(57)【要約】【課題】ＥＬ素子未封入の状態でカレントコピー型の画素の欠陥の有無を試験することができる試験方法を提供する。【解決手段】上記課題は、電流量を制御するためのトランジスタと、トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続されたキャパシタと、トランジスタのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第１のスイッチと、トランジスタのドレイン端子に一端が接続され、第１のスイッチと同期して開閉動作を行う第２のスイッチとを備える画素を有するＴＦＴアレイの試験方法であって、第１のスイッチおよび第２のスイッチをオン状態にするステップと、第２のスイッチの他端に、第１の電圧を印加するステップと、第２のスイッチの他端に、第２の電圧を印加するとともに、第１のスイッチを流れる電荷量を測定するステップとを含むことを特徴とする試験方法等により解決される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流量を制御するためのトランジスタと、
前記トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続されたキャパシタと、
前記トランジスタのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第１のスイッチと、
前記トランジスタのドレイン端子に一端が接続され、前記第１のスイッチと同期して開閉動作を行う第２のスイッチとを備える画素を有するＴＦＴアレイの試験方法であって、
前記第１のスイッチおよび前記第２のスイッチをオン状態にするステップと、
前記第２のスイッチの他端に、前記トランジスタのスレッショルド電圧未満の第１の電圧を印加するステップと、
前記第２のスイッチの他端に、前記トランジスタのスレッショルド電圧未満であって、前記第１の電圧と異なる第２の電圧を印加するとともに、前記第１のスイッチを流れる電荷量を測定するステップとを含むことを特徴とする試験方法。
【請求項２】
電流量を制御するためのトランジスタと、
前記トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続されたキャパシタと、
前記トランジスタのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第１のスイッチと、
前記トランジスタのドレイン端子に一端が接続され、前記第１のスイッチと同期して開閉動作を行う第２のスイッチとを備える画素を有するＴＦＴアレイの試験方法であって、
前記第１のスイッチおよび前記第２のスイッチをオン状態にするステップと、
前記第２のスイッチの他端に可変電圧源を接続するステップと、
前記可変電圧源の電圧を変化させて、前記電圧と前記第２のスイッチを流れる電流量との関係を測定するステップとを含むことを特徴とする試験方法。
【請求項３】
電流量を制御するためのトランジスタと、
前記トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続されたキャパシタと、
前記トランジスタのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第１のスイッチと、
前記トランジスタのドレイン端子に一端が接続され、前記第１のスイッチと同期して開閉動作を行う第２のスイッチとを備える画素を有するＴＦＴアレイの試験方法であって、
前記第１のスイッチおよび前記第２のスイッチをオン状態にするステップと、
前記第２のスイッチの他端に可変電流源を接続するステップと、
前記可変電流源の電流量を変化させて、前記電流量と前記第２のスイッチの他端の電圧との関係を測定するステップとを含むことを特徴とする試験方法。
【請求項４】
ＥＬ素子を接続するための電極と、
前記ＥＬ素子の駆動電流量を制御するためのトランジスタと、
前記トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続されたキャパシタと、
前記トランジスタのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第１のスイッチと、
前記トランジスタのドレイン端子に一端が接続され、前記第１のスイッチと同期して開閉動作を行う第２のスイッチと、
前記電極の一端と前記トランジスタのドレイン端子との間に接続されたの第３のスイッチとを備える画素を有するＴＦＴアレイの試験方法であって、
