(57)【要約】【課題】枚葉状被処理物の表面及び裏面を同一の装置で洗浄可能とする。【解決手段】被処理物（１０）を挟み込んで処理するための上部処理カップ２０及び下部処理カップ３０と、被処理物装着時に上部処理カップを持ち上げるための上部処理カップ押し上げ機構５０と、被処理物装着後に下ろされた上部処理カップと下部処理カップを連結して一体とする連結機構（２２）と、前記上部処理カップ及び下部処理カップを含む回転処理部を回転するための回転機構７０と、を備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物を挟み込んで処理するための上部処理カップ及び下部処理カップと、
被処理物装着時に上部処理カップを持ち上げるための上部処理カップ押し上げ機構と、
被処理物装着後に下ろされた上部処理カップと下部処理カップを連結して一体とする連結機構と、
前記上部処理カップ及び下部処理カップを含む回転処理部を回転するための回転機構と、
を備えたことを特徴とする薄板の枚葉型回転処理装置。
【請求項２】
前記回転処理部を少なくとも１連以上の圧縮気体で浮上させる機構を有し、更に圧縮気体連に挟まれた部分又は圧縮気体とシール部に挟まれた部分に設けた溝を持ち、その溝に浮上用の圧縮気体と供給源を別にする、もう一つの圧縮気体を回転処理部に送り込む機構を有することを特徴とする請求項１に記載の薄板の枚葉型回転処理装置。
【請求項３】
前記上部処理カップと下部処理カップの連結機構が配管形状を持ち、前記回転処理部に送り込まれた圧縮気体が、上部処理カップと下部処理カップとの連結配管を通して上部処理カップに送り込まれることを特徴とする請求項２に記載の薄板の枚葉型回転処理装置。
【請求項４】
前記上部処理カップと下部処理カップの連結機構が配管形状を持ち、前記回転処理部に送り込まれた圧縮気体を、上部処理カップ又は下部処理カップの何れか選択された側に送り込むことを可能とする切り替え機構が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の薄板の枚葉型回転処理装置。
【請求項５】
前記下部処理カップの中央部又は上部処理カップの中央部の少なくとも一方に固定された処理室を設け、回転する被処理物に対して少なくとも１種類以上の気体又は液体を噴出し処理することを特徴とする請求項１に記載の薄板の枚葉型回転処理装置。
【請求項６】
前記下部処理カップに、上下する被処理物の一時保持機構が設けられ、処理済みの被処理物及び未処理の被処理物を搬送機構に受け渡す機構を有し、上部処理カップに設けた被処理物把持機構又は下部処理カップに設けた被処理物把持機構の何れにも受渡し可能とされていることを特徴とする請求項１に記載の薄板の枚葉型回転処理装置。
【請求項７】
前記下部処理カップ及び上部処理カップが被処理物の把持機構を備え、処理に応じて下部処理カップに把持するか、上部処理カップに把持するかを選択可能とされていることを特徴とする請求項１に記載の薄板の枚葉型回転処理装置。
【請求項８】
前記下部処理カップの一時保護機構の上下動作及び被処理物把持機構の把持動作及び上部処理カップの被処理物把持機構部の把持動作に必要な駆動用電源が、前記上部処理カップ押し上げ機構が連結した時点で通電され、各駆動機構に電力を供給可能とされていることを特徴とする請求項１に記載の薄板の枚葉型回転処理装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の薄板の枚葉型回転処理装置を用いて処理する際に、
被処理物の表面を処理する場合は、被処理物を下部処理カップに保持させ、上部処理室より噴出した処理流体にて処理し、裏面には圧縮気体を吹き付けて処理流体の飛散から保護し、被処理物の裏面を処理する場合は、被処理物を上部処理カップに保持させ、下部処理室より噴出した処理流体にて処理し、表面には圧縮気体を吹き付けて処理流体の飛散から保護することを特徴とする薄板の枚葉型回転処理方法。
【請求項１０】
一時保持機構による被処理物の持ち替えを可能として、表面及び裏面の処理を指定に応じて連続的に行なうことを特徴とする請求項９に記載の薄板の枚葉型回転処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄板の枚葉型回転処理装置及び方法に係り、特に、半導体ウェハの洗浄や処理流体の塗布に用いるのに好適な、表面及び裏面を同一の装置で処理可能な、薄板の枚葉型回転処理装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
