(57)【要約】  【課題】ターゲットの非エロージョン部を小さくする。  【解決手段】本発明では、磁界形成手段３８がターゲット３５の中央部分に位置するときには、シールド４１が接地電位に直流的に置かれているが、磁界形成手段３８とシールド４１との間の距離が設定距離よりも短くなるとシールド４１が接地電位から直流的に絶縁され、コンデンサ４８に接続される。シールド４１がコンデンサ４８に接続されると、コンデンサ４８を介して交流的に接地電位に置かれた浮遊状態となり、プラズマがシールド４１へ引きつけられないので、ターゲット３５の端部でプラズマ密度が低くならない。従って、本発明ではターゲット３５の端部も中央部分と同程度の速度でスパッタリングされ、非エロージョン部が従来に比べて小さくなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リング状のシールドと、前記シールドと非接触な状態で前記シールドのリングの内側に配置され、前記シールドに対して相対的に固定されたターゲットと、前記ターゲットの前記シールドから露出するスパッタ面とは反対側の面に位置する磁界形成手段と、前記ターゲットの一方の端から他方の端の間で前記ターゲットに対して前記磁界形成手段を相対的に往復移動させる移動手段とを有するスパッタ源であって、
前記シールドを、接地電位に接続する接地状態と、直流的に接地電位から絶縁する非接地状態に切り替えるスイッチ回路を有するスパッタ源。
【請求項２】
前記スイッチ回路はコンデンサを有し、前記非接地状態では前記コンデンサを介して前記シールドを接地電位に置く請求項１記載のスパッタ源。
【請求項３】
前記スイッチ回路の切り替えを制御する制御回路を有する請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のスパッタ源。
【請求項４】
前記磁界形成手段の位置を検出する位置センサーを有し、
前記制御回路は前記位置センサーが検出した位置の情報に基づいて前記スイッチ回路を回路を切り替える請求項３記載のスパッタ源。
【請求項５】
真空槽と、ホルダと、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のスパッタ源とを有し、
前記ホルダは前記真空槽内部に配置され、前記スパッタ源は前記真空槽内部の前記ホルダと対向する位置に配置された成膜装置。
【請求項６】
リング状のシールドの内部に配置され、前記シールドに対して相対的に固定されたターゲットに対し、磁界形成手段を前記ターゲットの一方の端から他方の端の間で前記ターゲットに対して相対的に移動させながら前記ターゲットをスパッタリングし、成膜対象物に薄膜を形成する成膜方法であって、
前記スパッタリングは、前記磁界形成手段の移動位置に基づき、前記シールドを直流的に接地電位に接続された接地状態と、接地電位から直流的に絶縁された非接地状態との間で切り替える成膜方法。
【請求項７】
前記切り替えは、前記磁界形成手段が前記ターゲットの中央から遠ざかり、前記シールドとの距離が設定距離Ｓよりも短くなったときに前記シールドを前記非接地状態にし、前記磁界形成手段が前記ターゲットの中央に近づき、前記シールドとの距離が前記設定距離Ｓよりも大きくなったときに前記シールドを前記接地状態に置く請求項６記載の成膜方法。
【請求項８】
前記設定距離Ｓを３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で設定する請求項７記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は成膜装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図７の符号１０１は従来技術の成膜装置を示している。この成膜装置１０１は、真空槽１１１と、真空槽１１１内部に配置されたスパッタ源１０３とを有している。スパッタ源１０３はカソード電極１３１と、カソード電極１３１に取り付けられたターゲット１３５とを有している。
【０００３】
カソード電極１３１は電源１３９に接続されており、真空排気系１１８により真空槽１１１内部を真空排気を形成し、真空排気を続けながらガス供給系１１７から真空槽１１１内部にスパッタガスを供給し、成膜雰囲気を形成した状態で、電源１３９を起動し、カソード電極１３１に負電圧を印加するとターゲット１３５がスパッタされる。
