(57)【要約】【課題】  小型化と封止性の向上の両立が可能な弾性表面波装置を提供する。【解決手段】  圧電基板２６と、ＩＤＴ２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂと、ＩＤＴ２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂに電気的に接続され圧電基板２６の周縁に沿って配置された電極端子２５ａ〜２５ｆとを有する素子チップ２０と、素子チップ２０の電極端子２５ａ〜２５ｆが配置された面に対向して所定の間隔を設けて配置され、電極端子２５ａ〜２５ｆに対向する部分にランドが形成されたベース基板と、素子チップ２０の電極端子２５ａ〜２５ｆとベース基板のランドとの間に配置され、電極端子２５ａ〜２５ｆとランドとの間を電気的に接続しながら接着する導電性接着剤２８ａ〜２８ｆと、素子チップ２０とベース基板との間において周縁に沿って全周に配置され、素子チップ２０とベース基板とを電気的に絶縁しながら接着する絶縁性接着剤とを備える。【選択図】図１
2005348273.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、該圧電基板の面に沿って形成されたＩＤＴと、該ＩＤＴに電気的に接続され前記圧電基板の周縁に沿って配置された電極端子とを有する素子チップと、
前記素子チップの前記電極端子が配置された面に対向して所定の間隔を設けて配置され、前記電極端子に対向する部分にランドが形成されたベース基板と、
前記素子チップの前記電極端子と前記ベース基板の前記ランドとの間に配置され、前記電極端子と前記ランドとの間を電気的に接続しながら接着する導電性接着剤と、
前記素子チップと前記ベース基板との間において周縁に沿って全周に配置され、前記素子チップと前記ベース基板とを電気的に絶縁しながら接着する絶縁性接着剤とを備えたことを特徴とする、弾性表面波装置。
【請求項２】
前記導電性接着剤は、前記絶縁性接着剤の内側に、前記絶縁性接着剤に隣接して配置されたことを特徴とする、請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
前記ベース基板を貫通するスルーホールが形成され、該スルーホールの一端が前記ランドに接続され、該スルーホールの他端が外部電極に接続されたことを特徴とする、請求項１又は２に記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
前記スルーホールの内側空間に、前記導電性接着剤又は前記絶縁性接着剤が配置されたことを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の弾性表面波装置。
【請求項５】
前記スルーホールの前記一端は、前記ランドの前記導電性接着剤又は前記絶縁性接着剤が配置される部分に形成されたことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の弾性表面波装置。
【請求項６】
前記スルーホールの内側空間に、前記導電性接着剤と異なりかつ前記絶縁性接着剤と異なる樹脂が配置されたことを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の弾性表面波装置。
【請求項７】
前記ランドのメッキ厚を大きくしてスルーホールを穴埋めしたことを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の弾性表面波装置。
【請求項８】
前記ランドは、複数個が互いに隙間を設けて隣接して配置され、該隙間は２箇所で直角かつ逆方向にクランク状に折れ曲がることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一つに記載の弾性表面波装置。
【請求項９】
前記ランドの高さが５０μｍ以上であることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれかに記載の弾性表面波装置。
【請求項１０】
隣接する前記電極端子の間又は隣接する前記ランドの間に配置され、前記絶縁性接着剤に埋設される絶縁性樹脂を備えたことを特徴とする、請求項１乃至９のいずれかに記載の弾性表面波装置。
【請求項１１】
