(57)【要約】  【課題】十分なＳ／Ｎ比を得ることが可能であり且つ固定電極と可動電極との短絡を防止することができる静電容量型加速度センサを提供する。  【解決手段】支持部２１、ビーム２３、可動電極たる重り部２２を備えたシリコン構造体２と、シリコン構造体２の一表面側に固着された第１のガラス基板３と、シリコン構造体２の他表面側に固着された第２のガラス基板４とからなるセンサチップ１をリードフレーム９に実装する。第２のガラス基板４における重り部２２との対向面には固定電極５を設けてある。第２のガラス基板４におけるシリコン構造体２とは反対側の面には、スルーホール４ａの内面に沿って形成した配線５２を介して固定電極５に電気的に接続された引出し電極５１を設けてある。リードフレーム９が、第２のガラス基板４におけるシリコン構造体２との固着面とは反対側に固着された密閉部材を構成している。【選択図】      図１
2005091312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
枠状の支持部および支持部の内側で可撓性を有するビームを介して支持部に支持された重り部を有し重り部に可動電極を備えたシリコン構造体と、シリコン構造体の一表面側において周部が支持部に固着され重り部の移動量を規制する第１のガラス基板と、シリコン構造体の他表面側において周部が支持部に固着され重り部の移動量を規制する第２のガラス基板と、第２のガラス基板における重り部との対向面に形成された固定電極とを備え、加速度を重り部の変位に応じた可動電極と固定電極との間の静電容量値の変化として検出する静電容量型加速度センサであって、第２のガラス基板におけるシリコン構造体との固着面とは反対側で第２のガラス基板に貫設されたスルーホールを全周に亘って囲む引出し電極と、第２のガラス基板におけるスルーホールの内周面に沿って形成され固定電極と引出し電極とを電気的に接続した配線と、第２のガラス基板におけるシリコン構造体との固着面とは反対側に固着された密閉部材とを備えてなることを特徴とする静電容量型加速度センサ。
【請求項２】
前記密閉部材が実装用基板若しくはリードフレームであって、前記引出し電極は導電性接着材を介して前記密閉部材に電気的に接続されてなることを特徴とする請求項１記載の静電容量型加速度センサ。
【請求項３】
前記密閉部材がシリコン基板であり、当該シリコン基板は、前記第２のガラス基板とは反対側の面に前記引出し電極と電気的に接続された外部接続用電極が形成されてなることを特徴とする請求項１記載の静電容量型加速度センサ。
【請求項４】
前記シリコン基板は、前記第２のガラス基板側の表面において前記引出し電極と重なる部位に前記引出し電極に密接する金属膜が形成されてなることを特徴とする請求項３記載の静電容量型加速度センサ。
【請求項５】
前記金属膜に環状の溝を設けてなることを特徴とする請求項４記載の静電容量型加速度センサ。
【請求項６】
前記第１のガラス基板の外周形状が矩形状であって、前記第１のガラス基板の角部には４分の１円状の切欠部が形成され、前記シリコン構造体において切欠部に対応する部位に前記可動電極と電気的に接続したパッドが形成されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の静電容量型加速度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量型加速度センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、静電容量型加速度センサとして、図８に示すように、矩形枠状の支持部２１および支持部２１の内側で可撓性を有する２本のビーム２３を介して支持部２１に支持された重り部２２を有し重り部２２に可動電極を備えたシリコン構造体２と、シリコン構造体２の一表面（図８（ａ）の上面）側において周部が支持部２１に固着され重り部２２の移動量を規制する第１のガラス基板３と、シリコン構造体２の他表面（図８（ａ）の下面）側において周部が支持部２１に固着され重り部２２の移動量を規制する第２のガラス基板４と、第２のガラス基板４における重り部２２との対向面に形成された固定電極５とを備え、加速度を重り部２２の変位に応じた可動電極と固定電極５との間の静電容量値の変化として検出するように構成されたものが知られている。
【０００３】