【０００４】
カソード電極１３１を挟んでターゲット１３５とは反対側には磁界形成手段１３８が配置されており、この磁界形成手段１３８が形成する磁界によってターゲット１３５のスパッタ面にプラズマ密度が高い領域が形成される。
【０００５】
磁界形成手段１３８をターゲット１３５の裏面側で往復移動させながらスパッタリングを行えば、磁界形成手段１３８によって形成される磁界がターゲット１３５のスパッタ面を走査するので、ターゲット１３５の広い領域が効率良くスパッタリングされることになる。
【０００６】
しかしながら、従来の成膜装置１０１ではターゲット１３５の周囲は接地電位に置かれたシールド１４１で取り囲まれており、磁界形成手段１３８がターゲット１３５の端部に近づいたときには、プラズマは近接するシールド１４１に引き付けられてシールド１４１から流れ去ってしまうため、ターゲット１３５の端部では中央部分に比べてスパッタリングされる量が少なくなる。
【０００７】
図７、８の符号１４７はターゲット１３５のスパッタリングされずに残った部分（非エロージョン部）を示しており、図８に示すように従来の成膜装置１０１ではターゲット１３５の端部に沿って広く非エロージョン部１４７が形成されてしまう。
【０００８】
シールド１４１とターゲット１３５との間の距離を広くし、磁界形成手段１３８を広範囲に移動可能にすれば、非エロージョン部１４７の面積を小さくすることが可能であるが、シールド１４１とターゲット１３５との距離を広くすると、カソード電極１３１のようにターゲット１３５以外の部材もスパッタリングされてしまう。
【０００９】
カソード電極１３１がスパッタリングされると、カソード電極１３１を構成する物質のパーティクルが真空槽１１１内部に放出され、基板１１５表面に形成される薄膜にパーティクルが不純物として混入する。
【００１０】
パーティクルが薄膜に混入すると、その薄膜を用いた製品（例えば、ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）の不留まりが悪くなるという問題があった。
【特許文献１】特開平９−５９７７２号公報
【特許文献２】特開平１１−２０００３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、ターゲットの非エロージョン部を減少させ、かつパーティクルの発生量が少ないスパッタ源を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために請求項１記載の発明は、リング状のシールドと、前記シールドと非接触な状態で前記シールドのリングの内側に配置され、前記シールドに対して相対的に固定されたターゲットと、前記ターゲットの前記シールドから露出するスパッタ面とは反対側の面に位置する磁界形成手段と、前記ターゲットの一方の端から他方の端の間で前記ターゲットに対して前記磁界形成手段を相対的に往復移動させる移動手段とを有するスパッタ源であって、前記シールドを、接地電位に接続する接地状態と、直流的に接地電位から絶縁する非接地状態に切り替えるスイッチ回路を有するスパッタ源である。
請求項２記載の発明は、請求項１記載のスパッタ源であって、前記スイッチ回路はコンデンサを有し、前記非接地状態では前記コンデンサを介して前記シールドを接地電位に置くスパッタ源である。
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のスパッタ源であって、前記スイッチ回路の切り替えを制御する制御回路を有するスパッタ源である。
請求項４記載の発明は、請求項３記載のスパッタ源であって、前記磁界形成手段の位置を検出する位置センサーを有し、前記制御回路は前記位置センサーが検出した位置の情報に基づいて前記スイッチ回路を回路を切り替えるスパッタ源である。
請求項５記載の発明は、真空槽と、ホルダと、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のスパッタ源とを有し、前記ホルダは前記真空槽内部に配置され、前記スパッタ源は前記真空槽内部の前記ホルダと対向する位置に配置された成膜装置である。
