(57)【要約】【課題】各有機ＥＬ素子の非発光欠陥が低減可能であり、発光寿命も長く、生産性にも優れた表示装置の製造方法および表示装置を提供する。【解決手段】基板上の絶縁膜に配列形成された複数の画素開口Ｗと、絶縁膜１６の一部を上方に突出してなるリブ１６ａとを備え、画素開口Ｗ内に、下部電極１５と上部電極とで有機層１８を挟持してなる素子が設けられた表示装置の製造方法および表示装置であって、基板上に各素子に対応する複数の下部電極１５を形成する工程と、下部電極１５を覆う状態で、基板上に絶縁膜１６を形成する工程と、露光量を部分的に制御したパターン露光を行うリソグラフィ処理により、絶縁膜１６に下部電極１５に達する画素開口Ｗを形成するとともに、画素開口Ｗ間の絶縁膜１６の上部を部分的に除去した段差形状とすることで、絶縁膜１６の一部を上方に突出してなるリブ１６ａを形成する工程とを有する表示装置の製造方法および表示装置である。【選択図】図３
2005322564.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の絶縁膜に配列形成された複数の画素開口と、前記絶縁膜の一部を上方に突出してなるリブとを備え、前記画素開口内に、下部電極と上部電極とで有機層を挟持してなる素子が設けられた表示装置の製造方法であって、
前記基板上に前記各素子に対応する複数の前記下部電極を形成する第１工程と、
前記下部電極を覆う状態で、前記基板上に前記絶縁膜を形成する第２工程と、
露光量を部分的に制御したパターン露光を行うリソグラフィ処理により、前記絶縁膜に前記下部電極に達する前記画素開口を形成するとともに、当該画素開口間の前記絶縁膜の上部を部分的に除去した段差形状とすることで、当該絶縁膜の一部を上方に突出してなるリブを形成する第３工程とを有する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の表示装置の製造方法において、
前記第３工程では、前記画素開口パターンが設けられた第１のフォトマスクを用いて画素開口パターンを前記絶縁膜に転写する露光と、前記リブパターンが設けられた第２のフォトマスクを用いて前記リブパターンを前記絶縁膜に転写する露光とを重ねて行うことにより、前記露光量を制御する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の表示装置の製造方法において、
前記第３工程では、前記画素開口パターン、前記リブパターンおよび前記段差部分のパターンが設けられるとともに、当該段差部分のパターンの透過率が制御されたハーフトーンフォトマスクを用いることにより、前記露光量を制御する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の表示装置の製造方法において、
前記絶縁膜がポジ型の感光性材料で形成されている
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の表示装置の製造方法において、
前記第３工程では、前記画素開口間の前記絶縁膜の中央部が上方に突出した状態となるように、前記リブを形成する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の表示装置の製造方法において、
前記第３工程の後に、前記リブ上に蒸着マスクを接触させた状態で、前記画素開口内の前記下部電極上に前記有機層を蒸着する工程を有する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
基板上に配列形成された下部電極と、前記基板上を覆うとともに前記下部電極に達する画素開口を有する絶縁膜と、前記画素開口内において前記下部電極を覆う有機層と、前記下部電極との間に前記有機層を挟持する状態で設けられた上部電極とを備えた表示装置において、
前記絶縁膜には、当該絶縁膜と一体に、当該絶縁膜の一部を上方に突出してなるリブが設けられている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７記載の表示装置において、
前記絶縁膜がポジ型の感光性材料で形成されている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項７記載の表示装置において、
前記リブは、前記画素開口間の前記絶縁膜の中央部が上方に突出した状態で設けられている
