(57)【要約】【課題】  アクティブ素子を転写する際に、アクティブ素子の転写先基板面からの高さの制御が可能で、接着層を介してもアクティブ素子と転写先基板とが略平行となるようなアクティブマトリクス基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明は、基板４０１と、基板４０１上に実質的に等しい高さで設けられる複数の接着層と、各々の接着層上に設けられる複数のアクティブ素子３０１と、を具備し、夫々の接着層が、高さ制御部材４０２と、接着剤４０３とを含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板を提供する。【選択図】  図１２
2005242380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されるアクティブ素子と、
前記アクティブ素子の電極にその一端が接続される素子内配線と、
コンタクト部を介して前記素子内配線の他端が接続される外部配線とを有し、
前記外部配線同士が、内部配線同士ないし内部配線と外部配線とが交差することを特徴と
するアクティブマトリクス基板。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に形成されるアクティブ素子と、
前記アクティブ素子の第１の電極にその一端が接続される素子内配線と、
コンタクト部を介して前記素子内配線の他端が接続される第１の外部配線とを有し、
前記アクティブ素子の第2の電極にコンタクト部を介して接続される第２の外部配線と
を有し、前記素子内配線と前記第２の外部配線とが平面パターン上交差することを特徴と
するアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
前記基板と前記アクティブ素子との間に接着層を有し、前記接着層は高さ制御部材によ
り囲まれていることを特徴とする請求項１、２のいずれかに記載のアクティブマトリクス
基板。
【請求項４】
前記基板と前記アクティブ素子との間に接着層を有し、前記接着層に高さ制御部材とな
る所定の形状の粒子が分散されていることを特徴とする請求項１、２のいずれかに記載の
アクティブマトリクス基板。
【請求項５】
前記外部配線は前記素子内配線よりも上部の層に形成されることを特徴とする請求項１
ないし４のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項６】
前記素子内配線は前記アクティブ素子と画素電極とを接続することを特徴とする請求項
１ないし５のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項７】
前記外部配線はＡｌまたはＩＴＯからなることを特徴とする請求項１ないし６のいずれ
かに記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項８】
前記アクティブ素子は、走査用ＴＦＴおよび駆動用ＴＦＴを有することを特徴とする請
求項１ないし７のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項９】
前記外部配線は、走査線および信号線を有することを特徴とする請求項１ないし８のい
ずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１０】
前記第1の外部配線は、前記アクティブ素子により２つの部分に分かれ、それぞれが前
記アクティブ素子の前記素子内配線により接続されていることを特徴とする請求項１ない
し９のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１１】
前記アクティブ素子は、ＴＦＴおよび容量を有することを特徴とする請求項１ないし１
０のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１２】
請求項１、２のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板中の素子内配線に接続される画素電極と、
前記画素電極上に形成される有機ＥＬ部と
を有することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス基板及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
各画素にアクティブ素子を配置したアクティブマトリクス型ディスプレイは高画質な平
面型ディスプレイを実現することができる。
【０００３】
特に、光のシャッタとして液晶を用い、各画素をＴＦＴ等のアクティブ素子で駆動する
液晶表示装置（ＬＣＤ）は、ＰＣモニターからテレビの動画表示まで、広く用いられてい
る。
【０００４】
また、ＲＧＢの発光を行うことの出来る有機ＥＬ材料を、インクジェット法やマスク蒸
着法で形成して画素とし、各画素をＴＦＴ等のアクティブ素子で駆動する有機ＥＬ表示装
置によっても、フルカラーの画像が薄型のパネルで実現することが示されてきた。
【０００５】
従来、このようなアクティブマトリクス型ＬＣＤの画素部を形成する際は、ガラス基板
上に、各層をＣＶＤ、スパッタ等の真空薄膜プロセスで成膜して、ドライエッチ若しくは
ウェットエッチ、及びリソグラフィにより微細加工を行う。そして、これを半導体、金属
等の電極、絶縁膜等の各層で繰り返すことから、プロセスの数が多い為にコストがかかる
。アクティブ素子は、基板上の全面に形成されるのではなく、各画素の一部の領域に形成
されるのであり、無駄が多いことが問題となっていた。大面積のディスプレイを形成する
にはさらにコストがかかることから、このように無駄の多い形成方法では、大面積のディ
スプレイ形成に、経済的な限界を与えている。
【０００６】
これに対して、アクティブ素子をあらかじめ素子形成基板に高密度に形成して中間基板
に転写してから、さらにこのアクティブ素子をディスプレイとする基板（転写先基板）上
に転写し、その後に配線や画素電極などのパッシブ構造物を形成しコストの低減を図る方
法が、特開２００１−７３４０号公報で示されている。
【０００７】
図２５は、特開２００１−７３４０号公報の、中間基板から転写先基板にアクティブ素
子を転写する際の工程の一部を示すものである。図２５に示すように、転写先基板２５０
１上にはパターニングされた走査線２５０３、層間絶縁膜２５０４、パターニングされた
信号線２５０２、平坦化膜２５０５が積層されている。平坦化膜２５０５上には接着層２
５０６が設けられる。層間絶縁膜２５０４及び平坦化膜２５０５には、信号線２５０２及
び走査線２５０３に対応する領域に、後に配線する為のコンタクトホールが設けられる。
【０００８】
また、中間基板２５０７には、接着・剥離層２５０８を介してＴＦＴ２５１０が形成さ
れている。ＴＦＴ２５１０は保護膜２５０９で覆われ、下部にもやはり保護の意味からア
ンダー層２５１１が設けられている。
【０００９】
中間基板２５０７から転写先基板２５０１にＴＦＴ２５１０を転写する際には、転写し
ようとするＴＦＴ２５１０を接着層２５０６に位置あわせし、この領域のみ開口した遮光
マスク２５１２を介して光を照射する。そして接着・剥離層２５０８の接着力を弱め、ア
ンダー層２５１１と接着層２５０６を接着することにより転写を行う。
【００１０】
この方法では、製造プロセスの多いＴＦＴ２５１０を、高い密度で素子形成基板に形成
し、素子形成基板から中間基板２５０７に一度転写し、さらに中間基板２５０７上のＴＦ
