(57)【要約】 【課題】    微小なビアやトレンチなどのサブμｍレベルの間隙或いは数十μｍから数百μｍの比較的幅広の間隙を有する被めっき面に対して、欠陥の無い埋め込み銅めっきが行え、平滑性の極めて高い銅めっき処理が可能となる埋め込み用硫酸銅めっき液を提供する。【解決手段】  電着反応を抑制する高分子界面活性剤及び電着速度を促進する硫黄系飽和有機化合物、平滑性を制御するレベリング剤を含有する埋め込み用硫酸銅めっき液において、レベリング剤は、レベリング剤は、一般式  （Ｃ３Ｈ９Ｎ）ｘ・（Ｃ３Ｈ５ＣｌＯ）y（式中、ｘ，ｙは任意の正の整数）により構成された有機系化合物、より具体的には、ポリエピクロロヒドリン、ポリエピクロロヒドリンジオール又はポリエピクロロヒドリントリオールのいずれか１種又は２種以上から選ばれた有機系化合物を用いるものとした。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
電着反応を抑制する高分子界面活性剤と、電着速度を促進する硫黄系飽和有機化合物と、平滑性を制御するレベリング剤とを含有する埋め込み用の硫酸銅めっき液において、
レベリング剤は、
一般式  （Ｃ３Ｈ９Ｎ）ｘ・（Ｃ３Ｈ５ＣｌＯ）y
＜式中、ｘ，ｙは任意の正の整数＞
の有機系化合物であることを特徴とする埋め込み用硫酸銅めっき液。
【請求項２】
有機系化合物は、ポリエピクロロヒドリン、ポリエピクロロヒドリンジオール又はポリエピクロロヒドリントリオールのいずれか１種又は二種以上から選ばれたものである請求項１に記載の埋め込み用硫酸銅めっき液。
【請求項３】
電着反応を抑制する高分子界面活性剤は、１，３−ジオキソラン重合体、ポリプロピレングリコール、ポリプロピレンプロパノール、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコール誘導体、オキシルアルキレンポリマー及び、酸化エチレンと酸化プロピレンとの共重合体のいずれか一種又は二種以上から選ばれたものである請求項１又は請求項２に記載の埋め込み用の硫酸銅めっき液。
【請求項４】
電着速度を促進する硫黄系飽和有機化合物は、４，４−ジチオビス−ブタン−スルホン酸、３，３−ジチオビス−プロパン−スルホン酸、２，２−ジチオビス−エタン−スルホン酸、又はそれらの塩のいずれか一種又は２種以上から選ばれたものである請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の埋め込み用の硫酸銅めっき液。
【請求項５】
電着反応を抑制する高分子界面活性剤が０．０５〜２ｇ／Ｌと、電着速度を促進する硫黄系飽和有機化合物が０．０５〜１０ｍｇ／Ｌと、レベリング剤が０．０００１〜１ｇ／Ｌと、硫酸銅が硫酸銅五水和物として５０〜２５０ｇ／Ｌと、硫酸が１０〜２００ｇ／Ｌと、塩素が１０〜９０ｍｇ／Ｌとを含有するものである請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の埋め込み用の硫酸銅めっき液。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載する埋め込み用の硫酸銅めっき液を用い、溝部を形成された被めっき面に銅めっきを行う銅めっき方法であって、
カソード電流密度０．０５〜５Ａ／ｄｍ２、液温５〜４０℃で、硫酸銅めっき液を強制的に撹拌しながら銅めっき処理することを特徴とする埋め込み用の銅めっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用ウェハー、プリント配線板などの電子材料への埋め込みめっき処理の技術に関し、特に、ウェハー表面に形成された配線間の間隙や、プリント配線板に形成されるビアや配線回路間の間隙に、銅の埋め込みめっき処理を行うための硫酸銅めっき液に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体用ウェハーやプリント配線板などの電子材料においては、良好な電気的特性を有し、多様な処理方法が可能な金属として銅が様々な部位に適用されている。そして、このような電子材料に銅を適用する方法として銅めっき処理が多用されている。この銅めっき処理の中でも、最近は、半導体用ウェハーやプリント配線板などの電子材料表面に形成された配線等間の間隙を、銅で埋め込み処理を行うことが盛んに行われている。
