(57)【要約】【目的】  半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる硝酸性窒素を含む排水の処理作業を従来よりも大幅に低コスト化・簡素化・高効率化することができるシステムを提供する。【構成】  半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の表面のアルミニウム製スパッタリング膜を剥離するためのＫＯＨ槽と、スパッタリング膜が剥離された部品を洗浄するための水洗槽と、前記ＫＯＨ水溶液と前記排水とが流入される脱硝槽であって、粒径２００μｍ以下のゲバルト合金微粒子を含み、少なくとも排水処理中はｐＨ１２以上で且つ約３０℃以下の環境下に保持されている脱硝槽と、前記ＫＯＨ槽からの使用済みＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽内に送出するためのＫＯＨ水溶液供給配管及びポンプとを備えている。【選択図】    図１
2005152852.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の表面のアルミニウム製スパッタリング膜を剥離するためのＫＯＨ槽と、
前記ＫＯＨ槽でアルミニウム製スパッタリング膜を剥離された部品を洗浄するための水洗槽と、
前記ＫＯＨ槽からの使用済みＫＯＨ水溶液と前記水洗槽からの排水とが流入される脱硝槽であって、粒径２００μｍ以下のゲバルト合金微粒子を含み、少なくとも排水処理中はｐＨ１２以上で且つ約３０℃以下の環境下に保持されている脱硝槽と、
前記ＫＯＨ槽からの使用済みＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽に供給するためのＫＯＨ水溶液供給配管と、
前記ＫＯＨ水溶液供給配管の途中に設けられ、前記ＫＯＨ槽からの使用済みＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽内に送出するためのポンプとを備え、
前記ＫＯＨ槽からの使用済みＫＯＨ水溶液を常時又は所定のタイミングで前記脱硝槽内に供給することにより前記脱硝槽内の環境をｐＨ１２以上に保ち、このｐＨ１２以上且つ約３０℃以下の環境下に保たれた前記脱硝槽内で、前記水洗槽からの排水に含まれる硝酸根及び亜硝酸根を、前記ゲバルト合金微粒子を触媒として除去するようにした、ことを特徴とする、半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる排水の処理システム。
【請求項２】
請求項１において、
前記脱硝槽内の液体のｐＨを測定するためのｐＨ測定手段と、
前記ｐＨ測定手段からの出力に基づいて、前記脱硝槽内の液体のｐＨが１２より低いときは、前記脱硝槽内の液体のｐＨが１２以上になるまで、前記ＫＯＨ槽からの使用済みＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽に供給するように前記ポンプを制御するための制御手段と、
を備えたことを特徴とする、半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる排水の処理システム。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記ＫＯＨ槽からの使用済みＫＯＨ水溶液を蓄積しておくための蓄積槽と、
前記蓄積槽内の使用済みＫＯＨ水溶液の容量を検出するためのフロートセンサと、
前記フロートセンサからの出力に基づいて、前記蓄積槽内の使用済みＫＯＨ水溶液の容量が容器全体の約８０％以上であるとき、前記使用済みＫＯＨ水溶液の容量が容器全体の約８０％以下になるまで、前記蓄積槽内の使用済みＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽に供給するように前記ポンプを制御するための制御手段と、
を備えたことを特徴とする、半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる排水の処理システム。
【請求項４】
