(57)【要約】【課題】  受光センサ領域及び光透過性保護部材の汚染、異物付着、及び曇りを防止し得る固体撮像素子パッケージ、半導体パッケージ、カメラモジュール、及び固体撮像素子パッケージの製造方法を提供する。【解決手段】  半導体ウエハ１に形成された固体撮像素子１０ａと、固体撮像素子１０ａの受光センサ領域４から間隔をおいて対向配置された光透過性保護部材３と、受光センサ領域４以外の領域にて、光透過性保護部材３と半導体ウエハ１の表面とを接着固定する封止剤５と、半導体ウエハ１における受光センサ領域４以外のフィールド領域において、半導体ウエハ１を貫通する１個又は複数個の空気孔用貫通孔１１と、空気孔用貫通孔１１における半導体ウエハ１の裏面側を塞ぐべく形成された底蓋絶縁膜１２aとを含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハに形成された固体撮像素子と、
上記固体撮像素子の受光センサ領域から間隔をおいて対向配置された光透過性保護部材と、
上記受光センサ領域以外の領域にて、上記光透過性保護部材と上記半導体ウエハの表面とを接着固定する封止剤と、
上記半導体ウエハにおける受光センサ領域以外のフィールド領域において、半導体ウエハを貫通する１個又は複数個の空気孔用貫通孔と、
上記空気孔用貫通孔における半導体ウエハの裏面側を塞ぐべく形成された絶縁膜とを含むことを特徴とする固体撮像素子パッケージ。
【請求項２】
前記絶縁膜が酸化膜であることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子パッケージ。
【請求項３】
前記絶縁膜が窒化膜であることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子パッケージ。
【請求項４】
前記絶縁膜がポリイミドであることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子パッケージ。
【請求項５】
前記絶縁膜の厚みは、０．０５μｍ〜５０μｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像素子パッケージ。
【請求項６】
前記半導体ウエハを貫通する空気孔用貫通孔の大きさは、一辺が１０μｍ〜１００μｍの正方形若しくは長方形、又は直径１０μｍ〜１００μｍの円形状であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像素子パッケージ。
【請求項７】
回路基板上に、請求項１〜６のいずれか１項に記載の固体撮像素子パッケージが搭載されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項８】
レンズ、及び該レンズを保持するレンズホルダが、請求項７記載の半導体パッケージにおける回路基板上に搭載されていることを特徴とするカメラモジュール。
【請求項９】
前記回路基板には、固体撮像素子パッケージに形成された空気孔用貫通孔の延長線上となる位置に、回路基板スルーホールが形成されていることを特徴とする請求項８記載のカメラモジュール。
【請求項１０】
前記回路基板と固体撮像素子との間には、前記固体撮像素子パッケージの外部空間から、前記空気孔用貫通孔に形成された絶縁膜に通ずる隙間が形成されていると共に、前記レンズホルダと上記回路基板との接着剤による接着接合部の一部に該接着剤の存在しない空隙が１個又は複数個設けられていることを特徴とする請求項８記載のカメラモジュール。
【請求項１１】
固体撮像素子が形成された半導体チップの表面から半導体ウエハのシリコン（Ｓｉ）をエッチングして非貫通状態の空気孔用貫通孔を形成する工程と、
上記空気孔用貫通孔の内壁に絶縁膜を形成する工程と、
上記半導体ウエハの裏面からシリコン（Ｓｉ）をエッチングして、上記空気孔用貫通孔の底面の絶縁膜を露出させる工程と、
上記半導体ウエハの表面に形成された受光センサ領域から間隔をおいて対向配置された光透過性保護部材を該半導体ウエハの表面に接着剤で接着する工程と、
上記半導体チップをダイシング加工する工程と、
上記空気孔用貫通孔の底面の絶縁膜に穴を開ける工程とを含むことを特徴とする固体撮
像素子パッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記空気孔用貫通孔における半導体ウエハのシリコン（Ｓｉ）のエッチング深さは、１１０μｍ〜１２０μｍであることを特徴とする請求項１１記載の固体撮像素子パッケージの製造方法。
【請求項１３】
前記固体撮像素子が形成された半導体チップの裏面から、吸引することにより前記絶縁膜を破り、孔を形成することを特徴とする請求項１１記載の固体撮像素子パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子パッケージ、半導体パッケージ、カメラモジュール、及び固体撮像素子パッケージの製造方法に関する。つまり携帯電話等において画像撮像を行うために用いるカメラモジュールなどに広く応用されるＣＣＤやＣＭＯＳセンサ等のパッケージ構造、及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等に搭載される従来の小型カメラモジュール１００は、例えば、図１６に示すように、ガラスリッド（Glass Lid:ガラス蓋）１０１とレンズホルダ本体１０２と回路基板１０３とにより形成される内部空間１０４に固体撮像素子１０５が配置されることになる。この内部空間１０４が密閉されていると、周辺の気温や気圧の変動により、空気中の湿気によりガラスリッド１０１が曇ってしまう現象が見られる。
【０００３】
そこで、レンズホルダ本体１０２と回路基板１０３とは接着剤１０６を用いて貼り合わせるが、部分的に接着剤１０６を塗布しないことによって切り欠き１０７を形成し、レンズホルダ本体１０２と回路基板１０３との間に隙間を設けている。この隙間により、空気が外部と入れ替わることができ、曇りを防止する構造となっている。
【０００４】
通常、固体撮像素子１０５は回路基板１０３上にダイボンドされ、入出力端子と回路基板１０３の端子とがワイヤーボンド１０８により接続されている。
【０００５】
一方、近年では、携帯電話に代表される小型のカメラモジュールのさらなる小型薄型化の要求が高まっている。
【０００６】
そこで、例えば特許文献１に代表されるような貫通電極を備えた小型の固体撮像素子（受光センサ）実装構造の固体撮像素子パッケージが考案されている。
【０００７】
この固体撮像素子パッケージ２００の第一のポイントは、図１７に示すように、受光センサ素子形成面２０１に形成されている外部との入出力のための電極２０２を、シリコン（Ｓｉ）ウエハ２０３を貫通する貫通電極２０４によって裏面に取り出していることである。これにより、前記図１６にて説明したワイヤーボンド１０８が不要となり、実装エリアが半導体チップサイズに収まることになり、小型化が図られる。
