(57)【要約】【課題】  トラスファー成型により半導体素子を樹脂封止して薄厚パッケージを得るに際し、成型時の不具合を抑制することが可能になる。【解決手段】  複数の半導体素子１０が搭載されるキャリア１２を樹脂封止する樹脂封止装置において、上金型１４および下金型１６と、上金型１４および下金型１６によって形成され、その内部に半導体素子１０が載置されるキャビティ２６に、封止樹脂を注入する樹脂注入部と、キャビティ２６内の半導体素子１０が搭載されていない隙間にてスライド可能に配置される流動制御部材２２と、流動制御部材２２の位置を制御する位置制御部２４とを含む。【選択図】  図１
2005310831.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が搭載されるキャリアを樹脂封止する樹脂封止装置において、
上金型および下金型と、
前記上金型および下金型によって形成され、その内部に半導体素子が載置されるキャビティに、封止樹脂を注入する樹脂注入部と、
前記キャビティ内に配置され、前記上金型または前記下金型の少なくとも一方によりスライド可能に支持され、当該キャビティ内での樹脂の流れを制御する流動制御部材と、
前記流動制御部材の位置を制御する位置制御部とを含む樹脂封止装置。
【請求項２】
請求項１に記載の樹脂封止装置において、
前記流動制御部材は、前記キャビティ内での樹脂の流動速度の局所的な差を低減するように配置され、前記位置制御部により位置が制御されることを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の樹脂封止装置において、
前記位置制御部は、前記キャリアが載置されて、前記樹脂注入部から樹脂を前記キャビティに注入するときに、前記キャビティ内の半導体素子が搭載されていない領域における樹脂の流れを阻害して、半導体素子が搭載されている領域での樹脂の流動速度との差を低減するように流動制御部材の位置を制御することを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項４】
請求項３に記載の樹脂封止装置において、
前記位置制御部は、前記キャビティに前記樹脂注入部から注入された樹脂が前記流動制御部材の位置まで到達したときに、当該流動制御部材をこの樹脂の流れ方向にスライドさせるように制御することを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の樹脂封止装置において、
前記流動制御部材は、樹脂の流れ方向への半導体素子の配列方向に沿った半導体素子が搭載されていない各領域にて、列の数に応じて設けられていることを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項６】
請求項３に記載の樹脂封止装置において、
前記位置制御部は、前記キャビティに前記樹脂注入部から注入された樹脂が前記流動制御部材の位置まで到達したときに、当該流動制御部材をこの樹脂の流れ方向に対して垂直な方向にスライドさせるように制御することを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項７】
請求項３または６に記載の樹脂封止装置において、
前記流動制御部材は、樹脂の流れ方向への半導体素子の配列方向に沿った半導体素子が搭載されていない各領域にて、半導体素子の数に対応した数だけ設けられていることを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項８】
請求項３または６に記載の樹脂封止装置において、
前記流動制御部材は、半導体素子を樹脂の流動から遮蔽するように設けられていることを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項９】
請求項３，６または８に記載の樹脂封止装置において、
前記流動制御部材は、樹脂の流れ方向への半導体素子の配列方向とは垂直な方向に沿った半導体素子が搭載されていない各領域にて、半導体素子の数に対応した数だけ設けられていることを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の樹脂封止装置において、
前記キャビティに樹脂が注入されてからの時間を計時する計時部と、この計時部にて所定時間が過ぎたか否かを判断する判断部と、この判断部が樹脂注入後に所定時間が経過したことを判断したとき、前記流量制御部材をスライドさせるように前記位置制御部を駆動する駆動部とをさらに備えることを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の樹脂封止装置において、
