(57)【要約】      （修正有）【課題】必要な部分のみに金属層を析出させるとともに、簡単な製造プロセスで配線を形成する。【解決手段】配線基板の製造方法は、基板１０の第１及び第２の領域１２，１４に、窒素原子を含む反応基を有する下地層前駆体を形成すること、光エネルギーを照射して、下地層前駆体から反応基を取り除くことによって、下地層２２を形成すること、下地層２２を下地として、基板１０の第１の領域１２に残るように、界面活性剤２８をパターニングすること、界面活性剤２８に触媒４２を設けること、触媒４２に金属層４６を析出させることによって、基板１０の第１の領域１２に沿って配線を形成する。【選択図】図８
2005286138.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板の第１及び第２の領域に、窒素原子を含む反応基を有する下地層前駆体を形成すること、
（ｂ）光エネルギーを照射して、前記下地層前駆体から前記反応基を取り除くことによって、下地層を形成すること、
（ｃ）前記下地層を下地として、前記基板の前記第１の領域に残るように、界面活性剤をパターニングすること、
（ｄ）前記界面活性剤に触媒を設けること、
（ｅ）前記触媒に金属層を析出させることによって、前記基板の前記第１の領域に沿って配線を形成すること、
を含む配線基板の製造方法。
【請求項２】
（ａ）基板の第１及び第２の領域に、窒素原子を含む反応基を有する下地層前駆体を形成すること、
（ｂ）光エネルギーを照射して、前記下地層前駆体から前記反応基を取り除くことによって、下地層を形成すること、
（ｃ）前記下地層を下地として、前記基板の前記第１の領域に残るように、界面活性剤をパターニングすること、
（ｄ）前記下地層における前記界面活性剤からの開口部に、触媒を設けること、
（ｅ）前記触媒に金属層を析出させることによって、前記基板の前記第２の領域に沿って配線を形成すること、
を含む配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の配線基板の製造方法において、
前記（ｂ）工程で、前記反応基を取り除くことによって、前記下地層を陰極に帯電させ、
前記（ｃ）工程で、前記界面活性剤として、陽極となるカチオン系界面活性剤をパターニングする配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の配線基板の製造方法において
前記（ｂ）工程で、前記光エネルギーとして、真空紫外放射を照射する配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記下地層前駆体は、有機シラン化合物からなる配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の配線基板の製造方法において、
前記（ｂ）工程で、前記有機シラン化合物を酸化させる配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）前記下地層を下地として、前記基板の前記第１及び第２の領域に残るように、前記界面活性剤を設けること、
（ｃ２）前記界面活性剤のうち前記基板の前記第２の領域にオーバーラップする領域を、光エネルギーの照射によって除去すること、
を含む配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の配線基板の製造方法において、
前記（ｃ２）工程で、前記光エネルギーとして、真空紫外放射を照射する配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記（ｃ）工程で、前記界面活性剤となる液状材料を、前記下地層を下地として、前記基板の前記第１の領域に残るように吐出する配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の配線基板の製造方法を含み、
前記配線基板に集積回路を有する半導体チップを実装し、前記配線基板を回路基板に実装することをさらに含む電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル基板に配線を形成する方法として、サブトラクティブ法やアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法では、フレキシブル基板の全面に金属層を形成し、金属層上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストをバリヤとして金属層をエッチングする。アディティブ法では、フレキシブル基板上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストからの開口部にめっき処理によって金属層を析出させる。
