(57)【要約】【課題】  拡張接続可能であって所望の特性を有することができる光複合モジュールを提供する。【解決手段】  光複合モジュール１は、親基板１１０と、この親基板１１０に対して拡張接続可能な子基板１２０とを備える。親基板１１０上には、バスライン１１１に接続された不揮発性メモリ１１２およびＣＰＵ１１３が搭載され、ＡＷＧ１１４が搭載されている。子基板１２０上には、バスライン１２１に接続された不揮発性メモリ１２２およびＡＤ／ＤＡ変換部１２７が搭載され、また、可変光アッテネータ１２５およびタップモニタ１２６が搭載されている。子基板１２０上のメモリ１２２は、可変光アッテネータ１２５およびタップモニタ１２６それぞれの特性情報を記憶する。親基板１１０上のメモリ１１２は、ＡＷＧ１１４の特性情報を記憶する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１光部品と、該第１光部品の特性情報を記憶する第１メモリと、を搭載する第１基板と、
前記第１光部品に光学的に接続される第２光部品と、該第２光部品の特性情報を記憶する第２メモリと、を搭載し、前記第１基板に対して拡張接続可能な第２基板と、
前記第１基板上に搭載され、前記第１メモリに記憶されている前記第１光部品の特性情報を読み出すとともに、前記第２メモリに記憶されている前記第２光部品の特性情報を読み出して、これらの読み出した特性情報に基づいて、前記第１光部品および前記第２光部品を経て前記第１基板および前記第２基板から出力される光の特性を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする光複合モジュール。
【請求項２】
第１光部品と、該第１光部品の特性情報を記憶する第１メモリと、を搭載する第１基板と、
前記第１光部品に光学的に接続される第２光部品と、該第２光部品の特性情報を記憶する第２メモリと、を搭載し、前記第１基板に対して拡張接続可能な第２基板と、
前記第１基板上に搭載され、前記第１メモリに記憶されている前記第１光部品の特性情報を読み出して、この読み出した特性情報に基づいて、前記第１光部品を経て前記第１基板から出力される光の特性を制御する第１制御部と、
前記第２基板上に搭載され、前記第２メモリに記憶されている前記第２光部品の特性情報を読み出して、この読み出した特性情報に基づいて、前記第２光部品を経て前記第２基板から出力される光の特性を制御する第２制御部と、
を備えることを特徴とする光複合モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光部品を各々搭載する複数の基板を含む光複合モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光モジュールの１例として例えば非特許文献１に記載された光ＡＤＭ（Add-Drop Multiplexer）が知られている。この文献に記載された光モジュールは、光分波器、光合波器、ＡＷＧ（Arrayed Waveguide Gratings）、可変光アッテネータ、光スイッチ、光分岐器および受光素子を、光部品として含んでいる。
【０００３】
この光モジュールにおいて、光分波器および分波用ＡＷＧにより分波された各波長の信号光は、可変光アッテネータにより減衰され、その後に光分岐器および受光素子からなるタップモニタによりパワーがモニタされ、そして、合波用ＡＷＧおよび光合波器により合波されて出力される。タップモニタによる光パワーモニタの結果に基づいて、可変光アッテネータにおける光減衰量が調整されて、これにより、各波長の信号光のパワーが一定に制御される。
【非特許文献１】見尾世津子，他，「10Gb/s 90ch ＤＷＤＭシステムにおける任意波長選択可能なＯＡＤＭの開発」，２００２年電子情報通信学会総合大会，Ｂ-１０-５７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の光モジュールでは、タップモニタおよび可変光アッテネータからなるフィードバックループによる制御により、各波長の信号光パワーが一定に制御される。しかし、これらの光部品は、図４に示されるように波長依存性や温度依存性を有しており、また、特性が必ずしも線形ではない。図４は、温度７０℃，２５℃および−５℃それぞれの場合におけるタップモニタ出力値の波長依存性を示すグラフである。
