(57)【要約】  【課題】検出特性改善用の光照射を阻害せず、且つ電荷読み出し用基板の破損を招来しないかたちで検出器本体を筐体に対し固定する。  【解決手段】この発明の放射線検出器は、検出器本体２を電荷読み出し用基板５の裏側から支える支持台７を介して検出器本体２が筐体８に対し固定されており、検出器本体２全体が支持台７で支えられていて、電荷読み出し用基板５で検出器本体２全体を支える状態は解消されるので、電荷読み出し用基板５の破損を招来せずに済む。さらに、検出特性改善用の光が通る光通路である透光性板状体７Ａを有する支持台７で検出器本体２が支えられているので、検出特性改善用の光照射を阻害することもない。その結果、検出特性改善用の光照射を阻害せず、且つ電荷読み出し用基板５の破損を招来しないかたちで検出器本体２を筐体８に対し固定することができる。【選択図】    図１
2005283261.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイアス電圧印加用の共通電極が表面に形成されていると共に入射放射線を直接電荷に変換する放射線有感体が透光性を有する電荷読み出し用基板に搭載されている検出器本体と、電荷読み出し用基板を介して放射線有感体に向けて検出特性改善用の光を照射する光照射機構と、検出器本体と光照射機構との間で検出器本体を電荷読み出し用基板の裏側から支えていると共に検出特性改善用の光が通る光通路を有する支持台と、検出器本体および光照射機構と支持台を収容する筐体とを備えていて、検出器本体が支持台を介して筐体に対し固定されていることを特徴とする放射線検出器。
【請求項２】
請求項１に記載の放射線検出器において、支持台は、検出特性改善用の光を透過させる透光性板状体であり、透光性板状体が表面全体で電荷読み出し用基板を受け止めている放射線検出器。
【請求項３】
請求項１に記載の放射線検出器において、支持台は、検出特性改善用の光が通る光通路となる中空領域を有する金属製枠体であり、金属製枠体が枠全体で電荷読み出し用基板を受け止めている放射線検出器。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の放射線検出器において、支持台が筐体に取り付けられることにより検出器本体が筐体に対し固定されている放射線検出器。
【請求項５】
請求項２に記載の放射線検出器において、支持台は透光性板状体の側周面に沿って取り囲んで透光性板状体と組み付けられている取付枠を具備していて、支持台が取付枠で筐体に取り付けられることにより検出器本体が筐体に対し固定されている放射線検出器。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の放射線検出器において、光照射機構の前面に光拡散用の拡散板を有する放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、バイアス電圧印加用の共通電極が表面に形成されていると共に入射放射線を直接電荷に変換する放射線有感体が透光性を有する電荷読み出し用基板に搭載されている検出器本体と、この検出器本体を収容する筐体とを備えている直接変換タイプの放射線検出器に係り、特に放射線検出器の検出器本体を筐体に対し固定するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、医用Ｘ線撮像装置などでは被検体からの透過Ｘ線等の放射線を検出する放射線検出器としてフラットパネル型の二次元放射線検出器が使用されている。このフラットパネル型の二次元放射線検出器（以下、適宜「検出器」と略記）には間接変換タイプと直接変換タイプとがある。
【０００３】
前者の間接変換タイプの検出器の場合、図８に示すように、光シンチレータ６２と光電変換膜６３が電荷読み出し用基板６４に搭載されている検出器本体６１を備えていて、入射放射線が上側の光シンチレータ６２でいったん光に変換され、変換光が下側の光電変換膜６３で電荷に変換されると共に、光電変換膜６３で生じた電荷が電荷読み出し用基板６４によって読み出されるので、放射線は二段で検出されることになる。検出器本体６１は裏面を接着剤で基台（図示省略）に接合したうえで筐体（図示省略）に収容固定されている（例えば特許文献１参照。）。
【０００４】
後者の直接変換タイプの検出器の場合、図９に示すように、バイアス電圧印加用の共通電極７２が表面に形成されていると共に入射放射線を直接電荷に変換する放射線有感体としての半導体膜７３が電荷読み出し用基板７４に搭載されている検出器本体７１を備えていて、入射放射線が半導体膜７３で直に電荷に変換されると共に、半導体膜７３で生じた電荷が電荷読み出し用基板７４によって半導体膜７３の裏面側に二次元マトリックス配列で設けられている個別電極（図示省略）毎に読み出されるので、放射線が一段で検出できる（例えば特許文献２参照。）。
