(57)【要約】【課題】  小型・薄型であることを損なうことなく、温度特性の変動も製造ばらつきに起因した誤差も補償することのでき、しかも、構成が極めて簡易な温度補償回路を備えた可変減衰器及びそれを内蔵してなるモジュールならびに通信装置を提供する。【解決手段】  この可変減衰器１−１は、可変減衰器本体１０と温度補償回路２０とでなり、可変減衰器本体１０の第１のＭＥＳＦＥＴ１１と同構造の第２のＭＥＳＦＥＴ２１を温度補償回路２０に設けた。この第２のＭＥＳＦＥＴ２１は、ゲートＧを一端とし、ソースＳ及びドレインＤを他端として、電流Ｉｄが、金属・半導体ショットキー接触を介してこれら両端の間を流れるように回路構成されている。したがって、この温度補償回路２０内では、第２のＭＥＳＦＥＴ２１は等価回路的にショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）として機能する。【選択図】図１
2005244877.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子からの入力信号を基準電圧及び制御電圧に基づいて減衰させて出力端子から出力する可変減衰器本体と、基準電圧電源から入力される定基準電圧をシフトさせて上記基準電圧とし且つ当該基準電圧を上記可変減衰器本体に対して入力する温度補償回路とを有する可変減衰器であって、
上記可変減衰器本体は、ゲートが第１の抵抗素子を介して上記制御電圧が入力される制御電圧入力端子に接続され、ドレインが第１のキャパシタンスを介して上記入力端子に接続されると共に第２の抵抗素子を介して上記温度補償回路に接続され、ソースが第３の抵抗素子を介して上記温度補償回路に接続されると共に第２のキャパシタンスを介して上記出力端子に接続された第１のＭＥＳＦＥＴを備えてなり、
上記温度補償回路は、ゲートが上記基準電圧電源に接続され、ドレインまたはソースのうち少なくとも一方が第４の抵抗素子を介して接地または定電圧電源に接続されると共に上記可変減衰器本体における上記第２の抵抗素子及び上記第３の抵抗素子に接続された第２のＭＥＳＦＥＴを備えてなり、上記基準電圧が、上記第２の抵抗素子及び上記第３の抵抗素子をそれぞれ介して上記第１のＭＥＳＦＥＴのソース及びドレインにそれぞれ入力するものである、
ことを特徴とする可変減衰器。
【請求項２】
上記可変減衰器本体が、上記第１のＭＥＳＦＥＴのソースと上記第２のキャパシタンスとの間に介挿された誘導素子と、一端が上記第１のＭＥＳＦＥＴのドレインに接続されると共に他端が上記誘導素子と上記第２のキャパシタンスとに接続された容量素子とを備えた共振型の可変減衰器である、
ことを特徴とする請求項１記載の可変減衰器。
【請求項３】
入力端子からの入力信号を基準電圧及び制御電圧に基づいて減衰させて出力端子から出力する可変減衰器本体と、基準電圧電源から入力される定基準電圧をシフトさせて上記基準電圧とし且つ当該基準電圧を上記可変減衰器本体に対して入力する温度補償回路とを有する可変減衰器であって、
上記可変減衰器本体は、ドレインが第１のキャパシタンスを介して上記入力端子に接続されると共に第２の抵抗素子を介して上記制御電圧が入力される制御電圧入力端子に接続され、ソースが第３の抵抗素子を介して上記制御信号が入力される上記制御電圧入力端子に接続されると共に第２のキャパシタンスを介して上記出力端子に接続され、ゲートが第１の抵抗素子を介して上記温度補償回路に接続された第１のＭＥＳＦＥＴを備えてなり、
上記温度補償回路は、上記基準電圧電源に接続された第４の抵抗素子と、ゲートが上記第４の抵抗素子に接続されると共に上記可変減衰器本体の上記第１の抵抗素子に接続され且つドレインまたはソースのうち少なくとも一方が接地または定電圧電源に接続された第２のＭＥＳＦＥＴとを備えてなり、上記基準電圧が、上記第１の抵抗素子を介して上記第１のＭＥＳＦＥＴのゲートに入力するものである、
ことを特徴とする可変減衰器。
【請求項４】
上記可変減衰器本体が、上記第１のＭＥＳＦＥＴのソースと上記第２のキャパシタンスとの間に介挿された誘導素子と、一端が上記第１のＭＥＳＦＥＴのドレインに接続されると共に他端が上記誘導素子と上記第２のキャパシタンスとに接続された容量素子とを備えた共振型の可変減衰器である、
ことを特徴とする請求項３記載の可変減衰器。
【請求項５】
入力端子からの入力信号を制御電圧に基づいて減衰させて出力端子から出力する可変減衰器本体と、外部から入力される制御入力電圧をシフトさせて制御電圧とし且つ当該制御電圧を上記可変減衰器本体に対して入力する温度補償回路とを有する可変減衰器であって、
上記可変減衰器本体は、ゲートが第１の抵抗素子を介して接地または定電圧電源に接続され、ドレインが第１のキャパシタンスを介して上記入力端子に接続されると共に第２の抵抗素子を介して上記温度補償回路に接続され、ソースが第２のキャパシタンスを介して上記出力端子に接続されると共に第３の抵抗素子を介して上記温度補償回路に接続された第１のＭＥＳＦＥＴを備えてなり、
上記温度補償回路は、接地または定電圧電源に接続された第４の抵抗素子と、ゲートが上記制御入力電圧が入力される制御入力電圧入力端子に接続され、ドレインまたはソースのうち少なくとも一方が上記第４の抵抗素子を介して接地または定電圧電源に接続されると共に上記可変減衰器本体における上記第２の抵抗素子及び上記第３の抵抗素子に接続された第２のＭＥＳＦＥＴを備えてなり、上記制御電圧が、上記第２の抵抗素子及び上記第３の抵抗素子をそれぞれ介して上記第１のＭＥＳＦＥＴのソース及びドレインにそれぞれ入力するものである、
ことを特徴とする可変減衰器。
【請求項６】
上記可変減衰器本体が、上記第１のＭＥＳＦＥＴのソースと上記第２のキャパシタンスとの間に介挿された誘導素子と、一端が上記第１のＭＥＳＦＥＴのドレインに接続されると共に他端が上記誘導素子と上記第２のキャパシタンスとに接続された容量素子とを備えた共振型の可変減衰器である
ことを特徴とする請求項５記載の可変減衰器。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の可変減衰器と、
上記可変減衰器の上記出力端子に接続されて、上記出力端子から出力される上記減衰された信号を増幅して出力する増幅器と、
を備えたことを特徴とするモジュール。
【請求項８】
外部から信号が入力され、当該信号を変調して出力する変調器と、
上記変調器に接続されて、上記変調器から変調して出力される信号をコンバートするアップコンバータと、
上記アップコンバータに接続されて、上記アップコンバータから出力される信号を減衰させる請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の可変減衰器と、
上記可変減衰器の上記出力端子に接続されて、上記出力端子から出力される上記減衰された信号を増幅して出力する増幅器と、
上記増幅器から出力される信号を送信するアンテナと、
を備えたことを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、温度ドリフト及び製造ばらつきに起因した減衰特性の変動を補償する減衰特性補償回路を備えた可変減衰器及びそれを内蔵してなるモジュール並びに通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＳＦＥＴ(Metal Electrode Semiconductor Field Effect Transistor)では、ドレイン−ソース間の通過特性（インピーダンス特性）が、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応して変化する。このようなＭＥＳＦＥＴの通過特性の可変性を利用して、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓをコントロールすることで所望の減衰量を得ることができるようにした可変減衰器が、例えば携帯電話機のような電子機器等に用いられている。  
しかし、このようなＭＥＳＦＥＴを用いた可変減衰器では、温度変化に起因して減衰特性が変動してしまう場合がある。
【０００３】
そこで、図３８に示すように、温度変化に起因したＭＥＳＦＥＴ１０１のドレインＤ−ソースＳ間の減衰特性の変動を補償するための温度補償回路１１０を、可変減衰器本体１００に付設する、という技術が提案されている（例えば特許文献１）。
この技術によれば、可変減衰器本体１００におけるＭＥＳＦＥＴ１０１のゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓを、減衰量制御電圧Ｖｃｎｔ（以下、単に制御電圧Ｖｃｎｔと略称する）によって制御することで、減衰量を制御する。他方、温度補償回路１１０の主要部を構成するダイオード素子１１１の温度特性を利用して、ＭＥＳＦＥＴ１０１のゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓを温度変化に対応させて制御することで、温度変化に起因したドレインＤ−ソースＳ間の減衰特性の変動を補償する。
具体的には、ダイオード素子１１１のアノード１１２に対して定電圧レベルのバイアス電圧である定基準電圧Ｖｒｅｆを印加し、そのＶｒｅｆをダイオード素子１１１における温度特性変化によってシフトさせてＶｒｅｆ’とし、このＶｒｅｆ’を基準電圧としてカソード１１３と抵抗素子Ｒ４との接続点電圧として出力する。これにより、基準電圧Ｖｒｅｆ’が、抵抗素子Ｒ２及び抵抗素子Ｒ３をそれぞれ介してＭＥＳＦＥＴ１０１のドレインＤ及びソースＳに印加される。その結果、ＭＥＳＦＥＴ１０１のゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓは、Ｖｇｓ＝Ｖｃｎｔ−Ｖｒｅｆ’となる。すなわち、温度変化に対応して変化する基準電圧Ｖｒｅｆ’によって、減衰量の変動を抑制する方向にＶｇｓを変化させて、温度変化に起因した減衰量の変動を補償する。
