(57)【要約】【課題】  反応管内から回転軸及び軸受管を簡単に取り出し可能であり、反応管内に大気が入ることなく基板の位置を容易に調整可能な気相成長装置の基板保持構造を提供する。【解決手段】  反応管１０内で基板１８上に半導体結晶の膜を成長させる気相成長装置１において、基板１８を保持する基板保持構造３８を、磁気シールロータ６２により密封支持されつつ回転する駆動軸４０と、駆動軸４０に固定具４８を介して連結された回転軸４６と、回転軸４６に軸受管６４を介して装着されて基板１８を支承するサセプタ６６とから構成し、駆動軸４０の挿通孔４２に回転軸４６を挿通し、挿通孔４２から気相成長装置１の外部へ延出された回転軸４６の後端を、固定具４８により駆動軸４０に固定する。【選択図】  図１
2005260167.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応管内に保持された基板上で半導体結晶膜を成長させる気相成長装置において、基板を保持するサセプタと、サセプタを回転させる回転軸と、回転軸を駆動する駆動軸と、回転軸と駆動軸を連結固定する固定具と、回転軸を回転自在に支持する軸受管と、反応管後方の駆動軸の貫通部で駆動軸を回転自在に密封支持する磁気シールロータを備えた基板保持構造であって、
駆動軸が回転軸の挿通孔を有し、回転軸は、挿通孔から駆動軸の後方へ延出され、且つ、固定具により駆動軸の後端部に固定されていることを特徴とする気相成長装置の基板保持構造。
【請求項２】
回転軸と駆動軸との間にテーパ面を有するシール溝を設け、このシール溝に弾性体からなるシール部材を装着し固定具で押圧することを特徴とする請求項１記載の気相成長装置の基板保持構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体結晶を基板上で成長させる気相成長装置の基板保持構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）やインジウムリン（ＩｎＰ）等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる方法として、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）やハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）等の気相成長法がある。
近年、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のうち、窒化ガリウム（ＧａＮ）をはじめとする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が、紫外から緑色の発光素子、レーザ素子用の材料、高耐圧・高周波用電子デバイス用材料に好適なものとして注目されている。ＨＶＰＥ法を用いると、高品質の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶が速い反応速度で成長する（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
ＨＶＰＥ法を用いる窒化ガリウムの気相成長装置の一例を図５に示す。気相成長装置１は断熱材（図示せず）で外部を覆われた反応管１０を有し、反応管１０の下流側（図５の右側）の後端はジョイント２６を介してキャップ２８により閉塞されている。反応管１０内の上流側（図５の左側）にはガリウム化合物生成管１４と水素化合物供給管（図示せず）が設置され、反応管１０内の下流側には基板１８が基板保持構造３８により保持されている。ガリウム化合物生成管１４の先端は基板１８と対向する先細形状の吹出し口１６を有し、吹出し口１６には可動ノズル１７が装着されている。基板保持構造３８は、サセプタ６６、回転軸４６、駆動軸４０、固定具４８及び軸受管６４を備えている。
【０００４】
反応管１０は下流側に内装管２０を内挿されて二重管構造をなし、内装管２０の下流側の後端にあるフランジがジョイント２６とキャップ２８の間に挟まれて支持されている。反応管１０の後端近傍に排気口１２が形成されており、内装管２０の後端近傍には排気口２２が排気口１２と対向して形成されている。