【０００３】
例えば、半導体用ウェハーではウェハー表面に形成された微小なビアやトレンチなどを銅により埋め込むことがあり、プリント配線板では配線間の間隙やビアホールなどの穴を銅により埋め込むことが行われる。このような銅めっきによる埋め込み技術には電解めっき法が知られているが、その電解めっき法に用いる銅めっき液としては、主に、強酸性の硫酸銅めっき液やアルカリ性のシアン系又はピロリン酸系銅めっき液が用いられている。これらの電解銅めっき液のうち硫酸銅めっき液は、液管理や電着速度制御などがアルカリ性のものと比較して容易な点から広く使用されている。
【０００４】
埋め込みめっき処理に用いられる硫酸銅めっき液の組成は、基本的には、硫酸銅及び硫酸に、界面活性剤などの有機化合物を添加したものが多く、例えば、ポリマー（電着反応を抑制する高分子界面活性剤）、ブライトナー（電着速度を促進する硫黄系飽和有機化合物）、レベラー（レベリング剤）と呼ばれる添加剤を、各種含有調整した硫酸銅めっき液が知られている（例えば特許文献１参照）。これらの添加剤を含有させることで、銅めっきの電着性を制御して、ビアやトレンチ、配線間の間隙を銅めっきにより確実に埋め込むことができ、均一な性状の銅めっき処理を実現するようにしている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１０５５８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年のウェハー加工においては、ウェハー表面にサブμｍレベルの間隙（ビアやトレンチなど）を有した微細配線パターンが形成されるようになっており、このウェハー表面を被めっき面として銅の埋め込みめっき処理を行うことが多い。一方、プリント配線板の場合では、数十μｍから数百μｍの比較的幅広の間隙を銅めっきによって完全に埋め込むことが必要となる。このような微細な間隙から比較的幅広の間隙に対応して、銅による埋め込みが可能な硫酸銅めっき液は少なく、比較的幅広の間隙を埋め込むことができても微細な場合には対応できないものや、逆に、微細な間隙を埋め込むものであっても幅広の間隙を埋め込むとめっき表面の平滑性が確保できないものが殆どである。
【０００７】
本発明は、以上のような事情の下になされたもので、半導体用ウエハーやプリント配線板などの電子材料について、サブμｍレベルの微細な間隙から数十から数百μｍの比較的幅広の間隙に対して、銅の埋め込みが可能で、平滑なめっき表面が実現できる均一性の高い銅めっき処理が可能な硫酸銅めっき液を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明者は、従来から用いているブライトナー、ポリマー、レベラーを種々研究した結果、本発明の埋め込み用硫酸銅めっき液を想到するに至った。本発明の埋め込み用の硫酸銅めっき液は、電着反応を抑制する高分子界面活性剤と、電着速度を促進する硫黄系飽和有機化合物と、平滑性を制御するレベリング剤とを含有する埋め込み用の硫酸銅めっき液において、レベリング剤は、一般式（Ｃ３Ｈ９Ｎ）ｘ・（Ｃ３Ｈ５ＣｌＯ）y（式中、ｘ，ｙは任意の正の整数）により構成された有機系化合物であることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明に係る埋め込み用硫酸銅めっき液は、平滑性を制御するレベリング剤として、いわゆるポリエピクロロヒドリン系有機化合物を用いることを特徴としている。このポリエピクロロヒドリン系有機化合物は、一般式（Ｃ３Ｈ９Ｎ）ｘ・（Ｃ３Ｈ５ＣｌＯ）y（式中、ｘ，ｙは任意の正の整数）の形態を有するものであり、この有機化合物を硫酸銅めっき液に添加すると、埋め込み銅めっき処理を行った際のめっき表面の平滑性が極めて向上する。従来から知られている硫酸銅めっき液に含有されるレベリング剤であると、間隙の部分と、間隙を形成する配線の部分とでは、その境界域でめっき厚みに若干の相違が生じてしまい、被めっき面の全面における平滑性の点で十分に満足しためっき処理が行えなかった。特に、微細な間隙の場合、微細な間隙を完全に埋め込むとともに、被めっき面の全面における平滑性の点では十分に満足できる銅めっき処理を行うことができなかった。
