(57)【要約】【課題】  微細構造の半導体装置等の製造に用いるレジストパターンの製造方法を提供する。【解決手段】  Ｓｉ基板１の表面に、電子ビームの照射でガラス転移温度が上昇する性質を有する化学増幅型ポジレジスト剤１２を塗布し、このレジスト剤１２によるレジストパターン１２ａを形成する。更に、レジストパターン１２ａの表面に電子ビームを照射し、上層部のガラス転移温度を上昇させたあとベーク処理を行う。これにより、電子ビームが照射されていない下層部のレジストパターン１２ｂが流動化し、断面がテーパー状となって下部の開口部が縮小したレジストパターン１２ｃが得られる。更に、このテーパー状のレジストパターン１２ｃをマスクとして、通常のエッチング処理を行って微細構造の半導体装置やデバイスを製造する。【選択図】      図１
2005091415.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギー線の照射によってガラス転移温度が上昇するレジスト剤を加工対象の基板上に塗布する処理と、
前記レジスト剤に対して露光及び現像を行うことにより所定のレジストパターンを形成する処理と、
前記レジストパターンの表面に一定量のエネルギー線を照射してその表面のガラス転移温度を上昇させる処理と、
前記エネルギー線が照射されたレジストパターンを所定の温度でベーク処理することにより、該レジストパターンの下層部を流動化させて断面をテーパー状にする処理とを、
順次施すことを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】
エネルギー線の照射によってガラス転移温度が上昇するレジスト剤を加工対象の基板上に塗布する処理と、
前記レジスト剤に対して露光及び現像を行うことにより所定のレジストパターンを形成する処理と、
前記レジストパターンの表面に一定量のエネルギー線を照射してその表面のガラス転移温度を上昇させる処理と、
前記エネルギー線が照射されたレジストパターンを所定の温度でベーク処理することにより、該レジストパターンの下層部を流動化させて断面をテーパー状にする処理と、
前記断面がテーパー状になったレジストパターンをマスクとして、前記加工対象の基板をエッチングしてテーパー形状の穴または溝を形成する処理とを、
順次施すことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置やデバイスを製造するときにエッチングマスクとして使用するレジストパターンの形成技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
デバイスの高性能化と微細化の進展により、コンタクトパターン等を収縮させる寸法シュリンクに対する要求が高まっている。一般的に、デバイス製造工程中のコンタクト形成において、チップシュリンクや合わせ余裕確保の観点から、コンタクト径をシュリンクする技術が開発されてきており、これにより製造コストの低減や製品歩留まりの向上が図られてきている。
【０００３】
シュリンク技術の１つに、テーパーエッチング法がある。これは、リソグラフィー工程で形成した垂直形状のレジストパターンをマスクとしてエッチングする際に、ホールの内壁部へのデポジションを利用して徐々にホールサイズを縮小化し、被加工膜をテーパー形状にエッチングする技術である。例えば、通常のリソグラフィー処理によって直径０．２６μｍ程度のホールレジストパターンを垂直に形成した基板に、テーパーエッチングを行うことにより、被加工膜の上層部分が直径０．２６μｍ、下層部分が直径０．２０μｍ程度の寸法でテーパー形状となるコンタクトホールを加工することができる。
【特許文献１】２０００−１８２９４０号公報
【特許文献２】２００１−３０７９９３号公報
【特許文献３】２００１−３２６１５３号公報
【特許文献４】２００１−３３２４８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のテーパーエッチング法では、テーパー角を制御することが困難であり、更に、デポジションでのエッチングストップのために、コンタクトホールが未開口となってしまう等の課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、レジストパターンの形成において、エネルギー線の照射によってガラス転移温度が上昇するレジスト剤を加工対象の基板上に塗布する処理と、前記レジスト剤に対して露光及び現像を行うことにより所定のレジストパターンを形成する処理と、前記レジストパターンの表面に一定量のエネルギー線を照射してその表面のガラス転移温度を上昇させる処理と、前記エネルギー線が照射されたレジストパターンを所定の温度でベーク処理することにより、該レジストパターンの下層部を流動化させて断面をテーパー状にする処理とを順次施すことを特徴としている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明では、レジストパターンの表面にエネルギー線を照射してその表面のガラス転移温度を上昇させる処理と、このレジストパターンを所定の温度でベーク処理して該レジストパターンの下層部を流動化させる処理を施している。これにより、断面がテーパー状となったレジストパターンが形成され、これをマスクとしてエッチングすることにより、微細な半導体装置やデバイスを低コストで製造することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
