(57)【要約】【課題】  高解像度のＣＣＤに用いる高品質のマイクロレンズアレイを、低コストで製造する。【解決手段】  ＣＣＤ１０を形成するときには、色フィルタアレイ２２上に、フォトリソグラフィー法を用いて、マイクロレンズの配置パターンに合わせて、レンズ材料を転写してブロック３０を形成する。また、スタンパ３４には、マイクロレンズの形状に応じた凹部３６を、マイクロレンズの配置パターンに応じたパターンで配置し、このスタンパを用いて、減圧環境下でブロックを型押しすることにより加工して、マイクロレンズを形成する。このとき、減圧環境下であり、かつ、ブロックが凹部に入り込むことにより凹部内の空気が排出されるので、高い加工精度でマイクロレンズを形成することができる。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、半導体基板に配置された受光素子に対向するマイクロレンズを設けたマイクロレンズアレイを、半導体基板上に形成するマイクロレンズアレイの製造方法であって、
前記半導体基板上で前記受光素子のそれぞれに対向する位置に、前記マイクロレンズの素材となるレンズ材料のブロックを、半導体基板上のマイクロレンズの配列に応じたパターンで配置し、
前記半導体基板上に形成するマイクロレンズの外形形状に応じた凹部を、
マイクロレンズの配列に応じたパターンで形成した型材を用い、
前記半導体基板上に配列した前記ブロックのそれぞれを型押しすることにより、ブロックのそれぞれを加工してマイクロレンズを形成する、
ことを特徴とするマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項２】
前記型材を用いた前記ブロックの型押しを減圧環境下で行うことを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項３】
前記ブロックをフォトリソグラフィー法によって前記半導体基板上に転写して配置することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項４】
前記ブロックの体積を前記凹部の容積であるマイクロレンズの体積に対して、同等以上、１.５倍以下としていることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項５】
前記請求項１から請求項４の何れか１項に記載のマイクロレンズアレイの製造方法を用いて製造されたことを特徴とするマイクロレンズアレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＣＤ等の固体撮像素子に用いられるマイクロレンズアレイの製造方法及びマイクロレンズアレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像素子であるＣＣＤエリアイメージセンサ（以下、ＣＣＤとする）は、マトリックス状に配置された受光素子によって受光された光を電気信号に変換して出力する。このときに、個々の受光素子は、投影画像の光量に応じた電荷を蓄積し、蓄積電荷に応じた電気信号を出力する。
【０００３】
このようなＣＣＤ等には、受光素子のそれぞれに対向して色フィルタと共にマイクロレンズが設けられており、撮影画像に応じて色フィルタを透過する光が効率的に受光されるようにしている。すなわち、ＣＣＤでは、色フィルタアレイ上にマイクロレンズアレイ（オンチップレンズ）を設けて、高感度化を図るようにしている。
【０００４】
ところで、近年では、撮影画像の高解像度化が要求されている。撮影画像の高解像度化を達成するためには、ＣＣＤの微細化（受光素子配列の微細化）と共に、より一層の受光素子の高感度化が必要となる。
【０００５】
ＣＣＤの感度向上を図る手法として、色フィルタと受光素子の間の積層構造体内にもレンズ（層内レンズ）を形成することも提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
しかし、オンチップレンズや層内レンズを形成するためには、フォトリソ（フォトリソグラフィー）、熱リフロー、ドライエッチング等の多くの工程が必要となり、高い設備コストが要求されると共に、製造時間もかかってしまう。
【０００７】
これと共に、工程中のウエットプロセスにおいては、薬液品質の維持が要求され、加熱工程においては、適正な温度管理が要求されるなど、製品品質を維持するための厳しい工程管理、作業管理が要求される。
