(57)【要約】【課題】小型、低背化が可能で、入出力のＶＳＷＲのアンバランスを著しく小さくし得る非可逆回路素子を提供する。【解決手段】軟磁性基体４は四角形状である。ケース７は内部空間が軟磁性基体４の外形よりも大きな四角形状を有する。終端抵抗器902、903及び第２のコンデンサ904は、軟磁性基体４の一辺とケース部材７１の内壁面の一辺との間のスペースに、第２のコンデンサ904を中間にして、その両側に終端抵抗器902、903が位置する関係で配置されている。第３の中心導体３３は、端部331が終端抵抗器902、903及び第２のコンデンサ904の電極に共通に接続されている。第１のコンデンサ901は、終端抵抗器902、903及び第２のコンデンサ904の隣接する軟磁性基体４の一辺とは反対側の他辺と、ケース部材７１の内壁面との間に配置されている。第１および第２の中心導体３１、３２は、第１のコンデンサ901と、入出力端子とに接続されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気回転子と、２つの終端抵抗器と、複数のコンデンサと、ケースとを含む非可逆回路素子であって、
前記磁気回転子は、軟磁性基体と、複数の中心導体とを含み、
前記軟磁性基体は、四角形状であり、
前記中心導体は、前記軟磁性基体と組み合わされており、
前記ケースは、内部空間が前記軟磁性基体の外形よりも大きな四角形状を有しており、
前記２つの終端抵抗器及び前記コンデンサのうちの１つのコンデンサは、前記軟磁性基体の一辺と前記ケースの内壁面の一辺との間のスペースに、前記コンデンサを中間にして、その両側に前記終端抵抗器が位置する関係で配置されており、
前記中心導体の一つは、端部が前記２つの終端抵抗器及び前記１つのコンデンサの電極に共通に接続されており、
他のコンデンサは、前記終端抵抗器及び前記１つのコンデンサの隣接する前記軟磁性基体の前記一辺とは反対側の他辺と、前記ケースの内壁面との間に配置されており、
前記中心導体の残りは、前記他のコンデンサと、入力端子又は出力端子とに接続されている、
非可逆回路素子。
【請求項２】
請求項１に記載された非可逆回路素子であって、前記他のコンデンサは、複数の中心導体に対して共通となる単一部品である、
非可逆回路素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された非可逆回路素子であって、前記磁気回転子とケース内底面との間に、コンデンサとして機能するフィルムを有する、
非可逆回路素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アイソレータ等の非可逆回路素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
アイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子は、例えば携帯電話等の移動体無線機器等に使用されている。この種の非可逆回路素子は、ヨークとして機能する磁性金属容器内に、軟磁性基体と中心電極等で構成された磁気回転子や永久磁石等の磁性部品及び整合用コンデンサさらには終端抵抗等の電気部品を収容して構成される。
【０００３】
軟磁性基体には中心電極が組み合わされ、永久磁石から直流磁界が印加される。中心電極は、複数本の中心導体を含み、一端が軟磁性基体の一面上に配置され、グランド部として金属容器にアースされ、中心導体が、軟磁性基体の他面上で互いに所定の角度をもって交差するように絶縁して配置され、先端が外部端子とされる。
【０００４】
中心導体のそれぞれには、整合用コンデンサが接続される。アイソレータとして用いる場合は、入出力端子に接続されることのない１つの中心導体に、更に、終端抵抗器が接続される。
【０００５】
ところで、この種の非可逆回路素子は、その市場性から限りなく小型化が要求されている。小型化の要請に応える手段としては、例えば、特許文献１、２に開示されているように、円板状軟磁性基体に代えて、四角形状軟磁性基体を用い、これを、四角形状の内部空間を有するケース内に収納し、軟磁性基体とケース内壁面との間のスペースを利用して、コンデンサや終端抵抗器を、高密度で収納する構造が有効である。
【０００６】
他方、携帯電話においては、加入者数の増大や、デュアルバンド機器の出現等により、使用周波数範囲が広帯域化し、これに用いる非可逆回路素子に対しても、動作周波数の広帯域化が要求されている。
