(57)【要約】【課題】  複数の配線間の電気的短絡や配線の腐食を防止することのできる電気光学装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の電気光学装置１００は、シール材１６２を介して対向配置された一対の基板１２０，１４０と、一対の基板及びシール材に囲まれた空間内に保持された電気光学材料１６７とを有する電気光学装置において、一対の基板の少なくともいずれか一方の基板１２０の内面上に形成され、シール材１６２を横切って延在する複数の配線１２２と、シール材１６２と配線１２２との間に配置された絶縁層１２６とを有することを特徴とする。【選択図】          図２
2005242161.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シール材を介して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板及び前記シール材に囲まれた空間内に保持された電気光学材料とを有する電気光学装置において、
前記一対の基板の少なくともいずれか一方の基板の内面上に形成され、前記シール材を横切って延在する複数の配線と、
前記シール材と前記配線との間に配置された絶縁層と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記一方の基板の内面上において前記一対の基板の間隔を規制するように形成され、絶縁材料で構成された支持突起を有し、
前記絶縁層は、前記支持突起と同じ絶縁材料で構成されてなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記シール材は多数の導電性粒子を混入してなる導電異方性シール材であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記絶縁層は、前記シール材の配置領域から外側に張り出すように形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記絶縁層は、隣接する複数の前記配線を一体に被覆していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記絶縁層は、前記複数の配線のうち互いに隣り合う一方を被覆していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置と、該電気光学装置を制御する制御手段とを有することを特徴とする電子機器。
【請求項８】
シール材を介して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板及び前記シール材に囲まれた空間内に保持された電気光学材料とを有する電気光学装置の製造方法において、
前記一対の基板の少なくともいずれか一方の基板の内面上に複数の配線を形成する工程と、
前記配線の一部を絶縁層で被覆する工程と、
前記絶縁層上に前記シール材を配置する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
シール材を介して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板及び前記シール材に囲まれた空間内に保持された電気光学材料とを有する電気光学装置の製造方法において、
前記一対の基板の少なくともいずれか一方の基板の内面上に複数の配線を形成する工程と、
前記一方の基板の内面上に絶縁材料で構成された支持突起と、前記配線の一部を被覆する絶縁層とを同時に形成する工程と、
前記絶縁層上に前記シール材を配置する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記シール材は多数の導電性粒子を混入してなる導電異方性シール材であることを特徴とする請求項８又は９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記シール材を配置する工程では、前記絶縁層の外縁が前記シール材の配置領域の外側に位置するように前記シール材が配置されることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器、及び、電気光学装置の製造方法に係り、特に、フォトリソグラフィ処理等といったパターン形成法を用いて形成される複数の支持突起（柱状スペーサ）を有する電気光学装置及びその製造方法に適用する場合に好適な構造及び製造工程に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の１種類である従来の液晶表示装置は、一対の基板をシール材で貼り合わせ、これらの一対の基板及びシール材の内側に液晶を封入してなるパネル構造を有する。このパネル構造においては、一対の基板の内面上にそれぞれ複数の電極が配列形成され、これらの電極が液晶を介して対向配置されることにより画素領域が構成される。複数の電極にはそれぞれ配線が導電接続され、これらの配線はシール材の配置領域を通過してシール材の外側に引き出される。
【０００３】
ここで、上記のシール材としては一般に有機樹脂製の絶縁素材からなるものが使用される。このシール材には多数の樹脂製のスペーサが混入され、一対の基板を貼り合せたときにそれらのスペーサによって基板間隔が規制されるようになっている。ただし、上記のパネル構造を構成する一対の基板のうち一方の基板上にのみ入力端子を設ける場合には、他方の基板上に形成された配線を一方の基板上に形成された配線に導電接続させなければならないことから、その導電接続部、すなわち上下導通部をシール材で構成するために、内部に多数の導電性粒子が分散配置されてなる導電異方性シール材料が用いられる。この場合には、導電性粒子が導通材料として機能するとともに上記のスペーサの機能をも果たすことになる。
