(57)【要約】【課題】  入力信号のレベルが変化する用途で、２合成以上の合成数に適用可能な電力合成型増幅装置を得る。【解決手段】  分岐器２を通じた分岐出力を検波し、入力レベル情報８を生成する入力検波器７と、各増幅素子４のバイアス電流を検出し、バイアス電流情報１０を生成するバイアス電流検出器９と、入力レベル情報８に応じたバイアス電流情報の適性範囲と各バイアス電流情報１０とを比較し、その適性範囲内に無いバイアス電流が検出される増幅素子４が一つでもある場合に異常であると判断する信号処理器１１とを備えた。増幅素子４の動作状態の不均一性を検出し、複数の増幅素子４の中から異常な増幅素子４を特定するものであるため、合成数にとらわれることはなく、バイアス電流情報の適性範囲を入力レベル情報８に応じて可変にしている。よって、入力信号のレベルが変化する用途で、２合成以上の合成数による電力合成型増幅装置に適用することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を主出力および分岐出力に分岐する分岐器と、
上記分岐器を通じた主出力を複数の経路に分配する分配器と、
上記各経路に設けられ、上記分配器により分配された信号を増幅する増幅素子と、
上記各増幅素子により増幅された信号を合成して出力する合成器と、
上記分岐器を通じた分岐出力を検波し、入力レベル情報を生成する入力検波器と、
上記各増幅素子のバイアス電流を検出し、バイアス電流情報を生成するバイアス電流検出器と、
上記入力検波器からの入力レベル情報に応じたバイアス電流情報の適性範囲と上記各バイアス電流検出器からのバイアス電流情報とを比較し、その適性範囲内に無いバイアス電流が検出される増幅素子が一つでもある場合に異常であると判断する信号処理器とを備えた電力合成型増幅装置。
【請求項２】
入力信号を主出力および分岐出力に分岐する第１の分岐器と、
上記第１の分岐器を通じた主出力を複数の経路に分配する分配器と、
上記各経路に設けられ、上記分配器により分配された信号を増幅する増幅素子と、
上記各経路に設けられ、上記各増幅素子により増幅された信号を主出力および分岐出力に分岐する第２の分岐器と、
上記各第２の分岐器を通じた主出力を合成して出力する合成器と、
上記第１の分岐器を通じた分岐出力を検波し、入力レベル情報を生成する入力検波器と、
上記各第２の分岐器を通じた分岐出力を検波し、電力情報を生成する電力検波器と、
上記入力検波器からの入力レベル情報に応じた電力情報の適性範囲と上記各電力検波器からの電力情報とを比較し、その適性範囲内に無い電力が検出される増幅素子が一つでもある場合に異常であると判断する信号処理器とを備えた電力合成型増幅装置。
【請求項３】
入力信号を主出力および分岐出力に分岐する第３の分岐器と、
上記第３の分岐器を通じた分岐出力の周波数成分を検出し、周波数情報を生成する周波数弁別器とを備え、
信号処理器は、入力検波器からの入力レベル情報および上記周波数弁別器からの周波数情報に応じたバイアス電流情報または電力情報の適性範囲を設定することを特徴とする請求項１または請求項２記載の電力合成型増幅装置。
【請求項４】
各増幅素子の温度を検出し、温度情報を生成する温度センサを備え、
信号処理器は、入力検波器からの入力レベル情報および上記温度センサからの温度情報に応じたバイアス電流情報または電力情報の適性範囲を設定することを特徴とする請求項１または請求項２記載の電力合成型増幅装置。
【請求項５】
信号処理器は、入力検波器からの入力レベル情報および上位装置からの制御情報に応じたバイアス電流情報または電力情報の適性範囲を設定することを特徴とする請求項１または請求項２記載の電力合成型増幅装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、並列に接続された複数の増幅素子の出力電力を合成して高出力電力を得る電力合成型増幅装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の技術としては、例えば、下記特許文献１に示すものがある。
この技術では、２合成型増幅装置の片方あるいは両方の増幅素子の異常を検出し、片方の場合はいずれであるかを特定できるものである。この技術では、異常を検出する手段として、２つの増幅素子の入力とするために等振幅・等位相で２つに分配された信号の各信号に、互いに９０度の位相差を与えたパイロット信号を重畳している。このパイロット信号は２つの増幅素子の出力を等振幅・等位相で１つに合成した信号の中に残留する。この合成された信号の一部を抽出し、含まれるパイロット信号を直交検波した場合、２つの増幅素子に異常がなければ、パイロット信号の２つの直交成分の値は等しくなる。また、いずれか片方が異常の場合、２つの直交成分の異常となった増幅素子の位相成分が小さくなる。さらに、両方とも何らかの異常である場合、パイロット信号レベルは既定値よりも小さくなる。
