(57)【要約】【課題】  電極電源供給ラインの損傷や剥離を防止し，有機物を含む絶縁層から発生するガスを円滑に排出可能な電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  基板上に，第１電極層２１０及び第２電極層４００と有機電界発光部２３０とを有する画素が形成されたディスプレイ領域２００と：ディスプレイ領域２００の電極に電源を供給する電極電源供給ライン４１０と：電極電源供給ライン４１０上に形成されて少なくとも１つのビアホール１８２を有し，有機物を含む絶縁層１８０と：ビアホール１８２を含む絶縁層１８０上に形成される補助導電層４１１と：を備え，電極電源供給ライン４１０と第２電極層４００とは，ビアホール１８２で補助導電層４１１を介して互いに電気的に連結され，絶縁層１８０上の補助導電層４１１は少なくとも１つの貫通部４１２を有する。【選択図】    図２Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に各々少なくとも１層からなる第１電極層及び第２電極層と，前記第１電極層及び前記第２電極層間に形成される電界発光部と，を有する画素が形成されたディスプレイ領域と，
前記ディスプレイ領域の電極に電源を供給する電極電源供給ラインと，
前記電極電源供給ライン上に形成されて少なくとも１つのビアホールを有し，有機物を含む，少なくとも１つの絶縁層と，
前記電極電源供給ライン上部で，前記ビアホールを含む前記絶縁層上に形成される補助導電層と，
を備え，
前記電極電源供給ラインと前記第２電極層とは，前記ビアホールで前記補助導電層を介して互いに電気的に連結され，前記絶縁層上の前記補助導電層は少なくとも１つの貫通部を有することを特徴とする，電界発光ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記補助導電層は，前記第１電極層の少なくとも一部と同一の層で形成されていることを特徴とする，請求項１に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項３】
前記補助導電層は複数の貫通部を有し，前記貫通部間の距離は前記第１電極層の両端間の最大距離より短いことを特徴とする，請求項１または２に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項４】
前記ビアホールの外側部には，少なくとも１つの貫通部が配置されていることを特徴とする，請求項１または２に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項５】
前記貫通部は，少なくとも１つの貫通孔で形成されていることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記貫通孔は，ライン状に形成されていることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項７】
前記第１電極層の下部に薄膜トランジスタ層が配置され，前記電極電源供給ラインは，少なくとも前記薄膜トランジスタ層のソース／ドレイン電極と同一の層を有していることを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項８】
前記第１電極層の下部に薄膜トランジスタ層が配置され，前記電極電源供給ラインは，少なくとも前記薄膜トランジスタ層の半導体活性層と同一の層を有していることを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項９】
基板上に各々少なくとも１層からなる第１電極層及び第２電極層と，前記第１電極層及び前記第２電極層間に形成される電界発光部と，を有する画素が形成されたディスプレイ領域と，
前記ディスプレイ領域の電極に電源を供給する電極電源供給ラインと，
前記電極電源供給ライン上に形成されて少なくとも１つのビアホールを有し，有機物を含む，少なくとも１つの絶縁層と，
前記電極電源供給ライン上部で，前記ビアホールを含む前記絶縁層上に形成される，複数の単位補助導電層を有する補助導電層と，
を備え，
前記電極電源供給ラインと前記第２電極層とは，前記ビアホールで前記補助導電層を介して互いに電気的に連結され，前記絶縁層上の前記単位補助導電層は互いに離隔されていることを特徴とする，電界発光ディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記単位補助導電層内の一地点と前記単位補助導電層端部との距離は，前記第１電極層の一地点と前記第１電極層端部との最大距離以下であることを特徴とする，請求項９に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項１１】
基板上に各々少なくとも１層からなる第１電極層及び第２電極層と，前記第１電極層及び前記第２電極層間に形成される電界発光部と，を有する画素が形成されたディスプレイ領域と，前記ディスプレイ領域に電極電源を供給する電極電源供給ラインと，を備える電界発光ディスプレイ装置の製造方法において；
前記電極電源供給ライン上に，有機物を含む少なくとも１つの絶縁層を形成する段階と，
前記絶縁層上に，少なくとも１つのビアホールを形成する段階と，
前記ビアホールを含む前記絶縁層上に補助導電層を形成する段階と，
前記補助導電層上に貫通部を形成する段階と，
