(57)【要約】【課題】カラムスペーサーを用いるパネルの押圧染みの耐性を強化した液晶表示装置のスペーサー及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る液晶表示装置は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板と第２基板のうち少なくとも何れか一方の基板上に形成され、それぞれは第１パターンと第２パターンを備え、前記第１パターンと前記第２パターンは互いに連結され、前記第２パターンは前記第１パターンより小さい接触表面を有する複数個のカラムスペーサーと、前記第１基板と前記第２基板との間に形成された液晶層とを含んでなることを特徴とする。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１基板及び第２基板と、  前記第１基板と前記第２基板のうち少なくとも何れか一方の基板上に形成され、それぞれは第１パターンと第２パターンを備え、前記第１パターンと前記第２パターンは互いに連結され、前記第２パターンは前記第１パターンより小さい接触表面を有する複数個のカラムスペーサーと、  前記第１基板と前記第２基板との間に形成された液晶層と  を含んでなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記複数個のカラムスペーサーは、同一の高さに形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記複数個のカラムスペーサーは、互いに異なる高さを有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記複数個のカラムスペーサーは、前記第１基板と前記第２基板の両方に接触する第１グループのカラムスペーサーと、前記第１基板と前記第２基板のうちの一方から離隔する第２グループのカラムスペーサーとを備えることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１基板上にはＴＦＴアレイを、前記第２基板上にはカラーフィルターアレイを更に含んでいることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記ＴＦＴアレイは、第１基板上に画素領域を形成するために互いに垂直に交差する複数個のゲートライン及びデータラインと、前記ゲートライン及び前記データラインのそれぞれの交差部に形成された複数個の薄膜トランジスターと、前記各画素領域内に交互に形成された複数個の共通電極及び画素電極とを含んでなり、  前記カラーフィルターアレイは、前記第２基板上に前記ＴＦＴアレイの金属配線及び薄膜トランジスター形成部に対応して形成されたブラックマトリックス層及び前記ブラックマトリックス層を含む第２基板上に形成されたカラーフィルター層と、前記カラーフィルター層の上部に形成されたオーバーコート層とを含んでなることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１基板の背面の全面にＩＴＯ膜を更に含むことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記複数個のカラムスペーサーは、前記カラーフィルターアレイ上に形成されることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記複数個のカラムスペーサーは、前記ブラックマトリックス層形成部位に対応して形成されることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記ＴＦＴアレイは、第１基板上に画素領域を形成し、互いに垂直に交差する複数個のゲートライン及びデータラインと、前記ゲートライン及び前記データラインのそれぞれの交差部に形成された複数個の薄膜トランジスターと、前記各画素領域内に形成された複数個の画素電極とを含んでなり、  前記カラーフィルターアレイは、前記第２基板上に前記ＴＦＴアレイの金属配線及び薄膜トランジスター形成部に対応して形成されたブラックマトリックス層及び前記ブラックマトリックス層を含む第２基板上に形成されたカラーフィルター層と、前記カラーフィルター層の上部に形成された共通電極とを含んでなることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記複数個のカラムスペーサーは、前記ブラックマトリックス層形成部位に対応して形成されることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１基板と前記第２基板の表面に形成される配向膜を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記カラムスペーサーの第１パターンは、横１０μｍ〜３５μｍ×縦１０μｍ〜３５μｍの第１断面積を有し、前記第２パターンは、横１０μｍ以下×縦１０μｍ以下の第２断面積を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記カラムスペーサーの高さは、２μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第１パターンは、第１高さを有し、前記第２パターンは、前記第１高さより低い第２高さを有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
ＴＦＴアレイが形成された第１基板と、  前記第１基板と対向し、カラーフィルターアレイが形成された第２基板と、  前記第１基板と前記第２基板に接触するように形成された第１カラムスペーサーと、  前記第２基板上に前記第１基板と所定の間隔で離隔するように形成された第２カラムスペーサーと、  前記第１基板と前記第２基板との間に形成された液晶層と  を含んでなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】
前記第１基板及び前記第２基板の表面にそれぞれ形成された配向膜を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
ＴＦＴアレイが形成された第１基板と、  前記第１基板と対向し、カラーフィルターアレイが形成された第２基板と、  前記第２基板上に、第１断面積と第１高さを有して形成された第１パターンと、前記第１パターンに比べて小さい第２断面積と第２高さを有する第２パターンとを備え、前記第１パターンと第２パターンとが互いに接続された第１カラムスペーサーと、  前記第２基板上に前記第１高さに形成された第２カラムスペーサーと、  前記第１基板と前記第２基板との間に形成された液晶層と  を含んでなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１９】
前記第１基板及び前記第２基板の表面にそれぞれ形成される配向膜を更に含むことを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