キャップ２８の反応管１０側端面にはカバー３４が装着されており、このカバー３４によってキャップ２８内に閉空間３０が形成されている。閉空間３０はキャップ２８の不活性ガス供給口３２を介して外部の不活性ガス供給源（図示せず）と接続されている。
【０００５】
閉空間３０にはキャップ２８の後方から金属製の駆動軸４０が挿入されている。駆動軸４０は後端がキャップ２８の外部に位置し、先端が閉空間３０内に位置している。キャップ２８の後端の駆動軸４０の貫通部には磁気シールロータ６２が取り付けられており、磁気シールロータ６２が駆動軸４０を支承しつつ駆動軸４０とキャップ２８との間をシールしている。
【０００６】
駆動軸４０は閉空間３０内で高温耐熱性を有する固定具４８により石英製の回転軸４６に接続されている。回転軸４６はカバー３４を貫通し、回転軸４６の先端が反応管１０内に位置している。
回転軸４６の先端部には軸受管６４が装着されており、軸受管６４を内装管２０の内周面上に設けられた支持部材２４が所定位置に支承している。
回転軸４６の先端にはサセプタ６６が装着されており、サセプタ６６が複数枚の基板１８を保持している。
【０００７】
反応管１０の外周には、ガリウム化合物生成管１４を加熱する第１の加熱手段（図示せず）と基板１８を加熱する第２の加熱手段（図示せず）が設けられている。
キャップ２８は下部に後方へ延出したブラケット３６を有している。ブラケット３６上にモータ６８が設置されており、モータ６８の出力軸はベルト７０及びプーリ７２、７４を介して駆動軸４０に連結されている。また、ブラケット３６はスライド移動装置（図示せず）を備え、ジョイント２６と反応管１０との間を切り離した状態で、ジョイント２６、キャップ２８、内装管２０、基板保持構造３８、基板１８及びモータ６８が一体となって反応管１０の軸方向へスライド移動可能に構成されている。
【０００８】
かかる構成を有する気相成長装置１において、第１の加熱手段がガリウム化合物生成管１４を加熱し、加熱されたガリウム化合物生成管１４からガリウム化合物が反応管１０内に供給され、水素化合物供給管からアンモニアが反応管１０内に供給され、ガリウム化合物とアンモニアとが反応して第２の加熱手段により加熱された基板１８上に単結晶の窒化ガリウム膜が成長する。成長中はモータ６８により基板保持構造３８を回転させ、これにより基板１８には反応管１０内で公転動が与えられる。また、窒素が不活性ガス供給口３２から閉空間３０へ流されており、閉空間３０を流れる窒素が、固定具４８上に窒化ガリウムや未反応のガリウム化合物及びアンモニアが析出して付着することを防止するとともに、磁気シールロータ６２を保護している。
【０００９】
反応管１０内は高温となるが、石英製の回転軸４６は充分な高温耐熱性を有しており、また、駆動軸４０はモータ６８の回転を回転軸４６へ伝達するが、金属製の駆動軸４０は充分な機械的強度を有している。
反応管１０内では、反応した窒化ガリウムや未反応のガリウム化合物及びアンモニアが回転軸４６及び軸受管６４に析出して付着する。回転軸４６の円滑な回転動作を維持するため、回転軸４６から付着物を除去する必要がある。
【００１０】
回転軸４６及び軸受管６４から付着物を除去する際、以下の（１）から（５）までの手順により、回転軸４６を反応管１０から取り外して洗浄等を行う。
（１）  ジョイント２６を反応管１０から切り離し、ブラケット３６を後方へスライド移動させる。ジョイント２６、キャップ２８、内装管２０、基板保持構造３８、基板１８及びモータ６８は一体となってブラケット３６とともにスライド移動し、内装管２０、基板保持構造３８及び基板１８が反応管１０の外へ引き出される。
（２）  軸受管６４、サセプタ６６及び基板１８を回転軸４６から取り外す。
（３）  ジョイント２６をキャップ２８から切り離して、ジョイント２６とキャップ２８との間に支持されていた内装管２０を取り外す。
（４）  カバー３４をキャップ２８から取り外し、閉空間３０を外部に開放し、固定具４８を外し、回転軸４６を駆動軸４０から切り離して取り出す。
