(57)【要約】【課題】  本発明は、角型基板周縁部および角型基板端面において形成されてしまう余分な膜や付着物を短時間に除去することを課題とする。また、インクジェットなどを用いて配線を形成した場合、誤って基板周縁部に形成されてしまった付着物を短時間に除去することも課題とする。【解決手段】  本発明は、大気圧下で形成されたプラズマを基板上下（２方向）から吹き付けて基板１０周縁部の膜除去を行い、さらにバキュームを基板端面側から行う。また、プラズマを吹き付ける反応容器１５ａ、１５ｂは、基板面に対して斜めにプラズマを吹きつける形状（一部折れ曲がった形状）とする。また、本発明の膜除去装置は、基板を水平面に垂直、或いは斜めに保持することもできる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧が保たれた処理室内に、被処理膜が成膜された基板を保持する手段と、プラズマを反応容器の吹き出し口から吹き出すプラズマ発生手段と、排気手段とを備え、
基板の周縁部または端面に対して、プラズマを反応容器の吹き出し口から吹き出して前記基板の周縁部の膜、または端面の膜を除去しながら、基板近傍の雰囲気を排気手段により吸引することを特徴とする膜除去装置。
【請求項２】
大気圧が保たれた処理室内に、被処理膜が成膜された基板を保持する手段と、プラズマを第１の反応容器の吹き出し口から吹き出す第１のプラズマ発生手段と、プラズマを第２の反応容器の吹き出し口から吹き出す第２のプラズマ発生手段と、排気手段とを備え、
基板の表面周縁部または端面に対して、プラズマを第１の反応容器の吹き出し口から吹き出して前記基板の表面周縁部の膜を除去し、且つ、基板の裏面周縁部または端面に対して、プラズマを第２の反応容器の吹き出し口から吹き出して前記基板の裏面周縁部の膜を除去しながら、基板近傍の雰囲気を排気手段により吸引することを特徴とする膜除去装置。
【請求項３】
請求項２において、前記第１のプラズマ発生手段と前記第２のプラズマ発生手段は、基板の一辺を挟んで設けられていることを特徴とする膜除去装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、キャリアガスを吹き出すブローノズルを有し、ブローノズルと排気手段の間にプラズマが吹き出されることを特徴とする膜除去装置。
【請求項５】
請求項４において、前記キャリアガスは、Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、或いはＯから選ばれるガスであることを特徴とする膜除去装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記反応容器は、基板面に対して斜めにプラズマを吹き出つける形状であることを特徴とする膜除去装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記プラズマは、Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、或いはＯから選ばれるガスプラズマであることを特徴とする膜除去装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、被処理膜が成膜された基板を保持する手段は、基板を水平に保持することを特徴とする膜除去装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一において、被処理膜が成膜された基板を保持する手段は、基板を水平面に垂直、或いは斜めに保持することを特徴とする膜除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機膜、或いは無機膜等の薄膜の除去装置またはクリーニング装置に関し、特に角型のガラス基板の端面周辺部の除去装置またはクリーニング装置に関する。また、この装置を用いたトランジスタ、液晶パネル、並びに発光パネルの製造方法、および製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトレジスト等の有機薄膜やシロキサンを含む無機薄膜を塗布法により形成した場合、スピナーで塗布しているため、膜厚に同心円状のむら（図６（Ａ）に斜視図を示す）ができ、角型基板１０００の４隅に盛り上がりができる。この盛り上がりは雰囲気制御の塗布カップを利用したスピナーでも発生する。また、図６（Ｂ）に断面図を示すように、スピナーでは基板の端面、および裏面の周縁部にも膜が形成される。
【０００３】
例えば、レジストを用いた場合、従来では、特許文献１に示す装置を用い、基板端面に重なる上下のノズルでリンス（シンナー等）を出し、基板周縁部のレジスト膜を除去している。その後、ベークおよび周辺露光を行っている。しかし、リンスによっても図６（Ｃ）に示すような盛り上がりが角型基板に残ってしまう。また、盛り上がりが残ってしまうため、周辺露光を行う時間も長くなってしまう。加えて、エッチング後にレジストを除去する際、盛り上がっている部分を除去するためにＯ2アッシングの時間が余計に必要とされてしまう。Ｏ2アッシングでは処理室内を真空とする手間がかかる。なお、Ｏ2アッシング後の基板断面図を図６（Ｄ）に示す。
【０００４】
また、パッド部周辺のレジストなどを除去するために特許文献２に示す装置を用い、大気圧近傍のプラズマで除去している。
【０００５】
また、特許文献３では、大気圧下で基板にプラズマガンでプラズマを照射してレジストを分解している。
【特許文献１】特開２００１−２４４１６９
【特許文献２】特開２００２−３６８３８９
【特許文献３】特開２０００−１５０４７５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基板の端面は、研磨されている表面に比べてレジストなどが形成されやすく、除去しにくい。また、リンスを行った場合、除去効率が低く大量のリンス及び処理時間が必要とされ、さらに基板端面にシンナー残りが発生するという問題が起こりやすく、次工程への悪影響の恐れがある。
【０００７】
また、膜の材料によっては、ベーク前に専用のある有機溶剤を使えば除去できるものがあるが、すべての材料に対応しているわけではない。
【０００８】
基板周縁部や端面の付着物を除去しない場合、搬送時または基板を保持する部材、例えばクランプによって付着物が剥がれてゴミが発生する恐れがある。
【０００９】
本発明は、角型基板周縁部および角型基板端面において形成されてしまう余分な膜や付着物を短時間に除去することを課題とする。
【００１０】
また、インクジェットなどの液滴吐出法を用いて配線を形成した場合、誤って基板周縁部に形成されてしまった付着物を短時間に除去することも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明では、大気圧下で形成されたプラズマを基板上下（２方向）から吹き付けて基板周縁部の膜除去を行い、さらにバキュームを基板端面側から行う。また、基板端面の膜を除去するため、基板上下に加え、さらにもう一つのノズルを設けた３方向からプラズマを吹き付けてもよい。