超ＬＳＩデバイスの素子微細化による高集積化が加速しているが、ＬＳＩの信頼性確保が重要な課題であり、ＬＳＩ製造工程中に占める洗浄工程数が増加しており、精密洗浄の役割が益々重要となってきている。
【０００３】
洗浄の課題としては、（１）ウェハ表面については配線の歩留りや信頼性を向上させる意味では超微細なパーティクルの除去、（２）新しく導入された銅（Ｃｕ）やＨigh−ｋ重金属材料やＬow−ｋ材料のエッチング残渣の除去、（３）銅（Ｃｕ）配線や重金属の採用に伴なう汚染金属の拡散によるデバイス信頼性低下の問題があり、金属汚染防止するためのウェハ裏面の金属汚染除去や露光精度の信頼性向上のための裏面パーティクル除去、更には、ウェハ裏面から表面への汚染転写やウェハ間の汚染転写を防止する必要があり、例えば２０〜３０枚をまとめて水にジャブ付けする従来のバッチ式洗浄装置に代えて、１枚ずつ洗浄する枚葉洗浄装置の導入が進みつつある。
【０００４】
枚葉洗浄装置は、上に述べたような課題を解決する機能を有することが必要であるが、これらの課題全てを一つの装置で解決することは困難であり、現状では表面洗浄装置と裏面洗浄装置は専用であることが普通であり、表面及び裏面を両用できるものや、表面及び裏面の洗浄を連続して行なえる枚葉洗浄装置は殆どない。即ち、枚葉洗浄装置では表面又は裏面を洗浄薬液で洗浄する時に、窒素ガス等の不活性ガスで非洗浄面を飛散する薬液から保護する必要があるが、その保護の方法が困難であり、このため、表面を洗浄する装置は裏面を窒素で保護し、裏面を洗浄する装置は表面を保護するといった専用の装置となっていた。
【０００５】
従来使用されている枚葉洗浄装置は、図１に示すように、ウェハ１０を把持ピン１４で回転テーブル１２に保持させ、回転しているウェハに、上側より洗浄液を吹き付けてウェハ上面を洗浄し、ウェハ下面に窒素等の不活性ガスをパージガスとして吹き付けて、上面側から回り込む洗浄液や、洗浄液回収用壁１６に衝突して、図２に示す如く跳ね返ってくる洗浄液より保護するようになっているのが普通である（特許文献１参照）。依って裏面を洗浄する場合には、ウェハを洗浄室に持ち込む前にウェハを反転させて洗浄室に持ち込み、ウェハ裏面を上面として洗浄する方法を採っている。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−２４７６３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この従来方法の場合は、図１に示した如く、ウェハ下面から非洗浄面保護用のパージガスを供給しているが、洗浄液の跳ね返りに対して非洗浄面の保護が不十分であり、図２に示した如く、パージガス供給部は回転しないため、パージガス全方向噴出しでウェハ下面でのパージガス流速を上げるには、ウェハ下面と回転テーブル上面の間隔をできるだけ狭め、ｍｍオーダ以下にする必要があり、又多量のパージガス流量が必要となる。一方、ピンホール噴出しでは、ピンホール間への洗浄液跳ね返りを防御できない。
【０００８】
別の方法として、図３に示す如く、図１とは逆にウェハ下面から洗浄液を噴出してウェハ裏面を洗浄すると共に、ウェハ上面側に上下する非回転の上部プレート１８を設け、これをウェハ上面に接するように下降させてウェハ上面にパージガスを流すものがあるが、回転するウェハ上面と非回転の上部プレート下面との平行精度を上げて間隔を狭めることが困難であり、ウェハ面上のパージガス流速を上げることが難しい。
【０００９】
又、いずれの方法でも、洗浄液の上部噴出しと下部噴出しの両用による両面洗浄が困難である等の問題を有する。
【００１０】
本発明は、前記従来の問題点を解消するべくなされたもので、表面及び裏面を同一の装置で処理可能とすることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、半導体ウェハ等の薄板の枚葉型回転処理装置（洗浄装置、塗布装置等）において、被処理物を挟み込んで処理するための上部処理カップ及び下部処理カップと、被処理物装着時に上部処理カップを持ち上げるための、例えば下部処理カップの下に設けた上部処理カップ押し上げ機構と、被処理物装着後に下ろされた上部処理カップと下部処理カップを連結して一体とする連結機構と、前記上部処理カップ及び下部処理カップを含む回転処理部を回転するための回転機構とを備えることにより、前記課題を解決したものである。
