(57)【要約】【課題】  欠陥が少なく、配線膜同士を確実に接続するスルーホール／ビアホールを有する回路基板、およびそれを簡易に形成するための方法を提供する。【解決手段】  基板を貫通するスルーホールまたは有底のビアホールを有する電子部品用の回路基板において、前記スルーホールまたはビアホールに金属導電性材料をエアロゾル・デポジション法により充填する。或いは、基板を貫通するスルーホール若しくは有底のビアホールと、前記スルーホール若しくは前記ビアホールを通る接続膜とを備える電子部品用の回路基板の製造方法であって、エアロゾル・デポジション法で金属導電性材料を充填して接続膜を形成するとともに、前記エアロゾル・デポジション法で導電性金属を成膜して配線膜を形成することにより、前記接続膜と、前記接続膜と導通される配線膜とを連続して形成する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を貫通するスルーホールまたは有底のビアホールを有する電子部品用の回路基板の製造方法であって、前記スルーホールまたは前記ビアホールに金属導電性材料をエアロゾル・デポジション法により充填することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
基板を貫通するスルーホール若しくは有底のビアホールと、前記スルーホール若しくは前記ビアホールを通る接続膜とを備える電子部品用の回路基板の製造方法であって、エアロゾル・デポジション法で金属導電性材料を充填して接続膜を形成するとともに、前記エアロゾル・デポジション法で導電性金属を成膜して配線膜を形成することにより、前記接続膜と、前記接続膜と導通される配線膜とを連続して形成することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項３】
基板を貫通するスルーホール若しくは有底のビアホールと、前記スルーホール若しくは前記ビアホールを通る接続膜と、前記基板の面に沿って配置された配線膜とを備える電子部品用の回路基板であって、前記接続膜の断面において最大径２μｍ超の空孔が縦１０μｍ×横１０μｍの面積当たり０．１個以下であることを特徴とする回路基板。
【請求項４】
基板を貫通するスルーホール若しくは有底のビアホールと、前記スルーホール若しくは前記ビアホールを通る接続膜と、前記基板の面に沿って配置された配線膜とを備える電子部品用の回路基板であって、前記接続膜の断面において、空孔の最大径が２μｍ以下であることを特徴とする回路基板。
【請求項５】
請求項３または４に記載の回路基板であって、前記接続膜と前記配線膜は、導電性材料として組成が異なることを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スルーホールやビアホールを有する、磁気デバイス、電子デバイス、光デバイス等の各種デバイス用の回路基板およびその製造方法に関するものであり、特にスルーホール等への導体膜形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば電子デバイス用の回路基板では、セラミックスなどの単板状基板の表面に、Ａｇ系導電性材料の焼き付け等により形成された回路網や電子部品素子が搭載される電極パッドなどからなる表面配線を配し、裏面にＡｇ系導電性材料の焼き付け等により形成された回路網や端子電極などからなる裏面配線を配し、スルーホールを通じて基板の厚み方向に両配線を接続して所定の回路網を構成する。また、多層基板の場合も、セラミックス基板にスルーホール等を設け、その内壁に導体膜を形成してスルーホール／ビアホール導体を構成し、かかるスルーホール等によって各層に配した回路網を接続する。
【０００３】
スルーホール／ビアホール導体部は、基板に形成された略円形状のスルーホール等と、該スルーホール等の内壁に被着形成されたＡｇ系（Ａｇ単体またはＡｇ−ＰｄなどのＡｇ合金）、Ｃｕ系（Ｃｕ単体またはＣｕ合金）などの内壁導体膜とスルーホール等の周囲に被着されたランド電極とから構成されている。
【０００４】
