(57)【要約】【課題】  ガスバリア性に優れ、電極となる透明導電層に断線や電流短絡の原因となる突起（凹凸）が極めて少ないディスプレイ基板などに用いる平坦化物品、及びその平坦化方法を提供する。【解決手段】  被加工物品の表面に耐エッチング性の保護層１２を形成し、該保護層１２の面からエッチング処理を施し、前記保護層１２より突き出ている被加工物品の突起をエッチングして除去し、または、さらに前記保護層１２も除去する平坦化方法、及び保護層がフォトレジスト層であり、ガスバリア層１３が透明無機化合物層であり、該平坦化方法による平坦化物品１０の平坦化面の最大突起長Ｒｍａｘが２〜２０００ｎｍであることを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物品の、少なくとも一方の面に耐エッチング性の保護層を形成し、該保護層の面からエッチング処理を施し、前記保護層より突き出ている被加工物品の突起をエッチングして除去することを特徴とする平坦化方法。
【請求項２】
被加工物品の、少なくとも一方の面に耐エッチング性の保護層を形成し、該保護層の面からエッチング処理を施し、前記保護層より突き出ている被加工物品の突起をエッチングして除去した後に、前記保護層を除去することを特徴とする平坦化方法。
【請求項３】
被加工物品が、基材単独、基材とガスバリア層、基材とガスバリア層と透明導電層、基材とガスバリア層と透明導電層と補助電極層、のいずれかであることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の平坦化方法。
【請求項４】
被加工物品の、少なくとも一方の面に耐エッチング性の保護層を形成し、該保護層の面からエッチング処理を施し、前記保護層より突き出ている被加工物品の突起をエッチングして除去することで、平坦化されてなることを特徴とする平坦化物品。
【請求項５】
被平坦化物品の、少なくとも一方の面に耐エッチング性の保護層を形成し、該保護層の面からエッチング処理を施し、前記保護層より突き出ている被平坦化物品の突起をエッチングして除去した後に、前記保護層を除去することで、平坦化されてなることを特徴とする平坦化物品。
【請求項６】
上記保護層が、フォトレジスト層であることを特徴とする請求項４〜５のいずれかに記載の平坦化物品。
【請求項７】
上記ガスバリア層が、透明無機化合物層であることを特徴とする請求項４〜５のいずれかに記載の物品。
【請求項８】
上記平坦化面の最大突起長Ｒｍａｘが、２〜２０００ｎｍであることを特徴とする請求項４〜５のいずれかに記載の平坦化物品。
【請求項９】
被加工物品が、基材単独、基材とガスバリア層、基材とガスバリア層と透明導電層、基材とガスバリア層と透明導電層と補助電極層、のいずれかであることを特徴とする請求項４〜５のいずれかに記載の平坦化物品。
【請求項１０】
請求項４〜８のいずれかに記載の平坦化物品の平坦化面に、少なくともガスバリア層、透明導電層、ガスバリア層と透明導電層、又はガスバリア層と透明導電層と補助電極層、のいずれかを積層してなることを特徴とする平坦化物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面の平坦化方法に関し、さらに詳しくは、層の表面をエッチング法で超平坦化する平坦化方法、及び該平坦化方法で平坦化した平坦化層、若しくは該平坦化層へさらに他の層を積層することで、ガス遮断性に優れ、断線や短絡の原因となる突起（凹凸）が極めて少ない平坦化物品に関するものである。
該平坦化物品を用いる主な用途として、食品や医薬品等の包装材料はもとより、タッチパネル、ディスプレイ用フィルム基板、照明用フィルム基板、太陽電池用フィルム基板、サーキットボード用フィルム基板、電子ペーパー等、従来ガラスを支持基材として利用していた物品に代替できる、軽くて割れない、曲げられる物品に関する。
また、電子デバイス用部材に関する材料や、ガラスや金属、ウエハー基板上に薄膜を形成した物品に関しても、該物品の表面を平坦化して、凹凸やピンホールが低減された層が形成するための平坦化方法にも適用できる。
【０００２】
本明細書において、配合を示す「比」、「部」、「％」などは特に断わらない限り質量基準であり、「／」印は一体的に積層されていることを示す。
また、「遮断性」は「バリア性」、「ＥＬ」は「エレクトロルミネッセンス」、「ＬＣＤ」は「液晶ディスプレイ」、「ＰＤＰ」は「プラズマディスプレイパネル」、「パネル」は「素子」、「ＰＥＴ」は「ポリエチレンテレフタレート」、「ＰＥＮ」は「ポリエチレンナフタレート」、及び「（メタ）アリレ−ト」は「アリレ−ト及びメタアリレ−トの総称」の略語、機能的表現、通称、又は業界用語である。
フィルムとシートのＪＩＳ−Ｋ６９００での定義では、シートとは薄く一般にその厚さが長さと幅の割りには小さい平らな製品をいい、フィルムとは長さ及び幅に比べて厚さが極めて小さく、最大厚さが任意に限定されている薄い平らな製品で、通例、ロールの形で供給されるものをいう。従って、シートの中でも厚さの特に薄いものがフィルムであるといえるが、シートとフィルムの境界は定かではなく、明確に区別しにくいので、本明細書ではシートとフィルムの両方を含めて「フィルム」と定義する。
【背景技術】
【０００３】
（背景技術）食品や医薬品等の包装材料には内容物の品質を劣化させる要因である酸素や水蒸気の影響を防ぐために、ガスバリア層が形成されている。しかしながら、プラスチックフィルム基材表面の凹凸によりガスバリア層は十分にその表面を被服することができず、十分なガスバリア特性を得ることはできなかった。