【０００５】
このことから、タップモニタによる光パワーのモニタ値が正確でない場合があり、また、可変光アッテネータにおける光減衰量の調整が正確でない場合がある。したがって、各波長の信号光パワーの一定制御が正確に行われない場合がある。また、これらの光部品の特性が個体毎に異なる場合もあり、これによっても、各波長の信号光パワーの一定制御が正確に行われない場合がある。
【０００６】
特に、或る光部品を搭載する親基板に対して、他の光部品を搭載する子基板が拡張接続可能である場合には、親基板と子基板との接続が任意に可能であることから、上述したように光部品の波長依存性や温度依存性が個体毎に異なっていると、親基板と子基板とを含む光複合モジュールの全体の特性は、所望のものでない場合が多い。
【０００７】
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、拡張接続可能であって所望の特性を有することができる光複合モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る光複合モジュールは、(1) 第１光部品と、該第１光部品の特性情報を記憶する第１メモリと、を搭載する第１基板と、(2) 第１光部品に光学的に接続される第２光部品と、該第２光部品の特性情報を記憶する第２メモリと、を搭載し、第１基板に対して拡張接続可能な第２基板と、(3) 第１基板上に搭載され、第１メモリに記憶されている第１光部品の特性情報を読み出すとともに、第２メモリに記憶されている第２光部品の特性情報を読み出して、これらの読み出した特性情報に基づいて、第１光部品および第２光部品を経て第１基板および第２基板から出力される光の特性を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
この光複合モジュールでは、第１基板上に搭載されたせ制御部により、第１基板上に搭載されている第１メモリに記憶されている第１光部品の特性情報が読み出されるとともに、第２基板上に搭載されている第２メモリに記憶されている第２光部品の特性情報が読み出されて、これらの読み出された特性情報に基づいて、第１光部品および第２光部品を経て第１基板および第２基板から出力される光の特性が制御される。
【００１０】
本発明に係る光複合モジュールは、(1) 第１光部品と、該第１光部品の特性情報を記憶する第１メモリと、を搭載する第１基板と、(2) 第１光部品に光学的に接続される第２光部品と、該第２光部品の特性情報を記憶する第２メモリと、を搭載し、第１基板に対して拡張接続可能な第２基板と、(3) 第１基板上に搭載され、第１メモリに記憶されている第１光部品の特性情報を読み出して、この読み出した特性情報に基づいて、第１光部品を経て第１基板から出力される光の特性を制御する第１制御部と、(4) 第２基板上に搭載され、第２メモリに記憶されている第２光部品の特性情報を読み出して、この読み出した特性情報に基づいて、第２光部品を経て第２基板から出力される光の特性を制御する第２制御部と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
この光複合モジュールでは、第１基板上に搭載されたせ制御部により、第１基板上に搭載されている第１メモリに記憶されている第１光部品の特性情報が読み出されて、この読み出された特性情報に基づいて、第１光部品を経て第１基板から出力される光の特性が制御される。第２基板上に搭載されたせ制御部により、第２基板上に搭載されている第２メモリに記憶されている第２光部品の特性情報が読み出されて、この読み出された特性情報に基づいて、第２光部品を経て第２基板から出力される光の特性が制御される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る光複合モジュールは、親基板（第１基板）に対して子基板（第２基板）が拡張接続可能であって、しかも、所望の特性を有することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１４】