このような構成のスルーホール／ビアホール導体は、例えば基板の表面に所定形状の表面配線を形成する際に同時に形成していた。即ち、基板の表面に、開口部を含んだ所定の回路パターンを、Ａｇ系導電性ペーストを用いたスクリーン印刷により形成する。これにより、基板の表面には、表面配線となる導体膜が印刷され、同時に、スルーホール等の開口周囲のランド電極となる導体膜及びスルーホール等の内壁面に内壁導体膜となる導体膜が塗布されることになる。その後、焼成してスルーホール等に内壁導体膜やランド電極を焼き付けた後、このスルーホール等の開口部分に、充填用導電性ペーストを充填し、さらに焼き付けることにより表面配線と裏面配線を接続している。
【０００５】
また、別の方法として特許文献１には、いわゆるガスデポジション法による超微粒子膜パターンの形成方法が開示されている。これによれば、回路基板上に金属酸化物からなるマスクを形成し、開口部内に超微粒子を吹き付けて超微粒子膜パターンを形成し、次いで、この超微粒子膜パターンの上面を覆うように、或いは交差するように、例えばＡｌ製の配線パターンを形成する。そしてこのような構造によれば、導電性の超微粒子膜によって多層配線板を形成したり、熱良導体の超微粒子膜によって放熱性バイアホールを形成することができる旨が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平６−９３４１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、スルーホール等の開口径は一般に数十μｍから数百μｍμｍ程度であり、その深さも数十μｍから数百μｍに達するため、印刷法を採用した場合、数μｍの配線膜を印刷するための導電性ペーストおよび印刷条件でかかる大口径のスルーホール等を確実に充填することは困難であった。したがって、このような大口径のスルーホール等を充填しようとする場合、スルーホール等を確実に充填して導通を確保するためには、配線パターンを形成する導電性ペーストとは別に、このスルーホール等の充填のための導電性ペーストが必要であった。さらに、これら導電性ペーストは別々に印刷しなければならないため、配線膜を形成する工程とスルーホール等からなる接続膜を形成する工程は別工程となり、製造プロセスの複雑化・コストの増加を招いていた。また、先に焼き付けしたランド電極を覆うように、スルーホール等に導電性ペーストを充填し、焼き付けを行うため、焼き付けした充填導体のランド電極と先に焼き付けした内壁導体膜との境界部分（スルーホール等のエッヂ部）で亀裂が発生してしまう問題もあった。
【０００８】
さらに、導電性ペーストを用いて形成した膜は、空孔等の欠陥が多く、デバイス化のために研磨等の後加工を施した場合には、欠けが発生しやすいという問題があった。また、かかる空孔等の欠陥の存在は、必要に応じてさらにめっき膜を形成する場合に、めっき液が空孔に進入し、めっき膜の強度が低下するという問題を招来していた。
【０００９】
また、いわゆるガスデポジション法による成膜は、金属を加熱し、蒸発して生成した微粒子を使用するため、原料微粒子の準備に際して金属の加熱蒸発装置を必要とするため装置が複雑化するとともに製造コスト的に不利であった。また、蒸発による微粒子の供給能の制限から、特に大口径・深長なスルーホール等を充填するためには十分な成膜速度を有するとは言えず、さらに高い効率で大口径・深長なスルーホール等を充填できる成膜方法が望まれていた。
【００１０】
本発明は、従来の技術の有する上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、大口径のスルーホール／ビアホールを確実に充填し、簡易にかつ効率的に回路基板を形成するための方法を提供するとともに、欠陥の少ない高品位の回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するための、本発明の第１の発明は、基板を貫通するスルーホールまたは有底のビアホールを有する電子部品用の回路基板の製造方法であって、前記スルーホールまたはビアホールに金属導電性材料をエアロゾル・デポジション法により充填することを特徴とする回路基板の製造方法であり、かかる発明により、大口径または深長のスルーホール等を充填することが可能となる。
