(57)【要約】【課題】  固体撮像装置の静電気耐破壊性を維持しつつ、カメラの小型化を可能にする固体撮像装置を提供する。【解決手段】  入射光を光電変換することにより生じた信号電荷を転送し、信号電荷を電気信号に変換して撮像信号として出力する撮像部１００と、信号用電極パッド１１１、電源用電極パッド１１２および保護回路１１３を有する周辺回路部１１０とを備え、保護回路１１３は、相互に逆方向のダイオード３２０、３３０を有し、外部から侵入した静電気を電源用電極パッド１１２に逃がす。【選択図】        図１ 
2005322826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を信号電荷に光電変換する光電変換手段を有し、前記光電変換手段の信号電荷を転送し、信号電荷を電気信号に変換して撮像信号として出力する撮像部と、
前記撮像部を静電気から保護する保護回路と、
前記撮像部に電源電圧を供給する電源用電極パッドとを備え、
前記保護回路は、前記電源用電極パッドに外部からの静電気を逃がす
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記撮像部は、正電圧および負電圧の電圧レベルを有するパルスにより信号電荷を転送し、
前記電源用電極パッドには、前記パルスの正電圧と同じかそれ以上の電源電圧が供給される
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記固体撮像装置は、さらに、信号の入出力用の信号用電極パッドを備え、
前記保護回路は、第１のダイオードを有し、
前記第１のダイオードのカソードは、前記電源用電極パッドと接続され、前記第１のダイオードのアノードは、前記信号用電極パッドと接続される
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記保護回路は、さらに、第２のダイオードを有し、
前記第２のダイオードのカソードは、前記第１のダイオードのカソードと接続され、前記第２のダイオードのアノードは、グラウンドと接続される
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記信号用電極パッドには、信号電荷の転送に用いられるパルスが供給される
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記保護回路は、第１導電型の半導体基板に形成され、
前記半導体基板は、前記保護回路が形成される部分において、前記半導体基板上部に形成された第１導電型と反対極性の第２導電型の第１領域と、前記第１領域表面に形成され、前記電源用電極パッドと接続された第１導電型の第２領域と、前記第２領域表面に形成され、前記信号用電極パッドと接続された第２導電型の第３領域とを有する
ことを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１のダイオードは、複数のダイオードが並列に接続されてなり、
前記第２領域表面には、島状の複数の前記第３領域が形成される
ことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記固体撮像装置は、前記光電変換手段の信号電荷を強制的に排出させる電子シャッター機能を有し、
前記半導体基板は、さらに、前記保護回路が形成される部分において、前記第１領域内の前記第２領域下方に形成された第２導電型の第４領域を有し、
前記第４領域は、前記第１領域よりも高不純物濃度の領域である
ことを特徴とする請求項６又は７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記光電変換手段は、前記半導体基板に形成され、
前記半導体基板は、前記光電変換手段が形成される部分において、前記半導体基板上部に形成された第２導電型の第１領域と、前記第１領域表面に形成された第１導電型の第５領域と、前記第５領域表面に形成された第２導電型の第６領域とを有する
ことを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記半導体基板は、さらに、前記保護回路が形成される部分において、前記第３領域表面に形成された第２導電型の第７領域を有し、