Ｔ２５１０を転写先基板２５０１上に転写する。その際、大きな素子形成基板と大きな中
間基板２５０７を用いる事により、高密度に配置された中の一定の間隔を置いたＴＦＴ２
５１０を転写先基板２５０１に転写することも出来る。このような方法を用いると、多数
の基板に用いるＴＦＴ２５１０を一枚の素子形成基板に形成することができることから、
素子形成基板と転写先基板のＴＦＴ密度比の分のコストの低減となる。
【００１１】
図２５のような方法でＴＦＴ２５１０を転写先基板２５０１に転写する場合、ＴＦＴ２
５１０を接着層２５０６に押し付けて転写する。しかしながら、その際ＴＦＴ２５１０を
押し付ける強さの制御が難しく、接着層２５０６が押し付けられて横に広がる場合と広が
らない場合で接着層２５０６の高さが異なる、若しくはＴＦＴ２５１０と転写先基板２５
０１とが平行にならないという問題があった。従って、その上に設けられるＴＦＴ２５１
０の高さや、ＴＦＴ２５０１と転写先基板２５０１との角度が制御されないことから、Ｔ
ＦＴ２５１０の形成後の配線の形成が困難となる。
【００１２】
また、ＴＦＴ２５１０を接着層２５０６に押し付けて転写する際、接着層２５０６が横
に広がって、隣接するＴＦＴ２５１０までが接着層２５０６に接着する可能性があった。
従って、多少接着層２５０６が横に広がっても、隣接するＴＦＴ２５１０まで接着するこ
とのないよう、素子形成基板には、隣接するＴＦＴ２５１０の距離を開けて形成しなけれ
ばならなかった。その為、一枚の素子形成基板に形成できるＴＦＴ２５１０の数が減るこ
とから、コストが増加するという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上述したように、多数の基板に用いるアクティブ素子を一枚の素子形成基板に形成し、
それを転写先基板に転写する方法はコストの低減となるが、これまでの方法では、転写時
に転写先基板面からのアクティブ素子の高さや、転写先基板とアクティブ素子との角度の
制御を行うことが困難であった。また、１つのアクティブ素子を転写する領域に、隣接す
る複数のアクティブ素子が転写されてしまうのを防ぐ為に、素子形成基板上に、高密度に
アクティブ素子を形成することができなかった。
【００１４】
そこで本発明では、上記の問題を考慮して、アクティブ素子を転写する際にアクティブ
素子の転写先基板面からの高さの制御が可能で、接着層を介してもアクティブ素子と転写
先基板とが略平行となるようなアクティブマトリクス基板及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の課題を解決するために、本発明のアクティブマトリクス基板は、基板と、前記基板
上に形成されるアクティブ素子と、前記アクティブ素子の電極にその一端が接続される素
子内配線と、コンタクト部を介して前記素子内配線の他端が接続される外部配線とを有し
、前記外部配線と前記素子内配線とが平面パターン上交差する部分において前記コンタク
ト部が形成されることを特徴とする。
【００１６】
また、上記課題を解決するために本発明の表示装置は、上記アクティブマトリクス基板と
、前記アクティブマトリクス基板中の素子内配線に接続される画素電極と、前記画素電極
上に形成される有機ＥＬ部とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
以上詳述したように、本発明によれば、アクティブ素子を転写する際に、アクティブ素
子の転写先基板面からの高さの制御が可能で、接着層を介してもアクティブ素子と転写先
基板とが略平行となるようなアクティブマトリクス基板及びその製造方法を提供すること
が出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施形態を図面を参照しつつ詳細に説明するが、本発明はこれらの実
施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００１９】
本発明の実施例１について説明する。本実施例はアクティブ素子（以下単に素子とする
）を素子形成基板（第１の基板）に形成し、中間基板にこれを転写した後、さらに高さ制
御部材とこれに囲まれた接着剤を形成した転写先基板（第２の基板）に転写し、配線等を
形成してアクティブマトリクス基板を形成するものである。本実施例のアクティブマトリ
クス基板を図１６に示し、構成を説明する。
【００２０】
本実施例のアクティブマトリクス基板は、転写先基板４０１に実質的に等しい高さで設
けられる接着層４０４と、接着層４０４上に設けられる素子３０１とを有する。接着層４
０４は、接着剤４０３と、接着剤４０３を囲むように設けられる高さ制御部材４０２とを
有する。素子３０１上には全面に転写後絶縁膜４１５が設けられ、素子３０１のコンタク
ト部に対応する領域の転写後絶縁膜４１５はパターニングされ、画素電極２０１等の配線
が形成されている。
【００２１】
次に、このアクティブマトリクス基板の製造方法を図５から図１６を用いて説明する。
【００２２】
まず、素子形成基板に素子を形成し、これを中間基板に転写する方法を、図５から図７
を用いて説明する。
【００２３】
まず、図５に示すように、素子形成基板５０１上に素子３０１を形成する。素子３０１
、つまりアクティブ素子の内部構成としては、１つのＴＦＴでも良いし、複数のＴＦＴで
構成された画素内メモリ回路や、４つ以上のＴＦＴを用いた有機ＥＬ表示装置の駆動用Ｔ
ＦＴのＶｔｈのばらつきを補償する回路等を１つの素子３０１の内部構成としても良く、
限定されるものではない。
【００２４】
次に、図６（ａ）に示すように、中間基板６０１の、各素子３０１に対応する位置に、
裏面を黒化したＣｒＯｘ等を用いて光変換体６０２を形成する。光変換体６０２を形成し
た中間基板６０１には、加熱により発泡し接着力が低下する粘着剤である日東電工株式会
社製リバアルファを用いて、約５〜２０μｍの厚さとなるよう、接着・剥離層６０３を塗
布し、素子形成基板５０１と貼り合わせ、真空ラミネートする。
【００２５】
本実施例では、紫外光もしくは可視光等を照射して、その光を光変換体６０２が吸収し
て熱に変換し、接着・剥離層６０３を加熱することにより発泡させて、接着力を低下させ
る。したがって、光変換体６０２としては、本実施例に用いるもの以外でもよく、光照射
面を黒化した、ＣｒＯｘ、ＭｏＴａ、ＭｏＷ、ＴｉＯｘ等の金属膜、或いはこれらの金属
多層膜、カーボン膜、黒色塗料有機膜等をパターニングしたものを用いてもよい。また、
接着・剥離層６０３として、熱ではなく紫外光等の光を照射されることにより剥離する材
料を用いる場合には、光変換体６０２としては、照射された光の波長を、剥離を促進する
波長に変換する材料をパターニングして用いればよい。なお、光変換体６０２はなくとも
良い。
【００２６】
また、図６（ｂ）に示すように、光変換体６０４を素子３０１の上に形成しても良い。
その場合は、例えば顔料を分散した、厚さ約１〜３μｍの絶縁性黒色樹脂を素子３０１の
上面に保護膜の一部として形成することが出来る。この場合、光変換体６０４が素子３０
１上に設けられることにより、素子３０１自体も発熱することで、加熱する領域が局在化
出来、接着・剥離層６０３の剥離に対する解像度が大幅に向上する。例えば、素子寸法が
約５０μｍで、素子間隔が約５〜１０μｍの場合でも、問題なく剥離することが出来る。
また、光変換体６０４を素子３０１上に設ける場合には、接着・剥離層６０３として、接
着し、熱や光等で粘着力を弱めることも可能な粘着剤をキャリアフィルム上に塗布したシ
