(57)【要約】      （修正有） 【課題】チャープ量を制御可能な変調器の提供。【解決手段】光変調器１Ｃは、電気光学材料からなり、一方の主面と他方の主面とを備えている基板２、基板２に形成され、一方の分岐部５および他方の分岐部３を有する光導波路、および基板の一方の主面側に設けられた接地電極４Ａ、４Ｃおよび信号電極４Ｂを備えている。一方の分岐部５と他方の分岐部３とが接地電極４Ａ、４Ｃのエッジと信号電極４Ｂのエッジとの間に設けられている。マイクロ波電界を一方の分岐部５および他方の分岐部３の各電極相互作用部に印加し、一方および他方の分岐部３、５を伝搬する光を変調するのに際して、一方の分岐部および他方の分岐部において電界強度の電極相互作用長による各積分値が異なっており、所定のチャープ量を得る。【選択図】図３
2005091698.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学材料からなり、一方の主面と他方の主面とを備えている基板、この基板に形成され、一方の分岐部および他方の分岐部を有する光導波路、および前記基板の前記一方の主面側に設けられた接地電極および信号電極を備えており、前記一方の分岐部と前記他方の分岐部とが前記接地電極と前記信号電極との電極ギャップに設けられており、マイクロ波電界を前記一方の分岐部および前記他方の分岐部の各電極相互作用部に印加し、前記一方の分岐部および前記他方の分岐部を伝搬する光を変調するのに際して、前記一方の分岐部および前記他方の分岐部において電界強度の電極相互作用長による各積分値が異なっており、これによって所定のチャープ量を得ることを特徴とする、光変調器。
【請求項２】
前記一方の分岐部および前記他方の分岐部に対して相異なる強度のマイクロ波電界を印加することを特徴とする、請求項１記載の光変調器。
【請求項３】
複数の前記接地電極を有しており、前記信号電極と前記各接地電極との間の前記各電極ギャップの幅が互いに異なっていることを特徴とする、請求項２記載の光変調器。
【請求項４】
前記電極ギャップのうち相対的に幅の狭い電極ギャップにおいて、前記一方の分岐部が前記信号電極または前記接地電極のエッジ近傍に配置されていることを特徴とする、請求項３記載の光変調器。
【請求項５】
前記一方の分岐部と前記他方の分岐部の前記各電極相互作用長が互いに異なっていることを特徴とする、請求項１記載の光変調器。
【請求項６】
前記一方の分岐部の一部を前記信号電極または前記接地電極の直下に配置することによって、前記一方の分岐部の前記電極相互作用長を前記他方の分岐部の前記電極相互作用長よりも小さくすることを特徴とする、請求項５記載の光変調器。
【請求項７】
前記電極相互作用長部分における前記基板の厚さが３０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
【請求項８】
複数の前記接地電極を有しており、前記信号電極と一方の前記接地電極との間の電極ギャップ下における前記基板の厚さと、前記信号電極と他方の前記接地電極との間の前記電極ギャップにおける前記基板の厚さとが異なっていることを特徴とする、請求項１記載の光変調器。
【請求項９】
複数の前記接地電極を有しており、前記信号電極と一方の前記接地電極との間の電極ギャップ下において前記基板下に一方の低誘電率部が設けられており、前記信号電極と他方の前記接地電極との間の電極ギャップ下において前記基板下に他方の低誘電率部が設けられており、前記一方の低誘電率部の比誘電率と前記他方の低誘電率部の比誘電率とが異なっていることを特徴とする、請求項１記載の光変調器。
【請求項１０】