【０００５】
ただ、直接変換タイプの検出器は、電荷読み出し用基板７４で電荷が読み出された後も読み出し切れずに入射放射線により生じた電荷が半導体膜７３の内に滞留することによって、検出感度が変動したり、残留出力が発生したりするという難点があった。
【０００６】
そこで、本件出願人が先に提出した特願2002-253819 号において、半導体膜７３に向けて放射線検出中に個別電極（分割電極）側から光を照射することにより半導体膜７３の内に入射放射線で生じた電荷が滞留することで起こる検出感度の変動や残留出力の発生を抑える直接変換タイプの検出器を案出した。
【０００７】
また、本件出願人が提出した別の特願2003−058487号において、半導体膜７３に向けて放射線検出中に個別電極（分割電極）側から検出特性改善用の光を照射することによってダイナミックレンジが狭められるのを、電荷読み出し用基板７４から電荷を読み出した後に設定されたゲイン値（ゲイン設定値）に応じて信号処理する電気信号処理回路のゲイン設定値の増加、減少に応じて検出特性改善用の光の強度を増加、減少することにより防止することを案出した。
【特許文献１】特開２０００−１１２３６９号公報（第４頁５欄〜第６頁７欄，図３）
【特許文献２】特開２００２−３１１１４４号公報（第６頁〜第８頁，図１〜図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記特願2002-253819 号と特願2003−058487号の両出願に係る検出器の場合、検出器本体７１を筐体（図示省略）に収容して電荷読み出し用基板７４の周縁部のところを筐体に取り付けることで検出器本体７１を筐体に対して固定し、電荷読み出し用基板７４で電荷検出器本体７１全体を支えなければならない。
【０００９】
電荷読み出し用基板７４は、普通、厚みが０．７ｍｍ程度の薄いガラス基材を用いているので、機械的に堅牢であるとは言い難い。それでも電荷読み出し用基板７４の場合、半導体膜７３の搭載域は半導体膜７３ごと樹脂モールドが施せるので、機械的に補強できるのであるが、電荷読み出し用基板７４の周縁部はフレキシブルプリント配線板等による電気接続域や集積回路搭載域となっていて、接続異常時や回路故障時のリペア（補修）などのために樹脂モールドが施せないので、機械的な補強ができず、電荷読み出し用基板７４の周縁部のところで破損が起こるのを心配しなければならない。
【００１０】
前記の間接変換タイプの検出器の場合のように、電荷読み出し用基板７４の裏側に基台を接着剤で接合して機械的に補強する方策が考えられはするが、直接変換タイプの検出器の場合、電荷読み出し用基板７４に接合した基台や接合用の接着剤で検出特性改善用の光の照射が妨げられるので、この方策を採ることは出来ない。
【００１１】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、検出特性改善用の光照射を阻害しないと同時に電荷読み出し用基板の破損を招来しないかたちで検出器本体を筐体に対し固定することができる放射線検出器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明は、上記の目的を達成するために、次のような構成をとる。
【００１３】
即ち、請求項１に記載の発明に係る放射線検出器は、バイアス電圧印加用の共通電極が表面に形成されていると共に入射放射線を直接電荷に変換する放射線有感体が透光性を有する電荷読み出し用基板に搭載されている検出器本体と、電荷読み出し用基板を介して放射線有感体に向けて検出特性改善用の光を照射する光照射機構と、検出器本体と光照射機構との間で検出器本体を電荷読み出し用基板の裏側から支えていると共に検出特性改善用の光が通る光通路を有する支持台と、検出器本体および光照射機構と支持台を収容する筐体とを備えていて、検出器本体が支持台を介して筐体に対し固定されていることを特徴とするものである。
【００１４】
［作用・効果］請求項１の発明の放射線検出器の場合、放射線の検出中、検出器本体における入射放射線を直接電荷に変換する放射線有感体に光照射機構からの照射光が支持台の光通路を通り透光性の電荷読み出し用基板を介して照射されるのに伴って放射線有感体に空間電荷が溜まるので、入射放射線によって発生した電荷の方は滞留せずに掃き出される結果、実効的な有感面積の変化が起こらなくなり、放射線検出器の検出感度の変動を回避できる。また入射放射線で発生した電荷の掃き出し後も、光照射機構による光照射を続けることによって光照射で生じた空間電荷は掃き出されずに留まり続けるので、残留出力の発生を回避できる。
【００１５】
