(57)【要約】  【課題】  電子線露光装置におけるマスクの歪みを最小限に抑えることができるマスクホルダ、ステージ装置、露光装置、並びにデバイスの製造方法を提供する。  【解決手段】  デバイスパターンが形成されたマスクの外周領域を吸着保持するマスクホルダ２１において、マスクを吸着しつつ独立移動可能な、少なくとも２つ以上の保持部２２を有する。そして、保持部２２がマスクの傾斜に合わせてマスクを保持する。  【選択図】  図２
2005260126.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスパターンが形成されたマスクの外周領域を吸着保持するマスクホルダにおいて、
前記マスクを吸着しつつ独立移動可能な、少なくとも２つ以上のマスク保持部を有することを特徴とするマスクホルダ。
【請求項２】
前記マスク保持部は、前記マスクの傾斜に合わせて前記マスクを保持することを特徴とする請求項１に記載のマスクホルダ。
【請求項３】
戴置面にマスクを戴置して移動可能なステージ装置において、
前記マスクを前記戴置面に保持するマスクホルダとして、請求項１又は請求項２に記載のマスクホルダを用いることを特徴とするステージ装置。
【請求項４】
マスクを保持するマスクステージと、基板を保持する基板ステージとを有し、前記マスクに形成されたパターンを前記基板に露光する露光装置において、
前記マスクステージに、請求項３に記載のステージ装置を用いることを特徴とする露光装置。
【請求項５】
前記露光装置は、電子線を前記マスクに投射して、前記基板を露光する電子線露光装置であることを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記マスクの傾斜を計測するマスク傾斜計測部からの計測結果より、前記マスクホルダを移動させることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、前記リソグラフィ工程において請求項４から請求項６のうちいずれか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路、撮像素子（ＣＣＤ等）、液晶ディスプレイ等のマイクロデバイスをリソグラフィ技術を用いて製造する際に使用されるマスクホルダ、ステージ装置、露光装置、並びにデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等のデバイスを製造する際には、形成すべき回路パターンを４〜５倍程度に拡大したパターンが形成されたフォトマスク（レチクル）のパターンを縮小投影光学系を介してウエハ等の被露光基板上に縮小投影する転写方式が用いられている。特に、光学式の投影露光装置により形成されるパターンよりも微細なパターンの形成が求められる場合には、より高精度にパターンを露光できる電子線露光装置が用いられる。
従来の電子線露光装置は、電子光学系に収差が多く、１ショットの露光範囲が５μｍ角程度で光学式の投影露光装置に比べ処理能力が低かったが、近年、比較的大きな面積のパターン（例えば２５０μｍ角程度）を一括して転写できる電子線露光装置が注目されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平５−２５１３１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、電子線露光装置では、マスクパターンを微細な多数の開口パターン（抜き穴）として形成するステンシルマスク、又は原子番号の小さい元素からなり電子線を透過できるように極めて薄くされた薄膜上に電子線を散乱する薄膜でマスクパターンを形成したメンブレンマスクを使用している。これらのマスクは、電子線の透過領域を開口又は薄膜として形成することから強度が弱くなっている。したがって、マスクは自重によって撓んでおり、このマスクを平坦なマスクホルダで保持すると、マスクが更に変形してしまう場合が少なくない。また、マスクの基板となるＳＯＩウエハの製造工程では、薄膜を貼り合せる工程があり、この時の応力によって、マスクが撓んでしまう場合も多い。
このように、マスクが変形すると、パターンの位置ずれが発生したり、ディストーションが大きくなったりすることにより、露光不良が発生してしまうという問題がある。
