(57)【要約】【課題】樹脂封止の後に外部電極を半導体チップの電極に繋いで形成するに於いて、半導体チップの電極上面にも封止樹脂が被着するので、該電極上面の封止樹脂を切削除去するが、その際半導体チップにストレスが掛って損傷を与える懸念があるので、半導体チップにストレスを与えない製造方法を提供すること。【解決手段】表面側保護絶縁層５を感光性樹脂とする事で表面電極２上部にフォトリソグラフィにて開口孔５ａを形成できるので半導体チップ１ａに物理的ストレスを掛ける事がなくなる。【選択図】図１
2005322774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏に電極を有する半導体ウェハを該半導体ウェハに造り込まれた夫々の素子毎に分割して個別の半導体チップとするウェハカット工程と、
前記半導体チップを保護絶縁層で覆う保護絶縁層形成工程と、
前記保護絶縁層に開口孔を設ける開口孔形成工程と、
前記保護絶縁層を切削カットして各々中間生成物に分離する切削カット工程と、
前記中間生成物の有する前記半導体チップと電気的導通を取る外部電極を形成する外部電極形成工程とから成り、
前記保護絶縁層形成工程は、感光性樹脂から成る保護絶縁層を前記半導体チップの表面電極が形成された面と該表面電極が形成された面の四辺から延在する側面とを前記表面電極を共に覆って保護絶縁層を形成し、
更に、感光性樹脂から成る保護絶縁層を前記半導体ウェハの裏面電極を覆って保護絶縁層を形成し、
前記開口孔形成工程は、前記感光性樹脂から成る前記保護絶縁層をフォトリソグラフィを利用して選択的部分に前記開口孔を設けて、前記半導体チップの前記表面電極及び、前記半導体ウェハの裏面電極を露出させ、
前記切削カット工程は、前記半導体チップ同士の前記側面間の中央に位置する前記保護絶縁層の表面から裏面までを前記半導体チップに沿って縦横に切削カットして各々中間生成物に分離し、
前記外部電極形成工程は、前記中間生成物の有する前記半導体チップと電気的導通を取るために、前記保護絶縁層の前記開口孔の形成された面と該開口孔が形成された面の四辺から延在する側面の端面にかけてを導電性ペーストに浸漬塗布して、該導電性ペーストが前記開口孔にも入り込んで前記半導体チップの電極に接続され、しかる後に前記導電性ペーストを乾燥硬化させて前記半導体チップと電気的導通を取った外部電極とする事を特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子装置の小型化、薄型化、軽量化により、電子装置に組み込まれる半導体装置は高密度で実装が行われており、半導体装置には小型化、薄型化、軽量化および低価格化の要求が強くなっている。これまで半導体装置の小型化、薄型化、軽量化を実現するために、その構成材料のサイズの縮小や構成の新規化、簡略化、さらに工程の簡略化、低コスト化などの工夫がなされてきた。その中でもウェハ状態においてパッケージ工程を行う工法が考えられている。
【０００３】
従来の半導体装置及び半導体装置の製造方法として、ウェハの上方より樹脂を覆い被せて、該ウェハの上面及び側面に樹脂から成る保護層を設けて、しかる後にウェハの電極面上の樹脂を切削除去し、外部電極を形成するものが有った（例えば、特許文献１、２、３ 参照）。
【０００４】
図４は、前記特許文献１に記載された従来の半導体装置と製造方法を示すものである。
【０００５】
図４に於いて１０１は半導体ウェハ、１０２は導電性接着剤、１０３は金属板、１０４ はダイシングフィルム、１０５は半導体チップ、１０５ａは切削溝、１０６は保護絶縁層、１０７は切削カット部を各々示しており、図４（ａ）は完成品、図４（ｂ）〜（ｇ）は製造過程の断面である。
【０００６】
