(57)【要約】【課題】露光条件の変動等のプロセス条件が変化しても所望のレジスト像を得えることができるマスクパターンの補正方法、その補正方法のプログラム、そのプログラムを記録した記録媒体、マスクの形成方法、及びそのマスクを使用した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シミュレーション上でのインフォーカスかつ最適ドーズ量の露光条件で評価を行った後に、さらに露光条件のフォーカス及びドーズ量を変化させた場合における評価を行い、その都度エッジ移動を行いながら最適な補正を行う。【選択図】図１
2005338483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レイアウトパターンデータを取得するレイアウトパターンデータ取得手段と、
前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割するエッジ分割手段と、
転写像のシミュレーションにおいて、シミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行う第１評価手段と、
前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する第１補正量算出手段と、
前記第１補正量に基づき第１エッジ移動を行う第１エッジ移動手段と、
前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第２評価を行う第２評価手段と、
前記第２評価結果に基づき第２補正量を算出する第２補正量算出手段と、
前記第２補正量に基づき第２エッジ移動を行う第２エッジ移動手段と、
前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行う第３評価手段と、
前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出する第３補正量算出手段と、
前記第３補正量に基づき第３エッジ移動を行う第３エッジ移動手段と、
前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行う第４評価手段と、
前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出する第４補正量算出手段と、
前記第４補正量に基づき第４エッジ移動を行う第４エッジ移動手段と、
前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第５評価を行う第５評価手段と、
前記第５評価結果に基づき第５補正量を算出する第５補正量算出手段と、
前記第５補正量に基づき第５エッジ移動を行う第５エッジ移動手段と、
前記第５エッジ移動について判定を行う判定手段と、
を有するマスクパターンの補正装置。
【請求項２】
請求項１に記載のマスクパターンの補正装置であって、
前記第５エッジ移動を行った後に前記マスクパターンの検証手段を有するマスクパターンの補正装置。
【請求項３】
請求項２に記載のマスクパターンの補正装置であって、
前記検証手段は、シミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行う第１評価手段と、
前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する第１補正量算出手段と、
前記第１補正量の適否を判定する検証判定手段と、
を有するマスクパターンの補正装置。
【請求項４】
レイアウトパターンデータを取得するレイアウトパターンデータ取得手段と、
前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割するエッジ分割手段と、
転写像のシミュレーションにおいて、シミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行う第１評価手段と、
前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する第１補正量算出手段と、
前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第２評価を行う第２評価手段と、
前記第２評価結果に基づき第２補正量を算出する第２補正量算出手段と、
前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行う第３評価手段と、
前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出する第３補正量算出手段と、
前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行う第４評価手段と、
前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出する第４補正量算出手段と、
前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第５評価を行う第５評価手段と、
前記第５評価結果に基づき第５補正量を算出する第５補正量算出手段と、
前記第１補正量から第５補正量に基づき最終補正量を算出する最終補正量算出手段と、
前記最終補正量を基にエッジ移動を行うエッジ移動手段と、
前記エッジ移動について判定を行う判定手段と、
を有するマスクパターンの補正装置。
【請求項５】
請求項４に記載のマスクパターンの補正装置であって、
前記判定手段による判定の後に、前記エッジ移動を行った後に前記マスクパターンを検証する検証手段を有するマスクパターンの補正装置。
【請求項６】
請求項５に記載のマスクパターンの補正装置であって、
前記検証手段は、シミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行う第１評価手段と、
前記第１評価により第１補正量を算出する第１補正量算出手段と、
前記第１補正量の適否を判定する検証判定手段と、
を有するマスクパターンの補正装置。
【請求項７】
レイアウトパターンデータ取得手段によりレイアウトパターンデータを取得する手順と、
エッジ分割手段により前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割する手順と、
第１評価手段により転写像のシミュレーションにおいてシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量とを用いた露光条件で第１評価を行う手順と、
第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する手順と、
第１エッジ移動手段により前記第１補正量に基づき第１エッジ移動を行う手順と、
第２評価手段により、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最大ドーズ量とを用いた露光条件で第２評価を行う手順と、
第２補正量算出手段により前記第２評価結果に基づき第２補正量を算出する手順と、
第２エッジ移動手段により前記第２補正量に基づき第２エッジ移動を行う手順と、
第３評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行う手順と、
第３補正量算出手段により前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出する手順と、
第３エッジ移動手段により前記第３補正量に基づき第３エッジ移動を行う手順と、
第４評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行う手順と、
第４補正量算出手段により前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出する手順と、
第４エッジ移動手段により前記第４補正量に基づき第４エッジ移動を行う手順と、
第５評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第５評価を行う手順と、
前記第５補正量算出手段により前記第５評価結果に基づき第５補正量を算出する手順と、
第５エッジ移動手段により前記第５補正量に基づき第５エッジ移動を行う手順と、
判定手段により前記第５エッジ移動について判定を行う手順と、
を有するマスクパターンの補正方法。
【請求項８】
請求項７に記載のマスクパターンの補正方法であって、
前記判定手段により前記第５エッジ移動について判定を行う手順後に、検証手段により前記マスクパターンを検証する手順を有するマスクパターンの補正方法。
【請求項９】
請求項８に記載のマスクパターンの補正方法であって、
前記マスクパターンを検証する手順は、第１評価手段によりシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行う手順と、
第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する手順と、
検証判定手段により前記第１補正量の適否を判定する手順と、
を有するマスクパターンの補正方法。
【請求項１０】
レイアウトパターンデータ取得手段によりレイアウトパターンデータを取得する手順と、
エッジ分割手段により前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割する手順と、
第１評価手段により転写像のシミュレーションにおいてシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量とを用いた露光条件で第１評価を行う手順と、
第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する手順と、
第２評価手段により、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最大ドーズ量とを用いた露光条件で第２評価を行う手順と、
第２補正量算出手段により前記第２評価結果に基づき第２補正量を算出する手順と、
第３評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行う手順と、
第３補正量算出手段により前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出する手順と、
第４評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行う手順と、
第４補正量算出手段により前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出する手順と、
第５評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第５評価を行う手順と、
前記第５補正量算出手段により前記第５評価結果に基づき第５補正量を算出する手順と、
最終補正量算出手段により前記第１補正量から第５補正量に基づき最終補正量を算出する手順と、
エッジ移動手段により前記最終補正量を基にエッジ移動を行う手順と、
判定手段により前記エッジ移動について判定を行う手順と、
を有するマスクパターンの補正方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載のマスクパターンの補正方法であって、
前記判定手段により前記第５エッジ移動について判定を行う手順後に、検証手段により前記マスクパターンを検証する手順を有するマスクパターンの補正方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のマスクパターンの補正方法であって、
前記マスクパターンを検証する手順は、第１評価手段によりシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行う手順と、
第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する手順と、
検証判定手段により前記第１補正量の適否を判定する手順と、
を有するマスクパターンの補正方法。
【請求項１３】
コンピュータのレイアウトパターンデータ取得手段によりレイアウトパターンデータを取得するステップと、
コンピュータのエッジ分割手段により前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割するステップと、
コンピュータの第１評価手段により転写像のシミュレーションにおいてシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量とを用いた露光条件で第１評価を行うステップと、
コンピュータの第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出するステップと、
コンピュータの第１エッジ移動手段により前記第１補正量に基づき第１エッジ移動を行うステップと、
コンピュータの第２評価手段により、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最大ドーズ量とを用いた露光条件で第２評価を行うステップと、
コンピュータの第２補正量算出手段により前記第２評価結果に基づき第２補正量を算出するステップと、
コンピュータの第２エッジ移動手段により前記第２補正量に基づき第２エッジ移動を行うステップと、
コンピュータの第３評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行うステップと、
コンピュータの第３補正量算出手段により前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出するステップと、
コンピュータの第３エッジ移動手段により前記第３補正量に基づき第３エッジ移動を行うステップと、
コンピュータの第４評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行うステップと、