ート状の材料を用いることも可能である。これは、光変換体６０４を素子３０１上に設け
ることにより、キャリアフィルムが約１００μｍ、粘着剤が約５０μｍと厚い場合でも、
接着・剥離層６０３の剥離に対する解像度を高くすることが出来る為である。また、素子
３０１上に設けた光変換体６０４は、素子３０１中のＴＦＴの遮光層となり、光リーク電
流の低減にも効果がある。さらに、素子３０１の保護膜４１４全体を黒色樹脂としても良
く、また黒色でなくても、照射する光を吸収して熱に変換するものとしても良い。
【００２７】
接着・剥離層６０３も、本実施例に用いるものに限定されない。例えば、熱を受けると
粘性が下がり接着力が低下する、アピーゾンプロダクツリミテッド製のアピエゾンワック
ス等の、ワックスやロウ等を用いることも出来る。紫外光による反応で接着力が低下する
材料として、粘着剤の中に紫外線硬化樹脂を分散させて接着し、光照射された際に粘着剤
を含むネットワークを硬化することで接着力を低下させる有機樹脂材料を用いても良い。
紫外光で接着性が低下する物質、例えば紫外光で分解しやすいベンゾフェロン等を含む、
アクリル系粘着剤等を用いても良い。また、接着・剥離層６０３として、温度変化に応答
する感温性粘着剤や粘着テープを用いても良い。例えば温度によって、結晶状態や非結晶
状態に変化する有機材料を用いて、粘着力の強度変化を１桁以上変えることも可能である
。具体的には、ニッタ株式会社製のインテリマー等を用いることが出来る。スイッチング
温度以上で剥離するＷａｒｍ−ｏｆｆタイプが用いやすいが、スイッチング温度以下で剥
離するＣｏｏｌ−ｏｆｆタイプも、それに適したプロセスとすることにより使用可能であ
る。また、結晶−非結晶間の転移は可逆的であるため、この材料を複数回使用することが
出来、好ましい。
【００２８】
中間基板６０１としては、ガラスの他にＰＥＴやポリオレフィン等のプラスチック基板
を用いることが出来る。また接着・剥離層６０３をシート状のものとして、中間基板６０
１と素子形成基板５０１との間に挟んで貼り合わせても良い。接着・剥離層６０３は中間
基板６０１に塗布形成しても良い。
【００２９】
次に、図７に示すように、素子形成基板５０１を除去する。本実施例では、素子形成基
板５０１をガラス基板としているので、機械研磨により薄くした後に、フッ酸と界面活性
剤との混合液等でエッチングする。この際、アンダー層までエッチングされることのない
よう、エッチング液及びアンダー層の材質を調整する。例えば、ガラスをフッ酸系エッチ
ャントでエッチングする場合には、アンダー層としてＡｌＯｘやＴａＯｘ、ＳｉＮｘ、有
機樹脂等の、耐フッ酸性のある材料を用いることが好ましい。素子形成基板５０１の除去
は、研磨、エッチングによる他、レーザーアブレーションする層をアンダー層の一部とす
るかアンダー層の下側に設けて、裏面からレーザーを照射して剥離する等の方法により行
っても良い。
【００３０】
次に、図８から図１６を用いて、中間基板に転写した素子を、さらに転写先基板に転写
して、配線を形成する工程を説明する。
【００３１】
まず、図８に示すように無アルカリガラス、ソーダライム、プラスチックもしくは金属
箔等からなる転写先基板４０１上の、素子を転写する領域に高さ制御部材４０２を形成す
る。本実施例では高さ制御部材４０２として、感光性アクリル樹脂を塗布し、フォトリソ
グラフィによりパターニングする。高さ制御部材４０２は素子を囲むような土手状の形状
をなし、転写先基板４０１より約１〜５μｍ高くなるようにしている。高さ制御部材４０
２の内周の大きさは、素子の大きさよりも小さくしている。
【００３２】
次に、図９に示すように高さ制御部材４０２の内側に、接着剤４０３を形成し、接着層
４０４とする。接着剤４０３は、紫外線硬化接着剤をスクリーン印刷することにより形成
する。その際、図１０に示すように、高さ制御部材４０２が素子に対応する領域の周囲を
囲んでいるので、接着剤４０３は、形成時は液体であってそれを適当量滴下し、後に硬化
させるものであっても良い。
【００３３】
次に、図１１に示すように、素子３０１を転写した中間基板６０１と、接着層４０４を
形成した転写先基板４０１を位置合わせし、仮止めする。このとき、中間基板６０１を転
写先基板４０１に押し当てるが、接着層４０４の高さ制御部材４０２は高さを保つ機能を
有する。つまり、接着剤４０３が素子３０１下面に押されて広がるが、高さ制御部材４０
２の存在により高さが保たれ、接着剤４０３の広がりが規制される。このことにより、接
着層４０４の高さは一定の高さ制御部材４０２の高さとなり、制御できる。接着剤４０３
の量は、素子３０１を接着するのに不足しない程度とすればよい。また、接着層４０４は
高さ制御部材４０２により囲まれており、これより外側に広がらないために、隣接した素
子３０１まで１つの素子３０１の領域に接着されることがなく、１つの接着層４０４に１
つの素子３０１が接着される。なお、中間基板６０１と転写先基板４０１を仮止めする際
は、機械的に位置を固定しても良いし、適当な仮止め用の接着剤で固定しても良い。仮止
め用の接着剤を用いて固定する場合には、転写先基板４０１と中間基板６０１の大きさが
ほぼ同等の大きさであることが好ましく、接着剤で固定する部位は、素子が存在しない、
両基板の周辺部とすることが好ましい。
【００３４】
次に、図１２に示すように、素子３０１を選択的に中間基板６０１から剥離できるよう
、中間基板６０１の裏面から赤外光を照射して、転写したい素子３０１を固定している接
着・剥離層６０３の接着力を弱める。このとき、転写しない素子３０１には赤外光が当た
らないように、ガラスマスク１２０１を設けて選択的に赤外光を照射する。そして、約９
０℃で剥離性を発現するよう接着・剥離層６０３を調整した場合には、赤外光の強度を調
整して、選択した素子３０１の光変換体６０２が約２秒間、約１００℃のピークを保つよ
うにする。すると、周辺の選択しない素子３０１は、赤外光がほとんど照射されないため
に、約８０℃以下の温度を保つことが出来、これらの素子３０１を固定している接着・剥
離層６０３の接着力はほとんど低下しなかった。
【００３５】
接着・剥離層６０３の接着力を弱めるのと同時に、転写先基板４０１の裏面から紫外光
を照射して接着剤４０３を硬化させ、素子３０１を転写先基板４０１に接着する。このと
き、図１３に示すように、素子３０１の外周（破線部）が高さ制御部材４０２の外周より
も内側に設けられ、接着剤４０３が高さ制御部材４０２の内側に設けられている状態であ
ると、これらの構成から出来る段差が滑らかになる。したがって、後に配線する際に、段
切れ、巣入り等の不良が低減されることにより、約１００万個以上もの素子を有するアク
ティブマトリクス基板の歩留まりを著しく改善することが出来る。接着剤４０３を熱硬化
型とした場合は、中間基板６０１と転写先基板４０１とを、加熱ローラで挟んで局所的に
加熱することも出来る。
【００３６】
図１４に示すように、接着・剥離層６０３の接着力を弱め、接着剤４０３を硬化させた
状態で、中間基板６０１と転写先基板４０１とを分離し、所定の素子３０１のみを転写先
基板４０１に転写する。
【００３７】
このとき、選択した素子３０１以外の素子３０１には接着剤４０３が付着せず、ほぼ１
００％の選択性で、１つの接着層４０４には１つの素子３０１が接着していた。また、中
間基板６０１に残った非転写素子へのダメージは全くなかった。
【００３８】
次に、図１５に示すように、素子３０１を転写した転写先基板４０１の全面に、感光性