また、請求項１の発明の放射線検出器の場合、検出器本体を電荷読み出し用基板の裏側から支えている支持台を介して検出器本体が筐体に対し固定されていて、検出器本体は支持台によって支えられているので、電荷読み出し用基板によって検出器本体全体を支える状態は解消される結果、電荷読み出し用基板の破損を招来せずに済む。さらに、検出器本体を支えている支持台は検出特性改善用の光が通る光通路を有するので、検出特性改善用の光照射を阻害することもない。
【００１６】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の放射線検出器において、支持台は、検出特性改善用の光を透過させる透光性板状体であり、透光性板状体が表面全体で電荷読み出し用基板を受け止めているものである。
【００１７】
［作用・効果］請求項２の発明の放射線検出器の場合、検出特性改善用の光は透光性板状体を通り抜けて電荷読み出し用基板から放射線有感体に照射される。また、支持台の透光性板状体が表面全体で電荷読み出し用基板を受け止めるので、支持台は検出器本体をしっかり支えることができる。
【００１８】
また、請求項３の発明は、支持台は、請求項１に記載の放射線検出器において、支持台は、検出特性改善用の光が通る光通路となる中空領域を有する金属製枠体であり、金属製枠体が枠全体で電荷読み出し用基板を受け止めているものである。
【００１９】
［作用・効果］請求項３の発明の放射線検出器の場合、検出特性改善用の光は金属製枠状体の中空領域を通って電荷読み出し用基板から放射線有感体に照射される。また、支持台の金属製枠体が枠全体で電荷読み出し用基板を受け止めるので、支持台は検出器本体をしっかり支えることができる。
【００２０】
また、請求項４の発明は、請求項１から３のいずれかに記載の放射線検出器において、支持台が筐体に取り付けられることにより検出器本体が筐体に対し固定されているものである。
【００２１】
［作用・効果］請求項４の発明の放射線検出器の場合、支持台が直に筐体に取り付けられているので、支持台は検出器本体をしっかり支えることができる。
【００２２】
また、請求項５の発明は、請求項２に記載の放射線検出器において、支持台は透光性板状体の側周面に沿って取り囲んで透光性板状体と組み付けられている取付枠を具備していて、支持台が取付枠で筐体に取り付けられることにより検出器本体が筐体に対し固定されているものである。
【００２３】
［作用・効果］請求項５の発明の放射線検出器の場合、支持台が取付枠で筐体に取り付けられるので、透光性板状体には取り付けの効かないものも用いることができるのに加え、支持台が直に筐体側に取り付けられているので、支持台は検出器本体をしっかり支えることができる。
【００２４】
また、請求項６の発明は、請求項１から５のいずれかに記載の放射線検出器において、光照射機構の前面に光拡散用の拡散板を有するものである。
【００２５】
［作用・効果］請求項６の発明の放射線検出器の場合、検出特性改善用の光が拡散板によって均一化されるので、検出特性改善用の光の照射むらが抑えられる。
【発明の効果】
【００２６】
請求項１の発明の放射線検出器の場合、検出器本体を電荷読み出し用基板の裏側から支えている支持台を介して検出器本体が筐体に対し固定されていて、検出器本体は支持台によって支えられているので、電荷読み出し用基板によって検出器本体全体を支える状態は解消される結果、電荷読み出し用基板の破損を招来せずに済む。さらに、検出器本体を支えている支持台は検出特性改善用の光が通る光通路を有しているので、透光性の電荷読み出し用基板を介して行なわれる検出特性改善用の光照射を阻害することもない。
【００２７】
よって、請求項１の発明の放射線検出器によれば、検出特性改善用の光照射を阻害しないと同時に電荷読み出し用基板の破損を招来しないかたちで検出器本体を筐体に対し固定することができる。
【実施例１】
【００２８】
この発明の放射線検出器の実施例を図面を参照しながら説明する。図１は実施例１にかかる直接変換タイプのフラットパネル型の二次元放射線検出器（以下、適宜「検出器」と略記）の検出器本体の取り付け構造を示す断面図、図２は実施例１の検出器の検出器本体の要部構成を示す平面図、図３は実施例１の検出器を用いた医用の放射線撮像装置を検出器の要部構成を中心に示したブロック図である。
【００２９】
実施例１の検出器１は、図１および図２に示すように、バイアス電圧印加用の共通電極３が表面に形成されていると共に入射放射線を直接電荷に変換する放射線有感体４が、透光性を有する電荷読み出し用基板５に搭載されている検出器本体２と、透光性の電荷読み出し用基板５を介して放射線有感体４に向けて検出特性改善用の光を照射する光照射機構（光源）６とを備えている他に、検出器本体２と光照射機構６との間で検出器本体２を電荷読み出し用基板５の裏側から支えていると共に検出特性改善用の光が通る光通路を有する支持台７と、検出器本体２および光照射機構６と支持台７を収容する平箱状の筐体８とを備えていて、検出器本体２が支持台７を介して筐体８に対し固定された構成とされている。