を含むことを特徴とする，電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記補助導電層の形成段階は，前記第１電極層の少なくとも一部の層を形成する際に同時に形成されることを特徴とする，請求項１１に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ビアホールは複数形成され，前記貫通部は前記ビアホール間に形成されることを特徴とする，請求項１１または１２に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記貫通部は複数形成され，前記貫通部間の距離は，前記第１電極層の両端間の最大距離以下であることを特徴とする，請求項１１〜１３のいずれかに記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１５】
基板上に各々少なくとも１層からなる第１電極層及び第２電極層と，前記第１電極層及び前記第２電極層間に形成される電界発光部と，を有する画素が形成されたディスプレイ領域と，前記ディスプレイ領域の電極に電源を供給する電極電源供給ラインと，を備える電界発光ディスプレイ装置の製造方法において；
前記電極電源供給ライン上に，有機物を含む少なくとも１つの絶縁層を形成する段階と，
前記絶縁層上に少なくとも１つのビアホールを形成する段階と，
前記ビアホールを含む前記絶縁層上に，少なくとも１つの単位補助導電層を有する補助導電層を形成する段階と，
を含むことを特徴とする，電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法に係り，特に有機電界発光素子を用いた自発光型ディスプレイ装置である有機電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
画像を表示するためには，多くの種類のディスプレイ装置が使用されるが，近年には，従来のブラウン管，つまりＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ：陰極線管）を代替する多様なフラットパネルディスプレイ装置が使用される。かかるフラットパネルディスプレイ装置は，発光形態によって，自発光型（ｅｍｉｓｓｉｖｅ）と非自発光型（ｎｏｎ−ｅｍｉｓｓｉｖｅ）に分類することができる。
【０００３】
自発光型ディスプレイ装置には，平面ブラウン管，プラズマディスプレイ装置（ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ  ｄｅｖｉｃｅ），真空蛍光ディスプレイ装置（ｖａｃｕｕｍ  ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ），電界放出ディスプレイ装置（ｆｉｅｌｄ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｄｉｓｐａｌｙ  ｄｅｖｉｃｅ），無機／有機電界発光ディスプレイ素子（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）などがあり，非自発光型ディスプレイ装置には，液晶ディスプレイ装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）がある。
【０００４】
そのなかでも，有機電界発光素子はバックライトのような別途の発光装置が不要な自発光型素子であって，低電力および高効率の作動が可能であり，また青色発光が可能な，近来脚光を浴びている平面ディスプレイ素子である。
【０００５】
有機電界発光ディスプレイ素子は，有機物薄膜に負極と正極を介して注入された電子と正孔が再結合して励起子（ｅｘｉｔｏｎ）を形成し，形成された励起子からのエネルギーにより，特定波長の光が発生する現象を用いる自発光型ディスプレイ装置である。有機電界発光ディスプレイ装置は，低電圧でも駆動が可能であり，視野角が広いだけでなく，応答速度も速いという利点を有する。
【０００６】
かかる有機電界発光ディスプレイ素子の有機電界発光部は，基板上に積層式で形成される正極としての第1電極，有機発光部，および負極としての第２電極からなる。有機発光部は有機発光層（ＥＭＬ：ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）を有するが，この有機発光層で正孔と電子が再結合して励起子を形成し，光が発生する。発光効率をさらに高めるためには，正孔と電子を有機発光層へより円滑に輸送しなければならない。
【０００７】
このために，負極と有機発光層間には電子輸送層（ＥＴＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）が配置可能であり，正極と有機発光層間には正孔輸送層（ＨＴＬ：ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）が配置可能であり，さらに正極と正孔輸送層間に正孔注入層（ＨＴＬ：ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）が配置可能であり，負極と電子輸送層間に電子注入層（ＥＩＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）が配置可能である。
【０００８】