【０００４】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、電子線露光装置におけるマスクの歪みを最小限に抑えることができるマスクホルダ、ステージ装置、露光装置、並びにデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るマスクホルダ、ステージ装置、露光装置、並びにデバイスの製造方法では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第１の発明は、デバイスパターン（ＰＡ，６６，７６）が形成されたマスク（Ｒ，Ｒ１，Ｒ２）の外周領域を吸着保持するマスクホルダ（２１）において、マスクを吸着しつつ独立移動可能な、少なくとも２つ以上の保持部（２２）を有するようにした。この発明によれば、薄板状のマスクを保持した際に、マスクが歪んでも、その歪みを解消するように保持部を微少移動させることにより、マスクの歪みを補正することができる。
【０００６】
また、保持部（２２）がマスク（Ｒ，Ｒ１，Ｒ２）の傾斜に合わせてマスクを保持するものでは、マスクが自重等によって撓んだとしても、その撓みの傾斜に合わせて保持部を傾斜させてマスクを保持することにより、マスクの歪みを最小限に抑えることができる。
【０００７】
第２の発明は、戴置面（２２）にマスク（Ｒ，Ｒ１，Ｒ２）を戴置して移動可能なステージ装置（２０）において、マスクを戴置面に保持するマスクホルダ（２１）として、第１の発明のマスクホルダを用いるようにした。この発明によれば、薄板状のマスクを保持して移動した際にも、マスクに歪みが生じないように補正することができる。
【０００８】
第３の発明は、マスク（Ｒ，Ｒ１，Ｒ２）を保持するマスクステージ（２０）と、基板（Ｗ）を保持する基板ステージ（４０）とを有し、マスクに形成されたパターン（ＰＡ，６６，７６）を基板に露光する露光装置（ＥＸ）において、マスクステージに、第２の発明のステージ装置（２０）を用いるようにした。この発明によれば、薄板状のマスクを保持しつつ移動させても、マスクの歪みが殆どないので、微細なパターンを基板に露光することが可能となる。
特に、電子線（ＥＢ）をマスク（Ｒ，Ｒ１，Ｒ２）に投射して、基板（Ｗ）を露光する電子線露光装置（ＥＸ）において、効果的にマスクの歪み発生を防止することができる。
また、マスク（Ｒ）の傾斜を計測するマスク傾斜計測部（８０）からの計測結果より、前記マスクホルダを移動させるものでは、予めマスクの撓みを計測することにより、マスクホルダの保持部をマスクの撓みの傾斜に合わせて高精度に傾斜させることができる。
【０００９】
第４の発明は、リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、リソグラフィ工程において第３の発明の露光装置（ＥＸ）を用いるようにした。この発明によれば、高精度なパターンが転写されたデバイスを製造することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば以下の効果を得ることができる。
第１の発明は、薄板状のマスクの外周領域を吸着保持するマスクホルダにおいて、マスクを吸着しつつ独立して移動可能な、少なくとも２つ以上の保持部を有するようにした。これにより、マスクの歪みを補正することができるので、薄板状のマスクを用いた微細パターンの露光を精度よく行うことができる。
【００１１】
また、保持部がマスクの傾斜に合わせてマスクを保持するようにしたので、マスクの歪みを最小限に抑えることができ、更に精度よく微細パターンの露光を行うことができる。
【００１２】
第２の発明は、戴置面にマスクを戴置して移動可能なステージ装置において、マスクを戴置面に保持するマスクホルダとして、第１の発明のマスクホルダを用いるようにした。これにより、マスクに歪みが生じないように補正することができ、薄板状のマスクを用いた微細パターンの露光を精度よく行うことができる。
【００１３】
第３の発明は、マスクを保持するマスクステージと、基板を保持する基板ステージとを有し、マスクに形成されたパターンを基板に露光する露光装置において、マスクステージに、第２の発明のステージ装置を用いるようにした。これにより、マスクの歪みが殆どなくなるので、微細なパターンを基板に露光することが可能となる。
特に、電子線をマスクに投射して、基板を露光する電子線露光装置において、微細なパターンを正確に基板上に露光することが可能となる。
また、マスクの傾斜を計測するマスク傾斜計測部を備えるようにしたので、マスクの撓みの傾斜に合わせてマスクホルダの保持部を高精度に傾斜させることができ、精度よく露光を行うことができる。
【００１４】
第４の発明は、リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、リソグラフィ工程において第３の発明の露光装置を用いるようにした。これにより、高品質なデバイスを確実かつ安価に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明のマスクホルダ、ステージ装置、露光装置、並びにデバイスの製造方法の実施形態について図を参照して説明する。
