(57)【要約】【課題】撮像に有害なＸ線の後方散乱を防ぎ、よりコントラストが優れた放射線画像変換パネルを提供する。【解決手段】基板１１上に輝尽性蛍光体層１２を有する放射線画像変換パネルである。前記輝尽性蛍光体層１２の前記基板１１と反対側の面にＸ線吸収体を含有させて形成するＸ線吸収体層１３を備える。輝尽性蛍光体層の基板と反対側の面にＸ線吸収体層を設けることで、放射線画像変換パネルへ基板側から照射され輝尽性蛍光体層を透過したＸ線をＸ線吸収体層で吸収することができる。また、Ｘ線吸収体層を透過して後方の物体で散乱し再び放射線画像変換パネルへ入射入射するＸ線を、Ｘ線吸収体層で吸収することができる。したがって、撮像に有害なＸ線の後方散乱を防ぎ、よりコントラストが優れた放射線画像変換パネルを得ることができる。【選択図】図１
2005091188.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層を下記一般式（１）で表す輝尽性蛍光体を含有させて形成するとともに、前記輝尽性蛍光体層の前記基板と反対側の面に下記一般式（２）で表すＸ線吸収体を含有させて形成したＸ線吸収体層を備えることを特徴とする放射線画像変換パネル。
M1X・ａM2X'2・bM3X''3：eA  ・・・（１）
M1X・ａM2X'2・bM3X''3      ・・・（２）
ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群より選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、X、X'及びX''はF、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、AはEu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属であり、a、b、eはそれぞれ０≦a＜０．５、０≦b＜０．５、０＜e≦０．２の範囲の数値を示す。
【請求項２】
前記一般式（１）及び前記一般式（２）におけるM1はK、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項３】
前記一般式（１）及び前記一般式（２）におけるXはBr及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項４】
前記一般式（１）及び前記一般式（２）におけるM2はBe、Mg、Ca、Sr及びBaから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項５】
前記一般式（１）及び前記一般式（２）におけるM3はY、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項６】
前記一般式（１）及び前記一般式（２）におけるbは0≦b≦10-2の範囲の数値を示すことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項７】
前記一般式（１）及び前記一般式（２）におけるAはEu、Cs、Sm、Tl及びNaからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項８】
前記輝尽性蛍光体層は、前記輝尽性蛍光体の柱状結晶を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項９】
前記柱状結晶は下記一般式（３）で表される輝尽性蛍光体を有することを特徴とする請求項８に記載の放射線画像変換パネル。
CsX：A  ・・・（３）
ここで、XはBrまたはIを表し、AはEu、In、GaまたはCeを表す。
【請求項１０】
前記Ｘ線吸収体層は厚さ０．００５〜２０μｍであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項１１】
前記Ｘ線吸収体層は厚さ０．０２〜５μｍであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、放射線画像を得るために銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方法として、基板上に輝尽性蛍光体層が設けられた放射線画像変換パネルを用いて放射線像を記録する方法が開発されている。
【０００３】
放射線画像変換パネルを用いて放射線像を記録する方法は、例えば以下のとおりである。まず放射線画像変換パネルを読み取り装置に固定し、被写体を放射線画像変換パネルの前方に配置する。次に被写体に前方からＸ線を照射し、被写体を透過したＸ線を輝尽性蛍光体層に入射し、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積させる。エネルギーを蓄積した輝尽性蛍光体層に可視光線、赤外線などの電磁波（励起光）を照射して時系列的に励起させることにより、輝尽性蛍光体中に蓄積された放射線エネルギーを輝尽発光として放出させる。輝尽発光の強弱による信号を、例えば光電変換して電気信号とすることで、ハロゲン化銀写真感光材料などの記録材料、ＣＲＴなどの表示装置上に可視像として再生することができる。
【０００４】
放射線画像変換パネルを使用した放射線画像変換方式の優劣は、該パネルの輝尽性発光輝度およびパネルの発光均一性に大きく左右され、特に、これらの特性は用いる輝尽性蛍光体の特性に大きく支配されていることが知られている。
