(57)【要約】【課題】ｐ型ドーパントおよび鉄原子の相互拡散が低減される光半導体デバイス、およびこの光半導体デバイスを製造する方法を提供することとしている。【解決手段】  光半導体デバイス１は、炭素ドープの第１のクラッド層３と、第２のクラッド層５と、活性層７と、埋め込み領域９とを備える。活性層７は、第１のクラッド層３と第２のクラッド層５との間に設けられている。埋め込み領域９は、活性層７に電流を閉じ込めるように設けられている。埋め込み領域９は鉄ドープＡｌＩｎＡｓ層１１を含む。鉄ドープＡｌＩｎＡｓ層１１は、活性層７に電流を閉じ込めるように高抵抗を有する。ＡｌＩｎＡｓ半導体に替えて、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体を用いることができる。【選択図】  図１
2005286032.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた半導体メサと、
前記基板上に設けられ前記半導体メサを埋め込む埋め込み領域と
を備え、
前記半導体メサは、第１のクラッド層、第２のクラッド層および活性層を含んでおり、
前記活性層は、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられており、
前記埋め込み領域は、アルミニウム元素、インジウム元素およびヒ素元素を含む半導体層を含んでおり、
前記埋め込み領域は、鉄元素が添加された半導体層を含んでおり、
前記第１のクラッド層は、アルミニウム元素、インジウム元素およびヒ素元素を含んでおり炭素元素が添加されたIII−Ｖ化合物半導体から成ることを特徴とする光半導体デバイス。
【請求項２】
基板上に設けられた半導体メサと、
前記基板上に設けられ前記半導体メサを埋め込む埋め込み領域と
を備え、
前記半導体メサは、第１のクラッド層、第２のクラッド層および活性層を含んでおり、
前記活性層は、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられており、
前記埋め込み領域は、アルミニウム元素、インジウム元素およびヒ素元素を含む半導体層を含んでおり、
前記埋め込み領域は、鉄元素が添加された半導体層を含んでおり、
前記活性層は、炭素元素が添加されておりヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体の領域を有することを特徴とする光半導体デバイス。
【請求項３】
基板上に設けられた半導体メサと、
前記基板上に設けられ前記半導体メサを埋め込む埋め込み領域と
を備え、
前記半導体メサは、第１のクラッド層、第２のクラッド層、光閉じ込め層および活性層を含んでおり、
前記活性層は、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられており、
前記埋め込み領域は、アルミニウム元素、インジウム元素およびヒ素元素を含む半導体層を含んでおり、
前記埋め込み領域は、鉄元素が添加された半導体層を含んでおり、
前記光閉じ込め層は、炭素元素が添加されておりヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体から成ることを特徴とする光半導体デバイス。
【請求項４】
前記埋め込み領域の前記半導体層は、ＡｌＩｎＡｓ半導体から成り、
前記第１のクラッド層は、ＡｌＩｎＡｓ半導体から成り、
前記第２のクラッド層は、ＡｌＩｎＡｓ半導体から成ることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載された光半導体デバイス。
【請求項５】
前記埋め込み領域の前記半導体層はＡｌＧａＩｎＡｓ半導体から成り、
前記第１のクラッド層は、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体から成り、
前記第２のクラッド層は、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体から成ることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載された光半導体デバイス。
【請求項６】
前記III−Ｖ化合物半導体は、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体およびＡｌＩｎＡｓ半導体の少なくともいずれかである請求項１から請求項５のいずれか一項に記載された光半導体デバイス。
【請求項７】
前記第１のクラッド層および前記埋め込み領域上に設けられた第３のクラッド層をさらに備え、
前記第３のクラッド層は、アルミニウム元素、インジウム元素およびヒ素元素を含んでおり炭素元素が添加されたIII−Ｖ化合物半導体から成り、
前記第３のクラッド層の前記III−Ｖ化合物半導体は、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体およびＡｌＩｎＡｓ半導体の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載されたに記載された光半導体デバイス。
【請求項８】
前記活性層は、井戸層およびバリア層を含む多重量子井戸構造を有しており、
前記バリア層は、炭素元素が添加されたＡｌＧａＩｎＡｓ半導体および炭素元素が添加されたＡｌＩｎＡｓ半導体の少なくともいずれかから成ることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載された光半導体デバイス。
【請求項９】
光半導体デバイスを製造する方法であって、
炭素元素を含むハロゲン化合物を用いて、炭素元素が添加されたIII−Ｖ化合物半導体層を形成する工程と、
前記III−Ｖ化合物半導体層を形成する工程の後に、鉄元素が添加された埋め込み領域を形成する工程と
を備え、
前記III−Ｖ化合物半導体層は、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層およびＡｌＩｎＡｓ半導体層の少なくともいずれかであることを特徴とする方法。
【請求項１０】
光半導体デバイスを製造する方法であって、
鉄元素が添加された埋め込み領域を形成する工程と、
前記埋め込み領域を形成した後に、炭素元素を含むハロゲン化合物を用いて、炭素元素が添加されたIII−Ｖ化合物半導体層を形成する工程を備え、
