(57)【要約】【課題】  多数の素子を作成することが容易で、反射面を効率よく利用できる、常温で動作可能な光の全反射条件制御素子を提供する。【解決手段】  光の全反射条件制御素子２０は、主表面を有する透光性の基体３２と、主表面上に形成されたエラストマーからなる第１の膜体３４と、第１の膜体３４上に一様に散布された磁性体の粒子により形成された磁性体層３６と、磁性体層３６上に形成されたエラストマーからなる第２の膜体３８と、第２の膜体３８上から圧着された格子体４０とを含む。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する透光性の基体と、
前記主表面上に形成されたエラストマーからなる第１の膜体と、
前記第１の膜体上に一様に散布された磁性体の粒子により形成された磁性体層と、
前記磁性体層上に形成されたエラストマーからなる第２の膜体と、
前記第２の膜体上から圧着された格子体とを含む、光の全反射条件制御素子。
【請求項２】
前記格子体は、互いにしきり板によって隔てられて形成される複数のセルを有する、請求項１に記載の光の全反射条件制御素子。
【請求項３】
前記複数のセルは、互いに同じ平面形状を有する、請求項２に記載の光の全反射条件制御素子。
【請求項４】
前記複数のセルの平面形状は正方形である、請求項３に記載の光の全反射条件制御素子。
【請求項５】
前記しきり板の、前記第２の膜体に接する単面は曲線により形成されている、請求項２に記載の光の全反射条件制御素子。
【請求項６】
前記複数のセルの各々に対応して、前記格子体の上部に配置される複数個の電磁石をさらに含む、請求項２に記載の光の全反射条件制御素子。
【請求項７】
前記磁性体は、鉄、ニッケル、コバルト、及びフェライトからなる群から選択される、請求項１に記載の光の全反射条件制御素子。
【請求項８】
前記磁性粉は粒状である、請求項２に記載の光の全反射条件制御素子。
【請求項９】
前記磁性粉の粒径は、前記セルの最大径の１／１０以下になるように選ばれている、請求項８に記載の光の全反射条件制御素子。
【請求項１０】
前記基体の前記主表面と、前記第１の膜体との間に封入された予め定められた液体からなる液体層をさらに含む、請求項１に記載の光の全反射制御素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は光を媒体として用いる光学通信システムに関し、特に、コーナキューブプリズムに代表される再帰的反射装置を用いた光空間通信システムに使用される光変調装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、無線電波を用いた通信が広く使用される様になっている。しかし、電波は限りのある資源であり、電波資源を多くの無線通信装置に適切に配分して運用する必要がある。そのために、電波を用いた通信に対してはさまざまな法律が適用される。
【０００３】
一方で、携帯電話の普及が進み、また持ち運び可能なノートブック型のみならず、デスクトップ型のコンピュータでも無線を用いた通信が普及しつつある。電波により搬送されるデータの量もますます増大している。様々な制約のある電波を継続して用いた場合、その運用に遠からず障害が生ずるおそれがある。
【０００４】
そのために、制約を受ける電波を用いた通信に代えて、法律上の制約を受けず、通信資源としてもよりゆるやかな制限しかない、光を用いた通信システムに関する研究が行なわれている。この様な光通信システムのなかでも、多くの情報を一度に搬送可能な通信システムの一例が後掲の特許文献１に開示されている。
【０００５】
特許文献１に開示されている通信システムは、レーザを利用した双方向空間光通信システムであって、一方にはレーザ発振器を、他方にはコーナキューブを設ける。レーザ発振器から出射されるレーザ光を外部信号により変調する事によって受光側では受光したレーザ光から信号を復調する事ができる。
【０００６】
この入射した光をコーナキューブはレーザ発振器側に反射する。この際コーナキューブの特性として、ある方向から入射した光は同一方向に反射する。従って反射光は必ずレーザ発振器のごく近傍に達する。コーナキューブの１面に、このコーナキューブ面の反射を全反射とするか、無反射とするかによって反射光を変調するための変調器を設ける。この変調器を外部信号で駆動する事により反射光上に情報を載せる事ができる。レーザ発振器側ではこの反射光を受光する受光センサを設け、この受光センサの出力から、コーナキューブ側から送信されてくる信号を復調する事ができる。
