(57)【要約】【課題】  特性が劣化する事態が有意に抑制された弾性表面波素子、弾性表面波装置、デュプレクサ及び弾性表面波素子の製造方法を提供する。【解決手段】  本発明に係る弾性表面波素子１２は、圧電性基板２８と、圧電性基板２８上に形成されたＩＤＴ電極３２とを備え、圧電性基板２８の体積抵抗率が、３．６×１０１０Ω・ｃｍ以上、１．５×１０１４Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。この弾性表面波素子１２は、体積抵抗率が低い圧電性基板を備えており、その体積抵抗率は１．５×１０１４Ω・ｃｍ以下に低減されている。従って、この弾性表面波素子１２においては、ＩＤＴ電極３２の間における放電の発生が抑制されるため、特性が劣化する事態が有意に抑制される。また、圧電性基板２８の体積抵抗率が３．６×１０１０Ω・ｃｍ以上であるため、ＩＤＴ電極３２同士が短絡する事態が有意に回避されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成されたＩＤＴ電極とを備え、
前記圧電性基板の体積抵抗率が、３．６×１０１０Ω・ｃｍ以上、１．５×１０１４Ω・ｃｍ以下である、弾性表面波素子。
【請求項２】
前記圧電性基板には、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｕ及びＴｉのうちの少なくとも１種類の添加物が添加されている、請求項１に記載の弾性表面波素子。
【請求項３】
前記添加物の添加率が、１．２４ｗｔ％以下である、請求項２に記載の弾性表面波素子。
【請求項４】
前記圧電性基板が、主にタンタル酸リチウムで構成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の弾性表面波素子。
【請求項５】
前記ＩＤＴ電極が、高配向性を有する、Ａｌ又はＡｌ合金で構成されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の弾性表面波素子。
【請求項６】
圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成されたＩＤＴ電極とを有し、前記圧電性基板の体積抵抗率が、３．６×１０１０Ω・ｃｍ以上、１．５×１０１４Ω・ｃｍ以下である弾性表面波素子と、
前記弾性表面波素子が搭載される面に、前記ＩＤＴ電極と電気的に接続される電極端子が形成された実装基板とを備える、弾性表面波装置。
【請求項７】
圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成されたＩＤＴ電極とを有し、前記圧電性基板の体積抵抗率が、３．６×１０１０Ω・ｃｍ以上、１．５×１０１４Ω・ｃｍ以下である弾性表面波素子を備える、デュプレクサ。
【請求項８】
Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｕ及びＴｉのうちの少なくとも１種類の添加物が添加されており、体積抵抗率が３．６×１０１０Ω・ｃｍ以上、１．５×１０１４Ω・ｃｍ以下である圧電性基板上に、ＩＤＴ電極を形成するステップを含む、弾性表面波素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波素子、弾性表面波装置、デュプレクサ及び弾性表面波素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波装置に用いられる圧電性基板は焦電性を有するため、加熱処理時や使用時に圧電性基板が８０℃以上に昇温された場合には、基板表面に不均一な電荷分布が生じることが知られている。
【０００３】