【００１２】
又、前記回転処理部を少なくとも１連以上の圧縮気体（圧縮空気や圧縮窒素や不活性ガス等）で浮上させる機構を有し、更に圧縮気体連に挟まれた部分又は圧縮気体とシール部に挟まれた部分に設けた溝を持ち、その溝に浮上用の圧縮気体と供給源を別にする、もう一つの圧縮気体を回転処理部に送り込む機構を有するようにしたものである。
【００１３】
又、前記上部処理カップと下部処理カップの連結機構が配管形状を持ち、前記回転処理部（例えば下部処理カップ）に送り込まれた圧縮気体が、上部処理カップと下部処理カップとの連結配管を通して上部処理カップ（又は下部処理カップ）に送り込まれるようにしたものである。
【００１４】
又、前記上部処理カップと下部処理カップの連結機構が配管形状を持ち、前記回転処理部に送り込まれた圧縮気体を、上部処理カップ又は下部処理カップの何れか選択された側に送り込むことを可能とする切り替え機構を、例えば回転処理部内に設けたものである。
【００１５】
又、前記下部処理カップの中央部又は上部処理カップの中央部の少なくとも一方に、固定された（回転しない）処理室を設け、回転する被処理物に対して少なくとも１種類以上の気体又は液体を噴出し処理するようにしたものである。
【００１６】
又、前記下部処理カップに、上下する被処理物の一時保持機構を設け、処理済みの被処理物及び未処理の被処理物をロボット等の搬送機構に受け渡す機構を有し、上部処理カップに設けた被処理物把持機構又は下部処理カップに設けた被処理物把持機構の何れにも受渡し可能としたものである。
【００１７】
又、前記下部処理カップ及び上部処理カップが被処理物の把持機構を備え、処理に応じて下部処理カップに把持するか、上部処理カップに把持するかを選択可能としたものである。
【００１８】
又、前記下部処理カップの一時保護機構の上下動作及び被処理物把持機構の把持動作及び上部処理カップの被処理物把持機構部の把持動作に必要な駆動用電源を、前記上部処理カップ押し上げ機構が連結した時点で通電し、各駆動機構に電力を供給可能としたものである。
【００１９】
本発明は、又、前記薄板の枚葉型回転処理装置を用いて処理する際に、被処理物の表面を処理する場合は、被処理物を下部処理カップに保持させ、上部処理室より噴出した処理流体（気体又は液体）にて処理し、裏面には圧縮気体（圧縮空気や圧縮窒素や不活性ガス等）を吹き付けて処理流体の飛散から保護し、被処理物の裏面を処理する場合は、被処理物を上部処理カップに保持させ、下部処理室より噴出した処理流体にて処理し、表面には圧縮気体を吹き付け処理物の飛散を保護するようにして、同じく前記課題を解決したものである。
【００２０】
又、一時保護機構による被処理物の持ち替えを可能として、表面処理を行った後に被処理物を持ち替えて裏面処理を連続して行なうことを可能とし、又は、裏面処理を行なった後に表面処理を行なう等、表面及び裏面の処理を指定に応じて連続的に行なうことができるようにしたものである。
【００２１】
本発明の概要は、図４に下面洗浄中を示すように、ウェハ１０を、例えばリング状の上部処理カップ２０と下部処理カップ３０の間に挟み込み、連結機構（例えば連結管２２）で一体化して回転することにより処理するものであり、両面処理が可能となる。又、回転処理部を、例えば、固定側の回転部支持リング４０に設けた浮上ガス供給機構から供給する浮上用圧縮気体（圧縮空気や圧縮窒素や不活性ガス等）により浮上させて、図５に示す如く回転させ、パーティクル等の汚染発生を極力抑えるようにし、更に、同じく回転部支持リング４０に設けたパージガス供給機構により、例えば浮上用圧縮気体の間の溝４４Ｃから、処理面に吹き付けられた処理液の非処理面への回り込みや飛散から回転する非処理面を保護する、供給源を別とする圧縮気体（パージ用ガス）を上部処理カップ２０と下部処理カップ３０に送り込むことを可能としている。このように、図５に示した如く、例えば上下の処理カップ２０、３０に設けた噴出し部２０Ａ、３０Ａも回転させ、回転処理部にパージガスを供給することで、ピンホール噴出しでも、パージガス方向が接線方向となり、相対速度が上昇して、処理液跳ね返りの防御が可能となる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の従来方法に比して有効な点は次のとおりである。