請求項１，２，又は３において、前記ゲバルト合金微粒子は、不活性ガス中で遠心アトマイズ法により作られたサブミクロン構造を有する微粒子である、ことを特徴とする、半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる排水の処理システム。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれかにおいて、前記ゲバルト合金微粒子は、真球状に形成されている、ことを特徴とする、半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる排水の処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる排水の処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、工場排水から硝酸性窒素を除去するための排水処理システムが知られている。例えば、特許文献１は、硝酸性窒素を含有する排水を、水中で水素を発生する金属と接触させて、硝酸性窒素を亜硝酸性窒素または窒素ガスまで還元するようにした、硝酸性窒素およびアンモニア性窒素を含む排水の処理方法を開示している。
【０００３】
また、特許文献２は、硝酸性窒素含有水を、水中で水素を発生する金属と接触させることにより、硝酸性窒素を亜硝酸性窒素またはアンモニア性窒素に還元し、その後、窒素ガスに転換するようにした、硝酸性窒素含有水の処理方法を開示している。
【特許文献１】特許第３３５８９０５号公報
【特許文献２】特開平７−３２８６５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記の特許文献１及び特許文献２が開示している処理方法においては、いずれも、硝酸性窒素を含有する排水を水中で水素を発生する金属と接触させて硝酸性窒素を分解するときに、例えば水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどのｐＨ調整剤を別個に用意し、このｐＨ調整剤を処理槽に添加して処理槽内のｐＨ調整を行うようにしているため、ｐＨ調整剤をわざわざ別個に用意するためのコストが発生してしまう、ｐＨ調整剤の添加作業が別個に必要になるため全体の処理作業が煩雑になってしまうなど、排水処理作業の高コスト化・煩雑化を招いていた。
【０００５】
他方、半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる硝酸性窒素などを含む工場排水に対する排水中窒素量の規制は平成１６年度より一層厳しくなり、トータル窒素量で１００ｍｇ／ｌとなる。これを達成するためには、窒素化合物の中で最も分解し難い硝酸性窒素を低コスト且つ高効率に分解除去する方法が求められている。
【０００６】
本発明はこのような従来技術の問題点を解決するためのものであり、半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる硝酸性窒素を含む排水の処理作業を従来よりも大幅に低コスト化・簡素化・高効率化することができる、半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる排水処理システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上のような課題を解決するための本発明による半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる排水処理システムは、半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の表面のアルミニウム製スパッタリング膜を剥離するためのＫＯＨ（苛性カリ）槽と、前記ＫＯＨ槽でアルミニウム製スパッタリング膜を剥離された部品を洗浄するための水洗槽と、前記ＫＯＨ槽からの使用済みＫＯＨ水溶液と前記水洗槽からの排水とが流入される脱硝槽であって、粒径２００μｍ以下のゲバルト合金微粒子を含み、少なくとも排水処理中はｐＨ１２以上で且つ約３０℃以下の環境下に保持されている脱硝槽と、前記ＫＯＨ槽からの使用済みＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽に供給するためのＫＯＨ水溶液供給配管と、前記ＫＯＨ水溶液供給配管の途中に設けられ、前記ＫＯＨ槽からの使用済みＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽内に送出するためのポンプとを備え、前記ＫＯＨ槽からの使用済みＫＯＨ水溶液を常時又は所定のタイミングで前記脱硝槽内に供給することにより前記脱硝槽内の環境をｐＨ１２以上に保ち、このｐＨ１２以上且つ約３０℃以下の環境下に保たれた前記脱硝槽内で、前記水洗槽からの排水に含まれる硝酸根及び亜硝酸根を、前記ゲバルト合金微粒子を触媒として除去するようにした、ことを特徴とするものである。
