(57)【要約】【課題】光量不足に起因する画質の低下を抑制することが可能な撮像装置を提供する。【解決手段】この撮像装置８０は、光電変換を行う撮像部８１と、撮像部８１から転送された３つ分の画素８１ａの電子を混合する混合部８２ａと、後段のゲート電極６１の転送方向の長さａ（約０．７μｍ）よりも小さい転送方向の長さｂ（約０．５μｍ）を有するとともに、混合部８２ａにより混合された電子を排出するゲート電極７０とを備えている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換を行う撮像部と、
前記撮像部から転送された少なくとも２つの画素の電子を混合する混合部と、
後段のゲート電極の転送方向の長さよりも小さい前記転送方向の長さを有するとともに、前記混合部により混合された前記電子を排出する電子排出用ゲート電極とを備えた、撮像装置。
【請求項２】
前記電子排出用ゲート電極は、前記混合部に設けられ、前記撮像部から転送された少なくとも２つの前記画素の前記電子を混合するとともに、前記混合された電子を排出する機能を有する電位井戸を形成する、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記混合部は、前記撮像部から転送された少なくとも２つの前記画素の前記電子を混合する電子混合用ゲート電極を含み、
前記電子排出用ゲート電極は、前記混合部の電子混合用ゲート電極よりも後段に配置されている、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記電子排出用ゲート電極は、少なくとも２つ設けられており、
前記少なくとも２つの電子排出用ゲート電極の各々の前記転送方向の長さは、配置される位置が後段になるにしたがって小さくなっている、請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記混合部の前記電子混合用ゲート電極は、前記電子排出用ゲート電極の前記転送方向の長さよりも大きい前記転送方向の長さを有する、請求項３または４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記電子排出用ゲート電極の前記転送方向の両側に配置されたゲート電極は、前記電子排出用ゲート電極の前記転送方向の長さよりも大きい前記転送方向の長さを有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記撮像部から転送された前記光電変換により生成された電子を蓄積する蓄積部をさらに備え、
前記混合部により混合された前記電子は、前記蓄積部に転送される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記撮像部、前記混合部および前記蓄積部は、複数相のクロックパルス信号により駆動され、
撮像部および蓄積部の各々において、各相のゲート電極の負荷容量が互いに実質的に等しくなるように、前記撮像部、前記混合部および前記蓄積部の少なくとも１つのゲート電極の前記転送方向の長さが調節されている、請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記転送方向の長さが調節されたゲート電極は、前記転送方向の長さが他のゲート電極よりも大きくなるように調節された複数のゲート電極を含み、
前記転送方向の長さが大きくなるように調節された複数のゲート電極は、互いに隣接しないように配置されている、請求項８に記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像装置に関し、特に、撮像部を備えた撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光電変換を行う撮像部を有するデジタルカメラなどの撮像装置が知られている（たとえば、非特許文献１参照）。上記した従来の撮像装置では、撮像部に複数の画素がマトリクス状に配置されているとともに、その画素に光が入射することにより光電変換が行われる。また、従来、撮影時とは別に、光電変換された電子を高速に出力することにより画像を高速に取り込んで被写体を表示するプレビューモードが設けられた撮像装置も知られている。
【０００３】
【非特許文献１】安藤隆男・菰淵寛仁著「固体撮像素子の基礎」日本理工出版会、１９９９年１２月５日、ｐｐ．３−７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記したプレビューモードにおいて、１秒間に３０フレームの電子を出力する場合、１フレームにおける光電変換の時間を１／３０秒以下にする必要があるため、撮像部において生成される電子が少なくなるという不都合がある。また、近年、画素サイズを微細化することにより、撮像部に１００万画素を超える画素を配置した撮像装置が開発されている。このように画素サイズを微細化した場合には、１つの画素に入射する光が少なくなるので、この場合にも、撮像部において生成される電子が少なくなるという不都合がある。さらに、暗時において撮影する場合では、画素に入射する光がより少なくなるので、撮像部において生成される電子がより少なくなるという不都合がある。その結果、光量不足に起因する画質の低下を抑制するのが困難であるという問題点がある。
【０００５】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、光量不足に起因する画質の低下を抑制することが可能な撮像装置を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面による撮像装置は、光電変換を行う撮像部と、撮像部から転送された少なくとも２つの画素の電子を混合する混合部と、後段のゲート電極の転送方向の長さよりも小さい転送方向の長さを有するとともに、混合部により混合された電子を排出する電子排出用ゲート電極とを備えている。
【０００７】
