(57)【要約】【課題】  プロセスチャンバ内での白色粉末の生成を抑える装置及び方法を提供する。【解決手段】  本方法は、プロセスチャンバの壁の少なくとも一部分を加熱するステップ、プロセスチャンバの壁の大部分を覆うライナを設けるステップ、プロセスチャンバの内部に接続されたリモートチャンバを設けるステップ、リモートチャンバ内で清浄ガスのプラズマを生じさせるステップ、及び清浄ガスのプラズマの一部をプロセスチャンバ内に流入するステップを含んでいる。本装置は、壁を有する堆積チャンバ、壁に熱結合され壁を加熱する手段、壁の大部分を覆うライナ、チャンバの外側に配置されたリモートチャンバ、リモートチャンバ内にエネルギを供給することの可能な活性化源、リモートガス供給源からの前駆ガスをリモートチャンバ内に流入させる第１導管、及びリモートチャンバからの反応種を堆積チャンバ内に流入させる第２導管を含んでいる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ケイ素を堆積するために用いられるプロセスチャンバ内での白色粉末の生成を低減する方法であって、
前記プロセスチャンバの壁の少なくとも一部を加熱するステップと、
前記プロセスチャンバの壁の実質的な部分を覆うライナを設けるステップと、
前記プロセスチャンバの内部に接続されたリモートチャンバを提供するステップと、
前記リモートチャンバ内で洗浄ガスのプラズマを生じさせるステップと、
前記プロセスチャンバ内に前記洗浄ガスのプラズマを流入するステップと、
を備え、前記白色粉末が実質的に減少する、前記方法。
【請求項２】
前記加熱ステップは、前記壁内の少なくとも１個の中空隔室内に、加熱された流体を流すことにより行われる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
真空ライン内、および前記プロセスチャンバに機能を提供するポンプシステム内で、白色粉末の生成が低減される、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記加熱された流体が実質的に水である、請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記水を約８５℃以上の温度に加熱するステップを更に備える、請求項４記載の方法。
【請求項６】
上記水を約８５℃の温度に加熱するステップを更に備える、請求項５記載の方法。
【請求項７】
上記ライナは、前記プロセスチャンバの全体の内部を覆う、請求項２記載の方法。
【請求項８】
上記ライナは、アルマイト製である、請求項６記載の方法。
【請求項９】
上記ライナは、セラミック製である、請求項２記載の方法。
【請求項１０】
白色粉末の生成が低減される窒化ケイ素堆積用の装置であって、
壁を有する堆積チャンバと、
前記壁を加熱する手段であって、前記壁に熱結合された手段と、前記壁の実質的な部分を覆うライナと、
前記チャンバの外側に配置されたリモートチャンバと、
前記リモートチャンバ内にエネルギを供給する活性化源と、
リモートガス供給源からの前駆ガスを、この前駆ガスが前記活性化源によって活性化されて反  応種が形成される前記リモートチャンバ内に流入する第１の導管と、
前記リモートチャンバからの反応種を前記堆積チャンバ内に流入する第２の導管と、
第２導管と流体連通したシャワーヘッドと、
シャワーヘッドに接続された電源と、
を備える装置。
【請求項１１】
前記加熱手段は、
前記壁の少なくとも一部内に置かれた隔室と、
前記隔室に接続された流入口ポートと、
前記隔室に接続された流出口ポートと、
を含む、請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
前記流入口ポートに接続された流体源を更に備える、請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
前記流体は、約８５℃以上の温度に加熱される水である、請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記水は、約８５℃の温度に加熱される、請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
ライナは、前記堆積チャンバの内部の全体を実質的に覆う、請求項１０記載の装置。
【請求項１６】
ライナは、アルミニウム製である、請求項１０記載の装置。