【００１２】
特許文献２、および特許文献３に示す装置を用いた従来の大気圧下のプラズマによる膜除去では、除去後の膜片が飛び散って拡散し、雰囲気中に浮遊、或いは画素部などに付着する恐れがある。また、特許文献２、および特許文献３に示す装置を用いた従来の大気圧下のプラズマでは、裏面側の膜が除去できない。
【００１３】
また、インクジェットなどの液滴吐出法での材料層は、ウェットエッチングで行う場合、それぞれ溶媒が異なる可能性があるため、材料ごとにエッチャントを代える必要がある。また、ウェットエッチングは除去効率が低く、大量の溶媒及び処理時間が必要とされる。
【００１４】
プラズマであればほとんど材料に関係なく、必要のない箇所に形成された膜を短時間に除去できる。さらに膜の材料に合わせてプラズマガスを適宜、変えることも可能である。
【００１５】
本明細書で開示する発明の構成は、
大気圧が保たれた処理室内に、被処理膜が成膜された基板を保持する手段と、プラズマを反応容器の吹き出し口から吹き出すプラズマ発生手段と、排気手段とを備え、
基板の周縁部または端面に対して、プラズマを反応容器の吹き出し口から吹き出して前記基板の周縁部の膜、または端面の膜を除去しながら、基板近傍の雰囲気を排気手段により吸引することを特徴とする膜除去装置である。
【００１６】
また、上記各構成において、前記プラズマ発生手段、前記排気手段、または前記ブローノズルは、基板と相対的に移動することを特徴としている。少なくとも前記プラズマ発生手段は、基板の一辺に沿って相対的に移動することを特徴としている。
【００１７】
また、上記構成において、前記反応容器は、基板面に対して斜めにプラズマを吹きつける形状（一部折れ曲がった形状）であることを特徴としている。
【００１８】
また、他の発明の構成は、
大気圧が保たれた処理室内に、被処理膜が成膜された基板を保持する手段と、プラズマを第１の反応容器の吹き出し口から吹き出す第１のプラズマ発生手段と、プラズマを第２の反応容器の吹き出し口から吹き出す第２のプラズマ発生手段と、排気手段とを備え、
基板の表面周縁部または端面に対して、プラズマを第１の反応容器の吹き出し口から吹き出して前記基板の表面周縁部の膜を除去し、且つ、基板の裏面周縁部または端面に対して、プラズマを第２の反応容器の吹き出し口から吹き出して前記基板の裏面周縁部の膜を除去しながら、基板近傍の雰囲気を排気手段により吸引することを特徴とする膜除去装置である。
【００１９】
また、上記各構成において、前記第１のプラズマ発生手段と前記第２のプラズマ発生手段は、基板の一辺を挟んで設けられていることを特徴としている。
【００２０】
また、上記各構成において、キャリアガスを吹き出すブローノズルを有し、ブローノズルと排気手段の間にプラズマが吹き出されることを特徴としている。プラズマ照射により飛び散るパーティクルまたは気体をブローノズルからのキャリアガスによって基板中心部から基板端面の方向に吹き飛ばすことで、基板への再付着を防いでいる。
【００２１】
また、上記各構成において、前記キャリアガスは、Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、或いはＯから選ばれるガスであることを特徴としている。また、前記キャリアガスとプラズマガスとを同一としてもよい。また、処理室は不活性雰囲気とすることが好ましく、キャリアガスと同一ガスで充填しておくことが好ましい。
【００２２】
また、上記各構成において、前記プラズマは、Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、或いはＯから選ばれるガスプラズマであることを特徴としている。有機樹脂膜を除去する場合には、希ガス（He、Ne、Ar、Kr、Xe等）、酸素、窒素、水素またはそれらを組み合わせた混合ガスを用いればよい。他にも金属膜を除去する場合には、塩素系ガス（Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＣＣｌ4など）プラズマ、シリコンを含む半導体膜や絶縁膜は、フッ素系ガス（ＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3など）を用いることが好ましい。
【００２３】
また、上記各構成において、被処理膜が成膜された基板を保持する手段は、基板を水平に保持する、或いは、被処理膜が成膜された基板を保持する手段は、基板を水平面に垂直、或いは斜めに保持することを特徴としている。本発明は、従来のように溶液（リンス）を用いるために基板を水平に保持する必要は特になく、大気圧でのプラズマ照射であるので、基板を水平面に垂直、或いは斜めに保持することもヘッドの位置を基板に合わせれば膜除去処理を行うことができる。特に、大型基板は自重による撓みが生じやすいため、水平面に垂直、或いは斜めに設置できる膜除去装置を提供できることは有用である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明により、多大なコストをかけて有機溶剤の廃液処理を行う必要がなく、かつ、環境汚染の問題もない。また、プラズマによれば、膜を容易に分解でき、処理時間が短縮できる。また、基板端面、基板裏面の膜除去によりパーティクルの問題も解決する。
【００２５】
加えて、大型基板にも対応でき、本発明の装置は、半導体装置を大量生産するに適している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００２７】
（実施の形態１）
図１に本発明の膜除去装置の概略図を示す。
【００２８】
図１（Ａ）に示す図は、ブローノズル１４ａ、１４ｂと、プラズマが吹き出される反応容器１５ａ、１５ｂと、排気口１３とを備えたヘッド１２の拡大断面図である。なお、図１（Ｂ）は処理室内の斜視図を示している。
【００２９】
なお、処理室は外部から区画形成された密閉型になっているものの、内部はあくまで大気圧状態であり、真空雰囲気にはなっていない。また、本発明においては、パーティクルなどを除去するため排気を行うが、不活性ガスまたは空気を導入して一定の圧力、好ましくは大気圧近傍の圧力を保つように圧力調整をしてもよい。処理室内の圧力が変動すると、プラズマ強度やプラズマ照射の位置がバラツク恐れがある。処理室内における大気圧又は大気圧近傍の圧力は、１．３０×１０1〜１．３１×１０5Paとすれば良い。
【００３０】
