(57)【要約】【課題】安価な光導波路とその製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】ガラス材料からなる下部クラッド層２と、この下部クラッド層２の上に形成するガラス材料からなるコア部３と、このコア部３を覆うように形成するアルカリ元素、アルカリ土類元素および希土類元素の少なくとも１種類の元素からなる上部クラッド層４とからなり、下部クラッド層２の軟化温度を上部クラッド層４の軟化温度より高くした光導波路であり、下部クラッド層２を軟化させずに上部クラッド層４のみを軟化させることができるため下部クラッド層２の変形による歩留まり低下を防ぐことが可能となり安価な光導波路を提供できる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス材料からなる下部クラッド層と、この下部クラッド層上に形成するガラス材料からなるコア部と、このコア部を覆うように形成するアルカリ元素、アルカリ土類元素および希土類元素の少なくとも１種類の元素からなる上部クラッド層とからなり、前記下部クラッド層の軟化温度を上部クラッド層の軟化温度より高くした光導波路。
【請求項２】
下部クラッド層の軟化温度を上部クラッド層の軟化温度より５０℃以上高くした請求項１に記載の光導波路。
【請求項３】
下部クラッド層の軟化温度を５８０℃以上、上部クラッド層の軟化温度を５５０℃以下とした請求項１に記載の光導波路。
【請求項４】
ガラス材料からなる下部クラッド層と、この下部クラッド層上に形成するガラス材料からなるコア部と、このコア部を覆うように形成するアルカリ元素、アルカリ土類元素および希土類元素の少なくとも１種類の元素からなる上部クラッド層とからなり、前記上部クラッド層を堆積処理による成膜と熱処理とを交互に繰り返して形成する光導波路の製造方法。
【請求項５】
上部クラッド層の成膜温度をこの上部クラッド層のガラス転移温度より５０℃以上低くした請求項４に記載の光導波路の製造方法。
【請求項６】
熱処理を酸素雰囲気中とする請求項４に記載の光導波路の製造方法。
【請求項７】
熱処理温度から成膜温度までの冷却を前記熱処理温度から上部クラッド層のガラス転移温度よりも５０℃高い温度までを１Ｋ・ｍｉｎ−１以上１００Ｋ・ｍｉｎ−１以下の速さで冷却する請求項４に記載の光導波路の製造方法。
【請求項８】
熱処理温度から成膜温度までの冷却を上部クラッド層のガラス転移温度よりも５０℃高い温度から前記ガラス転移温度よりも５０℃低い温度までを１Ｋ・ｍｉｎ−１以下の速さで冷却する請求項４に記載の光導波路の製造方法。
【請求項９】
熱処理温度から成膜温度までの冷却を前記熱処理温度から上部クラッド層のガラス転移温度よりも５０℃高い温度までを１Ｋ・ｍｉｎ−１以上１００Ｋ・ｍｉｎ−１以下の速さで冷却し、上部クラッド層のガラス転移温度よりも５０℃高い温度から前記ガラス転移温度よりも５０℃低い温度までを１Ｋ・ｍｉｎ−１以下の速さで冷却する請求項４に記載の光導波路の製造方法。
【請求項１０】
熱処理温度から成膜温度までの冷却を前記熱処理温度から上部クラッド層のガラス転移温度よりも５０℃高い温度から前記ガラス転移温度よりも５０℃低い温度の間の所定温度Ｔまでを１Ｋ・ｍｉｎ−１以上１００Ｋ・ｍｉｎ−１以下の速さで冷却し、所定温度Ｔを１０分以上６０分以内の間保持するようにした請求項４に記載の光導波路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光通信システムに用いられる光デバイスとしての光導波路とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の光導波路の製造方法としては、図５に示すものがある。
【０００３】
図５（ａ）〜（ｉ）は従来の光導波路の製造工程を示す断面図である。
【０００４】