【０００３】
これらの方法によれば、フォトレジストを最終的に除去する点、さらにサブトラクティブ法では金属層の一部を除去する点において、資源及び材料の消費が課題となっていた。また、フォトレジストの形成及び除去工程が必要となるので、製造工程数が多いことが課題となっていた。さらに、配線の寸法精度がフォトレジストの解像度に依存するため、より高精度の配線を形成するには限界があった。
【０００４】
本発明の目的は、必要な部分のみに金属層を析出させるとともに、簡単な製造プロセスで配線を形成することにある。
【特許文献１】特開平７−２６３８４１号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）本発明に係る配線基板の製造方法は、
（ａ）基板の第１及び第２の領域に、窒素原子を含む反応基を有する下地層前駆体を形成すること、
（ｂ）光エネルギーを照射して、前記下地層前駆体から前記反応基を取り除くことによって、下地層を形成すること、
（ｃ）前記下地層を下地として、前記基板の前記第１の領域に残るように、界面活性剤をパターニングすること、
（ｄ）前記界面活性剤に触媒を設けること、
（ｅ）前記触媒に金属層を析出させることによって、前記基板の前記第１の領域に沿って配線を形成すること、
を含む。本発明によれば、下地層前駆体を光エネルギーの照射によって下地層に形成し、下地層に界面活性剤をパターニングする。これによって、基板上に触媒の吸着領域と非吸着領域を形成することができ、触媒及び金属層を、所定のパターニング形状に沿って、必要な部分のみに形成することができる。さらに、フォトレジストの形成及び除去工程を省略することができるので、簡単な製造プロセスで配線を形成することができる。
（２）本発明に係る配線基板の製造方法は、
（ａ）基板の第１及び第２の領域に、窒素原子を含む反応基を有する下地層前駆体を形成すること、
（ｂ）光エネルギーを照射して、前記下地層前駆体から前記反応基を取り除くことによって、下地層を形成すること、
（ｃ）前記下地層を下地として、前記基板の前記第１の領域に残るように、界面活性剤をパターニングすること、
（ｄ）前記下地層における前記界面活性剤からの開口部に、触媒を設けること、
（ｅ）前記触媒に金属層を析出させることによって、前記基板の前記第２の領域に沿って配線を形成すること、
を含む。本発明によれば、下地層前駆体を光エネルギーの照射によって下地層に形成し、下地層に界面活性剤をパターニングする。これによって、基板上に触媒の吸着領域と非吸着領域を形成することができ、触媒及び金属層を、所定のパターニング形状に沿って、必要な部分のみに形成することができる。さらに、フォトレジストの形成及び除去工程を省略することができるので、簡単な製造プロセスで配線を形成することができる。
（３）この配線基板の製造方法において、
前記（ｂ）工程で、前記反応基を取り除くことによって、前記下地層を陰極に帯電させ、
前記（ｃ）工程で、前記界面活性剤として、陽極となるカチオン系界面活性剤をパターニングしてもよい。これによれば、陰極の下地層に、陽極の界面活性剤をパターニングするので、静電引力による触媒の吸着領域と非吸着領域を形成することができる。
（４）この配線基板の製造方法において
前記（ｂ）工程で、前記光エネルギーとして、真空紫外放射を照射してもよい。
（５）この配線基板の製造方法において、
前記下地層前駆体は、有機シラン化合物から構成されてもよい。
（６）この配線基板の製造方法において、
前記（ｂ）工程で、前記有機シラン化合物を酸化させてもよい。
（７）この配線基板の製造方法において、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）前記下地層を下地として、前記基板の前記第１及び第２の領域に残るように、前記界面活性剤を設けること、
（ｃ２）前記界面活性剤のうち前記基板の前記第２の領域にオーバーラップする領域を、光エネルギーの照射によって除去すること、
を含んでもよい。これによれば、下地層の形成工程と同様に、界面活性剤のパターニング工程にも光エネルギーを使用するので、製造プロセスの簡単かつ効率的である。
（８）この配線基板の製造方法において、