【０００８】
一方、熱リフロー工程においては、隣接するマイクロレンズ同士が互いに接することにより品質不良を生じてしまうことがある。
【０００９】
この熱リフロー工程における品質不良の発生を防止する方法としては、レンズ間に段差を設けたり、濡れ性を制御することにより流動を抑える方法が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【００１０】
しかし、この方法では、加工工程が増えると共に、加工されたレンズ性能の低下による歩留まりの悪化などが想定される。
【００１１】
これに対して、オンチップのマイクロレンズを形成するときに、光透過性材料層を設け、この光透過性材料層にレンズパターンと逆の凹凸パターンが形成された金型を押し付けることにより、レンズパターンの形状転写を施す方法が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
【特許文献１】特開平８−３１６４４８号公報
【特許文献２】特開平５−３２６９００号公報
【特許文献３】特開２０００−３２３６９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、単に光透過性材料層を設け、逆レンズパターンを形成した型材によって型押しを行うと、型材と光透過性材料との間に空気が残り、適正な形状転写を施すことができないという問題がある。また、型材と光透過性材料層との間に残った空気が加圧されることにより、光透過性材料層内に気泡や濁り等を生じさせてしまうことがあり、このために高品質のマイクロレンズアレイの製造が困難となるという問題がある。
【００１３】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、ＣＣＤ等に用いられるマイクロレンズアレイの高密度化と共に低コスト化が可能となるマイクロレンズアレイの製造方法及びマイクロレンズアレイを提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために本発明は、半導体基板上に、半導体基板に配置された受光素子に対向するマイクロレンズを設けたマイクロレンズアレイを、半導体基板上に形成するマイクロレンズアレイの製造方法であって、前記半導体基板上で前記受光素子のそれぞれに対向する位置に、前記マイクロレンズの素材となるレンズ材料のブロックを、半導体基板上のマイクロレンズの配列に応じたパターンで配置し、前記半導体基板上に形成するマイクロレンズの外形形状に応じた凹部を、マイクロレンズの配列に応じたパターンで形成した型材を用い、前記半導体基板上に配列した前記ブロックのそれぞれを型押しすることにより、ブロックのそれぞれを加工してマイクロレンズを形成する、ことを特徴とする。
【００１５】
この発明によれば、半導体基板上で受光素子に対向する位置にマイクロレンズを形成するときに、マイクロレンズを形成する位置に、レンズ材料を用いたブロックを配置する。
【００１６】
また、型材には、マイクロレンズの外形形状に応じた凹部を、半導体基板上のマイクロレンズの配列パターンに応じたパターンで配列し、この型材を用いてブロックを型押しすることにより、ブロックをマイクロレンズの形状に加工する。
【００１７】
このとき、ブロックが型材の凹部に入り込むことにより凹部内の空気が押し出され、型材の凹部内面にブロックが密着するので、ブロックと型材の間に残る空気によって加工精度が低下するのを防止することができる。
【００１８】
また、本発明は、前記型材を用いた前記ブロックの型押しを減圧環境下で行うことを特徴とする。
【００１９】
この発明によれば、半導体基板上に配置したブロックを、型材によって型押しするときに、減圧環境下で行う。
【００２０】
これにより、凹部内に残る空気が少なくなり、確実な形状転写でマイクロレンズを形成することができる。
【００２１】
このような本発明においては、前記ブロックをフォトリソグラフィー法によって前記半導体基板上に転写して配置することが好ましく、これにより、高解像度のＣＣＤ等の受光素子の配列に合わせて、的確にブロックを配置することができる。
【００２２】
また、本発明では、前記ブロックの体積を前記凹部の容積であるマイクロレンズの体積に対して、同等以上、１.５倍以下とすることが好ましく、これにより、ブロックが必要以上に大きくなって、型押ししたときにレンズ材料が食み出すことによるマイクロレンズ製品不良の発生などを確実に防止することができる。
