(57)【要約】【課題】回収したＴＦＴ用レジスト廃液を劣化させることなく、繰り返し再生可能とすることができるＴＦＴ用レジスト廃液の回収再生方法を提供する。【解決手段】基板上に薄膜トランジスタ用レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程から前記レジスト膜形成工程において生じたレジスト廃液を回収して貯蔵する廃液回収工程を経由して、前記廃液回収工程で回収したレジスト廃液を再生する再生工程に至る全工程を通して行なわれる薄膜トランジスタ用レジスト廃液回収再生方法のうち、前記レジスト膜形成工程および前記廃液回収工程を１〜２６℃に管理する。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜トランジスタ用レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程から前記レジスト膜形成工程において生じたレジスト廃液を回収して貯蔵する廃液回収工程を経由して、前記廃液回収工程で回収したレジスト廃液を再生する再生工程に至る全工程を通して行なわれる薄膜トランジスタ用レジスト廃液回収再生方法であって、
少なくとも前記レジスト膜形成工程および前記廃液回収工程を１〜２６℃に管理することを特徴とする薄膜トランジスタ用レジスト廃液の回収再生方法。
【請求項２】
少なくとも前記廃液回収工程において用いられる廃液受けに付着した廃液を洗い流すために用いられる溶剤を１〜２６℃の温度範囲に維持することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ用レジスト廃液の回収再生方法。
【請求項３】
前記レジスト膜形成工程および／または廃液回収工程において前記レジスト廃液を１〜２６℃の温度範囲で取り扱うことを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ用レジスト廃液の回収再生方法。
【請求項４】
前記レジスト廃液が、ベンゾフェノン系の感光剤および／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ用レジスト廃液の回収再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト廃液の回収再生方法に関し、さらに詳しくは薄膜トランジスタ用レジスト廃液の再生に適したレジスト廃液の回収再生方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」という）型液晶素子を製造する際には、基板上にレジスト膜が形成される（レジスト膜形成工程）。かかるレジスト膜形成工程では、一般に、基板に一定量のレジスト液を滴下し、この基板を回転させることにより、ＴＦＴ用レジスト液を基板上にレジスト膜を形成する。このとき、基板に滴下したレジスト液の大半は、回転により基板から振り切られて飛散する。この飛散したレジスト液は、廃液受けに受け止められ、後に大量の溶剤で洗い流されてレジスト廃液として処理されることとなる。このようにして行なわれるレジスト膜形成工程では、レジスト膜の形成に使用されるレジスト液の液量よりも飛散するレジスト液の液量の方が多いため、レジスト液の使用効率が悪く、レジスト膜の生産コストの増加を招いている。さらに、上記レジスト廃液の処理は、焼却等により行なわれており、この廃液処理により二酸化炭素が発生し、環境に悪影響を与えていると考えられる。
【０００３】
これらの問題に対して、レジスト廃液を再利用しようとする提案がなされている（例えば、特許文献１および２参照）。これらの公報では、レジスト膜形成工程で生じたレジスト廃液を、回収、ろ過、粘度調整等を行なった後、レジスト組成物として再利用することが提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平９−３４１２１号公報
【特許文献２】特開平９−８２６０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記公報の方法で再生したレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した場合、レジスト膜の感度低下、レジスト膜の膜べり、および形成されたレジストパターンのがたつきを生じ、良好なレジストパターンが得られないという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題を解決するために、まず、上記課題が生じる理由について検討を行なった。その結果、再生後のレジスト組成物において経時的に微粒子の発生や感度の低下が認められ、特にかかる微粒子の発生が、レジスト膜の微細な加工を妨げ、レジストパターンのがたつきを生じさせる原因となっているという知見を得た。
【０００７】
