(57)【要約】【課題】  レジスト基板全面均一に高精度のインプリントを行うことが可能であり、且つ安価なインプリント用スタンパ、インプリント用スタンパの製造方法、インプリント方法及びインプリント用スタンパの分解方法を提供する。【解決手段】  保持基板１０と、保持基板１０上の輻射エネルギーにより剥離性を示す剥離膜２０と、剥離膜２０上にロックウェル硬度のスケールがＭ８０以上であり、表面に凹凸パターンを有する転写部３０とを備える。【選択図】      図１
2005286222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持基板と、
前記保持基板上に設けられ輻射エネルギーにより剥離性を示す剥離膜と、
前記剥離膜上に設けられロックウェル硬度のスケールがＭ８０以上であり、表面に凹凸パターンを有する転写部
とを備えることを特徴とするインプリント用スタンパ。
【請求項２】
前記剥離膜と前記転写部の間に設けられ、前記剥離膜と前記転写部の混合を防ぐ混合防止膜を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のインプリント用スタンパ。
【請求項３】
保持基板上に輻射エネルギーにより剥離性を示す剥離膜を形成するステップと、
前記剥離膜上に転写膜を形成するステップと、
オリジナルスタンパを前記転写膜にプレスし、前記オリジナルスタンパのパターンを反転した凹凸パターンを前記転写膜に転写し、転写部を形成するステップと、
前記転写部を硬化するステップ
とを含むことを特徴とするインプリント用スタンパの製造方法。
【請求項４】
前記剥離膜を形成するステップと、前記転写膜を形成するステップとの間に、前記剥離膜と前記転写部の混合を防ぐ混合防止膜を形成するステップを有することを特徴とする請求項３に記載のインプリント用スタンパの製造方法。
【請求項５】
第１基板と、前記第１基板上に設けられ輻射エネルギーにより剥離性を示す剥離膜と、前記剥離膜上に設けられロックウェル硬度のスケールがＭ８０以上であり表面に凹凸パターンを有する転写部とを備えるインプリント用スタンパを、インプリント装置の第２プレス板に設置するステップと、
パターン転写用レジスト膜を有する第２基板を、前記インプリント装置の第１プレス板に設置するステップと、
前記転写部と前記パターン転写用レジスト膜が対向するように前記第１プレス板と前記第２プレス板とを押圧して、前記パターン転写用レジスト膜に前記インプリント用スタンパの前記凹凸パターンを転写するステップと、
前記第１プレス板と前記第２プレス板との押圧を解除し、結合された前記インプリント用スタンパと前記第２基板に輻射エネルギーを供給して、前記転写部を前記第２基板側に残存させたまま前記第１基板と前記剥離膜を剥離するステップ
とを含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項６】
保持基板と、前記保持基板上に設けられ輻射エネルギーにより剥離性を示す剥離膜と、前記剥離膜上に設けられロックウェル硬度のスケールがＭ８０以上であり表面に凹凸パターンを有する転写部とを備えるインプリント用スタンパに輻射エネルギーを供給するステップと、
前記保持基板と前記剥離膜を剥離するステップ
とを含むことを特徴とするインプリント用スタンパの分解方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体回路や情報記録装置の製造に使用するインプリント技術に関し、特に微細な凹凸パターンを転写するナノインプリントに使用するインプリント用スタンパ、インプリント用スタンパの製造方法、インプリント方法及びインプリント用スタンパの分解方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、汎用のコンピュータ等に用いられている情報記録装置は、音声や動画等の大容量のデータを取り扱うようになり記録容量の増大が求められている。記録容量を増やすために情報記録装置は、これまでよりも更に高記録密度化、及び高集積化を進めなくてはならない。
【０００３】
回路の集積度や記録密度を向上させるためには、より微細な加工技術が必要である。微細な加工技術として、露光プロセスを用いたフォトリソグラフィ技術は、一度に大面積の微細加工が可能であるが、光の波長以下の分解能を持たない。したがって、フォトリソグラフィ技術では、例えば１００ｎｍ以下の微細構造の作成は困難である。１００ｎｍ以下の微細加工技術としては、電子線リソグラフィや集束イオンビームリソグラフィ等の方法が知られているが、スループットの悪さが問題となっている。
