(57)【要約】【課題】  有機ＥＬ素子に発生するリーク現象を自己リペア（修復）することができる発光表示パネルの駆動装置を提供すること。【解決手段】  陽極線ドライブ回路２には、定電圧源Ｖ1 からの電圧が供給されるように構成されている。そして、陽極線ドライブ回路２におけるドライブスイッチＳa1〜Ｓamを、全て定電圧源Ｖ1 側に接続し、また陰極線走査回路３における走査スイッチＳk1〜Ｓkmを全てグランドＧＮＤ側に接続することで、各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmには、定電圧源Ｖ1 より画像の表示状態よりも大きな値の電流が供給される。このような大きな電流を定期的に与えることにより、有機ＥＬ素子に発生するリーク現象を修復、もしくはリーク状態に至るのを未然に防止させることができる。【選択図】  図２
2005283781.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差する複数の走査線および複数のデータ線と、前記各走査線および各データ線の交差位置に配列されたダイオード特性を有する自発光素子を少なくとも含むことでそれぞれ画素を構成した発光表示パネルの駆動装置であって、
前記自発光素子を発光駆動させるために、当該自発光素子のアノード端子側より第一電流が供給できるように構成されると共に、前記第一電流の値よりも大きな値の第二電流を前記自発光素子に供給することができるように構成したことを特徴とする発光表示パネルの駆動装置。
【請求項２】
前記第一電流と第二電流は、異なる定電流源から切り換え手段を介して供給されるように構成したことを特徴とする請求項１に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項３】
前記第一電流と第二電流は、電流値が可変できる１つの定電流源から供給されるように構成したことを特徴とする請求項１に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項４】
前記第一電流は定電流源より供給され、前記第二電流は定電圧源より供給されるように構成したことを特徴とする請求項１に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項５】
前記自発光素子のアノード端子側もしくはカソード端子側のいずれかまたは両方に、前記自発光素子に対して逆バイアス電圧を印加することができる電源がさらに備えられていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項６】
前記自発光素子が発光駆動トランジスタと直列に接続されることで各画素を構成し、前記発光駆動トランジスタに与えられる異なるゲート電位によって、前記自発光素子に対して前記第一電流と、第二電流が選択的に供給できるように構成したことを特徴とする請求項１に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項７】
前記自発光素子は発光駆動トランジスタと直列に接続されることで各画素を構成し、かつ、制御端子へ入力されるスイッチング信号により端子間が開閉される第１と第２の被制御端子を備えるスイッチングトランジスタが備えられ、
前記自発光素子と発光駆動トランジスタとの接続点に前記スイッチングトランジスタの第１被制御端子が接続され、前記スイッチングトランジスタの第２被制御端子には、前記第二電流を供給するための電源が接続され、
前記スイッチングトランジスタがオフの期間において前記第一電流が前記自発光素子に供給され、スイッチングトランジスタがオンの期間において前記第二電流が前記自発光素子に供給されることを特徴とする請求項１に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項８】
前記スイッチングトランジスタの第２被制御端子には、前記自発光素子に対して順方向に第二電流を供給するための電源と、前記自発光素子に対して逆バイアスの電圧を供給するための電源とが切り換え可能に接続されていることを特徴とする請求項７に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項９】
前記自発光素子は発光駆動トランジスタと直列に接続されることで各画素を構成し、かつ、制御端子へ入力されるスイッチング信号により端子間が開閉される第１と第２の被制御端子を備えるスイッチングトランジスタが備えられ、
前記発光駆動トランジスタのソースとドレイン間には、前記スイッチングトランジスタの第１と第２の被制御端子がそれぞれ接続され、
前記スイッチングトランジスタがオフの期間において前記第一電流が前記自発光素子に供給され、スイッチングトランジスタがオンの期間において前記第二電流が前記自発光素子に供給されることを特徴とする請求項１に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項１０】
前記スイッチングトランジスタのオンの期間において前記自発光素子に対して順方向に第二電流を供給するための電源と、前記自発光素子に対して逆バイアスの電圧を供給するための電源とが、前記自発光素子のカソード側において切り換え可能に接続されることを特徴とする請求項９に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項１１】
前記スイッチングトランジスタのオンの期間において前記自発光素子に対して順方向に第二電流を供給するための電源と、前記自発光素子に対して逆バイアスの電圧を供給するための電源とが、前記発光駆動トランジスタのソース側と、前記自発光素子のカソード側とにおいて、それぞれ切り換え可能に接続されていることを特徴とする請求項９に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項１２】
互いに交差する複数の走査線および複数のデータ線と、前記各走査線および各データ線の交差位置に配列されたダイオード特性を有する自発光素子を少なくとも含むことでそれぞれ画素が構成され、前記自発光素子を発光駆動させるための順方向とは反対の逆バイアス電圧を、前記自発光素子に印加できるように構成した発光表示パネルの駆動装置であって、
前記逆バイアス電圧が、第一の電圧値と前記第一の電圧値よりも大きい第二の電圧値を有することを特徴とする発光表示パネルの駆動装置。
【請求項１３】
前記自発光素子のカソード側における定電圧源を切り換えることで、前記第一の電圧値による逆バイアス電圧と、第二の電圧値による逆バイアス電圧が各自発光素子に印加できるように構成したことを特徴とする請求項１２に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項１４】
前記自発光素子のアノード側における定電圧源を切り換えることで、前記第一の電圧値による逆バイアス電圧と、第二の電圧値による逆バイアス電圧が各自発光素子に印加できるように構成したことを特徴とする請求項１２に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項１５】
各自発光素子に対して前記第一の電圧値による逆バイアス電圧の印加が実行されると共に、前記第一の電圧値による逆バイアス電圧の印加の所定回数の実行ごとに、前記第二の電圧値による逆バイアス電圧の印加が実行されるように構成したことを特徴とする請求項１２ないし請求項１４のいずれか１項に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項１６】
前記発光素子に流れる電流値が第二の電流値となる第一の自己リペアモードを設けたことを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項１７】
前記第一の自己リペアモードにおいては、前記発光表示パネルに配列された全ての発光素子が点灯制御されるように構成したことを特徴とする請求項１６に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項１８】
前記発光素子に印加される逆バイアス電圧値が、前記第二の値となる第二の自己リペアモードを設けたことを特徴とする請求項１２ないし請求項１４のいずれか１項に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項１９】
