(57)【要約】【課題】エアゾール工程を用いてプレーナ型光導波管の光伝搬層を形成することによって、コア及びオーバークラッド層の屈折率、溶融温度及び熱的プロセス温度を容易に制御し得るプレーナ型光導波管及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板１０上にアンダークラッド層２０を被着し、エアゾール工程を用いてアンダークラッド層２０上にコア層を被着し、このコア層をエッチングしてコア３０を生成し、エアゾール工程を通じてアンダークラッド層２０及びコア３０上にオーバークラッド層４０を形成することによって、プレーナ型光導波管が製造される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレーナ型光導波管であって、
アンダークラッド層と、
エアゾール工程によって前記アンダークラッド層上に被着されるコアと、
エアゾール工程によって前記アンダークラッド層及び前記コア上に被着されるオーバークラッド層とを含むことを特徴とするプレーナ型光導波管。
【請求項２】
前記コアに対する熱的プロセスが、１３００〜１３３０℃の温度範囲で行われることを特徴とする請求項１に記載のプレーナ型光導波管。
【請求項３】
前記アンダークラッド層と前記コアとの間の界面における屈折率の差が、０．３〜０．７５Δ％であることを特徴とする請求項１に記載のプレーナ型光導波管。
【請求項４】
前記コアが、５０〜８０モル％のＳｉＯ２、略０．５モル％のＢ２Ｏ３、２０〜４５モル％のＰ２Ｏ５及び１〜１０モル％のＧｅＯ２を含有することを特徴とする請求項３に記載のプレーナ型光導波管。
【請求項５】
前記オーバークラッド層に対する熱的プロセスが、９００〜１０００℃の温度範囲で行われることを特徴とする請求項１に記載のプレーナ型光導波管。
【請求項６】
前記オーバークラッド層が、４０〜７０モル％のＳｉＯ２及び２５〜４５モル％のＢ２Ｏ３を含有することを特徴とする請求項５に記載のプレーナ型光導波管。
【請求項７】
前記オーバークラッド層が、０．１〜５モル％のＮａ２Ｏを含有することを特徴とする請求項６に記載のプレーナ型光導波管。
【請求項８】
プレーナ型光導波管の製造方法であって、
シリコン基板上にアンダークラッド層を被着する第１段階と、
エアゾール工程を用いて前記アンダークラッド層上にコア層を被着する第２段階と、
前記コア層をエッチングしてコアを生成する第３段階と、
エアゾール工程を用いて前記アンダークラッド層及び前記コアの上にオーバークラッド層を形成する第４段階とを含むことを特徴とするプレーナ型光導波管の製造方法。
【請求項９】
前記第２段階が、
ゾール溶液を生成する段階と、
前記ゾール溶液を用いてエアゾールを形成する段階と、
前記エアゾールを前記アンダークラッド層上に被着する段階と、
熱的プロセスを通じて前記被着されたエアゾールを溶融させる段階と、
前記溶融されたエアゾールを冷却させてガラス膜を生成する段階とを含むことを特徴とする請求項８に記載のプレーナ型光導波管の製造方法。
【請求項１０】
前記熱的プロセスが、１３００〜１３３０℃範囲の温度下で行われることを特徴とする請求項９に記載のプレーナ型光導波管の製造方法。
【請求項１１】
前記ゾール溶液が、３０〜７０モル％のＳｉＯ２、略５モル％のＢ２Ｏ３、２５〜６５モル％のＰ２Ｏ５及び２〜１２ｗｔ％のＧｅＯ２を含有することを特徴とする請求項９に記載のプレーナ型光導波管の製造方法。
【請求項１２】
前記第４段階が、
ゾール溶液を生成する段階と、
前記ゾール溶液を用いてエアゾールを形成する段階と、
前記エアゾールを前記コア及び前記アンダークラッド層上に被着する段階と、
熱的プロセスを通じて前記被着されたエアゾールを溶融させる段階と、
前記溶融されたエアゾールを冷却させてガラス膜を生成する段階とを含むことを特徴とする請求項８に記載のプレーナ型光導波管の製造方法。
【請求項１３】
前記溶融段階が、９００〜１０００℃範囲の温度下にて熱的プロセスを行う段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載のプレーナ型光導波管の製造方法。
【請求項１４】
前記ゾール溶液が、２０〜５０モル％のＳｉＯ２及び５０〜８０モル％のＢ２Ｏ３を含有することを特徴とする請求項１２に記載のプレーナ型光導波管の製造方法。
【請求項１５】