【００２３】
（１）上部処理カップ２０と下部処理カップ３０の間に被処理物（１０）を挟み込み、上部処理カップ２０と下部処理カップ３０を連結し一体として回転することで、外部からの余分な汚染を防御することが可能であり、処理カップ内での気流制御が簡単になる。
【００２４】
（２）回転する上部処理カップ２０及び下部処理カップ３０からパージガスを噴出することで、非処理面から吹き出るパージガス流速の相対速度を上げ、回転処理部の外部からの処理液飛散液滴からの保護を完全にすることができる。
【００２５】
（３）下部処理カップ３０に送り込まれたパージガスを、連結管２２を通して上部処理カップ２０に送風することで、ウェハ上面でのパージガスによる保護が可能となり、ウェハ下面から処理液を吹き付けて洗浄する裏面洗浄が可能になる。
【００２６】
（４）回転支持を圧縮気体による浮上方式にすることで、回転支持体と回転部との接触によるパーティクル等の汚染物を生成することが無いので、例えば浮上用圧縮気体間を通り回転処理部に送り込まれるパージ用圧縮気体を清浄に保つことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
次に図６乃至図１０を用いて本発明の実施形態の機構について具体的に説明する。
【００２８】
図６に示す上部処理カップ２０は、円筒状の中空のリング構造をしており、周囲に上部処理カップ押し上げ機構５０の押し上げピン５２により押し上げられる支持棒５４を有し、その上端は上部処理カップ２０に固定されている。支持棒５４は、少なくとも１本以上あれば良いが、上部処理カップ２０を持ち上げて安定して上下するには３本以上が良い。又、図７に示す如く、上部処理カップ２０を持ち上げたときに処理ウェハ１０を上部処理カップ２０と下部処理カップ３０の間に搬送できるようにするため、３本の支持棒５４はウェハ搬送側（図７の右側）に配置できず、ウェハ搬送側と反対側（図７の左側）に上部処理カップ２０の重心を含み、搬送ウェハが搬送可能な配置を取る。
【００２９】
更に上部処理カップ２０は、該上部処理カップ２０が下げられた時に、図８に示す如く下部処理カップ３０と連結され、又、連結と兼用してパージ用の圧縮気体を下部処理カップ３０を通して上部処理カップ２０に送り込む配管形状の連結管２２を有しており、その上端が上部処理カップ２０に固定されている。連結管２２の下端は、上部処理カップ２０が持ち上げられた時には、図７に示したように、下部処理カップ３０から離脱し、下げられた時には、図８に示したように、下部処理カップ３０に開けられた穴に入り下部処理カップ３０と一体化できるようになっている。
【００３０】
ウェハ１０を搬送する場合には、図７に示したように、上部処理カップ２０と共に連結管２２が下部処理カップ３０を離れ、連結管２２の下を潜り抜けるようにウェハ１０が搬送される。連結の意味では支持棒５４も上部処理カップ２０と下部処理カップ３０を連結しているので、連結管２２は少なくとも１本以上あれば良いが、パージガスを上部処理カップ２０に均一に送り込むことを考えると、３本以上が好ましい。なお、連結管とパージガス送風管を別のものとしてもよい。
【００３１】
又、上部処理カップ２０の中心の中空部には、装置架台６０に固定された、ノズルを含む上部処理カップ薬液供給ユニット６２が配置される。この上部処理カップ薬液供給ユニット６２は、上部処理カップ２０と接触しないように配置されるが、できるだけ間隙を少なくし、間隙は窒素ガス等の不活性気体でシールするのが好ましいし、場合によってはシール機構を設けても良い。上部処理カップ２０の内部は、連結管２２を通して送り込まれたパージガスを、上部処理カップ２０のウェハ面に接する外周部に設けられたパージガス噴出口（細孔又はスリット）２０Ａに導くようにガスシールされている。
【００３２】
下部処理カップ３０も、中央部が円筒状の中空のリング構造をしている。その周囲には、上部処理カップ押し上げ機構５０により押し上げられる押し上げピン５２が通る孔が貫通している。連結管用の孔は上部が開口しており、連結管２２が下ろされた時には下部処理カップ３０内のパージガス導入口に通じるようになっており、連結管２２を通り上部処理カップ２０にパージガスが送られる。
【００３３】