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法およびこれによって得られる表示装置に関し、特に、有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）を備えた表示装置の製造方法および表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、下部電極と上部電極との間に、発光層を含む有機層を挟持してなり、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子を備えたアクティブマトリクス型の表示装置（すなわち、有機ＥＬディスプレイ）は、各画素が薄膜トランジスタ（Thin film Transistor（ＴＦＴ））を備えており、基板上の絶縁膜に配列形成された複数の画素開口内に、ＴＦＴと接続された有機ＥＬ素子が設けられている。有機ＥＬ素子は、ＴＦＴに接続された状態で画素毎にパターン形成された下部電極と、下部電極上を覆う有機層と、下部電極との間に有機層を挟持する状態で設けられた上部電極とを備えている。
【０００４】
ここで、画素開口内の下部電極上に各色の有機層を蒸着する際には、画素開口が設けられた絶縁膜に蒸着マスクが支持された状態となるため、この絶縁膜が薄い膜厚で形成されていると、蒸着マスクがたわむことで、既に成膜された色の有機層が損傷されてしまう。このため、この絶縁膜を、蒸着マスクが有機層に付着しない程度の膜厚（高さ）で形成することで、下部電極上に有機層を蒸着する際に、蒸着マスクを支持するスペーサーとしても機能させる例が報告されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
一方、画素開口が設けられた絶縁膜上に、この絶縁膜とは別体のリブが設けられた例が報告されている。このリブは、下部電極上に有機層を蒸着する際に蒸着マスクを支持するスペーサーとなり、蒸着マスクが有機層を損傷しない程度の高さを有して設けられている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
【特許文献１】特許第３４０１３５６号公報
【特許文献２】特開２００１−１９５００８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上述したように、画素開口が設けられた絶縁膜で、画素開口内の下部電極上に有機層を蒸着する際に用いる蒸着マスクを支持する場合には、この絶縁膜は、画素間の間隔に応じた幅を有するとともに、画素開口の周囲を囲う状態で設けられていることから、蒸着マスクとの接触面積が広くなる。これにより、蒸着マスクに付着しているゴミ等の付着物が、絶縁膜に接し易く、また、この付着物が蒸着マスクにより絶縁膜に押えつけられた状態となり易い。このため、絶縁膜が損傷を受け、この損傷部分から水分が浸入し易い傾向があった。そして、この水分により、画素開口内に設けられた有機ＥＬ素子の周縁から徐々に劣化が進行し、非発光欠陥が生じたり、発光寿命が短くなるといった問題が生じていた。
【０００８】
また、画素開口が設けられた絶縁膜上に、この絶縁膜とは別体で蒸着マスクを支持するリブを形成する場合には、リブと絶縁膜とをそれぞれ製造することから、製造工程数が増加し、時間を要するとともにコストが上昇する等、生産性の点でも問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述したような課題を解決するために、本発明における表示装置の製造方法は、基板上の絶縁膜に配列形成された複数の画素開口と、絶縁膜の一部を上方に突出してなるリブとを備え、画素開口内に、下部電極と上部電極とで有機層を挟持してなる素子が設けられた表示装置の製造方法であって、次のような工程を順次行うことを特徴としている。まず、第１工程では、基板上に各素子に対応する複数の下部電極を形成する工程を行う。次に、第２工程では、下部電極を覆う状態で、基板上に絶縁膜を形成する工程を行う。続いて、第３工程では、露光量を部分的に制御したパターン露光を行うリソグラフィ処理により、絶縁膜に下部電極に達する画素開口を形成するとともに、画素開口間の絶縁膜の上部を部分的に除去した段差形状とすることで、絶縁膜の一部を上方に突出してなるリブを形成することを特徴としている。
