(57)【要約】【課題】  部品点数が少なく、回路が簡単で設計が容易であるスタートアップ回路を含む基準電圧発生回路を提供することを課題とする。【解決手段】  入力信号を増幅し、基準電圧を生成するための差動アンプ（１２０）と、基準電圧を増幅して出力するための出力アンプ（１３０）と、差動アンプの出力端子と出力アンプの入力端子との間に接続されるスタートアップ回路（１００）とを有する基準電圧発生回路が提供される。スタートアップ回路は、第１のスイッチ（１０１）及び第２のスイッチ（１０２）を有する。第１のスイッチは、出力アンプの出力端子の電圧に応じて、差動アンプの出力端子と出力アンプの入力端子とを接続する。第２のスイッチは、差動アンプの出力端子の電圧に応じて、出力アンプの入力端子及び出力端子を接続する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を増幅し、基準電圧を生成するための差動アンプと、
前記基準電圧を増幅して出力するための出力アンプと、
前記差動アンプの出力端子と前記出力アンプの入力端子との間に接続されるスタートアップ回路とを有し、
前記スタートアップ回路は、
前記出力アンプの出力端子の電圧に応じて、前記差動アンプの出力端子と前記出力アンプの入力端子とを接続するための第１のスイッチと、
前記差動アンプの出力端子の電圧に応じて、前記出力アンプの入力端子及び出力端子を接続するための第２のスイッチとを有する基準電圧発生回路。
【請求項２】
前記第１のスイッチは、ゲートが前記出力アンプの出力端子に接続され、ソース及びドレインが前記差動アンプの出力端子及び前記出力アンプの入力端子に接続される第１の電界効果トランジスタであり、
前記第２のスイッチは、ゲートが前記差動アンプの出力端子に接続され、ソース及びドレインが前記出力アンプの出力端子及び入力端子に接続される第２の電界効果トランジスタである請求項１記載の基準電圧発生回路。
【請求項３】
前記第１及び第２の電界効果トランジスタは、ｎチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタである請求項２記載の基準電圧発生回路。
【請求項４】
前記差動アンプ及び前記出力アンプは電界効果トランジスタを含み、
前記第１及び第２の電界効果トランジスタは、前記差動アンプ及び前記出力アンプ内の電界効果トランジスタよりもサイズが小さい請求項２記載の基準電圧発生回路。
【請求項５】
前記差動アンプは、前記出力アンプの出力電圧に応じた信号を前記入力信号としてフィードバック入力する請求項１記載の基準電圧発生回路。
【請求項６】
前記スタートアップ回路は、前記出力アンプの出力電圧の安定点が複数あるうちの１つの所望の安定点に導くための回路である請求項１記載の基準電圧発生回路。
【請求項７】
前記第１のスイッチは、電源投入後の第１の期間でオフし、その後にオンを保持する請求項１記載の基準電圧発生回路。
【請求項８】
前記第２のスイッチは、電源投入後の第２の期間でオンし、その後にオフを保持する請求項７記載の基準電圧発生回路。
【請求項９】
前記第１のスイッチは、ゲートが前記出力アンプの出力端子に接続され、ソース及びドレインが前記差動アンプの出力端子及び前記出力アンプの入力端子に接続される第１の電界効果トランジスタであり、
前記第２のスイッチは、ゲートが前記差動アンプの出力端子に接続され、ソース及びドレインが前記出力アンプの出力端子及び入力端子に接続される第２の電界効果トランジスタである請求項８記載の基準電圧発生回路。
【請求項１０】
前記差動アンプ及び前記出力アンプは電界効果トランジスタを含み、
前記第１及び第２の電界効果トランジスタは、前記差動アンプ及び前記出力アンプ内の電界効果トランジスタよりもサイズが小さい請求項９記載の基準電圧発生回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スタートアップ回路を有する基準電圧発生回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
図２は、従来技術による基準電圧発生回路２００及びそのスタートアップ回路２１０の構成例を示す。
【０００３】
まず、基準電圧発生回路２００の構成を説明する。抵抗１１１は、ｐチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴという）１２３のゲート及び出力端子１４０間に接続される。抵抗１１２は、ＭＯＳＦＥＴ１２３のゲート及びダイオード１１３のアノード間に接続される。ダイオード１１３のカソードは、グランド電位に接続される。抵抗１１４は、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１２４のゲート及び出力端子１４０間に接続される。ダイオード１１５は、アノードがＭＯＳＦＥＴ１２４のゲートに接続され、カソードがグランド電位に接続される。