一方，有機電界発光ディスプレイ素子は，駆動方式によって，受動駆動方式のパッシブマトリックス（Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ：ＰＭ）型と，能動駆動方式のアクティブマトリックス（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ：ＡＭ）型に分類される。前記パッシブマトリックス型は，単に正極と負極がそれぞれコラム（ｃｏｌｕｍｎ）とロー（ｒｏｗ）に配列され，負極には列駆動回路からスキャニング信号が供給され，この際，複数のローのなかで１ローのみが選択される。また，コラム駆動回路には各画素にデータ信号が入力される。
【０００９】
一方，アクティブマトリックス型は薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を用いて各画素当り入力される信号を制御するもので，膨大な量の信号を処理するのに適合であるので，動映像を具現するためのディスプレイ装置として多く使用されている。
【００１０】
このように，ディスプレイ解像度の増大および大型化の趨勢に従い，消費電力を低減させ，輝度などの画面品質を向上させるための多様な方案が研究されている。その１つの方案は，ディスプレイ領域に電源を供給する駆動電源供給ラインおよび電極電源供給ラインなどのような各種配線の配線抵抗を減少させることで，輝度の低下，輝度の不均一のような問題を解決しようとするものである。
【００１１】
特許文献１には，正極と同一酸化物で形成され，負極と端子間の広幅部を介して電気的に接続される電極が形成された有機発光表示装置が開示されている。このような構造により，負極と端子が直接接続することにより発生する接触抵抗を減らして，画面の品質を向上させることができる。
【００１２】
【特許文献１】特開２００１−１０９３９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら，このような従来の技術によると，端子広幅部のコンタクト部において，端子上部の絶縁層の大部分が除去され，端子が過度に外部に露出されることにより，後続工程で端子を構成する層が剥離したり，相当な損傷を被ったりすることがある。また，正極と同一酸化物で形成される電極の下部には，アクリル系樹脂でなる平坦化層が配置されるので，これから発生するガスの排出経路が，前記電極により遮断されるか，または排出経路が長くなり，発生ガスが円滑に排出できないため，製品の不良が発生したり，工程時間が増加したりする損失を生じさせる問題があった。
【００１４】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，電極電源供給ラインの損傷や剥離を防止するとともに，有機物を含む絶縁層で発生するガスを円滑に排出させることが可能な，電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板上に各々少なくとも１層からなる第１電極層及び第２電極層と，第１電極層及び第２電極層間に形成される電界発光部と，を有する画素が形成されたディスプレイ領域と：ディスプレイ領域の電極に電源を供給する電極電源供給ラインと：電極電源供給ライン上に形成されて少なくとも１つのビアホールを有し，有機物を含む，少なくとも１つの絶縁層と：電極電源供給ライン上部で，ビアホールを含む絶縁層上に形成される補助導電層と：を備え，電極電源供給ラインと第２電極層とは，ビアホールで補助導電層を介して互いに電気的に連結され，絶縁層上の補助導電層は少なくとも１つの貫通部を有することを特徴とする，電界発光ディスプレイ装置が提供される。
【００１６】
電極電源供給ライン上に絶縁層が形成されることにより，電極電源供給ラインの剥離を防止することができ，絶縁層上に形成された補助導電層が，さらに電極電源供給ラインの損傷を防止することができる。また，補助導電層に貫通部が形成されることにより，絶縁層から発生したガスが貫通部を通って排出されるので，ガスの排出経路が短縮でき，真空アニーリング段階の工程時間を短くできる。
【００１７】
上記の補助導電層は，第１電極層の少なくとも一部と同一の層で形成することができる。第１電極層をパターン化工程により形成する際に，同時に補助導電層に対応する部分もパターン化することにより，工程を増やすことなく補助導電層を形成することができる。
【００１８】
また，補助導電層は複数の貫通部を有し，貫通部間の距離は第１電極層の両端間の最大距離より短くすることができる。複数の貫通部により，絶縁層から発生したガスをより効果的に排出することができ，第１電極層の下部に位置する絶縁層から発生するガスが円滑に排出できるのと同様に，貫通部間の距離は，第１電極層の両端間距離の最大距離より短くすることによってガスを円滑に排出する。
【００１９】
さらに，ビアホールの外側部には，少なくとも１つの貫通部を配置することができる。貫通部をビアホールの外側部（外周より外側の部分）の少なくとも一部に配置することにより，補助導電層の下部絶縁層で生成されたガスが補助導電層に捕らわれることなく，迅速で円滑に排出できる。
【００２０】
ここで，貫通部は，少なくとも１つの貫通孔で形成されていてもよいし，ライン状に形成されていてもよい。
【００２１】
また，第１電極層の下部に薄膜トランジスタ層が配置され，電極電源供給ラインは，少なくとも薄膜トランジスタ層のソース／ドレイン電極と同一の層を有していてもよいし，少なくとも薄膜トランジスタ層の半導体活性層と同一の層を有していてもよく，少なくとも１つの導電層を含むので，十分な導電性を確保するこができ，多様な構成を適用することができる。