前記第６領域および前記第７領域は、それぞれ前記第５領域および前記第３領域に、同一の不純物を同一条件で注入して形成される
ことを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記固体撮像装置は、さらに、
前記保護回路と前記電源用電極パッドとを接続する第１の配線と、
前記撮像部と前記電源用電極パッドとを接続する第２の配線とを備え、
前記第１の配線および第２の配線は、独立に配線されている
ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記電源用電極パッドは、第１の電極パッドと、第２の電極パッドとからなり、
前記第１の配線は、第１の電極パッドと接続され、
前記第２の配線は、第２の電極パッドと接続される
ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
入射光を光電変換する光電変換手段と、保護回路とを備え、前記光電変換手段の信号電荷を強制的に排出させる電子シャッター機能を有する固体撮像装置の製造方法であって、
第１導電型の半導体基板上部に、第１導電型と反対極性の第２導電型の第１領域を形成する第１領域形成工程と、
前記半導体基板の前記保護回路が形成される部分において、前記第１領域表面に第１導電型の第２領域を形成し、前記第１領域内の前記第２領域下方に、前記第１領域よりも高不純物濃度の第２導電型の第３領域を形成する第２領域形成工程とを含み、
前記第２領域形成工程において、同一マスクを用いて第１導電型の不純物および第２導電型の不純物を注入し、前記第２領域および前記第３領域を形成する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
前記固体撮像装置の製造方法は、さらに、
前記半導体基板の前記光電変換手段が形成される部分において、前記第１領域表面に第１導電型の第４領域を形成し、前記第４領域表面に第２導電型の第５領域を形成する第４領域形成工程を含む
ことを特徴とする請求項１３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置に関し、特に電源種類の低減、端子数の削減を可能にする固体撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、カメラ、特にデジタルスチルカメラの撮像装置を構成する固体撮像装置には、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）型固体撮像装置が利用されている。
【０００３】
図９は、従来のＣＣＤ型固体撮像装置の概略上面図である（例えば、特許文献１参照）。
図９に示されるように、従来の固体撮像装置は、１チップの半導体基板９２０の主面上に、被写体を撮像する撮像部９００と、周辺回路部９１０とが形成されてなる。
【０００４】
撮像部９００には、図示しないが、フォトダイオード、垂直ＣＣＤ、水平ＣＣＤおよび出力アンプが設けられており、撮像部９００は、入射光を光電変換することにより生じた信号電荷を転送し、信号電荷を電気信号に変換して撮像信号として出力する。
【０００５】
周辺回路部９１０には、信号の入出力用の９個の信号用電極パッド９１１と、電源電圧供給用の２個の電源用電極パッド９１２と、外部から侵入した静電気から撮像部９００を保護する保護回路９１３と、外部から侵入した静電気が逃がされる静電気用電極パッド９１４とが設けられている。
【０００６】
信号用電極パッド９１１は、垂直ＣＣＤを駆動させる４相のパルスＶ１、Ｖ２、Ｖ３およびＶ４が供給される電極パッドと、水平ＣＣＤを駆動させる２相のパルスＨ１およびＨ２が供給される電極パッドと、水平ＣＣＤから信号電荷が送られてくる浮遊拡散層をリセットさせるパルスＲＧが供給される電極パッドと、フォトダイオードで生じる過剰電荷を排出させるオーバーフローバリアを設定し、またフォトダイオードの信号電荷を強制的に排出させる電子シャッター動作を実現させるパルスＳＵＢが供給される電極パッドと、出力アンプからの撮像信号を出力する電極パッドとからなる。
【０００７】
