(57)【要約】【課題】カバーガラスを有する液晶装置を製造する場合に、ブラックマトリックス及び透明電極を汚染等されないようにして、大型のレンズ基板を個々の大きさに分断することによって液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】  液晶表示装置の製造方法は、第１の基板と第２の基板とをマイクロレンズを形成するように貼り合わせる第１の貼り合せ工程と、第２の基板の前記遮光膜が形成されている面に、対向電極膜を形成する工程と、第２の基板と対向電極膜とに溝を形成する工程と、配向膜を形成する配向膜形成工程と、第２の基板と第３の基板とを貼り合わせる第２の貼り合せ工程と、分断線に沿ってクラックを入れることによって貼り合わされた第３の基板を分断する第１の分断工程と、分断線に沿ってクラックを入れることによって貼り合わされた第１及び第２の基板を分断する第２の分断工程とを有する。【選択図】図８
2005091643.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロレンズを形成するための第１の基板と、カバーガラスとなる第２の基板と、素子基板となる第３の基板とを有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１の基板と前記第２の基板とをマイクロレンズを形成するように貼り合わせる第１の貼り合せ工程と、
前記第２の基板の前記第１の基板と貼り合わされた面とは反対側の面に、遮光膜を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第１の基板と貼り合わされた面とは反対側の面に、対向電極膜を形成する工程と、
前記対向電極膜から、前記第２の基板に達する溝を形成する工程と、
前記対向電極膜上に、配向膜を形成する配向膜形成工程と、
前記第２の基板と前記第３の基板とを貼り合わせる第２の貼り合せ工程と、
前記第３の基板の前記第２の基板と貼り合わされた面とは反対側の面に、前記溝に沿って、クラックを入れることによって、貼り合わされた前記第３の基板を分断する第１の分断工程と、
前記第１の基板の前記第２の基板と貼り合わされた面とは反対側の面に、前記溝に沿って、クラックを入れることによって、貼り合わされた前記第１及び前記第２の基板を分断する第２の分断工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記配向膜は、パターニング可能な形成方法によって形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記形成方法は、液滴吐出方式あるいはフレキソ印刷であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記溝は、前記第２の基板と前記対向電極膜をフルカットするように形成されることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
マイクロレンズを形成するための第１の基板と、カバーガラスとなる第２の基板と、素子基板となる第３の基板とを有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１の基板と前記第２の基板とをマイクロレンズを形成するように貼り合わせる第１の貼り合せ工程と、
前記第２の基板の前記第１の基板と貼り合わされた面とは反対側の面に、遮光膜を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第１の基板と貼り合わされた面とは反対側の面に、対向電極膜を形成する工程と、
前記対向電極膜上に、配向膜を形成する工程と、
前記対向電極膜から、前記第２の基板に達する溝を形成する工程と、
前記第２の基板と前記第３の基板とを貼り合わせる第２の貼り合せ工程と、
前記第３の基板の前記第２の基板と貼り合わされた面とは反対側の面に、前記溝に沿って、クラックを入れることによって、貼り合わされた前記第３の基板を分断する第１の分断工程と、
前記第１の基板の前記第２の基板と貼り合わされた面とは反対側の面に、前記溝に沿って、クラックを入れることによって、貼り合わされた前記第１及び前記第２の基板を分断する第２の分断工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記配向膜は、スピンコートによって形成されることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関し、特に、貼り合わされた複数の基板を分断線に沿って分断して液晶表示装置を製造する液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、液晶表示装置が、表示モニタ装置だけでなく、投射型プロジェクタ装置等にも利用されている。特に、投射型プロジェクタ装置では、高精細と大型画面表示の要求に応じるために、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）駆動方式の液晶表示装置が多く利用されている。  