電気光学材料からなり、一方の主面と他方の主面とを備えている基板、この基板に形成され、一方の分岐部および他方の分岐部を有する光導波路、および前記基板の前記一方の主面側に設けられた接地電極および信号電極を備えており、前記一方の分岐部が前記接地電極と前記信号電極との間の電極ギャップに設けられており、前記他方の分岐部が前記接地電極下に設けられており、マイクロ波電界を前記一方の分岐部および前記他方の分岐部の各電極相互作用部に印加し、前記一方の分岐部および前記他方の分岐部を伝搬する光を変調することを特徴とする、光変調器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光変調器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
本出願人は、特許文献１、２において、進行波形光変調器の基板の光導波路の下に肉薄部分を設け、この肉薄部分の厚さを例えば１０μｍ以下に薄くすることを開示した。これによって、酸化珪素からなるバッファ層を形成することなしに高速光変調が可能であるし、駆動電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）を小さくできるので、有利である。
【特許文献１】特開平１０−１３３１５９号公報
【特許文献２】特開２００２−１６９１３３号公報
【発明の開示】
【０００３】
特許文献１、２に記載のような進行波形光変調器においては、例えばニオブ酸リチウム単結晶のＸ板上にＣＰＷ（コプレーナ型）電極およびマッハツェンダー型の光導波路を形成し、光導波路の各分岐部に対して同様の電界を印加すると共に電極相互作用長を等しくし、これによって０チャープ特性の光変調器を得る。
【０００４】
しかし、実際の光伝送システムにおいては、Ｘ板やＹ板を基板として用いた光変調器についても、所定のチャープ量をもたせることが有利な場合がある。しかし、電気光学結晶のＸ板やＹ板を基板として用いた光変調器について、このような所定のチャープ量をもたせることは、これまで検討されてこなかった。
【０００５】
本発明の課題は、電気光学材料からなり、一方の主面と他方の主面とを備えている基板、一方の分岐部および他方の分岐部を有する光導波路、および基板の一方の主面側に設けられた接地電極および信号電極を備えている光変調器において、チャープ量を適切な値に制御可能とする構成を提供することである。
【０００６】
本発明は、電気光学材料からなり、一方の主面と他方の主面とを備えている基板、この基板に形成され、一方の分岐部および他方の分岐部を有する光導波路、および基板の一方の主面側に設けられた接地電極および信号電極を備えており、一方の分岐部と他方の分岐部とが接地電極と信号電極との電極ギャップに設けられており、マイクロ波電界を一方の分岐部および他方の分岐部の各電極相互作用部に印加し、一方の分岐部および他方の分岐部を伝搬する光を変調するのに際して、一方の分岐部および他方の分岐部において電界強度の電極相互作用長による各積分値が異なっており、これによって所定のチャープ量を得ることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明は、電気光学材料からなり、一方の主面と他方の主面とを備えている基板、この基板に形成され、一方の分岐部および他方の分岐部を有する光導波路、および基板の一方の主面側に設けられた接地電極および信号電極を備えており、一方の分岐部が接地電極と信号電極との間の電極ギャップに設けられており、他方の分岐部が接地電極下に設けられており、マイクロ波電界を一方の分岐部および他方の分岐部の各電極相互作用部に印加し、一方の分岐部および他方の分岐部を伝搬する光を変調することを特徴とする、光変調器に係るものである。
【０００８】
以下、本発明について更に詳細に説明する。
最初にチャープ量について述べる。チャープ量は、「チャープパラメータα」とも呼ばれるものである。