【００２３】
レンズ材料によって形成したブロックを型押してマイクロレンズを形成するときに、レンズ材料のブロック体積を、マイクロレンズの体積と同等することが最も好ましいが、マイクロレンズの体積より少なくなってしまうことは避けなければならない。
【００２４】
また、レンズ材料の体積を必要以上に大きくした場合、マイクロレンズの下部で集光に寄与しない部分の厚みが大きくなってしまうことになる。この集光に寄与しない部分の厚みは、ブロック体積をマイクロレンズの体積と略同等にして、厚みがなくなることが好ましいが、少なくともマイクロレンズの半径の１／２に抑える必要がある。
【００２５】
ここから、レンズ材料のブロック体積をマイクロレンズの体積に対して、同等以上、１.５倍以下とすることが好ましい。
【００２６】
このような本発明を適用することにより、高品質のマイクロレンズを簡単に製造することができると共に、高解像度のＣＣＤに設けるマイクロレンズが低コストで得られる。
【発明の効果】
【００２７】
以上説明したように本発明によれば、半導体基板上にレンズ材料によって形成したブロックを配置し、半導体基板上に形成するマイクロレンズの形状及び配列で凹部を形成した型材によって型押しする。これにより、高品質のマイクロレンズによるマイクロレンズアレイを、簡単に低コストで製造することができるという優れた効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に、図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。図１及び図２には、本発明を適用して製造するＣＣＤイメージセンサ（以下、ＣＣＤ１０とする）の要部の概略構成を示している。なお、以下では、ＣＣＤ１０の概略のみを説明し、その具体的な構成及び動作の説明を省略する。
【００２９】
図１に示すように、このＣＣＤ１０は、半導体基板１２上に、それぞれが受光素子を形成する多数の光電変換素子１４が形成されている。ＣＣＤ１０では、複数の光電変換素子１４が列状に配置され、この光電変換素子１４の列が、所定間隔で配置され、これにより、半導体基板１２上には、光電変換素子１４がマトリックス状に形成されている。
【００３０】
光電変換素子１４は、例えば埋め込み型のフォトダイオード構造として形成されており、光が照射されることにより、その光量に応じた電荷を蓄積する一般的構成となっている。
【００３１】
この半導体基板１２上には、図示しない絶縁膜が設けられている。また、半導体基板１２上には、光電変換素子１４の列の間に、電荷転送電極１６が設けられている。それぞれの電荷転送電極１６は、光電変換素子１４の列方向（図１では紙面表裏方向）に沿って配置され、図示しない絶縁膜によって覆われ、さらに、遮光膜１８によって被覆されている。
【００３２】
遮光膜１８は、光電変換素子１４の上方側が除かれており、これにより、光線変換素子１４に外光が照射されるようになっている。
【００３３】
光電変換素子１４のそれぞれは、隣接する電荷転送電極１６の一方の下側に設けられた垂直転送路に、所定のタイミング蓄積された電荷を移動できる構造となっている。
【００３４】
なお、垂直転送路のそれぞれは、一端側が水平転送路に接続しており、光電変換素子１４から垂直転送路に移動した電荷が、この水平転送路を通って電気信号として順次出力される。このようなＣＣＤ１０の構成は、従来公知の任意の構成を適用でき、本実施の形態では詳細な説明を省略する。
【００３５】
一方、この半導体基板１２は、電荷転送電極１６側の面が光透過性の絶縁性保護膜１９に覆われ、さらに、この保護膜１９が平坦化膜２０によって覆われている。
【００３６】
この平坦化膜２０は、例えば、フォトレジスト等の透明樹脂を、スピンコート法等によって所望の厚さに塗布するなどして形成され、前記した保護膜を覆うと共に、後述するマイクロレンズ用の焦点調節層としても利用される。
【００３７】
また、ＣＣＤ１０には、平坦化膜２０の表面に色フィルタアレイ２２が形成され、この色フィルタアレイ２２の表面が平坦化膜３０によって覆われている。この色フィルタアレイ２２には、光電変換素子１４のそれぞれに対向して、赤色の色フィルタ２４Ｒ、緑色の色フィルタ２４Ｇ又は青色の色フィルタ２４Ｂ（以下、総称する時には「色フィルタ２４」とする）が所定配列で形成されている。なお、色フィルタ２４Ｒ、２４Ｂ、Ｇの配列は、任意の配列パターンを適用することができる。