前記第二の自己リペアモードにおいては、前記発光表示パネルに配列された全ての発光素子が消灯制御されるように構成したことを特徴とする請求項１８に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項２０】
１フレーム期間または１サブフレーム期間中に、通常点灯時よりも大きな比率の非点灯走査期間を設定し、この非点灯走査期間に前記発光素子に対して逆バイアス電圧を印加する第三の自己リペアモードを設けたことを特徴とする請求項１２ないし請求項１４のいずれか１項に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項２１】
前記自発光素子が、有機化合物を発光層に用いた有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１ないし請求項２０のいずれか１項に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項２２】
請求項１６ないし請求項２０のいずれか１項に記載の発光表示パネルとその駆動装置を搭載した電子機器であって、
前記電子機器にはタイマが搭載され、当該タイマの積算時間によって、前記第一の自己リペアモード、前記第二の自己リペアモード、前記第三の自己リペアモードを実行することを特徴とする電子機器。
【請求項２３】
前記電子機器が充電可能な電池を利用したものであって、前記電池に対して充電動作中において前記いずれかの自己リペアモードを実行することを特徴とする請求項２２に記載の電子機器。
【請求項２４】
前記発光表示パネルを閉じることで、表示パネル面が視認不可能になされる構成の電子機器であって、前記発光表示パネルを閉じた状態において前記いずれかの自己リペアモードを実行することを特徴とする請求項２２に記載の電子機器。
【請求項２５】
前記電子機器が電池によって動作するものであって、前記電池の残留電力が所定以下であることを検出した場合には、前記いずれかの自己リペアモードの実行が禁止されるように構成したことを特徴とする請求項２２ないし請求項２４のいずれか１項に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、発光素子として例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を用いた表示パネルを発光駆動する駆動装置に関し、特に表示パネルに配列された発光素子を自己リペア（修復）させることができる駆動装置およびこれを搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子をマトリクス状に配列して構成される表示パネルを用いたディスプレイの開発が広く進められており、このような表示パネルに用いられる発光素子として、例えば有機材料を発光層に用いた有機ＥＬ素子が注目されている。これはＥＬ素子の発光層に、良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって、実用に耐えうる高効率化および長寿命化が進んだことも背景にある。
【０００３】
前記した有機ＥＬ素子は、例えばガラス等の透明基板上に陽極（アノード）を構成する透明電極、有機材料を含む発光層、および陰極（カソード）を構成する例えば金属電極が順次積層されて形成されている。この積層構造により、有機ＥＬ素子は電気的にはダイオード特性を有する発光エレメントと、この発光エレメントに並列に結合する寄生容量成分とによる構成に置き換えることができ、有機ＥＬ素子は容量性の発光素子であるということが言える。
【０００４】
この有機ＥＬ素子は、発光駆動電圧が印加されると、先ず、当該素子の電気容量に相当する電荷が電極に変位電流として流れ込み蓄積される。続いて当該素子固有の一定の電圧（発光閾値電圧＝Ｖth）を越えると、一方の電極（ダイオード成分のアノード側）から発光層を構成する有機層に電流が流れ初め、この電流に比例した強度で発光すると考えることができる。
【０００５】
かかる有機ＥＬ素子を用いた表示パネルとして、互いに直交するデータ線と走査線との交点位置にＥＬ素子をマトリクス状に配列させたパッシブマトリクス型表示パネル（例えば、特許文献１参照）と、マトリクス状に配列させた各ＥＬ素子の各々に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなる能動素子を加えたアクティブマトリクス型表示パネル（例えば、特許文献２参照）が提案されている。
【特許文献１】特開２００３−２８８０５３号公報
【特許文献２】特開２００３−３１６３１５号公報
【０００６】
前者のパッシブマトリクス型表示パネルにおいては、比較的単純な構成においてディスプレイを構成することができるという特質を備えている。一方、後者のアクティブマトリクス型表示パネルは、前者のパッシブマトリクス型表示パネルに比較して、低消費電力化を実現することができ、画素間のクロストークが少ないなどの特質を備えており、特に大画面を構成する高精細度のディスプレイに適している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、前記した有機ＥＬ素子は成膜の不具合等により、陽極と陰極との間にリーク電流（以下単にリークともいう。）が発生し、発光不良を来たすという問題が発生する。これは、発光層が薄い箇所は他と比べて電気抵抗が小さく、そのためにＥＬ素子を発光駆動させる電流がその箇所に集中し、その結果、他の正常な発光層に流れる駆動電流が減少し発光輝度が低下するものと考えられる。この様な発光層の形成不良部に生ずる電流の集中は、表示パネル上にマトリクス状に配列された他のＥＬ素子に対しても影響を及ぼし、ディスプレイに表示される画像を見苦しいものにする。
【０００８】
前記したリークは、種々の理由により発生の仕方が一様ではないが、その発生の仕方を大別すると次の３つの態様になる。その第１の態様は製造当初からリークがあるが、後述するエージング等により自己リペア（修復）することができるもの、第２の態様は製造当初にはリークは見られないが後にリークに至るもの、第３の態様は製造当初からリークがありその後のエージングなどによっても自己リペアできないものとして分けることができる。
【０００９】
前記した第１の態様のリークが発生するＥＬ素子の構造上における主な原因は、製造工程における成膜などの不具合により、発光層の一部を介して陽極および陰極の一部が短絡状態になされることである。この短絡部分が細い場合には電気抵抗が比較的大きいので、この部分にエージングなどにおいて電流を流し、発熱させることでリークを消失させることができる。これが自己リペアである。
【００１０】
この電流はＥＬ素子に対して順方向および逆方向に流すことにより、自己リペアする可能性がより高まること、また、この時の電流値は大きいほど、自己リペアする確率が高められることを本件発明者等は経験的に知得している。なお、前記したエージングにより成膜の不具合が一部自己修復され、リークが見られなくなっても、前記した第２の態様のように、後で再びリークに至る場合もある。
【００１１】
前記したエージングの実行にあたっては表示パネルに配列された全てのＥＬ素子を全点灯させて、一定時間その状態を継続させる方法が好適に採用される。この場合、パッシブ駆動型表示パネルにおいては、１フレーム（または１サブフレーム）期間内に、望ましくは非点灯走査期間が設けられる。そして、非点灯走査期間においては表示パネルに配列された全てのＥＬ素子に対して、走査ライン側から逆バイアス電圧を印加させる機会を設定することが望ましい。
【００１２】
一方、アクティブ駆動型表示パネルにおいても、１フレーム（または１サブフレーム）期間内に、同様に表示パネルに配列された全てのＥＬ素子に対して、逆バイアス電圧を印加させる機会を設定することが望ましい。これにより、前記したＥＬ素子におけるリークを効果的に修復させることができる。
【００１３】
次に前記した第２の態様におけるリークについては、製造工程において短絡に至らなかった程度の電極の近接があり、市場投入された後に電極もしくは発光層の経時変化等によりＥＬ素子が短絡状態になってしまう場合である。このような表示パネルが搭載された電子機器がユーザの手に渡ってからリークが生じた場合、表示品質を著しく落とすばかりでなく、前記電子機器が医療用機器であるような場合、もしくは航空機のメータ等に採用されている場合などにおいては、重大な結果をもたらす場合も生じ得る。
【００１４】
