(57)【要約】【課題】タイリングにより多数のＸ線検出素子からなるマトリックス構造を得るに際して解像度の低下なしに大面積化を実現するＸ線検出器及びこれを用いた装置を提供すること。【解決手段】多数のＸ線検出素子を内部に形成した光電変換基板のＸ線検出素子の出力信号線のパッド間を光電変換基板の同一平面位置で接続する。配線基板上に必要な数だけの光電変換基板を貼り付け、次いで、最端部の光電変換基板の配線と配線基板の配線とを接続する。その後、光電変換基板の信号線のパッド間の接続位置で光電変換手段の光入力面上に積層される蛍光体の一部を切り欠いてスペースを作った蛍光体を貼り付ける。【選択図】  図２
2005000573.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力される光を電気信号に変換する光電変換手段を２次元平面で区分されて内部に形成され、且つ、該光電変換手段の出力信号を選択的に導出するために光電変換手段に直列に接続されたスイッチング素子と該スイッチング素子がオンとなされたとき光電変換手段の出力信号および接地線信号を導出するためのパッドを備えた光電変換基板、該光電変換基板を上面に複数個配置され、且つ、前記複数個の光電変換基板の最端部のパッドと必要な接続がなされるためのパッドと該パッドに得られた信号を外部に導出するための配線とパッドとを備えた配線基板、および、前記光電変換基板の上面に配置され、且つ、前記光電変換手段に対応して２次元平面で区分されたＸ線を光に変換する複数の蛍光体とよりなるＸ線検出器であって、
前記複数個の光電変換基板間のパッドは複数個の光電変換基板の配置方向に前記光電変換手段に直列に接続されたスイッチング素子を介して並列接続される形で光電変換基板の上面の同一平面でリードにより接続され、前記複数個の光電変換基板の最端部のパッドと配線基板のパッドとが前記複数個の光電変換基板の最端部の位置で異なった平面間で接続されるとともに、
前記複数個の光電変換基板には、前記光電変換手段に直列に接続されたスイッチング素子に時系列的に順次スイッチング素子をオンとするための読み出しパルスを付与するための手段が備えられる
ことを有することを特徴とするＸ線検出器。
【請求項２】
前記光電変換基板の信号導出用のパッドは光電変換基板上面に形成され、前記光電変換基板の接地線信号導出用のパッドは光電変換基板下面に形成され、該接地線信号導出用のパッドが前記配線基板の接地線信号導出用のパッドと接続された後に、前記光電変換基板が配線基板の上面に載置される請求項１記載のＸ線検出器。
【請求項３】
前記複数個の光電変換基板間のパッドが光電変換基板の上面の同一平面でリードにより接続される位置で、前記光電変換手段に対応して２次元平面で区分されたＸ線を光に変換する複数の蛍光体に切り欠きを設けて接続リードおよびこれの保護層のスペースとした請求項１または２記載のＸ線検出器。
【請求項４】
前記光電変換手段とスイッチング素子との直列回路を直列に接続すると共に、この接続点にて直列接続された光電変換手段とスイッチング素子との直列回路が共通の接地線信号と接続する請求項１ないし３のいずれか一つに記載のＸ線検出器。
【請求項５】
前記複数個の光電変換基板が複数個の光電変換基板の配置方向と直角方向に複数個設けられてマトリックス状に配置されるとき、前記直角方向に複数個設けられた光電変換基板間に前記スイッチング素子に時系列的に順次スイッチング素子をオンとするための読み出しパルスを付与するための信号の渡り線となるリード線を設けると共に、このリード線に対応する位置の蛍光体に切り欠きを設けて接続リードおよびこれの保護層のスペースとした請求項１ないし４のいずれか一つに記載のＸ線検出器。
【請求項６】
入力される光を電気信号に変換する光電変換手段を２次元平面で区分されて内部に形成され、且つ、該光電変換手段の出力信号を選択的に導出するために光電変換手段に直列に接続されたスイッチング素子と該スイッチング素子がオンとなされたとき光電変換手段の出力信号および接地線信号を導出するためのパッドを備えた光電変換基板を形成する手順、前記光電変換基板の上面に複数個配置され、且つ、前記複数個の光電変換基板の最端部のパッドと必要な接続がなされるためのパッドと該パッドに得られた信号を外部に導出するための配線とパッドとを備えた配線基板を形成する手順、前記配線基板上に前記光電変換基板を載置すると共に、光電変換基板のパッド間および光電変換基板のパッドと配線基板のパッドとをリードにより接続し、且つ、接続リードを絶縁層により保護する手順、前記光電変換手段に対応して２次元平面で区分されたＸ線を光に変換する複数の蛍光体の前記光電変換基板のパッドの接続リードを保護する絶縁層に対応する位置で切り欠きを形成すると共にＸ線を区分する位置に遮光板を形成する手順および前記配線基板上に載置された前記光電変換基板上に前記蛍光体を載置する手順より形成されたＸ線検出器。
【請求項７】
前記請求項１ないし６のいずれか一つに記載のＸ線検出器と、該Ｘ線検出器と対向して配置されるＸ線を発生するＸ線管と、前記Ｘ線検出器とＸ線管との間に配置される被写体を搭載するための台とを備え、前記Ｘ線管にＸ線の照射を指示すると共に、前記Ｘ線検出器の電気信号を読み出す制御回路と、前記Ｘ線検出器の信号線から出力される前記電気信号を収集してデジタルデータに変換する信号収集回路と、前記デジタルデータの演算処理を行う中央処理装置と、前記演算処理の結果を表示する表示手段および前記中央処理装置に対する信号入力手段とを有することを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｘ線検出器及びそれを用いたＸ線装置に係り、更に詳しくはＸ線を蛍光体に照射して光信号に変え、光信号を更に電気信号に変換して検出するＸ線検出素子がマトリックス状に配置された２次元アレイ型のＸ線検出器及びこれを用いたＸ線装置、例えばＸ線ＣＴ装置およびＸ線検査装置、に関する。
【０００２】
【従来の技術】
以下、Ｘ線検出器をＸ線ＣＴ装置に適用した場合を代表例として説明する。Ｘ線ＣＴ装置は、被写体の断面図を得ることができる装置であり、医療や非破壊検査の分野で広く用いられている。図１は本発明の適用対象の一つであり、医療で用いられているＸ線ＣＴ装置の構成例を示す概略図である。
【０００３】