第１基板上にＴＦＴアレイを形成する段階と、  第２基板上にカラーフィルターアレイを形成する段階と、  前記第２基板上に形成され、各カラムスペーサーは互いに連結される第１パターンと第２パターンとを備え、第２パターンは第１パターンより小さい接触表面を有する複数個の第１カラムスペーサーを形成する段階と、  前記第１基板上に液晶滴下する段階と、  前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せる段階と  を含んでなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１基板及び前記第２基板の表面にそれぞれ配向膜を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項２０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記複数個のカラムスペーサーを形成する段階は、第１断面積と第１高さを有する第１パターンと、前記第１パターンより小さい第２断面積と第２高さを有する第２パターンとを形成する段階を含むことを特徴とする請求項２０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２３】
第１基板上にＴＦＴアレイを形成する段階と、  第２基板上にカラーフィルターアレイを形成する段階と、  前記第２基板上に互いに段差のある第１カラムスペーサーと第２カラムスペーサーを形成する段階と、  前記第１基板上に液晶滴下する段階と、  前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せる段階と  を含んでなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第１基板及び前記第２基板の表面にそれぞれ配向膜を形成する段階を更に含んでいることを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２５】
第１基板上にＴＦＴアレイを形成する段階と、  第２基板上にカラーフィルターアレイを形成する段階と、  前記第２基板上に第１断面積と第１高さを有する第１パターンと、前記第１パターンに比べて小さい第２断面積と第２高さを有する第２パターンとを備え、前記第１パターンと前記第２パターンが互いに接続された第１カラムスペーサーを形成する段階と、  前記第２基板上に、前記第１カラムスペーサーの前記第１パターンの前記第１高さに相当する第２カラムスペーサーを形成する段階と、  前記第１基板上に液晶滴下する段階と、  前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せる段階と  を含んでなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記第１基板及び前記第２基板の表面にそれぞれ配向膜を形成する段階を更に含んでいることを特徴とする請求項２５に記載の液晶表示装置の製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特にカラムスペーサーの形状を変更して、タッチ動作時に前記カラムスペーサーと対向基板との接触面積を最小化してタッチ不良を最小化した液晶表示装置のスペーサー及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会の発達と共に、表示装置に対する要求も多様な形態で求められており、これに応じて最近、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、ＥＬＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＶＦＤ（Ｖａｃｕｕｍ  Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｓｐｌａｙ）など様々な平板表示装置が研究され、一部は、既に各種装備の表示装置に活用されている。  
【０００３】
その中で、現在、画質が優れており、軽量薄型、低消費電力の特徴及び長所を有することから、移動型画像表示装置の用途でＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）に替わってＬＣＤが最も多用されており、ノ−トブックコンピューターのモニターのような移動型の用途以外にも、放送信号を受信してディスプレイするテレビ及びコンピューターのモニターなどで多様に開発されている。  
【０００４】
このような液晶表示装置が一般の画面表示装置として多様な所で使用されるには、軽量薄型、低消費電力の特長を維持しながらも、大型画面において高精細、高輝度を有する高品質な画像をどれだけ実現できるかにかかっているといっても過言ではない。  
【０００５】
以下、添付した図面を参照して、従来の液晶表示装置及び液晶表示装置のセルギャップを維持するスペーサーについて説明する。  
【０００６】
図１は、一般的な液晶表示装置を示す
拡大斜視図である。  液晶表示装置は、図１に示したように、一定の空間を有して貼り合せられた第１基板１及び第２基板２と、前記第１基板１及び第２基板２の間に注入された液晶層３とで構成されている。  
【０００７】
より具体的に説明すると、前記第１基板１には、画素領域Ｐを定義するために、一定の間隔を有して一方向に複数個のゲートライン４と、前記ゲートライン４と垂直方向に一定の間隔を有して複数個のデータライン５とが配列されている。そして、前記各画素領域Ｐには画素電極６が形成され、前記各ゲートライン４と各データライン５が交差する部分に薄膜トランジスターＴが形成され、前記薄膜トランジスターが前記ゲートラインの信号に従って前記データラインのデータ信号を前記各画素電極に印加する。  
【０００８】
そして、前記第２基板２には前記画素領域Ｐを除いた部分の光を遮断するためのブラックマトリックス層７が形成され、前記各画素領域に対応する部分には色相を表現するためのＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルター層８が形成され、前記カラーフィルター層８上には画像を具現するための共通電極９が形成されている。  
【０００９】
上記のような液晶表示装置は、前記画素電極６と共通電極９の間の電界によって、前記第１基板１と第２基板２との間に形成された液晶層３が配向され、前記液晶層３の配向程度によって液晶層３を透過する光の量を調節して画像を表現できる。  
【００１０】
このような液晶表示装置をＴＮモード液晶表示装置と言い、前記ＴＮモード液晶表示装置は、視野角が狭いという短所を有しており、このようなＴＮモードの短所を克服するためにＩＰＳ（in-plane switching）モード液晶表示装置が開発された。  
【００１１】
前記ＩＰＳモード液晶表示装置は、第１基板の画素領域に画素電極と共通電極を一定の距離を有して互いに平行に形成し、前記画素電極と共通電極との間で基板と平行に電界が発生するようにし、この電界によって液晶層が配向されるようにしたものである。  
【００１２】
以下、従来のＩＰＳモードの液晶表示装置の製造方法について説明する。  
【００１３】
一般的な液晶表示装置の製造方法は、第１基板と第２基板との間に液晶層を形成する方法による液晶注入方式製造方法と、液晶滴下方式製造方法とに区分できる。  まず、液晶注入方式の液晶表示装置の製造方法は、次の通りである。  
【００１４】
図２は、一般的な液晶注入方式の液晶表示装置の製造方法を示したフローチャートである。  液晶表示装置は、大きく、アレイ工程、セル工程、モジュール工程などに区分される。  アレイ工程は、前述したように、前記ＴＦＴ基板に互いに垂直となる方向に形成されたゲートライン及びデータラインと、前記ゲートラインに平行に形成された共通ラインと、前記ゲートラインとデータラインが交差する部分に形成された薄膜トランジスターと、前記共通ラインから画素領域に延長される共通電極と、前記薄膜トランジスターのドレイン電極に連結され、前記共通電極の間に前記共通電極と平行に形成された画素電極などを備えているＴＦＴアレイを形成し、カラーフィルター基板にブラックマトリックス層、カラーフィルター層、及びオーバーコート層などを備えたカラーフィルターアレイを形成する工程である。  
