(57)【要約】【課題】  ニッケル−リンメッキ膜表面上に欠陥のないメッキ膜を成膜するための前処理方法等を提供すること。【解決手段】  本発明は、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜を有する基板上に、（１）ニッケルと、（２）リンおよび／またはホウ素と、任意に、（３）Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、ＷおよびＲｅからなる群から選択される１種またはそれ以上の元素と、を含む第２のメッキ膜を無電解メッキ法で形成する場合の、第１のメッキ膜の前処理方法であって、前記基板上の第１のメッキ膜表面の酸化膜を除去する活性化工程と、酸化膜を除去した第１のメッキ膜表面を酸化する工程を含む前処理方法に関する。本発明は更に、該方法を含む磁気記録媒体用基板の製造方法、および外征増俸法で製造される磁気記録媒体用基板に関する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜を有する基板上に、（１）ニッケルと、（２）リンおよび／またはホウ素と、任意に、（３）Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、ＷおよびＲｅからなる群から選択される１種またはそれ以上の元素と、を含む第２のメッキ膜を無電解メッキ法で形成する場合の、第１のメッキ膜の前処理方法であって、前記基板上の第１のメッキ膜表面の酸化膜を除去する活性化工程と、酸化膜を除去した第１のメッキ膜表面を酸化する工程を含むことを特徴とする前処理方法。
【請求項２】
前記基板上のニッケル−リンからなる第１のメッキ膜表面のＮｉ酸化度を下記（１）式によって算出した場合に、前記活性化工程後のニッケル酸化度が０．１２以下であり、且つ、前記酸化工程後のニッケル酸化度が０．１５〜０．３であることを特徴とする請求項１に記載の前処理方法。
ニッケル酸化度＝Ｂ／（Ａ＋Ｂ）    （１）
但し、ＡおよびＢは、それぞれ、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜表面をＸＰＳ法で測定して得られたスペクトルの、８５０ｅＶと８６０ｅＶの吸収強度の位置を直線で結び、これをベースラインとした場合の以下の値を表す。
（Ｉ）Ａ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５０〜８５５ｅＶ（ニッケルピーク強度）の最大値
（ＩＩ）Ｂ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５５〜８６０ｅＶ（酸化ニッケルピーク強度）の最大値。
【請求項３】
前記活性化工程が、酸水溶液に前記第１のメッキ膜を有する基板を浸漬することを含み、前記酸化工程が４０〜８０℃の温水に１０〜６０秒浸漬することを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の前処理方法。
【請求項４】
前記活性化工程が、酸水溶液に前記第１のメッキ膜を有する基板を浸漬することを含み、前記酸化工程が０．２〜１ｗｔ％の過酸化水素水に１０〜６０秒浸漬することを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の前処理方法。
【請求項５】
（Ａ）アルミ合金基板上に、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜を形成する工程と、
（Ｂ）該基板上の第１のメッキ膜上に、（１）ニッケルと、（２）リンおよび／またはホウ素と、任意に、（３）Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、ＷおよびＲｅからなる群から選択される１種またはそれ以上の元素と、を含む無電解メッキ膜を形成する工程、
を含み、前記工程（Ａ）の後に、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜表面の酸化膜を除去する活性化工程と、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜表面を酸化する酸化工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項６】