図１において、１００はＸ線源、１０４はＸ線検出器、１１８は信号収集回路、１０５は中央処理装置、１０６は表示装置、１１９は入力手段、１１７は制御回路、１０１は回転台、１０３は寝台天板である。Ｘ線検出器１０４はＸ線源１００を略中心とした円弧状に配置されており、Ｘ線源１００と共に回転台１０１に搭載されている。また、Ｘ線検出器１０４は、単位Ｘ線検出器が複数個集合されたものとされている。それぞれの単位Ｘ線検出器を１０４１，１０４２，−−−，１０４ｋと表示するものとする。最近のＸ線検出器１０４ではｋ＝４０にもなるものがある。
【０００４】
次に、このＸ線ＣＴ装置の撮影方法と処理の方法について説明する。入力手段１１９から撮影開始の入力があるとＸ線源１００から扇状のＸ線を寝台天板１０３に載った被写体１０２に向けて照射する。被写体１０２を透過したＸ線を単位Ｘ線検出器１０４１，１０４２，−−−，１０４ｋで電気信号（投影像）に変換し，これらの信号を信号収集回路１１８で収集し、中央処理回路１０５に送る。
【０００５】
この撮影を、回転台１０１を回転方向１０８に回転することで被写体１０２に対するＸ線の照射角度を変化させて繰り返すことにより、３６０度分の投影像を取得する。この投影像の撮影は例えば０．４度ごとに行う。この際、制御回路１１７は、回転台１０１の回転とＸ線検出器１０４の信号読み出しを制御する。
【０００６】
このようにして信号収集回路１１８にて収集された投影像を、中央処理回路１０５にてコンボルーション（畳み込み）やバックプロジェクション（逆投影）の処理を加えることで被写体１０２のＸ線吸収係数分布の断面像を再構成し、この結果を表示装置１０６で表示する。
【０００７】
ここでは、単位Ｘ線検出器１０４１，１０４２，−−−，１０４ｋの詳細は省略するが、特許文献１に一例が開示されているように、Ｘ線を電気信号に変換するＸ線検出素子が配線基板上にマトリックス状に複数設けられた構造である。例えば、一つの単位Ｘ線検出器が、Ｘ線検出器１０４のスライス方向１０７（回転軸方向）で２個のＸ線検出素子が配列され、チャネル方向１０８（回転方向）で２４個のＸ線検出素子が配列されたものとされる。したがって、ｋ＝４０となされたＸ線検出器１０４では、スライス方向１０７（回転軸方向）で２個のＸ線検出素子が配列され、チャネル方向１０８（回転方向）で２４×４０個のＸ線検出素子が配列されたものとされる。
【０００８】
Ｘ線検出素子はＸ線を吸収して光に変換する蛍光体と、その光を電気信号に変える光電変換手段とから構成され、これらは互いに光学的に密に結合するように積層される。光電変換手段は半導体基板内にＸＹマトリックス状に所定の密度で形成され、この半導体基板の光電変換手段の光入力面になる面上に蛍光体が積層される。この場合、光電変換手段が入力される光が、直上からの光のみに制限できるように、Ｘ線を吸収して光に変換する蛍光体には、各光電変換手段に対応して光遮蔽層を形成する。
【０００９】
Ｘ線ＣＴ装置は、Ｘ線検出器のスライス方向１０７の段数で大別される。すなわち、１段のものがシングルスライス方式、複数段のものがマルチスライス方式と言われる。上述のスライス方向１０７で２個のＸ線検出素子が配列された例では２段のマルチスライス方式と言うことになる。シングルスライス方式のＸ線ＣＴ装置で上記の撮影を行うと、回転軸に垂直なスライス面で１つの断面像しか得られない。そのため、多数のスライス面で断面像を得る場合は、スライス面を回転軸方向１０７に順次移動（寝台天板１０３を回転軸方向１０７に移動）させながら、各移動位置で１つの断面像を得ることを繰り返すことが必要となる。
【００１０】
このような撮影を実質的に実現するために、従来のＸ線ＣＴ装置では回転駆動と同時に寝台天板１０３を回転軸方向１０７に連続的に移動させる。これはスパイラル走査と言われる。この方法では多数のスライス面での投影像を収集でき、３次元的な断層像の再構成を行うことができる。
【００１１】
一方、マルチスライス方式のＸ線ＣＴ装置では、スパイラル走査を行わない場合でも多数のスライス面での投影像を撮影できる。このため回転軸方向に同様のサンプリング間隔でスパイラル走査を行いながら撮影を行う場合、シングルスライス方式のＸ線ＣＴ装置に比べ短時間で撮影を行うことができる。また同様の撮影範囲を同じ撮影時間で撮影する場合には、シングルスライス方式のＸ線ＣＴ装置に比べ細かなサンプリング間隔で撮影を行うことができる。
【００１２】
このようにマルチスライス方式には大きな利点があるため、マルチスライス方式のＸ線ＣＴ装置が広く用いられている。特に近年ではＸ線検出素子の段数が４段以上のマルチスライスＸ線ＣＴ装置も登場し、Ｘ線検出素子の段数は増える傾向にある。なお、マルチスライス方式のＸ線ＣＴ装置に関するものとして特許文献１が挙げられる。
【００１３】
【特許文献１】
特開２００１−２４２２５３号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
マルチスライス方式のＸ線ＣＴ装置に搭載するために、Ｘ線検出素子のスライス方向１０７での段数を増加した多段の単位Ｘ線検出器を作製するためには、大きな半導体基板が必要となる。すなわち、内部に光電変換手段を形成するための半導体基板に大きいものが必要となる。しかし、半導体基板が大きくなると、基板ウエハアの単価が高くなることに加え、１枚の半導体ウエハアから歩留まりよく単位Ｘ線検出器を作製することが難しくなり、結果としてＸ線検出器を作製するためのコストは高くなってしまう。
【００１５】
この問題を解決する方法として、例えば上述の特許文献１に開示されているように、内部に光電変換手段を形成するための半導体基板は少数の段数のＸ線検出素子に対応するものとして、これをスライス方向１０７に複数枚近接させて配列して用いる方法がある。このような方法では、個々の内部に光電変換手段を形成するための半導体基板は比較的低いコストで歩留まり良く作製できるので、スライス方向１０７のＸ線検出素子を多段としたＸ線検出器を安価に作製できる。
【００１６】
一方、この方法では内部に光電変換手段を形成した半導体基板（以下光電変換基板と言う）をスライス方向に複数枚配列しているため、各光電変換基板の光電変換手段の出力信号を読み出す方法が問題となる。すなわち、光電変換基板の出力信号を読み出すための配線を実装した配線基板上に光電変換基板を乗せ、配線基板上のパッドとこれに対応する光電変換基板のパッドとを接続することになるが、そのために、スライス方向に隣接する光電変換基板間にデットスペースが生じ、その位置での解像度の低下を生じる。