前記（ｃ２）工程で、前記光エネルギーとして、真空紫外放射を照射してもよい。
（９）この配線基板の製造方法において、
前記（ｃ）工程で、前記界面活性剤となる液状材料を、前記下地層を下地として、前記基板の前記第１の領域に残るように吐出してもよい。これによって、界面活性剤を必要な部分のみに形成することができるので、材料の無駄を少なくすることができる。また、界面活性剤のパターニングにおいても、フォトレジストの形成及び除去工程を省略することができるので、簡単な製造プロセスで配線を形成することができる。
（１０）本発明に係る電子デバイスの製造方法は、上記配線基板の製造方法を含み、
前記配線基板に集積回路を有する半導体チップを実装し、前記配線基板を回路基板に実装することをさらに含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００７】
図１〜図９は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっきを適用して配線基板を製造する。
【０００８】
基板１０は、有機系の材料から構成され、例えばプラスチック基板（樹脂基板）であってもよい。プラスチック基板は、例えば、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネイト、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレートなどの材質から構成されていてもよい。プラスチック基板では、微量に含まれる添加成分や表面処理により、同一材質であっても触媒の吸着性が異なることがあるので、本発明を適用すると効果的である。
【０００９】
基板１０は、フレキシブル基板（例えば厚さ２５〜１００μｍ）であってもよい。フレキシブル基板としては、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）と呼ばれるものや、ＣＯＦ（Chip On Film）用基板又はＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用基板が挙げられる。
【００１０】
変形例として、基板１０は、無機系の材料（例えばガラス基板又はセラミック基板）から構成されていてもよいし、有機系及び無機系の複合材料（例えばガラスエポキシ基板）から構成されていてもよい。
【００１１】
本実施の形態では、基板１０の一方の面に配線を形成するが、変形例として、基板１０の両方の面に配線を形成してもよい。基板１０は、第１及び第２の領域１２，１４を有する（図５参照）。第１及び第２の領域１２，１４は、いずれも、基板１０の配線形成面の領域である。配線は、第１及び第２の領域１２，１４のいずれか一方の領域のみに形成される。
【００１２】
図１に示すように、基板１０のクリーニング工程を行う。基板１０をウエット洗浄してもよい。例えば、基板１０を洗浄液（例えばアルカリ溶液）１６に浸漬する。具体的には、基板１０を水酸化ナトリウム（濃度１ｗｔ％〜１０ｗｔ％）に室温状態で２分〜１５分程度浸漬し、その後水洗する。クリーニング工程によって、基板１０の表面に付着している油脂などの汚れを除去してもよい。また、基板１０の表面粗化処理を行ってもよい。さらには、基板１０の表面を撥水性から親水性に変化させてもよい。例えば、ポリイミド基板であれば、水酸化ナトリウムによる１０分程度の洗浄によって、表面を親水性に変化させることができる。これらによれば、基板１０に対する配線の密着力が向上する。
【００１３】
変形例として、基板１０をドライ洗浄してもよい。例えば、基板１０の第１及び第２の領域１２，１４に、光エネルギーを照射する。光エネルギーとして、後述の真空紫外放射を照射してもよい。具体的には、波長１７２ｎｍの真空紫外放射ランプ（出力１０ｍＷランプ／試料間距離１ｍｍ）を、窒素雰囲気下において、３０秒〜１８０秒間照射してもよい。
【００１４】
図２に示すように、基板１０の第１及び第２の領域１２，１４に、下地層前駆体１８を形成する。下地層前駆体１８は、基板１０の全面に形成してもよい。下地層前駆体１８は、有機化合物からなり、窒素原子を含む反応基を有する。窒素原子を含む反応基としては、アミノ基又はアンモニウム基などのすでに公知のものが該当する。下地層前駆体１８は、界面活性剤であってもよい。カチオン系界面活性剤（カチオン界面活性剤及びそれと同等の性質を有するもの）には、窒素原子を含む反応基を有するものが多い。下地層前駆体１８は、有機シラン化合物（窒素原子を含む反応基を有する）であってもよい。例えば、基板１０を、アミノシラン系成分を含む水溶性界面活性剤（テクニックジャパン（株）ＦＰＤコンディショナー）の溶液２０に浸漬させる。基板１０は、溶液２０から取り出した後に、超純水で洗浄し、室温下で自然乾燥又は圧縮空気を吹き付けて乾燥させる。こうして、有機シラン化合物の下地層前駆体１８を形成してもよい。