ところが、上記のような温度変化に起因した減衰量の変動とは別に、製造工程で生じる種々のプロセス上のばらつき等に起因して、同じ設計のものであっても、個々の製品としての可変減衰器本体１００ごとでの減衰量に、ばらつき（設計値に対する誤差または器差）が生じる場合がある。このような場合、上記のようなダイオード素子１１１を用いた温度補償回路１１０では、個々の可変減衰器本体１００ごとの減衰量のばらつきを補償することはできない。
【０００４】
そこで、このような個々の可変減衰器ごとでの減衰量のばらつきを補償することのできる温度補償回路を付設するという技術が提案されている（例えば特許文献２）。
この技術によれば、図３９に示すように、可変減衰器本体１００のＭＥＳＦＥＴ１０１と並行して同一の製造プロセスで、同じ積層構造を有するものとして、ＭＥＳＦＥＴ１２０を温度補償回路１１０内に作り込む。具体的には、温度補償回路１１０に設けたＭＥＳＦＥＴ１２０のソースＳ−ドレインＤを、バイアス電圧（定基準電圧）Ｖｒｅｆが入力される定基準電圧入力端子１２１と基準電圧Ｖｒｅｆ’の出力端子１２２との間に介挿して、ＭＥＳＦＥＴ１２０のドレインＤ−ソースＳと抵抗素子Ｒ４とが定基準電圧入力端子１２１とＧＮＤ（接地）との間で直列的に接続された回路構成にする。
ＭＥＳＦＥＴ１２０は、可変減衰器本体１００のＭＥＳＦＥＴ１０１と同じ製造プロセスで同じ積層構造のものとして作製されたのであるから、両者は同じまたは相似の温度特性やしきい値電圧特性を有している。したがって、製造ばらつきに起因したしきい値電圧の誤差の発生具合は、ＭＥＳＦＥＴ１０１とＭＥＳＦＥＴ１２０とで、同じまたは相似したものとなる。これにより、ＭＥＳＦＥＴ１２０のしきい値電圧に生じた誤差によって、ＭＥＳＦＥＴ１０１のしきい値電圧に生じた誤差を補償することができる。また、ＭＥＳＦＥＴ１２０は上記ダイオード素子１１０と同様に、温度補償機能を有しているので、温度変化に起因したＭＥＳＦＥＴ１０１の減衰量の変動についても補償することができる。
【０００５】
【特許文献１】特開昭６２−２７３７８７号公報
【特許文献２】特開２０００−２８６６７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記した後者の従来技術（特許文献２）に係る可変減衰器では、温度補償回路１１０において、ゲートＧとドレインＤとに接続された抵抗素子Ｒ５を備えたＭＥＳＦＥＴ１２０と、抵抗素子Ｒ４とを、直列的に接続した構造になっているので、前者の従来技術（特許文献１）と比較しても、温度補償回路１１０における素子構成が多くなるという問題がある。
すなわち、例えば携帯電話機のような携帯用の通信機器や電子機器等では、近年、さらなる小型化・軽量化が強く要請されているので、それに用いられる可変減衰器のような電子部品についても、さらなる厳しい小型化が要求される傾向にある。このため、可変減衰器にさらに補器的に付設される温度補償回路などについては、特に、抵抗素子Ｒ４のような抵抗素子一つでも素子数を削減して回路構成を極限まで簡易化することが、厳しく要請される。
【０００７】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、小型・薄型であることを損なうことなく、温度特性の変動も製造ばらつきに起因した誤差も補償することのでき、しかも、構成が極めて簡易な温度補償回路を備えた可変減衰器及びそれを内蔵してなるモジュール並びに通信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、入力端子からの入力信号を基準電圧及び制御電圧に基づいて減衰させて出力端子から出力する可変減衰器本体と、基準電圧電源から入力される定基準電圧をシフトさせて基準電圧とし且つ当該基準電圧を可変減衰器本体に対して入力する温度補償回路とを有する可変減衰器であって、可変減衰器本体は、ゲートが第１の抵抗素子を介して制御電圧が入力される制御電圧入力端子に接続され、ドレインが第１のキャパシタンスを介して入力端子に接続されると共に第２の抵抗素子を介して温度補償回路に接続され、ソースが第３の抵抗素子を介して温度補償回路に接続されると共に第２のキャパシタンスを介して出力端子に接続された第１のＭＥＳＦＥＴを備えてなり、温度補償回路は、ゲートが基準電圧電源に接続され、ドレインまたはソースのうち少なくとも一方が第４の抵抗素子を介して接地または定電圧電源に接続されると共に可変減衰器本体における第２の抵抗素子及び第３の抵抗素子に接続された第２のＭＥＳＦＥＴを備えてなり、基準電圧が、第２の抵抗素子及び第３の抵抗素子をそれぞれ介して第１のＭＥＳＦＥＴのソース及びドレインにそれぞれ入力するものである構成とした。
かかる構成により、減衰対象の入力信号が可変減衰器本体における第１のＭＥＳＦＥＴに入力されると、第１のＭＥＳＦＥＴでは、ソース−ドレイン間の導通特性が基準電圧及び制御電圧に基づいて制御され、入力信号が、その導通特性に対応した減衰量で減衰される。このとき、第１のＭＥＳＦＥＴの導通特性は、温度変化や製品ごとのばらつきに起因して変動することがあるが、温度補償回路に入力される定基準電圧は、第２のＭＥＳＦＥＴ及び第４の抵抗素子によって、第１のＭＥＳＦＥＴにおける温度変化や製造ばらつきに起因した減衰量の誤差を低減ないしは解消する方向にシフトされ、基準電圧として出力される。そして、この基準電圧は、第２の抵抗素子及び第３の抵抗素子をそれぞれ介して第１のＭＥＳＦＥＴのソース及びドレインにそれぞれ印加される。第１のＭＥＳＦＥＴでは、上記のようにしてシフトされた基準電圧に基づいて、ソース及びドレインとゲートとの間の電圧が、温度変化や製造ばらつきに起因した減衰量の誤差を補償する方向にシフトされる。その結果、可変減衰器本体における第１のＭＥＳＦＥＴでの温度変化や製造ばらつきに起因した減衰量の誤差が補償される。
【０００９】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の可変減衰器において、可変減衰器本体が、第１のＭＥＳＦＥＴのソースと第２のキャパシタンスとの間に介挿された誘導素子と、一端が第１のＭＥＳＦＥＴのドレインに接続されると共に他端が誘導素子と第２のキャパシタンスとに接続された容量素子とを備えた共振型の可変減衰器である構成とした。
かかる構成により、可変減衰器本体が共振型のものとなり、その可変減衰器本体における減衰機能がさらに増強される。
【００１０】
また、請求項３の発明は、入力端子からの入力信号を基準電圧及び制御電圧に基づいて減衰させて出力端子から出力する可変減衰器本体と、基準電圧電源から入力される定基準電圧をシフトさせて基準電圧とし且つ当該基準電圧を可変減衰器本体に対して入力する温度補償回路とを有する可変減衰器であって、可変減衰器本体は、ドレインが第１のキャパシタンスを介して入力端子に接続されると共に第２の抵抗素子を介して制御電圧が入力される制御電圧入力端子に接続され、ソースが第３の抵抗素子を介して制御信号が入力される制御電圧入力端子に接続されると共に第２のキャパシタンスを介して出力端子に接続され、ゲートが第１の抵抗素子を介して温度補償回路に接続された第１のＭＥＳＦＥＴを備えてなり、温度補償回路は、基準電圧電源に接続された第４の抵抗素子と、ゲートが第４の抵抗素子に接続されると共に可変減衰器本体の第１の抵抗素子に接続され且つドレインまたはソースのうち少なくとも一方が接地または定電圧電源に接続された第２のＭＥＳＦＥＴとを備えてなり、基準電圧が、第１の抵抗素子を介して第１のＭＥＳＦＥＴのゲートに入力するものである構成とした。
かかる構成により、減衰対象の入力信号が可変減衰器本体における第１のＭＥＳＦＥＴに入力されると、第１のＭＥＳＦＥＴでは、ソース−ドレイン間の導通特性が基準電圧及び制御電圧に基づいて制御され、入力信号がその導通特性に対応した減衰量で減衰される。このとき、第１のＭＥＳＦＥＴの導通特性は、温度変化や製品ごとのばらつきに起因して変動することがあるが、温度補償回路に入力される定基準電圧は、第２のＭＥＳＦＥＴ及び第４の抵抗素子によって、第１のＭＥＳＦＥＴにおける温度変化や製造ばらつきに起因した減衰量の誤差を低減ないしは解消する方向にシフトされ、基準電圧として出力される。そして、その基準電圧は、第２の抵抗素子及び第３の抵抗素子をそれぞれ介して第１のＭＥＳＦＥＴのソース及びドレインにそれぞれ印加される。そして、第１のＭＥＳＦＥＴでは、上記のようにしてシフトされた基準電圧に基づいて、ソース及びドレインとゲートとの間の電圧が、温度変化や製造ばらつきに起因した減衰量の誤差を補償する方向にシフトする。その結果、可変減衰器本体における第１のＭＥＳＦＥＴでの温度変化や製造ばらつきに起因した減衰量の誤差が補償される。
【００１１】
また、請求項４の発明は、請求項３に記載の可変減衰器において、可変減衰器本体が、第１のＭＥＳＦＥＴのソースと第２のキャパシタンスとの間に介挿された誘導素子と、一端が第１のＭＥＳＦＥＴのドレインに接続されると共に他端が誘導素子と第２のキャパシタンスとに接続された容量素子とを備えた共振型の可変減衰器である構成とした。
かかる構成により、可変減衰器本体が共振型のものとなり、その可変減衰器本体における減衰機能がさらに増強される。
【００１２】
