(57)【要約】【課題】  第１電極と第２電極との確実な電気的接続が得られ、かつ、高精細化に有利な表示装置を提供する。【解決手段】  本発明に係る表示装置は、基板１１０と、基板１１０上に相互に並行に延びるように設けられた複数の第１電極１２０と、複数の第１電極１２０を覆うように設けられた発光積層体１３０と、発光積層体１３０上を横切り、且つ、第１電極１２０の延びる方向に対して角度をなして相互に並行して延びるように設けられた複数の第２電極１４０と、を有し、複数の第２電極１４０のそれぞれの発光積層体１３０から外側に延びる部分は、発光積層体１３０側端から第２電極１４０の延びる方向に突出するように形成された突出層１５０上に設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
上記基板上に相互に並行に延びるように設けられた複数の第１電極と、
上記複数の第１電極を覆うように設けられた発光積層体と、
上記発光積層体上を横切り、且つ、上記第１電極の延びる方向に対して角度をなして相互に並行して延びるように設けられた複数の第２電極と、
を有する表示装置であって、
上記複数の第２電極のそれぞれの上記発光積層体から外側に延びる部分は、上記発光積層体側端から該第２電極の延びる方向に突出するように形成された突出層上に設けられている表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
上記突出層は、その層厚が上記発光積層体の層厚の１／１０以上かつ１／２以下である表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載された表示装置において、
上記突出層は、その突出長さが２ｍｍ以上である表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載された表示装置において、
上記突出層は、上記第２電極の上記発光積層体から外側に延びる部分に覆われるように形成されている表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載された表示装置において、
上記突出層は、上記第１電極と同一材料で形成されている表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載された表示装置において、
その表示形式が、無機エレクトロルミネッセンス表示形式である表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報処理機器の多様化に伴って、従来から一般に使用されている陰極線管（ＣＲＴ）よりも消費電力が少なく、薄型化が可能である平面表示装置に対する需要が高まってきている。そのような平面表示装置として、例えば、液晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置（以下、「ＥＬ表示装置」と略すことがある。）を挙げることができる。その中でも、無機ＥＬ表示装置は、全固体型、高速応答性、自発光性という特徴を有するため、特に研究開発が盛んに行われている。
【０００３】
図７は、従来の無機ＥＬ表示装置２００の概略断面図である。
【０００４】
この無機ＥＬ表示装置２００は、基板２１０と、基板２１０の上に相互に並行して延びるように設けられた複数の第１電極２２０と、基板２１０上に第１電極２２０を覆うように設けられた発光積層体２３０と、発光積層体２３０を横切り、且つ、第１電極２２０の延びる方向と直交して相互に並行して延びるように設けられた複数の第２電極２４０とを有する。第２電極２４０は、発光積層体２３０の外側に設けられた第２電極取り出し部２４０ａを有しており、第２電極取り出し部２４０ａと、第１電極２２０とは電気的に接続されている。また、発光積層体２３０は、発光層２３２と、発光層２３２を狭持するように設けられた第１絶縁層２３１と、第２絶縁層２３３と、を有する。第１絶縁層２３１と第２絶縁層２３３とは、無機ＥＬ表示装置２００の絶縁破壊を防止し、高電界で安定して無機ＥＬ表示装置２００を作動させる機能を有する。無機ＥＬ表示装置２００では、第１電極２２０と第２電極２４０とによって発光層２３２に高電界が印加され、発光層２３２に含まれるＭｎ2+等の発光中心が励起される。そして、励起された発光中心が再度基底状態に失活する際に発光を生じる仕組みになっている。
【０００５】
以下、この無機ＥＬ表示装置２００の製造方法について説明する。
【０００６】
