(57)【要約】【課題】  アクティブマトリクス型表示装置において、製造工程が煩雑にならず、絵素欠陥の修復をより確実に行うことができて、製造歩留まりの向上を図ることができる。【解決手段】  アクティブマトリクス型表示装置において、点欠陥を修正するためのレーザ照射部の上層側に、レーザ余剰パワー吸収用および導体破片の飛び散り防止用を兼ねた保護膜８を配置する。また、点欠陥を守勢するためのレーザ照射部の上層側に、導体破片の飛び散り防止用および導体の盛り上がり防止用を兼ねたＰＳ部８１を配置する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次元状に複数配列された複数の絵素部に欠陥絵素部が存在する場合に、該欠陥絵素部の点欠陥をエネルギー照射により修復可能に構成したアクティブ基板において、
点欠陥を修正するためのエネルギー照射部の背後側に、エネルギー余剰パワー吸収および導体破片飛び散り防止用の第１の保護部材と、導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用の第２の保護部材のうちいずれかが設けられているアクティブ基板。
【請求項２】
二次元状に複数配列された複数の絵素部に欠陥絵素部が存在する場合に、該欠陥絵素部の点欠陥をエネルギー照射により修復可能に構成したアクティブ基板において、
点欠陥を修正するための複数のエネルギー照射部の各背後側にそれぞれ、エネルギー余剰パワー吸収および導体破片飛び散り防止用の第１の保護部材と、導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用の第２の保護部材のうちいずれかがそれぞれ設けられているアクティブ基板。
【請求項３】
前記絵素部は、信号配線が一方駆動領域に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子の他方駆動領域に接続された絵素電極とを有する請求項１または２に記載のアクティブ基板。
【請求項４】
走査配線が平行に複数設けられ、前記信号配線が該複数の走査配線と交叉するように平行に複数設けられ、両配線の交叉部毎に前記絵素電極がそれぞれマトリクス状に配設され、該走査配線が前記スイッチング素子の制御領域に接続されている請求項３に記載のアクティブ基板。
【請求項５】
前記エネルギー照射部は、メルト部であり、前記スイッチング素子の他方駆動領域を構成する半導体層または該半導体層に接続された導電性物質層からなる第１層と、前記信号配線に接続された導電性物質層または半導体層からなる第２層とが間に絶縁膜を挟んで、エネルギー付与により短絡可能なように一部重畳されている請求項３に記載のアクティブ基板。
【請求項６】
前記第１層は、前記スイッチング素子の他方駆動領域から突出した第１の突出部であり、前記第２層は、前記信号配線とコンタクトホール部を介して接続され、該信号配線から該第１の突出部側に一部重畳するように突出した第２の突出部である請求項５に記載のアクティブ基板。
【請求項７】
前記第１の突出部と第２の突出部とはそれぞれ、その重畳部よりもさらに所定量だけ互いにそれぞれ突出している請求項６に記載のアクティブ基板。
【請求項８】
前記エネルギー照射部は、カット部であり、前記スイッチング素子から前記絵素電極までにある半導体層の一部である請求項３に記載のアクティブ基板。
【請求項９】
前記第１の保護部材は、前記エネルギー余剰パワー吸収および導体破片飛び散り防止用の保護膜である請求項１または２に記載のアクティブ基板。
【請求項１０】
前記第２の保護部材は、前記導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用の保護膜である請求項１または２に記載のアクティブ基板。
【請求項１１】
前記保護膜は、前記エネルギー照射部の上層側であって、前記絵素部毎に設けられた絵素電極の下層側に配設されている請求項９または１０に記載のアクティブ基板。
【請求項１２】
前記保護膜は、前記エネルギー照射部側の面が、該エネルギー照射部側に開く凹形状に構成されている請求項９または１０に記載のアクティブ基板。
【請求項１３】
前記第２の保護部材は、前記導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用のスペーサ部材であって、最上層から所定距離だけ突出している請求項１または２に記載のアクティブ基板。
【請求項１４】
前記第２の保護部材は、前記導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用の保護膜と、前記導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用のスペーサ部材とからなり、該スペーサ部材は最上層から所定距離だけ突出している請求項２に記載のアクティブ基板。
【請求項１５】
前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタ素子、ＭＩＭ素子、ＭＯＳトランジスタ素子およびダイオードのいずれかである請求項３に記載のアクティブ基板。
【請求項１６】
前記薄膜トランジスタ素子は、半導体層として多結晶シリコン層を用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタである請求項１５に記載のアクティブ基板。
【請求項１７】
前記薄膜トランジスタ素子は、チャネル層の上層側に絶縁層を介して制御領域が設けられたトップゲート構造である請求項１５に記載のアクティブ基板。
【請求項１８】
前記薄膜トランジスタ素子は、チャネル層の下層側に絶縁層を介して制御領域が設けられたボトムゲート構造である請求項１５に記載のアクティブ基板。
【請求項１９】
前記保護膜は、前記走査配線または信号配線と同じ金属層からなる請求項９または１０に記載のアクティブ基板。
【請求項２０】
前記保護膜は、着色樹脂層からなる請求項９または１０に記載のアクティブ基板。
【請求項２１】
前記保護膜の形状は、平面視で正方形、長方形、円形、楕円形、多角形および十字形のいずれかである請求項９または１０に記載のアクティブ基板。
【請求項２２】
前記保護膜の平面視サイズは、前記エネルギー照射として、レーザ照射スポットの基準サイズになっている請求項９または１０に記載のアクティブ基板。
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれかに記載のアクティブ基板と、該アクティブ基板との間に表示媒体を挟んで該アクティブ基板に対向配置され、該アクティブ基板の複数の絵素電極に対向する対向電極が設けられた対向基板とを有し、該絵素電極と対向電極間に印加される表示信号により該表示媒体を駆動して画面表示可能とする表示装置。
【請求項２４】
前記複数の絵素部の少なくともいずれかが欠陥絵素部の場合に、該欠陥絵素部のエネルギー照射部にエネルギー照射が為されてメルト処理およびカット処理の少なくともいずれかが為されている請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２５】
前記表示媒体は、液晶、ＥＬ発光層およびプラズマ発光体のいずれかである請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２６】
前記第２の保護部材として、導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用のスペーサ部材が、前記アクティブ基板および対向基板のいずれかに設けられている請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２７】
透過型、反射型、透過と反射の二つのモードを有する半透過型のいずれかで表示が行われる請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２８】
請求項２３に記載の表示装置の絵素電極と対向電極間に、前記走査配線および信号配線から所定の信号を印加して前記絵素部の点欠陥を検出する欠陥検出工程と、
該点欠陥が検出された欠陥絵素部のエネルギー照射部に対して、基板外側からエネルギー照射を行ってメルト処理およびカット処理の少なくともいずれかを行うエネルギー照射工程とを有する表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記エネルギー照射工程において、前記第１の突出部と第２の突出部との重畳部から更に互いに突出した両突出部分および該重畳部を含む隅部にエネルギー照射を行う請求項２８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記エネルギーとしてレーザ光を用いる請求項２８または２９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３１】
前記保護部材は、レーザ照射位置を位置決めするための目印として用いられる請求項３０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３２】
前記保護部材としての保護膜の平面視サイズは、レーザ照射スポットの基準サイズを確認するための目印として用いられる請求項３０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３３】
前記メルト処理およびカット処理の両方の処理がある場合には、該メルト処理よりも該カット処理を先に実施する請求項２８に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二次元状に配置された複数の表示用絵素電極にそれぞれ各スイッチング素子をそれぞれ介して駆動信号を印加することにより表示画面上に所望の表示画像を表示可能とする液晶表示装置などの表示装置およびその製造方法、この表示装置に用いるアクティブ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の表示装置としては、液晶表示装置の他に、ＥＬ表示装置およびプラズマ表示装置などがあり、例えばマトリクス状に配置された複数の絵素部を選択的に駆動することにより、表示画面上に所望の表示パターン（画像）を表示して高密度表示を行うことができる。
【０００３】
この絵素部の選択方式として、個々に独立した絵素電極を縦および横方向のマトリクス状に配置し、この各絵素電極のそれぞれにスイッチング素子を接続して選択駆動するアクティブ駆動方式が知られている。複数の絵素電極を選択駆動するスイッチング素子としては、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子、ＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）素子、ＭＯＳトランジスタ素子、ダイオードなどが一般的に使用されている。これらのスイッチング素子により絵素電極を選択的に駆動して、絵素電極とこれに対向する対向電極との間に介在させた液晶、ＥＬ発光層またはプラズマ発光体などの各種表示媒体を光学的に駆動させることにより表示パターンとして視認される。このようなアクティブ駆動方式は、高コントラストの表示が可能であり、液晶テレビジョンやコンピュータの端末表示装置などに実用化されている。
【０００４】