【０００８】
また、本発明による半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる排水の処理システムにおいては、さらに、前記脱硝槽内の液体のｐＨを測定するためのｐＨ測定手段と、前記ｐＨ測定手段からの出力に基づいて、前記脱硝槽内の液体のｐＨが１２より低いときは、前記脱硝槽内の液体のｐＨが１２以上になるまで、前記ＫＯＨ槽からの使用済みＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽に供給するように前記ポンプを制御するための制御手段と、を備えることが望ましい。
【０００９】
また、本発明による半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる排水の処理システムにおいては、さらに、前記ＫＯＨ槽からの使用済みＫＯＨ水溶液を一時的に蓄積しておくための蓄積槽と、前記蓄積槽内の使用済みＫＯＨ水溶液の容量を検出するためのフロートセンサと、前記フロートセンサからの出力に基づいて、前記蓄積槽内の使用済みＫＯＨ水溶液の容量が容器全体の約８０％以上であるとき、前記使用済みＫＯＨ水溶液の容量が容器全体の約８０％以下になるまで、前記蓄積槽内の使用済みＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽に供給するように前記ポンプを制御するための制御手段と、を備えることが望ましい。
【００１０】
また、本発明による半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる排水の処理システムにおいては、前記ゲバルト合金微粒子は、不活性ガス中で遠心アトマイズ法により作られたサブミクロン構造を有する微粒子である、ことが望ましい。
【００１１】
さらに、本発明による半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる排水の処理システムにおいては、前記ゲバルト合金微粒子は、真球状に形成されている、ことが望ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明においては、部品の表面のアルミニウム製スパッタリング膜を剥離するために使用された使用済みＫＯＨ水溶液を、前記ＫＯＨ槽でアルミニウム製スパッタリング膜を剥離された部品を洗浄するための水洗槽からの排水が流入される脱硝槽に供給して、脱硝槽内をｐＨ１２以上に保つことにより、前脱硝槽内で、常温下で、前記粒径２００μｍ以下のゲバルト合金（銅５０重量％、亜鉛５重量％、アルミニウム４５重量％）の微粒子を触媒として、前記排水から硝酸根及び亜硝酸根を高効率に除去するようにしている。このように、本発明においては、前記部品の洗浄再生業務から生じる排水から硝酸根及び亜硝酸根を前記ゲバルト合金微粒子を触媒として高効率に除去するために必要な条件である脱硝槽内のｐＨ１２以上という環境を、同じく部品の洗浄再生業務から生じる使用済みＫＯＨ水溶液をＫＯＨ槽から脱硝槽に供給することにより（特別のｐＨ調整剤を用意することなく、また、特別のｐＨ調整剤を脱硝槽に添加するという作業を行うことなく）、容易に実現するようにしている。したがって、本発明によれば、半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる硝酸性窒素を含む排水の処理作業を従来よりも大幅に低コスト化・簡素化することができるようになる。
【００１３】
また、特に、本発明では、前記粒径２００μｍ以下のゲバルト合金微粒子を触媒として使用したので、前記排水からの硝酸性窒素の除去作業を大幅に簡素化・低コスト化させることができる。すなわち、従来よりゲバルト合金の粒子（一般的に粒径が２−３ｍｍのかけら）を触媒として、硝酸根を含むアルカリ性水溶液を湯浴中で還流し水蒸気と共にアンモニアを留出させることは公知であるが、本発明では、粒径２００μｍ以下のゲバルト合金微粒子（活性触媒粒子）を使用することにより（且つｐＨ１２以上の環境にすることにより）留出温度を常温まで下げることができ、この点からも前記排水からの硝酸性窒素の除去作業を大幅に簡素化・低コスト化させることが可能になっている。