前記第１のスイッチおよび前記第２のスイッチをオン状態にするステップと、
前記第３のスイッチをオン状態にして、前記電極の他端の電位を変化させ、前記第２のスイッチを流れる第１の電荷量を測定するステップと、
前記第３のスイッチをオフ状態にして、前記電極の他端の電位を変化させ、前記第２のスイッチを流れる第２の電荷量を測定するステップと、
前記第１の電荷量と前記第２の電荷量とを比較するステップとを含むことを特徴とする試験方法。
【請求項５】
電流量を制御するためのトランジスタと、
前記トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続されたキャパシタと、
前記トランジスタのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第１のスイッチと、
前記トランジスタのドレイン端子に一端が接続され、前記第１のスイッチと同期して開閉動作を行う第２のスイッチとを備える画素を有するＴＦＴアレイの試験方法であって、
前記第１のスイッチおよび前記第２のスイッチをオン状態にするステップと、
前記第２のスイッチの他端に所定の電流を印加するステップと、
前記トランジスタのソース端子に所定の電圧を印加するステップと、
前記トランジスタのソース端子に流れる電流量を測定するステップとを含むことを特徴とする試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬ素子を駆動するＴＦＴアレイの試験方法に関し、特にカレントコピー型の画素を有するＴＦＴアレイの試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラット・パネル・ディスプレイの表示用素子として、ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）が注目されている。ＥＬ素子は自己発光型の素子であるため、従来の液晶を利用した表示素子と比べて、表示色域が広く、消費電力が小さいという特徴がある。
【０００３】
ＥＬ素子は、駆動電流によって発光輝度が変化する。このため、ＥＬ素子駆動用のＴＦＴアレイは、従来の電圧制御型の液晶用にＴＦＴアレイと異なり、発光素子に印加する電流量を制御できる構成が必要がある（特許文献１、２参照）。
【０００４】
図２に代表的なＥＬ素子駆動用のＴＦＴアレイの画素であるカレントコピー型の画素構成を示す。ＥＬ素子２５（ＴＦＴアレイの状態では未接続）を接続する電極１５、２８は、一方の電極１５が接地され、他方の電極２８がトランジスタスイッチ２３に接続されている。トランジスタスイッチ２３の他端は、ＥＬ素子２５の駆動電流を供給する駆動用トランジスタ２２のドレイン端子に接続されている。駆動用トランジスタ２２のゲート端子とソース端子の間にはキャパシタ２４が接続されている。駆動用トランジスタ２２のソース端子にはＥＬ素子２５の駆動用電源２７が接続されている。また、駆動用トランジスタ２２のゲート端子とドレイン端子の間には、トランジスタスイッチ２１が接続されており、ドレイン端子には別のトランジスタスイッチ２０が接続されている。トランジスタスイッチ２０と２１はともに同一の制御線１２により開閉動作を行う。さらに、トランジスタスイッチ２０の他端は、データ線１０に接続され、データ線は電流源２６に接続されている。トランジスタスイッチ２０、２１、２３はいずれもＰチャンネルのＦＥＴで、−５Ｖ（オン電圧）を印加することによってオン状態となり、０Ｖ（オフ電圧）にすることによってオフ状態となる。
【０００５】
次に、図２の画素の動作について説明を行う。はじめに、制御線１２に電圧を印加してスイッチ２０と２１をオン状態とするとともに、制御線１６をオフ電圧にしてスイッチ２３をオフ状態にする。すると、電源２７から供給された電流が、駆動用トランジスタ２２とスイッチ２０を経由して電流源２６に流入する。このとき流れる電流量Ｉは、電流源２６により規定される。また、スイッチ２１がオン状態であるため、キャパシタ２４が充電される。充電後のキャパシタ２４の電位Ｖは、駆動用トランジスタ２２に電流量Ｉを流したときのゲート・ソース間電圧Ｖと等しくなる。
【０００６】