このような不均一な電荷分布が生じた場合、基板上に形成された複数の櫛歯状電極（以下、「ＩＤＴ電極」と称す。）の間で電位差が生じ、この電位差を緩和するための放電がおこる。そして、この放電によってＩＤＴ電極が溶融し、装置の周波数特性が所望の特性からずれたり、ショート不良が発生したりするといった特性の劣化が招かれる。例えば、製造後におこなわれる外観検査では、３割以上の弾性表面波装置にＩＤＴ電極の溶融が確認される場合もある。特に、対応周波数の高周波化を図るために、ＩＤＴ電極が密に形成された近年の弾性表面波装置では、このような放電によるＩＤＴ電極の溶融が起こりやすい状況となっている。
【０００４】
そこで、圧電性基板の不均一な電荷分布が改善された弾性表面波装置が、下記特許文献１〜４に開示されている。すなわち、下記特許文献１には、基板とＩＤＴ電極との間に所定の抵抗値を有する下地層が形成された弾性表面波装置が開示されている。また、下記特許文献２には、ＩＤＴ電極の上に所定の抵抗値を有する保護層が形成された弾性表面波装置が開示されている。さらに、下記特許文献３には、ＩＤＴ電極の上に所定の抵抗値を有する半導体層が形成された弾性表面波装置が開示されている。また、下記特許文献４には、ＩＤＴ電極の間の基板表面がドーピングされた弾性表面波装置が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１０７５７３号公報
【特許文献２】特開平１０−１６３８０２号公報
【特許文献３】特開平１０−１２６２０７号公報
【特許文献４】特開２００１−１６８６７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した従来の弾性表面波装置には次のような課題が存在している。すなわち、圧電性基板上に形成される下地層、保護層及び半導体層のそれぞれの厚さ、若しくは、圧電性基板へのドーピングの深さを、高い精度で均一に制御することは非常に困難である。そのため、多くの場合、下地層、保護層び半導体層のそれぞれの厚さ、若しくは、ドーピング深さは不均一となり、この不均一性により、下地層などが電荷分布の均一化のために十分に機能しなかった。従って、従来の弾性表面波装置では、ＩＤＴ電極が放電により溶融する事態が十分に抑制されていなかった。
【０００７】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、特性が劣化する事態が有意に抑制された弾性表面波素子、弾性表面波装置、デュプレクサ及び弾性表面波素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る弾性表面波素子は、圧電性基板と、圧電性基板上に形成されたＩＤＴ電極とを備え、圧電性基板の体積抵抗率が、３．６×１０１０Ω・ｃｍ以上、１．５×１０１４Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。
【０００９】
この弾性表面波素子は、体積抵抗率が低い圧電性基板を備えており、その体積抵抗率は１．５×１０１４Ω・ｃｍ以下となっている。圧電性基板の体積抵抗率がこの程度に低い場合には、体積抵抗率が１０１５Ω・ｃｍ以上である従来の基板では不均一な電荷分布が生じてしまう条件下であっても、均一な電荷分布となることが発明者らによって新たに見出された。そのため、この弾性表面波素子においては、ＩＤＴ電極の間における放電の発生が抑制されるため、特性が劣化する事態が有意に抑制される。また、圧電性基板の体積抵抗率が３．６×１０１０Ω・ｃｍ以上であるため、ＩＤＴ電極同士が短絡する事態が有意に回避されている。
【００１０】
また、圧電性基板には、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｕ及びＴｉのうちの少なくとも１種類の添加物が添加されていることが好ましい。上記添加物を選択することで、圧電性基板の抵抗率低減を実現することができる。
【００１１】
また、添加物の添加率が、１．２４ｗｔ％以下であることが好ましい。この場合、３．６×１０１０Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有する圧電性基板が得られる。