【０００７】
この際、変調器として、コーナキューブの一面に設けた、数多くの画素からなる、全反射条件を制御可能な光反射部を用いる。これら画素の各々は、コーナキューブの反射面を形成する透明なガラスの裏面に設けられ、このガラスの全反射面（裏面）における全反射を制御する素子を含む。特許文献１では、これらの素子として、デジタルマイクロミラーデバイス、平坦な透明カプセル内に封入され、全反射面と平行な面内を磁力により移動する磁性流体、又は光を受けると体積の変化する物質を用い、それらの位置を変化させる事により全反射面における全反射条件を制御するものが提案されている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２９８４２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
デジタルマイクロミラーデバイスを用いる場合、多数のデバイスをガラスの裏面と密着する様に、同一平面上に高精度で形成しなければならない。特にデバイス数が多数になると、その製造が困難となる。そのため、多数のデバイスを容易に作成できる技術が臨まれている。
【００１０】
特許文献１に記載されている磁性流体を用いると、反射面の面積の半分しか使用する事ができない。そのため、反射面をより効率よく利用する技術が望まれている。
【００１１】
また、光を受けると体積の変化する物質を用いる場合、その作動温度が問題となる。特に、そうした性質を持つ既知の物質は、光を受けて発熱するため、現時点では常温での動作は困難である。
【００１２】
それ故に本発明の目的は、多数の素子を作成する事が容易で、反射面を効率よく利用できる光の全反射条件制御素子を提供する事である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る光の全反射条件制御素子は、主表面を有する透光性の基体と、主表面上に形成されたエラストマーからなる第１の膜体と、第１の膜体上に一様に散布された磁性体の粒子により形成された磁性体層と、磁性体層上に形成されたエラストマーからなる第２の膜体と、第２の膜体上から圧着された格子体とを含む。
【００１４】
通常は、この光の全反射条件制御素子に入射する光は、第１の膜体の存在により、基体の表面で全反射されない。しかしこの素子の格子体の上方に磁石を配置すると、磁性体層に働く磁力により、第１の膜体、磁性体層、及び第２の膜体は一体となって基体表面から離間する方向に移動する。その結果、基体の表面と第１の膜体との間に間隙が形成され、光の全反射条件制御素子に入射する光は、基体の表面で全反射される。従って、例えば電磁石などを用いて信号により電磁石の磁力を制御する事により、光素子の全反射条件を制御する事が可能になる。またこの素子では、動作による発熱は少なく、発熱による影響を少なく抑える事ができる。
【００１５】
好ましくは、格子体は、互いにしきり板によって隔てられて形成される複数のセルを有する。
【００１６】
複数のセルにおいて光素子の全反射条件を独立に制御できる。そのため、二次元的に配置された多数のセルを用いて並列的に光を用いた情報伝達が可能になる。
【００１７】
さらに好ましくは、複数のセルは、互いに同じ平面形状、例えば正方形の形状を有する。
【００１８】
セルの平面形状を互いに同じものにする事により、光の全反射条件制御素子の製造が容易になる。また、各セルにおける光の反射量が等しくなり、反射光に対する信号処理が簡単になる。
【００１９】
しきり板の、第２の膜体に接する端面は曲線により形成されていてもよい。
【００２０】
しきり板を第２の膜体に圧着する際に、しきり板の端面を曲線により形成する事により、第２の膜体等を破壊するおそれは小さくなる。
【００２１】
好ましくは、光の全反射条件制御素子は、複数のセルの各々に対応して、格子体の上部に配置される複数個の電磁石を含む。
【００２２】
電磁石により、個々のセルにおける光の全反射条件を制御でき、二次元的に配列された多数のセルにより、並列的に光通信を行なう事ができる。
【００２３】