前記III−Ｖ化合物半導体層は、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層およびＡｌＩｎＡｓ半導体層の少なくともいずれかであることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体デバイス、および光半導体デバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
文献１（特開平１０−１０７３６７号公報）には、半導体レーザが記載されている。半導体レーザは、（１００）面を有する半導体基板と、この半導体基板上に形成された活性層を含むメサ領域と、メサ領域を挟む電流狭窄領域と、クラッド層とを有する。電流狭窄領域の最上層には、ｎ型電流阻止層が設けられている。ｎ型電流阻止層の側壁は（１１１）Ｂ面を有しており、これらの側壁の間には、クラッド層が設けられている。このクラッド層は、Ｚｎ濃度５×１０１７ｃｍ−３以上を含有するＩｎＰ層からなる。この構造によって、電流狭窄層を有する平坦化埋込みレーザ（SIPBH レーザ）が提供される。このレーザによれば、活性層を含むメサ領域上に設けられたｐ型クラッド層のＺｎ濃度の低下を抑制でき、また電流狭窄構造部を流れるリーク電流を低減する。
【特許文献１】特開平１０−１０７３６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
この文献に記載された半導体素子では、拡散係数の大きい亜鉛元素がｐ型の導電型の不純物として用いられており、ＩｎＰ半導体領域中の亜鉛の濃度を上げるために、亜鉛ドープのＩｎＰ半導体の成膜条件が研究されている。この半導体素子では、亜鉛ドープのＩｎＰ半導体領域と鉄ドープの埋め込み領域とが接触しているので、亜鉛と鉄の拡散が避けられない。求められているものは、ドーパントの拡散によって生じるデバイス特性の変動が少ない光半導体デバイスである。
【０００４】
そこで、本発明は、上記の事項を鑑みて為されたものであり、ｐ型の導電型の不純物と鉄原子との相互拡散が低減される光半導体デバイス、およびこの光半導体デバイスを製造する方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一側面によれば、光半導体デバイスは、（ａ）基板上に設けられた半導体メサと、（ｂ）前記基板上に設けられ前記半導体メサを埋め込む埋め込み領域とを備え、前記半導体メサは、第１のクラッド層、第２のクラッド層および活性層を含んでおり、前記活性層は、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられており、前記埋め込み領域は、アルミニウム元素、インジウム元素およびヒ素元素を含む半導体層を含んでおり、前記埋め込み領域は、鉄元素が添加された半導体層を含んでおり、前記第１のクラッド層は、アルミニウム元素、インジウム元素およびヒ素元素を含んでおり炭素元素が添加されたIII−Ｖ化合物半導体から成ることを特徴とする。
【０００６】
この光半導体デバイスの第１のクラッド層には炭素元素が添加されており埋め込み層には遷移元素の鉄元素が添加されているので、炭素元素および遷移元素の相互拡散が低減される。これ故に、第１のクラッド層のキャリア濃度が小さくならない。また、埋め込み領域内の鉄元素が添加された半導体層の抵抗が低下することを抑えることができる。さらに、第１のクラッド層の抵抗が上昇することを抑えることができる。
【０００７】
本発明の別の側面によれば、光半導体デバイスは、（ａ）基板上に設けられた半導体メサと、（ｂ）前記基板上に設けられ前記半導体メサを埋め込む埋め込み領域とを備え、前記半導体メサは、第１のクラッド層、第２のクラッド層および活性層を含んでおり、前記活性層は、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられており、前記埋め込み領域は、アルミニウム元素、インジウム元素およびヒ素元素を含む半導体層を含んでおり、前記埋め込み領域は、鉄元素が添加された半導体層を含んでおり、前記活性層は、炭素元素が添加されておりヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体の領域を有することを特徴とする。
この光半導体デバイスの活性層は炭素元素が添加されておりヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体の領域を含んでいるので、炭素元素および鉄元素等の遷移元素の相互拡散が低減される。このIII−Ｖ化合物半導体領域のキャリア濃度が小さくならない。また、埋め込み領域の鉄元素が添加された半導体層の抵抗が低下することを抑えることができる。さらに、III−Ｖ化合物半導体領域の抵抗が上昇することを抑えることができる。この光半導体デバイスでは、活性層が、炭素元素が添加された半導体領域を含むので、光半導体デバイスの特性を改善することができる。
【０００８】
本発明の更なる別の側面によれば、光半導体デバイスは、（ａ）基板上に設けられた半導体メサと、（ｂ）前記基板上に設けられ前記半導体メサを埋め込む埋め込み領域とを備え、前記半導体メサは、第１のクラッド層、第２のクラッド層、光閉じ込め層および活性層を含んでおり、前記活性層は、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられており、前記埋め込み領域は、アルミニウム元素、インジウム元素およびヒ素元素を含む半導体層を含んでおり、前記埋め込み領域は、鉄元素が添加された半導体層を含んでおり、前記光閉じ込め層は、炭素元素が添加されておりヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体から成ることを特徴とする。
【０００９】
この光半導体デバイスの光閉じ込め層には炭素元素が添加されており、また埋め込み層には鉄元素が添加されているので、炭素元素および遷移元素の鉄元素の相互拡散が低減される。光閉じ込め層のキャリア濃度が小さくならない。また、埋め込み領域の鉄元素が添加された半導体層の抵抗が低下することを抑えることができる。さらに、光閉じ込め層の抵抗が上昇することを抑えることができる。この炭素元素が添加された光閉じ込め層によれば、光半導体デバイスの特性を改善することができる。
