(57)【要約】【課題】電極及び誘電体層の形成時の焼成回数を削減することを課題とする。【解決手段】ガラス基板上に電極と該電極を覆う誘電体層とを少なくとも有する表示パネル用基板構体の作製材料であって、導電性粒子及び熱分解温度Ｔ１のバインダ樹脂とを含む電極材料と、熱分解温度Ｔ２のバインダ樹脂及びガラス軟化点Ｔｂの低融点ガラスとを含む誘電体材料とからなり、熱分解温度Ｔ１及びＴ２、ガラス軟化点Ｔｂが、Ｔ２＜Ｔ１＜Ｔｂの関係を有する電極材料と誘電体材料との組み合わせからなることを特徴とする表示パネル用基板構体の作製材料により上記課題を解決する。【選択図】図２
2005322444.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に電極と該電極を覆う誘電体層とを少なくとも有する表示パネル用基板構体の作製材料であって、導電性粒子及び熱分解温度Ｔ１のバインダ樹脂とを含む電極材料と、熱分解温度Ｔ２のバインダ樹脂及びガラス軟化点Ｔｂの低融点ガラスとを含む誘電体材料とからなり、熱分解温度Ｔ１及びＴ２、ガラス軟化点Ｔｂが、Ｔ２＜Ｔ１＜Ｔｂの関係を有する電極材料と誘電体材料との組み合わせからなることを特徴とする表示パネル用基板構体の作製材料。
【請求項２】
前記表示パネル用基板構体が、前記誘電体層上に形成されたリブを更に備え、前記誘電体材料が、リブ材料を兼ねる請求項１に記載の表示パネル用基板構体の作製材料。
【請求項３】
ガラス基板上に電極と該電極を覆う誘電体層と誘電体層上に形成されたリブを少なくとも有する表示パネル用基板構体の作製材料であって、導電性粒子及び熱分解温度Ｔ１のバインダ樹脂とを含む電極材料と、熱分解温度Ｔ２のバインダ樹脂及びガラス軟化点Ｔｂの低融点ガラスとを含む誘電体材料と、熱分解温度Ｔ３のバインダ樹脂及びガラス軟化点Ｔｃの低融点ガラスとを含むリブ材料とからなり、熱分解温度Ｔ１〜Ｔ３、ガラス軟化点Ｔｂ及びＴｃが、Ｔ３＜Ｔ２＜Ｔ１＜ＴｂかつＴ３＜Ｔｃの関係を有する電極材料、誘電体材料及びリブ材料との組み合わせからなることを特徴とする表示パネル用基板構体の作製材料。
【請求項４】
前記電極材料が、ガラス軟化点Ｔａの低融点ガラスを更に含み、前記熱分解温度Ｔ１、熱分解温度Ｔ２及びガラス軟化点Ｔａが、Ｔ２＜Ｔ１＜Ｔａの関係を有する請求項１〜３のいずれかに記載の表示パネル用基板構体の作製材料。
【請求項５】
前記ガラス軟化点ＴａとＴｂが、Ｔａ＜Ｔｂの関係を有する請求項４に記載の表示パネル用基板構体の作製材料。
【請求項６】
前記表示パネル用基板構体が、プラズマディスプレイパネルの前面側基板構体又は背面側基板構体である請求項１〜５のいずれかに記載の表示パネル用基板構体の作製材料。
【請求項７】
請求項１に記載の表示パネル用基板構体の作製材料を使用した表示パネル用基板構体の作製方法であって、
前記電極材料を用いて、ガラス基板上に所定パターンの電極材料層を形成する工程と、
前記誘電体材料を用いて、前記電極材料層を覆うように誘電体材料層を形成する工程と、
ガラス基板全体を焼成することにより、前記電極材料層及び誘電体材料層に含まれるバインダ樹脂を分解し、かつ低融点ガラスを軟化及び焼結させことで、１回の焼成により電極及び誘電体層を同時に形成する工程とを含むことを特徴とする表示パネル用基板構体の作製方法。
【請求項８】
請求項２に記載の表示パネル用基板構体の作製材料を使用した表示パネル用基板構体の作製方法であって、
前記電極材料を用いて、ガラス基板上に所定パターンの電極材料層を形成する工程と、
前記リブ及び誘電体層の形状に対応する溝を有する転写用基板の溝を前記誘電体材料で充填する工程と、
前記転写用基板から充填された誘電体材料を電極材料層が形成されたガラス基板上に転写することでリブ及び誘電体材料層を形成する工程と、
ガラス基板全体を焼成することにより、前記電極材料層と、リブ及び誘電体材料層に含まれるバインダ樹脂を分解し、かつ低融点ガラスを軟化及び焼結させことで、１回の焼成により電極、誘電体層及びリブを同時に形成する工程とを含むことを特徴とする表示パネル用基板構体の作製方法。
【請求項９】
請求項３に記載の表示パネル用基板構体の作製材料を使用した表示パネル用基板構体の作製方法であって、
前記電極材料を用いて、ガラス基板上に所定パターンの電極材料層を形成する工程と、
前記誘電体材料を用いて、前記電極材料層を覆うように誘電体材料層を形成する工程と、
前記リブ材料を用いて、誘電体材料層上にリブ材料層を形成する工程と
ガラス基板全体を焼成することにより、電極、誘電体層及びリブの各材料層に含まれるバインダ樹脂を分解し、かつ低融点ガラスを軟化及び焼結させことで、１回の焼成により電極、誘電体層及びリブを同時に形成する工程とを含むことを特徴とする表示パネル用基板構体の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネル用基板構体の作製材料及び表示パネル用基板構体の作製方法に関する。更に詳しくは、本発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の前面側基板構体や背面側基板構体のような、ガラス基板上に電極及び誘電体層を基板構成要素として含む表示パネル用基板構体の作製材料及び表示パネル用基板構体の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示パネルとして知られているＰＤＰは、一対の基板（通常はガラス基板）を微少間隔あけて対向配置させ、周囲を封止することによって内部に放電空間を形成した自己発光型の表示パネルである。
【０００３】
ＰＤＰの中でも、ＡＣ型ＰＤＰには、電極、その電極を覆う誘電体層、放電空間を仕切るための１００〜２００μｍ程度の高さのリブが設けられている。
【０００４】
電極は、主としてＡｇ粒子を低融点ガラスで結着させたＡｇ電極が用いられることが多い。また、誘電体層及びリブは低融点ガラス材料で作製されている。
【０００５】
以下、例えば、特開２００１−８４９１２号公報（特許文献１）や特開２００１−２９７６９１号公報（特許文献２）で代表される、従来の電極、誘電体層及びリブの作製方法を説明する。
【０００６】
電極の形成材料（電極材料）には、Ａｇ微粒子、低融点ガラス粉体、バインダ樹脂、及び必要に応じて混入するフィラーを溶剤中に分散しペースト状にしたものが用いられる。  この電極材料を、スクリーン印刷法等でガラス基板上に塗布し、乾燥により溶剤を揮発させて所定形状の電極材料層を形成する。別法としてはバインダ樹脂として感光性樹脂を用いてフォトリソグラフィーで電極材料層を形成する方法もある。