【０００４】
差動アンプ１２０は、直流電源１２１及びＭＯＳＦＥＴ１２２〜１２６を有する。直流電源１２１は、陽極がｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１２２のゲートに接続され、陰極がグランド電位に接続される。ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１２２は、ソースが電源電位に接続され、ドレインがｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１２３及び１２４のソースの相互接続点に接続される。ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１２５及び１２６のゲートは相互に接続され、その相互接続点はＭＯＳＦＥＴ１２３のドレインに接続される。ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１２５は、ドレインがＭＯＳＦＥＴ１２３のドレインに接続され、ソースがグランド電位に接続される。ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１２６は、ドレインがＭＯＳＦＥＴ１２４のドレインに接続され、ソースがグランド電位に接続される。
【０００５】
出力アンプ１３０は、ＭＯＳＦＥＴ１３１及び１３２を有する。ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１３１は、ゲートが直流電源１２１の陽極に接続され、ソースが電源電位に接続され、ドレインが出力端子１４０に接続される。ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１３２は、ゲートがＭＯＳＦＥＴ１２４のドレインに接続され、ドレインが出力端子１４０に接続され、ソースがグランド電位に接続される。
【０００６】
次に、スタートアップ回路２１０の構成を説明する。直流電源２１１は、陽極がｐチャネルＭＯＳＦＥＴ２１２のゲートに接続され、陰極がグランド電位に接続される。ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ２１２は、ソースが電源電位に接続され、ドレインがｎチャネルＭＯＳＦＥＴ２１３のドレインに接続される。ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ２１３は、ゲートが出力端子１４０に接続され、ソースがグランド電位に接続される。ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ２１４及び２１６のゲートは相互に接続され、その相互接続点はＭＯＳＦＥＴ２１４のドレインに接続される。ＭＯＳＦＥＴ２１４は、ソースが電源電位に接続され、ドレインがｎチャネルＭＯＳＦＥＴ２１５のドレインに接続される。ＭＯＳＦＥＴ２１５は、ゲートがＭＯＳＦＥＴ２１２のドレインに接続され、ソースがグランド電位に接続される。ＭＯＳＦＥＴ２１６は、ソースが電源電位に接続され、ドレインがＭＯＳＦＥＴ１２４のゲートに接続される。
【０００７】
図３（Ａ）は、スタートアップ回路２１０がないときの基準電圧発生回路２００の出力端子１４０の出力電圧３０２ａ及び３０２ｂを示す。横軸は電源投入後の時間ｔを示し、縦軸は電圧Ｖを示す。電源投入後、電源電圧３０１は徐々に上昇し、やがてＶｃｃ［Ｖ］で安定する。基準電圧発生回路２００は、製造ばらつき等に応じて、２種類の出力電圧３０２ａ及び３０２ｂのうちのいずれか一方を出力する。２種類の出力電圧３０２ａ及び３０２ｂのうちのいずれが出力されるかは保証することができない。その結果、基準電圧発生回路２００は、０［Ｖ］又はＶｏ［Ｖ］の２つの出力電圧（基準電圧）の安定点を有する。Ｖｏ［Ｖ］が望む出力電圧安定点であり、０［Ｖ］が望まない出力電圧安定点である。
【０００８】
図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に対応し、スタートアップ回路２１０を基準電圧発生回路２００に接続したときの出力端子１４０の出力電圧３０２ａを示す。スタートアップ回路２１０は、基準電圧発生回路２００の出力電圧の安定点が０［Ｖ］及びＶｏ［Ｖ］の２つあるうちの１つの所望の安定点Ｖｏ［Ｖ］に導くことができる。基準電圧発生回路２００は、電源電圧３０１の上昇に伴い、必ず所望の出力電圧３０２ａを出力することができる。