図１は、電子ビーム露光装置ＥＸの構成を示す模式図である。
電子ビーム露光装置ＥＸは、レチクル（マスク）Ｒとウエハ（基板）Ｗとを一次元方向に同期移動しつつ、電子ビーム（電子線）ＥＢを用いてレチクルＲに形成されたパターン（デバイスパターン）ＰＡを投影光学系３０を介してウエハＷ上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、すなわちいわゆるスキャニング・ステッパである。
電子ビーム露光装置ＥＸは、電子ビームＥＢを放出する電子銃５と、電子銃５から放出される電子ビームＥＢを所定の形状の電子ビームＥＢに形成してレチクルＲを照射する照明光学系１０と、レチクルＲを保持するレチクルステージ２０、レチクルＲを通過した電子ビームＥＢをウエハＷ上に投射結像させる投影光学系３０、ウエハＷを保持するウエハステージ４０、電子ビーム露光装置ＥＸを統括的に制御する制御装置５０等を備える。
なお、以下の説明において、投影光学系３０の光軸ＡＸと一致する方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に垂直な平面内でレチクルＲとウエハＷとの同期移動方向（走査方向）をＹ軸方向、Ｚ軸方向及びＹ軸方向に垂直な方向（非走査方向）をＸ軸方向とする。更に、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわり方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１６】
電子銃５は、例えば、熱電子放射型のランタンヘキサボライト（ＬａＢ６）、タンタル（Ｔａ）が用いられる。
照明光学系１０は、ハウジング１３内にコンデンサレンズ１１と、２段の電磁偏向器あるいは静電偏向器からなる視野選択偏向器１２等を備える。そして、電子銃５から射出された電子ビームＥＢは、コンデンサレンズ１１で平行ビームとされ、その後、視野選択偏向器１２によりＸＹ平面内の主にＸ方向に偏向されて、レチクルＲの所定の照射領域に導かれる。なお、視野選択偏向器１２における偏向量は、後述する制御装置５０により制御される。
【００１７】
レチクルステージ（ステージ装置，マスクステージ）２０は、レチクルＲを保持するレチクル微動ステージと、レチクル微動ステージと一体に走査方向であるＹ軸方向に所定ストロークで移動するレチクル粗動ステージと、これらを移動させるリニアモータ等（いずれも不図示）を備える。そして、レチクル微動ステージには、円形の開口が形成されており、開口周辺部に設けられたレチクルホルダ２１によりレチクルＲが静電吸着等により保持される。
そして、レチクルステージ２０のＹ方向の位置は、レチクルステージ２０上の端部に固定された移動鏡２６の位置変化を計測するレーザ干渉計２７によって所定の分解能でリアルタイムに計測される。なお、レチクルステージ２０のＸ方向の位置は、移動鏡２６、レーザ干渉計２７とほぼ直交するように配置された不図示の移動鏡とレーザ干渉計によって計測される。
【００１８】
図２は、レチクルホルダ２１を示す模式図であって、図２（ａ）は斜視図、図２（ｂ）は断面図である。
レチクルホルダ（マスクホルダ，戴置面）２１はセラミックスにより形成された２つの円弧形の保持部２２と、これらマスク保持部をレチクル微動ステージ上に微動可能に支持するアクチュエータ２３とから構成される。保持部２２は、その上面にレチクルＲを静電吸着により吸着保持するものであって、吸着面は数μｍ程度に平面度に形成される。そして、円弧形の２つの保持部２２を組み合わせることにより、円形のレチクルＲの外周領域を保持する。アクチュエータ２３は、例えば積層形ピエゾ圧電素子であって、保持部２２を３つの積層形ピエゾ圧電素子で支持し、各積層形ピエゾ圧電素子を伸縮することにより、支持した保持部２２を独立して移動可能にする。なお、アクチュエータ２３による保持部２２の移動は、後述する制御装置５０により制御される。
【００１９】
ここで、電子ビーム露光装置ＥＸに用いられるレチクルＲについて説明する。
図３は電子ビーム投影露光に用いられるレチクルＲ（Ｒ１，Ｒ２）を説明する図であって、図３（ａ）は無孔メンブレンレチクルＲ１を示す側面断面図であり、図３（ｂ）は有孔メンブレンレチクルＲ２を示す側面断面図である。