より好ましくは、磁性体は、鉄、ニッケル、コバルト、及びフェライトからなる群から選択される。磁性粉は粒状でもよく、磁性粉の粒径は、セルの最大径の１／１０以下になる様に選ばれていると好ましい。
【００２４】
磁性粉の粒径をセルの最大径の１／１０以下とする事により、各セル内に属する磁性粉の数のばらつきを小さくする事ができる。そのため、セルの全反射制御機能を一様にする事ができる。
【００２５】
光の全反射制御素子は、基体の主表面と、第１の膜体との間に封入された予め定められた液体からなる液体層をさらに含んでもよい。
【００２６】
磁性体層を構成する磁性体の粒子の大きさにばらつきがある場合、そのために第１の膜体下面に凹凸が生し、その結果形成される空間のため、光の全反射制御特性が低下する可能性がある。しかし、基体の主表面と第１の膜体との間に液体を封入しておく事で、その空間内に液体が進入し、その部分で光が反射してしまう事が防止できる。磁力がかけられると、この液体層は第１の膜体の下面に付着して上方に移動するので、その部分で光の全反射を行なう事ができる。その結果、光の全反射特性を良好にする事ができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る光の全反射条件制御素子により、例えば電磁石などを用いて信号により電磁石の磁力を制御する事により、光素子の全反射条件を制御する事が可能になる。複数のセルにおいて光素子の全反射条件を独立に制御できるので、二次元的に配置された多数のセルを用いて並列的に光を用いた情報伝達が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の一実施の形態に係る光の全反射条件制御素子の構成について説明する。なお以下の説明で述べる「格子」は、各々互いに平行な直線からなる二つの直線群が交差する事により形成されるものだけでなく、曲線群又は折れ線群が互いに交差する事により形成されるものも含む。
【００２９】
図１は、本発明の一実施の形態に係る光の全反射条件制御素子の全体構造を示す、光の全反射条件制御素子２０の裏面を示す分解斜視図である。図１を参照して、光の全反射条件制御素子２０は、平坦な表面４８を有する透明ガラス３２と、表面４８の上に形成された、ポリ塩化ビニールからなる下層膜３４と、下層膜３４の表面上に一様に散布された磁性粉からなる磁性粉層３６と、磁性粉層３６の上に形成された、同じくポリ塩化ビニールからなる上層膜３８と、上層膜３８の上から、上層膜３８に向かって圧着された、多数のセルを有する格子体４０とを含む。
【００３０】
透明ガラス３２はプリズム本体をなすものであり、光の透過率の高い物質を用いる。
【００３１】
下層膜３４及び上層膜３８としては、磁性粉３６が一様に吸着可能な表面を持つ物質を用いる。特に、後述する様に下層膜３４及び上層膜３８としては弾力のある物質が好ましい。本実施の形態では、そうした性質を持つものとしてエラストマーを用いる事とし、その中でもエラストマーの性質を示すポリ塩化ビニールを用いている。下層膜３４及び上層膜３８は、透明ガラス３２の全反射を制御するという機能を実現する関係上、透明ガラス３２の密度より高い密度を持つ必要がある。
【００３２】
格子体４０は、磁性を帯びない、ある程度の剛性を持つものであればよい。格子体４０のしきり板によって多数のセルが形成される。本実施の形態ではこれらセルの平面形状は互いに等しく、正方形である。各セルによって一つの画素が形成される。従って、単位面積あたりの画素数を多くしようとする場合には、格子体４０は微細加工が可能な物質で作成する事が望ましい。典型的には格子体４０は、金属又は半導体をエッチングする事により形成する。
【００３３】
図２〜図６は、この光の全反射条件制御素子２０の製造工程を示す断面図である。図２を参照して、まず平坦な表面４８を有する透明ガラス３２を準備する。
【００３４】
図３を参照して、平坦な表面４８上に、下層膜３４を形成する。さらに図４を参照して、下層膜３４の表面に磁性粉を一様に付着させる事により磁性粉層３６を形成する。
【００３５】
磁性粉層３６が形成されたら、図５に示す様にさらにその上に上層膜３８を形成する。そしてその上から、図６に示す様に予め作成されていた格子体４０を透明ガラス３２の表面に向けて圧着する。そのため、格子体４０を形成する各しきり板４２の下部端面は、図７に示す様に丸みを帯びる様に曲線で形成すると、上層膜３８を破損するおそれがなく好ましい。
