(57)【要約】【課題】パターンの補正方法を行う際に、微小矩形を発生させて負のバイアス処理により消去することで、補正パターンのズレを論理演算のみで修正可能とする。【解決手段】設計パターンの図形データ１１を入力する工程と、入力した図形データ１１に基づいて設計パターンを補正して補正図形１２Ａ，１２Ｂを得る工程と、補正図形１２Ａ，１２Ｂの各頂点を中心として重なるように微小矩形１３Ａ，１３Ｂを発生させる工程と、補正図形１２Ａ，１２Ｂと微小矩形１３Ａ，１３Ｂとをそれぞれの位置を変えずに統合して統合図形１４を形成する工程と、統合図形１４に対して微小矩形１３Ａ，１３Ｂを消去するように負のバイアス処理を行って、微小矩形１３Ａ，１３Ｂと同時に補正で発生した補正図形１２Ａ，１２Ｂのズレを消去する工程と、負のバイアス処理により減少した分の補正図形を元のサイズに戻す正のバイアス処理を行う工程とを備えることで、課題の解決を図る。【選択図】図１
2005043686.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設計パターンの図形データを入力する工程と、
前記入力された図形データに基づいて前記設計パターンを補正して補正図形を得る工程と、
前記補正図形の各頂点を中心として重なるように微小矩形を発生させる工程と、
前記補正図形と前記微小矩形とをそれぞれの位置を変えずに統合して統合図形を形成する工程と、
前記統合図形に対して前記微小矩形を消去するように負のバイアス処理を行うことにより、前記微小矩形と同時に前記補正で発生した前記補正図形のズレを消去する工程と、
前記負のバイアス処理により減少した分の補正図形を元のサイズに戻す正のバイアス処理を行う工程と
を備えたことを特徴とする設計パターンの補正方法。
【請求項２】
露光マスクに形成されるパターンの設計パターンの光近接効果補正によって生じる補正ズレを解消する補正方法を取り入れた露光マスクの製造方法において、
前記補正方法は、
前記設計パターンの図形データを入力する工程と、
前記入力された図形データに基づいて前記設計パターンを補正して補正図形を得る工程と、
前記補正図形の各頂点を中心として重なるように微小矩形を発生させる工程と、
前記補正図形と前記微小矩形とをそれぞれの位置を変えずに統合して統合図形を形成する工程と、
前記統合図形に対して前記微小矩形を消去するように負のバイアス処理を行うことにより、前記微小矩形と同時に前記補正で発生した前記補正図形の段差を消去する工程と、
前記負のバイアス処理により減少した分の補正図形を元のサイズに戻す正のバイアス処理を行う工程と
を備えたことを特徴とする露光マスクの製造方法。
【請求項３】
前記パターンはホールパターンからなる
ことを特徴とする請求項２記載の露光マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光近接効果補正によって生じる露光マスク（フォトマスク）の補正ズレの解消が容易なパターンの補正方法および露光マスクの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高集積化により、フォトリソグラフィ工程では露光波長以下のパターンを形成する必要から、光の干渉効果が顕著となり、設計パターンと転写イメージとの間に差異が生ずるいわゆる光近接効果が大きな問題となっている。
【０００３】
光近接効果は、孤立ラインと繰り返しラインとの線幅差や、ライン端での縮みなどの現象によって現れ、ゲート線幅制御性の低下や、合わせマージンの減少を引き起こす。その結果、トランジスタ特性のばらつきが増大し、最終的にはチップの歩留まり低下などの生産効率や設計マージンに対して悪影響を及ぼす。このような問題に対して、光シミュレーションベースの高度な自動光近接効果補正（ＯＰＣ：Optical Proximity effect Correction）システムにより、実マスク作製までを考慮した補正を行ない、マスクを量産している。
【０００４】
通常、ＯＰＣ処理を行う際、設計データに対し単純に補正を行うと時間がかかるため、補正を行う前に設計データを処理単位に分割し、同一のパターンに処理単位をまとめて補正を行ない、補正後再度結合することにより処理時間の短縮を図っている（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００５】
しかし、複数の処理単位で位置が重複する場合があり、境界近傍のパターンで、それぞれの処理単位で補正値が異なった場合、補正されたパターン図形がずれたまま重なり合った状態となって、図形の角部に欠けを生じることがある。以下、この欠けた部分を微小段差と称することにする。例えば、図２（１）に示すように、処理単位Ａと処理単位Ｂとにより補正を行った場合、補正が重複するパターン、例えばパターンＰＡ、ＰＢが生じ、図２（２）に示すように、パターンＰに対する処理単位Ａの補正とパターンＰに対する処理単位Ｂの補正では補正後のパターンＰＡ、ＰＢとの間に補正ズレΔ１、Δ２を生じる。この結果、補正後のパターンＰＡ、ＰＢを合わせた図形に上記微小段差ΔＳが生じる。
【０００６】
この微小段差は転写線幅に影響を与えることはほとんど無いが、データ数増／描画ショット数増によるフォトマスク描画時間の増大、マスク欠陥検査を行った際、微小段差が欠陥として認識されてしまう等、マスク作製の期間（ＴＡＴ：Turn around time）を長期化させる原因となる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
