(57)【要約】【課題】  ４００〜４５０ｎｍの波長域でも高い感度特性を有する電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供する。【解決手段】  ４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザー光を露光光源として有する電子写真装置に用いられる電子写真感光体の感光層に下記一般式（I）又は（II）で示される化合物を含有する。【化１】2005338470.tif 000029 （上記一般式（I）中、Ｒ1は、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の複素環基を示し、Ｙは酸素原子又は硫黄原子を示す。）【化２】2005338470.tif 000030 （上記一般式（II）中、Ｘは以下のいずれかを示し、Ｙは酸素原子又は硫黄原子を示し、【化３】2005338470.tif 000031 上記式中のＡは、置換若しくは無置換の二価の炭化水素基、又は置換若しくは無置換の二価の複素環基を示す。）【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体及び該導電性支持体上に感光層を有し、４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザーを露光光源として有する電子写真装置に用いられる電子写真感光体において、
前記感光層は下記一般式（I）又は（II）で示される化合物を含有することを特徴とす
る電子写真感光体：
【化１】
2005338470.tif 000020
（上記一般式（I）中、Ｒ1は、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の複素環基を示し、Ｙは酸素原子又は硫黄原子を示す）
【化２】
2005338470.tif 000021
（上記一般式（II）中、Ｘは以下のいずれかを示し、Ｙは酸素原子又は硫黄原子を示し、
【化３】
2005338470.tif 000022
上記式中のＡは、置換若しくは無置換の二価の炭化水素基、又は置換若しくは無置換の二価の複素環基を示す）。
【請求項２】
帯電手段、現像手段及びクリーニング手段からなる群より選択された少なくとも一つの手段を電子写真感光体と一体に支持し、４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザーを露光光源として有する電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジにおいて、
前記電子写真感光体は導電性支持体及び該導電性支持体上に感光層を有し、該感光層が下記一般式（I）又は（II）で示される化合物を含有することを特徴とするプロセスカー
トリッジ：
【化４】
2005338470.tif 000023
（上記一般式（I）中、Ｒ1は、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の複素環基を示し、Ｙは酸素原子又は硫黄原子を示す）
【化５】
2005338470.tif 000024
（上記一般式（II）中、Ｘは以下のいずれかを示し、Ｙは酸素原子又は硫黄原子を示し、
【化６】
2005338470.tif 000025
上記式中のＡは、置換若しくは無置換の二価の炭化水素基、又は置換若しくは無置換の二価の複素環基を示す）。
【請求項３】
電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有する電子写真装置において、
前記露光手段は、４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザーを露光光源として有し、
前記電子写真感光体は、導電性支持体及び該導電性支持体上に感光層を有し、該感光層が下記一般式（I）又は（II）で示される化合物を含有することを特徴とする電子写真装
置：
【化７】
2005338470.tif 000026
（上記一般式（I）中、Ｒ1は、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の複素環基を示し、Ｙは酸素原子又は硫黄原子を示す）
【化８】
2005338470.tif 000027
（上記一般式（II）中、Ｘは以下のいずれかを示し、Ｙは酸素原子又は硫黄原子を示し、
【化９】
2005338470.tif 000028
