(57)【要約】【課題】  クラッド層の構造及びドーパントを最適化することにより、素子特性の向上、コスト低減を達成すること。【解決手段】  第１導電型のＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなる第１クラッド層と、該第１クラッド層に隣接して、第１導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰからなる厚さ０．５μｍ以下の第２クラッド層と、該第２クラッド層に隣接して、第１又は第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる厚さ０．１μｍ未満の活性層と、該活性層に隣接して、第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰからなる厚さ０．５μｍ以下の第３クラッド層と、該第３クラッド層に隣接して、第２導電型のＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなる第４クラッド層と、該活性層への電流を狭窄するための電流阻止層とを有しており、且つＰ型のクラッド層のうちＡｌＧａＡｓ(Ｐ)からなる層のドーパントがＣで、ＡｌＧａＩｎ（Ｐ）からなる層のドーパントがＢｅ又はＭｇであることを特徴とする半導体発光装置。【選択図】  図１ 
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型のＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなる第１クラッド層と、該第１クラッド層に隣接して、第１導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰからなる厚さ０．５μｍ以下の第２クラッド層と、該第２クラッド層に隣接して、第１又は第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる厚さ０．１μｍ未満の活性層と、該活性層に隣接して、第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰからなる厚さ０．５μｍ以下の第３クラッド層と、該第３クラッド層に隣接して、第２導電型のＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなる第４クラッド層と、該活性層への電流を狭窄するための電流阻止層とを有しており、且つＰ型のＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなるクラッド層がドーピング不純物として炭素を含有しており、Ｐ型のＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＧａＩｎからなるクラッド層がドーピング不純物としてベリリウム及び／又はマグネシウムを含有していることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
ｎ型クラッド層がドーピング不純物としてシリコンを含有していることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
第１クラッド層及び／又は第４クラッド層がリッジ構造を有しており、該リッヂ構造の左右に電流阻止層を有していることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体発光装置。
【請求項４】
電流阻止層がリッジ側壁及びＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰクラッド層に接していることを特徴とする請求項３記載の半導体発光装置。
【請求項５】
第１導電型のＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなる第１クラッド層と、該第１クラッド層に隣接して、第１導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰからなる厚さ０．５μｍ以下の第２クラッド層と、該第２クラッド層に隣接して、第１又は第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる厚さ０．１μｍ未満の活性層と、該活性層に隣接して、第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰからなる厚さ０．５μｍ以下の第３クラッド層と、該第３クラッド層に隣接して、第２導電型のＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなるリッジ構造の第４クラッド層と、該リッジ構造の左右にＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなり該活性層への電流を狭窄するための電流阻止層とを有しており、且つＰ型のＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなるクラッド層がドーピング不純物として炭素を含有しており、Ｐ型のＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰからなるクラッド層がドーピング不純物としてベリリウム及び／又はマグネシウムを含有しており、更に該電流阻止層の屈折率がリッジ構造部分の屈折率よりも小さいことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項６】
