(57)【要約】【課題】  垂直配向液晶を用いた広視野角の液晶表示装置では配向制御手段としてカラーフィルタ上に有機性樹脂を用いた突起が形成されるが、そのため製造コストが上がることは回避困難であった。【解決手段】  カラーフィルタの着色層を部分的に除去して溝を形成し、この溝を覆うように対向電極を形成し、突起に代えて溝を配向制御手段とすることでコストの上昇を回避する。同様にアクティブ基板上の絵素電極下の絶縁層を除去して溝を形成し、この溝を覆うように絵素電極を形成してスリットに代えて溝を配向手段とする。またこれらの溝に遮光層を付与することにより黒表示時に黒レベルが低減してコントラスト比が向上する。あるいは白表示時に液晶分子がねじれて視野角依存性が発生することも防止できる。【選択図】  図１
2005283691.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された透明導電性の絵素電極を有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、その一主面上に透明導電性の対向電極を有し前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に電圧無印加時に垂直配向する液晶を充填してなる液晶表示装置において、
前記第１の透明性絶縁基板上に前記液晶に電圧を印加した時に液晶が配向する方向を規制する第１の配向制御手段と、
前記第２の透明性絶縁基板上に前記液晶に電圧を印加した時に液晶が配向する方向を規制する第２の配向制御手段を備え、
前記第１の配向制御手段は、少なくとも、第１の透明性絶縁基板上の絶縁層の一部が帯状に開口され、前記開口部を含んで形成された絵素電極内の溝領域であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された透明導電性の絵素電極を有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、その一主面上に透明導電性の対向電極を有し前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に電圧無印加時に垂直配向する液晶を充填してなる液晶表示装置において、
前記第１の透明性絶縁基板上に前記液晶に電圧を印加した時に液晶が配向する方向を規制する第１の配向制御手段と、
前記第２の透明性絶縁基板上に前記液晶に電圧を印加した時に液晶が配向する方向を規制する第２の配向制御手段を備え、
前記第２の配向制御手段は、少なくとも、カラーフィルタ上の着色層の一部が帯状に開口され、前記開口部を含んで形成された対向電極内の溝領域であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記開口部よりわずかにパターン幅の広い金属層が前記開口部下に形成されていることを特徴とする請求項１及び請求項２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はカラー画像表示機能を有する液晶表示装置、とりわけ広視野角の液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の微細加工技術、液晶材料技術および高密度実装技術等の進歩により、５〜５０ｃｍ対角の液晶表示装置でテレビジョン画像や各種の画像表示機器が商用ベースで大量に提供されている。また、液晶パネルを構成する２枚のガラス基板の一方にＲＧＢの着色層を形成しておくことによりカラー表示も容易に実現している。特にスイッチング素子を絵素毎に内蔵させた、いわゆるアクティブ型の液晶パネルではクロストークも少なく、応答速度も早く高いコントラスト比を有する画像が保証されている。
【０００３】
これらの液晶表示装置（液晶パネル）は走査線としては２００〜１２００本、信号線としては３００〜１６００本程度のマトリクス編成が一般的であるが、最近は表示容量の増大に対応すべく大画面化と高精細化とが同時に進行している。
【０００４】
図１４は液晶パネルへの実装状態を示し、液晶パネル１を構成する一方の透明性絶縁基板、例えばガラス基板２上に形成された走査線の電極端子群５に駆動信号を供給する半導体集積回路チップ３を導電性の接着剤を用いて接続するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）方式や、例えばポリイミド系樹脂薄膜をベースとし、金または半田メッキされた銅箔の端子を有するＴＣＰフィルム４を信号線の電極端子群６に導電性媒体を含む適当な接着剤で圧接して固定するＴＣＰ（Ｔａｐｅ−Ｃａｒｒｉｅｒ−Ｐａｃｋａｇｅ）方式などの実装手段によって電気信号が画像表示部に供給される。ここでは便宜上二つの実装方式を同時に図示しているが実際には何れかの方式が適宜選択される。
【０００５】
液晶パネル１のほぼ中央部に位置する画像表示部内の画素と、走査線及び信号線の電極端子５，６との間を接続する配線路が７、８で、必ずしも電極端子５，６と同一の導電材で構成される必要はない。９は全ての液晶セルに共通する透明導電性の対向電極を対向面上に有するもう１枚の透明性絶縁基板である対向ガラス基板またはカラーフィルタである。
【０００６】
図１５はスイッチング素子として絶縁ゲート型トランジスタ１０を絵素毎に配置したアクティブ型液晶表示装置の等価回路図を示し、１１（図１４では７）は走査線、１２（図１４では８）は信号線、１３は液晶セルであって、液晶セル１３は電気的には容量素子として扱われる。実線で描かれた素子類は液晶パネルを構成する一方のガラス基板２上に形成され、点線で描かれた全ての液晶セル１３に共通な対向電極１４はもう一方のガラス基板９の対向する主面上に形成されている。絶縁ゲート型トランジスタ１０のＯＦＦ抵抗あるいは液晶セル１３の抵抗が低い場合や表示画像の階調性を重視する場合には、負荷としての液晶セル１３の時定数を大きくするための補助の蓄積容量１５を液晶セル１３に並列に加える等の回路的工夫が加味される。なお１６は蓄積容量１５の共通母線となる蓄積容量線である。
【０００７】