まず、図５（ａ）に示すように基板１を準備して図５（ｂ）に示すように基板１の上に堆積処理等の方法により下部クラッド層２を形成する。次に図５（ｃ）に示すように下部クラッド層２の上に堆積処理によりコア層５を形成する。そして図５（ｄ）に示すようにコア層５の上にマスク層６を形成し、図５（ｅ）に示すようにフォトリソグラフィーによりレジストパターン７を形成する。次に図５（ｆ）に示すように反応性イオンエッチングによりマスク層６をエッチングしてマスクパターン８を形成し、残存するレジストパターン７を除去する。
【０００５】
次に、図５（ｇ）に示すように反応性イオンエッチングによりコア層５をエッチングしてコア部３を形成し、図５（ｈ）に示すように残存するマスクパターン８を除去する。そして図５（ｉ）に示すように堆積処理により上部クラッド層４を形成する。
【０００６】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１１−８４１５７号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上部クラッド層４によりコア部３を覆う際には、下部クラッド層２およびコア部３が変形しないようにする必要がある。下部クラッド層２やコア部３が大きく変形する場合やコア部３を十分に覆うことができない場合等が生じ、光導波路の歩留まりが悪くなり、結果として光導波路が高コストになるという問題があった。
【０００９】
また、成膜を全て行った後に熱処理を行う場合、上部クラッド層４によりコア部３を覆うためには非常に長時間の熱処理が必要であった。長時間の熱処理を行うことにより光導波路の生産性が悪くなり、結果として光導波路が高コストになるという問題があった。
【００１０】
そこで本発明は安価な光導波路とその製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
そしてこの目的を達成するために、本発明は以下の構成を有する。
【００１２】
本発明の請求項１に記載の発明は、ガラス材料からなる下部クラッド層と、この下部クラッド層上に形成するガラス材料からなるコア部と、このコア部を覆うように形成するアルカリ元素、アルカリ土類元素および希土類元素の少なくとも１種類の元素からなる上部クラッド層とからなり、前記下部クラッド層の軟化温度を上部クラッド層の軟化温度より高くした光導波路であり、下部クラッド層を軟化させずに上部クラッド層のみを軟化させることができるため下部クラッド層の変形による歩留まり低下を防ぐことが可能となり安価な光導波路を提供できる。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、下部クラッド層の軟化温度を上部クラッド層の軟化温度より５０℃以上高くした請求項１に記載の光導波路であり、５０℃以上の温度差を設けることにより温度制御の許容量が広がるためより確実に下部クラッド層の変形を防ぐことができる。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、下部クラッド層の軟化温度を５８０℃以上、上部クラッド層の軟化温度を５５０℃以下とした請求項１に記載の光導波路であり、軟化温度を５５０℃以下にすることにより作業温度を低くすることができるため安価な光導波路を提供できる。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、ガラス材料からなる下部クラッド層と、この下部クラッド層上に形成するガラス材料からなるコア部と、このコア部を覆うように形成するアルカリ元素、アルカリ土類元素および希土類元素の少なくとも１種類の元素からなる上部クラッド層とからなり、前記上部クラッド層を堆積処理による成膜と熱処理とを交互に繰り返して形成する光導波路の製造方法であり、成膜と熱処理とを複数回交互に繰り返すため成膜後に一度だけ熱処理を行う場合と比べて十分にコア部を覆うことができる。
【００１６】
請求項５に記載の発明は、上部クラッド層の成膜温度をこの上部クラッド層のガラス転移温度より５０℃以上低くした請求項４に記載の光導波路の製造方法であり、上部クラッド層を成膜する際の再蒸発や結晶化などを低減することができるため光導波路の歩留まりの低下を抑制し、安価な光導波路を提供することができる。