【０００８】
また、第二のポイントは、光透過性保護部材２０５を受光センサ２０６の上方に形成することによって、以降の工程で受光センサ２０６上にゴミ等の異物が付着することを防止できることである。この結果、光透過性保護部材２０５の形成後のプロセスを低クリーン度の環境で行うことが可能となる。
【０００９】
上記の構成では、光透過性保護部材２０５は、受光センサ２０６の領域以外の部分にて接着剤２０７により接着されている。この接着剤２０７の塗布により、受光センサ２０６の領域の周辺を完全に封止することが可能である。また、受光センサ２０６の領域周辺の一部に接着剤２０７を塗布しない領域をつくることによって、外部と連通する空気孔を形成することも可能である。
【００１０】
上記光透過性保護部材２０５は、受光センサ２０６が形成されたシリコン（Ｓｉ）からなる半導体ウエハ２０３上に、一つ一つ個別に貼り付けられる方法と、半導体ウエハ２０
３上に光透過性保護部材２０５を一括で貼り付けた後、ダイシングにより切り分ける方法とが考えられるが、工程の簡略化やコストを考えると、ダイシングにより切り分ける後者の方法が増加するものと考えられる。
【００１１】
さらに、近年、小型携帯機器にはＣＳＰ（Chip Scale Package）と呼ばれるパーケージ形態が増えてきた。図１７に示す固体撮像素子パッケージ２００をＣＳＰパッケージとした場合は、図１８に示すような形態の固体撮像素子パッケージ２１０となる。すなわち、固体撮像素子パッケージ２００の裏面に露出した貫通電極２０４から再配線層２１１を介して、外部取り出し電極となる半田ボール２１２を形成している。
【００１２】
図１９は、上記のＣＳＰパッケージからなる固体撮像素子パッケージ２１０を用いて組み立てたカメラモジュールの例を示している。これにより、小型軽量カメラモジュールを実現することが可能となる。
【特許文献１】特開２００１−３５１９９７号公報（平成１３年１２月２１日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上記従来の固体撮像素子パッケージ、カメラモジュール、及び固体撮像素子パッケージの製造方法において、貫通電極２０４により外部入出力を取り出した固体撮像素子パッケージ２００・２１０の半導体ウエハ２０３に光透過性保護部材２０５を貼り付けてからダイシングする手法には次のような問題がある。
【００１４】
すなわち、固体撮像素子２０８の４辺を封止剤２０７にて接着するように光透過性保護部材２０５を貼り付けた場合には、光透過性保護部材２０５と封止剤２０７と固体撮像素子２０８とで形成される内部空間２０９が完全に密封されるため、外気との循環が行われない。このため、光透過性保護部材２０５及び受光センサ２０６に、温度変化や気圧変化により曇りが生ずる恐れがある。
【００１５】
一方、外部との空気の入れ換えを行うために、封止剤２０７を形成しない部分を設け、空気孔を作った場合には次のような問題がある。
【００１６】
まず、光透過性保護部材２０５を一つ一つ個別に貼り付けた場合は、上記受光センサ２０６の領域以外の領域で光透過性保護部材２０５と固体撮像素子２０８を接着する封止剤２０７の少なくとも一ヶ所に切り欠き部を形成することになり、空気孔が露出することになる。したがって、半田ボール形成工程でのフラックス洗浄時に、空気孔から洗浄剤が内部に侵入する恐れがある。
【００１７】
また、半導体ウエハ２０３に光透過性保護部材２０５をウエハ状態で貼り付けてから個別の固体撮像素子パッケージ２００・２１０にダイシングする場合でも、ダイシングにより封止剤２０７の切り欠き部が露出し、ダイシング時の汚れた水の侵入の恐れがある。
【００１８】
さらに、光透過性保護部材２０５と封止剤２０７と固体撮像素子２０８とで形成される狭い内部空間２０９にこれらの洗浄液や汚水が入り込むと、汚れを取り除くのは容易ではない。固体撮像素子２０８の受光センサ２０６上に付着した異物や汚れは、黒傷と呼ばれる撮像素子の不良や、曇りやにじみの原因となってしまう。
【００１９】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、受光センサ領域及び光透過性保護部材の汚染、異物付着、及び曇りを防止し得る固体撮像素子パッケージ、半導体パッケージ、カメラモジュール、及び固体撮像素子パッケージの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の固体撮像素子パッケージは、上記課題を解決するために、半導体ウエハに形成された固体撮像素子と、上記固体撮像素子の受光センサ領域から間隔をおいて対向配置された光透過性保護部材と、上記受光センサ領域以外の領域にて、上記光透過性保護部材と上記半導体ウエハの表面とを接着固定する封止剤と、上記半導体ウエハにおける受光センサ領域以外のフィールド領域において、半導体ウエハを貫通する１個又は複数個の空気孔用貫通孔と、上記空気孔用貫通孔における半導体ウエハの裏面側を塞ぐべく形成された絶縁膜とを含むことを特徴としている。
【００２１】
上記の発明によれば、固体撮像素子の受光センサ領域から間隔をおいて対向配置された光透過性保護部材は、上記半導体ウエハに形成された固体撮像素子の受光センサ領域以外の領域にて、上記半導体ウエハの表面と封止剤にて接着固定されている。したがって、固体撮像素子の受光センサ領域は、密閉された内部空間に設けられている。
【００２２】
このため、例えば外部取り出し電極を形成するときのフラックス洗浄時においても、洗浄剤が内部空間に侵入することはない。また、例えば、半導体ウエハに形成した複数の固体撮像素子パッケージから個別の固体撮像素子パッケージにダイシングする場合でも、ダイシング時の汚れた水が侵入するということはない。このため、受光センサ領域及び光透過性保護部材が水によって汚染されるということはない。
【００２３】
一方、上記内部空間が密閉されていると、周辺の気温や気圧の変動により、空気中の湿気により受光センサ領域及び光透過性保護部材が曇ってしまう現象が見られる。
【００２４】
そこで、本発明では、半導体ウエハにおける受光センサ領域以外のフィールド領域において、半導体ウエハを貫通する１個又は複数個の空気孔用貫通孔が設けられていると共に、この空気孔用貫通孔における半導体ウエハの裏面側を塞ぐ絶縁膜が形成されている。
【００２５】
したがって、半導体ウエハの裏面側を塞ぐ絶縁膜は外部に露出しているので、この絶縁膜を破れば、内部空間が外部空間と連通する。
【００２６】
この結果、洗浄時においては、内部空間は密閉されているので、洗浄水が空間内部に侵入せず、洗浄後においては、この絶縁膜を破れば、内部空間が外部空間と連通するので、空気中の湿気により受光センサ及び光透過性保護部材が曇るということがなくなる。
【００２７】
また、空気孔用貫通孔の数を１個又は複数個にして、適切に調整することによって、十分な空気の循環を確保し、異物の混入等の危険性を低減することができる。
