(57)【要約】【課題】  Ｐ型電極とＮ型電極との短絡を確実に防止でき、かつ、製造コストが低いフリップチップ型半導体発光素子を提供すること。【解決手段】  Ｎ型電極１０とＰ型電極９との電気接続を防止するために、絶縁薄膜１１を、Ｎ型電極１０とＰ型電極９との隙間部分を塞ぐように、Ｎ型電極１０のＰ型電極９側の表面部分からＰ型電極９のＮ型電極１０側の表面部分まで配置する。また、上記絶縁薄膜１１の膜厚を、上記絶縁薄膜１１がＰ型電極９の電極面よりも２０μｍ以上で１００μｍ以下の高さ突出すると共に、Ｎ型電極１０の電極面よりも２０μｍ以上で１００μｍ以下の高さ突出するように、調整する。【選択図】  図２
2005286134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光光に対し透明な基板と、この透明基板上に設けられた発光層とを含む本体部と、
この本体部の上記発光層側に設けられたＰ型電極およびＮ型電極と、
上記本体部上、かつ、上記Ｐ型電極と上記Ｎ型電極との間に設けられた絶縁体と
を備えたことを特徴とするフリップチップ型半導体発光素子。
【請求項２】
請求項１に記載のフリップチップ型半導体発光素子において、
上記絶縁体は、薄膜であることを特徴とするフリップチップ型半導体発光素子。
【請求項３】
請求項１に記載のフリップチップ型半導体発光素子において、
上記絶縁体は、樹脂からなることを特徴とするフリップチップ型半導体発光素子。
【請求項４】
請求項１に記載のフリップチップ型半導体発光素子において、
上記絶縁体は、上記Ｐ型電極の電極面よりも突出し、かつ、上記Ｎ型電極の電極面よりも突出していることを特徴とするフリップチップ型半導体発光素子。
【請求項５】
請求項４に記載のフリップチップ型半導体発光素子において、
上記絶縁体は、上記Ｐ型電極の電極面よりも２０μｍ以上で１００μｍ以下の高さ突出し、かつ、上記Ｎ型電極の電極面よりも２０μｍ以上で１００μｍ以下の高さ突出していることを特徴とするフリップチップ型半導体発光素子。
【請求項６】
請求項１に記載のフリップチップ型半導体発光素子において、
上記透明基板は、上記発光層側から貼り付けられた貼付基板であることを特徴とするフリップチップ型半導体発光素子。
【請求項７】
請求項１に記載のフリップチップ型半導体発光素子において、
上記発光層の上に発光光に対し透明な電極が形成され、この透明電極の上に、上記Ｐ型電極と上記Ｎ型電極の内のいずれか一方が形成されていることを特徴とするフリップチップ型半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイヤーボンドを用いないフリップチップ型半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７は、従来の第１のフリップチップ型半導体発光素子の上面図である。
【０００３】
図７に示すように、この第１のフリップチップ型半導体発光素子は、第１の電極（Ｎ型電極又はＰ型電極）７１と、第２の電極（Ｐ型電極又はＮ型電極）７２とを備える。上記第１の電極７１は、四半分の円形の表面形状を有し、第１のフリップチップ型半導体発光素子の矩形の表面の一隅に形成されている。一方、上記第２の電極７２は、上記矩形の表面における第１の電極７１が配置されていない領域に、４つ分散配置されている。
【０００４】
図８は、図７のＤ−Ｄ’線断面図の第１の電極７１から第２の電極７２までの部分である。
【０００５】
図８に示すように、上記第１の電極７１は、透明半導体層８７上に形成されている。また、上記第２の電極７２と透明半導体層８７との間には、透明半導体層８７側に近い側から半導体層８０と透明電極８１が形成されている。上記半導体層８０は、活性層８５を備えている。
【０００６】
図８に示すように、上記第１のフリップチップ型半導体発光素子では、半導体層８０に電流を流すために、透明半導体層８７上で、第１の電極７１と半導体層８０とは、接触しないように離間配置されている。すなわち、第１の電極７１と半導体層８０上の透明電極８１とが接触せず、かつ、第１の電極７１と透明電極８１上の第２の電極７２とが接触しない構造になっている。
【０００７】