図３２（ａ）は、従来のアクティブ型液晶表示装置において、液晶層を挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のアクティブマトリクス基板における基本単位の構成例を示す平面図であり、図３２（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線部分の断面図であり、図３２（ｃ）は（ａ）のＹ−Ｙ’線部分の断面図である。
【０００５】
図３２（ａ）〜図３２（ｃ）において、従来のアクティブ型液晶表示装置は、一対の基板として、表示媒体としての液晶層を間に挟んで対向配置されるアクティブマトリクス基板１００および対向基板を有している。このアクティブマトリクス基板１００は、ガラス基板１０上に、複数のゲートバスライン１（走査配線）が横方向に所定間隔でそれぞれ平行に配線され、これと直交（または交叉）する縦方向に複数のソースバスライン２（信号配線）が所定間隔でそれぞれ平行に配線されて、両者が格子状（マトリクス状）に配設されている。また、隣接するゲートバスライン１およびソースバスライン２で囲まれた各領域毎（または両配線の交叉部毎）に透明電極からなる各絵素電極３（点線にて囲った部分）がマトリクス状にそれぞれ設けられている。
【０００６】
図３２（ａ）に示すように、ゲートバスライン１から突出した部分には、スイッチング素子として機能するデュアルゲートのＴＦＴ４が形成されている。ＴＦＴ４は、図３２（ｂ）のＸ−Ｘ’線断面図に示すように、ガラス基板１０上にベースコート膜１１を介してシリコン（Ｓｉ）からなる半導体層が設けられている。この半導体層は、チャネル領域１２ａと、その両側の高濃度に不純物が添加されたソース領域・ドレイン領域（例えばｎ＋Ｓｉ層）１２ｃとの間に低濃度に不純物が添加されたＬＤＤ領域（例えばｎ−Ｓｉ層）１２ｂがそれぞれ設けられている。チャネル領域１２ａ上には、ゲート絶縁膜１３を介してゲートバスライン１から突出（分岐）されたゲート電極１ａが設けられている。その上を覆うように層間膜１４および樹脂層１５を介して絵素電極３が設けられている。ここでは図示されていないが、絵素電極３上には配向膜（ＰＩ）が設けられ、この配向膜（ＰＩ）上に接して液晶層が設けられている。
【０００７】
また、図３２（ａ）に示すように、ゲートバスライン１と同じ工程でパターニングされた金属層（ゲートメタル）からなる付加容量バスライン（付加容量配線）５がゲートバスライン１と平行にゲートバスライン１毎に配置されている。この付加容量部分の積層構造は、図３２（ｃ）のＹ−Ｙ’線断面図に示すように、付加容量バスライン５の幅広部５Ａの下側層にはゲート絶縁膜１３を介してＴＦＴ４のドレイン領域１２ｃから延在された半導体層（延在部１２）が重畳されている。この半導体層の延在部１２は、ゲート絶縁膜１３、層間膜１４および樹脂層１５に設けられたコンタクトホール部６Ａにおいて、ソースバスライン２と同じ工程でパターニングされた金属層（ソースメタル）６を介して絵素電極３と接続されている。これにより、延在部１２を一方の付加容量電極と、ゲート絶縁膜１３を介した付加容量バスライン５の広幅部５Ａ（他方の付加容量電極）とが対向配設され、これらの延在部１２と広幅部５Ａとの間に付加容量が構成される。
【０００８】
このように構成された従来のアクティブ型液晶表示装置において、例えばスイッチング素子としてのＴＦＴ４が不良素子として形成されると、その不良素子に接続された絵素電極３には、本来与えられるべき信号電圧が入力されない。このため、表示画面上では点状の絵素欠陥（以下、点欠陥という）としてユーザに認識されてしまう。このような点欠陥は、液晶表示装置の表示品位を著しく損ない、製造歩留まりの点でも大きな問題となっている。
【０００９】
このような絵素不良の主原因は、以下の２種類に大別される。
【００１０】
まず、その一つは、ＴＦＴ４の欠陥などによって、走査信号（ゲートバスライン１からの信号）によってＴＦＴ４が選択されている時間内に、ソースバスライン２からの画像信号によって絵素電極３を十分に充電できないために生じる不良（以下、ＯＮ不良という）であり、他の一つは、ＴＦＴ４の欠陥によって、ＴＦＴ４の非選択時に、絵素電極３に充電された電荷が漏洩する不良（以下、ＯＦＦ不良という）である。
【００１１】
このうち、ＯＮ不良（オン不良）はスイッチング素子としてのＴＦＴ４の不良に起因するが、ＯＦＦ不良（オフ不良）はスイッチング素子としてのＴＦＴ４を介して電気的漏洩が起こる場合と、絵素電極３とバスライン１，２との間に電気的漏洩が起こっている場合との２種類がある。ＯＮ不良およびＯＦＦ不良のいずれの場合にも、絵素電極３と対向電極（図示せず）との間に印加される電圧が必要な表示電圧値に達しなくなる。このため、ノーマリホワイトモード（液晶層に印加される電圧が０Ｖのときに光の透過率が最大になる表示モード）を採用する場合には絵素不良部が輝点に見え、ノーマリブラックモード（電圧０Ｖで透過率が最低になる表示モード）を採用する場合は黒点に見えることになる。
【００１２】
このような点欠陥は、スイッチング素子としてのＴＦＴ４が形成された一方のアクティブマトリクス基板１００に、対向電極が形成された他方の対向基板を貼り合わせ、その間に液晶を封入した段階で、両バスライン１，２に所定の電気信号（検査信号）を印加することによって検査者が目視で検出することができる。その後に、例えばソースバスライン２と絵素電極３とを溶融（メルト）させて短絡させたり、ＴＦＴ４のドレイン電極を構成する半導体層（ドレイン領域）をＴＦＴ４から切断（カット）してＴＦＴ４と絵素電極３とを電気的に切断させたりすることによって、ゲートバスライン１の選択・非選択に関わらず、ソースバスライン２からの信号電圧により、絵素電極３の電荷の充放電を行わせる修正作業を要することになる。これにより、その液晶パネルは、検査基準を満たし、正常品とほぼ同等のものとして出荷することができる。
【００１３】
このようなレーザ照射による欠陥絵素部の修正時（レーザリペア時）の成功率を向上させるための手法として、例えば特許文献１に、レーザ照射で切断される部分（カット部）にくびれ部を設け、そのくびれ部（レーザ照射部）の上層部で画素電極（絵素電極）や層間絶縁膜の一部を除去した構成の液晶表示装置が提案されている。これを図３３に示している。
【００１４】
図３３は、他の従来の液晶表示装置において、一方のアクティブ基板（ＴＦＴ基板）の概略構成を示す平面図である。
【００１５】
図３３において、従来の液晶表示装置は、ＴＦＴ４のドレイン領域を構成する半導体層１２において、ＴＦＴ４のドレイン領域に設けられたくびれ部ａと、平面視下側で隣接するゲートバスライン１（付加容量として機能する部分）と重畳して付加容量を構成する半導体層１２との間に設けられたくびれ部ｂと、ゲート領域１ａのゲートバスライン１からの分岐部側に設けられたくびれ部ｃとを有している。これらのくびれ部ａ〜ｃ上には、透明電極である絵素電極３（斜線部分）は設けられていない。さらに、くびれ部ａ〜ｃ上に層間絶縁膜を設けない構成も可能である。なお、絵素電極３の中央部において開口している部分３１は絵素電極３と半導体層１２とのコンタクト部である。
【００１６】
ここで、例えばＴＦＴ４のゲート領域１ａとドレイン領域とが短絡している場合には、ノーマリブラックモードではくびれ部ａを切断し、ノーマリホワイトモードではくびれ部ｃを切断して分離（カット）されたゲート領域１ａを介してＴＦＴ４のソース領域とドレイン領域とが短絡される。
【００１７】
また、Ｄ１点で絵素電極３と平面視横側に隣接する別の絵素電極３とが短絡している場合には、ノーマリブラックモードではくびれ部ａが切断され、ノーマリホワイトモードでは一方の絵素部のくびれ部ａが切断される。
【００１８】
さらに、Ｄ２点で半導体層１２とこれに隣接する絵素部用の走査バスライン１とが短絡している場合には、ノーマリブラックモードではくびれ部ｂが切断され、ノーマリホワイトモードではくびれ部ｃが切断されて分離されたゲート領域１ａを介してＴＦＴ４のソース領域とドレイン領域とが短絡され、くびれ部ｂが切断される。
【００１９】
このようにくびれ部ａ〜ｃを設けてカット部の幅を通常の幅よりも細くすることにより、レーザ照射でカットされ易くし、容易に欠陥修復を行うことができるようにしている。また、レーザ照射部の上層部に絵素電極３が存在しないようにしているため、レーザ照射で修正箇所が切断された場合に、絵素電極３が変形せず、絵素電極３が、これに対向した対向電極（図示せず）や修正箇所の切断面などと接触するような２次不良が併発され難い。また、層間絶縁膜の破片に導電性の絵素電極３が付着されることがないため、対向電極とその他の電極との導通による不良も生じ難い。また、レーザ照射部の上層側に絵素電極３が存在しないため、レーザパワーが絵素電極３に吸収されず、より低いレーザパワーで切断できるので、配向膜が乱れて液晶の配向乱れによる表示不良が生じたりするおそれも少なくなる。さらに、レーザ照射部の上層側に絵素電極３と層間絶縁膜とを設けない場合には、層間絶縁膜の破片に切断された金属が付着することもなく、切断箇所の再リークの発生もない。さらに、レーザ照射部に層間絶縁膜が存在しないので、レーザパワーが層間絶縁膜に吸収されず、より低いレーザパワーで切断を行うことができる。
【特許文献１】特開２０００−８１６３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
上述したような点欠陥が生じた場合に、レーザ照射により欠陥修正（レーザリペア）を効率よく行うためには、レーザ照射位置、レーザ光の強度、レーザサイズ（レーザスポットＲの大きさ）、レーザ照射回数などを評価・調整する必要がある。しかしながら、これらの評価・調整を行っても、レーザ余剰パワーによる導体破片の周囲への飛び散りや導体の盛り上がりによってリークなどの不具合が発生する場合があり、レーザリペア時の成功率を１００％にできるわけではない。したがって、欠陥修復作業をさらに精度良く、かつ、効率良く行うためには、そのようなリークなどの不具合の発生を防ぐことが課題となっている。
【００２１】
上記特許文献１の従来の液晶表示装置では、レーザリペア時の成功率を向上させるために、カット部にくびれ部を設けてカットをし易くし、絵素電極３や層間絶縁膜を一部除去してリークの発生要因を取り除くなどの工夫が施されている。このくびれ部によって、よりパワーの少ないレーザ光にて切断できる。しかしながら、この場合には、レーザ照射部の上層部において、透明電極の絵素電極３や層間絶縁膜の一部を除去するための追加工程が新たに必要となり、製造工程が煩雑になってしまうという問題がある。
【００２２】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、製造工程が煩雑にならず、絵素欠陥の修復をより確実に行うことができて、製造歩留まりの向上を図ることができるアクティブ基板、これを用いた表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明のアクティブ基板は、二次元状に複数配列された複数の絵素部に欠陥絵素部が存在する場合に、該欠陥絵素部の点欠陥をエネルギー照射により修復可能に構成したアクティブ基板において、点欠陥を修正するためのエネルギー照射部の背後側に、エネルギー余剰パワー吸収および導体破片飛び散り防止用の第１の保護部材と、導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用の第２の保護部材のうちいずれかが設けられており、そのことにより上記目的が達成される。
【００２４】