請求項６記載の発明は、リング状のシールドの内部に配置され、前記シールドに対して相対的に固定されたターゲットに対し、磁界形成手段を前記ターゲットの一方の端から他方の端の間で前記ターゲットに対して相対的に移動させながら前記ターゲットをスパッタリングし、成膜対象物に薄膜を形成する成膜方法であって、前記スパッタリングは、前記磁界形成手段の移動位置に基づき、前記シールドを直流的に接地電位に接続された接地状態と、接地電位から直流的に絶縁された非接地状態との間で切り替える成膜方法である。
請求項７記載の発明は、請求項６記載の成膜方法であって、前記切り替えは、前記磁界形成手段が前記ターゲットの中央から遠ざかり、前記シールドとの距離が設定距離Ｓよりも短くなったときに前記シールドを前記非接地状態にし、前記磁界形成手段が前記ターゲットの中央に近づき、前記シールドとの距離が前記設定距離Ｓよりも大きくなったときに前記シールドを前記接地状態に置く成膜方法である。
請求項８記載の発明は、請求項７記載の成膜方法であって、前記設定距離Ｓを３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で設定する成膜方法である。
【発明の効果】
【００１３】
磁界形成手段がターゲットの端部に近づき、シールドとの距離が設定距離より短くなったときに、シールドが接地電位から絶縁されるので、ターゲット端部でプラズマ密度が小さくならず、ターゲット端部も中央部分と同程度の効率でスパッタリングされる。また、磁界形成手段がターゲットの中央部分に近づき、シールドとの距離が設定距離よりも大きくなった場合には、シールドが接地電位に置かれ、カソード電極のようにターゲット以外の部材がスパッタリングされずに保護されるので、不純物のパーティクルの発生量が小さくなる。このように本発明によれば、ターゲットの非エロージョン部分の面積が小さくなる上、パーティクルの混入量の少ない薄膜を形成可能であり、その薄膜を用いた製品（例えばＬＣＤ）の歩留まりも高くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１の符号１は本発明の成膜装置の一例を示しており、この成膜装置１は真空槽１１と、真空槽１１内部の底壁側に配置されたスパッタ源３と、真空槽１１内部のスパッタ源３と対向する位置に配置された基板ホルダ５とを有している。スパッタ源３は、ターゲット３５と、磁界形成手段３８と、移動手段３７と、シールド４１と、スイッチ回路４３とを有している。
【００１５】
真空槽１１内部の底壁側にはカソード電極３１（バッキングプレート）が取り付けられている。ターゲット３５は細長の板状であって、その表面がスパッタ面３４として基板ホルダ５に向けられ、基板ホルダ５に対して平行になるようにカソード電極３１表面に取り付けられている。
【００１６】
図２はシールド４１とターゲット３５との位置関係を示す平面図である。シールド４１はリング状であって、ターゲット３５とは非接触な状態でターゲット３５の側面と、カソード電極３１とを取り囲むように配置されており、スパッタ面３４はシールド４１から露出している。
【００１７】
カソード電極３１は真空槽１１外部に配置された電源（直流電源）３９に接続されており、ターゲット３５はカソード電極３１に電気的に接続されている。カソード電極３１は絶縁部材３２によって真空槽１１から絶縁されており、電源３９を起動し、真空槽１１と基板ホルダ５を接地電位に置いた状態で、カソード電極３１に電圧を印加すると、ターゲット３５に電圧が印加され、ターゲット３５のスパッタ面３４がスパッタリングされるようになっている。
【００１８】
スイッチ回路４３は真空槽１１外部に配置され、シールド４１はこのスイッチ回路４３に接続されており、カソード電極３１はシールド４１で取り囲まれているので、スイッチ回路４３を切り替え、シールド４１を接地電位に置いた状態でスパッタリングを行えば、カソード電極３１はスパッタリングされないようになっている。
【００１９】
移動手段３７はカソード電極３１のターゲット３５が取り付けられた面の反対側に配置されている。ここでは、移動手段３７は移動軸３６と不図示のモータとを有している。磁界形成手段３８は細長の永久磁石で構成されており、磁界形成手段３８はターゲット３５の長手方向に向けられた状態でカソード電極３１から離間して移動手段３７の移動軸３６に取り付けられている。