【００１７】
上述の特許文献１では、この問題を解決する方法として、光電変換基板を配線基板へ貼り付けする際、光電変換手段の光入力面上に積層される蛍光体の一部を切り欠いて生じたスペースを作り、このスペースを用いて配線基板と光電変換基板との間の配線を行うことを提案している。しかし、配線基板へ貼り付けられた光電変換基板の配線と配線基板の配線との段差を持っての接続であるため、スペースが大きくなってしまうことによる解像度の低下があった。さらに、配線基板の配線と最初の光電変換基板の位置決めおよび配線との接続の後に、次の光電変換基板の位置決めおよび配線との接続をする必要があるため、工程が多数となり、作製時間が長くなる。
【００１８】
本発明の目的は、上記従来の問題点を軽減することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明も、単位Ｘ線検出器１０４１，１０４２，−−−，１０４ｋのそれぞれで、配線基板上に、スライス方向に必要なだけの光電変換基板を隣接して配列する点において従来の技術と変わるところは無い。しかし、本発明では、配線基板と光電変換基板との間の配線は光電変換基板のある位置ではグランド線のみとし、光電変換基板の信号線は最端部の光電変換基板の端部で配線基板の配線と接続する。配線基板および光電変換基板のグランド線は、配線基板では光電変換基板を貼り付ける面（配線基板上面）に設け、光電変換基板でも配線基板と接する面（光電変換基板下面）に設ける。隣接する光電変換基板の信号線間は、光電変換基板上面のパッド間で行う。また、光電変換基板のＸ線検出素子対応の信号線は、スライス方向に並列接続して、並列接続された各光電変換手段の信号は時分割で読み出すものとした。
【００２０】
【発明の実施の形態】
（実施例１の構造）
まず、Ｘ線検出器１０４の構成について述べる。図２は本発明の実施例１のＸ線検出器１０４の構成の概要を説明する図である。Ｘ線検出器１０４は単位Ｘ線検出器１０４１，１０４２，−−−，１０４ｋから構成される。各単位Ｘ線検出器は、それぞれ、配線基板１１３１，１１３２，−−−，１１３ｋを備え、これが構造上の基板としての機能も果たす。配線基板１１３１，１１３２，−−−，１１３ｋには、後述するように、内部に光電変換手段を形成した光電変換基板からの信号を導出するための配線１２９１，１２９２，−−−，１２９ｋが備えられる。ここでは、図面が煩雑になるのを避けるために、各配線基板に６本の配線を代表的に例示したにすぎないが、後述するように、並列接続される光電変換手段の並列数と制御および接地のための線が必要である。したがって、配線基板１１３１，１１３２，−−−，１１３ｋの配線は、基板内に多層構造で配置されるほうが、実際的である。また、配線基板１１３１，１１３２，−−−，１１３ｋには、配線１２９１，１２９２，−−−，１２９ｋから得られる信号を信号収集回路に接続するための接続パッド１２６１，１２６２，−−−，１２６ｋが備えられる。この数は配線数に対応するものである。
【００２１】
配線基板１１３１，１１３２，−−−，１１３ｋ上には、内部に光電変換手段を形成した光電変換基板１１１が積層される。ここでは、単位Ｘ線検出器１０４２および１０４ｋの配線基板１１３２および１１３ｋ上に実装された光電変換基板１１１２１，１１１２２および１１１ｋ１，１１１ｋ２が参照符号と共に示されている。ここで、参照符号１１７２および１１７ｋで示す線は、各配線基板上の隣り合う光電変換基板１１１２１，１１１２２および１１１ｋ１，１１１ｋ２のそれぞれの接触端面である。また、配線基板１１３と光電変換基板１１１との間に太いハッチングの線を付した部分を示したのは、両者が別々に作製された構造体のものが、張り合わされた形で積層されていることを示すためである。隣り合う光電変換基板間および配線基板と光電変換基板との間の電気的な接続は後述する。
【００２２】
光電変換基板１１１上には、光電変換基板１１１の内部に形成された光電変換手段に対して、受けたＸ線の強度に応じた光を与えるための蛍光体の層が積層される。図では、最右端の単位Ｘ線検出器１０４ｋの側面の保護層１８０を切り欠いて、配線基板１１３ｋの隣り合う光電変換基板１１１ｋ１，１１１ｋ２の接触端面１１７ｋの位置での蛍光体の層１１２ｋｉｍおよび１１２ｋ（ｉ＋１）ｍについてのみ示した。蛍光体の層１１２ｋｉｍおよび１１２ｋ（ｉ＋１）ｍの間には、遮光板１１５ｋｉが設けられて、それぞれの蛍光体が受けたＸ線による光が相互の間で漏れるのを防止する。光電変換基板１１１ｋ１，１１１ｋ２の接触端面１１７ｋの位置ではこれらの光電変換基板間の電気的な接続が必要であり、このためのスペースとして、蛍光体の層１１２ｋｉｍおよび１１２ｋ（ｉ＋１）ｍに端部を切り欠いた構造を設ける。参照符号１２０ｋで示すのは、この切り欠きである。また、参照符号１２１ｋで示すのは、この切り欠き部分で行なわれる光電変換基板１１１ｋ１，１１１ｋ２間の電気的な接続の配線を保護するカバー層である。さらに、光電変換基板と配線基板との段差部に示す参照符号１２２１，１２２２，−−−，１２２ｋで示すのは、この段差部で行なわれる光電変換基板と配線基板との電気的な接続の配線を保護するカバー層である。なお、光電変換基板１１１と蛍光体の層との間に太いハッチングの線を付した部分を示したのは、両者が別々に作製された構造体のものが、張り合わせた形で積層されていることを示すためである。
【００２３】
１１０はＸ線検出素子を示し、単位Ｘ線検出器１０４１，１０４２，−−−，１０４ｋの蛍光体の層に破線で概念的に示す。Ｘ線検出素子１１０の大きさは、例えば１ｍｍ×１ｍｍである。すなわち、図の例では、各単位Ｘ線検出器はＸ線検出素子がチャネル方向にｍ個、スライス方向にｊ個のｍ×ｊのマトリクス配列された構造であることを意味する。Ｘ線検出素子ごとに蛍光体は遮光板１１５で区分され、区分された蛍光体に対応して光電変換手段が光電変換基板１１１の内部に形成される。図の例は、したがって、ｊ段のマルチスライスを可能にするＸ線検出器である。参照符号１２５１，１２５２，−−−，１２５ｋで示すのは、単位Ｘ線検出器をチャネル方向に配列するときの保持用のボルトの貫通孔を模式的に示す。
【００２４】
