(57)【要約】【課題】ニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金の不純物が少なく微細な金属粉を作製するための粉砕材を提供する。【解決手段】胴部が円柱状であって円柱部の直径が0.03〜５ｍｍであるニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金から選ばれる１種の金属からなることを特徴とする脆化したニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金の粉砕材用金属チップ、その金属チップの製造方法、及びその金属チップを用いるコンデンサ用金属粉の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
胴部が円柱状であって円柱部の直径が0.03〜５ｍｍであるニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金から選ばれる１種の金属からなることを特徴とする脆化したニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金の粉砕材用金属チップ。
【請求項２】
円柱部の長さが0.03〜５ｍｍである請求項１に記載の金属チップ。
【請求項３】
一部が窒化された請求項１または２のいずれかに記載の金属チップ。
【請求項４】
ニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金から選ばれた１種の金属から作製された細線を脆化した後に切断または折り切することを特徴とするニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金からなるインゴットの粉砕材用金属チップの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかに記載の金属チップを粉砕材として使用して、ニオブ、タンタル、これらいずれかの金属を主成分とする合金、またはこれら金属の混合物を脆化し粉砕することによってニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金の金属粉またはこれら金属の混合粉を作製後、脱脆化することを特徴とするコンデンサ用金属粉の製造方法。
【請求項６】
製造対象の金属粉と同一材質の金属チップを使用する請求項５記載のコンデンサ用金属粉の製造方法。
【請求項７】
製造対象の金属粉がニオブ、またはニオブを主成分とする合金であり、金属チップとしてタンタルチップを使用する請求項５記載のコンデンサ用金属粉の製造方法。
【請求項８】
円柱部直径（及び長さ）が0.03〜５ｍｍの範囲内で段階的に大きさの異なる複数種の金属チップを使用し、最初に円柱部直径の大きい金属チップでインゴット水素化物を粉砕した後、順次円柱部直径のより小さい金属チップを使用してインゴット水素化物を粉砕して、最後に使用した金属チップの円柱部直径の１／１００〜１／１５０の金属粉を作製後、脱水素する請求項５記載のコンデンサ用金属粉の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至３のいずれかに記載の金属チップを用いて作製したニオブ粉、タンタル粉、またはこれらいずれかの金属を主成分とする合金の金属粉、またはこれら金属粉の混合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はコンデンサ用の金属粉を作製するための粉砕材（金属チップ）に関する。さらに詳しく言えば、コンデンサ用の、ニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金の金属粉を作製するための粉砕材であって、作製する金属粉の性能に影響を及ぼさない金属粉と基本的に同質の金属材料からなる金属チップ、その金属チップの製造方法、及びその金属チップを用いるコンデンサ用金属粉の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金の金属粉は、電解コンデンサの陽極用材料として使用されている。