前記流動制御部材を複数設けて、当該流動制御部材に対応して位置制御部が設けられていることを特徴とする樹脂封止装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子が搭載されるキャリアを樹脂封止する樹脂封止装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話向けなどの需要により、半導体装置の薄厚パッケージの要求が大きくなっている。この薄厚パッケージ実現のためには、半導体素子を封止する樹脂厚の薄化も必須となる。
【０００３】
半導体素子を樹脂封止するのに通常用いられる手法は、トランスファー成型方法である。このトランスファー成型方法によれば、図２０〜図２５に示したように、一対の金型の一方、例えば下金型１６０の所定の位置にキャリア１２０を載置し、ポットに樹脂を供給して、上金型１４０と下金型１６０とをクランプして、プランジャーにより樹脂が金型内に注入され、カル、ランナを通じてキャビティ２２０に充填されて、半導体素子１００は封止されるようになっている。
【０００４】
トランスファー成型方法などの金型を用いて封止樹脂により半導体素子を所定の厚さに封止する従来の封止技術においては、封止樹脂の未充填の抑制や、封止樹脂表面のボイド発生の抑制などが要求されている。
【０００５】
特許文献１には、成型面の隅に半導体素子を取り囲む位置に空気抜き溝（エアベント）を設けて、成型時の金型内のボイド発生を防ぐ技術が記載されている。この技術によれば、樹脂をキャビティに注入する際に、キャビティ内の空気は注入される樹脂に押されて、このエアベントから抜けるように設計されている。
【特許文献１】特開２００３−２０９２１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、複数の半導体素子を一度に封止する一括トランスファー成型においては、図２０〜図２２に模式的に示したように、半導体素子１００が搭載されたキャリア１２０を金型１４０，１６０により型締めし、樹脂を注入する際に、半導体素子１００上面に樹脂流路が十分に確保されていないと、樹脂１８０は半導体素子１００の搭載されていない領域、すなわち半導体素子１００間を先行して流れる。一方、流路が狭い半導体素子１００上は流動抵抗が大きいため半導体素子１００間を流れる樹脂よりも流速が遅く、半導体素子１００上に樹脂が充填しきる前に、半導体素子１００間を流れた樹脂が半導体素子１００のエアベント（図示せず）側で合流するため、図２３〜図２５に示したように、半導体素子１００上の未充填部分がボイド２２０として残ってしまうことがある。
【０００７】
このように、隣接する半導体素子間および半導体素子の上面の樹脂の流速に差が生じて、ボイドが発生するのだが、特許文献１に記載された技術では、両者における樹脂の流速の差を解消するには至らず、このボイド発生などの成型時の不具合を抑制するには不十分であった。
【０００８】
そこで、本発明は上述した実情に鑑みてなされたものであり、トラスファー成型により半導体素子を樹脂封止して薄厚パッケージを得るに際し、成型時の不具合を抑制することが可能な樹脂封止装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る樹脂封止装置は、上述した課題を解決するために、半導体素子が搭載されるキャリアを樹脂封止する樹脂封止装置において、上金型および下金型と、前記上金型および下金型によって形成され、その内部に半導体素子が載置されるキャビティに、封止樹脂を注入する樹脂注入部と、前記キャビティ内に配置され、前記上金型または前記下金型の少なくとも一方によりスライド可能に支持され、当該キャビティ内での樹脂の流れを制御する流動制御部材と、前記流動制御部材の位置を制御する位置制御部とを含む。
【００１０】
また、前記の樹脂封止装置において、前記流動制御部材は、前記キャビティ内での樹脂の流動速度の局所的な差を低減するように配置され、前記位置制御部により位置が制御されることが好ましい。
【００１１】
前記のいずれかの樹脂封止装置において、前記位置制御部は、前記キャリアが載置されて、前記樹脂注入部から樹脂を前記キャビティに注入するときに、前記キャビティ内の半導体素子が搭載されていない領域における樹脂の流れを阻害して、半導体素子が搭載されている領域での樹脂の流動速度との差を低減するように流動制御部材の位置を制御することが好ましい。
【００１２】
さらに、この樹脂封止装置において、前記位置制御部は、前記キャビティに前記樹脂注入部から注入された樹脂が前記流動制御部材の位置まで到達したときに、当該流動制御部材をこの樹脂の流れ方向にスライドさせるように制御することが好ましい。さらに、前記流動制御部材は、樹脂の流れ方向への半導体素子の配列方向に沿った半導体素子が搭載されていない各領域にて、列の数に応じて設けられていることが好ましい。