電源用電極パッド９１２は、出力アンプ等の電源電圧Ｖｏｄが供給される電極パッドと、基準電圧Ｖｗｅｌｌが供給される電極パッドとからなる。
静電気用電極パッド９１４には、パルスＶ１、Ｖ２、Ｖ３あるいはＶ４の低レベルの電圧と同じ電圧Ｖｓｓが外部から供給される。
【０００８】
保護回路９１３は、静電気用電極パッド９１４にアノードが接続され、信号用電極パッド９１１のいずれか１つにカソードが接続されたダイオードを有し、外部から信号用電極パッド９１１に侵入した静電気を静電気用電極パッド９１４に逃がし、撮像部９００を保護する。例えば、パルスＶ１、Ｖ２、Ｖ３およびＶ４が供給される信号用電極パッド９１１と接続された保護回路９１３は、パルスＶ１、Ｖ２、Ｖ３およびＶ４が供給される信号用電極パッド９１１に侵入した静電気を逃がし、垂直ＣＣＤの駆動電極を保護する。
【特許文献１】特許３３１３１２５号公報（第１−３頁、第１５図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、近年、カメラに対して更なる小型化が求められている。
しかしながら、従来の固体撮像装置では、約８０〜１００μｍという大きな幅を有する電極パッドが、約４０μｍの間隔で半導体基板上に１２個も形成される。よって、半導体基板の面積、および固体撮像装置と接続されるフレキシブルシート等の実装基板の面積が大きくなり、カメラに対する小型化の要望に応えることができないという問題がある。例えば、電子内視鏡のカメラに使用されている固体撮像装置においては、図１０に示されるように、半導体基板１０００の特定の１辺に電極パッド１０１０を一列に並べ、それらとフレキシブルシート１０２０の電極パッドとを接続するという構造がとられる。よって、半導体基板の幅は、約１．５ｍｍと大きくなる。
【００１０】
そこで、本発明は、かかる問題点に鑑み、固体撮像装置の静電気耐破壊性を維持しつつ、カメラの小型化を可能にする固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の固体撮像装置は、入射光を信号電荷に光電変換する光電変換手段を有し、前記光電変換手段の信号電荷を転送し、信号電荷を電気信号に変換して撮像信号として出力する撮像部と、前記撮像部を静電気から保護する保護回路と、前記撮像部に電源電圧を供給する電源用電極パッドとを備え、前記保護回路は、前記電源用電極パッドに外部からの静電気を逃がすことを特徴とする。ここで、前記撮像部は、正電圧および負電圧の電圧レベルを有するパルスにより信号電荷を転送し、前記電源用電極パッドには、前記パルスの正電圧と同じかそれ以上の電源電圧が供給されてもよいし、前記固体撮像装置は、さらに、信号の入出力用の信号用電極パッドを備え、前記保護回路は、第１のダイオードを有し、前記第１のダイオードのカソードは、前記電源用電極パッドと接続され、前記第１のダイオードのアノードは、前記信号用電極パッドと接続されてもよいし、前記信号用電極パッドには、信号電荷の転送に用いられるパルスが供給されてもよい。また、前記保護回路は、第１導電型の半導体基板に形成され、前記半導体基板は、前記保護回路が形成される部分において、前記半導体基板上部に形成された第１導電型と反対極性の第２導電型の第１領域と、前記第１領域表面に形成され、前記電源用電極パッドと接続された第１導電型の第２領域と、前記第２領域表面に形成され、前記信号用電極パッドと接続された第２導電型の第３領域とを有してもよい。
【００１２】
これによって、静電気を逃がすための専用の電極パッドを設けることなく、外部から侵入した静電気を逃がすことができるので、固体撮像装置の静電気耐破壊性を維持しつつ、カメラの小型化を可能にする固体撮像装置を実現することができる。また、固体撮像装置と接続される実装基板の電極パッドおよび配線を減らすことができるので、更なるカメラの小型化を可能にする固体撮像装置を実現することができる。また、電源種類の低減および端子数の削減を可能にする固体撮像装置を実現することができる。
【００１３】
また、前記保護回路は、さらに、第２のダイオードを有し、前記第２のダイオードのカソードは、前記第１のダイオードのカソードと接続され、前記第２のダイオードのアノードは、グラウンドと接続されてもよい。
【００１４】