【０００７】
ガラス基板上に電極材料層が形成された後、室温から材料に含まれる低融点ガラスの軟化点以上（５００〜６００℃程度）にガラス基板を加熱することにより、バインダ樹脂を分解し、かつ、低融点ガラスを軟化・溶融・焼結させることによりＡｇ粒子間及びＡｇとガラス基板を固着することで電極を作製する。なお、この工程を焼成と呼ぶ。また、電極材料としては、Ａｇの超微粒子を用いた材料もある。この材料は固着材料として低融点ガラス粉体を混入していなくとも、Ａｇ粒子そのものを熱により結合させることができる。
【０００８】
電極がガラス基板上に形成された後、つづいて、低融点ガラス粉体、バインダ樹脂、及び必要に応じて混入するフィラーを溶剤中に分散しペースト状にした誘電体層の形成材料（誘電体材料）を、スクリーン印刷法等で電極が配置されているガラス基板上に塗膜し、乾燥により溶剤を揮発させ、誘電体材料層を形成する。
【０００９】
誘電体材料層を形成後、室温から材料に含まれる低融点ガラスの軟化点以上（５００〜６００℃程度）にガラス基板を焼成することにより、バインダ樹脂を分解し、かつ、低融点ガラスを軟化・溶融させることで、ガラス基板に固着した誘電体層を形成する。
【００１０】
また、リブを形成する必要のあるガラス基板に対しては、電極、誘電体層が形成されたガラス基板に対し、低融点ガラス粉体、バインダ樹脂、及び必要に応じて混入するフィラーを溶剤中に分散しペースト状にしたリブの形成材料（リブ材料）を、スクリーン印刷法等で所望の厚さにガラス基板上に塗膜する。次いで、乾燥により溶剤を塗膜から揮発させ、ベタ膜を形成する。この後、ドライフィルム等の感光性レジストによりマスクをパターニングし、サンドブラストを用いてドライフィルムマスクパターン以外の部分を切削することによりリブ材料層を形成する。次いで、ドライフィルムマスクパターンを除去し、室温からリブ材料層に含まれる低融点ガラスの軟化点以上（５００〜６００℃程度）にガラス基板を焼成することにより、バインダ樹脂を分解し、かつ、低融点ガラスを軟化・溶融させることで、ガラス基板に固着したリブを形成する。
【００１１】
なお、上述の誘電体層及びリブは、リブ及び誘電体層のネガ形状となる溝をもつ転写凹版に、それぞれの材料を充填し、溶剤揮発後、電極形状が形成されているガラス基板上に対して、誘電体層及びリブを転写形成する方法もある。この場合も誘電体及びリブの材料層を形成後、それら材料層を室温から材料に含まれる低融点ガラスの軟化点以上（５００〜６００℃程度）にガラス基板を焼成することにより、バインダ樹脂を分解し、かつ、低融点ガラスを軟化・溶融させ、ガラス基板に固着した誘電体層及びリブを形成する工程はかわらない。
【００１２】
【特許文献１】特開２００１−８４９１２号公報
【特許文献２】特開２００１−２９７６９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上記に述べた従来の作製方法では、構成材料ごとに、材料の塗布、溶剤の乾燥、焼成の工程があり、非常に多くの時間及びエネルギーが必要となる。これらの点を改善するために、すべての構成材料の形状を形成した後、１回の焼成（同時焼成）ですべての構成材料の緻密化・固着化することができれば、時間及びエネルギーを大きく削減することができる。
しかし、従来の材料をそのまま用いて、同時焼成を行おうとすると以下に述べる問題が生じる。
【００１４】
材料の焼成過程においてはバインダ樹脂が燃焼（分解）され、気体となったバインダ樹脂由来のガスが外部に放出される必要があるが、材料の組み合わせ次第では、バインダ樹脂由来のガスが外部に放出される際に、その材料を覆っている材料のバインダ樹脂の分解が始まっていない場合や、低融点ガラスが軟化を始めてしまった場合には、それらの材料に含まれるバインダ樹脂由来のガスは構成材料内部に閉じ込められてしまい、最後には圧力が上昇して上の材料を突き破ってしまうことがある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
かくして、本発明によれば、ガラス基板上に電極と該電極を覆う誘電体層とを少なくとも有する表示パネル用基板構体の作製材料であって、導電性粒子及び熱分解温度Ｔ１のバインダ樹脂とを含む電極材料と、熱分解温度Ｔ２のバインダ樹脂及びガラス軟化点Ｔｂの低融点ガラスとを含む誘電体材料とからなり、熱分解温度Ｔ１及びＴ２、ガラス軟化点Ｔｂが、Ｔ２＜Ｔ１＜Ｔｂの関係を有する電極材料と誘電体材料との組み合わせからなることを特徴とする第１の表示パネル用基板構体の作製材料が提供される。
【００１６】
また、本発明によれば、上記表示パネル用基板構体の作製材料を使用した表示パネル用基板構体の作製方法であって、
前記電極材料を用いて、ガラス基板上に所定パターンの電極材料層を形成する工程と、
前記誘電体材料を用いて、前記電極材料層を覆うように誘電体材料層を形成する工程と、
ガラス基板全体を焼成することにより、前記電極材料層及び誘電体材料層に含まれるバインダ樹脂を分解し、かつ低融点ガラスを軟化及び焼結させことで、１回の焼成により電極及び誘電体層を同時に形成する工程とを含むことを特徴とする表示パネル用基板構体の作製方法が提供される。
【００１７】
更に、本発明によれば、ガラス基板上に電極と該電極を覆う誘電体層と誘電体層上に形成されたリブを少なくとも有する表示パネル用基板構体の作製材料であって、導電性粒子及び熱分解温度Ｔ１のバインダ樹脂とを含む電極材料と、熱分解温度Ｔ２のバインダ樹脂及びガラス軟化点Ｔｂの低融点ガラスとを含む誘電体材料と、熱分解温度Ｔ３のバインダ樹脂及びガラス軟化点Ｔｃの低融点ガラスとを含むリブ材料とからなり、熱分解温度Ｔ１〜Ｔ３、ガラス軟化点Ｔｂ及びＴｃが、Ｔ３＜Ｔ２＜Ｔ１＜ＴｂかつＴ３＜Ｔｃの関係を有する電極材料、誘電体材料及びリブ材料との組み合わせからなることを特徴とする第２の表示パネル用基板構体の作製材料が提供される。
【００１８】
また、本発明によれば、上記表示パネル用基板構体の作製材料を使用した表示パネル用基板構体の作製方法であって、
前記電極材料を用いて、ガラス基板上に所定パターンの電極材料層を形成する工程と、
前記誘電体材料を用いて、前記電極材料層を覆うように誘電体材料層を形成する工程と、
前記リブ材料を用いて、誘電体材料層上にリブ材料層を形成する工程と