圧電基板と、該圧電基板の面に沿って形成されたＩＤＴと、該ＩＤＴに電気的に接続され前記圧電基板の周縁に沿って配置された電極端子とを有する素子チップが複数個形成された素子基板に対して、前記電極端子に導電性接着剤を塗布する第１の工程と、
前記素子チップの前記電極端子に対応する部分にランドを有するベース基板が複数個形成された集合基板に対して、前記ベース基板の前記ランドを有する面の周縁に沿って該面の内側に、硬化温度が前記導電性接着剤の硬化温度と略同じである絶縁性接着剤を塗布する第２の工程と、
前記素子チップと前記ベース基板とを対応させて前記素子基板と前記集合基板を重ね合わせて加熱し、前記導電性接着剤と前記絶縁性接着剤を硬化させ、前記導電性接着剤により前記電極端子と前記ランドとを電気的に接続し、かつ、前記絶縁性接着剤により前記素子チップ及び前記ベース基板を接着する第３の工程と、
接着した前記素子チップ及び前記ベース基板に沿って、前記素子基板及び前記集合基板を切断し、個々の弾性表面波装置に分離する第４の工程とを備えたことを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波装置に関し、詳しくは、弾性表面波を利用する素子チップを備えた弾性表面波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品は、ＣＳＰ（チップサイズパッケージ）、すなわち素子チップと略同じ外形寸法にすることが要求されている。
【０００３】
弾性表面波装置については、例えば図６に示す構造が提案されている。すなわち、ＩＤＴ電極２を形成した圧電基板１の主面の周縁に端子電極６や周囲金属膜７，７'を配置する。そして、圧電基板１の端子電極６や周囲金属膜７，７'と、不図示のベース基板に設けた端子導体や周囲接地導体とを、銀（Ａｇ）ペースト等の導電性接着剤を用いて接着する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−１８３９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、この構造では、端子電極６と周囲金属膜７，７'との間に間隙８があるため、圧電基板１を実装したときに、ＩＤＴ電極２は完全な気密封止にはならない。そのため、例えばリフロー実装時にクリーム半田から発生するフラックス成分はＩＤＴ電極２などに悪影響を与えるので、この弾性表面波装置を単独で使用することができず、他のＩＣ回路等と同時に樹脂封止するなど、使い方に特別な工夫が必要となる。
【０００５】
仮に、導電性接着剤を用いて封止する構成としても、密封性能を確保することが難しい。導電性接着剤は電気的導通を主目的とし、Ａｇフィラー等を含有しているため、封止性は絶縁性接着剤よりも劣るからである。
【０００６】
さらに、導電性接着剤は銀（Ａｇ）ペーストが一般的であるが、Ａｇなどの導電性接着剤の金属成分が外部に露出すると、周囲雰囲気の影響でマイグレーションによる絶縁不良を引き起こす可能性がある。
【０００７】
本発明は、かかる実情に鑑み、小型化と封止性の向上の両立が可能な弾性表面波装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するため、以下のように構成した弾性表面波装置を提供する。
【０００９】
弾性表面波装置は、素子チップと、ベース基板と、導電性接着剤と、絶縁性接着剤とを備える。前記素子チップは、圧電基板と、該圧電基板の面に沿って形成されたＩＤＴと、該ＩＤＴに電気的に接続され前記圧電基板の周縁に沿って配置された電極端子とを有する。前記ベース基板は、前記素子チップの前記電極端子が配置された面に対向して所定の間隔を設けて配置され、前記電極端子に対向する部分にランドが形成される。前記導電性接着剤は、前記素子チップの前記電極端子と前記ベース基板の前記ランドとの間に配置され、前記電極端子と前記ランドとの間を電気的に接続しながら接着する。前記絶縁性接着剤は、前記素子チップと前記ベース基板との間において周縁に沿って全周に配置され、前記素子チップと前記ベース基板とを電気的に絶縁しながら接着する。
【００１０】
上記構成によれば、素子チップの電極端子とベース基板のランドとの間は、導電性接着剤によってバンプ接合するので、フリップチップボンディングなどと比較して、弾性表面波装置を小型化できる。また、導電性接着剤よりも密封性能が優れた絶縁性接着剤を用いるので、封止性を向上することができる。
