(57)【要約】【課題】  耐電力性と電気的特性の両方を向上することができる、圧電薄膜共振子ならびに該圧電薄膜共振子を用いた圧電フィルタ、デュプレクサ及び通信装置を提供する。【解決手段】  圧電薄膜共振子１０は、対向する一対の励振電極１８ａ，１８ｂの間に圧電薄膜１９が配置され、一対の励振電極の少なくとも一方１８ａには圧電薄膜１９と反対側に絶縁膜１１が形成されている。絶縁膜１１は、ｃ軸配向ＡｌＮからなる第１層１５と、無配向ＡｌＮからなる第２層１４とを含む。第１層１５は、一対の励振電極の少なくとも一方１８ａに隣接する。【選択図】図４
2005286490.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の励振電極の間に圧電薄膜が配置され、前記一対の励振電極の少なくとも一方には前記圧電薄膜と反対側に絶縁膜が形成された圧電薄膜共振子において、
前記絶縁膜は、ｃ軸配向ＡｌＮからなる第１層と、無配向ＡｌＮからなる第２層とを含み、
前記第１層は、前記一対の励振電極の少なくとも一方に隣接することを特徴とする、圧電薄膜共振子。
【請求項２】
前記絶縁膜は、ＳｉＯ２からなる第３層を含むことを特徴とする、請求項１に記載の圧電薄膜共振子。
【請求項３】
前記絶縁体層の前記第１層を構成するｃ軸配向ＡｌＮは、その配向性がＸＲＤのθ−２θ法において、ロッキングカーブの半幅値で４°以下であり、
前記絶縁体層の前記第２層を構成する無配向ＡｌＮは、その配向性がＸＲＤのθ−２θ法において、（００２）面以外に（１００）、（１０１）、（１０２）、（１１０）、（１０３）、（１１２）、（２０１）及び（２０３）のうち少なくとも一つの面からの信号が観測されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の圧電薄膜共振子。
【請求項４】
請求項１、２又は３に記載の圧電薄膜共振子を用いたことを特徴とする圧電フィルタ。
【請求項５】
請求項１、２又は３に記載の圧電薄膜共振子を用いてラダー構成にしたことを特徴とする圧電フィルタ。
【請求項６】
請求項１、２もしくは３に記載の圧電薄膜共振子又は請求項４もしくは５に記載の圧電フィルタを用いたことを特徴とするデュプレクサ。
【請求項７】
請求項１、２もしくは３に記載の圧電薄膜共振子、請求項４もしくは５に記載の圧電フィルタ又は請求項６に記載のデュプレクサを用いたことを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電薄膜共振子ならびに該圧電薄膜共振子を用いた圧電フィルタ、デュプレクサ及び通信装置に関し、特に、圧電薄膜の弾性振動を利用した圧電薄膜共振子ならびに該圧電薄膜共振子を用いた圧電フィルタ、デュプレクサ及び通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電基板の厚み振動を利用した圧電共振子の共振周波数は、圧電基板の厚さに反比例するので、超高周波領域では圧電基板を極めて薄く加工する必要がある。しかし、圧電基板自体の厚さを薄くするのは、その機械的強度や取り扱い上の制限などから、基本モードでは数１００ＭＨｚが実用上の高周波限界とされてきた。
【０００３】
このような問題を解決するため、従来、圧電薄膜共振子が提案されており、フィルタや共振器として利用されている。例えば図１に示すように、この圧電薄膜共振子１は、Ｓｉ基板４を部分的にエッチングすることにより空洞４ｘを形成し、Ｓｉ基板４の一部に数μｍ以下の厚さの薄膜支持部４ａを形成し、その上に一対の励振電極８ａ，８ｂを有するＺｎＯ圧電薄膜９を設けたものである。
【０００４】