【０００４】
光の波長以下の微細構造を高スループットで作成する手法としては、あらかじめ電子線リソグラフィ等により所定の微細凹凸パターンを作成したスタンパを、レジストを塗布した基板に押し付け、スタンパの凹凸を基板のレジスト膜に転写するナノインプリント法がある（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００５】
上述のナノインプリント法においては、レジストを塗布した基板をガラス転移温度以上に加熱してレジストを軟化させるために、スタンパとレジスト基板を剥がす工程において、スタンパにレジスト膜の一部が付着したまま剥がれる「レジスト膜はがれ」が起きることがある。また、上述のナノインプリント法を用いて広い領域にスタンパの凹凸を均一に転写する場合、スタンパ表面と基板表面との高い平行度が要求される。更に、大面積の基板表面に均一にスタンパの加重を分散させるのは非常に困難である。
【０００６】
これらの問題点を回避する方策として室温・大気圧において５０ＭＰａ以上の高圧でプレスして転写する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【非特許文献１】エス．ワイ．チョウ（Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ），「ナノインプリントリソグラフィー技術（Nano Imprint Lithography technology）」，アプライド・フィジックス・レターズ（Applied Physics Letters）第７６巻 ，１９９５年，ｐ．３１１４
【特許文献１】特開２００３−１５７５２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、高圧プレスによるナノインプリント法では、スタンパと基板間の異物等による印加圧力の不均一によってスタンパが破壊されてしまう危険性がある。インプリントに使用するスタンパは、電子線加工などによって形成されたレジストパターンより電鋳などによって形成されるものであり、煩雑な工程を経て作成され高額であるため、複数の製造はコスト的に問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は上記課題を解決するためになされたものであって、レジスト基板全面均一に高精度のインプリントを行うことが可能であり、且つ安価なインプリント用スタンパ、インプリント用スタンパの製造方法、インプリント方法及びインプリント用スタンパの分解方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで本発明は、保持基板と、保持基板上の輻射エネルギーにより剥離性を示す剥離膜と、剥離膜上にロックウェル硬度のスケールがＭ８０以上であり、表面に凹凸パターンを有する転写部とを備えることを特徴とするインプリント用スタンパを提供する。
【００１０】
本発明においては、剥離膜と転写部の間に設けられ、剥離膜と転写部の混合を防ぐ混合防止膜を更に備えても良い。
【００１１】
また本発明は、保持基板を用意するステップと、保持基板上に輻射エネルギーにより剥離性を示す剥離膜を形成するステップと、剥離膜上に転写膜を形成するステップと、オリジナルスタンパを転写膜にプレスし、オリジナルスタンパのパターンを反転した凹凸パターンを転写膜に転写し、転写部を形成するステップと、転写部を硬化するステップとを含むことを特徴とするインプリント用スタンパの製造方法を提供する。
【００１２】
本発明においては、剥離膜を形成するステップと、転写膜を形成するステップとの間に、剥離膜と転写部の混合を防ぐ混合防止膜を形成するステップを有してもよい。
【００１３】
また本発明は、第１基板と、第１基板上に設けられ輻射エネルギーにより剥離性を示す剥離膜と、剥離膜上に設けられロックウェル硬度のスケールがＭ８０以上であり表面に凹凸パターンを有する転写部とを備えるインプリント用スタンパを、インプリント装置の第２プレス板に設置するステップと、パターン転写用レジスト膜を有する第２基板を、インプリント装置の第１プレス板に設置するステップと、転写部とパターン転写用レジスト膜が対向するように第１プレス板と第２プレス板とを押圧して、パターン転写用レジスト膜にインプリント用スタンパの凹凸パターンを転写するステップと、第１プレス板と第２プレス板との押圧を解除し、結合されたインプリント用スタンパと第２基板に輻射エネルギーを供給して、転写部を第２基板側に残存させたまま第１基板と剥離膜を剥離するステップとを含むことを特徴とするインプリント方法を提供する。保持基板と剥離膜を剥離する工程においては、剥離膜に剥離性を付与させるための輻射エネルギーの照射は第１プレス板と第２プレス板との押圧の解除前、解除後、どちらであってもかまわない。