まず、ガラス等からなる基板２１０の上に、インジウム錫酸化物（以下、「ＩＴＯ」と略すことがある。）等をスパッタ法等の公知の成膜方法により成膜する。次に、成膜したＩＴＯ薄膜をフォトリゾグラフィー技術等を用いてストライプ状の電極パターンにパターニングすることにより第１電極２２０を形成する。次に、第１電極２２０を形成した基板２１０上に、ＳｉＯ2等をスパッタ法等の公知の成膜方法により成膜することにより第１絶縁層２３１を形成する。次に、第１絶縁層２３１の上に、ＺｎＳ：Ｍｎ等をスパッタ法等の公知の成膜技術により成膜することにより発光層２３２を形成する。次に、発光層２３２の上に、ＳｉＯ2等をスパッタ法等の公知の成膜方法により成膜することにより第２絶縁層２３３を形成し、発光積層体２３０を得る。そして、発光積層体２３０を形成した基板２１０上に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等をスパッタ法等の公知の成膜方法により成膜し、フォトリゾグラフィー技術等を用いて、第１電極２２０と直交するストライプ状の電極パターンにパターニングすることにより第２電極２５０を形成することにより、無機ＥＬ表示装置２００を製造する。尚、発光積層体２３０は、発光積層体２３０を形成する領域（以下、「発光積層体形成領域」と略すことがある。）以外にＳｉＯ2等の発光積層体２３０の材料が堆積することを防止するために、発光積層体形成領域Ａ以外の領域にマスクを施した状態で形成する。
【０００７】
図８（ａ）〜（ｄ）は、基板２１０上に発光積層体２３０を形成するところを説明する図である。
【０００８】
図８（ａ）は、第１電極２２０を形成した基板２１０にマスク２６０を施したところを説明する概略断面図である。
【０００９】
図８（ｂ）は、マスク２６０を施した基板２１０上に発光積層体２３０を形成したところを説明する概略断面図である。
【００１０】
図８（ｃ）は、マスク２６０を施して発光積層体２３０を形成し、その上に第２電極２４０を形成したところを説明する概略断面図である。
【００１１】
図８（ｄ）は、図８（ｃ）中のｄ−ｄの部分の概略断面図である。
【００１２】
図８（ａ）に示すように、発光積層体形成領域Ａ以外にＳｉＯ2等の発光積層体２３０の材料が堆積することを防止するために、発光積層体形成領域Ａ以外の領域にマスク２６０を施した状態で、ＳｉＯ2等の発光積層体２３０の材料をスパッタ法等の公知の成膜方法により成膜することにより、発光積層体２３０を形成する。
【００１３】
しかしながら、マスク２６０を完全に基板２１０と密着した状態で施すことは困難であり、基板２１０とマスク２６０との間には僅かな隙間が存在する。従って、発光積層体形成領域Ａ以外の領域にマスク２６０を施した状態で発光積層体２３０を形成した場合であっても、基板２１０とマスク２６０との間の隙間からＳｉＯ2等の発光積層体２３０の材料が入り込み、マスク周縁部分ＢにもＳｉＯ2等の発光積層体２３０の材料が堆積する。
【００１４】
よって、図８（ｂ）に示すように、発光積層体２３０の外側のマスク周縁部分Ｂに、発光積層体２３０が堆積した堆積層２７０が形成される。尚、堆積層２７０は、マスク２６０を回り込んで堆積したものであるため、体積密度が小さい。
【００１５】
従って、図８（ｃ）に示すように、発光積層体２３０を形成した後にＩＴＯ等の第２電極２４０材料を成膜した場合、周縁部分Ｂの成膜されたＩＴＯ等の導電膜２４０’と基板２１０との間に体積密度の小さい堆積層２７０が介在する。
【００１６】
図９（ａ）〜（ｄ）は、このような堆積層２７０を有する基板２１０をフォトリゾグラフィー技術を用いて導電膜２４０’をパターニングして第２電極２４０を形成するところを説明した概略断面図である。
【００１７】
図９（ａ）は、導電膜２４０’を形成した基板２１０上にフォトレジスト層２８０を形成した所を説明する概略断面図である。
【００１８】
図９（ｂ）及び（ｃ）は、導電膜２４０’をエッチング液を用いてエッチングする工程を説明する概略断面図である。
【００１９】
図９（ｄ）は、フォトリゾグラフィー技術を用いてパターニングした第２電極２４０を説明する概略断面図である。
【００２０】
図１０は、無機ＥＬ表示装置２００の概略平面図である。
【００２１】
まず、図９（ａ）に示すように、導電膜２４０’を形成した基板１１０上に、後のエッチング工程で使用するエッチング液によりエッチングされにくい材料により形成されたフォトレジストを、例えばスピンコート法等の成膜方法により形成し、順次露光、現像することにより所望の第２電極２４０形状にパターニングしてフォトレジスト層２８０を形成する。次に、図９（ｂ）〜（ｃ）に示すように、導電膜２４０’をエッチング液を用いてエッチングすることにより所望の形状の第２電極２４０を得る。そして、最後に、フォトレジスト層２８０をレジスト剥離することにより第２電極２４０を形成する。
【００２２】
導電膜２４０’をエッチング液を用いてエッチングする場合、図９（ｂ）に示すように、フォトレジスト層２８０が形成されていない部分の導電膜２４０’からエッチングされていく。そして、エッチングが進行し、エッチング液が堆積層２７０に達すると、堆積層２７０は、導電膜２４０’よりも早いスピードでエッチングされていく。堆積層２７０は、体積密度が小さく、耐エッチング性が極めて脆弱であるからである。よって、エッチング液が堆積層２７０に達すると、図９（ｃ）に示すように、導電膜２４０’は、側面及び底面の両方からエッチングされる。従って、体積密度の小さい堆積層２７０の上に形成された導電膜２４０’は、直接発光積層体２３０や基板２１０の上に形成された導電膜２４０’と比較して、エッチングされるスピードが非常に速い。よって、図９（ｄ）及び図１０に示すように、堆積層２７０の上に形成された導電膜２４０’は、所望の第２電極２４０の形状よりオーバーエッチングされ、堆積層２７０が形成された周縁部分Ｂにおける第２電極２４０、すなわち第２電極取り出し部２４０ａの部分で、電極の細り、又は、断線が発生するという問題がある。