【００１７】
請求項６に記載の発明は、熱処理を酸素雰囲気中とする請求項４に記載の光導波路の製造方法であり、熱処理時に不足する酸素が補われるためスパッタのレートを上げることが可能となり工程時間を短縮できる。
【００１８】
請求項７に記載の発明は、熱処理温度から成膜温度までの冷却を前記熱処理温度から上部クラッド層のガラス転移温度よりも５０℃高い温度までを１Ｋ・ｍｉｎ−１以上１００Ｋ・ｍｉｎ−１以下の速さで冷却する請求項４に記載の光導波路の製造方法であり、工程時間が短縮できるため安価な光導波路を提供できる。
【００１９】
請求項８に記載の発明は、熱処理温度から成膜温度までの冷却を上部クラッド層のガラス転移温度よりも５０℃高い温度から前記ガラス転移温度よりも５０℃低い温度までを１Ｋ・ｍｉｎ−１以下の速さで冷却する請求項４に記載の光導波路の製造方法であり、ガラスを徐冷する効果をもたせることができるためガラスに歪みを生じることを抑制するまたは歪みを除去することができる。
【００２０】
請求項９に記載の発明は、熱処理温度から成膜温度までの冷却を前記熱処理温度から上部クラッド層のガラス転移温度よりも５０℃高い温度までを１Ｋ・ｍｉｎ−１以上１００Ｋ・ｍｉｎ−１以下の速さで冷却し、上部クラッド層のガラス転移温度よりも５０℃高い温度から前記ガラス転移温度よりも５０℃低い温度までを１Ｋ・ｍｉｎ−１以下の速さで冷却する請求項４に記載の光導波路の製造方法であり、熱履歴を管理することができるため工程時間の短縮が図れると共にガラスに歪みを生じることをより確実に抑制するまたは歪みを除去することができる。
【００２１】
請求項１０に記載の発明は、熱処理温度から成膜温度までの冷却を前記熱処理温度から上部クラッド層のガラス転移温度よりも５０℃高い温度から前記ガラス転移温度よりも５０℃低い温度の間の所定温度Ｔまでを１Ｋ・ｍｉｎ−１以上１００Ｋ・ｍｉｎ−１以下の速さで冷却し、所定温度Ｔを１０分以上６０分以内の間保持するようにした請求項４に記載の光導波路の製造方法であり、熱履歴の管理をより確実なものにできるとともに温度Ｔまでの冷却を１Ｋ・ｍｉｎ−１以上にするため工程時間をさらに短縮すると共にガラスに歪みを生じることをより確実に抑制するまたは歪みを除去することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について図を用いて説明する。
【００２３】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１における光導波路について図を用いて説明する。図１（ａ）は本発明の光導波路を示す斜視図、図１（ｂ）は本発明の光導波路の分解斜視図である。
【００２４】
基板１はＳｉ，ＳｉＯ２あるいは多成分ガラスからなる。多成分ガラスはアルカリ元素、アルカリ土類元素および希土類元素の少なくとも１種類の元素を含有するガラスである。一般的にＢＫ７のようにアルカリ元素を含むホウケイ酸ガラスがよく知られている。またフッ素クラウン系ガラスのように多種類のアルカリ元素成分とフッ素成分を含むものもある。
【００２５】
なお、通常のＳｉＯ２からなるシリカガラス系のガラス材料はその屈折率や熱膨張係数の物性値はシリカガラスの値によりほぼ決定される。多成分ガラスを用いるとガラス組成を適当に変化させることにより、屈折率、熱膨張係数あるいはガラス転移温度といったガラスの物性値をより広い範囲に変化させることができる。
【００２６】
下部クラッド層２はＳｉＯ２や各種ガラスを用いて形成される。基板１と下部クラッド層２の線膨張係数が異なる場合、熱応力によりクラックや剥離が発生することがあり、両者の線膨張係数は近い方が望ましい。
【００２７】
なお、基板１がＳｉであるとき、Ｓｉを酸化させてＳｉＯ２を形成し、これを下部クラッド層２として用いても良い。しかし多成分ガラスでコア部３を形成する場合、下部クラッド層２も多成分ガラスで形成した方が、簡易的な製造方法で得ることができるため望ましい。なお基板１と下部クラッド層２は同じ材料であっても良い。
【００２８】