【請求項１７】
ライナは、セラミック製である、請求項１０記載の装置。
【請求項１８】
加熱手段は、前記チャンバの外部を実質的に覆う熱絶縁ブランケットである、請求項１０記載の装置。
【請求項１９】
堆積チャンバ内部に位置決めされたサセプタを更に備える、請求項１０記載の装置。
【請求項２０】
サセプタを加熱する為のヒータを更に備える、請求項１９記載の装置。
【請求項２１】
プロセスチャンバ内の上部電極にパワーを供給するステップを更に備える、請求項１記載の方法。
【請求項２２】
上部電極は、シャワーヘッドである、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
パワーは、高周波源により供給される、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
前記壁を加熱する手段は、チャンバ洗浄中、前記壁を加熱する能力がある、請求項１０記載の装置。
【請求項２５】
ライナは、アルミニウム製である、請求項１０記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
[発明の属する技術分野]
【０００２】
本発明は、リモートプラズマ源清浄技術を用いて窒化ケイ素堆積中の白色粉末を低減する装置および方法に関するものである。
[従来の技術]
【０００３】
プラズマ補助化学反応（plasma-assisted chemical reactions）は、半導体産業やフラットパネルディスプレイ産業で広く利用されている。その一例が、プラズマ励起式化学的気相堆積（ＰＥＣＶＤ）であり、これは、アクティブマトリクス液晶ディスプレイ（ＡＭＬＣＤ）用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造時に使用されるプロセスである。ＰＥＣＶＤでは、基板は、一対の平行平板電極が設置された真空堆積チャンバ（vacuum deposition chamber）内に配置される。これらの電極の一方、例えば一般にサセプタと呼ばれる下部電極が基板を保持する。他方の電極、すなわち上部電極は、ガス入口マニホールドまたはシャワーヘッドとして機能する。堆積中、反応ガスは上部電極を通ってチャンバ内に流れ込み、高周波（ＲＦ）電圧が電極間に印加されて、反応ガス中にプラズマが形成される。このプラズマは、反応ガスを分解し、材料の層を基板の表面上に堆積する。
【０００４】
しばしば堆積される材料として、窒化ケイ素（ＳｉＮ）がある。ＳｉＮは、その耐水性や耐ナトリウム汚染性のために、ゲート絶縁層およびパッシベーション層の共通の材料となっている。ＳｉＮの堆積では、本発明の譲受人に譲渡された米国特許第5,399,387号に記載されているように、シラン（ＳｉＨ4）ガスおよびアンモニア（ＮＨ3）ガスからなるプラズマを用いることで、幾つかの反応経路に従ってＳｉＮを堆積することが可能である。例えば、
【０００５】
（化１）
ＳｉＨ４＋ＮＨ３→ＳｉＮＨ＋３Ｈ２
３ＳｉＨ４＋４ＮＨ３→Ｓｉ３Ｎ４＋１２Ｈ２
である。ＳｉＮは、基板上だけではなく壁や排気システムの上にも堆積する。既知の現場清浄プロセスは、清浄ガス（cleaning gas）（多くの場合、フッ化窒素（ＮＦ3）である）を供給し、排気可能な揮発性生成物を形成するためにＲＦプラズマを用いてチャンバ内部のガスを活性化することにより、壁からＳｉＮ膜を除去することが可能である。この反応は、次のように進行する。
【０００６】
（化２）
ＮＦ３→ＲＦプラズマ→ＮＦｘ＋Ｆ
Ｆ＋ＳｉＮ→ＲＦプラズマ→ＳｉＦ４＋Ｎ２
生成物フッ化ケイ素（ＳｉＦ4）は、この後、ＳｉＮ堆積プロセス中にＮＨ3およびフッ化水素（ＨＦ）と反応して、例えば六フッ化アンモニウム（（ＮＨ4）2ＳｉＦ6）を形成する。このような生成物および他の同様のケイ素含有フッ化物生成物は、ここでは「白色粉末」と呼ばれ、より一般的には、部分反応ＳｉＮ膜を構成する。この望ましくない白色粉末は、例えば、真空ポンプ内で濃縮（condense）することがある。また、この白色粉末は、プロセスチャンバをポンプに接続する真空ライン（フォアライン）やポンプを排気システムに接続する真空ライン（排気ライン）内で濃縮することもある。最終的に、この白色粉末は、燃焼箱（排気を扱う）内で、およびチャンバ壁上で濃縮する可能性がある。ポンプおよび排気の場合、濃縮は、総計で数キログラムの白色粉末になることがあり、これにより、しばしばポンプが故障する。フォアラインおよび排気ラインの場合、目詰まりが起こることがある。この白色粉末は、堆積プロセス中において望ましくない微粒子の源ともなる。
