(57)【要約】      （修正有）【課題】低周波数と高周波数の通信システム間のアイソレーションを高める。【解決手段】低域通過フィルタと高域通過フィルタとからなる分波回路と、低域通過フィルタに接続される第１のスイッチ回路と、広域通過フィルタに接続される第２のスイッチ回路と、送信経路に設けたローパスフィルタとを有し、分波回路とローパスフィルタのＬＣ回路及びダイオードと伝送線路を主構成としたスイッチ回路の伝送線路は誘電積層体内に電極パターンにより構成し、ＬＣ回路を構成する電極パターンと伝送線路を構成する電極パターンは複数の誘電体層に亘ってビアホールを介して接続されており、分波器の高域通過フィルタを構成するコンデンサＣ２，Ｃ３，Ｃ４の電極パターンと、第１のスイッチ回路の受信経路側のλ/4伝送線路の電極パターンを接続するビアホール電極Ｈｉ，Ｈｏとの間にグラウンド電極Ｇｌ１，Ｇｌ２，Ｇｌ３を設けた高周波スイッチモジュール。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナを共用し、通過帯域が異なる複数の送受信系の送信回路又は受信回路と前記アンテナとの接続を適宜切り換える高周波スイッチモジュールであって、
前記複数の送受信系の信号を分波する低域通過フィルタと高域通過フィルタとからなる分波回路と、
前記分波回路の低域通過フィルタに接続され、送信経路と受信経路を切り換える第1のスイッチ回路と、
前記分波回路の高域通過フィルタに接続され、送信経路と受信経路を切り換える第2のスイッチ回路と、
前記第1のスイッチ回路と第2のスイッチ回路の送信経路にローパスフィルタを有し、
前記分波回路とローパスフィルタはLC回路で構成され、前記スイッチ回路はダイオードとλ/4伝送線路を主構成とし、前記分波回路とローパスフィルタのLC回路、前記スイッチ回路のλ/4伝送線路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パターンにより構成し、前記LC回路を構成する電極パターンと前記λ/4伝送線路を構成する電極パターンは、複数の誘電体層に亘ってビアホール電極を介して接続されており、
前記ダイオードとLC回路の一部を構成するチップ素子は、前記積層体上に搭載した高周波スイッチモジュールにおいて、
前記分波器の高域通過フィルタを構成する電極パターンと、前記第1のスイッチ回路を構成する電極パターンを接続するビアホール電極との間の少なくとも一部に、グラウンド電極を設けたことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
【請求項２】
前記グラウンド電極は、帯状の電極パターンで形成されてなることを特徴とする請求項１記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項３】
請求項1又は２記載の高周波スイッチモジュールを用いたことを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、2つ以上の異なる周波数の信号を1つのアンテナを共用して送受信するマルチバンド携帯電話システム等に用いられる高周波スイッチモジュール及びこれを用いた通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などのグローバル化の進展は速く、複数の周波数帯と複数の通信方式を使用した携帯電話が実用化されている。例えば欧州では、UMTS（Universal Mobile Telecommunication System）として、900 MHz帯のEGSM（Extended Global System for Mobile Communications）、1.8 GHz帯のDCS（Digital Communication System）、1.9GHz帯のPCS(Personal Communication Service)のトリプルバンド対応の携帯電話が実用化されている。
最近の携帯電話では、周波数帯と通信方式が異なるマルチバンドの端末が好まれるため、回路が複雑になり部品点数の増加、機器の大型化やコストの増加を招いている。このため、回路の集約による部品点数の削減や部品の共用化が積極的に行なわれている。アンテナの共用化は、端末の小型化に大きく寄与するので、1つのアンテナをマルチバンド間で切り換える高周波スイッチモジュールは重要な構成部品となっている。
