(57)【要約】【課題】  プラズマディスプレーの周辺にある電子機器の誤動作を防止する。【解決手段】  基材中に、近赤外線吸収化合物を少なくとも１種含有し、８００〜９００ｎｍの平均光線透過率が１０％以下であるフィルターをプラズマディスプレー前面に設置する。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材中に、近赤外線吸収化合物を少なくとも１種含有し、かつ８００〜９００ｎｍの平均光線透過率が１０％以下である近赤外線吸収フィルターを具備するプラズマディスプレー。
【請求項２】
前記近赤外線吸収フィルターは、８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率が１０％以下であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレー。
【請求項３】
前記近赤外線吸収フィルターは、一般式（１）又は一般式（２）で表される金属錯体化合物を少なくとも１種を含有してなる事を特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマディスプレー。
【化１】
2005037932.tif 000010
〔式中、Ａ1〜Ａ8は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、チオシアナート基、シアナート基、アシル基、カルバモイル基、アルキルアミノカルボニル基、置換又は未置換のアルコキシカルボニル基、置換又は未置換のアリールオキシカルボニル基、置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール基、置換又は未置換のアルコキシ基、置換又は未置換のアリールオキシ基、置換又は未置換のアルキルチオ基、置換又は未置換のアリールチオ基、置換又は未置換のアルキルアミノ基、置換又は未置換のアリールアミノ基、置換又は未置換のアルキルカルボニルアミノ基、あるいは置換又は未置換のアリールカルボニルアミノ基を表し、かつ、隣り合う２個の置換基が連結基を介して繋がっていてもよく、Ｙ1、Ｙ2は各々独立に硫黄原子あるいは酸素原子を表し、Ｒ1〜Ｒ4は各々独立に置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール基を表し、Ｍ1はニッケル、白金、パラジウムまたは銅を表し、Ｘは窒素原子またはリン原子を表す〕
【化２】
2005037932.tif 000011
〔式中、Ｂ1〜Ｂ4は各々独立に、水素原子、シアノ基、アシル基、カルバモイル基、アルキルアミノカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、置換又は未置換のアルキル基、あるいは置換又は未置換のアリール基を表し、かつ、隣り合う２個の置換基が連結基を介して繋がっていてもよく、Ｍ2はニッケル、白金、パラジウムまたは銅を表す〕
【請求項４】
前記フィルターは、可視光線透過率が４０％以上である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー。
【請求項５】
前記近赤外線吸収フィルターは、前記一般式（１）又は／及び一般式（２）で表される金属錯体化合物を少なくとも２種含有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー。
【請求項６】
前記近赤外線吸収フィルターは、更に可視領域に吸収を持つ色素を少なくとも１種含有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー。
【請求項７】
前記近赤外線吸収フィルターには、電磁波カット層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー。
【請求項８】
前記近赤外線吸収フィルターには、反射防止層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー。
【請求項９】
前記近赤外線吸収フィルターには、ぎらつき防止（ノングレア）層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー。
【請求項１０】
基材中に、近赤外線吸収化合物を少なくとも１種含有し、かつ８００〜９００ｎｍの平均光線透過率が１０％以下である近赤外線吸収フィルターに電磁波カット層を設けたプラズマディスプレー用フィルター。
【請求項１１】
８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率が１０％以下である近赤外線吸収フィルターに電磁波カット層を設けたことを特徴とする請求項１０記載のプラズマディスプレー用フィルター。
【請求項１２】
前記近赤外線吸収フィルターは、一般式（１）又は一般式（２）で表される金属錯体化合物を少なくとも１種を含有してなる事を特徴とする請求項１０又は１１に記載のプラズマディスプレー用フィルター。
【化３】
2005037932.tif 000012
〔式中、Ａ1〜Ａ8は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、チオシアナート基、シアナート基、アシル基、カルバモイル基、アルキルアミノカルボニル基、置換又は未置換のアルコキシカルボニル基、置換又は未置換のアリールオキシカルボニル基、置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール基、置換又は未置換のアルコキシ基、置換又は未置換のアリールオキシ基、置換又は未置換のアルキルチオ基、置換又は未置換のアリールチオ基、置換又は未置換のアルキルアミノ基、置換又は未置換のアリールアミノ基、置換又は未置換のアルキルカルボニルアミノ基、あるいは置換又は未置換のアリールカルボニルアミノ基を表し、かつ、隣り合う２個の置換基が連結基を介して繋がっていてもよく、Ｙ1、Ｙ2は各々独立に硫黄原子あるいは酸素原子を表し、Ｒ1〜Ｒ4は各々独立に置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール基を表し、Ｍ1はニッケル、白金、パラジウムまたは銅を表し、Ｘは窒素原子またはリン原子を表す〕
【化４】
2005037932.tif 000013
〔式中、Ｂ1〜Ｂ4は各々独立に、水素原子、シアノ基、アシル基、カルバモイル基、アルキルアミノカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、置換又は未置換のアルキル基、あるいは置換又は未置換のアリール基を表し、かつ、隣り合う２個の置換基が連結基を介して繋がっていてもよく、Ｍ2はニッケル、白金、パラジウムまたは銅を表す〕
【請求項１３】
前記近赤外線吸収フィルターは、可視光線透過率が４０％以上である請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー用フィルター。
【請求項１４】