あるいは、前記の樹脂封止装置において、前記位置制御部は、前記キャビティに前記樹脂注入部から注入された樹脂が前記流動制御部材の位置まで到達したときに、当該流動制御部材をこの樹脂の流れ方向に対して垂直な方向にスライドさせるように制御することが好ましい。さらに、前記流動制御部材は、樹脂の流れ方向への半導体素子の配列方向に沿った半導体素子が搭載されていない各領域にて、半導体素子の数に対応した数だけ設けられていることが好ましい。
【００１３】
またあるいは、前記の樹脂封止装置において、前記流動制御部材は、半導体素子を樹脂の流動から遮蔽するように設けられていることが好ましい。さらに、前記流動制御部材は、樹脂の流れ方向への半導体素子の配列方向とは垂直な方向に沿った半導体素子が搭載されていない各領域にて、半導体素子の数に対応した数だけ設けられていることが好ましい。
【００１４】
前記のいずれかに記載の樹脂封止装置において、前記キャビティに樹脂が注入されてからの時間を計時する計時部と、この計時部にて所定時間が過ぎたか否かを判断する判断部と、この判断部が樹脂注入後に所定時間が経過したことを判断したとき、前記流量制御部材をスライドさせるように前記位置制御部を駆動する駆動部とをさらに備えることが好ましい。
【００１５】
また、前記のいずれかに記載の樹脂封止装置において、前記流動制御部材を複数設けて、当該流動制御部材に対応して位置制御部が設けられていることが好ましい。
【００１６】
このような構成によれば、キャビティに注入された樹脂は、半導体素子の上面では流動抵抗が生じて流速が小さくなるが、半導体素子が搭載されていない領域、すなわち隣接する半導体素子の間においても流動制御部材の存在により流動抵抗が生じて流速が小さくなり、結果として全領域で一様の流速で樹脂が流れるようになる。
【００１７】
また、位置制御部を流動制御部材ごとに設けることで、流動制御部材ごとに位置制御が可能になり、キャビティ内の各場所の樹脂流動状況に応じた流動制御が可能になる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、トランスファー成型により半導体素子を樹脂封止して薄厚パッケージを得るに際し、隣接する半導体素子の間および半導体素子の上面で生じる樹脂の流速の差に起因する、成型時の不具合を抑制することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る樹脂封止装置の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施形態は、複数の半導体素子が搭載されるキャリアを樹脂封止する樹脂封止装置である。
なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２０】
図１は、本発明の第一の実施形態の樹脂封止装置の要部を上から示す図であり、図２は当該要部のＢ−Ｂ’面における断面図であり、図３は当該要部のＡ−Ａ’における断面図である。図４は、当該要部において樹脂がキャビティに充填された状態を示す図であり、図５は、図４の状態のＢ−Ｂ’面における断面図であり、図６は、図４の状態のＡ−Ａ’面における断面図である。
【００２１】
この樹脂封止装置は、図１〜図３に示したように、上金型１４および下金型１６と、上金型１４および下金型１６によって形成され、その内部に半導体素子１０が載置されるキャビティ２６に、封止樹脂を注入する樹脂注入部（図示せず）とを含む。この樹脂注入部は、通常のトランスファー成型による樹脂封止装置に用いられるような樹脂を充填するポットと、このポットから当該樹脂を押し上げるプランジャーと、押し出された樹脂が流れるカルおよびランナとから構成されており、このランナが金型の一方の端部であるゲート２０に接続されている。
【００２２】
また、キャビティ２６内では、半導体素子１０が搭載されたキャリア１２がセットされたときに、樹脂１８の流れ方向Ｘへの半導体素子１０の配列方向に沿った半導体素子１０が搭載されていない各領域にて、この列数に対応した数の流動制御部材２２が、スライド可能に配置されるようになっている。また、流動制御部材２２の位置を制御する位置制御部２４が、各流動制御部材２２に対応して設けられている。この位置制御部２４は、キャビティ２６内の半導体素子１０が搭載されていない隙間における樹脂の流れを阻害するように流動制御部材２２の位置を制御するようになっている。なお、この制御の具体的な方法は、後述したものが挙げられる。
【００２３】