[発明が解決しようとする課題]
【０００７】
従来のプラズマ現場清浄プロセスは、白色粉末の除去やＳｉＮ堆積中における白色粉末の発生の低減には有効でない。チャンバやチャンバ内の露出部品を清浄するこのようなシステムでは、前駆ガスがチャンバに供給される。この後、チャンバ内の前駆ガスにグロー放電プラズマを局所的に加えることにより、反応種が生成される。この反応種は、チャンバ表面上のプロセス堆積物と揮発性の化合物を形成することによりチャンバの表面を清浄する。このプラズマ現場清浄は、通常、白色粉末を除去せず、ポンプおよび排気の定期的な整備が依然として必要である。
【０００８】
新たに改良を加えた清浄システムが、白色粉末を除去するために開発されている。例えば、ある改良システムは、プロセスチャンバとポンプとの間に追加のプラズマ源を導入する。別の例では、ポンプとプロセスチャンバとの間、あるいは（排気ライン中における）ポンプの後にトラップが導入されている。しかしながら、これらの方法も、白色粉末の除去やＳｉＮ堆積中における白色粉末の発生の低減には有効でない。
【０００９】
本発明は、ＳｉＮ堆積プロセス中に形成される白色粉末の量を低減することを目的としている。また、白色粉末形成の結果として生じる可能性のある部品への損傷を低減することを関連する目的としている。
[課題を解決するための手段]
【００１０】
一つの側面では、本発明は、窒化ケイ素を堆積するために用いられるプロセスチャンバ内での白色粉末の生成を低減する方法に関しており、プロセスチャンバの壁の少なくとも一部分を加熱するステップと、プロセスチャンバの壁の実質的な部分を覆うライナを設けるステップと、プロセスチャンバの内部に接続されたリモートチャンバを設けるステップと、このリモートチャンバ内で清浄ガスのプラズマを発生させるステップと、この清浄ガスのプラズマの一部をプロセスチャンバ内に流入するステップと、を備え、白色粉末の生成が実質的に低減されるようになっている。
【００１１】
この発明の具体化には、以下の事項が含まれる。上記の加熱ステップは、壁内の少なくとも１個の中空隔室内に加熱された流体を流入することにより行われる。白色粉末の生成は、真空ライン内や、プロセスチャンバに機能を提供するポンプシステム内で低減される。この方法は、ウェーハを約８５℃以上の温度に加熱するステップをさらに備えていても良い。上記のライナは、プロセスチャンバの内部の実質的に全体を覆っている。このライナは、アルマイト（陽極酸化アルミニウム）（anodized aluminum）またはセラミックから作られている。
【００１２】
別の側面では、本発明は、窒化ケイ素を堆積するために使用されるプロセスチャンバ内での白色粉末の生成を低減する方法に関しており、プロセスチャンバの壁を加熱する手段を設けるステップと、プロセスチャンバの内部の実質的な部分を覆うライナを設けるステップと、を備え、白色粉末の生成が実質的に低減されるようになっている。
【００１３】
この発明の具体化には、以下の事項が含まれる。上記の加熱手段は、抵抗ヒータ、またはプロセスチャンバの外側を実質的に覆う熱絶縁ブランケットである。
【００１４】
別の側面では、本発明は、白色粉末の生成が低減される窒化ケイ素堆積用の装置に関する。本発明は、壁を有する堆積チャンバと、この壁を加熱する手段であってこの壁に熱結合（thermally couple）された手段と、壁の実質的な部分を覆うライナと、チャンバの外側に配置されたリモートチャンバと、このリモートチャンバ内にエネルギを供給する活性化源（activation source）と、リモートガス供給源からの前駆ガスを、前駆ガスが活性化源によって活性化されて反応種が形成されるリモートチャンバ内に流入する第１の導管と、リモートチャンバからの反応種を堆積チャンバ内に流入する第２の導管と、を備えている。
【００１５】
この発明の具体化には、以下の事項が含まれる。上記の加熱手段は、壁の少なくとも一部分の内部に配置された隔室と、この隔室に接続された流体流入口と、この隔室に接続された流体流出口と、を有している。また、前記流体流入口に接続された流体源もある。この加熱手段は、チャンバの外部を実質的に覆う熱絶縁ブランケットであっても良い。
【００１６】
