(57)【要約】【解決手段】  電極配線基板は、ゲート電極配線１０５のゲート材料から形成された第１引き回し配線１０８と、ソース電極配線１０６のソース材料から形成された第２引き回し配線１１０とを有する。平面視において、第１引き回し配線１０８および第２引き回し配線１１０は互いに重なることなく、交互に配置されている。第２引き回し配線１１０は、第１コンタクトホール１１１を介してゲート電極配線１０５と、第２コンタクトホール１１３を介してゲート電極端子１０２とそれぞれ導通している。【効果】  表示装置において、画面センター配置および周辺領域のサイズ縮小を実現するとともに、製造上歩留りの向上を図ることができる。【選択図】  図１
2005091962.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に形成された複数本のゲート電極配線と、前記複数本のゲート電極配線とそれぞれ交差する複数本のソース電極配線と、前記複数本のゲート電極配線と前記複数本のソース電極配線を電気的に絶縁させる絶縁層と、前記複数本のゲート電極配線および前記複数本のソース電極配線の各交点近傍に設けられた複数のスイッチング素子と、前記複数のスイッチング素子のそれぞれに接続された複数の画素電極からなる画像表示部と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のゲート電極配線に信号をそれぞれ入力するための複数のゲート電極端子と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のソース電極配線に信号をそれぞれ入力するための複数のソース電極端子と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のゲート電極配線をそれぞれ前記複数のゲート電極端子に引き回す複数本のゲート引き回し配線と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のソース電極配線をそれぞれ前記複数のソース電極端子に引き回す複数本のソース引き回し配線とを有する電極配線基板であって、
前記複数本のゲート引き回し配線および／または前記複数本のソース引き回し配線は、前記ゲート電極配線のゲート材料から形成された第１引き回し配線と、前記絶縁層により前記第１引き回し配線と電気的に絶縁され、かつ前記ソース電極配線のソース材料から形成された第２引き回し配線とから構成され、平面視において、前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線は互いに重なることなく交互に配置されており、
前記絶縁層は、前記第１引き回し配線または前記第２引き回し配線と、前記ゲート電極配線または前記ソース電極配線とを電気的に接続するための第１接続穴、および前記第１引き回し配線または前記第２引き回し配線と、前記ゲート電極端子または前記ソース電極端子とを電気的に接続するための第２接続穴を少なくとも一組有する電極配線基板。
【請求項２】
前記画像表示部は矩形状であって、前記ゲート電極端子および前記ソース電極端子は、前記画像表示部のいずれか一辺近傍に並べられている、請求項１に記載の電極配線基板。
【請求項３】
前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタである、請求項１または２に記載の電極配線基板。
【請求項４】
前記複数本のゲート引き回し配線は、前記第１引き回し配線と前記第２引き回し配線とから構成され、前記第１引き回し配線または前記第２引き回し配線は、前記絶縁層を介して、前記ソース材料から形成された配線または前記ゲート材料から形成された配線をさらに含み、前記複数本のゲート電極配線のそれぞれは、前記絶縁層に形成された同数の接続穴を介して、前記ゲート電極端子と接続されている、請求項１から３のいずれか１項に記載の電極配線基板。
【請求項５】
前記複数本のソース引き回し配線は、前記第１引き回し配線と前記第２引き回し配線とから構成され、前記第１引き回し配線または前記第２引き回し配線は、前記絶縁層を介して、前記ソース材料から形成された配線または前記ゲート材料から形成された配線をさらに含み、前記複数本のソース電極配線のそれぞれは、前記絶縁層に形成された同数の接続穴を介して、前記ソース電極端子と接続されている、請求項１から３のいずれか１項に記載の電極配線基板。
【請求項６】
前記画素電極は、透過型の透明導電膜、反射型の反射導電膜、または透過モードと反射モードの両方で表示可能な両用型の透明導電膜と反射導電膜からなる、請求項１から５のいずれか１項に記載の電極配線基板。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の電極配線基板と、前記電極配線基板に対向する電極を有する表示装置。
【請求項８】
請求項１から６のいずれか１項に記載の電極配線基板と、前記電極配線基板に対向する対向基板と、前記電極配線基板および前記対向基板に挟まれた液晶層とを有する、液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電極配線基板および表示装置に関する。電極配線基板は例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板であり、表示装置は例えば液晶表示装置である。
【背景技術】
【０００２】
マンマシーンインターフェースである表示装置は、従来使用されてきたブラウン管（ＣＲＴ）ディスプレイから、薄型、省スペース、軽量、低消費電力等のメリットがあるフラットパネルディスプレイに置き換えが近年、急速に進んでいる。特に、デジタルカメラ、携帯電話、ＰＤＡ（Personal Digital Assistance ）等のモバイル用途のモニターに関しては、全てフラットパネルディスプレイといっても過言ではない。
【０００３】
上記の用途に用いられるフラットパネルとしては、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイの３種が主なものである。それぞれ画素単位に駆動用のＴＦＴをもつアクティブ式と、駆動用素子をもたないパッシブ式があるが、アクティブ式が画質に優れていることから、国内ではアクティブ式が主流である。
【０００４】
上記モバイル用途のフラットパネルディスプレイの普及は目覚ましく、最近の市場要求としては、パネル画面表示の大型化、かつパネル周辺部の狭額縁化に進む傾向にある。したがって、パネルの外形サイズと画面の有効サイズとを限りなく等しくすることが求められている。また、高精細化の要求も有り、多数本の電極配線を形成することが求められている。
【０００５】
さらに、フラットパネルディスプレイ、特に携帯電話のディスプレイに対する最近の市場要求として、表示画面を外形のセンターに配置することが求められている。しかし、通常は、表示画面の周辺４辺のうちゲート電極端子とソース電極端子をそれぞれ一辺の周縁に設けて、計二辺の周縁を端子領域としている。したがって、上記二辺の周縁を端子領域とした場合には、表示画面のセンターが左右のいずれかに片寄るので、左右の周縁領域を占有せずに、上下いずれか一辺周縁のみにゲート電極端子とソース電極端子を並置することにより、画面センター配置を実現している。