（第１実施形態）
先ず、本発明に係る光複合モジュールの第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る光複合モジュール１の基本構成図である。この図に示される光複合モジュール１は、親基板（第１基板）１１０と、この親基板１１０に対して拡張接続可能な子基板（第２基板）１２０と、を備える。
【００１５】
親基板１１０上には、バスライン１１１が設けられ、このバスライン１１１に接続された不揮発性メモリ１１２およびＣＰＵ（制御部）１１３が搭載され、また、光部品としてＡＷＧ１１４が搭載されている。子基板１２０上には、バスライン１２１が設けられ、このバスライン１２１に接続された不揮発性メモリ１２２およびＡＤ／ＤＡ変換部１２７が搭載され、また、光部品として可変光アッテネータ１２５およびタップモニタ１２６が搭載されている。
【００１６】
子基板１２０上の光部品である可変光アッテネータ１２５およびタップモニタ１２６それぞれは８チャンネルのものである。可変光アッテネータ１２５は、子基板１２０上の入力用光コネクタを介して外部から８チャンネルの信号光を入力して、その各チャンネルの信号光に対して減衰を与えて出力する。可変光アッテネータ１２５における光減衰量は、可変であり、タップモニタ１２６による光パワーモニタ結果に基づいて調整される。
【００１７】
子基板１２０上のタップモニタ１２６は、可変光アッテネータ１２５から出力された各チャンネルの信号光の光伝送路上に設けられた光分岐器により、その光の一部を分岐して取り出して、この光分岐器により分岐されて取り出された光のパワーを受光素子により検出することで、可変光アッテネータ１２５から出力された各チャンネルの信号光のパワーをモニタする。そして、タップモニタ１２６は、子基板１２０上の出力用光コネクタを介して８チャンネルの信号光を外部へ出力する。
【００１８】
親基板１１０上の光部品であるＡＷＧ１１４は４０チャンネルのものである。ＡＷＧ１１４は、親基板１１０上の入力用光コネクタを介して外部から４０チャンネルの信号光を入力し、これらの信号光を合波して、この合波した信号光を親基板１１０上の出力用光コネクタを介して外部へ出力する。
【００１９】
子基板１２０上のＡＤ／ＤＡ変換部１２７は、タップモニタ１２６による光パワーモニタ結果を入力し、これをデジタル値に変換して、このデジタル値をバスライン１２１へ出力する。また、ＡＤ／ＤＡ変換部１２７は、バスライン１２１を経て到達した制御コマンドを入力し、この制御コマンドに基づいて上記デジタル値を演算処理し、この演算処理した後のデジタル値をアナログ値に変換して、このアナログ値を可変光アッテネータ１２５に入力させることで、可変光アッテネータ１２５における光減衰量を調整する。
【００２０】
子基板１２０上のメモリ１２２は、可変光アッテネータ１２５およびタップモニタ１２６それぞれの特性情報を記憶するものであり、その記憶している特性情報のデータをバスライン１２１へ出力し、或いは、バスライン１２１を経て入力した特性情報のデータを記憶する。
【００２１】
親基板１１０上のメモリ１１２は、ＡＷＧ１１４の特性情報を記憶するものであり、その記憶している特性情報のデータをバスライン１１１へ出力し、或いは、バスライン１１１を経て入力した特性情報のデータを記憶する。ＣＰＵ１１３は、バスライン１１１を経て入力したデータを処理し、また、制御コマンドやデータをバスライン１１１へ出力する。
【００２２】
親基板１１０に対して子基板１２０は拡張接続可能であり、１枚の親基板１１０に対して５枚まで子基板１２０が接続され得る。図２は、第１実施形態に係る光複合モジュール１における拡張接続を説明する図である。なお、この図では、各基板上の光部品のみが示されている。例えば、親基板１１０のＡＷＧ１１４が波長λ１〜λ４０の信号光を合波するものであるとすると、第１の子基板１２０１は波長λ１〜λ８の信号光を処理し、第２の子基板１２０２は波長λ９〜λ１６の信号光を処理し、第３の子基板１２０３は波長λ１７〜λ２４の信号光を処理し、第４の子基板１２０４は波長λ２５〜λ３２の信号光を処理し、また、第５の子基板１２０５は波長λ３３〜λ４０の信号光を処理する。