上記式中のＡは、置換若しくは無置換の二価の炭化水素基、又は置換若しくは無置換の二価の複素環基を示す）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関し、詳しくは画像の高解像度化が可能な短波長の半導体レーザーに適した電子写真感光体、該電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、レーザープリンター等に代表されるレーザーを光源として使用している電子写真装置において使用されているレーザーは、８００ｎｍ付近又は６８０ｎｍ付近に発振波長を有する半導体レーザーが主流である。近年、出力画像の高画質化に対するニーズの高まりから、高解像度化に向けた様々なアプローチがなされている。レーザーの波長もこの高解像度化に深く関わっており、レーザーの発振波長が短くなるほどレーザーのスポット径を細くすることが可能となり、高解像度の潜像形成が可能となる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
レーザー発振波長の短波長化にはいくつかの手法が挙げられる。
一つは、非線形光学材料を利用し、第２高調波発生（ＳＨＧ）を用いてレーザー光の波長を２分の１にするものである（例えば、特許文献２〜４参照）。この系は、一次光源として、既に技術が確立し高出力可能なＧａＡｓ系レーザーやＹＡＧレーザーを使用することができるため、長寿命化や大出力化が可能である。
【０００４】
もう一つは、ワイドギャップ半導体を用いるもので、ＳＨＧ利用のデバイスと比べ装置の小型化が可能である。ＺｎＳｅ系半導体（例えば、特許文献５及び６参照）や、ＧａＮ系半導体（例えば、特許文献７及び８参照）を用いたレーザーが、その発光効率の高さから、以前から多くの研究の対象となっている。
しかし、これらの半導体レーザーは、素子構造、結晶成長条件、電極等の最適化が難しく、結晶中の欠陥等により、実用化に必須である室温での長時間発振が困難である。
【０００５】
これに対し、基盤等の技術革新が進み、１９９７年１０月には日亜化学工業（株）から、ＧａＮ系半導体を用いたレーザーで１１５０時間連続発振（５０℃条件）が報告される等、実用化が目前に迫っている状態である。
【０００６】
一方、従来のレーザーを用いた電子写真装置に使用される電子写真感光体では、７００〜８００ｎｍ付近の波長域に大きな吸収帯を持ち実用的な感度特性を発現する材料が用いられている。具体的には無金属フタロシアニン、銅フタロシアニン及びチタニルフタロシアニン等の金属フタロシアニン、及び一部のアゾ顔料等である。しかし、従来のこうした長波長レーザー用の電荷発生材料は、４００〜４５０ｎｍ付近には十分な吸収帯が無く、また有っても波長依存性が強く安定して十分な感度を得ることが難しい等の問題がある。
【０００７】
４００〜５００ｎｍのレーザーに適した電子写真感光体として、α型チタニルフタロシアニンを用いた単層又は電荷発生層を最表面層とした積層電子写真感光体が開示されているが（特許文献９参照）、本発明者等の検討によれば、この材料を用いた場合、感度が悪い上に、特に４００ｎｍ付近の光に対するメモリーが非常に大きいため、繰り返し使用した際の電子写真感光体の電位変動が大きいという問題があることが判った。
【０００８】
また、バルビツール酸誘導体を電子写真感光体に使用している例があるが（例えば、特
許文献１０〜１３参照）、４００〜４５０ｎｍの波長域で実用的な感度特性を得るに至っていない。
【特許文献１】特開平９−２４００５１号公報
【特許文献２】特開平９−２７５２４２号公報
【特許文献３】特開平９−１８９９３０号公報
【特許文献４】特開平５−３１３０３３号公報
【特許文献５】特開平７−３２１４０９号公報
【特許文献６】特開平６−３３４２７２号公報
【特許文献７】特開平８−０８８４４１号公報
【特許文献８】特開平７−３３５９７５号公報
【特許文献９】特開平９−２４００５１号公報
【特許文献１０】特開昭５７−１１９３５５号公報
【特許文献１１】特開昭５７−２１２４５４号公報
【特許文献１２】特開平３−１２６６０号公報
【特許文献１３】特開平３−１２６６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、４００〜４５０ｎｍの波長域でも高い感度特性を有する電子写真感光体を提供することにある。
本発明の別の目的は、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者等は、鋭意検討をした結果、４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する露光光源を用いた場合でも、特定の化合物を電荷発生材料として電子写真感光体の感光層に含有させることで、高い感度特性をもたせることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１１】
すなわち、本発明は以下の通りである。
