(57)【要約】【課題】  多種多様なワイヤーのワイヤー流れによる短絡不良を安価な手法で確実に防止して安定した良品率を確保することのできる半導体装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】  ワイヤーボンディングにて回路基板２と接続された半導体チップ１を備え、回路基板２上がトランスファーモールド法により樹脂封止される半導体装置３０であって、半導体チップ１の上方に、ワイヤーボンディングによるワイヤー３…を上方より覆い、隣接するワイヤー３・３間の間隔を保持した状態でワイヤー３…を固定するシート状樹脂層４が設けられている。【選択図】  図１
2005286033.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路形成面を上向きして回路基板上に搭載されると共にワイヤーボンディングにて上記回路基板と接続された半導体チップを備え、上記回路基板上がトランスファーモールド法により樹脂封止されてなる半導体装置において、
上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群を上方より覆い、かつ、隣接するワイヤー間の間隔を保持した状態で上記ワイヤー群を固定するシート状樹脂層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記半導体チップは上記回路基板上にエリアアレイ状に複数個、整列して配されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記シート状樹脂層は、半導体チップの配列に応じた複数の半導体チップを１単位として単位毎に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記シート状樹脂層が熱硬化性樹脂を主成分としていることを特徴する請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項５】
回路形成面を上向きして回路基板上に搭載されると共にワイヤーボンディングにて上記回路基板と接続された半導体チップを備え、上記回路基板上がトランスファーモールド法により樹脂封止されてなる半導体装置において、
上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群は、該ワイヤー群の上に配置された樹脂シートが溶融されることによりそれぞれ樹脂被覆されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
上記半導体チップは上記回路基板上にエリアアレイ状に複数個、整列して配されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
上記樹脂シートが熱硬化性樹脂を主成分としていることを特徴する請求項５又は６に記載の半導体装置。
【請求項８】
上記回路基板における上記半導体チップの搭載面で、上記樹脂封止される部位の端部内側に、上記樹脂シートが溶融することにより流れ出た樹脂を溜めるための陥没部が形成されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置。
【請求項９】
上記回路基板における上記半導体チップの搭載面で、上記樹脂封止される部位の端部内側に、上記樹脂シートが溶融することにより流れ出た樹脂を堰きとめるための凸部が形成されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置。
【請求項１０】
上記ワイヤーボンディングにて上記回路基板と接続された上記半導体チップは、別の半導体チップと積層されていることを特徴とする請求項１、２，５又は６に記載の半導体装置。
【請求項１１】
回路基板上に少なくとも１つの半導体チップを回路形成面を上向きにして搭載する工程と、
上記回路基板とその上に搭載された上記半導体チップとをワイヤーボンディングにて接続する工程と、
上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群の上に樹脂シートを配置する工程と、
上記樹脂シートを熱することで、ワイヤー群を上方より覆い、かつ、ワイヤー群を構成する各ワイヤーの少なくとも上記樹脂シートと接する側の面が上記樹脂シート内に埋没するように、樹脂シートを変形させる工程と、
上記樹脂シートを上記変形を生じた状態で硬化させる工程と、
上記樹脂シートの硬化後に上記回路基板上をトランスファーモールド法により樹脂封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体チップを回路基板上に搭載する上記工程では、複数の半導体チップをエリアアレイ状に配置し、
樹脂シートをワイヤー群の上に配置する上記工程では、半導体チップの配列に応じる、樹脂封止する後続工程での樹脂の圧力方向と直交する方向に並ぶ複数の半導体チップを１単位とし、単位毎に樹脂シートを配置することを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
回路基板上に少なくとも１つの半導体チップを回路形成面を上向きにして搭載する工程と、
上記回路基板とその上に搭載された上記半導体チップとをワイヤーボンディングにて接続する工程と、
上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群の上に樹脂シートを配置する工程と、
上記樹脂シートを熱して溶融し、上記ワイヤー群を構成する各ワイヤーそれぞれを樹脂にて被覆する工程と、
上記各ワイヤーそれぞれを樹脂被覆した状態で溶融した樹脂を硬化させる工程と、
上記樹脂の硬化後に上記回路基板上をトランスファーモールド法により樹脂封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
半導体チップを回路基板上に搭載する上記工程では、複数の半導体チップをエリアアレイ状に配置し、
樹脂シートをワイヤー群の上に配置する上記工程では、全半導体チップに対応する樹脂シートを一括して配置することを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
樹脂シートをワイヤー群の上に配置する上記工程では、樹脂シートを耐熱性のキャリアシートに保持させておき、熱を利用して上記キャリアシートより上記樹脂シートを剥離することを特徴とする請求項１１、１２、１３又は１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