図１６は液晶表示装置の画像表示部の要部断面図を示し、液晶パネル１を構成する２枚のガラス基板２，９は樹脂性のファイバ、ビーズあるいはカラーフィルタ９上に形成された柱状スペーサ等のスペーサ材（図示せず）によって数μｍ程度の所定の距離を隔てて形成され、その間隙（ギャップ）はガラス基板９の周縁部において有機性樹脂よりなるシール材と封口材（何れも図示せず）とで封止された閉空間になっており、この閉空間に液晶１７が充填されている。
【０００８】
カラー表示を実現する場合には、ガラス基板９の閉空間側に着色層１８と称する染料または顔料のいずれか一方もしくは両方を含む厚さ１〜２μｍ程度の有機薄膜が被着されて色表示機能が与えられるので、その場合にはガラス基板９は別名カラーフィルタ（Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ  略語はＣＦ）と呼称される。そして液晶材料１７の性質によってはガラス基板９の上面またはガラス基板２の下面の何れかもしくは両面上に偏光板１９が貼付され、液晶パネル１は電気光学素子として機能する。現在、市販されている大部分の液晶パネルでは液晶材料にＴＮ（ツイスト・ネマチック）系の物を用いており、偏光板１９は通常２枚必要である。図示はしないが、透過型液晶パネルでは光源として裏面光源が配置され、下方より白色光が照射される。
【０００９】
液晶１７に接して２枚のガラス基板２，９上に形成された例えば厚さ０．１μｍ程度のポリイミド系樹脂薄膜２０は液晶分子を決められた方向に配向させるための配向膜である。２１は絶縁ゲート型トランジスタ１０のドレインと透明導電性の絵素電極２２とを接続するドレイン電極（配線）であり、信号線（ソース線）１２と同時に形成されることが多い。信号線１２とドレイン電極２１との間に位置するのは半導体層２３であり詳細は後述する。カラーフィルタ９上で隣り合った着色層１８の境界に形成された厚さ０．１μｍ程度のＣｒ薄膜層２４は半導体層２３と走査線１１及び信号線１２に外部光が入射するのを防止するための光遮蔽部材で、いわゆるブラックマトリクス（Ｂｌａｃｋ  Ｍａｔｒｉｘ 略語はＢＭ）として定着化した技術である。
【００１０】
ここでスイッチング素子として絶縁ゲート型トランジスタの構造と製造方法に関して説明する。現在絶縁ゲート型トランジスタには２種類のものが多用されており、そのうちの一つのチャネルエッチ型と呼称されるものを従来例として紹介する。図１７は従来の液晶パネルを構成するアクティブ基板（表示装置用半導体装置）の単位絵素の平面図であり、図１７（ｅ）のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’線上の断面図を図１８に示し、その製造工程を以下に簡単に説明する。
【００１１】
先ず図１７（ａ）と図１８（ａ）に示したように耐熱性と耐薬品性と透明性が高い絶縁性基板として厚さ０．５〜１．１ｍｍ程度のガラス基板２、例えばコーニング社製の商品名１７３７の一主面上にＳＰＴ（スパッタ）等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層を被着し、微細加工技術により感光性樹脂パターンを用いてゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１と蓄積容量線１６を選択的に形成する。走査線の材質は耐熱性と耐薬品性と耐弗酸性と導電性とを総合的に勘案して選択するが一般的にはＣｒ，Ｔａ，ＭｏＷ合金等の耐熱性の高い金属または合金が使用される。走査線１１と蓄積容量線１６の形成と同時に画像表示部外の領域で走査線１１の一部よりなる（電極端子）５も同時に形成する。
【００１２】
次にガラス基板２の全面にＰＣＶＤ（プラズマ・シーブイデー）装置を用いてゲート絶縁層となるＳｉＮｘ層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及び不純物を含み絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる第２の非晶質シリコン層３３と３種類の薄膜層を、例えば０．３−０．２−０．０５μｍ程度の膜厚で順次被着する。そして図１７（ｂ）と図１８（ｂ）に示したように微細加工技術により感光性樹脂パターンを用いてゲート電極１１Ａ上に第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａとの積層よりなる島状の半導体層をゲート１１電極Ａよりも幅広く選択的に形成してゲート絶縁層３０を露出する。
【００１３】
引き続きソース・ドレイン配線の形成工程ではＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の薄膜層３４と、膜厚０．３μｍ程度の低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５と、膜厚０．１μｍ程度の中間導電層を順次被着する。そして図１７（ｃ）と図１８（ｃ）に示したように微細加工技術により感光性樹脂パターンを用いてこれらの薄膜層を順次食刻し、ゲート電極１１Ａと一部重なるように３４Ａ，３５Ａ及び３６Ａの積層よりなる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１とソース配線も兼ねる信号線１２を選択的に形成するが、ここでは第２の非晶質シリコン層３３Ａ及び第１の非晶質シリコン層３１Ａも順次食刻し、第１の非晶質シリコン層３１Ａは０．０５〜０．１μｍ程度残して食刻する。ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に画像表示部外の領域で信号線１２の一部よりなる（電極端子）６も同時に形成する。
【００１４】
ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後はガラス基板２の全面に透明性の絶縁層として０．３μｍ程度の膜厚のＳｉＮｘ層を被着してパシベーション絶縁層３７とし、微細加工技術により感光性樹脂パターンを用いて図１７（ｄ）と図１８（ｄ）に示したようにドレイン電極２１上、走査線の一部５上及び信号線の一部６上に夫々開口部６２，６３及び６４を形成し、開口部６２，６４内のパシベーション絶縁層３７と、開口部６３内のパシベーション絶縁層３７とゲート絶縁層３０を選択的に除去してこれらの電極を露出する。同様に蓄積容量線１６（を平行に束ねた電極パターン）上には開口部６５を形成して蓄積容量線１６の一部を露出する。
【００１５】