高周波スイッチモジュールは、例えば特許文献1に開示されるように、分波回路、スイッチ回路及びローパスフィルタを主構成とし、これらを誘電体からなる積層体基板内に集約して実現している。通常、AgもしくはCuを主成分とした電極材料を、誘電体セラミックスからなるグリーンシート上に印刷し、LC回路を構成するコンデンサ、スイッチ回路を構成するλ/4伝送線路を電極パターンにより形成し、これらのグリーンシートを多層に積層した後、900℃程度で同時焼成して得られる。その後、積層体基板の上にPINダイオードやFETスイッチ等のスイッチング素子、抵抗などのチップ素子が搭載される。
【０００３】
積層体基板の小型化、高集積化により電極パターンの密集度が上がってきている。その結果、各スイッチ回路の送受信経路間のアイソレーションが十分とれなくなるという問題がある。アイソレーションは、低周波数帯と高周波数帯の異なる通信システム間の信号の漏洩、あるいは同じ通信システムの中でも送信経路と受信経路間での信号の漏洩が原因となる。これは積層体基板内の電極パターンの干渉などによっても引き起こされる。よって、アイソレーション特性を改善するには、積層体基板内の電極パターンの配置にも考慮が必要である。特許文献1では、分波回路とスイッチ回路の電極パターンの配置を別領域にすることやλ/4伝送線路をグラウンド電極で挟むこと等が提案されている。また、特許文献2では、異なる高周波回路間のノイズの影響や相互干渉を防止するためにシールド壁を積層体内に形成することが提案されている。特許文献3については下記する。
【０００４】
【特許文献１】特許第2983016号公報
【特許文献２】特開平9-130045号公報
【特許文献３】特開2002-246942号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献1、特許文献2によれば各通信システム間、また送受信経路間の相互干渉や不要高調波の漏洩を抑制してアイソレーション特性を高めることが出来る。しかしながら、更なる特性向上が求められることは常である。
また、特許文献3のように、PINダイオードとλ/4伝送線路を主構成とするスイッチ回路の他にGaAs-FETスイッチを用いた高周波スイッチ回路が提案されている。このようなスイッチ回路を複合化したモジュールでは、高集積化がすすむにつれて、内部の伝送線路間の干渉が増加する傾向にある。本願発明者が特性評価したところでは、分波回路の高域通過フィルタの電極の一部と、分波回路の低域通過フィルタに接続するスイッチ回路部の電極の一部が干渉し、挿入損失の悪化などの現象が見られた。特許文献2に記載されている方法を用いることにより、複数の回路の相互干渉を防ぐことは可能であるが、積層体内を貫通させるシールド壁を設計することは、高集積化が進んでいるモジュールにおいて、小型化を困難にするものであり、実用化は難しいのが現実である。
【０００６】
本発明は、以上の問題点に鑑み、EGSM(GSM850)、DCS、PCS等のトリプルバンド、あるいはそれ以上のマルチバンドに対応可能な高周波スイッチモジュールにおいて、分波回路の高域通過フィルタの電極と、低域通過フィルタに接続されるスイッチ回路の電極との干渉を、グラウンド電極をそれぞれの電極間に挿入することにより抑制し、これにより挿入損失の改善などを実現した。これは特許文献2に示すようにシールド壁を積層体内に設計する必要は無く、任意の層にグラウンド電極を挿入することで実現できる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、アンテナを共用し、通過帯域が異なる複数の送受信系の送信回路又は受信回路と前記アンテナとの接続を適宜切り換えるアンテナスイッチモジュールであって、前記複数の送受信系の信号を分波する低域通過フィルタと高域通過フィルタとからなる分波回路と、前記分波回路の低域通過フィルタに接続され、送信経路と受信経路を切り換える第1のスイッチ回路と、前記分波回路の広域通過フィルタに接続され、送信経路と受信経路を切り換える第2のスイッチ回路と、前記第1のスイッチ回路と第2のスイッチ回路の送信経路にローパスフィルタを有し、前記分波回路とローパスフィルタはLC回路で構成され、前記スイッチ回路はダイオードとλ/4伝送線路を主構成とし、前記分波回路とローパスフィルタのLC回路、前記スイッチ回路のλ/4伝送線路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パターンにより構成し、前記LC回路を構成する電極パターンと前記λ/4伝送線路を構成する電極パターンは、複数の誘電体層に亘ってビアホール電極を介して接続されており、前記ダイオードとLC回路の一部を構成するチップ素子は、前記積層体上に搭載したアンテナスイッチモジュールにおいて、前記分波器の高域通過フィルタを構成する電極パターンと、前記第1のスイッチ回路を構成する電極パターンを接続するビアホール電極との間の少なくとも一部に、グラウンド電極を設けた高周波スイッチモジュールである。