なお、図では、光電変換基板１１１は２枚としたが、これは、個々の光電変換基板の内部に光電変換手段を歩留まり良く作製できる大きさに応じて、必要なら、３枚以上とすれば良い。また、参照符号に付した下付きの添え字は、１桁の場合は単位Ｘ線検出器に対応した番号、２桁の場合は最初の桁が単位Ｘ線検出器に対応した番号、２桁目が単位Ｘ線検出器ごとにスライス方向またはチャネル方向の順に付した番号、３桁の場合は最初の桁が単位Ｘ線検出器に対応した番号、２桁目がスライス方向の順に付した番号、３桁目がチャネル方向の順に付した番号である。これは、以下の図に於いても同じである。
【００２５】
図３は、図２に示したＸ線検出器１０４の構造の内、単位Ｘ線検出器１０４１について信号の読み出しを説明するために示した電気的な等価回路図である。ただし、この図では、図を簡単にするために、Ｘ線検出素子１１０１１１から１１０ｋｊｍに対応する光電変換素子が、スライス方向では光電変換基板１１１１１，１１１１２に２つのみ設けられたものとした。また、参照符号の表示も適宜省略した。
【００２６】
光電変換素子を半導体基板に形成して光電変換基板とするとき、作成工程の便と配線上の便を考慮して、一対の光電変換手段１１４とスイッチング素子１５１の直列回路を組として配列し、それぞれの光電変換手段１１４の端子の一つを接続した構成とする。すなわち、光電変換手段１１４１１１とスイッチング素子１５１１１１の直列回路と光電変換手段１１４１１２とスイッチング素子１５１１１２の直列回路とが組として配列され、光電変換手段１１４１１１と光電変換手段１１４１１２の一つの端子が接続される。光電変換手段１１４１１１と光電変換手段１１４１１２の他の端子は、それぞれ、スイッチング素子１５１１１１およびスイッチング素子１５１１１２のドレイン電極に接続される。光電変換手段１１４とスイッチング素子１５１の直列回路の組がｎ個チャネル方向に並列に配列されて、結果として、ｍ個の光電変換素子が並列に配列された形で光電変換基板内に形成される。ｍ個並列に配列された光電変換素子群は、同じ構造で、スライス方向に並列に配列されて、結果として、ｍ個並列に配列された光電変換素子群が４個スライス方向に並列に配列されて４×ｍのマトリックスを形成する形で光電変換基板内に形成される。
【００２７】
各光電変換手段１１４に接続されたスイッチング素子１５１のゲート端子は、ｍ個並列に配列された光電変換素子群ごとに、制御線１３０１１、１３０１２、１３０１３、１３０１４に接続される。各制御線１３０は垂直シフトレジスタ１９０１１、１９０１２に電気的に接続されている。直列接続された一対の光電変換手段１１４の接続点はグランド線１３３１１，１３３１２，−−−，１３３１ｎを介して、グランド電極パッド１３２１１，１３２１２，−−−，１３２１ｎに接続される。一方のスイッチング素子１５１のソース電極は信号線１３４１１，１３４１２，−−−，１３４１ｎを介して、信号用パッド１３５１１，１３５１２，−−−，１３５１ｎに接続される。他方のスイッチング素子１５１のソース電極は信号線１３６１１，１３６１２，−−−，１３６１ｎを介して、信号用パッド１３７１１，１３７１２，−−−，１３７１ｎに接続される。
【００２８】
各制御線１３０が接続された垂直シフトレジスタ１９０１１、１９０１２は制御用電極パッド１２４および信号線１２９を介して、クロックパルスが入力される。垂直シフトレジスタ１９０１１、１９０１２は、入力されるクロックパルスに応じて、これに接続されている制御線１３０１１、１３０１２、１３０１３、１３０１４に順次読み出しのためのパルスを出力する。すなわち、垂直シフトレジスタ１９０は、時系列的に順次スイッチング素子をオンとするための読み出しパルスを付与する。したがって、制御線１３０１１に読み出しパルスが出力されると、これに接続されたスイッチング素子１５１１１，１５１１２，−−−，１５１１ｎはオンとなり、光電変換手段１１４１１１，１１４１１２−−−，１１４１１ｍの信号が信号用パッド１３５１１，１３５１２，−−−，１３５１ｎおよび信号用パッド１３７１１，１３７１２，−−−，１３７１ｎに読み出される。次のクロックパルスに応じて制御線１３０１２に読み出しパルスが出力されると、これに接続されたスイッチング素子はオンとなり、光電変換手段１１４の信号が信号用パッド１３５１１，１３５１２，−−−，１３５１ｎおよび信号用パッド１３７１１，１３７１２，−−−，１３７１ｎに読み出される。同様にして、ｍ個並列に配列された光電変換素子群ごとに、次々と光電変換手段の信号が読み出される。
【００２９】
図３において、１６０で示すのは接続パッドである。また、１４５で示すのはパッド間を接続するリードである。光電変換基板１１１１１および１１１１２間では、信号線間はパッド１６０とリード１４５で接続され、光電変換基板１１１１２と配線基板１１３１間でも、信号線間はパッド１６０とリード１４５で接続される。光電変換基板１１１１１および１１１１２間のリード１４５による接続は、図２では、切り欠き部１２０ｋで行なわれる光電変換基板１１１ｋ１，１１１ｋ２間の接続に対応し、カバー層１２１ｋで隠されている。光電変換基板１１１１２と配線基板１１３１間のリード１４５による接続は、図２では、カバー層１２２で隠されている。光電変換基板１１１１１，１１１１２間のグランド線１３３１１，１３３１２，−−−，１３３１ｎのパッド１６０による接続では、光電変換基板１１１１１，１１１１２間の接続および光電変換基板１１１１２と配線基板１１３１間の接続と異なり、パッド１６０が一つしか使用されていない。また、光電変換基板１１１１２と配線基板１１３１間のグランド線１３３１１，１３３１２，−−−，１３３１ｎのパッド１６０による接続でも、パッド１６０が一つしか使用されていない。これは、グランド線の接続は、光電変換基板の下面と配線基板の上面とで接続することにしたことによるものである。この点は図４を参照して、より詳しく説明する。
【００３０】
図３における制御用電極パッド１２４、信号用パッド１３５１１，１３５１２，−−−，１３５１ｎ，１３７１１，１３７１２，−−−，１３７１ｎおよびグランド電極パッド１３２１１，１３２１２，−−−，１３２１ｎが、図２に代表的に示した接続パッド１２６１，１２６２，−−−，１２６ｋに対応する。信号線１２９、グランド線１３３１１，１３３１２，−−−，１３３１ｎ、信号線１３４１１，１３４１２，−−−，１３４１ｎおよび信号線１３６１１，１３６１２，−−−，１３６１ｎが、図２に代表的に示した配線１２９１，１２９２，−−−，１２９ｋに対応する。