【００３０】
さらに、検出器１は、図３に示すように、検出器本体２から取り出した電荷を増幅処理する電気信号処理回路９を備えている他に、光照射機構６の照射する特性改善用の光強度をコントロールする光強度制御部１０や電荷読み出し用基板５の電荷読み出し動作を司るゲートドライバ１１などを備えている。
【００３１】
また、実施例１の検出器１を用いた放射線撮像装置の場合、図３に示すように、検出器１の電気信号処理回路９で増幅処理された電気信号に基づいて被検体（図示省略）の放射線画像を作成する画像処理回路１２と、画像処理回路１２で作成された放射線画像を表示する画像表示モニタ１３と、撮像実行に必要な入力操作を行う操作部１４と、操作部１４による入力操作や撮影プロセスの進行状況に応じて必要な演算および制御を行う中央演算制御処理部１５とを備え、Ｘ線管などの放射線源（図示省略）による被検体への放射線曝射に伴って検出器１に投影される被検体の透過放射線像に対応する放射線画像が画像表示モニタ１３に映し出されるように構成されている。
【００３２】
放射線有感体４は、図３に示すように、放射線に有感な半導体層４Ａおよび半導体層４Ａにおける共通電極３の反対側に設けられているキャリア選択性の中間層４ａからなる。半導体層４Ａおよびキャリア選択性の中間層４ａは、通常、半導体厚膜や半導体薄膜の他に半導体結晶をスライスした半導体薄体なども利用可能である。但し中間層４ａを機能させる為に、半導体層４Ａと中間層４ａは異なる材料とする。
【００３３】
なお、中間層４ａは、共通電極３の反対側に設ける代わりに、共通電極３の直下に設けてもよい。さらに共通電極３の反対側と共通電極３の直下の両方に中間層４ａを設けてもよく、この際、各中間層４ａの材料は、同じである必要はない。
【００３４】
また、具体的な半導体層４Ａや中間層４ａとしては、ノンドープのＳｅ、ノンドープのＳｅ化合物のアモルファス体、ＡｓまたはＴｅをドープしたＳｅ、Ｓｅ化合物のアモルファス体、アルカリ金属やハロゲンを１種または複数種ドープしたＳｅ、アルカリ金属やハロゲンを１種または複数種ドープしたＳｅ化合物のアモルファス体などが好ましい。
【００３５】
また、半導体層４Ａには、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＰｂＩ2、ＨｇＩ2、ＴｌＢｒ、ＧａＡｓの化合物半導体のいずれかの多結晶体、またはハロゲンをドープした前記化合物半導体の多結晶体も好ましい。中間層４ａには、Ｓｂ2Ｓ3、ＣｅＯ2、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳ、ＰｂＩ2、ＨｇＩ2、ＴｌＢｒ、ＧａＡｓの化合物半導体のいずれかの多結晶体、またはこれらの多結晶体を組み合わせて多層にしたものも好ましい。
【００３６】
電荷読み出し用基板５は、厚み０．７ｍｍ程度の薄い透明ガラス基材５Ａが用いられていて、ＩＴＯ膜等の透明性を有する多数個の個別電極（分割電極）１６が放射線有感体４の裏面側となる表面に縦横の２次元マトリックス配列で形成されているのに加え、個別電極１６毎に薄膜トランジスタ・スイッチ（以下、適宜「ＴＦＴ」という）１７とコンデンサ１８が放射線画像の各画素と対応付けられて形成されている。すなわち、電荷読み出し用基板５は透明ガラス基材５Ａと電荷読み出し回路用の薄膜とからなり、事実上、透明性を有しており、光照射機構６により照射される検出特性改善用の光を透過させることができる。電荷読み出し用基板５の透光性を良くするという観点から個別電極（分割電極）１６は透明性を有する電極（透明電極）であることが好ましい。
【００３７】
そして、電荷読み出し用基板５の場合、放射線入射に伴って個別電極１６経由でコンデンサ１８に放射線入射強度に応じた量の電荷が蓄積されるとともに、走査信号によってゲートドライバ１１がＴＦＴスイッチ１７に順次Ｏｎ・Ｏｆｆの切り替えを行なわせて各コンデンサ１８に蓄積された電荷を読み出す構成となっている。つまり、検出器１は、個別電極１６は画素電極として２次元マトリックスの配列で設置され、個別電極１６毎に検出電荷が取得される二次元検出器となっている。
【００３８】
電気信号処理回路９は、取り出した電荷を中央演算制御処理部１５によるセッティングによって設定されるゲイン値（ゲイン設定値）に従って増幅処理すると共にゲイン設定値の増加、減少がおこなえる構成とされている。通常、ゲイン設定値は想定入射放射線の強度が増えればゲイン設定値が減り、想定入射放射線の強度が減ればゲイン設定値が増す（つまり入射放射線の強度とゲイン設定値が反比例の関係となる）ように設定される。
