(57)【要約】【課題】  優れた実装信頼性を有する入力端子を備えた表示装置、並びにアクティブマトリクス基板を提供する。【解決手段】  信号配線３，６を介してＴＦＴに接続され、外部機器との接続部を成す入力端子２０２が設けられた端子領域２１１において、前記入力端子２０２が、金属層２０２ａと、その上に形成された透明導電層２０２ｂとの積層構造を有するとともに、複数の絶縁膜１２，２，４が積層されてなる領域の平坦面上に形成されている構成とした。【選択図】        図３
2005043804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示電極群と、該表示電極群に表示信号電圧を供給するスイッチング素子群とが設けられた表示領域と、前記スイッチング素子群に信号配線群を介して接続されて外部機器との接続部を成す入力端子群が設けられた端子領域とを基材上に備えた表示装置において、
前記端子領域の入力端子が、第１導電層と、該第１導電層上に形成された第２導電層との積層構造を有し、前記基板上の複数の絶縁膜が積層されてなる領域の平坦面上に形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記端子領域において、前記入力端子の非形成領域での前記絶縁膜表面の高さが、前記入力端子の底面以下の高さであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２導電層が、前記金属層の表面を覆って形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１導電層が金属材料からなり、第２導電層が透明導電材料からなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記入力端子に接続される前記信号配線と、該信号配線とは異なる絶縁膜上に設けられた信号配線とを接続する層間接続部を、前記端子領域の外側に備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１導電層が、前記表示領域から延出されて該入力端子に接続される信号配線群と同層に設けられるとともに、前記第１導電層と、前記信号配線群とが、同一の金属材料からなることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
表示電極群と、該表示電極群に表示信号電圧を供給するスイッチング素子群とが設けられた表示領域と、前記スイッチング素子群に信号配線群を介して接続されて外部機器との接続部を成す入力端子群が設けられた端子領域とを基材上に備えたアクティブマトリクス基板において、
前記端子領域の入力端子が、第１導電層と、該第１導電層上に形成された第２導電層との積層構造を有し、前記基板上の複数の絶縁膜が積層されてなる領域の平坦面上に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、アクティブマトリクス基板、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置やＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置等の表示装置では、通常、外部の制御回路への接続や電子機器等への接続のため入力端子が、主に基板辺端部に設けられている。この入力端子においては、外部機器への確実な接続を行うために、高い信頼性が要求され、係る信頼性を確保すべく種々の提案が成されている。
例えば、特許文献１には、入力端子間のリークを防止する目的で、入力端子間の領域に層間絶縁膜あるいは厚膜絶縁膜の一部を用いて形成された区画部材を設けることが開示されている。
特許文献２では、入力端子の汚染や腐食を防止するために、コンタクトホールを介して信号配線の端部と、入力端子を成す導電膜とを接続する構成が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１８０８９０号公報
【特許文献２】特開２００２−１８９２２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
入力端子の信頼性を確保するためには、入力端子間のリーク（ショート）を防止すること、及び表示装置の製造工程や使用環境において腐食等に対する耐性を有していることに加え、実装信頼性も要求される。すなわち、係る入力端子への外部機器端子の接続を容易かつ確実に行えることが要求される。
上記特許文献１、及び特許文献２に記載の構成によれば、上記端子間のリーク、あるいは端子の腐食については防止効果が望める。しかしながら、特許文献１に記載の構成では、端子間のリークを防止するために設けた部材による段差が生じ、また、特許文献２に記載の構成でも、信号配線と接続するためのコンタクトホールを入力端子の平面領域内に設ける結果、端子表面に段差が生じる。そのため、これらの文献に記載の技術では、実装信頼性の点では不十分なものとならざるを得ない。