【０００３】
この技術による異常検出回路は、入力信号に重畳したパイロット信号の増幅後の信号に含まれる大きさを直交成分に分ける方法であるため、２合成型の増幅装置を対象としたものであり、合成数が多くなると２合成毎に異常検出回路を与える必要があり、増幅装置の規模が大きくなる。また、パイロット信号を重畳させる機能および除去する機能が必要となり、低損失の増幅装置を実現する妨げとなる場合がある。
【０００４】
なお、この特許文献１の従来の技術は、２つに分配する前の信号にパイロット信号を重畳し、２つに合成された後の信号に含まれるパイロット成分を検波し既定値と比較して異常判定するものであり、この場合、異常となった増幅素子を特定できるものではない。
【０００５】
また、この種の別の技術としては、例えば、下記特許文献２に示すものがある。
この技術では、２合成型増幅装置の２つの増幅素子の出力レベルを検波し、２つの検波電圧の大きさを比較し、差が小さければ正常、差が大きければいずれか片方が異常であると判定するものである。また、その差として得られる信号の極性でいずれかを特定するものである。
【０００６】
この技術による異常検出回路では、２つの増幅素子が同程度に劣化しているような異常状態は検出ができない。あるいは、各増幅素子の検波電圧を既定値と比較する別の手段を追加する必要がある。また、検知したい信号そのものに対して検波回路を付加するため、低損失の増幅装置を実現する妨げとなる場合がある。
【０００７】
なお、この特許文献２の従来の技術は、各増幅素子に流入する２つの電流を比較する方法であり、この特許文献２の技術における検波電圧を素子電流に置き換えたものである。他の事例としては、増幅素子の入・出力を検波し、増幅素子毎に利得の異常を検出するものが紹介されている。前者の欠点として、異常が必ずしも電流変化に現れるものではなく、後者の欠点として、回路規模の増大や検出回路そのものの故障の可能性がある点を挙げることができる。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−１８３６６５号公報  「異常検出回路の付いた増幅装置」
【特許文献２】特開平５−３０４４２９号公報  「並列運転増幅器とその異常検出回路」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来の増幅装置の異常検出回路は以上のように構成されているので、２つの増幅素子からなる２合成型増幅装置への適用を意図したものであり、また、入力信号レベルは一定であることを異常検出の条件としたものである。
したがって、２合成以上の合成数による電力合成型増幅装置および入力信号レベルが変化する用途に使われる電力合成型増幅装置には、これらを適用することができない。あるいは、２合成毎に異常検出を行い、複数の異常検出結果より、全体の異常を判定する機能を新たに設ける必要があり、装置が増大するなどの課題があった。
【００１０】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、入力信号のレベルが変化する用途で、２合成以上の合成数に適用可能な電力合成型増幅装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明に係る電力合成型増幅装置は、分岐器を通じた分岐出力を検波し、入力レベル情報を生成する入力検波器と、各増幅素子のバイアス電流を検出し、バイアス電流情報を生成するバイアス電流検出器と、入力検波器からの入力レベル情報に応じたバイアス電流情報の適性範囲と各バイアス電流検出器からのバイアス電流情報とを比較し、その適性範囲内に無いバイアス電流が検出される増幅素子が一つでもある場合に異常であると判断する信号処理器とを備えたものである。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、入力検波器からの入力レベル情報に応じたバイアス電流情報の適性範囲と各バイアス電流検出器からのバイアス電流情報とを比較し、その適性範囲内に無いバイアス電流が検出される増幅素子が一つでもある場合に異常であると判断するように構成したので、増幅素子の動作状態の不均一性を検出し、複数の増幅素子の中から異常な増幅素子を特定するものであるため、合成数にとらわれることはない。