(57)【要約】  【課題】  生産効率の低下を招くことなく、隣接する真空チャンバ間におけるガス混入を低減できるようにする。  【解決手段】  切替手段３1〜３7によりガスｇ1〜ｇ7の導出先を真空チャンバ１1〜１7側から排気用真空ポンプ５1〜５7側に切り替え、真空ポンプ１1〜１7により複数の真空チャンバ１1〜１7内に導入されたガスｇ1〜ｇ7を排気し、開閉手段６1〜６8を開いて搬送手段により対象物７を搬送し、開閉手段６1〜６8を閉じて切替手段３1〜３7によりガスｇ1〜ｇ7の導出先を排気用真空ポンプ５1〜５7側から真空チャンバ１1〜１7側に切り替える。これにより、開閉手段６1〜６8を開くときに真空チャンバ１1〜１7へのガス導入を素早く停止し、開閉手段６1〜６8を閉じた後に真空チャンバ１1〜１7に導入するガスｇ1〜ｇ7の流量を素早く安定させることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
隣接する複数の真空チャンバと、
上記複数の真空チャンバ間を開閉するための開閉手段と、
上記複数の真空チャンバを真空引きする真空ポンプと、
上記真空チャンバ側および排出側のどちらか一方にガスの導出先を切り替える切換手段と、
上記開閉手段を介して上記複数の真空チャンバ間における対象物の搬送を行う搬送手段と
を備え、
上記切替手段によりガスの導出先を上記真空チャンバ側から上記排気側に切り替え、上記真空ポンプにより上記複数の真空チャンバ内に導入されたガスを排気し、上記開閉手段を開いて上記搬送手段により対象物を搬送し、上記開閉手段を閉じて上記切替手段によりガスの導出先を上記排気側から上記真空チャンバ側に切り替えることを特徴とする真空装置。
【請求項２】
ガスを排気するためのガス排気用真空ポンプを上記排気側にさらに備えることを特徴とする請求項１記載の真空装置。
【請求項３】
上記複数の真空チャンバは一列をなすように隣接することを特徴とする請求項１記載の真空装置。
【請求項４】
上記複数の真空チャンバの１つに対して、他の真空チャンバがそれぞれ隣接することを特徴とする請求項１記載の真空装置。
【請求項５】
上記複数の真空チャンバに導入されるガスの種類は、少なくとも２種以上であることを特徴とする請求項１記載の真空装置。
【請求項６】
対象物に薄膜を成膜するためのソースを上記真空チャンバ内にさらに備えることを特徴とする請求項１記載の真空装置。
【請求項７】
隣接する複数の真空チャンバと、
上記複数の真空チャンバ間を開閉するための開閉手段と、
上記複数の真空チャンバを真空引きする真空ポンプと、
上記真空チャンバ側および排出側のどちらか一方にガスの導出先を切り替える切換手段と
上記開閉手段を介して上記複数の真空チャンバ間における対象物の搬送を行う搬送手段と
を備える真空装置の制御方法であって、
上記切替手段によりガスの導出先を上記真空チャンバ側から上記排気側に切り替え、上記真空ポンプにより上記複数の真空チャンバ内に導入されたガスを排気し、上記開閉手段を開いて上記搬送手段により対象物を搬送し、上記開閉手段を閉じて上記切替手段によりガスの導出先を上記排気側から上記真空チャンバ側に切り替えることを特徴とする真空装置の制御方法。
【請求項８】
ガスを排気するためのガス排気用真空ポンプを上記排気側にさらに備えることを特徴とする請求項８記載の真空装置の制御方法。
【請求項９】
上記複数の真空チャンバは一列をなすように隣接することを特徴とする請求項８記載の真空装置の制御方法。
【請求項１０】
上記複数の真空チャンバの１つに対して、他の真空チャンバがそれぞれ隣接することを特徴とする請求項８記載の真空装置の制御方法。
【請求項１１】
上記複数の真空チャンバに導入されるガスの種類が、少なくとも２種以上であることを特徴とする請求項８記載の真空装置の制御方法。
【請求項１２】
対象物に薄膜を成膜するためのソースを上記真空チャンバ内にさらに備え、
上記切替手段によりガスの導出先を切り替える前に、上記ソースにより対象物上に薄膜を形成することを特徴とする請求項８記載の真空装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、隣接する複数の真空チャンバを有する真空装置およびその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学ディスクや半導体の製造工程においては様々の真空装置が用いられるが、近年最も広く利用されている真空装置の一つとして、隣接する複数の真空チャンバを有する真空装置がある。
