(57)【要約】【課題】  温度変化に対応して適切な歪補償を可能とする。【解決手段】  基本波信号を受けて第１の歪信号を発生させる第１の歪発生器１４と、前記基本波信号と位相が９０度異なる基本波信号を受けて第２の歪信号を発生させる第２の歪発生器１５と、信号を増幅する増幅器の温度に応じて変化させた電圧を、前記第１の歪発生器１４に与えるバイアス制御部２０−１と、信号を増幅する増幅器の温度に応じて変化させた電圧を、前記第２の歪発生器１５に与えるバイアス制御部２０−２とを具備する。【選択図】  図１
2005260471.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基本波信号を受けて第１の歪信号を発生させる第１の歪発生器と、
前記基本波信号と位相が９０度異なる基本波信号を受けて第２の歪信号を発生させる第２の歪発生器と、
信号を増幅する増幅器の温度に応じて変化させた電圧を、前記第１の歪発生器及び前記第２の歪発生器に備えられたそれぞれのバイアス端子に与えるバイアス可変手段と
を具備することを特徴とするプリディストーション回路。
【請求項２】
前記バイアス可変手段は、
前記第１の歪発生器のバイアス端子に電圧を与える第１のバイアス制御部と、
前記第２の歪発生器のバイアス端子に電圧を与える第２のバイアス制御部と
を具備することを特徴とする請求項１に記載のプリディストーション回路。
【請求項３】
バイアス可変手段では、前記第１の歪発生器の温度特性に応じて前記第１の歪発生器へ与える出力電圧を制御すると共に、前記第２の歪発生器の温度特性に応じて前記第２の歪発生器へ与える出力電圧を制御することを特徴とする請求項１又は２に記載のプリディストーション回路。
【請求項４】
バイアス可変手段では、前記第１の歪発生器へ与える出力電圧と前記第２の歪発生器へ与える出力電圧とをフィードバックして電圧制御を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリディストーション回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はプリディストーション回路の改良に関するもので、特に温度変化に対応して適切な歪補償を可能とするプリディストーション回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、アンプの歪補償を行うプリディストーション回路は、例えば、特許文献１や特許文献２に記載のものが知られている。このうち特許文献２に記載のものでは、予め測定したデータに基づくテーブルを用い、温度検出を行って歪発生部の位相及び減衰量に対する制御電圧を可変させている。
【０００３】
しかしながら、この手法を単純に特許文献１のタイプのものに適用することはできない。即ち、２つの歪発生部の出力を合成して位相及び減衰量を得るためである。
【特許文献１】特開２００１−３２０２４５号公報
【特許文献２】特開平５−１２１９５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
解決しようとする課題は、２つの歪発生部の出力を合成して所望の位相及び減衰量を得るタイプのプリディストーション回路において、温度変化に対応して適切な歪補償を可能とすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るプリディストーション回路は、基本波信号を受けて第１の歪信号を発生させる第１の歪発生器と、前記基本波信号と位相が９０度異なる基本波信号を受けて第２の歪信号を発生させる第２の歪発生器と、信号を増幅する増幅器の温度に応じて変化させた電圧を、前記第１の歪発生器及び前記第２の歪発生器に備えられたそれぞれのバイアス端子に与えるバイアス可変手段とを具備することを特徴とする。
【０００６】
本発明に係るプリディストーション回路では、前記バイアス可変手段は、前記第１の歪発生器のバイアス端子に電圧を与える第１のバイアス制御部と、前記第２の歪発生器のバイアス端子に電圧を与える第２のバイアス制御部とを具備することを特徴とする。
【０００７】
本発明に係るプリディストーション回路は、バイアス可変手段では、前記第１の歪発生器の温度特性に応じて前記第１の歪発生器へ与える出力電圧を制御すると共に、前記第２の歪発生器の温度特性に応じて前記第２の歪発生器へ与える出力電圧を制御することを特徴とする。