コンピュータの第４補正量算出手段により前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出するステップと、
コンピュータの第４エッジ移動手段により前記第４補正量に基づき第４エッジ移動を行うステップと、
コンピュータの第５評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第５評価を行うステップと、
コンピュータの前記第５補正量算出手段により前記第５評価結果に基づき第５補正量を算出するステップと、
コンピュータの第５エッジ移動手段により前記第５補正量に基づき第５エッジ移動を行うステップと、
コンピュータの判定手段により前記第５エッジ移動について判定を行うステップと、
を実行するプログラム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプログラムであって、
前記コンピュータの判定手段により前記第５エッジ移動について判定を行うステップ後に、コンピュータの検証手段により前記マスクパターンを検証するステップを実行するプログラム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のプログラムであって、
前記マスクパターンを検証するステップは、コンピュータの第１評価手段によりシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行うステップと、
コンピュータの第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出するステップと、
コンピュータの検証判定手段により前記第１補正量の適否を判定するステップと、
を実行するプログラム。
【請求項１６】
コンピュータのレイアウトパターンデータ取得手段によりレイアウトパターンデータを取得するステップと、
コンピュータのエッジ分割手段により前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割するステップと、
コンピュータの第１評価手段により転写像のシミュレーションにおいてシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量とを用いた露光条件で第１評価を行うステップと、
コンピュータの第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出するステップと、
コンピュータの第２評価手段により、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最大ドーズ量とを用いた露光条件で第２評価を行うステップと、
コンピュータの第２補正量算出手段により前記第２評価結果に基づき第２補正量を算出するステップと、
コンピュータの第３評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行うステップと、
コンピュータの第３補正量算出手段により前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出するステップと、
コンピュータの第４評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行うステップと、
コンピュータの第４補正量算出手段により前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出するステップと、
コンピュータの第５評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第５評価を行うステップと、
コンピュータの前記第５補正量算出手段により前記第５評価結果に基づき第５補正量を算出するステップと、
コンピュータの最終補正量算出手段により前記第１補正量から第５補正量に基づき最終補正量を算出するステップと、
コンピュータのエッジ移動手段により前記最終補正量を基にエッジ移動を行うステップと、
コンピュータの判定手段により前記エッジ移動について判定を行うステップと、
を実行するプログラム。
【請求項１７】
請求項１６に記載のプログラムであって、
前記コンピュータの判定手段により前記第５エッジ移動について判定を行うステップ後に、コンピュータの検証手段により前記マスクパターンを検証するステップを実行するプログラム。
【請求項１８】
請求項１７に記載のプログラムであって、
前記マスクパターンを検証するステップは、コンピュータの第１評価手段によりシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行うステップと、
コンピュータの第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出するステップと、
コンピュータの検証判定手段により前記第１補正量の適否を判定するステップと、
を実行するプログラム。
【請求項１９】
請求項１３乃至１８のいずれか一項に記載のプログラムを記録したコンピュータに読み取り可能な記録媒体。
【請求項２０】
補正マスクパターンデータ取込手段により、請求項７乃至１２のいずれか一項に記載のマスクパターンの補正方法により取得した補正されたマスクパターンのデータを前記マスク描画装置に取得させる工程と、
マスク形成用基板を前記マスク描画装置にセットする工程と、
マスクパターン描画手段により、前記補正マスクパターンデータを前記マスク形成用基板に描画する工程と、
を有するマスクの形成方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載のマスク形成方法により形成されたマスク。
【請求項２２】
請求項２１に記載のマスクを用いて製造される半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光用マスクパターンの補正方法に係り、特にマスクパターンの光近接効果を補正するための露光用マスクパターンの補正方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩの高集積化の要望に伴い、ＬＳＩの微細化が要求されている。ＬＳＩの微細化においては、露光技術が非常に重要な役割を果たしている。ＬＳＩの微細化のためにこれまでに使用する露光光を波長の短い光源を使用したりしてきたが、さらなるＬＳＩの微細化に対し、ＬＳＩのパターン形成時において光近接効果（ＯＰＥ：Optical proximity Effect）が無視できなくなってきた。そこで、通常はウェハ上に所望のレイアウトパターンを形成するようにする光近接補正（ＯＰＣ：Optical Proximity Correction）をマスクパターンに施している。
【０００３】
ＯＰＣを考慮したマスクパターンの補正方法の従来の方法を図１２のフローチャートを用いて説明する。まず、ステップＳ１０では、レイアウト設計されたパターンデータを光近接補正を行うシミュレーションプログラムに入力する。次にステップＳ２０では、入力されたパターンに対して評価点を適当に配置する。ステップＳ３０では、入力されたパターンに対してエッジの分割を行う。ここで、エッジとは入力されたパターンを適当に分割した１つの線分をいう。また、エッジ１つに対して１つの上記の評価点を配置する。次のステップＳ４０では、像計算を行う。ここで、像計算とは、シミュレーション上における半導体基板の上に所望の露光条件で形成されたフォトレジストがレイアウトパターンに対し、ＯＰＥによってどのように変化するかをシミュレートすることをいう。ステップＳ４０での像計算において、露光条件はインフォーカスかつベストドーズ量で計算される。ここで、インフォーカスとは、露光光の焦点がフォトレジスト表面に合っている条件のことをいう。また、ドーズ量とは露光強度と露光時間で決定される光量のことであり、ここでは実際の露光プロセスでの最適値をベストドーズ量としている。ステップＳ５０では、ステップＳ４０で得られたレジスト像についての判定を行う。判定方法は、例えば、入力されたレイアウトパターンと計算されたレジスト像との差分量をまず算出する。差分量は、ステップＳ２０で配置した評価点を基準にして算出される。次に予め設定してある判定値に対し、判定値以下であれば、このフローチャートは終了する。判定値に入らない場合には次のステップＳ６０に進む。ステップＳ６０では、ステップＳ５０で算出した差分量を基にして補正量算出を行う。補正量算出は、ステップＳ５０で算出したレジスト像とレイアウトパターンの差分量を基に算出される。次のステップＳ７０では、ステップＳ６０で計算された補正量の分だけエッジ移動を行う。エッジ移動を行ったら、再びステップＳ４０に戻る。そしてこのフローチャートのステップＳ４０〜ステップＳ７０のループは、ステップＳ５０の厳密判定で判定値に入るまで繰り返される。これにより、最終的にＯＰＣを考慮したマスクパターンの補正を行うことができる。
【０００４】
このようなマスクパターンの補正方法をさらに改良したものとして、例えば、特許文献１のように、図１２のフローチャートにラフ判定を導入することにより、高精度かつ短時間でマスクパターンの補正が行えるようにしている。
【０００５】
【特許文献１】特開平２００３−１６７３２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記のようなマスクパターンの補正方法において、補正する基となるレジスト像の像計算は、露光条件としてインフォーカスかつベストドーズ量で行っているが、実際の露光プロセスにおいては、露光光源の光量の変動やレジストの厚みの変化によるフォーカスのずれ等が生じる。したがって、インフォーカスかつベストドーズ量でＯＰＣを行い、それを考慮してマスクパターンを補正しても、現実の露光条件下では補正されたマスクを用いても所望のレジストパターンが得られない状況が発生する可能性がある。例えば、露光条件のずれが露光装置で修正できない状況の場合には、最悪の場合、マスクの再作成を行わなければならず、その労力と時間を大幅にロスしてしまうことになりかねない。
【０００７】
本発明の目的は、露光条件の変動等のプロセス条件が変化しても所望のレジスト像を得えることができるマスクパターンの補正方法、その補正方法のプログラム、そのプログラムを記録した記録媒体、マスクの形成方法、及びそのマスクを使用した半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のマスクパターン補正装置は、レイアウトパターンデータを取得するレイアウトパターンデータ取得手段と、前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割するエッジ分割手段と、転写像のシミュレーションにおいて、シミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行う第１評価手段と、前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する第１補正量算出手段と、前記第１補正量に基づき第１エッジ移動を行う第１エッジ移動手段と、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第２評価を行う第２評価手段と、前記第２評価結果に基づき第２補正量を算出する第２補正量算出手段と、前記第２補正量に基づき第２エッジ移動を行う第２エッジ移動手段と、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行う第３評価手段と、前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出する第３補正量算出手段と、前記第３補正量に基づき第３エッジ移動を行う第３エッジ移動手段と、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行う第４評価手段と、前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出する第４補正量算出手段と、前記第４補正量に基づき第４エッジ移動を行う第４エッジ移動手段と、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第５評価を行う第５評価手段と、前記第５評価結果に基づき第５補正量を算出する第５補正量算出手段と、前記第５補正量に基づき第５エッジ移動を行う第５エッジ移動手段と、前記第５エッジ移動について判定を行う判定手段とを有することを要旨とする。
この装置によれば、シミュレーション上でのインフォーカスかつ最適ドーズ量の露光条件で評価を行った後に、さらに露光条件のフォーカス及びドーズ量を変化させた場合における評価を行い、その都度エッジ移動を行いながら最適な補正を行うことにより、最終的に全ての露光条件を満足するマスクの補正を行うことができる。したがって、実際の露光プロセスにおける露光条件が変化しても、マスクの再作成を行うことがほとんどない露光プロセスのマージンの広いマスクのパターンを得ることができる。また、これにより、マスクの再作製の発生を確実に低減することができ、マスク作製に関する余計なコスト及び時間を取られることを防止することができる。
【０００９】
また、本発明のマスクパターン補正装置は、上記発明に加え、前記第５エッジ移動を行った後に前記マスクパターンの検証手段を有することを要旨とする。
この装置によれば、第５エッジ移動を行った後に検証を行うことにより、さらに信頼性の高いマスクパターンの補正を行うことができる。
【００１０】
また、本発明のマスクパターン補正装置は、前記検証手段は、シミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行う第１評価手段と、前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する第１補正量算出手段と、前記第１補正量の適否を判定する検証判定手段とを有することを要旨とする。