金属粉の作製方法としては、ニオブ元素またはタンタル元素を含んだ化合物を還元して作製する方法（米国特許第４１４１７２０号；特許文献１）とニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金の金属を水素化した後に粉砕しさらに脱水素して作製する方法（英国特許第１２１９７４８号；特許文献２、米国特許第４０８４９６５号；特許文献３）がある。前者の方法では、化合物や還元剤から生じる不純物がコンデンサの性能に影響を与えるために不純物を除去するための多段の工程を必要とするが、微細な金属粉では除去が困難であり、例えばナトリウムやカリウムといったコンデンサ性能に大きな影響をもたらす不純物が、通常数１０質量ｐｐｍ残るという欠点がある。
【０００３】
一方昨今の電解コンデンサは、小型大容量が必要とされ、使用する金属粉もより微細なものが要求されている。後者の粉砕法では、ナトリウムやカリウムといった不純物が入らないために、後者の方法で微細な金属粉を作製する動きがある。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第４１４１７２０号
【特許文献２】英国特許第１２１９７４８号
【特許文献３】米国特許第４０８４９６５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、後者の方法では、粉砕時に使用する粉砕材由来の不純物の存在と、粉砕法では微細な金属粉を作製することが困難であるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者等は、鋭意検討した結果、粉砕法で使用する粉砕材として、コンデンサ用のニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金の金属粉の性能に影響を与えない、基本的に同質の金属材料からなる特定形状の金属チップを粉砕材に使用することによって前記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明は、以下の金属チップ、金属チップの製造方法及び該金属チップを使用して作製した金属粉に関する。
１．胴部が円柱状であって円柱部の直径が0.03〜５ｍｍであるニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金から選ばれる１種の金属からなることを特徴とする脆化したニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金の粉砕材用金属チップ。
２．円柱部の長さが0.03〜５ｍｍである前記１に記載の金属チップ。
３．一部が窒化された前記１または２のいずれかに記載の金属チップ。
４．ニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金から選ばれた１種の金属から作製された細線を脆化した後に切断または折り切することを特徴とするニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金からなるインゴットの粉砕材用金属チップの製造方法。
５．前記１乃至３のいずれかに記載の金属チップを粉砕材として使用して、ニオブ、タンタル、これらいずれかの金属を主成分とする合金、またはこれら金属の混合物を脆化し粉砕することによってニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金の金属粉またはこれら金属の混合粉を作製後、脱脆化することを特徴とするコンデンサ用金属粉の製造方法。
６．製造対象の金属粉と同一材質の金属チップを使用する前記５記載のコンデンサ用金属粉の製造方法。
７．製造対象の金属粉がニオブ、またはニオブを主成分とする合金であり、金属チップとしてタンタルチップを使用する前記５記載のコンデンサ用金属粉の製造方法。
８．円柱部直径（及び長さ）が0.03〜５ｍｍの範囲内で段階的に大きさの異なる複数種の金属チップを使用し、最初に円柱部直径の大きい金属チップでインゴット水素化物を粉砕した後、順次円柱部直径のより小さい金属チップを使用してインゴット水素化物を粉砕して、最後に使用した金属チップの円柱部直径の１／１００〜１／１５０の金属粉を作製後、脱水素する前記５記載のコンデンサ用金属粉の製造方法。
