(57)【要約】【課題】  ソルダーレジストの下部におけるマイグレーションの発生を防止できるようにしたフレキシブル回路基板装置を提供する。【解決手段】  ＦＰＣ１を、ポリイミド等を用いて形成された絶縁フィルム２と、絶縁フィルム２の表面に設けられた接着層３と、銅箔等からなり、接着層３の表面に互いに平行に延びるように設けられた複数の配線部４，４，…と、各配線部４の外表面を覆うように設けられた無電解錫メッキ層５と、無電解錫メッキ層５と接着層３とを外側から覆うように設けられたソルダーレジスト６とによって構成する。そして、無電解錫メッキ層５の肉厚ｄを、０．１〜０．２μｍ程度に設定する。これにより、ソルダーレジスト６の下の接着層３上における残留イオン（Ｃｕ2+等）の生成量を減らす。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの表面に設けられた接着層と、前記接着層の表面に貼着された配線部と、前記配線部の外表面を覆うように設けられた無電解錫メッキ層と、前記無電解錫メッキ層と接着層とを外側から覆うように設けられたソルダーレジストとを備えたフレキシブルプリント回路装置において、
前記無電解錫メッキ層の肉厚を０．１〜０．２μｍに設定したことを特徴とするフレキシブルプリント回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣまたはＬＳＩ等の電子部品が実装されるフレキシブルプリント回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ノートパソコン等の電子機器がますます小型化、軽量化している。また、半導体ＩＣの配線もさらに微細化している。このような電子機器の小型化に伴い、ＩＣまたはＬＳＩ等の電子部品が実装されるフレキシブルプリント回路装置（以下、ＦＰＣという）が使用されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１に記載のＦＰＣは、図６および図７に示すように、ポリイミド等から形成された絶縁フィルム１００と、絶縁フィルム１００の表面に設けられた接着層１０１と、接着層１０１の表面に貼着された銅箔等からなる配線部１０２と、配線部１０２の外表面を覆うように設けられた無電解錫メッキ層１０３と、無電解錫メッキ層１０３と接着層１０１とを外側から覆うように設けられたソルダーレジスト１０４（図７参照）とを備えている。
【特許文献１】特開２００２−１６１１０号公報（段落０００２、０００３、図８、図９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、前記特許文献１に記載のＦＰＣによれば、無電解錫メッキ層１０３の肉厚が０．５〜０．６μｍ程度に設定されている。しかし、無電解錫メッキ層１０３を、このような肉厚に設定すると、近年の配線部１０２，１０２間の距離の縮小に伴い、ソルダーレジスト１０４の下部において配線部１０２，１０２間が短絡して所謂マイグレーションが生じることがあるという問題がある。このマイグレーションが生じる原因は未だ解明できていない。
【０００５】
本発明は、前記問題に鑑み、ソルダーレジストの下部におけるマイグレーションの発生を防止できるようにしたフレキシブル回路基板装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記問題に鑑み本発明者らは鋭意研究を行い、マイグレーションの発生原因は、以下に述べる通りであることを見出し、本発明を完成した。つまり、図６に示すように無電解錫メッキ層１０３のメッキ時には、メッキによって溶解した銅と薬品成分（例、チオ尿素）とが結合して難溶性の銅化合物、例えばチオ尿素銅錯塩が生成される。因みにこのチオ尿素銅錯塩は無電解錫メッキ層１０３のメッキ時間に比例して増える。この銅化合物は、図６に示すように、接着層１０１の表面に付着または吸着する。そして、図７に示すように、この銅化合物上にソルダーレズジスト１０４が塗布されることによって、接着剤およびポリイミドに吸着されている水分と反応して、銅化合物が一部溶解して銅イオンおよびチオ尿素イオンに解離して電解質となる。この電解質の影響により配線部１０２および無電解錫メッキ層１０３から銅や錫が溶出し、その結果、互いに隣り合う配線部１０２，１０２間が短絡してマイグレーションが生じることを見出した。従って、無電解錫メッキ層１０３の肉厚をさらに薄く形成すれば、無電解錫メッキ層１０３のメッキ時間を短縮でき、前記したチオ尿素銅錯塩の量を小さく抑えられ、銅イオンおよびチオ尿素イオンの生成量も減らすことができ、マイグレーションの発生を防止できることが分かった。
【０００７】
すなわち、前記課題を解決した請求項１に記載された発明は、絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの表面に設けられた接着層と、前記接着層の表面に貼着された配線部と、前記配線部の外表面を覆うように設けられた無電解錫メッキ層と、前記無電解錫メッキ層と接着層とを外側から覆うように設けられたソルダーレジストとを備えたフレキシブルプリント回路装置において、前記無電解錫メッキ層の肉厚を０．１〜０．２μｍに設定したことを特徴とするフレキシブルプリント回路装置に適用できる。