ＴＦＴ駆動方式の液晶表示装置は、ＴＦＴと信号配線を遮光層によって、ＴＦＴ等に光が当たらないように構成されている。前記遮光層は、ストライプ状の構造、あるいはマトリクス状の構造である。後者のマトリクス状の構造はブラックマトリクスと呼ばれる。さらに、高精細な表示を実現するために、液晶表示装置のサイズをそのままにして、画素数を増やすと、開口率が低下するので、光利用効率を上げるためにマイクロレンズが利用されている。これは、マイクロレンズによって、ブラックマトリックス領域における光も含む光を集光することによって、光利用効率の向上を図るためである。
【０００３】
そして、通常、量産性を上げるために、複数のＴＦＴ素子が形成された大型のＴＦＴ基板と、大型のレンズ基板とを、大型のカバーガラスを挟んで重ね合わせ、その後、その重ね合わせた複数の基板を、個々の液晶表示装置の大きさに分断することによって、複数の液晶表示装置の製造が一度に行われる。そして、そのような量産性に高い製造方法において、大型の重ね合わされた複数枚の基板を分断するときに、分断を確実に行う技術が提案されている。その技術によれば、製造の途中工程において、カバーガラスにダイシングによって溝を入れるか、あるいは分断し、その後、カバーガラスの表面にブラックマトリクス及び透明電極が形成される（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平7-181305号公報（段落番号００４３，００４４、第３図（ａ））
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、カバーガラスを分断すると、接着層が露出することになるので、ブラックマトリックス及び透明電極を形成する場合に、接着層に含まれる材料成分が、反応炉内において拡散して、接着層が露出した領域の周辺、さらには反応炉全体を汚染してしまうという問題があった。従って、接着層の表面が露出すると、ブラックマトリックス及び透明電極の膜質が変化してしまい、所望の性能が得られない虞があった。
【０００５】
また、上述したように、ダイシングによってカバーガラスを分断した後に、ブラックマトリックスをスピンコート等によって塗布し、その後エッチング処理することは、表面に段差があるために塗布ムラが生じたり、デフォーカス、エッチング残り等の発生の問題があった。加えて、配向膜のためのポリイミドの塗布も、同様に、段差があるため、塗布ムラ等が発生するという問題があった。従って、このような技術を用いて、大型の基板を分断して個々の液晶装置を製造することは困難であった。
【０００６】
そこで、本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、カバーガラスを有する液晶表示装置を製造する場合に、ブラックマトリックス及び透明電極を汚染等されないようにして、大型のレンズ基板を個々の大きさに分断することによって液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、マイクロレンズを形成するための第１の基板と、カバーガラスとなる第２の基板と、素子基板となる第３の基板とを有する液晶表示装置の製造方法であって、前記第１の基板と前記第２の基板とをマイクロレンズを形成するように貼り合わせる第１の貼り合せ工程と、前記第２の基板の前記第１の基板と貼り合わされた面とは反対側の面に、遮光膜を形成する工程と、前記第２の基板の前記第１の基板と貼り合わされた面とは反対側の面に、対向電極膜を形成する工程と、前記対向電極膜から、前記第２の基板に達する溝を形成する工程と、前記対向電極膜上に、配向膜を形成する配向膜形成工程と、前記第２の基板と前記第３の基板とを貼り合わせる第２の貼り合せ工程と、前記第３の基板の前記第２の基板と貼り合わされた面とは反対側の面に、前記溝に沿って、クラックを入れることによって、貼り合わされた前記第３の基板を分断する第１の分断工程と、前記第１の基板の前記第２の基板と貼り合わされた面とは反対側の面に、前記溝に沿って、クラックを入れることによって、貼り合わされた前記第１及び前記第２の基板を分断する第２の分断工程とを有する。
【０００８】
このような構成によれば、カバーガラスを有する液晶装置を製造する場合に、ブラックマトリックス及び透明電極を汚染等されないようにして、大型のレンズ基板を個々の大きさに分断して液晶表示装置を製造することができる。
