(57)【要約】【課題】  共鳴周波数を外部からの制御により変調可能な周波数フィルタを提供する。【解決手段】  ｎ＋−ＧａＡｓからなる導電性基板１上にｉ−ＡｌＧａＡｓからなる絶縁層３を積層し、次いで、強磁性半導体（ＧａＡｓに磁性金属であるＭｎをドーピングした半導体）Ｇａ１−ｘＭｎｘＡｓ層の薄膜５をその上に積層した多層構造を有している。ＧａＭｎＡｓに特有な磁気異方性を利用して特定の方向へ磁化Ｍを向ける。ＧａＭｎＡｓ層５に対して絶縁膜７を形成する。絶縁膜７上に、電界印加用の金属電極１１を形成する。素子に対してマイクロ波を照射する。電場ベクトルが磁化と平行（磁場は直行）の場合は磁化と結合し、電場ベクトルが磁化と直交する場合は磁化と結合しない。外部磁場・磁化・異方性定数で決まる共鳴周波数ωがキャリア濃度を制御する制御手段により調整できる。【選択図】  図２
2005286867.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア誘起型強磁性体と、
該キャリア誘起型強磁性体のキャリア濃度を変調する制御を行う制御手段と
を有する素子。
【請求項２】
キャリア誘起型強磁性体と、
該キャリア誘起型強磁性体の異方性磁場を変調する異方性磁場変調手段と
を有する素子。
【請求項３】
キャリア誘起型強磁性体と、
該キャリア誘起型強磁性体の磁化を変調する制御を行う制御手段と
を有する素子。
【請求項４】
キャリア誘起型強磁性体と、
略一定温度において異方性磁場と磁化とに依存する前記強磁性体の共鳴周波数を制御する制御手段と
を有する高周波素子。
【請求項５】
キャリア誘起型強磁性体と、
直流磁場が略一定の場合において異方性磁場と磁化とに依存する共鳴周波数を制御する制御手段と
を有する高周波素子。
【請求項６】
前記キャリア誘起型強磁性体は、半導体に磁性元素を添加した強磁性半導体であることを特徴とする請求項１から５までのいずれか１項に記載の素子又は高周波素子。
【請求項７】
前記制御手段は、前記強磁性半導体に対して前記強磁性半導体中のキャリアを変調するように制御する手段であることを特徴とする請求項６に記載の素子又は高周波素子。
【請求項８】
前記制御手段は前記強磁性半導体に対して電界を印加するか又は光を照射する手段であることを特徴とする請求項１から７までのいずれか１項に記載の素子又は高周波素子。
【請求項９】
一軸異方性を有する強磁性半導体であって、該一軸異方性と同じ方向に延在する細線構造を有するキャリア誘起型の強磁性半導体と、
該強磁性半導体におけるキャリア濃度を変調する制御を行う制御手段と
を有する素子又は高周波素子。
【請求項１０】
導電性の基板と、
該基板上に形成された第１の絶縁層と、
該第１の絶縁層上に形成されたキャリア誘起型強磁性体層と該強磁性体層上に形成された第2の絶縁層と該絶縁層上に形成された導電層との積層構造であって前記強磁性体層の一軸異方性と同じ方向に延在する細線構造を有する積層構造と、
前記細線の両端にそれぞれ形成された第１及び第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に高周波電力を印加する手段と、
前記積層構造に対して電界の印加又は光の照射の少なくともいずれか一方を入力する入力手段と
を有することを特徴とする素子。
【請求項１１】
前記キャリア誘起強磁性体は、キャリア濃度制御により常磁性半導体からキャリア誘起強磁性体に変化することを特徴とする請求項１から１０までのいずれか１項に記載の素子又は高周波素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャリア誘起強磁性体を用いた強磁性共鳴周波数の制御方法に関し、特に、磁性半導体を用いたキャリア制御に基づいて変化する強磁性共鳴周波数を利用したマイクロ波素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の発達が著しく、それらのデジタル化・ＩＣ化等に伴い、その電子回路が発生するノイズによる回路内の相互干渉、あるいは他の電子機器への影響が大きな問題となっている。この対策として、インダクタンス部品をフィルタとして利用し、高周波数のインピーダンスＺ値を増大させることにより、高周波成分を含むノイズ成分は減衰させ、低周波の信号成分のみを伝達させることが行われている。電子回路の小型化に伴って電子部品の小型化が要請から、フェライト層とコイル用導体を交互に印刷積層するチップインダクタが用いられている。フェライト系材料は、飽和磁束密度が低いが、電気抵抗率は、金属系材料に比べてはるかに高く、渦電流に起因する磁気損失が高周波数まで比較的小さい。
【０００３】
そのために、透磁率は高周波まで維持する。またフェライト系材料は、複雑形状のものも容易に作ることができ、かつ、低コストであるといった利点を持つため、１０ＭＨｚ以上のノイズフィルタとして用いられている。強磁性体の強磁性共鳴はＧＨｚ帯の周波数領域で起こるため、マイクロ波帯域で動作する素子として利用することが出来る（例えば、特許文献１参照）。また、最近では、強磁性体における強磁性共鳴を利用した高周波ノッチフィルタに関する提案もなされてきている。
【特許文献１】特開平０８−２５０３３４号公報
【非特許文献１】Gary A. Prinz, “Hybrid Ferromagnetic-semiconductor Structure” Science vol.250, p.1092 (1990).