【００１２】
また、圧電性基板が、主にタンタル酸リチウムで構成されていることが好ましい。
【００１３】
また、ＩＤＴ電極が、高配向性を有する、Ａｌ又はＡｌ合金で構成されていることが好ましい。この場合、ＩＤＴ電極は高い耐電力性を有する。
【００１４】
本発明に係る弾性表面波装置は、圧電性基板と、圧電性基板上に形成されたＩＤＴ電極とを有し、圧電性基板の体積抵抗率が、３．６×１０１０Ω・ｃｍ以上、１．５×１０１４Ω・ｃｍ以下である弾性表面波素子と、弾性表面波素子が搭載される面に、ＩＤＴ電極と電気的に接続される電極端子が形成された実装基板とを備えることを特徴とする。
【００１５】
この弾性表面波装置は、体積抵抗率が低い圧電性基板を備えており、その体積抵抗率は１．５×１０１４Ω・ｃｍ以下となっている。圧電性基板の体積抵抗率がこの程度に低い場合には、体積抵抗率が１０１５Ω・ｃｍ以上である従来の基板では不均一な電荷分布が生じてしまう条件下であっても、均一な電荷分布となることが発明者らによって新たに見出された。そのため、この弾性表面波装置においては、ＩＤＴ電極の間における放電の発生が抑制されるため、特性が劣化する事態が有意に抑制される。また、圧電性基板の体積抵抗率が３．６×１０１０Ω・ｃｍ以上であるため、ＩＤＴ電極同士が短絡する事態が有意に回避されている。
【００１６】
本発明に係るデュプレクサは、圧電性基板と、圧電性基板上に形成されたＩＤＴ電極とを有し、圧電性基板の体積抵抗率が、３．６×１０１０Ω・ｃｍ以上、１．５×１０１４Ω・ｃｍ以下である弾性表面波素子を備えることを特徴とする。
【００１７】
このデュプレクサは、体積抵抗率が低い圧電性基板を備えており、その体積抵抗率は１．５×１０１４Ω・ｃｍ以下となっている。圧電性基板の体積抵抗率がこの程度に低い場合には、体積抵抗率が１０１５Ω・ｃｍ以上である従来の基板では不均一な電荷分布が生じてしまう条件下であっても、均一な電荷分布となることが発明者らによって新たに見出された。そのため、このデュプレクサにおいては、ＩＤＴ電極の間における放電の発生が抑制されるため、特性が劣化する事態が有意に抑制される。また、圧電性基板の体積抵抗率が３．６×１０１０Ω・ｃｍ以上であるため、ＩＤＴ電極同士が短絡する事態が有意に回避されている。
【００１８】
本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｕ及びＴｉのうちの少なくとも１種類の添加物が添加されており、体積抵抗率が３．６×１０１０Ω・ｃｍ以上、１．５×１０１４Ω・ｃｍ以下である圧電性基板上に、ＩＤＴ電極を形成するステップを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、特性が劣化する事態が有意に抑制された弾性表面波素子、弾性表面波装置、デュプレクサ及び弾性表面波素子の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照して本発明に係る弾性表面波素子、弾性表面波装置、デュプレクサ及び弾性表面波素子の製造方法を実施するにあたり最良と思われる形態について詳細に説明する。なお、同一又は同等の要素については同一の符号を付し、説明が重複する場合にはその説明を省略する。
【００２１】
図１は、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の概略断面図である。図１に示すように、本発明に係る弾性表面波装置１０は、弾性表面波素子１２と、この弾性表面波素子が搭載される実装基板１４と、弾性表面波素子１２を封止するカバー１６とを備えている。弾性表面波素子１２の下面１２ａには、３対の入出力電極１８上に嵩上げ電極２０が積層されたパッド電極２２が形成されている。実装基板１４の弾性表面波素子１２が搭載される面１４ａには、弾性表面波素子１２動作用に必要な電圧を印加するための金メッキ電極（電極端子）２４が形成されている。そして、図に示すように対応する弾性表面波素子１２のパッド電極２２と実装基板１４の金メッキ電極２４とは、Ａｕバンプ２６を介して接続されている。カバー１６は、弾性表面波素子１２を密封封止して保護するための部材であり、弾性表面波素子１２の側面を四方から囲むダム部１６Ａと弾性表面波素子１２の上面１２ｂを覆うキャップ部１６Ｂの２つの部材で構成されている。