【００３９】
電気信号処理回路９は、電荷（電流）−電圧変換器９Ａとマルチプレクサ９ＢとＡ／Ｄ変換器９Ｃ等を有し、電荷−電圧変換器９Ａにゲイン設定値がセットされる。図２の放射線撮像装置の場合、放射線源（図示省略）の放射強度も中央演算制御処理部１５によってコントロールされ、中央演算制御処理部１５が放射線源の放射強度に合わせて電気信号処理回路９のゲイン設定値をセットする。勿論、別途に放射線の強度を検出すると共に検出された放射線強度に見合ったゲイン設定値が自動的にセットされる構成でもよい。
【００４０】
画像処理回路１２は、放射線画像作成用の電気信号毎に検出器１の検出系統の場所的不均一性に起因する各電気信号間のオフセットの場所的バラツキを補正するオフセット補正係数および各電気信号間の感度の場所的バラツキを補正する感度補正係数を登録する補正係数登録部１２Ａを有しており、画像処理回路１２による処理の実行時に予め登録されているオフセット補正係数および感度補正係数に基づき各電気信号間のオフセットや感度のバラツキ補正処理が行われる。
【００４１】
そして、検出器１の場合、光強度制御部１０のコントロールにより電気信号処理回路９のゲイン設定値の減少、増加に応じて光照射機構６が照射する光の強度が増加、減少する構成となっている。電気信号処理回路９のゲイン設定値が減少すれば、光照射機構６が照射する光の強度が増大し、逆にゲイン設定値が増加すれば、光照射機構６が照射する光の強度が減少する（つまりゲイン設定値と光の強度が反比例の関係となる）。
【００４２】
したがって、本実施例の場合、普通、入射放射線の強度とゲイン設定値は反比例の関係となるように操作されると共に、ゲイン設定値と光の強度とは反比例の関係にあるので、結果的に、光強度制御部１０は光照射機構６の照射光の強度と入射放射線の強度が正比例関係にあるように光照射機構６をコントロールする。
【００４３】
図３の放射線撮像装置の場合、例えば、予め各ゲイン設定値について適当な照射光の強度を実験的に求めて、この照射光の強度を各ゲイン設定値と対応させて登録しておき、ゲイン設定値をセットする時に対応する照射光の強度を読み出して光強度制御部１０にセット（設定）する。なお、もし使用放射線の強度が予め幾つかに限定されている場合、放射線の強度毎に適当なゲイン設定値および適当な照射光の強度を対応付けて登録しておき、放射線の強度を設定すると、自動的にゲイン設定値および適当な照射光の強度のセットが行われる構成としてもよい。
【００４４】
具体的な光照射機構６としては、図３に示すように、例えば、透明アクリル樹脂製の導光板１９と、導光板１９の側端面に設置された発光ダイオードや冷陰極管等の発光体２０とを有し、更に導光板１９の光放射面には微細加工（表面粗化加工）が施されているのに加えて、光拡散用の拡散板２１が取り付けられている一方、導光板１９の裏面には反射シート２２が取り付けられている構成が挙げられる。発光体２０の光は、反射シート２２で反射しながら導光板１９を通り、導光板１９の表面の微細加工および拡散板２１を経て照射されるので、検出特性改善用の光を効率よく均一にむらなく照射することができる。なお、発光体２０として面発光ダイオードを電荷読み出し用基板５の側に発光面を向けるようにして使うこともできる。
【００４５】
また光強度制御部１０は、発光体２０の光強度がゲイン設定値の減少、増加に応じて増加、減少するように発光体２０の発光量をコントロールするとともに、光照射機構６による光照射が放射線の検出中だけでなく放射線の検出前あるいは検出後でも行えるようにコントロールする。
【００４６】
検出器１の場合、個別電極１６の側から放射線有感体４に光照射機構６により光が照射されるのに伴って、放射線有感体４における個別電極１６間のスペースの領域に光照射で生じた空間電荷が溜まってしまうので、放射線の入射によって発生した電荷の方は溜まらずに掃き出される。その結果、実効的な有感面積の変化が起こらず、検出器１の検出感度の変動が回避できる。また、放射線の入射停止後も光照射機構６による光照射を続ければ、個別電極１６間のスペースの領域に溜まった空間電荷は掃き出されずに留まり続けるので、残留出力の発生を回避できる。
【００４７】
一方、光照射機構６による光照射は、電気信号に暗電流分として加わる電気信号の増加を伴う。光照射機構６による光照射に伴う暗電流分は、照射光の強度の増減に応じて増減し、照射光の強度が増すほど暗電流分が増える。他方、電気信号処理回路９では光照射に伴う暗電流分も一緒にゲイン設定値に応じて増幅処理される結果、増幅処理後の暗電流分が電気信号処理回路９の出力範囲を占める分だけ電気信号処理回路９のダイナミックレンジが狭められることになるが、ゲイン設定値が増えると暗電流分の増幅度が増すので、同一量の暗電流分に対してはゲイン設定値が増すとダイナミックレンジの狭められる度合いも増える。
