(57)【要約】    【課題】  ボンディングワイヤ１本当たりの通電許容電流を高くすると共に、チップ内での電流の偏りが生じないようにする。    【解決手段】  ワイドバンドギャップ半導体チップ１の電極表面２の端部に、直接的に又は電極パッド２０を介して間接的にボンディングワイヤ９を接続する。電極パッド２０の厚さが、チップ１において所望の通電領域比が得られるような厚さに調整する。具体的には、電極表面２及び電極パッド２０をいずれもアルミニウムにより形成し且つ電極表面２及び電極パッド２０の合計の厚さを１０μｍとした場合におけるワイドバンドギャップ半導体チップ１の電流密度と同等又はそれ以上の電流密度が得られるよう、電極パッド２０の厚さが設定される。【選択図】  図２
2005310844.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に電極が設けられたワイドバンドギャップ半導体チップと、
前記電極の端部に直接的に又は電極パッドを介して間接的に接続されるボンディングワイヤとを備え、
前記電極及び前記電極パッドをいずれもアルミニウムにより形成し且つ前記電極及び前記電極パッドの合計の厚さを１０μｍとした場合における前記ワイドバンドギャップ半導体チップの通電領域比と同等又はそれ以上の通電領域比が得られるよう、前記電極及び前記電極パッドの厚さが設定されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項２】
表面に電極が設けられたワイドバンドギャップ半導体チップと、
前記電極の端部に直接的に又は電極パッドを介して間接的に接続されるボンディングワイヤとを備え、
前記電極及び前記電極パッドは、それぞれ導電率Ｃｘ、導電率Ｃｙの材料から形成され、
前記電極の厚さＴｅ及び前記電極パッドの厚さＴｐが、
１０×Ｃａ≦Ｃｘ・Ｔｐ＋Ｃｙ・Ｔｅ  
（Ｃａはアルミニウムの導電率）  
とされていることを特徴とするワイドバンドギャップ半導体モジュール。
【請求項３】
表面に電極が設けられたワイドバンドギャップ半導体チップと、
前記電極に直接的に又は電極パッドを介して間接的に接続されるボンディングワイヤとを備えたパワー半導体モジュールにおいて、
前記ワイドバンドギャップ半導体チップと前記ボンディングワイヤとの少なくとも一部が、高熱伝導率の絶縁樹脂で覆われている
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項４】
表面に電極が設けられたワイドバンドギャップ半導体チップと、
前記電極に直接的に又は電極パッドを介して間接的に接続されるボンディングワイヤとを備えたパワー半導体モジュールにおいて、
前記ワイドバンドギャップ半導体チップと前記ボンディングワイヤとの少なくとも一部が、高耐熱温度の絶縁樹脂で覆われている
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項５】
表面に電極が設けられたワイドバンドギャップ半導体チップと、
前記電極の端部に電気的に接続されるボンディングワイヤと、
前記電極と前記ボンディングワイヤの間に介在される電極パッドと
を備え、
前記電極及び前記電極パッドをいずれもアルミニウムにより形成し且つ前記電極及び前記電極パッドの合計の厚さを１０μｍとした場合における前記ワイドバンドギャップ半導体チップの通電領域比と同等又はそれ以上の通電領域比が得られるよう、前記電極及び前記電極パッドの厚さが設定されている
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイヤボンディング構造を有するパワー半導体モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
インバータなどの電力変換装置に使用するパワー半導体スイッチング素子として、絶縁された容器内にパワー半導体素子を封入したパワー半導体モジュールが広く知られている。高電圧（６００〜６５００Ｖ）・大電流（５０Ａ〜３６００Ａ）用途で最もよく使われるパワー半導体モジュールは、パワー半導体素子としてＩＧＢＴとダイオードを複数個、同一パワー半導体モジュール内に封入して構成されている。ＩＧＢＴとダイオードの電極表面と、主電極、及び制御電極は、太線（２５０〜５００μｍ）アルミニウムボンディングワイヤで、超音波接続されている。
【０００３】
パワー半導体モジュールにおけるアルミニウムボンディングワイヤの主な問題は、大電流の繰返し通電により、シリコンチップ、アルミニウムワイヤに温度上昇及び下降が生じて、シリコンとアルミニウムの熱膨張係数の違いによって、繰返し熱応力がシリコンチップとアルミニウムワイヤの界面に発生する。この応力によって界面にクラックが進展していき、最終的にワイヤが破断するという問題がある。これについては、アルミニウムボンディングワイヤの材料や形状などで改善されることが示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