上述の静電容量型加速度センサでは、シリコン構造体２はシリコン基板にエッチング加工などを施すことによって形成されており、重り部２２の周囲にはビーム２３の幅寸法を規定するスリット２５が形成されている。また、図８に示す構成の静電容量型加速度センサでは、シリコン構造体２と両ガラス基板３，４とで構成されるセンサチップ１を密閉構造とするために、第２のガラス基板４における固定電極５上にＳｉＯ２膜からなる絶縁膜７が積層されており、絶縁膜７と支持部２１とを陽極接合により固着してあるが、加速度が印加されていない状態において固定電極５と重り部２２との間の距離が所定距離となるうに重り部２２の厚み寸法を支持部２１の厚み寸法よりも小さく設定してある。また、第１のガラス基板３において重り部２２との対向面には、重り部２２の移動範囲を確保するための凹所３１が形成されている。
【０００４】
さらに、第１のガラス基板３において支持部２１に重なる部位の一部には厚み方向に貫通するスルーホール３ａが形成されており、第１のガラス基板３におけるシリコン構造体２とは反対側の面には、スルーホール３ａの内面に沿って形成された配線６２を介して可動電極に電気的に接続された引出し電極６１が形成されている。また、第２のガラス基板４は、シリコン構造体２よりも外形寸法を大きく設定してあり、固定電極５においてシリコン構造体２と重ならずに露出した部分の一部がパッド５５を構成している。ここで、引出電極６１はパッドを構成しており、各パッド５５，６１にはそれぞれボンディングワイヤＷ１，Ｗ２が接続されている。なお、図８に示した構成の静電容量型加速度センサでは、重り部２２が２本のビーム２３を介して支持部２１に支持されているが、重り部が１本のビームを介して支持部に支持されたシリコン構造体を有する静電容量型加速度センサも提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
また、静電容量型加速度センサとしては、図９に示すように、第１のガラス基板３における重り部２２との対向面に固定電極５を形成した構成のものも提案されている。ここに、図９に示す構成の静電容量型加速度センサでは、第１のガラス基板３において重り部２２に重なる部位に厚み方向に貫通するスルーホール３ｂを形成してあり、第１のガラス基板３におけるシリコン構造体２とは反対側の面に形成された引出し電極５１と固定電極５とがスルーホール３ｂの内周面に沿って形成された配線５２を介して電気的に接続されている。また、第２のガラス基板４におけるシリコン構造体２との対向面には、可動電極たる重り部２２に電気的に接続された導電性層６が形成されており、導電性層６のうちシリコン構造体２と重ならない部分の一部がボンディングワイヤＷ２の一端をボンディングするパッドを構成している。また、図９に示す構造の静電容量型加速度センサでは、シリコン構造体２と両ガラス基板３，４とで構成されるセンサチップ１を密閉構造とするために、スルーホール３ｂ内に導電性接着剤からなる封止部８を設けてある。
【０００６】
なお、図８や図９に示した例では、重り部２２が可動電極を構成しているが、重り部２２における固定電極５との対向面に可動電極を別途形成した構成のものも知られている。
【特許文献１】特開平６−３２４０７７号公報（段落番号〔００１２〕−〔００１８〕、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、図８に示した構成の静電容量型加速度センサでは、固定電極５における重り部２２との対向面側に絶縁膜７が積層されているので、寄生容量が大きくなり、十分なＳ／Ｎ比が得られないという問題があり、上記特許文献１に開示された静電容量型加速度センサについても同様の問題があった。
【０００８】
また、図９に示した構成の静電容量型加速度センサは、封止部８を構成する導電性接着剤が重り部２２と固定電極５との間の空間に流れ込んでしまい、固定電極５と可動電極とが短絡してしまう恐れがあった。
【０００９】
なお、図８や図９に示す静電容量型加速度センサでは、センサチップ１を密閉構造としてあるが、センサチップ１が密閉構造となっていない場合には、固定電極５と可動電極との間に水やごみなどが侵入して、固定電極５と可動電極とが短絡してしまう恐れがあった。
【００１０】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、十分なＳ／Ｎ比を得ることが可能であり且つ固定電極と可動電極との短絡を防止することができる静電容量型加速度センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１の発明は、枠状の支持部および支持部の内側で可撓性を有するビームを介して支持部に支持された重り部を有し重り部に可動電極を備えたシリコン構造体と、シリコン構造体の一表面側において周部が支持部に固着され重り部の移動量を規制する第１のガラス基板と、シリコン構造体の他表面側において周部が支持部に固着され重り部の移動量を規制する第２のガラス基板と、第２のガラス基板における重り部との対向面に形成された固定電極とを備え