(57)【要約】【目的】  周囲の環境に左右されず確実にガラス破壊を伴う不正行為を安定して検出し、設置作業の簡便化を図る。【構成】  防犯ガラス２の第１ガラス３の面に第１導電膜５を形成し、第１導電膜５と対向して第２ガラス４の面に第２導電膜６とコイル８を形成する。第２導電膜６は、２つに分割形成され、一方がコイル８の一端に接続され、他方がコイル８の他端に接続される。防犯ガラス２の近傍には、コイル８を介して第１導電膜５と第２導電膜６によるコンデンサの静電容量の変化を検出するガラス破壊検出部が設けられる。【選択図】    図１
2005043217.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス面に導電膜を形成してガラスの破壊を検出するガラス破壊検出装置において、
一方のガラス面に形成された第１導電膜と、
該第１導電膜と対向して他方のガラス面に対して複数に分割して形成された第２導電膜と、
該第２導電膜に接続され、前記第１導電膜及び前記第２導電膜間の静電容量の変化を検出する検出部とを備えたことを特徴とするガラス破壊検出装置。
【請求項２】
前記第１導電膜は、前記一方のガラス面に対して連続した線状に形成されていることを特徴とする請求項１記載のガラス破壊検出装置。
【請求項３】
前記第１導電膜は、前記一方のガラス面に対して複数に分割して形成されており、少なくとも隣接する一部が前記第２導電膜と重なるように対向していることを特徴とする請求項１記載のガラス破壊検出装置。
【請求項４】
前記検出部は、対向する一対のコイルと、
前記一対のコイルの一方のコイルに接続される共振周波数検出部とを備え、
前記一対のコイルの他方のコイルが前記第２導電膜と同一平面上に形成されており、前記他方のコイルの両端に前記第２導電膜のそれぞれが接続されることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のガラス破壊検出装置。
【請求項５】
ガラス面に対向して形成される導電膜の静電容量の変化を検出するガラス破壊検出装置に用いられる防犯ガラスであって、
一方のガラス面に第１導電膜が形成され、
他方のガラス面に第１導電膜と対向して第２導電膜が形成され、
前記ガラス破壊検出装置の検出部の一部に接続される前記第２導電膜が複数に分割して形成されることを特徴とする防犯ガラス。
【請求項６】
前記第２導電膜のそれぞれがコイルの端部に接続され、複数のコンデンサを有する等価回路を形成することを特徴とする請求項５記載の防犯ガラス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスの破壊を伴う不正行為を検出するガラス破壊検出装置に関するとともに、外部からの不正行為を防ぐためにガラス破壊検出装置に用いられる防犯ガラスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、下記特許文献１（特開２００２−３５２３４２号公報）に開示される防犯装置が知られている。この防犯装置は、図１０に示すように、透明な絶縁樹脂層５３の片面に金属の導電層５４を形成して導電層付き樹脂材５２を用意し、これを２枚積層して両面に導電層５４を配している、そして、それぞれの導電層５４に接するようにガラス板５５を積層して防犯ガラス５６とし、上記各導電層５４に連結した端子５８を静電容量検出器５７に接続している。静電容量検出器５７は、警報信号を音信号あるいは光信号に変える警報器５９を備えている。なお、防犯ガラス５６は、端部がフレーム６０によって固定されている。
【０００３】
上述した特許文献１に開示される防犯装置では、積層された２枚の導電膜５４，５４がコンデンサを形成している。そして、ガラス面に形成されるコンデンサの静電容量を検出するために、２枚の導電膜５４，５４にリード線の一端を接続し、このリード線の他端を静電容量検出器５７に接続している。これにより、防犯ガラス５６に近接あるいは接触することで変化する前記２枚の導電膜５４，５４によるコンデンサの静電容量を静電容量検出器５７で検出している。
【０００４】