【０００３】
図１２は、隣接する複数の真空チャンバを有する真空装置を示す模式図である。図１２に示すように、この真空装置は、真空チャンバ１０１1〜１０１4と、扉（バルブ）１０６1〜１０６5と、真空ポンプ（図１２中、ＶＰ）１０２1〜１０２4と、流量制御装置（図１２中、ＭＦＣ）１０４1〜１０４4とを備える。
【０００４】
真空チャンバ１０１1〜１０１4が一列をなすように隣接している。扉１０６2〜１０６4がそれぞれ真空チャンバ１０１1〜１０１4の間に設けられている。列をなす真空チャンバ１０１1〜１０１4の一端に位置する真空チャンバ１０１1には扉１０６1が設けられ、他端に位置する真空チャンバ１０１4には扉１０６5が設けられている。列をなす真空チャンバ１０１1〜１０１4の両端には、図示を省略したロード・ロック室が設けられている。
【０００５】
真空チャンバ１０１1〜１０１4はそれぞれ、排気管を介して真空ポンプ１０２1〜１０２4に接続される。真空チャンバ１０１1〜１０１4がそれぞれ、ガス導入管を介して流量制御装置１０４1〜１０４4に接続される。流量制御装置１０４1〜１０４4にはそれぞれ、ガス（プロセスガス）ｇ101〜ｇ104が供給される。
【０００６】
真空ポンプ１０２1〜１０２4はそれぞれ、真空チャンバ１０１1〜１０１4を真空引きする。流量制御装置１０４1〜１０４4はそれぞれ、真空チャンバ１０１1〜１０１4に導入するガスｇ101〜ｇ104の流量を制御する。扉１０６2〜１０６4はそれぞれ、真空チャンバ１０１1〜１０１4間を開閉可能に構成されている。扉１０６1は、図示を省略したロード・ロック室と真空チャンバ１０１1との間を開閉可能に構成されている。扉１０６5は、図示を省略したロード・ロック室と真空チャンバ１０１4との間を開閉可能に構成されている。
【０００７】
以下に、上述の真空装置の制御方法について説明する。まず、基板などの対象物（アクト）１０７が保持された真空チャンバ１０１1〜１０１4内を排気し、真空チャンバ１０１1〜１０１4内にガスｇ101〜ｇ104を導入しながら、スパッタリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Reactive Ion Etching）などのプロセスを対象物１０７に対して施す。その後、扉１０６1〜１０６5を一斉に開けて、プロセスを施した対象物１０７を一度に次のプロセスを施す真空チャンバ１０１1〜１０１4に移動させる。このように、扉１０６1〜１０６5を一斉に開け、プロセスを施した対象物１０７を一度に移動させることで、タクトアップおよび真空装置（生産装置）の簡易化を実現できる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、上述の真空装置およびその制御方法では、真空チャンバに導入するガスｇ101〜ｇ104の種類が異なる場合には、ガスコンタミネーションが生じてしまうとうい問題がある。例えば、真空チャンバ１０１2に導入するガスｇ102の種類が、真空チャンバ１０１1，１０１3に導入するガスｇ101，ｇ103の種類とは異なる場合、真空チャンバ１０１2内に真空チャンバ１０１1，１０１3から異なる種類のガスｇ101，ｇ103が流れ込み、その結果、真空チャンバ１０１2におけるプロセスが本来意図しているものとは異なるものとなってしまう。
【０００９】
このため、従来ではガスコンタミを防ぐために、以下のような制御方法が用いられている。すなわち、プロセス終了後に真空チャンバ１０１1〜１０１4へのガスｇ1〜ｇ4の導入を流量制御装置１０４1〜１０４4により止め、真空チャンバ１０１1〜１０１4内の真空度が十分真空度が高くなった後、扉１０６1〜１０６5を開ける。しかしながら、この制御方法では、扉１０６1〜１０６5を閉じて真空チャンバへのガス導入を再開した後、流量制御装置１０４1〜１０４4においてガス流量が安定するのに時間がかかってしまうため、タクトが上がらず、生産効率の低下を招いてしまうという問題がある。
【００１０】
