(57)【要約】【課題】  固体撮像素子において、電荷転送電極などの段差に対する遮光膜の被覆性向上、遮光膜と下地絶縁膜との密着性向上、および遮光部と密着層の薄膜化による微細化を図る。【解決手段】  受光部１０上を開口させて電荷転送電極３上を覆うように高融点金属層からなる遮光膜６が形成された固体撮像素子において、遮光膜６と下地絶縁膜４との密着性を向上させるために、遮光膜６の下層で絶縁膜４の上層にＣＶＤ法により高融点金属層からなる密着層５Ａを形成する。ＣＶＤ法によれば、スパッタリング法よりも段差被覆性が良好な密着層５Ａが得られる。【選択図】 図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板表面側に設けられ、光照射により信号電荷を発生する受光部と、該受光部に隣接して該半導体基板表面側に設けられ、該受光部で生じた信号電荷を読み出して転送する転送部とを有し、該転送部上を覆い、該受光部上を開口した遮光膜が設けられた固体撮像素子において、
該遮光膜の下層で絶縁膜の上層に、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）により成膜された密着層が設けられている固体撮像素子。
【請求項２】
前記ＣＶＤ法は、熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法である請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記密着層は、高融点金属層からなる請求項１または２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記密着層は、窒化タングステン膜からなる請求項３に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記遮光膜は、高融点金属膜からなる請求項１〜４のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記遮光膜は、タングステン膜またはタングステン珪化膜からなる請求項５に記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記遮光膜は、タングステン珪化膜およびタングステン膜が基板側からこの順に積層された積層膜からなる請求項５に記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記遮光膜は、ＣＶＤ法により設けられている請求項１〜７のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項９】
前記絶縁膜は前記受光部および転送部上を覆って設けられている請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項１０】
前記絶縁膜は酸化珪素膜からなる請求項９に記載の固体撮像素子。
【請求項１１】
前記絶縁膜は、ＣＶＤ法により設けられている請求項１、９および１０のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１２】
前記受光部上に、層間絶縁膜を介して光を集光させるマイクロレンズが設けられている請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項１３】
前記転送部は、前記受光部に隣接して前記半導体基板上に設けられ、該受光部で発生した信号電荷を読み出す電荷転送電極と、
該半導体基板表面側であって、該電荷転送電極を介した該受光部側とは反対側に設けられ、該電荷転送電極で読み出された信号電荷を転送する電荷転送領域とを有する請求項１〜１２のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１４】
前記密着層は、平面上の堆積膜厚に対して、前記電荷転送電極の側壁上の堆積膜厚が９０％以上１００％以下に設けられている請求項１３に記載の固体撮像素子。
【請求項１５】
半導体基板表面側に設けられ、光照射により信号電荷を発生する受光部と、該受光部に隣接して該半導体基板表面側に設けられ、該受光部で生じた信号電荷を読み出して転送する転送部とを有する固体撮像素子を製造する固体撮像素子の製造方法において、
該受光部および転送部を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
化学気相成長法（ＣＶＤ法）により高融点金属層からなる密着層を該絶縁膜上に堆積させる工程と、
ＣＶＤ法により高融点金属層からなる遮光膜を該密着層上に堆積させる工程と、
該受光部上の該密着層および遮光膜を除去して受光部上を開口する工程とを有する固体撮像素子の製造方法。