この一の局面による撮像装置では、上記のように、撮像部から転送された少なくとも２つの画素の電子を混合する混合部を設けることによって、撮像部から転送された少なくとも２つの画素の電子を混合した後に、その混合した電子を出力することができる。その結果、撮像部において生成される電子が少なくなることにより、撮像部から転送される電子が少なくなったとしても、光量不足に起因する画質の低下を抑制することができる。また、混合部により混合された電子を排出する電子排出用ゲート電極を設けることによって、混合部において必要以上の電子が混合された場合に、画質に影響しない余分な電子の排出を容易に行うことができる。この場合、電子排出用ゲート電極の転送方向の長さを後段のゲート電極の転送方向の長さよりも小さくすることによって、電子排出用ゲート電極により形成される電位井戸を後段のゲート電極により形成される電位井戸よりも小さくすることができる。これにより、電子排出用ゲート電極により形成される電位井戸の方が後段のゲート電極により形成される電位井戸よりも蓄積可能な電子が少なくなるので、その分、余分な電子の排出を速やかに行うことができる。このため、混合部において必要以上の電子が混合されたとしても、余分な電子を速やかに排出することができるので、余分な電子を排出するための時間を長くとる必要がない。その結果、光量不足に起因する画質の低下を抑制するために少なくとも２つの画素の電子の混合を行った場合にも、転送速度が遅くなるのを抑制することができる。したがって、転送時の光の混入による光雑音（スミア）が発生するのを抑制することができる。
【０００８】
上記一の局面による撮像装置において、好ましくは、電子排出用ゲート電極は、混合部に設けられ、撮像部から転送された少なくとも２つの画素の電子を混合するとともに、混合された電子を排出する機能を有する電位井戸を形成する。このように構成すれば、１つの電子排出用ゲート電極により、混合部において、少なくとも２つの画素の電子を混合しながら、画質に影響しない余分な電子を速やかに排出することができる。
【０００９】
上記一の局面による撮像装置において、好ましくは、混合部は、撮像部から転送された少なくとも２つの画素の電子を混合する電子混合用ゲート電極を含み、電子排出用ゲート電極は、混合部の電子混合用ゲート電極よりも後段に配置されている。このように構成すれば、混合部において、電子混合用ゲート電極による余分な電子の排出量が少ない場合にも、混合部よりも後段において、余分な電子の排出を速やかに行うことができる。また、電子混合用ゲート電極が配置された混合部と、電子排出用ゲート電極が配置された混合部よりも後段との２個所で余分な電子の排出が分散して行われるので、混合部と混合部よりも後段とにおいてそれぞれ排出される余分な電子の数を減少させることができる。これにより、電子混合用ゲート電極および電子排出用ゲート電極の転送方向の両側に位置するゲート電極の外側に形成される電位井戸に、電子混合用ゲート電極および電子排出用ゲート電極により形成された電位井戸から排出された余分な電子が混入するのを抑制することができるので、画質の低下をより抑制することができる。
【００１０】
この場合、好ましくは、電子排出用ゲート電極は、少なくとも２つ設けられており、少なくとも２つの電子排出用ゲート電極の各々の転送方向の長さは、配置される位置が後段になるにしたがって小さくなっている。このように構成すれば、電子混合用ゲート電極が配置された混合部および少なくとも２つの電子排出用ゲート電極が配置された混合部よりも後段の３個所以上で余分な電子の排出を分散して行うことができる。これにより、電子混合用ゲート電極および少なくとも２つの電子排出用ゲート電極により形成された電位井戸においてそれぞれ排出される余分な電子の数をより減少させることができる。その結果、電子混合用ゲート電極と電子排出用ゲート電極との転送方向の両側に位置するゲート電極の外側に形成される電位井戸に、電子混合用ゲート電極および電子排出用ゲート電極により形成された電位井戸から排出された余分な電子が混入するのをより抑制することができるので、画質の低下をより抑制することができる。
【００１１】
上記混合部が電子混合用ゲート電極を含む構成において、好ましくは、混合部の電子混合用ゲート電極は、電子排出用ゲート電極の転送方向の長さよりも大きい転送方向の長さを有する。このように構成すれば、容易に、混合部における余分な電子の排出量をより減少させることができる。これにより、電子混合用ゲート電極から排出された余分な電子が、電子混合用ゲート電極の転送方向の両側に位置するゲート電極の下に形成された電位障壁を乗り越えて、隣接する電位井戸に混入するのをより抑制することができる。
【００１２】
上記一の局面による撮像装置において、好ましくは、電子排出用ゲート電極の転送方向の両側に配置されたゲート電極は、電子排出用ゲート電極の転送方向の長さよりも大きい転送方向の長さを有する。このように構成すれば、電子排出用ゲート電極により形成された電位井戸と、電子排出用ゲート電極の転送方向の両側に配置されたゲート電極の外側に形成される電位井戸との転送方向の間隔を大きくすることができる。これにより、電子排出用ゲート電極により形成された電位井戸から排出された電子が、電子排出用ゲート電極の転送方向の両側に配置されたゲート電極の下に形成された電位障壁を乗り越えて、隣接する電位井戸に混入するのを抑制することができるので、画質の低下をより抑制することができる。
【００１３】
上記一の局面による撮像装置において、好ましくは、撮像部から転送された光電変換により生成された電子を蓄積する蓄積部をさらに備え、混合部により混合された電子は、蓄積部に転送される。このように構成すれば、混合された少なくとも２つの画素の電子を１つ分の画素の電子として蓄積部に蓄積すればよいので、その分、蓄積部の形成領域を撮像部の形成領域よりも小さくすることができる。これにより、蓄積部を有するフレーム転送型などの撮像装置の小型化を図ることができる。
【００１４】
上記蓄積部をさらに備えた構成において、好ましくは、撮像部、混合部および蓄積部は、複数相のクロックパルス信号により駆動され、撮像部および蓄積部の各々において、各相のゲート電極の負荷容量が互いに実質的に等しくなるように、撮像部、混合部および蓄積部の少なくとも１つのゲート電極の転送方向の長さが調節されている。このように構成すれば、各相のゲート電極の負荷容量に違いが生じることに起因して、ゲート電極がオン状態またはオフ状態になるタイミングがずれるのを抑制することができる。
【００１５】
この場合、好ましくは、転送方向の長さが調節されたゲート電極は、転送方向の長さが他のゲート電極よりも大きくなるように調節された複数のゲート電極を含み、転送方向の長さが大きくなるように調節された複数のゲート電極は、互いに隣接しないように配置されている。このように構成すれば、互いに隣接する転送方向の長さが大きくなるように調節されたゲート電極が同時にオン状態になることに起因して電界が発生する領域が大きくなるのを抑制することができる。これにより、基板表面での電子の再結合や基板からの電子の流入を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１７】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による撮像装置の全体構成を示したブロック図である。図２は、図１に示した撮像装置の撮像部および蓄積部を示した平面図であり、図３は、図２の１００−１００線に沿った断面図である。図１〜図３を参照して、この第１実施形態では、フレーム転送型の撮像装置に本発明を適用した例について説明する。
