(57)【要約】【課題】光アイソレータにおいて、光学素子の脱落、クラック、接合強度の低下、光学特性の劣化を解決する。【解決手段】ファラデー回転子及び偏光子を含む光学素子が、平板状の実装基板上面に接合剤を介して一体化されている光アイソレータにおいて、前記実装基板の上面に少なくとも前記ファラデー回転子が挿入できる実装用溝を形成した。【選択図】  図１
2005283697.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファラデー回転子及び偏光子を含む光学素子が、平板状の実装基板上面に接合剤を介して一体化されている光アイソレータにおいて、前記実装基板の上面に少なくとも前記ファラデー回転子が挿入できる実装用溝を有したことを特徴とする光アイソレータ。
【請求項２】
前記実装用溝は、前記光学素子のファラデー回転子及び偏光子のそれぞれが挿入できるように形成したものであることを特徴とする請求項１記載の光アイソレータ。
【請求項３】
前記接合剤が低融点ガラスからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の光アイソレータ。
【請求項４】
前記実装基板はガラス材からなり、前記実装用溝は切削加工により形成されたものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光アイソレータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源から出射された光を各種光学素子や光ファイバに導入した際に生じる戻り光を除去するために用いられる光アイソレータに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光通信用モジュール等において、レーザ光源等の光源から出射した光は、各種光学素子や光ファイバに入射されるが、入射光の一部は各種光学素子や光ファイバの端面又は内部で反射したり散乱したりする。この反射や散乱した光の一部は、戻り光として光源に戻ろうとするが、この戻り光を防止するために光アイソレータが用いられる。
【０００３】
従来、この種の光アイソレータは、２枚の偏光子の間に平板状のファラデー回転子を設置してなる光学素子を筒状の磁石内に各部品ホルダを介して収納することにより構成されていた。通常、ファラデー回転子は飽和磁界内において所定の波長をもつ光の偏光面を４５°回転する厚みに調整され、また２つの偏光子はそれぞれの透過偏光方向が４５°回転方向にずれるように回転調整されて構成されている。
【０００４】
このような構成の光アイソレータは、ファラデー回転子と２つの偏光子が別部品で各素子にホルダが必要であり、そのため部品点数が多くなり組立工数が多くなるばかりか、各部品間の光学上の調整作業が煩雑で、コスト高を招いていた。また、小型化が難しく、さらに、光源モジュールに組み込む際に、光アイソレータの偏波面の調整が必要となり実装が煩雑であった。
【０００５】
このため、ファラデー回転子と偏光子の各光学素子と直方体の磁石を平板状の実装基板に設置した光アイソレータも提案されている。
【０００６】
特許文献１には図５に示す従来の小型化された光アイソレータ１５が示されており、以下にその構成について説明する。
【０００７】
光アイソレータ１５はファラデー回転子１６、偏光子１７、１８の各光学素子２１と、その両隣に直方体の磁石１９が、平板状の実装基板２０上に配置した構造を有している。ここで偏光子１７、１８は透過する光の一方向の偏波成分を吸収し、その偏波成分に直交する偏波成分を透過する機能を有し、また、ファラデー回転子１６は飽和磁界強度において所定波長の光の偏波面を約４５度回転する機能を有する。また２つの偏光子１７、１８は、それぞれの基板２０に接する面を基準面とし、この基準面に対し透過偏波方向が０度および４５度となるように切り出されている。
【０００８】
ここでは、各光学素子２１の外形を正確に切断形成した上で取り付け基板２０上に配置する構成において、取り付け基板２０の厚さ方向における全体の寸法を低背化すると共に、全体の小型化および低コスト化および高信頼性を計るために各光学素子の主面の形状を正方形にし、各光学素子２１の間隔を狭めて配置するように工夫している。