【００１０】
本発明の光半導体デバイスでは、前記埋め込み領域の前記半導体層は、ＡｌＩｎＡｓ半導体から成るが好ましい。また、前記第１のクラッド層は、ＡｌＩｎＡｓ半導体から成ることが好ましい。さらに、前記第２のクラッド層は、ＡｌＩｎＡｓ半導体から成ることが好ましい。
【００１１】
この光半導体デバイスでは、第１および第２のクラッド層並びに埋め込み領域の半導体層がＡｌＩｎＡｓ半導体から成るので、活性層が、ほぼ等しい屈折率の半導体領域によって囲まれる。
【００１２】
本発明の光半導体デバイスでは、前記埋め込み領域の前記半導体層はＡｌＧａＩｎＡｓ半導体から成ることが好ましい。また、前記第１のクラッド層は、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体から成ることが好ましい。さらに、前記第２のクラッド層は、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体から成ることが好ましい。
【００１３】
この光半導体デバイスでは、第１および第２クラッド層並びに埋め込み領域の半導体層がＡｌＧａＩｎＡｓ半導体から成るので、活性層が、ほぼ等しい屈折率の材料で囲まれる。
【００１４】
本発明の光半導体デバイスでは、前記III−Ｖ化合物半導体はＡｌＧａＩｎＡｓ半導体およびＡｌＩｎＡｓ半導体の少なくともいずれかであることが好適である。
【００１５】
この光半導体デバイスにおいて、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層およびＡｌＩｎＡｓ半導体層を用いると、ドーパントが埋め込み領域に拡散することを防ぐことができる。
【００１６】
本発明の光半導体デバイスは、前記第１のクラッド層および前記埋め込み領域上に設けられた第３のクラッド層を更に備え、前記第３のクラッド層は、アルミニウム元素、インジウム元素およびヒ素元素を含んでおり炭素元素が添加されたIII−Ｖ化合物半導体から成ることが好ましい。
【００１７】
この光半導体デバイスの第３のクラッド層には炭素元素が添加されているので、鉄元素が添加された埋め込み領域の抵抗が低下することを抑えることができる。
【００１８】
本発明の光半導体デバイスでは、前記第３のクラッド層の前記III−Ｖ化合物半導体は、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体およびＡｌＩｎＡｓ半導体の少なくともいずれかであることが好適である。
【００１９】
この光半導体デバイスにおいて、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層およびＡｌＩｎＡｓ半導体層を用いると、ドーパントが埋め込み領域に拡散することを防ぐことができる。
【００２０】
本発明の光半導体デバイスでは、前記活性層は、井戸層およびバリア層を含む多重量子井戸構造を有しており、前記バリア層は、炭素元素が添加されたＡｌＧａＩｎＡｓ半導体および炭素元素が添加されたＡｌＩｎＡｓ半導体の少なくともいずれかから成ることが好ましい。
【００２１】
この光半導体デバイスでは、前記バリア層が、炭素元素が添加された半導体領域を含むので、光半導体デバイスの高速動作特性が改善されることができる。
【００２２】
本発明に係る別の側面によれば、光半導体デバイスを製造する方法は、（ａ）炭素元素を含むハロゲン化合物を用いて、炭素元素が添加されたIII−Ｖ化合物半導体層を形成する工程と、（ｂ）前記III−Ｖ化合物半導体層を形成する工程の後に、鉄元素が添加された埋め込み領域を形成する工程とを備え、前記III−Ｖ化合物半導体層は、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層およびＡｌＩｎＡｓ半導体層の少なくともいずれかである。
【００２３】
この方法では、炭素元素が添加された半導体層上に、鉄元素が添加された埋め込み領域を形成するので、この埋め込み領域の抵抗が低下することを抑えることができる。
【００２４】
本発明の更なる別の側面によれば、光半導体デバイスを製造する方法は、（ａ）鉄元素が添加された埋め込み領域を形成する工程と、（ｂ）前記埋め込み領域を形成した後に、炭素元素を含むハロゲン化合物を用いて、炭素元素が添加されたIII−Ｖ化合物半導体層を形成する工程を備え、前記III−Ｖ化合物半導体層は、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層およびＡｌＩｎＡｓ半導体層の少なくともいずれかである。
【００２５】
この方法では、鉄元素が添加されたが添加された埋め込み領域上に、炭素元素が添加された半導体層上を形成するので、この埋め込み領域の抵抗が低下することを抑えることができる。
【発明の効果】
【００２６】
以上説明したように、本発明によれば、ｐ型の導電型の不純物と鉄との相互拡散が低減される光半導体デバイスが提供され、また、この光半導体デバイスを製造する方法が提供される。
【００２７】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の光半導体デバイスおよび光半導体デバイスを製造する方法に係わる実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００２９】
（第１の実施の形態）
図１は、本実施の形態に係る光半導体デバイスを示す断面図である。光半導体デバイス１は、炭素ドープの第１のクラッド層３と、第２のクラッド層５と、活性層７と、埋め込み領域９とを備える。活性層７は、第１のクラッド層３と第２のクラッド層５との間に設けられている。第１のクラッド層３は、少なくともアルミニウム元素、インジウム元素およびヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体から成る。第１のクラッド層３は、炭素元素で添加されている。埋め込み領域９は、半導体メサを埋め込むように設けられている。半導体メサは、第１のクラッド層３、第２のクラッド層５および活性層７を含む。埋め込み領域９は、アルミニウム元素、インジウム元素およびヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体層１１を含む。III−Ｖ化合物半導体層１１は鉄元素で添加されている。III−Ｖ化合物半導体層１１は高抵抗を有しており、例えば活性層７ｂに電流を閉じ込めることができる。