【００１４】
また、本発明においては、前記ｐＨ測定手段により前記脱硝槽内の液体のｐＨを測定し、前記脱硝槽内の液体のｐＨが１２より低いとき、前記制御手段により、前記ポンプを制御して、前記ＫＯＨ槽内の使用済みＫＯＨ水溶液を、前記脱硝槽内の液体のｐＨが１２以上になるまで、前記脱硝槽に供給するようにしている。よって、本発明によれば、前記ＫＯＨ槽からの使用済みＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽に供給して前記脱硝槽内をｐＨ１２以上に保つための作業を自動化することができる。
【００１５】
また、本発明においては、前記フロートセンサにより前記ＫＯＨ水溶液を一時的に蓄積しておく蓄積槽内の使用済みＫＯＨ水溶液の容量を検出し、前記蓄積槽内の使用済みＫＯＨ水溶液の容量が前記蓄積槽の約８０％以上であるとき、前記制御手段により、前記ポンプを制御して、前記蓄積槽内の使用済みＫＯＨ水溶液を、前記使用済みＫＯＨ水溶液の容量が前記蓄積槽の約８０％以下になるまで、前記脱硝槽に供給するようにしている。よって、本発明によれば、前記蓄積槽内のＫＯＨ水溶液が適切な容量に保たれオーバーフローしないように監視することと前記使用済みＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽に供給して前記脱硝槽内をｐＨ１２以上に保つための作業とを共に自動化することができる。
【００１６】
また、本発明においては、前記脱硝槽内に添加される前記ゲバルト合金微粒子として、不活性ガス中で遠心アトマイズ法により作られたサブミクロン構造を有する微粒子を使用しているので、前記ゲバルト合金微粒子の反応性を高め、前記ゲバルト合金微粒子の前記脱硝槽内での取り扱いを容易にすることができる。すなわち、不活性ガス中で遠心アトマイズ法により作られたサブミクロン構造を有するゲバルト合金微粒子は、真球状をしており、その反応性は粒径と負の相関性を持ち、その溶液中の重さは粒径の３乗に比例し、その溶液中の移動速度は粒径と負の相関性を持つ。一般に形状が不規則で粒径が大きい粒子の集合は反応性が遅く長く容器内に滞在するので触媒として有効に利用できない。これに対して、本発明のような遠心アトマイズ法により作られたゲバルト合金微粒子は、形状が規則的（真球状）で粒径が小さいため反応性が高く容器内を速やかに移動するので触媒として有効に利用できる。また、約２００μｍ以下の反応性の大きい真球状のゲバルト合金微粒子の製造は、遠心アトマイズ法によることが最も経済性が高い。以上より、本発明では、前記脱硝槽内に添加される前記ゲバルト合金微粒子として、不活性ガス中で遠心アトマイズ法により作られたサブミクロン構造を有する微粒子を使用するようにしたので、前記ゲバルト合金微粒子の反応性を高め且つ前記脱硝槽内での取り扱いを容易にし、その結果、半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる硝酸性窒素を含む排水の処理作業を大幅に効率化・簡素化できるようになる。
【００１７】
さらに、本発明においては、前記脱硝槽内に添加される前記ゲバルト合金微粒子として、真球状のものを使用しているので、前記脱硝槽内での前記ゲバルト合金微粒子の反応性を高めることができ（真球状のゲバルト合金微粒子は溶液中の移動速度が速く反応性が高い）、その結果、半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる硝酸性窒素を含む排水の処理作業をより一層効率化できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明を実施するための最良の形態は、以下の実施例１について述べるような形態である。
【実施例１】
【００１９】
図１は本発明の実施例１による半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる排水の処理システムの概略構成を説明するためのブロック図である。図１において、符号１は、半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の表面のアルミニウム製スパッタリング膜を剥離するためのＫＯＨ水溶液が入れられたＫＯＨ槽（容量は例えば１０００ｌ）、２は前記ＫＯＨ槽１からの使用済みＫＯＨ水溶液を一時的に蓄積しておくためのＫＯＨバッファ槽（容量は例えば３０００ｌ）、３は前記ＫＯＨ槽１から搬送されてきたアルミニウム製スパッタリング膜を剥離された部品を水で洗浄するための水洗槽（容量は例えば１０００ｌ）、４は前記水洗槽３からの排水を一時的に蓄積しておくための常時排水原水槽（容量は例えば５０００ｌ）、である。