最後にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層として例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）あるいはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）を被着し、図１７（ｅ）と図１８（ｅ）に示したように微細加工技術により感光性樹脂パターンを用いて開口部６２を含んでパシベーション絶縁層３７上に絵素電極２２を選択的に形成してアクティブ基板２として完成する。開口部６３内の露出している走査線１１の一部を電極端子５とし、開口部６４内の露出している信号線１２の一部を電極端子６としても良く、図示したように開口部６３，６４を含んでパシベーション絶縁層３７上にＩＴＯよりなる電極端子５Ａ，６Ａを選択的に形成しても良いが、通常は電極端子５Ａ，６Ａ間を接続する透明導電性の短絡線４０も同時に形成される。その理由は、図示はしないが電極端子５Ａ，６Ａと短絡線４０との間を細長いストライプ状に形成することにより高抵抗化して静電気対策用の高抵抗とすることが出来るからである。同様に番号は付与しないが開口部６５を含んで蓄積容量線１６への電極端子が形成される。
【００１６】
このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、アクティブ型の液晶表示装置の製作が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては図１７（ｅ）に示したように走査線１１と同時に形成された蓄積容量線１６とドレイン電極２１とが間にゲート絶縁層３０を介して平面的に重なることで構成している例（右下がり斜線部５２）を例示しているが、蓄積容量１５の構成はこれに限られるものではなく、絵素電極２２に接続されたソース・ドレイン配線１２，２１と同時に形成されて絵素電極２２に接続された蓄積電極と前段の走査線１１とがゲート絶縁層３０を介して平面的に重なることで構成しても良い。
【００１７】
このようにパシベーション絶縁層には無機材質のＳｉＮｘ層３７が用いられているが、パシベーション絶縁層に透明性と耐熱性の高い有機材質の感光性アクリル樹脂を用いてアクティブ基板２表面の平坦化を図り、かつ感光性アクリル樹脂の膜厚を３μｍ以上と厚く形成してから絵素電極２２を形成した、いわゆる高開口率の液晶表示装置も消費電力の制約が厳しいノートブック用途として根強い需要がある。
【００１８】
上記したＴＮ型の液晶表示装置は商品化された当初から中間調表示において液晶分子の非対称的な配向特性から視野角が狭いことは良く知られており、ここ数年はモニターや大型テレビ向けに視野特性の改善を目的とした技術開発が積極的に行われてきた。
【００１９】
それらの中で先行文献である例えば特開２００２−３６５６３６号公報に開示されている垂直配向型の液晶表示装置について説明する。同公報によれば図１９、図２０及び図２１に示したように電圧無印加時に液晶表示装置を構成する一対の表示電極１４，２２内で垂直配向の液晶分子１７Ｍを傾斜させるため、一対のスリット７０Ａ，７０Ｂ及び一対の突起６０Ａ，６０Ｂさらにスリット７０と突起６０の複合と、２種類の配向制御手段の組み合わせが詳細に開示されている。なお１００は液晶セルに信号電圧を供給する交流の信号源である。
【特許文献１】特開２００２−３６５６３６号公報
【００２０】
図１９、図２０及び図２１において何れも（ａ）図は液晶セル間に電圧が印加されない場合に液晶分子１７Ｍが表示電極１４，２２に垂直に配向するとともに配向制御部位に沿って傾斜している状態を模式的に示し、（ｂ）図は液晶セル間に電圧が印加された場合に液晶分子１７Ｍが傾斜して配向している状態を示している。ただしスリット７０は電界が印可されて初めて配向制御部位として機能し、電圧が印可されていない場合は液晶セル内で全て垂直に配向している。そして傾斜し始めた液晶分子１７Ｍはある電圧で殆ど表示電極１４，２２に平行に配列し、液晶パネルとしては最大の輝度を表示するようになる。このように表示モードは電圧が印加された時に白表示となるノーマリ・ブラック（Ｎｏｒｍａｌｙ  Ｂｌａｃｋ  略語はＮＢ）である。
【００２１】
現在市販されている垂直配向型の液晶表示装置において形成されている配向制御手段の組合せについて説明する。一つの例では画像表示部の平面図である図２２（ｆ）と同図のＤ−Ｄ’線上の断面図である図２３（ｆ）に示したようにカラーフィルタ９上に例えば感光性アクリル樹脂のような有機性樹脂よりなる突起６０を設けるとともに、アクティブ基板２上の絵素電極２２の一部を除去してスリット７０を設けている。このような垂直配向型の液晶表示装置に用いられるアクティブ基板の製造方法の一例について以下に簡単に記載する。
【００２２】
図２２（ｄ）と図２３（ｄ）に示したように微細加工技術により感光性樹脂パターンを用いてドレイン電極２１上、走査線の一部５上及び信号線の一部６上に夫々開口部６２，６３及び６４を形成し、開口部６２，６４内のパシベーション絶縁層３７と、開口部６３内のパシベーション絶縁層３７とゲート絶縁層３０を選択的に除去してこれらの電極を露出するまでは従来のＴＮ用アクティブ基板と同一の製造工程を進行する。
【００２３】
最後に透明導電性のＩＴＯまたはＩＺＯよりなる絵素電極２２を形成する工程も従来のＴＮ用アクティブ基板と同一である。唯一の差異は絵素電極２２のパターン形状にあり、図２２（ｅ）と図２３（ｅ）に示したように絵素電極２２に幅数μｍのスリット７０と称する透明導電層の欠如した領域が帯状に存在することである。このスリット７０の領域では対向電極１４からの電気力線が歪んで対向電極１４に垂直方向以外の成分が生ずる。そうするとネガ型の垂直配向の液晶分子は電気力線に垂直な方向に配向するので傾斜する。その傾斜角は電界が高くなる程大きくなり、先述したようにある電圧で殆ど絵素電極２２に平行に配列し、液晶パネルとしては最大の輝度を表示するようになる。すなわちスリット７０は垂直配向液晶の配向制御部位として機能している。
【００２４】