また、上述した導電膜から引き出されるリード線を用いない装置として、ガラスに接近する人体を検出する人体検知装置が下記特許文献２（特許第２９５２６４２号）に開示されている。この人体検知装置は、図１１に示すように、人体検出部となる薄膜状の透明導電体７１が板ガラス７２，７３間に介装して形成される。その透明導電体７１の端部には、ターミナル部が形成され、そのターミナル部にＦＰＣ（フレキシブルプリント配線板）７４が接続される。ＦＰＣ７４の端部には、導電パターンによって平坦なコイル７５が形成され、透明導電体７１がそのコイル７５の一端に接続される。このコイル７５の他端は、スルーホールにより裏面に伸びて別の導電ラインに接続される。この導電ラインは、ＦＰＣ７４の中間部で終了する。窓枠（固定部）側には子機７８が取付けられ、この子機７８内には発振回路８１が内蔵されている。発振回路８１の共振回路には、上記と同様のＦＰＣ７７で形成したコイル７６が接続され、前記透明導電体７１とともに図１２に示す等価回路を形成している。このコイル７６は、上記コイル７５と僅かな空間を介して対向配置される。人体検知部側のコイル７５と発振回路側のコイル７６は、電磁的に結合して電磁結合部を形成する。子機７８内で処理された周波数信号は、電源線（子機７８内の回路に電源を供給するための線）７９に重畳させ、別個に設置された親機８０に送られる。
【０００５】
上述した特許文献２に開示される人体検知装置では、ガラス面への人体の接近に伴う静電容量の変化に基づいて人体検知の有無を判別している。この人体検知装置によれば、１対のコイル７５、７６を用いることで検出装置本体と導電膜が非接触となっている。このため、装置の設置作業が容易になるとともに、美観上もよい構造となっている。また、特許文献２には、２本の透明導電体を間隔をおいてガラス間又はガラスの表面に配置し、２本の透明導電体をコイルの両端に接続しても良いことが記載されている。
【特許文献１】特開２００２−３５２３４２号公報
【特許文献２】特許第２９５２６４２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に開示される図１０の構成では、導電層５４，５４のそれぞれから引き出されたリード線を静電容量検出器５７の本体に接続する必要がある。このため、配線に手間を要し、センサの設置作業が大掛かりなものになる。しかも、ガラス枠からリード線が引き出されているため、美観上好ましいものではなかった。また、ガラスにヒビ等の小さな破損が生じた場合は、ガラスに形成されている導電膜５４，５４によるコンデンサの静電容量変化が生じにくいため、ガラスが破壊されるまで検出することができず、ガラス破壊を伴う侵入行為の早期検出が困難であった。
これに対し、特許文献２に開示される図１１のリード線を用いない人体検出装置では、１つの導電膜（透明導電体７１）により図１２に示す等価回路を形成した場合、導電膜が形成するコンデンサの浮遊容量を監視することになる。ところが、この浮遊容量は、温度や湿度等装置周囲の環境に影響を受けやすい。このため、誤作動等が生じて安定な検出を行なうことが困難であった。また、２つの導電膜（透明導電体７１，７１）を対向させて等価回路を形成した場合には、２つの導電膜を別々のガラス面に設け、これら導電膜の端部をコイルと接続する必要がある。このため、離れて設けられる２つの導電膜をコイルと配線する困難な作業を伴い、設置作業が複雑化する問題がある。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、周囲の環境に左右されること無く確実にガラス破壊を伴う不正行為を安定して検出し、設置作業が簡便化できるガラス破壊検出装置及び防犯ガラスを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載されたガラス破壊検出装置は、ガラス面に導電膜を形成してガラスの破壊を検出するガラス破壊検出装置において、
一方のガラス面に形成された第１導電膜と、
該第１導電膜と対向して他方のガラス面に対して複数に分割して形成された第２導電膜と、
該第２導電膜に接続され、前記第１導電膜及び前記第２導電膜間の静電容量の変化を検出する検出部とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
請求項２に記載されたガラス破壊検出装置は、請求項１記載のガラス破壊検出装置において、前記第１導電膜は、前記一方のガラス面に対して連続した線状に形成されていることを特徴とする。
【００１０】
請求項３に記載されたガラス破壊検出装置は、請求項１記載のガラス破壊検出装置において、前記第１導電膜は、前記一方のガラス面に対して複数に分割して形成されており、少なくとも隣接する一部が前記第２導電膜と重なるように対向していることを特徴とする。
【００１１】