上記樹脂シートとこれを保持する上記キャリアシートとはロール状をなし、一端を巻き取ることで連続的に樹脂シートを上記ワイヤー群の上に供給することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板上に半導体チップを搭載した半導体装置に関し、特にワイヤーボンディング法を用いて回路基板と半導体チップとの電気的接続を行い、トランスファーモールド法により回路基板上を樹脂封止した半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル性を有する基板上に半導体チップが搭載されてなる半導体装置では、携帯機器等に搭載するために、実装面積の低減が必要である。そのため、一つの半導体チップの中に複数個の半導体チップの機能を統合して１チップ化して部品搭載数を低減した半導体装置が近年増加する傾向にある。複数個の半導体チップの機能を統合して１チップ化することから、電気接続端子の数は増大する。
【０００３】
中でも基板やリードフレーム等と半導体チップとをワイヤーボンディング法により電気的に接続した半導体装置では、電気接続端子の増加によりワイヤー長が増大し、隣り合うワイヤー同士の間隔が非常に狭くなってしまう。そのため、半導体パッケージの樹脂封止に、トランスファーモールド法を用いる場合はワイヤー流れによるワイヤー同士の接触による短絡不良を発生させる恐れがある。ワイヤー流れとは、樹脂注入時の圧力によりワイヤーが変形してしまうことである。
【０００４】
ここで、図１５（ａ）（ｂ）を用いて、ワイヤー流れについて説明する。ワイヤー流れは、樹脂封止時の樹脂の圧力によりワイヤーが３次元的に変形することで発生する。注入される樹脂の圧力により、ワイヤーが最も高く張られた場所や、撓んだ形状の場所が倒れる（変形する）。図１５（ａ）は、ワイヤー１００を張った場合における、樹脂注入前のワイヤー１００近傍を上方と側方より見た図面であり、図１５（ｂ）は、樹脂注入後のワイヤー１００近傍を上方と側方より見た図面である。○印を付したワイヤー１００におけるがもっとも高く張られた部分が樹脂の圧力で倒れてしまい、上面からみたワイヤー長さ（２次元的なワイヤー長さ）が長くなり、ワイヤー流れが発生する。ワイヤー流れが発生すると、流れ量にもよるが、隣り合うワイヤー同士が接触する可能性が発生する。なお、図１５（ａ）における矢印１０２は樹脂の注入方向を示している。
【０００５】
このようなワイヤー流れによる不具合を解決するための従来技術として、半導体パッケージ形態や封止金型形状に適合した樹脂を開発することで、ワイヤー流れの発生自体を防止することや、或いは、予め樹脂等で絶縁被覆されたワイヤーを用いることにより、ワイヤー流れ発生時の短絡不良を防いだりする手法がある。さらに、特許文献１には、トランスファーモールドによる樹脂封止前にワイヤーのみを液樹脂で封止することによりワイヤー流れを防ぐ手法が記載されている。
【特許文献１】特開２００２−２９９４９４号公報（平成１４年１０月１１日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ワイヤー流れに対する上記従来の対策では、コストアップを招来したり、適用し得る半導体パッケージ形態が限定されてしまって多種多様なワイヤーに適用できなかったり、或いは、非常に困難な樹脂供給の体積コントロールを必要とするなどの問題がある。
【０００７】
つまり、半導体パッケージ形態や封止金型形状に適合した樹脂を開発することでワイヤー流れを防ぐ手法は、その都度新しい樹脂の開発・検討を伴うため、労力・開発時間を要しコストアップ要因となる。また、半導体パッケージ形態によっては樹脂開発でのワイヤー流れ対策が非常に困難な場合もある。
【０００８】
予め樹脂により絶縁被覆されたワイヤーを用いることによりワイヤー流れ発生時の短絡不良を防ぐ手法は、ワイヤーを絶縁被覆しているためにワイヤーの自由度が低下し、ワイヤーボンディングデザインが大幅に縮小され、ワイヤーボンディング可能な半導体パッケージが大幅に減少する。
【０００９】
特許文献１に開示されている、トランスファーモールド法による樹脂封止前にワイヤーのみを液樹脂で封止することによりワイヤー流れを防ぐ手法は、ワイヤーへの液樹脂の滴下を行うため、滴下方法によっては滴下ノズルとワイヤーとの接触が懸念される。また、滴下時の気泡の巻き込みによる信頼性低下も懸念され、樹脂供給の体積をコントロールすることが非常に困難である。さらに、半導体チップのワイヤーボンディングデザイン毎に適した、樹脂滴下および樹脂供給量の検討が必要となり多品種の半導体パッケージに適用する場合は生産性の低下を招き、樹脂開発の場合と同様、コストアップ要因となる。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みなされたもので、その目的は、コストアップや半導体装置の信頼性の低下を招来することもなく、また、適用し得る半導体パッケージ形態を限定することも、非常に困難な樹脂供給の体積コントロールを必要とすることもなく、多種多様なワイヤーのワイヤー流れによる短絡不良を安価な手法で確実に防止して安定した良品率を確保することのできる半導体装置、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の半導体装置は、上記の課題を解決するために、回路形成面を上向きして回路基板上に搭載されると共にワイヤーボンディングにて上記回路基板と接続された半導体チップを備え、上記回路基板上がトランスファーモールド法により樹脂封止されてなる半導体装置において、上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群を上方より覆い、かつ、隣接するワイヤー間の間隔を保持した状態で上記ワイヤー群を固定するシート状樹脂層が設けられていることを特徴としている。
【００１２】
これによれば、ワイヤーボンディングによるワイヤー群を上方より覆うシート状樹脂層が、隣接するワイヤー間の間隔を保持した状態でワイヤー群を固定しているので、トランスファーモールド法にて樹脂封止する際の樹脂の圧力に対してもワイヤー間の間隔を維持することが可能となり、ワイヤー流れによるワイヤー同士の短絡不良を無くすることができる。
【００１３】
ここで、シート状樹脂層は、ワイヤー群を上方より覆い、かつ、隣接するワイヤー間の間隔を保持した状態でワイヤー群を固定するものであればよい。したがって、シート状樹脂層を構成する樹脂は、半導体パッケージ形態に関わらず、共通の樹脂を使用することができる。