【００１５】
変形例として、下地層前駆体１８をカップリング剤から形成してもよい。カップリング剤は、窒素原子を含む反応基を有する。カップリング剤は、有機シラン化合物であってもよい。
【００１６】
図３に示すように、下地層前駆体１８から窒素原子を含む反応基を取り除くことによって、下地層２２を形成する。下地層前駆体１８の全部を下地層２２にしてもよい。下地層前駆体１８から取り除かれる一部（例えばアンモニウム基（ＮＨ４＋））が陽極に帯電する場合には、下地層２２は陰極に帯電する。
【００１７】
下地層２２の形成方法としては、下地層前駆体１８の全面に光エネルギーを照射することによって行う。すなわち、光エネルギーを照射することによって、窒素原子を含む反応基と、有機化合物との分子間結合を分解する。光エネルギーの照射によって、下地層前駆体１８の有機成分を分解除去してもよい。なお、光エネルギーは、可視放射、紫外放射、真空紫外放射、Ｘ放射などのいずれであってもよく、その波長帯域は限定されない。
【００１８】
下地層前駆体１８を酸化させてもよい。例えば、光エネルギーとして、紫外放射（例えば波長２５０ｎｍ〜３２０ｎｍ）を照射することによって、有機シラン化合物から酸化シリコンを生成してもよい。すなわち、基板１０上に無機化合物（無機シラン化合物）からなる層を形成してもよい。
【００１９】
本実施の形態では、光エネルギーとして、真空紫外放射（ＶＵＶ；vacuum ultraviolet radiation）２４を照射する。真空紫外放射２４の波長は、１００ｎｍ〜２００ｎｍ（例えば１００ｎｍ〜１８０ｎｍ）であってもよい。光源２６として、Ｘｅガスが封入されたエキシマランプを使用してもよい（波長１７２ｎｍ）。ランプを使用すれば、レーザ生成のための集光レンズ及びレーザによるスキャン時間が不要となるので、製造プロセスの簡略化を図ることができる。また、波長が小さいので、光の照射出力を抑えることができる。さらに、熱に対する負荷が緩和されるので、基板１０の材質選択の自由度が広がる。
【００２０】
具体的には、波長１７２ｎｍの真空紫外放射ランプ（出力１０ｍＷランプ／試料間距離１ｍｍ）を、窒素雰囲気下において、５分〜１５分間照射してもよい。真空紫外放射２４照射後、基板１０の第１及び第２の領域１２，１４には、下地層２２が残留している。
【００２１】
次に、下地層２２を下地として、基板１０の第１の領域１２に残るように、界面活性剤２８をパターニングする。界面活性剤２８は、溶液中において、陽極となる（陽イオン化する）性質を有してもよい。例えば、界面活性剤２８は、カチオン系界面活性剤（カチオン界面活性剤及びそれと同等の性質を有するもの）であってもよい。界面活性剤２８は、下地層前駆体１８と同一材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。下地層２２が陰極である場合、陽極となる界面活性剤２８をパターニングすることによって、界面活性剤２８が残る領域（第１の領域１２）では陽極が形成され（又は下地層２２の陰極が中和され）、界面活性剤２８が残らない領域（第２の領域１４）では陰極のままとなる。
【００２２】
パターニング方法としては、まず、下地層２２を下地として、基板１０の第１及び第２の領域１２，１４に残るように、界面活性剤２８を設ける。図４に示すように、基板１０を界面活性剤溶液（例えばアルキルアンモニウム系やアミン系の溶液）３０に、例えば１分間浸漬させてもよい。基板１０は、界面活性剤溶液３０から取り出した後に、超純水で洗浄し、室温下で自然乾燥又は圧縮空気を吹き付けて乾燥させる。その後、図５に示すように、界面活性剤２８のうち基板１０の第２の領域１４にオーバーラップする領域を、光エネルギーの照射によって除去する。これによれば、下地層２２の形成工程と同様に、界面活性剤２８のパターニング工程にも光エネルギーを使用するので、製造プロセスが簡単かつ効率的である。ここでの光エネルギーは、下地層２２を形成するための光エネルギーと同一であってもよいし、異なっていてもよい。それぞれの光エネルギーが同一であれば、界面活性剤２８のパターニングで照射する光エネルギーが下地層２２に照射されても、下地層２２の性質は変わることがないので、製造プロセスの安定化を図ることができる。