【００３０】
この光半導体デバイス１の第１のクラッド層３には炭素が添加されているので、鉄元素で添加されたIII−Ｖ化合物半導体層１１の抵抗が低下することを抑えることができる。
【００３１】
この光半導体デバイスの第１のクラッド層３には炭素元素が添加されており埋め込み層９には鉄元素が添加されているので、炭素元素および鉄元素の相互拡散が低減される。第１のクラッド層３への鉄元素の拡散が少なくできるので、第１のクラッド層３のキャリア濃度が小さくならない。また、第１のクラッド層３の炭素濃度の低下が抑えられるので、第１のクラッド層３の抵抗が上昇することを抑えることができる。さらに、埋め込み領域９内の半導体層１１からの鉄元素の拡散が少なくでき第１のクラッド層３からの炭素元素の拡散が抑えられるので、埋め込み領域９の抵抗が低下することを抑えることができる。
【００３２】
引き続く説明では、III−Ｖ化合物半導体層１１が鉄ドープでドープされている光半導体デバイスを説明する。
【００３３】
第１のクラッド層３のIII−Ｖ化合物半導体はＡｌＧａＩｎＡｓ半導体およびＡｌＩｎＡｓ半導体の少なくともいずれかであることが好適である。この光半導体デバイスにおいて、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層およびＡｌＩｎＡｓ半導体層を用いると、ドーパントが埋め込み領域に拡散することを防ぐことができる。
【００３４】
一実施例では、第１のクラッド層３はｐ型III−Ｖ化合物半導体から成り、第２のクラッド層５はｎ型III−Ｖ化合物半導体から成り、活性層７はアンドープIII−Ｖ化合物半導体から成る。好適な実施例の光半導体デバイス１では、第１および第２クラッド層３、５並びに埋め込み領域９の半導体層１１がＡｌＩｎＡｓ半導体から成ることが好ましい。また、第１および第２クラッド層３、５並びに埋め込み領域９の半導体層１１がＡｌＧａＩｎＡｓ半導体から成ることが好ましい。これ故に、活性層７が、ほぼ等しい屈折率の材料で囲まれる。ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体およびＡｌＩｎＡｓ半導体は、基板の半導体に格子整合するようにしてもよい。これによって、光半導体デバイス１の信頼性が向上する。
【００３５】
光半導体デバイス１では、第１のクラッド層３は、アルミニウム元素（Ａｌ）、インジウム元素（Ｉｎ）およびヒ素元素（Ａｓ）を含むIII−V化合物半導体から成ることが好ましく、炭素はｐ型ドーパントとして働く。また、好適な実施例では、第１のクラッド層３は、例えばＡｌＧａＩｎＡｓ半導体、ＡｌＩｎＡｓ半導体およびＩｎＧａＡｓＰ半導体の少なくともいずれかから成ることができる。これらの半導体材料は、活性層７に対して光閉じ込めと電位障壁を提供できると共に、炭素がｐ型ドーパントとして働く。これによって、第１のクラッド層３のｐ型ドーパントの拡散により埋め込み領域９の抵抗が低下することが防止されることができる。
【００３６】
この光半導体デバイス１では、埋め込み領域９の半導体層１１は、ＡｌＩｎＡｓ半導体から成るが好ましく、これにより、半導体層１１がＩｎＰ半導体と格子整合することができ、埋め込み層と同じ屈折率になる。また、第１のクラッド層３は、ＡｌＩｎＡｓ半導体から成ることが好ましい。ＡｌＩｎＡｓ半導体に炭素をドーピングするとｐ型になる。また、ＡｌＩｎＡｓ半導体はＩｎＰ半導体に格子整合する。さらに、第２のクラッド層５は、ＡｌＩｎＡｓ半導体から成ることが好ましく、これにより、第２のクラッド層５がＩｎＰ半導体と格子整合することができ、埋め込み層および第１のクラッド層と同じ屈折率になる。
【００３７】
この光半導体デバイスでは、埋め込み領域９の半導体層１１は、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体から成るが好ましく、これにより、半導体層１１がＩｎＰ半導体と格子整合することができ、屈折率を調整できる。また、第１のクラッド層３は、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体から成ることが好ましい。ＡｌＩｎＡｓ半導体に炭素をドーピングするとｐ型になり、また屈折率を調整できる。さらに、第２のクラッド層５は、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体から成ることが好ましい。第２のクラッド層５にＡｌＧａＩｎＡｓ半導体を用いると、屈折率を調整できる。
【００３８】
光半導体デバイス１は、支持基体１３を含む。第１のクラッド層３、第２のクラッド層５、活性層７および埋め込み領域９は、支持基体１３上に設けられている。支持基体１３としては、例えば、ＩｎＰ半導体基板を用いることができ、例えば、ＩｎＰ半導体基板は、ｐ導電型またはｎ導電型であることができる。本発明は、これらの基板に限定されるものではない。活性層７は、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体またはＩｎＧａＡｓＰ半導体から成ることができる。また、活性層７は、量子井戸構造を有することができ、該量子井戸構造は、例えばＩｎＧａＡｓＰ半導体から成る井戸層とＩｎＧａＡｓＰ半導体から成るバリア層を含む。
【００３９】
一実施例の光半導体デバイス１では、第１のクラッド層３、第２のクラッド層５、活性層７および埋め込み領域９は、支持基体１３上に設けられたメサ形状を成しており、例えば、該メサ１７はストライプ形状を成すことができる。ストライプの幅は、例えば１．５マイクロメートル程度である。
【００４０】
光半導体デバイス１は第３のクラッド層１９を更に備えることができ、第３のクラッド層１９は第１のクラッド層３および埋め込み領域９上に設けられている。第３のクラッド層１９は、活性層に光を閉じ込めるために設けられている。第３のクラッド層１９の導電型は第１のクラッド層３の導電型と同じである。
【００４１】
埋め込み領域９およびメサ１７は、溝を形成している。この溝は、アルミニウム元素含むクラッド層等を保護するために製造中に第１のクラッド層３上に形成されたキャップ層が除去されることによって形成される。第３の第３のクラッド層１９は、この溝内にも設けられている。