【００２２】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板上に各々少なくとも１層からなる第１電極層及び第２電極層と，第１電極層及び第２電極層間に形成される電界発光部と，を有する画素が形成されたディスプレイ領域と：ディスプレイ領域の電極に電源を供給する電極電源供給ラインと：電極電源供給ライン上に形成されて少なくとも１つのビアホールを有し，有機物を含む，少なくとも１つの絶縁層と：電極電源供給ライン上部で，ビアホールを含む絶縁層上に形成される，複数の単位補助導電層を有する補助導電層と：を備え，電極電源供給ラインと第２電極層とは，ビアホールで補助導電層を介して互いに電気的に連結され，絶縁層上の単位補助導電層は互いに離隔されていることを特徴とする，電界発光ディスプレイ装置が提供される。
【００２３】
このように，補助導電層を互いに離隔した複数の単位補助導電層で構成することができ，離隔した複数の単位補助導電層の間から，下部絶縁層で生成されるガスをより迅速で円滑に外部へ排出させることができる。ガスをより円滑に排出するためには，単位補助導電層は第１電極層より小さくし，単位補助導電層内の一地点と単位補助導電層端部との距離は，第１電極層の一地点と第１電極層端部との最大距離以下とするとよい。
【００２４】
さらに，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板上に各々少なくとも１層からなる第１電極層及び第２電極層と，第１電極層及び第２電極層間に形成される電界発光部と，を有する画素が形成されたディスプレイ領域と，ディスプレイ領域に電極電源を供給する電極電源供給ラインと，を備える電界発光ディスプレイ装置の製造方法において；電極電源供給ライン上に，有機物を含む少なくとも１つの絶縁層を形成する段階と，絶縁層上に，少なくとも１つのビアホールを形成する段階と，ビアホールを含む絶縁層上に補助導電層を形成する段階と，補助導電層上に貫通部を形成する段階と，を含むことを特徴とする，電界発光ディスプレイ装置の製造方法が提供される。
【００２５】
上記の製造方法により，電極電源供給ライン上に形成された絶縁層，さらに絶縁層上に形成された補助導電層が，電極電源供給ラインの剥離，損傷を防止することができ，また，補助導電層に形成された貫通部により，絶縁層から発生したガスを迅速に排出することができる。
【００２６】
この時，補助導電層の形成段階は，第１電極層の少なくとも一部の層を形成する際に同時に形成することができるので，工程を増やすことなく補助導電層を形成することができる。
【００２７】
また，ビアホールは複数形成され，貫通部はビアホール間に形成することができる。絶縁層に複数のビアホールが形成される場合，一部の絶縁層が補助導電層によって囲まれてしまうが，この補助導電層によって囲まれた絶縁層から発生するガスを円滑に排出するため，ビアホールの間には少なくとも１つの貫通部を形成してもよい。
【００２８】
貫通部は複数形成され，貫通部間の距離は，第１電極層の両端間の最大距離以下であることを特徴とする。複数の貫通部により，絶縁層から発生したガスをより効果的に排出することができ，第１電極層の下部に位置する絶縁層から発生するガスが円滑に排出できるのと同様に，貫通部間の距離は，第１電極層の両端間距離の最大距離より短くすることによってガスを円滑に排出する。
【００２９】
さらに，別の観点の製造方法から，基板上に各々少なくとも１層からなる第１電極層及び第２電極層と，第１電極層及び第２電極層間に形成される電界発光部と，を有する画素が形成されたディスプレイ領域と，ディスプレイ領域の電極に電源を供給する電極電源供給ラインと，を備える電界発光ディスプレイ装置の製造方法において；電極電源供給ライン上に，有機物を含む少なくとも１つの絶縁層を形成する段階と，絶縁層上に少なくとも１つのビアホールを形成する段階と，ビアホールを含む絶縁層上に，少なくとも１つの単位補助導電層を有する補助導電層を形成する段階と，を含むことを特徴とする，電界発光ディスプレイ装置の製造方法が提供される。
【００３０】
上記と同様に，少なくとも１つの単位補助導電層で補助導電層を構成することにより，単位補助導電層は第１電極層より小さいので，下部絶縁層で生成されるガスをより迅速で円滑に外部へ排出させることができる。
【発明の効果】
【００３１】
以上詳述したように本発明によれば，電極電源供給ラインと第２電極層との間に絶縁層を介在させることにより，電極電源供給ラインの剥離を防止することができ，また，電極電源供給ライン及び第２電極層間に形成された補助導電層が貫通部を備えることにより，補助導電層がさらに電極電源供給ラインの損傷および剥離を防止するとともに，真空アニーリング段階で生じ得る有機物を含む絶縁層からのガスが，貫通部から円滑に排出され，工程時間を短縮できるので，工程単価を低下させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３３】
図１Ａは本実施の形態による有機電界発光ディスプレイ装置の平面図を示す。基板１１０の一面上には，有機電界発光ディスプレイ素子のような発光素子が配置されたディスプレイ領域２００，ディスプレイ領域２００の外側に沿って塗布され，基板１１０と封止基板９００（図２Ａ参照）を密封する密封部８００，および各種端子が配置された端子領域７００が形成される。場合によっては，ディスプレイ領域２００は密封部８００なしで薄膜封止層を使用して密封することもできる。
【００３４】