ガラス基板全体を焼成することにより、電極、誘電体層及びリブの各材料層に含まれるバインダ樹脂を分解し、かつ低融点ガラスを軟化及び焼結させことで、１回の焼成により電極、誘電体層及びリブを同時に形成する工程とを含むことを特徴とする表示パネル用基板構体の作製方法が提供される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の表示パネル用基板構体の作製材料を使用すれば、基板構体の工程を削減できるので、その結果、作業効率、量産効率及び歩留まりを向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
まず、本発明の第１の表示パネル用基板構体の作製材料は、導電性粒子及び熱分解温度Ｔ１のバインダ樹脂とを含む電極材料と、熱分解温度Ｔ２のバインダ樹脂及びガラス軟化点Ｔｂの低融点ガラスとを含む誘電体材料との組み合わせからなる。更に、熱分解温度Ｔ１及びＴ２、ガラス軟化点Ｔｂは、Ｔ２＜Ｔ１＜Ｔｂの関係を有する。熱分解温度は、ＴＧ／ＴＤＡ法により測定した吸熱ピーク値を意味する。また、ガラス軟化点は、マクロ型示差熱分析計を用いた測定の第４の変曲点の温度とした。上記作製材料を基板構体の作製に使用すれば、電極と誘電体層とを１回の焼成により同時に形成することができる。なお、上記関係を満たさない場合、１回の焼成により電極と誘電体層とを同時に形成すると、バインダ樹脂由来のガスが、電極及び／又は誘電体層内に残ったり、電極及び／又は誘電体層を突き破ったりすることで、それぞれの特性を低下させることがある。
【００２１】
ここで、Ｔ２、Ｔ１及びＴｂのそれぞれの温度差は２０〜５０℃の範囲であることが好ましい。この範囲内のバインダ樹脂及び低融点ガラスを使用することで、ガスの残留をより抑制することができる。
【００２２】
また、電極材料は、ガラス軟化点Ｔａの低融点ガラスを更に含んでいてもよい。低融点ガラスを含むことで、電極をよりガラス基板上に固着することができる。ここで、前記熱分解温度Ｔ１、熱分解温度Ｔ２及びガラス軟化点Ｔａは、Ｔ２＜Ｔ１＜Ｔａの関係を有することが好ましい。この関係を有するバインダ樹脂及び低融点ガラスを使用することで、ガスの残留をより抑制することができる。ここで、Ｔ１とＴａの温度差は２０〜５０℃の範囲であることが好ましい。この範囲内のバインダ樹脂及び低融点ガラスを使用することで、ガスの残留をより抑制することができる。
【００２３】
更に、ガラス軟化点ＴａとＴｂは、Ｔａ＜Ｔｂの関係を有することが好ましい。この関係を有することで、電極材料を構成する導電性粒子が誘電体層に拡散することを抑制することができる。ＴａとＴｂの温度差は２０〜５０℃の範囲であることが好ましい。この範囲内の低融点ガラスを使用することで、電極材料を構成する導電性粒子が誘電体層に拡散することをより抑制することができる。
【００２４】
また、誘電体材料は、リブ材料を兼ねていてもよい。リブ材料を兼ねることで、電極と誘電体層だけでなく、リブも１回の焼成で同時に形成することができる。
【００２５】
電極材料に含まれる導電性粒子としては、特に限定されず、当該分野で公知の材料をいずれも使用することができる。具体的には、銀、金、白金、パラジウム、アルミニウム、銅等の金属、これら金属の合金等が挙げられる。また、粒子径は、０．０２〜６μｍであることが好ましい。なお、粒子径は、レーザー回折散乱法又は電子顕微鏡による直接観察法により測定した平均粒子径である。
【００２６】
次に、電極材料に含まれるバインダ樹脂としては、特に限定されず、当該分野で公知の材料をいずれも使用することができる。具体的には、セルロース系樹脂、アクリル系樹脂等が挙げられる。セルロース系樹脂としては、エチルセルロース、ニトロセルロース等が挙げられる。
【００２７】
アクリル系樹脂としては、
・メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ペンチル（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、ブトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、ヘプタデカフロロデシル（メタ）アクリレート、2-ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、イソボニル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、イソデキシル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、オクタフロロペンチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、トリフロロエチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリルアミド、アミノエチル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、１−ナフチル（メタ）アクリレート、２−ナフチル（メタ）アクリレート、チオフェノール（メタ）アクリレート、ベンジルメルカプタン（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル系モノマー、
・アクリル化シクロヘキシルジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオール（メタ）アクリレート、１，３−ブチレングリコール（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリグリセロールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ−エチレンオキサイド付加物のジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ−プロピレンオキサイド付加物のジ（メタ）アクリレート等の多官能モノマー、
由来の樹脂が挙げられる。なお、（メタ）アクリレートは、メタクリレート又はアクリレートを意味する。
【００２８】
更に、スチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、α−メチルスチレン、クロロメチルスチレン、ヒドロキシメチルスチレン、γ−メタクリロシキプロピルトリメトキシシラン、１−ビニル−２−ピロリドン等のビニル系単量体由来の樹脂を、上記アクリル系樹脂に混合してもよい。更に、これらビニル系単量体をアクリル系樹脂の共重合成分として使用してもよい。