この装置によれば、各露光条件における最適な補正量を計算し、エッジ移動を行った後に、露光条件の中心値となるインフォーカス及び最適ドーズ量で補正されたマスクパターンの検証を行うことにより、さらに確実で信頼性の高い補正されたマスクパターンを得ることができる。
【００１１】
また、本発明のマスクパターン補正装置は、レイアウトパターンデータを取得するレイアウトパターンデータ取得手段と、前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割するエッジ分割手段と、転写像のシミュレーションにおいて、シミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行う第１評価手段と、前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する第１補正量算出手段と、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第２評価を行う第２評価手段と、前記第２評価結果に基づき第２補正量を算出する第２補正量算出手段と、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行う第３評価手段と、前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出する第３補正量算出手段と、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行う第４評価手段と、前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出する第４補正量算出手段と、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第５評価を行う第５評価手段と、前記第５評価結果に基づき第５補正量を算出する第５補正量算出手段と、前記第１補正量から第５補正量に基づき最終補正量を算出する最終補正量算出手段と、前記最終補正量を基にエッジ移動を行うエッジ移動手段と、前記エッジ移動について判定を行う判定手段とを有することを要旨とする。
この装置によれば、シミュレーション上でのインフォーカスかつ最適ドーズ量の露光条件で評価を行った後に、さらに露光条件のフォーカス及びドーズ量を変化させた場合における評価を行い、各露光条件での補正量に対して最適なエッジ移動を最終的に行うことにより、最終的に全ての露光条件を満足するマスクの補正を行うことができる。したがって、実際の露光プロセスにおける露光条件が変化しても、マスクの再作成を行うことがほとんどない露光プロセスのマージンの広いマスクのパターンを得ることができる。また、これにより、マスクの再作製の発生を確実に低減することができ、マスク作製に関する余計なコスト及び時間を取られることを防止することができる。
【００１２】
また、本発明のマスクパターン補正装置は、上記発明に加え、前記エッジ移動を行った後に前記マスクパターンを検証する検証手段を有することを要旨とする。
この装置によれば、エッジ移動を行った後に検証を行うことにより、さらに信頼性の高いマスクパターンの補正を行うことができる。
【００１３】
また、本発明のマスクパターン補正装置は、前記検証手段は、シミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行う第１評価手段と、前記第１評価により第１補正量を算出する第１補正量算出手段と、前記第１補正量の適否を判定する検証判定手段とを有することを要旨とする。
この装置によれば、各露光条件における最適な補正量を計算し、エッジ移動を行った後に、露光条件の中心値となるインフォーカス及び最適ドーズ量で補正されたマスクパターンの検証を行うことにより、さらに確実で信頼性の高い補正されたマスクパターンを得ることができる。
【００１４】
また、本発明のマスクパターンの補正方法は、レイアウトパターンデータ取得手段によりレイアウトパターンデータを取得する手順と、エッジ分割手段により前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割する手順と、第１評価手段により転写像のシミュレーションにおいてシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量とを用いた露光条件で第１評価を行う手順と、第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する手順と、第１エッジ移動手段により前記第１補正量に基づき第１エッジ移動を行う手順と、第２評価手段により、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最大ドーズ量とを用いた露光条件で第２評価を行う手順と、第２補正量算出手段により前記第２評価結果に基づき第２補正量を算出する手順と、第２エッジ移動手段により前記第２補正量に基づき第２エッジ移動を行う手順と、第３評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行う手順と、第３補正量算出手段により前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出する手順と、第３エッジ移動手段により前記第３補正量に基づき第３エッジ移動を行う手順と、第４評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行う手順と、第４補正量算出手段により前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出する手順と、第４エッジ移動手段により前記第４補正量に基づき第４エッジ移動を行う手順と、第５評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第５評価を行う手順と、前記第５補正量算出手段により前記第５評価結果に基づき第５補正量を算出する手順と、第５エッジ移動手段により前記第５補正量に基づき第５エッジ移動を行う手順と、判定手段により前記第５エッジ移動について判定を行う手順とを有することを要旨とする。
この方法によれば、シミュレーション上でのインフォーカスかつ最適ドーズ量の露光条件で評価を行った後に、さらに露光条件のフォーカス及びドーズ量を変化させた場合における評価を行い、その都度エッジ移動を行いながら最適な補正を行うことにより、最終的に全ての露光条件を満足するマスクの補正を行うことができる。したがって、実際の露光プロセスにおける露光条件が変化しても、マスクの再作成を行うことがほとんどない露光プロセスのマージンの広いマスクのパターンを得ることができる。また、これにより、マスクの再作製の発生を確実に低減することができ、マスク作製に関する余計なコスト及び時間を取られることを防止することができる。
【００１５】
また、本発明のマスクパターンの補正方法は、前記判定手段により前記第５エッジ移動について判定を行う手順後に、検証手段により前記マスクパターンを検証する手順を有することを要旨とする。
この方法によれば、第５エッジ移動を行った後に検証を行うことにより、さらに信頼性の高いマスクパターンの補正を行うことができる。
【００１６】
また、本発明のマスクパターンの補正方法は、前記マスクパターンを検証する手順は、第１評価手段によりシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行う手順と、第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する手順と、検証判定手段により前記第１補正量の適否を判定する手順とを有することを要旨とする。
この方法によれば、各露光条件における最適な補正量を計算し、エッジ移動を行った後に、露光条件の中心値となるインフォーカス及び最適ドーズ量で補正されたマスクパターンの検証を行うことにより、さらに確実で信頼性の高い補正されたマスクパターンを得ることができる。
【００１７】
また、本発明のマスクパターンの補正方法は、レイアウトパターンデータ取得手段によりレイアウトパターンデータを取得する手順と、エッジ分割手段により前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割する手順と、第１評価手段により転写像のシミュレーションにおいてシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量とを用いた露光条件で第１評価を行う手順と、第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する手順と、第２評価手段により、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最大ドーズ量とを用いた露光条件で第２評価を行う手順と、第２補正量算出手段により前記第２評価結果に基づき第２補正量を算出する手順と、第３評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行う手順と、第３補正量算出手段により前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出する手順と、第４評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行う手順と、第４補正量算出手段により前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出する手順と、第５評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第５評価を行う手順と、前記第５補正量算出手段により前記第５評価結果に基づき第５補正量を算出する手順と、最終補正量算出手段により前記第１補正量から第５補正量に基づき最終補正量を算出する手順と、エッジ移動手段により前記最終補正量を基にエッジ移動を行う手順と、判定手段により前記エッジ移動について判定を行う手順とを有することを要旨とする。
この方法によれば、シミュレーション上でのインフォーカスかつ最適ドーズ量の露光条件で評価を行った後に、さらに露光条件のフォーカス及びドーズ量を変化させた場合における評価を行い、各露光条件での補正量に対して最適なエッジ移動を最終的に行うことにより、最終的に全ての露光条件を満足するマスクの補正を行うことができる。したがって、実際の露光プロセスにおける露光条件が変化しても、マスクの再作成を行うことがほとんどない露光プロセスのマージンの広いマスクのパターンを得ることができる。また、これにより、マスクの再作製の発生を確実に低減することができ、マスク作製に関する余計なコスト及び時間を取られることを防止することができる。
【００１８】
また、本発明のマスクパターンの補正方法は、前記判定手段により前記第５エッジ移動について判定を行う手順後に、検証手段により前記マスクパターンを検証する手順を有することを要旨とする。
この方法によれば、エッジ移動を行った後に検証を行うことにより、さらに信頼性の高いマスクパターンの補正を行うことができる。
【００１９】
また、本発明のマスクパターンの補正方法は、前記マスクパターンを検証する手順は、第１評価手段によりシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行う手順と、第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する手順と、検証判定手段により前記第１補正量の適否を判定する手順とを有することを要旨とする。
この方法によれば、各露光条件における最適な補正量を計算し、エッジ移動を行った後に、露光条件の中心値となるインフォーカス及び最適ドーズ量で補正されたマスクパターンの検証を行うことにより、さらに確実で信頼性の高い補正されたマスクパターンを得ることができる。
【００２０】
また、本発明のプログラムは、コンピュータのレイアウトパターンデータ取得手段によりレイアウトパターンデータを取得するステップと、コンピュータのエッジ分割手段により前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割するステップと、コンピュータの第１評価手段により転写像のシミュレーションにおいてシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量とを用いた露光条件で第１評価を行うステップと、コンピュータの第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出するステップと、コンピュータの第１エッジ移動手段により前記第１補正量に基づき第１エッジ移動を行うステップと、コンピュータの第２評価手段により、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最大ドーズ量とを用いた露光条件で第２評価を行うステップと、コンピュータの第２補正量算出手段により前記第２評価結果に基づき第２補正量を算出するステップと、コンピュータの第２エッジ移動手段により前記第２補正量に基づき第２エッジ移動を行うステップと、コンピュータの第３評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行うステップと、コンピュータの第３補正量算出手段により前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出するステップと、コンピュータの第３エッジ移動手段により前記第３補正量に基づき第３エッジ移動を行うステップと、コンピュータの第４評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行うステップと、コンピュータの第４補正量算出手段により前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出するステップと、コンピュータの第４エッジ移動手段により前記第４補正量に基づき第４エッジ移動を行うステップと、コンピュータの第５評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第５評価を行うステップと、コンピュータの前記第５補正量算出手段により前記第５評価結果に基づき第５補正量を算出するステップと、コンピュータの第５エッジ移動手段により前記第５補正量に基づき第５エッジ移動を行うステップと、コンピュータの判定手段により前記第５エッジ移動について判定を行うステップとを実行するプログラムであることを要旨とする。