しかし、本発明に係る硫酸銅めっき液では、微細な間隙であっても、比較的幅広の間隙であっても、間隙を銅により完全に埋め込むことが可能で、間隙の部分と間隙を形成する配線の部分との境界域においても平滑なめっき表面を実現でき、被めっき面の全面において均一性の高い銅めっき処理を行うことが可能となる。本発明の埋め込み硫酸銅めっき液におけるポリエピクロロヒドリン系有機化合物は、その分子量が１００〜１００００の範囲であることが実用上望ましいものである。
【００１０】
本発明におけるレベリング剤、即ち一般式（Ｃ３Ｈ９Ｎ）ｘ・（Ｃ３Ｈ５ＣｌＯ）y（式中、ｘ，ｙは任意の正の整数）により構成された有機系化合物は、ポリエピクロロヒドリン、ポリエピクロロヒドリンジオール又はポリエピクロロヒドリントリオールのいずれか１種又は２種以上から選ばれたものであることが好ましい。これらのポリエピクロロヒドリン系有機化合物は、取り扱いが容易で、液中での安定性に優れるからである。
【００１１】
そして、本発明に係る埋め込み用硫酸銅めっき液に添加されるポリマー（電着反応を抑制する高分子界面活性剤）は、１，３−ジオキソラン重合体、ポリプロピレングリコール、ポリプロピレンプロパノール、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコール誘導体、オキシルアルキレンポリマー及び、酸化エチレンと酸化プロピレンとの共重合体のいずれか一種又は２種以上を用いることが望ましい。これらの高分子界面活性剤は、間隙を有する被めっき表面のうち、めっき液に対して露出した状態となっている部分（間隙内部以外の部分）に吸着して、その部分の電着反応を抑制する役割を果たすものである。特に、被めっき表面側に露出することになる間隙のエッジ部分にはめっき電流の集中が生じやすいため、エッジ部分の銅の電着が間隙内部よりも進行しやすくなり、めっき厚が間隙内部に比べ厚くめっき処理される傾向がある。そこで、この高分子界面活性剤を吸着させることによって、エッジ部分のようなめっき厚の厚くなりやすい場所における銅の電着を抑制するのである。一方、この高分子界面活性剤は、間隙内部にはあまり吸着しないので、間隙内部における銅の電着は抑制されず、間隙内部の電着反応は進行する状態が確保される。
【００１２】
また、本発明に係る埋め込み用硫酸銅めっき液に含有されるブライトナー（電着速度を促進する硫黄系飽和有機化合物）は、ジチオビス−アルカン−スルホン酸又はその塩を用いることが好ましく、具体的には、４，４−ジチオビス−ブタン−スルホン酸、３，３−ジチオビス−プロパン−スルホン酸、２，２−ジチオビス−エタン−スルホン酸、又はそれらの塩のいずれか一種又は二種以上を用いることができる。これらの硫黄系飽和有機化合物は、被めっき表面における銅の電着を促進する役割を果たす。この硫黄系飽和有機化合物は、先に説明した高分子界面活性剤に比べ分子量的にも比較的小さいので、極小間隙の内部にもスムーズに進入し、めっき処理が進行しにくい間隙内部における銅電着を促進するものである。
【００１３】
そして、本発明に係る埋め込み用硫酸銅めっき液は、ポリマー（電着反応を抑制する高分子界面活性剤）が０．０５〜２ｇ／Ｌと、ブライトナー（電着速度を促進する硫黄系飽和有機化合物）が０．０５〜１０ｍｇ／Ｌと、平滑性を制御するレベリング剤が０．０００１〜１ｇ／Ｌと、硫酸銅が硫酸銅五水和物として５０〜２５０ｇ／Ｌと、硫酸が１０〜２００ｇ／Ｌと、塩素が１０〜９０ｍｇ／Ｌとを含有するものであることが望ましい。
【００１４】