【００２８】
したがって、受光センサ領域及び光透過性保護部材の汚染、異物付着、及び曇りを防止し得る固体撮像素子パッケージを提供することができる。
【００２９】
また、本発明の固体撮像素子パッケージは、上記記載の固体撮像素子パッケージにおいて、前記絶縁膜が酸化膜であることを特徴としている。
【００３０】
したがって、一般的に、絶縁膜と使用されるＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)によ
る二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）等の酸化膜を使用することができる。
【００３１】
また、本発明の固体撮像素子パッケージは、上記記載の固体撮像素子パッケージにおいて、前記絶縁膜が窒化膜であることを特徴としている。
【００３２】
したがって、内壁絶縁用の酸化膜エッチングが困難な場合に、窒化膜（ＳｉＮ）を用いることができる。すなわち、ＣＶＤにより窒化膜（ＳｉＮ）を半導体ウエハの裏面全面に形成し、フォトエッチング工程によって必要箇所を露出させることができる。
【００３３】
また、本発明の固体撮像素子パッケージは、上記記載の固体撮像素子パッケージにおいて、前記絶縁膜がポリイミドであることを特徴としている。
【００３４】
したがって、感光性を有するポリイミドを用いれば、光により絶縁膜を硬化させて形成することができる。また、半導体ウエハを陰極として、ポリイミドを電着により形成することも可能である。
【００３５】
また、本発明の固体撮像素子パッケージは、上記記載の固体撮像素子パッケージにおいて、前記絶縁膜の厚みは、０．０５μｍ〜５０μｍであることを特徴としている。
【００３６】
すなわち、絶縁膜の厚みが５０μｍ以下であれば、非常に薄いため容易に破ることができる。また、０．０５μｍ未満の膜を形成するのは困難である。
【００３７】
また、本発明の固体撮像素子パッケージは、上記記載の固体撮像素子パッケージにおいて、前記半導体ウエハを貫通する空気孔用貫通孔の大きさは、一辺が１０μｍ〜１００μｍの正方形若しくは長方形、又は直径１０μｍ〜１００μｍの円形状であることを特徴としている。
【００３８】
すなわち、１０μｍ以下の空気孔用貫通孔は現実的に製造するのが困難である。また、１００μｍを超えると異物の混入の可能性が高まり、固体撮像素子に占める空気孔用貫通孔の面積が大きくなりコストアップにつながる。
【００３９】
また、本発明の半導体パッケージは、上記課題を解決するために、回路基板上に、前記記載の固体撮像素子パッケージが搭載されていることを特徴としている。
【００４０】
したがって、上記固体撮像素子パッケージを回路基板に取り付けることにより、受光センサ領域及び光透過性保護部材の汚染、異物付着、及び曇りを防止し得る半導体パッケージを提供することができる。
【００４１】
また、本発明のカメラモジュールは、上記課題を解決するために、レンズ、及び該レンズを保持するレンズホルダが、上記記載の半導体パッケージにおける回路基板上に搭載されていることを特徴としている。
【００４２】
したがって、受光センサ領域及び光透過性保護部材の汚染、異物付着、及び曇りを防止し得るカメラモジュールを提供することができる。
【００４３】
また、本発明のカメラモジュールは、上記記載のカメラモジュールにおいて、前記回路基板には、固体撮像素子パッケージに形成された空気孔用貫通孔の延長線上となる位置に、回路基板スルーホールが形成されていることを特徴としている。
【００４４】
上記の発明によれば、回路基板には、固体撮像素子パッケージに形成された空気孔用貫通孔の延長線上となる位置に、回路基板スルーホールが形成されている。
【００４５】
したがって、カメラモジュールとして完成した後においても、回路基板に形成された回路基板スルーホールを通して、固体撮像素子パッケージに形成された空気孔用貫通孔を臨むことができ、吸引や針を突き刺す等により、容易に絶縁膜に穴をあけることができる。
【００４６】
また、本発明のカメラモジュールは、上記記載のカメラモジュールにおいて、前記回路基板と固体撮像素子との間には、前記固体撮像素子パッケージの外部空間から、前記空気孔用貫通孔に形成された絶縁膜に通ずる隙間が形成されていると共に、前記レンズホルダと上記回路基板との接着剤による接着接合部の一部に該接着剤の存在しない空隙が１個又は複数個設けられていることを特徴としている。
【００４７】
上記の発明によれば、回路基板と固体撮像素子との間には、前記固体撮像素子パッケージの外部空間から前記空気孔用貫通孔に形成された絶縁膜に通ずる隙間が形成されている。また、固体撮像素子パッケージの外部空間とカメラモジュールの外部空間とは、接着接合部の一部に形成された空隙によって連通している。このため、絶縁膜は、隙間と空隙とを通して外部空間に通じている。
【００４８】
したがって、カメラモジュールとして完成した後においても、カメラモジュールにおける、接着接合部の空隙を通して吸引することにより、絶縁膜に容易に穴を開けることができる。
【００４９】
また、本発明の固体撮像素子パッケージの製造方法は、上記課題を解決するために、固体撮像素子が形成された半導体チップの表面から半導体ウエハのシリコン（Ｓｉ）をエッチングして非貫通状態の空気孔用貫通孔を形成する工程と、上記空気孔用貫通孔の内壁に絶縁膜を形成する工程と、上記半導体ウエハの裏面からシリコン（Ｓｉ）をエッチングして、上記空気孔用貫通孔の底面の絶縁膜を露出させる工程と、上記半導体ウエハの表面に形成された受光センサ領域から間隔をおいて対向配置された光透過性保護部材を該半導体ウエハの表面に接着剤で接着する工程と、上記半導体チップをダイシング加工する工程と、上記空気孔用貫通孔の底面の絶縁膜に穴を開ける工程とを含むことを特徴としている。
【００５０】
上記の発明によれば、固体撮像素子パッケージを製造するときには、固体撮像素子が形成された半導体チップの表面から半導体ウエハのシリコン（Ｓｉ）をエッチングして非貫通状態の空気孔用貫通孔を形成する。次いで、上記空気孔用貫通孔の内壁に絶縁膜を形成し、さらに、上記半導体ウエハの裏面からシリコン（Ｓｉ）をエッチングして、上記空気孔用貫通孔の底面の絶縁膜を露出させ、その後、上記半導体ウエハの表面に形成された受光センサ領域から間隔をおいて対向配置された光透過性保護部材を該半導体ウエハの表面に接着剤で接着する。それから既知の手法により裏面再配線層を形成する。そして、最後に、上記半導体チップをダイシング加工し、上記空気孔用貫通孔の底面の絶縁膜に穴を開ける。
【００５１】
この結果、受光センサ領域及び光透過性保護部材の汚染、異物付着、及び曇りを防止し得る固体撮像素子パッケージの製造方法を提供することができる。
【００５２】