上記構成において、上記従来の第１のフリップチップ型半導体発光素子は、第２の電極７２、透明電極８１、半導体層８０、第１の電極７１の順に電流を流して、活性層８５で生成された光を矢印Ｅの方向に取り出すようになっている。
【０００８】
しかしながら、上記従来の第１のフリップチップ型半導体発光素子では、フリップチップ型半導体発光素子を図示しないリードフレームに接続したとき、ダイボンド（接合）側において、第１の電極７１と第２の電極７２が近接することになるため、電流が短絡し易いという問題がある。また、上記第１のフリップチップ型半導体発光素子では、フリップチップ型半導体発光素子を上記リードフレームに載置する際、第１の電極７１を狭い電極端子（図示せず）に合わせなければならず、厳密な位置精度が求められて作業性が良くないという問題がある。
【０００９】
図９は、上記短絡の問題を回避することができる従来の第２のフリップチップ型半導体発光素子を示す図である。
【００１０】
図９に示すように、第２のフリップチップ型半導体発光素子では、第１の電極９１と、カソード側のランプフレーム１００との間にバンプ９５を形成すると共に、第２の電極９２と、アノード側のランプフレーム１０１との間にバンプ９６を形成することによって、第１の電極９１と第２の電極９２とを遠ざけ、上記短絡の問題を回避している。
【００１１】
しかしながら、従来の第２のフリップチップ型半導体発光素子では、短絡を回避することができる一方、第１の電極９１とカソード側のランプフレーム１００との間、および、第２の電極９２とアノード側のランプフレーム１０１との間の夫々に、バンプ９５,９６を形成しなければならないので、製造コストが高くつくという問題がある。
【特許文献１】特開２００２−１５１７３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
そこで、本発明の課題は、Ｐ型電極とＮ型電極との短絡を確実に防止でき、かつ、製造コストが低いフリップチップ型半導体発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため、この発明のフリップチップ型半導体発光素子は、発光光に対し透明な基板と、この透明基板上に設けられた発光層とを含む本体部と、この本体部の上記発光層側に設けられたＰ型電極およびＮ型電極と、上記本体部上、かつ、上記Ｐ型電極と上記Ｎ型電極との間に設けられた絶縁体とを備えたことを特徴としている。
【００１４】
尚、この明細書では、上記発光層を、発光に寄与する層として定義する。例えば、このフリップチップ型半導体発光素子が半導体レーザ素子である場合、上記発光層には、活性層のみならず、クラッド層やコンタクト層等も含まれるものとする。
【００１５】
本発明によれば、上記Ｐ型電極と上記Ｎ型電極との間に絶縁体を配置しているので、上記Ｐ型電極と上記Ｎ型電極との間の短絡を確実に防止することができる。
【００１６】
また、本発明によれば、上記Ｐ型電極と上記Ｎ型電極との間に絶縁体を配置して確実に短絡を防止しているので、上記Ｐ型電極の付近のＡｇペースト等の導電物質の配置位置の精度、および、上記Ｎ型電極の付近のＡｇペースト等の導電物質の配置位置の精度を、従来のフリップチップ型半導体発光素子よりも低くすることができて、作業性を向上させることができる。
【００１７】
また、本発明によれば、上記Ｐ型電極と上記Ｎ型電極との間に絶縁体を配置しているので、フリップチップ型半導体発光素子のリードフレームへの接合に安価なＡｇペーストを用いることができ、高価なバンプを形成する必要がないので、リードフレームへの接合コストを下げることができる。
【００１８】
また、一実施形態のフリップチップ型半導体発光素子は、上記絶縁体が、薄膜である。
【００１９】
ここで、上記薄膜とは、例えば、ＳｉＯ２薄膜等のことを言い。このＳｉＯ２薄膜等は、熱酸化法、スピンコート法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、高周波（ＲＦ）スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、イオンプレーティング法等で形成される。すなわち、この明細書では、上記薄膜とは、これらの方法のいずれかで形成される膜のことを言う。
【００２０】
