(57)【要約】      （修正有）【課題】光放射圧により捕捉された微粒子を用いて被加工物の目的材料除去を行う加工方法および加工装置を提供する。【解決手段】加工装置では、光を照射し、その光放射圧により微粒子２８を捕捉するための第１の光源１２と、捕捉された微粒子に運動を与える運動提供手段と、微粒子を捕捉した状態で被加工物に対して相対的に接近・離間させる移動手段２６と、微粒子の運動状態を検出する検出手段と、微粒子を被加工物に対して相対的に走査させる走査手段とを備えている。また、本加工装置は第１の光源からの照射光と異なる波長の光を微粒子に照射する第２の光源３０を備え、検出手段は微粒子からの反射光のうち第２の光源からの照射光波長のみを受光部３６を有することで微粒子の振幅状態を検出することで加工ツールとしての微粒子を被加工物近傍に位置決めすることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定光源から照射された光の放射圧により微粒子を捕捉し、
捕捉された微粒子を被加工物に近接させることにより近接箇所における被加工物の目的材料除去を行う加工方法。
【請求項２】
前記捕捉された前記微粒子を被加工物に近接した状態で位置決めし、
位置決めされた状態で前記微粒子を被加工物に対して相対的に走査させる、ことにより被加工物の目的材料除去を行う、請求項１に記載の被加工物の目的材料除去を行う加工方法。
【請求項３】
前記位置決めは、前記微粒子に運動を与えて被加工物に接近させ、該微粒子の運動が抑制された位置を位置基準として検出し、該位置基準からの相対位置に基づいて設定することでなされる、請求項２に記載の被加工物の目的材料除去を行う加工方法。
【請求項４】
前記微粒子に与える運動は、前記光源からの照射光に偏向を与えることでなされる、請求項３に記載の被加工物の目的材料除去を行う加工方法。
【請求項５】
前記微粒子の被加工物に対する相対的な走査は、同一加工位置を複数回反復して行い、
さらに、前記被加工物の目的材料除去の量は、同一加工位置における反復走査回数を変化させることで制御する、請求項２〜４のいずれか１項に記載の被加工物の目的材料除去を行う加工方法。
【請求項６】
前記被加工物の目的材料除去の量は、設定された前記位置基準からの相対位置を変化させることで制御する、請求項２〜４のいずれか１項に記載の被加工物の目的材料除去を行う加工方法。
【請求項７】
光を照射し、その光放射圧により微粒子を捕捉するための第１の光源と、
捕捉された前記微粒子に運動を与える運動提供手段と、
該微粒子を捕捉した状態で被加工物に対して相対的に接近・離間させる移動手段と、
前記微粒子の運動状態を検出する検出手段と、
前記微粒子を被加工物に対して相対的に走査させる走査手段と、を備えた被加工物の目的材料除去を行う加工装置。
【請求項８】
さらに、前記第１の光源からの照射光と異なる波長の光を前記微粒子に照射する第２の光源を備え、
前記検出手段は、前記微粒子からの反射光のうち前記第２の光源からの照射光波長のみの受光部を有する、請求項７に記載の被加工物の目的材料除去を行う加工装置。
【請求項９】
前記運動提供手段は、前記第１の光源からの照射光に往復偏向を与えることで前記微粒子に往復運動を与える偏向部を有する、請求項７又は８に記載の被加工物の目的材料除去を行う加工装置。
【請求項１０】
前記偏向部は、ＡＯＤ素子、ポリゴンミラー若しくはガルバノミラーにより構成される、請求項９に記載の被加工物の目的材料除去を行う加工装置。
【請求項１１】
さらに、前記第２の光源からの光を前記第１の光源からの光と同一の光軸で前記捕捉された微粒子に照射させるスプリッターを備える、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の被加工物の目的材料除去を行う加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光放射圧により捕捉（トラップ）した微粒子プローブを用いて被加工物の目的材料除去を行う加工装置および加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代ＭＥＳやマイクロマシンの実現は、情報通信、バイオ、医療福祉、低環境負荷、社会基盤等の発展に貢献すると期待されている。これらの実現のためには、ナノオーダの加工精度が不可欠になってくる。とりわけ、これらの加工精度の向上には加工装置と被加工物との相対的位置関係の制御が重要であり、ナノオーダの位置決め精度およびその再現性、さらには種々の被加工物に対応できる自由度を有していることが要求される。
