、可とう性に優れるポリノルボルネン樹脂フィルムを得ることができるので好ましい。また、トリメトキシシリル基、またはトリエトキシシリル基を導入した場合、銅などの金属との密着性が向上するので好ましい。ただし、トリエトキシシリル基、トリメトキシシリル基の割合が多い場合、ポリノルボルネンの誘電正接が大きくなることがあるため、トリエトキシシリル基、および／またはトリメトキシシリル基を有するノルボルネンの繰り返し単位は、一般式（１）で表されるノルボルネン１分子において、２０ｍｏｌ％以下にすることが好ましい。さらに好ましくは１０ｍｏｌ％以下である。
【００１８】
中でも、特に、可とう性、密着性および誘電特性が良好な樹脂フィルムを得る上で、一般式（１）において、ｎ−ブチル基を有するノルボルネン９０ｍｏｌ％とトリエトシキシシリル基を有するノルボルネン１０ｍｏｌ％からなるポリノルボルネン、未置換（置換基が水素原子）ノルボルネン９０ｍｏｌ％とトリエトシシリル基を有するノルボルネン１０ｍｏｌ％からなるポリノルボルネン、および未置換ノルボルネン７５ｍｏｌ％とｎ−ヘキシル基を有するノルボルネン２５ｍｏｌ％からなるポリノルボルネンが好ましい。
【００１９】
また、前記側鎖に、Ｒ１およびＲ２として、トリエトキシシリル基、トリメトキシシリル基の替わりにエポキシ基を有するノルボルネン５〜９５モル％、好ましくは、２０〜８０モル％、さらに好ましくは３０〜７０％の割合で使用する場合、基材との密着性を向上することができる。
【００２０】
前記環状オレフィン系樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、１，０００〜１，０００，０００が好ましく、特に５，０００〜５００，０００が好ましく、最も１０，０００〜２５０，０００が好ましい。重量平均分子量（Ｍｗ）が前記範囲内であると、耐熱性、成形物表面の平滑性等がバランスに優れる。
前記重量平均分子量は、例えばシクロヘキサン又はトルエンを有機溶剤とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算で評価することができる。
【００２１】
前記環状オレフィン系樹脂の分子量分布［重量平均分子量：Ｍｗと、数平均分子量：Ｍｎとの比（Ｍｗ／Ｍｎ）］は、特に限定されないが、５以下が好ましく、特に４以下が好ましく、特に１〜３が好ましい。分子量分布が前記範囲内であると、電気特性に特に優れる。
前記分子量分布を測定する方法としては、例えばシクロヘキサンまたはトルエンを有機溶剤とするＧＰＣで測定することができる。
また、上記方法で重量平均分子量や分子量分布が測定できない環状オレフィン系樹脂の場合には、通常の溶融加工法により樹脂層を形成し得る程度の溶融粘度や重合度を有するものを使用することができる。前記環状オレフィン系樹脂のガラス転移温度は、使用目的に応じて適宜選択できるが、通常５０℃以上、好ましくは７０℃以上、より好ましくは１００℃以上、さらに好ましくは１２５℃以上である。
【００２２】
本発明に用いるフラーレンは、紫外線吸収剤として用いられるものであり、例えば、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０およびフラーレンＣ８２など、また、これらの誘導体が挙げられ、前記フラーレンとしては、フラーレンＣ６０およびフラーレンＣ７０が好ましい。前記誘導体としては、例えば、水素付加フラーレンＣ６０Ｈ６０、ヒドロキシル付加フラーレンＣ６０Ｈ（ＯＨ）などが挙げられる。これら誘導体における修飾基は、樹脂組成物におけるフラーレンの分散性を向上させるものであれば限定されない。これらのフラーレンは単独または２種以上で用いることができる。
上記好ましいフラーレンとして、フラーレンＣ６０とフラーレンＣ７０で構成される混合フラーレンを用いても良く、混合フラーレンの比率としては、フラーレンＣ６０を１００重量部に対してフラーレンＣ７０を１０重量部〜５０重量部であることが好ましいが、フラーレンＣ７０の比率が多ければ多いほど、紫外線吸収率が高く、紫外線吸収剤として好ましい。