【００１５】
この時、前記アレイ工程は、一つの基板に一つの液晶パネルを形成するのではなく、一つの大型ガラス基板に複数個の液晶パネルを設計して、各液晶パネル領域にそれぞれＴＦＴアレイ、及びカラーフィルターアレイを形成する。このように、ＴＦＴアレイが形成されたＴＦＴ基板と、カラーフィルターアレイが形成されたカラーフィルター基板とはセル工程ラインに移動する。  
【００１６】
次に、前記ＴＦＴ基板とカラーフィルター基板上に配向物質を塗布し、液晶分子が均一な方向性を有するようにするための配向工程（ラビング工程）(Ｓ１０)をそれぞれ進める。ここで、前記配向工程Ｓ１０は、配向膜塗布前の洗浄、配向膜印刷、配向膜塑性、配向膜検査、ラビング工程の順に進められる。  
【００１７】
次に、前記ＴＦＴ基板及びカラーフィルター基板をそれぞれ洗浄(Ｓ２０)する。そして、前記ＴＦＴ基板又はカラーフィルター基板上にセルギャップを一定に維持するためのボールスペーサーを散布(３０)し、前記各液晶パネル領域の外郭部に両基板を貼り合わせるためのシールパターンを形成する(Ｓ４０)。この際、シールパターンは、液晶を注入するための液晶注入口パターンを有するように形成される。  
【００１８】
ここで、ボールスペーサーは、プラスチックボールや弾性体プラスチック微粒子で形成されたものである。前記シールパターンが間に位置するように、前記ＴＦＴ基板とカラーフィルター基板とを向き合わせて両基板を貼り合わせ、前記シールパターンを硬化させる(Ｓ５０)。その後、前記貼り合せ及び硬化されたＴＦＴ基板、及びカラーフィルター基板を各単位液晶パネル領域別に切断し、加工(Ｓ６０)して、一定のサイズの単位液晶パネルを製作する。  
【００１９】
その後、それぞれの単位液晶パネルの液晶注入口を介して液晶を注入し、注入完了後に前記液晶注入口をシーリング（Ｓ７０）して液晶層を形成する。そして、各単位液晶パネルの外観及び電気的な不良検査（Ｓ８０）を進め、液晶表示装置を製作する。  
【００２０】
ここで、前記液晶注入工程について簡略に説明する。まず、注入する液晶物質を入れてある容器と、液晶を注入する液晶パネルとをチャンバー内部に位置させ、前記チャンバーの圧力を真空状態に維持することで、液晶物質の中や容器の内側に付いている水分を除去し、気泡を脱泡すると同時に前記液晶パネルの内部空間を真空状態にする。  
【００２１】
そして、所望の真空状態で前記液晶パネルの液晶注入口を、液晶物質を入れてある容器に浸す、あるいは接触させた後に、前記チャンバー内部の圧力を真空状態から大気圧状態にし、前記液晶パネル内部の圧力と、チャンバーの圧力との差によって液晶注入口を介して液晶物質が前記液晶パネルの内部に注入されるようにする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
しかしながら、かかる液晶注入方式の液晶表示装置の製造方法においては、次のような問題点がある。  
【００２３】
第一に、単位パネルにカッティングした後、両基板の間を真空状態に維持して液晶注入口を液晶液に浸して液晶を注入するため、液晶注入に多くの時間が必要とされ、生産性が低下する。  
【００２４】
第二に、大面積の液晶表示装置を製造する場合、液晶注入式で液晶を注入すると、パネル内に液晶が完全に注入されず不良の原因となる。  
【００２５】
第三に、上記のように工程が複雑で、多くの時間を要するので、複数個の液晶注入装備が要求され、たくさんの空間が必要とされる。したがって、このような液晶注入方式の問題点を克服するために、両基板のうち一方の基板に液晶を滴下させた後、両基板を貼り合せる液晶滴下型液晶表示装置の製造方法が開発された。  
【００２６】
図３は、液晶滴下型液晶表示装置の製造方法を示したフローチャートである。即ち、液晶滴下方式の液晶表示装置の製造方法は、両基板を貼り合わせる前に両基板のうち何れか一方の基板に適当量の液晶を滴下した後、両基板を貼り合わせる方法である。従って、液晶注入方式と同様にセルギャップ維持のためにボールスペーサーを使用する場合は、滴下した液晶が広がる時に前記ボールスペーサーが液晶の拡散方向に移動して、スペーサーが一方に片寄るので、正確なセルギャップの維持が不可能となる。それゆえ、液晶滴下方式では、ボールスペーサーを使用せず、スペーサーが基板に固定される固定スペーサー（カラムスペーサー、又はパターンドスペーサー）を使用しなければならない。  
【００２７】
即ち、図３に示したように、アレイ工程において、カラーフィルター基板にブラックマトリックス層、カラーフィルター層、及び共通電極を形成し、前記共通電極上に感光性樹脂を形成し、選択的に除去して前記ブラックマトリックス層上にカラムスペーサーを形成する。勿論、前記カラムスペーサーは、フォト工程、又はインクジェット工程によって形成できる。そして、前記カラムスペーサーを含むＴＦＴ基板、及びカラーフィルター基板の全面に配向膜を塗布し、その配向膜をラビング処理する。  
【００２８】
このように、配向工程が完了したＴＦＴ基板と、カラーフィルター基板をそれぞれ洗浄（Ｓ１０１）した後、前記ＴＦＴ基板とカラーフィルター基板のうち一方の基板上の一定の領域に液晶を滴下し（Ｓ１０２）、他方の基板の各液晶パネル領域の外郭部にディスペンシング装置を用いてシールパターンを形成する（Ｓ１０３）。この時、前記両基板のうち、一方の基板に液晶を滴下し、且つシールパターンをも形成しても良い。  
【００２９】
そして、前記液晶が滴下されていない基板を反転（裏返して向き合うようにする）し（Ｓ１０４）、前記ＴＦＴ基板とカラーフィルター基板とを押圧して貼り合せ、前記シールパターンを硬化させる（Ｓ１０５）。  
【００３０】
次に、単位液晶パネル別に前記した貼り合せ基板を切断及び加工する（Ｓ１０６）。そして、前記加工された単位液晶パネルの外観及び電気的な不良検査（Ｓ１０７）を進めることで、液晶表示素子を製作する。  
【００３１】
図４は、カラムスペーサーが形成された従来の液晶表示装置を示した概略断面図である。図４に示したように、前記液晶表示装置にはカラーフィルター基板２上にカラムスペーサー２０が形成され、ＴＦＴ基板に液晶を滴下して形成したものである。前述したように、前記カラムスペーサーは、カラーフィルター基板に固定されており、ＴＦＴ基板と接触する。そして、前記ＴＦＴ基板と接触するカラムスペーサーの面は、球状ではなく、平坦な面を有する。従って、液晶注入方式で製造される液晶表示装置では球状のボールスペーサーを使用し、且つスペーサーが基板に固定されないため、画面上に外部的な衝撃（押圧、摩擦など）を加えても液晶の復元力に優れており、染みが発生しない。  
【００３２】
しかしながら、カラムスペーサーを用いた液晶表示装置においては、次のような問題点があった。  
【００３３】
第一に、カラムスペーサーは、一方の基板には固定され、他方の基板と接触する面が球状でないため、前記ボールスペーサーに比べて基板に接触する面積が広く、基板との摩擦力が大きい。従って、カラムスペーサーが形成された液晶表示装置の画面を擦る場合、長時間染みが発生する。  
【００３４】
図５Ａ及び図５Ｂは、タッチスポットが生じる部位の状態を示した平面図及び断面図である。図５Ａに示したように、液晶パネル１０を所定の方向に指でタッチした状態でずらすと、図５Ｂに示したように、液晶パネル１０の上部基板２は、指のずれた方向に所定の間隔でシフトする。この時、円柱状のカラムスペーサー２０が上下部の基板１、２に触れ、その接触面積が大きくなるため、カラムスペーサー２０と対向基板（下部基板１）との間に発生する摩擦力が大きい。よって、カラムスペーサー２０の間の液晶３は、元の状態に戻り難く、そのまま残っているため、不透明に見える染みが継続的に観察される。  