本実施形態によれば、キャビティ２６に前記樹脂注入部から注入されてゲート２０から注入された樹脂１８が他端まで進入するに際し、樹脂１８が流動制御部材２２の位置まで到達したときに、位置制御部２４により流動制御部材２２をこの樹脂１８の流れ方向Ｘと同じ方向Ａにスライドさせる。さらに樹脂の流動が続き、再び樹脂１８が流動制御部材２２に到達したときに、位置制御部２４により流動制御部材２２を方向Ａにさらにスライドさせる。この流動制御部材２２により、キャビティ２６の中で通常樹脂の流れやすい領域である隣接する半導体素子１０の間において流動抵抗を生じさせることができる。
【００２４】
これにより、半導体素子１０の上での樹脂１８の流速と、半導体素子１０間の領域での樹脂１８の流速とに差が生じないようになり、キャビティ２６内の全領域で一様の速度で樹脂が進入するようになっている。また、位置制御部２４を流動制御部材２２ごとに設けることで、流動制御部材２２ごとに位置制御が可能になり、キャビティ２６内の各場所の樹脂流動状況に応じた流動制御が可能になる。
【００２５】
さらに、樹脂の進入が続き他端まで到達したときには、図４〜図６に示したように、キャビティ２６中キャリア１２の上面には樹脂１８が充填された状態になり、上金型１４と下金型１６とでクランプされて成型が行われる。また、流動制御部材２２はキャビティ２６の外側に移動し、流動制御部材２２の先端が金型のキャビティ２６の側面と同一面になるため、キャビティ２６には残らない。したがって、樹脂封止後の半導体製品にはこの流動制御部材２２の跡が残らないことになる。
【００２６】
また、半導体素子１０の上面と隣接する半導体素子１０の間で樹脂の流動速度を揃えるようにしているため、特に両者での樹脂流動速度の差に起因する半導体素子１０の上面におけるウェルドボイドの発生などの不具合を抑制することができるようになる。
【００２７】
図７は、本発明の第二の実施形態の樹脂封止装置の要部を上から示す図であり、図８は当該要部のＢ−Ｂ’面における断面図であり、図９は当該要部のＡ−Ａ’における断面図である。図１０は、当該要部において樹脂がキャビティに充填された状態を示す図であり、図１１は、図１０の状態のＢ−Ｂ’面における断面図であり、図１２は、図１０の状態のＡ−Ａ’面における断面図である。
【００２８】
この樹脂封止装置は、図７〜図９に示したように、上金型１４および下金型１６と、上金型１４および下金型１６によって形成され、その内部に半導体素子１０が載置されるキャビティ３６に、封止樹脂を注入する樹脂注入部（図示せず）とを含む。この樹脂注入部は、前述したものと同様である。
【００２９】
また、キャビティ３６内では、半導体素子１０が搭載されたキャリア１２がセットされたときに、樹脂１８の流れ方向Ｘへの半導体素子１０の配列方向に沿った半導体素子１０が搭載されていない各隙間にて、各半導体素子１０の数に対応する数だけの流動制御部材３２が、樹脂１８の流れ方向Ｘに対して垂直な方向にスライド可能に配置されるようになっている。また、流動制御部材３２の位置を制御する位置制御部３４が、各流動制御部材３２に対応して設けられている。この位置制御部３４は、キャビティ３６内の半導体素子１０が搭載されていない隙間における樹脂の流れを阻害するように流動制御部材３２の位置を制御するようになっている。なお、この制御の具体的な方法は、後述したものが挙げられる。
【００３０】
本実施形態によれば、キャビティ３６に前記樹脂注入部から注入されてゲート２０から注入された樹脂１８が他端まで進入するに際し、樹脂１８が流動制御部材３２の位置まで到達したときに、樹脂が到達した流動制御部材３２に対応する位置制御部３４により当該流動制御部材３２をこの樹脂１８の流れ方向Ｘに対して垂直な方向にスライドさせる。さらに樹脂の流動が続き、樹脂１８が次の流動制御部材３２に到達したときに、当該次の流動制御部材３２に対応する位置制御部３４により当該次の流動制御部材３２を方向Ｘに対して垂直な方向にスライドさせる。このように、樹脂の流動が進み、樹脂が到達した流動制御部材３２が、それぞれ対応する位置制御部３４により、樹脂１８の流動方向Ｘに対して垂直な方向にスライドされるようになっている。この流動制御部材３２により、キャビティ３６の中で通常樹脂の流れやすい領域である隣接する半導体素子１０の間において流動抵抗を生じさせることができる。
【００３１】
これにより、半導体素子１０の上での樹脂１８の流速と、半導体素子１０間の領域での樹脂１８の流速とに差が生じないようになり、キャビティ３６内の全領域で一様の速度で樹脂が進入するようになっている。また、位置制御部３４を流動制御部材３２ごとに設けることで、流動制御部材３２ごとに位置制御が可能になり、キャビティ３６内の各場所の樹脂流動状況に応じた流動制御が可能になる。
【００３２】
さらに、樹脂の進入が続き他端まで到達したときには、図１０〜図１２に示したように、キャビティ３６中キャリア１２の上面には樹脂１８が充填された状態になり、上金型１４と下金型１６とでクランプされて成型が行われる。また、流動制御部材３２はキャビティ３６の上方に移動し、流動制御部材３２の下面が上金型１４のキャビティ３６の上面と同一面になるため、キャビティ３６には残らない。したがって、樹脂封止後の半導体製品にはこの流動制御部材３２の跡が残らない。