図３（ａ）に示す無孔メンブレンレチクル(マスク)Ｒ１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板６１の下面に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜６２を形成し、さらにタングステン（Ｗ）膜（高散乱膜）６３を形成する。その後、メンブレン小領域（電子ビームを照射する部分）６４のＳｉをドライエッチング等で除去し、ＳｉＮｘ膜及びＷ膜とからなるメンブレン（自立薄膜）部６５を形成する。このメンブレン部６５のＷ膜を選択的に除去することによりウエハＷ上に投影すべきパターン（デバイスパターン）６６を形成する。そして、無孔メンブレンレチクルＲ１に電子ビームＥＢを照射した場合には、Ｗ膜が除去されているパターン６６は電子ビームＥＢを透過し、透過した電子ビームＥＢはウエハＷに到達する。一方、Ｗ膜が残っている部分６７では電子ビームＥＢが大きく散乱され、散乱された電子はコントラストアパーチャー３４等で吸収されてウエハＷ上に到達しない。以上のような原理で無孔メンブレンレチクルＲ１上のパターン６６がウエハＷ上に転写される。
図３（ｂ）に示す有孔メンブレンレチクル(マスク)Ｒ２は、Ｓｉ（シリコン）基板７１の電子ビームを照射する部分７４のＳｉをドライエッチング等で除去し、メンブレン（薄膜）部７５を形成する。このメンブレン部７５を選択的に除去する（孔を開ける）ことによりウエハＷ上に投影すべきパターン（デバイスパターン）７６を形成する。そして、有孔メンブレンレチクルＲ２に電子ビームＥＢを照射した場合、パターン７６の部分は電子ビームＥＢが通過し、通過した電子ビームＥＢはウエハＷに到達する。一方、孔の設けられていない部分７７では電子ビームＥＢが散乱され、散乱された電子はコントラストアパーチャー３４等で吸収されてウエハＷ上に到達しない。以上のような原理で有孔メンブレンレチクルＲ２上のパターン７６がウエハＷ上に転写される（像コントラストを形成する）。
【００２０】
このように、レチクルＲとしては、無孔メンブレンレチクルＲ１と有孔メンブレンレチクルＲ２の二種類がある。そして、レチクルＲ１，Ｒ２は、それぞれ１ｍｍ以下の円板であるが、その中央部には、数μｍ程度のメンブレン部分６５，７５が形成されている。したがって、レチクルＲ１，Ｒ２の機械的強度は低く、自重等により数１０μｍ程度の撓みを有するため、レチクルＲの平面度を高めることが困難となっている。
【００２１】
図１に戻り、投影光学系３０は、所定の投影倍率β（βは、例えば１／４）で縮小する縮小系が用いられる。偏向器３１、投影レンズ３２，３３、コントラストアパーチャー３４等を備える。そして、レチクルＲを通過した電子ビームＥＢは偏向器３１により所定量偏向された上で第一投影レンズ３２に導かれる。その後、第一投影レンズ３２により、レチクルＲとウエハＷの間を縮小率比で内分する点にクロスオーバで像を結んだ後、第二投影レンズ３３を介してウエハＷ上の所定位置に投影倍率βで結像される。これらの光学系部材は、鏡筒３５内に収容される。
【００２２】
ウエハステージ（基板ステージ）４０は、ウエハＷを保持するウエハホルダ４１、ウエハＷのレベリング及びフォーカシングを行うためにウエハホルダ４１をＺ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向の３自由度方向に微小駆動するウエハテーブル４２、ウエハテーブル４２をＹ軸方向に連続移動するとともにＸ軸方向にステップ移動するＸＹテーブル４３、ＸＹテーブル４３をＸＹ平面に沿った２次元方向に移動可能に支持するウエハ定盤４４等を備える。
ＸＹテーブル４３の底面には、非接触ベアリングである複数のエアベアリング（エアパッド）４５が固定されており、これらのエアベアリング４５によってＸＹテーブル４３がウエハ定盤４４上に、例えば数ミクロン程度のクリアランスを介して浮上支持される。
【００２３】
ウエハテーブル４２のＸ方向の位置は、ウエハテーブル４２上のＸ方向の端部に固定された移動鏡４６の位置変化を計測するレーザ干渉計４７によって所定の分解能でリアルタイムに計測される。なお、ウエハテーブル４２のＹ方向の位置は、移動鏡４６、レーザ干渉計４７とほぼ直交するように配置された不図示の移動鏡とレーザ干渉計によって計測される。なお、これらレーザ干渉計４７の少なくとも一方は、測長軸を２軸以上有する多軸干渉計であり、これらレーザ干渉計４７の計測値に基づいてウエハテーブル４２（ひいてはウエハＷ）のθＺ方向の回転量及びレベリング量も求めることができる。
【００２４】
制御装置５０は、電子ビーム露光装置ＥＸを統括的に制御するものであり、各種演算及び制御を行う演算部の他、各種情報を記録する記憶部や入出力部等を備える。
そして、例えば、レチクルステージ２０及びウエハステージ４０に設けられたレーザ干渉計２７，４７の検出結果に基づいてレチクルＲ及びウエハＷの位置を制御して、レチクルＲに形成されたパターンの像をウエハＷ上のショット領域に転写する露光動作を繰り返し行う。
また、入出力部から入力される露光データと、レーザ干渉計２７，４７が検出するレチクルステージ２０及びウエハステージ４０の位置情報とに基づいて、視野選択偏向器１２及び偏向器３１による電子ビームＥＢの偏向量を演算し、求めた偏向量に基づいて視野選択偏向器１２及び偏向器３１による電子ビームＥＢの偏向量が制御される。