コア部３は各種ガラスを用いて形成され、下部クラッド層２よりも僅かに屈折率が大きい材料である。同様にコア部３は多成分ガラスで形成すると、簡易的な製造方法で得ることができるため望ましい。下部クラッド層２の上のコア部３を覆うように上部クラッド層４を形成し、光導波路を形成する。
【００２９】
図１（ｂ）に示す本発明の光導波路のコア部３の断面は必ずしも矩形でなくて良く台形などでも良い。コア部３は図１（ａ），（ｂ）では一本しか示していないが、このような直線状、曲線状のパターンが複数本形成される。
【００３０】
上部クラッド層４は下部クラッド層２と同様にコア部３よりも僅かに屈折率が小さい材料である。コア部３の屈折率は下部クラッド層２の屈折率および上部クラッド層４の屈折率のどちらよりも大きく、この屈折率の差によって光がコア部３に閉じ込められ、光の伝搬が可能になる。
【００３１】
シングルモードの光導波路において、コア部３の高さは通常５μｍ〜１０μｍ程度になるようにコア部３と下部クラッド層２および上部クラッド層４の屈折率を設計する。上部クラッド層４の厚みは、通常２０μｍ〜３０μｍ程度である。
【００３２】
多成分ガラスを用いた上部クラッド層４は堆積処理を利用して形成する。堆積処理には、例えばＣＶＤなどの化学的な成膜法やスパッタリングや物理蒸着法などの成膜法がある。
【００３３】
スパッタリングは一般に低コスト化できるため好ましい。上部クラッド層４をスパッタリングにより形成する場合、スパッタリングにおける所定のターゲットにすることにより、所望の組成を有する多成分ガラスからなる上部クラッド層４を形成することが可能となる。
【００３４】
なお、ターゲットの組成と上部クラッド層４の多成分ガラスの組成とは厳密には一致しないことが多いが概ね等しい。しかし上部クラッド層４の屈折率等の物性値を精密にコントロールするにはターゲット組成の設計が重要である。
【００３５】
上部クラッド層４を成膜してコア部３を十分に覆うために熱処理を行う。このような熱処理を可能にするため上部クラッド層４の軟化温度は下部クラッド層２の軟化温度よりも低いことが必要である。下部クラッド層２の軟化温度より低く、かつ上部クラッド層４の軟化温度より高い温度で上部クラッド層４が軟化するように熱処理を行う。これにより下部クラッド層２の変形を防ぐことができる。
【００３６】
なお、これらの軟化温度の温度差は５０℃未満であると精密な温度コントロールが必要であり好ましくない。５０℃以上の温度差を設けることにより温度制御の許容量が広がるためより確実に下部クラッド層２の変形を防ぐことができる。また上部クラッド層４の軟化温度はコア部３の軟化温度よりも低いことが必要である。それにより上部クラッド層４の熱処理を行う際にコア部３の変形を防ぐことができる。
【００３７】
上部クラッド層４を形成するガラスとコア部３を形成するガラスの線膨張係数の差は９×１０−７Ｋ−１以下であることが望ましい。同様に上部クラッド層４を形成するガラスと下部クラッド層２を形成するガラスの線膨張係数の差は９×１０−７Ｋ−１以下であることが望ましい。線膨張係数が大きく異なる場合、熱処理の際にクラックが生じやすくなる。
【００３８】
なお、シリカガラス系の材料を軟化させるには、非常に高温の熱処理が必要であり、純粋なシリカガラスの軟化温度は通常２０００℃以上であり非常に高温である。五酸化リンや酸化ホウ素などのドーパントを添加した場合においても通常は１２００℃〜１７００℃程度の熱処理が必要となる。
【００３９】
そこで、下部クラッド層２の軟化温度を５８０℃以上、上部クラッド層４の軟化温度を５５０℃以下であるようにガラス組成とすることにより、下部クラッド層２を変形せず、かつ製造温度を低くすることができるため安価な光導波路を提供できる。またシリカガラス系の作製温度である１２００℃以上に比べて非常に低い製造温度で熱処理を行うことが可能になる。さらにコア部３の軟化温度が６００℃以上であると軟化温度の差を設けることができる。
【００４０】
以上のようにガラスの軟化温度を低くすることにより低い温度で加工することが可能となり、作製温度を下げることによって低コスト化が実現できる。