（１）導電性支持体及び該導電性支持体上に感光層を有し、４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザーを露光光源として有する電子写真装置に用いられる電子写真感光体において、
前記感光層は下記一般式（I）又は（II）で示される化合物を含有することを特徴とす
る電子写真感光体：
【化１】
2005338470.tif 000002
（上記一般式（I）中、Ｒ1は、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の複素環基を示し、Ｙは酸素原子又は硫黄原子を示す）
【化２】
2005338470.tif 000003
（上記一般式（II）中、Ｘは以下のいずれかを示し、Ｙは酸素原子又は硫黄原子を示し、
【化３】
2005338470.tif 000004
上記式中のＡは、置換若しくは無置換の二価の炭化水素基、又は置換若しくは無置換の二価の複素環基を示す）。
（２）帯電手段、現像手段及びクリーニング手段からなる群より選択された少なくとも一つの手段を上記（１）の電子写真感光体と一体に支持し、４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザーを露光光源として有する電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
（３）電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有する電子写真装置において、前記露光手段は、４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザー光を露光光源として有し、前記電子写真感光体は、上記（１）の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザーを露光光源として有する電子写真装置に好適に用いられる、上記波長範囲の光を露光光に対して高い感度特性を有する電子写真感光体を提供することが出来る。また、該電子写真感光体を用いることにより、高い感度特性を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明に係る電子写真感光体は、導電性支持体及び該導電性支持体上に感光層を有し、４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザーを露光光源として有する電子写真装置に用いられる電子写真感光体であって、前記感光層が下記一般式（I）又は（II）で示される化合物を含有している：
【００１４】
【化４】
2005338470.tif 000005
（上記一般式（I）中、Ｒ1は、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の複素環基を示し、Ｙは酸素原子又は硫黄原子を示す。）
【００１５】
【化５】
2005338470.tif 000006
（上記一般式（II）中、Ｘは以下のいずれかを示し、Ｙは酸素原子又は硫黄原子を示す。
【００１６】
【化６】
2005338470.tif 000007
なお、式中のＡは、置換若しくは無置換の二価の炭化水素基、又は置換若しくは無置換の二価の複素環基を示す。）
【００１７】
上記一般式（I）中のＲ１のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル及びブチ
ル等の基が挙げられる。上記一般式（I）中のＲ１の芳香族炭化水素環基としては、フェ
ニル、ナフチル、フルオレニル、ピレニル及びビフェニル等の基が挙げられる。上記一般式（I）中のＲ１の複素環基としては、フリル、チエニル、ピリジル、イソキノリル及び
カルバゾリル等の基が挙げられる。
【００１８】
上記一般式（I）中のＲ１のアルキル基、芳香族炭化水素環基、複素環基が有してもよ
い置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基等のアルキル基；メトキシ基及びエトキシ基等のアルコキシ基；メチルアミノ基、ジメチルアミノ基及びジエチルアミノ基等のアルキルアミノ基；フェニルアミノ基及びジフェニルアミノ基等のアリールアミノ基；フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等のハロゲン原子；ヒドロキシ基；ニトロ基；シアノ基；トリフルオロメチル等のハロメチル基；等が挙げられる。
【００１９】
上記一般式（II）中のＸで表される基中のＡとしては、メチレン、エチレン、フェニレン及びフェナンスレン等の二価の炭化水素基；フラン、チオフェン、ピリジン、イソキノリン、カルバゾリン等の複素環の環原子である水素を任意に２つ除去した二価の複素環基が挙げられる。