【００１１】
好ましくは、前記導電性接着剤は、前記絶縁性接着剤の内側に、前記絶縁性接着剤に隣接して配置される。
【００１２】
上記構成によれば、導電性接着剤は、絶縁性接着剤の内側に配置され外部に露出しないので、周囲雰囲気の影響で導電性接着剤の金属成分のマイグレーションが発生することはない。これにより、絶縁不良を防止することができる。また、導電性接着剤の接着強度は、周囲雰囲気の影響で低下することがないので、導電部分の接着強度の向上を図ることができる。
【００１３】
好ましくは、前記ベース基板を貫通するスルーホールが形成され、該スルーホールの一端が前記ランドに接続され、該スルーホールの他端が外部電極に接続される。
【００１４】
上記構成によれば、ランドと外部電極との間の電気配線をできるだけ短くして、弾性表面波装置を小型化することができる。
【００１５】
好ましくは、前記スルーホールの内側空間に、前記導電性接着剤又は前記絶縁性接着剤が配置される。
【００１６】
上記構成によれば、導電性接着剤又は絶縁性接着剤でスルーホールを穴埋めすることにより、材料の種類を増やすことなく、スルーホールからのリークを防止することができる。
【００１７】
好ましくは、前記スルーホールの前記一端は、前記ランドの前記導電性接着剤又は前記絶縁性接着剤が配置される部分に形成される。
【００１８】
上記構成よれば、スルーホールの穴埋めは、特に工程を増やすことなく、導電性接着剤又は絶縁性接着剤を塗布する工程などと同時に行うことができる。
【００１９】
好ましくは、前記スルーホールの内側空間に、前記導電性接着剤と異なりかつ前記絶縁性接着剤と異なる樹脂が配置される。
【００２０】
上記構成によれば、スルーホールを樹脂で穴埋めして、リークを防止することができる。スルーホールは、導電性接着剤や絶縁性接着剤の位置とは関係なく、任意の位置に形成することができる。
【００２１】
好ましくは、前記ランドのメッキ厚を大きくしてスルーホールを穴埋めする。
【００２２】
上記構成によれば、メッキ金属でスルーホールを穴埋めすることにより、スルーホールからのリークを防止することができる。
【００２３】
好ましくは、前記ランドは、複数個が互いに隙間を設けて隣接して配置され、該隙間は２箇所で直角かつ逆方向にクランク状に折れ曲がる。
【００２４】
上記構成によれば、素子チップとベース基板を接着するときに、例えば、隣接するランドの間の隙間に配置された導電性接着剤又は絶縁性接着剤が気泡を噛んだ場合でも、隙間がクランク状であるため、内部と外部が連通する致命的なリークパスの形成を防止することができる。したがって、隣接するランドの間の隙間からのリークを、効果的に防止することができる。
【００２５】
好ましくは、前記ランドの高さが５０μｍ以上である。
【００２６】
上記構成によれば、複数の素子チップを形成した素子基板と複数のベース基板を形成した集合基板とを貼り合わせたものを切断して個々の弾性表面波装置に分離する場合、素子基板の切断と集合基板の切断とを分けて行うときの切り込み深さのマージンを確保することができる。
【００２７】
好ましくは、隣接する前記電極端子の間又は隣接する前記ランドの間に配置され、前記絶縁性接着剤に埋設される絶縁性樹脂を備える。
【００２８】
上記構成によれば、絶縁性樹脂を埋設することにより、絶縁性接着剤による封止を保ちながら、絶縁性接着剤を充填する空間を小さくして、封止性を向上することができる。絶縁性樹脂は、その全部が絶縁性接着剤に埋設されても、その一部が絶縁性接着剤に埋設されてもよい。
【００２９】
また、本発明は、以下のように構成した弾性表面波装置の製造方法を提供する。
【００３０】
弾性表面波装置の製造方法は、第１乃至第４の工程を備える。前記第１の工程において、圧電基板と、該圧電基板の面に沿って形成されたＩＤＴと、該ＩＤＴに電気的に接続され前記圧電基板の周縁に沿って配置された電極端子とを有する素子チップが複数個形成された素子基板に対して、前記電極端子に導電性接着剤を塗布する。前記第２の工程において、前記素子チップの前記電極端子に対応する部分にランドを有するベース基板が複数個形成された集合基板に対して、前記ベース基板の前記ランドを有する面の周縁に沿って該面の内側に、硬化温度が前記導電性接着剤の硬化温度と略同じである絶縁性接着剤を塗布する。前記第３の工程において、前記素子チップと前記ベース基板とを対応させて前記素子基板と前記集合基板を重ね合わせて加熱し、前記導電性接着剤と前記絶縁性接着剤を硬化させ、前記導電性接着剤により前記電極端子と前記ランドとを電気的に接続し、かつ、前記絶縁性接着剤により前記素子チップ及び前記ベース基板を接着する。前記第４の工程において、接着した前記素子チップ及び前記ベース基板に沿って、前記素子基板及び前記集合基板を切断し、個々の弾性表面波装置に分離する。
