(57)【要約】      （修正有）【課題】２つのウエハをできるだけ簡単に結合できる方法並びにウエハ製品を提供する。【解決手段】２つのウエハ１１，１２を互いに結合するための方法において、両方のウエハを互いに重ね合わせて両方のウエハ間に接触領域１５を形成し、接触領域を局所的及び時間的に制限して加熱する。局所に制限された加熱は、ウエハの重要な加熱を接触領域に平行な若しくは垂直なひとつの方向で、有利には両方の方向で制限してとどめておく。【効果】該方法は特に温度の影響を受けやすい部品の加工に適している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つのウエハ（１１，１２）を互いに結合するための方法において、両方のウエハを互いに重ね合わせて両方のウエハ（１１，１２）間に接触領域（１５）を形成し、接触領域（１５）を局所的及び時間的に制限して加熱することを特徴とする、２つのウエハを互いに結合するための方法。
【請求項２】
次の工程を有しており、即ち
ａ）２つのウエハ（１１，１２）を準備し、
ｂ）少なくとも１つのウエハ表面に材料（１３，１４）を少なくとも部分的に施し、
ｃ）材料（１３，１４）を両方のウエハ（１１，１２）間に位置するように、ウエハ（１１，１２）を互いに重ね合わせて両方のウエハ（１１，１２）間に接触領域（１５）を形成する請求項１記載の方法。
【請求項３】
材料（１３，１４）を適切に選んで、該材料（１３，１４）の加熱及び冷却によって両方のウエハ（１１，１２）間の機械的な結合を生ぜしめる請求項２記載の方法。
【請求項４】
材料（１３，１４）の加熱及び冷却によって該材料（１３，１４）と少なくとも１つのウエハ（１１，１２）との合金を生ぜしめる請求項２記載の方法。
【請求項５】
材料（１３，１４）を両方のウエハ（１１，１２）に施し、第１のウエハに施される材料（１３）と第２のウエハに施される材料（１４）とを異ならせてある請求項１又は２記載の方法。
【請求項６】
異なる材料（１３，１４）を加熱に際して混合させ、冷却によって両方のウエハ（１１，１２）間の機械的な結合を生ぜしめる請求項５記載の方法。
【請求項７】
材料（１３，１４）として半田を用いる請求項２から６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
半田を次の材料（１３，１４）、即ち、Au、AuSn、Pd、In、Ptから選ぶ請求項７記載の方法。
【請求項９】
接触領域の局所的な加熱を少なくとも１つのレーザビーム（１６）によって行う請求項１から８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
レーザビーム（１６）の波長及び少なくとも１つのウエハ（１１，１２）を次のように適合させ、即ち、該ウエハ（１１，１２）がレーザビームによって少なくとも部分的に透過されるようになっている請求項９記載の方法。
【請求項１１】
レーザビーム（１６）が少なくとも１つのウエハ（１１，１２）を透過して接触領域（１５）で焦点を形成するようにする請求項９又は１０記載の方法。
【請求項１２】
レーザの出力を、接触領域（１５）で両方のウエハ間の機械的な結合が生じるように選ぶ請求項９から１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
レーザを連続運転で作動させる請求項９から１２のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
レーザをパルス運転で作動させる請求項９から１２のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
レーザとしてNd:YAGレーザを用いる請求項９から１４のいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
レーザビーム（１６）を接触領域（１５）全体にわたって連続的に案内する請求項１から１５のいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
レーザビーム（１６）を接触領域（１５）の選ばれた領域にわたって案内する請求項１から１５のいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