このようにして得られたアクティブ基板２と、同じく配向制御部位として対向電極１４上に先述したようにアクリル樹脂よりなる突起６０を形成されたカラーフィルタ９を貼り合せて液晶パネル化し、画像表示部の平面図である図２２（ｆ）と同図のＤ−Ｄ’線上の断面図である図２３（ｆ）に示したように垂直配向型の液晶表示装置を得ている。スリット７０と突起６０とは液晶分子の配向が揃うように半ピッチずらして配置されている。スリット７０と突起６０を略直交するＬ字形状に形成するのは液晶分子の配向方向を４分割して視野を広げるための光学的な設計事由に基づいている。
【００２５】
耐熱性と透明性の高い感光性アクリル樹脂３９を用いてアクティブ基板２を平坦化した場合には平坦化された平面図の図２２（ｇ）とそうでない平面図の図２２（ｅ）との比較からも絵素電極２２を大きく形成できる分、明るい画像が得られることは容易に理解されよう。なお図２２（ｈ）と図２３（ｈ）は平坦化した場合の画像表示部の平面図と同図のＤ−Ｄ’線上の断面図である。
【００２６】
絵素電極２２の周辺ではスリット７０と突起６０の長手方向に対して液晶分子が直角に配向できない領域（別名ドメイン領域）が存在する。そこでは表示画像が暗くなる、あるいは応答速度が遅くなる等の理由で通常はカラーフィルタ９に形成されたＢＭ２４で光学的に遮蔽され、図２２（ｆ）と図２２（ｈ）に示したように点線９５で囲まれた領域が絵素電極２２の有効領域となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
このように量産されている垂直配向型の液晶表示装置においては配向制御手段を形成するに当たり、コスト的な観点からは製造工程が増加しないように配慮してアクティブ基板２上には突起６０を形成せず、絵素電極２２にスリット７０を形成しているのであるが、まずスリット７０は配向制御部位として機能するが表示電極が欠如しており表示能力がないのでその分、開口率を下げて表示画像が暗くなる欠点がある。
【００２８】
次にカラーフィルタ９上に突起６０を形成するためには感光性有機樹脂と、その選択的パターン形成のためのフォトマスク及び塗布・露光・現像と一連の生産設備が必要であり、そのために製造コストが上昇するのは避けられない。
【００２９】
また特許文献にも詳細に記載されているように、突起６０が存在する領域では突起６０が誘電体として液晶セルの一対の表示電極１４，２２間に介在するので、突起６０の材質あるいは製造条件によって電荷の蓄積が起こり、表示画像の焼付けが起きることがある。さらに突起が透明性の樹脂で形成されていても突起６０による印加電圧の配分損失の結果、突起６０では常に輝度が低くなる。
【００３０】
加えて突起６０の材質あるいは製造条件によっては配向膜２０が突起６０によって弾かれて均一な塗布ができない、あるいは部分的に塗布できない事態が発生して表示画像に斑が発生しまうことも稀ではなかった。
【００３１】
特許文献には表示電極の窪みは突起と同様に有効と記載されてはいるが、突起の形成と同様に樹脂を用いた場合の記述のみで細部では具体性と正確性に欠けている。本発明はこのような状況に鑑みなされたもので、垂直配向型の液晶に配向制御手段を付与するに際し、上記の表示性能上の諸課題を回避するとともに製造工程の増加を最低限に抑えて製造コストの上昇を回避し、さらに明るくコントラストの高い画像を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
樹脂を用いた突起のようにカラーフィルタやアクティブ基板上に新たに配向制御部材・部位を形成すると製造工程が増加するので、本発明はカラーフィルタやアクティブ基板上の部位を除去して窪みあるいは溝を形成することで製造コストの上昇を回避している。
【００３３】
請求項１に記載の液晶表示装置は、一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された透明導電性の絵素電極を有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、その一主面上に透明導電性の対向電極を有し前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に電圧無印加時に垂直配向する液晶を充填してなる液晶表示装置において、
前記第１の透明性絶縁基板上に前記液晶に電圧を印加した時に液晶が配向する方向を規制する第１の配向制御手段と、
前記第２の透明性絶縁基板上に前記液晶に電圧を印加した時に液晶が配向する方向を規制する第２の配向制御手段を備え、
前記第１の配向制御手段は、少なくとも、第１の透明性絶縁基板上の絶縁層の一部が帯状に開口され、前記開口部を含んで形成された絵素電極内の溝領域であることを特徴とする。
【００３４】
この構成により製造工程が増加することなくアクティブ基板上に溝状の配向制御手段を形成することが可能となる。しかも除去する絶縁層をパシベーション絶縁層のみ、パシベーション絶縁層とゲート絶縁層、さらにはアクリル樹脂等の透明樹脂よりなる平坦化絶縁層まで含めてと溝の深さを変えることが容易であり、配向制御手段の最適化も容易となる。
【００３５】
請求項２に記載の液晶表示装置は、同じく、
前記第１の透明性絶縁基板上に前記液晶に電圧を印加した時に液晶が配向する方向を規制する第１の配向制御手段と、
前記第２の透明性絶縁基板上に前記液晶に電圧を印加した時に液晶が配向する方向を規制する第２の配向制御手段を備え、
前記第２の配向制御手段は、少なくとも、カラーフィルタ上の着色層の一部が帯状に開口され、前記開口部を含んで形成された対向電極内の溝領域であることを特徴とする。
【００３６】
この構成により溝の深さを変えることはできないが製造工程を増加させること無くカラーフィルタ上に溝状の配向制御手段を形成することが可能となる。
【００３７】
請求項３に記載の液晶表示装置は、請求項１及び請求項２に記載の液晶表示装置であって、開口部よりわずかにパターン幅の広い金属層が前記開口部下に形成されていることを特徴とする。
【００３８】
この構成により電圧無印加時に溝内に傾斜している液晶分子からの光漏れを阻止できて黒レベルが低下し、コントラスト比の向上が実現する。また溝の長手方向に配列して発生するＴＮ成分からの光漏れも阻止できてγ（ガンマ）特性の視野角依存性が改善される。
【発明の効果】
【００３９】
以上述べたように本発明では絵素電極内や対向電極内に形成された溝内に液晶が配列するので従来のスリットや突起と比べると、溝内は電界が弱くなるが表示に寄与できるので明るい画像が得られる。ただしドメイン領域が暗くなる性質は変わらない。