【００３８】
ところで、図１及び図２に示すように、ＣＣＤ１０には、色フィルタアレイ２２を覆う平坦化膜３０の表面には、マイクロレンズアレイ２６が形成されている。このマイクロレンズアレイ２６は、色フィルタ２４のそれぞれに対向してマイクロレンズ２８が形成されている。
【００３９】
すなわち、図１に示すように、ＣＣＤ１０には、光電変換素子１４のそれぞれに対向してマイクロレンズ２８が設けられており、このマイクロレンズ２８及び色フィルタ２４を透過した光が光電変換素子１４に照射される。このとき、マイクロレンズ２８が、光電変換素子１４上に光を集光するようになっている。
【００４０】
このマイクロレンズアレイ２６は、レンズ材料として例えば、ポリグリシジメタクリレート（ＰＧＭＡ）などの熱可塑性の透明樹脂を用い、この透明樹脂を溶融させて所定形状に加工することにより形成される。このときに、熱可塑性樹脂を用いることにより、加熱後に冷却されることにより硬化して、所定の形状を保持する。なお、レンズ材料としては、従来公知の任意の材料を用いることができる。また、本実施の形態では、熱可塑性樹脂を例に説明するが、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂など、レンズ材料として用いる従来公知の一般的材質の適用が可能である。
【００４１】
ここで、図３及び図４を参照しながら、本発明に係るマイクロレンズアレイ２６の形成を説明する。マイクロレンズアレイ２６を形成は、先ず、ＣＣＤ１０の色フィルタアレイ２２を覆う平坦化膜３０上に、レンズ材料によってブロック３２を形成する。
【００４２】
ブロック３２は、ＣＣＤ１０の光電変換素子１４のそれぞれに対向するようにパターン化して設ける。これにより、ＣＣＤ１０の平坦化膜３０上には、ＣＣＤ１０の光電変換素子１４の配列パターンと一致する配列パターンでブロック３２が形成される。
【００４３】
このようなブロック３０は、例えばフォトリソグラフィー法を用いてレンズ材料を平坦化膜３０上にパターン化して形成することができる。
【００４４】
このブロック３０の容量（体積Ｖ）は、所望の屈折率が得られる形状のマイクロレンズ２８の体積をｖとしたときに、ｖ≦Ｖ≦１.５ｖの範囲とすることができる。すなわち、個々のブロック３０の体積Ｖは、形成するマイクロレンズ２８の体積ｖと等しいか僅かに大きくなるようにし、少なくとも体積ｖよりも少なくなって、マイクロレンズ２８に窪み等の形状不良が生じてしまうのを防止する。
【００４５】
また、図４に示すように、本実施の形態では、このブロック３２を略円柱形状に形成している。
【００４６】
このようなブロック３２を形成すると、次に、個々のブロック３２を所定の形状に加工して、マイクロレンズ２８を形成する。
【００４７】
図３及び図４に示すように、このブロック３２の加工には、型材としてスタンパ３４を用いる。このスタンパ３４には、ＣＣＤ１０の光電変換素子１４のそれぞれに対向する凹部３６を形成している。すなわち、スタンパ３４には、ＣＣＤ１０に形成するマイクロレンズアレイ２６のマイクロレンズ２８の配列に応じた配列で凹部３６が形成されている。
【００４８】
これにより、スタンパ３４の凹部３６は、色フィルタアレイ２２上のブロック３２のそれぞれに対向するようになっている。
【００４９】
また、スタンパ３４に形成している凹部３６の内面形状は、ＣＣＤ１０の色フィルタ２４上に形成したいマイクロレンズ２８の外面形状に合わせられている。このようなスタンパ３４は、例えば、リソグラフィー等で形成したマスターよりニッケル電鋳をとるこで型を容易に形成することができる。
【００５０】
マイクロレンズアレイ２６を形成する時には、このスタンパ３４を用いて型押しすることにより、ブロック３２を加圧加工する。このとき、ブロック３２を加熱して軟化（溶融）させて、ブロック３２を形成しているレンズ材料が、スタンパ３４に形成している凹部３６の内面形状に沿って変形可能とする。
【００５１】
このときに、ブロック３２として熱可塑性樹脂を用いることにより、冷却後に、凹部３６の内面形状に応じた外形形状が保持されるようにする。
【００５２】
また、本実施の形態では、このスタンパ３４を用いてブロック３２を加工するときには、減圧下でスタンパ３４によるブロック３２の加圧を施す。すなわち、ＣＣＤ１０の色フィルタアレイ２２の表面と、スタンパ３４の間を減圧状態にして、スタンパ３４によってブロック３２を加圧するようにしている。
【００５３】