【０００９】
次に、スタートアップ回路２１０がない場合の基準電圧発生回路２００の動作を説明する。基準電圧発生回路２００は、差動アンプ１２０及び出力アンプ１３０の２段増幅回路を有する。差動アンプ１２０にオフセットが存在しないときには出力電圧３０２ａが出力され、オフセットが存在するときには出力電圧３０２ｂが出力される。具体的には、差動アンプ１２０において、ＭＯＳＦＥＴ１２５及び１２６がカレントミラーとして機能し、出力端子１４０の出力電圧に応じた電圧が差動アンプ１２０の差動入力ＭＯＳＦＥＴ１２３及び１２４のゲートにフィードバック入力されるため、ＭＯＳＦＥＴ１２３及び１２４のドレインの電圧が同じなるようにフィードバック制御される。差動アンプ１２３及び１２４のドレイン電圧が同じであれば、オフセットがなく、出力電圧３０２ａが出力される。これに対し、製造ばらつき等により、ＭＯＳＦＥＴ１２３及び１２４のドレイン電圧が所定電圧（例えば１０ｍＶ）以上異なるオフセットが存在すると、出力電圧３０２ｂが出力される。
【００１０】
図３（Ａ）の出力電圧３０２ａが出力される場合は、電源投入後、電源電圧３０１は徐々に上昇し、直流電源１２１の電圧も徐々に上昇する。すると、出力端子１４０の出力電圧３０２ａも徐々に上昇し、やがて出力電圧３０２ａは基準電圧Ｖｏを維持する。
【００１１】
これに対し、図３（Ａ）の出力電圧３０２ｂが出力される場合は、電源投入後、電源電圧３０１は徐々に上昇し、出力端子１４０の出力電圧３０２ｂも上昇する。ここで、差動アンプ１２０にオフセットが存在するため、ＭＯＳＦＥＴ１２３及び１２４のドレイン電圧に差が生ずる。例えば、ＭＯＳＦＥＴ１２３のドレイン電圧がマイナスのオフセットとして低い電圧になり、ＭＯＳＦＥＴ１２４のドレイン電圧がプラスのオフセットとして高い電圧になる。すると、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１３２がオンする方向に動作し、出力端子１４０の出力電圧３０２ｂが下がる。出力電圧３０２ｂが下がると、フィードバックにより、差動アンプ１２０の入力ＭＯＳＦＥＴ１２３及び１２４のゲート電圧が下がり、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１２４のドレイン電圧が上がる。このフィードバックループにより、出力電圧３０２ｂは下がっていき、やがて０［Ｖ］で安定する。
【００１２】
次に、スタートアップ回路２１０を基準電圧発生回路２００に接続した場合の動作を説明する。この場合には、図３（Ｂ）の出力電圧３０２ａが出力される。電源投入後、電源電圧３０１及び出力電圧３０２ａは、徐々に上がる。基準電圧発生回路２００の出力端子１４０の電圧３０２ａは、スタートアップ回路２１０の入力であるｎチャネルＭＯＳＦＥＴ２１３のゲートで監視される。基準電圧発生回路２００の出力電圧３０２ａがｎチャネルＭＯＳＦＥＴ２１３の閾値電圧未満であるときには、ＭＯＳＦＥＴ２１３がオフとなる。このとき、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ２１２は定電流源であるためｎチャネルＭＯＳＦＥＴ２１５のゲート電圧が上昇し、ＭＯＳＦＥＴ２１５はオンとなり電流が流れる。この電流は、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ２１４にも流れる。すると、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ２１４とカレントミラーの関係にあるｐチャネルＭＯＳＦＥＴ２１６にも同じ電流が流れる。ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ２１６に流れた電流は、基準電圧発生回路２００内の差動アンプの入力ＭＯＳＦＥＴ１２４のゲート電圧を上昇させる。その結果として、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１３２のゲート電圧が下がり、基準電圧発生回路２００の出力電圧３０２ａを上昇させる。
【００１３】