【００１０】
また、このような製造方法により得られる本発明の表示装置は、基板上に配列形成された下部電極と、基板上を覆うとともに下部電極に達する画素開口を有する絶縁膜と、画素開口内において下部電極を覆う有機層と、下部電極との間に有機層を挟持する状態で設けられた上部電極とを備えた表示装置において、絶縁膜には、この絶縁膜と一体に、絶縁膜の一部を上方に突出してなるリブが設けられていることを特徴としている。
【００１１】
このような表示装置の製造方法およびこれによって得られる表示装置によれば、露光量を部分的に制御したパターン露光を行うリソグラフィ処理により、絶縁膜に画素開口を形成するとともに、画素開口間の絶縁膜の一部を上方に突出させてなるリブを形成する。これにより、絶縁膜に、画素開口とリブを一括して形成することができるため、工程数を増加することなくリブを形成することが可能となる。
【００１２】
また、リブを形成することにより、画素開口内の下部電極上に有機層を蒸着する場合には、このリブ上に蒸着マスクが接する状態で支持されるため、絶縁膜と蒸着マスクとの接触面積が減少し、蒸着マスクの付着物の影響が軽減される。さらに、絶縁膜の上部を部分的に除去して段差形状としているため、蒸着マスクをリブで支持する際に、この段差部分に蒸着マスクの付着物が納まることで、付着物が絶縁膜に押し付けられることが防止され、付着物による絶縁膜への損傷が抑制される。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、本発明における表示装置の製造方法およびこれにより得られる表示装置によれば、工程数を増加することなく、リブを形成することができるため、製造時間やコスト削減が可能であり、生産性を向上させることができる。また、蒸着マスクの付着物による絶縁膜への損傷を防止できるため、この損傷部分からの水分の浸入を防ぎ、水分に起因する有機ＥＬ素子の劣化を防止することができる。このため、有機ＥＬ素子の非発光欠陥を低減することができるとともに発光寿命を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１５】
ここでは、上面発光型の有機ＥＬディスプレイを例にとり、各部材の詳細な構成を製造工程順に説明する。この表示装置は、基板上の絶縁膜にマトリクス状に配列形成された画素開口内に、下部電極と上部電極とで有機層を挟持してなる有機ＥＬ素子が設けられたものである。
【００１６】
まず、図１（ａ）に示すように、例えばガラスなどの絶縁材料からなる基板１１上に、薄膜トランジスタ（Thin film Transistor（ＴＦＴ）１２を配列形成し、このＴＦＴ１２のソース・ドレインに接続された配線１３を形成する。
【００１７】
次に、図１（ｂ）に示すように、ＴＦＴ１２および配線１３の形成により、基板１１の表面に生じた凹凸を平坦化するように、基板１１上に平坦化絶縁膜１４を形成する。この場合、例えばスピンコート法により、ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールを塗布し、露光装置にて配線１３の上部のみに露光光を照射するパターン露光を行い、次いで、パドル式現像装置にて現像を行う。次に、ポリベンゾオキサゾールを硬化させるため、本焼生をクリーンベーク炉にて行う。これにより、配線１３に達する接続孔１４ａを有する平坦化絶縁膜１４を形成する。この平坦化絶縁膜１４は、例えば配線１３を形成した状態の凹凸が１．０μｍ程度である場合、２．０μｍ程度の膜厚で形成される。ここでは、平坦化絶縁膜１４にポリベンゾオキサゾールを使用することとしたが、他にもポジ型感光性ポリイミドなどの絶縁材料を使用してもよい。そして、ここまでの構成が請求項の基板に相当する。
【００１８】
次いで、図１（ｃ）に示すように、平坦化絶縁膜１４上に、各画素に対応する複数の下部電極１５を形成するとともに補助電極（図示省略）を形成する。ここでは、例えば陽極となる下部電極１５を形成する。この場合、まず、平坦化絶縁膜１４上に、密着層として、例えば酸化インジウム錫（Indium Tin Oxide（ＩＴＯ））からなる導電性酸化材料をＤＣスパッタリング法により２０ｎｍ程度の膜厚で成膜する。次に、例えば銀（Ａｇ）からなる金属材料をＤＣスパッタリング法により１００ｎｍ程度の膜厚で成膜する。その後、この金属材料層上に、バリア層およびホール輸送層として、例えばＩＴＯからなる導電性酸化材料をＤＣスパッタリング法により２０ｎｍ程度の膜厚で成膜する。
