(57)【要約】【課題】  めっき処理及びそれに付帯する処理を単一のユニットで行うことができ、しかも単一のユニットとしてより一層の小型化と、操作性を向上させることができ、メンテナンス性にも優れた基板めっき装置を提供する。【解決手段】  下方の基板受渡し位置Ａ、上方のめっき位置Ｂ、及びこれら中間の前処理・洗浄位置Ｃの間を昇降自在で、被めっき面を上方に向けて基板Ｗを着脱自在に保持する基板保持部３６と、めっき位置に位置する基板保持部３６で保持した基板Ｗの周縁部に当接するカソード電極８８とシール材９０を備えたカソード部３８と、めっき位置に位置する基板保持部３６で保持した基板Wと対峙する位置に配置されるアノード１０２を備えた移動自在な電極ヘッド２８を有し、基板受渡し位置で基板の受渡しを、めっき位置でめっき処理を、前処理・洗浄位置で基板の前処理、洗浄または乾燥の少なくとも一つを行う。【選択図】      図５
2005139558.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下方の基板受渡し位置、上方のめっき位置、及びこれら中間の前処理・洗浄位置の間を昇降自在で、被めっき面を上方に向けて基板を着脱自在に保持する基板保持部と、
前記めっき位置に位置する基板保持部で保持した基板の周縁部に当接するカソード電極とシール材を備えたカソード部と、
前記めっき位置に位置する基板保持部で保持した基板と対峙する位置に配置されるアノードを備えた移動自在な電極ヘッドを有し、
前記基板受渡し位置で基板の受渡しを、前記めっき位置で基板上面をめっき液に接触させためっき処理を、前記前処理・洗浄位置で基板の前処理、洗浄または乾燥の少なくとも一つを行うことを特徴とする基板めっき装置。
【請求項２】
前記シール材は、リング状で、横断面において徐々に薄肉となって内方に延出する内方延出部と、該内方延出部に連続し更に薄肉となって下方に屈曲して延びる下方垂下部とを有することを特徴とする請求項１記載の基板めっき装置。
【請求項３】
前記カソード電極は、複数に分割されているとともに、内方に向けて突出する多数の突起片を有し、この各突起片は、前記シール材の下方垂下部の外側に位置し該下方垂下部に沿って下方にほぼ直角に屈曲して延び、下端に丸みを持っていることを特徴とする請求項２記載の基板めっき装置。
【請求項４】
前記電極ヘッドの周縁部をストッパ面に当接させて前記アノードと前記めっき位置に位置する基板保持部で保持した基板との間の位置決めを行う位置調節可能なストッパを有することを特徴とする請求項１記載の基板めっき装置。
【請求項５】
前記ストッパは、前記基板保持部の周囲を囲繞する位置に立設したストッパ棒に固着したナットに螺合するボルトを有し、このボルトの頭部上面をストッパ面としたことを特徴とする請求項４記載の基板めっき装置。
【請求項６】
前記電極ヘッドの到達可能範囲に配置されためっき液トレーを有し、少なくとも前記電極ヘッドと前記めっき液トレーの接液部分を濡れ性の悪い材料で構成したことを特徴とする請求項１記載の基板めっき装置。
【請求項７】
前記めっき液トレーの内部にダミーカソードを着脱自在に設けたことを特徴とする請求項６記載の基板めっき装置。
【請求項８】
前記基板保持部で保持された基板上面の前記シール材で囲まれた領域に残っためっき液を、基板を回転させながら該基板周縁部の前記シール材に近接した位置で吸引して回収することを特徴とする請求項１記載の基板めっき装置。
【請求項９】
前記基板保持部で保持された基板上面の前記シール材で囲まれた領域に該基板を回転させながらリンスのための純水を供給して前記シール材を洗浄し、基板上面から前記シール材が離れた後に洗浄用の純水を供給して前記シール材を更に洗浄することを特徴とする請求項１記載の基板めっき装置。
【請求項１０】
前記めっき位置に位置する基板上面に所定量のめっき液をワンプッシュで供給することを特徴とする請求項１記載の基板めっき装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板めっき装置に係り、特に半導体基板に形成された微細配線パターン（窪み）に銅（Ｃｕ）等の金属を充填する等の用途の基板めっき装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板上に配線回路を形成するための材料としては、アルミニウムまたはアルミニウム合金が一般に用いられているが、集積度の向上に伴い、より伝導率の高い材料を配線材料に採用することが要求されている。このため、基板にめっき処理を施して、基板に形成された配線パターンに銅またはその合金を充填する方法が提案されている。
【０００３】
これは、配線パターンに銅またはその合金を充填する方法としては、ＣＶＤ（化学的蒸着）やスパッタリング等各種の方法が知られているが、金属層の材質が銅またはその合金である場合、即ち、銅配線を形成する場合には、ＣＶＤではコストが高く、またスパッタリングでは高アスペクト（パターンの深さの比が幅に比べて大きい）の場合に埋込みが不可能である等の短所を有しており、めっきによる方法が最も有効だからである。
【０００４】
ここで、半導体基板上に銅めっきを施す方法としては、カップ式やディップ式のようにめっき槽に常時めっき液を張ってそこに基板を浸す方法と、めっき槽に基板が供給された時にのみめっき液を張る方法、また、電位差をかけていわゆる電解めっきを行う方法と、電位差をかけない無電解めっきを行う方法など、種々の方法がある。
【０００５】
従来、この種の銅めっきを行うめっき装置には、めっき工程を行うユニットの他に、めっきに付帯する前処理工程を行うユニットや、めっき後の洗浄・乾燥工程を行うユニット等の複数のユニットと、これらの各ユニット間で基板の搬送を行う搬送ロボットが水平に配置されて備えられていた。そして、基板は、これらの各ユニット間を搬送されつつ、各ユニットで所定の処理が施され、めっき処理後の次工程に順次送られるようになっていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来のめっき装置にあっては、めっき処理や前処理といった各工程毎に別々のユニットが備えられ、各ユニットに基板が搬送されて処理されるようになっていたため、装置としてかなり複雑で制御が困難となるばかりでなく、大きな占有面積を占め、しかも製造コストがかなり高価であるといった問題があった。
【０００７】
本発明は上記に鑑みて為されたもので、めっき処理及びそれに付帯する処理を単一のユニットで行うことができ、しかも単一のユニットとしてより一層の小型化と、操作性を向上させることができ、メンテナンス性にも優れた基板めっき装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、下方の基板受渡し位置、上方のめっき位置、及びこれら中間の前処理・洗浄位置の間を昇降自在で、被めっき面を上方に向けて基板を着脱自在に保持する基板保持部と、前記めっき位置に位置する基板保持部で保持した基板の周縁部に当接するカソード電極とシール材を備えたカソード部と、前記めっき位置に位置する基板保持部で保持した基板と対峙する位置に配置されるアノードを備えた移動自在な電極ヘッドを有し、前記基板受渡し位置で基板の受渡しを、前記めっき位置で基板上面をめっき液に接触させためっき処理を、前記前処理・洗浄位置で基板の前処理、洗浄または乾燥の少なくとも一つを行うことを特徴とする基板めっき装置である。