【００２３】
このような問題に鑑み、オーバーエッチングされる第２電極取り出し部２４０ａを幅広に構成する提案がなされている。
【００２４】
図１１は、第２電極取り出し部３４０ａが幅広に構成されている無機ＥＬ表示装置３００の概略平面図である。
【００２５】
この無機ＥＬ表示装置３００は、基板３１０と、基板３１０の上に相互に並行して延びるように設けられた複数の第１電極３２０と、基板３１０上に第１電極３２０を覆うように設けられた発光積層体３３０と、発光積層体３３０を横切り、且つ、第１電極３２０の延びる方向と直交して相互に並行して延びるように設けられた複数の第２電極３４０とを有する。第２電極３４０は、発光積層体３３０の外側に設けられた第２電極取り出し部３４０ａを有しており、第２電極取り出し部３４０ａと、第１電極３２０とは電気的に接続されている。また、発光積層体３３０は、発光層３３２と、発光層３３２を狭持するように設けられた第１絶縁層３３１と、第２絶縁層３３３と、を有する。
【００２６】
この無機ＥＬ表示装置３００では、第２電極取り出し部３４０ａが幅広に構成されている。そのため、第２電極３４０をフォトリゾグラフィー技術によりパターニングする際に第２電極取り出し部３４０ａでオーバーエッチングが発生した場合であっても、第２電極取り出し部３４０ａで断線することはない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
しかしながら、無機ＥＬ表示装置３００では、第２電極取り出し部３４０ａが幅広に構成されているため、第２電極３４０のストライプパターンの間隔を広くする必要がある。従って、無機ＥＬ表示装置３００では、第２電極３４０の本数を増加させ、高精細化を図るのが困難であるという問題がある。
【００２８】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、第２電極と第１電極との確実な電気的接続が得られ、かつ、高精細な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
本発明に係る表示装置は、基板と、
上記基板上に相互に並行に延びるように設けられた複数の第１電極と、
上記複数の第１電極を覆うように設けられた発光積層体と、
上記発光積層体上を横切り、且つ、上記第１電極の延びる方向に対して角度をなして相互に並行して延びるように設けられた複数の第２電極と、
を有し、
上記複数の第２電極のそれぞれの上記発光積層体から外側に延びる部分は、上記発光積層体側端から該第２電極の延びる方向に突出するように形成された突出層上に設けられている。
【００３０】
また、本発明に係る表示装置は、上記突出層は、その層厚が上記発光積層体の層厚の１／１０以上かつ１／２以下であっても構わない。
【００３１】
また、本発明の表示装置は、上記突出層は、その突出長さが２ｍｍ以上であっても構わない。
【００３２】
また、本発明の表示装置は、上記突出層は、上記第２電極の上記発光積層体から外側に延びる部分に覆われるように形成されているものであっても構わない。
【００３３】
また、本発明の表示装置は、上記突出層は、上記第１電極と同一材料で形成されているものであっても構わない。
【００３４】
また、本発明の表示装置は、その表示形式が、無機エレクトロルミネッセンス表示形式であっても構わない。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、上記複数の第２電極のそれぞれの上記発光積層体から外側に延びる部分は、上記発光積層体側端から該第２電極の延びる方向に突出するように形成された突出層上に設けられているので、第２電極取り出し部のオーバーエッチングを防止することができ、第１電極と第２電極とを確実に電気的に接続することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００３７】
図１は、本発明に係る無機ＥＬ表示装置１００の概略断面図である。
【００３８】
また、図２は、本発明に係る無機ＥＬ表示装置１００の概略平面図である。
【００３９】
この無機ＥＬ表示装置１００は、基板１００と、基板１００上に相互に並行に延びるように設けられた複数の第１電極１２０と、複数の第１電極１２０を覆うように設けられた発光積層体１３０と、発光積層体１３０上を横切り、且つ、第１電極１２０の延びる方向に対して角度をなして相互に並行して延びるように設けられた複数の第２電極１４０と、
を有し、複数の第２電極１４０のそれぞれの発光積層体１４０から外側に延びる第２電極取り出し部１４０ａは、発光積層体１３０側端から第２電極１４０の延びる方向に突出するように形成された突出層１５０上に設けられている。また、発光積層体１３０は、発光層１３２と、発光層１３２を狭持するように設けられた第１絶縁層１３１と、第２絶縁層１３３と、を有する。
【００４０】