【００２９】
電極材料には、低融点ガラスが含まれていてもよい。低融点ガラスとしては、酸化鉛系ガラス（酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等からなる）、酸化ビスマス系ガラス（酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化カルシュウム等からなる）等が挙げられる。更に、ナトリウム、カリウム等のアルカリや、耐熱性酸化物（フィラーや顔料）を含んでいてもよい。低融点ガラスのガラス軟化点の調整は、構成成分の組成比や、アルカリの添加量等を調整することにより行うことができる。
【００３０】
また、電極材料には、ブチルカルビトールアセテート（ＢＣＡ）、テルピネオール等の溶媒が含まれていてもよい。更に、上記アクリル系モノマーと光重合開始剤を含ませて、焼成前に紫外線照射することによりバインダ樹脂と重合させて、電極材料を硬化させる処方も採用できる。光重合開始剤としては、例えば、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１、２，４−ジエチルチオキサントン等が挙げられる。
【００３１】
次に、誘電体材料に含まれるバインダ樹脂としては、Ｔ２＜Ｔ１の温度関係を有する限り、上記電極材料の説明時に記載したバインダ樹脂をいずれも使用することができる。
【００３２】
また、誘電体材料に含まれる低融点ガラスとしては、Ｔ１＜Ｔａの温度関係を有する限り、上記電極材料の説明時に記載した低融点ガラスをいずれも使用することができる。
【００３３】
更に、上記電極材料と同様に、アルカリや、耐熱性酸化物、溶媒、アクリル系モノマー、光重合開始剤等を含んでいてもよい。
【００３４】
ここで、誘電体材料がリブ材料を兼ねる場合でも、上記バインダ樹脂及び低融点ガラスを使用することができる。
【００３５】
次に、本発明の第２の表示パネル用基板構体の作製材料は、導電性粒子及び熱分解温度Ｔ１のバインダ樹脂とを含む電極材料と、熱分解温度Ｔ２のバインダ樹脂及びガラス軟化点Ｔｂの低融点ガラスとを含む誘電体材料と、熱分解温度Ｔ３のバインダ樹脂及びガラス軟化点Ｔｃの低融点ガラスとを含むリブ材料との組み合わせからなる。更に、熱分解温度Ｔ１〜Ｔ３、ガラス軟化点Ｔｂ及びＴｃが、Ｔ３＜Ｔ２＜Ｔ１＜ＴｂかつＴ３＜Ｔｃの関係を有する。
【００３６】
上記作製材料を基板構体の作製に使用すれば、電極、誘電体層及びリブを１回の焼成により同時に形成することができる。なお、上記関係を満たさない場合、１回の焼成により電極、誘電体層及びリブを同時に形成すると、バインダ樹脂由来のガスが、電極、誘電体層及び／又はリブ内に残ったり、電極、誘電体層及び／又はリブを突き破ったりすることで、それぞれの特性を低下させることがある。
【００３７】
ここで、Ｔ３、Ｔ２、Ｔ１、Ｔｃ及びＴｂのそれぞれの温度差は２０〜５０℃の範囲であることが好ましい。この範囲内のバインダ樹脂及び低融点ガラスを使用することで、ガスの残留をより抑制することができる。
【００３８】
また、電極材料は、ガラス軟化点Ｔａの低融点ガラスを更に含んでいてもよい。低融点ガラスを含むことで、電極をよりガラス基板上に固着することができる。ここで、前記熱分解温度Ｔ１、熱分解温度Ｔ２及びガラス軟化点Ｔａは、Ｔ２＜Ｔ１＜Ｔａの関係を有することが好ましい。この関係を有するバインダ樹脂及び低融点ガラスを使用することで、ガスの残留をより抑制することができる。ここで、Ｔ１とＴａの温度差は２０〜５０℃の範囲であることが好ましい。この範囲内のバインダ樹脂及び低融点ガラスを使用することで、ガスの残留をより抑制することができる。
【００３９】
更に、ガラス軟化点ＴａとＴｂは、Ｔａ＜Ｔｂの関係を有することが好ましい。この関係を有することで、電極材料を構成する導電性粒子が誘電体層に拡散することを抑制することができる。ＴａとＴｂの温度差は２０〜５０℃の範囲であることが好ましい。この範囲内の低融点ガラスを使用することで、電極材料を構成する導電性粒子が誘電体層に拡散することをより抑制することができる。
【００４０】
電極材料、誘電体材料及びリブ材料に含まれるバインダ樹脂及び低融点ガラスは、特定の温度関係を有する限り、上記第１の作製材料と同様のものを使用することができる。
【００４１】
以下では、第１の作製材料を使用した表示パネル用基板構体の作製方法を説明する。
まず、電極材料を用いて、ガラス基板上に所定パターンの電極材料層を、例えばスクリーン印刷法又はロールコート法により、形成する。電極材料層の厚さは、焼成後に所定の厚さの電極が得られるように調整される。
【００４２】
次に、誘電体材料を用いて、電極材料層を覆うように誘電体材料層を、例えばスクリーン印刷法又はロールコート法により、形成する。誘電体材料層の厚さは、焼成後に所定の厚さの誘電体層が得られるように調整される。
【００４３】
この後、ガラス基板全体を焼成することにより、電極及び誘電体の各材料層に含まれるバインダ樹脂を分解し、かつ低融点ガラスを軟化及び焼結させことで、１回の焼成により電極及び誘電体層を同時に形成する。
【００４４】
ここで、焼成は、作製材料に含まれるバインダ樹脂の熱分解温度及び低融点ガラスのガラス軟化点に対応する温度で所定時間保持されるような条件下で行うことが好ましい。このような条件下で焼成を行うことにより、バインダ樹脂の分解と低融点ガラスの溶融をより確実に行うことができる。
【００４５】
更に、第１の作製材料において、誘電体材料がリブ材料を兼ねる場合、以下のように表示パネル用基板構体の作製することができる。
【００４６】
まず、電極材料を用いて、ガラス基板上に電極材料層を形成する工程は上記方法と同様である。
次に、リブ及び誘電体層の形状に対応する溝を有する転写用基板の溝を誘電体兼リブ材料で充填する。転写用基板は、所定の溝を形成することができさえすれば特に限定されない。
【００４７】
更に、転写用基板から充填された誘電体兼リブ材料を電極材料層が形成されたガラス基板上に転写する。転写により誘電体兼リブ材料層を形成する。
【００４８】
この後、ガラス基板全体を焼成することにより、電極と、誘電体兼リブ材料層とに含まれるバインダ樹脂を分解し、かつ低融点ガラスを軟化及び焼結させことで、１回の焼成により電極、誘電体層及びリブを同時に形成することができる。この方法でも、上記方法と同様に、作製材料に含まれるバインダ樹脂の熱分解温度及び低融点ガラスのガラス軟化点に対応する温度で所定時間保持されるような条件下で行うことが好ましい。