【００３１】
図４は、図３の回路構成と図２に示す構造的な構成との対比を分かりやすく説明するために、回路図を立体的に表示した図である。光電変換基板１１１および配線基板１１３の輪郭を破線で示す。図４では、図３の光電変換基板１１１１１および１１１１２の左端部のＸ線検出素子１１０１１１および１１０１１２の列についてのみ示す。両図で同じものには同じ参照符号を付したが、パッド１６０については連続番号となる下付きの添え字を付した。
【００３２】
図４に示すように、各Ｘ線検出素子の光電変換手段１１４、スイッチング素子１５１および垂直シフトレジスタ１９０は、光電変換基板１１１内に作成され、必要な配線を介して基板の外面に設けられたパッド１６０に接続される。また、配線基板１１３内には、光電変換基板１１１内の光電変換手段１１４に得られた信号を導出するための信号線１２９，１３４，１３３，１３６が形成され、基板の外面に設けられたパッド１６０および制御用電極パッド１２４、信号用パッド１３５，１３７およびグランド電極パッド１３２に接続される。これらは半導体技術により確立したもので構成できる。
【００３３】
光電変換基板１１１１１および１１１１２は、配線基板１１３の上面に一点鎖線で示す位置に、端面１７１が接する状態で載置され、接着剤で結合される。このとき、光電変換基板１１１１１および１１１１２のグランド線１３３に接続されたパッド１６０４および１６４１２は配線基板１１３のグランド線１３３に接続されたパッド１６０５および１６４１３と重なるように構成されているので、パッド間に半田を挟んで重ね、接着剤で結合する際、加温して半田付けするものとされる。配線基板１１３の上面に載置された光電変換基板１１１１１のパッド１６０１，１６０２および１６０３と光電変換基板１１１１２のパッド１６０６，１６０７および１６０８は近接して配置されることになり、図３に示すようにリード１４５（ワイアボンデリング）で接続される。配線基板１１３の上面に載置された光電変換基板１１１１２のパッド１６０９，１６０１０および１６０１１は、配線基板１１３のパッド１６０１４，１６０１５および１６０１６と図３に示すようにリード１４５（ワイアボンデリング）で接続される。
【００３４】
ここで、光電変換基板１１１１１のパッド１６０と光電変換基板１１１１２のパッド１６０とを接続するリード１４５は、当然、基板表面から突出したものとなり、これを、図２に示すカバー層１２１で保護する。また、このために必要となるスペースが、図２に示す切り欠き１２０である。また、光電変換基板１１１１２のパッド１６０と配線基板１１３のパッド１６０とを接続するリード１４５を保護するのが、図２に示すカバー層１２２である。
【００３５】
図５は、配線基板１１３、その上に載置された光電変換基板１１１およびＸ線を光に変えて光電変換基板１１１の光電変換素子に与える蛍光体の層１１２との関係を図４に対応させて説明する図である。図５は図４に示すグランド線１３３の位置でスライス方向１０７に断面を取り、チャネル方向１０８の反対側に見た図である。ただし、配線基板１１３、遮光板１１５および保護層１８０は、断面を示すハッチングは省略した。グランド線１３３の位置での断面であるので、配線基板１１３のパッド１６０５および１６０１３と光電変換基板１１１のパッド１６０４および１６０１２は重なった状態であり、両パッド間は半田付けされる。配線基板１１３と光電変換基板１１１は接着剤２３０により接合される。
【００３６】
配線基板１１３上に載置された光電変換基板１１１は、それぞれ、スライス方向に二つの光電変換手段を持つので、これに対応して、遮光板１１５により隔てられた蛍光体の層１１２が二つずつ配列されて、接着剤２３１により光電変換基板１１１の上に接合される。光電変換基板１１１１１および光電変換基板１１１１２の対向する端面１７１の上部では、蛍光体の層１１２および遮光板１１５に切り欠き部１２０が形成される。この切り欠き部１２０を利用してパッド１６０２および１６０７間がリード１４５で接続され、これは保護層１２１で覆われる。光電変換基板１１１１２の他の端面ではパッド１６０１０および１６０１５間がリード１４５で接続され、これは保護層１２２で覆われる。
【００３７】
光電変換基板１１１の内部に光電変換手段１４１を歩留まりよく作製するためには、数十段以上のマルチスライスＸ線ＣＴ装置でスライス方向に必要とされる光電変換手段１４１を持つような大きな光電変換基板にすることは困難である。そのため、ある大きさの光電変換基板を単位として、これを、スライス方向に配置して、多段のマルチスライス方式とする他はなくなる。この場合に問題なのは、光電変換基板間に信号線の接続部が必要であり、さらに、光電変換基板と配線基板との間にも信号線の接続部が必要である。実施例１では、光電変換基板間の信号線の接続は、同一平面高さのパッド間のワイアボンデリングによるリード１４５で接続できるから、このためのスペースは非常に小さくて済む。さらに、光電変換基板と配線基板との間の信号線の接続は、光電変換手段１４１および蛍光体の層１１２が無い部分での配線である。したがって、これらの配線のためのスペースにより、光電変換手段１４１および蛍光体の層１１２が切り欠かれるスペースを極小に抑えることができ、蛍光体の層１１２が受けたＸ線を効率良く電気信号に変換することができる。このことは、解像度の低下を生じないで多段層のマルチスライスＸ線ＣＴ装置を実現できることを意味する。
【００３８】
またこの構造は、配線基板１１３へ複数の光電変換基板１１１を貼り付けた後に光電変換基板１１１間の配線をすることが可能なため、従来よりも短時間での作製が可能となる。
【００３９】
（実施例１のＸ線検出器１０４の作製手順）
次に実施例１のＸ線検出器１０４の作製手順について説明する。ただし、この作製手順は一例であり、これによって本発明を限定するものではない。
【００４０】
まず、実施例１のＸ線検出器１０４の作製手順の前提として、図４で説明したような光電変換手段１１４、スイッチング素子１５１および垂直シフトレジスタ１９０を備え、必要な配線を施すと共に、必要な接続パッドを備えた光電変換基板１１１および線配線基板１１３を準備する。なお、以下の説明は、図４に示した構造を基礎として行う。
【００４１】
