(57)【要約】【課題】  シーラントの有機電界発光アレィへの流入を防止することにより、発光効率および画質低下を防止することができる有機電界発光表示素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板上１０２の表示領域P1に有機発光層１１０が所定間隔で形成され、アノード電極１０４、カソード電極１１２が形成される。ELセル領域毎に発光領域を定める開口部、および第2ライン152を露出させるコンタクトホール175を含む絶縁膜106上には、オーバーハング構造の隔壁108が形成される。非表示領域P２には、表示領域P１上に位置する隔壁109の夫々と接続されるダミー隔壁109が形成される。ダミー隔壁109は、表示領域P１の隔壁108と共に、基板102とキャップ128の接着時に使用されるシーラント125が有機ELアレィに流入するのを防止する。【選択図】  図６
2005322650.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に有機発光層間に形成された第1および第2電極、該第1および第2電極のうちいずれか一つと平行な隔壁を有する有機電界発光アレィと、
前記隔壁の夫々と接続されると共に、前記隔壁に沿う前記有機電界発光アレィを囲むように形成されたダミー隔壁とを含むことを特徴とする有機電界発光表示素子。
【請求項２】
前記有機電界発光アレィをパッケージングするために、前記基板とシーラントによって接着されたキャップを更に含むことを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示素子。
【請求項３】
前記シーラントは、前記隔壁およびダミー隔壁の外側領域に位置することを特徴とする請求項2記載の有機電界発光表示素子。
【請求項４】
前記有機電界発光アレィに駆動信号を供給するための信号供給パッドと、
前記第1および第2電極のうちいずれか一つと前記信号供給パッドを電気的に接続する信号ラインを更に備えることを特徴とする請求項1記載の有機電界発光表示素子。
【請求項５】
前記第1電極上の発光領域を露出させると共に前記信号ラインを露出させるコンタクトホールを含む絶縁膜を更に備え、
前記第1および第2電極のうちいずれか一つが、前記コンタクトホールを介して前記信号ラインと接続されることを特徴とする請求項4記載の有機電界発光表示素子。
【請求項６】
有機電界発光アレィのパッケージングのためにシーラントを使用して前記有機電界発光アレィが形成された基板とキャップが接着された有機電界発光表示素子において、
前記有機電界発光アレィと前記シーラントの間に位置すると共に、凹凸状に形成された第1絶縁パターンを備えることを特徴とする有機電界発光表示素子。
【請求項７】
前記有機電界発光アレィは、前記基板上に有機発光層間に形成された第1および第2電極と、該第1および第2電極のうちいずれか一つと平行な隔壁を含むことを特徴とする請求項6記載の有機電界発光表示素子。
【請求項８】
前記有機電界発光アレィに駆動信号を供給するための信号供給パッドと、
第1および第2電極のうちいずれか一つと前記信号供給パッドを電気的に接続される信号ラインを更に備えることを特徴とする請求項7記載の有機電界発光表示素子。
【請求項９】
前記第1電極上の発光領域を露出させると共に前記信号ラインを露出させるコンタクトホールを含む第2絶縁パターンを更に備え、
前記第1および第2電極のうちいずれか一つは、前記コンタクトホールを介して前記信号ラインと接続されることを特徴とする請求項7記載の有機電界発光表示素子。
【請求項１０】
有機電界発光アレィのパッケージングのためにシーラントを使用してキャップと基板を接着する工程が含まれた有機電界発光表示素子の製造方法において、
凹凸状に形成されると共に、前記有機電界発光アレィと前記シーラントの間に位置する第1絶縁パターンを形成する段階を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光表示素子に関し、特に発光効率および画質低下を防止し得る有機電界発光表示素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、陰極線管の短所である重さと嵩を減らすことができる各種の平板表示装置らが開発されている。このような平板表示装置には、液晶表示装置、電界放出型表示装置、プラズマディスプレイ素子およびエレクトロルミネセンス（電界発光：以下“EL”という）表示素子などがある。
【０００３】
このような平板表示装置の表示品質を高め大画面化を試みる研究が活発に進められている。これらのうち、EL表示素子は自ら発光する自発光素子である。EL表示素子は、電子および正孔のようなキャリアを利用して、蛍光物質を励起させることにより、ビデオ映像を表示する。
【０００４】
このEL表示素子は、用いられる材料によって無機EL表示素子と有機EL表示素子に大別される。