【０００６】
これに対応して、多数本形成される電極配線を表示画面の一辺の周縁に配置された入力信号の端子に引き回し、かつ製造歩留まりの高い表示装置を製造するには、一定のサイズの周辺領域が必要であるので、この周辺領域のサイズ縮小が重大な課題である。しかし、多数本の電極配線の領域を小さくすると、配線間のピッチが狭くなるので、歩留まり低下となる問題がある。特に、ＣＯＧ（Chip On Glass)機種において、コストダウンのためのチップ小型化により、実装部の配線ピッチをさらに狭める必要があるので、歩留まりがさらに悪化する。なお、周辺領域にドライバを作り込むドライバモノリシックの場合には、表示画面の一辺の周縁に端子を集中させる必要がないので、このような問題は生じない。
【０００７】
この問題点を解決するための液晶表示装置が、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１の液晶表示装置は、導電パターンの一部が、コンタクトホールを介して層の異なる導電パターンに変換され、他の導電パターンと層間絶縁膜を介して重なるように配置された二層以上の多層配線である。具体的には、ゲート電極配線とゲート電極端子を接続する導電パターンとして、ゲート材料からなる通常の第１の導電パターンだけではなく、層間絶縁層を介してソース材料からなる第２の導電パターンを第１の導電パターン上に形成して、導電パターンを二層構造とする。さらにコンタクト穴を介して、ゲート電極配線およびゲート電極端子と第２の導電パターンとを互いに導通させて、第１および第２の導電パターンを互いに変換させている。
【０００８】
図７、８および９を参照しながら、特許文献１の液晶表示装置をより具体的に説明する。図７は、特許文献１に開示された導電パターンを示す部分平面図であり、図８は、図７のＡ−Ｂ線断面図であり、図９は、導電パターン変換部の断面図である。
【０００９】
図７において、２０１は画像表示部、２０２はゲート（走査電極）側端子、２０３はソース（信号電極）側端子、２０４は導電パターン変換部、２０５はゲート電極配線、２０６はソース電極配線である。図８において、２０７はガラス基板、２０８はゲートメタル導電パターン、２０９は層間絶縁層、２１０はソースメタル導電パターンであり、ゲートメタル導電パターン２０８とソースメタル導電パターン２１０は、層間絶縁層２０９を介して二層構造に配置されている。ゲートメタル導電パターン２０８は、ＴＦＴ(Thin Film Transistor)アレイ基板のゲート配線形成プロセス時にゲート電極配線２０５と同時にパターニングされ、ソースメタル電極パターン２１０は、ＴＦＴアレイ基板のソース配線形成プロセス時にソース電極配線２０６と同時にパターニングされる。
【００１０】
図９において、２１１はコンタクトホール（導電パターン変換部２０４）を示す。コンタクトホール２１１を設けることにより、ゲートメタル導電パターン２０８とソースメタル導電パターン２１０を重ねて配置できるので、２本の導電パターンを１本分のスペースに配置することができる。この場合、ゲート電極配線からゲート側端子へ引き回された引き回し配線部では、ゲートメタル導電パターン２０８上に層間絶縁層２０９を介してソースメタル導電パターン２１０が積層するので、通常のゲートメタル導電パターンのみを配置した場合と比較すると、引き回し配線部（周辺領域該当部）を約１／２に縮小できる。すなわち、周辺領域該当部の大幅なサイズ縮小が可能となる。
【００１１】
一方、最近の上記モバイル用途のモニターとしては、反射型液晶表示装置や反射モードと透過モードの両方で表示可能な両用型液晶表示装置が主流となりつつある。特に、反射モードと透過モードの両方で表示可能な両用型液晶表示装置は、周囲光が明るい環境下での反射モードによる表示認識向上と、周囲光が暗い環境下での透過モードによる表示認識向上との両特性を兼ね備えており、周囲光がどんな明るさであっても、画像は鮮明に表示されるので、市場でも最もニーズがある表示装置の一つである。上記両用型液晶表示装置としては、例えば特許文献２に開示の液晶表示パネルが挙げられる。この液晶表示パネルの画素電極は、互いに電気的に接続された光透過効率の高い第一の導電層（透明導電膜）と光反射効率の高い第二の導電層（反射導電膜）とを同一画素領域内に有しており、第一の導電層と第二の導電層とが、例えば有機樹脂からなる絶縁層を介して、互いに別層に設けられている。
【００１２】
【特許文献１】特許第3276557 号公報
【００１３】
【特許文献２】特許第3377447 号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
特許文献１の液晶表示装置は、引き回し配線部が、ゲートメタル導電パターン２０８の真上に、層間絶縁層２０９を介してソースメタル導電パターン２１０が積層する構造であるので、以下の製造歩留まり上の３つの問題が発生する。第１に、両導電パターン２０８，２１０が層間絶縁層２０９を挟んでいるので、両導電パターン２０８，２１０に挟まれた層間絶縁層２０９の容量（以下、相互の容量ともいう。）が関与する問題が生じて表示品位への悪影響を与えることが考えられる。例えば、層間絶縁層２０９の容量が影響することで、信号の遅延が生じて表示品位不良となる。また、インピーダンスが増加するので、モバイル用途では致命的とも言える消費電力の悪化となる。
【００１５】
第２に、層間絶縁層２０９を静電破壊する不良が発生するおそれがある。静電破壊不良が発生した配線は、画像表示部のゲート電極ライン不良が発生し歩留まり低下となる。
【００１６】
第３に、ゲートメタル導電パターン２０８＼層間絶縁層２０９＼ソースメタル導電パターン２１０積層部と、互いに隣接する積層部に挟まれた層間絶縁層２０９ａとの段差が大きくなる。特許文献２の液晶表示パネルが有する絶縁層は、有機樹脂を塗布した後、膜厚分布を均一化するために、スピンコータで回転させて形成する。しかし、引き回し配線部の段差を起点として、樹脂膜が放射状にムラとなる不良が発生する。引き回し配線部の段差が大きくなることで、この不良の発生率が高まり、結果的に製造歩留まりが低下する。
【００１７】
本発明の目的の一つは、表示装置において、画面センター配置および周辺領域のサイズ縮小を実現するとともに、製造上歩留りの向上を図ることである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の電極配線基板は、ゲートメタル導電パターン２０８の真上に層間絶縁層２０９を介してソースメタル導電パターン２０９が積層されているのではなく、ゲートメタル導電パターンとソースメタル導電パターンが平面視において交互に配置されているので、両導電パターン相互の影響をなくすことができる。これにより、特許文献１と同様に、画面センター配置および周辺領域のサイズ縮小を実現することができる。さらに、本発明によれば、製造上の歩留まりを向上させることができる。
【００１９】