【０００７】
更に、入出力の電圧定在波比（以下、ＶＳＷＲと称する）のバランスをとることも、極めて重要な技術的課題である。
【０００８】
上述したような種々の要求の応えるため、この種の非可逆回路素子では、さまざまな構造的改良が提案されているが、四角形状軟磁性基体と、四角形状の内部空間を有するケースとの効率的な組み合わせにより、極限近くまで小型化され、低背化されている現状では、これらの要求特性を満たすことは、並大抵ではない。
【０００９】
特に、比較的低い動作周波数に対応ために、コンデンサの静電容量値を増大させようとした場合、ケース内の小型化された容積を有効に活用しなければならず、必然的に、コンデンサ及び終端抵抗器を、対称性ある理想の位置からは、外れた位置に配置せざるを得なくなり、このため、入出力間におけるＶＳＷＲのアンバランスが顕著になる。
【００１０】
従来は、ＶＳＷＲのアンバランスを、ストリップラインの形状を考慮することによって低減させていたが、この手法の適用できる場面は限定的であり、ケースにおける軟磁性基体及びコンデンサなどの配置関係が複雑な場合は、補正しきれない場合も多々生じる。
【特許文献１】特開平１１−２０５０１１号公報
【特許文献２】特開平１１−９７９１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の課題は、小型、低背化が可能で、しかも、入出力のＶＳＷＲのアンバランスを、著しく小さくし得る非可逆回路素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した課題を解決するため、本発明に係る非可逆回路素子は、磁気回転子と、２つの終端抵抗器と、複数のコンデンサと、ケースとを含む。
【００１３】
前記磁気回転子は、軟磁性基体と、複数の中心導体とを含む。前記軟磁性基体は、四角形状であり、前記中心導体は、前記軟磁性基体と組み合わされている。前記ケースは、内部空間が前記軟磁性基体の外形よりも大きな四角形状を有している。
【００１４】
前記２つの終端抵抗器及び前記コンデンサのうちの１つのコンデンサは、前記軟磁性基体の一辺と前記ケースの内壁面の一辺との間のスペースに、前記コンデンサを中間にして、その両側に前記終端抵抗器が位置する関係で配置されている。前記中心導体の一つは、端部が前記２つの終端抵抗器及び前記１つのコンデンサの電極に共通に接続されている。
【００１５】
他のコンデンサは、前記終端抵抗器及び前記１つのコンデンサの隣接する前記軟磁性基体の前記一辺とは反対側の他辺と、前記ケースの内壁面との間に配置されている。前記中心導体の残りは、前記他のコンデンサと、入力端子又は出力端子とに接続されている。
【発明の効果】
【００１６】
上述したように、本発明に係る非可逆回路素子において、軟磁性基体は、四角形状であり、ケースは、内部空間が軟磁性基体の外形よりも大きな四角形状を有している。従って、軟磁性基体をケースの内部空間に配置した場合、軟磁性基体の外周と、ケースの内壁面との間には、両者の四角形状の差、及び、軟磁性基体の厚みに起因するスペースが生じる。このスペースに、整合用コンデンサ及び終端抵抗を収納できるから、小型、低背化が可能になる。
【００１７】
本発明に係る非可逆回路素子は、２つの終端抵抗器と、複数のコンデンサとを含んでおり、２つの終端抵抗器及びコンデンサのうちの１つのコンデンサは、軟磁性基体の一辺とケースの内壁面の一辺との間のスペースに、コンデンサを中間にして、その両側に終端抵抗器が位置する関係で配置されている。この構成によれば、コンデンサを中心にして、その両側に終端抵抗器を配置した対称性のある配置構造が実現される。
【００１８】
上述した２つの終端抵抗器及びコンデンサの対称的配置において、中心導体の一つは、端部が２つの終端抵抗器及びコンデンサの電極に共通に接続されている。したがって、中心導体に関しても、対称性のある配置が実現される。
【００１９】
他のコンデンサは、終端抵抗器及び前記１つのコンデンサの隣接する軟磁性基体の一辺とは反対側の他辺と、ケースの内壁面との間に配置されている。従って、他のコンデンサに関しても、対称性のある配置構造が実現される。
【００２０】
しかも、中心導体の残りは、他のコンデンサと、入力端子又は出力端子とに接続されているから、入出力端子に接続される中心導体に関しても、対称性のある配置が実現される。