【００３１】
上記構成によれば、導電性接着剤と絶縁性接着剤の硬化温度とが略同じであるので、電気的な接続と密封性の確保を両立しながら、電気的な接続と密封を同時に行うことができる。したがって、ＣＳＰ（チップサイズパッケージ）型の弾性表面波装置を安価に製造できる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の弾性表面波装置は、小型化と封止性の向上の両立が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態として実施例を、図１〜図５を参照しながら説明する。
【００３４】
図３の断面図に示すように、弾性表面波装置１０は、素子チップ２０とベース基板３２とを重ね合わせ、素子チップ２０とベース基板３２との間に空間１１を形成した状態で、空間１１の外側を接着剤２８ａ〜２８ｆ（２８ｃ，２８ｆのみ図示），３８で接着して密封したものである。この弾性表面波装置１０は、例えばテレビジョン受像機に使われるトランスバーサルＳＡＷフィルタである。
【００３５】
図１の平面図及び図３に示すように、素子チップ２０は、圧電性を有しない矩形の非圧電基板２２の片面に配線パターンが形成され、その上に圧電基板となる圧電薄膜２６が配置され、さらにダンピング材２７ａ，２７ｂが配置されている。
【００３６】
配線パターンは、櫛型電極（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）であるＩＤＴ２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂと、電極端子２５ａ〜２５ｆと、ＩＤＴ２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂと電極端子２５ａ〜２５ｆとの間を接続する部分とを含む。電極端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃは、非圧電基板２２の一方の長辺に沿って配置され、電極端子２５ｄ，２５ｅ，２５ｆは、非圧電基板２２の他方の長辺に沿って配置される。ＩＤＴ２３ａ，２３ｂと、ＩＤＴ２４ａ，２４ｂは、それぞれ、電極端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃと電極端子２５ｄ，２５ｅ，２５ｆとの間に互いに平行に配置されている。
【００３７】
電極端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃ側に配置されたＩＤＴ２３ａ，２３ｂは、それぞれ、音声信号の入力用及び出力用である。電極端子２５ｄ，２５ｅ，２５ｆ側に配置されたＩＤＴ２４ａ，２４ｂは、それぞれ、映像信号の入力用及び出力用である。
【００３８】
電極端子２５ａ，２５ｅは、音声入力用のＩＤＴ２３ａ、音声出力用のＩＤＴ２３ｂ及び映像入力用のＩＤＴ２４ａの一方のバスバーに接続された共通グランド端子２５ａ，２５ｅである。電極端子２５ｄは、音声入力用のＩＤＴ２３ａ及び映像入力用の電極端子２４ａの他方のバスバーに接続された共通入力端子２５ｄである。
【００３９】
電極端子２５ｂは、音声出力用のＩＤＴ２３ｂの他方のバスバーに接続された音声出力端子２５ｂである。電極端子２５ｃは、映像出力用のＩＤＴ２４ｂの一方のバスバーに接続された映像出力端子２５ｃである。電極端子２５ｆは、映像出力用のＩＤＴ２４ｂの他方のバスバーに接続された映像出力端子２５ｆである。
【００４０】
配線パターンのうち、ＩＤＴ２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂの部分には、図１において破線で示したように、圧電薄膜２６が形成されている。
【００４１】