上記実施形態によれば、絶縁体を薄膜で構成しているので、例えば、薄膜を、上記Ｐ型電極の上記Ｎ型電極側の表面から、上記Ｎ型電極の上記Ｐ型電極側の表面まで広範囲に形成することによって、この広範囲の薄膜によって、Ａｇペースト等の導電物質が上記Ｐ型電極および上記Ｎ型電極に付着することを防止できる。したがって、Ｐ型電極とＮ型電極との間の短絡を確実に防止できる。
【００２１】
また、一実施形態のフリップチップ型半導体発光素子は、上記絶縁体が、樹脂からなる。
【００２２】
上記実施形態によれば、上記Ｐ型電極と上記Ｎ型電極との間に、絶縁性が高い樹脂製の絶縁体を配置しているので、上記Ｐ型電極と上記Ｎ型電極との間の短絡を確実に防止できる。
【００２３】
また、一実施形態のフリップチップ型半導体発光素子は、上記絶縁体が、上記Ｐ型電極の電極面よりも突出し、かつ、上記Ｎ型電極の電極面よりも突出している。
【００２４】
上記実施形態によれば、上記絶縁体が、上記Ｐ型電極の電極面よりも突出し、かつ、上記Ｎ型電極の電極面よりも突出しているので、この電極面よりも突出している突出部によって、Ａｇペースト等の導電物質の横流れを防止することができる。したがって、電極間の短絡を確実に防止することができる。
【００２５】
また、一実施形態のフリップチップ型半導体発光素子は、上記絶縁体が、上記Ｐ型電極の電極面よりも２０μｍ以上で１００μｍ以下の高さ突出し、かつ、上記絶縁体は、上記Ｎ型電極の電極面よりも２０μｍ以上で１００μｍ以下の高さ突出している。
【００２６】
上記実施形態によれば、上記絶縁体が、上記Ｐ型電極の電極面よりも２０μｍ以上で１００μｍ以下の高さ突出し、かつ、上記絶縁体は、上記Ｎ型電極の電極面よりも２０μｍ以上で１００μｍ以下の高さ突出しているので、Ａｇペースト等の導電物質の横流れを防止できる堰としての役割を十分に果たすことができると共に、フリップチップ型半導体発光素子のバランスも良くすることができて、フリップチップ型半導体発光素子に部分割れ等の損傷が起こることもない。尚、上記突出量が２０μｍよりも小さい場合、Ａｇペースト等の導電物質がこの絶縁量を乗り越えて、両電極間にまたがることが起こり易く、短絡を確実に防止できないという問題がある。一方、上記突出量が１００μｍを超えた場合、フリップチップ型半導体発光素子のバランスが悪くなって、フリップチップ型半導体発光素子に部分割れ等の損傷が起こり易くなるという問題がある。
【００２７】
また、一実施形態のフリップチップ型半導体発光素子は、上記透明基板は、上記発光層側から貼り付けられた貼付基板である。
【００２８】
上記実施形態によれば、上記透明基板は、上記発光層側から貼り付けられた貼付基板であるので、上記透明基板の上記発光層と反対側から発光光を取り出すことができる。また、基板による光の吸収を防止できて、出射光の光度の低下を抑制できる。
【００２９】
また、一実施形態のフリップチップ型半導体発光素子は、発光層の上に発光光に対し透明な電極が形成され、この透明電極の上に、上記Ｐ型電極と上記Ｎ型電極の内のいずれか一方が形成されている。
【００３０】
上記実施形態によれば、上記Ｐ型電極と上記Ｎ型電極のいずれか一方と、発光層との間に、透明電極が形成されているので、光吸収層である電極部エリアを小さくできると共に、電流広がりを確保しながら発光取り出し効率を向上させることができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明のフリップチップ型半導体発光素子によれば、Ｐ型電極とＮ型電極との間に絶縁体（絶縁物）を配置しているので、Ｐ型電極とＮ型電極との間の短絡を確実に防止することができる。
【００３２】
また、本発明のフリップチップ型半導体発光素子によれば、上記Ｐ型電極と上記Ｎ型電極との間に絶縁体を配置して確実に短絡を防止しているので、上記Ｐ型電極の付近の導電物質の配置位置の精度、および、上記Ｎ型電極の付近の導電物質の配置位置の精度を、従来のフリップチップ型半導体発光素子よりも低くすることができて、作業性を向上させることができる。
【００３３】