前記基板上のニッケル−リンからなる第１のメッキ膜表面のＮｉ酸化度を下記（１）式によって算出した場合に、前記活性化工程後のニッケル酸化度が０．１２以下であり、前記酸化処工程のニッケル酸化度が０．１５〜０．３であることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
ニッケル酸化度＝Ｂ／（Ａ＋Ｂ）    （１）
但し、ＡおよびＢは、それぞれ、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜表面をＸＰＳ法で測定して得られたスペクトルの、８５０ｅＶと８６０ｅＶの吸収強度の位置を直線で結び、これをベースラインとした場合の以下の値を表す。
（Ｉ）Ａ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５０〜８５５ｅＶ（ニッケルピーク強度）の最大値
（ＩＩ）Ｂ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５５〜８６０ｅＶ（酸化ニッケルピーク強度）の最大値
【請求項７】
前記活性化工程が、酸水溶液に前記第１のメッキ膜を有する基板を浸漬することを含み、前記酸化工程が４０〜８０℃の温水に１０〜６０秒浸漬することを含むことを特徴とする請求項５または６に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項８】
前記活性化工程が、酸水溶液に前記第１のメッキ膜を有する基板を浸漬することを含み、前記酸化工程が０．２〜１ｗｔ％の過酸化水素水に１０〜６０秒浸漬することを含むことを特徴とする請求項５または６に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項９】
請求項５から８のいずれかに記載の磁気記録媒体用基板の製造方法により製造される磁気記録媒体用基板であって、工程（Ａ）で形成されるニッケル−リンからなる第１のメッキ膜のリン濃度が２０〜２５ａｔ％であり、工程（Ｂ）で形成される第２のメッキ膜が１〜９ａｔ％のリン濃度のニッケル−リンメッキ膜であることを特徴とする磁気記録媒体用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は無電解ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ上へ、密着性のよい無電解メッキをする方法に関する。特に、本発明は無電解メッキの前処理方法、該前処理方法を含む、固定磁気ディスクを用いた記憶装置に使用される磁気記ディスク用基板の製造方法、および、該製造方法により製造される磁気記録媒体用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体、特に磁気ディスク用の基板として主に用いられているアルミ合金製基板には、表面硬化層（下地層）として、リン濃度（以下Ｐ濃度とも称する）が２０〜２５ａｔ％のニッケル−高リンメッキ（以下Ｎｉ−高Ｐメッキとも称する）が施される。このメッキの後、基板は研磨加工により鏡面化され、磁性層が形成されて磁気記録媒体となる。このメッキ工程で不良品が発生する場合があるが、不良品は、再メッキされて再使用することが試みられる。しかし、Ｎｉ−Ｐメッキ上へＮｉ−Ｐメッキを施した基板は、サブミクロンの微小欠陥が存在し、磁気記録媒体としたときにエラーが発生する原因となるため、年々高密度化する磁気記録媒体用の基板としてこのような再メッキした基板を使用することが難しくなっている。
【０００３】
一方、磁化方向が面内を向く従来の水平記録方式に対して、より高密度な記録が可能な垂直磁気記録方式が提案されている。垂直磁気記録用の磁気記録媒体は、磁性層の下に磁界を収束させる軟磁性裏打ち層を必要とする。その形成方法としては、スパッタ法が主流であるが、その他にも特許文献１に記載のような、表面硬化層を熱処理して軟磁性裏打ち層を形成する方法が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１−２８５０２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
軟磁性裏打ち層をスパッタ法で成膜する場合、その膜厚が数百ｎｍであることから、膜厚が数ｎｍ〜数十ｎｍである磁性層と比較して軟磁性裏打ち層の成膜時間が長くなり、生産性が悪い。
【０００６】