連結管２２は内部をパージガスが流れるように配管形状をしているが、外形は上部処理カップ２０と下部処理カップ３０が確実に連結し、平行度を保つように連結部は円錐形状にすることが好ましい。
【００３４】
下部処理カップ３０下部の支持台３６は、浮上用圧縮気体の圧力で持ち上がり浮上するように研磨された面を持ち、その研磨面と研磨面の間にはリング状の溝３６Ｃと、該溝３６Ｃから下部処理カップ３０内にパージガスを導く孔が数箇所開けてある。下部処理カップ３０の内部は、導入されたパージガスを噴出口（細孔又はスリット）３０Ａに導くようにシールされている。又、パージガスを、下部処理カップ３０のウェハ面に接する外周部噴出口３０Ａに導くか、又は、上部処理カップ２０への連結管２２に導くかを選別する、リング状の穴の開いたスライドバルブ（図示省略）を備え、該スライドバルブをスライドさせることでパージガスの送風路を選択することもできる。
【００３５】
又、下部処理カップ３０は、搬送されたウェハ１０を一時的に保持するための、上下するウェハ一時保持ピン３４を備えており、処理前後のウェハを一時的にウェハ搬送ロボット８（図８参照）とウェハ一時保持ピン３４との間で受け渡しを行ない、一時保持ピン３４とウェハ把持部との間の受け渡しは、一時保持ピン３４を上下させる一時保持機構（図示省略）によって行なう。図６では、上下する一時保持ピン３４は下部処理カップ３０の下側に取り付けられているが、下部処理カップ３０内部に上下機構を組み付けても良い。
【００３６】
更に、下部処理カップ３０の中央部には、図９に示す如く、円筒状の回転軸７２が固定されており、下部処理カップ３０の下にある、浮上用圧縮気体を噴出する回転部支持リング４０の中心部を貫通しカップ回転機構７０に繋がっている。
【００３７】
下部処理カップ３０と該下部処理カップ３０に固定された回転軸７２が、浮上用圧縮気体によって数μｍ持ち上げられて回転することになる。回転軸７２の更に内側の下部処理カップ３０の中心の中空部には、装置架台６０に固定された下部処理カップ薬液供給ユニット６４が配置されるが、できるだけ間隙を少なくし、間隙はシール機構を設けると共に窒素ガス等の不活性気体でシールしている。
【００３８】
上部処理カップ２０及び下部処理カップ３０には、ウェハ１０をウェハ端部で把持する把持ピン１４及び把持機構（図示省略）が付いており、上部処理カップ２０と下部処理カップ３０の連結管２２の連結圧力を用いた把持動作又は上部処理カップ押し上げピン５２を介して電力を供給し、電気的に動作させることで把持するようになっている。下部処理カップ３０に組み込まれるウェハ一時保持機構及びパージガス送風切り換えのスライドバルブも同様に上部処理カップ押し上げピン５２を介して電力を供給し動作させることができる。又、上部処理カップ２０又は下部処理カップ３０内に充電器を配置し、回転部が回転していないウェハ受け渡し時に上部処理カップ押し上げピン５２を通して電力を供給し充電することも可能である。本実施形態の回路構成を図１０に示す。
【００３９】
ここで、回転部である下部処理カップ３０及び上部処理カップ２０への電源供給は、上部処理カップ２０の押し上げ機構５０を通じ、ピン５２の接触時に行なう。蓄電バッテリを有することも可能である。回転部への制御信号の伝達は無線（電波又は光通信）を用いて行なう。勿論、電源系と同様に押し上げ機構５０を通じてピン５２の接触時に制御信号を伝達することも可能である。
【００４０】
浮上用の圧縮気体を下部処理カップ支持台３６の下面に向けて噴出する回転部支持リング４０が、図９に示したように、上部の研磨された面を持つ上部板４２と、浮上用圧縮気体及びパージ用圧縮気体を導入する溝４４Ａを有する土台４４から成っている。上部板４２は、図９に示したように、下部処理カップ支持台３６と接する支持面に浮上用圧縮気体を噴出する細孔４４Ｂがリング状に内側と外側２連に開けられており、又、その２連の細孔リングの間には、下部処理カップ支持台３６のパージ用圧縮気体溝３６Ａに通り易いように大きな孔が、回転部へのパージガス送風口４４Ｃとして円周上に開けられている。上部板４２の下にある土台４４には、浮上用の圧縮気体を導入する溝４４Ａが２連と、その間にパージ用圧縮気体を導入する溝４４Ｂを掘ってあり、各溝に通じる導入口（送風口）４４Ｄ、４４Ｅがあり、浮上用圧縮気体とパージ用圧縮気体は、土台４４の内部では干渉しないように別の通路を通るように設けられている。
【００４１】
