(57)【要約】【課題】  特性の異なる複数の光変調器に対して供用可能なチップキャリヤ部を有する光変調器モジュールを提供する。【解決手段】  電気信号により出力光を変換させる半導体光変調器１とストリップ導体５と抵抗８ａと８ｂをチップキャリヤ１０上に備え、抵抗８ａと８ｂは電気的に直列に接続し、半導体光変調器１と抵抗８ａを電気的に接続し、半導体光変調器１とストリップ導体５を電気的に接続し、抵抗８ａの両端を短絡するワイヤ１６の有無を選択することにより光変調器モジュールの周波数特性を調整する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気信号に基づいて光の変調を行う光変調器と、一端が前記電気信号の入力に接続され他端が前記光変調器に接続された第１の抵抗と、一端が前記光変調器に接続され他端が接地された第２の抵抗と、からなる光変調器モジュールであって、
前記第１の抵抗と前記第２の抵抗との少なくとも一は、複数の抵抗素子を含み、前記複数の抵抗素子に対するワイヤの接続によって、抵抗値を選択された光変調器モジュール。
【請求項２】
電気信号を受けて光を変調する光変調器と、一端が前記電気信号の入力に接続され他端が前記光変調器に接続された高周波線路と、一端が前記光変調器に接続され他端が接地された抵抗と、からなる光変調器モジュールであって、
前記抵抗は、複数の抵抗素子で形成され、前記複数の抵抗素子に対するワイヤの接続によって、合成抵抗値を選択しうる光変調器モジュール。
【請求項３】
請求項２に記載の光変調器モジュールであって、
前記複数の抵抗素子は、直列に接続され、前記ワイヤでショートすることによって、前記合成抵抗値を選択しうる光変調器モジュール。
【請求項４】
電気信号を受けて光を変調する光変調器と、一端が前記電気信号の入力に接続され他端が前記光変調器に接続された高周波線路と、一端が前記光変調器に接続され他端が接地された抵抗と、からなる光変調器モジュールであって、
前記抵抗は、一端を共通端子とする並列接続の複数の抵抗素子で形成され、前記複数の抵抗素子の少なくとも一が、前記電気信号を終端する光変調器モジュール。
【請求項５】
電気信号に基づいて光の変調を行う光変調器と、一端が前記電気信号の入力に接続され他端が前記光変調器に接続された第１の抵抗と、一端が前記光変調器に接続され他端が接地された第２の抵抗と、からなる光変調器モジュールであって、
前記第１の抵抗は、複数の抵抗素子を含み、前記複数の抵抗素子に対するワイヤの接続によって、合成抵抗値を選択しうる光変調器モジュール。
【請求項６】
請求項５に記載の光変調器モジュールであって、
前記複数の抵抗素子は、直列に接続され、前記ワイヤでショートすることによって、前記合成抵抗値を選択しうる光変調器モジュール。
【請求項７】
請求項５に記載の光変調器モジュールであって、
前記複数の抵抗素子は、一端を共通端子とする並列接続の複数の抵抗素子で形成され、他端を前記ワイヤで選択することによって、前記合成抵抗値を選択しうる光変調器モジュール。
【請求項８】
電気信号に基づいて光の変調を行う光変調器と、一端が前記電気信号の入力に接続され他端が前記光変調器に接続された第１の抵抗と、一端が前記光変調器に接続され他端が接地された第２の抵抗と、からなる光変調器モジュールであって、
前記光変調器の容量に対応する終端抵抗値を選択する手段を設けて、１０ＧＨｚにおける帯域内偏差を−０．６ｄＢ以上とする光変調器モジュール。
【請求項９】
電気信号に基づいて光の変調を行う光変調器と、一端が前記電気信号の入力に接続され他端が前記光変調器に接続された第１の抵抗と、一端が前記光変調器に接続され他端が接地された第２の抵抗と、からなる光変調器モジュールであって、
前記光変調器の容量に対応するインピーダンス整合用抵抗値を選択する手段を設けて、１０ＧＨｚにおける反射損失を−７．４ｄＢ以下とする光変調器モジュール。