したがって、この発明の目的は、生産効率の低下を招くことなく、隣接する真空チャンバ間におけるガス混入を低減することができる真空装置およびその制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、第１の発明は、隣接する複数の真空チャンバと、
複数の真空チャンバ間を開閉するための開閉手段と、
複数の真空チャンバを真空引きする真空ポンプと、
真空チャンバ側および排出側のどちらか一方にガスの導出先を切り替える切換手段と、
開閉手段を介して複数の真空チャンバ間における対象物の搬送を行う搬送手段と
を備え、
切替手段によりガスの導出先を真空チャンバ側から排気側に切り替え、真空ポンプにより複数の真空チャンバ内に導入されたガスを排気し、開閉手段を開いて搬送手段により対象物を搬送し、開閉手段を閉じて切替手段によりガスの導出先を排気側から真空チャンバ側に切り替えることを特徴とする真空装置である。
【００１２】
第２の発明は、隣接する複数の真空チャンバと、
複数の真空チャンバ間を開閉するための開閉手段と、
複数の真空チャンバを真空引きする真空ポンプと、
真空チャンバ側および排出側のどちらか一方にガスの導出先を切り替える切換手段と
開閉手段を介して複数の真空チャンバ間における対象物の搬送を行う搬送手段と
を備える真空装置の制御方法であって、
切替手段によりガスの導出先を真空チャンバ側から排気側に切り替え、真空ポンプにより複数の真空チャンバ内に導入されたガスを排気し、開閉手段を開いて搬送手段により対象物を搬送し、開閉手段を閉じて切替手段によりガスの導出先を排気側から真空チャンバ側に切り替えることを特徴とする真空装置の制御方法である。
【００１３】
この発明によれば、切替手段によりガスの導出先を真空チャンバ側から排気側に切り替え、真空ポンプにより複数の真空チャンバ内に導入されたガスを排気し、開閉手段を開いて搬送手段により対象物を搬送し、開閉手段を閉じて切替手段によりガスの導出先を排気側から真空チャンバ側に切り替えるので、開閉手段を開くときに真空チャンバへのガス導入を素早く停止し、開閉手段を閉じた後に真空チャンバに導入するガスの流量を素早く安定させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
以上説明したように、この発明によれば、開閉手段を開くときに真空チャンバへのガス導入を素早く停止し、開閉手段を閉じた後に真空チャンバに導入するガスの流量を素早く安定させることができる。これにより、開閉手段を開くときに真空チャンバ内に残留するガスの濃度を素早く低減することができ、かつ、開閉手段を閉じた後にガス導入を停止する前のガス流量に素早く戻すことができる。これにより、生産効率の低下を招くことなく、隣接する真空チャンバ間におけるガスの混入を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
【００１６】
図１は、この発明の第１の実施形態による真空装置の一構成例を示す模式図である。図１に示すように、この真空装置は、真空チャンバ１1〜１7と、真空ポンプ（図１中、ＶＰ）２1〜２7と、切替手段３1〜３7と、流量制御装置（図１中、ＭＦＣ）４1〜４7と、ガス排気用真空ポンプ（図１中、ＶＰ）５1〜５7と、開閉手段６1〜６8とを備える。この発明は、例えば、スパッタリング装置、エッチング装置、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、熱酸化装置およびこれらうち少なくとも２つを組み合わせた装置に対して適用することができる。以下では、一例として、第１の実施形態による真空装置が光記録媒体および光磁気記録媒体などを製造するスパッタリング装置である場合を示す。
【００１７】
真空チャンバ１1〜１7が一列をなすように隣接している。開閉手段６2〜６7がそれぞれ、真空チャンバ１1〜１7の間に設けられている。列をなす真空チャンバ１1〜１7の一端に位置する真空チャンバ１1には開閉手段６1が設けられ、他端に位置する真空チャンバ１7には開閉手段６8が設けられている。列をなす真空チャンバ１1〜１7の両端には、図示を省略したロード・ロック室が設けられている。
【００１８】
