(57)【要約】【課題】  リフロー性を向上して鉛フリー化を図る。【解決手段】  半導体チップ２を支持し、かつ半導体チップ２と接合する領域の面積が半導体チップ２の裏面２ｂより小さなクロスタブ１ｇと、半導体チップ２のパッド２ａと接続するワイヤ４と、半導体チップ２の周囲に配置され、かつワイヤ接合部１ｊに銀めっき層１ａが形成された複数のインナリード１ｂと、半導体チップ２を樹脂封止するモールド部３と、モールド部３から露出し、かつ被実装面１ｌに鉛フリー金属層１ｍが形成された複数のアウタリード１ｃとからなり、モールド部３の平面サイズを２８ｍｍ×２８ｍｍ以下で、かつ１.4ｍｍ以下に形成することにより、リフロー性を向上して鉛フリー化を図ることができる。【選択図】  図２
2005286355.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを支持し、前記半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さなタブと、
前記半導体チップの表面電極と接続するワイヤと、
前記半導体チップの周囲に延在し、前記ワイヤが接合するワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリードと、
前記半導体チップを樹脂封止するモールド部と、
前記インナリードと繋がって前記モールド部から突出し、被実装面に鉛フリー金属層が形成された複数のアウタリードとを有し、
前記モールド部の平面サイズが２８ｍｍ×２８ｍｍ以下で、かつ厚さが１.4ｍｍ以下に形成され、前記鉛フリー金属層は前記ワイヤを接続した後に形成された金属層であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、小タブ構造の半導体装置における外装半田めっきの鉛フリー化に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
環境対策として半田の鉛（Ｐｂ）削減について記載されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、錫（Ｓｎ）−鉛（Ｐｂ）系に代わる半田として、錫（Ｓｎ）−ビスマス（Ｂｉ）系の半田を用いる発明が提案されており、電子部品の外部接続用電極リード線に錫−ビスマス系の合金層を形成して半田接続を容易にする技術が記載されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
また、錫−鉛系に代わる鉛フリー半田としてＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ系半田を用いて十分な接続強度を確保する技術が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００５】
また、錫−鉛系に代わる鉛フリー半田としてＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系半田を用いて接続部の信頼性を向上させる技術が提案されている（例えば、特許文献４参照）。
【０００６】
なお、リードにＳｎ−Ｂｉ系めっき膜を形成した半導体装置が紹介され、クラックの発生を防止するとともに高信頼度な半田接続を可能にする技術が提案されている（例えば、特許文献５参照）。
【特許文献１】特開平５−２７０８６０号公報
【特許文献２】特開平１０−９３００４号公報
【特許文献３】特開平１１−１７９５８６号公報
【特許文献４】特開平１１−２２１６９４号公報
【特許文献５】特開平１１−３３０３４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
半導体チップを備えた半導体パッケージ（半導体装置）の組み立て工程では、ダイボンディング、ワイヤボンデイングおよび樹脂封止などが順次行われ、その後、外装めっき工程で、プリント配線基板または回路基板に実装するため樹脂によって封止されないリード（以降、アウタリードという）の基板との接触部（被実装面）を含む表面箇所に、錫（Ｓｎ）−鉛（Ｐｂ）系半田層を外装めっきとして形成している。
【０００８】
しかしながら、環境問題への対策が求められている昨今、半導体装置などの電子部品一般ならびに実装基板などにおいても環境対策上適当なレベルに鉛を削減することが求められている。
【０００９】
なお、外装めっきにＳｎ−Ｐｂ共晶代替鉛フリー半田を用いる場合には、用途毎にＳｎ基合金を選択することになるが、特に、車載部品、成長著しい携帯用電子機器および高信頼性部品においては、接合強度および耐熱疲労特性が優れた合金が望まれている。接合強度および耐熱疲労特性が優れ、高信頼性を重視した場合のＳｎ基合金としてはＳｎ−Ａｇ系合金が知られており、一般的にはＳｎ−Ｐｂ共晶半田の融点が１８３℃であるのに対して、ほとんどのＳｎ−Ａｇ系合金の融点は２００℃以上とＳｎ−Ｐｂ共晶半田の融点より高いものである。
【００１０】
したがって、現状においては、Ｓｎ−Ｐｂ共晶代替鉛フリー半田を用いて半導体集積回路を実装する際のリフロー温度は高くならざるを得ない。そこで、本願発明者はインナリードがＡｇめっきされ、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田より融点が高い鉛フリー代替半田を用いてアウタリードがめっきされた半導体集積回路装置を従来よりも高いリフロー温度で実装し、
その評価を行った。その結果、ワイヤ断線が原因の製品不良が発生することが判明した。
【００１１】
このようなワイヤ断線の対策として、本願出願人は、特願２０００−４６７２４号に示すように、インナリードのワイヤ接合部に硬質のパラジウム（Ｐｄ）めっきを施すことにより、ワイヤの接合根元部の厚さを確保して接合強度を大きくすることを考えた。
【００１２】
しかし、パラジウムめっきはコスト高につながることが問題である。
【００１３】
なお、前記４つの公報では、鉛フリー化のために鉛フリー半田を用いた際に、リフロー温度が高くなって半導体装置のリフローマージンが少なくなること、およびその対策についての記載はない。
【００１４】
本発明の目的は、リフロー性を向上させて鉛フリー化を図ることができる技術を提供することにある。
【００１５】
本発明の他の目的は、コストアップを抑えて鉛フリー化を図ることができる技術を提供することにある。
【００１６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１８】
本発明は、半導体チップと接合する領域の面積が半導体チップの裏面より小さなタブと、ワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリードと、半導体チップを樹脂封止するモールド部と、被実装面に鉛フリー金属層が形成された複数のアウタリードとを有し、モールド部の平面サイズが２８ｍｍ×２８ｍｍ以下で、かつ厚さが１．４ｍｍ以下に形成され、前記鉛フリー金属層はワイヤを接続した後に形成された金属層である。
【００１９】
さらに本願のその他の発明の概要を項に分けて簡単に示す。すなわち、
１．半導体チップを支持し、前記半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さなタブと、