【００１８】
第１実施形態のフレーム転送型の撮像装置８０は、図１に示すように、撮像部８１と、蓄積部８２と、水平転送部８３と、出力部８４とを備えている。撮像部８１は、光の入射により光電変換を行う複数の画素８１ａ（図２参照）がマトリクス状に配置された構成を有する。また、撮像部８１は、光電変換により生成された電子を蓄積するとともに、蓄積部８２（Ａ方向）に転送する機能を有する。蓄積部８２は、撮像部８１から転送された電子を蓄積するとともに、水平転送部８３（Ａ方向）に転送する機能を有する。水平転送部８３は、蓄積部８２から転送された電子を順次出力部８４に転送する機能を有する。出力部８４は、水平転送部８３から転送された電子を電気信号として出力する機能を有する。また、撮像部８１には、電子を転送するための３相のクロックパルス信号φＰ１〜φＰ３が入力されるとともに、蓄積部８２には、電子を転送するための３相のクロックパスル信号φＣ１〜φＣ３が入力される。
【００１９】
ここで、第１実施形態では、蓄積部８２の撮像部８１との境界部に、転送方向（Ａ方向）に並ぶ３つ分の画素８１ａ（図２では転送方向の１つの画素のみ図示）の電子を混合するための混合部８２ａが設けられている。この混合部８２ａには、クロックパスル信号φＣ１が入力される。
【００２０】
また、撮像装置８０の断面構造としては、図３に示すように、ｎ型シリコン基板１の表面にＰウェル２が形成されているとともに、Ｐウェル２の表面にＮウェル３が形成されている。また、図２および図３に示すように、撮像部８１に位置するｎ型シリコン基板１のＮウェル３上には、約７０ｎｍの厚みを有するＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜４を介して、約７０ｎｍの厚みを有するポリシリコンからなるゲート電極５１ａ〜５３ａが形成されている。また、混合部８２ａ以降の蓄積部８２に位置するｎ型シリコン基板１のＮウェル３上には、ゲート絶縁膜４を介して、約７０ｎｍの厚みを有するポリシリコンからなるゲート電極６１〜６３が形成されている。ゲート電極５１ａ〜５３ａおよび６１〜６３の転送方向（Ａ方向）の長さａは、約０．７μｍであり、転送方向（Ａ方向）に約０．９μｍのピッチ（中心間の間隔）で配置されている。また、撮像部８１のゲート電極５１ａ〜５３ａは、それぞれ、クロックパルス信号φＰ１〜φＰ３に応答して、電子を蓄積および転送するための電位井戸を形成する機能を有する。蓄積部８２のゲート電極６１〜６３は、それぞれ、クロックパスル信号φＣ１〜φＣ３に応答して、電子を蓄積および転送するための電位井戸を形成する機能を有する。
【００２１】
ここで、第１実施形態では、図３に示すように、混合部８２ａに位置するｎ型シリコン基板１のＮウェル３上に、ゲート絶縁膜４を介して、約７０ｎｍの厚みを有するポリシリコンからなるゲート電極７０が形成されている。この混合部８２ａのゲート電極７０の転送方向（Ａ方向）の長さｂは、約０．５μｍであり、混合部８２ａ以降の蓄積部８２のゲート電極６１〜６３および撮像部８１のゲート電極５１ａ〜５３ａの転送方向（Ａ方向）の長さａ（約０．７μｍ）よりも小さい。また、混合部８２ａのゲート電極７０は、クロックパルス信号φＣ１に応答して、転送方向（Ａ方向）に並ぶ３つ分の画素８１ａの電子を混合するとともに、その混合された電子を蓄積および転送するための電位井戸を形成する機能を有する。さらに、混合部８２ａのゲート電極７０は、混合部８２ａにおいて必要以上の電子が混合された場合に、画質に影響しない余分な電子を排出する機能も有する。なお、ゲート電極７０は、本発明の「電子排出用ゲート電極」の一例である。
【００２２】
また、ｎ型シリコン基板１のＮウェル３には、図２に示すように、転送方向（Ａ方向）に延びるように、ｐ型チャネルストップ７が所定のピッチで形成されている。そして、撮像部８１の３つのゲート電極５１ａ〜５３ａの形成領域において、ｐ型チャネルストップ７によって区切られた１つの領域によって、１つ分の画素８１ａが構成されている。なお、図２では、撮像部８１において、図面の簡略化のため、転送方向（Ａ方向）と直交する方向に並ぶ最終行の３つの画素８１ａのみを図示しているが、実際は、複数の画素８１ａがマトリクス状に配置されている。また、図２では、混合部８２ａを含む蓄積部８２において、４段分のゲート電極７０および６１〜６３のみを図示しているが、実際は、撮像部８１の画素８１ａに対応する数のゲート電極が形成されている。
【００２３】
図４は、本発明の第１実施形態による撮像装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。次に、図１〜図４を参照して、第１実施形態の撮像装置８０を、約１０ＭＨｚの転送周波数で動作させる場合について説明する。なお、図４中の斜線領域（ハッチングした領域）は、各クロックパルス信号に応答して形成された電位井戸に電子が蓄積されている状態を表わしている。また、図４では、Ｌレベルの電位に対してＨレベルの電位を下側に表わしている。
【００２４】
まず、図２に示した撮像部８１において、各画素８１ａに光が入射するとともに、入射光が光電変換されることによって、各画素８１ａに電子が生成される。この際、クロックパルス信号φＰ１をＨレベルにする。これにより、撮像部８１のゲート電極５１ａ下のＮウェル３（図３参照）に電位井戸が形成されるとともに、その電位井戸に電子が蓄積される。
【００２５】
次に、クロックパスル信号φＰ２をＨレベルにすることにより、撮像部８１のゲート電極５２ａ下のＮウェル３に電位井戸が形成される。これにより、約半数の電子がゲート電極５１ａの電位井戸からゲート電極５２ａの電位井戸に移動する。この後、クロックパルス信号φＰ１をＬレベルにすることによって、ゲート電極５１ａの電位井戸が消滅するとともに、ゲート電極５１ａの電位井戸に蓄積されていた残りの約半数の電子がゲート電極５２ａの電位井戸に移動する。
【００２６】