【００４９】
次に、第２の作製材料を使用した表示パネル用基板構体の作製方法を説明する。
まず、電極及び誘電体の材料層を形成する工程は上記第１の作製材料を使用した場合と同様である。
次に、リブ材料を用いて、誘電体材料層上にリブ材料層を形成する。
【００５０】
この後、ガラス基板全体を焼成することにより、電極、誘電体層及びリブの各材料層に含まれるバインダ樹脂を分解し、かつ低融点ガラスを軟化及び焼結させことで、１回の焼成により電極、誘電体層及びリブを同時に形成する。この方法でも、上記方法と同様に、作製材料に含まれるバインダ樹脂の熱分解温度及び低融点ガラスのガラス軟化点に対応する温度で所定時間保持されるような条件下で行うことが好ましい。
【００５１】
本発明の作製材料は、ＰＤＰのような表示パネルに用いることができる。以下では、図１のＰＤＰの作製に本発明の作製材料を使用した例について述べる。
【００５２】
図１のＰＤＰは、３電極ＡＣ型面放電ＰＤＰである。なお、本発明は、このＰＤＰに限らず、緑色蛍光体を含むＰＤＰであればどのような構成にも適用することができる。例えば、ＡＣ型に限らずＤＣ型でもよく、反射型及び透過型のいずれのＰＤＰにも使用することができる。
【００５３】
図１のＰＤＰ１００は、前面側基板構体と背面側基板構体とから構成される。
まず、前面側基板構体は、一般的に、ガラス基板１１上に形成された複数本の表示電極、表示電極を覆うように形成された誘電体層１７、誘電体層１７上に形成され放電空間に露出する保護層１８とからなる。
【００５４】
本発明の作製材料は、この前面側基板構体の表示電極及び誘電体層の作製に使用することができる。
保護層１８は、表示の際の放電により生じるイオンの衝突による損傷から誘電体層１７を保護するために設けられる。保護層１８は、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ等からなる。
【００５５】
次に、背面側基板構体は、一般的に、ガラス基板２１上に前記表示電極と交差する方向に形成された複数本のアドレス電極Ａ、アドレス電極Ａを覆う誘電体層２７、隣接するアドレス電極Ａ間で誘電体層２７上に形成された複数のストライプ状のリブ２９、リブ２９間に壁面を含めて形成された蛍光体層２８とからなる。
【００５６】
本発明の作製材料は、この背面側基板構体のアドレス電極、誘電体層及びリブの作製に使用することができる。
【００５７】
次に、上記前面側基板構体と背面側基板構体を、表示電極（４１、４２）とアドレス電極Ａが直交するように、両電極を内側にして対向させ、隔壁２９により囲まれた空間に放電ガスを充填することによりＰＤＰ１００を形成することができる。
【００５８】
以下、具体的な実施の形態により本発明を更に詳細に説明する。
（実施の形態１）
図２を用いて実施の形態１を説明する。
【００５９】
図２に描かれている層構成は、ガラス基板１上に形成された電極材料層２、誘電体兼リブ材料層３である。電極材料層２は、導電性粒子、熱分解温度Ｔ１のバインダ樹脂、ガラス軟化点Ｔａの低融点ガラス粉体からなる電極材料で構成される。誘電体兼リブ材料層３は、熱分解温度Ｔ２のバインダ樹脂、ガラス軟化点Ｔｂの低融点ガラス粉体、必要に応じて混入するフィラー粉体からなる誘電体兼リブ材料で構成される。
【００６０】
上記各材料の熱分解温度及びガラス軟化点は、Ｔ２＜Ｔ１＜Ｔｂ及びＴａとなるように設定しておく。例えば、Ｔ２＝３００〜３５０℃、Ｔ１＝３５０〜４００℃、Ｔｂ＝４５０℃、Ｔａ＝５００℃のように設定できる。
【００６１】
なお、バインダ樹脂の熱分解温度の調整は、使用されている高分子の分子量や樹脂量、樹脂の種類により行うことができる。具体的には、一般的に分子量が小さく、樹脂量が少ないほど熱分解温度は低くなる。また、バインダ樹脂に光硬化性の樹脂（例えば、オリゴマ、モノマー及び光重合開始剤の混合物）を使用する場合は、官能基数の調整や光重合開始剤の添加量を調整し、重合度や架橋密度を下げることにより熱分解温度を下げることが可能である。
【００６２】
電極材料及び誘電体兼リブ材料の一例を下記する。なお、バインダ樹脂を溶剤に溶解したビークルを使用することで、各材料をペースト状としている。
【００６３】
Ａ．電極材料（Ｔ１＝４００℃、Ｔａ＝５００℃）
（１）導電性粒子：銀、金、白金、パラジウム、アルミニウム、銅、これらの合金等
粒径：０．０２〜６μｍφ程度
（２）低融点ガラス（Ｔａ＝５００℃）
・酸化鉛系ガラス（酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等の混合物）
・酸化ビスマス系ガラス（酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化カルシュウム等の混合物）
低融点ガラスには、微量のアルカリが添加されていてもよい。また、流動性を調整するために、耐熱性酸化物（フィラーもしくは顔料）が添加されていてもよい。耐熱性酸化物を添加する場合、低融点ガラスと耐熱性酸化物の重量混合比は６０〜１００：４０〜０程度が望ましい。
ガラス軟化点（Ｔａ）は低融点ガラスの組成やアルカリ添加量により調節できる。
【００６４】
（３）ビークル（Ｔ１＝４００℃のバインダ樹脂を含む）
（ａ）バインダ樹脂＋溶剤：１０〜４０ｗｔ％のバインダ樹脂を含む溶液、もしくは、（ｂ）バインダ樹脂（オリゴマ）＋モノマー＋光重合開始剤
（ａ）の例
・エチルセルロース（重量平均分子量２０００００〜３０００００）＋ＢＣＡ、テルピネオール
・アクリル樹脂（重量平均分子量４０００００〜５０００００）＋ＢＣＡ、テルピネオール
（ｂ）の例
・アクリル系共重合体＋メタクリル酸モノマー＋光重合開始剤（重量比１〜２：２〜３：０．２〜０．３）
【００６５】
（４）電極材料の組成
導電性粒子：低融点ガラス：ビークル＝７０〜９０：１〜５：２９〜５（重量比）
【００６６】
Ｂ．誘電体兼リブ材料（Ｔ２＝３５０℃、Ｔｂ＝４５０℃）
（１）低融点ガラス（Ｔｂ＝４５０℃）
・酸化鉛系ガラス（酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等の混合物）
・酸化ビスマス系ガラス（酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化カルシュウム等の混合物）
