(57)【要約】【課題】  画素の開口率を増加させることができる表示装置，表示パネル，及び表示装置の駆動方法を提供する。【解決手段】  複数のデータ線と，選択信号を伝達する複数の第１走査線と，発光信号を伝達する複数の第２及び第３走査線と，データ線及び第１走査線によって定義される複数の画素領域とを有する表示領域１００と：選択走査駆動部２００と：第１フィールドで，第１発光信号を複数の第２走査線に伝達する発光走査駆動部３００と：第２フィールドで，第２発光信号を複数の第３走査線に伝達する発光走査駆動部４００と：を備え，画素領域１１０には，データ線及び第１走査線を共有する少なくとも２つの画素１１１，１１２が形成され，第１フィールドでは第１グループの画素が発光し，第２フィールドでは第２グループの画素が発光することを特徴とする。【選択図】    図１
2005338766.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示するデータ信号を伝達する複数のデータ線と，選択信号を伝達する複数の第１走査線と，第１及び第２発光信号を各々伝達する複数の第２及び第３走査線と，前記データ線及び前記第１走査線によって各々定義される複数の画素領域と，を有する表示領域と，
１フレームを構成する複数のフィールドで，各々選択信号を前記複数の第１走査線に順次に伝達する第１駆動部と，
前記複数のフィールドのうちの第１フィールドで，前記第１発光信号を前記複数の第２走査線に順次に伝達する第２駆動部と，
前記複数のフィールドのうちの第２フィールドで，前記第２発光信号を前記複数の第３走査線に順次に伝達する第３駆動部と，
を備え，
前記画素領域には，前記データ線及び前記第１走査線を共有する少なくとも２つの画素が形成され，
前記第１フィールドでは前記画素領域に形成された画素のうちの第１グループの画素が前記第１発光信号によって発光し，前記第２フィールドでは第２グループの画素が前記第２発光信号によって発光することを特徴とする発光表示装置。
【請求項２】
前記第１フィールドで，前記第１発光信号によって発光する前記第１グループの画素のうちの隣接する発光画素間に，少なくとも１つの非発光画素が存在するように前記第１グループが設定されることを特徴とする請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項３】
前記第２フィールドで，前記第２発光信号によって発光する前記第２グループの画素のうちの隣接する発光画素間に，少なくとも１つの非発光画素が存在するように前記第２グループが設定されることを特徴とする請求項１または２に記載の発光表示装置。
【請求項４】
前記第１フィールドで前記選択信号が印加される間は，前記第１グループの画素に対応するデータ信号が前記データ線に印加され，前記第２フィールドで前記選択信号が印加される間は，前記第２グループの画素に対応するデータ信号が前記データ線に印加されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光表示装置。
【請求項５】
前記画素領域には第１及び第２画素が形成され，
前記第１及び第２画素は，
前記データ信号に対応する電流を出力する駆動回路を共有し，
印加される電流に対応して光を放出する発光素子と，
前記第１及び第２発光信号に応答して前記駆動回路の出力電流を前記発光素子に伝達するスイッチング素子と，
を各々有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の発光表示装置。
【請求項６】
前記駆動回路は，
前記データ信号に対応する電流を出力するトランジスタと，
前記選択信号に応答して前記データ信号を前記トランジスタに伝達するスイッチング素子と，
前記トランジスタのソース及びゲート間の電圧を一定の期間維持させるキャパシタと，
を有することを特徴とする請求項５に記載の発光表示装置。
【請求項７】
前記画素領域には第１及び第２画素が形成され，
奇数番目の前記第１走査線によって形成される画素のうちの前記第１画素，及び偶数番目の前記第１走査線によって形成される画素のうちの前記第２画素は，前記第１グループの画素に含まれることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の発光表示装置。
【請求項８】
奇数番目の前記第１走査線によって形成される画素のうちの前記第２画素，及び偶数番目の前記第１走査線によって形成される画素のうちの前記第１画素は，前記第２グループの画素に含まれることを特徴とする請求項７に記載の発光表示装置。
【請求項９】
画像を表示するデータ信号を伝達する複数のデータ線と，選択信号を伝達する複数の第１走査線と，第１及び第２レベルの電圧を有する発光信号を伝達する複数の第２走査線と，前記データ線及び前記第１走査線によって各々定義される複数の画素領域と，を有する表示領域と，
１フレームを構成する複数のフィールドで，各々選択信号を前記複数の第１走査線に順次に伝達する第１駆動部と，
前記複数のフィールドのうちの第１フィールドで，前記第１レベルの発光信号を前記複数の第２走査線に順次に伝達し，第２フィールドで，前記第２レベルの発光信号を前記複数の第２走査線に順次に伝達する第２駆動部と，
を備え，
前記画素領域には，前記データ線及び前記第１走査線を共有する少なくとも２つの画素が形成され，
前記第１フィールドでは前記画素領域に形成された画素のうちの第１のグループの画素が前記第１レベルの発光信号によって発光し，前記第２フィールドでは第２のグループの画素が前記第２レベルの発光信号によって発光することを特徴とする発光表示装置。
【請求項１０】
前記第１フィールドで，前記第１レベルの発光信号によって発光する前記第１のグループの画素のうちの隣接する発光画素間に，少なくとも１つの非発光画素が存在するように前記第１のグループが設定され，
前記第２フィールドで，前記第２レベルの発光信号によって発光する前記第２のグループの画素のうちの隣接する発光画素間に，少なくとも１つの非発光画素が存在するように前記第２のグループが設定されることを特徴とする請求項９に記載の発光表示装置。
【請求項１１】
前記画素領域には第１及び第２画素が形成され，
前記第１及び第２画素は，
前記データ信号に対応する電流を出力する駆動回路を共有し，
印加される電流に対応して光を放出する発光素子と，
前記発光信号に応答して前記駆動回路の出力電流を前記発光素子に伝達するスイッチング素子と，
を各々有することを特徴とする請求項９または１０に記載の発光表示装置。
【請求項１２】
前記駆動回路は，
前記データ信号に対応する電流を出力するトランジスタと，
前記選択信号に応答して前記データ信号を前記トランジスタに伝達するスイッチング素子と，
前記トランジスタのソース及びゲート間の電圧を一定の期間維持させるキャパシタと，
を有することを特徴とする請求項１１に記載の発光表示装置。
【請求項１３】