レーザビーム（１６）が接触領域（１５）の領域に点状に焦点を形成するようにし、これによって両方のウエハ間に点状結合部（３１）を生ぜしめる請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
点状結合部（３１）を規則的な網目の交点に配置する請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
レーザビーム（１６）の数を点状結合部（３１）の数に相当させる請求項１８又は１９記載の方法。
【請求項２１】
接触領域（１５）の、レーザビーム（１６）によって照射される領域にのみ材料を施す請求項１７から２０のいずれか１項記載の方法。
【請求項２２】
ウエハ（１１，１２）のうちの少なくとも１つが少なくとも１つの半導体材料を含んでいる請求項１から２１のいずれか１項記載の方法。
【請求項２３】
ウエハ（１１，１２）のうちの少なくとも１つが次の少なくとも１つの半導体材料、即ち、珪素、ゲルマニウム、ガリウムひ素、InP、GaPを含んでいる請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
ウエハ（１１，１２）のうちの少なくとも１つが個別の複数の層を含んでいる請求項１から２１のいずれか１項記載の方法。
【請求項２５】
個別の複数の層のうちのすくなくとも１つが、エピタキシャル成長層である請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
エピタキシャル成長層が次の少なくとも１つの半導体材料、即ち、GaInN、AlGaAs、AlGaInP、GaP、InP、InGaAs、InGaAsP、GaN、AlGaInNを含んでいる請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
ウエハの個別の複数の層のうちのすくなくとも１つが、オプトエレクトロニクス素子の構成部分である請求項２３から２６のいずれか１項記載の方法。
【請求項２８】
オプトエレクトロニクス素子が発光ダイオードである請求項２８記載の方法。
【請求項２９】
オプトエレクトロニクス素子が半導体レーザである請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
オプトエレクトロニクス素子が検波器である請求項２８記載の方法。
【請求項３１】
ウエハ製品において、重ね合わされた２つのウエハを備えており、両方のウエハ間に接触領域（１５）が配置されており、ウエハが接触領域（１５）の選ばれた結合領域（２１）で互いに結合されていることを特徴とするウエハ製品。
【請求項３２】
両方のウエハが接触領域（１５）の点状結合部（３１）で互いに結合されている請求項３１記載のウエハ製品。
【請求項３３】
点状結合部（３１）が規則的な網目の交点に配置されている請求項３２記載のウエハ製品。
【請求項３４】
ウエハ（１１，１２）のうちの少なくとも１つが、殊に温度の影響を受けやすい少なくとも１つの層を含んでいる請求項３０から３３のいずれか１項記載のウエハ製品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の出願は、ドイツ連邦共和国特許出願第１０２００４００９６２５．２−１１号及びドイツ連邦共和国特許出願第１０２００４０１２０１３．７−３３号の優先権に基づき、該出願の明細書に記載の内容を用いて行うものである。
【０００２】
本発明は２つのウエハを互いに結合するための方法に関する。さらに本発明はウエハ製品にも関する。
【背景技術】
【０００３】
米国特許第６２８４９９８Ｂ１号明細書により、誘電性の基板若しくはサブストレート上に電子素子をはんだ付けする方法は公知である。さらに基板の１つの表面に金属から成る少なくとも２つの接続箇所を設けてあり、接続箇所はそれぞれ半田ペーストで覆われる。次いで電子素子の接続部を基板上の接続箇所に接触させるようになっている。ダイオードレーザのビームは基板の、接続箇所と逆の側からそのつど金属製の１つの接続箇所に、該接続箇所上の半田ペーストを溶解するまでの時間にわたって当てられる。レーザビームの波長は、レーザエネルギーが誘電性の基板によってではなく、主として接続箇所によって吸収されるように選ばれる。接続箇所の冷却によって、接続箇所と電子素子の接続部との間の半田結合を生ぜしめるようになっている。