【０００５】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、優れた実装信頼性を有する入力端子を備えた表示装置、並びにアクティブマトリクス基板を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の表示装置は、上記課題を解決するために、表示電極群と、該表示電極群に表示信号電圧を供給するスイッチング素子群とが設けられた表示領域と、前記スイッチング素子群に信号配線群を介して接続されて外部機器との接続部を成す入力端子群が設けられた端子領域とを基材上に備えた表示装置において、前記端子領域の入力端子が、第１導電層と、該第１導電層上に形成された第２導電層との積層構造を有し、前記基板上の複数の絶縁膜が積層されてなる領域の平坦面上に形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、上記入力端子が、絶縁膜上の平坦領域に形成されていることで、外部機器との接続に際しての入力端子への実装をより確実、かつ容易なものとすることができ、実装信頼性に優れた入力端子を備える表示装置を提供することができる。
また、上記入力端子を複数の絶縁膜を積層した上に形成することとしたので、表示領域から延出される信号配線が設けられている絶縁膜の層と、入力端子が設けられる絶縁膜の層とを、一致させる、あるいは近づけることができ、従って、入力端子に至る信号配線の経路中における絶縁膜の段差を低減することができる。これにより、上記段差に起因する信号配線の断線を効果的に防止することができる。
さらにまた、前記入力端子が、第１導電層と第２導電層とを積層した構造を有していることから、例えば第１導電層には低抵抗で導電性に優れる導電材料を用い、第２導電層には耐食性、耐薬品性等に優れる導電材料を用いるといった構成が適用可能になり、優れた耐久性と電気的特性とを具備した入力端子を構成可能になる。
【０００７】
本発明の表示装置では、前記端子領域において、前記入力端子の非形成領域での前記絶縁膜表面の高さが、前記入力端子の底面以下の高さであることが好ましい。すなわち、端子領域において、入力端子がその厚さ方向で、絶縁膜表面から突出している構成とすることが好ましい。このような構成とすることで、入力端子への外部機器端子の実装がより容易になり、接続の確実性を向上させることができる。
【０００８】
本発明の表示装置では、前記第２導電層が、前記金属層の表面を覆って形成されていることが好ましい。このような構成とすることで、第２導電層による第１導電層の保護効果を向上させることができ、例えば入力端子の耐食性を向上させることができる。
【０００９】
本発明の表示装置では、前記第１導電層が金属材料からなり、第２導電層が透明導電材料からなる構成とすることができる。この構成によれば、前記第１導電層により優れた導電性が得られ、また第２導電層による優れた保護作用が得られるため、良好な電気特性を備えつつ、工程中での溶剤との接触等にも優れた耐久性を奏する入力端子を備えた表示装置を提供することができる。
【００１０】
本発明の表示装置では、前記入力端子に接続される前記信号配線と、該信号配線とは異なる絶縁膜上に設けられた信号配線とを接続する層間接続部を、前記端子領域の外側に備えることが好ましい。
本構成は、前記入力端子と、前記信号配線とを接続するに際して、入力端子が形成された絶縁膜の層とは異なる層に設けられている信号配線を、前記層間接続部を用いて入力端子と接続する構成において、前記層間接続部の配設位置を規定するものである。
このような構成とすることで、層間接続部による段差も端子領域内に形成されなくなるので、端子領域内での信号配線延在領域、及び入力端子の形成領域においてほぼ段差が存在しない構成とすることができる。これにより、入力端子の実装信頼性をさらに良好なものとすることができる。
【００１１】
本発明の表示装置では、前記第１導電層が、前記表示領域から延出されて該入力端子に接続される信号配線群と同層に設けられるとともに、前記第１導電層と、前記信号配線群とが、同一の金属材料からなる構成とすることもできる。この構成によれば、表示領域から延出される信号配線の一部を用いて前記入力端子の金属層を形成できるため、工程を簡素化でき、従って、製造歩留まりの向上、並びに製造コストの低減を図ることができる。
【００１２】
次に、本発明のアクティブマトリクス基板は、表示電極群と、該表示電極群に表示信号電圧を供給するスイッチング素子群とが設けられた表示領域と、前記スイッチング素子群に信号配線群を介して接続されて外部機器との接続部を成す入力端子群が設けられた端子領域とを基材上に備えたアクティブマトリクス基板において、前記端子領域の入力端子が、第１導電層と、該第１導電層上に形成された第２導電層との積層構造を有し、前記基板上の複数の絶縁膜が積層されてなる領域の平坦面上に形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、実装信頼性に優れる入力端子を備えたアクティブマトリクス基板が提供される。
【００１３】
次に、本発明の電子機器は、先に記載の表示装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、表示部の実装信頼性に優れ、もって高い信頼性を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る表示装置の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施形態では、本発明に係る表示装置として、画素のスイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）を用いたアクティブマトリクス型の液晶装置を例示して説明する。
図１（ａ）は、本実施形態の液晶装置の全体構成を示す平面構成図、図１（ｂ）は、同図（ａ）に示すＨ−Ｈ線に沿う断面構成図、図２は、同、回路構成を示す図、図３は、図１（ａ）に示す端子領域２１１側近傍の部分断面構成図である。