有機EL表示素子は、100〜200Vの高い電圧を必要とする無機EL表示素子に比べて、5〜20V程の低い電圧で駆動できるので、直流低電圧駆動が可能である。また、有機EL表示素子は、広い視野角、高速応答性、高コントラスト比などの優れた特徴を有しているため、グラフィックディスプレイのピクセル、テレビジョン映像ディスプレイや表面光源(Surface  Light  Source)のピクセルとして用いることができ、また、薄く、軽量で色感が良いため、次世代平面ディスプレイに適した素子である。
【０００５】
図１は、一般的な有機EL表示素子を概略的に図示した図面であり、図２は、図１の一部(A領域)を具体的に示した平面図であり、図３は、図２のＩ−Ｉ’線およびII−II’線を切断して図示した断面図である。
【０００６】
図１〜図３に図示された従来の有機EL表示素子は、駆動電極(例えば、アノード電極、カソード電極)などを含む有機ELアレィが形成された表示領域P１と、表示領域P１の駆動電極らに駆動信号を供給するパッド部25を備える非表示領域P２を備えている。
【０００７】
表示領域P１に形成された有機ELアレィは、基板２上に形成されたアノード電極４と、該アノード電極４と交叉する方向へ形成されたカソード電極12が形成されている。
【０００８】
アノード電極４は、基板２上に所定間隔をおいて、多数個が形成されている。このようなアノード電極４が形成された基板２上には、各ELセル領域毎に開口部を有する絶縁膜６が形成される。絶縁膜６上には、その上に形成される有機発光層10およびカソード電極12の分離のための隔壁８が備えられる。隔壁８は、アノード電極４を横切る方向へ形成され、上端部が下端部より広い幅を有するオーバーハング構造を有する。隔壁８が形成された絶縁膜６上には、有機化合物で構成される有機発光層10とカソード電極12が、順次に全面蒸着される。有機発光層10は、絶縁膜６上に正孔輸送層・発光層および電子輸送層が積層されて形成される。
【０００９】
非表示領域P２には、表示領域P１のアノード電極４から伸長された第1ライン54と、該第1ライン52を介してアノード電極４にデータ電圧を供給するデータパッドが形成され、カソード電極12と接続された第2ライン52と、該第2ライン52を介してスキャン電圧を供給するスキャンパッドが設けられている。ここで、第2ライン52は、透明導電層52aおよび不透明導電層52bの二重層からなる。このようなデータパッドは、データ電圧を生成する第1駆動回路が実装されたテープキャリアパッケージ（TCP）と接続されて、各アノード電極４にデータ電圧を供給する。スキャンパッドは、データパッドの両側に形成される。このようなスキャンパッドは、スキャン電圧を生成する第2駆動回路が実装されたTCPと接続されて各カソードライン12にスキャン電圧を供給する。
【００１０】
表示領域P１の有機ELアレィは、湿度および酸素に容易に劣化される特性を有している。このような問題を解決するために、カプセル化工程が施されることにより、アノード電極２などの有機ELアレィが形成された基板２とキャップ28が、エポキシ樹脂のようなシーラント25により接合される。キャップ28の背面中央部には、水分および酸素を吸収するためのゲッタが充填されることにより、酸素および水分から有機ELアレィを保護する。
【００１１】
このような構造を有する従来の有機EL表示素子は、図４に図示されるように、アノード電極４とカソード電極12の間に電圧が印加されると、カソード電極12から発生した電子(またはカソード)は、電子注入層10aおよび電子輸送層10bを介して、発光層10c側へ移動する。また、アノード電極4から発生した正孔(またはアノード)は、正孔注入層10dおよび該正孔輸送層10dを介して発光層10c側へ移動する。これによって、発光層10cでは、電子輸送層10bと正孔輸送層10dから供給された電子と正孔が衝突して再結合することにより光が発生し、この光はアノード電極4を通じて外部へ放出されて、画像が表示される。
【００１２】
一方、このような有機EL表示素子は、キャップ28と基板の接着時にシーラント25が隔壁8と隔壁8の間を経由して、表示領域P１の有機ELアレィに流れ込むことが頻繁に起こる。このようなシーラント25は、多量の水分・酸素および不純物を多量含むことにより、有機ELアレィの有機発光層10に損傷を加えるようになる。これによって、素子の発光効率および画質が低下する問題が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従って、本発明の目的は、シーラントの有機電界発光アレィへの流入を防止することにより、発光効率および画質低下を防止し得る有機電界発光表示素子およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記目的を達成するために、本発明による第一の特徴の有機電界発光表示素子は、基板上に有機発光層を間に置き形成された第1および第2電極、該第1および第2電極のうちいずれか一つと平行な隔壁を含む有機電界発光アレィと、前記隔壁の夫々と接続されると共に該隔壁に沿って、前記有機電界発光アレィを囲むように形成されたダミー隔壁を含むことを特徴とする。
【００１５】
前記有機電界発光アレィをパッケージングするために、シーラントによって前記基板と接着されたキャップを、更に備えることを特徴とする。
【００１６】