前記半導体チップの表面電極と接続するワイヤと、
前記半導体チップの周囲に延在し、前記ワイヤが接合するワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリードと、
前記半導体チップを樹脂封止するモールド部と、
前記インナリードと繋がって前記モールド部から突出し、被実装面に鉛フリー金属層が形成された複数のアウタリードとを有し、
前記モールド部の平面サイズが２８ｍｍ×２８ｍｍ以下で、かつ厚さが１.4ｍｍ以下に形成されたＱＦＰであることを特徴とする半導体装置。
２．半導体チップを支持し、前記半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さな十字形タブと、
前記半導体チップの表面電極と接続するワイヤと、
前記半導体チップの周囲に延在し、前記ワイヤが接合するワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリードと、
前記半導体チップを樹脂封止するモールド部と、
前記インナリードと繋がって前記モールド部から突出し、被実装面に鉛フリー金属層が形成された複数のアウタリードとを有し、
前記モールド部の平面サイズが２８ｍｍ×２８ｍｍ以下に形成されたＬＱＦＰまたはＴＱＦＰであることを特徴とする半導体装置。
３．半導体チップを支持し、前記半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さな十字形タブと、
前記半導体チップの表面電極と接続するワイヤと、
前記半導体チップの周囲に延在し、前記ワイヤが接合するワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリードと、
前記半導体チップを樹脂封止するモールド部と、
前記インナリードと繋がって前記モールド部から突出し、被実装面に鉛フリー金属層が形成された複数のアウタリードとを有し、
前記モールド部の平面サイズが２８ｍｍ×２８ｍｍ以下で、かつ厚さが１.4ｍｍ以下に形成されたＱＦＰであることを特徴とする半導体装置。
４．半導体チップを支持し、前記半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さなタブと、
前記半導体チップの表面電極と接続するワイヤと、
前記半導体チップの周囲に延在し、前記ワイヤが接合するワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリードと、
前記半導体チップを樹脂封止するモールド部と、
前記インナリードと繋がって前記モールド部から突出し、被実装面に鉛フリー金属層が形成された複数のアウタリードとを有し、
前記モールド部の平面サイズが２０ｍｍ×２０ｍｍ以下で、かつ厚さが３ｍｍ以下に形成されたＱＦＰ、もしくは前記モールド部の平面サイズが２０ｍｍ×２０ｍｍ以下に形成されたＬＱＦＰまたはＴＱＦＰであることを特徴とする半導体装置。
５．半導体チップを支持し、前記半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さな十字形タブと、
前記半導体チップの表面電極と接続するワイヤと、
前記半導体チップの周囲に延在し、前記ワイヤが接合するワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリードと、
前記半導体チップを樹脂封止するモールド部と、
前記インナリードと繋がって前記モールド部から突出し、被実装面に鉛フリー金属層が形成された複数のアウタリードとを有し、
前記モールド部の平面サイズが２０ｍｍ×２０ｍｍ以下で、かつ厚さが３ｍｍ以下に形成されたＱＦＰ、もしくは前記モールド部の平面サイズが２０ｍｍ×２０ｍｍ以下に形成されたＬＱＦＰまたはＴＱＦＰであることを特徴とする半導体装置。
６．半導体チップを支持し、前記半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さなタブと、
前記半導体チップの表面電極と接続するワイヤと、
前記半導体チップの周囲に配置され、前記ワイヤが接合するワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリード部と、
前記半導体チップを樹脂封止するモールド部と、
前記モールド部の実装側の面の周縁部に露出して配置され、被実装面に鉛フリー金属層が形成された複数のアウタリード部とを有するＱＦＮであることを特徴とする半導体装置。
７．半導体チップを支持し、前記半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さな十字形タブと、
前記半導体チップの表面電極と接続するワイヤと、
前記半導体チップの周囲に配置され、前記ワイヤが接合するワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリード部と、
前記半導体チップを樹脂封止するモールド部と、
前記モールド部の実装側の面の周縁部に露出して配置され、被実装面に鉛フリー金属層が形成された複数のアウタリード部とを有するＱＦＮであることを特徴とする半導体装置。
８．半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さなタブと、ワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリードと、それぞれの前記インナリードと繋がるとともに被実装面に鉛フリー金属層が形成された複数のアウタリードとを有したリードフレームを準備する工程と、
前記タブにダイボンド材を介して前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記インナリードの前記ワイヤ接合部の前記銀めっき層とをワイヤによって接続する工程と、
被実装面に前記鉛フリー金属層が形成された前記複数のアウタリードが突出するように前記半導体チップを樹脂モールドしてモールド部を形成する工程と、
前記モールド部から突出した前記複数のアウタリードを前記リードフレームの枠部から分離する工程とを有し、
前記モールド部の平面サイズを２８ｍｍ×２８ｍｍ以下に形成してＬＱＦＰまたはＴＱＦＰを組み立てることを特徴とする半導体装置の製造方法。
９．半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さなタブと、ワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリードと、それぞれの前記インナリードと繋がるとともに被実装面に鉛フリー金属層が形成された複数のアウタリードとを有したリードフレームを準備する工程と、
前記タブにダイボンド材を介して前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記インナリードの前記ワイヤ接合部の前記銀めっき層とをワイヤによって接続する工程と、
被実装面に前記鉛フリー金属層が形成された前記複数のアウタリードが突出するように前記半導体チップを樹脂モールドしてモールド部を形成する工程と、
前記モールド部から突出した前記複数のアウタリードを前記リードフレームの枠部から分離する工程とを有し、