また、本発明の固体撮像素子パッケージの製造方法は、上記記載の固体撮像素子パッケージの製造方法において、前記空気孔用貫通孔における半導体ウエハのシリコン（Ｓｉ）のエッチング深さは、１１０μｍ〜１２０μｍであることを特徴としている。
【００５３】
上記の発明によれば、空気孔用貫通孔における半導体ウエハのシリコン（Ｓｉ）のエッチング深さは、１１０μｍ〜１２０μｍである。
【００５４】
したがって、半導体ウエハの厚さ１１０μｍ〜１２０μｍ程度の固体撮像素子を有効に形成できる。
【００５５】
また、本発明の固体撮像素子パッケージの製造方法は、上記記載の固体撮像素子パッケ
ージの製造方法において、前記固体撮像素子が形成された半導体チップの裏面から、吸引することにより前記絶縁膜を破り、孔を形成することを特徴としている。
【００５６】
したがって、吸引によって外部から絶縁膜が形成された貫通孔を破るので、絶縁膜に穴を開けるのを容易に行うことができる。
【発明の効果】
【００５７】
本発明では、固体撮像素子の受光センサ領域は、密閉された内部空間に設けられている。このため、受光センサ領域及び光透過性保護部材が洗浄水によって汚染されるということはない。
【００５８】
一方、本発明では、半導体ウエハを貫通する空気孔用貫通孔が設けられていると共に、この空気孔用貫通孔における半導体ウエハの裏面側を塞ぐ絶縁膜が形成されている。このため、半導体ウエハの裏面側を塞ぐ絶縁膜は外部に露出しているので、この絶縁膜を破れば、内部空間が外部空間と連通する。
【００５９】
この結果、洗浄時においては、内部空間は密閉されているので、洗浄水が空間内部に侵入せず、洗浄後においては、この絶縁膜を破れば、内部空間が外部空間と連通するので、空気中の湿気により受光センサ及び光透過性保護部材が曇るということがなくなる。
【００６０】
したがって、受光センサ領域及び光透過性保護部材の汚染、異物付着、及び曇りを防止し得る固体撮像素子パッケージ、半導体パッケージ、カメラモジュール、及び固体撮像素子パッケージの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６１】
〔実施の形態１〕
本発明の一実施形態について図１ないし図１１に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００６２】
本実施の形態の固体撮像素子パッケージ１０は、図１に示すように、半導体ウエハ１の表面に固体撮像素子１０ａが形成され、その固体撮像素子１０ａの対向側には光透過性保護部材３が設けられている。そして、上記半導体ウエハ１と光透過性保護部材３とは、固体撮像素子１０ａにおける受光センサ領域４以外の部分で封止剤５により接着されている。
【００６３】
上記半導体ウエハ１の表面に形成された、固体撮像素子１０ａの外部入出力端子６つまり電極パッドは、貫通電極７を介して半導体ウエハ１の裏面に形成された裏面再配線層８につながり、半田ボールにてなる外部取り出し電極９に接続されている。
【００６４】
また、半導体ウエハ１には、その表面から裏面に貫通する空気孔用貫通孔１１が形成されており、この空気孔用貫通孔１１には、半導体ウエハ１の縦壁面及び半導体ウエハ１の裏面側に絶縁膜１２が形成されている。特に、空気孔用貫通孔１１における半導体ウエハ１の裏面側に存在する底蓋絶縁膜１２ａは、該空気孔用貫通孔１１を蓋するように形成されており、後工程にてこの底蓋絶縁膜１２ａを破ることにより、空気孔用貫通孔１１は空気取り入れ孔となる。
【００６５】
空気孔用貫通孔１１の近傍の詳細構成は、図２（ａ）に示すように、半導体ウエハ１の表面には、酸化膜にてなる層間絶縁膜１３とパシベーション膜１４とが積層されている。一方、半導体ウエハ１の裏面には、裏面絶縁膜１５と保護膜１６とが積層されている。
【００６６】
また、貫通電極７の近傍の詳細構成は、図２（ｂ）に示すように、貫通電極用貫通孔２１の壁面に絶縁膜１２及びシードメタル２３が積層され、上記シードメタル２３の表面に銅（Ｃｕ）が充填されており、この銅（Ｃｕ）が貫通電極７となっている。
【００６７】
上記構成の固体撮像素子パッケージ１０における裏面再配線層８と、空気孔用貫通孔１１を蓋する底蓋絶縁膜１２ａを形成するプロセスを、図３ないし図１０、及び図１に基いて説明する。なお、図３ないし図１０における各（ａ）は空気孔用貫通孔１１に底蓋絶縁膜１２ａを形成する部分の空気孔形成工程を示している一方、各（ｂ）は半導体ウエハ１を表裏に貫通する貫通電極７を形成する部分の工程を示している。
【００６８】
すなわち、本実施の形態では、貫通電極７を形成すると同時に空気孔用貫通孔１１を蓋する底蓋絶縁膜１２ａを形成するようになっている。
【００６９】
まず、図３（ａ）（ｂ）に示すように、既に、半導体ウエハ１の表面には図示しない受光センサ領域４及び入出力端子部が形成されているものとする。そして、図３（ａ）に示すように、上記空気孔用貫通孔１１の形成部分では、半導体ウエハ１の表面の層間絶縁膜１３及びパシベーション膜１４が除去されている。また、図３（ｂ）に示すように、上記貫通電極７の形成部分では、外部入出力端子である電極パッドの中央部及びその内側の層間絶縁膜１３が除去されている。この工程は、通常のフォト工程及びエッチング工程により容易に行うことが可能である。
【００７０】
次いで、図４（ａ）（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１におけるシリコン（Ｓｉ）の深いエッチングを行うためレジストマスク層２５を形成し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching)等による異方性エッチングによりシリコン（Ｓｉ）を所望
の深さまでエッチングして、非貫通状態の空気孔用貫通孔１１及び貫通電極用貫通孔２１を形成する。本実施の形態では、エッチング深さを、例えば１１０μｍ〜１２０μｍとする。その後、図５（ａ）（ｂ）に示すように、レジストマスク層２５を除去する。
【００７１】
次に、図６（ａ）（ｂ）に示すように、空気孔用貫通孔１１及び貫通電極用貫通孔２１の内壁に、絶縁膜１２として、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）からなる酸化膜をＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)により形成する。本実施の形態では、例えば、半導体ウエハ１の表面で３μｍ、内壁及び底面には約１μｍの絶縁膜１２を形成する。上記底面に形成された酸化膜が、後に、空気孔用貫通孔１１に蓋をする底蓋絶縁膜１２ａとなる。
【００７２】
ここで、酸化膜は、フォトエッチング工程により、同図（ａ）（ｂ）に示すような形状にエッチングする。また、図６（ｂ）に示すように、固体撮像素子１０ａの外部入出力端子６上の酸化膜を除去することにより、電極パッドである外部入出力端子６を部分的に露出させる必要がある。その理由は、後工程で、外部入出力端子６と貫通電極７とのコンタクトを取るためである。