【０００４】
また、一般的には、一対の基板間におけるシール材の内側に、絶縁材料で構成されたスペーサをランダムに分散配置させることにより基板間隔を規制するようにしているが、このスペーサは画素内に配置されることがあるため、スペーサが液晶分子の配向を乱すなどの理由により表示品位が低下する場合がある。そこで、これを防止するために、少なくとも一方の基板の内面上の画素間領域に絶縁材料からなる多数の支持突起（柱状スペーサ）を形成し、これらの支持突起を他方の基板に当接させることによって基板間隔を規制するようにしたものが考案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−２９６５２９
【特許文献２】特開２００１−２９６５３０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年の液晶表示装置では、表示の高精細化が要求されるために画素数が増加し、これに伴って配線の本数が増加し、しかも、装置の大型化を防止するために配線間隔も小さくなってきている。このため、配線間に水やゴミが付着することによって生ずる、隣接する配線間の電気的短絡や電蝕その他の腐食による断線が生じる恐れが高くなっている。
【０００６】
特に、多数の導電性粒子を含む導電異方性シール材を用いる場合には、上記のように配線間隔が小さくなってきていることにより、配線がシール材に交差する部分において導電性粒子により隣接する配線間に電気的短絡が生ずる恐れがある。これを防止するには配線が通過する部分に絶縁性のシール材を用いればよいが、この場合には、導電異方性シール材と絶縁性のシール材の双方をそれぞれ配置しなければならないので、工程数が増加するとともに両シール材を整合させるための位置決め作業が難しいと言う問題がある。
【０００７】
また、シール材の外側に隣接する領域上には一対の基板に挟まれた狭い空間があるので、この空間に水やゴミが侵入すると除去しにくいことから、当該領域やシール材と重なる部分において配線が腐食する可能性がきわめて高い。例えば、シール材の外側の基板表面上に設けられる入力端子や基板表面に実装される半導体チップなどが配置される部分は製造工程の後半においてシリコーン樹脂などの封止樹脂により封止されるが、封止樹脂は上記シール材の外側に隣接する上記の狭い空間内には入り込みにくいため、シール材の近傍において充分な封止状態を得ることが困難であり、また、当該封止樹脂は材料特性上水分を充分に遮断することができないこともあって、当該部分の配線の腐食を防止することは難しい。しかも、封止工程前にシール材の外側に隣接する領域に付着した水やゴミに起因する当該領域及びシール材と重なる領域の配線腐食は上記の封止樹脂では防止できない。
【０００８】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、複数の配線間の電気的短絡や配線の腐食を防止することのできる電気光学装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記問題点を解決するために、本発明の電気光学装置は、シール材を介して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板及び前記シール材に囲まれた空間内に保持された電気光学材料とを有する電気光学装置において、前記一対の基板の少なくともいずれか一方の基板の内面上に形成され、前記シール材を横切って延在する複数の配線と、前記シール材と前記配線との間に配置された絶縁層と、を有することを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、複数の配線のうちシール材を横切る部分が絶縁層によって被覆されているので、シール材の外側から配線の上記部分に水やゴミなどが付着することを防止でき、配線の電気的短絡や配線の腐食を低減することができる。
【００１１】
ここで、前記絶縁層を構成する素材としては、例えば、合成樹脂、プラスチック、ガラス、セラミックスなどが挙げられる。また、前記配線は、前記シール材の内側から外側まで延在するものであり、例えば、電気光学材料を駆動させるための駆動信号を供給する配線である。また、電気光学材料としては、例えば、液晶、有機エレクトロルミネッセンス発光材料、及び無機エレクトロルミネッセンス発光材料などが挙げられる。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置は、シール材を介して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板及び前記シール材に囲まれた空間内に保持された電気光学材料とを有する電気光学装置において、前記一対の基板の少なくともいずれか一方の基板の内面上に形成され、前記シール材を横切って延在する複数の配線と、前記一方の基板の内面上において前記一対の基板の間隔を規制するように形成され、絶縁材料で構成された支持突起と、前記シール材と前記配線との間に配置され、前記支持突起と同じ絶縁材料で構成された絶縁層と、を有することを特徴とする。
【００１３】
この発明によれば、上記と同じ効果を得ることができるとともに、支持突起を構成する絶縁材料と同じ絶縁材料でシール材と配線との間に配置された絶縁層が構成されていることにより、支持突起と絶縁層とを同一工程にて形成することができるため、工程数を増加させる必要がなくなり、容易且つ低コストで製造できる。
【００１４】