【００２２】
次に、図２を参照しつつ、弾性表面波装置１０を構成する弾性表面波素子１２についてより詳しく説明する。図２は、弾性表面波素子１２を示した概略斜視図である。図２に示すように、弾性表面波素子１２は、圧電性基板２８と、この圧電性基板２８上に積層されたバッファ層３０と、圧電性基板２８上にバッファ層３０を介して形成されたパッド電極２２とを有している。
【００２３】
圧電性基板２８は、超圧電性（焦電性）を有するタンタル酸リチウム（以下、ＬＴと略す。）を主成分とする基板であり、断面が略正方形である角柱形状を有している。なお、圧電性基板は、ニオブ酸リチウムを主成分とするものであってもよい。
【００２４】
６つのパッド電極２２はそれぞれ、単結晶アルミニウム電極膜を成形した入出力電極１８と、入出力電極１８部分の厚さを厚くするための嵩上げ電極２０とを有する。このパッド電極２２は、圧電性基板２８の対向する２辺に沿うように３つずつ配置されている。そして、各辺に沿う３つのパッド電極２２は、その辺の中央に位置するパッド電極２２を中心に等距離だけ離間するような配置となっている。パッド電極２２をこのような配置にすることで、弾性表面波素子１２を実装基板１４上にフリップチップ実装した際、弾性表面波素子１２の重心と圧電性基板２８の重心とが実装基板１４表面の法線方向に並ぶため、弾性表面波素子１２が高い安定性を有することとなる。なお、本明細書における単結晶には、粒界の全くない完全な単結晶以外に、わずかな粒界及び亜粒界を含む単結晶や高い配向性を有する多結晶も含まれるものとする。
【００２５】
バッファ層３０は、基板２８の主成分であるＬＴの格子定数と、電極１８材料のアルミニウムの格子定数の間の格子定数を有するＴｉＮで構成されている。
【００２６】
図２では省略しているが弾性表面波素子１２の表面１２ａ上には、図３に示すように、パッド電極２２の他にＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極及び所定の配線パターンが形成されている。図３は、弾性表面波素子１２に形成された電極パターンを示した概略構成図である。図３の各符号２２Ａ〜２２Ｆは、図２に示した各パッド電極２２Ａ〜２２Ｆに対応しており、このうちの４つのパッド電極２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｅ，２２Ｆが６つのラダー型ＩＤＴ電極３２に接続されている。具体的には、中央に位置するパッド電極２２Ｂとパッド電極２２Ｅとの間には、４つのＩＤＴ電極３２（直列腕共振器３２Ａ）が直列に接続されている。また、この４つの直列腕共振器３２Ａの中央の２つを挟む配線位置からは配線が引き出され、それぞれＩＤＴ電極３２（並列腕共振器３２Ｂ）を介してパッド電極２２Ａとパッド電極２２Ｆとに接続されている。パッド電極２２Ａ及びパッド電極２２Ｆはグランドに接続されている。
【００２７】
なお、電極パターンは図３に示したものに限られず、ＩＤＴ電極３２の数、配線パターンなどを適宜変更してもよい。ただし、図３に示した電極パターンのように点対称の関係を有するような電極パターンを採用することにより、弾性表面波素子１２を実装基板１４上にフリップチップ実装した際、弾性表面波素子１２の重心と圧電性基板２８の重心とが実装基板１４表面の法線方向に並ばせることが可能であるため、弾性表面波素子１２の安定性を向上させることができる。
【００２８】