【０００３】
しかしながら、従来の加工装置においては種々形状が変位する被加工物に対応すべく加工ツール先端をナノオーダーで位置決めすることが困難であり、特に３次元で変形する被加工物では被加工物に対する加工ツールの相対位置を検出して位置決めすることができなかった。また、従来のレーザ加工では目的加工量を超えて加工痕が形成されるという問題もあり、ナノレベルの加工精度を提供することができなかった。
【特許文献１】特開２００４−１２２４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、被加工物に対して高精度に位置決め可能であり且つ同時に高精度に加工量を制御できる被加工物の目的材料除去を行う加工方法及び加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の加工方法によれば、所定光源から照射された光の放射圧により微粒子を捕捉し、捕捉された微粒子を被加工物に近接させることにより近接箇所における被加工物の目的材料除去を行っている。
【０００６】
また、上記加工方法によれば捕捉された微粒子を被加工物に近接した状態で位置決めし、位置決めされた状態で微粒子を被加工物に対して相対的に走査させることにより被加工物の目的材料除去を行うことが好ましい。
【０００７】
上記位置決めは、微粒子に運動を与えて被加工物に接近させ、微粒子の運動が抑制された位置を位置基準として検出し、その位置基準からの相対位置に基づいて設定することでなされることが好ましく、微粒子に与える運動は、光源からの照射光に偏向を与えることでなしても良い。
【０００８】
また、本加工方法では、微粒子の被加工物に対する相対的な走査を同一加工位置を複数回反復して行っても良く、この場合、被加工物の目的材料除去の量は同一加工位置における反復走査回数を変化させることで制御することができる。さらに、被加工物の目的材料除去の量は、設定された前記位置基準からの相対位置を変化させることで制御しても良い。
【０００９】
また、上記加工方法を用いた加工装置は、光を照射し、その光放射圧により微粒子を捕捉するための第１の光源と、捕捉された微粒子に運動を与える運動提供手段と、微粒子を捕捉した状態で被加工物に対して相対的に接近・離間させる移動手段と、微粒子の運動状態を検出する検出手段と、微粒子を被加工物に対して相対的に走査させる走査手段と、を備えている。これに加え本加工装置では、第１の光源からの照射光と異なる波長の光を前記微粒子に照射する第２の光源を備え、検出手段は微粒子からの反射光のうち第２の光源からの照射光波長のみを受光部を有することが好ましい。
【００１０】
また、運動提供手段は第１の光源からの照射光に往復偏向を与えることで微粒子に往復運動を与える偏向部を有して良く、その偏向部は、ＡＯＤ素子、ポリゴンミラー若しくはガルバノミラーにより構成されることが好ましい。
【００１１】
さらに、上記第２の光源からの光を第１の光源からの光と同一の光軸で捕捉された微粒子に照射させるスプリッターを備えることも可能である。  
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、光放射圧により捕捉された微粒子が対象物に近接（ナノレベルで接近又は衝突することを意味する）した後に離間すると、離間する際に微粒子近傍の対象物材料を除去（剥離）する特性が知得され、この特性を被加工物の加工方法として利用している。具体的に本発明の加工方法では、捕捉微粒子を被加工物に近接させ、その状態で被加工物又は微粒子を捕捉させた要素を走査させることで走査経路に沿って微粒子近傍領域の被加工物材料が除去されていくこととなる。また、捕捉微粒子は加工用プローブとして形成されるためナノオーダの加工精度を達成するためには、被加工物に対して高精度な位置決めをなす必要があり、本加工方法では、微粒子が対象物に近接すると振動の振幅が抑制される特性を利用して位置決めする方法が提供されている。例えば、ガルバノミラーやＡＯＤ（Acousto-Optic Deflector）素子等を用いて微粒子捕捉用のレーザ光等（第１の光源から照射）を偏向させることで、微粒子をも強制的に振動させ、該振動の振幅を検出し、振幅が抑制された位置に微粒子を位置決めする方法を採用している。これにより、被加工物が３次元的で各被加工物ごとに形状が異なる場合でも被加工物に対しての所定相対位置に微粒子を位置決めすることができ、高精度な位置決め、ひいては位置決めされた微粒子を用いた高精度な加工を実行することができる。