図６（Ａ）に最初の工程を示す。配線基板１１３上に光電変換基板１１１を貼り付ける。この際、光電変換基板１１１を配線基板１１３上に位置合わせして、光電変換基板１１１の下面のパッド１６０４および１６０１２と配線基板１１３上のグランド線１３３のパッド１６０５および１６０１３とを半田付けして電気的に接続する。
【００４２】
図６（Ｂ）に次の工程を示す。端面１７１で隣り合う光電変換基板１１１のパッド間の接続をリード１４５で、また、光電変換基板１１１１２の他端面のパッドと配線基板１１３上のパッドとの接続をリード１４５で行う。ここでは、図面が煩雑となるので、パッドの参照符号の表示は削除した。
【００４３】
図６（Ｃ）に次の工程を示す。光電変換基板間でリード１４５で接続した部分に絶縁材による保護層１２１を、光電変換基板と配線基板間でリード１４５で接続した部分に絶縁材による保護層１２２を、それぞれ、形成した。
【００４４】
図６（Ａ）−（Ｃ）の手順により、図２に示す、蛍光体の層１１２が無い状態まで出来たことが分かる。
【００４５】
次に、光電変換基板１１１の上に載置する蛍光体の層１１２の作製について説明する。蛍光体の層１１２は、図２に示すように、単位Ｘ線検出器１０４１，１０４２，−−−，１０４ｋごとに一体に作製する。
【００４６】
図７（Ａ）に示すように、加工用の支持台１８２上に接着剤２３２で蛍光体１１２を仮固定する。この仮固定には、蛍光体１１２の加工が終わった後、支持台１８２から剥す際、蛍光体１１２の仮固定面についた接着剤を落とすことが容易なものを用いる。蛍光体１１２のサイズは、最終的に必要な大きさに仕上げられている。支持台１８２には溝１９７がチャネル方向１０８及びスライス方向１０７に設けられている。これら２方向の溝１９７によって実現される格子１つの大きさは、Ｘ線検出素子１１０に対応する大きさである。またこれら２つの方向の格子の数は、単位Ｘ線検出器１０４におけるチャネル方向１０８及びスライス方向１０７のＸ線検出素子１１０の数に対応するものとされる。なお、溝１９７は、後述する切り出し作業を、手作業で実行することを想定して付されたものである。すなわち、この溝１９７を切り出し作業の目安とする、と言う意味以上のことは無い。したがって、切り出し作業を数値制御タイプの自動機械とするときには、無くても良い。
【００４７】
図７（Ｂ）に示すように、蛍光体１１２に切り欠き部１２０を形成する。この切り出しはダイアモンドカッターあるいはマルチワイアソ−で行う。また切り欠き部１２０は、溝１９７上に位置するよう形成され、その位置は溝１９７の位置を利用して決定する。次いで、図７（Ｃ）に示すように、蛍光体１１２をチャネル方行１０７に並んだ溝１９７毎に分離して、スライス方向１０７に溝２４０を形成する。さらに、周辺部をカットして、蛍光体１１２のサイズを整える。この切り出しはダイアモンドカッターあるいはマルチワイアソ−で行う。蛍光体１１２に切り欠き部１２０を形成した位置は、切り出し作業を数値制御タイプの自動機械としたときには、これにデータとして保存し、図９（Ａ）を参照して説明する位置合わせに使用するのが良い。
【００４８】
次いで、図８（Ａ）に示すように、図７（Ｂ）、（Ｃ）で説明した切り欠き部１２０および溝２４０に、光反射層１１５を作製する。光反射層１１５に用いる光反射剤としては、例えば硫化バリウムあるいは二酸化チタンを含む光反射剤を用い、またこの光反射層としてはパテ状の光反射剤を用い、これを硬化させる。次いで、図８（Ｂ）に示すように、蛍光体１１２にチャネル方向１０８に溝２４１を形成する。次いで、図８（Ｃ）に示すように、溝２４１と、Ｘ線検出器１０４のチャネル方向１０８の端となる両側面に、仕切り板２４２を設ける。仕切り板２４２は、例えば光反射性を有するモリブデン、タンタル、タングステン、鉛、あるいはこれらの元素を主成分とする合金、あるいは光反射層１１５を表面に塗布したＸ線吸収係率の大きな金属からなり、その厚さは、例えば１００μｍ〜２００μｍである。仕切り板２４２は、Ｘ線検出素子間の光反射層として機能するものであると共に、各単位Ｘ線検出器１０４のチャネル方向１０８の側面の保護板でもある。
【００４９】
次に、図９（Ａ）に示すように、図６に示す手順で作製した配線基板１１３上に貼り付けられた光電変換基板１１１の上面と、図８に示す手順で作製した蛍光体１１２の上面とを接着剤２３１により貼り付ける。この場合、蛍光体１１２の切り欠きの位置がほぼ一致することが重要であるので、配線基板１１３および支持台１８２に位置決めのためのマーカー等を設けておき、相対的な位置決めを行うのが良い。接着剤２３１は、蛍光体１１２から光電変換基板１１１に入射する光の減衰を防ぐために、できるだけ光学的に透明なものを用いる。次いで、図９（Ｂ）に示すように、蛍光体１１２から支持台１８２を剥がし、蛍光体１１２のから接着剤２３２を取り除く。
【００５０】
次いで、図９（Ｃ）に示すように、接着剤２３２を取り除いた蛍光体１１２の上面と、蛍光体１１２のスライス方向の端面に光反射層１１５を設ける。この場合の光反射層１１５は、酸化チタン粉末を懸濁した液状の光反射剤を塗布しこれを硬化して作製するのが良い。
【００５１】
このような手順で、図２に示した本発明の単位Ｘ線検出器１０４が完成する。ここで、実施例１においては、光電変換基板１１１はスライス方向１０７に延伸する場合についてのみ述べているが、チャネル方向１０８にも光電変換基板１１１を延伸する場合があっても良い。この場合は、光電変換基板１１１が配線基板１１３上にマトリックス状に配列されることになる。そのため、チャネル方向１０８で隣接する光電変換基板１１１でも、図３を参照して説明した制御線１３０１１、１３０１２、１３０１３、１３０１４を接続するためのパッドと、これの間の接続が必要となる。そのため、この部分で、図５で説明したような蛍光体１１２の切り欠き部１２０をチャネル方向１０８で隣接する蛍光体１１２に設ける必要がある。もっとも、チャネル方向１０８に光電変換基板１１１を延伸する場合には、スライス方向１０７に延伸する列についてのみ図３に示すように接続して、チャネル方向１０８への光電変換基板１１１の延伸に対しては、垂直シフトレジスタ１９０１１、１９０１２を別個に設けるものとすれば、これは、不要である。
【００５２】