従来の半導体装置は図４（ａ）に示す様に半導体チップ１０５の側面が保護絶縁層１０６で覆われた直方体状であり、その上面と底面には外部端子である金属板１０３が半導体チップ１０５の電極面に電気的に導通に設けられた面実装タイプのパッケージである。次に、その製造過程としてはまず図４（ｂ）に示す半導体ウェハ１０１の一方の面に金属板１０３を導電性接着剤１０２を用いて貼り付ける。次に、前記金属板１０３とダイシングフィルム１０４とを対向させて貼り合わせる（図４（ｃ））。次に、半導体ウェハ１０１を規定のラインに沿って規定の幅でフルカット状に縦横にダイシングを行って切削溝１０５ａを入れて半導体ウェハ１０１を個別の半導体チップ１０５ とする（図４（ｄ））。次に、各々半導体チップ１０５間に絶縁物を充填して硬貨させる事によって半導体チップ１０５の側面を覆う保護絶縁層１０６とする（図４（ｅ））。次に、前記図４（ｂ）で金属板１０３を貼り付けた面と反対側の面にも金属板１０３を導電性接着剤１０２を用いて貼り付ける（図４（ｆ））。最後に、図４（ｇ）に示す様に各々半導体チップ１０５間の中央部を縦横にダイシングフィルム１０４を残した他の層をフルカット状にダイシングを行った後にダイシングフィルム１０４を剥離して個別の半導体装置としていた（図４（ａ））。
【０００７】
図５は、前記特許文献２に記載された従来の半導体装置の製造方法を示すものである。
【０００８】
図５に於いて、２０１はウェハ、２０２はバンプ電極、２０３は第一の下型、２０４ は第二の下型、２０５は上型、２０６は封止樹脂、２０７はフィルムを各々示しており、図５（ａ）に示されるように、バンプ電極２０２が形成されたウェハ２０１を第一の下型２０３と第二の下型２０４および上型２０５を持つモールド用の金型の下型に設置する。また、ウェハ２０１と上型の間にはウェハから封止樹脂２０６、フィルム２０７の順に設置されている。
【０００９】
続いて、図５（ｂ）は樹脂封止工程の終了状態を示している。上型２０５がフィルム２０７を介して封止樹脂２０６を均一にバンプ電極２０２の間を埋め、バンプ電極２０２ がフィルム２０７にめり込むように加圧する。
【００１０】
次に、図５（ｃ）に示されるように、金型よりウェハ２０１を取り外す。続いて、図５（ｄ）に示されるようにフィルム２０７をウェハ１より取り外す。
【００１１】
最後に、ウェハ２０１をダイシングにより分割をすることにより、半導体装置を形成する。
【００１２】
図６は、前記特許文献３に記載された従来の半導体装置の製造方法を示すものである。
【００１３】
図６に於いて、３０１はウェハ、３０２は表面電極、３０３は表面保護膜、３０４はバンプ電極、３０５は封止樹脂、３０６ははんだボールを各々示しており、 図６（ａ）に示すように、ウェハ３０１の表面に表面電極３０２および表面保護膜３０３を形成し、さらに該表面電極３０２上にバンプ電極３０４を形成する。また、バンプ電極３０４を形成後に該バンプ電極３０４の高さの均一性を得るために加圧する。次に、図６（ｂ）に示すように、表面保護膜３０３上面に封止樹脂３０５を被着し、ホットプレスにより押圧することにより、バンプ電極３０４が封止樹脂３０５から露出するように形成する。このとき、バンプ電極３０４上を封止樹脂３０５が覆うことがあり、この封止樹脂３０５を除去するために、適切な処理が必要である。さらに、図６（ｃ）に示されるように、バンプ電極３０４上にはんだボール３０６を形成して外部電極とする。最後に、ウェハ３０１をダイシングにより分割をすることにより、半導体装置を形成する。
【特許文献１】特開２０００−７７４５０号公報
【特許文献２】特開２０００−２９４５７８号公報
【特許文献３】特開２００２−３１３９８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、前記従来の構成では封止樹脂をウェハの表面に押圧または塗布する際にウェハ表面に設けられた電極の上にも封止樹脂の層が形成される事が避けられない為、電極の上に外部電極を形成するための事前の処理として、電極の上に形成された封止樹脂の層を切削除去する必要が有った。この処理は、ウェハの表面との間にわずかな間隙を保って封止樹脂の切削を行う必要があり、ウェハの表面に対して応力やダメージを与えてウェハ表面や表面の保護膜に損傷が発生して半導体装置としての信頼性を損なうという問題が有った。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
表裏に電極を有する半導体ウェハを該半導体ウェハに造り込まれた夫々の素子毎に分割して個別の半導体チップとするウェハカット工程と、半導体チップを保護絶縁層で覆う保護絶縁層形成工程と、保護絶縁層に開口孔を設ける開口孔形成工程と、保護絶縁層を切削カットして各々中間生成物に分離する切削カット工程と、中間生成物の有する半導体チップと電気的導通を取る外部電極を形成する外部電極形成工程とから成る半導体装置の製造方法であり、