本発明において、前記シール材は多数の導電性粒子を混入してなる導電異方性シール材であることが好ましい。これによれば、シール材と配線との間に配置された絶縁層により、隣接する配線間が導電異方性シール材の導電性粒子によって電気的に短絡する恐れを低減することができる。
【００１５】
本発明において、前記絶縁層は、前記シール材の配置領域から外側に張り出すように形成されていることが好ましい。これによれば、前記シール材と配線とが重なる領域だけでなく、シール材の外側に隣接する領域まで絶縁層が形成されていることにより、シール材から外側に引き出された部分において配線に対する水やゴミの付着を防止することができるので、ゴミを介在物とする隣接する配線間の電気的短絡、或いは、電蝕などによる配線の腐食若しくは当該腐食による断線などを防止することができる。
【００１６】
本発明において、前記絶縁層は、隣接する複数の前記配線を一体に被覆していることが好ましい。これによれば、絶縁層が複数の配線を一体に被覆していることにより、配線間隔が狭くなっても絶縁層のパターニング性に影響を及ぼすことがないので、電気光学装置の高精細化に影響を受けずに容易且つ確実に絶縁層を形成することができ、しかも、一体に構成されていることにより絶縁層の外縁長さが短くなるので、外縁からの水などの浸入が低減されることから、配線の電気的短絡や腐食をより確実に防止できる。
【００１７】
本発明において、前記絶縁層は、前記複数の配線のうち互いに隣り合う一方を被覆していることが好ましい。これによれば、隣接する配線のうちの一方が絶縁層で被覆されているため、隣接する配線間の電気的短絡を防止することができる。また、隣り合う一方の配線にのみ絶縁層を形成することで、シール材と重なる領域における絶縁層の形成面積の割合を低下させることができるので、絶縁層上に重なるシール材中にスペーサや導電性粒子などの規制部材が混入されていても、絶縁層の厚さに起因する基板間隔の増加量を低減することができる。
【００１８】
次に、本発明の電子機器は、上記のいずれかに記載の電気光学装置と、該電気光学装置を制御する制御手段とを有することを特徴とする。この電子機器において、電気光学装置は、例えば電子機器に関する種々の表示を行う際に用いられる。これによれば、配線間の電気的短絡及び配線の腐食を防止することができるので、電子機器の電気的信頼性を高めることができる。このような電子機器としては、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、デジタルスチルカメラ、腕時計型情報機器、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末器等が考えられる。
【００１９】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、シール材を介して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板及び前記シール材に囲まれた空間内に保持された電気光学材料とを有する電気光学装置の製造方法において、前記一対の基板の少なくともいずれか一方の基板の内面上に複数の配線を形成する工程と、前記配線の一部を絶縁層で被覆する工程と、前記絶縁層上に前記シール材を配置する工程と、を有することを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、シール材を介して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板及び前記シール材に囲まれた空間内に保持された電気光学材料とを有する電気光学装置の製造方法において、前記一対の基板の少なくともいずれか一方の基板の内面上に複数の配線を形成する工程と、前記一方の基板の内面上に絶縁材料で構成された支持突起と、前記配線の一部を被覆する絶縁層とを同時に形成する工程と、前記絶縁層上に前記シール材を配置する工程と、を有することを特徴とする。
【００２１】
ここで、支持突起は、前記一対の基板の間隔を規制するためのものであり、例えば、感光性樹脂を塗布して露光・現像を行うフォトリソグラフィ法など、絶縁材料の配置段階とパターニング段階とを有する工程によって形成することができる。この場合、支持突起と絶縁層とは、パターニングによって同じ絶縁材料で同時に形成される。一般に、支持突起は一対の基板の間隔を規制するためのものであるため、充分な高さ（例えば１〜１０μｍ程度）を有するものとする必要があるが、シール材の配置領域に形成される絶縁層は、シール材により規制される基板間隔を増加させないために、支持突起よりも薄く（例えば０．１〜２μｍ）形成することが好ましい。これを実現する方法としては、例えば、ハーフトーンマスクなどを用いることにより支持突起に対する露光量と絶縁層に対する露光量とを異ならしめる方法が挙げられる。
【００２２】
本発明において、前記シール材は多数の導電性粒子を混入してなる導電異方性シール材であることが好ましい。これによれば、導電異方性シール材による隣接配線間の電気的短絡を絶縁層によって防止することができる。
【００２３】
本発明において、前記シール材を配置する工程では、前記絶縁層の外縁が前記シール材の配置領域の外側に位置するように前記シール材が配置されることが好ましい。これによれば、絶縁層がシール材の外側に張り出すように構成されるので、シール材の外側に隣接する領域における配線間の電気的短絡や配線の腐食を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
次に、添付図面を参照して本発明に係る電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法の実施形態について詳細に説明する。
【００２５】
[第１実施形態]