また、ディスプレイ用フィルム基板など等、昨今ガラス基板にかわる電子デバイス用基板にも、素子の劣化を防ぐための酸素や水蒸気に対するガスバリア性が必要であるが、上記同様の理由により十分な特性を得るものは得られていない。
特に、有機ＥＬや液晶といったディスプレイ用途では、デバイスが酸化劣化しないような酸素のバリア性、電子デバイス内の必要な真空度を維持でき、ディスプレイの寿命を伸ばせるような酸素や水蒸気のバリア性が必要とされる。また、有機ＥＬ素子などのディスプレイによっては、電極となる透明導電層に突起（凹凸）があると、断線したり、電流が短絡したりするという問題があった。そこで、包装材料やディスプレイ基板に用いる物品は、水蒸気や酸素などのガスバリア性に優れ、かつ、断線や電流短絡の原因となる突起（凹凸）が極めて少なくするための、物品表面の平坦化方法が求められている。
【０００４】
（先行技術）従来、エッチングや研摩で、平坦化するものが知られている（例えば、特許文献１〜６参照。）。しかしながら、本出願とは、層構成や工程手法、目的が異なるため、公然実施の範囲外と判断される。
【０００５】
【特許文献１】特開平０６−７７１８２号公報
【特許文献２】特開平０６−８５０５９号公報
【特許文献３】特開平０９−８００７号公報
【特許文献４】特開２００２−２５２１９５号公報
【特許文献５】特開２００４−５０７１１号公報
【特許文献６】特開２００４−５８４１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明はこのような問題点を解消するためになされたものである。その目的は、被加工物品の、少なくとも一方の面に耐エッチング性の保護層を形成し、該保護層の面からエッチング処理を施し、前記保護層より突き出ている被加工物品の突起をエッチングして除去し、または、さらに前記保護層も除去することにより、表面を超平坦化する平坦化方法、及び、該平坦化方法で平坦化することにより、ガスバリア性に優れる包装材料や、ガスバリア性に加えて、電極となる透明導電層に断線や電流短絡の原因となる突起（凹凸）が極めて少ないディスプレイ基板に用いる平坦化物品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、請求項１の発明に係わる平坦化方法は、被加工物品の、少なくとも一方の面に耐エッチング性の保護層を形成し、該保護層の面からエッチング処理を施し、前記保護層より突き出ている被加工物品の突起をエッチングして除去するように、したものである。
請求項２の発明に係わる平坦化方法は、被加工物品の、少なくとも一方の面に耐エッチング性の保護層を形成し、該保護層の面からエッチング処理を施し、前記保護層より突き出ている被加工物品の突起をエッチングして除去した後に、前記保護層を除去するように、したものである。
請求項３の発明に係わる平坦化方法は、被加工物品が、基材単独、基材とガスバリア層、基材とガスバリア層と透明導電層、基材とガスバリア層と透明導電層と補助電極層、のいずれかであるように、したものである。
請求項４の発明に係わる平坦化物品は、被加工物品の、少なくとも一方の面に耐エッチング性の保護層を形成し、該保護層の面からエッチング処理を施し、前記保護層より突き出ている被加工物品の突起をエッチングして除去することで、平坦化されてなるように、したものである。
請求項５の発明に係わる平坦化物品は、被平坦化物品の、少なくとも一方の面に耐エッチング性の保護層を形成し、該保護層の面からエッチング処理を施し、前記保護層より突き出ている被平坦化物品の突起をエッチングして除去した後に、前記保護層を除去することで、平坦化されてなるように、したものである。
請求項６の発明に係わる平坦化物品は、上記保護層が、フォトレジスト層であるように、したものである。
請求項７の発明に係わる平坦化物品は、上記ガスバリア層が、透明無機化合物層であるように、したものである。
請求項８の発明に係わる平坦化物品は、上記平坦化面の最大突起長Ｒｍａｘが、２〜２０００ｎｍであるように、したものである。
請求項９の発明に係わる平坦化物品は、被加工物品が、基材単独、基材とガスバリア層、基材とガスバリア層と透明導電層、基材とガスバリア層と透明導電層と補助電極層、のいずれかであるように、したものである。
請求項１０の発明に係わる平坦化物品は、請求項４〜８のいずれかに記載の平坦化物品の平坦化面に、少なくともガスバリア層、透明導電層、ガスバリア層と透明導電層、又はガスバリア層と透明導電層と補助電極層、のいずれかを積層してなるように、したものである。
【発明の効果】
【０００８】
（発明のポイント）本発明者は、表面を高度に平坦化する平坦化方法について、鋭意検討したところ、物品（基材など）の表面には、サブミクロン以下の極く僅かな突起（凹凸）があり、該突起を平坦化することは、極めて困難であり、化学機械研磨（ＣＭＰ、ケミカルメカニカル研磨、ケミカルメカニカルポリシング又はケミカルメカニカルプラナリゼーションともいう）法によっても、廃液が大量に発生し、平坦性の再現性に問題がある高コストな方法しかない。一般に樹脂フィルム等の高分子基材の表面はＲａ（平均粗さ）が２ｎｍ以上、Ｒｍａｘ（最大突起長）が８０ｎｍ以上であり、所々に５００ｎｍ（０．５μｍ）程度の高さの突起が生じており、微視的にみれば荒れた状態になっている。
