(57)【要約】【課題】光通信用光モジュールにおいて、高密度実装を可能とし、尚且つ気密封止をも実現する構造を提供する。【解決手段】光ファイバー１の側面または側面及び端面に金属等で構成される電極配線メタル２が形成され、光の出入射窓にあたる当該光ファイバー１の端面側にＰＤ、ＬＤのような半導体光学素子３が設置され、前記光ファイバー１の側面または端面の電極配線メタル２と当該半導体光学素子３とが電気的に接続されており、前記半導体光学素子３近傍を低融点ガラス４または樹脂及び低融点ガラス等で覆って封止する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバーの側面または側面及び端面に導電性物質で構成される電極配線メタルが形成され、光の出入射窓にあたる光ファイバー端面に半導体光学素子が設置され、前記光ファイバー側面または端面の電極配線メタルと当該半導体光学素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体光学部品。
【請求項２】
前記半導体光学素子近傍を低融点ガラスや樹脂などの絶縁性物質で覆うことを特徴とする請求項１記載の半導体光学部品。
【請求項３】
前記半導体光学素子近傍を樹脂で覆い、当該樹脂の上から低融点ガラス等のガラス質で覆うことを特徴とする請求項１記載の半導体光学部品。
【請求項４】
前記半導体光学部品が受光素子であることを特徴とする請求項１または２または３記載の半導体光学部品。
【請求項５】
導電性物質と絶縁性物質とで形成された電極配線ガイドが光ファイバーの側面または側面及び端面に固定され、当該電極配線ガイドの導電性物質と半導体光学素子の電極が電気的に接続されていることを特徴とする半導体光学部品。
【請求項６】
前記半導体光学素子近傍を低融点ガラスや樹脂などの絶縁性物質で覆うことを特徴とする請求項５記載の半導体光学部品。
【請求項７】
前記半導体光学素子近傍に蓋を被せて気密封止することを特徴とする請求項５記載の半導体光学部品。
【請求項８】
前記電極配線ガイドの光ファイバー挿入側の面と対向する面に前記半導体光学素子が固定されることを特徴とする請求項５記載の半導体光学部品。
【請求項９】
前記半導体光学素子が受光素子であることを特徴とする請求項５記載の半導体光学部品。
【請求項１０】
光ファイバーの側面に固定されるガイドと、絶縁性基板と導電性物質とで形成され、絶縁性基板表面の導電性物質と当該裏面の導電性物質とが電気的に接続しているビアホール基板に半導体光学素子が固定され、当該ビアホール基板と前記ガイドとが固定されていることを特徴とする半導体光学部品。
【請求項１１】
光ファイバーの側面と接している第１導電型ガイドと、第２導電型基板とで半導体光学素子が挟まれて固定され、絶縁性物質で形成されたスペーサーが第１導電型ガイドと第２導電型基板とのそれぞれに接着されていることを特徴とする半導体光学部品。
【請求項１２】
前記半導体光学素子の厚みバラツキなどで、過剰に負荷が掛からないように、導電性物質で形成されるバネ等の負荷吸収物質を前記第１導電型ガイドと前記半導体光学素子との間に挿入することを特徴とする請求項１１記載の半導体光学部品。
【請求項１３】
板状の絶縁性物質と導電性物質とを貼り合せ、当該絶縁性物質または絶縁性物質及び導電性物質に光ファイバー外径程度の穴を開けることを特徴とする前記電極配線ガイドの製造方法。
【請求項１４】
導電性物質上に絶縁性物質を形成した基板に、光ファイバー外径程度の幅で、半径程度の深さの溝を形成し、当該基板の絶縁性物質同士を貼り合せることを特徴とする前記電極配線ガイドの製造方法。
【請求項１５】
半導体物質または絶縁性物質からなる基板にＶ字型の溝（Ｖ溝）を形成し、当該基板のＶ溝形成面と対向する面上に導電性物質を形成し、当該基板のＶ溝面側同士で絶縁性物質を挟む、またはＶ溝面側同士を絶縁性の接着剤で固定することを特徴とする前記電極配線ガイドの製造方法。
【請求項１６】