本発明の電極配線基板は、絶縁性基板上に形成された複数本のゲート電極配線と、前記複数本のゲート電極配線とそれぞれ交差する複数本のソース電極配線と、前記複数本のゲート電極配線と前記複数本のソース電極配線を電気的に絶縁させる絶縁層と、前記複数本のゲート電極配線および前記複数本のソース電極配線の各交点近傍に設けられた複数のスイッチング素子と、前記複数のスイッチング素子のそれぞれに接続された複数の画素電極からなる画像表示部と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のゲート電極配線に信号をそれぞれ入力するための複数のゲート電極端子と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のソース電極配線に信号をそれぞれ入力するための複数のソース電極端子と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のゲート電極配線をそれぞれ前記複数のゲート電極端子に引き回す複数本のゲート引き回し配線と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のソース電極配線をそれぞれ前記複数のソース電極端子に引き回す複数本のソース引き回し配線とを有する電極配線基板であって、前記複数本のゲート引き回し配線および／または前記複数本のソース引き回し配線は、前記ゲート電極配線のゲート材料から形成された第１引き回し配線と、前記絶縁層により前記第１引き回し配線と電気的に絶縁され、かつ前記ソース電極配線のソース材料から形成された第２引き回し配線とから構成され、平面視において、前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線は互いに重なることなく交互に配置されており、前記絶縁層は、前記第１引き回し配線または前記第２引き回し配線と、前記ゲート電極配線または前記ソース電極配線とを電気的に接続するための第１接続穴、および前記第１引き回し配線または前記第２引き回し配線と、前記ゲート電極端子または前記ソース電極端子とを電気的に接続するための第２接続穴を少なくとも一組有する。
【００２０】
本発明の電極配線基板は、ゲート電極が半導体層（活性層）の下に配置されたボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴアレイ基板だけでなく、ゲート電極が半導体層（活性層）の上に配置されたトップゲート型（スタガ型）ＴＦＴアレイ基板も含む。また、上記交互配線を採用するパターンは、ゲート引き回し配線だけでなく、ソース引き回し配線に対しても有効である。したがって、本発明の電極配線基板は、下記（１）〜（４）の４態様を含む。なお、（１）および（２）はボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板の態様であり、（３）および（４）はトップゲート型ＴＦＴアレイ基板の態様である。
【００２１】
（１）絶縁性基板上に形成された複数本のゲート電極配線と、前記複数本のゲート電極配線を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記複数本のゲート電極配線とそれぞれ交差する複数本のソース電極配線と、前記複数本のゲート電極配線および前記複数本のソース電極配線の各交点近傍に設けられた複数のスイッチング素子と、前記複数のスイッチング素子のそれぞれに接続された複数の画素電極からなる画像表示部と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のゲート電極配線に信号をそれぞれ入力するための複数のゲート電極端子と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のソース電極配線に信号をそれぞれ入力するための複数のソース電極端子と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のゲート電極配線をそれぞれ前記複数のゲート電極端子に引き回す複数本のゲート引き回し配線と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のソース電極配線をそれぞれ前記複数のソース電極端子に引き回す複数本のソース引き回し配線とを有する電極配線基板であって、前記複数本のゲート引き回し配線は、前記ゲート電極配線のゲート材料から形成された第１引き回し配線と、前記第１引き回し配線を覆う前記絶縁層上に、前記ソース電極配線のソース材料から形成された第２引き回し配線とから構成され、平面視において、前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線は互いに重なることなく（積層することなく）、交互に配置されている。前記ゲート電極端子が前記ゲート材料から形成される場合、前記絶縁層は、前記第２引き回し配線と前記ゲート電極配線とを電気的に接続するための第１接続穴、および前記第２引き回し配線と前記ゲート電極端子とを電気的に接続するための第２接続穴を少なくとも一組有する。これに対して、前記ゲート電極端子が前記ソース材料から形成される場合、前記絶縁層は、前記第２引き回し配線と前記ゲート電極配線とを電気的に接続するための第１接続穴、および前記第１引き回し配線と前記ゲート電極端子とを電気的に接続するための第２接続穴を少なくとも一組有する。
【００２２】
（２）絶縁性基板上に形成された複数本のゲート電極配線と、前記複数本のゲート電極配線を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記複数本のゲート電極配線とそれぞれ交差する複数本のソース電極配線と、前記複数本のゲート電極配線および前記複数本のソース電極配線の各交点近傍に設けられた複数のスイッチング素子と、前記複数のスイッチング素子のそれぞれに接続された複数の画素電極からなる画像表示部と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のゲート電極配線に信号をそれぞれ入力するための複数のゲート電極端子と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のソース電極配線に信号をそれぞれ入力するための複数のソース電極端子と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のゲート電極配線をそれぞれ前記複数のゲート電極端子に引き回す複数本のゲート引き回し配線と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のソース電極配線をそれぞれ前記複数のソース電極端子に引き回す複数本のソース引き回し配線とを有する電極配線基板であって、前記複数本のソース引き回し配線は、前記ゲート電極配線のゲート材料から形成された第１引き回し配線と、前記第１引き回し配線を覆う前記絶縁層上に、前記ソース電極配線のソース材料から形成された第２引き回し配線とから構成され、平面視において、前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線は互いに重なることなく（積層することなく）、交互に配置されている。前記ソース電極端子が前記ソース材料から形成される場合、前記絶縁層は、前記第１引き回し配線と前記ソース電極配線とを電気的に接続するための第１接続穴、および前記第１引き回し配線と前記ソース電極端子とを電気的に接続するための第２接続穴を少なくとも一組有する。これに対して、前記ソース電極端子が前記ゲート材料から形成される場合、前記絶縁層は、前記第１引き回し配線と前記ソース電極配線とを電気的に接続するための第１接続穴、および前記第２引き回し配線と前記ソース電極端子とを電気的に接続するための第２接続穴を少なくとも一組有する。