【００３６】
この様にして、光反射のための素子が透明ガラス３２の平坦な表面４８上の大部分の領域に形成される。そのうちの一つを拡大して断面図として示したのが図７及び図８である。以下、図７及び図８を参照して、いかにしてこの素子が透明ガラス３２の表面における光の全反射を制御するかについて説明する。
【００３７】
図７を参照して、通常は、この装置について上記した説明から明らかな様に、下層膜３４、磁性粉層３６及び上層膜３８からなる３層構造は、透明ガラス３２の表面４８に密着している。下層膜３４の密度は前述した通り透明ガラス３２の密度より高い。従って、下方からこの透明ガラス３２に入射した光は、図７の光５０で示す様に透明ガラス３２の表面４８では反射されない。
【００３８】
一方、図８に示す様に、この素子の格子内部に、磁石６０を配置した場合を考える。この場合、磁性粉層３６を構成する磁性粉は磁石６０のほうに引き寄せられ、格子体４０の表面から離れる方向に移動しようとする。下層膜３４及び上層膜３８はいずれもエラストマーであるから、この磁性粉とともに磁石６０の方向に、すなわち格子体４０の表面から離れる方向に移動する。その結果、透明ガラス３２の表面４８と下層膜３４の下面との間には間隙６２が形成される。
【００３９】
このような間隙６２が形成されると、下方から透明ガラス３２に入射した光５０は、表面４８で反射される。これを反射光５２で示す。すなわち、各素子に対応する部分に磁石をおくと、その部分に入射した光は反射する。
【００４０】
この素子の上記した性質を利用して、格子の各仕切りごとにその反射・無反射を電気信号により制御できる。すなわち、格子体４０の各仕切りの上部に小さな電磁石を用意しておき、反射光を変調するための電気信号でこの電磁石を駆動すればよい。電磁石が磁力を発生するとその格子では光は反射される。電磁石が磁力を発生しなければそのセルでは光は反射されない。
【００４１】
その結果、図９に示す様に、光の全反射条件制御素子２０を構成する格子の各仕切りごとに、光を反射させるか否かを制御する事が可能になる。
【００４２】
磁性体としては、特に鉄、ニッケル、コバルト、又はフェライトが好ましい。それらの形状は粒状である事が望ましく、粒径は互いにほぼ等しい事が望ましい。また、各セル内に含まれる磁性体粉の数ができるだけ一様になる様に、磁性体の粒径はセルの最大径よりもかなり小さい事が望ましい。たとえばセルの最大径の１／１０以下、好ましくは１／２０以下であるとよい。
【００４３】
なお、この様に電磁石を使用する関係上、しきり板としては磁性体でない材料を用いる事が望ましい。磁力によりしきり板が変形したり，破損したりする事を防止するためである。もちろん、破損の可能性がなければ磁性体でしきり板を作成してもよい。
【００４４】
図１０に、この光の全反射条件制御素子を利用した光通信システム１００のブロック図を示す。図１０を参照して、光通信システム１００は、情報送信装置１１０及び情報受信装置１１２を含む。
【００４５】
情報送信装置１１０は、多数の信号源からの信号１５０を集めるための集積装置１４６と、多数の上記した光の全反射条件制御素子を含む変調装置１４２と、集積装置１４６により集積された各信号をそれぞれ独立に変調装置１４２の各光の全反射条件制御素子の電磁石と接続するための接続線１４４と、変調装置１４２を駆動するためのドライバ装置１４８と、変調装置１４２がその反射面の１つの裏面に配置されたコーナキューブプリズム１４０とを含む。
【００４６】
情報受信装置１１２は、光源１２０及び光源１２０により射出される光束の光路に配置されたハーフミラー１２２と、ハーフミラー１２２により分岐された光束を受光する位置に配置されたＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ‐Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）１２４と、ＣＣＤ１２４からの、各光電変換素子の出力をパラレルに受けて増幅し、デジタル信号１２８に変換して分岐して出力するための分岐回路１２６とを含む。
【００４７】
この光通信システム１００は次の様に動作する。情報受信装置１１２の光源１２０から射出された光は、情報送信装置１１０のコーナキューブプリズム１４０に入射する。この光は、通常はコーナキューブプリズム１４０の３面で反射されてまっすぐに光源１２０の方向に戻る。