【００２３】
本実施の形態では、光エネルギーとして、真空紫外放射２４を照射する。真空紫外放射２４は、下地層２２の形成工程の説明から導き出すことができる内容を含む。ただし、本工程では、マスク３２を使用する。詳しくは、光源２６と基板１０との間にマスク３２を配置し、マスク３２を介して真空紫外放射２４を基板１０に対して照射する。マスク３２は、フォトマスクであってもよいし、メタルマスクであってもよい。例えば、マスク３２として、真空紫外放射用高純度石英ガラス（真空紫外放射の透過率８０％以上）に、クロムによるパターンが形成されたものを使用する。マスク３２は、基板１０（界面活性剤２８）に密着させてもよい。真空紫外放射２４は、マスク３２のパターン３４によって遮蔽され、それ以外の領域を透過する。パターン３４は、第１の領域１２にオーバーラップし、第２の領域１４を開口している。光源２６、マスク３２及び基板１０は、窒素雰囲気下に配置してもよい。窒素雰囲気下であれば、真空紫外放射２４は減衰することなく、１０ｍｍ程度の距離まで照射される。光源２６は、可能な限り基板１０に接近させる（例えば１０ｍｍ以下）。光源２６としては、例えば、エキシマＶＵＶ／０３洗浄装置（メーカー名；ウシオ電機株式会社、型番；ＵＥＲ２０−１７２Ａ／Ｂ、ランプ仕様；Ｘｅガスを封入した誘電体バリア放電エキシマランプ）を使用する。具体的には、波長１７２ｎｍの真空紫外放射ランプ（出力１０ｍＷランプ／試料間距離１ｍｍ）を、窒素雰囲気下において、１８０秒〜６００秒間照射してもよい。
【００２４】
真空紫外放射２４の照射後、図６に示すように、基板１０の洗浄工程（例えばウエット洗浄工程）を行ってもよい。例えば、基板１０を洗浄液（例えばアルカリ溶液）３６に浸漬する。こうして、界面活性剤２８のうち真空紫外放射２４が照射された部分（第２の領域１４の上方）を除去することができる。
【００２５】
パターニング方法の変形例として、図９に示すように、界面活性剤２８となる液状材料３８を、下地層２２を下地として、基板１０の第１の領域１２に残るように吐出してもよい。すなわち、液状材料３８を、下地層２２のうち基板１０の第１の領域１２の上方のみに付着するように吐出する。これによって、界面活性剤２８を必要な部分のみに形成することができるので、材料の無駄を少なくすることができる。また、フォトレジストの形成及び除去工程を省略することができるので、製造プロセスが簡単である。液滴吐出方式は、インクジェット方式であってもよい。インクジェット方式によれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することによって、高速かつ液状材料３８を無駄なく経済的に設けることができる。インクジェットヘッド（液滴吐出部４０）としては、圧電素子を用いたピエゾジェットタイプ、あるいは、エネルギー発生素子として電気熱変換体を用いたバブルジェット（登録商標）タイプなどを使用することができる。
【００２６】
パターニング方法の他の変形例として、印刷方式（例えばスクリーン印刷方式）を適用することによって、界面活性剤２８をパターニングしてもよい（図示しない）。詳しくは、下地層２２上に、基板１０の第１の領域１２のみにオーバーラップする印刷マスクを配置し、印刷マスクからの開口（第２の領域１４の上方）に、界面活性剤２８となる液滴材料を充填してもよい。
【００２７】
図７に示すように、触媒４２を設ける。触媒４２は、無電解めっき液中で金属層（めっき層）の析出を誘発するものであり、例えばパラジウムであってもよい。
【００２８】
本実施の形態では、触媒４２を、界面活性剤２８（第１の領域１２）に残るように設ける。具体的には、基板１０をスズ−パラジウムコロイド触媒液４４に浸漬させることによって、スズ−パラジウムコロイド粒子を界面活性剤２８に吸着させてもよい。スズ−パラジウムコロイド粒子は、陰イオン化しているので、下地層２２（陰極）には吸着されずに、界面活性剤（陽極）２８に吸着する。その後、触媒活性化のために、基板１０をホウフッ化酸溶液に浸漬させることによって、スズコロイド粒子を除去する。こうして、界面活性剤２８に、パラジウム（触媒４２）のみを残すことができる。
【００２９】
変形例として、触媒を、下地層２２における界面活性剤２８からの開口部（第２の領域１４）に残るように設けてもよい。具体的には、基板１０を塩化スズ（II）溶液に浸漬させることによって、下地層２２にスズイオン（Ｓｎ２＋）を吸着させる。その後に、基板１０を塩化パラジウム触媒液に浸漬させることによって、下地層２２にパラジウム（触媒）を残すことができる。