【００１２】
さらに第２の発明は、基板を貫通するスルーホール若しくは有底のビアホールと、前記スルーホール若しくは前記ビアホールを通る接続膜とを備える電子部品用の回路基板の製造方法であって、エアロゾル・デポジション法で金属導電性材料を充填して接続膜を形成するとともに、前記エアロゾル・デポジション法で導電性金属を成膜して配線膜を形成することにより、前記接続膜と、前記接続膜と導通される配線膜とを連続して形成することを特徴とする回路基板の製造方法である。かかる発明により、大口径または深長のスルーホール等の充填、配線膜の形成およびこれらの確実な接続を簡易に実現することができる。
【００１３】
さらに第３の発明は、基板を貫通するスルーホール若しくは有底のビアホールと、前記スルーホール若しくは前記ビアホールを通る接続膜と、前記基板の面に沿って配置された配線膜とを備える電子部品用の回路基板であって、前記接続膜の断面において最大径２μｍ超の空孔が縦１０μｍ×横１０μｍの面積当たり０．１個以下であることを特徴とする回路基板であり、かかる発明により、接続膜等に欠陥が少なく、信頼性の高い回路基板を実現することができる。
【００１４】
さらに第４の発明は、基板を貫通するスルーホール若しくは有底のビアホールと、前記スルーホール若しくは前記ビアホールを通る接続膜と、前記基板の面に沿って配置された配線膜とを備える電子部品用の回路基板であって、前記接続膜の断面において、空孔の最大径が２μｍ以下であることを特徴とする回路基板であり、かかる発明により、接続膜等に欠陥が少なく、信頼性の高い回路基板を実現することができる。
【００１５】
さらに第５の発明は、上記第３または第４の発明において、前記接続膜と前記配線膜は、導電性材料として組成が異なることを特徴とする回路基板であり、かかる発明により、高機能かつ信頼性の高い回路基板を実現することができる。
【００１６】
さらに第６の発明は、上記第２の発明おいて、前記スルーホールまたはビアホールを通る接続膜と層に沿って配置されて且つ前記接続膜と導通される配線膜が異なる組成を有することを特徴とする回路基板の製造方法であり、かかる発明により、異なる機能を有する接続膜と配線膜とを簡易かつ確実に接続することができる。
【００１７】
さらに第７の発明は、上記第１、第２または第６の発明のいずれかにおいて、前記スルーホールまたはビアホールの径が０.０５ｍｍ〜５ｍｍの範囲であることを特徴とする回路基板の製造方法であり、かかる発明により、接続膜の欠陥が少なく信頼性の高い回路基板を提供することができる。
【００１８】
さらに第８の発明は、上記第７の発明において、前記スルーホールまたはビアホールの径が０．０５ｍｍ以上１ｍｍ未満であるとともに、成膜に供する金属導電性材料原料粉末の平均粒径が1μｍ未満であることを特徴とする回路基板の製造方法であり、かかる発明により、接続膜の欠陥が少なく信頼性の高い回路基板を提供することができる。
【００１９】
さらに第９の発明は、上記第７の発明において、前記スルーホールまたはビアホールの径が１ｍｍ以上５ｍｍ以下であるとともに、成膜に供する金属導電性材料原料粉末の平均粒径が1μｍ以上５μｍ未満であることを特徴とする回路基板の製造方法であり、かかる発明により、接続膜の欠陥が少ない回路基板を効率よく製造することができる。
【００２０】
さらに第１０の発明は、上記第１、第２、または第６〜第９の発明のいずれかにおいて、前記金属導電性材料は、金、銀、銅、アルミニウムのうち１又は２種以上を主成分とすることを特徴とする回路基板の製造方法であり、かかる発明により、いっそう導電性に優れた接続膜等を有する回路基板を提供することができる。
【００２１】
さらに第１１の発明は、上記第１、第２または第６〜第１０の発明のいずれかにおいて、前記導体膜を金属導電性材料の融点−４００℃から融点−１００℃の温度範囲で熱処理することを特徴とする回路基板の製造方法であり、かかる発明により、簡易な方法で接続膜等を形成しつつ、該接続膜にいっそう高い密着強度を付与することができる。
【発明の効果】
【００２２】