【００３５】
また、所定の方向に指がタッチされた時、図５Ｂに示したように、最後の接触部位に液晶３が集まり、その部位が膨らむような形状となる。この場合、前記液晶が集まり、膨らんでいる部位は、カラムスペーサー２０の高さに定義される他の部位のセルギャップ（ｈ２）よりセルギャップ（ｈ１）が高くなり、液晶３の配列が不均一となるので光の漏れが生じる。  
【００３６】
また、パネル面上に指がずれながらタッチされた部位では液晶が散らばるため、その部位に液晶が残らず、ブラック状態で薄っすらとした染みが生じるので、このような染みは、パネル面の輝度が落ちる要因となる。  
【００３７】
第二に、上述したタッチスポットは、滴下する液晶量を増やせば解決され得るものの、タッチスポットが解消される反面、重力に起因する別の問題を引き起こす。即ち、液晶表示装置は、モニター、ノートパソコン、ＴＶなどの表示装置に用いられるものであり、使用時にパネルが垂直に立っている状態が多い。この時、重力方向に液晶が片
寄る。特に、前記パネルが高温状態にある時には、液晶の熱膨張性が高いため、その程度は深刻となる。  
【００３８】
第三に、ボールスペーサーは、多くの量が散布されるが、カラムスペーサーは、画素領域を除いた部分に選択的に形成されるので、カラムスペーサーが形成されない部分を押した場合、基板の撓みが生じやすく、又、押した部位のセルギャップが維持されず崩れる現象である押圧不良も観察される。  
【００３９】
本発明は上記の問題点を解決するために案出されたもので、その目的は、カラムスペーサーを用いるパネルの押圧染みの耐性を強化した液晶表示装置のスペーサー及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００４０】
上記目的を達成するための本発明に係る液晶表示装置は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板と第２基板のうち少なくとも何れか一方の基板上に形成され、それぞれは第１パターンと第２パターンを備え、前記第１パターンと前記第２パターンは互いに連結され、前記第２パターンは前記第１パターンより小さい接触表面を有する複数個のカラムスペーサーと、前記第１基板と前記第２基板との間に形成された液晶層とを含んでなることを特徴とする。  
【００４１】
前記複数個のカラムスペーサーは、同一の高さに形成されることを特徴とする。  
【００４２】
前記複数個のカラムスペーサーは、互いに異なる高さを有することを特徴とする。  
【００４３】
前記複数個のカラムスペーサーは、前記第１基板と前記第２基板の両方に接触する第１グループのカラムスペーサーと、前記第１基板と前記第２基板のうちの一方から離隔する第２グループのカラムスペーサーとを備えることを特徴とする。  
【００４４】
前記第１基板上にはＴＦＴアレイを、前記第２基板上にはカラーフィルターアレイを更に含んでいることを特徴とする。  
【００４５】
前記ＴＦＴアレイは、第１基板上に画素領域を形成するために互いに垂直に交差する複数個のゲートライン及びデータラインと、前記ゲートライン及び前記データラインのそれぞれの交差部に形成された複数個の薄膜トランジスターと、前記各画素領域内に互いに交互に形成された複数個の共通電極及び画素電極とを含んでなり、前記カラーフィルターアレイは、前記第２基板上に前記ＴＦＴアレイの金属配線及び薄膜トランジスター形成部に対応して形成されたブラックマトリックス層及び前記ブラックマトリックス層を含む第２基板上に形成されたカラーフィルター層と、前記カラーフィルター層の上部に形成されたオーバーコート層とを含んでなることを特徴とする。  
【００４６】
前記第１基板の背面の全面にＩＴＯ膜を更に含むことを特徴とする。  
【００４７】
前記複数個のカラムスペーサーは、前記カラーフィルターアレイ上に形成されることを特徴とする。  
【００４８】
前記複数個のカラムスペーサーは、前記ブラックマトリックス層形成部位に対応して形成されることを特徴とする。  
【００４９】
前記ＴＦＴアレイは、第１基板上に画素領域を形成し、互いに垂直に交差する複数個のゲートライン及びデータラインと、前記ゲートライン及び前記データラインのそれぞれの交差部に形成された複数個の薄膜トランジスターと、前記各画素領域内に形成された複数個の画素電極とを含んでなり、前記カラーフィルターアレイは、前記第２基板上に前記ＴＦＴアレイの金属配線及び薄膜トランジスター形成部に対応して形成されたブラックマトリックス層、及び前記ブラックマトリックス層を含む第２基板上に形成されたカラーフィルター層と、前記カラーフィルター層の上部に形成された共通電極とを含んでなることを特徴とする。  
【００５０】
前記複数個のカラムスペーサーは、前記ブラックマトリックス層形成部位に対応して形成されることを特徴とする。  
【００５１】
前記第１基板と前記第２基板の表面に形成される配向膜を更に含むことを特徴とする。  
【００５２】
前記カラムスペーサーの第１パターンは、横１０μｍ〜３５μｍ×縦１０μｍ〜３５μｍの第１断面積を有し、前記第２パターンは、横１０μｍ以下×縦１０μｍ以下の第２断面積を有することを特徴とする。  
【００５３】
前記カラムスペーサーの高さは、２μｍ以上であることを特徴とする。  
【００５４】
前記第１パターンは、第１高さを有し、前記第２パターンは、前記第１高さより低い第２高さを有することを特徴とする。  
【００５５】
また、上記目的を達成するための本発明に係る液晶表示装置は、ＴＦＴアレイが形成された第１基板と、前記第１基板と対向し、カラーフィルターアレイが形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板に接触するように形成された第１カラムスペーサーと、前記第２基板上に前記第１基板と所定の間隔で離隔するように形成された第２カラムスペーサーと、前記第１基板と前記第２基板との間に形成された液晶層とを含んでなることを特徴とする。  
【００５６】
前記第１基板及び前記第２基板の表面にそれぞれ形成された配向膜を更に含むことを特徴とする。  
【００５７】
また、上記目的を達成するための本発明に係る液晶表示装置は、ＴＦＴアレイが形成された第１基板と、前記第１基板と対向し、カラーフィルターアレイが形成された第２基板と、前記第２基板上に、第１断面積と第１高さを有して形成された第１パターンと、前記第１パターンに比べて小さい第２断面積と第２高さを有する第２パターンとを備え、前記第１パターンと第２パターンとが互いに接続された第１カラムスペーサーと、前記第２基板上に前記第１高さに形成された第２カラムスペーサーと、前記第１基板と前記第２基板との間に形成された液晶層とを含んでなることを特徴とする。  
【００５８】
前記第１基板及び前記第２基板の表面にそれぞれ形成される配向膜を更に含むことを特徴とする。  
【００５９】
上記目的を達成するための本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、第１基板上にＴＦＴアレイを形成する段階と、第２基板上にカラーフィルターアレイを形成する段階と、前記第２基板上に形成され、各カラムスペーサーは互いに連結される第１パターンと第２パターンとを備え、第２パターンは第１パターンより小さい接触表面を有する複数個の第１カラムスペーサーを形成する段階と、前記第１基板上に液晶滴下する段階と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せる段階とを含んでなることを特徴とする。  
【００６０】
前記第１基板及び前記第２基板の表面にそれぞれ配向膜を形成する段階を更に含むことを特徴とする。  