アクリル樹脂を用いて転写後絶縁膜４１５を形成する。素子３０１のコンタクト部１０８
に対応する領域には、転写後絶縁膜４１５をパターニングして開口する。
【００３９】
次に、図１６に示すように、ＡｌやＩＴＯ等をスパッタ法により全面に形成し、パター
ニングして、信号線や走査線、画素電極２０１等の配線を形成する。図１６ではこのうち
画素電極２０１のみを示している。これにより、アクティブマトリクス基板を完成する。
【００４０】
本実施例では、転写先基板に高さ制御部材と、高さ制御部材で囲まれた接着剤とを有す
る接着層を形成して、その上に素子を転写する。接着剤は、筒状部材で構成される高さ制
御部材で囲まれている為に高さ制御部材より外に出ない。従って、接着剤が周囲に広がり
すぎて、隣接する素子まで同時に１つの接着層に接着され、転写されてしまうことを防止
できる。高さ制御部材を形成する筒状部材としては、接着剤を囲むような形状であれば良
く、外周及び内周の形状は限定されない。例えば、図１０に示すような、正方形若しくは
長方形などの四角形でも良いし、円形、楕円形等でも良い。また、各接着層において高さ
制御部材の高さがほぼ統一されたものとなっているため、転写先基板上の素子毎に高さが
異なったり、転写先基板面と素子とが平行でないという問題もなく、その後の配線を容易
に行うことが出来る。高さ制御部材及び接着剤はアクティブマトリクス基板完成時に固体
であるものが好ましい。接着剤は高さの制御を行うものではないので、粘性を有し、さら
に可塑性や弾性を有するような固体であっても良い。
【００４１】
次に、本実施例で用いることの出来る素子の例を示す。この例では、素子として、２つ
のＴＦＴ及び補助容量を素子形成基板に形成し、これを中間基板に転写し、さらに転写先
基板に転写した後、配線を形成してＥＬ表示装置を形成するものである。
【００４２】
このＥＬ表示装置の１画素の回路図を図１に、１画素の平面図を図２に、１画素中の素
子（図２の点線で囲った部分）の平面図を図３に、図３のＡ−Ａ´間の断面図を図４に示
す。図２中の素子に対応する部分は、素子より上の構成を示したものである。なお、ＥＬ
表示装置の全体図は、これらの各画素をアレイ状に配置したものであり、省略する。
【００４３】
これらの図を用いて本実施例のＥＬ表示装置の構成を説明する。
【００４４】
まず、図１を用いて本実施例のＥＬ表示装置の１画素の回路を説明する。本実施例のＥ
Ｌ表示装置の１画素は、信号線１０１、走査線１０２、走査用ＴＦＴ１０３、蓄積容量１
０４、駆動用ＴＦＴ１０５、有機ＥＬ部１０６及び電源線１０７を有する。なお、図１中
のコンタクト部１０８は、図２、図３中におけるコンタクト部の位置を示すものである。
【００４５】
走査用ＴＦＴ１０３のゲートは走査線１０２に接続し、ソース又はドレインの一方は信
号線１０１に、他方は蓄積容量１０４及び駆動用ＴＦＴ１０５のゲートに接続する。蓄積
容量１０４の反対側は電源線１０７に接続する。また、駆動用ＴＦＴ１０５のソースまた
はドレインの一方は電源線１０７に接続し、他方は有機ＥＬ部１０６に接続する。
【００４６】
この画素において有機ＥＬ部１０６の発光を行う場合には、走査線１０２のパルスによ
り、所定のタイミングで走査用ＴＦＴ１０３をＯＮ状態とし、信号線１０１からの画像信
号を走査用ＴＦＴ１０３を介して駆動用ＴＦＴ１０５のゲートに印加する。このゲートと
電源線１０７との間には蓄積容量１０４が介在する。従って、走査線１０２がローレベル
となり信号線１０１と駆動用トランジスタ１０５との間が切り離された後でも電荷が逃げ
ない為に、駆動用トランジスタ１０５に書き込まれた画像信号に従って、電源線１０７か
らの電流が有機ＥＬ部１０６に供給されて、所定の輝度で有機ＥＬ部１０６が発光する。
【００４７】
次に、図２、図３及び図４を用いて図１の回路を実現する構成を説明する。
【００４８】
まず、図３及び図４を用いて画素中の素子３０１を説明する。
【００４９】
転写先基板４０１上に、高さ制御部材４０２とこれに囲まれた接着剤４０３を有する接
着層４０４が設けられている。接着層４０４上には、アンダー層（絶縁層）４０５及びバ
ッファ層４０６が積層されている。
【００５０】
バッファ層４０６上には、所定の位置に走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用ＴＦＴ１０５の
半導体層４０７が設けられ、その上にゲート絶縁膜４０８が全面に設けられている。ゲー
ト絶縁膜４０８上には、走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用ＴＦＴ１０５の半導体層４０７に
対応する領域にゲート電極４０９が設けられている。駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極４
０９は、伸びて蓄積容量１０４の下側の電極を兼ねている。
【００５１】
ゲート電極４０９上には、全面に層間絶縁膜４１０が設けられている。走査用ＴＦＴ１
０３及び駆動用ＴＦＴ１０５の半導体層４０７の、ソース領域及びドレイン領域に対応す
る部分には、ゲート絶縁膜４０８及び層間絶縁膜４１０をパターニングして素子内コンタ
クト部４１３が設けられている。また、走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用ＴＦＴ１０５のゲ
ート電極４０９に対応する部分にも、層間絶縁膜４１０をパターニングして素子内コンタ
クト部４１３が設けられている。
【００５２】
そして、この素子内コンタクト部４１３を介して、走査用ＴＦＴ１０３のソース・ドレ
イン領域の一方と駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極４０９とを接続する素子内配線４１１
ａが設けられている。また、素子内コンタクト部４１３を介して、走査用ＴＦＴ１０３の
ゲート電極４０９と走査線１０２とを接続する素子内配線４１１ｂ、駆動用ＴＦＴ１０５
のソース・ドレイン領域の一方と画素電極２０１とを接続する素子内配線４１１ｃ、駆動
用ＴＦＴ１０５のソース・ドレイン領域の他方と電源線１０７とを接続する素子内配線４
１１ｄ、走査用ＴＦＴ１０３のソース・ドレイン領域の他方と信号線１０１とを接続する
素子内配線４１１ｅが設けられている。これらの配線は後述する。素子内配線４１１ｄは
、蓄積容量１０４の上側の電極を兼ねている。
【００５３】
素子内配線４１１上にはバッファ層４０６より上の素子３０１全てを覆うようにパッシ
ベーション膜４１２が設けられている。各素子内配線４１１の所定の領域に対応するパッ
シベーション膜４１２はパターニングされ、コンタクト部１０８が開口されている。
【００５４】
パッシベーション膜４１２上には、上部だけでなく側部も覆うように保護膜４１４が設
けられている。コンタクト部１０８が設けられた領域は、同様に保護膜４１４もパターニ
ングされ、コンタクト部１０８が開口されている。
【００５５】
次に、図２及び図４を用いて素子３０１の上の領域と、１画素中の素子３０１以外の領
域の説明をする。
【００５６】
素子３０１の保護膜４１４上と、１画素の素子３０１以外の領域には転写先基板４０１
上に直接、転写後絶縁膜４１５が設けられている。素子内配線４１１ｂ、４１１ｃ、４１
１ｄ及び４１１ｅの所定の領域に対応する領域の、転写後絶縁膜４１５には、夫々コンタ
クト部１０８が開口されている。そして、転写後絶縁膜４１５の上には、これらのコンタ
クト部１０８を介して、素子内配線４１１ｂと接続する走査線１０２、素子内配線４１１