【０００９】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法において、配向膜はパターニング可能な形成方法によって形成されることが望ましい。  
また、本発明の液晶表示装置の製造方法において、前記形成方法は、液滴吐出方式あるいはフレキソ印刷であることが望ましい。  
このような構成によれば、表示エリアの形状に合わせて配向膜を形成することができるので、その後に溝を形成するときにゴミが飛散しないようにすることができる。
【００１０】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、マイクロレンズを形成するための第１の基板と、カバーガラスとなる第２の基板と、素子基板となる第３の基板とを有する液晶表示装置の製造方法であって、前記第１の基板と前記第２の基板とをマイクロレンズを形成するように貼り合わせる第１の貼り合せ工程と、前記第２の基板の前記第１の基板と貼り合わされた面とは反対側の面に、遮光膜を形成する工程と、前記第２の基板の前記第１の基板と貼り合わされた面とは反対側の面に、対向電極膜を形成する工程と、前記対向電極膜上に、配向膜を形成する工程と、前記対向電極膜から、前記第２の基板に達する溝を形成する工程と、前記第２の基板と前記第３の基板とを貼り合わせる第２の貼り合せ工程と、前記第３の基板の前記第２の基板と貼り合わされた面とは反対側の面に、前記溝に沿って、クラックを入れることによって、貼り合わされた前記第３の基板を分断する第１の分断工程と、前記第１の基板の前記第２の基板と貼り合わされた面とは反対側の面に、前記溝に沿って、クラックを入れることによって、貼り合わされた前記第１及び前記第２の基板を分断する第２の分断工程とを有する。
【００１１】
このような構成によれば、カバーガラスを有する液晶装置を製造する場合に、ブラックマトリックス及び透明電極を汚染等されないようにして、大型のレンズ基板を個々の大きさに分断して液晶表示装置を製造することができる。
【００１２】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法において、前記配向膜は、スピンコートによって形成されることが望ましい。  
このような構成によれば、配向膜をより均一に形成することができる。
【００１３】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、前記第２の基板と前記対向電極膜をフルカットするように形成されることが望ましい。  
このような構成によれば、第２の基板を確実に分断することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の平面図である。本実施の形態は、電気光学装置の一つとしてのＴＦＴ液晶表示装置に適用したものであり、図１はＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見たときの図である。図２は組立工程終了後の液晶表示装置を、図１のＨ−Ｈ'線の位置で切断したときの断面図である。
【００１５】
液晶パネル等の液晶表示装置は、図１及び図２に示すように、ＴＦＴ基板等の素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。素子基板１０上には画素を構成する複数の透明な画素電極（ＩＴＯ）９ａ等がマトリクス状に配置される。また、対向基板２０上は、カバーガラス７１が接着材７４によって貼り合わされている。カバーガラス７１の表示エリアに対応する領域全面には遮光膜としてのブラックマトリックス（図２では示さず）及び対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられる。
【００１６】
素子基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。素子基板１０上には、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線及び走査線が設けられている。そして、素子基板１０には遮光膜（図示せず）が設けられ、その遮光膜は、これらのデータ線及び走査線に沿って、各画素に対応して格子状に設けられている。この遮光膜によって、反射光がＴＦＴのチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域に入射することが防止される。
【００１７】
液晶は、画素毎に印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光を出射する。
【００１８】