９．前記１乃至３のいずれかに記載の金属チップを用いて作製したニオブ粉、タンタル粉、またはこれらいずれかの金属を主成分とする合金の金属粉、またはこれら金属粉の混合物。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、コンデンサ用のニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金の金属粉の性能に影響を与えない粉砕材であって、基本的に同質の金属材料からなる特定形状の金属チップ、その金属チップの製造方法、及びその金属チップを用いるコンデンサ用金属粉の製造方法を提供したものである。本発明の金属チップによれば、不純物が少なく微細な金属粉が作製でき、その金属粉から性能が良好なコンデンサを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の金属チップ、金属チップの製造方法およびその金属チップを使用して作製した金属粉の一形態を説明する。
【００１０】
本発明の金属チップは、材質がニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金から選ばれた１種の金属であり、胴部が円柱状であって円柱部の直径が0.03〜５ｍｍの形状を持つ。また金属チップの長さは、極端に短いものを除いて任意に作製できるが、後述する金属粉の作製上、0.03〜５ｍｍのものが好んで使用される。
【００１１】
本発明においては、前記金属チップの一部を、炭化、燐化、ホウ素化、窒化、硫化、酸化から選ばれた少なくとも１種の処理を行ってから使用しても良い。金属チップに化合されるこれらの元素は、金属チップを粉砕材として用いて金属粉を作製し、さらに金属粉から最終的なコンデンサを製造した時にコンデンサの性能を悪化させるものでは無くむしろ性能、特に漏れ電流性能を良好にさせることがあるために好ましい元素である。金属チップの一部にこれらの元素を化合させるには、これらの元素を含んだ化合物または単体と金属チップまたは金属チップを作製する以前の任意の工程での金属チップ前駆体を反応させることによって得ることができる。化合物や単体の濃度、反応温度、時間、圧力、金属チップ内の元素の存在量等は、予備実験によって管理することができる。
【００１２】
一例として金属チップの一部を窒化するには、例えば金属チップを窒素ガス雰囲気中で窒素化する方法を挙げることができる。この場合、窒素量は、２０〜150000質量ｐｐｍの任意の数値にすることが可能である。窒化方法としては、液体窒化、イオン窒化、ガス窒化などのうちいずれかあるいはそれらの組み合わせた方法で実施することができる。窒素ガス雰囲気によるガス窒化処理は、装置が簡便で操作が容易なため好ましい。
【００１３】
例えば、窒素ガス雰囲気によるガス窒化方法は、前記金属チップを窒素雰囲気中に放置することによって達成される。窒化する雰囲気温度は、2000℃以下、放置時間は、数時間以内で目的とする窒化量の金属チップが得られる。高温で処理することにより処理時間を短くすることも可能である。前記金属チップの窒化量は、被窒化物の窒化温度と窒化時間を予備実験等で確認した条件で管理することができる。
【００１４】
前述した金属チップを作製する方法の１例として、金属チップと同材質の金属細線を長手方向に垂直または斜めに切断して作製する方法を挙げることができる。金属細線の直径と切断長さを規定することにより所望の直径と長さを有する金属チップを作製することができる。金属細線は、例えば、ニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金から選ばれた１種の金属のインゴット、金属棒または金属小片から切断、鍛造、圧延、延伸、焼鈍、研磨等の少なくとも１つの工程を行った後に、各種ローラーダイスまたは／及び穴ダイスを用いて作製される。上述した方法で、金属細線の線径として0.1ｍｍ以上のものが作製可能である。線径が0.1ｍｍ未満の金属細線は、0.1ｍｍ以上の細線を電解酸化した後、表面に形成された酸化皮膜を研磨することによって得ることができる。作製された金属細線の断面は、通常真円状であるが作製方法によっては、真円からずれた、例えば楕円形状や円の一部に凹または凸形状の部分が存在する形状の場合がある。このような真円状からはずれた断面をもつ金属細線から作製された金属チップも本発明の範囲内である。