【０００８】
本発明に係るプリディストーション回路は、バイアス可変手段では、前記第１の歪発生器へ与える出力電圧と前記第２の歪発生器へ与える出力電圧とをフィードバックして電圧制御を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
上記構成によれば、第１の歪発生器のバイアス端子に与える電圧と第２の歪発生器のバイアス端子に与える電圧、つまりバイアスを変化させて各歪発生器の歪を変化させ合成された歪を所望とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
２つの歪発生部の出力を合成して所望の位相及び減衰量を得るという目的を、増幅器の温度に応じてバイアス電圧変化させることにより実現した。以下添付図面を参照して、本発明に係るプリディストーション回路を説明する。各図において同一の構成要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【実施例１】
【００１１】
図１は、本発明に係るプリディストーション回路の構成図である。図１に示されるようにプリディストーション回路１は、例えば無線送信装置等における最終段のアンプ２に前置して設けられる。プリディストーション回路１は、分岐手段である３つのハイブリッド回路１１、１２、１３を備える。
【００１２】
上記のハイブリッド回路１１、１２、１３は、９０゜ハイブリッド回路であって、図２に示すように入力信号に位相の変化を与え又は与えずに出力する。具体的には、端子Ｔ１からの入力信号は、位相変化を与えられることなく端子Ｔ３へ出力されると共に、９０゜の位相変化を与えられて端子Ｔ４へ出力される。同様に、端子Ｔ２からの入力信号は、位相変化を与えられることなく端子Ｔ４へ出力されると共に、９０゜の位相変化を与えられて端子Ｔ３へ出力される。
【００１３】
図１のプリディストーション回路においては、ハイブリッド回路１１の入力端子Ｉ−１から入力信号を入力する構成であり、他方の入力端子Ｉ−２は抵抗Ｒを介して接地されている。ハイブリッド回路１１の一方の出力端子Ｏ−１から出力される信号をハイブリッド回路１２の入力端子Ｉ−３へ与える。また、ハイブリッド回路１１の他方の出力端子Ｏ−２から出力される信号をハイブリッド回路１３の入力端子Ｉ−４へ与える。
【００１４】
ハイブリッド回路１２の端子Ｔ１２−１はオープンとされ、端子Ｔ１２−２には歪発生器１４が接続されている。また、ハイブリッド回路１３の端子Ｔ１３−１はオープンとされ、端子Ｔ１３−２には歪発生器１５が接続されている。歪発生器１４、１５は、端子Ｂ１４、Ｂ１５に与えるバイアス電圧を変化させることにより歪量を変化させることが可能となっている。
【００１５】
ハイブリッド回路１２の出力端子Ｏ１２−１から出力される信号とハイブリッド回路１３の出力端子Ｏ１３−１から出力される信号は、合成器１６により合成されてアイソレータ１７へ到るように構成されている。上記ハイブリッド回路１２と歪発生器１４とは、歪補償回路１８を構成し、また、ハイブリッド回路１３と歪発生器１５とは、歪補償回路１９を構成する。
【００１６】
歪発生器１４のバイアス端子である端子Ｂ１４にはバイアス制御部２０−１が接続されており、歪発生器１５のバイアス端子である端子Ｂ１５にはバイアス制御部２０−２が接続されている。バイアス制御部２０−１とバイアス制御部２０−２は同一の構成を有し、バイアス可変手段を構成している。
【００１７】
バイアス制御部２０（２０−１、２０−２）は、例えば、図３に示すように電圧Ｖ（バイアス制御部２０−１ではＶ１、バイアス制御部２０−２ではＶ２であり、Ｖ１とＶ２は通常異なる）を発生する電源２１がサーマル抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の直列回路に接続され、サーマル抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の接続点の電圧が端子Ｂ１４（端子Ｂ１５）へ与えられる。サーマル抵抗Ｒ１はアンプ２の近傍に設けられ、アンプ２の温度を検出する。従って、アンプ２の温度に応じてサーマル抵抗Ｒ１の値が変化し、端子Ｂ１４（端子Ｂ１５）に対してはアンプ２の温度に応じて変化した電圧が与えられる。