【００２３】
本発明の樹脂組成物は、環状オレフィン系樹脂１００重量部に対してフラーレン０．００１重量部〜５重量部を含有することが好ましい。含有量が前記範囲であると、樹脂組成物の誘電率および誘電正接が低く、レーザー加工性にも優れる。
【００２４】
本発明の樹脂組成物は、紫外線吸収剤としての優れた機能を発現させる上で、フラーレンを樹脂組成物中に、均一に分散させることが好ましく、分散時における二次粒径としては１μｍ以下であることが好ましい。より細かく、均一に分散された樹脂組成物を得るために、フラーレンは、前記フラーレン誘導体を用いることが好ましい。
【００２５】
本発明の樹脂組成物の製造方法としては、例えば、上記成分を溶媒に溶解し、均一に混合して得られるが、その際、フラーレンを直接、環状オレフィン系樹脂溶液に混合させることも可能だが、分散性を向上させるという点で、まず、フラーレンを溶媒に溶解させ、遊星運動攪拌機、スリーワンモーター、超音波ホモジナイザーおよびビーズミルなどの混合機を用いて均一に混合して得られたフラーレン溶液に、環状オレフィン系樹脂溶液を加えて、再び前記混合機により混合することが好ましい。前記溶媒としては、例えば、トルエン、ｍ−キシレン、メシチレン、ピリジン、キノリンおよびＮ−メチルピロリドン等が挙げられる。これらの中でも、特にメシチレンが好ましい。
【００２６】
本発明の樹脂組成物には、目的に応じて、上記成分以外に、相溶化剤、レベリング剤、消泡剤、界面活性剤、有機フィラー、無機フィラーを添加することができる。
【００２７】
本発明の樹脂組成物は、プリント配線板、多層配線板、半導体装置および液晶表示装置などの用途に好適であるが、例えば、多層配線板の絶縁層に用いる場合、まず、本発明の樹脂組成物のワニスを、回路基板上へ塗布して、塗膜を形成し、塗膜を加熱して乾燥することにより絶縁層とすることができる。前記塗布方法としては、例えば、アプリケータ、バーコータ、ナイフコータ、グラビアコータ、ダイコータ、カーテンコータ、印刷機、真空印刷機およびディスペンサーなどの方法を挙げることができる。前記塗膜の加熱乾燥温度としては、１５０℃以上２２０℃以下が好ましく、１７０℃以上２００℃以下がより好ましい。
次に、上記で得た絶縁層に、ビアホールを形成し、ビアホール内にめっきを充填させることで多層配線板の層間を導通させる導体層を形成して、多層配線板用の基板を製造することができる。ビアホールの形成方法としては、例えば、レーザー、プラズマによるドライエッチング、ケミカルエッチング等による方法が挙げられる。レーザーとしては、炭酸ガスレーザー、紫外線レーザーおよびエキシマレーザー等を使用することができる。絶縁層が、より微細なビアホールを形成できる紫外線レーザーを使用することが好ましい。樹脂組成物にフラーレンが含まれているため、紫外線レーザーのエネルギーを吸収し、より形状の良いビアを形成することができるため、ビアの形状異常より発生するクラックの発生を防ぐことができる。
【００２８】
以下、図面を参照して、本発明の多層配線板について、具体的に説明するが、本発明はこれによって何ら限定されるものではない。
【００２９】
図１は、本発明の実施形態である多層配線板の製造方法の一例を説明するための図で、図１（ｄ）は得られる多層配線板の構造を示す断面図である。
まず、コア基板として、ＦＲ−４の両面金属箔（銅箔）付き絶縁基板１０３にドリル機で開孔して開孔部１０２を設けた後、無電解めっきにより、開孔部１０２にめっきを行い、前記絶縁基板の両面の金属箔間の導通を図り、次いで、前記金属箔をエッチングすることにより導体回路層１０１を形成する（図１（ａ））。導体回路層１０１の材質としては、この製造方法に適するものであれば、どのようなものでも良いが、導体回路の形成においてエッチングや剥離などの方法により除去可能であることが好ましく、前記エッチングにおいては、これに使用される薬液などに耐性を有するものが好ましい。そのような導体回路層１０１の材質としては、例えば、銅、銅合金、４２合金およびニッケル等が挙げられる。特に、銅箔、銅板および銅合金板は、電解めっき品や圧延品を選択できるだけでなく、様々な厚みのものを容易に入手できるため、導体回路層１０１として使用するのに好ましい。