【００４２】
光半導体デバイス１はコンタクト層２１を更に備えることができる。第３のクラッド層１９は、コンタクト層２１と埋め込み領域９およびメサ１７との間に設けられている。好適な実施例は、コンタクト層２１は、第３のクラッド層２１のバンドギャップより小さいバンドギャップを有している。また、コンタクト層２１にはドーパントが高濃度に添加されており、コンタクト層２１のドーパント濃度は、第３のクラッド層２１のドーパント濃度より大きい。コンタクト層２１は、炭素でドープされていることが好ましい。コンタクト層２１は、ヒ素を含むIII−V化合物半導体から成ることが好ましく、炭素ドーパントがｐ型ドーパントとして働く。
【００４３】
光半導体デバイス１では、埋め込み領域９は、埋め込み層１１と第３のクラッド層１９との間に設けられた半導体層２３を含むことができる。半導体層２３は、第３のクラッド層１９と異なる導電型を有しており、またｐ型クラッド層１９から埋め込み層１１に流れ込むキャリア（ホール）を阻止するために設けられている。
【００４４】
光半導体デバイス１において、メサ領域２５、クラッド層１９およびコンタクト層２１は、支持基体１３上に設けられたメサ形状を成しており、例えば、該メサ領域２５はストライブ形状になっていることができる。メサ２５のストライプの幅は、例えば１０マイクロメートル程度である。
【００４５】
光半導体デバイス１は、支持基体１３の一表面１３ａ、メサ２５上に設けられた絶縁膜２６を備えることができる。絶縁膜２６として例示すれば、絶縁性シリコン無機化合物から成ることができる。
【００４６】
光半導体デバイス１は、コンタクト層２１に電気的に接続された電極２７を有することができる。電極２７は、絶縁膜２６の開口を通してコンタクト層２１にオーミック接触している。また、光半導体デバイス１は、支持基体１３の別の面１３ｂ上に設けられた電極３１を有している。
【００４７】
以上説明したように、本実施の形態の光半導体デバイス１によれば、ｐ型の導電型の不純物と鉄との相互拡散が低減される光半導体デバイスが提供される。
【００４８】
図２は、別の実施の形態に係る光半導体デバイスを示す図面である。光半導体デバイス１ａは、第３のクラッド層１９に替えて、第３のクラッド層２９を有している。第３のクラッド層２９は、アルミニウム元素（Ａｌ）、インジウム元素（Ｉｎ）およびヒ素元素（Ａｓ）を含むIII−V化合物半導体（燐を構成元素として含まない）から成ることが好ましい。炭素ドーパントは、ヒ素系III−V化合物半導体中においてｐ型ドーパントとして働く。
【００４９】
この光半導体デバイスの第３のクラッド層２９は、炭素元素が添加されており埋め込み層９には鉄元素が添加されているので、炭素元素および鉄元素の相互拡散が低減される。第３のクラッド層２９への鉄元素の拡散が少なくできるので、第３のクラッド層２９のキャリア濃度が小さくならない。また、第３のクラッド層２９の炭素濃度の低下が抑えられるので、第３のクラッド層２９の抵抗が上昇することを抑えることができる。さらに、埋め込み領域９内の半導体層１１からの鉄元素の拡散が少なくでき第３のクラッド層２９からの炭素元素の拡散が抑えられるので、埋め込み領域９の抵抗が低下することを抑えることができる。
【００５０】
一実施例として、
第１のクラッド層３：ｐ型ＡｌＩｎＡｓ半導体（炭素ドープ）
キャリア濃度：１×１０１８ｃｍ−３
厚さ：０．２マイクロメートル
第２のクラッド層５：ｎ型ＡｌＩｎＡｓ半導体（シリコンドープ）
キャリア濃度：１×１０１８ｃｍ−３
厚さ：２マイクロメートル
活性層７：ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓのＭＱＷ
埋め込み層１１：半絶縁性ＡｌＩｎＡｓ半導体（鉄ドープ）
厚さ：約１．５マイクロメートル
鉄濃度：５×１０１６ｃｍ−３
ホールブロック層２３：ｎ型ＡｌＩｎＡｓ半導体（シリコンドープ）
キャリア濃度：１×１０１８ｃｍ−３
厚さ：約０．５マイクロメートル
第３のクラッド層２９：ｐ型ＡｌＩｎＡｓ半導体（炭素ドープ）
キャリア濃度：１×１０１８ｃｍ−３
厚さ：約１．８マイクロメートル
支持基体１３：ｎ型ＩｎＰ単結晶基板
コンタクト層２１：炭素ドープＧａＩｎＡｓ半導体
キャリア濃度：５×１０１８ｃｍ−３
厚さ：約０．５マイクロメートル
絶縁膜２６：シリコン酸化物
電極２７：アノード電極
電極３１：カソード電極
を示す。
【００５１】
図３は、ｐ型クラッド層が亜鉛ドーパントで添加された光半導体デバイスを示す。光半導体デバイス４１では、亜鉛ドープＩｎＰ半導体層４３とシリコンドープＩｎＰ半導体層４５との間には、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４７が設けられている。埋め込み領域４９は鉄ドープＩｎＰ層５１とシリコンドープＩｎＰ半導体層５３を含む。第１のクラッド層４３は亜鉛でドープされている。亜鉛ドープＩｎＰ半導体層４３に添加された亜鉛が、鉄ドープのＩｎＰ層５１に拡散するので、鉄ドープのＩｎＰ層５１の抵抗が低下する。また、亜鉛の拡散のため、ＩｎＰ層５１内の鉄ドーパントがｐ型ＩｎＰ半導体層４３に拡散する。これらの相互拡散により、鉄ドープＩｎＰ層５１の抵抗はより一層低下しやすくなる。ＩｎＰ半導体層５５も亜鉛でドープされている。ＩｎＰ半導体層５５に添加された亜鉛が鉄ドープＩｎＰ層５１に拡散するので、鉄ドープのＩｎＰ層５１の抵抗が低下する。
【００５２】
以上説明したように、本実施の形態の光半導体デバイス１によれば、ｐ型の導電型の不純物と鉄との相互拡散が低減される光半導体デバイスが提供される。
【００５３】
（第２の実施の形態）
図４（Ａ）は、第２の実施の形態に係る光半導体デバイスを示す図面である。光半導体デバイス１ｂは、光閉じ込め（ＳＣＨ）層３３ａを備えている。光閉じ込め層３３ａは、活性層７ｂと第１のクラッド層３との間に設けられている。光閉じ込め層３３ａは、その一部または全部に炭素がドープされたIII−V化合物半導体から成ることができる。図４（Ａ）に示された光半導体デバイス１ｂでは、光閉じ込め層３３ａ内の層状の領域に炭素がドープされている。
【００５４】