また、バイアス電流情報の適性範囲を入力レベル情報に応じて可変にしている。したがって、入力信号のレベルが変化する用途で、２合成以上の合成数による電力合成型増幅装置に適用することができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による電力合成型増幅装置を示すブロック図であり、図において、分岐器２は、入力信号１を主出力および分岐出力に分岐するものである。分配器３は、分岐器２を通じた主出力を複数の経路に分配し、増幅素子４は、各経路に設けられ、分配器３により分配された信号を増幅し、合成器５は、各増幅素子４により増幅された信号を合成して出力信号６として出力するものである。
入力検波器７は、分岐器２を通じた分岐出力を検波して、入力レベル情報８を生成し、バイアス電流検出器９は、各増幅素子４のバイアス電流を検出し、バイアス電流情報１０を生成するものである。信号処理器１１は、入力検波器７からの入力レベル情報８に応じたバイアス電流情報の適性範囲と、各バイアス電流検出器９からのバイアス電流情報１０とを比較し、その適性範囲内に無いバイアス電流が検出される増幅素子４を判断すると共に、その適性範囲内に無いバイアス電流が検出される増幅素子４が一つでもある場合に電力合成型増幅装置が異常であると判断するものである。
【００１４】
次に動作について説明する。
入力信号１は、分岐器２に入力され、分岐器２により主出力および分岐出力の２つの経路に分岐される。分岐された主出力は、分配器３により等位相・等振幅で複数の経路に分配される。分配器３で分配された信号は、各経路に設けられた増幅素子４により増幅され、各増幅素子４の出力は、後段の合成器５により電力合成され、電力合成型増幅装置の出力信号６となる。
ここで、各増幅素子４は、入力レベルに対応して一様な電流を消費する。この電流はバイアス電流検出器９によって検出され、バイアス電流情報１０となる。一方、分岐器２の分岐出力は、入力検波器７によって検波され入力レベル情報８となる。
信号処理器１１の内部では、入力レベル情報に応じたバイアス電流情報の適性範囲が予めテーブル形式で設定され、ＲＯＭ（読出し専用記憶素子）に記憶されている。信号処理器１１は、入力検波器７からの入力レベル情報８に対応したバイアス電流情報の適性範囲をＲＯＭに記憶されたテーブルから読み出し、各バイアス電流検出器９からのバイアス電流情報１０がこの適性範囲内にあるか判定する。この結果、バイアス電流情報１０が適性範囲内であれば、その増幅素子４は正常であると判断し、また、全ての増幅素子４が正常であると判断された場合、電力合成型増幅装置は正常であると判断する。一方、バイアス電流情報１０が適性範囲内に無ければ、その増幅素子４は異常であると判断し、また、全ての増幅素子４のうち一つでも異常な増幅素子４がある場合に電力合成型増幅装置が異常であると判断する。
【００１５】
以上のように、この実施の形態１によれば、入力検波器７からの入力レベル情報８に応じたバイアス電流情報の適性範囲と各バイアス電流検出器９からのバイアス電流情報１０とを比較し、その適性範囲内に無いバイアス電流が検出される増幅素子４が一つでもある場合に異常であると判断するようにしたので、増幅素子４の動作状態の不均一性を検出し、複数の増幅素子４の中から異常な増幅素子４を特定するものであるため、合成数にとらわれることはない。また、バイアス電流情報の適性範囲を入力レベル情報８に応じて可変にしている。したがって、入力信号のレベルが変化する用途で、２合成以上の合成数による電力合成型増幅装置に適用することができる。
また、入力信号１を分岐器２により分岐してから入力検波器７によってその入力レベルを検波するようにしたので、主信号に直接に計測器を設けることなく、低損失の電力合成型増幅装置を実現することができる。
【００１６】
実施の形態２．
図２はこの発明の実施の形態２による電力合成型増幅装置を示すブロック図であり、図において、分岐器（第１の分岐器）２は、入力信号１を主出力および分岐出力に分岐するものである。
また、分岐器（第２の分岐器）１２は、各増幅素子４により増幅された信号を主出力および分岐出力に分岐し、電力検波器１３は、各分岐器１２を通じた分岐出力を検波し、電力情報１４を生成するものである。信号処理器１５は、入力検波器７からの入力レベル情報８に応じた電力情報の適性範囲と、各電力検波器１３からの電力情報１４とを比較し、その適性範囲内に無い電力が検出される増幅素子４を判断すると共に、その適性範囲内に無い電力が検出される増幅素子４が一つでもある場合に電力合成型増幅装置が異常であると判断するものである。その他の構成については、図１と同等である。