次に、図１に示した弾性表面波装置１０を作製する手順について、図４を参照しつつ説明する。図４は、図１に示した弾性表面波装置１０を作製する手順について示した図である。
【００２９】
まず、３インチ径（又は４インチ径）の圧電性基板２８を準備し、この圧電性基板２８の積層面２８ａに水洗処理を施して不純物を除去した後、この積層面２８ａがターゲット材の方向を向くようにスパッタリング装置内にセットする。そして、純度９９．９％の金属チタンをターゲット材とし、窒素とアルゴンとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングをおこない、圧電性基板２８の積層面２８ａ全面にＴｉＮバッファ層３０を成膜する（図４（ａ）参照）。
【００３０】
圧電性基板２８上にバッファ層３０を成膜した後、スパッタリング装置内を真空に保持したまま、ターゲット材をアルミニウムに変更して、圧電性基板２８上に厚さ８０〜４００ｎｍ程度（例えば、３００ｎｍ）のアルミニウム電極膜３４を成膜する（図４（ｂ）参照）。なお、バッファ層３０の構成材料は、ＴｉＮに限らず、例えばＴｉ等でもよく、この電極膜３４の材料の格子定数と圧電性基板２８の材料の格子定数との間の格子定数を有する材料であればよい。このような材料を選択的に採用することにより、格子不整合が緩和されて電極膜３４が単結晶化しやすくなる。このように電極膜３４が高い配向性を有する場合、この電極膜３４から形成される入出力電極１８及びＩＤＴ電極３２も高い配向性を有することとなり耐電力性が向上する。
【００３１】
その後、スパッタリング装置から圧電性基板２８を取り出し、バッファ層３０及び電極膜３４を公知のフォトリソグラフィ（フォトエッチング）技術を用いて、作製する素子数（例えば、２００個）に対応する数の上述の電極パターンを作製する（図４（ｃ）参照）。パターニングの後、入出力電極１８の作製と同様の手順により、電極パターンの入出力電極１８上に厚さ５００ｎｍ程度の嵩上げ電極２０を形成して、弾性表面波素子１２の作製が完了する。このとき嵩上げ電極２０には、大気の曝露によってその表面にＡｌ２Ｏ３からなる絶縁膜が形成されている。さらに各嵩上げ電極２０には、バンプボンダによって作られた球状のＡｕが押し当てられると共に超音波振動が加えられて、嵩上げ電極２０表面に形成された絶縁膜を貫通するバンプ２６が形成される（図４（ｄ）参照）。
【００３２】
なお、入出力電極１８と嵩上げ電極２０との間には、適宜、バンプ２６のＡｕ原子が入出力電極１８に拡散する事態を抑止するためのクロム（Ｃｒ）膜や入出力電極１８と嵩上げ電極２０との密着性を向上させるためのＴｉＮ膜を介在させてもよい。
【００３３】
バンプ２６形成後は、ＢＴ樹脂製の実装基板１４上に弾性表面波素子１２をフリップチップ実装する。すなわち、弾性表面波素子１２のバンプ２６が形成された面１２ａを実装基板１４の素子搭載面１４ａと対向させた状態で、バンプ２６と実装基板１４の金メッキ電極２４とが接触するように位置合わせをおこないつつ弾性表面波素子１２を実装基板１４上に搭載する。そして、弾性表面波素子１２を実装基板１４上に搭載した後、コレット（図示せず）で弾性表面波素子１２を真空吸着により支持すると共に実装基板１４の面方向に超音波振動させて、バンプ２６と金メッキ電極２４とを接合する（図４（ｅ）参照）。
【００３４】
最後に、圧電性基板２８上に格子状パターンのＢＴ樹脂製ダム部プレート（厚さ０．４ｍｍ）と、同じくＢＴ樹脂製の平板状キャッププレート（厚さ０．２ｍｍ）を被せて各弾性表面波素子１２を密封封止した後、ダイシング加工することにより、弾性表面波装置１０の各装置の作製が完了する（図４（ｆ）参照）。なお、実装基板１４とダム部プレート（ダム部１６Ａ）との間、及び、ダム部プレートとキャッププレート（キャップ部１６Ｂ）との間は、樹脂接着剤で接着される。
【００３５】
次に、弾性表面波装置１０の作製に用いる圧電性基板２８について、詳しく説明する。
【００３６】