【００２３】
（３）絶縁性基板上に形成された複数本のソース電極配線と、前記複数本のソース電極配線を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記複数本のソース電極配線とそれぞれ交差する複数本のゲート電極配線と、前記複数本のソース電極配線および前記複数本のゲート電極配線の各交点近傍に設けられた複数のスイッチング素子と、前記複数のスイッチング素子のそれぞれに接続された複数の画素電極からなる画像表示部と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のソース電極配線に信号をそれぞれ入力するための複数のソース電極端子と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のゲート電極配線に信号をそれぞれ入力するための複数のゲート電極端子と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のソース電極配線をそれぞれ前記複数のソース電極端子に引き回す複数本のソース引き回し配線と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のゲート電極配線をそれぞれ前記複数のゲート電極端子に引き回す複数本のゲート引き回し配線とを有する電極配線基板であって、前記複数本のソース引き回し配線は、前記ソース電極配線のソース材料から形成された第１引き回し配線と、前記第１引き回し配線を覆う前記絶縁層上に、前記ゲート電極配線のゲート材料から形成された第２引き回し配線とから構成され、平面視において、前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線は互いに重なることなく（積層することなく）、交互に配置されている。前記ゲート電極端子が前記ゲート材料から形成される場合、前記絶縁層は、前記第１引き回し配線と前記ゲート電極配線とを電気的に接続するための第１接続穴、および前記第１引き回し配線と前記ゲート電極端子とを電気的に接続するための第２接続穴を少なくとも一組有する。これに対して、前記ゲート電極端子が前記ソース材料から形成される場合、前記絶縁層は、前記第１引き回し配線と前記ゲート電極配線とを電気的に接続するための第１接続穴、および前記第２引き回し配線と前記ゲート電極端子とを電気的に接続するための第２接続穴を少なくとも一組有する。
【００２４】
（４）絶縁性基板上に形成された複数本のソース電極配線と、前記複数本のソース電極配線を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記複数本のソース電極配線とそれぞれ交差する複数本のゲート電極配線と、前記複数本のソース電極配線および前記複数本のゲート電極配線の各交点近傍に設けられた複数のスイッチング素子と、前記複数のスイッチング素子のそれぞれに接続された複数の画素電極からなる画像表示部と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のソース電極配線に信号をそれぞれ入力するための複数のソース電極端子と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のゲート電極配線に信号をそれぞれ入力するための複数のゲート電極端子と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のソース電極配線をそれぞれ前記複数のソース電極端子に引き回す複数本のソース引き回し配線と、前記画像表示部の周辺に設けられ、前記複数本のゲート電極配線をそれぞれ前記複数のゲート電極端子に引き回す複数本のゲート引き回し配線とを有する電極配線基板であって、前記複数本のソース引き回し配線は、前記ソース電極配線のソース材料から形成された第１引き回し配線と、前記第１引き回し配線を覆う前記絶縁層上に、前記ゲート電極配線のゲート材料から形成された第２引き回し配線とから構成され、平面視において、前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線は互いに重なることなく（積層することなく）、交互に配置されている。前記ソース電極端子が前記ソース材料から形成される場合、前記絶縁層は、前記第２引き回し配線と前記ソース電極配線とを電気的に接続するための第１接続穴、および前記第２引き回し配線と前記ソース電極端子とを電気的に接続するための第２接続穴を少なくとも一組有する。これに対して、前記ソース電極端子が前記ゲート材料から形成される場合、前記絶縁層は、前記第２引き回し配線と前記ソース電極配線とを電気的に接続するための第１接続穴、および前記第１引き回し配線と前記ソース電極端子とを電気的に接続するための第２接続穴を少なくとも一組有する。
【００２５】
ゲート材料とソース材料を交互に配線する導電パターンは、前記絶縁層に形成された接続穴（コンタクトホール）を介して、ゲート材料とソース材料を導通することにより、ゲート引き回し配線および／またはソース引き回し配線として利用することができる。さらに、ゲート材料とソース材料を交互に配線する導電パターンは、例えばＴＦＴアレイ基板のゲート電極配線形成プロセスまたはソース電極配線形成プロセスにて形成することができる。
【００２６】
前記画像表示部は矩形状であって、前記ゲート電極端子および前記ソース電極端子は、前記画像表示部のいずれか一辺近傍に並べられていても良い。画像表示部のいずれか一辺近傍にゲート電極端子およびソース電極端子を並置し、画像表示部周辺の一辺に信号入力を集中させる画面センター配置のような、周辺領域のサイズ縮小が求められる設計において、上記交互配線を採用することが好ましい。
【００２７】
本発明によれば、信号入力を画像表示部の一辺に集中するパネル画面センター配置設計において、画像表示部周辺の配線領域を縮小することができるので、パネルサイズ縮小を実現し、かつ製造歩留まりを向上させることができる。具体的には、画像表示部に複数本形成されたゲート配線と、このゲート配線と交差する複数本のソース配線を有する電極配線基板において、周辺部のゲート端子引き回し配線の領域を縮小するために、ゲート材料とソース材料を交互に配線することでスペース縮小を実現する。また、ゲートメタル間スペースとソースメタル間スペースを十分に確保できるので、歩留まり低下を防ぐ。さらに、上記ゲート材料とソース材料は、絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して接続することで、ゲート材料とソース材料をゲート端子引き回し配線として使用できる。
【００２８】