このプログラムによれば、シミュレーション上でのインフォーカスかつ最適ドーズ量の露光条件で評価を行った後に、さらに露光条件のフォーカス及びドーズ量を変化させた場合における評価を行い、その都度エッジ移動を行いながら最適な補正を行うことにより、最終的に全ての露光条件を満足するマスクの補正を行うことができる。したがって、実際の露光プロセスにおける露光条件が変化しても、マスクの再作成を行うことがほとんどない露光プロセスのマージンの広いマスクのパターンを得ることができる。また、これにより、マスクの再作製の発生を確実に低減することができ、マスク作製に関する余計なコスト及び時間を取られることを防止することができる。
【００２１】
また、本発明プログラムは、前記コンピュータの判定手段により前記第５エッジ移動について判定を行うステップ後に、コンピュータの検証手段により前記マスクパターンを検証するステップを実行するプログラムであることを要旨とする。
このプログラムによれば、第５エッジ移動を行った後に検証を行うことにより、さらに信頼性の高いマスクパターンの補正を行うことができる。
【００２２】
また、本発明プログラムは、前記マスクパターンを検証するステップは、コンピュータの第１評価手段によりシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行うステップと、コンピュータの第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出するステップと、コンピュータの検証判定手段により前記第１補正量の適否を判定するステップとを実行するプログラムであることを要旨とする。
このプログラムによれば、各露光条件における最適な補正量を計算し、エッジ移動を行った後に、露光条件の中心値となるインフォーカス及び最適ドーズ量で補正されたマスクパターンの検証を行うことにより、さらに確実で信頼性の高い補正されたマスクパターンを得ることができる。
【００２３】
また、本発明プログラムは、コンピュータのレイアウトパターンデータ取得手段によりレイアウトパターンデータを取得するステップと、コンピュータのエッジ分割手段により前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割するステップと、コンピュータの第１評価手段により転写像のシミュレーションにおいてシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量とを用いた露光条件で第１評価を行うステップと、コンピュータの第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出するステップと、コンピュータの第２評価手段により、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最大ドーズ量とを用いた露光条件で第２評価を行うステップと、コンピュータの第２補正量算出手段により前記第２評価結果に基づき第２補正量を算出するステップと、コンピュータの第３評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行うステップと、コンピュータの第３補正量算出手段により前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出するステップと、コンピュータの第４評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行うステップと、コンピュータの第４補正量算出手段により前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出するステップと、コンピュータの第５評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第５評価を行うステップと、コンピュータの前記第５補正量算出手段により前記第５評価結果に基づき第５補正量を算出するステップと、コンピュータの最終補正量算出手段により前記第１補正量から第５補正量に基づき最終補正量を算出するステップと、コンピュータのエッジ移動手段により前記最終補正量を基にエッジ移動を行うステップと、コンピュータの判定手段により前記エッジ移動について判定を行うステップとを実行するプログラムであることを要旨とする。
このプログラムによれば、シミュレーション上でのインフォーカスかつ最適ドーズ量の露光条件で評価を行った後に、さらに露光条件のフォーカス及びドーズ量を変化させた場合における評価を行い、各露光条件での補正量に対して最適なエッジ移動を最終的に行うことにより、最終的に全ての露光条件を満足するマスクの補正を行うことができる。したがって、実際の露光プロセスにおける露光条件が変化しても、マスクの再作成を行うことがほとんどない露光プロセスのマージンの広いマスクのパターンを得ることができる。また、これにより、マスクの再作製の発生を確実に低減することができ、マスク作製に関する余計なコスト及び時間を取られることを防止することができる。
【００２４】
また、本発明プログラムは、前記コンピュータの判定手段により前記第５エッジ移動について判定を行うステップ後に、コンピュータの検証手段により前記マスクパターンを検証するステップを実行するプログラムであることを要旨とする。
このプログラムによれば、エッジ移動を行った後に検証を行うことにより、さらに信頼性の高いマスクパターンの補正を行うことができる。
【００２５】
また、本発明プログラムは、前記マスクパターンを検証するステップは、コンピュータの第１評価手段によりシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行うステップと、コンピュータの第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出するステップと、コンピュータの検証判定手段により前記第１補正量の適否を判定するステップとを実行するプログラムであることを要旨とする。
このプログラムによれば、各露光条件における最適な補正量を計算し、エッジ移動を行った後に、露光条件の中心値となるインフォーカス及び最適ドーズ量で補正されたマスクパターンの検証を行うことにより、さらに確実で信頼性の高い補正されたマスクパターンを得ることができる。
【００２６】
また、本発明では、上記プログラムをコンピュータ読取可能な記録媒体に格納することができる。したがって、コンピュータに記録媒体を読み込ませることによって、マスクパターン補正プログラムを起動させることができる。
【００２７】
また、本発明マスクの形成方法は、補正マスクパターンデータ取込手段により、上記に記載のマスクパターンの補正方法により取得した補正されたマスクパターンのデータを前記マスク描画装置に取得させる工程と、マスク形成用基板を前記マスク描画装置にセットする工程と、マスクパターン描画手段により、前記補正マスクパターンデータを前記マスク形成用基板に描画する工程とを有することを要旨とする。
この方法によれば、上記マスクパターンの補正方法により取得した補正されたマスクパターンのデータをマスク描画装置に取り込んで、そのデータを基にしてマスク形成用基板に描画することにより露光条件の変化が加味されたマスクを形成することができる。
【００２８】
また、本発明では、上記の発明におけるマスクの形成方法を用いたマスクを作製することができ、さらにそのマスクを利用して半導体装置の製造を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態を、図１〜図８を用いて説明する。
図１は、マスクパターンの補正装置の電気的構成を示すブロック図である。マスクパターン補正装置１はコンピュータであり、ＣＰＵ２、ＲＯＭ３、ＲＡＭ４、バス５、外部装置インタフェイス部６、入力インタフェイス部７及び出力インタフェイス部８等で構成されている。ＣＰＵ２、ＲＯＭ３、ＲＡＭ４、外部装置インタフェイス部６、入力インタフェイス部７及び出力インタフェイス部８はバス５で電気的に接続されている。また、外部装置インタフェイス部６は外部データ読取装置９と、入力インタフェイス部７は入力部１０と、出力インタフェイス部８は表示部１１とそれぞれ電気的に接続されている。
【００３０】
図２は、マスクパターン補正装置の機能的構成を示すブロック図である。マスクパターン補正装置１としてのコンピュータは、図３に示すマスクパターン補正プログラムを実行する。コンピュータは、レイアウト設計データ取得手段１２、評価点配置手段１３、エッジ分割手段１４、評価手段１５、補正量算出手段１６、補正量記憶手段１７、エッジ移動手段１８及び判定手段１９により構成されている。
【００３１】
レイアウト設計データ取得手段１２では、外部データ読取装置９等から外部装置インタフェイス部６を介してマスクパターン補正装置１にレイアウト設計データを読み込む。読み込まれたレイアウト設計データを外部装置インタフェイス部６からバス５を介してＲＡＭ４に一時的に記憶する。ＲＡＭ４に一時的に記憶されたレイアウト設計パターンデータは、入力部１０からマスクパターン補正装置１に命令を送信することにより表示部１１にレイアウトパターンを表示することができる。まず、入力部１０に表示命令を入力すると、入力インタフェイス部７、バス５を介してＣＰＵ２に命令情報を送信する。ＣＰＵ２は、送信された命令情報を判断し、レイアウト設計データを画像化するプログラムをＲＯＭ３、ハードディスクあるいはメモリ等のデータを一時的に記憶したＲＡＭ４から読み出す。読み出されたプログラムに従ってＣＰＵ２は、レイアウト設計データを演算処理し画像情報を得る。得られた画像情報をバス５及び出力インタフェイス部８を介して表示部１１に表示する。
【００３２】
評価点配置手段１３及びエッジ分割手段１４では、レイアウト設計データに基づき、評価点配置プログラム及びエッジ分割プログラムをＲＯＭ３、ハードディスクあるいはメモリ等のデータを一時的に記憶したＲＡＭ４から読み出し、ＣＰＵ２で演算処理を行う。その結果に基づいてレイアウト設計データでの評価点及びエッジが決定される。なお、評価点配置及びエッジ分割されたレイアウトパターンの画像表示は、上記のレイアウト設計データを画像表示する方法とほぼ同様である。また、評価点は分割されたエッジに１対１対応するように配置される。
【００３３】
評価手段１５では、レイアウト設計データ及び露光プロセス条件を基にしてフォトレジスト像を計算する。プロセス条件データは、外部データ読取装置９あるいは入力部１０等から取得される。取得されたプロセス条件データを、ＲＡＭ４に一時的に記憶する。フォトレジスト像の計算は、まずＲＯＭ３、ハードディスクあるいはメモリ等のデータを一時的に記憶したＲＡＭ４に格納されている評価（像計算）プログラムを読み出す。次に読み出されたプログラムに従いＣＰＵ２で演算処理を行う。ここで、演算処理された結果は、取得されたプロセス条件を用いて、レイアウト設計データのレイアウトパターンを基にして露光を行った場合のフォトレジスト像を表している。評価手段１５により取得されたフォトレジスト像のデータをＲＡＭ４に一時的に記憶する。
【００３４】
補正量算出手段１６では、評価手段１５等で取得され、ＲＡＭ４に記憶されているフォトレジスト像のデータと、レイアウト設計データ取得手段１２で取得され、同じくＲＡＭ４に記憶されているデータとを比較評価してレイアウトパターンの補正量を算出する。まず、レイアウト設計データ及びフォトレジスト像データをＲＡＭ４から読み出す。また、ＲＯＭ３、ハードディスクあるいはメモリ等のデータを一時的に記憶したＲＡＭ４に格納されている補正量算出プログラムを読み出す。ＣＰＵ２は読み出されたプログラムに従って、各データを用いて補正量の演算を行う。演算は、レイアウトパターン画像上での、各評価点の最適座標を算出する方法で行う。評価点の移動に伴い、その評価点と対応しているエッジ全体が移動するようにデータの補正が行われる。
【００３５】
補正量記憶手段１７においては、補正量算出手段１６で得られた補正されたレイアウト設計データ（あるいはレイアウトパターン）をＲＡＭ４に一時的に記憶する。
【００３６】
エッジ移動手段１８では、得られた補正量に基づいてエッジ移動を行う。すなわち、補正量算出手段１６で取得された補正量データをＲＡＭ４から読み出し、ＲＯＭ３、ハードディスクあるいはメモリ等のデータを一時的に記憶したＲＡＭ４に格納されている補正レイアウトパターン変換プログラムを読み出し、ＣＰＵ２により演算処理を行う。得られた補正レイアウトパターンをＲＡＭ４に一時的に記憶する。演算結果を確認するためには、例えば入力部１０から補正レイアウトパターン画像表示命令を入力することにより、ＣＰＵ２がその命令を判断し、ＲＡＭ４からバス５及び出力インタフェイス部８を介して表示部１１に出力する。このようにして、補正されたレイアウトパターンを確認することができる。
【００３７】
判定手段１９では、得られた補正量についての判定を行う。補正量の判定は、ＲＯＭ３、ハードディスクあるいはメモリ等のデータを一時的に記憶したＲＡＭ４に格納されている補正量判定プログラムを読み出し、ＣＰＵ２により演算処理を行う。演算処理による判定結果は、ＲＡＭ４に一時的に記憶される。また、判定結果により、補正量が適正であれば、補正されたレイアウトパターンのデータを読み出して、バス５、出力インタフェイス部８を介して表示部１１に補正レイアウトパターンを表示する。補正量が適正でなければＲＡＭ４に一時記憶されている判定結果をＣＰＵ２で判断し、ＲＡＭ４に記憶されているレイアウトパターンデータを読み出す。そして、評価手段１５に再び戻る。