前記モールド部の平面サイズを２０ｍｍ×２０ｍｍ以下で、かつ厚さを３ｍｍ以下に形成してＱＦＰを組み立てるか、もしくは前記モールド部の平面サイズを２０ｍｍ×２０ｍｍ以下に形成してＬＱＦＰまたはＴＱＦＰを組み立てることを特徴とする半導体装置の製造方法。
１０．半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さなタブと、ワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリード部と、前記インナリード部に連続する被実装面に鉛フリー金属層が形成された複数のアウタリード部とを有したリードフレームを準備する工程と、
前記タブにダイボンド材を介して前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記インナリード部の前記ワイヤ接合部の前記銀めっき層とをワイヤによって接続する工程と、
前記複数のアウタリード部の前記鉛フリー金属層が周縁部に露出するように前記半導体チップを樹脂モールドしてモールド部を形成する工程と、
前記複数のアウタリード部を前記リードフレームの枠部から分離する工程とを有してＱＦＮを組み立てることを特徴とする半導体装置の製造方法。
１１．半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さな十字形タブと、ワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリードと、それぞれの前記インナリードと繋がるとともに被実装面に鉛フリー金属層が形成された複数のアウタリードとを有したリードフレームを準備する工程と、
前記十字形タブにダイボンド材を介して前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記インナリードの前記ワイヤ接合部の前記銀めっき層とをワイヤによって接続する工程と、
被実装面に前記鉛フリー金属層が形成された前記複数のアウタリードが突出するように前記半導体チップを樹脂モールドしてモールド部を形成する工程と、
前記モールド部から突出した前記複数のアウタリードを前記リードフレームの枠部から分離する工程とを有し、
前記モールド部の平面サイズを２８ｍｍ×２８ｍｍ以下に形成してＬＱＦＰまたはＴＱＦＰを組み立てることを特徴とする半導体装置の製造方法。
１２．半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さな十字形タブと、ワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリードと、それぞれの前記インナリードと繋がるとともに被実装面に鉛フリー金属層が形成された複数のアウタリードとを有したリードフレームを準備する工程と、
前記十字形タブにダイボンド材を介して前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記インナリードの前記ワイヤ接合部の前記銀めっき層とをワイヤによって接続する工程と、
被実装面に前記鉛フリー金属層が形成された前記複数のアウタリードが突出するように前記半導体チップを樹脂モールドしてモールド部を形成する工程と、
前記モールド部から突出した前記複数のアウタリードを前記リードフレームの枠部から分離する工程とを有し、
前記モールド部の平面サイズを２０ｍｍ×２０ｍｍ以下で、かつ厚さを３ｍｍ以下に形成してＱＦＰを組み立てるか、もしくは前記モールド部の平面サイズを２０ｍｍ×２０ｍｍ以下に形成してＬＱＦＰまたはＴＱＦＰを組み立てることを特徴とする半導体装置の製造方法。
１３．半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さな十字形タブと、ワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリード部と、前記インナリード部と反対側の表面に鉛フリー金属層が形成された複数のアウタリード部とを有したリードフレームを準備する工程と、
前記十字形タブにダイボンド材を介して前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記インナリード部の前記ワイヤ接合部の前記銀めっき層とをワイヤによって接続する工程と、
前記複数のアウタリード部の前記鉛フリー金属層が周縁部に露出するように前記半導体チップを樹脂モールドしてモールド部を形成する工程と、
前記複数のアウタリード部を前記リードフレームの枠部から分離する工程とを有してＱＦＮを組み立てることを特徴とする半導体装置の製造方法。
１４．半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さなタブと、ワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリードと、それぞれの前記インナリードに繋がる複数のアウタリードとを有したリードフレームを準備する工程と、
前記タブにダイボンド材を介して前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記インナリードの前記ワイヤ接合部の前記銀めっき層とをワイヤによって接続する工程と、
前記複数のアウタリードが突出するように前記半導体チップを樹脂モールドしてモールド部を形成する工程と、
前記モールド部から突出した前記複数のアウタリードの被実装面に鉛フリー金属層を形成する工程と、
前記複数のアウタリードを前記リードフレームの枠部から分離する工程とを有し、
前記モールド部の平面サイズを２８ｍｍ×２８ｍｍ以下に形成してＬＱＦＰまたはＴＱＦＰを組み立てることを特徴とする半導体装置の製造方法。
１５．半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さなタブと、ワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリードと、それぞれの前記インナリードに繋がる複数のアウタリードとを有したリードフレームを準備する工程と、
前記タブにダイボンド材を介して前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記インナリードの前記ワイヤ接合部の前記銀めっき層とをワイヤによって接続する工程と、
前記複数のアウタリードが突出するように前記半導体チップを樹脂モールドしてモールド部を形成する工程と、
前記モールド部から突出した前記複数のアウタリードの被実装面に鉛フリー金属層を形成する工程と、
前記複数のアウタリードを前記リードフレームの枠部から分離する工程とを有し、
前記モールド部の平面サイズを２０ｍｍ×２０ｍｍ以下で、かつ厚さを３ｍｍ以下に形成してＱＦＰを組み立てるか、もしくは前記モールド部の平面サイズを２０ｍｍ×２０ｍｍ以下に形成してＬＱＦＰまたはＴＱＦＰを組み立てることを特徴とする半導体装置の製造方法。
１６．半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さなタブと、ワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリード部と、前記インナリード部に繋がる複数のアウタリード部とを有したリードフレームを準備する工程と、