保護絶縁層形成工程は、感光性樹脂から成る保護絶縁層を半導体チップの表面電極が形成された面と該表面電極が形成された面の四辺から延在する側面とを表面電極を共に覆って保護絶縁層を形成する半導体装置の製造方法であり、
保護絶縁層形成工程は、感光性樹脂から成る保護絶縁層を半導体ウェハの裏面電極を覆って保護絶縁層を形成する半導体装置の製造方法であり、
開口孔形成工程は、感光性樹脂から成る保護絶縁層をフォトリソグラフィを利用して選択的部分に開口孔を設けて、半導体チップの表面電極又は、半導体ウェハの裏面電極を露出させる半導体装置の製造方法であり、
切削カット工程は、半導体チップ同士の側面間の中央に位置する保護絶縁層の表面から裏面までを半導体チップに沿って縦横に切削カットして各々中間生成物に分離する半導体装置の製造方法であり、
外部電極形成工程は、中間生成物の有する半導体チップと電気的導通を取るために、保護絶縁層の開口孔の形成された面と該開口孔が形成された面の四辺から延在する側面の端面にかけてを導電性ペーストに浸漬塗布して、該導電性ペーストが開口孔にも入り込んで半導体チップの電極に接続され、しかる後に導電性ペーストを乾燥硬化させて半導体チップと電気的導通を取った外部電極とする半導体装置の製造方法。
【００１６】
本構成によって、半導体チップにストレスが掛る事なく、信頼性の高い半導体装置の製造方法とすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップに形成された電極を露出させるに於いて、半導体チップを覆う保護絶縁層を機械的に切削する必要が無くなるので、半導体チップに物理的ストレスが掛らなくなって、半導体チップに対する損傷が根絶出来るので信頼性の高い半導体装置の製造方法とできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１９】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における半導体装置と製造方法を示すものである。図１ において、１は半導体ウェハ、１ａは半導体チップ、１ｂは切削溝、２は表面電極、３は裏面電極、４はダイシングフィルム、５は表面側保護絶縁層、５ａは開口孔、６は切削カット部、７は外部電極を各々示しており、図１（ａ）は完成品、図１（ｂ）〜（ｆ）は製造過程の断面である。
【００２０】
本実施形態の半導体装置は図１（ａ）に示すように直方体のパッケージの上面又は底面である両端に導電性ペーストから成る外部電極７を有し、該外部電極７はパッケージ上面又は底面の全面と該上面又は底面から延在する四面の側面の端面にかけて連続に延在して形成され、パッケージ内部に半導体チップ１ａを有し、該半導体チップ１ａは、パッケージの上面又は底面に対して表面電極２の側又は裏面電極３の側を対向させ、パッケージの各々四面の側面に半導体チップ１ａの各々四面の側面を対向させた方向に内蔵され、半導体チップ１ａの四方側面と表面電極２の側とを感光性絶縁樹脂から成る表面側保護絶縁層５で覆い、表面電極２の上部の表面側保護絶縁層５の一部に開口孔５ａを設け、外部電極７は、開口孔５ａにも充填されて半導体チップ１ａの表面電極２と、または半導体チップ１ａの裏面電極３を介して半導体チップ１ａとの電気的導通が取られている。
【００２１】
次に、図１（ｂ）〜（ｆ）に示した製造過程の断面を順に説明する。
【００２２】
図１（ｂ）に示すのは半導体ウェハ１であり、その表面には該半導体ウェハ１内に造り込まれた個別の半導体素子領域（図示せず）の夫々に対応したアルミ等から成る表面電極２が設けられており、半導体ウェハ１の共通基板である裏面側全面に裏面電極３が設けられている。
【００２３】
図１（ｃ）はウェハカット工程として、半導体ウェハ１の裏面電極３とダイシングフィルム４とを対向させて貼り合わせた後に半導体ウェハ１内に造り込まれた個別の半導体素子領域に沿って該半導体ウェハ１と裏面電極３とを共に縦横に切削溝１ｂを入れて各々の半導体チップ１ａに分割した状態である。
【００２４】