、加速度を重り部の変位に応じた可動電極と固定電極との間の静電容量値の変化として検出する静電容量型加速度センサであって、第２のガラス基板におけるシリコン構造体との固着面とは反対側で第２のガラス基板に貫設されたスルーホールを全周に亘って囲む引出し電極と、第２のガラス基板におけるスルーホールの内周面に沿って形成され固定電極と引出し電極とを電気的に接続した配線と、第２のガラス基板におけるシリコン構造体との固着面とは反対側に固着された密閉部材とを備えてなることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、第２のガラス基板におけるシリコン構造体との固着面とは反対側で第２のガラス基板に貫設されたスルーホールを全周に亘って囲む引出し電極と、第２のガラス基板におけるスルーホールの内周面に沿って形成され固定電極と引出し電極とを電気的に接続した配線とを備え、第２のガラス基板におけるシリコン構造体との固着面とは反対側に固着された密閉部材を備えていることにより、可動電極と固定電極との間の空間に水、ごみ、導電性接着剤などの異物が侵入することがないから、十分なＳ／Ｎ比を得ることが可能であり且つ固定電極と可動電極との短絡を防止することができる。
【００１３】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記密閉部材が実装用基板若しくはリードフレームであって、前記引出し電極は導電性接着材を介して前記密閉部材に電気的に接続されてなることを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、前記シリコン構造体と前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板とから構成されるセンサチップを前記密閉部材を兼ねる実装用基板若しくはリードフレームに電気的に接続することにより密閉することができる。
【００１５】
請求項３の発明は、請求項１の発明において、前記密閉部材がシリコン基板であり、当該シリコン基板は、前記第２のガラス基板とは反対側の面に前記引出し電極と電気的に接続された外部接続用電極が形成されてなることを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、前記密閉部材と前記第２のガラス基板とを陽極接合により固着することができ、前記シリコン構造体と前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板と前記密閉部材とでセンサチップを構成することができるから、センサチップ単体で密閉構造を実現することができ、センサチップを実装基板やリードフレームなどに実装する実装工程でセンサチップ内にごみや水などが侵入するのを確実に防止することができる。
【００１７】
請求項４の発明は、請求項３の発明において、前記シリコン基板は、前記第２のガラス基板側の表面において前記引出し電極と重なる部位に前記引出し電極に密接する金属膜が形成されてなることを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、前記シリコン基板と前記第２のガラス基板との接合時に前記引出し電極と金属膜とが密接することにより前記引出し電極と前記外部接続用電極との電気的接続性の信頼性が高まるとともに気密性が高くなる。
【００１９】
請求項５の発明は、請求項４の発明において、前記金属膜に環状の溝を設けてなることを特徴とする。
【００２０】
この発明によれば、前記シリコン基板と前記第２のガラス基板との接合時に前記金属膜が潰れれやすくなり、前記引出し電極と前記外部接続用電極との電気的接続性の信頼性がより高まるとともに気密性がより高くなる。
【００２１】
請求項６の発明は、請求項１ないし請求項５の発明において、前記第１のガラス基板の外周形状が矩形状であって、前記第１のガラス基板の角部には４分の１円状の切欠部が形成され、前記シリコン構造体において切欠部に対応する部位に前記可動電極と電気的に接続したパッドが形成されてなることを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、前記シリコン構造体のサイズを前記第１のガラス基板よりも大きくしてパッドを設ける場合に比べてセンサチップを小型化することができ、しかも、前記シリコン構造体において切欠部に対応する部位に前記可動電極と電気的に接続されたパッドが形成されているので、ワイヤボンディングが容易であるという利点がある。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１ないし請求項６の発明では、第２のガラス基板におけるシリコン構造体との固着面とは反対側で第２のガラス基板に貫設されたスルーホールを全周に亘って囲む引出し電極と、第２のガラス基板におけるスルーホールの内周面に沿って形成され固定電極と引出し電極とを電気的に接続した配線とを備え、第２のガラス基板におけるシリコン構造体との固着面とは反対側に固着された密閉部材を備えていることにより、可動電極と固定電極との間の空間に水、ごみ、導電性接着剤などの異物が侵入することがないから、十分なＳ／Ｎ比を得ることが可能であり且つ固定電極と可動電極との短絡を防止することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