光変調器の２つの分岐部（光導波路）ａとｂとで、それぞれ、電界強度Ｅｘ（ｚ）の電極相互作用長ｚによる各積分値Ａ１、Ａ２を算出する。  分岐部の電界強度の電極相互作用長とは、分岐部の各点ｚにおける電界強度Ｅｘ（ｚ）を、分岐部の全長Ｌにわたって積分して得られた値である。この積分値は以下のように与えられる。
【数１】
2005091698.tif 000003
【０００９】
たとえば特開平07-064031号公報によれば、チャープを表すパラメータαは以下の通りである。
【数２】
2005091698.tif 000004
【００１０】
ここで、ΔβLは、通常はπ/4もしくは-π/4であるから、cot(ΔβL)=1もしくは−１である。Δn1とΔn2は、それぞれ、導波路ａ，ｂでの屈折率変化を表す。この平均的な屈折率変化は
【数３】
2005091698.tif 000005
に比例する。従って下式が成り立つ。
【数４】
2005091698.tif 000006
【００１１】
従来のX-cut LN光変調器では、一般的に中心電極中央で対称構造であり。両アームで光導波路の相互作用長は同じとなっている。このため、A1＝−A2であった。従って、ｍ＝−１となり、チャープ量α＝０となっていた。このため、種々の光伝送系において光変調器に所定チャープ量が必要となる場合に対応できなかった。
本発明によれば、このようなタイプの光変調器において、一方の分岐部および他方の分岐部において電界強度の電極相互作用長による各積分値を異ならせ、これによって光変調器において所定のチャープ量が得られるように調整している。
【００１２】
好適な実施形態においては、一方の分岐部および他方の分岐部に対して、相異なる強度のマイクロ波電界を印加することによって、電界強度の電極相互作用長による各積分値を異ならせる。この具体的形態は限定されないが、好ましくは、複数の接地電極を設け、信号電極と各接地電極との間の各電極ギャップの幅を異ならせる。一方の電極ギャップの幅と他方の電極ギャップの幅とを異ならせると、各電極ギャップ下に配置されている各分岐部における電界強度も異なる。
【００１３】
図１は、この実施形態に係る光変調器１Ａを概略的に示す断面図である。光変調器１Ａは、例えば平板形状の基板２を備えている。基板２の一方の主面２ａ側に、光導波路の分岐部３、５が設けられており、また主面２ａ上に、例えばコプレーナ型の信号電極４Ｂおよび接地電極４Ａ、４Ｃが設けられている。分岐部３は電極ギャップ２０Ａ内に配置されており、分岐部５は電極ギャップ２０Ｂ内に配置されている。本例では、いわゆるコプレーナ型（Coplanar waveguide：ＣＰＷ電極) の電極配置を採用しているが、電極の配置形態は特に限定されない。本発明は、いわゆる非対称コプレーナストリップライン（Asymmetric coplanar strip line：Ａ−ＣＰＳ電極) 型の電極配置にも適用できる。
本例では、接地電極４Ａと中心電極４Ｂとの間、および中心電極４Ｂと接地電極４Ｃとの間に、それぞれ光導波路の分岐部３、５が形成されており、各分岐部分３、５に対して略水平方向に信号電圧を印加するようになっている。光導波路は、平面的に見るといわゆるマッハツェンダー型の光導波路を構成している。
【００１４】
このような設計とすると、相対的に幅が狭い電極ギャップ２０Ａにおいては、分岐部３に加わる電界強度Ｅｘが相対的に大きくなるので、電界強度の電極相互作用長による積分値も大きくなる。相対的に幅が広い電極ギャップ２０Ｂにおいては、分岐部５に加わる電界強度は相対的に小さくなる。この結果、光変調器１Ａのチャープ量を所望値に調整することが可能である。
【００１５】
２つの電極ギャップの幅を変更するという本実施形態（例えば図１、図２）では、光変調器のチャープ量を大きくするという観点からは、Ｇ１とＧ２との差は、3ミクロン以上であることが好ましく、20ミクロン以上であることが更に好ましい。Ｇ１は、全体のＶπＬを小さく抑えるためには、100ミクロン以下であることが好ましく、40ミクロン以下であることが更に好ましい。Ｇ１、Ｇ２は、信号電極と接地電極との導通を防止するためには1ミクロン以上であることが好ましく、3ミクロン以上であることが更に好ましい。