【０００９】
請求項２記載の発明は、前記シール材は、リング状で、横断面において徐々に薄肉となって内方に延出する内方延出部と、該内方延出部に連続し更に薄肉となって下方に屈曲して延びる下方垂下部とを有することを特徴とする請求項１記載の基板めっき装置である。
【００１０】
これにより、シール材は、数ｍｍＨ２Ｏのヘッド圧に耐えればいいので、シール材の下方延出部下端の肉厚を、例えば０．５ｍｍ程度の可能な限り薄くすることができ、これによって、シール性を損なうことなく、めっき面積（有効面積）を大きくすることができる。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、前記カソード電極は、複数に分割されているとともに、内方に向けて突出する多数の突起片を有し、この各突起片は、前記シール材の下方垂下部の外側に位置し該下方垂下部に沿って下方にほぼ直角に屈曲して延び、下端に丸みを持っていることを特徴とする請求項２記載の基板めっき装置である。
【００１２】
これにより、カソード電極の突起片の下端を基板表面に垂直方向から接触させることで、接触時の擦れによるパーティクルの発生を防止し、かつ突起片の下端に丸みを持たせることで、接触抵抗を軽減することができる。また、シール材とカソード電極とを一体として支持体に取付けることで、劣化した場合も交換が容易となる。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、前記電極ヘッドの周縁部をストッパ面に当接させて前記アノードと前記めっき位置に位置する基板保持部で保持した基板との間の位置決めを行う位置調節可能なストッパを有することを特徴とする請求項１記載の基板めっき装置である。
【００１４】
これにより、例えばティーチングの際に、電極ヘッドが固定ストッパのストッパ面に当接した時にアノードと基板とが平行となるように固定ストッパを調整することで、繰返し位置決め精度を向上させるとともに、電極ヘッド交換時における電極ヘッドの個体差にも迅速に対応させて、基板上の電流密度の均一化を図ることができる。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、前記ストッパは、前記基板保持部の周囲を囲繞する位置に立設したストッパ棒に固着したナットに螺合するボルトを有し、このボルトの頭部上面をストッパ面としたことを特徴とする請求項４記載の基板めっき装置である。これにより、ナットの締付け量を調節することで、ストッパの位置を調整することができる。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、前記電極ヘッドの到達可能範囲に配置されためっき液トレーを有し、少なくとも前記電極ヘッドと前記めっき液トレーの接液部分を濡れ性の悪い材料で構成したことを特徴とする請求項１記載の基板めっき装置である。
【００１７】
これにより、大気との接触面積が多いめっき液トレーであっても、このめっき液トレー内のめっき液に含まれる硫酸銅等がめっき液トレーや電極ヘッドとの接液部分に析出し、これが核となって更に大きな固体へと成長することを防止することができる。
【００１８】
請求項７に記載の発明は、前記めっき液トレーの内部にダミーカソードを着脱自在に設けたことを特徴とする請求項６記載の基板めっき装置である。
これにより、めっき液トレー内にめっき液を張り、このめっき液中にアノードを浸した状態で通電してダミーカソードにダミーのめっきを施すことで、アノードのコンディショニングを実施することができる。このダミーカソードは、例えば無酸素銅からなる。
【００１９】
請求項８に記載の発明は、前記基板保持部で保持された基板上面の前記シール材で囲まれた領域に残っためっき液を、基板を回転させながら該基板周縁部の前記シール材に近接した位置で吸引して回収することを特徴とする請求項１記載の基板めっき装置である。
【００２０】
これにより、めっき処理終了後に基板上面に残っためっき液を基板の回転に伴う遠心力で基板の周縁部のシール材の際に集め、ここから効率良く、かつ高い回収率でめっき液を回収することができ、これによって、高価なめっき液の補充を少なく済ますとともに、廃液処理の負荷を減少させることができる。
【００２１】
請求項９に記載の発明は、前記基板保持部で保持された基板上面の前記シール材で囲まれた領域に該基板を回転させながらリンスのための純水を供給して前記シール材を洗浄し、基板上面から前記シール材が離れた後に洗浄用の純水を供給して前記シール材を更に洗浄することを特徴とする請求項１記載の基板めっき装置である。
これにより、１回のめっき毎にシール材、更にはこのシール材の近傍に配置されるカソード電極を洗浄して、消耗品の高寿命化を図ることができる。
【００２２】
請求項１０に記載の発明は、前記めっき位置に位置する基板上面に所定量のめっき液をワンプッシュで供給することを特徴とする請求項１記載の基板めっき装置である。
めっき時に必要となるめっき液の量は少量であり、これにより、所定量のめっき液の供給を１回の操作で迅速かつ確実に行うことができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、基板保持部で基板を上向きに保持した状態で、めっき処理とめっき処理に付帯した前処理や洗浄・乾燥処理といった他の処理をめっき処理に前後して行うことができる。従って、単一の装置でめっきの全工程の実施が可能となり、装置として簡素化を図るとともに、小さな占有面積で済むめっき装置を安価に提供できる。しかも、単一のユニットとしてより一層の小型化と、操作性を向上させることができ、メンテナンス性にも優れている。また、めっきユニットとして、他の半導体製造装置へ搭載が可能であるため、めっき、アニール、ＣＭＰの一連の配線形成工程をクラスター化する時に有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。この実施の形態の基板めっき装置は、半導体基板の表面に電解銅めっきを施して、銅層からなる配線が形成された半導体装置を得るのに使用される。このめっき工程を図１を参照して説明する。
【００２５】
半導体基板Ｗには、図１（ａ）に示すように、半導体素子が形成された半導体基板１上の導電層１ａの上にＳｉＯ２からなる絶縁膜２が堆積され、リソグラフィ・エッチング技術によりコンタクトホール３と配線用の溝４が形成され、その上にＴｉＮ等からなるバリア層５、更にその上に電解めっきの給電層としてシード層７が形成されている。
【００２６】