前記ゾール溶液が、０．５〜５ｗｔ％のＮａ２Ｏを含有することを特徴とする請求項１４に記載のプレーナ型光導波管の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エアゾール工程を用いて製造されるプレーナ型光導波管及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信において、殆どの伝送路は光ファイバーを用いている。しかしながら、多分割光カプラ及び波長分割マルチプレクサ（ＷＤＭ）素子などの多チャネル素子を光ファイバーで製作するのには技術的に限界がある。
【０００３】
従って、そのような技術的限界を克服するために、プレーナ型光波回路（Ｐｌａｎａｒ  Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｃｉｒｃｕｉｔ；ＰＬＣ）技法が開発されている。このＰＬＣ技法は光信号の経路を平面基板上で具現する。このようなＰＬＣ技法を用いて、プレーナ型光素子は半導体、シリカ、ポリマーなどの多様な材料で製造され得るが、シリカの場合、伝送損失が低く、フォトリトグラフィー及びエッチングなどの半導体工程技法を適用して加工し得るため、プレーナ型光素子の主な材料として用いられる。
【０００４】
基板上にシリカ膜を形成するには、火炎加水分解成長法（Ｆｌａｍｅ  Ｈｙｄｒｏｌｙｓｉｓ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＦＨＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）、ゾールゲル法、粉末法などが用いられる。これらの技法のうち、ＦＨＤ法は他の技法に比べて蒸着速度が速く厚膜成形が容易であり、プレーナ型光素子の製造に幅広く用いられている。高純度のシリカを用いることによって、プレーナ型光導波管の断面を光ファイバーの断面と同様に製作することができる。ＦＨＤ法によって、シリカ製の光導波管の屈折率及び熱的プロセス温度を制御するためのドーパントとして、Ｂ、Ｐ、Ｇｅなどの酸化物が光素子に添加される。ＦＨＤ法を用いて光導波管を製造する従来方法はヨーロッパ公開特許公報第０，５４５，４３２号及び第０，７５１，４０８号に開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＦＨＤ方法は多くの短所を有する。第一、蒸気圧の高い塩化物材料を用いるため危険性が高い。第二、導波膜を被着するに用いられた火炎の温度が１５００℃以上の高温であるため、ドーパントを多量に添加するのが困難である。
第三、ドーパントの組成比を調節するのが困難である。このため、ＦＨＤ法を用いてアンダークラッド層、コア及びオーバークラッド層を形成するとき、各層の屈折率、溶融温度及び熱的プロセス温度を制御するのが難しい。とりわけ、ＦＨＤ法を用いてオーバークラッド層を形成する場合は、材料選択に限界があるため、熱的プロセスの温度を１１００℃以下まで下げるのが困難である。オーバークラッド層に対する熱的プロセスの温度が非常に高い場合には、オーバークラッド層の下に形成されたコアの形状に悪影響を及ぼし、光信号処理に深刻な問題をもたらし得る。また、ＦＨＤ法を用いる場合、蒸気圧の低いアルカリ・イオン、アルカリ土類などの希土類を光伝搬層に添加することができないという不都合がある。
【０００６】
従って、本発明の主な目的は、エアゾール工程を用いてプレーナ型光導波管の光伝搬層を形成することによって、コア及びオーバークラッド層の屈折率、溶融温度及び熱的プロセス温度を容易に制御し得るプレーナ型光導波管及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の好適な一実施例によれば、プレーナ型光導波管であって、アンダークラッド層と、エアゾール工程によって前記アンダークラッド層上に被着されるコアと、エアゾール工程によって前記アンダークラッド層及び前記コア上に被着されるオーバークラッド層とを含むことを特徴とするプレーナ型光導波管が提供される。
【０００８】
本発明の他の好適実施例によれば、プレーナ型光導波管の製造方法であって、シリコン基板上にアンダークラッド層を被着する第１段階と、エアゾール工程を用いて前記アンダークラッド層上にコア層を被着する第２段階と、前記コア層をエッチングしてコアを生成する第３段階と、エアゾール工程を用いて前記アンダークラッド層及び前記コアの上にオーバークラッド層を形成する第４段階とを含むことを特徴とするプレーナ型光導波管の製造方法が提供される。