このような５００ｎｍの突起上に、膜厚が２０ｎｍ程度の薄膜のガスバリア層や透明導電層（電極層となる）を形成した場合、突起の頂部を覆うことはできず、突き抜けた突起が残ってしまう。該突起により、ガスバリア層にピンホ−ルが発生してガスバリア性が劣化したり、透明導電層が断線や短絡して、フィルム基板として使用できなくなる可能性が高い。
そこで、物品（基材など）に突起があったとしても、突起（凹凸）を極めて少なくできるような、保護層とエッチンッグとの組合わせによって、確実に、かつ安価な平坦化方法を見出して本発明に至った。
【０００９】
請求項１〜２の本発明によれば、被加工物品の表面に耐エッチング性の保護層を形成し、該保護層の面からエッチング処理を施し、前記保護層より突き出ている被加工物品の突起をエッチングして除去し、または、さらに前記保護層も除去することにより、物品（基材など）に突起があったとしても、既存設備で、確実かつ安価に、突起（凹凸）を極めて少なくでき、表面を超平坦化する平坦化方法が提供される。
請求項３の本発明によれば、基材／ガスバリア層／透明導電層／補助電極層などの複数層からなる物品の、１又は複数層を必要に応じて超平坦化する平坦化方法が提供される。
請求項５の本発明によれば、被加工物品の表面に耐エッチング性の保護層を形成し、該保護層の面からエッチング処理を施し、前記保護層より突き出ている被加工物品の突起をエッチングして除去し、または、さらに前記保護層も除去する平坦化方法により、物品（基材など）に突起があったとしても、突起（凹凸）を極めて少なくでき、表面が超平坦化された平坦化物品が提供される。
請求項６の本発明によれば、保護層にフォトレジストを用いることで、保護層を均一かつ薄く成膜できるので、突起（凹凸）が極めて少なく、また、保護層を除去し易い平坦化物品が提供される。
請求項７の本発明によれば、ガスバリア層に無機化合物を用いることで、ガスバリア性、耐熱性、透明性に優れる平坦化物品が提供される。
請求項８の本発明によれば、ガスバリア性に加えて、電極となる透明導電層に断線や電流短絡の原因となる最大突起長が極めて少ないディスプレイ基板に用いる平坦化物品が提供される。
請求項９〜１０の本発明によれば、平坦化物品が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら、詳細に説明する。
図１は、本発明の平坦化方法を説明する断面図である。
図２は、本発明の平坦化物品の１実施例を示す断面図である。
【００１１】
（方法の発明）本発明の平坦化方法は、被加工物品の、少なくとも一方の面に耐エッチング性の保護層１２を形成し、該保護層１２の面からエッチング処理を施し、前記保護層１２より突き出ている被加工物品の突起をエッチングして除去する方法、又は、さらに前記保護層１２も除去する方法により、表面を超平坦化する。
また、被加工物品の表面は、基材１１単独でもよいが、後述するように基材１１面上に、ガスバリア層１３、ガスバリア層１３と透明導電層１５、又はガスバリア層１３と透明導電層１５と補助電極層１７、などの複数の他の層が積層された表面でもよい。これらの表面を平坦化し、該平坦化された平坦化層へ、さらに他の１又は複数の層を積層してもよい。
【００１２】
（物の発明）本発明の平坦化物品１０は、被加工物品の少なくとも１つの面を、上記の本発明の平坦化方法で、超平坦化したものである。即ち、例えば、基材１１／ガスバリア層１３／透明導電層１５／補助電極層１７などからなる層構成の、基材１１面、ガスバリア層１３面、透明導電層１５面、及び／又は補助電極層１７面の、１つの面、２以上の複数面、又はすべての面を、本発明の平坦化方法で、平坦化したものである。また、これ以外の層を、任意の層間又は表裏面に有してもよく、応力を相殺するように、表裏が対称又は対称に近い層構成とすることも好ましい。
さらに好ましくは、保護層１２がフォトレジストであり、ガスバリア層１３が透明無機化合物であり、平坦化面の最大突起長Ｒｍａｘが、２〜２０００ｎｍ（２μｍ）である。
最大突起長Ｒｍａｘが２ｎｍ以下はより好ましいが、この範囲（２ｎｍ以下）未満では均一な皮膜を形成することが困難である。
好ましい最大突起長Ｒｍａｘの範囲は、アプリケーションによって決定され、例えば、
各種波長のレーザ光、Ｘ線、紫外線、可視光線、及び赤外線用などのミラー類、並びに、球面、非球面、シリンドリカル、フレネルなどのレンズ類では、突起がなくなることによって、入射した波の散乱等がなくなり、効率良く反射させたり、集められたりすることができる。
また、薄膜トランジスタ、薄膜液晶、及び有機ＥＬ電極などの透明電極類では、突起がなくなることによって、電極間のショートや断線がなくすことができる。
最大突起長Ｒｍａｘは１０ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは５ｎｍ以下の平滑性であり、該厚さに応じて、電極や発光層などの層の膜厚をより薄くすることができる。
また、上限は、それほど平坦性を必要としないアプリケーションの範囲であり、加工性でいえば、５μでも１０μでも作製は可能であるが、この範囲（２０００ｎｍ）を超える皮膜を形成は、わざわざ本願製造方法を導入せずとも、他の方法で簡便に、安く、作製ができる。
なお、被加工物品とは、平坦化する面を有するものであれば限定されるものではなく、例えば、基材１１、基材１１／ガスバリア層１３、基材１１／透明導電層、基材１１／ガスバリア層１３／透明導電層１５、基材１１／ガスバリア層１３／透明導電層１５／補助電極層１７など、からなる単独又は複数の層構成のものも含んでいる。