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、通信技術の中でも、無線ＬＡＮなどの高周波通信が主流になってきている。無線ＬＡＮでは、２．４ＧＨｚ帯又は５ＧＨｚ帯などの高周波帯が用いられ、ノイズ対策用の高周波フィルタとしては、従来から用いられてきた高周波フェライト（３００ＭＨｚ付近のノイズ対策には適する）では不十分である。これは、高周波フェライトではフェリ磁性におけるゼロ磁場での自発磁化が小さいためである。
【０００５】
また、上述のように従来から提案されている金属強磁性体を用いた素子における強磁性共鳴の共鳴周波数を用いた素子の場合でも、共鳴周波数は材料のｇ因子・磁化・磁気異方性・外部磁場で決まる固有の値であり、磁場と温度とによってのみしか共鳴周波数を制御することができなかった。
【０００６】
本発明は、ＧＨｚ帯などの高周波におけるノイズ対策に有効なマイクロ波素子を提供することにある。また、共鳴周波数を外部からの制御により変調可能な周波数フィルタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る素子は、キャリア誘起型強磁性体と、該キャリア誘起型強磁性体のキャリア濃度を変調する制御を行う制御手段とを有する。キャリア濃度を変調することにより、強磁性共鳴周波数を制御することができる。強磁性共鳴周波数を制御するためには、キャリア誘起型強磁性体の異方性磁場を変調するか、キャリア誘起型強磁性体の磁化を変調する。キャリア誘起強磁性体は、動作温度付近において発現するように材料とキャリア濃度を調節するか、常磁性を用いる。
【０００８】
本発明に係る高周波素子は、キャリア誘起型強磁性体と、直流磁場が略一定の場合において異方性磁場と磁化とに依存する共鳴周波数を制御する制御手段とを有する。磁化の変化により異方性磁場が変化するため、共鳴周波数が電界の関数として連続的に変化する。尚、前記キャリア誘起型強磁性体は、半導体に磁性元素を添加した強磁性半導体である。前記制御手段は前記強磁性半導体に対して電界を印加するか又は光を照射する手段である。
【０００９】
本発明に係るフィルタ素子は、一軸異方性を有する強磁性半導体であって、該一軸異方性と同じ方向に延在する細線構造を有するキャリア誘起型の強磁性半導体と、該強磁性半導体におけるキャリア濃度を変調する制御を行う制御手段とを有する素子である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、強磁性共鳴周波数を電気的、光学的に制御することができるＧＨｚ帯のマイクロ波素子を提供することができる。異方性磁場が大きいため、ゼロ磁場でも高周波領域で用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本明細書において、キャリア誘起強磁性体とは、磁性半導体に添加する磁性金属の濃度を、キャリア誘起強磁性を発現するのに適した濃度に調整された強磁性体を称する。磁化とは、外部磁場によって誘起される磁気モーメントの単位堆積当たりの値である。磁化は有効磁場に比例する周波数でラーマー歳差運動を起こす。図１は、ラーマー歳差運動に基づく強磁性体の強磁性共鳴現象の原理を示す図である。図１に示すように、強磁性体Ｆに対して有効磁場Ｈｅｆｆを与えると、有効磁場Ｈｅｆｆと磁化Ｍとにより決まるトルクＴに基づいて磁化Ｍが有効磁場Ｈｅｆｆの周りを回転する。強磁性体Ｆに対して高周波磁場（変調磁場）ＨＡＣを与えると、歳差運動が継続するいわゆる強磁性共鳴現象が起こる。換言すれば、強磁性体Ｆに対してある外部磁場Ｈｅｆｆを印加した状態において、ある特定の周波数の高周波を吸収するいわゆるフィルタリング効果を示すことになる。この周波数を共鳴周波数と呼び、ωで表される。
【００１２】
【数１】
2005286867.tif 000003
ここで、γはジャイロ係数と呼ばれる係数である。
（１）式より、次の（２）式が導入される。