前記シーラントは、前記隔壁およびダミー隔壁の外側領域に位置することを特徴とする。
【００１７】
さらに本発明の有機電界発光表示素子は、前記有機電界発光アレィに駆動信号を供給するための信号供給パッドと、前記第1および第2電極のうちいずれか一つと前記信号供給パッドを、電気的に接続する信号ラインを、更に備えることを特徴とする。
【００１８】
本発明の有機電界発光表示素子は、前記第1電極上の発光領域を露出させると共に、前記信号ラインを露出させるコンタクトホールを含む絶縁膜を更に備え、前記第1および第2電極のうちいずれか一つは、前記コンタクトホールを介して、前記信号ラインと接続されることを特徴とする。
【００１９】
本発明による第二の特徴の有機電界発光表示素子は、有機電界発光アレィのパッケージングのために、シーラントを利用して前記有機電界発光アレィが形成された基板とキャップが接着された有機電界発光表示素子において、前記有機電界発光アレィと前記シーラントの間に位置すると共に、凹凸状に形成された第１絶縁パターンを備えることを特徴とする。
【００２０】
前記有機電界発光アレィは、前記基板上に有機発光層間に形成された第1および第2電極、該第1および第2電極のうちいずれか一つと平行な隔壁を含むことを特徴とする。
【００２１】
本発明の有機電界発光表示素子は、前記有機電界発光アレィに駆動信号を供給するための信号供給パッドと、第1および第2電極のうちいずれか一つと前記信号供給パッドを電気的に接続する信号ラインを、更に備えることを特徴とする。
【００２２】
さらに本発明の有機電界発光表示素子は、前記第1電極上の発光領域を露出させると共に、前記信号ラインを露出させるコンタクトホールを含む第2絶縁パターンを更に備え、前記第1および第2電極のうちいずれか一つは、前記コンタクトホールを介して前記信号ラインと接続されることを特徴とする。
【００２３】
本発明による有機電界発光表示素子の製造方法は、有機電界発光アレィのパッケージングのために、シーラントを利用してキャップと基板を接着する工程が含まれた有機電界発光表示素子の製造方法において、凹凸状に形成されると共に、前記有機電界発光アレィと前記シーラントの間に位置する第1絶縁パターンを形成する段階を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、表示領域の夫々の隔壁と接続されると共に、非表示領域に位置するダミー隔壁を形成する。これによって、キャップと基板の接着時に使用されるシーラントによって起こる有機ELアレィの損傷が防止されることにより、発光効率および画質低下が防止される。
【００２５】
また、本発明によれば、非表示領域上のシーラントとダミー隔壁の間に、凹凸状の絶縁膜を形成する。これによって、キャップと基板の接着時に使用されるシーラントによって起こる有機ELアレィの損傷が防止されることにより、発光効率および画質低下が防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付図面を参照して本発明による有機電界発光表示素子について詳細に説明する。
以下、図５〜図10ｆを参照しながら本発明の望ましい実施形態について説明する。
図５は本発明の第１実施形態による有機EL表示素子の一部分を示した図面であり、図６は図５のIII−III’線およびIV−IV’線を切断して図示した断面図である。
【００２７】
図５および図６に図示された有機EL表示素子は、アノード電極などを含む有機ELアレィが形成された表示領域P１と、該表示領域P１の駆動電極に駆動信号を供給するパッド部が位置する非表示領域P２を備える。
【００２８】
表示領域P１には、基板102上に形成されたアノード電極104と、該アノード電極104と交叉する方向へ形成されたカソード電極112が備えられる。
【００２９】
前記アノード電極104は、基板102上に所定間隔をおいて多数個、形成される。このようなアノード電極104が形成された基板102上には、ELセル領域毎に発光領域を定める開口部、および第2ライン152を露出させるコンタクトホール175を含む絶縁膜106が形成される。絶縁膜106上には、上端部が下端部より広い幅を有するオーバーハング構造の隔壁108が形成される。
【００３０】
隔壁108は、その上に形成される有機発光層110およびカソードライン112を分離する役割をする。
【００３１】
隔壁108が形成された絶縁膜106上には、有機化合物で構成される有機発光層110とカソード電極112が順次に全面蒸着される。有機発光層110は、絶縁膜106上に正孔輸送層・発光層および電子輸送層が積層されて形成される。
【００３２】
非表示領域P２には、表示領域P１のアノード電極104から伸長された第1ライン(図示せず)と、該第1ラインを通じてアノード電極104にデータ電圧を供給するデータパッドが形成され、カソード電極112と接続された第2ライン152と、該第2ライン152を通じてスキャン電圧を供給するスキャンパッドが設けられる。ここで、カソード電極112は、絶縁膜106を貫通するコンタクトホール175を介して露出された第2ライン152と接続される。該第2ライン152は、透明導電層152aおよび不透明導電層152bの二重層からなる。