【００４８】
しかし、前述したように、検出器１では、電気信号処理回路９のゲイン設定値が増す場合、光照射機構６により照射する光の強度が減らされて暗電流分が減るので、ゲイン設定値の増加が暗電流分の減少で相殺され、ゲイン設定値の増加でダイナミックレンジが狭められるのが抑えられる。逆に電気信号処理回路９のゲイン設定値が減る場合、光照射機構６により照射する光の強度が増して暗電流分が増えるけれども、暗電流分の増加がゲイン設定値の減少で相殺され、照射光の強度増加でダイナミックレンジが狭められるのが抑えられる。したがって、検出器１の場合、検出感度の変動や残留出力の発生を回避する為の光照射に伴って発生する暗電流分が電気信号処理回路９の出力範囲を広く占めてしまうことは解消され、ダイナミックレンジが大きく狭められる事態は起こらない。
【００４９】
一方、検出器１の検出器本体２は、図１に示すように、電荷読み出し用基板５の上に放射線有感体４を取り囲むかたちで配置されたスペーサ用のフレーム枠２３と、フレーム枠２３を蓋するかたちで配置された上面ガラス板２４と、スペーサ用フレーム枠２３と上面ガラス板２４の内側空間を埋めるかたちでエポキシ系樹脂を用いて形成された対環境性改善および耐圧性改善の為の樹脂モールド２５とを備えているが、フレーム枠２３の外側となる電荷読み出し用基板５の周縁部はフレキシブルプリント配線板等による電気接続域や集積回路搭載域となっていて、接続異常時や回路故障時のリペア（補修）などのために樹脂モールドは施されていない。
【００５０】
他方、検出器本体２を支えている支持台７は、光照射機構６が照射する検出特性改善用の光を透過させる透光性板状体７Ａと、透光性板状体７Ａの側周面に沿って取り囲むかたちで透光性板状体７Ａと組み付けられている金属製取付枠７Ｂとを具備している。透光性板状体７Ａはエポキシ系樹脂を用いた樹脂モールド７Ａ１と透明な下面ガラス板７Ａ２とからなり、金属製取付枠７Ｂの下面には取り付け用のネジ孔７Ｂ１が設けられている。樹脂モールド７Ａ１および下面ガラス板７Ａ２と金属製取付枠７Ｂは樹脂モールド７Ａ１の強力な接着力で相互にしっかりと接着されている。
【００５１】
そして、支持台７は金属製取付枠７Ｂで筐体８に取り付けられることにより検出器本体２が筐体８に対し固定されている。即ち、筐体８は内壁面の中程の高さの処に水平内向きに突き出した支持台取り付けの為の突出部８Ａを有しており、この突出部８Ａに貫通孔８Ａ１が形成されていて、止めネジ２６を貫通孔８Ａ１を通して金属製取付枠７Ｂの下面のネジ孔７Ｂ１にネジ込むことで支持台７が筐体８に取り付けられている。金属製取付枠７Ｂを用いた場合、漏光防止や電気的シールドによるノイズ低減効果もある。
【００５２】
光照射機構６は別に筐体８に取り付けられて固定されている。即ち、筐体８は内壁面の底に近い高さの処に水平に内側へ突き出した光照射機構取り付けの為の突出部８Ｂを有しており、この突出部８Ｂに受け座８Ｂ１が形成されていて、受け座８Ｂ１に光照射機構６が据え付けられている。光照射機構６は受け座８Ｂ１に据え置かれた後、ネジ止め等や接着等の適当な仕方で取り付けられている。放射線有感体４には検出特性改善用の光が光通路としての透光性板状体７Ａを通り透光性の電荷読み出し用基板５を介して照射される。
【００５３】
したがって、検出器１の場合、光照射機構６は支持台７の側に組み付けられておらず、別途に筐体８に対し固定されている。その結果、光照射機構６が支持台７を受け止めて支える必要も、逆に支持台７が光照射機構６を吊り下げて支える必要もなく、光照射機構６と支持台７の間の相互干渉を避けることができる。また、光照射機構６は光拡散用の拡散板２１は支持台７に接触しないかたちで取り付けられていることが好ましい。支持台７と拡散板２１の接触によって拡散板２１の光拡散機能の低下を防ぐことができる。
【００５４】
このように、実施例１の検出器１の場合、検出器本体２を電荷読み出し用基板５の裏側から支えている支持台７を介して検出器本体２が筐体８に対し固定されており、検出器本体２全体が支持台７で支えられていて、電荷読み出し用基板５で検出器本体２全体を支える状態は解消されるので、電荷読み出し用基板５の破損を招来せずに済む。さらに、光照射機構６が照射する検出特性改善用の光が通る光通路としての透光性板状体７Ａを有する支持台７によって検出器本体２が支えられているので、検出特性改善用の光照射を阻害することもない。加えて、支持台７を取り外せば、検出器本体２が取り出せるので、リペアなどの為に検出器本体２を取り出さなければならない時でも取り出し易い。
【００５５】