すなわち、本実施の形態では、ＣＣＤ１０の色フィルタアレイ２２（平坦化膜３０）上にマイクロレンズアレイ２６を形成するときに、先ず、フォトリソグラフィー法等を用いて、レンズ材料を色フィルタアレイ２２上にブロック状に転写してブロック３２を形成する。
【００５４】
この後、ＣＣＤ１０の色フィルタアレイ２２の表面とスタンパ３４の間を減圧状態にすると共に、ブロック３２のそれぞれを加熱しながら、スタンパ３４によってブロック３２のそれぞれを加圧して型押しする。
【００５５】
このときに、ブロック３２がスタンパ３４の凹部３６内に入り込むことにより、凹部３６内の空気が排出される。また、スタンパ３４によってブロック３２を加圧するときに減圧していることにより、凹部３６内の空気が希薄となっているので、ブロック３２の外面が凹部３６の内面に密着し、ブロック３２を凹部３６の内面形状に形成することができる。
【００５６】
さらに、減圧下で加圧することにより、凹部３６内からの空気の排出が促進されるので、凹部３６内の空気がブロック３２内の溶け込むなどして、気泡や濁りが生じてしまうのを確実に防止することができる。特に、空気中の二酸化炭素は、ブロック３２内に溶け込み易いが、凹部３６内を減圧していることにより、二酸化炭素の減量を図ることができ、空気中の二酸化炭素等が溶け込んでしまうのを確実に防止して、ブロック３２をスタンパ３６の凹部３６の内面形状に応じた形状に加工することができる。
【００５７】
一方、光電変換素子１４のそれぞれに対して設けられている色フィルタ２４上にブロック３２のみを形成すると共に、このブロック３２の体積Ｖを、形成するマイクロレンズ２８の体積ｖと略同じか僅かに大きくすることにより、スタンパ３４によってブロック３２を型押ししたときに、凹部３６から食み出すレンズ材料を無くすか、僅かな量とすることができる。
【００５８】
型押しによってマイクロレンズ２８を形成するときに、レンズ材料の流動量が多くなると、所望の形状、屈折率のマイクロレンズ２８を適正な位置に形成できなくなってしまう。
【００５９】
これに対して、適正な体積Ｖのブロック３２をスタンパ３４によって型押しすることにより、適正な位置に所望の形状のマイクロレンズ２８を形成することができる。すなわち、加工不良の発生率を低減して、マイクロレンズ２８を形成するときの歩留まりの向上を図ることができ、高品質のマイクロレンズアレイ２６を形成することができる。
【００６０】
また、近年、ＣＣＤ画素の微細化が進むのにつれて、１画素分の入射光量はますます減少するため、集光効率の向上が要求される。このためには、マイクロレンズ２８から光電変化素子１４までを薄くすることが好ましい。
【００６１】
これに加えて、マイクロレンズ２８で、集光に寄与しないレンズ下層部分の厚みを極力抑えることが好ましい（理想はこの部分の厚みがなくなること）が、球面レンズを考えると、この部分の厚みは、多くともレンズ半径の１／２以下とすることが好ましく、このためには、ブロック３２の体積Ｖを、マイクロレンズ２８の体積であるスタンパ３４の凹部３６の容積ｖの１．５倍以下とする必要がある。
【００６２】
ここから、本実施の形態では、ブロック３２の体積Ｖをスタンパ３４の凹部３６の容積ｖと同等か１．５倍以下としている。これにより、レンズ材料であるブロック３２の膜厚分布やレンズ成形型であるスタンパ３４の形状のばらつきがあっても、集光効率が高く、微細な画像のＣＣＤ（高画素数のＣＣＤ）に適用可能なマイクロレンズ２８（マイクロレンズアレイ２６）を形成することができる。すなわち、高品質のマイクロレンズアレイ２８を低コストで形成することができる。
【００６３】
また、スタンパ３４によるブロック３２の型押しを減圧下で行うことにより、スタンパ３４の凹部３６とブロック３２の間から、空気を確実に排除することができ、高品質のマイクロレンズ２８を形成することができる。
【００６４】
さらに、フォトリソグラフィ法を用いることにより、微細なブロック３２のパターンを高精度で形成できるので、高解像度のＣＣＤ１０に用いるマイクロレンズアレイ２６を低コストで形成することができる。
【００６５】
すなわち、高品質のマイクロレンズアレイ２６を低コストで形成した高解像度のＣＣＤ１０が得られる。
【００６６】
なお、以上説明した本実施の形態では、略円柱状のブロック３２を形成するようにしたが、ブロックの形状はこれに限るものではない。
【００６７】