【請求項１６】
前記密着層の堆積後、該密着層の表面を大気に接触させることなく、前記遮光膜を連続して堆積させる請求項１５に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１７】
前記密着層と遮光膜は同一の処理チャンバーにより連続して成膜する請求項１６に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１８】
前記密着層と遮光膜は、真空搬送手段を有するマルチチャンバー装置によって、別の処理チャンバーにて連続して個別に成膜する請求項１６に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１９】
前記遮光膜として、タングステン珪化膜およびタングステン膜を基板側からこの順に積層させた積層膜を形成する請求項１５〜１８のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項２０】
前記密着層を、熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法により形成する請求項１５〜１９のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項２１】
請求項１〜１４のいずれかに記載の固体撮像素子を撮像部に用いた電子情報機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＣＣＤ型固体撮像素子やＣＭＯＳ型固体撮像素子などの固体撮像素子およびその製造方法、これを撮像部に用いた電子情報機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の固体撮像素子においては、光照射により信号電荷を発生する受光部が設けられ、その受光部で生じた信号電荷を読み出す電荷転送電極と、電荷転送電極で読み出された信号電荷を転送する電荷転送領域を含む転送部とが設けられている。これらの受光部および転送部は半導体基板表面に設けられ、電荷転送電極は受光部と転送部との間の半導体基板上にゲート絶縁膜を介して設けられている。
【０００３】
通常、固体撮像素子の製造においては、半導体基板に電荷転送電極や電荷転送領域などを含む転送部、および受光部を形成した後に、受光部以外の領域（転送部）を覆うように遮光膜が設けられる。この遮光膜によって、受光部以外に光が入射して発生する「スミア」を抑制して、信号読み出し精度を向上させることができる。
【０００４】
この遮光膜としては、例えば特許文献１に記載されているように、高融点金属膜が用いられ、例えばＣＶＤ法（化学的気相成長法）によるタングステン膜が用いられている。また、遮光膜の下地層となる酸化珪素膜などの絶縁膜との密着性を向上させるために、スパッタリング法によるタングステン膜が密着層として形成されている。
【０００５】
以下に、転送部上に遮光膜を設けた従来の固体撮像素子の製造方法について、図４を用いて説明する。
【０００６】
図４Ａ（ａ）〜図４Ａ（ｃ）、図４Ｂ（ｄ）および図４Ｂ（ｅ）は、従来の固体撮像素子の製造工程について説明するための各工程の要部断面図である。なお、ここでは図示していないが、電荷転送電極の受光部側と左右反対側には、電荷転送領域が形成されている。
【０００７】
まず、図４Ａ（ａ）に示すように、受光部１０や電荷転送領域（図示せず）が形成された半導体基板１上にゲート酸化膜２を介して電荷転送電極３を形成し、さらに、基板全面を覆うように酸化珪素膜などからなる絶縁膜４を堆積させる。
【０００８】
次に、図４Ａ（ｂ）に示すように、絶縁膜４上にスパッタリング法により密着層５を堆積させる。密着層５の材料としては、遮光性を有する高融点金属が広く使用され、特にタングステン膜が一般的に用いられている。
【０００９】
さらに、図４Ａ（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法により密着層５上に遮光膜６を積層させる。遮光膜６の材料としては、高融点金属およびその珪化膜などが用いられ、特にタングステン膜やタングステンシリサイド膜が広く使用されている。
【００１０】
なお、このＣＶＤ法で形成された遮光膜６としてのタングステン膜やタングステンシリサイド膜は、下地層となる絶縁膜４に対する密着性が非常に悪い。このため、図４Ａ（ｂ）においてスパッタリング法によって形成される密着層５は、その密着性を補うために用いられている。
【００１１】
図４Ｂ（ｄ）に示すように、遮光膜６上に設けられ、フォトリソグラフィー法により受光部１０上方を開口させたフォトレジスト７を形成し、受光部１０上の密着層５および遮光膜６をドライエッチング法により除去して、受光部１０上を光学的に開口させる。