（５）  取り外した回転軸４６及び軸受管６４から付着物を除去してから、逆の手順を追って気相成長装置１を復元する。
【００１１】
また、不純物のドーピングの有無や、異なる表面処理の基板を使用等により、ガリウム化合物生成管１４の吹出し口１６と基板１８との距離を調整し、反応管１０内の反応条件を調整する必要がある。かかる調整を行う際には、吹出し口１６先端の可動ノズル１７の位置を調整する。この場合も、上記（１）の手順により、内装管２０、基板保持構造３８及び基板１８を反応管１０の外へ引き出し、反応管１０の下流側端部を開口させる。この開口から反応管１０内へロッド等の器具を差し込み、差し込んだ器具によって可動ノズル１７を移動させる。可動ノズル１７の位置を調整したら、逆の手順を追って気相成長装置１を復元する。
【特許文献１】特開２００１−１８１０９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来の気相成長装置１において、高温耐熱性が必要な回転軸４６と機械的強度が必要な駆動軸４０に求められる特性はそれぞれ異なるので、回転軸４６と駆動軸４０とをそれぞれ異種材料により形成し、回転軸４６と駆動軸４０とを固定具４８で接合するのが一般的である。
固定具４８は閉空間３０内にあるので、衝撃に弱く損傷しやすい石英製の回転軸４６及び軸受管６４から付着物を洗浄等する際には、回転軸４６及び軸受管６４の損傷を生じないように取り扱いに細心の注意を払いつつ、上記（１）〜（４）の手順をすすめ、閉空間３０を外部に開放してから固定具４８を外し、回転軸４６及び軸受管６４を取り出さねばならない。
【００１３】
上記（１）と（２）の手順においては、回転軸４６が基板保持構造３８に取り付けられたままの状態にあり、軸受管６４、サセプタ６６及び基板１８を回転軸４６から取り外す作業は不安定なものとなっており、回転軸４６及び軸受管６４の取り扱いに細心の注意を払わねばならないので、この取り外し作業が困難なものとなっている。
上記（３）と（４）の手順においては、長尺物である回転軸４６が片持ち状態となっているので、回転軸４６の一端を支えて細心の注意を払いつつ作業を行わねばならず、内装管２０の取り外し作業やカバー３４の取り外し作業が困難なものとなっている。固定具４８を外して回転軸４６を取り出すまでの間も、細心の注意を払って回転軸４６の一端を支え続けねばならず、困難な作業が連続している。
【００１４】
回転軸４６及び軸受管６４から付着物を洗浄した後は、やはり、回転軸４６及び軸受管６４の取り扱いに細心の注意を払いつつ、各部品の位置調整を行って気相成長装置１を復元しなければならず、気相成長装置１の復元作業が困難なものとなっている。
したがって、気相成長装置１の分解作業と復元作業では困難な作業が連続しており、回転軸４６及び軸受管６４から付着物を洗浄する作業の作業効率が悪く、作業時間が長いという問題があった。
【００１５】
また、固定具４８で接合されている回転軸４６と駆動軸４０との間に樹脂製のブッシュ等を装着し、回転軸４６を損傷させる力が固定具４８や駆動軸４０から回転軸４６へ働くことを防止し、回転軸４６の取り出し作業を容易化することが考えられる。しかし、回転軸４６と駆動軸４０との接合箇所は閉空間３０内にあり、閉空間３０は高温となる反応管１０内とカバー３４により隔てられているだけなので、閉空間３０内は高温となり、回転軸４６と駆動軸４０との接合箇所も高温となる。したがって、高温耐熱性を有している樹脂製のブッシュ等でなければ、回転軸４６と駆動軸４０との接合箇所に装着することはできない。
【００１６】
ガリウム化合物生成管１４の可動ノズル１７の位置を調整する際も、上記（１）の手順によって内装管２０、基板保持構造３８及び基板１８を反応管１０の外へ引き出し、反応管１０内へ差し込んだ器具により可動ノズル１７を適切な位置に移動させ、その後、各部品の位置調整を行って気相成長装置１を復元しなければならず、作業効率が悪く、作業時間が長くなっていた。
【００１７】