【００２１】
以上の総合的効果として、入出力端子から見て、物理的配置のみならず、電気的にも対称性が極めて高くなり、小型、かつ、低背化を実現しながら、入出力のＶＳＷＲのアンバランスを、著しく小さくした非可逆回路素子を得ることができる。
【００２２】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。但し、添付図面は、単なる例示に過ぎない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１は本発明に係る非可逆回路素子の一実施例を示す分解斜視図、図２は図１に図示した非可逆回路素子において内部配置構造を示す平面図、図３は、図１及び図２に図示した非可逆回路素子の回路図である。
【００２４】
図示する非可逆回路素子は、磁気回転子２と、永久磁石６と、ケース７と、押圧部材８と、第１のコンデンサ９０１、第１の終端抵抗器９０２、第２の終端抵抗器９０３及び第２のコンデンサ９０４とを含んで構成される。
【００２５】
ケース７は、ケース部材７１と、カバー部材７２とを含む。ケース部材７１は、導電性を有する磁性金属材料と、電気絶縁性樹脂材料とを含み、上部が開口した箱形に形成され、底部がグランド電位とされる。ケース部材７１は、内部空間が軟磁性基体４の外形よりも大きな四角形状を有している。従って、軟磁性基体４をケース７の内部空間に配置した場合、軟磁性基体４の外周と、ケース７の内壁面との間には、両者の四角形状の差、及び、軟磁性基体４の厚みに起因するスペースが生じる。
【００２６】
ケース部材７１の電気絶縁性樹脂材料で形成された部分には、内外に導通する外部端子７１１〜７１３が形成されている。図示実施例では、外部端子７１１が入力端子として用いられ、外部端子７１２が出力端子として用いられ、外部端子７１３がグランド端子として用いられる。
【００２７】
ケース部材７１は、磁気回転子２、永久磁石６、第１のコンデンサ９０１、第１の終端抵抗器９０２、第２の終端抵抗器９０３及び第２のコンデンサ９０４を収容する。カバー部材７２は、導電性を有する磁性金属材料で構成され、永久磁石６に重なり、ケース部材７１の開口を閉塞するようにケース部材７１と組み合わされ、磁気的に結合してヨークを構成する。
【００２８】
磁気回転子２は、複数の中心導体を含む中心電極３と、軟磁性基体４とを含んでいる。軟磁性基体４としては、イットリウム／鉄／ガーネット（ＹＩＧ）等の軟磁性材料が好適である。軟磁性基体４は、例えば、１辺が４ｍｍ程度の四角形状で、厚さ０．１〜１．０ｍｍ程度の平板状に形成される。
【００２９】
ケース部材７１は、内部空間が、軟磁性基体４の外形よりも大きな四角形状を有している。従って、軟磁性基体４をケース部材７１の内部空間に配置した場合、軟磁性基体４の外周と、ケース部材７１の内壁面との間には、両者の四角形状の差、及び、軟磁性基体４の厚みに起因するスペースが生じる。
【００３０】
中心電極３は、第１〜第３の中心導体３１〜３３を含み、例えば、厚さ３０〜５０μｍ程度の銅板を打ち抜いた導体板で構成される。第１〜第３の中心導体３１〜３３は、図において、軟磁性基体４の下面に接触させた略四角形状のグランド部の３辺から分岐されている。第１〜第３の中心導体３１〜３３は、軟磁性基体４の主面上で互いに所定の角度で交差するように、互いに絶縁して順次折り曲げられる。永久磁石６は磁気回転子２に直流磁界を印加する。
【００３１】
第１のコンデンサ９０１は、図３に図示するように、コンデンサＣ１１、及び、コンデンサＣ１２を含んでいる。コンデンサＣ１１は、一端が外部端子（入力端子）７１１及び第１の中心導体３１の端子部３１１に接続され、他端がアースされている。コンデンサＣ１２は、一端が外部端子（出力端子）７１２及び第２の中心導体３２の端子部３２１と接続され、他端がアースされている。
【００３２】
図４は第１のコンデンサ９０１について、その内部構造の一例を示す分解斜視図、図５は図４に示した第１のコンデンサ９０１の断面図である。これらの図を参照すると、セラミック基板９は、誘電体でなるセラミック層９１〜９４を含んでいる。セラミック基板９は、低温同時焼成セラミック基板であることが好ましい。
【００３３】