さらに前記した第３の態様におけるリークについては、ＥＬ素子を構成する電極の短絡部分が比較的太い場合であり、前記したエージングによる素子への印加電流によって自己リペアさせることは難しい。この場合においては例えばレーザ光を利用して、短絡部分を強制的に消失させる手段を採用することができるが、このような修復を行なった場合においても、前記した第２の態様のようにユーザの手に渡ってから、新たにリークが生ずる場合もあり得る。
【００１５】
この発明は、前記した発光素子に発生するリークの問題に着目してなされたものであり、特に前記した第１の態様および第２の態様によるＥＬ素子のリークの発生に対して、効果的にこれを自己リペアさせることができる表示パネルの駆動装置およびこれを搭載した電子機器を提供することを技術課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかる駆動装置の好ましい形態は、請求項１に記載のように、互いに交差する複数の走査線および複数のデータ線と、前記各走査線および各データ線の交差位置に配列されたダイオード特性を有する自発光素子を少なくとも含むことでそれぞれ画素を構成した発光表示パネルの駆動装置であって、前記自発光素子を発光駆動させるために、当該自発光素子のアノード端子側より第一電流が供給できるように構成されると共に、前記自発光素子の自己リペアを行なうために、前記第一電流の値よりも大きな値の第二電流を前記自発光素子に供給することができるように構成した点に特徴を有する。
【００１７】
また、前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかる駆動装置の他の好ましい形態は、請求項１２に記載のように、互いに交差する複数の走査線および複数のデータ線と、前記各走査線および各データ線の交差位置に配列されたダイオード特性を有する自発光素子を少なくとも含むことでそれぞれ画素が構成され、前記自発光素子を発光駆動させるための順方向とは反対の逆バイアス電圧を、前記自発光素子に印加できるように構成した発光表示パネルの駆動装置であって、前記逆バイアス電圧が、第一の電圧値と前記第一の電圧値よりも大きい第二の電圧値を有する点に特徴を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、この発明にかかる発光表示パネルの駆動装置について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。図１はその第１の実施の形態を示したものであり、図１にはパッシブマトリクス型表示パネルと、その駆動回路の例が示されている。なお、この図１に示す実施の形態は、請求項１および請求項２に示す発明に基づくものである。このパッシブマトリクス駆動方式における有機ＥＬ素子のドライブ方法には、陰極線走査・陽極線ドライブ、および陽極線走査・陰極線ドライブの２つの方法があるが、図１に示された構成は前者の陰極線走査・陽極線ドライブの形態を示している。
【００１９】
すなわち、ｎ本のデータ線（以下、これを陽極線とも言う。）Ａ1 〜Ａn が縦方向に配列され、ｍ本の走査線（以下、これを陰極線とも言う。）Ｋ1 〜Ｋm が横方向に配列され、各々の交差した部分（計ｎ×ｍ箇所）に、ダイオードのシンボルマークで示した有機ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmが配置されて、表示パネル１を構成している。
【００２０】
そして、画素を構成する各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmは、縦方向に沿う陽極線Ａ1 〜Ａn と横方向に沿う陰極線Ｋ1 〜Ｋm との各交点位置に対応して、一端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおける陽極端子）が陽極線に、他端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおける陰極端子）が陰極線に接続されている。さらに、各陽極線Ａ1 〜Ａn はデータドライバとしての陽極線ドライブ回路２に接続され、各陰極線Ｋ1 〜Ｋm は走査ドライバとしての陰極線走査回路３に接続されてそれぞれ駆動される。
【００２１】
前記陽極線ドライブ回路２には、駆動電圧源ＶH1からの駆動電圧を利用して動作する定電流源Ｉa1〜Ｉan、駆動電圧源ＶH2からの駆動電圧を利用して動作する定電流源Ｉb1〜Ｉbn、およびドライブスイッチＳa1〜Ｓamが備えられている。そして、ドライブスイッチＳa1〜Ｓamが、前記定電流源Ｉa1〜Ｉan側に接続されることにより、定電流源Ｉa1〜Ｉanからの第一電流が、陰極線に対応して配置された個々のＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに対して点灯駆動電流として供給されるように作用する。
【００２２】
また、前記ドライブスイッチＳa1〜Ｓamが、前記定電流源Ｉb1〜Ｉbn側に接続されることにより、定電流源Ｉb1〜Ｉbnからの第二電流が個々のＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに対して順方向に供給されるように構成されている。前記定電流源Ｉb1〜Ｉbnから供給される第二電流の値は、後で詳細に説明するが、ＥＬ素子の自己リペアを行なうために、ＥＬ素子の点灯駆動電流としての前記第一電流の値よりも大きく設定されている。また前記ドライブスイッチＳa1〜Ｓamは、この実施の形態においては基準電位点としてのグランド電位ＧＮＤにも接続されるように構成されている。
【００２３】
一方、前記陰極線走査回路３には、各陰極線Ｋ1 〜Ｋm に対応して走査スイッチＳk1〜Ｓkmが備えられ、クロストーク発光を防止させるための逆バイアス電圧源ＶK 、もしくは基準電位点としてのグランド電位ＧＮＤのうちのいずれか一方を、対応する陰極線に接続するように作用する。
【００２４】
なお、前記した陽極線ドライブ回路２および陰極線走査回路３には、ＣＰＵを含むコントローラＩＣ４よりコントロールバスを介してそれぞれに制御信号が供給され、表示すべき映像信号に基づいて、前記走査スイッチＳk1〜ＳkmおよびドライブスイッチＳa1〜Ｓamの切り換え操作がなされる。これにより、映像信号に基づいて陰極走査線を所定の周期でグランド電位に設定しながら所望の陽極線に対して定電流源Ｉa1〜Ｉanのいずれかが適宜接続され、前記各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmが前記第一電流により選択的に発光されることで、表示パネル１上に前記映像信号に基づく画像が表示される。
【００２５】
なお、図１に示す状態は、第１の陰極線Ｋ1 がグランド電位に設定されて走査状態になされ、この時、非走査状態の各陰極線Ｋ2 〜Ｋm には、前記した逆バイアス電圧源ＶK からの逆バイアス電圧が印加される。ここで、走査発光状態におけるＥＬ素子の順方向電圧をＶf とした時、〔（順方向電圧Ｖf ）−（逆バイアス電圧Ｖk ）〕＜（発光閾値電圧Ｖth）の関係となるように各電位設定がなされている。したがって、ドライブされている陽極線と走査選択がなされていない陰極線との交点に接続された各ＥＬ素子には、発光閾値電圧Ｖth以下の電圧が印加され、クロストーク発光するのが防止されるように作用する。
【００２６】
一方、図１に示す実施の形態においては、前記陽極線ドライブ回路２におけるドライブスイッチＳa1〜Ｓamを、全て定電流源Ｉb1〜Ｉbn側に接続し、また陰極線走査回路３における走査スイッチＳk1〜Ｓkmを全てグランドＧＮＤ側に接続することで、各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmには、前記した第二電流をそれぞれ順方向に供給することができる。これにより、全てのＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmは、前記した第一電流による画像の表示状態よりも高輝度の発光状態になされる。ここでは、これを第一の自己リペアモードと称呼することにする。
【００２７】
前記した第一の自己リペアモードが実行させた場合においては、ＥＬ素子のアノードおよびカソード間の一部に存在する短絡箇所に比較的大きな第二電流が流され、これによりその短絡箇所が消失されて素子の修復を行なうことができる。この第一の自己リペアモードは、すでに説明したように表示パネルの製造当初からリークが存在する第１態様のリークを修復させるために、製造当初において実施されるエージングにおいて実行されることが効果的である。
【００２８】
