(57)【要約】【課題】  帰還量と増幅用トランジスタの動作点とを切り替えてゲインの他にもＮ／Ｆ特性や歪み特性を変える。【解決手段】  増幅用トランジスタ１と、増幅用トランジスタ１に接続された負帰還回路２１とを備え、増幅用トランジスタ１のコレクタバイアス電流を最小のＮ／Ｆを呈する電流よりも大きな範囲で大小２通りに切り替えると共に、コレクタバイアス電流の切替に連動して帰還回路２１による帰還量を切り替え、コレクタバイアス電流を大に切り替えたときに帰還量を大きくし、コレクタバイアス電流を小に切り替えたときに帰還量を小さくした。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
増幅用トランジスタと、前記増幅用トランジスタに接続された負帰還回路とを備え、前記増幅用トランジスタのコレクタバイアス電流を最小のＮ／Ｆを呈する電流よりも大きな範囲で大小２通りに切り替えると共に、前記コレクタバイアス電流の切替に連動して前記負帰還回路による帰還量を切り替え、前記コレクタバイアス電流を大に切り替えたときに前記帰還量を大きくし、前記コレクタバイアス電流を小に切り替えたときに前記帰還量を小さくしたことを特徴とする広帯域増幅器。
【請求項２】
前記負帰還回路は前記増幅用トランジスタのエミッタとグランドとの間に接続されたエミッタバイアス抵抗と、一端が前記エミッタバイアス抵抗の途中の点に接続された第１の容量手段とからなり、前記コレクタバイアス電流を小に切り替えたときにのみ前記第１の容量手段の他端を接地したことを特徴とする請求項１に記載の広帯域増幅器。
【請求項３】
前記増幅トランジスタのベースとグランドとの間に接続された第１のベースバイアス抵抗と、前記第１のベース抵抗の途中の点にコレクタが接続されると共に、エミッタが接地された第１のスイッチトランジスタとを設け、前記第１の容量手段の他端を前記第１のスイッチトランジスタのコレクタに接続したことを特徴とする請求項２に記載の広帯域増幅器。
【請求項４】
前記増幅用トランジスタのコレクタとベースとの間に第２のベースバイアス抵抗を接続し、前記第２のベースバイアス抵抗の途中の点とベースとの間に第２の容量手段を接続したことを特徴とする請求項２又は３に記載の広帯域増幅器。
【請求項５】
前記負帰還回路は前記増幅用トランジスタのコレクタとベースとの間に接続された第２のベースバイアス抵抗と、前記第２のベースバイアス抵抗の途中の点とベースとの間に接続された第２の容量手段とからなり、前記第２の容量手段の容量値を、前記コレクタバイアス電流を大に切り替えたときに大きく、前記コレクタバイアス電流を小に切り替えたときに小さくしたことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の広帯域増幅器。
【請求項６】
前記第２の容量手段をバラクタダイオードと前記バラクタダイオードの両端側にそれぞれ配置された２つのコンデンサとから構成し、エミッタが接地され、コレクタが電源にプルアップされた第２のスイッチトランジスタを設け、前記バラクタダイオードのアノードを第１の抵抗を介して前記第１のベースバイアス抵抗の途中の点に接続すると共にカソードを第２の抵抗を介して前記第２のスイッチトランジスタのコレクタに接続し、前記第２のスイッチトランジスタを、前記コレクタバイアス電流を大に切り替えたときにオンにし、前記コレクタバイアス電流を小に切り替えたときにオフにしたことを特徴とする請求項５に記載の広帯域増幅器。
【請求項７】
前記負帰還回路は前記増幅用トランジスタのコレクタとベースとの間に接続された第２のベースバイアス抵抗と、前記第２のベースバイアス抵抗の途中の点とベースとの間に接続された第２の容量手段とからなり、前記第２のベースバイアス抵抗の抵抗値を、前記コレクタバイアス電流を大に切り替えたときに小さく、前記コレクタバイアス電流を小に切り替えたときに大きくしたことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の広帯域増幅器。