無機ＥＬ表示装置１００では、第１電極１２０と第２電極１４０とによって発光層１３２に高電界が印加され、発光層１３２に含まれるＭｎ2+等の発光中心が励起される。そして、励起された発光中心が基底状態に失活する際に発光を生じる仕組みになっている。
【００４１】
基板１１０は、例えば、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）およびホルステライト（２ＭｇＯ／ＳｉＯ2）等の高温焼成セラミックス、結晶化ガラス、又は、石英ガラス等のガラスにより構成することができる。しかし、基板１１０は、絶縁性を有し、無機ＥＬ表示装置１００の機械的強度を担保することができるものであれば、何ら限定されるものではない。
【００４２】
第１電極１２０及び第２電極１４０は、発光積層体１３０に電圧を印加する機能を有する。第１電極１２０及び第２電極１４０は、例えば、金（Ａｕ）、銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）またはニッケル（Ｎｉ）等の金属材料や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電性材料等により構成することができるが、なんらこれに限定されるものではない。また、第１電極１２０及び第２電極１４０は、比抵抗の観点から、その層厚を０．０５〜５μｍに形成することがより好ましい。尚、第１電極１２０と第２電極１４０とは、異なる材料で形成しても、また、同一材料で形成しても勿論構わない。
【００４３】
第１絶縁層１３１及び第２絶縁層１３３は、無機ＥＬ表示装置１００の絶縁破壊を防止する機能、及び、発光層１３２への電荷供給量を増加する機能を有する。従って、第１絶縁層１３１及び第２絶縁層１３３は、高い誘電率（４以上）及び高い電気絶縁性（絶縁抵抗値１×１０8Ω以上）を有する材料により構成することが好ましい。このような材料としては、例えば、Ｓｉ3Ｎ4等の窒化物材料、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3等の酸化物材料、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）、又は鉛リラクサ（Ｐｂ（Ｎｂ）x（Ｍｇ）yＯ3）などの複合材料等が挙げられるが、何ら限定されるものではない。尚、第１絶縁層１３１及び第２絶縁層１３３は、その層厚を１０〜３０μｍに構成することがより好ましい。この構成によれば、より効果的に無機ＥＬ表示装置１００の絶縁破壊を防止することができる。
【００４４】
発光層１３２は、第１電極１２０と第２電極１４０とにより印加された電圧によって励起され、発光を伴って基底状態に戻る発光中心と、その発光中心を保護する母体材料と、により形成されている。発光中心としては、例えば、マンガン（Ｍｎ）イオン、銅（Ｃｕ）イオン、及び、希土類イオン等が挙げられるが、何らこれに限定されるものではない。また、母体材料としては、例えば、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）、ＳｒＧａＳ4、及び、ＢａＡｌ2Ｓ4等が挙げられるが、何らこれに限定されるものではない。例えば、発光中心としてマンガン（Ｍｎ）を用い、母体材料として硫化亜鉛（ＺｎＳ）を用いた場合は、オレンジ色の発光が得られる。また、発光中心として銅（Ｃｕ）を用い、母体材料として硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）を用いた場合は、青色の発光が得られる。
【００４５】
突出層１５０は、第２電極取り出し部１４０ａと基板１１０との間に、発光積層体１３０の側端から第２電極１４０の伸びる方向に突出するように形成されている。この無機ＥＬ表示装置１００では、突出層１５０は発光積層体１３０と重複するように設けられているが、何らこの構成に限定されるわけではなく、突出層１５０は、発光積層体１３０と離間しないように配設されていればよい。突出層１５０に用いる材料は、原則として何ら限定されるものではなく、例えば、ＳｉＯ2等の酸化物材料やニッケル（Ｎｉ）等の金属材料が挙げられるが、導電性材料であることがより好ましい。突出層１５０を導電性材料で構成した場合、第２電極１４０のエッチングによる細り、および断線を効果的に抑制することができるからである。また、突出層１５０に用いる材料は、第２電極１４０の材料よりもエッチング液による侵食性の小さいものであることが好ましい。この構成によれば、第２電極１４０をエッチングする際に、突出層１５０がエッチングにより侵食されるのを効果的に抑制することができる。よって、第２電極１４０の断線を効果的に抑制することができる。
【００４６】
また、突出層１５０を第１電極１２０と同一の材料で形成しても構わない。この構成によれば、第１電極１２０と突出層１５０とを同時に形成することができる。すなわち、基板１１０上に、第１電極材料１２０の材料からなる薄膜を成膜し、フォトリゾグラフィー技術等により第１電極１２０と突出層１５０とのパターンを同時にパターニングすることにより同時に第１電極１２０と突出層１５０とを形成することができる。よって、無機ＥＬ表示装置１００を少ない製造工程により、安価に製造することができる。