【００１４】
しかも、このようなシート状樹脂層は、ワイヤーボンディングによるワイヤー群の上にシート状の樹脂（以下、樹脂シート）を載置し、これを軟化・溶融するなどしてワイヤー群の形状に沿わせると共に、各ワイヤーの少なくとも樹脂シートと接する面を樹脂シートに埋没させ、その後、硬化することで簡単に形成できるので、半導体パッケージの形態によらず適用できる。
【００１５】
また、シート状樹脂層は、樹脂シートをワイヤー群の上に配置することで形成できるので、ワイヤーへの液樹脂の滴下する場合のように、滴下ノズルとワイヤーとの接触や、滴下時の気泡の巻き込み等も発生せず、不良品の発生率を低く抑えることができる。さらに、固体の樹脂シートであるので、その厚みを均一としておくことで、サイズにて樹脂供給の体積コントロールが可能となり、液体樹脂に比べて、製造が容易である。
【００１６】
それゆえ、コストアップや半導体装置の信頼性の低下を招来することもなく、また、適用し得る半導体パッケージ形態を限定することも、非常に困難な樹脂供給の体積コントロールを必要とすることもなく、多種多様なワイヤーのワイヤー流れによる短絡不良を安価な手法で確実に防止して安定した良品率を確保することのできる半導体装置を提供することができる。
【００１７】
また、このようなシート状樹脂層を具備した本発明の第１の半導体装置は、回路基板上に搭載される半導体チップは１つに限るものではなく、複数個の半導体チップが回路基板上にエリアアレイ状に整列して配されており、各々の半導体チップにおけるワイヤーボンディングによるワイヤー群の上にシート状樹脂層が形成されている構成としてもよい。
【００１８】
また、このように半導体チップが複数個エリアアレイ状に整列して配置されている場合は、半導体チップの配列に応じた複数の半導体チップを１単位として単位毎にシート状樹脂層が配置されている構成とすることで、製造を容易にすることができる。
【００１９】
上記シート状樹脂層は、例えば熱硬化性樹脂を主成分とすることができ、中でもエポキシ樹脂を主成分とすることが好ましい。
【００２０】
本発明の第２の半導体装置は、上記課題を解決するために、回路形成面を上向きして回路基板上に搭載されると共にワイヤーボンディングにて上記回路基板と接続された半導体チップを備え、上記回路基板上がトランスファーモールド法により樹脂封止されてなる半導体装置において、上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群は、該ワイヤー群の上に配置された樹脂シートが溶融されることによりそれぞれ樹脂被覆されていることを特徴としている。
【００２１】
これによれば、ワイヤーボンディングによるワイヤー群を構成する各ワイヤーは、ワイヤー群の上に配置された樹脂シートが溶融されることによりそれぞれ樹脂被覆されているので、トランスファーモールド法にて樹脂封止する際の樹脂の圧力に対してワイヤー流れが生じても、ワイヤー流れによるワイヤー同士の短絡不良を無くすることができる。
【００２２】
ここで、樹脂シートは、ワイヤー群の上に配置され、溶融されることで各ワイヤーをそれぞれ樹脂被覆し得るものであればよい。したがって、樹脂シートを構成する樹脂は、半導体パッケージの形態に関わらず、共通の樹脂を使用することができる。
【００２３】
しかも、ワイヤーボンディングによるワイヤー群の上に樹脂シートを載置し、これを溶融（液化）するなどして各ワイヤーを被覆させ、その後硬化することで簡単に形成できるので、半導体パッケージの形態によらず適用でき、かつ、上記した第１の半導体装置よりも一層簡単に適用することができる。
【００２４】
これはつまり、樹脂シートは、ここでは溶融（液化）されるので、第１の半導体装置のように、樹脂シート配置時の形状が残ることはなく、回路基板上に半導体チップが複数配置されている場合でも、レイアウトによらず一括して載置でき、また、各ワイヤーを被覆する以外の余分な樹脂にて、たとえ半導体チップが積層されており、ワイヤーボンディングによるワイヤーが３次元的に配置されていても各層のワイヤー群を同時に樹脂被覆することができからである。
【００２５】
また、この場合も、シート状樹脂層と同様、樹脂シートをワイヤー群の上に配置することで形成できるので、ワイヤーへの液樹脂の滴下する場合のように、滴下ノズルとワイヤーとの接触や、滴下時の気泡の巻き込み等も発生せず、不良品の発生率を低く抑えることができる。さらに、固体の樹脂シートであるので、その厚みを均一としておくことで、サイズにて樹脂供給の体積コントロールが可能となり、液体樹脂に比べて、製造が容易である。
【００２６】
それゆえ、コストアップや半導体装置の信頼性の低下を招来することもなく、また、適用し得る半導体パッケージ形態を限定することも、非常に困難な樹脂供給の体積コントロールを必要とすることもなく、多種多様なワイヤーのワイヤー流れによる短絡不良を安価な手法で確実に防止して安定した良品率を確保することのできる半導体装置を提供することができる。
【００２７】
また、このように、樹脂シートが溶融されることでワイヤー群のワイヤーがそれぞれ樹脂被覆されている本発明の第２の半導体装置は、回路基板上に搭載される半導体チップは１つに限るものではなく、複数個の半導体チップが回路基板上にエリアアレイ状に整列して配されており、各々の半導体チップにおけるワイヤーボンディングによるワイヤー群が樹脂シートを溶融したことで樹脂被覆されている構成としてもよい。
【００２８】
上記樹脂シートも、シート状樹脂層と同様、例えば熱硬化性樹脂を主成分とすることができ、中でもエポキシ樹脂を主成分とすることが好ましい。
樹脂シートが溶融されることでワイヤー群のワイヤーがそれぞれ樹脂被覆されている本発明の第２の半導体装置は、回路基板における半導体チップの搭載面で、樹脂封止される部位の端部内側に、樹脂シートが溶融することにより流れ出た樹脂を溜めるための陥没部、或いは、樹脂シートが溶融することにより流れ出た樹脂を堰きとめるための凸部が形成されている構成とすることが好ましい。
【００２９】
溶融して液化した樹脂は、回路基板上を広がるが、ここで樹脂封止時にモールド金型でクランプする部分まで樹脂が広がると、モールド金型での封止ができなくなり、樹脂封止が実施できなくなる。これによれば、回路基板上を広がる樹脂は、回路基板に設けられた陥没部に溜められる、或いは回路基板に設けられた凸部に堰きとめられることで、モールド金型でクランプする部分にまで広がらず、モールド金型での封止ができなくなるといった不具合を回避することができる。