図１は本発明に係る第１実施形態の液晶表示装置１００のパネル構造を模式的に示す概略平面図である。図２は図１のII−II線に沿って切断した状態を模式的に示す概略断面図である。図３は図１のIII−III線に沿って切断した状態を模式的に示す概略断面図である。なお、本明細書に添付された図面において、作図の都合上、各構造部の大きさ、配線幅、厚さなどはあくまでも模式的に描いてあるものであって、実際の寸法を反映していたり、実際の寸法比を示したりしているものではない。
【００２６】
この液晶表示装置１００は、素子基板１２０と、対向基板１４０とをシール材１６２を介して貼り合わせることによって形成され、その内側に液晶１６７（図２参照）を封入したものである。また、素子基板１２０は対向基板１４０の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部１２０ａを有し、この基板張出部１２０ａ上に半導体チップ１７２、１７４、１７６が実装されている。これら半導体チップ１７２、１７４、１７６は基板張出部１２０ａの端部に形成された入力端子１２９に導電接続されている。また、素子基板１２０と対向基板１４０のそれぞれの外面上には、偏光板１３１、１３３及び１／４波長板１３２、１３４がそれぞれ貼着されている。
【００２７】
素子基板１２０の内面（対向基板１４０に対向する側の面）には複数の配線１２２が形成されている。そして、この配線１２２に沿って配列される画素毎に、配線１２２に導電接続されるＴＦＤ素子１２３及びＴＦＤ素子１２３に導電接続される画素電極１２４が設けられている。複数の配線１２２は画素が配列されてなる駆動領域Ａ内を相互に平行に伸び、駆動領域Ａからその周囲に設けられた周辺領域Ｂに引き出され、さらにシール材１６２の配置領域を越えてその外側に伸びている。これらの配線１２２は、基板張出部１２０ａ上において半導体チップ１７２の図示しない端子にそれぞれ導電接続されている。
【００２８】
一方、対向基板１４０の内面（素子基板１２０に対向する面）には、上記駆動領域Ａ内において上記配線１２２と交差する方向に伸びる複数の電極１４４が形成されている。この電極１４４は駆動領域Ａからその両側の周辺領域Ｂに延在して配線１４４ａとなり、この配線１４４ａはシール材１６２の配置領域まで伸びている。
【００２９】
シール材１６２は図２及び図３に示す多数の導電性粒子１６３を混入してなる導電異方性シール材である。この導電性粒子１６３は、シール材１６２を介して素子基板１２０と対向基板１４０とを貼り合わせたとき、シール材の厚さ方向には導電性を有するが、平面方向には導電性を有しないものとなっている。また、この導電性粒子１６３は、シール材１６２の内部において基板間隔を規制するスペーサとしての機能をも有している。
【００３０】
上記の複数の配線１４４ａはシール材１６２を介して素子基板１２０上に設けられた複数の配線１２４ａのそれぞれに導電接続されている。すなわち、この実施形態では、シール材１６２のうち配線１４４ａが伸びる先にある両側の部分（直線状部分）が、対向基板１４０上の配線１４４ａを素子基板１２０上の配線１２４ａに導電接続させる上下導通部となっている。素子基板１２０上の複数の配線１２４ａは、シール材１６２の配置領域を通過して基板張出部１２０ａに引き出され、上記半導体チップ１７４，１７６の各端子にそれぞれ導電接続されている。
【００３１】
図４は図１の表示パネルに用いられるＴＦＤ素子１２３の構造を拡大して示す拡大斜視図である。ＴＦＤ素子１２３は第１ＴＦＤ要素１２３ａと第２ＴＦＤ要素１２３ｂとを直列に接続することによって形成されている。このＴＦＤ素子１２３は、例えば、次のように形成される。まず、基板１２０上にはＴａ２Ｏ５等で構成された密着性改善及び汚染防止用の下地層１２０ａが形成される。次に、この下地層１２０ａの上に、スパッタリング法やフォトリソグラフィ技術等を用いて、金属Ｔａ（タルタル）等によって構成される配線１２２の第１金属層１２２Ａ及びＴＦＤ素子１２３の第１金属層１２３Ａを形成する。次に、これら第１金属層１２２Ａ、１２３Ａの表面を陽極酸化処理等よって酸化して、Ｔａ２Ｏ５等で構成される配線１２２の絶縁膜１２３Ｂ及びＴＦＤ素子１２３の絶縁膜１２３Ｂを形成する。次に、これら絶縁膜１２２Ｂ及び１２３Ｂ上にＣｒ（クロム）等を積層することによって配線１２２の第２金属層１２２Ｃ及びＴＦＤ素子１２３の第２金属層１２３Ｃ、１２３Ｄを形成する。
【００３２】
ここで、第１金属層１２２Ａ、絶縁膜１２２Ｂ及び第２金属層１２２Ｃによって配線１２２が構成される。また、第１金属層１２３Ａ、絶縁膜１２３Ｂ及び第２金属層１２３Ｃによって第１ＴＦＤ要素２１３ａが構成され、第１金属層１２３Ａ、絶縁膜１２３Ｂ及び第２金属層１２３Ｄによって第２ＴＦＤ要素１２３ｂが構成される。そして、第１ＴＦＤ要素１２３ａの第２金属層１２３Ｃは配線１２２の第２金属層１２２Ｃから延びている。また、第２ＴＦＤ要素１２３ｂの第２金属層１２３Ｄはその先端が画素電極１２４に重なるように形成され、導電接続されている。なお、画素電極１２４は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体で構成されている。
【００３３】
上記ＴＦＤ素子１２３により配線１２２から画素電極１２４に流れる電流は、第１ＴＦＤ要素１２３ａでは、第２金属層１２３Ｃ、絶縁膜１２３Ｂ、第１金属層１２３Ａの順に進み、第２ＴＦＤ要素１２３ｂでは、第１金属層１２３Ａ、絶縁膜１２３Ｂ、第２金属層１２３Ｄの順に進む。つまり、ＴＦＤ素子１２３においては、電気的に逆向きの一対のＴＦＤ要素が互いに直列に接続されている。このような構造は、一般に、バック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれており、この構造のＴＦＤ素子は、ＴＦＤ素子を１個のＴＦＤ要素だけによって構成する場合に比べて安定した特性を得られることが知られている。