低融点ガラスには、微量のアルカリが添加されていてもよい。また、流動性を調整するために、耐熱性酸化物（フィラーもしくは顔料）が添加されていてもよい。耐熱性酸化物を添加する場合、低融点ガラスと耐熱性酸化物の重量混合比は６０〜１００：４０〜０程度が望ましい。
ガラス軟化点（Ｔｂ）は低融点ガラスの組成やアルカリ添加量により調節できる。
【００６７】
（２）ビークル（Ｔ２＝３５０℃のバインダ樹脂を含む）
（ａ）バインダ樹脂＋溶剤：５〜２０ｗｔ％のバインダ樹脂を含む溶液、もしくは、（ｂ）バインダ樹脂（オリゴマ）＋モノマー＋光重合開始剤
（ａ）の例
・エチルセルロース（重量平均分子量５００００〜１０００００）＋ＢＣＡ、テルピネオール
・アクリル樹脂（重量平均分子量４０００００〜５０００００）＋ＢＣＡ、テルピネオール
（ｂ）の例
・アクリル系共重合体＋メタクリル酸モノマー＋光重合開始剤（重量比１〜２：１〜２：０．１〜０．２）
【００６８】
（４）誘電体兼リブ材料の組成
低融点ガラス：ビークル＝７０〜９０：３０〜１０（重量比）
【００６９】
図２の層構成を作製する方法を以下に述べる。
まず、ガラス基板１上にペースト状の電極材料をスクリーン印刷法等で印刷して電極パターン形状の電極材料層２を形成する。
【００７０】
次いで、別途作製したリブ及び誘電体層のネガ形状となる溝をもつ転写凹版に、ペースト状の誘電体兼リブ材料を充填した後、前記の電極材料層２が形成されたガラス基板１に誘電体兼リブ材料を転写して、誘電体兼リブ材料層３を形成する。転写は、誘電体兼リブ材料に含まれるバインダ樹脂そのものの粘着性を利用する方法、ＵＶ硬化性のバインダ樹脂を使用しＵＶ硬化によりおこなう方法のいずれでもよい。
【００７１】
このようにガラス基板１上に形成した材料層（２及び３）を、室温から５００℃程度まで徐々に昇温する。なお、昇温の際には、望ましくはバインダ樹脂の熱分解温度（３００℃、３５０℃）、低融点ガラスの軟化点（４５０℃、５００℃）で１０〜１５分ほど温度を固定するような昇温プロファイルが望ましい。
【００７２】
基板温度が上昇してゆき３００℃付近になると誘電体兼リブ材料層３に含まれるバインダ樹脂が分解され始めガス状となり、バインダ樹脂は外に放出される（図中、参照番号４）。つづいて、３５０℃付近になると電極材料層２に含まれるバインダ樹脂が分解され始める。この時点で、電極材料層２を覆う誘電体兼リブ材料層３内部は、バインダ樹脂が分解されて存在せず、軟化が始まる前の粉状の低融点ガラスだけが存在している。そのため、電極材料層２に含まれるバインダ樹脂が分解されガス状となった際には、誘電体兼リブ材料層３内部を透過して外に排出される（図中、参照番号５）。
【００７３】
更に温度が上昇し、４５０℃付近では誘電体兼リブ材料層に含まれる低融点ガラスが、５００℃付近では電極材料層に含まれる低融点ガラスが、それぞれ軟化・溶融・焼結することでガラス化し、固着した電極、誘電体層、リブが形成できる。なお、低融点ガラス軟化の際には、バインダ樹脂が存在しないため、基本的にガスは発生しない。従って、低融点ガラス同士間の軟化点の関係はこの例と逆になってもかまわないし、同じでもかまわない。
【００７４】
また、この例では、電極材料及び誘電体兼リブ材料を用いて電極、誘電体層及びリブを形成したが、リブを形成せずに電極及び誘電体層の形成のみに適用することも可能である。更に、誘電体層の形成方法として、上記転写法以外に、スクリーン印刷法が挙げられる。
【００７５】
（実施の形態２）
図３を用いて実施の形態２を説明する。
図３に描かれている層構成は、ガラス基板１上に形成された電極材料層２（導電性粒子、熱分解温度Ｔ１のバインダ樹脂、ガラス軟化点Ｔａの結着用低融点ガラス粉体）、誘電体材料層６（熱分解温度Ｔ２のバインダ樹脂、ガラス軟化点Ｔｂの低融点ガラス粉体、必要に応じて混入するフィラー粉体）である。リブ材料層７である。電極材料層２は、導電性粒子、熱分解温度Ｔ１のバインダ樹脂、ガラス軟化点Ｔａの低融点ガラス粉体からなる電極材料で構成される。誘電体材料層６は、熱分解温度Ｔ２のバインダ樹脂、ガラス軟化点Ｔｂの低融点ガラス粉体、必要に応じて混入するフィラー粉体からなる誘電体材料で構成される。リブ材料層７は、熱分解温度Ｔ３のバインダ樹脂、ガラス軟化点Ｔｃの低融点ガラス粉体、必要に応じて混入するフィラー粉体からなるリブ材料で構成される。
【００７６】
上記各材料の熱分解温度及びガラス軟化点は、Ｔ３＜Ｔ２＜Ｔ１＜Ｔｂ及びＴａであり、かつ、少なくともＴ３＜Ｔｃとなるように設定しておく。例えば、Ｔ３＝３００℃、Ｔ２＝３５０℃、Ｔ１＝４００℃、Ｔｂ＝４５０℃、Ｔｃ＝５００℃、Ｔａ＝５５０℃のように設定できる。
なお、バインダ樹脂の熱分解温度の調整は、実施の形態１と同様にして調整できる。
【００７７】
電極材料、誘電体材料及びリブ材料の一例を下記する。なお、バインダ樹脂を溶剤に溶解したビークルを使用することで、各材料をペースト状としている。
【００７８】
Ａ．電極材料（Ｔ１＝４００℃、Ｔａ＝５００℃）
（１）導電性粒子：銀、金、白金、パラジウム、アルミニウム、銅、これらの合金等
粒径：０．０２〜６μｍφ程度
（２）低融点ガラス（Ｔａ＝５００℃）
・酸化鉛系ガラス（酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等の混合物）
・酸化ビスマス系ガラス（酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化カルシュウム等の混合物）
低融点ガラスには、微量のアルカリが添加されていてもよい。また、流動性を調整するために、耐熱性酸化物（フィラーもしくは顔料）が添加されていてもよい。耐熱性酸化物を添加する場合、低融点ガラスと耐熱性酸化物の重量混合比は６０〜１００：４０〜０程度が望ましい。
ガラス軟化点（Ｔａ）は低融点ガラスの組成やアルカリ添加量により調節できる。
【００７９】
（３）ビークル（Ｔ１＝４００℃のバインダ樹脂を含む）
（ａ）バインダ樹脂＋溶剤：１０〜４０ｗｔ％のバインダ樹脂を含む溶液、もしくは、（ｂ）バインダ樹脂（オリゴマ）＋モノマー＋光重合開始剤
（ａ）の例
・エチルセルロース（重量平均分子量２０００００〜３０００００）＋ＢＣＡ、テルピネオール
・アクリル樹脂（重量平均分子量４０００００〜５０００００）＋ＢＣＡ、テルピネオール
（ｂ）の例
・アクリル系共重合体＋メタクリル酸モノマー＋光重合開始剤（重量比１〜２：２〜３：０．２〜０．３）
【００８０】
（４）電極材料の組成
導電性粒子：低融点ガラス：ビークル＝７０〜９０：１〜５：２９〜５（重量比）
【００８１】