【００１３】
【数２】
2005286867.tif 000004
【００１４】
ここで、Ｈａｎは、単結晶の異方性に基づく異方性磁場である。すなわち、強磁性体の単結晶膜を高周波ノッチフィルタとして利用することができることがわかる。式（２）より、外部から与えられた磁化（結晶が発生する磁束密度）により、共鳴周波数ωを制御することができること、すなわち外部磁化方向により共鳴周波数とフィルタのオン／オフとを操作することができることがわかる。
【００１５】
発明者は、上記の知見に加えて、キャリアによって強磁性が誘起されるキャリア誘起強磁性体、すなわち磁性半導体を用いると、外部からの制御手段によりキャリア濃度を変調させることができること、従って、異方性磁場Ｈａｎや磁化Ｍを変えることができるため強磁性共鳴周波数を制御することが可能であると考えた。尚、外部からの制御手段とは、例えば、電界又は光照射などである。電界又は光照射により、磁化や異方性の大きさを変えることにより、広範囲にわたり強磁性共鳴周波数を電気的・光学的に制御することが出来る。尚、強磁性半導体の磁化の値は、強磁性金属の磁化の値に比べて小さいが、異方性磁場が比較的大きいため、ゼロ磁場でも高周波領域での適用が可能な点も特徴となる。
【００１６】
上記考察に基づき、本発明の実施の形態による強磁性共鳴周波数の制御方法及び高周波フィルタ素子について、図面を参照しつつ説明を行う。まず、適用可能な材料としては、キャリアによって強磁性が誘起される磁性半導体を用いる。例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＮなどIII-Ｖ族化合物半導体に磁性原子（遷移金属や希土類金属）を添加した磁性半導体である。また、ＳｉやＧｅなどＩＶ族半導体に磁性原子（遷移金属や希土類金属）を添加した強磁性半導体を用いることも可能である。さらに、ＩＩ−ＶＩ族半導体に磁性元素（遷移金属や希土類金属）を添加した強磁性半導体でも良い。添加する磁性元素の濃度は、キャリア誘起強磁性を発現するのに適した濃度である。
【００１７】
次に、素子構造の概要について説明する。本実施の形態による強磁性共鳴制御素子の構造は、例えば、以下の構成を有している。詳細な構成は、以下の実施例において説明する。
【００１８】
１）導電性あるいは半絶縁性基板上に絶縁半導体層を積層し、この絶縁半導体層上に上記の強磁性半導体を積層した強磁性半導体多層膜構造である。２）強磁性半導体多層膜構造は、分子線エピタキシー法、有機金属気相成長法、或いは、スパッタ法等の薄膜作製技術で作製する。３）強磁性半導体層上に絶縁層を積層する。４）電界による制御手段としてのゲート電極（電界印加手段）又は光による制御手段としての光照射装置を設ける。高周波フィルタ素子においては導電性基板を用い、さらに導電性基板とゲート電極からなる平行金属板構造を有するストリップライン構造を形成する。
【００１９】
キャリア誘起強磁性体の共鳴周波数ωは、ＨａｎとＭとに依存するため、キャリア濃度を制御することができる制御手段によりキャリア誘起強磁性半導体のキャリア濃度を変調させることにより、共鳴周波数ωを変化させることができる。例えば、キャリア濃度が高くなる方向に制御すると、ＨａｎとＭとが大きくなる。従って、共鳴周波数ωも大きくなる。キャリア濃度を低くするように制御すると、共鳴周波数ωが小さくなる。制御手段は、キャリア濃度を制御可能なものであれば、特に限定されるものではないが、下記の実施例に挙げた手段を用いることで、制御性の良い素子を簡単に形成することができる。
【００２０】
以上説明したように、キャリア濃度を制御することができる制御手段でキャリア誘起強磁性半導体のキャリア濃度を変調させることにより、共鳴周波数を変調することができる。この際、制御手段による制御量を変更することにより所望の周波数における吸収を起こすことができる。すなわち、外部から制御可能な周波数フィルタなどを構成することができる。