また、本発明者らは、再生レジスト組成物に微粒子が増加したり、感度が低下したりするという傾向は、特にベンゾフェノン系の感光剤と有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を含む再生レジスト組成物において顕著であるという知見も得た。
【０００８】
そこで、本発明者らは、微粒子の発生原因および再生レジスト液の感度低下の原因を解析検討したところ、以下の知見を得るに至った。
（ｉ）一度発生した微粒子は、再溶解しにくい。また、発生した微粒子が核となって経時的な微粒子の増加を招く傾向がある。従って、回収初期での微粒子の発生を抑えることが特に必要である。
（ｉｉ）感光剤（例えば、ベンゾフェノン系）は、レジスト樹脂（例えば、ノボラック樹脂）と混合し加熱溶解することにより、加熱により広がったノボラック樹脂の樹脂骨格に包み込まれることで溶解した状態となっている。しかしながら、レジスト廃液が高温になるとノボラック樹脂の樹脂骨格が広がるため、レジスト樹脂の樹脂骨格に包み込まれていた感光剤が溶剤中に放り出される。その結果、一般にレジスト溶液（例えば、ＰＧＭＥＡ）に対する感光剤（例えば、ベンゾフェノン系感光剤）の溶解性は低いため、レジスト溶液中で感光剤が析出し微粒子となる。
（ｉｉｉ）レジスト廃液が高温になると熱エネルギーにより感光剤化合物の構造中のＮ2が感光時と同様な状態で離脱し、インデンケテン、インデンカルボン酸となる。その結果、アルカリ溶解性が増すこととなり、感度が劣化する。
（ｉｖ）レジスト廃液は、０℃以下となると感度の点では問題ないが、微粒子が発生する傾向がある。感光剤の溶解度が下がり、析出するためである。
【０００９】
上記（ｉ）〜（ｉｖ）の知見より、本発明者らは、上記レジスト廃液中の微粒子の発生および感度の低下にはレジスト廃液の温度（特に初期段階の温度）が関与しているとの考察を得た。そこで、本発明者らは、レジスト廃液の回収再生工程、特に初期の工程（廃液回収工程）についてさらなる検討を行なった。
【００１０】
廃液回収工程では、ＴＦＴ用レジスト膜を形成する際に基板上に保持されず廃液受けの側壁等に付着したレジスト液を、大量の溶剤で洗い流して回収する。このようにして得られるレジスト廃液の大部分は溶剤であるため、この溶剤の温度を制御することにより、上記課題を解決できるのではないかと考えた。ここで、付着したレジスト液を溶剤で洗い流すには溶剤の温度が高い方が溶解度の点から好ましい。しかしながら、上述したようにレジスト廃液を高温にするとレジスト廃液中に微粒子が発生してしまうという問題が生じる。かかる知見から、レジスト廃液の回収再生方法においては、主に溶剤温度を制御すれば上記課題が改善されることが理解された。
【００１１】
すなわち、本発明の薄膜トランジスタ用レジスト廃液の回収再生方法は、基板上に薄膜トランジスタ用レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程から上記レジスト膜形成工程において生じたレジスト廃液を回収して貯蔵する廃液回収工程を経由して、上記廃液回収工程で回収したレジスト廃液を再生する再生工程に至る全工程を通して行なわれる薄膜トランジスタ用レジスト廃液回収再生方法であって、上記レジスト膜形成工程および上記廃液回収工程を１〜２６℃に管理することを特徴とする。また、少なくとも上記廃液回収工程において用いられる廃液受けに付着した廃液を洗い流すために用いられる溶剤を所定の温度範囲に維持することが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明にかかるＴＦＴ用レジスト廃液の回収再生方法は、回収したＴＦＴ用レジスト廃液を劣化させることなく、繰り返し再生可能とすることができる。そのため、レジスト膜形成工程におけるコスト、ひいてはＴＦＴ型液晶素子の製造コストを低減することが可能となる。さらに、廃棄されるＴＦＴ用レジスト液の量を削減することができるため、廃棄の際の焼却に伴う二酸化炭素等の発生を低減することができ、環境への悪影響を低減することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明の実施形態について説明する。
本発明の薄膜トランジスタ用レジスト廃液の回収再生方法は、基板上に薄膜トランジスタ用レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程から上記レジスト膜形成工程において生じたレジスト廃液を回収して貯蔵する廃液回収工程を経由して、上記廃液回収工程で回収したレジスト廃液を再生する再生工程に至る全工程を通して行なわれる薄膜トランジスタ用レジスト廃液回収再生方法であって、上記レジスト膜形成工程および上記廃液回収工程を１〜２６℃に管理することを特徴とする。また、少なくとも上記廃液回収工程において用いられる廃液受けに付着した廃液を洗い流すために用いられる溶剤を所定の温度範囲に維持することが好ましい。
【００１４】