ディスプレイ領域２００を構成する有機電界発光ディスプレイ素子の構成を，図１の線Ｉ−Ｉに沿った部分断面図である図２Ａに基づいて説明する。まず，基板１１０，例えばガラス材の基板１１０上にＳｉＯ２などでバッファ層１２０が形成される。バッファ層１２０の一面上には半導体活性層１３０が形成される。
【００３５】
この半導体活性層１３０は非晶質シリコン層または多結晶質シリコン層で形成可能である。図面に詳細に示されていないが，半導体活性層１３０は，Ｎ＋型またはＰ＋型のドーパントでドーピングされるソースおよびドレイン領域と，チャンネル領域とからなる。半導体活性層１３０は前記材料に限定されるものではなく，有機半導体からも形成可能なものである。
【００３６】
チャンネル領域に対応する半導体活性層１３０の一面上部には，ゲート電極１５０が形成され，ゲート電極１５０に印加される信号の有無によってチャンネル領域の通電可否が決定され，このゲート電極１５０によりソースおよびドレイン領域が連結される。ゲート電極１５０は，隣接層との密着性，積層される層の表面平坦性，および加工性などを考慮して，例えばＭｏＷ，Ａｌ／Ｃｕなどのような物質から形成されることが好ましいが，これらに限定されるものではない。
【００３７】
半導体活性層１３０とゲート電極１５０間の絶縁性を確保するため，例えば，プラズマ・エンハンスト化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ）により，ＳｉＯ２からなるゲート絶縁層１４０が半導体活性層１３０とゲート電極１５０との間に介在される。
【００３８】
ゲート電極１５０の上部には，中間層１６０が形成される。中間層１６０は，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘなどの物質から単層形態に形成されるかまたは二層形態に形成することもできる。中間層１６０の上部にはソース／ドレイン電極１７０が形成される。ソース／ドレイン電極１７０は，中間層１６０とゲート絶縁層１４０とに形成されたコンタクトホールを介して半導体活性層のソース領域およびドレイン領域にそれぞれ電気的に連結される。
【００３９】
ソース／ドレイン電極１７０の上部には一層以上の絶縁層１８０（パッシベーション層および平坦化層の少なくともいずれか）が形成されることにより，下部の薄膜トランジスタを保護及び平坦化させる。本実施の形態による絶縁層１８０はＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）またはアクリル（ａｃｒｙｌ）などのような有機物を含む有機物絶縁層を含むことができる。絶縁層１８０は単層または複数層に形成することもでき，場合によってはＳｉＯ２，ＳｉＮｘなどのような無機物からなる無機物層を含むこともできる。
【００４０】
絶縁層１８０の一面上には第１電極層２１０が配設される。第１電極層２１０の一端は，絶縁層１８０に形成されたビアホール１８１を介して下部のドレイン電極１７０と接触する。第１電極層２１０は，後述するように，背面発光型の場合，インジウム−すず−オキサイド（ＩＴＯ）など透明電極から構成可能であり，前面発光型の場合，ＩＴＯなどの透明電極から構成されるとともに，下部にＡｌ，ＡｌＮｄ，ＭｇＡｇなどのような材料の反射層を有するように構成可能であり，多様な変形例を有することができる。
【００４１】
電界発光部である有機電界発光部２３０は，低分子または高分子有機膜のいずれでも構成可能である。低分子有機膜を使用する場合は，ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ），ホール輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ），有機発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ），電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ），電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）などを，単一または複合構造に積層して形成することができ，使用可能な有機材料としては，銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ），Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−１−ｙｌ−）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＮＰＢ），トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（ｔｒｉｓ−８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ  ａｌｕｍｉｎｕｍ：Ａｌｑ３）などの多様な材料を適用することができる。これら低分子有機膜は真空蒸着法で形成される。
【００４２】
高分子有機膜の場合は，ホール輸送層（ＨＴＬ）および有機発光層（ＥＭＬ）を有することができる。この際，ホール輸送層としてＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）を使用し，発光層としてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系およびポリフルオレン系などの高分子有機物質を使用し，これをスクリーン印刷法，インクジェット印刷法などで形成可能である。
【００４３】