これらパワー半導体モジュールでは、定格電流は、ジャンクション温度Ｔｊ、ケース温度Ｔｃ、ジャンクション−ケース間熱抵抗Ｒｔｈｊｃ、ＩＧＢＴの電圧Ｖｃｅ−電流Ｉｃ特性で、次の［数１］のように決定される。
【０００５】
［数１］
Ｔｊ−Ｔｃ＝Ｒｔｈｊｃ×Ｉｃ×Ｖｃｅ（Ｉｃ）
【０００６】
現在、最も電流密度の高いシリコンパワー半導体モジュールで考えると損失密度（単位面積当たりの損失）は約２２５Ｗ／ｃｍ２、ＩＧＢＴの電流密度（単位面積当たりの電流）は約１２５Ａ／ｃｍ２になる。
この損失密度や電流密度は、ジャンクション−ケース間熱抵抗Ｒｔｈｊｃや、ＩＧＢＴの電圧Ｖｃｅ−電流Ｉｃ特性が改善されて、徐々に向上してきている。単位面積当たりに接続できる太線アルミボンディングワイヤは最大１６本程度と考えると、ワイヤ１本当たりの通電電流は７．８Ａになる。
太線アルミニウムボンディングワイヤ（直径３５０μｍ、長さ１０ｍｍ）１本当たりに最大限流すことができる通電許容電流は１８．７Ａである。従って、シリコンパワー半導体モジュールの場合、電流密度と、１本当たりのボンディングワイヤの通電許容電流との関係が問題となることはなかった。
【０００７】
【特許文献１】特開平６−３０２６３９（［０００８］欄、図１等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、シリコンカーバイドなどのワイドバンドギャップ半導体チップでは、電流密度が大幅に向上するため、電流密度とワイヤの通電許容電流の関係に問題が発生する。即ち、シリコン半導体モジュールの場合、通常運転時にボンディングワイヤ１本あたりの通電許容電流が問題になることはなく、負荷短絡時などの異常発生時において問題になるに過ぎない。しかしながら、ワイドバンドギャップ半導体モジュールでは、通常運転時に同等の大電流が流れるため、モジュールの構造自体を通電許容電流を考慮して設計しなければならない。ボンディングワイヤ１本当たりの通電許容電流を大きくするためには、ワイヤの太さを太くする、ワイヤの長さを短くするなどの方法があるが、前者は、前述の問題（熱膨張係数の違いによるクラック、破断等）のため、５００μｍ程度が上限である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るパワー半導体モジュールは、表面に電極が設けられたワイドバンドギャップ半導体チップと、前記電極の端部に直接的に又は電極パッドを介して間接的に接続されるボンディングワイヤとを備え、前記電極及び前記電極パッドをいずれもアルミニウムにより形成し且つ前記電極及び前記電極パッドの合計の厚さを１０μｍとした場合における前記ワイドバンドギャップ半導体チップの通電領域比と同等又はそれ以上の通電領域比が得られるよう、前記電極及び前記電極パッドの厚さが設定されていることを特徴とする。ここで「通電領域比」とは、ワイドバンドギャップ半導体チップにおいて電流密度が所定値以上となる部分の面積の全体の面積に対する比率を意味する。
【００１０】
この発明では、電流密度がシリコン半導体素子チップより大幅に大きいワイドバンドギャップ半導体チップの表面に設けられた電極に、直接的に又は電極パッドを介して間接的にボンディングワイヤを接続している。またこの発明では、ボンディングワイヤをワイドバンドギャップ半導体チップの電極の端（端部から１．５ｍｍが限界である）に接続し、ボンディングワイヤの長さを短く保ち、これによりワイヤ１本当たりの通電許容電流を高くしている。
しかし、電極端部にボンディングワイヤが接続されると、ワイドバンドギャップ半導体チップにおいて通電領域比が低下する。
【００１１】
このため、この発明では、通電領域比の低下の防止のため、電極及び電極パッドがいずれもアルミニウムで構成される場合、電極と電極パッドの合計の厚さを１０μｍ以上としている。その他の金属で形成する場合には、アルミニウムで形成される電極と電極パッドの合計の厚さを１０μｍとした場合に得られる通電領域比と同等の通電領域比となるように、電極及び電極パッドの厚さを設定する。電極と電極パッドをそれぞれ別の種類の金属で形成した場合も同様にすることができる。
【００１２】
この発明に係るパワー半導体モジュールはまた、表面に電極が設けられたワイドバンドギャップ半導体チップと、前記電極の端部に直接的に又は電極パッドを介して間接的に接続されるボンディングワイヤとを備え、前記電極及び前記電極パッドは、それぞれ導電率Ｃｘ、導電率Ｃｙの材料から形成され、前記電極の厚さＴｅ及び前記電極パッドの厚さＴｐが、
１０×Ｃａ≦Ｃｘ・Ｔｐ＋Ｃｙ・Ｔｅ  
（Ｃａはアルミニウムの導電率）  
とされていることを特徴とする。
