(57)【要約】【課題】外部電極とセラミック素子との間にブリスタが発生することを防止しつつ、緻密な外部電極を形成することが可能で、信頼性の高い積層セラミック電子部品を製造することが可能なセラミック電子部品の製造方法、および、それに用いるのに適した導電ペーストを提供する。【解決手段】卑金属を主たる成分とする内部電極２ａ，２ｂを備えたセラミック素子１に、導電ペーストを塗布し、焼き付けることにより、セラミック素子１の表面に外部電極５ａ，５ｂを形成する工程を備えたセラミック電子部品の製造方法において、導電ペーストとして、卑金属を主たる成分とする金属粉末と、軟化温度が５００〜５５０℃であるガラスフリットと、平均分子量が１５００００以上で、熱重量分析における分解開始温度が２５０℃以下であるアクリル樹脂と、溶剤とを含有する導電ペーストを用いる。【選択図】図１
2005322751.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電ペーストを、卑金属を主たる成分とする内部電極を備えたセラミック素子に塗布し、焼き付けることにより、セラミック素子の表面に内部電極と導通する外部電極を形成する工程を備えたセラミック電子部品の製造方法において、
前記導電ペーストとして、
(ａ)卑金属を主たる成分とする金属粉末と、
(ｂ)軟化温度が５００〜５５０℃であるガラスフリットと、
(ｃ)平均分子量が１５００００以上で、熱重量分析における分解開始温度が２５０℃以下であるアクリル樹脂と、
(ｄ)溶剤と
を含有する導電ペーストを用いること
を特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記導電ペーストの熱機械分析における収縮開始温度が７５０〜８００℃であって、前記導電ペーストを７５０〜８００℃で焼き付けることにより、前記外部電極を形成することを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記セラミック電子部品の内部電極が、卑金属のニッケルを主たる成分とする内部電極であり、前記導電ペーストを構成する金属粉末が、卑金属の銅を主たる成分とする金属粉末であることを特徴とする請求項１または２記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
卑金属を主たる成分とする内部電極を備えたセラミック素子に、塗布し、焼き付けることにより、セラミック素子の表面に内部電極と導通する外部電極を形成するために用いられる導電ペーストであって、
(ａ)卑金属を主たる成分とする金属粉末と、
(ｂ)軟化温度が５００〜５５０℃であるガラスフリットと、
(ｃ)平均分子量が１５００００以上で、熱重量分析における分解開始温度が２５０℃以下であるアクリル樹脂と、
(ｄ)溶剤と
を含有することを特徴とする導電ペースト。
【請求項５】
熱機械分析における収縮開始温度が７５０〜８００℃であることを特徴とする請求項４記載の導電ペースト。
【請求項６】
前記金属粉末が、卑金属の銅を主たる成分とする金属粉末であることを特徴とする請求項４または５記載の導電ペースト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
金属粉末を導電成分とする導電ペーストを、卑金属を主たる成分とする内部電極を備えたセラミック素子に、塗布し、焼き付けることにより、セラミック素子に内部電極と導通するように外部電極を形成する工程を備えたセラミック電子部品の製造方法および、それに用いられる導電ペーストに関し、特に、中性あるいは弱酸化性の雰囲気中で導電ペーストを焼き付ける工程を備えたセラミック電子部品の製造方法および、それに用いられる導電ペーストに関する。
【背景技術】
【０００２】
内部電極を備えたセラミック素子の表面に、内部電極と導通する外部電極が配設された構造を有する電子部品の代表的なものの１つに積層セラミックコンデンサがある。
【０００３】
この積層セラミックコンデンサは、例えば、図２に示すように、セラミック素子５１中に、複数の内部電極５２ａ，５２ｂがセラミック層５３を介して積層され、かつ、セラミック層５３を介して互いに対向する内部電極５２ａ，５２ｂが交互にセラミック素子５１の逆側の端面５４ａ，５４ｂに引き出されて、該端面に形成された外部電極５５ａ，５５ｂに接続された構造を有している。