【００４１】
例えば、少なくともＳｉＯ２とＢ２Ｏ３とを含有し、Ｎａ２ＯまたはＫ２Ｏを含むガラスであれば作製温度は通常のＳｉＯ２からなるシリカガラスよりもかなり低くすることができる。またフッ素を含有させるとさらに製造温度を下げることができ、軟化温度が５００℃以下のガラスを得ることができる。フッ素クラウン系のガラスなどのように軟化温度を５００℃以下にできるものもある。
【００４２】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２について図を用いて説明する。
【００４３】
図２（ａ）〜（ｊ）は本発明の光導波路の製造工程を示す断面図である。図２（ａ）に示すように基板１を準備する。そして図２（ｂ）に示すように基板１の上に下部クラッド層２が重合される。そして図２（ｃ）に示すようにコア層５が各種ガラスで形成される。次に図２（ｄ）に示すようにコア層５の上にマスク層６が形成される。ここでマスク層６はシリコンやチタン、タングステン、ニッケルまたはクロムなどの金属、半導体またはそれらの合金を用いてスパッタリングや蒸着などの各種の方法で成膜する。そして図２（ｅ）に示すようにマスク層６の上にレジストを塗布してフォトリソグラフィーによりレジストパターン７を形成する。そして図２（ｆ）に示すようにドライエッチングによりレジストパターン７をマスクとしてマスク層６を加工してマスクパターン８を得る。
【００４４】
なお、一般にレジストパターン７は薄い方がパターン精度を高くしやすい。したがって、エッチング時にはマスク層６のエッチングレートに対するレジストパターン７のエッチングレートの比が小さい方が望ましい。
【００４５】
次に、図２（ｇ）に示すようにマスクパターン８をマスクとしてコア層５をドライエッチングにより加工する。ここでドライエッチングは例えば反応性イオンエッチングの場合、エッチングガスにＣＦ４，ＣＨＦ３、またはＣ４Ｆ８などのフッ化炭素を含むガス、ＳＦ６などの硫黄化合物系のガス、ＡｒまたはＸｅなどの不活性ガス、酸素、水素、あるいはそれらを含む混合ガスなどが考えられる。
【００４６】
なおマスクパターン８はコア層５をエッチングしてパターン形成する際のマスクであり、コア層５がエッチングされる際に実質的に同時にエッチングされる。一般にマスクパターン８は薄い方が高精度のパターンが作製できる。したがってエッチング時にはマスクパターン８のエッチングレートに対するコア層５のエッチングレートの比が高い方が望ましい。
【００４７】
マスクパターン８がタングステンとシリコンを含有する材料を用いることによりエッチングレート比を高くすることができた。この場合、マスク層６はタングステンとシリコンを含有する材料を成膜する必要がある。この多元素材料の成膜にはスパッタリングを用いて行った。またエッチングガスとしてＣＦ４，ＣＨＦ３またはＣ４Ｆ８などのフッ化炭素を含むガスを用いてエッチングを行った場合、この比がさらに高い値となった。
【００４８】
なお、真空装置中でプラズマを発生させて行う他のエッチング方法も同様である。
【００４９】
次に、残ったマスクを除去して図２（ｈ）に示すようにコア部３を得る。そして図２（ｉ）に示すように上部クラッド層４を成膜と熱処理とを交互に繰り返して図２（ｊ）に示すようにコア部３を覆うように上部クラッド層４を形成して光導波路を得る。
【００５０】
図２（ｉ）に示す上部クラッド層４の形成について、以下、詳しく説明する。
【００５１】
図３（ａ）は本発明の光導波路を示す断面図、図３（ｂ）は間隙が生じた光導波路の断面図、図４（ａ）〜（ｇ）は本発明の光導波路の上部クラッド層の製造工程を示す断面図である。
【００５２】
なお、図３および図４には下部クラッド層２と基板を同一として示している。下部クラッド層２と基板が別であっても良い。
【００５３】
下部クラッド層２上においてコア部３を覆うごとく上部クラッド層４を形成する。多成分ガラスを用いた上部クラッド層４は、堆積処理を利用して形成する。堆積処理には、例えば、ＣＶＤなどの化学的な成膜法や、スパッタリングや物理蒸着法などの物理的な成膜法がある。