前記第１画素の前記スイッチング素子は前記第１レベルの発光信号に応答して導通し，前記第２画素の前記スイッチング素子は前記第２レベルの発光信号に応答して導通することを特徴とする請求項１１または１２に記載の発光表示装置。
【請求項１４】
画像を表示するデータ信号を伝達する複数のデータ線と，
第１フィールド及び第２フィールドで各々選択信号を伝達する複数の第１走査線と，
前記第１フィールドで第１発光信号を伝達する複数の第２走査線と，
前記第２フィールドで第２発光信号を伝達する複数の第３走査線と，
前記データ線及び前記第１走査線によって各々定義され，前記データ線及び前記第１走査線を共有する第１及び第２画素が形成される複数の画素領域と，
を備え，
前記複数の第１走査線のうちの第１グループの第１走査線によって定義される前記画素領域の前記第１画素は前記第１発光信号によって発光し，前記第２画素は前記第２発光信号によって発光し，
前記複数の第１走査線のうちの第２グループの第１走査線によって定義される前記画素領域の前記第１画素は前記第２発光信号によって発光し，前記第２画素は前記第１発光信号によって発光することを特徴とする，表示パネル。
【請求項１５】
前記第１グループの第１走査線は，奇数番目に位置する第１走査線であり，前記第２グループの第１走査線は偶数番目に位置する第１走査線であることを特徴とする請求項１４に記載の表示パネル。
【請求項１６】
前記第１走査線，前記第２走査線及び前記第３走査線を駆動するための，第１駆動部，第２駆動部，及び第３駆動部と，
前記データ線を駆動するための第４駆動部と，
をさらに含むことを特徴とする請求項１４または１５に記載の表示パネル。
【請求項１７】
画像を表示するデータ信号を伝達する複数のデータ線と，
第１フィールド及び第２フィールドで各々選択信号を伝達する複数の第１走査線と，
前記第１フィールドで第１レベルの発光信号を伝達し，前記第２フィールドで第２レベルの発光信号を伝達する複数の第２走査線と，
前記データ線及び前記第１走査線によって各々定義され，前記データ線及び前記第１走査線を共有する第１及び第２画素が形成される複数の画素領域と，
を備え，
前記第１画素は前記第１レベルの発光信号によって発光し，前記第２画素は前記第２レベルの発光信号によって発光し，
前記複数の画素領域のうちの第１グループの画素領域及び第２グループの画素領域において，前記第１及び第２画素が形成される位置は逆になるように設定されることを特徴とする，表示パネル。
【請求項１８】
前記第１グループの画素領域は，前記データ線及び奇数番目の前記第１走査線によって定義される画素領域であり，
前記第２グループの画素領域は，前記データ線及び偶数番目の前記第１走査線によって定義される画素領域であることを特徴とする，請求項１７に記載の表示パネル。
【請求項１９】
前記第１及び第２画素は，前記データ信号に対応する電流を出力する駆動回路を共有し，
印加される電流に対応して光を放出する発光素子と，
前記第１及び第２レベルの発光信号に応答して前記駆動回路の出力電流を前記発光素子に伝達するスイッチング素子と，
を各々有することを特徴とする，請求項１７または１８に記載の表示パネル。
【請求項２０】
画像を表示するデータ信号を伝達する複数のデータ線と，選択信号を伝達する複数の走査線と，前記データ線及び前記走査線によって各々定義される複数の画素領域と，を備える表示装置の駆動方法において；
前記複数の表示領域には，前記データ線及び前記走査線を共有する少なくとも２つの画素が各々形成されており，
第１フィールドで前記複数の走査線に選択信号を順次に印加する第１段階と，
前記第１段階の間，前記画素のうちの第１グループの画素に対応するデータ信号を前記複数のデータ線に記入する第２段階と，
発光信号を前記第１グループの画素に印加して前記第１グループの画素を発光させる第３段階と，
第２フィールドで前記複数の走査線に選択信号を順次に印加する第４段階と，
前記第４段階の間，前記画素のうちの第２グループの画素に対応するデータ信号を前記複数のデータ線に記入する第５段階と，
前記発光信号を前記第２グループの画素に印加して前記第２グループの画素を発光させる第６段階と，
を含み，
前記第１及び第２フィールド各々で，隣接する発光画素の間に，少なくとも１つの非発光画素が存在するように前記第１及び第２グループの画素を設定することを特徴とする，表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関し，特に蛍光性有機化合物を電気的に励起して発光させる有機電界発光（ＥＬ）の表示装置，表示パネル及び表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に，有機ＥＬ表示装置は，蛍光性有機化合物を電気的に励起して発光させる表示装置であって，Ｎ×Ｍ個の有機発光セルを電圧記入あるいは電流記入して画像を表示することができるようになっている。このような有機発光セルは，アノード，有機薄膜，カソードレイヤの構造を有している。有機薄膜は，電子及び正孔の均衡を良くして発光効率を向上させるために，発光層（ＥＭＬ），電子輸送層（ＥＴＬ），及び正孔輸送層（ＨＴＬ）を有する多層構造からなり，また，別途の電子注入層（ＥＩＬ）及び正孔注入層（ＨＩＬ）を有する。
【０００３】
有機発光セルを駆動する方式には，単純マトリックス方式及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を利用した能動駆動方式がある。単純マトリックス方式は，正極及び負極を直交するように形成し，ラインを選択して駆動するのに対して，能動駆動方式は，薄膜トランジスタを各ＩＴＯ画素電極に接続し，薄膜トランジスタのゲートに接続されたキャパシタの容量によって維持された電圧によって駆動する。この時，能動駆動方式は，キャパシタに電圧を記録するために印加される信号の形態によって，電圧記入方式及び電流記入方式に分けられる。
【０００４】
このような有機ＥＬ表示装置は，走査線を駆動するための走査駆動部及びデータ線を駆動するためのデータ駆動部が必要である。この時，データ駆動部は，デジタルデータ信号をアナログ信号に変換して全てのデータ線に印加しなければならないので，データ線の個数に相当する出力端子がなければならない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし，一般に，データ駆動部は，複数の集積回路から製作され，１つの集積回路が有する出力端子の個数は制限されているので，全てのデータ線を駆動するためには，多くの集積回路が使用されなければならない問題がある。そして，従来の有機ＥＬ表示装置は，制限された表示領域内でＲ，Ｇ，Ｂ画素別にデータ線及び各画素を駆動するための駆動回路が形成されなければならないので，駆動回路の領域が広くなり，画素の開口率が減少する問題があった。