【００３３】
また、半導体素子１０の上面と隣接する半導体素子１０の間で樹脂の流動速度を揃えるようにしているため、特に両者での樹脂流動速度の差に起因する半導体素子１０の上面におけるウェルドボイドの発生などの不具合を抑制することができるようになる。
【００３４】
図１３は、本発明の第三の実施形態の樹脂封止装置の要部を上から示す図であり、図１４は当該要部のＢ−Ｂ’面における断面図であり、図１５は当該要部のＡ−Ａ’における断面図である。図１６は、当該要部において樹脂がキャビティに充填された状態を示す図であり、図１７は、図１６の状態のＢ−Ｂ’面における断面図であり、図１８は、図１６の状態のＡ−Ａ’面における断面図である。
【００３５】
この樹脂封止装置は、図１３〜図１５に示したように、上金型１４および下金型１６と、上金型１４および下金型１６によって形成され、その内部に半導体素子１０が載置されるキャビティ４６に、封止樹脂を注入する樹脂注入部（図示せず）とを含む。この樹脂注入部は、前述したものと同様である。
【００３６】
また、キャビティ４６内では、半導体素子１０が搭載されたキャリア１２がセットされたときに、樹脂１８の流れ方向Ｘへの半導体素子１０の配列方向とは垂直な方向に沿った半導体素子１０が搭載されていない各領域にて、各半導体素子１０の数に対応する数だけの流動制御部材４２が、樹脂１８の流れ方向Ｘに対して垂直な方向にスライド可能に配置されるようになっている。すなわち、半導体素子１０を樹脂１８の流動から遮蔽するように配置されている。また、流動制御部材４２の位置を制御する位置制御部４４が、各流動制御部材４２に対応して設けられている。この位置制御部４４は、キャビティ４６内の半導体素子１０が搭載されていない領域における樹脂の流れを阻害するように流動制御部材４２の位置を制御するようになっている。なお、この制御の具体的な方法は、後述したものが挙げられる。
【００３７】
本実施形態によれば、キャビティ４６に前記樹脂注入部から注入されてゲート２０から注入された樹脂１８が他端まで進入するに際し、樹脂１８が流動制御部材４２の位置まで到達したときに、樹脂が到達した流動制御部材４２に対応する位置制御部４４により当該流動制御部材４２をこの樹脂１８の流れ方向Ｘに対して垂直な方向にスライドさせる。さらに樹脂の流動が続き、樹脂１８が次の流動制御部材４２に到達したときに、当該次の流動制御部材４２に対応する位置制御部４４により当該次の流動制御部材４２を方向Ｘに対して垂直な方向にスライドさせる。このように、樹脂の流動が進み、樹脂が到達した流動制御部材４２が、それぞれ対応する位置制御部４４により、樹脂１８の流動方向Ｘに対して垂直な方向にスライドされるようになっている。この流動制御部材４２により、キャビティ４６の中で通常樹脂の流れやすい領域である隣接する半導体素子１０の間において流動抵抗を生じさせることができる。
【００３８】
これにより、半導体素子１０の上での樹脂１８の流速と、半導体素子１０間の領域での樹脂１８の流速とに差が生じないようになり、キャビティ４６内の全領域で一様の速度で樹脂が進入するようになっている。また、位置制御部４４を流動制御部材４２ごとに設けることで、流動制御部材４２ごとに位置制御が可能になり、キャビティ４６内の各場所の樹脂流動状況に応じた流動制御が可能になる。
【００３９】
さらに、樹脂の進入が続き他端まで到達したときには、図１６〜図１８に示したように、キャビティ４６中キャリア１２の上面には樹脂１８が充填された状態になり、上金型１４と下金型１６とでクランプされて成型が行われる。また、流動制御部材４２はキャビティ４６の上方に移動し、流動制御部材４２の下面が上金型１４のキャビティ４６の上面と同一面になるため、キャビティ４６には残らない。したがって、樹脂封止後の半導体製品にはこの流動制御部材４２の跡が残らない。
【００４０】
また、半導体素子１０の上面と隣接する半導体素子１０の間で樹脂の流動速度を揃えるようにしているため、特に両者での樹脂流動速度の差に起因する半導体素子１０の上面におけるウェルドボイドの発生などの不具合を抑制することができるようになる。
【００４１】
図１９は、第一〜第三の実施形態における位置制御を実現するための構成の一例を示す図である。
図１９において、計時部５０は例えばタイマを備え、樹脂注入部である射出部より樹脂がキャビティに注入開始された旨の信号が入力されると動作を開始するようになっており、制御部５２に動作開始からの時間情報を送るようになっている。計時部５０はタイマでなくても、例えばクロック発振器を備え、発振されたクロックの数を時間情報としてもよい。記憶部５４は、例えば経験的に決められる樹脂１８の流動速度、この流動速度からキャビティへの注入開始から流動制御部材２２に到達するまでの時間などの情報が蓄積されている。