【０００５】
最近では、CsBrなどのハロゲン化アルカリを母体にEuを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線パネルが提案され、特にEuを賦活剤とすることで従来不可能であったＸ線変換効率の向上が可能になると期待されている。
【０００６】
このような放射線画像変換パネルは医療用のＸ線画像診断機器等にも多く用いられている。医療用の画像診断機器では特に患者へ照射される放射線の被曝線量を減少させるために、より感度及び鮮鋭度の高い放射線画像変換パネルが求められている。
【０００７】
放射線画像変換パネルの感度及び鮮鋭度を向上させるために、例えば特許文献１では、蛍光体層の厚さを３００〜７００μｍの範囲にしてかつ輝尽性蛍光体層の全体積に対して輝尽性蛍光体が占める体積の比率を８５〜９７％とすることで感度及び鮮鋭度を向上させている。
【０００８】
また、特許文献２には、下記一般式（１）で示された輝尽性蛍光体、特にｅが０．００３≦ｅ≦０．００５の範囲内の数値を示す輝尽性蛍光体を用いることで、高感度の放射線画像変換パネルを得られることが示されている。
【０００９】
M1X・ａM2X'2・bM3X''3：eA  ・・・（１）
［ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群より選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、X、X'及びX''はF、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、AはEu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属であり、a、b、eはそれぞれ０≦a＜０．５、０≦b＜０．５、０．０００１＜e≦１．０の範囲の数値を示す。］
【特許文献１】特開２００２−２１４３９７号公報（第２頁）
【特許文献２】特開２００３−０２８９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、放射線画像変換パネルを読み取り装置に固定した状態で前方からＸ線を照射して撮影を行う場合には、Ｘ線が放射線画像変換パネルを透過した後で、装置の放射線画像変換パネルよりも後方部分で散乱し再び放射線画像変換パネルへ入射して輝尽性蛍光体を感光させるため、コントラストが低下する問題があった。
【００１１】
本発明の課題は、撮像に有害なＸ線の後方散乱を防ぎ、よりコントラストが優れた放射線画像変換パネルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
以上の課題を解決するため、本発明の請求項１に記載の発明は、図１に示すように、基板１１上に輝尽性蛍光体層１２を有する放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層１２を下記一般式（１）で表す輝尽性蛍光体を含有させて形成するとともに、前記輝尽性蛍光体層１２の前記基板１１と反対側の面に下記一般式（２）で表すＸ線吸収体を含有させて形成するＸ線吸収体層１３を備えることを特徴とする。
【００１３】
M1X・ａM2X'2・bM3X''3：eA  ・・・（１）
【００１４】
M1X・ａM2X'2・bM3X''3      ・・・（２）
【００１５】
ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群より選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、X、X'及びX''はF、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、AはEu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属であり、a、b、eはそれぞれ０≦a＜０．５、０≦b＜０．５、０＜e≦０．２の範囲の数値を示す。
【００１６】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の放射線画像変換パネルであって、前記一般式（１）及び前記一般式（２）におけるM1はK、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることを特徴とする。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の放射線画像変換パネルであって、前記一般式（１）及び前記一般式（２）におけるXはBr及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることを特徴とする。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルであって、前記一般式（１）及び前記一般式（２）におけるM2はBe、Mg、Ca、Sr及びBaから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることを特徴とする。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルであって、前記一般式（１）及び前記一般式（２）におけるM3はY、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であることを特徴とする。