【０００８】
誘電体積層基板のシートに形成したコンデンサあるいは伝送線路の電極パターンは上下の複数の層に亘って設けられており、これらはビアホール電極で相互に接続されている。従来、シート上の電極パターンによる干渉防止については配慮がなされていたが、層間を繋ぐビアホール電極までには到っていなかった。本発明は、この点に着目しビアホール電極と電極パターン間の干渉の抑制を図り、アイソレーション特性のさらなる向上を目指すものである。
具体的には、分波器の高域通過フィルタを構成するコンデンサの電極パターンと、第１のスイッチ回路の受信経路側のλ/4伝送線路を構成する電極パターンを接続するビアホール電極との間にグラウンド電極を設けるもので、このグラウンド電極は、電極パターンとビアホール電極との間を隔てるように帯状となすことが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、アイソレーション特性に優れ、挿入損失の小さい高周波スイッチモジュールとなる。また、これを用いた携帯電話等の通信機は小型で消費電力の小さいものを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の高周波スイッチモジュールの実施例を図面を参照して説明する。
図1はEGSM、DCS、PCSトリプルバンドの高周波スイッチモジュールの等価回路を示し、図2はEGSM、GSM850、DCS、PCSクワッドバンドの高周波スイッチモジュールの等価回路を示す。図3は誘電体シートのうち本発明に係わる要部のシートを抜き出した展開図である。
【００１１】
先ず、トリプルバンドの高周波スイッチモジュールの回路について図1を用いて説明する。図1において分波器（ダイプレクサ）Dipは、伝送線路L1〜L3およびコンデンサC1〜C4により構成される。伝送線路L2とコンデンサC1は直列共振回路を形成し、DCS帯域（送信周波数：1710〜1785MHz、受信周波数：1805〜1880MHz）及びPCS帯域（送信周波数：1850〜1910MHz、受信周波数：1930〜1990MHz）で減衰量が得られるようにする。本例では前記周波数帯のほぼ中心である1.8GHzに共振周波数をあわせた。伝送線路L1はDCS/PCS系の信号の周波数にとって高インピーダンスになるように線路長を設計し、伝送線路L2とコンデンサC1により低域通過フィルタF1を構成し、DCS/PCS系の信号がEGSM系の経路への漏洩を抑制する。
一方、伝送線路L3とコンデンサC3は直列共振回路を形成し、EGSM帯域(送信周波数：880〜915MHz、受信周波数：925〜960MHz)に減衰量が得られるようにする。本例では前記周波数帯域のほぼ中心である0.9GHzに共振周波数をあわせた。コンデンサC2,C4はEGSM系の信号の周波数にとって高インピーダンスになるように比較的小さい容量値に設定するのが好ましい。これらの伝送線路L3とコンデンサC3及びC2、C4により高域通過フィルタF2を構成し、EGSM系の信号がDCS/PCS系の経路への漏洩を抑制する。
以上の低域通過フィルタ回路F1と高域通過フィルタ回路F2を組み合わせることにより、EGSM系の信号とDCS/PCS系の信号の分波回路を設計している。尚、インダクタLs1は静電気対策のために設けている。
【００１２】
第１のスイッチ回路SW1は、コンデンサC5、C6、伝送線路L5、L6、PINダイオードD1、D2、および抵抗R1により構成される。伝送線路L5、L6はEGSMの送信周波数帯においてλ/4共振器となるように伝送線路の長さを設定する。ただし、伝送線路L5はEGSMの送信周波数においてグランドレベルがオープン（高インピーダンス状態）に見える程度のチョークコイルでも代用可能である。抵抗R1はコントロール電源VC1がHigh状態での第1、第2のダイオードD1、D2に流れる電流値を決定する。コンデンサC5はコントロール電源のDCカットコンデンサである。またC6はDCカットコンデンサであり、ダイオードがON状態のときに、ダイオードD2とコンデンサC6はEGSMの送信周波数で共振点をもつ直列共振回路となる役割をもつ。