ｎ型クラッド層がドーピング不純物としてシリコンを含有することを特徴とする請求項５記載の半導体発光装置。
【請求項７】
電流阻止層がリッジ側壁及びＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰクラッド層に接していることを特徴とする請求項５又は６記載の半導体発光装置。  
【請求項８】
ｎ型クラッド層のキャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＡｌＧａＩｎＰ及び／又はＡｌＧａＩｎ半導体材料、並びにＡｌＧａＡｓＰ及び／又はＡｌＧａＡｓ半導体材料を用いた半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料を用いた従来の半導体レーザダイオード（ＬＤ）一例としては、図２に模型的に示すような構造のものがある。
すなわち図２において、２０１は、ｎ型ＧａＡｓ基板、２０２は、基板２０１上に形成されたｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層である。２０３は、ＡｌＧａＩｎＰからなる活性層である。２０４は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層である。すなわち、ＡｌＧａＩｎＰ活性層２０３のエネルギーギャップが、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０２及び２０４のエネルギーギャップより小さくなるよう混晶比が設定されており、ダブルヘテロ構造をなしている。２０６はコンタクト層である。
【０００３】
２０５はＧａＡｓからなる電流ブロック層である。電流ブロック層２０５は、レーザー発振に必要な電流密度を得るために、いわゆる、電流狭窄を行う目的で設けられる。２０５は、層２０４を選択エッチングしてリッジを形成した後、ＳｉＮｘなどのアモルファス膜を用いて選択成長させることによって形成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰ（以下あわせてＡｌＧａＩｎＰ系化合物という。）はＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓ（以下あわせてＡｌＧａＡｓＰ系化合物という。）と比較して、抵抗率が高い、熱抵抗が大きい等の欠点も有しており、このことが素子の動作電圧を高くする、発熱を大きくするなどといった問題点が生じており、素子の特性や信頼性の向上において大きな課題となっている。特に、半導体レーザのように、電流狭窄が行なわれたり、発光密度が高くなる場合には、上記の問題点はますます深刻になる。
【０００５】
また、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系化合物のクラッド層のドーパントとして、一般的に亜鉛（Ｚｎ）が用いられているが、Ｚｎの活性化率が低いために抵抗率を下げるためには高濃度ドーピングを行う必要がある。しかしながら、この場合、活性化しなかったＺｎが成長中にＡｌＧａＩｎＰ系化合物結晶中を速い速度で拡散していき、ｐｎ接合位置が発光層よりもｎ側に大きくずれたりすることがある。この場合、電流電圧特性に異常をもたらしたり、レーザーのしきい値電流を増加させたりする。このようなｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系化合物層からのＺｎ拡散は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系化合物層の層厚の増加に伴って、顕著になる。また、レーザーのように発光層の厚みが比較的薄い場合には、Ｚｎ拡散による電流電圧特性の異常が生じやすくなる。ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系化合物層には、拡散係数の小さいＳｉが有効である。
【０００６】
通常ダブルヘテロ構造を用いた場合、活性層へのキャリア及び光の閉じ込めを充分に行うために、クラッド層の膜厚として１〜２μｍ程度は必要となる。有機金属気相成長法でＡｌＧａＩｎＰ系化合物を成長するとき、 III族原料となる有機金属とＶ族原料となるＰＨ３  との供給モル比（Ｖ／ III）を非常に大きくする必要がある。このために、成長速度を余り大きく取れない、成長原料コストがＡｌＧａＡｓ系化合物などに比べてかなり高くなるといった問題が生じている。特に多数枚同時成長可能な量産用の大型装置においてはこれ以外に除害等の点でますます深刻となる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで本発明者らは、ＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる活性層を有する半導体発光装置において、発光素子の素子特性を劣化させない程度にＺｎドープのｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系化合物クラッド層の厚みを薄くして活性層及びｎ側クラッドへのＺｎ拡散を少なくさせることに想到し、ただし、活性層上下のＡｌＧａＩｎＰ系化合物クラッド層の膜厚を薄くすると、キャリア及び光の閉じ込めが不十分となり、素子特性を劣化させてしまうので、不足分をほぼ同じバンドギャップと屈折率を持つＡｌＧａＡｓＰ系化合物で代用ができることを見出した。