【００４２】
制御部５２は、例えばＣＰＵ（central processing unit）やＩＣ（integrated circuit）とすることができる。また、制御部５２は、予めプログラムされ、記憶装置（図示せず）に記憶された手順に従って動作する構成とすることができる。また、制御部５２はリレーなどのシーケンス回路とすることもできる。制御部５２は、記憶部５４に蓄積された情報を参照しながら計時部５０からの時間情報に基づき、樹脂が流動制御部材に到達したか否かを判断し、到達したと判断されたときには駆動部５６に位置制御部を動作させるための信号を送る。
【００４３】
駆動部５６は、位置制御部の数と同じ数存在し、制御部５２からの信号が送られると、対応する位置制御部に動作を開始させるように構成されている。また、制御部５２は、駆動部５６単位で別々に制御することもでき、この場合には、キャビティの局所的な流動速度に依存した流動制御部材の位置制御を行うことが可能になる。
【００４４】
図１９によれば、樹脂注入部よりキャビティへの樹脂の注入が開始されると、計時部５０では計時が開始され、制御部５２は、記憶部５４の情報を参照しながら計時部５０からの時間情報と比較して、所定時間経過後に樹脂が流動制御部材に到達したと判断し、駆動部５６に所定の信号を送る。駆動部５６は、この所定の信号が入力されると、流動制御部材を一定の速度でスライドさせるように、位置制御部を動作させて、流動制御部材は樹脂の流れ方向に一定速度でスライドする。
【００４５】
以上、本発明の実施形態のついて説明したが、これに限定されることはなく、本発明の目的を逸しない範囲で適宜変更が可能である。
【００４６】
例えば、複数の半導体素子がマトリクス状に規則正しく配列されて搭載されたキャリアの樹脂封止を具体的に説明したが、これに限らず、半導体素子がマトリクス状に配列していなくても二次元に配置されて搭載されたキャリアの樹脂封止であっても差し支えない。また、複数の半導体素子が搭載されたものに限らず、一つの半導体素子が搭載されたキャリアの樹脂封止に対しても本発明の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の第一の実施形態の樹脂封止装置の要部を上から示す図である。
【図２】図１の要部のＢ−Ｂ’面における断面図である。
【図３】図１の要部のＡ−Ａ’における断面図である。
【図４】図１の要部において樹脂がキャビティに充填された状態を示す図である。
【図５】図４の状態のＢ−Ｂ’面における断面図である。
【図６】図４の状態のＡ−Ａ’面における断面図である。
【図７】本発明の第二の実施形態の樹脂封止装置の要部を上から示す図である。
【図８】図７の要部のＢ−Ｂ’面における断面図である。
【図９】図７の要部のＡ−Ａ’における断面図である。
【図１０】図７の要部において樹脂がキャビティに充填された状態を示す図である。
【図１１】図１０の状態のＢ−Ｂ’面における断面図である。
【図１２】図１０の状態のＡ−Ａ’面における断面図である。
【図１３】本発明の第三の実施形態の樹脂封止装置の要部を上から示す図である。
【図１４】図１３の要部のＢ−Ｂ’面における断面図である。
【図１５】図１３の要部のＡ−Ａ’における断面図である。
【図１６】図１３の要部において樹脂がキャビティに充填された状態を示す図である。
【図１７】図１６の状態のＢ−Ｂ’面における断面図である。
【図１８】図１６の状態のＡ−Ａ’面における断面図である。
【図１９】第一〜第三の実施形態における位置制御を実現するための構成の一例を示す図である。
【図２０】従来の樹脂封止装置の要部を上から示す図である。
【図２１】図２０の要部のＢ−Ｂ’面における断面図である。
【図２２】図２０の要部のＡ−Ａ’における断面図である。
【図２３】図２０の要部において樹脂がキャビティに充填された状態を示す図である。
【図２４】図２３の状態のＢ−Ｂ’面における断面図である。
【図２５】図２３の状態のＡ−Ａ’面における断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０  半導体ウェハ
１２  キャリア
１４  上金型
１６  下金型
１８  樹脂
２２，３２，４２  流動制御部材
２４，３４，４４  位置制御部
５０  計時部
５２  制御部
５６  駆動部
【図１】
2005310831.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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