請求項４に記載されたガラス破壊検出装置は、請求項１〜３の何れかに記載のガラス破壊検出装置において、前記検出部は、対向する一対のコイルと、
前記一対のコイルの一方のコイルに接続される共振周波数検出部とを備え、
前記一対のコイルの他方のコイルが前記第２導電膜と同一平面上に形成されており、前記他方のコイルの両端に前記第２導電膜のそれぞれが接続されることを特徴とする。
【００１２】
請求項５に記載された防犯ガラスは、ガラス面に対向して形成される導電膜の静電容量の変化を検出するガラス破壊検出装置に用いられる防犯ガラスであって、
一方のガラス面に第１導電膜が形成され、
他方のガラス面に第１導電膜と対向して第２導電膜が形成され、
前記ガラス破壊検出装置の検出部の一部に接続される前記第２導電膜が複数に分割して形成されることを特徴とする。
【００１３】
請求項６に記載された防犯ガラスは、請求項５記載の防犯ガラスにおいて、前記第２導電膜のそれぞれがコイルの端部に接続され、複数のコンデンサを有する等価回路を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のガラス破壊検出装置は、一方のガラス面（例えば屋外側）に第１導電膜を形成し、他方のガラス面（例えば屋内側）に複数に分割された第２導電膜を形成するので、複数に分割された第２導電膜のみからリード線を引き出すことができ、検出部を含めて装置の設置作業を簡素化することができる。
【００１５】
複数に分割して形成された第２導電膜と対向する第１導電膜を連続した線状に形成すれば、ガラスにヒビが入った程度でも第１導電膜と第２導電膜による静電容量が変化するので、検出精度の向上を図ることができる。
【００１６】
隣接する導電膜の一部が対向して重なるように第１導電膜及び第２導電膜のそれぞれを複数に分割して形成すれば、これら複数に分割された第１導電膜と第２導電膜により複数のコンデンサを有する等価回路を形成することができ、ガラスの僅かな破損でも検出できる。これにより、さらなる検出精度の向上が望め、ガラスの破壊を伴う不正行為を早期検出することが可能となり、防犯性能が飛躍的に向上する。
【００１７】
第２導電膜と同一平面上にコイルを形成し、コイルと第２導電膜を接続する構成とすれば、ガラス面にコイルを配置するだけで非接触によりガラス破壊を検出することができる。しかも、コイルは、例えば蒸着法などの一般的に知られている手法により第２導電膜とともに同一平面上に場所を取らずに容易に設置でき、小型化を図ることができる。
【００１８】
第１導電膜を一方のガラス面に形成し、検出部の一部と接続される第２導電膜を他方のガラス面に複数に分割して形成することにより、ガラス破壊の検出に適した防犯ガラスを容易に製造することができる。また、第２導電膜のそれぞれをコイルの端部に接続し、複数のコンデンサを有する等価回路を形成すれば、ガラス破壊を検出するためのセンサ部をガラス自体に一体形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明の最良の形態を図面を用いて具体的に説明する。図１（ａ）は本発明に係る防犯ガラスを含むガラス破壊検出装置の第１形態を示す構成図、図１（ｂ）は図１（ａ）の等価回路を示す図、図２は本発明に係るガラス破壊検出装置の電気的構成を示す図、図３及び図４は共振周波数検出部の具体例を示す図、図５（ａ）は本発明に係る防犯ガラスを含むガラス破壊検出装置の第２形態を示す構成図、図５（ｂ）は図５（ａ）の等価回路を示す図、図６（ａ）は第２形態におけるガラス破壊時の例を示す図、図６（ｂ）は図６（ａ）のガラス破壊時の等価回路を示す図、図７（ａ）は本発明に係る防犯ガラスを含むガラス破壊検出装置の第３形態を示す構成図、図７（ｂ）は図７（ａ）の等価回路を示す図、図８は図７（ａ）の防犯ガラスの部分断面図、図９（ａ）は第２形態におけるガラス破壊時の例を示す図、図９（ｂ）は図９（ａ）のガラス破壊時の等価回路を示す図である。
【００２０】
本発明に係る防犯ガラスを含むガラス破壊検出装置は、例えば合わせガラス等のガラス面に中間膜を挟んで導電膜を各々形成し、一方の導電膜を分割形成して等価的に複数のコンデンサを形成しており、ガラスが破壊された時にガラスと同時に破壊される導電膜によるコンデンサの静電容量の変化に基づいてガラス破壊の有無を検出している。
【００２１】