前記タブにダイボンド材を介して前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記インナリード部の前記ワイヤ接合部の前記銀めっき層とをワイヤによって接続する工程と、
前記複数のアウタリード部が実装側の面の周縁部に露出するように前記半導体チップを樹脂モールドしてモールド部を形成する工程と、
前記モールド部に露出した前記複数のアウタリード部の被実装面に鉛フリー金属層を形成する工程と、
前記複数のアウタリード部を前記リードフレームの枠部から分離する工程とを有してＱＦＮを組み立てることを特徴とする半導体装置の製造方法。
１７．半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さな十字形タブと、ワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリードと、それぞれの前記インナリードに繋がる複数のアウタリードとを有したリードフレームを準備する工程と、
前記十字形タブにダイボンド材を介して前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記インナリードの前記ワイヤ接合部の前記銀めっき層とをワイヤによって接続する工程と、
前記複数のアウタリードが突出するように前記半導体チップを樹脂モールドしてモールド部を形成する工程と、
前記モールド部から突出した前記複数のアウタリードの被実装面に鉛フリー金属層を形成する工程と、
前記複数のアウタリードを前記リードフレームの枠部から分離する工程とを有し、
前記モールド部の平面サイズを２８ｍｍ×２８ｍｍ以下に形成してＬＱＦＰまたはＴＱＦＰを組み立てることを特徴とする半導体装置の製造方法。
１８．半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さな十字形タブと、ワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリードと、それぞれの前記インナリードに繋がる複数のアウタリードとを有したリードフレームを準備する工程と、
前記十字形タブにダイボンド材を介して前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記インナリードの前記ワイヤ接合部の前記銀めっき層とをワイヤによって接続する工程と、
前記複数のアウタリードが突出するように前記半導体チップを樹脂モールドしてモールド部を形成する工程と、
前記モールド部から突出した前記複数のアウタリードの被実装面に鉛フリー金属層を形成する工程と、
前記複数のアウタリードを前記リードフレームの枠部から分離する工程とを有し、
前記モールド部の平面サイズを２０ｍｍ×２０ｍｍ以下で、かつ厚さを３ｍｍ以下に形成してＱＦＰを組み立てるか、もしくは前記モールド部の平面サイズを２０ｍｍ×２０ｍｍ以下に形成してＬＱＦＰまたはＴＱＦＰを組み立てることを特徴とする半導体装置の製造方法。
１９．半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さな十字形タブと、ワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリード部と、前記インナリード部に繋がる複数のアウタリード部とを有したリードフレームを準備する工程と、
前記十字形タブにダイボンド材を介して前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記インナリード部の前記ワイヤ接合部の前記銀めっき層とをワイヤによって接続する工程と、
前記複数のアウタリード部が実装側の面の周縁部に露出するように前記半導体チップを樹脂モールドしてモールド部を形成する工程と、
前記モールド部に露出した前記複数のアウタリード部の被実装面に鉛フリー金属層を形成する工程と、
前記複数のアウタリード部を前記リードフレームの枠部から分離する工程とを有してＱＦＮを組み立てることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
（１）．モールド部の大きさを、一辺の長さが２８ｍｍ以下で、かつレジン厚を１.4ｍｍ以下、あるいはモールド部の一辺の長さが２０ｍｍ以下で、かつレジン厚を３.0ｍｍ以下とし、さらに、クロスタブまたは小タブに半導体チップが搭載されるとともにアウタリードに鉛フリー金属層が形成されたことにより、リフロー性の向上を図って鉛フリー化を実現できる。
（２）．インナリードのワイヤ接合部にパラジウムめっきではなく銀めっき層を形成したことにより、コストを抑えて鉛フリー化を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なも
のではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２２】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２３】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップなども含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合などを除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００２４】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素などの形状、位置関係などに言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合などを除き、実質的にその形状などに近似または類似するものなどを含むものとする。このことは前記数値および範囲についても同様である。
【００２５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。また、実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２６】