【００３０】
次に、導体回路層１０１上に、上記樹脂組成物を用いて、絶縁層１０４を形成する（図１（ｂ））。絶縁層１０４を形成する方法としては、塗布法やフィルム積層法などが挙げられ、前記塗布法としては、例えば、カーテンコータ、バーコータ、コンマコータ、ナイフコータ、グラビアコータ、ダイコータ、スピンコータ、印刷機、真空印刷機およびディスペンサーなどの装置を用いて、上記樹脂組成物を、絶縁層を形成する面に塗布して、塗膜を形成し、該塗膜を、乾燥機、窒素乾燥機、真空乾燥機などを用いて、乾燥・硬化して、絶縁層を形成する方法が挙げられる。前記フィルム積層方法としては、上記樹脂組成物を用いてポリエステルフィルムなどの基材の上に、上記同様にして塗膜を形成し、これを、乾燥して支持基材付きフィルム（絶縁膜）を作製し、これを、絶縁層を形成する面に、真空プレス、常圧ラミネーター、真空ラミネータ−およびベクレル式積層装置等を用いてフィルムを積層して絶縁層を形成する方法が挙げられ、また、ポリエステルフィルムなどの樹脂基材に替えて、金属基材の上に、上記同様にして絶縁膜を形成し、金属層付きフィルム（絶縁膜）を作製し、これを積層して絶縁層を形成する方法などが挙げられる。前記金属層付きフィルムにおいては、該金属層を導体回路として加工することができる。
【００３１】
絶縁層を加熱硬化する温度は、１５０℃〜３００℃の範囲が好ましい。特に、１５０℃〜２５０℃が好ましい。また、一層目の絶縁層を加熱、半硬化させ、前記絶縁層上に、一層ないし複数の絶縁層を形成し半硬化の絶縁層を実用上問題ない程度に再度加熱硬化させることにより絶縁層間および絶縁層と導体回路間の密着力を向上させることができる。この場合の半硬化の温度は、１５０℃〜２５０℃が好ましく、１５０℃〜２００℃がより好ましい。
また、前記絶縁層を形成後に、絶縁層の表面にプラズマ処理を施すことで絶縁層間および絶縁層と導体回路間の密着力を向上させることができる。プラズマ処理のガスとして、酸素、アルゴン、フッ素、フッ化炭素、窒素などを一種もしくは複数種混合して用いることができる。また、プラズマ処理は複数回実施しても良い。
【００３２】
次に、絶縁層１０４に、レーザーを照射して、ビアホール１０５を形成する（図１（ｃ））。前記レーザーとしては、エキシマレーザー、ＵＶレーザーおよび炭酸ガスレーザーなどが使用でき、前記レーザーによるビアホールの開孔においては、絶縁層の材質が感光性・非感光性に関係なく、微細なビアホールを容易に形成することができるので、微細加工が必要とされる場合に、特に好ましい。また、ビアホール１０５の形成方法としては、上記レーザーを照射する方法以外にレーザーおよびプラズマなどによるドライエッチング、ケミカルエッチング等を用いることができる。また、絶縁層１０４を感光性の樹脂により作製した場合には、絶縁層１０４を選択的に感光し、現像することでビアホール１０５を形成することもできる。
次に、第二の導体回路層１０６を形成する（図１（ｄ））。第二の導体回路層１０６の形成方法としては、公知の方法であるセミアディティブ法などで形成することができる。これらの方法により、多層配線板を製造することができる。
【００３３】
また、本発明の多層配線板は、受動部品や電源層を内蔵することができる。
受動部品としては、シリコンウエハー上に形成したインダクター、抵抗、コンデンサーなどを内蔵することができる。
電源層としては、高誘電率無機絶縁材料や高誘電率有機絶縁材料など高誘電材料を用いて作製することができるが、より低温で電源層を形成できる高誘電率有機絶縁材料を用いることが好ましい。