また、この発明にかかる表示パネルと駆動装置を含む発光モジュールが市場に投入された後においては、後で詳細に説明するように前記発光モジュールを搭載した電子機器に備えられタイマを利用して、定期的にこの第一の自己リペアモードを実行させることで、前記した第２の態様のリークの修復、もしくは発生を効果的に防止させることができる。
【００２９】
なお、図１に示した実施の形態においては、各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに対して前記した第二電流をそれぞれ順方向に供給するために、定電流源Ｉb1〜Ｉbnを具備させた構成にされている。しかしながら、前記各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに第一電流を供給するための各定電流源Ｉa1〜Ｉanの出力電流値が可変できるように構成し、各定電流源Ｉa1〜Ｉanより前記した第二電流を供給することで、第一の自己リペアモードを実行するように構成されていてもよい。これにより、請求項３に示す発明を実現させることができ、その構成を簡素化させることができる。
【００３０】
図２はこの発明の第２の実施の形態を示したものであり、同じくパッシブマトリクス型表示パネルとその駆動回路の例が示されている。この図２においては、すでに説明した図１に示す各部と同一機能を果たす部分を同一符号で示しており、したがってその詳細な説明は省略する。なお、この図２に示す実施の形態は、主に請求項４に示す発明に基づくものである。
【００３１】
図２に示す実施の形態においては、前記した第一の自己リペアモードを実行させる場合において利用される第二電流は、定電圧源より供給されるように構成されている。すなわち、図１に示した定電流源Ｉb1〜Ｉbnに代えて、図２に示すように定電圧源Ｖ1 からの電圧を利用するように構成されている。この構成によると、表示すべき映像信号に基づいて、走査スイッチＳk1〜Ｓkmが順次グランドＧＮＤ電位に切り換えられて走査され、これに同期してドライブスイッチＳa1〜Ｓamが定電流源Ｉ1 〜Ｉn のいずれかに接続される。したがって、前記各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmは前記第一電流により選択的に発光されることで、表示パネル１上に前記映像信号に基づく画像が表示される。
【００３２】
一方、前記陽極線ドライブ回路２におけるドライブスイッチＳa1〜Ｓamを、全て定電圧源Ｖ1 側に接続し、また陰極線走査回路３における走査スイッチＳk1〜Ｓkmを全てグランドＧＮＤ側に接続することで、各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmには、定電圧源Ｖ1 より前記した第二電流がそれぞれ供給される。これにより、全てのＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmは、前記した第一電流による画像の表示状態よりも高輝度の発光状態になされる。この実施の形態における前記した状態を第一の自己リペアモードと称呼し、この第一の自己リペアモードは、後述するように第１態様および第２態様のリークの修復、もしくは発生を効果的に防止させるように利用することができる。
【００３３】
図３はこの発明の第３の実施の形態を示したものであり、同じくパッシブマトリクス型表示パネルとその駆動回路の例が示されている。この図３においては、すでに説明した図１および図２に示す各部と同一機能を果たす部分を同一符号で示しており、したがってその詳細な説明は省略する。なお、この図３に示す実施の形態は、主に請求項５に示す発明に基づくものである。
【００３４】
この図３に示す実施の形態においては、例えば図２に示した実施の形態に加えて、さらに表示パネル１に配列された各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに対して、逆バイアス電圧を印加することができる定電圧源が備えられた点に特徴を有する。すなわち、図３に示す構成においては、陰極線走査回路３に対して定電圧Ｖ2 が供給されるように構成されている。また、図３に示す構成においては、陽極線ドライブ回路２には定電圧Ｖ1 が供給されるように構成されおり、前記各定電圧の値はＶ1 ≦Ｖ2 の関係になされている。なお、この電圧Ｖ1 は図２に示した電圧Ｖ1 とは必ずしもレベルの関係は同一ではなく、以下においては図ごとにそれぞれ独立して使用する。
【００３５】
図３に示した構成によると、前記陽極線ドライブ回路２におけるドライブスイッチＳa1〜Ｓamを、全て定電圧源Ｖ1 側に接続し、また陰極線走査回路３における走査スイッチＳk1〜Ｓkmを全て定電圧源Ｖ2 側に接続することで、各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmには、それぞれ逆バイアス電圧を印加することができる。
【００３６】
したがって、図３に示す構成によると図２に示した作用と同様に、各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに第二電流を供給する第一の自己リペアモードを選択することができると共に、各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmには、それぞれ逆バイアス電圧を印加することもできる。これにより、後述する第１態様および第２態様のリークの修復、もしくはリークの発生を効果的に防止させることができる。
【００３７】
図４および図５はこの発明を採用した第４の実施の形態を示したものであり、これはアクティブ駆動型表示パネルに採用した例を示している。なお、この図４および図５に示す実施の形態は、主に請求項６に示す発明に基づくものである。図４はその表示パネルに形成された一つの画素構成を示したものであり、この画素構成は２つのＴＦＴからなるコンダクタンスコントロール（Conductance Controlled）方式と呼ばれる有機ＥＬ素子を発光素子とした場合の最も基本的な画素構成を示している。
【００３８】
図４に示すように、ｎチャンネル型ＴＦＴで構成された走査選択用トランジスタＴr1のゲートＧは、表示パネルに配列された走査信号線Ａ1 に接続され、そのソースＳはデータ信号線Ｂ1 に接続されている。また、走査選択用トランジスタＴr1のドレインＤは、ｐチャンネル型ＴＦＴで構成された発光駆動用トランジスタのゲートＧに接続されると共に、電荷保持用のキャパシタＣs の一方の端子に接続されている。
【００３９】
また、発光駆動用トランジスタＴr2のソースＳは前記コンデンサＣs の他方の端子に接続されると共に、電源ラインＶａに接続されている。さらに、発光駆動用トランジスタＴr2のドレインＤには、発光素子としての有機ＥＬ素子Ｅ1 のアノードが接続されると共に、当該ＥＬ素子Ｅ1 のカソードはＶk 、例えば基準電位点であるグランドＧＮＤに接続されている。斯くして、前記した構成の発光表示画素は、表示パネル上に縦横方向にマトリクス状に多数配列されて、アクティブマトリクス型表示パネルを構成している。
【００４０】
図４に示した構成において、走査選択用トランジスタＴr1のゲートに、走査信号線Ａ1 を介して図示せぬ走査ドライバより走査信号（Select）が供給されると、走査選択用トランジスタＴr1はオン状態になされる。この時、走査選択用トランジスタＴr1のソースにはデータ信号線Ｂ1 を介して図示せぬデータドライバよりデータ信号（Ｖdata）が供給される。したがって、トランジスタＴr1はそのソースに供給されるデータ信号（Ｖdata）に対応した電流をソースからドレインに流す。
【００４１】
これにより、走査選択用トランジスタＴr1がオンの期間に、前記コンデンサＣs にはデータ信号（Ｖdata）に対応した電圧Ｖ1 が充電され、その電圧が発光駆動用トランジスタＴr2のゲートに供給される。それ故、発光駆動用トランジスタＴr2は、そのゲート電圧Ｖ1 とソース電圧とに基づいた電流（第一電流）をＥＬ素子Ｅ1 にドレイン電流Ｉd1として流し、ＥＬ素子を発光駆動させる。
【００４２】
一方、走査選択用トランジスタＴr1のゲートに対する走査信号（Select）の供給が停止されると、走査選択用トランジスタＴr1はいわゆるカットオフとなり、当該トランジスタのドレインは開放状態となるものの、発光駆動用トランジスタＴr2はコンデンサＣs に蓄積された電荷によりゲート電位が保持される。したがって、次の走査まで駆動用トランジスタＴr2の駆動電流が維持され、これによりＥＬ素子Ｅ1 の発光も維持される。
【００４３】