そして、図１（ｂ）に示すように、前記半導体基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、半導体基板１のコンタクトホール３及び溝４内に銅を充填させるとともに、絶縁膜２上に銅層６を堆積させる。その後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により、絶縁膜２上の銅層６を除去して、コンタクトホール３および配線用の溝４に充填させた銅層６の表面と絶縁膜２の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、図１（ｃ）に示すように銅層６からなる配線が形成される。
【００２７】
図２は、本発明の実施の形態の基板めっき装置の全体を示す平面図で、図２に示すように、このめっき装置には、同一設備内に位置して、内部に複数の基板Ｗを収納する２基のロード・アンロード部１０と、めっき処理及びその付帯処理を行う２基のめっきユニット１２と、ロード・アンロード部１０とめっきユニット１２との間で基板Ｗの受渡しを行う搬送ロボット１４と、めっき液タンク１６を有するめっき液供給設備１８が備えられている。
【００２８】
前記めっきユニット１２には、図３に示すように、めっき処理及びその付帯処理を行う基板処理部２０が備えられ、この基板処理部２０に隣接して、めっき液を溜めるめっき液トレー２２が配置されている。また、回転軸２４を中心に揺動する揺動アーム２６の先端に保持されて前記基板処理部２０とめっき液トレー２２との間を揺動する電極ヘッド２８を有する電極アーム部３０が備えられている。更に、基板処理部２０の側方に位置して、プレコート・回収アーム３２と、純水やイオン水等の薬液、更には気体等を基板に向けて噴射する固定ノズル３４が配置されている。この実施の形態にあっては、３個の固定ノズル３４が備えられて、洗浄機にも対応できるようになっており、その内の１個を純水の供給用に用いている。
【００２９】
前記基板処理部２０には、図４及び図５に示すように、被めっき面を上方に向けて基板Ｗを保持する基板保持部３６と、この基板保持部３６の上方に該基板保持部３６の周縁部を囲繞するように配置されたカソード部３８が備えられている。更に、基板保持部３６の周囲を囲繞して処理中に用いる各種薬液の飛散を防止する有底略円筒状のカップ４０が、エアシリンダ４２を介して上下動自在に配置されている。
【００３０】
ここで、前記基板保持部３６は、エアシリンダ４４によって、下方の基板受渡し位置Ａと、上方のめっき位置Ｂと、これらの中間の前処理・洗浄位置Ｃとの間を昇降し、回転モータ４６及びベルト４８を介して、任意の加速度及び回転速度で前記カソード部３８と一体に回転するように構成されている。この加減速度は、例えば０〜１８００００ｍｉｎ−２、回転速度は、例えば０〜２５００ｍｉｎ−１の範囲で、各処理工程別に速度、加減速度、設定速度到達後の回転時間が設定され制御される
【００３１】
この基板受渡し位置Ａに対向して、めっきユニット１２のフレーム側面の搬送ロボット１４側には、図７に示すように、基板搬出入口５０が設けられ、また基板保持部３６がめっき位置Ｂまで上昇した時に、基板保持部３６で保持された基板Ｗの周縁部に下記のカソード部３８のシール材９０とカソード電極８８が当接するようになっている。一方、前記カップ４０は、その上端が前記基板搬出入口５０の下方に位置し、図５に仮想線で示すように、上昇した時に前記基板搬出入口５０を塞いでカソード部３８の上方に達するようになっている。
【００３２】
前記めっき液トレー２２は、めっきを実施していない時に電極ヘッド２８の下記のめっき液含浸材１００及びアノード１０２をめっき液で湿潤させたり、液置換及び空電解等のアノード１０２のコンディショニングを実施するためのものであり、図６に示すように、このめっき液含浸材１００が収容できる大きさに設定されている。
【００３３】
前記電極アーム部３０は、図８及び図９に示すように、上下動モータ５４と図示しないボールねじを介して上下動し、旋回モータ５６を介して、前記めっき液トレー２２と基板処理部２０との間を旋回（揺動）するようになっている。
【００３４】
また、プレコート・回収アーム３２は、図１０に示すように、上下方向に延びる支持軸５８の上端に連結されて、作動位置すなわちプレコートやキャリアコートを施したりめっき液を回収する位置と格納位置との間をロータリアクチュエータ６０を介して旋回（揺動）し、エアシリンダ６２（図７参照）を介して上下動するよう構成されている。
【００３５】
このプレコート・回収アーム３２には、その自由端側にプレコート液吐出用のプレコートノズル６４ａとキャリアコート液吐出用のキャリアコートノズル６４ｂが並列して保持され、基端側にめっき液回収用のめっき液回収ノズル６６が保持されている。そして、プレコートノズル６４ａは、例えばエアシリンダによって駆動するシリンジに接続されて、プレコート液がプレコートノズル６４ａから間欠的に吐出され、キャリアコート液も同様に、シリンジを介してキャリアコートノズル６４ｂから間欠的に吐出される。また、めっき液回収ノズル６６は、例えばシリンダポンプまたはアスピレータに接続されて、基板上のめっき液が該めっき液回収ノズル６６の下端から吸引されるようになっている。
【００３６】
前記基板保持部３６は、図１１乃至図１６に示すように、円板状の基板ステージ６８を備え、この基板ステージ６８の周縁部の円周方向に沿った６カ所に、上面に基板Ｗを水平に載置して保持する支持腕７０が立設されている。この各支持腕７０の段部下面には、基板Ｗを載置する台座７２が固着されている。
【００３７】
これらの支持腕７０の内の１つの支持腕７０ａには爪が備えられておらず、この支持腕７０ａに対向する支持腕７０ｂの上端には、基板Ｗの端面に当接し回動して基板Ｗを内方に押付ける押圧爪７４が回動自在に支承されている。また、他の４個の支持腕７０ｃの上端には、回動して基板Ｗをこの上方から下方に押付けて基板Ｗの周縁部を台座７２との間で挟持する固定爪７６が回動自在に支承されている。
【００３８】
ここで、前記押圧爪７４及び固定爪７６の下端は、コイルばね７８を介して下方に付勢した開放ピン８０の上端に連結されて、この開放ピン８０の下動に伴って押圧爪７４及び固定爪７６が内方に回動して閉じるようになっており、基板ステージ６８の下方には前記開放ピン８０に下面に当接してこれを上方に押上げる開放部材としての支持板８２が配置されている。
【００３９】
これにより、基板保持部３６が図５に示す基板受渡し位置Ａに位置する時、開放ピン８０は支持板８２に当接し上方に押上げられて、押圧爪７４及び固定爪７６が外方に回動して開き、基板ステージ６８を上昇させると、開放ピン８０がコイルばね７８の弾性力で下降して、押圧爪７４及び固定爪７６が内方に回転して閉じるようになっている。
【００４０】
ここで、図１４に示すように、基板Ｗは、そのノッチＮが支持腕７０ａに対面するように位置決めして台座７２の上に載置される。そして、基板ステージ６８の上昇に伴って、先ず支持腕７０ｂの押圧爪７４が閉じる方向に回動し、これによって、基板Ｗのノッチ形成側を支持腕７０ａに押付け、しかる後、支持腕７０ｃの固定爪７６が閉じる方向に回動して基板Ｗの周縁部を挟持保持することで、固定爪７６で基板Ｗを擦ることがないようになっている。
【００４１】