【００１４】
また本発明は、保持基板と、保持基板上に設けられ輻射エネルギーにより剥離性を示す剥離膜と、剥離膜上に設けられロックウェル硬度のスケールがＭ８０以上であり表面に凹凸パターンを有する転写部とを備えるインプリント用スタンパに輻射エネルギーを供給するステップと、保持基板と剥離膜を剥離するステップとを含むことを特徴とするインプリント用スタンパの分解方法を提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、レジスト基板全面均一に高精度のインプリントを行うことが可能であり、且つ安価なインプリント用スタンパ、インプリント用スタンパの製造方法、インプリント方法及びインプリント用スタンパの分解方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１７】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係るインプリント用スタンパは、図１に示すように、保持基板（第１基板）１０と、保持基板１０上の輻射エネルギーにより保持基板より剥離性を示す剥離膜２０と、剥離膜２０上にロックウェル硬度のスケールがＭ８０以上であり、表面に凹凸パターンを有する転写部３０とを備える。
【００１８】
保持基板１０は、インプリント工程において、パターンを転写するレジスト膜に均等に圧力を与えるために、剥離膜２０を配置する面及び剥離膜２０を配置する面に対向する面を表面平坦化加工する。保持基板１０には、線膨張率が１５×１０−６Ｋ-1以下、好ましくは５．８×１０−７Ｋ-1以下の石英等の物質を用いることができる。保持基板１０の線膨張率が１５×１０−６Ｋ-1より大きいと、スタンパの寸法制御性が低下してしまい、正確にパターン転写ができなくなってしまう。
【００１９】
剥離膜２０は、輻射エネルギーを与えられることで剥離性を示し、保持基板１０との密着性を低下させる。輻射エネルギーとは、光又は熱エネルギー等である。光照射により剥離性を示す剥離膜２０としては、例えば重合性残基を含む光硬化モノマーを含有するポリマー混合物等を用いることができる。また、加熱により剥離性を示す剥離膜２０としては、例えば結晶性ポリマーと粘着性ポリマーとの混合物等の有機及び無機材料のポリマーを用いることができる。
【００２０】
転写部３０は、パターンを転写するレジスト膜に半導体回路または、記録媒体用のトラック形状及びドット形状等の微細な凹凸を転写するひな形である。転写部３０は、電子線リソグラフィー法等で形成した加工原盤により、表面に微細な凹凸パターンが設けられる。転写部３０には、硬度がロックウェル硬度のスケールがＭ８０以上となるフェノール系樹脂、エポキシ樹脂、及びメラミン樹脂等のポリマー等を用いることができる。転写部３０の硬度がロックウェル硬度のスケールがＭ８０より小さいと、パターンを転写するレジスト膜に対して硬度が十分ではなく、正確にパターンが転写されない可能性がある。転写部３０にパターンを形成後、輻射エネルギーの照射などにより樹脂の硬化を行い形成されたパターン形状の保持および転写部３０の硬度を高めることが望ましいが、剥離膜２０が光照射による硬化反応で剥離性が発現する材料を用いている場合は、転写部硬化用の露光による剥離膜２０の剥離性の発現を避けるために露光波長を選択するためのフィルターを用いて露光することが好ましい。
【００２１】
また、転写部３０の凹凸パターンを有する面には、パターンを転写するレジスト膜との離型性を向上させるために、４フッ化炭素（ＣＦ4）プラズマ処理を施しても構わない。このときの表面処理は、処理後の転写部３０の表面と水の接触角を８０度以上にすることが望ましい。
【００２２】
また、剥離膜２０と転写部３０との間には、図２に示すように、必要に応じ混合防止膜２４を設けることが好ましい。これは、剥離膜と転写膜の膜形成時のミキシングを防止するためである。ミキシングを回避するには剥離膜と転写膜のポリマーの溶解度パラメータは、少なくとも０．５(Ｊ・ｃｍ-3)1/2以上離れていることが好ましく、１(Ｊ・ｃｍ-3)1/2以上離れていると更に好ましい。剥離膜と転写膜に共通の溶媒が使用されている場合などは、剥離膜２０および転写部３０のポリマーと溶解度パラメータが少なくとも１(Ｊ・ｃｍ-3)1/2以上離れている混合防止膜２４を間に形成することが好ましい。この混合防止膜２４には例えばポリビニルアルコール、ポリエチレングリコールなどの水溶性のポリマーを用いることができる。