軟磁性裏打ち層は、軟磁性組成としてＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏや他の合金が知られており、無電解メッキ法により成膜することができる。しかし、軟磁性裏打ち層の膜厚が厚すぎるとノイズの原因となることから、その膜厚は厚くても数μｍ以下としなければならない。膜厚を薄くするために、アルミ合金製の基板上へ軟磁性裏打ち層を単層形成することもできるが、これでは耐ヘッド衝撃性を満足できない。また、軟磁性裏打ち層は、結晶質で研磨性が悪く、できるだけ研磨量を少なくすることが望ましいが、そのためには、メッキ後のメッキ膜表面の粗さをできるだけ小さくしなければならない。このため、鏡面研磨したＮｉ−高Ｐメッキ膜上へメッキをすることが必要となる。
【０００７】
また、軟磁性裏打ち層として、リン濃度が１〜９ａｔ％であるＮｉ−低Ｐメッキ膜は、十分な軟磁性特性を有し、且つ、組成が単純なため管理が容易であり、生産性の点でも優れている。しかし、このようなＮｉ−低Ｐメッキ膜を鏡面研磨したＮｉ−高Ｐメッキ膜上に成膜する場合、還元剤の次亜リン酸の濃度を下げる必要があり、そのようにするとメッキの反応性が悪くなり、微小欠陥が発生する。従って、Ｎｉ−高Ｐメッキ膜上へＮｉ−低Ｐメッキ膜を形成する場合には、Ｎｉ−高Ｐメッキ膜を鏡面研磨したとしても欠陥が生じる問題がある。
【０００８】
加えて、磁気記録媒体に限らず、ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜上へ均質で欠陥のない無電解メッキ膜を形成できる汎用的な方法も望まれている。
【０００９】
従って、本発明の目的は、Ｎｉ−Ｐメッキ膜（第１のメッキ膜）上へ無電解メッキ法でメッキ膜（第２のメッキ膜）を形成する場合に、第２のメッキ膜表面に欠陥を生じさせない方法を提供すること、即ち、無電解メッキの前処理方法を提供することにある。
【００１０】
更に本発明の目的は、該前処理方法を含む磁気記録媒体用基板の製造方法を提供することにある。
【００１１】
更に、本発明の目的は、該製造方法により製造された磁気記録媒体用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１は、無電解メッキの前処理方法に関する。該方法は、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜を有する基板上に、（１）ニッケルと、（２）リンおよび／またはホウ素と、任意に、（３）Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、ＷおよびＲｅからなる群から選択される１種またはそれ以上の元素と、を含む第２のメッキ膜を無電解メッキ法で形成する場合の、第１のメッキ膜の前処理方法であって、前記基板上の第１のメッキ膜表面の酸化膜を除去する活性化工程と、酸化膜を除去した第１のメッキ膜表面を酸化する工程を含む。
【００１３】
前記前処理方法は、前記基板上のニッケル−リンからなる第１のメッキ膜表面のＮｉ酸化度を下記（１）式によって算出した場合に、前記活性化工程後のニッケル酸化度が０．１２以下であり、且つ、前記酸化工程後のニッケル酸化度が０．１５〜０．３であることを特徴とする。
ニッケル酸化度＝Ｂ／（Ａ＋Ｂ）    （１）
但し、ＡおよびＢは、それぞれ、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜表面をＸ線光電子分光分析（ＸＰＳ）法で測定して得られたスペクトルの、８５０ｅＶと８６０ｅＶの吸収強度の位置を直線で結び、これをベースラインとした場合の以下の値を表す。
（Ｉ）Ａ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５０〜８５５ｅＶ（ニッケルピーク強度）の最大値
（ＩＩ）Ｂ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５５〜８６０ｅＶ（酸化ニッケルピーク強度）の最大値。
【００１４】
更に本発明の前処理方法は、活性化工程が、酸水溶液に前記第１のメッキ膜を有する基板を浸漬することを含み、酸化工程が４０〜８０℃の温水に１０〜６０秒浸漬すること、または、０．２〜１ｗｔ％の過酸化水素水に１０〜６０秒浸漬することを含む。
【００１５】