ポリマー（電着反応を抑制する高分子界面活性剤）は、０．０５ｇ／Ｌ未満であると、電着を抑制する効果が低下し、２ｇ／Ｌを超えると電着が過剰に抑制され、均一なめっき処理が進行しなくなり、間隙内にシームを生じやすくなる。さらに、このようなポリマーは、分子量（重量平均分子量Ｍｗ）が１００〜５００００のものを用いることが好ましい。分子量が１００未満のものであると電着反応を抑制する能力が小さくなり効果的でなく、分子量５００００を越えるものであると吸着が不均一となるからである。また、ブライトナー（電着速度を促進する硫黄系飽和有機化合物）は、０．０５ｍｇ／Ｌ未満であると、被めっき表面の間隙内部での電着速度を促進させることができなくなり、１０ｍｇ／Ｌを越えると、間隙内部以外にも影響し始め、間隙内にボイドを生じ易くなり、均一な銅めっき処理が実現できなくなるからである。そして、平滑性を制御するレベリング剤は０．０００１ｇ／Ｌ未満であると、銅めっき厚みを均一にする作用が低下する。また、１ｇ／Ｌを超えると、硫黄系飽和有機化合物の電着速度の促進効果を妨げ、レベリング作用の効果が大きくなりすぎ、間隙内と、間隙を形成する配線表面側とのめっき厚みが同じようになるコンフォーマルな析出が生じ、結果として間隙内にシームやボイドを生じ易くなるからである。
【００１５】
また、硫酸銅は、硫酸銅五水和物として５０ｇ／Ｌ未満であると、銅シードが溶解する傾向があり、２５０ｇ／Ｌを超えると、めっき液中に硫酸銅の塩析が生じ易くなり、上記した各添加剤も分解されやすくなるからである。そして、硫酸が１０ｇ／Ｌ未満であると、電流効率が低下し均一なめっき処理が難しくなり、２００ｇ／Ｌを超えると、被めっき面に予め処理されることのある銅シード等の金属を溶解し易くなるためである。塩素は１０ｍｇ／Ｌ未満になると均一な電着ができなくなり、９０ｍｇ／Ｌを越えると、銅アノード表面に塩化銅の沈殿物を発生しやすくなるからである。また、塩素が１０〜９０ｍｇ／Ｌの範囲を外れると、間隙における埋め込み性が悪くなり、ボイドを形成する埋め込みめっき処理となり易いためである。
【００１６】
この本発明に係る埋め込み用硫酸銅めっき液を用いて埋め込み銅めっき処理を行う場合、カソード電流密度０．０５〜５Ａ／ｄｍ２、液温５〜４０℃で、硫酸銅めっき液を強制的に撹拌しながら銅めっき処理を行うことが望ましい。このような銅めっき処理条件であれば、サブμｍレベルの微細な間隙であっても、数十μｍ以上の比較的幅広の間隙であっても、その間隙内部を完全に銅めっきで埋め込むことが可能となり、めっき表面も平滑な均一性の高い銅めっき処理を行うことが可能となる。カソード電流密度が０．０５Ａ／ｄｍ２未満であると、間隙内部とそれ以外の部分での電着速度がほぼ同時的に進行するようになるため、銅めっきで埋め込まれる間隙内部にボイドを生じやすくなり、５Ａ／ｄｍ２を越えると水素が発生し易くなり、電流効率及びめっき電着性が悪くなるためである。そして、めっき液の液温は、５〜４０℃であることが好ましく、５℃未満であると、塩析が多くなり、４０℃超えると添加剤の分解が進みやすくなるからである。特に、めっき液を強制撹拌することで、特に微小なビアやトレンチなどへの銅の埋め込みめっき処理が完全に行えるとともに、平滑性の高い銅めっき処理が可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明の埋め込み用硫酸銅めっき液によると、サブμｍレベルの間隙、或いは数十μｍから数百μｍの比較的幅広の間隙を有する被めっき表面にしても、間隙内を、欠陥無く銅めっきで完全に埋め込むことができるとともに、めっき表面の全面で平滑な状態の銅めっき処理を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明を実施するための最良の形態を実施例により具体的に説明する。まず、はじめに本発明に係る硫酸銅めっき液における高分子界面活性剤（Ａ）、硫黄系飽和有機化合物（Ｂ）、レベリング剤（Ｃ）の各濃度の影響について調べた結果を説明する。表１には、Ａ〜Ｃの濃度を変化させた各実施例の硫酸銅めっき液の各濃度、及びその埋め込み性を評価した結果を示す。尚、表１中に示す記号及び評価の内容は表２に説明する。
【００１９】
【表１】
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【００２０】
【表２】
2005307259.tif 000003