【請求項１０】
電気信号を受けて光を変調する光変調器と、一端が前記電気信号の入力に接続され他端が前記光変調器に接続された高周波線路と、一端が前記光変調器に接続され他端が接地された抵抗と、からなる光変調器モジュールであって、
前記抵抗と前記光変調器とは、複数のワイヤによって、並列接続された光変調器モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光変調器を具備した光変調器モジュールに関し、特に光通信用送信機に用いられる光変調器モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電界吸収型光変調器集積型レーザモジュールの周波数特性を改善するために電界吸収型光変調器集積型レーザの実装形態について改良が進められてきた。図１１は、特許文献１の図１（ｂ）に示されている電界吸収型光変調器集積型レーザモジュールのチップキャリヤ部の平面図である。
【０００３】
図１１に示すように、チップキャリヤ１０上には、電界吸収型光変調器集積型レーザダイオード３とチップコンデンサ４とが搭載される。電界吸収型光変調器集積型レーザダイオード３はレーザダイオード２と電界吸収型光変調器１が集積された半導体素子である。電界吸収型光変調器１は、光出力のための光学系(図示せず)に光結合されている。レーザダイオード２への給電は、チップコンデンサ４に接続されたワイヤ１４、ワイヤ１５を介して行われる。チップキャリヤ１０上にはストリップ導体５が配置されている。このストリップ導体５は、その一端を入力端として信号源１１に接続され、他端は、電界吸収型光変調器１にワイヤ１２を介して電気的に接続される。また、ストリップ導体５の中間部分には、インピーダンス整合用抵抗７が挿入される。また、ストリップ導体５は、チップキャリヤ１０と、接地導体６とともに高周波線路を形成している。チップキャリヤ１０の終端側には、薄膜抵抗からなる終端抵抗８が配置される。終端抵抗８の一方の端子は、ワイヤ１３を介して電界吸収型光変調器１に電気的に接続され、他方の端子はビア９を介し裏面の接地金属に接続される。
【０００４】
図１２は、図１１の等価回路図である。信号源１１は、図示しない伝送線路を介し、ストリップ導体５とチップキャリヤ１０とからなるマイクロストリップライン２３に接続される。マイクロストリップライン２３の一部にはインピーダンス整合用抵抗７の抵抗２４が形成されている。マイクロストリップライン２３の他端は、ワイヤ１２のインダクタンス２５が接続されている。インダクタンス２５の左側は分岐しており、一方はダイオード３０で表現される電界吸収型光変調器１に接続され、ダイオード３０の他端で接地される。もう一方は直列に接続したワイヤ１３のインダクタンス２６と終端抵抗８の抵抗２７とを介して接地される。
【０００５】
上述の電界吸収型光変調器集積型レーザモジュールでは、特にストリップ導体５と終端抵抗８との間を電界吸収型光変調器１の電極を介しワイヤ１２とワイヤ１３で接続することにより１０Ｇｂｐｓ（ｂｉｔ  ｐｅｒ  ｓｅｃｏｎｄ）伝送時の光出力波形を改善していた。
【０００６】
なお、特許文献２には、変調器に変調信号を第１の抵抗を介して出力する第１のストリップ線路と、変調器と、変調器を介して第１のストッリプ線路と接続され、第２の抵抗と第３の抵抗とを直列に形成した第２のストリップ線路と、からなる光変調器励振回路が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２５７４１２号公報
【０００８】
【特許文献２】特開２００３−２７９９０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