上記レジスト膜形成工程とは、基板にＴＦＴ用のレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する工程をいう。上記塗布には、例えば回転塗布装置などが用いられる。回転塗布装置を一例に挙げて説明すると、回転塗布装置においては、支持した基板を回転させながら基板上に所定量のＴＦＴ用レジスト液を滴下してレジスト膜を基板上に形成する。上記基板に滴下したＴＦＴ用レジスト液は、基盤の回転の際に、基板上に塗布されるが、過剰量のＴＦＴ用レジスト液は基板から振り切られ、廃液受けに受け止められる（一次廃液）。なお、廃液受けは、レジスト膜の形成に使用されなかったレジスト液を受け止めることができればよく、回転塗布装置に用いられるものに限定されない。
【００１５】
上記レジスト膜形成工程における室内温度範囲を１〜２６℃に制御するのが好ましく、９〜２１℃に制御するのがより好ましい。
【００１６】
本発明の方法は、特に上記ＴＦＴ用のレジスト液として、ベンゾフェノン系の感光剤およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有するレジスト液に対して好ましく用いることができる。上記レジスト液は、再生レジスト組成物に微粒子が増加したり、感度が低下したりするという傾向が高いためである。
【００１７】
上記廃液回収工程とは、廃液受けの側壁等に付着した一次廃液をレジスト液に使用されている溶剤で溶解して回収（二次廃液）し、上記一次廃液と混合して混合廃液を得る工程をいう。ここで用いられる溶剤の温度は、１〜２６℃、好ましくは９〜２１℃である。１℃未満だと回収レジスト液の感度は問題ないが、レジスト液中にパーティクル発生しやすくなる。レジスト液に含まれる感光剤の溶解度が下がり、析出するためと考えられる。一方、２６℃を越えた場合、感光剤の析出が起こり、パーティクルが発生し、また、感度も劣化する。上記溶剤の温度を制御するとともに、上記混合廃液および室温も上記温度範囲に制御するのが好ましい。上記廃液回収工程で得られた混合廃液を貯蔵する場合も、上記温度範囲とするのが好ましい。
【００１８】
上記レジスト液に含まれる溶剤は、例えば、ＰＧＭＥＡなどが挙げられる。
【００１９】
上記再生工程とは、上記混合廃液から、ろ過、加熱蒸留等により、溶剤を分離し、レジスト再生液を得る工程をいう。上記ろ過により、混合廃液中の汚染物質を除去することができる。
【００２０】
加熱蒸留して分離された溶剤は、上記廃液回収工程においてレジスト廃液受けに付着した一次廃液を溶解するために用いることができる。また、混合廃液の粘度、濃度等の調整に用いることができる。
【００２１】
上記レジスト再生液は、溶剤または新品のＴＦＴ用レジスト原液で濃度調整することによりＴＦＴ用レジスト液とし、原液から新しく調製したＴＦＴ用レジスト溶液と同様に、レジスト膜形成工程に用いることができる。
【００２２】
この再生工程においても上述したレジスト膜形成工程および廃液回収工程と同様の室内温度範囲に制御するのが好ましい。
【００２３】
各工程間においてもレジスト膜形成工程および廃液回収工程と同様の温度範囲に制御するのが好ましい。各工程および各工程間の温度を一定範囲に制御することにより、設備の設置地域、場所、また季節を問わず、回収したＴＦＴ用レジスト廃液を劣化しにくいものとし、繰り返し再生可能とすることができる。
【実施例】
【００２４】
以下、実施例に基づき、本発明についてさらに詳細に説明する。なお、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【００２５】
〔実施例１〕
回転塗布装置を用い、ノボラック樹脂、ベンゾフェノン系の感光剤、および溶剤を含むレジスト液を、基板上にレジスト膜を形成した。この回転塗布装置は、２０℃に管理した雰囲気下に設置した。
【００２６】
この回転塗布の際に基板上から振り切られ、回転塗布装置の廃液受けの側壁等に付着したレジスト液を、大量の回収溶剤（レジスト液の溶剤）で洗い流して回収した。この回収溶剤は、２０℃に管理したものを用いた。そして、回収されたレジスト液は、２０℃に管理して貯蔵した。
【００２７】
続いて、回収されたレジスト液を、内温６０℃で６０分蒸留後、直ちに２０℃に冷却することにより再生した。
この再生したレジスト液を用い、レジストパターンを形成してレジスト液の劣化について検討した。
【００２８】
その結果、再生したレジスト液は、レジスト液としての劣化は認められず、レジスト液として十分に再利用可能であった。また、同回収再生方法を再度行なった場合にも、再生したレジスト液は、レジスト液としての劣化は認められず、レジスト液として十分に再利用可能であった。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
以上のように、本発明の薄膜トランジスタ用レジスト廃液の回収再生方法は、ＴＦＴ用レジスト廃液を繰り返し再利用できるため、ＴＦＴ型液晶素子の製造において有用である。