【００１３】
（平坦化方法）本発明の平坦化方法は、基材の準備工程、保護層の形成工程、エッチング工程、さらに必要に応じて、保護層の除去工程とからなる。
（基材の準備工程）図１（Ａ）に示すように基材１１を準備する。基材１１は後述のように基材単独又は複数層からなる材料でもよく、該表面は、例えば、樹脂フィルムであれば、Ｒａ（平均粗さ）が２ｎｍ以上、Ｒｍａｘ（最大突起長）が８０ｎｍ以上であり、所々に５００ｎｍ（０．５μｍ）程度の高さの突起が生じており、微視的にみれば荒れた状態になっている。
【００１４】
（保護層の形成工程）次に、該面へ、図１（Ｂ）に示すように、保護層１２を形成する。保護層１２の材料としては、均質な薄膜が形成でき、エッチング処理に対する耐エッチング性があれば、特に限定されるものではない。保護層１２の耐エッチング性は、被加工物品よりも耐エッチング性に優れることが要求される。
また、保護層１２は、エッチング処理により平坦化後に、除去してもよく、その際には、容易に除去できる材料が好ましく、例えば、フォトレジスト材料が例示できる。
該フォトレジストレジスト材料としては、必要とされる膜厚や加工適性に従って、適宜選択すればよい。例えば、東京応化工業社の半導体材料用には、ｇ線用フォトレジストとして、ＯＦＰＲシリーズ（標準レジスト）ＴＳＭＲシリーズ（サブミクロン対応レジスト）、 ｉ線用フォトレジストとしてＴＳＣＲシリーズ（ハーフミクロン対応高・中反射基板用染料レジスト）、ＴＨＭＲ−ｉＰ／ｉＮシリーズ（ハーフミクロン対応レジスト）、ＴＤＭＲ−ＡＲシリーズ（サブハーフミクロン対応レジスト）、ＴＳＱＲ−ｉＱシリーズ（サブハーフミクロン対応レジスト）、ＫｒＦエキシマレーザー用フォトレジストとしてＴＤＵＲ−Ｐ／Ｎシリーズ（クォーターミクロン対応レジスト）、電子ビーム用フォトレジストとしてＯＥＢＲシリーズがある。またフラットパネルディスプレイ用電子材料用フォトレジストとしてＴＦＲシリーズ（ＴＦＴ用高感度ポジタイプ）、ＣＦＰＲシリーズ（ＬＣＤ／ＰＤＰカラーフィルター作成用顔料分散型ネガタイプ）、ＰＭＥＲ−Ｐシリーズ（ＳＴＮ用ポジタイプ）、ＴＬＣＲ（ＳＴＮ用ポジタイプ）、オーディルＢＦシリーズ（ＰＤＰリブ加工用ドライフィルムレジスト）、オーディルＦＩシリーズ（ＰＤＰ電極形成用ドライフィルムレジスト）がある。またプリント配線板用／ケミカルミーリング用電子材料フォトレジストには、オーディルシリーズ（ドライフィルムレジスト）、ＯＰＳＲ（フォトソルダーレジスト）、ＯＰレジスト（プリント配線板用ネガタイプ）、ＴＳＧＲレジスト（炭酸ナトリウム現像タイププリント配線板用ネガタイプ）、ＰＭＥＲ（アルカリ現像ネガタイプ／ポジタイプ）、ＢＭＲ（耐メッキネガタイプ）、ＴＰＲ（ＰＶＣ系ネガタイプ）、ＥＰＰＲ（耐薬品性ネガタイプ）等があり、もちろんここにあげた限りではない。
【００１５】
保護層１２を形成する方法は、均一に薄く形成できる方法であればよく、例えば、ウェットコーティング法では、スピンコート法、グラビアコート法、（キス）リバースコート法、コンマコート法、リップコート法、毛細管（ＣＡＰ）コート法、ナイフコート法、ディップコート法、カーテンコート法、掛け流し法等が、またドライコーティング法では、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の方法や、熱化学気相成長（熱ＣＶＤ）法やプラズマＣＶＤ法等が、適宜使用される。
【００１６】
保護層１２にフォトレジストを用いた場合には、塗布後、必要に応じてプリベーキング、露光、必要に応じて、硬膜処理、及び／又はベーキングを行う。
露光は、紫外線（ＵＶ‐Ａ、ＵＶ‐Ｂ及びＵＶ‐Ｃを含むＵＶ）、可視光線、ガンマー線、Ｘ線、電子線などの電離放射線を、全面に照射すればよく、好ましくは、取扱い性やコスト面から紫外線（ＵＶ）がより好ましい。
【００１７】
ＵＶ照射に用いるＵＶ照射装置（ＵＶランプともいう）としては、化学反応用ケミカルランプ、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、可視光ハロゲンランプ等が使用される。ＵＶの照射量としては、２００〜６００ｎｍの波長の積算エネルギーが０．０１〜１０Ｊ／ｃｍ2となる程度とすることが好ましい。また、ＵＶの照射雰囲気としては、空気中でもよいし、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気下でもよい。
紫外線の波長は２００〜４００ｎｍ程度で、保護層の材料に応じて、波長を選択すれば良い。その照射量は、組成物の材質や量と、ＵＶランプの出力と、加工速度に応じて照射すれば良い。
【００１８】
保護層１２の厚さとしては、目的とするＲｍａｘ値に従い設定すればよく、２〜２０００ｎｍが好ましい。
図１（Ｂ）に示すように、小突起１１Ｂは保護層１２に埋まってしまうが、大突起１１Ａは保護層１２を突き出しており、この部分を選択的にエッチングで除去することができる。
【００１９】
（エッチング工程）エッチング処理の方法としては、エッチングする材料（突起の材料）、及び保護層１２の耐エッチング性により、適宜選択すればよい。
エッチング処理に使用するエッチング材料は、保護層１２より突き出した被加工物品の突起を、選択的に除去できるものであれば、特に限定されることはなく、例えば、ドライエッチング、及びウェットエッチングの方法がある。
ドライエッチングは、真空中又は大気圧中で、プラズマを被加工物品の表面近傍で放電させるプラズマエッチング法や、紫外線や電子線やイオン（クラスター）等を照射する方法により、被加工物の突起を削りとるエッチング方法である。