【００５４】
例えば、上部クラッド層４の形成方法として、ＣＶＤを利用する場合、多成分ガラスの原料となるガスは高価なものが多いので、コストの観点からは好ましくないことが多いが、一般に、段差や凹凸の被覆性には優れている。しかしＣＶＤを利用しても上部クラッド層４に隙間ができてしまうことがあり、あるいはコア部３を完全に覆うことができないこともある。
【００５５】
また、スパッタリングで上部クラッド層４を形成する場合、一般にコストの観点から好ましい。スパッタリングに用いるターゲットを適当に設計することにより、所望の組成を有する多成分ガラスからなる上部クラッド層４を形成することができる。なお、ターゲットの組成と、上部クラッド層４の組成とは、厳密には一致しないことが多いが、概ね等しい。上部クラッド層４の屈折率等の物性値を精密にコントロールするためには、ターゲット組成の設計が重要である。そして平板に成膜する場合とは異なり、コア部３を埋め込みながら成膜する場合、コア部３を完全には埋め込むことができないことがある。すなわち、コア部３の周辺に上部クラッド層４が十分に回り込めない場合が多く、その結果上部クラッド層４に隙間ができてしまうことがあった。また、隙間を生じない場合においても、上部クラッド層４が均一に形成できないことがあった。
【００５６】
コア部３を完全には埋め込むことができず、隙間９を生じた例を図３（ｂ）に示す。
【００５７】
図４（ａ）〜（ｇ）を用いて以下に詳しく説明する。
【００５８】
まず、図４（ａ）に示すように下部クラッド層２の上において、コア部３が形成され、図４（ｂ）に示すように上部クラッド層４が所定量成膜される。そして図４（ｃ）に示すように熱処理を行い、上部クラッド層４を軟化させる。その結果上部クラッド層４は軟化して流動性を持つため隙間を生じることなくコア部３に覆いかぶさることになる。そして図４（ｄ）に示すように上部クラッド層４はコア部３の周辺部に回り込みコア部３を埋め込んだ状態に再び成膜を行い、図４（ｅ）に示すように再び熱処理を行う。そして図４（ｆ）に示すように上部クラッド層４を成膜して図４（ｇ）に示すように熱処理をして軟化させ、隙間を生じることなくコア部３に覆いかぶさることになる。
【００５９】
このように成膜と熱処理を繰り返し交互に行うことによって、図４（ｇ）に示すように、上部クラッド層４を形成することができる。この状態を図３（ａ）に示す。
【００６０】
なお、上部クラッド層４は軟化させることによって均一性を高めることができる効果もある。
【００６１】
上部クラッド層４の軟化温度は下部クラッド層２の軟化温度よりも低いことが必要である。下部クラッド層２の軟化温度よりは低く、上部クラッド層４の軟化温度よりは高い温度において、下部クラッド層２は軟化せず上部クラッド層４は軟化するような熱処理を行う。これにより、下部クラッド層２の変形を防ぐことができる。また上部クラッド層４の軟化温度は、コア部３の軟化温度よりも低いことが必要である。上部クラッド層４の熱処理を行う際にコア部３の変形を防ぐことができる。
【００６２】
なお、これらの軟化温度の温度差は５０℃未満であると精密な温度コントロールが必要となってしまうため好ましくない。５０℃以上の温度差を設けることにより温度制御の許容量が広がるため、より確実に下部クラッド層２の変形を防ぐことができる。
【００６３】
上部クラッド層４を一度に成膜した後に熱処理を一回だけ行った場合は、十分にコア部３を覆うことができないことが多い。例えばすでに隙間が生じてしまっていた場合、ガラス中の気泡は非常に除去しにくいため、熱処理を行っても隙間が残ってしまう。したがって複数回交互に行う必要がある。
【００６４】
成膜時間と熱処理時間はうまく調整すると良い。コア部３の高さは５μｍから１０μｍ程度であり、上部クラッド層４は２０μｍ程度の厚みを成膜する。上部クラッド層４を成膜してコア部３を十分に覆うためには、成膜と、熱処理とを、少なくとも５回以上交互に行うと良い。
【００６５】