【０００９】
【作用】
エアゾール工程とは、液状のゾールを超音波オシレータを用いて粒子に作り、該粒子を酸素水素火炎で酸化させて基板上に被着させる方法である。本発明によるエアゾール工程を用いる場合、Ｂ、Ｐ及びＧｅの含量を容易に調節でき、且つドーパントを多量添加することができ、コア及びオーバークラッド層の屈折率及び熱的プロセス温度を容易に制御することができる。さらに、オーバークラッド層の形成の際、Ｎａ２ＯをＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３のガラスに添加して溶融温度を下げる。こうして、熱的プロセスを１０００℃以下の温度で行うことができる。また、コア内のドーパントの含量を調節して、溶融温度の範囲を１１００℃より１３５０℃まで広げることができ、多様な機能の光素子を開発することができる。
【００１０】
このように、エアゾール工程を用いてプレーナ型光導波管の光伝搬層を形成すれば、光伝搬層内のドーパントの含量を適切に拡張して、光伝搬層の溶融温度、熱的プロセス温度及び屈折率を容易に調節することができ、オーバークラッド層の熱処理によるコア層の変形及び屈折率の変化を防止できるという長所がある。さらに、本発明による方法は危険性が低く、多様な材料を用いることができ、蒸気圧の低いアルカリ、アルカリ土類などの希土類を光伝搬層に添加することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適実施例について、図面を参照しながらより詳しく説明する。
【００１２】
図１は、本発明によるプレーナ型光導波管の断面図である。本発明のプレーナ型光導波管はシリコン基板１０、アンダークラッド層２０、エアゾール工程によって生成されるコア３０及びオーバークラッド層４０からなる。
【００１３】
以下、本発明によるプレーナ型光導波管の製造過程に対して詳記する。先ず、通常のシリカ膜成形方法を用いて、アンダークラッド層２０をシリコン基板１０上に形成する。アンダークラッド層２０は、例えば、多様な厚さの膜を容易に製作でき、且つ大量生産が可能であるＦＨＤ法を用いて形成され得る。
【００１４】
本発明の好適実施例によれば、アンダークラッド層２０は９０〜９５モル％のＳｉＯ２、０．５〜５モル％のＢ２Ｏ３及び１〜１０モル％のＰ２Ｏ５の組成を有するほうりんけい酸ガラス膜で作られる。このようなアンダークラッド層２０は約１．４５８の屈折率を有するよう、１３００〜１３５０℃下で熱処理される。
【００１５】
アンダークラッド層２０の形成の後、ほうりんけい酸ガラス系の膜であるコア層がエアゾール工程によってアンダークラッド層２０上に形成される。詳記すると、エアゾール工程を通じて微粒子をアンダークラッド上に被着させた後、熱的プロセス（高密化工程）を通じて該微粒子を溶融してガラス膜を形成することによってコア層が生成される。コア層の生成の後、半導体工程技術を用いてコア層をエッチングして光回路パターン（図１中のコア３０）だけ残す。
【００１６】
コア３０の形成の後、エアゾール工程によってアンダークラッド層２０及びコア３０上にオーバークラッド層４０が形成される。本発明によれば、オーバークラッド層４０の形成の際、Ｎａ２ＯをＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラスに添加することによって溶融温度を下げる。このような方法を通じて、熱的プロセスの温度は１０００℃以下まで下げることができる。その結果、オーバークラッド層４０に対して熱的プロセスを加えた後にも、コア３０の形状がそのまま維持されて、製造の際、再現性の高い光素子を得ることができる。
【００１７】
前述したように、本発明に用いられるエアゾール工程は、液状のゾールを超音波オシレータを通じて粒子に作り、該粒子を酸素水素火炎で酸化させて基板上に被着させるプロセスである。このようなエアゾール工程を通じて、従来のＦＨＤ法に比べてドーパント添加の制限が非常に少なく、Ｂ、Ｐ及びＧｅの含量を自由に調節することができる。実験によって、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５及びＧｅＯ２の添加含量が各々０．１〜６０モル％、０．１〜４５モル％及び０．１〜２０モル％である非晶質のクリアなガラス膜を得ることができた。