上述のように、導体膜形成方法としてエアロゾル・デポジション法を用いた本発明の回路基板の製造方法によれば、複雑な工程を経ることなく、スルーホール等への金属導電性材料の充填、配線膜の形成およびこれらの連続形成が可能となり、製造工程の簡略化・量産性向上に寄与することとなる。特に、従来の方法では充填が困難であった大口径または深長なスルーホール等であっても確実に充填することが可能となる。また、本発明の接続膜は欠陥が極めて少ないことから、高信頼性・高品位の回路基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明による回路基板の製造方法では、回路基板に形成されたスルーホール／ビアホールに、エアロゾル・デポジション法により導電性金属を充填して接続膜を構成する。さらには、スルーホール／ビアホールの接続膜と基板表面の導体膜を連続に形成させるものである。即ち、エアロゾル・デポジション法により、微粒子の金属からなる導電性材料を回路基板のスルーホール／ビアホールに成膜・充填するとともに、連続的に基板表面にランド電極や配線として用いる導体膜を形成させるものである。なお、回路基板には、セラミックス基板の他、樹脂基板等も用いることができる。また、基板自体が磁気的機能、光学的機能等の物理的機能を発揮するものであっても良いのは言うまでも無い。
【００２４】
エアロゾル・デポジション法とは、微粒子原料をガスと混合してエアロゾル化し、これを細いノズルを通して基板に高速で噴出して成膜する技術である。本発明では、機械的粉砕、化学合成等によって予め作製された微粒子を原料として用いており、金属を加熱し、ガス中で蒸発させ生成した微粒子をそのまま成膜に利用する、いわゆる狭義のガスデポジション法とは区別される。
【００２５】
従来、例えばガスデポジション法は導電パターンの形成等に、エアロゾル・デポジション法は、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などの機能性セラミックス膜の形成等について適用されている。しかし、エアロゾル・デポジション法は成膜速度が極めて速いことから、特に回路基板に設けられるスルーホールや有底のビアホールへの導電性材料の充填に格別な効果を発揮するのである。また、ガスデポジション法では、一般に金属を加熱・蒸発させて生成したサブミクロン以下の超微粒子を成膜に使用するため、形成された膜組織中の酸素等のガス濃度が高くなりやすいとともに、熱応力がかかりやすく、局所的なクラックや欠陥が生じやすいが、微粒子の供給形態が異なるエアロゾル・デポジション法では、これらの影響を抑え、密着性および平坦性に優れた導電膜の形成が可能である。
【００２６】
エアロゾル・デポジション法による導体膜形成方法について、図１の成膜装置の概略構成図を用いて例示する。成膜装置は原料粉末２をエアロゾル化するエアロゾル化室１、成膜室４、その間をつなぐ搬送管３、真空排気用ポンプ５で構成されている。エアロゾル化室１では、金属材料微粒子の原料粉末２が、導入された搬送用ガス９によって舞い上げられてエアロゾル状となる。搬送ガスにはＡｉｒ、Ｎ２、Ｈｅ、Ａｒなどが用いられるが、金属材料微粒子を原料とする場合は、酸化防止のため不活性ガスを用いることが好ましい。原料粉末２はエアロゾル化室１と真空排気された成膜室４の圧力差によって、搬送管３を通じで成膜室４に搬送され、搬送管先端のノズル６より高速で吹き出されて基板８に衝突し、被膜を形成する。搬送ガスはすぐ拡散するが、微粒子の原料粉末２は質量が大きいため衝突した部分にのみ堆積する。スルーホール等への充填の場合、例えばスルーホールの開口部にノズル位置を合わせ、エアロゾル化した原料粉末を一定時間噴射することでスルーホール等を充填する。通常、原料粉末は基板に対して垂直に噴出するが、被成膜部分の形状等に応じて基板に対して所定の角度をもって噴出しても良い。ノズルはスルーホール径と略同一或いはそれ以上の大きさのものを使用することが望ましい。また、基板を移動させることにより配線パターンを形成することができるが、レジストを用いたリソグラフでパターン形成しても良い。スルーホールを有する基板等、必要に応じて反転して逆側の面にも成膜する。
【００２７】