【００６１】
前記複数個のカラムスペーサーを形成する段階は、第１断面積と第１高さを有する第１パターンと、前記第１パターンより小さい第２断面積と第２高さを有する第２パターンとを形成する段階を含むことを特徴とする。  
【００６２】
また、上記目的を達成するための本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、第１基板上にＴＦＴアレイを形成する段階と、第２基板上にカラーフィルターアレイを形成する段階と、前記第２基板上に互いに段差のある第１カラムスペーサーと第２カラムスペーサーを形成する段階と、前記第１基板上に液晶滴下する段階と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せる段階とを含んでなることを特徴とする。  
【００６３】
前記第１基板及び前記第２基板の表面にそれぞれ配向膜を形成する段階を更に含んでいることを特徴とする。  
【００６４】
また、上記目的を達成するための本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、第１基板上にＴＦＴアレイを形成する段階と、第２基板上にカラーフィルターアレイを形成する段階と、前記第２基板上に第１断面積と第１高さを有する第１パターンと、前記第１パターンに比べて小さい第２断面積と第２高さを有する第２パターンとを備え、前記第１パターンと前記第２パターンが互いに接続された第１カラムスペーサーを形成する段階と、前記第２基板上に前記第１カラムスペーサーの前記第１パターンの前記第１高さに相当する第２カラムスペーサーを形成する段階と、前記第１基板上に液晶滴下する段階と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せる段階とを含んでなることを特徴とする。  
【００６５】
前記第１基板及び前記第２基板の表面にそれぞれ配向膜を形成する段階を更に含んでいることを特徴とする。
【発明の効果】
【００６６】
本発明の液晶表示装置及びその製造方法には、次のような効果がある。  
【００６７】
液晶パネルの大面積化に伴い、生産性向上のために液晶滴下方式で液晶表示装置を製造し、更にカラムスペーサーを使用する場合にも、前記カラムスペーサーの形状を対向する基板で相対的に小さい面積を有するように異形のパターンに形成することで、前記カラムスペーサーと対向する基板との間の接触面積を減少させ、カラムスペーサーと基板との間の摩擦力を減少させる。  
【００６８】
従って、液晶パネル面を所定の方向に擦ってもカラムスペーサーと対向する基板との間の摩擦力が低くなり、液晶の復元が素早く進められるので、タッチスポットを防止することができ、タッチスポットによって発生する輝度の不均一を改善して、感度に優れた液晶パネルを生産することができる。  
【００６９】
また、このような異型のパターンを有するカラムスペーサーを複数個のカラムスペーサーのうち選択的に形成し、残りのカラムスペーサーは、対向基板と離隔させ形成することで、残りのカラムスペーサー領域では押圧不良を防止できる。  
【００７０】
結果的に、現在技術で成される良品チャンネルの収率をより増加させることができ、大型化の進行に伴い発生するタッチ及び重力の問題点を解決することで、ＬＣＤパネルの大型化をより容易に実用化できる付加的な効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７１】
以下、本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法について、添付の図面に基づいて詳細に説明する。  
【００７２】
第１実施形態  図６は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の構造断面図である。図６に示すように、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置は、カラーフィルターアレイが形成されたカラーフィルター基板１００と、前記カラーフィルターアレイと対向してＴＦＴアレイが形成されたＴＦＴ基板２００と、カラーフィルター基板１００とＴＦＴ基板２００との間の液晶層２５０とを含んで形成される。前記カラーフィルター基板１００は、複数個のカラムスペーサー３００を含んでおり、それぞれのカラムスペーサーは、第１断面積及び第１高さで形成された第１パターン８１と、第２断面積及び第２高さで形成された第２パターン８２を含む。図６に示すように、第２パターン８２は、第１パターン８１と接続されている。さらに、前記第１パターン８１の第１断面積及び第１高さは、前記第２パターン８２の第２面積及び第２高さより大きなサイズとなっている。  
【００７３】
図７Ａ乃至図７Ｅは、本発明のカラムスペーサーを形成する方法を示す工程断面図である。即ち、図７Ａにおいて、カラーフィルター基板１００上に、第１有機絶縁膜８１ａ、感光膜９１が順次形成される。図７Ｂにおいて、前記感光膜９１を露光及び現像して第１感光膜パターン９１ａを形成する。  
【００７４】
図７Ｃにおいて、前記第１感光膜パターン９１ａをマスクに用いて前記第１有機絶縁膜８１ａを選択的に除去して第１パターン８１を形成する。  
【００７５】
図７Ｄにおいて、前記第１パターン８１の上部に第１パターン８１と同一の材質の第２有機絶縁膜８２ａを所定の厚さに形成する。ここで、前記第２有機絶縁膜８２ａの厚さは、前記第１有機絶縁膜８１ａに比べて相対的に薄くする。  
【００７６】
次に、前記第２有機絶縁膜８２ａの上部に感光膜を塗布し、前記感光膜を露光及び現像して、前記第１感光膜パターン９１ａに比べて相対的に小さい幅を有する第２感光膜パターン９２を形成する。  
【００７７】
図７Ｅにおいて、前記第２感光膜パターン９２をマスクにして前記有機絶縁膜８２ａを選択的に除去して第２パターン８２を形成する。この時、前記第２パターン８２の幅は、前記第１パターン８１に比べて相対的に狭い幅を有する。このように、第１パターン８１と第２パターン８２は、同一の物質でパターン工程完了
後に、連結された形状として形成される。  
【００７８】
また、前記カラムスペーサーを形成する方法は、図７Ａ乃至図７Ｅに示したように、各パターンに対して感光膜パターンを異なるように形成する方法の他に、感光膜パターンなしで感光性有機樹脂の材料を使って感光性有機樹脂に対して直接露光工程を進めて、各パターンに対してパターニングすることも可能である。  
【００７９】
さらに、上記のようなカラムスペーサー３００は、各パターンに対して個別的にパターニングを行う方法の他に、有機絶縁膜又は感光性樹脂をカラムスペーサーの長さだけ形成した後、ハーフトーンマスクを用いて回折露光法でパターニングする方法によっても形成することが可能である。  
【００８０】
以下、回折露光法を用いたカラムスペーサーの製造方法を説明する。  
【００８１】
図８Ａ乃至図８Ｃは、本発明のカラムスペーサーを回折露光法で形成する方法を示した工程断面図である。図８Ａにおいて、有機絶縁膜３００ａは、カラムスペーサーの高さ（ｔ１＋ｔ２）に相当する厚さに形成され、その上部に感光膜が塗布される。次に、一つのマスク内に遮光部（Ｎ）、半透過部（Ｍ）、透過部（Ｌ）が共に定義された回折露光マスク（図示せず）を用意する。このような前記回折露光マスクの遮光部（Ｎ）は、クロム（Ｃｒ）などの遮光物質からなり、透過部（Ｌ）は、石英などの投影物質からなり、前記半透過部（Ｍ）は、光透過量を調節して透過させるハーフトーン材質からなっている。  
【００８２】
前記回折露光マスクを用いて前記感光膜をパターニングすることにより、それぞれ透過部（Ｌ）はオープンされ、所定の高さの遮光部（Ｎ）と、前記遮光部（Ｎ）より相対的に低い高さの半透過部（Ｍ）とを備えた感光膜パターン９３が形成される。  