【００２０】
上記一般式（II）中のＸで表される基中のＡとしての二価の炭化水素基及び二価の複素環基は置換基を有していてもよく、置換基としては、上記一般式（I）中のＲ１のアルキ
ル基、芳香族炭化水素環基、複素環基が有してもよい置換基と同様のものが挙げられる。
【００２１】
上記一般式（I）又は（II）で示される化合物が、従来用いられる電荷発生材料に比べ
て短波長域でも感度がいいのは、バルビツール酸骨格と置換アミド基を有することで短波長に対して吸光度が高くなり、理由は定かではないが高い電荷発生能を有しているためと考えられる。
【００２２】
以下に、上記一般式（I）又は一般式（II）で示される化合物の例として、下記一般式
（１）〜（１４）で示される化合物（以下、それぞれ「化合物（１）〜（１４）」という）を挙げる。しかし、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２３】
【化７】
2005338470.tif 000008
【００２４】
【化８】
2005338470.tif 000009
【００２５】
【化９】
2005338470.tif 000010
【００２６】
上記一般式（I）又は（II）で示される化合物は公知の方法により合成することができ
る。即ち、下記一般式（III）若しくは（IV）で示されるアルデヒド又は下記一般式（V）若しくは（VI）で示されるアセタールと、下記一般式（VII）で示される（チオ）バルビ
ツール酸とを必要に応じて縮合剤として少量の二級若しくは三級のアミン（ピペリジン、Ｎ−メチルモルホリン及びトリエチルアミン等）又は酢酸アンモニウムを添加し、溶剤中で反応させることにより合成することができる。溶剤としてはトルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素系溶剤；メタノール、プロパノール及びブタノール等のアルコール系溶剤；テトラヒドロフラン及び１,４−ジオキサン等のエーテル系溶剤；Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアルデヒド等のアミド系溶剤；酢酸等が挙げられる。
【００２７】
【化１０】
2005338470.tif 000011
【００２８】
上記一般式（III）、（IV）及び（VII）中、Ｒ１、Ｘ及びＹは、前記一般式（I）又は
（II）に於けるＲ１、Ｘ及びＹと同じ置換基を示し、上記一般式（V）及び（VI）中のＲ
２はメチル基、エチル基等のアルキル基を示す。
【００２９】
なお、上記一般式（V）又は（VI）で示されるアセタール化合物は、下記一般式（VIII
）又は（IX）で示される酸クロライド化合物と下記一般式（X）で示されるアミノアセタ
ール化合物とを塩基（ピリジン及びトリエチルアミン等）存在下、反応させることにより合成することができる。
【００３０】
【化１１】
2005338470.tif 000012
【００３１】
上記一般式（VIII）、（IX）及び（X）中のＲ１、Ｘ及びＲ２は、前記一般式（I）、（II）及び（V）に於けるＲ１、Ｘ及びＲ２と同じ置換基を示す。
【００３２】
次に、上記化合物を電子写真感光体における電荷発生材料として適用する場合を説明する。
【００３３】
本発明に係る電子写真感光体は、導電性支持体上に上記化合物を含有した感光層が形成されている。前記感光層は電荷発生層、電荷電送層をこの順に積層した構成又は逆に電荷輸送層、電荷発生層をこの順に積層した構成、電荷発生材料と電荷輸送材料をバインダー樹脂中に分散した単層型感光層より構成されるもののいずれの構成をとることも可能である。なかでも、電荷発生層、電荷輸送層をこの順に積層した積層型感光層の構成が電子写真特性的に好ましい。
【００３４】
導電性支持体は、導電性を有するものであればいずれのものでもよい。例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル、インジウム、金及び白金等の金属からなる導電性支持体が挙げられる。その他には、アルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジウム、酸化スズ又は酸化インジウム−酸化スズ合金等の被膜が真空蒸着法によって形成されたプラスチック（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂及びポリフッ化エチレン等）からなる導電性支持体；導電性粒子（例えば、アルミニウム粒子、酸化チタン粒子、酸化スズ粒子、酸化亜鉛粒子、カーボンブラック粒子及び銀粒子等）を適当なバインダー樹脂と共にプラスチック又は金属からなる支持体の上に被覆した導電性支持体；導電性粒子をプラスチックや紙に含浸させた支持体；導電性ポリマーを含むプラスチック等からなる支持体；等が挙げられる。