請求項５の発明は、入力端子からの入力信号を制御電圧に基づいて減衰させて出力端子から出力する可変減衰器本体と、外部から入力される制御入力電圧をシフトさせて制御電圧とし且つ当該制御電圧を可変減衰器本体に対して入力する温度補償回路とを有する可変減衰器であって、可変減衰器本体は、ゲートが第１の抵抗素子を介して接地または定電圧電源に接続され、ドレインが第１のキャパシタンスを介して入力端子に接続されると共に第２の抵抗素子を介して温度補償回路に接続され、ソースが第２のキャパシタンスを介して出力端子に接続されると共に第３の抵抗素子を介して温度補償回路に接続された第１のＭＥＳＦＥＴを備えてなり、温度補償回路は、接地または定電圧電源に接続された第４の抵抗素子と、ゲートが制御入力電圧が入力される制御入力電圧入力端子に接続され、ドレインまたはソースのうち少なくとも一方が第４の抵抗素子を介して接地または定電圧電源に接続されると共に可変減衰器本体における第２の抵抗素子及び第３の抵抗素子に接続された第２のＭＥＳＦＥＴを備えてなり、制御電圧が、第２の抵抗素子及び第３の抵抗素子をそれぞれ介して第１のＭＥＳＦＥＴのソース及びドレインにそれぞれ入力するものである構成とした。
かかる構成により、減衰対象の入力信号が可変減衰器本体における第１のＭＥＳＦＥＴに入力されると、第１のＭＥＳＦＥＴでは、制御電圧に基づいてソース−ドレイン間の導通特性が制御され、その導通特性に対応した減衰量で、入力された信号が減衰される。このとき、第１のＭＥＳＦＥＴの導通特性は、温度変化や製品ごとのばらつきに起因して変動することがあるが、温度補償回路に入力される制御入力電圧は、第２のＭＥＳＦＥＴ及び第４の抵抗素子によって、第１のＭＥＳＦＥＴにおける温度変化や製造ばらつきに起因した減衰量の誤差を低減ないしは解消する方向にシフトされ、制御電圧として出力される。そして、この制御電圧は、第２の抵抗素子及び第３の抵抗素子をそれぞれ介して第１のＭＥＳＦＥＴのソース及びドレインにそれぞれ印加される。そして、第１のＭＥＳＦＥＴでは、上記のようにしてシフトされた制御電圧に基づいて、ソース及びドレインとゲートとの間の電圧が、温度変化や製造ばらつきに起因した減衰量の誤差を補償する方向にシフトする。その結果、可変減衰器本体における第１のＭＥＳＦＥＴでの温度変化や製造ばらつきに起因した減衰量の誤差が補償される。
【００１３】
また、請求項６の発明は、請求項５に記載の可変減衰器において、可変減衰器本体が、第１のＭＥＳＦＥＴのソースと第２のキャパシタンスとの間に介挿された誘導素子と、一端が第１のＭＥＳＦＥＴのドレインに接続されると共に他端が誘導素子と第２のキャパシタンスとに接続された容量素子とを備えた共振型の可変減衰器である構成とした。
【００１４】
請求項７の発明に係るモジュールは、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の可変減衰器と、可変減衰器の出力端子に接続されて、出力端子から出力される減衰された信号を増幅して出力する増幅器とを備えた構成とする。
【００１５】
また、請求項８の発明に係る通信装置は、外部から信号が入力され、当該信号を変調して出力する変調器と、変調器に接続されて、変調器から変調して出力される信号をコンバートするアップコンバータと、アップコンバータに接続されて、アップコンバータから出力される信号を減衰させる請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の可変減衰器と、可変減衰器の出力端子に接続されて、出力端子から出力される減衰された信号を増幅して出力する増幅器と、増幅器から出力される信号を送信するアンテナとを備えた構成とする。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、この発明の可変減衰器によれば、第２のＭＥＳＦＥＴが、可変減衰器本体における第１のＭＥＳＦＥＴでの温度変化や製造ばらつきに起因した減衰量の誤差を補償するが、この第２のＭＥＳＦＥＴは、ゲートを一端としソースまたはドレインのうち少なくともいずれか一方を他端として、その両端間での電圧シフトによって定基準電圧または制御入力電圧をシフトさせて、基準電圧や制御電圧として出力するようにしているので、等価回路的には、温度補償回路内にショットキーバリアダイオードとして用いられている構成となっている。その結果、従来の第２のＭＥＳＦＥＴのソース−ドレイン間での電圧シフトによって定基準電圧や制御入力電圧をシフトさせるという構成の温度補償回路の場合に必要であった、ゲート−ソース間の電位差を得るための抵抗素子を省略することができる。したがって、少なくともその分、回路構成を簡略化・小型化することができる。
また、かかる可変減衰器をモジュールや通信機器に用いることで、モジュールや通信機器自体の小型化をも図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１は、この発明の第１実施例に係る可変減衰器の主要部を示す回路図であり、図２は、可変減衰器本体内に用いられる第１のＭＥＳＦＥＴの積層構造を示す断面図であり、図３は、温度補償回路内に用いられる第２のＭＥＳＦＥＴの積層構造を示す断面図である。
この実施例の可変減衰器１−１は、図１に示すように、可変減衰器本体１０と、温度補償回路２０とを具備している。
【００１９】
可変減衰器本体１０は、外部からの入力信号Ｖｉｎを、基準電圧Ｖｒｅｆ’及び制御電圧Ｖｃｎｔに基づいて定まる減衰率（減衰量）で減衰させて出力する部分であり、第１のＭＥＳＦＥＴ１１と、第１のキャパシタンスＣ１と、第２のキャパシタンスＣ２と、第１の抵抗素子Ｒ１と、第２の抵抗素子Ｒ２と、第３の抵抗素子Ｒ３と、入力端子１７と、出力端子１８とを備えている。
【００２０】
第１のＭＥＳＦＥＴ１１は、それ自体の構成としては、ドレインＤとソースＳとゲートＧとを備えた一般的なものである。この第１のＭＥＳＦＥＴ１１では、ドレインＤが、第１のキャパシタンスＣ１を介して、減衰対象である入力信号Ｖｉｎが入力される入力端子１７に接続されていると共に、第２の抵抗素子Ｒ２を介して、温度補償回路２０に接続されている。また、ソースＳが、第３の抵抗素子Ｒ３を介して、温度補償回路２０に接続されていると共に、第２のキャパシタンスＣ２を介して、減衰された出力信号Ｖｏｕｔを出力するための出力端子１８に接続されている。そして、ゲートＧが、第１の抵抗素子Ｒ１を介して、制御電圧Ｖｃｎｔが入力される制御電圧入力端子１９に接続されている。
【００２１】
この第１のＭＥＳＦＥＴ１１は、上記のような回路構成となっているので、入力端子１７からの入力信号Ｖｉｎを、ドレインＤからソースＳへと流す際に減衰させて、出力信号Ｖｏｕｔとして出力端子１８から出力する。すなわち、入力信号Ｖｉｎをチャネル領域４５（図２参照）のインピーダンスによって減衰させるという機能を備えている。
この第１のＭＥＳＦＥＴ１１は、図２に示すように、ＧａＡｓ基板４１上にｎ型半導体層４２が設けられた積層構造を有している。そのｎ型半導体層４２の両端には、それぞれドレインＤ、ソースＳのｎ＋領域４３，４４が形成されており、それら両者の間の領域が、チャネル領域４５となっている。チャネル領域４５とゲートＧとの接触部分には、金属・半導体ショットキー接触（極薄な部分であるため図示省略）が形成されており、ゲートＧに印加される負の逆方向電圧によってチャネル領域４５側の空乏層幅を変化させることで、そのチャネル領域４５のインピーダンス（または電気抵抗）を制御する構成となっている。
【００２２】
また、この第１のＭＥＳＦＥＴ１１は、図４に示すように、温度変化に対応して減衰量が変化するという特性を有している。すなわち、温度が高くなると、減衰特性曲線は、Ｓ１〜Ｓ２〜Ｓ３のように変化して行くので、同じゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓ（図４中では例えばＶｇｓ１とする）に対する減衰量が、Ｄ１〜Ｄ２〜Ｄ３のように低減して行く。また逆に、温度が低くなると、同じＶｇｓ１に対する減衰量が、Ｄ３〜Ｄ２〜Ｄ１のように増大して行く、という温度特性がある。
【００２３】
さらに、第１のＭＥＳＦＥＴ１１は、図５に示すように、ｎ型半導体層４２のドナー濃度Ｎｄに対応して、しきい値電圧Ｖｔｈにばらつきが生じ、それに起因して、製造された素子ごとで同じゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓ(ここでは例えばＶｇｓ４)に対して減衰量が異なった値になる（ばらつく）という特性を有している。すなわち、ドナー濃度Ｎｄが高いほど、減衰特性曲線はＳ４〜Ｓ５〜Ｓ６のように変化するので（しきい値電圧Ｖｔｈが低くなるので）、同じＶｇｓ４に対する減衰量が、Ｄ４〜Ｄ５〜Ｄ６のように低下する。また逆に、ドナー濃度Ｎｄが低いほど（しきい値電圧Ｖｔｈは高いほど）、同じＶｇｓ４に対する減衰量が、Ｄ６〜Ｄ５〜Ｄ４のように大きくなる。
このため、例えば個々の製品ごとでドナー濃度Ｎｄに差異が生じると、それがこの第１のＭＥＳＦＥＴ１１の製品ごとでのしきい値電圧Ｖｔｈのばらつきを生じさせ、ひいては同じＶｇｓに対して異なった減衰特性を生じさせることとなる。
【００２４】
一方、温度補償回路２０は、図１に示したように、外部の基準電圧電源（図示省略）から入力される定基準電圧Ｖｒｅｆをシフトさせて基準電圧Ｖｒｅｆ’とし、その基準電圧Ｖｒｅｆ’を可変減衰器本体１０に対して入力する回路である。具体的には、第２のＭＥＳＦＥＴ２１と、第４の抵抗素子Ｒ４と、定基準電圧入力端子２４とを備え、基準電圧Ｖｒｅｆ’を、第２のＭＥＳＦＥＴ２１と第４の抵抗素子Ｒ４との接続点Ｐ２から出力するようにしている。これにより、基準電圧Ｖｒｅｆ’は、定基準電圧Ｖｒｅｆを第２のＭＥＳＦＥＴ２１と第４の抵抗素子Ｒ４とで電圧按分した値として出力されることとなる。