【００３０】
なお、上記した本発明の第１、第２の半導体装置において、ワイヤーボンディングにて回路基板と接続されている半導体チップは、別の半導体チップと積層されている構成であってもよく、該別の半導体チップがワイヤーボンディングにて上記回路基板に接続されている構成など、種々考えられる。
【００３１】
本発明の第１の、半導体装置の製造方法は、上記課題を解決するために、回路基板上に少なくとも１つの半導体チップを回路形成面を上向きにして搭載する工程と、上記回路基板とその上に搭載された上記半導体チップとをワイヤーボンディングにて接続する工程と、上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群の上に樹脂シートを配置する工程と、上記樹脂シートを熱することで、ワイヤー群を上方より覆い、かつ、ワイヤー群を構成する各ワイヤーの少なくとも上記樹脂シートと接する側の面が上記樹脂シート内に埋没するように、樹脂シートを変形させる工程と、上記樹脂シートを上記変形を生じた状態で硬化させる工程と、上記樹脂シートの硬化後に上記回路基板上をトランスファーモールド法により樹脂封止する工程とを有することを特徴としている。
【００３２】
これにより、ワイヤー流れによるワイヤー同士の短絡不良を無くすることができる上記した本発明の第１の半導体装置を得ることができる。
【００３３】
そして、既に説明したように、このような製造方法では、シート状樹脂層を構成する樹脂は、半導体パッケージの形態に関わらず、共通の樹脂を使用することができ、かつ、半導体パッケージの形態によらず適用できる。また、ワイヤーへの液樹脂の滴下する場合のように、滴下ノズルとワイヤーとの接触や、滴下時の気泡の巻き込み等も発生せず、不良品の発生率を低く抑えることができる。さらに、固体の樹脂シートであるので、その厚みを均一としておくことで、サイズにて樹脂供給の体積コントロールが可能となり、液体樹脂に比べて、製造が容易である。
【００３４】
それゆえ、コストアップや半導体装置の信頼性の低下を招来することもなく、また、適用し得る半導体パッケージ形態を限定することも、非常に困難な樹脂供給の体積コントロールを必要とすることもなく、多種多様なワイヤーのワイヤー流れによる短絡不良を安価な手法で確実に防止して安定した良品率を確保することのできる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【００３５】
また、該第１の製造方法においては、さらに、半導体チップを回路基板上に搭載する上記工程では、複数の半導体チップをエリアアレイ状に配置し、樹脂シートをワイヤー群の上に配置する上記工程では、半導体チップの配列に応じる、樹脂封止する後続工程での樹脂の圧力方向と直交する方向に並ぶ複数の半導体チップを１単位とし、単位毎に樹脂シートを配置するようにすることが好ましい。
【００３６】
このようにすることで、本発明の第１の半導体装置であって、複数の半導体チップがエリアアレイ状に配置されてなる第１の半導体装置を、樹脂シートを半導体チップ毎に配置するのではなく複数の半導体チップを一まとめとして配置しながらも、樹脂封止時に樹脂の流れを阻害することなく構成とすることできる。
【００３７】
本発明の第２の、半導体装置の製造方法は、上記課題を解決するために、回路基板上に少なくとも１つの半導体チップを回路形成面を上向きにして搭載する工程と、上記回路基板とその上に搭載された上記半導体チップとをワイヤーボンディングにて接続する工程と、上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群の上に樹脂シートを配置する工程と、上記樹脂シートを熱して溶融し、上記ワイヤー群を構成する各ワイヤーそれぞれを樹脂にて被覆する工程と、上記各ワイヤーそれぞれを樹脂被覆した状態で溶融した樹脂を硬化させる工程と、上記樹脂の硬化後に上記回路基板上をトランスファーモールド法により樹脂封止する工程とを有することを特徴としている。
【００３８】
これにより、ワイヤー流れによるワイヤー同士の短絡不良を無くすることができる上記した本発明の第２の半導体装置を得ることができる。
【００３９】
そして、既に説明したように、このような製造方法では、樹脂シートを構成する樹脂は、半導体パッケージの形態に関わらず、共通の樹脂を使用することができ、かつ、半導体パッケージの形態によらず適用できる。
【００４０】
また、ワイヤーへの液樹脂の滴下する場合のように、滴下ノズルとワイヤーとの接触や、滴下時の気泡の巻き込み等も発生せず、不良品の発生率を低く抑えることができる。さらに、固体の樹脂シートであるので、その厚みを均一としておくことで、サイズにて樹脂供給の体積コントロールが可能となり、液体樹脂に比べて、製造が容易である。
【００４１】
加えて、樹脂シートは、ここでは溶融（液化）されるので、第１の製造方法のように、樹脂シート配置時の形状が残ることはなく、回路基板上に半導体チップが複数配置されている場合でも、レイアウトによらず一括して載置できる。また、各ワイヤーを被覆する以外の余分な樹脂にて、たとえ半導体チップが積層されており、ワイヤーボンディングによるワイヤーが３次元的に配置されていても各層のワイヤー群を同時に樹脂被覆することができる。したがって、上記した第１の製造方法よりも一層簡単にさまざまな形態の半導体パッケージに簡単に適用することができる。
【００４２】
それゆえ、コストアップや半導体装置の信頼性の低下を招来することもなく、また、適用し得る半導体パッケージ形態を限定することも、非常に困難な樹脂供給の体積コントロールを必要とすることもなく、多種多様なワイヤーのワイヤー流れによる短絡不良を安価な手法で確実に防止して安定した良品率を確保することのできる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【００４３】
また、該第２の製造方法においては、さらに、半導体チップを回路基板上に搭載する上記工程では、複数の半導体チップをエリアアレイ状に配置し、樹脂シートをワイヤー群の上に配置する上記工程では、全半導体チップに対応する樹脂シートを一括して配置することが好ましい。
【００４４】
上述したように、樹脂シートは、ここでは溶融（液化）されるので、回路基板上に半導体チップが複数配置されている場合でも、レイアウトによらず一括して載置することができ、製造が容易になる。
【００４５】
また、上記した第１、第２の製造方法においては、樹脂シートをワイヤー群の上に配置する上記工程では、樹脂シートを耐熱性のキャリアシートに保持させておき、熱を利用して上記キャリアシートより上記樹脂シートを剥離するようにすることが好ましい。