【０００４】
そして、外部電極５５ａ，５５ｂの表面には、通常、はんだ喰われを抑制するためのＮｉめっき膜５６ａ，５６ｂが形成され、さらに、その上に、はんだ付け性を向上させるためのＳｎめっき膜５７ａ，５７ｂが形成された構成とされることが多い。
そのため、外部電極５５ａ，５５ｂの表面に、ＮｉめっきやＳｎめっきなどのめっきを施す工程で、外部電極５５ａ，５５ｂの内部、さらにはセラミック素子５１の内部にめっき液が浸入し、特性を劣化させる場合がある。
【０００５】
このようなめっき液の浸入を抑制、防止して、信頼性を確保しようとすると、外部電極の、Ｎｉめっき液やＳｎめっき液に対するシール性能を高くすることが必要となり、そのためには、外部電極を緻密化することが必要になる。
【０００６】
そこで、従来は、
(ａ)外部電極を構成する金属粉末の粒径を小さくする
(ｂ)導電ペーストの焼き付け温度を高くする
などの方策を採用して、外部電極の緻密化を図ってきた。
【０００７】
しかしながら、金属粉末の粒径が小さい場合、外部電極の形状が悪くなったり、焼き付け後に亀裂や膨れ（ブリスタ）が発生したりしやすく、外部電極の緻密化と信頼性の確保との両立が困難であった。
【０００８】
また、導電ペーストの焼き付け温度を高くした場合、
(ａ)焼き付け中に、外部電極の金属成分が内部電極に拡散して、内部電極が膨張し、セラミック素子にクラックが発生する
(ｂ)焼き付け後の冷却工程における熱膨張差により、外部電極からセラミック素子に圧縮応力が働き、セラミック素子に残留応力が発生する
などの要因により製品の信頼性が低下するという問題点がある。
さらに、上記(ａ)，(ｂ)の現象が生じると、めっきの浸入を招きやすくなり、この点でも、製品の信頼性が低下するという問題点がある。
【０００９】
また、軟化温度の低いガラスフリットを用いる方法もあるが、金属粉末の粒径が大きいままで軟化温度の低いガラスフリットを用いたとしても、低い焼成温度で緻密性を確保することは困難であるのが実情である。
【００１０】
さらに、金属粉末の粒径が小さく、かつガラスフリットの軟化点が低い場合には、比較的低温で金属の焼結が起こるため、酸化、分解されずに残留する樹脂が内部に封止され、この樹脂がガラス化することにより、外部電極とセラミック素子との間に水ぶくれ状の隙間（ブリスタ）が発生し、製品の外観を損なうばかりでなく、外部電極と内部電極との接続信頼性を低下させるという問題点がある。
【００１１】
ところで、電子部品に外部電極を形成することに関し、乾燥後の塗膜の接着力を高めて外部電極の厚みを薄くかつ均一にすることができるようにした導電性ペーストおよびそれを用いた電子部品が提案されている（特許文献１参照）。
【００１２】
この特許文献１の導電ペーストは、金属粉末と、平均分子量が１万〜７０万の範囲にあるメチルメタクリレートの重合体からなる有機樹脂と、芳香族炭化水素含有アルコールとを含むものであり、乾燥後の塗膜の接着力が高く、外部電極の厚みを薄くかつ均一にすることが可能になり、信頼性を確保しつつ、電子部品の小型化を実現することができるとされている。
【００１３】
しかし、上記特許文献１の発明によれば、乾燥後の塗膜の接着力を高めて外部電極の厚みを薄くかつ均一にすることは可能になるが、３〜８μmというような粒径の小さい金属粉末が用いられていることから、比較的低温で金属の焼結が起こるため、条件によっては、有機樹脂が内部に封止され、ブリスタを発生させる場合があるものと推測される。
【特許文献１】特開２００３−２６３９２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本願発明は、上記問題点を解決するものであり、外部電極とセラミック素子との間にブリスタが発生することを防止しつつ、緻密な外部電極を形成することが可能で、信頼性の高い積層セラミック電子部品を製造することが可能なセラミック電子部品の製造方法、および、それに用いるのに適した導電ペーストを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、発明者等は種々の実験、検討を行い、導電ペーストを弱酸化性あるいは低酸素濃度の雰囲気中で焼き付けを行う場合、導電ペースト中の樹脂などが分解して生成した残留炭素がガラスと金属粉末との濡れ性を阻害し、低温での緻密化を妨げること、比較的低温度で分解するアクリル樹脂を用いた場合、低温でガラスの濡れが開始するようになり、低温で緻密化することが可能になることなどの知見を得た。
