(57)【要約】【課題】  光メモリ素子の製造方法を、クリーニング工程という不必要で、労力や時間のかかる工程を不要とし、製造効率を高め、自動化や量産に適するものとする。【解決手段】  クラッド層２及びコア層３を複数積層してなる光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法を、基板上に光硬化性樹脂からなるクラッド材２又はコア材３を塗布する工程と、光硬化性樹脂２，３を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパ１３をラミネートする工程と、光を照射してクラッド材２又はコア材３を硬化させ、凹凸を有するクラッド層２又はコア層３を形成する工程とを含み、ラミネート工程の前に、基板周縁部上に塗布されたクラッド材２又はコア材３を除去する工程を備えるものとする。【選択図】        図１
2005091915.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラッド層及びコア層を複数積層してなる光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法であって、
基板上に光硬化性樹脂からなるクラッド材又はコア材を塗布する工程と、前記光硬化性樹脂を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパをラミネートする工程と、光を照射して前記クラッド材又は前記コア材を硬化させ、凹凸を有するクラッド層又はコア層を形成する工程とを含み、
前記ラミネート工程の前に、前記基板周縁部上に塗布されたクラッド材又はコア材を除去する工程を備えることを特徴とする、光メモリ素子の製造方法。
【請求項２】
クラッド層及びコア層を複数積層してなる光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法であって、
硬質基板上に光硬化性樹脂からなるクラッド層を形成する工程と、
前記クラッド層上に光硬化性樹脂からなるコア材を塗布する工程と、
前記基板周縁部上に塗布されたコア材を除去する工程と、
前記コア材上に、表面に凹凸パターンを有し、前記コア材を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパをラミネートする工程と、
前記光透過性スタンパの裏面側から光を照射して前記コア材を硬化させ、凹凸を有するコア層を形成する工程とを含むことを特徴とする、光メモリ素子の製造方法。
【請求項３】
クラッド層及びコア層を複数積層してなる光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法であって、
硬質基板上に光硬化性樹脂からなるコア層を形成する工程と、
前記コア層上に光硬化性樹脂からなるクラッド材を塗布する工程と、
前記基板周縁部上に塗布されたクラッド材を除去する工程と、
前記クラッド材上に、表面に凹凸パターンを有し、前記クラッド材を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパをラミネートする工程と、
前記光透過性スタンパの裏面側から光を照射して前記クラッド材を硬化させ、凹凸を有するクラッド層を形成する工程とを含むことを特徴とする、光メモリ素子の製造方法。
【請求項４】
クラッド層及びコア層を複数積層してなる光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法であって、
硬質基板上に基体を接着する基体接着工程と、
前記基体上に前記クラッド層及び前記コア層を順次積層して所望の積層数を有する積層体を形成する積層体形成工程と、
前記硬質基板から前記基体と前記積層体とを一体として分離する積層体分離工程とを含み、
前記積層体形成工程が、
光硬化性樹脂からなるクラッド層を形成する工程と、
前記クラッド層上に光硬化性樹脂からなるコア材を塗布する工程と、
前記基板周縁部上に塗布されたコア材を除去する工程と、
前記コア材上に、表面に凹凸パターンを有し、前記光硬化性樹脂を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパをラミネートする工程と、
前記光透過性スタンパの裏面側から光を照射して前記コア材を硬化させ、凹凸を有するコア層を形成する工程と、
前記凹凸を有するコア層から前記光透過性スタンパを分離する工程とを含むことを特徴とする、光メモリ素子の製造方法。
【請求項５】
クラッド層及びコア層を複数積層してなる光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法であって、
硬質基板上に基体を接着する基体接着工程と、
前記基体上に前記クラッド層及び前記コア層を順次積層して所望の積層数を有する積層体を形成する積層体形成工程と、
前記硬質基板から前記基体と前記積層体とを一体として分離する積層体分離工程とを含み、
前記積層体形成工程が、
光硬化性樹脂からなるコア層を形成する工程と、
前記コア層上に光硬化性樹脂からなるクラッド材を塗布する工程と、
前記基板周縁部上に塗布されたクラッド材を除去する工程と、
前記クラッド材上に、表面に凹凸パターンを有し、前記光硬化性樹脂を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパをラミネートする工程と、
前記光透過性スタンパの裏面側から光を照射して前記クラッド材を硬化させ、凹凸を有するクラッド層を形成する工程と、
前記凹凸を有するクラッド層から前記光透過性スタンパを分離する工程とを含むことを特徴とする、光メモリ素子の製造方法。
【請求項６】
クラッド層及びコア層を複数積層してなる光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法であって、
硬質基板上にクラッド材を塗布する工程と、
前記基板周縁部上に塗布されたクラッド材を除去する工程と、
前記クラッド材を硬化させてクラッド層を形成する工程と、
前記硬質基板及び前記クラッド層上に光硬化性樹脂からなるコア材を塗布する工程と、
前記コア材上に、表面に凹凸パターンを有し、前記コア材を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパをラミネートする工程と、
前記光透過性スタンパの裏面側から光を照射して前記コア材を硬化させ、凹凸を有するコア層を形成する工程とを含むことを特徴とする、光メモリ素子の製造方法。
【請求項７】
前記コア材塗布工程の後に、前記基板周縁部上に塗布されたコア材を除去する工程を含むことを特徴とする、請求項６記載の光メモリ素子の製造方法。
【請求項８】
クラッド層及びコア層を複数積層してなる光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法であって、
硬質基板上にコア材を塗布する工程と、
前記基板周縁部上に塗布されたコア材を除去する工程と、
前記コア材を硬化させてコア層を形成する工程と、
前記硬質基板及び前記コア層上に光硬化性樹脂からなるクラッド材を塗布する工程と、
前記クラッド材上に、表面に凹凸パターンを有し、前記クラッド材を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパをラミネートする工程と、
前記光透過性スタンパの裏面側から光を照射して前記クラッド材を硬化させ、凹凸を有するクラッド層を形成する工程とを含むことを特徴とする、光メモリ素子の製造方法。
【請求項９】
前記クラッド材塗布工程の後に、前記基板周縁部上に塗布されたクラッド材を除去する工程を含むことを特徴とする、請求項８記載の光メモリ素子の製造方法。
【請求項１０】
クラッド層及びコア層を複数積層してなる光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法であって、
基板上に光硬化性樹脂からなるクラッド材又はコア材を塗布する工程と、前記光硬化性樹脂を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパをラミネートする工程と、光を照射して前記クラッド材又は前記コア材を硬化させ、凹凸を有するクラッド層又はコア層を形成する工程とを含み、
前記ラミネート工程の後に、前記基板のエッジよりも外側にはみ出した前記光硬化性樹脂のはみ出し部を除去する工程を備えることを特徴とする、光メモリ素子の製造方法。
【請求項１１】
クラッド層及びコア層を複数積層してなる光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法であって、
硬質基板上に光硬化性樹脂からなるクラッド層を形成する工程と、
前記クラッド層上に光硬化性樹脂からなるコア材を塗布する工程と、
前記コア材上に、表面に凹凸パターンを有し、前記コア材を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパをラミネートする工程と、
前記基板のエッジよりも外側にはみ出した前記コア材のはみ出し部を除去する工程と、
前記光透過性スタンパの裏面側から光を照射して前記コア材を硬化させ、凹凸を有するコア層を形成する工程とを含むことを特徴とする、光メモリ素子の製造方法。
【請求項１２】
クラッド層及びコア層を複数積層してなる光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法であって、
硬質基板上に光硬化性樹脂からなるコア層を形成する工程と、
前記コア層上に光硬化性樹脂からなるクラッド材を塗布する工程と、
前記クラッド材上に、表面に凹凸パターンを有し、前記クラッド材を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパをラミネートする工程と、
前記基板のエッジよりも外側にはみ出した前記クラッド材のはみ出し部を除去する工程と、
前記光透過性スタンパの裏面側から光を照射して前記クラッド材を硬化させ、凹凸を有するクラッド層を形成する工程とを含むことを特徴とする、光メモリ素子の製造方法。
【請求項１３】
クラッド層及びコア層を複数積層してなる光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法であって、
硬質基板上に基体を接着する基体接着工程と、
前記基体上に前記クラッド層及び前記コア層を順次積層して所望の積層数を有する積層体を形成する積層体形成工程と、
前記硬質基板から前記基体と前記積層体とを一体として分離する積層体分離工程とを含み、
前記積層体形成工程が、
光硬化性樹脂からなるクラッド層を形成する工程と、
前記クラッド層上に光硬化性樹脂からなるコア材を塗布する工程と、
前記コア材上に、表面に凹凸パターンを有し、前記コア材を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパをラミネートする工程と、
前記基板のエッジよりも外側にはみ出した前記コア材のはみ出し部を除去する工程と、
前記光透過性スタンパの裏面側から光を照射して前記コア材を硬化させ、凹凸を有するコア層を形成する工程と、
前記凹凸を有するコア層から前記光透過性スタンパを分離する工程とを含むことを特徴とする、光メモリ素子の製造方法。
【請求項１４】
クラッド層及びコア層を複数積層してなる光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法であって、
硬質基板上に基体を接着する基体接着工程と、
前記基体上に前記クラッド層及び前記コア層を順次積層して所望の積層数を有する積層体を形成する積層体形成工程と、
前記硬質基板から前記基体と前記積層体とを一体として分離する積層体分離工程とを含み、
前記積層体形成工程が、
光硬化性樹脂からなるコア層を形成する工程と、
前記コア層上に光硬化性樹脂からなるクラッド材を塗布する工程と、
前記クラッド材上に、表面に凹凸パターンを有し、前記クラッド材を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパをラミネートする工程と、