真空チャンバ１1〜１7はそれぞれ、排気管を介して真空ポンプ２1〜２7に接続される。真空チャンバ１1〜１7がそれぞれ、ガス導入管を介して切替手段３1〜３7に接続される。切替手段３1〜３7がそれぞれ、ガス導入管を介して流量制御装置４1〜４7に接続される。切替手段３1〜３7がそれぞれ、排気管を介して真空ポンプ５1〜５7に接続される。流量制御装置４1〜４7にはそれぞれ、ガス（プロセスガス）ｇ1〜ｇ7が供給される。導入されるガスｇ1〜ｇ7の種類は、少なくとも２種以上である。
【００１９】
真空ポンプ２1〜２7はそれぞれ、真空チャンバ１1〜１7を真空引きする。この真空ポンプ２1〜２7としては、例えばロータリポンプが用いられる。切替手段３1〜３7はそれぞれ、真空チャンバ１1〜１7およびガス排気用真空ポンプ５1〜５7のどちらか一方にガスｇ1〜ｇ7の導入先を切り替える。この切替手段３1〜３7としては、例えば切替バルブ（ＳＶ）が用いられる。
【００２０】
流量制御装置４1〜４7はそれぞれ、真空チャンバ１1〜１7に導入するガスの流量を制御する。ガス排気用真空ポンプ５1〜５7はそれぞれ、切替手段３1〜３7を介して供給されるガスｇ1〜ｇ7を排気する。このガス排気用真空ポンプ５1〜５7としては、例えばロータリポンプが用いられる。
【００２１】
開閉手段６2〜６7はそれぞれ、真空チャンバ１1〜１7間を開閉可能に構成されている。開閉手段６1は、図示を省略したロード・ロック室と真空チャンバ１1との間を開閉可能に構成されている。開閉手段６8は、図示を省略したロード・ロック室と真空チャンバ１7との間を開閉可能に構成されている。開閉手段６1〜６8としては、例えば扉（バルブ）が用いられる。
【００２２】
図２は、真空チャンバ１1〜１7の一構成例を示す模式図である。図２に示すように、真空チャンバ１1〜１7はそれぞれ、その内部に、ターゲット１１と、キャリア１２とを備える。ソース（気化源）であるターゲット１１を構成する材料は、基板などの対象物７に積層する薄膜の種類に応じて選ばれる。キャリア１２は、例えば基板などの対象物７を保持するための複数のホルダ１３を備える。キャリア１２は、列方向（図２中、矢印ａの方向）に移動可能に構成されている。
【００２３】
次に、第１の実施形態による真空装置の制御方法について説明する。図３は、第１の実施形態による真空装置の制御方法を説明するためのフローチャートである。
【００２４】
まず、ステップＳ１において、真空チャンバ１1〜１7内が所定の圧力になるまで真空ポンプ２1〜２7により真空チャンバ１1〜１7内を真空引きする。その後、ステップＳ２において、ガスｇ1〜ｇ7を真空チャンバ１1〜１7内に導入しながら、ターゲット１１をスパッタリングして対象物７上に磁性膜などの薄膜を成膜する。
【００２５】
次に、ステップＳ３において、流量制御装置４1〜４7により真空チャンバ１1〜１7に導入するガスｇ1〜ｇ7の流量を一定に保持した状態で、切替手段３1〜３7によりガスｇ1〜ｇ7の導入先を真空チャンバ１1〜１7側からガス排気用真空ポンプ５1〜５7側に切り替える。これにより、真空チャンバ１1〜１7内に導入するガスｇ1〜ｇ7がガス排気用真空ポンプ５1〜５7により排気される。そして、ステップＳ４において、開閉手段６1〜６8を開く。
【００２６】
次に、ステップＳ５において、対象物７を次のプロセスを施す真空チャンバ１1〜１7に搬送する。ステップＳ６において、開閉手段６1〜６8を閉じた後、ステップＳ７において、切替手段３1〜３7によりガスｇ1〜ｇ7の導入先をガス排気用真空ポンプ５1〜５7側から真空チャンバ１1〜１7側に切り替える。その後、ステップＳ１〜Ｓ７の処理を繰り返す。
【００２７】
この発明の第１の実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
一列をなすように隣接する真空チャンバ１1〜１7を真空ポンプ２1〜２7により真空引きし、ガスｇ1〜ｇ7を真空チャンバ１1〜１7に導入しながら、ターゲット１１をスパッタリングして対象物７に薄膜を成膜する。そして、切替手段３1〜３7によりガスｇ1〜ｇ7の導入先を真空チャンバ１1〜１7側からガス排気用真空ポンプ５1〜５7側へ切り替え、開閉手段６1〜６8を開き、この開閉手段６1〜６8を介して次のプロセスを施す真空チャンバ１1〜１7へ薄膜が成膜された対象物７を搬送する。そして、開閉手段６1〜６8を閉じ、切替手段３1〜３7によりガスｇ1〜ｇ7の導入先をガス排気用真空ポンプ５1〜５7側から真空チャンバ１1〜１7側へ切り替える。その後、上述のプロセスを繰り返す。