また、ｎ型ＡｌＧａＡｓＰ系化合物は同程度のキャリア濃度を有するＡｌＧａＩｎＰ系化合物よりもＺｎ拡散が起こりにくいために、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系化合物クラッドの層厚も薄い方がＺｎ拡散によるｐｎ接合位置のシフトを防ぐことにも有効であること、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物クラッド層の薄膜化は動作電圧の低減、熱抵抗の低減にも有効であること、量産化の観点からも、成長時間、原料コスト及び除害等の点で、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物層を極力薄くし、ＡｌＧａＡｓＰ系化合物を多く用いる方が有効であること等を見出した。更に、このように活性層を挟んでＡｌＧａＩｎＰ系化合物クラッド層を設け、その外側にＡｌＧａＡｓＰ系化合物クラッド層を設ける場合には、Ｐ型のＡｌＧａＩｎＰ系化合物からなるクラッド層のドーパントとしてはベリリウム又はマグネシウムを、Ｐ型のＡｌＧａＡｓＰ系化合物からなるクラッド層のドーパントとしては炭素を用いるのが好ましいことを見出し、本発明に到達した。すなわち、本発明の要旨は、第１導電型のＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなる第１クラッド層と、該第１クラッド層に隣接して、第１導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰからなる厚さ０．５μｍ以下の第２クラッド層と、該第２クラッド層に隣接して、第１又は第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる厚さ０．１μｍ未満の活性層と、該活性層に隣接して、第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰからなる厚さ０．５μｍ以下の第３クラッド層と、該第３クラッド層に隣接して、第２導電型のＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなる第４クラッド層と、該活性層への電流を狭窄するための電流阻止層とを有しており、且つＰ型のＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなるクラッド層がドーピング不純物として炭素を含有しており、Ｐ型のＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＧａＩｎからなるクラッド層がドーピング不純物としてベリリウム及び／又はマグネシウムを含有していることを特徴とする半導体発光装置に存する。
【０００８】
以下本発明をより詳細に説明する。
本発明の半導体発光装置は、第１導電型のＡｌＧａＡｓＰ系化合物からなる第１クラッド層と、該第１クラッド層に隣接して、第１導電型のＡｌＧａＩｎＰ系化合物からなる厚さ０．５μｍ以下の第２クラッド層と、該第２のクラッド層に隣接して、第１又は第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる厚さ０．１μｍ未満の活性層と、該活性層に隣接して、第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ系化合物から成る厚さ０．５μｍ以下の第３クラッド層と、該第３クラッド層に隣接して、第２導電型のＡｌＧａＡｓＰ系化合物からなる第４クラッド層を具備し、且つ該活性層への電流を狭窄するための電流阻止層を有することを特徴としている。
なお、本発明の半導体発光装置の各層中の構成元素の含有割合は、基板および各層間の格子整合を考慮して決定すればよい。
以下に、本発明の発光装置をレーザダイオードとして実現した態様の一例である、図１の素子を用いて説明する。
【０００９】
図１は本発明の半導体装置の一例であり、実施例にて製造した装置の説明図である。本発明の装置を製造する際には、通常単結晶基板上に構成される。そしてこの基板１０１としては、特に限定されないが、通常ＧａＡｓ基板が用いられる。基板上には、通常基板の欠陥をエピタキシャル成長層に持ち込まないために２μｍ以下程度のバッファ層１０２を用いることが好ましい。そしてこのバッファ層上に本発明の第１，第２クラッド層、活性層、第３，第４クラッド層がこの順に積層され、そして活性層への電流を狭窄し、活性層での電流密度を向上させるための電流阻止層を設けてある。第１クラッド層１０３としては、第１導電型のＡｌＧａＡｓＰ系化合物であって、その厚さは通常０．３〜３μｍが好ましい。そしてより好ましい第１クラッド層の厚さは下限として０．５μｍ以上であり、上限として１．５μｍである。そしてそのキャリア濃度としては、１×１０17ｃｍ-3〜３×１０18ｃｍ-3の範囲が好ましく、特に好ましくは、下限として２×１０17ｃｍ-3、上限として２×１０18ｃｍ-3の範囲である。
【００１０】
そして第１クラッド層上に、第１導電型のＡｌＧａＩｎＰ系化合物からなる厚さ０．５μｍ以下の第２クラッド層１０４が積層されている。この層の厚さのより好ましい下限としては０．０１μｍ以上であり、上限としては０．３μｍである。そしてそのキャリア濃度としては、１×１０17ｃｍ-3〜３×１０18ｃｍ-3の範囲が好ましく、特に好ましくは、下限として２×１０17ｃｍ-3、上限として２×１０18ｃｍ-3の範囲である。
【００１１】
この第２のクラッド層の上に第１又は第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる厚さ０．１μｍ未満の活性層１０５が積層される。活性層としては、量子井戸構造の活性層を用いてもよい。活性層のキャリア濃度は特に限定されず、むしろ特に不純物ドープをすることなく、アンドープの状態（この場合でもわずかに第１又は第２導電型になっている）であることが、素子の性能の安定化の点からより好ましい。