また、本発明のアクティブ基板は、二次元状に複数配列された複数の絵素部に欠陥絵素部が存在する場合に、該欠陥絵素部の点欠陥をエネルギー照射により修復可能に構成したアクティブ基板において、点欠陥を修正するための複数のエネルギー照射部の各背後側にそれぞれ、エネルギー余剰パワー吸収および導体破片飛び散り防止用の第１の保護部材と、導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用の第２の保護部材のうちいずれかがそれぞれ設けられており、そのことにより上記目的が達成される。
【００２５】
また、好ましくは、本発明のアクティブ基板における絵素部は、信号配線が一方駆動領域に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子の他方駆動領域に接続された絵素電極とを有する。
【００２６】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板において、走査配線が平行に複数設けられ、前記信号配線が該複数の走査配線と交叉するように平行に複数設けられ、両配線の交叉部毎に前記絵素電極がそれぞれマトリクス状に配設され、該走査配線が前記スイッチング素子の制御領域に接続されている。
【００２７】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板におけるエネルギー照射部は、メルト部であり、前記スイッチング素子の他方駆動領域を構成する半導体層または該半導体層に接続された導電性物質層からなる第１層と、前記信号配線に接続された導電性物質層または半導体層からなる第２層とが間に絶縁膜を挟んで、エネルギー付与により短絡可能なように一部重畳されている。
【００２８】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における第１層は、前記スイッチング素子の他方駆動領域から突出した第１の突出部であり、前記第２層は、前記信号配線とコンタクトホール部を介して接続され、該信号配線から該第１の突出部側に一部重畳するように突出した第２の突出部である。
【００２９】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における第１の突出部と第２の突出部とはそれぞれ、その重畳部よりもさらに所定量だけ互いにそれぞれ突出している。
【００３０】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板におけるエネルギー照射部は、カット部であり、前記スイッチング素子から前記絵素電極までにある半導体層の一部である。
【００３１】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における第１の保護部材は、前記エネルギー余剰パワー吸収および導体破片飛び散り防止用の保護膜である。
【００３２】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における第２の保護部材は、前記導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用の保護膜である。
【００３３】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における保護膜は、前記エネルギー照射部の上層側であって、前記絵素部毎に設けられた絵素電極の下層側に配設されている。
【００３４】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における保護膜は、前記エネルギー照射部側の面が、該エネルギー照射部側に開く凹形状に構成されている。
【００３５】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における第２の保護部材は、前記導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用のスペーサ部材であって、最上層から所定距離だけ突出している。
【００３６】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における第２の保護部材は、前記導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用の保護膜と、前記導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用のスペーサ部材とからなり、該スペーサ部材は最上層から所定距離だけ突出している。
【００３７】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板におけるスイッチング素子は、薄膜トランジスタ素子、ＭＩＭ素子、ＭＯＳトランジスタ素子およびダイオードのいずれかである。
【００３８】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における薄膜トランジスタ素子は、半導体層として多結晶シリコン層を用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタである。
【００３９】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における薄膜トランジスタ素子は、チャネル層の上層側に絶縁層を介して制御領域が設けられたトップゲート構造である。
【００４０】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における薄膜トランジスタ素子は、チャネル層の下層側に絶縁層を介して制御領域が設けられたボトムゲート構造である。
【００４１】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における保護膜は、前記走査配線または信号配線と同じ金属層からなる。
【００４２】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における保護膜は着色樹脂層からなる。
【００４３】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における保護膜の形状は、平面視で正方形、長方形、円形、楕円形、多角形および十字形のいずれかである。
【００４４】
さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における保護膜の平面視サイズは、前記エネルギー照射として、レーザ照射スポットの基準サイズになっている。
【００４５】
本発明の表示装置は、請求項１〜２２のいずれかに記載のアクティブ基板と、該アクティブ基板との間に表示媒体を挟んで該アクティブ基板に対向配置され、該アクティブ基板の複数の絵素電極に対向する対向電極が設けられた対向基板とを有し、該絵素電極と対向電極間に印加される表示信号により該表示媒体を駆動して画面表示可能としており、そのことにより上記目的が達成される。
【００４６】
また、好ましくは、本発明の表示装置における複数の絵素部の少なくともいずれかが欠陥絵素部の場合に、該欠陥絵素部のエネルギー照射部にエネルギー照射が為されてメルト処理およびカット処理の少なくともいずれかが為されている。
【００４７】
さらに、好ましくは、本発明の表示装置における表示媒体は、液晶、ＥＬ発光層およびプラズマ発光体のいずれかである。
【００４８】
さらに、好ましくは、本発明の表示装置における第２の保護部材として、導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用のスペーサ部材が、前記アクティブ基板および対向基板のいずれかに設けられている。
【００４９】
さらに、好ましくは、本発明の表示装置は、透過型、反射型、透過と反射の二つのモードを有する半透過型のいずれかで表示が行われる。
【００５０】
本発明の表示装置の製造方法は、請求項２１に記載の表示装置の絵素電極と対向電極間に、前記走査配線および信号配線から所定の信号を印加して前記絵素部の点欠陥を検出する欠陥検出工程と、該点欠陥が検出された欠陥絵素部のエネルギー照射部に対して、基板外側からエネルギー照射を行ってメルト処理およびカット処理の少なくともいずれかを行うエネルギー照射工程とを有しており、そのことにより上記目的が達成される。
【００５１】
また、好ましくは、本発明の表示装置の製造方法におけるエネルギー照射工程において、前記第１の突出部と第２の突出部との重畳部から更に互いに突出した両突出部分および該重畳部を含む隅部にエネルギー照射を行う。
【００５２】
さらに、好ましくは、本発明の表示装置の製造方法におけるエネルギーとしてレーザ光を用いる。
【００５３】
さらに、好ましくは、本発明の表示装置の製造方法における保護部材は、レーザ照射位置を位置決めするための目印として用いられる。
【００５４】
さらに、好ましくは、本発明の表示装置の製造方法における保護部材としての保護膜の平面視サイズは、レーザ照射スポットの基準サイズを確認するための目印として用いられる。
【００５５】
さらに、好ましくは、本発明の表示装置の製造方法におけるメルト処理およびカット処理の両方の処理がある場合には、該メルト処理よりも該カット処理を先に実施する。
【００５６】
上記構成により、以下に、本発明の作用について説明する。
【００５７】
本発明にあっては、照射エネルギーとしてレーザ光が用いられるレーザリペアが行われるレーザ照射部の上層部側（エネルギー照射部の背後側）において、レーザ余剰パワーを吸収させると共に導体破片の飛び散りを防止するために第１の保護部材として保護膜を配置する。
【００５８】
これにより、本来、レーザ光が照射されるべきではない箇所の導体物質（例えば絵素電極）に対して、レーザ余剰パワーによりレーザ光が照射されて導体物質の盛り上がりなどが発生し、他の導体物質（例えば対向電極）との距離が近くなってリークが発生するが、これを防ぐことができる。
【００５９】
また、レーザ照射部に存在する導体物質（例えば短絡される半導体層）に対して、レーザ照射によるその導体物質の飛び散り破片が発生して他の導体物質（例えば絵素電極やソースメタル）との間に飛び散り、他の導体物質との距離が近くなってリークが発生するが、これを防ぐことができる。
【００６０】
また、本発明にあっては、レーザリペアが行われるレーザ照射部の上層部において、導体破片の飛び散りを防止すると共に導体物質の盛り上がりを防ぐために、スペーサ部材（ＰＳ部）を配置する。
【００６１】
これにより、従来、レーザ照射部に存在する導体物質（例えば短絡される半導体層）に対して、レーザ照射によるその導体物質の飛び散り破片が発生して他の導体物質（例えば絵素電極やソースメタル）との間に飛び散り、他の導体物質との距離が近くなってリーク等が発生するが、これを防ぐことができる。
【００６２】
また、本来、レーザ光が照射されるべきではない箇所の導体物質（例えば絵素電極）に対して、レーザ余剰パワーによりレーザ光が照射されて導体物質の盛り上がりなどが発生し、他の導体物質（例えば対向電極）との距離が近くなってリークが発生するが、これを防ぐことができる。
【００６３】
以上によって、レーザリペア作業の成功率を向上させることができるため、表示パネルの製造歩留まりを向上させることができる。
【発明の効果】
【００６４】
