(57)【要約】【課題】  透明電極である陰極からの電子の注入効率の改善より発光特性が良好なトップエミッション型の有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】  有機層から離れると水素濃度およびスズ濃度が減る濃度勾配を有する酸化インジウム透明導電膜を有する有機ＥＬ素子を提供する。【選択図】  図１
2005322463.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する陽極と陰極からなる１対の電極と、前記１対の電極の間に有機化合物層が設けられた有機ＥＬ素子において、前記陰極が、透明導電層と電子注入電極層の２層からなり、前記透明導電層が電子注入電極層との界面から厚さ方向に水素及びスズ濃度が減少する水素及びスズ濃度勾配を有する酸化インジウム透明導電膜であることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光を素子の陰極側で取り出すことができる有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在主に開発が進められている有機ＥＬ素子の構成は、陽極/発光層/陰極の積層を基本とし、ガラス板などを用いた基板上に透明陽極を形成し、発光を基板側から取り出すことを考えている。また最近になって発光画素ごとに駆動用トランジスタを設けた方式（アクティブマトリックス方式）のパネルの検討が進んでいる。ところが基板側より光を取り出す場合、これらの駆動回路、配線部が光を遮るため、画素の開口率（素子内で実際に発光する部分の面積比）が小さくなるという問題がある。
【０００３】
そこで特許文献１、特許文献２で開示されているように、陰極を透明な電子注入金属層と非晶質透明導電膜で形成し、陰極側から光を取り出すことが試みられている。この素子構成は、ＴＦＴ駆動回路基板の上に画素電極（陽極）を形成し、さらに有機ＥＬ層、透明陰極を設けるものである。光は陰極から取り出されるので、開口率の低下の問題は解決される。しかし画素電極（陽極）からの正孔注入性、透明電極（陰極）からの電子注入性、素子プロセスの安定性などでまだ十分な改善が得られていない。
【０００４】
正孔注入性に関しては、特許文献１では陽極材料として仕事関数4.8eV以上の金属材料、例えばＡｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｐｄの有効性が挙げられている。
また特許文献２では、パターン形成が容易なＣｒを含む周期律表５または６族の金属材料を陽極材料として用いることが提案されている。
【特許文献１】特開平１０−１６２９５９号公報
【特許文献２】特開２００１−０４３９８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
透明電極（陰極）からの電子注入性に関しては、特許文献１で、電子注入電極層が電子注入性の金属、合金、及びアルカリ土類金属、またはそれらと電子伝達性の有機物の混合層であること、電子注入電極層が島状電子注入域からなることが好ましいとの記載はあるものの、透明導電膜に関しては、比抵抗値が十分に低下しない、結晶粒界より水分や酸素が浸入しやすい、との理由から非晶質のものの有効性を述べてはいるが、電子注入性の改善に関する検討は行われていない。
【０００６】
また、特許文献２では、電子注入電極層に関して、光線透過率が５０％以上、膜厚が0.5〜20nm、仕事関数が3.8eV以下の金属が好ましいとの記載はあるものの、透明導電膜に関しては、抵抗値が5×10-4Ω・cm以下、材質がIn-Zn-O系の酸化物膜という点の指摘に留まっている。
【０００７】
つまり、電子と正孔の再結合により発光する素子でありながら、今までの先行技術では発光層への電子の注入性の改善及び最適化に関する詳細な検討がなされていなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、発光を素子の陰極側で取り出すことができる金属陽極基板を用いて良好な発光特性が得られる有機ＥＬ発光素子を提供することを目的とする。
【０００９】
即ち透明導電膜と電子注入電極層間の電子の注入効率を高めることにより、発光層への電子注入効率を改善し、発光効率を大幅に改善するものである。
【００１０】
上記目的は以下の構成により達成される。