【００１９】
ここで、密着層として形成される導電性酸化材料層は、平坦化絶縁膜１４に密着可能な膜厚であればよく、ＩＴＯを用いた場合には、５ｎｍ〜１００ｎｍの膜厚で形成されることとする。また、金属材料層は、発光光を透過させずかつ加工が可能であればよく、Ａｇであれば５０ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚で形成されることとする。さらに、バリア層およびホール輸送層となる導電性酸化材料層は、加工限界である３ｎｍ〜５０ｎｍの膜厚で形成されることとする。
【００２０】
なお、ここでは、下部電極１５の構成材料として、Ａｇからなる金属材料層をＩＴＯからなる導電性酸化材料層で挟持した３層構造としたが、金属材料層はＡｇを主成分とするＡｇ合金等の他の材料であってもよく、導電性酸化材料層は酸化インジウム亜鉛（Indium Zinc Oxide（ＩＺＯ））等の酸化インジウムを主成分とする他の材料であってもよい。
【００２１】
続いて、通常のリソグラフィ技術によって形成したレジストパターン（図示省略）をマスクに用いたエッチングにより、これらの金属材料層および導電性酸化材料層をパターニングする。これにより、接続孔１４ａを介して配線１３に接続された下部電極１５を、各画素に対応させて配列形成し、また、これらの下部電極１５間に補助電極（図示省略）を形成する。
【００２２】
その後、図２（ｄ）に示すように、下部電極１５が設けられた平坦化絶縁膜１４上に、例えばスピンコート法により、ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールからなる絶縁膜１６を塗布形成する。なお、ここでは、絶縁膜１６にポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールを用いることとするが、ポジ型感光性ポリイミド等の他のポジ型の感光性材料を用いてもよい。
【００２３】
次に、この絶縁膜１６に画素開口パターンとリブパターンを転写するリソグラフィ処理を行う。本発明では、画素開口パターンとリブパターンに露光する露光量をそれぞれ制御することで、後工程で現像することにより、絶縁膜１６に画素開口とリブを一括して形成することが可能となる。ここでは、画素開口パターンが設けられたフォトマスクとリブパターンが設けられたフォトマスクの２枚のマスクを用いて、露光工程を２回行ない、それぞれの露光の露光時間を制御することで、露光量を制御する例について説明する。
【００２４】
まず、図２（ｅ）に示すように、露光装置にて、基板１１上に、略矩形状の画素開口パターンが設けられたフォトマスク２１をアライメントして、絶縁膜１６に露光を行う。この際、絶縁膜１６はポジ型の感光性材料で形成されていることから、画素開口パターンが開口されたフォトマスク２１を用いて、露光を行う。ここで、後述する現像工程において、絶縁膜１６が下部電極１５に達する深さまで、現像液に対して可溶性の構造となるように、露光を行うこととする。
【００２５】
次に、図３（ｆ）に示すように、リブパターンが設けられたフォトマスク２２を用いて、絶縁膜１６に露光を行う。この際、絶縁膜１６はポジ型の感光性材料で形成されていることから、リブパターンが遮光されたフォトマスク２２を用いることとする。ここでは、例えば、隣接する画素開口領域間の略中央部に、略矩形状の画素開口の４辺に沿って、帯状のリブを形成するように、リブパターンが設けられていることとする。そして、後述する現像工程において、絶縁膜１６における画素開口パターンとリブパターンを除く領域が、絶縁膜１６の所定の深さまで、現像液に対して可溶性の構造となるように、上述した画素開口パターンを転写する露光工程の約半分の露光時間に制御したハーフ露光を行うこととする。
【００２６】
続いて、図３（ｇ）に示すように、パドル式現像装置を用いて現像を行うことにより、絶縁膜１６に下部電極１５に達する状態の画素開口Ｗを形成するとともに、画素開口Ｗ間の絶縁膜１６の上端部を除去した段差形状とすることで、絶縁膜１６の中央部が上方に突出した状態のリブ１６ａを形成する。なお、ここでは、画素開口Ｗ間における絶縁膜１６の中央部が上方に突出した状態のリブ１６ａを形成することとしたが、画素開口Ｗ間における絶縁膜１６の端部が上方に突出した状態のリブ１６ａを形成してもよい。ただし、本実施形態のように、画素開口Ｗ間の絶縁膜１６の中央部が上方に突出した状態のリブ１６ａを形成する方が、後工程でリブ１６ａ上に蒸着マスクを接触させた状態で、画素開口Ｗ内の下部電極１５上に有機層を蒸着する際に、蒸着マスクの付着物が納まる段差部分がリブ１６ａの両側に設けられることから、付着物が絶縁膜１６に押し付けられることが防止されるため、好ましい。