【００２３】
そして、親基板１１０のＡＷＧ１１４は、第１の子基板１２０１から出力される波長λ１〜λ８の信号光、第２の子基板１２０２から出力される波長λ９〜λ１６の信号光、第３の子基板１２０３から出力される波長λ１７〜λ２４の信号光、第４の子基板１２０４から出力される波長λ２５〜λ３２の信号光、および、第５の子基板１２０５から出力される波長λ３３〜λ４０の信号光を入力して、これらを合波して出力する。なお、親基板１１０と子基板１２０１〜１２０５それぞれとの間は、例えばリボンファイバにより光学的に接続される。
【００２４】
また、親基板１１０におけるバスライン１１１と、子基板１２０におけるバスライン１２１とは、互いに接続されている。そして、親基板１１０上のＣＰＵ１１３は、同じ親基板１１０上のメモリ１１２およびＡＷＧ１１４とバスライン１１１を介して接続されているだけでなく、他方の子基板１２０上のメモリ１２２およびＡＤ／ＤＡ変換部１２７とバスライン１１１およびバスライン１２１を介して接続されており、さらに、外部のホストコンピュータとも接続が可能である。
【００２５】
親基板１１０上のＣＰＵ１１３は、メモリ１１２に記憶されているＡＷＧ１１４の特性情報を読み出すとともに、メモリ１２２に記憶されている可変光アッテネータ１２５およびタップモニタ１２６それぞれの特性情報を読み出して、これらの読み出した特性情報に基づいて、可変光アッテネータ１２５，タップモニタ１２６およびＡＷＧ１１４を経て親基板１１０から出力される光の特性を制御する。
【００２６】
具体的には、ＣＰＵ１１３は、メモリ１１２に記憶されているＡＷＧ１１４の特性情報、メモリ１２２に記憶されている可変光アッテネータ１２５の特性情報、および、メモリ１２２に記憶されているタップモニタ１２６の特性情報、それぞれを読み出す。これらの特性情報は、各光部品の波長依存性や温度依存性の情報を含む。そして、ＣＰＵ１１３は、可変光アッテネータ１２５およびタップモニタ１２６それぞれの特性情報に基づいて、ＡＤ／ＤＡ変換部１２７を制御するための制御コマンドを出力する。また、ＣＰＵ１１３は、ＡＷＧ１１４の特性情報に基づいて、ＡＷＧ１１４を制御するための制御コマンドを出力する。
【００２７】
ＡＤ／ＤＡ変換部１２７は、タップモニタ１２６による光パワーモニタ結果を入力し、また、ＣＰＵ１１３から出力された制御コマンドを入力する。そして、ＡＤ／ＤＡ変換部１２７は、入力した光パワーモニタ結果をデジタル値に変換し、入力した制御コマンドに基づいて上記デジタル値を演算処理する。さらに、ＡＤ／ＤＡ変換部１２７は、この演算処理した後のデジタル値をアナログ値に変換し、このアナログ値を可変光アッテネータ１２５に入力させて、これにより、可変光アッテネータ１２５における光減衰量を調整する。また、ＡＷＧ１１４は、ＣＰＵ１１３から出力された制御コマンドを入力し、この制御コマンドに基づいて動作が制御される。
【００２８】
このような制御が行われることにより、各光部品の波長依存性や温度依存性が補償されるので、子基板１２０から出力される各チャンネルの信号光のパワーは一定になり、また、親基板１１０から出力される各チャンネルの信号光のパワーも一定になる。しかも、子基板１２０に搭載された光部品（可変光アッテネータ１２５およびタップモニタ１２６）の特性情報は、同じ子基板１２０に搭載されたメモリ１２２に記憶されるので、この子基板１２０が親基板１１０に拡張接続された場合であっても、上記のように各光部品の波長依存性や温度依存性が補償されて、子基板１２０から出力される各チャンネルの信号光のパワーは一定になる。
【００２９】
なお、親基板１１０および子基板１２０の双方または何れか一方に温度センサが搭載されていて、ＣＰＵ１１３は、この温度センサにより測定された温度情報に基づいて制御コマンドを出力するのが好適である。また、ＣＰＵ１１３は、外部からバスライン１１１を介して波長情報を入力して、この波長情報に基づいて制御コマンドを出力するのが好適である。また、メモリ１１２やメモリ１２２に記憶させるべき特性情報のデータは、外部からバスライン１１１またはバスライン１２１を介して、メモリ１１２またはメモリ１２２に記憶させることができる。