このような圧電薄膜共振子１では、薄膜支持部４ａは微細加工技術を用いて薄くすることができ、圧電薄膜９もスパッタリング等によって薄く形成することができるので、数１００ＭＨｚ〜数１０００ＭＨｚまで高周波特性を達成できる可能性がある。
【０００５】
しかし、ＺｎＯとＳｉは、ヤング率の温度係数がいずれも負の値となるので、ＺｎＯからなる圧電薄膜９とＳｉからなる薄膜支持部４ａとの組み合わせでは、共振周波数の温度特性が悪くなるという欠点がある。
【０００６】
この問題に対して改善したものとして、図２に示す圧電薄膜共振子２が提案されている。この圧電薄膜共振子２は、Ｓｉ基板４の表面に熱酸化等によってＳｉＯ２薄膜５を形成し、Ｓｉ基板４を部分的にエッチングすることによってＳｉＯ２薄膜５で薄膜支持部５ａを形成し、その上に励振電極８ａ，８ｂを両面に有するＺｎＯ圧電薄膜９を設けている。
【０００７】
このように構成された圧電薄膜共振子２に電力を印加すると、振動部分が非常に高温になり、耐電力性が悪い。この問題に対して、図３に示す圧電薄膜共振子３が提案されている。この圧電薄膜共振子３は、ＡｌＮの上層６とＳｉＯ２の下層５ｓとからなる薄膜支持部７の上に、電極８ｓ，８ｔ及び圧電層９を配置したものであり、絶縁膜として熱伝導率の高いＡｌＮ薄膜の上層６を形成することにより、耐電力性の向上を図っている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００８】
ＺｎＯ圧電薄膜の上にＡｌＮ膜を形成することによっても耐電力性の向上が図れる。ＡｌＮ膜は無配向であっても熱伝導率が高いが、配向性が高いほど熱伝導率が高い。
【特許文献１】特開平１０−１２６１６０号公報（第５頁、図２）
【特許文献２】特開２００１−２１１０５３号公報（第５−６頁、図９、図１２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、耐電力性を向上するためＡｌＮ層を設けると、電気的特性を劣化させることがある。
【００１０】
本発明は、このような実情に鑑み、耐電力性と電気的特性の両方を向上することができる、圧電薄膜共振子ならびに該圧電薄膜共振子を用いた圧電フィルタ、デュプレクサ及び通信装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するため、以下のように構成した圧電薄膜共振子を提供する。
【００１２】
圧電薄膜共振子は、対向する一対の励振電極の間に圧電薄膜が配置され、前記一対の励振電極の少なくとも一方には前記圧電薄膜と反対側に絶縁膜が形成されたタイプのものである。前記絶縁膜は、ｃ軸配向ＡｌＮからなる第１層と、無配向ＡｌＮからなる第２層とを含む。前記第１層は、前記一対の励振電極の少なくとも一方に隣接する。
【００１３】
絶縁膜にｃ軸配向ＡｌＮを用いると、電界の方向によって損失が生じ、共振のＱを劣化させる。絶縁膜に無配向ＡｌＮを用いると、電界がどのような方向であっても損失がない。共振のＱの劣化を防止するという点では、無配向ＡｌＮの方が好ましい。一方、ｃ軸配向ＡｌＮは、無配向ＡｌＮよりも熱伝導率が大きい。圧電薄膜の振動で発生した熱の放熱性を高め、圧電薄膜共振子の耐電力性を向上するという点では、ｃ軸配向ＡｌＮの方が好ましい。
【００１４】
上記構成によれば、無配向ＡｌＮよりも熱伝導率が大きいｃ軸配向ＡｌＮからなる第１層は、発熱する圧電薄膜に隣接するので、放熱性を高め、圧電薄膜共振子の耐電力性を向上することができる。一方、無配向ＡｌＮからなる第２層を設け、第２層においては電界方向による損失をなくし、共振のＱの劣化を防止することができる。したがって、共振のＱの劣化を防止して、電気的特性の向上と、耐電力性の向上との両立を図ることができる。