【００３４】
上記配線層１２２、ＴＦＤ素子１２３及び画素電極１２４の上には、図２に示すように、絶縁材料で構成された支持突起（柱状スペーサ）１２５及び絶縁層１２６が形成され、さらにその上に配向膜１２７が形成されている。支持突起１２５は、素子基板１２０と対向基板１４０の間の基板間隔、いわゆるセルギャップをシール材１６２の内側の駆動領域Ａにおいてほぼ一定になるように規制するためのものである。支持突起１２５は、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィ技術によって形成される。支持突起１２５の形状は、円錐台、角錐台、円柱、その他の任意の形状とすることができる。なお、支持突起１２５は、上記の画素電極１２４と対向電極１４４との重なり領域である画素領域内ではなく、画素間領域に配置されていることが好ましい。これにより、支持突起１２５による液晶分子の配向の乱れが表示に影響しないように構成できる。
【００３５】
絶縁層１２６は、シール材１６２と配線１２２，１２４ａとが重なる領域に形成されている。この実施形態では、シール材１６２のうち基板張出部１２０ａ側に配置された部分（直線状の部分）において、素子基板１２０の内面上に形成された配線１２２及び１２４ａがシール材１６２を横切って（シール材１６２と基板１２０との間を通過して）延在している。そして、このシール材１６２の上記部分と、これと交差する配線１２２及び１２４ａとの間に上記絶縁層１２６が介在し、シール材１６２と配線１２２及び１２４ａとを絶縁している。
【００３６】
支持突起１２５と絶縁層１２６は同じ絶縁材料で形成されていることが好ましい。この場合には、支持突起１２５と絶縁層１２６とを同じ工程で形成することができる。支持突起１２５は、基板間隔を規制するために或る程度の高さ（１〜１０μｍ程度）が必要であるが、絶縁層１２６は、シール材１６２と配線１２２，１２４ａの間、及び、配線１２２，１２４ａ同士の絶縁性を確保できるものであればなるべく薄い方が好ましい。これは、絶縁層１２６とシール材１６２とが重なっている領域において基板間隔が絶縁層１２６の厚さ分だけ増加してしまうからである。絶縁層１２６の厚さとしては、０．１〜２．０μｍであることが好ましく、特に、０．１〜１．０μｍの範囲内であることが望ましい。この範囲を下回ると絶縁性を確保することが難しくなり、上記範囲を上回ると、絶縁層１２６の形成領域において基板間隔が増加し、駆動領域Ａの絶縁層１２６側の外縁部分に表示不良が発生しやすくなる。
【００３７】
絶縁層１２６は、複数の配線１２２，１２４ａを一体に被覆している。すなわち、絶縁層１２６は、シール材１６２の配線通過部分（直線状部分）に沿って伸びるように一体に構成されている。これによって配線１２２，１２４ａとの位置ずれなどが問題にならず、絶縁層１２６のパターニングが容易になるとともに、絶縁層１２６の外縁長さの合計が相対的に短くなるので、外縁部分からの異物や水分の浸入を抑制することができ、配線１２２，１２４ａをより確実に保護することができる。なお、図示例において、例えば、中央にてシール材１６２を通過する複数の配線１２２を一体の絶縁層で被覆し、左右にてそれぞれシール材１６２を通過する複数の配線１２４ａをそれぞれ一体の絶縁層で被覆するというように、上記の絶縁層１２６が複数に分割された態様で形成されていてもよい。
【００３８】
一方、図２に示すように、対向基板１４０上には、その素子基板１２０に対向する側に反射層１４１、カラーフィルタ１４２、保護層１４３、透明電極１４４及び配向膜１４７が順次積層されている。
【００３９】
上記の反射層１４１はＡｌ、Ａｇ、Ｃｒあるいはこれらの合金などから構成されている。ただし、液晶表示装置１００を透過型パネル構造とする場合には反射層は不要である。また、上記画素領域毎に反射層１４１に図示しない開口部を設けることにより、半透過反射型の液晶表示パネルを構成することができる。いずれにしても、本発明の電気光学装置は反射型、透過型、半透過反射型のいずれかに限定されるものではない。
【００４０】
カラーフィルタ１４２は、赤、緑、青などの着色層を所定パターン（例えば、ストライプ配列、デルタ配列、斜めモザイク配列など）に配列させてなるものであり、フォトリソグラフィ技術によって各色事に繰り返しパターニングすることによって構成されている。保護層１４３はカラーフィルタ１４２の表面を平坦化するとともに、不純物などから着色層を保護するためのものであり、例えば、透明なアクリル樹脂などで構成できる。
【００４１】
電極１４４は帯状に形成され、対向基板１４０に亘って多数の透明電極１４４がストライプ状に配列されている。電極１４４はＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体によって構成されている。また、電極１４４には、同じ透明導電体で構成された上記の配線１４４ａが接続されている。
【００４２】
以上説明した構造を有する液晶表示装置１００では、外部から供給される制御信号が入力端子１２９に与えられると、これに対応して半導体チップ１７２、１７４、１７６から駆動信号が配線１２２、１２４ａに出力される。配線１２２に出力される駆動信号はＴＦＤ素子１２３に印加されて画素電極１２４に所定の電位を与える。また、配線１２４ａに出力される駆動信号はシール材１６２に混入された導電性粒子１６２を介して配線１４４ａに送られ、電極１４４に印加される。そして、画素電極１２４と電極１４４との間に印加される電圧に応じて画素領域毎に液晶分子が所定状態に配向制御され、所定の光変調状態を実現するようになっている。