【０００４】
ドイツ連邦共和国特許出願公開第１０３０３９７８Ａ１明細書には半導体素子の製造方法を記載してあり、この場合には薄膜半導体本体及び支持体上にそれぞれ半田金属を施すようになっている。次いで薄膜半導体本体と支持体とは高い圧力及び、施された半田金属の溶融温度よりも高い温度を用いて接合される。
【特許文献１】米国特許第６２８４９９８Ｂ１号明細書
【特許文献２】ドイツ連邦共和国特許出願公開第１０３０３９７８Ａ１明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、２つのウエハをできるだけ簡単に結合できる方法並びにウエハ製品を提供することにある。
【０００６】
本発明の前記課題が、請求項１に記載の方法及び請求項３０に記載のウエハ製品によって解決される。
【０００７】
本発明に基づく方法では、両方のウエハ間に接触領域を形成し、このために両方のウエハを互いに上下に重ね合わせる。ウエハ間の結合は、両方のウエハの接触領域の局所的及び時間的に制限された加熱によって行われる。
【０００８】
局所に制限された加熱は、ウエハの重要な加熱を接触領域に平行な若しくは垂直な１つの方向で、有利には両方の方向で制限してとどめておくことを意味している。両方のウエハは冷却の後には、接触領域の局所的に加熱された箇所で互いに機械的に結合されている。
【０００９】
本発明の実施態様では、２つのウエハを準備するようになっている。少なくとも１つのウエハ表面に材料を施す。この場合に材料はウエハ表面全体に分配して施され、若しくは材料は箇所毎にウエハ表面の選ばれた領域に施され、若しくは材料はウエハ表面全体に分配して施されて次いで選ばれた領域から除去され、例えばエッチング除去される。続いて、ウエハ間に接触領域を形成し、このためにウエハは、施された材料を両方のウエハ間に位置させて互いに重ね合わされる。接触領域内の材料の局所にかつ時間的に制限された加熱によって、ウエハ間の材料を介してウエハ間の機械的な結合を生ぜしめる。
【００１０】
ウエハ間の材料は、該材料が局所的な加熱によってまず溶融しかつウエハ材料と共融混合して次いで冷却によって凝固する。
【００１１】
本発明の別の実施態様では、両方のウエハの表面に材料を施す。この場合に、第１のウエハに施される材料は、第２のウエハに施される材料と異ならせてある。
【００１２】
材料は必ずしもウエハ表面全体に施される必要はなく、箇所毎に若しくは局所的にウエハ表面の選ばれた領域に施されていればよい。
【００１３】
続いて両方のウエハは、両方のウエハ間に材料を位置させた状態で重ね合わされる。これによって材料はウエハ間の接触領域を成して局所的及び時間的に制限して加熱され、異なる両方の材料は加熱された領域で結合する。このことは、両方の材料が溶融されて溶融状態で混合されることによって生ぜしめられてよい。加熱に基づく粒子の高い運動も考えられ、その結果、粒子拡散によって材料の完全な混合を生ぜしめることができる。
【００１４】
いずれの場合にもウエハ間の機械的な結合は、接触領域の局所的及び時間的に制限された加熱に基づきウエハ間の材料を媒介して行われる。
【００１５】
本発明の有利な実施態様では、接触領域でウエハ表面に施される材料は半田である。特に有利な実施態様では、半田は半田金属、例えばAu、AuSn、Pd、In、Ptから成っている。このような半田金属は接触領域の局所的な加熱に際して溶解して混合する。次いで半田層の冷却及び凝固によってウエハ間の機械的な結合を生じる。
【００１６】
２つのウエハを互いに結合する本発明に基づく方法の有利な実施態様では、ウエハ間の接触領域は少なくとも１つのレーザビームによって局所的に加熱される。このような方法原理にとって、１つのレーザビームを時間的に順次に接触領域の１つの箇所から次の箇所に当てるか、若しくは複数のレーザビームを同時に接触領域の異なる複数の箇所に当てるかは、重要なことではない。
【００１７】
レーザビームの波長及び少なくとも１つのウエハは互いに次のように適合され、即ち、該ウエハはレーザビームによって少なくとも部分的に透過されるようになっている。このことは、ウエハ内でのレーザビームのエネルギーの吸収があってもわずかしか生じないことを意味している。レーザビームは１つのウエハを透過してウエハ間の接触領域でフォーカスする。
【００１８】