本発明の第２は、上記前処理方法を含む磁気記録媒体用基板の製造方法に関する。該製造方法は、（Ａ）アルミ合金基板上に、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜を形成する工程と、（Ｂ）該基板上の第１のメッキ膜上に、（１）ニッケルと、（２）リンおよび／またはホウ素と、任意に、（３）Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、ＷおよびＲｅからなる群から選択される１種またはそれ以上の元素と、を含む無電解メッキ膜を形成する工程を含み、前記工程（Ａ）の後に、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜表面の酸化膜を除去する活性化工程と、酸化工程を含むことを特徴とする。
【００１６】
本発明の製造方法では、上記（１）式によって算出されるニッケル酸化度が、活性化工程後に０．１２以下であり、且つ、酸化工程後に０．１５〜０．３となることを特徴とする。
【００１７】
更に、本発明の製造方法は、活性化工程が、酸水溶液に前記ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜を有する基板を浸漬することを含み、酸化工程が４０〜８０℃の温水に１０〜６０秒浸漬すること、または、０．２〜１ｗｔ％の過酸化水素水に１０〜６０秒浸漬することを含む。
【００１８】
本発明の第３は、上記磁気記録媒体用基板の製造方法により製造される磁気記録媒体用基板に関する。本発明の磁気記録媒体用基板は、工程（Ａ）で形成されるニッケル−リンからなる第１のメッキ膜のリン濃度が２０〜２５ａｔ％であり、工程（Ｂ）で形成される第２のメッキ膜が１〜９ａｔ％のリン濃度のニッケル−リンメッキ膜であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の前処理方法を適用することにより、例えばＮｉ−Ｐメッキ膜上に欠陥のない無電解ニッケルメッキ膜を形成することができる。
【００２０】
また、本発明の磁気記録媒体用基板の製造方法によれば、軟磁性裏打ち層の欠陥のない磁気記録媒体用基板を提供できる。特に本発明の製造方法は、Ａｌ合金／Ｎｉ−Ｐメッキ基板上に、リン濃度１〜９ａｔ％の低リンメッキを適用する場合に有効であり、欠陥が極小で安価な、軟磁性裏打ち層付き垂直磁気記録媒体用基板を提供できる。
【００２１】
更に、本発明の磁気記録媒体用基板は、軟磁性裏打ち層に欠陥のない基板である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の第１は、Ｎｉ−Ｐからなる第１のメッキ膜を有する基板上に無電解メッキ法により第２のメッキ膜を形成する場合の前処理方法に関する。なお、本明細書では、基板上に設けられるＮｉ−Ｐからなる第１のメッキ膜をＮｉ−Ｐメッキ下地層とも称する。
【００２３】
本発明の前処理方法に使用される基板は、Ｎｉ−Ｐメッキを施すことができるものであれば特に限定されない。例えば、アルミニウム合金、ソーダライムガラス、リチウムシリケートガラス、アルミノシリケートガラスなどのガラス、アルミナセラミック、シリコン、プラスチックなどの非磁性基板を用いることができる。特にＡｌ−Ｍｇ合金のようなアルミニウム合金が好ましい。
【００２４】
本発明の前処理方法は、Ｎｉ−Ｐメッキ膜を有する基板を１．活性化処理する工程および２．酸化処理する工程を含む。
【００２５】
１．活性化工程
本発明の前処理方法の活性化工程は、Ｎｉ−Ｐメッキ下地層を有する基板を酸溶液に浸漬することにより行われる。酸溶液は塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、フッ酸などが好ましいが、これらに限定されない。酸の濃度は、処理する酸の種類、浸漬条件などにより異なるが、前記の酸の場合１規定以上であることが好ましい。
【００２６】
本発明の前処理方法では、ニッケル酸化度が０．１２以下となるように活性化処理を行う。ここで、ニッケル酸化度とは、下式（１）により定義されるＮｉ−Ｐメッキ下地層の表面のニッケルの酸化度をいう。
ニッケル酸化度＝Ｂ／（Ａ＋Ｂ）    （１）
但し、ＡおよびＢは、それぞれ、ニッケル−リンメッキ表面をＸＰＳ法で測定して得られたスペクトルの、８５０ｅＶと８６０ｅＶの吸収強度の位置を直線で結び、これをベースラインとした場合の以下の値を表す。
（Ｉ）Ａ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５０〜８５５ｅＶ（ニッケルピーク強度）の最大値