また、グランド線１３３の接続は、光電変換基板１１１の下面にパッドを出して、光電変換基板１１１を配線基板１１３上に貼り付けるときに、配線基板１１３上のパッドと接続するものとした。これは、グランド線１３３のパッドも、他の信号線と同様に、光電変換基板１１１の上面に出して、他の信号線と同様に、光電変換基板１１１の最端部で配線基板１１３上のパッドと接続するものとしても良いことは言うまでもない。もっとも、このためには、図３を参照して容易に分かるように、配線基板１１３上に備えるべきパッドの数が増えるので、パッドの面積を低減する必要がありうるが、図４、図６（Ａ）を参照して説明した配線基板１１３上に光電変換基板１１１を貼り付ける作業は簡素化される。
【００５３】
また、実施例１の切り欠き部１２０の形状は、図５に示す形状に限るものではなく、図１０−図１２に示すような形状でも良い。図１０では、切り欠き部１２０は蛍光体１１２の側面部中途から底面の略並行な面と、底面中途から側面の略並行な面とから形成される。図１１では、切り欠き部１２０は蛍光体１１２の側面部中途から光電変換基板１１１上にかけて斜めに傾斜した面から形成される。図１２では、切り欠き部１２０は曲線的な面から形成される。いずれの場合でも、図７（Ｂ）および図８（Ｂ）を参照して説明した、切り欠き部１２０の切り出しおよび遮光板１１５の形成の作業性と蛍光体の層１１２が発生した光の損失ができるだけ少なくなるように工夫することが重要である。
【００５４】
実施例１においては隣接する蛍光体１１２間の光の漏れ込みを減らす方法として、スライス方向１０７に光反射層１１５、チャネル方向１０８に仕切り板２４２を用いたが、これらは名前は異なるものとしたが、機能としては、隣接する蛍光体１１２間の光の漏れ込みを防ぎ、且つ、蛍光体１１２が発生した光を効率良く光電変換基板１１１に到達させるものである点では同じである。
【００５５】
なお、図８（Ｃ）を参照して、仕切り板２４２を設ける説明をした。図８（Ｃ）に示す構造ができた後、引き続き、図９（Ａ）に示すように、図６に示す手順で作製した配線基板１１３上に貼り付けられた光電変換基板１１１の上面と、図８に示す手順で作製した蛍光体１１２の上面とを接着剤２３１により貼り付ける。この場合、仕切り板２４２が蛍光体１１２の上面の高さと同じであるべきことは当然であるが、更には蛍光体１１２の上面より突出したものとしても良い。これは、この貼り付け作業の際の接着剤２３１の保持スペースとして利用することができるからである。
【００５６】
（信号処理の簡単な説明）
図１に本発明のＸ線検出器１０４が適用される一例としてのＸ線ＣＴ装置の構成を示した。このＸ線ＣＴ装置における信号収集回路１１８の信号処理について簡単に説明する。
【００５７】
Ｘ線検出素子１１０は非常に多くの数が備えられるが、光電変換手段は半導体技術によって作製されるので、ある程度の感度のばらつきを持つものとならざるを得ない。このばらつきを補正する手段を信号収集回路１１８に持たせる。この補正処理は、例えば次式（１）に示すような演算を実現する回路によりＸ線検出素子１１０ごとにアナログデータである投影像に対して行われる。
【００５８】
【数１】
2005000573.tif 000003
式（１）において、補正後出力値とは投影像におけるＸ線検出素子１１０の補正後の出力値であり、補正前出力値とは投影像におけるＸ線検出素子１１０の補正前の出力値であり、オフセット値とはＸ線を照射しない場合におけるＸ線検出素子１１０の出力値であり、検出器感度値とはＸ線がＸ線検出素子１１０にＸ線が入射した場合に発生する電気信号に比例する値である。
【００５９】
実施例１における補正の手段は式（１）に示す方法に限るものではなく、例えば信号収集回路１１８または央処理装置１０５がその補正の手段を有し、投影像をアナログ−デジタル変換（ＡＤ変換）した後のデジタルデータに対して、次式（２）に示すような演算を行う場合もありうる。
【００６０】
【数２】
2005000573.tif 000004
ここで補正後デジタル値とはＸ線検出素子１１０の補正後のデジタル出力値であり、補正前デジタル値とはＸ線検出素子１１０の出力値（前記式（１）における補正前出力値）をＡＤ変換したデジタル値であり、オフセットレベルとはＸ線を照射しない場合におけるＸ線検出素子１１０の出力値をＡＤ変換した値であり、検出器感度レベルとはＸ線がＸ線検出素子１１０に入射した場合に発生する電気信号をＡＤ変換した値である。
【００６１】
補正で必要となる値は投影像の撮影とは別途取得される。例えば、オフセットレベルはＸ線を照射せずに投影像を複数撮影し、そのＡＤ変換後のＸ線検出素子１１０の出力値を用いて加算平均を行うことでそのデータを得る。検出器感度レベルは、例えばＸ線検出器１０４に一様なＸ線を照射し、その投影像を複数撮影し、そのＡＤ変換後のＸ線検出素子１１０の出力値を用いて加算平均を行い、オフセットレベルを差分することでデータを得る。取得されたオフセットレベル及び検出器感度レベルのデータは央処理装置１０５に保存される。
【００６２】
更に補正で必要となる値を決める別の方法として、オフセットレベル及び検出器感度レベルを算出するために、例えば、上記のようにＸ線検出素子１１０のオフセットレベル及び検出器感度レベルを算出した後、その周りのＸ線検出素子１１０のデジタルデータの値に対してある重み付けをして加算する場合もあり得る。
【００６３】
（実施例２）
図１３に本発明を適用して有用なＸ線検出器１０４を有する他のＸ線検査装置の構成例を示す。このＸ線検査装置は、Ｘ線源１００、単位Ｘ線検出器１０４１１，１０４１２，−−−，１０４（１６）（１６）から構成されるＸ線検出器１０４、信号収集回路１１８、表示装置１０６、入力手段１１９、制御回路１１７から構成される。実施例２に示す単位Ｘ線検出器１０４１１，１０４１２，−−−，１０４（１６）（１６）は、実施例１で説明した構造を有する。しかし、配線基板１１３がＸ線検出器１０４に対して１枚とされる点で異なる。光電変換基板１１１が鉛直方向１９５と水平方向１９６との両方向にそれぞれ複数個貼り付けられ、これらに対して光電変換手段の信号を信号収集回路に接続するための接続パッド１２６が備えられて２次元的に配置されたＸ線検出素子１１０を有する平面型の検出器を実現している。
【００６４】