また、気相成長装置１を分解する際に、反応管１０内から基板保持構造３８等を引き出すと、大気が反応管１０内に流入してしまう。気相成長装置１を復元した後に大気が反応管１０内に残存すると、残存する大気が基板１８上での窒化ガリウム膜の成長に悪影響を及ぼす。このため、気相成長装置１を復元した後、反応管１０内に窒素を送って反応管１０内の大気を窒素と置換しなくてはならない。
【００１８】
したがって、可動ノズル１７の位置調整をする度に反応管１０内に残存する大気を窒素と置換する作業が必要となる。
さらに、石英製の回転軸４６と金属製の駆動軸４０とは、互いに熱膨張率が異なっているので、回転軸４６と駆動軸４０との熱膨張の差を無理なく逃がさねばならないという問題がある。
本発明は、上記問題を解決するものであり、その目的とするところは、反応管内から回転軸及び軸受管を簡単に取り外し可能であり、反応管内に大気が入ることなしに基板の位置を容易に調整可能な気相成長装置の基板保持構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は、その課題を解決するために以下のような構成をとる。請求項１の発明に係る気相成長装置の基板保持構造は、反応管内に保持された基板上で半導体結晶膜を成長させる気相成長装置において、基板を保持するサセプタと、サセプタを回転させる回転軸と、回転軸を駆動する駆動軸と、回転軸と駆動軸を連結固定する固定具と、回転軸を回転自在に支持する軸受管と、反応管後方の駆動軸の貫通部で駆動軸を回転自在に密封支持する磁気シールロータを備えた基板保持構造であって、駆動軸が回転軸の挿通孔を有し、回転軸は、挿通孔から駆動軸の後方へ延出され、且つ、固定具により駆動軸の後端部に固定されている。
【００２０】
請求項１の発明によれば、回転軸及び軸受管から付着物を除去する際、基板保持構造を反応管内から抜き出し、固定具を取り外して、回転軸及び軸受管を取り外すことができる。気相成長装置の外部にある固定具によって、回転軸と駆動軸とが固定されているので、気相成長装置の外部から固定具を容易に操作でき、回転軸と駆動軸との切り離しと固定は、それぞれ、簡単且つ短時間に行われる。回転軸を駆動軸から切り離した後、回転軸及び軸受管を作業しやすい場所へ移すことができ、衝撃に弱く損傷しやすい回転軸及び軸受管の取り扱いが容易となり、その後の回転軸と軸受管の分離等の作業を簡単且つ短時間に進めることができる。
また、挿通孔から気相成長装置の後方へ延出された回転軸を外部から前後に移動させると、反応管内における基板の位置が調整される。したがって、ガリウム化合物生成管の吹出し口と基板との距離を調整する際、基板保持構造を反応管内から抜き出す必要がなく、反応管内を大気に開放する必要がなくなり、基板の位置の調整後、反応管内を不活性ガスで置換する必要もない。したがって、基板の位置調整が簡単且つ短時間に行われる。
【００２１】
請求項２の発明に係る気相成長装置の基板保持構造は、請求項１記載の気相成長装置の基板保持構造であって、回転軸と駆動軸との間にテーパ面を有するシール溝を設け、このシール溝に弾性体からなるシール部材を装着し固定具で押圧する。
請求項２の発明によれば、シール溝に装着されたシール部材がシール溝のテーパ面に押圧されて弾性変形する。弾性変形したシール部材の弾性力が、駆動軸の挿通孔内で回転軸を駆動軸に対して固定するとともに、回転軸と駆動軸との間をシールする。
固定具を操作して回転軸と駆動軸との切り離しや固定を行う際等に、駆動軸に衝撃力が働くことがあっても、弾性力を有するシール部材を介して回転軸が駆動軸に対して支承されているので、シール部材が駆動軸から回転軸に伝わる衝撃力を吸収して緩和し、駆動軸からの衝撃力により回転軸が損傷することは防止される。
さらに、互いに熱膨張率が異なる駆動軸と回転軸との間で熱膨張率の差が生じても、この熱膨張率の差はシール部材の弾性変形により吸収される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は、上記のような気相成長装置の基板保持構造であるので、回転軸及び軸受管を簡単且つ短時間に取り外して取り出し清掃可能である。また、反応管内に大気が入ることなく基板の位置を容易に調整できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明を実施するために最良の第１の実施の形態を図１及び図２に基づいて説明する。なお、前述した従来のものと同様の構成部分には、同じ符号を付する。