このため、この例にあっては、図１５及び図１６に示すように、開放ピン８０の下端部に雌ねじ部を設け、この雌ねじ部にナット８１をダブルに螺着するとともに、支持板（開放部材）８２の該開放ピン８０に対応する位置に、開放ピン８０の直径より大きくナット８１の直径より小さな凹部８２ａを設けている。そして、押圧爪７４を開閉する開放ピン８０のナット８１の方が固定爪７６を開閉する開放ピン８０のナット８１よりも上方に位置するようにしている。
【００４２】
これにより、図１５に示す位置から図１６に示す位置まで基板ステージ６８を上昇させて基板Ｗを保持する際、押圧爪７４の回動範囲の方が固定爪７６の回動範囲よりも狭く、且つ基板Ｗ寄りに位置しているため、押圧爪７４の方が固定爪７６よりも早く短く閉まる。なお、逆に基板Ｗの保持を解く時には、押圧爪７４の方が固定爪７６よりも遅く短く開く。
【００４３】
このように、基板Ｗを該基板Ｗのノッチ形成側を支持腕７０ａに押付けた状態で固定爪７６で挟持保持することで、基板Ｗと基板保持部３６との余裕分（通常、基板外径に対して０．４ｍｍ程度）だけ基板Ｗを基板保持部３６の中心からノッチ寄りに偏心させた位置で基板保持部３６で保持して、図１４に示すように、円状のシール境界Ｓ１がノッチの対向側に位置するようにすることができ、これによって、シール形状や機構を複雑にすることなく、めっき面積（有効面積）を大きくすることができる。
【００４４】
つまり、図１７（ａ）に示すように、基板ＷのノッチＮを外した内方位置に円状のシール境界Ｓ２が基板Ｗと同心状に位置するようにすると、シール境界Ｓ２の内側のめっき面積がノッチＮの深さに見合った分だけ狭くなってしまい、また、図１７（ｂ）に示すように、略円形でノッチＮの内側を弦状に延びるようにシール境界Ｓ３を設けると、シール形状が複雑となってしまうが、この例にあっては、このような弊害はない。
【００４５】
また、開放ピン８０の下端部に螺着したナット８１の締付け位置を調整することで、押圧爪７４と固定爪７６の動作のタイミングを調整することができる。このナット８１としてダブルナットを使用すれば、ナット８１の緩みによる位置ずれを防止できる。
【００４６】
前記カソード部３８は、図１８乃至図２２に示すように、前記支持板８２（図５及び図１３等参照）の周縁部に立設した支柱８４の上端に固着した環状の枠体８６と、この枠体８６の下面に内方に突出させて取付けた、この例では６分割されたカソード電極８８と、このカソード電極８８の上方を覆うように前記枠体８６の上面に取付けた環状のシール材９０とを有している。
【００４７】
このシール材９０は、リング状で、横断面において徐々に薄肉となって下方に徐々に傾斜しつつ内方に延出する内方延出部９０ａと、この内方延出部９０ａに連続し更に薄肉となって下方に屈曲して延びる下方垂下部９０ｂとを有し、この下方垂下部９０ｂの下端の幅Ｗ１は、例えば０．５ｍｍに設定されている。
【００４８】
シール材９０は、数ｍｍＨ２Ｏのヘッド圧に耐えれば良いので、その肉厚を内方に向けて徐々に薄くし、かつ下方に向けて屈曲させて、基板Ｗとの接触端部を、例えば０．５ｍｍ程度の可能な限り薄くすることで、シール性を損なうことなく、めっき面積（有効面積）を大きくすることができる。
【００４９】
また、カソード電極８８は、例えば板厚が０．２ｍｍで、その内周面には、円周方向に等ピッチで、例えば幅Ｗ２が２ｍｍ程度の幅の複数の突起片８９が突設され、この各突起片８９は、前記シール材９０の下方垂下部９０ｂの外側に位置し該下方垂下部９０ｂに沿って下方にほぼ直角に直角に屈曲して延びる垂下部８９ａを有し、この垂下部８９ａの下端に円弧状の丸みが形成されている。
【００５０】
これにより、図５及び図２４に示すように、基板保持部３６がめっき位置Ｂまで上昇した時に、この基板保持部３６で保持した基板Ｗの周縁部にカソード電極８８の各突起片８９の下端が押付けられて通電し、同時にシール材９０の下方垂下部９０ｂの下端面が基板Ｗの周縁部上面に圧接し、ここを水密的にシールして、基板Ｗの上面（被めっき面）に供給されためっき液が基板Ｗの端部から染み出すのを防止するとともに、めっき液がカソード電極８８を汚染することを防止するようになっている。
【００５１】
また、図２２に示すように、枠体８６、カソード電極８８、シール材９０及び該シール材９０の上面を覆うリング状の蓋体９１とを一体化して、これをボルト９２を介して支柱８４の上端に着脱自在に螺着することで、劣化した場合も交換が容易となる。
【００５２】
このように、基板保持部３６で保持した基板Ｗの表面にカソード電極８８の突起片８９の下端を垂直方向から接触させて該突起片８９を弾性変形させることで、カソード接触時の擦れによるパーティクルの発生を防止し、かつ突起片８９の下端に丸みを持たせることで、接触抵抗を軽減することができる。しかも、カソード電極８８の給電位置を基板平面上の最端部（例えば基板エッジから距離Ｅ＝０．５ｍｍ）とするとともに、前述のように、シール材９０の肉厚を可能な限り薄くすることで、基板エッジからのシール位置を、例えば１．５ｍｍ程度に短縮することができる。
【００５３】
なお、この実施の形態において、カソード部３８は、上下動不能で基板保持部３６と一体に回転するようになっているが、上下動自在で、下降した時にシール材９０が基板Ｗの被めっき面に圧接するように構成しても良い。
【００５４】
前記電極アーム部３０の電極ヘッド２８は、図２３乃至図２５に示すように、揺動アーム２６の自由端に、ショルダボトル９３ａ、２個のスリーブ９３ｂ及び該スリーブ９３ｂ間に介装したスプリング９３ｃからなる遊び機構９３を介して連結した円板状の蓋体９４と、この蓋体９４の周囲を囲繞する円筒状のハウジング９６と、このハウジング９６と該ハウジング９６の内部に配置した中空円筒状の支持枠９８で上端フランジ部１００ａを挟持して固定しためっき液含浸材１００と、このめっき液含浸材１００の上面に載置保持されたアノード１０２とを有し、前記めっき液含浸材１００は、前記ハウジング９６の開口部を覆って、ハウジング９６の内部に吸引室１０４が形成されている。この吸引室１０４の内部には、めっき液供給設備１８（図２参照）から延びるめっき液供給管１０６に接続され直径方向に延びるめっき液導入管１０８がアノード１０２の上面に当接して配置され、更に、ハウジング９６には、吸引室１０４に連通するめっき液排出管１１０が接続されている。
【００５５】
ここで、前記めっき液含浸材１００は、アルミナ，ＳｉＣ，ムライト，ジルコニア，チタニア，コージライト等のポーラスセラミックスまたはポリプロピレンやポリエチレン等の焼結体の多孔質材料で構成されている。例えば、アルミナ系セラミックスにあっては、ポア径１０〜３００μｍ、気孔率２０〜６０％、厚み５〜２０ｍｍ、好ましくは８〜１５ｍｍ程度のものが使用される。
【００５６】
ポーラスセラミックスのような硬性のあるめっき液含浸材１００は、ハウジング９６と中空の支持枠９８でフランジ部１００ａを挟持して固定する際に隙間を完全にシールして電流漏洩を防ぐことが均一なめっき面を得るために重要であり、そのシール材料としては、耐薬性のあるゴム材料やフッ素材料が望ましい。そこで、この例では、図２５に示すように、ハウジング９６とめっき液含浸材１００のフランジ部１００ａの下面との間に、例えばガスケットからなるシール材１１２を介装している。