【００３０】
図８に示すように、触媒４２に金属層４６を析出させる。本実施の形態では、触媒４２は第１の領域１２に沿って残されているので、金属層４６を第１の領域１２に沿って形成することができる。こうして、金属層４６からなる配線を第１の領域１２に沿って形成することができる。あるいは、変形例に示すように、触媒を第２の領域１４に沿って残す場合には、金属層４６を第２の領域１４に沿って形成することができる。金属層４６は、１層から形成してもよいし、複数層から形成してもよい。金属層４６の材料は限定されず、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ｎｉ＋Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ＋Ｃｕ、Ｎｉ＋Ａｕ＋Ｃｕのいずれかであってもよい。金属層４６の材料は、触媒４２の材料に応じて決められる。
【００３１】
基板１０を無電解めっき液４８に浸漬させることによって、触媒４２に金属層４６を析出させることができる。無電解めっき液４８として、硫酸ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを使用してもよい。例えば、基板１０をこのような無電解めっき液４６（温度８０℃）に１分〜３分間浸漬することによって、０．１μｍ〜０．２μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。あるいは、無電解めっき液４８として、塩化ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを使用してもよい。例えば、基板１０をこのような無電解めっき液４６（温度６０℃）に３分〜１０分間浸漬することによって、０．１μｍ〜０．２μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。
【００３２】
本実施の形態によれば、下地層前駆体１８を光エネルギーの照射によって下地層２２に形成し、下地層２２に界面活性剤２８をパターニングする。これによって、基板１０上に触媒４２の吸着領域と非吸着領域を形成することができる。例えば、陰極の下地層２２に、陽極の界面活性剤２８をパターニングすることによって、静電引力による触媒４２の吸着領域と非吸着領域を形成することができる。その結果、触媒４２及び金属層４６を、所定のパターニング形状に沿って、必要な部分のみに形成することができる。さらに、フォトレジストの形成及び除去工程を省略することができるので、簡単な製造プロセスで配線を形成することができる。
【００３３】
図１０は、本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図であり、詳しくは、配線基板を有する電子デバイスの一例が示されている。
【００３４】
配線基板１には、金属層（図１０では省略）が形成されている。集積回路を有する半導体チップ５０を配線基板１に（例えばフェースダウン）実装してもよい。半導体チップ５０（集積回路）は、金属層に電気的に接続されている。こうして、半導体チップ５０及び配線基板１を含む半導体装置３を製造することができる。その後、配線基板１（半導体装置３）を回路基板５２に電気的に接続する。こうして、電子デバイスを製造することができる。なお、配線基板１は矢印に示すように屈曲させてもよい。
【００３５】
回路基板５２が電気光学パネルである場合、電子デバイスは電気光学装置である。電気光学装置は、液晶装置、プラズマディスプレイ装置、エレクトロルミネセンスディスプレイ装置などであってもよい。
【００３６】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態の変形例に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０…基板  １２…第１の領域  １４…第２の領域  １８…下地層前駆体
２２…下地層  ２４…真空紫外放射  ２８…界面活性剤  ４２…触媒
４６…金属層  ５０…半導体チップ  ５２…回路基板
【図１】
2005286138.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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