基板の一辺を挟むように設けられた複数のプラズマ発生手段により、基板の表面周縁部と裏面周縁部とに形成されている被処理膜を短時間に除去することができる。また、プラズマ照射により飛び散るパーティクルまたは気体をブローノズルからのガスによって基板中心部から基板端面の方向に吹き飛ばすことで、基板への再付着を防いでいる。また、再付着を防ぐため短時間に排気させることが好ましく、ガス流量を同じ、もしくは反応容器のガス流量よりもブローノズルのガス流量が多くなるようにすることが望ましい。また、確実にプラズマ照射するため、反応容器１５の吹き出し口は、ブローノズル１４よりも基板に近い位置に設けられている。
【００３１】
また、除去されずに残った膜の端部は、ブローノズルからのガスによってテーパー状となる。
【００３２】
ここで、処理室に搬入する基板１０上には被処理膜１１が形成されている。被処理膜としてはスピナーで成膜されたレジストなどの有機樹脂膜やＳＯＧなどの無機絶縁膜、蒸着法により成膜された有機化合物を含む膜、ＬＰＣＶＤ法によって基板の両面に形成された半導体膜や無機絶縁膜などが挙げられる。
【００３３】
本発明の膜除去装置は、不要な箇所、例えば基板周縁部、端面、および裏面に形成された膜を短時間に除去するものである。また、本発明の膜除去装置は、液滴吐出法（代表的にはインクジェット、ディスペンサなど）で誤って不要な箇所に滴下されたものも除去可能である。また、本発明の膜除去装置は、被処理膜の除去以外にも、端子電極表面の洗浄や、接着部分となる箇所の表面改質などを行うことも可能である。
【００３４】
反応容器１５ａ、１５ｂの上面は反応ガス導入口、下面は吹き出し口となっている。反応容器の吹き出し口は、円形でも矩形でもよい。例えば、反応容器を扁平形状の角筒管とし、その反応容器の吹き出し口は、基板の一辺よりも長い辺を有する矩形としてもよい。反応容器は石英、アルミナ、セラミック材料などの絶縁材料で構成されている。図１では、反応容器１５ａ、１５ｂにおいて、吹き出し口から吹き出すガスが基板に沿うように流れやすくするため、一部折れ曲がっている。このように、方向づけのために反応容器１５ａ、１５ｂの形状を変更することは有用である。
【００３５】
また、反応容器の外周面にはプラズマを生成するための電極１７ａ、１７ｂ、１８ａ、１８ｂが設けられている。また、電極電極１７ａ、１７ｂ、１８ａ、１８ｂは冷却機構により冷却することが好ましい。
【００３６】
吹き出し口の上方において、電極１７ａ、１８ａは上下に対向して配置され、それらの間に放電空間が形成される。この放電空間に形成される電気力線は、反応容器の内周面に沿って上下方向（電極１７ａ、１８ａが並ぶ方向）に形成される。なお、電極１７ａと電極１８ａの間隔は２〜２０ｍｍとして、適宜設定すればよい。
【００３７】
ガス導入口から反応容器内にプラズマ生成用の反応ガスを供給するとともに電極間に電圧（高周波電圧または交流電圧）を印加することにより反応容器内に放電を生じさせて形成されたプラズマ１９ａ、１９ｂを吹き出し口から基板周縁部に向けて吹き出す。照射された部分の膜とプラズマが化学反応して分解される。分解生成物が気体となる場合もあれば、パーティクルとなる場合もある。電源１６ａ、１６ｂとして直流電源を用いる場合には、放電を安定化するために間欠的に電力を供給するものが好ましく、その周波数が５０Hz〜１００kHz、パルス持続時間が１〜１０００μsecとすることが好ましい。
【００３８】
プラズマ生成用の反応ガスとしては、希ガス（He、Ne、Ar、Kr、Xe等）、酸素、窒素、水素またはそれらを組み合わせた混合ガスを用いればよい。シリコンなどの半導体膜を除去する目的においては、四フッ化炭素(CF4)、三フッ化窒素(NF3)、六フッ化硫黄(SF6)、その他のフッ化物気体と、酸素(O2)などを適宜組み合わせて使用すれば良い。また、放電を安定的に持続させるために、これらのフッ化物気体を、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノン等の希ガスで希釈して用いても良い。ガス流量は、反応容器の吹き出し口における開口面積や除去しようとする膜の膜厚、材料によって適宜設定すればよい。
【００３９】
また、ガス種を切り替えることで、２段階のプラズマ処理を連続して行ってもよい。
【００４０】
ブローノズル１４ａ、１４ｂは、プラズマにより除去された分解物（膜片または気体）を排気口方向に吹き飛ばし、排気するために設けられている。ブローノズルから吹き出されるガスとしては希ガス（Ａｒ、Ｈｅなど）、酸素、窒素、または空気などを用いる。また、反応容器の吹き出し口よりもプラズマ照射領域は広がるが、ブローノズルからのガス気流により、基板中心部への広がりを抑えることができる。また、ブローノズルからのガス気流により、基板の端面に廻り込ませてプラズマが照射されるようにしている。
【００４１】
また、処理室に基板加熱手段を設けてもよい。
【００４２】
また、図１（Ｂ）では処理室内に４つのヘッド１２を設け、基板の４辺それぞれに対してヘッドが移動する例を示したが特に限定されない。例えば、基板を保持するステージ（図示しない）は、基板をノズルに対して相対的に移動させる機構を持たせてもよい。
【００４３】
また、基板を保持するステージに代えて搬送ロボットを用いてもよい。処理室の搬送ロボットを用いる場合、搬送室にヘッド１２を設けることができる。基板の搬送路に沿って２つのヘッドを平行に対向して固定し、２つのヘッドの間隔（基板１枚分の間隔）に基板をロボット搬送することで基板の２辺を処理する。搬送室を通過させることで２辺を処理することができる。この場合、残りの２辺を処理するために、基板を９０°回転させて同様に２つのヘッドが設けられた第２の搬送室に搬送する。もしくは、２辺を処理した後、基板を９０°回転させて再度同じ搬送室内で残りの２辺を処理してもよい。
【００４４】
また、本発明は、従来のように溶液（リンス）を用いるために基板を水平に保持する必要はなく、大気圧でのプラズマ照射であるので、基板を水平面に垂直、或いは斜めに設置していてもヘッドの位置を基板に合わせれば膜除去処理を行うことができる。特に、大型基板は自重による撓みが生じやすいため、水平面に垂直、或いは斜めに設置できる膜除去装置を提供することは有用である。
【００４５】
本発明は、大気圧でのプラズマ照射であるので、溶液（リンス）を用いるよりも短時間で処理を行うことができる。また、本発明は、リンスを行わないため、廃液処理を行う必要がなく、さらに処理後の液残りや、盛り上がりも生じることなく、基板周縁部の膜を短時間に除去することができる。
【００４６】
また、本発明は、大気圧でのプラズマ照射であるので、Ｏ2アッシング処理のように処理室内を真空引きする手間は必要なく、大型基板を用いた大量生産に適している。また、真空引きする手間は必要なく、本発明のヘッドを搬送室に設置することもできる。
【００４７】
（実施の形態２）
ここでは、図１とは異なる膜除去装置の一例を図２に示す。また、簡略化のため、図１に示す装置と異なっている部分を重点的に説明する。なお、図２において図１と同一の部分には同じ符号を用いる。
【００４８】