【００４３】
本実施形態の液晶表示装置１００においては、シール材１６２と配線１２２、１２４ａとの間に絶縁層１２６が配置されていることにより、導電異方性を有するシール材１６２と配線１２２，１２４ａが絶縁されているので、隣接する配線同士がシール材１６２内の導電性粒子１６３を介して電気的短絡を起こすことを防止できる。
【００４４】
また、配線１２２，１２４ａのうちシール材１６２と重なる部分が絶縁層１６２によって被覆されているので、シール材１６２の外側に隣接する領域Ｃに水やゴミが付着しても、シール材１６２と重なる配線部分が電蝕などにより腐食したり、水やゴミなどを介して隣接する配線間に電気的短絡が生じたりすることが防止される。
【００４５】
特に、上記領域Ｃ上には、素子基板１２０と対向基板１４０とが対向配置され、外側に開いた形状の狭い空間が構成されていて、この空間内に水やゴミが浸入すると除去しにくいため、当該領域Ｃやシール材１６２と重なる領域において配線の腐食や電気的短絡が生ずる恐れが高い。また、製造方法の最終段階において基板張出部１２０ａ上に封止樹脂を塗布する場合でも、上記空間内には封止樹脂が入りにくく、また、仮に上記空間に封止樹脂が入り込んでも、水やゴミに対する充分な遮断性を確保することが難しい。
【００４６】
本実施形態では、シール材１６２と配線１２２，１２４ａとの間に配置される絶縁層１２６によって領域Ｃに付着した水がシール材１６２の下にまで侵入し、配線の腐食が内側に広がることを防止できる。また、本実施形態の絶縁層１２６は、図２に示すように、シール材１６２と配線１２２，１２４ａとの間のみに配置されているだけではなく、シール材１６２の外側に僅かに張り出すように形成されているので、上記領域Ｃにおける水やゴミなどによる配線の腐食や電気的短絡をも低減できる。
【００４７】
本実施形態の絶縁層１２６は、シール材１６２とこれに交差する配線１２２，１２４ａとの間にのみ形成されていてもよく、また、シール材１６２と重なる領域とシール材１６２の外側に隣接する上記領域Ｃをすべて覆うように形成されていてもよく、さらに、領域Ｃを越えてさらに基板張出部１２０ａに張り出すように構成されていてもよい。
【００４８】
[第２実施形態]
次に、図５を参照して、本発明に係る第２実施形態の電気光学装置について説明する。図５は第２実施形態に係る液晶表示装置１００′の概略縦断面図（図１におけるII−II線に沿って切断した断面に相当する断面を模式的に示す概略断面図）である。この実施形態において、第１実施形態と同一部分については同一符号を付して、その説明は省略する。
【００４９】
この液晶表示装置１００′は、上記第１実施形態の液晶表示装置１００と同様に素子基板１２０と、対向基板１４０とをシール材１６２を介して貼り合わせて形成されている。素子基板１２０の基板張出部１２０ａの上には配線１２２、１２４ａがシール材１６２と基板との間を通過して引き出され、基板張出部１２０ａ上に実装されている導体チップ１７２、１７４、１７６に導電接続されている点では上記第１実施形態と同様である。
【００５０】
本実施形態においては、シール材１６２と配線１２２，１２４ａとの間に形成された絶縁層１２６′が、シール材１６２に重なる部分から外側へ張り出している。具体的には、絶縁層１２６′は、シール材１６２の外側に隣接して両基板が対向配置された上記領域Ｃにおいても配線１２２、１２４ａを被覆し、さらに領域Ｃから外側に伸びて基板張出部１２０ａにまで延長している。ここで、絶縁層１２６′は、基板張出部１２０ａ上の半導体チップ１７２、１７４、１７６の実装領域まで延びていても構わない。
【００５１】
この第２実施形態において、絶縁層１２６′は、シール材１６２の外側に隣接する領域Ｃにおいて水やゴミの付着による配線１２２、１２４ａの腐食や電気的短絡を完全に防止できる。また、基板張出部１２０ａ上においても絶縁層１２６′により配線の腐食や電気的短絡を低減できる。
【００５２】
なお、本実施形態においては、絶縁層１２６′の端部が半導体チップ１７２をモールドするモールド材（図示せず）により封止され、シール材の外側に露出している配線は全て絶縁層１２６′とモールド材のいずれかによって覆われた状態となっている。このようにすることで、配線の全てが外部に露出しない状態となるので、配線の腐食などをより確実に防止することができる。
【００５３】
[第３実施形態]
次に、図６を参照して、本発明に係る第３実施形態の電気光学装置について説明する。図６は第３実施形態の液晶表示装置１００″の概略断面図（図１におけるIII−III線に沿って切断した断面に相当する断面を模式的に示す概略断面図）である。この実施形態において、第１実施形態と同一部分については同一符号を付して、その説明は省略する。この液晶表示装置１００″は、上記第１実施形態の液晶表示装置１００と同様に素子基板１２０と、対向基板１４０とをシール材１６２を介して貼り合わせることにより形成されている。
【００５４】
この実施形態では、シール材１６２と配線１２２、１２４ａとの間に配置された絶縁層１２６″は、互いに隣り合う配線１２２同士、配線１２４ａ同士のうち、それぞれ一方のみを被覆している。具体的には、絶縁層１２６″は配線１２２、１２４ａの延びる方向に対して交差する方向（図６の左右方向）に沿って配列された配線１２２、１２４ａを交互に（一つおきに）被覆している。
【００５５】
この第３実施形態において、絶縁層１２６″は、互いに隣り合う配線１２２同士、配線１２４ａ同士のうちの一方のみを被覆しているので、シール材１６２に混入された導電性粒子１６３によって互いに隣り合う配線１２２、１２２及び配線１２４ａ、１２４ａが短絡してしまうことを防止できる。また、この実施形態の絶縁層１２６″は複数の配線１２２，１２４ａのうちの半分の配線のみを被覆すればよいので、シール材１６２と重なる領域内における絶縁層１２６″の形成面積の割合を大幅に減少させることができることから、絶縁層１２６″を形成したことによるシール材１６２の配置領域における基板間隔の増加量を低減できるという利点がある。