【００７３】
なお、本実施の形態では、絶縁膜１２として酸化膜を用いたが、これは、固体撮像素子１０ａを構成する材料として一般的に酸化膜が用いられているためであり、必ずしもこれに限らない。例えば、内壁絶縁用の酸化膜エッチングが困難な場合は窒化膜（ＳｉＮ）を用いることができる。
【００７４】
次いで、図７（ａ）（ｂ）に示すように、後工程の電解メッキを行うためにシードメタル２３を絶縁膜１２の表面に形成する。本実施の形態では、例えば、チタン（Ｔｉ）を０．１μｍ、続いて銅（Ｃｕ）を０．６μｍ、スパッタにより形成する。
【００７５】
次いで、図８（ａ）（ｂ）に示すように、レジストマスク層２６を形成し、電解メッキ
を行う部分つまり貫通電極７となる部分を開口し、銅（Ｃｕ）メッキを行う。すなわち、図８（ａ）に示す空気孔用貫通孔１１には電解メッキを行わないためレジストマスク層２６を全面に覆っている。一方、図８（ｂ）に示すように、固体撮像素子１０ａの外部入出力端子６つまり電極パッドと貫通電極７となる貫通電極用貫通孔２１とに銅（Ｃｕ）メッキを成長させている。なお、この時、図８（ａ）に示す空気孔用貫通孔１１が形成された半導体ウエハ１に液状レジストをスピンコートすることが困難で有れば、レジストマスク層２６の形成のためにドライフィルムレジストを用いることができる。
【００７６】
次に、同図（ａ）（ｂ）に示すメッキ用のレジストマスク層２６を剥離し、続いてシードメタル２３をエッチング除去する。さらに、半導体ウエハ１の裏面研磨により半導体ウエハ１を１２０〜１４０μｍ程度の厚みまで薄層化する。引き続いて、半導体ウエハ１の裏面からシリコン（Ｓｉ）をＲＩＥによりエッチングすることによって後退させ、絶縁膜１２を露出させる。これにより、図９（ａ）（ｂ）に示す状態が得られる。
【００７７】
これ以降は、半導体ウエハ１の裏面再配線層８の工程である。この裏面再配線層８の形成工程を以下に説明する。なお、この工程については、様々な工法が提案されており、下記の手法に限るものではない。
【００７８】
まず、図１０（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１の裏面に露出していた酸化膜にてなる絶縁膜１２をフォトエッチング工程によりエッチング除去し、電解メッキにより形成した貫通電極７の銅（Ｃｕ）を、シードメタル２３を介して露出させる。この理由は、後工程にて形成する裏面再配線層８と上記貫通電極７とのコンタクトを取るためである。
【００７９】
続いて、同図（ａ）（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１の裏面を絶縁するための裏面絶縁膜１５を形成する工程を行う。
【００８０】
まず、半導体ウエハ１の裏面に感光性の絶縁材料からなる裏面絶縁膜１５を塗布する。そのとき、図１０（ａ）に示す半導体ウエハ１の裏面に露出した底蓋絶縁膜１２ａ、及び図１０（ｂ）に示す半導体ウエハ１の裏面に露出した銅（Ｃｕ）メッキ部である貫通電極７（詳細にはシードメタル２２）を露出するようにする。
【００８１】
ここで、裏面絶縁膜１５のための絶縁材料としては、例えばエポキシやポリイミド等の感光性絶縁材を用いることができる。また、ＣＶＤにより窒化膜（ＳｉＮ）を半導体ウエハ１の裏面全面に形成し、フォトエッチング工程によって必要箇所を露出させる等の方法もある。
【００８２】
続いて、同図（ｂ）に示すように、貫通電極７から、後述する半田ボールにてなる前記外部取り出し電極９までを再配線するための導体からなる裏面再配線層８を形成する。この裏面再配線層８の形成に際しては、一般的に、レジストパターンを形成し、電解メッキにより金属配線を形成する手法や薄膜をスパッタ等により形成し、フォトエッチング工程により必要なパターンを形成する手法が知られている。
【００８３】
続いて、同図（ａ）（ｂ）に示すように、保護膜１６を形成する。このとき、図１０（ａ）に示す半導体ウエハ１の裏面に露出した底蓋絶縁膜１２ａ、及び図１に示す半導体ウエハ１の裏面に形成された裏面再配線層８における、後工程で外部取り出し電極９が形成される部分を露出するように感光性絶縁材料からなる保護膜１６を形成する。なお、これら裏面再配線工程では、図１０（ａ）に示す空気孔用貫通孔１１における底蓋絶縁膜１２ａの上には裏面再配線層８ための裏面再配線材料を残さないようにすることが必要である。
【００８４】
最終的には、図１に示すように、光透過性保護部材３を固体撮像素子１０ａにおける受光センサ領域４以外で封止剤５により半導体ウエハ１に接着し、さらに、半導体ウエハ１の裏面には半田ボールからなる外部取り出し電極９を搭載する。
【００８５】
具体的には、まず、半導体ウエハ１上に封止剤５を塗布する。封止剤５は、固体撮像素子１０ａの受光センサ領域４以外の領域に塗布する。その上に、半導体ウエハ１とほぼ同一サイズの光透過性保護部材３を搭載する。これにより、光透過性保護部材３が封止剤５にて半導体ウエハ１に接着する。
【００８６】
次に、半導体ウエハ１の裏面に形成された裏面再配線層８の露出部分に半田ボールからなる外部取り出し電極９を搭載する。半田ボールの形成方法は、一般的に知られているように、予め、フラックスや半田ペーストを半田ボール搭載部に塗布し、半田ボールをその上に搭載し、リフロー等により半田を溶融させ外部取り出し電極９に接続する。その後、フラックスを洗浄除去する。ここで、空気孔用貫通孔１１が開口していた場合、このフラックス洗浄時に洗浄液が空気孔用貫通孔１１から侵入し、固体撮像素子１０ａ及び受光センサ領域４を汚してしまう恐れがあるが、本実施の形態では、空気孔用貫通孔１１は未だ底蓋絶縁膜１２ａが存在し、空気孔用貫通孔１１が開口していないためそのような心配はない。
【００８７】
その後、ダイシングにより半導体ウエハ１の状態から個々に分割された固体撮像素子パッケージ１０に切り分けられる。このダイシング工程でも、洗浄のために水が用いられるが、切削屑の混じった水が貫通電極用貫通孔２１から入りこむと、固体撮像素子１０ａ及び受光センサ領域４を汚染するが、本実施の形態ではそのような恐れもない。
【００８８】
次に、空気孔用貫通孔１１に形成した底蓋絶縁膜１２ａを破り、空気孔用貫通孔１１を貫通する工程を説明する。
【００８９】
図１１（ａ）に示すように、シリコーンやゴムからなる密着部３１を有する治具３０を、固体撮像素子パッケージ１０の裏面に押し当てる。この時、治具３０と固体撮像素子パッケージ１０の裏面との間が十分に密着している必要がある。
【００９０】
この状態で、固体撮像素子パッケージ１０の裏面を吸引することによって、空気孔用貫通孔１１を塞ぐように形成されていた底蓋絶縁膜１２ａは容易に破れ、光透過性保護部材３と封止剤５と固体撮像素子１０ａとで形成される内部空間１７と外部との空気の循環が可能となる。
【００９１】
したがって、本実施の形態では、半田ボール搭載後やダイシング工程後に、空気孔用貫通孔１１を形成することが可能となる。