【００１８】
また、エアゾール工程によれば、蒸気圧の低いアルカリ金属及び希土類のような金属イオンを多量添加できる。従って、エアゾール工程は次のような長所を有する。
１．  光伝送損失の少ない多助成のガラス膜を成形することができる。
２．  蒸着速度が速く、１〜１００μｍの厚膜成形が容易である。
３．  光ファイバーと殆ど同じ大きさ及び屈折率を有するため、光ファイバーとの接続損失が少ない。
４．  室温で大量生産が可能であるので、経済的である。
【００１９】
以下、エアゾール工程を用いて光導波管を製造する例示的な方法に対して詳記する。
【００２０】
先ず、オルトけい酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）、Ｂ［（ＣＨ３）２ＣＨＯ］３、Ｈ３ＰＯ４、Ｇｅ（０Ｃ２Ｈ５）４、ＨＮＯ３、メタノール、蒸溜水のような材料を用いてゾール溶液を作る。このため、ＴＥＯＳを蒸溜水とメタノール溶剤との混合比が５：１である溶液内で１時間の間、加水分解させる。加水分解のための触媒としては硝酸が用いられる。リン酸の量が多量であれば、硝酸の量は極小量に減らす必要がある。このような溶液内に、Ｂ［（ＣＨ３）２ＣＨＯ］３及びＧｅ（ＯＣ２Ｈ５）４をゆっくり添加して、磁石攪拌機で攪拌しながら３時間の間反応させる。このゾール溶液の組成比は生成されるべきガラス膜の組成比によって決定される。好ましくは、本発明によれば、コア層及びオーバークラッド層の生成の際に用いられるゾール溶液の組成比は下記［表１］の通りである。
【００２１】
【表１】
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【００２２】
コア層に対するゾール溶液の場合、好ましくは、ＳｉＯ２及びＰ２Ｏ５の含量は各々４０〜５０モル％及び４５〜５５モル％である。また、コア層とアンダークラッド層との間の屈折率の差を０．３Δ％にしようとする場合、コア層を形成するゾール溶液に２〜３ｗｔ％のＧｅＯ２を添加し、屈折率の差を０．７５Δ％にしようとする場合には、ゾール溶液に１０〜１１ｗｔ％のＧｅＯ２を添加する。より好ましくは、オーバークラッド層の場合、ＳｉＯ２及びＢ２Ｏ３の含量は各々２０〜３０モル％及び７０〜８０モル％である。
【００２３】
次に、ゾール溶液を超音波オシレータが付着された容器に入れてエアゾールを作る。超音波を用いてエアゾールを作る時、超音波が液体を通過して液体と気体との間の界面に到達すれば、該界面にて液滴が生成される。この際、液滴の大きさは液体の密度及び表面張力と超音波の角振動数とによって左右される。従って、液体の密度及び表面張力を変更することによって、エアゾールの大きさを調節することができる。本発明の好適実施例によれば、１．５ＭＨｚの超音波が用いられ、その結果、エアゾールの大きさは４μｍ以下の直径を有する。
【００２４】
図２は、本発明のプレーナ型光導波管を製造するエアゾール工程装置を概略的に示す模式図である。
【００２５】
前述した方法によって作られたエアゾールは、図２中のトーチ７０を用いて、（コア層の形成の際は）シリコン・ウェハー上のアンダークラッド層２０上に被着され、または（オーバークラッド層４０の生成の際には）アンダークラッド層２０及びコア３０上に被着される。エアゾールはアルゴン・ガスによってトーチ７０へ移送され、酸素水素火炎によって酸化されながらウェハー・ホルダ５０に維持されているシリコン・ウェハー６０上に被着される。この際、温度調節器１１０を用いてウェハー・ホルダ５０を２００℃にて維持することによって、Ｂ２Ｏ３及びＰ２Ｏ５の気化を最小化する。また、一様厚さの膜を生成するために、トーチ７０はコンピュータ１００の制御下でＸ−Ｙステージ９０上でｘ及びｙ方向に動きながら酸化粉末を被着させる。
【００２６】
被着の後、シリコン・ウェハー６０に熱的プロセスを加える。先ず、被着された粉末の結晶水または有機物を除去するため、シリコン・ウェハー６０を５００℃の酸素雰囲気にて１時間の間熱処理する。次に、膜を乾燥させ、炉内で２時間の間熱処理して酸化粉末を溶融させる。この際、溶融温度は膜の組成によって変わる。本発明によれば、コア層に対する溶融温度は１２５０〜１３３０℃であり、オーバークラッド層４０に対する溶融温度は９００〜１０００℃である。溶融プロセスの後には、シリコン・ウェハー６０を大気中で急冷させてガラス膜を生成する。