（実施形態１）
本実施形態の静電容量型加速度センサは、図１に示すように、枠状（本実施形態では、矩形枠状）の支持部２１および支持部２１の内側で可撓性を有する複数本（本実施形態では、２本）のビーム２３を介して支持部２１に支持された重り部２２を有し重り部２２に可動電極を備えたシリコン構造体２と、シリコン構造体２の一表面（図１（ａ）の上面）側において周部が支持部２１に固着され重り部２２の移動量を規制する第１のガラス基板３と、シリコン構造体２の他表面（図１８（ａ）の下面）側において周部が支持部２１に固着され重り部２２の移動量を規制する第２のガラス基板４と、第２のガラス基板４における重り部２２との対向面に形成された金属層（例えは、Ｃｒ膜、Ａｌ膜など）からなる固定電極５とを備えている。なお、各ビーム２３は、厚み方向（図１（ａ）の上下方向）に可撓性を有するように、厚み寸法を重り部２２および支持部２１それぞれの厚み寸法よりも十分に小さく設定してある。言い換えれば、シリコン構造体２は、重り部２２を厚み方向に変位可能とする可撓な複数本のビーム２３を介して重り部２２を支持する枠状の支持部２１を備えている。
【００２５】
また、本実施形態の静電容量型加速度センサでは、単結晶のシリコン基板にエッチング加工などを施すことによってシリコン構造体２を形成してあり、重り部２２が可動電極を構成し、加速度を重り部２２の変位に応じた重り部２２と固定電極５との間の静電容量値の変化として検出するようになっている。ここに、重り部２２は、四角錘台状に形成されており、外周形状（平面形状）が矩形状であって（つまり、外周縁が矩形状であって）、固定電極５との対向面は平面になっている。なお、本実施形態では、上述のように重り部２２が可動電極を構成しているが、重り部２２における固定電極５との対向面に可動電極を別途形成するようにしてもよい。
【００２６】
各ビーム２３は、重り部２２の外周縁に沿って延長した形状に形成されており、全てのビーム２３で重り部２２の外周縁の略全周を囲むような形状に形成されている。具体的には、各ビーム２３は、重り部２２の外周縁の隣り合う２辺に沿ったＬ字状に形成されており、各ビーム２３の両端部のうち重り部２２側の端部（重り部２２に連結された側の端部）は、重り部２２の矩形状の外周縁において対角位置にある２つの角部それぞれに連結されている。つまり、図１（ｂ）で見れば、右側のビーム２３は、一端部が重り部２２の左下の角部に連続一体に連結され、支持部２１に連続一体に連結された他端部が重り部２２の右上の角部の近傍に位置しており、左側のビーム２３は、一端部が重り部２２の右上の角部に連続一体に連結され、支持部２１に連続一体に連結された他端部が重り部２２の左下の角部の近傍に位置している。なお、重り部２２の周囲にはビーム２３の厚み方向に貫通した２つのスリット２５が形成されており、各ビーム２３は、これら２つのスリット２５により幅寸法が規定されている。ここに、本実施形態では、ビーム２３の平面形状をＬ字状に形成してあるが、ビーム２３の平面形状は特に限定するものではない。
【００２７】
また、本実施形態の静電容量型加速度センサでは、シリコン構造体２の支持部２１と各ガラス基板３，４とをそれぞれ陽極接合により固着してあるが、加速度が印加されていない状態において固定電極５と重り部２２との間の距離が所定距離となるように重り部２２の厚み寸法を支持部２１の厚み寸法よりも小さく設定してある。また、第１のガラス基板３において重り部２２との対向面には、重り部２２の移動範囲を確保するための凹所３１が形成されている。なお、シリコン構造体２および各ガラス基板３，４は、外周形状が矩形状であり且つ同じ外形寸法に形成されており、各ガラス基板３，４それぞれの周部がシリコン構造体２の支持部２１に固着されている。ここに、各ガラス基板３，４としては、例えばパイレックス（登録商標）のようなシリコンと熱膨張係数が略等しいガラスを採用することが好ましい。
【００２８】