さらに、映像入力用のＩＤＴ２４ａの外側端部に隣接して、図１において破線で示したように、ダンピング材２７ａが配置されている。また、映像出力用のＩＤＴ２４ｂの外側端部及びその周辺部に、図１において破線で示したように、ダンピング材２７ｂが配置されている。
【００４２】
各電極端子２５ａ〜２５ｆには、それぞれ、図１において破線で示したように、電極端子２５ａ〜２５ｆの少なくとも一部分に重なるように、導電性接着剤２８ａ〜２８ｆが配置されている。
【００４３】
図２に示すように、ベース基板３２の互いに平行な一対の主面の一方（これを、上面とする。）に、周縁に沿って複数のランド３４ａ〜３４ｆが互いに間隔を設けて配置されている。ベース基板３２の他方の主面（これを、下面とする。）には、図４に示すように、弾性表面波装置１０を実装するときに用いる外部電極３６ａ〜３６ｆが、間隔を設けて配置されている。ランド３４ａ〜３４ｆと外部電極３６ａ〜３６ｆとは、それぞれ、ベース基板３２を貫通するスルーホール３５ａ〜３５ｆの両端に接続され、電気的に導通するようになっている。
【００４４】
ランド３４ａ〜３４ｆは、それぞれ、素子チップ２０の電極端子２５ａ〜２５ｆと対応する部分に配置され、一点鎖線で示したように導電性接着剤２８ａ〜２８ｆを介して電気的に接続される。つまり、導電性接着剤２８ａ〜２８ｆでバンプ接合される。
【００４５】
図２において破線で示したように、ベース基板３２の周縁に沿って全周に絶縁性接着剤３８が塗布される。このとき、ランド３４ａ〜３４ｆの上に絶縁性接着剤３８が塗布され、ランド３４ａ〜３４ｆを封止枠として用い、絶縁性接着剤３８で封止するようになっている。
【００４６】
絶縁性接着剤３８は、全周に渡って略一定の幅で延在するが、部分的に切り欠き部３８ａ〜３８ｆが形成され、幅が狭くなっている。切り欠き部３８ａ〜３８ｆからは、ランド３４ａ〜３４ｆの一部分が露出する。切り欠き部３８ａ〜３８ｆは、一点鎖線で示した非圧電基板２２の導電性接着剤２８ａ〜２８ｆと略対応する形状である。これにより、ベース基板３２と非圧電基板２２とを、略一定の幅で接着することができるので、接着強度や密封性が略均一になる。
【００４７】
隣接するランド３４ａ〜３４ｆの間の空間には、絶縁性樹脂３７ａ〜３７ｆが配置され、絶縁性接着剤３８に埋設されるようになっている。絶縁性樹脂３７ａ〜３７ｆは、ランド３４ａ〜３４ｆと略同じ高さとし、絶縁性接着剤３８を容易に塗布することができるようにする。絶縁性接着剤３８を充填する空間を絶縁性樹脂３７ａ〜３７ｆで小さくし、封止性を向上することができる。絶縁性樹脂３７ａ〜３７ｆは、素子チップ２０側の対応する部分に配置することも可能である。
【００４８】
図２では、隣接するランド３４ａ〜３４ｆの間の隙間は略直線状に形成されているが、この隙間を、図５に要部を示したように構成してもよい。すなわち、隣接するランド１３４ａ〜１３４ｆの間の隙間が、２箇所で直角かつ逆方向にクランク状に折れ曲がるように構成してもよい。この場合、素子チップとベース基板を接着するときに、例えば、隣接するランド１３４ａ〜１３４ｆの間の隙間に配置された絶縁性接着剤が気泡を噛んだ場合でも、外部と内部が連通する致命的なリークパスの形成を防止することができる。したがって、隣接するランド１３４ａ〜１３４ｆの間の隙間からのリークを、効果的に防止することができる。
【００４９】
図２に示すように、ランド３４ａ〜３４ｆに接続されるスルーホール３５ａ〜３５ｆの一端は、素子チップ２０の導電性接着剤２８ａ〜２８ｆで覆われた位置に形成される。これによって、スルーホール３５ａ〜３５ｆを介して素子チップ２０とベース基板３２との間の空間１１と外部とが連通することを阻止することができる。
【００５０】
これに代え、スルーホール３５ａ〜３５ｆの一端を、絶縁性接着剤３８で覆われる位置に形成しても、同様の効果が得られる。
【００５１】
あるいは、スルーホール３５ａ〜３５ｆの内側空間に、導電性接着剤２８ａ〜２８ｆ又は絶縁性接着剤３８と同じ接着剤を配置して、穴埋めしてもよい。この場合には、材料の種類を増やすことなく、スルーホール３５ａ〜３５ｆからのリークを防止することができる。
【００５２】
あるいは、スルーホール３５ａ〜３５ｆに、導電性接着剤２８ａ〜２８ｆとも絶縁性接着剤３８とも異なる樹脂を配置して、穴埋めしてもよい。この場合には、導電性接着剤２８ａ〜２８ｆや絶縁性接着剤３８の位置とは無関係に、スルーホール３５ａ〜３５ｆからのリークを防止することができるので、自由な位置にスルーホール３５ａ〜３５ｆを形成することができる。