【００２０】
また、図１において、符号５は、前記ＫＯＨバッファ槽２からの使用済みＫＯＨ水溶液と前記常時排水原水槽４からの排水とが流入される脱硝槽である。前記脱硝槽５内では、後述のようにｐＨ１２以上に保たれており、前記常時排水原水槽４からの排水中の硝酸根・亜硝酸根が、約３０℃以下の常温下で、後述のゲバルト合金微粒子によりアンモニアに還元され除去されている。そして、この還元反応を発生させるため、前記脱硝槽５には、粒径２００μｍ以下のゲバルト合金微粒子が所定量ずつ連続的に又は間欠的に添加されるようになっている。
【００２１】
本実施例１で添加される前記粒径２００μｍ以下のゲバルト合金微粒子は、不活性ガス中で遠心アトマイズ法により作られたサブミクロン構造を有する微粒子であり、真球状に形成された微粒子である。本実施例１では、このような粒径２００μｍ以下の真球状のゲバルト合金微粒子を触媒として使用することにより、３０℃以下の常温下のままでも、前記脱硝槽５内での前記排水中からの硝酸根・亜硝酸根の還元・除去反応を極めて効率的に行えるようになっている。また、本実施例１では、遠心アトマイズ法によりゲバルト合金微粒子を生産することにより、前述のような粒径２００μｍ以下の真球状のゲバルト合金微粒子を極めて安価に且つ安定的に生産できるようになっている。
【００２２】
また、本実施例１において、前記脱硝槽５は、前記ＫＯＨバッファ槽２からの使用済みＫＯＨ水溶液が自動的に供給される（この自動供給機構については図２に関して後述する）ことにより、少なくとも排水処理中はｐＨ１２以上の環境下に保持されるようになっている。これは、本発明者の実験（後述）によると、前記脱硝槽５内が３０℃以下の常温下のままで、前記常時排水原水槽４からの排水から硝酸性窒素を前記ゲバルト合金微粒子を使用して除去するためには、前記脱硝槽５内をｐＨ１２以上の環境下に保持することが必要だからである。
【００２３】
また、図１において、符号６は、前記脱硝槽５からの前記硝酸根・亜硝酸根が除去された排水と前記ＫＯＨ水溶液との混合液が供給される反応槽（容量は例えば１５００ｌ）である。この反応槽６では、次工程での個液分離状態をよくするため、ｐＨ測定器による自動制御により、硫酸ポンプから硫酸を注入して酸性（例えばｐＨ３以下）とし、且つ、塩化カルシウム及び活性炭（排水中の有機物処理）を定量注入している。また、反応槽６内では、ポンプにより常時攪拌を行い反応を促進させている。
【００２４】
また、図１において、符号７は、前記反応槽６からの前記排水とＫＯＨ水溶液との混合液が供給されるｐＨ調整槽（容量は例えば７５０ｌ）である。このｐＨ調整槽７では、次工程での固液分離状態をよくするため、ｐＨ計の自動制御により苛性ソーダポンプにより苛性ソーダが注入される。また、排水中のアルミニウムを水酸化アルミニウムにするために、ｐＨは７程度になる。また、ｐＨ調整槽７内は、ポンプにより常時攪拌を行ない、反応を促進させている。
【００２５】
また、図１において、符号８は、前記ｐＨ調整槽７からの前記排水とＫＯＨ水溶液との混合液が供給される凝集槽（容量は例えば７５０ｌ）である。この凝集槽８では、ポンプに連動して攪拌機が作動し、凝集剤ポンプから凝集剤が注入されると、前記排水（ＫＯＨ水溶液との混合液）と高分子凝集剤とが効率良く混合される。前記凝集剤により、前記排水中の金属水酸化物等の微粒子は粗大フロック（凝集）状態となる。
【００２６】
また、図１において、符号９は、前記凝集槽８内で前記フロックが形成された前記排水（ＫＯＨ水溶液との混合液）が流入される沈殿槽（容量は例えば６９００ｌ）である。この沈殿槽９では、前工程で形成された粗大フロックと排水を固液分離する。固液分離後、粗大フロックは沈殿槽９の底部に堆積され、集泥機により沈殿槽９の中心部に集められる。
【００２７】
前記沈殿槽９で分離された前記フロック（スラリー）は、タイマー制御されるポンプにより、一定時間に一定容量づつ、次のスラリー槽１０（容量は例えば２０００ｌ）に送泥される。他方、図示は省略しているが、前記沈殿槽９で分離された上澄水は、全自動砂ろ過機に送水され、清浄化される。
【００２８】
前記スラリー槽１０に溜められたスラリーは、次の半自動脱水機（フィルタープレス）１１により可搬状態まで脱水処理され、廃棄業者に引き取られる。他方、前記半自動脱水機１１で脱水・分離された脱水濾液は前記常時排水原水槽４内に送られる。