【００１２】
そしてかかる活性層の上に第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ系化合物から成る厚さ０．５μｍ以下の第３クラッド層１０６が積層される。そしてそのキャリア濃度としては、１×１０17ｃｍ-3〜３×１０18ｃｍ-3の範囲が好ましく、特に好ましくは、下限として２×１０17ｃｍ-3、上限として２×１０18ｃｍ-3の範囲である。
【００１３】
さらにこの第３クラッド層の上に、第２導電型のＡｌＧａＡｓＰ系化合物からなる第４クラッド層１０７を積層する。そしてその厚さとしては０．３〜３μｍの範囲が好ましく、そしてより好ましい範囲は、下限として０．５μｍ、上限として１．５μｍである。キャリア濃度としては、１×１０17ｃｍ-3〜３×１０18ｃｍ-3の範囲が好ましく、特に好ましくは、下限として２×１０17ｃｍ-3、上限として２×１０18ｃｍ-3の範囲である。
【００１４】
本発明に用いられる電流阻止層１０８は、活性層における電流密度を、素子に流す電流は変えずに増加させること等の理由により設けられる層である。電流阻止層の位置としては、特に限定されないが、平坦な活性層や良質のエピタキシャル成長層が得られやすいため、活性層からみて、基板の反対側にあることが、ＭＯＣＶＤ法等の気相成長の場合好ましい。
【００１５】
又、活性層の側面に存在させることは、電流狭窄の点からは最良である。しかしながら活性層にダメージを与えやすいためより好ましくは、第３クラッド層の直前又は第３クラッド層の一部に電流阻止層が広がっている構造が好ましい。そして電流阻止層の導電型は、高抵抗のアンドープ層であるか、又は隣接するクラッド層と逆の導電型にすることが好ましい。また、あまり薄いと電流阻止に支障を生じる可能性があるため、０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上の厚さがあることが好ましく、素子としてのサイズ等を勘案して、０．１〜３μｍ程度の範囲から選択すればよい。そしてレーザ素子の特性向上のためには、該電流阻止層が、ＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなり、かつ該電流阻止層の屈折率が、電流路となる該リッジ構造部分の屈折率よりも小さいことがより好ましい。
【００１６】
上述のクラッド層等のドーパントの種類としては、ｐ型の層がＡｌＧａＡｓＰ系化合物層である場合にはドーピング不純物として炭素を、ｐ型の層がＡｌＧａＩｎＰ系化合物である場合にはドーピング不純物としてベリリウム及び／又はマグネシウムを用いる。又ｎ型ドーピング不純物としてはシリコンが好ましい。
【００１７】
これ以外の層としては、キャップ層１０９、コンタクト層１１０、保護層１１２等を常法に従って作製すればよい。
以下本発明を実施例を用いてより詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、実施例に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる活性層を挟むクラッド層の構造及びＰ型クラッド層のドーパントを最適化することにより、発光素子の特性及び信頼性を向上させることができ、かつ原料コストの低減も可能となる。
【実施例】
【００１９】
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。本実施例では、結晶成長法として、膜厚、組成の制御性及び量産性に優れるＭＯＶＰＥ法を用いた。使用した原料ガスはトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、ホスフィン（ＰＨ3）、アルシン（ＡｓＨ3）であり、キャリアガスとして精製により高純度化された水素（Ｈ2）ガスを使用した。
【００２０】
図１に示すような本発明のレーザーダイオードの製造に用いるエピタキシャルウェハを以下に述べる手順で製造した。まず、ｎ型ＧａＡｓ（１００）基板１０１上にｎ型ＧａＡｓバッファー層１０２（厚み０．５μｍ）、ｎ型Ａｌ0.7  Ｇａ0.3  Ａｓ第１クラッド層１０３（厚み１．０μｍ）、ｎ型（Ａｌ0.7  Ｇａ0.3）0.5  Ｉｎ0.5  Ｐ第２クラッド層１０４（厚み０．２μｍ）、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5  Ｐ活性層１０５（厚み０．０６μｍ）、
ｐ型（Ａｌ0.7  Ｇａ0.3）0.5  Ｉｎ0.5  Ｐ第３クラッド層１０６（厚み０．２μｍ）、ｐ型Ａｌ0.7  Ｇａ0.3  Ａｓ第４クラッド層１０７（厚み１．０μｍ）、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０９（厚み０．２μｍ）を順次成長させた（図３）。
【００２１】
次に、リッジを形成するためにリッジを形成する部分にＳｉＮｘ膜１１１を形成した。続いて、第４クラッド層１０７及びキャップ層１０９をエッチングし、第３クラッド層１０６の表面でエッチングを停止させた。その結果、図４に示すようなリッジが形成された。
このときＧａＡｓキャップ層及びＡｌＧａＡｓクラッド層のエッチングには、リン酸−過酸化水素系、酒石酸−過酸化水素系などが用いられる。これらのエッチングでは、ＡｌＧａＩｎＰのエッチングレートはＡｌＧａＡｓに比べて非常に遅くなるため、制御性よくリッジ外側の部分の層厚を決めることができる。
【００２２】
リッジが形成されたウェハをＭＯＣＶＤ装置に設置して、図５に示すように、ｎ型Ａｌ0.8  Ｇａ0.2  Ａｓ層１０８を電流阻止層として、キャップ層１０９を含むリッジ部の側面及びエッチングされた層１０７上にＭＯＣＶＤ法により０．８μｍ成長させる。