第１のガラス基板３において支持部２１に重なる部位の一部には厚み方向に貫通するスルーホール３ａが形成されており、第１のガラス基板３におけるシリコン構造体２とは反対側の面には、スルーホール３ａの内面に沿って形成された配線６２を介して可動電極に電気的に接続された引出し電極６１が形成されている。なお、第１のガラス基板３におけるスルーホール３ａは上記厚み方向においてシリコン構造体２から離れるほど開口幅が徐々に大きくなる形状に開口されている。また、引出し電極６１と配線６２とは同一の金属材料により形成してあり、引出し電極６１はパッドを構成している。
【００２９】
第２のガラス基板４の中央部には厚み方向に貫通するスルーホール４ａが形成されており、第２のガラス基板４におけるシリコン構造体２とは反対側の面には、スルーホール４ａの内面に沿って形成された配線５２を介して固定電極５に電気的に接続された引出し電極５１が形成されている。ここに、引出し電極５１は、第２のガラス基板４におけるシリコン構造体２との固着面とは反対側で第２のガラス基板４に貫設されたスルーホール４ａを全周に亘って囲む円環状の平面形状に形成されている。なお、引出し電極５１と配線５２とは同一の金属材料により形成してある。
【００３０】
ところで、本実施形態の静電容量型加速度センサでは、シリコン構造体２と両ガラス基板３，４とで構成されるセンサチップ１をリードフレーム９に実装してあるが、第２のガラス基板４において引出し電極５１が形成された側の露出表面および引出し電極５１の表面の全面とリードフレーム９との間に導電性接着剤からなる接合層１０を形成してあり、リードフレーム９が、第２のガラス基板４におけるシリコン構造体２との固着面とは反対側に固着された密閉部材を構成している。
【００３１】
しかして、本実施形態の静電容量型加速度センサでは、第２のガラス基板４におけるシリコン構造体２との固着面とは反対側で第２のガラス基板４に貫設されたスルーホール４ａを全周に亘って囲む引出し電極５１と、第２のガラス基板４におけるスルーホール４ａの内周面に沿って形成され固定電極５と引出し電極５１とを電気的に接続した配線５２とを備えていることにより、第２のガラス基板４を支持部２１に直接固着することができ、第２のガラス基板４におけるシリコン構造体２との固着面とは反対側に固着された密閉部材を備えていることにより、可動電極と固定電極５との間の空間に水、ごみ、導電性接着剤などの異物が侵入することがないから、十分なＳ／Ｎ比を得ることが可能であり且つ固定電極５と可動電極との短絡を防止することができる。
【００３２】
なお、本実施形態ではリードフレーム９においてセンサチップ１を実装する部分が密閉部材を構成しているが、センサチップ１を実装用基板に実装するようにして実装用基板を密閉部材に兼用するようにしてもよい。
【００３３】
（実施形態２）
本実施形態の静電容量型加速度センサの基本構成は実施形態１と略同じであって、図２に示すように、第２のガラス基板４におけるシリコン構造体２とは反対側の面に矩形板状のシリコン基板１１が陽極接合により固着され、シリコン基板１１における第２のガラス基板４との固着面は反対側の面に引出し電極５１に電気的に接続された外部接続用電極１２が形成されている点などが相違する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３４】
本実施形態では、シリコン構造体２と両ガラス基板３，４とシリコン基板１１とでセンサチップ１を構成しており、シリコン基板１１が、第２のガラス基板４におけるシリコン構造体２との固着面とは反対側に固着された密閉部材を構成している。なお、本実施形態のセンサチップ１は、例えば、リードフレームや実装用基板などに実装される。
【００３５】
しかして、本実施形態の静電容量型加速度センサにおいても、実施形態１と同様、第２のガラス基板４におけるシリコン構造体２との固着面とは反対側に固着された密閉部材を備えていることにより、可動電極と固定電極５との間の空間に水、ごみ、導電性接着剤などの異物が侵入することがないから、十分なＳ／Ｎ比を得ることが可能であり且つ固定電極５と可動電極との短絡を防止することができる。また、本実施形態の静電容量型加速度センサでは、密閉部材と第２のガラス基板４とを陽極接合により固着することができ、シリコン構造体２と第１のガラス基板３と第２のガラス基板４と密閉部材たるシリコン基板１１とでセンサチップ１を構成することができるから、センサチップ１単体で密閉構造を実現することができ、センサチップ１を実装基板やリードフレームなどに実装する実装工程でセンサチップ１内にごみや水などが侵入するのを確実に防止することができる。
【００３６】