【００３３】
データパッドは、データ電圧を生成する第1駆動回路が実装されたTCPと接続され、各アノード電極104にデータ電圧を供給する。スキャンパッドは、データパッドの両側に形成される。このようなスキャンパッドは、スキャン電圧を生成する第2駆動回路が実装されたTCPと接続され、各カソードライン112にスキャン電圧を供給する。
【００３４】
また、非表示領域P２には、表示領域P１上に位置する隔壁109の夫々と接続されるダミー隔壁109が形成される。このようなダミー隔壁109は、表示領域P１の隔壁108と共に、基板102とキャップ128の接着時に使用されるシーラント125から有機ELアレィを保護する役割をする。即ち、有機ELアレィとシーラント126の間に、ダミー隔壁109が形成されることにより、シーラント125が有機ELアレィに流入するのが防止される。
【００３５】
これによって、カプセル化工程時に、シーラント125による有機ELアレィの有機発光層110の損傷が防止されることにより、発光効率および画質低下が防止される。
【００３６】
図7a〜図7fは、本発明の第１実施形態による有機EL表示素子の製造方法を説明するための図面である。
先ず、ソーダライムまたは硬化ガラスから作られた基板102上に、金属透明導電性物質が蒸着された後、フォトリソグラフィー工程と蝕刻工程によってパターニングされ、図7aに示すように、アノード電極104と透明導電層152aが形成される。ここで、金属物質としてはインジウム−錫−オキサイドまたはSnO2が用いられる。
【００３７】
アノード電極104および透明導電層152aが形成された基板102上に、不透明導電物質が形成された後、フォトリソグラフィー工程および蝕刻工程によってパターニングされ、図7bに示すように、不透明導電層152bが形成される。これによって、透明導電層152aおよび不透明導電層152bの二重層である第2ライン152が形成される。
【００３８】
第2ライン152が形成された基板102上に、感光性絶縁物質がスピンコーティング法によりコーティングされた後、フォトリソグラフィー工程および蝕刻工程によってパターニングされ、図7cに示すように、表示領域P１の発光領域を露出させると共に、非表示領域P２の第2ライン152を露出させるコンタクトホール175を備える絶縁膜106が形成される。
【００３９】
絶縁膜106上に感光性有機物質が蒸着された後、フォトリソグラフィー工程および蝕刻工程によってパターニングされ、図7dに示すように、隔壁108およびダミー隔壁109が形成される。隔壁108は画素を区分するために、多数個のアノード電極4と交叉するよう非発光領域に形成され、ダミー隔壁109は表示領域P１の隔壁108の夫々と接続されると共に、非表示領域P１に位置する。ここで、隔壁108およびダミー隔壁109は、互いに接続するように形成されることにより、有機ELアレィを囲むようになる。
【００４０】
隔壁108が形成された基板102上に、図7cに示すように、有機発光層110が形成される。
有機発光層110が形成された基板102上に、金属物質が蒸着されることにより、図7fに示すように、隔壁108と平行に形成されると共に、コンタクトホール175を介して露出された第2ライン152と接続されるカソード電極112が形成される。
【００４１】
このように、本発明の第１実施形態による有機電界発光表示素子およびその製造方法は、表示領域P１の隔壁108の夫々と接続されると共に、シーラント125と有機ELアレィの間に位置するダミー隔壁109を備える。これによって、表示領域P１に形成された有機ELアレィが、隔壁108およびダミー隔壁109によって囲まれることにより、シーラント135が有機ELアレィに流入されるのが防止される。その結果、有機発光層110の損傷が防止されることにより、発光効率および画質低下を防止することができるようになる。
【００４２】
図８は、本発明の第2実施形態による有機EL表示素子の一部分を示した図面であり、図９は、図８のIII−III’線およびIV−IV’線を切断して図示した断面図である。
図８および図９に図示された有機EL表示素子は、アノード電極などを有する有機ELアレィが形成された表示領域P１と、該表示領域P１の駆動電極に駆動信号を供給するパッド部を備える非表示領域P２を含む。
【００４３】
表示領域P１には、基板102上に形成されたアノード電極104と、該アノード電極104と交叉する方向へ形成されたカソード電極112が形成される。
前記アノード電極104は、基板102上に所定間隔に離隔されて多数個が形成される。このようなアノード電極104が形成された基板102上には、ELセル領域毎に発光領域を定義する開口部および第2ライン152を露出させるコンタクトホール175を含む絶縁膜106が形成される。該絶縁膜206上には、上端部が下端部より広い幅を有するオーバーハング構造の隔壁108が形成される。
【００４４】
前記隔壁108は、その上に形成される有機発光層110およびカソードライン112を分離する役割をする。
前記隔壁108が形成された絶縁膜106上には、有機化合物で構成される有機発光層110とカソード電極112が、順次、全面蒸着される。有機発光層110は、絶縁膜106上に正孔輸送層・発光層および電子輸送層が積層されて形成される。