図１に示す気相成長装置１の反応管１０は、断熱材（図示せず）で外部を覆われ、下流側（図１の右側）の後端がジョイント２６を介してキャップ２８により閉塞されている。反応管１０内の上流側（図１の左側）にはガリウム化合物生成管１４と水素化合物供給管（図示せず）が設置され、反応管１０内の下流側には基板１８が基板保持構造３８により保持されている。ガリウム化合物生成管１４の先端は基板１８と対向する先細形状の吹出し口１６を有する。基板保持構造３８は、サセプタ６６、回転軸４６、駆動軸４０、固定具４８及び軸受管６４を備えている。
【００２４】
反応管１０は下流側に内装管２０を内挿されて二重管構造をなし、内装管２０の下流側の後端にあるフランジがジョイント２６とキャップ２８の間に挟まれて支持されている。反応管１０の後端近傍に排気口１２が形成されており、内装管２０の後端近傍には排気口２２が排気口１２と対向して形成されている。
キャップ２８の反応管１０側端面には仕切壁３５があり、この仕切壁３５によってキャップ２８内に閉空間３０が形成されている。閉空間３０はキャップ２８の不活性ガス供給口３２を介して外部の不活性ガス供給源（図示せず）と接続されている。
【００２５】
閉空間３０には、キャップ２８の後方から金属製（例えば、ＳＵＳ製）の駆動軸４０が挿入されている。駆動軸４０は後端がキャップ２８の外部に位置し、先端が閉空間３０内に位置している。キャップ２８の後端の駆動軸４０の貫通部には磁気シールロータ６２が取り付けられており、磁気シールロータ６２が駆動軸４０を支承しつつ駆動軸４０とキャップ２８との間をシールしている。駆動軸４０は中空の円筒状で、円筒内面が回転軸４６の挿通孔４２をなす。駆動軸４０の円筒外面の後端部には螺子山４４が切られている。
挿通孔４２内に石英製の回転軸４６が挿通されており、回転軸４６の後端部が挿通孔４２からキャップ２８の後方に突出するとともに、回転軸４６は仕切壁３５を貫通し、回転軸４６の先端が反応管１０内に位置している。
【００２６】
図２に示すように、駆動軸４０の後端側において、挿通孔４２の内周面上にはテーパ面５４が形成されており、このテーパ面５４と回転軸４６の外周とがシール溝５２をなす。そして、駆動軸４０の螺子山４４にナット５６が螺合している。シール溝５２には弾性体であるＯ−リング５８がシール部材として装着されており、このＯ−リング５８はシールワッシャ６０を介してナット５６でテーパ面５４に押圧されて弾性変形している。弾性変形したＯ−リング５８により、回転軸４６の後端部が駆動軸４０に固定されるとともに、挿通孔４２内で回転軸４６と駆動軸４０との間がシールされている。また、ナット５６は気相成長装置１の外部に露出している。
【００２７】
これらのＯ−リング５８、シールワッシャ６０及びナット５６が固定具４８を構成している。
反応管１０内で回転軸４６の先端部には軸受管６４が装着されており、軸受管６４を内装管２０の内周面上に設けられた支持部材２４が所定位置に支承している。
軸受管６４の先端にはサセプタ６６が装着されており、サセプタ６６が複数枚の基板１８を保持している。
反応管１０の外周には、ガリウム化合物生成管１４を加熱する第１の加熱手段（図示せず）と基板１８を加熱する第２の加熱手段（図示せず）とが設けられている。
【００２８】
キャップ２８は下部に後方へ延出したブラケット３６を有している。ブラケット３６上にモータ６８が設置されており、モータ６８の出力軸はベルト７０、プーリ７２、７４を介して駆動軸４０に連結されている。また、ブラケット３６はスライド移動装置（図示せず）を備え、ジョイント２６を反応管１０から切り離した状態で、ジョイント２６、キャップ２８、内装管２０、基板保持構造３８、基板１８及びモータ６８が一体となって反応管１０の軸方向へスライド移動可能に構成されている。
【００２９】