また、本発明のフリップチップ型半導体発光素子によれば、フリップチップ型半導体発光素子のリードフレームへの接合に安価なＡｇペーストを用いることができ、効果なバンプを形成する必要がないので、リードフレームへの接合コストを下げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明を図示の形態により詳細に説明する。
【００３５】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態のフリップチップ型半導体発光素子を上から見た図であり、図２は、図１のＡ‐Ａ’線断面図であり、上記フリップチップ型半導体発光素子の層構造を示す断面図である。
【００３６】
以下に図１および図２を用いて、第１実施形態のフリップチップ型半導体発光素子の製造方法を説明する。
【００３７】
先ず、エピウエハ工程を行う。このエピウエハ工程では、図２に示すように、ＭＯＣＶＤ法を用いて、図示しないＧａＡｓ基板上に、Ｐ型エピタキシャル層５、Ｎ型エピタキシャル層６を順次形成する。詳細には、上記ＧａＡｓ基板上に、Ｐ型ＩｎＧａＡｌＰコンタクト層、Ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層、ＭＱＷ（多重量子井戸構造）活性層、Ｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層、ｉ−ＧａＰ亜鉛拡散層を順次積層する。上記Ｐ型ＩｎＧａＡｌＰコンタクト層、Ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層、ＭＱＷ（多重量子井戸構造）活性層、Ｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層、および、ｉ−ＧａＰ亜鉛拡散層は、発光層を構成している。
【００３８】
次に、透明基板貼付工程を行う。この透明基板貼付工程では、上記ｉ−ＧａＰ亜鉛拡散層を研磨剤でポリッシュして平坦平面に仕上げた後、別に用意した透明な透明基板の一例としてのｎ−ＧａＰ貼付基板７と上記ポリッシュ面とを重ね合わせた後、２００℃以上で熱処理を施し張り合わせる。上記ｎ−ＧａＰ貼付基板７と、上記発光層とは、フリップチップ型半導体発光素子の本体部を構成している。
【００３９】
次に、基板除去工程および透明電極形成工程を行う。この基板除去工程および透明基板形成工程では、上記ＧａＡｓ基板層をケミカルエッチングで完全除去した後、ＧａＡｓ基板を除去した側の上記ｐ−ＩｎＧａＡｌＰコンタクト層上に、透明なＩＴＯ等から成る透明電極２を形成する。
【００４０】
その後、Ｎ型電極形成部エピ層除去工程を行う。このＮ型電極形成部エピ層除去工程では、上記透明電極層２およびＰ型エピタキシャル層５の一部を、フォトリソグラフィー技術を用いて選択的エッチングして除去する。
【００４１】
その後、電極形成工程を行う。この電極形成工程では、透明電極２上に、Ｐ型電極９を蒸着した後、選択エッチングでＰ型エピタキシャル層５上に必要な部分のみ残す。次に、Ｐ型エピタキシャル層５とＰ型電極９上にレジストが残るようにフォトを施し、Ｎ型電極１０を蒸着する。その後、リフトオフでレジスト除去することで、Ｎ型電極１０におけるＰ型部分に蒸着された部分を除去して、図２に示すような、透明電極２に接触しないＮ型電極１０を形成する。その後、Ｎ型電極１０を４００℃以上で熱処理して合金化し、オーミック電極にする。
【００４２】
最後に、絶縁薄膜形成工程を行う。この絶縁薄膜形成工程では、表面全面に、ＣＶＤ法で絶縁薄膜の一例としてのＳｉＯ２薄膜を形成した後、フォトリソグラフィーによって、すなわち、フォトレジストであるマスクを形成した後不要部をエッチングすることによって、図２に示すように、Ｎ型電極１０のＰ型電極９側の表面部分からＰ型電極９のＮ型電極１０側の表面部分までを被覆するように、絶縁薄膜１１を形成する。また、図２に示すように、上記絶縁薄膜１１の一部分は、Ｎ型電極１０のＰ型電極９側の側面と、Ｐ型エピタキシャル層５および透明電極２のＮ型電極１０側の側面との間におけるＮ型エピタキシャル層６の上部に配置されており、Ｎ型電極１０と、Ｐ型エピタキシャル層５および透明電極２とは電気接続、すなわち、Ｎ型電極１０とＰ型電極９とは電気接続しないようになっている。また、上記絶縁薄膜１１が、Ｐ型電極９の電極面よりも２０μｍ以上で１００μｍ以下の高さ突出すると共に、Ｎ型電極１０の電極面よりも２０μｍ以上で１００μｍ以下の高さ突出するように、絶縁薄膜１１の膜厚を調整する。この後、Ｐ型電極９およびＮ型電極１０側の表面をＡｇペースト（図示ぜす）によってリードフレームに接続し、第１実施形態のフリップチップ型半導体発光素子をリードフレーム（図示せず）に載置する。