回路基板に設けられるスルーホールや有底のビアホールは、一般的に数十μｍから数百μｍであるが、上述のエアロゾル・デポジション法は１０μｍ以上／分、さらには５０μｍ以上／分の成膜速度が可能であるため、スパッタ法、ＣＶＤ法さらにはガスデポジション法による成膜にくらべて短時間で成膜することが可能である。また、加熱蒸発して生成した金属微粒子を用いるガスデポジション法のように、成膜速度が微粒子の供給能に左右されることがない。したがって、エアロゾル・デポジション法は、スルーホール等を導電性材料で充填する方法として特に有効である。
【００２８】
また、エアロゾル・デポジション法では、スルーホール等の充填後、そのままランド電極を含めた配線膜を連続して形成することができるため、スルーホール等に形成した接続膜と配線膜との不連続性や欠陥の発生を回避し、信頼性の高い回路基板を提供することができる。また、成膜室から基板を取り出すことなく、スルーホール等の充填と配線膜の形成を連続して行うことができるので、工程を簡略化することが可能となる。
【００２９】
さらに、スルーホール等に形成する接続膜と配線膜に使用する導電性材料の組成が異なっていても、組成が同一である場合と同様に、これらを連続して形成することができる。すなわち、エアロゾル化室に投入する導電性材料の種類を変えることで、組成が異なる導電性材料を連続して形成する。したがって、組成が異なる導電性材料を成膜する場合であっても、工程複雑化を回避することができることから、電気抵抗率等の物理的性状、コスト等を考慮した膜構成の設計を容易ならしめる。
【００３０】
また、エアロゾル・デポジション法では室温で導体膜の形成ができるため、導電性ペーストを用いた印刷法で必要とされた焼き付け処理工程が不要になり、低コスト化が図れるとともにスルーホールエッヂ部の亀裂発生が低減できる。なお、必要に応じて基板を加熱して成膜することもできる。
【００３１】
回路基板のスルーホール等の大きさは、回路基板や配線等の設計にも拘束されるが、エアロゾル・デポジション法では、成膜速度が速いうえに、成膜位置をスキャンできるため、広い口径範囲・深さ範囲のスルーホール等の充填に対応することが可能である。特に、導電性ペーストを用いた印刷法では充填が困難な大口径或いは深長なスルーホール等の充填に好適である。本発明においては、スルーホール等の径を０．０５〜５ｍｍの範囲とすることが好ましい。スルーホール等の径が０．０５ｍｍ未満であるとスルーホール等の中に十分に導電性材料が充填されずに巣等の欠陥が発生しやすい。一方、５ｍｍを超えると、例えば基板表面に乗り上げた部分の導体膜を研磨・除去する場合、スルーホール等を充填して形成した接続膜に応力が加わった際に、欠けやクラックが生じやすい。より好ましくは０．５〜３．０ｍｍとすることによって、さらに欠陥の少ない接続膜を形成することできる。スルーホール等の深さは、基板設計において適宜決定されるが、欠陥の低減等信頼性確保の観点からは０．１〜３．０ｍｍが好ましく、より好ましくは０．２〜１．５ｍｍである。なお、スルーホール等の開口形状は、これを特に限定するものではなく、円形の他、楕円形、角形等であっても良い。この場合、短軸径等最短の開口幅をもって本発明におけるスルーホール等の径とする。また、スルーホール等の内壁面は基板表面に対して略垂直であるが、基板との密着性を高めるためには、テーパを付けて、原料粉末の噴射方向に対してスルーホール等の径を小さくすることも有効である。テーパ角θ、すなわち基板に垂直な方向とスルーホール等の内壁面がなす角度は、好ましくは０＜θ≦３０°である。
【００３２】
また、本発明においては、上記スルーホール等の径に応じて、導体膜形成に使用する原料粉末の粒径を選択する。スルーホール等の径が０．０５ｍｍ以上１ｍｍ未満の場合は、導体膜形成に用いる原料粉末の平均粒径は１．０μｍ未満が望ましい。スルーホール等の径が０．０５ｍｍ以上１ｍｍ未満と比較的小さい場合、粒径がかかる範囲を超えると、スルーホール等内に充填することが困難になり、十分な密着強度を有する接続膜が得られない。一方、スルーホール等の径が１ｍｍ以上５ｍｍ以下の場合は、平均粒径は1μｍ以上５μｍ未満が好ましい。平均粒径が１μｍ未満では、成膜効率が落ちるので大口径のスルーホール等を充填するには好ましくない。また、一般に原料粉末は微細になるほど高価になるため、コストの観点からも１μｍ以上の安価な原料粉末を用いることが好ましい。一方、粒径が５μｍ以上となると、エアロゾル化が困難になるとともに緻密な膜が得にくくなり、特に接続膜に比べて膜厚の薄い配線膜を連続して形成する場合に欠陥が多くなる。