【００３８】
図３は、本実施形態でのマスクパターン補正方法を示すフローチャートである。
マスクパターン補正装置１のＣＰＵ２がこのフローチャートで示されるプログラムを実行することによりマスクパターン補正処理が行われる。
【００３９】
ステップＳ１００では、レイアウト設計データ取得手段１２によりマスクパターン補正装置１にレイアウト設計データ、すなわち基となるレイアウトパターンを入力する。なお、レイアウト設計データから取得されるレイアウトパターンは、半導体基板等に形成されるフォトレジストパターンとほぼ同様である。すなわち、このレイアウトパターンをフォトレジスト像で実現するための基本データである。ここで、レイアウト設計データは、外部データ読取装置９等から取得する。外部データ読取装置９は、例えば、ＣＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスク等の記録媒体の読取装置や、インターネット等のネットワークを用いてデータを取得する装置等を指す。
【００４０】
図４（ａ）は、マスクパターン補正装置１に入力されるレイアウト設計データに基づいたレイアウトパターンの一例を示している。同図でのレイアウトパターン２１はトの字状のパターンとして示されている。
【００４１】
ステップＳ１１０では、評価点配置手段１３によりレイアウトパターン２１に評価点を所定の間隔で配置する。ステップＳ１２０では、エッジ分割手段１４によりレイアウトパターン２１を所定の長さでエッジ分割する。エッジの分割は、例えば、レイアウトパターン２１の直線に配置された評価点の数に対応したエッジ分割を行う。
【００４２】
図４（ｂ）には、図４（ａ）で示されているレイアウトパターン２１に、エッジ２２及び評価点２３が付与されている状態を示している。各エッジ２２には、評価点２３が一つ付与されている。
【００４３】
次のステップＳ１３０では、評価手段１５によりフォトレジスト像の計算を行う。フォトレジスト像の計算は、レイアウト設計データとプロセス条件データによって求められる。この処理では、露光プロセス条件としてインフォーカスかつ最適ドーズ量を用いてフォトレジスト像が計算される。ここで、インフォーカスとは、シミュレーション上での半導体基板上に形成されたフォトレジストに対して露光光の焦点が合っている条件値のことをいう。また、最適ドーズ量とは、指定したプロセス条件において最適なフォトレジスト像が得られると予測される露光量である。ここで、露光プロセス条件がインフォーカスかつ最適ドーズ量で像計算を行うことを第１像計算と定義する。なお、第１像計算を行わせる評価手段１５を第１評価手段とする。
【００４４】
なお、本実施形態においては、フォトレジスト像を計算するステップが本ステップを含めて５回行われる。これらは、フォーカス及びドーズ量をそれぞれ変更して計算を行っている。例えば、ステップＳ１６０での露光プロセス条件は、マイナスデフォーカス条件及び最大ドーズ量である。ステップＳ１９０での露光プロセス条件は、マイナスデフォーカス条件及び最小ドーズ量である。ステップＳ２２０での露光条件は、プラスデフォーカス条件及び最大ドーズ量である。ステップＳ２５０での露光条件は、プラスデフォーカス条件及び最小ドーズ量である。ここで、マイナスデフォーカス条件とは、露光光の焦点がフォトレジストよりも上方で合っているフォーカス条件であり、逆にプラスデフォーカス条件とは、フォトレジストよりも下方で合っているフォーカス条件である。最大ドーズ量及び最小ドーズ量とは、指定したプロセス条件で許容されるドーズ量の最大値と最小値のことである。
【００４５】
これら、フォトレジスト像の具体的な計算方法について説明を行う。
図５は、光強度シミュレーションを説明するための概念図である。縦軸には光強度をとっている。光強度とドーズ量は比例関係である場合を想定しているので、同図において光強度とドーズ量は、シミュレーションによるフォトレジスト像を得ることを考慮すれば、ほぼ同じとみなすことができる。横軸は、半導体等の基板の位置をとっている。なお、同図に示されているグラフの上には、露光用マスク２４の断面図が示されている。露光用マスク２４は、レイアウト設計データから得られたレイアウトパターンが露光プロセスにより基板に転写されるようなパターンを有するようにシミュレーション上では形成されている。同図での露光用マスク２４では、基板両端と中央部には露光光を遮断する遮光膜が形成されている。
【００４６】
次に、同図が示しているグラフについての説明を行う。放物線状に描かれている線はグラフの上に描かれているマスクを用いて露光したときに得られるフォトレジスト像１０１を示している。フォトレジスト像１０１において、線分ａはフォーカス条件がインフォーカスの場合のフォトレジスト像１０１を表している。線分ｂはフォーカス条件がマイナスデフォーカス条件の場合を、線分ｃはフォーカス条件がプラスデフォーカス条件の場合を表している。また、縦軸の光強度において、Ｉ0は最適ドーズ量の場合の光強度を示す。また、ＩMAXは最大ドーズ量の場合の光強度を、ＩMINは最小ドーズ量の場合の光強度を示す。半導体基板上に形成されるフォトレジスト像の長さは、光強度に対応した縦軸に垂直な直線と、放物線状であるフォトレジスト像１０１とが交わる交点間の長さとなる。したがって、Ｓ１３０の第１像計算では線分ａで示されるフォトレジスト像１０１と、光強度Ｉ0との交点間の長さがマスク２４に対応したフォトレジスト像として半導体基板に形成されるようなシミュレーション結果として表される。同様に、Ｓ１６０の第２像計算では、線分ｂで示されるフォトレジスト像１０１と光強度ＩMAXとの交点間の長さがシミュレーション結果として表される。Ｓ１９０の第３像計算では、線分ｂで示されるフォトレジスト像１０１と光強度ＩMINとの交点間の長さがシミュレーション結果として表される。Ｓ２２０の第４像計算では、線分ｃで示されるフォトレジスト像１０１と光強度ＩMAXとの交点間の長さがシミュレーション結果として表される。Ｓ２５０の第５像計算では、線分ｃで示されるフォトレジスト像１０１と光強度ＩMINとの交点間の長さがシミュレーション結果として表される。なお、光強度シミュレーションにおいては使用するフォトレジストの光反応を考慮した、さらに詳細なシミュレーションで行ってもよい。このシミュレーション結果を基に、精度の高い補正を行うことが可能となる。
【００４７】
図６（ａ）は、Ｓ１３０の第１像計算で得られたフォトレジスト像２５のシミュレーション結果の一例を示している。同図の例では、横方向は露光条件は適切であると判断できる。一方、縦方向においては同図の上部側は露光が過剰であり、下部側では逆に露光が不足気味と判断できる。
【００４８】
ステップＳ１４０では、補正量算出手段１６により補正量を算出する。すなわち、ステップＳ１３０の像計算より得られたデータを用いてフォトレジスト像がレイアウト設計データから取得されるレイアウトパターンになるようにマスクパターンを補正する。補正量算出手段１６の説明のところでも述べたように、ステップＳ１３０で得られたフォトレジスト像、すなわち図６（ａ）で示したようなフォトレジスト像２５をレイアウトパターン２１に近づけるためには、どれだけエッジを移動しなければならないかを算出する。算出方法は、レイアウトパターン２１を分割した各エッジ２２に付与されている評価点２３の座標を算出して各エッジ２２の移動方向と距離を求める。すなわち、レイアウトパターン２１の評価点とフォトレジスト像１０１が一致するように、ＯＰＣ（Optical Proximity Correction）補正を施したマスクパターンが得られるように、各エッジ毎に移動方向と距離を求める。また、算出された第１補正量はマスクパターン補正装置１のＲＡＭ４に一時的に記憶される。ここで、第１像計算結果から算出された補正量を第１補正量と定義する。なお、第１補正量を算出させる補正量算出手段１６を第１補正量算出手段とする。
【００４９】
ステップＳ１５０では、エッジの移動を行う。すなわち、ステップＳ１４０の第１像計算に基づいて行われる第１補正量算出で算出された各エッジ２２の移動方向と移動距離に従って、各エッジ２２を移動させる。ここで、第１補正量に基づいたエッジ移動を第１エッジ移動と定義する。なお、第１エッジ移動を行わせるエッジ移動手段１８を第１エッジ移動手段とする。
【００５０】
図６（ｂ）は、エッジ移動後のマスクパターン用レイアウトを示している。図６（ａ）において、レイアウト設計データから取得されるレイアウトパターン２１に対して得られたフォトレジスト像２５をレイアウトパターン２１と比較する。フォトレジスト像２５をレイアウトパターン２１に近づけるように、エッジ移動を行うと、例えば図６（ｂ）に示す補正されたレイアウトパターン２６のようになる。すなわち、図６（ａ）のフォトレジスト像２５において上部の過剰露光されている部分については、露光量を抑えるようにエッジ移動を行う。この場合、元のレイアウトパターン２１よりも下側にエッジが移動している。また、フォトレジスト像２５の下部の露光が不足しているところでは、露光量を増加させるようなエッジ移動を行う。同図においては、元のレイアウトパターン２１に対して幅を広げ、かつ下側にエッジを移動させている。このようにして、補正レイアウトパターン２６が得られる。
【００５１】
ステップＳ１６０では、ステップＳ１３０と同様にフォトレジスト像を計算する。計算方法等については、ステップＳ１３０と同様であるので、ここではステップＳ１３０との相違点について説明する。ステップＳ１３０との違いは、露光条件の違いである。ステップＳ１６０の像計算での露光プロセス条件は、マイナスデフォーカスかつ最大ドーズ量で計算されることである。また、像計算でのシミュレーションで用いられるマスク２４のデータは、ステップＳ１５０で得られた補正レイアウトパターン２６である。したがって、図５においてはマスク２４に描かれているマスクパターンは補正レイアウトパターン２６であり、シミュレーション結果は、線分ｂで示されるフォトレジスト像１０１と光強度ＩMAXとの交点間の長さがシミュレーション結果として表される。ここで、露光プロセス条件がマイナスデフォーカスかつ最大ドーズ量で像計算を行うことを第２像計算と定義する。なお、第２像計算を行わせる評価手段１５を第２評価手段とする。
【００５２】
ステップＳ１７０では、ステップＳ１４０と同様に補正量の算出を行う。ここで、第２像計算結果から算出された補正量を第２補正量と定義する。なお、第２補正量を算出させる補正量算出手段１６を第２補正量算出手段とする。
【００５３】
次のステップＳ１８０では、ステップＳ１５０と同様にエッジの移動を行う。ここで、第２補正量に基づいたエッジ移動を第２エッジ移動と定義する。なお、第２エッジ移動を行わせるエッジ移動手段１８を第２エッジ移動手段とする。
【００５４】
ステップＳ１９０では、像計算を行う。これはステップＳ１３０等での像計算と同様に行われる。ただし、露光プロセス条件は、マイナスデフォーカスかつ最小ドーズ量である。ここで、マイナスデフォーカス条件かつ最小ドーズ量で像計算を行うことを第３像計算と定義する。なお、第３像計算を行わせる評価手段１５を第３評価手段とする。
【００５５】
次のステップＳ２００では、ステップＳ１４０等と同様に補正量の算出を行う。第３像計算に基づいて算出された補正量を第３補正量と定義する。なお、第３補正量を算出させる補正量算出手段１６を第３補正量算出手段とする。
【００５６】
次のステップＳ２１０では、ステップＳ１５０等と同様にエッジの移動を行う。ここで、第３補正量に基づいたエッジ移動を第３エッジ移動と定義する。なお、第３エッジ移動を行わせるエッジ移動手段１８を第３エッジ移動手段とする。
【００５７】
ステップＳ２２０では、像計算を行う。これはステップＳ１３０等での像計算と同様に行われる。ただし、露光プロセス条件は、プラスデフォーカスかつ最大ドーズ量である。ここで、プラスデフォーカス条件かつ最大ドーズ量で像計算を行うことを第４像計算と定義する。なお、第４像計算を行わせる評価手段１５を第４評価手段とする。
【００５８】
次のステップＳ２３０では、ステップＳ１４０等と同様に補正量の算出を行う。第４像計算に基づいて算出された補正量を第４補正量と定義する。なお、第４補正量を算出させる補正量算出手段１６を第４補正量算出手段とする。
【００５９】
次のステップＳ２４０では、ステップＳ１５０等と同様にエッジの移動を行う。ここで、第４補正量に基づいたエッジ移動を第４エッジ移動と定義する。なお、第４エッジ移動を行わせるエッジ移動手段１８を第４エッジ移動手段とする。
【００６０】
ステップＳ２５０では、像計算を行う。これはステップＳ１３０等での像計算と同様に行われる。ただし、露光プロセス条件は、プラスデフォーカスかつ最小ドーズ量である。ここで、プラスデフォーカスかつ最小ドーズ量で像計算を行うことを第５像計算と定義する。なお、第５像計算を行わせる評価手段１５を第５評価手段とする。
【００６１】
次のステップＳ２６０では、ステップＳ１４０等と同様に補正量の算出を行う。第５像計算に基づいて算出された補正量を第５補正量と定義する。なお、第５補正量を算出させる補正量算出手段１６を第５補正量算出手段とする。
【００６２】
次のステップＳ２７０では、ステップＳ１５０等と同様にエッジの移動を行う。第５補正量に基づいたエッジ移動を第５エッジ移動と定義する。なお、第５エッジ移動を行わせるエッジ移動手段１８を第５エッジ移動手段とする。
【００６３】
ステップＳ２８０では、ステップＳ２７０での第５エッジ移動に対して判定を行う。判定により、補正が適正であればこのフローチャートは終了する。補正が適正でない場合には、ステップＳ１３０に戻り、Ｓ２８０までこのフローチャートは繰り返される。ここで、判定処理の方法は、例えば補正量が直前のレイアウトパターンに対して３０ｎｍ以下であれば補正が適正であり、そうでない場合には不適正であると判定する。Ｓ２８０では、第５補正量が元のレイアウトパターンに対して３０ｎｍ以下であれば、第５エッジ移動させたレイアウトパターンがマスクパターン補正装置１のＲＡＭ４に記憶される。すなわち、このパターンのデータが補正されたマスクパターンとなる。一方、ステップ２８０で不適正と判定された場合には、ステップＳ１３０に戻ることになるが、Ｓ１３０での像計算に用いられるパターンデータは、ステップＳ２７０の第５エッジ移動後のデータを用いる。