前記基板のエッジよりも外側にはみ出した前記クラッド材のはみ出し部を除去する工程と、
前記光透過性スタンパの裏面側から光を照射して前記クラッド材を硬化させ、凹凸を有するクラッド層を形成する工程と、
前記凹凸を有するクラッド層から前記光透過性スタンパを分離する工程とを含むことを特徴とする、光メモリ素子の製造方法。
【請求項１５】
前記除去工程において、前記クラッド材又は前記コア材を洗浄、拭き取り、吸い取り又は吹き飛ばしによって除去することを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の光メモリ素子の製造方法。
【請求項１６】
前記除去工程において、前記光硬化性樹脂材のはみ出し部を洗浄、拭き取り、吸い取り又は吹き飛ばしによって除去することを特徴とする、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の光メモリ素子の製造方法。
【請求項１７】
前記塗布工程において、前記光硬化性樹脂材をスピンコート法によって塗布することを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の光メモリ素子の製造方法。
【請求項１８】
前記光透過性スタンパが、アライメントマークを備え、
前記ラミネート工程で、前記アライメントマークにより前記光透過性スタンパの位置合わせを行なうことを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の光メモリ素子の製造方法。
【請求項１９】
前記基板又は前記基体が、アライメントマークを備え、
前記ラミネート工程で、前記光透過性スタンパのアライメントマークと前記基板又は前記基体のアライメントマークとにより前記基板又は前記基体と前記光透過性スタンパとの間の位置合わせを行なうことを特徴とする、請求項１８記載の光メモリ素子の製造方法。
【請求項２０】
前記光透過性スタンパのアライメントマークが孔であり、
前記孔に挿通しうるピンを有し、前記基体を所定位置に載置するテーブルを備え、
前記ラミネート工程で、前記ピンに前記孔を挿通することにより前記光透過性スタンパの位置合わせを行なうことを特徴とする、請求項１８記載の光メモリ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光メモリ素子の製造方法に関し、特に、多層構造の光メモリ素子を製造するのに用いて好適の光メモリ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大容量の多層構造の光メモリ素子（多層光メモリ）を容易かつ安価に製造できるようにし、凹凸パターンを簡易に形成できるようにすべく、コア層及びクラッド層を樹脂により形成することが提案されている。
このような樹脂製の多層光メモリは、例えば、樹脂フィルム等の基体上に、樹脂製のコア層、及び、スタンパの凹凸パターンを転写された樹脂製のクラッド層を順に積層させて作製される。
【０００３】
この場合、例えばニッケルＮｉなどの金属からなる金属製スタンパ（ニッケル製スタンパ）を用いるのが一般的である。
しかしながら、このような金属製スタンパは、一般に高価であり、また、このような金属製スタンパを用いて樹脂製の光メモリ素子を製造する場合、金属製スタンパの保守・管理やクリーニング等の負担は大きい。
【０００４】
また、例えば、コア材やクラッド材を光硬化性樹脂とする場合、この金属製スタンパは光硬化性樹脂を硬化させるための光を透過しないため、コア層の表面に塗布されたクラッド材に金属製スタンパの凹凸パターンを転写する際には、この硬化させたいクラッド材に基体としての樹脂フィルム側（金属製スタンパの反対側）から光を照射しなければならない。
【０００５】
このように金属製スタンパを用いる場合には、基体としての樹脂フィルム側から光を照射することになるため、多層構造の光メモリ素子を製造する場合、前の工程で光を照射することにより硬化させて積層されている光硬化性樹脂層を透過した光（透過光）が、今回の工程で光を照射して硬化させたい光硬化性樹脂に照射されることになる。このため、既に光を照射して硬化させた光硬化性樹脂層に光が吸収されてしまい、特に積層数を増やせば増やすほど、今回の工程で硬化させたい光硬化性樹脂に光を照射するのが難しくなり、これにより、光硬化性樹脂に金属製スタンパの凹凸パターンを転写するのが困難になる。
【０００６】
また、積層数を増やしていくとクラッド層及びコア層を積層した積層体の膜厚が厚くなって撓みにくくなり、さらに金属製スタンパも撓みにくいため、クラッド層及びコア層を積層させていく際に、クラッド層及びコア層からなる積層体を金属製スタンパから剥離（分離）するのが難しくなる。
このため、光メモリ素子の大容量化を実現すべく積層数を増やそうとしても、今回の工程で硬化させたい光硬化性樹脂に確実に光を照射して硬化させるようにする一方、クラッド層及びコア層からなる積層体を金属製スタンパから剥離（分離）しやすくするためには、積層できる層数に限界があるため、上述のような製造方法では所定積層数（例えば２〜３層）以上積層させるのは難しく、連続して所望の積層数（例えば１００層程度）だけ積層させるのは困難である。
【０００７】
この場合、樹脂フィルム等の基体上にクラッド層及びコア層をそれぞれ２〜３層ずつ合計４〜６層積層した積層体を複数作製し、これらの積層体を積み重ねて接着することで、所望の積層数（例えば１００層程度）だけ積層させた多層構造の光メモリ素子を製造することになる。
しかしながら、この場合、クラッド層及びコア層からなる積層体を作製したら、これを金属製スタンパから剥離（分離）する必要があるため、複数の積層体のそれぞれに樹脂フィルム等の基体を貼り着けることが必要になる。このため、当然のことながら、樹脂フィルム等の基体を貼り着けた複数の積層体を接着して製造される光メモリ素子の厚さは樹脂フィルム等の基体の分だけ厚くなってしまうため、光メモリ素子の薄型化（小型化）の点からは好ましくない。
【０００８】
また、このような光メモリ素子の製造方法では、クラッド層及びコア層をそれぞれ２〜３層ずつ合計４〜６層積層した積層体の作製の際にも、積層体同士を積み重ねて接着する際にも、それぞれ位置合わせが必要になる等、手間と時間がかかり、製造工程の効率化を図る点では好ましくない。
そこで、光メモリ素子の製造工程（特に、コア層及びクラッド層を積層する工程）の効率化，簡略化を図り、また、反りの発生を抑制し、コア層及びクラッド層からなる積層体のスタンパからの剥離（分離）を容易にしながら、大容量化を実現すべく積層数を増やして多層化できるようにすべく、本発明者らは、クラッド材又はコア材を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパを用いて多層構造の光メモリ素子を製造することを提案している（特許文献１参照）。
【０００９】
このような光透過性スタンパを用いて光メモリ素子を製造する場合、例えば、コア層又はクラッド層を形成すべく光硬化性樹脂材（クラッド材又はコア材）を塗布し、その上に光透過性スタンパをラミネートした後、光を照射して光硬化性樹脂材を硬化させ、光透過性スタンパを剥離して、光透過性スタンパの凹凸パターンをコア層又はクラッド層となる光硬化性樹脂材に転写することになる。
【特許文献１】特開２００２−１２０２８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上述のように、光透過性スタンパを用いる場合、コア層又はクラッド層を形成すべく光硬化性樹脂材を塗布した後に光透過性スタンパをラミネートすることになるが、光透過性スタンパのラミネートは、例えばロールによって光透過性スタンパを光硬化性樹脂材に対して押し付けて加圧しながら行なわれるため、この圧力（ラミネート圧）が原因となって、基板上に塗布された光硬化性樹脂材が基板のエッジよりも外側へはみ出してしまうことになる［図５（Ｂ）参照］。
【００１１】
このような「はみ出し」は、樹脂材の塗布方法として、スピンコート法、ダイコート法、ブレードコート法、グラビアコート法等のいずれの方法を用いても生じてしまうが、特にスピンコート法を用いる場合に顕著である。
つまり、図５（Ａ）に示すように、スピンコート法により樹脂材１００を基板１０１上に塗布する場合、遠心力や表面張力により、基板１０１のエッジ近傍の膜厚が基板１０１の中央部に比べて厚くなってしまい、この膜厚が厚くなった部分が、光透過性スタンパ１０２をラミネートすると、図５（Ｂ）に示すように、基板１０１のエッジよりも外側へ押し出されてはみ出してしまうことになる。この場合、基板１０１のエッジ近傍で膜厚が厚くなっている分だけ、光透過性スタンパ１０２をラミネートしたときに基板１０１のエッジから外側へはみ出す樹脂材１００の量が多くなり、樹脂材１００のはみ出し部１００Ａの大きさが大きくなってしまう。
【００１２】
このように樹脂材１００がはみ出してはみ出し部１００Ａができると、光透過性スタンパ１０２を剥離（分離）させるのが困難になり、たとえ剥離できたとしても、図５（Ｃ）に示すように、光透過性スタンパ１０２の剥離時にはみ出し部１００Ａの一部が折れて、破片１００Ｂが光透過性スタンパ１０２に付着してしまうことになる。この場合、光透過性スタンパ１０２に付着した破片１００Ｂを取り除く工程（クリーニング工程）が余分に必要になる。例えば、クリーニング工程では、例えば粘着テープを用いて、破片１００Ｂが飛散しないように注意しながら光透過性スタンパ１０２から破片１００Ｂを取り除くことが考えられるが、労力を要し、時間もかかる。また、光メモリ素子の製造工程の自動化や量産を困難にする一因でもある。
【００１３】
また、図５（Ｃ）に示すように、はみ出し部１００Ａが光透過性スタンパ１０２を剥離する際に折れずに光メモリ素子に残ってしまう場合もあり、はみ出し部１００Ａは脆いため、その後の製造工程中に折れて、細かい破片となって飛散し、その破片が光メモリ素子に混入してしまい、光メモリ素子の欠陥の原因になる。
さらに、図５（Ｃ）に示すように、はみ出し部１００Ａが折れずに残っていると、その後に他の層を積層させる際に、このはみ出し部１００Ａの上にも他の層が形成され、さらに外側にはみ出してしまうことになり、積層を繰り返すことによって次第にはみ出し部１００Ａが成長してしまうことになる。この場合、積層数が増えるにしたがって、実質的な基板サイズは大きくなってしまい、サイズが所定のものとならない。
【００１４】
また、このように実質的な基板サイズが大きくなってしまうと、取り扱いが困難になる。つまり、基板サイズが変わると、基板のハンドリング条件が変わってしまうため、装置間の基板の搬送に不具合が生じてしまう。また、基板のエッジ部で、基板の位置検出を行なっている場合には、位置検出が不正確になってしまい、アライメント誤差が増加してしまうことになる。
【００１５】
なお、はみ出し部１００Ａができてしまった場合、これを切り落とす等の処理を行なうことは、現実的でないし、上述の光透過性スタンパに破片が付着してしまうことによる課題は解決できない。
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、労力や時間のかかるクリーニング工程が不必要となり、製造効率を高め、自動化や量産に適するものとした、光メモリ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
このため、本発明の光メモリ素子の製造方法は、クラッド層及びコア層を複数積層してなる光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法であって、基板上に光硬化性樹脂からなるクラッド材又はコア材を塗布する工程と、光硬化性樹脂を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパをラミネートする工程と、光を照射してクラッド材又はコア材を硬化させ、凹凸を有するクラッド層又はコア層を形成する工程とを含み、ラミネート工程の前に、基板周縁部上に塗布されたクラッド材又はコア材を除去する工程を備えることを特徴としている。