【００２８】
したがって、開閉手段６1〜６8を開くときに真空チャンバ１1〜１7へのガス導入を素早く停止し、開閉手段６1〜６8を閉じた後に真空チャンバ１1〜１7に導入するガスｇ1〜ｇ7の流量を素早く安定させることができる。これにより、開閉手段を開くとき真空チャンバ１1〜１7内に残留するガスｇ1〜ｇ7の濃度を素早く低減することができ、かつ、開閉手段６1〜６8を閉じた後にガス導入を停止する前のガス流量に素早く戻すことができる。よって、光記録媒体、光磁気記録媒体および半導体などの生産効率の低下を招くことなく、隣接する真空チャンバ間における異種ガスの混入を低減することができる。
【００２９】
次に、この発明の第２の実施形態について説明する。上述の第１の実施形態では、インライン式の装置に対してこの発明を適用した例について説明したが、この第２の実施形態では枚葉式の装置に対してこの発明を適用した例について説明する。なお、以下の説明では、上述の第１の実施形態と同一または対応する箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３０】
図４は、この発明の第２の実施形態による真空装置の一構成例を示す模式図である。図４に示すように、この真空装置は、メインチャンバ２１と、プロセスチャンバ２２1〜２２7と、基板入れ換え部２３と、開閉手段２８1〜２８8、複数の真空ポンプ２（図４中、ＶＰ）と、複数のガス導入部２９とを備える。この発明は、例えば、スパッタリング装置、エッチング装置、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、熱酸化装置およびこれらうち少なくとも２つを組み合わせた装置に対して適用することができる。以下では、一例として、第２の実施形態による真空装置が光記録媒体および光磁気記録媒体などを製造するスパッタリング装置である場合を示す。
【００３１】
プロセスチャンバ２２1〜２２7および基板入れ換え部２３がそれぞれメインチャンバ２１に隣接する。具体的には、メインチャンバ２１は多角形状の形状を有し、この多角形の各辺に対してそれぞれ、プロセスチャンバ２２1〜２２7および基板入れ換え部２３が隣接する。基板入れ換え部２３は、図示を省略したロード・ロック室と接続される。開閉手段２８1〜２８7がそれぞれ、メインチャンバ２１とプロセスチャンバ２２1〜２２7との間に設けられている。開閉手段２８8が、メインチャンバ２１と基板入れ換え部２３との間に設けられている。
【００３２】
複数の真空ポンプ２がそれぞれ、メインチャンバ２１、プロセスチャンバ２２1〜２２7および基板入れ換え部２３に対して排気管を介して接続される。すなわち、メインチャンバ２１、プロセスチャンバ２２1〜２２7および基板入れ換え部２３はそれぞれ独立に真空排気可能な構成とされている。なお、図４では、便宜上、メインチャンバ２１、プロセスチャンバ２２2〜２２7および基板入れ換え部２３に接続される真空ポンプ２の図示を省略している。また、複数のガス導入部２９がそれぞれ、プロセスチャンバ２２1〜２２7に対してガス導入管を介して接続される。なお、図４では、便宜上、プロセスチャンバ２２2〜２２7に接続されるガス導入部２９の図示を省略している。
【００３３】
メインチャンバ２１は、そのチャンバ内に搬送部２４を備える。この搬送部２４は、メインチャンバ２１の中心部に配置された回転機構部２５と、回転機構部２５の中心Ｏから放射状に延びる複数のアーム２６とを備える。アーム２６の数は、プロセスチャンバ２２1〜２２7および基板入れ換え部２３の合計の数と同数とされる。
【００３４】
回転機構部２５は、その中心Ｏを軸として回転可能に構成されている。アーム２６は棒状の形状を有し、その一端が矢印ｂに示す方向に伸縮可能に回転機構部２５に保持されている。また、アーム２６の他端には、基板などの対象物７を保持するためのホルダ２７が備えられている。プロセスチャンバ２２1〜２２7は、基板などの対象物７上に磁性膜などの薄膜を順次積層するための真空チャンバである。
【００３５】
図５は、プロセスチャンバ２２の一構成例を模式的に示す断面図である。図５に示すように、プロセスチャンバ２２内部には、ターゲット４１および防着板４２が配設されている。また、プロセスチャンバ２２内には、ガス導入管３１が導入されている。