【実施例１】
【００２１】
本実施例１は、電界効果による強磁性共鳴周波数の制御技術に関するものであり、例えば、ＧａＭｎＡｓを用いた電界効果による強磁性共鳴周波数の制御技術に関する。図２は、本実施例による強磁性共鳴制御素子の断面構造を示す概略的な断面図である。図２に示すように、本実施例１による強磁性共鳴制御素子は、例えば、ｎ＋−ＧａＡｓからなる導電性あるいはＧａＡｓ半絶縁性基板１上にｉ−Ｇａ1−yＡｌyＡｓ（０≦ｙ≦１：図ではｙを省略している。以下同様。）からなる絶縁層３を積層し、次いで、強磁性半導体（ＧａＡｓに磁性元素であるＭｎをドーピングした半導体）Ｇａ１−ｘＭｎｘＡｓ層（図ではｘを省略している。以下同様。）の薄膜５をその上に積層した多層構造を有している。尚、ＧａＡｓ層中のＭｎ濃度ｘは、金属的な電気伝導を示す濃度であるｘ≧０．０３である。Ｇａ１−ｘＭｎｘＡｓ層５に対して絶縁膜、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２などの絶縁層７を形成する。尚、絶縁層７として、Ｇａ１−ｘＭｎｘＡｓ層５上に絶縁性半導体薄膜、例えばアンドープのＡｌＧａＡｓ層（絶縁層）を積層してもよい。上記の絶縁膜７上に、電界印加用の金属電極（Ａｕ、Ａｌなどからなる）１１を形成する。図２に示す構造は、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）又はスパッタリング法などの一般的な方法により作製することができる。導電性基板を用いる場合は基板を接地し、半絶縁基板を用いる場合は、Ｇａ１−ｘＭｎｘＡｓ層５を接地する。
【００２２】
上記の構造を有する強磁性共鳴制御素子の共鳴制御方法について以下に説明する。まず、磁化(容易軸)方向（［１１０］）に直流磁場を印加する。尚、直流磁場はゼロでもよい。次いで、素子に対してマイクロ波を照射する。電場ベクトルが磁化と平行（磁場は直行）の場合は磁化と結合し、電場ベクトルが磁化と直交する場合は磁化と結合しない。外部磁場・磁化・異方性定数で決まる共鳴周波数ω（(２)式）におけるマイクロ波の吸収が起こる。
【００２３】
尚、（２）式は、一軸異方性を持ち容易軸方向に磁場を印加した場合の式である。単純な一軸異方性（［１１０］容易軸）を仮定すれば(Ｈａｎ＝２Ｋｕ／Ｍ、a＝２．２×１０５ｍ／Ａｓ)、ゼロ磁場では４  ＧＨｚ(Ｈａｎ≒０．２Ｔ、Ｋｕ≒５×１０３Ｊｍ−３、Ｍ≒０．０７Ｔ（Ｍｎｘ＝０．０５）を仮定)となる。ここで、素子に対して電界をかけて磁化の値を変える。電界により強磁性から常磁性状態まで変調可能である。尚、ゼロ磁場ではＭ＝０〜ＮｍｇμＢＳｍ（Ｎｍ：磁性元素濃度、ｇ：磁性元素のｇ因子、μＢ：ボーア磁子、Ｓｍ：磁性元素の磁気モーメント）である。磁化の変化により(２)式の異方性磁場と反磁場とが変化し、共鳴周波数が電界の関数として連続的に変化する。この様子を図３及び図４に示す。
【００２４】
図３に示すように、電界をＥ＝０からＥ１からＥ４まで変化させると（Ｅ１、Ｅ２は負であり、Ｅ３、Ｅ４は正である。）、印加した電界に応じて透過率のノッチの周波数位置は、それぞれ減少（ω３、ω４）又は増加（ω１、ω２）する。図４は、電界Ｅと共鳴周波数との関係を示す図である。図５に示すように、共鳴周波数ωは電界Ｅに対してほぼ単調に減少し、電界Ｅに基づいて共鳴周波数を制御できることがわかる。尚、強い正電界をかけて強磁性でなくなった状態（Ｍ＝０）ではゼロ磁場では共鳴が得られないのでこの場合にはオフ状態となる。また、本実施例１においては、強磁性半導体としてＧａＭｎＡｓを用いたが、他の強磁性半導体、例えばＩｎＭｎＡｓなどを用いても、同様に電界効果による強磁性共鳴周波数制御も可能である。ＧａＭｎＡｓに例えば電子をドープしＧａＭｎＡｓ中の正孔濃度を実効的に下げた常磁性半導体を用いると、電界を印加しない状態ではオフ状態（Ｍ＝０）で、負電界を印加すると強磁性が発現しオン状態（Ｍ≠０）となり、共鳴が起こる。オン状態では電界による共鳴周波数の制御が可能である。常磁性状態は、強磁性を示す試料作製条件で作製中にＳｎ、Ｓｉ、ＧａＴｅなどのｎ型不純物を添加して正孔を補償し、正孔濃度を低くすることで動作温度において常磁性状態を実現できる。