これによって、撮像部に侵入した静電気をグラウンドにも逃がすことができるので、固体撮像装置の静電気耐破壊性を向上させることができる。
また、前記第１のダイオードは、複数のダイオードが並列に接続されてなり、前記第２領域表面には、島状の複数の前記第３領域が形成されてもよい。
【００１５】
これによって、ｐｎ接合の面積を増やし、保護回路が逃がす静電気の量を増やすことができるので、固体撮像装置の静電気耐破壊性を更に向上させることができる。また、ダイオードの配置を自由に選択することができるので、固体撮像装置を小型化することができる。
【００１６】
また、前記固体撮像装置は、前記光電変換手段の信号電荷を強制的に排出させる電子シャッター機能を有し、前記半導体基板は、さらに、前記保護回路が形成される部分において、前記第１領域内の前記第２領域下方に形成された第２導電型の第４領域を有し、前記第４領域は、前記第１領域よりも高不純物濃度の領域であってもよい。
【００１７】
これによって、保護回路への電子シャッター動作の影響を無くすことができる。
また、前記光電変換手段は、前記半導体基板に形成され、前記半導体基板は、前記光電変換手段が形成される部分において、前記半導体基板上部に形成された第２導電型の第１領域と、前記第１領域表面に形成された第１導電型の第５領域と、前記第５領域表面に形成された第２導電型の第６領域とを有してもよいし、前記半導体基板は、さらに、前記保護回路が形成される部分において、前記第３領域表面に形成された第２導電型の第７領域を有し、前記第６領域および前記第７領域は、それぞれ前記第５領域および前記第３領域に、同一の不純物を同一条件で注入して形成されてもよい。
【００１８】
これによって、光電変換手段および保護回路を形成するための工程を減らすことができるので、固体撮像装置の製造を容易化することができる。
また、前記固体撮像装置は、さらに、前記保護回路と前記電源用電極パッドとを接続する第１の配線と、前記撮像部と前記電源用電極パッドとを接続する第２の配線とを備え、前記第１の配線および第２の配線は、独立に配線されていてもよいし、前記電源用電極パッドは、第１の電極パッドと、第２の電極パッドとからなり、前記第１の配線は、第１の電極パッドと接続され、前記第２の配線は、第２の電極パッドと接続されてもよい。
【００１９】
これによって、保護回路と撮像部とを電気的に分離することができるので、保護回路から撮像部への飛び込み電圧を起因とする、撮像部に供給する電圧の振れを防止することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る固体撮像装置によれば、固体撮像装置の静電気耐破壊性を維持しつつ、カメラの小型化を可能にする固体撮像装置を実現できる。また、高い静電気耐破壊性を有する固体撮像装置を実現できる。
【００２１】
よって、本発明により、固体撮像装置の静電気耐破壊性を維持しつつ、カメラの小型化の小型化を可能にする固体撮像装置を提供することが可能となり、実用的価値は極めて高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態における固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本実施の形態のＣＣＤ型固体撮像装置の概略上面図である。
【００２３】
本実施の形態のＣＣＤ型固体撮像装置は、１チップの半導体基板１２０の主面上に、被写体を撮像する撮像部１００と、周辺回路部１１０とが形成されてなる。
撮像部１００には、図示しないが、２次元状に配置され、光電変換した信号電荷を蓄積する複数のフォトダイオードと、フォトダイオードによって生成した信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直ＣＣＤと、各垂直ＣＣＤによって転送された信号電荷を水平方向に転送する１つまたは複数の水平ＣＣＤと、水平ＣＣＤによって転送された信号電荷を電気信号に変換し、撮像信号として出力する出力アンプとが設けられている。
【００２４】
周辺回路部１１０には、信号の入出力用の９個の信号用電極パッド１１１と、電源電圧供給用の２個の電源用電極パッド１１２と、外部から侵入した静電気から撮像部１００を保護する保護回路１１３とが設けられている。