【００６４】
このように、マスクパターン補正装置１においてシミュレーションによる上記に示した各露光プロセス条件の評価をして補正量を算出し、さらにその都度その補正量分のエッジ移動をする。そして、最終的な判定を行い補正量が適正であると判断された補正マスクパターンは、露光プロセスが変化してもフォトレジスト像が設計されたレイアウトパターンとなる。すなわち、露光プロセス条件が変化してもユーザ所望のフォトレジスト像を得ることができる補正マスクパターンを取得することができる。
【００６５】
なお、ステップＳ１００を実行するコンピュータにより、レイアウト設計データ取得手段１２が構成されている。また、ステップＳ１１０を実行するコンピュータにより、評価点配置手段１３が構成されている。また、ステップＳ１２０を実行するコンピュータにより、エッジ分割手段１４が構成されている。また、ステップＳ１３０、ステップＳ１６０、ステップＳ１９０、ステップＳ２２０及びステップＳ２５０を実行するコンピュータにより、評価手段１５、すなわち第１評価手段から第５評価手段が構成されている。また、ステップＳ１４０、ステップＳ１７０、ステップＳ２００、ステップＳ２３０及びステップＳ２６０を実行するコンピュータにより、補正量算出手段１６、すなわち第１補正量算出手段から第５補正量算出手段、補正量記憶手段１７が構成されている。また、ステップＳ１５０、ステップＳ１８０、ステップＳ２１０、ステップＳ２４０及びステップＳ２７０を実行するコンピュータにより、エッジ移動手段１８、すなわち第１エッジ移動手段から第５エッジ移動手段が構成されている。また、ステップＳ２８０を実行するコンピュータにより、判定手段１９が構成されている。
【００６６】
図７は、本実施形態におけるマスクパターン補正方法の別な例を示すフローチャートである。本フローチャートでは、図３に示したフローチャートと共通な部分については、図３での説明と同様である。したがって、図３のフローチャートと相違する点について主に説明する。なお、マスクパターン補正装置１のＣＰＵ２がこのフローチャートで示されるプログラムを実行することによりマスクパターン補正処理が行われる。
【００６７】
本フローチャートのステップＳ３００〜ステップＳ４８０までの処理は、図３のステップＳ１００〜ステップＳ２８０までの処理と同様である。すなわち、本フローチャートでは、ステップＳ４９０〜ステップＳ５１０までが図３のフローチャートに付加されている。
【００６８】
ます、ステップＳ４９０は、ステップＳ４８０での判定において補正量が適正であると判定された後に行われる。このステップ処理では、像計算が行われる。ここでの像計算は、ステップＳ３３０（Ｓ１３０）の第１像計算と同様である。すなわち、露光プロセス条件はインフォーカスかつ最適ドーズ量を用いて像計算が行われる。
【００６９】
次に、ステップＳ５００では、第１補正量の算出を行う。第１補正量の算出はステップＳ３４０（Ｓ１４０）と同様である。次のステップＳ５１０では、検証判定が行われる。これは、ステップＳ４８０と同様の方法で行われる。検証判定は、検証判定手段により実行されるが、検証判定手段は判定手段１９を用いている。ステップＳ５１０での検証判定結果において、補正マスクパターンが適正と判断された場合には、このフローチャートは終了する。そうでない場合には、ステップＳ３３０に戻る。すなわち、第１像計算に戻る。そしてステップＳ４８０あるいはステップＳ５１０の検証判定までを繰り返す。
【００７０】
なお、ステップＳ３００を実行するコンピュータにより、レイアウト設計データ取得手段１２が構成されている。また、ステップＳ３１０を実行するコンピュータにより、評価点配置手段１３が構成されている。また、ステップＳ３２０を実行するコンピュータにより、エッジ分割手段１４が構成されている。また、ステップＳ３３０、ステップＳ３６０、ステップＳ３９０、ステップＳ４２０、ステップＳ４５０及びステップＳ４９０を実行するコンピュータにより、評価手段１５、すなわち第１評価手段から第５評価手段が構成されている。また、ステップＳ３４０、ステップＳ３７０、ステップＳ４００、ステップＳ４３０、ステップＳ４６０及びステップＳ５００を実行するコンピュータにより、補正量算出手段１６、すなわち第１補正量算出手段から第５補正量算出手段、補正量記憶手段１７が構成されている。また、ステップＳ３５０、ステップＳ３８０、ステップＳ４１０、ステップＳ４４０及びステップＳ４７０を実行するコンピュータにより、エッジ移動手段１８、すなわち第１エッジ移動から第５エッジ移動手段が構成されている。また、ステップＳ４８０及びステップＳ５１０を実行するコンピュータにより、判定手段１９が構成されている。
【００７１】
この方法では、第５エッジ移動後に最適な露光プロセス条件、すなわち第１像計算を行い補正量の検証を行うので、より確実で信頼性の高い、最終的に露光プロセス条件の変化に強い補正マスクパターンを得ることができる。
【００７２】
次に、本実施形態におけるコンピュータにより得られた補正マスクパターンデータを用いてマスクの作成について説明する。
図８は、マスク形成方法を説明する概念図を示している。
まず、マスクパターン補正装置１で得られた補正マスクパターンのレイアウトデータ２７をマスク描画装置２８に取得させる。マスク描画装置２８は、マスク形成用基板２９にレイアウトデータ２７に基づいたマスクパターンを形成する。ここで、マスク描画装置２８は、電子ビーム描画装置を用いておりラスタスキャン方式あるいはベクタスキャン方式でマスク形成用基板にマスクパターンを形成する。これにより、マスクパターン補正装置１で得られたマスクパターンをマスク形成用基板２９に形成することにより、露光プロセス条件の変化に強いマスクを得ることができる。
【００７３】
次に、本実施形態における半導体装置の製造方法について説明する。
図９は、本実施形態で使用する露光装置の模式断面図を示している。露光装置３０は、露光光源３１、コンデンサレンズ３２、マスク３３、投影レンズ３４、ステージ３５を備えている。同図では、露光光源３１が露光装置３０内の上位に配置されている。露光光源３１の下には、コンデンサレンズ３２が配置されている。コンデンサレンズ３２の下にはマスク３３が配置されている。マスク３３の下には投影レンズ３４が配置されている。投影レンズ３４の下にはステージ３５が配置されている。
【００７４】
次に、本露光装置を用いた半導体の製造方法について説明する。まず、フォトレジストが表面に形成されている半導体基板３６をステージ３５に載置する。次に、露光光源３１から露光光を発生させる。露光光源３１は超高圧水銀灯、ＫｒＦあるいはＡｒＦのエキシマレーザを用いている。露光光源３１から放射された露光光は、コンデンサレンズ３２で平行に近い光線に調整される。調整された露光光は、マスク３３に描画されたマスクパターンにより、透過あるいは反射される。ここで、マスク３３は、マスクパターン補正装置１で補正されたマスクパターンが描画されている。透過した露光光は投影レンズ３４を通り、一定の割合で屈折させられて半導体基板３６の表面に到達する。投影レンズ３４により、半導体基板３６に転写されるパターンは、マスクパターンの１／４〜１／５に縮小される。露光後に半導体基板３６上のフォトレジストを現像することにより、半導体基板３６上に、所望のフォトレジストパターンが形成される。また、露光装置３０の使用により露光光源３１のドーズ量やフォーカスがずれても、そのような露光プロセス条件の変動を加味したマスクパターンを有するマスクで半導体装置の製造を行っているので露光プロセスでの不良を低減することができる。また、露光光源３１の劣化によるマスクの再作製を行わずに済む効果がある。したがって、事前に露光プロセスの変動を加味しているので、従来マスクの再作製を行わざるを得ない状況を回避することができるため、マスク再作製にかかる費用および時間を取られずに済む。
【００７５】
第１実施形態の効果を以下に記載する。
（１）シミュレーション上でのインフォーカスかつ最適ドーズ量の露光条件で評価を行った後に、さらに露光条件のフォーカス及びドーズ量を変化させた場合における評価を行い、その都度エッジ移動を行いながら最適な補正を行うことにより、最終的に全ての露光条件を満足するマスクの補正を行うことができる。したがって、実際の露光プロセスにおける露光条件が変化しても、マスクの再作成を行うことがほとんどない露光プロセスのマージンの広いマスクのパターンを得ることができる。また、これにより、マスクの再作製の発生を確実に低減することができ、マスク作製に関する余計なコスト及び時間を取られることを防止することができる。
（２）各露光条件における最適な補正量を計算し、エッジ移動を行った後に、露光条件の中心値となるインフォーカス及び最適ドーズ量で補正されたマスクパターンの検証を行うことにより、さらに確実で信頼性の高い補正されたマスクパターンを得ることができる。
【００７６】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態を図１０及び図１１を用いて説明する。
【００７７】
本実施形態においても、第１実施形態と同様にマスクパターン補正装置１を用いる。したがって、マスクパターン補正装置１の電気的構成及び機能的構成も第１実施形態と同様である。本実施形態と第１実施形態との相違点は、マスクパターンの補正方法である。したがって、第１実施形態でのマスクパターンの補正方法との相違点について主に説明を行う。
【００７８】
図１０は、本実施形態でのマスクパターンの補正方法を示すフローチャートである。
ステップＳ６００からステップＳ６４０までは、第１実施形態でのステップＳ１００からステップＳ１４０までと同様の処理を行う。
【００７９】
本実施形態では、ステップＳ６４０での第１補正量算出から、ステップＳ６５０での第２像計算になる。そして、ステップＳ６６０では、第２像計算の結果から第２補正量が算出され、マスクパターン補正装置１のＲＡＭ４に一時的に記憶される。ここで、第１実施形態との差異は、補正量を算出した後にエッジ移動を行わない点である。すなわち、第１補正量算出を基にしたエッジ移動を行わない。その後、本実施形態においては同様の処理が行われ、ステップＳ６６０での第２補正量算出、ステップＳ６８０での第３補正量算出、ステップＳ７００での第４補正量算出及びステップＳ７２０での第５補正量算出の後にエッジ移動は行わない。
【００８０】
Ｓ７３０では、最終補正量の算出を行う。最終補正量の算出は、マスクパターン補正装置１のＲＡＭ４に一時的に記憶されている第１補正量から第５補正量までの各補正量を読み出す。次に読み出された各補正量の平均値を求め、その平均値を最終補正量とする。次のステップＳ７４０では、最終補正量に基づいてエッジの移動を行う。ステップＳ７５０では、最終補正量に基づいたエッジ移動後のレイアウトパターン、すなわち補正されたマスクパターンについての判定を行う。判定結果により、補正されたマスクパターンが適正であれば、本フローチャートの処理は終了し、そうでなければステップＳ６３０の処理に戻る。そして、補正されたマスクパターンについて第１像計算が行われ、その後、ステップＳ６４０からＳ７５０まで繰り返される。
【００８１】
本図に示すような処理をマスクパターン補正装置１で行うことにより、最終的に全ての露光条件を満足するマスクの補正を行うことができる。すなわち、シミュレーション上でのインフォーカスかつ最適ドーズ量の露光条件で評価を行った後に、さらに露光条件のフォーカス及びドーズ量を変化させた場合における評価を行い、各露光条件での補正量に対して最適なエッジ移動を最終的に行うことにより、最終的に全ての露光条件を満足するマスクの補正を行うことができる。したがって、実際の露光プロセスにおける露光条件が変化しても、マスクの再作成を行うことがほとんどない露光プロセスのマージンの広いマスクのパターンを得ることができる。また、これにより、マスクの再作製の発生を確実に低減することができ、マスク作製に関する余計なコスト及び時間を取られることを防止することができる。
【００８２】
なお、ステップＳ６００を実行するコンピュータにより、レイアウト設計データ取得手段１２が構成されている。また、ステップＳ６１０を実行するコンピュータにより、評価点配置手段１３が構成されている。また、ステップＳ６２０を実行するコンピュータにより、エッジ分割手段１４が構成されている。また、ステップＳ６３０、ステップＳ６５０、ステップＳ６７０、ステップＳ６９０及びステップＳ７１０を実行するコンピュータにより、評価手段１５が構成されている。また、ステップＳ６４０、ステップＳ６６０、ステップＳ６８０、ステップＳ７００、ステップＳ７２０及びステップＳ７３０を実行するコンピュータにより、補正量算出手段１６及び補正量記憶手段１７が構成されている。また、ステップＳ７４０を実行するコンピュータにより、エッジ移動手段１８が構成されている。また、ステップＳ７５０を実行するコンピュータにより、判定手段１９が構成されている。
【００８３】
図１１は、本実施形態におけるマスクパターン補正方法の別な例を示すフローチャートである。
本フローチャートは、ステップＳ８００からステップＳ９５０までは、図１０のフローチャートのステップＳ６００からステップＳ７５０と同様である。したがって、ステップＳ９６０以降について説明を行う。
【００８４】
ステップＳ９６０では、補正されたマスクパターンについて露光プロセス条件がインフォーカスかつ最適ドーズ量での像計算を行う。すなわち、第１像計算を行う。次にステップＳ９７０では、第１補正量算出が行われる。次のステップＳ９８０では、再び判定処理が行われる。判定方法は第１実施形態でのステップＳ２８０で説明した方法で行われる。この判定により、補正されたマスクパターンが適正であれば、本フローチャートは終了し、適正でなければ次のステップＳ９９０に進む。ステップＳ９９０では、ステップＳ９７０での第１補正量に基づいたエッジ移動が行われる。そしてエッジ移動後にステップＳ８３０に戻り、上記の処理が繰り返される。
【００８５】