【００４８】
情報送信装置１１０において、それぞれ別個の多数の信号源から集められた信号１５０は集積装置１４６により集積され接続線１４４によって変調装置１４２に与えられる。変調装置１４２の各素子は、ドライバ装置１４８の制御に従って、所定区間ごとに接続線１４４から各素子ごとに与えられる信号を取込み、対応する光の全反射条件制御素子の電磁石駆動回路に与える。各素子の電磁石はこれら信号の値に従ってその対応する格子内の下層膜３４、磁性粉層３６及び上層膜３８からなる３層構造の位置を変化させる。
【００４９】
つまり、与えられた信号がハイレベルであれば図８に示す様に下層膜３４、磁性粉層３６及び上層膜３８からなる３層構造は磁石６０側に引き寄せられる。その結果透明ガラス３２の表面４８と下層膜３４の下面との間に間隙６２が生じ、この部分で光は反射される。一方、与えられた信号がローレベルであれば図７に示す様に３層構造は透明ガラス３２の表面４８に密着する。その結果、その部分では光は反射されない。従って、コーナキューブプリズム１４０からハーフミラー１２２に向けて反射される光は、各チャンネルごとに変調装置１４２によって変調された信号を搬送する多チャンネルの光信号となっている。この場合、変調装置１４２の格子の仕切りごとに１チャンネルの信号が伝送される。
【００５０】
情報送信装置１１０のコーナキューブプリズム１４０で反射された光は、情報受信装置１１２のハーフミラー１２２でその光路が９０度曲げられ、ＣＣＤ１２４の受光面に入射する。ＣＣＤ１２４は入射光の強さに応じた電気信号を分岐回路１２６に与える。分岐回路１２６は、素子ごとにＣＣＤ１２４から与えられる電気信号の大きさに応じ、各素子ごとに情報送信装置１１０から与えられた信号を復元し、各信号１２８に分岐させる。
【００５１】
以上の様にして、情報送信装置１１０に与えられた多数の信号は、情報送信装置１１０及び光源１２０により空間を並列に伝送され、情報受信装置１１２の側で多数の装置に分岐して与えられる。
【００５２】
この実施の形態に係る光の全反射条件制御素子は、図２〜図６を参照して説明した通り、容易に製造する事ができる。素子の数が多くなっても製造工程の数は基本的に同じである。素子の数が多くなっても製造はそれほど困難にならない。またこの光の全反射条件制御素子では、反射面の大部分を利用して光の反射を制御する事ができる。さらに、磁石６０の動作及び下層膜３４、磁性粉層３６及び上層膜３８の動作による発熱量は少なく、発熱による精度の問題が生じるおそれは小さい。
【００５３】
この実施の形態の光通信システムでは、多数の信号源とコーナキューブプリズム上の光の全反射条件制御素子とを１対１の関係とする事により、光の全反射条件制御素子の数と同じ数だけの光通信チャンネルを設ける事ができる。その結果、非常にコンパクトに数多くのチャンネル信号を安定に送信する事ができるという効果を奏する。たとえば光の全反射条件制御素子の配列が１０００×１０００であれば提供されるチャンネル数は１０００×１０００＝１，０００，０００となり、光通信を用いた広帯域の通信を行なう事ができる。
【００５４】
なお、上に説明した実施の形態では、格子体の各セルの大きさ及び平面形状は互いに等しい。これにより、格子体の製造が容易で、従って光の全反射条件制御素子の製造も容易になる。また、セルの大きさ及び平面形状が互いに等しいので、各セルで反射される光の量も等しくなり、受光側で行なう信号処理が容易になる。
【００５５】
しかし本発明はそのようなものには限定されない。各セルの大きさを互いに異なる様にしてもよいし、平面形状も互いに異なる様にしてもよい。例えば平面形状として正方形だけでなく、長方形でもよいし、六角形等の一般的な多角形でもよい。また、相補的な形状を組合せた形の格子でもよい。
【００５６】
また、磁性粉の形状としては粒状のものに限らず、板状等、どのようなものでもよい。なお、磁性粉を構成する磁性体の大きさはできるだけ同程度のものである事が好ましいが、大きさが異なるものであってもよい。ただし、大きさが極端に異なるものを含む場合には、粒子の大きさの相違により、問題が生ずる可能性がある。その解決策を図１１に示す。図１１において、図７、図８に示すものと同一の部品には同一の参照符号を付してある。それらの名称及び機能も同一である。従ってここではそれらについての詳細な説明は繰返さない。