図１は本発明の実施の形態の半導体装置の一例であるＱＦＰの構造を示す平面図、図２は図１に示すＱＦＰの構造を示す断面図、図３は図１に示すＱＦＰの組み立てに用いられるリードフレームの構造の一例を示す部分平面図、図４は図３に示すリードフレームのチップ搭載部であるクロスタブの構造を示す部分拡大平面図、図５は図３に示すリードフレームに銀めっき層と外装めっき層を形成した構造の一例を示す部分平面図、図６は図４に示すクロスタブに両面接着テープを貼り付けた際の構造の一例を示す部分拡大平面図、図７および図８は図６に示す両面接着テープに対する変形例の両面接着テープを貼り付けた際の構造を示す部分拡大平面図、図９は図１に示すＱＦＰの組み立てにおけるダイボンディング後の構造を示す部分平面図、図１０は図９に示すＡ−Ａ線に沿う断面の構造を示す部分拡大断面図、図１１は図１０に示すダイボンディング状態に対する変形例の両面接着テープを用いたダイボンディング状態の構造を示す部分拡大断面図、図１２は図１０に示すダイボンディング状態に対する変形例の樹脂ペーストと片面接着テープを用いたダイボンディング状態の構造を示す部分拡大断面図、図１３は図１に示すＱＦＰの組み立てにおけるワイヤボンディング後の構造を示す部分平面図、図１４は図１３に示すリードフレームに対して小形の半導体チップを用いた組み立てにおけるワイヤボンディング後の構造を示す部分平面図、図１５は図１に示すＱＦＰの組み立てにおける樹脂モールド時の構造の一例を示す部分断面図、図１６は図１に示すＱＦＰの組み立てにおける樹脂モールド後の構造の一例を示す部分平面図、図１７は図１に示すＱＦＰの組み立てにおける切断成形後の構造の一例を示す側面図、図１８はＱＦＰのアウタリードの外装めっきを樹脂モールド後に行った場合の構造の一例を示す部分拡大断面図、図１９は本発明の実施の形態における各半導体装置とレジン厚さの関係を示す関係図、図２０は本発明の実施の形態の半導体装置の技術思想を示す比較図、図２１は本発明の実施の形態の半導体装置におけるモールド部の大きさと厚さに対するワイヤ亀裂検査の結果を示す検査結果図、図２２は図１に示すＱＦＰの組み立てに用いられる多連のリードフレームの構造の一例を示す部分平面図、図２３は図１に示すＱＦＰの組み立てにおけるダイボンディング時の構造の一例を示す部分断面図、図２４は図１に示すＱＦＰの組み立てにおけるワイヤボンディング時の構造の一例を示す部分断面図、図２５は図１に示すＱＦＰの組み立てにおける切断成形時の構造の一例を示す部分断面図である。
【００２７】
本実施の形態の半導体装置は、モールドによる樹脂封止形で、かつ面実装形のものであるとともに、モールド部３の大きさ（平面サイズや厚さ）が所定の範囲のものであり、このような半導体装置の一例として、図１に示すＱＦＰ（Quad Flat Package)６を取り上げて説明する。
【００２８】
図１〜図５を用いて、ＱＦＰ６の構成について説明すると、半導体チップ２を支持し、かつ半導体チップ２の主面２ｃと反対側の面である裏面２ｂよりその外形サイズが小さなチップ搭載部であるクロスタブ（十字形タブ）１ｇと、半導体チップ２の表面電極であるパッド２ａと接続するワイヤ４と、半導体チップ２の周囲に延在し、かつワイヤ４が接合するワイヤ接合部１ｊに銀めっき層１ａが形成された複数のインナリード１ｂと、半導体チップ２やワイヤ４が樹脂モールドされて形成された樹脂封止部であるモールド部３と、インナリード１ｂと繋がってモールド部３から４方向に突出し、かつプリント配線基板などの実装基板に接続される少なくとも被実装面１ｌに外装めっきとして鉛フリー金属層１ｍが形成された複数のアウタリード１ｃとを有し、モールド部３の平面サイズ（図１に示すＰ×Ｑ）が２８ｍｍ×２８ｍｍ以下のＬＱＦＰ（Low profile Quad Flat Package)またはＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Package) であるか、もしくはモールド部３の平面サイズが２８ｍｍ×２８ｍｍ以下で、かつ厚さ（図２に示すＴ）が１.4ｍｍ以下のＱＦＰ６である。
【００２９】
さらに、ＱＦＰ６は、そのモールド部３の平面サイズが２０ｍｍ×２０ｍｍ以下で、かつ厚さが３ｍｍ以下に形成されたものであってもよく、あるいは、モールド部３の平面サイズが２０ｍｍ×２０ｍｍ以下に形成されたＬＱＦＰまたはＴＱＦＰであってもよい。
【００３０】
なお、ＬＱＦＰおよびＴＱＦＰの構造については、図１および図２に示すＱＦＰ６と同じであり、図１９に示すように、日本電子機械工業会：ＥＩＡＪ規格（Standards of Electronic Industries Association of Japan)で、各半導体装置のレジン厚さ（モールド部３の厚さ）を表してＱＦＰ６、ＬＱＦＰ、ＴＱＦＰおよび図３２に示すＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) １７が分類されている。
【００３１】
本実施の形態では、ＱＦＰ構造およびＱＦＮ構造の半導体装置のモールド部３の大きさ（平面サイズと厚さとによるレジン量）に注目しており、図１９に示すように、ＥＩＡＪ規格では、特にレジン厚さによってＱＦＰ６（レジン厚さ２.0ｍｍ以上）、ＬＱＦＰ（レジン厚さ１.4ｍｍ）、ＴＱＦＰ（レジン厚さ１.0ｍｍ）およびＱＦＮ１７（レジン厚さ０.4５〜２.5０ｍｍ）というように分類されている。
【００３２】
ここで、本実施の形態のＱＦＰ６のモールド部３の大きさの許容範囲について説明する。
【００３３】
まず、本実施の形態のＱＦＰ６は、その実装時の半田の鉛フリー化を図るものである。なお、鉛フリー化ではリフロー温度が高くなるため、モールド部３が大きな半導体装置では樹脂封止時のレジン量も多く、したがって、レジン応力も高くなり、ワイヤ亀裂（ワイヤ断線も含む）に対するマージンが低下する。
【００３４】
そこで、ワイヤ亀裂に対する安定化として、インナリード１ｂのワイヤ接合部１ｊにパラジウム（Ｐｄ）めっきを施すことより、ワイヤ４のインナリード１ｂとの接合力を高めてワイヤ亀裂の発生を防止できる。
【００３５】
ところが、パラジウム（Ｐｄ）めっきはコスト高となるため、インナリード１ｂのワイヤ接合部１ｊには、本実施の形態のＱＦＰ６では、図２に示すように、コスト安の銀（Ａｇ）めっき層１ａを形成しておく。
【００３６】
そこで、モールド部３の大きさを限定してレジン量を少なく設定し、高温リフローの際のレジン応力を低減してワイヤ亀裂やワイヤ断線を防止する。
【００３７】
なお、実装時の半田の鉛フリー化を図るため、モールド部３から突出するアウタリード１ｃの少なくとも被実装面１ｌを含む表面には、外装めっきである鉛フリー金属層１ｍが形成されている。
【００３８】
また、鉛フリー化では、リフロー温度の高温化によりレジンクラックの問題も発生するが、ここでは、半導体チップ２の裏面２ｂよりその搭載部（チップ搭載部）の面積が小さなクロスタブ１ｇを採用することにより、半導体チップ２の裏面２ｂの一部もモールド部３の樹脂と密着することになり、搭載される半導体チップ２とモールド部３との密着性が高まり、リフロー性を向上させて鉛フリー化を実現する。
【００３９】
したがって、図２０に示す技術思想の比較図において、４つのマス目中、点線で囲まれた左下のマス目の技術領域を用いることにより、鉛フリー化を実現する。
【００４０】
なお、クロスタブ１ｇは、 2本の吊りリード１ｎの交差箇所に設けられたチップ搭載部である。
【００４１】
ここで、図２０は、ＱＦＰ６において、モールド部３の大きさ（レジン量）の大小（多い、少ない）と、インナリード１ｂのワイヤ接合部１ｊのめっき種類（Ａｇめっき、Ｐｄめっき）とをパラメータとしてワイヤ亀裂（ワイヤ断線も含む）とコストについて評価を行った結果をまとめたものである。
【００４２】
図２０に示す左下のマス目のように、レジン量を少なく（モールド部３の大きさを小さく）して、かつインナリード１ｂのワイヤ接合部１ｊに銀めっき層１ａを形成した場合のみが、ワイヤ亀裂およびコストとも○印となっており、本実施の形態の技術思想はこの条件を取り込んだものである。
【００４３】
さらに、図２１は、インナリード１ｂのワイヤ接合部１ｊに銀めっき層１ａが形成され、この銀めっき層１ａにワイヤ４が接合された従来のＱＦＰ構造の半導体装置について、モールド部３の一辺の長さとレジン厚さとをパラメータとして、所定の条件（温度８５℃湿度８５％の雰囲気に４８ｈｒ放置した後、２６０℃１０秒の赤外線リフローを３回行った）でワイヤ亀裂（ワイヤ断線も含む）の検査を行ったものである。