この発明に係るパワー半導体モジュールはまた、表面に電極が設けられたワイドバンドギャップ半導体チップと、前記電極に直接的に又は電極パッドを介して間接的に接続されるボンディングワイヤとを備えたパワー半導体モジュールにおいて、前記ワイドバンドギャップ半導体チップと前記ボンディングワイヤとの少なくとも一部が、高熱伝導率の絶縁樹脂で覆われていることを特徴とする。
この発明に係るパワー半導体モジュールはまた、表面に電極が設けられたワイドバンドギャップ半導体チップと、前記電極に直接的に又は電極パッドを介して間接的に接続されるボンディングワイヤとを備えたパワー半導体モジュールにおいて、前記ワイドバンドギャップ半導体チップと前記ボンディングワイヤとの少なくとも一部が、高熱伝導率の絶縁樹脂で覆われていることを特徴とする。
この発明に係るパワー半導体モジュールはまた、表面に電極が設けられたワイドバンドギャップ半導体チップと、前記電極の端部に電気的に接続されるボンディングワイヤと、前記電極と前記ボンディングワイヤの間に介在される電極パッドとを備え、前記電極及び前記電極パッドをいずれもアルミニウムにより形成し且つ前記電極及び前記電極パッドの合計の厚さを１０μｍとした場合における前記ワイドバンドギャップ半導体チップの通電領域比と同等又はそれ以上の通電領域比が得られるよう、前記電極及び前記電極パッドの厚さが設定されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ワイドバンドギャップ半導体チップの電極の端部にボンディングワイヤが接続されることにより、ボンディングワイヤ１本当たりの通電許容電流が高くされると共に、電極と電極パッドの合計の厚さが適切に設定されることにより、ボンディングワイヤがワイドバンドギャップ半導体チップの表面端部に形成されても、ワイドバンドギャップ半導体チップの通電領域比を高く保つことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に、本発明の実施の形態を、図１〜図６を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の実施の形態に係るワイドバンドギャップ半導体モジュールの平面図であり、図２は断面図である。図１及び図２に示すように、このワイドバンドギャップ半導体モジュールのワイドバンドギャップ半導体チップ１（以下、単に「チップ１」ともいう）は、表面側に電極表面２を備え、裏面側には正主電極面３を備えており、プラスチックケースＢ（下板Ｂ１及び上箱Ｂ２から構成される）内に、絶縁板Ｐを介して載置されている。
絶縁板Ｐ上には、チップ１の他、負主電極面４と、制御電極面５とが形成されており、負電極表面４は、電極表面２と、ボンディングワイヤ９（以下、単に「ワイヤ９」ともいう）により接続されている。
なお、正主電極面３、負主電極面４、及び制御電極面５からは、それぞれ正主電極端子１０、負主電極端子１１、及び制御電極端子１２が、プラスチックケースＢの外部まで引き出されている。
図３のグラフは、ワイヤ９の長さと、通電許容電流との関係を示しており、ワイヤの長さが短くなるほど、通電許容電流が大きくなる。また、ワイヤの太さが太くなると、同じワイヤ長さでも通電許容電流を大きくすることができる。このため、この実施の形態では、ワイヤ９の長さを短くし、これによりワイヤ９の１本当たりの通電許容電流を大きくするため、電極パッド２０を、電極表面２の端部に形成している。ここで「端部」とは、ボンディング加工の加工限界（現状では、チップ１の端面から１．５ｍｍ程度である）を考慮して、ワイヤ９の長さを出来るだけ短くできるような位置、という程度の意味に使用されている。
【００１５】
ワイヤ９と電極表面２との間には、図４に拡大図で示すように、電極パッド２０が介在されている。この電極パッド２０とワイヤ９が超音波接続されている。ワイヤ９は、図４に示すように、絶縁ゲル等の高熱伝導率の絶縁樹脂２２により覆われ、これにより放熱効果が高められている。図５に示すように、電極パッド２０とワイヤ９の接続点の周囲にエポキシ樹脂等の高耐熱温度の絶縁樹脂２３を更に形成し、この上から絶縁樹脂２２を形成するようにしてもよい。或いは、図６に示すように、この絶縁樹脂２３を、負電極面４とワイヤ９との接続点付近も含めて全体的に形成し、この上から絶縁樹脂２２を形成するようにしてもよい。
【００１６】
なお、図１及び図２では、負電極面４をチップ１の片側のみに形成し、ワイヤ９をチップ１の片側のみから引き出すようにしているが、図７に示すように、負電極面４をチップ１の左右両側に設け、ワイヤ９をチップ１の左右両側から引き出すようにしてもよい。
【００１７】
その他、この実施の形態において、ワイヤ９の長さを短くするため、（１）主電極３と４との間の距離をできるだけ小さくする、（２）ワイヤ９のループ高さを極力低くする等の措置を講ずることができる。これにより、ワイヤ９の長さは、５×５ｍｍ程度のチップ１の場合、８ｍｍ以下程度に抑えることが可能となる。
【００１８】