【００１５】
（液晶装置の全体構成）
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置は、素子基板（アクティブマトリクス基板）１０と、対向基板２０とが平面視略矩形枠状のシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２に囲まれた領域内に液晶層５０が封入された構成を備えている。シール材５２内周側に沿って平面視矩形枠状の周辺見切り５３が形成され、この周辺見切りの内側の領域が表示領域１１とされている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び外部回路に接続するための複数の入力端子２０２が素子基板１０の１辺（図示下辺）に沿って形成されており、係る入力端子２０２が設けられた領域が、端子領域２１１とされている。
また、入力端子２０２が設けられた辺と隣り合う２辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路２０４，２０４が形成されている。素子基板１０の残る１辺（図示上辺）には、画像表示領域１１の両側の走査線駆動回路２０４，２０４間を接続する複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０の各角部においては、素子基板１０と対向基板２０との間の電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００１６】
なお、データ線駆動回路２０１および走査線駆動回路２０４，２０４を素子基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＣＯＦ（Chip On Film）基板と素子基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。また、液晶装置においては、使用する液晶の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、垂直配向モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００１７】
（回路構成）
次に、図２に示すように、本実施形態の液晶装置の表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数のドットには、画素電極９と当該画素電極９を制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴ３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。また、走査線３ａがＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００１８】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークするのを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。なお、符号３ｂは容量線である。
【００１９】
（端子領域の構成）
図３は、図１（ａ）に示す端子領域２１１近傍の基板辺端部を示す部分断面構成図である。図３に示すように、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０との間に、液晶層５０が挟持されている。素子基板１０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる素子基板本体１０Ａの内面側に、下地絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜２と、層間絶縁膜４と、平坦化膜７と、電極層９と、配向膜４０とが順次積層された構成を備えている。ゲート絶縁膜２と層間絶縁膜４との間に、第１信号配線３が設けられ、層間絶縁膜４と平坦化膜７との間に、第２信号配線６が設けられている。
対向基板２０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる対向基板本体２０Ａの内面側に、カラーフィルタ層２２と、平坦化膜２３と、共通電極２１と、配向膜６０とが順次積層された構成を備えている。
尚、図３ではデータ線駆動回路２０１の図示を省略しているが、実際は、データ線駆動回路２０１は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０と同層にて形成されており、シール材５２の外側において第２配線層６を介して外部接続端子２０２と電気的に接続されている。
【００２０】
図３に示すように、前記下地絶縁膜１２、ゲート絶縁膜２、及び層間絶縁膜４は、基板本体１０Ａのほぼ縁端まで延在しており、平坦化膜７はシール材５２（対向基板２０の縁端）とほぼ同位置まで延在している。そして、層間絶縁膜４と平坦化膜７との間から第２信号配線６が延出され、素子基板１０辺端部にて、入力端子２０２の金属層（第１導電層）２０２ａを成している。この金属層２０２ａを覆ってＩＴＯ等の透明導電材料からなる透明導電層（第２導電層）２０２ｂが設けられている。
【００２１】