キャパシタ２４の充電が完了すると、制御線１２をオフ電圧にしてスイッチ２０と２１をオフ状態にする。スイッチ２１がオフ状態であるため、キャパシタ２４は電位差Ｖを保持する。その後、制御線１６に電圧を印加し、スイッチ２３をオン状態にする。すると、電源２７から供給された電流は、駆動用トランジスタ２２とスイッチ２３を経由してＥＬ素子２５に流れる。このときＥＬ素子２５に流れる電流量は、駆動用トランジスタ２２のゲート・ソース間電圧で制御される。駆動用トランジスタ２２のゲート・ソース間には、電位差Ｖに充電されたキャパシタ２４が接続されていることから、ゲート・ソース間電圧はＶとなる。前述したように、ゲート・ソース間電圧はＶのときに駆動トランジスタ２２を流れる電流量はＩとなるから、ＥＬ素子２５には電流量Ｉの駆動電流が流れることになる。
【０００７】
このように、図２の駆動トランジスタ２２は、電流源２６との接続を絶った後も、電流源２６で規定した電流量ＩでＥＬ素子２５を駆動することができるという特徴を有する。このような特徴を有する画素をカレントコピー型の画素という。なお、本実施例のように電極１５を接地せずに、所定の電位とする使用態様もあるが、動作原理は同じである。
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−４８０１号公報
【特許文献２】特開２００３−３２３１５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、このようなカレントコピー型の画素が正常に動作を行うためには、画素の各要素が全て正常に機能していなければならない。また、欠陥箇所がある場合には、欠陥箇所を特定する必要がある。このため、ＴＦＴアレイの製造工程では、画素の試験方法の確立が不可欠である。
【００１０】
さらに、ＥＬ素子２５は高価であり、いったんＴＦＴアレイとともにパネルに封入してしまうと再利用することは難しい。このため、封入前、すなわちＴＦＴアレイの電極１５、２８にＥＬ素子２５を接続する前に、ＴＦＴアレイの画素の試験を行えることが望ましい。ところが、ＥＬ素子２５が未封入の状態では電極１５と電極２８との間が開放状態となって回路が閉じていないために、実使用状態と同じように電流を流して試験することができないという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、電流量を制御するためのトランジスタと、前記トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続されたキャパシタと、前記トランジスタのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第１のスイッチと、前記トランジスタのドレイン端子に一端が接続され、前記第１のスイッチと同期して開閉動作を行う第２のスイッチとを備える画素を有するＴＦＴアレイの試験方法であって、前記第１のスイッチおよび前記第２のスイッチをオン状態にするステップと、前記第２のスイッチの他端に、前記トランジスタのスレッショルド電圧未満の第１の電圧を印加するステップと、前記第２のスイッチの他端に、前記トランジスタのスレッショルド電圧未満であって、前記第１の電圧と異なる第２の電圧を印加するとともに、前記第１のスイッチを流れる電荷量を測定するステップとを含むことを特徴とする試験方法により、上記課題を解決する。
【００１２】
また、本発明は、電流量を制御するためのトランジスタと、前記トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続されたキャパシタと、前記トランジスタのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第１のスイッチと、前記トランジスタのドレイン端子に一端が接続され、前記第１のスイッチと同期して開閉動作を行う第２のスイッチとを備える画素を有するＴＦＴアレイの試験方法であって、前記第１のスイッチおよび前記第２のスイッチをオン状態にするステップと、前記第２のスイッチの他端に可変電圧源を接続するステップと、前記可変電圧源により電圧を変化させるとともに、前記電圧と前記第２のスイッチを流れる電流量との関係を測定するステップとを含むことを特徴とする試験方法より、上記課題を解決する。可変電圧源により電圧を可変する代わりに、可変電流源により電流量を変化させて、第２スイッチの他端の電圧と流れる電流量との関係を測定してもよい。
【００１３】