レーザビームは特に有利な実施態様では、材料によって若しくはウエハ間の接触領域の材料によって大部分を吸収される。このことは、例えば接触領域の材料がレーザビームにとってほぼ透過性ではなく、レーザビームのエネルギーを吸収することに基づき生じる。これによって接触領域は、レーザビームの焦点の当てられた領域を中心として局所的に制限して確実に加熱される。レーザの出力は、冷却の後に接触領域で両方のウエハ間の機械的な結合を生ぜしめるように十分に高く選ばれる。
【００１９】
本発明の方法の実施態様では、レーザは連続運転で作動される。別の有利な実施態様では、レーザはパルス運転で作動される。パルス時間及びパルス間隔の適切な選択によって、接触面に生じる熱の排出を適切に調節することができる。加熱を局所に限定することは、１つのレーザビームを用いてパルス運転することによって特に容易に達成される。所望の時間的な制限も、パルス運転のレーザにおいてはパルス継続時間を制限することによって行われる。レーザビームを形成するために、Nd:YAGレーザを用いる有利である。
【００２０】
本発明に基づく方法の別の実施態様では、レーザビームはウエハ間の接触領域全体にわたって連続的に案内される。このようにして接触領域のすべての領域を局所的に限定して加熱して、両方のウエハ間の接触領域全体にわたって両方のウエハ間に機械的な面状の結合部を生ぜしめることができる。接触領域の局所的な加熱は個別の１つのレーザビームを用いて時間的に順次に行われるか、若しくは複数のレーザビームを用いて接触領域の局所的な複数の領域で同時に行われてよい。
【００２１】
本発明に基づく方法の別の実施態様では、レーザビームは接触領域の選ばれた領域にわたって案内され、その結果、選ばれた領域でのみ両方のウエハ間の結合を行うようになっている。即ち、両方のウエハ間の結合を選ばれた領域で達成するのに対して、ウエハ間の接触領域の別の領域は直接的な加熱による結合なしに保たれている。この場合に、結合領域及び結合されてない領域の形状、配置、数量及び大きさは製品の構成条件（要求）に適合されていてよい。即ち、結合領域及び結合されてない領域の形状、配置、数量及び大きさは素子に要求される例えば耐熱性、機械的な安定性及び機能に適合され、或いは製品のコストにも適合される。
【００２２】
本発明に基づく方法の実施態様に基づき、１つのレーザビームを用いることも、複数のレーザビームを用いることも可能である。
【００２３】
本発明に基づく方法の別の実施態様では、両方のウエハ間の結合は点状に行われる。このためにレーザビームは接触領域の所定の個別の箇所にのみ焦点を定めて当てられる。これによって該箇所は両方のウエハ間の結合部、即ち点状結合部を生ぜしめる。点状結合部は規則的な網目の交点に配置されると有利である。点状結合部の数及び網目の構造は製品の構成条件に適合されてよい。該実施態様では、１つのレーザビームを時間的に順次に当てることも、或いは複数のレーザビームを同時に当てることも可能である。この場合に、レーザビームの数は所望の点状結合部の数に相応している。
【００２４】
本発明に基づく方法の特に有利な実施態様では、材料は接触領域の、レーザビームによって照射される領域にのみ施される。例えば両方のウエハを点状に結合する場合には各点にのみ予め材料を施すようにする。
【００２５】
本発明に基づく方法の実施態様では、少なくとも１つのウエハは１つの半導体材料を含んでいる。本発明に基づく方法の別の実施態様では、少なくとも１つのウエハは次の半導体材料のうちの少なくとも１つを、即ち、珪素、ゲルマニウム、ガリウムひ素、InP、GaPを含んでいる。
【００２６】
本発明に基づく方法の実施態様では、少なくとも１つのウエハは次の金属のうちの少なくとも１つを、即ち、Mo、Cu、CuWを含んでいる。少なくとも１つのウエハはセラミック材料を含んでいてもよい。
【００２７】
本発明に基づく方法の実施態様では、少なくとも１つのウエハは個別の複数の層を含んでおり、この場合に、個別の複数の層のうちのすくなくとも１つは、エピタキシャル成長層である。
【００２８】
本発明に基づく方法の別の実施態様では、エピタキシャル成長層は次の有利には１つの半導体材料、即ち、GaInN、AlGaAs、AlGaInP、GaP、InP、InGaAs、InGaAsP、GaN、AlGaInNを含んでいる。
【００２９】