有機電界発光部２３０の一面上部には，カソード電極としての第２電極層４００が全面に蒸着される。この第２電極層４００はこのような全面蒸着形態に限定されるものではなく，発光形態によってＡｌ／Ｃａ，ＩＴＯ，Ｍｇ−Ａｇなどのような材料で形成することもでき，単一層でなく複数層に形成することもでき，ＬｉＦなどのようなアルカリまたはアルカリ土金属フルオライド層をさらに含むことができるなど，多様な形態に構成可能なものである。ここで，説明を容易にするため，第１電極層２１０はアノードとして，第２電極層４００はカソードとして説明したが，そのほかの構成を取ることもできる。
【００４４】
また，図１に示すように，ディスプレイ領域２００の外側には，ディスプレイ領域２００に駆動電源を供給するための駆動電源供給ライン３００が配置される。駆動電源供給ライン３００は端子領域７００の駆動電源供給端子３２０と電気的に連結される。図１は本発明を説明するための一実施形態であって，駆動電源供給ラインの配置がこれに限定されるものではない。
【００４５】
ディスプレイ領域全体にわたって均一な駆動電源を供給することにより輝度不均一を改善させることが可能であるという点で見ると，駆動電源供給ライン３００はディスプレイ領域を取り囲むように形成されることが好ましい。駆動電源供給ライン３００は駆動ライン３１０に連結され，駆動ライン３１０はディスプレイ領域２００を横切って配置され，絶縁層１８０の下部に配置されたソース電極１７０（図２Ｂ参照）と電気的に連結される。
【００４６】
また，ディスプレイ領域２００の外側には垂直駆動回路部５００，水平駆動回路部６００が配置され，これら垂直駆動回路部５００及び水平駆動回路部６００は，端子領域７００の垂直駆動端子５２０，水平駆動端子６２０と各々電気的に連結される。垂直駆動回路部５００は，ディスプレイ領域２００にスキャン信号を印加するスキャン駆動回路部であり，水平駆動回路部６００は，ディスプレイ領域２００にデータ信号を印加するデータ駆動回路部であることができる。これら回路部は，場合によって，外装ＩＣまたはＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）として具現可能である。
【００４７】
図１に示すように，ディスプレイ領域２００の外側の少なくとも一部に沿っては，ディスプレイ領域２００に電極電源を供給する電極電源供給ライン４１０が配置される。電極電源供給ライン４１０は，端子領域７００の電極電源供給端子４２０と電気的に連結される。
【００４８】
図２Ａは図１の線Ｉ−Ｉに沿って取った本実施の形態による有機電界発光ディスプレイ装置の概略部分断面図である。図２Ａに示すように，ディスプレイ領域２００の外側に配置された電極電源供給ライン４１０の上部には一層以上の絶縁層１８０がディスプレイ領域２００から延長されており，この絶縁層１８０の一面上に補助導電層４１１がさらに形成されている。
【００４９】
図２Ｂ〜図２Ｅは，図２Ａに断面で示す本実施の形態による有機電界発光ディスプレイ装置の製造段階を示す工程断面図である。まず，図２Ｂに示すように，電極電源供給ライン４１０は，薄膜トランジスタ層のソース／ドレイン電極１７０と同時に形成することができる。電極電源供給ライン４１０が形成された後，電極電源供給ライン４１０の上部には，有機物層を含む一層以上の絶縁層１８０が形成される。
【００５０】
その後，図２Ｃに示すように，電極電源供給ライン４１０との電気的連結のために，ビアホール１８２を形成する。電極電源供給ライン用のビアホール１８２は，後に形成される画素電極としての第１電極層２１０（図２Ｄ参照）とソース／ドレイン電極１７０との電気的連結のためのビアホール１８１の形成と，同時に形成できる。
【００５１】
ビアホール１８２の形成後，図２Ｄに示すように，ビアホール１８２および絶縁層１８０の一面上には，補助導電層４１１が形成される。後に形成される第２電極層４００と電極電源供給ライン４１０との間の電気的連結は，この間に介在される補助導電層４１１によりなされる。
【００５２】
電極電源供給ライン４１０と補助導電層４１１との間のビアホール１８２を除いた残りの領域に絶縁層１８０が介在することにより，絶縁層１８０が介在していない場合に発生し得る電極電源供給ライン４１０などの剥離を防止することができる。また，補助導電層４１１は，後にディスプレイ領域２００に形成される画素定義層２２０（図２Ｅ参照），有機電界発光部２３０などの形成過程で発生し得る，露出した電極電源供給ライン４１０の損傷を防止することができる。
【００５３】
補助導電層４１１は，ディスプレイ領域２００の第１電極層２１０の少なくとも一部と同一の層を有していることができる。すなわち，補助導電層４１１は，第１電極層２１０の形成と同時に形成可能である。例えば，本実施の形態による有機電界発光ディスプレイ装置がＡｌ，ＡｌＮｄ，ＭｇＡｇなどのような反射物質を含む反射層を含む前面発光型の場合，補助導電層４１１は，ＩＴＯ層のような透明導電層及びＡｌＮｄなどのような反射層の少なくともいずれかを有する構造とすることができる。
【００５４】
第１電極層２１０を構成する物質を，ビアホール１８１，１８２を含む絶縁層１８０の一面上に全面蒸着した後，適切なパターン化工程により第１電極層２１０を形成する場合，第１電極層２１０のパターン化工程と同時に補助導電層４１１に対応する部分もパターン化することにより，補助導電層４１１を形成することができる。
【００５５】