【００１７】
次に動作について説明する。
入力信号１は、分岐器２に入力され、分岐器２により主出力および分岐出力の２つの経路に分岐される。分岐された主出力は、分配器３により等位相・等振幅で複数の経路に分配される。分配器３で分配された信号は、各経路に設けられた増幅素子４により増幅され、各増幅素子４の出力は、分岐器１２により主出力および分岐出力の２つの経路に分岐され、各分岐された主出力は、後段の合成器５により電力合成され、電力合成型増幅装置の出力信号６となる。
ここで、各増幅素子４は、入力レベルに対応して一様な電力を消費する。この電力は分岐器１２による分岐出力から電力検波器１３によって検出され、電力情報１４となる。一方、分岐器２の分岐出力は、入力検波器７によって検波され入力レベル情報８となる。
信号処理器１５の内部では、入力レベル情報に応じた電力情報の適性範囲が予めテーブル形式で設定され、ＲＯＭに記憶されている。信号処理器１５は、入力検波器７からの入力レベル情報８に対応した電力情報の適性範囲をＲＯＭに記憶されたテーブルから読み出し、各電力検波器１３からの電力情報１４がこの適性範囲内にあるか判定する。この結果、電力情報１４が適性範囲内であれば、その増幅素子４は正常であると判断し、また、全ての増幅素子４が正常であると判断された場合、電力合成型増幅装置は正常であると判断する。一方、電力情報１４が適性範囲内に無ければ、その増幅素子４は異常であると判断し、また、全ての増幅素子４のうち一つでも異常な増幅素子４がある場合に電力合成型増幅装置が異常であると判断する。
【００１８】
以上のように、この実施の形態２によれば、入力検波器７からの入力レベル情報８に応じた電力情報の適性範囲と各電力検波器１３からの電力情報１４とを比較し、その適性範囲内に無い電力が検出される増幅素子４が一つでもある場合に異常であると判断するようにしたので、増幅素子４の動作状態の不均一性を検出し、複数の増幅素子４の中から異常な増幅素子４を特定するものであるため、合成数にとらわれることはない。また、電力情報の適性範囲を入力レベル情報８に応じて可変にしている。したがって、入力信号のレベルが変化する用途で、２合成以上の合成数による電力合成型増幅装置に適用することができる。
また、入力信号１を分岐器２により分岐してから入力検波器７によってその入力レベルを検波したり、各増幅素子４の出力を分岐器１２により分岐してから電力検波器１３によって検波するようにしたので、主信号に直接に計測器を設けることなく、低損失の電力合成型増幅装置を実現することができる。
【００１９】
実施の形態３．
図３はこの発明の実施の形態３による電力合成型増幅装置を示すブロック図であり、図に示さなかった構成については、図１と同等である。
図において、分岐器（第３の分岐器）１６は、分岐器２の前段に設けられ、入力信号１を主出力および分岐出力に分岐するものである。周波数弁別器１７は、分岐器１６を通じた分岐出力の周波数成分を検出し、周波数情報１８を生成するものである。信号処理器１９は、入力検波器７からの入力レベル情報８および周波数弁別器１７からの周波数情報に応じたバイアス電流情報の適性範囲と、各バイアス電流検出器９からのバイアス電流情報１０とを比較し、その適性範囲内に無いバイアス電流が検出される増幅素子４を判断すると共に、その適性範囲内に無いバイアス電流が検出される増幅素子４が一つでもある場合に電力合成型増幅装置が異常であると判断するものである。
【００２０】
次に動作について説明する。
この実施の形態３では、各増幅素子４が、入力レベルおよび入力周波数に対応して一様な電流を消費することを利用して、入力レベルおよび入力周波数に応じてバイアス電流情報の適性範囲を設定するようにしたものである。
入力信号１は、分岐器１６に入力され、分岐器１６により主出力および分岐出力の２つの経路に分岐される。分岐器１６の分岐出力は、周波数弁別器１７によって周波数成分が検出され、周波数情報１８となる。
信号処理器１９の内部では、入力レベル情報および周波数情報に応じたバイアス電流情報の適性範囲が予めテーブル形式で設定され、ＲＯＭに記憶されている。信号処理器１９は、入力検波器７からの入力レベル情報８および周波数弁別器１７からの周波数情報１８に対応したバイアス電流情報の適性範囲をＲＯＭに記憶されたテーブルから読み出し、各バイアス電流検出器９からのバイアス電流情報１０がこの適性範囲内にあるか判定する。
以下、上記実施の形態１と同様である。
【００２１】