【００３０】
（第２実施形態）
次に、本発明に係る光複合モジュールの第２実施形態について説明する。図３は、第２実施形態に係る光複合モジュール２の基本構成図である。この図に示される光複合モジュール２は、親基板（第１基板）２１０と、この親基板２１０に対して拡張接続可能な子基板（第２基板）２２０と、を備える。
【００３１】
親基板２１０上には、バスライン２１１が設けられ、このバスライン２１１に接続された不揮発性メモリ２１２およびＣＰＵ（第１制御部）２１３が搭載され、また、光部品としてＡＷＧ２１４が搭載されている。子基板２２０上には、バスライン２２１が設けられ、このバスライン２２１に接続された不揮発性メモリ２２２，ＣＰＵ（第２制御部）２２３およびＡＤ／ＤＡ変換部２２７が搭載され、また、光部品としてタップモニタ２２４，可変光アッテネータ２２５およびタップモニタ２２６が搭載されている。
【００３２】
子基板２２０上の光部品であるタップモニタ２２４，可変光アッテネータ２２５およびタップモニタ２２６それぞれは８チャンネルのものである。タップモニタ２２４は、子基板２２０上の入力用光コネクタを介して外部から８チャンネルの信号光を入力し、この光の一部を光分岐器により岐して取り出して、この光分岐器により分岐されて取り出された光のパワーを受光素子により検出する。可変光アッテネータ２２５は、タップモニタ２２４から出力された各チャンネルの信号光を入力して、その各チャンネルの信号光に対して減衰を与えて出力する。可変光アッテネータ２２５における光減衰量は、可変であり、タップモニタ２２４およびタップモニタ２２６それぞれによる光パワーモニタ結果に基づいて調整される。
【００３３】
子基板２２０上のタップモニタ２２６は、可変光アッテネータ２２５から出力された各チャンネルの信号光の光伝送路上に設けられた光分岐器により、その光の一部を分岐して取り出して、この光分岐器により分岐されて取り出された光のパワーを受光素子により検出することで、可変光アッテネータ２２５から出力された各チャンネルの信号光のパワーをモニタする。そして、タップモニタ２２６は、子基板２２０上の出力用光コネクタを介して８チャンネルの信号光を外部へ出力する。
【００３４】
親基板２１０上の光部品であるＡＷＧ２１４は４０チャンネルのものである。ＡＷＧ２１４は、親基板２１０上の入力用光コネクタを介して外部から４０チャンネルの信号光を入力し、これらの信号光を合波して、この合波した信号光を親基板２１０上の出力用光コネクタを介して外部へ出力する。
【００３５】
子基板２２０上のＡＤ／ＤＡ変換部２２７は、タップモニタ２２４およびタップモニタ２２６それぞれによる光パワーモニタ結果を入力し、これをデジタル値に変換して、このデジタル値をバスライン２２１へ出力する。また、ＡＤ／ＤＡ変換部２２７は、バスライン２２１を経て到達した制御コマンドを入力し、この制御コマンドに基づいて上記デジタル値を演算処理し、この演算処理した後のデジタル値をアナログ値に変換して、このアナログ値を可変光アッテネータ２２５に入力させることで、可変光アッテネータ２２５における光減衰量を調整する。
【００３６】
子基板２２０上のメモリ２２２は、タップモニタ２２４，可変光アッテネータ２２５およびタップモニタ２２６それぞれの特性情報を記憶するものであり、その記憶している特性情報のデータをバスライン２２１へ出力し、或いは、バスライン２２１を経て入力した特性情報のデータを記憶する。ＣＰＵ２２３は、バスライン２２１を経て入力したデータを処理し、また、制御コマンドやデータをバスライン２２１へ出力する。
【００３７】
親基板２１０上のメモリ２１２は、ＡＷＧ２１４の特性情報を記憶するものであり、その記憶している特性情報のデータをバスライン２１１へ出力し、或いは、バスライン２１１を経て入力した特性情報のデータを記憶する。ＣＰＵ２１３は、バスライン２１１を経て入力したデータを処理し、また、制御コマンドやデータをバスライン２１１へ出力する。