圧電性基板２８は、ＬＴを主成分とし、Ｆｅが０．５８ｗｔ％だけ添加された基板であり、ＣＺ法を利用して作製される。この圧電性基板２８を作製する手順について、簡単に説明する。圧電性基板２８を作製するにあたり、まず、ＬＴ原料とＦｅ原料とを準備し、所定割合で調合すると共に、十分に攪拌する。次に、攪拌されたＬＴ原料とＦｅ原料とをプレス成型し、仮焼成する。その後、ＣＺ単結晶製造装置のイリジウム坩堝に充填すると共に、所定の条件で引き上げて、コングルエント組成の単結晶インゴットを作製する。そして、この単結晶インゴットから圧電性基板２８を切り出して、所定の熱処理及び表面研磨処理をすることにより、圧電性基板２８の作製が完了する。
【００３７】
このようにして作製された圧電性基板２８においては、体積抵抗率が３．４×１０１３Ω・ｃｍであり、Ｆｅを添加していない通常のＬＴ基板の体積抵抗率１０１５Ω・ｃｍに比べて低くなっている。発明者らは、このように体積抵抗率が低減された圧電性基板２８を用いて弾性表面波装置１０を作製した場合には、通常のＬＴ基板を用いて作製した弾性表面波装置では基板に生じる静電気の電荷分布が不均一になってしまう条件下であっても、電荷分布が有意に均一化されることを新たに見出した。電荷分布が均一になる理由としては、基板の低抵抗化によって電荷の移動が容易となり、電荷が偏在する事態が有意に抑制されるためであると考えられる。
【００３８】
次に、Ｆｅ添加率と基板の体積抵抗率との関係について説明する。発明者らは、Ｆｅ添加率と基板の体積抵抗率との関係を明らかにするために、以下のような実験をおこなった。すなわち、圧電性基板２８と同様であり、Ｆｅ添加率のみ異なる基板サンプルを７個（サンプルＡ〜サンプルＧ）準備して、各サンプルの体積抵抗率を測定した。その測定結果を、図５の表に示す。なお、各サンプルのＦｅ添加率は、レーザＩＣP−MS装置を用いて測定した。
【００３９】
この表から、Ｆｅ添加率を高くするほど、基板の体積抵抗率が低減することがわかる。すなわち、Ｆｅ添加率が高いほど、電荷分布の均一化により効果的であると考えられる。ただし、Ｆｅ添加率が１．５６ｗｔ％であるサンプルＧでは、体積抵抗率が１．３×１０９Ω・ｃｍまで低減して基板に電気が流れやすくなったため、ＩＤＴ電極３２の間でショートする事態が生じてしまった。従って、体積抵抗率の下限はサンプルＦの３．６×１０１０Ω・ｃｍとなる。一方、体積抵抗率が実質的に０ｗｔ％である場合には、放電によってＩＤＴ電極が破壊（溶融）されるため、体積抵抗率の上限は、放電破壊が確認されなかったサンプルＢの１．５×１０１４Ω・ｃｍとなる。
【００４０】
また、各サンプルの表面の電位が時間経過によってどのように変化するかを測定した。具体的には、各サンプルを９０℃のホットプレート上に載置し、所定時間において表面の電位を測定した。その測定結果を図６及び図７に示す。ここで、図７のグラフは、図６の表のデータをプロットしたものであり、横軸は経過時間（ｓｅｃ）、縦軸は電位（ｋＶ）を示している。
【００４１】
この図７のグラフから明らかなように、９０℃まで加熱された各サンプルは表面の電位が−３．５ｋＶ程度になる。その後、Ｆｅが添加されていないサンプルＡは時間経過と共に減少し、Ｆｅが添加されているサンプルＢ〜Ｇは時間経過と共に増加して０ｋＶに近づく。なお、サンプルＢ〜Ｇでは、Ｆｅ添加率が高いものほど、短時間で０ｋＶに近づく。つまり、この測定結果から、基板へのＦｅ添加が、厚さ方向の電荷分布の均一化にも極めて有効であることが確認された。
【００４２】
以上で詳細に説明したように、弾性表面波装置１０においては、体積抵抗率が３．４×１０１３Ω・ｃｍである圧電性基板２８を有しているため、電荷分布の均一化が図られている。従って、ＩＤＴ電極３２の間における放電の発生が抑制され、特性が劣化する事態が有意に抑制されている。なお、体積抵抗率が３．４×１０１３Ω・ｃｍである圧電性基板２８に限らず、体積抵抗率が３．６×１０１０Ω・ｃｍ以上１．５×１０１４Ω・ｃｍ以下である圧電性基板であれば、特性が劣化する事態が有意に抑制された弾性表面波装置１０が得られる。