以上によりコントロール電源VC1がHighの時には、第1、第2のダイオードD1、D2は共にONとなり、送信周波数において第2のダイオードD2と伝送線路L6の接続点（Ho）がグランドレベルとなり、λ/4共振器である伝送線路L6の反対側（Hi）のインピーダンスが無限大となる。したがって、コントロール電源VC1がHighの時にはEGSM_Txポートから入力された信号はEGSM_Rx系にほとんど漏洩することはなく、分波回路に伝達される。
一方、コントロール電源VC1がLowの時には、ダイオードD1,D2はオフ状態となり、ダイプレクサを通過した信号は、EGSM Tx経路にほとんど漏洩することはなく、EGSM_Rxポートに伝達される。以上の構成により、EGSM信号の送受信の切り換えが可能となる。
【００１３】
第2のスイッチ回路SW2は、コンデンサC7〜C10、伝送線路L7〜L10、PINダイオードD3〜D6、および抵抗R2、R3により構成される。伝送線路L7〜L10はDCS/PCSの信号の周波数においてλ/4共振器となるように伝送線路の長さを設定する。ただし、伝送線路L7、L9はそれぞれDCSの送信周波数、PCSの受信周波数においてグランドレベルがオープン（高インピーダンス状態）に見える程度のチョークコイルでも代用可能である。抵抗R2はコントロール電源VC2がHigh状態での第3、第4のダイオードD3、D4に流れる電流値を決定する。抵抗R3はコントロール電源VC3がHigh状態での第5、第6のダイオードD5、D6に流れる電流値を決定する。コンデンサC8はコントロール電源VC2,VC3のDCカットコンデンサである。またコンデンサC7はDCカットコンデンサであり、かつダイオードD3,D4がON状態のときに、ダイオードD4とコンデンサC7はDCS/PCS帯域の送信周波数で共振点をもつ直列共振回路となる。同様にコンデンサC10はダイオードD5,D6がON状態のときに、ダイオードD6とコンデンサC10はPCS帯域の受信周波数で共振点をもつ直列共振回路となる。
以上によりコントロール電源VC2がHighの時には、第3、第4のダイオードD3、D4は共にONとなり、第４のダイオードD4と伝送線路L8の接続点がグランドレベルとなり、λ/4共振器である伝送線路L8の反対側のインピーダンスが無限大となる。したがって、コントロール電源VC2がHighの時には、DCS/PCS_Txポートから入力された信号は、DCS_Rx、PCS_Rx回路にほとんど漏洩することはなく、分波回路に伝達される。同様にダイオードD3,D4がオフ状態で、電源コントロールVC3をオン/オフにすることにより、アンテナから入力されたDCS_Rx信号ならびにPCS_Rx信号を他の経路にほとんど漏洩させることなく、伝達することができる。
以上の構成により、コントロール端子VC2がHighの時にはDCS/PCS_Txへ、コントロール端子VC2、VC3がそれぞれLow、Highの時にはPCS_Rxへ、コントロール端子VC2およびコントロール端子VC3がLowの時にはDCS_Rxへの切り換えが可能となる。
【００１４】
第1のローパスフィルタLPF1は、伝送線路L11およびコンデンサC11〜C13より構成されるπ型のローパスフィルタである。ここでL11とC11は並列共振回路を構成し、その共振周波数はEGSMの送信周波数の2倍もしくは3倍の周波数に設定する。本実施例では送信周波数の約3倍の2.7GHz付近に設定した。以上の構成によりパワーアンプから入力されるEGSM帯域の送信信号から入力された送信信号に含まれる高調波信号を低減できる。
【００１５】
第2のローパスフィルタLPF2は、伝送線路L12およびコンデンサC14〜C16より構成されるπ型のローパスフィルタである。ここで伝送線路L12とコンデンサC14は並列共振回路を構成し、その共振周波数はDCS/PCS送信周波数の2倍もしくは3倍の周波数に設定する。本実施例では送信周波数の約2倍の3.6GHz付近に設定した。以上の構成によりパワーアンプから入力されるDCS/PCS_Txポートから入力された送信信号に含まれる高調波歪みを除去できる。
【００１６】
次に、EGSM系をさらにGSM850(送信周波数：824〜849MHz、受信周波数：869〜894MHz)とEGSMに分けて、クワッドバンド対応とすることもできる。この例を図2に示す。図1と同じ構成については同一符号を付して説明は省略する。