上記（１）または（４）において、前記複数本のゲート引き回し配線は、前記第１引き回し配線と前記第２引き回し配線とから構成され、前記第１引き回し配線は、前記絶縁層を介して、前記ソース材料から形成された配線をさらに含み、前記複数本のゲート電極配線のそれぞれは、前記絶縁層に形成された同数の接続穴を介して、前記ゲート電極端子と接続されていても良い。また、前記複数本のゲート引き回し配線は、前記第１引き回し配線と前記第２引き回し配線とから構成され、前記第２引き回し配線は、前記絶縁層を介して、前記ゲート材料から形成された配線をさらに含み、前記複数本のゲート電極配線のそれぞれは、前記絶縁層に形成された同数の接続穴を介して、前記ゲート電極端子と接続されていても良い。これにより、ゲート電極配線とゲート電極端子との間で、複数のゲート引き回し配線のそれぞれに生じるコンタクト抵抗が略同じになる。したがって、各ゲート引き回し配線のコンタクト抵抗を揃えることができるので、表示ムラの発生が抑えられ、表示品位が良好となる。
【００２９】
上記（２）または（３）において、前記複数本のソース引き回し配線は、前記第１引き回し配線と前記第２引き回し配線とから構成され、前記第１引き回し配線は、前記絶縁層を介して、前記ソース材料から形成された配線をさらに含み、前記複数本のソース電極配線のそれぞれは、前記絶縁層に形成された同数の接続穴を介して、前記ソース電極端子と接続されていても良い。また、前記複数本のソース引き回し配線は、前記第１引き回し配線と前記第２引き回し配線とから構成され、前記第２引き回し配線は、前記絶縁層を介して、前記ゲート材料から形成された配線をさらに含み、前記複数本のソース電極配線のそれぞれは、前記絶縁層に形成された同数の接続穴を介して、前記ソース電極端子と接続されていても良い。これにより、ソース電極配線とソース電極端子との間で、複数のソース引き回し配線のそれぞれに生じるコンタクト抵抗が略同じになる。したがって、各ソース引き回し配線のコンタクト抵抗を揃えることができるので、表示ムラの発生が抑えられ、表示品位が良好となる。
【００３０】
本発明の表示装置は、上記交互配線を採用したパターンを有する電極配線基板と、前記電極配線基板に対向する電極を有する。電極配線基板と対向電極との間には、表示媒体層が介在する。「表示媒体層」とは、互いに対向する電極間の電位差により光透過率が変調される層、または互いに対向する電極間を流れる電流により自発光する層である。表示媒体層は、例えば液晶層、無機または有機ＥＬ層、発光ガス層、電気泳動層、エレクトロクロミック層などである。電極配線基板と、これに対向配置される対向基板（または対向電極）とを有する表示装置としては、両基板に挟持された液晶層を有する液晶表示装置が主流である。しかし、本発明の表示装置は、液晶表示装置に限らず、ＦＥＤ(Field Emission Display)、ＰＤＰ(Plasma Display Panel)、有機ＥＬ(organic light emitting diode)、無機ＥＬ(inorganic electro luminescence ）、エレクトロクロミック表示装置に適用することもできる。
【００３１】
本発明の電極配線基板のスイッチング素子は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であることが好ましいが、これに限らず、ＭＩＭ(Metal Insulator Metal) などの二端子素子でも良い。また、上記交互配線は、スイッチング素子を持たないパッシブ型の表示装置に用いられる電極配線基板に適用することもできる。
【００３２】
前記画素電極は  透過型の透明導電膜、反射型の反射導電膜、または透過モードと反射モードの両方で表示可能な両用型の透明導電膜と反射導電膜とからなることが好ましい。
【発明の効果】
【００３３】
表示装置において、画面センター配置および周辺領域のサイズ縮小を実現するとともに、製造上歩留りの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図面を参照しながら本発明による実施形態を説明する。以下の実施形態では、電極配線基板としてボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板を例にして、ゲート引き回し配線に交互配線を採用した場合について説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されない。
【００３５】
（実施形態１）
図１は、実施形態１のＴＦＴ基板を模式的に示す部分平面図であり、図２は、図１中のＡ−Ｂ線断面図である。本実施形態のＴＦＴ基板は、透明絶縁性基板１０７上に形成された複数本のゲート電極配線１０５と、複数本のゲート電極配線１０５を覆う絶縁層１０９と、絶縁層１０９上に形成され、複数本のゲート電極配線１０５とそれぞれ交差する複数本のソース電極配線１０６と、複数本のゲート電極配線１０５および複数本のソース電極配線１０６の各交点近傍に設けられた複数のＴＦＴ（不図示）と、複数のＴＦＴのそれぞれに接続された複数の画素電極１０１からなる画像表示部１００と、画像表示部１００の周辺（図１では画像表示部１００の下方）に設けられ、複数本のゲート電極配線１０５に信号をそれぞれ入力するための複数のゲート電極端子１０２と、画像表示部１００の周辺に設けられ、複数本のソース電極配線１０６に信号をそれぞれ入力するための複数のソース電極端子１０３（図１では画像表示部１００の下方）と、画像表示部１００の周辺（図１では画像表示部１００の左側および下方）に設けられ、複数本のゲート電極配線１０５をそれぞれ複数のゲート電極端子１０２に引き回す複数本のゲート引き回し配線１０８，１１０と、画像表示部１００の周辺（図１では画像表示部１００の下方）に設けられ、複数本のソース電極配線１０６をそれぞれ複数のソース電極端子１０３に引き回す複数本のソース引き回し配線１１２とを有する。
【００３６】
複数の画素電極１０１からなる画像表示部１００は矩形状であって、ゲート電極端子１０２およびソース電極端子１０３は、画像表示部１００のいずれか一辺（本実施形態では下方の辺）近傍に並べられている。このように、画像表示部１００のいずれか一辺近傍に両端子１０２，１０３を並べることによって、画像表示部１００の左右の周縁領域が両端子１０２，１０３で占有されず、表示画面のセンターが左右のいずれかに片寄るのを防ぐことができる。すなわち、画面センター配置を実現することができる。
【００３７】
複数本のゲート引き回し配線１０８，１１０は、ゲート電極配線１０５のゲート材料から形成された第１引き回し配線１０８と、第１引き回し配線１０８を覆う絶縁層１０９上に、ソース電極配線１０６のソース材料から形成された第２引き回し配線１１０から構成される。また、図２に示すように、平面視において、第１引き回し配線１０８および第２引き回し配線１１０は互いに重なることなく、交互に配置されている。絶縁層１０９上に形成された第２引き回し配線１１０は、絶縁層１０９に形成された第１および第２コンタクトホール１１１，１１３を介して、ゲート電極配線１０５およびゲート電極端子１０２とそれぞれ導通する。図３は、第１コンタクトホール１１１近傍を模式的に示す断面図である。図３に示すように、ゲート電極配線１０５は第１コンタクトホール１１１を介して、層の異なる導電パターン１１０に変換されるので、以下ではコンタクトホール１１１，１１３を導電パターン変換部ともいう。
【００３８】