【請求項８】
前記第２のベースバイアス抵抗は前記増幅用トランジスタのコレクタ側とベース側にそれぞれ配置されて相互に直列接続された第３及び第４の抵抗と、一端が前記増幅用トランジスタのコレクタに接続された第５の抵抗とを有し、エミッタが接地された第２のスイッチトランジスタと、前記第３の抵抗と前記第４の抵抗との接続点にアノードが接続され、カソードが前記第２の容量手段に接続されたスイッチダイオードとを設け、前記スイッチダイオードのカソードに前記第５の抵抗の他端を接続し、カソードを前記第２のスイッチトランジスタのコレクタに接続し、前記第２のスイッチトランジスタを、前記コレクタバイアス電流を大に切り替えたときにオンにし、前記コレクタバイアス電流を小に切り替えたときにオフにしたことを特徴とする請求項７に記載の広帯域増幅器。
【請求項９】
前記増幅トランジスタのベースとグランドとの間に接続された第１のベースバイアス抵抗と、前記第１のベース抵抗の途中の点にコレクタが接続されると共に、エミッタが接地された第１のスイッチトランジスタとを設け、前記第１の容量手段の他端を前記第１のスイッチトランジスタのコレクタに接続し、前記第２のスイッチトランジスタのベースを前記第１のスイッチトランジスタのコレクタに接続したことを特徴とする請求項６又は８に記載の広帯域増幅器。
【請求項１０】
前記エミッタバイアス抵抗に第３の容量手段を並列に接続したことを特徴とする請求項第２乃至９の何れかに記載の広帯域増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テレビジョンチューナ等に使用される広帯域増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の広帯域増幅器を図１１に従って説明する。入力端子ＲＦＩＮは結合コンデンサＣｉｎ、入力抵抗ｒ１を介して接地される。結合コンデンサＣｉｎと入力抵抗ｒ１ととと接続点ａは電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）Ｑ１のゲートに接続される。ＦＥＴＱ１のソースは抵抗ｒ２あるいはコンデンサＣ１を介して接地される。ＦＥＴＱ１のドレインは出力コンデンサＣｏｕｔを介して出力端子ＲＦＯＵＴに接続される。さらに、ＦＥＴＱ１のドレインはバイアス用チョークコイルＬ１を介してドレイン電源ＶＤＤに接続される。
【０００３】
ＦＥＴＱ１のドレインとバイアス用チョークコイルＬ１との接続点ｂと接ｚ句点ａにわたって帰還抵抗部１１が設けられている。帰還抵抗部１１には接続点ｂ側から直流カットコンデンサＣ２、ＰＩＮダイオードＤ１、可変抵抗ｒ３、直流カットコンデンサＣ３が直列接続されている。そして、ＰＩＮダイオードＤ１と直流カットコンデンサＣ２との接続点はバイアス用チョークコイルＬ２を介してゲイン制御用電源ＶＣが接続される。さらに、ＰＩＮダイオードＤ１と可変抵抗ｒ２との接続点はチョークコイルＬ３を介して接地されている。
【０００４】
以上の構成では、ゲイン制御用電源ＶＣの電圧を制御することでＰＩＮダイオードＤ１の抵抗が変わり、これによって帰還量が変わるのでゲインが変わる。すなわち、ゲイン制御用電源ＶＣの電圧を高くすればＰＩＮダイオードＤ１の抵抗が小さくなって帰還量が大きくなり、ゲインは低下し、ゲイン制御用電源ＶＣの電圧を低くすればＰＩＮダイオードＤ１の抵抗が大きくなって帰還量が少なくなり、ゲインは上昇する。
【０００５】
【特許文献１】特開平０８−２７４５４８号公報（図１）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図７に示した広帯域増幅器は帰還量だけを変えてゲインを変えるものであるため、使用目的に応じてＮ／Ｆ特性や歪み特性を制御できなかった。
【０００７】