なお、この実施の形態３では、各増幅素子４が、入力レベルおよび入力周波数に対応して一様な電流を消費することを利用して、入力レベルおよび入力周波数に応じてバイアス電流情報の適性範囲を設定するようにしたが、入力レベルおよび入力周波数に応じて上記実施の形態２に示したように電力情報の適性範囲を設定するようにしても良く、上記実施の形態２に示したような電力検波器１３により電力情報１４を検出する装置に適用することができる。
また、入力レベルおよび入力周波数の両者に応じた適性範囲を設定するのではなく、各増幅素子４が、入力周波数に対応して一様な電流または電力を消費することを利用して、入力周波数だけに応じたバイアス電流情報および電力情報の適性範囲を設定するようにしても良く、適用範囲を広げることができる。
【００２２】
以上のように、この実施の形態３によれば、入力検波器７からの入力レベル情報８および周波数弁別器１７からの周波数情報１８に応じたバイアス電流情報または電力情報の適性範囲と検出されるバイアス電流情報１０または電力情報１４とを比較し、その適性範囲内に無い電流または電力が検出される増幅素子４が一つでもある場合に異常であると判断するようにしたので、入力信号のレベルおよび周波数が変化する用途で、２合成以上の合成数による電力合成型増幅装置に適用することができる。
また、入力信号１を分岐器１６により分岐してから周波数弁別器１７によってその入力周波数を検出するようにしたので、主信号に直接に計測器を設けることなく、低損失の電力合成型増幅装置を実現することができる。
【００２３】
実施の形態４．
図４はこの発明の実施の形態４による電力合成型増幅装置を示すブロック図であり、図に示さなかった構成については、図１と同等である。
図において、温度センサ２０は、各増幅素子４毎またはいくつかの増幅素子４に応じて設けられ、それら増幅素子４が動作することによって発熱する温度を検出し、温度情報２１を生成するものである。信号処理器２２は、入力検波器７からの入力レベル情報８および温度センサ２０からの温度情報２１に応じたバイアス電流情報の適性範囲と、各バイアス電流検出器９からのバイアス電流情報１０とを比較し、その適性範囲内に無いバイアス電流が検出される増幅素子４を判断すると共に、その適性範囲内に無いバイアス電流が検出される増幅素子４が一つでもある場合に電力合成型増幅装置が異常であると判断するものである。
【００２４】
次に動作について説明する。
この実施の形態４では、各増幅素子４が、入力レベルおよび増幅素子の温度に対応して一様な電流を消費することを利用して、入力レベルおよび増幅素子の温度に応じてバイアス電流情報の適性範囲を設定するようにしたものである。
信号処理器２２の内部では、入力レベル情報および温度情報に応じたバイアス電流情報の適性範囲が予めテーブル形式で設定され、ＲＯＭに記憶されている。信号処理器２２は、入力検波器７からの入力レベル情報８および温度センサ２０からの温度情報２１に対応したバイアス電流情報の適性範囲をＲＯＭに記憶されたテーブルから読み出し、各バイアス電流検出器９からのバイアス電流情報１０がこの適性範囲内にあるか判定する。
以下、上記実施の形態１と同様である。
【００２５】
なお、この実施の形態４では、各増幅素子４が、入力レベルおよび増幅素子の温度に対応して一様な電流を消費することを利用して、入力レベルおよび増幅素子の温度に応じてバイアス電流情報の適性範囲を設定するようにしたが、入力レベルおよび増幅素子の温度に応じて上記実施の形態２に示したように電力情報の適性範囲を設定するようにしても良く、上記実施の形態２に示したような電力検波器１３により電力情報１４を検出する装置に適用することができる。
また、入力レベルおよび増幅素子の温度の両者に応じた適性範囲を設定するのではなく、各増幅素子４が、増幅素子の温度に対応して一様な電流または電力を消費することを利用して、増幅素子の温度だけに応じたバイアス電流情報および電力情報の適性範囲を設定するようにしても良く、適用範囲を広げることができる。
【００２６】
以上のように、この実施の形態４によれば、入力検波器７からの入力レベル情報８および温度センサ２０からの温度情報２１に応じたバイアス電流情報または電力情報の適性範囲と検出されるバイアス電流情報１０または電力情報１４とを比較し、その適性範囲内に無い電流または電力が検出される増幅素子４が一つでもある場合に異常であると判断するようにしたので、入力信号のレベルおよび増幅素子の温度が変化する用途で、２合成以上の合成数による電力合成型増幅装置に適用することができる。
【００２７】
実施の形態５．
図５はこの発明の実施の形態５による電力合成型増幅装置を示すブロック図であり、図に示さなかった構成については、図１と同等である。