次に、本実施形態のＴＦＴ基板の製造工程を図４および図５を参照しながら説明する。図４（ａ）〜（ｃ）は、図１中のＡ−Ｂ線における製造工程を模式的に示す断面図であり、図５（ａ）〜（ｃ）は、図１中の導電パターン変換部１１１における製造工程を模式的に示す断面図である。
【００３９】
まず、透明なガラス基板１０７上に、スパッタ装置を用いて、ゲート材料としてタンタル膜（Ｔａ）を成膜する。フォトリソ工程およびエッチング工程を経て、ゲートパターンであるゲート電極端子１０２、ゲート電極配線１０５およびゲート電極パターン（第１引き回し配線）１０８を形成する（図４（ａ）および図５（ａ）参照）。なお、ゲート材料は、所望のバスライン抵抗が得られ、後述の透明電極であるインジウム錫酸化物(Indium
Tin Oxide; ITO) とのコンタクト抵抗のオーミック特性が良好となる材料であればよい。例えば、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉまたはこれらの窒化物積層膜などが挙げられる。また、単金属層に限らず、合金層もしくは複数の金属層からなる積層膜を使用してもかまわない。
【００４０】
絶縁層１０９となる窒化シリコン膜(SiNx)と、半導体層となるa-Si層およびn+層を成膜する。その後、半導体層のフォトリソ工程およびエッチング工程を経て、ＴＦＴトランジスタの心臓部となる島状パターンを形成する。画像表示部１００以外の領域における半導体層は全てエッチングする。その後、フォトリソ工程およびエッチング工程を経て、絶縁層１０９に第１および第２コンタクトホール１１１，１１３を形成する（図５（ｂ）参照）。
【００４１】
スパッタリング装置を用いて、ソース冗長構造となるように、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide; ITO) 、ついでタンタル膜（Ｔａ）を成膜する。その後、ソースＴａのフォトリソ工程およびエッチング工程、さらにＩＴＯのフォトリソ工程およびエッチング工程を経て、ソースパターンであるソース電極端子１０３、ソース電極配線１０６およびソース電極パターン（第２引き回し配線）１１０を形成する（図４（ｃ）および図５（ｃ）参照）。また、ソース・ドレイン電極パターンおよび透明な画素電極１０１を形成する。なお、ソース材料は、所望のバスライン抵抗が得られる材料であればよい。例えば、Ｔａ，Ａｌ，Ｍｏ、Ｔｉまたはそれらの窒化物積層膜などが挙げられる。また、ソース／ＩＴＯ冗長構造に限らず、ソース単層でもよい。
【００４２】
ソースレジストまたはソースメタルパターンをマスクとして、ドライエッチング装置を用いて、画像表示部１００の島状パターンのソース・ドレイン分離部を形成する。さらに、保護用絶縁膜パターン（不図示）を形成して、本実施形態のＴＦＴ基板が完成する。
【００４３】
なお、高開口率を目指して、保護用絶縁膜パターンを形成した後に、有機樹脂膜パターンを形成し、この有機樹脂膜上に、画素電極−画素電極間隔を限界まで狭めた上層画素電極パターンを形成しても良い。また、ＴＦＴの製造方法も上記の方法に限定されず、その他の方法、例えばアモルファスシリコンＴＦＴの製造方法やポリシリコンＴＦＴの製造方法などでもかまわない。
【００４４】
このように、ゲート電極パターン（第１引き回し配線）１０８は、透明なガラス基板１０７上に、ゲート電極端子１０２およびゲート電極配線１０５と同時にパターン形成される。絶縁層１０９は、ゲート電極パターン１０８を覆うように形成され、導電パターン変換部に第１コンタクトホール１１１を形成する。ソース電極パターン１１０（第２引き回し配線）は、絶縁層１０９上に形成され、ソース電極端子１０３およびソース電極配線１０６と同時にパターン形成される。この際に、図５（ｃ）に示すように、ソース電極パターン１１０は、第１コンタクトホール１１１を介してゲート電極配線１０５と導通する。なお、図示しないが、ソース電極パターン１１０は、第２コンタクトホール１１３を介してゲート電極端子１０２とも導通する。
【００４５】
図４（ｃ）に示すように、ゲート電極配線１０５とゲート電極端子１０２を接続するゲート引き回し配線として、ゲート電極パターン１０８とソース電極パターン１１０を平面視において互いに重なることなく、交互に配線する。これにより、画像表示部１００の周辺領域を縮小することができる。また、導電パターンのライン＼スペースのうち、ゲート電極パターン１０８とソース電極パターン１１０のスペースを縮小しても、ゲートメタル間スペースとソースメタル間スペースを十分に確保できるので、製造上の歩留まりの向上を図ることができる。その結果、導電パターンの１本あたりのライン＆スペース（ライン幅とライン間のスペースを足した長さ）を縮めることが可能となる。
【００４６】
近年の携帯電話用途のモニターにおいて、画面センター配置および周辺領域のサイズ縮小を実現することが求められている。そこで、実施例として、本実施形態のＴＦＴ基板を用いて２．２インチ透過型QCIF（Quarter Common Intermediate Format）液晶表示装置を作成した。液晶表示装置は公知の技術をもって作成することができる。例えば、透明絶縁基板に形成されたカラーフィルタ上に透明電極と配向膜を形成して、カラーフィルタ基板を作成する。同様に配向膜を形成したＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板とを貼り合せた後、液晶注入および封止を行う。偏光板貼付、駆動用ＩＣ及び信号入力用フレキシブルケーブルを実装した。但し、液晶表示装置の作成方法はこれに限るものではなく、本実施形態で作成したＴＦＴ基板を用いるのであれば、例えば偏光板不用のモード、配向膜不用のモード、カラーフィルターレス等でも無論かまわない。２．２インチ透過型ＱＣＩＦ液晶表示装置を作成する場合、配線領域の幅（画像表示部１００から基板端部までの最短距離であり、図１では画像表示部１００の左側の領域の幅である）は１．８ｍｍとなるので、ゲート引き回し配線１本あたりのライン＆スペースは８μｍという狭ピッチ間隔設計となる。
【００４７】
上記狭ピッチ間隔設計を実現するために、Ａ通常のゲート材料のみ配線、Ｂ特許第3276557 号公報に示されたゲート＼ソース二層積層構造配線、Ｃ本実施形態のゲート＼ソース交互配線の３パターンにて、ゲート引き回し配線を形成して、液晶パネルモジュールを作成した。これら液晶パネルモジュールの表示品位結果は、表１に示す通りであった。
【００４８】
【表１】
2005091962.tif 000003
【００４９】
Ａのパターン（ゲート材料のみの配線）では、周辺領域のサイズ縮小に伴い、ライン＆スペースが限界以上に縮まる結果となる。スペースが極端に狭まったことにより、ゲートメタル−ゲートメタル間でリークする短絡不良が他のパターンの１４倍に増大し、大幅に歩留まりが悪化した。
【００５０】
Ｂのパターン（特許第3276557 号公報に示されたゲート＼ソース二層積層構造配線）では、平面視においてゲート＼ソースが重なるので、相互の容量の影響が大きくなる。したがって、信号の遅延が生じ、画像表示部１００のゲート電極配線１０５に沿って、縞状に見えるムラが発生し、表示品位に問題が生じた。また、容量が増大するに伴って、インピーダンスが増加して、消費電力が４０％増大した。さらに、ゲート＼ソースの二層積層構造であるので、絶縁層１０９を静電破壊する不良が多発した。
【００５１】