本発明によれば、製造工程が煩雑にならず、基板の外側からレーザ光などのエネルギーを照射することにより、絵素欠陥の修正において、絵素欠陥の修復をより確実に行うことができて、より高効率に行うことができる。したがって、高い歩留まりで表示装置を製造することができ、表示装置のコストダウンに寄与することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６５】
以下に、本発明のアクティブ基板を用いた表示装置の実施形態１〜５を、アクティブマトリクス基板を用いたアクティブ型液晶表示装置に適用した場合について図面を参照しながら説明する。
【００６６】
（実施形態１）
図１（ａ）は、本発明のアクティブ型液晶表示装置の実施形態１において、液晶層を間に挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のアクティブマトリクス基板の構成例を示す平面図であり、図１（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線部分の断面図である。なお、図３２（ａ）〜図３２（ｃ）の従来の構成部材とほぼ同様の作用効果を奏する構成部材には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００６７】
図１（ａ）および図１（ｂ）において、このアクティブマトリクス基板１１０Ａは、ガラス基板１０上に、図３２（ａ）〜図３２（ｃ）に示す従来のアクティブマトリクス基板１００の構成に加えて、ソースバスライン２が一方駆動領域（半導体層１２の例えばソース領域１２ｃ）に接続されたスイッチング素子（ここではＴＦＴ４）の他方駆動領域（半導体層１２の例えばドレイン領域１２ｃ）から付加容量バスライン５の幅広部５Ａの下側部まで半導体層１２を延在させた部分（延在部）からゲートバスライン１側の方向（ソースバスライン２と平行な方向）に突出させた第１の突出部１２Ａ（第１層）が設けられている。この第１の突出部１２Ａ（第１層）は半導体層１２と同じ製造工程で同じ半導体層の材料から構成されており、以下、これを半導体層突出部１２Ａという。
【００６８】
また、ソースバスライン２からコンタクトホール部２Ａを介して接続された第２の突出部７が設けられている。この第２の突出部７はゲートバスライン１と同じ製造工程で同じ導電性物質層としての金属層からなり、以下、これをゲートメタル突出部７という。
【００６９】
これらの半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とは、図１（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１３を間に挟んで一部重畳（重畳部７ａ）されている。さらに、これらの半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７の上側層（層間膜１４上）には、半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７を平面視で覆うように、レーザ余剰パワー吸収および導体破片飛び散り防止用に大１の保護部材としての保護膜８が設けられている。
【００７０】
また、ＴＦＴ４のデュアルゲート間にレーザ照射切断部が設けられており、半導体層１２の上方層側に導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用の第２の保護部材としての保護膜９が設けられている。これらの保護膜８、９は、ソースバスライン２と同じ金属層からなっており、ソースバスライン２と同じ工程で形成される。
【００７１】
図２は、図１（ａ）の矢印Ｚで示す○で囲んだ本発明の要部の拡大図であって、（ａ）は欠陥修正時のレーザ照射位置としてレーザスポットＲが隅部に照射される場合を示す図、（ｂ）は欠陥修正時のレーザ照射位置としてレーザスポットＲが重畳部中央に照射される場合を示す図である。
【００７２】
図２（ａ）に示すように、半導体層突出部１２Ａは、半導体層１２の延在部の左上端部分から上側に向かってソースバスライン２と平行に幅１０μｍで所定長さだけ突出されている。ゲートメタル突出部７は、ゲートバスライン１と付加容量バスライン５とのほぼ中間位置付近において、ソースバスライン２の下方位置（積層構造の下側層位置）でソースバスライン２と直交（または交叉）するように右側の半導体層突出部１２Ａに向かって、平面視でソースバスライン２から幅１０μｍで突出している。また、半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とはそれぞれ、その重畳部７ａからさらに１μｍ程度それぞれ突出している。なお、レーザスポットＲの照射位置については図２（ａ）および図２（ｂ）を参照して後述する。
【００７３】
図３（ａ）は、図１のＢ−Ｂ’線断面図であり、図３（ｂ）は、図１のＹ−Ｙ’線断面図である。
【００７４】
図３（ａ）および図３（ｂ）において、アクティブ型液晶表示装置１１０は、一対の基板として、表示媒体である液晶層１１１を間に挟んで対向配置されたアクティブマトリクス基板１１０Ａおよび対向基板１１０Ｂを有している。
【００７５】
アクティブマトリクス基板１１０Ａは、ガラス基板１０上に、ベースコート膜１１、パターンニングされた半導体層１２（延在部を含む）、ゲート絶縁膜１３、パターンニングされたゲートバスライン１、層間膜１４、パターンニングされたソースバスライン２および保護膜８，９、樹脂層１５がこの順に設けられ、さらに、樹脂層１５上に、透明電極である絵素電極３、反射膜１６さらに配向膜１７（ＰＩ）がこの順に設けられている。
【００７６】
対向基板１１０Ｂは、ガラス基板４０上に、透明電極である対向電極４１さらに配向膜４２（ＰＩ）がこの順に設けられている。
【００７７】
液晶層１１１は、所定の間隔を開けて貼り合わせられたアクティブマトリクス基板１１０Ａと対向基板１１０Ｂ間に、表示媒体として封入されている。この場合の所定の間隔は、図示しないスペーサ部材としてのスペーサ部（ＰＳ部）によって調整されている。
【００７８】
ここで、上記構成のアクティブマトリクス基板１１０Ａおよびこれを用いたアクティブ型液晶表示装置１１０の製造方法について説明する。
【００７９】
まず、厚み０．５ｍｍのガラス基板１０上に、プラズマＣＶＤ法によりベースコート膜１１としてＳｉＯＮ膜を厚み１００ｎｍ設ける。
【００８０】
次に、プラズマＣＶＤ法により半導体層として、シリコン（Ｓｉ）層を厚み５０ｎｍ設け、熱処理およびレーザアニールにより結晶化を行う。このシリコン（Ｓｉ）層を所定形状にパターンニングして、ドレイン領域となる部分（ｎ+層）を構成する半導体層１２を形成すると共に、付加容量バスライン５の幅広部５Ａの下層側まで延在された延在部１２を含む半導体層１２を形成し、かつ半導体層１２の延在部から突出した半導体層突出部１２Ａを形成している。
【００８１】
さらに、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜１３としてＳｉＯＮ膜を厚み１１５ｎｍ設ける。
【００８２】
さらに、ゲート絶縁膜１３上に膜厚５０ｎｍの窒化タンタル膜および膜厚３７０ｎｍのタングステン膜を、スパッタリング法にて順次積層し、所定形状にパターンニングを行う。これにより、ゲートバスライン１およびゲート領域１ａを形成すると共に、付加容量バスライン５を形成し、ゲートメタル突出部７を形成する。このとき、半導体層突出部１２Ａおよびゲートメタル突出部７の重畳部７ａは、ゲート絶縁膜１３によって絶縁されている。なお、ゲート金属層（ゲートメタル）は、上記した窒化タンタルおよびタングステンに代えて、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＡｌおよびＣｕなどの金属材料、またはこれらの金属元素を主成分とする合金材料または化合物材料を用いてもよい。
【００８３】
さらに、画素部およびＮチャネル領域１２ａにはＰ（リン）をドーピングして、Ｎチャネル領域に近い側からｎ−領域（ＬＤＤ領域１２ｂ）さらにｎ＋領域（ソース領域１２ｃとドレイン領域１２ｃ）を形成する。その後、熱処理を行って、半導体層に添加された不純物元素を活性化処理する。なお、Ｐチャネル領域ではＢ（ボロン）をドーピングする。
【００８４】
さらに、ＣＶＤ法により層間膜１４として厚み２５０ｎｍのＳｉＮｘ膜と、厚み７００ｎｍのＳｉＯ２膜とを設ける。これに熱処理を行って、シリコン（Ｓｉ）層を水素化する工程を行う。この工程は、窒化シリコン膜からなる層間膜１４に含まれる水素によりシリコン（Ｓｉ）層のダングリングボンドを終端化する工程である。
【００８５】
さらに、層間膜１４にゲートメタル突出部７とソースバスライン２とを接続するためのコンタクトホール部２Ａを形成し、また、ゲート絶縁膜１３および層間膜１４に半導体層１２の延在部とソースメタル６とを接続するためのコンタクトホール部６Ａを形成する。
【００８６】
その後、層間膜１４上に、ソース金属として、Ｔｉ、ＡｌおよびＴｉをそれぞれ１００ｎｍ、５００ｎｍおよび１００ｎｍの膜厚でスパッタリング法により順次積層し、所定形状にパターンニングを行う。このパターンニングにより、ソースバスライン２、ソースメタル６および保護膜８、９が形成される。これによって、ソースメタル６と半導体層１２の延在部とがコンタクトホール部６Ａを介して接続されると共に、ソースバスライン２とゲートメタル突出部７とがコンタクトホール部２Ａを介して接続される。
【００８７】
さらに、有機絶縁材料からなる樹脂層１５を例えば膜厚１．６μｍ設ける。この樹脂層１５に、透明電極である絵素電極３とソースメタル６とを接続するためのコンタクトホール部６Ａを形成する。
【００８８】
さらに、この樹脂層１５上に、ＩＴＯ膜をスパッタリング法により厚み１００ｎｍ設け、これにパターンニングを行って所定形状の複数の絵素電極３を形成する。これにより、絵素電極３とソースメタル６とがコンタクトホール部３Ａを介して接続されている。
【００８９】
その後、反射部の場合にはこの上に反射膜１６を２００ｎｍ設ける。透過部の場合には反射膜１６はない。
【００９０】
さらに、その上に配向膜１７（ＰＩ）を印刷して所定のラビング処理を行い、貼り合わせ間隔設定用の球状スペーサを配向膜１７上に散布した後、対向基板１１０Ｂの配向膜４２側を内側にして貼り合わせ、両基板１１０Ａ，１１０Ｂの間に液晶層１１１を封入する。
この対向基板１１０Ｂは、厚み０．５ｍｍのガラス基板４０上に厚み１００ｎｍの透明電極である対向電極４１が形成され、その上に配向膜４２が印刷された後、この配向膜４２に対して所定のラビング処理が行われている。
【００９１】
以上により、本実施形態１のアクティブマトリクス基板１１０Ａおよび対向基板１１０Ｂを用いた表示装置としてのアクティブ型液晶表示装置１１０が完成する。
【００９２】
次に、本発明の実施形態１のアクティブ型液晶表示装置１１０において、絵素部に欠陥が生じた場合の修正方法について説明する。
【００９３】
ＴＦＴ４に異常が生じたり、ソースバスライン２と絵素電極３との間に電流リークが発生したりすると、絵素欠陥が現れ、表示上の問題が発生する。このような表示上の問題が発生した場合に、本実施形態１では、以下のようにして絵素欠陥を修復することができる。
【００９４】
まず、ＴＦＴ４が形成された側のアクティブマトリクス基板１１０Ａ（ＴＦＴ基板）と、対向基板１１０Ｂとが貼り合わされ、その内部に液晶材料が注入された状態で、ゲートバスライン１、ソースバスライン２を介して絵素電極３に所定の電気信号（検査用の表示信号）を印加することによって、目視で点欠陥が検出され得る。