図１（ａ）に示すように、第１形態のガラス破壊検出装置１は、防犯ガラス２とセンサ本体１０とで概略構成されている。本例では防犯ガラス２に合わせガラスを用いている。更に説明すると、図１（ａ）に示すように、防犯ガラス２は、第１ガラス３（例えば、屋外に面する側）と、第２ガラス４（例えば、屋内に面する側）との間に中間膜７を介して合わせガラスとしている。中間膜７は、例えば透明な高分子フィルム等で形成されており、中間膜７とそれぞれのガラス３，４との間には第１導電膜５と第２導電膜６が形成されている。なお、防犯ガラス２のガラスは、例えば防犯性に優れた強化ガラス等の様々なガラスを用いることができる。
【００２２】
第１導電膜５は、第１ガラス３の屋内側の面と中間膜７との間のガラス面に形成され、第１ガラス３の面とほぼ同一の大きさに形成されている。第２導電膜６は、第２ガラス４の屋外側の面と中間膜７との間のガラス面に形成され、複数に分割して形成されている。図１の例では、第２導電膜６が２分割された構成となっている。第２導電膜６は、第１導電膜５と同一の材質で形成されている。これら導電膜５，６は、美観上透明であることが好ましく、例えばＩＴＯ（酸化インジュ−ム錫）等が用いられる。これら導電膜５，６は、例えば真空蒸着法、スパッタ法等のＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、イオンプレーティング、ＣＶＤ（化学蒸着）、エッチング（ウェット、ドライ）等の手法により形成する。
【００２３】
第２導電膜６と同一平面上のガラス面（図１の左上隅部分）には、コイル８が例えば螺旋状に形成されている。このコイル８は、一端が第２導電膜６の一方と接続され、他端が例えば不図示の絶縁層を介してもう一方の第２導電膜６と接続されている。
【００２４】
このように、第１形態のガラス破壊検出装置では、中間膜７を介して第１導電膜５と第２導電膜６をガラス面に対向して形成している。そして、第２導電膜６を２分割し、この２分割した第２導電膜６をコイル８の両端に接続して図１（ｂ）に示す等価回路を形成している。これにより、図１（ｂ）に示す等価回路の構造に何らかの変化が生じた場合に、コンデンサの静電容量の変化を測定して異常を検出している。
【００２５】
次に、図１及び図２を参照しながらガラス破壊検出部１１の構成について説明する。防犯ガラス２には、前述した第１導電膜５、第２導電膜６、コイル８によりセンサ部１２が形成される。図１及び図２の破線丸部分に示すように、センサ部１２のコイル８と対をなしてコイル９が設けられる。また、センサ部１２を有するガラス近傍には、共振周波数検出部１３、演算部１４を備えたセンサ本体１０が設置され、コイル９の両端が共振周波数検出部１３に接続される。ガラス破壊検出部１１は、図２の一点鎖線で示すように、センサ部１２のコイル８、コイル９、共振周波数検出部１３、演算部１４を備えて構成される。共振周波数検出部１３は、電磁結合されるコイル８，９を介して第１導電膜５と第２導電膜６によるコンデンサの静電容量の変化に対応した共振周波数を検出している。演算部１４は、共振周波数検出部１３が検出する共振周波数に基づいて防犯ガラス２の異常の有無を判別している。
【００２６】
次に、ガラス破壊を検出するに至るまでの動作について説明する。まず、防犯ガラス２のガラスの一部が破壊される事により第１導電膜５が欠落すると、第１導電膜５と第２導電膜６により形成されたコンデンサの電極面積が変化する。これに伴い、センサ本体１０内の共振周波数検出部１３で検出される共振周波数が変化する。演算部１４は、共振周波数検出部１３が検出した共振周波数が入力されると、この共振周波数の変化量をノイズレベルと比較し、共振周波数の変化量がノイズレベルより大きいときにガラスの破損として判別する。
【００２７】
なお、演算部１３は、ノイズレベルとの比較に限らず、予め閾値を設定しておき、閾値を超えた場合をガラスの破損として判別する構成でも良い。また、窓が開けられた場合には、センサ部１２のコイル８とセンサ本体１０のコイル９の距離が変化して、これに伴い共振周波数が変化して防犯ガラス２の異常を検出する。
【００２８】
ここで、共振周波数検出部１３の具体的構成について図３及び図４を参照しながら説明する。図３の共振周波数検出部１３は、センサ部１２のコイル８と電磁結合するためのコイル９と、発振回路１５と、低域フィルタ（以下ＬＰＦと略称する）１６を備えて概略構成される。発振回路１５は、センサ部１２の共振周波数とセンサ部１２とセンサ本体１０の位置関係を考慮して、適切な発振周波数ｆに設定される。この状態では、センサ部１２のコイル８とコイル９が電磁結合しており、発振回路１５の出力は一対のコイル８，９を通してセンサ部１２に吸収され、ＬＰＦ１６に入力する信号の振幅はある値ｖ１をとる。ＬＰＦ１６は、入力した交流信号（振幅ｖ１）を平滑化し、演算部１４にて処理可能な直流信号として出力する。