最下層のセラミック層９１は、その両面にグランド電極９１１、９１２が形成され、両面のグランド電極９１１、９１２は、ビアホール９６によって接続されている。グランド電極９１２の上には、セラミック層９２が積層され、その上面にコンデンサ電極９２１、９２２が形成されている。コンデンサ電極９２１及び９２２は、グランド電極９１２と共に、コンデンサＣ１１及びコンデンサＣ１２を構成する。
【００３４】
セラミック層９３は、コンデンサ電極９２１、９２２の上に積層され、更にその上にセラミック層９４が積層される。セラミック層９４の上面には、入出力電極９４１、９４２が形成されている。入出力電極９４１、９４２は、ビアホール９７によって、それぞれコンデンサ電極９２１、９２２に接続される。
【００３５】
但し、図４及び図５は例示であり、第１のコンデンサ９０１が図示のものに限定されるものでないことはいうまでもない。例えば、図示の単一部品形態と異なって、２つのコンデンサによって構成してもよい。
【００３６】
第２のコンデンサ９０４は、図３に図示するように、コンデンサＣ１３を構成する。コンデンサＣ１３は一端が第３の中心導体３３の端子部３３１に接続され、他端がアースされている。
【００３７】
第１の終端抵抗器９０２及び第２の終端抵抗器９０３は、図３に図示するように、それぞれ、抵抗Ｒ１、Ｒ２を構成する。これらの抵抗Ｒ１、Ｒ２は、一端が、コンデンサＣ１３の一端と共通に、第３の中心導体３３の端子部３３１に接続され、他端がアースされている。第１の終端抵抗９０２、第２の終端抵抗９０３及び第２のコンデンサ９０４は、厚みをほぼ一致させたチップ状の部品である。また、これらの厚みは、第１のコンデンサ９０１とほぼ一致させてある。
【００３８】
再び、図１及び図２を参照して説明する。既に述べたように、ケース部材７１は、内部空間が、軟磁性基体４の外形よりも大きな四角形状を有しているから、軟磁性基体４をケース７の内部空間に配置した場合、軟磁性基体４の外周と、ケース７の内壁面との間には、両者の四角形状の差、及び、軟磁性基体４の厚みに起因するスペースが生じる。第１及び第２のコンデンサ９０１、９０４と、第１及び第２の終端抵抗器９０２、９０３とは、このスペース内に収納されている。
【００３９】
具体的には、第１の終端抵抗器９０２及び第２の終端抵抗器９０３、並びに、第２のコンデンサ９０４は、軟磁性基体４の一辺と、ケース７を構成するケース部材７１の内壁面の一辺との間のスペースに配置されている。配置にあたっては、第２のコンデンサ９０４の両側に第１の終端抵抗器９０２及び第２の終端抵抗器９０３が位置する関係で、一列に配置する。第１の終端抵抗器９０２及び第２の終端抵抗器９０３、並びに、第２のコンデンサ９０４が隣接するケース部材７１の内壁面には、薄い電気絶縁層による電気絶縁処理が施されている。
【００４０】
第３の中心導体３３は、端部３３１が、第１の終端抵抗器９０２、第２の終端抵抗器９０３及び第２のコンデンサ９０４に共通に接続されている。より具体的には、第３の中心導体３３は、第１の終端抵抗器９０２、第２の終端抵抗器９０３及び第２のコンデンサ９０４の配置長さを２分する位置で、配置方向に対してほぼ垂直となる方向に延び、その端部３３１が第１及び第２の終端抵抗器９０２、９０３、並びに、第２のコンデンサ９０４の電極に共通に接続されている。
【００４１】
他方、第１のコンデンサ９０１は、第１の終端抵抗器９０２、第２の終端抵抗器９０３及び第２のコンデンサ９０４の隣接する軟磁性基体４の一辺とは反対側の他辺と、ケース７を構成するケース部材７１の内壁面との間に配置されている。第１の中心導体３１及び第２の中心導体３２に備えられた端部３１１、３１２は、第１のコンデンサ９０１の電極９４１、９４２及び外部端子（入力端子又は出力端子）７１１、７１２に接続されている。
【００４２】
上述したように、軟磁性基体４は、四角形状であり、ケース部材７１は、内部空間が軟磁性基体４の外形よりも大きな四角形状を有している。従って、軟磁性基体４をケース部材７１の内部空間に配置した場合、軟磁性基体４の外周と、ケース７の内壁面との間には、両者の四角形状の差、及び、軟磁性基体４の厚みに起因するスペースが生じる。このスペースに、第１及び第２のコンデンサ９０１、９０４と、第１及び第２の終端抵抗器９０２、９０３とを収納できるから、小型、低背化が可能になる。
【００４３】
しかも、第１及び第２の終端抵抗器９０２、９０３と、第１及び第２のコンデンサ９０１、９０４とを含んでおり、これらは、軟磁性基体４の一辺とケース７の内壁面の一辺との間のスペースに、第２のコンデンサ９０４を中間にして、その両側に第１及び第２の終端抵抗器９０２、９０３が位置する関係で配置されている。この構成によれば、第２のコンデンサ９０４を中心にして、その両側に第１及び第２の終端抵抗器９０２、９０３を配置した対称性のある配置構造が実現される。