【００４６】
これによれば、キャリアシートを熱すること樹脂シートをワイヤー群の上に搭載できるので、樹脂シートをハンドリングして搭載する場合に比べて、薄い樹脂シートでも困難なくワイヤー群の上に配置できると共に、ワイヤーへのダメージを軽減することができる。
【００４７】
そして、この場合、さらに、樹脂シートとこれを保持するキャリアシートとをロール状とし、一端を巻き取ることで連続的に樹脂シートをワイヤー群の上に供給するようにすることが、生産性向上の観点から言っても好ましい。
【発明の効果】
【００４８】
本発明の第１の半導体装置は、以上のように、回路形成面を上向きして回路基板上に搭載されると共にワイヤーボンディングにて上記回路基板と接続された半導体チップを備え、上記回路基板上がトランスファーモールド法により樹脂封止されてなる半導体装置において、上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群を上方より覆い、かつ、隣接するワイヤー間の間隔を保持した状態で上記ワイヤー群を固定するシート状樹脂層が設けられていることを特徴としている。
【００４９】
本発明の第２の半導体装置は、以上のように、回路形成面を上向きして回路基板上に搭載されると共にワイヤーボンディングにて上記回路基板と接続された半導体チップを備え、上記回路基板上がトランスファーモールド法により樹脂封止されてなる半導体装置において、上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群は、該ワイヤー群の上に配置された樹脂シートが溶融されることによりそれぞれ樹脂被覆されていることを特徴としている。
【００５０】
本発明の第１の、半導体装置の製造方法は、以上のように、回路基板上に少なくとも１つの半導体チップを回路形成面を上向きにして搭載する工程と、上記回路基板とその上に搭載された上記半導体チップとをワイヤーボンディングにて接続する工程と、上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群の上に樹脂シートを配置する工程と、上記樹脂シートを熱することで、ワイヤー群を上方より覆い、かつ、ワイヤー群を構成する各ワイヤーの少なくとも上記樹脂シートと接する側の面が上記樹脂シート内に埋没するように、樹脂シートを変形させる工程と、上記樹脂シートを上記変形を生じた状態で硬化させる工程と、上記樹脂シートの硬化後に上記回路基板上をトランスファーモールド法により樹脂封止する工程とを有することを特徴としている。
【００５１】
本発明の第２の、半導体装置の製造方法は、以上のように、回路基板上に少なくとも１つの半導体チップを回路形成面を上向きにして搭載する工程と、上記回路基板とその上に搭載された上記半導体チップとをワイヤーボンディングにて接続する工程と、上記ワイヤーボンディングによるワイヤー群の上に樹脂シートを配置する工程と、上記樹脂シートを熱して溶融し、上記ワイヤー群を構成する各ワイヤーそれぞれを樹脂にて被覆する工程と、上記各ワイヤーそれぞれを樹脂被覆した状態で溶融した樹脂を硬化させる工程と、上記樹脂の硬化後に上記回路基板上をトランスファーモールド法により樹脂封止する工程とを有することを特徴としている。
【００５２】
それゆえ、コストアップや半導体装置の信頼性の低下を招来することもなく、また、適用し得る半導体パッケージ形態を限定することも、非常に困難な樹脂供給の体積コントロールを必要とすることもなく、多種多様なワイヤーのワイヤー流れによる短絡不良を安価な手法で確実に防止して安定した良品率を確保することのできる半導体装置、及びその製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
本発明に係る実施の形態について、図１ないし図１４に基づいて説明すると以下の通りである。
【００５４】
図１は、本発明の第１の実施形態である半導体装置３０の構成を示す斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ’線断面図である。但し、図１において、モールド樹脂９は記載を省略している。
【００５５】
半導体装置３０は、CSP(Chip Size(Scale) Package)であり、回路基板２を有し、該回路基板２上に半導体チップ１が１つフェイスアップで搭載されている。回路基板２と半導体チップ１とは、ペースト状接着剤或いはシート状接着剤等にて機械的に接続されている。
【００５６】
一方、回路基板２と半導体チップ１との電気的な接続は、ワイヤーボンディング法を用いて行われている。詳細には、半導体チップ１の回路形成面１ａの複数の電極（不図示）と、回路基板２における半導体チップ１を搭載した面（以下、チップ搭載面）に形成された複数の接続パッド１０…とが、ワイヤーボンディングによるワイヤー３…（ワイヤー群）にて接続されている。
【００５７】
回路基板２のチップ搭載面は、半導体チップ１を搭載した状態でトランスファーモールド法にて樹脂封止されており、モールド樹脂９にて覆われている。また、回路基板２におけるチップ搭載面の反対側（裏面）には、外部接続用のバンプ１１が複数形成されている。
【００５８】
なお、回路基板２とワイヤーボンディングされる半導体チップ１の構成は、本実施形態を含め以下に示すどの実施形態においても特に限定されず、どのような種類の半導体チップでも使用可能である。また、回路基板２も同様であり、以下に示す何れの実施形態でも、金属製のリードフレームや、ＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）レジン、ポリイミド等の有機基板等の各種基板の使用が可能である。
【００５９】
そして、本実施形態である半導体装置３０においては、注目すべき構成として、回路基板２と半導体チップ１とを接続するワイヤーボンディングによるワイヤー３…を覆うように、シート状樹脂層４が設けられ、各ワイヤー３がシート状樹脂層４に埋没するような形となっている。
【００６０】
シート状樹脂層４は、半導体チップ１と回路基板２とを接続するワイヤー３…が、後工程のトランスファーモールド法によって樹脂封止する際に、樹脂（モールド樹脂９）の圧力にて前述したワイヤー流れを発生し、それによる短絡不良を防止するためのものである。
【００６１】