【００２９】
次に、図２は本実施例１において前記ＫＯＨバッファ槽２から使用済みＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽５に自動供給するための自動供給機構を説明するためのブロック図である。図２において、２１は前記ＫＯＨバッファ槽２と前記脱硝槽５とを接続するためのＫＯＨ水溶液供給配管、２２は前記ＫＯＨ水溶液供給配管２１の途中に設けられ前記ＫＯＨバッファ槽２からの使用済みＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽５内に送出（圧送）するためのポンプ、２３は前記ＫＯＨバッファ槽２内のＫＯＨ水溶液の容量を測定するためのフローセンサ、２４は前記脱硝槽５内の前記排水とＫＯＨ水溶液との混合液の容量を測定するためのフローセンサ、２５は前記脱硝槽５内の前記排水とＫＯＨ水溶液との混合液のｐＨを測定するためのｐＨ測定器、である。
【００３０】
また、図２において、２６は、前記フローセンサ２３、前記フローセンサ２４、及び前記ｐＨ測定器２５からの信号に基づいて、前記ポンプ２２を制御して、前記ＫＯＨバッファ槽２からＫＯＨ水溶液を所定のタイミングで所定量だけ前記脱硝槽５に自動供給するためのマイクロコンピュータなどで構成される制御装置、である。
【００３１】
次に、前記自動供給機構、特に前記制御装置２６の動作を、図２を参照して説明する。本実施例１では、前記制御装置２６は、前記フローセンサ２３と前記ｐＨ測定器２５からの出力に基づいて、前記ＫＯＨ水溶液の容量が前記ＫＯＨバッファ槽２の８０％以下のときであって且つ前記脱硝槽５内のｐＨが１２より低いときは、前記ポンプ２２を制御して、前記脱硝槽５内の前記混合液がｐＨ１２以上になるまで、前記ＫＯＨバッファ槽２からＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽５に供給させる。これにより、前記脱硝槽５内は常にｐＨ１２以上の環境に保たれる。
【００３２】
また、前記制御装置２６は、前記フローセンサ２３からの出力に基づいて、前記ＫＯＨ水溶液の容量が前記ＫＯＨバッファ槽２の８０％以上のときは、前記ＫＯＨバッファ槽２がオーバーフロー状態にならないように、前記脱硝槽５内のｐＨが１２より低いかどうかに拘わらず、前記ポンプ２２を制御して、前記ＫＯＨバッファ槽２内の前記ＫＯＨ水溶液の容量が８０％以下になるまで、前記ＫＯＨバッファ槽２からＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽５に供給させる。
【００３３】
なお、いずれの場合でも、前記制御装置２６は、前記フローセンサ２４からの出力に基づいて前記脱硝槽５内の前記混合液の容量を監視し、前記混合液の容量が前記脱硝槽５の例えば９０％以上になったときは、前記脱硝槽５がオーバーフロー状態になるのを防止するため、前記ポンプ２２の駆動を停止して、前記脱硝槽５への前記使用済みＫＯＨ水溶液の供給を停止させる。
【００３４】
以上のように、本実施例１では、前記ＫＯＨバッファ槽２からの使用済みＫＯＨ水溶液を所定のタイミングで前記脱硝槽５内に自動的に供給して、前記脱硝槽５内の環境を常時ｐＨ１２以上に保つようにしている。よって、本実施例１によれば、前記の常時ｐＨ１２以上の環境下に保たれた脱硝槽５内で、特別のｐＨ調整剤を用意することなく、また、特別のｐＨ調整剤を脱硝槽に添加するという作業を行うことなく、しかも３０℃以下の常温下のままで、前記ＫＯＨ槽１でアルミニウム製スパッタリング膜を剥離された部品（半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品）を洗浄するための前記水洗槽３からの排水から、硝酸根及び亜硝酸根を前記ゲバルト合金微粒子を触媒として高効率に且つ低コストで除去することができるようになる。
【００３５】
また、本実施例１では、前記脱硝槽５内に前記粒径２００μｍ以下のゲバルト合金微粒子を触媒として連続的又は間欠的に添加するようにしたので、前記ゲバルト合金微粒子を触媒とする前記排水からの硝酸性窒素の還元・除去反応を極めて高効率に行えるようになる。
【００３６】
