(57)【要約】【課題】  リン濃度の高い無電解ニッケル皮膜上でも実用的な速度でめっき付けが可能で、かつ得られた金皮膜上に施したはんだ接合の強度が、鉛フリータイプのはんだでも十分な強度を示す、置換型金めっき液を提供する。【解決手段】  無電解ニッケルめっき皮膜上に金皮膜を形成させるための無電解金めっき液であって、（ａ）水溶性金化合物、（ｂ）酸解離定数（ｐＫａ）が２．２以下の酸性物質からなる電導塩、および（ｃ）分子内に窒素原子を２個以上有する複素環芳香族化合物からなる酸化抑制剤を、必須構成成分として含有することを特徴とする、無電解金めっき液。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
無電解ニッケルめっき皮膜上に金皮膜を形成させるための無電解金めっき液であって、（ａ）水溶性金化合物、（ｂ）酸解離定数（ｐＫａ）が２．２以下の酸性物質からなる電導塩、および（ｃ）分子内に窒素原子を２個以上有する複素環芳香族化合物からなる酸化抑制剤を、必須構成成分として含有することを特徴とする、無電解金めっき液。
【請求項２】
前記水溶性金化合物が、シアン化第１金カリウム、シアン化第２金カリウム、塩化第１金ナトリウム、塩化第２金ナトリウム、亜硫酸金アンモニウム、亜硫酸金カリウム、亜硫酸金ナトリウム、チオ硫酸金ナトリウム、チオ硫酸金カリウム、およびこれらの混合物よりなる群から選ばれたものである、請求項１に記載の無電解金めっき液。
【請求項３】
前記電導塩が、ベンゼンスルホン酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、ニトロ酢酸、蓚酸、グリセリンリン酸、グルコースリン酸、ピクリン酸、ピリジンカルボン酸、ピリジンジカルボン酸、アミノエチレンホスホン酸、マレイン酸、ニコチン酸、イソニコチン酸、アスパラギン酸、アントラニル酸、これらのカリウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、およびこれらの混合物よりなる群から選ばれたものである、請求項１または２に記載の無電解金めっき液。
【請求項４】
前記酸化抑制剤が、３‐アミノピラゾール、４‐アミノピラゾール、５‐アミノピラゾール、２‐アミノイミダゾール、４‐アミノイミダゾール、５‐アミノイミダゾール、１，２，３‐トリアゾール、４‐アミノ‐１，２，３‐トリアゾール、５‐アミノ‐１，２，３‐トリアゾール、１，２，４‐トリアゾール、３‐アミノ‐１，２，４‐トリアゾール、５‐アミノ‐１，２，４‐トリアゾール、テトラゾール、５‐アミノテトラゾール、ベンズトリアゾール、２‐アミノベンズイミダゾールおよびこれらの混合物よりなる群から選ばれたものである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の無電解金めっき液。
【請求項５】
前記無電解ニッケルめっき皮膜が、リン濃度が８．５％以上のものである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の無電解金めっき液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、置換型無電解金めっき液に関するものである。さらに詳細には、本発明は、無電解ニッケルめっき皮膜上に金皮膜を形成させるための無電解金めっき液であって、ニッケルめっき皮膜中のリン濃度が高い場合であっても、十分なめっき速度およびはんだ接合強度が得られる金めっき皮膜を形成可能な置換型無電解金めっき液に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、置換型金めっきは電子部品に施され、通常０．２ミクロン以下の薄膜を形成させるのに使われている。これは、電子部品の実装用接合部を金皮膜で保護する為で、めっき工程で置換金めっきが施された金めっき被覆部には、実装工程で、はんだ等を用いて他の電子部品と接合され、最終的にはパソコン、携帯電話等の電子機器として組み上げられている。
【０００３】