【００１２】
その後、図４Ｂ（ｅ）に示すように、フォトレジスト７を除去した後に、ＣＶＤ法および熱処理法により層間絶縁膜８を形成し、受光部１０の直上に位置する層間絶縁膜８上にマイクロレンズ９を形成する。以上の各製造工程により、従来の固体撮像素子が作製されていた。
【特許文献１】特開平１１−１１１９５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、昨今、固体撮像素子に対する微細化の要望が高まっており、上記図４Ａおよび図４Ｂに示す従来の固体撮像素子の製造方法では対応できなくなってきている。
【００１４】
これは、受光部１０の面積を確保するために受光部１０と電荷転送電極３との間隔をより縮小させる必要があることや、単位画素当たりの面積が縮小されるために受光部１０と光を集光させために設置されるマイクロレンズ９との距離も縮小させる必要があることなどにより、遮光膜６を構成する高融点金属膜およびその下層の密着層５を薄膜化させる必要があるためである。特に、スパッタリング法によるタングステン膜においては、電荷転送電極の段差に対する被覆性が非常に悪いことから、薄膜化が困難な状態にある。
【００１５】
例えばスパッタリング法によるタングステン膜を密着層５として用いて、密着層５および遮光膜６の薄膜化を行うと、遮光部で光透過が発生し、スミアが発生するという問題が生じる。また、スパッタリング法によるタングステン膜をなくして、絶縁膜４上にＣＶＤ法によるタングステン膜のみを遮光膜６として形成した場合には、上述したように、タングステン膜と下地層となる絶縁膜４との密着性が悪化するため、タングステン膜の剥がれなどの問題が生じる。
【００１６】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、電荷転送電極などの段差部に対する被覆性を向上させ、遮光膜と下地層となる絶縁膜との密着性がよくスミアの発生も抑制し、遮光部と密着層との堆積膜厚を低減させて微細化を図ることができる固体撮像素子およびその製造方法、これを撮像部に用いた電子情報機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の固体撮像素子は、半導体基板表面側に設けられ、光照射により信号電荷を発生する受光部と、該受光部に隣接して該半導体基板表面側に設けられ、該受光部で生じた信号電荷を読み出して転送する転送部とを有し、該転送部上を覆い、該受光部上を開口した遮光膜が設けられた固体撮像素子において、該遮光膜の下層で絶縁膜の上層に、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）により成膜された密着層が設けられており、そのことにより上記目的が達成される。
【００１８】
また、好ましくは、本発明の固体撮像素子におけるＣＶＤ法は、熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法である。
【００１９】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における密着層は、高融点金属層からなる。
【００２０】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における密着層は、窒化タングステン膜からなる。
【００２１】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における遮光膜は、高融点金属膜からなる。
【００２２】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における遮光膜は、タングステン膜またはタングステン珪化膜からなる。
【００２３】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における遮光膜は、タングステン珪化膜およびタングステン膜が基板側からこの順に積層された積層膜からなる。
【００２４】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における遮光膜は、ＣＶＤ法により設けられている。
【００２５】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における絶縁膜は前記受光部および転送部上を覆って設けられている。
【００２６】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における絶縁膜は酸化珪素膜からなる。