【００４３】
上記第１実施形態のフリップチップ型半導体発光素子によれば、絶縁薄膜１１を、Ｐ型電極９のＮ型電極１０側の表面から、Ｎ型電極１０のＰ型電極９側の表面まで広範囲に形成しているので、フリップチップ型半導体発光素子をリードフレームに搭載するときに用いるＡｇペースト等の接続導体がＰ型電極９およびＮ型電極１０に付着することを防止できる。したがって、Ｐ型電極９とＮ型電極１０との間の短絡を確実に防止できる。
【００４４】
また、上記第１実施形態のフリップチップ型半導体発光素子によれば、上記絶縁薄膜１１が、Ｐ型電極９の電極面よりも突出し、かつ、Ｎ型電極１０の電極面よりも突出しているので、各電極９,１０の電極面よりも突出している突出部によって、Ａｇペースト等の接続導体の横流れを防止することができて、電極９,１０間の短絡を確実に防止することができる。
【００４５】
また、上記第１実施形態のフリップチップ型半導体発光素子によれば、上記Ｐ型電極９とＮ型電極１０との間に絶縁薄膜１１を配置して確実に短絡を防止しているので、Ｐ型電極９の付近のＡｇペースト等の導電物質の配置位置の精度、および、Ｎ型電極１０の付近のＡｇペースト等の導電物質の配置位置の精度を、従来のフリップチップ型半導体発光素子よりも低くすることができて、作業性を向上させることができる。
【００４６】
また、上記第１実施形態のフリップチップ型半導体発光素子によれば、上記Ｐ型電極９とＮ型電極１０との間に絶縁薄膜１１を配置しているので、フリップチップ型半導体発光素子のリードフレームへの接合に安価なＡｇペーストを用いることができて、効果なバンプを形成する必要がないので、リードフレームへの接合コストを下げることができる。
【００４７】
また、上記第１実施形態のフリップチップ型半導体発光素子によれば、上記絶縁薄膜１１が、Ｐ型電極９の電極面よりも２０μｍ以上で１００μｍ以下の高さ突出し、かつ、絶縁薄膜１１が、Ｎ型電極１０の電極面よりも２０μｍ以上で１００μｍ以下の高さ突出しているので、Ａｇペースト等の接続導体の横流れを防止できる堰としての役割を十分に果たすことができると共に、フリップチップ型半導体発光素子のバランスも良くすることができて、フリップチップ型半導体発光素子に部分割れ等の損傷が発生することがない。
【００４８】
また、上記第１実施形態のフリップチップ型半導体発光素子によれば、透明なＮ型ＧａＰ貼付基板７を用いているので、Ｎ型ＧａＰ貼付基板７側より発光光を取り出すことができる。また、貼付基板による光の吸収が起こることがなくて、出射光の光度の低下を抑制できる。
【００４９】
また、上記第１実施形態のフリップチップ型半導体発光素子によれば、Ｐ型電極９と発光層との間に透明電極２が形成されているので、光吸収層である電極部エリアを小さくできると共に、電流広がりを確保しながら発光取り出し効率を向上させることができる。
【００５０】
尚、上記第１実施形態では、Ｐ型電極９と発光層との間に透明電極２が存在するような構造であったが、この発明では、Ｎ型電極と発光層との間に透明電極が存在するような構造であっても良いことは、勿論である。
【００５１】
また、上記第１実施形態では、透明基板を、Ｎ型ＧａＰ基板で構成したが、この発明では、透明基板を、ガラス基板等のＮ型ＧａＰ基板以外の透明基板で構成しても良い。
【００５２】
また、上記第１実施形態では、Ｎ型電極１０とＰ型電極９が断面矩形状に形成されていたが、この発明では、Ｎ型電極とＰ型電極の形状が断面矩形に限定されないことは勿論であり、例えば、Ｎ型電極を断面四半分の円形状等に形成し、Ｐ型電極を断面円形状に形成しても良いことは勿論である。
【００５３】
また、活性層を有する発光層は、Ｐ−Ｎ接合から成る発光構造を含むものであれば特に制限がないことも勿論である。
【００５４】