近年、電子機器が小型化、軽量化されるにつれ、置換金めっきに要求される特性も多様化、高度化している。例えば、携帯可能な電子機器の場合、機器の落下等、外部から力が加えられることが避けられず、これに対応して、金めっき皮膜上に施されるはんだの接合強度をより強化することが必要になっている。
【０００４】
また、近い将来、はんだが従来の鉛含有タイプから鉛フリータイプに代わると、はんだ接合強度は低下するので、金めっき層側を改良してこれを補うことが求められている。
【０００５】
更に、電子機器が屋外や、高湿度ないし腐食性環境で使用されることを考慮し、めっき皮膜の耐食性を上げるために下地となる無電解ニッケル皮膜中のリン濃度を高くすることが行われている。しかし、ニッケル皮膜のリン濃度が上がると、置換金めっきを施すのが困難になることが避けられない。すなわち、置換金めっきは、下地のニッケル皮膜をめっき液中にニッケルイオンとして溶出させ、代わりに金イオンを金属皮膜としてとして析出させる方法であるが、ニッケル皮膜の耐食性が高くするほどニッケルイオンが溶出しにくくなって、その結果、金の皮膜形成が抑制されることになるからである。
【０００６】
下地金属と金めっき皮膜との密着性およびはんだ接合強度を向上させる技術としては、特開２０００−１４４４４１号公報に記載されたものがある。
【特許文献１】特開２０００−１４４４４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記技術は、特定の金析出抑制剤を使用するものであって、下地金属と金めっき皮膜との密着性およびはんだ接合強度の向上において優れたものであると認められる。
【０００８】
しかし、はんだ接合強度、特に鉛フリータイプのはんだを用いた場合のはんだ接合強度が十分でなかったり、また下地層としてリン濃度が高いニッケルめっき皮膜を用いた場合、金めっき十分に行われなかったり、処理に多大な時間を要したりすることがあって、改良の余地が認められる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、リン濃度の高い無電解ニッケル皮膜上でも実用的な速度でめっき付けが可能で、かつ得られた金皮膜上に施したはんだ接合の強度が、鉛フリータイプのはんだでも十分な強度を示す、置換型金めっき液を提供することである。
【００１０】
このような本発明による無電解金めっき液は、無電解ニッケルめっき皮膜上に金皮膜を形成させるための無電解金めっき液であって、（ａ）水溶性金化合物、（ｂ）酸解離定数（ｐＫａ）が２．２以下の酸性物質からなる電導塩、および（ｃ）分子内に窒素原子を２個以上有する複素環芳香族化合物からなる酸化抑制剤を、必須構成成分として含有すること、を特徴とするものである。
【００１１】
このような本発明による無電解金めっき液は、好ましくは、前記水溶性金化合物を、シアン化第１金カリウム、シアン化第２金カリウム、塩化第１金ナトリウム、塩化第２金ナトリウム、亜硫酸金アンモニウム、亜硫酸金カリウム、亜硫酸金ナトリウム、チオ硫酸金ナトリウム、チオ硫酸金カリウム、およびこれらの混合物よりなる群から選ばれたものとすることができる。
【００１２】
このような本発明による無電解金めっき液は、好ましくは、前記電導塩を、ベンゼンスルホン酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、ニトロ酢酸、蓚酸、グリセリンリン酸、グルコースリン酸、ピクリン酸、ピリジンカルボン酸、ピリジンジカルボン酸、アミノエチレンホスホン酸、マレイン酸、ニコチン酸、イソニコチン酸、アスパラギン酸、アントラニル酸、これらのカリウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、およびこれらの混合物よりなる群から選ばれたものとすることができる。
【００１３】