図において、制御情報２３は、上位装置（図示せず）から電力合成型増幅装置に与えられるものであり、上位装置から出力される信号の周波数および外気温等である。信号処理器２４は、入力検波器７からの入力レベル情報８および上位装置からの制御情報２３に応じたバイアス電流情報の適性範囲と、各バイアス電流検出器９からのバイアス電流情報１０とを比較し、その適性範囲内に無いバイアス電流が検出される増幅素子４を判断すると共に、その適性範囲内に無いバイアス電流が検出される増幅素子４が一つでもある場合に電力合成型増幅装置が異常であると判断するものである。
【００２８】
次に動作について説明する。
この実施の形態５では、上位装置からの信号の周波数および外気温等の制御情報２３を利用して、入力レベル、入力周波数および外気温に応じてバイアス電流情報の適性範囲を設定するようにしたものである。
信号処理器２４の内部では、入力レベル情報、周波数情報および外気温情報に応じたバイアス電流情報の適性範囲が予めテーブル形式で設定され、ＲＯＭに記憶されている。信号処理器２４は、入力検波器７からの入力レベル情報８および上位装置からの信号の周波数および外気温に対応したバイアス電流情報の適性範囲をＲＯＭに記憶されたテーブルから読み出し、各バイアス電流検出器９からのバイアス電流情報１０がこの適性範囲内にあるか判定する。
以下、上記実施の形態１と同様である。
【００２９】
なお、この実施の形態５では、入力レベル、周波数および外気温に応じてバイアス電流情報の適性範囲を設定するようにしたが、入力レベル、周波数および外気温に応じて上記実施の形態２に示したように電力情報の適性範囲を設定するようにしても良く、上記実施の形態２に示したような電力検波器１３により電力情報１４を検出する装置に適用することができる。
また、入力レベルおよび上位装置からの制御情報２３の両者に応じた適性範囲を設定するのではなく、上位装置からの制御情報２３だけに応じたバイアス電流情報および電力情報の適性範囲を設定するようにしても良く、適用範囲を広げることができる。
さらに、上記実施の形態１から上記実施の形態５では、バイアス電流情報および電力情報の適性範囲を、入力レベル、入力周波数、増幅素子の温度および外気温の設定条件から設定したが、これらの設定条件は、いずれの単独の条件あるいはいずれの組み合わせの条件から設定しても良く、適用範囲を広げることができる。
【００３０】
以上のように、この実施の形態５によれば、入力検波器７からの入力レベル情報８、および上位装置からの制御情報２３に含まれる周波数および外気温に応じたバイアス電流情報または電力情報の適性範囲と検出されるバイアス電流情報１０または電力情報１４とを比較し、その適性範囲内に無い電流または電力が検出される増幅素子４が一つでもある場合に異常であると判断するようにしたので、入力信号のレベル、周波数および外気温が変化する用途で、２合成以上の合成数による電力合成型増幅装置に適用することができる。
また、適性範囲の設定条件を上位装置からの制御情報２３により容易に変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】この発明の実施の形態１による電力合成型増幅装置を示すブロック図である。
【図２】この発明の実施の形態２による電力合成型増幅装置を示すブロック図である。
【図３】この発明の実施の形態３による電力合成型増幅装置を示すブロック図である。
【図４】この発明の実施の形態４による電力合成型増幅装置を示すブロック図である。
【図５】この発明の実施の形態５による電力合成型増幅装置を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００３２】
１  入力信号、２  分岐器（第１の分岐器）、３  分配器、４  増幅素子、５  合成器、６  出力信号、７  入力検波器、８  入力レベル情報、９  バイアス電流検出器、１０  バイアス電流情報、１１，１５，１９，２２，２４  信号処理器、１２  分岐器（第２の分岐器）、１３  電力検波器、１４  電力情報、１６  分岐器（第３の分岐器）、１７  周波数弁別器、１８  周波数情報、２０  温度センサ、２１  温度情報、２３  制御情報。
【図１】
2005244461.tif 000003
【図２】
2005244461.tif 000004
【図３】
2005244461.tif 000005
【図４】
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【図５】
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