【００１５】
金属細線の一部または全部を脆化しておくと、金属チップを作製する時に、金属細線を刃物で切断する代わりに加重で折り切して切断することができる。脆化の方法としては、窒化または水素化が好ましい。脆化していない金属細線を刃物で切断する場合には、作製された金属チップの切断面の刃物が当った切断方向に、だれたバリが出ることがある。このような金属チップを使用すると、金属粉を作製する時に用いる容器の表面を傷つける場合がある。一方、加重で折り切して切断する場合は、切断面でのバリの発生が少ない。金属細線の一部または全部の窒化には、前述した金属チップの一部を窒化する方法を利用することができる。また金属細線の一部または全部を水素化する方法としては、例えば、金属細線を水素気流中または水素中に数１００〜1000℃の温度で放置しておく方法を挙げることができる。一部または全部を水素化した金属細線から金属チップを作製した後に、例えば減圧または真空中に金属チップを放置することにより、数１００〜1000℃にすると脱水素することが可能である。
【００１６】
本発明の金属チップを用いてニオブ、タンタルまたはこれらいずれかの金属を主成分とする合金の金属粉またはこれら金属の混合粉を作製する方法の１例を説明する。
【００１７】
作製したい金属のインゴットを脆化した後、適当な大きさに塊砕した金属小片に金属チップを投入し水中で撹拌粉砕する。脆化する方法としては、水素化、窒化、酸化、炭化する方法が挙げられるが、水素化が好ましい。円柱部の直径と円柱部の長さが略同一の金属チップを使用すると、粉砕された金属粉の平均粒径は、おおよそ使用した金属チップの円柱部直径の１／１００〜１／１５０まで粉砕することができる。例えば、最初金属小片に円柱部の直径５ｍｍの金属チップを粉砕材として投入すると、おおよそ３３〜５０μｍの平均粒径をもつ金属粉が得られる。さらにこのような平均粒径をもつ金属粉に円柱部の直径0.1ｍｍの金属チップを粉砕材として投入すると、おおよそ0.6〜１μｍの平均粒径をもつ金属粉が得られる。引き続き該平均粒径をもつ金属粉に円柱部の直径0.03ｍｍの金属チップを粉砕材として投入すると、おおよそ0.2〜0.3μｍの平均粒径をもつ金属粉が得られる。円柱部の直径が異なる金属チップを混合して粉砕材として用いると、粒度分布が広い金属粉が作製される傾向にある。
【００１８】
また使用する金属チップの種類は、金属小片の種類、大きさ、粉砕機の種類、粉砕時間、粉砕回数、希望する金属粉の粒度分布を考慮して予備実験により決定される。
【００１９】
おおよそ0.2〜0.3μｍの平均粒径をもつ金属粉がニオブ粉の場合、該金属粉を造粒後適当な大きさに成形して1250〜1280℃で焼結し焼結体を作製すると，ＣＶ（容量Ｃと化成電圧Ｖの積）値が、２５万〜４０万μＦ・Ｖ／ｇとなり、金属粉がタンタルの場合、1280〜1330℃で焼結し焼結体を作製すると１３万〜２０万μＦ・Ｖ／ｇとなり、目的とする微細な金属粉であることがわかる。
【００２０】
ニオブ粉を作製する場合には、ニオブチップを使用し、タンタル粉を作製する場合には、タンタルチップを使用することにより、粉砕材に由来する不純物を理論上皆無にすることができる。ニオブ粉、ニオブを主成分とする合金粉またはニオブ粉とニオブを主成分とする合金粉との混合粉から作製されるコンデンサは、不純物としてタンタルが存在しても性能の悪化が見られないので、タンタルチップを粉砕材として用いても良い。さらに本発明の金属チップを用いて、酸化ニオブ粉をより細粉にすることもできる。酸化ニオブ粉から作製されるコンデンサは、ニオブやタンタルが不純物として存在しても性能の悪化が見られないので、ニオブチップやタンタルチップを粉砕材として用いてもよい。
【００２１】
本発明において、金属のインゴットを水素化するには、従来公知の方法を採用することができる。例えば、金属インゴットを水素気流中で数１００〜1000℃の温度に放置する時間を適当に選択することによって、低濃度から限界濃度まで任意の範囲で水素化することができる。本発明においては、各金属の限界濃度まで水素化しておくと後の粉砕が良好に行なえるために好ましい。また前述した水素化したインゴットを塊砕し金属小片にするには、数ｍｍの大きさの小片が作製可能な、例えばハンマーミルを使用することが好ましい。