また、実施例１の検出器１の場合、透光性板状体７Ａの表面全体および金属製取付枠７Ｂの枠全体の双方で電荷読み出し用基板５を受け止めて検出器本体２をしっかり支えるのに加え、支持台７が直に筐体８に取り付けられているので、支持台７による検出器本体２の支持が確かなものになる。さらに、支持台７が金属製取付枠７Ｂで筐体８に取り付けられているので、透光性板状体７Ａには取り付けの効かないものも用いることができる。
である。それに、検出器１はフラットパネル型の二次元検出器であるので、薄型・軽量の検出器であるのに加え、放射線有感体４に投影される二次元放射線像を一度に検出できる。
【実施例２】
【００５６】
続いて、実施例２の検出器を図面を参照して説明する。図４は実施例２に係る直接変換タイプの検出器の検出器本体の取り付け構造を示す断面図である。
【００５７】
実施例２の検出器２７は、支持台２８が検出特性改善用の光が通る光通路となる中空領域２８Ｂを有する金属製枠体２８Ａのみからなる他は、実施例１と同様のものであるので、共通点は省略し、相違点のみを説明する。
【００５８】
支持台２８である金属製枠体２８Ａは中空領域２８Ｂが検出特性改善用の光の通過域に一致するように位置決めされたかたちで電荷読み出し用基板５の裏面に接着されている。金属製枠体２８Ａの接着は金属製枠体２８Ａの上面を両面粘着テープ等の接着剤で電荷読み出し用基板５の裏面に接着させること等により行なわれる。なお、その際、両面粘着テープ等の接着剤が検出特性改善用の光の通過域にかからないように注意する。また支持台２８は金属製枠体２８Ａの下面に取り付け用のネジ孔２８Ａ１が設けられている。金属製枠体２８Ａは実質的に金属製取付枠７Ｂと同じものである。
【００５９】
検出特性改善用の光は金属製枠体２８Ａの光通路としての中空領域２８Ｂを通り抜けて電荷読み出し用基板５から放射線有感体４に照射される。また、支持台２８である金属製枠体２８Ａは枠全体で電荷読み出し用基板５を受け止めて検出器本体２をしっかり支える。金属製枠体２８Ａは強固であるから金属製枠体２８Ａだけでも検出器本体２を十分に支えられる。また、支持台２８は、支持台７と比べると樹脂モールド７Ａ１と下面ガラス板７Ａ２がない分だけ検出特性改善用の透過率が良くなるし、支持台２８の作製も容易である。
【実施例３】
【００６０】
続いて、実施例３の検出器を図面を参照して説明する。図５は実施例３に係る直接変換タイプの検出器の検出器本体の取り付け構造を示す断面図である。
【００６１】
実施例３の検出器２９は、支持台３０が検出特性改善用の光を透過させる透光性板状体３０Ａと、透光性板状体３０Ａの側周面に沿って取り囲むかたちで透光性板状体３０Ａと組み付けられている金属製取付枠３０Ｂとからなる他は、実施例１と同様のものであるので、共通点は省略し、相違点のみを説明する。なお、透光性板状体３０Ａは実質的に樹脂モールド７Ａ１と同じものであり、金属製取付枠３０Ｂは実質的に金属製取付枠７Ｂと同じものである。
【００６２】
透光性板状体３０Ａと金属製取付枠３０Ｂおよび電荷読み出し用基板５は透光性板状体３０Ａの強力な接着力によって相互にしっかり接着されている。また支持台３０の場合も、金属製取付枠３０Ｂの下面に設けられた取り付け用のネジ孔３０Ｂ１で筐体８にネジ止めされて取り付けられている。なお、検出器２９の場合、透光性板状体３０Ａの樹脂モールドが完全に固化しないうちは、光照射機構６の拡散板２１が触れると照射光の均一化が阻害される恐れがあるので注意する必要がある。
【００６３】
検出特性改善用の光は光通路としての透光性板状体３０Ａを透過して電荷読み出し用基板５から放射線有感体４に照射される。支持台３０の場合、透光性板状体３０Ａの表面全体と金属製取付枠３０Ｂの枠全体で電荷読み出し用基板５を受け止めて検出器本体２をしっかり支える。支持台３０は、支持台７と比べると下面ガラス板７Ａ２のない分だけ検出特性改善用の透過率が良くなる。
【実施例４】
【００６４】
続いて、実施例４の検出器を図面を参照して説明する。図６は実施例４に係る直接変換タイプの検出器の検出器本体の取り付け構造を示す断面図である。
【００６５】
実施例４の検出器３１は、支持台３２が光照射機構６が照射する検出特性改善用の光を透過させる樹脂製の透光性板状体３２Ａのみからなる他は、実施例１と同様のものであるので、共通点は省略し、相違点のみを説明する。
【００６６】
支持台３２である透光性板状体３２Ａは電荷読み出し用基板５の裏面に接着されている。透光性板状体３２Ａは別途に樹脂シートを裁断した樹脂プレートであってもよいし、樹脂モールドであってもよい。樹脂プレートの場合、検出特性改善用の光の通過域外となる透光性板状体３２Ａの表面周縁域と電荷読み出し用基板５の裏面周縁域を接着剤や両面粘着テープで貼り付ければよい。樹脂モールドの場合、電荷読み出し用基板５を裏向けにした状態でシリコン板等で型枠を組み付けておいてエポキシ樹脂を注入することで形成してもよい。後者の場合、支持台３２は透光性板状体３２Ａの強力な接着力で電荷読み出し用基板５にしっかりと接着する。さらに、透光性板状体３２Ａの下面には取り付け用のネジ孔３２Ｂが設けられていて、支持台３２は取り付け用のネジ孔３２Ｂで筐体８にネジ止めされて取り付けられている。