本発明は、帰還量と増幅用トランジスタの動作点とを切り替えてゲインの他にもＮ／Ｆ特性や歪み特性を変えることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、増幅用トランジスタと、前記増幅用トランジスタに接続された負帰還回路とを備え、前記増幅用トランジスタのコレクタバイアス電流を最小のＮ／Ｆを呈する電流よりも大きな範囲で大小２通りに切り替えると共に、前記コレクタバイアス電流の切替に連動して前記負帰還回路による帰還量を切り替え、前記コレクタバイアス電流を大に切り替えたときに前記帰還量を大きくし、前記コレクタバイアス電流を小に切り替えたときに前記帰還量を小さくした。
【０００９】
また、前記負帰還回路は前記増幅用トランジスタのエミッタとグランドとの間に接続されたエミッタバイアス抵抗と、一端が前記エミッタバイアス抵抗の途中の点に接続された第１の容量手段とからなり、前記コレクタバイアス電流を小に切り替えたときにのみ前記第１の容量手段の他端を接地した。
【００１０】
また、前記増幅トランジスタのベースとグランドとの間に接続された第１のベースバイアス抵抗と、前記第１のベース抵抗の途中の点にコレクタが接続されると共に、エミッタが接地された第１のスイッチトランジスタとを設け、前記第１の容量手段の他端を前記第１のスイッチトランジスタのコレクタに接続した。
【００１１】
また、前記増幅用トランジスタのコレクタとベースとの間に第２のベースバイアス抵抗を接続し、前記第２のベースバイアス抵抗の途中の点とベースとの間に第２の容量手段を接続した。
【００１２】
また、前記負帰還回路は前記増幅用トランジスタのコレクタとベースとの間に接続された第２のベースバイアス抵抗と、前記第２のベースバイアス抵抗の途中の点とベースとの間に接続された第２の容量手段とからなり、前記第２の容量手段の容量値を、前記コレクタバイアス電流を大に切り替えたときに大きく、前記コレクタバイアス電流を小に切り替えたときに小さくした。
【００１３】
また、前記第２の容量手段をバラクタダイオードと前記バラクタダイオードの両端側にそれぞれ配置された２つのコンデンサとから構成し、エミッタが接地され、コレクタが電源にプルアップされた第２のスイッチトランジスタを設け、前記バラクタダイオードのアノードを第１の抵抗を介して前記第１のベースバイアス抵抗の途中の点に接続すると共にカソードを第２の抵抗を介して前記第２のスイッチトランジスタのコレクタに接続し、前記第２のスイッチトランジスタを、前記コレクタバイアス電流を大に切り替えたときにオンにし、前記コレクタバイアス電流を小に切り替えたときにオフにした。
【００１４】
また、前記負帰還回路は前記増幅用トランジスタのコレクタとベースとの間に接続された第２のベースバイアス抵抗と、前記第２のベースバイアス抵抗の途中の点とベースとの間に接続された第２の容量手段とからなり、前記第２のベースバイアス抵抗の抵抗値を、前記コレクタバイアス電流を大に切り替えたときに小さく、前記コレクタバイアス電流を小に切り替えたときに大きくした。
【００１５】
また、前記第２のベースバイアス抵抗は前記増幅用トランジスタのコレクタ側とベース側にそれぞれ配置されて相互に直列接続された第３及び第４の抵抗と、一端が前記増幅用トランジスタのコレクタに接続された第５の抵抗とを有し、エミッタが接地された第２のスイッチトランジスタと、前記第３の抵抗と前記第４の抵抗との接続点にアノードが接続され、カソードが前記第２の容量手段に接続されたスイッチダイオードとを設け、前記スイッチダイオードのカソードに前記第５の抵抗の他端を接続し、カソードを前記第２のスイッチトランジスタのコレクタに接続し、前記第２のスイッチトランジスタを、前記コレクタバイアス電流を大に切り替えたときにオンにし、前記コレクタバイアス電流を小に切り替えたときにオフにした。
【００１６】
また、前記増幅トランジスタのベースとグランドとの間に接続された第１のベースバイアス抵抗と、前記第１のベース抵抗の途中の点にコレクタが接続されると共に、エミッタが接地された第１のスイッチトランジスタとを設け、前記第１の容量手段の他端を前記第１のスイッチトランジスタのコレクタに接続し、前記第２のスイッチトランジスタのベースを前記第１のスイッチトランジスタのコレクタに接続した。