図２（Ａ）に示す図は、ブローノズル３１４ａ、３１４ｂと、プラズマが吹き出される反応容器３１５と、排気口３１３とを備えたヘッド３１２の拡大断面図である。なお、図２（Ｂ）は上面からみた模式図を示している。
【００４９】
なお、処理室は外部から区画形成された密閉型になっているものの、内部はあくまで大気圧状態であり、真空雰囲気にはなっていない。処理室内における大気圧又は大気圧近傍の圧力は、１．３０×１０1〜１．３１×１０5Paとすれば良い。
【００５０】
図２に示す膜除去装置は、反応容器３１５が共通となっており、一つの反応容器３１５に２つのプラズマ発生手段が設けられ、２つの方向から同じガス流量の反応ガスが導入されている。なお、反応容器３１５には、基板の端部を差し込む開口部と、排気を行う開口部とが設けられており、この二つの開口部が吹き出し口となっている。
【００５１】
また、図２（Ｂ）に示すように、ブローノズル３１４ａは、反応容器３１５よりも幅の大きなものを用いており、反応容器の外側を回り込むガスの流れと、反応容器を通過するガスの流れとを形成することによって排気口３１３に効率よく排気を行って、基板への再付着を防いでいる。また、効率よく排気させるため、反応容器のガス流量よりもブローノズルのガス流量が多くなるようにすることが好ましい。また、確実にプラズマ照射するため、反応容器３１５の吹き出し口は、ブローノズル３１４ａよりも基板に近い位置に設けられている。また、ヘッド３１２の形状もプラズマにより除去された分解物（膜片または気体）を排気口方向に吹き飛ばし、排気するのに効果的である。
【００５２】
図２に示す膜除去装置は、基板１０の端面に形成された膜を短時間に除去することができる。
【００５３】
また、基板を保持するステージ（図示しない）は、基板をノズルに対して相対的に移動させる機構を持たせてもよい。また、基板をステージで固定し、ヘッドを移動させる機構としてもよい。また、基板加熱手段を設けてもよい。
【００５４】
また、本発明は、従来のように溶液（リンス）を用いるために基板を水平に保持する必要はなく、大気圧でのプラズマ照射であるので、基板を水平面に垂直、或いは斜めに設置していてもヘッドの位置を基板に合わせれば膜除去処理を行うことができる。特に、大型基板は自重による撓みが生じやすいため、水平面に垂直、或いは斜めに設置できる膜除去装置を提供することは有用である。
【００５５】
また、本発明は、大気圧でのプラズマ照射であるので、Ｏ2アッシング処理のように処理室内を真空引きする手間は必要なく、大型基板を用いた大量生産に適している。
【００５６】
また、本実施の形態は実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
【００５７】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
【実施例１】
【００５８】
本実施例では、スピナーで塗布した後、基板周縁部のレジスト膜を除去する例を示す。
【００５９】
フォトレジストをスピナーで塗布した基板を図１に示す装置が設置された処理室に搬入する。スピナー処理室と図１に示す装置が設置された処理室とを連結させた製造装置としてもよい。
【００６０】
スピナーで塗布した場合、レジスト膜は、基板表面全体、基板の端面、および裏面周縁部に形成される。また、同心円状の膜厚ムラも残っている。
【００６１】
基板周縁部のレジスト膜を除去するため、基板の一辺を挟むように設けられた複数のノズル１５ａ、１５ｂにより、基板周縁部に対してプラズマ照射（Ｏ2ガスプラズマまたはＡｒガスプラズマ）を行う。プラズマ照射により飛び散るパーティクルまたは気体をブローノズルからのガスによって、基板中心部から基板端面の方向に吹き飛ばすことで、基板への再付着を防いでいる。複数のノズルが設けられたヘッドは４つあり、基板の各一辺に沿って移動させることによって、基板周縁部のレジスト膜を除去する。
【００６２】
図１に示す装置によって、基板周縁部だけでなく、基板端面や基板の裏面に付着しているレジストを除去することができる。結果的に搬送時におけるレジスト剥がれに起因するゴミの発生を抑えることができる。
【００６３】
また、本実施例は実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせることができる。
【実施例２】
【００６４】
本実施例では塗布法によって得られるアルキル基を含むＳｉＯｘ膜を形成した後、基板周縁部のＳｉＯｘ膜を除去する例を示す。
【００６５】
ＳｉＯｘ膜からなる絶縁膜としては、例えばシリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーなどを用いて形成された絶縁膜を用いることができる。シロキサン系ポリマーの一例としては、東レ製塗布絶縁膜材料であるPSB−K１、PSB−K31や触媒化成製塗布絶縁膜材料であるZRS-５PHが挙げられる。
【００６６】
まず、被処理基板の純水洗浄を行う。メガソニック洗浄を行ってもよい。次いで１４０℃のデハイドロベークを１１０秒行った後、水冷プレートによって１２０秒クーリングして基板温度の一定化を行う。次いで、スピン式の塗布装置に搬送して基板をセットする。
【００６７】
スピン式の塗布装置は、ノズルからは塗布材料液が滴下される機構となっており、塗布カップ内に基板が水平に収納され、塗布カップごと全体が回転する機構となっている。また、塗布カップ内の雰囲気は圧力制御することができる機構となっている。
【００６８】
次いで、濡れ性を向上させるためにシンナー（芳香族炭化水素（トルエンなど）、アルコール類、酢酸エステル類などを配合した揮発性の混合溶剤）などの有機溶剤によるプリウェット塗布を行う。シンナーを70ｍｌ滴下しながら基板をスピン（回転数１００ｒｐｍ）させてシンナーを遠心力で万遍なく広げた後、高速度でスピン（回転数４５０ｒｐｍ）させてシンナーを振り切る。
【００６９】
次いで、シロキサン系ポリマーを溶媒（プロピレングリコールモノメチルエーテル（分子式：ＣＨ3ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ3））に溶解させた液状原料に用いた塗布材料液をノズル１００１から滴下しながら徐々にスピン（回転数０ｒｐｍ→１０００ｒｐｍ）させて塗布材料液を遠心力で万遍なく広げる。シロキサンの構造により、例えば、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーなどに分類することができる。シロキサン系ポリマーの一例としては、東レ製塗布絶縁膜材料であるPSB−K１、PSB−K31や触媒化成製塗布絶縁膜材料であるZRS-５PHが挙げられる。次いで、約３０秒保持した後、再び徐々にスピン（回転数０ｒｐｍ→１４００ｒｐｍ）させて塗布膜をレべリングする。
【００７０】
次いで、排気して塗布カップ内を減圧にし、減圧乾燥を１分以内で行う。
【００７１】