前記近赤外線吸収フィルターは、前記一般式（１）又は／及び一般式（２）で表される金属錯体化合物を少なくとも２種含有することを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー用フィルター。
【請求項１５】
反射防止層が設けられていることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー用フィルター。
【請求項１６】
ぎらつき防止（ノングレア）層が設けられていることを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー用フィルター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレーからでる近赤外線光（８００〜１０００ｎｍ）をカットし、周辺電子機器の誤動作を防止するフィルターに関する。更に詳しくは、近赤外線吸収剤である金属錯体化合物を含有し、可視光線透過率が高く、かつ近赤外線光のカット効率の高いプラズマディスプレー用フィルターに関する。また、本発明は、該フィルターを具備するプラズマディスプレーに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大型の薄型テレビ、薄型ディスプレー用途等に、プラズマディスプレーが注目され、すでに市場に出始めている。しかし、プラズマディスプレーからでる近赤外線光がコードレスホン、近赤外線リモコンを使うビデオデッキ等、周辺にある電子機器に作用し、誤動作を起こす問題を発見した。近赤外線吸収色素を用いて近赤外線吸収フィルターを作製することは知られているが、ディスプレーによる誤動作を防止する具体的な方策については全く知られていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の課題は、ディスプレーからでる周辺電子機器の誤動作を引き起こす近赤外線領域である８００〜９００ｎｍ、更に好ましくは８００〜１０００ｎｍの領域の光をカットするとともに、ディスプレーの鮮明度を阻害しないような可視光線透過率の高い実用的なフィルターを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、ある種の金属錯体化合物を用いることにより、誤動作が問題となる近赤外線光を効率よくカットし、しかも、ディスプレーの鮮明度を阻害しない高い可視光線透過率を持つ実用的なプラズマディスプレー用フィルターができることを見出して、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、
【０００５】
(1)  基材中に、近赤外線吸収化合物を少なくとも１種含有し、かつ８００〜９００ｎｍの平均光線透過率が１０％以下である近赤外線吸収フィルターを具備するプラズマディスプレー。
【０００６】
(2)  前記近赤外線吸収フィルターは、８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率が１０％以下であることを特徴とする(1)のプラズマディスプレー。
【０００７】
(3)  前記近赤外線吸収フィルターは、一般式（１）又は一般式（２）で表される金属錯体化合物を少なくとも１種を含有してなる事を特徴とする請求項(1)又は(2)に記載のプラズマディスプレー。
【０００８】
(4)  前記フィルターは、可視光線透過率が４０％以上である(1)乃至(3)のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー。
【０００９】
(5)  前記近赤外線吸収フィルターは、前記一般式（１）又は／及び一般式（２）で表される金属錯体化合物を少なくとも２種含有することを特徴とする(1)乃至(4)のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー。
【００１０】
(6)  前記近赤外線吸収フィルターは、更に可視領域に吸収を持つ色素を少なくとも１種含有することを特徴とする(1)乃至(5)のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー。
【００１１】
(7)  前記近赤外線吸収フィルターには、電磁波カット層が設けられていることを特徴とする(1)乃至(6)のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー。
【００１２】
(8)  前記近赤外線吸収フィルターには、反射防止層が設けられていることを特徴とする(1)乃至(7)のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー。
【００１３】
(9)  前記近赤外線吸収フィルターには、ぎらつき防止（ノングレア）層が設けられていることを特徴とする(1)乃至(8)のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー、に関するものである。
【００１４】
また本発明は、前記近赤外線吸収フィルターに電磁波カット層が設けられたプラズマディスプレー用フィルターに関する。
【００１５】
【化１】
2005037932.tif 000002
【００１６】
〔式中、Ａ1〜Ａ8は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、チオシアナート基、シアナート基、アシル基、カルバモイル基、アルキルアミノカルボニル基、置換又は未置換のアルコキシカルボニル基、置換又は未置換のアリールオキシカルボニル基、置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール基、置換又は未置換のアルコキシ基、置換又は未置換のアリールオキシ基、置換又は未置換のアルキルチオ基、置換又は未置換のアリールチオ基、置換又は未置換のアルキルアミノ基、置換又は未置換のアリールアミノ基、置換又は未置換のアルキルカルボニルアミノ基、あるいは置換又は未置換のアリールカルボニルアミノ基を表し、かつ、隣り合う２個の置換基が連結基を介して繋がっていてもよく、Ｙ1、Ｙ2は各々独立に硫黄原子あるいは酸素原子を表し、Ｒ1〜Ｒ4は各々独立に置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール基を表し、Ｍ1はニッケル、白金、パラジウムまたは銅を表し、Ｘは窒素原子またはリン原子を表す〕
【００１７】
【化２】
2005037932.tif 000003
【００１８】
〔式中、Ｂ1〜Ｂ4は各々独立に、水素原子、シアノ基、アシル基、カルバモイル基、アルキルアミノカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、置換又は未置換のアルキル基、あるいは置換又は未置換のアリール基を表し、かつ、隣り合う２個の置換基が連結基を介して繋がっていてもよく、Ｍ2 はニッケル、白金、パラジウムまたは銅を表す〕
【発明の効果】
【００１９】