【特許文献１】特開平１０−２２７９９６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、図５の特許文献１に示すように、ファラデー回転子１６、偏光子１７、１８の各光学素子２１と、直方体の磁石１９が、平板状の実装基板２０上に配置した光アイソレータ１５においては、これら各光学素子２１と平板状の実装基板２０の接合条件によっては光学素子の脱落、クラック、接合不良による接合強度の低下が発生するという問題がある。
【００１０】
また、近年の小型化の要求のためには各光学素子２１の間隔をできるだけ狭めて配置する必要があるが、間隔を狭めるほど接合剤が表面張力によって本来付着してはならない各光学素子間に付着してしまい、結果として接合剤が各光学素子の光の透過領域である開口部を塞いだ不良品となって歩留まりを劣化させてしまうという問題がある。
【００１１】
図６は、上述した光学素子の保持構造及びこれを用いた光アイソレータの作製に際しての問題点を説明するために示した要部を抜粋した側面図である。ここでは、光学素子である偏光子１７及びファラデー回転子１６を取り付け基板２０に対してエポキシ樹脂からなる接合剤２５を用いて固定した際、接合剤２５が表面張力によって偏光子１７及びファラデー回転子１６の間に付着した様子を示している。このような現象は、各光学素子の間隔を狭めて配置するほど顕著となり、接合剤２５が逃げ場無く各光学素子間で表面張力により吸い寄せられると、図６に示されるような略Ｕ字形の形状が形成される。ひどい場合にはＵ字形の接合剤が各光学素子の光学面に這い上がり、開口部まで達してしまうというものであった。この現象を防止するために、各光学素子の間隔を広めに設定することが必要であり、光アイソレータの大型化につながる問題がある。
【００１２】
また、図５のようにファラデー回転子１６、偏光子１７、１８の各光学素子２１と、直方体の磁石１９が、平板状の実装基板２０上に配置した光アイソレータ１５においては、これら各光学素子２１と平板状の実装基板２０、あるいは磁石１９と平板状の実装基板２０との接合方法の記載がなく、その接合方法によっては光学素子２１の脱落、クラック接合強度の低下、光学特性の劣化が発生するという問題がある。
【００１３】
具体的には、単一の実装基板２０の表面という狭小領域に光学素子２１と磁石１９を接合剤で固定する構造のため、高温で溶融固着する接合剤を使用する場合は、磁石１９の熱膨張係数が光学素子２１に対して大きいため、隣接する光学素子２１に影響し、引っ張りの応力が発生することが原因となっていた。特に、接合剤が光学素子２１と実装基板２０のいずれかの熱膨張係数が小さい方と同じかそれ以下の熱膨張係数を有する場合、接合剤とファラデー回転子１６との熱膨張係数の違いによってファラデー回転子１６の接合面の角に引っ張り応力が集中することも原因となっていた。
【００１４】
又、一般に入射光に対する反射を防ぐために、各光学素子は入射光線に垂直となるようには配置せず、それ以外の角度となるように配置するが、実装基板２０上にガイド部がないために、角度の調整は目視により調整するため、その角度調整精度は非常に悪いものであった。そのため、アイソレータの特性が安定しないという問題がある。また、実装基板２０に例えばステンレスやコバール、アロイ等の合金を用い、光学素子のガイドラインを溝で形成する場合、溝幅以上の加工によるバリが発生し、また、光学素子の引っかかりが生じ、実装面が平面ではなくなり、かえって実装精度が劣化する等の問題点が発生する。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、ファラデー回転子及び偏光子を含む光学素子が、平板状の実装基板上面に接合剤を介して一体化されている光アイソレータにおいて、前記実装基板の上面に少なくとも前記ファラデー回転子が挿入できる実装用溝を形成したことを特徴とする。
【００１６】
また、前記実装用溝は、前記光学素子のファラデー回転子及び偏光子のそれぞれが挿入できるように形成したものであることを特徴とする。
【００１７】
さらに、前記接合剤が低融点ガラスからなることを特徴とする。
【００１８】