一方、対向基板２０には、素子基板のデータ線、走査線及びＴＦＴの形成領域に対向する領域、即ち各画素の非表示領域において遮光膜（図示せず）が設けられている。この遮光膜によって、対向基板２０側からの入射光がＴＦＴのチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域に入射することが防止される。その遮光膜上に、対向電極（共通電極）が基板２０全面に亘って形成されている。素子基板１０と対向基板２０の液晶が封入される側の面上には、ポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【００１９】
そして、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０が封入されている。これにより、ＴＦＴは所定のタイミングでデータ線から供給される画像信号を画素電極９ａに書き込む。書き込まれた画素電極９ａと対向電極との電位差に応じて液晶５０の分子集合の配向や秩序が変化して、光を変調し、階調表示を可能にする。
【００２０】
図１及び図２に示すように、対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜４２が設けられている。遮光膜４２は例えば上述した遮光膜と同一又は異なる遮光性材料によって形成されている。  
遮光膜４２の外側の領域に液晶を封入するシール材４１が、素子基板１０と対向基板２０間に形成されている。シール材４１は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、素子基板１０と対向基板２０を相互に固着する。
【００２１】
なお、本実施の形態では、シール材４１は、対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、製造時に液晶５０をシール材４１の内側に滴下して、液晶表示装置に液晶５０を対向基板２０と素子基板１０の間に封入する滴下貼り合わせ方式の液晶表示装置の製造方法の例で説明するが、シール材４１を、素子基板１０の１辺の一部において欠落させ、貼り合わされた素子基板１０及び対向基板２０相互の間隙に、液晶５０を注入するための液晶注入口を形成し、その液晶注入口より液晶が注入された後、液晶注入口を封止材で封止する封入口方式の液晶表示装置の製造方法であってもよい。
【００２２】
素子基板１０のシール材４１の外側の領域には、データ線駆動回路６１及び複数の実装端子６２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、それぞれ走査線駆動回路６３が設けられている。素子基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路６３間を接続するための複数の配線６４が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間を電気的に導通させるための導通材６５が設けられている。
【００２３】
図２に示すように、対向基板２０には出射面側に複数の窪み２０ａが形成されている。対向基板２０には出射面側に、接着材７４によりカバーガラス７１が貼り付けられて設けられている。接着材７４の屈折率は、対向基板の屈折率よりも高いので、入射光は、画素電極９ａに集光される。
【００２４】
次に、上述した液晶表示装置を製造する工程について説明する。  
図３は、本実施の形態に係る、個々の液晶表示装置における素子基板１０が複数形成された１枚の大型の素子基板の平面図である。大型の素子基板は、半導体製造プロセスによって、ＴＦＴ回路等が形成された大型の素子基板（以下、ＴＦＴウエハという）という。
【００２５】
図４は、本実施の形態に係る、個々の液晶表示装置における対向基板２０が複数形成された１枚の大型の対向基板の平面図である。大型のレンズ基板１０２には、個々の液晶表示装置におけるカバーガラス７１となる大型のカバーガラス基板（以下、カバーガラスウエハという）１０３が、接着材７４によって貼り合わされている。素子基板となるＴＦＴウエハ１０１、マイクロレンズを形成するためのレンズウエハ１０２及びカバーガラスとなるカバーガラスウエハ１０３は、それぞれ同一の形状である。
【００２６】
図３及び図４において、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３は、それぞれ分断線を示す。分断線とは、液晶パネルとしての液晶表示装置を切り出して単品化するための切断ラインである。後述するように、これらの分断線に沿って、各基板、すなわちＴＦＴウエハ１０１、レンズウエハ１０２及びカバーガラスウエハ１０３が分断されることによって、個々の液晶表示装置が製造され得る。
【００２７】