本発明のフィルターは、可視光線透過率が高いためディスプレーの鮮明度を阻害せず、ディスプレーからでる８００〜１０００ｎｍ付近の近赤外線光を効率よくカットするため、周辺電子機器の誤動作を抑制する優れた性能を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明のプラズマディスプレー用フィルターは、基材に一般式（１）または一般式（２）で表される金属錯体化合物を少なくとも１種含有するものである。本発明で用いる一般式（１）および（２）で表される金属錯体化合物中、Ａ1〜Ａ8、Ｂ1〜Ｂ4、Ｒ1〜Ｒ4で表される置換基について、以下に具体的に記載する。
【００２１】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙げられる。
【００２２】
アシル基としては、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ブチルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、ヘキシルカルボニル基、ベンゾイル基、p-t-ブチルベンゾイル基等が挙げられる。
【００２３】
置換又は未置換のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、１，３−ジメチルブチル基、１−ｉｓｏ−プロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１，４−ジメチルペンチル基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチル基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピル基、１−ｔ−ブチル−２−メチルプロピル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、等の炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状の炭化水素基、
【００２４】
メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、３−メトキシプロピル基、３−エトキシプロピル基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、ジメトキシメチル基、ジエトキシメチル基、ジメトキシエチル基、ジエトキシエチル基等のアルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルコキシアルキル基、クロロメチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、トリフルオロメチル基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル基等のハロゲン化アルキル基、炭素数２〜２０のアルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アルキルアミノカルボニルアルキル基、アルコキシスルホニルアルキル基などが挙げられる。
【００２５】
また、置換または未置換のアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、ｉｓｏ−プロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｉｓｏ−ブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、
【００２６】
ｉｓｏ−ペンチルオキシ基、ｎｅｏ−ペンチルオキシ基、１，２−ジメチル−プロピルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルブチルオキシ基、１−ｉｓｏ−プロピルプロピルオキシ基、１，２−ジメチルブチルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、１，４−ジメチルペンチルオキシ基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロピルオキシ基、１−エチル−３−メチルブチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチルオキシ基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルオキシ基、１−ｔ−ブチル−２−メチルプロピルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルコキシ基、
【００２７】
メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、ブトキシエトキシ基、３−メトキシプロピルオキシ基、３−エトキシプロピルオキシ基、ジメトキシメトキシ基、ジエトキシメトキシ基、ジメトキシエトキシ基、ジエトキシエトキシ基等のアルコキシアルコキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、ブチルオキシエトキシエトキシ基等のアルコキシアルコキシアルコキシ基、アルコキシアルコキシアルコキシアルコキシ基、クロロメトキシ基、２，２，２−トリクロロエトキシ基、トリフルオロメトキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピルオキシ基等のハロゲン化アルコキシ基、ジメチルアミノエトキシ基、ジエチルアミノエトキシ基などのアルキルアミノアルコキシ基、ジアルキルアミノアルコキシ基等が挙げられる。
【００２８】
置換又は未置換のアリール基の例としては、フェニル基、クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、トリクロロフェニル基、ブロモフェニル基、フロロフェニル基、ペンタフロロフェニル基、ヨウ化フェニル基等のハロゲン化フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、エチルフェニル基、ジメチルエチルフェニル基、ｉｓｏ−プロピルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルメチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、トリフロロメチルフェニル基、等のアルキル誘導体置換フェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロポキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシフェニル基、メチルエトキシフェニル基、ジメトキシフェニル基、１−エトキシ−４−メトキシフェニル基、クロロメトキシフェニル基、エトキシエトキシフェニル基、エトキシエトキシエトキシフェニル基等のアルコキシ基置換フェニル基、