【００２３】
以下に、本発明の第１の実施形態に係る実施例を図３〜１１を参照しながら説明する。この実施例では、混合防止膜２４を形成した場合を示すが、混合防止膜２４を設けることは必須ではなく、混合防止膜２４を形成する工程を抜かして行えばよい。
【００２４】
（実施例１）
（イ）まず、図３に示すように、例えば厚さ６ｍｍの透光性を有する表面平坦化加工された石英ガラスの保持基板１０を用意する。
【００２５】
（ロ）次に、分子量１０万のポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を４０重量部、トリメチロールプロパントリメタクリレートを４０重量部、及び１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトンを０．５重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解し、固形成分量３％の溶液を調整する。そして、調整した固形成分量３％の溶液を図４に示すように、用意した保持基板１０上にスピナーを用いてスピン塗布し、ホットプレート等を用いて１００℃で1分加熱することで厚さ２０ｎｍの光架橋により剥離性を示す剥離膜２０を形成する。
【００２６】
（ハ）次に、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を水に溶解し、固形成分量１％の溶液を用意する。そして、用意した固形成分量１％の溶液を図５に示すように、室温に冷却した剥離膜２０上にスピナーを用いてスピン塗布し、ホットプレート等を用いて加熱することで厚さ２０ｎｍの混合防止膜２４を形成する。
【００２７】
（ニ）次に、２，５−キシレノールとｍ−クレゾールの比が３：７から成る分子量８０００のノボラック樹脂を７０重量部、及び図１１の化学構造式に示す、２，６−ビス[(４−アジドフェニル)メチレン]−４−エチルシクロヘキサノン（ＢＡＣ−Ｅ）を３０重量部とするようにＰＧＭＥＡで溶解し、固形成分量５％の溶液を調整する。そして、調整した固形成分量５％の溶液を図６に示すように、室温に冷却した混合防止膜２４上にスピナーを用いてスピン塗布し、ホットプレート等を用いて加熱することで転写膜３２を形成する。転写膜３２の膜厚は、例えば１５０ｎｍである。
【００２８】
（ホ）次に、電子線リソグラフィにより作製された所望の凸凹のレジストパターンを有する母型から、ニッケル（Ｎｉ）電鋳により図７に示すオリジナルスタンパ６０を作製する。このオリジナルスタンパ６０を図８に示すように、１００ＭＰａで転写膜３２にプレスすることにより、オリジナルスタンパ６０から転写膜３２に凹凸パターンを転写し、転写部３０を形成する。
【００２９】
（ヘ）次に、図９に示すように、図示を省略した紫外光発生装置に配置し３５０ｎｍ以下の波長の光を遮断するフィルターを備えた、例えば超高圧水銀灯から５００ｍＪ／ｃｍ2の光を転写部３０に照射する。そして、転写部３０を硬化させて図１０に示すようなインプリント用スタンパを作成する。
【００３０】
転写部３０を硬化させた後に、パターンを転写するレジスト膜との離型性を向上させるためのＣＦ4プラズマ処理を転写部３０表面に施しても構わない。
【００３１】
次に上述した製造方法で製造されたインプリント用スタンパを用いて行うインプリントの実施例を図１２〜１４を用いて説明する。この実施例においては、混合防止膜２４を用いないインプリント用スタンパを用いて説明するが、もちろん混合防止膜２４を用いても良い。
【００３２】
（実施例２）
（イ）まず、図１２に示すように、インプリント装置１００の第１プレス板４０には、インプリントの対象の対象物５を載置する。対象物５は、例えば直径２．５インチのガラスディスク基板（第２基板）５０の上に、厚さ約３０ｎｍのパラジウム（Ｐｄ）下地層と厚さ約５０ｎｍの垂直磁気記録材料コバルト・クロム白金（ＣｏＣｒＰｔ）を堆積して磁性層（図示せず）を形成し、さらに磁性層上に厚さ約５０ｎｍのＳｉＯ２膜（図示せず）を堆積し、その上にパターン転写用レジスト膜５４を設けたものである。そして、第１プレス板４０との間に対象物５を挟んで第１プレス板４０と対向する第２プレス板４２には、インプリント用スタンパを設置する。