【００５６】
本実施形態の絶縁層１２６″は、シール材１６２とこれに交差する配線１２２，１２４ａとの間にのみ形成されていてもよく、また、上記の第１実施形態のように、シール材１６２と重なる領域からシール材１６２の外側（上記領域Ｃ）へ僅かに張り出すように形成されていてもよく、さらに、シール材１６２と重なる領域とシール材１６２の外側に隣接する上記領域Ｃをすべて覆うように形成されていてもよく、さらにまた、上記の第２実施形態のように領域Ｃを越えてさらに基板張出部１２０ａに張り出すように構成されていてもよい。
【００５７】
[電気光学装置の製造方法]
図７は、上記実施形態の電気光学装置（液晶表示装置１００、１００′、１００″）の製造方法を示す工程図である。電気光学装置を製造するにあたっては、図７に示すＴＦＤ形成ステップＰ１１からシール材印刷ステップＰ１６までを含む素子基板形成工程と、電極形成ステップＰ２１からラビング処理ステップＰ２３までを含む対向基板形成工程とが別々に行われる。なお、比較的小型の液晶表示装置を形成する場合には、通常、複数の液晶表示装置に対応する部分を含む大版の母基板を用いて上記の素子基板形成工程及び対向基板形成工程をそれぞれ実施し、両母基板を貼り合わせた後に適宜分割して複数の液晶表示装置を構成する。ただし、以下の説明では、説明の便宜上、当初から単一の液晶表示装置に対応する素子基板と対向基板を使用したものと仮定して説明する。
【００５８】
まず、素子基板形成工程では、ＴＦＤ形成ステップＰ１１において成膜工程、フォトエッチング工程、陽極酸化工程など周知の方法で配線１２２、１２４ａ及びＴＦＤ素子１２３を形成する。その後、画素電極形成ステップＰ１２において、スパッタリング法などを用いてＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）の薄膜を成膜し、パターニングを行うことによって画素電極１２４を形成する。
【００５９】
次に、スペーサ形成ステップＰ１３において、感光剤を含むアクリル樹脂などの感光性樹脂を塗布し、露光、現像を順次行うことにより、支持突起１２５及び絶縁層１２６，１２６′，１２６″を同時に形成する。ここで、上述のように支持突起１２５の高さよりも絶縁層１２６，１２６′，１２６″を薄く形成する場合には、フォトリソグラフィ処理の露光段階において、支持突起１２５の形成予定領域と、絶縁層１２６，１２６′，１２６″の形成予定領域と、それ以外の領域との間の露光強度が全て異なるように構成されたハーフトーンマスクを用いることが好ましい。例えば、感光性樹脂をポジ型とする場合には、支持突起１２５の形成予定領域において露光強度が０若しくは弱くなるように設定され、絶縁層１２６，１２６′，１２６″の形成予定領域の露光強度がそれよりも強く、その他の領域の露光強度が最も強くなるようにする。感光性樹脂をネガ型とする場合には、露光強度の順序は上記と逆になる。
【００６０】
上記のようにすると、絶縁層１２６，１２６′，１２６″を支持突起１２５の高さよりも薄く形成することが可能となるため、配線１２２，１２４ａの通過するシール材１６２の部分における基板間隔の増大量を低減することができるので、シール材１６２の部分に近い駆動領域Ａの外縁部分の表示品位の悪化を抑制できる。
【００６１】
その後、配向膜形成ステップＰ１４において配向膜１２７を形成し、ラビング処理ステップＰ１５において配向膜１２７に対してラビング処理を施した後、シール材印刷ステップＰ１６においてディスペンサーやスクリーン印刷等により、シール材１６２の一部に開口部を設けた態様で、駆動領域となる領域を取り巻くようにシール材１６２を配置する。
【００６２】
一方、対向基板形成工程では、まず、電極形成ステップＰ２１において帯状の電極１４４及び配線１４４ａを形成する。この電極１４４及び配線１４４ａは、スパッタリング法でＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）の薄膜を成膜し、これをエッチングなどによりパターニングすることにより形成される。次に、配向膜形成ステップＰ２２において配向膜１４７を形成する。次に、ラビング処理ステップＰ２３において配向膜１４７に対してラビング処理を施す。
【００６３】
次に、基板貼合ステップＰ３１において素子基板１２０と対向基板１４０とを位置合せした状態でシール材１６２を介して貼り合せ、シール材硬化ステップＰ３２において素子基板１２０と対向基板１４０とを圧着した状態で、シール材１６２の硬化特性に応じて光照射処理や加熱処理などを施すことによりシール材１６２を硬化させる。次に、液晶注入ステップＰ３３においてシール材１６２の開口部から素子基板１２０、対向基板１４０及びシール材１６２に囲まれる空間内に液晶１６７を注入し、その後、液晶封止ステップＰ３４においてシール材１６２の開口部に封止材を塗布し、硬化させることにより液晶を封入する。最後に、実装ステップＰ３５において、素子基板１２０に半導体チップ１７２、１７４、１７６や可撓性基板などを異方性導電材により実装する。これにより、電気光学装置（液晶表示装置１００，１００′，１００″）が完成する。
【００６４】
この実施形態によれば、スペーサ形成ステップＰ１３において支持突起１２５と絶縁層１２６，１２６′，１２６″が同時に形成されるので、絶縁層１２６を形成するための工程を新たに設ける必要がない。したがって、製造コストを増大させることなく絶縁層１２６，１２６′，１２６″による効果を得ることができる。