【００４０】
また多少開口率は低下するものの溝領域を金属層で光シールドすることによりコントラストが高くなり、かつγ（ガンマ）特性の視野角依存性が低減してどこから見ても色合いが変化しない画像が得られるのでテレビ表示用には最適のものが得られる。
【００４１】
さらに本発明では表示電極上に余分な絶縁体が存在しないので電荷の蓄積による表示画像の焼付けが生ずることもなく、同様に配向膜の種類によらず配向膜の均一な塗布が可能であって配向膜の塗布工程で品質不良を発生しない。
【００４２】
何よりも従来の樹脂を用いた突起形成のように製造工程が増加しないので、低価格化を求められているテレビ向け市場の要求を満たして液晶テレビの急速な成長を力強く支えることも可能である。
【００４３】
本発明の要件は上記の説明からも明らかなように、絵素電極下の絶縁層や対向電極下の着色層を溝状に除去することで垂直配向型液晶を配向制御するものであって、絶縁ゲート型トランジスタの形式や製造方法の差異に関係なく実施可能な技術であり、また透明性の高い有機絶縁層を用いて絵素電極を可能な限り大きく形成する高開口化技術との整合性にも優れた技術である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
本発明の実施例を図１〜図５に基づいて説明する。図１に本発明の実施例１に係るアクティブ基板の断面図を示し、同様に実施例２、実施例３は夫々図２、図３でアクティブ基板の断面図を示す。図４には本発明の実施例４に係るカラーフィルタの断面図を示し、同様に実施例５は図５でカラーフィルタ基板の断面図を示す。なお従来例と同一の部位については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。垂直配向型液晶の配向制御手段は対向電極または絵素電極の何れかもしくは双方に形成されるが、便宜上実施例１〜実施例３では絵素電極に、実施例４〜実施例５では対向電極に形成した実施例を説明している。これらの組合せで本発明の目的に叶った垂直配向型の液晶表示装置が得られるのは言うまでも無い。なお図６〜図１３は参考例である。
【実施例１】
【００４５】
実施例１では図１に示したように従来の５枚マスク・プロセスのパシベーション絶縁層３７とゲート絶縁層３０への開口部形成に際して、絵素電極形成領域下のこれらの絶縁層にも開口部６３Ａを形成し、走査線１１への接続のための開口部６３と同様に開口部６３Ａ内のパシベーション絶縁層３７とゲート絶縁層３０を除去してガラス基板２を露出し、引き続き前記開口部６３Ａを含んで透明導電性の絵素電極２２を形成することにより絵素電極２２内に溝８０Ａを有するアクティブ基板２を得る。このようにして得られたアクティブ基板２と適当な配向制御手段を有するカラーフィルタ９を貼り合わせて広視野角の液晶表示装置が得られる。
【００４６】
開口部６３Ａ（溝８０Ａ）の幅は光学的な設計事項であるがプロセス的には高精度の露光機を用いて４μｍ程度まで対応可能である。またその断面形状は配向制御手段としてその高さ（深さ）とともに重要な設計事項であるが、断面形状の制御は開口部６３Ａの形成にあたりドライエッチ技術を用いて３０〜７０度のテーパ角度を与えることも容易である。なぜならばパシベーション絶縁層３７とゲート絶縁層３０のエッチングガスとして通常弗素系のガスが用いられるが、適当な分圧の酸素ガスを添加することにより開口部６３Ａ形成のために形成された感光性樹脂パターンの膜厚が減少しながら、すなわち開口部６３Ａのパターン寸法が広がりながらエッチングされるからである（レジスト後退法）。
【００４７】
溝８０Ａの高さもアクティブ基板２を構成する絶縁層が複数個存在するので除去する絶縁層の除去方法によって複数個の選択が可能である。実施例１では開口部６３Ａ内のパシベーション絶縁層３７とゲート絶縁層３０の双方を除去している。すなわち高さは０．７〜０．９μｍと通常は１μｍを超えることはない。
【００４８】
実施例１ではこのように開口部６３Ａを覆って透明導電性の絵素電極２２が形成されるので、溝８０Ａ内は液晶セルとしての厚みが増加するので溝内は電界が弱くなるが溝８０Ａ内の絵素電極２２も表示に寄与して開口率が高く明るい表示画像が得られる点に特徴がある。しかしながら液晶分子が電圧無印加の黒表示時に溝８０Ａの側面では液晶分子が傾斜しているのでわずかに光が漏れてしまうことは避けられない。このわずかな光漏れを阻止して黒表示時の黒レベルを低下させてコントラストを向上させるための手段を付与した発明が実施例２である。
【実施例２】
【００４９】
実施例２では図２に示したように溝８０Ａが形成される領域に溝８０Ａよりもわずかにパターン幅の広い光シールド１１Ｂを走査線１１の形成時に同時に形成する。そして実施例１と同様にパシベーション絶縁層３７とゲート絶縁層３０への開口部形成に際して、絵素電極形成領域下のこれらの絶縁層にも開口部６３Ａを形成し、走査線１１への接続のための開口部６３と同様に開口部６３Ａのパシベーション絶縁層３７とゲート絶縁層３０を除去して光シールド１１Ｂを露出し、引き続き前記開口部６３Ａを含んで透明導電性の絵素電極２２を形成することにより絵素電極２２内に溝８０Ａを有するアクティブ基板２を得る。このようにして得られたアクティブ基板２と適当な配向制御手段を有するカラーフィルタ９を貼り合わせて広視野角の液晶表示装置が得られる。
【００５０】
このように走査線１１を構成する金属配線材を光シールド１１Ｂとして形成することで製造工程の増加は発生しない。光シールド１１Ｂのパターン幅は高解像力の露光機を用いれば開口部６３Ａの寸法に露光機の合わせ精度分の２〜３μｍを光シールド１１Ｂの両側に加えた寸法である１０μｍ以下に抑えることはさほど困難ではなく、これによって開口率の低下を出来るだけ小さくすると良い。
【００５１】
実施例２では光シールド１１Ｂを走査線材料で形成しているが、信号線材料で形成することも可能であり、それを実施例３で説明する。
【実施例３】
【００５２】