【００８３】
その後、図８Ｂにおいて、前記感光膜パターン９３をマスクに用いて、まず始めに透過部に対応する前記有機絶縁膜３００ａを除去して、有機絶縁膜パターン３００ｂを形成する。次に、前記感光膜パターン９３を半透過部（Ｍ）が除去される程度にアッシングして、遮光部（Ｎ）に対応する部分のみが所定の厚さに残った感光膜パターン９３を形成する。  
【００８４】
図８Ｃにおいて、前記感光膜パターン９３をマスクに用いて前記有機絶縁膜パターン３００ｂを選択的に除去して、第１パターン８１と、相対的に第１パターン８１に比べて面積の狭い第２パターン８２とを形成する。  
【００８５】
以上で説明した回折露光法以外にも、有機絶縁膜又は感光性有機樹脂を所定の厚さに形成した後、これを所定のパターンが形成されたローラーを用いてインクジェット工程を進る方法によっても、カラムスペーサー３００を形成することが可能である。  
【００８６】
上記のようなカラムスペーサー３００の第１パターン８１と、第２パターン８２のそれぞれの高さ（ｔ１、ｔ２）は、前記第１パターン８１の方が相対的に高く形成されている。この時、前記第１、第２パターン８１、８２の高さを合わせた値（ｔ１＋ｔ２）は、セルギャップに相当し、２．０μｍ以上、好ましくは約２．６μｍ〜２．８μｍである。このうち、前記第２パターン８２の高さは、約０．４μｍ〜０．６μｍである。  
【００８７】
また、前記第１パターン８１、第２パターン８２の面積は、それぞれ１０〜３５μｍ×１０〜３５μｍ、１０μｍ×１０μｍ以下に形成する。好ましくは、前記第１パターン８１は、２０μｍ×２０μｍ、前記第２パターン８２は、０．４〜０．６μｍ×０．４〜０．６μｍで形成することが好ましい。  
【００８８】
このように、カラムスペーサー３００は、対向するＴＦＴ基板２００との接触部分の面積を小さくして形成される。その理由は、パネル面を所定の方向にタッチする時に、前記カラムスペーサー３００と対向するＴＦＴ基板２００との接触部位を最小化させ、接触部位で発生するカラムスペーサー３００とＴＦＴ基板２００との摩擦力を減らすことで、タッチによって発生するカラーフィルター基板１００の移動を容易に原状復帰させるためである。これにより、タッチスポットの発生を防止する。  
【００８９】
前記カラムスペーサー３００は、従来の液晶表示装置に備えられたカラムスペーサーに比べて、第２パターン８２が形成されていないＢ領域の空間（図６参照）を形成する。  
【００９０】
ＴＦＴ基板２００又はカラーフィルター基板１００上への液晶滴下時や、或いは液晶注入時には、まずＡ領域に液晶を満たした後、液晶量が多い場合は、Ｂ領域も満たすこととなる。初期液晶注入時には、前記Ｂ領域には液晶が流入しない。これは、Ａ領域に比べてＢ領域の面積対比摩擦力が大きいからである。従って、たとえ前記Ｂ領域に空きがあったとしても前記カラムスペーサー３００の第１パターン８１によって遮られているため大きい問題にはならない。  
【００９１】
しかし、液晶量が更に増加して液晶が高温になると、液晶の膨張力は更に大きくなり、現在の液晶量を充分に収容できる空間が必要となる。前記第２パターン８２の周囲のＢ領域は、その体積だけ液晶量を収容する空間となるので、重力による液晶材料の集中を緩和することができる。  
【００９２】
第２実施形態  図９は、本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置の構造断面図である。  図９に示したように、本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置は、互いに異なる高さの第１カラムスペーサー３０１と、第２カラムスペーサー３０２とを形成したものである。この際、前記第１カラムスペーサー３０１と第２カラムスペーサー３０２は、同一の物質で形成し、上述したハーフトーンマスクなどを用いて互いに段差をおいて形成する。このような第１カラムスペーサー３０１と第２カラムスペーサー３０２は、互いに段差があるものの、それぞれの断面は、約２７μｍ×２７μｍで全て一致するように形成する。ここで、前記第１カラムスペーサー３０１は、前記ＴＦＴ基板２００と互いに離隔して形成され、前記第２カラムスペーサー３０２は、前記ＴＦＴ基板２００と接して形成される。  
【００９３】
ここで、前記第１カラムスペーサー３０１は、液晶パネルの内部に所定のカラムスペーサー密度を維持して押圧不良を防止する機能を果たし、前記第２カラムスペーサー３０２は、ＴＦＴ基板２００と接して前記カラーフィルター基板１００とＴＦＴ基板２００との間のセルギャップを維持する機能を果たす。  
【００９４】
この場合も第１実施形態と同様に、形成されたカラムスペーサーのうち一部がＴＦＴ基板２００と接せず、パネル面を所定の方向にタッチする時に全体のカラムスペーサーに対してＴＦＴ基板２００に対する接触面積を減らすことで、摩擦力を減少させ、タッチによる基板の移動時に元の状態へ直ぐに回復させてタッチスポットを防止できる。  
【００９５】
第３実施形態  図１０は、本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置の構造断面図である。図１０に示したように、本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置は、前記カラーフィルター基板１００上に前記ＴＦＴ基板２００と所定の間隔で離隔した第１カラムスペーサー３０３と、前記第１カラムスペーサー３０３の高さ及び断面積と同一に形成された第１パターン８１及び、前記第１パターン８１の上部に接続され、前記第１パターン８１に比べて小さい第２断面積の所定の高さに形成された第２パターン８２からなる第２カラムスペーサー３０４とを含んで構成される。  
【００９６】
このような第１カラムスペーサー３０３と第２カラムスペーサー３０４は、セルギャップに当たる所定の厚さに感光性有機樹脂又は絶縁性有機膜を形成した後、まず始めに、これを回折露光マスクの透過部を用いてカラムスペーサー領域に当たる部位のみを残すようにパターニングする。  
【００９７】
次に、前記回折露光マスクの半透過部を用いてパターニングされたカラムスペーサー領域のうち、第２パターン８２形成部を除いた残りの部分を所定の高さ（ｔ２）だけ除去して第１カラムスペーサー３０３、第２カラムスペーサー３０４を形成する。  
【００９８】
この場合、上述したように、一つの層を、回折露光マスクを用いて第１カラムスペーサー３０３と第２カラムスペーサー３０４を形成したり、或いは前記それぞれの第１パターン８１と第２パターン８２に対して、個別に絶縁性有機膜又は感光性有機樹脂の層を形成した後、各層に対してパターニング工程を進め、第１カラムスペーサー３０３と第２カラムスペーサー３０４を形成することができる。  
【００９９】
このように形成された第１カラムスペーサー３０３は、前記ＴＦＴ基板２００と所定の間隔（ｔ２）で離隔し、前記第２カラムスペーサー３０４は、第２パターン８２の断面に当たる部分のみＴＦＴ基板２００と接触する。従って、同一の断面積で全てのスペーサーがＴＦＴ基板２００と接触して形成される構造の液晶表示装置に比べてタッチ時に原状回復が容易で、重力により所定の方向に液晶分子が集中することを減少させることができる。  
【０１００】
以下では、第３実施形態に基づいて本発明の液晶表示装置及びその製造方法について詳細に説明する。  
【０１０１】