本発明に用いられる高誘電率材料としては、高い誘電率を有し、耐熱性、吸湿性に優れた材料であることが好ましい。
【００３４】
本発明の多層配線板に電源層を内蔵する方法としては、配線形成両面基板１０７に高誘電率有機層間絶縁材料からなる絶縁層を形成し、ビアホールを形成形し、第二の導体回路層１０６を形成する。第二の導体回路層上に前記記樹脂組成物を形成し、ビアホールを形成し、その上に第三の導体回路層を形成すること、もしくはその工程を繰り返し行うことで実施することができる。
本発明の多層配線板に受動部品を内蔵する方法としては、配線形成両面基板１０７に受動部品チップを搭載し、前記樹脂組成物あるいは、受動部品を埋め込む封止材料により封止し、受動部品チップの電極上に封止材を貫通するビアホールを形成することで端子間の接続を取ることができる。
【００３５】
本発明の多層配線板において、電源層に用いる高誘電率有機絶縁材料としては、例えば、バインダー樹脂と高誘電体を含む樹脂組成物を挙げられる。前記バインダー樹脂としては、熱硬化性樹脂を用いることが好ましいが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂およびビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂およびレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂；、ビスフェノールＡエポキシ樹脂およびビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；、ノボラックエポキシ樹脂およびクレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジフェニルエーテル型エポキシ樹脂およびビスフェノールＡ−エピクロルヒドリン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂；、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂、メタクリロイル基を有する樹脂等が挙げられる。
これらの中でも、エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を主成分にすることが好ましい。
【００３６】
前記高誘電体としては、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸亜鉛、チタン酸ストロンチウム、チタン酸ビスマス、チタン酸マグネシウム、チタン酸ネオジウムおよびチタン酸カルシウム等の金属酸化物粉末や、金、銀、銅、錫、白金、パラジウム、ルテニウム、鉄、ニッケル、コバルト、ゲルマニウム、シリコン、亜鉛、チタン、マグネシウムおよびアルミニウム等の金属粉末や、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、ファーネスブラック、カーボンブラック、人造黒鉛、天然黒鉛およびフラーレンなどの炭素材料粉末等を挙げることができる。
【００３７】
前記高誘電率有機絶縁材料には、上記成分以外に、硬化剤、硬化促進剤、希釈剤、高誘電率絶縁樹脂層を作製した際の表面平滑性を向上させるためのレベリング剤、高誘電体の分散性を向上させるための分散剤、可とう性を向上させるためのエラストマー等の添加剤を添加しても良い。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれによって何ら限定されるものではない。
【００３９】
（実施例１）
［樹脂組成物の作製］