なお、入出力部の入力装置としては、露光データの作成装置で作成した磁気情報を読み取るもの、レチクルＲやウエハＷに登録された露光情報をこれらの搬入の際に読み取るもの等がある。
【００２５】
また、電子ビーム露光装置ＥＸには、レチクルＲの撓みを検出するレチクル傾斜計測部（マスク傾斜計測部）８０が設けられる。レチクル傾斜計測部８０は、電子ビーム露光装置ＥＸに付設された不図示のレチクルライブラリからレチクルステージ２０にレチクルＲを搬送するレチクル搬送経路中に設けられる。
そして、レチクル傾斜計測部８０は、光センサや静電容量型センサ等の非接触センサによって、搬送中のレチクルＲの撓みを計測する。そして、この計測結果は、制御装置５０に送られる。
なお、レチクル傾斜計測部８０は、電子ビーム露光装置ＥＸとは、別の装置にあっても構わない。その場合、レチクルＲは電子ビーム露光装置ＥＸとは異なる計測装置により、レチクルＲの撓みが計測され、その計測結果は、電子ビーム露光装置ＥＸの制御装置５０に送られる。
【００２６】
続いて、上述した電子ビーム露光装置ＥＸを用いてレチクルＲのパターンＰＡの像をウエハＷに露光する方法について説明する。
まず、レチクルＲがレチクルライブラリから搬出され、レチクル傾斜計測部８０の直下に搬送される。そして、レチクル傾斜計測部８０により、レチクルＲの撓み（が計測される。特にレチクルホルダ２１により支持される領域、すなわちレチクルＲの外周領域の撓みが計測される。この計測結果は、制御装置５０に送られる。なお、レチクル傾斜計測部８０が電子ビーム露光装置ＥＸ外にある場合には、電子ビーム露光装置ＥＸ外で計測され、計測結果は、電子ビーム露光装置ＥＸの制御装置５０に送られる。
そして、レチクルＲは、レチクルステージ２０のレチクルホルダ２１上にロードされる。この際、制御装置５０は、レチクル傾斜計測部８０の計測結果に基づいて、レチクルホルダ２１のアクチュエータ２３を図４（ａ）から図４（ｂ）に示すように伸縮させる。すなわち、２つの円弧形の保持部２２をレチクルＲの撓み（傾斜）に合わせるように移動させる。
これにより、レチクルホルダ２１によりレチクルＲを静電吸着しても、レチクルＲには、吸着されたことによる新たな撓み或いは歪みが発生しない。したがって、このレチクルＲを用いて露光を行うことにより、パターンＰＡの位置ずれやディストーションが防止される。
【００２７】
レチクルＲのレチクルステージ２０へのロードと並行して、ウエハＷのウエハステージ４０へのロードが行われる。ウエハステージ４０にロードされたウエハＷは、各種アライメント処理を経て、ウエハステージ４０上に精度よく戴置される。そして、アライメント結果に基づいて、ウエハステージ４０を移動させ、ウエハＷのファーストショット（第１番目のショット領域）の露光処理が開始される。
そして、電子銃５から射出されて断面正方形状（例えば１ｍｍ角）に整形された電子ビームＥＢが、視野選択偏向器１２により光学系の光軸ＡＸから所定距離だけ偏向せしめられてレチクルＲの照射領域に導かれる。照射領域への電子ビームＥＢの照射に伴って、その領域に形成されたパターンに対応した形状のパターン像が第１投影レンズ３２及び第２投影レンズ３３を介してウエハＷの対応部に所定の縮小率（例えば１／４）で結像投影される。１回のショット（照射）毎に、ウエハＷ上で２５０μｍ角の領域（エリア）を一括で転写する。そして、投影時にはサブフィールドを単位として電子ビームＥＢの照射が繰り返され、各サブフィールド内のパターン像がウエハＷ上の異なる被転写サブフィ−ルドに順次投影される。
これらの一連の動作を、レチクルＲとウエハＷを４：１の速度で同期を取りながら移動させ、電子ビームＥＢをレチクルＲ上で２０ｍｍ幅（ウエハＷ上では１／４倍の５ｍｍ幅）にて電磁偏向で振りながら（走査しながら）、回路パターンを露光する。
このように、電子ビーム露光装置ＥＸでは、電子ビームＥＢの偏向幅の大きさとも相まって、露光時間を大幅に短縮し、スループットを飛躍的に向上することができる。
【００２８】
以上、説明したように、本発明に係る電子ビーム露光装置ＥＸによれば、レチクルホルダ２１によりレチクルＲを静電吸着した際に、新たな撓み或いは歪みの発生が防止されている。したがって、パターンＰＡの位置ずれやディストーションが防止され、微細パターンをウエハＷ上に露光することができる。
【００２９】
なお、上述した実施の形態において示した動作手順、あるいは各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲においてプロセス条件や設計要求等に基づき種々変更可能である。本発明は、例えば以下のような変更をも含むものとする。
【００３０】