【０００６】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，データ線及び各画素を駆動するための駆動回路を減少させ，画素の開口率を高めることができる表示装置，表示パネル，及び表示装置の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，画像を表示するデータ信号を伝達する複数のデータ線と，選択信号を伝達する複数の第１走査線と，第１及び第２発光信号を各々伝達する複数の第２及び第３走査線と，データ線及び第１走査線によって各々定義される複数の画素領域とを有する表示領域と：１フレームを構成する複数のフィールドで，各々選択信号を複数の第１走査線に順次に伝達する第１駆動部と：複数のフィールドのうちの第１フィールドで，第１発光信号を複数の第２走査線に順次に伝達する第２駆動部と：複数のフィールドのうちの第２フィールドで，第２発光信号を複数の第３走査線に順次に伝達する第３駆動部と：を備え，画素領域には，データ線及び第１走査線を共有する少なくとも２つの画素が形成され，第１フィールドでは画素領域に形成された画素のうちの第１グループの画素が第１発光信号によって発光し，第２フィールドでは第２グループの画素が第２発光信号によって発光することを特徴とする発光表示装置が提供される。
【０００８】
１フレームが複数のフィールドに分割されて駆動され，第１フィールドで各画素領域のうちの第１グループの画素の発光素子のみが発光し，第２フィールドで第２グループの画素の発光素子が発光して，１フレームで全ての画素の発光素子を発光させることができ，全ての色相が表示できる。
【０００９】
ここで，第１フィールドで，第１発光信号によって発光する第１グループの画素のうちの隣接する発光画素間に，少なくとも１つの非発光画素が存在するように第１グループが設定されてもよい。また，第２フィールドで，第２発光信号によって発光する第２グループの画素のうちの隣接する発光画素間に，少なくとも１つの非発光画素が存在するように第２グループが設定されてもよい。
【００１０】
各フィールドで同一列の画素を点灯させる場合には各々のフィールドで発光しない画素のパターンが表示パネル上に瞬間的に現れ，パネル上に縦縞が現れる現象が発生することがあるが，第１フィールドまたは第２フィールドで上下左右方向に互いに隣接する複数の発光画素の間に，非発光画素が少なくとも１つ存在するようにすることにより，表示パネルに縦縞が現れることを防ぐことができる。
【００１１】
また，第１フィールドで選択信号が印加される間は，第１グループの画素に対応するデータ信号がデータ線に印加され，第２フィールドで選択信号が印加される間は，第２グループの画素に対応するデータ信号が前記データ線に印加されることができる。
【００１２】
画素領域には第１及び第２画素が形成され，第１及び第２画素は，データ信号に対応する電流を出力する駆動回路を共有し，印加される電流に対応して光を放出する発光素子と，第１及び第２発光信号に応答して駆動回路の出力電流を発光素子に伝達するスイッチング素子と，を各々有することができる。こうして，データ線及び駆動回路の個数を従来の技術に比べて半分に減少させることができる。
【００１３】
上記の駆動回路は，データ信号に対応する電流を出力するトランジスタと，選択信号に応答してデータ信号をトランジスタに伝達するスイッチング素子と，トランジスタのソース及びゲート間の電圧を一定の期間維持させるキャパシタと，を有して，第１フィールドまたは第２フィールドの間，データ信号に対応する電流を出力することができる。
【００１４】
画素領域には第１及び第２画素が形成され，奇数番目の前記第１走査線によって形成される画素のうちの第１画素，及び偶数番目の第１走査線によって形成される画素のうちの第２画素は，第１グループの画素に含まれることができる。また，奇数番目の第１走査線によって形成される画素のうちの第２画素，及び偶数番目の第１走査線によって形成される画素のうちの第１画素は，第２グループの画素に含まれることができる。これにより，奇数行の画素と偶数行の画素で，第１及び第２画素の発光を逆にすることができる。
【００１５】
奇数行の画素と偶数行の画素で，第１及び第２画素の発光が異なった位置で起こるようにすることにより，表示パネルに現れる縦縞を除去して，表示パネルの画質を改善させることができる。
【００１６】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点から，画像を表示するデータ信号を伝達する複数のデータ線と，選択信号を伝達する複数の第１走査線と，第１及び第２レベルの電圧を有する発光信号を伝達する複数の第２走査線と，データ線及び第１走査線によって各々定義される複数の画素領域と，を有する表示領域と：１フレームを構成する複数のフィールドで，各々選択信号を複数の第１走査線に順次に伝達する第１駆動部と：複数のフィールドのうちの第１フィールドで，第１レベルの発光信号を複数の第２走査線に順次に伝達し，第２フィールドで，第２レベルの発光信号を複数の第２走査線に順次に伝達する第２駆動部と：を備え，画素領域には，データ線及び第１走査線を共有する少なくとも２つの画素が形成され，第１フィールドでは画素領域に形成された画素のうちの第１のグループの画素が第１レベルの発光信号によって発光し，第２フィールドでは第２のグループの画素が第２レベルの発光信号によって発光することを特徴とする表示装置が提供される。
【００１７】
第１フィールドで，第１レベルの発光信号によって発光する第１のグループの画素のうちの隣接する発光画素間に，少なくとも１つの非発光画素が存在するように第１のグループが設定され，第２フィールドで，第２レベルの発光信号によって発光する第２のグループの画素のうちの隣接する発光画素間に，少なくとも１つの非発光画素が存在するように第２のグループが設定されてもよい。
【００１８】
第１フィールドまたは第２フィールドで上下左右方向に互いに隣接する複数の発光画素の間に，非発光画素が少なくとも１つ存在するようにすることにより，表示パネルに縦縞が現れることを防ぐことができる。
【００１９】
画素領域には第１及び第２画素が形成され，第１及び第２画素は，データ信号に対応する電流を出力する駆動回路を共有し，印加される電流に対応して光を放出する発光素子と，発光信号に応答して駆動回路の出力電流を前記発光素子に伝達するスイッチング素子と，を各々有することができる。こうして，データ線及び駆動回路の個数を従来の技術に比べて半分に減少させることができる。
【００２０】
駆動回路は，データ信号に対応する電流を出力するトランジスタと，選択信号に応答してデータ信号をトランジスタに伝達するスイッチング素子と，トランジスタのソース及びゲート間の電圧を一定の期間維持させるキャパシタと，を有して，第１フィールドまたは第２フィールドの間，データ信号に対応する電流を出力することができる。
【００２１】
また，第１画素のスイッチング素子は第１レベルの発光信号に応答して導通し，第２画素のスイッチング素子は第２レベルの発光信号に応答して導通することができ，第１画素及び第２画素各々の発光素子を発光させる。
【００２２】