【実施例２】
【００２５】
次に、本発明の第２実施例について説明する。第２実施例は、ＧａＭｎＡｓを用いた光照射による強磁性共鳴周波数の制御技術に関する実施例である。本実施例による強磁性共鳴制御素子の構成例を図５に示す。基本的には、図２に示す構造と同様であるが、ＧａＭｎＡｓに対して電圧の代わりに光を照射するため、ＳｉＯ２、Ａｕが不要になる。すなわち、例えば、ｎ＋−ＧａＡｓからなる導電性あるいはＧａＡｓ半絶縁性基板２１上にｉ−Ｇａ1−yＡｌyＡｓ（０≦ｙ≦１）からなる絶縁層２３を積層し、次いで、強磁性半導体（ＧａＡｓに磁性元素であるＭｎをドーピングした半導体）Ｇａ１−ｘＭｎｘＡｓ層の薄膜２５をその上に積層した多層構造を有している。
【００２６】
次に、強磁性共鳴制御素子の動作について説明する。まず、直流磁場を磁化(容易軸)方向（［１１０］）に印加する。印加する直流磁場はゼロ磁場でもよい。次いで、強磁性半導体に対してマイクロ波を照射する。マイクロ波により発生する電場ベクトルが磁化と平行（磁場は直交）の場合は磁化と結合し、電場ベクトルが直交（磁場と平行）する場合は磁化と結合しない。これにより、外部磁場Ｈと、磁化Ｍと、異方性定数と、で決まる共鳴周波数(上述の（２）式)のマイクロ波の吸収が起こる。尚、（２）式は、一軸異方性を持ち、容易軸方向に磁場を印加した場合の式である。ここで、単純な一軸異方性（［１１０］容易軸）を仮定すれば（Ｈａｎ＝２Ｋｕ／Ｍ、 γ＝２．２×１０５ ｍ／Ａｓ）、ゼロ磁場では４ＧＨｚ(Ｈａｎ≒０．２Ｔ、Ｋｕ≒５×１０３Ｊｍ−３、Ｍ≒０.０７Ｔ（Ｍｎｘ＝０．０５）を仮定して求めた。)となる。光照射によりキャリア(正孔)を生成することにより、Ｍｎ間の強磁性相互作用の増加と共に、磁化の値が増加し、反磁場が変化する。キャリア濃度の変化により(２)式の異方性磁場Ｈａｎも変化するため共鳴周波数ωが変化し、吸収が起こる周波数が照射光強度の関数として連続的に変化する。
【００２７】
図６及び図７は、異なる光照射強度Ｐに対する吸収特性（透過率）を示す図である。図６に示すように、Ｐ＝０、Ｐ１、Ｐ２において、共鳴周波数ωに対応する透過率のノッチの位置する周波数が異なり、照射する光の強度により共鳴周波数ωを制御（ω０、ω１、ω２）することができることがわかる。図７は、光強度Ｐに対する共鳴周波数の関係を示す図である。図７に示すように、光強度Ｐにより共鳴周波数ωを制御することができることがわかる。尚、正孔濃度をｎ型不純物添加により低くした常磁性素子を用いると、光照射により常磁性（Ｍ＝０、オフ状態）から強磁性（Ｍ≠０、オン状態）まで変調することが可能であり、強磁性状態では光照射による強磁性共鳴周波数制御が可能となる。
【００２８】
以上において説明したように、本実施例によれば、照射光によりキャリアを変調させ、強磁性体の共鳴周波数を制御することができることがわかった。例えばＩｎＭｎＡｓを用いても、同様に光照射による強磁性共鳴周波数制御が可能である。
【実施例３】
【００２９】
次に、本発明の第３実施例について図面を参照しつつ説明を行う。本実施例は、電気的周波数可変広帯域ノッチフィルタ素子に関し、マイクロ波周波数で動作可能なノッチフィルタであり、前述の強磁性共鳴制御素子を使い電界効果により広範囲で吸収周波数を制御できるノッチフィルタ素子である。
【００３０】