例えば、上述した実施形態では、レチクルホルダ２１が２つの円弧形の保持部２２を有する場合について説明したが、これに限らない。例えば、３つや４つ以上の円弧形の保持部２２であってもよい。いずれにしても、複数の保持部２２を組み合わせることにより、円環形のレチクルホルダ２１が構成され、レチクルＲの外周領域を吸着保持できればよい。
【００３１】
本発明が適用される露光装置としては、ＥＢ露光装置には限らない。電子ビームに替えて、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）やＸ線を用いることができる。さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。
【００３２】
また、マスクと基板とを静止した状態でマスクのパターンを露光し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート型の露光装置を用いてもよい。
また、本発明が適用される露光装置として、投影光学系を用いることなくマスクと基板とを密接させてマスクのパターンを露光するプロキシミティ露光装置を用いてもよい。
【００３３】
また、露光装置の用途としては半導体デバイス製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適用できる。
【００３４】
また、投影光学系としては、電子レンズおよび偏向器からなる電子光学系を用いる場合の他、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ２レーザやＸ線を用いる場合は反射屈折系または反射系の光学系を用いる（このとき、レチクルも反射型タイプのものを用いる）。
【００３５】
また、ウエハステージやレチクルステージにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもよいし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。さらに、ステージの駆動装置として平面モ−タを用いる場合、磁石ユニット（永久磁石）と電機子ユニットのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットの他方をステージの移動面側（ベース）に設ければよい。
【００３６】
ウエハステージの移動により発生する反力は、特開平８−１６６４７５号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。
また、ウエハステージの移動により発生する反力は、カウンタマスをウエハステージの移動方向と逆方向に移動させることにより相殺させてもよい。
【００３７】
レチクルステージの移動により発生する反力は、特開平８−３３０２２４号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。
【００３８】
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００３９】
また、半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行う工程、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作する工程、シリコン材料からウエハを製造する工程、前述した実施形態の露光装置によりレチクルのパターンをウエハに露光するウエハ処理工程、デバイス組み立て工程（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査工程等を経て製造される。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】電子ビーム露光装置ＥＸの構成を示す模式図
【図２】レチクルホルダ２１を示す模式図
【図３】レチクルＲ（Ｒ１，Ｒ２）を説明する図
【図４】レチクルホルダ２１の作用を説明する図
【符号の説明】
【００４１】
２０  レチクルステージ（ステージ装置，マスクステージ）
２１  レチクルホルダ（マスクホルダ，戴置面）
２２  保持部
４０  ウエハステージ（基板ステージ）
８０  レチクル傾斜計測部（マスク傾斜計測部）
Ｒ，Ｒ１，Ｒ２  レチクル(マスク)
ＰＡ，６６，７６  パターン（デバイスパターン）
Ｗ  ウエハ（基板）
ＥＢ  電子ビーム（電子線）
ＥＸ  電子ビーム露光装置
【図１】
2005260126.tif 000003
【図２】
2005260126.tif 000004
【図３】
2005260126.tif 000005
【図４】
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