図１（ｄ）は保護絶縁層形成工程として、各々半導体チップ１ａと裏面電極３とをあわせた切削溝１ｂ及び半導体チップ１ａの表面電極２を含む表面側を覆う様に感光性有機樹脂から成る表面側保護絶縁層５を所定の厚さに形成した状態である。
【００２５】
図１（ｅ）は開口孔形成工程として、開口孔５ａを後に覆う外部電極７で後に覆われ、かつ表面電極２の上に当たる位置の表面保側護絶縁層５に表面電極２が露出する様に開口孔５ａを形成した状態である。本実施の形態では表面側保護絶縁層５に感光性有機樹脂を用いている為、一般に半導体プロセスに採用されるフォトリソグラフィ技術を使用することで表面側保護絶縁層５の選択的硬化と共に開口孔５ａを得る事ができる。
【００２６】
図１（ｆ）は切削カット工程として、各々の半導体チップ１ａの側面間の表面側保護絶縁層５の表面から裏面にかけてまでを完全に縦横にダイシングした切削カット部６により所定サイズの直方体状の中間生成物に個別に分割された状態である。
【００２７】
最後に、外部電極形成工程として、直方体状の中間生成物の上面または底面に相当する面の全面と該上面または底面から延在する四面の側面の端部にかけて規定の寸法までＡｇペーストなどの導電性ペーストに浸漬塗布した後に硬化させて外部電極７とする。この際、開口孔５ａの内部に導電性ペーストが入り込んで表面電極２と接続され、または裏面電極３に接続される事によって半導体チップ１ａとの導通を得て図１（ａ）に示す半導体装置を完成させる半導体装置の製造方法である。
【００２８】
かかる構成によれば、半導体ウェハを封止樹脂で覆った後に、外部電極との導通目的で半導体ウェハ上に形成された電極上部の封止樹脂を除去するに当たり、封止樹脂が感光性樹脂から成るので、フォトリソグラフィにて選択的に樹脂硬化と除去を行うことが出来る為、半導体ウェハに物理的ストレスがかかる事無く、最終的に半導体チップへのストレスや損傷を根絶できるので信頼性の高い半導体装置の製造方法と出来る。
【００２９】
尚、上述の実施形態に於いて、外部電極７のはんだ濡れ性向上の為に外部電極７の表面にバレルめっき法等によってＳｎ、Ａｕ等のめっきを施してもよい。
【００３０】
（実施の形態２）
図２は本発明の実施の形態２ における半導体装置と製造方法を示すものである。図２ において、１は半導体ウェハ、１ａは半導体チップ、１ｂは切削溝、２は表面電極、３は裏面電極、５は表面側保護絶縁層、５ａは開口孔、６は切削カット部、７は外部電極、８は裏面側保護絶縁層、８ａは開口孔IIを各々示しており、図２（ａ）は完成品、図２（ｂ）〜（ｈ）は製造過程の断面である。
【００３１】
本実施形態の半導体装置は図２（ａ）に示すように直方体状のパッケージの上面又は底面である両端に導電性ペーストから成る外部電極７を有し、該外部電極７は上面又は底面の全面と該上面又は底面から延在する四面の側面の端面にかけて連続に延在して形成され、パッケージ内部に半導体チップ１ａを有し、該半導体チップ１ａは、パッケージの上面又は底面に対して表面電極２の側又は裏面電極３の側を対向させ、パッケージの各々四面の側面に半導体チップ１ａの各々四面の側面を対向させた方向に内蔵され、半導体チップ１ａの四方側面と表面電極２の側とを感光性絶縁樹脂から成る表面側保護絶縁層５で覆い、半導体チップ１ａの裏面電極３の側と表面側保護絶縁層５の断面とを感光性絶縁樹脂から成る裏面側保護絶縁層８で覆い、表面電極２の上部の表面側保護絶縁層５の一部に開口孔５ａを設け、裏面電極３の下部の裏面側保護絶縁層８の一部に開口孔II８ａを設けて、外部電極７は開口孔II８ａまたは開口孔５ａにも充填されて、半導体チップ１ａの表面電極２または裏面電極３を介して半導体チップ１ａとの電気的導通が取られている。
【００３２】
次に、図２（ｂ）〜（ｈ）に示した製造過程の断面を順に説明する。
【００３３】
図２（ｂ）に示すのは半導体ウェハ１であり、その表面には該半導体ウェハ１内に造り込まれた個別の半導体素子領域（図示せず）の夫々に対応したアルミ等から成る表面電極２が設けられており、半導体ウェハ１の共通基板である裏面側全面に裏面電極３が設けられている。
【００３４】
図２（ｃ）は保護絶縁層形成工程として、裏面電極３を覆うようにポリイミド等の感光性有機樹脂から成る裏面側保護絶縁層８を所定の厚さに形成した状態である。
【００３５】