ところで、第２のガラス基板４におけるシリコン構造体２と反対側の面には図３に示すように平面形状が円環状の引出し電極５１を形成してあるが、第２のガラス基板４とシリコン基板１１との陽極接合時に引出し電極５１とシリコン基板１１とは接合されず、引出し電極５１とシリコン基板１１とは接触しているだけなので、引出し電極５１と外部接続用電極１２との間の電気的接続の信頼性を高めるとともに、気密性を高めるには、シリコン基板１１における第２のガラス基板４側の表面において引出し電極５１と重なる部位に引出し電極５１に密接する金属膜１３（図４参照）を形成すればよい。また、図４に示すように、金属膜１３に環状の溝１４を設けておけば、シリコン基板１１と第２のガラス基板４との接合時に金属膜１３が潰れやすくなり、引出し電極５１と金属膜１３との電気的接続の信頼性および気密性を高めることができるから、結果的に引出電極５１と外部接続用電極１２との電気的接続性の信頼性およびセンサチップ１の気密性をより高めることができる。
【００３７】
（実施形態３）
本実施形態の静電容量型加速度センサの基本構成は実施形態１と略同じであって、実施形態１のように第１のガラス基板３にスルーホール３ａを形成して配線６２およびパッド６１を形成する代わりに、図５および図７に示すように第１のガラス基板３の角部に４分の１円状の切欠部３２が形成され、シリコン構造体２において切欠部３２に対応する部位の表面に可動電極と電気的に接続されたパッド６３が形成されている点が相違する。なお、パッド６３にはボンディングワイヤＷ２が接続されている。他の構成は実施形態１と同じである。
【００３８】
本実施形態の静電容量型加速度センサの製造にあたっては、多数のシリコン構造体２を形成したシリコンウェハと、図６に示すように多数の第１のガラス基板３を形成した第１のガラスウェハＡと、多数の第２のガラス基板４を形成した第２のガラスウェハとを重ねて接合した後、図６に示したラインＬに沿ってダイシングを行うことによって、図７に示すように個々のセンサチップ１に分割すればよい。ここにおいて、第１のガラスウェハＡには、４つの第１のガラス基板３の角部に跨る円形状の貫通孔３３を厚み方向に貫設してあり、上述のダイシングを行うことによって、貫通孔３３に対応する空間が４分割されて第１のガラス基板３の２つの角部に４分の１円状の切欠部３２が形成されるようになっている。なお、第１のガラスウェハＡに貫設した貫通孔３３はシリコンウェハに近づくにつれて開口面積が徐々に小さくなるように開口されている。
【００３９】
しかして、本実施形態の静電容量型加速度センサでは、シリコン構造体２のサイズを第１のガラス基板３よりも大きくしてパッド６３を設ける場合に比べてセンサチップ１を小型化することができ、しかも、シリコン構造体２において切欠部３２に対応する部位に可動電極と電気的に接続されたパッド６３が形成されているので、パッド６３へのワイヤボンディングが容易であるという利点がある。
【００４０】
なお、本実施形態における切欠部３２およびパッド６３を実施形態２の静電容量型加速度センサに採用してもよいことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】実施形態１を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）におけるシリコン構造体の概略平面図である。
【図２】実施形態２を示す概略断面図である。
【図３】同上の要部下面図である。
【図４】同上の他の構成例の要部平面図である。
【図５】実施形態３を示す概略断面図である。
【図６】同上の製造方法の説明図である。
【図７】同上の製造方法の説明図である。
【図８】従来例を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）におけるシリコン構造体の概略平面図である。
【図９】他の従来例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
２  シリコン構造体
３  第１のガラス基板
３ａ  スルーホール
４  第２のガラス基板
４ａ  スルーホール
５  固定電極
９  リードフレーム
１０  接合層
２１  支持部
２２  重り部
２３  ビーム
２５  スリット
５１  引出し電極
５２  配線
６１  引出し電極
６２  配線
【図１】
2005091312.tif 000003
【図２】
2005091312.tif 000004
【図３】
2005091312.tif 000005
【図４】
2005091312.tif 000006
【図５】
2005091312.tif 000007
【図６】
2005091312.tif 000008
【図７】
2005091312.tif 000009
【図８】
2005091312.tif 000010
【図９】
2005091312.tif 000011