【００１５】
好ましくは、前記絶縁膜は、ＳｉＯ２からなる第３層を含む。
【００１６】
温度係数が負の値であるＺｎＯ、ＡｌＮ、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、ＰＺＴなどの圧電材料を主成分とする圧電薄膜の場合には、絶縁膜に、温度係数が正の値であるＳｉＯ２の第３層を含めることにより、共振周波数の温度特性を安定にすることができる。Ｓｉ基板を用いれば、第３層を熱酸化等により容易に形成できる。
【００１７】
好ましくは、前記絶縁体層の前記第１層を構成するｃ軸配向ＡｌＮは、その配向性がＸＲＤのθ−２θ法において、ロッキングカーブの半幅値で４°以下である。前記絶縁体層の前記第２層を構成する無配向ＡｌＮは、その配向性がＸＲＤのθ−２θ法において、（００２）面以外に（１００）、（１０１）、（１０２）、（１１０）、（１０３）、（１１２）、（２０１）及び（２０３）のうち少なくとも一つの面からの信号が観測される。
【００１８】
また、本発明は、上記各構成のいずれかの圧電薄膜共振子を用いたことを特徴とする圧電フィルタを提供する。
【００１９】
また、本発明は、上記各構成のいずれかの圧電薄膜共振子を用いてラダー構成にしたことを特徴とする圧電フィルタを提供する。
【００２０】
また、本発明は、上記各構成のいずれかの圧電薄膜共振子又は上記各構成のいずれかの圧電フィルタを用いたことを特徴とするデュプレクサを提供する。
【００２１】
また、本発明は、上記各構成のいずれかの圧電薄膜共振子、上記各構成のいずれかの圧電フィルタ又は上記構成のデュプレクサを用いたことを特徴とする通信装置を提供する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の圧電薄膜共振子ならびに該圧電薄膜共振子を用いた圧電フィルタ、デュプレクサ及び通信装置は、耐電力性と電気的特性の両方を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態として実施例を、図４〜図１２を参照しながら説明する。
【００２４】
まず、第１実施例の圧電薄膜共振子１０について、図４、図１０〜図１２を参照しながら説明する。
【００２５】
圧電薄膜共振子１０は、基板１２と、絶縁膜１１と、図において上下一対の励振電極１８ａ，１８ｂと、励振電極１８ａ，１８ｂ間に配置される圧電薄膜１９とを備える。
【００２６】
基板１２には、部分的に空洞１２ｘが形成されている。絶縁膜１１は、基板１２に支持された第１の部分と、基板１２の空洞１２ｘに隣接し基板１２から離れた第２の部分１６とを有する。基板１２には、例えば、Ｓｉ基板を用いる。
【００２７】
絶縁膜１１は、ＳｉＯ２膜１３と、無配向ＡｌＮ膜１４と、ｃ軸配向ＡｌＮ膜１５との３層構造となっている。図において下側の励振電極１８ａは、絶縁膜１１上に部分的に配置されているが、少なくとも、第２の部分１６上の一部分には配置されるようになっている。圧電薄膜１９は、励振電極１８ａ及び絶縁膜１１（励振電極１８ａのない部分）上に形成されている。図において上側の励振電極１８ｂは、圧電薄膜１９の上に、圧電薄膜１９を介して、励振電極１８ａの少なくとも第２の部分１６上の部分と対向するように、形成されている。すなわち、絶縁膜１１の第２の部分１６は、励振電極１８ａ，１８ｂ間に配置された圧電薄膜１９の厚み振動部分を支持する。
【００２８】
次に、圧電薄膜共振子１０の具体的な製造方法について、説明する。
【００２９】