次いで、スピン式の塗布装置から被処理基板を搬送して、図１に示す装置が設置された処理室に搬入する。
【００７２】
次いで、４つのヘッドにそれぞれ設けられた複数のプラズマ発生手段によって、エッジ除去処理を行う。Ｏ2ガスプラズマまたはフッ素系ガス（ＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3など）プラズマなどのプラズマ照射により飛び散るパーティクルまたは気体をブローノズルからのガスによって、基板中心部から基板端面の方向に吹き飛ばすことで、基板への再付着を防いでいる。
【００７３】
図１に示す装置によって、基板周縁部だけでなく、基板端面や基板の裏面に付着している塗布膜（アルキル基を含むＳｉＯｘ膜）を除去することができる。
【００７４】
次いで、１１０℃のベークを１７０秒行ってプリベークを行う。
【００７５】
次いで、図１に示す装置が設置された処理室から基板を搬出して冷却した後、さらに２７０℃、１時間の焼成を行う。
【００７６】
以上の工程で基板上に平坦な絶縁膜を形成することができる。
【００７７】
また、本実施例は実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせることができる。
【実施例３】
【００７８】
本実施例では基板端面の洗浄、例えばインクジェット装置の配線形成の際、誤って基板周縁部に滴下された場合のクリーニングなどを行う例を示す。
【００７９】
まず、被処理基板上にインクジェット装置により配線形成を行う。この時、誤って基板周縁部に滴下された場合を想定する。後の工程または搬送時に、誤って滴下された金属パターン部分と基板保持部が接触すると、付着または剥がれによるゴミが生じてしまう恐れがある。
【００８０】
次いで、被処理基板を搬送して、図１に示す装置が設置された処理室に搬入する。
【００８１】
次いで、４つのヘッドにそれぞれ設けられた複数のプラズマ発生手段によって、エッジクリーニング処理を行う。塩素系ガス（Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＣＣｌ4など）プラズマやフッ素系ガス（ＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3など）やＯ2ガスプラズマなどのプラズマ照射により飛び散るパーティクルまたは気体をブローノズルからのガスによって、基板中心部から基板端面の方向に吹き飛ばすことで、基板への再付着を防いでいる。
【００８２】
図１に示す装置によって、基板周縁部に付着したゴミまたは金属パターンを除去することができる。
【００８３】
また、本実施例は実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせることができる。
【実施例４】
【００８４】
本実施例では、液晶表示装置の作製方法に本発明を用いた例を示す。図３に液晶表示装置の断面図を示す。
【００８５】
最初に、透光性有する基板６００を用いてアクティブマトリクス基板を作製する。基板サイズとしては、６００ｍｍ×７２０ｍｍ、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、１０００ｍｍ×１２００ｍｍ、１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ、１１５０ｍｍ×１３００ｍｍ、１５００ｍｍ×１８００ｍｍ、１８００ｍｍ×２０００ｍｍ、２０００ｍｍ×２１００ｍｍ、２２００ｍｍ×２６００ｍｍ、または２６００ｍｍ×３１００ｍｍのような大面積基板を用い、製造コストを削減することが好ましい。用いることのできる基板として、コーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いることができる。更に他の基板として、石英基板、プラスチック基板などの透光性基板を用いることもできる。
【００８６】
まず、スパッタ法を用いて絶縁表面を有する基板６００上に導電層を基板全面に形成した後、第１のフォトリソグラフィー工程を行い、レジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去して配線及び電極（ゲート電極、保持容量配線、及び端子など）を形成する。なお、必要があれば、基板６００上に下地絶縁膜を形成する。
【００８７】
このレジストマスクの形成前に、実施例１に従って、基板周縁部のレジストを除去した後、露光および現像を行えばよい。
【００８８】
上記の配線及び電極の材料としては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた元素、前記元素を成分とする合金、または前記元素を成分とする窒化物またはそれらの積層で形成する。
【００８９】
また、画面サイズが大画面化するとそれぞれの配線の長さが増加して、配線抵抗が高くなる問題が発生し、消費電力の増大を引き起こす。よって、配線抵抗を下げ、低消費電力を実現するために、上記の配線及び電極の材料としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔまたはこれらの合金を用いることもできる。また、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＰｄなどの金属からなる超微粒子（粒径５〜１０ｎｍ）を凝集させずに高濃度で分散した独立分散超微粒子分散液を用い、インクジェット法で上記の配線及び電極を形成してもよい。
【００９０】
次に、ＰＣＶＤ法によりゲート絶縁膜を全面に成膜する。ゲート絶縁膜は窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層を用い、膜厚を５０〜２００ｎｍとし、好ましくは１５０ｎｍの厚さで形成する。尚、ゲート絶縁膜は積層に限定されるものではなく酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化タンタル膜などの絶縁膜を用いることもできる。
【００９１】
次に、ゲート絶縁膜上に、５０〜２００ｎｍ好ましくは１００〜１５０ｎｍの膜厚で第１の非晶質半導体膜を、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の方法で全面に成膜する。代表的には非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を１００ｎｍの膜厚で成膜する。なお、大面積基板に成膜する際、チャンバーも大型化するためチャンバー内を真空にすると処理時間がかかり、成膜ガスも大量に必要となるため、大気圧で線状のプラズマＣＶＤ装置を用いて非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜の成膜を行ってさらなる低コスト化を図ってもよい。
【００９２】