前記基板の半導体光学素子固定側の面にも導電性物質を形成することを特徴とする請求項１５記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光通信用半導体光学部品に関し、特に光ファイバーと光学素子とを組合せた構成物及び、前記光ファイバーと前記光学素子を組合せるために必要な部材の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光通信網の普及に伴い、伝送容量の拡大が要求されている。近年では、伝送容量を飛躍的に増大できるＷＤＭ方式を利用した光通信システムが普及しはじめている。このＷＤＭを実現するためには、波長の異なる複数個の発光素子（ＬＤまたはＬＥＤ）と波長毎の光信号を受光できる複数個の受光素子（ＰＤ）が必要となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の光モジュールは、特開２００３−２９５００３に開示されるもののように、光ファイバー径（φ０．１２５ｍｍ〜φ１ｍｍ程度）と比較してパッケージサイズ（数ｍｍ〜数十ｍｍ程度）が極端に大きい。そのため、複数個の光モジュールを実装する場合、パッケージサイズに制約され、当該光モジュールの高密度実装が困難である、と言う問題があった。
【０００４】
受光モジュールでは、高密度実装を実現するために、複数のＰＤが並んだＰＤアレイを使用する場合が多い。この場合、高密度実装が容易になるため利用価値が高いのだが、当該ＰＤアレイを気密封止することが困難である、と言う問題があった。光通信用のＰＤはＩｎＰエピウェハを使用しているため、高湿度雰囲気下で使用すると短寿命になると言う欠点がある。そのため、気密封止して高湿度雰囲気下にさらさないことが重要になる。
【特許文献１】特開２００３−２９５００３号
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の問題を解決するために、本願第１の発明からなる半導体光学部品は、図１に示すように、光ファイバー１の側面または側面及び端面に金属等で構成される電極配線メタル２が形成され、光の出入射窓にあたる当該光ファイバー１の端面側にＰＤ、ＬＤのような半導体光学素子３が設置され、前記光ファイバー１の側面または端面の電極配線メタル２と当該半導体光学素子３とが電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００６】
本願第２の発明からなる半導体光学部品は、図２に示すように、本願第１の発明からなる半導体光学部品の前記半導体光学素子３を低融点ガラス４または樹脂等で覆って封止していることを特徴とする。
【０００７】
本願第３の発明からなる半導体光学部品は、図３に示すように、電極配線ガイド５が光ファイバー１の側面に固定され、半導体光学素子３が当該電極配線ガイド５の２つのメタルと電気的に接続され、低融点ガラス４、樹脂等または蓋６で封止していることを特徴とする。
【０００８】
本願第４の発明からなる半導体光学部品は、図４に示すように、光ファイバー１の側面と接しているガイド７と、半導体光学素子３が固定されたビアホール付き基板８とが固定され、気密封止されていることを特徴とする。
【０００９】
本願第５の発明からなる半導体光学部品は、図５に示すように、光ファイバー１の側面と接している第１導電型ガイド９と、第２導電型基板１０とで半導体光学素子３を挟んで固定され、当該半導体光学素子３に過剰な負荷を掛けないためのスペーサー１１が第１導電型ガイド９と第２導電型基板１０とのそれぞれに接着されて気密封止していることを特徴とする。
【００１０】
また、本願第３の発明からなる半導体光学部品に使用される電極配線ガイド５の製造方法については以下に記す。
【００１１】
本願第６の発明からなる前記電極配線ガイド５の製造方法は、絶縁性物質板と導電性物質板とを貼り合せ、当該絶縁性物質板または絶縁性物質板及び導電性物質板に光ファイバー外径程度の穴を開けることを特徴とする。
【００１２】
本願第７の発明からなる前記電極配線ガイド５の製造方法は、導電性物質上に絶縁性物質を形成した基板に、光ファイバー外径程度の幅で、半径程度の深さの溝を形成し、各々の基板の絶縁性物質同士を貼り合せることを特徴とする。
【００１３】