【００４７】
以下、無機ＥＬ表示装置１００の製造方法について説明する。
【００４８】
まず、基板１１０上に、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等の導電性薄膜を蒸着法等の公知の成膜技術により形成する。次に、形成した導電性薄膜を、例えばフォトグラフィー技術等の公知のパターニング方法によって所望のストライプ形状にパターニングすることにより第１電極１２０を形成する。より詳細には、まず、形成した導電性薄膜にフォトレジストを、例えばスピンコート法等の公知の方法によりコートする。次に、コートされたフォトレジストを、順次露光、現像することにより、所望の第１電極１２０の形状と同一形状のフォトレジスト薄膜を導電性薄膜上に形成する。そして、パターニングされたフォトレジストが形成された基板１１０を、エッチングすることにより、所望のストライプ形状にパターニングし、導電性薄膜を所望のストライプ形状に形成する。エッチングの際には、第１電極１２０と同一形状に形成されたフォトレジスト膜が導電性薄膜の保護膜となり、フォトレジスト膜と基板１１０との間に介在する導電性薄膜はエッチングされない。そのため、エッチングにより所望のストライプ形状が得られる。そして、第１電極１２０上に設けられたフォトレジスト膜をレジスト剥離することにより、第１電極１２０を形成する。
【００４９】
次に、第１電極１２０を形成した基板１１０上に突出層１５０を形成する。突出層１５０の形成方法は、第１電極１２０の形成方法と同様であり、例えばスピンコート等の公知の成膜方法により成膜した後、その薄膜をフォトリゾグラフィー技術等を用いて所望の形状にパターニングすることにより形成することができる。また、突出層１５０を第１電極１２０と同一材料により形成する場合には、上記の第１電極１２０のパターニングと同時に、突出層１５０をパターニングすることができる。従って、突出層１５０を第１電極１２０と同一材料で形成する場合は、無機ＥＬ表示装置１００を少ない製造工程で安価に製造することができる。
【００５０】
次に、基板１１０上に、スパッタ法等の公知の成膜技術を用いて、例えばＳｉ3Ｎ4等の薄膜を形成することにより第１絶縁膜１３１を形成する。第１絶縁層１３１をスパッタ法等により形成する場合は、まず、第１絶縁層１３１を形成する部分以外に、例えば、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等のセラミックス、ガラス、ステンレス、真鍮等の金属等からなるマスクを施した後に行う。所望の部分以外に第１絶縁層１３１の材料が堆積することを防止するためである。
【００５１】
次に、第１絶縁層１３１を成膜した基板１１０上に、例えば、ＺｎＳ：Ｍｎを、スパッタ法等により成膜することにより、発光層１３２を形成する。次いで、発光層１３２を形成した基板１１０上に、スパッタ法等の公知の成膜技術を用いて、例えばＳｉ3Ｎ4等の薄膜を成膜することにより第２絶縁膜１３３を形成し、発光積層体１３０を形成する。これらの場合も、発光層１３２及び第２絶縁層１３３の材料が所望の部分以外に堆積することを防止するために、発光層１３２又は第２絶縁層１３３を形成しない部分にマスクを施した状態で、発光層１３２及び第２絶縁層１３３を形成する。
【００５２】
次に、発光積層体１３０を形成した基板１１０上に、第２電極１４０を形成する。まず、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の導電材料を、スパッタ法等の成膜技術を用いて成膜する。次に成膜した導電膜を、例えばフォトリゾグラフィー技術等を用いて所望の構造にパターニングすることにより第２電極１４０を形成する。
【００５３】
この無機ＥＬ表示装置１００では、突出層１５０が、発光積層体１３０側端から第２電極１４０の延びる方向に突出するように設けられている。従って、無機ＥＬ表示装置１００では、第２電極１４０をフォトリゾグラフィー技術を用いてパターニングする際に、第２電極のそれぞれの上記発光積層体から外側に延びる部分、すなわち第２電極取り出し部１４０ａがオーバーエッチングされることなく、第２電極取り出し部１４０ａの細り、又は、断線が発生しない。従って、無機ＥＬ表示装置１００では、第１電極１２０と第２電極１４０とを確実に電気的に接続することができる。また、無機ＥＬ表示装置１００では、ストライプ状に形成された第２電極１４０の第２電極取り出し部１４０ａを幅広に構成することを要さない。従って、第２電極１４０の間隔を狭くすることができる。よって、より高精細な無機ＥＬ表示装置１００を実現することができる。
【００５４】
以下、この無機ＥＬ表示装置１００における発光成規層体１３０及び第２電極１４０の形成工程について図面を用いて詳細に説明する。
【００５５】
図３（ａ）〜（ｄ）は、基板１１０上に発光積層体１３０を形成するところを説明する図である。
【００５６】
図３（ａ）は、第１電極１２０及び突出層１５０を形成した基板１１０にマスク１６０を施したところを説明する概略断面図である。