まず、基板１２として、（１００）面シリコン基板を用意し、基板１２の片面（図においては上面）に、熱酸化、スパッタリング法等の成膜方法で、ＳｉＯ２膜１３を形成する。次に、基板１２の反対側の面（図においては下面）から、異方性エッチング、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）等により、基板１２を部分的に除去し、空洞１２ｘを形成する。
【００３０】
次に、ＳｉＯ２膜１３の上に、無配向ＡｌＮ膜１４を、例えば反応性ＲＦマグネトロンスパッタ法により形成する。この成膜方法では、ＡｌまたはＡｌＮを主成分とするターゲット材料を用い、ＡｒとＮ２をガスに用いて、ＡｌＮを成膜する。成膜時のガス圧がある程度高くなると、スパッタリング粒子と気体分子との衝突回数が増え、基板に対する垂直入射が阻害される。これにより、スパッタリング粒子は基板に対してさまざまな角度から入射し、一方向への配向性が失われ、無配向となり、無配向ＡｌＮ膜１４を形成できる。
【００３１】
成膜条件は、例えば、ガス圧が１．０Ｐａ〜５．０Ｐａ、Ａｒ／Ｎ２比が３／７〜７／３程度、基板加熱温度が室温〜５００℃程度、背圧が２×１０−４Ｐａ以下程度、成膜レート４ｎｍ／ｍｉｎ以上が得られるＲＦパワーで、成膜することが望ましい。
【００３２】
図１０は、無配向ＡｌＮ膜１４のＸＲＤのθ−２θ図（Ｘ線回折パターン）である。縦軸は、Ｘ線照射角度をスキャンし、角度のステップごとに決まった時間中における半導体検出器のカウント数を積算した回折強度を任意単位（ａ．ｕ．；ａｒｂｉｔｒａｒｙ  ｕｎｉｔ）で示している。横軸は、スキャンした角度を示している。成膜条件は、ガス圧が１．３Ｐａ、１．７Ｐａ、２．１Ｐａ、成膜レートが５ｎｍ／ｍｉｎである。この図から、無配向ＡｌＮ膜１４は、（００２）面以外に（１００）、（１０１）、（１０２）、（１１０）、（１０３）、（１１２）、（２０１）及び（２０３）のうち少なくとも一つの面からの信号が観測されることが分かる。
【００３３】
次に、無配向ＡｌＮ膜１４の上に、ｃ軸配向ＡｌＮ膜１５を、例えば反応性ＲＦマグネトロンスパッタ法により形成する。この成膜方法では、ＡｌまたはＡｌＮを主成分とするターゲット材料を用い、ＡｒとＮ２をガスに用いて、ＡｌＮを成膜する。成膜時のガス圧を低くし、スパッタリング粒子の基板に対する垂直入射性を向上させることで、ｃ軸が基板に垂直方向に良好に成長したｃ軸配向ＡｌＮ膜１５を形成できる。
【００３４】
成膜条件は、例えば、ガス圧が０．１Ｐａ〜１．０Ｐａ、Ａｒ／Ｎ２比が３／７〜７／３程度、基板加熱温度が室温〜５００℃程度、背圧が２×１０−４Ｐａ以下程度、成膜レート４ｎｍ／ｍｉｎ以上が得られるＲＦパワーで、成膜することが望ましい。
【００３５】
図１１は、ガス圧が０．２Ｐａ、成膜レートが４ｎｍ／ｍｉｎで成膜したｃ軸配向ＡｌＮ膜１５のＸＲＤのθ−２θ図である。この条件で成膜したｃ軸配向ＡｌＮ膜１５の配向性は、ロッキングカーブの半幅値で４°以下である。
【００３６】
なお、無配向ＡｌＮ膜１４やｃ軸配向ＡｌＮ膜１５は、蒸着法やＣＶＤ法などの成膜方法で成膜してもよい。
【００３７】
次に、ｃ軸配向ＡｌＮ膜１５の上に、電極材料を例えばリフトオフ蒸着法によって堆積させ、一方の励振電極１８ａを形成する。そして、メタルマスクを用いて例えば反応性ＲＦマグネトロンスパッタ法により、励振電極１８ａ及びｃ軸配向ＡｌＮ膜１５（励振電極１８ａのない部分）の上に、ＺｎＯを堆積させ、ＺｎＯ膜の圧電薄膜１９を形成する。このとき、励振電極１８ａの一部は、外部との接続のため、圧電薄膜１９から露出するようにする。或いは、全面にＺｎＯ膜の圧電薄膜を形成し、この圧電薄膜の上にフォトリソグラフィー法を用いて、外部との接続部分に開口を有するレジストマスクを形成し、このレジストマスクを介して圧電薄膜をエッチングして、励振電極１８ａの一部を、外部との接続のため、圧電薄膜１９から露出させる。最後に、圧電薄膜１９の上に、電極材料を例えばリフトオフ蒸着法によって堆積させ、他方の励振電極１８ｂを形成する。