【００９２】
なお、上記空気孔用貫通孔１１は、少なくとも一つあれば空気の循環が可能であるが、より循環を効率よく行うために複数個設けることも可能である。また、上記空気孔用貫通孔１１の大きさは、大きい方が効率良く循環可能であるが、空気孔用貫通孔１１から異物が入り込む危険性が高まるため、１０μｍ〜１００μｍ程度の大きさであることが好ましい。１０μｍ以下の空気孔用貫通孔１１は現実的に製造するのが困難であり、また１００μｍを超えると異物の混入の可能性が高まり、固体撮像素子１０ａに占める空気孔用貫通孔１１の面積が大きくなりコストアップにつながる。このように、空気孔用貫通孔１１の大きさと数とを適切に調整することによって、十分な空気の循環を確保し、異物の混入の危険性を低減することができる。
【００９３】
なお、本実施の形態では、底蓋絶縁膜１２ａの材料としてＣＶＤによる二酸化ケイ素（
ＳｉＯ2）からなる酸化膜を使用する場合を説明したが、必ずしもこれに限らず、例えば
、図６（ａ）（ｂ）において、絶縁膜１２として感光性のポリイミドや、感光性の有機絶縁材料を用いることも可能である。又は、半導体ウエハ１を陰極として、ポリイミドを電着により形成しても良い。
【００９４】
以上述べてきたように、本実施の形態による固体撮像素子パッケージ１０では、半導体ウエハ１の第１面に形成された固体撮像素子１０ａと、上記固体撮像素子１０ａの受光センサ領域４から間隔をおいて対向配置された光透過性保護部材３と、上記受光センサ領域４以外の領域で光透過性保護部材３と半導体ウエハ１の第１面とが封止剤５により接着固定されたＣＳＰ型のパッケージであるため、小型・薄型である。また、受光センサ領域４の汚染、異物付着を防止できるため、工程管理が容易になる。さらに、固体撮像素子１０ａをＣＳＰパッケージ化した後に、光透過性保護部材３と固体撮像素子１０ａと封止剤５からなる空間と、外部との換気を行うための空気孔を形成することができ、気温や湿度、気圧の変化による光透過性保護部材３のくもりを防止することが可能となる。
【００９５】
このように、本実施の形態の固体撮像素子パッケージ１０では、固体撮像素子１０ａの受光センサ領域４から間隔をおいて対向配置された光透過性保護部材３は、半導体ウエハ１に形成された固体撮像素子１０ａの受光センサ領域４以外の領域にて、半導体ウエハ１の表面と封止剤５にて接着固定されている。したがって、固体撮像素子１０ａの受光センサ領域４は、密閉された内部空間に設けられている。
【００９６】
このため、例えば外部取り出し電極９を形成するときのフラックス洗浄時においても、洗浄剤が内部空間に侵入することはない。また、例えば、半導体ウエハ１に形成した複数の固体撮像素子パッケージ１０…から個別の固体撮像素子パッケージ１０にダイシングする場合でも、ダイシング時の汚れた水が侵入するということはない。このため、受光センサ領域４及び光透過性保護部材３が水によって汚染されるということはない。
【００９７】
一方、内部空間１７が密閉されていると、周辺の気温や気圧の変動により、空気中の湿気により受光センサ及び光透過性保護部材３が曇ってしまう現象が見られる。
【００９８】
そこで、本実施の形態では、半導体ウエハ１における受光センサ領域４以外のフィールド領域において、半導体ウエハ１を貫通する１個又は複数個の空気孔用貫通孔１１が設けられていると共に、この空気孔用貫通孔１１における半導体ウエハ１の裏面側を塞ぐ底蓋絶縁膜１２ａが形成されている。
【００９９】
したがって、半導体ウエハ１の裏面側を塞ぐ底蓋絶縁膜１２ａは外部に露出しているので、この底蓋絶縁膜１２ａを破れば、内部空間１７が外部空間と連通する。
【０１００】
この結果、洗浄時においては、内部空間１７は密閉されているので、洗浄水が内部空間１７に侵入せず、洗浄後においては、この底蓋絶縁膜１２ａを破れば、内部空間１７が外部空間と連通するので、空気中の湿気により受光センサ及び光透過性保護部材３が曇るということがなくなる。
【０１０１】
また、空気孔用貫通孔１１の数を１個又は複数個にして、適切に調整することによって、十分な空気の循環を確保し、異物の混入等の危険性を低減することができる。
【０１０２】
したがって、受光センサ領域４及び光透過性保護部材３の汚染、異物付着、及び曇りを防止し得る固体撮像素子パッケージ１０を提供することができる。
【０１０３】
また、本実施の形態の固体撮像素子パッケージ１０では、底蓋絶縁膜１２ａが酸化膜で
ある。したがって、一般的に、絶縁膜として使用されるＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)による二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）等の酸化膜を使用することができる。
【０１０４】
また、本実施の形態の固体撮像素子パッケージ１０では、底蓋絶縁膜１２ａが窒化膜である。したがって、内壁絶縁用の酸化膜エッチングが困難な場合に、窒化膜（ＳｉＮ）を用いることができる。すなわち、ＣＶＤにより窒化膜（ＳｉＮ）を半導体ウエハ１の裏面全面に形成し、フォトエッチング工程によって必要箇所を露出させることができる。
【０１０５】
また、本実施の形態の固体撮像素子パッケージ１０では、底蓋絶縁膜１２ａがポリイミドである。感光性を有するポリイミドを用いれば、光により底蓋絶縁膜１２ａを硬化させて形成することができる。また、半導体ウエハ１を陰極として、ポリイミドを電着により形成することも可能である。
【０１０６】
また、本実施の形態の固体撮像素子パッケージ１０では、底蓋絶縁膜１２ａの厚みは、０．０５μｍ〜５０μｍである。すなわち、絶縁膜の厚みが５０μｍ以下であれば、非常に薄いため容易に破ることができる。また、０．０５μｍ未満の膜を形成するのは困難である。
【０１０７】
また、本実施の形態の固体撮像素子パッケージ１０では、半導体ウエハ１を貫通する空気孔用貫通孔１１の大きさは、一辺が１０μｍ〜１００μｍの正方形若しくは長方形、又は直径１０μｍ〜１００μｍの円形状である。
【０１０８】
すなわち、１０μｍ以下の空気孔用貫通孔１１は現実的に製造するのが困難である。また、１００μｍを超えると異物の混入の可能性が高まり、固体撮像素子４０ａに占める空気孔用貫通孔１１の面積が大きくなりコストアップにつながる。
【０１０９】
また、本実施の形態の固体撮像素子パッケージ１０を製造するときには、固体撮像素子１０ａが形成された半導体チップの表面から半導体ウエハ１シリコン（Ｓｉ）をエッチングして非貫通状態の空気孔用貫通孔１１を形成する。次いで、空気孔用貫通孔１１の内壁に絶縁膜１２を形成し、さらに、半導体ウエハ１の裏面からシリコン（Ｓｉ）をエッチングして、空気孔用貫通孔１１の底面の底蓋絶縁膜１２ａを露出させ、その後、半導体ウエハ１の表面に形成された受光センサ領域４から間隔をおいて対向配置された光透過性保護部材３を該半導体ウエハ１の表面に接着剤で接着する。それから既知の手法により裏面再配線層を形成する。そして、最後に、半導体チップをダイシング加工し、空気孔用貫通孔１１の底面の底蓋絶縁膜１２ａに穴を開ける。