【００６５】
[電子機器]
最後に、図８及び図９を参照して、上記実施形態の電気光学装置（液晶表示装置１００）を用いた電子機器の構成について説明する。
【００６６】
図８は本実施形態の表示系の構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、上記と同様の液晶表示装置１００と、この液晶表示装置１００を制御するための制御手段４００とを有する。液晶表示装置１００には駆動回路１００Ｄが設けられている。この駆動回路１００Ｄは、例えば上記の基板張出部１２０ａに実装された半導体チップ１７２，１７４，１７６で構成される。ただし、駆動回路１００Ｄは、基板張出部１２０ａに実装されたフレキシブル基板などの配線基板上に実装されていてもよく、また、液晶表示装置１００とは別に設けられていてもよい。駆動回路１００Ｄは、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。
【００６７】
制御手段４００は、駆動回路１００Ｄに制御信号や電力を供給するものであり、表示情報出力源４０１と、表示処理回路４０２と、電源回路４０３と、タイミングジェネレータ４０４とを有する。
【００６８】
表示情報出力源４０１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ４０４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路４０２に供給するように構成されている。
【００６９】
表示処理回路４０２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反復回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫとともに上記駆動回路１００Ｄへ供給する。また、電源回路４０３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【００７０】
図９は、本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話１０００を示す。この携帯電話１０００は、ケース体１０１０の内部に回路基板１００１が配置され、この回路基板１００１に対して上述の液晶表示装置１００が実装されている。ケース体１０１０の前面には操作ボタン１０２０が配列され、また、一端部からアンテナ１０３０が出没自在に取り付けられている。受話器１０４０の内部にはスピーカが配置され、送話部１０５０の内部にはマイクが内蔵されている。ケース体１０１０内に設置された液晶表示装置１００は、前面に構成された表示窓１０６０を通して表示面を視認することができるように構成されている。なお、本実施形態の電子機器に用いられた液晶表示装置１００の代わりに、上記の液晶表示装置１０００′や１００″を用いることもできる。
【００７１】
尚、本発明の電気光学装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記各実施形態ではシール材として導電異方性シール材を用いているが、通常の絶縁性のシール材を用いた場合でも、配線間の電気的短絡や腐食に対する充分な効果を得ることができる。
【００７２】
また、上記実施形態において能動素子としてＴＦＤ素子を用いているが、ＴＦＤ素子の代わりにＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）などの他の素子を用いることもできる。
【００７３】
さらに、上記実施形態はアクティブマトリクス型であるが、パッシブマトリックス型の液晶表示装置とすることもできる。
【００７４】
また、上記実施形態では液晶表示装置を構成する例について説明しているが、シール材と配線を具備し、シール材と交差する配線部分を備えたものであれば、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明に係る第１実施形態の電気光学装置の実施形態を構成する液晶表示装置の概略構造を示す概略平面図である。
【図２】第１実施形態における図１に示すII−II線に沿って切断した断面を模式的に示す概略断面図である。
【図３】第１実施形態における図１に示すIII−III線に沿って切断した断面を模式的に示す概略断面図である。
【図４】第１実施形態に用いられるＴＦＤ素子の構造を拡大して示す拡大斜視図である。
【図５】第２実施形態の断面を模式的に示す概略斜視図である。
【図６】第３実施形態の断面を模式的に示す概略斜視図である。
【図７】電気光学装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図８】液晶表示装置を備えた電子機器の表示系の概略構成を示す概略構成図である。
【図９】電子機器の一例である携帯電話の外観を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
【００７６】
１００、１００′、１００″…液晶表示装置、１２０…素子基板、１２０ａ…基板張出部、１２２、１２４ａ、１４４ａ…配線、１２３…ＴＦＤ素子、１２４…画素電極、１２５…支持突起、１２６，１２６′，１２６″…絶縁層、１２７、１４７…配向膜、１３１、１３３…偏光板、１３２、１３４…１／４波長板、１４０…対向基板、１４１…反射層、１４２…カラーフィルタ、１４３…保護層、１４４…電極、１６２…シール材、１６３…導電性粒子、１７２、１７４、１７６…半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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