【００１６】
以下、検証のために、ＦＥＭを用いて準ＴＥＭ波解析を行った。Ｇ１は２０μｍに設定した。信号電極４Ｂの幅を３０μｍに設定し、基板２はニオブ酸リチウム単結晶とし、厚さＴｓｕｂは８μｍとした。電極膜厚Ｔｍは２６μｍとした。広い方の電極ギャップ２０Ｂの幅Ｇ２を、表１に示すように３０〜１００μｍで種々変更した。そして、インピーダンスＺｃ、全体のＶπＬ、分岐部３側のＶπＬ１、分岐部５側のＶπＬ２、およびチャープ量（α−ｐａｒａ）を算出した。この結果を表１に示す。
表１から分かるように、電極ギャップ２０Ｂの幅Ｇ２を変更することによって、光変調器のチャープ量αを幅広い範囲で適切に制御できることが分かる。
【００１７】
【表１】
2005091698.tif 000007
【００１８】
また、好適な実施形態においては、相対的に幅の狭い電極ギャップにおいて、一方の分岐部を信号電極または接地電極のエッジ近傍に配置する。例えば、図２に示す光変調器１Ｂの場合には、相対的に幅の狭い電極ギャップ２０Ａにおいて、分岐部３を信号電極４ＢのエッジＥまたは接地電極４ＡのエッジＥ近傍に配置する。幅の狭い電極ギャップ２０Ａ側の分岐部３に対しては、相対的に大きな電界が印加される。ここで、分岐部３ａを信号電極４ＢのエッジＥまたは接地電極４ＡのエッジＥ近傍に配置することによって、分岐部３ａに加わる電界強度を一層大きくすることができ、これによってチャープ量を一層大きい範囲で調整することができ、駆動電圧-電極長積VπLも下げることが可能となる。
この観点からは、分岐部３の中心線Ｓと信号電極または接地電極との間隔ｄ１は、20ミクロン以下とすることが好ましく、10ミクロン以下とすることが一層好ましい。
【００１９】
また、光変調器のチャープ量を一層大きくするためには、相対的に幅広い電極ギャップ２０Ｂにおいて、分岐部５と接地電極および信号電極との間隔をできるだけ大きくすることが好ましい。これによって、分岐部５に加わる電界強度を最小限とし、光変調器のチャープ量を大きくできるからである。この観点からは、分岐部５と接地電極または信号電極との間隔ｄ２（小さい方の値）は、10ミクロン以上であることが好ましく、20ミクロン以上であることが更に好ましい。
【００２０】
また、好適な実施形態においては、一方の分岐部と他方の分岐部の各電極相互作用長が異なっている。これによって、電界強度の電極相互作用長による各積分値を異ならせることができる。これは、電界強度が同程度とすると、電極相互作用長Ｌが大きければ、前記積分値も大きくなるからである。
この実施形態において更に好ましくは、一方の分岐部の一部を信号電極または接地電極の直下に配置することによって、一方の分岐部の電極相互作用長を他方の分岐部の電極相互作用長よりも小さくすることができる。
【００２１】
図３は、この実施形態に係る光変調器１Ｃを概略的に示す平面図である。光変調器１Ｃにおいては、基板２の上に、マッハツェンダー型の光導波路６、７、３、５が設けられている。他方の分岐部３は、信号電極４Ｂと接地電極４Ａとの電極ギャップ２０Ａ内に形成されており、その全長Ｌ（ほぼＬ１＋Ｌ２）にわたって一定の電界Ｅｘが印加されている。これに対して、一方の分岐部５の方は、電極ギャップ２０Ｂ内の部分５ａには、その全長にわたって略一定強度の電界が印加される。また傾斜部分５ｂにおいても電界が印加される。しかし、接地電極４Ｃ下の被覆部分においては紙面x方向電界が印加されない。この結果、長さＬ１にわたっては所定の電界が分岐部に印加されるが、長さＬ２にわたってほとんど電界が印加されず、前記積分値が小さくなる。例えば、チャープ量α＝０．６を実現するためには、前記積分値の比率は１：４程度とする必要がある。このためには、分岐部３と５との間で電極相互作用長の比率（Ｌ：Ｌ１）を１：４とする必要がある。