本発明の利点は、ＳｉＮ堆積プロセス中に生成される白色粉末の量が低減されることである。また、白色粉末によって引き起こされるポンプの故障やライン目詰まりの発生が低減されることも利点である。
【００１７】
本発明の他の目的や利点は、以下の説明の中で述べるが、その一部は以下の説明から明らかになり、また本発明の実施によって理解することができる。本発明の目的および利点は、特に特許請求の範囲で指摘される手段および組合せによって実現および取得することができる。
[発明の実施の形態]
【００１８】
添付の図面は、上記の一般的な説明および以下の詳細な説明とともに本発明を概略的に示しており、本発明の原理を説明するのに役立っている。なお、添付図面は、本明細書に組み込まれて本明細書の一部をなす。
【００１９】
説明する実施形態では、我々は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドコマツテクノロジー製モデルＡＫＴ−３５００ＰＥＣＶＤシステムを使用した。このシステムには、本明細書で説明するように改修が加えられている。このＡＫＴ−３５００ＰＥＣＶＤは、ＡＭＬＣＤの生成に使用するために設計されている。これは、複数のプロセスチャンバを有するモジュラシステムである。これらのプロセスチャンバは、アモルファスシリコン膜、ＳｉＮ膜、シリコン酸化膜および酸窒化膜を堆積するために使用することができる。このシステムに関するより詳しい説明は、本発明の譲受人に譲渡された米国特許出願第08/707,491号に見出すことができる。なお、この文献は、参照文献として本明細書に組み込まれる。しかしながら、本発明は、任意の市販の堆積システムとともに使用することも可能である。
【００２０】
図１に示されるように、本発明に従って改修されたＰＥＣＶＤシステムは、堆積ガスを導入するためのガス入口マニホールド（またはシャワーヘッド）１２を内側に有する堆積チャンバ１０と、材料が堆積されるべき基板１６を保持するサセプタ１４と、を含んでいる。入口マニホールド１２およびサセプタ１４は、双方とも平行平板形であり、それぞれ上部電極および下部電極としても機能する。下部電極およびチャンバ本体は、グラウンドに接続されている。ＲＦ電源３８は、整合回路網（matching network）４０を介して上部電極に電力を供給する。ＲＦ電源３８は、上部電極と下部電極との間にプラズマを生成するために用いられる。
【００２１】
ポンプシステムは、フォアライン６２、排気ライン６４、ポンプ３６、燃焼箱（burn box）６６および流出口７２を有している。ポンプ輸送されるべきガスは、チャンバ１０内のランダム運動を介してフォアライン６２に入る。このガスは、ポンプ３６によって除去され、排気ライン６４を介してポンプ３６から排気される。燃焼箱６６はこの排気ガスを処理し、この後、この排気ガスは流出口７２を介して除去される。燃焼箱６６は、酸素およびメタンを燃焼する場合に特に有用である。流出口７２は、別のポンプまたは処理設備に接続されていても良いし、あるいは単に大気への出口であっても良い。
【００２２】
チャンバ１０の外側には、堆積中に用いられる複数のガスを含んだ堆積ガスシステム３２がある。ＳｉＮの堆積では、これらのガスは、通常、アンモニアおよびシランである。これらは、例えば、アンモニアガス供給源７１およびシランガス供給源６８によって示されている。これらのプロセスガスは、入口を通ってガスマニホールド内に流入した後、シャワーヘッドを通ってチャンバ内に流入する。電動バルブおよび流れ制御機構３４は、ガス供給源からチャンバ内へのガスの流れを制御する。
【００２３】
チャンバ１０は、ライナ１５を含んでいる。図１では、ライナ１５は、チャンバの内壁７０の所定部分をライニングする２枚の平行平板として概略図示されている。ライナ１５は、実質的にチャンバ１０の内壁７０全体をライニングしていることが好ましく、チャンバ内壁７０の全てをライニングしているとより一層好ましい。ライナ１５は、例えばアルマイト（陽極酸化アルミニウム）やセラミック材料から形成されていても良い。使用可能なセラミックライナは、本発明の譲受人に譲渡された米国特許第5,366,585号に記載されている。なお、この文献は、参照文献として本明細書に組み込まれる。ライナ１５は、通常、チャンバ１０の内壁と物理的および熱的に接触している。
【００２４】