【００２２】
前述した、適当な大きさに塊砕した金属小片またはある程度大きな平均粒径を持った金属粉に金属チップを投入し水中で撹拌粉砕する具体的方法としては、例えば、撹拌羽を設けた撹拌容器に金属小片または金属粉と金属チップと水を入れ、高速撹拌することによって金属小片または金属粉に粉砕し、粉砕されずに存在する金属チップの残渣があればそれを分離することによって、より小さな平均粒径を持った金属粉を得る方法、金属小片または金属粉と金属チップと水を管に入れ、高速で循環させて粉砕し、存在すれば金属チップの残渣を分離することによって、より小さな平均粒径を持った金属粉を得る方法等を挙げることができる。後者の方法では、管の途中に液だめを設けておき、液だめに一度粉砕物がたまってさらに液だめから管に向かって吸引されるような回路を設計しておくと、液だめの粉砕物の粒径を分析することにより粉砕の終点を管理することができ好都合である。粉砕して作製した金属粉の平均粒径や粒径分布は、分級操作によって調整が可能である。分級操作によって例えば、平均粒径を１／３０程度に下げることができる。
【００２３】
次に、脱脆化のために、前述した金属チップの場合と同様に脱水素を行なってもよいし、次の造粒または焼結工程で脱水素を行なってもよい。
以上のようにして作製した金属粉は、一次粒子であるが、金属粉を成形して成形体を作製する時に、金属粉の流動性を上昇させるために、少なくとも１回以上造粒して二次粒子として使用しても良い。造粒する際には、平均粒径の異なる金属粉を混合した後に行っても良い。
【００２４】
造粒方法としては、例えば一次粒子を水、有機溶媒、有機バインダー、無機バインダーの少なくとも１つから選ばれる材料と共に混錬した後加熱し、さらに塊砕、残っていればバインダー除去、洗浄、乾燥という工程によって得る方法を挙げることができる。バインダーとしては、アクリル系ポリマー、金属酸化物（例えば酸化マグネシウム）等、従来公知のバインダーを使用することができる。
【００２５】
金属粉または造粒後の粒子の一部に炭化、燐化、ホウ素化、窒化、硫化、酸化から選ばれた少なくとも１種の処理を行ってから使用しても良い。これらの処理は、前述した金属チップの場合と同じ方法により行なうことができる。
【００２６】
以上のように作製された金属粉または造粒した粒子は、適当な形状に成形後焼結して焼結体とした後にコンデンサの陽極として利用される。成形時または焼結後にリード線またはリード箔を接続させてコンデンサの陽極リードとすることも可能である。金属粉または造粒した粒子を水または有機溶媒に分散させてスラリー状とし直接金属箔に付着後焼結してコンデンサの陽極体とすることもできる。
【実施例】
【００２７】
以下、本発明の具体例についてさらに詳細に説明するが、以下の例により本発明は限定されるものではない。
なお、下記の例において、金属粉の平均粒径は、コールター（株）社製の粒度分布測定装置を用いて測定し、造粒粉の容量は、ヒューレットパッカード社製のＬＣＲメーターを使用して室温下１２０Ｈｚの周波数で測定した。
【００２８】
実施例１：
(1)ニオブチップの作製
ニオブインゴットを切断し断面３０×２０ｍｍで長さ３００ｍｍの直方体状のニオブ棒を取り出した。このニオブ棒に対して、鍛造・焼鈍・圧延の各工程を行って断面が１０ｍｍφの略円状のニオブ棒とした。さらに丸ダイスで複数回順に線引きすることにより、断面が円状で直径５ｍｍ、１ｍｍ、0.3ｍｍ、0.12ｍｍの各ニオブ線を作製した。次に同様にして作製した直径0.12ｍｍのニオブ線を１％燐酸水溶液中に入れ、ニオブ線を陽極に、水溶液中に設けたタンタル板を陰極として７０Ｖで陽極酸化を行いニオブ線表面に酸化皮膜を形成した。この酸化皮膜及び一部ニオブ金属部を研磨してニオブ線の線径を細くする一連の操作を複数回繰り返すことにより直径0.07ｍｍと0.03ｍｍのニオブ線を得た。以上のようにして作製したニオブ線のうち直径0.3ｍｍ、0.12ｍｍ、0.07ｍｍと0.03ｍｍのニオブ線を電極発熱体がモリブデンである真空炉に入れ４００℃で窒素ガスを通すことによりニオブ線の一部を窒化した。以上のようにして作製した各種ニオブ線のうち直径５ｍｍと１ｍｍのニオブ線は、市販の自動カッターにより各々円柱部の長さが５ｍｍと１ｍｍになるように切断しニオブチップを得た。また直径0.3ｍｍ、0.12ｍｍ、0.07ｍｍと0.03ｍｍのニオブ線は、ニオブ製のガイドとダイヤモンドカッターとニオブ線の押し出し機構としてステッピングモーターを有する切断冶具を用いて各々円柱部の長さが0.3ｍｍ、0.12ｍｍ、0.07ｍｍと0.03ｍｍのニオブチップを得た。