前記した構成の発光画素を備えた表示パネルにおいては、図示せぬデータドライバより前記したトランジスタＴr2のゲート電圧Ｖ1 よりも深いゲート電圧Ｖ2 をデータ信号（Ｖdata）として供給することができるように構成されている。これにより、発光駆動用トランジスタＴr2のゲートには、より深いゲートバイアス電圧Ｖ2 が印加され、トランジスタＴr2は、画像信号による発光駆動電流（第一電流）よりも大きな電流（第二電流）をＥＬ素子Ｅ1 に供給するようになされる。
【００４４】
図４はその作用を説明するものであり、（Ａ）にはトランジスタＴr2のゲート電位Ｖg が示されている。また（Ｂ）にはトランジスタＴr2のドレイン電流Ｉd が示されている。前記トランジスタＴr2はｐチャンネルにより構成されているので、ゲート電位Ｖg が高いＶ0 の状態においては、ドレイン電流Ｉd は流れず、ＥＬ素子Ｅ1 は消灯状態になされる。またトランジスタＴr2のゲート電位Ｖg が前記したＶ1 になされた時には、第一電流Ｉd1がドレイン電流Ｉd として流れ、これにより、ＥＬ素子Ｅ1 は画像信号による発光がなされる。
【００４５】
さらに、トランジスタＴr2のゲート電位Ｖg が前記したＶ1 よりも深いＶ2 になされた場合には、発光駆動電流（第一電流＝Ｉd1）よりも大きな電流（第二電流）がドレイン電流Ｉd2として流れる。これにより、ＥＬ素子Ｅ1 は前記した第一電流による画像の表示状態よりも高輝度の発光状態になされ、すでに説明したリペア（修復）動作が実行される。これを、この実施の形態における第一の自己リペアモードと称呼し、この第一の自己リペアモードは、後述するように第１態様および第２態様のリークの修復、もしくは発生を効果的に防止させるように利用することができる。
【００４６】
図６はこの発明を採用した第５の実施の形態を示したものであり、これもアクティブ駆動型表示パネルに採用した例を示している。なお、この図６に示す実施の形態は、主に請求項７に示す発明に基づくものである。そして、図６においては図４に基づいて説明した走査選択用トランジスタＴr1を省略した状態で示され、新たにスイッチングトランジスタＴr3が付加された構成で示している。このスイッチングトランジスタＴr3は、制御端子であるゲートＧに入力されるスイッチング信号により、端子間が開閉される第１と第２の被制御端子、すなわちソースＳおよびドレインＤを備える周知のｎチャンネル型ＴＦＴにより構成されている。
【００４７】
このスイッチングトランジスタＴr3の第１被制御端子（ソースＳ）は、ＥＬ素子Ｅ1 と発光駆動トランジスタＴr2との接続点に接続され、スイッチングトランジスタＴr3の第２被制御端子（ドレインＤ）には、前記第二電流を供給するための電圧源Ｖ2 が接続されている。そしてこの実施の形態においては発光駆動トランジスタＴr2のソースに供給される電圧源Ｖ1 の電位よりも、スイッチングトランジスタＴr3のドレインに供給される電圧源Ｖ2 の電位が低く設定されている。
【００４８】
前記した構成によるとスイッチングトランジスタＴr3がオフで、発光駆動トランジスタＴr2がオンになされた時、映像信号に基づく発光駆動電流（前記第一電流）がＥＬ素子Ｅ1 に供給される。またスイッチングトランジスタＴr3がオンになされた場合には、発光駆動トランジスタＴr2の状態に関係なく、映像信号に基づく発光駆動電流（第一電流）よりも大きな電流（第二電流）が電圧源Ｖ2 よりＥＬ素子Ｅ1 に供給される。これにより、ＥＬ素子Ｅ1 はより高輝度の発光状態である第一の自己リペアモードになされる。この第一の自己リペアモードは、後述するように第１態様および第２態様のリークの修復、もしくは発生を効果的に防止させるように利用することができる。
【００４９】
図７はこの発明を採用した第６の実施の形態を示したものであり、これもアクティブ駆動型表示パネルに採用した例を示している。なお、この図７に示す実施の形態は、主に請求項８に示す発明に基づくものである。そして、図７に示す実施の形態においては、図６に示す実施の形態に加えて、切り換え手段としてのスイッチＳＷ1 が備えられている。
【００５０】
前記切り換えスイッチＳＷ1 は、図６に示した例と同様にＥＬ素子Ｅ1 に対して前記した第二電流を供給するための電源Ｖ2 を選択すると共に、ＥＬ素子Ｅ1 に対して逆バイアスの電圧を供給することができる電源Ｖ4 が選択できるように構成されている。なお、図７に示した構成において、発光駆動トランジスタＴr2のソースに供給される電圧源の電圧をＶ1 とし、ＥＬ素子Ｅ1 のカソード側に供給される電圧源の電圧をＶ3 とした場合、Ｖ1 ＞Ｖ2 ，Ｖ3 ＞Ｖ4 の関係になされている。
【００５１】
したがって、図７に示す状態においてスイッチングトランジスタＴr3がオフで、発光駆動トランジスタＴr2がオンになされた場合には、映像信号に基づく発光駆動電流（前記第一電流）がＥＬ素子Ｅ1 に供給される。また発光駆動トランジスタＴr2がオフ状態になされ、スイッチングトランジスタＴr3がオンになされた場合には、電圧源Ｖ2 とＶ3 の間にスイッチングトランジスタＴr3とＥＬ素子Ｅ1 が直列に介在されることになる。これにより、トランジスタＴr3のドレインＤからソースＳを介して電圧源Ｖ2 よりＥＬ素子Ｅ1 に対して前記した第二電流が流され、ＥＬ素子Ｅ1 は前記した第一電流による画像の表示状態よりも高輝度の発光状態である第一の自己リペアモードになされる。
【００５２】
一方、前記スイッチＳＷ1 が、図７に示す状態に対して逆方向に切り換えられた場合には、電圧源Ｖ3 とＶ4 の間に、ＥＬ素子Ｅ1 とスイッチングトランジスタＴr3が直列に介在されることになる。この時、スイッチングトランジスタＴr3における第１被制御端子、すなわちＥＬ素子Ｅ1 のアノードに接続された端子がドレインとして機能し、トランジスタＴr3における第２被制御端子、すなわち電圧源Ｖ4 が接続された端子がソースとして機能して、ＥＬ素子Ｅ1 に対して効果的に逆バイアス電圧を印加させることができる。
【００５３】
したがって、図７に示した構成によると、図６に示した作用と同様に、ＥＬ素子Ｅ1 に第二電流を供給する第一の自己リペアモードを選択することができると共に、ＥＬ素子Ｅ1 には、逆バイアス電圧を印加することもできる。これにより、後述する第１態様および第２態様のリークの修復、もしくはリークの発生を効果的に防止させることができる。
【００５４】
図８はこの発明を採用した第７の実施の形態を示したものであり、これもアクティブ駆動型表示パネルに採用した例を示している。なお、この図８に示す実施の形態は、主に請求項９に示す発明に基づくものである。図８においても、図４に基づいて説明した走査選択用トランジスタＴr1を省略した状態で示され、スイッチングトランジスタＴr3が付加された構成で示している。
【００５５】
このスイッチングトランジスタＴr3は、制御端子であるゲートＧに入力されるスイッチング信号により、端子間が開閉される第１と第２の被制御端子、すなわちソースＳおよびドレインＤを備える周知のｎチャンネル型ＴＦＴにより構成されている。そして、発光駆動トランジスタＴr2のドレインに対して前記スイッチングトランジスタの第１の被制御端子であるソースが接続され、発光駆動トランジスタＴr2のソースに対して前記スイッチングトランジスタの第２の被制御端子であるドレインがそれぞれ接続されている。
【００５６】
この図８に示す構成においては、スイッチングトランジスタＴr3がオフで、発光駆動トランジスタＴr2がオンされた場合には、映像信号に基づく発光駆動電流（前記第一電流）がＥＬ素子Ｅ1 に供給される。またスイッチングトランジスタＴr3がオンになされた場合には、発光駆動トランジスタＴr2の状態に関係なく、映像信号に基づく発光駆動電流（第一電流）よりも大きな電流（第二電流）がＥＬ素子Ｅ1 に供給される。
【００５７】
これにより、ＥＬ素子Ｅ1 は前記した第一電流による画像の表示状態よりも高輝度の発光状態である第一の自己リペアモードになされる。この第一の自己リペアモードは、後述するように第１態様および第２態様のリークの修復、もしくは発生を効果的に防止させるように利用することができる。
【００５８】
図９はこの発明を採用した第８の実施の形態を示したものであり、これもアクティブ駆動型表示パネルに採用した例を示している。なお、この図９に示す実施の形態は、主に請求項１０に示す発明に基づくものである。図９においても、図４に基づいて説明した走査選択用トランジスタＴr1を省略した状態で示され、スイッチングトランジスタＴr3が付加された構成で示している。
【００５９】