【００２５】
信号用電極パッド１１１は、垂直ＣＣＤを駆動させる４相のパルスＶ１、Ｖ２、Ｖ３およびＶ４が供給される電極パッドと、水平ＣＣＤを駆動させる２相のパルスＨ１およびＨ２が供給される電極パッドと、水平ＣＣＤから信号電荷が送られてくる浮遊拡散層をリセットさせるパルスＲＧが供給される電極パッドと、フォトダイオードで生じる過剰電荷を排出させるオーバーフローバリアを設定し、またフォトダイオードの信号電荷を強制的に排出させる電子シャッター動作を実現させるパルスＳＵＢが供給される電極パッドと、出力アンプからの撮像信号を出力する電極パッドとからなる。ここで、パルスＶ１、Ｖ２、Ｖ３およびＶ４は、正電圧および負電圧の電圧レベルを有するパルスである。
【００２６】
電源用電極パッド１１２は、出力アンプ等の電源電圧Ｖｏｄが供給される第１の電極パッド１１２ａと、基準電圧Ｖｗｅｌｌが供給される第２の電極パッド１１２ｂとからなる。ここで、電圧Ｖｏｄは、パルスＶ１、Ｖ２、Ｖ３あるいはＶ４の正電圧と同じかそれ以上となるように設定される。例えば、パルスＶ２およびＶ４が０、−７Ｖの２値をとるパルスであり、パルスＶ１およびＶ３が図２に示されるような１２、０、−７Ｖの３値をとるパルスである場合には、電圧Ｖｏｄは１２Ｖに設定される。
【００２７】
保護回路１１３は、カソードが第１の電極パッド１１２ａに接続され、アノードが信号用電極パッド１１１のいずれか１つに接続されたダイオード３２０と、カソードがダイオード３２０のカソードに接続され、アノードがグラウンドに接続されたダイオード３３０とを有する。保護回路１１３は、外部から信号用電極パッド１１１に侵入した静電気を第１の電極パッド１１２ａに逃がし、大きな静電気が信号用電極パッド１１１に侵入した場合には、グラウンドにも静電気を逃がし、撮像部１００を保護する。例えば、パルスＶ１、Ｖ２、Ｖ３およびＶ４が供給される信号用電極パッド１１１と接続された保護回路１１３は、パルスＶ１、Ｖ２、Ｖ３およびＶ４が供給される信号用電極パッド１１１に侵入した静電気を逃がし、垂直ＣＣＤの駆動電極を保護する。なお、ダイオード３３０のアノードのグラウンドとの接続は、例えば第２の電極パッド１１２ｂにダイオード３３０のアノードを接続することにより実現される。
【００２８】
ここで、図３に示されるように、第１の電極パッド１１２ａと保護回路１１３とを接続する保護回路用配線と、第１の電極パッド１１２ａと撮像部１００とを接続する撮像部用配線とは、独立に配線され、第１の電極パッド１１２ａからは２つの配線が引き出される。
【００２９】
図４は、撮像部１００の断面図（フォトダイオード周辺部分の断面図）、および周辺回路部１１０の断面図（保護回路１１３周辺部分の断面図）である。
周辺回路部１１０においては、半導体基板であるｎ型シリコン基板４００の上部にｐ型ウエル領域４１０が形成され、このｐ型ウエル領域４１０の表面には、ｎ型ウエル領域４２０およびｐ型不純物拡散領域４３０が形成される。また、ｐ型ウエル領域４１０のｎ型ウエル領域４２０下方には、保護回路１１３が電子シャッター動作の影響を受けないように、ｐ＋型ウエル領域４４０が形成される。
【００３０】
ｎ型ウエル領域４２０の表面には、ｎ＋型不純物拡散領域４５０と、ｐ＋型不純物拡散領域４６１が表面に形成されたｐ型不純物拡散領域４６０とが形成されている。また、ｐ型不純物拡散領域４３０の表面には、ｐ＋型不純物拡散領域４６１が形成される。ここで、ｐ型不純物拡散領域４６０のｐ＋型不純物拡散領域４６１がアノードとなり、ｎ＋型不純物拡散領域４５０がカソードとなってダイオード３２０が構成される。また、ｐ型不純物拡散領域４３０のｐ＋型不純物拡散領域４６１がアノードとなり、ｎ＋型不純物拡散領域４５０がカソードとなってダイオード３３０が構成される。このとき、ダイオード３２０のブレークダウン電圧は、ｐ型不純物拡散領域４６０およびｎ＋型不純物拡散領域４５０の不純物濃度と、ｐ型不純物拡散領域４６０に対するｎ＋型不純物拡散領域４５０の位置とにより決定される。
【００３１】
撮像部１００においては、ｎ型シリコン基板４００の上部にｐ型ウエル領域４１０が形成され、このｐ型ウエル領域４１０の表面には、ｎ型不純物拡散領域４７０およびｐ型不純物拡散領域４８０が形成される。
【００３２】