【００５３】
あるいは、図５に示すように、ランド１３４ａ〜１３４ｆのメッキ厚を大きくして、スルーホール１３５ａ〜１３５ｆを穴埋めしてもよい。
【００５４】
次に、弾性表面波装置１０の製造方法について、説明する。
【００５５】
複数個の素子チップ２０を形成した素子基板を準備し、この素子基板に対して、それぞれの素子チップ２０の所定位置に導電性接着剤２８ａ〜２８ｆを塗布する。
【００５６】
また、ランド３４ａ〜３４ｆ、スルーホール３５ａ〜３５ｆ、外部電極３６ａ〜３６ｆを形成したベース基板３２の集合基板を準備し、この集合基板に対して、それぞれのベース基板３２の所定位置に絶縁性樹脂３７ａ〜３７ｆを配置した後、所定位置に絶縁性接着剤３８を塗布する。
【００５７】
次に、素子チップ２０とベース基板３２を対応させて、導電性接着剤２８ａ〜２８ｆを塗布した素子基板の面と絶縁性接着剤３８を塗布した集合基板の面とを貼り合わせる。そして、加圧した状態を保持しながら加熱し、導電性接着剤２８ａ〜２８ｆと絶縁性接着剤３８とを硬化させ、素子基板と集合基板とを接着する。導電性接着剤２８ａ〜２８ｆ及び絶縁性接着剤３８には、略同じ温度で硬化する熱硬化性樹脂を用いる。これによって、電気的な接続と密封性の確保を両立しつつ、電気的な接続と密封を同時に行い、作業性を高めて低コストで製造することが可能となる。
【００５８】
接着した素子基板と集合基板は、素子チップ２０及びベース基板３２に沿って切断し、個々の弾性表面波装置１０に分離する。
【００５９】
例えば、素子基板にダイシングテープを接着して保持し、集合基板側から、ダイシングにより切断する。このとき、最初に集合基板を切断し、次にブレードを交換して素子基板を切断する。切断により分離した弾性表面波装置１０は、ダイシングテープから剥離する。
【００６０】
最初に集合基板を切断するとき、ブレードが集合基板を越えて素子基板に達すると、素子基板にクラックが発生するなどトラブルの原因となる。そのため、集合基板を切断するときに、集合基板を切断し、かつ、素子基板には達しない切込み深さにする必要がある。ブレードが切断中に摩耗することや加工時のばらつきなどを考慮し、切り込み深さに５０μｍ以上のマージンを設けることが望ましい。ベース基板３２に形成するランド３４ａ〜３４ｆの高さが５０μｍ以上であれば、素子基板（非圧電基板２２）と集合基板（ベース基板３２）の間の間隔は、５０μｍ以上となり、集合基板を切断するときの切り込み深さのマージンを十分に確保して作業性を向上することができる。
【００６１】
以上に説明したように、素子チップ２０とベース基板３２との間に絶縁性樹脂３８が全周に渡って配置され、素子チップ２０とベース基板３２との間の空間１１を密封する。絶縁性樹脂３８は電気的接続部分との電気的短絡の心配がないので、寸法マージンを節減して弾性表面波装置１０の小型化を図ることができる。
【００６２】
導電性接着剤２８ａ〜２８ｆは絶縁性樹脂３８よりも内側に配置され、外部には露出しないので、周囲雰囲気の影響を受けない。そのため、導電性接着剤２８ａ〜２８ｆに含まれる金属成分（例えば、Ａｇ）のマイグレーションによる絶縁不良を防止することができる。さらに、隣接する電極端子２５ａ〜２５ｆの間の隙間や、隣接するランド３４ａ〜３４ｆの間の隙間には、絶縁性樹脂３８が配置され、導電性接着剤２８ａ〜２８ｆの周囲は絶縁性樹脂３８で囲まれるので、マイグレーションによる絶縁不良をより一層確実に防止することができる。
【００６３】
また、導電性接着剤２８ａ〜２８ｆの接着強度は、周囲雰囲気の影響で低下することがないので、導電部分の接着強度の向上を図ることができる。
【００６４】
次に、具体例について説明する。
【００６５】
複数の素子チップ２０を形成する素子基板には、ガラス基板を用いる。ガラス基板の片面に、まず、厚さ０．４μｍのＡｌ膜で、配線パターン全体を形成する。次に、電極端子２５ａ〜２５ｆの部分についてのみ、厚さ０．０８μｍのＴｉ膜、厚さ０．６μｍのＮｉ膜、厚さ０．４μｍのＡｇ膜を順に形成する。電極端子２５ａ〜２５ｆの厚さは、約１．５μｍである。素子基板には、エポキシ系の導電性接着剤２８ａ〜２８ｆを約４０μｍの厚さで印刷塗布する。
【００６６】