【００１３】
また、微粒子が近接するに従って被加工物の除去量が増加する特性と、被加工物の同一箇所を複数回微粒子を走査させると走査回数に略比例して被加工物の除去量が増加する特性とが知得されたことにより、本加工方法で微粒子を高精度に位置決め可能となったことと相まって微粒子の相対位置および走査回数を制御すれば被加工物の加工量を高精度に制御することも可能とされている。換言すれば、本発明の加工方法、およびこの方法を用いて具現化した加工装置によれば、高精度（数ナノｎｍ程度の誤差）な加工ツールの位置決め機能と、高精度な加工機能とを併せ持った加工装置（および加工方法）を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の測定装置と測定方法の実施の形態を例示することにより本発明の内容をより詳細に理解することができよう。なお、以下の説明において「上方向」「下方向」「右方向」「左方向」と示す場合は、それぞれ関係する図に表された方向を示すものとし、また本発明の本質的構成要素として形成されない実施形態の要素は参照番号を略して図示する場合があることに言及する。
【００１５】
まず、本加工装置１０の実施形態の光学系の概略について図１を参照しつつ説明する。
本実施形態では微粒子を捕捉する光学系としての強度を確保すべく光源１２としてAr+レーザ（波長λ=488 nm, 光径φ=1.6 mm）使用されている。このレーザ１２から照射されたレーザ光は図１に示すように２軸配列されたガルバノミラー（Galvano mirror）１４に入射され、偏向が与えられる。その後、偏向光は倍率２．８倍のリレーレンズ系１６を透過することでガルバノミラーによる偏向角の制御精度の向上を図っている。さらに、偏向され、リレーレンズ系１６を透過したレーザ光は偏向ビームスプリッター（以下、「ＰＢＳ」と称す）１８とビームスプリッター２０とを透過し、集光レンズとしての対物レンズ（N.A= 0.9）２２により集光される。
【００１６】
このようにして集光されたレーザ光は、微粒子２８に照射されると微粒子の外部との境界線で反射・屈折するため、光放射圧が発生する。この放射圧の上方向の合力（トラップ力）が微粒子の自重よりも大きいときに微粒子を空間上で捕捉（トラッピング）することとなる。特に、本実施形態ではビームスプリッター２０が、Ar+レーザ１２光の波長の光のみを選択的に略１００％反射して下方に出射する機能を有しており、Ar+レーザ１２からの光を効率的に微粒子２８に照射することができるため、微粒子２８に大きなトラップ力を作用させることを可能にしている。なお、微粒子捕捉の一般技術については公知であり、本発明者らによる文献「レーザートラッピングを用いたナノ３次元検出プローブに関する研究−プローブの基本特性−」（１９９６年度精密工学会春季大会学術講演会論文集）を参照する。
【００１７】
また、上述するように本実施形態ではガルバノミラー１４によりレーザ光が偏向されるため、上記対物レンズ２２による集光点も左右方向に往復運動することとなり、結果として捕捉された微粒子２８も集光点の運動に合わせて往復運動することとなる。すなわち、ガルバノミラー１４により微粒子２８は横方向（左右方向）の強制振動を与えられ、その強制振動はミラー１４の制御に応じて変化する。さらに、ガルバノミラー１４による偏向中心は、対物レンズ２２の後側開口面の共役面に設置されるため、対物レンズ２２への入射光は常に一定量となり、トラップ力も一定になる。なお、本実施形態ではガルバノミラーを使用したが、レーザ光を偏向制御できるものであればこれに限るものではなく、ＡＯＤ（Acousto-Optic Defkector）素子やポリゴンミラーであっても良い。
【００１８】