ウェットエッチングは、酸性水溶液や有機溶剤等の溶液により、被加工物品の突起を浸食（腐蝕）し除去するエッチング方法である。具体的には、酸化珪素をエッチングする場合にはフッ化水素（ＨＦ）、ＩＴＯをエッチングする場合には塩酸−硝酸の混合水溶液等が使用され、プラズマエッチングの場合にはアシストガスの併用が好ましい。
そのほか、高電解研磨（ＡＥＰ）、化学機械的研磨（ＣＭＰ）等によるエッチング法を用いてもよい。
【００２０】
図１（Ｃ−１）に示すように、保護層１２の面からエッチング処理を行うと、図１（Ｃ−２）に示すように、保護層１２から突き出している大突起１１Ａは、選択的に除去されて平坦化する。理論的には保護層１２の厚さ以上の突起がなくなるが、エッチングを通常よりオーバー気味に行うことで、保護層１２の厚さ以下の突起となるので、より平坦化することができ、本発明の平坦化物品１０となる。
【００２１】
（保護層の除去工程）エッチング工程で、平坦化を終了してもよく、さらに必要に応じて、図１（Ｄ）に示すように、保護層１２を除去してもよい。
保護層１２を除去する方法としては、保護層１２の材料を均一に剥離又は分離できる方法であればよく、例えば、保護層１２がフォトレジストの場合には、該レジスト用の現像液に浸すのがよい。その後、適宜、洗浄、乾燥などを行って、本発明の平坦化物品１０となる。
【００２２】
次に、層を構成する材料、及びその形成方法について、説明する。
（基材）本発明の平坦化物品１０の基材１１としては、エッチング処理において、耐エッチング性を有するものであれば、特に限定されることはなく、例えば、各種樹脂フィルム及びそれらの積層体、ガラス、珪素やガリウム砒素などのウエハー、セラミック板、金属箔、金属板、紙、布、木板等及び、それらの、主としてフィルムとの積層体も適用でき、用途により適宜選択すればよい。フィルム基板に用いる場合には、さらに透明性、耐熱性、機械的強度などがあるものが好ましい。
【００２３】
（ガラス）ガラスとしては、石英ガラス、ほう珪酸ガラス、ソーダライムガラスなどが適用できる。熱膨脹率が小さく、寸法安定性および高温加熱処理における作業性に優れ、また、ガラス中にアルカリ成分を含まない無アルカリガラスであり、電極基板として兼用できるものが好ましく、例えば、コーニング社製７０５９ガラスが例示できる。ガラスの厚さは、通常１〜５ｍｍ程度とする。
【００２４】
（樹脂フィルム）樹脂フィルムの材料としては、ポリ（メタ）アクリレート、ポリ（メタ）アリレート（ＰＡＲ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、環状ポリオレフィン共重合体であるポリノルボルネン、環状ポリオレフィン樹脂、ポリシクロヘキセン、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリシロキサン系、エチレン−四フッ化エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、三フッ化塩化エチレン（ＰＦＡ）、四フッ化エチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＦＥＰ）、フッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、フッ化ビニル（ＰＶＦ）、パーフルオロエチレン−パーフロロプロピレン−パーフロロビニルエーテル−共重合体（ＥＰＡ）等のフッ素系樹脂等を挙げることができる。
【００２５】
好ましい環状ポリオレフィンとしては、シクロオレフィンポリマー（日本ゼオン（株）製、商品名；「ゼオノア」）、ノルボルネン系樹脂（ＪＳＲ（株）製、商品名：「アートン」）などが例示できる。さらに好ましくは、特開平１１−２２２５０８号公報に示されるシクロアルキル骨格を有した（メタ）アクリレ−ト化合物及びその誘導体を含む樹脂組成物を挙げることができる。
また、樹脂フィルムの材料としては、樹脂を主体とするものでもよく、例えば、ポリエポキシド含浸ガラスクロスのような、強化材へ樹脂含浸したものも含む。
【００２６】
好ましい樹脂フィルムとしては、例えば、電子部品用途、ディスプレイ用積層フィルムであれば、１５０℃以上の工程に曝されることがあるので、線膨張係数が１５〜１００ｐｐｍ／Ｋであり、Ｔｇが１５０℃以上３００℃以下である。
線膨張係数が、この範囲を超えると、平坦化物品１０を前記温度の工程に流す際に基板寸法が安定せず、熱膨張および収縮に伴い、遮断性性能が劣化する不都合や、或いは、熱工程に耐えられないという不具合が生じやすくなり、この範囲未満では、フィルムがガラスのように割れてしまいフレキシビリティが劣化する。
Ｔｇがこの範囲未満では平坦化物品１０を前記温度の工程に流す際に基板寸法が安定せず、熱膨張および収縮に伴い、遮断性性能が劣化する不都合や、或いは、熱工程に耐えられないという不具合が生じやすくなる。この範囲を超えるとフィルムがガラスのように割れやすくなりフレキシビリティが劣化する。またＴｇが存在しない樹脂フィルムに関しては、線膨張係数がフレキシビリティに与える効果が大きいため問うに値しない。
【００２７】