さらに、前記実装基板はガラス材からなり、前記実装用溝は切削加工により形成されたものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の構成によれば、実装基板の上面に少なくとも前記ファラデー回転子が挿入できる実装用溝を形成し、その実装用溝の底面に接合剤を介してファラデー回転子が接合されているために、実装基板に光学素子を実装する際、その接合剤がファラデー回転子の光学面側に盛り上がったとしても、実装用溝内での盛り上がりとなるため、偏光子の接合剤と分離させることができ、盛り上がった接合剤が光学素子の開口径内に入り込む事が無くなる。
【００２０】
また、特にファラデー回転子の実装用溝を形成し、その実装用溝にファラデー回転子を実装することにより、ファラデー回転子の実装基板に当接する角部と、偏光子あるいは磁石との間隔を分離することができるため、実装時の応力集中を回避することができ、クラックの発生を抑制することが可能である。なお、実装基板に形成する実装用溝は、光学素子のファラデー回転子及び偏光子のそれぞれが挿入できるように形成すると、実装基板に光学素子を実装する際の光学面側への接合剤の盛り上がりを完全に抑えることが可能となるのでより好ましい。
【００２１】
さらに、上述のように実装用溝を形成することにより、各光学素子の間隔は狭く設定しても、接合剤の盛り上がり、応力の影響は小さくなるために、光アイソレータの小型化が実現する効果を有する。また、実装用溝が光学素子の角度調整のガイド部とすることも可能であるため、角度調整精度の不良によるアイソレータ特性の不安定という課題を解決することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
【００２３】
図１は、本発明の光アイソレータの実施形態を示す斜視図である。
【００２４】
なお、図はＡ面を中心に対称に構成されるが、光学素子１を実装基板６の接合の様子をわかりやすくするために、一方磁石を省略して記載した。
【００２５】
図に示すように、本発明の光学素子１０は、上面に横断する３本の溝部６を有した実装基板２２と、偏光子３、ファラデー回転子２、偏光子４からなる光学素子１と、光学素子１の両隣に配置される磁石８とからなり、光学素子１の一方の端部は接合剤７を介して溝部６内に挿入され、各光学素子１の端部が接合剤７を介して実装基板２２に固定されている。
【００２６】
光学素子１に用いられる偏光子３の透過偏波方向は、実装基板２２の上面と平行な１辺（これを基準辺と呼ぶ）に対し平行な方向に設定されており、他方の偏光子４の透過偏波方向は、その基準辺に対して４５度の方向に設定されている。ここで、実装基板６の上面と偏光子３と偏光子４の基準辺と略一致させ、固定することにより、偏光子３と偏光子４の透過偏波方向は回転調整することなく、互いに４５度ずれた状態となり、ファラデー回転子２のファラデー回転角が略４５度の場合、最良の挿入損失特性とアイソレーション特性を得ることができる。
【００２７】
偏光子３、４は、入射する光の１方向の偏光成分を吸収する機能を有する吸収型偏光子、あるいは入射する光の１方向の偏光成分を分離または合成する複屈折性偏光子で構成される。吸収型偏光子は例えば楕円体形の金属粒子がガラス内に分散された構造の偏光ガラスからなる。この偏光ガラスは長く延伸された金属粒子をガラス自身の中に一方向に配列させることにより偏光特性を持たせたガラスであり、金属粒子の延伸方向に垂直な偏波面を持つ光が透過し、平行な偏波面を持つ光は吸収される。例えば楕円体形の金属粒子がガラス内に分散された構造の偏光ガラスからなる。この偏光ガラスは長く延伸された金属粒子をガラス自身の中に一方向に配列させることにより偏光特性を持たせたガラスであり、金属粒子の延伸方向に垂直な偏波面を持つ光が透過し、平行な偏波面を持つ光は吸収される。
【００２８】
ファラデー回転子２は常温において入射した光の偏波方向が４５度回転する厚みに調整されている。また、光アイソレータ１０に高いアイソレーションが要求される場合は、ファラデー回転子２の偏波回転角度４５＋α度に対し、偏光子３と偏光子４の回転ズレを４５−α度に精密に調整する必要があり、光を逆方向から（偏光子４側から）入射し、透過してくる光が最も小さくなるように偏光子２を回転調整する方法がある。そこであらかじめ偏光子３と偏光子４の透過偏波方向を４５−α度ずらして切り出し、例えば偏光子４の透過偏波方向を基準辺に対して４５−α度とすることも可能である。また、ファラデー回転子の偏波回転角の精度±αは光アイソレータの特性上、１度程度とすることが望ましく、また実装基板６の上面に精度良く設置する。