本発明に基づく方法の有利な実施態様では、ウエハの個別の複数の層のうちのすくなくとも１つは、電子素子若しくはマイクロエレクトロニクス素子を形成している。特に有利には、電子素子はオプトエレクトロニクス素子、例えば発光ダイオード、半導体レーザ若しくは検波器（例えば、フォトダイオード）を形成している。
【００３０】
さらに本発明に基づくウエハ製品においては、互いに重ね合わされた２つのウエハは両方のウエハ間の接触領域の選ばれた結合領域で互いに結合されている。結合は、両方のウエハ間の１つの材料若しくは異なる２つの材料を介在して行われる。
【００３１】
本発明に基づくウエハ製品は、両方のウエハ間の結合が両方のウエハ間の接触領域全体にわたって延びているのではなく、両方のウエハがウエハ間の接触領域の選ばれた領域でのみ互いに結合されているという技術思想を根底にしている。この場合に、両方のウエハ間の結合に役立つ材料は、接触領域全体にわたって施されているか、若しくは接触領域の、結合を生ぜしめるべき箇所にのみ施される。
【００３２】
ウエハ製品の実施態様では、両方のウエハは点状に、即ち接触領域の結合点で互いに結合されている。この場合に接触領域の、両方のウエハを互いに結合する面積の合計は、接触領域の、両方のウエハ間の結合を行わない面積の合計よりも少なくなっている。本発明のウエハ製品の有利な実施態様では、結合点は規則的な網目の交点に配置されている。
【００３３】
本発明のウエハ製品の実施態様では、少なくとも１つのウエハは殊に温度の影響を受けやすい敏感な１つの層を含んでいる。即ち、該層を損傷なしに加熱できる最大温度は、例えば接触領域で材料を互いに結合させるために必要な温度よりも低くなっている。この場合には、ウエハ製品の接触領域の材料の互いに結合する温度、例えば溶融する温度へのウエハ製品全体の加熱は、温度に敏感な層を損傷させてしまうことになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
図１は、AlGaInP形薄膜発光ダイオード１０の製造方法の原理を示している。図２は、図１に示す方法によって両方のウエハを接触領域の選ばれた領域で互いにろう付けして形成されるウエハ製品の接触領域の概略的な平面図であり、図３は、点状にろう付けして形成されるウエハ製品の接触領域の概略的な平面図である。
【００３５】
薄膜発光ダイオードの製造のために図１に示す実施例では、GaAs支持体・ウエハ１１及び、AlGaInP薄膜発光ダイオード層の備えられたエピタキシャルプレート１２を形成し、エピタキシャルプレートはGaAs基板上にエピタキシャル成長によって形成される。支持体・ウエハ１１においては上面に例えばAuSn・半田層１３を施す。エピタキシャルプレート１２においては下面に例えばAu・半田層１４を施す。この場合に半田層１３，１４はそれぞれのウエハ１１，１２の表面を完全に覆っていてよく、若しくはウエハ・表面の所定の領域にのみ施されていてよい。ここに述べる製造方法において、どちらの半田金属をどちらのウエハに施すかは重要なことではない。
【００３６】
次いで、両方のウエハを互いに重ね合わせて接触領域１５を形成し、これによって半田金属層１３，１４は両方のウエハ１１，１２間に位置して互いに接することになる。
【００３７】
例えばNd:YAGレーザのレーザビーム１６は支持体・ウエハ１１を通る波長で入射され、この場合に支持体・ウエハ１１はレーザビーム１６を透過させるものである。レーザビーム１６は両方のウエハ間の接触領域１５に焦点を合わされている。別の例として、レーザビーム１６はエピタキシャルプレート１２を通って接触領域１５に焦点を合わせるようになっていてよい。
【００３８】
レーザビームの出力は、両方の半田金属層１３，１４が局所的にレーザビームの焦点の回りで溶融されるように選ばれており、これによって両方の半田は互いに結合して、かつ局所的に加熱された領域１７の冷却及び凝固に基づき両方のウエハ１１，１２間の局所的な半田結合部を生ぜしめる。この場合に、レーザは連続運転で若しくはパルス運転で放射されてよい。
【００３９】
レーザビームを接触領域１５全体にわたって連続的に案内すると、両方のウエハ１１，１２間に面状の半田結合部が生ぜしめられる。
【００４０】
前述のGaAsウエハのほかに、別の支持体・ウエハを用いることも可能である。例えばゲルマニウム若しくは珪素を含むウエハの使用も可能である。レーザビームの波長は必要に応じて、支持体・ウエハを少なくとも部分的に透過するように適合される。