次に、一導電型（ｎ型またはｐ型）の不純物元素を含有する第２の非晶質半導体膜を２０〜８０ｎｍの厚さで成膜する。一導電型（ｎ型またはｐ型）を付与する不純物元素を含む第２の非晶質半導体膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の方法で全面に成膜する。本実施例ではリンが添加されたシリコンターゲットを用いてｎ型の不純物元素を含有する第２の非晶質半導体膜を成膜する。
【００９３】
次に、第２のフォトリソグラフィー工程によりレジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去して島状の第１の非晶質半導体膜、および島状の第２の非晶質半導体膜を形成する。この際のエッチング方法としてウエットエッチングまたはドライエッチングを用いる。
【００９４】
次に、島状の第２の非晶質半導体膜を覆う導電層をスパッタ法で形成した後、第３のフォトリソグラフィー工程を行い、レジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去して配線及び電極（ソース配線、ドレイン電極、保持容量電極など）を形成する。上記の配線及び電極の材料としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔから選ばれた元素、または前記元素を成分とする合金で形成する。また、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＰｄなどの金属からなる超微粒子（粒径５〜１０ｎｍ）を凝集させずに高濃度で分散した独立分散超微粒子分散液を用い、インクジェット法で上記の配線及び電極を形成してもよい。インクジェット法で上記の配線及び電極を形成すれば、フォトリソグラフィー工程が不要となり、さらなる低コスト化が実現できる。
【００９５】
次に、第４のフォトリソグラフィー工程によりレジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去してソース配線、ドレイン電極、容量電極を形成する。この際のエッチング方法としてウエットエッチングまたはドライエッチングを用いる。この段階でゲート絶縁膜と同一材料からなる絶縁膜を誘電体とする保持容量が形成される。そして、ソース配線、ドレイン電極をマスクとして自己整合的に第２の非晶質半導体膜の一部を除去し、さらに第１の非晶質半導体膜の一部を薄膜化する。薄膜化された領域はＴＦＴのチャネル形成領域となる。
【００９６】
次に、プラズマＣＶＤ法により１５０ｎｍ厚の窒化シリコン膜からなる第１の保護膜と、１５０ｎｍ厚の酸化窒化シリコン膜から成る第１の層間絶縁膜を全面に成膜する。なお、平坦化を図るため、第１の層間絶縁膜として、シロキサン系ポリマーを用いた塗布法により得られるアルキル基を含むＳｉＯｘ膜を形成してもよい。アルキル基を含むＳｉＯｘ膜を形成する際に、実施例２に従って、基板周縁部のＳｉＯｘ膜を除去してもよい。
【００９７】
この後、水素化を行い、チャネルエッチ型のＴＦＴが作製される。
【００９８】
なお、本実施例ではＴＦＴ構造としてチャネルエッチ型とした例を示したが、ＴＦＴ構造は特に限定されず、チャネルストッパー型のＴＦＴ、トップゲート型のＴＦＴ、或いは順スタガ型のＴＦＴとしてもよい。
【００９９】
次いで、ＲＦスパッタ法で第２の保護膜６１９を形成する。この第２の保護膜６１９は、緻密な窒化珪素膜であり、ナトリウム、リチウム、マグネシウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属がＴＦＴを汚染してしきい値電圧の変動等を効果的に防ぎ、且つ、水分や酸素に対して極めて高いブロッキング効果を有する。また、ブロッキング効果を高めるために、窒化珪素膜中における酸素及び水素含有量は１０原子％以下、好ましくは１原子％以下とすることが望ましい。
【０１００】
次に、第５のフォトリソグラフィー工程を行い、レジストマスクを形成して、その後ドライエッチング工程により、ドレイン電極や保持容量電極に達するコンタクトホールを形成する。また、同時にゲート配線と端子部を電気的に接続するためのコンタクトホール（図示しない）を端子部分に形成し、ゲート配線と端子部を電気的に接続する金属配線（図示しない）を形成してもよい。また、同時にソース配線に達するコンタクトホール（図示しない）を形成し、ソース配線から引き出すための金属配線を形成してもよい。これらの金属配線を形成した後にＩＴＯ等の画素電極を形成してもよいし、ＩＴＯ等の画素電極を形成した後にこれらの金属配線を形成してもよい。
【０１０１】
次に、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透明電極膜を１１０ｎｍの厚さで成膜する。その後、第６のフォトリソグラフィー工程とエッチング工程を行うことにより、画素電極６０１を形成する。
【０１０２】
以上、画素部においては、６回のフォトリソグラフィー工程により、ソース配線と、逆スタガ型の画素部のＴＦＴ及び保持容量と、端子部で構成されたアクティブマトリクス基板を作製することができる。
【０１０３】
次いで、アクティブマトリクス基板上に配向膜６２３を形成しラビング処理を行う。なお、本実施例では配向膜６２３を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ６０２を所望の位置に形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。
【０１０４】
次いで、対向基板を用意する。この対向基板には、着色層、遮光層が各画素に対応して配置されたカラーフィルタ６２０が設けられている。また、このカラーフィルタと遮光層とを覆う平坦化膜を設けている。次いで、平坦化膜上に透明導電膜からなる対向電極６２１を画素部と重なる位置に形成し、対向基板の全面に配向膜６２２を形成し、ラビング処理を施す。
【０１０５】
そして、アクティブマトリクス基板の画素部を囲むようにシール材を描画した後、減圧下でシール材に囲まれた領域に液晶ディスペンサ装置で液晶を滴下する。次いで、大気にふれることなく、減圧下でアクティブマトリクス基板と対向基板とをシール材６０７で貼り合わせる。シール材６０７にはフィラー（図示しない）が混入されていて、このフィラーと柱状スペーサ６０２によって均一な間隔を持って２枚の基板が貼り合わせられる。液晶を滴下する方法を用いることによって作製プロセスで使用する液晶の量を削減することができ、特に、大面積基板を用いる場合に大幅なコスト低減を実現することができる。
【０１０６】
このようにしてアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。そして、必要があれば、アクティブマトリクス基板または対向基板を所望の形状に分断する。さらに、公知の技術を用いて偏光板６０３やカラーフィルタ等の光学フィルムを適宜設ける。そして、公知の技術を用いてＦＰＣを貼りつける。
