(57)【要約】【課題】  短波長の青色レーザによって記録・再生が可能であり、高水準の光記録材料を提供すること。【解決手段】  最大吸収波長（λｍａｘ）が３４０ｎｍ以上４４０ｎｍ以下である有機色素化合物Ａと、最大吸収波長（λｍａｘ）が５００ｎｍ以上９００ｎｍ以下である金属錯体化合物Ｂとを含有し、有機色素化合物Ａの含有量が、金属錯体化合物Ｂの含有量よりも多く、所定の試験方法で測定された耐光性ｘが３０％以上となる光記録材料。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
最大吸収波長（λｍａｘ）が３４０ｎｍ以上４４０ｎｍ以下である有機色素化合物Ａと、
最大吸収波長（λｍａｘ）が５００ｎｍ以上９００ｎｍ以下である金属錯体化合物Ｂと、を含有し、
前記有機色素化合物Ａの含有量が、前記金属錯体化合物Ｂの含有量よりも多く、
下記式で算出された耐光性ｘが３０％以上であることを特徴とする光記録材料。
耐光性ｘ＝｛（Ｉ１／Ｉ０）×１００｝
（但し、上記式中、Ｉ０は、前記有機色素化合物Ａ及び前記金属錯体化合物Ｂ混合物の分光光度計により測定された膜の吸収スペクトルにおいて、波長範囲３４０ｎｍ〜４４０ｎｍに存在する吸収極大の吸光度である。Ｉ１は、前記有機色素化合物Ａ及び前記金属錯体化合物Ｂ混合物の膜に光照射処理を施した後、分光光度計により測定された膜の吸収スペクトルにおいて、波長範囲３４０ｎｍ〜４４０ｎｍに存在する吸収極大の吸光度である。）
【請求項２】
前記有機色素化合物Ａは、分光光度計により測定された膜の吸収スペクトルの波長範囲３４０ｎｍ〜４４０ｎｍに存在する吸収極大の吸光度（ＩＡ０）と、当該有機色素化合物Ａの膜に光照射処理を施した後に測定された膜の吸収スペクトルの波長範囲３４０ｎｍ〜４４０ｎｍに存在する吸収極大の吸光度（ＩＡ１）と、を用いて算出された耐光性ｘ＝｛（ＩＡ１／ＩＡ０）×１００｝が３０％未満であることを特徴とする請求項１記載の光記録材料。
【請求項３】
前記耐光性ｘは、下記操作ステップにより算出されることを特徴とする請求項１または２記載の光記録材料。
（操作ステップ）
（ステップ１）前記有機色素化合物Ａと前記金属錯体化合物Ｂとを含有する溶液を透明基板上にスピンコートした後に乾燥し、色素塗布ディスクを調製する。
（ステップ２）分光光度計を用いて、波長３００ｎｍ〜９００ｎｍにおいて、前記（ステップ１）で調製した前記色素塗布ディスクの吸収スペクトルを測定し、波長範囲３４０ｎｍ〜４４０ｎｍに存在する吸収極大の吸光度をＩ０とする。
（ステップ３）前記（ステップ１）で調製した前記色素塗布ディスクに、キセノンランプを２５０Ｗ／ｍ２で８時間照射する光照射処理を施した後、前記（ステップ２）と同じ条件で吸収スペクトルを測定し、波長範囲３４０ｎｍ〜４４０ｎｍに存在する吸収極大の吸光度をＩ１とする。
（ステップ４）前記（ステップ２）における前記（Ｉ０）と、前記（ステップ３）における前記（Ｉ１）に基づき、｛（Ｉ１／Ｉ０）×１００｝を算出する。
【請求項４】
前記金属錯体化合物Ｂの最大吸収波長（λｍａｘ）が５００ｎｍ〜６２０ｎｍの場合は、前記有機色素化合物Ａと前記金属錯体化合物Ｂとの合計量を１００重量％としたときの前記金属錯体化合物Ｂの含有量％を２０重量％以上４０重量％以下とすることを特徴とする請求項１乃至３いずれか１項記載の光記録材料。
【請求項５】
前記有機色素化合物Ａの最大吸収波長（λｍａｘ）と前記金属錯体化合物Ｂの最大吸収波長（λｍａｘ）との差が、１００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至４いずれか１項記載の光記録材料。
【請求項６】
前記金属錯体化合物Ｂの最大吸収波長（λｍａｘ）が６８０ｎｍ〜９００ｎｍであることを特徴とする請求項１又は５記載の光記録材料。
【請求項７】
前記耐光性ｘが５０％以上であることを特徴とする請求項１乃至６いずれか１項記載の光記録材料。
【請求項８】
前記有機色素化合物Ａが、γ―ピロン系有機色素、γ−チオピロン系有機色素、γ−１，１−ジオキソチオピロン系有機色素、γ−ピリドン系有機色素、クマリン系有機色素、カルボスチリル系有機色素及び１−チオクマリン系有機色素から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１乃至７いずれか１項記載の光記録材料。
【請求項９】
前記金属錯体化合物Ｂがアゾ系金属錯体化合物またはインドアニリン系金属錯体化合物であることを特徴とする請求項１乃至８いずれか１項記載の光記録材料。
【請求項１０】
前記金属錯体化合物Ｂが、金属イオンと、下記一般式（Ｉ）で表されるアゾ化合物と、からなるアゾ系金属錯体化合物であることを特徴とする請求項９記載の光記録材料。
【化１】
2005271587.tif 000088
（式（Ｉ）中、環Ａは、炭素原子及び窒素原子とともに形成される含窒素複素芳香環であり、ＸＬは、Ｌが脱離することによりＸが陰イオンとなり金属が配位可能となる置換基を表す。Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、環状アルキル基、アラルキル基又はアルケニル基を表し、これらは各々隣接する置換基同士または互いに縮合環を形成してもよい。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、単環の飽和複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基、−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基、−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基、−ＳＯＲ４４で表されるスルフィニル基、−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基、−ＳＯ３Ｒ４７で表されるスルホン酸エステル基、−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基を表す。（但し、Ｒ３４、Ｒ３７、Ｒ３８、Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４７、Ｒ４８は、それぞれ独立に、炭化水素基、または複素環基を表し、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４５、Ｒ４６は、それぞれ独立に、水素原子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。））