【００２１】
表１の各実施例における硫酸銅めっき液の基本組成は、すべてＣｕ濃度が５０ｇ／Ｌ（硫酸銅五水和物１９７ｇ／Ｌ）、硫酸濃度が２５ｇ／Ｌ、塩素濃度が４０ｍｇ／Ｌとしたものであり、この基本組成液に表中の各添加成分を加えて、各硫酸銅めっき液を作成した。具体的な作成方法としては、基本組成浴を作成し、表中に記載するＡからＣの各成分を適宜添加してめっき液を作製した。
【００２２】
めっき処理条件は、液温２５℃で、含リン銅アノードを用い、カソード電流密度２Ａ／ｄｍ２のめっき電流を供給して行った。めっき処理を行った被めっき対象物は、厚さ３０μｍのプリプレグの片面に厚さ１８μｍの銅箔を積層してプレス成形した片面銅張積層板を作成し、プリプレグの露出した面側に直径８０μｍのビア穴を形成した埋め込み評価用基板を用いた。この埋め込み評価用基板のビアに対して、表１で示す各実施例の硫酸銅めっき液により埋め込み銅めっきを行い、そのビア穴断面を観察（金属顕微鏡４００倍）することで埋め込み性を評価した。埋め込み性の判断は、図１〜図３に示す代表的な断面観察写真に基づいて行った。埋め込み銅メッキ処理後の断面観察の結果、図１のようにビア穴内を銅により完全に埋め込まれた状態で埋め込み部分において段差が無い状態のものを○、図２のようにビア穴内は銅により埋め込まれているものの埋め込み部分に段差が多少見受けられる状態のものを△、ビア穴内が銅により埋め込まれていない状態のものを×とした。
【００２３】
表１に示す結果より、ポリオキシアルキレンエーテルの高分子界面活性剤が全く添加されていない場合、埋め込み性は優れるものの、埋め込み評価用基板の端部に枝状の銅の析出が確認された。また、この高分子界面活性剤が５ｇ／Ｌの濃度になると、銅の埋め込みがされない状態となった。また、電着速度を促進する硫黄系飽和有機化合物である３，３−ジチオビス−プロパンスル−スルホン酸ナトリウムが、０．０１ｍｇ／Ｌの濃度、或いは３０ｍｇ／Ｌの濃度になると銅の埋め込み性が悪くなった。そして、レベリング剤であるポリエピクロロヒドリンは、０．０５ｍｇ／Ｌの濃度になると銅の埋め込み性が悪くなり、３０００ｍｇ／Ｌの濃度になると銅の埋め込み性が若干悪くなる傾向が見られた。
【００２４】
次に、本発明に係る硫酸銅めっき液について、銅濃度、硫酸濃度、塩素濃度の影響について調べた結果を説明する。銅、硫酸、塩素の濃度を変化させた各実施例の硫酸銅めっき液の各濃度、及びその埋め込み性を評価した結果を示す。添加剤であるＡ〜Ｃの各濃度は、Ａ：０．５ｇ／Ｌ、Ｂ：４ｍｇ／Ｌ、Ｃ：３ｍｇ／Ｌとした。埋め込み評価は、上述した方法と同じである。
【００２５】
【表３】
2005307259.tif 000004
【００２６】
表３に示す結果より、銅濃度（硫酸銅五水和物）は、硫酸銅五水和物として１０ｇ／Ｌになると、銅の埋め込みがされない状態となった。他方、硫酸銅五水和物として３００ｇ／Ｌとなると、銅の埋め込みがされるものの、液中に塩析が確認された。また、この硫酸は、５ｇ／Ｌの濃度になると銅の埋め込み性が若干悪くなる傾向が見られ、２５０ｇ／Ｌの濃度になると銅の埋め込みがされない状態となった。また、塩素は、５ｍｇ／Ｌの濃度になると銅の埋め込み性が若干悪くなる傾向が見られ、１２０ｇ／Ｌの濃度になると銅の埋め込みがされない状態となった。
【００２７】
続いて、本発明に係る硫酸銅めっき液について、液温、電流密度の影響について調べた結果を説明する。この液温と、電流密度に関する試験に用いた硫酸銅めっき液は、銅、硫酸、塩素の各濃度は表１の実施例１〜１２の基本組成と同じで、添加剤であるＡ〜Ｃの各濃度は、Ａ：０．５ｇ／Ｌ、Ｂ：４ｍｇ／Ｌ、Ｃ：３ｍｇ／Ｌとした。表４には、液温、電流密度を変化させた各実施例の液温及び電流密度及びその埋め込み性を評価した結果を示す。埋め込み評価は、表１で説明した方法と同じである。
【００２８】
【表４】
2005307259.tif 000005
【００２９】
表４に示す結果より、液温は３℃になると銅の埋め込み性が若干悪くなる傾向が見られ、液中に塩析が確認された。また、液温が５０℃になるとになると銅の埋め込みがされない状態となった上、目視により液面に油脂成分が浮いている状態が認められ、添加剤Ａの分解が生じていると判明した。電流密度は、０．０１Ａ／ｄｍ２或いは７Ａ／ｄｍ２であると銅の埋め込みがされない状態となった。