基準電圧発生回路２００の出力電圧３０２ａが上昇し、スタートアップ回路２１０内のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ２１３の閾値電圧以上になると、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ２１３がオンになり、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ２１５はゲート電圧が低下してオフとなる。そのため、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ２１６もオフとなり、スタートアップ回路２１０が基準電圧発生回路２００から切り離され、スタートアップ動作を停止する。その後、基準電圧発生回路２００の動作により、出力電圧３０２ａはＶｏ［Ｖ］の安定点に到達する。以上のように、スタートアップ回路２１０は、基準電圧発生回路２００の出力電圧３０２ａが低い時には出力電圧３０２ａを上昇させるように動作し、出力電圧３０２ａが十分に高くなるとスタートアップ動作を停止するように動作する。
【００１４】
また、下記の特許文献１の図５にも、基準電圧発生回路のスタートアップ回路が開示されている。
【００１５】
【特許文献１】特開２０００−１８１５５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
図２に示すスタートアップ回路２１０では、ＭＯＳＦＥＴを５個使用し、部品点数が多い。また、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ２１３は、スタートアップ動作の開始／停止する電圧をその閾値電圧で決めているため、サイズの自由度が小さく、サイズ調整が困難である。また、スタートアップ動作停止後の通常動作時には、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ２１３とｐチャネルＭＯＳＦＥＴ２１２が同時にオンするため、ＭＯＳＦＥＴ２１２及び２１３に不要な電流が流れる。
【００１７】
本発明の目的は、部品点数が少なく、回路が簡単で設計が容易であるスタートアップ回路を含む基準電圧発生回路を提供することである。
【００１８】
本発明の他の目的は、不要な電流を流さず、消費電力量を減らすことができるスタートアップ回路を含む基準電圧発生回路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の一観点によれば、入力信号を増幅し、基準電圧を生成するための差動アンプと、基準電圧を増幅して出力するための出力アンプと、差動アンプの出力端子と出力アンプの入力端子との間に接続されるスタートアップ回路とを有する基準電圧発生回路が提供される。スタートアップ回路は、第１のスイッチ及び第２のスイッチを有する。第１のスイッチは、出力アンプの出力端子の電圧に応じて、差動アンプの出力端子と出力アンプの入力端子とを接続する。第２のスイッチは、差動アンプの出力端子の電圧に応じて、出力アンプの入力端子及び出力端子を接続する。
【発明の効果】
【００２０】
基準電圧発生回路にスタートアップ回路を用いることにより、出力アンプの出力電圧の安定点が複数あるうちの１つの所望の安定点に導くことができる。また、スタートアップ回路は、第１のスイッチ及び第２のスイッチで実現しているため、部品点数が少なく、回路が簡単で設計が容易である。また、スタートアップ回路に不要な電流が流れることがなく、消費電力量を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１は、本発明の実施形態による基準電圧発生回路の構成例を示す。基準電圧発生回路は、スタートアップ回路１００を含む。基準電圧発生回路のうちのスタートアップ回路１００以外の部分は、図２の基準電圧発生回路２００と同様である。
【００２２】
まず、スタートアップ回路１００以外の部分を説明する。抵抗１１１は、ｐチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴという）１２３のゲート及び出力端子１４０間に接続される。抵抗１１２は、ＭＯＳＦＥＴ１２３のゲート及びダイオード１１３のアノード間に接続される。ダイオード１１３のカソードは、グランド電位に接続される。抵抗１１４は、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１２４のゲート及び出力端子１４０間に接続される。ダイオード１１５は、アノードがＭＯＳＦＥＴ１２４のゲートに接続され、カソードがグランド電位に接続される。
【００２３】