【００３６】
図６は、ガス導入管３１の一形状例を示す平面図である。図６に示すように、ガス導入管３１の端部はリング状を有し、このリングには、ガスを矢印ｃに示すようにリング中央部に向かって噴出するための複数の開口部３１ａが等間隔に設けられている。なお、このリングの中央部に、アーム２６により対象物７が搬送される。
【００３７】
図７は、プロセスチャンバ２２1〜２２7にガスを導入するためのガス導入部２９の一構成例を示す模式図である。図７に示すように、ガス導入部２９は、切替手段３と、流量制御装置（図７中、ＭＦＣ）４と、ガス排気用真空ポンプ（図７中、ＶＰ）５とを備える。切替手段３とプロセスチャンバ２２とがガス導入管３１により接続される。切替手段３と流量制御装置４とがガス導入管３２により接続される。切替手段３とガス排気用真空ポンプ５とが排気管３３により接続される。流量制御装置４には外部よりガスｇが供給される。以下では、プロセスチャンバ２２1〜２２7に導入するガスｇをそれぞれ、ガスｇ1〜ｇ7と称する。このガスｇ1〜ｇ7の種類は、少なくとも２種類以上である。
【００３８】
次に、上述の図３を参照しながら、第２の実施形態による真空装置の制御方法について説明する。
【００３９】
まず、ステップＳ１において、プロセスチャンバ２２1〜２２7が所定の圧力になるまで真空ポンプ２により真空引きする。その後、ステップＳ２において、ガスｇ1〜ｇ7をプロセスチャンバ２２1〜２２7内に導入しながら、ターゲット４１をスパッタリングして対象物７上に磁性膜などの薄膜を成膜する。
【００４０】
次に、ステップＳ３において、流量制御装置４によりプロセスチャンバ２２1〜２２7に導入するガスｇ1〜ｇ7の流量を一定に保持した状態で、切替手段３1〜３7によりガスｇ1〜ｇ7の導入先をプロセスチャンバ２２1〜２２7側からガス排気用真空ポンプ５側に切り替える。これにより、プロセスチャンバ２２1〜２２7内に導入するガスｇ1〜ｇ7がガス排気用真空ポンプ５により排気される。そして、ステップＳ４において、開閉手段２８1〜２８8を開く。
【００４１】
次に、ステップＳ５において、対象物７を次のプロセスを施すプロセスチャンバ２２1〜２２7にメインチャンバ２１を介して搬送する。次に、ステップＳ６において、開閉手段２８1〜２８8を閉じた後、ステップＳ７において、切替手段３1〜３7によりガスｇ1〜ｇ7の導入先をガス排気用真空ポンプ５側からプロセスチャンバ２２1〜２２7側に切り替える。そして、ステップＳ１〜Ｓ７の処理を繰り返す。
【００４２】
この発明の第２の実施形態では第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
第１の実施形態による真空装置を制御して光磁気記録媒体を作製した。図８は、第１の実施形態による真空装置を制御して作製された光磁気記録媒体の構成を示す断面図である。図８に示すように、この光磁気記録媒体５０は、基板５１上に、誘電体層５２、再生層５３、移動層５４、切断層５５、記録層５６、誘電体層５７、熱拡散層５８、保護層５９が順次積層されて構成される。なお、この光磁気記録媒体５０の情報信号の記録／再生は、光Ｌを対物レンズ６０により集光し、基板５１に照射することにより行われる。
【００４４】
（実施例１）
まず、射出成形法により、ランドおよびグルーブが一主面に形成された基板５１を作製した。そして、真空チャンバ１1〜１7に配設されたターゲット１１をスパッタリングすることにより、基板５１上に、誘電体層５２、再生層５３、移動層５４、切断層５５、記録層５６、誘電体層５７、熱拡散層５８、保護層５９を順次積層した。扉６1〜６8を空けて基板５１を搬送し、扉６1〜６8を閉じてプロセスを開始するまでの時間は０．５秒であった。なお、切替バルブ３1〜３7の切り替え、および扉６1〜６8の開閉は一斉に行った。
【００４５】
その後、スピンコート法により、熱拡散層５８上に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、塗布された紫外線硬化樹脂に対して紫外線を照射して、保護層５９を形成した。以上により、光磁気記録媒体５０を得た。
【００４６】
以下に、真空チャンバ１1〜１7におけるプロセス条件を示す。