導電性支持体の形状としては円筒状又はフィルム状等が挙げられる。特に、円筒状のアルミニウムが機械強度、電子写真特性及びコストの点で優れていることから好ましい。円筒状のアルミニウムは、粗管のまま導電性支持体として用いてもよいが、ホーニング等の物理処理、陽極酸化処理又は酸等を用いた化学処理を施したものを用いてもよい。
【００３５】
導電性支持体と感光層の間には、バリヤー機能と接着機能を持つ下引き層を設けることもできる。下引き層の材料としては、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、エ
チルセルロース、メチルセルロース、カゼイン、ポリアミド（ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン６１０、共重合ナイロン及びＮ−アルコキシメチル化ナイロン等）、ポリウレタン、にかわ、酸化アルミニウム及びゼラチン等が挙げられる。その膜厚は０．１〜１０μｍが好ましく、特に０．３〜３μｍが好ましい。下引き層は、これらの材料をそれぞれ適した溶剤に溶解して得た下引き層用塗布液を導電性支持体上に塗布し、乾燥することによって形成される。
【００３６】
単層型の感光層を形成する場合、電荷発生材料としての上記一般式（I）又は（II）で
示される化合物と電荷輸送材料とを過当なバインダー樹脂溶液中に混合して塗布液を得、該塗布液を導電性支持体（又は下引き層）上に塗布し乾燥させて単層型感光層を形成する。
【００３７】
積層型感光層を形成する場合、上記一般式（I）又は（II）で示される化合物を適当な
バインダー樹脂と共に溶液に分散させ、この分散液を導電性支持体（又は下引き層）上に塗布しそれを乾燥させて電荷発生層を形成し、次いで電荷輸送層を形成する方法が挙げられる。上記一般式（I）又は（II）で示される化合物を蒸着させ蒸着膜として電荷発生層の膜形成をしてもよい。
上記一般式（I）又は（II）で示される化合物を電荷発生材料として用いる場合、その
目的に応じて他の電荷発生材料と混合して用いることもできる。他の電荷発生材料としては、通常、電荷発生材料として用いられるものが挙げられ、具体的には、無金属フタロシアニン、チタニルフタロシアニン、及びガルウムフタロシアニン等のフタロシアニン化合物；ジスアゾ及びトリスアゾ等のアゾ化合物；ペリレン化合物；多環キノン化合物；シアニン化合物等が用いられる。この場合、上記一般式（I）又は（II）で示される化合物の
割合は、電荷発生材料全体の５０質量％以上となることが好ましい。
【００３８】
単層型感光層の場合、電荷発生材料（上記一般式（I）又は（II）で示される化合物、
及び必要により他の電荷発生材料の合計）の含有量は、感光層全体の３〜３０質量％が好ましい。積層型感光層の場合、電荷発生材料の含有量は、電荷発生層全体の２０〜９０質量％が好ましく、更には５０〜８０質量％が好ましい。
【００３９】
積層型感光層の電荷輸送層は、主として電荷輸送材料とバインダー樹脂とを溶剤中に溶解させた塗布液を電荷発生層上に塗布し乾燥させて形成する。本発明に用いられる電荷輸送材料としては、一般的に電荷輸送材料として用いられる各種のトリアリールアミン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチルベン系化合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾール系化合物、チアゾール系化合物及びトリアリルメタン系化合物等が挙げられる。
【００４０】
単層型感光層の場合、電荷輸送材料の含有量は、感光層全体の３０〜７０質量％が好ましい。積層型感光層の場合、電荷輸送材料の含有量は、電荷輸送層全体の２０〜８０質量％が好ましく、更には３０〜７０質量％が好ましい。
【００４１】
単層型感光層の場合、膜厚は５〜４０μｍが好ましく、特に１０〜３０μｍが好ましい。また、積層型感光層の場合、電荷発生層の膜厚は０．０１〜１０μｍが好ましく、特に０．１〜３μｍが好ましく、電荷輸送層の膜厚は５〜４０μｍが好ましく、特に１０〜３０μｍの範囲が好ましい。
【００４２】
単層型感光層、積層型感光層の電荷発生層及び電荷輸送層の各層に用いるバインダー樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリビニルカルバゾール、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、メラミン樹脂、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリサルホン、ポリアリレート、塩化ビニリデン、アクリロニトリル共重合体及びポリビニルベンザール等の樹脂が挙げられる。
