(57)【要約】【課題】ＸＦＰ型光トランシーバにおいて、樹脂成形品光コネクタレセプタクルを用いた際に生じる電磁波の筐体外部への漏洩を低減する手段を提供し、該光トランシーバの低コスト化と光コネクタの選択性の向上を目的とする。【解決手段】ＬＤ素子モジュール９とＰＤ素子モジュール１０が一つの金属製筐体６，７に収容され、該筐体６，７の長手方向の一端に光コネクタレセプタクル部８、他端に回路基板１１からなる電気コネクタ接続部それぞれを有し、かつ９．９Ｇｂ／ｓから１１．５Ｇｂ／ｓのビットレートのディジタルデータを扱う光トランシーバにおいて、前記光コネクタレセプタクル部８が樹脂成形品であり、該樹脂表面に電磁波遮蔽層８ａが形成されていることを特徴とする。【選択図】        図１
2005322819.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＤ素子モジュールとＰＤ素子モジュールが一つの金属製筐体に収容され、該筐体の長手方向の一端に光コネクタレセプタクル部、他端に回路基板からなる電気コネクタ接続部をそれぞれ有する光トランシーバにおいて、前記光コネクタレセプタクル部が樹脂成形品であり、該樹脂表面に電磁波遮蔽層が形成されていることを特徴とする光トランシーバ。
【請求項２】
請求項１に記載の光トランシーバにおいて、前記電磁遮蔽層と前記金属製筐体との間の電気的接続を強化するための金属板を前記光コネクタレセプタクル部と前記金属製筐体の間に設けていることを特徴とする光トランシーバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光トランシーバに関する。
【背景技術】
【０００２】
通常ＭＳＡ（Multi Source Agreementの略）と呼ばれる光通信機器開発会社間の共通仕様により定められるＸＦＰ（１０Ｇｂ／ｓ small form factor pluggable）光トランシーバの仕様（非特許文献１）では、該光トランシーバの構造として図４（ａ）に示すように一方の端に電気コネクタに挿抜可能なパッドパタンを形成した回路基板１の他端にＴＯＳＡと呼ばれるＣＡＮパッケージを用いたＬＤ送信モジュール２及びＲＯＳＡと呼ばれるＣＡＮパッケージを用いたＰＤ受信モジュール３（非特許文献２，３参照）を取り付けた後、図４（ｂ）に示すように下部筐体６に固定若しくは一体成形された金属製光コネクタレセプタクル部４（非特許文献２，４参照）にＬＤ送信モジュール２及びＰＤ受信モジュール３のそれぞれのスタブ５を嵌合させた後、回路基板１を固定する。その後、図４（ｃ）に示すように上部筐体７を被せて、ネジ２０等で固定する実装形態が広く採用されている。
【非特許文献１】XFP Public draft Revision 0.92 july 19,2002 copyright 2002 by XFP MSA
【非特許文献２】“10Gbps小型プラガブル光トランシーバモジュール”日高他、2003年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会C-3-130
【非特許文献３】“3.3V単一電源同軸型10Gb/sPDプリアンプモジュール”澤他、2003年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会C-3-139
【非特許文献４】" XFP optical transceivers for 10G serial applications"http://www.bookham.com/products/pdf/igf-17311.pdf
【非特許文献５】“INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION“IEC61000-6-4
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら上述したようなＸＦＰ型光トランシーバには以下の問題点がある。
（１）金属製筐体内部の高速ディジタル信号処理部で発生する電磁波の筐体外部への漏洩を防ぐために、広く普及している低コストな樹脂製光コネクタレセプタクルでは無く、筐体と一体成形若しくは筐体に接地した金属製光コネクタレセプタクルを用いており、光モジュールの高コスト化を招いていた。
（２）金属製光コネクタレセプタクルを含む光トランシーバ筐体の低コスト化を意図して、該光トランシーバ筐体を金型により一体成形する事も試みられている。しかし、この場合には、光コネクタレセプタクル部を含む高精度な金型を各光コネクタのタイプ毎に準備したのでは、かえって高コストとなる。
実際には、ＬＣコネクタと呼ばれる１種類の光コネクタレセプタクルを一体成形した金属製筐体のみが製品化に使用されており、ユーザーがより性能の高い光コネクタを求めても対応できない、ユーザーがＬＣコネクタヘの変換用光ファイバを用意しないと既存の光ファイバが接続できない等の不都合を生じていた。