【００３８】
以上の工程により、圧電薄膜共振子１０を作ることができる。
【００３９】
図１２は、本実施例の圧電薄膜共振子１０と、従来例の圧電薄膜共振子とのインピーダンス特性を示す。本実施例の圧電薄膜共振子１０では、共振点５０におけるインピーダンス（共振抵抗）が１．９６Ωである。従来例では、共振点５２におけるインピーダンス（共振抵抗）が２．７２Ωである。つまり、本実施例の圧電薄膜共振子１０は、従来例よりも共振抵抗が小さい。また、本実施例の圧電薄膜共振子１０は、従来例よりも、反共振抵抗が高くなっている。したがって、本実施例の圧電薄膜共振子１０は、従来例よりも共振のＱが改善され、電気的特性が向上していることが分かる。
【００４０】
このように電気特性が改善されるのは、ＡｌＮ膜を、無配向ＡｌＮ膜１４とｃ軸配向ＡｌＮ膜１５との２層にすることによる。
【００４１】
すなわち、圧電薄膜共振子において、絶縁膜として配向性ＡｌＮを用いると、ｃ軸配向の電界方向に平行な成分が誘電損失として電気機械結合係数を介して機械損失に変換され、共振のＱが劣化する。この損失は、ｃ軸配向の方向が電界方向と平行になるとき最大となり、傾けるとこれより小さくなり、電界方向と直角のとき（ｃ軸が基板面と平行に配向しているとき）、ゼロとなる。ＡｌＮをｃ軸が基板表面に平行になるように成膜した場合であっても、電界の方向が基板に対して斜めになっているところでは、誘電損失が発生する。これに対して、無配向のＡｌＮを絶縁膜１１として用いると、電界がどの方向を向いても損失がゼロである。したがって、ＡｌＮは、電気的特性という点では、基板表面に平行に配向させるよりも、無配向とする方が良いと考えられる。
【００４２】
一方、ｃ軸配向ＡｌＮの方が無配向ＡｌＮより熱伝導率が大きい。そのため、圧電薄膜１９を成長させる側の絶縁膜の表面は、ｃ軸配向ＡｌＮの方が、振動で発生した熱の放熱性が良くなり、圧電薄膜共振子の耐電力性が向上する。また、ｃ軸配向している方が、この上に形成される圧電薄膜の配向性が向上し、共振のＱが高くなる。
【００４３】
したがって、絶縁膜１１に用いるＡｌＮ膜について、無配向ＡｌＮ膜１４の上にｃ軸配向ＡｌＮ膜１５を形成した２層にすることにより、耐電力性と電気的特性の両方を向上することができる。
【００４４】
第１実施例の第１の変形例として、圧電薄膜共振子１０ａにＳｉＯ２膜１３を設けない構成を図１３に示す。
【００４５】
次に、第１実施例の第２の変形例について、図１４を参照しながら説明する。
【００４６】
第１実施例との相違点は、無配向ＡｌＮ膜１４が、第２の励振電極１８ｂ及び圧電薄膜１９の上に第２の絶縁膜として形成されることである。
【００４７】
ｃ軸配向ＡｌＮ膜１５は無配向ＡｌＮ膜１４に比べて熱伝導率が大きいので、振動で発生した熱の放熱性が良くなり、圧電薄膜共振子１０ｂの耐電力性が向上する。また、ｃ軸配向している方が、この上に形成される圧電薄膜１９の配向性が向上し、共振のＱが高くなる。
【００４８】
また、第２の励振電極１８ｂ及び圧電薄膜１９の上に形成したＡｌＮ膜１４が無配向であるので、誘電損失がなく、共振のＱが高い。
【００４９】
第２の励振電極１８ｂ及び圧電薄膜１９の上にｃ軸配向ＡｌＮ膜を形成すると、誘電分極による電界が発生し、ｃ軸配向の電界方向成分に比例した誘電損失が発生する。そのため、共振のＱが劣化する。
【００５０】