差動アンプ１２０は、直流電源１２１及びＭＯＳＦＥＴ１２２〜１２６を有する。差動アンプ１２０の入力端子は、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１２３及び１２４のゲートである。差動アンプ１２０の出力端子は、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１２４のドレインとｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１２６のドレインとの相互接続点である。直流電源１２１は、陽極がｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１２２のゲートに接続され、陰極がグランド電位に接続される。ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１２２は、ソースが電源電位に接続され、ドレインがｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１２３及び１２４のソースの相互接続点に接続される。ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１２５及び１２６のゲートは相互に接続され、その相互接続点はＭＯＳＦＥＴ１２３のドレインに接続される。ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１２５は、ドレインがＭＯＳＦＥＴ１２３のドレインに接続され、ソースがグランド電位に接続される。ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１２６は、ドレインがＭＯＳＦＥＴ１２４のドレインに接続され、ソースがグランド電位に接続される。
【００２４】
出力アンプ１３０は、ＭＯＳＦＥＴ１３１及び１３２を有する。出力アンプ１３０の入力端子は、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１３２のゲートである。出力アンプ１３０の出力端子は、基準電圧発生回路の出力端子１４０と同じである。ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１３１は、ゲートが直流電源１２１の陽極に接続され、ソースが電源電位に接続され、ドレインが出力端子１４０に接続される。ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１３２は、ゲートがスタートアップ回路１００に接続され、ドレインが出力端子１４０に接続され、ソースがグランド電位に接続される。
【００２５】
次に、スタートアップ回路１００の構成を説明する。スタートアップ回路１００は、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１０１及び１０２を有する。ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１０１は、ゲートが出力端子１４０に接続され、ソースがＭＯＳＦＥＴ１２４及び１２６のドレインの相互接続点（差動アンプ１２０の出力端子）に接続され、ドレインがｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１３２のゲート（出力アンプ１３０の入力端子）に接続される。ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１０２は、ゲートがＭＯＳＦＥＴ１２４及び１２６のドレインの相互接続点（差動アンプ１２０の出力端子）に接続され、ソースが出力端子１４０に接続され、ドレインがｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１３２のゲート（出力アンプ１３０の入力端子）に接続される。
【００２６】
スタートアップ回路１００を削除し、差動アンプ１２０の出力端子と出力アンプ１３０の入力端子とを短絡すると、図２の基準電圧発生回路２００と同じ回路になる。この場合、図３（Ａ）に示したように、基準電圧発生回路は、製造ばらつき等に応じて、２種類の出力電圧３０２ａ及び３０２ｂのうちのいずれか一方を出力する。２種類の出力電圧３０２ａ及び３０２ｂのうちのいずれが出力されるかは保証することができない。その結果、基準電圧発生回路は、０［Ｖ］又はＶｏ［Ｖ］の２つの出力電圧（基準電圧）の安定点を有する。Ｖｏ［Ｖ］が望む出力電圧安定点であり、０［Ｖ］が望まない出力電圧安定点である。
【００２７】
図１に示すように、スタートアップ回路１００を基準電圧発生回路内に設けることにより、図３（Ｂ）に示すように、スタートアップ回路１００は、基準電圧発生回路の出力電圧の安定点が０［Ｖ］及びＶｏ［Ｖ］の２つあるうちの１つの所望の安定点Ｖｏ［Ｖ］に導くことができる。基準電圧発生回路は、電源電圧３０１の上昇に伴い、必ず所望の出力電圧３０２ａを出力することができる。