そして、かかる知見に基づいて、さらに実験、検討を行うことにより、本願発明を完成した。
【００１６】
すなわち、本願発明（請求項１）のセラミック電子部品の製造方法は、
導電ペーストを、卑金属を主たる成分とする内部電極を備えたセラミック素子に塗布し、焼き付けることにより、セラミック素子の表面に内部電極と導通する外部電極を形成する工程を備えたセラミック電子部品の製造方法において、
前記導電ペーストとして、
(ａ)卑金属を主たる成分とする金属粉末と、
(ｂ)軟化温度が５００〜５５０℃であるガラスフリットと、
(ｃ)平均分子量が１５００００以上で、熱重量分析における分解開始温度が２５０℃以下であるアクリル樹脂と、
(ｄ)溶剤と
を含有する導電ペーストを用いることを特徴としている。
【００１７】
また、本願請求項２のセラミック電子部品の製造方法は、前記導電ペーストの熱機械分析における収縮開始温度が７５０〜８００℃であって、前記導電ペーストを７５０〜８００℃で焼き付けることにより、前記外部電極を形成することを特徴としている。
【００１８】
また、本願請求項３のセラミック電子部品の製造方法は、前記セラミック電子部品の内部電極が、卑金属のニッケルを主たる成分とする内部電極であり、前記導電ペーストを構成する金属粉末が、卑金属の銅を主たる成分とする金属粉末であることを特徴としている。
【００１９】
また、本願発明（請求項４）の導電ペーストは、卑金属を主たる成分とする内部電極を備えたセラミック素子に、塗布し、焼き付けることにより、セラミック素子の表面に内部電極と導通する外部電極を形成するために用いられる導電ペーストであって、
(ａ)卑金属を主たる成分とする金属粉末と、
(ｂ)軟化温度が５００〜５５０℃であるガラスフリットと、
(ｃ)平均分子量が１５００００以上で、熱重量分析における分解開始温度が２５０℃以下であるアクリル樹脂と、
(ｄ)溶剤と
を含有することを特徴としている。
【００２０】
また、本願請求項５の導電ペーストは、熱機械分析における収縮開始温度が７５０〜８００℃であることを特徴としている。
【００２１】
また、本願請求項６の導電ペーストは、前記金属粉末が、卑金属の銅を主たる成分とする金属粉末であることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２２】
本願発明（請求項１）のセラミック電子部品の製造方法は、導電ペーストを、卑金属を主たる成分とする内部電極を備えたセラミック素子に塗布し、焼き付けることにより、セラミック素子の表面に内部電極と導通する外部電極を形成する工程を備え、かつ、導電ペーストとして、(ａ)卑金属を主たる成分とする金属粉末と、(ｂ)軟化温度が５００〜５５０℃であるガラスフリットと、(ｃ)平均分子量が１５００００以上で、熱重量分析における分解開始温度が２５０℃以下であるアクリル樹脂と、(ｄ)溶剤とを含有する導電ペーストを用いるようにしているので、従来の導電ペーストに比べて、焼き付け工程において、比較的低温で残留炭素がなくなり、焼結を低い温度で開始させることが可能になるとともに、上記アクリル樹脂に軟化温度が５００〜５５０℃と比較的軟化温度の低いガラスフリットを組み合わせていることから、低温で外部電極を焼結させることが可能になり、低い焼き付け温度で外部電極の緻密化を図ることが可能になる。
したがって、本願発明によれば、ブリスタの発生などを招いたりすることなく、緻密な外部電極を備えた信頼性の高いセラミック電子部品を確実に製造することが可能になる。
【００２３】
なお、本願発明においては、導電ペーストを構成するアクリル樹脂として、平均分子量が１５００００以上のアクリル樹脂を用いることが望ましいが、これは、平均分子量が１５００００未満になると分解温度が高くなり、外部電極の緻密化を阻害することによる。