【００２０】
請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルであって、前記一般式（１）及び前記一般式（２）におけるbは0≦b≦10-2の範囲の数値を示すことを特徴とする。
【００２１】
請求項７に記載の発明は、請求項１〜６のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルであって、前記一般式（１）及び前記一般式（２）におけるAはEu、Cs、Sm、Tl及びNaからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属であることを特徴とする。
【００２２】
請求項８に記載の発明は、請求項１〜７のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルであって、前記輝尽性蛍光体層１２は、前記輝尽性蛍光体の柱状結晶を有することを特徴とする。
【００２３】
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の放射線画像変換パネルであって、前記柱状結晶は下記一般式（３）で表される輝尽性蛍光体を有することを特徴とする。
CsX：A  ・・・（３）
【００２４】
ここで、XはBrまたはIを表し、AはEu、In、GaまたはCeを表す。
【００２５】
請求項１０に記載の発明は、請求項１〜９のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルであって、前記Ｘ線吸収体層１３は厚さ０．００５〜２０μｍであることを特徴とする。
【００２６】
請求項１１に記載の発明は、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルであって、前記Ｘ線吸収体層１３は厚さ０．０２〜５μｍであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、輝尽性蛍光体層の基板と反対側の面にＸ線吸収体層を設けることで、放射線画像変換パネルへ基板側から照射され輝尽性蛍光体層を透過したＸ線をＸ線吸収体層で吸収することができる。また、Ｘ線吸収体層を透過して後方の物体で散乱し再び放射線画像変換パネルへ入射するＸ線を、Ｘ線吸収体層で吸収することができる。したがって、撮像に有害なＸ線の後方散乱を防ぎ、よりコントラストが優れた放射線画像変換パネルを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に、本発明の実施の形態例について詳細に述べる。本発明の実施の形態例の放射線像変換パネルは、図１に示すように、基板１１の一面に輝尽性蛍光体層１２が気相堆積法で５０μｍ以上、好ましくは３００〜７００μｍの層厚に形成されている。また、輝尽性蛍光体層１２に重ねて、Ｘ線吸収体層１３が気相堆積法で０．００５〜２０μｍ以上、好ましくは０．０２〜５μｍの層厚に形成されている。輝尽性蛍光体層１２及びＸ線吸収体層１３は、気相堆積法により柱状結晶１４として一体に形成されている。また、輝尽性蛍光体層１２及びＸ線吸収体層１３は空気に触れないように保護層や図示しない封止材により封止されている。
【００２９】
基板１１としては、樹脂含浸炭素繊維（炭素繊維強化樹脂）を用いることができ、具体的には市販されている炭素繊維（東邦レーヨン（株）製＃１３２、エポキシ樹脂含浸）が挙げられる。また従来の放射線画像変換パネルの基板１１として公知の材料から耐熱性のあるものを任意に選ぶことができ、石英ガラスシート、アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シート、およびアラミドなどからなる樹脂シートやこれらを貼り合わせたものなどを用いることができる。
【００３０】
本発明に好ましく用いられる輝尽性蛍光体としては、一般式（１）で表されるものを使用することができる。
【００３１】
M1X・ａM2X'2・bM3X''3：eA      ・・・（１）
【００３２】
ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、特にK、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることが好ましい。
【００３３】
M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群より選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、特に、Be、Mg、Ca、Sr及びBaから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることが好ましい。
【００３４】
M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、特に、Y、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であることが好ましい。
【００３５】