【００１７】
特に、除去工程において、クラッド材又はコア材を洗浄、拭き取り、吸い取り又は吹き飛ばしによって除去するのが好ましい。
また、本発明の光メモリ素子の製造方法は、クラッド層及びコア層を複数積層してなる光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法であって、基板上に光硬化性樹脂からなるクラッド材又はコア材を塗布する工程と、光硬化性樹脂を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパをラミネートする工程と、光を照射してクラッド材又はコア材を硬化させ、凹凸を有するクラッド層又はコア層を形成する工程とを含み、ラミネート工程の後に、基板のエッジよりも外側にはみ出した光硬化性樹脂のはみ出し部を除去する工程を備えることを特徴としている。
【００１８】
特に、除去工程において、光硬化性樹脂材のはみ出し部を洗浄、拭き取り、吸い取り又は吹き飛ばしによって除去するのが好ましい。
また、塗布工程において、光硬化性樹脂材をスピンコート法によって塗布するのが好ましい。
さらに、光透過性スタンパが、アライメントマークを備え、ラミネート工程で、アライメントマークにより光透過性スタンパの位置合わせを行なうのも好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
以上詳述したように、本発明の光メモリ素子の製造方法によれば、光透過性スタンパをラミネートする際に生じるはみ出し部を、予め生じないようにし、又は、生じてしまった後、硬化する前に除去するため、労力や時間のかかるクリーニング工程が不要となり、この結果、製造効率を高め、自動化や量産に適する光メモリ素子の製造工程を実現できることになるという利点がある。また、光透過性スタンパを剥離する際にははみ出し部がないため、光透過性スタンパを容易に剥離（分離）させることができるようになるという利点もある。さらに、光透過性スタンパを剥離する際にははみ出し部がないため、はみ出し部が折れて光メモリ素子に破片が混入してしまうようなことがなく、光メモリ素子の品質を向上させることができるという利点もある。また、はみ出し部がないため、他の層を積層させていく際にサイズが大きくなってしまうようなことがなく、所定のサイズの光メモリ素子を正確、かつ、確実に製造することができるという利点もある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の一実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
（１）光透過性スタンパの構成等
まず、本実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法では、以下のような構造を有する光透過性スタンパを用いる。つまり、本光メモリ素子の製造方法において用いられる光透過性スタンパ（光メモリ素子作製用スタンパ）は、例えば図３に示すように、表面に結像させたい画像（情報）に応じた所望の凹凸パターン（凹凸形状；ピット）を刻まれたスタンパ面を有するスタンパ層としてのクラッド層１０と、接着層としてのコア層１１と、ベース（基体，ベース層，基体層）としての樹脂フィルム（樹脂フィルム層，樹脂製基体層，ベースフィルム層）１２とを備える３層構造となっており、クラッド層１０にコア層１１を介して樹脂フィルム１２が接着されて構成される。
【００２１】
ここでは、光透過性スタンパ１３は、光メモリ素子を製造する際にコア材又はクラッド材を硬化させるために照射する光（例えば紫外線）を透過しうる可撓性を有する樹脂製のフィルム状スタンパ（フィルムスタンパ）として構成される。
また、この光透過性スタンパ１３には、その端部にアライメントマーク（位置決め部，位置決めマーク；例えば画像認識可能なアライメントマーク）が形成されている。そして、後述するように、光メモリ素子を製造する際に、この光透過性スタンパ１３のアライメントマークと、後述するベースフィルム（基体）又は基板に形成されるアライメントマーク（位置決め部，位置決めマーク；例えば画像認識可能なアライメントマーク）と重ね合わせることで（例えばＣＣＤカメラ等の受像機を用いた画像認識的な手法によって行なう）、光透過性スタンパ１３を載置（ラミネート）する際の位置合わせを、簡単に、かつ、正確に行なえるようになっている。
【００２２】
なお、光透過性スタンパ１３の位置合わせは、これに限られるものではない。
例えば、光透過性スタンパ１３の端部に複数の孔（パンチ孔，ピン孔，アライメントマーク，位置決め部，位置決め孔）を設ける。また、ベースフィルムを所定位置に載置するテーブル上に、これらの複数の孔に挿通しうる複数のピン（位置決めピン，位置決め部材）を設け、これらの複数のピンに複数の孔を差し込むことで、光透過性スタンパ１３の位置決めを機械的に行なうようにしても良い。
【００２３】
この場合、予め、この光透過性スタンパ１３の位置決めに用いる複数のピンの位置を基準にしてベースフィルムの位置合わせを行なって、ベースフィルムをテーブル上の所定位置に載置させておき、このようにして位置決めされたベースフィルム上に、ピンに対して孔を差し込みながら光透過性スタンパ１３を載置すれば良い。なお、ベースフィルムの位置合わせは、種々の方法によって行なうことができ、例えばＣＣＤカメラ等の受像機を用いた画像認識的な手法によって行なえば良い。
【００２４】
これによれば、上述のように、例えば光透過性スタンパ１３上に画像認識可能なアライメントマークを設ける場合には、このアライメントマーク部分には紫外線が照射されないようにするため、接着層のアライメントマークに相当する部分が十分に硬化しないまま、光透過性スタンパ１３が剥離されることになるのに対し、このような不十分な硬化部分ができないようにすることができる。
【００２５】
なお、ここでは、コア層（コア材）１１やクラッド層（クラッド材）１０という用語を用いているが、これらは単に後述するような光メモリ素子を構成するコア層（コア材）やクラッド層（クラッド材）と同様の樹脂を用い、光メモリ素子を製造する場合と同様の方法で塗布したり、硬化させたりするようにして、材料や製造設備を共用しているため、便宜上、このような用語を用いているにすぎず、光メモリ素子のように所定の屈折率のコア層（コア材）及びクラッド層（クラッド材）を用いることを意味するものではない。
【００２６】
なお、その他の光透過性スタンパの具体的な構成，製造方法，作用・効果等については、特開２００２−１２０２８６号公報に記載されているものと同じである。
（２）光メモリ素子の製造方法及びこの製造方法により製造される光メモリ素子
次に、このような光透過性スタンパ１３を用いて、コア層とクラッド層との界面のパターニングを行ないながら、コア層及びクラッド層を積層させて光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法について、図１を参照しながら説明する。
【００２７】
本実施形態では、光硬化性樹脂材（ここではクラッド材）の塗布後であって、光透過性スタンパをラミネートする工程の前に、基板周縁部上に塗布された光硬化性樹脂材を除去する除去工程を含む点に特徴がある。
なお、本実施形態では、クラッド層に光透過性スタンパ（樹脂スタンパ，フィルムスタンパ）をラミネートして凹凸パターンを転写（これをクラッド転写，クラッド転写法という）するようにしている。また、本実施形態では、まずガラス等の基板（≠基体）上に薄膜基体を設け、その上に樹脂製コア層と樹脂製クラッド層を積層させていく。最後に、その上に薄膜基体を設けて、サンドイッチ構造を完成した状態で、基板から薄膜基体にサンドイッチされた構造の光メモリ素子を剥離するようにしている。
【００２８】
始めに、図１（Ａ）に示すように、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、例えばスピンコート法によって、所定の膜厚（例えば完全硬化時に約５μｍ）となるようにクラッド材（液状クラッド樹脂）２Ｘを塗布する。
このクラッド材２Ｘとしては、本実施形態では、紫外線（ＵＶ光）を照射することにより硬化する紫外線硬化性樹脂材（ＵＶ樹脂材，光硬化性樹脂材）から成るものを使用し、このように光メモリ素子作製用ベース基板２１の表面上へ塗布した後、紫外線を照射して完全に硬化させることで樹脂製のクラッド層２Ｘを形成する。なお、クラッド層２Ｘとして機能する所望の樹脂材を溶媒に溶解したものを塗布・乾燥させる手法を採っても良い。
【００２９】
ここでは、光メモリ素子作製用ベース基板２１として、例えば数ｍｍ厚のガラス基板，ポリカーボネートからなる基板，アートン（ＪＳＲ株式会社製）などの非晶質ポリオレフィンからなる基板等の硬質基板（例えば厚さ約０．１ｍｍ〜約３ｍｍ程度、好ましくは約１ｍｍ程度）を用いる。これにより、基板の強度によって、クラッド層及びコア層を積層させていく際に、クラッド材やコア材としての紫外線硬化性樹脂材が硬化時に収縮し、反り（反曲，カール）が生じるのを防止できることになる。なお、光メモリ素子作製用ベース基板２１は、クラッド材やコア材として用いられる紫外線硬化性樹脂材に紫外線を照射した際の紫外線硬化性樹脂の収縮に耐え、クラッド層やコア層が反らないだけの強度を備えるものであれば良い。
【００３０】
上述のように硬質基板を用いることができるのは、以下の理由による。つまり、金属性スタンパを用いる場合に、ベース基板を硬質基板とすると、金属性スタンパを曲げる（撓ませる）のが難しいため、金属製スタンパからクラッド層及びコア層からなる積層体を剥離（分離）させるのが困難である。このため、ベース基板として硬質基板を用いることはできなかったが、本実施形態では、柔軟性（可撓性）のある光透過性の樹脂スタンパ（フィルムスタンパ）１３を用いるため、積層体からのスタンパ１３の剥離（分離）は容易であるから、ベース基板として硬質基板を用いるのが可能になったのである。
【００３１】
このように硬質基板上にクラッド層及びコア層を積層させていくため、反りが生じないように基体（例えば樹脂フィルム等）の表面側と裏面側とに交互にクラッド層やコア層を積層させていく等の反りの発生を抑制するための方策をとる必要がなくなり、基体としての樹脂フィルム等を介在させることなく、クラッド層及びコア層を連続して積層させていくことができるため、基体としての樹脂フィルム等の数をできるだけ少なくして光メモリ素子の膜厚を薄くしながら、大容量化を図るべく所望の積層数（例えば１００層程度）だけ積層した多層構造の実用的な光メモリ素子を製造できるようになる。
【００３２】
なお、この光メモリ素子作製用ベース基板としての硬質基板２１には、射出成形やエッチング等によりアライメントマーク（位置決めマーク）が形成される。そして、後述するように、光メモリ素子を製造する際に、光透過性スタンパ１３のアライメントマークと、後述するベースフィルム（基体）に形成されるアライメントマーク（位置決めマーク）と重ね合わせることで、光透過性スタンパ１３やベースフィルムの位置合わせを容易に、かつ、正確に行なえるようになっている。
【００３３】
次に、このようにクラッド材２Ｘを完全硬化させた後、図１（Ａ）に示すように、その表面上に、例えばスピンコート法によって、紫外線硬化性樹脂材（光硬化性樹脂材）から成るコア材（液状コア樹脂）３Ｘａを所定の膜厚（完全硬化時に約１．８μｍ程度）になるように塗布する。なお、コア層３Ｘａとして機能する所望の樹脂材を溶媒に溶解したものを塗布・乾燥させる手法を採っても良い。
【００３４】
次いで、このようにしてコア材３Ｘａを塗布した後、図１（Ａ）に示すように、コア材３Ｘａの表面上に、薄膜基体（ベース）となる樹脂フィルム（樹脂製フィルム部材，ベースフィルム）５を、気泡が入らないように例えばロール等を用いて加圧しながら載置する。つまり、クラッド層２Ｘにコア材３Ｘａを介して樹脂フィルム５を貼着（ラミネート）する。
【００３５】