【００２７】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における絶縁膜は、ＣＶＤ法により設けられている。
【００２８】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における受光部上に、層間絶縁膜を介して光を集光させるマイクロレンズが設けられている。
【００２９】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における転送部は、前記受光部に隣接して前記半導体基板上に設けられ、該受光部で発生した信号電荷を読み出す電荷転送電極と、該半導体基板表面側であって、該電荷転送電極を介した該受光部側とは反対側に設けられ、該電荷転送電極で読み出された信号電荷を転送する電荷転送領域とを有する。
【００３０】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における密着層は、平面上の堆積膜厚に対して、前記電荷転送電極の側壁上の堆積膜厚が９０％以上１００％以下に設けられている。
【００３１】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板表面側に設けられ、光照射により信号電荷を発生する受光部と、該受光部に隣接して該半導体基板表面側に設けられ、該受光部で生じた信号電荷を読み出して転送する転送部とを有する固体撮像素子を製造する固体撮像素子の製造方法において、該受光部および転送部を覆うように絶縁膜を形成する工程と、  化学気相成長法（ＣＶＤ法）により高融点金属層からなる密着層を該絶縁膜上に堆積させる工程と、ＣＶＤ法により高融点金属層からなる遮光膜を該密着層上に堆積させる工程と、該受光部上の該密着層および遮光膜を除去して受光部上を開口する工程とを有し、そのことにより上記目的が達成される。
【００３２】
また、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法において、密着層の堆積後、該密着層の表面を大気に接触させることなく、前記遮光膜を連続して堆積させる。
【００３３】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法において、密着層と遮光膜は同一の処理チャンバーにより連続して成膜する。
【００３４】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法において、密着層と遮光膜は、真空搬送手段を有するマルチチャンバー装置によって、別の処理チャンバーにて連続して個別に成膜する。
【００３５】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法において、遮光膜として、タングステン珪化膜およびタングステン膜を基板側からこの順に積層させた積層膜を形成する。
【００３６】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法において、密着層を、熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法により形成する。
【００３７】
本発明の電子情報機器は、請求項１〜１４のいずれかに記載の固体撮像素子を撮像部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３８】
上記構成により、以下、本発明の作用について説明する。
【００３９】
本発明にあっては、ＣＶＤ法により密着層（密着性良好な膜）を形成することにより、スパッタリング法に比べて、電荷転送電極などの段差に対する被覆性が向上する。これによって、遮光膜を構成する高融点金属膜と密着層との積層膜厚を低減できて、固体撮像素子の微細化を図ることができる。また、薄膜化しても段差被覆性が向上しているため、遮光部での光透過によるスミア発生を抑制することが可能である。
【００４０】
密着層としては、遮光性および耐熱性が良好な高融点金属層を用いることが好ましい。例えば、絶縁膜と遮光膜（高融点金属層）との密着性が良好な窒化タングステン膜などが挙げられる。
【００４１】
遮光膜としては、遮光性および耐熱性が良好な高融点金属層を用いることが好ましく、例えばタングステン膜およびタングステン珪化膜などが挙げられる。密着層の表面が酸化されて密着層と遮光膜との密着性が悪化するのを防ぐために、タングステン珪化膜とタングステン膜との積層膜を用いてもよい。また、密着層の堆積後、遮光膜堆積前に密着層の表面が大気と接触しないように、遮光膜を連続して形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００４２】