各画素を駆動するＴＦＴ３０は、その詳細な構成は図１１に記載しているが、図３に示す下地絶縁膜１２上に設けられた半導体層を主体として形成されており、本実施形態の場合、ＴＦＴ３０の走査線３ａと、第１信号配線３とは同層に形成されるとともに電気的に接続されている。一方、ＴＦＴ３０のデータ線６ａは第２信号配線６と同層に形成されているが、図示の第２信号配線６とは接続されていない。第２信号配線６の一端側は、層間絶縁膜４を貫通して設けられたコンタクトホール（層間接続部）４ａを介して第１信号配線３と電気的に接続されており、他端側は、シール材５２の外側へ延出されて入力端子２０２の金属層２０２ａを成している。この構成により、入力端子２０２と、ＴＦＴ３０の走査線３ａとが電気的に接続されている。
【００２２】
図４は、端子領域２１１の平面構成図であり、図５は、図４のＢ−Ｂ’線に沿う断面構成図である。図４及び図５に示すように、入力端子２０２は、下地絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜２と、層間絶縁膜４とを積層した上に形成されており、平坦に形成された層間絶縁膜４の表面に設けられている。これにより、入力端子２０２上面の形状を平坦にすることができ、実装信頼性に優れる入力端子とすることができる。
また、入力端子２０２が複数の絶縁膜（１２，２，４）を積層した上面に形成されているので、表示領域１１側から延出される信号配線３，６が、絶縁膜の大きな段差を跨らないようにすることができる。これにより、入力端子２０２に通じる信号配線において、前記段差部による断線が生じ難い構造とすることができる。さらに詳細に説明すると、仮に入力端子２０２が、単層の絶縁膜１２上、あるいは基板本体１０Ａ上に直接形成されている場合を想定すると、図３に示す第２信号配線６は、層間絶縁膜４とゲート絶縁膜２の層厚に相当する高さの段差を跨って入力端子２０２に接続されることとなる。これらの絶縁膜による段差は１μｍ程度もあるため、特に、段差下端部の配線屈曲部において断線が生じやすくなる。
【００２３】
尚、本実施形態では、データ線６ａと同層に形成された第２信号配線６と入力端子２０２の金属層２０２ａとが一体的に形成され、入力端子２０２は３層の絶縁膜（１２，２，４）の上に形成されている構成としたが、入力端子２０２が、２層又は４層の絶縁膜の上に形成されている構成とすることもできる。
例えば２層の絶縁膜の上に入力端子２０２を形成した構成とする場合には、第１信号配線３を用いて入力端子２０２の金属層２０２ａを形成すればよく、この場合、入力端子２０２は、ゲート絶縁膜２上に設けられ、層間絶縁膜４を介して上層に形成されるデータ線６ａは、走査線３ａと同層に設けられる第１信号配線３を用いて入力端子２０２と導電接続される。
【００２４】
入力端子２０２は、金属層２０２ａと、それを被覆する透明導電層２０２ｂとの積層構造となっているので、配線抵抗を低減するために金属層２０２ａ（すなわち第２信号配線６）にＡｌ等の材料を用いた場合にも、外側に被覆された透明導電層２０２ｂにより金属層２０２ａは効果的に保護され、洗浄工程等にて溶剤と入力端子２０２とが接触したとしても、金属層２０２ａに腐食を生じ難い構造となっている。
【００２５】
本実施形態の場合、入力端子２０２の底面（すなわち層間絶縁膜４と金属層２０２ａとの界面）と、入力端子２０２が形成されていない領域の層間絶縁膜４の表面４ｂとが、側面視同一位置となっているが、本発明に係る表示装置では、上記表面４ｂの高さが、入力端子２０２の底面の高さ以下とされることが好ましい。上記表面４ｂが、入力端子２０２の底面より上側に突出していると、入力端子２０２の両側にて層間絶縁膜４表面に段差が生じ、入力端子２０２への外部機器の接続に際しての実装信頼性が低下するため好ましくない。
【００２６】
また、図４及び図５に示すように、平面的に配列された入力端子２０２…を連結するように、平面視略Ｓ形の保護抵抗層１８ａが設けられている。この保護抵抗層１８ａは、図５に示すように、下地絶縁膜１２上に設けられた半導体膜からなり、ＴＦＴ３０を構成する半導体層の形成時に同時に形成することができる。そして、図示はされていないが、保護抵抗層１８ａと金属層２０２ａとが平面的に重なる位置に、層間絶縁膜４及びゲート絶縁膜２を貫通して設けられたコンタクトホールを介して、前記両者が電気的に接続されている。このようにして、入力端子２０２…を半導体層からなる保護抵抗層１８ａにより電気的に接続しておくことで、製造工程中で発生する静電気により信号配線３，６等に蓄積した電荷を、係る保護抵抗層１８ａを介して分散させることができ、静電気によるＴＦＴ３０や絶縁膜の破壊を防止することができる。
尚、上記保護抵抗層１８ａの構成材料は、半導体に限られず、例えばＴａ等の比較的電気抵抗の大きい金属材料により形成することもできる。また、その形状に関しても、平面視略Ｓ形に限られない。
【００２７】
さらに、本実施形態の液晶装置では、図３に示すように、第１信号配線３と、第２信号配線６とが、コンタクトホール４ａを介して導電接続されているが、このコンタクトホール４ａは、端子領域２１１の外側に設けられている。このような構成とすることで、端子領域２１１の入力端子２０２表面において、凹凸が形成されないようにすることができるので、実装信頼性を向上させることができる。
【００２８】
［端子領域の第２形態］
図６は、端子領域２１１の第２形態を示す平面構成図、図７は、図６に示すＣ−Ｃ’線に沿う断面構成図である。本形態において、端子領域２１１以外の構成は、先の実施形態と同様である。
図６に示すように、本形態の端子領域２１１では、配列形成された複数の入力端子２０２の図示下端部（基板端側の端部）から基板縁端に延びる保護抵抗層１８ｂが設けられており、図７に示す断面構造を見ると、下地絶縁膜１２上に設けられた半導体膜からなる保護抵抗層１８ｂと、入力端子２０２の金属層２０２ａとが、層間絶縁膜４及びゲート絶縁膜２を貫通して設けられたコンタクトホール４ｃを介して電気的に接続されている。