光半導体デバイス１と同様に、光半導体デバイス１ｂでは、活性層７ｂは、第１のクラッド層３と第２のクラッド層５との間に設けられている。埋め込み領域（図１の参照番号９）は、半導体メサを埋め込むように設けられている。この半導体メサは、第１のクラッド層３、第２のクラッド層５、光閉じ込め層３３ａおよび活性層７ｂを含む。埋め込み領域（図１の参照番号９）は鉄ドープIII−Ｖ化合物半導体層（図１の参照番号１１）を含む。鉄ドープIII−Ｖ化合物半導体層は高抵抗を有しており、例えば活性層７ｂに電流を閉じ込めることができる。
【００５５】
この光半導体デバイスの光閉じ込め層３３ａには炭素元素が添加されており、また埋め込み領域には鉄元素が添加さびれているので、炭素元素および鉄元素の相互拡散が低減される。光閉じ込め層３３ａへの鉄元素の拡散が少なくできるので、光閉じ込め層３３ａのキャリア濃度が小さくならない。また、光閉じ込め層３３ａの炭素濃度の低下が抑えられるので、光閉じ込め層３３ａの抵抗が上昇することを抑えることができる。さらに、図１に示される埋め込み領域内の半導体層からの鉄元素の拡散が少なくでき光閉じ込め層３３ａからの炭素元素の拡散が抑えられるので、埋め込み領域の抵抗が低下することを抑えることができる。
【００５６】
この炭素元素が添加された光閉じ込め層３３ａによれば、光半導体デバイス１ｂの特性を改善することができる。
【００５７】
好適な実施例では、光閉じ込め層３３ａは、炭素元素が添加されたIII−Ｖ化合物半導体の領域を含むことができる。このIII−V化合物半導体領域は、少なくともアルミニウム元素、インジウム元素およびヒ素元素を含むIII−V化合物半導体である。光閉じ込め層３３ａは、例えば炭素ドープのＡｌＧａＩｎＡｓ半導体および炭素ドープのＡｌＩｎＡｓ半導体の少なくともいずれかから成ることが好ましい。炭素ドープ光閉じ込め層３３ａによれば、光半導体デバイス１ｂにおいて、キャリア（例えば、ホール）が活性層７ｂに流れる経路の電気抵抗を小さくすることができる。また、光半導体デバイス１ｂによる発熱を少なくすることができる。光半導体デバイス１ｂは、活性層７ｂと第２のクラッド層５との間に設けられた光閉じ込め層３３ｂを更に備えることができる。活性層３ｂは、井戸層３５ａ、３５ｂ、３５ｃ、３５ｄおよびバリア層３７ａ、３７ｂ、３７ｃ、３７ｄ、３７ｄ、３７ｅを含む。井戸層３５ａ〜３５ｄおよびバリア層３７ａ〜３７ｅは、交互に配列されている。
【００５８】
光半導体デバイス１ｂは、炭素元素が添加された第１のクラッド層３を有していれば、埋め込み領域内に含まれる鉄原子および第１のクラッド層３内の炭素原子の相互拡散が低減される。第１のクラッド層３への鉄元素の拡散が少なくできるので、第１のクラッド層３のキャリア濃度が小さくならない。また、第１のクラッド層３の炭素濃度の低下が抑えられるので、第１のクラッド層３の抵抗が上昇することを抑えることができる。さらに、埋め込み領域内の半導体層からの鉄元素の拡散が少なくでき第１のクラッド層３からの炭素元素の拡散が抑えられるので、埋め込み領域の抵抗が低下することを抑えることができる。
【００５９】
光半導体デバイス１ｂは、光半導体デバイス１と同様に、例えば、半導体層２３と、第３のクラッド層２９と、支持基体１３と、コンタクト層２１とを備えることができ、更に、絶縁膜２６と、電極２７と、電極３１とを備えることができる。
【００６０】
以上説明したように、本実施の形態の光半導体デバイス１ｂによれば、ｐ型の導電型の不純物と鉄原子との相互拡散が低減される。
【００６１】
（第３の実施の形態）
図４（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る光半導体デバイスの実施例を示す図面である。光半導体デバイス１と同様に、光半導体デバイス１ｃでは、活性層７ｂは、第１のクラッド層３と第２のクラッド層５との間に設けられている。埋め込み領域９は、第１のクラッド層３、第２のクラッド層５および活性層７ｂを含む半導体メサを埋め込むように設けられている。埋め込み領域９は鉄ドープIII−Ｖ化合物半導体層１１を含む。鉄ドープIII−Ｖ化合物半導体層１１は高抵抗を有しており、例えば活性層７ｂに電流を閉じ込めることができる。光半導体デバイス１ｃの活性層７ｃは、炭素元素が添加されたIII−Ｖ化合物半導体の領域を含むことができる。この光半導体デバイスの活性層７ｃは、炭素元素が添加された半導体領域を含んでおり鉄元素が埋め込み層に添加されているので、炭素元素および鉄元素の相互拡散が低減される。活性層７ｃ内の該半導体層のキャリア濃度が小さくならない。また、埋め込み領域の抵抗が低下することを抑えることができる。さらに、活性層７ｃ内の該半導体層の抵抗が上昇することを抑えることができる。
【００６２】
好適な実施例では、活性層７ｃは、炭素元素が添加されたＡｌＧａＩｎＡｓ半導体領域および炭素元素が添加されたＡｌＩｎＡｓ半導体領域の少なくともいずれかを含むことができる。
【００６３】
活性層７ｃは、図４（Ｂ）に示されるように、多重量子井戸構造を有する。活性層７ｃは、第１のクラッド層３と第２のクラッド層５との間に配列された井戸層４５ａ、４５ｂ、４５ｃ、４５ｄおよびバリア層４７ａ、４７ｂ、４７ｃ、４７ｄ、４７ｄ、４７ｅを含む。井戸層４５ａ〜４５ｄおよびバリア層４７ａ〜４７ｅは、交互に配列されている。井戸層４５ａ〜４５ｄはアンドープ半導体層であるように形成される。バリア層４７ａ〜４７ｅの少なくとも１つは、炭素でドープされていることが好ましい。好適な実施例では、図４（Ｂ）に示された光半導体デバイス１ｃのように、全てのバリア層４７ａ〜４７ｅに炭素がドープされている。バリア層４７ａ〜４７ｅの一部または全てに炭素を添加することによって、微分利得が改善され、緩和振動周波数が高くなると共に、埋め込み領域の抵抗の低下が抑制される。
【００６４】
光半導体デバイス１ｃは、第１のクラッド層３と活性層７ｃとの間に設けられた光閉じ込め層４９ａを含むことができ、また第２のクラッド層５と活性層３ｃとの間に設けられた光閉じ込め層４９ｂを含むことができる。好適な実施例では、光閉じ込め層４９ａの一部または全部が炭素でドープされている。これによって、光半導体デバイスの発熱を小さくすることができる。
【００６５】