【００２９】
ファラデー回転子２は、例えば、ビスマス置換ガーネット結晶等で、その厚みは所定の波長をもつ入射光線の偏光面が４５度回転する様に設定する。一般に、偏波面を回転させるためには、入射光線の光軸Ｌ方向に十分な磁界を印可することが必要であり、磁石８がファラデー回転子２の両脇に配置されている（一方の磁石は省略）。
【００３０】
磁石８の材料としては、例えばサマリウムコバルトからなる材料が適している。磁石８は光学素子１の両側に配置されており、磁石８には、ファラデー回転子２を通過する光軸方向の磁力線が最大になるような向きに磁極が配置されており、ファラデー回転子２が所定の波長をもつ入射光線の偏光面を４５度回転させるだけの磁界強度を有する。また、磁石の形状はこれに限ることもなく、ファラデー回転子に所定の磁界強度を満足すれば、１個でも良く、その形状も限定されない。
【００３１】
実装基板２２はメイン基板９とその上面に配置するサブ基板５とから構成され、上述の溝部７はサブ基板の上面に形成されている。
【００３２】
メイン基板９は上面に上述のサブ基板５を配置するだけでなく、サブ基板５の両側に磁石８が配置できる広さを備えており、その材質として光アイソレータ１０を半導体レーザモジュールに実装する実装方法によって選択され、例えば、ＹＡＧ溶接で半導体レーザモジュールのサブマウントに固定される場合は、ステンレス、コバール、パーマロイ等の金属が選択され、また、ハンダによる実装の場合は、前記金属、あるいはセラミック、ガラス等の材料が用いられ実装面にたとえばＣｒ下地でＡｕメッキを施こしているものが選択される。
【００３３】
サブ基板５の上面に形成した溝部７は、それぞれに接合剤７が互いに接触しないように埋め込まれている。この溝部７は光学素子１である偏光子３、４、ファラデー回転子２をそれぞれ個別に実装でき、その大きさは各光学素子１が丁度挿入できるように形成されている。形成方向としては図１では光軸方向に垂直な方向に形成されているがこれに限定されることはなく、例えば、図３に示す構成にすると良い。
【００３４】
図３は、本発明に用いるサブ基板の他の構成を示す斜視図である。
【００３５】
サブ基板５の上面を横断するように溝部６は形成されており、さらにサブ基板５の一辺に対し溝部６はθの角度を持って形成されている。溝部６には、図１と同様に互いが接触しないように接合剤７が埋め込まれている。溝部６の大きさは図１と同様に各光学素子１が丁度挿入できるように形成されている。
【００３６】
そして、形成された溝部６に沿うように光学素子１を挿入固定すると、光学素子１を入射光に対して角度を持つように容易に固定することができ、光学素子１からの反射戻り光の影響を少なくすることができる。
【００３７】
なお、サブ基板５はセラミック材あるいはガラス材を用いることが望ましく、特に接合剤内部の気泡や光学素子との接合不良や、クラックを発見し、不良を判別しやすいように、透明なガラス材を用いることが非常に有効である。また、ガラス材は多くの種類があり所望の熱膨張係数を有する材料が入手しやすいことでも本発明に最適な基板材料である。また、溝部６が切削加工で容易に形成でき、バリの発生がほとんどないことも本発明の基板材料の採用に最適な点である。
【００３８】
接合剤７は低融点ガラスが用いられ、それらは同一の材料かあるいは異なる組成材料でもよく、ガラス材であるＳｉＯ２に他の金属酸化物、例えば酸化鉛や酸化リンや酸化亜鉛を混ぜ合わせ、その融点を低くなるように調整したもので、これらを溶剤とともにクリーム状にしたものを、サブ基板５に形成した溝部６上にあらかじめ塗布し、仮焼成により溶剤をとばしておくか、あるいは溝部６とほぼ同じ大きさの棒状に形成したプリフォームがもちいられる。このように実装基板６の溝部に形成された低融点ガラス７が一体化された溝部６に光学素子１を密着させたまま３００〜４２０度の高温炉で数秒から数分間焼成することで接合することができる。
【００３９】