ライナ１５は、チャンバ内およびチャンバ上の少なくとも３個の要素からの対流、伝導、および放射によって加熱される。第１に、堆積チャンバ内の熱いプロセスガスは、ライナ１５を加熱する傾向がある。これらのガスは、ライナ１５と直接接触し、熱伝導によってエネルギを直接伝達する。第２に、サセプタの加熱がチャンバ内に熱い要素を作り出し、この熱が放射および対流によってライナ１５に部分的に伝達される。第３に、ライナ１５は、チャンバの壁から更に加熱を受けることがある。ここで、チャンバの壁は、後述するようにして加熱される。約３７０℃程度に高くすることできる通常のプロセス温度では、ライナ１５は、約１５０℃からサセプタの温度（３７０℃）付近までの温度に達することが可能である。但し、通常は、約２５０℃である。一般に、濃縮を排除する効果は、ライナ温度が高まるに伴って大きくなる。上記の温度において、ライナ１５上での濃縮は低減される。注目すべきことに、これらの温度は、通常、ライナ１５との化学反応が生じない程度に低い温度である。
【００２５】
チャンバ１０の各壁は、独立に加熱される。これは、多数の理由によるものである。第１に、ライナ１５は、チャンバ１０の内壁７０への衝突を全てのガスについて防ぐことはできないからである。このため、清浄ガス粒子が内壁７０に付着することを防ぐために、壁７０の温度は、いかなる衝突ガス粒子も壁７０上で濃縮しないように加熱によって上昇させられる。壁７０を加熱する第２の理由は、ライナ１５の加熱を高めるためである。上述のように、ライナ１５は、加熱された壁７０からの熱伝導により、ある程度の熱を受け取る。
【００２６】
壁７０は、多数の方法により加熱することができる。壁を加熱する方法は、重要ではない。一例として、壁７０に熱結合された抵抗ヒータにより加熱を行うことができる。このような結合の方法は、当業者にとって公知である。
【００２７】
別の実施形態では、チャンバ１０の壁は、流入口１１および流出口１３に接続された中空部分１７を有している。再循環流体供給装置６１は、これらの出入口を用いて、加熱済みのガスまたは液体をチャンバ壁を通して流す。例えば、水は、約７５℃からその沸点までの温度範囲で使用することができる。特に、温度８５℃の水を使用することができる。その後、加熱済みの水が、チャンバ壁を加熱する。流体の流れは、図１において矢印“Ａ”で概略的に示されている。このチャンバフローシステムは、チャンバ１０の一又は複数の中空セクションを形成する一連の流体接続された隔室を含んでいてもよい。すなわち、壁は、隔室を画成する中空セクションを有していてもよい。流体通路によって隔室を接続することができるので、一つの隔室内に継続して流れ込む流体は、最終的には他の隔室に到達し、この隔室にも流体が流れることになる。このような隔室の設計は、チャンバ１０の壁の形状寸法や設計に応じて決めることができる。好ましくは、実質的に全ての内壁が、少なくとも一つの中空隔室に極めて接近していると良い。
【００２８】
本発明は、リモートプラズマ源清浄技術とともに用いられる。換言すると、ライナおよび加熱壁は、（参照文献として組み込まれた上記特許出願に記載されているように）リモートプラズマ源清浄によってもたらされる有利な清浄効果とともに用いられる。ライナおよび加熱壁とともに用いられるリモートプラズマ源は、白色粉末の生成を実質的に低減することを可能にする。
【００２９】
リモートプラズマ源清浄システムの一例では、流入口３３を介して清浄ガス供給システム６９もチャンバに接続されている。清浄ガス供給システムは、ガス、例えばＮＦ3、を供給して、一連の堆積作業の後にチャンバの内側を清浄する。これらのガスが混合の望まれるものである場合は、第１および第２ガス供給源を結合することも可能である。
【００３０】
清浄ガスシステム６９は、前駆ガス４４の源と、前駆ガス４４の流れを制御する電動バルブおよび流れ制御機構と、堆積チャンバの外側において所定距離だけ離れたリモート活性化チャンバ（remote activation chamber）４６にガス４４を流入する第１の導管６７と、を含んでいる。電力励起源（power activation source）、例えば高出力マイクロ波発生器４８は、リモート活性化チャンバ内で前駆ガスを活性化するために用いられる。第２の導管またはパイプ５７は、リモートチャンバ４６を流入口３３を介して堆積チャンバ１０に接続する。流れレストリクタ（flow restrictor）５９は、リモートチャンバ４６と堆積チャンバ１０との間に圧力差が存在できるようにするため、パイプ５７内で使用される。リモートチャンバ４６は、サファイアチューブであってもよく、電源は、サファイアチューブ用の出力を有する２．５４ＧＨｚマイクロ波エネルギ源であってもよい。