図８は、本実施例によるノッチフィルタ素子の構成例を示す斜視図である。図８に示すように、導電性基板(例えばｎ＋−ＧａＡｓ)４１上に、絶縁層(ｕｎｄｏｐｅｄ（ｉ）−Ｇａ1-yＡｌyＡｓ（０≦ｙ≦１）層)４３を積層し、その上にＧａ１−ｘＭｎｘＡｓ薄膜４５を積層した多層構造を形成する。添加するＭｎ濃度ｘは金属的な電気伝導を示すｘ≧０．０３である。次に、マイクロストリップライン形状の細線に加工して磁化方向の制御を行う。細線形状に加工し縦横比を大きくすることにより磁化Ｍは細線の延在する方向へ向く。ここで、ＧａＭｎＡｓに特有な磁気異方性を利用して特定の方向（細線方向）へ磁化Ｍを向けることもできる。例えば、キャリア濃度が高い試料を選べば［１１０］／［１１−０］間の一軸異方性が支配的である。これを利用して［１１０］方向に細線を作製する。Ｇａ１−ｘＭｎｘＡｓ層４５に絶縁膜４６を形成する（Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２など）。或いは、ＧａＭｎＡｓ層４５上に絶縁性半導体薄膜（例えばｕｎｄｏｐｅｄ（ｉ）−Ｇａ1-yＡｌyＡｓ（０≦ｙ≦１））を積層してもよい。次いで、絶縁性半導体薄膜層４６上に、電界印加用の金属電極（Ａｕ又はＡｌなど）４７を形成する。ＧａＭｎＡｓ薄膜４５上に電極材料を形成し、電極材料とＧａＭｎＡｓとを同時に加工して細線を形成しても良い。次いで、ＧａＭｎＡｓ層４５からなるストリップラインの両端に電極Ｅ１、Ｅ２を形成し、その後に、例えば、マイクロ波を導波させるため同軸ケーブル５１を接続する。
【００３１】
上記構造において、金属電極４７によりＧａＭｎＡｓ層４５に対して電界を印加することで、ＧａＭｎＡｓ中のキャリア濃度を変調させ、共鳴周波数ωを調整することにより、同軸ケーブル５１を通る高周波信号に対してフィルタリングを行うことができる。本高周波フィルタ素子は、例えばＩｎＭｎＡｓを用いても作製することができる。
【００３２】
以上、本発明の実施の形態又は実施例によれば、マイクロ波で動作するノッチフィルタであって、電界効果又は光照射によって、広範囲で吸収周波数を制御できるノッチフィルタを得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明は、ある特定の周波数のノイズをカットするＧＨｚ帯のノッチフィルタやマイクロ波スイッチング素子などに応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】ラーマー歳差運動に基づく強磁性体の強磁性共鳴現象の原理を示す図である。
【図２】本発明の第１実施例による素子の層構造の例を示す図である。
【図３】第１実施例による素子の透過率の周波数依存性を異なる電界について示す図である。
【図４】第１実施例による素子の共鳴周波数の電界依存性を示す図である。
【図５】本発明の第２実施例による素子の層構造の例を示す図である。
【図６】第２実施例による素子の透過率の周波数依存性を異なる光強度について示す図である。
【図７】第２実施例による素子の共鳴周波数の光強度依存性を示す図である。
【図８】本発明の第３実施例によるノッチフィルタ素子の構成例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３５】
１…ＧａＡｓ半絶縁性基板、３…絶縁層、５…Ｇａ１−ｘＭｎｘＡｓ層の薄膜、７…絶縁膜、１１…電界印加用の金属電極、２１…ＧａＡｓ半絶縁性基板、２３…絶縁層、２５…Ｇａ１−ｘＭｎｘＡｓ層の薄膜、４１…導電性基板、４３…絶縁層、４５…Ｇａ１−ｘＭｎｘＡｓ層の薄膜、４６…絶縁性半導体薄膜層、４７…電界印加用の金属電極、５１…同軸ケーブル。
【図１】
2005286867.tif 000005
【図２】
2005286867.tif 000006
【図３】
2005286867.tif 000007
【図４】
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【図５】
2005286867.tif 000009
【図６】
2005286867.tif 000010
【図７】
2005286867.tif 000011
【図８】
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