【００１７】
また、前記エミッタバイアス抵抗に第３の容量手段を並列に接続した。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１の発明によれば、増幅用トランジスタのコレクタバイアス電流を最小のＮ／Ｆを呈する電流よりも大きな範囲で大小２通りに切り替えると共に、コレクタバイアス電流の切替に連動して負帰還回路による帰還量を切り替え、コレクタバイアス電流を大に切り替えたときに帰還量を大きくし、コレクタバイアス電流を小に切り替えたときに帰還量を小さくしたので、コレクタバイアス電流を大きくすると歪みが少なくなると共に、帰還量が大きくなってゲインが下がる。よって、強電界のテレビジョン信号を増幅するのに適する。また、コレクタバイアス電流を小さくすると、Ｎ／Ｆが改善されると共に、帰還量が小さくなってゲインが上昇する。よって、弱電界のテレビジョン信号を増幅するのに適する。
【００１９】
また、請求項２の発明によれば、負帰還回路は増幅用トランジスタのエミッタとグランドとの間に接続されたエミッタバイアス抵抗と、一端がエミッタバイアス抵抗の途中の点に接続された第１の容量手段とからなり、コレクタバイアス電流を小に切り替えたときにのみ第１の容量手段の他端を接地したので、帰還量を大きくすることができる。
【００２０】
また、請求項３の発明によれば、増幅トランジスタのベースとグランドとの間に接続された第１のベースバイアス抵抗と、第１のベース抵抗の途中の点にコレクタが接続されると共に、エミッタが接地された第１のスイッチトランジスタとを設け、第１の容量手段の他端を第１のスイッチトランジスタのコレクタに接続したので、第１のスイッチトランジスタのオン／オフによってコレクタバイアス電流と帰還量とを切り替えることができる。
【００２１】
また、請求項４の発明によれば、増幅用トランジスタのコレクタとベースとの間に第２のベースバイアス抵抗を接続し、第２のベースバイアス抵抗の途中の点とベースとの間に第２の容量手段を接続したので、更に帰還量を増やすことができる。
【００２２】
また、請求項５の発明によれば、負帰還回路は増幅用トランジスタのコレクタとベースとの間に接続された第２のベースバイアス抵抗と、第２のベースバイアス抵抗の途中の点とベースとの間に接続された第２の容量手段とからなり、第２の容量手段の容量値を、コレクタバイアス電流を大に切り替えたときに大きく、コレクタバイアス電流を小に切り替えたときに小さくしたので、コレクタバイアス電流の大小の切り替えに対応して帰還量も切り替えられる。
【００２３】
また、請求項６の発明によれば、第２の容量手段をバラクタダイオードとバラクタダイオードの両端側にそれぞれ配置された２つのコンデンサとから構成し、エミッタが接地され、コレクタが電源にプルアップされた第２のスイッチトランジスタを設け、バラクタダイオードのアノードを第１の抵抗を介して第１のベースバイアス抵抗の途中の点に接続すると共にカソードを第２の抵抗を介して第２のスイッチトランジスタのコレクタに接続し、第２のスイッチトランジスタを、コレクタバイアス電流を大に切り替えたときにオンにし、コレクタバイアス電流を小に切り替えたときにオフにしたので、第２のスイッチトランジスタをオンにしたときには第２の容量手段の容量値が大きくなって帰還量が大きくなり、第２のスイッチトランジスタをオフにしたときには第２の容量手段の容量値が小さくなって帰還量が小さくなる。
【００２４】
また、請求項７の発明によれば、負帰還回路は増幅用トランジスタのコレクタとベースとの間に接続された第２のベースバイアス抵抗と、第２のベースバイアス抵抗の途中の点とベースとの間に接続された第２の容量手段とからなり、第２のベースバイアス抵抗の抵抗値を、コレクタバイアス電流を大に切り替えたときに小さく、コレクタバイアス電流を小に切り替えたときに大きくしたので、コレクタバイアス電流の大小の切り替えに対応して帰還量も切り替えられる。