【００２９】
メチルチオフェニル基、エチルチオフェニル基、ｔ−ブチルチオフェニル基、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルチオフェニル基、２−メチル−１−エチルチオフェニル基、２−ブチル−１−メチルチオフェニル基、等のアルキルチオ基置換フェニル基、
【００３０】
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジアミルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジヘキシルアミノフェニル基、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルアミノフェニル基、Ｎ−ブチル−Ｎ−エチルアミノフェニル基、Ｎ−ヘキシル−Ｎ−エチルアミノフェニル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）−エチルフェニル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−メチルフェニル基、３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）−エチルフェニル基、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）−エチルフェニル基等のアルキルアミノフェニル基、
【００３１】
ナフチル基、クロロナフチル基、ジクロロナフチル基、トリクロロナフチル基、ブロモナフチル基、フロロナフチル基、ペンタフロロナフチル基、ヨウ化ナフチル基等のハロゲン化ナフチル基、
【００３２】
エチルナフチル基、ジメチルエチルナフチル基、ｉｓｏ−プロピルナフチル基、ｔ−ブチルナフチル基、ｔ−ブチルメチルナフチル基、オクチルナフチル基、ノニルナフチル基、トリフロロメチルナフチル基等のアルキル誘導体置換ナフチル基、
【００３３】
メトキシナフチル基、エトキシナフチル基、プロポキシナフチル基、ヘキシルオキシナフチル基、シクロヘキシルオキシナフチル基、オクチルオキシナフチル基、２−エチルヘキシルオキシナフチル基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシナフチル基、メチルエトキシナフチル基、ジメトキシナフチル基、クロロメトキシナフチル基、エトキシエトキシナフチル基、エトキシエトキシエトキシナフチル基等のアルコキシ基置換ナフチル基、
【００３４】
メチルチオナフチル基、エチルチオナフチル基、ｔ−ブチルチオナフチル基、メチルエチルチオナフチル基、ブチルメチルチナフチル基等のアルキルチオ基置換ナフチル基、
【００３５】
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノナフチル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノナフチル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミノナフチル基、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノナフチル基、Ｎ，Ｎ−ジアミルアミノナフチル基、Ｎ，Ｎ−ジヘキシルアミノナフチル基、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルアミノナフチル基、Ｎ−ブチル−Ｎ−エチルアミノナフチル基、Ｎ−ヘキシル−Ｎ−エチルアミノナフチル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）−エチルナフチル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−メチルナフチル基、３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）−エチルナフチル基、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）−エチルナフチル基等のアルキルアミノナフチル基、
【００３６】
ピリジル基、ピペリジル基、チオフェニル基、イミダゾリル基、ピローリジル基、フリル基等が挙げられる。
【００３７】
置換又は未置換のアリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、ナフトキシ基、アルキルフェノキシ基、等が挙げられる。
【００３８】
置換又は未置換のアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｉｓｏ−ペンチルチオ基、ｎｅｏ−ペンチルチオ基、１，２−ジメチルプロピルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシルチオ基、１，３−ジメチルブチルチオ基、１−ｉｓｏ−プロピルプロピルチオ基、１，２−ジメチルブチルチオ基、ｎ−ヘプチルチオ基、１，４−ジメチルペンチルチオ基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロピルチオ基、１−エチル−３−メチルブチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチルチオ基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルチオ基、１−ｔ−ブチル−２−メチルプロピルチオ基、ｎ−ノニルチオ基等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、メトキシメチルチオ基、メトキシエチルチオ基、エトキシエチルチオ基、プロポキシエチルチオ基、ブトキシエチルチオ基、３−メトキシプロピルチオ基、３−エトキシプロピルチオ基、メトキシエトキシエチルチオ基、エトキシエトキシエチルチオ基、ジメトキシメチルチオ基、ジエトキシメチルチオ基、ジメトキシエチルチオ基、ジエトキシエチルチオ基等のアルコキシアルキルチオ基、アルコキシアルコキシアルキルチオ基、アルコキシアルコキシアルコキシアルキルチオ基、クロロメチルチオ基、２，２，２−トリクロロエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピルチオ基等のハロゲン化アルキルチオ基、
【００３９】
ジメチルアミノエチルチオ基、ジエチルアミノエチルチオ基等のアルキルアミノアルキルチオ基、ジアルキルアミノアルキルチオ基等が挙げられる。
【００４０】
置換又は未置換のアリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、ナフチルチオ基、アルキルフェニルチオ基、等が挙げられる。
【００４１】