実施例３では図３に示したように溝８０Ａが形成される領域に溝８０Ａよりもわずかにパターン幅の広い光シールド１２Ｂをソース・ドレイン配線１２，２１の形成時に同時に形成する。そして実施例１と同様にパシベーション絶縁層３７とゲート絶縁層３０への開口部形成に際して、絵素電極形成領域下のこれらの絶縁層にも開口部６４Ａを形成し、信号線１２への接続のための開口部６４と同様に開口部６４のパシベーション絶縁層３７を除去して光シールド１２Ｂを露出し、引き続き前記開口部６４Ａを含んで透明導電性の絵素電極２２を形成することにより絵素電極内に２２に溝８０Ａを有するアクティブ基板２を得る。このようにして得られたアクティブ基板２と適当な配向制御手段を有するカラーフィルタ９を貼り合わせて広視野角の液晶表示装置が得られる。
【００５３】
このようにソース・ドレイン配線１２，２１を構成する金属配線材を光シールド１２Ｂとして形成することで製造工程の増加は発生しない。また実施例１及び実施例２と異なり溝８０Ａの深さはパシベーション絶縁層３７のみであるので精々０．３〜０．５μｍしかなく、浅い溝８０Ａが必要な場合に適している。
【００５４】
浅い溝８０Ａを形成するに当たり絵素電極形成領域ではパシベーション絶縁層３７とゲート絶縁層３０とが積層されておりパシベーション絶縁層３７のみを選択的に除去することは不可能なので浅い溝８０Ａを有するアクティブ基板２には自動的に光シールド１２Ｂも付与されることを理解されたい。
【００５５】
ＴＮ型の液晶表示装置において開口率を高めるために透明性の高い樹脂よりなる平坦化層３９がアクティブ基板２上に付加されることは既に述べたが、垂直配向液晶を用いた液晶表示装置でも全く同様であり、透明導電性の絵素電極２２を走査線１１や信号線１２と重なるまで目一杯拡大することは可能である。ただし５枚マスク・プロセスでは配向制御手段である溝８０Ａは走査線１１と信号線１２へのコンタクト（開口部６３と開口部６４）形成と同時に行われるので、溝８０Ａを走査線１１や信号線１２と重ねることは出来ない。またマスク枚数を増やして溝８０Ａを走査線１１や信号線１２と重ねても、重なった領域はパシベーション絶縁層３７とゲート絶縁層３０との積層なので溝８０Ａを含んで形成される絵素電極２２と走査線１１及び信号線１２との間の静電容量が大きくクロストークの発生は避けられないので無意味である。
【００５６】
既に述べたように溝８０Ａの深さは実施例１と実施例２では０．７〜０．９μｍ、実施例３では０．３〜０．５μｍであり、平坦化層３９は通常３μｍ程度の膜厚が必要とされるので、深い溝８０Ａが必要な場合には平坦化層３９が必須の構成部材となることが分かる。このように本発明では使用する垂直配向型液晶の組成・特性に合わせて溝８０Ａの深さを決定することが可能である。
【００５７】
また詳細は説明しないがチャネル上にＳｉＮｘよりなる保護絶縁層（エッチストップ層あるいはチャネル保護層）を有する絶縁ゲート型トランジスタではパシベーション絶縁層３７は必須の構成部位ではないので、平坦化層３９にパシベーション機能も担わせることでパシベーション絶縁層３７を不要とする製造工程の削減が可能である。ただしこの場合は実施例１〜３で説明したような浅い溝８０Ａを形成することは困難である。
【００５８】
垂直配向液晶の配向制御手段はアクティブ基板２上だけでなくカラーフィルタ９上にも形成可能であり、表示性能の向上のためには液晶セルを構成する一対の基板の双方に形成することが望ましい。カラーフィルタ９上に窪みあるいは溝を形成するに当たり新たな部材の導入による形成は製造工程の増加につながるので、実施例１〜実施例３と同様な観点から従来のカラーフィルタの製造方法を見直した結果得られた発明を実施例４と実施例５で説明する。
【実施例４】
【００５９】
実施例４では図４に示したように従来のカラーフィルタ９の着色層１８の形成に際して、対向電極形成領域下のこれらの着色層１８にも開口部５０を形成してガラス基板２を露出し、引き続き前記開口部５０を含んで透明導電性の対向電極１４を形成することにより対向電極１４に溝８０Ｂを有するカラーフィルタ９を得る。一般的に対向電極１４はマスク製膜でカラーフィルタ９上の画像表示部に選択的に形成され、フォトマスクを用いた微細加工技術の必要性は少ない。勿論開口部５０はＲ，Ｇ，Ｂの色毎に形成が必要であるが、着色層１８の形成に必要なフォトマスクのパターン変更だけで実現し、製造工程の増加は発生しない点が実施例４の最大の特徴である。このようにして得られたカラーフィルタ９と適当な配向制御手段を有するアクティブ基板２を貼り合わせて広視野角の液晶表示装置が得られる。
【００６０】
開口部５０（溝８０Ｂ）の幅は設計事項であるが、カラーフィルタの生産会社の殆どがコスト的な観点からプロキシミティ方式の露光機を採用しており、プロセス的には精々８μｍまでしか対応できないのが現状である。勿論アクティブ基板２の製造で使用されているような高精度の露光機を用いることにより４μｍ程度までは実現可能である。またその断面形状は配向制御手段としてその深さとともに重要な設計事項であり、解像力が低いプロキシミティ方式の露光機では丸みを帯びた傾斜が形成されるが、現像処理でその断面形状を制御することは困難である。一方、解像力が高い投影方式の露光機では比較的直線性のある傾斜が形成され、現像処理で例えば現像液をシャワー上に吹き付けるシャワーの角度やシャワーの流速等をきめ細かく調整することにより（プロセス・チューニング）、断面形状あるいは傾斜角をある程度制御することも可能である。しかしながら着色層１８内の溶剤を完全に蒸発させるための現像後の加熱処理で着色層１８が流動化して何れの場合にも結果的には丸みを帯びた傾斜（蒲鉾状）となることが知られている。すなわち溝８０Ｂの断面形状を制御するためには高い解像力を有する露光機の使用と耐熱性の高い顔料分散型感光性樹脂の開発が必要である。
【００６１】
溝８０Ｂの高さはカラーフィルタ９を構成する着色層１８の膜厚で決まり、通常１〜２μｍの範囲で一定値が選択される。すなわち溝８０Ｂの高さを変えて設計することは出来ない。着色層１８内の分散された顔料の含有率によって着色層１８としての最適の膜厚が存在し、含有率が高いほど着色層１８の膜厚は薄くて良いが、同時に露光エネルギーの増大と着色層１８の解像力の低下が発生する。ただし通常用いられるネガ型の顔料分散型感光性樹脂に代えてポジ型の顔料分散型感光性樹脂を使用するとハーフトーン露光技術を併用して溝８０Ｂの膜厚を薄く形成することは可能であり、後述する色純度の低下を抑制することも可能となる。
【００６２】