【００２９】
上記構成による共振周波数検出部１３では、ガラスが破損又は破壊され、ガラス面に設けた第１導電膜５や第２導電膜６が欠落してセンサ部１２の共振周波数が変化した場合、あるいは窓が開かれてセンサ部１２のコイル８とセンサ本体１０のコイル９との電磁結合が失われた場合、発振回路１５の出力のうちコイルを通して吸収される部分が減少又は失われる。このため、ＬＰＦ１６に入力する信号の振幅値は通常時のｖ１よりも大きなｖ２をとる。ＬＰＦ１６は、入力した交流信号（振幅値ｖ２）を平滑化し、演算部１４にて処理可能な直流信号として出力する。演算部１４は、ＬＰＦ１６から入力される信号がｖ１からｖ２へ変化するのを検出することでガラスが破損又は破壊や窓が開かれた等の何らかの異常が生じたことを判別する。
【００３０】
図４に示す共振周波数検出部１３は、センサ部１２のコイル８と電磁結合するためのコイル９と、センサ部１２の共振周波数と同様の出力信号を出力するＶＣＯ（電圧制御発振器）１７と、ＶＣＯ１７の出力信号の周波数がセンサ部１２の共振周波数となるようにＶＣＯ１７を制御し、演算部１４への出力も兼ねているＶＣＯ制御電圧を出力する制御回路１８とを備えて概略構成される。
【００３１】
上記構成による共振周波数検出部１３では、窓が閉じられ、ガラスに何ら異常がない状態では制御回路１８の出力電圧は一定値をとるが、ガラスに何らかの異常が発生したり、窓が開けられると、共振周波数が変化する。このため、制御回路１８の出力電圧も変化する。演算部１４は、制御回路１８が出力する制御電圧の変化により、ガラスの破損又は破壊や窓が開かれた等の何らかの異常が生じたことを判別する。
【００３２】
上述した第１形態によれば、周囲の環境変化に左右されることなく常時安定してガラス破壊の有無を検出することができる。また、コイル８が第２導電膜６と同一面上に形成されているので、リード線の引き回しの必要が無くなり美観上よくなる。そして、第１導電膜５と第２導電膜６とコイル８により図１（ｂ）に示す等価回路を形成する際、コイル８が同一平面上で第２導電膜６に接続されるので、従来のように離れて形成された導電膜のそれぞれをコイルに接続する必要が無くなり、配線作業がガラス面の一面で済み、構造の簡略化と設置作業の簡便化を図ることができる。
【００３３】
次に、図５及び図６を参照しながら第２形態のガラス破壊検出装置について説明する。第２形態のガラス破壊検出装置１は、防犯ガラス２に形成される第１導電膜５を１本で線状に連続して形成したものである。なお、第１形態と同一の構成要素には同一番号を付して説明する。また、ガラス破壊検出部１３としては、図３及び図４に示す構成が採用されるが、ここでは説明を省略する。
【００３４】
図５（ａ）に示すように、第２形態のガラス破壊検出装置１は、防犯ガラス２とセンサ本体１０とで概略構成されている。本例では防犯ガラス２に合わせガラスを用いている。更に説明すると、図５（ａ）に示すように、防犯ガラス２は、第１ガラス３（例えば、屋外に面する側）と、第２ガラス４（例えば、屋内に面する側）との間に中間膜７を介して合わせガラスとしている。中間膜７は、例えば透明な高分子フィルム形成されており、中間膜７とそれぞれのガラス３，４との間には第１導電膜５Ａ（５）と第２導電膜６Ａ（６）が形成されている。なお、防犯ガラス２のガラスは、例えば防犯性に優れた強化ガラス等の様々なガラスを用いることができる。
【００３５】
第１導電膜５Ａ（５）は、第１ガラス３の屋内側の面と中間膜７との間のガラス面に形成され、第１ガラス３のほぼ全面にわたって線状に形成されている。さらに説明すると、この第２導電膜５Ａ（５）は、１本の連続した線状の導電膜として形成される。図５（ａ）の例では、ガラスの高さ方向に所定間隔おきにスリットが入るように、第２導電膜５Ａ（５）をなす１本の導電膜がガラス面の左右両端で折り返されてガラス面の左上端から左下端に向かって波状に連続して形成される。なお、第１導電膜５Ａ（５）は、１本の連続したものであれば、図５（ａ）に示すような波状に限らない。例えばガラス面のほぼ全面にわたって渦巻き状に第１導電膜５Ａ（５）を形成することも可能である。
【００３６】