置換又は未置換のアルコキシカルボニル基の例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉｓｏ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉｓｏ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｉｓｏ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎｅｏ−ペンチルオキシカルボニル基、１，２−ジメチル−プロピルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシルオキシカルボニル基、１，３−ジメチル−ブチルオキシカルボニル基、１−ｉｓｏ−プロピルプロピルオキシカルボニル基、１，２−ジメチルブチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、１，４−ジメチルペンチルオキシカルボニル基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロピルオキシカルボニル基、１−エチル−３−メチルブチルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチルオキシカルボニル基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルオキシカルボニル基、１−ｔ−ブチル−２−メチルプロピルオキシカルボニル基、ｎ−ノニルオキシカルボニル基、等の炭素数２〜２０の直鎖又は分岐のアルキルオキシカルボニル基、
【００４２】
メトキシメトキシカルボニル基、メトキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル基、プロポキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキシカルボニル基、γ−メトキシプロポキシカルボニル基、γ−エトキシプロポキシカルボニル基、メトキシエトキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシエトキシカルボニル基、ジメトキシメトキシカルボニル基、ジエトキシメトキシカルボニル基、ジメトキシエトキシカルボニル基、ジエトキシエトキシカルボニル基等のアルコキシアルコキシカルボニル基、アルコキシアルコキシアルコキシカルボニル基、アルコキシアルコキシアルコキシアルコキシカルボニル基、
【００４３】
クロロメトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシカルボニル基、などのハロゲン化アルキルオキシカルボニル基、
【００４４】
炭素数３〜２０のアルキルアミノアルキルオキシカルボニル基、ジアルキルアミノアルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニルアルキルオキシカルボニル基、アルコキシスルホニルアルキルオキシカルボニル基、アルキルスルホニルオキシカルボニル基などが挙げられる。
【００４５】
アリールオキシカルボニル基の例としては、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基、トリルオキシカルボニル基、キシリルオキシカルボニル基、クロロフェニルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００４６】
アルキルアミノカルボニル基の例としては、メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、ｎ−プロピルアミノカルボニル基、ｎ−ブチルアミノカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルアミノカルボニル基、ｎ−ペンチルアミノカルボニル基、ｎ−ヘキシルアミノカルボニル基、ｎ−ヘプチルアミノカルボニル基、ｎ−オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−プロピルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−ブチルアミノカルボニル基、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−ペンチルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−ヘプチルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニル基等が挙げられる。
【００４７】
置換または未置換のアルキルアミノ基としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ｎ−ペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、ｎ−ヘプチルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ジ−ｎ−ペンチルアミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジ−ｎ−ヘプチルアミノ基、ジ−ｎ−オクチルアミノ基等が挙げられる。
【００４８】
置換または未置換のアリールアミノ基としては、フェニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルアミノ基、ｐ−ｔ−ブチルフェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジ−ｐ−メチルフェニルアミノ基、ジ−ｐ−ｔ−ブチルフェニルアミノ基等が挙げられる。
【００４９】
置換または未置換のアルキルカルボニルアミノ基としては、アセチルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ｎ−プロピルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−プロピルカルボニルアミノ基、ｎ−ブチルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−ブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミノ基、ｔ−ブチルカルボニルアミノ基、ｎ−ペンチルカルボニルアミノ基、ｎ−ヘキシルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、ｎ−ヘプチルカルボニルアミノ基、３−ヘプチルカルボニルアミノ基、ｎ−オクチルカルボニルアミノ基等が挙げられる。置換または未置換のアリールカルボニルアミノ基としては、ベンゾイルアミノ基、ｐ−クロロベンゾイルアミノ基、ｐ−メトキシベンゾイルアミノ基、ｐ−ｔ−ブチルベンゾイルアミノ基、ｐ−トリフロロメチルベンゾイルアミノ基、ｍ−トリフロロメチルベンゾイルアミノ基等が挙げられる。
【００５０】
また、Ｍ1あるいはＭ2で表される金属の例としては、ニッケル、白金、パラジウムまたは銅が挙げられ、Ｘは窒素原子あるいはリン原子である。