【００２７】
その後、クリーンベーク炉にて本焼成を行うことで、加工された絶縁膜１６を硬化する。これにより、リブ１６ａの高さＨ１が１．２μｍ、リブ１６ａを支持する絶縁膜１６の下層部分の高さＨ２が１．０μｍとなるように絶縁膜１６が加工される。このリブ１６ａの高さＨ１は、リブパターンを絶縁膜１６に転写する際の露光量、ここでは露光時間により制御されるものであり、表示装置の厚さとして許容可能な範囲で、高い方が好ましい。
【００２８】
また、リブ１６ａの幅は露光可能な範囲で狭い方が、後工程で下部電極１５上に有機層を成膜する際に用いる蒸着マスクとの接触面積が少なくなるとともに、蒸着マスクの付着物が納まる絶縁膜１６の段差部分が広くなるため、好ましい。
【００２９】
ここでは、１回目と２回目の露光の露光時間を制御することで、画素開口パターンとリブパターンの露光量を制御することとしたが、各露光の露光光の強度によっても制御可能である。この場合には、１回目の露光と２回目の露光とで、露光光の強度を制御することで、絶縁膜１６を所定の深さまで、現像液に可溶な構造に変化させる。
【００３０】
また、図４（ａ）の上面図に示すように、リブ１６ａは、隣接する画素開口Ｗ間の略中央部に、略矩形状の画素開口Ｗの４辺に沿って、帯状に形成されている。ここで、この図に示すように、画素開口Ｗ間に列状に配置されるとともに、下部電極１５と同一層で設けられている補助配線１５ａ上に、リブ１６ａを形成する場合には、補助配線１５ａ上の絶縁膜１６に設けられた補助配線１５ａとの接続孔１７を除く位置に、リブ１６ａが設けられることとする。この接続孔１７は画素開口Ｗとともに形成されるものであり、下部電極１５間に補助配線１５ａを設ける場合には、図２（ｅ）を用いて説明した画素開口パターンの露光の際に、画素開口パターンとともに接続孔パターンが設けられたフォトマスク２１を用いて、絶縁膜１６に露光を行うこととする。
【００３１】
ここで、後工程で画素開口Ｗ内の下部電極１５上に有機層を蒸着する際に、リブ１６ａ上に接触させた状態で用いる蒸着マスク２３の構成図を図４（ｂ）に示す。この図に示すように、上述したリブ１６ａの長さＬ１（前記図４（ａ）参照）は、蒸着マスク２３の開口部２３ａにおけるリブ１６ａの長さＬ１方向の開口幅Ｌ１’よりも長くなるように形成することが好ましい。これにより、リブ１６ａ上に蒸着マスク２３をアライメントして接触させる場合であっても、蒸着マスク２３の開口部２３ａ内にリブ１６ａが入り込むことが防止される。
【００３２】
また、図５の上面図に示すように、リブ１６ａは、画素開口Ｗ間の一方向のみに形成されていてもよい。このようにリブ１６ａを形成することで、画素開口Ｗ内の下部電極１５上に有機層を形成する際に用いる蒸着マスクとリブ１６ａとの接触面積がさらに低減し、蒸着マスクの付着物の影響を軽減できるため、好ましい。また、ここでは、略矩形状の画素開口Ｗの短辺方向に沿ってリブ１６ａが形成されているため、リブ１６ａの長さＬ２が、図４（ｂ）に示す蒸着マスク２３の開口部２３ａにおけるリブ１６ａの長さＬ２方向の開口幅Ｌ２’よりも長くなるように形成することが好ましく、これにより、蒸着マスク２３のアライメントの際に、蒸着マスク２３の開口部２３ａ内にリブ１６ａが入り込むことが防止される。
【００３３】
以上のように、リブ１６ａを絶縁膜１６に形成した後、図６に示すように、真空雰囲気下でベーク処理を行い、Ｏ2プラズマによって基板１１の前処理を行う。次に、真空雰囲気を維持した状態で、画素開口Ｗ内の下部電極１５上に各色の有機ＥＬ素子の有機層１８を形成する。この場合、真空雰囲気を維持した状態で、例えば青色の有機層１８を蒸着するためのチャンバーに基板１１を搬送し、リブ１６ａ上に、図４（ｂ）で説明した蒸着マスク２３をアライメントして接触させた状態とし、画素開口Ｗ内の下部電極１５上に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を順次蒸着する。緑色有機層、赤色有機層についても同様に成膜する。