本願第８の発明からなる前記電極配線ガイド５の製造方法は、半導体物質または絶縁性物質からなる基板にＶ字型の溝（Ｖ溝）を形成し、当該基板のＶ溝形成面と対向する面上に導電性物質を形成し、当該基板のＶ溝面同士が絶縁性物質を挟んで固定される、または絶縁性接着剤で接着されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本願第１の発明からなる半導体光学部品では、光の出入射窓にあたる光ファイバー端面に直接半導体光学素子を固定しているため、半導体光学素子サイズ程度もしくは光ファイバー径程度のスペースしか必要としない。一般的な半導体光学素子のサイズは、数百μｍ程度であるため、従来の光モジュールよりも極端に実装面積を小さくでき、超高密度実装が可能となる。
【００１５】
本願第２の発明からなる半導体光学部品では、第１の発明の光学部品に低融点ガラス等で覆うため、熱による負荷で光学素子が故障する危険性があるが、外気の湿度を遮断することが可能となるため、長寿命、高信頼性が期待できる。
【００１６】
本願第３の発明からなる半導体光学部品では、第１及び第２の発明と比較すると高密度の実装はできなくなるが、従来の光モジュールよりも高密度実装が可能であり、気密封止も可能である。また、電極配線ガイドに半導体光学素子を固定してから光ファイバーに当該電極配線ガイドを固定することが可能となるため、第１及び第２の発明よりも実装が比較的容易になる。更に、電極配線ガイドの外形を直方体形状にすることにより、実装時のワイヤーボンディングも容易になる。
【００１７】
本願第４の発明からなる半導体光学部品は、第３の発明よりも半導体光学素子サイズを小さくする必要があり、尚且つビアホール基板に形成された電極との接続が困難であるが、第３の発明よりもガイド加工分の低コストが実現する。
【００１８】
本願第５の発明からなる半導体光学部品では、半導体光学素子厚のバラツキなどで気密封止が困難になるデメリットはあるが、第１から第４の発明のように、半導体光学素子のアノード、カソードの両電極を片面に形成する必要がなく、表面アノード電極、裏面カソード電極の典型的な表面入射型ＰＤ、面発光ＬＤ等をそのまま実装することが可能となる。
【００１９】
本願第６の発明からなる製造方法では、絶縁性物質板を導電性物質板で挟み、穴を開けることで形成できるため、エッチング、マスキング、蒸着等の工程が省け、コスト的に有利になる。
【００２０】
本願第７の発明からなる製造方法では、基板の貼り合せ精度によって搭載する半導体光学素子の固定が困難になる場合があるが、光ファイバー外径１２５μｍのような微小な穴を開ける場合、第６の発明に比べ比較的容易になる。
【００２１】
本願第８の発明からなる製造方法では、本願第７と同様の短所を抱え、また気密には適さない点が問題だが、光通信業界で一般的に使われているＳｉ-Ｖ溝の技術を利用すれば、低コストで尚且つ比較的安定して製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本願の最良の形態を実施例として以下に示す。本実施例では、半導体光学素子としてＰＤの場合を考えるが、面発光ＬＤやＬＥＤでも同様に作製することができる。また、本願第３の発明に使用される電極配線ガイド５の製造方法の実施例は、第３の発明の実施例内に記載する。
【実施例１】
【００２３】
本願第１の発明の実施例を以下に示す。図１は、本実施例の半導体光学部品の完成図であり、図６の光ファイバーと図７のＰＤとを組合せることによって形成される。
【００２４】
図６は、本願第１の発明に使用される光ファイバーの斜視図である。光ファイバー１はクラッド径１２５μｍのシングルモードファイバー等を使用し、光ファイバー１の側面及び端面にはＣｒ/Ａｕなどの金属膜が１μｍ程度の厚みで形成されている。光ファイバーのコア１３（φ９．５μｍ）近傍には当該金属膜は形成されず、アノード用、カソード用に二分されている。当該金属膜を電極配線メタル２と呼ぶことにする。
【００２５】
前記電極配線メタル２のパターンは、マスキングテープもしくはホトレジストなどを使用してマスキングし、蒸着などで金属膜を形成した後、マスク部分を除去することで形成する。当該パターン形成は、全面に金属膜を形成した後でパターン部をマスキングし、エッチングでパターン形成しても構わない。
【００２６】
図７は、本願第１の発明に使用されるＰＤの斜視図である。当該ＰＤはｐｎ接合側（表面側）に受光窓１４、アノード電極１５、カソード電極１６が形成されている。当該ＰＤのように表面にアノード、カソードの両電極が形成されているＰＤは、フリップチップ実装用として広く一般的に使用されている素子であるため、当該ＰＤの断面構造等の詳細については省略する。