【００２５】
第２のＭＥＳＦＥＴ２１では、ゲートＧが、外部の定基準電圧電源（図示省略）から定基準電圧Ｖｒｅｆが入力される定基準電圧入力端子２４に接続されている。そして、ドレインＤ及びソースＳが、第４の抵抗素子Ｒ４を介して接地されていると共に、配線２３を介して可変減衰器本体１０の第２の抵抗素子Ｒ２及び第３の抵抗素子Ｒ３に接続されている。
【００２６】
この第２のＭＥＳＦＥＴ２１は、第１のＭＥＳＦＥＴ１１と同一のプロセスで並行して製造されるものであり、第１のＭＥＳＦＥＴと同じ積層構造を有する。すなわち、図３に示すように、ＧａＡｓ基板５１上にｎ型半導体層５２が設けられている。このｎ型半導体層５２の両端には、それぞれドレインＤ、ソースＳのｎ＋領域５３，５４が形成されており、それら両者の間の領域がチャネル領域５５となっている。チャネル領域５５とゲートＧとの接触部分には金属・半導体ショットキー接触（図示省略）が形成されている。
但し、この第２のＭＥＳＦＥＴ２１は、上記のように、ゲートＧを一端としソースＳ及びドレインＤを他端として、その両端間を、金属・半導体ショットキー接触を介して電流Ｉｄが流れるように、温度補償回路２０中に組み込まれているので、この温度補償回路２０内では、等価回路的にショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）として機能する。
【００２７】
そのＩ−Ｖ特性（電流−電圧特性）は、温度の変化に対応して、図６に示すような変動を示す。すなわち、温度が高くなると、Ｉ−Ｖ特性曲線がＳ７〜Ｓ８〜Ｓ９のように変化して、同じ印加電圧Ｖｄ（ここでは例えばＶｄ１とする）に対する電流Ｉｄは、Ｉ７〜Ｉ８〜Ｉ９のように大きくなる。逆に、温度が低くなると、同じ印加電圧Ｖｄ１に対する電流Ｉｄは、Ｉ９〜Ｉ８〜Ｉ７のように小さくなる。
【００２８】
また、このＩ−Ｖ特性は、図７に示すように、ｎ型半導体層５２のドナー濃度Ｎｄに対応し、製造された素子ごとで異なった値になる。すなわち、ドナー濃度Ｎｄが高いほど、Ｉ−Ｖ特性曲線はＳ１０〜Ｓ１１〜Ｓ１２のように変化して、同じ印加電圧Ｖｄ（ここではＶｄ１とする）に対する電流Ｉｄは、Ｉ１０〜Ｉ１１〜Ｉ１２のように大きくなる。逆にドナー濃度Ｎｄが低いほど、同じ印加電圧Ｖｄに対する電流Ｉｄは、Ｉ１２〜Ｉ１１〜Ｉ１０のように小さくなる。このように、ドナー濃度Ｎｄに差異が生じると、その差異に対応して、この第２のＭＥＳＦＥＴ２１の製品ごとでのＩ−Ｖ特性が異なったものとなる。
【００２９】
第２のＭＥＳＦＥＴ２１が、このような特性を有しているので、この第２のＭＥＳＦＥＴ２１は、定基準電圧入力端子２４を介してゲートＧに印加（入力）された定基準電圧Ｖｒｅｆを、温度変化やドナー濃度Ｎｄに対応してシフトさせて基準電圧Ｖｒｅｆ’とし、それをソースＳ及びドレインＤから出力するように機能する。これにより、第２のＭＥＳＦＥＴ２１から出力された基準電圧Ｖｒｅｆ’は、配線２３を通り、第２の抵抗素子Ｒ２及び第３の抵抗素子Ｒ３をそれぞれ介して第１のＭＥＳＦＥＴ１１のソースＳ及びドレインＤにそれぞれ入力する。
【００３０】
次に、この第１実施例の可変減衰器１−１が示す作用及び効果について説明する。
図１において、可変減衰器本体１０に入力された入力信号Ｖｉｎは、第１のＭＥＳＦＥＴ１１のドレインＤからチャネル領域４５を通ってソースＳへと導通されるが、その際に、チャネル領域４５のインピーダンスによって減衰される。このときの減衰量（減衰率）は、ゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓによって決まる。そのＶｇｓは、ゲートＧに印加されるＶｃｎｔとドレインＤ及びソースＳに印加されるＶｒｅｆ’とによって定まり、Ｖｇｓ＝Ｖｃｎｔ−Ｖｒｅｆ’となる。
【００３１】
ところで、図４、図５に基づいて説明したように、第１のＭＥＳＦＥＴ１１における減衰量は、同じＶｃｎｔを印加していても（換言すれば、同じＶｇｓに対して）、温度変化やドナー濃度のばらつき（しきい値電圧のばらつき）に起因して変動する。
そこで、第２のＭＥＳＦＥＴ２１が、温度変化やドナー濃度のばらつきに対応して定基準電圧Ｖｒｅｆをシフトさせて、基準電圧Ｖｒｅｆ’として出力することで、Ｖｇｓを、第１のＭＥＳＦＥＴ１１の減衰量の変動を補償する方向へと変化させる。
このような減衰量の変動の補償作用について、さらに詳細に説明する。
【００３２】
まず第１に、温度変化に起因した減衰特性の変動に対する補償作用について説明する。第１のＭＥＳＦＥＴ１１では、図４に示したように、温度が高くなると、同じゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓ１に対する減衰量が低減する。したがって、このとき温度補償を行うためには、Ｖｇｓを、Ｖｇｓ１〜Ｖｇｓ２〜Ｖｇｓ３のように低減させなければならない。
他方、このとき、第２のＭＥＳＦＥＴ２１では、図６に示したように、同じ印加電圧Ｖｄに対する電流Ｉｄが、Ｉ７〜Ｉ８〜Ｉ９のように大きくなる。したがって、このとき第２のＭＥＳＦＥＴ２１に入力された定基準電圧Ｖｒｅｆは、第２のＭＥＳＦＥＴ２１と第４の抵抗素子Ｒ４とでの電圧按分によって大きくなる方向にシフトされて、基準電圧Ｖｒｅｆ’として出力される。ここで、第１のＭＥＳＦＥＴ１１のゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓは、Ｖｇｓ＝Ｖｃｎｔ−Ｖｒｅｆ’であるから、Ｖｃｎｔを一定とすると、Ｖｇｓは基準電圧Ｖｒｅｆ’が大きくなることによって低減する。
【００３３】
すなわち、図８に示すように、温度が高くなると、第２のＭＥＳＦＥＴ２１によってＶｒｅｆ’が大きくなって、Ｖｃｎｔを一定にしていても（例えばＶｃｎｔ１とする）、Ｖｇｓが低減する。すると、図９に示すように、第１のＭＥＳＦＥＴ１１では、Ｖｃｎｔが一定であっても、減衰量が増大して、温度変化に起因した減衰量の低減が補償される。
また逆に、温度が低くなると、第１のＭＥＳＦＥＴ１１では、図４に示したように、同じゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓに対する減衰量が増大するが、図８に示したように、第２のＭＥＳＦＥＴ２１によってＶｒｅｆ’が小さくなるのでＶｇｓが大きくなり、図９に示したように、第１のＭＥＳＦＥＴ１１の減衰量が低減する。これにより、温度変化に起因した減衰量の増大が補償される。
【００３４】
第２に、製品ごとのドナー濃度のばらつき（しきい値電圧のばらつき）に起因した減衰特性のばらつきに対する補償作用について説明する。
第１のＭＥＳＦＥＴ１１では、図５に示したように、ドナー濃度が高いほど（換言すれば、ドナー濃度によって決定されるしきい値電圧が低いほど）、同じゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓ４に対する減衰量がＤ４〜Ｄ５〜Ｄ６のように低減する。したがって、このとき、減衰特性ばらつきの補償を行うためには、Ｖｇｓを、Ｖｇｓ４〜Ｖｇｓ５〜Ｖｇｓ６のように低減させなければならない。
他方、このとき、第２のＭＥＳＦＥＴ２１では、図７に示したように、ドナー濃度が高いほど、同じ印加電圧Ｖｄに対する電流Ｉｄが大きくなる。したがって、このとき、第２のＭＥＳＦＥＴ２１に入力された定基準電圧Ｖｒｅｆは、大きくなる方向にシフトされて、基準電圧Ｖｒｅｆ’として出力される。ここで第１のＭＥＳＦＥＴ１１のゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓは、Ｖｇｓ＝Ｖｃｎｔ−Ｖｒｅｆ’であるから、Ｖｃｎｔを一定とすると、Ｖｇｓは、基準電圧Ｖｒｅｆ’が大きくなることによって低減する。
【００３５】
すなわち、図１０に示すように、ドナー濃度が高いと、Ｖｒｅｆ’が大きくなってＶｇｓが低減する。すると、図１１に示すように、第１のＭＥＳＦＥＴ１１では、制御電圧Ｖｃｎｔを一定としたとき（例えばＶｃｎｔ１としたとき）の減衰量が増大して、ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量の低減が補償される。
また逆に、ドナー濃度が低いほど、第１のＭＥＳＦＥＴ１１では、図５に示したように、同じゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓに対する減衰量が増大するが、このとき、図１０に示したように、第２のＭＥＳＦＥＴ２１よってＶｒｅｆ’が小さくなるのでＶｇｓが増大して、図１１に示したように、第１のＭＥＳＦＥＴ１１の減衰量が低減する。これにより、ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量の増大が補償される。
【００３６】
ここで、第１のＭＥＳＦＥＴ１１におけるしきい値電圧Ｖｔｈ、及び第２のＭＥＳＦＥＴ２１におけるＩ−Ｖ特性（電流密度特性）は、それぞれ、ドナー濃度に対して図１２に示すような相関関係がある。
すなわち、第１のＭＥＳＦＥＴ１１のしきい値電圧Ｖｔｈは、ドナー濃度Ｎｄを対数でプロットすると、図１２に実線Ａで示すように、ドナー濃度Ｎｄの増大に対してリニアに低減する。逆に、ドナー濃度Ｎｄの低減に対してリニアに増大する。
他方、第２のＭＥＳＦＥＴ２１のショットキーバリアダイオードとしての電流密度特性は、ドナー濃度Ｎｄを対数でプロットすると、図１２に点線Ｂで示したように、ドナー濃度Ｎｄの増大に対してリニアに増大する。逆に、ドナー濃度Ｎｄの低減に対してリニアに低減する。
【００３７】