なお、このように、コア材（樹脂材）３Ｘａ上に樹脂フィルム（フィルム状部材）５をラミネートする際には、例えばロール（貼合ロール）によって樹脂フィルム５をコア材３Ｘａに対して押し付けて加圧しながら（押圧力を作用させながら）載置するようにしているが、この際にコア材３Ｘａの膜厚が変動しないようにするためには、コア材（樹脂材）３Ｘａが塗布されている面（クラッド材２Ｘの上面）とロールとの間の距離を一定に保ちながら樹脂フィルム（フィルム状部材）５を貼着するのが好ましい。
【００３６】
かかる状態で、紫外線を照射してコア材３Ｘａを完全硬化させれば、樹脂製のコア層３Ｘａが形成されるとともに、樹脂フィルム５とコア層３Ｘａとが接着される。
ここで、樹脂フィルム５は、使用光波長域（光メモリ素子のコア層を導波させるレーザ光の波長域）で透明で（散乱光を透過でき）、光学的な特性や膜厚の均一性，力学的な強度などが許す限り、できるだけ薄い方が良い。これは、上記の凹凸で散乱した散乱光を最終的に外部へ放出できるようにするためと、最終的に製造される光メモリ素子の厚さを薄くするためであるが、本実施形態では、それだけでなく、樹脂フィルム５とクラッド層２Ｘとの間にあるコア材３Ｘａ内に気泡を入りにくくするためでもある。
【００３７】
即ち、コア材３Ｘａの塗布されたクラッド層２Ｘ上に樹脂フィルム５を貼着する工程で、樹脂フィルム５の厚みが薄いと柔軟性（可撓性）に優れるため、樹脂フィルム５を曲げながら少しずつ接触させてゆくことによって、載置面積をゆっくりと増加させることが可能になり、クラッド材２Ｘ内に気泡が混入してその部分の屈折率や膜厚が変化してしまう等の影響を抑止することができるのである。
【００３８】
このため、樹脂フィルム（薄膜基体）５には、例えば、ポリカーボネート，アートン（ＪＳＲ株式会社製）などの非晶質ポリオレフィンや、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等の光学特性に優れる（ＰＥＮはさらに耐熱性にも優れる）熱可塑性の樹脂フィルム５が好適（特に、上記のＰＥＴやＰＥＮはいずれも均一な厚みのフィルムを得られやすいので好適）で、これらのいずれかを熱延伸或いは溶媒キャスト等の方法で、例えば１００μｍ以下の厚さにしたものがよい。
【００３９】
これ以上厚さが厚いと、樹脂フィルム５の柔軟性（可撓性）が乏しくなり樹脂フィルム５をコア材３Ｘａ上に載置する際に気泡が混入しやすくなってしまう。逆に、樹脂フィルム５の厚みが極端に薄い場合、例えば１μｍよりも薄いような場合は、クラッド層２及びコア層３からなる積層体を光メモリ素子作製用ベース基板２１から剥離（分離）する際に、樹脂フィルム５が積層体を保持する機能を果たし得なくなることがあるので好ましくない。
【００４０】
なお、上述の工程では、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、クラッド層２Ｘを形成し、これにコア材３Ｘａを介して樹脂フィルム５を貼着しているが、これに限られるものではなく、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、クラッド層２Ｘを形成し、これに接着剤として機能するクラッド材を介して樹脂フィルム５を貼着しても良い。この場合、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、クラッド層を介して樹脂フィルム５が積層されることになる。また、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、コア層を形成し、これに接着剤として機能するクラッド材を介して樹脂フィルム５を貼着しても良い。この場合、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、コア層、クラッド層を介して樹脂フィルム５が積層されることになる。さらに、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、コア層を形成し、これに接着剤として機能するコア材を介して樹脂フィルム５を貼着しても良い。この場合、光メモリ素子作製用ベース基板上に、コア層を介して樹脂フィルム５が積層されることになる。なお、これらは、いずれも光メモリ素子作製用ベース基板上に、基体としての樹脂フィルム５を接着するものであるため、これらを基体接着工程という。
【００４１】
ここで、接着剤（接着層）としてのコア材（コア層）又はクラッド材（クラッド層）は、屈折率が特定値のものを用いる必要はなく、樹脂フィルム５や光メモリ素子作製用ベース基板２１の材質を考慮して接着相性の良い組み合わせを選定すれば良い。このため、例えば、光硬化型，熱硬化型，室温硬化型，ホットメルト型，２液混合型等の各種の型の接着剤が適用可能であり、材質としては、アクリル系，エポキシ系，シアノアクリレート系，ウレタン系，オレフィン系等を用いることができる。
【００４２】
次に、図１（Ａ）に示すように、上述の樹脂フィルム５上に、例えばスピンコート法によって、所定の膜厚（例えば完全硬化時に約１．８μｍ）となるように、紫外線硬化性樹脂材からなるコア材（液状コア樹脂）３Ｘｂを塗布した後、紫外線を照射して完全に硬化させることで樹脂製のコア層３Ｘｂを形成する。
なお、上述の２つのコア層３Ｘａ，３Ｘｂは、後述するコア層３と異なり凹凸パターンが設けられておらず、専らクラッド層２Ｘと樹脂フィルム５との間の接着のために用いられ、情報再生層としては機能しない。また、上述のクラッド層２Ｘも、後述するクラッド層２と異なり光導波路デバイスを構成するものではなく、専ら光メモリ素子作製用ベース基板としてのガラス基板２１等とコア層３Ｘａとの接着のために用いられている。
【００４３】
次いで、図１（Ｂ）に示すように、このコア層３Ｘｂの表面上に、後述するクラッド層２よりも屈折率の大きい紫外線硬化性樹脂材（光硬化性樹脂）から成るコア材（液状コア樹脂）３を例えばスピンコート法によって所定の膜厚（完全硬化時に約１．８μｍ程度）になるように塗布する（塗布工程）。そして、塗布されたコア材３に紫外線を照射して完全に硬化させて（硬化工程）、樹脂製のコア層３を形成する。なお、塗布工程及び硬化工程は、コア層３を形成する工程であるため、これらをまとめてコア層形成工程という。
【００４４】
ここでは、コア材３としては、本実施形態では、紫外線（ＵＶ光）を照射することにより硬化する紫外線硬化性樹脂材（ＵＶ樹脂材，光硬化性樹脂）を使用する。なお、コア層３として機能する所望の樹脂材を溶媒に溶解したものを塗布・乾燥させる手法を採っても良い。
次に、このコア層３の表面上に、所定の膜厚（例えば完全硬化時に約１５μｍ〜２０μｍ程度）となるように、例えばスピンコート法によって、紫外線硬化性樹脂材からなるクラッド材（液状クラッド樹脂）２を塗布する（塗布工程）。なお、ここでは、スピンコート法によってクラッド材２を塗布しているため、基板２１のエッジ近傍で膜厚が厚くなっている。クラッド材２としては、本実施形態では、紫外線（ＵＶ光）を照射することにより硬化する紫外線硬化性樹脂材（ＵＶ樹脂材，光硬化性樹脂）を使用する。なお、クラッド層２として機能する所望の樹脂材を溶媒に溶解したものを塗布・乾燥させる手法を採っても良い。
【００４５】
本実施形態では、このようにクラッド材２を塗布した後、図１（Ｃ）に示すように、基板２１上に形成されたコア層３Ｘｂの周縁部上に塗布されたクラッド材２を除去する（除去工程）。なお、ここでは、コア層３Ｘｂは基板２１の表面全体を覆うように形成されるため、コア層３Ｘｂの周縁部上とは基板２１の周縁部（基板のエッジ近傍の所定領域）上ということにもなる。このため、「コア層３Ｘｂの周縁部上に塗布されたクラッド材２」を、単に「基板周縁部上に塗布されたクラッド材２」ということもある。
【００４６】
ここでは、後述するように光透過性スタンパ１３をラミネートしたときに基板２１のエッジよりも外側にクラッド材２がはみ出さないように、基板周縁部上に塗布されたクラッド材２を除去するようにしている。
ここで、クラッド材２を除去する領域をどの程度にするか、即ち、どのくらいの量のクラッド材２を除去するかは、後述のように光透過性スタンパ１３をラミネートしたときに基板２１のエッジよりも外側へ押し出されてしまうことになるクラッド材２の量を考慮して決めることになる。
【００４７】
後述するように光透過性スタンパ１３をラミネートしたときに基板２１のエッジよりも外側にクラッド材２がはみ出さないようにすることができるのであれば、例えば図１（Ｃ）に示すように、基板２１上に形成されたコア層３Ｘｂの周縁部上に塗布されたクラッド材２の全部を除去するようにしても良いし、例えば基板周縁部上に塗布されたクラッド材２の一部を除去するようにしても良い（この場合、基板周縁部上に塗布されたクラッド材２の厚さが薄くなる）。つまり、「基板周縁部上に塗布されたクラッド材２を除去する」場合には、基板周縁部上に塗布されたクラッド材２の全部を除去する場合のほかに一部を除去する場合も含まれる。
【００４８】
ここで、基板周縁部上に塗布されたクラッド材２を除去するには、例えばエッジリンス（洗浄，溶解液による洗浄）や拭き取り、吸い取り、吹き飛ばしなどの方法を用いれば良い。特に、エッジリンス又は拭き取りを用いるのが好ましい。
エッジリンスとは、例えば、基板周縁部上に処理液（溶解液）を一定の供給量で所定時間供給し、基板周縁部上に塗布されている樹脂材（ここではクラッド材２）を溶解除去する方法である。溶解液としては有機溶剤（エタノール，アセトン，トルエン等）等が用いられる。
【００４９】
拭き取りとは、基板周縁部上に塗布されている樹脂材（ここではクラッド材２）を拭き取る方法である。例えば、クラッド材（樹脂材）２を拭き取るクラッド材拭取部材（樹脂材拭取部材，クラッド材除去部材，樹脂材除去部材）を、所定圧力で基板周縁部に押し当てた状態で、基板２１のエッジに沿って移動させることで、基板周縁部上に塗布されているクラッド材２を拭き取るようにすれば良い。
【００５０】
ここで、クラッド材拭取部材としては、例えば、クラッド材（樹脂材）２を吸収しうる吸収体、例えばナイロン，ポリエステル等を原料とした超微細繊維で構成された部材、溶解液（例えばエタノールやアセトン等の有機溶剤）を含ませて構成された部材などを用いることができる。
特に、クラッド材拭取部材を帯状に形成し、ロール状に巻き取っておき、ロール状に巻き取られた帯状のクラッド材拭取部材を、別に設けられる巻取ロールで巻き取るようにしながら、基板２１を回転させることで、クラッド材拭取部材を基板２１のエッジに沿って移動させるように構成するのが好ましい。なお、クラッド材拭取部材は、基板２１に対して相対的に移動すれば良いため、例えばクラッド材拭取部材を固定し、基板２１を回転させるようにしても良い。
【００５１】
吸い取りとは、基板周縁部上に塗布された樹脂材（ここではクラッド材２）を吸引して除去する方法である。例えば、吸引ポンプに接続されたノズル状部材を、クラッド材（樹脂材）２に近づける、もしくは接触させることによって、基板周縁部上に塗布されているクラッド材２を除去するようにすれば良い。
吹き飛ばしとは、基板周縁部上に塗布された樹脂材（ここではクラッド材２）を、高圧ガスの吹き付けによって除去する方法である。ガスとしては、空気、窒素等が用いられる。例えば、加圧ポンプにより加圧された空気又は窒素を、ノズル状部材を介してクラッド材（樹脂材）２に吹き付けて、基板周縁部上に塗布されているクラッド材２を除去するようにすれば良い。
【００５２】
ところで、上述のようにして基板周縁部上に塗布されたクラッド材２を除去した後、図１（Ｄ）に示すように、その表面上に、結像させたい画像（情報）に応じた所望の凹凸パターン（凸形状；ピット）を表面に刻まれた光透過性の樹脂製スタンパ（フィルムスタンパ，光透過性スタンパ）１３をラミネート（貼着）する。
なお、このように、クラッド材（樹脂材）２上に光透過性スタンパ（フィルム状部材）１３をラミネートする際には、例えばロール（貼合ロール）によって光透過性スタンパ１３をクラッド材２に対して押し付けて加圧しながら（押圧力を作用させながら）載置することになるが、この際にクラッド材２の膜厚が変動しないようにするためには、クラッド材（樹脂材）２が塗布されている面（コア層３Ｘｂの上面）とロールとの間の距離を一定に保ちながら光透過性スタンパ１３を貼着するのが好ましい。