【００５７】
図３（ｂ）は、マスク１６０を施して基板１１０上に発光積層体１３０を形成したところを説明する概略断面図である。
【００５８】
図３（ｃ）は、マスク１６０を施して発光積層体１３０を形成し、その上に導電膜１４０’を形成したところを説明する概略断面図である。
【００５９】
図３（ｄ）は、図３（ｃ）中のｄ−ｄの部分の概略断面図である。
【００６０】
図３（ａ）に示すように、発光積層体形成領域Ａ以外にＳｉＯ2等の発光積層体１３０の材料が堆積することを防止するために、発光積層体形成領域Ａ以外の領域にマスク１６０を施した状態で、ＳｉＯ2等の発光積層体１３０の材料をスパッタ法等の公知の成膜方法により成膜することにより、発光積層体１３０を形成する。
【００６１】
しかしながら、マスク１６０を完全に基板１１０と密着した状態で施すことは困難であり、基板１１０とマスク１６０との間には僅かな隙間が存在する。従って、発光積層体形成領域Ａ以外の領域にマスク１６０を施した状態で発光積層体１３０を形成した場合であっても、基板１１０とマスク１６０との間の隙間からＳｉＯ2等の発光積層体１３０の材料が入り込み、マスク周縁部分ＢにもＳｉＯ2等の発光積層体２３０の材料が堆積する。      
【００６２】
しかし、この無機ＥＬ表示装置１００では、マスク周縁部分Ｂには、突出層１５０が予め形成されている。従って、図３（ｂ）に示すように、突出層１５０の上に堆積層１７０が形成される。尚、堆積層１７０は、マスク１６０を回り込んで堆積したものであるため、体積密度が小さい。
【００６３】
従って、図３（ｃ）に示すように、発光積層体１３０を形成した後にＩＴＯ等の第２電極１４０材料を成膜した場合、周縁部分Ｂの成膜されたＩＴＯ等の導電膜１４０’と突出層１５０との間に体積密度の小さい堆積層１７０が介在する。
【００６４】
図４（ａ）〜（ｄ）は、導電膜１４０’フォトリゾグラフィー技術を用いてパターニングして第２電極１４０を形成するところを説明した概略断面図である。
【００６５】
図４（ａ）は、導電膜１４０’を形成した基板１１０上にフォトレジスト層１８０を形成した所を説明する概略断面図である。
【００６６】
図４（ｂ）及び（ｃ）は、導電膜１４０’をエッチング液を用いてエッチングする工程を説明する概略断面図である。
【００６７】
図４（ｄ）は、フォトリゾグラフィー技術を用いて形成された第２電極１４０を説明する概略断面図である。
【００６８】
まず、図４（ａ）に示すように、導電膜１４０’を形成した基板上に、後のエッチング工程で使用するエッチング液によりエッチングされにくい材料により形成されたフォトレジストを、例えば、スピンコート法等の成膜方法により形成し、順次露光、現像することにより所望の第２電極１４０形状にパターニングして、フォトレジスト層１８０を形成する。次に、図４（ｂ）〜（ｃ）に示すように、フォトレジスト層１８０を形成した基板１１０をエッチング液を用いてエッチングすることにより第２電極１４０を所望の形状にパターニングする。そして、最後に、残ったフォトレジスト層１８０をレジスト剥離することにより第２電極１４０を形成する。
【００６９】
フォトレジスト層１８０は、エッチング液によりエッチングされにくい材料により構成されているため、導電膜１４０’をエッチング液を用いてエッチングする場合、図４（ｂ）に示すように、フォトレジスト層１８０が形成されていない部分の導電膜１４０’からエッチングされていく。そして、エッチングが進行し、エッチング液が堆積層１７０に達すると、堆積層１７０は、導電膜１４０’よりも早いスピードでエッチングされていく。堆積層１７０は、体積密度が小さく、耐エッチング性が極めて脆弱であるからである。よって、エッチング液が堆積層１７０に達すると、図４（ｃ）に示すように、導電膜１４０’は、側面及び底面の両方からエッチングされる。従って、体積密度の小さい堆積層１７０の上に形成された導電膜１４０’は、直接発光積層体１３０や基板１１０の上に形成された導電膜１４０’と比較して、エッチングされるスピードが非常に速くなる。よって、図４（ｃ）、に示すように、導電膜１４０’は、堆積層１７０の部分から侵食されていく。しかし、この無機ＥＬ表示装置１００では、基板上１１０上に突出層１５０が設けられている。また、突出層１５０は、発光積層体１３０が形成する前に基板１１０上に形成されたものであるため、突出層１５０と基板１１０との間には堆積層１７０は、介在せず、突出層１５０と基板１１０とは強固に結合している。よって、堆積層１７０が侵食され、エッチング液が突出層１５０に至った場合においても、突出層１５０は、堆積層１７０のような早いエッチングスピードで侵食されることはない。また、本発明者が誠意研究した結果、突出層１５０の上に形成された堆積層１７０はエッチングにより侵食されないことがわかった。従って、無機ＥＬ表示装置１００では、従来の無機ＥＬ表示装置２００のように堆積層１５０の上に形成された第２電極取り出し部１４０ａが侵食され断線することはない。よって、無機ＥＬ表示装置１００では、第１電極１２０と第２電極１４０との確実な電気的接続を実現することができる。
【００７０】