これは、理論的にも次のように説明される。第１のＭＥＳＦＥＴ１１のしきい値電圧Ｖｔｈは、内部電位をＶｂｉ（式４）、ピンチオフ電圧をＶｐ（式５）とすると、式３で表される。 また、第２のＭＥＳＦＥＴ２１の電流密度特性は、式６で表される。
Ｖｔｈ＝Ｖｂｉ−Ｖｐ                          ・・・（３）
Ｖｂｉ＝（ｋ＊ｔ／ｑ）ｌｎ（Ｎｄ／ｎｉ）      ・・・（４）
Ｖｐ  ＝（ｑ＊Ｎｄ＊ａ２ ）／２εｓ            ・・・（５）
Ｊ   ＝Ｋ＊｛Ｎｄ＊ｅｘｐ（−ｑ＊（Ｖｂｉ−Ｖ）／ｋ＊ｔ）−Ｎｄ＊ｅｘｐ（−ｑ＊Ｖｂｉ／ｋｔ）｝                               ・・・（６）
ここに、ｑは電荷量、ｋはボルツマン定数、ｔは絶対温度、ｎｉは真性キャリア密度、ａはチャネルの厚さ、εｓは誘電率である。
上式から、第１のＭＥＳＦＥＴ１１のしきい値電圧Ｖｔｈのばらつき、及び第２のＭＥＳＦＥＴ２１の電流密度特性は、図１２に示したようなものとなることが裏付けられる。但し、この図１２では、ｑ＝１．６０２１８＊１０−１９［Ｃ］、ｋ＝１．３８０６６＊１０−２３［Ｊ／Ｋ］、ｔ＝３００［Ｋ］、ｎｉ＝１．７９＊１０６［ｃｍ−３］、ａ＝０．１７［μｍ］、εｓ＝１２．５＊８．８５＊１０−１２［Ｆ／ｍ］とし、ドナー濃度Ｎｄを１．４＊１０１７［ｃｍ−３］から２．６＊１０１７［ｃｍ−３］の範囲で変化させた場合の一例を示している。
このように、第１のＭＥＳＦＥＴ１１のしきい値電圧Ｖｔｈ（ひいてはそれによって定まる減衰量）と、第２のＭＥＳＦＥＴ２１のショットキーバリアダイオードとしての電流密度特性とが、ドナー濃度の変動に対して相似的に変化するので、上述したように、ドナー濃度のばらつき（しきい値電圧Ｖｔｈのばらつき）に起因した第１のＭＥＳＦＥＴ１１の減衰量の変動（ばらつき）を、ドナー濃度に対応した第２のＭＥＳＦＥＴ２１の電流密度特性の変動によって、補償することができるのである。
【００３８】
また、上述したように、第１のＭＥＳＦＥＴ１１の減衰量と、第２のＭＥＳＦＥＴ２１のショットキーバリアダイオードとしての電流密度特性とが、温度変化に対して相似的に変化するので、上述したように、温度変化に起因した第１のＭＥＳＦＥＴ１１の減衰量の変動を、第２のＭＥＳＦＥＴ２１の電流密度特性の変動によって、補償することができるのである。
しかも、第２のＭＥＳＦＥＴ２１は、等価回路的にショットキーバリアダイオードとして用いられる回路構成となっているので、図３９に示したような従来の第２のＭＥＳＦＥＴ１２０の場合にゲートＧ−ソースＳ間の電位差を得るために必要であった抵抗素子（Ｒ５）１２３を、省略することができる。したがって、少なくともその分、回路構成を簡略化・小型化することが可能となる。
【実施例２】
【００３９】
次に、第２実施例について説明する。
図１３は、この発明の第２実施例に係る可変減衰器１−２の主要部を示す回路図である。
図１３に示すように、この実施例の可変減衰器１−２では、誘導素子Ｌ１及び容量素子Ｃ３を設けて、可変減衰器本体１０の回路構成をいわゆるＬＣ共振型とした点が、上記第１実施例と異なる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その詳細な説明については省略する。また、第１実施例と同様の部位については、同じ名称で呼ぶと共に同じ符号を付して説明する。
【００４０】
すなわち、誘導素子Ｌ１を可変減衰器本体１０の第１のＭＥＳＦＥＴ１１のソースＳと第２のキャパシタンスＣ２との間に介挿し、容量素子Ｃ３の一端を第１のＭＥＳＦＥＴ１１のドレインＤに接続すると共に、他端を誘導素子Ｌ１と第２のキャパシタンスＣ２との接続点Ｐ１に接続することで、第１のＭＥＳＦＥＴ１１を中心とした共振回路を構成した。
【００４１】
次に、この第２実施例の可変減衰器１−２が示す作用及び効果について説明する。
可変減衰器本体１０における第１のＭＥＳＦＥＴ１１では、ゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓがしきい値電圧未満になると、ドレインＤ−ソースＳ間の導通がオフ状態になる。オフ状態では、第１のＭＥＳＦＥＴ１１は、オフ容量Ｃｏｆｆを持った容量素子と等価になる。すなわち、オフ容量Ｃｏｆｆと誘導素子Ｌ１とが入力端子１７−出力端子１８間に直列に接続されている回路構成と等価の状態になる。すると、入力信号Ｖｉｎの信号周波数に対応してオフ容量Ｃｏｆｆと誘導素子Ｌ１とが直列共振し、入力端子１７−出力端子１８間のインピーダンスがほとんど零(０)にまで低下する。したがって、ゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓがしきい値電圧未満の場合には、第１のＭＥＳＦＥＴ１１は、インピーダンスがほとんど零の状態で、入力された所定の周波数帯の信号を導通させる。
【００４２】
また、第１のＭＥＳＦＥＴ１１のゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈ以上になると、ドレインＤ−ソースＳ間の導通はオン状態になる。オン状態では、この第１のＭＥＳＦＥＴ１１は極めて微少な抵抗値Ｒｏｎを持った電気抵抗（インピーダンス）と等価になり、実際上無視してもよいこととなる。換言すれば、単なる配線と等価と考えてよい。したがって、この場合には、入力端子１７−出力端子１８間に容量素子Ｃ３と誘導素子Ｌ１とが並列に接続されている回路構成と等価の状態になる。すると、入力信号Ｖｉｎの信号周波数に対応して、容量素子Ｃ３と誘導素子Ｌ１とが並列共振するため、入力端子１７−出力端子１８間のインピーターンスは無限大と言ってよいほど大きなものとなる。
【００４３】
このように、この実施例の可変減衰器本体１０は、第１のＭＥＳＦＥＴ１１のオン状態とオフ状態とに連動して、直列共振状態と並列共振状態とを切り替える共振型となっているので、入力端子１７−出力端子１８間のアイソレーションの差が、第１のＭＥＳＦＥＴ１１単体におけるドレインＤ−ソースＳ間のアイソレーションの差と比較して大幅に大きくなり、その結果、可変減衰器本体１０における減衰量も、第１実施例の可変減衰器１−１の場合よりもさらに大きくなる。
【００４４】
図１４は、温度変化に起因した減衰量の変動を示す線図であり、図１５は、ドナー濃度（しきい値）のばらつきに起因した減衰量の変動を示す線図である。また図１６は温度変化に起因した減衰量の変動の補償作用を表した線図であり、図１７はドナー濃度のばらつきに起因した減衰量の変動の補償作用を表した線図である。
可変減衰器本体１０における減衰量は、第１のＭＥＳＦＥＴ１１の温度特性によって、図１４に示すように、温度変化に対応して変動する。すなわち、温度が高くなって行くと、減衰特性曲線がＳ１３〜Ｓ１４〜Ｓ１５のように変化して行くので、同じゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓ１に対して、減衰量がＤ１３〜Ｄ１４〜Ｄ１５のように増大して行く。このとき、減衰量の増大を補償するためには、ゲートＧ−ソースＳ間電圧ＶｇｓをＶｇｓ1〜Ｖｇｓ２〜Ｖｇｓ３のように低減させなければならない。
他方、このとき、温度補償回路２０によって、第１実施例の場合と同様に、温度が高くなると、その度合いに対応してＶｇｓが低減される。これにより、図１６に示すように、可変減衰器本体１０において増大した減衰量は、低減する方向へと補償される。
また逆に、温度が低くなって行くと、上記とは逆の作用が働いて、可変減衰器本体１０において低減した減衰量は、増大する方向へと補償される。
【００４５】
また、可変減衰器本体１０における減衰量は、第１のＭＥＳＦＥＴ１１のドナー濃度（しきい値電圧Ｖｔｈ）のばらつきに起因して、図１５に示すように変化する。すなわち、ドナー濃度が高くなると（しきい値電圧Ｖｔｈが低くなると）、減衰特性曲線はＳ１６〜Ｓ１７〜Ｓ１８のように変化して行き、同じゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓ４に対して、減衰量がＤ１６〜Ｄ１７〜Ｄ１８のように増大して行く。このとき、減衰量の増大を補償するためには、ゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓを、Ｖｇｓ４〜Ｖｇｓ５〜Ｖｇｓ６のように低減させなければならない。
【００４６】
他方、このとき、温度補償回路２０によって、第１実施例の場合と同様に、ドナー濃度が高くなると、その度合いに対応してＶｇｓが低減される。これにより、図１７に示すように、可変減衰器本体１０において増大した減衰量は、低減する方向へと補償される。
また逆に、ドナー濃度が低くなると、上記とは逆の作用が働いて、可変減衰器本体１０において低減した減衰量は、増大する方向へと補償される。
【００４７】
このように、第２実施例の可変減衰器１−２では、可変減衰器本体１０における減衰量が第１実施例の場合よりもさらに増強される。また、温度変化に起因した減衰量の変動及びドナー濃度に起因した減衰量の変動（ばらつき）を、第１実施例の場合と同様に、温度補償回路２０によって補償することができる。しかも、第２のＭＥＳＦＥＴ２１は、第１実施例の場合と同様に、等価回路的にショットキーバリアダイオードとして用いられる回路構成となっているので、図３９に示したような従来の第２のＭＥＳＦＥＴ１２０に必要であった抵抗素子Ｒ５を省略することができる。したがって、少なくともその分、回路構成を簡略化・小型化することが可能となる。
【実施例３】
【００４８】
次に、第３実施例について説明する。
図１８は、この発明の第３実施例に係る可変減衰器１−３の主要部を示す回路図である。