すなわちこの例では、第１のスイッチ回路SW1の受信経路の後段にSPDTのGaAs-FETスイッチからなる第3のスイッチ回路SW3を設け、EGSM RxとGSM850 Rxとを切り換えるようにしている。また、第2のスイッチ回路SW2の受信経路の後段にSPDTのGaAs-FETスイッチからなる第4のスイッチ回路SW4を設け、DCS RxとPCS Rxとを切り換えるようにしている。このとき、スイッチ回路SW3、SW4の制御はコントロール端子VC3、VC4で行うが、スイッチSW3とSW4を同時にスイッチングさせるような回路構成とすることにより、電源端子の共通化と端子数の削減が可能となる。この構成によれば送信時の大電力信号は耐電力特性の優れたPINダイオードスイッチを通過するので、送信信号に歪を発生することがなく、またGaAs-FETスイッチは受信信号の+10dBm程度の小信号のスイッチング素子として使用されるため、GaAs-FETスイッチの問題点であった耐電力特性は問題にならない。
この実施例の特徴は、PINダイオードを用いたスイッチ回路に必要なλ/4伝送線路の電極パターンや抵抗等のチップ素子が不要となりモジュールの簡素化が図れること、また、2つのGaAs-SWのコントロール電源端子VC3、VC4を共通化することができ、4つのコントロール電源端子で済むことである。これにより、モジュールの小型化、制御ロジックの簡素化が図られる。
しかし、従来サイズの形状を保ったまま、新たにGSM850システムにも対応したクアッドバンド対応のアンテナスイッチモジュールを設計した場合には、トリプルバンド対応のアンテナスイッチモジュールよりも多くの伝送線路などを積層体内に作製する必要があり、各経路間での信号の干渉が大きくなるという問題が生じた。そのため下記で説明するように図2で示した高周波側の電極部（A部）と、第１のスイッチ回路の電極部（B部）との干渉を、それぞれの電極部の間に本発明のグラウンド電極を挿入することにより、抑制することができる。
【００１７】
さて、上記した図１または図2の回路において、分波器のLC回路、スイッチ回路の伝送線路、ローパスフィルタのLC回路は、誘電体積層基板内に電極パターンにより内蔵し、スイッチ回路の一部を構成するPINダイオード、抵抗、コンデンサ、インダクタ、GaAs-FETスイッチ等のチップ部品は積層基板の上に搭載して高周波スイッチモジュールを構成する。
そこで、図3では、図1、図2の回路のうち点線丸枠A,Bで示した本発明に関与する電極パターンを形成したグリーンシートについて抜き出し、これらについて具体的に説明する。
【００１８】
グリーンシート1の一部には、分波回路Dipの高域通過フィルタF2を構成するコンデンサの電極パターンC4と第1のスイッチ回路SW1のλ/4伝送線路L6に接続されるビアホール電極Hi、Hoが形成されており、両者の間にコンデンサ電極C4とビアホール電極Hi、Hoを隔てるように鉤状に曲がった帯状グラウンド電極Gl1を形成している。伝送線路l6の電極パターンはグリーンシート1より上のシートに形成されており、ビアホール電極Hiは、コンデンサC5の電極パターンとλ/4伝送線路L6の電極パターンを繋ぐ入力ポート用電極であり、ビアホール電極Hoは、λ/4伝送線路L6の電極パターンとダイオードD1、D2を繋ぐ出力ポート用電極となっている（図1、図2の点線丸枠Ｂで示す箇所に相当する）。グラウンド電極Gl1は4つのビアホール電極によりグラウンド電極Gl2、Gl3に繋がっており、最終的には最下層のグラウンド電極に接続されている。
グリーンシート2の一部には、分波回路Dipの高域通過フィルタF2を構成するコンデンサの電極パターンC3と第１のスイッチ回路SW1のλ/4伝送線路L6に接続されるビアホール電極Hi、Hoがそれぞれ形成されている。また、両者の間に鉤状に曲がった帯状グラウンド電極Gl2を設けている。ビアホール電極HiとHoは、それぞれ入力ポート用電極と出力ポート用電極である。
同様にグリーンシート3の一部には、分波回路Dipの高域通過フィルタF2を構成するコンデンサの電極パターンC2と第1のスイッチ回路SW1のλ/4伝送線路L6に接続されるビアホール電極Hi、Hoがそれぞれ形成され、両者の間に鉤状に曲がった帯状グラウンド電極Gl3を設けている。また、同様にビアホール電極HiとHoは、それぞれ入力ポート用電極と出力ポート用電極である。