【００９５】
このように点欠陥が検出された絵素部に対して、ゲートメタル突出部７と半導体層突出部１２Ａとの重畳部７ａをレーザ照射することにより、ゲート絶縁膜１３を破壊してゲートメタル突出部７と半導体層突出部１２Ａとをメルトさせて短絡させる。このとき、既にアクティブマトリクス基板１１０Ａと対向側基板１１０Ｂとが貼り合わせられているため、レーザ照射は、ガラス基板１０の裏側から行われる。このときのレーザ照射は、例えばＹＡＧレーザ光を用いて行われる。また、レーザスポットＲは一般的には１辺が数μｍ程度であり、図２（ａ）に示すように例えば５μｍ×５μｍの正方形（または長方形）としている。
【００９６】
図２（ａ）に示すように、半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とを重畳部７ａよりも各１μｍづつそれぞれ突出させることにより、レーザ照射時のアライメント精度が向上し、より容易にレーザ照射を行って半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とを短絡させることができる。
【００９７】
また、図２（ａ）に示すように、半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７との重畳部７ａおよび両突出部を含む隅部にレーザ照射することにより、より容易に半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とを短絡させることができる。
【００９８】
これに対して、図２（ｂ）に示すように、半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７の重畳部７ａの中央部をレーザ照射すると、レーザパワーの大部分が半導体層突出部１２Ａに吸収されて、図２（ａ）の場合に比べてゲートメタル突出部７が半導体層突出部１２Ａと短絡され難くなる。上記図２（ａ）のレーザスポットＲに示すような半導体層（Ｓｉ層）突出部１２Ａおよびゲートメタル突出部７の重畳部７ａの隅部へのレーザ照射と同じ条件（レーザパワー）にて、図２（ｂ）のレーザスポットＲに示すように、Ｓｉ突出部１２Ａとゲートメタル突出部７における重畳部７ａの中央部をレーザ照射した場合には、半導体層（Ｓｉ層）突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とを確実に短絡させることができなかった。
【００９９】
これによって、その重畳部７ａの隅部へのレーザ照射であれば、重畳部７ａの中央部へのレーザ照射の場合に比べて、より少ないレーザパワーにより半導体層（Ｓｉ層）突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とを短絡させることができる。また、重畳部７ａの隅部へのレーザ照射に比べてそのレーザパワーを増大させていくと、図２（ｂ）に示すようにＳｉ層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７との重畳部７ａにおける中央部をレーザ照射しても、Ｓｉ層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とを短絡させることができる。しかしながら、レーザパワーをあまり強くすると、レーザ照射部以外の領域へのレーザ照射による悪影響が大きくなり、Ｓｉ層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７以外の素子部分に影響を及ぼすおそれがある。このことについて、図４（ａ）および図４（ｂ）を用いて説明する。
【０１００】
図４（ｂ）は、図４（ａ）のレーザ照射による影響部Ｓ１に対して、レーザスポットＲを同一の大きさにして、レーザパワーのみを増大させた場合のレーザ照射による影響部Ｓ２を示す図である。図４の直径Ｌ（Ｌ１またはＬ２）で示される影響部は、Ｓｉやゲートメタルの飛び散りが発生しており、他の素子がその領域に入ってしまうと、レーザ照射による不良が発生するおそれがある。したがって、可能な限り小さなレーザパワーにてレーザ照射を行うことが好ましく、Ｓｉ層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７の重畳部７ａにおける先端部分の隅部（図２（ａ）のレーザスポットＲの位置）をレーザ照射することが好ましい。なお、レーザ照射位置が重畳部７ａの先端部分の隅部以外の隅部（例えばレーザスポットＲ１の照射位置よりもソースバスライン２寄りの位置）では、ソースバスライン２に近づく分だけソースバスライン２への影響が問題になる。
【０１０１】
このようにして、半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とを短絡させることにより、絵素電極３には、ゲートバスライン１からのゲート信号に関らず、ソースバスライン２からのソース信号（表示信号）がそのまま直に入力されることになる。これにより、その欠陥絵素部は、完全な輝点でも黒点でもない表示状態になる。その結果、上記修正処理（メルト処理）が施された欠陥絵素部は、正常に作動している訳ではないものの、視覚上、欠陥として極めて判別しにくい中間的な表示状態になり、画面表示上、正常な絵素部といってよい状態になる。
【０１０２】
このようにして、欠陥絵素を修復してアクティブマトリクス型液晶表示装置１１０を作製することができる。
【０１０３】
ところが、上記点欠陥のレーザリペア（修正）作業において、レーザ照射サイズが大きい場合や、作業効率の向上のためにレーザパワーを増大させた場合には、半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とを短絡させやすくなるものの、図４（ｂ）に示すように、レーザ照射部以外の領域へのレーザ照射による影響部（影響範囲）が大きくなり、半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７の範囲以外にある素子類にも影響を及ぼす。
【０１０４】
今回、点欠陥が発生した絵素部において、レーザリペア（修正）作業のメルト時の一例として説明しているメルト位置として、絵素電極３に接続される半導体層１２の延在部への電圧供給を、ＴＦＴ４からではなくソースバスライン２からするために、半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７との重畳部７ａまたはそれを含む隅部に基板外側からレーザ照射を行っている。
【０１０５】
レーザ照射場所については、各絵素部において同じであり、点欠陥が発生した絵素部において、今回であれば、半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とをメルトさせるが、半導体層１２の延在部（半導体層突出部１２Ａ）とソースバスライン２との間の絶縁膜を介した距離が遠いので、今回の実施評価では、ソースバスライン２からゲートメタル突出部７までコンタクトホール部２Ａを使って引き出し、結果的には、そのゲートメタル突出部７と、その延在部から突出した半導体層突出部１２Ａとをメルトしている。
【０１０６】
レーザスポットＲの照射サイズ・形状については、短絡（メルト）したいゲートメタル突出部７と半導体層突出部１２Ａとの幅を考慮して決定する必要があり、今回の実施評価では例えば４．４μｍ×５．８μｍの長方形状とした。また、レーザ照射強度については、メルト時は導体層を盛り上がらせるだけでよいため、後述するカット（切断）時よりは小さいパワーでレーザ照射すればよい。今回の実施評価では、メルト時のレーザ強度は、レーザ装置の強度目盛値（レーザ装置名  ＮＴＮ製  ＮＲＳ−０９）で４とした。レーザ照射回数については、確実に導電性物質層（半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７）をメルトさせることができる回数が必要であり、今回の実施評価では１回とした。
【０１０７】
今回の実施評価では、上記照射条件がメルト作業を成功させるための最適条件となったが、それでも周囲への悪影響を考慮する必要がある。このような悪影響の具体的な内容としては、図５および図６に示すようなリークによる不具合が考えられる。このリークによる不具合の発生を防ぐことが、レーザリペア作業にとって、さらに作業効率を向上させるために重要である。本発明の保護膜８がない場合と保護膜８がある場合について図５〜図７を参照して説明する。
【０１０８】
図５および図６は、本発明の保護膜８がない場合に、レーザ照射によるメルト時に発生すると想定されるリークなどの不具合発生について説明するためのメルト前後の状態を示す要部断面図である。ここでは、説明を簡略化するために、配向膜１７，４２はその記載を省略している。
【０１０９】
図５に示すように、ガラス基板１０上に、ベースコート膜１１〜透明電極である絵素電極３が形成されたＴＦＴ基板１１０Ａと、透明電極である対向電極４１やカラーフィルタ（ＣＦ；図示せず）が形成された対向基板１１０Ｂとが液晶層１１１を挟んで対向配置されている。ここで、点欠陥が検出されると、その絵素部において、ゲートメタル突出部７と半導体層突出部１２Ａとがガラス基板１０の裏側からレーザ照射されてメルトされる（図５の○印部分参照）。
【０１１０】
図６では、半導体層突出部１２Ａは、ガラス基板１０の裏側からのレーザ照射によって盛り上がりや捲き上がりなどが起こり、ゲートメタル突出部７と共にメルトされて短絡される。このとき、半導体層突出部１２Ａの導体破片が飛び散って、ゲートメタル突出部７も盛り上がって、ソースバスライン２と絵素電極３とのリークやゲートメタル突出部７と絵素電極３とのリークなどが生じる原因となる。また、レーザ余剰パワーにより、絵素電極３やその上にある反射膜１６（反射型表示モードの場合）もレーザ照射により盛り上がり、対向電極４１との間にもリークが生じる原因になる。
【０１１１】
図７は、本発明の保護膜８がある場合に、レーザ照射によるメルト時の状態について説明するための要部断面図である。
【０１１２】
図７に示すように、レーザ照射部の位置に対応した上層側に保護膜８を設けることによって、半導体層突出部１２Ａの導体破片が上層に飛び散ることを未然に防止することができる。これにより、ソースバスライン２と絵素電極３とのリークやゲートメタル突出部７と絵素電極３とのリークなどを防止することができる。さらに、その保護膜８によってレーザ余剰パワーを吸収することができるため、絵素電極３およびその上にある反射膜１６（反射型表示モードの場合）の盛り上がりを防止することができる。よって、絵素電極３と対向電極４１とのリークを防止することができる。
【０１１３】
保護膜８のソースメタルは、ソースバスライン２のパターンニング時にマスク形状を変更して、レーザ照射部の上層部に例えば４．４μｍ×５．８μｍの長方形の大きさで追加配置できるように形成することができる。この追加ソースメタル層（保護膜８）の電位については、簡単な構造とするためには、例えばフローティング状態とすることが前提となるが、これをＧＮＤ電位としたほうが好ましい場合（保護効果が向上する場合）には、保護膜８をＧＮＤ電位に接続させることもできる。よって、保護膜８の電位は、保護効果に応じて規定すればよい。
【０１１４】
