(57)【要約】【課題】フォトマスク上の矩形状のパターンを外観検査する際擬似欠陥の発生を防止するための矩形状パターンを有するフォトマスクを提供することを目的とする。【解決手段】パターンコーナー部１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄにエッジ角部ａ、ｂ、ｃ、ｄをそれぞれ１個有する補正前の矩形状パターン１０に対し、パターンコーナー部２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄにエッジ角部をそれぞれ２個設けた、エッジ角部ａ1、ａ2、ｂ1、ｂ2、ｃ1、ｃ2、ｄ1、ｄ2を有する補正後の矩形状パターン２０を形成し、矩形状パターン２０を石英基板等の透明基板上に形成されたクロム、酸化クロム等からなる遮光層３１をパターニング処理して、遮光層の一部に矩形状パターン２０ａを形成し、矩形状パターン２０ａを含む各種被膜パターンが形成されたフォトマスク１００を得る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板の一方の面に各種被膜パターンが形成されてなるフォトマスクにおいて、前記各種被膜パターン中の矩形状パターンであって、前記矩形状パターンはパターンコーナー部とエッジ角部とからなり、前記パターンコーナー部にエッジ角部を少なくとも２個以上設けた矩形状パターンで構成されていることを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
請求項１に記載のフォトマスクを用いて、パターン露光転写を行い、パターン形成を行うことを特徴とするパターン転写方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体集積回路等の製造工程で回路パターンの転写に用いられるフォトマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
最近の半導体の高速化、高密度化により、半導体プロセスに用いられるフォトマスクに形成されるパターンも益々微細化し、低欠陥のフォトマスクが要求されている。
【０００３】
縮小投影露光装置に用いられるコンタクトホールパターンが形成されたフォトマスクにおいて、従来コンタクトホールパターンは正方形または長方形の矩形状パターンで形成されているのが一般的である。
【０００４】
上記コンタクトホールパターンは描画装置用に作製されたパターンデータに基づいて他のパターンと一緒に形成され、フォトマスクが作製される。その後、フォトマスクの品質を保証するための、透過光による外観検査が行われる。
【０００５】
図３（ａ）に、パターンコーナー部１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄに対し、エッジ角部ａ、ｂ、ｃ、ｄを有する矩形状パターンの一例を、図３（ｂ）に、矩形状パターン１０を用いて石英基板等の透明基板上に形成されたクロム、酸化クロム等からなる遮光層３１をパターニング処理して、遮光層の一部に矩形状パターン４０ａを形成したフォトマスクの一例を示す。
【０００６】
矩形状パターン１０はデータ上ではパターンコーナー部に丸みはないが（図３（ａ）参照）、パターニングプロセス等を経てフォトマスク５００を作成した後では矩形状パターン４０ａのパターンコーナー部にはＤ1、Ｄ2、Ｄ3、Ｄ4等の丸みを持った形状（図３（ｂ）参照）が発生し、それによって、外観検査の際に擬似欠陥（実際の欠陥ではないが、欠陥として検出すること）として検出されるため、本当の欠陥との区別が付きにくいと言う問題を有しており、通常よりも上位の外観検査機を用いるか、欠陥タイプを限定した欠陥検出の検査を行う必要があった。
【０００７】
従来より、正方形または長方形のパターンコーナーに丸みを持たせる提案がなされている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
これは、パターンコーナー部のエッジ角部が直角でパターンが集中している場合パターンコーナー部に電荷が集中し、その部分に放電が起こり、パターン破壊が発生するのを防止するためで、特に外観検査との関連には触れられていない。
【特許文献１】特開昭５６−１２２０３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、フォトマスク上の矩形状のパターンを外観検査する際擬似欠陥の発生を防止するための矩形状パターンを有するフォトマスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に於いて上記課題を達成するために、まず、請求項１においては、透明基板の一
方の面に各種被膜パターンが形成されてなるフォトマスクにおいて、前記各種被膜パターン中の矩形状パターンであって、前記矩形状パターンはパターンコーナー部とエッジ角部とからなり、前記パターンコーナー部にエッジ角部を少なくとも２個以上設けた矩形状パターンで構成されていることを特徴とするフォトマスクとしたものである。
【００１１】
また、請求項２においては、請求項１に記載のフォトマスクを用いて、パターン露光転写を行い、パターン形成を行うことを特徴とするパターン転写方法としたものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のフォトマスクは、矩形状パターンのパターンコーナー部にエッジ角部を少なくとも２個以上設け、パターンコーナー部のエッジ角部の角度を９０度より大きい鈍角にすることにより、矩形状パターンのパターンコーナー部のパターン形状が安定したフォトマスクを得ることができる。
【００１３】
その結果、フォトマスクの外観検査工程において、測定誤差等に起因する疑似欠陥の検出をほとんど抑制でき、顧客に対して高品質なフォトマスクを迅速に提供することができる。
【００１４】
また、本発明のパターン転写方法を用いることにより、欠陥のない高精度のレジストパターンを形成することができ、その結果、半導体等の製造を高い歩留まりで行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態につき説明する。
【００１６】
図１（ａ）に補正前の矩形状パターン１０を、図１（ｂ）に補正後の矩形状パターン２０を、図１（ｃ）に、補正後の矩形状パターン２０を用いて、透明基板上の遮光層３１の一部に矩形状パターン２０ａを形成した本発明のフォトマスク１００をそれぞれ示す。