真空チャンバ１１
ターゲット：Ｓｉターゲット
ガス種：Ａｒガスおよび窒素ガス
ガス流量：Ａｒ２０／Ｎ2２０ｓｃｃｍ
ガス圧力：０．４５Ｐａ
【００４７】
真空チャンバ１２
ターゲット：ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲット
再生層５３の組成：Ｇｄ26（Ｆｅ95Ｃｏ5）74
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：３０ｓｃｃｍ
ガス圧力：０．３８Ｐａ
【００４８】
真空チャンバ１３
ターゲット：ＧｄＦｅＡｌ合金ターゲット
移動層５４の組成：（Ｇｄ25.5Ｆｅ74.5）95Ａｌ15
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：３０ｓｃｃｍ
ガス圧力：０．３８Ｐａ
【００４９】
真空チャンバ１４
ターゲット：ＴｂＦｅＣｏＡｌ合金ターゲット
切断層５５の組成：（Ｔｂ26（Ｆｅ92Ｃｏ8）74）95Ａｌ15
ガス種：Ｋｒガス
ガス流量：７０ｓｃｃｍ
ガス圧力：０．７２Ｐａ
【００５０】
真空チャンバ１５
ターゲット：ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲット
記録層５６の組成：Ｔｂ23.5Ｆｅ53.5Ｃｏ23
ガス種：Ｋｒガス
ガス流量：７０ｓｃｃｍ
ガス圧力：１．１Ｐａ
【００５１】
真空チャンバ１６
ターゲット：Ｓｉターゲット
ガス種：アルゴンガスおよび窒素ガス
ガス流量：Ａｒ２０／Ｎ2２０ｓｃｃｍ
ガス圧力：０．４５Ｐａ
【００５２】
真空チャンバ１７
ターゲット：ＡｌＴｉ合金ターゲット
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：３０ｓｃｃｍ
ガス圧力：０．２５Ｐａ
【００５３】
（実施例２）
扉６1〜６8を空けて基板５１を搬送し、扉６1〜６8を閉じてプロセスを開始するまでの時間を１秒とする以外はすべて実施例１と同様にして光磁気記録媒体を得た。
【００５４】
（実施例３）
扉６1〜６8を空けて基板５１を搬送し、扉６1〜６8を閉じてプロセスを開始するまでの時間を５秒とする以外はすべて実施例１と同様にして光磁気記録媒体を得た。
【００５５】
（実施例４）
扉６1〜６8を空けて基板５１を搬送し、扉６1〜６8を閉じてプロセスを開始するまでの時間を１０秒とする以外はすべて実施例１と同様にして光磁気記録媒体を得た。
【００５６】
次に、上述の実施形態の真空装置を制御して作製された光磁気記録媒体５０と比較するために、従来の真空装置を制御して光磁気記録媒体５０を作製した。
【００５７】
図９は、従来例の真空装置の構成を示す模式図である。図９に示すように、この従来例の真空装置は、切替バルブ３1〜３7とガス排気用真空ポンプ５1〜５7とが省略され、流量制御装置４1〜４7が真空チャンバ１1〜１7に直接接続されている以外は全て実施形態の真空装置と同様の構成を有する。
【００５８】
（従来例１）
切替バルブ３1〜３7に代えて、流量制御装置４1〜４7により真空チャンバ１1〜１7へのガスｇ1〜ｇ7の導入および停止を制御する以外のことは全て実施例１と同様にして光磁気記録媒体５０を得た。
【００５９】
（従来例２）
切替バルブ３1〜３7に代えて、流量制御装置４1〜４7により真空チャンバ１1〜１７へのガスｇ1〜ｇ7の導入および停止を制御する以外のことは全て実施例２と同様にして光磁気記録媒体５０を得た。
【００６０】
（従来例３）
切替バルブ３1〜３7に代えて、流量制御装置４1〜４7により真空チャンバ１1〜１7へのガスｇ1〜ｇ7の導入および停止を制御する以外のことは全て実施例３と同様にして光磁気記録媒体５０を得た。
【００６１】
（従来例４）
切替バルブ３1〜３7に代えて、流量制御装置４1〜４7により真空チャンバ１1〜１7へのガスｇ1〜ｇ7の導入および停止を制御する以外のことは全て実施例４と同様にして光磁気記録媒体５０を得た。
【００６２】