即ち、対向する陽極と陰極からなる１対の電極と、前記１対の電極の間に有機化合物層が設けられた有機ＥＬ素子において、前記陰極が、透明導電層と電子注入電極層の２層からなり、前記透明導電層が電子注入電極層との界面から厚さ方向に水素及びスズ濃度が減少する水素及びスズ濃度勾配を有する酸化インジウム系透明導電膜であることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、透明電極である陰極からの電子の注入効率の改善より発光特性が良好なトップエミッション型の有機ＥＬ素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００１３】
図１は本発明にかかるトップエミッション型の有機ＥＬ素子の基本的な構成を示す断面図である。
【００１４】
陽極Ａと、陰極Ｋと、両者の間に保持された有機ＥＬ層１０とからなる。有機層１０は陽極Ａから供給される正孔と陰極Ｋから供給される電子との再結合によって発光する発光層１０２を含んでいる。さらに正孔輸送層１０１、電子注入電極層１０３とを含んでいる。
【００１５】
本発明の特徴である陰極Ｋについて説明する。陰極Ｋは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）の透明導電膜であり、膜中にHが含有されており、膜の深さ方向にHとスズの濃度勾配が形成されている。Hとスズの濃度勾配は、電子注入電極層１０３と接する界面で含有量が大きく、陰極Ｋの反対面に向かって濃度が徐々に小さくなるように形成されている。一般にスパッタリング法で形成されるITO等の透明導電膜中には、一定量のHが均一に含まれていることが知られているが、この膜中濃度を徐々に高めていくとある濃度までは結晶性の低下が進み（350〜450nmの分光透過率増大）、従来結晶を含有する膜はアモルファス化する。更に膜中濃度を高めると再び結晶性が現れ、濃度の増加と共に結晶性は増加する（350〜450nmの分光透過率減少）。この際、Hが低濃度では粒径の大きな結晶成長が認められ、高濃度では粒径の小さな結晶が低濃度時よりも多数形成される。陰極Ｋの膜中にHの濃度勾配を形成することによる効果は、陰極から有機層への電子の注入効率を改善し、素子の発光効率を向上させることである。この効果がどのようなメカニズムにより発現しているのかについては必ずしも明らかでないが、島状構造または極めて薄い膜である電子注入電極層との界面において透明導電膜の微小な結晶面が電子の注入に関して有効であるものと考えられる。電子注入電極を構成する金属元素が透明導電膜の結晶生成サイトとして機能し、このような箇所で注入効率が改善しているとも考えられ、比較的大きな結晶が生成するHの低濃度環境では、このような箇所の密度が低いのかもしれない。
【００１６】
本発明の他の効果は、H添加によるキャリア密度の低下を、スズ濃度を高めることにより補償することで、微結晶化で改善する電子注入電極層への注入性を、一層効果的なものにしようとするものである。
【００１７】
陰極Ｋ中のHの濃度勾配、含有量は、電子注入電極層界面においてHを5×1021〜5×1022atom/ccとし、膜厚方向に向かって連続的に濃度を低下し、陰極Ｋの膜厚中心付近で含有量がアモルファス状態となるほぼ5×1020atom/cc台とすることが望ましい。上記のHの濃度勾配および含有量の値は実験的に求められた値であり以下の理由による。
（１）Hの含有量が大きすぎると陰極Ｋの光の透過率が減少し発光効率が減少する。
（２）Hの含有量が電子注入電極極層１０３との界面近傍で大きすぎると、キャリア密度が低下するために、発光効率が減少する。
（３）Hの濃度勾配を陰極Ｋの膜厚中心付近を越えて膜表面近傍まで含有させても、電子注入電極層への電子の注入効率はHを膜厚中心付近まで含有させた場合と変わらず、かえっての全体の含有量が増加したことによりキャリア密度、光透過率の減少が起こり、発光効率が減少する。
【００１８】
また、膜表面の平滑性がアモルファス状態に比べて劣化するため、この膜の上に形成するパッシベーション膜のカバレッジ性に問題が生ずる可能性が高まる。
【００１９】