【００４４】
上述した第１及び第２の終端抵抗器９０２、９０３と、第２のコンデンサ９０４の対称的配置において、第３の中心導体３３は、その配置長さを２分する位置で、配置方向に対して、ほぼ垂直となる方向に延び、端部３３１が第１及び第２の終端抵抗器９０２、９０３及びコンデンサの電極に共通に接続されている。したがって、第３の中心導体３３に関しても、対称性のある配置が実現される。
【００４５】
第１のコンデンサ９０１は、第１及び第２の終端抵抗器９０２、９０３、並びに、第２のコンデンサ９０４の隣接する軟磁性基体４の一辺とは反対側の他辺と、ケース７の内壁面との間に配置されている。従って、第１のコンデンサ９０１に関しても、対称性のある配置構造が実現される。
【００４６】
しかも、第１の中心導体３１及び第２の中心導体３２は、第１のコンデンサ９０１と、入力端子又は出力端子となる外部端子７１１、７１２にそれぞれ接続されているから、第１の中心導体３１及び第２の中心導体３２に関しても、対称性のある配置が実現される。
以上の総合的効果として、入力端子又は出力端子となる外部端子７１１、７１２から見て、物理的配置のみならず、電気的にも、対称性が極めて高くなり、小型、かつ、低背化を実現しながら、入出力のＶＳＷＲのアンバランスを、著しく小さくした非可逆回路素子を得ることができる。
【００４７】
図６は本発明に係る非可逆回路素子の別の実施例を示す分解斜視図である。図において、図１に表れた構成部分に相当する部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は省略する。この実施例の特徴は、磁気回転子２とケース７の内底面（グランド面）との間に、コンデンサとして機能するフィルム４２を有することである。この構造は、入出力間で見たＶＳＷＲのアンバランス改善に更に有効である。フィルム４２としては、高分子フィルムなどが適している。特に、接着性を有するポリイミドフィルムが適している。
【００４８】
次に、図７〜図１６を参照し、構造の異なる数種の非可逆回路素子の入出力特性について、スミスチャートと、そのときの具体的構造を挙げて説明する。図において、図１〜図３に表れた構成部分に相当する部分については、同一の参照符号を付してある。
【００４９】
図７は比較例たる非可逆回路素子の特性を示すスミスチャート、図８は図７の特性を得るのに供された非可逆回路素子の構造を示す平面図である。図８に図示された非可逆回路素子は、円板状の軟磁性基体４を用いている。抵抗器は、第２のコンデンサ９０４の右隣（図において）にある一個の抵抗器９０２だけである。他の構成は、図１〜図３に示した本発明に係る非可逆回路素子と異ならない。
【００５０】
図８に示した非可逆回路素子は、スミスチャート上では、図７に示すような入出力のインピーダンス特性Ｚ１１、Ｚ１２を示す。インピーダンス特性Ｚ１１とインピーダンス特性Ｚ１２とはかなりの隔たりがあり、この特性上の隔たりが、入出力間で見たＶＳＷＲのアンバランスとして表れる。
【００５１】
図９は別の比較例たる非可逆回路素子の特性を示すスミスチャート、図１０は図９の特性を得るのに供された非可逆回路素子の構造を示す平面図である。図１０に図示された非可逆回路素子は、四角形状の軟磁性基体４を有しているが、抵抗器は、第２のコンデンサ９０４の右隣（図において）にある一個の抵抗器９０２だけである。他の構成は、図１〜図３に示した本発明に係る非可逆回路素子と異ならない。
【００５２】
図１０に示した非可逆回路素子は、スミスチャート上では、図９に示すような入出力のインピーダンス特性Ｚ２１、Ｚ２２を示す。インピーダンス特性Ｚ２１とインピーダンス特性Ｚ２２とは、図７と図９との対比から明らかなように、図８の構造の場合よりも、更に大きな隔たりを示す。このため、入出力間で見たＶＳＷＲのアンバランスは、図８の構造よりも更に大きくなる。
【００５３】
図１１は本発明に係る非可逆回路素子の特性を示すスミスチャート、図１２は図１１の特性を得るのに供された非可逆回路素子の構造を示す平面図である。図１２に図示された非可逆回路素子は、図１〜図３に示した非可逆回路素子と同じものである。
【００５４】