【００５１】
一般式（１）で表される金属錯体化合物のＡ1〜Ａ8で表される置換基で特に好ましいものは、各々独立に水素原子、塩素原子、臭素原子、あるいはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、等の炭素数１〜５のアルキル基であり、Ｒ1〜Ｒ4で表される置換基で特に好ましいものはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、１，３−ジメチルブチル基、１−ｉｓｏ−プロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１，４−ジメチルペンチル基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、等の炭素数１〜８のアルキル基であり、特に好ましいＸは窒素であり、特に好ましいＭ1はニッケルである。
【００５２】
一般式（２）で表される金属錯体化合物のＢ1〜Ｂ4で表される置換基で特に好ましいものは、各々独立にフェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、エチルフェニル基、ジメチルエチルフェニル基、ｉｓｏ−プロピルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルメチルフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロポキシフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノフェニル基、エチルナフチル基、ジメチルエチルナフチル基、ｉｓｏ−プロピルナフチル基、ｔ−ブチルナフチル基、ｔ−ブチルメチルナフチル基、メトキシナフチル基、エトキシナフチル基、プロポキシナフチル基、メチルチオナフチル基、エチルチオナフチル基、ｔ−ブチルチオナフチル基、メチルエチルチオナフチル基、ブチルメチルチオナフチル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノナフチル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノナフチル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミノナフチル基、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノナフチル基等の炭素数６〜２０の置換または未置換のフェニル基あるいはナフチル基であり、特に好ましいＭ2 はニッケルである。
【００５３】
本発明のプラズマディスプレー用フィルターは、前記の金属錯体化合物を基材に含有してなるもので、本発明でいう基材に含有するとは、基材の内部に含有されることは勿論、基材の表面に塗布した状態、基材と基材の間に挟まれた状態等を意味する。
【００５４】
基材としては、透明樹脂板、透明フィルム、透明ガラス等が挙げられる。
【００５５】
上記金属錯体化合物を用いて、本願のプラズマディスプレー用フィルターを作製する方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、以下の３つの方法が利用できる。
【００５６】
（１）樹脂に金属錯体化合物を混練し、加熱成形して樹脂板或いはフィルムを作製する方法、
【００５７】
（２）金属錯体化合物を含有する塗料を作製し、透明樹脂板、透明フィルム、或いは透明ガラス板上にコーティングする方法、
【００５８】
（３）金属錯体化合物を接着剤に含有させて、合わせ樹脂板、合わせ樹脂フィルム、合わせガラス等を作製する方法、等である。
【００５９】
まず、樹脂に金属錯体化合物を混練し、加熱成形する（１）の方法において、樹脂材料としては、樹脂板または樹脂フィルムにした場合にできるだけ透明性の高いものが好ましく、具体例として、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル等のビニル化合物、及びそれらのビニル化合物の付加重合体、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリシアン化ビニリデン、フッ化ビニリデン／トリフルオロエチレン共重合体、フッ化ビニリデン／テトラフルオロエチレン共重合体、シアン化ビニリデン／酢酸ビニル共重合体等のビニル化合物又はフッ素系化合物の共重合体、ポリトリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン等のフッ素を含む樹脂、ナイロン６、ナイロン６６等のポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリペプチド、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリオキシメチレン、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド等のポリエーテル、エポキシ樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等を挙げることが出来るが、これらの樹脂に限定されるものではなく、ガラス代替となるような高硬度、高透明性を有する樹脂、チオウレタン系等の熱硬化樹脂、「ＡＲＴＯＮ」（商品名、日本合成ゴム（株）製）、「ＺＥＯＮＥＸ」（商品名、日本ゼオン（株）製）、「ＯＰＴＯＲＥＺ」（商品名、日立化成（株）製）、「Ｏ−ＰＥＴ」（商品名、カネボウ（株）製）等の光学用樹脂を用いることも好ましい。
【００６０】
作製方法としては、用いるベース樹脂によって、加工温度、フィルム化条件等が多少異なるが、通常、(1)金属錯体化合物を、ベース樹脂の粉体或いはペレットに添加し、１５０〜３５０℃に加熱、溶解させた後、成形して樹脂板を作製する方法、(2)押し出し機によりフィルム化する方法、(3)押し出し機により原反を作製し、３０〜１２０℃で２〜５倍に、１軸乃至は２軸に延伸して１０〜２００μｍ厚のフィルムにする方法、等が挙げられる。なお、混練する際に、紫外線吸収剤、可塑剤等の通常の樹脂成型に用いる添加剤を加えてもよい。金属錯体化合物の添加量は、作製する樹脂の厚み、目的の吸収強度、目的の可視光透過率等によって異なるが、通常、１ｐｐｍ〜２０％である。また、金属錯体化合物とメタクリル酸メチル等の塊状重合によるキャスティング法を用いた樹脂板、樹脂フィルムを作製することもできる。
【００６１】