また、光半導体デバイス１ｃは、炭素元素が添加された第１のクラッド層３を有していれば、埋め込み領域内に含まれる鉄原子と第１のクラッド層３内の炭素原子の相互拡散が低減される。第１のクラッド層３への鉄元素の拡散が少なくできるので、第１のクラッド層３のキャリア濃度が小さくならない。また、第１のクラッド層３の炭素濃度の低下が抑えられるので、第１のクラッド層３の抵抗が上昇することを抑えることができる。さらに、埋め込み領域内の半導体層からの鉄元素の拡散が少なくでき第１のクラッド層３からの炭素元素の拡散が抑えられるので、埋め込み領域の抵抗が低下することを抑えることができる。
【００６６】
光半導体デバイス１ｃは、光半導体デバイス１と同様に、例えば、半導体層２３と、第３のクラッド層２９と、支持基体１３と、コンタクト層２１とを備えることができ、更に、絶縁膜２６と、電極２７と、電極３１とを備えることができる。
【００６７】
既にいくつかの実施の形態を説明したけれども、これらの実施の形態を組み合わせた変形例の光半導体デバイスを得ることもでき、例えば、一変形例の光半導体デバイスは、炭素が添加された光閉じ込め層と、炭素が添加されたバリア層とを含むことができる。
【００６８】
以上説明したように、本実施の形態の光半導体デバイス１ｃによれば、ｐ型の導電型の不純物と鉄原子との相互拡散が低減される。
【００６９】
（第４の実施の形態）
図５（Ａ）、図５（Ｂ）および図５（Ｃ）は、第４の実施の形態に係る光半導体デバイスを製造する方法を示す図面である。図６（Ａ）、図６（Ｂ）および図６（ｃ）は、第４の実施の形態に係る光半導体デバイスを製造する方法を示す図面である。図７（Ａ）および図７（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る光半導体デバイスを製造する方法を示す図面である。
【００７０】
図５（Ａ）に示されるように、基板５１を準備する。基板５１は、III−V化合物半導体基板であることができ、例えば、ｎ型ＩｎＰ基板である。ついで、基板５１の主面５１ａ上に、複数のIII−V化合物半導体膜を形成する。この形成は、例えば有機金属気相成長法を用いて行われる。本実施例では、基板５１上に、ｎ型III−V化合物半導体膜５３、活性層５５、炭素ドープIII−V化合物半導体膜５７およびキャップ膜５９を順に堆積する。ｎ型III−V化合物半導体膜５３は、例えばシリコンドープＩｎＰ半導体膜であることができ、活性層５５は、アンドープＩｎＧａＡｓＰ半導体膜５５であることができ、III−Vヒ素化合物半導体膜５７は、アルミニウム元素およびインジウム元素を更に含んでおり炭素元素が添加されたIII−Ｖ化合物半導体から成っており、例えばｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体膜およびｐ型ＡｌＩｎＡｓ半導体膜の少なくともいずれかであることができる。キャップ膜５９は、アルミニウムを含まないIII−V化合物半導体膜であることができ、例えばアンドープＩｎＰ半導体膜である。キャップ膜５９の膜厚は、０．２マイクロメートル程度である。活性層５５は、アンドープＡｌＧａＩｎＡｓ半導体膜であることができる。
【００７１】
炭素ドープIII−V化合物半導体膜５７は、ドーパント源として、例えばＣＢｒ４といった炭素元素を含むハロゲン化合物を用いて形成されることができる。このハロゲン化合物（ＣＢｒ４を含めて）の特徴は、例えば、次のようなものである。炭素濃度の制御性がよい。低濃度から高濃度まで、その濃度を制御することが可能である。高濃度の炭素を添加することが可能である。ＣＢｒ４は、高濃度でｐ導電型の炭素ドープＡｌＧａＩｎＡｓ半導体膜および炭素ドープＡｌＩｎＡｓ半導体膜を形成するために好適である。この膜の酸素濃度は、亜鉛ドーパントを用いて成膜した膜に比べて小さい。
【００７２】
図５（Ｂ）に示されるように、メサを形成するためのマスク層６０を形成する。マスク層６０は、シリコン窒化膜といった絶縁膜から成ることができる。マスク層６０を用いて、キャップ膜５９、炭素ドープIII−V化合物半導体膜５７、アンドープＩｎＧａＡｓＰ半導体膜５５、およびｎ型III−V化合物半導体膜５３を順にエッチングして、キャップ層５９ａ、炭素ドープIII−Vヒ素化合物半導体層５７ａ、活性層５５ａおよびｎ型III−V化合物半導体層５３ａを形成する。これによって、炭素ドープIII−Vヒ素化合物半導体層５７ａ、活性層５５ａおよびｎ型III−Vヒ素化合物半導体層５３ａを含むメサ７０ａが形成される。
【００７３】
図５（Ｃ）に示されるように、マスク層６０を用いて、半導体表面上に鉄ドープの埋め込み層６１を形成する。この結果、鉄ドープの第１の埋め込み膜６１が、キャップ層５９ａおよび炭素ドープIII−V化合物半導体層５７ａ上に形成され、また活性層５５ａ、ｎ型III−V化合物半導体層５３ａおよび基板５１上に形成される。鉄ドープの埋め込み膜６１は、例えば鉄ドープＡｌＩｎＡｓ半導体膜または鉄ドープＡｌＧａＩｎＡｓ半導体膜であることができる。次いで、シリコンドープの第２の埋め込み膜６３を形成する。第２の埋め込み膜６３は、例えば、ｎ型ＡｌＩｎＡｓ半導体膜またはｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体膜であることができる。続けて、保護膜６４を第２の埋め込み膜６３上に形成する。保護膜６４は、第１の埋め込み膜６１および第２の埋め込み膜６３が酸化されることを防止する。保護膜６４は、アルミニウムを含まないIII−V化合物半導体膜であることができ、例えばアンドープＩｎＰ半導体膜である。キャップ膜５９の膜厚は、０．１マイクロメートル程度である。
【００７４】
この後に、マスク層６０を除去すると共に、キャップ層５９ａおよび保護膜６４を除去する。半導体メサ７０ａおよび埋め込み領域の上面が露出される。第１および第２の埋め込み膜６１、６３並びに半導体メサ７０ａによって、半導体メサ７０ａの上面に沿って伸びる溝が形成される。
【００７５】
この方法では、炭素ドープの半導体層５７ａ上に鉄ドープの埋め込み膜６１を形成するので、鉄ドープの埋め込み膜６１の抵抗が低下することを抑えることができる。
【００７６】
図６（Ａ）に示されるように、マスク層６０、キャップ層５９ａおよび保護膜６４をエッチングした後に、ＣＢｒ４を用いて炭素ドープのIII−V化合物半導体膜６５をシリコンドープの第２の埋め込み膜６３およびメサ７０ａ上に形成する。III−V化合物半導体膜６５としては、例えばＡｌＧａＩｎＡｓ半導体膜およびＡｌＩｎＡｓ半導体膜の少なくともいずれかを用いることができる。III−V化合物半導体膜６５は、第１および第２の埋め込み膜６１、６３並びに半導体メサ７０ａによって形成される溝を埋め込み、III−V化合物半導体膜６５の表面はほぼ平坦になる。III−V化合物半導体膜６５の膜厚は、例えば１．８マイクロメートル程度である。