保護膜８のサイズについては、基本的には重畳部７ａのメルト部のレーザ照射サイズより少し大き目が標準と考えられるが、周囲のスペースの関係や不具合リークの発生率との関係を考慮して、最適なサイズにする必要があるため、保護膜８のサイズがレーザ照射サイズと同じであったり、より小さくなったり、少し大き目よりさらに大きくなったりしてもよく、保護膜８のサイズをレーザ照射サイズに合わせる必要はない。また、保護膜８の形状についても、長方形や正方形の他に丸や楕円形状でもよく、上記サイズの場合と同様に、レーザ照射形状に合わせる必要はない。
【０１１５】
以上の保護膜８を設けることにより、レーザリペア作業のメルト時において、保護膜８の位置を目標（目印）としてレーザ照射を行うことができる。この保護膜８の配置位置は、画素部の構造から考えて、裏面から容易に探し出すことができる。これによって、パネル内部の構造にあまり詳しくないレーザリペア作業者にとっても、メルト位置を容易に確認することができるため、保護膜８をレーザ照射時の目標（目印）として、メルト位置を間違えることなく確実にレーザ照射することができる。
【０１１６】
保護膜８の形状をレーザ照射部の形状と相似形（例えば長方形；図１２参照）にすることにより、その保護膜８の形状の長方形の対角線の交点が、レーザ照射部の中央点となることにより、その保護膜８の形状がレーザ照射時の位置狙い合わせに役に立つ。このため、レーザリペア作業者は狙った位置に確実にレーザ照射することができる。よって、パネル照射作業にあまり詳しくないレーザリペア作業者にとっては、メルト照射位置合わせが容易に確認できることになり、メルト照射位置合わせを間違えることなく確実にレーザ照射することができる。このため、レーザリペア作業の作業効率が向上する。
【０１１７】
図１２は、図１の保護膜８，９の形状を示す図である。
【０１１８】
図１２に示すように、レーザ照射時の位置合わせにおいて、上述したように保護膜８の位置、形状、サイズを目安にして、レーザリペア作業者は、レーザ照射部の位置合わせ、レーザスポットＲ１の形状およびそのサイズを決定することができる。
【０１１９】
例えば、保護膜８のサイズ・形状を、レーザリペア作業のメルト時において、レーザ照射部のサイズ・形状と同じサイズ・形状にした場合には、その保護膜８のサイズ・形状が、レーザ照射時のサイズ・形状と同じ為、保護膜８のサイズ・形状に合わせてレーザ照射サイズ・形状を設定でき、保護膜８のサイズ・形状に合わせてレーザ照射サイズの確認できることになる。よって、保護膜８のサイズ・形状をレーザ照射部のサイズ・形状と同じサイズ・形状にした場合には、決まったサイズ・形状で確実にレーザ照射することにさらに役に立つ。よって、総合的な内容として、パネル照射作業にあまり詳しくないレーザリペア作業者にとっては、メルト照射位置確認、メルト照射位置合わせ、メルト照射サイズ・形状設定が容易に確認できることになり、メルト照射位置確認、メルト照射位置合わせ、メルト照射サイズ・形状設定の間違いを起こさないことにも役立つ。このため、レーザリペア作業の作業効率が向上する。
【０１２０】
このような保護膜８，９の配置位置、形状およびサイズについては、後述するリペア作業のカット時にも適用することができる。
【０１２１】
以上では、レーザリペア作業のメルト作業の場合について具体的に説明したが、メルト時と同様に、レーザリペア作業のカット作業の場合についてもカット作業を実施するレーザ照射部の上側層部にソースメタルの保護膜９を追加配置することにより、前述したメルト作業の場合の作用効果と同様の作用効果が得られる。
【０１２２】
図８は、図１（ａ）のＴＦＴ切断部分を示す平面図であり、図９は図８のＢ−Ｂ’線断面図である。図１０は、参考例のＴＦＴ切断部分を示す平面図であり、図１１は図１０のＢ−Ｂ’線断面図である。
【０１２３】
本実施形態１（図８および図９）と参考例（図１０および図１１）との違いは、図８および図９に示すように、ＴＦＴ４のレーザ照射切断部において、半導体層１２上方の層間膜１４上にソースメタルからなる保護膜９が設けられていない点である。レーザ照射部（カット部）Ｂ１の上層部側に保護膜９をソースバスライン２と同じ金属層で形成する。
【０１２４】
今回、レーザリペア作業のカット時の一例として説明するカット位置は、点欠陥の発生した絵素（画素）において、半導体層のドレイン部への電圧供給をＴＦＴ４からではなく、ソースバスライン２から直にするため、絵素電極３に接続された半導体層のドレイン部とＴＦＴ４とを切断するための位置であり、図８のカット部Ｂ１をレーザ照射によりカットする。このときには、既に、ＴＦＴ基板１１０Ａと対向基板１１０Ｂとは貼り合わされており、レーザ照射はガラス基板１０の裏面から行われる。
【０１２５】
レーザ照射場所については、各絵素部において同じであり、点欠陥が発生した絵素部において、その一例として、画素ＴＦＴ部（デュアルゲート間）の半導体層１２のドレイン領域を、今回の実施評価ではカットを行った。レーザ照射サイズ・形状については、カットしたいシリコン幅（半導体層１２の幅）を考慮して決定する必要があり、今回の実施評価では８．８μｍ×４．２μｍの長方形状で行った。
【０１２６】
レーザ照射強さについては、カット時は、半導体層１２を盛り上がらせるだけではなく、半導体層１２を切断する必要があるので、メルト時よりも大きいパワーにてレーザ照射する必要があり、今回の実施評価ではレーザ強度５（レーザ装置の強度目盛値）で行った。また、レーザ照射回数については、確実にカットが実現できる回数が必要であり、今回の実施評価では３回で行った。
【０１２７】
今回の実施評価において、これらの各条件がカット作業を成功させるための最適条件になるが、それでもカット部周囲への悪影響を考慮する必要がある。この悪影響の具体的な内容としては、まず、他の部材へのリーク系の不具合が考えられる。このリーク系の不具合の発生を防ぐことが、レーザリペア作業のカット時にとって、更に作業効率を上げるためには重要である。
【０１２８】
また、以上の最適条件であるレーザサイズ、強さおよび回数にてレーザリペア作業を実施した場合において、この実施評価結果により、メルト時よりもカット時の方が、レーザサイズが大きくなり、レーザ強さが強くなり、レーザ照射回数が増える。このため、メルト時よりもカット時の方が、周囲への悪影響を考慮する必要性が大きくなる。
【０１２９】
図１３および図１４は、本発明の保護膜９がない場合に、参考例として、レーザ照射によるカット時に発生すると想定されるリークなどの不具合発生について説明するためのカット前後の状態を示す要部断面図である。ここでは、説明を簡略化するために、配向膜１７，４２はその記載を省略している。
【０１３０】
図１３に示すように、ガラス基板１０上に、ベースコート膜１１〜透明な絵素電極３が順次積層されたＴＦＴ基板１１０Ａと、透明な対向電極４１やカラーフィルタ（ＣＦ）が形成された対向基板１１０Ｂとが間に液晶層１１１を挟んで対向配置されている。点欠陥が検出されると、その半導体層のカット部Ｂ１に、ガラス裏面側からレーザ照射して画素ＴＦＴ部（デュアルゲート間）の半導体層１２をカットする。
【０１３１】
図１４に示すように、そのガラス裏面側からのレーザ照射により、ＴＦＴ４のドレイン領域（半導体層１２）は、カット部で、盛り上がり、捲き上がりしつつカットされる。このとき、半導体層１２の導体破片が飛び散って、半導体層１２と絵素電極３とのリークやソースメタルと絵素電極３とのリークなどが生じる原因となる。さらに、レーザ余剰パワーが影響して、絵素電極３（反射膜１６がある場合にはその上の反射膜１６も）が盛り上がり、絵素電極３と対向電極４１との間にもリークが生じる原因となる。
【０１３２】
図１５は、本発明の保護膜９がある場合に、レーザ照射によるカット時の状態について説明するための要部断面図である。
【０１３３】
図１５に示すように、層間膜１４上に保護膜９がある場合には、保護膜９によって半導体層１２の導体破片の周囲への飛び散りが防止され、レーザ余剰パワーが吸収されるので、絵素電極３（反射膜１６がある場合にはその上の反射膜１６も）の盛り上がりが防止されて、絵素電極３と対向電極４１との間にもリークが防止される。
【０１３４】
なお、本実施形態１では、保護膜８，９の材料として、ソースバスライン２のソースメタル（ソースＳＥ膜）で構成することを前提に説明してきたが、プロセス条件や層間での各層の位置関係などにおいて、可能であるならば、ゲートメタル１（ＧＥ膜）で構成してもよい。また、標準プロセスにて使用していない材料などで保護膜８，９を構成してもよい。この場合には、プロセスの追加になるが、そのようにする必要がある（メリットがある）ならばよく、いずれにせよ実施可能である。したがって、本発明の保護膜８，９の材質としてはソースメタルやゲートメタルに限定する必要がない。
【０１３５】
また、上記実施例１では、点欠陥を修正するためのレーザ照射部の上層側（背後部側）に、レーザ余剰パワー吸収および導体破片飛び散り防止用の保護膜８（メルト時）と、導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用の保護膜９（カット時）とを設けた場合について説明したが、本発明はこれに限らず、これらのいずれかの保護膜だけを用いていてもよく、これらの保護膜を三つ以上用いていてもよい。
【０１３６】
（実施形態２）
本実施形態２では、点欠陥を修正するためのレーザ照射部の上層側（背後部側）に、導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用のスペーサ部（ＰＳ部）を設ける場合について説明する。
【０１３７】
図１６は、本実施形態２の液晶表示装置において液晶層を挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のＴＦＴ基板の基本単位毎の要部構成例を示す平面図であり、図１７は図１６のＣ−Ｃ’線断面図である。図１８は、参考例のＴＦＴ切断部分を示す平面図であり、図１９は図１８のＣ−Ｃ’線断面図である。なお、図１６および図１８では、説明を簡単にするために絵素電極３の記載を省略している。
【０１３８】
本実施形態２（図１６および図１７）と参考例（図１８および図１９）との違いは、図１６および図１７に示すように、ＴＦＴ４のレーザ照射切断部（デュアルゲート間）において、半導体層１２の上方の樹脂層１５を壁状に所定高さだけ突出させた基板間隔保持用のスペーサ部８１（ＰＳ部）が設けられている点である。
【０１３９】
図１６および図１７に示すように、カット時のレーザ照射部Ｃ１の上層側（背後側）に導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用の第２の保護部材（スペーサ部材）としてのスペーサ部８１（ＰＳ部）が設けられている。このＰＳ部８１は、ＴＦＴ基板（アクティブマトリクス基板）において樹脂層１５と一体的に形成され、最上層の表面から所定距離（基板間隔）だけ保持するべく突出している。
【０１４０】
従来から、セル厚の精度を確保するためには、ＰＳ（仮称円筒状スペーサ）を使用する技術と、ＰＢ（仮称球状ビーズ）を使用する技術とが知られている。ＰＢを使用する場合には、位置を固定せずに貼り合わせ時にＰＢを散布し、その大きさ（高さ）により、ＴＦＴ基板と対向基板の貼り合わせ時の基板間隔（スペース；セル厚）が確保される。透過型液晶表示装置においては、このＰＢが用いられることが多い。一方、ＰＳを使用する場合には、任意の位置にＰＳを固定して作製することにより、ＴＦＴ基板と対向基板との貼り合わせ時の基板間隔（スペース；セル厚）が確保される。特に、最近では、透過型表示モードと反射型表示モードの二つのモードを有する半透過型液晶表示装置において、ＰＳが用いられていることが多い。