このような本発明による無電解金めっき液は、好ましくは、前記酸化抑制剤を、３‐アミノピラゾール、４‐アミノピラゾール、５‐アミノピラゾール、２‐アミノイミダゾール、４‐アミノイミダゾール、５‐アミノイミダゾール、１，２，３‐トリアゾール、４‐アミノ‐１，２，３‐トリアゾール、５‐アミノ‐１，２，３‐トリアゾール、１，２，４‐トリアゾール、３‐アミノ‐１，２，４‐トリアゾール、５‐アミノ‐１，２，４‐トリアゾール、テトラゾール、５‐アミノテトラゾール、ベンズトリアゾール、２‐アミノベンズイミダゾールおよびこれらの混合物よりなる群から選ばれたものとすることができる。
【００１４】
このような本発明による無電解金めっき液は、好ましくは、前記無電解ニッケルめっき皮膜を、リン濃度が８．５％以上のものとすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、リン濃度の高い無電解ニッケル皮膜上でも実用的な速度でめっき付けが可能で、かつ得られた金皮膜上に施したはんだ接合の強度が、鉛フリータイプのはんだでも十分な強度を示す、置換型金めっき液を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明による無電解金めっき液は、無電解ニッケルめっき皮膜上に金皮膜を形成させるための無電解金めっき液であって、（ａ）水溶性金化合物、（ｂ）酸解離定数（ｐＫａ）が２．２以下の酸性物質からなる電導塩、および（ｃ）分子内に窒素原子を２個以上有する複素環芳香族化合物からなる酸化抑制剤を、必須構成成分として含有すること、を特徴とするものである。
【００１７】
＜水溶性金化合物＞  
水溶性金化合物としては、シアン化第１金カリウム、シアン化第２金カリウム、塩化第１金ナトリウム、塩化第２金ナトリウム、亜硫酸金アンモニウム、亜硫酸金カリウム、亜硫酸金ナトリウム、チオ硫酸金ナトリウム、チオ硫酸金カリウムおよびこれらの混合物が良好な性質を示す。特に好ましいのはシアン化第１金カリウムおよび亜硫酸金ナトリウムである。
【００１８】
金めっき液中の水溶性金塩の濃度は、０．１〜１０ｇ／Ｌの範囲が使用可能であり、望ましいのは０．５〜５ｇ／Ｌの範囲である。
【００１９】
＜電導塩＞  
本発明で使用される電導塩は、酸解離定数（ｐＫａ）が２．２以下、好ましくは１．９以下、の酸またはその塩を含有するものである。
【００２０】
電導塩成分は、水中で、ＨＡ  ⇔  Ｈ＋  ＋  Ａ−  のように解離するが、この反応の平衡定数は  Ｋａ  ＝  （Ｈ＋濃度）（Ａ−濃度）／（ＨＡ濃度）となり、この対数値を酸の強度の指標として、本発明では酸解離定数（ｐＫａ）と表示している。
【００２１】
本発明に用いることができる電導塩の好ましい具体例としては、ベンゼンスルホン酸（ｐＫａ  ０．７０）、ジクロロ酢酸（ｐＫａ  １．４８）、トリクロロ酢酸（ｐＫａ  ０．７０）、ニトロ酢酸（ｐＫａ  １．４６）、蓚酸（ｐＫａ  １．２３）、グリセリンリン酸（ｐＫａ  １．３４）、グルコースリン酸（ｐＫａ  １．４６），ピクリン酸（ｐＫａ  ０．３３）、ピリジン‐２，３−ジカルボン酸（ｐＫａ  １．０１）、アミノエチレンホスホン酸（ｐＫａ  １．１）、マレイン酸（ｐＫａ  １．８３）、ニコチン酸（ｐＫａ  ２．０５）、イソニコチン酸（ｐＫａ  １．７９）、アスパラギン酸（ｐＫａ  １．９３）、アントラニル酸（ｐＫａ  ２．００）などの酸、またはそれらのナトリウム塩、カリウム塩、またはアンモニウム塩、またはそれらの混合物等を例示することができる。特に好ましいのは、マレイン酸、蓚酸、ピリジンジカルボン酸またはその塩を含有した電導塩を挙げることができる。
【００２２】
ｐＫａは、２．２から０．５の範囲が望ましい。０．５未満になると、Ｎｉ下地を浸食しやすくなり、特に低および中リン（４〜８％）Ｎｉにおいて顕著である。また、２．２超過になると、Ｎｉ下地の溶出がおきにくくなり、金めっきの速度が低下するので、特に高リン（９％以上）Ｎｉにおいて顕著である。
【００２３】
電導塩の金めっき液中の濃度は、１〜３００ｇ／Ｌであり、好ましくは５〜１５０ｇ／Ｌの範囲である。
【００２４】
＜酸化抑制剤＞  