【００２０】
磁界形成手段３８の幅はターゲット３５の幅よりも小さくされており、モータを起動し、移動軸３６を回転させると、磁界形成手段３８がターゲット３５の幅方向の両端部の間で往復移動するようになっている。
【００２１】
図２の符号Ｄは磁界形成手段３８の移動方向を示しており、ここでは磁界形成手段３８はその幅方向の中心がターゲット３５の幅方向の左端部の真裏位置まで移動し、逆方向ではその幅方向の中心がターゲット３５の右端部の真裏位置まで移動するようになっている。要するに磁界形成手段３８が形成する磁界の
強い部分はスパッタ面３４上を全て走査するようになっている。
【００２２】
ここでは、カソード電極３１のターゲット３５が取り付けられた面とは反対側に位置センサー４９が配置されており、位置センサー４９によって磁界形成手段３８の磁界強度の変化が測定され、測定される磁界強度に基づいて磁界形成手段の位置が検出される。
【００２３】
制御回路４５は真空槽１１外部に配置され、スイッチ回路４３と位置センサー４９と移動手段３７はそれぞれ制御回路４５に接続されており、位置センサー４９で検出される磁界形成手段の位置と、移動手段３７によって検出される磁界形成手段３８の移動方向とで構成される位置情報を制御回路４５が検出すると、その位置情報に基づいて制御回路４５がスイッチ回路４３を切り替えるように構成されている。
【００２４】
次に、この成膜装置１を用いた成膜工程について説明する。
真空槽１１には真空排気系１８と、ガス供給系１７が接続されており、先ず真空排気系１８を動作させ、真空槽１１内部に所定圧力の真空雰囲気を形成する。真空排気を続けながら、成膜対象物である基板を真空槽１１内部に搬入し、基板ホルダ５に保持させる。図１は基板１５が基板ホルダ５に保持された状態を示している。
【００２５】
次に、真空排気を続けながらガス供給系１７からスパッタガスであるＡｒ（アルゴン）ガスを真空槽１１内部に導入し、所定圧力の成膜雰囲気を形成する。真空排気とガスの導入を続け、真空槽１１内部の成膜雰囲気を維持しながら、真空槽１１と基板ホルダ５とを接地電位に置いた状態でターゲット３５に負電圧を印加し、ターゲット３５をスパッタリングする。
【００２６】
スパッタ面３４のうち、磁界形成手段３８が形成する磁界の強い部分ではプラズマ密度が高く、ターゲット３５をスパッタリングしながら磁界形成手段３８を往復移動させると、プラズマ密度が高い領域も移動する。
【００２７】
磁界形成手段３８がターゲット３５の幅方向中央から幅方向端部へ向かい、シールド４１の内周面の端部から設定距離Ｓ（ここでは設定距離Ｓは３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で設定される）だけ内側の領域に入ったときに、磁界形成手段の位置情報に基づき制御回路４５がスイッチ回路４３を切り替え、シールド４１が接地電位から直流的に絶縁され、スイッチ回路４３のコンデンサ４８に接続される。
【００２８】
図１はシールド４１がコンデンサに接続された非接地状態を示しており、非接地状態ではシールド４１はコンデンサ４８を介して交流的に接地電位に接続される。シールド４１が非接地状態に置かれると、プラズマがシールド４１から流れ去らないので、ターゲット３５の端部でもプラズマ密度が高いまま維持され、ターゲット３５の端部でも中央部分と同程度の速度でスパッタリングされることになる。
【００２９】
磁界形成手段３８の幅方向の中心がターゲット３５幅方向一端部の真裏位置に到達すると、磁界形成手段３８はターゲット３５の幅方向の中央へ戻る。磁界形成手段３８がターゲット３５の幅方向端部から中央へ向かって移動し、シールド４１内周面から設定距離Ｓだけ内側の領域を出たときに、磁界形成手段３８の位置情報に基づき、制御回路４５がスイッチ回路４３を切り替え、シールド４１がコンデンサ４８から絶縁され、接地電位に直接接続されて、直流的にも交流的にも接地に置かれた接地状態となる。シールド４１が接地状態になると、カソード電極３１のようにシールド４１で囲まれた部材はスパッタリングされず、シールド４１から保護される。
【００３０】
磁界形成手段３８がターゲット３５の幅方向中央から反対側の端部へ移動し、シールド４１の内周面から設定距離Ｓだけ内側の領域に入ると、制御回路４５がスイッチ回路４３を切り替えてシールド４１が上述した非接地状態に置かれる。