さらに，本発明の別の観点から，画像を表示するデータ信号を伝達する複数のデータ線と，第１フィールド及び第２フィールドで各々選択信号を伝達する複数の第１走査線と，第１フィールドで第１発光信号を伝達する複数の第２走査線と，第２フィールドで第２発光信号を伝達する複数の第３走査線と，データ線及び第１走査線によって各々定義され，データ線及び第１走査線を共有する第１及び第２画素が形成される複数の画素領域と，を備え，複数の第１走査線のうちの第１グループの第１走査線によって定義される画素領域の第１画素は第１発光信号によって発光し，第２画素は第２発光信号によって発光し，複数の第１走査線のうちの第２グループの第１走査線によって定義される画素領域の第１画素は第２発光信号によって発光し，第２画素は前記第１発光信号によって発光することを特徴とする，表示パネルが提供される。
【００２３】
第１グループの第１走査線は，奇数番目に位置する第１走査線であり，第２グループの第１走査線は偶数番目に位置する第１走査線とすることができる。奇数行の画素と偶数行の画素で，第１及び第２画素の発光が異なった位置で起こるようにすることにより，表示パネルに現れる縦縞を除去して，表示パネルの画質を改善させることができる。
【００２４】
また，第１走査線，第２走査線及び第３走査線を駆動するための，第１駆動部，第２駆動部，及び第３駆動部と，データ線を駆動するための第４駆動部と，をさらに含むことができる。
【００２５】
さらに，別の観点から，画像を表示するデータ信号を伝達する複数のデータ線と，第１フィールド及び第２フィールドで各々選択信号を伝達する複数の第１走査線と，第１フィールドで第１レベルの発光信号を伝達し，第２フィールドで第２レベルの発光信号を伝達する複数の第２走査線と，データ線及び第１走査線によって各々定義され，データ線及び第１走査線を共有する第１及び第２画素が形成される複数の画素領域と，を備え，第１画素は第１レベルの発光信号によって発光し，第２画素は第２レベルの発光信号によって発光し，複数の画素領域のうちの第１グループの画素領域及び第２グループの画素領域において，第１及び第２画素が形成される位置は逆になるように設定されることを特徴とする，表示パネルが提供される。
【００２６】
第１グループの画素領域及び第２グループの画素領域において，第１及び第２画素の発光が異なった位置で起こるようにすることにより，表示パネルに現れる縦縞を除去して，表示パネルの画質を改善させることができる。
【００２７】
第１グループの画素領域は，データ線及び奇数番目の前記第１走査線によって定義される画素領域であり，第２グループの画素領域は，データ線及び偶数番目の前記第１走査線によって定義される画素領域であってもよい。こうして，奇数行の画素領域と偶数行の画素領域で，第１及び第２画素の発光が異なった位置で起こるようにすることができる。
【００２８】
第１及び第２画素は，データ信号に対応する電流を出力する駆動回路を共有し，印加される電流に対応して光を放出する発光素子と，第１及び第２レベルの発光信号に応答して駆動回路の出力電流を発光素子に伝達するスイッチング素子と，を各々有することができ，データ線及び駆動回路の個数を従来の技術に比べて半分に減少させることができる。
【００２９】
さらに上記の表示装置を駆動するために，本発明の別の観点から，画像を表示するデータ信号を伝達する複数のデータ線と，選択信号を伝達する複数の走査線と，データ線及び前記走査線によって各々定義される複数の画素領域と，を備える表示装置の駆動方法において；複数の表示領域には，データ線及び走査線を共有する少なくとも２つの画素が各々形成されており，第１フィールドで複数の走査線に選択信号を順次に印加する第１段階と：第１段階の間，画素のうちの第１グループの画素に対応するデータ信号を複数のデータ線に記入する第２段階と：発光信号を第１グループの画素に印加して第１グループの画素を発光させる第３段階と：第２フィールドで複数の走査線に選択信号を順次に印加する第４段階と：第４段階の間，画素のうちの第２グループの画素に対応するデータ信号を複数のデータ線に記入する第５段階と：発光信号を前記第２グループの画素に印加して第２グループの画素を発光させる第６段階と：を含み，第１及び第２フィールド各々で，隣接する発光画素の間に，少なくとも１つの非発光画素が存在するように第１及び第２グループの画素を設定することを特徴とする，表示装置の駆動方法が提供される。
【発明の効果】
【００３０】
以上詳述したように本発明によれば，２つの画素が駆動回路及びデータ線を共有することにより，データ線及び画素に含まれる駆動回路の個数を従来の技術に比べて半分に減少させることができる。したがって，データ駆動部の集積回路の個数を減少させることができ，画素領域で素子の配置を簡単にし，画素の開口率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。また，ある部分が他の部分と連結されているとする時，これは，直接的に連結されている場合だけでなく，その中間に他の素子を置いて連結されている場合も含む。
【００３２】
それでは，本実施の形態による表示装置，表示パネル及び表示装置の駆動方法について，図面を参照して詳細に説明する。そして，本実施の形態では，表示装置として有機物質の電界発光を利用する有機電界発光（ＥＬ）表示装置を例に挙げて説明する。
【００３３】
（第１の実施の形態）
図１は第１の実施の形態による有機ＥＬ表示装置の概略を示した説明図である。図１に示されているように，本実施の形態による有機ＥＬ表示装置は，表示パネルを形成するための基板１を有し，基板１は，実際に画像を表示する表示領域１００，及び画像が表示されない周辺領域を含む。周辺領域には，第１駆動部である選択走査駆動部２００，第２及び第３駆動部である発光走査駆動部３００，４００，及びデータ駆動部５００（第４駆動部）が形成されている。
【００３４】
表示領域１００は，複数のデータ線Ｄ１−Ｄｎ，複数の第１走査線である選択走査線Ｓ１−Ｓｍ，複数の第２及び第３走査線である発光走査線Ｅ１１−Ｅ１ｍ，Ｅ２１−Ｅ２ｍ，及び複数の画素を含む。データ線Ｄ１−Ｄｎは列方向に伸びていて，画像を表示するデータ信号を画素に伝達する。選択走査線Ｓ１−Ｓｍ及び発光走査線Ｅ１１−Ｅ１ｍ，Ｅ２１−Ｅ２ｍは行方向に伸びていて，各々選択信号及び発光信号を画素に伝達する。そして，１つのデータ線及び１つの選択走査線によって画素領域１１０が定義され，この画素領域１１０に２つの画素１１１，１１２が形成されている。
【００３５】
選択走査駆動部２００は，複数の選択走査線Ｓ１−Ｓｍに選択信号を順次に印加し，発光走査駆動部３００，４００は，複数の発光走査線Ｅ１１−Ｅ１ｍ，Ｅ２１−Ｅ２ｍに発光信号を順次に印加する。また，データ駆動部５００は，データ信号をデータ線Ｄ１−Ｄｎに印加する。
【００３６】