【００５７】
また、めっき液含浸材１００の露出部の側面からの電流がリークするが、このリークする電流を制御することで、即ちめっき液含浸材１００の露出部の側面をシールで覆い、このシール面積を変えることで、基板周辺部のめっき膜厚のコントロールが可能となるので、この例では、めっき液含浸材１００の側面の所定の領域を環状シール（輪ゴム）１１４でシールしている。なお、この環状シール１１４を前記シール材１１２と一体に成形しても良いことは勿論である。
【００５８】
前記めっき液導入管１０８は、マニホールド構造とすると被めっき面に均一なめっき液を供給するのに有効である。即ち、その長手方向に連続して延びるめっき液導入路１０８ａと該導入路１０８ａに沿った所定のピッチで、下方に連通する複数のめっき液導入口１０８ｂが設けられ、また、アノード１０２の該めっき液導入口１０８ｂに対応する位置に、めっき液供給口１０２ａが設けられている。更に、アノード１０２には、その全面に亘って上下に連通する多数の通孔１０２ｂが設けられている。これにより、めっき液供給管１０６からめっき液導入管１０８に導入されためっき液は、めっき液導入口１０８ｂ及びめっき液供給口１０２ａからアノード１０２の下方に達し、めっき液含浸材１００を経由して基板の被めっき面上に供給される。また、めっき液含浸材１００及び基板の被めっき面へめっき液を供給した状態で、めっき液排出管１１０を吸引することで、めっき液含浸材１００及び基板の被めっき面のめっき液は、通孔１０２ｂから吸引室１０４を通過して該めっき液排出管１１０から排出されるようになっている。
【００５９】
ここで、前記アノード１０２は、スライムの生成を抑制するため、含有量が０．０３〜０．０５％のリンを含む銅（含リン銅）で構成されている。このように、アノード１０２に含リン銅を使用すると、めっきの進行に伴ってアノード１０２の表面にブラックフィルムと呼ばれる黒膜が形成される。このブラックフィルムは、リンやＣｌを含むＣｕ＋錯体で、Ｃｕ２Ｃｌ２・Ｃｕ２Ｏ・Ｃｕ３Ｐ等で構成されるものである。このブラックフィルムの形成により銅の不均化反応が抑制されるので、ブラックフィルムをアノード１０２に表面に安定して形成することは、めっきを安定化させる上で重要であるが、これが乾燥したり酸化してアノード１０２から脱落すると、パーティクルの原因となる。
【００６０】
そこで、この実施の形態にあっては、例えば側面をシールした多孔質材料製のめっき液含浸材１００をハウジング９６の下端開口部に取付け、このめっき液含浸材１００の上面にアノード１０２を載置保持し、このめっき液含浸材１００にめっき液を保持させて、アノード１０２の表面を湿潤させることで、ブラックフィルムの基板の被めっき面への脱落を防止している。
【００６１】
更に、めっき液含浸材１００を多孔質材料製とすることで、この内部に入り込んだめっき液を介してめっき液含浸材１００の内部の電気抵抗を増大させて、めっき膜厚の均一化を図るとともに、パーティクルの発生を防止している。
【００６２】
つまり、図２６に模式的に示すように、面内膜厚分布に影響を及ぼす抵抗要因としては、（１）液抵抗、（２）分極抵抗、（３）シート抵抗があり、極間距離が短い場合には液抵抗が小さくなって、シート抵抗が支配的になるが、めっき液含浸材をポーラスセラミックスのような屈曲した内部構造を有するポーラス材料とすることで、含浸材内部の電気抵抗を増大させ、極間距離に相当する液抵抗以上の電気抵抗を含浸材に付与することができる。なお、このような場合に、液抵抗や分極抵抗を増加させることも有効であるが、分極抵抗をむやみに高めると、配線の金属埋込み特性や不具合をもたらす場合がある。
【００６３】
また、めっき液含浸材１００の上にアノード１０２を載置保持することで、めっきの進行に伴ってアノード１０２の下面のめっき液含浸材１００と接触している側が溶解しても、すなわち、図２４の右側に示すアノード１０２が厚い状態から、アノード１０２が溶融して、図２４の左側に示すように薄い状態となっても、アノード１０２を固定するための治具を使用することなく、アノード１０２自体の自重でアノード１０２の下面と基板Ｗとの距離を一定に保ち、かつここに空気が混入して空気溜まりが生じてしまうことを防止することができる。
【００６４】
そして、前記電極ヘッド２８は、基板保持部３６がめっき位置Ｂ（図５参照）にある時に、基板保持部３６で保持された基板Ｗとめっき液含浸材１００との隙間が、例えば０．５〜３ｍｍ程度となるまで下降し、この状態で、めっき液供給管１０６からめっき液を供給して、めっき液含浸材１００にめっき液を含ませながら、基板Ｗの上面（被めっき面）とアノード１０２との間にめっき液を満たして、これによって、基板Ｗの被めっき面にめっきが施される。
【００６５】
カソード部３８を支持する支柱８４の外方には、基板すなわちカソード電極８８に対してアノード１０２の平行出しを行うための固定ストッパ１２０が周方向に等間隔に３カ所設けられている。この固定ストッパ１２０は、ストッパ棒１２２と、このストッパ棒１２２の上端に固着したナット１２４と、このナット１２４に螺合するボルト１２６とから構成され、このボルト１２６の頭部上面がストッパ面１２８となっている。つまり、めっきを行う際に、電極ヘッド２８はめっき位置までモータ駆動により下降するが、電極ヘッド２８のハウジング９６に設けた突出部９６ａがこのストッパ面１２８に当接することでアノード面とカソード面との平行位置出しが行えるようになっている。
【００６６】
これにより、例えばテーチィングの際に、電極ヘッド２８が固定ストッパ１２０のストッパ面１２８に当接した時にアノード面とカソード面とが平行となるように固定ストッパ１２０をナット１２４の締付け量を介して調整することで、繰返し位置決め精度を向上させるとともに、電極ヘッド２８の交換時における電極ヘッド２８の個体差にも迅速に対応させて、基板上の電流密度の均一化を図ることができる。
【００６７】
なお、前述のように、電極ヘッド２８には、遊び機構９３を介して、これがストッパ面１２８に当接した時に微調整が可能な程度の上下への可動余裕（遊び）が設けられている。
【００６８】
めっき液トレー２２は、図２７に示すように、めっき液の供給口１３０、排水口（図示せず）及びオーバーフロー口１３２を有している。また、その内面側の周縁部には、電極ヘッド２８に当接してアノード面とめっき液底面との平行位置出しが行えるストッパ１３４が設けられている。更に、フォトセンサーが取付けられて、めっき液トレー２２内のめっき液の満水すなわちオーバーフローと排水の検出が可能になっている。また、トレー部周辺には局所排気口が設置されている。
【００６９】
めっき液トレー２２の底板には、例えば略８ｍｍ厚の円板形状の無酸素銅からなるダミーカソード１３６が取付けられ、このダミーカソード１３６は、めっき液トレー２２の底板を脱着してこの装着及び交換が行えるようになっている。これにより、ダミーカソード１３６をめっき液トレー２２の底部に装着した状態で、電極ヘッド２８をめっき液トレー２２内に移動し、めっき液をはり通電することでアノード１０２のコンディショニング、即ち空電解が実施される。ダミーカソード１３６の表面には、例えば延べ４０時間の空電解で約１ｍｍの銅層が成長するので、空電解を実施した時間を積算して任意の周期でダミーカソード１３６を交換する。