突出層１５０の層厚が薄い場合は、上述のオーバーエッチングを抑制する効果が十分には得られず、突出層１５０の層厚は、発光積層体１３０の層厚の１／１０以上であることが好ましい。また、突出層１５０の層厚は、発光積層体１３０の層厚の１／２以下であることが好ましい。突出層１５０の層厚が、発光積層体１３０の層厚の１／２以下であっても上述のオーバーエッチングを防止する効果が十分に得られ、突出層１５０の層厚が、発光積層体１３０の層厚の１／２を超える場合は、発光積層体１３０を形成するのに時間を要し、無機ＥＬ表示装置１００の生産性が低下するためである。より好ましい突出層１５０の層厚は、発光積層体１３０の層厚の１／１０〜１／５である。
【００７１】
また、突出層１５０の突出長さは２ｍｍ以上であることがより好ましい。本発明者が誠意研究した結果、堆積層１７０が堆積する範囲は、発光積層体１３０の周縁約２ｍｍ以内であることがわかった。従って、突出層１５０の突出長さが２ｍｍ以上であれば、堆積層１７０が突出層１５０の上以外に堆積することがなく、より確実に第２電極１４０の断線を防止することができる。より好ましい突出層１５０の突出長さは、０．５ｍｍ以上である。
【００７２】
この無機ＥＬ表示装置１００では、突出層１５０は、第２電極１４０の発光積層体１３０から外側に延びる部分に覆われるように形成されている。この構成によれば、突出層１５０は、第２電極１４０のパターニング時に直接エッチング液に曝されない。しかし、本発明は何らこの構成に限定されるものではなく、種々の形状の突出層１５０を設けることができる。
【００７３】
図５は、本発明において採用することができる突出層１５０の形状を例示した平面図である。
【００７４】
図５（ａ）に示すように、突出層１５０は、第２電極１４０からはみ出るように構成されていても勿論構わない。
【００７５】
また、図５（ｂ）に示すように、突出層１５０を、複数相互に並行して伸びる棒状体に形成しても構わない。この構成によれば、第２電極１４０のうち、複数の棒状体に挟まれた部分のオーバーエッチングをより効果的に抑制することができる。従って、第２電極１４０が第２電極取り出し部１４０ａにおいて断線することをより効果的に防止することができる。
【００７６】
同様の理由より、図５（ｃ）、（ｄ）に示すように、突出層１５０を中抜き四角形状、または中抜き円形状に形成してもよく、また、図５（ｅ）に示すように、複数相互に並行して伸びる「く形」の棒状体に形成しても勿論構わない。
【００７７】
尚、本実施形態では、無機ＥＬ表示装置を例として説明したが、本発明は何ら無機ＥＬ表示装置に限定されるわけではなく、例えば有機ＥＬ表示装置、ＦＥＤ表示装置、及び、ＰＤＰ表示装置等の表示装置にも勿論適用することができる。
【実施例】
【００７８】
上記実施形態と同一形態の無機ＥＬ表示装置１００を実施例１とした。
【００７９】
すなわち、実施例に係る無機ＥＬ表示装置１００は、ガラス基板１１０と、そのガラス基板１１０上に相互に並行に延びるように設けられた複数の第１電極１２０と、その複数の第１電極１２０を覆うように設けられた発光積層体１３０と、発光積層体１３０上を横切り、且つ、第１電極１２０の延びる方向に対して直交して相互に並行して延びるように設けられた複数の第２電極１４０と、を有し、複数の第２電極１４０のそれぞれの発光積層体１４０から外側に延びる第２電極取り出し部１４０ａは、発光積層体１３０側端から第２電極１４０の延びる方向に突出するように形成された突出層１５０上に設けられている。また、発光積層体１３０は、発光層１３２と、発光層１３２を狭持するように設けられた第１絶縁層１３１と、第２絶縁層１３３と、を有する。
【００８０】
この実施例に係る無機ＥＬ表示装置１００では、第１電極１２０、突出層１５０、第１絶縁層１３１、発光層１３２、第２絶縁層１３３、及び、第２電極１４０の層厚は、それぞれ、１５ｎｍ、１５ｎｍ、２５ｎｍ、８０ｎｍ、１５ｎｍ、５０ｎｍであり、突出層１５０の層厚は、発光積層体１３０の層厚の約１／８であった。
【００８１】
また、この無機ＥＬ表示装置１００では、突出層１５０の突出長さは、２．０ｎｍであった。
【００８２】
以下、実施例に係る無機ＥＬ表示装置１００の製造方法について説明する。
【００８３】
まず、ガラス基板１１０の上に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）をスパッタ法により成膜し、フォトリゾグラフィー技術を用いて所望の形状にパターニングすることにより第１電極１２０及び突出層１５０を同時に形成した。
【００８４】
次に、基板１１０上に、スパッタ法を用いて、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2の薄膜を成膜することにより、第１絶縁層１３１を形成した。次に、第１絶縁層１３１を成膜した基板１１０上に、蒸着法を用いて、ＺｎＳ：Ｍｎの薄膜を成膜することにより、発光層１３２を形成した。次に、基板１１０上に、スパッタ法を用いて、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2の薄膜を成膜することにより、第１絶縁層１３１を形成し、発光積層体１３０を形成した。