【００３１】
上記の実施形態では、前駆ガスはＮＦ3である。活性種の流量は約２リットル毎分であり、プロセスチャンバ圧力は約０．５Ｔｏｒｒである。前駆ガスを活性化するため、マイクロ波源は、約３０００〜１２０００ワットをリモート活性化チャンバに供給する。５０００ワットという値は、多くの応用例に用いることができる。
【００３２】
別の実施形態では、図２に示されるように、熱絶縁ブランケット７３を用いてチャンバ１０の外側を覆っても良い。この実施形態では、図２に示されるように、ブランケット７３は、チャンバ１０内のプロセスガスおよびサセプタにより生成された熱を維持するのに役立っている。言い換えると、ブランケット７３は、この熱が環境から逃げることを許さない。ブランケット７３を用いると、熱放散の通常の経路が取り除かれるので、内壁７０は加熱される。この実施形態は、再循環流体システム６１を介して壁を通して流体を流しつつ、あるいは流すことなく使用することができる。
【００３３】
双方の実施形態では、サセプタ１４は、堆積中に基板を加熱する抵抗ヒータ１８を含んでいる。外部ヒータ制御モジュール２０は、ヒータに電力を供給して、システム内で行われているプロセスにより指示される適切な温度レベルにサセプタを到達させ、その温度レベルに維持する。
【００３４】
白色粉末の除去における加熱壁およびライナのリモートプラズマ源と協同した動作は、以下のように少なくとも部分的に説明することができる。リモートプラズマ源を用いると、清浄ガスは、チャンバ内の長い距離を進行する長い期間にわたってプラズマ状態を維持する。（この特徴は、参照文献として本明細書に組み込まれる上記特許出願でも説明されている。）清浄ガスが長い距離を進行すると、清浄ガスは、チャンバの離れた部分に広がる。例えば、ガス粒子はポンプに到達することができるが、これらのガス粒子は依然としてプラズマ状態にある。このため、これらの粒子は、ポンプ付近の領域、すなわち白色粉末の主な収集箇所を清浄することができる。チャンバの他の離れた部位も、同様に清浄される。
【００３５】
チャンバ全体にわたる拡散に加えて、リモートプラズマシステムは、従来のシステムよりも大量の清浄ガスを供給する。このため、化学清浄反応を完了まで押し進める活性プラズマガスがより大量に存在している。再度述べるが、この説明は一つの提案として理解されるべきであり、限定的なものと解釈されるべきではない。
【００３６】
リモートプラズマ源を備える加熱壁およびライナからなる上記システムを用いることで、幾つかの利点が得られる。例えば、システム中に形成される白色粉末の量が、特にフォアライン６２、排気ライン６４、ポンプ３６、燃焼箱６６、およびチャンバ内壁７０上で低減される。これにより、ＳｉＮが堆積される従前のシステムよりもポンプや燃焼箱の故障が少なくなる。
【００３７】
一般に、清浄に用いられる反応ガスは、広い選択範囲から選択することができる。この選択範囲には、一般に用いられるハロゲンやハロゲン化合物が含まれる。
【００３８】
選択される電力レベル、流量、および圧力はシステム特有のものであり、これらは、プロセスが行われる特定のシステムに最適化する必要がある。プロセス条件を適切に調節して特定のシステムに対して最適な性能を達成することは、通常の当業者の能力の範囲内である。
【００３９】
ここまで、本発明を好適な実施形態の面から説明してきた。しかしながら、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって定められる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明を具体化した高出力ＰＥＣＶＤリモートプラズマ清浄システムのブロック図である。
【図２】本発明を具体化した高出力ＰＥＣＶＤリモートプラズマ清浄システムであって熱絶縁ブランケットを用いる清浄システムのブロック図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０…堆積チャンバ、１２…ガス入口マニホールド、１４…サセプタ、１５…ライナ、１６…基板、３６…ポンプ、３８…ＲＦ電源、６２…フォアライン、６４…排気ライン、６６…燃焼箱、７２…流出口。
【図１】
2005286325.tif 000003
【図２】
2005286325.tif 000004