Ｃのパターン（本実施形態のゲート＼ソース交互配線）では、上記Ａの場合と異なり、スペースを縮めることなく、十分な間隔が確保できた。しかも、上記Ｂの場合と異なり、二層に積層しないので、上記ＡやＢに見られるような問題は発生しなかった。また、特有の問題も見られず、良好な表示品位が得られ、かつ製造上歩留まりの高い透過型液晶表示装置を実現できた。
【００５２】
ゲート引き回し配線のゲート＼ソース交互配線に対する製造上の懸念事項としては、ゲートとソースのシート抵抗が生産バラツキ上異なること、およびゲート導電パターン１０８とソース導電パターン１１０の仕上がり線幅が生産バラツキ上異なることが挙げられる。したがって、ゲート＼ソース交互で配線抵抗が異なることとなり、ゲート配線抵抗とソース配線抵抗の抵抗差が大きくなるにつれ、充電率差が大きくなることで、表示品位不良が発生する可能性がある。また、ゲートとソースのフォトアライメント生産バラツキにより、ゲート導電パターン１０８とソース導電パターン１１０が重なる（近づく）方向に形成される可能性があるので、相互の容量が関与し、表示品位不良が発生する可能性もある。
【００５３】
そこで、これらの懸念事項を確かめるために、シート抵抗と線幅生産バラツキを考慮した条件、かつゲート導電パターン１０８とソース導電パターン１１０を近づけた条件下で、液晶パネルモジュールを作成した。液晶パネルモジュールの表示品位結果は、表２〜表４に示す通りであった。なお、下記のゲート−ソース間隔は、ゲート導電パターン１０８とソース導電パターン１１０との平面視における間隔である。
【００５４】
(a)ゲート−ソース間隔  １μｍ
【００５５】
【表２】
2005091962.tif 000004
【００５６】
(b)ゲート−ソース間隔  ０μｍ (ゲートとソースの間隔がなくなった状態）
【００５７】
【表３】
2005091962.tif 000005
【００５８】
(c)ゲート−ソース間隔  −１μｍ (ゲートとソースが１μｍ重なった状態）
【００５９】
【表４】
2005091962.tif 000006
【００６０】
表２および表３に示す通り、ゲート−ソース間隔が０μｍ以上確保されていれば、シート抵抗および線幅の生産バラツキが生じたとしても、表示品位に問題はない。表２および表３に示すように、ゲートおよびソースの配線抵抗の生産バラツキを５ｋΩ〜３０ｋΩに制御することは、製造上十分に可能である。
【００６１】
しかしながら、ゲート−ソースが１μｍ重なると、表４に示すように、ゲートとソースの配線抵抗差が少ない条件下では、表示品位上問題はないが、配線抵抗の生産バラツキが生じて、ゲートとソースの配線抵抗差が大きくなると、画像表示部１００のゲート電極配線１０５に沿って縞状に見えるムラが発生し、表示品位に問題があった。したがって、生産バラツキによりゲート−ソースが少しでも重なると、表示品位に問題を生じ、歩留まりを悪化させる。
【００６２】
なお、縞状ムラは、上記Ｂのパターン（特許第3276557 号公報に示されたゲート＼ソース二層積層構造配線）において、画像表示部１００のゲート電極配線１０５に沿って縞状に見えるムラと同一の現象である。しかも、ゲート−ソースが断面的に重なるようになると、絶縁層１０９を静電破壊する不良が発生するようになる。
【００６３】
よって、生産バラツキを考慮しても、ゲート−ソースが重ならない構造にする必要がある。本実施例のライン＆スペース８μｍという狭ピッチ間隔設計において、Ｃのパターン（ゲート＼ソース交互配線）を採用すれば、生産バラツキを考慮してもゲート−ソースが重ならない構造になるよう、十分な生産マージンを持たせることができる。
【００６４】
（実施形態２）
実施形態１では、透過型の液晶表示装置を示した。本実施形態では、近年のモバイル用途のモニターとして、市場でも最もニーズがある表示装置の一つとなりつつある両用型液晶表示装置、すなわち反射モードと透過モードの両方で表示可能な表示装置について説明する。
【００６５】
両用型液晶表示装置は、実施形態１の透過型液晶表示装置と略同様の製造工程を経て製造される。但し、保護用絶縁膜パターンを形成した後、ＴＦＴ工程を終了するまでが実施形態１の場合と異なる。まず、保護用絶縁膜パターンを形成した後に、フォトリソ工程において膜厚分布を均一化するために、スピンコータを用いて透明画素電極上に有機樹脂膜を塗布し、反射領域となる部分になだらかな凹凸形状を形成、透過領域となる部分は有機樹脂膜を取り除き、透明画素電極を露出させる。
【００６６】
スパッタ装置にて、モリブデン（Mo）およびアルミニウム（Al）を連続して成膜した後、フォトリソ工程およびエッチング工程を経て、凹凸形状パターン上に反射電極パターンを形成する。本実施形態では、反射電極としてアルミニウムを用いているが、これに限らず、Al系の合金材料や光反射効率の高い導電性材料を用いてもかまわない。また、Al下地に成膜するMoは、AlとドレインITO との電触対策のためのバリアメタルである。電触を防ぐことができる導電性材料であれば、Moに限るものではなく、また反射電極もしくは透明電極に電触が起こらない材料を用いれば、反射膜のみの一層でも良い。
【００６７】
実施形態１の透過型液晶表示装置と同様に、２．２インチQCIF（Quarter Common Intermediate Format）の両用型液晶表示装置を作成した。実施形態１と同様に、ゲート引き回し配線１本あたりのライン＆スペースは８μｍという狭ピッチ間隔設計となる。
【００６８】
実施形態１と同様に、上記狭ピッチ間隔設計を実現するために、Ａ通常のゲート材料のみ配線、Ｂ特許第3276557 号公報に示されたゲート＼ソース二層積層構造配線、Ｃ本実施形態のゲート＼ソース交互配線の３パターンにて、ゲート引き回し配線を形成して、液晶パネルモジュールを作成した。これら液晶パネルモジュールの表示品位結果は、表５に示す通りであった。
【００６９】
【表５】
2005091962.tif 000007
【００７０】
Ａのパターン（ゲート材料のみの配線）では、実施形態１と同様に、スペースが極端に狭まったことにより、ゲートメタル−ゲートメタル間でリークする短絡不良が他のパターンの１４倍に増大し、大幅に歩留まりが悪化した。
【００７１】
Ｂのパターン（特許第3276557 号公報に示されたゲート＼ソース二層積層構造配線）では、平面視においてゲート＼ソースが重なるので、実施形態１と同様に、横筋や縞状ムラの発生、消費電力の４０％増大、および静電破壊不良多発という問題が生じた。さらに、二層積層によって、絶縁層とソースとの段差が大きくなったので、有機樹脂膜が放射状にムラとなる不良が多発し、さらに歩留まりを悪化させた。
【００７２】
Ｃのパターン（本実施形態のゲート＼ソース交互配線）では、上記Ａの場合と異なり、スペースを縮めることなく、十分な間隔が確保できた。しかも、上記Ｂの場合と異なり、二層に積層しないので、上記ＡやＢに見られるような問題は発生しなかった。また、特有の問題も見られず、良好な表示品位が得られ、かつ製造上歩留まりの高い両用型液晶表示装置を実現できた。
【００７３】
実施形態１および２では、ゲート引き回し配線１０８，１１０がゲート＼ソース交互配線であるが、ゲート引き回し配線に代えて、あるいはゲート引き回し配線とともに、ソース引き回し配線１１２がゲート＼ソース交互配線であっても良い。また、画素電極１０１は、実施形態１に示した透過型や実施形態２に示した両用型だけでなく、反射型であっても良い。