続いて、クロックパルス信号φＰ３をＨレベルにすることにより、撮像部８１のゲート電極５３ａ下のＮウェル３に電位井戸が形成される。これにより、約半数の電子がゲート電極５２ａの電位井戸からゲート電極５３ａの電位井戸に移動する。この後、クロックパルス信号φＰ２をＬレベルにすることによって、ゲート電極５２ａの電位井戸が消滅するとともに、ゲート電極５２ａの電位井戸に蓄積されていた残りの約半数の電子がゲート電極５３ａの電位井戸に移動する。
【００２７】
次に、クロックパスル信号φＣ１をＨレベルにすることにより、蓄積部８２のゲート電極６３および混合部８２ａのゲート電極７０下のＮウェル３に電位井戸が形成される。この際、第１実施形態では、混合部８２ａのゲート電極７０の転送方向（Ａ方向）の長さｂ（約０．５μｍ）が混合部８２ａ以降の蓄積部８２のゲート電極６３の転送方向（Ａ方向）の長さａ（約０．７μｍ）よりも小さいので、ゲート電極７０の電位井戸は、ゲート電極６３の電位井戸よりも小さくなる。そして、混合部８２ａのゲート電極７０下のＮウェル３に電位井戸が形成されることにより、約半数の電子が撮像部８１のゲート電極５３ａの電位井戸から混合部８２ａのゲート電極７０の電位井戸に移動する。この後、クロックパルス信号φＰ３をＬレベルにすることによって、撮像部８１のゲート電極５３ａの電位井戸が消滅するとともに、ゲート電極５３ａの電位井戸に蓄積されていた残りの約半数の電子が混合部８２ａのゲート電極７０の電位井戸に移動する。このように、撮像部８１において生成された１つ分の画素８１ａの電子が混合部８２ａに蓄積される。
【００２８】
この後、クロックパルス信号φＰ１〜φＰ３を順次Ｈレベルにする動作を２回繰り返すとともに、この期間（図４のＢの期間）、クロックパルス信号φＣ１をＨレベルのまま保持する。これにより、第１実施形態では、混合部８２ａにおいて、転送方向（Ａ方向）に並ぶ３つ分の画素８１ａの電子が混合される。また、この際、第１実施形態では、混合部８２ａにおいて、画質に影響しない余分な電子の排出が行われる。
【００２９】
ここで、蓄積部８２において転送可能な電子数を約６０００として、画質に影響しない余分な電子が排出される様子をシミュレーションした結果について説明する。
【００３０】
図５は、約１８０００個の電子が転送された電位井戸から排出される様子をゲート電極の転送方向長さを変化させてシミュレーションした結果を示したグラフである。図５を参照して、電子数が約１８０００から約６０００になるまで電子を排出する場合、転送方向（Ａ方向）の長さが約０．７μｍのゲート電極により形成される電位井戸では、約１秒（１×１００秒）間の長い時間が必要となる。ここで、約１０ＭＨｚの転送周波数（約１×１０−７秒（約１００ｎｓ）の転送周期）で動作させる第１実施形態では、混合部８２ａにおいて電子を排出することが可能な期間は、図４の期間Ｂ（約２５０ｎｓ）であるので、約１秒の電子排出時間が必要な約０．７μｍの大きい転送方向（Ａ方向）の長さを有するゲート電極を混合部８２ａに用いた場合には、図４の期間Ｂ内に、混合部８２ａに蓄積される電子を約６０００の電子数になるまで排出することが困難となる。その一方、転送方向（Ａ方向）の長さが約０．５μｍのゲート電極により形成される電位井戸では、電子数が約１８０００から約６０００になるまで電子を排出する際に、約１×１０−７秒（約１００ｎｓ）の非常に短い時間で電子を排出することができる。したがって、約０．５μｍの小さい転送方向（Ａ方向）の長さを有するゲート電極７０を混合部８２ａに用いた第１実施形態では、混合部８２ａにおいて電子を排出することが可能な期間Ｂ内に、混合部８２ａに蓄積される電子を約６０００の電子数になるまで排出することが可能となる。
【００３１】
上記のように、混合部８２ａのゲート電極７０を用いて、電子の混合および排出を行った後、図４に示すように、クロックパスル信号φＣ２をＨレベルにすることにより、蓄積部８２のゲート電極６１下のＮウェル３（図３参照）に電位井戸が形成される。これにより、約半数の電子がゲート電極７０の電位井戸からゲート電極６１の電位井戸に移動する。この後、クロックパルス信号φＣ１をＬレベルにすることによって、ゲート電極７０の電位井戸が消滅するとともに、ゲート電極７０の電位井戸に蓄積されていた残りの約半数の電子がゲート電極６１の電位井戸に移動する。この後、クロックパスル信号φＣ３をＨレベルにした後、クロックパルス信号φＣ２をＬレベルにすることによって、電子がゲート電極６１の電位井戸からゲート電極６２の電位井戸に移動する。
【００３２】
そして、上記のように、クロックパルス信号φＰ１〜φＰ３およびφＣ１〜φＣ３を順次Ｈレベルにする動作を繰り返すことによって、撮像部８１に蓄積された１フレーム（全ての画素８１ａ）の電子を蓄積部８２に転送する。この後、図１に示したように、蓄積部８２に蓄積された電子を１行分（転送方向（Ａ方向）と直交する方向に並ぶ全ての画素８１ａ）ずつ水平転送部８３に転送するとともに、その１行分の電子を出力部８４に転送する。
【００３３】
第１実施形態では、上記のように、撮像部８１と蓄積部８２との境界部に、転送方向（Ａ方向）に並ぶ３つ分の画素８１ａの電子を混合する混合部８２ａを設けることによって、撮像部８１に蓄積された転送方向（Ａ方向）に並ぶ３つ分の画素８１ａの電子を混合した後、その混合した電子を蓄積部８２に転送し、かつ、出力することができる。その結果、撮像部８１に入射する光が少なくなることにより、撮像部８１に蓄積される電子が少なくなったとしても、光量不足に起因する画質の低下を抑制することができる。また、混合部８２ａのゲート電極７０の転送方向（Ａ方向）の長さｂ（約０．５μｍ）を、混合部８２ａ以降の蓄積部８２のゲート電極６１〜６３の転送方向（Ａ方向）の長さａ（約０．７μｍ）よりも小さくすることによって、ゲート電極７０により形成される電位井戸をゲート電極６１〜６３により形成される電位井戸よりも小さくすることができる。これにより、混合部８２ａのゲート電極７０により形成される電位井戸の方が混合部８２ａ以降の蓄積部８２のゲート電極６１〜６３により形成される電位井戸よりも蓄積可能な電子が少なくなるので、その分、画質に影響しない余分な電子の排出を混合部８２ａにおいて速やかに行うことができる。このため、混合部８２ａにおいて必要以上の電子が混合されたとしても、余分な電子を速やかに排出することができるので、余分な電子を排出するための時間を長くとる必要がない。その結果、光量不足に起因する画質の低下を抑制するために混合部８２ａにより３つ分の画素８１ａの電子の混合を行った場合にも、転送速度が遅くなるのを抑制することができる。したがって、転送時の光の混入による光雑音（スミア）が発生するのを抑制することができる。
【００３４】