本発明で使用される酸化抑制剤は、分子内に窒素原子を２個以上有する複素環芳香族化合物である。具体的には、例えば、２‐アミノピロール、３‐アミノピロール、２‐アミノインドール、３‐アミノインドール、ピラゾール、３‐アミノピラゾール、４‐アミノピラゾール、５‐アミノピラゾール、イミダゾール、２‐アミノイミダゾール、４‐アミノイミダゾール、５‐アミノイミダゾール、１，２，３‐トリアゾール、４‐アミノ‐１，２，３‐トリアゾール、５‐アミノ‐１，２，３‐トリアゾール、１，２，４‐トリアゾール、３‐アミノ‐１，２，４‐トリアゾール、５‐アミノ‐１，２，４‐トリアゾール、テトラゾール、５‐アミノテトラゾール、ベンズイミダゾール、２‐アミノベンズイミダゾール、ベンズトリアゾール等を挙げることができる。本発明では、これらの化合物の２種以上の混合物を用いることができる。本発明において特に好ましい酸化抑制剤は、窒素原子が３個以上で、かつパイ電子過剰タイプの芳香族複素環化合物、即ち、３‐アミノピラゾール、４‐アミノピラゾール、５‐アミノピラゾール、２‐アミノイミダゾール、４‐アミノイミダゾール、５‐アミノイミダゾール、１，２，３‐トリアゾール、４‐アミノ‐１，２，３‐トリアゾール、５‐アミノ‐１，２，３‐トリアゾール、１，２，４‐トリアゾール、３‐アミノ‐１，２，４‐トリアゾール、５‐アミノ‐１，２，４‐トリアゾール、テトラゾール、５‐アミノテトラゾール、ベンズトリアゾール、２‐アミノベンズイミダゾールである。尚、複素環化合物のパイ電子過剰タイプと欠乏タイプについては、成書”Heterocyclic  Chemistry, by Adrien Albert, The Anthon Press University of London, 1959” に詳細に解説されている。なお、このうちパイ電子欠乏タイプのピリジン、トリアジン等の芳香族化合物は本発明には使用できないまた、ピペリジン、ピペラジン骨格を有する脂肪族複素環化合物も本発明では適さない。
【００２５】
金めっき液中の酸化抑制剤の濃度は、５〜５０，０００ｐｐｍの範囲で使用可能であり、好ましくは１０〜１０，０００ｐｐｍの範囲である。
【００２６】
酸化抑制剤として有効なπ電子過剰タイプの複素環化合物は、分子中の複数の窒素原子により、下地のニッケル表面に吸着し、π電子過剰の分子構造によりＮｉ表面の酸化を防止するものと推定される。酸化抑制剤はＮｉには吸着するが、金表面には吸着せず、金めっきによる置換反応が進行するにつれて下地表面から脱着し、置換めっきが終了した時点では金めっき表面には全く吸着していない。
【００２７】
＜他の成分（任意成分）＞  
本発明の金めっき液には、必要に応じて、タリウム、鉛等の結晶調整剤、めっき液の被めっき基材への濡れ性を調節する界面活性剤、めっき浴のｐＨを安定化させる緩衝剤、めっき浴中に溶出するニッケル、銅などの金属イオンの金めっき皮膜への析出を防止するキレート剤などを適宜選択して添加することが出来る。
【００２８】
＜無電解金めっき液およびその処理＞  
本発明による無電解金めっき液は、無電解ニッケルめっき皮膜上に金皮膜を形成させるためのものである。
【００２９】
本発明による無電解金めっき液よれば、従来公知の種々の無電解ニッケルめっき法によって形成された皮膜上に金皮膜を形成させることが可能であるが、本発明の効果が特に認められるのはニッケルめっき皮膜がリンを含有するものであって、しかもリン濃度が比較的高い場合である。従って、このような本発明の対象となる特に好ましい無電解ニッケルめっき皮膜は、次亜リン酸塩（好ましくは、次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ２））を用いて、水溶液中のニッケルイオンをニッケル金属皮膜に還元するタイプのものであって、得られるニッケルめっき皮膜中にリン化合物が含有されているものである。
【００３０】
ニッケルめっき皮膜中のリン濃度は、無電解ニッケルめっき浴の組成や運転条件等によって変わるが、従来より採用されているめっき浴および合理的な操作、運転条件によれば、ニッケルめっき皮膜中のリン濃度は通常４〜１４％である。本発明による金めっき液は、リン濃度が４〜１４％程度の広い範囲のものに適用可能であるが、本発明の効果が顕著に発揮されるものは、リン濃度が８．５％以上の、特に９．０％以上の、高リンタイプと呼ばれているものである。