本形態の端子領域２１１においても、各入力端子２０２は、平坦に形成された層間絶縁膜４の表面に形成されており、先の実施形態と同様の実装信頼性を得ることができるようになっている。
【００２９】
上記保護抵抗層１８ｂは、素子基板１０を作製する段階では、パネル組み立て時に切断される基板本体１０Ａの被切断部１０ａまで延設されており、切断部１０ａの辺端部に沿って設けられたガードリング（短絡配線）１８ｄと接続されている。すなわち、素子基板１０の作製工程では、入力端子２０２…は、保護抵抗層１８ｂ及びガードリング１８ｄを介して互いに電気的に接続されており、この構成により、工程中の静電気によるＴＦＴ３０や絶縁膜の破壊を効果的に防止することができるようになっている。そして、パネル組み立て工程において、被切断部１０ａを切り離すことで、入力端子２０２…の相互の電気的接続も切断するようになっている。
【００３０】
尚、本形態の場合、被切断部１０ａの切断により入力端子２０２の電気的接続も切断されるため、保護抵抗層１８ｂ、及びガードリング１８ｄは、必ずしもＴＦＴ３０の半導体層と同層に形成する必要はなく、例えばゲート絶縁膜２上に形成される第１信号配線３と同層に形成しても良い。また、その構成材料としても、半導体に限らず、第１信号配線３と同一の構成材料や、その他の金属材料を用いることが可能である。
【００３１】
［端子領域の第３形態］
図８は、端子領域２１１の第３形態を示す平面構成図、図９は、図８に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面構成図である。本形態において、端子領域２１１以外の構成は、先の実施形態と同様である。
図８に示すように、本形態の端子領域２１１では、配列形成された複数の入力端子２０２の形成領域から、表示領域１１側に向かって延びる保護抵抗層１８ｅが設けられている。図９に示す断面構造を見ると、保護抵抗層１８ｅは、下地絶縁膜１２上に設けられた半導体膜からなり、層間絶縁膜４及びゲート絶縁膜２を貫通して設けられたコンタクトホール４ｄを介して、入力端子２０２の金属層２０２ａと電気的に接続されている。また、図示は省略しているが、保護抵抗層１８ｅの他端は、データ線駆動回路２０１、又は走査線駆動回路２０４と電気的に接続されている。このような構成とした場合にも、入力端子２０２と駆動回路２０１，２０４との間に、保護抵抗層１８ｅが設けられていることで、工程中に生じた静電気によるＴＦＴ３０や絶縁膜の破壊を防止することができる。
また、先の２形態と同様に、入力端子２０２は、平坦に形成された層間絶縁膜４の表面に形成されているため、先の２形態と同様の実装信頼性を得ることができるようになっている。
【００３２】
（液晶装置の詳細構成）
以下、本実施形態のアクティブマトリクス型液晶装置の各部の詳細構成を図面を参照して説明する。
図１０は、上記実施形態に係る素子基板１０における複数の画素領域の平面構成を示す図である。同図に示すように、素子基板１０上に、平面視略矩形状の画素電極９が設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが設けられている。本実施の形態において、各画素電極９および各画素電極９を囲むように配置されたデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等が形成された領域の内側が一つの画素領域であり、マトリクス状に配置された各画素領域毎に表示が可能な構造になっている。
【００３３】
データ線６ａは、ＴＦＴ３０を構成する、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ｆのうち、後述のソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されており、画素電極９は、半導体層１ｆのうち、後述のドレイン領域にコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、半導体層１ｆと走査線３ａとが平面視において交差している領域（図中左上がりの斜線で示す領域）にＴＦＴ３０のチャネル領域１ａが形成されており、走査線３ａはチャネル領域１ａに対向する部分でゲート電極として機能する。
【００３４】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に延びる本線部（すなわち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。
【００３５】
次に、図１１に基づいて、本実施形態の液晶装置の詳細な断面構造について説明する。図１１は、図１０に示すＡ−Ａ'線に沿う断面構造を示す図である。同図に示すように、本実施形態の液晶装置においては、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０との間に液晶層５０が挟持されている。素子基板１０は、素子基板本体１０Ａと、その液晶層５０側表面に形成された、ＴＦＴ３０、画素電極９、配向膜４０とを主体として構成され、対向基板２０は対向基板本体２０Ａと、その液晶層５０側表面に形成された共通電極２１、配向膜６０とを主体として構成されている。
【００３６】