ここで、光放射圧による微粒子２８の捕捉に関して説明すれば、本実施形態では被加工物２４上に塗布された加工液（本実施形態では純水を使用した）の中にシリカ微粒子を散布しておき、加工液を照射することで集光点近傍のシリカ微粒子が捕捉する方法を採用している。但し、微粒子２８はシリカに限られるわけではなく、ポリスチレン、ＰＭＭＡ（polymethyl methacrylate）等でも良い。
【００１９】
次に、図１を参照すればAr+レーザ１２光により、捕捉された微粒子２８に対向した位置に被加工物２４が配置されていることが理解される。この被加工物２４の載置にはガラス等からなるステージ２６が使用され、図示しないアクチュエータ等により被加工物２６を３次元方向（xyz全方向）に位置調整することができる。従って、微粒子２８と被加工物２４との相対的位置（距離）を変位させることが可能となる。
【００２０】
ここで、微粒子・被加工物の相対的位置と、微粒子に作用する強制振動との関係について説明すれば、光放射圧により捕捉された微粒子は、対象物（本実施形態においては被加工物２４）に近接あるいは接触させると反射光や摩擦等の外力が作用するためその振動状態が抑制され、振動振幅が小さくなる（振動の減衰）という特性を有している。従って、微粒子を被加工物２４に近接させていく工程における振幅の変化を検出すれば、振幅が抑制された位置を微粒子が被加工物２４に近接あるいは接触した位置として検出することができる。その結果、微粒子２８の振動状態を検出すれば種々のばらつき又は表面上の凹凸がある被加工物２４に対しても常に微粒子が被加工物２４に近接（あるいは接触）する位置を検出することができ、被加工物２４に対する高精度な位置決めを行うことが可能となる。
【００２１】
本実施形態１０では、上記微粒子２８の振動状態を検出するためにHe-Neレーザ（λ= 632.8nm, φ= 1.9 mm）３０を使用している。具体的には、He-Neレーザ３０からの光は、Ar+レーザ１２と異なる波長が照射され、ＰＢＳ１８によりAr+レーザ１２と同軸にされた後、ビームスプリッター２０で略５０％程度反射されて（残りの略５０％は透過する）対物レンズ２２に入射される。このHe-Neレーザ３０からの光は、Ar+レーザ１２からの光成分の内側を進行し、対物レンズ２２を介してAr+レーザの集光点で集光され、既に捕捉されてガルバノミラー１４により振動させた微粒子に照射される。このHe-Neレーザ３０から微粒子２８への照射光は、微粒子２８の振動状態を検出するために使用するためのものであり、Ar+レーザ１２からの偏向光による微粒子２８の横方向振動と、微粒子２８の捕捉振動（トラップ力に基づく振動）とを分離するためのものである。具体的には、Ar+レーザ光とHe-Neレーザ光とで照射された微粒子２８からの後方散乱光のうちビームスプリッター２０でHe-Neレーザ光成分のみ透過し（He-Neレーザ光の透過率＝約５０％、Ar+レーザ光の透過率＝約０％）、さらにビームスプリッター２０を介して対物レンズ２２と対向する位置に配設されたダイクロイックミラー３２でNe-Neレーザ光波長のみが反射され、干渉フィルタ３４を通過した後フォトダイオード３６により受光され、出力信号を発信する。
【００２２】
本実施形態における加工装置１０では、この位置決め検出を加工技術として利用する方法を提供するものである。図２を参照すれば、（ａ）〜（ｃ）の順に位置決め工程、加工工程が示され、図１に示す対物レンズ２２から被加工物２４までの空間におけるレーザ光４０と微粒子２８と被加工物２４との位置関係を略示している。まず、図２（ａ）は、微粒子２８が被加工物２４から離間されてレーザ光４０により捕捉された状態を示している。この図からも明らかなようにレーザ光４０はガルバノミラー１４（図１参照）により偏向される左右に往復運動するため、これに伴って捕捉された微粒子２８も横方向に振動する（矢印Ｘ参照）。このとき微粒子２８は被加工物２４による影響が小さいため略自由振動を形成している。
【００２３】
次に、自由振動した状態でステージ２６（図１参照）を上昇（矢印Ｚ参照）させることで、被加工物２４を微粒子２８に接近（矢印Ｚ参照）させる。微粒子２８が被加工物２４に接近すると上述したように振動状態が抑えられ、振動振幅が小さくなる（図２（ｂ）矢印Ｘ´参照）。従って、微粒子２８の振動振幅を検出し、振幅が小さくなった位置で被加工物２４の上昇を停止させれば微粒子２８を被加工物２４に接近（近接）した状態で位置決めすることが可能となり、位置決め工程として形成される。