図５は、図３に示すＴＦＴウエハ１０１と、図４に示す対向基板ウエハ１０５とを液晶を封入して貼り合せた基板（以下、貼り合わせ基板という）１０７の断面図である。図５は、図３及び図４におけるＡ−Ａ'線における貼り合わせ基板１０７の断面図である。図６は、図３及び図４におけるＢ−Ｂ'線における貼り合わせ基板１０７の断面図である。
【００２８】
図５及び図６において、レンズウエハ１０２とカバーガラスウエハ１０３とが貼り合わされ、カバーガラスウエハ１０３のレンズウエハ１０２に対向する面とは反対の面上にブラックマトリックス１１１が設けられている。ブラックマトリックス１１１の上には、対向電極２１が設けられている。対向電極２１の上には、配向膜１１２が設けられている。
【００２９】
以下、説明を簡単にするために、大型のレンズ基板（以下、レンズウエハという）１０２と、そのレンズウエハ１０２に貼り合わされたカバーガラスウエハ１０３とを合わせ、さらにそのカバーガラスウエハ１０３上にブラックマトリックス１１１、対向電極２１及び配向膜１１２が設けられたものを対向基板ウエハ１０５という。
【００３０】
後述するように、対向基板ウエハ１０５のカバーガラスウエハ１０３及び対向電極２１は、ＴＦＴ基板１０１と貼り合わされる前に、予め決められた部分において溝が形成され、その後対向電極２１上に配向膜１１２が設けられ、あるいは対向電極２１の上に配向膜１１２が形成されてから溝が形成される。
【００３１】
貼り合わせ基板１０７から、個々の液晶表示装置の大きさに分断することによって、個々の液晶表示装置を製造する方法について、まず、簡単に説明する。貼り合わせ基板１０７におけるＴＦＴウエハ１０１の素子基板１０の外側に複数の溝Ｇ１、Ｇ２を形成する（図５、図６参照）。溝Ｇ１とＧ２が形成される位置は、図３及び図４において、それぞれ分断線Ｌ１及びＬ２に沿った位置である。そして、各溝Ｇ１、Ｇ２を形成した後、各溝Ｇ１、Ｇ２に対応する位置に、貼り合わせ基板１０７の対向基板２０の外側から、各溝に沿うように、ブレイクバーを各溝Ｇ１、Ｇ２に対して順番に押圧し曲げ応力を与えて素子基板１０にクラックを入れることによって、素子基板１０を分断する。
【００３２】
次に、貼り合わせ基板１０７における対向基板ウエハ１０５の対向基板２０の外側に複数の溝Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５を形成する。溝Ｇ３が形成される位置は、図４において、分断線Ｌ３に沿った位置である。溝Ｇ４が形成される位置は、図４において、分断線Ｌ２に沿った位置である。溝Ｇ５が形成される位置は、図４において、分断線Ｌ１に沿った位置である。そして、各溝Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５を形成した後、各溝Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５に対応する位置に、貼り合わせ基板１０７の素子基板１０の外側から、各溝に沿うように、ブレイクバーを各溝に対して順番に押圧し曲げ応力を与えて対向基板２０にクラックを入れることによって、対向基板２０を分断する。このようにして、貼り合わせ基板１０７から液晶表示装置の単品化のためのブレイクが行われる。
【００３３】
ここでは、素子基板１０上のデータ線駆動回路６１及び実装端子６２の領域に対向する、対向基板ウエハ１０５の一部が、貼り合わせ基板１０７から取り除かれなければならない。すなわち、図２において、データ線駆動回路６１及び実装端子６２が設けられる領域幅Ｌ２１に対応する幅で、溝Ｇ３とＧ４が、間隔を持って形成されている。すなわち、対向基板ウエハ１０５には、素子基板１０上のデータ線駆動回路６１及び実装端子６２の領域に対向する、対向基板ウエハ１０５の一部を取り除くための溝Ｇ３が形成されており、それらの溝Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５に沿って上述したように、ブレイクバーを各溝に対して順番に押圧することによって、対向基板２０が分断される。
【００３４】
図７及び図８を用いて、貼り合わせ基板１０７の分断工程について、さらに詳述する。図７は、液晶表示装置の製造工程の例を説明するための図である。なお、図７は、図３におけるＢ−Ｂ'線方向における断面のみを示し、Ａ−Ａ'線方向における断面図は省略する。  
図７（ａ）に示すように、まず、各液晶表示装置の対向基板２０となるレンズウエハ１０２と、各液晶表示装置のカバーガラスとなるカバーガラスウエハ１０３を用意する。レンズウエハ１０２の厚さは、例えば、１．２ｍｍで、カバーガラスウエハ１０３の厚さも、例えば、１．２ｍｍである。  