【００２７】
前記ＰＤのサイズは、光ファイバー径１２５μｍ以下であることが望ましいが、一般的な３５０μｍから５００μｍ程度でも構わない。
【００２８】
図６の光ファイバー端面のアノード用、カソード用に二分された電極配線メタル２と、図７のＰＤ表面のアノード電極１５、カソード電極１６とを、それぞれＡｕＳｎ半田などで固定することで、本願第１の発明の半導体光学部品である図１が完成する。
【実施例２】
【００２９】
本願第２の発明の実施例を以下に示す。図２は、本実施例の半導体光学部品の完成斜視図である。
【００３０】
本実施例の半導体光学部品は、第１の実施例の半導体光学素子３にあたる前記ＰＤ近傍を、融点が３００℃から５００℃程度の低融点ガラス４（ＰｂＯ―ＳｉＯ２―Ｂ２Ｏ３またはＰｂＯ―Ｐ２Ｏ３―ＳｎＦ２）やＴｉｃｋガラス（ＰｂＦ２―ＳｎＦ２―ＳｎＯ―Ｐ２Ｏ３）等で覆っている。ルツボ等で溶かした低融点ガラスに前記ＰＤ近傍まで漬け込むことや、溶けた低融点ガラスを滴下することで形成する。
【００３１】
本実施例の場合、ＰＤ近傍を液化した低融点ガラスに直接漬け込むと、素子に熱ダメージを与えて故障する場合がある。また、前記ＡｕＳｎ半田が熱によって溶け、ＰＤが光ファイバーから剥離される場合もある。そこで、ＰＤ近傍を先ず樹脂で覆い、その上から低融点ガラスで封止しても良い。
【実施例３】
【００３２】
本願第３の発明の実施例を以下に示す。図３は、本実施例の半導体光学部品の完成品断面図である。本実施例の完成品は、図８の部材を組合せることによって形成される。尚、本実施例内に電極配線ガイド５の製造方法の実施例も記載した。
【００３３】
図８は、本願第３の発明に使用される部材の斜視図である。光ファイバー１には、クラッド径１２５μｍのシングルモードファイバー等を使用する。
【００３４】
電極配線ガイド５には、光ファイバー１が挿入されるための穴２０が形成されている。当該電極配線ガイド５の外形は直方体形状になっている。電極配線ガイド５を円柱状にした場合、当該ガイド５の固定及びワイヤー接続が難しくなることに配慮したもので、直方体形状にすることで、これらの問題は解消される。当該電極配線ガイド５のサイズは、高密度実装を考慮して、１ｍｍ角程度が好ましい。
【００３５】
当該電極配線ガイド５の製造方法の実施例１としては、図９に示すように、セラミックのような絶縁性物質１８の板を１枚と金属１９のような導電性物質の板２枚とで挟んで固定し、絶縁性物質１８または絶縁性物質１８及び金属１９に光ファイバー１の外径程度の穴２０を開け、個別に切り出すことで製造する。
【００３６】
当該電極配線ガイド５の製造方法の実施例２としては、図１０に示すように、金属１９のような導電性物質の板上にセラミック材のような絶縁性物質１８を形成し、光ファイバー１の外径程度の幅で、外径の半分程度の深さで溝２１を形成する。当該２つの溝付き金属板２２の絶縁性物質１８同士を接着させることで製造する。
【００３７】
当該電極配線ガイド５の製造方法の実施例３としては、図１１に示すように、シリコンのような半導体の基板２３に、ホトリソ及びウェットエッチングによって結晶方位にそったＶ字型の溝（Ｖ溝２４）を形成する。当該Ｖ溝２４を形成する場合、基板２３を傾けてダイシングソーでＶ溝２４を加工しても構わない。この場合は、基板２３が結晶方位をもたない絶縁性物質でも同等の形状が得られる。当該Ｖ溝２４は、光ファイバー挿入側２５からＰＤ固定側２６まで同じ深さで形成しても構わないが、ＰＤ固定側２６のＶ溝を光ファイバーのコア１３が端面から見える程度に浅くすれば、実装時に光ファイバーを挿入する際に、光ファイバー端面がＰＤに当たって受光面を傷つけるような心配がなくなる。
【００３８】
当該Ｖ溝形成基板２７の裏面と端面とに導電性物質を形成する。この場合、Ｖ溝形成基板２７を傾けて金属１９（例えば、Ｃｒ/Ａｕ等）を蒸着すると良い。金属１９が形成されたＶ溝形成基板２７同士が絶縁性物質１８を挟んで固定されている、もしくは絶縁性の接着剤等でＶ溝形成基板２７同士が接着されることによって製造する。
【００３９】
当該電極配線ガイド５の実施例４としては、光ファイバーの外径程度の穴を開けたセラミック等の絶縁性物質を使用し、実施例１の前記電極配線メタルの形成方法と同じ製法で配線を形成することで製造する。