【００８５】
次に、発光積層体１３０を形成した基板１１０上に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）をスパッタ法により成膜し、フォトリゾグラフィー技術を用いて所望の形状にパターニングすることにより第２電極１４０を形成することで、無機ＥＬ表示装置１００を製造した。尚、第２電極１４０をパターニングするエッチング液としては、例えば、塩酸、塩化第２鉄混液等を用いることができるが、何らこれに限定されるわけではない。
【００８６】
図６は、実施例に係る無機ＥＬ表示装置１００の平面写真である。
【００８７】
図６に示す写真からわかるように、無機ＥＬ表示装置１００では、突出層１５０部分、及び、突出層１５０の上に形成された第２電極１４０は、第２電極１４０をエッチングする際にも、オーバーエッチングされることがない。したがって、この無機ＥＬ表示装置１００では、確実に第１電極１２０と第２電極１４０とを電気的に接続することができる。また、このように突出層１５０の上に設けられた第２電極１４０部分はオーバーエッチングされることがないため、第２電極１４０を幅広に構成する必要がなく、高精細な無機ＥＬ表示装置１００を容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明に係る無機ＥＬ表示装置１００の概略断面図である。
【図２】本発明に係る無機ＥＬ表示装置１００の概略平面図である。
【図３】（ａ）第１電極１２０及び突出層１５０を形成した基板１１０にマスク１６０を施したところを説明する概略断面図である。（ｂ）マスク１６０を施して基板１１０上に発光積層体１３０を形成したところを説明する概略断面図である。（ｃ）マスク１６０を施して発光積層体１３０を形成し、その上に導電膜１４０’を形成したところを説明する概略断面図である。（ｄ）（ｃ）中のｄ−ｄの部分の概略断面図である。
【図４】（ａ）導電膜１４０’を形成した基板１１０上にフォトレジスト層１８０を形成した所を説明する概略断面図である。（ｂ）導電膜１４０’をエッチング液を用いてエッチングする工程を説明する概略断面図である。（ｃ）導電膜１４０’をエッチング液を用いてエッチングする工程を説明する概略断面図である。（ｄ）フォトリゾグラフィー技術を用いて形成された第２電極１４０を説明する概略断面図である。
【図５】本発明において採用することができる突出層１５０の形状を例示した平面図である。
【図６】実施例に係る無機ＥＬ表示装置１００の平面写真である。
【図７】従来の無機ＥＬ表示装置２００の概略断面図である。
【図８】（ａ）第１電極２２０を形成した基板２１０にマスク２６０を施したところを説明する概略断面図である。（ｂ）マスク２６０を施した基板２１０上に発光積層体１３０を形成したところを説明する概略断面図である。（ｃ）マスク２６０を施して発光積層体２３０を形成し、その上に第２電極２４０を形成したところを説明する概略断面図である。（ｄ）（ｃ）中のｄ−ｄの部分の概略断面図である。
【図９】（ａ）導電膜２４０’を形成した基板２１０上にフォトレジスト層２８０を形成した所を説明する概略断面図である。（ｂ）導電膜２４０’をエッチング液を用いてエッチングする工程を説明する概略断面図である。（ｃ）導電膜２４０’をエッチング液を用いてエッチングする工程を説明する概略断面図である。（ｄ）フォトリゾグラフィー技術を用いてパターニングした第２電極２４０を説明する概略断面図である。
【図１０】無機ＥＬ表示装置２００の概略平面図である。
【図１１】第２電極取り出し部３４０ａが幅広に構成されている無機ＥＬ表示装置３００の概略平面図である。
【符号の説明】
【００８９】
１００、２００、３００  無機ＥＬ表示装置
１１０、２１０、３１０  基板
１２０、２２０、３２０  第１電極
１３０、２３０、３３０  発光積層体
１３１、２３１、３３１  第１絶縁層
１３２、２３２、３３２  発光層
１３３、２３３、３３３  第２絶縁層
１４０、２４０、３４０  第２電極
１４０’、２４０’  導電膜
１４０ａ、２４０ａ、３４０ａ  第２電極取り出し部
１５０  突出層
１６０、２６０  マスク
１７０、２７０  堆積層
１８０、２８０  フォトレジスト層
【図１】
2005338671.tif 000003
【図２】
2005338671.tif 000004
【図３】
2005338671.tif 000005
【図４】
2005338671.tif 000006
【図５】
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【図７】
2005338671.tif 000008
【図８】
2005338671.tif 000009
【図９】
2005338671.tif 000010
【図１０】
2005338671.tif 000011
【図１１】
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【図６】
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