また、本実施例１では、図２で説明したように、前記脱硝槽５内のｐＨを測定するｐＨ測定器２５からの出力に基づいて、前記脱硝槽５内が常にｐＨ１２以上となるように、前記制御装置２６により前記ポンプ２２を制御して、前記ＫＯＨバッファ槽２内の使用済みＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽５に供給するようにしている。よって、本実施例１では、前記ＫＯＨバッファ槽２からの使用済みＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽５に供給して前記脱硝槽５内をｐＨ１２以上に保つための作業を完全自動化することができ、従来の特別なｐＨ調整剤をわざわざ用意して添加する作業を省略して排水処理作業を大幅に簡素化・低コスト化することができる。
【００３７】
また、本実施例１では、前記ＫＯＨバッファ槽２内の容量を測定するフローセンサ２３からの出力に基づいて、前記ＫＯＨバッファ槽２がオーバーフロー状態にならないように、前記ＫＯＨバッファ槽２内の容量が例えば８０％以上になったら、前記制御装置２６により前記ポンプ２２を制御して、前記ＫＯＨバッファ槽２内の使用済みＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽５に供給するようにしている。よって、本実施例１によれば、前記ＫＯＨバッファ槽２内のＫＯＨ水溶液が適切な容量に保たれオーバーフローしないように監視することと前記使用済みＫＯＨ水溶液を前記脱硝槽５に供給して前記脱硝槽５内をｐＨ１２以上に保つための作業とを共に完全自動化し、排水処理作業を簡素化・低コスト化することができるようになる。
【００３８】
また、本実施例１では、前記脱硝槽５内に添加される前記ゲバルト合金微粒子として、不活性ガス中で遠心アトマイズ法により作られた粒径２００μｍ以下の真球状の微粒子を使用するようにしている。そして、ゲバルト合金微粒子の反応性は粒径と負の相関性を持ち、その溶液中の移動速度は粒径と負の相関性を持っている。よって、本実施例１によれば、前記脱硝槽５内での前記ゲバルト合金微粒子の触媒としての反応性を高めることができ、前記ゲバルト合金微粒子の前記脱硝槽５内での取り扱いを極めて容易にし、前記排水の処理作業を大幅に効率化・簡素化できるようになる。
【００３９】
次に、図３及び図４は、本発明者による常時排水原水槽４からの排水からゲバルト合金微粒子を使用して硝酸性窒素を除去する実験の結果を示す図である。図３は７６−８５℃の高温下で行った実験結果、図４は２７−３１℃の常温下で行った実験結果を示している。図３−４の実験結果から、３０℃以下の常温下で前記ゲバルト合金微粒子を使用して前記排水中から硝酸イオンを有効に低減するためには、ｐＨ１２以上の環境が必要があることが判明した。なお、図５は前記の図３及び図４で示す実験の中で使用した硝酸分析手順を説明するための図である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施例１による半導体製造装置又は液晶パネル製造装置の部品の洗浄再生業務から生じる排水の処理システムの概略構成を説明するためのブロック図。
【図２】本実施例１においてＫＯＨバッファ槽から使用済みＫＯＨ水溶液を脱硝槽に自動供給するための自動供給機構を説明するためのブロック図。
【図３】本発明者による常時排水原水槽からの排水から、ゲバルト合金微粒子を使用して、高温下で、硝酸性窒素を除去する実験の結果を示す図。
【図４】本発明者による常時排水原水槽からの排水から、ゲバルト合金微粒子を使用して、常温下で、硝酸性窒素を除去する実験の結果を示す図。
【図５】本発明者による図３及び図４に示す実験で使用した硝酸分析手順を説明するための図。
【符号の説明】
【００４１】
１          ＫＯＨ槽
２          ＫＯＨバッファ槽
３          水洗槽
４          常時排水原水槽
５          脱硝槽
６          反応槽
７          ｐＨ調整槽
８          凝集槽
９          沈殿槽
１０      スラリー槽
１１      半自動脱水機
２１      水溶液供給配管
２２      ポンプ
２３，２４         フローセンサ
２５      ｐＨ測定器
２６      制御装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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