塗料化してコーティングする（２）の方法としては、本願発明の金属錯体化合物をバインダー樹脂及び有機系溶媒に溶解させて塗料化する方法、金属錯体化合物を数μｍ以下に微粒化してアクリルエマルジョン中に分散して水系塗料とする方法、等がある。前者の方法では、通常、脂肪族エステル系樹脂、アクリル系樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、芳香族エステル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、脂肪族ポリオレフィン樹脂、芳香族ポリオレフィン樹脂、ポリビニル系樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニル系変成樹脂（ＰＶＢ、ＥＶＡ等）或いはそれらの共重合樹脂をバインダー樹脂として用いる。更に「ＡＲＴＯＮ」（商品名、日本合成ゴム（株）製）、「ＺＥＯＮＥＸ」（商品名、日本ゼオン（株）製）、「ＯＰＴＯＲＥＺ」（商品名、日立化成（株）製）、「Ｏ−ＰＥＴ」（商品名、カネボウ（株）製）等の光学用樹脂を用いることもできる。
【００６２】
溶媒としては、ハロゲン系、アルコール系、ケトン系、エステル系、脂肪族炭化水素系、芳香族炭化水素系、エーテル系溶媒、あるいはそれらの混合物系等を用いる。
【００６３】
金属錯体化合物の濃度は、コーティングの厚み、目的の吸収強度、目的の可視光透過率等によって異なるが、バインダー樹脂の重量に対して、通常、０．１〜３０％である。
【００６４】
また、バインダー樹脂濃度は、塗料全体に対して、通常、１〜５０％である。アクリルエマルジョン系水系塗料の場合も同様に、未着色のアクリルエマルジョン塗料に金属錯体化合物を微粉砕（５０〜５００ｎｍ）したものを分散させて得られる。塗料中には、紫外線吸収剤、酸化防止剤等の通常塗料に用いるような添加物を加えてもよい。
【００６５】
上記の方法で作製した塗料は、透明樹脂フィルム、透明樹脂、透明ガラス等の上にバーコーダー、ブレードコーター、スピンコーター、リバースコーター、ダイコーター、或いはスプレー等でコーティングして、本発明のプラズマディスプレー用フィルターを作製する。
【００６６】
コーティング面を保護するために保護層を設けたり、透明樹脂板、透明樹脂フィルム等をコーティング面に貼り合わせることもできる。また、キャストフィルムも本方法に含まれる。
【００６７】
金属錯体化合物を接着剤に含有させて、合わせ樹脂板、合わせ樹脂フィルム、合わせガラス等を作製する（３）の方法においては、接着剤として、一般的なシリコン系、ウレタン系、アクリル系等の樹脂用、或いは合わせガラス用のポリビニルブチラール接着剤（ＰＶＢ）、エチレン−酢酸ビニル系接着剤（ＥＶＡ）等の合わせガラス用の公知の透明接着剤が使用できる。
【００６８】
金属錯体化合物を０．１〜３０％添加した接着剤を用いて透明な樹脂板同士、樹脂板と樹脂フィルム、樹脂板とガラス、樹脂フィルム同士、樹脂フィルムとガラス、ガラス同士を接着してフィルターを作製する。また、熱圧着する方法もある。更に上記の方法で作製したフィルムあるいは板を、必要に応じて、ガラス板や、樹脂板上に貼り付けることもできる。フィルターの厚みは作製するプラズマディスプレーの仕様によって異なるが、通常０．１〜１０ｍｍ程度である。また、フィルターの耐光性を上げるためにＵＶ吸収剤を含有した透明フィルム（ＵＶカットフィルム）を外側にはりつけることもできる。
【００６９】
プラズマディスプレー用の誤動作防止フィルターとして、ディスプレーからでる近赤外線光をカットするためにディスプレーの前面に設置するため、可視光線の透過率が低いと、画像の鮮明さが低下するため、フィルターの可視光線の透過率は高い程良く、少なくとも４０％以上、好ましくは５０％以上必要である。
【００７０】
また、近赤外線光のカット領域は、リモコンや伝送系光通信に使用されている８００〜９００ｎｍ、好ましくは、８００〜１０００ｎｍであり、その領域の平均光線透過率が２０％以下、好ましくは１０％以下になるように設計する。このために必要で有れば、上記の一般式（１）及び／または（２）で表される金属錯体化合物を２種類以上組み合わせることもできる。
【００７１】
また、フィルターの色調を変えるために、可視領域に吸収を持つ他の色素を加えることも好ましい。また、調色用色素のみを含有するフィルターを作製し、後で貼り合わせることもできる。特に、スパッタリング等の電磁波カット層を設けた場合、元のフィルター色に比べて色合いが大きく異なる場合があるため、調色は重要である。
【００７２】
上記の方法で得たフィルターを更に実用的にするためには、プラズマディスプレーから出る電磁波を遮断する電磁波カット層、反射防止（ＡＲ）層、ノングレア（ＡＧ）層を設けることもできる。それらの作製方法は特に制限を受けない。例えば、電磁波カット層は、金属酸化物等のスパッタリング方法等が利用できるが、通常はＳｎを添加したＩｎ2Ｏ3（ＩＴＯ）が一般的であるが、誘電体層と金属層を基材上に交互にスパッタリング等で積層させることで、近赤外線、遠赤外線から電磁波まで１０００ｎｍ以上の光をカットすることもできる。誘電体層としては酸化インジウム、酸化亜鉛等の透明な金属酸化物等であり、金属層としては銀あるいは銀−パラジウム合金が一般的であり、通常、誘電体層よりはじまり３層、５層、７層あるいは１１層程度積層する。この場合、ディスプレーより出る熱も同時にカットできる。基材としては、金属錯体化合物を含有するフィルターをそのまま利用しても良いし、樹脂フィルムあるいはガラス上にスパッタリングした後に金属錯体化合物を含有するフィルターと貼り合わせても良い。また、電磁波カットを実際に行う場合はアース用の電極を設置する必要がある。
【００７３】
反射防止層は、表面の反射を抑えてフィルターの透過率を向上させるために、金属酸化物、フッ化物、ケイ化物、ホウ化物、炭化物、窒化物、硫化物等の無機物を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法等で単層あるいは多層に積層させる方法、アクリル樹脂、フッ素樹脂等の屈折率の異なる樹脂を単層あるいは多層に積層させる方法等がある。また、反射防止処理を施したフィルムを該フィルター上に貼り付けることもできる。
【００７４】
また必要であればノングレアー（ＡＧ）層を設けることもできる。ノングレアー（ＡＧ）層は、フィルターの視野角を広げる目的で、透過光を散乱させるために、シリカ、メラミン、アクリル等の微粉体をインキ化して、表面にコーティングする方法等を用いることができる。インキの硬化は熱硬化あるいは光硬化等を用いることができる。また、ノングレア処理をしたフィルムを該フィルター上に貼り付けることもできる。
【００７５】
更に必要で有ればハードコート層を設けることもできる。
【００７６】
プラズマディスプレー用のフィルターの構成は必要に応じて変えることができる。通常、近赤外線吸収化合物を含有するフィルター上に反射防止層を設けたり、更に必要であれば、反射防止層の反対側にノングレア層を設ける。また、電磁波カット層を組み合わせる場合は、近赤外線吸収化合物を含有するフィルターを基材として、その上に電磁波カット層を設けるか、あるいは近赤外線吸収化合物を含有するフィルターと電磁波カット能を有するフィルターを貼り合わせて作製できる。その場合、更に、両面に反射防止層を作製するか、必要であれば、片面に反射防止層を作製し、反対の面にノングレア層を作製することもできる。また、色補正するために、可視領域に吸収を有する色素を加える場合は、その方法については制限をうけない。