本実施の形態によると，各走査駆動部２００〜４００は，１フレームを２つのフィールドに分割して各走査線を駆動する。具体的には，選択走査駆動部２００は，各フィールドで複数の選択走査線Ｓ１−Ｓｍに選択信号を順次に印加し，発光走査駆動部３００は，１つのフィールド（第１フィールド）で複数の発光走査線Ｅ１１−Ｅ１ｍに発光信号（第１発光信号）を順次に印加し，発光走査駆動部４００は，他の１つのフィールド（第２フィールド）で複数の発光走査線Ｅ２１−Ｅ２ｍに発光信号（第２発光信号）を順次に印加する。
【００３７】
各走査駆動部２００，３００，４００またはデータ駆動部５００の少なくともいずれかは，基板１上に集積回路の形態で直接装着することができる。または，これら各走査駆動部２００，３００，４００またはデータ駆動部５００の少なくともいずれかは，基板１上で走査線Ｓ１−Ｓｍ，Ｅ１１−Ｅ１ｍ，Ｅ２１−Ｅ２ｍ，データ線Ｄ１−Ｄｎ，及び画素回路１１０のトランジスタを形成する層と同一層に形成することもできる。
【００３８】
または，これら駆動部２００，３００，４００またはデータ駆動部５００の少なくともいずれかは，基板１と別途の基板に形成して，これら基板を基板１に電気的に連結することもでき，また，基板１に接着されて電気的に連結されたＴＣＰ（ｔａｐｅ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｐａｃｋａｇｅ），ＦＰＣ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ），またはＴＡＢ（ｔａｐｅ  ａｕｔｏｍａｔｉｃ  ｂｏｎｄｉｎｇ）にチップなどの形態で装着することもできる。
【００３９】
以下，図２を参照して，本実施の形態による画素について詳細に説明する。図２は本実施の形態による画素の概略的な回路図である。図２では，説明の便宜上，ｉ番目の行の走査線Ｓｉ及びｊ番目〜（ｊ+２）番目の列のデータ線Ｄｊ，Ｄｊ＋１，Ｄｊ＋２で各々形成される三つの画素領域１１０ｉｊ，１１０ｉ（ｊ＋１），１１０ｉ（ｊ＋２）に形成される６つの画素１１１ｉｊ，１１２ｉｊ，１１１ｉ（ｊ＋１），１１２ｉ（ｊ＋１），１１１ｉ（ｊ＋２），１１２ｉ（ｊ＋２）を例に挙げて示した（ここで，ｉは１からｍの整数であり，ｊは１から（ｎ−２）の整数である）。
【００４０】
また，図２では行方向にＲ，Ｇ，Ｂの順に画素が配置されるとする。図２に示されているように，画素領域１１０ｉｊは，選択走査線Ｓｉ及びデータ線Ｄｊによって形成され，２つの画素１１１ｉｊ，１１２ｉｊ（第１，第２画素）を有する。画素１１１ｉｊ，１１２ｉｊは駆動回路及びデータ線Ｄｊを共有し，有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２（発光素子）及び各々スイッチングトランジスタＭ３１，Ｍ３２，(駆動回路の出力電流を発光素子に伝達するスイッチング素子)を有する。ここで，有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２は各々Ｒ及びＧの色相の光を発光し，駆動回路については後述する。
【００４１】
画素領域１１０ｉ（ｊ＋１）は選択走査線Ｓｉ及びデータ線Ｄｊ＋１によって形成され，２つの画素１１１ｉ（ｊ＋１），１１２ｉ（ｊ＋１）を有する。画素領域１１０ｉ（ｊ＋１）の画素１１１ｉ（ｊ＋１），１１２ｉ（ｊ＋１）も画素１１１ｉｊ，１１２ｉｊと同一な構造を有し，画素１１１ｉ（ｊ＋１），１１２ｉ（ｊ＋１）の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２は，各々Ｂ及びＲの色相の光を発光する。
【００４２】
画素領域１１０ｉ（ｊ＋２）は選択走査線Ｓｉ及びデータ線Ｄｊ＋２によって形成され，２つの画素１１１ｉ（ｊ＋２），１１２ｉ（ｊ＋２）を含む。画素領域１１０ｉ（ｊ＋２）の画素１１１ｉ（ｊ＋２），１１２ｉ（ｊ＋２）も画素１１１ｉｊ，１１２ｉｊと同一な構造を有し，画素１１１ｉ（ｊ＋２），１１２ｉ（ｊ＋２）の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２は各々Ｇ及びＢの色相の光を発光する。
【００４３】
本実施の形態によると，駆動回路は，駆動トランジスタＭ１（データ信号に対応する電流を出力するトランジスタ），スイッチングトランジスタＭ２（データ信号をトランジスタＭ１に伝達するスイッチング素子），及びキャパシタＣｓｔを含み，スイッチングトランジスタＭ２を通じて記入されるデータ信号に対応する電圧をキャパシタＣｓｔが保存し，キャパシタＣｓｔに保存された電圧によって駆動トランジスタＭ１が電源ＶＤＤから電流を導通させる。
【００４４】
具体的に，トランジスタＭ１のソースは電源電圧ＶＤＤに連結され，トランジスタＭ１のソース及びゲートの間にキャパシタＣｓｔが連結されている。また，トランジスタＭ２はデータ線Ｄｊ，Ｄｊ＋１，Ｄｊ＋２及びトランジスタＭ１のゲートの間に接続され，ゲートに印加される選択信号に応答してデータ信号をトランジスタＭ１のゲートに伝達する。
【００４５】
トランジスタＭ３１，Ｍ３２は，トランジスタＭ１のドレイン及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２に各々連結され，発光走査線Ｅ１ｉ，Ｅ２ｉからの発光信号に応答してトランジスタＭ１の出力電流を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２に伝達する。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソードは電源電圧ＶＳＳに連結されており，電源電圧ＶＳＳは電源電圧ＶＤＤより低い電圧で，一般に負の電圧，接地電圧などを使用する。
【００４６】
これにより，選択走査線Ｓｉに低レベルの選択信号が印加されれば，トランジスタＭ２を通じてデータ電圧がトランジスタＭ１のゲートに伝達され，トランジスタＭ１のゲート及びソースの間には電源電圧ＶＤＤとデータ電圧との差に相当する電圧ＶＳＧが印加される。また，この電圧ＶＳＧがキャパシタＣｓｔに充電される。
【００４７】
その後，発光走査線Ｅ１ｉに低レベルの発光信号が印加されれば，トランジスタＭ３１が導通してトランジスタＭ１から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に数式１のような電流ＩＯＬＥＤが印加される。したがって，有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は電流ＩＯＬＥＤの大きさに対応する光の強さで発光する。同様に，発光走査線Ｅ２ｉに低レベルの発光信号が印加されれば，トランジスタＭ３２が導通して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２が発光する。つまり，１フレームの２つのフィールドで有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２が，各々１度ずつ発光して色相が表示される。
【００４８】
【数１】
2005338766.tif 000003
【００４９】