ドーパント金属であるＳｎの濃度勾配は、Hの濃度勾配と同様に電子注入層１０３と接する界面で含有量が最も大きく、陰極Ｋ表面側に向かって濃度が連続的に小さくなり、膜厚の中心付近で最小となり以降膜表面まで一定となるように形成されている。一般に透明導電膜の結晶中に活性なドナーとして取り込まれるドーパント金属の量は、透明導電膜の結晶の歪の大きさ、結晶の大きさに依存するといわれている。すなわち、透明導電膜を構成する結晶の歪が小さく、サイズが大きいほど（粒界面積が小さいほど）ドナーの取り込まれ量が増加するといわれている。本発明では、結晶が小さなH添加量の大なる領域にドーパント金属を添加することで良好な結果が得られたことから、電子注入層に含まれる金属原子が結晶核として作用している可能性も含め、元来結晶核が十分にある状況下で結晶が大きくならず、結晶サイズと共に増大するといわれている内部歪が小さな値を維持できることが、結晶粒界面積の増大にもかかわらず本発明の十分なる効果をもたらしているものと思われる。透明導電膜中の結晶含有量は、膜中のHの含有量にほぼ比例する。前述のように、透明導電膜中のHの含有量は、電子注入電極層１０３と接する界面で含有量が一番大きく、透明導電膜表面側に向かって濃度が連続的に小さくなり、膜厚の中心付近で０となるように形成されている。したがって透明導電膜は、電子注入層１０３側ほど結晶含有率歪が大きく、ドーパント金属の活性なドナーを取り込みやすい状態となることから、ドーパント金属の濃度勾配は、Hの濃度勾配と同様に電子注入層１０３と接する界面で含有量が一番大きく、陰極Ｋ表面側に向かって濃度が連続的に小さくなり、膜厚の中心付近から膜表面まで一定となるように形成することが望ましい。そして前述のHが含有された陰極Ｋ中のドーパント金属Ｓｎの濃度勾配、含有量の値は、電子注入層界面近傍においてドーパント金属Ｓｎを全金属原子に対して10〜12at%で、陰極Ｋ膜表面方向に向かって連続的に濃度を低下させ、陰極Ｋの膜厚中心付近から膜表面まで5〜8at％とすることが望ましい。陰極Ｋ中の各部位で前述の値以上にドーパント金属Ｓｎを含有させると、結晶内に取り込まれないで偏析するドーパント金属Ｓｎが増加して結晶性が低下し、膜の比抵抗値が上昇してしまう。また、陰極Ｋ中の各部位におけるドーパント金属Ｓｎの含有量を上記の値以下とすると、膜中の活性なドナーが不足してキャリア密度が低下し、膜の比抵抗値が上昇してしまう。
【００２０】
陽極Ａとしては、仕事関数の大きなものが望ましく、例えば金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、セレン（Ｓｅ）、イリジウム（Ｉｒ）、ヨウ化銅等や、合金等を用いることができる。
【００２１】
正孔輸送層１０１として使用できる有機化合物としては、特に限定はないが、例えばトリフェニルジアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポリフィリル誘導体、スチルベン誘導体等を用いることができるが、これに限られるものではない。
【００２２】
発光層１０２の材料として使用できる有機化合物としては、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体等から採用できる。またこれらの発光材料の一種以上を正孔注入層や、正孔輸送層又は、電子電子輸送層にドーピングして用いることもできる。これら材料、構成は、いずれもこれに限定されない。
【００２３】
電子注入電極層１０３の材料として使用できる有機化合物としては、炭酸セシウム、炭酸リチウム等の炭酸塩がドーピングされた有機化合物が好適であり、公知の有機化合物としては例えばＡｌｑ3等があげられる。また、無機の混合層でも良くＬｉＦ等もあげられる。
【００２４】
陰極Ｋを成膜するにあたっては、マグネトロンスパッタリング装置を用いることが好適である。具体的にはAr、O2、H2Oの混合ガス雰囲気中で、同一成膜空間内に配置されたＩＴＯ、またはＩｎ2Ｏ3の透明導電膜材料のターゲットと、ドーパント金属であるＳｎＯ2ターゲットを同時に放電させる多元同時強磁場スパッタ法（ターゲット表面水平磁場：1200G）にて素子基板上にHが含有される透明導電膜を形成する。成膜中においては、成膜時間の経過につれてH2Oガス流量およびＳｎＯ2ターゲットに印加するパワーを低下させることにより陰極Ｋの膜厚方向にドーパント金属ＳｎとHの濃度勾配を形成する。なお、陰極Ｋの成膜法としてはマグネトロンスパッタリング法の他に電子銃を用いた多元同時蒸着法、プラズマ銃を用いた多元同時イオンプレーティング法も採用可能である。
【００２５】