【００２４】
さらに、微粒子２８が被加工物２４に近接して位置決めされた後に、ステージ２６を移動させたりして該微粒子２８を被加工物２４に対して目的加工方向に相対移動させる。この様子が図２（ｃ）の矢印Ｙで示されており、微粒子２８がその近接した被加工物２４の小領域に加工痕を形成させることになる。すなわち、本実施形態１０の加工装置によれば、光放射圧により捕捉された微粒子２８の捕捉振動の変化を検出することで微粒子２８を被加工物２４に近接して位置決めすることができ、近接して位置決めされた微粒子２８が被加工物２４から離間するときに被加工物２４を微量除去する特性を利用して被加工物２４の加工装置を構成していることとなる。
【００２５】
次に実際に本実施形態１０の実験結果を提供する。まず、捕捉微粒子の位置基準検出実験、すなわち光放射圧で捕捉された微粒子の位置決めが可能であることの検証実験について説明する。図３は、水中において３次元的に捕捉された微粒子２８の焦点面内振動の確認結果を示している。図３（ａ）は１００Ｈｚの励振を与えたときの時間軸信号を、図３（ｂ）は１００Ｈｚの励振を与えた場合のパワースペクトル（図中、100 Hz modulated と表示）と励振を与えない場合のパワースペクトル（図中、Without excitationと表示）とを比較して示している。この結果から明らかなように励振を与えない場合には確認されないパワースペクトルのピークが励振を与えた場合には１００Ｈｚ付近に確認することができ、捕捉された微粒子２８の焦点面内振動が確認できた。
【００２６】
次に本実施形態１０の位置決め機能を調べるため、すなわち被加工物２４に対する捕捉微粒子２８の相対位置検出プローブとしての基本特性を調べるために、被加工物２４への接近における出力信号の変化を検証した。なお、本実施形態では被加工物２４としてＳｉ基板（以下、被加工物２４を「基板２４」と称する）を使用した。また、この検証ではガルバノミラー１４を用いたレーザ光の焦点（ビームスポット）の励振振幅を２５０ｎｍ、励振周波数を１００Ｈｚに設定し、純水中に散布したシリカ微粒子を３次元に捕捉した状態（基板２４から数μｍ上方）で基板２４を２００ｎｍステップでＺ方向（上方向）に接近させた。
【００２７】
図４（ａ）を参照すれば、上記２００ｎｍステップで基板２４を微粒子２８に接近させたときのパワースペクトルの推移を示している。なお、Ｚ＝０は微粒子２８から所定距離離間させた任意に設定された初期位置、Ｚ＝３２００は基板２４をＺ＝０の位置からＺ方向に３２００ｎｍ接近させた位置、Ｚ＝６６００は基板２４をＺ＝０の位置からＺ方向に６６００ｎｍ接近させた位置のスペクトルを示している。また、図５（ｂ）〜（ｄ）は、ぞれぞれ図４（ａ）に示すＺ＝０、３２００、６６００の位置における微粒子２８の励振ピークを示している。図５（ｂ）〜（ｃ）に示すように基板２４が初期位置（Ｚ＝０：図５（ｂ））から測定対象近傍まで励振ピークが減少し、３２００ｎｍの位置（Ｚ＝３２００：図５（ｃ））で極小値になることが確認された。さらに、図５（ｃ）〜（ｄ）に示すように励振ピークは極小値になった後さらに基板２４をＺ方向に接近させていくと増加していき、６６００ｎｍの位置（Ｚ＝６６００：図５（ｄ））で極大値をとり、その後再び減少していく挙動が得られた。このことから、微粒子２８は基板２４をＺ＝０の位置から３２００ｎｍ接近させたときに基板２４に最も接近（又はごく近傍に位置）していることが理解される。なお、基板２４がＺ＝３２００ｎｍ以降（図５（ｃ）〜（ｄ）参照）に位置するときに微粒子２８の振幅が増加するのは、基板２４が微粒子２８に接近しすぎると逆に基板２４からの反射光等によって微粒子２８の捕捉位置そのものが変化しているからであると推測され、微粒子２８の位置が基板２４に接近するにも拘わらずＺ方向領域が振幅が増加すると考えるものではない。
【００２８】
また、図５（ａ）〜（ｄ）に示すスペクトルピークの挙動は、基板２４を載置したステージ２６を一旦戻し、再度ステージ２６を上昇させた場合にも同様の結果が得ら、非常に再現性の良いものであることも確認された。以上により微粒子２８自身が加工ツールを形成すること（上述）に鑑みれば、励振ピーク値が最も小さくなる点を検出し、該検出点を被加工物（基板等）２４の加工時における基準位置に微粒子２８を位置決めすれば、数百ｎｍの精度で加工ツールの位置制御を行うことができることが理解されよう。