【００５７】
図１１に示す様に、一部に大きな粒子が含まれると、その部分で下層膜３４の下面が下にふくらんで凹凸ができ、その凸部の周囲では下層膜３４と透明ガラス３２の表面との間に空間ができてしまう可能性がある。そうした空間が形成されると、その大きさによっては、この素子に磁力をかけない場合であるにもかかわらず入射光５０がその部分で反射してしまう場合があるという問題が生ずる。
【００５８】
そこで、磁性体の大きさにばらつきがある場合には、透明ガラス３２の表面４８と下層膜３４との間に所定の液体を封入し、液体層２００を形成しておく事が望ましい。この液体としては、その凝集力が透明ガラス３２の表面４８への付着力よりも大きくなるものを用いる。この液体として水銀の様に凝集力（凝縮力）の大きなものがよい。
【００５９】
液体層２００の存在により、この素子に磁力がかけられていない場合、下層膜３４と透明ガラス３２との間に空間ができても、その部分には液体が存在する事になる。そのため、入射光５０がその部分で反射する事はない。一方、この素子に磁力がかけられると、図１２に示す様に、液体層２００を構成する液体の大部分は透明ガラス３２の表面４８から離れ、下層面３４の下面とともに上方に移動する。その結果、透明ガラス３２の表面４８と下層面３４との間になにもない空間が形成され、入射光５０はこの部分で反射する。これを図８と同様に反射光５２で示す。その結果、磁性粉を構成する粒子の大きさにばらつきがあっても良好な全反射制御特性を得る事ができる。
【００６０】
本実施の形態では、プリズムにガラスを使用した例を説明した。しかし、プリズムとしてはガラスに限らず、同様の性能を示すものであればどのようなものを用いる事もできる。たとえば樹脂製の再帰反射プリズムを用いてもよい。
【００６１】
今回開示された実施の形態は単に例示であって、本発明が上記した実施の形態のみに制限されるわけではない。本発明の範囲は、発明の詳細な説明の記載を参酌した上で、特許請求の範囲の各請求項によって示され、そこに記載された文言と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含む。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
この発明に係る光制御素子は、光を用いた多チャンネル通信を実現するのに適している。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る光の全反射条件制御素子の分解斜視図である。
【図２】図１に示す光の全反射条件制御素子の製造工程を示す断面図である。
【図３】図１に示す光の全反射条件制御素子の製造工程を示す断面図である。
【図４】図１に示す光の全反射条件制御素子の製造工程を示す断面図である。
【図５】図１に示す光の全反射条件制御素子の製造工程を示す断面図である。
【図６】図１に示す光の全反射条件制御素子の製造工程を示す断面図である。
【図７】図１に示す光の全反射条件制御素子の動作原理を示す断面図である。
【図８】図１に示す光の全反射条件制御素子の動作原理を示す断面図である。
【図９】図１に示す光の全反射条件制御素子のセル部分の平面図である。
【図１０】図１に示す光の全反射条件制御素子を利用した光通信システムのブロック図である。
【図１１】光の全反射条件制御素子の他の例の動作原理を示す断面図である。
【図１２】図１１に示す光の全反射条件制御素子の動作原理を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
２０  光の全反射条件制御素子、３２  透明ガラス、３４  下層膜、３６  磁性粉層、３８  上層膜、４０  格子体、４８  表面、５０  光、５２  反射光、１００  光通信システム、１１０  情報送信装置、１１２  情報受信装置、１２０  光源、１２２  ハーフミラー、１２４  ＣＣＤ、１２６  分岐回路、１４０  コーナキューブプリズム、１４２  変調装置、１４４  接続線、１４６  集積装置、１４８  ドライバ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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