さらに、本発明は、ＥＬ素子を接続するための電極と、前記ＥＬ素子の駆動電流量を制御するトランジスタと、前記トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続されたキャパシタと、前記トランジスタのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第１のスイッチと、前記トランジスタのドレイン端子に一端が接続され、前記第１のスイッチと同期して開閉動作を行う第２のスイッチと、前記電極の一端と前記トランジスタのドレイン端子との間に接続された第３のスイッチとを備える画素を有するＴＦＴアレイの試験方法であって、前記第１のスイッチおよび前記第２のスイッチをオン状態にするステップと、前記第３のスイッチをオン状態にして、前記電極の他端の電位を変化させ、前記第２のスイッチを流れる第１の電荷量を測定するステップと、前記第３のスイッチをオフ状態にして、前記電極の他端の電位を変化させ、前記第２のスイッチを流れる第２の電荷量を測定するステップと、前記第１の電荷量と前記第２の電荷量とを比較するステップとを含むことを特徴とする試験方法より、上記課題を解決する。
【００１４】
さらに、本発明は、電流量を制御するためのトランジスタと、前記トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続されたキャパシタと、前記トランジスタのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第１のスイッチと、前記トランジスタのソース端子に一端が接続され、前記第１のスイッチと同期して開閉動作を行う第２のスイッチとを備える画素を有するＴＦＴアレイの試験方法であって、前記第１のスイッチおよび前記第２のスイッチをオン状態にするステップと、前記第２のスイッチの他端に所定の電流を印加するステップと、前記トランジスタのソース端子に所定の電圧を印加するステップと、前記トランジスタのソース端子に流れる電流量を測定するステップとを含むことを特徴とする試験方法により、上記課題を解決する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、ＥＬ素子未封入の状態でカレントコピー型の画素の欠陥の有無を試験することが可能となる。
【実施例】
【００１６】
以下に図面を参照して、本発明の好適実施態様となる試験方法について詳細に説明する。本試験方法は、以下に示す４つの試験により構成される。図６に各試験により動作確認を行うことができる試験箇所を示す。全ての試験を実施すると、ＴＦＴアレイの画素の全構成要素に欠陥要素がないことを確認することができる。しかし、全試験を実施すると試験時間が長くなるという問題がある。一般に、画素の各構成要素の欠陥が起きる確率は、構成要素毎に異なり、またＴＦＴアレイの製造工程によっても大きく異なる。このため、必ずしも全試験を実施する必要はなく、欠陥可能性の高い構成要素の試験のみを実施することにより、試験時間の短縮と、欠陥ＴＦＴアレイの発見の両立を図ることができる。
【００１７】
（試験方法１）
図１に、ＴＦＴアレイの画素試験方法の一例を示す。本試験は、スイッチ２０、２１およびキャパシタ２４の動作の試験を行う。データ線１０に電荷量計３０を接続する。電荷量計３０の他端には双投スイッチ３１の入力端子を接続する。双投スイッチ３１の出力端子の一方には電源３２が、他方の出力端子には電源３３が接続されている。電源３２の電圧Ｖ１と電源３３の電圧Ｖ２は異なる電圧であり、電源３３の電圧Ｖ２は電源２７の電圧ＶＯとの電位差が駆動用トランジスタ２２のスレッショルド電圧の絶対値｜ＶＴ｜以下（｜ＶＴ｜＞｜ＶＯ−Ｖ２｜）となるように設定される。
【００１８】
次に試験方法を詳細に説明する。はじめに、制御線１２にオン電圧を印加してスイッチ２０、２１をオン状態にする。制御線１６はオフ電圧とし、スイッチ２３はオフ状態とする。また、スイッチ３１の入力端子を電源３２と接続する。すると、キャパシタ２４の電位差がＶＯ−Ｖ１となる。このとき、キャパシタ２４の容量をＣとすると、キャパシタ２４には電荷量Ｑ１＝Ｃ（ＶＯ−Ｖ１）の電荷が充電される。    
【００１９】
充電に必要な時間経過後に、制御線１２をオフ電圧にし、スイッチ３１を電源３３に切り替える。すると、スイッチ２０がオフ状態となるため、理想的な回路であればデータ線１０には電流が流れないはずである。もっとも、現実のＴＦＴアレイでは微小なオフセット電流が存在するため、電流量はゼロにはならない。そこで、まず、スイッチ２０をオフ状態にしたままで、電荷量計３０でオフセット電流を測定する。
【００２０】