【００３１】
このようなニッケルめっき皮膜が析出、形成される素地は、金属素地であっても非金属素地であってもよいが、電子部品用途にあっては導電性金属、特に銅および銅合金、が代表的である。ニッケルめっき皮膜を析出、形成させる対象となる銅および銅合金は、圧延等の機械的加工、電気めっき法、無電解めっき法、気相めっき法など各種方法で形成することができる。
【００３２】
上記の必須成分および（または）任意成分からなる本発明による無電解金めっき液は、浴槽に入れられ、所定のｐＨに調整された後、加熱されて使用される。ｐＨは通常４〜８の範囲で、浴温度は通常６０℃〜１００℃の範囲で使用される。
【００３３】
本発明による無電解金めっき液よれば、このような条件下で、１０分間に０．０３〜０．２０μｍ程度の金めっき皮膜を多様なリン濃度の（４〜１４％）Ｎｉ皮膜上に形成することができる。
【００３４】
上記の無電解ニッケルめっき皮膜めっき上に形成される金めっき薄膜の厚さは、任意であるが、０．０３〜０．２５μｍが好ましい。金めっき厚が０．０３μｍ未満であると、塗膜の金色が非常に薄くなり肉眼で金の塗膜状態を検査するのが困難になり、また０．２５μｍ超過では、はんだボール融着時に金が均一にボール内に拡散せずに、一部ニッケルめっき界面に残りはんだボールの接続強度が低下することがあることから好ましくない。
【００３５】
金めっき皮膜に、はんだを接合する際に使用するはんだとしては、旧来の鉛はんだ（例えば、Ｓｎ−Ｐｂ系）以外に、鉛フリーはんだと総称される多様な組成のものが使用可能である。ボール状のはんだ（ハンダボール）を使用することができる。金めっき皮膜上に搭載されるハンダボールは、接続部（パッド）の大きさに応じて、直径が１００μｍ〜１ｍｍの範囲のものを使うことができる。
【実施例】
【００３６】
下記の実施例は、本発明による無電解金めっき液の好ましい具体例に関するものである。従って、本発明は、下記実施例に開示された範囲内のもののみに限定されない。
【００３７】
以下の実施例および比較例においては、組成の異なる複数の無電解金めっき液を用意し、図１に示す基板について、表１に示すプロセスにて無電解ニッケルめっきおよび無電解金めっきを施し、その際の金めっき速度、はんだ接合特性、耐食性の評価を行った。
【００３８】
高リンタイプの無電解ニッケルめっき液として「ネオＥＬＮ（商品名）」（日本高純度化学社製）を使用したときのニッケル皮膜中のリン濃度は１０．０±０．５％であり、中リンタイプの無電解ニッケルめっき液として「ＮＰＲ（商品名）」（上村工業社製）を使用した時のリン濃度は７．０±０．５％であった。
【００３９】
置換金めっき皮膜の厚さ、無電解ニッケル皮膜中のリン濃度の分析は、いずれも、蛍光Ｘ線分析装置（ＳＥＡ５１２０，セイコーインスツルメンツ社製）にて行った。
【００４０】
＜めっき速度およびはんだ強度の評価法＞  
図１および図２は、評価用基板の概要を示すものである。  
この評価用基板は、縦４０ｍｍ×横４０ｍｍ×厚さ１ｍｍの樹脂基板１の上に、円形の銅パッド２が碁盤目状に配列され、さらにこの銅パッド２の周囲部がレジスト３で被覆されたものである。各銅パッドは、厚さ１２μｍであり、直径０．７６ｍｍ、中心間距離１．２７ｍｍで、４ｃｍ角の基板上に合計１０００個設けられている。レジスト層３の厚さは２０μｍであって、このレジスト層３は、前記銅パッドの中央部に直径０．６２ｍｍの円状の開口部が形成されるように、形成されている。
【００４１】
次いで、表１に示される条件に従い、各銅パッドの開口部の銅表面上に、ニッケルめっき層４を形成させ、さらに金めっき層５を形成させた。
【００４２】
【表１】
2005307309.tif 000002
【００４３】
更に、金めっき層５上に直径０．７６ｍｍのはんだボール６を搭載し、リフロー装置（「ＲＦ−４３０」、本パルス技研社製）にてはんだボール６を金めっき層に融着固定した（図３）。