X、X'及びX''はF、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、特にXはBr及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることが好ましい。
【００３６】
AはEu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属であり、特にEu、Cs、Sm、Tl及びNaからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属であることが好ましい。
【００３７】
a、b、eはそれぞれ0≦a＜0.5、0≦b＜0.5、0＜e≦0.2の範囲の数値を示し、特にbは0≦b≦10-2 の範囲の数値を示すことが好ましい。
【００３８】
また、上記柱状結晶１４は下記一般式（３）で表される輝尽性蛍光体を有することが好ましい。
【００３９】
CsX：A      ・・・（３）
【００４０】
ここで、XはBrまたはIを表し、AはEu、In、GaまたはCeを表す。
【００４１】
上記の輝尽性蛍光体は、例えば下記（ａ）〜（ｄ）の蛍光体原料を用いて以下に述べる製造方法により製造される。
【００４２】
（ａ）LiF、LiCl、LiBr、LiI、NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、RbBr、RbI、CsF、CsCl、CsBr及びCsIからなる群より選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物。
【００４３】
（ｂ）
BeF2、BeCl2、BeBr2、BeI2、MgF2、MgCl2、MgBr2、MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2、SrF2、SrCl2、SrBr2、SrI2、BaF2、BaCl2、BaBr2、BaI2、ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2、CdF2、CdCl2、CdBr2、CdI2、CuF2、CuCl2、CuBr2、CuI2、NiF2、NiCl2、NiBr2及びNiI2からなる群より選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物。
【００４４】
（ｃ）ScF3、ScCl3、ScBr3、ScI3、YF3、YCl3、YBr3、YI3、LaF3、LaCl3、LaBr3、LaI3、CeF3、CeCl3、CeBr3、CeI3、PrF3、PrCl3、PrBr3、PrI3、NdF3、NdCl3、NdBr3、NdI3、PmF3、PmCl3、PmBr3、PmI3、SmF3、SmCl3、SmBr3、SmI3、EuF3、EuCl3、EuBr3、EuI3、GdF3、GdCl3、GdBr3、GdI3、TbF3、TbCl3、TbBr3、TbI3、DyF3、DyCl3、DyBr3、DyI3、HoF3、HoCl3、HoBr3、HoI3、ErF3、ErCl3、ErBr3、ErI3、TmF3、TmCl3、TmBr3、TmI3、YbF3、YbCl3、YbBr3、YbI3、LuF3、LuCl3、LuBr3、LuI3、AlF3、AlCl3、AlBr3、AlI3、GaF3、GaCl3、GaBr3、GaI3、InF3、InCl3、InBr3及びInI3からなる群より選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物。
【００４５】
（ｄ）Eu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群より選ばれる少なくとも一種もしくは２種以上の金属。
【００４６】
上記（ａ）〜（ｄ）の蛍光体原料を一般式（１）のa、b、eの範囲を満たすように秤量し、純水にて混合する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合してもよい。
【００４７】
次に、得られた混合液のｐＨ値Cを0＜C＜7に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
【００４８】
次に、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉内で焼成を行う。焼成温度は５００〜１０００℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、０．５〜６時間が好ましい。
【００４９】
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
【００５０】
なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行なえば輝尽性蛍光体の発光輝度を更に高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の輝尽性蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気のままで冷却してもよい。
【００５１】
また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた輝尽性蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。
【００５２】