以上説明したように、本発明によれば、ＣＶＤ法により密着層を形成して密着層の段差被覆性を向上させることにより、薄膜化が可能となる。これにより、受光部と遮光部の電荷転送電極との距離の縮小化、および受光部と光集光のために設置されるマイクロレンズとの距離の縮小化を図ることができ、固体撮像素子を縮小化させて、高画素デバイスの製造や製造コストの削減が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下に、本発明を固体撮像素子およびその製造方法の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００４４】
図１は、本実施形態の固体撮像素子の要部断面図である。ここでは、基板上にマトリクス状に設けられた複数の画素部の一つが示されている。
【００４５】
図１に示すように、本実施形態の固体撮像素子１１は、半導体基板１の表面上に光照射により信号電荷を発生する受光部１０が設けられ、その上を覆うようにゲート酸化膜２が設けられている。ゲート絶縁膜２上には、受光部１０と隣接して、受光部１０で生じた信号電荷を読み出す電荷転送電極３が設けられており、その上を覆うように基板全面に絶縁膜４が設けられている。
【００４６】
さらに、絶縁膜４上には、密着層５Ａおよび遮光膜６が順次設けられており、受光部１０上が光学的に開口されている。
【００４７】
この密着層５Ａは、その上の遮光膜６とその下地層である絶縁膜４との密着性を向上させるために、遮光膜６と絶縁膜４との間に設けられており、遮光膜６は、受光部１０以外に光が入射して発生する「スミア」を抑制するために設けられている。なお、ここでは図示していないが、半導体基板１の表面には、電荷転送電極３を介して受光部１０側とは左右反対側に電荷転送領域（図示せず）が設けられ、電荷転送電極３と電荷転送領域とによって転送部が構成されている。密着層５Ａおよびその上の遮光膜６は、受光部１０以外の領域（転送部）を覆うように設けられている。
【００４８】
さらに、その上を覆うように基板全面に透明な層間絶縁膜８が設けられ、受光部１０上方の層間絶縁膜８上に、光を受光部１０に集光させるための凸レンズであるマイクロレンズ９が設けられている。このような画素部が、基板上に縦方向および横方向に２次元状でマトリクス状に複数設けられて固体撮像素子が構成されている。
【００４９】
次に、本実施形態の固体撮像素子１１の製造方法について、図２Ａ（ａ）〜図２Ａ（ｃ）、図２Ｂ（ｄ）および図２Ｂ（ｅ）の各工程に沿って順次説明する。
【００５０】
図２Ａ（ａ）〜図２Ａ（ｃ）、図２Ｂ（ｄ）および図２Ｂ（ｅ）は、本実施形態の固体撮像素子１１の製造方法を説明するための各工程の要部断面図である。
【００５１】
まず、図２Ａ（ａ）に示すように、受光部１０や電荷転送領域（図示せず）が形成された半導体基板１上にゲート酸化膜２を介して電荷転送電極３を形成し、さらに、基板全面を覆うように酸化珪素膜などからなる絶縁膜４を堆積させる。
【００５２】
本実施形態において、電荷転送電極３は、膜厚３００ｎｍの多結晶シリコン膜を堆積後、フォトリソグラフィー法とドライエッチング法によりパターン形成した。また、絶縁膜４は、熱ＣＶＤ法により、膜厚１００ｎｍのＨＴＯ膜（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜を形成した。
【００５３】
次に、図２Ａ（ｂ）に示すように、絶縁膜４上にＣＶＤ法により全面に密着層５Ａを堆積させる。この密着層５Ａは、その上に形成される遮光膜６と下地膜となる絶縁膜４との密着性が悪いため、それを補うために遮光膜６と絶縁膜４との間に設けられる。
【００５４】
この密着層５は、電荷転送電極４に対して高い被覆性が求められる。そこで、本実施形態では、高い被覆性が得られる熱ＣＶＤ法を用いて成膜した。また、密着層５Ａの材料としては、絶縁膜４および遮光膜６と密着性が良く、後工程での熱処理に耐性を有するものであればいずれも用いることができるが、これらの要件を満たし、さらに遮光性も有する材料として、高融点金属膜を用いることが好ましい。本実施形態では、温度６００℃で材料ガスとしてＷＦ６とＮＨ４とＨ２とを用い、膜厚５ｎｍの窒化タングステン膜を堆積して密着層５Ａとした。
【００５５】
その被覆性について、平面上の堆積膜厚に対する、電荷転送電極３の側壁の堆積膜厚の比で見ると、従来のスパッタリング法では５％〜２０％（電荷転送電極の高さに依存）であるのに対して、ＣＶＤ法では９０％〜１００％が得られる。また、このように良好な被覆性が得られるという利点を活かして、タングステン膜に対して比較的遮光性が良くない窒化タングステン膜について、堆積膜厚を薄く設定することが可能である。なお、成膜手法としては、熱ＣＶＤ法に限らず、プラズマＣＶＤ法によっても、同様の効果を得ることができる。