【００４１】
エピタキシャルプレートの選定にも多様な可能性がある。エピタキシャルプレートは、例えばレーザダイオード若しくは検波層を含んでいてよい。前述の方法は特に温度に敏感な、即ち温度の影響を受けやすい素子の半田結合に適しており、それというのは加熱がウエハ製品全体にではなく、局部に制限された領域１７にしか生ぜしめられないからである。
【００４２】
前述の方法は特定の半田金属に限定されるものではない。前述の方法において熱負荷は両方のウエハ間の接触領域で局部に制限されているので、前記Au・半田及びAuSn・半田よりも高い温度でようやく結合する半田金属の組合せも考えられる。
【００４３】
両方のウエハ１１，１２の結合（接合）の後に、これによって形成されたウエハ製品（ウエハ装置）は個別の素子、例えば個別の発光ダイオードチップに分割（個別化）される。このことは、ウエハ製品の例えばのこぎり加工（ソーイング）若しくは折り加工によって行われてよい。このようにして完成した素子は支持体・ウエハ１１の側から電気的に接続されてよい。半田１３，１４は有利には導電性である。
【００４４】
図２は、２つのウエハ間の接触領域１５の概略的な平面図である。両方のウエハは接触領域１５の選ばれた結合領域２１でのみ互いに半田結合されている。接触領域１５の結合領域２１の横には結合のない領域が存在しており、該領域では両方のウエハ間の結合は生じていない。
【００４５】
半田金属をウエハの結合領域２１にのみ施すことも、若しくは半田金属を接触領域１５全体に分配してウエハ表面に施すことも可能である。選ばれた結合領域２１及び結合されない領域２１の形状、大きさ、数量及び配置はウエハ製品の構成条件に適合されてよい。
【００４６】
図３はウエハ製品の接触領域１５の平面図である。この場合に、両方のウエハは接触領域１５の結合点３１で互いに結合されている。結合点（点状結合部）３１は、規則的な網目の交点に配置されている。結合されない領域３２は、接触領域１５の結合点３１の全面積よりも著しく大きな面積を占めている。
【００４７】
この場合に、半田金属をウエハの結合点３１にのみ施すことも、若しくは半田金属を接触領域１５全体にわたってウエハ表面に施すことも可能である。結合点３１の数量及び配置はウエハ製品並びに製造すべき素子の構成条件に適合される。実施例ではウエハ製品を分割して個別の素子を生ぜしめ、該素子は支持体・ウエハ１１の側から点状に電気接触（電気的に接続）される。
【００４８】
両方のウエハの点状の結合においては温度負荷は極めて小さいので、このようなウエハ製品は、少なくとも一方のウエハが温度の影響を受けやすい構成部分を含んでいる場合に特に有利である。両方のウエハを点状に結合する場合にウエハ製品には狭い箇所にわずかな温度量しか生じないので、全体の温度量も極めて小さい。
【００４９】
１つの結合点３１当たりに若しくは１つの結合領域２１当たりに１つの素子を形成することも可能である。換言すれば素子当たり１つの結合点若しくは１つの結合領域しか設けなくてもよい。この場合には素子若しくは構成部品は、ウエハ製品からウエハ１１，１２の結合されていない箇所で（例えばのこぎり加工溝又はソーイング加工溝若しくは目標破断箇所に沿って）個別に切り取られ若しくは折り取られる。
【００５０】
本発明は図示の実施例に限定されるものではなく、請求項に記載の各手段を単独に用いて、若しくは該各手段を任意に組み合わせて実施することも、或いは請求項又は明細書に明示的に挙げてない手段によって若しくは該手段と組み合わせて実施することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】薄膜発光ダイオードの製造方法の原理を示す図
【図２】ウエア製品のウエハ間の接触領域の概略的な平面図
【図３】ウエハ製品のウエハ間の別の接触領域の概略的な平面図
【符号の説明】
【００５２】
１１，１２  ウエハ、  １３，１４  半田層、  １５  接触領域、  １６  レーザビーム、  １７  領域、  ２１  結合領域、  ２２  領域、  ３１  結合点、  ３２  領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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