【０１１０】
この結果、受光センサ領域４及び光透過性保護部材３の汚染、異物付着、及び曇りを防止し得る固体撮像素子パッケージ１０の製造方法を提供することができる。
【０１１１】
また、本実施の形態の固体撮像素子パッケージ１０の製造方法では、空気孔用貫通孔１１における半導体ウエハ１のシリコン（Ｓｉ）のエッチング深さは、１１０μｍ〜１２０μｍである。
【０１１２】
したがって、半導体ウエハ１の厚さ１１０μｍ〜１２０μｍ程度の固体撮像素子１０ａを有効に形成できる。
【０１１３】
また、本実施の形態の固体撮像素子パッケージ１０の製造方法では、固体撮像素子１０ａが形成された半導体チップの裏面から、吸引することにより底蓋絶縁膜１２ａを破り、孔を形成する。
【０１１４】
したがって、吸引によって外部から底蓋絶縁膜１２ａが形成された空気孔用貫通孔１１を破るので、底蓋絶縁膜１２ａに穴を開けるのを容易に行うことができる。
【０１１５】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について図１２ないし図１５に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、上記実施の形態１と同じである。また、説明の便宜上、上記の実施の形態１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１１６】
前記実施の形態１の固体撮像素子１０ａでは、その外部取り出し電極９を裏面から取り出していたが、本実施の形態の固体撮像素子では、その固体撮像素子の表面から取り出すようになっている点が異なっている。
【０１１７】
すなわち、本実施の形態の固体撮像素子パッケージ４０は、図１２に示すように、固体撮像素子４０ａの受光センサ領域４から間隔をおいて対向配置された光透過性保護部材３と、受光センサ領域４以外の領域で光透過性保護部材３と固体撮像素子４０ａの表面とを接着固定する封止剤５と、固体撮像素子４０ａのフィールド領域において半導体ウエハ１を貫通する空気孔用貫通孔１１と、上記空気孔用貫通孔１１における半導体ウエハ１の裏面を塞ぐように形成された底蓋絶縁膜１２ａとを有している。
【０１１８】
また、本実施の形態では、固体撮像素子４０ａの入出力端子４１が形成される領域は、後工程でワイヤーボンディングするために、光透過性保護部材３及び封止剤５の外部に形成されている。
【０１１９】
また、上記固体撮像素子４０ａを用いた半導体パッケージ４５は、図１３に示すように、回路基板５１上に固体撮像素子４０ａがダイボンドされ、固体撮像素子４０ａの入出力端子４１からワイヤーボンド４２により回路基板５１に接続されている。
【０１２０】
また、この半導体パッケージ４５を用いたカメラモジュール５０は、さらに、回路基板５１の上側に、レンズ５３、このレンズ５３を保持する第１のレンズホルダ５４、及びこの第１のレンズホルダ５４を保持する第２のレンズホルダ５５を備えている。そして、第２のレンズホルダ５５が、回路基板５１に封止材５６によって接合されている。
【０１２１】
ここで、本実施の形態の固体撮像素子４０ａには、予め、空気孔用貫通孔１１が形成されていると共に、回路基板５１にも空気孔用貫通孔１１の延長線上に、スルーホール５２が形成されている。この結果、本実施の形態では、回路基板５１に形成されたスルーホール５２を通じて、光透過性保護部材３と接着剤５６と固体撮像素子４０ａとにより形成された空間内部１７と、外気との循環が図られている。
【０１２２】
上記固体撮像素子４０ａの製造工程について、簡単に説明する。
【０１２３】
図１４に示すように、固体撮像素子４０ａが形成された半導体ウエハ１の状態で、半導体ウエハ１を貫通する空気孔用貫通孔１１が形成され、その半導体ウエハ１の裏面が底蓋絶縁膜１２ａにより蓋されている。なお、空気孔用貫通孔１１の形成方法は、実施の形態１と同様であるので、説明を省略する。また、本実施の形態では、貫通電極７は不要であるので形成していない。
【０１２４】
また、固体撮像素子４０ａは、受光センサ領域４を覆う光透過性保護部材３が個々に半導体ウエハ１に貼り付けられている。光透過性保護部材３の接着後は、底蓋絶縁膜１２ａが設けられているので、受光センサ領域４への異物の付着や汚染の心配が無く、カメラモ
ジュール５０の組み立て工程の管理が容易になるメリットがある。
【０１２５】
さらに、光透過性保護部材３が搭載された半導体ウエハ１は、個々の固体撮像素子４０ａにダイシング分割されるが、本実施の形態では、空気孔用貫通孔１１が開口していないため、実施の形態１と同様に、ダイシング時に受光センサ領域４を汚染する恐れがない。
【０１２６】
なお、本実施の形態でも、ダイシング分割後に、実施の形態１と同様にして、空気孔用貫通孔１１を開口する。
【０１２７】
このようにして作製した固体撮像素子４０ａを回路基板５１にダイボンドすることによって、カメラモジュール５０を組み立てることができる。なお、このとき、空気孔用貫通孔１１を塞がないようにして、固体撮像素子４０ａをダイボンドする必要がある。また、本実施の形態では、回路基板５１における、空気孔用貫通孔１１の延長線上に予め回路基板スルーホールとしてのスルーホール５２を形成したことによって、空気の循環を確保することが可能である。
【０１２８】
なお、本実施の形態においては、回路基板５１における、空気孔用貫通孔１１の延長線上にスルーホール５２を形成したが、必ずしもこれに限定されない。
【０１２９】
すなわち、図１５に示すように、第２のレンズホルダ５５と回路基板５１とを接着する接着剤５６に空隙としての切れ目５６ａを形成して、外部との循環ができるように形成し、固体撮像素子４０ａと回路基板５１との間に隙間５７を設けるようにダイボンドすれば、回路基板５１に前記スルーホール５２を形成することなく、空気の循環を行うことが可能となる。
【０１３０】
以上の工程により、図１５に示すカメラモジュール６０を得ることができる。
【０１３１】
このように、本実施の形態の半導体パッケージ４５は、回路基板５１上に、固体撮像素子パッケージ４０が搭載されている。したがって、固体撮像素子パッケージ４０を回路基板５１に取り付けることにより、受光センサ領域４及び光透過性保護部材３の汚染、異物付着、及び曇りを防止し得る半導体パッケージを提供することができる。なお、本実施の形態では、半導体パッケージ４５は、回路基板５１上に、固体撮像素子パッケージ４０が搭載されているが、必ずしもこれに限らず、回路基板５１上に、固体撮像素子パッケージ１０を搭載した半導体パッケージとすることも可能である。
【０１３２】