【００４４】
リフロー温度、リフロー時間は使用するはんだの組成等を考慮し、２００℃から３００℃の範囲にて、適宜設定した。はんだは、鉛はんだとしてはＳｎ６０−Ｐｂ４０の組成のものを、鉛フリーはんだとしてはＳｎ−Ａｇ３．５−Ｃｕ０．５の組成のものを（いずれもアルファ社製）使用した。
【００４５】
はんだ接合強度の評価は、プル強度測定装置（「ボンドテスター４０００」、デイジ社製）を用いてハンダボールを剥離させることからなるプルテストを行い（図４）、剥離に必要な力の測定およびその剥離面７の状況を観察することによって行なった。剥離がハンダボール内で起きる場合（図５）および前記剥離操作によって銅パッド自体が破断される場合は接続信頼性が高く、剥離面７がめっき界面に近くて金めっき層および（または）ニッケルめっき層の一部が露出した場合（図６）は接続信頼性が低い、と判断される。
【００４６】
接続信頼性が高いと判断された銅パッドの個数を数え、プルテストに供された全銅パッドの数に対する百分率を破断モードとして評価した。
【００４７】
＜実施例１＞  
下記の組成の水溶液を作成し、水酸化カリウムを添加しｐＨを５．０に調整し、無電解金めっき浴を得た。  
図１の基板を用い、表１のプロセスに従って、ネオＥＬＮの無電解ニッケル皮膜上にこの無電解金めっき浴による置換めっきを行ったところ、０．０５μｍの均一な金めっき皮膜が形成された。  
シアン化第１金カリウム        ２ｇ／Ｌ  
マレイン酸                  ２５ｇ／Ｌ  
イミダゾール                  ５ｇ／Ｌ  
鉛フリーはんだを搭載し、これを融着させたものに対し、プル測定を行ったところ、２０点の平均強度は３２３９ｇ、良好な破断モードは８５％であった。  
上記と同様にして、金めっきされた基板を作成した。この基板に対しガス耐食テストを行った。亜硫酸ガス１０ｐｐｍ、温度４０℃、湿度  ８０ＲＨ％、２４時間にて暴露実験を行ったが、金めっき皮膜の変色は認められなかった。下地の無電解ニッケルの腐食が、起きなかった為と思われる。
【００４８】
＜実施例２＞  
下記の組成の水溶液を作成し、水酸化カリを添加してｐＨを５．５に調整し、無電解金めっき浴を得た。  
図１の基板、表１のプロセスに従って、ネオＥＬＮの無電解ニッケル皮膜上にこの無電解金めっき浴にて置換めっきを行ったところ、０．０６μｍの均一な金めっき皮膜が形成された。  
シアン化第１金カリウム              ２ｇ／Ｌ  
ピリジン‐２，３‐ジカルボン酸    ２５ｇ／Ｌ  
１，２，４‐トリアゾール            ５ｇ／Ｌ  
鉛はんだを搭載し、これを融着させたものに対し、プル測定を行ったところ、２０点の平均破断強度は３２７５ｇ、良好な破断モードは１００％であった。
【００４９】
次に、この金めっき液を９０℃のオーブンに入れ、４０時間放置後、取り出したが、金めっき液中に金の析出は認められず、金めっき浴の熱安定性は良好であった。  
めっき液を室温に戻してから、再度ｐＨを５．５に調整し、湯浴にて８０℃に加熱後、図１の基板を、表２の条件にてニッケルめっき、金めっきを行ったところ、０．０６μｍの金めっき皮膜が得られた。鉛はんだボールを２０ケ搭載し、２３０℃のリフロー温度にて融着後、はんだ剥離モードを測定したところ、はんだ内の剥離が９５％で、Ｎｉ界面が露出したパッドは５％に過ぎなかった。
【００５０】
＜実施例３＞  
下記の組成の水溶液を作成し、水酸化カリを添加してｐＨを６．０に調整して無電解金めっき浴を得た。  
図１の基板、表１のプロセスに従って、ネオＥＬＮの無電解ニッケル皮膜上にこの無電解金めっき浴による置換めっきを行ったところ、０．０７μｍの均一な金めっき皮膜が形成された。  
シアン化第１金カリウム                  ２ｇ／Ｌ  
蓚酸                                  ２５ｇ／Ｌ  
３‐アミノ‐１，２，４‐トリアゾール    ５ｇ／Ｌ  