実施例４ではこのように開口部５０を覆って透明導電性の対向電極１４が形成されるので、溝８０Ｂ内は液晶セルとしての厚みが増加するので溝内は電界が弱くなるが溝８０Ｂ内の対向電極１４も表示に寄与して開口率が高く明るい表示画像が得られる点に突起との大きな違いがある。しかしながら着色層１８によって着色されない白色成分が表示画像に加わるので表示画像の色純度の低下は避けられない。溝８０Ｂの幅は光学設計上許容される範囲で細いことが望ましい。ただし輝度に関しては信号処理より通常のカラー表示と変わらない画像を表示することができる。さらに液晶分子が電圧無印加の黒表示時に溝８０Ｂの側面では液晶分子が傾斜しているのでわずかに光が漏れてしまうことも避けられない。このわずかな光漏れを阻止して黒表示時の黒レベルを低下させてコントラストを向上させるとともに色純度の高い画像を表示するための手段を付与した発明が実施例５である。
【実施例５】
【００６３】
実施例５では図５に示したように溝８０Ｂが形成される領域に溝８０Ｂよりもわずかにパターン幅の広い光シールド２４ＢをＢＭ２４の形成時に同時に形成する。そして着色層１８の形成に際して、対向電極形成領域下のこれらの着色層にも開口部５０を形成してガラス基板２と光シールド２４Ｂを露出し、引き続き前記開口部５０を含んで透明導電性の対向電極１４を形成することにより対向電極１４内に溝８０Ｂを有するカラーフィルタ９を得る。このようにして得られたカラーフィルタ９と適当な配向制御手段を有するアクティブ基板２を貼り合わせて広視野角の液晶表示装置が得られる。なおＢＭ２４には隣り合った着色層１８間で不要な段差を発生しないようにＣｒ薄膜のように膜厚が薄くても光シールド機能を発揮する金属薄膜の採用が好ましい。
【００６４】
このようにＢＭ２４を構成する遮光材を光シールド２４Ｂとして形成することで製造工程の増加は発生しない。光シールド２４Ｂのパターン幅は開口部５０の寸法に露光機の合わせ精度分の３μｍを光シールド２４Ｂの両側に加えた寸法である１０〜１５μｍ程になるので、出来るだけ高解像力の露光機を用いて開口率の低下を小さくすると良い。
【００６５】
実施例５による配向制御部位を付与されたカラーフィルタを用いた垂直配向型の液晶表示装置と実施例４による配向制御部位を付与されたカラーフィルタを用いた垂直配向型の液晶表示装置を比較すると、溝８０Ｂからの光漏れが皆無となって高いコントラストと高い色純度が得られ、開口率の低下を補って余りある高画質の表示装置を得ることができる。
【００６６】
本発明は垂直配向型の液晶表示装置の形成に当たり製造コストの増加しない配向制御手段の形成を主目的としているので、配向制御手段を実施例１〜実施例３では絵素電極に形成して、実施例４〜実施例５では対向電極に形成している。先述したように垂直配向型液晶の配向制御手段は対向電極または絵素電極の何れかもしくは双方に形成されるが、以降の参考例では双方に配向制御手段を付与した液晶表示装置について説明する。ただしカラーフィルタ９上の対向電極１４へのスリット形成と異なり、絵素電極２２へのスリット７０形成では製造工程の増加は発生しないので、以下に配向制御手段として絵素電極２２にスリット７０を併用した参考例も含めて説明する。
「参考例１」
【００６７】
参考例１の垂直配向型の液晶表示装置の平面配置図と参考例１で用いられるアクティブ基板２の平面配置図を図６（ａ）と図６（ｂ）に示し、図６（ａ）のＤ−Ｄ’線上の断面図を図７に示す。ただし絶縁ゲート型トランジスタ関連の部位と配向膜２０は記載を省略している。感光性アクリル樹脂よりなる平坦化層３９も同様である。また開口率を高めるために信号線１２も絵素電極２２の形状にならいジグザグ状に屈曲させている。参考例１ではカラーフィルタ９上の対向電極１４に溝８０Ｂを形成するとともにアクティブ基板２の絵素電極２２に溝８０Ａを形成している。配向制御手段が共に溝であるので溝８０Ａと溝８０Ｂは半ピッチずらして配置されている。なお液晶分子１７Ｍは中間調表示状態で傾斜している状態を示している。
【００６８】
この構成により視野角が広いだけでなく、二つの溝による強い配向制御力を付与することができて応答速度が速くなり、さらに溝領域も表示に寄与するので明るい画像の液晶表示装置が得られる。また樹脂よりなる突起形成と異なり製造工程の増加が無く、カラーフィルタ９の製造コストが下がり液晶表示装置のコストダウンに大きく寄与する。
「参考例２」
【００６９】
参考例２の垂直配向型の液晶表示装置の画像表示部の断面図を図８に示す。参考例２ではカラーフィルタ９上の対向電極１４に溝８０Ｂと溝８０Ｂよりわずかにパターン幅の広い光シールド２４Ｂを形成するとともにアクティブ基板２の絵素電極２２にも溝８０Ａと溝８０Ａよりわずかにパターン幅の広い光シールド１１Ｂを形成している。なお光シールドに信号線材よりなる１２Ｂを採用できることは言うまでも無い。なお液晶分子１７Ｍは中間調表示状態で傾斜している状態を示している。
【００７０】
この構成により視野角が広いだけでなく、二つの溝による強い配向制御力を付与することができて応答速度が速くなり、黒表示時に黒レベルを完全な黒に近づけることができてコントラスト比の高い画像の液晶表示装置が得られる。また参考例１と同様に液晶表示装置のコストダウンが推進される。何れか一方の光シールドのみを配置した場合には若干コントラスト比は下がるが開口率が高くなり、その分明るい表示画像が得られる。ただし光シールド２４Ｂを採用しないと色純度の低下は免れない。
「参考例３」
【００７１】
参考例３の垂直配向型の液晶表示装置の平面配置図と参考例３で用いられるアクティブ基板の平面配置図を図９（ａ）と図９（ｂ）に示し、図９（ａ）のＤ−Ｄ’線上の断面図を図１０に示す。ただし絶縁ゲート型トランジスタ関連の部位と配向膜２０は記載を省略している。感光性アクリル樹脂よりなる平坦化層３９も同様である。また開口率を高めるために信号線１２も絵素電極２２の形状にならいジグザグ状に屈曲させている。参考例３ではカラーフィルタ９上の対向電極１４に溝８０Ｂを形成するとともにアクティブ基板２の絵素電極２２には従来通りスリット７０を形成している。図９（ｂ）に示したようにスリット７０で分割された絵素電極間を接続するための透明導電性パターン２２Ａもしくは図示はしないが導電性パターンが必要であることは容易に理解されよう。透明導電性パターン２２Ａは蓄積容量線１６上や絵素電極２２の周辺部に配置するのが合理的である。配向制御手段の溝８０Ｂとスリット７０とは液晶分子１７Ｍを傾斜させる方向が一致するよう両者は半ピッチずらして配置されている。なお液晶分子１７Ｍは中間調表示状態で傾斜している状態を示している。