搭載する電界吸収型光変調器の品種が増加し、光変調器の容量が変化した場合には、電界吸収型光変調器集積型レーザモジュールの周波数特性が変化する。その結果、反射損失または伝送損失もしくはその両方が増加することがある。
【００１０】
こうした場合、チップキャリヤ部を再設計し、電界吸収型光変調器集積型レーザモジュールの周波数特性を最適化する必要がある。チップキャリヤ部の再設計は、開発費用が発生し、コストを引き上げる原因となっていた。また、開発期間を要する問題がある。
【００１１】
本発明は、かかる問題点を解決するためになされたもので、電界吸収型光変調器の容量が異なる場合でも、チップキャリヤ部を再設計する必要が無い光変調器モジュールを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的は、インピーダンス整合用抵抗と終端抵抗との少なくとも一を、複数の抵抗素子で形成し、金ワイヤでショート／選択することによって、光変調器の容量応じた抵抗値を選択することによって達成できる。
【発明の効果】
【００１３】
上記手段によれば、異なる容量の光変調器であっても搭載可能なチップキャリヤ部となるので、短期間で光変調器モジュールを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下本発明の実施の形態である光変調器モジュールについて、実施例を用いて図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１５】
本発明の実施例１を、図１、図３および図８を用いて説明する。ここで、図１は、本発明の実施例１を説明する電界吸収型光変調器集積型レーザダイオードモジュールの要部平面図である。図３は、電界吸収型光変調器の容量をパラメータとした帯域内偏差のシミュレーション結果である。また、図８は、電界吸収型光変調器の容量と、終端抵抗の抵抗値をパラメータとした帯域内偏差のシミュレーション結果である。
【００１６】
まず、最初に図３を用いて、電界吸収型光変調器の容量が変化した場合の、帯域内偏差の変化を説明する。ここで、シミュレーションは、図１２の等価回路で実施した。ただし、インピーダンス整合用抵抗の抵抗値は０Ω、終端抵抗の抵抗値は５０Ωである。また、帯域内偏差とは帯域内での光出力変化の比を意味し、ここでは、周波数１０ＭＨｚにおける値で評価している。本実施例の、光変調器モジュールの変調速度は１０Ｇｂｐｓであるので、２０ＧＨｚまでの周波数特性を解析した。３つの記号は、それぞれ電界吸収型光変調器の容量（Ｃ（ＥＡ）：Ｅｌｅｃｔｒｏ-Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）が０.５倍、１.０倍（基準）、１.５倍とした場合の帯域内偏差を示している。この図より、光変調器の容量を０．５倍とした場合には、偏差がプラス方向に増加し、波形にリンギングが生じる。一方、光変調器の容量が１．５倍に増加した場合には、帯域内偏差が、マイナス方向に劣化することがわかる。
【００１７】
次に、図１を参照する。図１に示すように、チップキャリヤ１０上に電界吸収型光変調器集積型レーザダイオード３が搭載される。電界吸収型光変調器集積型レーザダイオード３に集積されている電界吸収型光変調器１は光出力のための光学系(図示せず)に光結合されている。
【００１８】
チップキャリヤ１０上にはストリップ導体５が配置され、ストリップ導体はチップキャリヤ１０とともにマイクロストリップラインを形成する。マイクロストリップラインのストリップ導体５は、信号源１１側の入力端と電界吸収型光変調器１と接続される出力端の間にインピーダンス整合用抵抗７を持つ。チップキャリヤ１０の終端側には、薄膜材料からなる終端抵抗８が配置されている。終端抵抗８は、抵抗（抵抗素子）８ａと抵抗（抵抗素子）８ｂとを直列に配置している。終端抵抗８の一方の端は、電界吸収型光変調器１に接続され、他方の端はビア９を介し接地金属に接続されている。電界吸収型光変調器１とストリップ導体５との間および電界吸収型光変調器１と終端抵抗８aとは、直径２５μｍ（マイクロメータ）の金ワイヤ１２、１３で接続されている。