【００２５】
また、請求項８の発明によれば、第２のベースバイアス抵抗は増幅用トランジスタのコレクタ側とベース側にそれぞれ配置されて相互に直列接続された第３及び第４の抵抗と、一端が増幅用トランジスタのコレクタに接続された第５の抵抗とを有し、エミッタが接地された第２のスイッチトランジスタと、第３の抵抗と第４の抵抗との接続点にアノードが接続され、カソードが第２の容量手段に接続されたスイッチダイオードとを設け、スイッチダイオードのカソードに第５の抵抗の他端を接続し、カソードを第２のスイッチトランジスタのコレクタに接続し、第２のスイッチトランジスタを、コレクタバイアス電流を大に切り替えたときにオンにし、コレクタバイアス電流を小に切り替えたときにオフにしたので、第２のスイッチトランジスタをオンにしたときにはスイッチダイオードがオンとなって第２のベースバイアス抵抗の抵抗値が小さくなって帰還量が大きくなり、第２のスイッチトランジスタをオフにしたときにはスイッチダイオードがオフとなって第２のベースバイアス抵抗の抵抗値が大きくなって帰還量が小さくなる。
【００２６】
また、請求項９の発明によれば、増幅トランジスタのベースとグランドとの間に接続された第１のベースバイアス抵抗と、第１のベース抵抗の途中の点にコレクタが接続されると共に、エミッタが接地された第１のスイッチトランジスタとを設け、第１の容量手段の他端を第１のスイッチトランジスタのコレクタに接続し、第２のスイッチトランジスタのベースを第１のスイッチトランジスタのコレクタに接続したので、第１のスイッチトランジスタのオン／オフによって増幅用トランジスタのコレクタバイアス電流と２つの負帰還回路の帰還量とを同時に切り替えられる。
【００２７】
また、請求項１０の発明によれば、エミッタバイアス抵抗に第３の容量手段を並列に接続したので、ゲインの周波数特性を補正できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の広帯域増幅器を図１乃至図１０を参照して説明する。図１は第１の実施形態を示し、図２及び図３はその等価回路を示す。また、図４は第２の実施形態を示し、図５及び図６はその等価回路を示す。また、図７は第３の実施形態を示し、図８及び図９はその等価回路を示す。また、図１０は本発明の広帯域増幅器に使用される増幅用トランジスタのコレクタ電流に対する雑音指数（Ｎ／Ｆ）の特性図である。
【００２９】
先ず、図１において、増幅用トランジスタ１は、ベースが入力端子ＲＦｉｎに結合され、コレクタが出力端子ＲＦｏｕｔに結合される。コレクタは負荷抵抗２によって電源Ｂにプルアップされる。コレクタとベースとの間には第２のベースバイアス抵抗３（直列接続された第１の抵抗３ａと第２の抵抗３ｂとからなる）が接続される。また第２のベースバイアス抵抗３の途中の点（第３の抵抗３ａと第４の抵抗３ｂとの接続点）が第２の容量手段４を介してベースに接続される。よって、第２のベースバイアス抵抗３と第２の容量手段４とによって第２の負帰還回路２１が構成される。
【００３０】
また、エミッタはエミッタバイアス抵抗５（直列接続された抵抗５ａ、５ｂからなる）を介して接地される。さらに、エミッタは第３の容量手段６を介して接地される。第３の容量手段６はバイパス用として機能するものではないので、エミッタバイアス抵抗５と第３の容量手段６とによって第１の負帰還回路２２が構成される。
【００３１】
ベースは、第１のベースバイアス抵抗７（直列接続された抵抗７ａ、７ｂからなる）を介して接地される。第１のベースバイアス抵抗７の途中の点（抵抗７ａと７ｂとの接続点）には第１のスイッチトランジスタ８のコレクタが接続され、エミッタは接地される。そして、エミッタバイアス抵抗５の途中の点（抵抗５ａと５ｂとの接続点）と第１のスイッチトランジスタ８のコレクタとの間に第１の容量手段９が接続される。第１の容量手段９も第２の帰還回路２２の一部を構成している。第１のスイッチトランジスタ８のベースには、これをオン／オフに切り替えるための切替電圧が入力される。