【００７０】
ここで、めっき液トレー２２は、例えばＰＴＦＥ等のフッ素形樹脂やポリエチレン等の濡れ性の悪い材料で構成され、この連続して延びる側壁２２ａの内面２２ｂは、その全周に亘って垂直面となっている。これによって、めっき液トレー２２内のめっき液に含まれる硫酸銅等がめっき液トレー２２の内側面に析出してしまうことを防止している。
【００７１】
すなわち、めっき液は、その主成分であるＣｕＳＯ４がほぼ飽和濃度に達しているため、大気との接触面積が多く、液高が変動するめっき液トレー２２内のめっき液は、蒸発等により該めっき液トレー２２の内側面に結晶が析出しやすく、これが核となって更に大きな固体へと成長して、その結晶がめっき液中に落下すると良質なめっきが提供できなく恐れがあるが、めっき液トレー２２を濡れ性の悪い材料で構成し、その内側面を垂直面とすることで、結晶がめっき液トレー２２の内側面に付着しにくくすることができる。
【００７２】
次に、この実施の形態のめっき装置におけるめっき液回収処理について図２８及び図２９を参照して説明する。
【００７３】
先ず、基板Ｗの上に残っためっき液を前記めっき液回収ノズル６６で減圧吸引して回収するのであるが、この時、基板Ｗの周縁部をシール材９０でシールしたまま、基板Ｗを、例えば１００ｍｉｎ−１以下で回転させる。これにより、めっき処理終了後に基板Ｗの上面に残っためっき液を基板Ｗの回転に伴う遠心力で基板Ｗの周縁部のシール材９０の際に集め、ここから効率良く、かつ高い回収率でめっき液を回収することができ、これによって、高価なめっき液の補充を少なく済ますとともに、廃液の負荷を減少させることができる。
【００７４】
このめっき液回収ノズル６６で回収しためっき液には、多量の空気が含まれているので、これを気水分離槽１４０ａに導き、これで分離された液体（めっき液）をめっき液供給設備１８の排液側に戻し、気体を第２気水分離槽１４２に導く。
【００７５】
電極ヘッド２８にあっては、めっき液供給設備１８の供給側から電極ヘッド２８にめっき液を供給し、この電極ヘッド２８から排出されためっき液を気水分離槽１４０ｂに導き、これで分離された液体（めっき液）をめっき液供給設備１８の排液側に戻し、気体を第２気水分離槽１４２に導く。
【００７６】
めっき液トレー２２にあっては、めっき液供給設備１８の供給側からめっき液トレー２２にめっき液を供給し、オーバーフローも含めこのめっき液トレー２２から排出されためっき液をめっき液供給設備１８の排液側に戻す。
【００７７】
そして、第２の気水分離槽１４２では、再度気水分離を行って、これで分離された液体（めっき液）をめっき液供給設備１８の排液側に戻し、気体を真空ポンプ１４４から排気する。
【００７８】
また、この実施の形態のめっき装置にあっては、図３０に示すように、１８ステップの処理工程、すなわち、１．プレコート、２．プレコートドライ、３．液はり、４．めっき、５．アーム液回収、６．リンス、７．水洗、８．ドライ、９．キャリアコート、１０．キャリアコートドライ、１１．プレコート、１２．プレコートドライ、１３．液はり、１４．めっき、１５．アーム液回収、１６．リンス、１７．水洗、１８．ドライ、が用意されており、めっき工程については更に９ステップが用意されている。そして、その各処理工程の使用／未使用を任意に設定できるようになっている。
【００７９】
これにより、例えば  ７．水洗、８．ドライのみを「使用」とし、他のステップを「未使用」設定すれば、洗浄機として機能するようになっている。
【００８０】
次に、前記実施の形態のめっき装置における一連のめっき処理の動作について説明する。
【００８１】
先ず、ロード・アンロード部１０からめっき処理前の基板Ｗを搬送ロボット１４で取出し、被めっき面を上方に向けた状態で、フレームの側面に設けられた基板搬出入口５０から一方のめっきユニット１２の内部に搬送する。この時、基板保持部３６は、下方の基板受渡し位置Ａにあり、また電極アーム部３０及びプレコート・回収アーム３２とも基板保持部３６の上方になく、待避位置で待避している。搬送ロボット１４は、そのハンドが基板ステージ６８の真上に到達した後に、ハンドを下降させることで、基板Ｗを支持腕７０上に載置する。そして、搬送ロボット１４のハンドを前記基板搬出入口５０を通って退去させる。
【００８２】
搬送ロボット１４のハンドの退去が完了した後、カップ４０を上昇させ、次に基板受渡し位置Ａにあった基板保持部３６を前処理・洗浄位置Ｃに上昇させる。すると、この上昇に伴って、支持腕７０上に載置された基板は、押圧爪７４で支持腕７０ａの方向に押圧されて偏心し、この状態で固定爪７６で確実に把持される。
【００８３】
一方、電極アーム部３０の電極ヘッド２８は、この時点ではめっき液トレー２２上の通常位置にあって、めっき液含浸材１００あるいはアノード１０２がめっき液トレー２２内に位置しており、この状態でカップ４０の上昇と同時に、めっき液トレー２２及び電極ヘッド２８にめっき液の供給を開始する。そして、基板のめっき工程に移るまで、新しいめっき液を供給し、併せてめっき液排出管１１０を通じた吸引を行って、めっき液含浸材１００に含まれるめっき液の交換と泡抜きを行う。なお、カップ４０の上昇が完了すると、フレーム側面の基板搬出入口５０はカップ４０で塞がれて閉じ、フレーム内外の雰囲気が遮断状態となる。
【００８４】
カップ４０が上昇するとプレコート処理に移る。即ち、基板Ｗを受け取った基板保持部３６を回転させ、待避位置にあったプレコート・回収アーム３２を基板と対峙する位置へ移動させる。そして、基板保持部３６の回転速度が設定値に到達したところで、プレコート・回収アーム３２の先端に設けられたプレコートノズル６４ａから、例えば界面活性剤からなるプレコート液を基板の被めっき面に間欠的に吐出する。この時、基板保持部３６が回転しているため、プレコート液は基板Ｗの被めっき面の全面に行き渡る。次に、プレコート・回収アーム３２を待避位置へ戻し、基板保持部３６の回転速度を増して、遠心力により基板Ｗの被めっき面のプレコート液を振り切って乾燥させる。
【００８５】
一方、めっき液トレー２２内では電極ヘッド２８の液置換を行って、めっき液の交換及び泡抜きを行う。つまり、めっき液をめっき液トレー２２に供給しながら、真空ポンプを作動させて、吸引可能な圧力に到達したら、回収用のバルブを開いて電極ヘッド２８からめっき液トレー２２内のめっき液を吸引する。この時の吸引時間は、例えば０.５秒であり、その後、バルブを閉じる。このめっき液吸引の回数は任意に設定が可能である。設定回数終了したら、めっき液のめっき液トレー２２への供給を停止し、真空ポンプを停止させる。
【００８６】
プレコート完了後に液はり処理に移る。先ず、基板保持部３６を、この回転を停止、若しくは回転速度をめっき時速度まで低下させて、設定回転数に到達した後、めっきを施すめっき位置Ｂまで上昇させる。すると、基板Ｗの周縁部はカソード電極８８に接触して通電可能な状態となり、同時に基板Ｗの周縁部上面にシール材９０が圧接して、基板Ｗの周縁部が水密的にシールされる。