【００４０】
当該電極配線ガイド５は、光ファイバー１の側面に金属のような導電性物質とセラミック材のような絶縁性物質とを組合せて形成されるものである。導電性物質及び絶縁性物質がそれぞれ別の部材であっても、組合せて本実施例と同様な構造になる場合は、本実施例と同一物と見なせる。
【００４１】
ＰＤは図７の素子を使用する。ＰＤ１７のサイズは光ファイバー１の径よりも大きいことが望ましく、５００μｍ角程度が実装しやすい。
【００４２】
ＰＤ１７は電極配線ガイド５の端面に配置され、電極配線ガイド５に形成された２つのメタルと、ＰＤ１７表面のアノード電極１５、カソード電極１６とを、それぞれＡｕＳｎ半田などで電気的に接続し、尚且つＰＤ１７を電極配線ガイド５に固定する。
【００４３】
蓋６で封止して完成となる。この場合、電極配線ガイド５の２電極がショートしないように十分配慮する必要がある。また、実施例２同様に低融点ガラス等または樹脂及び低融点ガラス等でＰＤ近傍を封止しても構わない。
【実施例４】
【００４４】
本願第４の発明の実施例を以下に示す。図４は、本実施例の半導体光学部品の完成品断面図である。本実施例の完成品は、図１２の部材を組合せることによって形成される。
【００４５】
図１２は、本願第４の発明に使用される部材の斜視図である。光ファイバー１には、クラッド径１２５μｍのシングルモードファイバー等を使用する。
【００４６】
ガイド７は円筒状であり、当該ガイド７に形成される穴２０の光ファイバー１挿入側の内径は光ファイバー１の外径よりも若干広く、ビアホール基板８固定側の内径はＰＤ１７が接触しない程度に広く形成されている。当該ガイド７の外径はビアホール基板８の外径とほぼ同等で、高密度実装を考慮してφ１ｍｍ程度が望ましい。また、当該ガイド７の材質は金属が好ましい。
【００４７】
ＰＤ１７は、図７の素子の裏面に反射防止膜コートしたものを使用する。当該ＰＤ１７は、裏面入射型のフリップチップ実装用として広く一般的に使用されている素子であるため、当該ＰＤの断面構造等の詳細については省略する。
【００４８】
図１３は、ビアホール基板の表面（ＰＤ実装面）及び裏面を示している。破線はＰＤ搭載箇所２９を示している。ビアホール基板８は絶縁性基板３０と金属１９（例えばＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ等）とで形成され、絶縁性基板３０表面の金属１９と当該裏面の金属１９とが電気的に接続しているものである。当該金属１９と、ＰＤ１７のアノード電極１５、カソード電極１６とを、それぞれＡｕＳｎ半田などで固定する。当該ビアホール基板８の金属１９部にリード線が接続されているものを使用しても良い。
【００４９】
ＰＤ１７を搭載したビアホール基板８とガイド７とを半田３１等で固定し、当該ガイド７と光ファイバー１とを固定する。光ファイバー１は側面に金属膜を形成したものであれば、ガイド７と半田で固定することが可能となり気密封止ができるが、金属膜を形成せずに接着剤や低融点ガラス等でガイド７と光ファイバー１を固定しても構わない。
【実施例５】
【００５０】
本願第５の発明の実施例を以下に示す。図５は、本実施例の半導体光学部品の完成品断面図である。本実施例の完成品は、図１４の部材を組合せることによって形成される。
【００５１】
図１４は、本願第５の発明に使用される部材の斜視図である。光ファイバー１には、クラッド径１２５μｍのシングルモードファイバー等を使用する。
【００５２】
第１導電型ガイド９に形成された穴２０の内径は光ファイバー１の外径よりも若干広く、ＰＤ１７サイズよりも狭い。外形は第２導電型基板１０とほぼ同等で、高密度実装を考慮して１ｍｍ角程度が望ましい。また、当該第１導電型ガイド９の材質は金属が好ましいが、セラミック等で表面に金属膜を形成したものでも構わない。
【００５３】
第２導電型基板１０の材質は金属が好ましいが、セラミック等の絶縁性物質表面に金属膜を形成したものでも良い。
【００５４】
本実施例では、ＰＤ１７に光通信に使用される典型的な表面入射型のＩｎＧａＡｓ―ＰＤを使用する例を示した。当該ＰＤ１７は表面に受光窓１４とアノード電極１５があり、裏面がカソード電極になっている。本実施例の組合せであれば、第１導電型ガイド９がアノード、第２導電型基板１０がカソードになる。ＰＤによっては電極の極性が上記の逆にもなりえる。