（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態のフリップチップ型半導体発光素子の上面図であり、図４は、図３のＢ−Ｂ’断面図である。また、図５は、リードフレームに載置された状態の第２実施形態のフリップチップ型半導体発光素子の上面図であり、図６は、図５のＣ−Ｃ’線断面図である。尚、図４においては、簡単のため、Ｐ型エピタキシャル層およびＮ型エピタキシャル層をまとめて参照番号５０で示している。また、図３〜図６において、４３は、透明電極を示し、図４および図６において、４７は、透明基板を示す。また、図６においては、Ｐ型電極の図示を省略している。
【００５５】
第２実施形態のフリップチップ型半導体発光素子では、第１実施形態のフリップチップ型半導体発光素子と同様の作用効果および変形例は省略し、第１実施形態のフリップチップ型半導体発光素子と異なる作用効果のみを記載することにする。
【００５６】
第２実施形態のフリップチップ型半導体発光素子は、その製造方法において、絶縁薄膜形成工程の代わりに樹脂板接着工程を行う点が、第１実施形態のフリップチップ型半導体発光素子と異なる。
【００５７】
詳細には、第２実施形態のフリップチップ型半導体発光素子の製造方法では、第１実施形態における電極形成工程までを、第１実施形態と同様に行い、その後、第１実施形態における絶縁薄膜形成工程の代わりに、Ｐ型電極３９とＮ型電極４０の間に樹脂製の仕切り板４１を接着剤で接着して、Ｐ型電極３９とＮ型電極４０の間に樹脂製の絶縁仕切を配置する樹脂板接着工程を行って、第２実施形態のフリップチップ型半導体発光素子を完成させる。図２に示すように、上記樹脂製の仕切り板４１は、透明基板４７上に配置されている。また、上記樹脂製の仕切り板４１は、Ｎ型電極４０のＰ型電極３９側の側面と、Ｐ型電極３９のＮ型電極４０側の側面との間に、隙間なく配置されている。
【００５８】
そして、その後、図５および図６（特に図６）に示すように、上記樹脂製の仕切り板４１を境にして、Ｎ型電極４０とカソード側のランプフレーム６１とをＡｇペースト４５によって接続すると共に、Ｐ型電極（図示せず）とカソード側のランプフレーム６０とをＡｇペースト４６によって接続して、第２実施形態のフリップチップ型半導体発光素子をリードフレームに載置する。
【００５９】
上記第２実施形態のフリップチップ型半導体発光素子によれば、Ｐ型電極３９とＮ型電極４０との間に、絶縁性が高い樹脂製の仕切り板４１を配置しているので、Ｐ型電極３９とＮ型電極４０との間の短絡を確実に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の第１実施形態のフリップチップ型半導体発光素子を上から見た図である。
【図２】図１のＡ‐Ａ’線断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態のフリップチップ型半導体発光素子の上面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ’断面図である。
【図５】リードフレームに載置された状態の上記第２実施形態のフリップチップ型半導体発光素子の上面図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ’線断面図である。
【図７】従来の第１のフリップチップ型半導体発光素子の上面図である。
【図８】図７のＤ−Ｄ’線断面図の第１の電極から第２の電極までの部分である。
【図９】従来の第２のフリップチップ型半導体発光素子を示す図である。
【符号の説明】
【００６１】
２,４３  透明電極
５  Ｐ型エピタキシャル層
６  Ｎ型エピタキシャル層
７  Ｎ型ＧａＰ基板
９,３９  Ｐ型基板
１０,４０  Ｎ型基板
１１  絶縁薄膜
４１  樹脂製の仕切り板
４７  透明基板
【図１】
2005286134.tif 000003
【図２】
2005286134.tif 000004
【図３】
2005286134.tif 000005
【図４】
2005286134.tif 000006
【図５】
2005286134.tif 000007
【図６】
2005286134.tif 000008
【図７】
2005286134.tif 000009
【図８】
2005286134.tif 000010
【図９】
2005286134.tif 000011