本図に示すような処理をマスクパターン補正装置１で行うことにより、最終的に全ての露光条件を満足するマスクの補正をさらに精度よく行うことができる。すなわち、各露光条件における最適な補正量を計算し、エッジ移動を行った後に、露光条件の中心値となるインフォーカス及び最適ドーズ量で補正されたマスクパターンの検証を行うことにより、さらに確実で信頼性の高い補正されたマスクパターンを得ることができる。
【００８６】
なお、ステップＳ８００を実行するコンピュータにより、レイアウト設計データ取得手段１２が構成されている。また、ステップＳ８１０を実行するコンピュータにより、評価点配置手段１３が構成されている。また、ステップＳ８２０を実行するコンピュータにより、エッジ分割手段１４が構成されている。また、ステップＳ８３０、ステップＳ８５０、ステップＳ８７０、ステップＳ８９０、ステップＳ９１０及びステップＳ９６０を実行するコンピュータにより、評価手段１５が構成されている。また、ステップＳ８４０、ステップＳ８６０、ステップＳ８８０、ステップＳ９００、ステップＳ９２０、ステップＳ９３０及びステップＳ９７０を実行するコンピュータにより、補正量算出手段１６及び補正量記憶手段１７が構成されている。また、ステップＳ９４０及びステップＳ９９０を実行するコンピュータにより、エッジ移動手段１８が構成されている。また、ステップＳ９５０及びステップＳ９８０を実行するコンピュータにより、判定手段１９が構成されている。
【００８７】
なお、本実施形態を用いても、第１実施形態と同様に、マスクの作製及び半導体装置の製造を行うことができる。
【００８８】
第２実施形態での効果を以下に記載する。
（３）シミュレーション上でのインフォーカスかつ最適ドーズ量の露光条件で評価を行った後に、さらに露光条件のフォーカス及びドーズ量を変化させた場合における評価を行い、各露光条件での補正量に対して最適なエッジ移動を最終的に行うことにより、最終的に全ての露光条件を満足するマスクの補正を行うことができる。したがって、実際の露光プロセスにおける露光条件が変化しても、マスクの再作成を行うことがほとんどない露光プロセスのマージンの広いマスクのパターンを得ることができる。また、これにより、マスクの再作製の発生を確実に低減することができ、マスク作製に関する余計なコスト及び時間を取られることを防止することができる。
（４）各露光条件における最適な補正量を計算し、エッジ移動を行った後に、露光条件の中心値となるインフォーカス及び最適ドーズ量で補正されたマスクパターンの検証を行うことにより、さらに確実で信頼性の高い補正されたマスクパターンを得ることができる。
【００８９】
（変形例）
本発明の実施形態は上記に限らず、以下のように変形してもよい。
（変形例１）本実施形態での補正量が算出された後に、その補正量にダンピング係数ｄ（０＜ｄ≦１）を乗じたダンピング補正量を基にしてマスクパターンの補正を行ってもよい。ダンピング補正量を用いることにより、マスクパターンの補正プログラムが発散するのを低減する。
（変形例２）第２実施形態での最終補正量の算出は、第１補正量から第５補正量までの各補正量の平均値として算出したが、その他の統計的な手法によって算出してもよい。
【００９０】
以下、上記実施形態から導き出される技術的思想を記載する。
【００９１】
（１）請求項２に記載のマスクパターンの補正装置であって、前記検証手段は、シミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行う第１評価手段と、前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する第１補正量算出手段と、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第２評価を行う第２評価手段と、前記第２評価結果に基づき第２補正量を算出する第２補正量算出手段と、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行う第３評価手段と、前記第３評価に基づき第３補正量を算出する第３補正量算出手段と、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行う第４評価手段と、前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出する第４補正量算出手段と、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第５評価を行う第５評価手段と、前記第５評価に基づき第５補正量を算出する第５補正量算出手段と、前記第１補正量から第５補正量の判定を行う判定手段と、を有するマスクパターンの補正装置。
この装置によれば、シミュレーション上での各露光条件についての補正量算出を行い、最終的なエッジ移動の厳密判定を行った後に、さらに各露光条件で検証を行うことによりマスクパターンの補正の精度及び信頼性が高くなる。
【００９２】
（２）請求項１乃至６のいずれか一項に記載のマスクパターンの補正装置であって、前記シミュレーションは、フォトレジストの光反応を考慮したモデルを用いているマスクパターンの補正装置。
この装置によれば、像計算による評価において、実際のフォトリソグラフィ工程で使用されるフォトレジストの光反応モデルが格納され、そのデータあるいはプログラムを使用することにより、さらに精度の高い像計算結果を得ることができる。
【００９３】
（３）請求項１〜３のいずれか一項に記載のマスクパターンの補正装置であって、前記第１補正量から第５補正量にダンピング係数ｄ（０＜ｄ≦１）を乗じた値を前記第１エッジ移動から第５エッジ移動の量とするマスクパターンの補正装置。
この装置によれば、各露光条件における補正量にダンピング係数ｄを乗じることにより例えば、補正量が結局マスクパターンに対して最終的に元に戻ってしまう等の補正の発散を低減することができる。
【００９４】
（４）請求項４〜６のいずれか一項に記載のマスクパターンの補正装置であって、前記第１補正量から第５補正量にダンピング係数ｄ（０＜ｄ≦１）を乗じたダンピング補正量を基にして最終補正量を算出するマスクパターンの補正装置。
この装置によれば、各露光条件における補正量にダンピング係数ｄを乗じることにより例えば、補正量が結局マスクパターンに対して最終的に元に戻ってしまうような補正の発散を低減することができる。
【００９５】
（５）コンピュータのレイアウトパターンデータ取得手段によりレイアウトパターンデータを取得するステップと、コンピュータのエッジ分割手段により前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割するステップと、コンピュータの第１評価手段により転写像のシミュレーションにおいてシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量とを用いた露光条件で第１評価を行うステップと、コンピュータの第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出するステップと、コンピュータの第１エッジ移動手段により前記第１補正量に基づき第１エッジ移動を行うステップと、コンピュータの第２評価手段により、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最大ドーズ量とを用いた露光条件で第２評価を行うステップと、コンピュータの第２補正量算出手段により前記第２評価結果に基づき第２補正量を算出するステップと、コンピュータの第２エッジ移動手段により前記第２補正量に基づき第２エッジ移動を行うステップと、コンピュータの第３評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行うステップと、コンピュータの第３補正量算出手段により前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出するステップと、コンピュータの第３エッジ移動手段により前記第３補正量に基づき第３エッジ移動を行うステップと、コンピュータの第４評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行うステップと、コンピュータの第４補正量算出手段により前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出するステップと、コンピュータの第４エッジ移動手段により前記第４補正量に基づき第４エッジ移動を行うステップと、コンピュータの第５評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第５評価を行うステップと、コンピュータの前記第５補正量算出手段により前記第５評価結果に基づき第５補正量を算出するステップと、コンピュータの第５エッジ移動手段により前記第５補正量に基づき第５エッジ移動を行うステップと、コンピュータの判定手段により前記第５エッジ移動について判定を行うステップとを実行するプログラム記録したコンピュータに読み取り可能な記録媒体。
この記録媒体によれば、シミュレーション上でのインフォーカスかつ最適ドーズ量の露光条件で評価を行った後に、さらに露光条件のフォーカス及びドーズ量を変化させた場合における評価を行い、その都度エッジ移動を行いながら最適な補正を行うことにより、最終的に全ての露光条件を満足するマスクの補正を行うことができる。したがって、実際の露光プロセスにおける露光条件が変化しても、マスクの再補正を行うことがほとんどない露光プロセスのマージンの広いマスクのパターンを得ることができる。また、これにより、マスクの再作製の発生を確実に低減することができ、マスク作製に関する余計なコスト及び時間を取られることを防止することができる。
【００９６】
（６）（５）に記載の記録媒体であって、前記コンピュータの判定手段により前記第５エッジ移動について判定を行うステップ後に、コンピュータの検証手段により前記マスクパターンを検証するステップを実行するプログラムを記録したコンピュータに読み取り可能な記録媒体。
この記録媒体によれば、第５エッジ移動を行った後に検証を行うことにより、さらに信頼性の高いマスクパターンの補正を行うことができる。
【００９７】
（７）（６）に記載の記録媒体であって、前記マスクパターンを検証するステップは、コンピュータの第１評価手段によりシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行うステップと、コンピュータの第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出するステップと、コンピュータの検証判定手段により前記第１補正量を判定するステップとを実行するプログラムを記録したコンピュータに読み取り可能な記録媒体。
この記録媒体によれば、各露光条件における最適な補正量を計算し、エッジ移動を行った後に、露光条件の中心値となるインフォーカス及び最適ドーズ量で補正されたマスクパターンの検証を行うことにより、さらに確実で信頼性の高い補正されたマスクパターンを得ることができる。
【００９８】
（８）コンピュータのレイアウトパターンデータ取得手段によりレイアウトパターンデータを取得するステップと、コンピュータのエッジ分割手段により前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割するステップと、コンピュータの第１評価手段により転写像のシミュレーションにおいてシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量とを用いた露光条件で第１評価を行うステップと、コンピュータの第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出するステップと、コンピュータの第２評価手段により、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最大ドーズ量とを用いた露光条件で第２評価を行うステップと、コンピュータの第２補正量算出手段により前記第２評価結果に基づき第２補正量を算出するステップと、コンピュータの第３評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行うステップと、コンピュータの第３補正量算出手段により前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出するステップと、コンピュータの第４評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行うステップと、コンピュータの第４補正量算出手段により前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出するステップと、コンピュータの第５評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第５評価を行うステップと、コンピュータの前記第５補正量算出手段により前記第５評価結果に基づき第５補正量を算出するステップと、コンピュータの最終補正量算出手段により前記第１補正量から第５補正量に基づき最終補正量を算出するステップと、コンピュータのエッジ移動手段により前記最終補正量を基にエッジ移動を行うステップと、コンピュータの判定手段により前記エッジ移動について判定を行うステップとを実行するプログラムを記録したコンピュータに読み取り可能な記録媒体。
この記録媒体によれば、シミュレーション上でのインフォーカスかつ最適ドーズ量の露光条件で評価を行った後に、さらに露光条件のフォーカス及びドーズ量を変化させた場合における評価を行い、各露光条件での補正量に対して最適なエッジ移動を最終的に行うことにより、最終的に全ての露光条件を満足するマスクの補正を行うことができる。したがって、実際の露光プロセスにおける露光条件が変化しても、マスクの再補正を行うことがほとんどない露光プロセスのマージンの広いマスクのパターンを得ることができる。また、これにより、マスクの再作製の発生を確実に低減することができ、マスク作製に関する余計なコスト及び時間を取られることを防止することができる。