【００２９】
(2)ニオブ粉の作製
ニオブインゴット１５０ｋｇを真空炉に入れ、空気を除去後水素ガスを流しながら、最初２時間は８００℃、続いて４５０℃で１８時間放置した後、水素ガスを止め、水素ガス残渣を除去した後、室温で酸素を１０体積ｐｐｍ含んだ窒素ガスを導入して３０分放置し、窒素ガスを除去し、さらに順に酸素を１００体積ｐｐｍ含んだ窒素ガス、酸素を0.1％含んだ窒素ガス、酸素を１％含んだ窒素ガス、酸素を３％含んだ窒素ガスを導入して、導入と除去の操作を繰り返した。最後に空気を導入し（以下、酸素を含んだ窒素ガスの導入と空気を導入する工程を「徐酸化工程」と略す。）表面に酸素が急に付着して燃焼することを極力抑えて水素量とニオブのモル比が1.2：１の水素化されたニオブインゴットを作製した。次にハンマーミルで水素化ニオブインゴットを解砕し平均粒径８ｍｍのニオブ小片とした。次いで、体積比でニオブ小片１０部に対して前述した直径５ｍｍのニオブチップ３部を加えた後に固形物が埋まるように水を加え、直径７０ｍｍのニオブ製の管と液だめと液だめから管に戻るポンプと管中に設けた移送用の撹拌羽を有する粉砕機器中を高速循環させた。液だめから粉砕物を分取し、ニオブチップを除いた後平均粒径を測定することにより粉砕の工程を管理した。平均粒径が３７μｍになったときに粉砕を終え、ニオブチップを除去後真空乾燥し、徐酸化工程を行った後に１回目のニオブ粉を得た。さらに１回目のニオブ粉に直径１ｍｍのニオブチップを同様に用いて２回目のニオブ粉、直径0.3ｍｍ、0.12ｍｍ、0.07ｍｍ、0.03ｍｍのニオブチップを順次用いて最終的に６回目のニオブ粉を得た。２回目、３回目、４回目、５回目および６回目のニオブ粉の平均粒径は、各々８μｍ、2.5μｍ、１μｍ、0.53μｍ、0.28μｍであった。平均粒径0.53μｍと0.28μｍのニオブ粉を各々エチレングリコールと水を質量比２対１の割合で混合した溶媒に分散させた後に減圧下４００℃に５時間放置後真空下８００℃に４時間放置し、室温に戻し、徐酸化工程後取りだし、脱水素工程を兼ねた各造粒粉を得た。各々の造粒粉を0.09ｇ取り4.4×3.5×1.7ｍｍの大きさに0.3ｍｍのニオブ線と共に成形し、1280℃で３０分真空焼結を行い焼結体を得た。次いで0.1％燐酸水溶液中に焼結体を入れ８０℃、８時間、２０Ｖで化成し表面に酸化皮膜を形成した後、水洗乾燥し別途用意した４０％硫酸中で容量を測定した。その結果は各々６９０μＦ、1210μＦであり、ニオブ粉のＣＶ値（単位μＦ・Ｖ／ｇ）は、各々153000、269000であった。
【００３０】
実施例２：
(1)タンタルチップの作製
実施例１でニオブインゴットの代わりに市販の直径１０ｍｍ、長さ１００ｍｍのタンタル棒を使用して丸ダイス以降の工程で線引きをして細線を作製した以外は、実施例１と同様にして、実施例１と同寸法のタンタルチップを得た。
【００３１】
(2)タンタル粉の作製
ニオブインゴット１５０ｋｇの代わりに、市販の直径２０ｍｍ長さ１００ｍｍのタンタル棒を１０ｋｇ使用してタンタル粉を作製した以外実施例１と同様にして１回〜６回目のタンタル粉を得た。各回の粉の平均粒径は、各々３２μｍ、7.4μｍ、2.2μｍ、0.95μｍ、0.49μｍ、0.26μｍであった。平均粒径0.49μｍと0.26μｍのタンタル粉を実施例１と同様にして造粒し，各造粒粉を得た。各々の造粒粉を0.15ｇ取り4.4×3.5×1.8ｍｍの大きさに0.3ｍｍのタンタル線と共に成形し、1310℃で３０分真空焼結を行い焼結体を得た。次いで0.1％燐酸水溶液中に焼結体を入れ８０℃、８時間、２０Ｖで化成し、表面に酸化皮膜を形成した後、水洗乾燥し別途用意した４０％硫酸中で容量を測定した。その結果は各々８００μＦ、1140μＦであり、タンタル粉のＣＶ値は、各々107000、152000であった。