ｎ型不純物拡散領域４７０の表面には、ｐ＋型不純物拡散領域４６１が形成される。ここで、ｎ型不純物拡散領域４７０およびｐ＋型不純物拡散領域４６１によりフォトダイオードが構成される。
【００３３】
ｐ型不純物拡散領域４８０の表面には、ｎ型転送チャネル領域４８１が形成される。ここで、ｎ型転送チャネル領域４８１上方には、ゲート絶縁膜を介して転送電極４９０が形成されており、ゲート絶縁膜、ｎ型転送チャネル領域４８１および転送電極４９０により垂直ＣＣＤが構成される。
【００３４】
次に、以上のような構造を有するＣＣＤ型固体撮像装置の製造方法について図５に示す断面図に沿って説明する。なお、図５に示される断面図は、撮像部１００のフォトダイオード周辺部分、および周辺回路部１１０の保護回路１１３周辺部分におけるものである。
【００３５】
まず、図５（ａ）に示されるように、撮像部１００および周辺回路部１１０において、ｎ型シリコン基板４００にｐ型の不純物、例えばボロンを注入し、ｐ型ウエル領域４１０を形成する。
【００３６】
次に、図５（ｂ）に示されるように、周辺回路部１１０において、ｐ型ウエル領域４１０に高濃度のｐ型の不純物を高エネルギー注入し、ｐ＋型ウエル領域４４０を形成した後、さらにｎ型の不純物を注入し、ｎ型ウエル領域４２０を形成する。ここで、ｐ＋型ウエル領域４４０およびｎ型ウエル領域４２０は、同一マスクを用いて形成される。
【００３７】
次に、図５（ｃ）に示されるように、周辺回路部１１０において、ｐ型ウエル領域４１０およびｎ型ウエル領域４２０にｐ型の不純物を注入し、ｐ型不純物拡散領域４６０を形成する。また、撮像部１００において、ｐ型ウエル領域４１０にｎ型の不純物を注入し、ｎ型不純物拡散領域４７０を形成する。
【００３８】
次に、図５（ｄ）に示されるように、撮像部１００において、ｐ型ウエル領域４１０にｐ型の不純物を注入し、ｐ型不純物拡散領域４８０を形成した後、ｐ型不純物拡散領域４８０にｎ型の不純物を注入し、ｎ型転送チャネル領域４８１を形成する。そして、ｎ型転送チャネル領域４８１上にゲート絶縁膜および転送電極４９０を形成する。
【００３９】
最後に、図５（ｅ）に示されるように、撮像部１００および周辺回路部１１０において、ｎ型不純物拡散領域４７０およびｐ型不純物拡散領域４６０に高濃度のｐ型の不純物を注入し、ｐ＋型不純物拡散領域４６１を形成する。そして、周辺回路部１１０において、ｎ型ウエル領域４２０に高濃度のｎ型の不純物を注入してｎ＋型不純物拡散領域４５０を形成する。
【００４０】
以上のように本実施の形態のＣＣＤ型固体撮像装置によれば、外部から信号入出力用の電極パッドに侵入した静電気を電源電圧供給用の電極パッドに逃がし、従来のＣＣＤ型固体撮像装置のように、静電気を逃がすための静電気用の電極パッドを設けない。よって、約８０〜１００μｍという大きな幅を有する電極パッドの数を１つ減らすことができ、半導体基板の面積（図１の破線で示される部分の面積）を削減することができるので、本実施の形態のＣＣＤ型固体撮像装置は、固体撮像装置の静電気耐破壊性を維持しつつ、カメラの小型化を可能にするＣＣＤ型固体撮像装置を実現することができる。また、固体撮像装置と接続される実装基板の電極パッドおよび配線を１つ減らすことができ、実装基板の面積を削減することができるので、本実施の形態のＣＣＤ型固体撮像装置は、更なるカメラの小型化を可能にするＣＣＤ型固体撮像装置を実現することができる。
【００４１】
以上、本発明に係る固体撮像装置について実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形または修正が可能であることはいうまでもない。
【００４２】
例えば、上記実施の形態では、図３に示されるように、第１の電極パッド１１２ａからは２つの配線が引き出されるとした。しかし、図６に示されるように、第１の電極パッド１１２ａに加えて、電圧Ｖｏｄが供給され、外部から侵入した静電気が逃がされる静電気用電極パッド６１０を周辺回路部１１０に設け、静電気用電極パッド６１０と保護回路１１３とを保護回路用配線で接続しても構わない。この場合には、実装基板の電圧Ｖｏｄを供給する電極パッドから２つの配線が引き出され、第１の電極パッド１１２ａおよび静電気用電極パッド６１０に接続される。これによって、保護回路１１３と撮像部１００とを電気的に分離することができるので、保護回路１１３から撮像部１００への飛び込み電圧を起因とする電圧Ｖｏｄの振れを防止することができる。