第２導電膜６Ａ（６）は、第２ガラス４の屋外側の面と中間膜７との間のガラス面に形成され、複数に分割して形成されている。図５（ａ）の例では、２分割されて第２導電膜６Ａ（６）が形成されている。この第２導電膜６Ａ（６）は、第１導電膜５Ａ（５）と同一の材質で形成されている。これら導電膜５Ａ（５），６Ａ（６）は、美観上透明であることが好ましく、例えばＩＴＯ（酸化インジュ−ム錫）等が用いられる。これら導電膜５Ａ（５），６Ａ（６）は、例えば真空蒸着法、スパッタ法等のＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、イオンプレーティング、ＣＶＤ（化学蒸着）、エッチング（ウェット、ドライ）等の手法により形成する。
【００３７】
第２導電膜６と同一平面上のガラス面（図５（ａ）の左上隅部分）には、コイル８が例えば螺旋状に形成されている。このコイル８は、一端が第２導電膜６Ａ（６）の一方と接続され、他端が例えば不図示の絶縁層を介してもう一方の第２導電膜６Ａ（６）と接続されている。
【００３８】
このように、第２形態のガラス破壊検出装置では、中間膜７を介して第１導電膜５Ａ（５）と第２導電膜６Ａ（６）をガラス面に対向して形成している。そして、第１導電膜５Ａ（５）をガラス面のほぼ全面にわたって連続した線状に形成し、この第１導電膜５Ａ（５）と対向する第２導電膜６Ａ（６）を２分割し、この２分割した第２導電膜６Ａ（６）をコイル８の両端に接続して図５（ｂ）に示す等価回路を形成している。これにより、図５（ｂ）に示す等価回路の構造に何らかの変化が生じた場合に、コンデンサの静電容量の変化を測定して異常を検出している。
【００３９】
次に、第２実施の形態において、ガラス面に損傷を受けた場合を図６（ａ），図６（ｂ）を参照しながら説明する。
【００４０】
図６の（ａ）に示すように、ヒビ等により防犯ガラス２のガラスの一部が破壊されることにより第１導電膜５Ａ（５）が切断されて欠落すると、第１導電膜５Ａ（５）と第２導電膜６Ａ（６）にて形成されたコンデンサの電極面積が変化するとともに、等価回路の構成が図６（ｂ）に示すように変化する。これに伴い、センサ本体１０内の共振周波数検出部１３で検出される共振周波数が変化する。演算部１４は、共振周波数検出部１３が検出した共振周波数が入力されると、この共振周波数の変化量をノイズレベルと比較し、共振周波数の変化量がノイズレベルより大きいときにガラスの破損として判別する。なお、演算部１３は、ノイズレベルとの比較に限らず、予め閾値を設定しておき閾値を超えた場合にガラスの破損として判別する構成でも良い。又、窓が開けられた場合には、センサ部１２のコイル８とセンサ本体１０のコイル９の距離が変化して、これに伴い共振周波数が変化して防犯ガラス２の異常を検出する。
【００４１】
上述した第２形態によれば、前記第１形態と同様の効果を奏するとともに、１本の第１導電膜５Ａ（５）が線状に連続形成されているので、ガラスの僅かな損傷も正確に検出することができる。これにより、第１形態と比較して検出精度が向上し、防犯効果を高めることができる。
【００４２】
次に、図７乃至図９を参照しながら第３形態のガラス破壊検出装置について説明する。第３形態のガラス破壊検出装置１は、防犯ガラス２に形成される第１導電膜５と第２導電膜６を複数に分割し、一部が重なるように対向してドットマトリクス状に形成したものである。なお、第１形態と同一の構成要素には同一番号を付して説明する。また、ガラス破壊検出部１３としては、図３及び図４に示す構成が採用されるが、ここでは説明を省略する。
【００４３】
図７（ａ）に示すように、第３形態のガラス破壊検出装置１は、防犯ガラス２とセンサ本体１０とで概略構成されている。本例では防犯ガラス２に合わせガラスを用いている。更に説明すると、図７（ａ）に示すように、防犯ガラス２は、第１ガラス３（例えば、屋外に面する側）と、第２ガラス４（例えば、屋内に面する側）との間に中間膜７を介して合わせガラスとしている。中間膜７は、例えば透明な高分子フィルム形成されており、中間膜７とそれぞれのガラス３，４との間には第１導電膜５Ｂ（５）と第２導電膜６Ｂ（６）が形成されている。なお、防犯ガラス２のガラスは、例えば防犯性に優れた強化ガラス等の様々なガラスを用いることができる。
【００４４】