Ｓｉ基板の表面に、電子ビームの照射でガラス転移温度が上昇する性質を有する化学増幅型ポジレジスト剤等を塗布し、このレジスト剤によるレジストパターンを形成する。更に、レジストパターンの表面に電子ビームを照射し、上層部のガラス転移温度を上昇させたあとベーク処理を行う。これにより、電子ビームが照射されていない下層部のレジストパターンが流動化し、このレジストパターンの断面がテーパー状となり、レジストパターン下部の開口部を縮小させることができる。更に、このテーパー状のレジストパターンをマスクとして、通常のエッチング処理を行うことにより、微細構造の半導体装置やデバイスを製造する。
【実施例１】
【０００８】
図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施例１を示すレジストパターン形成方法の工程図である。以下、この図１（ａ）〜（ｅ）に従って、Ｓｉ基板に微細なコンタクトホールを形成するためのレジストパターン形成方法を説明する。
【０００９】
（１）  工程１
図１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１の表面に厚さ１１０ｎｍ程度の反射防止膜（ＢＡＲＣ）１１を塗布する。更にその上層に、電子ビームの照射によってガラス転移温度が上昇するレジスト剤（例えば、信越化学製、化学増幅型ポジレジスト剤ＳＥＰＲ４１１）１２を１０００ｎｍ程度の厚さに塗布し、１００℃程度でベーク処理を行う。次に、ＫｒＦエキシマレーザー露光装置（開口数＝０．６０、σ＝０．７５）を用いて、０．２８μｍコンタクト図形を含む所望の設計回路を有するマスクＭのパターンを、９５ｍＪ／ｃｍ２程度の露光で焼き付ける。
【００１０】
（２）  工程２
露光されたレジスト剤１２を、テトラメチル・アンモニウム・ハイドロオキサイト（ＴＭＡＨ）２．３８％現像液によって現像処理を行う。これにより、図１（ｂ）に示すように、レジスト剤１２の露光部が垂直に除去され、２８０ｎｍ設計のホールパターンを有するレジストパターン１２ａが形成される。
【００１１】
（３）  工程３
図１（ｃ）に示すように、レジストパターン１２ａが形成されたＳｉ基板１の全面に、電子ビーム（ＥＢ）を照射する。ここでは、レジストパターン１２ａの上層部を選択的に電子ビーム処理するために、１ｋｅＶ，５００μＣ／ｃｍ２で照射処理を行う。これにより、電子ビーム処理が行われたレジストパターン１２ｂの上層部のガラス転移温度が１５０℃程度に上昇し、耐熱性が向上する。
【００１２】
（４）  工程４
ホットプレートを用いて、レジストパターン１２ｂに対して１５５℃、９０秒のベーク処理を行う。これにより、レジストパターン１２ｂの下層部で、電子ビーム処理が行われていない箇所（ガラス転移温度が低い部分）に熱だれが生じ、図１（ｄ）に示すようにホールパターンの形状がテーパー状になったレジストパターン１２ｃが得られる。即ち、レジストパターン１２ｃの上層部におけるホール径は、初めに形成したとおりの０．２８μｍに維持され、このレジストパターン１２ｃの下層部におけるホール径は、最初の寸法よりも縮小して、例えば０．１０μｍとなる。
【００１３】
以上がテーパー形状のレジストパターンの形成工程であるが、このように形成されたテーパー状のレジストパターン１２ｃをエッチングマスクとして、通常の方法で加工対象のＳｉ基板１をエッチングする。これにより、レジストパターン１２ｃとＳｉ基板１が同時にテーパー状にエッチングされ、図１（ｅ）に示すように、上部のホール径が０．２８μｍ、下部のホール径が０．１μｍのテーパー形状になった、目的とするコンタクトホール１ｈが形成されたＳｉ基板１ａが得られる。
【００１４】
以上のように、この実施例１のレジストパターン形成方法は、レジストパターン１２ａの表面に電子ビームを照射して上層部のガラス転移温度を高くした後、このレジストパターン１２ｂをベーク処理するようにしている。これにより、下層部が選択的に熱だれし、テーパー形状の微細なホールパターンを有するレジストパターン１２ｃを形成することができるという利点がある。なお、テーパー角やホール径縮小量は、レジスト剤１２の種類や膜厚、電子ビームの照射量、及びベーク条件等によって制御可能である。
【００１５】
更に、この実施例１ではリソグラフィー処理で３次元テーパー形状による寸法縮小を行うため、従来のエッチング処理によるテーパー形状コンタクト形成方法に比較して、高精度の寸法制御が可能となり、微小なホールパターン形成が可能になる。
【実施例２】
【００１６】