【００７２】
この構成により視野角が広いだけでなく、溝８０Ｂによる強い配向制御力を付与することができて応答速度が速くなり、さらに溝８０Ｂも表示に寄与するので明るい画像の液晶表示装置が得られる。また参考例１と同様に液晶表示装置のコストダウンが推進される。
「参考例４」
【００７３】
参考例４の垂直配向型の液晶表示装置の画像表示部の断面図を図１１に示す。参考例４ではカラーフィルタ９上の対向電極１４に溝８０Ｂと溝８０Ｂよりわずかにパターン幅の広い光シールド２４Ｂを形成するとともにアクティブ基板２の絵素電極２２には従来通りスリット７０を形成している。なお液晶分子１７Ｍは中間調表示状態で傾斜している状態を示している。
【００７４】
この構成により視野角が広いだけでなく、応答速度が速くコントラスト比の高い画像の液晶表示装置が得られる。また参考例１と同様に液晶表示装置のコストダウンが推進される。
【００７５】
本発明の狙いは製造工程の増加を抑制することであるが、従来の配向制御手段である突起と本発明で提案する配向制御手段である溝との組合せによる垂直配向型の液晶表示装置も可能であり、その場合の得られる効果の一部について下記に記載する。
「参考例５」
【００７６】
参考例５の垂直配向型の液晶表示装置の平面配置図と参考例５で用いられるアクティブ基板の平面配置図を図１２（ａ）と図１２（ｂ）に示し、図１２（ａ）のＡ−Ａ’線上の断面図を図１３に示す。ただし絶縁ゲート型トランジスタ関連の部位と配向膜２０は記載を省略している。感光性アクリル樹脂よりなる平坦化層３９も同様である。また開口率を高めるために信号線１２も絵素電極２２の形状にならいジグザグ状に屈曲させている。参考例５ではカラーフィルタ９上の対向電極１４に従来通り突起６０を形成するとともにアクティブ基板２の絵素電極内に２２に溝８０Ａを形成している。配向制御手段の突起６０と溝８０Ａとは液晶分子１７Ｍを傾斜させる方向が逆であるので両者は等ピッチで配置されている。すなわち図１２（ａ）に示したように突起６０と溝８０Ａはその相対位置が一致する。なお液晶分子１７Ｍは中間調表示状態で傾斜している状態を示している。
【００７７】
参考例５ではアクティブ基板２上に形成された配向制御手段が溝８０Ａで電圧無印加状態でも配向制御力があり液晶の応答速度が速くなる。さらに実施例１で述べたように溝８０Ａ内の絵素電極２２は表示に寄与しており、しかも一対の基板２，９上に形成された配向制御手段溝８０Ａと突起６０との相対位置が一致するので従来のスリットと比較すると開口率が高く明るい表示画像が得られる。そしてアクティブ基板２の製造工程の増加も無い。さらに光シールド１１Ｂまたは１２Ｂの付与により開口率は従来並に低下するもののコントラスト比が高く、色純度の優れた表示画像が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の実施例１にかかるアクティブ基板の断面図
【図２】本発明の実施例２にかかるアクティブ基板の断面図
【図３】本発明の実施例３にかかるアクティブ基板の断面図
【図４】本発明の実施例４にかかるカラーフィルタの断面図
【図５】本発明の実施例５にかかるカラーフィルタの断面図
【図６】本発明の参考例１にかかる液晶表示装置とアクティブ基板の平面配置図
【図７】本発明の参考例１にかかる液晶表示装置の断面図
【図８】本発明の参考例２にかかる液晶表示装置の平面配置図
【図９】本発明の参考例３にかかる液晶表示装置とアクティブ基板の平面配置図
【図１０】本発明の参考例３にかかる液晶表示装置の断面図
【図１１】本発明の参考例４にかかる液晶表示装置の平面配置図
【図１２】本発明の参考例５にかかる液晶表示装置とアクティブ基板の平面配置図
【図１３】本発明の参考例５にかかる液晶表示装置の断面図
【図１４】液晶パネルへの実装状態を示す斜視図
【図１５】液晶パネルの等価回路図
【図１６】ＴＮ型の液晶パネルの断面図
【図１７】ＴＮ型液晶表示装置向けアクティブ基板の平面図
【図１８】ＴＮ型液晶表示装置向けアクティブ基板の製造工程断面図
【図１９】従来の配向制御手段：一対のスリット
【図２０】従来の配向制御手段：一対の突起
【図２１】従来の配向制御手段：スリットと突起の組合せ
【図２２】垂直配向型液晶表示装置向けアクティブ基板の平面図
【図２３】垂直配向型液晶表示装置向けアクティブ基板の製造工程断面図
【符号の説明】
【００７９】
１：液晶パネル
２：アクティブ基板（ガラス基板）
３：半導体集積回路チップ
４：ＴＣＰフィルム
５：走査線の一部または電極端子
５Ａ：透明導電性の走査線の電極端子
６：信号線の一部または電極端子
６Ａ：透明導電性の信号線の電極端子
９：カラーフィルタ
１０：絶縁ゲート型トランジスタ
１１：走査線
１１Ａ：ゲート配線、ゲート電極
１１Ｂ：光シールド
１２：信号線（ソース配線、ソース電極）
１２Ｂ：光シールド
１４：対向電極
１６：蓄積容量線
１７：液晶
１８：着色層（顔料分散型感光性樹脂）
１９：偏光板
２０：配向膜
２１：ドレイン電極（ドレイン配線、ドレイン電極）
２２：透明導電性の絵素電極
３０：ゲート絶縁層
３１：不純物を含まない（第１の）非晶質シリコン層
３３：不純物を含む（第２の）非晶質シリコン層
３４：耐熱金属層
３５：低抵抗金属層（ＡＬ層）
３６：中間導電層
３７：（無機）パシベーション絶縁層
３９：平坦化層（アクリル樹脂層）
５０：（着色層に形成された）開口部
６０，６０Ａ，６０Ｂ：（有機性樹脂よりなる）突起
６２：（ドレイン電極上の）開口部
６３：（走査線の一部上または走査線の電極端子上の）開口部
６３Ａ：（光シールド１１Ｂ上の）開口部
６４：（信号線の一部上または信号線の電極端子上の）開口部
６４Ａ：（光シールド１２Ｂ上の）開口部
６５：（対向電極上の）開口部
７０，７０Ａ，７０Ｂ：（表示電極の）スリット、欠損領域
８０Ａ，８０Ｂ：（絵素電極内と対向電極内の）溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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