【００８７】
なお、めっき液含浸材１００として、例えばポーラスセラミック等の多孔質材料以外の、例えばスポンジ状のものを使用した場合には、電極ヘッド２８をめっき液トレー２２内の通常位置から押込み位置に下降させ、めっき液含浸材１００をめっき液トレー２２の底に押付けて余分なめっき液を絞ることで、アーム上昇時のめっき液の滴下を防止する。
【００８８】
一方、搬入された基板Ｗのプレコート処理が完了したという信号に基づいて、電極アーム部３０をめっき液トレー２２上方からめっきを施す位置の上方に電極ヘッド２８が位置するように水平方向に旋回させ、この位置に到達した後に、電極ヘッド２８をカソード部３８に向かって下降させる。電極ヘッド２８の下降が完了した時点で、めっき電流を投入し、めっき液供給管１０６からめっき液を電極ヘッド２８の内部に供給して、アノード１０２を貫通しためっき液供給口１０２ａよりめっき液含浸材１００にめっき液を供給する。この時、めっき液含浸材１００は、基板Ｗの被めっき面に接触せず、０.５ｍｍ〜３ｍｍ程度に近接した状態となっている。また、基板保持部３６を任意の速度で回転させても良い。そして、液はり工程に設定した定電圧値の通電を実施し、めっき液の押し出し及び引き込みを行ってめっき処理へ移行する。
【００８９】
次のめっき処理ではステップ毎に制御パラメータを変えながらウエハにめっきを施す。めっき処理中は、めっき液含浸材１００から染み出した銅イオンを含むめっき液が、めっき液含浸材１００と基板Ｗの被めっき面との間の隙間に満たされ、基板の被めっき面に銅めっきが施される。なお、めっき液が基板Ｗの被めっき面に均一に供給されるよう、基板保持部３６を回転させても良い。
【００９０】
めっき処理が完すると、電極アーム部３０を上昇させ旋回させてめっき液トレー２２上方へ戻し、通常位置へ下降させる。次に、プレコート・回収アーム３２を待避位置から基板Ｗに対峙する位置へ移動させて下降させ、めっき液回収ノズル６６から基板Ｗ上のめっきの残液を回収する。つまり、めっき液回収ノズル６６の先端を基板Ｗの周辺のシール材９０の近辺に位置させ、基板保持部３６を任意の設定数で回転させた状態でめっき液をめっき液回収ノズル６６から吸引する。この時、基板Ｗが回転しているため、めっき液は遠心力で基板Ｗの周縁部に集まり効率的にめっき液回収ノズル６６の先端から吸引される。
【００９１】
なお、電極ヘッド２８内に含まれためっき液も同時に回収可能であり、めっき完了後に電極ヘッド２８が上昇を開始した時に、設定された時間ヘッドのめっき液回収バルブを開いてめっき液を吸引する。その時間は任意に設定可能である。なお、回収時の真空ポンプの動作は液置換工程の液回収時と同様である。
【００９２】
次に、プレコート・回収アーム３２を上昇させて待避位置へ戻し、基板の被めっき面のリンスのために、純水用の固定ノズル３４から基板Ｗの中央部に純水を吐出し、同時に基板保持部３６をスピードを増して回転させて基板Ｗの表面に僅かに残っためっき液を純水に置換し、併せてシール材９０も洗浄する。このように、基板Ｗのリンスを行うことで、基板保持部３６をめっき位置Ｂから下降させる際に、基板Ｗの周縁をシールしていたカソード部３８から基板Ｗが離れた時にめっき液が回り込み、基板Ｗの裏面やカソード部３８のカソード電極８８が汚染されることが防止される。
【００９３】
リンス終了後に水洗工程に入る。即ち、基板保持部３６をめっき位置Ｂから前処理・洗浄位置Ｃへ下降させ、純水用の固定ノズル３４から純水を供給しつつ基板保持部３６及びカソード部３８を回転させて水洗を実施する。この時、カソード部３８に直接供給した純水、又は基板Ｗの面から飛散した純水によってシール材９０及びカソード電極８８も基板と同時に洗浄することができる。
【００９４】
水洗完了後にドライ工程に入る。即ち、固定ノズル３４からの純水の供給を停止し、更に基板保持部３６及びカソード部３８の回転スピードを増して、遠心力により基板表面の純水を振り切って乾燥させる。また、カソード部３８も回転しているため、シール材９０及びカソード電極８８も乾燥される。
【００９５】
以上で一連の前工程・めっき工程・洗浄／ドライ工程が完了することになるが、必要に応じて同工程の２回目を実施する。２回目を実施する場合はキャリアコート処理に移行する。つまり、キャリアコートノズル６４ｂを備えたプレコート・回収アーム３２を待避位置から基板Ｗと対峙する位置へ移動させ、基板保持部３６の回転速度が設定値に到達したところで、プレコート・回収アーム３２の先端に設けたキャリアコートノズル６４ｂから、例えば硫黄化合物等のキャリアコート液を基板Ｗの被めっき面に吐出する。基板保持部３６が回転しているため、キャリアコート液は基板Ｗの全面に行き渡る。次に、プレコート・回収アーム３２を待避位置へ戻し、基板保持部３６の回転速度を増して遠心力により基板Ｗ上面のキャリアコート液を振り切って乾燥させる。ここから以降の処理は１回目に記した内容と同一である。ただし、２回目のプレコート処理の実施の有無や、液はりやめっき工程の内容は１回目と異なった設定も可能である。
【００９６】
ドライ工程が完了すると基板保持部３６及びカソード部３８の回転を停止させ、基板保持部３６を基板受渡し位置Ａまで下降させる。すると、固定爪７６による基板Ｗの把持が解かれ、基板Ｗは、支持腕７０の上面に載置された状態となる。次に、カップ４０も下降させる。
【００９７】
以上でめっき処理及びそれに付帯する前処理や洗浄・乾燥工程の全て工程を終了し、搬送ロボット１４は、そのハンドを基板搬出入口５０から基板Ｗの下方に挿入し、そのまま上昇させることで、基板保持部３６から処理後の基板Ｗを受取る。そして、搬送ロボット１４は、この基板保持部３６から受取った処理後の基板Ｗをロード・アンロード部１０に戻す。
【００９８】
次に、アノード１０２のコンディショニングについて説明する。
このめっき装置では、電極ヘッド２８に取付けたアノード１０２のコンディショニングをめっき液トレー２２内で行う機能を備えている。コンディショニングの機能としては、（１）空電解、（２）アノードの乾燥防止、（３）液置換があげられる。電極ヘッド２８は、めっきを施す基板保持部３６の上方位置と、めっき実施時以外のめっき液トレー２２上の待避位置の２ヶ所間の移動が可能であるが、これらを行う際は、めっき液トレー２２の上方位置で、押込み位置及び通常位置間で電極ヘッド２８の高さを制御しながらこれらを実施する。
【００９９】
（１）空電解
空電解とは、本めっきを開始する前にめっきの質や速度の安定化を目的としてアノード１０２のコンディショニングを図る機能である。めっき液トレー２２の底板には、例えば、無酸素銅からなるおよそ８ｍｍ厚の円板形状ものダミーカソード１３６が装着してあり、電極ヘッド２８をめっき液トレー２２内に移動してめっき液をはり、アノード１０２とダミーカソード１３６との間で通電することでこれを行う。ダミーカソードの表面には、延べ４０時間の空電解でおよそ１ｍｍの銅層が成長するので、空電解を実施した時間を積算して任意の周期でダミーカソード１３６を交換する。空電解の制御は、次の通りである。
【０１００】