また、第１実施形態では、混合部８２ａにより混合された３つ分の画素８１ａの電子を蓄積部８２に転送するように構成することによって、混合された３つ分の画素８１ａの電子を１つ分の画素８１ａの電子として蓄積部８２に蓄積すればよいので、その分、蓄積部８２の形成領域を撮像部８１の形成領域よりも小さくすることができる。これにより、蓄積部８２を有するフレーム転送型の撮像装置８０の小型化を図ることができる。
【００３５】
（第２実施形態）
図６は、本発明の第２実施形態による撮像装置の撮像部および蓄積部を示した平面図である。図６を参照して、この第２実施形態では、上記第１実施形態と異なり、約０．５μｍの転送方向（Ａ方向）の長さを有する混合部８２ａのゲート電極７０の転送方向（Ａ方向）の両側に、約１．２μｍの大きな転送方向（Ａ方向）の長さを有するゲート電極を形成する場合について説明する。
【００３６】
この第２実施形態では、図６に示すように、撮像部８１の最終行の画素８１ａは、ゲート電極５１ａ、５２ａおよび５３ｃによって構成されている。そして、混合部８２ａのゲート電極７０に隣接するゲート電極５３ｃは、約１．２μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｃを有する。また、ゲート電極５３ｃは、クロックパルス信号φＰ３に応答して、電子を蓄積および転送するための電位井戸を形成する機能を有する。なお、撮像部８１の最終行以前の行の画素８１ａは、上記第１実施形態と同様、約０．７μｍの転送方向（Ａ方向）の長さａを有するゲート電極５１ａ〜５３ａによって構成されている。
【００３７】
また、この第２実施形態では、混合部８２ａを含む蓄積部８２において、混合部８２ａのゲート電極７０に隣接する２段目に、約１．２μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｃを有するゲート電極６１ａが形成されている。そして、ゲート電極６１ａは、クロックパルス信号φＣ２に応答して、電子を蓄積および転送するための電位井戸を形成する機能を有する。なお、混合部８２ａを含む蓄積部８２における３段目および４段目には、それぞれ、約０．７μｍの転送方向（Ａ方向）の長さａを有するゲート電極６２および６３が形成されている。
【００３８】
なお、第２実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００３９】
第２実施形態では、上記のように、約０．５μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｂを有する混合部８２ａのゲート電極７０の転送方向（Ａ方向）の両側に、それぞれ、約１．２μｍの大きな転送方向（Ａ方向）の長さを有するゲート電極５３ｃ（撮像部８１側）およびゲート電極６１ａ（蓄積部８２側）を形成することによって、混合部８２ａのゲート電極７０により形成される電位井戸と撮像部８１のゲート電極５３ｃに隣接するゲート電極５２ａにより形成される電位井戸との転送方向（Ａ方向）の間隔、および、混合部８２ａのゲート電極７０により形成される電位井戸と蓄積部８２のゲート電極６１ａに隣接するゲート電極６２により形成される電位井戸との転送方向（Ａ方向）の間隔を大きくすることができる。これにより、混合部８２ａのゲート電極７０により形成される電位井戸から排出される電子が、ゲート電極５３ｃおよび６１ａの下の電位障壁を乗り越えて、隣接する電位井戸に混入するのを抑制することができるので、第１実施形態に比べて、画質の低下をより抑制することができる。
【００４０】
なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００４１】
（第３実施形態）
図７は、本発明の第３実施形態による撮像装置の撮像部および蓄積部を示した平面図である。図７を参照して、この第３実施形態では、上記第２実施形態と異なり、混合部８２ａよりも後段の蓄積部８２に、電子排出用ゲート電極を設ける場合について説明する。
【００４２】
この第３実施形態では、図７に示すように、混合部８２ａに、約０．９μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｄを有するゲート電極７０ａが形成されている。そして、ゲート電極７０ａは、クロックパルス信号φＣ１に応答して、転送方向（Ａ方向）に並ぶ３つ分の画素８１ａの電子を混合するとともに、その混合された電子を蓄積および転送するための電位井戸を形成する機能を有する。なお、ゲート電極７０ａは、本発明の「電子混合用ゲート電極」の一例である。また、混合部８２ａを含む蓄積部８２の４段目には、約０．５μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｂを有するゲート電極７０ｂが形成されている。そして、ゲート電極７０ｂは、クロックパルス信号φＣ１に応答して、電子を蓄積および転送するための電位井戸を形成する機能を有する。さらに、ゲート電極７０ｂは、混合部８２ａにおいて必要以上の電子が混合された場合に、画質に影響しない余分な電子を排出する機能も有する。なお、ゲート電極７０ｂは、本発明の「電子排出用ゲート電極」の一例である。
【００４３】
また、第３実施形態では、約０．５μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｂを有するゲート電極７０ｂの転送方向（Ａ方向）の両側に、それぞれ、約１．２μｍの大きな転送方向（Ａ方向）の長さを有するゲート電極６２ａ（３段目）およびゲート電極６４（５段目）が形成されている。なお、混合部８２ａを含む蓄積部８２における６段目および７段目には、それぞれ、約０．７μｍの転送方向（Ａ方向）の長さａを有するゲート電極６５および６６が形成されている。
【００４４】
なお、第３実施形態のその他の構成は、上記第２実施形態と同様である。
【００４５】
次に、第３実施形態の撮像装置の動作としては、図４に示した第１実施形態と同様のタイミングで、撮像部８１に蓄積された電子が、蓄積部８２および水平転送部８３（図１参照）に順次転送される。
【００４６】