次に、第１実施例の圧電薄膜共振子１０を用いる第２〜第４実施例の圧電フィルタ３２，３４，３６について、図５〜図７を参照しながら説明する。
【００５１】
図５は、第２実施例の圧電フィルタ３２の回路図である。この圧電フィルタ３２は、２つの直列圧電薄膜共振子１０と１つの並列圧電素子１０とをＴ型にラダー接続したＴ型ラダーフィルタである。
【００５２】
図６は、第３実施例の圧電フィルタ３４の回路図である。この圧電フィルタ３４は、１つの直列圧電薄膜共振子１０と１つの並列圧電薄膜共振子１０とをＬ型にラダー接続したＬ型ラダーフィルタである。
【００５３】
図７は、第４実施例の圧電フィルタ３６の回路図である。この圧電フィルタ３６は、２つのＬ型ラダーフィルタを組み合わせたものであり、２つの直列圧電素子１０と２つの並列圧電素子１０とをラダー接続したパイ（π）型ラダーフィルタである。
【００５４】
第２〜第４実施例の圧電フィルタ３２，３４，３６は、耐電力性と電気的特性の両方が優れた圧電薄膜共振子１０を用いるので、圧電フィルタ３２，３４，３６としての耐電力性や電気的特性も良好となる。
【００５５】
次に、第５実施例のデュプレクサ４０について、図８を参照しながら説明する。
【００５６】
デュプレクサ４０には、アンテナ端子４２、受信側端子４４および送信側端子４６が設けられている。デュプレクサ４０は、受信側端子４４および送信側端子４６と、アンテナ端子４２との間に、所要周波数帯域の通過のみ許す第１実施例の圧電薄膜共振子１０、又は第２〜第４実施例の圧電フィルタ３２，３４，３６のいずれかを、回路素子として備える。デュプレクサ４０は、フィルタ特性の優れた圧電薄膜共振子１０、またはこの圧電薄膜共振子１０により構成される圧電フィルタ３２，３４，３６を回路素子として備えるので、送信や受信の特性・性能を高めることができる。
【００５７】
次に、第６実施例の通信装置について説明する。
【００５８】
第６実施例の通信装置は、第５実施例のデュプレクサ４０と、不図示の受信回路、送信回路及びアンテナを備える。受信回路は、デュプレクサ４０の受信側端子４６に接続される。送信回路は、デュプレクサ４０の送信側端子４６に接続される。アンテナは、デュプレクサ４０のアンテナ端子４２に接続される。この通信装置は、フィルタ特性の優れた圧電薄膜共振子１０を用いることにより送信や受信の特性・性能を高めたデュプレクサ４０を用いるので、送信や受信の特性・性能を高めることができる。
【００５９】
次に、第７実施例の圧電薄膜共振子２０について、図９を参照しながら説明する。
【００６０】
図９は、圧電薄膜共振子２０の構成を模式的に示す断面図である。圧電薄膜共振子２０は、第１実施例の圧電薄膜共振子１０と同様に、基板２２に支持された第１の部分と基板２２から離れた第２の部分２６とを有する絶縁膜２１を形成し、絶縁膜２１上に、一対の励振電極２８ａ，２８ｂ及び圧電薄膜２９を形成する。圧電薄膜２９は、第２の部分２６の上方において、励振電極２８ａ，２８ｂ間に配置される。
【００６１】
第１実施例と同様に、基板２２は、例えばＳｉ基板である、圧電薄膜２９は、例えばＺｎＯ膜である。絶縁膜２１は、ＳｉＯ２膜２３と、無配向ＡｌＮ膜２４と、ｃ軸配向ＡｌＮ膜２５との３層構造である。すなわち、基板２２上にＳｉＯ２膜２３が形成され、ｃ軸配向ＡｌＮ膜２５が励振電極２８ａ及び圧電薄膜２９側に配置され、無配向ＡｌＮ膜２４がＳｉＯ２膜２３とｃ軸配向ＡｌＮ膜２５との間に配置される。
【００６２】
第１実施例と異なり、基板２２の空洞２２ｘは、基板２２の上面側に形成される。空洞２２ｘは、例えば、基板２２の上面にＳｉＯ２膜２３を形成した後、ＳｉＯ２膜２３に開口部を形成し、この開口部から基板２２をエッチングすることにより、形成する。