図７（ｂ）に示すように、レンズウエハ１０２とカバーガラスウエハ１０３とを、位置合わせをしながら、屈折率の高い紫外線硬化樹脂等の接着材７４によって接着することによって貼り合わせる。接着材７４の厚さは、例えば１０μｍである。レンズウエハ１０２とカバーガラスウエハ１０３とが貼り合わされた後、カバーガラスウエハ１０３のレンズウエハ１０２に対向する面とは反対側の面を、研削することによって、図７（ｃ）に示すように、カバーガラスウエハ１０３の厚さを、例えば、３０μｍにする。
【００３５】
次に、図７（ｄ）に示すように、カバーガラスウエハ１０３のレンズウエハ１０２に対向する面とは反対側の面上に、例えばスパッタ処理によって、１００ｎｍ（１０００オングストローム）の厚さのブラックマトリックス１１１、すなわち遮光膜を形成する。ブラックマトリックスの膜は、例えば、Ｃｒ，Ａｌ，Ａｌ合金，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｔｉ等の金属、カーボンやチタン等を分散した樹脂からなる。その後、ブラックマトリックス１１１の上に対向電極２１、すなわち対向電極膜を形成する。ブラックマトリックス１１１は、フォトレジストとエッチングにより遮光膜としてのブラックマトリックス１１１を形成し、ＩＴＯ等の透明導電性膜を約１００ｎｍ（１０００オングストローム）の厚さにスパッタ処理等により堆積する。
【００３６】
このブラックマトリックス１１１は、溝の無い平坦なカバーガラスウエハ１０３上に形成されるので、フォトレジスト塗布時の塗布ムラ等によるパターニングの不具合、及び深い溝に成膜された遮光膜のエッチング残り等の不具合は生じない。また、上述した従来の技術にあるような接着材が露出されることもないので、ブラックマトリックス１１１及び対向電極２１の成膜時に接着材成分による汚染等も生じない。
【００３７】
次に、図７（ｅ）に示すように、分断線Ｌ２、Ｌ３に沿ってダイシング等によって、カバーガラスウエハ１０３及び対向電極２１を、フルカット、すなわち分断するように溝を形成する。このときに、接着材７４の層が露出しているが、既にブラックマトリックス１１１及び対向電極２１は成膜されているので、接着材成分による汚染の問題はない。なお、カバーガラスウエハ１０３は、フルカットではなく、溝を形成するようなハーフカットでもよい。すなわち、後述するように、分断線に沿って応力を加えることによって分断する場合に、レンズウエハ１０２と共にカバーガラスウエハ１０３が分断されるような溝を形成するようにハーフカットされていればよい。
【００３８】
次に、図８（ｆ）に示すように、パターニング可能な形成方法である、液滴吐出方式すなわちインクジェット方式、又はフレキソ印刷によって塗布することによって、５０から１００ｎｍ（５００から１０００オングストローム）の厚さのポリイミド系の配向膜１１２を、対向電極２１の表面上に形成する。配向膜１１２は、対向電極２１上において、ダイシングによってカットされている領域の内側であって、かつ表示エリアよりも外側の領域に配向膜１１２の外周端があるように予め決められたパターン形状に、印刷によって形成される。
【００３９】
なお、上述した例では、カバーガラスウエハ１０３及び対向電極２１を分断した後に、配向膜１１２を対向電極２１上に形成しているが、カバーガラスウエハ１０３、対向電極２１及び配向膜１１２を形成した後に、カバーガラスウエハ１０３及び対向電極２１を分断するようにしてもよい。すなわち、カバーガラスウエハ１０３及び対向電極２１を形成後、インクジェット方式、フレキソ印刷あるいはスピンコートによって、配向膜１１２を形成し、その後、カバーガラスウエハ１０３、対向電極２１及び配向膜１１２を分断する。
【００４０】
カバーガラスウエハ１０３、対向電極２１及び配向膜１１２を形成した後に、カバーガラスウエハ１０３及び対向電極２１を分断する場合、配向膜をスピンコートによって形成することができるので、配向膜１１２の膜厚をより均一に形成することができるという利点がある。一方、カバーガラスウエハ１０３及び対向電極２１を分断した後に、配向膜１１２を対向電極２１上に印刷によって形成する場合は、ダイシングによってカットされる領域に配向膜１１２を形成しないように配向膜をパターニングすれば、上述したスピンコートと同様に配向膜１１２の膜厚を均一に形成できる。
【００４１】
次に、図８（ｇ）に示すように、ＴＦＴ基板１０となるＴＦＴウエハ１０１と対向基板ウエハ１０５とが、位置決めされながら、貼り合わされる。  
次に、ＴＦＴウエハ１０１の外側面に、すなわちカバーガラスウエハ１０３に対向する面とは反対面に、図８（ｈ）に示すように、溝Ｇ１，Ｇ２を形成する。溝Ｇ１，Ｇ２を、スクライブ、ダイシング、レーザ等により形成する。溝Ｇ１，Ｇ２を、ＴＦＴウエハ１０１の外側面に形成後、各溝Ｇ１、Ｇ２に対応する位置に、貼り合わせ基板１０７の対向基板２０の外側、すなわちカバーガラスウエハ１０３に対向する面とは反対面から、図８（ｈ）の矢印の方向で、各溝に沿うように、ブレイクバーを各溝Ｇ１、Ｇ２に対して順番に押圧して、ＴＦＴウエハ１０１にクラックを入れることによって、ＴＦＴウエハ１０１を分断する。