【００４５】
前記非表示領域P２には、表示領域P１のアノード電極104から伸長された第1ライン(図示せず)と、該第1ラインを通じてアノード電極104にデータ電圧を供給するデータパッドが形成され、カソード電極112と接続された第2ライン152と、該第2ライン152を介してスキャン電圧を供給するスキャンパッドが設けられる。ここで、カソード電極112は、絶縁膜106を貫通するコンタクトホール175を介して露出された第2ライン152と接続され、該第2ライン152は透明導電層152aおよび不透明導電層152bの二重層からなる。
【００４６】
データパッドは、データ電圧を生成する第1駆動回路が実装されたTCPと接続され、各アノード電極104にデータ電圧を供給する。スキャンパッドは、データパッドの両側に形成される。このようなスキャンパッドは、スキャン電圧を生成する第2駆動回路が実装されたTCPと接続され、各カソードライン112にスキャン電圧を供給する。
【００４７】
非表示領域P２には、表示領域P１上に位置する隔壁109の夫々と接続されるダミー隔壁109と、表示領域P１から伸長されると共にシーラント125とダミー隔壁109の間に凹凸状に形成されたダミー絶縁パターン207が形成される。
【００４８】
ダミー隔壁109は、有機ELアレィとシーラント125の間に形成されることにより、表示領域P１上に位置する隔壁109に沿って、シーラント125が有機ELアレィに流入するのを防止する役割をする。
【００４９】
ダミー絶縁パターン206は、凹状領域206aを通じて第2ライン152を部分的に露出させると共に、シーラント125の有機ELアレィへの流入を防止する役割をする。
すなわち、有機ELアレィのパッケージングのために基板102とキャップ128の接着時に、シーラント125の一部が有機ELアレィ側へ移動しても非表示領域P２に１〜２μm程の高さを有するダミー絶縁パターン206の凹状領域206aにシーラント125が浸漬されることにより、シーラント125の有機ELアレィへの流入を防止することができる。
【００５０】
これによって、カプセル化工程時にシーラント125による有機Elアレィの有機発光層110の損傷が防止されることにより、発光効率および画質低下が防止される。
【００５１】
図10a〜図10ｆは、本発明の第2実施形態による有機EL表示素子の製造方法を説明するための図面である。
先ず、ソーダライムまたは硬化ガラスから作られた基板102上に、金属透明導電性物質が蒸着された後、フォトリソグラフィー工程とエッチング（蝕刻）工程によってパターニングされることにより、図10aに図示されるように、アノード電極104と透明導電層152aが形成される。ここで、金属物質として、インジウム−錫−オキサイドまたはSnO2などが用いられる。
【００５２】
アノード電極104および透明導電層152aが形成された基板102上に、不透明導電物質が形成された後、フォトリソグラフィー工程および蝕刻工程によってパターニングされることにより、図10bに示すように、不透明導電層152bが形成される。これによって、透明導電層152aおよび不透明導電層152bの二重層である第2ライン152が形成される。
【００５３】
第2ライン152が形成された基板102上に、感光性絶縁物質がスピンコーティング法によりコーティングされた後、フォトリソグラフィー工程および蝕刻工程によってパターニングされることにより、図10cに示すように、表示領域P１の発光領域を露出させると共に、非表示領域P２の第2ライン152を露出させるコンタクトホール175を備える絶縁膜106が形成され、該絶縁膜106の外側領域に位置すると共に凹凸状のダミー絶縁パターン106が形成される。
【００５４】
前記絶縁膜106上に感光性有機物質が蒸着された後、フォトリソグラフィー工程および蝕刻工程によってパターニングされることにより、図10dに示すように、隔壁108およびダミー隔壁109が形成される。隔壁108は、画素を区分するために多数個のアノード電極4と交叉するよう非発光領域に形成され、ダミー隔壁109は、表示領域P１の隔壁108の夫々と接続されると共に非表示領域P２に位置する。ここで、隔壁108およびダミー隔壁109は、互いに接続されるように形成されることにより、有機ELアレィを囲む。
【００５５】
隔壁108が形成された基板102上に、図10eに示すように、有機発光層110が形成される。
有機発光層110が形成された基板102上に金属物質が蒸着されることにより、図１０fに示すように、隔壁108と平行に形成されると共にコンタクトホール175を介して露出された第2ライン152と接続されるカソード電極112が形成される。
【００５６】