（ガスバリア層）本発明の平坦化物品１０は、基材１１面上に、ガスバリア層１３を設ける。該ガスバリア層１３にはガスバリア性を有するものが適用でき、例えば酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化インジウム、酸化カルシウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ホウ素、酸化ハフニウム、酸化バリウム等の酸化物；窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化マグネシウム等の窒化物；炭化珪素等の炭化物、硫化物等の無機化合物が、好ましく適用できる。
また、それらから選ばれた二種以上の複合体である、酸化窒化物や、さらに炭素を含有してなる酸化炭化物層、無機窒化炭化物層、無機酸化窒化炭化物等も適用できる。
即ち、無機酸化物（ＭＯｘ）、無機窒化物（ＭＮｙ）、無機炭化物（ＭＣｚ）、無機酸化炭化物（ＭＯｘＣｚ）、無機窒化炭化物（ＭＮｙＣｚ）、無機酸化窒化物（ＭＯｘＮｙ）、無機酸化窒化炭化物（ＭＯｘＮｙＣｚ）で、好ましいＭは、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉなどの金属元素である。
【００２８】
なかでも、酸化珪素からなる膜は、透明性の高いガス遮断性性を発揮し、一方、窒化珪素はさらに高いガス遮断性を発揮するので好ましく用いられる。特に好ましくは、酸化珪素と窒化珪素の複合体が好ましく、酸化珪素の含有量が多いと透明性が増し、窒化珪素の含有量が多いとガス遮断性性が増大する。
【００２９】
ガスバリア層１３は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の方法や、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法を適用して形成される。これらの方法は、基材やガスバリア層の種類、成膜材料の種類、成膜のし易さ、工程効率等を考慮して、適宜選択する。ガスバリア層は、その厚さは、１０〜５００ｎｍが望ましい。１０ｎｍ未満では、ガスバリア性が十分でなく、５００ｎｍを超えると、それ自身の応力が大きくなり、フレキシビリティが損なわれたり、色味がついたりと新たな課題を引き起こす可能性がある。また生産性を著しく低下させる。
【００３０】
（透明導電層）透明導電層１５に用いる材料は、酸化スズ、酸化インジウム、ＩＴＯ、ＡＴＯ、ＩＺＯ又は銀などの透明かつ導電性があれば、特に限定するものではない。透明導電層を形成する方法としては、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等のドライコート法、メッキ法、印刷法、スプレーコート法等のウェットコート法で形成できる。
透明導電層１５の厚さは、２〜１０００ｎｍが望ましい。２ｎｍ未満では、導電性が十分でなく、１０００ｎｍを超えると、それ自身の応力が大きくなり、フレキシビリティが損なわれたり、透明性が失われる。また生産性にも影響を与える。
【００３１】
（補助電極層）補助電極層１７に用いる材料は、透明導電層の配線抵抗を低減させる機能をもつものであれば、特に限定するものではなく、例えば、良導電性金属として、クロム、ニッケル、モリブデン、アルミニウム、銅、銀、金、亜鉛、マンガン、インジウム、サマリウム等の金属または、これらの合金や、これらの金属とリチウム、ナトリウム、カルシウム等のアルカリ又はアルカリ土類金属との合金などが適用できる。補助電極層１７を形成する方法としては、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ等のドライコート、メッキ法、印刷法、スプレーコート法等のウェットコート法で形成できる。
【００３２】
（層構成）平坦化物品１０の層構成としては、特に限定されるものではないが、例えば、基材１１、基材１１／ガスバリア層１３、基材１１／透明導電層、基材１１／ガスバリア層１３／透明導電層１５、基材１１／ガスバリア層１３／透明導電層１５／補助電極層１７など、からなる単独又は複数の層構成のものでもよく、いずれかの面が本発明の平坦化方法で平坦化されていればよい。各層間及び／又は表裏面に、他の１又は複数の層を設けてもよい。
【００３３】
（対象の層構成）また、基材１１の両側に形成する層を、表裏面が対称となるように、同一又は同一に近似する層構成とするのが好ましい。平坦化物品１０において、基材１１の、ガスバリア層１３の反対側の面に、ガスバリア性の無機化合物層などを設ければよい。このように反対側にも無機化合物層などの層を形成することにより、片側だけ膜を形成した際に発生する応力を相殺或いは緩和して、加熱を含む後加工工程での歪み、反り（湾曲、カールともいう）などを防止することができるので、直角精度、寸法精度、部分場所における寸法精度が向上されることができる。また、例えば、電極形成などの後工程にて、必要とされるパターニング時のアライメント取りの不具合が解消される。さらに、フレキシブル性の偏りがなくなり、利用上の不具合がなくなる。
【００３４】
反対側に形成する無機化合物層に用いる材料は、酸化珪素、窒化珪素およびその複合体に限らず、酸化アルミや酸化インジウム等の任意の透明無機化合物で良いが、前記したようになかでも酸化珪素、窒化珪素およびその複合体が望ましい。
【００３５】
（ディスプレイ基板）
基材１１／ガスバリア層１３／透明導電層１５／補助電極層１７からなり、いずれかの面が本発明の平坦化方法で平坦化したものは、透明性、耐熱性、ガス遮断性に優れ、断線や短絡しにくいので、ディスプレイ用基板として好ましく使用できる。
【００３６】