しかし、電極表面２の端部にボンディングワイヤが接続されると、ワイドバンドギャップ半導体チップ１において、電流密度が所定値以上となる部分の、チップ１の表面全体の面積に対する比率、すなわち通電領域比が低下する。
このことを、図８及び図９を用いて説明する。
図８は、ワイドバンドギャップ半導体チップ１の電極表面２の中央付近に、ワイヤ９を電極パッド２０を介して接続した場合における、電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。図９は、ワイドバンドギャップ半導体チップ１の電極表面２の端部に、ワイヤ９を電極パッド２０を介して接続した場合における、電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。図８、図９とも、ワイドバンドギャップ半導体チップ１の大きさは５ｍｍ×５ｍｍであり、ワイヤ９はアルミニウム製で断面の直径が２５０ｍｍであり、電極パッド２０及び電極表面２はいずれもアルミニウム製で、その厚さの合計が５μｍであるとしてシミュレーションがなされている。
【００１９】
例えばチップ１全体で１００Ａの電流を流すことを想定し、電流密度として平均４.００Ａ／ｍｍ２、最低３．７５Ａ／ｍｍ２以上が得られる部分のチップ１の表面全体の面積に対する比率を「通電領域比」として定義すると、図８の場合、通電領域比は７０％程度となる。一方、図９の場合には、通電領域比は５０％程度に低下してしまう。
【００２０】
このため、本実施の形態では、電極パッド２０と電極表面２の厚さの合計を大きくとることにより、通電領域比が低下することを防止している。具体的には、電極パッド２０と電極表面２の厚さの合計を、図９の場合と比べて５μｍ厚い１０μｍ又はそれ以上の厚さとする。図１０は、電極パッド２０と電極表面２の厚さの合計を１０μｍとし、その他は図９と同様にした場合における電流密度の分布状態を示している。通電領域比としては、図８と同等の７０％程度が得られている。しかも、ワイヤ９がチップ１の端部に形成されているため、ワイヤ９の１本当たりの許容通電電流を大きくとることができる。
【００２１】
図１１及び図１２は、電極パッド２０と電極表面２の厚さの合計をそれぞれ２０μｍ、１００μｍとした場合における、電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。図１１の場合、通電領域比は約９０％となり、図８の場合と比べても大きくなる。図１２の場合、通電領域比はほぼ１００％で、電流密度の分布はほぼ均等となる。
【００２２】
図８〜１２では、チップ１の大きさ及びワイヤ９の太さを、上記の数値のように設定した場合を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、これらを様々に設定した場合であっても、電極パッド２０と電極表面２の厚さの合計を同様に設定することができる。
図１３〜図１６は、チップ１の大きさが、図８〜１２の場合より大きい７ｍｍ×７ｍｍとし、その他が図８〜１２と同様とされた場合の電流密度の分布状態のシミュレーション結果である。
電極パッド２０を電極表面２の中央に形成し且つ電極パッド２０と電極表面２の厚さの合計を５μｍとした場合（図１３）と比べ、電極パッド２０を電極表面２の端部に形成し且つ電極パッド２０と電極表面２の厚さの合計を５μｍとした場合（図１４）には、通電領域比は低下する（前者では６０％程度、後者では４５％程度）。しかし、電極パッド２０と電極表面２の厚さの合計を図１３の場合よりも５μｍ大きい１０μｍ以上とすると、通電領域比の大きさを、図１３の場合と同等（６０％程度）又はそれ以上とすることができる（図１５〜１７参照）。
【００２３】
図１８は、図８〜１７のシミュレーション結果（電極パッド２０の厚みと、通電領域比の関係）をグラフに表わしたものである。チップ１の大きさが５ｍｍ×５ｍｍの場合と、７ｍｍ×７ｍｍの場合とでは、その他の条件（ワイヤ９の太さ、電極パッド２０）を同じにしても、前者の通電領域比がやや大きくなる。これは、チップ１が大きくなる分、電極パッド２０から遠い部分に電流が行き渡り難くなるためである。しかし、いずれの場合にも、電極パッド２０と電極表面２の厚さの合計を１０μｍ以上に設定することにより、これを５μｍとし且つ電極パッドがチップ１の中央にある場合と同等又はそれ以上通電領域比が得られることが分かる。
【００２４】
図１９〜２１は、ワイヤ９の太さを５００μｍとし、その他は図８〜１２と同様にした場合の電流密度のシミュレーション結果である。この場合でも、電極パッド２０を電極表面２の中央部に形成し、電極パッド２０と電極表面２の厚さ合計を５μｍとした場合（図１９）と、電極パッド２０を電極表面２の端部に形成し、電極パッド２０と電極表面２の厚さ合計を同様に５μｍとした場合（図２０）とでは、前者の通電領域比が８０％程度であるのに対し、後者の通電領域比は６０％程度と低くなってしまう。しかし、電極パッド２０を電極表面２の端部に形成しても、電極パッド２０と電極表面２の厚さの合計を１０μｍ以上とすると（図２１）、図１９の場合と同等又はそれ以上の通電領域比が得られることが分かる。