以上のように構成した光アイソレータによれば、一般的に用いられるガーネット単結晶から成るファラデー回転子２の熱膨張係数は約１０×１０−６／℃であり、ガラス材料から成る偏光子の熱膨張係数は約６．５×１０−６／℃であり、また、サマリウムコバルト希土類から成る磁石８の熱膨張係数は約１３×１０−６／℃であるが、本発明の溝部６を形成し、サブ基板５に形成する接合剤７が互いに接触しにくい構成とすることにより、各光学素子１の熱膨張係数の異なる部材を共通のサブ基板５に堅固に実装できるとともに、小型化しても光学素子１の接近による光学素子間の接合剤７の盛り上がりも低減できるため、開口径の確保がしやすく所望の光学特性を得ることが可能となる。しかも、磁石８による引っ張り応力が光学素子１、特にファラデー回転子２にかかることなく、良好な特性を示すことができるものである。
【００４０】
ここで、より強固な接合状態を得るためには、最適な熱膨張係数を有する低融点ガラスを選択する必要がある。具体的には低融点ガラスは引っ張り応力に弱く、引っ張り応力がかかった状態ではガラスの破断が発生し接合強度の劣化につながるため、接合する部材同士の内、一番熱膨張係数が小さい部材にあわせるか、それ以下の熱膨張係数を有する低融点ガラスを選択することが接合強度の点から望ましい。そのため、光学素子１とサブ基板５の接合には、光学素子１と実装基板６のいずれか熱膨張係数が小さい方と同じかそれ以下の熱膨張係数を有する低融点ガラスを選択する。このように選択した結果、偏光子３、４の接合剤とファラデー回転子２の接合剤で異なる材料配合の低融点ガラスを用いることも考えられる。
【００４１】
図２は光学素子１の固定状態について説明した断面図である。
【００４２】
図２は図１に示す磁石とファラデー回転子を通るＡ−Ａ線断面図で、光学素子１の端部が実装基板２２の溝部６内に挿入され、接合剤７により固着されている様子を示す。溝部６の幅は、各光学素子１の厚みの１．１〜１．５倍の長さとすることが好ましく、またその深さは接合強度の点から０．０３ｍｍ以上とすることが望ましい。接合剤７は互いに接触せずに溝部６の別領域に形成され、接合剤７の光学素子１間への盛り上がりが発生しない。ここでこのような効果は必ずしも各光学素子１を個別の溝に挿入する必要はなく、ファラデー回転子２を固定する溝のみを実装基板６に形成しても、同様の効果があることが確認されている。また、ファラデー回転子２のみを溝部６に挿入固定することにより、特に応力の影響を受けやすいファラデー回転子２の特性劣化を防止することができる。
【００４３】
図４は本発明に用いる接合剤７付きのサブ基板５の製造方法を示す図である。
【００４４】
まず、図４（ａ）に示すように、大判の実装基板１２に切削加工により溝１３を加工する。ここで溝１３の幅にあわせてブレード１１の厚みを決めておくか、あるいは数十ミクロンの厚みのブレードを用いて数回加工することにより所望の溝幅を形成しても良い。また溝１３の深さの設定はブレードの切り込み深さにより容易に形成することができる。このようにして図４（ｂ）に示すような溝１３が連続して複数形成された大判の実装基板１２を作製する。次に図５（ｃ）に示すように、大判の実装基板１２上に接合剤１４を一面に塗布し、その後、溝１３以外の場所に付着した接合剤１４はスクレーバ等で除去しておく。例えば、接合剤１４に低融点ガラスを用いた場合は、スクリーン印刷で実装基板１２上にクリーム状の低融点ガラスを塗布し、溝部以外の低融点ガラスはスクレーバで除去した後、溝１３に残った低融点ガラスを仮焼成し実装基板１２に固定させる。次に図５（ｄ）に示すように、接合剤つきの大判基板１２を、実際の基板サイズの小片に切断する。このように、接合剤付きのサブ基板５は切削加工により容易に作製することができる。
【００４５】
なお、本発明に用いる実装基板２２は、メイン基板９上にサブ基板５を配置し、そのサブ基板５上面に溝部６を形成したが、これに限定されず、一枚の実装基板２２上に溝部６を形成しても良い。この場合の実装基板２２の材質としては、サブ基板５と同じくガラスあるいはセラミックを用いると良い。
【００４６】
以上説明したように、本発明の構成によれば、小型で、開口径が大きく、光学素子へのクラック、脱落の不良が生じにくく、また、光学素子の実装角度調整が不要な作製しやすい光アイソレータが実現する。
【実施例１】
【００４７】
本発明の実施例として図１に示した光アイソレータを作製した。各部品と構成について以下に説明する。
【００４８】