図１１は、本発明の第３実施形態を具体的にＩＰＳモードで具現した液晶表示装置を示した平面図で、図１２は、図１１のＩＩ〜ＩＩ´線上の断面図である。図１１及び図１２に示したように、本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置は、一定の空間を有して貼り合せられたカラーフィルター基板１００及びＴＦＴ基板２００と、前記カラーフィルター基板１００とＴＦＴ基板２００との間に注入された液晶層２５０とで構成されている。  
【０１０２】
より具体的に説明すると、前記カラーフィルター基板１００は、ガラス基板６０上に画素領域を除いた部分（ゲートライン及びデータライン領域、薄膜トランジスター領域）の光を遮断するためのブラックマトリックス層３１が形成され、前記各画素領域に対応した部分に色相を表現するためのＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルター層３２が形成され、前記ブラックマトリックス層３１と、カラーフィルター層３２の上部を平坦化するためのオーバーコート層３３が全面に形成される。  
【０１０３】
そして、前記オーバーコート層３３の上側の所定の部分に、感光性樹脂などのような物質からなり、且つ互いに異なる層を有する第１カラムスペーサー３０３及び第２カラムスペーサー３０４が形成される。  
【０１０４】
ここで、前記第２カラムスペーサー３０４は、第１実施形態で説明したカラムスペーサー３００と同一の方法で形成する。即ち、図７Ａ乃至図７Ｅで説明した第１パターン、第２パターンに対する別途のパターニングを進める方法や、図８Ａ乃至図８Ｃで説明した回折露光法を用いて、相対的に断面積が広く、且つ高さ（ｔ１）が同じか長い第１パターン８１と、前記第１パターン８１に比べて相対的に断面積が狭く、且つ高さ（ｔ２）が同じか短い第２パターン８２とで構成される。この時、第１カラムスペーサー３０３は、前記第２パターン８２を定義するためのパターニング段階時に、前記第１カラムスペーサー３０３形成部で第２パターンの該当高さ（ｔ２）だけ、有機絶縁膜を除去して形成する。  
【０１０５】
そして、前記第１カラムスペーサー３０３と第２カラムスペーサー３０４を含む前記オーバーコート層３３の表面に配向膜（図示せず）を全面形成し、これをラビング処理する。ここで、ラビング処理とは、布を均一の圧力や速度で配向膜の表面と摩擦させることで、前記配向膜の表面の高分子チェーンが一定の方向に整列されるようにして液晶の初期配向方向を決定する工程をいう。  
【０１０６】
前記カラーフィルター基板１００に対向するＴＦＴ基板２００は、ガラス基板７０上に垂直に交差して画素領域を定義する複数個のゲートライン４１及びデータライン４２が形成され、前記各画素領域には基板と平行な電界を形成する画素電極４３及び共通電極３５が交互に形成され、前記各ゲートライン４１とデータライン４２が交差する部分に薄膜トランジスターが形成される。そして、前記ゲートライン４１と平行するように画素内に配置された共通ライン３６と、前記画素電極４３から延長され、共通ライン３６の上部にオーバーラップしたキャパシター電極４７とが更に備えら
れている。  
【０１０７】
具体的に、前記共通ライン３６及び共通電極３５は、一体型で、前記ゲートライン４１と同時に形成され、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉなどの低抵抗金属から形成される。  
【０１０８】
そして、前記画素電極４３は、前記共通電極３５と交互に形成されるが、前記データライン４２と同時に形成したり、互いに異なる層に形成したりすることもできる（図面には互いに異なる層に形成されることを図示する）。この時、前記共通電極３５及び画素電極４３は、一直線状に交互に形成する、あるいは、図１１に示したように、ジグザグ状に形成しても構わない。  
【０１０９】
前記共通電極３５と画素電極４３との間には、両パターンを分離するために絶縁膜が更に備えられるが、ゲート絶縁膜又は保護膜と同一の成分のシリコン窒化物、又はシリコン酸化物からなる絶縁膜である。ここで、前記薄膜トランジスター、画素電極及び突起の製造方法について詳細に説明する。  
【０１１０】
前記ガラス基板７０上にＭｏ、Ａｌ、又はＣｒなどのような金属物質をスパッタリング方法で全面蒸着した後、フォトリソグラフィ工程で前記金属物質をパターニングして、複数個のゲートライン４１と、前記ゲートライン４１から突出するゲート電極４１ａとを同時に形成する。この工程において、前記ゲートライン４１と平行に共通ライン３６を形成し、共通電極３５は、ジグザグパターンにおける画素領域の前記共通ライン３６から突出する。  
【０１１１】
次に、前記ゲートライン４１などを含むガラス基板７０上にＳｉＮｘなどの絶縁物質を全面蒸着してゲート絶縁膜４５を形成し、前記ゲート絶縁膜４５上に半導体層を蒸着し、パターニングして前記ゲート電極４１ａの上側のゲート絶縁膜４５上に半導体層４４を形成する。  
【０１１２】
ここで、前記半導体層４４は、非晶質シリコン層及び燐（Ｐ）が高濃度でドーピングされたシリコン層を連続的に蒸着した後、前記非晶質シリコン層及びドーピングされたシリコン層を同時にパターニングして形成される。  
【０１１３】
そして、Ｍｏ、Ａｌ、又はＣｒなどのような金属物質をスパッタリング方法で全面蒸着し、フォトリソグラフィ工程で前記金属物質をパターニングして、前記ゲートライン４１と垂直方向にデータライン４２を形成すると同時に、前記半導体層４４の両側にソース電極４２ａ、ドレイン電極４２ｂを形成する。ここで、前記ソース電極４２ａは、前記データライン４２から突出して形成される。  
【０１１４】
ソース／ドレイン電極パターニング工程で、前記ソース電極４２ａとドレイン電極４２ｂとの間のドーピングされたシリコン層は、除去される。  
【０１１５】
次に、前記ソース電極４２ａ及びドレイン電極４２ｂを含む基板の全面に化学気相蒸着（ＣＶＤ）方式によってＳｉＮｘ材質の保護膜４６を蒸着する。このような保護膜４６の材料としては、主にＳｉＮｘなどの無機物質が適用されており、最近、液晶セルの開口率を向上させるために、ＢＣＢ(Benzo Cyclo Butene）、ＳＯＧ(Spin On Glass）、又はアクリルなどの誘電率の低い有機物質が使用されている。  
【０１１６】
そして、前記ドレイン電極４２ｂ上の保護膜４６の一部を選択的にエッチングしてドレイン電極４２ｂの一部を露出させるコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極４２ｂに電気的に連結されるように前記保護膜４６上に透明導電膜をスパッタリングして蒸着した後、前記画素領域のみに残るように選択的に除去して、前記画素領域に前記共通電極３５と交互にジグザグパターンの画素電極４３を形成する。  
【０１１７】
次に、図示してはいないが、互いに向き合うカラーフィルター基板１００と対向するＴＦＴ基板２００の表面の全面に配向膜を形成し、ラビング処理をする。  
【０１１８】
図１３は、本発明の第３実施形態を具体的にＴＮモードで具現した液晶表示装置を示す平面図である。図１４は、図１３のＩＩＩ〜ＩＩＩ´線上の断面図である。図１３及び図１４に示したように、ＴＮモードによる本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置は、一定の空間を有して貼り合せられたカラーフィルター基板１００及びＴＦＴ基板２００と、前記カラーフィルター基板１００とＴＦＴ基板２００との間に注入された液晶層２５０とで構成されている。  
【０１１９】
より具体的に説明すると、前記カラーフィルター基板１００は、ガラス基板６０上に画素領域を除いた部分（ゲートライン及びデータライン領域、薄膜トランジスター領域）の光を遮断するためのブラックマトリックス層３１が形成され、前記各画素領域に対応した部分に色相を表現するためのＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルター層３２が形成され、前記ブラックマトリックス層３１と、カラーフィルター層３２の上部を平坦化するためのＩＴＯからなる共通電極３７が全面に形成される。  