（ディスプレイ）ディスプレイとしては、上記のディスプレイ基板を用いたものであればよく、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機又は無機エレクトロルミネセンスディスプレイ（ＥＬＤ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）などの奥行きの少ない薄型に好適に適用できる。
【００３７】
（ＬＣＤ）液晶ディスプレイは、二枚のガラス基板に、いずれも内側に透明電極を配置し、配向層等を伴なった間に液晶が挟まれ、周囲がシールされたものであり、カラー化するためのカラーフィルターを伴なう。このような液晶ディスプレイのガラス基板の外側に、本発明の平坦化物品１０を適用することができ、あるいは、ガラス基板の代りに、本発明の平坦化物品１０を用いることもできる。特に、二枚のガラス基板を、いずれも、本発明の平坦化物品１０で置き換えれば、全体がフレキシブルなディスプレイとすることができる。
【００３８】
（有機ＥＬＤ）有機ＥＬディスプレイは、やはり、二枚のガラス基板に、いずれも内側に透明電極を配置し、間に、例えば、（ａ）注入機能、（ｂ）輸送機能、および（ｃ）発光機能の各機能を持つ層を積層した複合層等からなる有機ＥＬ素子層が挟まれ、周囲がシールされたものであり、カラー化するためのカラーフィルターもしくはそのほかの手段を伴なうことがある。例えば、ＥＬディスプレイを構成する場合には、例えば、ディスプレイ用基板（パターン化透明導電層を含む）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極／封止層からなる層構成を挙げることができる。
【００３９】
以下、実施例及び比較例により、本発明を更に詳細に説明するが、これに限定されるものではない。
【実施例１】
【００４０】
被加工物品として、ＰＥＴフィルム１８８μｍ（東洋紡績社製：Ｅ−５１０１）の一方の面に、スパッタ法で１００ｎｍの酸化珪素膜をガスバリア層を成膜したものを用いた。
該ガスバリア層面に、フォトレジストとして東京応化製レジスト溶液（ＯＦＰＲ−８００）をスピンコーティングし、１２０℃で３０分間プリベーク、続く露光（紫外線１５０ｍＪ）により、厚さ１００ｎｍの均一なレジスト膜（保護層）を得た。
次いで、レジスト膜（保護層）付き被加工物品を、エッチング装置内の基板ホルダーに保持し、真空引き後、アルゴンプラズマを発生させた。プラズマ中心部と被加工物品との距離は約２５０ｍｍである。また、導入管からＨＦガスを導入し、全圧０．４０Ｐａ（３．０ｍＴｏｒｒ）、ＨＦガスの分圧０．０８Ｐａ（０.６０ｍＴｏｒｒ）の条件で１０分間放電させて、エッチングした。
その後、弗酸処理した被加工物品を、東京応化製現像液（ＮＭＤ−３）に１分間浸し現像を行い、レジスト膜（保護層）を除去し、実施例１の平坦化物品１０を得た。
該ガスバリア層の表面を原子間力顕微鏡を用い測定したところ、最大突起長（Ｒｍａｘ）は９４ｎｍと、平坦化されていた。また、水蒸気透過度は０．０５ｇ／ｍ2・２４ｈ以下（測定限界以下）で、酸素透過度は０．０５ｃｍ3／ｍ2・２４ｈ以下（測定限界以下）と良好であった。
【実施例２】
【００４１】
保護層として、厚さ２００ｎｍの均一なレジスト膜とする以外は、実施例１と同様にして平坦化物品１０を得た。
該ガスバリア層の表面を原子間力顕微鏡を用い測定したところ、最大突起長（Ｒｍａｘ）は１９４ｎｍと、平坦化されていた。また、水蒸気透過度は０．０５ｇ／ｍ2・２４ｈ以下（測定限界以下）で、酸素透過度は０．０５ｃｍ3／ｍ2・２４ｈ以下（測定限界以下）と良好であった。
【実施例３】
【００４２】
被加工物品として、ＰＥＴフィルム１８８μｍ（東洋紡績社製：Ｅ−５１０１）の一方の面に、スパッタ法で１００ｎｍの酸化珪素膜をガスバリア層を成膜し、さらにガスバリア層面上に、スパッタ法で１５０ｎｍのＩＴＯ膜の透明導電層を成膜した。
該透明導電層の表面に、フォトレジストとして、東京応化製レジスト溶液（ＯＦＰＲ−８００）をスピンコーティングし、１２０℃で３０分間プリベーク、続く露光（紫外線１５０ｍＪ）により、厚さ１００ｎｍの均一なレジスト膜（保護層）を得た。
次いで、レジスト膜（保護層）付き被加工物品を塩酸−硝酸−水（１：０．１：１）混合溶液に室温下において1分間浸して、エッチングした。
その後、エッチング処理した被加工物品を、東京応化製現像液（ＮＭＤ−３）に１分間浸し現像を行い、レジスト膜（保護層）を除去し、実施例２の平坦化物品１０を得た。
該ＩＴＯ面の表面を原子間力顕微鏡を用い測定したところ、最大突起長（Ｒｍａｘ）は６４ｎｍと、良好に平坦化されていた。また、水蒸気透過度は０．０５ｇ／ｍ2・２４ｈ以下（測定限界以下）で、酸素透過度は０．０５ｃｍ3／ｍ2・２４ｈ以下（測定限界以下）と良好であった。
【実施例４】
【００４３】
被加工物品として、ＰＥＴフィルム１８８μｍ（東洋紡績製：Ａ−４１００）のその一方の面に１００ｎｍの酸化珪素膜をスパッタ法によりガスバリア層を成膜した。
ガスバリア層の面に、フォトレジストとして東京応化製レジスト溶液（ＯＦＰＲ−８００）をスピンコーティングし、１２０℃で３０分間プリベーク、続く露光（紫外線１５０ｍＪ）により、厚さ１００ｎｍの均一なレジスト膜（保護層）を得た。
次いで、フォトレジスト層（保護層）付き被加工物品をエッチング装置内の基板ホルダーに保持した。真空引き後、アルゴンプラズマを発生させた。プラズマ中心部と被加工物との距離は約２５０ｍｍである。また、導入管からＨＦガスを導入し、全圧０．４０Ｐａ（３．０ｍＴｏｒｒ）、ＨＦガスの分圧０．０８Ｐａ（０.６０ｍＴｏｒｒ）の条件で１０分間放電させて、エッチングした。