Ｂ．誘電体材料（Ｔ２＝３５０℃、Ｔｂ＝４５０℃）
（１）低融点ガラス（Ｔｂ＝４５０℃）
・酸化鉛系ガラス（酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等の混合物）
・酸化ビスマス系ガラス（酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化カルシュウム等の混合物）
低融点ガラスには、微量のアルカリが添加されていてもよい。また、流動性を調整するために、耐熱性酸化物（フィラーもしくは顔料）が添加されていてもよい。耐熱性酸化物を添加する場合、低融点ガラスと耐熱性酸化物の重量混合比は６０〜１００：４０〜０程度が望ましい。
ガラス軟化点（Ｔｂ）は低融点ガラスの組成やアルカリ添加量により調節できる。
【００８２】
（２）ビークル（Ｔ２＝３５０℃のバインダ樹脂を含む）
（ａ）バインダ樹脂＋溶剤：５〜２０ｗｔ％のバインダ樹脂を含む溶液、もしくは、（ｂ）バインダ樹脂（オリゴマ）＋モノマー＋光重合開始剤
（ａ）の例
・エチルセルロース（重量平均分子量５００００〜１０００００）＋ＢＣＡ、テルピネオール
・アクリル樹脂（重量平均分子量４０００００〜５０００００）＋ＢＣＡ、テルピネオール
（ｂ）の例
・アクリル系共重合体＋メタクリル酸モノマー＋光重合開始剤（重量比１〜２：１〜２：０．１〜０．２）
【００８３】
（４）誘電体材料の組成
低融点ガラス：ビークル＝７０〜９０：３０〜１０（重量比）
Ｃ．リブ材料（Ｔ３＝３００℃、Ｔｃ＝５００℃）
（１）低融点ガラス（Ｔｂ＝５００℃）
・酸化鉛系ガラス（酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等の混合物）
・酸化ビスマス系ガラス（酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化カルシュウム等の混合物）
低融点ガラスには、微量のアルカリが添加されていてもよい。また、流動性を調整するために、耐熱性酸化物（フィラーもしくは顔料）が添加されていてもよい。耐熱性酸化物を添加する場合、低融点ガラスと耐熱性酸化物の重量混合比は６０〜１００：４０〜０程度が望ましい。
ガラス軟化点（Ｔｂ）は低融点ガラスの組成やアルカリ添加量により調節できる。
【００８４】
（２）ビークル（Ｔ３＝３００℃のバインダ樹脂を含む）
（ａ）バインダ樹脂＋溶剤：５〜２０ｗｔ％のバインダ樹脂を含む溶液、もしくは、（ｂ）バインダ樹脂（オリゴマ）＋モノマー＋光重合開始剤
（ａ）の例
・エチルセルロース（重量平均分子量２００００〜３００００）＋ＢＣＡ、テルピネオール
・アクリル樹脂（重量平均分子量２００００〜３００００）＋ＢＣＡ、テルピネオール
（ｂ）の例
・アクリル系共重合体＋メタクリル酸モノマー＋光重合開始剤（重量比１〜２：０．５〜１：０．０１〜０．１）
【００８５】
（４）誘電体材料の組成
低融点ガラス：ビークル＝７０〜９０：３０〜１０（重量比）
【００８６】
図３の層構成を作製する方法を以下に述べる。
まず、ガラス基板１上にペースト状の電極材料をスクリーン印刷法等で印刷して電極パターン形状の電極材料層２を形成する。
【００８７】
つづいて、スクリーン印刷法等によりペースト状の誘電体材料を印刷して誘電体材料層６を形成した後、リブ材料を全面に塗布してベタ膜を形成する。
【００８８】
その後、ドライフィルム等の感光性レジストをパターニングしてマスクを形成し、サンドブラストを用いてマスクで覆われていない部分のベタ膜を切削することによりリブ材料層７を形成する。リブ材料層７の形成後、マスクを除去する。なお、サンドブラストによるリブ材料層の形成方法以外に、リブ材料に含まれるバインダ樹脂を感光性樹脂とし、ベタ膜形成後、露光及び現像によりリブ材料層を形成する方法もとれる。
【００８９】
以上のようにガラス基板１上に形成した各材料層（２、６及び７）を、室温から５５０℃程度まで徐々に昇温する。なお、昇温の際には、望ましくはバインダ樹脂の熱分解温度（３００℃、３５０℃、４００℃）、低融点ガラスの軟化点（４５０℃、５００℃、５５０℃）で１０〜１５分ほど温度を固定するような昇温プロファイルが望ましい。
【００９０】
基板温度が上昇してゆき３００℃付近になるとリブ材料層に含まれるバインダ樹脂が分解され始めガス状となり、バインダ樹脂は外に放出される（図中、参照番号８）。つづいて、３５０℃付近になると誘電体材料層６に含まれるバインダ樹脂が分解され始める。この時点で、リブ材料層７の内部はバインダ樹脂が分解されて存在せず、軟化が始まる前の粉状の低融点ガラスだけが存在している。そのため、誘電体材料層６に含まれるバインダ樹脂が分解されガス状となった際には、リブ材料層７に覆われている領域ではその内部を透過して、覆われていない領域ではそのまま外に排出される。
【００９１】
４００℃付近になると電極材料層２に含まれるバインダ樹脂が分解されて、誘電体材料層と同じ理由により誘電体及びリブの各材料層（６及び７）を透過してバインダ樹脂が放出される。
【００９２】
更に温度が上昇し４５０℃付近では誘電体材料層に含まれる低融点ガラスが、５００℃付近ではリブ材料層に含まれる低融点ガラスが、５５０℃付近では電極材料層に含まれる低融点ガラスが、それぞれ軟化・溶融・焼結することでガラス化し、固着した電極、誘電体層及びリブが形成できる。なお、低融点ガラス軟化の際には、バインダ樹脂が存在しないため、基本的にガスは発生しない。従って、低融点ガラス同士間の軟化点の関係はこの例と逆になってもかまわないし、同じでもかまわない。
【００９３】
（実施の形態３）
上記実施の形態１及び２では、表示パネルの背面側基板構体に本発明の作製材料を使用した例を示したが、以下では、前面側基板構体に使用した例を示す。
【００９４】
図４を用いて実施の形態１を説明する。
図４に描かれている層構成は、ガラス基板１ａ上に形成された電極材料層２ａ、誘電体材料層３ａである。電極材料層２ａは、導電性粒子、熱分解温度Ｔ１のバインダ樹脂、ガラス軟化点Ｔａの低融点ガラス粉体からなる電極材料で構成される。誘電体材料層３ａは、熱分解温度Ｔ２のバインダ樹脂、ガラス軟化点Ｔｂの低融点ガラス粉体、必要に応じて混入するフィラー粉体からなる誘電体材料で構成される。
【００９５】
上記各材料の熱分解温度及びガラス軟化点は、Ｔ２＜Ｔ１＜Ｔｂ及びＴａとなるように設定しておく。例えば、Ｔ２＝３００〜３５０℃、Ｔ１＝３５０〜４００℃、Ｔｂ＝４５０℃、Ｔａ＝５００℃のように設定できる。