また、各層に用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジメトキシメタン、１,
４−ジオキサン及び１,２−ジメトキシエタン等のエーテル系溶剤；シクロヘキサノン、
メチルエチルケトン、アセトン及びペンタノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル及び酢酸ブチル等のエステル系溶剤；トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素系溶剤；メタノール、プロパノール及びブタノール等のアルコール系溶剤；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン及びＶクロロベンゼン等のハロゲン系溶剤等が挙げられる。
【００４３】
感光層の塗布方法としては、ディッピング法、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、ブレードコーティング法及びビームコーティング法等の塗布方法を挙げることができる。
【００４４】
感光層上には、必要に応じて該感光層の削れやキズ付を防ぐ為の保護的な層（以下、「保護層」ともいう）をさらに設けてもよい。保護層は、例えばポリビニルブチラール、ポリエステル、ポリカーボネート（ポリカーボネートＺや変性ポリカーボネート等）ポリアミド、ポリイミド、ポリアリレート、ポリウレタン、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン−アクリル酸コポリマー及びスチレン−アクリロニトリルコポリマー等の樹脂を適当な有機溶剤を用いて溶解して塗布液を得、該塗布液を感光層の上に塗布し乾燥させて形成される。
保護層の膜厚は、０．０５〜２０μｍが好ましい。また、保護層中に導電性粒子や紫外線吸収剤、及び耐磨耗性改良剤等を含ませてもよい。導電性粒子としては、例えば、酸化錫粒子等の金属酸化物が好ましく用いられる。耐磨耗性改良剤としては、フッ素系樹脂微粉末、アルミナ、シリカ等が好ましく用いられる。
【００４５】
次に、本発明の電子写真感光体を用いた電子写真装置について説明する。
本発明の画像形成蔵置は、電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有する電子写真装置において、前記露光手段が４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザー光を露光光源として有し、電子写真感光体として本発明の上述の電子写真感光体を用いる。
【００４６】
本発明の電子写真装置の一つの実施の形態を図１に示す。
図１において、ドラム型の電子写真感光体１は、軸１ａを中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動する。電子写真感光体１は、その回転過程で帯電手段２によりその周面に正又は負の所定電位の均一帯電を受け、次いで露光部３にて不図示の露光手段により露光光Ｌ（レーザービーム走査露光等）を受ける。該露光光は、４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザー光である。これにより電子写真感光体周面に露光像に対応した静電潜像が順次形成されていく。その静電潜像は、次いで現像手段４によりトナー像として現像され、そのトナー像がコロナ転写手段５により、不図示の給紙部から電子写真感光体１とコロナ転写手段５との間に電子写真感光体１の回転と同期取りされて給送された転写材９の面に、順次転写されていく。像転写を受けた転写材９は、電子写真感光体１面から分離されて定着手段８へ導入されて定着を受けて複写物（コピー）として電子写真装置の機外へプリントアウトされる。像転写後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段６により転写残りトナーの除去を受けて清浄面化され、前露光手段７により除電処理がされて、繰り返して像形成に使用される。
【００４７】
本発明の電子写真装置の露光手段（不示図）は、４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザー光を露光光源として有する。４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザー光を露光光源として有していれば、特に制限はないが、具体的には、例えばＧａＮ系半導体レーザーが挙げられる。
【００４８】