成膜された陰極Ｋ中の全金属原子に対するドーパント金属の比率は、高感度のＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）を用いＡｒイオンエッチングを併用して膜の深さ方向分析を行い測定することが有効であり、本実施形態においても使用した。また、Hの定量については同様にSIMS（二次イオン質量分析法）を用いて行った。
【００２６】
正孔輸送層１０１、発光層１０２、電子注入電極層１０３を形成するにあたっては、いかなる薄膜形成方法であってもよく、例えば蒸着法やスパッタ法、ＣＶＤ法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）、ディッピング法、スピン塗布法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等が使用できるが、抵抗加熱またはクヌーセンセルを使用した蒸着装置を用いることが好適である。また、電子注入層においては、ドーピング材料と有機化合物を同時に加熱蒸着する共蒸着法用いることが好適である。
【００２７】
図２は、有機ＥＬ素子作製に使われるＴＦＴ基板の有機ＥＬ発光画素とＴＦＴの一部を含む断面構造を模式的に示している。発光画素部は陽極Ａ、有機層１０及び陰極Ｋを順に重ねたものである。陽極Ａは画素毎に分離しており、例えばＣｒからなり、基本的に反射性である。陰極Ｋは画素間で共通接続されており、基本的に光透過性である。ＴＦＴはガラス等からなる基板１の上に形成されたゲート電極２と、その上面に重ねられたゲート絶縁膜３と、このゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の上方に重ねられた半導体薄膜４とからなる。この半導体薄膜４は例えば多結晶シリコン薄膜からなる。ＴＦＴは画素電極に供給される電流の通路となるソースＳ、チャンネルＣｈ及びドレインＤを備えている。このボトムゲート構造のＴＦＴは層間絶縁膜５により被覆されており、その上にはソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが形成されている。これらの上には別の層間絶縁膜９を介して画素電極（陽極Ａ）が形成されている。
【００２８】
以下、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２９】
Ｃｒ電極形成
ガラス基板上に、ＣｒターゲットをＤＣスパッタし陽極Ａとして100nmの厚さにＣｒ膜を成膜した。この際成膜マスクを用いて、３ｍｍのストライプとした。Ａｒガスを用いて、0.2Ｐａの圧力、３００Ｗの投入Ｐｗ条件で行った。
【００３０】
大気開放
次に基板をスパッタ装置より取り出してアセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で順次超音波洗浄し、次いでＩＰＡで煮沸洗浄後乾燥した。さらに、ＵＶ／オゾン洗浄した。
【００３１】
前処理
有機ＥＬ蒸着装置へ移し真空排気し、前処理室で基板付近に設けたリング状電極に５０ＷのＲＦ電力を投入し酸素プラズマ洗浄処理を行った。酸素圧力は0.6Ｐａ、処理時間は40秒であった。
【００３２】
正孔輸送層形成
基板を前処理室より成膜室へ移動し、成膜室を、１×10Ｅ（-4）Ｐａまで排気した後、正孔輸送性を有するαＮＰＤを抵抗加熱蒸着法により成膜速度０.２〜０.３nm/secの条件で成膜し膜厚３５ｎｍ正孔輸送層１０１を形成した。なお、正孔輸送層１０１、発光層１０２、および電子注入層１０３は、同一の蒸着マスクを用いることにより所定の部分に蒸着した。所定の部分とは基板上で、Ｃｒが露出している部分である（画素電極）。
【００３３】
発光層形成
続いて正孔輸送層１０２の上にアルキレート錯体であるＡｌｑ3を抵抗加熱蒸着法により正孔輸送層１０１と同様の成膜条件で膜厚１５nm成膜し発光層１０２を形成した。
【００３４】
電子注入電極層形成
次に、発光層１０２の上に抵抗加熱共蒸着法によりＡｌｑ3と炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）を膜厚比９：１の割合で混合されるよう、各々の蒸着速度を調整して成膜し膜厚３５nm電子注入層１０３を形成した。詳しくは、それぞれの蒸着ボートにセットした材料を抵抗加熱方式で蒸発させ、有機層は〜５Ａ/Ｓ、共蒸着層もそれぞれのボート電流値を調整することで、あわせて〜５Ａ/Ｓの蒸着速度で膜形成を行った。
【００３５】
陰極（透明導電膜）形成
最後に別の成膜室に基板を移し、電子注入層１０３の上にＩＴＯターゲットを用いてDCマグネトロンスパッタリング法により、膜厚が130nmになるようマスク成膜によりＣｒ画素電極を覆って、Ｃｒストライプに交差するように、陰極Ｋを形成した。