ここで，βは定数であり，ＶＳＧはトランジスタＭ１のソース−ゲート電圧であり，ＶＴＨはトランジスタＭ１のしきい電圧である。
【００５０】
以下，図３〜図４Ｂを参照して，本実施の形態による有機ＥＬ表示装置の駆動方法について詳細に説明する。図３は本実施の形態による有機ＥＬ表示装置の駆動タイミング図であり，図４Ａ及び図４ｎは各々第１フィールド及び第２フィールドで点灯する画素を示した図面である。
【００５１】
図３では，選択走査線Ｓｉに印加される選択信号をｓｅｌｅｃｔ[ｉ]で示し，発光走査線Ｅ１ｉ，Ｅ２ｉに印加される発光信号を各々ｅｍｉｔ１[ｉ]及びｅｍｉｔ２[ｉ]で示した（ここで，ｉは１からｍまでの整数）。そして，データ線Ｄ１−Ｄｎには同時にデータ電圧が印加されるので，図３では，ｊ番目のデータ線Ｄｊに印加されるデータ電圧のみをｄａｔａ[ｊ]で示した。
【００５２】
図３に示されているように，本実施の形態による有機ＥＬ表示装置は，１フレームが２つのフィールド１Ｆ，２Ｆに分割されて駆動され，各フィールド１Ｆ，２Ｆで選択走査線Ｓ１−Ｓｍに低レベルの選択信号ｓｅｌｅｃｔ[１]−ｓｅｌｅｃｔ[ｍ]が順次に印加される。駆動回路を共有する２つの画素の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１，ＯＬＥＤ２は，各々１つのフィールドに相当する期間の間発光する。そして，フィールド１Ｆ，２Ｆは行別に独立的に定義され，図３では第１行の選択走査線Ｓ１を基準に２つのフィールド１Ｆ，２Ｆを示した。
【００５３】
第１フィールド１Ｆで選択走査線Ｓ１に印加される選択信号ｓｅｌｅｃｔ[１]が低レベルパルスになり，第１行の各画素領域に含まれた有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に対応するデータ電圧ｄａｔａ[ｊ]がデータ線Ｄｊに伝達される。そして，発光走査線Ｅ１１の発光信号ｅｍｉｔ１[１]が低レベルパルスになってトランジスタＭ３１が導通する。その結果，第１行の画素領域でデータ電圧ｄａｔａ[ｊ]に対応する電流がトランジスタＭ１のドレインに出力され，トランジスタＭ３１はトランジスタＭ１の出力電流を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に伝達する。
【００５４】
したがって，有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は印加される電流に対応して発光し，有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光は発光信号ｅｍｉｔ１[１]が低レベルを維持する間持続する。本実施の形態によれば，発光信号ｅｍｉｔ１[１]の低レベルパルス幅は第１フィールド１Ｆの期間と実質的に同一である。
【００５５】
次に，選択走査線Ｓ２の選択信号ｓｅｌｅｃｔ[２]が低レベルパルスになり，第２行の各画素領域の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に対応するデータ電圧ｄａｔａ[ｊ]がデータ線Ｄｊに印加される。そして，発光走査線Ｅ１２の発光信号ｅｍｉｔ１[２]が低レベルパルスになってトランジスタＭ３１が導通する。その結果，第２行画素領域の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１が発光信号ｅｍｉｔ１[２]の低レベルパルス期間の間発光する。
【００５６】
このように，第１番目からｍ番目の行の選択走査線Ｓ１−Ｓｍに低レベルパルスを有する選択信号ｓｅｌｅｃｔ[１]−ｓｅｌｅｃｔ[ｍ]が順次に印加される。そして，ｉ番目の行の選択走査線Ｓｉの選択信号ｓｅｌｅｃｔ[ｉ]が低レベルパルスである間に各画素領域の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に対応するデータ電圧ｄａｔａ[ｊ]がデータ線Ｄｊに印加される。
【００５７】
そして，選択走査線Ｓiの選択信号ｓｅｌｅｃｔ[ｉ]が低レベルパルスになる時に，ｉ番目の行の２つの発光走査線Ｅ１ｉ，Ｅ２ｉのうちの発光走査線Ｅ１ｉの発光信号ｅｍｉｔ１[ｉ]が低レベルパルスになり，発光信号ｅｍｉｔ１[ｉ]の低レベルパルス幅は第１フィールド１Ｆの期間と同一である。その結果，各行では選択走査線Ｓｉの選択信号ｓｅｌｅｃｔ[ｉ]が低レベルパルスになった後で，第１フィールド１Ｆに相当する期間の間有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１が発光する。
【００５８】
つまり，本実施の形態によれば，第１フィールドで各行の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１が発光し，結局，図４Ａに示されているように，各行で１つのデータ線を共有して行方向に隣接する２つの画素のうちデータ線の左側に形成された画素（第１グループの画素）のみが発光する。
【００５９】
第２フィールド２Ｆで選択走査線Ｓ１の選択信号ｓｅｌｅｃｔ[１]が低レベルパルスになり，第１行の各画素領域の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に対応するデータ電圧ｄａｔａ[ｊ]がデータ線Ｄｊに印加される。そして，発光走査線Ｅ２１の発光信号ｅｍｉｔ２[１]が低レベルパルスになってトランジスタＭ３２が導通する。
【００６０】
その結果，有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２が発光し，有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の発光は発光信号ｅｍｉｔ２[１]の低レベルパルス期間の間持続する。本実施の形態によれば，発光信号ｅｍｉｔ２[１]の低レベルパルスの幅は第２フィールド２Ｆの期間と実質的に同一である。
【００６１】
次に，選択走査線Ｓ２の選択信号ｓｅｌｅｃｔ[２]が低レベルパルスになり，第２行の各画素領域の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に対応するデータ電圧ｄａｔａ[ｊ]がデータ線Ｄｊに印加され，第２行の発光走査線Ｅ２２の発光信号ｅｍｉｔ２[２]が低レベルパルスになってトランジスタＭ３２が導通する。その結果，第２行の画素領域の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２が発光信号ｅｍｉｔ２[２]の低レベルパルス期間の間発光する。
【００６２】
このように，第２フィールド２Ｆでも第１番目からｍ番目の行の選択走査線Ｓ１−Ｓｍの選択信号ｓｅｌｅｃｔ[１]−ｓｅｌｅｃｔ[ｍ]が順次に低レベルパルスになる。ｉ番目の行の選択走査線Ｓｉの選択信号ｓｅｌｅｃｔ[ｉ]が低レベルパルスである間に，各画素領域の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に対応するデータ電圧ｄａｔａ[ｊ]がデータ線Ｄｊに印加される。