また、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段からなる群より選択された少なくとも
一つの手段を感光体と一体に支持し、４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザー光を露光光源として有する電子写真装置本体に着脱自在としたプロセスカートリッジも本発明の範囲内である。本発明のプロセスカートリッジの一つの実施の形態を図２に示す。
図２に示すプロセスカートリッジは、電子写真感光体１、帯電手段２及び現像手段４を容器２０に納めてプロセスカートリッジとし、このプロセスカートリッジは、レール等の案内手段１２により電子写真装置本体に対して着脱自在に構成されている。クリーニング手段６は、容器２０内に配置しても配置しなくてもよい。
【００４９】
本発明のプロセスカートリッジ及び電子写真装置の別の実施の形態を図３に示す。図３に示すように、本発明のプロセスカートリッジ及び電子写真装置は、帯電手段として直接帯電部材１０を用い、電圧印加された直接帯電部材１０を電子写真感光体１に接触させることにより電子写真感光体１の帯電を行ってもよい（この帯電方法を、以下、「直接帯電法」という）。また、図３に示す本発明の電子写真装置では、電子写真感光体１上のトナー像は直接帯電転写部材２３により転写材９に転写される。即ち、電圧印加された直接帯電転写部材２３を転写材９に接触させることにより、電子写真感光体１上のトナー像を転写材９に転写させる。
【００５０】
更に、本発明の電子写真装置は、図４に示すように、少なくとも電子写真感光体１及び直接帯電部材１０を第１の容器２１に納めた第１のプロセスカートリッジと、現像手段４を第２の容器２２に納めた第２のプロセスカートリッジとを有し、これらプロセスカートリッジが電子写真装置本体に対して着脱自在に構成されている形態であってもよい。また、図４における第１のプロセスカートリッジ（少なくとも電子写真感光体１及び直接帯電部材１０を第１の容器２１に納めた形態）は、本発明のプロセスカートリッジの一つの形態である。第１のプロセスカートリッジは、クリーニング手段６を容器２１内に配置しても配置しなくてもよい。
【００５１】
なお、図３及び図４に示す電子写真装置に用いる露光手段は、４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザー光Ｌを露光光源として有する。電子写真装置を複写機やプリンターとして使用する場合には、原稿からの反射光や透過光を用いる、又は原稿を読み取り信号化に従って、この信号により４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザーの走査を行うことにより行われる。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例を用いて本発明を更に詳細に説明するが、これにより本発明が限定されるものではない。なお、以下の例中における「部」は「質量部」を示す。
実施例において、ＩＲスペクトル（赤外分光法）の測定は日本分光（株）製、ＦＴ／ＩＲ−４２０型により、ＵＶスペクトルの測定は日本分光（株）製、Ｖ−５７０型によって行った。
【００５３】
＜電荷発生材料の合成例１＞
４−アセチルアミノベンズアルデヒド（東京化成工業（株）製）３.２６部とチオバル
ビツール酸（キシダ化学（株）製）２.８８部をエタノール１００部に加えた後、ピペリ
ジン０.１部を滴下し、２時間加熱還流を行った。析出物をろ別し、エタノールで十分洗
浄を行い、黄色結晶の前記化合物（１）を５.３部得た。
化合物（１）のＩＲスペクトル分析、ＵＶスペクトル分析の結果は以下の通りである。
ＩＲ（ＫＢｒ）：３３２７，１６７８，１６５５，１５０８ｃｍ−１
ＵＶ（ＣＨＣｌ３）：λｍａｘ＝４１８ｎｍ
【００５４】
＜電子写真感光体の製造例＞
（実施例１）
メトキシメチル化ナイロン（平均分子量３２０００）５部とアルコール可溶性共重合ナイロン（平均分子量２９０００）１０部をメタノール９５部に溶解した塗布液をマイヤーバーでアルミニウム支持体上に塗布し、乾燥後の膜厚０．４μｍの下引き層を形成した。
次に、合成例１で得た化合物（１）２部をテトラヒドロフラン４３部中に、直径０.８
ｍｍのガラスビーズ７.５部と共にペイントシェーカーで２０時間攪拌して分散させ、こ
れにポリビニルベンザール樹脂（ベンザール化度８０ｍｏｌ％）１部をテトラヒドロフラン１０部に溶かした液を加え、更にペイントシェーカーで２時間攪拌して分散させ、これにテトラヒドロフラン４０部とシクロヘキサノン４０部を加えて希釈した。この分散液を電荷発生層用塗布液として、下引き層の上に乾燥後の膜厚が０．２μｍとなるようにマイヤーバーで塗布し、電荷発生層を形成した。
【００５５】