その後、再び制御線１２にオン電圧を印加してスイッチ２０、２１をオン状態にする。すると、キャパシタ２４の電位差はＶＯ−Ｖ２となるため、キャパシタ２４に蓄積される電荷量Ｑ２＝Ｃ（ＶＯ−Ｖ２）となる。このとき、Ｑ１とＱ２の差分ΔＱ＝Ｑ１−Ｑ２＝Ｃ（Ｖ２−Ｖ１）が、データ線１０を通って電源３３に流入する。この電荷量ΔＱを測定して、オフセット電流による電荷量を差し引いて真の電荷量ΔＱ’を求める。最後に、キャパシタ２４の容量Ｃ＝ΔＱ’／（Ｖ２−Ｖ１）を求めて、容量Ｃが所定の許容範囲のなかにあるか否かを判定する。
【００２１】
なお、制御線１６にオン電圧を印加し、スイッチ２３をオン状態にして同様な測定を行った結果と比較すると、スイッチ２３の動作確認を行うことができる。すなわち、スイッチ２３が正常に動作していれば、スイッチ２３がオン状態のときとオフ状態のときとでは、トランジスタスイッチ２３のゲート・ドレイン間の寄生容量やトランジスタスイッチ２３のドレインと近接するデータ線や他画素の制御線間の寄生容量分だけ測定値が異なる。この違いを測定することにより、スイッチ２３の動作確認を同時に行うことも可能である。
【００２２】
スイッチ２０、２１に欠陥がある場合には、キャパシタ２４に充電ができなかったり、過大なオフセット電流が流れるなどの症状を呈するため、本試験によりスイッチ２０、２１の動作確認を同時に行うことができる。
【００２３】
（試験方法２）
図３に、ＴＦＴアレイの画素試験方法の別例を示す。本試験では、スイッチ２０、２１および駆動用トランジスタ２２の動作試験を行う。本試験では、データ線１０に可変電圧源２９と電流計４０を接続する。そして、制御線１２にオン電圧を印加してスイッチ２０、２１をオン状態にする。制御線１６はオフ電圧にしてスイッチ２３はオフ状態とする。次に、可変電圧源源２９の電圧を変化させ、各電圧Ｖごとにデータ線１０の電流量Ｉを電流計４０で測定する。トランジスタスイッチ２０は、オン状態であるので、オン抵抗による電圧降下により誤差はあるものの、電圧Ｖは駆動トランジスタ２２のゲート電圧とほぼ等しくなる。また、電流計４０に流れる電流量Ｉは、電源２７から駆動用トランジスタ２２、スイッチ２０経由して流れる電流であるから、駆動用トランジスタ２２の駆動電流の電流量と等しくなる。よって、電流量Ｉと電圧Ｖとの関係は、駆動用トランジスタ２２のＩＶ特性とほぼ等しくなるため、測定結果から駆動用トランジスタ２２が所望の特性を有するか否かを判定することができる。
【００２４】
なお、スイッチ２０、２１に欠陥がある場合には、可変電圧源の電圧を変化させても駆動用トランジスタ２２に電流が流れないため、本試験によりスイッチ２０、２１の動作確認を同時に行うことができる。なお、本実施例の可変電圧源２９の代わりに可変電流源を、電流計４０の代わりに電圧計をそれぞれ接続して、可変電流源の電流量Ｉを変化させて、スイッチ２０のドレイン端子の電圧Ｖを測定しても、トランジスタ２２のＩＶ特性を測定することができる。
【００２５】
（試験方法３）
図４に、ＴＦＴアレイの画素試験方法のさらに別の例を示す。本試験では、スイッチ２０、および２３の動作試験を行う。電極１５に信号発生器５０を接続し、データ線１０には電荷量計３０を接続する。この状態で、制御線１２にオン電圧を印加して、スイッチ２０をオン状態にする。
【００２６】
はじめに、制御線１６にオン電圧を印加してスイッチ２３をオン状態とし、信号発生器５０により、電極１５にステップ信号を与える。電極１５と電極２８は、ＥＬ素子が未封入の状態であるためコンデンサとして機能するため、ステップ信号の微分波形の電流がスイッチ２３および２０を経由してデータ線１０に流れる。このとき流れる電荷量Ｑ１を電荷量計３０で測定する。次に、制御線１６をオフ電圧にしてスイッチをオフ状態としてから、電極１５にステップ信号を与え、データ線１０に流れる電荷量Ｑ２を電荷量計３０で測定する。スイッチ２３が正常に動作していれば、スイッチ２３がオフの状態ではデータ線１０に電流が流れないから、電荷量Ｑ１と電荷量Ｑ２とは異なる値となる。よって、両電荷量の差ΔＱ＝Ｑ１−Ｑ２を求めることにより、スイッチ２３の動作確認を行うことができる。
【００２７】
ここで、データ線１０に流れるオフセット電流が大きい場合には、予めデータ線１０に流れるオフセット電流を測定し、オフセット電流による電荷量を計算し、測定値から差し引いて真の電荷量を求める方法がある。また、予めオフセット電流を測定し、オフセット電流と同電流量で電流の向きが逆の定電流源をデータ線１０に接続して、オフセット電流をキャンセルしておいてから、本試験を実施してもよい。
【００２８】