【００６３】
この圧電薄膜共振子２０は、第１実施例の圧電薄膜共振子１０と同様に、絶縁膜２１がｃ軸配向ＡｌＮ膜２５と無配向ＡｌＮ膜２４とＳｉＯ２膜２３とにより構成されているので、耐電力性と電気的特性の両方を向上することができる。
【００６４】
第７実施例の圧電薄膜共振子２０は、第２〜第６実施例において用いられている圧電薄膜共振子１０の代わりに用いることができ、これにより、圧電フィルタ１０を用いた場合と同様に、良好な特性・性能を実現することができる。
【００６５】
以上の各実施例は、耐電力性と電気的特性の両方を向上することができる。
【００６６】
なお、本発明は、上記各実施例に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施可能である。
【００６７】
例えば、基板１２，２２は、ガラスや水晶などシリコン基板以外を用いてもよい。また、レーザ加工など加工法で基板１２，２２に空洞１２ｘ，２２ｘを形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】圧電薄膜共振子の構成を模式的に示した断面図である。（従来例１）
【図２】圧電薄膜共振子の構成を模式的に示した断面図である。（従来例２）
【図３】圧電薄膜共振子の構成を模式的に示した断面図である。（従来例３）
【図４】本発明の圧電薄膜共振子の構成を模式的に示した断面図である。（実施例１）
【図５】Ｔ型ラダーフィルタの回路図である。（実施例２）
【図６】Ｌ型ラダーフィルタの回路図である。（実施例３）
【図７】他のＬ型ラダーフィルタの回路図である。（実施例４）
【図８】デュプレクサの概略構成図である。（実施例５、６）
【図９】本発明の圧電薄膜共振子の構成を模式的に示した断面図である。（実施例７）
【図１０】無配向ＡｌＮ膜のＸＲＤのθ−２θ図である。（実施例１）
【図１１】ｃ軸配向ＡｌＮ膜のＸＲＤのθ−２θ図である。（実施例１）
【図１２】インピーダンス特性のグラフである。（実施例１、従来例）
【図１３】圧電薄膜共振子の構成を模式的に示した断面図である。（実施例１の変形例１）
【図１４】圧電薄膜共振子の構成を模式的に示した断面図である。（実施例１の変形例１）
【符号の説明】
【００６９】
１０  圧電薄膜共振子
１１  絶縁膜
１２  基板
１３  ＳｉＯ２膜（第３層）
１４  無配向ＡｌＮ膜（第２層）
１５  ｃ軸配向ＡｌＮ膜（第１層）
１８ａ，１８ｂ  励振電極
１９  圧電薄膜
２０  圧電薄膜共振子
２１  絶縁膜
２２  基板
２２ｘ  空洞
２３  ＳｉＯ２膜（第３層）
２４  無配向ＡｌＮ膜（第２層）
２５  ｃ軸配向ＡｌＮ膜（第１層）
２８ａ，２８ｂ  励振電極
２９  圧電薄膜
３２，３４，３６  圧電フィルタ
４０  デュプレクサ
【図１】
2005286490.tif 000003
【図２】
2005286490.tif 000004
【図３】
2005286490.tif 000005
【図４】
2005286490.tif 000006
【図５】
2005286490.tif 000007
【図６】
2005286490.tif 000008
【図７】
2005286490.tif 000009
【図８】
2005286490.tif 000010
【図９】
2005286490.tif 000011
【図１０】
2005286490.tif 000012
【図１１】
2005286490.tif 000013
【図１２】
2005286490.tif 000014
【図１３】
2005286490.tif 000015
【図１４】
2005286490.tif 000016