【００５３】
かかる状態で、図１（Ｅ）に示すように、ラミネートされた光透過性スタンパ１３の裏面側（凹凸パターンを有する面の反対側）から紫外線を照射して、この光透過性スタンパ１３を透過した紫外線によってクラッド材２を完全硬化させて（硬化工程）、樹脂製のクラッド層２を形成する。
本実施形態では、上述のようにクラッド材２を塗布した後にその周縁部を除去しているため、光透過性スタンパ１３を貼着した状態でクラッド材２を完全硬化させても、光透過性スタンパ１３を剥離させることは可能である。
【００５４】
これに対し、クラッド材２の周縁部を除去しないで光透過性スタンパ１３をラミネートし、クラッド材２を完全硬化させてしまうと、クラッド層２から光透過性スタンパ１３を剥離させることができなくなってしまうため、例えば、ここの工程ではクラッド材２を一部不完全硬化（クラッド材２の一部のみが完全には硬化せずに不完全に硬化すること；例えば空気に触れているために硬化の遅いクラッド層２のエッジ部のみが完全には硬化せずに不完全に硬化する状態）させ、クラッド層２から光透過性スタンパ１３を剥離（分離）した後に、再度、光透過性スタンパ１３の凹凸パターンが転写（形成）された樹脂製のクラッド層２に対して紫外線を照射して、クラッド層２を完全硬化させることが必要になる。
【００５５】
このため、上述のようにクラッド材２の周縁部を除去するようにしたことで、その後の製造工程の簡素化を図ることができるようになる。また、例えば一部不完全硬化させるために条件設定などを行なう必要がなくなり、単純に完全硬化させてしまえば良いため、製造が容易、かつ簡単になる。
次に、図１（Ｆ）に示すように、光透過性スタンパ１３を光メモリ素子作製用ベース基板２１上に積層された積層体のクラッド層２から剥離（分離）する。これにより、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、樹脂製のコア層３Ｘｂ、さらにその上に光透過性の樹脂製スタンパ１３の凹凸パターン（以下、単に「凹凸」ともいう）を転写された樹脂製のクラッド層（記録層，光導波路）２が積層される。なお、この凹凸パターンは、実際には、例えばＣＤ（コンパクトディスク）におけるピットのように平面上に散在している。
【００５６】
このようにクラッド層２に凹凸パターンを転写した後、クラッド層２の表面上に、図１（Ｇ）に示すように、例えばスピンコート法によって、クラッド層２よりも屈折率の大きい紫外線硬化性樹脂材（光硬化性樹脂）から成るコア材（液状コア樹脂）３を所定の膜厚（完全硬化時に約１．８μｍ程度）になるように塗布する（塗布工程）。そして、塗布されたコア材３に紫外線を照射して完全に硬化させて（硬化工程）、樹脂製のコア層３を形成する。なお、塗布工程及び硬化工程は、コア層３を形成する工程であるため、これらをまとめてコア層形成工程という。
【００５７】
ここでは、コア材３としては、本実施形態では、紫外線（ＵＶ光）を照射することにより硬化する紫外線硬化性樹脂材（ＵＶ樹脂材，光硬化性樹脂）を使用する。なお、コア層３として機能する所望の樹脂材を溶媒に溶解したものを塗布・乾燥させる手法を採っても良い。
以後、上述と同様の処理［図１（Ｂ）〜（Ｇ）に示す処理］を繰り返すことで、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、例えば基体としての樹脂フィルム等を介在させることなく、コア層３及びクラッド層２を連続して所望の積層数（例えば１００層程度）になるまで積層する。
【００５８】
ここでは、光透過性スタンパ１３に形成されたアライメントマーク（位置決めマーク）と基体としての樹脂フィルム５に形成されたアライメントマーク（位置決めマーク）とを重ね合わせるようにして、光透過性スタンパ１３の位置合わせを行ないながら、コア層３の表面上に光透過性の樹脂製スタンパ１３をラミネート（貼着）するようになっている。これにより、光透過性の樹脂製スタンパ１３から凹凸パターンを転写される複数のコア層３間の位置合わせ（アライメント）が容易に、かつ、正確に行なえるようになる。なお、ここでは、樹脂フィルム５に形成されたアライメントマークの代わりに、光メモリ素子作製用ベース基板２１に形成されたアライメントマークを用いて、光透過性スタンパ１３の位置合わせをしても良い。
【００５９】
なお、上述のように、基体としての樹脂フィルム５上にクラッド層２及びコア層３を順次積層して所望の積層数を有する積層体を形成する工程を、積層体形成工程という。
ところで、本実施形態では、図２（Ａ）に示すように、上述のようにして所望の積層数だけ積層させた後、最後に積層したクラッド層（最上層のクラッド層）２の表面上に、所定の膜厚（例えば完全硬化時に約１．８μｍ）となるように、例えばスピンコート法によって紫外線硬化性樹脂材からなるコア材（液状コア樹脂）３Ｘｃを塗布する。
【００６０】
次いで、このようにしてコア材３Ｘｃを塗布した後、図２（Ａ）に示すように、コア材３Ｘｃの表面上に、基体（ベース）となる樹脂フィルム（樹脂製フィルム部材，ベースフィルム）５′を、気泡が入らないように例えばロール等を用いて加圧しながら貼着（ラミネート）する。
なお、このように、コア材（樹脂材）３Ｘｃ上に樹脂フィルム（フィルム状部材）５′をラミネートする際には、例えばロール（貼合ロール）によって樹脂フィルム５′をコア材３Ｘｃに対して押し付けて加圧しながら（押圧力を作用させながら）載置することになるが、この際にコア材３Ｘｃの膜厚が変動しないようにするためには、コア材（樹脂材）３Ｘｃが塗布されている面（クラッド材２の上面）とロールとの間の距離を一定に保ちながら樹脂フィルム（フィルム状部材）５′を貼着するのが好ましい。
【００６１】
かかる状態で、紫外線をさらに照射してコア材３Ｘｃを完全硬化させれば、樹脂製のコア層３Ｘｃが形成されるとともに、樹脂フィルム５′とコア層３Ｘｃとが接着される。
その後、このようにして作製される光メモリ素子（即ち、紫外線硬化性樹脂層としてのクラッド層２及びコア層３を積層した積層体を樹脂フィルム５，５′で挟んだ構造体）４は、図２（Ｂ）に示すように、これらの樹脂フィルム５，５′によって支持しながら、積層体と樹脂フィルム５，５′を一体として光メモリ素子作製用ベース基板２１から剥離（分離）する。なお、このように、光メモリ素子作製用ベース基板２１から基体としての樹脂フィルム５，５′と積層体とを一体として分離する工程を、積層体分離工程という。
【００６２】
このようにして作製される光メモリ素子［積層型（平面型）の光メモリ素子；積層導波路型ホログラム素子，ＭＷＨ素子］４は、図２（Ｂ）に示すように、樹脂製コア層３と、樹脂製コア層３の両面に積層された樹脂製クラッド層２とからなり、樹脂製コア層３と樹脂製クラッド層２との界面の少なくとも一方に再生像を得るための情報を含む情報用凹凸部６を有する光導波部材を１個又は複数個有してなる積層体を、薄膜基体（基体）としての樹脂フィルム５，５′により挟み込んだサンドイッチ構造となる。
【００６３】
つまり、図２（Ｂ）に示すように、基体としての樹脂フィルム５上に、クラッド層２、コア層３を連続して所望の積層数（例えば１００層程度）だけ積層させてなる（即ち、クラッド／コア／クラッド部材を所望数だけ積層させてなる）光メモリ素子４が製造される。また、光メモリ素子４を構成する基体としての樹脂フィルム５には、アライメントマークが形成されている。さらに、樹脂フィルム等の基体を介在させることなく、クラッド層２及びコア層３を連続して所望の積層数（例えば１００層程度）だけ積層された積層体（即ち、クラッド／コア／クラッド部材を所望数だけ積層された積層体）を、積層体の下層側に設けられた樹脂フィルム５と積層体の最上層にラミネートした樹脂フィルム５′との間に所望の積層数（例えば１００層程度）だけ積層された積層体を挟み込んだ構造になる。
【００６４】
なお、情報用凹凸部６は、強度，位相，角度などに関する情報を含むものとして構成される。情報用凹凸部６は、例えば強度情報と位相情報とを含むものである場合もあるし、強度情報と角度情報とを含むものである場合もあるし、強度情報のみを含むものである場合もある。また、再生像とは、このような情報用凹凸部６からの散乱光によって形成される光の濃淡であれば良く、どのような像であっても良い。
【００６５】
そして、このようにして作製された光メモリ素子４の一部に例えば４５°切削面を形成し、さらに保護フィルムを貼ったり、樹脂コートしたりする等の工程を経て、例えば光メモリカード等の光メモリ媒体が作製される。
このようにして作製された光メモリ素子４では、例えば、光導波路としてのコア層３に入射端面を介して光を導入すると、その導入光が界面の凹凸部分で散乱しながら伝播する。このときの散乱光は導入光に対して上下方向（交差する方向）のそれぞれに伝播（透過）していき、最終的に光メモリ素子４の両面部から外部へ放出され、凹凸パターンに応じた画像が結像することになる。なお、このように光メモリ素子４の両面部から散乱光を放出させる必要がない場合、例えば、一方の面側のみにＣＣＤ受像器を設置する場合は、他方の面側の樹脂フィルムについては、必ずしも使用光波長域で透明である必要はない。
【００６６】
上述のように、クラッド転写により作製された光メモリ素子４の出力画像は、コア転写により製造された光メモリ素子４の出力画像と比べて、ホログラムの虚像が観察されず（例えば像が２重に見える現象がなくなる）、画質が優れたものとなる。
さらに、クラッド転写により光メモリ素子４を作製する場合、塗布されるクラッド層２の膜厚は厚いため、膜厚の薄いコア層３に光透過性スタンパ１３の凹凸パターンを転写する場合よりも、光透過性スタンパ１３のアライメントが行ないやすい。
【００６７】
なお、上述のように樹脂フィルム５，５′で挟み込んだ構造としているのは、紫外線硬化性樹脂材からなるコア層３及びクラッド層２はもろく、積層体を分離する際に端部に生じた裂け目が容易に全体に広がってしまうからであるが、これを防ぐ方法はこれに限られるものではない。例えば、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、基体としての樹脂フィルムを設けることなく、コア層３及びクラッド層２を積層させて積層体を形成する場合には、積層体はそのままではもろいので、分離時（剥離時）に、これらのコア層３及びクラッド層２の端部を粘着テープ等で保護し、剥離後に粘着テープを切断するようにしても良い。
【００６８】
また、上述のようにして光メモリ素子作製用ベース基板２１から剥離した光メモリ素子４は、樹脂フィルム５，５′で挟み込んだ構造としているため、そのまま例えば４５°切削面を形成する等のその後の工程を行なうようにしているが、これに限られるものではない。例えば、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、基体としての樹脂フィルムを設けることなく、コア層３及びクラッド層２を積層させて積層体を形成する場合には、積層体はそのままではもろいので、ベース材（例えばアートン製フィルム、ポリカーボネート製フィルム、アートン製基板、ポリカーボネート製基板、ガラス製基板等）に接着することで補強した後、その後の工程を行なうようにしても良い。この場合、ベース材は、両面に接着しても良いし、片面だけに接着しても良い。
【００６９】
以上の説明において、コア材３には、塗布時には液体で（流動性があり）、その後、硬化させることのできる樹脂であればどのような樹脂を適用してもよいが、好適な物質としては、例えば紫外線硬化性樹脂などの光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等の硬化性樹脂が挙げられる。ただし、特に、光硬化性樹脂を適用するのが好ましく、例えば、アクリル系光硬化性樹脂（アクリル系硬化性樹脂），エポキシ系光硬化性樹脂（エポキシ系硬化性樹脂），チオール系光硬化性樹脂（チオール系硬化性樹脂）などが好ましい。
【００７０】