（ＩＩ）Ｂ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５５〜８６０ｅＶ（酸化ニッケルピーク強度）の最大値
【００２７】
図１を参照してより具体的に式（１）のニッケル酸化度を説明する。図１は、ＸＰＳ法によるＮｉ  ２Ｐスペクトル図である。図１のスペクトルの８５０ｅＶの点（図１の（ａ）の位置）と８６０ｅＶの点（図１の（ｂ）の位置）を結んだ直線をベースラインとする。このベースラインから、ニッケルに相当するピーク（８５０〜８５５ｅＶ）の最大値（図１の（ｃ）の位置）までの強度をニッケル強度（Ａ）とする。また、ベースラインから、酸化ニッケルに相当するピーク（８５５〜８６０ｅＶ）の最大値（図１の（ｄ）の位置）までの強度をニッケル強度（Ｂ）とする。そして、ニッケル酸化度を、下式（１）から算出する。
ニッケル酸化度＝Ｂ／（Ａ＋Ｂ）    （１）
【００２８】
ニッケル酸化度が０．１２以下となる条件を満足する浸漬条件としては、例えば、浸漬温度は１０〜６０℃が好ましく、浸漬時間は３０〜３００秒が好ましい。
【００２９】
浸漬後、基板を純水（１８ＭΩ）などでよく洗浄することが好ましい。洗浄後は、そのまま次の工程（酸化工程）を行うことができる。
【００３０】
２．酸化工程
本発明の前処理方法では、活性化工程後にＮｉ−Ｐ下地層表面を酸化する。酸化工程は、所定の溶液に基板を浸漬することを含む。その他、スプレー法などを用いて酸化工程を実施することができる。酸化工程では、Ｎｉ−Ｐ下地層表面のニッケル酸化度（ニッケル酸化度は上記式（１）で定義される）が０．１５〜３．０の範囲となるように酸化を行なう。
【００３１】
酸化工程での浸漬溶液は、ニッケル酸化度を上記範囲内にできるものであれば特に限定されないが、所定温度の純水、過酸化水素水などを挙げることができる。純水の場合、液温は２５〜１００℃、好ましくは４０〜８０℃である。また、過酸化水素水の場合、その濃度は０．２〜１ｗｔ％であることが好ましく、温度は常温が好ましい。浸漬条件は、上記ニッケル酸化度の範囲内となる条件であれば特に限定されないが、４０〜８０℃の純水の場合、１０〜６０秒、好ましくは、２０〜４０秒、最も好ましくは３０秒である。また、過酸化水素水の場合、１０〜６０秒、好ましくは、２０〜４０秒、最も好ましくは３０秒である。
【００３２】
浸漬後は、必要に応じて純水（１８ＭΩ）などで洗浄することができる。洗浄後は、そのまま次の工程（メッキ工程）を行うことができる。
【００３３】
本発明の前処理方法では、活性化工程後のニッケル酸化度が０．１２以下であり、且つ、酸化工程後のニッケル酸化度が０．１５〜３．０であることが必要である。活性化工程後のニッケル酸化度が０．１２以下であっても、酸化工程後のニッケル酸化度が上記範囲外である場合、例えば、酸化の処理が不十分な場合には、後の無電解メッキを行う際に、反応が起こらずメッキが析出しなかったり、後の無電解メッキで欠陥が多数発生する。また、酸化の処理が過度である場合、Ｎｉ−Ｐ下地層と第２のメッキ膜の接着性が不十分でフクレが発生したりする。更に、活性化工程後のニッケル酸化度が０．１２以上であると、酸化工程後のニッケル酸化度が上記範囲内であっても、後の無電解メッキで多数の欠陥が生じる。
【００３４】
本発明の第２は、本発明の前処理方法を含む磁気記録媒体用基板の製造方法に関する。本発明の製造方法は、（Ａ）アルミ合金基板上に、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜を形成する工程と、（Ｂ）該基板上の第１のメッキ膜上に、（１）ニッケルと、（２）リンおよび／またはホウ素と、任意に、（３）Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、ＷおよびＲｅからなる群から選択される１種またはそれ以上の元素と、を含む無電解メッキを行う工程を含み、前記工程（Ａ）の後に、ニッケル−リンメッキの表面の酸化膜を除去する活性化工程と、酸化工程を含むことを特徴とする。
【００３５】
工程（Ａ）では、アルミ合金基板にＮｉ−Ｐメッキ下地層を形成する。
本発明の製造方法で用いることができるアルミ合金製基板は、ハードディスク等に通常使用されるものである。例えば、加熱溶融したアルミ合金材料を圧延、加熱焼鈍した後、規定の寸法に加工が行われたアルミ合金のブランク材を使用することができる。このブランク材に、従来の手順に従って、アルカリ脱脂、酸エッチング、ジンケート処理を順次行う。次に、得られたアルミ合金基板にＮｉ−Ｐメッキを施す。メッキは無電解メッキにより行われる。Ｎｉ−Ｐメッキ下地層の厚さは、通常の磁気記録媒体用基板に適用される厚さであれば特に限定されないが、例えば５〜２０μｍの厚さとすることができる。Ｎｉ−Ｐメッキは、定法に従って行うことができる。Ｎｉ−Ｐメッキ下地層のリン濃度は特に限定されないが、磁気記録媒体用基板で用いられる、リン濃度が２０〜２５ａｔ％のＮｉ−Ｐメッキ下地層が好ましい。