【００１９】
チップキャリヤ１０上には、その他チップコンデンサ４と接地導体６が配置されている。電界吸収型変調器集積レーザダイオード３の一部であるレーザダイオード２は、チップコンデンサ４を介して、金ワイヤ１４、１５で給電されている。また、接地導体６は、複数のビア９で接地されているため、高周波線路の一部ともいえる。
【００２０】
終端抵抗８ａと８ｂの抵抗値は、それぞれ１０Ω（オーム）と４０Ωであり、終端抵抗８ａの両端を金ワイヤ１６で短絡することにより、終端抵抗値４０Ωが選択されている。金ワイヤ１６の打ち方で、５０Ω、４０Ω、１０Ω、０Ωが選択できるのは、言うまでもない。
【００２１】
終端抵抗値と電界吸収型光変調器の容量とをパラメータとした帯域内偏差の変化のシミュレーション結果を図８で説明する。図８では、電界吸収型光変調器の容量の変化率を１．０倍または１.５倍とし、終端抵抗値は５０Ωまたは４０Ωとした。
図８から明らかなように、終端抵抗値が５０Ωで電界吸収型光変調器の容量が１.５倍増加すると、１０ＧＨｚでの帯域内偏差が＋０.８２ｄＢから−０.９１ｄＢとなり、帯域内偏差を劣化させる。電界吸収型光変調器の容量は１.５倍で、終端抵抗の値を４０Ωとした場合には、１０ＧＨｚでの帯域内偏差が＋０.０８ｄＢとなり、特性が改善される。以上の結果から、終端抵抗値の調整により、電界吸収型光変調器集積型レーザダイオードモジュールの周波数特性が改善されることが、確認できた。これは、電界吸収型光変調器の容量が５０％増減しても帯域内偏差を抑えることができることを意味する。
【００２２】
従って、本実施例によれば、電界吸収型光変調器１の容量が増加した品種の場合でも、ワイヤボンディングにより終端抵抗の値を適切に選ぶことができ、帯域内偏差を抑圧できる。すなわち、幅広い光変調器の容量に対して共通に対応可能なチップキャリヤ部とすることができ、安定した特性の光変調器モジュールを提供することができる。
【００２３】
なお、インピーダンス整合用抵抗値は０Ωでもよい。すなわち本明細書で抵抗と記載した場合は、抵抗値０Ωを含む。直列に接続された終端抵抗の数は３つ以上とすると調整範囲を広げるか、または調整幅を細かくすることができる。また、電界吸収型光変調器は、レーザダイオードと集積されたものでなくとも良い。さらに、光変調器として、電界吸収型に限られるわけではない。また、ＬｉＮｂＯ３光変調器であっても、他の光変調器であってもよい。高周波線路も、マイクロストリップ型に限られるわけではなく、コプレーナ型でも、グランディッドコプレーナ型でも、他の高周波線路であっても良い。薄膜抵抗体は、抵抗温度係数が小さく経年安定性に優れた窒化タンタルを用いたが、他の材料であってもよい。終端抵抗、ストリップ導体の金ワイヤの接続部には、金を配置したが、他の材料であってもよい。これらは、本明細書の他の実施例でも共通である。
【実施例２】
【００２４】
本発明の実施例２を、図４を用いて説明する。ここで、図４は、本発明の実施例２を説明する電界吸収型光変調器集積型レーザダイオードモジュールの要部平面図である。なお、図１で説明した部分の説明は、省略する。図４と図１とを対比すれば明らかなように、本実施例では実施例１で直列に形成していた終端抵抗８を、並列に形成している。ここで、終端抵抗（抵抗素子）８ｃは２００Ω、終端抵抗（抵抗素子）８ｄは５０Ωである。なお、終端抵抗８は、一括して作成するのでシート抵抗は同一であるが、図示の簡便のため、スケヤ数を合わせていない。終端抵抗８ｃと８ｄとの共通端子はビア９で接地され、個別端子は金ワイヤ１３および金ワイヤ１７で電界吸収型光変調器１に接続されている。従って、終端抵抗８の合成抵抗は４０Ωとなり、実施例１と同様に、電界吸収型光変調器の容量が５０％増加しても帯域内偏差を抑えることができることを意味する。