この気相成長装置１では、従来のものと同様に、ガリウム化合物がガリウム化合物生成管１４から反応管１０内に供給され、アンモニアが水素化合物供給管から反応管１０内に供給され、ガリウム化合物とアンモニアとが反応して基板１８上に単結晶の窒化ガリウム膜が成長する。成長中はモータ６８により基板保持構造３８を回転させ、これにより基板１８には反応管１内で公転動が与えられる。また、窒素が不活性ガス供給口３２から閉空間３０へ流されており、閉空間３０に充満した窒素により、窒化ガリウム、ガリウム化合物及びアンモニアが、駆動軸４０と回転軸４６との間の隙間や磁気シールロータ６２内へ侵入して析出することは防止されている。
【００３０】
反応管１０内は高温となるが、回転軸４６は石英製であるので充分な高温耐熱性を有しており、また、駆動軸４０が回転を回転軸４６へ伝達しているが、駆動軸４０は金属製であるので充分な機械的強度を有している。
この基板保持構造３８では、シール溝５２内で弾性変形したＯ−リング５８が回転軸４６を駆動軸４０に固定している。
【００３１】
固定具４８のナット５６が気相成長装置１の外部に露出しており、ナット５６に外部から衝撃が加わる場合が考えられるが、ナット５６に加わった衝撃力はＯ−リング５８により吸収緩和され、この衝撃力により回転軸４６が損傷することは防止されている。
運転中の反応管１０から伝わる熱によって、回転軸４６及び駆動軸４０の温度が上昇するが、回転軸４６と駆動軸４０との間で生じる熱膨張量の違いは、Ｏ−リング５８が弾性変形して吸収する。
【００３２】
固定具４８は取り扱いが容易となっており、気相成長装置１の外部から容易に固定具４８を操作可能となっている。
気相成長装置１の運転を続けると、反応管１０内で窒化ガリウム及びガリウム化合物が回転軸４６及び軸受管６４に析出して付着する。回転軸４６及び軸受管６４からこれらの付着物を洗浄等する際は、以下の（ｉ）から（ｉｉｉ）の手順により作業を行う。
【００３３】
（ｉ）  ジョイント２６を反応管１０から切り離し、ブラケット３６を後方へスライド移動させる。反応管１０から切り離されたジョイント２６、キャップ２８、内装管２０、基板保持構造３８、基板１８及びモータ６８は一体となってブラケット３６とともにスライド移動し、内装管２０及び基板保持構造３８が反応管１０の外へ引き出される。
（ｉｉ）  固定具４８のナット５６を取り外し、回転軸４６を駆動軸４０の挿通孔４２から反応管１０側へ引き抜いて取り出し、サセプタ６６及び軸受管６４を回転軸４６から取り外す。
（ｉｉｉ）  取り出した回転軸４６及び軸受管６４から付着物を除去してから、逆の手順を追って気相成長装置１を復元する。
【００３４】
固定具４８が気相成長装置１の外部に位置しているので、閉空間３０を開放する必要はなく、回転軸４６と駆動軸４０との切り離し、固定を簡単に行うことができる。回転軸４６と駆動軸４０との切り離しに際しては、回転軸４６が支持部材２４と軸受管６４によって支承されているので、作業中に回転軸４６が片持ち状態となって支えを必要とすることはなく、回転軸４６と軸受管６４の取り扱いは容易なものとなる。軸受管６４及びサセプタ６６を回転軸４６から取り外す作業は、回転軸４６を駆動軸４０の挿通孔４２から引き抜いて取り出した後に行われるので、この取り外し作業を行う前に、回転軸４６、軸受管６４及びサセプタ６６を安全な場所へ移動し、安全な場所で取り外し作業を容易に行うことができ、回転軸４６及び軸受管６４の損傷を容易に防止できる。
したがって、回転軸４６及び軸受管６４から付着物を除去するに際して、気相成長装置１の分解と復元に要する作業が容易化され、作業効率が向上し、作業時間が短くなり、メンテナンス性が向上している。
【００３５】
基板１８とガリウム化合物生成管１４の吹出し口１６との間の距離の調整する際は、以下の手順により作業を行う。
まず、固定具４８のナット５６を緩める。ナット５６を緩めると、Ｏ−リング５８に働いていた押圧力がなくなり、Ｏ−リング５８が元の形状に復元する。Ｏ−リング５８が元の形状に復元すると、回転軸４６を駆動軸４０に固定していたＯ−リング５８の力が消失し、回転軸４６は駆動軸４０への固定から解放される。回転軸４６を駆動軸４０との固定から解放したら、回転軸４６の後端を押し引きして、挿通孔４２内で回転軸４６を軸方向にスライドさせ、回転軸４６の先端の基板１８の位置を調整し、基板１８と吹出し口１６との間の距離を目的の距離とする。そして、ナット５６を締め付け、調整作業を終える。