【請求項１１】
前記一般式（Ｉ）で表されるアゾ化合物において、環Ａが５〜６員環の単環または２縮合環の含窒素複素芳香環を表し、ＸＬがヒドロキシ基、スルホン酸基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、メルカプト基、カルボキシル基を表し、Ｒ１、Ｒ２が、それぞれ独立に、炭素数１〜１２の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数７〜１２アラルキル基を表す、または各々隣接する置換基同士または互いに飽和縮合環を形成し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は、各々独立に水素原子または炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数７〜１２のアラルキル基、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、単環の５〜６員環の飽和複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基、−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基、−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基、−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基、−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基を表すことを特徴とする請求項１０記載の光記録材料。
【請求項１２】
前記金属錯体化合物Ｂは、金属イオン及び任意のアニオンと、下記一般式（ＩＩ）に示す化合物と、からなる金属錯体化合物であることを特徴とする請求項９記載の光記録材料。
【化２】
2005271587.tif 000089
（式（ＩＩ）中、Ｒ６、Ｒ７は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、環状アルキル基、アラルキル基、アルケニル基を表し、これらは各々隣接する置換基同士または互いに縮合環を形成してもよい。Ｒ８〜Ｒ１６は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、飽和または不飽和の複素環基、炭素数６〜１８のアリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基、−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基、−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基、−ＳＯＲ４４で表されるスルフィニル基、−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基、−ＳＯ３Ｒ４７で表されるスルホン酸エステル基、−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基を表す。（但し、Ｒ３４、Ｒ３７、Ｒ３８、Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４７、Ｒ４８は、それぞれ独立に、炭化水素基、または複素環基を表し、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４５、Ｒ４６は、それぞれ独立に、水素原子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。））
【請求項１３】
前記任意のアニオンが、１価の一座配位子であることを特徴とする請求項１２記載の光記録材料。
【請求項１４】
前記金属錯体化合物Ｂが、２価または３価の遷移金属イオンを有する金属錯体化合物であることを特徴とする請求項１乃至１３いずれか１項記載の光記録材料。
【請求項１５】
前記遷移金属が、ニッケル、コバルト、銅、鉄、亜鉛、白金、パラジウム及びマンガンからなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１４記載の光記録材料。
【請求項１６】
前記有機色素化合物Ａが、下記一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）に示す化合物から選ばれるものであることを特徴とする請求項１乃至１５いずれか１項記載の光記録材料。
【化３】
2005271587.tif 000090
【化４】
2005271587.tif 000091
（式（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）中、Ｒ１７〜Ｒ２０及びＲ１７’〜Ｒ２０’は、それぞれ独立に、水素原子、または炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、飽和または不飽和の複素環基、炭素数６〜１８のアリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基、−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基、−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基、−ＳＯＲ４４で表されるスルフィニル基、−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基、−ＳＯ３Ｒ４７で表されるスルホン酸エステル基、−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基を表す（但しＲ３４、Ｒ３７、Ｒ３８、Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４７、Ｒ４８は、それぞれ独立に、炭化水素基、または複素環基を表し、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４５、Ｒ４６は、それぞれ独立に、水素原子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。