【００３６】
成膜中においては、成膜時間の経過につれてH2Oガス供給量およびＳｎＯ2ターゲットに印加するパワーを連続的に減少させることにより陰極Ｋの膜厚方向にHとSnの濃度勾配を形成した。Hの濃度勾配は、電子注入電極層１０３界面近傍においてHを5×1021〜1×1022atom/ccとし、膜厚方向に向かって連続的に濃度を低下させ、陰極Ｋの膜厚中心付近（電子注入電極層１０３界面より65nm）でHの含有量が1020atom/cc台とした。ドーパント金属Ｓｎの濃度勾配は、電子注入層１０３界面近傍おいてドーパント金属Ｓｎを全金属原子に対して12at%で、陰極Ｋ膜表面方向に向かって連続的濃度を低下し、陰極Ｋの膜厚中心付近から膜表面まで（電子注入層１０３界面より65nm〜130nm）ドーパント金属Ｓｎの含有量が8at％とした。なお、前述のようにＩＴＯターゲット裏面には強磁場タイプのマグネットが配置されており、低電圧スパッタリングが可能となっている。
【００３７】
成膜条件としては、基板加熱なしの室温成膜で成膜圧力を1.0Ｐａ、Ａｒ、H2OおよびO2ガスを用いそれぞれの流量は500、1.5、5.0scccmとし、ターゲットに印加する投入パワーはＩＴＯ：500Ｗ、ＳｎＯ2：150〜100Ｗで成膜を行った。透過率は85％（at.450nm）、比抵抗値は8.0Ｅ-4Ωcmであった。
【００３８】
素子評価
このようにして、ガラス基板上に、陽極Ａ、正孔輸送層１０１、発光層１０２、電子注入電極層１０３、および陰極Ｋを設け、発光素子を得た。続いて、この発光素子において、Ｃｒを陽極Ａ、H含有の透明導電膜を陰極Ｋとして直流電圧を印加し、素子の発光特性を調べた。その結果この素子は、印加電圧8Ｖにて最高輝度11400ｃｄ／ｍ2を示した。また、印加電圧2.5Ｖにて最高効率8.1ｌｍ／Ｗを示した。この発光素子の特性および陰極Ｋの単膜特性を表１に示す。
【実施例２】
【００３９】
Ｓｎの濃度勾配を電子注入層１０３界面近傍おいてＳｎを全金属原子に対して11at%で、陰極Ｋ膜表面方向に向かって連続的濃度を低下し、陰極Ｋの膜厚中心付近から膜表面まで（電子注入層１０３界面より65nm〜130nm）Ｓｎの含有量がほぼ7at%としたことを除き実施例１の条件にて発光素子を作製した。このようにして作製した素子について、実施例１同様に発光特性を評価した。この発光素子の特性および陰極Ｋの単膜特性を表１に示す。
【実施例３】
【００４０】
Ｓｎの濃度勾配を電子注入層１０３界面近傍おいてＳｎを全金属原子に対して10at%で、陰極Ｋ膜表面方向に向かって連続的濃度を低下し、陰極Ｋの膜厚中心付近から膜表面まで（電子注入層１０３界面より65nm〜130nm）Ｓｎの含有量がほぼ5at%としたことを除き実施例１の条件にて発光素子を作製した。このようにして作製した素子について、実施例１同様に発光特性を評価した。この発光素子の特性および陰極Ｋの単膜特性を表１に示す。
【実施例４】
【００４１】
Hの濃度勾配は、電子注入電極層１０３界面近傍においてHを1×1022〜5×1022atom/ccとし、膜厚方向に向かって連続的に濃度を低下させ、陰極Ｋの膜厚中心付近（電子注入電極層１０３界面より65nm）でHの含有量が1020atom/cc台としたことを除き実施例１の条件にて発光素子を作製した。このようにして作製した素子について、実施例１同様に発光特性を評価した。この発光素子の特性および陰極Ｋの単膜特性を表１に示す。
【実施例５】
【００４２】
Ｓｎの濃度勾配を電子注入層１０３界面近傍おいてＳｎを全金属原子に対して10at%で、陰極Ｋ膜表面方向に向かって連続的濃度を低下し、陰極Ｋの膜厚中心付近から膜表面まで（電子注入層１０３界面より65nm〜130nm）Ｓｎの含有量がほぼ5at%としたことを除き実施例３の条件にて発光素子を作製した。このようにして作製した素子について、実施例１同様に発光特性を評価した。この発光素子の特性および陰極Ｋの単膜特性を表１に示す。
【実施例６】
【００４３】
発光層１０２の上に抵抗加熱共蒸着法によりＡｌｑ3と炭酸リチウム（Ｌｉ2ＣＯ3）を膜厚比９：１の割合で混合されるよう、各々の蒸着速度を調整して成膜し膜厚３５nm電子注入層１０３を形成したことを除き実施例２の条件にて発光素子を作製した。このようにして作製した素子について、実施例１同様に発光特性を評価した。この発光素子の特性および陰極Ｋの単膜特性を表１に示す。