また、本願発明においては、導電ペーストを構成するアクリル樹脂として、平均分子量が１５００００以上のアクリル樹脂を用いることにより、基本的な効果を得ることができるが、ペーストの粘度が高くなりハンドリングが悪くなるため、流動性の見地からは、平均分子量が７６００００までのアクリル樹脂を用いることが望ましい。
【００２４】
また、本願発明においては、導電ペーストを構成するアクリル樹脂として、熱重量分析における分解開始温度が２５０℃以下であるアクリル樹脂を用いることが望ましいが、これは、熱重量分析における分解開始温度が２５０℃を超えると  外部電極の緻密化を阻害することによる。
また、本願発明においては、導電ペーストを構成するアクリル樹脂として、熱重量分析における分解開始温度が２５０℃以下であるアクリル樹脂を用いることにより、基本的な効果を得ることができるが、分解温度が１５０℃未満では、導電ペーストの乾燥工程においても分解が始まるため、乾燥性の見地からは、熱重量分析における分解開始温度が１５０℃以上のアクリル樹脂を用いることが望ましい。
【００２５】
また、本願発明では、ガラスフリットとして、軟化温度が５００〜５５０℃であるガラスフリットを用いることが望ましいが、これは、軟化温度が５００℃未満のものを用いると、より低温で焼結が進み、ブリスタが発生したり、表面にガラスが浮いたりしてＮｉめっき付き性が劣化し、また、５５０℃を超えるものを用いると、ガラスの軟化による金属の焼結が得られず、緻密性が劣化することによる。
【００２６】
また、請求項２のセラミック電子部品の製造方法のように、導電ペーストとして、熱機械分析における収縮開始温度（焼結収縮開始温度）が７５０〜８００℃である導電ペーストを用い、導電ペーストを７５０〜８００℃で焼き付けることにより、外部電極が焼結するまで樹脂を分解させて除去することが可能になり、ブリスタの発生を抑制しつつ、緻密な外部電極を形成することが可能になり、外部電極の緻密性が高く、信頼性の高いセラミック電子部品を確実に製造することが可能になる。
【００２７】
また、請求項３のセラミック電子部品の製造方法のように、セラミック電子部品の内部電極が、卑金属のニッケルを主たる成分とする内部電極であり、導電ペーストを構成する金属粉末が、卑金属の銅を主たる成分とする金属粉末である場合、弱酸化性あるいは低酸素濃度の条件で焼き付けが行われるが、その場合にも、ブリスタの発生を抑制、防止して、緻密な外部電極を確実に形成することが可能になる。
【００２８】
また、本願発明（請求項４）の導電ペーストは、卑金属を主たる成分とする金属粉末と、軟化温度が５００〜５５０℃であるガラスフリットと、平均分子量が１５００００以上で、熱重量分析における分解開始温度が２５０℃以下であるアクリル樹脂と、溶剤とを含有しており、この導電ペーストを、セラミック素子に外部電極を形成する場合に用いることにより、ブリスタの発生がなく、緻密性の高い外部電極を確実に形成することが可能になり、信頼性の高いセラミック電子部品を効率よく製造することが可能になる。
【００２９】
また、請求項５の導電ペーストは、熱機械分析における収縮開始温度が７５０〜８００℃であることから、ブリスタの発生を抑制、防止しつつ、樹脂を分解、酸化させることが可能になり、さらに確実に信頼性の高い外部電極を形成することが可能になる。
【００３０】
また、請求項６の導電ペーストのように、金属粉末が、卑金属の銅を主たる成分とする金属粉末である場合、通常は、還元性の雰囲気で焼き付けが行われるが、その場合にも、ブリスタの発生を抑制、防止して、緻密な外部電極を確実に形成することが可能になる。
したがって、ブリスタの発生のない外部電極を備えた信頼性の高いセラミック電子部品をさらに確実に製造することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に本願発明の実施例を示して、本願発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【実施例】
【００３２】
［実施例１］