なお、信号発生器５０の出力波形はステップ信号に限らず、パルス信号、三角波信号、正弦波信号などの時間とともに電圧が変化する信号であればよい。さらに、信号発生器５０は、必ずしも電極１５に接続する必要はなく、電極２８に近接するデータ線や他画素の制御線などでもよい。この場合は、信号発生器５０が接続された線と電極２８の間の寄生容量に流れる電流による電荷量を測定することになる。
【００２９】
本試験において、スイッチ２０に欠陥がある場合には、スイッチ２３の開閉によらず電荷量計３０に流れる電荷量が変化しない。このため、スイッチ２０の欠陥の判定も同時に行うことが可能である。
【００３０】
本試験方法以外にも、スイッチ２３を動作確認する方法として、制御線１６がオフ電圧からオン電位に変化させたときに、電荷量計３０に流れこむ電荷量を測定する方法がある。スイッチ２３が正常にオンする場合と欠陥があってオンしない場合では、トランジスタスイッチ２３のゲート・ドレイン間の寄生容量や、トランジスタスイッチ２３のドレイン端子と近接するデータ線や他画素の制御線間の寄生容量分だけ測定値が異なるため、この違いを測定することによって、トランジスタ２３の動作確認を行うことができる。この方法では、信号発生器５０を使用してトランジスタスイッチ２３の寄生容量にチャージせずとも、図１の回路のように、キャパシタ２４をチャージして、電源２７からの電流によってトランジスタスイッチ２３の寄生容量をチャージしてもよい。この場合、予めオフセット電流量を測定し、データ線１０にオフセット電流と同じ電流量で電流の向きが逆の定電流源を接続してオフセット電流をキャンセルしてから測定を行うと、測定結果からオフセット電流量を差し引いて真の電荷量を求める手間を省くことができる。
【００３１】
（試験方法４）
図５に、ＴＦＴアレイの画素試験方法のさらに別の例を示す。本試験では、スイッチ２０、２１および駆動用トランジスタ２２の動作試験を行う。本試験では、電源２７と駆動用トランジスタ２２のソース端子の間に電流計５０を設置する。そして、制御線１２にオン電圧を印加してスイッチ２０およびスイッチ２１をオン状態にする。スイッチ２０、２１およびトランジスタ２２が正常に動作していれば、電流計５０には電流源２６に流れる電流量と同じ電流量の電流が流れるはずである。一方、途中でリークや断線があったり、スイッチ２０、２１やトランジスタ２２が動作しない場合には、電流源２６からの出力と電流計５０の値が異なる値となる。このように電流計５０の測定値と電流源２６に流れる電流量とを比較することにより、スイッチ２０、２１およびトランジスタ２２の動作確認を行うことができる。
【００３２】
以上、本発明に係る技術的思想を特定の実施例を参照しつつ詳細にわたり説明したが、本発明の属する分野における当業者には、請求項の趣旨及び範囲から離れることなく様々な変更及び改変を加えることが出来ることは明らかである。なお、本発明は、主としてＥＬ素子２５を封入する前の試験を対象としているが、ＥＬ素子２５封入後のＴＦＴパネルを試験する場合にも適用可能である。なお、ＥＬ素子２５封入後は画素内の回路は閉回路となるため、図５のように電流計５０を設置すれば、ＥＬ素子２５の駆動電流を直接測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施例（試験方法１）の説明図である。
【図２】代表的なカレントコピー型の画素構成図である。
【図３】本発明の実施例（試験方法２）の説明図である。
【図４】本発明の実施例（試験方法３）の説明図である。
【図５】本発明の実施例（試験方法４）の説明図である。
【図６】本発明の試験方法と試験対象となる構成要素との対応図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０  データ線
１２、１６  制御線
２０、２１、２３  スイッチ
２２  駆動用トランジスタ
２４  キャパシタ
２５  ＥＬ素子
１５、２８  電極
２６  電流源
２９  可変電圧源
２７  電圧源
３０  電荷量計
４０、５０  電流計
【図１】
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【図２】
2005242001.tif 000004
【図３】
2005242001.tif 000005
【図４】
2005242001.tif 000006
【図５】
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【図６】
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