この実施例の可変減衰器１−３では、第１実施例とは逆に、温度補償回路２０から出力される基準電圧Ｖｒｅｆ’を第１のＭＥＳＦＥＴ１１のゲートＧに印加すると共に、制御電圧ＶｃｎｔをソースＳ及びドレインＤに印加すること、及びそれに伴って、第４の抵抗素子Ｒ４と第２のＭＥＳＦＥＴ２１との直列配置の位置関係（配列の前後関係）を第１実施例とは逆にしたことが、上記第１実施例と異なる。その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その詳細な説明については省略する。また、第１実施例と同様の部位については、同じ名称で呼ぶと共に同じ符号を付して説明する。
【００４９】
この可変減衰器１−３では、温度補償回路２０が、可変減衰器本体１０の第１のＭＥＳＦＥＴ１１のゲートＧに、配線２３及び第１の抵抗素子Ｒ１を介して接続されており、基準電圧Ｖｒｅｆ’がこのゲートＧに印加される。また、ドレインＤ及びソースＳに、制御電圧入力端子１９が第２の抵抗素子Ｒ２及び第３の抵抗素子Ｒ３をそれぞれ介して接続さており、制御電圧ＶｃｎｔがこれらドレインＤ及びソースＳに制御電圧入力端子１９を介して印加される。
他方、温度補償回路２０では、第４の抵抗素子Ｒ４の一端が定基準電圧入力端子２４に接続されており、他端が第２のＭＥＳＦＥＴ２１のゲートＧに接続されている。そして、第２のＭＥＳＦＥＴ２１のドレインＤ及びソースＳは、共に接地されている。基準電圧Ｖｒｅｆ’は、上記の第４の抵抗素子Ｒ４の他端と第２のＭＥＳＦＥＴ２１のゲートＧとの接続点Ｐ２から出力される。
可変減衰器本体１０における第１のＭＥＳＦＥＴ１１のゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓは、Ｖｇｓ＝Ｖｒｅｆ’−Ｖｃｎｔとなる。このように、右辺のＶｒｅｆ’とＶｃｎｔとが第１実施例とは逆になっているので、それに対応させて、温度補償回路２０における第４の抵抗素子Ｒ４と第２のＭＥＳＦＥＴ２１との直列接続の位置関係を第１実施例とは逆にしている。
【００５０】
かかる構成により、第１実施例の場合と同様に、温度変化に対応して、温度補償回路２０によってＶｒｅｆ’をシフトさせることで、Ｖｇｓを変化させ、温度変化に起因した第１のＭＥＳＦＥＴ１１における減衰量の変動を補償することができる。
すなわち、温度が高くなって行くと、同じ制御電圧Ｖｃｎｔ（ここでは例えばＶｃｎｔ１）に対する減衰量は低減するが、図１９に示すように、温度補償回路２０がＶｒｅｆ’を低減させることにより、Ｖｇｓを低減させることで、図２０に示すように、減衰量を増大させて、減衰量の低減を補償することができる。また逆に、温度が低くなって行くと、同じ制御電圧Ｖｃｎｔ１に対する減衰量は増大するが、温度補償回路２０がＶｒｅｆ’を増加させることにより、Ｖｇｓを増加させることで、減衰量を低減させ、減衰量の増大を補償することができる。このようにして、温度変化に起因した減衰量の変動が補償される。
【００５１】
また、第１実施例の場合と同様に、ドナー濃度（しきい値電圧のばらつき）に対応して、温度補償回路２０によってＶｒｅｆ’をシフトさせることにより、Ｖｇｓを変化させて、ドナー濃度のばらつきに起因した第１のＭＥＳＦＥＴ１１の減衰量の変動を補償する。
すなわち、ドナー濃度が高いと、同じ制御電圧Ｖｃｎｔ１に対する減衰量は低減するが、図２１に示すように、温度補償回路２０がＶｒｅｆ’を低減させることによってＶｇｓを低減させることにより、図２２に示すように、減衰量を増大させることができる。また逆に、ドナー濃度が低いと、同じ制御電圧Ｖｃｎｔ１に対する減衰量は増大するが、温度補償回路２０がＶｒｅｆ’を増加させることにより、Ｖｇｓを増加させて、減衰量を低減させることができる。このようにして、ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量のばらつきが補償される。
【００５２】
このように、第３実施例の可変減衰器１−３は、第１実施例の場合と同様に、温度変化に起因した減衰量の変動及びドナー濃度に起因した減衰量の変動（ばらつき）を、温度補償回路２０によって補償することができる。また、第１実施例の場合と同様に、第２のＭＥＳＦＥＴ２１を、等価回路的にショットキーバリアダイオードとして用いられる回路構成としているので、図３９に示したような従来の第２のＭＥＳＦＥＴ１２０に必要であった抵抗素子Ｒ５を省略することができる。したがって、少なくともその分、回路構成を簡略化・小型化することが可能となる。
【実施例４】
【００５３】
次に、第４実施例について説明する。
図２３は、この発明の第４実施例に係る可変減衰器１−４の主要部を示す回路図である。
この実施例の可変減衰器１−４では、第２実施例と同様に誘導素子Ｌ１及び容量素子Ｃ３を備えて、可変減衰器本体１０の回路構成を、いわゆる共振型とした点が、上記第３実施例と異なる。その他の構成、作用及び効果は、上記第３実施例と同様であるので、その詳細な説明については省略する。また、第２実施例及び第３実施例と同様の部位については、同じ名称で呼ぶと共に同じ符号を付して説明する。
この可変減衰器１−４では、可変減衰器本体１０の第１のＭＥＳＦＥＴ１１のソースＳと第２のキャパシタンスＣ２との間に、誘導素子Ｌ１が介挿されている。また、一端が第１のＭＥＳＦＥＴ１１のドレインＤに接続されると共に、他端が誘導素子Ｌ１と第２のキャパシタンスＣ２との接続点Ｐ１に接続された容量素子Ｃ３を備えている。それら誘導素子Ｌ１と容量素子Ｃ３とによって、第２実施例と同様に、第１のＭＥＳＦＥＴ１１を中心とした共振回路が構成されている。この共振回路によって、可変減衰器本体１０では、第１のＭＥＳＦＥＴ１１による減衰量が、第３実施例の場合よりもさらに増強されたものとなっている。
【００５４】
次に、この実施例４の可変減衰器１−４が示す作用及び効果について説明する。
可変減衰器本体１０における第１のＭＥＳＦＥＴ１１では、第２実施例と同様に、第１のＭＥＳＦＥＴ１１のオン状態とオフ状態とに連動して、並列共振状態と直列共振状態とを切り替える共振型となっているので、入力端子１７−出力端子１８間のアイソレーションの差は、第１のＭＥＳＦＥＴ１１単体におけるドレインＤ−ソースＳ間のアイソレーションの差と比較して大幅に大きくなり、その結果、可変減衰器本体１０における減衰量を、第３実施例に係る可変減衰器１−３の場合よりも、さらに大きくすることができる。
【００５５】
また、上記のような構成により、第３実施例の場合と同様に、温度変化やドナー濃度のばらつきに対応して、温度補償回路２０によってＶｒｅｆ’をシフトさせることでＶｇｓを変化させて、温度変化やドナー濃度のばらつきに起因した減衰量の変動を補償することができる。
【００５６】
図２４は、温度変化に起因した減衰量の変動の補償作用を表した線図であり、図２５は、ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量の変動の補償作用を表した線図である。
温度が高くなって行くと、図２４に示すように、同じ制御電圧Ｖｃｎｔ（ここでは例えばＶｃｎｔ１）に対する減衰量は増大するが、温度補償回路２０によってＶｇｓを低減させることで、減衰量を低減させて、減衰量の増大を補償することができる。また逆に、温度が低くなって行くと、同じ制御電圧Ｖｃｎｔ１に対する減衰量は低減するが、Ｖｇｓを温度補償回路２０によって増加させることで、減衰量を増大させて、減衰量の低減を補償することができる。このようにして、温度変化に起因した減衰量の変動が補償される。
【００５７】
また、ドナー濃度（しきい値電圧のばらつき）に対応して、Ｖｒｅｆ’を温度補償回路２０においてシフトさせることで、Ｖｇｓを変化させることにより、ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量の変動を補償することができる。
すなわち、図２５に示すように、ドナー濃度が高いほど、同じ制御電圧Ｖｃｎｔ（例えばＶｃｎｔ１）に対する減衰量は増大するが、温度補償回路２０がＶｇｓを低減させることで、減衰量を低減させることができる。また逆に、ドナー濃度が低いと、同じ制御電圧Ｖｃｎｔ１に対する減衰量は低減するが、温度補償回路２０がＶｇｓを増加させて、減衰量を増大させることができる。このようにして、ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量のばらつきが補償される。
【００５８】
このように、第４実施例の可変減衰器１−４では、温度変化に起因した減衰量の変動及びドナー濃度に起因した減衰量の変動（ばらつき）を、第３実施例の場合と同様に、温度補償回路２０によって補償することができる。しかも、第２のＭＥＳＦＥＴ２１は、第１実施例〜第３実施例の場合と同様に、等価回路的にショットキーバリアダイオードとして用いられる回路構成となっているので、図３９に示したような従来の第２のＭＥＳＦＥＴ１２０に必要であった抵抗素子Ｒ５を省略することができる。したがって、少なくともその分、回路構成を簡略化・小型化することが可能となる。
【実施例５】
【００５９】
次に、第５実施例について説明する。
図２６は、この発明の第５実施例に係る可変減衰器１−５の主要部を示す回路図であり、図２７，２８は、温度変化に起因した減衰量の変動に対する補償作用を示す線図であり、図２９，３０は、ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量のばらつきに対する補償作用を示す線図である。
この実施例の可変減衰器１−５では、第１のＭＥＳＦＥＴ１１のゲートＧが、第１の抵抗素子Ｒ１を介して接地されると共に、ドレインＤ及びソースＳが、それぞれ第２の抵抗素子Ｒ２及び第３の抵抗素子Ｒ３を介して温度補償回路２０に接続されている。そして、温度補償回路２０が、配線２３を介して可変減衰器本体１０に接続されて、制御入力電圧Ｖｃｎｔをシフトしてなる制御電圧Ｖｃｎｔ’を第１のＭＥＳＦＥＴ１１へと送出する回路構成としている。