【００２２】
このように、分岐部３と５との間で電極相互作用長を異ならせた場合に、更に、電極ギャップの大きさを互いに異ならせたり、分岐部と電極エッジとの間隔を異ならせることによって、光変調器のチャープ量を一層広範囲にわたって制御可能となる。
【００２３】
また、他の好適な実施形態においては、複数の接地電極を設け、信号電極と一方の接地電極との間の電極ギャップ下における基板の厚さと、信号電極と他方の接地電極との間の電極ギャップにおける基板の厚さとを異ならせる。基板が厚い側の電極ギャップにおいて分岐部に印加される電界強度と、基板が薄い側の電極ギャップにおいて分岐部に印加される電界強度とは異なる。従って、両方の分岐部における前記積分値を異ならせることができる。
【００２４】
図４は、この実施形態に係る光変調器１Ｄを概略的に示す断面図である。図１に示したのと同じ構造部分および寸法については、同じ符号を付け、その説明を参照する。本例においては、基板１２が、相対的に厚さの大きい肉厚部分１２ｃと、厚さの小さい肉薄部分１２ｄとを備えている。１２ａ、１２ｂは主面である。電極ギャップ２０Ａは肉薄部分１２ｄ側に設けられており、電極ギャップ２０Ｂは肉厚部分１２ｃ側に設けられている。上述したように、分岐部３と５との間で前記積分値を異ならせるためには、肉薄部分１２ｄの厚さＴｓｕｂ１と肉厚部分１２ｃの厚さＴｓｕｂ２との差を、2ミクロン以上とすることが好ましく、20ミクロン以上とすることが更に好ましい。また、高速光変調という観点からは、Ｔｓｕｂ１は、20ミクロン以下であることが好ましい。
【００２５】
また、好適な実施形態においては、複数の接地電極を設け、信号電極と一方の接地電極との間の電極ギャップ下において基板下に一方の低誘電率部を設け、信号電極と他方の接地電極との間の電極ギャップ下において基板下に他方の低誘電率部を設ける。そして、一方の低誘電率部の比誘電率と他方の低誘電率部の比誘電率とを異ならせる。基板下の低誘電率部の比誘電率が互いに異なっていると、各分岐部に印加される電界強度も互いに異なる。従って、両方の分岐部における前記積分値を異ならせることができる。
【００２６】
図５は、この実施形態に係る光変調器１Ｅを概略的に示す断面図である。図１に示した構造部分および寸法と同じ構造部分および寸法については、同じ符号を付け、その説明を流用する。本例においては、基板２の下に一方の低誘電率部１０Ａと他方の低誘電率部１０Ｂとが設けられている。電極ギャップ２０Ａは低誘電率部１０Ａ側に設けられており、電極ギャップ２０Ｂは低誘電率部１０Ｂ側に設けられている。上述したように、分岐部３と５との間で前記積分値を異ならせるためには、低誘電率部１０Ａと低誘電率部１０Ｂとの比誘電率の比率を2倍以上とすることが好ましく、5倍以上とすることが更に好ましい。
【００２７】
また、他の発明に係る光変調器においては、一方の分岐部が接地電極と信号電極との間の電極ギャップに設けられており、他方の分岐部が接地電極下に設けられている。そして、マイクロ波電界を一方の分岐部および他方の分岐部の各電極相互作用部に印加し、一方の分岐部および他方の分岐部を伝搬する光を変調する。この際、一方の分岐部を電極ギャップ内に配置させることによって、チャープ量を適切に調整することができる。
【００２８】
また、従来のZ板光変調器において片側駆動を用いた場合、２つの分岐部に印加される電界強度が異なるために、典型的にはチャープ量（α−ｐａｒａ）が0.6〜0.7程度となっていた。しかし、適用される光通信システムによっては、より小さなαが好ましい場合もある。このため、適用されるシステムに適切なチャープ量へ調整できることが望ましい。
【００２９】