第１導電膜５Ｂ（５）は、第１ガラス３の屋内側の面と中間膜７との間のガラス面に形成され、第１ガラス３のほぼ全面にドットマトリクス状に複数に分割して形成されている。第２導電膜６Ｂ（６）は、第２ガラス４の屋外側の面と中間膜７との間のガラス面に形成され、第１導電膜５Ｂ（５）と隣接する一部が重なるようにドットマトリクス状に複数に分割して形成されている。なお、第２導電膜６Ｂ（６）は、図７に示すように、上端部分が第１導出部６ａをなし、この第１導出部６ａが第１導電膜５Ｂ（５）の最上端部の全ての第１導電膜５Ｂ（５）の一部と重なるように平板状に形成される。また、図７に示すように、第２導電膜６Ｂ（６）の左端部分が第２導出部６ｂをなし、この第２導出部６ｂが第１導電膜５Ｂ（５）の最下端部の全ての第１導電膜５Ｂ（５）の一部と重なり、かつコイル８の近接位置まで導出されるようにＬ字状に形成される。この第２導電膜６Ｂ（６）は、第１導電膜５Ｂ（５）と同一の材質で形成されている。これら導電膜５Ｂ（５），６Ｂ（６）は、美観上透明であることが好ましく、例えばＩＴＯ（酸化インジュ−ム錫）等が用いられる。これら導電膜５Ｂ（５），６Ｂ（６）は、例えば真空蒸着法、スパッタ法等のＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、イオンプレーティング、ＣＶＤ（化学蒸着）、エッチング（ウェット、ドライ）等の手法により形成する。
【００４５】
第２導電膜６Ｂ（６）と同一平面上のガラス面（図７（ａ）の左上隅部分）には、コイル８が例えば螺旋状に形成されている。このコイル８は、一端が第２導電膜６Ｂ（６）の平面状の第１導出部６ａと接続され、他端が例えば不図示の絶縁層を介して第２導電膜６Ｂ（６）のＬ字状の第２導出部６ｂと接続されている。
【００４６】
このように、第３形態のガラス破壊検出装置では、図７や図８に示すように、中間膜７を挟んで第１導電膜５Ｂ（５）と第２導電膜６Ｂ（６）の一部が互いに重なって対向するようにドットマトリックス状に配置される。これにより、ガラス面の高さ方向（図７の矢印Ｙ方向）に等価的に複数のコンデンサが直列接続される。そして、直列接続された複数列のコンデンサは、第１導出部６ａと第２導出部６ｂとの間に並列接続され（図７の矢印Ｘ方向）、第１導出部６ａがコイル８の一端に接続され、第２導出部６ｂがコイル８の他端に接続される。これにより、図１（ｂ）に示す等価回路を形成している。そして、図７（ｂ）に示す等価回路の構造に何らかの変化が生じた場合に、コンデンサの静電容量の変化を測定して異常の有無を検出している。
【００４７】
次に、第３実施の形態において、ガラス面に損傷を受けた場合を図９（ａ），図９（ｂ）を参照しながら説明する。
【００４８】
図９（ａ）に示すように、ヒビ等により防犯ガラス２のガラスの一部が破壊されることにより第１導電膜５Ｂ（５）や第２導電膜６Ｂ（６）が欠落すると、第１導電膜５Ｂ（５）と第２導電膜６Ｂ（６）にて形成されたコンデンサの数が変化する。これに伴い、センサ本体１０内の共振周波数検出部１３で検出される共振周波数が変化する。演算部１４は、共振周波数検出部１３が検出した共振周波数が入力されると、この共振周波数の変化量をノイズレベルと比較し、共振周波数の変化量がノイズレベルより大きいときにガラスの破損として判別する。なお、演算部１３は、ノイズレベルとの比較に限らず、予め閾値を設定しておき、閾値を超えた場合にガラスの破損として判別する構成でも良い。又、窓が開けられた場合には、センサ部１２のコイル８とセンサ本体１０のコイル９の距離が変化して、これに伴い共振周波数が変化して防犯ガラス２の異常を検出する。
【００４９】
上述した第３形態によれば、前記第１形態及び第２形態と同様の効果を奏するとともに、第１導電膜５Ｂ（５）と第２導電膜６Ｂ（６）は少なくとも一部が重なるように対向して等価的に複数のコンデンサが形成されるべく複数に分割形成されるので、ガラスの僅かな損傷も正確に検出することができる。これにより、第１，第２形態と比較して更に検出精度が向上し、防犯効果を飛躍的に高めることができる。そして、上述した各形態の構成を採用することにより、ガラス破壊の検出に適した防犯ガラスを容易に製造でき、静電容量の変化を検出するセンサ部をガラス自体に一体形成することができる。
【００５０】
ところで、上述した形態では、防犯ガラス２に合わせガラスを用いた例について説明したが、合わせガラスに限らず、一枚のガラスの一方の面に第１導電膜５を形成し、他方の面に複数に分割して第２導電膜６（６Ａ、６Ｂ）を形成しても同様の効果を奏する。また本例では、窓ガラスを例としたが、例えば扉ショーケースやショーウィンドウのガラス部分、美術館や宝飾品店の展示品のケース等のように防犯対策を必要とする箇所に用いることができる。これにより、防犯ガラス２として作用し、防犯効果を飛躍的に向上させることができる。