ここで、第３実施形態では、上記第１実施形態に比べて、混合部８２ａにおいて排出する余分な電子の数が少ない。具体的には、図５に示すように、転送方向（Ａ方向）の長さが約０．５μｍのゲート電極７０ｂの電位井戸（第１実施形態）では、電子数が約１８０００から約６０００になるまで電子を排出するのに要する時間が約１×１０−７秒（約１００ｎｓ）である。その一方、転送方向（Ａ方向）の長さが約０．９μｍのゲート電極７０ａの電位井戸（第３実施形態）では、排出する時間が転送方向（Ａ方向）の長さが約０．５μｍのゲート電極７０ｂと同様の約１×１０−７秒（約１００ｎｓ）であれば、電子数が約１８０００から約１２０００までしか電子を排出することができない。すなわち、排出する時間が同じ約１×１０−７秒（約１００ｎｓ）であれば、上記第１実施形態では、約１２０００個の電子が排出されるのに対し、第３実施形態では、約６０００個の電子が排出される。
【００４７】
また、第３実施形態では、混合部８２ａを含む蓄積部８２の４段目（約０．５μｍの転送方向（Ａ方向）の長さを有するゲート電極７０ｂ）においても、余分な電子の排出が行われる。たとえば、ゲート電極７０ｂが形成された４段目に約１２０００の電子が転送されたとしても、電子数が約６０００になるまで電子を排出することができる。
【００４８】
第３実施形態では、上記のように、混合部８２ａを含む蓄積部８２の４段目に、約０．５μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｂを有するゲート電極７０ｂを形成することによって、混合部８２ａにおいて、画質に影響しない余分な電子の排出量が少ない場合にも、混合部８２ａを含む蓄積部８２の４段目において、余分な電子の排出を速やかに行うことができる。また、混合部８２ａ（ゲート電極７０ａ）と、混合部８２ａを含む蓄積部８２の４段目（ゲート電極７０ｂ）との２箇所で余分な電子の排出が分散して行われるので、混合部８２ａと混合部８２ａを含む蓄積部８２の４段目とにおいて排出される余分な電子の数を減少させることができる。これにより、混合部８２ａのゲート電極７０ａの転送方向（Ａ方向）の両側にそれぞれ位置するゲート電極５３ｃ（撮像部８１側）およびゲート電極６１ａ（蓄積部８２側）の電位障壁を乗り越えて、隣接する電位井戸に、ゲート電極７０ａの電位井戸から排出された余分な電子が混入するのを抑制することができる。また、混合部８２ａを含む蓄積部８２の４段目のゲート電極７０ｂの転送方向（Ａ方向）の両側にそれぞれ位置するゲート電極６２ａおよび６４の電位障壁を乗り越えて、隣接する電位井戸に、ゲート電極７０ｂの電位井戸から排出された余分な電子が混入するのを抑制することができる。その結果、上記第２実施形態に比べて、画質の低下をより抑制することができる。また、ゲート電極７０ｂは、クロックパルス信号φＣ１に応答して駆動するので、ゲート電極７０ｂの電位井戸が形成される期間Ｂ（図４参照）において、ゲート電極７０ｂと、ゲート電極７０ｂに隣接するゲート電極６２ａおよび６４とのうちゲート電極７０ｂに対応する電位井戸のみが形成される期間（電子排出期間）を長くすることができる。これにより、混合部８２ａを含む蓄積部８２の４段目において、余分な電子を排出する時間を十分にとることができる。
【００４９】
また、第３実施形態では、約０．５μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｂを有するゲート電極７０ｂの転送方向（Ａ方向）の両側に、それぞれ、約１．２μｍの大きな転送方向（Ａ方向）の長さｃを有するゲート電極６２ａおよび６４を形成することによって、上記第２実施形態と同様、ゲート電極７０ｂの電位井戸から排出される電子が、ゲート電極６２ａおよび６４の下の電位障壁を乗り越えて隣接する電位井戸に混入するのを抑制することができるので、画質の低下をより抑制することができる。
【００５０】
なお、第３実施形態のその他の効果は、上記第１および第２実施形態と同様である。
【００５１】
（第４実施形態）
図８は、本発明の第４実施形態による撮像装置の撮像部および蓄積部を示した平面図である。図８を参照して、この第４実施形態では、上記第２実施形態と異なり、各々のクロックパルス信号線φＰ１〜φＰ３およびφＣ１〜φＣ３に接続されるゲート電極の平面積（負荷容量）の合計が同じになるように、ゲート電極の転送方向（Ａ方向）の長さを調節する場合について説明する。
【００５２】
この第４実施形態では、図８に示すように、上記第２実施形態と同様、混合部８２ａの約０．５μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｂを有するゲート電極７０の転送方向（Ａ方向）の両側に、それぞれ、約１．２μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｃを有するゲート電極５３ｃ（撮像部８１側）および６１ａ（蓄積部８２側）が形成されている。また、混合部８２ａのゲート電極７０は、クロックパルス信号線φＣ１に接続されているとともに、撮像部８１のゲート電極５３ｃおよび蓄積部８２のゲート電極６１ａは、それぞれ、クロックパルス信号線φＰ３およびφＣ２に接続されている。
【００５３】
ここで、第４実施形態では、撮像部８１の最終行の画素８１ａは、ゲート電極５１ｃ、５２ｃおよび５３ｃによって構成されている。そして、クロックパルス信号線φＰ１に接続されるゲート電極５１ｃは、約１．２μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｃを有する。また、クロックパルス信号線φＰ２に接続されるゲート電極５２ｃも、約１．２μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｃを有する。また、クロックパルス信号線φＰ３に接続されるゲート電極５３ｃも、上記のように、約１．２μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｃを有するように形成されている。なお、撮像部８１の最終行以前の行の画素８１ａは、上記第２実施形態と同様、約０．７μｍの転送方向（Ａ方向）の長さａを有するゲート電極５１ａ〜５３ａによって構成されている。これにより、この第４実施形態では、約０．７μｍの転送方向（Ａ方向）の長さａを有する複数のゲート電極５１ａ〜５３ａがそれぞれ接続されたクロックパルス信号線φＰ１〜φＰ３に、それぞれ、約１．２μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｃを有するゲート電極５１ｃ〜５３ｃが１つずつ接続されることになる。したがって、クロックパルス信号線φＰ１〜φＰ３にそれぞれ接続されるゲート電極の転送方向（Ａ方向）の長さの合計が互いに等しくなるので、各々のクロックパルス信号線φＰ１〜φＰ３に接続されるゲート電極の平面積の合計が同じになる。
【００５４】