【００５６】
次に、図２Ａ（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法により遮光膜６を全面に堆積させる。遮光膜６の材料としては、高い遮光性を有すること、および後工程での熱処理に耐性を有することが重要であることから、高融点金属膜を用いることが好ましい。本実施形態では、熱ＣＶＤ法により、温度４８０℃で材料ガスとしてＷＦ６とＨ２ガスとを用い、膜厚１８０nmのタングステン膜を堆積した。なお、このタングステン膜からなる遮光膜６についても、熱ＣＶＤ法によって、電荷転送電極３の側壁への被覆率（平面上の堆積膜厚に対する、電荷転送電極３の側壁の堆積膜厚の比）は９０％〜１００％が得られている。
【００５７】
ここで、密着層５Ａの表面が酸化されると、密着層５Ａと遮光膜６との密着性が悪化することがある。これを改善する方法としては、以下の二つの方法が挙げられる。
【００５８】
その一つは、密着層５Ａの表面を大気に晒すことなく、遮光膜６を堆積させることである。このためには、同一の処理チャンバーにて密着層５Ａと遮光膜６とを連続して成膜する方法や、真空搬送手段を有するマルチチャンバー装置によって、密着層５と遮光膜６とを別の処理チャンバーにて連続して個別処理するという方法がある。
【００５９】
もう一つは、遮光膜６として、タングステン珪化膜をタングステン膜の下層に積層形成したものを用いる方法である。このタングステン珪化膜は、タングステン膜の成膜条件と近似した条件で成膜可能であることから、同一の処理チャンバーで成膜処理を行っても何ら問題は生じない。
【００６０】
その成膜条件としては、まず、温度４８０℃で材料ガスとしてＷＦ６とＳｉＨ４ガスとを用いて膜厚１０ｎｍ〜５０ｎｍのタングステン珪化膜を形成し、引き続いて、温度４８０℃で材料ガスとしてＷＦ６とＨ２ガスを用いて膜厚１３０ｎｍ〜１７０ｎｍのタングステン膜を積層する。これにより、表面酸化された窒化タングステン膜からなる密着層５Ａでも遮光膜６を密着性良く成膜することができる。
【００６１】
次に、図２Ｂ（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法により受光部１０上を開口させたフォトレジスト７を形成し、受光部１０上の密着層５Ａおよび遮光膜６をドライエッチング法により除去して、受光部１０上を光学的に開口させる。
【００６２】
この工程の際に、密着層５Ａの電荷転送電極３への被覆性が大きく影響する。これは、フォトレジスト７の開口部が、電荷転送電極３の側壁へ堆積される密着層５Ａと遮光膜６との厚さにより決定されてしまうためである。すなわち、密着層５Ａの被覆性が悪い場合には、図４Ｂ（ｄ）に示すように、電荷転送電極３の側壁が厚く張り出してしまうため、フォトレジスト７の受光部１０上の開口幅を狭く設定しなければならない。これにより、受光部１０への入射光量が低下し、固体撮像素子の感度低下を招くため、固体撮像素子の微細化を行うに際して、大きな問題となっている。
【００６３】
本実施形態によれば、密着層５ＡをＣＶＤ法で形成することによって、図２Ｂ（ｄ）に示すフォトレジスト７の開口幅は、図４Ｂ（ｄ）に示す従来法に比べて大きく改善されている。
【００６４】
その後、図２Ｂ（ｅ）に示すように、フォトレジスト７を除去し、層間絶縁膜８を形成した後、受光部１０の直上の層間絶縁膜８上にマイクロレンズ９を形成する。
【００６５】
本実施形態において、層間絶縁膜８は、リフロー性を有するＢＰＳＧ膜を熱ＣＶＤ法により堆積し、熱処理により平坦化させている。また、マイクロレンズ９は、感光材を含むポリイミド樹脂をフォトリソグラフィー法によるパターン形成し、熱処理によりリフローさせて形成した。以上の各製造工程により、図２Ｂ（ｅ）に示すような本実施形態の固体撮像素子１１が作製される。
【００６６】
次に、本実施形態の固体撮像素子１１とその製造方法の効果について説明する。
【００６７】
図３（ａ）は本実施形態の固体撮像素子の製造方法により作製される固体撮像素子１１の要部断面図であり、図３（ｂ）は従来法により作製される固体撮像素子の要部断面図である。
【００６８】
図３（ａ）では、密着層５Ａの電荷転送電極３への被覆性が向上していることにより、下記表１に示すように、受光部１０の開口幅Ａが広く取れることが分かる。下記表１は、電荷転送電極３の間隔が変化した場合について、本発明と従来法による受光部１０の開口面積の差を示している。本発明によれば、従来法に比べて受光部開口面積を広くすることが可能であり、これは、微細化により電極間隔が小さくなった場合に、より顕著に現れることが分かる。例えば、電極間隔Ｘ方向が１．６０μｍでＹ方向が２．４０μｍである場合、受光部開口面積は本発明では１．５０μｍ２で従来法の１．０５μｍ２の約１．４倍である。また、電極間隔が縮小してＸ方向が１．４０μｍでＹ方向が２．１０μｍである場合、受光部開口面積は本発明では０．９６μｍ２で従来法の０．６０μｍ２の約１．６倍である。さらに、電極間隔がさらに縮小してＸ方向が１．２０μｍでＹ方向が１．８０μｍである場合、受光部開口面積は本発明では０．５３μｍ２で従来法の０．２７ｍ２の約２倍である。