輝尽性蛍光体層１２は、上記の輝尽性蛍光体を蒸発源として基板１１の一方の面へ気相堆積させることにより形成される。気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、その他を用いることができる。
【００５３】
蒸着法では、まず、基板１１を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して１．３３３×１０-2Ｐａ程度の真空度とする。次いで、輝尽性蛍光体を蒸発源として蒸着装置内の蒸発装置に設置し、抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて、基板１１表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。
【００５４】
この結果、結着材を含有しない輝尽性蛍光体層１２が形成される。上記の蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層１２を形成することも可能である。
【００５５】
また、上記の蒸着工程では複数の抵抗加熱機あるいはエレクトロンビームを用いて複数の輝尽性蛍光体原料を蒸発源として共蒸着し、基板１１上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層１２を形成することも可能である。
【００５６】
輝尽性蛍光体層１２の膜厚は、放射線画像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、５０μｍ以上、好ましくは３００〜７００μｍである。
【００５７】
上記の気相堆積法による輝尽性蛍光体層１２の作成にあたり、輝尽性蛍光体層１２が形成される基板１１の温度は、５０℃〜４００℃に設定することが好ましく、蛍光体の特性上は１００℃〜２５０℃が好ましく、基板１１に樹脂を用いる場合には樹脂の耐熱性を考慮して５０℃〜１５０℃、さらに好ましくは５０℃〜１００℃がよい。
【００５８】
図２は、基板１１上に輝尽性蛍光体層１２が蒸着により形成される様子を示す図である。基板ホルダ１５に固定された基板１１面の法線方向（Ｒ）に対する輝尽性蛍光体の蒸気流１６の入射角度をθ2（図では６０°）とし、形成される柱状結晶１４の基板１１面の法線方向（Ｒ）に対する角度をθ1（図では３０°）とすると、経験的にはθ1はθ2の約半分となり、この角度で柱状結晶１４が形成される。
【００５９】
輝尽性蛍光体の柱状結晶の成長角は１０〜７０°がよく、好ましくは２０°〜５５°である。成長角を１０〜７０°にするには、入射角を２０〜８０°にすればよく２０〜５５°にするには入射角を４０〜７０°にすればよい。成長角が大きいと基板１１に対して柱状結晶が倒れすぎ、膜が脆くなる。
【００６０】
輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料の蒸気流を基板１１面に対しある入射角をつけて供給するには、基板１１を蒸発源に対し互いに傾斜させる配置を取る方法がある。あるいは、基板１１と蒸発源とを互いに平行に設置し、蒸発面からスリット等により斜め成分のみ基板１１上に蒸着させるように規制する等の方法をとることができる。
【００６１】
これらの場合において、基板１１と蒸発源との最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて概ね１０ｃｍ〜６０ｃｍに設置するのが好ましい。
【００６２】
柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層１２において変調伝達関数（ＭＴＦ）をよくするためには、柱状結晶の大きさは１μｍ〜５０μｍ程度がよく、更に好ましくは、１μｍ〜３０μｍである。即ち、柱状結晶が１μｍより細い場合は、柱状結晶により輝尽励起光が散乱される為にＭＴＦが低下するし、柱状結晶が５０μｍ以上の場合も輝尽励起光の指向性が低下し、ＭＴＦは低下する。
【００６３】
なお、柱状結晶の大きさは、柱状結晶を基板１１と平行な面から観察したときの各柱状結晶の断面積の円換算した直径の平均値であり、少なくとも１００個以上の柱状結晶を視野中に含む顕微鏡写真から計算する。
【００６４】
また、各柱状結晶間の間隙の大きさは３０μｍ以下がよく、更に好ましくは５μｍ以下がよい。間隙が３０μｍを越える場合は蛍光体層中の蛍光体の充填率が低くなり、感度が低下してしまう。
【００６５】
柱状結晶の太さは温度、真空度、蒸気流入射角度等によって影響を受け、これらを制御することによって所望の太さの柱状結晶を作製することが可能である。
【００６６】
また、柱状結晶１４の間に形成された間隙に結着剤等の充填物を充填してもよく、輝尽性蛍光体層１２の補強となるほか、高光吸収の物質、高光反射の物質を充填してもよい。充填物により補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層１２に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。
【００６７】