【００３３】
（ロ）次に、図１３に示すように、油圧シリンダー等の加圧器（図示せず）で第１プレス板４０と第２プレス板４２とを、例えば５０ＭＰａで押圧することで対象物５がプレスされて、パターン転写用レジスト膜５４に転写部３０の凹凸パターンが転写される。
【００３４】
（ハ）次に、第１プレス板４０と第２プレス板４２との押圧を解除し、対象物５をインプリント装置１００から取り出すことによりインプリントにより、図１４に示すように、パターン形成された対象物５を得ることができる。このパターン転写されたパターン転写用レジスト膜５４を加工マスクとして下層膜を加工する工程を行うことができる。具体的には、凹凸を転写したパターン転写用レジスト膜５４をマスクとして、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）により磁性層の表面に達するまでＳｉＯ２膜をエッチングしてＳｉＯ２膜にパターンを転写し、さらに、このパターンを利用して磁性層をエッチングすることにより所望のパターンの磁性層を得ることができる。
【００３５】
このような、インプリント用スタンパを用いてインプリントする場合、インプリント用スタンパがインプリント時に異物が挟まること等により破損した際には、次のような方法により、分解することが可能である。
【００３６】
分解する方法の１つとしては、使用後のインプリントスタンパに高圧水銀灯を照射するものがある。紫外線の照射により剥離膜２０の密着性が低下し保持基板（第１基板）１０である石英基板より剥離し、簡便に分解取り外しすることができる。
【００３７】
分解する他の方法としては、図１５に示す剥離処理装置７０内にインプリント用スタンパを設置し、剥離膜２０に剥離性を示す輻射エネルギーを供給する。例えば、熱により剥離性を示す剥離膜２０に７０℃の熱を与えると、第１基板１０との密着性は低下して図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、第１基板１０と剥離膜２０が剥離する。破損した剥離膜２０及び転写部３０は廃棄して、高価な第１基板１０は再利用することができる。転写部３０の交換は破損したときだけに限られず、インプリントの回数で交換時期を決めておき交換することも可能である。また、転写部３０はインプリントを１回する毎に交換することも可能である。
【００３８】
（実施例３）
剥離膜２０の作成に、分子量１００，０００のPMMAと分子量５，７００、融点５９℃のポリカプロラクトンを７:３の重量比でPGMEAに溶解し作成した溶液を用いる以外は、実施例１に示す工程と同様の工程でインプリント用のスタンパを作成する。この剥離膜２０は、加熱により剥離性を示す。
【００３９】
また、実施例２と同様に、インプリント装置により例えば５０Ｍｐａで押圧することで対象物５がプレスされて、パターン転写用レジスト膜５４に転写部３０の凹凸パターンが転写される。使用後のインプリントスタンパは例えば７０℃のオーブンで加熱することにより剥離膜２０の密着性が低下し保持基板１０である石英基板より剥離し簡便に取り外しすることができる。
【００４０】
上述したように、第１の実施形態に係るインプリント用スタンパによれば、所望のパターンが形成される転写部３０の剥離が容易で、高精度に表面平坦化加工された高価な保持基板１０は再使用が可能であるのでインプリント用スタンパの低価格化が図れる。また、インプリント用スタンパは、転写部３０の硬度が高いので高圧プレスのインプリントに用いることができ、対象のレジスト基板全面均一に高精度なインプリントを施すことが可能である。
【００４１】
また、本実施形態のインプリント用スタンパを用いてインプリントすることで、インプリント用スタンパがインプリント時に異物が挟まること等により破損した場合、光または熱など剥離膜の剥離性付与特性に合致した処理を行うことにより、保持基板１０との密着性は低下して保持基板１０と剥離膜２０が剥離する。破損した剥離膜２０及び転写部３０は廃棄して、高価な保持基板１０は再利用することができる。転写部３０の交換は破損したときだけに限られず、インプリントの回数で交換時期を決めておき交換することも可能である。また、転写部３０はインプリントを１回する毎に交換することも可能である。