【００６９】
【表１】
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また、密着層５Ａの電荷転送電極３への被覆性が向上されていることにより、本発明によれば、密着層５Ａの堆積膜厚を薄膜化しても充分電荷転送電極３を被覆することができる。このため、下記表２に示すように、基板−マイクロレンズ間の距離を、従来法に比べて薄くできることが分かる。例えば、本発明では基板−マイクロレンズ間の距離が０．９８μｍであるのに対して、従来法では１．０８μｍと約１．１倍になる。
【００７０】
【表２】
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以上説明したように、本実施形態の固体撮像素子１１およびその製造方法によれば、受光部１０上を開口させ、電荷転送電極３上を覆うように高融点金属層からなる遮光膜６が設けられた固体撮像素子において、遮光膜６と下地絶縁膜４との密着性を向上させるために、遮光膜６の下層で絶縁膜４の上層にＣＶＤ法により高融点金属層からなる密着層５Ａが設けられている。ＣＶＤ法によれば、スパッタリング法よりも段差被覆性が良好な密着層５Ａが得られる。このように、密着層５Ａの段差被覆性を向上させることにより、密着層５Ａを薄膜化させることが可能となる。これにより、受光部１０と遮光部（電荷転送電極）との距離や、受光部１０とマイクロレンズ９との距離を縮小化させることができるため、固体撮像素子１１を縮小化させて微細化させ、高画素デバイスの製造や製造コスト削減を図ることが可能になる。
【００７１】
なお、上記実施形態では、遮光膜６の下層で絶縁膜４の上層に、化学的気相成長法（ＣＶＤ）により形成された密着層５Ａを形成した固体撮像素子１１について説明したが、この固体撮像素子１１を、高精細化および小型化が要望されるデジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ、カメラ付き携帯型電話機など各種の電子情報機器の撮像部に好適に用いることができる。
【００７２】
以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は、例えばＣＣＤ型固体撮像素子やＣＭＯＳ型固体撮像素子などの固体撮像素子およびその製造方法の分野において、密着層の段差被覆性を向上させて薄膜化が可能となり、固体撮像素子を微細化して高画素デバイスの製造や製造コスト削減が可能になる。特に、高精細化および小型化が要望されるデジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ、カメラ付き携帯型電話機など各種の電子情報機器の撮像部に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本実施形態の固体撮像素子の要部断面図である。
【図２Ａ】（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の固体撮像素子の製造方法を説明するための各工程（その１）の要部断面図である。
【図２Ｂ】（ｄ）および（ｅ）は、本実施形態の固体撮像素子の製造方法を説明するための各工程（その２）の要部断面図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、本発明と従来法による固体撮像素子の断面形状比較用の要部断面図である。
【図４Ａ】（ａ）〜（ｃ）は、従来の固体撮像素子の製造工程について説明するための各工程（その１）の要部断面図である。
【図４Ｂ】（ｄ）および（ｅ）は、従来の固体撮像素子の製造工程について説明するための各工程（その２）の要部断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１  半導体基板
２  ゲート酸化膜
３  電荷転送電極
４  絶縁膜
５Ａ 密着層
６  遮光膜
７  フォトレジスト
８  層間絶縁膜
９  マイクロレンズ
１０ 受光部
１１  固体撮像素子
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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