ＤＲＣ（Design Rule Check）ツール等、特別な演算が可能なツールを用いて修正することは可能であるが、ラインセンスが高価である。また、基本的な論理演算しかできないツールの場合、上記微小段差の修正ができなかった。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１２２９７７号公報
【非特許文献１】Ryuji Takenouchi,Hidetoshi Ohnuma,Isao Ashida and Satoru Nozawa著  「A new date processing system for ULSI fabrication」ＳＰＩＥ（Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers）  Vol.3063  １９９７年  ｐ．１７８−１８７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
解決しようとする問題点は、補正されたパターンのズレを基本的な論理演算のみで修正することができない点である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の設計パターンの補正方法は、設計パターンの図形データを入力する工程と、前記入力された図形データに基づいて前記設計パターンを補正して補正図形を得る工程と、前記補正図形の各頂点を中心として重なるように微小矩形を発生させる工程と、前記補正図形と前記微小矩形とをそれぞれの位置を変えずに統合して統合図形を形成する工程と、前記統合図形に対して前記微小矩形を消去するように負のバイアス処理を行うことにより、前記微小矩形と同時に前記補正で発生した前記補正図形のズレを消去する工程と、前記負のバイアス処理により減少した分の補正図形を元のサイズに戻す正のバイアス処理を行う工程とを備えたことを最も主要な特徴とする。
【００１１】
本発明の露光マスクの製造方法は、露光マスクに形成されるパターンの設計パターンの光近接効果補正によって生じる補正ズレを解消する補正方法を取り入れた露光マスクの製造方法において、前記補正方法は、前記設計パターンの図形データを入力する工程と、前記入力された図形データに基づいて前記設計パターンを補正して補正図形を得る工程と、前記補正図形の各頂点を中心として重なるように微小矩形を発生させる工程と、前記補正図形と前記微小矩形とをそれぞれの位置を変えずに統合して統合図形を形成する工程と、前記統合図形に対して前記微小矩形を消去するように負のバイアス処理を行うことにより、前記微小矩形と同時に前記補正で発生した前記補正図形の段差を消去する工程と、前記負のバイアス処理により減少した分の補正図形を元のサイズに戻す正のバイアス処理を行う工程とを備えたことを最も主要な特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の設計パターンの補正方法は、設計パターンの図形データを入力し、その入力された図形データに基づいて設計パターンを補正して補正図形を得て、この補正図形の各頂点を中心として重なるように微小矩形を発生させる。そして補正図形と微小矩形とをそれぞれの位置を変えずに統合して統合図形を形成し、この統合図形に対して微小矩形を消去するように負のバイアス処理を行うことにより、微小矩形と同時に補正で発生した補正図形の段差（微小段差）を消去した後、負のバイアス処理により減少した分の補正図形を元のサイズに戻す正のバイアス処理を行うことにより、補正を行った正常な設計パターン形状を出力することができるので、後処理にＤＲＣツールを必要とせず論理演算機能しかない補正装置だけで、しかも通常の作業の延長で微小段差の修正が可能となるという利点がある。
【００１３】
本発明の露光マスクの製造方法は、露光マスクに形成されるパターンの設計パターンの光近接効果補正によって生じる補正ズレを解消する補正方法に、本発明の設計パターンの補正方法を取り入れたことにより、補正を行った正常な設計パターン形状を出力することができるので、後処理にＤＲＣツールを必要とせず論理演算機能しかないＥＢ変換装置だけで、しかも通常の作業の延長で微小段差の修正が可能となるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
設計パターンの補正作業により得た補正図形に、補正ズレによって生じた微小段差を解消するという目的を、補正図形の各頂点を中心として重なるように微小矩形を発生させ、補正図形と微小矩形とをそれぞれの位置を変えずに統合して統合図形を形成し、この統合図形に対して微小矩形を消去するように負のバイアス処理を行うことにより、微小矩形と同時に補正で発生した補正図形の微小段差を消去した後、負のバイアス処理により減少した分の補正図形を元のサイズに戻す正のバイアス処理を行うことで、後処理にＤＲＣツールを用いることなく論理演算のみで実現した。
【実施例】
【００１５】
（実施例の説明）  本発明の設計パターンの補正方法に係る実施例を、図１の説明図によって説明する。
【００１６】
図１（１）に示すように、設計パターンの図形データ１１を入力する。
【００１７】