複数のベース基板３２を形成する集合基板には樹脂、例えばガラスエポキシを用いる。外部電極３６ａ〜３６ｆの高さは０．１ｍｍである。ランド３４ａ〜３４ｆの高さは０．１ｍｍである。隣接するランド３４ａ〜３４ｆの間がくぼんでいるので、この部分に絶縁性樹脂３７ａ〜３７ｆを予め配置し、高さを略揃える。絶縁性樹脂３７ａ〜３７ｆは、ランド３４ａ〜３４ｆとの間に隙間ができた状態で配置する。ランド３４ａ〜３４ｆや絶縁性樹脂３７ａ〜３７ｆにエポキシ系の絶縁性接着剤３８を約３０μｍの厚さで印刷塗布する。絶縁性樹脂３７ａ〜３７ｆとランド３４ａ〜３４ｆとの間の隙間には、集合基板と素子基板とを加圧しなが接着するときに、絶縁性接着剤３８が入り込んで封止する。絶縁性樹脂３７ａ〜３７ｆとランド３４ａ〜３４ｆとの間の隙間はなくてもよい。
【００６７】
電気的接続が確実に行えるよう、導電性接着剤２８ａ〜２８ｆの塗布厚は、絶縁性接着剤３８の塗布厚よりも大きくする。導電性接着剤２８ａ〜２８ｆや絶縁性接着剤３８には、エポキシ系以外に、ウレタン系、シリコン系も使用可能である。導電性接着剤２８ａ〜２８ｆと絶縁性接着剤３８の硬化温度条件は、ともに１５０℃、３０分である。密封性能を上げるために、減圧下で、素子基板と樹脂の集合基板を貼り合わせ、加圧しなが接着する作業を行う。
【００６８】
接着後、素子基板側にダイシングテープを貼り付け、ダイシングにより、チップの個片に切断する。このとき、まず、メタルブレードで、樹脂の集合基板と絶縁性接着剤の一部をカットする。次に、レジンブレードで、残りの絶縁性接着剤とガラスの素子基板とをカットする。そして、チップをダイシングテープから取り外すことで、弾性表面波装置１０の作製を完了する。
【００６９】
ダイシングブレードは、金属を切断すると摩耗が進む。そのため、図１、図２及び図４に示すように、金属の電極端子２５ａ〜２５ｆ、ランド３４ａ〜３４ｆ、外部電極３６ａ〜３６ｆは、素子チップ２０やベース基板３２の周縁との間に隙間を設け、ダイシングブレードの摩耗の低減を図っている。
【００７０】
なお、ダイシングブレードの摩耗を許容できるのであれば、スルーホールの位置を接着剤の位置よりも外側に出し、キャスタレーションとして形成することができる。この場合には、スルーホールの穴埋めは不要となる。
【００７１】
なお、本発明は、上記した実施例に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することができる。
【００７２】
また、本発明は、トランスバーサルＳＡＷフィルタ以外の共振子やフィルタなど、弾性表面波を利用する素子チップを備えた弾性表面波装置に広く適用することができる。圧電基板は、ＺｎＯ薄膜に限らず、水晶、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３などであってもよい。
【００７３】
電極端子は、実施例のように圧電基板（圧電薄膜２６）より外側の部分に配置しても、圧電基板の内側の部分に配置してもよい。電極端子は、実施例のように圧電基板以外の基板（非圧電基板２２）に配置しても、圧電基板に配置してもよい。素子チップは、実施例のように圧電基板以外の基板（非圧電基板２２）を備える構成であっても、圧電基板のみを備える構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】素子チップの平面図である。（実施例）
【図２】ベース基板の上面図である。（実施例）
【図３】図１の線III−IIIに沿って切断した弾性表面波装置の断面図である。（実施例）
【図４】ベース基板の下面図である。（実施例）
【図５】ベース基板の要部上面図である。（変形例）
【図６】素子の平面図である。（従来例）
【符号の説明】
【００７５】
１０  弾性表面波装置
２０  素子チップ
２３ａ，２３ｂ  ＩＤＴ
２４ａ，２４ｂ  ＩＤＴ
２５ａ〜２５ｆ  電極端子
２６  圧電薄膜（圧電基板）
２８ａ〜２８ｆ  導電性接着剤
３２  ベース基板
３４ａ〜３４ｆ  ランド
３５ａ〜３５ｆ  スルーホール
３６ａ〜３６ｆ  外部電極
３８  絶縁性接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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