【０１０７】
ＦＰＣを貼り付ける前にプラズマ照射による洗浄を図１に示す装置で行ってもよい。この場合、基板の一辺に配置されている端子電極の表面のみを洗浄すればよいので、複数のノズルが設けられたヘッドは一つでよい。プラズマ照射による洗浄によって、ＦＰＣの接着強度が向上する。
【０１０８】
以上の工程によって得られた液晶モジュールに、バックライト６０４、導光板６０５を設け、カバー６０６で覆えば、図３にその断面図の一部を示したようなアクティブマトリクス型液晶表示装置（透過型）が完成する。なお、カバーと液晶モジュールは接着剤や有機樹脂を用いて固定する。また、透過型であるので偏光板６０３は、アクティブマトリクス基板と対向基板の両方に貼り付ける。
【０１０９】
また、本実施例は透過型の例を示したが、特に限定されず、反射型や半透過型の液晶表示装置も作製することができる。反射型の液晶表示装置を得る場合は、画素電極として光反射率の高い金属膜、代表的にはアルミニウムまたは銀を主成分とする材料膜、またはそれらの積層膜等を用いればよい。
【０１１０】
また、本実施例は実施の形態１、実施の形態２、または、実施例１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
【実施例５】
【０１１１】
本実施例では、発光装置の作製方法に本発明を用いた例を示す。
【０１１２】
図４（Ａ）に、画素の回路図の一形態を示し、図４（Ｂ）に、画素部に用いられるＴＦＴの断面図を示す。２０１は画素へのビデオ信号の入力を制御するためのスイッチング用ＴＦＴに相当し、２０２は発光素子２０３への電流の供給を制御するための駆動用ＴＦＴに相当する。具体的には、スイッチング用ＴＦＴ２０１を介して画素に入力されたビデオ信号の電位に従って、駆動用ＴＦＴ２０２のドレイン電流が制御され、該ドレイン電流が発光素子２０３に供給される。なお２０４は、スイッチング用ＴＦＴ２０１がオフのときに駆動用ＴＦＴのゲート・ソース間電圧（以下、ゲート電圧とする）を保持するための容量素子に相当し、必ずしも設ける必要はない。
【０１１３】
図４（Ａ）において、具体的には、スイッチング用ＴＦＴ２０１のゲート電極が走査線Ｇに接続されており、ソース領域とドレイン領域の一方は信号線Ｓに接続され、他方は駆動用ＴＦＴ２０２のゲートに接続されている。また駆動用ＴＦＴ２０２のソース領域とドレイン領域は、一方が電源線Ｖに接続され、他方が発光素子２０３の画素電極２０５に接続されている。容量素子２０４が有する２つの電極は、一方が駆動用ＴＦＴ２０２のゲート電極に接続され、他方が電源線Ｖに接続されている。
【０１１４】
なお図４（Ａ）、図４（Ｂ）では、スイッチング用ＴＦＴ２０１が、直列に接続され、なおかつゲート電極が接続された複数のＴＦＴが、第１の半導体膜を共有しているような構成を有する、マルチゲート構造となっている。マルチゲート構造とすることで、スイッチング用ＴＦＴ２０１のオフ電流を低減させることができる。具体的に図４（Ａ）、図４（Ｂ）ではスイッチング用ＴＦＴ２０１が２つのＴＦＴが直列に接続されたような構成を有しているが、３つ以上のＴＦＴが直列に接続され、なおかつゲート電極が接続されたようなマルチゲート構造であっても良い。また、スイッチング用ＴＦＴは必ずしもマルチゲート構造である必要はなく、ゲート電極とチャネル形成領域が単数である通常のシングルゲート構造のＴＦＴであっても良い。
【０１１５】
ＴＦＴ２０１、２０２は逆スタガ型（ボトムゲート型）である。ＴＦＴの活性層はアモルファス半導体、またはセミアモルファス半導体を用いる。なお、ＴＦＴの活性層をセミアモルファス半導体とすれば、画素部だけでなく駆動回路も同一基板上に作ることができ、ｐ型よりもｎ型の方が、移動度が高いので駆動回路に適しているが、各ＴＦＴはｎ型であってもｐ型であってもどちらでも良い。いずれの極性のＴＦＴを用いる場合でも、同一の基板上に形成するＴＦＴを全て同じ極性にそろえておくことが、工程数を抑えるためにも望ましい。
【０１１６】
画素部の駆動用ＴＦＴ２０２においては、基板２００上に形成されたゲート電極２２０と、ゲート電極２２０を覆っているゲート絶縁膜２１１と、ゲート絶縁膜２１１を間に挟んでゲート電極２２０と重なっているセミアモルファス半導体膜で形成された第１の半導体膜２２２と、を有している。さらにＴＦＴ２０２は、ソース領域またはドレイン領域として機能する一対の第２の半導体膜２２３と、第１の半導体膜２２２と第２の半導体膜２２３の間に設けられた第３の半導体膜２２４とを有している。
【０１１７】
また第２の半導体膜２２３は、非晶質半導体膜またはセミアモルファス半導体膜で形成されており、該半導体膜に一導電型を付与する不純物が添加されている。そして一対の第２の半導体膜２２３は、第１の半導体膜２２２におけるチャネル形成領域を間に挟んで、向かい合って設けられている。
【０１１８】
また第３の半導体膜２２４は、非晶質半導体膜またはセミアモルファス半導体膜で形成されており、第２の半導体膜２２３と同じ導電型を有し、なおかつ第２の半導体膜２２３よりも導電性が低くなるような特性を有している。第３の半導体膜２２４はＬＤＤ領域として機能するので、ドレイン領域として機能する第２の半導体膜２２３の端部に集中する電界を緩和し、ホットキャリア効果を防ぐことができる。第３の半導体膜２２４は必ずしも設ける必要はないが、設けることでＴＦＴの耐圧性を高め、信頼性を向上させることができる。なお、ＴＦＴ２０２がｎ型である場合、第３の半導体膜２２４を形成する際に特にｎ型を付与する不純物を添加せずとも、ｎ型の導電型が得られる。よって、ＴＦＴ２０２がｎ型の場合、必ずしも第３の半導体膜２２４にｎ型の不純物を添加する必要はない。ただし、チャネルが形成される第１の半導体膜には、ｐ型の導電性を付与する不純物を添加し、極力Ｉ型に近づくようにその導電型を制御しておく。
【０１１９】
また、一対の第３の半導体膜２２４に接するように、配線２２５が形成されている。
【０１２０】
また、ＴＦＴ２０１、２０２及び配線２２５を覆うように、絶縁膜からなる第１のパッシベーション膜２４０、第２のパッシベーション膜２４１が形成されている。ＴＦＴ２０１、２０２を覆うパッシベーション膜は２層に限らず、単層であっても良いし、３層以上であっても良い。例えば第１のパッシベーション膜２４０を窒化珪素、第２のパッシベーション膜２４１を酸化珪素で形成することができる。窒化珪素または窒化酸化珪素でパッシベーション膜を形成することで、ＴＦＴ２０１、２０２が水分や酸素などの影響により、劣化するのを防ぐことができる。
【０１２１】
そして、ＴＦＴ２０１、２０２および配線２２５は、平坦な層間絶縁膜２０５で覆う。平坦な層間絶縁膜２０５は、ＰＣＶＤ法による絶縁膜に対して平坦化処理を行った膜でもよいし、シロキサン系ポリマーを用いた塗布法により得られるアルキル基を含むＳｉＯｘ膜を用いてもよい。アルキル基を含むＳｉＯｘ膜を形成する際に、実施例２に従って、基板周縁部のＳｉＯｘ膜を除去してもよい。