【００３６】
本発明では、上述のようにして得られた基板の第１のメッキ膜表面を研磨することが好ましい。
【００３７】
研磨には、例えば、アルミナ研磨スラリーと発泡ウレタンを用いて一次研磨を行い、次いでコロイダルシリカと発泡ウレタンを用いて二次研磨することが含まれる。研磨条件は従来の条件に従えばよいが、例えば、上記一次研磨では、０．２〜２ｍ／秒の速度、３０〜１５０ｇ／ｃｍ２の圧力で５〜２０分間研磨を行うことが好ましい。また、上記二次研磨では、０．２〜２ｍ／秒の速度、３０〜１５０ｇ／ｃｍ２の圧力で５〜２０分間研磨を行うことが好ましい。
【００３８】
本発明の磁気記録媒体用基板の製造方法では、Ｎｉ−Ｐメッキ下地層を形成した後、第１の発明で説明した無電解メッキの前処理方法を適用する。即ち、本発明の製造方法は、Ｎｉ−Ｐメッキ下地層を活性化する工程と、酸化する工程を含む。
【００３９】
具体的に両工程を説明すれば、まず、Ｎｉ−Ｐメッキ下地層を有する基板を、例えば１〜６規定の塩酸、硫酸、または硝酸水溶液などの溶液に浸漬し、Ｎｉ−Ｐメッキ下地層表面を活性化する。次いで、活性化された基板を、温水または過酸化水素水のような溶液に浸漬し、酸化する。活性化および酸化の条件は先に説明した通りである。また、先に示した、活性化工程後のニッケル酸化度および酸化工程後のニッケル酸化度を満足するように、各処理工程を行う。
【００４０】
前処理を行った基板は、次の無電解メッキ工程（工程（Ｂ））へ供される。
工程（Ｂ）では、前処理を行ったＮｉ−Ｐメッキ下地層上に無電解メッキを行う。本発明では、（１）ニッケルと、（２）リンおよび／またはホウ素と、任意に、（３）Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、ＷおよびＲｅからなる群から選択される１種またはそれ以上の元素とを含む第２のメッキ膜を形成する無電解メッキを行う。
【００４１】
本発明の製造方法では、本工程の無電解メッキで形成される膜は、（１）のＮｉを１〜９９ａｔ％、（２）のリンおよび／またはホウ素を１〜２５ａｔ％、（３）の元素を０〜９８ａｔ％含む（但し、（１）、（２）および（３）の合計は１００ａｔ％である）ことができる。
【００４２】
本発明では、リン濃度１〜１３％、好ましくはリン濃度１〜９％のＮｉ−Ｐメッキ膜を形成する無電解メッキを行うことが好ましい。特に、形成された膜のリン濃度が１〜９ａｔ％となる低リン濃度Ｎｉ−Ｐメッキを行うことが好ましい。リン濃度が１〜９ａｔ％の低リン濃度Ｎｉ−Ｐメッキ膜は、垂直磁気記録媒体用基板の軟磁性裏打ち層として十分な軟磁性特性を有し、組成が簡単であるため管理が容易であるため、磁気記録媒体用基板のメッキとして優れる。
【００４３】
本工程の無電解メッキは、上記元素を含むメッキ液を調製し、前処理された磁気記録媒体用基板を所定の温度および時間浸漬することで行うことができる。例えば、本発明の一実施形態である低リン濃度Ｎｉ−Ｐメッキの場合、硫酸ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム若しくは酢酸ナトリウム、乳酸ナトリウム、グリシン、硫酸、および苛性ソーダを含むメッキ液（例えばｐＨ４．５〜６．５）を調製し、浴温７０〜１００℃、好ましくは８５〜９５℃で、３０〜６０分、基板を浸漬すればよい。
【００４４】
本工程の無電解メッキ法で作成される膜は、１〜５μｍ、好ましくは２〜３μｍの膜厚を有することができる。
【００４５】
得られた基板は、第２のメッキ膜表面を鏡面化するため研磨工程に付される。研磨は、例えばコロイダルシリカと発泡ウレタンを用いて行うことができる。研磨条件は研磨剤などにより異なるが、Ｎｉ−Ｐメッキ膜の場合、該メッキ膜をコロイダルシリカと発泡ウレタンを用いて研磨することができる。この場合、例えば３０ｒｐｍ、９０ｇ／ｃｍ２を挙げることができる。研磨後の基板は、定法に従い洗浄および乾燥を行う。
【００４６】
本発明の製造方法は、第２のメッキ膜表面の欠陥を最小限にするメッキ方法を提供する。特に、本発明の磁気記録媒体用基板の製造方法は、第２のメッキ表面の欠陥を最小限にした磁気記録媒体用基板を提供できる。