また、本実施の形態のカメラモジュール５０は、レンズ５３、及び該レンズ５３を保持する第１のレンズホルダ５４及び第２のレンズホルダ５５における第２のレンズホルダ５５が、半導体パッケージ４５及び固体撮像素子パッケージ４０における回路基板５１上に搭載されている。
【０１３３】
したがって、受光センサ領域４及び光透過性保護部材３の汚染、異物付着、及び曇りを防止し得るカメラモジュール５０を提供することができる。
【０１３４】
また、本実施の形態のカメラモジュール５０では、回路基板５１には、固体撮像素子パッケージ４０に形成された空気孔用貫通孔１１の延長線上となる位置に、スルーホール５２が形成されている。したがって、カメラモジュール５０として完成した後においても、回路基板５１に形成されたスルーホール５２を通して、固体撮像素子パッケージ４０に形成された空気孔用貫通孔１１を臨むことができ、吸引や針を突き刺す等により、容易に底蓋絶縁膜１２ａに穴をあけることができる。
【０１３５】
また、本実施の形態のカメラモジュール６０では、回路基板５１と固体撮像素子４０ａとの間には、固体撮像素子パッケージ４０の外部空間から空気孔用貫通孔１１に形成された底蓋絶縁膜１２ａに通ずる隙間５７が形成されている。また、固体撮像素子パッケージ４０の外部空間とカメラモジュール６０の外部空間とは、接着接合部の一部に形成された切れ目５６ａによって連通している。このため、底蓋絶縁膜１２ａは、隙間５７と切れ目５６ａとを通して外部空間に通じている。
【０１３６】
したがって、カメラモジュール６０として完成した後においても、カメラモジュール６０における、接着接合部の切れ目５６ａを通して吸引することにより、底蓋絶縁膜１２ａに容易に穴を開けることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１３７】
本発明の固体撮像素子パッケージ、半導体パッケージ、カメラモジュール、及び固体撮像素子パッケージの製造方法は、携帯電話等において画像撮像を行うために用いるカメラモジュールなどに広く応用されるＣＣＤやＣＭＯＳセンサ等のパッケージ構造、及びその製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】本発明における固体撮像素子パッケージ及び半導体パッケージの実施の一形態を示す断面図である。
【図２】（ａ）は空気孔用貫通孔の詳細構造を示す断面図であり、（ｂ）は貫通電極の詳細構造を示す断面図である。
【図３】（ａ）は空気孔用貫通孔を形成する工程を示すものであり、半導体ウエハ上に固体撮像素子が形成された、完成した半導体ウエハの貫通孔形成部を示す断面図である一方、（ｂ）は貫通電極を形成する工程を示すものであり、半導体ウエハ上に固体撮像素子が形成された、完成した半導体ウエハの入出力端子部を示す断面図である。
【図４】（ａ）は空気孔用貫通孔を形成する工程を示すものであり、レジストマスク層を形成し、所望の深さまでエッチングした半導体ウエハを示す断面図である一方、（ｂ）は貫通電極を形成する工程を示すものであり、レジストマスク層を形成し、所望の深さまでエッチングした半導体ウエハを示す断面図である。
【図５】（ａ）は空気孔用貫通孔を形成する工程を示すものであり、レジストマスク層を除去した半導体ウエハを示す断面図である一方、（ｂ）は貫通電極を形成する工程を示すものであり、レジストマスク層を除去した半導体ウエハを示す断面図である。
【図６】（ａ）は空気孔用貫通孔を形成する工程を示すものであり、絶縁膜を形成した半導体ウエハを示す断面図である一方、（ｂ）は貫通電極を形成する工程を示すものであり、絶縁膜を形成した半導体ウエハを示す断面図である。
【図７】（ａ）は空気孔用貫通孔を形成する工程を示すものであり、シードメタルを形成した半導体ウエハを示す断面図であり、（ｂ）は貫通電極を形成する工程を示すものであり、シードメタルを形成した半導体ウエハを示す断面図である。
【図８】（ａ）は空気孔用貫通孔を形成する工程を示すものであり、レジストマスク層を形成した半導体ウエハを示す断面図である一方、（ｂ）は貫通電極を形成する工程を示すものであり、貫通電極となる部分を開口してレジストマスク層を形成し、銅（Ｃｕ）メッキを行った半導体ウエハを示す断面図である。
【図９】（ａ）は空気孔用貫通孔を形成する工程を示すものであり、レジストマスク層を除いた半導体ウエハを示す断面図である一方、（ｂ）は貫通電極を形成する工程を示すものであり、レジストマスク層を除いた半導体ウエハを示す断面図である。
【図１０】（ａ）は空気孔用貫通孔を形成する工程を示すものであり、裏面絶縁膜と保護膜とを形成した半導体ウエハを示す断面図である一方、（ｂ）は貫通電極を形成する工程を示すものであり、裏面絶縁膜と裏面再配線層と保護膜とを形成した半導体ウエハを示す断面図である。
【図１１】（ａ）は空気孔用貫通孔の底蓋絶縁膜を吸引する治具を取り付けた固体撮像素子パッケージを示す断面図であり、（ｂ）は空気孔用貫通孔の底蓋絶縁膜を吸引により除去した固体撮像素子パッケージを示す断面図である。
【図１２】本発明における固体撮像素子パッケージの他の実施の形態を示す断面図である。
【図１３】上記固体撮像素子パッケージを搭載したカメラモジュールを示す断面図である。
【図１４】図１２に示す固体撮像素子パッケージを複数形成した半導体ウエハを示す断面図である。
【図１５】本発明における固体撮像素子パッケージのさらに他の実施の形態を示す断面図である。
【図１６】従来のカメラモジュールを示す断面図である。
【図１７】従来の固体撮像素子パッケージを示す断面図である。
【図１８】外部取り出し電極を形成した上記固体撮像素子パッケージを示す断面図である。
【図１９】図１８に示す固体撮像素子パッケージを搭載したカメラモジュールを示す断面図である。
【符号の説明】
【０１３９】
１    半導体ウエハ
３    光透過性保護部材
４    受光センサ領域
５    封止剤
７    貫通電極
８    裏面再配線層
９    外部取り出し電極
１０    固体撮像素子パッケージ
１０ａ  固体撮像素子
１１    空気孔用貫通孔
１２    絶縁膜
１２ａ  底蓋絶縁膜（半導体ウエハの裏面側を塞ぐ絶縁膜）
１７    内部空間
２１    貫通電極用貫通孔
４０    固体撮像素子パッケージ
４０ａ  固体撮像素子
４５    半導体パッケージ
５０    カメラモジュール
５１    回路基板
５２    スルーホール（回路基板スルーホール）
５６    封止材
５６ａ  切れ目（空隙）
５７    隙間
６０    カメラモジュール
【図１】
2005286028.tif 000003
【図２】
2005286028.tif 000004
【図３】
2005286028.tif 000005
【図４】
2005286028.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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