【０１２０】
そして、前記共通電極３７の上側の所定の部分に、感光性樹脂などのような物質からなり、且つそれぞれ互いに異なる層の第１カラムスペーサー３０３及び第２カラムスペーサー３０４が形成される。ここで、前記第２カラムスペーサー３０４は、高さ方向に同一の第１断面積の第１パターン８１及び、前記第１パターン８１の上部に前記第１パターン８１と接続され、前記第１パターン８１に比べて小さい第２断面積の所定の高さに形成された第２パターン８２とからなる。  
【０１２１】
そして、前記第１カラムスペーサー３０３と第２カラムスペーサー３０４の表面に配向膜（図示せず）を形成し、これをラビング処理する。ここで、ラビング処理とは、布を均一の圧力や速度で配向膜の表面と摩擦させることで、前記配向膜の表面の高分子チェーンが一定の方向に整列されるようにして液晶の初期配向方向を決定する工程をいう。  
【０１２２】
前記カラーフィルター基板１００に対向するＴＦＴ基板２００は、ガラス基板７０上に垂直に交差して画素領域を定義する複数個のゲートライン４１及びデータライン４２が形成され、前記各画素領域には画素電極４３が形成され、前記各ゲートライン４１とデータライン４２が交差する部分に薄膜トランジスターが形成される。  
【０１２３】
ここで、前記薄膜トランジスター、画素電極及び突起の製造方法について詳細に説明する。  
【０１２４】
前記ガラス基板７０上にＭｏ、Ａｌ、又はＣｒなどのような金属物質をスパッタリング方法で全面蒸着した後、フォトリソグラフィ工程で前記金属物質をパターニングして、複数個のゲートライン４１と、前記ゲートライン４１から突出するゲート電極４１ａとを同時に形成する。  
【０１２５】
次に、前記ゲートライン４１などを含むガラス基板７０上にＳｉＮｘなどの絶縁物質を全面蒸着してゲート絶縁膜４５を形成し、前記ゲート絶縁膜４５上に半導体層を蒸着し、パターニングして前記ゲート電極４１ａの上側のゲート絶縁膜４５上に半導体層４４を形成する。  
【０１２６】
ここで、前記半導体層４４は、非晶質シリコン層、及び燐（Ｐ）が高濃度でドーピングされたシリコン層を連続的に蒸着した後、前記非晶質シリコン層、ドーピングされたシリコン層を同時にパターニングして形成される。  
【０１２７】
そして、Ｍｏ、Ａｌ、又はＣｒなどのような金属物質をスパッタリング方法で全面蒸着し、フォトリソグラフィ工程で前記金属物質をパターニングして、前記ゲートライン４１と垂直方向にデータライン４２を形成すると同時に、前記半導体層４４の両側にソース電極４２ａ、ドレイン電極４２ｂを形成する。ここで、前記ソース電極４２ａは、前記データライン４２から突出して形成される。  
【０１２８】
ソース／ドレイン電極パターニング工程で、前記ソース電極４２ａとドレイン電極４２ｂとの間のドッピングされたシリコン層は除去される。  
【０１２９】
次に、前記ソース電極４２ａ及びドレイン電極４２ｂを含む基板の全面に化学気相蒸着（ＣＶＤ）方式によってＳｉＮｘ材質の保護膜４６を蒸着する。このような保護膜４６の材料としては、主にＳｉＮｘなどの無機物質が適用されており、最近、液晶セルの開口率を向上させるために、ＢＣＢ(Benzo Cyclo Butene）、ＳＯＧ(Spin On Glass）、又はアクリルなどの誘電率の低い有機物質が使用されている。  
【０１３０】
そして、前記ドレイン電極４２ｂ上の保護膜４６の一部を選択的にエッチングしてドレイン電極４２ｂの一部を露出させるコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極４２ｂに電気的に連結されるように前記保護膜４６上に透明導電膜をスパッタリングして蒸着した後、前記画素領域のみに残るように選択的に除去して、前記画素領域に画素電極４３を形成する。  
【０１３１】
次に、図示してはいないが、互いに向き合うカラーフィルター基板１００と対向するＴＦＴ基板２００の表面の全面に配向膜を形成し、ラビング処理する。  
【０１３２】
一方、本発明で説明したカラムスペーサー３００〜３０４は、開口率の損失を避けるようにブラックマトリックス層３０１の領域に形成される。  
【０１３３】
上記ではカラーフィルター基板にカラムスペーサーを形成したものを説明したが、これに限定されず、同一の形状のカラムスペーサーをＴＦＴ基板に形成する方法も可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１３４】
【図１】一般的な液晶表示装置を示す拡大斜視図である。
【図２】液晶注入型液晶表示装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】液晶滴下型液晶表示装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】カラムスペーサーが形成された液晶表示装置を示す概略断面図である。
【図５Ａ】タッチスポットが生じる部位の状態を示す平面図である。
【図５Ｂ】タッチスポットが生じる部位の状態を示す断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の構造断面図である。
【図７Ａ】本発明のカラムスペーサーを形成する方法を示す工程断面図である。
【図７Ｂ】本発明のカラムスペーサーを形成する方法を示す工程断面図である。
【図７Ｃ】本発明のカラムスペーサーを形成する方法を示す工程断面図である。
【図７Ｄ】本発明のカラムスペーサーを形成する方法を示す工程断面図である。
【図７Ｅ】本発明のカラムスペーサーを形成する方法を示す工程断面図である。
【図８Ａ】本発明のカラムスペーサーを回折露光法で形成する方法を示す工程断面図である。
【図８Ｂ】本発明のカラムスペーサーを回折露光法で形成する方法を示す工程断面図である。
【図８Ｃ】本発明のカラムスペーサーを回折露光法で形成する方法を示す工程断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置の構造断面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置の構造断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態を具体的にＩＰＳモードで具現した液晶表示装置を示す平面図である。
【図１２】図１１のＩＩ〜ＩＩ´線上の断面図である。
【図１３】本発明の第３実施形態を具体的にＴＮモードで具現した液晶表示装置を示す平面図である。
【図１４】図１３のＩＩＩ〜ＩＩＩ´線上の断面図である。
【符号の説明】
【０１３５】
３１  ブラックマトリックス層、３２  カラーフィルター層、３３  オーバーコート層、３５  共通電極、３６  共通ライン、３７  共通電極、４１  ゲートライン、４１ａ  ゲート電極、４２  データライン、４２ａ  ソース電極、４２ｂ  ドレイン電極、４３  画素電極、４４  半導体層、４５  ゲート絶縁膜、４６  保護膜、４７  キャパシター電極、５５  液晶層、６０  第１基板、７０  第２基板、８１  第１パターン、８２  第２パターン、１００  カラーフィルター基板、２００  ＴＦＴ基板、３００〜３０４  カラムスペーサー。 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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