室温で粉末であるフラーレン（Ｃ６０：Ａｌｄｒｉｃｈ製）０．１００ｇをメシチレン１０．０ｇに投入し、超音波分散機で溶解、混合後、フラーレン溶液（１ｗｔ％）を得た。得られたフラーレン溶液３．３ｇを、ポリノルボルネン溶液３０ｇ（プロメラス社製、アバトレル（ブチルノルボルネン９０ｍｏｌ％とトリエトキシシランノルボルネン１０ｍｏｌ％の共重合体））に投入し、超音波分散機で混合、溶解後、樹脂組成物１を得た。ポリノルボルネンに対するフラーレンの濃度は０．５ｗｔ％とする。
【００４０】
［フィルムの作製］
絶縁層の誘電特性を測定するため、７０μｍ厚の銅箔（商品名：３ＥＣ−ＶＬＰ箔、三井金属（株）製）の光沢面に、上記で得たノルボルネン重合体（Ａ）１０．０ｇをトルエン３０．０ｇに溶解させ、その後、２５μｍ厚で塗布し、ノルボルネンフィルムを形成し、窒素雰囲気の乾燥機により、２５０℃で１時間、熱処理して乾燥させた。次いで、７０μｍ厚の銅箔を、エッチング除去し、ノルボルネンフィルムを得、周波数１０ＧＨｚにおける誘電特性を測定した結果を表１に示す。なお、誘電特性の測定は、円筒空洞共振機を用いた摂動法で行い、マイクロ波ネットワークアナライザ  ＨＰ８５１０Ｂ（Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）を用いた。
【００４１】
［回路基板の絶縁層の作製］
線幅／線間が２００μｍ／２００μｍで、回路厚み１０μｍの回路基板上に、上記で得た樹脂組成物１を、アプリケータを用いて、２５μｍの厚みで塗布して塗膜を形成した。次に、窒素雰囲気の乾燥機を用いて、２００℃／２時間熱処理し、塗膜を乾燥させ、絶縁層とした。次に、絶縁層に平均直径が４５μｍ径のビアを、波長３５５ｎｍのＵＶ−ＹＡＧレーザーにより形成した。レーザーショット数は８０、パルスエネルギー０．０４ｍＪ、パルス周波数５ｋＨｚとした。
上記で得たビアを有する回路基板について、ビアの形状観察と吸湿半田耐熱温度の評価を行った。
【００４２】
（実施例２）
実施例１において、フラーレンＣ６０をフラーレン混合物(Ｃ６０／Ｃ７０：Ａｌｄｒｉｃｈ製)とする以外は、実施例１と同様にして樹脂組成物２を得た。得られた樹脂組成物２を用いて、実施例１と同様にして、フィルムの特性と、回路上に絶縁層を形成後、ビアを形成した回路基板について、評価を行った。結果は表１に示す。
【００４３】
（比較例１）
実施例１において、ポリノルボルネン溶液のみを実施例１と同様にして、フィルムの特性と、回路上に絶縁層を形成後、ビアを形成した回路基板について、評価を行った。
【００４４】
（比較例２）
フラーレンＣ６０をベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤（日本チバカイギ（株）製、商品名Ｔｉｎｕｖｉｎ  Ｐ）とする以外、実施例１と同様にして樹脂組成物３を得た。得られた樹脂組成物３を用いて、実施例１と同様にして、フィルムの特性と、回路上に絶縁層を形成後、ビアを形成した回路基板について、評価を行った。結果は表１に示す。
【００４５】
【表１】
2005307156.tif 000005
【００４６】
［試験：測定方法］
（１）ビア形状観察：キーエンス製共焦点レーザー顕微鏡を用いて、ビア１００穴の形状を観察した。膨れ、クラックの有無を観察した。
（２）吸湿半田耐熱温度：プレッシャークッカー１２５℃  １．３気圧  ２時間処理後、２６０℃半田浴に２０秒浸漬し、膨れの有無を観察した。
（３）誘電率測定：円筒空洞共振機（アジレント・テクノロジー製、マイクロ波ネットワークアナライザ  ＨＰ８５１０Ｂ）を用い、周波数１ＧＨｚでの誘電率、誘電正接を測定した。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の多層配線板とその製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０１  導体回路層
１０２  開孔部
１０３  絶縁基板
１０４  絶縁層
１０５  ビアホール
１０６  第二の導体回路層
【図１】
2005307156.tif 000007