【００７７】
本発明のプラズマディスプレー用フィルターは、可視光線透過率が高いため、ディスプレーの鮮明度が損なわれず、ディスプレーからでる８００〜１０００ｎｍ付近の近赤外線光を効率よくカットするため、周辺電子機器のリモコン、伝送系光通信等が使用する波長に悪影響を与えず、それらの誤動作を防ぐことができる。
【実施例】
【００７８】
以下、本発明を実施例により、更に詳細に説明する。本発明はこれによりなんら制限されるものではない。
【００７９】
実施例１
下記式（３）で示される金属錯体化合物１．５ｇおよびポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）〔「デルペット８０Ｎ」、旭化成工業（株）製、商品名〕１０ｋｇを２８０℃で溶融混練して、押し出し成型機を用いて、厚み２ｍｍのフィルターを作製した。該フィルターについて、（株）島津製作所製分光光度計ＵＶ−３１００にて透過率を測定した。可視光線透過率（Ｔｖ）は８３．５％（ＪＩＳ−Ｒ−３１０６に従って計算した）、８００〜９００ｎｍの平均光線透過率は４．１％であった。
【００８０】
【化３】
2005037932.tif 000004
【００８１】
実施例２
実施例１において、式（３）の金属錯体化合物の代わりに、下記式（４）で表される金属錯体化合物５．５ｇを用いた以外は、実施例１とまったく同様にしてフィルターを作製した。
【００８２】
このフィルターについて、同様に透過率を測定したところ、Ｔｖ＝８２．５％、８００〜９００ｎｍの平均光線透過率は３．９％であった。
【００８３】
【化４】
2005037932.tif 000005
【００８４】
実施例３
実施例１において、式（３）の金属錯体化合物の代わりに、式（３）の化合物１．０ｇと下記式（５）の金属錯体化合物１．３ｇの混合物を用いた以外は、実施例１と同様にしてフィルターを作製した。
【００８５】
このフィルターについて、同様に透過率を測定したところ、Ｔｖ＝６９．５％、８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率は２．７％であった。
【００８６】
【化５】
2005037932.tif 000006
【００８７】
該フィルターをプラズマディスプレーの画面に設置して、リモコンを使用する電子機器をディスプレーから３ｍ離して誤動作を確認したところ、フィルターがない場合は誤動作を起こしたが、フィルターを設置した場合は誤動作が起こらなかった。
【００８８】
実施例４
実施例１において、式（３）の金属錯体化合物の代わりに、式（５）の化合物１．８ｇと下記式（６）の金属錯体化合物１．５ｇとを用いた以外は、実施例１と同様にしてフィルターを作製した。
【００８９】
このフィルターについて、同様に透過率を測定したところ、Ｔｖ＝６３．４％、８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率は１．７％であった。
【００９０】
【化６】
2005037932.tif 000007
【００９１】
実施例３と同様に誤動作試験を行ったところ該フィルターを設置した場合誤動作は起こらなかった。
【００９２】
実施例５
実施例１において、式（３）の金属錯体化合物の代わりに、式（３）の化合物１．５ｇと下記式（７）の金属錯体化合物２．２ｇとを用いた以外は、実施例１と同様にしてフィルターを作製した。
【００９３】
このフィルターについて、同様に透過率を測定したところ、Ｔｖ＝５４．９％、８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率は１．５％であった。
【００９４】
【化７】
2005037932.tif 000008
【００９５】
実施例３と同様に誤動作試験を行ったところ該フィルターを設置した場合誤動作は起こらなかった。
【００９６】
実施例６
前記式（３）の金属錯体化合物８０．０ｇと式（５）の金属錯体化合物１０４．０ｇとを、ポリエチレンテレフタレートペレット１２０３〔ユニチカ（株）製〕１０ｋｇと混合し、２６０〜２８０℃で溶融させ、押し出し機で厚み１００μｍのフィルムを作製した。その後、このフィルムを２軸延伸して、厚み２５μｍのフィルターを作製した。このフィルムについて、実施例１と同様に透過率を測定したところ、Ｔｖ＝６８．７％、８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率は２．９％であった。
【００９７】
実施例３と同様に誤動作試験を行ったところ該フィルターを設置した場合誤動作は起こらなかった。
【００９８】
実施例７
実施例５において式（７）の金属錯体化合物の代わりに下記式（８）の金属錯体化合物を用いた以外は実施例５と同様にしてフィルターを作製した。このフィルターについて同様に透過率を測定したところ、Ｔｖ＝６０．５％、８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率は１．９％であった。
【００９９】
【化８】
2005037932.tif 000009
【０１００】
実施例３と同様に誤動作試験を行ったところ該フィルターを設置した場合誤動作は起こらなかった。
【０１０１】
実施例８
実施例６で作製したポリエチレンテレフタレートフィルターの片面に、ターゲットにインジウムを、スパッタガスにアルゴン・酸素混合ガス（全圧２６６ｍＰａ：酸素分圧８０ｍＰａ）を用いて酸化インジウム薄膜を、ターゲットに銀を、スパッタガスにアルゴンガス（全圧２６６ｍＰａ）を用いて銀薄膜を、マグネトロンＤＣスパッタリング法により、酸化インジウム薄膜４０ｎｍ、銀薄膜１０ｎｍ、酸化インジウム薄膜７０ｎｍ、銀薄膜１０ｎｍ、酸化インジウム薄膜７０ｎｍ、銀薄膜１０ｎｍ、酸化インジウム薄膜７０ｎｍ、銀薄膜１０ｎｍ、酸化インジウム薄膜３０ｎｍの順に積層し、電磁波カット層を作製した。更に、該フィルター（４７２ｍｍ  ×  ３５０ｍｍ）の薄膜形成面に銀ペースト（三井化学（株）製）をスクリーン印刷し、乾燥させて厚さ２０ミクロン、幅１０mmの金属電極を形成した。
【０１０２】
更に片面にノングレア層を有する厚さ２ｍｍのＰＭＭＡ板（三菱レーヨン（株）製アクリルフィルターＭＲ−ＮＧ）のノングレア層の形成されていない面と上記フィルターの導電面側とを張り合わせて、ディスプレー用フィルターを作製した。
【０１０３】
実施例３と同様に誤動作試験を行ったところ該フィルターを設置した場合誤動作は起こらなかった。
【０１０４】
実施例９
金属錯体化合物に加えて、赤色系色素（三井東圧染料（株）製、「ＰＳバイオレットＲＣ」）８ｇを添加して調色した以外は実施例６と全く同様にして厚さ２５μｍのフィルターを作製した。そのフィルム上に実施例８と同様の電磁波カット層および電極を形成した後、厚さ３ミリの強化ガラス板に張り付けた。更にその両側に、反射防止フィルム（日本油脂（株）製、「リアルックフィルム」）を貼り付けてニュートラル色のプラズマディスプレー用フィルターを作製した。実施例３と同様に誤動作試験を行ったところ該フィルターを設置した場合誤動作は起こらなかった。