【００４３】
また、従来技術（特許文献１〜４）に係る弾性表面波装置では、均一な厚さの保護膜等が形成されない場合には、同一の圧電性基板から作製された弾性表面波装置であっても、それぞれの弾性表面波装置の伝搬特性にズレが生じてしまう。一方、圧電性基板２８は、基板全体に亘って均質であるため、同一の圧電性基板２８から作製される複数の弾性表面波装置１０は同じ伝搬特性を有する。
【００４４】
次に、上述した弾性表面波素子１２を備えた弾性表面波デュプレクサについて、図８を参照しつつ説明する。図８は、本発明の実施形態に係る弾性表面波デュプレクサを示した斜視分解図である。この弾性表面波デュプレクサ４０は、携帯電話機の送信部と受信部のそれぞれに用いられる送信フィルタと受信フィルタの２つを、一つのアンテナを共用できるように分岐回路を使って１つのパッケージに収めた電子部品である。従って、この弾性表面波デュプレクサ４０は、それぞれ対応周波数の異なる２つの弾性表面波素子１２を備える。そして、実装基板１４上に搭載された２つの弾性表面波素子１２を密封するように、上述したカバー１６が被されている。また、実装基板１４の弾性表面波素子１２搭載面の裏側には、方形波状の遅延回路が設けられた回路基板４２がそれぞれ絶縁プレート４４を介して２層積層されている。このような弾性表面波デュプレクサ４０においても、体積抵抗率が低い圧電性基板２８を有する弾性表面波素子１２を利用するため、電荷分布の均一化が図られている。そのため、ＩＤＴ電極３２の間における放電の発生が抑制され、特性が劣化する事態が有意に抑制されている。
【００４５】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、圧電性基板２８に添加する添加物は、Ｆｅに限らず、例えば、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｔｉであってもよい。すなわち、図９の表に示すように、Ｆｅの代わりにＭｎを添加した場合にも、Ｆｅ添加の場合と同様に、圧電性基板２８の体積抵抗率が低下する。また、図１０の表に示すように、Ｆｅの代わりにＣｕを添加した場合にも、Ｆｅ添加の場合と同様に、圧電性基板２８の体積抵抗率が低下する。さらに、図１１の表に示すように、Ｆｅの代わりにＴｉを添加した場合にも、Ｆｅ添加の場合と同様に、圧電性基板２８の体積抵抗率が低下する。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の概略断面図である。
【図２】弾性表面波素子を示した概略斜視図である。
【図３】弾性表面波素子に形成された電極パターンを示した概略構成図である。
【図４】図１に示した弾性表面波装置を作製する手順について示した図である。
【図５】Ｆｅの添加率を変えて体積抵抗率を測定した実験の測定結果をまとめた表である。
【図６】表面の電位が時間経過によってどのように変化するかを測定した測定結果をまとめた表である。
【図７】図６の表に示したデータをプロットしたグラフである。
【図８】本発明の実施形態に係る弾性表面波デュプレクサを示した斜視分解図である。
【図９】Ｍｎの添加率を変えて体積抵抗率を測定した実験の測定結果をまとめた表である。
【図１０】Ｃｕの添加率を変えて体積抵抗率を測定した実験の測定結果をまとめた表である。
【図１１】Ｔｉの添加率を変えて体積抵抗率を測定した実験の測定結果をまとめた表である。
【符号の説明】
【００４７】
１０…弾性表面波装置、１２…弾性表面波素子、１４…実装基板、１８…入出力電極、２８…圧電性基板。
【図１】
2005260372.tif 000003
【図２】
2005260372.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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