図２（ｄ）は開口孔形成工程として、裏面側保護絶縁層８の半導体ウェハ１内に造り込まれた個別の半導体素子領域（図示せず）の夫々の上であり、後に外部電極７で覆われる位置一箇所に裏面電極３が露出する様に開口孔II８ａを形成した状態である。本実施の形態では裏面側保護絶縁層８に感光性有機樹脂を用いている為、一般に半導体プロセスに採用されるフォトリソグラフィ技術を使用することで裏面保護絶縁層８の選択的硬化と共に開口孔II８ａを得る事ができる。
【００３６】
図２（ｅ）はウェハカット工程として、半導体ウェハ１の表面電極２側の面から裏面電極３にかけてダイシングによってあらかじめ定められた位置と幅で縦横に切削溝１ｂを入れて個別の半導体チップ１ａとした状態である。
【００３７】
図２（ｆ）は保護絶縁層形成工程として、各々半導体チップ１ａと裏面電極３とをあわせた切削溝１ｂ及び半導体チップ１ａの表面電極２を含む表面側を覆う様にポリイミド等の感光性有機樹脂から成る表面側保護絶縁層５を所定の厚さに形成した状態である。
【００３８】
図２（ｇ）は開口孔形成工程として、開口孔II８ａを後に覆う外部電極７と対向するもう一方の外部電極７で後に覆われ、かつ表面電極２の上に当たる位置の表面側保護絶縁層５に表面電極２が露出する様に開口孔５ａを形成した状態である。本実施の形態では表面側保護絶縁層５に感光性有機樹脂を用いている為、一般に半導体プロセスに採用されるフォトリソグラフィ技術を使用することで表面側保護絶縁層５の選択的硬化と共に開口孔５ａを得る事ができる。
【００３９】
図２（ｈ）は切削カット工程として、各々の半導体チップ１ａの側面間の表面側保護絶縁層５の表面から裏面側保護絶縁層８の裏面にかけてまでを完全に縦横にダイシングした切削カット部６により所定サイズの直方体状の中間生成物に個別に分割された状態である。
【００４０】
最後に外部電極形成工程として、直方体状の中間生成物の上面または底面に相当する面の全面と該上面または底面から延在する四面の側面の端部にかけて規定の寸法までＡｇペーストなどの導電性ペーストに浸漬塗布した後に硬化させて外部電極７とする。この際、開口孔II８ａと開口孔５ａとの内部に導電性ペーストが入り込み、表面電極２及び裏面電極３に接続される事によって半導体チップ１ａとの導通を得て図２（ａ）に示す半導体装置を完成させる半導体装置の製造方法である。
【００４１】
かかる構成によれば、半導体チップの裏面電極側にも保護絶縁層を設けているので半導体装置としての信頼性が向上すると共に、半導体ウェハを封止樹脂で覆った後に、外部電極との導通目的で半導体ウェハに形成された電極上部の封止樹脂を除去するに当たり、封止樹脂が感光性樹脂から成るので、フォトリソグラフィにて選択的に樹脂硬化と除去を行うことが出来る為、半導体ウェハに物理的ストレスがかかる事無く、最終的に半導体チップへのストレスや損傷を根絶できるので信頼性の高い半導体装置の製造方法と出来る。
【００４２】
尚、上述の実施形態に於いて、外部電極７のはんだ濡れ性向上の為に外部電極７の表面にバレルめっき法等によってＳｎ、Ａｕ等のめっきを施してもよい。
【００４３】
（実施の形態３）
図３は、本発明の実施の形態３に於ける半導体装置と製造方法を示すものである。
【００４４】
図３に於いて１は半導体ウェハ、１ａは半導体チップ、１ｂは切削溝、２は表面電極、３は裏面電極、８は裏面側保護絶縁層、８ａは開口孔II、５は表面側保護絶縁層、５ａは開口孔、６は切削カット部、７は外部電極、９は導電性薄膜を各々示しており、図３（ａ）は完成品、図３（ｂ）〜（ｉ）は製造過程の断面である。
【００４５】
本発明の実施形態３の半導体装置図３（ａ）は本発明の実施形態２の図２（ａ）に対して、表面電極２または裏面電極３と外部電極７との導通性向上の為に、表面側保護絶縁層５の表面と開口孔５ａの内壁と該開口孔５ａの底面に露出した表面電極２の表面とに連続した一面と、裏面側保護絶縁層８の表面と開口孔II８ａの内壁と該開口孔II８ａの底面に露出した裏面電極３の表面とに連続した一面とにメタルから成る導電性薄膜９を形成した上面に外部電極７を形成したものである。
【００４６】
次に、図３（ｂ）〜（ｉ）に示した製造過程の断面を順に説明する。
【００４７】
図３（ｂ）〜（ｇ）は、前記本発明の実施形態２の図２（ｂ）〜（ｇ）と同様の工程である。
【００４８】