ｃと接続する画素電極２０１、素子内配線４１１ｄと接続する電源線１０７、素子内配線
４１１ｅと接続する信号線１０１が設けられている。また、画素電極２０１上には有機Ｅ
Ｌ部１０６が設けられている。有機ＥＬ部１０６は、ホール注入層、発光層及び陰極の順
に積層して構成すれば良い。
【００５７】
次に、上述したような構成の、本実施例のＥＬ表示装置の製造方法を説明する。
【００５８】
本実施例のＥＬ表示装置の製造方法は、まず素子形成基板に図３及び図４に示すような
素子３０１を形成し、中間基板にこれを転写した後、さらに転写先基板に転写し、配線を
形成するものである。
【００５９】
まず、図３及び図４を用いて、素子形成基板に素子３０１を形成する方法を説明する。
【００６０】
素子形成基板（図示せず）としては、無アルカリガラス基板を用い、この上に素子分離
を容易にする為のアンダー層４０５を全面に形成する。アンダー層４０５としては、約１
〜２μｍの厚さのアルミナ（ＡｌＯｘ）、ＴａＯｘやＳｉＮｘ等を用いれば良い。続いて
、アンダー層４０５上に、バッファ層４０６としてＳｉＮｘを約２００ｎｍの膜厚となる
よう全面に成膜する。
【００６１】
バッファ層４０６上にはアモルファスシリコン半導体層４０７を約５０ｎｍの膜厚とな
るようＣＶＤ法により全面に堆積する。このアモルファスシリコン半導体層４０７を急加
熱し、結晶化させることにより、多結晶シリコン膜４０７とする。この多結晶シリコン膜
４０７をフォトリソグラフィで加工して島状とし、走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用ＴＦＴ
１０５の半導体層４０７とする。
【００６２】
次に、ゲート絶縁膜４０８として約１５０ｎｍの厚さとなるようＳｉＯ２膜をＣＶＤ法
で全面に成膜する。ゲート絶縁膜４０８上には、ＭｏＷをスパッタで約４００ｎｍの厚さ
となるよう成膜し、フォトリソグラフィにより加工して、走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用
ＴＦＴ１０５のゲート電極４０９とする。駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極４０９は、蓄
積容量１０４の下側の電極を兼ねる。ゲート電極４０９をマスクとして、不純物をイオン
注入、あるいはイオンシャワーによりドーピングすることにより、走査用ＴＦＴ１０３及
び駆動用ＴＦＴ１０５のソース・ドレイン領域を形成する。ソース・ドレイン領域を形成
する際には、ＬＤＤ領域を形成しても良い。ＬＤＤ領域を形成する際は、レジストでＬＤ
Ｄ領域をカバーするマスクを設けて高ドーズに注入してから、レジストを除去して低ドー
ズで注入すると良い。なお、本実施例では走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用ＴＦＴ１０５の
双方を、ｎ型ＴＦＴで構成可能であるので、ソース・ドレイン領域にリンを約１０２０ｃ
ｍ−３となるようドーピングすれば良いが、ＴＦＴをＣＭＯＳとすることも可能である。
その際には、リン、ホウ素等のｎ型、ｐ型不純物を順次ドーピングし、一方をドーピング
する時には、ドーピングしたくない方のＴＦＴを覆う様にすれば良い。
【００６３】
次に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を約４００ｎｍの厚さとなるよう形成し、層
間絶縁膜４１０とする。走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用ＴＦＴ１０５の半導体層４０７の
、ソース領域及びドレイン領域に対応する部分の、ゲート絶縁膜４０８及び層間絶縁膜４
１０の所定の領域を、フォトリソグラフィによりパターニングして素子内コンタクト部４
１３を形成する。また、走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極４０９
に対応する部分の層間絶縁膜４１０の所定の領域も、フォトリソグラフィによりパターニ
ングして、素子内コンタクト部４１３を形成する。
【００６４】
次に、Ａｌ−Ｚｒ等のＡｌ合金をスパッタで約５００〜８００ｎｍの膜厚となるよう堆
積させ、フォトリソグラフィによりパターニングすることにより、素子内配線４１１ａ、
４１１ｂ、４１１ｃ、４１１ｄ、４１１ｅを形成する。素子内配線４１１は、後にコンタ
クト部１０８で他の電極と接続するので、Ａｌ合金のままの表面であると酸化膜が生成し
、コンタクト抵抗が増加する可能性がある。従って、酸化しにくい、あるいは酸化しても
導電性を持つように、Ａｌ合金の上に、さらにＭｏを積層しても良い。また、素子内配線
４１１の、後にコンタクト部１０８となる領域の耐薬品性を向上させることは好ましい。
その為には、少なくともコンタクト部１０８となる領域を、Ｍｏ、ＷやＴａ等の高融点金
属や、ＰｔやＡｕ等の貴金属、またはＣｕ、Ｎｉ等の金属、合金を用いることが好ましい
。
【００６５】
素子内配線４１１ａ により、素子内コンタクト部４１３を介して走査用ＴＦＴ１０３
のソース・ドレイン領域の一方と駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極４０９とが接続される
。また、素子内コンタクト部４１３を介して、走査用ＴＦＴ１０３のゲート電極４０９と
走査線１０２、駆動用ＴＦＴ１０５のソース・ドレイン領域の一方と画素電極２０１、駆
動用ＴＦＴ１０５のソース・ドレイン領域の他方と電源線１０７、走査用ＴＦＴ１０３の
ソース・ドレイン領域の他方と信号線１０１とが接続される。走査線１０２、画素電極２
０１、電源線１０７及び信号線１０１は素子内配線４１１よりも上に形成される。また、
これらの形成方法は後述する。
【００６６】
次に、素子形成基板上の１つ１つの素子を島状に分離するために、各素子の外周部の層
間絶縁膜４１０、ゲート絶縁膜４０８及びバッファ層４０６をリアクティブドライエッチ
ング（ＲＩＥ）などによりパターニングする。
【００６７】
この１つ１つの素子を覆うように、ＣＶＤ法によりＳｉＮｘを用いてパッシベーション
膜４１２を形成する。パッシベーション膜４１２の、コンタクト部１０８と、各素子３０
１の外周部領域に対応する領域をパターニングする。また、パッシベーション膜４１２で
覆った領域をさらに覆うように、アンダー層４０５と同じＡｌＯｘを用いて保護膜４１４
を形成する。保護膜４１４の、コンタクト部１０８と、各素子３０１の外周部領域に対応
する領域をパターニングする。
【００６８】
本実施例では、水分の透過率の小さいＳｉＮｘを用いてパッシベーション膜４１２を形
成し、さらにＡｌＯｘを用いてアンダー層４０５及び保護膜４１４を形成して全体を覆う
構造としている。このような構造とすることにより、転写プロセスのダメージ低減、応力
緩和による素子の湾曲防止、接着剤を含む素子外部からのコンタミの防止、及び水分に対
する素子信頼性の向上を図っている。
【００６９】
また、保護膜４１４とパッシベーション膜４１２とを同一材料として、保護膜４１４で
パッシベーションを兼ねても良い。その場合は、上記の効果を得る為に、ＡｌＯｘとＳｉ
Ｎｘとの積層膜や、ＡｌＳｉＮｘＯｙ、ＴａＯｘ等を用いることが出来る。
【００７０】
なお、パッシベーション膜４１２と保護膜４１４とをパターニングして開口部１０８を
設ける方法としては、後述する転写先基板に素子を転写する工程の後に、全体に転写後絶
縁膜を形成してから、これらの膜を３層同時にパターニングすることにより行っても良い