一方，絶縁層１８０の一面に形成された補助導電層４１１には，１つ以上の貫通部４１２が形成される。図２Ｄに示すように，補助導電層４１１に貫通部４１２が形成された後，基板１１０上の積層部を一定時間真空状態でアニーリング処理することで，後に有機物層を含む絶縁層１８０から発生し得るベンズアルデヒド（ｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅ），ベンジルアルコール（ｂｅｎｚｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ），ベンゼン系化合物などのガスを予め排出させることができ，このガスによる絶縁層損傷により絶縁性が損傷するのを防止する。
【００５６】
このように，絶縁層１８０から発生したガスを補助導電層４１１の内側に位置する貫通部４１２を介して排出することができるので，絶縁層１８０から発生したガスの排出経路は，補助導電層４１１の外側を通して排出される経路よりかなり短縮される。したがって，真空アニーリング段階の工程時間が相当に短縮可能となる。
【００５７】
その後，図２Ｅに示すように，ディスプレイ領域２００の画素を定義するための画素定義層２２０が，例えばスピンコーティングおよびパターン化工程により，第１電極層２１０上の画素開口部２４０および補助導電層４１１の少なくとも一部を除いた残りの基板領域に形成される。
【００５８】
画素定義層２２０が形成された後，画素定義層２２０を含む基板１１０の一面上の積層部を真空状態でアニーリング処理することにより，画素定義層２２０から後に発生し得るガスを予め排出させる。画素定義層２２０が形成された後，画素開口部２４０を含む部分に有機電界発光部２３０および第２電極層４００が順次形成される。
【００５９】
一方，図２Ａにおいては，絶縁層１８０に対応する補助導電層４１１上に１つの貫通部４１２が形成されたものが示されているが，図３Ａに示すように，補助導電層４１１に２つ以上の貫通部４１２を有することもできる。ここで，図３Ａの点線で示すビアホール１８２は図面の背面に位置するビアホール１８２を意味する。
【００６０】
この際，画素の第１電極層２１０は，その下部に位置する絶縁層１８０から発生するガスが真空アニーリング段階で円滑に排出可能な程度の大きさを有することができ，同様に，補助導電層４１１に形成された２つの貫通部４１２間の距離ｄｐは，画素第１電極層２１０の両端間距離の最大距離より短く，すなわち，第１電極層２１の外側線上の一地点と他地点との距離の最大距離以下となるように形成することができ，それにより，絶縁層１８０から発生するガスを円滑に排出する。
【００６１】
また，電極電源供給ライン４１０の上部に位置する絶縁層１８０のビアホールは，外側部（ビアホールの外周より外側の部分）の少なくとも一部に１つ以上の貫通部を有することができる。すなわち，図３Ｂに示すように，電極電源供給ライン４１０上の絶縁層１８０に２つ以上のビアホール１８２が形成される場合，一部絶縁層１８０が補助導電層４１１により囲まれてしまう。この際，補助導電層４１１に囲まれた部分の絶縁層１８０で発生するガスを円滑に排出するため，ビアホール１８２の外側には１つ以上の貫通部４１２を有するとよい。
【００６２】
本実施の形態により補助導電層に形成される貫通部は，多様な形態に形成できる。図４Ａ及び図４Ｂは，図１のＡ部の拡大図（絶縁層は図示せず）である。図４Ａに示すように，簡単な構造を望む場合，補助導電層４１１に貫通孔である貫通部４１２ａが形成され，絶縁層からのより円滑なガス排出が要求される場合，図４Ｂに示すように，貫通部は多数の直線で形成されたラインタイプ貫通部４１２ｂを形成することができる。
【００６３】
この場合にも，ビアホール１８２の外側の少なくとも一部に１つ以上の貫通部４１２ａまたは４１２ｂを形成することが好ましく，２つの貫通部４１２ａまたは貫通部４１２ｂ間の距離は，第１電極層２１０の両端間の距離の最大距離以下である方がよい。
【００６４】
また，図１Ｂ〜図３Ｂにおいては，電極電源供給ライン４１０としてソース／ドレイン電極１７０と同一の層を使用する例を示したが，本発明がこれに限定されるものではない。すなわち，図５に示すように，電極電源供給ライン４１０の十分な導電性を確保するため，電極電源供給ライン４１０は，ディスプレイ領域２００の第１電極層２１０の下部に配置される薄膜トランジスタ層のソース／ドレイン電極１７０と同一の層４１０ａを用いる以外に，半導体活性層１３０と同一の層４１０ｂから構成してもよいし，または，半導体活性層１３０と同一な層１３１のみから構成してもよい。
【００６５】
補助導電層４１１の他の実施例としては，互いに離隔した１つ以上の単位補助導電層として構成することができる。図６Ａは図１のＡ部の他の実施例を示す拡大図である。補助導電層４１１’は，ビアホール１８２を含む絶縁層１８０の上部に形成された１つ以上の単位補助導電層４１１’ａを有することができる。
【００６６】
このような単位補助導電層４１１’ａを有する補助導電層４１１’は，別途の工程なしで，第１電極層２１０のパターン化工程時に第１電極層２１０とともに形成可能である。これら単位補助導電層４１１’ａは互いに一定の距離ｄａだけ離隔して形成されるので，真空アニーリング段階の際に，下部絶縁層１８０で発生するガスをより円滑にかつ迅速に排出することができる。
【００６７】
単位補助導電層４１１’ａの下部の絶縁層１８０からガスを円滑に排出するため，単位補助導電層４１１’ａは一定値以下の大きさを有することが好ましい。図６Ｂは図１のＢ部の一画素を示す概略説明図である。第１薄膜トランジスタＴＦＴ１はスキャンラインからの信号に応じて画素を選択する薄膜トランジスタであり，第２薄膜トランジスタＴＦＴ２は，層１３１，層１５１，層１７１によって形成されたキャパシタからの電気信号に応じて第１電極層２１０に電流を供給し，画素を駆動する薄膜トランジスタである。