鉛フリーはんだを搭載し、これを融着させたものに対し、プル測定を行ったところ、１０点の平均破断強度は３２２０ｇ、良好な破断モードは９０％であった。
【００５１】
次に、この金めっき液を９０℃のオーブンに８０時間保存し、金の析出の有無を調べたが、全く認められなかった。  
このめっき液を用いて、再度ネオＥＬＮ皮膜上に無電解金めっき処理を行なったが、膜厚０．０７μの均一な金皮膜が得られた。鉛フリーはんだを搭載して、プル強度を測定したが、２０点の平均破断強度は３２０８ｇ、良好破断モードは９０％で、加熱に対し安定なめっき浴であることが示された。
【００５２】
＜比較例１＞  
下記の組成の水溶液を作成し、水酸化カリを添加してｐＨを６．０に調整して無電解金めっき浴を得た。  
図１の基板、表１のプロセスに従って、ネオＥＬＮの無電解ニッケル皮膜上にこの無電解金めっき浴による置換めっきを行ったところ、０．０７μｍの均一な金めっき皮膜が形成された。  
シアン化第１金カリウム      ２ｇ／Ｌ  
蓚酸                      ２５ｇ／Ｌ  
ピリジン                      ５ｍＬ  
鉛フリーはんだを搭載し、これを融着させたものに対し、プル測定を行ったところ、２０点の平均破断強度は２８４０ｇ、良好な破断モードは３０％で、不満足なはんだ接合強度であった。
【００５３】
＜比較例２＞  
下記の組成の水溶液を作成し、水酸化カリを添加してｐＨを６．０に調整して無電解金めっき浴を得た。  
図１の基板、表１のプロセスに従って、ネオＥＬＮの無電解ニッケル皮膜上にこの無電解金めっき浴による置換めっきを行ったところ、０．０２μｍの金めっき皮膜しか形成されず、金めっき時間を２０分に延長しても得られる金めっきの厚みは０．０３μｍに過ぎず、めっきのムラが認められた。  
シアン化第１金カリウム                  ２ｇ／Ｌ  
クエン酸                              ２５ｇ／Ｌ  
３‐アミノ‐１，２，４‐トリアゾール    ５ｇ／Ｌ
【００５４】
＜実施例４＞  
実施例３と同じ組成の無電解金めっき浴を用意した。図１の基板、表１のプロセスに従い、ＮＰＲによる無電解ニッケル皮膜上に、この金めっき液による置換金めっきを行ったところ、０．０９μｍの均一な金めっき皮膜が形成された。  
得られた金めっき基板に鉛フリーはんだを搭載し、融着させ、プル測定を行ったところ、２０点の平均プル強度は３１５０ｋｇ、良好モードは８０％であった。
【００５５】
次に、ガス耐食テストを行った。得られたＥＮＩＧ処理され基板を、亜硫酸ガス  １０ｐｐｍ、温度  ４０℃、湿度  ８０ＲＨ％、２４時間にてガス暴露テストしたところ、金めっき表面に変色が若干認められた。下地のニッケルが腐食され、金めっき表面に溶出した為と思われる。
【００５６】
ガス暴露試験を施したこのＥＮＩＧ基板に、鉛フリーはんだを搭載し、これを融着させたものに対し、プル測定を行ったところ、２０点の平均破断強度は２７８５ｇ、良好な破断モードは２０％で、不満足なはんだ接合強度であった。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】はんだ接合特性を評価するための基板を示す図。
【図２】本発明によるめっき処理基板の断面図。
【図３】はんだボールを接合状態を示す図。
【図４】はんだボールプルテストの概要を示す図。
【図５】はんだボールプルテストにより剥離モードが良好な場合を示す図。
【図６】はんだボールプルテストにより剥離モードが不良の場合を示す図。
【符号の説明】
【００５８】
１  樹脂基板
２  銅パッド
３  レジスト
４  ニッケルめっき層
５  金めっき層
６  はんだボール
【図１】
2005307309.tif 000003
【図２】
2005307309.tif 000004
【図３】
2005307309.tif 000005
【図４】
2005307309.tif 000006
【図５】
2005307309.tif 000007
【図６】
2005307309.tif 000008