。この場合は素子の側面ではパッシベーション膜を覆うように保護膜を形成することは出
来ないが、素子を素子形成基板から取り出すときの工程を工夫することにより影響を小さ
くすることが出来る。
【００７１】
また、パッシベーション膜４１２を形成した後に素子分離せずに保護膜４１４を形成し
、その後に素子分離を行っても良い。その場合は、信頼性を向上させるために、走査用Ｔ
ＦＴ１０３と駆動用ＴＦＴ１０５を、素子分離する際の端から約５〜１０μｍ離すことが
好ましい。素子分離の際、アンダー層４０５は分離しなくても良い。
【００７２】
このように素子形成基板上に形成した素子を、中間基板に転写し、さらに高さ制御部材
とこれに囲まれる接着剤を形成した転写先基板に転写する工程は、上述した方法により行
えばよく、説明を省略する。
【００７３】
次に、図４に示すように、素子３０１を転写した転写先基板４０１上に、全面に感光性
アクリル樹脂を用いて転写後絶縁膜４１５を形成する。素子３０１のコンタクト部１０８
に対応する領域の転写後絶縁膜４１５は、パターニングして開口する。
【００７４】
次に、図２に示すようにＡｌやＩＴＯ等をスパッタ法等により全面に形成し、フォトリ
ソグラフィ等を用いてパターニングして、信号線１０１、走査線１０２、電源線１０７及
び画素電極２０１を形成する。
【００７５】
この後、図２に示すように画素電極２０１上に有機ＥＬ部１０６を設け、カバー用基板
と貼り合わせ、封止して配線を行うことにより（図示せず）ＥＬ表示装置を完成すること
ができる。
【００７６】
また、対向基板に透明電極等を形成して素子を形成した転写先基板と対向させ、液晶を
注入して封止し、配線を行うことにより、液晶表示装置とすることも出来る。
【００７７】
本実施例では、このような素子を、高さ制御部材及び接着剤を形成した転写先基板に転
写することにより、高さの制御された素子を有するＥＬ表示装置を形成することが出来る
。素子の高さ制御がなされていることから、配線を行う際に、配線と素子とが持つ容量な
どにばらつきがなく、高い表示品位を保つことが出来る。
【００７８】
また、本実施例では、図２に示すように、１画素の大きさを約４０μｍ×約１２０μｍ
、１素子の大きさを約４０μｍ×約２５μｍとしていることから、素子の大きさは、１画
素中の約１／５である。また素子は製造プロセスが多いが、これを別の素子形成基板で高
密度に形成して転写する。従って、素子形成基板と転写先基板の大きさを同じとすると、
１枚の素子形成基板には、転写先基板４枚以上の素子を形成することが出来る。製造プロ
セスの多い素子を一度に多数形成できることは、コストの低減を可能とするため好ましい
。
【００７９】
さらに、本実施例では、各素子は各素子毎に分離されたアンダー層上に設けられている
。アンダー層は、素子の下層膜の歪みを緩和する為、信頼性が向上する。歪みの緩和は、
素子特性の変化を防ぎ、また剥がれ不良なども防ぐことから転写時の接着信頼性の向上に
効果がある。
【００８０】
また、本実施例では、接着層の高さ制御部材として、感光性アクリル樹脂を用いたが、
高さ制御部材は接着層の高さを保つことのできる固体であれば良く、これに限定されるも
のではない。例えば、ポリイミド、ＢＣＢ、フッ素系樹脂等の感光性樹脂、或いは、ＰＥ
Ｔ、ＰＥＳ、ＰＥＮ等の基板として用いられる材料や基板自体のエンボス加工や射出成型
等による加工体として形成する材料等の非感光性の樹脂、塗布型のスピンオングラスによ
り、またはポリシラザンから焼成したＳｉＯｘ膜、ＣＶＤ成膜したＳｉＯｘやＳｉＮｘ、
リンガラス等の無機系絶縁膜等も、接着層の高さを制御することが出来る為、好ましい。
【００８１】
また、本実施例では、接着層の接着剤として、紫外線硬化接着剤を用いたが、接着剤は
アクティブマトリクス基板を完成するときに、素子と接着する材料であれば良く、これに
限定されるものではない。例えば、熱硬化型接着剤、熱可塑性接着剤、弾性接着剤、アロ
イ接着剤等の接着剤等も素子と良好に接着するために、好ましい。これらの接着剤の材料
としては、例えば、一液性、二液性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリイ
ミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリベンツイミダゾール樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹
脂、レゾルシノール樹脂、セルロースアセテート、ニトロセルロース、ポリ酢酸ビニル、
ポリ塩化ビニリデン、ポリアミド、シアノアクリレート、ポリウレタンゴム、シリコーン
ゴム、アクリルエマルジョン等がある。これらの接着剤は、形成時に液体であって後に硬
化させるものであっても良い。そして、所定量をノズルから滴下する方法で形成しても良
い。滴下にはメカニカルポンプあるいは圧電素子によりディスペンスしたり、空中を液滴
が飛行するように打ち込んでも良い。また、接着剤形成時から固体として、小片に切り出
したものを機械的に置いたり、静電力で吸引して置く等の方法で形成しても良い。接着剤
は高さの制御を行うものではないので、可塑性や弾性を有する固体であっても良い。
【００８２】
また、本実施例では転写先基板としてガラス基板を用いたが、プラスチック基板、樹脂
フィルム、セラミックス基板、金属薄板基板などを用いることも出来る。従来、プラスチ
ック基板や樹脂フィルム等は、軽量ではあるが、熱変形や熱膨張率の大きさから、高精細
なアクティブマトリクス基板として精密に形成することが出来なかった。しかしながら本
実施例では、熱工程を含む素子形成は素子形成基板上で行い、これを転写するものである
為、転写先基板の材質を問わず、軽量な基板を選択することも可能となるのである。
【００８３】
次に、図１７に本実施例の中間基板から転写先基板への転写工程の変形例を示す。第１
の実施例と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００８４】
本変形例では、図１７に示すように、中間基板６０１上に中間基板上マスク１７０１を
さらに設ける。中間基板６０１が厚い場合、ガラスマスク１２０１のみを介して光を照射
すると、選択しない素子３０１にも光が照射されてしまうことがある。しかしながら、こ
のように中間基板上マスク１７０１を設けることにより、光の照射領域の境界を明確にし
て、転写する素子３０１の選択性を向上させることが出来る。本変形例の場合には、光変
換体を設けなくても選択性が向上する。従って、これは紫外光により接着力が低下する接
着・剥離層６０３を用いる場合に、光変換体として適当な材料がない場合などに、特に有
効である。転写する素子３０１の大きさが約２０〜４０μｍと小さい場合も、空間精度良
く接着・剥離層６０３の剥離を行うことが出来る為有効である。本変形例においても、接
着層４０４が、接着剤４０３と高さ制御部材４０２により選択的に１つの素子３０１のみ
を接着するために、素子３０１と接着層４０４の接着及び接着・剥離層６０３との剥離を
行い、総合的な選択性を確保できるのである。
【００８５】
なお、ガラスマスク１２０１、または中間基板上マスク１７０１を設けずに、照射する
光をレーザ等として、転写したい素子３０１のみに選択的にビーム光を照射しても良い。
【実施例２】
【００８６】
次に、本発明の実施例２について説明する。本実施例は、転写先基板に形成する接着層
の形状が第１の実施例と異なる。本実施例では、接着層以外は第１の実施例と同様に行え
ばよく、接着層以外の説明を省略する。
【００８７】