【００２８】
次に、スタートアップ回路１００を含む基準電圧発生回路の動作を説明する。この基準電圧発生回路は、出力電圧の安定点が例えば０［Ｖ］及びＶｏ＝１．２［Ｖ］の２点ある。電源電圧Ｖｃｃは、例えば３Ｖ、２．５Ｖ、１．８Ｖ等である。スタートアップ回路１００がある場合には、図３（Ｂ）の出力電圧３０２ａが出力される。電源投入後、電源電圧３０１が徐々に上がるが、出力電圧３０２ａは０［Ｖ］のままである。ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１３２のゲートは、フローティング状態であるため、そのゲートに電荷が溜まっており、ＭＯＳＦＥＴ１３２がオンしていることがある。ＭＯＳＦＥＴ１３２がオンしていれば、出力電圧３０２ａは０Ｖを維持する。出力端子１４０の出力電圧３０２ａが０Ｖのときには、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１０１がオフである。差動アンプ１２０の出力端子の電圧が上昇し、やがてｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１０２がオンとなる。すると、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１３２のゲート電圧が０Ｖとなり、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１３２はオフとなる。その後、出力端子１４０の出力電圧３０２ａが上昇し、所望の安定点である１．２Ｖに向けて上昇する。出力電圧３０２ａが上昇すると、やがてｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１０１はオンし、差動アンプ１２０の出力端子の電圧は下がって行きｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１０２はオフとなる。ＭＯＳＦＥＴ１０１がオンし、ＭＯＳＦＥＴ１０２がオフすることにより、スタートアップ動作を停止し、本実施形態の基準電圧発生回路は、図２の基準電圧発生回路２００と同じ回路になる。その後、本実施形態の基準電圧発生回路は、図２の基準電圧発生回路２００の動作と同様に、出力電圧３０２ａは１．２［Ｖ］の安定点に到達する。
【００２９】
以上のように、スタートアップ回路１００において、ＭＯＳＦＥＴ１０１は、電源投入後の第１の期間でオフし、その後にオンを保持する。ＭＯＳＦＥＴ１０２は、電源投入後の第２の期間でオンし、その後にオフを保持する。
【００３０】
本実施形態の基準電圧発生回路は、入力信号を増幅するための差動アンプ１２０と基準電圧を増幅して出力するための出力アンプ１３０との２段増幅回路を有する。スタートアップ回路１００は、差動アンプ１２０の出力端子と出力アンプ１３０の入力端子との間に接続され、第１のスイッチ（ＭＯＳＦＥＴ）１０１及び第２のスイッチ（ＭＯＳＦＥＴ）１０２を有する。第１及び第２のスイッチ１０１，１０２は、例えば上記のようにｎチャネルＭＯＳＦＥＴである。第１のスイッチ１０１は、出力アンプ１３０の出力端子１４０の電圧に応じて、差動アンプ１２０の出力端子と出力アンプ１３０の入力端子とを接続する。第２のスイッチ１０２は、差動アンプ１２０の出力端子の電圧に応じて、出力アンプ１３０の入力端子及び出力端子１４０を接続する。
【００３１】
また、差動アンプ１２０及び出力アンプ１３０は増幅を行うために、差動アンプ１２０及び出力アンプ１３０内のＭＯＳＦＥＴは比較的大きなサイズを有する。これに対し、スタートアップ回路１００内のＭＯＳＦＥＴ１０１及び１０２は、大きな電流を流すことがないため、差動アンプ１２０及び出力アンプ１３０内のＭＯＳＦＥＴよりもサイズが小さくてよい。
【００３２】
基準電圧発生回路にスタートアップ回路１００を用いることにより、出力アンプ１３０の出力電圧の安定点が複数あるうちの１つの所望の安定点に導くことができる。また、スタートアップ回路１００は、ＭＯＳＦＥＴ１０１及び１０２の２つの素子で実現しているため、部品点数が少なく、回路が簡単で設計が容易である。さらに、ＭＯＳＦＥＴ１０１及び１０２のサイズは小さくてよいので、小型化することができる。また、図２のスタートアップ回路２１０では、上記の説明のように、スタートアップ動作終了後の通常動作においてＭＯＳＦＥＴ２１２及び２１３に不要な電流が流れる。これに対し、本実施形態のスタートアップ回路１００は、そのような不要な電流が流れることがなく、消費電力量を低減することができる。
【００３３】