【００４２】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。第２の実施形態に係るインプリント用スタンパは、第１の実施形態に示すインプリント用スタンパと同様に作成されたものが使用できるが、インプリント方法として、基板上に設けたパターン転写用レジスト膜５４へのパターン転写後の処理方法が異なる。
【００４３】
第１の実施形態と同様にしてインプリント用スタンパを形成した後、インプリント装置１００の第２プレス板４２に作成したインプリント用スタンパを設置する。そして、第１プレス板４０には、インプリントの対象の対象物５を載置する。対象物５は、第２基板５０上にパターン転写用レジスト膜５４を設けたものである。プレス装置により、パターン転写用レジスト膜５４にインプリント用スタンパを押圧するところまでは、第１の実施形態と同様にすれば良い。
【００４４】
そして、図１７に示すように、結合されたインプリント用スタンパ（保持基板１０、剥離膜２０、及び転写部３０）と対象物５とに輻射エネルギーを供給して、転写部３０を第２基板５０側に残したまま、剥離膜２０を保持基板１０から剥離する。この工程においては、剥離膜２０に剥離性を付与させるための輻射エネルギーの照射は第１プレス板４０と第２プレス板４２との押圧の解除前、解除後、どちらであってもかまわない。
【００４５】
次にパターン転写用レジスト膜５４を光または熱の照射により硬化させてから転写部３０を取り除くことにより所望のパターンをパターン転写用レジスト膜５４に形成することができる。
【００４６】
転写部３０の除去方法としては目的が達成されるのであればいかなる方法でもかまわない。スタンパの転写部と転写用レジストとの密着性が希薄な場合は物理的な剥離が可能であり、また、溶媒や酸アルカリの薬品などを用いてもかまわない。簡便な具体例としては、転写部に比較しパターン転写用レジスト膜のドライエッチング耐性が充分に高い材料のである場合は酸素、ＣＦ４、アルゴンなどによるドライエッチング処理による除去が挙げられる。
【００４７】
例えば、酸素ＲＩＥなどによる転写部の剥離プロセスに適合するパターン転写用レジスト膜としては、シリコーンなどの珪素含有レジストや、ＳＯＧなどの無機レジストが挙げられる。
【００４８】
以下に、第２の実施形態に係る実施例を図１２〜１４、１７〜１９を参照しながら説明する。
【００４９】
（実施例４）
（イ）まず、図１２に示すように、インプリント装置１００の第２プレス板４２に、実施例１と同様のプロセスで作成できるインプリント用スタンパ（保持基板１０、剥離膜２０、及び転写部３０）を設置する。そして、第１プレス板４０には、インプリントの対象の対象物５を載置する。パターン転写用レジスト膜（ＳＯＧ膜）５４はＳＯＧをスピンコートにより厚さ１００ｎｍに形成し、８０℃のオーブンで１分加熱することにより形成する。
【００５０】
（ロ）次に、図１３に示すように、油圧シリンダー等の加圧器（図示せず）で第１プレス板４０と第２プレス板４２とを、例えば５０ＭＰａで押圧することで対象物５がプレスされて、パターン転写用レジスト膜５４に転写部３０の凹凸パターンが転写される。
【００５１】
（ハ）次に、第１プレス板４０と第２プレス板４２との押圧を解除し、結合した状態のインプリント用スタンパと対象物５をインプリント装置１００から取り出す。取り出したインプリント用スタンパと対象物５は、図１７に示すように、図示を省略した紫外光発生装置に配置し、例えば超高圧水銀灯をインプリント用スタンパ側から剥離膜２０に照射する。光を剥離膜２０が受光することで、剥離膜２０は剥離性を示すので保持基板１０が分離される。
【００５２】
（ニ）次に、剥離膜２０、転写部３０及び対象物５を、図１８に示すように、１５０℃に昇温したオーブン等の加熱装置７２で１５分加熱硬化し、パターン転写された対象物５のＳＯＧの形状が安定する。
【００５３】
（ホ）次に、図１９に示すように、剥離膜２０、転写部３０、及び対象物５は、図示を省略したプラズマエッチング装置に配置され、酸素プラズマエッチング処理が施される。酸素プラズマエッチング処理をすることで有機物である転写部３０を除去し、図１４に示す所望のパターンが転写されたＳＯＧ膜５４の対象物５を得る。
【００５４】
上述したように、第２の実施形態によるインプリント方法によれば、パターン転写用レジスト膜５４を硬化させてから転写部３０を除去するので、レジスト膜はがれ及び経時変化によるインプリント後のパターン転写用レジスト膜５４のパターン形状の変化等を防ぐことができる。