【００３０】
さらに、本発明の硫酸銅めっき液について、埋め込みを行う穴或いは溝の寸法変化に対する適応性を調査した結果について説明する。穴の形状変化に対する適応性は、表１〜４で評価した直径８０μｍ、深さ３０μｍのビア穴１、直径４０μｍ、深さ４０μｍのビア穴２、及び幅５００ｎｍ、深さ３００ｎｍトレンチ１の３種類について試験を行った。ビア穴２及びトレンチ１は、Ｓｉウェハー表面に形成したものである。そして、この３種類の穴及び溝を有する評価サンプルに対して、Ｃｕ濃度が５０ｇ／Ｌ（硫酸銅五水和物１９７ｇ／Ｌ）、硫酸濃度が２５ｇ／Ｌ、塩素濃度が４０ｍｇ／Ｌとした基本組成液に、添加剤であるＡ〜Ｃの各濃度を、Ａ：０．５ｇ／Ｌ、Ｂ：４ｍｇ／Ｌ、Ｃ：３ｍｇ／Ｌとした硫酸銅めっき液により埋め込み銅めっき処理を行った。
【００３１】
めっき処理条件は、液温２５℃で、含リン銅アノードを用いた。電流密度は、ビア穴１、ビア穴２、トレンチ１の総ての場合において２Ａ／ｄｍ２として行った。そして、銅の埋め込み処理を行った評価サンプルの断面観察を行った。その観察写真を図４〜６に示す。図４はビア穴１の場合（金属顕微鏡４００倍）で、ビア穴内を銅により完全に埋め込まれた状態で、埋め込み部分において段差が無い状態であった。図５はビア穴２の場合（金属顕微鏡８００倍）で、ビア穴内を銅により完全に埋め込まれた状態で、埋め込み部分において段差が無い状態であった。そして、図４はビア穴１の場合（ＳＥＭ、６００００倍）で、ビア穴内を銅により完全に埋め込まれた状態で、埋め込み部分において段差が無い状態であった。尚、図６の銅めっき表面には多少の凹凸があるように見えるが、これはＳＥＭ観察で倍率が非常に高いためで、凹凸のレベルは非常に小さなものである。この結果より、本発明の硫酸銅めっき液は、非常に微細なトレンチに対する埋め込みも可能であり、比較的幅広のビア穴に対しても適応できるものであることが判明した。
【００３２】
最後に、本発明の硫酸銅めっき液について、めっき液のランニング特性を調査した結果について説明する。使用した硫酸銅メッキ液は、Ｃｕ濃度が５０ｇ／Ｌ（硫酸銅五水和物１９７ｇ／Ｌ）、硫酸濃度が２５ｇ／Ｌ、塩素濃度が４０ｍｇ／Ｌとした基本組成液に、添加剤であるＡ〜Ｃの各濃度をＡ：０．５ｇ／Ｌ、Ｂ：４ｍｇ／Ｌ、Ｃ：３ｍｇ／Ｌとした。また、被めっき対象物は、表１で説明した埋め込み評価用基板を用いた。めっき処理条件は、液温２５℃で、含リン銅アノードを用い、電流密度２Ａ／ｄｍ２のめっき電流を供給して行い、添加剤Ａ〜Ｃの濃度が変化しないように随時補充をしてランニング試験（具体的には、ダミー用基板を用いて連続処理を行い、実際の評価の際に埋め込み評価用基板に取り替えて評価したものである）を行った。図７には、ランニング試験開始時の埋め込み断面観察写真を示しており、図８には、５０時間経過後の埋め込み断面観察写真を示している。これを見ると判るように、５０時間の連続めっき処理を行っても、埋め込み性に変化は生じなかった。また、試験開始から５０時間経過まで、めっき液自体の観察を行ったが、塩析その他沈殿物等の発生は特に認められず、液の劣化は発生しなかった。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】埋め込み性○の場合の代表的な断面観察写真。
【図２】埋め込み性△の場合の代表的な断面観察写真。
【図３】埋め込み性×の場合の代表的な断面観察写真。
【図４】ビア穴１の埋め込み性を確認した断面観察写真。
【図５】ビア穴２の埋め込み性を確認した断面観察写真。
【図６】トレンチ１の埋め込み性を確認した断面観察写真。
【図７】ランニング試験開始直後の断面観察写真。
【図８】ランニング試験５０時間経過後の断面観察写真。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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