【００４７】
本発明の第３は、上記第２の発明の方法で製造された磁気記録媒体用基板である。
本発明の磁気記録媒体用基板は、図２に示されるように、基板１上に、Ｎｉ−Ｐ下地層３を有し、該下地層上に軟磁性裏打ち層５を有する。なお、図２は、内周および外周を有する円盤状の基板の一部を示す断面図である。
【００４８】
本発明の磁気記録媒体用基板は、（１）ニッケルと、（２）リンおよび／またはホウ素と、任意に、（３）Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、ＷおよびＲｅからなる群から選択される１種またはそれ以上の元素とを含むことができ、その組成としては、例えば、（１）のＮｉを１〜９９ａｔ％、（２）のリンおよび／またはホウ素を１〜９ａｔ％、（３）の元素を０〜９８ａｔ％含むことができる（但し、（１）、（２）および（３）の合計は１００ａｔ％である）。
【００４９】
本発明の磁気記録媒体用基板では、第２のメッキ膜はＮｉ−Ｐ軟磁性裏打ち層、特にリン濃度１〜９ａｔ％である低リン濃度のＮｉ−Ｐ軟磁性裏打ち層が好ましい。このような低リン濃度Ｎｉ−Ｐメッキ膜は、垂直磁気記録媒体用基板の軟磁性裏打ち層として十分な軟磁性特性を有し、組成が簡単であるため管理が容易である。本発明の磁気記録媒体用基板の各層の膜厚等は、垂直磁気記録媒体用基板で用いられるものが適用可能である。
【００５０】
本発明の磁気記録媒体用基板は、メッキ表面の欠陥を最小限に抑えたものである。
【実施例】
【００５１】
（実施例１〜１５）
Ａｌ合金／Ｎｉ−Ｐ基板
内径φ２５ｍｍ、外形φ９５ｍｍ、厚さ１．２７ｍｍのＡｌ−Ｍｇ合金円盤を、従来の条件に従って、アルカリ脱脂、酸エッチング、ジンケート処理を順次行った。次いで、硫酸ニッケル（２５ｇ／Ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（３０ｇ／Ｌ）、クエン酸ナトリウム（３０ｇ／Ｌ）、乳酸ナトリウム（１０ｇ／Ｌ）、グリシン（３０ｇ／Ｌ）からなるメッキ液（硫酸および苛性ソーダでｐＨ４．６に調節し、９０℃に加温したもの）中に９０分浸漬して下地層を形成した。蛍光Ｘ線分析装置を用いて下地層のリン濃度と膜厚を測定した。リン濃度は２１ａｔ％、膜厚は１５μｍであった。
【００５２】
次に、Ｎｉ−Ｐメッキを施した基板の表面を、平均粒径８０ｎｍのアルミナ研磨スラリーと発泡ウレタンパッドを貼った９Ｂ型両面研磨装置（条件：０．５〜１ｍ／秒、９０ｇ／ｃｍ２）で１０分間一次研磨した。次に、平均粒径３０ｎｍのコロイダルシリカと発泡ウレタンパッドを貼った９Ｂ型両面研磨装置（条件：０．５〜１ｍ／秒、９０ｇ／ｃｍ２）を用いて、１５分間二次研磨を行った。得られた基板は、膜厚１１．５μｍのＮｉ−Ｐ下地層を有する鏡面Ａｌ／Ｎｉ−Ｐ基板であった。
【００５３】
前処理
１．活性化工程
Ｎｉ−Ｐ下地層の酸化膜を除去する活性化処理には、塩酸、硫酸、硝酸水溶液のいずれかを用いた。実施例１〜１５で用いた溶液の種類、浸漬時間、活性化処理後のＮｉ−Ｐ下地層表面のニッケル酸化度を表１に示した。活性化処理後、基板を純水（１８ＭΩ）でよく濯いだ。表面のニッケル酸化度を測定するサンプル以外はそのまま次の酸化処理の工程に進めた。表面のニッケル酸化度を測定するサンプルは、エアーブロー乾燥した基板表面をＸＰＳ測定して得られたスペクトルの、８５０ｅＶと８６０ｅＶの吸収強度の位置を直線で結び、これをベースラインとした場合の以下の（Ｉ）および（ＩＩ）の値を基に、式（１）に従って算出した。
（Ｉ）Ａ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５０〜８５５ｅＶ（ニッケルピーク強度）の最大値
（ＩＩ）Ｂ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５５〜８６０ｅＶ（酸化ニッケルピーク強度）の最大値
ニッケル酸化度＝Ｂ／（Ａ＋Ｂ）    （１）
【００５４】
【表１】
2005171268.tif 000003
【００５５】
２．酸化処理
活性化処理を施した基板を、温水または過酸化水素水に浸漬することで、Ｎｉ−Ｐ下地層表面を酸化した。実施例１〜１５における酸化の条件および処理後のニッケル酸化度を表２に示した。酸化処理後、基板を純水（１８ＭΩ）でよく濯いだ。表面のニッケル酸化度を測定するサンプル以外はそのまま次のメッキ工程に進めた。