本実施例のアクティブマトリクス基板の１つの素子を示す断面図を図１８（ａ）に、１
つの素子に対応する接着層の平面図を図１８（ｂ）に示す。本実施例は、図１８（ｂ）に
示すように、接着層４０４の高さ制御部材４０２の内周の形状を円としている他は、実施
例１と同様の構成である。図１８（ｂ）の破線は素子３０１の外周を示す。
【００８８】
本実施例では、このように高さ制御部材４０２の内周の形状を曲率を持たせた曲面とす
ることにより、素子３０１を接着層４０４に押し付けた際の、広がった接着剤４０３と高
さ制御部材４０２との隙間を小さくすることが出来る。接着剤４０３として、粘性の高い
液体状の接着剤を用いる場合には、素子３０１によって押し付けられた形状が曲面を有す
るであろう事から、特に高い効果を得ることが出来る。図１８に示すように、高さ制御部
材４０２の外周が正方形に近い形状である場合は、高さ制御部材４０２の内周の形状を円
形とすることが好ましい。高さ制御部材４０２の内周の形状は、高さ制御部材４０２の外
周の形状に対応した曲率を持った曲面とすれば同様な効果を得ることが出来る。高さ制御
部材４０２の内周の曲率半径は、接着剤４０３の材料の粘度等にも依存するが、高さ制御
部材４０２の一辺の長さの、１／５〜１／２程度とすれば良い。高さ制御部材４０２の材
料、形成方法などは実施例１と同様とすれば良い。
【実施例３】
【００８９】
次に、本発明の第３の実施例について説明する。本実施例は、転写先基板に形成する接
着層の形状が第１の実施例と異なる。本実施例では、接着層以外は第１の実施例と同様に
行えばよく、接着層以外の説明を省略する。
【００９０】
本実施例のアクティブマトリクス基板の１つの素子を示す断面図を図１９（ａ）に、１
つの素子に対応する接着層の平面図を図１９（ｂ）に、１つの素子の平面図を図１９（ｃ
）に示す。本実施例は、図１９（ｂ）に示すように、接着層４０４の高さ制御部材４０２
が切り込み（切れ目）１９０１を持って接着剤４０３を囲むように設けられる他は、第１
の実施例と同様の構成である。図１９（ｂ）の破線は素子３０１の外周を示す。
【００９１】
本実施例では、このように高さ制御部材４０２が切り込み１９０１を持って接着剤４０
３を囲むように設けられることにより、接着剤４０３の量が多少多くても、余分な接着剤
４０３が切り込み１９０１を通って高さ制御部材４０２の外に出る。接着剤４０３の量を
厳密に制御しなくても、接着層４０４の高さ、広がりの大きさを制御できる為、好ましい
。また、この切り込み１９０１の形状を、高さ制御部材４０２の内周に近い部分では狭く
、外周に近い部分では広い構造とすることにより、切り込み１９０１から出た接着剤の高
さを、高さ制御部材４０２の高さよりも低くし、隣接する素子への接着を防止することが
出来る。さらに、切り込み１９０１の位置を、図１９（ｃ）に示すような素子３０１のコ
ンタクト部１０８に対応する位置とは別の場所に設けることにより、接着剤４０３が切り
込み１９０１から出て素子３０１の上にかぶることがあっても、コンタクト不良の発生を
低減することが出来る。
【実施例４】
【００９２】
次に、本発明の第４の実施例について説明する。本実施例は、転写先基板に形成する接
着層の形状が第１の実施例と異なる。本実施例では、接着層以外は第１の実施例と同様に
行えばよく、接着層以外の説明を省略する。
【００９３】
本実施例のアクティブマトリクス基板の１つの素子を示す断面図を図２０（ａ）に、１
つの素子に対応する接着層の平面図を図２０（ｂ）に示す。図２０（ｂ）の破線で示す領
域が、素子３０１に対応する位置である。本実施例は、図２０（ｂ）に示すように、素子
３０１が、接着層４０４の高さ制御部材４０２の内周よりも内側に設けられる他は、第１
の実施例と同様の構成である。
【００９４】
本実施例において、中間基板から転写先基板に素子３０１を転写する際には、素子３０
１の周囲の接着・剥離層が高さ制御部材４０２に接触し、それ以上押し付けられるのを防
ぐ為、第１の実施例と同様に接着層４０４の高さを一定とし、転写先基板面と素子とを略
平行となるよう転写することが出来る。また、高さが制御できることから、接着剤４０３
の広がりを防ぐ事も出来る。本実施例では、素子３０１を高さ制御部材４０２の内周より
も内側に設けることにより、素子３０１と接着剤４０３の接触面積を広く出来、接着力が
増すので好ましい。
【実施例５】
【００９５】
次に、本発明の第５の実施例について説明する。本実施例は、転写先基板に形成する接
着層の形状が第１の実施例と異なる。本実施例では、接着層以外は第１の実施例と同様に
行えばよく、接着層以外の説明を省略する。
【００９６】
本実施例のアクティブマトリクス基板の１つの素子を示す断面図を図２１（ａ）に、１
つの素子に対応する接着層の平面図を図２１（ｂ）に示す。本実施形態は、図２１（ｂ）
に示すように、接着層４０４の高さ制御部材４０２が接着剤４０３を囲むように設けられ
るだけでなく、素子３０１領域の下にも第２の高さ制御部材２１０１が設けられる他は、
第１の実施例と同様の構成である。
【００９７】
本実施例においては、第２の高さ制御部材２１０１はＪＳＲ社製のＨＲＣ等の感光性ア
クリル樹脂やエポキシ樹脂、ノボラック樹脂等を用いてフォトリソグラフィ等によって形
成すればよい。また、高さ制御部材４０２と第２の高さ制御部材２１０１とを同時に形成
しても良い。例えば、感光性アクリル樹脂を全面に形成し、高さ制御部材４０２と第２の
高さ制御部材２１０１の形状に対応したフォトマスクで露光し現像すれば、同一の高さの
２つの高さ制御部材を実現することが出来る。本実施例では、素子３０１に対応する領域
の下にも第２の高さ制御部材２１０１を設けることにより、素子３０１の高さ制御をより
確実に行うことが出来る。特に、第４の実施例のように、高さ制御部材の内周よりも素子
の大きさを小さくする場合には効果的である。素子３０１領域の下に設けられる第２の高
さ制御部材２１０１の面積は、素子３０１の面積の約０．１〜０．８倍であることが望ま
しい。素子３０１の変形に対する強度が弱い場合には、素子３０１へのダメージを低減す
る為に、第２の高さ制御部材２１０１の面積は大きい方が好ましい。特に、一度に転写す
る面積が大きく、中間基板６０１と転写先基板４０１とを押し付ける圧力が場所によりば
らつく場合には、上記の面積は約０．５倍以上であった方が、素子３０１へのダメージを
低減するために好ましい。
【実施例６】
【００９８】
次に、本発明の第６の実施例について説明する。本実施例は、転写先基板に形成する接
着層の形状が第１の実施例と異なる。本実施例では、接着層以外は第１の実施例と同様に
行えばよく、接着層以外の説明を省略する。
【００９９】
本実施例のアクティブマトリクス基板の１つの素子を示す断面図を図２２（ａ）に、１
つの素子に対応する接着層の平面図を図２２（ｂ）に示す。本実施形態は、図２２（ｂ）
に示すように、接着層４０４の高さ制御部材４０２は接着剤４０３を囲むようには設けら
れずに、高さ制御部材４０２の周囲を接着剤４０３が囲む他は、第１の実施例と同様の構
成である。
【０１００】
本実施例においては、高さ制御部材４０２は、パターニングの際に、小さな高さ制御部
材４０２を複数形成すればよく、また接着部４０３は、形成時に形状を保つことが出来る
材料を用いて、印刷などによって所定の形状に形成すればよい。接着剤４０３の形状は、
素子３０１の形状に近いものが好ましい。本実施形態では、高さ制御部材４０２は接着剤
４０３を囲むようには設けないが、高さ制御部材４０２があることにより、他の実施例と