図１は、この実施例１の方法で外部電極を形成することにより製造した積層セラミックコンデンサの構造を示す断面図である。
【００３３】
この積層セラミックコンデンサ１０は、図１に示すように、セラミック素子１中に、複数の内部電極２ａ，２ｂが、チタン酸バリウム系セラミックを主成分とする厚み５μmのセラミック層３を介して積層され、かつ、セラミック層３を介して互いに対向する内部電極２ａ，２ｂが交互にセラミック素子１の逆側の端面４ａ，４ｂに引き出されて、該端面に形成された外部電極５ａ，５ｂに接続された構造を有している。
【００３４】
また、この積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、長さ：２．０mm、幅１．２５mm、高さ１．２５mmである。
そして、外部電極５ａ，５ｂの表面には、はんだ喰われを抑制するためのＮｉめっき膜６ａ，６ｂが形成され、さらに、その上に、はんだ付け性を向上させるためのＳｎめっき膜７ａ，７ｂが形成されている。
【００３５】
この積層セラミックコンデンサ１０を製造するにあたっては、まず、以下に説明する方法により卑金属を主たる成分とする内部電極を備えたセラミック素子を製造した。
【００３６】
チタン酸バリウム系のセラミック材料を主成分とするセラミックグリーンシートの表面に、卑金属粉末（この実施例ではニッケル粉末）を導電成分とする導電ペーストを印刷して、内部電極パターン配設シートを作製した。
それから、この内部電極パターン配設シートを積層するとともに、その上下に内部電極パターンの配設されていないセラミックグリーンシートを積層することによりマザー積層体を形成した。
【００３７】
そして、このマザー積層体をプレスした後、切断して個々のセラミック素子に分割し、所定の条件で脱脂した後、中性または弱酸化性の雰囲気で焼成して、図１に示すような構造を有するセラミック素子１を得た。
【００３８】
次に、以下に説明する方法により、セラミック素子１の両端側に外部電極５ａ，５ｂを形成した。外部電極５ａ，５ｂを形成するにあたっては、まず、以下に説明するような組成を有する導電ペーストを作製した。
【００３９】
(ａ)銅粉末          ：  ７０重量％
(ｂ)ガラスフリット  ：    ５重量％
(ｃ)アクリル樹脂    ：    ５重量％
(ｄ)溶剤            ：  ２０重量％
【００４０】
ただし、(ａ)の銅粉末（卑金属粉末）としては、直径が２μmの球状の銅粉末と、長径が１５μmの鱗片状の銅粉末とを、重量比で７０：３０となるように混合したものを用いた。
【００４１】
また、(ｂ)のガラスフリットとしては、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ｃａ−Ｌｉ（軟化点約５３０℃）の酸化物を主成分としたものを用いた。
【００４２】
また、(ｃ)のアクリル樹脂としては、平均分子量が２０００００で、分解開始温度は熱重量分析（ＴＧ）で１８０℃のものを使用した。
なお、アクリル樹脂量の配合割合は、導電ペーストに対して５重量％となるような割合とし、(ｄ)の溶剤と配合して用いた。
【００４３】
また、(ｄ)の溶剤としては、ターピネオールを用いた。
【００４４】
上述のようにして作製した導電ペースト（外部電極）の収縮開始温度（焼結収縮開始温度）を熱機械分析（ＴＭＡ）により測定したところ、収縮開始温度は７８０℃であった。
【００４５】
そして、セラミック素子を導電ペーストに浸漬する浸漬法により、上述の導電ペーストをセラミック素子の両端部に塗布し、ピーク温度７８０℃の連続炉で焼き付けることにより、外部電極５ａ，５ｂ（図１参照）を形成した。
【００４６】
その後、Ｎｉめっきを施して、外部電極５ａ，５ｂの表面に、はんだ喰われを抑制するためのＮｉめっき膜６ａ，６ｂを形成し、さらに、Ｓｎめっきを施して、Ｎｉめっき膜６ａ，６ｂの表面に、はんだ付け性を向上させるためのＳｎめっき膜７ａ，７ｂを形成した。これにより、図１に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサを得た。
【００４７】