図２（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施例２を示すデバイス製造方法の工程図であり、図１中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。以下、この図２（ａ）〜（ｅ）に従って、半導体デバイスの製造方法を説明する。
【００１７】
（１）  工程１
まず、シリコンウエハに対して、素子分離工程、ゲート形成工程等を行って形成されたシリコン基板１の表面に、シリコン酸化膜（ＮＳＧ）等の層間絶縁膜２を１０００ｎｍ程度の厚さに形成する。更に、層間絶縁膜２の表面に厚さ１１０ｎｍ程度の反射防止膜１１を塗布した後、その上層に電子ビームの照射によってガラス転移温度が上昇するレジスト剤１２を１０００ｎｍ程度の厚さに塗布し、１００℃程度でベーク処理を行う。
【００１８】
次に、図２（ａ）に示すように、ＫｒＦエキシマレーザー露光装置（開口数＝０．６０、σ＝０．７５）を用いて、０．２８μｍコンタクト図形を含む所望の設計回路を有するマスクＭのパターンを、９５ｍＪ／ｃｍ２程度の露光で焼き付ける。
【００１９】
（２）  工程２
露光されたレジスト剤１２を、テトラメチル・アンモニウム・ハイドロオキサイト２．３８％現像液によって現像処理を行う。これにより、図２（ｂ）に示すように、レジスト剤１２の露光部が垂直に除去され、２８０ｎｍ設計のホールパターンを有するレジストパターン１２ａが形成される。
【００２０】
（３）  工程３
図２（ｃ）に示すように、レジストパターン１２ａが形成されたＳｉ基板１の全面に、電子ビームを照射する。ここでは、レジストパターン１２ａの上層部を選択的に電子ビーム処理するために、１ｋｅＶ，５００μＣ／ｃｍ２で照射処理を行う。これにより、電子ビーム処理が行われたレジストパターン１２ｂの上層部のガラス転移温度が１５０℃程度に上昇し、耐熱性が向上する。
【００２１】
（４）  工程４
ホットプレートを用いて、レジストパターン１２ｂに対して１５５℃、９０秒のベーク処理を行う。これにより、レジストパターン１２ｂの下層部で、電子ビーム処理が行われていない箇所に熱だれが生じ、図２（ｄ）に示すようにホールパターンの形状がテーパー状になったレジストパターン１２ｃが得られる。即ち、レジストパターン１２ｃの上層部におけるホール径は、初めに形成したとおりの０．２８μｍに維持され、このレジストパターン１２ｃの下層部におけるホール径は、最初の寸法よりも縮小して、例えば０．１０μｍとなる。
【００２２】
（５）  工程５
このように形成されたテーパー状のレジストパターン１２ｃをエッチングマスクとして、通常の方法で加工対象の層間絶縁膜２をエッチングする。これにより、レジストパターン１２ｃと層間絶縁膜２が同時にテーパー状にエッチングされ、図２（ｅ）に示すように、上部のホール径が０．２８μｍ、下部のホール径が０．１μｍのテーパー形状になった、目的とするコンタクトホール２ｈが形成された層間絶縁膜２ａが得られる。その後、通常のコンタクトホール埋め込み工程、及びメタル配線工程等によってデバイスの製造を行う。
【００２３】
以上のように、この実施例２のデバイス製造方法は、レジストパターン１２ａの表面に電子ビームを照射して上層部のガラス転移温度を高くした後、このレジストパターン１２ｂをベーク処理するようにしている。これにより、実施例１と同様のレジストパターンを形成することができ、微細なコンタクトホールの形成が可能になり、デバイスのチップ面積縮小や、デバイス製造における合わせ余裕確保が容易になるという利点がある。
【００２４】
なお、以上説明した実施例は、あくまでも、この発明の技術内容を明らかにするためのものである。この発明は、上記実施例にのみ限定して狭義に解釈されるものではなく、この発明の特許請求の範囲に述べる範囲内で、種々変更して実施することができる。その変形例としては、例えば、次のようなものがある。
【００２５】
（１）  コンタクトホールを例にしてレジストパターンの形成方法を説明したが、ビア、トレンチ、ダマシン、キャパシタ等の、各種の溝や穴のパターン形成にも適用できる。
【００２６】
（２）  実施例中で示した材料、寸法、処理条件等は一例であり、同様の処理が可能なものに置き換えることができる。
【産業上の利用可能性】
【００２７】
本発明の活用例として、例えば、次のようなものがある。
【００２８】
（ａ）  マスク、液晶、薄膜磁気ヘッド、ＭＥＭＳ等の製造。
【００２９】
（ｂ）  ナノレベルのレジストパターンの形成。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施例１を示すレジストパターン形成方法の工程図である。
【図２】本発明の実施例２を示すデバイス製造方法の工程図である。
【符号の説明】
【００３１】
１    Ｓｉ基板
１ｈ，２ｈ    コンタクトホール
２，２ａ    層間絶縁膜
１１    反射防止膜
１２    レジスト剤
１２ａ〜１２ｃ    レジストパターン
【図１】
2005091415.tif 000003
【図２】
2005091415.tif 000004