そして、図９に示す実施の形態においては図８に示した構成に加えて、ＥＬ素子Ｅ1 のカソード側に切り換えスイッチＳＷ2 が接続され、電圧源Ｖ2 もしくはＶk が切り換え選択できるように構成されている。そして発光駆動トランジスタＴr2のソースに供給される電源電圧がＶ1 であるとした場合、Ｖ1 ＜Ｖ2 の関係になされている。
【００６０】
図９に示した構成において、前記切り換えスイッチＳＷ2 が図に示すようにＶk 側に接続されている場合においては、図８に示した実施の形態と同様の作用となる。すなわち、スイッチングトランジスタＴr3がオフで、発光駆動トランジスタＴr2がオンされた場合には、映像信号に基づく発光駆動電流（前記第一電流）がＥＬ素子Ｅ1 に供給される。またスイッチングトランジスタＴr3がオンになされた場合には、発光駆動トランジスタＴr2の状態に関係なく、映像信号に基づく発光駆動電流（第一電流）よりも大きな電流（第二電流）がＥＬ素子Ｅ1 に供給され、第一の自己リペアモードになされる。
【００６１】
一方、前記切り換えスイッチＳＷ2 が図示とは逆に電圧源Ｖ2 側に接続され、スイッチングトランジスタＴr3がオンになされた場合には、発光駆動トランジスタＴr2の状態に関係なく、電圧源Ｖ2 とＶ1 との間に、ＥＬ素子Ｅ1 とスイッチングトランジスタＴr3が直列に介在されることになる。この時、スイッチングトランジスタＴr3における第１被制御端子、すなわちＥＬ素子Ｅ1 のアノードに接続された端子がドレインとして機能し、トランジスタＴr3における第２被制御端子、すなわち電圧源Ｖ1 が接続された端子がソースとして機能して、ＥＬ素子Ｅ1 に対して効果的に逆バイアス電圧を印加させることができる。
【００６２】
したがって、図９に示した構成によると、ＥＬ素子Ｅ1 に第二電流を供給する第一の自己リペアモードを選択することができると共に、各ＥＬ素子Ｅ1 には、逆バイアス電圧を印加することもできる。これにより、後述する第１態様および第２態様のリークの修復、もしくはリークの発生を効果的に防止させることができる。
【００６３】
図１０はこの発明を採用した第９の実施の形態を示したものであり、これもアクティブ駆動型表示パネルに採用した例を示している。なお、この図１０に示す実施の形態は、主に請求項１１に示す発明に基づくものである。図１０においても、図４に基づいて説明した走査選択用トランジスタＴr1を省略した状態で示され、スイッチングトランジスタＴr3が付加された構成で示している。
【００６４】
この図１０に示す形態は、スイッチングトランジスタＴr3のオンの期間においてＥＬ素子Ｅ1 に対して順方向に第二電流を供給するための電源Ｖ1 と、前記ＥＬ素子Ｅ1 に対して逆バイアスの電圧を供給するための電源Ｖ2 とが、発光駆動トランジスタＴr2のソース側と、ＥＬ素子Ｅ1 のカソード側とにおいて、それぞれ切り換え可能に接続されるように構成されている。
【００６５】
すなわち、発光駆動トランジスタＴr2のソース側には切り換えスイッチＳＷ3 が設けられ、電源Ｖ1 もしくはＶk が選択できるように構成されている。また、ＥＬ素子Ｅ1 のカソード側にも切り換えスイッチＳＷ4 が設けられ、電源Ｖ2 もしくはＶk が選択できるように構成されている。
【００６６】
図１０に示す状態において、スイッチングトランジスタＴr3がオフになされ、発光駆動トランジスタＴr2がオンされた場合には、電源Ｖ1 とＶk との間で、ＥＬ素子Ｅ1 は前記した第一電流により点灯状態になされる。ここで、スイッチングトランジスタＴr3がオンになされた場合には、発光駆動トランジスタＴr2の状態に関係なく、スイッチングトランジスタＴr3のドレインＤからソースＳを介して前記第二電流がＥＬ素子Ｅ1 に供給されて、第一の自己リペアモードになされる。
【００６７】
一方、前記切り換えスイッチＳＷ3 およびＳＷ4 が図１０とは逆の方向に切り換えられ、この状態でスイッチングトランジスタＴr3がオンになされた場合には、発光駆動トランジスタＴr2の状態に関係なく、電圧源Ｖ2 とＶk との間に、ＥＬ素子Ｅ1 とスイッチングトランジスタＴr3が直列に介在されることになる。この時、スイッチングトランジスタＴr3における第１被制御端子、すなわちＥＬ素子Ｅ1 のアノードに接続された端子がドレインとして機能し、トランジスタＴr3における第２被制御端子、すなわち電圧源Ｖ1 が接続された端子がソースとして機能して、ＥＬ素子Ｅ1 に対して効果的に逆バイアス電圧を印加させることができる。
【００６８】
したがって、図１０に示した構成においても、ＥＬ素子Ｅ1 に第二電流を供給する第一の自己リペアモードを選択することができると共に、ＥＬ素子Ｅ1 には、逆バイアス電圧を印加することもできる。これにより、後述する第１態様および第２態様のリークの修復、もしくはリークの発生を効果的に防止させることができる。
【００６９】
次に図１１はこの発明を採用した第１０の実施の形態を示したものであり、これはパッシブマトリクス型表示パネルに適用した例を示している。なお、この図１１においては、すでに説明した図１〜図３に示す各部と同一機能を果たす部分を同一符号で示しており、したがってその詳細な説明は省略する。なお、この図１１に示す実施の形態は、主に請求項１２および請求項１３に示す発明に基づくものである。
【００７０】
この図１１に示す実施の形態においては、表示パネル１に配列された各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに対して逆バイアス電圧としての第一の電圧値と、この電圧値よりも大きい逆バイアス電圧としての第二の電圧値がそれぞれ印加することができるように構成されている。すなわちこの図１１に示す実施の形態においては、電圧源Ｖ2 および電圧源Ｖ3 が切り換えスイッチＳＷ5 によって選択できるように構成されており、このスイッチＳＷ5 によって選択された電圧源による電位が陰極線走査回路３における走査スイッチＳk1〜Ｓkmを介して、表示パネル１に配列された各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmのカソードに印加できるように構成されている。
【００７１】
前記電圧源Ｖ2 または電圧源Ｖ3 を利用して各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに逆バイアス電圧を印加させる場合には、陽極線ドライブ回路２におけるドライブスイッチＳa1〜Ｓamは全てグランドＧＮＤに設定されるようになされる。ここで前記電圧源Ｖ2 およびＶ3 の電位関係はＶ2 ＜Ｖ3 の関係になされている。したがって、切り換えスイッチＳＷ5 が電圧源Ｖ2 を選択している場合には、前記した第一の逆バイアス電圧を各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに印加させることができ、切り換えスイッチＳＷ5 が電圧源Ｖ3 を選択している場合には、前記した第一の逆バイアス電圧値よりも大きい第二の逆バイアス電圧を各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに印加させることができる。
【００７２】
なお、図１１に示す形態においては、図２に基づいて説明したように陽極線ドライブ回路２に対して定電圧源Ｖ1 が供給され、これにより前記した第二電流をＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに供給することができるように構成されている。したがって、前記した各電圧源の電位関係が、Ｖ1 ＜Ｖ2 ＜Ｖ3 の関係になされる場合においては、電位Ｖ2 とＶ3 の組み合わせにより第一の逆バイアス電圧を各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに印加させることができ、また、電位Ｖ1 とＶ3 の組み合わせにより第二の逆バイアス電圧を各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに印加させることができる。
【００７３】
この逆バイアス電圧を印加させるには、１フレーム期間または１サブフレーム期間にＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmを全て消灯させる全消灯期間を設け、この時に前記した第一または第二の逆バイアス電圧を各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに印加させることが望ましい。この様にＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに逆バイアス電圧を印加させることは、すでに説明したようにＥＬ素子の自己リペアを促進させるのに寄与できる。ここでは、前記したようにＥＬ素子に逆バイアス電圧を印加させるモードを第二の自己リペアモードを呼ぶことにし、この第二の自己リペアモードは、後述するように第１態様および第２態様のリークの修復、もしくは発生を効果的に防止させることができる。