上述のようにして導電ペーストを焼き付けることにより外部電極５ａ，５ｂを形成した状態において、外部電極５ａ，５ｂの側面および端面を観察してブリスタの発生の有無を確認したところ、ブリスタの発生は認められなかった（試料数ｎ＝１０００）。
また、外部電極５ａ，５ｂの表面に、Ｎｉめっき膜６ａ，６ｂを形成し、さらに、Ｎｉめっき膜６ａ，６ｂの表面に、Ｓｎめっき膜７ａ，７ｂを形成した状態で、外部電極を切断し、露出した端面を研磨してその状態を観察したところ、外部電極の内部に空隙や空孔などの発生は認められず、非常に緻密な外部電極が形成されていることが確認された。
また、内部電極と外部電極の界面にはクラックは認められなかった。
【００４８】
さらに、この積層セラミックコンデンサについて、１２５℃、３２Ｖの条件で高温負荷試験を行った後、および７０℃、相対湿度９５％、１６Ｖの条件で耐湿負荷試験（試料数ｎはいずれも１００個）を行った後、絶縁抵抗を測定した。その結果、いずれの場合にも、試験時間１０００ｈｒにおいて絶縁抵抗の低下は認められず、良好な信頼性が得られることが確認された。
【００４９】
［実施例２］
アクリル樹脂として、平均分子量が７０００００で、分解開始温度が熱重量分析（ＴＧ）で１５０℃のアクリル樹脂を使用したことを除いて、上記実施例１の場合と同様の条件で導電ペーストを作製した。
なお、この導電ペーストの収縮開始温度を熱機械分析（ＴＭＡ）により測定したところ、収縮開始温度は７５０℃であった。
それから、導電ペーストを上記実施例１の場合と同様の方法でセラミック素子に塗布し、ピーク温度７５０℃の連続炉で焼き付けることにより外部電極を形成した後、外部電極の表面にＮｉめっき膜を形成し、さらに、Ｎｉめっき膜の表面にＳｎめっき膜を形成した。
【００５０】
外部電極を形成した状態において、外部電極の側面および端面を観察してブリスタの発生の有無を確認したところ、ブリスタの発生は認められなかった（試料数ｎ＝１０００）。
また、外部電極の表面に、Ｎｉめっき膜を形成し、Ｎｉめっき膜の表面に、Ｓｎめっき膜を形成した状態で、外部電極を切断し、露出した端面を研磨してその状態を観察したところ、外部電極の内部に空隙や空孔などの発生は認められず、非常に緻密な外部電極が形成されていることが確認された。
また、内部電極と外部電極の界面にはクラックは認められなかった。
【００５１】
［比較例］
比較のため、導電ペーストを構成するアクリル樹脂として、平均分子量が５００００と本願発明の範囲よりも小さく、かつ、分解開始温度が熱重量分析（ＴＧ）で２９０℃と、本願発明の範囲よりも高いものを用い、他の条件は、上記実施例１の場合と同じにして導電ペーストを作製した。
この導電ペーストの収縮開始温度を熱機械分析（ＴＭＡ）により測定したところ、収縮開始温度は８２０℃であった。
【００５２】
この比較例の導電ペーストを、上記実施例１の場合と同様の方法でセラミック素子に塗布し、ピーク温度８００℃と、８５０℃の２つの条件で、連続炉により焼き付けて外部電極を形成した後、外部電極の表面にＮｉめっき膜を形成し、さらに、Ｎｉめっき膜の表面にＳｎめっき膜を形成した。
【００５３】
また、外部電極の表面にＮｉめっき膜を形成し、Ｎｉめっき膜の表面にＳｎめっき膜を形成した状態で、外部電極を切断し、露出した端面を研磨して状態を観察したところ、８５０℃で焼き付けた試料については、外部電極の内部に空隙や空孔の発生は認められず、緻密性は比較的良好であった。
【００５４】
しかし、８５０℃で焼き付けた試料においては、内部電極と外部電極の界面に、内部電極の膨張によるものと思われるクラックの発生が認められた。そして、この試料について、１２５℃、３２Ｖの条件で高温負荷試験（１００個）を行い、絶縁抵抗を測定したところ、試験時間１０００ｈｒにおいて２個のショート不良が発生した。また、７０℃、９５％、１６Ｖの条件で耐湿負荷試験（１００個）を行った後、絶縁抵抗を測定したところ、試験時間１０００ｈｒにおいて５個のショート不良が発生した。また、ショート不良が生じた試料を観察して、その原因を調べたところ、内部電極の膨張によるクラックと残留応力の解放によるクラックの発生によるものであるとの所見が得られた。
【００５５】