なお、バインダ樹脂の熱分解温度の調整は、実施の形態１と同様に行うことができる。
【００９６】
電極材料及び誘電体材料の一例を下記する。なお、バインダ樹脂を溶剤に溶解したビークルを使用することで、各材料をペースト状としている。
【００９７】
Ａ．電極材料（Ｔ１＝４００℃、Ｔａ＝５００℃）
（１）導電性粒子：銀、金、白金、パラジウム、アルミニウム、銅、これらの合金等
粒径：０．０２〜６μｍφ程度
（２）低融点ガラス（Ｔａ＝５００℃）
・酸化鉛系ガラス（酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等の混合物）
・酸化ビスマス系ガラス（酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化カルシュウム等の混合物）
低融点ガラスには、微量のアルカリが添加されていてもよい。また、流動性を調整するために、耐熱性酸化物（フィラーもしくは顔料）が添加されていてもよい。耐熱性酸化物を添加する場合、低融点ガラスと耐熱性酸化物の重量混合比は６０〜１００：４０〜０程度が望ましい。
ガラス軟化点（Ｔａ）は低融点ガラスの組成やアルカリ添加量により調節できる。
【００９８】
（３）ビークル（Ｔ１＝４００℃のバインダ樹脂を含む）
（ａ）バインダ樹脂＋溶剤：１０〜４０ｗｔ％のバインダ樹脂を含む溶液、もしくは、（ｂ）バインダ樹脂（オリゴマ）＋モノマー＋光重合開始剤
（ａ）の例
・エチルセルロース（重量平均分子量２０００００〜３０００００）＋ＢＣＡ、テルピネオール
・アクリル樹脂（重量平均分子量４０００００〜５０００００）＋ＢＣＡ、テルピネオール
（ｂ）の例
・アクリル系共重合体＋メタクリル酸モノマー＋光重合開始剤（重量比１〜２：２〜３：０．２〜０．３）
【００９９】
（４）電極材料の組成
導電性粒子：低融点ガラス：ビークル＝７０〜９０：１〜５：２９〜５（重量比）
【０１００】
Ｂ．誘電体材料（Ｔ２＝３５０℃、Ｔｂ＝４５０℃）
（１）低融点ガラス（Ｔｂ＝４５０℃）
・酸化鉛系ガラス（酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等の混合物）
・酸化ビスマス系ガラス（酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化カルシュウム等の混合物）
低融点ガラスには、微量のアルカリが添加されていてもよい。また、流動性を調整するために、耐熱性酸化物（フィラーもしくは顔料）が添加されていてもよい。耐熱性酸化物を添加する場合、低融点ガラスと耐熱性酸化物の重量混合比は６０〜１００：４０〜０程度が望ましい。
ガラス軟化点（Ｔｂ）は低融点ガラスの組成やアルカリ添加量により調節できる。
【０１０１】
（２）ビークル（Ｔ２＝３５０℃のバインダ樹脂を含む）
（ａ）バインダ樹脂＋溶剤：５〜２０ｗｔ％のバインダ樹脂を含む溶液、もしくは、（ｂ）バインダ樹脂（オリゴマ）＋モノマー＋光重合開始剤
（ａ）の例
・エチルセルロース（重量平均分子量５００００〜１０００００）＋ＢＣＡ、テルピネオール
・アクリル樹脂（重量平均分子量４０００００〜５０００００）＋ＢＣＡ、テルピネオール
（ｂ）の例
・アクリル系共重合体＋メタクリル酸モノマー＋光重合開始剤（重量比１〜２：１〜２：０．１〜０．２）
【０１０２】
（４）誘電体材料の組成
低融点ガラス：ビークル＝７０〜９０：３０〜１０（重量比）
【０１０３】
図４の層構成を作製する方法を以下に述べる。
まず、ガラス基板１ａ上にペースト状の電極材料をスクリーン印刷法等で印刷して電極パターン形状の電極材料層２ａを形成する。
つづいて、スクリーン印刷法等によりペースト状の誘電体材料を印刷して誘電体材料層６ａを形成する。
【０１０４】
このようにガラス基板１ａ上に形成した各材料層（２ａ及び６ａ）を、室温から５００℃程度まで徐々に昇温する。なお、昇温の際には、望ましくはバインダ樹脂の熱分解温度（３００℃、３５０℃）、低融点ガラスの軟化点（４５０℃、５００℃）で１０〜１５分ほど温度を固定するような昇温プロファイルが望ましい。
【０１０５】
基板温度が上昇してゆき３００℃付近になると誘電体材料層６ａに含まれるバインダ樹脂が分解され始めガス状となり、バインダ樹脂は外に放出される（図中、参照番号９ａ）。つづいて、３５０℃付近になると電極材料層２ａに含まれるバインダ樹脂が分解され始める。この時点で、電極材料層２ａを覆う誘電体材料層６ａ内部は、バインダ樹脂が分解されて存在せず、軟化が始まる前の粉状の低融点ガラスだけが存在している。そのため、電極材料層２ａに含まれるバインダ樹脂が分解されガス状となった際には、誘電体材料層層６ａ内部を透過して外に排出される（図中、参照番号１０ａ）。
【０１０６】
更に温度が上昇し、４５０℃付近では誘電体材料層に含まれる低融点ガラスが、５００℃付近では電極材料層に含まれる低融点ガラスが、それぞれ軟化・溶融・焼結することでガラス化し、固着した電極、誘電体層、リブが形成できる。なお、低融点ガラス軟化の際には、バインダ樹脂が存在しないため、基本的にガスは発生しない。従って、低融点ガラス同士間の軟化点の関係はこの例と逆になってもかまわないし、同じでもかまわない。
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明の作製材料を用いることで、１回の焼成で電極及び誘電体層を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】ＰＤＰの概略斜視図である。
【図２】実施の形態１の前面側基板構体の作製方法を説明する概略図である。
【図３】実施の形態２の前面側基板構体の作製方法を説明する概略図である。
【図４】実施の形態３の前面側基板構体の作製方法を説明する概略図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１、１ａ  ガラス基板
２、２ａ  電極材料層
３  誘電体兼リブ材料層
４、５、８、９、９ａ、１０、１０ａ  ガス
６、６ａ  誘電体材料層
７  リブ材料層
１１、２１  ガラス基板
１７、２７  誘電体層
１８  保護層
２８  蛍光体層
２９  隔壁
４１  透明電極
４２  バス電極
１００  ＰＤＰ
Ａ  アドレス電極
【図１】
2005322444.tif 000003
【図２】
2005322444.tif 000004
【図３】
2005322444.tif 000005
【図４】
2005322444.tif 000006