【００７４】
図１２はこの発明の第１１の実施の形態を示したものであり、同じくパッシブマトリクス型表示パネルとその駆動回路の例が示されている。この図１２においては、すでに説明した図１〜図３に示す各部と同一機能を果たす部分を同一符号で示しており、したがってその詳細な説明は省略する。なお、この図１２に示す実施の形態は、主に請求項１４に示す発明に基づくものである。
【００７５】
図１２に示す実施の形態においては、ＥＬ素子のアノード側における定電圧源を切り換えることで、前記第一の電圧値による逆バイアス電圧と、第二の電圧値による逆バイアス電圧が各ＥＬ素子に印加できるように構成した点に特徴を有する。すなわち、この図１２に示す実施の形態においては、陽極線ドライブ回路２に対して切り換えスイッチＳＷ6 を介して電圧源Ｖ1 またはＶ2 が選択的に供給できるように構成されている。また、陰極線走査回路３に対しては電圧源Ｖ3 からの電位が供給されるように構成されており、各電圧源の電位は、Ｖ3 ＞Ｖ2 ＞Ｖ1 の関係になされている。
【００７６】
前記した構成において、陰極線走査回路３における走査スイッチＳk1〜Ｓkmを全て電圧源Ｖ3 に接続し、また、陽極線ドライブ回路２におけるドライブスイッチＳa1〜Ｓamを全て切り換えスイッチＳＷ6 側に接続し、かつ切り換えスイッチＳＷ6 が図１２に示されたように電圧源Ｖ2 を選択している場合には、前記Ｖ3 とＶ2 の電位差である第一の逆バイアス電圧が各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに印加されることになる。また、同様にして切り換えスイッチＳＷ6 が逆に切り換えられ電圧源Ｖ1 を選択した場合には、前記Ｖ3 とＶ1 の電位差である第二の逆バイアス電圧が各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに印加されることになる。
【００７７】
この逆バイアス電圧を印加させるには、図１１に示した実施の形態と同様に１フレーム期間または１サブフレーム期間にＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmを全て消灯させる全消灯期間を設け、この時に前記した第一または第二の逆バイアス電圧を各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに印加させることが望ましい。この様にＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに逆バイアス電圧を印加させることは、すでに説明したようにＥＬ素子の自己リペアを促進させるのに寄与できる。そして、前記したようにＥＬ素子に逆バイアス電圧を印加させるモードを同様に第二の自己リペアモードを呼ぶことにし、この第二の自己リペアモードは、後述するように第１態様および第２態様のリークの修復、もしくは発生を効果的に防止させることができる。
【００７８】
なお、図１１および図１２に示した実施の形態においては、第一の電圧値による逆バイアス電圧の印加を所定の回数実行した場合には、第一の電圧値よりも大きなレベルの第二の電圧値による逆バイアス電圧の印加を実行させることが望ましい。前記したよう、より大きなレベルの第二の電圧値による逆バイアス電圧の印加を間欠的に実行した場合には、ＥＬ素子の電極もしくは発光層においてリークに近い現象が生じている場合に、当該箇所に比較的大きな電流が流され、いち早く前記した現象を修復させることができる。
【００７９】
これは製造当初において実施されるエージング時において実行されることも効果的であり、また前記発光モジュールを電子機器に搭載した後においては動作電源の投入状態において１フレームもしくは１サブフレームごとに実行することで、前記した第２の態様によるＥＬ素子のリークの発生に対して、効果的にこれを自己リペアさせることができる。
【００８０】
図１３は前記した第二の自己リペアモードを実行する場合の好ましい動作フローの例を示すものである。この動作フローは動作電源がオンされた時にスタートする。図１３に示すようにステップＳ１１においては、電源がオフされたか否かが監視され、もし電源がオフされた場合には、この動作フローの実行は停止される。動作電源の投入状態においてはステップＳ１２に示すように、１フレームもしくは１サブフレームごとに前記した第二の自己リペアモードが起動される。
【００８１】
この場合、後で説明するように第二の自己リペアモードが実行されるごとにインクリメントされるカウンタが備えられ、ステップＳ１３においては前記カウンタの値ｎが所定値に達したか否かが判定される。ここで、所定値に達していないと判定された場合には、ステップＳ１４において、逆バイアス電圧値を第一電圧値に設定して自己リペアモードを実行する。すなわち、図１１および図１２に示す実施の形態においては、切り換えスイッチＳＷ5 およびＳＷ6 はそれぞれ電圧源Ｖ2 を選択して自己リペアモードを実行する。これにより前記した第一の電圧値による自己リペアモードが実行される。
【００８２】
続いてステップＳ１５において、前記カウンタの値ｎをインクリメントしてステップＳ１１に移る。前記したステップＳ１１〜Ｓ１５の動作を所定回数繰り返した場合には、ステップＳ１３において前記カウンタの値ｎが所定値に達したと判定される。この場合においては、ステップＳ１６に移り逆バイアス電圧値を第二電圧値に設定して自己リペアモードを実行する。
【００８３】
すなわち、図１１に示す実施の形態においては、切り換えスイッチＳＷ5 は電圧源Ｖ3 を選択して自己リペアモードを実行し、図１２に示す実施の形態においては、切り換えスイッチＳＷ6 は電圧源Ｖ1 を選択して自己リペアモードを実行する。これにより、より高い逆バイアス電圧による自己リペアが実行される。前記したステップＳ１６の実行後のステップＳ１７においては、前記前記カウンタの値ｎをゼロリセットして再びステップＳ１１に帰るルーチンが実行される。これにより、第一の逆バイアス電圧値による自己リペアが予め設定された回数を実行した後に、第二の逆バイアス電圧値による自己リペアが実行されるというルーチンが繰り返される。
【００８４】
ところで、前記した第二の自己リペアモードを実行する場合においては、ＥＬ素子への逆バイアス電圧の印加期間を長く持続させるように制御した方が自己リペアを行なわせる点で効果があることが確かめられている。しかしながら、この第二の自己リペアモードを実行するには、ＥＬ素子の全てを同時に非点灯に制御する必要があり、例えば１フレーム期間、もしくは１サブフレーム期間において、全てのＥＬ素子を非点灯に制御する時間の割合が大きくなると、ＥＬ素子の点灯時間率が低下する。
【００８５】
そこで、前記した表示パネルが搭載された電子機器が未使用の状態になされている場合において通常点灯時よりも大きな比率の非点灯走査期間を設定し、この非点灯走査期間に前記発光素子に対して逆バイアス電圧を印加するモードを設定することが好ましい。このように通常点灯時よりも大きな比率の非点灯走査期間を設定し、逆バイアス電圧を印加するモードをここでは第三の自己リペアモードと称呼する。
【００８６】
以上説明した第一ないし第三の自己リペアモードは、表示パネルの製造後のエージングにおいて選択的に実行することができ、これによりすでに説明したように製造当初から存在する第１態様のリークを効果的に自己リペアさせることができる。また、前記表示パネルを搭載した電子機器がユーザに渡った後に発生する前記した第２態様のリークの発生に対しても、前記した第一ないし第三の自己リペアモードを効果的に利用することができ、同様にリーク状態を効果的に自己リペアさせることができる。
【００８７】
特に後者のように表示パネルを搭載した電子機器がユーザに渡った後に発生する第２態様のリークに対応するには、電子機器が未使用の状態になされている場合において、各自己リペアモードが実行されるように構成されていることが望ましい。この場合、例えば携帯電話機や携帯情報端末機（ＰＤＡ）などのように、充電電池（バッテリー）が利用される電子機器においては前記電池の充電中である場合に、前記第一ないし第三の自己リペアモードを選択的に実行するようになされる。