さらに電流阻止層１０８上に保護層としてｎ型ＧａＡｓ層１１２を０．２μｍ成長させた。このとき、Ａｌ0.8  Ｇａ0.2  Ａｓ層のＳｉＮｘ膜上への多結晶の堆積を抑制する為に成長中に微量のＨＣｌガスを成長空間に導入した。
【００２３】
図１に示すようにＳｉＮｘ膜１１１を除去した後、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０を２μｍ成長させて本発明のエピタキシャルウェハの製造を終了した。
得られたエピタキシャルウェハに電極を蒸着した後、ダイシングし、劈開により、ファブリー・ペロー面を形成してレーザダイオードを作成した。しきい値電流は２０ｍＡと非常に低く、かつ面内での均一性も２インチウェハで±５％程度と非常に良好であった。さらに従来のＡｌＧａＩｎＰリッジに対してＡｌＧａＡｓをリッジに用いたことにより、素子抵抗も約半分に低減できた。
【００２４】
上記実施例における結晶成長条件は、成長温度６５０〜７５０℃、圧力１０2 ｈＰａ、Ｖ／III 比２５〜５０（ＡｌＧａＡｓ）及び５００〜７５０（ＡｌＧａＩｎＰ，ＧａＩｎＰ）、成長速度１〜５μｍ／ｈｒ（ＡｌＧａＡｓ）及び０．５〜２μｍ／ｈｒ（ＡｌＧａＩｎＰ，ＧａＩｎＰ）であった。
上記実施例では基板側をｎ型の基板を用いたが、ｐ型基板を用いて上記の構造の各層の導電型を反転させてエピタキシャルウェハを作製させてもよい。また、結晶成長法はＭＯＶＰＥ法に限定されるものではなく、ＭＢＥ法、ＣＢＥ法等の気相成長法においても本発明は大いに有効である。
【００２５】
半導体レーザにおいては活性層の膜厚が比較的薄いために（通常０．１μｍ以下）、亜鉛およびセレンのような拡散係数の大きい不純物をドーパントに用いると、クラッド層のドーパントが、活性層を通りこして反対側の層へ拡散してしまい、レーザ特性を大きく劣化させてしまったり、再現性を大きく損なうという問題を生じ易かった。Ｚｎ拡散を抑制するための方法として、ｎ側クラッドのキャリア濃度を上げることを試みたが、表面モホロジー不良や非発光センターの増大等の結晶品質の劣化により、素子特性を悪化させてしまった。そこで、本発明のようにＡｌＧａＩｎＰクラッド層の厚みを極力薄くすることにより、トータルの不純物拡散量を低減させることができ、拡散を防止するための余分なドービングが不要になった。そのためにｎ型クラッド層のキャリア濃度を１×１０１８ｃｍ−３以下に抑えることができ、結晶品質及び素子特性を向上できる。
【００２６】
活性層を量子井戸構造等のような超薄膜にすると、上述の不純物の拡散の抑制はますます必要となる。そこで本発明では、ｐ型ＡｌＧａＡｓＰ系化合物クラッド層のドーピング不純物として炭素を、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系化合物クラッド層のドーピング不純物としてベリリウムあるいはマグネシウムを、ｎ型ＡｌＧａＡｓＰ系化合物クラッド層及びｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系化合物クラッド層のドーピング不純物としてシリコンをそれぞれ用いることにより不純物拡散をさらに低減させ、素子作製の歩留りや再現性を大きく向上させることができる。
【００２７】
又、ＡｌＧａＡｓＰ系化合物はＡｌＧａＩｎＰ系化合物と比較して、抵抗率が低い、熱抵抗が低い等の利点も有しており、電流狭窄のために形成されるリッジ部をＡｌＧａＡｓＰ系化合物にすることにより、従来の素子構造に比べて素子の動作電圧及び発熱を低減することができた。このことにより、素子の特性や信頼性の向上もはかることができた。
【００２８】
さらに、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物に特有な原子配列の秩序化によるバンドギャップの減少の抑制、すなわち発光波長の長波長化の抑制、あるいは表面モホロジーの良化及び安定化に関しては面方位を（１００）から〔０１１〕方向に５〜２５度傾斜させた第１導電型のＧａＡｓ基板を用いることが有効である。
また、発光層のＡｌ組成の低減化は、素子の信頼性、寿命の向上の点で重要であるが、これは、ＧａＡｓＰ基板を用いることにより容易に達成することができる。このときは、格子整合を取るためにＡｌＧａＡｓＰクラッドを用いればよい。
【００２９】
さらに、本発明により成長時間及び原料コストの低減かつ除害等の装置への負担の軽減を大いにはかることができ、多数枚同時成長可能な大型の量産装置による安定生産が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は本発明の発光素子の一例を示す説明図である。
【図２】図２は従来の発光素子の一例を示す説明図である。
【図３】図３は本発明の発光素子の製造方法を説明するための図である。
【図４】図４は本発明の発光素子の製造方法を説明するための図である。
【図５】図５は本発明の発光素子の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０１    基板
１０２    バッファ層
１０３    第１クラッド層
１０４    第２クラッド層
１０５    活性層
１０６    第３クラッド層
１０７    第４クラッド層
１０８    電流阻止層
１０９    キャップ層
１１０    コンタクト層
１１１    ＳｉＮｘ膜
１１２    保護層
【図１】
2005260277.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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