図６は、この実施形態に係る光変調器１１を概略的に示す断面図である。基板１３の主面１３ａ側には、マッハツェンダー型光導波路の一方の分岐部１４および他方の分岐部１５が形成されている。１３ｂは基板１３の底面である。分岐部１５は信号電極１７Ｂの下にバッファ層１６を介して設けられている。信号電極１７Ａと接地電極１７Ｂとの間には電極ギャップ２５が設けられている。分岐部１４は電極ギャップ２５に出ており、分岐部１４の中心線Ｓは信号電極１７ＡのエッジＥからｔだけ離れて外側に設けられている。分岐部１４と信号電極１７Ａとの間はバッファ層１６によって分離されている。
【００３０】
ここで、分岐部１４の中心線Ｓと信号電極１７ＡのエッジＥとの間隔ｔを変更することによって、分岐部１４へと加わる電界強度を変更することができ、これによって光変調器１１のチャープ量を変更できる。ｔを小さくすると、分岐部１４に加わる電界強度を大きくでき、ｔを大きくすると、分岐部１４に加わる電界強度を小さくできる。分岐部１４において効率的な光変調を行うためには、ｔは20ミクロン以下であることが好ましく、10ミクロン以下であることが更に好ましい。また、チャープ量を小さくするという観点からは、ｔは0.5ミクロン以上であることが好ましく、1ミクロン以上であることが更に好ましい。
この実施形態においては、各分岐部に対して、基板主面と略垂直な方向へと向かって電界が印加されることが好ましい。
【００３１】
好適な実施形態においては、前記基板の厚さが、少なくとも電極相互作用長部分において３０μｍ以下である。そして、基板が、厚さ３０μｍ以上、好ましくは厚さ200μｍ以上の基部を備えており、基部の内側に凹部が形成されている。このような基板によれば、基板に取り扱いに適した機械的強度を付与しつつ、高速光変調を実現できる。
【００３２】
この実施形態において特に好ましくは、基板が、凹部に面する相対的に厚さの大きい第一の肉薄部分と、凹部に面する相対的に厚さの小さい第二の肉薄部分とを備えており、光導波路が第一の肉薄部分内に設けられている。このような形態の基板は、特許文献１、特許文献２に記載の基板本体を利用できる。例えば図７に示す基板３２は、基部３２ｄ、凹部３３に面する相対的に厚さの大きい第一の肉薄部分３２ｂ、および、凹部３３に面する相対的に厚さの小さい第二の肉薄部分３２ｃを備えている。光導波路が第一の肉薄部分３２ｂ内に設けられている。３２ａは基板主面である。
【００３３】
基板２、１２、１３の底面は、接合層を介して別体の保持基体に対して接合することもできる。
光導波路基板２、１２、１３を構成する材質は、強誘電性の電気光学材料、好ましくは単結晶からなる。こうした結晶は、光の変調が可能であれば特に限定されないが、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体、ニオブ酸カリウムリチウム、ＫＴＰ、ＧａＡｓ及び水晶などを例示することができる。
【００３４】
接地電極、信号電極は、低抵抗でインピーダンス特性に優れる材料であれば特に限定されるものではなく、金、銀、銅などの材料から構成することができる。
バッファ層は、酸化シリコン、弗化マグネシウム、窒化珪素、及びアルミナなどの公知の材料を使用することができる。
【００３５】
光導波路は、基板本体に形成されており、好ましくは基板本体の一方の主面側に形成されている。光導波路は、基板本体の一方の主面に直接形成されたリッジ型の光導波路であってよく、基板本体の一方の主面の上に他の層を介して形成されたリッジ型の光導波路であってよく、また基板本体の内部に内拡散法やイオン交換法によって形成された光導波路、例えばチタン拡散光導波路、プロトン交換光導波路であってよい。電極は、基板本体の一方の主面側に設けられているが、基板本体の一方の主面に直接形成されていてよく、バッファ層の上に形成されていてよい。
【００３６】