【００６３】
そして，選択走査線Ｓｉの選択信号ｓｅｌｅｃｔ[ｉ]が低レベルパルスになる時に，ｉ番目の行の二つの発光走査線Ｅ１ｉ，Ｅ２ｉのうちの発光走査線Ｅ２ｉの発光信号ｅｍｉｔ２[ｉ]が低レベルパルスになり，発光信号ｅｍｉｔ２[ｉ]の低レベルパルス幅は第２フィールド２Ｆの期間と同一である。その結果，各行では選択走査線Ｓｉの選択信号ｓｅｌｅｃｔ[ｉ]が低レベルパルスになった後で，第２フィールド１Ｆに相当する期間の間有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２が発光する。
【００６４】
つまり，本実施の形態によれば，第２フィールドで各行の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２が発光し，結局，図４Ｂに示されているように，各行で１つのデータ線を共有して行方向に隣接する２つの画素のうちデータ線の右側に形成された画素（第２グループの画素）のみが発光する。
【００６５】
このように，本実施の形態による有機ＥＬ表示装置は，１フレームが２つのフィールドに分割されて駆動され，１つのフィールドで各画素領域の２つの画素のうちの１つの画素の有機ＥＬ素子のみが発光する。そして，他のフィールドで２つの画素のうちの残りの画素の有機ＥＬ素子が発光して，１フレームで全ての画素の有機ＥＬ素子が発光することができ，そのために全ての色相が表示できる。
【００６６】
また，２つの画素が駆動回路及びデータ線Ｄｊを共有することによって，データ線Ｄｊ及び駆動回路の個数を従来の技術に比べて半分に減少させることができる。したがって，データ線Ｄｊを駆動するための集積回路の個数を減少させることができ，また，画素領域で素子の配置を簡単にすることができる。
【００６７】
しかし，本実施の形態のように各フィールドで同一列の画素を点灯させる場合，各々のフィールドで発光しない画素のパターンが表示パネル上に瞬間的に現れる問題があった。つまり，第１フィールドでは１つのデータ線を共有して行方向に隣接する画素のうちの左側に形成された画素（つまり，有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１）が発光し，第２フィールドではデータ線の右側に形成された画素（つまり，有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２）が発光することによって，第１フィールドから第２フィールドへ進む場合に，１つの列の画素が同時に点灯したり消灯されたりすることによって，パネル上に縦縞が現れる現象が発生するのである。
【００６８】
（第２の実施の形態）
したがって，第２の実施の形態では，第１フィールド及び第２フィールドで上下左右方向に互いに隣接する複数の発光画素の間に，非発光画素が少なくとも１つ存在するようにして，表示パネルに縦縞が現れる問題を解決するものである。
【００６９】
以下，図５〜図６Ｂを参照して，第２の実施の形態による表示装置について説明する。図５は本実施の形態による表示装置を概略的に示した説明図であり，図６Ａ及び図６Ｂは，各々第１及び第２フィールドで点灯する画素を示した説明図である。
【００７０】
第２の実施の形態による表示装置は，奇数番目の行の発光走査線Ｅ１（２ｉ−１），Ｅ２（２ｉ−１）の連結関係及び偶数番目の行の発光走査線Ｅ１（２ｉ），Ｅ２（２ｉ）の連結関係が互いに変化するという点で，第１の実施の形態による表示装置と異なる。
【００７１】
具体的に，第１行では発光走査線Ｅ１１が画素領域１１０で左側画素１１１に連結されており，発光走査線Ｅ２１が右側画素１１２に連結されている。そして，第２行では発光走査線Ｅ１２が画素領域１１０で右側画素１１２に連結されており，発光走査線Ｅ２２が左側画素１１１に連結されている。
【００７２】
つまり，第２の実施の形態によれば，奇数番目の行では発光走査線Ｅ１ｉが左側画素１１１に連結され，発光走査線Ｅ２ｉが右側画素１１２に連結され，偶数番目の行ではこれと反対に連結される。
【００７３】
このように構成する場合，第１フィールド１Ｆでは，図６Ａのように，奇数番目の行の画素領域１１０（第１グループの第１走査線によって定義される画素領域）に形成された左側画素１１１及び偶数番目の行の画素領域１１０に形成された右側画素１１２が発光し，第２フィールド２Ｆでは，図６Ｂのように，奇数番目の行の画素領域１１０（第２グループの第１走査線によって定義される画素領域）に形成された右側画素１１２及び偶数番目の行の各画素領域１１０に形成された左側画素１１１が発光する。
【００７４】
したがって，上下または左右方向に隣接する任意の２つの発光画素の間に非発光画素が少なくとも１つ存在して，同一列または同一行の画素が同時に点灯または消灯されないようになる。したがって，表示パネルに現れる縦縞が除去され，表示装置の画質が改善される。
【００７５】
以下，図７Ａ及び図７Ｂを参照して，第２の実施の形態による画素について詳細に説明する。図７Ａは奇数番目の行の画素領域に含まれる６つの画素を示した図面であり，図７Ｂは偶数番目の行の画素領域に含まれる６つの画素を示した説明図である。
【００７６】
図７Ａに示されているように，奇数番目の行の画素領域１１０ｉｊ，１１０ｉ（ｊ＋１），１１０ｉ（ｊ＋２）に形成された画素のうちの左側画素１１１ｉｊ，１１１ｉ（ｊ＋１），１１１ｉ（ｊ＋２）のトランジスタＭ３１のゲートが発光走査線Ｅ１ｉに連結され，右側画素１１２ｉｊ，１１２ｉ（ｊ＋１），１１２ｉ（ｊ＋２）のトランジスタＭ３２のゲートが発光走査線Ｅ２ｉに連結される。
【００７７】
したがって，第１フィールドで発光走査線Ｅ１１−Ｅ１ｍに発光信号が順次に印加されれば，奇数番目の行に形成された画素領域１１０の左側画素が発光し，第２フィールドで発光走査線Ｅ２１−Ｅ２ｍに発光信号が順次に印加されれば，奇数番目の行に形成された画素領域１１０の右側画素が発光する。
【００７８】
また，図７Ｂに示されているように，偶数番目の行の画素領域１１０ｉｊ，１１０ｉ（ｊ＋１），１１０ｉ（ｊ＋２）に形成された画素のうちの右側画素１１２ｉｊ，１１２ｉ（ｊ＋１），１１２ｉ（ｊ＋２）のトランジスタＭ４２(駆動回路の出力電流を発光素子に伝達するスイッチング素子)のゲートが発光走査線Ｅ１ｉに連結され，左側画素１１１ｉｊ，１１１ｉ（ｊ＋１），１１１ｉ（ｊ＋２）のトランジスタＭ４１(駆動回路の出力電流を発光素子に伝達するスイッチング素子)のゲートが発光走査線Ｅ２ｉに連結される。
【００７９】
したがって，第１フィールドで発光走査線Ｅ１１−Ｅ１ｍに発光信号が順次に印加されれば，偶数番目の行の画素領域１１０のうちの右側画素が発光し，第２フィールドで発光走査線Ｅ２１−Ｅ２ｍに発光信号が順次に印加されれば，偶数番目の行の画素領域１１０のうちの左側画素が発光する。
【００８０】
（第３の実施の形態）