【００５１】
第１乃至第３の形態では、第１導電膜５（５Ａ、５Ｂ）が第２導電膜６（６Ａ、６Ｂ）と同一の材質で形成されているものとしたが、これら導電膜は導電性を有していれば良く、導電膜材料の性質や使用環境に応じて異なる材質を適宜用いることも可能である。
【００５２】
また、ガラス面に形成した第１導電膜５（５Ａ、５Ｂ）と第２導電膜６（６Ａ、６Ｂ）からなるコンデンサと、共振周波数検出部１３（１３Ａ，１３Ｂ）とは、コイル８，９の電磁結合により接続するものとして説明したが、ガラスからリード線を引き出すことが問題ない場合には、第１導電膜５（５Ａ、５Ｂ）と第２導電膜６（６Ａ、６Ｂ）からなるコンデンサと、共振周波数検出部１３（１３Ａ，１３Ｂ）とを直接リード線で接続した構成でもよい。この場合、共振周波数検出部１３（１３Ａ，１３Ｂ）は、静電容量検出回路を用いる方がより好ましい。このような場合でも、僅かなガラスの破損やヒビ等を高感度に検出することが可能である。
【００５３】
第３の形態では、第１導電膜５Ｂ（５）や第２導電膜６Ｂ（６）によるドットマトリクス状の導電膜の形状を四角形としたが、四角形に限らず、例えばその他の多角形状や円形状等の様々な形状を用途に合わせて使用することができる。これにより、上述した各形態と同様の効果を奏するとともに、用途範囲が限定されることなく利便性が向上する。また、本例では、導電膜が透明である場合を例として挙げているが、これに限らず、用途に応じて有色のものや不透明な導電膜でも良い。
【００５４】
本例で採用できる第１導電膜と第２導電膜の組合せとしては、図示のものに限定されず、逆転させた構成を含め、少なくとも第１導電膜と第２導電膜により複数のコンデンサが等価的に構成されるものであれば良い。例えば線状の導電膜の組合せ、板状の導電膜と線状の導電膜の組合せ、線状の導電膜と複数に分割された導電膜の組合せ等の様々な組合せが考えられる。これにより、使用環境や用途に応じて最良のガラス破壊検出装置を構成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】（ａ）本発明に係る防犯ガラスを含むガラス破壊検出装置の第１形態を示す構成図である。  （ｂ）（ａ）の等価回路を示す図である。
【図２】本発明に係るガラス破壊検出装置の電気的構成を示す図である。
【図３】本発明の共振周波数検出部の具体例を示す図である。
【図４】本発明の共振周波数検出部の具体例を示す図である。
【図５】（ａ）本発明に係る防犯ガラスを含むガラス破壊検出装置の第２形態を示す構成図である。  （ｂ）（ａ）の等価回路を示す図である。
【図６】（ａ）第２形態におけるガラス破壊時の例を示す図である。  （ｂ）（ａ）のガラス破壊時の等価回路を示す図である。
【図７】（ａ）本発明に係る防犯ガラスを含むガラス破壊検出装置の第３形態を示す構成図である。  （ｂ）（ａ）の等価回路を示す図である。
【図８】図７（ａ）の防犯ガラスの部分断面図である。
【図９】（ａ）第３形態におけるガラス破壊時の例を示す図である。  （ｂ）（ａ）のガラス破壊時の等価回路を示す図である。
【図１０】従来のガラス破壊検出装置を示す図である。
【図１１】従来のガラス破壊検出装置を示す図である。
【図１２】図１１の等価回路を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  ガラス破壊検出装置
２  防犯ガラス
３  第１ガラス
４  第２ガラス
５、５Ａ、５Ｂ  第１導電膜
６、６Ａ、６Ｂ  第２導電膜
６ａ  第１導出部
６ｂ  第２導出部
７  中間膜
８  コイル
９  コイル
１０  センサ本体
【図１】
2005043217.tif 000003
【図２】
2005043217.tif 000004
【図３】
2005043217.tif 000005
【図４】
2005043217.tif 000006
【図５】
2005043217.tif 000007
【図６】
2005043217.tif 000008
【図７】
2005043217.tif 000009
【図８】
2005043217.tif 000010
【図９】
2005043217.tif 000011
【図１０】
2005043217.tif 000012
【図１１】
2005043217.tif 000013
【図１２】
2005043217.tif 000014