【００１７】
図１（ａ）の矩形状パターンは、パターンコーナー部１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄにエッジ角部ａ、ｂ、ｃ、ｄをそれぞれ１個有する補正前の矩形状パターン１０を示す。
【００１８】
図１（ｂ）の矩形状パターンは、パターンコーナー部２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄにエッジ角部をそれぞれ２個設けた、エッジ角部ａ1、ａ2、ｂ1、ｂ2、ｃ1、ｃ2、ｄ1、ｄ2を有する補正後の矩形状パターン２０を示す。
【００１９】
図１（ｃ）のフォトマスクは、図１（ｂ）に示す矩形状パターン２０を用いて石英基板等の透明基板上に形成されたクロム、酸化クロム等からなる遮光層３１をパターニング処理して、遮光層の一部に矩形状パターン２０ａを形成したフォトマスク１００である。
【００２０】
ここで、フォトマスク１００には、矩形状パターンの他に各種パターンが形成されているが、ここでは省略してある。
【００２１】
図２（ｃ）に示すフォトマスク２００は、図２（ａ）に示す補正前の矩形状パターン１０のパターンコーナー部３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄにエッジ角部をそれぞれ３個設けた、エッジ角部ａ1、ａ2、ａ3、ｂ1、ｂ2、ｂ3、ｃ1、ｃ2、ｃ3、ｄ1、ｄ2、ｄ3を有する補正後の矩形状パターン３０を用いて、石英基板等の透明基板上に形成されたクロム、酸化クロム等からなる遮光層３１をパターニング処理して、遮光層の一部に矩形状パターン３０ａを形成したフォトマスク２００である。
【００２２】
上述したように、補正前の矩形状パターン１０のパターンコーナー部にエッジ角部を２個以上設けて補正後の矩形状パターンを形成することにより、補正後の矩形状パターンのパターンコーナー部のエッジ角度を９０度より大きい鈍角にすることで、通常のパターニングプロセスでパターンコーナー部を形状良く再現した矩形状パターン２０ａ、３０ａ等を透明基板上の遮光層の一部に形成したフォトマスクを作製できる。
【００２３】
ここで、補正後の矩形状パターンのパターンコーナー部のエッジ角部の設定個数については、矩形状パターンの大きさ、パターンコーナー部に許容される領域等により適宜設定される。
【００２４】
上記したように、本発明のフォトマスクの矩形状パターンのパターンコーナー部のエッジ角部は９０度より大きい鈍角であるから、矩形状パターンのコーナー形状が安定して、形状良く再現される。
【００２５】
そのため、１枚のフォトマスク上に平行に配置された微細なパターンを有する同一エリア同士を比較検査する一般的な外観検査装置の検査方式であるダイtoダイ検査方式では、矩形状パターンのパターンコーナー部の形状が安定していることで、測定誤差等に起因する疑似欠陥の検出をほとんど抑制できる。
【００２６】
また、ダイtoデータベース検査と呼ばれる描画時のパターンデータとそのデータを用いて作製したフォトマスクとの比較検査に於いても、矩形状パターンのパターンコーナー部のパターン形状が安定していることで、測定誤差等に起因する疑似欠陥の検出をほとんど抑制できる。
【００２７】
その結果、より微細なパターンを有するフォトマスクの欠陥検出が容易となる。
【００２８】
請求項２に係る本発明のフォトマスクを用いたパターン転写方法について説明する。
【００２９】
本発明のフォトマスクを用いたパターン転写方法は、まず、被加工層が形成された基板上にフォトレジストを塗布し、感光層を形成した後上記本発明のフォトマスクを介して紫外線、ｇ線、ｉ線、Ｄｅｅｐ−ＵＶ、エキシマレーザー光、Ｘ線等の露光光を照射し、現像処理等の一連のパターニング処理を行って、被加工層上にレジストパターンを形成する。
【００３０】
このレジストパターンをマスクにして被加工層をエッチング処理し、レジストパターンを剥離処理して、フォトマスクパターンに忠実なパターンを基板上に転写する方法である。
【００３１】
本発明のフォトマスクを用いてパターン転写することにより、欠陥のない高精度のレジストパターンを形成することができ、その結果、半導体等の製造を高い歩留まりで行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】（ａ）は、補正前の矩形状パターンの一例を示す模式平面図である。（ｂ）は、パターンコーナー部にエッジ角部を２個設けた補正後の矩形状パターンの一例を示す模式平面図である。（ｃ）は、補正後の矩形状パターン２０を用いて作製したフォトマスクの一例を示す模式部分平面図である。
【図２】（ａ）は、補正前の矩形状パターンの一例を示す模式平面図である。（ｂ）は、パターンコーナー部にエッジ角部を３個設けた補正後の矩形状パターンの一例を示す模式平面図である。（ｃ）は、補正後の矩形状パターン３０を用いて作製したフォトマスクの一例を示す模式部分平面図である。
【図３】（ａ）は、矩形状パターンの一例を示す模式平面図である。（ｂ）は、矩形状パターン１０を用いて作製したフォトマスクの一例を示す模式平面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１０……矩形状パターン
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ……パターンコーナー部
２０、３０……補正後の矩形状パターン
２０ａ、３０ａ……フォトマスクに形成された矩形状パターン
２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ、３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、……補正後のパターンコーナー部
３１……遮光層
１００、２００、５００……フォトマスク
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ａ1、ａ2、ａ3、ｂ1、ｂ2、ｂ3、ｃ1、ｃ2、ｃ3、ｄ1、ｄ2、ｄ3……エッジ角部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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