ワイヤー３…は、少なくともシート状樹脂層４と接する側の面でシート状樹脂層４内に埋没されており、シート状樹脂層４によって、隣接するワイヤー３・３間の間隔を保持した状態で固定されている。したがって、樹脂封止の際にモールド樹脂が注入されても、その圧力にて各ワイヤー３が変形するワイヤー流れは発生せず、隣接するワイヤー３・３間の間隔は確実に保持され、ワイヤー３・３同士は接触することなく短絡不良は発生しない。
【００６２】
なお、シート状樹脂層４はワイヤー３…のワイヤー流れを阻止するものであればよいので、必ずしもワイヤー３…を埋没するようにワイヤー３…を保持する必要はなく、ワイヤー３…を互いの間隔を確保した状態で固定できればよい。
【００６３】
このようなワイヤー流れの阻止を目的としたシート状樹脂層４の材料としては、樹脂シート４’を半導体チップ１上に搭載した時、もしくは搭載後に加熱することにより軟化し、或いは溶融し、その後、硬化するような樹脂材料を用いることが好ましい。中でも常温では固体状態を保ち、熱した時に溶融して液状となり、その後の熱処理により完全に固体化する熱硬化性樹脂を用いた材料を使用するのが望ましく、熱硬化性樹脂の中でも特にエポキシ樹脂を用いたものが望ましい。
【００６４】
また、半導体チップ１上に供給する樹脂シート４’の供給サイズとしては、ワイヤーボンディングされたワイヤー３…の全長をすべて被覆できるサイズとすることで、ワイヤー流れを確実に防止できるが、図１５（ａ）（ｂ）を用いて説明したように、ワイヤー１００の最も高い部分が変形することで、ワイヤー流れは発生する。したがって、少なくともワイヤー３…の最も高い部分を固定することで、流れ量を小さくしてワイヤー流れを抑えることができるので、樹脂シート４’の供給サイズは、半導体チップ１の回路形成面１ａから、ワイヤー３…の高さが最も高い部分までを被覆するようなサイズとしてもよい。
【００６５】
なお、ワイヤーに撓んで部分がある場合は、撓み部分が変形することでワイヤー流れは発生するので、その場合は、樹脂シートの供給サイズとしては、半導体チップの回路形成面からワイヤーの撓んだ部分までを被覆するようなサイズとすればよい。
【００６６】
さらに、半導体チップ１上に供給する樹脂シート４’の形状として、ここでは半導体チップ１の回路形成面１ａを含めてワイヤー３…を覆う矩形形状としていたが、ワイヤー３…の最も高さが高い部分のみを被覆することでワイヤー流れの発生を防止できるので、矩形の中央部が開口された中抜き状であってもよい。但し、薄い樹脂シート４’の取り扱いを考慮すると、矩形形状とする方が好ましい。
【００６７】
続いて、半導体装置３０の製造方法を説明する。まず、回路基板２上に半導体チップ１を、回路形成面１ａを上向きに（フェイスアップ）搭載し、ペースト状接着剤或いはシート状接着剤等を用いて両者を接着する。次に、回路基板２の接続パッド１０…と半導体チップ１の電極とをワイヤーボンディング装置を用いてワイヤーボンディングにて接続する。
【００６８】
ワイヤーボンディングが済むと、図３、図４（ａ）（ｂ）に示すように、シート状樹脂層４となる樹脂シート４’を、半導体チップ１の上方より、半導体チップ１を含めてワイヤー３…を覆うように搭載する。続いて、図４（ｃ）に示すように、樹脂シート４’を加熱して溶融（軟化）させ、ワイヤー３…の形状に沿わせると共に、各ワイヤー３を樹脂シート４’に埋没させた後、その状態で樹脂シート４’を硬化する。これにより、半導体チップ１をワイヤー３…を含めて覆う上記のようなシート状樹脂層４を形成することがきる。
【００６９】
その後、回路基板２上をトランスファーモールド法にて樹脂封止する。詳細には、回路基板２に後述するモールド金型５（図８、図１１、図１２参照）をクランプし、回路基板２と金型５との間にモールド樹脂９を注入する空間部を形成し、これにモールド樹脂９を注入する。このような工程を経ることで、上記半導体装置３０を得ることができる。
【００７０】
次に、本発明の第２の実施形態である半導体装置３１について説明する。なお、説明の便宜上、前述の実施の形態で用いたものと同じ機能を有する部材には同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００７１】
図５は、半導体装置３１の斜視図であり、ここでもモールド樹脂９は記載を省略している。図１の半導体装置３０との構造上の違いは、シート状の形状を保持した状態でワイヤー３…を固定していたシート状樹脂層４に代えて、ワイヤー３…の上に配置された樹脂シート１１’（図４（ａ）（ｂ）参照）が完全に溶融され液化されることで、各ワイヤー３が１本ずつ、樹脂１１で被覆されている点である。また、半導体装置３０との製造上の違いは、ワイヤー３…の上に配置された樹脂シート１１’（図４（ａ）（ｂ）参照）を溶融して完全に液化させる点である。
【００７２】
このように各ワイヤー３が個々に樹脂１１にて被覆されることで、後工程のトランスファーモールド法による樹脂封止工程で、モールド樹脂９の注入圧力にてワイヤー３…にワイヤー流れが発生したとしても、短絡不良は発生しない。また、ワイヤー３自身も樹脂１１にて被覆されることで、変形し難く、ワイヤー流れが生じたとしても、その流れ量は僅かである。
【００７３】
なお、このように樹脂シート１１’を溶融させて完全に液化する方法では、溶融した樹脂であって、ワイヤー３の被覆に用いられなかった樹脂は、回路基板２上に広がることとなり、図５では、参照符号１１ａにて広がった樹脂を示している。半導体チップ１の回路形成面１ａを始めとして、回路基板２の搭載面は、後工程でモールド樹脂９にて樹脂封止される部位であるので、樹脂１１ａにて被覆されても何ら問題ない。
【００７４】
このような樹脂シート１１’としては、半導体チップ１上に搭載した時、もしくは搭載後に加熱することにより溶融して完全に液化し、その後、硬化するような樹脂材料を用いることが好ましい。中でも常温では固体状態を保ち、熱した時に溶融して液状となり、その後の熱処理により完全に固体化する熱硬化性樹脂を用いた材料を使用するのが望ましく、熱硬化性樹脂の中でも特にエポキシ樹脂を用いたものが望ましい。
【００７５】
なお、このような樹脂シート１１’を完全に溶融して液化させ、各ワイヤー３を樹脂被覆することで、ワイヤー流れによる短絡不良を防止する構成は、実施の形態４にて後述するように、回路基板上に半導体チップが複数搭載されている構成により適している。
【００７６】
次に、本発明の第３の実施形態である半導体装置について説明する。なお、説明の便宜上、前述の実施の形態で用いたものと同じ機能を有する部材には同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００７７】