【０１４１】
レーザ照射部（ＴＦＴ部付近が多い）は、透過部に配置するとその透過率がその領域分だけ減少してしまうので、反射部に配置すると、反射膜１６の下側に位置するので、透過率には影響しない。このように、レーザ照射部は透過部よりも反射部に配置される方が好ましい場合が多く、大抵の場合、レーザ照射部は平面視反射部側に配置されている。これによって、ＰＳ部８１の配置も反射部側となる。半透過型液晶表示装置の場合には、反射部は透過部に比べてセル厚を１／２とする必要があるので、図２０および図２１では、ガラス基板４０上にＣＦ層４３（ＣＦ；カラーフィルタ）が設けられ、その上に、反射部のみＣＦ（Ｗｈｉｔｅ）４４が設けられ、さらにその上に透明な対向電極４１が設けられている。このように、反射部のみ対向基板にＣＦ（Ｗｈｉｔｅ）４４を配置することにより、セル厚の調整が行われている。なお、遮光が必要なときは、ＢＭ（ブラックマトリクス）がガラス基板４０上に存在することがあるが、ここではそのＢＭは省略している。図２１では、反射部上にＰＳ部８１を形成するために、このＣＦ４４のサイズや形状を考慮する必要があるため、そのＰＳ部８１は、ＴＦＴ基板と対向基板との貼り合わせ時にＰＢを散布するのではなく、予めＴＦＴ基板または対向基板に配置形成しておく必要がある。
【０１４２】
ＴＦＴ基板側でＰＳ部８１を形成する場合は、ＰＳ部８１の材質は、通常、樹脂を用いても問題ないため、樹脂層１５と同じ材料にて同時に作製（同じ材料にて共通化）することが可能である。この場合、樹脂層１５の作製工程において、通常の樹脂層１５の厚みに追加して、ＰＳ部８１の配置位置についてはさらに樹脂層を追加形成してＰＳ部８１を作製することができる。
【０１４３】
なお、ＰＳ部８１の材質は樹脂に限らず、新たな工程が追加されても、特定の材質でＰＳ部８１を製作する必要がある場合には、その特定の材質でＰＳ部８１を作製しても問題はない。即ち、ＰＳ部８１の材料は樹脂に限らない。その場合には、ＰＳ部８１の作製プロセスが追加され、ＰＳ部８１の作成する前に、透明電極３と反射膜１６の工程がはいる場合もある（図１７（ｂ））。
【０１４４】
また、ＰＳ部８１が樹脂層１５と同じ材料でも、透明電極３と反射膜１６の工程が、ＰＳ部の作製する前にはいり、樹脂層の工程が２回に分かれる場合もある。（図１７（ｂ））。即ち、その２回の工程の間に透明電極３と反射膜１６の工程がはいる。
【０１４５】
さらに、ＰＳ部８１が樹脂層１５と違う樹脂材料でも問題はない。このときも工程は２回に分かれる。この場合にも、その２回の樹脂工程の間に透明電極３と反射膜１６の工程がはいる。
【０１４６】
ＰＳ部８１が樹脂からなる場合、レーザリペア時、レーザ照射部の上層部側（背後側）にＰＳ部８１を配置できるように設計しておけば、ＰＳ部８１がレーザ余剰パワーを吸収することはできないが、レーザ余剰パワーにより絵素電極３（反射膜がある場合には反射膜も）が盛り上がりそうな場合にも、ＰＳ部８１がこれらの押さえとなって、その盛り上がりを防止することができる。また、絵素電極３（反射膜がある場合には反射膜も）の導電体片が飛び散りそうな場合においても、それの押さえとなってその飛び散りを防止することができる。これによって、レーザリペア作業時に、リークなどの不具合が発生することを防いで、レーザリペア作業のメルト時およびカット時において、さらに作業効率を向上させることができる。
【０１４７】
因みに、透明な絵素電極３の上層側には導体（アルミニウム）からなる反射膜があり、レーザ余剰パワーは透明な絵素電極３にはあまり悪影響を及ぼしにくいが、反射膜１６（反射電極）はレーザ余剰パワーを吸収するので、反射膜１６には悪影響を及ぼす。
【０１４８】
図２２は、本発明のＰＳ部が設けられていない場合の透過型の対向基板であるＣＦ基板の要部断面図であり、図２３は、本発明のＰＳ部が設けられている場合の透過型の対向基板であるＣＦ基板の要部断面図である。
【０１４９】
図２２においては、対向基板であるＣＦ基板において、ガラス基板４０上にＣＦ層４３が設けられ、この上に透明な対向電極４１が設けられている。
【０１５０】
図２３においては、対向基板であるＣＦ基板において、ガラス基板４０上にＣＦ層４３が設けられ、この上に透明な対向電極４１が設けられ、さらにこの上にＰＳ部８１が設けられている。
【０１５１】
このＣＦ基板の製造方法について説明すると、まず、０．５ｍｍの厚さのガラス基板４０上にＣＦ層４３の載せ、この上に透明な対向電極４１をスパッタリング法により１００ｎｍの膜厚に積層し、これを所定の形状にパターンニングする。このＣＦ基板とＴＦＴ基板とを張り合わせプロセスは、ＣＦ基板の絵素電極３およびＴＦＴ基板の対向電極上にそれぞれ印刷された各配向膜（ＰＩ）にラビング処理をそれぞれ施し、両基板を対向させて張り合わせ、その間に液晶層１１１を封止する。
【０１５２】
図２４は、本発明のＰＳ部８１を形成した場合のメルト後の状態を示す要部断面図であり、図２５は、本発明のＰＳ部８１を形成した場合のカット後の状態を示す要部断面図である。
【０１５３】
図２４に示すように、短絡（メルト）させるためのレーザ照射位置に対するレーザ照射時に、レーザ照射部の上層側にＰＳ部８１を設けたので、レーザ余剰パワーでの絵素電極３およびその上にある反射膜１６の盛り上がりが防止される。これは、メルト処理が行われる短絡部分（レーザ照射部）の上層側（背後側）にＰＳ部８１を配置させる場合である。
【０１５４】
図２５に示すように、切断（カット）させるためのレーザ照射位置に対するレーザ照射時に、レーザ照射部の上層側にＰＳ部８１を設けたので、レーザ余剰パワーでの絵素電極３およびその上にある反射膜１６の盛り上がりおよび導体片の飛び散りが防止される。
【０１５５】
これによって、レーザリペア作業時に発生するリーク系の不具合の発生を防止することができ、レーザリペア作業時のメルト時、カット時にとって、更に作業効率を上げることができる。
【０１５６】
本実施形態２において、ＰＳ部８１の形状とサイズについては、通常は円筒形の形状であり、サイズは直径９μｍ程度である。このＰＳ部８１のサイズがあまり小さいと、ＰＳ部８１の形成時の作成が困難であり、セル厚の精度を確保するときに、形状が変化してしまう心配がある。よって、ＰＳ部８１のサイズは、レーザ照射サイズよりも基本的には大きいため、そのリーク防止機能は十分に果たすことができる。
【０１５７】
（実施形態３）
上記実施形態２では、ＰＳ部８１をＴＦＴ基板側に形成したが、本実施形態３では、その他の事例として、ＰＳ部８２として対向基板側に形成する場合について更に説明する。
【０１５８】
図２６および図２７はそれぞれ、本実施形態３の液晶表示装置の各例において、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼りあわせた状態について、図１８のＣ−Ｃ’線部分に相当する部分の断面図である。
【０１５９】
図２６および図２７に示すように、カット時のレーザ照射部（カットＣ１）の上層側にＰＳ部８２が設けられている。このＰＳ部８２は、対向基板（ＣＦ基板）側に設けられている。
【０１６０】
ＰＳ部８２を対向基板側に設ける場合には、例えばＰＳ部８２の材質が樹脂ならば、対向基板を作製する工程において、樹脂層を形成する工程が追加される。その追加工程は、透明電極である対向電極４１を形成する工程の前工程（図２６；ＰＳ部８２の所には対向電極４１がない）または後工程（図２７；ＰＳ部８２の所にも対向電極４１がある）において行われる。
【０１６１】
どちらの工程順序を採用するかについては、設計時にＰＳ部８２の材質やコスト、日程などを考慮して総合的に判断して決定する必要がある。
【０１６２】
ＰＳ部８２が樹脂層からなる場合、上記実施形態２の場合と同様に、レーザリペア時のレーザ照射部の上層側（背後側）にＰＳ部８２を配置しておけば、ＰＳ部８２はレーザ余剰パワーを吸収することはできないが、レーザ余剰パワーにより絵素電極３が盛り上がりそうな場合にも、その押さえとなって、盛り上がりを防止することができる。これによって、レーザリペア作業時に、リークなどの不具合が発生することを防いで、レーザリペア作業のメルト時およびカット時において、さらに作業効率を向上させることができる。このＰＳ部８２の材料についても、樹脂に限られず、プロセスは追加されるが、必要に応じて他の材料でＰＳ部を作製することができる。
【０１６３】
（実施形態４）
レーザリペア作業において、メルト処理とカット処理の両方の作業を実施して、絵素部の点欠陥を修復する場合には、メルト処理よりもカット処理を先に行う方が処理が効率的になる。
【０１６４】
本来の絵素部の点欠陥の修復という意味では、メルト処理とカット処理の両方の作業を一連の作業として行い、両方の処理を最後まで行ってから、レーザリペア作業が成功したかということを確認する。即ち、絵素部の点欠陥が問題ないというレベルになっているかどうかということを確認することが普通であるが、この場合には、両方の作業が成功していないと意味がない。
【０１６５】
したがって、どちらかの作業（メルト処理またはカット処理）のみをした時点で、まず、今、実施した方の作業の成功だけを先に確認できれば、作業効率がよいはずである。仮に、その作業が失敗していれば、その片方の作業が終了した時点でその作業は終了できるからである。どちらの処理を先にするかということについてはメルト処理またはカット処理の作業の内容から、カット処理の方がレーザ強度は強く、レーザ照射回数も多いということで、失敗する確率が高くなる。また、処理が成功しているかどうかの確認についても、簡易的ではあるが、目視のみによるチェックが可能であることから、カット処理をメルト処理よりも先に行うべきである。カット処理が成功したかどうかを確認することは、半導体層などのレーザ照射部が切断されているかどうかを確認するので、基板裏面から光学的な目視により物理的に部材が離間しているかどうかを確認することができる。これに対して、メルト処理の場合の確認は、層間のショートであるから、層間が電気的に接続（短絡）されているかどうかを目視にて確認することは困難である。
【０１６６】
よって、メルト処理とカット処理の両方の作業を実施する場合には、レーザリペア作業の順番については、成功率が低いカット処理が終わってから、確認に時間がかかるメルト処理を行う。これによって、作業効率が向上する。
【０１６７】
（実施形態５）
上記実施例１〜４では、半導体シリコン（Ｓｉ）層の上層側に制御電極としてのゲート電極（ゲート金属層；ゲートメタル）が配置されているトップゲート構造について説明したが、本実施形態５では、半導体シリコン（Ｓｉ）層の下層側に制御電極としてのゲート電極（ゲート金属層；ゲートメタル）が配置されているボトムゲート構造においても、本発明は適用可能であり、レーザ照射部の上層側に保護部材としての保護膜８，９やＰＳ部８１，８２を形成することができる。
【０１６８】
図２８は、ボトムゲート構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、液晶層を挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のＴＦＴ側基板の構成例を示す平面図であり、図２９は図２８のＹ−Ｙ’線部分の断面図であり、図３０は図２８のＸ−Ｘ’線部分の断面図であり、図３１は図２８のＡ−Ａ’線部分の断面図である。