また、上記のクラッド材２は、透明で屈折率がコア材３よりも僅かに小さい物質（樹脂）であれば何でも良いが、各種樹脂製のクラッド材２を塗布すると簡便である。例えば紫外線硬化性樹脂などの光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等の硬化性樹脂から成るクラッド材２は樹脂フィルム５との接着性に優れ、好適である。上述のごとくスタンパによる転写を行なう場合には、光硬化性樹脂を適用するのが好ましく、例えば、アクリル系光硬化性樹脂（アクリル系硬化性樹脂），エポキシ系光硬化性樹脂（エポキシ系硬化性樹脂），チオール系光硬化性樹脂（チオール系硬化性樹脂）などが好ましい。
【００７１】
なお、クラッド層２は上記説明のように１層として形成しても良いが、膜厚を安定させるために２層に分けて形成してもよい。
また、コア材３、クラッド材２の塗布方法としては、ここではスピンコート法を用いているが、これに限られるものではなく、塗布膜厚と均一性を満足すればどのような塗布方法を用いてもよく、例えばブレードコート法，グラビアコート法，ダイコート法等を用いても良い。
【００７２】
このように、本実施形態では、積層されたコア層３とクラッド層２とがいずれも樹脂製で、しかも、凹凸の形成されるコア層（コア材）３に光や熱等で硬化しうる硬化性樹脂を用いているので、従来のようにフォトレジストの露光，現像処理等を用いなくても、スタンパからの転写によって、コア層３とクラッド層２との界面に容易に所望形状の凹凸部６を形成することが可能になる。
【００７３】
さらに、コア層３やクラッド層２の膜厚については、コア層，クラッド層が光導波路として機能するだけの膜厚であれば良く、例えば使用光波長域が可視光の波長域であれば、コア層３は約０．５〜３．０μｍ程度であれば良い。この場合、クラッド層２の膜厚に関しては特に制限はないが、全体の厚さを薄くすることを考慮すれば、約１００μｍ以下にするのが好ましい。あえて下限を規定するなら、０．１μｍ以上にするのが好ましい。
【００７４】
さらに、上述の実施形態では基体を樹脂フィルム５，５′としているが、基体は、光メモリ素子を保持するものとして機能しうる物質であれば良く、樹脂、ガラス、誘電体、金属など各種のものを用いることができる。但し、製造工程上、貼着（ラミネート）を行なう等、柔軟性が要求される場合には、樹脂製の基体とするのが好ましい。また、各種の硬化性樹脂を塗布後硬化させたり、樹脂を溶剤に溶かして塗布し、乾燥させたりして、樹脂製基体を構成しても良いが、樹脂フィルム５，５′を用いれば貼着を行ないやすく、作業性の点で好ましい。
【００７５】
なお、光メモリ素子４の製造方法は、上述の実施形態のものに限られない。つまり、上述の実施形態にかかる光メモリ素子４の製造方法は、基板上に基体（樹脂フィルム）を接着した後に、基体（樹脂フィルム）上にクラッド層及びコア層を順次積層して所望の積層数を有する積層体を形成しているが、これに限られるものではなく、例えば、基板上に基体（樹脂フィルム）を接着することなく、基板上に、直接、クラッド層及びコア層を順次積層して所望の積層数を有する積層体を形成しても良い。
【００７６】
この場合、光メモリ素子の製造方法は、硬質基板上に光硬化性樹脂からなるクラッド層を形成する工程と、クラッド層上に光硬化性樹脂からなるコア材を塗布する工程と、基板周縁部上に塗布されたコア材を除去する工程と、コア材上に、表面に凹凸パターンを有し、コア材を硬化させるための光を透過しうる樹脂製スタンパをラミネートする工程と、樹脂製スタンパの裏面側から光を照射してコア材を硬化させ、凹凸を有するコア層を形成する工程とを含むものとして構成される。
【００７７】
また、上述の本実施形態では、コア材３を塗布した後、基板周縁部上に塗布されたコア材３を除去しないまま硬化させてコア層３を形成しているが、これに限られるものではない。例えば、基板２１上にコア層３を形成する際に、基板２１の周縁部上に塗布されたコア層３を除去した上で完全硬化させるようにし、このようにして形成されたコア層３上にクラッド材２を塗布するようにしても良い。
【００７８】
この場合、光メモリ素子の製造方法は、硬質基板上にコア材を塗布する工程と、基板周縁部上に塗布されたコア材を除去する工程と、コア材を硬化させてコア層を形成する工程と、コア層上に光硬化性樹脂からなるクラッド材を塗布する工程と、クラッド材上に、表面に凹凸パターンを有し、クラッド材を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパ（樹脂製スタンパ）をラミネートする工程と、光透過性スタンパ（樹脂製スタンパ）の裏面側から光を照射してクラッド材を硬化させ、凹凸を有するクラッド層を形成する工程とを含むものとして構成される。
【００７９】
要するに、光メモリ素子の製造方法を、ラミネート工程の前に、基板周縁部上に塗布されたコア材を除去する工程を含むものとして構成すれば良い。なお、ここでは、クラッド転写であるため、このように構成するが、コア転写の場合は、ラミネート工程の前に、基板周縁部上に塗布されたクラッド材を除去する工程を含むものとして構成することになる。この場合の構成については後述する。
【００８０】
ここでは、ラミネート工程の前に、基板周縁部上に塗布されたコア材を除去する工程を含むものとしているが、さらに、クラッド材を塗布した後に（クラッド材塗布工程の後に）、基板周縁部上に塗布されたクラッド材を除去する工程を含むものとして構成しても良い。なお、ここでは、クラッド転写であるため、このように構成するが、コア転写の場合は、コア材を塗布した後に（コア材塗布工程の後に）、基板周縁部上に塗布されたコア材を除去する工程を含むものとして構成することになる。この場合の構成については後述する。
【００８１】
このように、ラミネート工程の前に、順に塗布されるコア材、クラッド材のうち、いずれか一方を除去するようにしても良いし、コア材及びクラッド材の双方を除去するようにしても良いが、一般にクラッド材の膜厚はコア材の膜厚よりも厚くするため、クラッド材を除去するのがより効果的である。このため、上述の実施形態では、コア材を除去せずに、クラッド材のみを除去している。なお、例えばスピンコート法によってコア材を塗布すると、基板周縁部の膜厚が厚くなってしまうが、コア材の膜厚は薄いため、その影響は少なく、クラッド材のみを除去すれば十分である。つまり、クラッド転写の場合には、光透過性スタンパをラミネートするのはクラッド材であるため、上述の実施形態のように、光透過性スタンパがラミネートされるクラッド材を除去するのが効果的である。一方、コア転写の場合には、光透過性スタンパをラミネートするのはコア材になるため、上述の変形例のように、光透過性スタンパがラミネートされるコア材を塗布する前に形成されるクラッド層の基板周縁部を予め除去しておくのが効果的である。
【００８２】
なお、上述の実施形態では、基板２１上に塗布された樹脂材の全面を覆うように光透過性スタンパをラミネートする場合を前提として本発明を適用する例を説明しているが、これに限られるものではなく、例えば、基板２１上に塗布された樹脂材の表面の一部を覆うように光透過性スタンパをずらしてラミネートするような場合にも、基板周縁部から樹脂材がはみ出してしまう点では上述の実施形態の場合と同様であるため、本発明を適用することができる。この場合、光透過性スタンパのエッジの部分で、塗布された樹脂材の表面との間に段差ができてしまうため、光透過性スタンパをラミネートした後に、このエッジのところで樹脂材の表面が盛り上がって盛上部ができてしまうことになる。この点を考慮すると、光透過性スタンパをラミネートした後に、樹脂材の表面から盛り上がった盛り上がり部を除去（例えば洗浄）するのが好ましい。
【００８３】
したがって、本実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法によれば、光透過性スタンパ１３をラミネートする際にはみ出し部が生じないようにしているため、労力や時間のかかるクリーニング工程が不要となり、この結果、製造効率を高め、自動化や量産に適する光メモリ素子４の製造工程を実現できることになるという利点がある。また、光透過性スタンパ１３を剥離する際にははみ出し部がないため、光透過性スタンパ１３を容易に剥離（分離）させることができるようになるという利点もある。さらに、光透過性スタンパ１３を剥離する際にははみ出し部がないため、はみ出し部が折れて光メモリ素子４に破片が混入してしまうようなことがなく、光メモリ素子４の品質を向上させることができるという利点もある。また、はみ出し部がないため、他の層を積層させていく際にサイズが大きくなってしまうようなことがなく、所定のサイズの光メモリ素子４を正確、かつ、確実に製造することができるという利点もある。
（３）光メモリ素子の製造方法の変形例
次に、光メモリ素子の製造方法の変形例について説明する。
【００８４】
上述の実施形態の製造方法が、光硬化性樹脂材（クラッド材又はコア材）の塗布後であって、光透過性スタンパをラミネートする前に、予め基板周縁部に塗布されたクラッド材又はコア材を除去するようにしているのに対し、本変形例にかかる製造方法では、光硬化性樹脂材（クラッド材又はコア材）を塗布し、光透過性スタンパをラミネートした後に、基板のエッジよりも外側にはみ出したクラッド材又はコア材（光硬化性樹脂材）の部分（はみ出し部）を除去するようにしている点が異なる。
【００８５】
この場合、光メモリ素子の製造方法は、基板上に光硬化性樹脂からなるクラッド材又はコア材を塗布する工程と、光硬化性樹脂を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパをラミネートする工程と、スタンパの裏面側から光を照射してクラッド材又はコア材を硬化させ、凹凸を有するクラッド層又はコア層を形成する工程とを含み、ラミネート工程の後に、基板のエッジよりも外側にはみ出した光硬化性樹脂のはみ出し部を除去する工程を備えるものとして構成される。
【００８６】
以下、本変形例にかかる光メモリ素子の製造方法について、図４を参照しながら説明する。
なお、上述の実施形態のものとは上記の点だけが異なるため、ここでは、光メモリ素子の製造方法に含まれる各工程の詳細な説明は省略し、その概略のみを説明することとする。
【００８７】
始めに、図４（Ａ）に示すように、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、例えばスピンコート法によって、所定の膜厚（例えば完全硬化時に約５μｍ）となるようにクラッド材（液状クラッド樹脂）２Ｘを塗布する。
次に、このようにクラッド材２Ｘを完全硬化させた後、図４（Ａ）に示すように、その表面上に、例えばスピンコート法によって、紫外線硬化性樹脂材（光硬化性樹脂材）から成るコア材（液状コア樹脂）３Ｘａを所定の膜厚（完全硬化時に約１．８μｍ程度）になるように塗布する。
【００８８】
次いで、このようにしてコア材３Ｘａを塗布した後、図４（Ａ）に示すように、コア材３Ｘａの表面上に、薄膜基体（ベース）となる樹脂フィルム（樹脂製フィルム部材，ベースフィルム）５を、気泡が入らないように例えばロール等を用いて加圧しながら載置する。つまり、クラッド層２Ｘにコア材３Ｘａを介して樹脂フィルム５を貼着（ラミネート）する。
【００８９】
かかる状態で、紫外線を照射してコア材３Ｘａを完全硬化させれば、樹脂製のコア層３Ｘａが形成されるとともに、樹脂フィルム５とコア層３Ｘａとが接着される。
次に、図４（Ａ）に示すように、上述の樹脂フィルム５上に、所定の膜厚（例えば完全硬化時に約１．８μｍ）となるように、例えばスピンコート法によって、紫外線硬化性樹脂材からなるコア材（液状コア樹脂）３Ｘｂを塗布した後、紫外線を照射して完全に硬化させることで樹脂製のコア層３Ｘｂを形成する。
【００９０】
次いで、図４（Ｂ）に示すように、このコア層３Ｘｂの表面上に、後述するクラッド層２よりも屈折率の大きい紫外線硬化性樹脂材（光硬化性樹脂）から成るコア材（液状コア樹脂）３を例えばスピンコート法によって所定の膜厚（完全硬化時に約１．８μｍ程度）になるように塗布する（塗布工程）。そして、塗布されたコア材３に紫外線を照射して完全に硬化させて（硬化工程）、樹脂製のコア層３を形成する。なお、塗布工程及び硬化工程は、コア層３を形成する工程であるため、これらをまとめてコア層形成工程という。