【００６８】
ここでは，２つのトップゲート型薄膜トランジスタおよび多重キャパシタからなった構造を示したが，これは本実施の形態を説明するための一例であり，本発明はこれに限定されるものではない。
【００６９】
真空アニーリング段階中に第１電極層２１０下部の絶縁層１８０からガスが効率よく排出できるのと同様に，本実施の形態による図６Ａの単位補助導電層４１１’ａの一地点Ｐ１と外周端部地点Ｐ２との距離ｄｐ１２は，図６Ｂに示すように第１電極層２１０の一地点Ｐａと外周端部地点Ｐｂ間の距離ｄａｂの最大距離以下となるようにすることが好ましい。
【００７０】
こうして，電極電源供給ライン４１０と補助導電層４１１との間に絶縁層１８０が介在することにより，電極電源供給ライン４１０などの剥離を防止することができ，また，補助導電層４１１が，後工程での電極電源供給ライン４１０の損傷を防止することができる。さらに，補助導電層４１１に貫通部を形成することにより，真空アニーリング段階で絶縁層１８０から発生するガスを円滑に排出することができる効果がある。
【００７１】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００７２】
上記の実施の形態は本発明を説明するための例であって，本発明はこれに限定されない。すなわち，ビアホールを含む絶縁層の一面上に形成された補助導電層に設けられ，貫通部を含む範囲内で多様に変形可能である。また，本実施の形態は有機電界発光ディスプレイ装置について説明したが，本発明の範囲内で無機電界発光ディスプレイ装置にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は，電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法に適用可能であり，それを用いた電子紙，スマートカード，ＲＦタグ，ロールアップディスプレイ，ＰＤＡなどのような多様な電子装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本実施の形態による有機電界発光ディスプレイ装置を示す平面図である。
【図２Ａ】図１の線Ｉ−Ｉに沿った有機電界発光ディスプレイ装置の部分断面図である。
【図２Ｂ】本実施の形態による有機電界発光ディスプレイ装置の製造工程を示す断面図であり，電極電源供給ライン及び絶縁層を順次形成した後の図である。
【図２Ｃ】本実施の形態による有機電界発光ディスプレイ装置の製造工程を示す断面図であり，電極電源供給ラインとの電気的連結のためのビアホールを形成した後の図である。
【図２Ｄ】本実施の形態による有機電界発光ディスプレイ装置の製造工程を示す断面図であり，ビアホールおよび絶縁層上に，補助導電層が形成された後の図である。
【図２Ｅ】本実施の形態による有機電界発光ディスプレイ装置の製造工程を示す断面図であり，画素定義層，有機電界発光部，及び第２電極層が順次形成された後の図である。
【図３Ａ】本実施の形態による有機電界発光ディスプレイ装置において，貫通部を複数形成した場合の部分断面図である。
【図３Ｂ】本実施の形態による有機電界発光ディスプレイ装置において，電極電源供給ライン上の絶縁層に複数のビアホールが形成された場合の部分断面図である。
【図４Ａ】図１のＡ部の拡大図であり，補助導電層の形状の一実施例を示す説明図である。
【図４Ｂ】図１のＡ部の拡大図であり，補助導電層の形状の一実施例を示す説明図である。
【図５】本実施の形態による有機電界発光ディスプレイ装置において，電極電源供給ラインを，ソース／ドレイン電極と同一層以外に，半導体活性層と同一層を含んで用いた場合の部分断面図である。
【図６Ａ】図１のＡ部の拡大図であり，補助導電層の形状の一実施例を示す説明図である。
【図６Ｂ】図１のＢ部の拡大図であり，画素の概略を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７５】
１１０      基板
１２０      バッファ層
１３０      半導体活性層
１４０      ゲート絶縁層
１５０      ゲート電極
１６０      中間層
１７０      ソース／ドレイン電極
１８０      保護層
２１０      第１電極層
２２０      画素定義層
２４０      画素開口部
３００      駆動電源供給ライン
４００      第２電極層
４１０      電極電源供給ライン
５００      垂直駆動回路部
６００      水平駆動回路部
８００      密封部
【図１】
2005338789.tif 000003
【図２Ａ】
2005338789.tif 000004
【図２Ｂ】
2005338789.tif 000005
【図２Ｃ】
2005338789.tif 000006
【図２Ｄ】
2005338789.tif 000007
【図２Ｅ】
2005338789.tif 000008
【図３Ａ】
2005338789.tif 000009
【図３Ｂ】
2005338789.tif 000010
【図４Ａ】
2005338789.tif 000011
【図４Ｂ】
2005338789.tif 000012
【図５】
2005338789.tif 000013
【図６Ａ】
2005338789.tif 000014
【図６Ｂ】
2005338789.tif 000015