【実施例７】
【００４４】
発光層１０２の上に抵抗加熱共蒸着法によりＡｌｑ3とフッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚比９：１の割合で混合されるよう、各々の蒸着速度を調整して成膜し膜厚３５nm電子注入層１０３を形成したことを除き実施例２の条件にて発光素子を作製した。このようにして作製した素子について、実施例１同様に発光特性を評価した。この発光素子の特性および陰極Ｋの単膜特性を表１に示す。
【００４５】
（比較例１）
陰極Ｋとして、陰極Ｋ内でＳｎの濃度勾配がなく膜厚方向に均一にＳｎを全金属原子に対して8at%含有させて形成したことを除き実施例１の条件にて発光素子を作製した。このようにして作製した素子について、実施例１同様に発光特性を評価した。この発光素子の特性および陰極Ｋの単膜特性を表１に示す。
【００４６】
（比較例２）
Ｓｎの濃度勾配を電子注入層１０３界面近傍おいてＳｎを全金属原子に対して13at%で、陰極Ｋ膜表面方向に向かって連続的濃度を低下し、陰極Ｋの膜厚中心付近から膜表面まで（電子注入層１０３界面より65nm〜130nm）Ｓｎの含有量がほぼ8at%としたことを除き実施例１の条件にて発光素子を作製した。このようにして作製した素子について、実施例１同様に発光特性を評価した。この発光素子の特性および陰極Ｋの単膜特性を表１に示す。
【００４７】
（比較例３）
Ｓｎの濃度勾配を電子注入層１０３界面近傍おいてＳｎを全金属原子に対して9at%で、陰極Ｋ膜表面方向に向かって連続的濃度を低下し、陰極Ｋの膜厚中心付近から膜表面まで（電子注入層１０３界面より65nm〜130nm）Ｓｎの含有量がほぼ8at%としたことを除き実施例１の条件にて発光素子を作製した。このようにして作製した素子について、実施例１同様に発光特性を評価した。この発光素子の特性および陰極Ｋの単膜特性を表１に示す。
【００４８】
（比較例４）
Ｓｎの濃度勾配を電子注入層１０３界面近傍おいてＳｎを全金属原子に対して11at%で、陰極Ｋ膜表面方向に向かって連続的濃度を低下し、電子注入層界面より陰極Ｋの全膜厚２/５付近から膜表面まで（電子注入層１０３界面より52nm〜130nm）Ｓｎの含有量がほぼ7at%としたことを除き実施例１の条件にて発光素子を作製した。このようにして作製した素子について、実施例１同様に発光特性を評価した。この発光素子の特性および陰極Ｋの単膜特性を表１に示す。
【００４９】
（比較例５）
Ｓｎの濃度勾配を電子注入層１０３界面近傍おいてＳｎを全金属原子に対して11at%で、陰極Ｋ膜表面方向に向かって連続的濃度を低下し、電子注入層界面より陰極Ｋの全膜厚４/５付近から膜表面まで（電子注入層１０３界面より104nm〜130nm）Ｓｎの含有量がほぼ7at%としたことを除き実施例１の条件にて発光素子を作製した。このようにして作製した素子について、実施例１同様に発光特性を評価した。この発光素子の特性および陰極Ｋの単膜特性を表１に示す。
【００５０】
（比較例６）
Ｓｎの濃度勾配を電子注入層１０３界面近傍おいてＳｎを全金属原子に対して22at%で、陰極Ｋ膜表面方向に向かって連続的濃度を低下し、電子注入層界面より陰極Ｋの全膜厚１/４付近から膜表面まで（電子注入層１０３界面より26nm〜130nm）Ｓｎの含有量がほぼ7at%としたことを除き実施例１の条件にて発光素子を作製した。このようにして作製した素子について、実施例１同様に発光特性を評価した。この発光素子の特性および陰極Ｋの単膜特性を表１に示す。
【００５１】
【表１】
2005322463.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の発光素子の積層構造例を示す模式図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ発光画素とＴＦＴの一部を含む素子の断面構造模式図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  ガラス基板
Ａ  陽極
１０１  正孔輸送層
１０２  発光層
１０３  電子注入層
Ｋ  陰極
２  ゲート電極
３  ゲート絶縁層
４  半導体層
５  層間絶縁膜
９  層間絶縁膜
Ａ  陽極
Ｄ  ドレイン
Ｓ  ソース
【図１】
2005322463.tif 000004
【図２】
2005322463.tif 000005