図２２は、図１９〜２１のシミュレーション結果をグラフにしたものである。比較のため、図８〜１２のシミュレーション結果を併記している。
【００２５】
また、図８〜１７及び図１９〜２１では、電極パッド２０及び電極表面２がアルミニウムを材料として形成された場合のシミュレーション結果を示したが、アルミニウム以外の材料、例えばモリブデン（Ｍｏ）で形成する場合にも、本発明が適用され得る。すなわち、アルミニウムで形成される電極パッド２０と電極表面２の合計の厚さを１０μｍとした場合に得られる通電領域比と同等の通電領域比となるように、モリブデン製の電極パッド２０及び電極表面２の厚さの合計を設定することができる。モリブデンはアルミニウムの約１／２の伝導率を有する金属である。従って、モリブデン製の電極パッド２０及び電極表面２の厚さの合計を約２０μｍとすることにより、アルミニウム製の厚さ合計１０μｍの電極パッド２０及び電極表面２と同等の通電領域比をチップ１に与えることになる。
その他の金属を用いる場合でも、考え方としては同様である。電極表面２及び電極パッド２０をいずれも伝導率Ｃの材料から形成する場合、電極表面２の必要な厚さＴｅ及び電極パッド２０の必要な厚さＴｐは、次の［数２］で表わすことが出来る。
【００２６】
［数２］
Ｔｅ＋Ｔｐ≧１０×Ｃａ／Ｃ［μｍ］
（但し、Ｃａはアルミニウムの導電率）
【００２７】
また、電極パッド２０と、電極表面２とが互いに異なる材料により形成される場合にも、本発明は適用され得る。
電極表面２及び電極パッド２０が、それぞれ異なる材料Ｘ（導電率Ｃｘ）、材料Ｙ（導電率Ｃｙ）から形成されているとした場合、電極パッド２０の厚さＴｅ、及び電極表面２の厚さＴｐを、次の［数３］を満たすように設定することができる。
【００２８】
［数３］
１０×Ｃａ≦Ｃｘ・Ｔｅ＋Ｃｙ・Ｔｐ  
【００２９】
一例として、電極パッド２０をアルミニウムにより形成し、電極表面２をモリブデンにより形成する場合、例えば電極パッド２０の厚さを５μｍ、電極表面２の厚さを１０μｍにそれぞれ設定することができる。このように設定することにより、電極パッド２０と電極表面２との両方をアルミニウムで形成し、合計の厚さを１０μｍとした場合と同等のチップ１の通電領域比を得ることが出来る。
図２３は、電極パッド２０の厚さを５μｍ、電極表面２の厚さを１０μｍに設定し（電極パッド２０と電極表面２との両方をアルミニウムで形成し、合計の厚さを１０μｍとした場合と同等）、その他は図８〜１２と同様にした場合における、電流密度の分布状態のシミュレーション結果である。電流密度の分布状態は、図１０の場合と略同様になっている。
【００３０】
図２４は、電極パッド２０の厚さを５μｍ、電極表面２の厚さを３０μｍに設定し（電極パッド２０と電極表面２との両方をアルミニウムで形成し、合計の厚さを２０μｍとした場合と同等）、その他は図８〜１２と同様にした場合における、電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。電流密度の分布状態は、図１１の場合に近い状態が得られている。図２５に、この図２３及び図２４のシミュレーション結果を表わしたグラフを示す。図１８のグラフと、ほぼ同じ形のグラフとなっていることが分かる。
【００３１】
以上、発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、様々な改変、追加、置換等が可能である。例えば、上記実施の形態では、電極パッド２０を介して間接的に電極表面２とボンディングワイヤ９とを接続しているが、電極パッド２０を介さず、電極表面２に直接ボンディングワイヤ９を接続するものにも、本発明は適用され得る。この場合、電極表面２の厚さを変化させることにより、チップ１の通電領域比を変化させることができる。また、上記実施の形態では、チップ１の外形を正方形としているが、長方形や楕円形など、他の外形としても構わないことは勿論である。このとき、そのチップ１の外形における長手方向と交差する方向にボンディングワイヤを引き出すようにするとよい。例えばチップの外形が楕円形の場合、楕円形の長径と交差する方向にボンディングワイヤ９を引き出すようにすることにより、ボンディングワイヤ９の長さを短く保つことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施の形態に係るワイドバンドギャップ半導体モジュールの平面図である。
【図２】図１に示すワイドバンドギャップ半導体モジュールの断面図である。
【図３】ボンディングワイヤ９の長さと、ボンディングワイヤ９の１本当たりの通電許容電流との関係を示すグラフである。
【図４】図１に示すワイドバンドギャップ半導体モジュールにおける、ボンディングワイヤ９と電極表面２との接続部分の拡大図である。