【００３４】
この後の工程は、通常の有機ＥＬディスプレイの製造方法と同様の方法で行うこととする。すなわち、ここでの図示は省略するが、有機層１８上および絶縁膜１６上に、例えばＬｉＦからなる電子注入層を形成した後、この電子注入層上に、例えば半透過性のＭｇＡｇ合金からなり、陰極となる上部電極を形成する。続いて、上部電極上に、例えばＩＺＯからなる透明導電層を形成した後、透明導電層上に窒化シリコンからなる保護膜を形成する。次に、保護膜上および基板１１の周縁部上に、熱硬化性の樹脂を塗布し、この樹脂上に例えばガラスからなる基板を張り合わせた状態で、加熱することで樹脂封止を行う。
【００３５】
以上のような製造方法により、有機層１８の発光層で生じた光を、Ａｇ合金膜を含む下部電極１５側で反射させ、半透過性のＭｇＡｇ合金で形成された上部電極側から取り出す、上面発光型の有機ＥＬディスプレイを得ることができる。
【００３６】
このような表示装置の製造方法およびこれによって得られる表示装置によれば、画素開口パターンが設けられたフォトマスク２１を用いた１回目の露光と、リブパターンが設けられらフォトマスク２２を用いた２回目の露光を重ねて行うことで、画素開口パターンとリブパターンを絶縁膜１６に転写する。この際、各露光工程の露光時間を制御して、露光量を制御することから、現像することで、絶縁膜１６に画素開口Ｗとリブ１６ａを一括して形成することができる。このため、工程数を増加することなくリブ１６ａを形成することが可能となる。したがって、製造時間の短縮やコスト削減が可能であり、生産性を向上させることができる。
【００３７】
また、リブ１６ａを形成することにより、画素開口Ｗ内の下部電極１５上に有機層１８を蒸着する際に用いる蒸着マスク２３と絶縁膜１６との接触面積が減少し、蒸着マスク２３の付着物の絶縁膜１６への影響が軽減される。さらに、蒸着マスク２３をリブ１６ａで支持する際に、絶縁膜１６の段差部分に蒸着マスク２３の付着物が納まることで、付着物が絶縁膜１６に押し付けられることが防止される。このため、付着物による絶縁膜１６の損傷が防止される。したがって、この損傷部分からの水分の浸入を防ぎ、水分に起因する有機ＥＬ素子の劣化を防止することができる。このため、有機ＥＬ素子の非発光欠陥を低減することができるとともに発光寿命を向上させることができる。
【００３８】
また、上述した実施形態においては、絶縁膜１６にポジ型の感光性材料を用いたが、ネガ型の感光性材料を用いてもよい。この場合には、フォトマスク２１とフォトマスク２２の反転パターンが設けられたフォトマスクをそれぞれ用いることとする。また、絶縁膜１６にリブパターンを転写した後に、画素開口パターンを絶縁膜１６に転写し、それぞれの露光量を制御する。これにより、絶縁膜１６に画素開口Ｗとリブ１６ａを一括して形成することが可能となる。ただし、絶縁膜１６はポジ型の感光性材料で形成した方が、画素開口Ｗ間の絶縁膜１６の側壁を順テーパー形状となるように形成することができ、構造的にも安定で、下部電極１５上に設けられる有機層１８のカバレッジ性を高めることで、下部電極１５と上部電極とのショートが防止されるだけでなく、絶縁膜１６および有機層１８を覆う状態で設けられる上部電極のカバレッジ性を高めることができるため、好ましい。
【００３９】
なお、上述した実施形態においては、絶縁膜１６に画素開口パターンとリブパターンを転写する際の露光において、露光時間を制御することで露光量を制御したが、フォトマスクに、画素開口パターンとリブパターンが設けられるとともに、段差部分のパターンが設けられたハーフトーンフォトマスクを用いることで、１回の露光により画素開口パターンとリブパターンを絶縁膜１６に転写することが可能となる。この場合には、実施形態では絶縁膜１６にポジ型の感光性材料を用いていることから、ハーフトーンフォトマスクの画素開口パターンは露光光が透過するように構成され、リブパターンは遮光された状態で設けられる。さらに、図３（ｇ）に示すように、リブ１６ａを上方に突出させるための絶縁膜１６の段差部分を形成するため、この段差部分のパターンの透過率を制御する。この段差パターンの透過率を制御することで、リブ１６ａの高さＨ１を制御することが可能である。このようなハーフトーンフォトマスクを用いて、絶縁膜１６に露光を行うことにより、１回の露光で画素開口パターンとリブパターンを絶縁膜に転写できることから、より生産性を向上させることができる。