【０００４】
本発明は、ＸＦＰ型光トランシーバにおいて、樹脂成形品光コネクタレセプタクルを用いた際に生じる電磁波の筐体外部への漏洩を低減する手段を提供し、該光トランシーバの低コスト化と光コネクタの選択性の向上を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
斯かる目的を達成する本発明の請求項１に係る光トランシーバは、ＬＤ素子モジュールとＰＤ素子モジュールが一つの金属製筐体に収容され、該筐体の長手方向の一端に光コネクタレセプタクル部、他端に回路基板からなる電気コネクタ接続部をそれぞれ有する光トランシーバにおいて、前記光コネクタレセプタクル部が樹脂成形品であり、該樹脂表面に電磁波遮蔽層が形成されていることを特徴とする。
【０００６】
上記目的を達成する本発明の請求項２に係る光トランシーバは、請求項１に記載の光トランシーバにおいて、前記電磁遮蔽層と前記金属製筐体との間の電気的接続を強化するための金属板を前記光コネクタレセプタクル部と前記金属製筐体の間に設けていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明を用いることで、ＸＦＰ型光トランシーバにおいても安価な樹脂成形品光コネクタレセプタクルを用いることが可能であり、該光トランシーバの製造コストの削減が可能となる。さらに、各種類の樹脂成形品光コネクタレセプタクルを容易に使用でき、ユーザーの要求や好みに応じた光コネクタを有するＸＦＰ型光トランシーバの提供が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のＸＦＰ型光トランシーバでは、本発明のＸＦＰ光トランシーバは、以下に述べる構造上の特徴を有している。
１）光コネクタレセプタクル部の材質が表面に電磁波遮蔽層を形成したプラスチック等の樹脂成形品であり、この表面の電磁波遮蔽層が金属製の光トランシーバ筐体と電気的に良好な接触を有することで、電磁波の漏洩を抑制している。
２）光コネクタレセプタクル部の材質が表面に電磁波遮蔽層を形成したプラスチック等の樹脂成形品であり、該光コネクタレセプタクル部の光トランシーバ金属筐体内側部分と金属製筐体との間に電磁放射を遮断するための金属製シールド板を設けている。
【０００９】
上記電磁波遮蔽層の好適な例は、金属薄膜であるが、これに限られるものではない。この電磁波遮蔽層の材料としては、導電性の物質であれば良く、例えば、有機導電性ポリマーでも良く、或いは、金属微粒子や金属スラリーを混入することにより、導電性を持たせた樹脂でも良い。
【００１０】
本発明によれば、ＸＦＰ型光トランシーバの製造コストを５％低減でき、かつ、ユーザーの要望に合わせて各種光コネクタレセプタクルを用いることが可能となる。
以下に本発明の効果を具体的な実施形態を例にして説明するが、各実施形態は、本発明の効果を示す一つの例示であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行い得ることは言うまでもない。
【実施例１】
【００１１】
本発明を適用したＸＦＰ型光トランシーバの概略構造の一例を図１に示す。
図１（ａ）に示すように、プラスチック製ＭＵ型光コネクタレセプタクル８には、金属薄膜が表面に塗布された金属薄膜塗布部８ａ（塗布された部分に斜線を入れて示す）が形成され、その金属薄膜塗布部８ａには二箇所にネジ止め固定用の穴８ｂが形成されている。
金属薄膜塗布部８ａの範囲は、図１（ｂ）に示すように、プラスチック製ＭＵ型光コネクタレセプタクル８に取り付けられる送信モジュール９及び受信モジュール１０のそれぞれのスタブ５を取り囲む領域とする。
図１（ｂ）に示すように、このプラスチック製ＭＵ型光コネクタレセプタクル８に、従来と同様な工程で作製した送信モジュール９及び受信モジュール１０を取り付けた回路基板１１を取り付ける。
即ち、回路基板１１の一端には電気コネクタに挿抜可能なパッドパタンが形成され、回路基板１１の他端には送信モジュール９及び受信モジュール１０が取り付けられており、その送信モジュール９及び受信モジュール１０のそれぞれのスタブ５をプラスチック製ＭＵ型光コネクタレセプタクル８に嵌合させる。
その後、図１（ｃ）に示すように、下部筐体６に回路基板１１、プラスチック製ＭＵ型光コネクタレセプタクル８をそれぞれネジ止めして固定し、上部筐体７をネジ２０でそれぞれネジ止めして取り付けることで、光トランシーバは完成する。
【００１２】
この時、光コネクタレセプタクル８の金属薄膜塗布部８ａは下部筐体６及び上部筐体７とネジ２０により機械的に接触し、電気的にも導通状態となる。