【００６７】
検出特性改善用の光は光通路としての透光性板状体３２Ａを透過して電荷読み出し用基板５から放射線有感体４に照射される。支持台３２の場合、透光性板状体３２Ａの表面全体で電荷読み出し用基板５を受け止めて検出器本体２をしっかり支える。
【００６８】
この発明は、上記実施の形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００６９】
（１）実施例１〜４の各検出器では、光照射機構６が照射する特性改善用の光強度をコントロールする光強度制御部１０は検出器に内蔵されていたが、光強度制御部１０は必ずしも検出器に内蔵されている必要はなく外付けであってもよい。
【００７０】
（２）実施例１〜４の各検出器では、支持台が筐体８に直に取り付けられた構成であったが、例えば、図７に示すように、支持台は筐体８に直に取り付けられずに、支持台３０が光照射機構６の上に載置され、支持台３０は筐体８に間接的に取り付けられた構成である他は、実施例３と同一の構成を有する検出器３３が変形実施例として挙げられる。但し、変形実施例の場合、金属製取付枠３０Ｂにはネジ孔３０Ｂ１を設ける必要はない。
【００７１】
検出器３３の場合、光照射機構６が検出器本体２と支持台３０の両方を支えることになり、拡散板２１が支持台３０に接触すると光拡散機能が損なわれる可能性が高いので、拡散板２１は若干の隙間を隔てて支持台３０の裏面に対面させる。光照射機構６と支持台３０の接着は、光照射機構６と支持台３０の周縁部の検出特性改善用の光の通過域外で両面粘着テープ等を用いて接着することで行なうことができる。
【００７２】
（３）実施例１〜４の各検出器の場合、支持台を構成する透光性板状体の材料が樹脂やガラスであったが、透光性板状体の材料として結晶体（例えばダイヤモンド）を用いることもできる。
【００７３】
（４）実施例１〜４の各検出器は、医用の放射線撮像装置に用いられるものであったが、この発明の放射線検出器は、医用以外に工業用や原子力用に用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】実施例１の検出器の検出器本体の取り付け構造を示す断面図である。
【図２】実施例１の検出器の検出器本体の要部構成を示す平面図である。
【図３】実施例１の検出器を用いた医用の放射線撮像装置を検出器の要部構成を中心に示したブロック図である。
【図４】実施例２の検出器の検出器本体の取り付け構造を示す断面図である。
【図５】実施例３の検出器の検出器本体の取り付け構造を示す断面図である。
【図６】実施例４の検出器の検出器本体の取り付け構造を示す断面図である。
【図７】変形実施例の検出器の検出器本体の取り付け構造を部分的に示す断面図である。
【図８】従来の間接変換タイプの検出器の基本構成を示す模式図である。
【図９】従来の直接変換タイプの検出器の基本構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００７５】
１，２７，２９，３１，３３  …検出器
２                          …検出器本体
３                          …共通電極
４                          …放射線有感体
５                          …電荷読み出し用基板
６                          …光照射機構
７，２８，３０，３２        …支持台
７Ａ，３０Ａ，３２Ａ        …透光性板状体
７Ｂ，３０Ｂ                …金属製取付枠
８                          …筐体
１６                        …個別電極
２１                        …拡散板
２８Ａ                      …金属製枠体
２８Ｂ                      …（光通路としての）中空領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005283261.tif 000008
【図７】
2005283261.tif 000009
【図８】
2005283261.tif 000010
【図９】
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