【００９１】
次に、このコア層３の表面上に、所定の膜厚（例えば完全硬化時に約１５μｍ〜２０μｍ程度）となるように、例えばスピンコート法によって、紫外線硬化性樹脂材からなるクラッド材（液状クラッド樹脂）２を塗布する（塗布工程）。なお、ここでは、スピンコート法によってクラッド材２を塗布しているため、基板２１のエッジ近傍で膜厚が厚くなっている。
【００９２】
このようにしてクラッド材を塗布した後、図４（Ｄ）に示すように、その表面上に、結像させたい画像（情報）に応じた所望の凹凸パターン（凸形状；ピット）を表面に刻まれた光透過性の樹脂製スタンパ（フィルムスタンパ，光透過性スタンパ）１３をラミネート（貼着）する。
なお、このように、クラッド材（樹脂材）２上に光透過性スタンパ（フィルム状部材）１３をラミネートする際には、例えばロール（貼合ロール）によって光透過性スタンパ１３をクラッド材２に対して押し付けて加圧しながら（押圧力を作用させながら）載置することになるが、この際にクラッド材２の膜厚が変動しないようにするためには、クラッド材（樹脂材）２が塗布されている面（コア層３Ｘｂの上面）とロールとの間の距離を一定に保ちながら光透過性スタンパ１３を貼着するのが好ましい。
【００９３】
しかしながら、光透過性スタンパのラミネートは、例えばロールによって光透過性スタンパをクラッド材に対して押し付けて加圧しながら行なわれるため、この圧力（ラミネート圧）が原因となって、基板上に塗布された光硬化性樹脂材が基板のエッジよりも外側へはみ出してしまうことになる［図４（Ｄ）参照］。
特に、ここでは、スピンコート法によりクラッド材２を塗布するため、基板２１のエッジ近傍の膜厚が基板２１の中央部に比べて厚くなっているため、この分だけ基板２１のエッジから外側へはみ出すクラッド材２の量が多く、クラッド材２のはみ出し部２Ａの大きさが大きくなっている。
【００９４】
このため、本実施形態では、このように光透過性スタンパ１３をラミネートした後に、塗布されたクラッド材２を硬化させる前に、図４（Ｅ）に示すように、基板２１のエッジよりも外側にはみ出したクラッド材（光硬化製樹脂材）２の部分（はみ出し部２Ａ）を除去するようにしている（除去工程）。このように、塗布されたクラッド材を硬化させる前にはみ出し部２Ａを除去するようにしているのは、クラッド材を硬化させた後では除去するのが容易でないからである。
【００９５】
ここで、クラッド材２のはみ出し部２Ａを除去するには、例えば溶解液による洗浄、拭き取り、吸い取り、吹き飛ばしなどの方法を用いれば良い。特に、溶解液による洗浄又は拭き取りを用いるのが好ましい。なお、拭き取り、吸い取り、吹き飛ばしの具体的な方法は上述の実施形態と同様である。
溶解液としては有機溶剤（エタノール、アセトン、トルエン等）が用いることができる。なお、溶解液はこれに限られるものではなく、光透過性スタンパ１３を溶解させずに、塗布された液体状のクラッド材（硬化させる前のクラッド材）のみを溶解させうるものであれば良い。
【００９６】
また、洗浄方法としては、例えば、基板２１のエッジよりも外側にはみ出したクラッド材２のはみ出し部２Ａに溶解液を供給して、はみ出し部２Ａを溶解させ、その後、基板２１を回転させて遠心力により溶解液を取り除く方法などを用いれば良い。特に、このような溶解液を供給し、基板２１を回転させて溶解液を取り除くという工程を繰り返し行なうことによって、より完全に洗浄を行なうことができる。
【００９７】
このようにしてクラッド材のはみ出し部２Ａを除去した後、かかる状態で、図４（Ｆ）に示すように、ラミネートされた光透過性スタンパ１３の裏面側（凹凸パターンを有する面の反対側）から紫外線を照射して、この光透過性スタンパ１３を透過した紫外線によってクラッド材２を完全硬化させて（硬化工程）、樹脂製のクラッド層２を形成する。
本実施形態では、上述のように光透過性スタンパ１３をラミネートした後にはみ出し部２Ａを除去しているため、光透過性スタンパ１３を貼着した状態でクラッド材２を完全硬化させても、光透過性スタンパ１３を剥離させることは可能である。
【００９８】
これに対し、光透過性スタンパ１３をラミネートした状態で、はみ出し部２Ａを除去しないでクラッド材２を完全硬化させてしまうと、クラッド層２から光透過性スタンパ１３を剥離させることができなくなってしまうため、例えば、ここの工程ではクラッド材２を一部不完全硬化（クラッド材２の一部のみが完全には硬化せずに不完全に硬化すること；例えば空気に触れているために硬化の遅いクラッド層２のエッジ部のみが完全には硬化せずに不完全に硬化する状態）させ、クラッド層２から光透過性スタンパ１３を剥離（分離）した後に、再度、光透過性スタンパ１３の凹凸パターンが転写（形成）された樹脂製のクラッド層２に対して紫外線を照射して、クラッド層２を完全硬化させることが必要になる。
【００９９】
このため、上述のようにはみ出し部２Ａを除去するようにしたことで、その後の製造工程の簡素化を図ることができるようになる。また、例えば一部不完全硬化させるために条件設定などを行なう必要がなくなり、単純に完全硬化させてしまえば良いため、製造が容易、かつ簡単になる。
次に、図４（Ｇ）に示すように、光透過性スタンパ１３を光メモリ素子作製用ベース基板２１上に積層された積層体のクラッド層２から剥離（分離）する。これにより、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、樹脂製のコア層３Ｘｂ、さらにその上に光透過性の樹脂製スタンパ１３の凹凸パターン（以下、単に「凹凸」ともいう）を転写された樹脂製のクラッド層（記録層，光導波路）２が積層される。
【０１００】
このようにクラッド層２に凹凸パターンを転写した後、クラッド層２の表面上に、図４（Ｈ）に示すように、クラッド層２よりも屈折率の大きい紫外線硬化性樹脂材（光硬化性樹脂）から成るコア材（液状コア樹脂）３を所定の膜厚（完全硬化時に約１．８μｍ程度）になるように塗布する（塗布工程）。そして、塗布されたコア材３に紫外線を照射して完全に硬化させて（硬化工程）、樹脂製のコア層３を形成する。
【０１０１】
以後、上述と同様の処理［図４（Ｂ）〜（Ｈ）に示す処理］を繰り返すことで、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、例えば基体としての樹脂フィルム等を介在させることなく、コア層３及びクラッド層２を連続して所望の積層数（例えば１００層程度）になるまで積層する。
なお、光メモリ素子の製造方法の変形例や光メモリ素子の構成など、ここに変形例の説明として記載されていないものは、上述の実施形態と同様である。
【０１０２】
したがって、本変形例にかかる光メモリ素子の製造方法によれば、上述の実施形態の場合と同様に、光透過性スタンパ１３をラミネートする際に生じるはみ出し部２Ａを除去するため、労力や時間のかかるクリーニング工程が不要となり、この結果、製造効率を高め、自動化や量産に適する光メモリ素子４の製造工程を実現できることになるという利点がある。また、光透過性スタンパ１３を剥離する際にははみ出し部がないため、光透過性スタンパ１３を容易に剥離（分離）させることができるようになるという利点もある。さらに、光透過性スタンパ１３を剥離する際にははみ出し部がないため、はみ出し部２Ａが折れて光メモリ素子４に破片が混入してしまうようなことがなく、光メモリ素子の品質を向上させることができるという利点もある。また、はみ出し部２Ａがないため、他の層を積層させていく際にサイズが大きくなってしまうようなことがなく、所定のサイズの光メモリ素子４を正確、かつ、確実に製造することができるという利点もある。
（４）光メモリ素子の製造方法の他の変形例
次に、光メモリ素子の製造方法の他の変形例について説明する。
【０１０３】
本変形例にかかる光メモリ素子の製造方法は、上述の実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法がクラッド層に光透過性スタンパ（樹脂スタンパ，フィルムスタンパ）をラミネートして転写する（これをクラッド転写，クラッド層転写法という）のに対し、コア層に光透過性スタンパをラミネートして転写する（これをコア転写，コア層転写法という）ものである。
【０１０４】
このように、コア転写により光メモリ素子を製造することとすると、コア層の方がクラッド層よりも薄いため、ラミネート時に膜厚変動しにくく、ラミネート条件を広く選べるという点で好ましい。
具体的には、本他の変形例にかかる光メモリ素子の製造方法は、以下のようになる。
まず、基板上に光硬化性樹脂からなるコア材を塗布する工程と、光硬化性樹脂を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパをラミネートする工程と、スタンパの裏面側から光を照射してコア材を硬化させ、凹凸を有するコア層を形成する工程とを含み、ラミネート工程の前に、基板周縁部上に塗布されたコア材を除去する工程を備えるものとしては、次の３つのパターンがある。
（ｉ）硬質基板上に基体を接着する基体接着工程と、基体上にクラッド層及びコア層を順次積層して所望の積層数を有する積層体を形成する積層体形成工程と、硬質基板から基体と積層体とを一体として分離する積層体分離工程とを含み、積層体形成工程が、光硬化性樹脂からなるクラッド層を形成する工程と、クラッド層上に光硬化性樹脂からなるコア材を塗布する工程と、基板周縁部上に塗布されたコア材を除去する工程と、コア材上に、表面に凹凸パターンを有し、光硬化性樹脂を硬化させるための光を透過しうる樹脂製スタンパをラミネートする工程と、樹脂製スタンパの裏面側から光を照射してコア材を硬化させ、凹凸を有するコア層を形成する工程と、凹凸を有するコア層から樹脂製スタンパを分離する工程とを含む。
（ｉｉ）硬質基板上に光硬化性樹脂からなるクラッド層を形成する工程と、クラッド層上に光硬化性樹脂からなるコア材を塗布する工程と、基板周縁部上に塗布されたコア材を除去する工程と、コア材上に、表面に凹凸パターンを有し、コア材を硬化させるための光を透過しうる樹脂製スタンパをラミネートする工程と、樹脂製スタンパの裏面側から光を照射してコア材を硬化させ、凹凸を有するコア層を形成する工程とを含む。
（ｉｉｉ）硬質基板上にクラッド材を塗布する工程と、基板周縁部上に塗布されたクラッド材を除去する工程と、クラッド材を硬化させてクラッド層を形成する工程と、硬質基板及びクラッド層上に光硬化性樹脂からなるコア材を塗布する工程と、コア材上に、表面に凹凸パターンを有し、コア材を硬化させるための光を透過しうる樹脂製スタンパをラミネートする工程と、樹脂製スタンパの裏面側から光を照射してコア材を硬化させ、凹凸を有するコア層を形成する工程とを含む。また、コア材塗布工程の後に、基板周縁部上に塗布されたコア材を除去する工程を含むのが好ましい。
【０１０５】
一方、基板上に光硬化性樹脂からなるコア材を塗布する工程と、光硬化性樹脂を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパをラミネートする工程と、スタンパの裏面側から光を照射してコア材を硬化させ、凹凸を有するコア層を形成する工程とを含み、ラミネート工程の後に、基板のエッジよりも外側にはみ出した光硬化性樹脂のはみ出し部を除去する工程を備えるものとして、以下の２つのパターンがある。
（ｉ）硬質基板上に基体を接着する基体接着工程と、基体上にクラッド層及びコア層を順次積層して所望の積層数を有する積層体を形成する積層体形成工程と、硬質基板から基体と積層体とを一体として分離する積層体分離工程とを含み、積層体形成工程が、光硬化性樹脂からなるクラッド層を形成する工程と、クラッド層上に光硬化性樹脂からなるコア材を塗布する工程と、コア材上に、表面に凹凸パターンを有し、コア材を硬化させるための光を透過しうる樹脂製スタンパをラミネートする工程と、基板のエッジよりも外側にはみ出したコア材のはみ出し部を除去する工程と、樹脂製スタンパの裏面側から光を照射してコア材を硬化させ、凹凸を有するコア層を形成する工程と、凹凸を有するコア層から樹脂製スタンパを分離する工程とを含むものとして構成される。