但し、Ｒ１７とＲ１８、Ｒ１９とＲ２０、Ｒ１７’とＲ１８’、Ｒ１９’とＲ２０’は、各々縮合して炭化水素環または複素環構造を形成してもよい。当該炭化水素環及び当該複素環は、置換基を有していてもよい。）。Ｘ１は、電子吸引性基であり、Ｘ２は、水素原子または−Ｑ−Ｙ（Ｑは、直接結合、炭素数１または２のアルキレン基、アリーレン基またはヘテロアリーレン基であり、Ｙは、電子吸引性基であり、当該アルキレン基、当該アリーレン基、当該ヘテロアリーレン基は、Ｙ以外に任意の置換基を有していてもよい。）である。環Ｃは、Ｃ＝Ｏと共に置換基を有していてもよい炭素環式ケトン環または複素環式ケトン環である。Ｚ及びＺ’は、それぞれ−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＮＲ２１−（ここで、Ｒ２１は、水素原子、置換されてもよい炭化水素基、置換されてもよい複素環基、シアノ基、ヒドロキシ基）、−ＮＲ２２Ｒ２３で表されるアミノ基（Ｒ２２、Ｒ２３は、各々独立に、水素原子、炭化水素基または複素環基）、若しくは−ＣＯＲ２４（Ｒ２４は、炭化水素基または複素環基である）、−ＣＯＲ２５（Ｒ２５は、炭化水素基または複素環基である）で表されるアシル基のいずれかを表す）。
【請求項１７】
前記有機色素化合物Ａは、下記一般式（Ｖ）に示す化合物であることを特徴とする
請求項１乃至１５いずれか１項記載の光記録材料。
【化５】
2005271587.tif 000092
（式（Ｖ）中、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ３３−を表す。Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０は、それぞれ独立して水素原子または炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数６〜１８のアリール基、飽和または不飽和の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基、−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基、−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基、−ＳＯＲ４４で表されるスルフィニル基、−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基、−ＳＯ３Ｒ４７で表されるスルホン酸エステル基、−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基を表す。Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、環状アルキル基、アラルキル基、直鎖または分岐のアルケニル基、アシル基を表す。またＲ２６〜Ｒ３３のうち隣接する２つが結合して飽和炭化水素環または飽和複素環を形成していてもよい。但し、Ｒ３４、Ｒ３７、Ｒ３８、Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４７、Ｒ４８は、それぞれ独立に、炭化水素基、または複素環基を表し、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４５、Ｒ４６は、それぞれ独立に、水素原子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。）
【請求項１８】
前記一般式（Ｖ）において、Ｘが、−Ｏ−、−ＮＲ３３−であり、Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０が、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜８の環状アルキル基、炭素数７〜１２のアラルキル基、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数６〜１２のアリール基、飽和または不飽和の単環または２縮合環の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基、−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基、−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基であり、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３が、それぞれ独立して、炭素数１〜１２の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数７〜１８のアラルキル基であり、Ｒ２９とＲ３１、Ｒ３０とＲ３２の一方または両方が飽和炭化水素環または飽和複素環を形成していてもよい構造であることを特徴とする請求項１５記載の光記録材料。
【請求項１９】
前記金属錯体化合物Ｂが、前記有機色素化合物Ａの結晶化を阻害することを特徴とする請求項１乃至１８いずれか１項記載の光記録材料。
【請求項２０】
前記金属錯体化合物Ｂの分解開始温度が、前記有機色素化合物Ａの分解開始温度以下であることを特徴とする請求項１乃至１９いずれか１項記載の光記録材料。
【請求項２１】
情報の記録または再生が可能な光学記録媒体であって、
基板と、
前記基板上に設けられ、光照射による前記情報の記録又は再生が可能な記録層と、を有し、
前記記録層は、請求項１乃至２０いずれか１項記載の光記録材料を含有することを特徴とする光学記録媒体。
【請求項２２】