以上のように、分波回路の高域通過フィルタF2を構成するコンデンサの電極パターンと第１のスイッチ回路のλ/4伝送線路に接続されるビアホール電極との間にグラウンド電極を設けることによって、アイソレーション特性が向上することが確認された。この理由は、GSM850/EGSM Txポートから入力された信号が、第1のスイッチ回路のλ/4伝送線路のHi1〜3から、分波回路の高域通過フィルタF2へ漏洩することにより、入力された信号は分波回路の低域通過フィルタを通過しないため、本来伝送線路L2とコンデンサC1で形成される直列共振回路にて減衰される高調波成分が減衰されなかったためである。本発明ではこの漏洩を抑制することにより、高調波成分の減衰量を改善することができる。またANTポートから入力されたEGSM信号ならびにGSM850信号も同様の理由で、信号の漏洩を防ぐことができる。
また、Ho1〜3の右上部と左上部にスルーホールTE1とTE2を設けることにより、信号の干渉をレイヤーの電極部だけでなく、レイヤー間を導通するスルーホールでの干渉も抑制している。
【００１９】
図２の高周波スイッチモジュールにおいて、分波回路の高域通過フィルタ部と、低域通過フィルタに接続されるスイッチ回路部との間にグラウンド電極ならびにスルーホールを挿入したもの本発明例と、挿入しなかった従来例の特性データの比較を図４と図５に示す。本実施例では、ANT→EGSM Rx経路の挿入損失特性を図４に、DCS/PCS Tx→EGSM Rx経路への挿入損失特性を図５に示した。
図４で示したANT→EGSM Rx経路について説明する。グラウンド電極を挿入していないモジュールでは、ANT→EGSM Rxモードで1650MHzにおける減衰量が約22dB程度である。ここで積層体内の分波回路とスイッチ回路との間にGND電極とスルーホールを作製することにより、減衰量は30dBに改善した。またこれにより、通過帯域の挿入損失も0.05dB程度改善できた。
次に、図５で示したDCS/PCS Tx→EGSM Rxモードについて説明する。グラウンド電極を挿入していないモジュールでは、1650MHzでの減衰量が約22dBであり、減衰極が見られないことから、分波回路の高周波側とスイッチ回路の低周波側が干渉を起こしていることが推測される。ここで積層体内の分波回路とスイッチ回路との間にGND電極とスルーホールを作製したところ、分波回路の直列共振回路による減衰極がはっきりと現れ、減衰量は36dBと大幅に改善することができた。
【００２０】
今回はスルーホール電極も併せて作製したが、GND電極を分波回路とスイッチ回路との間に挿入するだけでも干渉を抑制することができる。GND電極を帯状の電極で作製した場合には、電極のライン幅は0.05mm程度まで狭めることが可能であり、そのため他の回路の設計パターンにほとんど変更を加えることなく、グラウンド電極を設計することが可能である。
尚、本発明においてPINダイオードはP型領域とN型領域との間に高比抵抗層（Intrinsic層：真性半導体層）を挟んだPIN接合からなるダイオードであればよく、Si系に限定されず、他の材料系の半導体ダイオードも使える。更に本実施例ではSW3、およびSW4にはGaAs-FETを使用したが、他にもAlGaAs系、SiGe系、CMOS系なども適用可能であり、FETデバイスであれば材料および半導体製造プロセスなどを限定するものではない。
【産業上の利用可能性】
【００２１】
本発明の高周波スイッチモジュールは、携帯電話やＰＤＡ等の情報端末などの通信機に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に係る一実施例の高周波スイッチモジュールの等価回路図である。
【図２】本発明に係る他の実施例の高周波スイッチモジュールの等価回路図である。
【図３】本発明に係る高周波スイッチモジュールの積層体の要部グリーンシートを抜き出した展開図である。
【図４】本発明に係るEGSM送信経路からPCS/DCS受信経路へのアイソレーション特性を示す図である。
【図５】GSM850/EGSM送信経路からGSM850受信経路へのアイソレーションの改善効果を示す特性線図である。
【符号の説明】
【００２３】
Dip：ダイプレクサ（分波器）
SW：スイッチ回路
LPF：ローパスフィルタ回路
L：λ/4伝送線路
Ls：インダクタ
C：コンデンサ
Ｄ（D1〜D6）：PINダイオード
SW3、SW4：SPDTGaAs-FETスイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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