【図５】ボンディングワイヤ９と電極表面２との接続部分の別の例の拡大図である。
【図６】ボンディングワイヤ９と電極表面２との接続部分の別の例の拡大図である。
【図７】本発明の実施の形態に係るワイドバンドギャップ半導体モジュールの変形例の平面図である。
【図８】電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。
【図９】電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。
【図１０】電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。
【図１１】電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。
【図１２】電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。
【図１３】電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。
【図１４】電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。
【図１５】電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。
【図１６】電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。
【図１７】電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。
【図１８】図８〜１７のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１９】電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。
【図２０】電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。
【図２１】電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。
【図２２】図１９〜２１のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図２３】電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。
【図２４】電流密度の分布状態のシミュレーション結果を示している。
【図２５】図２３、２４のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図２６】本発明の実施の形態の変形例を示す。
【符号の説明】
【００３３】
１・・・ワイドバンドギャップ半導体チップ、  ２・・・電極表面、  ３・・・正主電極面、  Ｂ・・・プラスチックケース、  Ｐ・・・絶縁板、  ４・・・負主電極面、  ５・・・制御電極面、  ９・・・ボンディングワイヤ、  １０・・・正主電極端子、  １１・・・負主電極端子、  １２・・・制御電極端子、  ２０・・・電極パッド、２２・・・絶縁樹脂、  ２３・・・絶縁樹脂。
【図１】
2005310844.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図１８】
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【図２２】
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【図２５】
2005310844.tif 000012
【図２６】
2005310844.tif 000013
【図８】
2005310844.tif 000014
【図９】
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【図１０】
2005310844.tif 000016
【図１１】
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【図１２】
2005310844.tif 000018
【図１３】
2005310844.tif 000019
【図１４】
2005310844.tif 000020
【図１５】
2005310844.tif 000021
【図１６】
2005310844.tif 000022
【図１７】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２３】
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【図２４】
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