【００３８】
親基板２１０に対して子基板２２０は拡張接続可能であり、１枚の親基板２１０に対して５枚まで子基板２２０が接続され得る。この接続の態様については、図２に示したものと同様である。例えば、親基板２１０のＡＷＧ２１４が波長λ１〜λ４０の信号光を合波するものであるとすると、第１の子基板２２０１は波長λ１〜λ８の信号光を処理し、第２の子基板２２０２は波長λ９〜λ１６の信号光を処理し、第３の子基板２２０３は波長λ１７〜λ２４の信号光を処理し、第４の子基板２２０４は波長λ２５〜λ３２の信号光を処理し、また、第５の子基板２２０５は波長λ３３〜λ４０の信号光を処理する。
【００３９】
そして、親基板２１０のＡＷＧ２１４は、第１の子基板２２０１から出力される波長λ１〜λ８の信号光、第２の子基板２２０２から出力される波長λ９〜λ１６の信号光、第３の子基板２２０３から出力される波長λ１７〜λ２４の信号光、第４の子基板２２０４から出力される波長λ２５〜λ３２の信号光、および、第５の子基板２２０５から出力される波長λ３３〜λ４０の信号光を入力して、これらを合波して出力する。なお、親基板２１０と子基板２２０１〜２２０５それぞれとの間は、例えばリボンファイバにより光学的に接続される。
【００４０】
また、親基板２１０におけるバスライン２１１と、子基板２２０におけるバスライン２２１とは、互いに接続されている。そして、親基板２１０上のＣＰＵ２１３は、同じ親基板２１０上のメモリ２１２およびＡＷＧ２１４とバスライン２１１を介して接続されているだけでなく、他方の子基板２２０上のメモリ２２２およびＡＤ／ＤＡ変換部２２７とバスライン２１１およびバスライン２２１を介して接続されている。また、子基板２２０上のＣＰＵ２２３は、同じ子基板２２０上のメモリ２２２およびＡＤ／ＤＡ変換部２２７とバスライン２２１を介して接続されている。さらに、これらのバスライン２１１，２２１は、外部のホストコンピュータとも接続が可能である。
【００４１】
親基板２１０上のＣＰＵ２１３は、メモリ２１２に記憶されているＡＷＧ２１４の特性情報を読み出すとともに、メモリ２２２に記憶されているタップモニタ２２４，可変光アッテネータ２２５およびタップモニタ２２６それぞれの特性情報を読み出して、これらの読み出した特性情報に基づいて、ＡＷＧ２１４を経て親基板２１０から出力される光の特性を制御する。
【００４２】
また、子基板２２０上のＣＰＵ２２３は、メモリ２２２に記憶されているタップモニタ２２４，可変光アッテネータ２２５およびタップモニタ２２６それぞれの特性情報を読み出して、これらの読み出した特性情報に基づいて、タップモニタ２２６を経て子基板２２０から出力される光の特性を制御する。
【００４３】
具体的には、親基板２１０上のＣＰＵ２１３は、メモリ２１２に記憶されているＡＷＧ２１４の特性情報、メモリ２２２に記憶されているタップモニタ２２４の特性情報、メモリ２２２に記憶されている可変光アッテネータ２２５の特性情報、および、メモリ２２２に記憶されているタップモニタ２２６の特性情報、それぞれを読み出す。これらの特性情報は、各光部品の波長依存性や温度依存性の情報を含む。そして、ＣＰＵ２１３は、タップモニタ２２４，可変光アッテネータ２２５，タップモニタ２２６およびＡＷＧ２１４それぞれの特性情報に基づいて、ＡＷＧ２１４を制御するための制御コマンドを出力する。
【００４４】
また、子基板２２０上のＣＰＵ２２３は、メモリ２２２に記憶されているタップモニタ２２４の特性情報、メモリ２２２に記憶されている可変光アッテネータ２２５の特性情報、および、メモリ２２２に記憶されているタップモニタ２２６の特性情報、それぞれを読み出す。そして、ＣＰＵ２２３は、タップモニタ２２４，可変光アッテネータ２２５およびタップモニタ２２６それぞれの特性情報に基づいて、ＡＤ／ＤＡ変換部２２７を制御するための制御コマンドを出力する。
【００４５】