次に、上述の実施例１〜４および比較例１〜４の制御方法により得られた光磁気記録媒体５０のジッタを測定した。図１０に、実施例１〜４の制御方法により得られた光磁気記録媒体５０における再生用ＬＤ（Laser Diode）パワーとジッタ（jitter）との関係を示す。図１１に、比較例１〜４の制御方法により得られた光磁気記録媒体５０における再生用ＬＤパワーとジッタとの関係を示す。図１０および１１において、横軸が再生用ＬＤパワーであり、縦軸がジッタである。なお、広い再生用ＬＤパワーの範囲でジッタが低い値をとることが望ましいとされている。
【００６３】
図１０および１１から、実施例１〜４の制御方法により得られた光磁気記録媒体５０は、従来例１〜４の制御方法により得られたものに比して、広い再生用ＬＤパワーの範囲で低いジッタが得られることが分かる。
【００６４】
また、実施例１の制御方法により得られた光磁気記録媒体５０では、良好なジッタが得され、実施例２〜４の制御方法により得られた光磁気記録媒体５０では、より良好なジッタが得られることが分かる。すなわち、実施例の制御方法では、扉６1〜６8を空けて基板５１を搬送し、扉６1〜６8を閉じてプロセスを開始するまでの時間を０．５秒としたときにも良好なジッタが得られ、プロセスを開始するまでの時間を１秒以上としたきにはより良好なジッタが得られることが分かる。
【００６５】
これに対して、従来例１，２の制御方法により得られた光磁気記録媒体５０では、良好なジッタが得られず、従来例３，４の制御方法により得られた光磁気記録媒体では、良好なジッタが得られることが分かる。すなわち、すなわち、実施例の制御方法では、扉６1〜６8を空けて基板５１を搬送し、扉６1〜６8を閉じてプロセスを開始するまでの時間を１秒以下としたときには良好なジッタが得られず、プロセスを開始するまでの時間を５秒以上としたきには良好なジッタが得られることが分かる。
【００６６】
よって、実施例の制御方法では、従来の制御方法に比べて光磁気記録媒体の生産効率をより向上でき、かつ、隣接する真空チャンバ間における異種ガスの混入をより低減できることが分かる。
【００６７】
以上、この発明の第１および第２の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の第１および第２の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００６８】
例えば、上述の第１および第２の実施形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。
【００６９】
また、上述の第１および第２の実施形態では、切替バルブ３の排気側に真空ポンプ５を備える例について示したが、省略することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】この発明の第１の実施形態による真空装置の一構成例を示す模式図である。
【図２】各真空チャンバの一構成例を示す模式図である。
【図３】第１の実施形態による真空装置の制御方法を説明するためのフローチャートである。
【図４】第２の実施形態による真空装置の一構成例を示す模式図である。
【図５】プロセスチャンバの一構成例を模式的に示す断面図である。
【図６】ガス導入管の一形状例を示す平面図である。
【図７】ガス導入部の一構成例を示す模式図である。
【図８】第１の実施形態による真空装置を制御して得られた光磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
【図９】従来例の真空装置の構成例を示す模式図である。
【図１０】実施例１〜４の制御方法により得られた光磁気記録媒体における再生用ＬＤパワーとジッタとの関係を示す。
【図１１】比較例１〜４の制御方法により得られた光磁気記録媒体における再生用ＬＤパワーとジッタとの関係を示す。
【図１２】従来の真空装置の構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００７１】
１1〜１7・・・真空チャンバ、２1〜２7，５1〜５7・・・真空ポンプ、３1〜３7・・・切替バルブ、４1〜４7・・・流量制御装置、６1〜６8，２８1〜２８8・・・扉、７・・・対象物、２１・・・メインチャンバ、２２1〜２２7・・・プロセスチャンバ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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