【００９９】
（９）（８）に記載の記録媒体であって、前記コンピュータの判定手段により前記第５エッジ移動について判定を行うステップ後に、コンピュータの検証手段により前記マスクパターンを検証するステップを実行するプログラムを記録したコンピュータに読み取り可能な記録媒体。
この記録媒体によれば、エッジ移動を行った後に検証を行うことにより、さらに信頼性の高いマスクパターンの補正を行うことができる。
【０１００】
（１０）（９）に記載のプログラムであって、前記マスクパターンを検証するステップは、コンピュータの第１評価手段によりシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行うステップと、コンピュータの第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出するステップと、コンピュータの検証判定手段により前記第１補正量を判定するステップと、を実行するコンピュータに読み取り可能な記録媒体。
この記録媒体によれば、各露光条件における最適な補正量を計算し、エッジ移動を行った後に、露光条件の中心値となるインフォーカス及び最適ドーズ量で補正されたマスクパターンの検証を行うことにより、さらに確実で信頼性の高い補正されたマスクパターンを得ることができる。
【０１０１】
（１１）補正マスクパターンデータ取得手段によりレイアウトパターンデータ取得手段によりレイアウトパターンデータを取得する手順と、エッジ分割手段により前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割する手順と、第１評価手段により転写像のシミュレーションにおいてシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量とを用いた露光条件で第１評価を行う手順と、第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する手順と、第１エッジ移動手段により前記第１補正量に基づき第１エッジ移動を行う手順と、第２評価手段により、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最大ドーズ量とを用いた露光条件で第２評価を行う手順と、第２補正量算出手段により前記第２評価結果に基づき第２補正量を算出する手順と、第２エッジ移動手段により前記第２補正量に基づき第２エッジ移動を行う手順と、第３評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行う手順と、第３補正量算出手段により前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出する手順と、第３エッジ移動手段により前記第３補正量に基づき第３エッジ移動を行う手順と、第４評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行う手順と、第４補正量算出手段により前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出する手順と、第４エッジ移動手段により前記第４補正量に基づき第４エッジ移動を行う手順と、第５評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第５評価を行う手順と、前記第５補正量算出手段により前記第５評価結果に基づき第５補正量を算出する手順と、第５エッジ移動手段により前記第５補正量に基づき第５エッジ移動を行う手順と、判定手段により前記第５エッジ移動について判定を行う手順とにより補正されたマスクパターンのデータをマスク描画装置に取得させる工程と、マスク形成用基板を前記マスク描画装置にセットする工程と、マスクパターン描画手段により、前記補正マスクパターンデータを前記マスク形成用基板に描画する工程とを有するマスクの形成方法。
この方法によれば、シミュレーション上でのインフォーカスかつ最適ドーズ量の露光条件で評価を行った後に、さらに露光条件のフォーカス及びドーズ量を変化させた場合における評価を行い、その都度エッジ移動を行いながら最適な補正を行うことにより、最終的に全ての露光条件を満足するマスクの補正を行うことができる。したがって、実際の露光プロセスにおける露光条件が変化しても、マスクの再補正を行うことがほとんどない露光プロセスのマージンの広いマスクのパターンを得ることができる。また、これにより、マスクの再作製の発生を確実に低減することができ、マスク作製に関する余計なコスト及び時間を取られることを防止することができる。
【０１０２】
（１２）補正マスクパターンデータ取得手段によりレイアウトパターンデータ取得手段によりレイアウトパターンデータを取得する手順と、エッジ分割手段により前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割する手順と、第１評価手段により転写像のシミュレーションにおいてシミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量とを用いた露光条件で第１評価を行う手順と、第１補正量算出手段により前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する手順と、第２評価手段により、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最大ドーズ量とを用いた露光条件で第２評価を行う手順と、第２補正量算出手段により前記第２評価結果に基づき第２補正量を算出する手順と、第３評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行う手順と、第３補正量算出手段により前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出する手順と、第４評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行う手順と、第４補正量算出手段により前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出する手順と、第５評価手段により前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第５評価を行う手順と、前記第５補正量算出手段により前記第５評価結果に基づき第５補正量を算出する手順と、最終補正量算出手段により前記第１補正量から第５補正量に基づき最終補正量を算出する手順と、エッジ移動手段により前記最終補正量を基にエッジ移動を行う手順と、判定手段により前記エッジ移動について判定を行う手順とにより補正されたマスクパターンのデータをマスク描画装置に取得させる工程と、マスク形成用基板を前記マスク描画装置にセットする工程と、マスクパターン描画手段により、前記補正マスクパターンデータを前記マスク形成用基板に描画する工程とを有するマスクの形成方法。
この方法によれば、シミュレーション上でのインフォーカスかつ最適ドーズ量の露光条件で評価を行った後に、さらに露光条件のフォーカス及びドーズ量を変化させた場合における評価を行い、各露光条件での補正量に対して最適なエッジ移動を最終的に行うことにより、最終的に全ての露光条件を満足するマスクの補正を行うことができる。したがって、実際の露光プロセスにおける露光条件が変化しても、マスクの再補正を行うことがほとんどない露光プロセスのマージンの広いマスクのパターンを得ることができる。また、これにより、マスクの再作製の発生を確実に低減することができ、マスク作製に関する余計なコスト及び時間を取られることを防止することができる。
【０１０３】
（１３）レイアウトパターンデータを取得するレイアウトパターンデータ取得手段と、前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割するエッジ分割手段と、転写像のシミュレーションにおいて、シミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行う第１評価手段と、前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する第１補正量算出手段と、前記第１補正量に基づき第１エッジ移動を行う第１エッジ移動手段と、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行う第３評価手段と、前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出する第３補正量算出手段と、前記第３補正量に基づき第３エッジ移動を行う第３エッジ移動手段と、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行う第４評価手段と、前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出する第４補正量算出手段と、前記第４補正量に基づき第４エッジ移動を行う第４エッジ移動手段と、前記第４エッジ移動について判定を行う判定手段とを有するマスクパターンの補正装置。
この装置によれば、シミュレーション上でのインフォーカスかつ最適ドーズ量の露光条件で評価を行った後に、さらに露光条件のフォーカス及びドーズ量を変化させた場合における評価を行い、その都度エッジ移動を行いながら最適な補正を行うことにより、最終的に全ての露光条件を満足するマスクの補正を行うことができる。したがって、実際の露光プロセスにおける露光条件が変化しても、マスクの再作成を行うことがほとんどない露光プロセスのマージンの広いマスクのパターンを得ることができる。また、これにより、マスクの再作製の発生を確実に低減することができ、マスク作製に関する余計なコスト及び時間を取られることを防止することができる。
【０１０４】
（１４）レイアウトパターンデータを取得するレイアウトパターンデータ取得手段と、前記レイアウトパターンに評価点を配置し、前記レイアウトパターンを所定の長さのエッジに分割するエッジ分割手段と、転写像のシミュレーションにおいて、シミュレーション上の基板表面にフォーカスの焦点が合うように設定されたインフォーカス条件と最適ドーズ量と、を用いた露光条件で第１評価を行う第１評価手段と、前記第１評価結果に基づき第１補正量を算出する第１補正量算出手段と、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で上方に焦点が設定されたマイナスデフォーカス条件と最小ドーズ量と、を用いた露光条件で第３評価を行う第３評価手段と、前記第３評価結果に基づき第３補正量を算出する第３補正量算出手段と、前記シミュレーション上の基板表面よりも実際の露光プロセスでのデフォーカスのマージンにおける最大量で下方に焦点が設定されたプラスデフォーカス条件と最大ドーズ量と、を用いた露光条件で第４評価を行う第４評価手段と、前記第４評価結果に基づき第４補正量を算出する第４補正量算出手段と、前記第１補正量、第３補正量及び第５補正量に基づき最終補正量を算出する最終補正量算出手段と、前記最終補正量を基にエッジ移動を行うエッジ移動手段と、前記エッジ移動について判定を行う判定手段とを有するマスクパターンの補正装置。
この装置によれば、シミュレーション上でのインフォーカスかつ最適ドーズ量の露光条件で評価を行った後に、さらに露光条件のフォーカス及びドーズ量を変化させた場合における評価を行い、各露光条件での補正量に対して最適なエッジ移動を最終的に行うことにより、最終的に全ての露光条件を満足するマスクの補正を行うことができる。したがって、実際の露光プロセスにおける露光条件が変化しても、マスクの再作成を行うことがほとんどない露光プロセスのマージンの広いマスクのパターンを得ることができる。また、これにより、マスクの再作製の発生を確実に低減することができ、マスク作製に関する余計なコスト及び時間を取られることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の第１実施形態におけるマスクパターン補正装置の電気的構成を示すブロック図。
【図２】マスクパターン補正装置の機能的構成を示すブロック図。
【図３】マスクパターン補正を説明するのフローチャート。
【図４】レイアウトパターンの評価点及びエッジについての説明図。
【図５】光強度シミュレーションを説明するための概念図。
【図６】像計算結果の一例を示す概念図。
【図７】マスクパターン補正を説明する別例のフローチャート。
【図８】マスク形成方法を説明する概念図。
【図９】露光装置の断面模式図。
【図１０】第２実施形態におけるマスクパターン補正を説明するフローチャート。
【図１１】マスクパターン補正を説明する別例のフローチャート。
【図１２】従来のマスクパターンの補正を説明するフローチャート。
【符号の説明】
【０１０６】
１…マスクパターン補正装置、２…ＣＰＵ、３…ＲＯＭ、４…ＲＡＭ、５…バス、６…外部装置インタフェイス部、７…入力インタフェイス部、８…出力インタフェイス部、９…外部データ読取装置、１０…入力部、１１…表示部、１２…レイアウト設計データ取得手段、１３…評価点配置手段、１４…エッジ分割手段、１５…評価（像計算）手段、１６…補正量算出手段、１７…補正量記憶手段、１８…エッジ移動手段、２１…レイアウトパターン、２２…エッジ、２３…評価点、２４…フォトマスク（レチクル）、２５…計算されたフォトレジスト像、２６…補正後のレイアウトパターン、２７…レイアウトデータ、２８…マスク描画装置、２９…マスク形成用基板、３０…露光装置、３１…露光光源、３２…コンデンサレンズ、３３…フォトマスク（レチクル）、３４…投影レンズ、３６…ステージ、３６…半導体基板、１０１…フォトレジスト像。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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