【００４２】
次に、レンズウエハ１０２の外側面に、すなわちカバーガラスウエハ１０３に対向する面とは反対面に、図８（ｉ）に示すように、溝Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５を形成する。溝Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５を、スクライブ、ダイシング、レーザ等により形成する。溝Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５を、レンズウエハ１０２の外側面に形成後、各溝Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５に対応する位置に、貼り合わせ基板１０７のＴＦＴウエハ１０１の外側、すなわちカバーガラスウエハ１０３に対向する面とは反対面から、図８（ｉ）の矢印の方向で、各溝に沿うように、ブレイクバーを各溝Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５に対して順番に押圧して、レンズウエハ１０２にクラックを入れることによって、対向基板ウエハ１０５を分断する。
【００４３】
ここで、溝Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５に対して、カバーガラス７１となるカバーガラスウエハ１０３と対向電極２１は、既に分断されているので、確実に対向基板ウエハ１０５を分断できる。
【００４４】
ここで、ＴＦＴウエハ１０１と対向基板ウエハ１０５の分断の順序について説明する。図９は、貼り合わせ基板の分断工程を示すフローチャートである。図９において、まず、ＴＦＴウエハ１０１に切断用の溝入れを行う（Ｓ１）。次に、ＴＦＴウエハ１０１をブレイクする（Ｓ２）。続いて、対向基板ウエハ１０５に切断用の溝入れを行う（Ｓ３）。そして、対向基板ウエハ１０５をブレイクする（Ｓ４）。  
なお、初めにＴＦＴウエハ１０１を分断した後に、対向基板ウエハ１０５を分断しているが、これは、高温ポリシリコンを利用してＴＦＴウエハ１０１のＴＦＴ回路等が形成された面は、ＴＦＴウエハ１０１のＴＦＴ回路等が形成されていない面よりも収縮するので、ＴＦＴウエハ１０１のＴＦＴ回路等が形成された面は縮まり、ＴＦＴウエハ１０１のＴＦＴ回路等が形成されていない面が拡がるように反るからである。よって、貼り合わせ基板１０７は、ＴＦＴウエハ１０１側から分断しなければならない。従って、ＴＦＴウエハ１０１が反っていない場合は、ＴＦＴウエハ１０１と対向基板ウエハ１０５の分断の順序は、いずれが先でもよい。  
上述したように、本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法によれば、貼り合わされた、液晶表示装置のための複数の基板を分断線に沿って確実に分断することができる。
【００４５】
なお、上述した本実施の形態では、大型のＴＦＴウエハ、大型のレンズウエハ、大型のカバーガラスウエハは、図３及び図４に示すように、半導体ウエハのような円形形状を有しているが、本発明はこのような形状に限定されず、四角形等の多角形であってもよい。
【００４６】
また、本発明における製造方法における各手順の各工程（ステップ）は、その性質に反しない限り、工程の順序を変更し、複数同時に実行し、あるいは実行毎に異なった順序で実行してもよい。  
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ'線の位置で切断したときの液晶表示装置の断面図。
【図３】本実施の形態に係る大型の素子基板の平面図。
【図４】本実施の形態に係る大型の対向基板の平面図。
【図５】図３及び図４におけるＡ−Ａ'線における貼り合わせ基板の断面図。
【図６】図３及び図４におけるＢ−Ｂ'線における貼り合わせ基板の断面図。
【図７】液晶表示装置の製造工程の例を説明するための図。
【図８】液晶表示装置の製造工程の例を説明するための図。
【図９】貼り合わせ基板の分断工程を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００４８】
１０  素子基板、２０  対向基板、７１  カバーガラス、７４  接着材、４１  シール材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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