空電解は、「空電解動作」として、“定回数動作”と“定時間動作”が設定できる。ここで、“定回数動作”に設定した場合は、操作画面上の「空電解」スイッチの操作がトリガとして空電解を実施し、“定時間動作”に設定した場合は、空電解の実施の間隔をタイマー設定し、タイムアップがトリガとなる。
【０１０１】
空電解は、「液置換」、「吐出」及び「定電流」のステップ進行で実施される。「液置換」及び「吐出」では、めっき液トレー２２内にめっき液を供給しながら、電極ヘッド２８をめっき液トレー２２内のめっき液中に位置した状態で、電極ヘッド２８からめっき液の回収と供給を繰り返して、電極ヘッド２８内のめっき液及びめっき液含浸材１００に含まれているめっき液の交換と泡ぬきを行うものである。それらの動作用パラメータとしては、回収と供給を繰り返す回数を各々０〜５回の範囲で設定可能である。例えば、「液置換」ステップで“２回”、「吐出」ステップで“３回”が設定されていた場合は、電極ヘッド２８からめっき液を２回回収した後、電極ヘッド２８からめっき液を３回供給する。最後に「定電流」でアノード１０２からダミーカソード１３６に定電流を流す。この時のパラメータとしては、時間を０〜９９９９分、電流値を０.０〜１０.０Ａの範囲で設定する。また、この時めっき液トレー２２に対する液供給有無の設定パラメータが用意されている。このめっき液供給有無とは、定電流を流している間に、めっき液トレー２２に新めっき液を供給し続けるか、あるいはしないかの設定である。
【０１０２】
なお、以上の３つのステップが一連の空電解の動作となるが、“定回数動作”設定の場合は、この一連の動作を何回実施するかが０〜１０回の範囲で設定できる。例えば、２回と設定すれば、先の３つのステップを２回繰り返して動作完了となる。“定時間動作”設定の場合は、一連の動作は１回実施であるが、その実施間隔を０〜９９９９分の間で設定可能である。通常は“定回数動作”としておき、画面スイッチから空電解を実施させるが、長時間、アノードをめっき液トレーに待避させているときは、“定時間動作”に切り換えて無人で定期的に空電解を実施するように運用している。こうして空電解を実施するとダミーカソード１３６の表面には、延べ４０時間の空電解でおよそ１ｍｍの銅層が成長するので、空電解を実施した時間を積算して任意の周期でダミーカソード１３６を交換する。
【０１０３】
（２）アノードの乾燥防止
アノード１０２は常にめっき液で湿潤しておく必要があり、乾燥させるとアノード１０２の表面に形成されたブラックフィルムが酸化され、変質してめっき性能を低下させる。めっきを実施していない時に、めっき液トレー２２内に電極ヘッド２８を待避させることによって、常に最良の状態にアノード１０２を維持することができる。
【０１０４】
（３）液置換
液置換は、電極ヘッド２８内のめっき液またはめっき液含浸材１００に含まれているめっき液を新しいめっき液に交換したり泡抜きを行う機能で、空電解の他、めっき工程時に随時行われる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の基板めっき装置方法によってめっきを行う工程の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の基板めっき装置の全体を示す平面図である。
【図３】めっきユニットを示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】基板保持部及びカソード部の拡大断面図である。
【図６】図３の正面図である。
【図７】図３の右側面図である。
【図８】図３の背面図である。
【図９】図３の左側面図である。
【図１０】プレコート・回収アームを示す正面図である。
【図１１】基板保持部の平面図である。
【図１２】図１１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１３】図１１のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１４】基板保持部における基板の動き（偏心）の説明に付する図である。
【図１５】固定爪を有する支持腕（ａ）、及び押圧爪を有する支持腕（ｂ）の基板保持前の状態を示す図である。
【図１６】固定爪を有する支持腕（ａ）、及び押圧爪を有する支持腕（ｂ）の基板保持後の状態を示す図である。
【図１７】基板を偏心させない場合における問題の説明に付する図である。
【図１８】カソード部の平面図である。
【図１９】図１４のＤ−Ｄ線断面図である。
【図２０】図１９の一部を拡大した拡大図である。
【図２１】カソード電極の一部を拡大して示す拡大斜視図である。
【図２２】カソード電極とシール材を一体として支柱に取付ける前後の状態を示す図である。
【図２３】電極アーム部の平面図である。
【図２４】めっき時における図２３のＥ−Ｅ線断面図である。
【図２５】図２４の一部を拡大して示す拡大図である。
【図２６】めっき時に形成される回路を示す図である。
【図２７】めっき液トレーを電極ヘッドと共に示す断面図である。
【図２８】基板の上面に残っためっき液の回収の説明に付する図である。
【図２９】めっき液の供給及び回収のフロー図である。
【図３０】用意されたステップの処理工程と、ステップ使用／未使用の設定例を示す図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１０  ロード・アンロード部
１２  めっきユニット
１４  搬送ロボット
１６  めっき液タンク
１８  めっき液供給設備
２０  基板処理部
２２  めっき液トレー
２６  揺動アーム
２８  電極ヘッド
３０  電極アーム部
３２  プレコート・回収アーム
３４  固定ノズル
３６  基板保持部
３８  カソード部
４０  カップ
４８  ベルト
５０  基板搬出入口
６４ａ  プレコートノズル
６４ｂ  キャリアコートノズル
６６  めっき液回収ノズル
６８  基板ステージ
７０  支持腕
７２  台座
７４  押圧爪
７６  固定爪
８０  開放ピン
８２  支持板（開放部材）
８２ａ  凹部
８４  支柱
８６  枠体
８８  カソード電極
８９  突起片
８９ａ  垂下部
９０  シール材
９０ａ  内方延出部
９０ｂ  下方垂下部
９３  遊び機構
９４  蓋体
９６  ハウジング
９６ａ  突出部
９８  支持枠
１００  めっき液含浸材
１００ａ  フランジ部
１０２  アノード
１０２ａ  めっき液供給口
１０２ｂ  通孔
１０４  吸引室
１０６  めっき液供給管
１０８  めっき液導入管
１０８ｂ  めっき液導入口
１０８ａ  めっき液導入路
１１０  めっき液排出管
１１２  シール材
１１４  環状シール
１２０  固定ストッパ
１２２  ストッパ棒
１２８  ストッパ面
１３０  めっき供給口
１３２  オーバーフロー口
１３４  ストッパ
１３６  ダミーカソード
１４０ａ，１４０ｂ，１４２  気水分離槽
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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