【００３２】
図１０は増幅用トランジスタ１のコレクタ電流に対する雑音指数（Ｎ／Ｆ）の特性図であり、Ｎ／Ｆはコレクタ電流が５ｍＡ程度で最良（最低値）を示す。また５ｍＡを越えるとＮ／Ｆは悪化し、５ｍＡ以下に下がってもＮ／Ｆは悪化する。そして、通常は、ゲインと歪みとの観点から、コレクタ電流は１０ｍＡ以上となるようにバイアスされる。
【００３３】
図２は、第１のスイッチトランジスタ８がオフ状態での等価回路である。この状態では、増幅用トランジスタ１には図７のＡ点のコレクタバイアス電流（例えば、２０ｍＡ以上）が流れる。そして、コレクタとベースとの間に設けられた第２のベースバイアス抵抗３と第２の容量手段４とによって負帰還がかかり、エミッタバイアス抵抗５と第３の容量手段６とによって負帰還がかかる。
【００３４】
また、図３は、第１のスイッチトランジスタ８がオン状態での等価回路である。この状態では、ベースは第１のベースバイアス抵抗７の一部（７ａ）によって接地されるので、増幅用トランジスタ１には図７のＢ点のコレクタバイアス電流（例えば２０ｍＡ以下、但し５ｍＡよりも大きい）が流れる（図２よりもコレクタバイアス電流が少なくなる）。そして、コレクタとベースとの間に設けられた第２のベースバイアス抵抗３と第２の容量手段４とによって負帰還がかかると共に、エミッタバイアス抵抗５と第１の容量手段９と第３の容量手段６とによって負帰還がかかる。
【００３５】
図２と図３とを比較すると、図２ではコレクタバイアス電流が大きくなるので歪みが少なくなる。また、エミッタとグランドとの間のインピーダンスは、第１の容量手段９がエミッタバイアス抵抗５の一部（５ｂ）に並列接続されることで、小さくなるので、その分だけ帰還量が大きくなってゲインが下がる。
一方、図３では、コレクタバイアス電流が少なくなるので、Ｎ／Ｆが改善され、エミッタでの帰還量が小さくなるのでゲインが上昇する。
【００３６】
このことから、図２では強電界のテレビジョン信号等を増幅するのに適し、図３では弱電界あるいは中電界のテレビジョン信号等を増幅するのに適する。
【００３７】
図４は第２の実施形態を示し、第２の容量手段４を２つのコンデンサ４ａ、４ｂと、これらの間に接続されたバラクタダイオード４ｃとから構成している。さらに、第１のスイッチトランジスタ８によって制御される第２のスイッチトランジスタ１０を設け、エミッタを接地すると共に、ベースを第１のスイッチトランジスタ８のコレクタに接続し、コレクタを抵抗１２によって電源にプルアップし、コレクタを第２の抵抗１３によってバラクタダイオード４ｃのカソードに接続し、アノードを第１の抵抗１４によって第２のベースバイアス抵抗３の途中の点に接続している。
【００３８】
この構成では、第１のスイッチトランジスタ８がオフのときは、第２のスイッチトランジスタ１０がオンとなり、逆に、第１のスイッチトランジスタ８がオンの時は第２のスイッチトランジスタ１０はオフとなる。図５は、第１のスイッチトランジスタ８がオフ、第２のスイッチトランジスタ１０がオンのときの等価回路であり、この時はバラクタダイオード４ｃは順方向にバイアスされてオンするので、第２の容量手段４は２つのコンデンサ４ａ、４ｂのみとなる。また、図６は、第１のスイッチトランジスタ８がオン、第２のスイッチトランジスタ１０がオフのときの等価回路であり、この時はバラクタダイオード４ｃは逆方向にバイアスされるので、第２の容量手段４は２つのコンデンサ４ａ、４ｂとバラクタダイオード４ｃとの直列回路となる。従って、図６では図５よりも帰還量が少なくなり、一層ゲインが上がる。よって、弱電界及び中電界のテレビジョン信号等の増幅に適する。
【００３９】