図１２に示した本発明に係る非可逆回路素子は、スミスチャート上では、図１１に示すような入出力のインピーダンス特性Ｚ４１、Ｚ４２を示す。インピーダンス特性Ｚ４１とインピーダンス特性Ｚ４２とは、極めて接近しており、先に述べた比較例との対比において、入出力間で見たＶＳＷＲのアンバランスが著しく小さくなっていることは明らかである。
【００５５】
図１３は更に別の比較例たる非可逆回路素子の特性を示すスミスチャート、図１４は図１３の特性を得るのに供された非可逆回路素子の構造を示す平面図である。図１４に図示された非可逆回路素子は、四角形状の軟磁性基体４を有しているが、抵抗器は、第２のコンデンサ９０４の右隣（図において）にある一個の抵抗器９０２だけである。他の構成は、図６に示した本発明に係る非可逆回路素子（フィルム４２を有する）と異ならない。
【００５６】
図１４に示した非可逆回路素子は、スミスチャート上では、図１３に示すような入出力のインピーダンス特性Ｚ３１、Ｚ３２を示す。インピーダンス特性Ｚ３１とインピーダンス特性Ｚ３２とは、大きな隔たりを示す。このため、入出力間で見たＶＳＷＲのアンバランスは、図１０の構造よりも更に大きくなる。
【００５７】
図１５は本発明に係る非可逆回路素子の特性を示すスミスチャート、図１６は図１５の特性を得るのに供された非可逆回路素子の構造を示す平面図である。図１６に図示された非可逆回路素子は、図６に示した非可逆回路素子（フィルム４２を有する）と同じものである。
【００５８】
図１６に示した非可逆回路素子は、スミスチャート上では、図１５に示すような入出力のインピーダンス特性Ｚ５１、Ｚ５２を示す。インピーダンス特性Ｚ５１とインピーダンス特性Ｚ５２とは、極めて接近しており、先に述べた比較例（図１３、図１４）との対比において、入出力間で見たＶＳＷＲのアンバランスが著しく小さくなっていることは明らかである。
【００５９】
以上、好ましい実施例を参照して本発明を詳細に説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、当業者であれば、その基本的技術思想および教示に基づき、種々の変形例を想到できることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明に係る非可逆回路素子の一実施例を示す分解斜視図である。
【図２】図１に図示した非可逆回路素子において内部配置構造を示す平面図である。
【図３】図１及び図２に図示した非可逆回路素子の回路図である。
【図４】第１のコンデンサの内部構造を示す分解斜視図である。
【図５】図４に示した第１のコンデンサの断面図である。
【図６】本発明に係る非可逆回路素子の別の実施例を示す分解斜視図である。
【図７】比較例たる非可逆回路素子の特性を示すスミスチャートである。
【図８】図７の特性を得るのに供された非可逆回路素子の構造を示す平面図である。
【図９】別の比較例たる非可逆回路素子の特性を示すスミスチャートである。
【図１０】図９の特性を得るのに供された非可逆回路素子の構造を示す平面図である。
【図１１】図１〜図３に示した本発明に係る非可逆回路素子の特性を示すスミスチャートである。
【図１２】図１１の特性を得るのに供された非可逆回路素子（図１〜図３の構造）を示す平面図である。
【図１３】更に別の比較例たる非可逆回路素子の特性を示すスミスチャートである。
【図１４】図１３の特性を得るのに供された非可逆回路素子の構造を示す平面図である。
【図１５】図６に示した本発明に係る非可逆回路素子の特性を示すスミスチャートである。
【図１６】図１５の特性を得るのに供された非可逆回路素子（図６の構造）を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６１】
２            磁気回転子
３１〜３３          中心導体
３１１〜３３１          端子部
４            軟磁性基体
６            永久磁石
９０１            第１のコンデンサ
９０２            第２のコンデンサ
９０２            第１の抵抗器
９０３            第２の抵抗器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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