【００４３】
また、上記実施の形態では、保護回路１１３は、ダイオード３２０を１つ有するとしたが、電気的に並列に接続された複数のダイオード３２０を有しても構わない。この場合には、図７の周辺回路部１１０の上面図（保護回路１１３周辺部分の上面図）に示されるように、ｐ＋型不純物拡散領域４６１を有する島状の、例えば幅３〜５μｍのｐ型不純物拡散領域４６０がｎ型ウエル領域４２０の表面に複数形成される。これによって、ｐｎ接合の面積を増やし、保護回路が逃がす静電気の量を増やすことができるので、固体撮像装置の静電気耐破壊性を向上させることができる。
【００４４】
また、図８の保護回路１１３におけるダイオード３２０のレイアウト図に示されるように、ダイオード３２０の配置を自由に選択することができるので、固体撮像装置を小型化することができる。すなわち、ダイオード３２０の配置を調節することで、電極パッド間あるいは配線の隙間等に保護回路１１３を形成することができるので、半導体基板に保護回路１１３形成のための場所を確保する必要が無くなり、半導体基板の面積を削減することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、固体撮像装置に利用でき、特に電子内視鏡のカメラに使用されているＣＣＤ型固体撮像装置等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の本実施の形態のＣＣＤ型固体撮像装置の概略上面図である。
【図２】垂直ＣＣＤを駆動させるパルスの波形の一例を示す図である。
【図３】撮像部１００および保護回路１１３と第１の電極パッド１１２ａとを接続する配線を説明するための図である。
【図４】撮像部１００の断面図（フォトダイオード周辺部分の断面図）、および周辺回路部１１０の断面図（保護回路１１３周辺部分の断面図）である。
【図５】同実施の形態のＣＣＤ型固体撮像装置の製造方法を説明するための撮像部１００の断面図（フォトダイオード周辺部分の断面図）、および周辺回路部１１０の断面図（保護回路１１３周辺部分の断面図）である。
【図６】撮像部１００および保護回路１１３と第１の電極パッド１１２ａおよび静電気用電極パッド６１０とを接続する配線を説明するための図である。
【図７】周辺回路部１１０の上面図（保護回路１１３周辺部分の上面図）である。
【図８】保護回路１１３におけるダイオード３２０のレイアウト図である。
【図９】従来のＣＣＤ型固体撮像装置の概略上面図である。
【図１０】電子内視鏡のカメラの斜視図である。
【符号の説明】
【００４７】
１００、９００    撮像部
１１０、９１０    周辺回路部
１１１、９１１    信号用電極パッド
１１２、９１２    電源用電極パッド
１１２ａ    第１の電極パッド
１１２ｂ    第２の電極パッド
１１３、９１３    保護回路
１２０、９２０、１０００    半導体基板
３２０、３３０    ダイオード
４００    ｎ型シリコン基板
４１０    ｐ型ウエル領域
４２０    ｎ型ウエル領域
４３０、４６０、４８０    ｐ型不純物拡散領域
４４０    ｐ＋型ウエル領域
４５０    ｎ＋型不純物拡散領域
４６１    ｐ＋型不純物拡散領域
４７０    ｎ型不純物拡散領域
４８１    ｎ型転送チャネル領域
４９０    転送電極
６１０、９１４    静電気用電極パッド
１０１０    電極パッド
１０２０    フレキシブルシート
【図１】
2005322826.tif 000003
【図２】
2005322826.tif 000004
【図３】
2005322826.tif 000005
【図４】
2005322826.tif 000006
【図５】
2005322826.tif 000007
【図６】
2005322826.tif 000008
【図７】
2005322826.tif 000009
【図８】
2005322826.tif 000010
【図９】
2005322826.tif 000011
【図１０】
2005322826.tif 000012