【００３３】
また、本発明において、導電材料としては金属材料を用いる。かかる金属材料を用いることによって抵抗成分を抑え、配線・導通線としての機能を十分に発揮することができる。金属導電性材料は基板材種或いは用途に応じて選択できる。ここで、さらに抵抗成分を抑えるために金、銀、銅、アルミニウムのうち１又は２種以上を主成分とする金属導電性材料を用いることが好ましい。また、導電性の他、耐食性、耐はんだ喰われ性等他の機能を付加するために、白金やパラジウム或いはこれらを含む合金を用いることもできる。
【００３４】
本発明に係る導電体膜は成膜直後の状態で十分な密着強度を具備するが、成膜後さらに熱処理を施すことにより導電膜の密着強度をいっそう高めることができる。かかる熱処理は、成膜した金属導電性材料の融点−４００℃から融点−１００℃の温度範囲で行う。熱処理温度をかかる温度に限定したのは、熱処理温度が金属導電性材料の融点−４００℃未満であると熱処理の効果が発揮されず、融点−１００℃を超えると金属材料の溶解、基板との反応が生じるため好ましくないからである。より好ましくは、融点−３００〜融点−２００℃である。
【００３５】
また、本発明では成膜方法としてエアロゾル・デポジション法を用いるが、該成膜方法を適用することによって非常に緻密な膜を形成することができる。すなわち、エアロゾル・デポジション法を適用することで、基板に形成した接続膜の断面において、最大径２μｍ超の空孔を縦１０μｍ×横１０μｍの面積当たり０．１個以下とすることが可能である。なお、空孔の形状の最大幅をもって最大径とし、１０００倍の断面観察において縦１０μｍ×横１０μｍの正方形の視野１０箇所について空孔を計数し、その平均をもって空孔数とした。接続膜中の空孔をかかる範囲とすることで、基板との高い密着性を確保し、成膜後に研磨等の加工を施した場合でも、欠けの発生を抑えることができる。
【００３６】
また、エアロゾル・デポジション法を適用することで、基板に形成した接続膜の断面において、空孔の最大径が２μｍ以下とすることができる。接続膜中の空孔をかかる範囲とすることで、成膜後に研磨等の加工を施した場合でも、欠け等の粗大な欠陥の発生を抑えることができる。上記空孔の最大径はより好ましくは１μｍ以下である。
【００３７】
さらに、エアロゾル・デポジション法では接続膜と配線膜を連続して形成することが可能であるため、特に接続膜と配線膜とで組成が異なる場合に、その接合部分において欠陥の少ない基板を得ることができる。接続膜と配線膜とではその機能の相違に起因して異なる材料特性が要求される場合がある。しかし、例えば、印刷法或いは印刷法とめっき法で接続膜と配線膜を組成の異なる金属導電材料で構成する場合、それぞれの膜を別工程で形成する必要があり、かかる場合には膜界面に亀裂等の欠陥が生じやすく、信頼性の高い基板を得ることが困難である。これに対し、エアロゾル・デポジション法で接続膜と配線膜を組成の異なる金属導電性材料で連続形成した場合、それぞれの膜のみならずその界面も欠陥の少ないものとすることができる。したがって、かかる接続膜と配線膜の構成を採用することで、高信頼性と高機能を併せ持った回路基板を提供することができる。
【００３８】
以下、本発明について図を参照しつつ実施例によって具体的に説明するが、これら実施例により本発明が限定されるものではない。
【実施例１】
【００３９】
まず厚さ０．８ｍｍのセラミック基板１００に径３ｍｍのスルーホール１０１を形成した(図２(ａ))。
【００４０】
次に、スルーホール１０１が形成されたセラミック基板１００の裏面にダイシング用テープ１０４を貼り付けた（図２(ｂ)）。
【００４１】
ダイシング用テープ１０４を裏面に貼り付けたセラミック基板１００をエアロゾル・デポジション法による成膜装置（図１）のステージ（基板ホルダー）８にセラミック基板１００の表面が下向きになるように固定した。