【０１６９】
図２８〜図３１に示すように、ボトムゲート構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、ゲートバスライン１、付加容量バスライン５およびゲートメタル突出部７Ｂを構成するゲート金属層の上にゲート絶縁膜１３を介してドレイン領域および半導体層（Ｓｉ層）突出部１２Ａを構成する半導体層１２が設けられている。それ以外は、図１に示すアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成と同様である。
【０１７０】
図２８〜図３１に示すアクティブマトリクス型液晶表示装置においても、ゲートメタル突出部７Ｂおよび半導体層突出部１２Ａとの重畳部にレーザ照射を行ってゲート絶縁膜１３を破壊させ、ゲートメタル突出部７Ｂおよび半導体層突出部１２Ａを短絡させることにより、欠陥絵素を修正することが可能である。
【０１７１】
また、レーザ照射部の上層側に保護膜８Ａを設けることにより、レーザリペア時のメルト作業時に、レーザ余剰パワーによる導体の盛り上がりや導体破片飛び散りを防止して、レーザ修正作業の効率を向上させることができる。
【０１７２】
また、レーザ照射部の上層側にＰＳ部８１，８２を設けることにより、レーザリペア時のカット作業時に、導体破片の飛び散りや導体の盛り上がりを防止して、レーザ修正作業の効率を向上させることができる。
【０１７３】
なお、上記実施形態１〜５では、表示装置として、表示媒体として液晶を用いた液晶表示装置について説明したが、これに限らず、ＥＬ発光層やプラズマ発光体を用いた表示装置についても適用可能である。また、上記実施形態１〜５では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ４）を用いたアクティブ型液晶表示装置について説明したが、これに限らず、ＭＩＭ素子やダイオード素子、ＭＯＳトランジスタなどを用いた液晶表示装置などの各種の表示装置についても適用可能である。
【０１７４】
また、上記実施形態１〜５では、第１の突出部および第２の突出部の重畳部を含む隅部にＹＡＧレーザ光を照射し第１の突出部および第２の突出部を短絡させるように構成したが、これに限らず、ＹＡＧレーザ光以外のレーザ光（レーザビーム）などの熱エネルギーを照射して第１の突出部および第２の突出部を短絡させることもできる。
【０１７５】
さらに、上記実施形態１〜５では、レーザ照射部の材質については特に説明しなかったが、半導体層の他、導電性物質層として、窒化タンタルおよびタングステンの積層構造、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＡｌおよびＣｕなどの金属材料、またはこれらの金属元素を主成分とする合金材料または化合物材料を用いてもよい。要は、短絡（メルト）および電気的接続に対して相性がよく、効率的かつ確実に短絡および電気的接続し安いもの、またはカットしやすいものであればよい。
【０１７６】
さらに、上記実施形態１〜５では、保護部材として金属層で構成された保護膜８，９およびＰＳ部８１，８２のレーザ照射部側の面は、平坦であったが、これに限らず、下に凹形状（下方向に開いた断面コ字状）であってもよい。保護膜８，９は、エネルギーを吸収可能とする着色した樹脂層であってもよい。着色した樹脂層は層間膜１４の内部に埋め込むように構成してもよい。
【０１７７】
さらに、上記実施形態１、４，５では、保護部材として金属層で構成された保護膜８，９の形状が平面視で正方形または長方形の四角形で構成したが、これに限らず、四角形以外の三角形、五角形および六角形などの目印として有効な形状の多角形であってもよく、また、目印として有効な形状の円形、楕円形および十字形などであってもよい。この保護部材としての保護膜は、レーザ照射位置を位置決め（レーザ照射位置合わせ）するための目印（目安）として用いられる。また、保護部材として金属層で構成された保護膜８，９の平面視サイズがレーザ照射スポットと同じ形状でレーザ照射スポットのサイズよりも大ききかまたは同じ大きさとしてもよい。要は、保護膜８，９の平面視サイズがレーザ照射スポットの基準サイズになっていれば、容易にレーザ照射スポットのサイズを合わせたり確認したりすることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１７８】
例えば液晶テレビジョンやコンピュータ端末表示装置など画像表示装置の分野において、製造工程が煩雑にならず、絵素欠陥の修復をより確実に行うことができて、製造歩留まりの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７９】
【図１】（ａ）は、本発明のアクティブ型液晶表示装置の実施形態１において、液晶層を間に挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のアクティブマトリクス基板の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線部分の断面図である。
【図２】図１（ａ）の矢印Ｚで示す○で囲んだ本発明の要部の拡大図であって、（ａ）は欠陥修正時のレーザ照射位置としてレーザスポットＲが隅部に照射される場合を示す図、（ｂ）は欠陥修正時のレーザ照射位置としてレーザスポットＲが重畳部中央に照射される場合を示す図である。
【図３】（ａ）は、図１のＢ−Ｂ’線断面図であり、（ｂ）は、図１のＹ−Ｙ’線断面図である。
【図４】（ａ）はレーザ照射による影響部Ｓ１を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）のレーザ照射による影響部Ｓ１に対して、レーザスポットＲを同一の大きさにして、レーザパワーのみを増大させた場合のレーザ照射による影響部Ｓ２を示す図である。
【図５】本発明の保護膜がない場合に、レーザ照射によるメルト時に発生すると想定されるリークなどの不具合発生について説明するためのメルト前の状態を示す要部断面図である。
【図６】本発明の保護膜がない場合に、レーザ照射によるメルト時に発生すると想定されるリークなどの不具合発生について説明するためのメルト後の状態を示す要部断面図である。
【図７】本発明の保護膜がある場合に、レーザ照射によるメルト時の状態について説明するための要部断面図である。
【図８】図１（ａ）のＴＦＴ切断部分を示す平面図である。
【図９】図８のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図１０】参考例のＴＦＴ切断部分を示す平面図である。
【図１１】図１０のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図１２】図１の保護膜の形状を示す図である。
【図１３】本発明の保護膜がない場合に、参考例として、レーザ照射によるカット時に発生すると想定されるリークなどの不具合発生について説明するためのカット前の状態を示す要部断面図である。
【図１４】本発明の保護膜がない場合に、参考例として、レーザ照射によるカット時に発生すると想定されるリークなどの不具合発生について説明するためのカット後の状態を示す要部断面図である。
【図１５】本発明の保護膜がある場合に、レーザ照射によるカット時の状態について説明するための要部断面図である。
【図１６】本実施形態２の液晶表示装置において液晶層を挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のＴＦＴ基板の基本単位毎の要部構成例を示す平面図である。
【図１７】図１６のＣ−Ｃ’線断面図である。
【図１８】参考例のＴＦＴ切断部分を示す平面図である。
【図１９】図１８のＣ−Ｃ’線断面図である。
【図２０】本発明のＰＳ部が設けられていない場合の半透過型の対向基板であるＣＦ基板の要部断面図である。
【図２１】本発明のＰＳ部が設けられている場合の半透過型の対向基板であるＣＦ基板の要部断面図である。
【図２２】本発明のＰＳ部が設けられていない場合の透過型の対向基板であるＣＦ基板の要部断面図である。
【図２３】本発明のＰＳ部が設けられている場合の透過型の対向基板であるＣＦ基板の要部断面図である。
【図２４】本発明のＰＳ部を形成した場合のメルト後の状態を示す要部断面図である。
【図２５】本発明のＰＳ部を形成した場合のカット後の状態を示す要部断面図である。
【図２６】本実施形態３の液晶表示装置の一例において、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼りあわせた状態について、図１８のＣ−Ｃ’線部分に相当する部分の断面図である。
【図２７】本実施形態３の液晶表示装置の他の一例において、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼りあわせた状態について、図１８のＣ−Ｃ’線部分に相当する部分の断面図である。
【図２８】本発明のアクティブ型液晶表示装置の実施形態５（ボトムゲート構造）において、液晶層を挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のＴＦＴ側基板の構成例を示す平面図である。
【図２９】図２８のＹ−Ｙ’線部分の断面図である。
【図３０】図２８のＸ−Ｘ’線部分の断面図である。
【図３１】図２８のＡ−Ａ’線部分の断面図である。
【図３２】（ａ）は、従来のアクティブ型液晶表示装置において、液晶層を挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のアクティブマトリクス基板における基本単位の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線部分の断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＹ−Ｙ’線部分の断面図である。
【図３３】他の従来の液晶表示装置において、一方のアクティブ基板（ＴＦＴ基板）の概略構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１８０】
１  ゲートバスライン
１ａ  ゲート領域
２  ソースバスライン
２Ａ  コンタクトホール部
３  絵素電極（透明電極）
４  ＴＦＴ
５  付加容量バスライン（ゲートメタル）
５Ａ  ゲートメタル
６  ソースメタル
６Ａ  コンタクトホール
７，７Ｂ  ゲートメタル突出部
８，８Ａ，９，９Ａ  ソースメタル（保護膜）
１０  ガラス基板
１１  ベースコート膜
１２  半導体層
１２ａ  チャネル領域
１２ｂ  Ｎ−層（ＬＤＤ領域）
１２ｃ  Ｎ＋層（ソース領域、ドレイン領域）
１３  ゲート絶縁膜
１４  層間膜
１５  樹脂層
１６  反射膜
１７，４２  配向膜（ＰＩ）
４０  ガラス基板
４１  対向電極
４３  ＣＦ（ＲＥＤ、ＧＲＥＥＮ、ＢＬＵＥ）
４４  ＣＦ（ＷＨＩＴＥ）
８１，８２  ＰＳ部
１１０  液晶表示装置
１１０Ａ  アクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）
１１０Ｂ  対向基板（ＣＦ基板）
１１１  液晶層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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