浮上用圧縮気体とパージ用圧縮気体は、パーティクル等の汚染のない清浄な圧縮窒素又は圧縮空気等を用いるが、浮上用圧縮気体は、圧力変動の少ない圧縮気体が望ましい。パージ用圧縮気体は、処理工程によってパージ量を増減させる必要があり、浮上用圧縮気体とは別の供給源を用いる方が良い。
【００４２】
前記回転部支持リング４０は、装置下部の架台６０に固定して取り付けられている。回転部支持リング４０とその内側の下部処理カップ３０に繋がる回転軸７２は、接触しないように僅かの間隙を持つが、その間隙には浮上用の圧縮気体が流れ込むことになりシールされることになる。
【００４３】
図６（Ｂ）に示したように、円筒状の上部処理カップ薬液供給ユニット６２は装置架台６０の上部に固定され、下部処理カップ薬液供給ユニット６４は装置架台６０の下部に固定され、それぞれ上部処理カップ２０の円筒状中空部及び下部処理カップ３０の円筒状中空部を貫通し、処理ウェハ１０の上面及び下面に向き合うように設置されており、薬液供給ユニット６２、６４の円筒部を通して薬液供給配管及びリンス用純水供給配管が導入され、先端の薬液噴出ノズルより処理ウェハ１０に吹き付けて洗浄できるようになっている。
【００４４】
上部及び下部の薬液供給ユニット６２、６４からウェハ上面及び下面に同時に薬液を吹き付け洗浄処理することも可能であるが、ウェハ上面とウェハ下面を処理する薬液が異なることから、ウェハ上面とウェハ下面の処理は別々に行なうことが普通である。その場合に、非洗浄ウェハ面を洗浄薬液の飛散等による汚染から完全に保護するには、非処理面は処理カップとの間隙を極力小さくし、パージガス流速を上げる方が良いので、ウェハ上面を薬液処理する場合には、上部処理カップ薬液供給ユニット６２からウェハ上面に向けて薬液を吹き付けて処理し、処理ウェハは下部処理カップ３０で把持し、パージガスを下部処理カップ３０からウェハ下面に向けて吹き付ける方が良い。逆にウェハ下面を薬液処理する場合には、下部処理カップ薬液供給ユニット６４からウェハ下面に向けて薬液を吹き付けて処理し、処理ウェハは上部処理カップ２０で把持し、パージガスを上部処理カップ２０からウェハ上面に向けて吹き付ける方が良い。
【００４５】
ウェハ上面を薬液処理した後に続けてウェハ下面を薬液処理する場合には、ウェハ上面の処理後に回転を止め、下部処理カップ３０に組み込まれている一時保持機構を用いて下部処理カップ３０に把持されているウェハを上部処理カップ２０で把持させるように移動させた後にウェハ下面の薬液処理を行なえば良い。ウェハ上面処理及びウェハ下面処理の順序は処理内容によって決まるものであるので、任意の順番で処理を行なうかを洗浄レシピとして登録指定することができるようにすれば良い。
【００４６】
なお、前記説明においては、本発明が半導体ウェハの洗浄装置に適用されていたが、本発明の適用対象はこれに限定されず、塗布装置等、枚葉一般の各種のスピン型の回転処理装置にも同様に適用できることは明らかである。又、両面洗浄でなく、表面又は裏面のいずれか一方のみの処理を行なう装置とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】従来の枚葉型洗浄装置の一例の構成を示す断面図
【図２】従来例の問題点を説明するための平面図
【図３】他の従来例の構成を示す断面図
【図４】本発明の原理的な構成を示す断面図
【図５】本発明の効果を概念的に示す図
【図６】半導体ウェハ洗浄装置に適用した本発明の実施形態の構成を示す（Ａ）平面図及び（Ｂ）正面図
【図７】前記実施形態のウェハ搬送装着時の状態を示す斜視図
【図８】同じくウェハ処理時の状態を示す斜視図
【図９】同じく浮上用圧縮気体及びパージ用圧縮気体送風機構を示す（Ａ）正面図及び（Ｂ）平面図
【図１０】同じく制御系の構成を示すブロック図
【符号の説明】
【００４８】
１０…ウェハ
１４…ウェハ把持ピン
２０…上部処理カップ
２０Ａ、３０Ａ…パージガス噴出口
２２…連結管
３０…下部処理カップ
３４…ウェハ一時保持ピン
４０…回転部支持リング
４４Ｃ…パージガス送り込み溝
５０…上部処理カップ押し上げ機構
５２…上部処理カップ押し上げピン
５４…支持棒
６０…装置架台
６２、６４…薬液供給ユニット
７０…カップ回転機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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