図３（ｈ）は導電性薄膜形成工程として、表面側保護絶縁層５の表面と開口孔５ａの内壁と該開口孔５ａの底面に露出した表面電極２の表面とに連続した一面と、裏面側保護絶縁層８の表面と開口孔II８ａの内壁と該開口孔II８ａの底面に露出した裏面電極３の表面とに連続した一面にスパッタリング等により形成したメタル薄膜から成る導電性薄膜９を形成した状態である。
【００４９】
図３（ｉ）は本発明の実施形態２の図２（ｈ）と同様であるが、上述の図３（ｈ）で形成された導電性薄膜９を有する状態の直方体状の中間生成物である。
【００５０】
最後に外部電極形成工程として、直方体状の中間生成物の上面または底面に相当する面の全面と該上面または底面から延在する四面の側面の端部にかけて規定の寸法までＡｇペーストなどの導電性ペーストに浸漬塗布した後に硬化させて外部電極７とする。この際、外部電極７は、開口孔II８ａと開口孔５ａの底面である裏面電極３または表面電極２上面の導電性薄膜９を介して表面電極２または裏面電極３と電気的導通を得て半導体チップ１ａとの導通を取り図３（ａ）に示す半導体装置を完成させる半導体装置の製造方法である。
【００５１】
かかる構成によれば、半導体ウェハを封止樹脂で覆った後に、外部電極との導通目的で半導体ウェハ上に形成された電極上部の封止樹脂を除去するに当たり、封止樹脂が感光性樹脂から成るので、フォトリソグラフィにて選択的に樹脂硬化と除去を行うことが出来る為、半導体ウェハに物理的ストレスがかかる事無く、最終的に半導体チップへのストレスや損傷を根絶できるので信頼性の高い半導体装置の製造方法と出来る。上述の実施形態に於いて、外部電極７のはんだ濡れ性向上の為に外部電極７の表面にバレルめっき法等によってＳｎ、Ａｕ等のめっきを施してもよい。
【００５２】
また、上述の導電性薄膜が半導体チップの電極表面と外部電極との間に介在する事で外部電極と成る導電性ペーストの半導体チップが有する電極への濡れ性が向上して、外部電極と半導体チップ間との電気的接続の信頼性が向上する。
【００５３】
尚、本実施の形態３では外部電極と半導体チップの有する電極との良好な接続を目的として上述の導電性薄膜を用いたが、保護絶縁層に設けられた開口孔の底面である半導体チップが有する電極面の上にめっき等によってメタルバンプを形成して、保護絶縁層に設けられた開口孔を塞いで平坦にした上で導電性ペーストを浸漬塗布することによって該導電性ペーストのメタルバンプへの濡れを容易にする方法としてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
小型の面実装半導体パッケージとして有用であり、特に携帯電話に適している。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の完成と製造過程の断面図
【図２】本発明の実施の形態２における半導体装置の完成と製造過程の断面図
【図３】本発明の実施の形態３における半導体装置の完成と製造過程の断面図
【図４】従来の半導体装置の完成と製造過程の断面図
【図５】従来の半導体装置の断面図
【図６】従来の半導体装置の断面図
【符号の説明】
【００５６】
１、１０１  半導体ウェハ
１ａ、１０５  半導体チップ
１ｂ、１０５ａ  切削溝
２、３０２  表面電極
３  裏面電極
４、１０４  ダイシングフィルム
５  表面側保護絶縁層
５ａ  開口孔
６、１０７  切削カット部
７  外部電極
８  裏面側保護絶縁層
８ａ  開口孔II
９  導電性薄膜
１０２  導電性接着剤
１０３  金属板
１０６  保護絶縁層
２０１、３０１  ウェハ
２０２、３０４  バンプ電極
２０３  第一の下型
２０４  第二の下型
２０５  上型
２０６、３０５  封止樹脂
２０７  フィルム
３０３  表面保護膜
３０６  はんだボール
【図１】
2005322774.tif 000003
【図２】
2005322774.tif 000004
【図３】
2005322774.tif 000005
【図４】
2005322774.tif 000006
【図５】
2005322774.tif 000007
【図６】
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