本実施形態の半導体装置は、図７に示すように、回路基板２上に、半導体チップ１が複数個、エリアアレイ状に整列して配されており、この点が、第１の実施形態である図１の半導体装置３０と異なる。図７は、モールド金型５封止状態でのモールド樹脂９封入時の概略図である。
【００７８】
図６（ａ）に示すように、本半導体装置でも、回路基板２上のワイヤーボンディング済みの半導体チップ１上に、樹脂シート４’が搭載され、図６（ｂ）に示すように、該樹脂シート４’が加熱して軟化・溶融され、ワイヤー３…の形状に沿い、かつ、各ワイヤー３が樹脂シート４’に埋没した状態で、樹脂シート４’を硬化させる。
【００７９】
そして、本半導体装置のように、複数個の半導体チップ１が回路基板２上にエリアアレイ状に搭載されている構成において、シート形状を確保したシート状樹脂層４を具備させる場合は、樹脂封止時のモールド樹脂９の樹脂流路を妨害しないように、樹脂シート４’を搭載する必要がある。
【００８０】
そのため、ここでは、図７に示すように、矢印２５にて示す、樹脂封止する後続工程でのモールド樹脂９の圧力方向（流路方向に同じ）と直交する方向（行方向）に並ぶ複数の半導体チップ１…を１単位とし、単位毎に樹脂シート４’を配置している。このように樹脂シート４’を配置することで、樹脂シート４’を半導体チップ１毎に配置するのではなくある程度一まとめとして配置しながらも、樹脂封止時にモールド樹脂９の流れを阻害することがなく、モールド樹脂９を回路基板２上の隅々に十分に行きわたらせることができる。樹脂シート４’の厚みとしては、２０ｕｍから５０ｕｍくらいが、取り扱い等の面で適宜である。なお、図中ライン１２で囲う領域が、モールド樹脂９にて樹脂封止するエリアである。また、図７では、便宜上、樹脂シート４’を記載しているが、樹脂封止時、樹脂シート４’は既に加熱されているので、シート状樹脂層４となっている。
【００８１】
また、図８に、複数の半導体チップ１…を１単位として樹脂シート４’を搭載するときの搭載位置の例を示す。半導体チップ１には、ワイヤー３…が４方向に接続されている。樹脂シート４’は、樹脂封止時のモールド樹脂９の流路方向２５と直交するように載置されている。このような場合、モールド樹脂９の流路方向２５に対しては、垂直方向にワイヤー接続した部分は必然的にワイヤー全てが被覆される。流路方向２５に対して、同方向にワイヤー接続した部分の樹脂シート４’の被覆範囲としては、最小限ワイヤー３高さが高い部分までとなる。
【００８２】
次に、本発明の第４の実施形態である半導体装置について説明する。なお、説明の便宜上、前述の実施の形態で用いたものと同じ機能を有する部材には同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００８３】
本実施形態の半導体装置と図５の半導体装置３１との違いは、回路基板２上に、半導体チップ１が複数個、エリアアレイ状に整列して配されている点である。
【００８４】
図９（ａ）に示すように、本実施形態の半導体装置でも、回路基板２上の半導体チップ１（ワイヤーボンディング済み）上に、樹脂シート１１’が搭載される。但し、樹脂シート１１’の供給サイズは、エリアアレイ状に並ぶ複数の半導体チップ１…を全部覆うようなサイズであり、全半導体チップ１に対して一括して搭載される。そして、図９（ｂ）（ｃ）に示すように、該樹脂シート１１’が加熱され、溶融して完全に液化されることで、各ワイヤー３が１本ずつ樹脂１１で被覆されて硬化され、その後、トランスファーモールド法にて樹脂封止される。なお、参照符号１１ａは、ワイヤー３の被覆に用いられず、回路基板２上に広がった樹脂１１ａである。
【００８５】
複数個の半導体チップ１…が回路基板２上にエリアアレイ状に搭載され、その後、一括で樹脂封止を行うような基板デザインの場合については、実施の形態３の半導体装置のようにシート状樹脂層４として、樹脂シート４’の形状を留めた状態とするよりも、本実施形態のように、樹脂シート１１’の搭載時もしくは搭載後に加熱することで完全に液化して、各ワイヤー３表面を絶縁被覆する方法とするほうが効率的である。
【００８６】
その理由としては、樹脂シート１１’が完全に液化されて元々のシート形状を留めないので、ワイヤー流れ防止のための樹脂シート１１’の材料供給に際して、全半導体チップ１…全てを覆うようなサイズのものを供給することで全半導体チップ１…に対して一括供給できる点、半導体チップ１の配置のレイアウトの違いに依存することなく供給できる点、半導体チップ１が後述の図１４に示すように、他の半導体チップと積層され３次元的であっても被覆が可能であること等を挙げることができる。
【００８７】
ところで、第２の実施形態の半導体装置３１でも同様であるが、本実施形態のように、樹脂シート１１’を完全に液化して各ワイヤー３を被覆する場合、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、液化した樹脂は回路基板２上を広がるが、もしもその場合に、参照符号１１ｂにて示すように、樹脂封止時にモールド金型５でクランプする部分にまで広がってしまうと、金型５での封止ができなくなってしまう恐れがある。
【００８８】
このような不具合を防ぐためには、回路基板２の半導体チップ１を搭載する面であり、樹脂封止される部位の端部内側に、図１１（ａ）（ｂ）に示すように、樹脂溜め機能を果たす陥没部６を設けたり、図１２（ａ）（ｂ）のように、回路基板２上を流れる樹脂の流動を堰きとめて阻止する凸部（ダムバー）７を設けたりすることが好ましい。
【００８９】
樹脂溜めの機能を果たす陥没部６は、例えば、回路基板２上の接続パッド１０以外の部分に被覆されているソルダーレジスト１４を用いて形成することができる。図１１（ａ）（ｂ）のように、モールド金型５のクランプ部近傍のソルダーレジスト１４を開口することで陥没部を作成することが可能である。該陥没部６は、モールド金型５のクランプ部近傍の内側部分に一続きの枠状にて形成しても、部分的に形成してもよい。
【００９０】
樹脂の流動を阻止する凸部７について、例えば、図１２（ａ）（ｂ）のように、モールド金型５のクランプ部近傍に、ガラスエポキシ基板等を切断した部品を、半導体用接着剤を用いて搭載することで作成することが可能である。該凸部７も、モールド金型５のクランプ部近傍の内側部分に一続きの壁状に形成しても、部分的に形成してもよい。
【００９１】