【００２５】
従って、本実施例よれば、電界吸収型光変調器１の容量が増加した品種の場合でも、ワイヤボンディングにより終端抵抗の値を適切に選ぶことができ、帯域内偏差を抑圧できる。すなわち、幅広い光変調器の容量に対応可能なチップキャリヤ部とすることができ、安定した特性の光変調器モジュールを提供することができる。
【００２６】
なお、終端抵抗の数を３つ以上とすると調整範囲を広げるか、もしくは調整幅を細かくすることができる。例えば、終端抵抗を３つの抵抗で構成し、それぞれの抵抗値を５０Ω、４５０Ω、９５０Ωとする。この時５０Ωの抵抗と４５０Ωの抵抗とを光変調器に接続した場合、その合成抵抗が４５Ωとなる。５０Ωの抵抗と９５０Ωの抵抗とを光変調器接続した場合、その合成抵抗が４７.５Ωとなる。５０Ωの抵抗と４５０Ωの抵抗と９５０Ωの抵抗とを光変調器に接続した場合、その合成抵抗が４３Ωとなる。すなわち、５０Ωの抵抗のみを接続した場合を含めて、４種類の終端抵抗値を実現できる。９５０Ωの抵抗はミアンダ構造にすることで、同一のシート抵抗でも実現できる。
さらに、並列の抵抗の共通端子はアース側に限られるわけではなく、光変調器側であってもよい。
【実施例３】
【００２７】
本発明の実施例３を、図５および図９を用いて説明する。ここで、図５は、本発明の実施例３を説明する電界吸収型光変調器集積型レーザダイオードモジュールの要部平面図である。また、図９は、電界吸収型光変調器の容量と、終端抵抗に接続するインダクタンスをパラメータとした帯域内偏差のシミュレーション結果である。なお、図５については、図１で説明した部分の説明は、省略する。図５から明らかなように、本実施例では、電界吸収型変調器１と５０Ωの終端抵抗と８との間にワイヤ中継用電極２２を設け、電界吸収型変調器１とワイヤ中継用電極２２とを２５μｍの金ワイヤ１８で接続し、さらに、ワイヤ中継用電極２２と終端抵抗８とを２本の２５μｍの金ワイヤ１９で接続している。
【００２８】
終端抵抗８に接続される２本の金ワイヤ１９は、図１２に示した等価回路のインダクタンス２６を並列接続に置き換えたものである。この条件下でシミュレーションを行い、その結果を、図９に示す。
【００２９】
電界吸収型光変調器と終端抵抗との間のワイヤ本数が１本の場合、図３と同様に電界吸収型光変調器の容量が０.５倍に減少すると１０ＧＨｚでの帯域内偏差が＋０.８２ｄＢから＋１.８９ｄＢまで、約１．０ｄＢ増加し波形にリンギングを生じさせる。電界吸収型光変調器の容量は０.５倍で、電界吸収型光変調器と終端抵抗間のワイヤ本数を２本とした場合には１０ＧＨｚでの帯域内偏差が＋０.４６ｄＢであり、帯域内偏差が改善されている。これは、電界吸収型光変調器の容量が５０％減少しても帯域内偏差を抑えることができることを意味する。
【００３０】
従って、本実施例によれば、電界吸収型光変調器１の容量が減少した場合でも、ワイヤボンディングにより終端抵抗に接続するインダクタンスを変え、帯域内偏差を抑圧できる。すなわち、幅広い光変調器の容量に対応可能なチップキャリヤ部とすることができ、安定した特性の光変調器モジュールを提供することができる。
【００３１】
なお、電界吸収型光変調器と終端抵抗との間のワイヤ本数は、２本に限るわけではなく、３本以上であってもよい。また、本実施例と実施例１と実施例２とのいずれの組み合わせも可能である。また、ワイヤ中継用電極を用いず、光変調器から直接２本ワイヤを終端抵抗に接続してもよい。
【実施例４】
【００３２】