偏光子は、コーニング社製のポーラコア（製品名）を用い、サイズは１ｍｍ角で厚み０．２ｍｍのものを使用し、基板との実装辺を基準辺とし、入射側の偏光子３は基準辺に平行な偏波方向を透過し、出射側の偏光子４は基準辺に対して４５度の偏波方向を透過するように設定した。偏光子の熱膨張係数は６．５×１０−６／℃である。
【００４９】
ファラデー回転子はビスマス置換ガーネットを用い、サイズは１ｍｍ角で厚み０．４ｍｍ、飽和磁界強度中における偏波回転角は４５度であった。いずれも波長１．５５μｍの光に対して動作する素子であり、偏光子、ファラデー回転子の両面には対空気（ｎ＝１）の反射防止膜が施されている。ファラデー回転子の熱膨張係数は１０×１０−６／℃である。
【００５０】
サブ基板材はガラス基板を用い、その上面に溝を形成し低融点ガラスをあらかじめ塗布しておく。溝は実装基板の一辺に対し４度の角度で形成し、溝の深さは約０．０５ｍｍで、この溝に低融点ガラスが充填されている。溝の幅は偏光子用が２本で０．２５ｍｍ、２本の偏光子用溝の間に、幅０．５ｍｍのファラデー回転子用溝を１本形成した。各溝の間隔は０．０５ｍｍとした。ガラス材の熱膨張係数は１０．５×１０−６／℃であり、ファラデー回転子の熱膨張係数とほぼ同じであり、ファラデー回転子に実装基板からの応力の影響を受けない構成とした。低融点ガラスについても同様にファラデー回転子への応力を考慮して１０．５×１０−６／℃より若干小さく、８×１０−６／℃のものを選択した。
【００５１】
サブ基板のサイズは幅Ｗ＝１．２ｍｍ、長さＤ＝１．５ｍｍ、厚みｔ＝０．３ｍｍで、この実装基板を３５０度に加熱し低融点ガラスが溶融した状態で光学素子の一端を溝内に固定した。メイン基板のサイズはＷ＝３ｍｍ、長さＤ＝１．５ｍｍ、厚みｔ＝０．３ｍｍで、光学素子が実装されたサブ基板と磁石を、ステンレスからなるメイン基板上に搭載し、接合面をハンダにより一体化し光アイソレータを作製した。磁石は幅Ｗ＝０．８ｍｍ、長さＤ＝１．４ｍｍ、厚みＴ＝１．４ｍｍの略直方体のサマリウムコバルト磁石を２個用いた。
【００５２】
以上の試作条件で、５０個の光アイソレータを作製し特性を測定した。その結果すべての光アイソレータは、有効開口径が０．９ｍｍ以上で、挿入損失が０．３ｄＢ以下、アイソレーションが３５ｄＢ以上の、良好で均一な特性を有することを確認した。
【００５３】
次に作製した光アイソレータの信頼性評価を行った。試験は、Ｔｅｌｃｏｒｄｉａ１２２１に示される振動試験、衝撃試験、温度サイクル試験、高温保持試験、低温保持試験、高温高湿試験を実施し、すべての試験において、挿入損失の変化量が±０．２ｄＢ以下、アイソレーションの変化量が±３ｄＢ以下と良好な結果を得ることができた。
【００５４】
以上の試作により、大きな開口径を有し、光学特性が安定し、かつ、組み立てが容易で工数が少なく、光学素子の脱落、クラック、特性劣化がない信頼性に優れた光アイソレータを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の光アイソレータの実施形態を示す斜視図である。
【図２】本発明の光学素子の固定状態について説明した図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】本発明に用いるサブ基板の構成を示す斜視図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は本発明に用いる接合剤付きのサブ基板の製造方法を示す図である。
【図５】従来の小型化された光アイソレータの構成を示す図である。
【図６】従来の小型化された光アイソレータの構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１、２１：光学素子
１０、１５：光アイソレータ
２、１６：ファラデー回転子
３、４、１７、１８：偏光子
７、１４、２５：接合剤
５、１５：サブ基板
９：メイン基板
２０、２２：実装基板
６、１３：溝部
８、１９：磁石
１１：ブレード 
１２：大判の実装基板
【図１】
2005283697.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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