フォトレジスト（保護層）を除去せずに、フォトレジスト層の表面を原子間力顕微鏡を用い測定したところ、最大突起長（Rmax）は２ｎｍと、極めて良好に平坦化されていた。また、水蒸気透過度は０．０５ｇ／ｍ2・２４ｈ以下（測定限界以下）で、酸素透過度は０．０５ｃｍ3／ｍ2・２４ｈ以下（測定限界以下）と良好であった。
【実施例５】
【００４４】
被加工物品として、ＰＥＮフィルム１００μｍ（帝人デュポン製：Ｑ−６５）のその一方の面に１００ｎｍの酸化珪素膜をスパッタ法によりガスバリア層を成膜した。
ガスバリア層表面に、フォトレジストとして東京応化製レジスト溶液（ＯＦＰＲ−８００）をスピンコーティングし、１２０℃で３０分間プリベーク、続く露光（紫外線１５０ｍＪ）により、厚さ１００ｎｍの均一なレジスト膜（保護層）を得た。
次いで、フォトレジスト層（保護層）付き被加工物品をエッチング装置内の基板ホルダーに保持した。真空引き後、アルゴンプラズマを発生させた。プラズマ中心部と被加工物との距離は約２５０ｍｍである。また、導入管からＨＦガスを導入し、全圧０．４０Ｐａ（３．０ｍＴｏｒｒ）、ＨＦガスの分圧０．０８Ｐａ（０.６０ｍＴｏｒｒ）の条件で１０分間放電させた。
その後、さらにフォトレジスト層（保護層）面に１００ｎｍの第２の酸化珪素膜をスパッタ法により形成した。
該第２の酸化珪素膜表面を原子間力顕微鏡を用い測定したところ、最大突起長（Ｒｍａｘ）は２４ｎｍと、良好に平坦化されていた。また、水蒸気透過度は０．０５ｇ／ｍ2・２４ｈ以下（測定限界以下）で、酸素透過度は０．０５ｃｍ3／ｍ2・２４ｈ以下（測定限界以下）と良好であった。
【００４５】
（比較例１）
被加工物品として、ＰＥＴフィルム１８８μｍ（東洋紡績製：Ｅ−５１０１）のその一方の面に１００ｎｍの酸化珪素膜をスパッタ法によりガスバリア層を成膜し、エッチング処理をしないで、比較例１の平坦化物品とした。
該ガスバリア層表面を原子間力顕微鏡を用い測定したところ、最大突起長（Ｒｍａｘ）は３２５ｎｍであった。なお、ＰＥＴフィルム自身の最大突起長（Ｒｍａｘ）は３８５ｎｍであった。また、水蒸気透過度は０．５ｇ／ｍ2・２４ｈで、酸素透過度は０．５ｃｍ3／ｍ2・２４ｈと不十分であった。
【００４６】
（比較例２）
被加工物品として、ＰＥＴフィルム１８８μｍ（東洋紡績製：Ｅ−５１０１）のその一方の面に１００ｎｍの酸化珪素膜のガスバリア層をスパッタ法により成膜し、さらにその上に１５０ｎｍのＩＴＯ膜の透明導電層をスパッタ法により成膜し、エッチング処理をしないで、比較例２の平坦化物品とした。
該ＩＴＯ層の表面を原子間力顕微鏡を用い測定したところ、最大突起長（Ｒｍａｘ）は２８６ｎｍであった。
【００４７】
（比較例３）
被加工物品として、ＰＥＴフィルム１８８μｍ（東洋紡績製：Ｅ−５１０１）のその一方の面に１００ｎｍの酸化珪素膜をスパッタ法によりガスバリア層を成膜したものを用いた。
次いで、保護層を設けず、エッチング装置内の基板ホルダーに保持した。真空引き後、アルゴンプラズマを発生させた。プラズマ中心部と被加工物との距離は約２５０ｍｍである。また、導入管からＨＦガスを導入し、全圧０．４０Ｐａ（３．０ｍＴｏｒｒ）、ＨＦガスの分圧０．０８Ｐａ（０.６０ｍＴｏｒｒ）の条件で１０分間放電させて、保護層なしでエッチング処理して、比較例３の平坦化物品とした。
その後、ガスバリア層表面を原子間力顕微鏡を用い測定したところ、最大突起長（Ｒｍａｘ）は５４２ｎｍと、ほとんど平坦化されていなかった。しかも、エッチング後の水蒸気透過度は２ｇ／ｍ2・２４ｈで、酸素透過度は４ｃｍ3／ｍ2・２４ｈと劣化していた。
【００４８】
（測定）最大突起長（Ｒｍａｘ）：原子間力顕微鏡（セイコー製ナノピクス）を用い、２０μｍの範囲にて最大突起長（Ｒｍａｘ）を求めた。
水蒸気透過度は、水蒸気透過率測定装置パ−マトラン３／３１（ＭＯＣＯＮ社製、商品名）を用い、４０℃１００％Ｒｈの条件で測定した。
酸素透過度は、酸素透過率測定装置オキシトラン２／２０（ＭＯＣＯＮ社製、商品名）を用い、２３℃、９０％Ｒｈ、バックグラウンド除去測定を行うインディビジュアルゼロ、測定有りの条件で測定した。
【００４９】
（評価）特性試験として、実施例３及び比較例２の平坦化物品１０を用いて、該平坦化物品１０のＩＴＯ面を、パターン化してストライプ電極（陽極も兼用）とし、さらに、正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極を設けた後に、公知の方法で有機ＥＬパネルして、テストパターンを連続表示させた。
実施例３では１０００時間でも異常はなかったが、比較例２では発光初期から１部に発光不良個所があった。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の平坦化方法を説明する断面図である。
【図２】本発明の平坦化物品の１実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０：透明ガス遮断性フィルム
１１：透明樹脂基材フィルム
１３Ａ：第１無機化合物層
１３Ｂ：第２無機化合物層
１３Ｃ：第３無機化合物層
１５Ａ：ゾルゲルコート層
１５Ｂ：第２ゾルゲルコート層
２０：高分子基板
２１：透明電極
【図１】
2005307098.tif 000003
【図２】
2005307098.tif 000004