【００４４】
これによれば、モールド部３の一辺の長さ（図１に示す長さＰまたは長さＱ）が２８ｍｍ以下で、かつレジン厚が１.4ｍｍ以下であれば、その際の検査は、全てが良好（○）である。
【００４５】
さらに、モールド部３の一辺の長さが２０ｍｍ以下で、かつレジン厚が３.0ｍｍ以下であっても全て良好（○）である。
【００４６】
したがって、本実施の形態のＱＦＰ構造におけるモールド部３の大きさの許容範囲は、モールド部３の一辺の長さが２８ｍｍ以下で、かつレジン厚が１.4ｍｍ以下、あるいは、モールド部３の一辺の長さが２０ｍｍ以下で、かつレジン厚が３.0ｍｍ以下の何れかに入っていればよい。
【００４７】
なお、図２１に示す検査の際に用いたリードフレーム材料としては、鉄−ニッケル合金または銅合金などの一般的な材料である。
【００４８】
さらに、前記検査の際に用いたワイヤ４は、金線でそのワイヤ径は３０μｍのものである。
【００４９】
これらにより、本実施の形態のＱＦＰ６（ＬＱＦＰやＴＱＦＰを含む）では、図３および図２２に示すリードフレーム１として、鉄−ニッケル合金や銅合金などの材料によって形成されたものを用いることが好ましい。
【００５０】
さらに、ワイヤ４は、金線を用いることが好ましい。
【００５１】
また、モールド部３を形成する封止用樹脂である図１５に示すレジン１０は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂である。
【００５２】
なお、アウタリード１ｃは、ガルウィング状に曲げ成形されており、その表面には、図１８に示すように、鉛フリー化の半田の外装めっきとして鉛フリー金属層１ｍが形成されている。この鉛フリー金属層１ｍは、錫−鉛共晶半田よりも融点が高い半田めっき層であり、例えば、Ｓｎ−Ａｇ系金属に銅（Ｃｕ）またはビスマス（Ｂｉ）の何れか、あるいは銅およびビスマスを加えた合金である。
【００５３】
ただし、前記合金に限定されずに、Ｚｎ、ＩｎまたはＳｂなどとＳｎもしくはＳｎ系合金との合金でもよい。
【００５４】
また、半導体チップ２をクロスタブ１ｇに固定するのに用いられるダイボンド材は、例えば、図２や図１０に示す銀ペースト８などの樹脂ペーストであるが、クロスタブ１ｇの場合、半導体チップ２との接合面積が小さいため、半導体チップ２との接合力を強化するために、図６〜図８、図１１に示すような接着テープである両面接着テープ５を単独で用いてもよい。
【００５５】
両面接着テープ５は、図６に示すようにクロスタブ１ｇの形状に合わせた十字形状のものであってもよいし、また、図７に示すような細長い長方形であってもよいし、さらに、図８に示すように、複数の小さな両面接着テープ５を１つのクロスタブ１ｇに貼り付けて用いてもよく、その形状や貼り付け数は、特に限定されるものではない。
【００５６】
なお、図１１に示すように、両面接着テープ５は、ポリイミドテープなどのテープ基材５ａとその表裏両側に配置された接着層５ｂとからなるものであるが、両面接着テープ５の代わりとして、図１２に示すように、テープ基材５ａと接着層５ｂとからなる片面接着テープ７を用いて、この片面接着テープ７と銀ペースト８などの樹脂ペーストとを積層させて組み合わせて用いてもよい。
【００５７】
このように、ダイボンド材として、両面接着テープ５や片面接着テープ７などの接着テープを用いることにより、クロスタブ１ｇなどのチップ搭載部と半導体チップ２との接着力を高めることができ、これにより、クロスタブ１ｇなどの小さなチップ搭載部を有した半導体装置の場合であっても、レジンクラックの発生を抑えることができる。
【００５８】
なお、半導体チップ２には、その主面２ｃに、所望の半導体集積回路が形成され、この主面２ｃに形成されたパッド２ａとこれに対応するインナリード１ｂとが、ワイヤ４によって接続され、さらに、インナリード１ｂと繋がったアウタリード１ｃがＱＦＰ６の外部端子としてモールド部３の外部に出力される。
【００５９】
したがって、半導体チップ２とアウタリード１ｃとの信号の伝達は、ワイヤ４とインナリード１ｂを介して行われる。
【００６０】
本実施の形態のＱＦＰ６（ＬＱＦＰやＴＱＦＰを含む）によれば、そのモールド部３の大きさを、モールド部３の一辺の長さが２８ｍｍ以下で、かつレジン厚を１.4ｍｍ以下とするか、あるいは、モールド部３の一辺の長さが２０ｍｍ以下で、かつレジン厚を３.0ｍｍ以下とし、さらに、半導体チップ２の裏面２ｂより面積の小さなクロスタブ１ｇによって半導体チップ２が搭載されるとともにアウタリード１ｃにその外装めっきとして鉛フリー金属層１ｍが形成されたことにより、リフロー性の向上を図ることができる（リフロー性のマージンを増やすことができる）。
【００６１】
その結果、高融点半田の使用が可能となり、鉛フリー化を実現できる。
【００６２】
また、インナリード１ｂのワイヤ接合部１ｊにパラジウム（Ｐｄ）めっきを使用せずに銀めっき層１ａを形成したことにより、コストを抑えて鉛フリー化を実現できる。
【００６３】
したがって、本実施の形態のＱＦＰ６（ＬＱＦＰやＴＱＦＰを含む）では、レジンクラックやワイヤ亀裂（ワイヤ断線やワイヤ剥がれを含む）を発生させることなく鉛フリー化を実現することができる。
【００６４】
さらに、レジンクラックやワイヤ亀裂の発生を抑えることができるため、半導体装置（ＱＦＰ６）の信頼性を向上できる。
【００６５】
また、半導体チップ２の裏面２ｂより面積の小さなクロスタブ１ｇを採用することにより、１つの種類のリードフレーム１によって複数のサイズの半導体チップ２を搭載することが可能になり、リードフレーム１の種類を減らすことができる。
【００６６】
その結果、リードフレーム１の標準化を図ることができる。
【００６７】
次に、本実施の形態のＱＦＰ６の製造方法について説明する。
【００６８】
なお、ＱＦＰ６の製造方法に用いられるリードフレーム１として、図３に示す１つのパッケージ領域１ｈが単列に複数連なった図２２に示すリードフレーム１を用いて製造を行う場合を説明する。
【００６９】
ただし、リードフレーム１としては、１つのパッケージ領域１ｈが複数行×複数列にマトリクス配置で設けられたマトリクスフレームを用いてもよい。
【００７０】
まず、半導体チップ２の裏面２ｂよりその外形サイズが小さな十字形タブである図４に示すクロスタブ１ｇと、先端付近のワイヤ接合部１ｊに銀めっき層１ａが形成された複数のインナリード１ｂと、それぞれのインナリード１ｂと繋がるとともに少なくとも被実装面１ｌに鉛フリー金属層１ｍが形成された複数のアウタリード１ｃとを有したリードフレーム１を準備する。
【００７１】
なお、ここでは、リードフレーム１の各パッケージ領域１ｈにおいて、図５に示すように、予め各インナリード１ｂのワイヤ接合部１ｊに銀めっき層１ａ（図５における斜線部）が形成され、かつ各アウタリード１ｃに対応する領域の被実装面１ｌを含む表面に鉛フリー金属層１ｍ（図５における斜線部）が形成されている場合を説明するが、ただし、鉛フリー金属層１ｍについては、予め組み立て開始時には形成されていなくてもよく、その場合は、モールド後、モールド部３から突出する各アウタリード１ｃに鉛フリー金属層１ｍを形成し、その後、切断成形を行う組み立て順となる。