【００８８】
この様な充電中においては、ユーザが表示パネルを監視する機会は少なく、しかも第一ないし第三の自己リペアモードを実行するに際して消費する電力も十分に確保することができる。また前記した携帯電話機や携帯情報端末機のように折り畳んだ状態で表示パネル面が閉じられる電子機器においては、折り畳まれた状態を検知して前記第一ないし第三の自己リペアモードを選択的に実行するようになされることが望ましい。
【００８９】
前記した第一ないし第三の自己リペアモードは、リーク状態を自己リペアさせること、またリーク状態に至るのを未然に防止させる点で効果的であるが、電子機器が未使用の状態において常にこれらを選択的に実行させた場合においては、ＥＬ素子の発光寿命を著しく短縮させるという問題が発生する。そこで、前記電子機器に搭載されたタイマを利用して、定期的に前記した第一ないし第三の自己リペアモードを実行させるように構成することが望ましい。
【００９０】
この場合、前回の自己リペアの実行から所定時間が経過したことをタイマにより検知し、しかも電池の充電中もしくは表示パネル面が閉じられた状態を検知した場合において、前記した第一ないし第三の自己リペアモードが実行されるように構成されていることが望ましい。
【００９１】
なお、前記した携帯型端末機においては、電池の残留電力が所定以下であることを検出した場合には、前記いずれかの自己リペアモードの実行が禁止されるように構成されていることが望ましい。これは自己リペアモードを実行した場合には電力の消費量が大きいため、電池の残留電力に余裕のある状態で自己リペアモードを実行させるのが好ましいためである。
【００９２】
図１４は前記した作用を実現させるための構成例を示したものであり、前記した携帯電話機もしくは携帯情報端末機に採用した場合を示している。電池（バッテリー）Ｂａからの電流はこれを昇圧する電圧レギュレータ２１に供給され、この電圧レギュレータ２１の出力電圧によって表示パネル１が発光駆動される。図１４に示す構成においては、前記電池Ｂａの残留電力を検出する電圧検知器２２が具備されており、この電圧検知器２２の出力がＣＰＵを含む演算回路２３に供給されるように構成されている。なお、電圧検知器２２は前記電池Ｂａの残留電力が、例えば３〜４割以上存在すると判定した場合に“Ｈ”（Ｈｉｇｈレベル）の出力を演算回路２３に供給するようになされる。
【００９３】
前記演算回路２３にはタイマ２４の出力、およびパネル開閉検知器２５からの出力も供給されるように構成されている。前記タイマ２４は前回の自己リペアの実行から所定時間が経過した場合に同じく“Ｈ”の出力を演算回路２３に供給するようになされ、またパネル開閉検知器２５は表示パネル面が閉じられた状態の時に同様に“Ｈ”の出力を演算回路２３に供給するようになされる。
【００９４】
前記演算回路２３は、電圧検知器２２の出力、タイマ２４の出力、パネル開閉検知器２５の各出力状態を検知して、前記した第一ないし第三の自己リペアモードを実行させるか否かを判断するように機能する。そして、自己リペアを実行させる場合においては、演算回路２３よりコントローラＩＣ４に指令を送り、これに基づいて第一ないし第三の自己リペアモードが実行されるように作用する。
【００９５】
前記した構成において、演算回路２３は電圧検知器２２の出力が十分ではない、すなわち出力が“Ｈ”ではないことを検出した場合には、自己リペアモードの実行を禁止するように動作する。またパネル開閉検知器２５の出力が“Ｈ”ではないことを検出した場合においても同様に自己リペアモードの実行を禁止するようになされる。要するに演算回路２３は前記した電圧検知器２２、タイマ２４、パネル開閉検知器２５の各出力が共に“Ｈ”である場合にコントローラＩＣ４に指令を送り、これに基づいて第一ないし第三の自己リペアモードが実行されるように構成されていることが望ましい。
【００９６】
以上は、この発明を携帯電話機等の携帯型端末機に採用した場合を例にして説明したが、この発明にかかる前記した自己リペアモードの実行は、例えばパーソナルコンピュータに使用される据え置き型のディスプレイ装置、あるいはテレビジョン受像機等の電子機器にも採用することができる。このような機器においては、例えば電源スイッチがオフされた直後にスクリーンセーバ状の画像を表示して、前記した第一の自己リペアモードを実行することができる。また、全消灯の状態で行われる前記した第二の自己リペアモードは、電源スイッチがオフされた後の第一の自己リペアモードの実行後に引き続いて実行させることができる。
【００９７】
なお、以上説明した図４〜図１０に示すアクティブ駆動型の画素構成においては、一例としてコンダクタンスコントロール型の構成を説明したが、これはＥＬ素子が発光駆動トランジスタと直列に接続されて発光駆動される他の形式の画素構成、例えばカレントミラー駆動方式、電流プログラミング駆動方式、電圧プログラミング駆動方式、さらにはスレッショルド電圧補正駆動方式などの画素構成にも同様に採用することができる。
【００９８】
また、以上説明した実施の形態においては、表示パネルに配列される自発光素子として有機ＥＬ素子を用いた例を示しているが、前記自発光素子としては、ダイオード特性を有する他の自発光素子を用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】この発明にかかる駆動装置の第１の実施の形態を示した回路構成図である。
【図２】同じく第２の実施の形態を示した回路構成図である。
【図３】同じく第３の実施の形態を示した回路構成図である。
【図４】同じく第４の実施の形態を示した回路構成図である。
【図５】図４に示した回路構成における
【図６】この発明にかかる駆動装置の第５の実施の形態を示した回路構成図である。
【図７】同じく第６の実施の形態を示した回路構成図である。
【図８】同じく第７の実施の形態を示した回路構成図である。
【図９】同じく第８の実施の形態を示した回路構成図である。
【図１０】同じく第９の実施の形態を示した回路構成図である。
【図１１】同じく第１０の実施の形態を示した回路構成図である。
【図１２】同じく第１１の実施の形態を示した回路構成図である。
【図１３】第二の自己リペアモードを実行する場合の好ましい動作フローを示すフローチャートである。
【図１４】この発明を携帯型端末機に利用した場合の構成例を示したブロック図である。
【符号の説明】
【０１００】
１                発光表示パネル
２                データドライバ
３                走査ドライバ
４                コントローラＩＣ
２１              電圧レギュレータ
２２              電圧検知器
２３              演算回路
２４              タイマ
２５              パネル開閉検知器
Ａ1 〜Ａn         ドライブ線（陽極線）
Ｂａ              電池（バッテリー）
Ｃs               電荷保持用のキャパシタ
Ｅ11〜Ｅnm，Ｅ1   自発光素子（有機ＥＬ素子）
Ｉ1 〜Ｉn         定電流源（点灯駆動電源）
Ｋ1 〜Ｋm         走査線（陰極線）
Ｓa1〜Ｓan        ドライブスイッチ
Ｓk1〜Ｓkm        走査スイッチ
ＳＷ1 〜ＳＷ6     切り換えスイッチ
Ｔr1              走査選択用トランジスタ
Ｔr2              発光駆動用トランジスタ
Ｔr3              スイッチングトランジスタ
Ｖ1 〜Ｖ3         電圧源
【図１】
2005283781.tif 000003
【図２】
2005283781.tif 000004
【図３】
2005283781.tif 000005
【図４】
2005283781.tif 000006
【図５】
2005283781.tif 000007
【図６】
2005283781.tif 000008
【図７】
2005283781.tif 000009
【図８】
2005283781.tif 000010
【図９】
2005283781.tif 000011
【図１０】
2005283781.tif 000012
【図１１】
2005283781.tif 000013
【図１２】
2005283781.tif 000014
【図１３】
2005283781.tif 000015
【図１４】
2005283781.tif 000016