【００３１】
このように本発明によれば、ターゲット３５の両端部が中央部分と同様にスパッタリングされるので従来に比べて非エロージョン部が小さくなり、またカソード電極３１のようなターゲット３５以外の部材はシールド４１によって保護されるので不純物のパーティクルが発生せず、基板１５表面に良質な膜が形成される。
【００３２】
図３は本発明の成膜装置で成膜に使用された後のターゲット３５の一例を示す平面図であり、図３の符号４７はスパッタリングされずに残った非エロージョン部を示している。ターゲット３５は幅方向端部も中央部分と同程度にスパッタされるので非エロージョン部４７は従来に比べて小さくなる。
【００３３】
例えば、ターゲット３５をＩｎ2Ｏ3にＳｎＯ2を１０ｗｔ％添加したターゲット材料で構成し、ガス供給系１７からスパッタガスであるＡｒガスと、反応性ガスであるＯ2（酸素）ガスを供給し、０．７Ｐａの成膜雰囲気を形成し、成膜温度（基板温度）２００℃、ターゲット３５への印加電圧８ｋＷの成膜条件で、上述した成膜工程により成膜を行ったところ、図３に示すようにターゲット３５の幅方向の端部に非エロージョン部４７が殆ど存在しなかった。
【００３４】
これに対し、スイッチ回路４３を切り替えずに、シールド４１を接地電位に直流的に接続した状態を維持した以外は、上述した成膜条件でスパッタリングを行ったところ、ターゲット３５の幅方向の両端部に１０ｍｍ程度の幅で非エロージョン部がそれぞれ形成された。
【００３５】
本発明ではシールド４１の形状は特に限定されるものではなく、図４に示すようにリングに切り欠き８１が１つ形成されたシールド８１や、図５に示すようにリンクに切り欠き６９ａ、６９ｂが２つ以上形成されたシールド６１ａ、６１ｂも用いることが可能である。要するに本発明ではシールドは実質的にリングであればよい。
【００３６】
次に、シールドに切り欠きが形成された成膜装置について具体的に説明する。
【００３７】
図６の符号５０は本発明第二例の成膜装置を示しており、この成膜装置５０のスパッタ源６０は、上述した図５に示したように、切り欠き６９ａ、６９ｂによって分断されたシールド６１ａ、６１ｂを有している。
【００３８】
この成膜装置５０は、分断されたシールド６１ａ、６１ｂが別々のスイッチ回路６３ａ、６３ｂに接続された以外は図１に示した成膜装置１と同様の構成を有しており、各スイッチ回路６３ａ、６３ｂはそれぞれ同じ制御回路４５に接続されている。
【００３９】
分断されたシールド６１ａ、６１ｂをそれぞれ第一、第二のシールド６１ａ、６１ｂとし、第一、第二のシールド６１ａ、６１ｂが接続されたスイッチ回路６３ａ、６３ｂをそれぞれ第一、第二のスイッチ回路とすると、磁界形成手段３８がターゲット３５の幅方向中央から第一のシールド６１ａ側の端部へ向かい、第一のシールド６１ａの内周面端部から設定距離Ｓ’だけ内側の領域へ入ったときに、その位置情報に基づき制御回路４５が第一のスイッチ回路６３ａを切り替え、第一のシールド６１ａをコンデンサ６８ａに接続し上述した非接地状態に置く。
【００４０】
これとは逆に、磁界形成手段３８がターゲット３５の第一のシールド６１ａ側の端部から、ターゲット３５の幅方向中央へ移動し、第一のシールド６１ａの内周面から設定距離Ｓ’だけ内側の領域を出たときに、その位置情報に基づき制御回路４５が第一のスイッチ回路６３ａを切り替え、第一のシールド６１ａが上述した接地状態に置かれる。
【００４１】
次に、磁界形成手段３８がターゲット３５の幅方向中央からターゲット３５の第二のシールド６１ｂ側の端部へ移動し、第二のシールド６１ｂの内周面から接地距離Ｓ’だけ内側の領域に入ったときに、その位置情報に基づき制御回路４５が第二のスイッチ回路６３ｂを切り替え、第二のシールド６１ｂがコンデンサ６８ｂに接続されて上述した非接地状態に置かれる。これとは逆に、磁界形成手段３８がターゲット３５の第二のシールド６１ｂ側の端部から、幅方向中央へ向かって移動し、第二のシールド６１ｂの内周面から設定距離Ｓ’だけ内側の領域を出たときに、その位置情報に基づき制御回路４５が第二のスイッチ回路６３ｂを切り替え、第二のシールド６３ｂを上述した接地状態に置く。このように、本発明第二例の成膜装置５０では分断されたシールド６１ａ、６１ｂの電位を別々に制御することができる。