【００７２】
また、それぞれのパッケージ領域１ｈには、クロスタブ１ｇを支持する吊りリード１ｎと、クロスタブ１ｇの周囲４方向に対して複数のインナリード１ｂと、それぞれに連なって一体に形成された外部端子であるアウタリード１ｃと、モールド時のモールド樹脂（図１５に示すレジン１０）の流出を阻止するダムバー１ｉとが配置され、各アウタリード１ｃは、各パッケージ領域１ｈを区画している枠部１ｆによって支持されている。
【００７３】
さらに、この枠部１ｆには、ダイボンディング時やワイヤボンディング時にリードフレーム１を搬送する際のガイド用長孔１ｄおよび位置決め孔１ｅが形成されている。
【００７４】
なお、図３において４本の吊りリード１ｎのうち、左下の吊りリード１ｎに対応した箇所が、モールド時の樹脂注入口箇所１ｔとなる。
【００７５】
続いて、ダイボンド材として銀ペースト８などの樹脂ペーストを用いる際には、各クロスタブ１ｇのチップ支持面１ｐにポッティングなどによって銀ペースト８を適量塗布する。
【００７６】
ただし、ダイボンド材として前記樹脂ペーストを用いずに、図６〜図８または図１１に示す両面接着テープ５や図１２に示す片面接着テープ７などの接着テープを用いる際には、予め組み立て開始時に、リードフレーム１の各パッケージ領域１ｈのクロスタブ１ｇのチップ支持面１ｐに前記接着テープを貼り付けておいてもよく、あるいは、ダイボンディング工程の最初に前記接着テープを貼り付けてもよい。
【００７７】
その後、各パッケージ領域１ｈにおいて、図２３に示すように、コレット１２を用いてダイボンド材（銀ペースト８）を介してクロスタブ１ｇに半導体チップ２を搭載するダイボンディング（ペレットボンディングもしくはチップマウントともいう）を行う。
【００７８】
すなわち、半導体チップ２の裏面２ｂとクロスタブ１ｇのチップ支持面１ｐとを、樹脂ペーストや接着テープまたはその両者からなるダイボンド材を介して接合する。
【００７９】
その際、図２３に示すように、まず、ダイボンダのステージ１１上にリードフレーム１のクロスタブ１ｇを配置し、その後、コレット１２によって半導体チップ２を吸着保持して半導体チップ２を移動する。
【００８０】
続いて、コレット１２によって半導体チップ２を下降させてクロスタブ１ｇ上に半導体チップ２を配置し、コレット１２から半導体チップ２に僅かな荷重を付与するとともにステージ１１からクロスタブ１ｇを介して半導体チップ２に熱を加えることにより、図９および図１０に示すように、銀ペースト８などのダイボンド材を介して半導体チップ２を固定する。
【００８１】
その後、図２に示すように、半導体チップ２のパッド２ａとこれに対応するインナリード１ｂとをワイヤボンディングによって接続する。
【００８２】
つまり、金線などのボンディング用のワイヤ４を用いてワイヤボンディングを行い、これにより、半導体チップ２のパッド２ａとこれに対応するインナリード１ｂのワイヤ接合部１ｊとをワイヤ４によって接続する。
【００８３】
その際、図２４に示すように、ワイヤボンダのステージ１３上に半導体チップ２を載置し、まず、１ｓｔボンディングとしてキャピラリ１４によって半導体チップ２側のワイヤ４との接続を行い、その後、２ｎｄボンディングとしてワイヤ４とインナリード１ｂのワイヤ接合部１ｊとの接続を行う。
【００８４】
この動作を、図１３に示すように、半導体チップ２の主面２ｃ上の図２４に示す各パッド２ａに対して順次行う。
【００８５】
なお、各インナリード１ｂのワイヤ接合部１ｊには、図２および図５に示すような銀めっき層１ａが形成されているため、金線のワイヤ４と銀めっき層１ａとが接続し、ワイヤ４とインナリード１ｂとの接続強度を高めることができる。
【００８６】
また、図１４に示すように、シュリンク化が行われた小形の半導体チップ２を用いた場合でも、ワイヤ長は長くなるもののワイヤボンディングを行うことが可能である。
【００８７】
ワイヤボンディング終了後、モールド方法によって半導体チップ２とクロスタブ１ｇとワイヤ４と各インナリード１ｂとを樹脂封止して、図１６に示すように、モールド部３を形成する。
【００８８】
なお、前記モールドに用いるモールド樹脂（図１５に示すレジン１０）は、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂などである。
【００８９】
その際、図２に示すように、被実装面１ｌに鉛フリー金属層１ｍが形成された複数のアウタリード１ｃがモールド部３から突出するように、図１５に示すモールド金型１８のキャビティ１８ａ上にリードフレーム１の半導体チップ２とワイヤ４とを配置し、その後、型締めを行ってキャビティ１８ａ内にレジン１０を注入して樹脂モールドを行う。
【００９０】
なお、本実施の形態では、モールド部３の平面サイズが２８ｍｍ×２８ｍｍ以下のＬＱＦＰまたはＴＱＦＰか、もしくはモールド部３の平面サイズが２８ｍｍ×２８ｍｍ以下で、かつ厚さが１.4ｍｍ以下のＱＦＰ６を組み立てる。
【００９１】
これは、モールド部３を形成するモールド金型１８のキャビティ１８ａの大きさ（平面方向の大きさと深さ）によって決定されるものであり、それぞれの大きさに応じてモールド部３が形成されるように、キャビティ１８ａの形状や深さを設定する。
【００９２】
さらに、モールド部３の平面サイズが２０ｍｍ×２０ｍｍ以下で、かつ厚さが３ｍｍ以下に形成されたＱＦＰ６であってもよく、あるいは、モールド部３の平面サイズが２０ｍｍ×２０ｍｍ以下に形成されたＬＱＦＰまたはＴＱＦＰであってもよいため、これらのモールド部３の大きさに応じたキャビティ１８ａを有するモールド金型１８をそれぞれ用いてモールドを行う。
【００９３】
なお、図３に示すリードフレーム１の各パッケージ領域１ｈにおいて、図１６に示すように、モールド部３はダムバー１ｉの内側領域に形成される。
【００９４】
樹脂封止終了後、モールド部３から突出した複数のアウタリード１ｃをリードフレーム１の枠部１ｆから切断成形金型などを用いた切断によって分離する。
【００９５】
その際、図２５に示すように、前記切断成形金型のダイ１６とパンチ１５とによって、アウタリード１ｃの曲げ成形と切断（枠部１ｆからの分離）とを行って、アウタリード１ｃをガルウィング状に曲げ成形する。
【００９６】
これにより、図１７に示すＱＦＰ６（半導体装置）を製造できるとともに、このＱＦＰ６では、少なくともアウタリード１ｃの被実装面１ｌ（ここでは表面全体）に鉛フリー金属層１ｍが形成されている。
【００９７】
なお、組み立て開始時に、各アウタリード１ｃに対応する領域の被実装面１ｌを含む表面に鉛フリー金属層１ｍが形成されていないリードフレーム１を用いて組み立てを行う場合には、モールド後、モールド部３から突出する各アウタリード１ｃに鉛フリー金属層１ｍを形成し、その後、切断成形を行って図１８に示す形状とする。
【００９８】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００９９】
例えば、前記実施の形態では、吊りリード１ｎによって支持されたチップ搭載部が、半導体チップ２の裏面２ｂより外形サイズが小さなクロスタブ１ｇの場合を説明したが、前記チップ搭載部は、半導体チップ２の裏面２ｂよりその外形サイズが小さければよく、このようなチップ搭載部を図２６〜図２９に変形例として示すとともに、これらを小タブ１ｑと呼ぶ。