次いで、下記構造式で示されるトリフェニルアミン化合物９.５部と、ポリカーボネー
ト樹脂（商品名：ユーピロンＺ２００、三菱エンジニアリングプラスチックス(株)製）１０部をクロロベンゼン７０部に溶解して電荷輸送層用塗布液を得た。この塗布液を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が２０μｍとなるようにマイヤーバーで塗布し、電荷輸送層を形成し、実施例１の電子写真感光体を作製した。
【００５６】
【化１２】
2005338470.tif 000013
【００５７】
（実施例２〜７）
電荷発生層の電荷発生材料として表１に示す化合物を用いた以外は、実施例１と同様にして実施例２〜７の電子写真感光体を作製した。なお、実施例２〜７で用いた化合物（２）、（４）、（７）、（９）、（１１）、（１３）は、上述で例示した化合物（２）、（４）、（７）、（９）、（１１）、（１３）と対応したものである。
【００５８】
（比較例１）
電荷発生層の電荷発生材料として下記一般式で示される比較化合物（Ａ）を用いた以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。
【００５９】
【化１３】
2005338470.tif 000014
【００６０】
（比較例２）
電荷発生層の電荷発生材料として下記一般式で示される比較化合物（Ｂ）を用いた以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。
【００６１】
【化１４】
2005338470.tif 000015
【００６２】
（比較例３）
電荷発生層の電荷発生材料として下記一般式で示される比較化合物（Ｃ）を用いた以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。
【００６３】
【化１５】
2005338470.tif 000016
【００６４】
（比較例４）
電荷発生層の電荷発生材料として下記一般式で示される比較化合物（Ｄ）を用いた以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。
【００６５】
【化１６】
2005338470.tif 000017
【００６６】
（比較例５）
電荷発生層の電荷発生材料として、特開昭５７−２０４５５０号公報に開示されている方法に沿って合成した、下記一般式で示される比較化合物（Ｅ）を用いた以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。
【００６７】
【化１７】
2005338470.tif 000018
【００６８】
＜電子写真感光体の評価＞
作製した電子写真感光体についてその電子写真特性を１０ｃｍ２の導電性ガラスを用いて光放電特性を測定することによって評価した。光源としてハロゲンランプを波長４０３ｎｍの干渉フィルターで単色化したものを用いた。なお、試料である電子写真感光体への初期表面電位は−７００Ｖになるように調整されている。このとき表面電位が半分に減衰するのに必要な露光量Ｅ１／２を測定した。この結果を表１に示す。
【００６９】
【表１】
2005338470.tif 000019
【００７０】
表１に示した結果から、本発明に係る電子写真感光体は、４０３ｎｍの波長の露光光に対して極めて高い感度を有していたことがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の電子写真感光体を備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【図２】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【図３】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【図４】本発明の電子写真感光体を有する第１のプロセスカートリッジと、第２のプロセスカートリッジとを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００７２】
１  電子写真感光体
１ａ  軸
２  帯電手段
３  露光部
４  現像手段
５  コロナ転写手段
６  クリーリング手段
７  前露光手段
８  定着手段
９  転写材
１０  直接帯電部材
１２  案内手段
２０，２１，２２  容器
２３  直接帯電転写部材
Ｌ  レーザー光
【図１】
2005338470.tif 000032
【図２】
2005338470.tif 000033
【図３】
2005338470.tif 000034
【図４】
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