【０１２２】
そして、配線２２５に達するコンタクトホールを形成し、配線２２５の一方に電気的に接続する画素電極２３０を形成する。
【０１２３】
そして、画素電極２３０の端部を覆う絶縁物２２９（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）を形成する。絶縁物２２９としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはこれらの積層などを用いることができるが、ここでは窒化シリコン膜で覆われた感光性の有機樹脂を用いる。例えば、有機樹脂の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物の上端部のみに曲率半径を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。また、絶縁物２２９にもシロキサン系ポリマーを用いた塗布法により得られるアルキル基を含むＳｉＯｘ膜を適用してもよい。
【０１２４】
この感光性の有機樹脂のパターニング形成前に、実施例１に従って、基板周縁部の有機樹脂膜を除去した後、露光および現像を行えばよい。
【０１２５】
そして、発光素子２０３の画素電極２３０上に接するように、電界発光層２３１を形成する。
【０１２６】
そして、電界発光層２３１に接するように対向電極２３２が形成されている。なお発光素子２０３は陽極と陰極とを有しているが、いずれか一方を画素電極、他方を対向電極として用いる。
【０１２７】
また、画素電極２３０として透明導電膜を用いた場合、電界発光層２３１からの発光は、基板２００を通過して図中、矢印の方向に出射される。
【０１２８】
本実施例では、チャネル形成領域を含んでいる第３の半導体膜が、セミアモルファス半導体で形成されているので、非晶質半導体膜を用いたＴＦＴに比べて高い移動度のＴＦＴを得ることができ、よって駆動回路と画素部を同一の基板に形成することができる。
【０１２９】
また、チャネル形成領域を含んでいる第３の半導体膜を、非晶質半導体膜で形成する場合には、画素部のみを基板上に形成し、駆動回路はＩＣチップ等を貼り付けて作製すればよい。
【０１３０】
また、本実施例は実施の形態１、実施の形態２、または、実施例１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
【実施例６】
【０１３１】
本発明の液晶表示装置、発光装置、及び電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはDigital Versatile Disc（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、大型画面を有する大型テレビ等に本発明を用いることが望ましい。それら電子機器の具体例を図５に示す。
【０１３２】
図５（Ａ）は２２インチ〜５０インチの大画面を有する大型の表示装置であり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、ビデオ入力端子２００５等を含む。なお、表示装置は、パソコン用、ＴＶ放送受信用、双方向ＴＶ用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。本発明により、１辺が１０００ｍｍを超える第５世代以降のガラス基板を用いても、比較的安価な大型表示装置を実現できる。
【０１３３】
図５（Ｂ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明により、比較的安価なノート型パーソナルコンピュータを実現できる。
【０１３４】
図５（Ｃ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示する。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。本発明により、比較的安価な画像再生装置を実現できる。
【０１３５】
図５（Ｄ）は、ワイヤレスでディスプレイのみを持ち運び可能なＴＶである。筐体２６０２にはバッテリー及び信号受信器が内蔵されており、そのバッテリーで表示部２６０４やスピーカ部２６０７を駆動させる。バッテリーは充電器２６００で繰り返し充電が可能となっている。また、充電器２６００は映像信号を送受信することが可能で、その映像信号をディスプレイの信号受信器に送信することでができる。筐体２６０２は操作キー２６０６によって制御する。また、図５（Ｄ）に示す装置は、操作キー２６０６を操作することによって、筐体２６０２から充電器２６００に信号を送ることも可能であるため映像音声双方向通信装置とも言える。また、操作キー２６０６を操作することによって、筐体２６０２から充電器２６００に信号を送り、さらに充電器２６００が送信できる信号を他の電子機器に受信させることによって、他の電子機器の通信制御も可能であり、汎用遠隔制御装置とも言える。本発明により、比較的大型（２２インチ〜５０インチ）の持ち運び可能なＴＶを安価な製造プロセスで提供できる。
【０１３６】
以上の様に、本発明を実施して得た液晶表示装置や発光装置は、あらゆる電子機器の表示部として用いても良い。
【０１３７】
また、本実施例は、実施の形態、実施例１乃至５のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１３８】
本発明により、シンナーなどのリンス液を用いることなく、基板周縁部、基板端面、または基板裏面の膜除去または洗浄が短時間でできる。
【０１３９】
加えて、大型基板にも対応でき、本発明の装置は、半導体装置を大量生産するに適している。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】本発明の装置の一例を示す図。（実施の形態１）
【図２】本発明の装置の一例を示す図。（実施の形態２）
【図３】アクティブマトリクス型液晶表示装置の断面構造図。
【図４】アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置の回路図および断面構造図。
【図５】電子機器の一例を示す図。
【図６】基板の膜厚ムラを示す斜視図および断面図。（比較例）
【符号の説明】
【０１４１】
１０：基板
１１：被膜
１２：ヘッド
１３：排気口
【図１】
2005260015.tif 000003
【図２】
2005260015.tif 000004
【図３】
2005260015.tif 000005
【図４】
2005260015.tif 000006
【図５】
2005260015.tif 000007
【図６】
2005260015.tif 000008