このように本発明による有機EL表示素子およびその製造方法は、有機ELアレィとシーラント125の間に位置すると共に、表示領域P１に位置する隔壁108の夫々に接続されるダミー隔壁109を備える。このようなダミー隔壁109は、該隔壁109と共にカプセル化工程時にシーラント125の有機ELアレィへの流入を防止する役割をする。また、シーラント125と有機ELアレィの間に凹凸状のダミー絶縁パターン206が形成されることにより、有機ELアレィに流入するシーラント125がダミー絶縁パターン206の凹状領域206Aに浸漬される。これによって、シーラント125の有機ELアレィへの流入が防止される。このように、シーラント125による有機発光層110の損傷が防止されることにより、素子の発光効率および画質低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】従来の有機電界発光素子を概略的に図示した平面図である。
【図２】図１に図示された有機電界発光表示素子のA領域を具体的に示した図面である。
【図３】図２に図示されたI−I’線およびII−II’線に沿う断面図である。
【図４】従来の有機電界発光表示素子の発光原理を説明するための図面である。
【図５】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示素子の一部を示した図面である。
【図６】図５に示されたIII−III’線およびIV−IV’線に沿う断面図である。
【図７ａ】本発明の第１実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示した図面である。
【図７ｂ】本発明の第１実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示した図面である。
【図７ｃ】本発明の第１実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示した図面である。
【図７ｄ】本発明の第１実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示した図面である。
【図７ｅ】本発明の第１実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示した図面である。
【図７ｆ】本発明の第１実施形態による有機電界発光素子の製造方法を示した図面である。
【図８】本発明の第2実施形態による有機電界発光表示素子の一部を示した図面である。
【図９】図９は図８に示されたIII−III’線およびIV−IV’線を切断して図示した断面図である。
【図１０ａ】本発明の第2実施形態による有機電界発光表示素子の製造方法を示した図面である。
【図１０ｂ】本発明の第2実施形態による有機電界発光表示素子の製造方法を示した図面である。
【図１０ｃ】本発明の第2実施形態による有機電界発光表示素子の製造方法を示した図面である。
【図１０ｄ】本発明の第2実施形態による有機電界発光表示素子の製造方法を示した図面である。
【図１０ｅ】本発明の第2実施形態による有機電界発光表示素子の製造方法を示した図面である。
【図１０ｆ】本発明の第2実施形態による有機電界発光表示素子の製造方法を示した図面である。
【符号の説明】
【００５８】
2，102：基板                            4，104：アノード電極
6，106：絶縁膜                          8，108：隔壁
12，112：カソード電極                  10，110：有機発光層
52，125：第2ライン                      54，154：第1ライン
109：ダミー隔壁                          25，125；シーラント
175：コンタクトホール
【図１】
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【図２】
2005322650.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７ａ】
2005322650.tif 000009
【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【図７ｄ】
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【図７ｅ】
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【図７ｆ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０ａ】
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【図１０ｂ】
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【図１０ｃ】
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【図１０ｄ】
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【図１０ｅ】
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【図１０ｆ】
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