本発明の実施例４を、図２、図６および図１０を用いて説明する。ここで、図２は、電界吸収型光変調器の容量をパラメータにした反射損失のシミュレーション結果である。図６は、本発明の実施例４を説明する電界吸収型光変調器集積型レーザダイオードモジュールの要部平面図である。また、図１０は、電界吸収型光変調器の容量と、インピーダンス整合抵抗の抵抗値をパラメータとした反射損失のシミュレーション結果である。なお、図６については、図１で説明した部分の説明は、省略する。
【００３３】
まず、最初に図２を用いて、電界吸収型光変調器の容量が変化した場合の、反射損失の変化を説明する。ここで、シミュレーションは、図１２の等価回路で実施した。ただし、インピーダンス整合用抵抗の抵抗値は０Ω、終端抵抗の抵抗値は５０Ωである。本実施例の、光変調器モジュールの変調速度は１０Ｇｂｐｓであるので、２０ＧＨｚまでの周波数特性を解析した。３つの記号は、それぞれ電界吸収型光変調器の容量が０.５倍、１.０倍（基準）、１.５倍とした場合の反射損失を示している。この図より、電界吸収型光変調器１の容量が増加した場合に、反射損失が、増加することがわかる。
【００３４】
図６に示す電界吸収型光変調器集積型レーザダイオードモジュール１００のチップキャリヤ１０上には、ストリップ導体５が配置されている。このストリップ導体は、チップキャリヤ１０とともにマイクロストリップラインを形成している。マイクロストリップラインのストリップ導体５には、インピーダンス整合用抵抗（抵抗素子）７ａと７ｂが直列に形成されており、それぞれの抵抗値は、２Ω、４Ωである。インピーダンス整合用抵抗７ｂは、直径２５μｍの金ワイヤ２０により短絡されている。従って、インピーダンス整合用抵抗７の抵抗は２オームである。金ワイヤ２０の打ち方で、６Ω、４Ω、２Ω、０Ωが選択できるのは、言うまでもない。
【００３５】
図１０はインピーダンス整合用抵抗値と電界吸収型光変調器の容量の変化に対する反射損失の変化をシミュレーションしたものである。図６におけるインピーダンス整合用抵抗７ａと７ｂの値をそれぞれ２Ωと４Ωとし、電界吸収型光変調器の容量の変化率を１.５倍とした。２Ωのインピーダンス整合用抵抗７ａと４Ωのインピーダンス整合用抵抗８ｂを両方とも短絡し、合成抵抗が０Ωである条件下で電界吸収型光変調器の容量が１.５倍増加すると１０ＧＨｚでの反射損失が−７.９０ｄＢから−６.８７ｄＢまで、約１.０ｄＢ劣化する。
【００３６】
一方、電界吸収型光変調器の容量は１.５倍で、インピーダンス整合用抵抗７ｂをワイヤ２０で短絡しインピーダンス整合用抵抗の値を２Ωとした場合には１０ＧＨｚでの反射損失が−７.４５ｄＢに抑圧された。すなわち、インピーダンス整合用抵抗値の調整により、電界吸収型光変調器集積型レーザダイオードモジュールの周波数特性が、改善された。これは、図２によれば電界吸収型光変調器の容量が５０％減少しても反射損失が劣化しないので、電界吸収型光変調器の容量が±５０％増減しても反射損失を抑えることができることを意味する。
【００３７】
従って、本実施例によれば、電界吸収型光変調器１の容量が増加した品種の場合でも、ワイヤボンディングによりインピーダンス整合用抵抗の値を適切に選ぶことができ、反射損失の劣化を抑止できる。すなわち、幅広い光変調器の容量に対して共通に対応可能なチップキャリヤ部とすることができ、安定した特性の光変調器モジュールを提供することができる。
【実施例５】
【００３８】
本発明の実施例５を、図７を用いて説明する。ここで、図７は、本発明の実施例５である電界吸収型光変調器集積型レーザダイオードモジュールの要部平面図である。なお、図１で説明した部分の説明は、省略する。
【００３９】