（ｉｉ）硬質基板上に光硬化性樹脂からなるクラッド層を形成する工程と、クラッド層上に光硬化性樹脂からなるコア材を塗布する工程と、コア材上に、表面に凹凸パターンを有し、コア材を硬化させるための光を透過しうる樹脂製スタンパをラミネートする工程と、基板のエッジよりも外側にはみ出したコア材のはみ出し部を除去する工程と、樹脂製スタンパの裏面側から光を照射してコア材を硬化させ、凹凸を有するコア層を形成する工程とを含む。
【実施例】
【０１０６】
本実施例及び後述の比較例では、樹脂材の塗布方法としてスピンコート法を用いた。
（実施例１）
まず、表面に画像情報に応じた凹凸形状を有する、金属ニッケルからなるニッケル製スタンパ上に、クラッド材であるアクリル系紫外線硬化樹脂（屈折率ｎ＝１．４９）を塗布した後、紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ2照射して硬化させ、５μｍ厚のクラッド層を形成した。このクラッド層上に、アクリル系紫外線硬化樹脂からなるコア材（屈折率ｎ＝１．４９）を塗布した後、厚さ１００μｍのアートンフィルム部材（ジェイエスアール株式会社製）を、ゴムローラで圧着しながら、ゆっくりと貼着した。この上から紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ2照射して硬化させ、１．８μｍ厚のコア層を形成し、フィルム部材をコア／クラッド層と接着した。そして、スタンパからクラッド層とコア層とアートンフィルムとを一体に分離し、光透過性スタンパを作製した。
【０１０７】
次に、ガラス基板上にクラッド材を塗布した後、紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ2照射して硬化させ、５μｍ厚のクラッド層を形成した。このクラッド層上に、コア材を塗布した後、厚さ１００μｍのアートンフィルム部材（ＪＳＲ社製）を、ゴムローラで圧着しながら、ゆっくりと貼着した。この上から紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ2照射して、フィルム部材をコア／クラッド層と接着した。
【０１０８】
このフィルム部材上に、コア材を塗布した後、紫外線を２４００ｍＪ／ｃｍ2照射して硬化させ、１．８μｍ厚のコア層を形成した。その上に、クラッド材を塗布した後、基板周縁部（基板端から約５ｍｍ幅）のクラッド材を拭き取り、その後、光透過性スタンパを、転写面がクラッド材に接する向きに、ゴムローラで圧着しながら、ゆっくりと貼着した。この上から、紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ2照射して、クラッド層を硬化させた後、光透過性スタンパのみを剥離した。この結果、１２μｍ厚のクラッド層が形成された。
【０１０９】
この際、クラッド材のはみ出しや、はみ出し部が硬化したものが光透過性スタンパに付着する等の現象は観察されなかったため、光透過性スタンパからの破片除去工程は不要であった。
このため、このクラッド層上に、コア材を塗布した後、窒素を満たした容器内に入れて、紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ2照射して硬化させ、１．８μｍ厚のコア層を形成した。この容器内の酸素濃度は１％以下であった。なお、形成したコア層、クラッド層の屈折率はそれぞれ１．５２，１．５１であった。この工程を４回繰り返すことにより、４層の多層構造を作製した。
【０１１０】
次に、クラッド材を塗布した後、紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ2照射して硬化させ、１２μｍ厚のクラッド層を形成した。このクラッド層上に、コア材を塗布した後、厚さ１００μｍのアートンフィルム部材（ＪＳＲ社製）を、ゴムローラで圧着しながら、ゆっくりと貼着した。この上から紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ2照射して、フィルム部材をコア／クラッド層と接着した。
【０１１１】
次いで、ガラス基板から、アートンフィルムに挟まれた４層構造を剥離し、光メモリ素子を作製した。これを、ダイシングソーを用いて、縦２cm、横２cmの大きさに切断してサンプルを作製した。
上述のようにして作製したサンプルに所定の方向からレーザ光を導入し評価を行なった。ここでは、レーザ光は、波長が６８０ｎｍ、強度が約５ｍＷの半導体レーザを用い、レンズを組み合わせて光束を縦が４μｍ、横が約１ｃｍに絞って、光束がコア層に入るように調整を行った。この結果、レーザ光はコア層内を伝播し、凹凸によってわずかに散乱した光はコア層と垂直方向に透過して、結像した。この像を直接ＣＣＤ上に投影して観察し、所期の画像（テストパターン）であることを確認した。また、レーザ光を導入するコア層を変えることによって、４層あるコア層に記録されたこれらの画像が互いに影響を与えることなく、それぞれ独立に読み出せることを確認した。
（実施例２）
本実施例２では、上述の実施例１と同様にして光透過性スタンパを作製した。
【０１１２】
また、本実施例２では、クラッド材を塗布し、光透過性スタンパをラミネートした後に、基板のエッジよりも外側にはみ出したクラッド材のはみ出し部を除去するようにしている。
つまり、ガラス基板上にクラッド材を塗布した後、紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ2照射して硬化させ、５μｍ厚のクラッド層を形成した。このクラッド層上に、コア材を塗布した後、厚さ１００μｍのアートンフィルム部材（ＪＳＲ社製）を、ゴムローラで圧着しながら、ゆっくりと貼着した。この上から紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ2照射して、フィルム部材をコア／クラッド層と接着した。
【０１１３】
このフィルム部材上に、コア材を塗布した後、紫外線を２４００ｍＪ／ｃｍ2照射して硬化させ、１．８μｍ厚のコア層を形成した。その上に、クラッド材を塗布した後、光透過性スタンパを、転写面がクラッド材に接する向きに、ゴムローラで圧着しながら、ゆっくりと貼着した。この際、基板のエッジよりも外側にクラッド材がはみ出した。このため、クラッド材を硬化させる前に、クラッド材のはみ出した部分（はみ出し部）を除去すべく、エタノールを供給し、クラッド材をエタノールに溶解させた後、基板を回転させて、エタノールを基板上から取り除いた。その後、この上から、紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ2照射して、クラッド層を硬化させた後、光透過性スタンパのみを剥離した。この結果、１２μｍ厚のクラッド層が形成された。
【０１１４】
この際、はみ出し部が硬化したものが光透過性スタンパに付着する等の現象は観察されなかったため、光透過性スタンパからの破片除去工程は不要であった。
このため、このクラッド層上に、コア材を塗布した後、窒素を満たした容器内に入れて、紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ2照射して硬化させ、１．８μｍ厚のコア層を形成した。この容器内の酸素濃度は１％以下であった。なお、形成したコア層、クラッド層の屈折率はそれぞれ１．５２，１．５１であった。この工程を４回繰り返すことにより、４層の多層構造を作製した。
【０１１５】
次に、クラッド材を塗布した後、紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ2照射して硬化させ、１２μｍ厚のクラッド層を形成した。このクラッド層上に、コア材を塗布した後、厚さ１００μｍのアートンフィルム部材（ＪＳＲ社製）を、ゴムローラで圧着しながら、ゆっくりと貼着した。この上から紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ2照射して、フィルム部材をコア／クラッド層と接着した。
【０１１６】
次いで、ガラス基板から、アートンフィルムに挟まれた４層構造を剥離し、光メモリ素子を作製した。これを、ダイシングソーを用いて、縦２cm、横２cmの大きさに切断してサンプルを作製した。
上述のようにして作製したサンプルに所定の方向からレーザ光を導入し評価を行なった。ここでは、レーザ光は、波長が６８０ｎｍ、強度が約５ｍＷの半導体レーザを用い、レンズを組み合わせて光束を縦が４μｍ、横が約１ｃｍに絞って、光束がコア層に入るように調整を行った。この結果、レーザ光はコア層内を伝播し、凹凸によってわずかに散乱した光はコア層と垂直方向に透過して、結像した。この像を直接ＣＣＤ上に投影して観察し、所期の画像（テストパターン）であることを確認した。また、レーザ光を導入するコア層を変えることによって、４層あるコア層に記録されたこれらの画像が互いに影響を与えることなく、それぞれ独立に読み出せることを確認した。
（比較例）
本比較例では、クラッド材を塗布した後、基板周縁部のクラッド材を拭き取ること以外は、上述の実施例と同様に光メモリ素子を作製した。
【０１１７】
つまり、本比較例では、フィルム部材上に１．８μｍ厚のコア層を形成し、その上に、クラッド材を塗布した後、光透過性スタンパを、転写面がクラッド材に接する向きに、ゴムローラで圧着しながら、ゆっくりと貼着した。この際、基板周縁部において、クラッド材のはみ出しが観察された。
この上から、紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ2照射して、クラッド層を硬化させた後、光透過性スタンパのみを剥離した。この結果、１２μｍ厚のクラッド層が形成された。しかし、光透過性スタンパを剥離する際、クラッド材のはみ出し、硬化したものが基板から分離して光透過性スタンパに付着してしまった。このため、光透過性スタンパの剥離後に、光透過性スタンパに付着した破片を、粘着テープを用いて、飛散しないように取り除く工程が必要になった。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明の一実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法を説明するための模式図である。
【図２】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の一実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法を説明するための模式図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる光透過性スタンパの全体構成を示す模式的断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｈ）は、本発明の一実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法の変形例における各工程を説明するための模式図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は、一般的な光メモリ素子の製造方法における課題を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【０１１９】
２  クラッド層（クラッド材）
２Ｘ  クラッド層（接着層）
３  コア層（コア材，記録層，光導波路）
３Ｘａ，３Ｘｂ，３Ｘｃ  コア層（接着層）
４  光メモリ素子（スラブ型光導波路デバイス）
５，５′  樹脂フィルム（基体）
１０  クラッド層（クラッド材，スタンパ層）
１１  コア層（コア材，接着層，接着剤）
１２  樹脂フィルム（基体，基体層）
１３  光透過性スタンパ（光メモリ素子作製用スタンパ）
２１  光メモリ素子作製用ベース基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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