【００４２】
エアロゾル化室１に原料粉末２として平均粒径が１μｍの銀の微粒子を配し、搬送用ガス９にはＮ２を準備した。また、ノズル６は幅５．０ｍｍ×スロット幅０．５ｍｍのものを用いた。
【００４３】
基板と原料粉末、ノズルをセットした後、成膜室４とエアロゾル化室１をロータリーポンプで真空排気（荒引き）し、さらにメカニカルブースターポンプで排気した。このときの真空度は、１×１０−１Ｐａであった。さらに、エアロゾル化室１を振動させるとともに搬送用ガス９のＮ２をエアロゾル化室１に導入して銀の微粒子をエアロゾル化した後、搬送管３より成膜室４に搬送した。このときステージ（基板ホルダー）８をスルーホール１０１の径より若干広くスキャンさせ、スルーホール１０１内を銀の微粒子で充填した。
【００４４】
さらに、ステージ（基板ホルダー）８のスキャン幅を広げ、セラミック基板１００の表面に銀の微粒子による導電膜を形成する（図２(ｃ)）。なお、これらの成膜に要した時間は１１分であった。
【００４５】
導電膜形成後スルーホール１０１内に銀の微粒子で導電膜が形成されたセラミック基板１００の裏面のダイシング用テープ１０４を剥がした。次にセラミック基板１００の表面をステージ（基板ホルダー）８に合わせてセラミック基板を固定した。
【００４６】
表面と同様にセラミック基板１００表面に銀の微粒子による導電膜を形成して、スルーホールに形成した接続膜を介して表面配線と裏面配線が電気的に接続された回路基板を得た（図２(ｄ)）。
【００４７】
次に、セラミック基板の両面に研摩処理を施した（図２(ｅ)）。こうして得られた基板のスルーホール接続膜１１の断面研磨写真を図３に、さらに図３の写真の要部を模写した模式図を図４に示す。また、比較例として銀ペーストをスクリーン印刷した後、８００℃で焼付けして得られた印刷法による導体膜の断面研磨写真を図５に、さらに図５の写真の要部を模写した模式図を図６に示す。図３から明らかなように、エアロゾル・デポジション法によって得られた導体膜は、印刷法によって得られたそれに比べて非常に緻密であり、空孔１３も極めて少ない。また、表面１２も平坦に形成することができた。なお、エアロゾル・デポジション法により形成した場合における縦１０μｍ×横１０μｍの面積当たりの最大径２μｍ超の空孔数は０．１個であった。すなわち、エアロゾル・デポジション法により最大径２μｍ超の粗大な空孔の数を大幅に低減し、その数を０．１個以下とすることが可能であることがわかる。一方、比較例の導電膜１５は、縦１０μｍ×横１０μｍの面積当たりの最大径２μｍ超の空孔１８、１９の数は１．１個であった。なお、導体膜１５は基板１６上に成膜したものとした。符号１７は組織観察用樹脂であり、比較例の導体膜１５の表面に積層したものである。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明のエアロゾル・デポジション法による成膜装置の概略図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は本発明によるスルーホールへの導体膜形成方法を示す基板の概略断面図である。
【図３】本発明のスルーホール接続膜の断面を観察した光学顕微鏡写真である。
【図４】図３の写真の要部を模写した模式図である。
【図５】比較例のスルーホール接続膜の断面を観察した光学顕微鏡写真である。
【図６】図５の写真の要部を模写した模式図である。
【符号の説明】
【００４９】
１エアロゾル化室、  ２原料粉末、  ３搬送管、  ４成膜室、  ５真空ポンプ、
６ノズル、  ７ステージ（基板ホルダー）、  ８基板、  ９搬送ガス、
１１スルーホール接続膜、  １２膜表面、  １３空孔、
１５導体膜、  １６基板、  １７組織観察用樹脂、  １８空孔、  １９空孔、
１００セラミックス基板、  １０１スルーホール、  １０３充填導体膜、
１０４ダイシング・テープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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