完成した本発明の金属薄膜塗布部８ａを形成したプラスチック製ＭＵ型光コネクタレセプタクル８を有するＸＦＰ型光トランシーバ、及び通常のプラスチック製ＭＵ型光コネクタレセプタクルを有するＸＦＰ型光トランシーバを評価用配線板上の電気コネクタに装着し、直流電圧＋３．３Ｖ、＋５．０Ｖ及び１０．３１２５Ｇｂ／ｓの擬似ランダム信号（振幅０．５Ｖ）を所定の端子に印加して光トランシーバを駆動した。
【００１３】
その時に光トランシーバから１０ｍ離れた場所で空気中の電磁波強度を測定した結果を図２に示す。
図２（ａ）と（ｂ）は、それぞれ、通常の樹脂製光コネクタレセプタクルを用いたＸＦＰ型光トランシーバ及び本発明のＸＦＰ型光トランシーバに対する測定結果を示す。
２つの測定結果の比較から、本発明の金属薄膜塗布部８ａの形成された光コネクタレセプタクルにより、電磁波の漏洩が著しく抑制されていることが判る。
また、図中の一点鎖線は、ＩＥＣの国際標準に基づく電磁波漏洩の住宅、事務所等（ｃ１ａｓｓ−Ａ）における許容値（非特許文献５）を示しており、実際の電磁波漏洩強度がこの許容値を下回っていることがわかる。
【００１４】
このように、本実施例における金属薄膜塗布部８ａの電磁波漏洩に対する阻止能力は実用上充分である。
本実施例ではＭＵ型光コネクタを用いた場合について本発明の効果を説明したが、ＬＣ型、ＭＴ−ＲＪ型、ＭＰＯ型、ＳＣ型等の他の光コネクタを用いても同様の効果が得られることは言うまでも無い。
【実施例２】
【００１５】
本実施例では、樹脂製光コネクタレセプタクル８の金属薄膜塗布部８ａにネジ止め固定用の穴を開けない（強度上の問題で開けられない）場合について本発明の実施形態を述べる。
この場合、樹脂製光コネクタレセプタクル８の金属薄膜塗布部８ａとＸＦＰ型光トランシーバ筐体６，７間の電気的な導通を取ることがポイントとなる。
図３（ａ）に示すように、回路基板１１に取り付けられた送信モジュール９及び受信モジュール１０に金属板１２を挿入し、送信モジュール９と受信モジュール１０の筐体に接着剤で固定する。
【００１６】
更に、図３（ｂ）に示すように、金属板１２を間に挟んで、プラスチック製光コネクタレセプタクル８に送信モジュール９と受信モジュール１０を取り付け、金属板１２に形成した接続部１３を導電性接着剤で光コネクタレセプタクル８の金属薄膜塗布部８ａに固定する。
その後、図３（ｃ）に示すように、下部筐体６に回路基板１１、プラスチック製ＭＵ型光コネクタレセプタクル８をネジ止めによりそれぞれ固定し、上部筐体７をネジ２０でネジ止めして取り付けることで、光トランシーバは完成する。
この時、金属板１２は下部筐体６にネジ等で電気的に導通するように固定されている。
【００１７】
このように作製したＸＦＰ型光トランシーバにおいても図２と同様な電磁波漏洩に対する遮蔽効果を確認しており、ＩＥＣ基準Ｃ１ａｓｓ−Ａを満たしている。
同時に、この金属板１２は高温時に特性劣化し易い送信モジュール９の放熱板としても働くため、ＸＦＰ型トランシーバの動作温度範囲の上限である筐体温度７０℃を７５℃まで上げることが可能となる。
【００１８】
このように説明したように、本発明は、ＸＦＰ規格の光トランシーバに関し、廉価な樹脂成型光コネクタレセプタクルを用いても電磁波の漏洩が起こらないように、樹脂成型光コネクタレセプタクルの表面に金属薄膜層が形成されていること、及び金属板を設けていることに特徴がある。
【産業上の利用可能性】
【００１９】
本発明は、ＭＡＮ（メトロポリタンエリアネットワーク）或いはＬＡＮ（ローカルエリアネットワーク）と呼ばれる小〜中規模の光通信ネットワークにおいて、９．９Ｇｂ／ｓから１１．５Ｇｂ／ｓのビットレートの高速光信号（１０Ｇｂ／ｓ）のディジタルデータを扱うＸＦＰ型光トランシーバに利用可能なものである。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明のＸＦＰ型光トランシーバの実装形態を示す斜視図である。
【図２】電磁波強度の測定結果を示すグラフである。
【図３】本発明のＸＦＰ型光トランシーバの他の実施形態を示す斜視図である。
【図４】従来のＸＦＰ型光トランシーバの実装構造を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００２１】
１  従来の回路基板
２  送信モジュール（ＴＯＳＡ）
３  受信モジュール（ＲＯＳＡ）
４  光コネクタレセプタクル部
５  スタブ
６  下部筐体
７  上部筐体
８  光コネクタレセプタクル部
８ａ  金属薄膜塗布部
９  送信モジュール（ＴＯＳＡ）
１０  受信モジュール（ＲＯＳＡ）
１１  回路基板-
１２  金属板（電磁シールド板）
１３  接続部
２０  ネジ
【図１】
2005322819.tif 000003
【図２】
2005322819.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005322819.tif 000006