【００２７】
図３〜図５は、エアゾール工程を用いて製造されたガラス膜の特性を示すグラフであって、図３及び図４は、（９２−ｘ）ＳｉＯ２−ｘＢ２Ｏ３−８Ｐ２Ｏ５の組成比を有するガラス膜の特性を示すグラフであり、図５は６２ＳｉＯ２−３０Ｂ２Ｏ３−８Ｐ２Ｏ５の組成にＧｅＯ２を添加したとき、屈折率の変化を示すグラフである。
【００２８】
詳記すると、図３は、（９２−ｘ）ＳｉＯ２−ｘＢ２Ｏ３−８Ｐ２Ｏ５の溶液または膜におけるＢ２Ｏ３の濃度に対してガラス膜の屈折率と溶融温度との間の関係を示すグラフである。Ｂ２Ｏ３の含量が２０より７０モル％に増加すると、屈折率は１．４５８９より１．４６８３に増加する。一般に、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３においてＢ２Ｏ３の含量が増加すると、屈折率は減少の後増加するが、溶融プロセスの後に徐冷する場合は、図３に示したような結果が得られる。Ｂ２Ｏ３の含量が増加すると、Ｂ２Ｏ３は三角形構造からピラミッド構造に変わる。Ｓｉを置き換えると、ガラス構造が一層コンパクトされることによって、屈折率が増加する。
【００２９】
ガラスの屈折率は、冷却速度及び熱的プロセスの条件によって左右される。一方、光導波管の製造の際、アンダークラッド層２０はコア３０及びオーバークラッド層４０の生成の際に加えれた熱的プロセスをさらに受けるようになり、即ち、２回の熱的プロセスを経る。同様に、オーバークラッド層４０に対する熱的プロセスによって、コア３０は熱的プロセスを１回さらに経るようになる。
【００３０】
詳記すると、アンダークラッド層２０は１３５０℃の熱的プロセスによってガラスに作られる。次に、コア層がアンダークラッド層２０上に被着される。このコア層は１３００〜１３３０℃の熱的プロセスによって生成される。こうして、アンダークラッド層２０は２回の熱的プロセスを経るようになる。コア層をエッチングしてコア３０を生成した後、オーバークラッド層４０がアンダークラッド２０及びコア３０上に被着され、９００〜１０００℃の熱的プロセスを通じてガラスが生成される。この場合、アンダークラッド層２０及びコア３０は９００〜１０００℃の熱的プロセスを経るようになる。
【００３１】
従って、アンダークラッド層２０及びコア３０は各々生成の際に適用された熱的プロセスの他に、前述したような付加的な熱的プロセスを経るようになるので、アンダークラッド層２０及びコア３０の屈折率が好ましくなく変更され得る恐れがある。従って、熱的プロセスによる以前に生成された層の屈折率の影響を考慮することが大切である。
【００３２】
図４は、そのような熱的プロセスの影響を理解するために、（９２−ｘ）ＳｉＯ２−ｘＢ２Ｏ３−８Ｐ２Ｏ５組成のガラスを得た後、大気中にて冷却させて得られるサンプルをガラス遷移温度以上で２４時間の間焼きなましする実験を施した場合、焼きなまし温度によるガラス膜の屈折率の変化を示したグラフである。ガラス遷移温度寄りでは屈折率が急上するが、９００℃以上の焼きなまし温度では屈折率の変化がほとんど無いことに注目されたい。即ち、以前に形成されたアンダークラッド層２０の屈折率に影響を与えないためには、コア３０及びオーバークラッド層４０のガラス形成温度は９００℃以上にしなければならない。
【００３３】
アンダークラッド層２０とコア３０との間の屈折率の変化率をΔ％として称す場合、これらの２つの層が各々２０モル％及び７０モル％（即ち、ｘ＝２０及びｘ＝７０）のＢ２Ｏ３によって生成されれば、屈折率の変化率Δ％は最大０．７となり得る。しかし、多様な光素子を製造するためには、屈折率をより一層容易に調節する必要がある。
【００３４】
図５は、９２ＳｉＯ２−ｘＢ２Ｏ３−８Ｐ２Ｏ５にｘｗｔ％（ｘ＝２〜１２）のＧｅＯ２を添加した場合の屈折率を示したグラフである。図５を参照すると、ＧｅＯ２を２％より１２％に増加させると、屈折率は１．４６３３より１．４７１６に増加したことを分かる。このようにＧｅＯ２を添加することによって、０．３より０．７５の多様な屈折率の変化率Δ％が得られる。
【００３５】
本発明の好適実施例によれば、各層の熱的プロセス温度、生成されたガラス膜の組成比（モル％）及び生成されたガラス膜の屈折率は次の通りである。
【００３６】