【００４２】
以上は切り欠き部６９ａ、６９ｂの数が１又は２の場合について説明したが、シールドがターゲットを取り囲む形状であれば、切り欠き部を３以上設けたシールドも用いることができる。
【００４３】
ターゲット３５の形状も特に限定されず、長方形、正方形、楕円形、円形等種々の形状とすることが可能である。ターゲット３５やシールド４１の大きさは特に限定されるものではない。
【００４４】
以上は、ターゲット３５とシールド４１を静止させ、移動手段３７によって磁界形成手段３８を移動させる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４５】
本発明では、磁界形成手段３８がターゲット３５とシールド４１に対して相対的に移動すればよく、例えばターゲットとシールドを移動手段に取り付け、磁界形成手段を静止させた状態でターゲットとシールドを一緒に移動させてもよいし、磁界形成手段と、ターゲットと、シールドをそれぞれ同時に移動させてもよい。
【００４６】
ターゲットとシールドとを移動させながらスパッタリングを行う場合には、ターゲットとシールドとを相対的に固定し、ターゲットとシールドとの間の距離を常に一定になるようにすれば、上述した設定距離を一定にすることができる。
【００４７】
以上は移動手段３７で磁界形成手段３８の移動方向を検出する場合について説明したが本発明はこれに限定されず、位置センサーが位置と移動方向の両方を検出してもよく、その場合位置センサーとしては赤外線センサー等他の種類の位置センサーを用いることができる。
【００４８】
また位置センサーを設けずに、移動手段３７自体が磁界形成手段３８の移動位置と移動方向とを把握し、位置情報として制御回路４５に伝えることもできる。例えば、移動手段３７のモータの回転量から移動位置を求め、その回転方向から移動方向を求め、位置情報を得ることができる。
【００４９】
以上は磁界形成手段３８がシールド４１に近づいたときに、シールド４１をコンデンサ４８に接続して非接地状態とする場合について説明したが本発明はこれに限定されるものではなく、シールド４１をコンデンサに接続せず、接地電位から直流的にも交流的にも絶縁して浮遊状態にしてもよい。
磁界形成手段３８は永久磁石に限定されず、磁界を形成可能なものであれば電磁石等も用いることができる。
【００５０】
スパッタガスの種類はアルゴンガスに限定されず、キセノン（Ｘｅ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス等種々のものを用いることができる。反応性ガスの種類も酸素に限定されるものではなく、成膜目的にあわせて種々のガスを用いることも可能であるし、反応性ガスを用いずスパッタガスを単独で用いることも可能である。ターゲット３５の構成材料も特に限定されず、成膜目的にあわせて種々のものを用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の成膜装置の一例を説明する断面図
【図２】ターゲットと、シールドと、磁界形成手段の移動方向との関係を説明する平面図
【図３】本発明に用いたターゲットのスパッタリング後の状態を説明する平面図
【図４】本発明に用いるシールドの第二例を説明する平面図
【図５】本発明に用いるシールドの第三例を説明する平面図
【図６】本発明の成膜装置の他の例を説明する断面図
【図７】従来技術の成膜装置の一例を説明する断面図
【図８】従来技術に用いたターゲットのスパッタリング後の状態を説明する平面図
【符号の説明】
【００５２】
１、５０……成膜装置    ５……基板ホルダ    ３、６０……スパッタ源    １１……真空槽    １５……基板    ３１……カソード電極    ３４……スパッタ面    ３５……ターゲット    ３７……移動手段    ３８……磁界形成手段    ３９……電源    ４１、６１ａ、６１ｂ、８１……シールド    ４３、６３ａ、６３ｂ……スイッチ回路    ４５……制御回路    ４８、６８ａ、６８ｂ……コンデンサ    ４９……位置センサー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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