スパッタリング法では、蒸着法と同様、基板１１をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてAr、Ne等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して１．３３３×１０-1Ｐａ程度のガス圧とする。次に、輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、基板１１上に輝尽性蛍光体層１２を所望の厚さに成長させる。
【００６８】
スパッタリング工程では蒸着法と同様に各種応用処理を用いることができる。ＣＶＤ法やイオンプレーティング法、その他においても同様である。
【００６９】
なお、気相堆積法における輝尽性蛍光体層１２の成長速度は、０．０５μｍ／ｍｉｎ〜３００μｍ／ｍｉｎであることが好ましい。成長速度が０．０５μｍ／ｍｉｎ未満の場合には放射線画像変換パネルの生産性が悪く好ましくない。また成長速度が３００μｍ／ｍｉｎを超える場合には成長速度のコントロールが難しく好ましくない。
【００７０】
以上のようにして形成した輝尽性蛍光体層１２に対して、Ｘ線吸収体層１３を形成する。なおＸ線吸収体層１３は輝尽性蛍光体の励起波長（６４０〜７００ｎｍ）及び輝尽発光波長（４００〜５００ｎｍ）の光の透過率が高いことが好ましい。Ｘ線吸収体層１３に好ましく用いられるＸ線吸収体としては、一般式（２）で表されるものを使用することができる。
【００７１】
M1X・ａM2X'2・bM3X''3        ・・・（２）
【００７２】
ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、特にK、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることが好ましい。
【００７３】
M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群より選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、特に、Be、Mg、Ca、Sr及びBaから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることが好ましい。
【００７４】
M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、特に、Y、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であることが好ましい。
【００７５】
X、X'及びX''はF、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、特にXはBr及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることが好ましい。
【００７６】
a、bはそれぞれ0≦a＜0.5、0≦b＜0.5の範囲の数値を示し、特にbは0≦b≦10-2 の範囲の数値を示すことが好ましい。
【００７７】
上記のＸ線吸収体は、上記（ｄ）の蛍光体原料を使用しないことを除き、輝尽性蛍光体と同様にして製造することができる。また、Ｘ線吸収体層１３は、製造されたＸ線吸収体を用いて、輝尽性蛍光体層１２と同様に気相堆積法を用いて形成することができる。
【００７８】
Ｘ線吸収体層１３の膜厚は、０．００５〜２０μｍであることが好ましく、０．０２〜５μｍであることがより好ましい。
【００７９】
Ｘ線吸収体層１３を形成した後、必要に応じてＸ線吸収体層１３の基板１１とは反対側の面に保護層が設けられる。保護層は、保護層用の塗布液をＸ線吸収体層１３の表面に直接塗布して形成もよいし、またあらかじめ別途形成した保護層をＸ線吸収体層１３に接着してもよい。これらの保護層の層厚は、０．１〜２０００μｍが好ましい。
【００８０】
保護層の材料としては、防湿性樹脂フィルムを好適に用いることができる。防湿性樹脂フィルムとしては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体などを用いることができる。樹脂フィルムは加工が容易で厚みを１００μm以下と薄くしても製造工程中の強度には問題がなく、薄層であるため初期画質の点で好ましい。
【００８１】
また、これらの防湿性樹脂フィルムは、透湿度及び酸素透過性が低い無機物質の層を積層して有していてもよい。このような無機物質としては、SiOx（SiO、SiO2）、Al2O3、ZrO2、SnO2，SiC、SiN等があるが、このうち特にAl2O3やSiOxは光透過率が高くかつ透湿度及び酸素透過性が高い、すなわちクラックやマイクロポアが少なく緻密な膜を形成することができるので特に好ましい。SiOx、Al2O3は単独で積層しても良いが、両方を共に積層すると透湿度及び酸素透過性をより高くすることができるので、SiOx、Al2O3の両方を積層することがより好ましい。
【００８２】
無機物質の樹脂フィルムへの積層は、PVD法、スパッタリング法、CVD法、PE-CVD（Plasma enhanced CVD）等の方法が使用できる。積層は、蛍光体層を樹脂フィルムで被覆したのちに行ってもよいし、蛍光体層を被覆する前に行ってもよい。積層厚は０．０１μmから１μm程度であることが好ましい。あるいは、あらかじめ蒸着層が形成された市販の防湿性樹脂フィルムを用いてもよい。このような防湿性樹脂フィルムとしては、例えば、凸版印刷（株）ＧＬ−ＡＥなどがある。
【実施例１】
【００８３】