次に、図１（２）に示すように、入力された図形データ１１に基づいて設計パターンを補正して補正図形１２Ａ、１２Ｂを得る。ここでは、設計データに対し単純に補正を行うと時間がかかるため、補正を行う前に設計データを処理単位に分割し、同一のパターンに処理単位をまとめて補正を行ない、補正後再度結合することにより処理時間の短縮を図っている。このように、複数の処理単位（ここでは一例として処理単位Ａ，処理単位Ｂ）で位置が重複し、それぞれの処理単位で補正値が異なっている場合には、補正ズレが発生して補正図形１２Ａ、１２Ｂがずれたまま重なり合った状態となり、微小段差ΔＳを生じる。
【００１８】
次に、図１（３）に示すように、補正図形１２Ａ、１２Ｂの各頂点を中心として重なるように微小矩形１３Ａ、１３Ｂを発生させる。この微小矩形１３Ａ、１３Ｂは、補正図形１２Ａ、１２Ｂと同一層に発生させてもよく、また別の層に発生させてもよい。すなわち、微小矩形１３Ａ、１３Ｂを発生させる層は、その後の工程で、補正図形１２Ａ、１２Ｂと微小矩形１３Ａ、１３Ｂとが統合（マージ）される層であればよい。ただし、他の処理で微小矩形１３Ａ、１３Ｂの無いＯＰＣ処理後のデータが必要になる場合には微小矩形１３Ａ、１３Ｂは別レイヤー(もしくは別データタイプ)に発生させることが好ましい。上記微小矩形１３Ａ、１３Ｂの大きさは、この補正をマスク補正とするならば、マスク補正単位(グリッド)の２〜３倍とする。グリッドが１ｎｍの場合、微小段差ΔＳの大きさは２〜３ｎｍ程度のため、矩形の大きさは５ｎｍ程度が望ましい。
【００１９】
次に、図１（４）に示すように、補正図形１２Ａ、１２Ｂと各微小矩形１３Ａ、１３Ｂとをそれぞれの位置を変えずに統合して統合図形１４を形成する。
【００２０】
図１（５）に示すように、統合図形１４に対して各微小矩形１３Ａ、１３Ｂ（２点鎖線で示す）を消去するように負のバイアス処理を行うことにより、各微小矩形１３Ａ、１３Ｂと同時に補正で発生した補正図形１２Ａ、１２Ｂのズレ、すなわち微小段差ΔＳ〔前記図１（２）参照〕を消去する。この負のバイアス処理は、出力されたデータを電子ビーム露光データに変換する際に、微小矩形１３Ａ、１３Ｂの１辺の長さの２倍を行う。この処理により、各微小矩形１３Ａ、１３Ｂが消去される。
【００２１】
次に、負のバイアス処理により減少した分の補正図形１２Ａ、１２Ｂを元のサイズに戻す正のバイアス処理を行う。これにより各微小矩形１３Ａ、１３Ｂが消えたまま設計データは元の形状に戻る。このようにして微小段差ΔＳを無くし、図１（６）に示すように、欠陥検査に支障の無い矩形状の設計パターン１５を作ることが可能となる。
【００２２】
本発明の設計パターンの補正方法は、設計パターンの図形データ１１を入力し、その入力された図形データ１１に基づいて設計パターンを補正して補正図形１２Ａ、１２Ｂを得て、この補正図形１２Ａ、１２Ｂの各頂点を中心として重なるように微小矩形１３Ａ、１３Ｂを発生させ、そして補正図形１２Ａ、１２Ｂと微小矩形１３Ａ、１３Ｂとをそれぞれの位置を変えずに統合して統合図形１４を形成し、この統合図形１４に対して微小矩形１３Ａ、１３Ｂを消去するように負のバイアス処理を行うことにより、微小矩形１３Ａ、１３Ｂと同時に補正で発生した補正図形の段差（微小段差ΔＳ）を消去した後、負のバイアス処理により減少した分の補正図形を元のサイズに戻す正のバイアス処理を行うことにより、補正を行った正常な設計パターン１５の形状を出力することができるので、後処理にＤＲＣツールを必要とせず論理演算機能しかない補正装置だけで、しかも通常の作業の延長で微小段差ΔＳの修正が可能となるという利点がある。
【００２３】
次に、本発明の露光マスクの製造方法について、以下に説明する。本発明の露光マスクの製造方法は、露光マスクに形成されるパターンの設計パターンの光近接効果補正によって生じる補正ズレを解消する補正方法を取り入れた露光マスクの製造方法である。その補正方法は、前記図１によって説明した設計パターンの補正方法を行えばよい。
【００２４】
本発明の露光マスクの製造方法は、露光マスクに形成されるパターンの設計パターンの光近接効果補正によって生じる補正ズレを解消する補正方法に、本発明の設計パターンの補正方法を取り入れたので、補正を行った正常な設計パターン形状を出力することができる。このため、設計パターンの後処理に、ＤＲＣツールを必要とせず論理演算機能しかない通常の電子線描画のマスク製造装置だけで、しかも通常の作業の延長で微小段差ΔＳの修正が可能となるという利点がある。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
本発明のパターンの補正方法および露光用マスクの製造方法は、メモリ素子、ロジック素子等の半導体装置、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置等の表示装置を製造する際に用いるフォトマスク、レチクル等のマスクパターンの補正という用途に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】設計パターンの補正方法に係る実施例を示した概略構成断面図である。
【図２】従来のパターン補正における問題点を示す説明図である。
【符号の説明】
【００２７】
１１…図形データ、１２Ａ，１２Ｂ…補正図形、１３Ａ，１３Ｂ…微小矩形、１４…統合図形、１５…設計パターン
【図１】
2005043686.tif 000003
【図２】
2005043686.tif 000004