すなわち、温度補償回路２０によって、制御入力電圧Ｖｃｎｔを温度変化やドナー濃度に対応してシフトさせることにより、制御電圧Ｖｃｎｔ’として出力することで、可変減衰器本体１０における減衰量の変動を補償するようにして、定基準電圧Ｖｒｅｆ及び基準電圧Ｖｒｅｆ’に関する回路構成は省略したこと、及びそれに伴って第１のＭＥＳＦＥＴ１１ならびに第２のＭＥＳＦＥＴ２１をディプレッション型としたことが、上記第１実施例と異なる。その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その詳細な説明については省略する。また、第１実施例と同様の部位については、同じ名称で呼ぶと共に同じ符号を付して説明する。
【００６０】
この可変減衰器１−５では、第１のＭＥＳＦＥＴ１１のゲートＧが接地（アース）されている。これは、第１実施例の可変減衰器１−１における回路構成と比較すると、基準電圧Ｖｒｅｆ’を常にＶｒｅｆ’＝０で一定にした、ということである。他方、ドレインＤ及びソースＳは、それぞれ第２の抵抗素子Ｒ２及び第３の抵抗素子Ｒ３を介して温度補償回路２０に接続されて、制御電圧Ｖｃｎｔ’が印加されるように設定されている。したがって、ゲートＧ−ソースＳ間電圧Ｖｇｓは、Ｖｇｓ＝０−Ｖｃｎｔ’＝−Ｖｃｎｔ’と表される。すなわち、Ｖｇｓは制御電圧Ｖｃｎｔ’によって定まるので、Ｖｃｎｔ’を温度変化やドナー濃度のばらつきに対応して増減させることで、Ｖｇｓを増減させることが可能となっている。
【００６１】
かかる構成により、温度補償回路２０において、Ｖｃｎｔを温度変化やドナー濃度に対応してシフトさせ、Ｖｃｎｔ’として出力することにより、Ｖｇｓを変化させて、温度変化やドナー濃度のばらつきに起因した減衰量の変動を補償することができる。
すなわち、図２８に示すように、温度が高くなって行くと、同じ制御入力電圧Ｖｃｎｔ（ここでは例えばＶｃｎｔ１）に対する減衰量は低減するが、図２７に示すように、温度補償回路２０がＶｃｎｔ’を増大させることによって、Ｖｇｓを低減させることにより、減衰量を増大させて、減衰量の低減を補償することができる。また逆に、温度が低くなって行くと、同じ制御電圧Ｖｃｎｔ１に対する減衰量は増大するが、温度補償回路２０がＶｃｎｔ’を低減させることによってＶｇｓを増大させることで、減衰量を低減させて、減衰量の増大を補償することができる。このようにして、温度変化に起因した減衰量の変動が補償される。
【００６２】
また、ドナー濃度（しきい値電圧のばらつき）に対応して、温度補償回路２０によってＶｃｎｔ’をシフトさせることでＶｇｓを変化させて、ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量の変動を補償することができる。
すなわち、図３０に示すように、ドナー濃度が高いと、同じ制御入力電圧Ｖｃｎｔ（ここでは例えばＶｃｎｔ１）に対する減衰量は低減するが、図２９に示すように、温度補償回路２０がＶｃｎｔ’を増大させることにより、Ｖｇｓを低減させて、減衰量を増大させることができる。また逆に、ドナー濃度が低いと、同じ制御入力電圧Ｖｃｎｔ１に対する減衰量は増大するが、温度補償回路２０がＶｃｎｔ’を低減させることにより、Ｖｇｓを増加させて、減衰量を低減させることができる。このようにして、ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量のばらつきが補償される。
【００６３】
このように、第５実施例の可変減衰器１−５では、温度変化に起因した減衰量の変動及びドナー濃度に起因した減衰量の変動（ばらつき）を、温度補償回路２０によって制御信号をシフトさせることにより、補償することができる。しかも、第２のＭＥＳＦＥＴ２１は、第１実施例の場合と同様に、等価回路的にショットキーバリアダイオードとして用いられる回路構成となっているので、図３９に示したような従来の第２のＭＥＳＦＥＴ２１に必要であった抵抗素子Ｒ５を省略することができる。したがって、少なくともその分、回路構成を簡略化・小型化することが可能となる。
またさらには、第１実施例〜第４実施例の場合には必要であった定基準電圧Ｖｒｅｆ及び基準電圧Ｖｒｅｆ’を省略すると共に、第１のＭＥＳＦＥＴ１１のゲートＧを接地するようにしたので、定基準電圧入力端子２４及び図示しない定基準電圧電源等を設けなくて済むこととなり、その分、回路構成をさらに簡易なものとすることができる。
【実施例６】
【００６４】
次に、第６実施例について説明する。
図３１は、この発明の第６実施例に係る可変減衰器の主要部を示す回路図である。
この実施例の可変減衰器１−６では、第２実施例と同様に誘導素子Ｌ１及び容量素子Ｃ３を備えて、可変減衰器本体１０の回路構成を、いわゆる共振型とした点が、上記第５実施例と異なる。その他の構成、作用及び効果は、上記第５実施例と同様であるので、その詳細な説明については省略する。また、第２実施例及び第５実施例と同様の部位については、同じ名称で呼ぶと共に同じ符号を付して説明する。
【００６５】
この可変減衰器１−６では、可変減衰器本体１０の第１のＭＥＳＦＥＴ１１のソースＳと第２のキャパシタンスＣ２との間に、誘導素子Ｌ１が介挿されている。また、容量素子Ｃ３は、一端が第１のＭＥＳＦＥＴ１１のドレインＤに接続されると共に他端が誘導素子Ｌ１と第２のキャパシタンスＣ２との接続点Ｐ１に接続されている。これら誘導素子Ｌ１と容量素子Ｃ３とによって、第２実施例の場合と同様に、第１のＭＥＳＦＥＴ１１を中心とした共振回路が構成されている。この共振回路によって、可変減衰器本体１０では、第１のＭＥＳＦＥＴ１１による減衰量が、第５実施例の場合よりもさらに増強されたものとなっている。
【００６６】
次に、この実施例６の可変減衰器１−６が示す作用及び効果について説明する。
可変減衰器本体１０における第１のＭＥＳＦＥＴ１１では、第２実施例と同様に、第１のＭＥＳＦＥＴ１１のオン状態とオフ状態とに連動して、並列共振状態と直列共振状態とを切り替える共振型となっているので、入力端子１７−出力端子１８間のアイソレーションの差は、第１のＭＥＳＦＥＴ１１単体におけるドレインＤ−ソースＳ間のアイソレーションの差と比較して大幅に大きくなり、その結果、可変減衰器本体１０における減衰量を、第５実施例に係る可変減衰器１−５の場合よりも、さらに大きくすることができる。
【００６７】
また、上記のような構成により、第５実施例の場合と同様に、温度補償回路２０において、Ｖｃｎｔを温度変化やドナー濃度のばらつきに対応してシフトさせ、Ｖｃｎｔ’とすることでＶｇｓを変化させることにより、温度変化やドナー濃度のばらつきに起因した減衰量の変動を補償することができる。
図３２は、温度変化に起因した減衰量の変動の補償作用を表した線図であり、図３３は、ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量の変動の補償作用を表した線図である。
図３２に示すように、温度が高くなって行くと、同じ制御入力電圧Ｖｃｎｔ（ここでは例えばＶｃｎｔ１）に対する減衰量は増大するが、温度補償回路２０により、制御入力電圧Ｖｃｎｔを増大方向にシフトさせ、制御電圧Ｖｃｎｔ’として出力することにより、Ｖｇｓを低減させることで、減衰量を低減させ、減衰量の増大を補償することができる。また逆に、温度が低くなって行くと、同じ制御入力電圧Ｖｃｎｔ１に対する減衰量は低減するが、温度補償回路２０によって制御電圧Ｖｃｎｔを低減させてＶｇｓを増加させることで、減衰量を増大させて、減衰量の低減を補償することができる。このようにして、温度変化に起因した減衰量の変動が補償される。
【００６８】
また、ドナー濃度（しきい値電圧のばらつき）に対応して、温度補償回路２０により、Ｖｃｎｔをシフトさせ、Ｖｃｎｔ’として出力することで、Ｖｇｓを変化させることにより、ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量の変動を補償することができる。
すなわち、図３３に示すように、ドナー濃度が高いと、同じ制御入力電圧Ｖｃｎｔ１に対する減衰量は増大するが、温度補償回路２０がＶｃｎｔ’を増大させることでＶｇｓを低減させ、減衰量を低減させることができる。また逆に、ドナー濃度が低いと、同じ制御入力電圧Ｖｃｎｔ１に対する減衰量は低減するが、温度補償回路２０がＶｃｎｔ’を低減させることにより、Ｖｇｓを増加させて、減衰量を増大させることができる。このようにして、ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量のばらつきが補償される。
【００６９】
このように、第６実施例の可変減衰器１−６では、第４実施例５の場合と同様に、温度変化に起因した減衰量の変動及びドナー濃度に起因した減衰量の変動（ばらつき）を、温度補償回路２０によって制御電圧Ｖｃｎｔを減衰量に対応してシフトさせてＶｃｎｔ’として出力することで、補償することができる。
しかも、第２のＭＥＳＦＥＴ２１は、第１実施例〜第５実施例の場合と同様に、等価回路的にショットキーバリアダイオードとして用いられる回路構成となっているので、図３９に示したような従来の第２のＭＥＳＦＥＴ１２０に必要であった抵抗素子Ｒ５を省略することができる。したがって、少なくともその分、回路構成を簡略化・小型化することが可能となる。
またさらには、第１実施例〜第４実施例の場合には必要であった定基準電圧Ｖｒｅｆ及び基準電圧Ｖｒｅｆ’を省略すると共に、第１のＭＥＳＦＥＴ１１のゲートＧを接地するようにしたので、定基準電圧入力端子２４及び図示しない定基準電圧電源等を設けなくて済むこととなり、その分、回路構成をさらに簡易なものとすることができる。