また、この第４実施形態では、混合部８２ａを含む蓄積部８２において、クロックパルス信号線φＣ３が接続される３段目に、約１．２μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｃを有するゲート電極６２ａが形成されている。また、クロックパルス信号線φＣ１が接続される４段目には、約１．４μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｅを有するゲート電極６３ａが形成されている。また、クロックパルス信号線φＣ２が接続される５段目には、約０．７μｍの転送方向（Ａ方向）の長さａを有するゲート電極６４ａが形成されている。また、クロックパルス信号線φＣ３が接続される６段目には、約０．７μｍの転送方向（Ａ方向）の長さａを有するゲート電極６５が形成されている。また、クロックパルス信号線φＣ１が接続される１段目のゲート電極７０およびクロックパルス信号φＣ２が接続される２段目のゲート電極６１ａは、それぞれ、上記のように、約０．５μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｂおよび約１．２μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｃを有するように形成されている。これにより、この第４実施形態では、クロックパルス信号線φＣ１〜φＣ３にそれぞれ接続されるゲート電極の転送方向の長さの合計が同じになる。したがって、各々のクロックパルス信号線φＣ１〜φＣ３に接続されるゲート電極の平面積の合計が同じになる。
【００５５】
なお、第４実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００５６】
第４実施形態では、上記のように、約０．７μｍの転送方向（Ａ方向）の長さａを有する複数のゲート電極５１ａ〜５３ａがそれぞれ接続されたクロックパルス信号線φＰ１〜φＰ３に、それぞれ、約１．２μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｃを有するゲート電極５１ｃ〜５３ｃを１つずつ接続することによって、各々のクロックパルス信号線φＰ１〜φＰ３に接続されるゲート電極の平面積の合計を同じにすることができる。また、約０．５μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｂを有するゲート電極７０が接続されたクロックパルス信号線φＣ１に、約１．４μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｅを有するゲート電極６３ａを接続するとともに、クロックパルス信号線φＣ２およびφＣ３に、それぞれ、約１．２μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｃを有するゲート電極６１ａおよび６２ａと約０．７μｍの転送方向（Ａ方向）の長さａを有するゲート電極６４ａおよび６５とを接続することによって、各々のクロックパルス信号線φＣ１〜φＣ３に接続されるゲート電極の平面積の合計を同じにすることができる。これにより、各相のゲート電極の負荷容量を互いに実質的に等しくすることができる。その結果、各相のゲート電極の負荷容量に違いが生じることに起因して、一部のゲート電極がオン状態またはオフ状態になるタイミングがずれるのを抑制することができる。
【００５７】
なお、第４実施形態のその他の効果は、上記第２実施形態と同様である。
【００５８】
（第５実施形態）
図９は、本発明の第５実施形態による撮像装置の撮像部および蓄積部を示した平面図である。図９を参照して、この第５実施形態では、上記第４実施形態と異なり、約１．２μｍ以上の大きな転送方向（Ａ方向）の長さを有するゲート電極を、互いに隣接しないように配置する場合について説明する。
【００５９】
この第５実施形態では、図９に示すように、上記第４実施形態と同様、混合部８２ａの約０．５μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｂを有するゲート電極７０の転送方向（Ａ方向）の両側に、それぞれ、約１．２μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｃを有するゲート電極５３ｃ（撮像部８１側）および６１ａ（蓄積部８２側）が形成されている。
【００６０】
ここで、第５実施形態では、上記第４実施形態と異なり、撮像部８１の最終行の画素８１ａは、ゲート電極５１ｃ、５２ａおよび５３ｃによって構成されている。そして、クロックパルス信号線φＰ２に接続されるゲート電極５２ａは、約０．７μｍの転送方向（Ａ方向）の長さａを有する。したがって、約１．２μｍの大きな転送方向（Ａ方向）の長さｃを有するゲート電極５１ｃおよび５３ｃは、互いに隣接しないように配置されることになる。また、撮像部８１の最終行の前段の画素８１ａは、ゲート電極５１ａ、５２ｃおよび５３ａによって構成されている。そして、クロックパルス信号線φＰ２に接続されるゲート電極５２ｃは、約１．２μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｃを有する。これにより、クロックパルス信号線φＰ１〜φＰ３には、それぞれ、約０．７μｍの転送方向（Ａ方向）の長さａを有するゲート電極５１ａ〜５３ａと約１．２μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｃを有するゲート電極５１ｃ〜５３ｃとが接続されることになる。したがって、クロックパルス信号線φＰ１〜φＰ３にそれぞれ接続されるゲート電極の転送方向（Ａ方向）の長さの合計が互いに等しくなるので、各々のクロックパルス信号線φＰ１〜φＰ３に接続されるゲート電極の平面積の合計が同じになる。また、約１．２μｍの大きな転送方向（Ａ方向）の長さｃを有するゲート電極５１ｃおよび５２ｃは、互いに隣接しないように配置されることになる。
【００６１】