【００５５】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は第１及び第２の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替第１及び第２の実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。
【００５６】
例えば、第１の実施の形態に示したインプリント用スタンパを用いたインプリント方法は一例であり、インプリント用スタンパを一般に使用されている種々のインプリント方法に適用することも当然できる。
【００５７】
この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲の発明特定事項によってのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用スタンパの断面図（その１）である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用スタンパの断面図（その２）である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係るインプリント用スタンパの製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用スタンパの製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用スタンパの製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用スタンパの製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用スタンパの製造方法を示す工程断面図（その５）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用スタンパの製造方法を示す工程断面図（その６）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用スタンパの製造方法を示す工程断面図（その７）である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用スタンパの製造方法を示す工程断面図（その８）である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用スタンパを製造するときに用いるＢＡＣ−Ｅ化学構造式である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用スタンパを用いたインプリント装置の断面図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用スタンパを用いたとインプリント方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用スタンパを用いたとインプリント方法を示す工程断面図（その２）である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用スタンパの転写部の剥離方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用スタンパの転写部の剥離方法を示す工程断面図（その２）である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係るインプリント用スタンパを用いたとインプリント方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態に係るインプリント用スタンパを用いたとインプリント方法を示す工程断面図（その２）である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態に係るインプリント用スタンパを用いたとインプリント方法を示す工程断面図（その３）である。
【符号の説明】
【００５９】
５…対象物
１０…保持基板（第１基板）
２０…剥離膜
２４…混合防止膜
３０…転写部
３２…転写膜
４０…第１プレス板
４２…第２プレス板
５０…第２基板
５４…パターン転写用レジスト膜
６０…オリジナルスタンパ
７０…剥離処理装置
７２…加熱装置
１００…インプリント装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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