【００５５】
ＰＤ１７に過剰な負荷を掛けないため、また封止をするために、スペーサー１１を挿入する。当該スペーサー１１の厚みはＰＤ１７厚と同程度であり、材質はセラミック等の絶縁性物質が良い。内径はＰＤ１７サイズ以上であり、外形は第１導電型ガイド９、第２導電型基板１０と同程度である。第１導電型ガイド９と第２導電型基板１０と接触する箇所には金属膜が形成され、半田等で固定できるようになっている。
【００５６】
ＰＤ１７を第２導電型基板１０に半田や銀ペースト等で固定し、スペーサー１１を第２導電型基板１０に半田等で固定する。ＰＤ１７、スペーサー１１を固定した第２導電型基板１０を第１導電型ガイド９に半田等で固定し、第１導電型ガイド９と光ファイバー１とを接着剤または低融点ガラス等で固定する。当該光ファイバー１の側面に金属膜が形成されている場合は、半田で固定することも可能である。
【００５７】
本実施例ではＰＤ１７の厚みにバラツキがあると、ＰＤ１７が第１導電型ガイド９に接触できずにオープンになったり、負荷が掛かりすぎてＰＤ１７を破壊してしまったりする。そこで、ＰＤ１７と第１導電型ガイド９との間に当該ガイド９の内径よりも大きく、ＰＤ１７サイズよりも小さいバネ１２を挿入し、ＰＤ１７の厚みバラツキを吸収する方が好ましい。当該バネ１２の代わりに、ＰＤ１７に負荷を掛けない程度の軟性を持つ導電性物質を負荷吸収物質として用いても構わない。
【００５８】
尚、実施例１、２では光ファイバー自体に電極配線パターンを設け、光ファイバーに直接ＰＤを実装するもので、このような構造の出願は見受けられず、本願は新規性の高いものと言える。また、実施例３から５においては、ＰＤに特に工夫を施しておらず、現状の光通信デバイスメーカー各社が保有している実装技術において十分対応可能なものである。光ファイバーに固定されるガイドが電極となる本構造は、新規性の高いものであると判断している。
【００５９】
また、上記の実施例では光ファイバーの径はクラッドの径を例示しているが、本発明では被覆付きの光ファイバーを使用しても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】第１の発明の実施例である半導体光学部品斜視図（実施例１）
【図２】第２の発明の実施例である半導体光学部品斜視図（実施例２）
【図３】第３の発明の実施例である半導体光学部品断面図（実施例３）
【図４】第４の発明の実施例である半導体光学部品断面図（実施例４）
【図５】第５の発明の実施例である半導体光学部品断面図（実施例５）
【図６】光ファイバー斜視図
【図７】ＰＤ斜視図
【図８】実施例３に使用される部材構成斜視図
【図９】電極配線ガイド製造方法の実施例１
【図１０】電極配線ガイド製造方法の実施例２
【図１１】電極配線ガイド製造方法の実施例３
【図１２】実施例４に使用される部材構成斜視図
【図１３】ビアホール基板模式図
【図１４】実施例５に使用される部材構成斜視図
【符号の説明】
【００６１】
１：光ファイバー
２：電極配線メタル
３：半導体光学素子
４：低融点ガラス
５：電極配線ガイド
６：蓋
７：ガイド
８： ビアホール基板
９：第１導電型ガイド
１０：第２導電型基板
１１：スペーサー
１２：バネ
１３：光ファイバーのコア
１４：受光窓
１５：アノード電極
１６：カソード電極
１７：ＰＤ（受光素子）
１８：絶縁性物質
１９：金属
２０：穴
２１：溝
２２：溝付き金属板
２３：基板
２４：Ｖ溝
２５：光ファイバー挿入側
２６：ＰＤ固定側
２７：Ｖ溝形成基板
２８：蒸着方向
２９：ＰＤ搭載箇所
３０：絶縁性基板
３１：半田
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005338308.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2005338308.tif 000012
【図１１】
2005338308.tif 000013
【図１２】
2005338308.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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