【実施例７】
【００７０】
図３４は、この発明の第７実施例に係る回路モジュールを示すブロック図である。
図３４に示すように、この実施例では、可変減衰器１−１〜１−６（これらを可変減衰器１と総称する）を、アンプ（増幅器）３３を備えた回路モジュールに利用した。
具体的には、可変減衰器１として、上述した各実施例のものを用い、アンプ３３を、この可変減衰器１の出力端子１８に接続している。これにより、出力端子１８から出力される減衰された出力信号Ｖｏｕｔをアンプ３３で増幅して、出力端子３４から出力するようにしている。
このように、回路モジュール内に、上記実施例の可変減衰器１を用いることにより、各実施例の可変減衰器１が極めて小型であるという利点を生かして、小型の回路モジュールを提供することができる。
【実施例８】
【００７１】
図３５は、この発明の第７実施例に係る通信装置を示すブロック図である。
図３５に示すように、この実施例では、可変減衰器１を、変調器３５とアップコンバータ３６とアンプ３３とアンテナ３７とを備えた携帯用小型通信装置に利用した。
ここで、変調器３５は、外部からの入力信号を変調して出力するものであり、アップコンバータ３６は、この変調器３５に接続され、変調器３５からの変調信号を所定の方式でコンバートして出力するものである。また、可変減衰器１は、アップコンバータ３６とアンテナ３７との間に接続されており、アップコンバータ３６からの入力信号Ｖｉｎを上述のようにして減衰させて出力信号Ｖｏｕｔとして出力するものである。さらに、アンプ３３は、可変減衰器１の出力端子１８に接続され、出力端子１８からの減衰出力信号Ｖｏｕｔを増幅して出力するものである。そして、アンテナ３７は、アンプ３３から出力される出力信号Ｖｏｕｔを電波として送信する。
このように、携帯用小型通信装置に、上記実施例の可変減衰器１を用いることにより、各実施例の可変減衰器１が極めて小型であるという利点を生かして、小型の携帯用小型通信装置を提供することができる。
【００７２】
なお、この発明は、実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
上記実施例では、第２のＭＥＳＦＥＴ２１のドレインＤとソースＳとを接続して同電位にした場合について説明したが、これのみには限定されないことは勿論である。図３６に示すように、ドレインＤ側を第４の抵抗素子に接続し、ソースＳ側はオープンにしてもよく、あるいは図３７に示すように、ソースＳ側を第４の抵抗素子に接続し、ドレインＤ側はオープンにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】この発明の第１実施例に係る可変減衰器の主要部を示す回路図である。
【図２】可変減衰器本体内に用いられる第１のＭＥＳＦＥＴの積層構造を示す断面図である。
【図３】温度補償回路内に用いられる第２のＭＥＳＦＥＴの積層構造を示す断面図である。
【図４】第１のＭＥＳＦＥＴの温度変化に対応した減衰量の変化を示す特性線図である。
【図５】ドナー濃度のばらつきに起因したゲート−ソース間電圧の減衰量のばらつきを示す特性線図である。
【図６】第２のＭＥＳＦＥＴの温度変化に対応したＩ−Ｖ特性線図である。
【図７】第２のＭＥＳＦＥＴのドナー濃度に対応したＩ−Ｖ特性線図である。
【図８】温度変化に対応したゲート−ソース間電圧のシフトを示す特性線図である。
【図９】温度変化に起因した減衰量の変動に対する補償作用を示す特性線図である。
【図１０】ドナー濃度に対応したゲート−ソース間電圧のシフトを示す特性線図である。
【図１１】ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量の変動に対する補償作用を表した特性線図である。
【図１２】第１のＭＥＳＦＥＴのしきい値電圧と第２のＭＥＳＦＥＴのＩ−Ｖ特性とのドナー濃度に対する相関関係を表した線図である。
【図１３】この発明の第２実施例に係る可変減衰器の主要部を示す回路図である。
【図１４】温度変化に起因した減衰量の変動を示す特性線図である。
【図１５】ドナー濃度（しきい値）のばらつきに起因した減衰量の変動を示す特性線図である。
【図１６】温度変化に起因した減衰量の変動の補償作用を示す特性線図である。
【図１７】ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量の変動の補償作用を示す特性線図である。
【図１８】この発明の第３実施例に係る可変減衰器の主要部を示す回路図である。
【図１９】温度変化に対応したゲート−ソース間電圧のシフトを示す特性線図である。
【図２０】温度変化に起因した減衰量の変動に対する補償作用を示す特性線図である。
【図２１】ドナー濃度に対応したゲート−ソース間電圧のシフトを示す特性線図である。
【図２２】ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量の変動に対する補償作用を示す特性線図である。
【図２３】この発明の第４実施例に係る可変減衰器の主要部を示す回路図である。
【図２４】温度変化に起因した減衰量の変動の補償作用を示す特性線図である。
【図２５】ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量の変動の補償作用を示す特性線図である。
【図２６】この発明の第５実施例に係る可変減衰器１−５の主要部を示す回路図である。
【図２７】温度変化に対応したゲート−ソース間電圧のシフトを示す特性線図である。
【図２８】温度変化に起因した減衰量の変動に対する補償作用を示す特性線図である。
【図２９】ドナー濃度変化に対応したゲート−ソース間電圧のシフトを示す特性線図である。
【図３０】ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量の変動に対する補償作用を示す特性線図である。
【図３１】この発明の第６実施例に係る可変減衰器の主要部を示す回路図である。
【図３２】温度変化に起因した減衰量の変動の補償作用を示す特性線図である。
【図３３】ドナー濃度のばらつきに起因した減衰量の変動の補償作用を示す特性線図である。
【図３４】この発明の第７実施例に係る回路モジュールを示すブロック図である。
【図３５】この発明の第７実施例に係る通信装置を示すブロック図である。
【図３６】この発明の第１変形例を示す回路図である。
【図３７】この発明の第２変形例を示す回路図である。
【図３８】従来の可変減衰器の一例を示す回路図である。
【図３９】従来の可変減衰器の他の例を示す回路図である。
【符号の説明】
【００７４】
１…可変減衰器、  １０…可変減衰器本体、  １１…第１のＭＥＳＦＥＴ、  Ｃ１…第１のキャパシタンス、  Ｃ２…第２のキャパシタンス、  Ｒ１…第１の抵抗素子、  Ｒ２…第２の抵抗素子、  Ｒ３…第３の抵抗素子、  １７…入力端子、  １８…出力端子、  ２０…温度補償回路、  ２１…第２のＭＥＳＦＥＴ、  Ｒ４…第４の抵抗素子、  ２４…定基準電圧入力端子、  Ｖｉｎ…入力信号、  Ｖｏｕｔ…出力信号。
【図１】
2005244877.tif 000003
【図２】
2005244877.tif 000004
【図３】
2005244877.tif 000005
【図４】
2005244877.tif 000006
【図５】
2005244877.tif 000007
【図６】
2005244877.tif 000008
【図７】
2005244877.tif 000009
【図８】
2005244877.tif 000010
【図９】
2005244877.tif 000011
【図１０】
2005244877.tif 000012
【図１１】
2005244877.tif 000013
【図１２】
2005244877.tif 000014
【図１３】
2005244877.tif 000015
【図１４】
2005244877.tif 000016
【図１５】
2005244877.tif 000017
【図１６】
2005244877.tif 000018
【図１７】
2005244877.tif 000019
【図１８】
2005244877.tif 000020
【図１９】
2005244877.tif 000021
【図２０】
2005244877.tif 000022
【図２１】
2005244877.tif 000023
【図２２】
2005244877.tif 000024
【図２３】
2005244877.tif 000025
【図２４】
2005244877.tif 000026
【図２５】
2005244877.tif 000027
【図２６】
2005244877.tif 000028
【図２７】
2005244877.tif 000029
【図２８】
2005244877.tif 000030
【図２９】
2005244877.tif 000031
【図３０】
2005244877.tif 000032
【図３１】
2005244877.tif 000033
【図３２】
2005244877.tif 000034
【図３３】
2005244877.tif 000035
【図３４】
2005244877.tif 000036
【図３５】
2005244877.tif 000037
【図３６】
2005244877.tif 000038
【図３７】
2005244877.tif 000039
【図３８】
2005244877.tif 000040
【図３９】
2005244877.tif 000041