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【００３４】
本発明の実施形態は、例えば以下のように種々の適用が可能である。
【００３５】
（付記１）
入力信号を増幅し、基準電圧を生成するための差動アンプと、
前記基準電圧を増幅して出力するための出力アンプと、
前記差動アンプの出力端子と前記出力アンプの入力端子との間に接続されるスタートアップ回路とを有し、
前記スタートアップ回路は、
前記出力アンプの出力端子の電圧に応じて、前記差動アンプの出力端子と前記出力アンプの入力端子とを接続するための第１のスイッチと、
前記差動アンプの出力端子の電圧に応じて、前記出力アンプの入力端子及び出力端子を接続するための第２のスイッチとを有する基準電圧発生回路。
（付記２）
前記第１のスイッチは、ゲートが前記出力アンプの出力端子に接続され、ソース及びドレインが前記差動アンプの出力端子及び前記出力アンプの入力端子に接続される第１の電界効果トランジスタであり、
前記第２のスイッチは、ゲートが前記差動アンプの出力端子に接続され、ソース及びドレインが前記出力アンプの出力端子及び入力端子に接続される第２の電界効果トランジスタである付記１記載の基準電圧発生回路。
（付記３）
前記第１及び第２の電界効果トランジスタは、ｎチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタである付記２記載の基準電圧発生回路。
（付記４）
前記差動アンプ及び前記出力アンプは電界効果トランジスタを含み、
前記第１及び第２の電界効果トランジスタは、前記差動アンプ及び前記出力アンプ内の電界効果トランジスタよりもサイズが小さい付記２記載の基準電圧発生回路。
（付記５）
前記差動アンプは、前記出力アンプの出力電圧に応じた信号を前記入力信号としてフィードバック入力する付記１記載の基準電圧発生回路。
（付記６）
前記スタートアップ回路は、前記出力アンプの出力電圧の安定点が複数あるうちの１つの所望の安定点に導くための回路である付記１記載の基準電圧発生回路。
（付記７）
前記第１のスイッチは、電源投入後の第１の期間でオフし、その後にオンを保持する付記１記載の基準電圧発生回路。
（付記８）
前記第２のスイッチは、電源投入後の第２の期間でオンし、その後にオフを保持する付記７記載の基準電圧発生回路。
（付記９）
前記第１のスイッチは、電源投入後の第１の期間でオフし、その後にオンを保持する付記６記載の基準電圧発生回路。
（付記１０）
前記第２のスイッチは、電源投入後の第２の期間でオンし、その後にオフを保持する付記９記載の基準電圧発生回路。
（付記１１）
前記第１のスイッチは、ゲートが前記出力アンプの出力端子に接続され、ソース及びドレインが前記差動アンプの出力端子及び前記出力アンプの入力端子に接続される第１の電界効果トランジスタであり、
前記第２のスイッチは、ゲートが前記差動アンプの出力端子に接続され、ソース及びドレインが前記出力アンプの出力端子及び入力端子に接続される第２の電界効果トランジスタである付記１０記載の基準電圧発生回路。
（付記１２）
前記第１及び第２の電界効果トランジスタは、ｎチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタである付記１１記載の基準電圧発生回路。
（付記１３）
前記差動アンプ及び前記出力アンプはＭＯＳ電界効果トランジスタを含み、
前記第１及び第２の電界効果トランジスタは、前記差動アンプ及び前記出力アンプ内のＭＯＳ電界効果トランジスタよりもサイズが小さい付記１２記載の基準電圧発生回路。
（付記１４）
前記差動アンプは、前記出力アンプの出力電圧に応じた信号を前記入力信号としてフィードバック入力する付記１３記載の基準電圧発生回路。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施形態によるスタートアップ回路を含む基準電圧発生回路の構成例を示す回路図である。
【図２】従来技術による基準電圧発生回路及びそのスタートアップ回路の構成例を示す回路図である。
【図３】図３（Ａ）及び（Ｂ）は基準電圧発生回路の動作を説明するための図である。
【符号の説明】
【００３７】
１００  スタートアップ回路
１０１  第１のスイッチ（ＭＯＳＦＥＴ）
１０２  第２のスイッチ（ＭＯＳＦＥＴ）
１２０  差動アンプ
１３０  出力アンプ
１４０  出力端子
２００  基準電圧発生回路
２１０  スタートアップ回路
３０１  電源電圧
３０２ａ，３０２ｂ  出力電圧
【図１】
2005242810.tif 000003
【図２】
2005242810.tif 000004
【図３】
2005242810.tif 000005