【表２】
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【００３７】
［表２］において、生成されたガラス膜の組成比は、電子プローブ・マイクロ分析法（ＥＰＭＡ）によって測定される。本発明によれば、エアゾール工程を通じて［表２］に示したような範囲のＢ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５及びＧｅＯ２の組成を有するほうりんけい酸ガラス系のガラス膜でコアを作ることができる。このような組成を有するコアは、従来のＦＨＤ法を通じては製造が不能である。しかしながら、エアゾール工程を用いると、所望の組成を有するコアを得ることができる。本発明のエアゾール工程によって生成されたコアは、６３３ｎｍ波長の光に対して１．４６２４〜１．４６９０の屈折率を有する。このような屈折率はアンダークラッド層２０の屈折率に対して０．３〜０．７５Δ％の屈折率の差を見せて、プレーナ型光導波管において要求されるアンダークラッド層２０とコア３０との間の屈折率の差を満たせる。
【００３８】
図４を参照して説明したように、コアの屈折率に変化が生じないよう、オーバークラッド層４０の熱的プロセス温度は９００℃以上に設定した。また、コア３０の形状が変形されないよう、オーバークラッド層４０の熱的プロセス温度を１１００℃以下に設定した。本発明によれば、オーバークラッド層４０は４０〜７０モル％のＳｉＯ２、２５〜４５モル％のＢ２Ｏ３及び０．１〜５モル％のＮａ２Ｏの組成を有するほうけい酸塩ガラス系のガラス膜で作ることができる。
【００３９】
このような組成を有するオーバークラッド層４０は、アンダークラッド層２０の屈折率と実質的に同一の屈折率を示すため、光導波管の要求条件を満たせる。詳記すると、本発明において、エアゾール工法を通じてオーバークラッド層４０に０．１〜５モル％のＮａ２Ｏを添加させることによって、熱的プロセス温度を１０００℃まで下げることができる。従来のＦＨＤ法によれば、上記のような範囲のＮａ２Ｏ成分をオーバークラッド層４０に添加することが困難であった。
【００４０】
また、本発明によれば、オーバークラッド層４０に対するＢ２Ｏ３及びＮａ２Ｏの含量を適切に調節し、且つその熱的プロセス温度を９００〜１０００℃温度に調節することによって、コア３０の屈折率及び形状に影響を与えず、光導波管を製造することによって光導波管の信頼性及び生産性をより一層向上させることができる。
【００４１】
上記において、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明の請求範囲を逸脱することなく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
【００４２】
【発明の効果】
従って、本発明によれば、エアゾール工程を用いてプレーナ型光導波管のコア及びオーバークラッド層を製造することによって、コア及びオーバークラッド層に対するＢ、Ｐ及びＧｅの含量を容易に調整することができる。その結果、コア及びオーバークラッド層の屈折率、溶融温度及び熱的プロセス温度を容易に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるプレーナ型光導波管の断面図である。
【図２】本発明のプレーナ型光導波管を製造するエアゾール工程装置を概略的に示す模式図である。
【図３】（９２−ｘ）ＳｉＯ２−ｘＢ２Ｏ３−８Ｐ２Ｏ５の溶液または膜におけるＢ２Ｏ３の濃度に対してガラス膜の屈折率と溶融温度との間の関係を示すグラフである。
【図４】焼きなまし温度によるガラス膜の屈折率の変化を示したグラフである。
【図５】６２ＳｉＯ２−３０Ｂ２Ｏ３−８Ｐ２Ｏ５の組成にＧｅＯ２を添加したとき、屈折率の変化を示すグラフである。
【符号の説明】
１０  シリコン基板
２０  アンダークラッド層
３０  コア
４０  オーバークラッド層
５０  ウェハー・ホルダ
６０  シリコン・ウェハー
７０  トーチ
８０  エアゾール発生器
９０  Ｘ−Ｙステージ
１００  コンピュータ
１１０  温度調節器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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