前記した低誘電率部とは、基板本体を構成する電気光学材料の比誘電率よりも低い比誘電率を有する部分を意味する。（低誘電率部分の比誘電率）／（基板を構成する電気光学材料の比誘電率）は、１／３以下であることが好ましく、１／１０以下であることが更に好ましい。
【００３７】
低誘電率部は空隙であってよい。また、低誘電率部は、基板を構成する電気光学材料の比誘電率よりも低い比誘電率を有する固形材料からなっていてよい。このような材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ガリウムヒ素、酸化シリコンを例示できる。
【００３８】
また、低誘電率部は接着剤であってよい。接着剤の種類は特に限定されないが、厚さ３００μｍ以下が適当である。また、低誘電率層として用いる好適な低誘電体材料としては、高周波変調信号の伝搬損失を低減する観点から低誘電体損(低tanδ)を有する材料を用いることが望ましい。このような低誘電率、低誘電体損の材質としてはテフロン（登録商標）、アクリル系接着剤が例示できる。また、他の低誘電率材料としては、ガラス系接着剤、エポキシ系接着剤、半導体製造用層間絶縁体、ポリイミド樹脂を例示できる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の一実施形態に係る光変調器１Ａを概略的に示す断面図であり、電極ギャップ２０Ａの幅が電極ギャップ２０Ｂの幅よりも小さい。
【図２】本発明の他の実施形態に係る光変調器１Ｂを概略的に示す断面図であり、電極ギャップ２０Ａの幅が電極ギャップ２０Ｂの幅よりも小さい。
【図３】本発明の更に他の実施形態に係る光変調器１Ｃを概略的に示す平面図であり、分岐部５の一部５ｃが接地電極４Ｃ下に設けられている。
【図４】本発明の更に他の実施形態に係る光変調器１Ｄを概略的に示す断面図であり、分岐部３が肉薄部分１２ｄ側に設けられており、分岐部５が肉厚部分１２ｃ側に設けられている。
【図５】本発明の更に他の実施形態に係る光変調器１Ｅを概略的に示す断面図であり、基板２下に低誘電率部１０Ａ、１０Ｂが設けられている。
【図６】本発明の更に他の実施形態に係る光変調器１１を概略的に示す断面図であり、分岐部１４が電極ギャップ２５内に設けられており、分岐部１５が接地電極１７Ｂ下に設けられている。
【図７】本発明の更に他の実施形態に係る光変調器１Ｆを概略的に示す断面図であり、基板３２が、基部３２ｄ、厚さの異なる薄肉部分３２ｂ、３２ｃを備えている。
【符号の説明】
【００４０】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ  光変調器        ２、１２、１３  基板        ２ａ、２ｂ、１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂ  基板２、１２、１３の主面        ３、５、１４、１５  分岐部        ４Ａ、４Ｃ、１７Ｂ  接地電極        ４Ｂ、１７Ａ  信号電極        ５ａ、５ｂ  電極作用部        ５ｃ  電界が作用しない部分        １０Ａ、１０Ｂ  低誘電率部        １２ｃ  肉厚部分        １２ｄ  肉薄部分        ２０Ａ、２０Ｂ  電極ギャップ        ｔ、ｄ１、ｄ２  分岐部と電極エッジＥとの間隔        Ｅ  電極エッジ        Ｇ１、Ｇ２  電極ギャップの寸法        Ｌ、Ｌ１  電極相互作用長        Ｌ２  電界が作用しない部分の長さ        Ｓ  光導波路の中心線        Ｔｍ  電極の厚さ        Ｔｓｕｂ  基板２の厚さ    
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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