同様に、素子３０１を押し付けても高さが一定となる。また接着剤４０３自身が形状を保
ち、また素子３０１が押し付けられるのを高さ制御部材４０２が抑制する為に、接着剤４
０３の広がりを抑えることも出来る。印刷等により形成可能で、接着剤４０３自身が形状
を保つ材料としては、印刷インクとして増粘剤等を配合した液晶メインシール用接着剤や
、紫外線硬化型エポキシ樹脂、熱硬化型エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を用いる事も出来
る。
【実施例７】
【０１０１】
次に、本発明の第７の実施例について説明する。本実施例は、転写先基板に形成する接
着層の形状が第１の実施例と異なる。本実施例では、接着層以外は第１の実施例と同様に
行えばよく、接着層以外の説明を省略する。
【０１０２】
本実施例のアクティブマトリクス基板の１つの素子を示す断面図を図２３（ａ）に、１
つの素子に対応する接着層の平面図を図２３（ｂ）に示す。本実施形態は、図２３（ｂ）
に示すように、接着層４０４の高さ制御部材４０２は接着剤４０３を囲むようには設けら
れずに、高さ制御部材４０２が接着剤４０３に分散されたものである他は、第１の実施例
と同様の構成である。
【０１０３】
本実施例においては、接着層４０４は、高さ制御部材４０２を接着剤４０３に分散させ
て、印刷などにより形成すればよい。高さ制御部材４０２は、シリカ、ＳｉＮｘ、ポリエ
ステル、ポリエチレン、アクリル樹脂等を用いて、柱状、球状、ファイバー、ビーズなど
の形状として、接着剤４０３に分散すれば良い。本実施例においても、高さ制御部材４０
２があることにより、他の実施例と同様に、素子３０１を押し付けても高さが一定となり
、かつ接着剤４０３の広がりを抑えることも出来る。また、本実施例では、高さ制御部材
４０２を形成する工程がない為に、アクティブマトリクス基板の製造工程を減少させる効
果もある。
【実施例８】
【０１０４】
次に、本発明の実施例８について説明する。本実施例は、転写先基板に形成する接着層
の形状が第１の実施例と異なる。本実施例では、接着層以外は第１の実施例と同様に行え
ばよく、接着層以外の説明を省略する。
【０１０５】
本実施例のアクティブマトリクス基板の１つの素子を示す断面図を図２４（ａ）に、１
つの素子に対応する接着層の平面図を図２４（ｂ）に示す。本実施形態は、図２４（ｂ）
に示すように、接着層４０４の高さ制御部材４０２は接着剤４０３を囲むだけでなく、接
着剤４０３の上部も一部覆っている他は、第１の実施形態と同様の構成である。図２４（
ｂ）の破線は素子３０１の外周を示す。
【０１０６】
本実施例においては、接着剤４０３をまず印刷などによって形成する。そして、前もっ
てプラスチックなどで成形した高さ制御部材４０２を、転写先基板４０１に接合すること
により、実現できる。その後は、他の実施例と同様にして、素子３０１を押し付けること
により、高さ制御部材４０２の上面から出た接着剤４０３と素子３０１が接着する。本実
施例によっても、他の実施例と同様に、素子３０１を押し付けても高さが一定となり、か
つ接着剤４０３の広がりを抑えることも出来る。また、本実施例では、接着剤４０３の側
部及び上部の一部が高さ制御部材４０２により覆われているので、接着剤のマージンを大
幅に広げることが出来、素子３０１接着の際の歩留まり向上にも効果がある。
【０１０７】
また、これらの各種実施例を組み合わせることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の１画素を示す回路図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の１画素を示す平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の１画素の素子を示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ´間を示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）とも本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す平面図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す平面図である。
【図１４】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１５】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１６】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１７】本発明の第１の実施形態の変形例に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１８】（ａ）、（ｂ）とも本発明の第２の実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図１９】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）とも本発明の第３の実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）、（ｃ）は平面図である。
【図２０】（ａ）、（ｂ）とも本発明の第４の実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２１】（ａ）、（ｂ）とも本発明の第５の実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２２】（ａ）、（ｂ）とも本発明の第６の実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２３】（ａ）、（ｂ）とも本発明の第７の実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２４】（ａ）、（ｂ）とも本発明の第８の実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２５】従来のアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１０１，２５０２…信号線
１０２，２５０３…走査線
１０３…走査用ＴＦＴ
１０４…蓄積容量
１０５…駆動用ＴＦＴ
１０６…有機ＥＬ部
１０７…電源線
１０８…コンタクト部
２０１…画素電極
３０１…素子
４０１，２５０１…転写先基板
４０２…高さ制御部材
４０３…接着剤
４０４，２５０６…接着層
４０５，２５１１…アンダー層
４０６…バッファ層
４０７…半導体層
４０８…ゲート絶縁膜
４０９…ゲート電極
４１０，２５０４…層間絶縁膜
４１１ａ，４１１ｂ，４１１ｃ，４１１ｄ，４１１ｅ…素子内配線
４１２…パッシベーション膜
４１３…素子内コンタクト部
４１４，２５０９…保護膜
５０１…素子形成基板
６０１，２５０７…中間基板
６０２，６０４…光変換体
６０３，２５０８…接着・剥離層
１２０１…ガラスマスク
１７０１…中間基板上マスク
１９０１…切り込み
２１０１…第２の高さ制御部材
２５０５…平坦化膜
２５１０…ＴＦＴ
２５１２…遮光マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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