また、この第５実施形態では、上記第４実施形態と異なり、混合部８２ａを含む蓄積部８２において、クロックパルス信号線φＣ３が接続される３段目に、約０．７μｍの転送方向（Ａ方向）の長さａを有するゲート電極６２が形成されている。したがって、約１．２μｍの大きな転送方向（Ａ方向）の長さｃを有する２段目のゲート電極６１ａおよび約１．４μｍの大きな転送方向（Ａ方向）の長さｅを有する４段目のゲート電極６３ａは、互いに隣接しないように配置されることになる。また、クロックパルス信号線φＣ３が接続される６段目には、約１．２μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｃを有するゲート電極６５ａが形成されている。これにより、クロックパルス信号線φＣ１には、約０．５μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｂを有するゲート電極７０と約１．４μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｅを有するゲート電極６３ａが接続されることになる。また、クロックパルス信号線φＣ２およびφＣ３には、それぞれ、約１．２μｍの転送方向（Ａ方向）の長さｃを有するゲート電極６１ａおよび６５ａと約０．７μｍの転送方向（Ａ方向）の長さａを有するゲート電極６４ａおよび６２とが接続されることになる。したがって、クロックパルス信号線φＣ１〜φＣ３にそれぞれ接続されるゲート電極の転送方向の長さの合計が同じになるので、各々のクロックパルス信号線φＣ１〜φＣ３に接続されるゲート電極の平面積の合計が同じになる。また、約１．２μｍ以上の大きな転送方向（Ａ方向）の長さを有するゲート電極６３ａおよび６５ａは、互いに隣接しないように配置されることになる。
【００６２】
なお、第５実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００６３】
第５実施形態では、上記のように、約１．２μｍ以上の大きな転送方向（Ａ方向）の長さを有するゲート電極５１ｃ〜５３ｃ、６１ａ、６３ａおよび６５ａを、互いに隣接しないように配置することによって、約１．２μｍ以上の大きな転送方向（Ａ方向）の長さを有するゲート電極が同時にオン状態になることに起因して、電界が発生する領域が大きくなるのを抑制することができる。これにより、ｎ型シリコン基板１の表面での電子の再結合やｎ型シリコン基板１からの電子の流入を抑制することができる。
【００６４】
また、第５実施形態では、上記第４実施形態と同様、各相のゲート電極の負荷容量を互いに実質的に等しくすることができる。その結果、各相のゲート電極の負荷容量に違いが生じることに起因して、一部のゲート電極がオン状態またはオフ状態になるタイミングがずれるのを抑制することができる。
【００６５】
なお、第５実施形態のその他の効果は、上記第２実施形態と同様である。
【００６６】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６７】
たとえば、上記第１〜第５実施形態では、３つ分の画素の電子を混合する場合について説明したが、本発明はこれに限らず、２つ以上の画素の電子を混合する場合であれば、同様の効果を得ることができる。
【００６８】
また、上記第１〜第５実施形態では、２つ以上の画素の電子を混合するための混合部を、蓄積部に設けたが、本発明はこれに限らず、蓄積部以外の領域に混合部を設けてもよい。たとえば、撮像部と蓄積部との間の領域に撮像部および蓄積部とは別個に設けてもよい。
【００６９】
また、上記第１〜第５実施形態では、フレーム転送型の撮像装置に本発明を適用する例について説明したが、本発明はこれに限らず、インターライン型の撮像装置にも適用可能である。インターライン型の撮像装置に本発明を適用する場合には、撮像部と水平転送部との間に混合部を設けるのが好ましい。
【００７０】
また、上記第１〜第５実施形態では、３相のクロックパルス信号を用いて電子を転送したが、本発明はこれに限らず、３相以外のクロックパルス信号を用いて電子を転送してもよい。たとえば、２相または４相のクロックパルス信号を用いて電子を転送してもよい。
【００７１】
また、上記第３実施形態では、混合部よりも後段の蓄積部に、電子排出用ゲート電極を１つ設けたが、本発明はこれに限らず、混合部よりも後段の蓄積部に、電子排出用ゲート電極を少なくとも２つ設けるとともに、少なくとも２つの電子排出用ゲート電極の各々の転送方向の長さを、配置される位置が後段になるにしたがって小さくなるように構成してもよい。このように構成すれば、電子混合用ゲート電極が配置された混合部および少なくとも２つの電子排出用ゲート電極が配置された混合部よりも後段の３個所以上で余分な電子の排出を分散して行うことができる。これにより、電子混合用ゲート電極および少なくとも２つの電子排出用ゲート電極においてそれぞれ排出される余分な電子の数をより減少させることができる。その結果、電子混合用ゲート電極および電子排出用ゲート電極の転送方向の両側に位置するゲート電極の下に形成された電位障壁を乗り越えて、隣接する電位井戸に、電子混合用ゲート電極および電子排出用ゲート電極から排出された余分な電子が混入するのをより抑制することができるので、画質の低下をより抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の第１実施形態による撮像装置の全体構成を示したブロック図である。
【図２】図１に示した撮像装置の撮像部および蓄積部を示した平面図である。
【図３】図２の１００−１００線に沿った断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による撮像装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図５】約１８０００個の電子が転送された電位井戸から排出される様子をゲート電極の転送方向長さを変化させてシミュレーションした結果を示したグラフである。
【図６】本発明の第２実施形態による撮像装置の撮像部および蓄積部を示した平面図である。
【図７】本発明の第３実施形態による撮像装置の撮像部および蓄積部を示した平面図である。
【図８】本発明の第４実施形態による撮像装置の撮像部および蓄積部を示した平面図である。
【図９】本発明の第５実施形態による撮像装置の撮像部および蓄積部を示した平面図である。
【符号の説明】
【００７３】
７０、７０ｂ  ゲート電極（電子排出用ゲート電極）
７０ａ  ゲート電極（電子混合用ゲート電極）
８１  撮像部
８１ａ  画素
８２  蓄積部
８２ａ  混合部
【図１】
2005244949.tif 000003
【図２】
2005244949.tif 000004
【図３】
2005244949.tif 000005
【図４】
2005244949.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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