また、樹脂シート４’・１１’のワイヤーボンディング済みの半導体チップ１上への供給方法に関しては、樹脂シート４’・１１’のみをハンドリングして搭載する方法が一般的であるが、樹脂シート４’・１１’が薄い場合、ハンドリングが困難となる。ハンドリングが困難な場合は、図１３（ａ）〜（ｃ）に示すように、樹脂シート４’・１１’が必要な供給サイズ毎に耐熱性のキャリアテープ（支持体）８に担持され、キャリアテープと一体にロール状に巻き取られてなる樹脂シートロール１５を用いることが好ましい。
【００９２】
該樹脂シートロール１５を用い、その一端を回転軸１９等で巻き取らせる構成とすることで、樹脂シート４’・１１’を連続的に、供給位置下方に設置される半導体チップ１…に供給することが可能となる。また、耐熱性のキャリアテープを用いることで、熱を使うことで樹脂シート４’・１１’とキャリアレープとが分離して半導体チップ１…上へ載置できるので、ワイヤー３へのダメージも軽減できる。なお、テープキャリアを加熱する過熱手段は図示していない。また、ローラ１６・１６は、供給位置のキャリアテープに張り持たせるテンションローラである。
【００９３】
最後に、前述の第１〜第４の実施形態においては、ワイヤーボンディングにて回路基板２と接続された半導体チップ１は、他の半導体チップとは積層されていない構成として説明してきたが、ワイヤーボンディングにて回路基板２と接続された半導体チップ１は、回路基板２上で他の半導体チップと積層されていてもよい。
【００９４】
その場合、積層される第２の半導体チップは、該ワイヤーボンディングによって接続されている半導体チップ１の上に積層されていても、反対にその下（半導体チップ１と回路基板２との間）に積層されていても、上下両方に配置されていても、また、同方向に複数個配置されていてもよい。
【００９５】
例えば、半導体チップ１の下に積層される場合、第２の半導体チップは回路形成面を上方に向けたフェイスアップタイプでも、回路形成面を回路基板２側に向け、回路基板２とフィリップチップボンディングにより電気的・機械的に接続されたフェイスダウンタイプでもよい。
【００９６】
同様に、半導体チップ１の上に積層される場合は、第２の半導体チップは回路形成面を上方に向けたフェイスアップタイプでも、回路形成面を半導体チップ１の回路形成面に向け、半導体チップ１とフィリップチップボンディングにより電気的・機械的に接続されたフェイスダウンタイプでもよい。
【００９７】
つまり、２つ以上の半導体チップが積層配置されている場合は、そのうちの少なくとも一つの半導体チップがワイヤーボンディング法で回路基板と接続されている構造をとっていればよい。
【００９８】
図１４に、回路基板２上にフェイスアップで搭載され、ワイヤーボンディングにて回路基板２と接続された半導体チップ１上に、第２の半導体チップ１８が回路形成面を上にしてフェイスアップで搭載され、回路基板２とワイヤーボンディングによるワイヤー１８…にて接続されている状態において、ワイヤー３…とワイヤー１８…とを覆うように、樹脂シート４’或いは樹脂シート１１’が搭載されている状態を示す。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の実施の一形態を示すもので、半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１の半導体装置の製造途中の一状態を示すもので、半導体チップ上に樹脂シートが配置された状態を示す斜視図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｃ）共に、図１の半導体装置における、樹脂シートがワイヤーを固定する工程を説明するための図面である。
【図５】本発明の実施のその他の形態を示すもので、半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の実施の他の形態を示すもので、図６（ａ）（ｂ）共に、半導体装置における、樹脂シートがワイヤーを固定する工程を説明するための図面である。
【図７】樹脂封止時の樹脂流路を妨害しないようなレイアウトを説明するための、モールド金型封止状態でのモールド樹脂封入時の概略図である。
【図８】半導体チップ上へ樹脂シートを搭載する位置を説明するための図面である。
【図９】本発明の実施の他の形態を示すもので、図９（ａ）〜（ｃ）共に、半導体装置における、樹脂シートがワイヤーを固定する工程を説明するための図面である。
【図１０】図１０（ａ）（ｂ）共に、樹脂シートを溶融して完全に液化した場合に発生する樹脂の流れ出しによる不具合を説明するための図面である。
【図１１】図１１（ａ）（ｂ）共に、樹脂シートを溶融して完全に液化した場合に発生する樹脂の流れ出しによる不具合を回避する陥没部を説明するための図面である。
【図１２】図１２（ａ）（ｂ）共に、樹脂シートを溶融して完全に液化した場合に発生する樹脂の流れ出しによる不具合を回避する凸部を説明するための図面である。
【図１３】図１３（ａ）〜（ｃ）共に、樹脂シートを半導体チップ上に搭載する工程で、耐熱キャリアテープを利用することで、連続的に樹脂シートを供給する状態を説明するための図面である。
【図１４】本発明の実施の他の形態を示すもので、複数の半導体チップが積層されている半導体装置の製造途中の一状態を示すもので、半導体チップ上に樹脂シートが配置された状態を示す斜視図である
【図１５】図１５（ａ）（ｂ）共に、ワイヤー流れについて説明するための図面である。
【符号の説明】
【０１００】
１      半導体チップ
２      回路基板
３      ワイヤー
４      シート状樹脂層
４’    樹脂シート
５      モールド金型
６      陥没部
７      凸部
８      キャリアテープ
９      モールド樹脂
１０      接続パッド
１１      樹脂
１１’    樹脂シート
【図１】
2005286033.tif 000003
【図２】
2005286033.tif 000004
【図３】
2005286033.tif 000005
【図４】
2005286033.tif 000006
【図５】
2005286033.tif 000007
【図６】
2005286033.tif 000008
【図７】
2005286033.tif 000009
【図８】
2005286033.tif 000010
【図９】
2005286033.tif 000011
【図１０】
2005286033.tif 000012
【図１１】
2005286033.tif 000013
【図１２】
2005286033.tif 000014
【図１３】
2005286033.tif 000015
【図１４】
2005286033.tif 000016
【図１５】
2005286033.tif 000017