Ｘ線検出素子１１０の大きさを、例えば１ｍｍ×１ｍｍとすると、上述のＸ線検出器１０４のＸ線検出素子１１０の数は、例えば鉛直方向１９５と水平方向１９６の共に５１２列であり、鉛直方向１９５と水平方向１９６の共に３２列のＸ線検出素子１１０を有する光電変換基板１１１が、鉛直方向１９５と水平方向１９６の共に１６列ずつ回路基板１１３に貼り付けられる。すなわち、単位Ｘ線検出器１０４１１，１０４１２，−−−，１０４（１６）（１６）は光電変換基板１１１を１枚として対応できる大きさである。なお、実施例２では、水平方向１９５に配列された単位Ｘ線検出器１０４間の制御線１３０の接続部分に接続リードとこれを保護する絶縁層１２１が必要である。
【００６５】
撮影の際には、被写体はＸ線源１００とＸ線検出器１０４との間に配置される。入力手段１１９に撮影開始の入力があると、その信号を受けた制御回路１１７がＸ線管１００へＸ線照射の信号と、信号収集回路１１８へ撮影開始の信号を出力し、Ｘ線の照射、及びＸ線検出素子１０４から信号収集回路１１８へ投影像の読み出しが行われる。
【００６６】
このようにして得られた投影像は信号収集回路１１８にてＡＤ変換される。信号収集回路１１８は補正の手段を有し、式（２）に示したＸ線検出素子１１０ごとの感度のばらつきを補正する補正処理がなされた後、表示手段１０６に表示される。
【００６７】
実施例２では配線基板１１３がＸ線検出器１０４の全体に対して１枚とされるから、図２に示す配線１２９および信号用パッド１２６の数は大きくなるが、半導体技術で作製される配線基板の配線およびパッド作製が困難になる程の密度となることはない。
【００６８】
（変形例）
本発明は、上記した実施形態に限定されるものではなく、実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲でさまざまに変形して実施することが可能である。また、固定用ねじ穴１２５は、配線基板を本体に安定に取りつけられる程度に設ければよい。
【００６９】
【発明の効果】
多数のＸ線検出素子を内部に形成した光電変換基板のＸ線検出素子の出力信号線のパッド間を光電変換基板の同一平面位置で接続する。配線基板上に必要な数だけの光電変換基板を貼り付け、次いで、最端部の光電変換基板の配線と配線基板の配線とを接続する。その後、光電変換基板の信号線のパッド間の接続位置で光電変換手段の光入力面上に積層される蛍光体の一部を切り欠いてスペースを作った蛍光体を貼り付ければ良いから、蛍光体の切り欠き部分を小さくすることができ、従って解像度の低下を減らすことができる。また従来よりも作製時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の適用対象の一つであり、医療で用いられているＸ線ＣＴ装置の構成例を示す概略図。
【図２】実施例１のＸ線検出器の構成の概要を説明する図。
【図３】図２に示したＸ線検出器の単位Ｘ線検出器について信号の読み出しを説明するために示した電気的な等価回路図。
【図４】図３の回路構成と図２に示す構造的な構成との対比を分かりやすく説明するために回路図を立体的に表示した図。
【図５】配線基板、その上に載置された光電変換基板およびＸ線を光に変えて光電変換基板の光電変換素子に与える蛍光体の層との関係を図４に対応させて説明する図。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）は配線基板上に光電変換基板を貼り付け、パッド間の接続をリードで行った後保護層で覆う工程を説明する図。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）は光電変換基板の上に載置する蛍光体の層を作製する工程を説明する図。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）は、蛍光体の層に切り欠き部１２０および光反射層を作製する工程を説明する図。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）は、図６に示す手順で作製した配線基板上に貼り付けられた光電変換基板の上面と、図８に示す手順で作製した蛍光体の上面とを接着剤２３１により貼り付ける工程を説明する図。
【図１０】切り欠き部の形状を蛍光体の側面部中途から底面の略並行な面と、底面中途から側面の略並行な面とから形成する構造とした例を示す図。
【図１１】切り欠き部の形状を蛍光体の側面部中途から斜めに傾斜した面から形成する構造とした例を示す図。
【図１２】切り欠き部の形状を蛍光体の側面部中途から曲線的な面から形成する構造とした例を示す図。
【図１３】本発明の適用対象の一つであり、医療で用いられているＸ線ＣＴ装置の他の構成例を示す概略図。
【符号の説明】
１００…Ｘ線源、１０１…回転体、１０２…被写体、１０３…寝台天板、１０４…Ｘ線検出器、１０５…中央処理装置、１０６…表示装置、１０７…スライス方向、１０８…チャネル方向、１１０…Ｘ線検出素子、１１１…光電変換基板、１１２…蛍光体、１１３…配線基板、１１４…光電変換手段、１１５…光反射層、１１６…仕切り板、１１７…制御回路、１１８…信号収集回路、１１９…入力手段、１２０…切り欠き部分、１２１，１２２…配線保護層、１６０…接続パッド、１４５…パッド間接続リード、１２４…制御用パッド、１２５…固定用ねじ穴、１２６…信号用パッド、１２９…配線、１３０…制御線、１３４，１３６…信号線、１３２…グランド電極パッド、１３３…グランド線、１５１…スイッチング素子、１７０，１７１…光電変換基板１１１の端部、１８２…支持台、１８３…切り出し位置、１８４，１９７，１９８…溝、１９０…垂直シフトレジスタ、１９５…垂直方向、１９６…水平方向、２３０，２３１，２３２…接着剤。
【図１】
2005000573.tif 000005
【図２】
2005000573.tif 000006
【図３】
2005000573.tif 000007
【図４】
2005000573.tif 000008
【図５】
2005000573.tif 000009
【図６】
2005000573.tif 000010
【図７】
2005000573.tif 000011
【図８】
2005000573.tif 000012
【図９】
2005000573.tif 000013
【図１０】
2005000573.tif 000014
【図１１】
2005000573.tif 000015
【図１２】
2005000573.tif 000016
【図１３】
2005000573.tif 000017