図７に示す第３の実施形態では、第２の帰還回路２２の構成が図４とは異なる。すなわち、第２のベースバイアス抵抗３は、増幅トランジスタ１のコレクタに接続された第３の抵抗３ａと、これに直列接続されてベースに接続された第４の抵抗３ｂと、一端がコレクタに接続された第５の抵抗３ｃとを有し、スイッチダイオード１５のアノードが第３の抵抗３ａと第４の抵抗３ｂとの接続点に接続され、カソードが第２の容量手段４に接続される。
【００４０】
そして、第５の抵抗３ｃの他端がスイッチダイオード１５のカソードと第２の容量手段４との接続点に接続される。また、この接続点は第６の抵抗１６を介して第２のスイッチトランジスタ１０のコレクタに接続される。第２のスイッチトランジスタ１０のエミッタは接地され、ベースは第１のスイッチトランジスタ８のコレクタに接続される。その他の構成は図４に示すものと同じである。
【００４１】
図７においても、第１のスイッチトランジスタ８と第２のスイッチトランジスタ１０とのオン／オフ動作は逆となる。そして、第１のスイッチトランジスタ８がオフで第２のスイッチトランジスタ１０がオンのときは、スイッチダイオード１５がオンとなるので図８の等価回路となり、第２の帰還回路２２は図２及び図５と同じとなる。よって、ゲインが低下する。
【００４２】
そして、増幅用トランジスタ１のコレクタバイアス電流が増加して歪み特性が良くなる。また、第２の帰還回路２２においては第３の抵抗３ａと第５の抵抗３ｃとが並列に接続され第４の抵抗３ｂとの接続点と増幅用トランジスタ１のベースとの間に第四の容量手段４が接続された形となる。その結果、帰還量が大きくなってゲインが低下する。従って、この状態では強電界のテレビジョン信号等の増幅用として好適である。
【００４３】
また、第１のスイッチトランジスタ８がオンで第２のスイッチトランジスタ１０がオフのときは、スイッチダイオード１５がオフとなるので、図９の等価回路となり、第２の帰還回路２２は図３及び図６と同じとなる。よって、ゲインが上昇する。そして、増幅用トランジスタ１のコレクタバイアス電流が少なくなってＮ／Ｆが良くなる。また、第２の帰還回路２２による帰還量は少なくなりゲインが上昇する。よって、この状態では弱電界のテレビジョン信号等を増幅するのに都合がよい。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の広帯域増幅器の第１の実施形態を示す回路図である。
【図２】本発明の広帯域増幅器の第１の実施形態における等価回路図である。
【図３】本発明の広帯域増幅器の第１の実施形態における等価回路図である。
【図４】本発明の広帯域増幅器の第２の実施形態を示す回路図である。
【図５】本発明の広帯域増幅器の第２の実施形態における等価回路図である。
【図６】本発明の広帯域増幅器の第２の実施形態における等価回路図である。
【図７】本発明の広帯域増幅器の第３の実施形態を示す回路図である。
【図８】本発明の広帯域増幅器の第３の実施形態における等価回路図である。
【図９】本発明の広帯域増幅器の第３の実施形態における等価回路図である。
【図１０】本発明の広帯域増幅器に使用する増幅用トランジスタの雑音指数特性図である。
【図１１】従来の広帯域増幅器の構成を示す回路図である
【符号の説明】
【００４５】
１：増幅用トランジスタ
２：負荷抵抗
３：第２のベースバイアス抵抗
３ａ：第３の抵抗
３ｂ：第４の抵抗
３ｃ：第５の抵抗
４：第２の容量手段
４ａ、４ｂ：コンデンサ
４ｃ：バラクタダイオード
５：エミッタバイアス抵抗
６：第３の容量手段
７：第１のベースバイアス抵抗
８：第１のスイッチトランジスタ
９：第１の容量手段
１０：第２のスイッチトランジスタ
１２：抵抗
１３：第２の抵抗
１４：第１の抵抗
１５：スイッチダイオード
１６：第６の抵抗
２１：第１の負帰還回路
２２：第２の負帰還回路
【図１】
2005348101.tif 000003
【図２】
2005348101.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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