また、焼き付け温度８００℃の試料については、電極内部には空隙がみられ、十分に緻密化していないことがわかった。また、焼き付け温度８００℃の試料について、１２５℃、３２Ｖの条件で高温負荷試験（１００個）を行い、絶縁抵抗を測定したところ、試験時間１０００ｈｒにおいて３個のショート不良が発生した。また、７０℃、９５％、１６Ｖの条件で耐湿負荷試験（１００個）を行った後、絶縁抵抗を測定したところ、試験時間１０００ｈｒにおいて１０個のショート不良が発生した。
【００５６】
上述のように、本願発明の要件を満たす、実施例１および２の導電ペーストを用いた場合には、ブリスタやクラックの発生を招くことなく、緻密な外部電極を形成することができたが、本願発明の要件を満たさない上記比較例の導電ペーストを用いた場合には、焼き付け温度を低くしてクラックの発生を防止しようとすると、緻密な外部電極を形成することができず、また、焼き付け温度を高くして外部電極を緻密化しようとすると、クラックの発生を招き、信頼性の高い外部電極を形成することができないことが確認された。
【００５７】
なお、上記実施例では、導電ペーストを構成する金属粉末として卑金属である銅粉末を用いた場合を例にとって説明したが、本願発明においては、金属粉末の種類に特別の制約はなく、ニッケルその他の種々の卑金属粉末を用いることが可能である。
なお、金属粉末としては、球形粉末の場合、０．３μm〜５μm、特に１μm〜３μmの範囲の粒径のもの、鱗片状の粉末の場合、長径が１μm〜３０μm、特に１０μm〜２０μmの範囲の粒径のものを使用するのが望ましい。
【００５８】
また、上記実施例では、セラミック素子が卑金属のニッケルからなる内部電極を備えている場合を例にとって説明したが、内部電極を構成する金属の種類に特別の制約はなく、内部電極が銅その他の種々の卑金属から形成されていてもよい。
【００５９】
また、上記実施例では、セラミック素子を構成するセラミックがチタン酸バリウム系セラミックである場合を例にとって説明したが、セラミック素子を構成するセラミックに特別の制約はなく、例えば、チタン酸ストロンチウム系セラミックなどの他のセラミックからなるものであってもよい。
【００６０】
また、上記実施例では積層セラミックコンデンサを例にとって説明したが、本願発明は積層セラミックコンデンサに限らず、塗布された導電ペーストを焼き付ける工程を経て製造される種々のセラミック電子部品に広く適用することが可能である。
【００６１】
また、上記実施例では、外部電極の表面に形成されるめっき膜がＮｉめっき膜およびＳｎめっき膜である場合を例にとって説明したが、本願発明は、Ｎｉ合金めっき膜やはんだめっき膜などの他の金属のめっき膜が形成されるような場合にも適用することが可能である。
【００６２】
本願発明はさらにその他の点においても上記実施例に限定されるものではなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
上述のように、本願発明によれば、外部電極と電子部品素子との間にブリスタが発生することを防止しつつ、緻密な外部電極を形成することが可能になり、信頼性の高いセラミック電子部品を製造することが可能になる。
したがって、本願発明は、塗布された導電ペーストを焼き付けることにより外部電極が形成されるようなセラミック電子部品およびそれに用いられる導電ペーストの分野に広く適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本願発明の一実施形態にかかるセラミック電子部品の製造方法により製造された積層セラミックコンデンサを示す断面図である。
【図２】従来のセラミック電子部品（積層セラミックコンデンサ）を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１            セラミック素子
２ａ，２ｂ    内部電極
３            セラミック層
４ａ，４ｂ    セラミック素子の端面
５ａ，５ｂ    外部電極
６ａ，６ｂ    Ｎｉめっき膜
７ａ，７ｂ    Ｓｎめっき膜
１０          積層セラミックコンデンサ
【図１】
2005322751.tif 000003
【図２】
2005322751.tif 000004