【００４０】
なお、絶縁膜１６にネガ型の感光性材料を用いる場合には、上述したハーフトーンフォトマスクの画素開口パターンは遮光された状態で構成され、リブパターンは露光光が透過するように設けられる。また、段差部分のパターンの透過率を制御することで、リブ１６ａの高さＨ１を制御可能とする。
【００４１】
以上説明した表示装置については、下部電極１５を陽極とし、上部電極を陰極とした構成について説明したが、下部電極１５が陰極であり、上部電極が陽極であってもよい。この場合には、下部電極１５が露出された画素開口Ｗ内に、電子注入層を介して、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層の順に積層された有機層１８を形成し、この状態の基板１１の全面を覆う状態で、上部電極を形成する。
【００４２】
また、上記実施形態では上面発光型の表示装置について説明したが、上部電極に反射性材料を用い、下部電極１５に透過性材料を用いることで、下部電極１５側から発光光を取り出す下面発光型の表示装置であっても、本発明は適用可能であり、下部電極１５と上部電極を半透過性の材料で形成した、両面から発光光を取り出すような両面発光型の表示装置であっても、適用可能である。
【００４３】
さらに、上記実施形態ではアクティブマトリクス型の表示装置の例について説明したが、単純マトリクス型の表示装置であっても適用可能である。この場合には、基板上にストライプ状に設けられる下部電極の間を埋め込む状態で、第１の絶縁膜を形成する。この後、下部電極上および第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、下部電極と直交する状態の画素開口を形成するとともに、画素開口間の第２の絶縁膜の上部を部分的に除去した段差形状とすることで、第２の絶縁膜の一部を上方に突出させてなるリブを形成する。
【実施例】
【００４４】
さらに、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００４５】
上記実施形態と同様の方法により、実施例として、図６に示すような構成の上面発光型の表示装置（パネルＮｏ．１〜３）を製造した。また、これに対する比較例として、リブ１６ａが設けられていない状態の絶縁膜１６を有する構成の表示装置（パネルＮｏ．４〜６）を製造した。なお、上記実施例と比較例の表示装置における絶縁膜１６は、同じ膜厚となるように形成した。
【００４６】
これらの表示装置を駆動して、有機ＥＬ素子の周縁から徐々に劣化が進行した非発光欠陥の数を測定し、その結果を表１に示す。
【００４７】
【表１】
2005322564.tif 000003
【００４８】
表１に示すように、リブ１６ａを設けた実施例の表示装置は、リブ１６ａが設けられていない比較例の表示装置と比較して、非発光欠陥数が顕著に低減することが確認された。これにより、本実施例の表示装置は非発光欠陥が少なく、発光寿命も長いことが示唆された。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の表示装置の製造方法に係る実施形態を説明するための製造工程断面図（その１）である。
【図２】本発明の表示装置の製造方法に係る実施形態を説明するための製造工程断面図（その２）である。
【図３】本発明の表示装置の製造方法に係る実施形態を説明するための製造工程断面図（その３）である。
【図４】本発明の表示装置の製造方法に係る実施形態を説明するための上面図である。
【図５】本発明の表示装置の製造方法に係る実施形態を説明するための上面図である。
【図６】本発明の表示装置の製造方法に係る実施形態を説明するための製造工程断面図（その４）である。
【符号の説明】
【００５０】
１１…基板、１５…下部電極、１６…絶縁膜、１６ａ…リブ、１８…有機層、２１，２２…フォトマスク、２３…蒸着マスク、Ｗ…画素開口
【図１】
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【図２】
2005322564.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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