コア部３が８μｍ、上部クラッド層４が２０μｍであった場合、例えば以下のように７回繰り返し交互に行う。まず上部クラッド層４を４μｍ成膜し、次に熱処理を行ってこれを軟化させ、再び上部クラッド層４を３μｍ成膜する。次に熱処理を行ってこれを軟化させる。同様に３μｍの成膜と熱処理とをあと５回行う。
【００６６】
上記例では上部クラッド層４の成膜を３μｍずつ行ったが、他の膜厚も考えられる。初めに２μｍ成膜して熱処理を行い、次に３μｍ成膜して熱処理を行うというように、成膜する膜厚が異なっていても良い。ただし、あまり成膜を細かく区切りしすぎると、工程時間がかかるため好ましくない。しかし、成膜時間を長く取りすぎると、十分にコア部３を覆うために必要な熱処理の時間が長くなってしまうことがあり、場合によっては熱処理を行っても隙間を残してしまうことがあるため、成膜時間は少し長めにするよりはむしろ少し短めに設定するべきである。
【００６７】
また、成膜は下部クラッド層２上にコア部３を形成した基板１を回転しながら行うと、上部クラッド層４の均一性をさらに高めることができて好ましい。基板１の回転には、基板１の自転を含むものと基板１の公転を含むものがある。同時に行うとさらに好ましい。
【００６８】
基板１を加熱しながら成膜を行うと上部クラッド層４とコア部３との密着性を高めることができて好ましい。また、軟化温度までの加熱時間を短縮できる効果もある。しかし、上部クラッド層４のガラス転移温度以上に加熱した場合、再蒸発や結晶化などを引き起こすことがある。これは、光導波路の歩留まりを低くしてしまうため好ましくない。そこで、上部クラッド層４を成膜する際の成膜温度は、上部クラッド層４のガラス転移温度以下にする。このとき、上記ガラス転移温度よりも５０℃以上低くすることにより、光導波路の歩留まりの低下を抑制し、安価な光導波路を提供することができる。例えば、上部クラッド層４のガラス転移温度が４８０℃である場合、３００℃で成膜を行い、熱処理を５００℃で行う方法が考えられる。
【００６９】
熱処理は酸化物を熱処理する場合、高温において酸素欠損を生じることがある。これを抑制するためには、酸素を含む雰囲気中で熱処理すると好ましい。
【００７０】
酸化物をスパッタで成膜する場合、スパッタのレートが高いときに酸素欠損が生じやすい。酸素を含む雰囲気中で熱処理すると、不足していた酸素を熱処理時に補うことができるため、材料の酸素欠損を防ぐまたは少なくすることができる。これを利用することにより工程時間を短縮することが可能となる。すなわち、酸素欠損を生じる可能性があるような高いレートで成膜を行うことにより工程時間を短縮し、その後、熱処理を酸素雰囲気中で行うことにより酸素欠損を少なくして上部クラッド層４の組成の信頼性を高めることができる。
【００７１】
上部クラッド層４を形成する工程は、スパッタリングによる成膜と、熱処理とを含むだけでなく、冷却機構を用いた冷却とを含むとさらに好ましい。すなわち、工程に要する時間を短縮することができるものである。この場合、冷却は、あまり急激に行うと上部クラッド層４を形成するガラスに歪みを残す場合があり、注意を要する。
【００７２】
熱処理温度から成膜温度までの冷却において、上部クラッド層４のガラス転移温度よりも５０℃高い温度からガラス転移温度よりも５０℃低い温度の間である１００℃の間隔においては、１Ｋ・ｍｉｎ−１以下の速さで行う冷却を含むことにより、ガラス中に歪みを生じさせにくくすることができた。
【００７３】
なお、ガラス転移温度よりも５０℃以上高い温度においては、速い速度で冷却を行ってもガラス中に歪みは生じにくい。この温度領域においては、冷却機構により速い冷却を行って、工程時間を短縮し、結果として安価な光導波路を提供することができる。１Ｋ・ｍｉｎ−１以上の速さで行うと良い。ただし、あまりにも速い冷却を行うとクラックの原因になるため、１００Ｋ・ｍｉｎ−１以下にすると良い。
【００７４】
また、上部クラッド層４のガラス転移温度よりも５０℃以上低い温度においては、自然冷却を行うのが好ましい。なぜなら、この温度領域で速い冷却を行った場合、ガラス中に歪みを生じることがあるためである。詳しくは、ガラス転移温度付近で速い冷却を行う場合よりは歪みを生じにくいが、ガラス転移温度よりも５０℃以上高い温度領域で速い冷却を行う場合よりも歪みを生じやすいためである。