図７と図６とを対比すれば明らかなように、本実施例では実施例４で直列に形成していたインピーダンス整合用抵抗７を、並列に形成している。ここで、インピーダンス整合用抵抗（抵抗素子）７ｃは６Ω、インピーダンス整合用抵抗（抵抗素子）７ｄは４Ωである。なお、インピーダンス整合用抵抗７は、一括して作成するのでシート抵抗値は同一であるが、図示の簡便のため、スケヤ数を合わせていない。インピーダンス整合用抵抗７ｃと７ｄとの共通端子は金ワイヤ１２で電界吸収型光変調器１に接続され、個別端子は金ワイヤ２１で信号入力側のストリップ導体５に接続されている。従って、インピーダンス整合用抵抗７の合成抵抗は２．４Ωとなり、実施例４と同様に電界吸収型光変調器の容量が５０％減少しても反射損失が劣化しないので、電界吸収型光変調器の容量が±５０％増減しても反射損失を抑えることができることを意味する。
【００４０】
従って、本実施例によれば、電界吸収型光変調器１の容量が増加した品種の場合でも、ワイヤボンディングによりインピーダンス整合用抵抗の値を適切に選ぶことができ、反射損失の劣化を抑止できる。すなわち、幅広い光変調器の容量に対して共通に対応可能なチップキャリヤ部とすることができ、安定した特性の光変調器モジュールを提供することができる。
【００４１】
なお、金ワイヤ２１の打ち方で、６Ω、４Ω、２．４Ω、０Ωが選択できるのは、言うまでもない。また、並列にする抵抗の数は２本に限らないし、実施例４との組み合わせも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施例１を説明する電界吸収型光変調器集積型レーザダイオードモジュールのチップキャリア部平面図である。
【図２】電界吸収型光変調器の容量をパラメータにした反射損失のシミュレーション結果である反射損失の周波数依存性を説明する図である。
【図３】電界吸収型光変調器の容量をパラメータとした帯域内偏差のシミュレーション結果である帯域内偏差の周波数依存性を説明する図である。
【図４】本発明の実施例２を説明する電界吸収型光変調器集積型レーザダイオードモジュールのチップキャリア部平面図である。
【図５】本発明の実施例３を説明する電界吸収型光変調器集積型レーザダイオードモジュールのチップキャリア部平面図である。
【図６】本発明の実施例４を説明する電界吸収型光変調器集積型レーザダイオードモジュールのチップキャリア部平面図である。
【図７】本発明の実施例５を説明する電界吸収型光変調器集積型レーザダイオードモジュールのチップキャリア部平面図である。
【図８】電界吸収型光変調器の容量と、終端抵抗の抵抗値をパラメータとした帯域内偏差のシミュレーション結果である帯域内偏差の周波数依存性を説明する図である。
【図９】電界吸収型光変調器の容量と、終端抵抗に接続するインダクタンスをパラメータとした帯域内偏差のシミュレーション結果である帯域内偏差の周波数依存性を説明する図である。
【図１０】電界吸収型光変調器の容量と、インピーダンス整合抵抗の抵抗値をパラメータとした反射損失のシミュレーション結果である、反射損失の周波数依存性を説明する図である。
【図１１】従来の電界吸収型光変調器集積型レーザモジュールのチップキャリヤ部の平面図である。
【図１２】従来の電界吸収型光変調器集積型レーザモジュールのチップキャリヤ部の等価回路図である。
【符号の説明】
【００４３】
１…電界吸収型光変調器、２…レーザダイオード、３…電界吸収型光変調器集積型レーザダイオード、４…チップコンデンサ、５…ストリップ導体、６…接地導体、７…インピーダンス整合用抵抗、８…終端抵抗、９…ビア、１０…チップキャリヤ、１１…信号源、１２〜２１…金ワイヤ、２２…ワイヤ中継用電極、２３…マイクロストリップライン、２４…抵抗、２５…インダクタンス、２６…インダクタンス、２７…抵抗、３０…ダイオード、１００…電界吸収型光変調器集積型レーザダイオードモジュールのチップキャリア部。
【図１】
2005338678.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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