【００２９】
次に、位置決めされた捕捉微粒子を用いた被加工物の加工実験、具体的には上記位置基準検出実験の結果を用いた加工量制御の検討を行った。まず、本実験では微粒子２８と基板２４の相対位置（Ｚ方向距離）と、加工量との相関について検証した。この実験では、純水（捕捉シリカ微粒子が散布された加工液）中に置かれたＳｉ基板２４に対して、捕捉微粒子２８を基板２４表面に沿って一次元的に走査し（図２（ｃ）矢印Ｙ参照）、基板２４表面の除去加工を行った。Ar+レーザ１２（図１参照）の出力を９０ｍＷに設定し、１５μｍ／ｓの速度で同一部を２００回走査させた。図６は加工後の基板２４の断面図を示しており、Ｚ方向位置に従って基板２４の加工量が変化する様子が理解される。詳細には、（１）〜（５）それぞれ順にＺ＝０、５００、１０００、１５００、２０００ｎｍ基板２４を上昇させたときの加工痕であり、紙面に垂直な方向にそれぞれ２００回づつ微粒子を走査させたものである。（１）、（２）の条件では基板２４が離間された状態では明確な加工痕を確認することができなかった。これは、捕捉微粒子２８の位置によってトラップ力および粒子による集光状態が変化するためであると考えられる。また、（３）〜（５）に進み基板２４が微粒子に接近すると、これに従って加工痕が深く形成されている様子が確認された。すなわち、基板２４の上昇に伴い加工量を増加させることができ、先の位置決め基準検出実験で検出された基準位置（Ｚ＝３２００）を限度として基板２４の上昇位置の制御により基板２４の加工量を数ｎｍの精度で制御することが可能となることが理解された。
【００３０】
また、微粒子２８を基板２４表面上で走査する回数と、加工量との相関をも実験検証した。この実験結果が図７であり、図６同様に加工後の基板２４の断面図として示されている。なお、Ar+レーザ１２の出力、走査速度についても同じである。図７に示す（１）〜（５）はそれぞれ１００回、２００回、３００回、４００回、５００回の走査回数の加工痕を示している。この図からも明らかなように加工痕の深さ（深さ方向の加工量）は走査回数に略比例している。従って、微粒子２８の走査回数を制御することで数ｎｍの精度で加工量を制御することが可能であることが理解された。以上、図６、７に示す加工実験を総括すれば、微粒子の捕捉位置（基板２４のＺ方向位置）と走査回数とを単独又は組み合わせることで高精度な加工量制御を実行できることが判る。さらに、微粒子２８の横方向の振動はガルバノミラー１４等の偏向部による偏向角に従ってなされるものであり、加工痕の幅もレーザ加工等の場合と比べても微少にすることができ、精度も向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の加工装置の光学系を略示したものである。
【図２】光放射圧により捕捉された微粒子により被加工物が除去されるメカニズムを略示した微粒子近傍の拡大斜視図である。
【図３】微粒子の焦点面内振動の結果を示したグラフ図であり、（ａ）は励振を与えたときの時間軸信号を示し、（ｂ）は励振を与えたときと与えないときのパワースペクトルを表している。
【図４】本発明の実施形態における捕捉微粒子が被加工物に近接するときのパワースペクトル推移を示したグラフ図である。
【図５】図４のＺ＝０、３２００、６６００ｎｍ点の励振ピークをそれぞれ示している。
【図６】被加工物に対する相対位置と加工痕（加工深さ）との相関を示したグラフ図である。
【図７】被加工物に対する微粒子の走査回数と加工痕（加工深さ）との相関を示したグラフ図である。
【符号の説明】
【００３２】
１０…加工装置
１２…第１の光源（Ar+レーザ）
１４…偏向部（ガルバノミラー）
１８…ＰＢＳ（スプリッター）
２０…偏光スプリッター
２４…被加工物（基板）
２６…移動手段（ステージ）
２８…微粒子
３０…第２の光源（He-Neレーザ）
３６…受光部（フォトダイオード）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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