【００７５】
熱処理を行う温度から成膜温度までの冷却においては熱履歴を管理したほうが好ましい。例えば、熱処理を行う温度から上部クラッド層のガラス転移温度よりも５０℃高い温度までの冷却を１Ｋ・ｍｉｎ−１以上１００Ｋ・ｍｉｎ−１以下の速さで行い、上部クラッド層のガラス転移温度よりも５０℃高い温度からガラス転移温度よりも５０℃低い温度の間である１００℃の間隔においては、１Ｋ・ｍｉｎ−１以下の速さで冷却を行う方法がある。熱処理温度からの冷却における熱履歴を広い温度範囲で管理することができるため、工程時間を短縮するとともに、ガラスに歪みを生じることをより確実に抑制するまたは歪みを除去することができる。
【００７６】
あるいは、上部クラッド層のガラス転移温度よりも５０℃高い温度から前記ガラス転移温度よりも５０℃低い温度の間である１００℃の間隔においてある温度Ｔを選択し、前記熱処理を行う温度から温度Ｔまでの冷却を１Ｋ・ｍｉｎ−１以上１００Ｋ・ｍｉｎ−１以下の速さで行い、温度Ｔにおいて１０分以上６０分以内の間、温度を保持する方法が考えられる。熱処理温度からの冷却における熱履歴を広い温度範囲で管理することができるとともに、一定温度での保持を含むため管理をより確実なものにできる。これにより、工程時間を短縮するとともに、ガラスに歪みを生じることをより確実に抑制するまたは歪みを除去することができる。冷却速度の条件や、熱処理の条件、成膜中の基板加熱の条件等は、ガラスの組成等によってそれぞれ最適化する必要がある。
【００７７】
以上、堆積処理による成膜を説明した。堆積処理による成膜と熱処理とは、同一の装置内で行うと、作業性を高めることができて好ましい。成膜と熱処理とは同一の処理室で行い、冷却を他の区別された処理室で行うと、成膜および熱処理の工程と、冷却の工程とをそれぞれ個別に行うことができるため好ましい。これにより、ある光導波路に対して成膜および熱処理を行う間に、他の光導波路に対して冷却を行うということが可能となり、ある光導波路を作製した後に次の光導波路を作製する場合に比べて、光導波路一つ当たりの平均の工程時間を短縮することができる。
【００７８】
このとき、冷却時間を、成膜時間と熱処理時間との合計とほぼ等しくすると好ましい。上記のように時間を設定することにより、ある光導波路に対して成膜および熱処理を行う間に他の光導波路に対して冷却を行う場合、待ち時間を短縮し工程時間を短縮することができる。
【００７９】
【発明の効果】
以上のように本発明は、ガラス材料からなる下部クラッド層と、この下部クラッド層上に形成するガラス材料からなるコア部と、このコア部を覆うように形成するアルカリ元素、アルカリ土類元素および希土類元素の少なくとも１種類の元素からなる上部クラッド層とからなり、前記下部クラッド層の軟化温度を上部クラッド層の軟化温度より高くした光導波路であり、下部クラッド層を軟化させずに上部クラッド層のみを軟化させることができるため下部クラッド層の変形による歩留まり低下を防ぐことが可能となり安価な光導波路を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の一実施の形態の光導波路を示す斜視図
（ｂ）同本発明の光導波路の分解斜視図
【図２】（ａ）〜（ｊ）本発明の光導波路の製造工程を示す断面図
【図３】（ａ），（ｂ）本発明の光導波路を説明するための説明図
【図４】（ａ）〜（ｇ）本発明の光導波路の上部クラッド層の製造工程を示す断面図
【図５】（ａ）〜（ｉ）従来の光導波路の製造工程を示す断面図
【符号の説明】
１  基板
２  下部クラッド層
３  コア部
４  上部クラッド層
５  コア層
６  マスク層
７  レジストパターン
８  マスクパターン
９  隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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