図８Ａ及び図８Ｂは第３の実施の形態による画素回路を示した説明図であって，図８Ａは奇数番目の行に形成された画素を示しており，図８Ｂは偶数番目の行に形成された画素を示している。
【００８１】
第３の実施の形態による画素は，画素に含まれたトランジスタＭ５１，Ｍ５２，及びＭ６１，Ｍ６２(駆動回路の出力電流を発光素子に伝達するスイッチング素子)が互いに異なるタイプのチャンネルを有するように形成され，トランジスタＭ５１，Ｍ５２，及びＭ６１，Ｍ６２のゲートが同一な発光走査線Ｅｉを連結するという点で，第１及び第２の実施の形態による画素と異なる。
【００８２】
具体的に，図８Ａに示されているように，奇数番目の行の画素領域（第１グループの画素領域）に形成された画素のうちの左側画素に含まれた画素のトランジスタＭ５１をＰチャンネルトランジスタで形成し，右側画素に含まれたトランジスタＭ５２をＮチャンネルトランジスタで形成した後，発光走査線Ｅｉに図３の発光信号ｅｍｉｔ１[１]−ｅｍｉｔ１[ｍ]（第１レベルの発光信号）を印加する。
【００８３】
その結果，第１フィールドではトランジスタＭ５１が導通してトランジスタＭ１の電流が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に伝達され，第２フィールドではトランジスタＭ５２が導通してトランジスタＭ１の電流が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に伝達される。
【００８４】
また，図８Ｂに示されているように，偶数番目の行の画素領域（第２グループの画素領域）に形成された画素のうちの右側画素に含まれた画素のトランジスタＭ６２をＰチャンネルトランジスタで形成し，左側画素に含まれたトランジスタＭ６１をＮチャンネルトランジスタで形成した後，発光走査線Ｅｉに図３の発光信号ｅｍｉｔ１[１]−ｅｍｉｔ１[ｍ]（第２レベルの発光信号）を印加する。
【００８５】
その結果，第１フィールドではトランジスタＭ６２が導通してトランジスタＭ１の電流が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２に伝達され，第２フィールドではトランジスタＭ６１が導通してトランジスタＭ１の電流が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に伝達される。
【００８６】
したがって，第１フィールドでは奇数番目の行の画素領域に形成された画素のうちの左側画素及び偶数番目の行の画素領域に形成された画素のうちの右側画素が発光し，第２フィールドでは奇数番目の行の画素領域に形成された画素のうちの右側画素及び偶数番目の行の画素領域に形成された画素のうちの左側画素が発光する。
【００８７】
本実施の形態によれば，第１フィールドでは画素領域に形成された第１グループの画素を発光信号によって発光させ，第２フィールドでは第２グループの画素を発光させるが，各フィールドで発光画素の間に少なくとも１つの非発光画素が存在するように第１グループ及び第２グループを設定することによって，表示パネルに現れる縦縞を除去することができる。また，２つの発光走査駆動部３００，４００を１つにすることができ，配線をさらに半減できる効果がある。
【００８８】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００８９】
第２及び第３の実施の形態では，奇数番目の行の画素及び偶数番目の行の画素が第１フィールド及び第２フィールドで発光走査線に連結される関係を互いに変更すると説明したが，本発明の範囲がこれに限定されるわけではなく，実施例に応じて，多様な方法で，各フィールドで発光画素の間に少なくとも一つの非発光画素が存在するように画素の連結関係を変更することができる。
【００９０】
また，第１〜第３の実施の形態では，１つの画素領域に２つの画素を形成し，１フレームを２つのフィールドに分けて駆動すると説明したが，実施例に応じては，１つの画素領域に３つの画素を形成し，１フレームを３つのフィールドに分けて駆動することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明は，表示装置，表示パネル及び表示装置の駆動方法に適用可能であり，特に駆動回路を減少させ，画素の開口率を増加させることができる有機電界発光表示装置，表示パネル及び表示装置の駆動方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】第１の実施の形態による有機ＥＬ表示装置を概略的に示した説明図である。
【図２】第１の実施の形態による有機ＥＬ表示装置の画素の概略的な回路図である。
【図３】第１の実施の形態による有機ＥＬ表示装置の駆動タイミング図である。
【図４Ａ】第１の実施の形態による有機ＥＬ表示装置において，第１フィールドで点灯する画素を示した説明図である。
【図４Ｂ】第１の実施の形態による有機ＥＬ表示装置において，第２フィールドで点灯する画素を示した説明図である。
【図５】第２の実施の形態による有機ＥＬ表示装置を概略的に示した説明図である。
【図６Ａ】第２の実施の形態による有機ＥＬ表示装置において，第１フィールドで点灯する画素を示した説明図である。
【図６Ｂ】第２の実施の形態による有機ＥＬ表示装置において，第２フィールドで点灯する画素を示した説明図である。
【図７Ａ】第２の実施の形態による有機ＥＬ表示装置において，奇数番目の行の画素の概略的な回路図である。
【図７Ｂ】第２の実施の形態による有機ＥＬ表示装置において，偶数番目の行の画素の概略的な回路図である。
【図８Ａ】第３の実施の形態による有機ＥＬ表示装置において，奇数番目の行の画素の概略的な回路図である。
【図８Ｂ】第３の実施の形態による有機ＥＬ表示装置において，偶数番目の行の画素の概略的な回路図である。
【符号の説明】
【００９３】
１      基板
１００      表示領域
１１０      画素領域
１１１      画素
１１２      画素
２００      選択走査駆動部
３００      発光走査駆動部
４００      発光走査駆動部
５００      データ駆動部
Ｄ１−Ｄｎ    データ線
Ｅ１１−Ｅ１ｍ  発光走査線
Ｅ２１−Ｅ２ｍ  発光走査線
Ｓ１−Ｓｍ    選択走査線
Ｃｓｔ      キャパシタ
Ｍ１        駆動トランジスタ
Ｍ２        スイッチングトランジスタ
Ｍ３１      トランジスタ
Ｍ３２      トランジスタ
ＯＬＥＤ１  有機ＥＬ素子
ＯＬＥＤ２  有機ＥＬ素子
【図１】
2005338766.tif 000004
【図２】
2005338766.tif 000005
【図３】
2005338766.tif 000006
【図４Ａ】
2005338766.tif 000007
【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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