膜厚１ｍｍの炭素繊維（東邦レーヨン（株）製＃１３２）を搬送速度１．０ｍ／ｍｉｎで搬送しながら、搬送ヒートロールに４．９×１０Ｎ／ｃｍの圧力をかけ、基板を得た。この基板の片面に輝尽性蛍光体（CsBr：Eu）及びＸ線吸収体原料（ＣｓＢｒ）を蒸着させて輝尽性蛍光体層１２及びＸ線吸収体層を形成し放射線画像変換パネルを得た。
【００８４】
なお、蒸着は、アルミニウム製のスリットを用い、基板とスリットとの距離を６０ｃｍとして、基板と平行な方向に基板を搬送しながら行い、輝尽性蛍光体層の厚みが４００μｍになるように調整した。また、蒸着にあたっては、前記基板１１を蒸着器内に設置し、次いで、蛍光体原料（CsBr：Eu）及びＸ線吸収体原料（ＣｓＢｒ）を蒸着源として、プレス成形し水冷したルツボに入れた。
【００８５】
その後、蒸着器内を一旦排気し、N2ガスを導入し、１．３３×１０-2Paに真空度を調整した後、基板の温度を５０℃〜１００℃に保持しながら、輝尽性蛍光体層を蒸着した。輝尽性蛍光体層の膜厚が４００μmとなったところで蒸着源をＸ線吸収体に代え、Ｘ線吸収体層を膜厚が５０μｍになるまで蒸着した。
【実施例２】
【００８６】
実施例１と同様にして輝尽性蛍光体層を膜厚が４００μｍとなるまで、Ｘ線吸収体層を膜厚が２０μｍとなるまで蒸着した。
【実施例３】
【００８７】
実施例１〜２と同様にして輝尽性蛍光体層を膜厚が４００μｍとなるまで、Ｘ線吸収体層を膜厚が５μｍとなるまで蒸着した。
【実施例４】
【００８８】
実施例１〜３と同様にして輝尽性蛍光体層を膜厚が４００μｍとなるまで、Ｘ線吸収体層を膜厚が１μｍとなるまで蒸着した。
【実施例５】
【００８９】
実施例１〜４と同様にして輝尽性蛍光体層を膜厚が４００μｍとなるまで、Ｘ線吸収体層を膜厚が０．１μｍとなるまで蒸着した。
【実施例６】
【００９０】
実施例１〜５と同様にして輝尽性蛍光体層を膜厚が４００μｍとなるまで、Ｘ線吸収体層を膜厚が０．０２μｍとなるまで蒸着した。
【実施例７】
【００９１】
実施例１〜６と同様にして輝尽性蛍光体層を膜厚が４００μｍとなるまで、Ｘ線吸収体層を膜厚が０．００５μｍとなるまで蒸着した。
【００９２】
[比較例１]
実施例１〜７と同様にして輝尽性蛍光体層を膜厚が４００μｍとなるまで蒸着した。Ｘ線吸収体層は蒸着しなかった。
【００９３】
＜コントラスト評価＞  放射線画像変換パネルに直径４０ｍｍの鉛ディスクを貼り付け、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＡｓ照射した。次に、放射線画像変換パネルを１００ｍＷの半導体レーザー（６８０ｎｍ）で走査して励起し、蛍光体層から放射される輝尽発光を光電子増倍管（浜松ホトニクス製、Ｒ１３０５）で受光して電気信号に変換し、Ａ／Ｄ変換して磁気テープにより記録し、画像データを得た。記録した画像データからディスク中心と周辺の信号値差（コントラスト）をコンピューターで分析し、コントラスト比を求めた。コントラスト比の値が低いほど良好であることを示す。
【００９４】
＜鮮鋭性評価＞  １．０ｌｐ／ｍｍのＭＴＦ測定用矩形波チャートを通して放射線画像変換パネルに管電圧８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＡｓ照射した。次に、放射線画像変換パネルを１００ｍＷの半導体レーザー（６８０ｎｍ）で走査して励起し、蛍光体層から放射される輝尽発光を光電子増倍管（浜松ホトニクス製、Ｒ１３０５）で受光して電気信号に変換し画像データを得た。得られた画像データをコンピューターで分析してＸ線像の変調伝達関数（ＭＴＦ）値（％）を求めた。ＭＴＦ値は高いほど良好であることを示す。
【００９５】
表１にコントラスト比、鮮鋭性を測定した結果を示す。
【表１】
2005091188.tif 000003
【００９６】
実施例１では、コントラスト比が０．００８５、鮮鋭性が５０％となった。実施例２でには、コントラスト比が０．００９、鮮鋭性が６０％となった。実施例３では、コントラスト比が０．０１、鮮鋭性が６５％となった。実施例４では、コントラスト比が０．０１５、鮮鋭性が７０％となった。実施例５では、コントラスト比が０．０２、鮮鋭性が７３％となった。実施例６では、コントラスト比が０．０２５、鮮鋭性が７５％となった。実施例７では、コントラスト比が０．００８５、鮮鋭性が５０％となった。比較例１では、コントラスト比が０．０３、鮮鋭性が７５．５％となった。
【００９７】
Ｘ線吸収体層の層厚が増大するに連れて、コントラストが良好になった。Ｘ線吸収体層により後方散乱を防ぐことができるためと考えられる。一方で、Ｘ線吸収体層の層厚が増大するに連れて、鮮鋭性は低下した。以上の結果より、Ｘ線吸収体層１３の層厚は、厚すぎないほうがよく、０．００５〜２０μｍであることが好ましく、０．０２〜５μｍであることがより好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明の実施の形態例の放射線画像変換パネルを示す断面図である。
【図２】支持体に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成される様子を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９９】
１１   基板
１２   輝尽性蛍光体層
１３   Ｘ線吸収体層
【図１】
2005091188.tif 000004
【図２】
2005091188.tif 000005