素子基板１０において、画素電極９に隣接する位置に、各画素電極９をスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａと、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ｆのチャネル領域１ａと、走査線３ａと半導体層１ｆとを絶縁するゲート絶縁膜２と、データ線６ａと、半導体層１ｆの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ｆの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅとを備えている。
【００３７】
また、上記走査線３ａ上、ゲート絶縁膜２上を含む素子基板本体１０Ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５、及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第２層間絶縁膜４が形成されている。つまり、データ線６ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。さらに、データ線６ａ上及び第２層間絶縁膜４上には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第３層間絶縁膜７が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８を介して画素電極９に電気的に接続されている。また、本実施形態では、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜１ｆを延設して第１蓄積容量電極とし、更にこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。また、前記基板本体１０ＡとＴＦＴ３０との間には、第１層間絶縁膜１２が形成されている。
また、素子基板１０の液晶層５０側最表面、すなわち、画素電極９及び第３層間絶縁膜７上には、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御する配向膜４０が形成されている。
【００３８】
他方、対向基板本体２０Ａの液晶層５０側表面であって、画素電極９の形成領域（すなわち各画素部の開口領域）と対応する平面形状を有する複数色の色材層を備えたカラーフィルタ層２２が設けられている。さらに、カラーフィルタ層２２が形成された対向基板本体２０Ａの液晶層５０側には、そのほぼ全面に渡って、アクリル樹脂等からなる平坦化膜２３が設けられ、平坦化膜２３上にＩＴＯ等からなる共通電極２１、及び電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御する配向膜６０が形成されている。
【００３９】
尚、図１０及び図１１を参照して説明した液晶装置の詳細構成は、本発明の実施の形態の一例であり、本発明の技術範囲を何ら限定するものではない。
また、本実施形態では表示装置の一例として液晶装置を挙げて説明したが、本発明のアクティブマトリクス基板は、液晶装置に限らず、例えば、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）、プラズマ発光や電子放出による蛍光等を用いた表示装置、あるいは、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた表示装置、およびこれらの表示装置を備えた電子機器に対しても好適に用いることができる。
【００４０】
（電子機器）
図１２は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
上記各実施の形態の表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器に対しても高い信頼性を持って実装された表示部を提供し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１（ａ）は、実施形態に係る液晶装置の平面構成図、（ｂ）は、（ａ）図に示すＨ−Ｈ線に沿う断面構成図。
【図２】図２は、同、回路構成図。
【図３】図３は、同、端子領域における断面構成図。
【図４】図４は、同、端子領域における平面構成図。
【図５】図５は、図４のＢ−Ｂ'線に沿う断面構成図。
【図６】図６は、端子領域の第２形態を示す平面構成図。
【図７】図７は、図６のＣ−Ｃ'線に沿う断面構成図。
【図８】図８は、端子領域の第３形態を示す平面構成図。
【図９】図９は、図８のＤ−Ｄ'線に沿う断面構成図。
【図１０】図１０は、液晶装置の画素領域を示す平面構成図。
【図１１】図１１は、同、Ａ−Ａ’線に沿う断面構成図。
【図１２】図１２は、電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００４２】
１０  素子基板、２０  対向基板、１０Ａ，２０Ａ  基板本体、３０  ＴＦＴ、５０  液晶層、３  第１信号配線（信号配線）、６  第２信号配線、３ａ  走査線、６ａ  データ線、１８ａ、１８ｂ、１８ｄ、１８ｅ  保護抵抗層、２０２  入力端子、２０２ａ  金属層（第１導電層）、２０２ｂ  透明導電層（第２導電層）、１２  下地絶縁膜、２  ゲート絶縁膜、４  層間絶縁膜、７  平坦化膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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