【００１８】
以上のように構成されたプリディストーション回路１の動作を説明する。ハイブリッド回路１１の入力端子Ｉ−１に入力された入力信号（以下、基本波信号）は位相が変えられることなく、出力端子Ｏ−１から出力され、ハイブリッド回路１２の入力端子Ｉ−３に入力され、端子Ｔ１２−１において反射されて位相を９０゜変えられて出力端子Ｏ１２−１から出力される。また、ハイブリッド回路１２の入力端子Ｉ−３に入力された基本波信号は分岐されて位相を９０゜変えられて歪発生器１４に到り、歪波信号とされて出力端子Ｏ１２−１から出力される。
【００１９】
一方、ハイブリッド回路１１の入力端子Ｉ−１に入力され分岐された基本波信号は位相を９０゜変えられて、出力端子Ｏ−２から出力され、ハイブリッド回路１３の入力端子Ｉ−４に入力され、端子Ｔ１３−１において反射されて位相を９０゜変えられて出力端子Ｏ１３−１から出力される。また、ハイブリッド回路１３の入力端子Ｉ−４に入力された基本波信号は分岐されて位相を９０゜変えられて歪発生器１４に到り、歪波信号とされて出力端子Ｏ１３−１から出力される。
【００２０】
以上の結果、ハイブリッド回路１２の出力端子Ｏ１２−１から出力される基本波信号と、ハイブリッド回路１３の出力端子Ｏ１３−１から出力される基本波信号とは位相が９０゜異なり、これが合成器１６において合成され、例えば、図４に示される基本波信号Ｓ１となる。同様に、ハイブリッド回路１２の出力端子Ｏ１２−１から出力される歪波信号Ｓ２と、ハイブリッド回路１３の出力端子Ｏ１３−１から出力される歪波信号Ｓ３とは位相が９０゜異なる。つまり、図４に示されるように、歪波信号Ｓ２と歪波信号Ｓ３とは位相が９０゜異なる。これが合成器１６において合成され、歪波信号Ｓ４が得られる。
【００２１】
前述の通り、歪発生器１４、１５は、バイアス電圧を変化させることにより歪量を変化させることが可能であるので、図４に示す歪波信号Ｓ２と歪波信号Ｓ３の振幅（大きさ）を変更することができ、これによって合成器１６において合成された歪波信号Ｓ４の位相と振幅とが変更される。歪発生器１４、１５のバイアス電圧は例えば摂氏２０度のときにサーマル抵抗Ｒ１の抵抗値が所定となることにより、端子Ｂ１４、Ｂ１５へ与えられるバイアス電圧が各々Ｖ１、Ｖ２となり、プリディストーション回路１の入出力特性がアンプ２の入出力特性と逆の特性となるように設定されている。アンプ２の温度が変化すると、サーマル抵抗Ｒ１の抵抗値が変化し上記バイアス電圧Ｖ１、Ｖ２が変化して当該温度におけるアンプ２の入出力特性と逆の特性となる。
【００２２】
斯して、位相量を補償する遅延回路を調整することがなく、構成を簡素化でき、温度の変化に応じて、所望の歪波信号を得てアンプの歪補償を行うことが可能である。
【実施例２】
【００２３】
次に第２の実施例を説明する。第２の実施例にあっては、バイアス制御部２０−１（２０−２）が図５に示されるように構成される。温度センサ３１は、アンプ２の近傍に設けられアンプ２の温度を検出する。温度センサ３１の出力信号はＡ／Ｄ変換器３２を介して電圧決定部３０へ与えられる。電圧決定部３０は、コンピュータの構成であり、図６に示される温度センサ３１により得られた出力信号をディジタル化した値に対応して出力電圧のデータが格納されたテーブルが備えられている。このテーブルは、予め温度を変化させてアンプ２の歪補償が適切に行われるようなバイアス電圧を検出してデータ収集したものである。バイアス制御部２０−１とバイアス制御部２０−２において、上記テーブルの値は異なっている。
【００２４】
電圧決定部３０は、温度対応のディジタル値からテーブル検索を行って電圧値を得て、対応するディジタル値を出力する。このディジタル値はＡ／Ｄ変換器３２により電圧に変化されて端子Ｂ１４（Ｂ１５）に与えられる。この構成によってもアンプ２の温度に応じた適切な歪補償を行うことができる。なお、バイアス制御部２０−１とバイアス制御部２０−２とを１つにまとめて、電圧決定部３０が２入力に対応して２出力を行う構成とすることもできる。
【実施例３】
【００２５】