【００７４】
本発明による交互配線は、ゲートメタル導電パターンとソースメタル導電パターンが交互に配線し、かつ生産バラツキを考慮して、ゲートメタル導電パターンの真上に絶縁層を介してソースメタル導電パターンが積層されていない。本発明による交互配線の採用によると、画像表示部周辺の配線領域のサイズ縮小を実現しながら、かつ以下のような効果がある。第１に、相互の容量の影響は発生せず、良好な表示品位を得ることができる。また、上記実施例の交互配線では、積層配線と比較して、消費電力を40％低減することが実現できることをも確認した。
【００７５】
第２に、絶縁層を静電破壊する不良が発生しない。その結果、製造歩留まりの向上を図ることができる。第３に、ゲートメタル導電パターン＼絶縁層＼ソースメタル導電パターン積層による段差が積層配線と比較して大幅に改善される。その結果、反射型機種および反射＼透過両用型機種において、引き回し配線を起点とする放射状ムラ不良が発生せず、製造歩留まりの向上を図ることができる。第４に、ゲート＼ソース交互配線とすれば、ゲートメタル間スペースとソースメタル間スペースを十分に確保できるので、短絡不良率を大幅に低減でき、製造歩留まりの向上を図ることができる。
【００７６】
さらに、上記実施例に示した画面センター配置および周辺領域のサイズ縮小が求められる最近の携帯電話用途に限らず、周辺領域のサイズ縮小が求められない、言い換えれば比較的広範囲の周辺領域が確保できる従来のモバイルやその他のモニターに対しても、本発明のゲート＼ソース交互配線を採用すれば、さらに短絡不良率を大幅に低減でき、製造歩留まりの更なる向上を図ることができる。
【００７７】
（実施形態３）
図６は、実施形態３のＴＦＴ基板を模式的に示す部分平面図である。なお、図６において、実施形態１のＴＦＴ基板の構成要素と実質的に同じ機能を有する構成要素を同じ参照符号で示し、その説明を省略する。
【００７８】
図１に示すＴＦＴ基板では、第２引き回し配線（ソース電極パターン）１１０は、第１コンタクトホール１１１を介してゲート電極配線１０５と、第２コンタクトホール１１３を介してゲート電極端子１０２とそれぞれ導通しているので、ゲート電極配線１０５とゲート電極端子１０２との間に、２ヶ所の導電パターン変換部１１１，１１３でコンタクト抵抗が生じる。これに対して、第１引き回し配線（ゲート電極パターン）１０８は、ソースメタルと接触していないので、ゲート電極配線１０５とゲート電極端子１０２との間にコンタクト抵抗が生じない。したがって、第１引き回し配線１０８と第２引き回し配線１１０との間に抵抗差が生じることになるので、縞状ムラなどの表示品位不良が発生するおそれがある。
【００７９】
本実施形態では、第１引き回し配線１０８は、絶縁層１０９を介して、ソース材料から形成された配線１２０をさらに含む。配線１２０は、第１引き回し配線１０８、ゲート電極配線１０５およびゲート電極端子１０２を覆う絶縁層１０９上に形成されているので、絶縁層１０９に形成されたコンタクトホール１２１，１２２を介して、第１引き回し配線１０８およびゲート電極配線１０５と導通する。すなわち、ゲート電極配線１０５とゲート電極端子１０２との第１引き回し配線１０８を介した接続において、２ヶ所の導電パターン変換部１２１，１２２でコンタクト抵抗が生じる。
【００８０】
このように、複数のゲート電極配線１０５のそれぞれは、絶縁層１０９に形成された同数（２ヶ所）のコンタクトホールを介して、ゲート電極端子１０２と接続されているので、第１引き回し配線１０８と第２引き回し配線１１０との間に生じる抵抗差を縮小させることができる。したがって、縞状ムラなどの表示品位不良の発生を抑えることができる。
【００８１】
なお、配線１２０はゲート電極配線１０５側に形成されているが、ゲート電極端子１０２側に形成されていても良い。ただし、隣接する第２引き回し配線１１０との短絡不良を防ぐために、十分な線間ピッチを確保して配線１２０を配置することが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明の電極配線基板は、液晶ディスプレイ、電界放出ディスプレイ、有機または無機ＥＬディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ、プラズマディスプレイなどに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】実施形態１のＴＦＴ基板を模式的に示す部分平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ｂ線断面図である。
【図３】第１コンタクトホール１１１近傍を模式的に示す断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、図１中のＡ−Ｂ線における製造工程を模式的に示す断面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は、図１中の導電パターン変換部１１１における製造工程を模式的に示す断面図である。
【図６】実施形態３のＴＦＴ基板を模式的に示す部分平面図である。
【図７】特許文献１に開示された導電パターンを示す部分平面図である。
【図８】図７のＡ−Ｂ線断面図である。
【図９】特許文献１に開示された導電パターン変換部の断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１００  画像表示部
１０１  画素電極
１０２  ゲート電極端子
１０３  ソース電極端子
１０５  ゲート電極配線
１０６  ソース電極配線
１０７  ガラス基板
１０８  第１引き回し配線（ゲート引き回し配線、ゲートメタル導電パターン）
１０９  絶縁層
１１０  第２引き回し配線（ゲート引き回し配線、ソースメタル導電パターン）
１１１  第１コンタクトホール
１１２  ソース引き回し配線
１１３  第２コンタクトホール
１２０  配線
１２１  コンタクトホール
１２２  コンタクトホール
【図１】
2005091962.tif 000008
【図２】
2005091962.tif 000009
【図３】
2005091962.tif 000010
【図４】
2005091962.tif 000011
【図５】
2005091962.tif 000012
【図６】
2005091962.tif 000013
【図７】
2005091962.tif 000014
【図８】
2005091962.tif 000015
【図９】
2005091962.tif 000016
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月16日(2004.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2005091962.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月3日(2004.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2005091962.tif 000018