【０００８】
請求項１に記載のフレキシブルプリント回路装置によれば、無電解錫メッキ層の肉厚を０．１〜０．２μｍに設定したので、無電解錫メッキ層のメッキ時に生成される銅化合物等を、従来のもの（無電解錫メッキ層の肉厚を０．５〜０．６μｍに設定したもの）に比べて６分の１〜５分の２程度に小さく抑えられる。従って、Ｃｕ2+等の残留イオンの生成量も減らすことができ、マイグレーションの発生を防止することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、フレキシブルプリント回路装置の製造時に、ソルダーレジストの下の接着層上でＣｕ2+等の残留イオンが生成されるのを抑えられ、マイグレーションの発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１は、本実施の形態に係るフレキシブルプリント回路装置を、ソルダーレジストおよび無電解錫メッキ層を省略した状態で示す平面図であり、図２は、フレキシブルプリント回路装置を図１中の矢示II−II方向からみた断面図である。図３は、ソルダーレジストおよび無電解錫メッキ層を設けた状態で図１中の矢示III−III方向からみた断面図であり、図４は、図３の部分拡大断面図である。図５は、フレキシブルプリント回路装置を図３中の矢示Ｖ−Ｖ方向からみた断面図である。
【００１１】
図１ないし図５において、符号「１」は、本実施の形態に用いるフレキシブルプリント回路装置（以下、ＦＰＣという）を示している。このＦＰＣ１は、前記従来技術で述べたＦＰＣとほぼ同様に、厚さ約７５μｍを有するポリイミド等を用いて形成された絶縁フィルム２と、絶縁フィルム２の表面に設けられた厚さ約１０μｍを有する接着層３と、厚さ約１８μｍを有する銅箔等からなり、接着層３の表面に互いに平行に延びるように設けられた複数の配線部４，４，…と、各配線部４の外表面を覆うように設けられた無電解錫メッキ層５と、無電解錫メッキ層５と接着層３とを外側から覆うように設けられたソルダーレジスト６とを備えている。
【００１２】
なお、各配線部４のうち絶縁フィルム２から突出して延びた部位が端子４Ａとなっている。この配線部４の端子４Ａにはソルダーレジスト６が設けられていない。このため、端子４Ａに設けられた無電解錫メッキ層５は、その外表面が直接外部に露出し、他の外部配線（図示せず）が無電解錫メッキ層５を介して端子４Ａに容易に接続される。
【００１３】
ここで、本実施の形態は、図４に示すように、配線部４の外表面に設けられた無電解錫メッキ層５の肉厚ｄが、０．１〜０．２μｍ程度に設定されている点で、０．５〜０．６μｍ程度に設定される従来のものと異なっている。なお、この無電解錫メッキ層５には熱処理によって銅を拡散させる必要はなく、純錫であってもよい。
【００１４】
このように構成される本実施の形態に係るＦＰＣ１は、無電解錫メッキ層５のメッキ時に、銅箔（Ｃｕ）とチオ尿素（ＳＣ（ＮＨ2）2）等の薬品成分とが結合して生成されるチオ尿素銅錯塩等の銅化合物を、従来のもの（無電解錫メッキ層の肉厚を０．５〜０．６μｍに設定したもの）に比べて５分の２から６分の１程度に小さく抑えられる。従って、ソルダーレジスト６の下の接着層３上における残留イオン（銅イオンおよびチオ尿素イオン等）の生成量も著しく減らすことができ、マイグレーションの発生を防止することができる。
なお、本実施の形態では、配線部４の横断面形状を略四角状に形成するものとして述べたが、本発明はこれに限ることなく、例えば前記従来技術で述べたように、配線部の横断面形状を台形状に形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態に係るフレキシブルプリント回路装置を、ソルダーレジストおよび無電解錫メッキ層を省略した状態で示す平面図である。
【図２】フレキシブルプリント回路装置を図１中の矢示II−II方向からみた断面図である。
【図３】ソルダーレジストおよび無電解錫メッキ層を設けた状態で図１中の矢示III−III方向からみた断面図である。
【図４】図３の部分拡大断面図である。
【図５】フレキシブルプリント回路装置を図３中の矢示Ｖ−Ｖ方向からみた断面図である。
【図６】従来技術によるＦＰＣを、ソルダーレジストを省略した状態で示す断面図である。
【図７】図６中のＦＰＣにソルダーレジストを設けた状態で示す断面図である。
【符号の説明】
【００１６】
１      フレキシブルプリント回路装置
２      絶縁フィルム
３      接着層
４      配線部
５      無電解錫メッキ層
６      ソルダーレジスト
【図１】
2005286275.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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