【０１００】
まず、図２６に示す小タブ１ｑは、小形の円形のものである。
【０１０１】
すなわち、チップ支持面１ｐが小形の円形となっている。
【０１０２】
さらに、図２７に示す小タブ１ｑは、小形の四角形のものである。
【０１０３】
また、図２８に示す小タブ１ｑは、図２６に示す小形の円形の小タブ１ｑと図３に示すクロスタブ１ｇとを組み合わせた形状のものである。
【０１０４】
さらに、図２９に示す小タブ１ｑは、吊りリード１ｎにおける円形の小タブ１ｑの外側に補助支持部１ｒを設けたものであり、これによって種々の大きさの半導体チップ２を安定して搭載することができる。
【０１０５】
なお、図２６〜図２９に示す変形例の小タブ１ｑを有したリードフレーム１を用いて組み立てられたＱＦＰ６の一例を図３０および図３１に示す。
【０１０６】
小タブ１ｑが組み込まれた図３０および図３１に示すＱＦＰ６においても前記実施の形態のクロスタブ１ｇを有したＱＦＰ６と同様の効果を得ることができる。
【０１０７】
さらに、小タブ１ｑは、クロスタブ１ｇの場合と同じく、ＬＱＦＰやＴＱＦＰについても適用可能である。
【０１０８】
また、前記実施の形態では、半導体装置がＱＦＰ６、ＬＱＦＰまたはＴＱＦＰの場合について説明したが、前記半導体装置は、図３２（ａ),（ｂ）の他の実施の形態に示すようなＱＦＮ１７であってもよい。
【０１０９】
すなわち、ＱＦＮ１７は、半導体チップ２より小さな外形の小タブ１ｑ（クロスタブ１ｇでもよい）と、ワイヤ接合部１ｊに銀めっき層１ａが形成された複数のインナリード部１ｓと、モールド部３の裏面（実装側の面）３ａの周縁部に露出して配置され、かつ被実装面１ｌに鉛フリー金属層１ｍが形成された複数のアウタリード部１ｋとを有するものである。
【０１１０】
このようなＱＦＮ１７の場合であっても、前記実施の形態で取り上げたＱＦＰ６と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
本発明は、小タブ構造の半導体装置に好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】本発明の実施の形態の半導体装置の一例であるＱＦＰの構造を示す平面図である。
【図２】図１に示すＱＦＰの構造を示す断面図である。
【図３】図１に示すＱＦＰの組み立てに用いられるリードフレームの構造の一例を示す部分平面図である。
【図４】図３に示すリードフレームのチップ搭載部であるクロスタブの構造を示す部分拡大平面図である。
【図５】図３に示すリードフレームに銀めっき層と外装めっき層を形成した構造の一例を示す部分平面図である。
【図６】図４に示すクロスタブに両面接着テープを貼り付けた際の構造の一例を示す部分拡大平面図である。
【図７】図６に示す両面接着テープに対する変形例の両面接着テープを貼り付けた際の構造を示す部分拡大平面図である。
【図８】図６に示す両面接着テープに対する変形例の両面接着テープを貼り付けた際の構造を示す部分拡大平面図である。
【図９】図１に示すＱＦＰの組み立てにおけるダイボンディング後の構造を示す部分平面図である。
【図１０】図９に示すＡ−Ａ線に沿う断面の構造を示す部分拡大断面図である。
【図１１】図１０に示すダイボンディング状態に対する変形例の両面接着テープを用いたダイボンディング状態の構造を示す部分拡大断面図である。
【図１２】図１０に示すダイボンディング状態に対する変形例の樹脂ペーストと片面接着テープを用いたダイボンディング状態の構造を示す部分拡大断面図である。
【図１３】図１に示すＱＦＰの組み立てにおけるワイヤボンディング後の構造を示す部分平面図である。
【図１４】図１３に示すリードフレームに対して小形の半導体チップを用いた組み立てにおけるワイヤボンディング後の構造を示す部分平面図である。
【図１５】図１に示すＱＦＰの組み立てにおける樹脂モールド時の構造の一例を示す部分断面図である。
【図１６】図１に示すＱＦＰの組み立てにおける樹脂モールド後の構造の一例を示す部分平面図である。
【図１７】図１に示すＱＦＰの組み立てにおける切断成形後の構造の一例を示す側面図である。
【図１８】ＱＦＰのアウタリードの外装めっきを樹脂モールド後に行った場合の構造の一例を示す部分拡大断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態における各半導体装置とレジン厚さの関係を示す関係図である。
【図２０】本発明の実施の形態の半導体装置の技術思想を示す比較図である。
【図２１】本発明の実施の形態の半導体装置におけるモールド部の大きさと厚さに対するワイヤ亀裂検査の結果を示す検査結果図である。
【図２２】図１に示すＱＦＰの組み立てに用いられる多連のリードフレームの構造の一例を示す部分平面図である。
【図２３】図１に示すＱＦＰの組み立てにおけるダイボンディング時の構造の一例を示す部分断面図である。
【図２４】図１に示すＱＦＰの組み立てにおけるワイヤボンディング時の構造の一例を示す部分断面図である。
【図２５】図１に示すＱＦＰの組み立てにおける切断成形時の構造の一例を示す部分断面図である。
【図２６】図３に示すリードフレームに対する変形例のリードフレームのタブの構造を示す部分平面図である。
【図２７】図３に示すリードフレームに対する変形例のリードフレームのタブの構造を示す部分平面図である。
【図２８】図３に示すリードフレームに対する変形例のリードフレームのタブの構造を示す部分平面図である。
【図２９】図３に示すリードフレームに対する変形例のリードフレームのタブの構造を示す部分平面図である。
【図３０】図２６に示す変形例のリードフレームを用いて組み立てられるＱＦＰの構造を示す平面図である。
【図３１】図３０に示すＱＦＰの構造を示す断面図である。
【図３２】（ａ),（ｂ）は本発明の他の実施の形態の半導体装置であるＱＦＮの構造を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１  リードフレーム
１ａ  銀めっき層
１ｂ  インナリード
１ｃ  アウタリード
１ｄ  ガイド用長孔
１ｅ  位置決め孔
１ｆ  枠部
１ｇ  クロスタブ（十字形タブ）
１ｈ  パッケージ領域
１ｉ  ダムバー
１ｊ  ワイヤ接合部
１ｋ  アウタリード部
１ｌ  被実装面
１ｍ  鉛フリー金属層
１ｎ  吊りリード
１ｐ  チップ支持面
１ｑ  小タブ（チップ搭載部）
１ｒ  補助支持部
１ｓ  インナリード部
１ｔ  樹脂注入口箇所
２  半導体チップ
２ａ  パッド（表面電極）
２ｂ  裏面（反対側の面）
２ｃ  主面
３  モールド部
３ａ  裏面（実装側の面）
４  ワイヤ
５  両面接着テープ（接着テープ）
５ａ  テープ基材
５ｂ  接着層
６  ＱＦＰ（半導体装置）
７  片面接着テープ（接着テープ）
８  銀ペースト（樹脂ペースト）
１０  レジン
１１  ステージ
１２  コレット
１３  ステージ
１４  キャピラリ
１５  パンチ
１６  ダイ
１７  ＱＦＮ（半導体装置）
１８  モールド金型
１８ａ  キャビティ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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