第３の実施例では、バイアス可変手段は、第１の歪発生器の温度特性に応じて前記第１の歪発生器へ与える出力電圧を制御すると共に、第２の歪発生器の温度特性に応じて前記第２の歪発生器へ与える出力電圧を制御する。バイアス制御部２０−１（２０−２）は図７に示すように、温度センサ３４が歪発生器１４（１５）に設けられる。温度センサ３４の出力はＡ／Ｄ変換器３５によりディジタル化され電圧決定部３０へ与えられる。バイアス制御部２０−１とバイアス制御部２０−２において、上記テーブルの値は異なっている。
【００２６】
電圧決定部３０には、図８に示されているテーブルが備えられる。温度センサ３１による温度と温度センサ３４による温度をパラメータとして電圧値が決められている。このテーブルも、予め温度を変化させてアンプ２の歪補償が適切に行われるようなバイアス電圧を検出してデータ収集したものである。
【００２７】
電圧決定部３０は、２つの温度センサ３１、３４による温度対応のディジタル値からテーブル検索を行って電圧値を得て、対応するディジタル値を出力する。このディジタル値はＤ／Ａ変換器３３により電圧に変化されて端子Ｂ１４（Ｂ１５）に与えられる。この構成によってもアンプ２の温度に応じた適切な歪補償を行うことができる。しかも、第１の歪発生器の温度特性と第２の歪発生器の温度特性に応じて出力されるバイアス電圧が制御され、適切な歪補償を行うことができる。
【実施例４】
【００２８】
図９は第４の実施例に係るプリディストーション回路を示すものである。この実施例においては、第１の歪発生器１４へ与える出力電圧と第２の歪発生器１５へ与える出力電圧とをフィードバックして電圧制御を行う。例えば、図５の構成に対しては、図１０に示すように、Ｄ／Ａ変換器３３の出力をＡ／Ｄ変換器３６によりディジタル化して電圧決定部３０にフィードバックする構成となっている。
【００２９】
電圧決定部３０は、自らが出力したディジタル値Ｄ１と上記Ａ／Ｄ変換器３６によりディジタル化されたディジタル値Ｄｆとを比較し、Ｄ１＞Ｄｆであればディジタル値Ｄ１にＤ１とＤｆの差を加えて出力を行い、Ｄ１＜Ｄｆであればディジタル値Ｄ１からＤ１とＤｆの差をひいて出力を行う。この構成より、歪発生器１４、１５に対して正確なバイアス電圧を与えることができ適切に歪補償を行うことができる。図７に示した構成に対しても同様な構成を採ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施例に係るプリディストーション回路の構成図。
【図２】本発明の実施例に係るプリディストーション回路に用いられるハイブリッド回路の動作を説明するための図。
【図３】本発明の第１の実施例に係るプリディストーション回路の要部構成図。
【図４】本発明の実施例に係るプリディストーション回路の動作を説明するための図。
【図５】本発明の第２の実施例に係るプリディストーション回路の要部構成図。
【図６】本発明の第２の実施例に係るプリディストーション回路に用いられるメモリテーブルの内容を示す図。
【図７】本発明の第３の実施例に係るプリディストーション回路の要部構成図。
【図８】本発明の第３の実施例に係るプリディストーション回路に用いられるメモリテーブルの内容を示す図。
【図９】本発明の第４の実施例に係るプリディストーション回路の構成図。
【図１０】本発明の第４の実施例に係るプリディストーション回路の要部構成図。
【符号の説明】
【００３１】
１  プリディストーション回路
２  アンプ
１１、１２、１３  ハイブリッド回路
１４、１５  歪発生器
１６  合成器
１７  アイソレータ
１８、１９  歪補償回路
２０、２０−１、２０−２  バイアス制御部
３０  電圧決定部
３１、３４  温度センサ
３２、３５、３６  Ａ／Ｄ変換器
３３  Ｄ／Ａ変換器
【図１】
2005260471.tif 000003
【図２】
2005260471.tif 000004
【図３】
2005260471.tif 000005
【図４】
2005260471.tif 000006
【図５】
2005260471.tif 000007
【図６】
2005260471.tif 000008
【図７】
2005260471.tif 000009
【図８】
2005260471.tif 000010
【図９】
2005260471.tif 000011
【図１０】
2005260471.tif 000012