【００５６】
【表２】
2005171268.tif 000004
【００５７】
３．メッキ処理（第２のメッキ膜の成膜）
前処理の終了した基板を表３に示すメッキ液（表中、メッキ液Ａ〜ＤのＮｉ−Ｐメッキ液では組成としてリン濃度（Ｐ濃度）を示した）に浸漬し、所定のメッキ膜を形成した。メッキ時間は、膜厚が２．５μｍとなるように調製した。各実施例で使用したメッキ液の種類は、後述する表６に示した。
【００５８】
【表３】
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【００５９】
【表４】
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【００６０】
メッキを施した基板を、平均粒径３０ｎｍのコロイダルシリカと発泡ウレタンを貼った両面研磨装置（条件：３０ｒｐｍ、９０ｇ／ｃｍ２）を用いて研磨した。研磨量は、減重で制御し、膜厚に換算して０．５±０．１μｍとなるように研磨した。研磨後の基板を、ＰＶＡスポンジとアルカリ洗剤によるスクラブ洗浄、シャワー水洗、純水ＭＳ浸漬、ＩＰＡベーパー乾燥を順次行うことにより清浄化し、正常な鏡面を有する基板を得た。
【００６１】
（比較例１〜７）
下記表４および５に示す条件でニッケル−リン下地層表面を前処理した後、上記実施例のメッキ液を用いて第２のメッキ膜（Ｎｉ−Ｐメッキ膜）を形成した。表４および５には、それぞれ、処理後のニッケル酸化度を併せて示した。また、各比較例で使用したメッキ液の種類は、後述する表６に示した。
【００６２】
【表５】
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【００６３】
【表６】
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【００６４】
評価
実施例１〜１５および比較例１〜７で得られた基板を、レーザー散乱式欠陥解析装置（システム精工製ＳＤＡ、検出最小径０．２μｍ）を用いて欠陥数を測定した。各実施例および比較例に対して、それぞれ、２０枚（４０面）の基板の欠陥数を測定し、平均の欠陥数を算出した。結果を表６に示す。表６には、各実施例および比較例のメッキ液の種類、生成された膜の組成（実施例１〜１１および比較例はリン濃度のみ）、および、欠陥数を示した。
【００６５】
【表７】
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【００６６】
上記評価結果で欠陥数が１０個／面であれば許容範囲である。実施例１〜１５の基板は全てこの要件を満足し、磁気記録媒体用基板として適用可能であった。本発明の前処理方法および磁気記録媒体用基板の製造方法を用いれば、基板のＮｉ−Ｐ表面が均質化され、第２のメッキ膜の欠陥を最小にすることができる。
【００６７】
一方、従来法である比較例１では、メッキは析出するが、欠陥が多数発生した。活性化処理を行っていない比較例２では、Ｎｉ−Ｐ下地層表面に不動態膜（酸化膜）が残っており、メッキ反応が起こらなかった。比較例３は、活性化処理および酸化処理を行ったが、酸化が不十分であり、Ｎｉ−Ｐ下地層表面に酸化の不均一な箇所があり、欠陥が多数発生した。比較例４および５は、活性化処理および酸化処理を行ったが、酸化が過度であり、Ｎｉ−Ｐ下地層上でメッキが十分に密着せず、フクレが発生した。比較例６は、活性化処理および酸化処理を行ったが、酸化が過度であり、Ｎｉ−Ｐ下地層表面が不動態膜となりメッキ反応が起こらなかった。比較例７は、活性化処理および酸化処理を行ったが、活性化が不十分であり、その後の酸化処理が機能せず、Ｎｉ−Ｐ下地層表面が不均質となり、欠陥が多く発生した。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】ニッケル酸化度の算出の仕方を説明するためのＸＰＳスペクトル図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体用基板の一部を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１    基板
３    下地層
５    第２メッキ膜
【図１】
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【図２】
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