例えば、図５に示すように、上面が矩形形状のブロック４０を形成するようにしても良い。このようなブロック４０は、スタンパ３４によって型押しされるとき、上端が凹部３６の内面と接触した直後は、凹部３６の内面との間に隙間が生じた状態となる。この隙間は、ブロック４０に対する型押し（変形）が進行すると消滅するが、消滅までの間は、ブロック４０の上端と凹部３６の内面との間に残っている空気の排出が可能となる。
【００６８】
したがって、スタンパ３４を用いて型押しするときに、凹部３６内からのより確実な空気の排出が可能となり、高品質のマイクロレンズ２８を得ることができる。
【００６９】
なお、色フィルタ２４上にガラス材料によって形成するブロックは、上面が矩形形状に限らず、凹部３６の内面と接触したときに隙間が生じるものであれば任意の形状を適用することができる。
【００７０】
一方、本発明は、層内レンズの形成に適用することも可能である。図６には、層内レンズ（図示省略）が設けられるＣＣＤ１０Ａの要部の概略構成を示している。
【００７１】
このＣＣＤ１０Ａは、ＣＣＤ１０で平坦化膜２０を形成する透明材料を用いて、半導体基板１２の表面に凹凸パターン４２を形成している。この凹凸パターン４２は、半導体基板１２に形成している光電変換素子１４と電荷転送電極１６等が設けられている非光電変換素子領域とを一体で覆うと共に、光電変換素子１４に対向する位置に凹部４４が形成されるように、光電変換素子１４から外れた領域（非光電変換素子領域）に凸部４６を形成する。
【００７２】
一方、スタンパ４８には、凹部４４に対向する凸部５０が形成されている。すなわち、光電変換素子１４に対向する位置に凸部５０が形成されている。
【００７３】
この凸部５０は、ＣＣＤ１０Ａに形成する層内レンズの外形形状に一致されている。また、凹凸パターン４２の凹部４４の容積は、スタンパ４８の凸部５０の体積よりも小さくなるようにする。
【００７４】
このスタンパ４８を用いて、減圧環境下で凹凸パターン４２を型押しすることにより、光電変換素子１４に対向する位置に、スタンパ４８の凸部５０の外形に応じた内形の凹部を形成することができる。
【００７５】
この凹部を埋めるようにレンズ材料を用いて平坦化膜を形成し、この平坦化膜状に色フィルタアレイ２２（図６では図示省略）を形成することにより、マイクロレンズとして層内レンズが形成されたＣＣＤ１０Ａを得ることができる。
【００７６】
このときにも、高品質の層内レンズを低コストで形成した、高解像度のＣＣＤ１０Ａが得られる。また、予め層内レンズに近いパターンに形成しておくことにより、レンズ材料の加熱成形時に、内部残留応力による経時変形防止効果を期待することができる。
【００７７】
なお、以上説明した本実施の形態は、本発明を限定するものではない。本発明は、任意の構成の固体撮像素子に設けるマイクロレンズアレイの製造に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本実施の形態に適用したＣＣＤの要部の概略構成図である。
【図２】ＣＣＤに形成するマイクロレンズアレイの概略斜視図である。
【図３】マイクロレンズアレイの加工前と、加工に用いるスタンパを示す概略構成図である。
【図４】マイクロレンズアレイの加工前のＣＣＤと、加工に用いるスタンパを示す概略斜視図である。
【図５】ブロックの形状の他の例を示すマイクロレンズアレイの加工前と、加工に用いるスタンパを示す概略斜視図である。
【図６】マイクロレンズとして層内レンズを設けるＣＣＤの加工前を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００７９】
１０、１０Ａ    ＣＣＤ
１２    半導体基板
１４    光電変換素子（受光素子）
１６    電荷転送電極
２２    色フィルタアレイ
２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）    色フィルタ
２６    マイクロレンズアレイ
２８    マイクロレンズ
３０、４０    ブロック
３２、４２    スタンパ（型材）
３６    凹部
４４    凹部
４６    凸部
５０    凸部
【図１】
2005271476.tif 000003
【図２】
2005271476.tif 000004
【図３】
2005271476.tif 000005
【図４】
2005271476.tif 000006
【図５】
2005271476.tif 000007
【図６】
2005271476.tif 000008