【００３６】
固定具４８のナット５６を緩めるだけで基板１８の位置を調整でき、前述の（ｉ）の作業を行って基板保持構造３８等を反応管１０の外へ引き出す必要はなく、作業が簡単なものとなり、作業効率が向上する。また、反応管１０内が大気に開放されないので、作業中に反応管１０内へ大気が流入することはなく、反応管１０内を窒素で置換する必要はなくなっており、作業時間が短くてすむ。
【００３７】
次に、本発明を実施するために最良の第２の実施の形態を図３及び図４に基づいて説明する。なお、第１の実施の形態のものと同様の構成部分には、同じ符号を付する。
図３に示す気相成長装置１は、固定具４８を除いて、第１の実施の形態のものと同様の構成を有し、同様の構成に関する重複する説明を省略する。
図４に示すように、駆動軸４０の挿通孔４２内で、回転軸４６と駆動軸４０との間には、樹脂製のブッシュ５０が装着されている。ブッシュ５０を形成する樹脂として、例えば、テフロン（登録商標）を挙げることができる。ブッシュ５０の後端面にはテーパ面５４が形成されており、このテーパ面５４と回転軸４６の外周とがシール溝５２をなし、このシール溝５２に弾性体であるＯ−リング５８がシール部材として装着されている。
そして、ブッシュ５０、Ｏ−リング５８、シールワッシャ６０及びナット５６が固定具４８を構成している。
【００３８】
気相成長装置１の基板保持構造３８では、シール溝５２内で弾性変形したＯ−リング５８が、挿通孔４２内の回転軸４６と駆動軸４０との間の樹脂製のブッシュ５０とともに、回転軸４６を駆動軸４０に固定している。
また、回転軸４６と駆動軸４０との間にブッシュ５０が存在しているので、回転軸４６が駆動軸４０と接触して損傷することは防止されている。
ブッシュ５０は駆動軸４０の後端部に装着されており、ブッシュ５０と反応管１０との間には磁気シールロータ６２が介在しているので、運転中の反応管１０から伝わる熱によってブッシュ５０が高温化することはなく、ブッシュ５０が高温により損傷することは防止されている。
【００３９】
他の作用は、第１の実施の形態における作用と同様である。
なお、第１の実施の形態及び第２の実施の形態において、回転軸４６の後端側外周面に目盛を付しておくと、基板１８の位置を調整する際、回転軸４６のスライド量が一目でわかり、調整作業が一層容易化する。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】第１の実施の形態に係る基板保持構造を備える気相成長装置の構造図である。
【図２】第１の実施の形態に係る固定具の構成図である。
【図３】第２の実施の形態に係る基板保持構造を備える気相成長装置の構造図である。
【図４】第２の実施の形態に係る固定具の構成図である。
【図５】従来の気相成長装置の構造図である。
【符号の説明】
【００４１】
１    気相成長装置
１０    反応管
１２    反応管の排気口
１４    ガリウム化合物生成管
１６    吹出し口
１８    基板
２０    内装管
２２    内装管の排気口
２４    支持部材
２６    ジョイント
２８    キャップ
３０    閉空間
３２    不活性ガス供給口
３５    仕切壁
３６    ブラケット
３８    基板保持構造
４０    駆動軸
４２    挿通孔
４４    螺子山
４６    回転軸
４８    固定具
５０    ブッシュ
５２    シール溝
５４    テーパ面
５６    ナット
５８    Ｏ−リング
６０    シールワッシャ
６２    磁気シールロータ
６４    軸受管
６６    サセプタ
６８    モータ
７０    ベルト
７２、７４    プーリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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