ＡＤ／ＤＡ変換部２２７は、タップモニタ２２４およびタップモニタ２２６それぞれによる光パワーモニタ結果を入力し、また、ＣＰＵ２２３から出力された制御コマンドを入力する。そして、ＡＤ／ＤＡ変換部２２７は、入力した光パワーモニタ結果をデジタル値に変換し、入力した制御コマンドに基づいて上記デジタル値を演算処理する。さらに、ＡＤ／ＤＡ変換部２２７は、この演算処理した後のデジタル値をアナログ値に変換し、このアナログ値を可変光アッテネータ２２５に入力させて、これにより、可変光アッテネータ２２５における光減衰量を調整する。また、ＡＷＧ２１４は、ＣＰＵ２１３から出力された制御コマンドを入力し、この制御コマンドに基づいて動作が制御される。
【００４６】
このような制御が行われることにより、各光部品の波長依存性や温度依存性が補償されるので、子基板２２０から出力される各チャンネルの信号光のパワーは一定になり、また、親基板２１０から出力される各チャンネルの信号光のパワーも一定になる。しかも、子基板２２０に搭載された光部品（タップモニタ２２４，可変光アッテネータ２２５およびタップモニタ２２６）の特性情報は、同じ子基板２２０に搭載されたメモリ２２２に記憶されるので、この子基板２２０が親基板２１０に拡張接続された場合であっても、上記のように各光部品の波長依存性や温度依存性が補償されて、子基板２２０から出力される各チャンネルの信号光のパワーは一定になる。また、ＣＰＵ２２３は、子基板２２０のみを制御するので、親基板２１０上のＣＰＵ２１３に大きな負担をかけることなく、高速動作が可能となる。
【００４７】
なお、親基板２１０および子基板２２０の双方または何れか一方に温度センサが搭載されていて、ＣＰＵ２１３およびＣＰＵ２２３それぞれは、この温度センサにより測定された温度情報に基づいて制御コマンドを出力するのが好適である。また、ＣＰＵ２１３およびＣＰＵ２２３それぞれは、外部からバスライン２１１またはバスライン２２１を介して波長情報を入力して、この波長情報に基づいて制御コマンドを出力するのが好適である。また、メモリ２１２やメモリ２２２に記憶させるべき特性情報のデータは、外部からバスライン２１１またはバスライン２２１を介して、メモリ２１２またはメモリ２２２に記憶させることができる。
【００４８】
（変形例）
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、親基板に拡張接続される複数の子基板は、上記実施形態では互いに同一種類のものであったが、互いに異なる種類のものであってもよい。後者のような場合にも、各々の子基板に搭載された光部品の特性情報は、同じ子基板に搭載されたメモリに記憶されるので、この子基板が親基板に拡張接続された場合であっても、各光部品の波長依存性や温度依存性が補償されて、子基板の光入出力特性は所望のものとなり得る。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】第１実施形態に係る光複合モジュール１の基本構成図である。
【図２】第１実施形態に係る光複合モジュール１における拡張接続を説明する図である。
【図３】第２実施形態に係る光複合モジュール２の基本構成図である。
【図４】温度７０℃，２５℃および−５℃それぞれの場合におけるタップモニタ出力値の波長依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５０】
１，２…光複合モジュール、１１０…親基板（第１基板）、１１１…バスライン、１１２…メモリ、１１３…ＣＰＵ（制御部）、１１４…ＡＷＧ、１２０…子基板（第２基板）、１２１…バスライン、１２２…メモリ、１２５…可変光アッテネータ、１２６…タップモニタ、１２７…ＡＤ／ＤＡ変換部、２１０…親基板（第１基板）、２１１…バスライン、２１２…メモリ、２１３…ＣＰＵ（第１制御部）、２１４…ＡＷＧ、２２０…子基板（第２基板）、２２１…バスライン、２２２…メモリ、２２３…ＣＰＵ（第２制御部）、２２４…タップモニタ、２２５…可変光アッテネータ、２２６…タップモニタ、２２７…ＡＤ／ＤＡ変換部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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