【００７７】
この方法では、鉄ドープの埋め込み膜上に炭素ドープのIII−V化合物半導体膜６５上を形成するので、鉄ドープの埋め込み膜の抵抗が低下することを抑えることができる。
【００７８】
ついで、III−V化合物半導体膜６５上に、コンタクト層を形成するための別のｐ型III−V化合物半導体膜６７を形成する。III−V化合物半導体膜６７は、例えば炭素でドープされていることができ、また、例えばＧａＩｎＡｓ半導体膜であることができる。III−V化合物半導体膜６７の厚さは、例えば０．５マイクロメートルである。
【００７９】
図６（Ｂ）に示されるように、メサを形成するためのマスク層６９を形成する。マスク層６９は、シリコン窒化膜といった絶縁膜から成ることができる。マスク層６９を用いて、ｐ型III−V化合物半導体膜６７、炭素ドープのIII−V化合物半導体膜６５、第２の埋め込み膜６３および第１の埋め込み膜６１を順にエッチングして、ｐ型III−V化合物半導体層６７ａ、炭素ドープのIII−V化合物半導体層６５ａ、第２の埋め込み層６３ａおよび第１の埋め込み層６１ａを形成する。これによって、ｐ型III−V化合物半導体層６７ａ、炭素ドープのIII−V化合物半導体層６５ａ、第２の埋め込み層６３ａ、第１の埋め込み層６１ａおよびメサ７０ａを含むメサ７０ｂが形成される。この後に、マスク層６９を取り除く。
【００８０】
図７（Ａ）に示されるように、メサ７０ｂおよび基板５１上に絶縁膜７１が形成される。絶縁膜７１としては、例えば、シリコン酸化膜を用いることができる。絶縁膜７１の厚さは、例えば０．１マイクロメートルである。
【００８１】
図７（Ｂ）に示されるように、メサ７０ｂ上に絶縁膜７１に開口を形成した後に、電極７３を形成する。電極７３は、絶縁膜７１上および開口７１ａ上に形成されている。また、基板５１の裏面に電極７５を形成する。上記の方法に基づいて、第１から第３の実施の形態に記載された光半導体デバイスを製造することができる。
【００８２】
以上説明したように、本実施の形態の光半導体デバイスを製造する方法によれば、拡散防止層を用いることの無くｐ型ドーパントおよび鉄原子の相互拡散が低減される光半導体デバイスが形成される。
【００８３】
本実施の形態に係る光半導体デバイスおよびその製造方法では、鉄ドープの半導体領域には炭素ドープｐ型半導体領域が接触しているので、炭素ドーパントの拡散距離は小さい。ｐ型ドーパントである亜鉛と鉄との相互拡散は従来の光半導体デバイスで問題であったけれども、この相互拡散は生じない。
【００８４】
また、本実施の形態に係る光半導体デバイスおよびその製造方法では、III−Ｖ化合物半導体基板としてｎ型ＩｎＰ基板を用いた場合について説明したが、ｐ型ＩｎＰ基板を用いることができ、更にはＧａＡｓ基板を用いてもよい。ＧａＡｓ基板を用いた場合、炭素ドープIII−Ｖ化合物半導体層として、例えばＡｌＧａＡｓ半導体膜を用いることができる。好適な実施例では、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体およびＡｌＩｎＡｓ半導体は、ＩｎＰに格子整合している。
【００８５】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではなく、本発明に係る光半導体デバイスは、例えば、レーザダイオード、半導体光増幅器、半導体光変調器、半導体光スイッチおよび光半導体集積素子のために用いることができる。また、本発明に係る光半導体デバイスは、例えば、発光ダイオードおよび垂直共振器半導体発光素子といった面発光型光半導体デバイスであってもよい。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】図１は、第１の実施の形態に係る光半導体デバイスを示す断面図である。
【図２】図２は、第１の実施の形態の光半導体デバイスの変形例を示す図面である。
【図３】図３は、ｐ型クラッド層が亜鉛ドーパントで添加された光半導体デバイスを示す。
【図４】図４（Ａ）は、第２の本実施の形態に係る光半導体デバイスを示す図面である。図４（Ｂ）は、第３の本実施の形態に係る光半導体デバイスを示す図面である。
【図５】図５（Ａ）、図５（Ｂ）および図５（Ｃ）は、第４の実施の形態に係る光半導体デバイスを製造する方法を示す図面である。
【図６】図６（Ａ）および図６（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る光半導体デバイスを製造する方法を示す図面である。
【図７】図７（Ａ）および図７（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る光半導体デバイスを製造する方法を示す図面である。
【符号の説明】
【００８７】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ…光半導体デバイス、３…第１のクラッド層、５…第２のクラッド層、７…活性層、１１…埋め込み層、１３…支持基体、２３…III−Ｖ化合物半導体層、２９…第３のクラッド層、１３…支持基体、１７、２５…メサ、２１…コンタクト層、２３…III−Ｖ化合物半導体層、２７…絶縁膜、２７…アノード電極、３１…カソード電極、５１…基板、５３…ｎ型III−Vヒ素化合物半導体膜、５５…活性層、５７…炭素ドープIII−Vヒ素化合物半導体膜、５９…マスク層、５７ａ…炭素ドープIII−Vヒ素化合物半導体層、５５ａ…活性層、５３ａ…ｎ型III−V化合物半導体層、６１…鉄ドープの埋め込み膜、６１ａ…第１の埋め込み層、６３…第２の埋め込み膜、６３ａ…第２の埋め込み層、６５…炭素ドープのIII−V化合物半導体膜、６５ａ…炭素ドープのIII−V化合物半導体層、６７…ｐ型III−V化合物半導体膜、６７ａ…ｐ型III−V化合物半導体層、６９…マスク層、７０ａ…メサ、７０ｂ…メサ、７１…絶縁膜、７３…電極、７５…電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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