前記光は、波長３５０ｎｍ〜５３０ｎｍのレーザ光であることを特徴とする請求項２１記載の光学記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光記録材料等に関し、より詳しくは、青色レーザ対応の光記録材料等に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ、ＭＯ等の各種光学記録媒体は、大容量の情報を記憶でき、ランダムアクセスが容易であるために、コンピュータのような情報処理装置における外部記憶装置として広く認知され普及している。これらの中でも、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに代表される有機色素系光学記録媒体は、低コスト、且つ、製造が容易であるという点で、優位性を有するものと考えられている。
また、取り扱う情報量の増大により、媒体の記録密度を高めることが望まれている。近年、開発が著しい青色レーザ等の発振波長の短い（以下、短波長という。）レーザ光を用いた高密度の記録再生可能な光学記録媒体が提唱されつつある。
【０００３】
しかし、一般に、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ等として市販されている光学記録媒体の場合、例えば、ＣＤ−Ｒは波長７８０ｎｍ程度のレーザ光による記録・再生に適するように、またＤＶＤ−Ｒは波長６００ｎｍ〜７００ｎｍ程度のレーザ光による記録・再生に適するように設計されている。このような、比較的長波長のレーザ光を用いる光学的記録・再生用に適合する光学記録媒体では、より短波長のレーザを用いて記録・再生すると、反射率が低く記録・再生ができないという問題を有している。
【０００４】
よって、このような短波長のレーザ光による記録・再生に適する光学記録媒体の記録層に使用される有機色素化合物についても、従来から使用されているレーザ光の波長より短い波長において吸収特性を有する色素が検討され、このような色素を記録層に用いた光学記録媒体が報告されている（特許文献１参照）。また、特定の分子構造のカルボスチリル化合物が記録層に含有される光学記録媒体についても報告がある（特許文献２、特許文献３参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−０９６９１８号公報
【特許文献２】特開２００１−２８７４６６号公報
【特許文献３】特開２００３−１２７５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、青色レーザを利用した光学記録媒体に使用される記録用色素に求められる性能は前述の反射率のほか、ディスクにした際の記録特性はもちろん、記録感度、基板上への塗布時の塗膜性、保存安定性、耐光性等様々な性能が要求される。しかしながら、これらの特性を同時に満たすような青色レーザ用の記録用色素は、未だ実現されていない。
【０００７】
このような記録層の記録特性を向上させるために、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ等において、特性を補う性質を持つ添加剤を任意の割合で色素に混合させる方法等が検討されている。
【０００８】
しかし、短波長のレーザ光による記録・再生に適する光学記録媒体の記録層に使用される有機色素化合物の記録感度を損なわず、記録特性を向上させるのに最適な添加剤及び添加量は未だ見出されておらず、基板上への塗布時の塗膜性、保存安定性、耐光性等を高い水準で満たす有機色素系光学記録媒体は実現されていない。
【０００９】
本発明は、このような青色レーザを利用した光学記録媒体等に使用される光記録材料を開発する際の問題を解決すべくなされたものである。特に、本発明は、単独では、例えば耐光性が３０％未満という多くの青色レーザ用の記録用色素であっても、耐光性が３０％以上となるべくなされたものである。
【００１０】
即ち、本発明の目的は、短波長の青色レーザによって記録・再生が可能であり、高水準の光記録材料を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、短波長の青色レーザによって記録・再生が可能な光学記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者等は、鋭意検討の結果、青色レーザに高い感受性を有し、吸収極大が波長３４０ｎｍ〜４４０ｎｍにある化合物と、特定の金属錯体と、を組み合わせることにより、耐光性等を高い水準で満たす光記録材料が得られることを見出し、この知見に基づき本発明を完成した。
即ち、本発明によれば、最大吸収波長（λｍａｘ）が３４０ｎｍ以上４４０ｎｍ以下である有機色素化合物Ａと、最大吸収波長（λｍａｘ）が５００ｎｍ以上９００ｎｍ以下である金属錯体化合物Ｂと、を含有し、有機色素化合物Ａの含有量が、金属錯体化合物Ｂの含有量よりも多く、下記式で算出された耐光性ｘが３０％以上であることを特徴とする光記録材料が提供される。
耐光性ｘ＝｛（Ｉ１／Ｉ０）×１００｝
（但し、上記式中、Ｉ０は、有機色素化合物Ａ及び金属錯体化合物Ｂ混合物の分光光度計により測定された膜の吸収スペクトルにおいて、波長範囲３４０ｎｍ〜４４０ｎｍに存在する吸収極大の吸光度である。Ｉ１は、有機色素化合物Ａ及び金属錯体化合物Ｂ混合物の膜に光照射処理を施した後、分光光度計により測定された膜の吸収スペクトルにおいて、波長範囲３４０ｎｍ〜４４０ｎｍに存在する吸収極大の吸光度である。）
【００１２】
本発明が適用される光記録材料において、前述した有機色素化合物Ａは、分光光度計により測定された膜の吸収スペクトルの波長範囲３４０ｎｍ〜４４０ｎｍに存在する吸収極大の吸光度（ＩＡ０）と、有機色素化合物Ａの膜に光照射処理を施した後に測定された膜の吸収スペクトルの波長範囲３４０ｎｍ〜４４０ｎｍに存在する吸収極大の吸光度（ＩＡ１）と、を用いて算出された耐光性ｘ＝｛（ＩＡ１／ＩＡ０）×１００｝が３０％未満である場合に、本発明の効果がより一層発揮される。
【００１３】
ここで、上記耐光性ｘは、好ましくは、下記操作ステップにより算出される。
（操作ステップ）
（ステップ１）有機色素化合物Ａと金属錯体化合物Ｂとを含有する溶液を透明基板上にスピンコートした後に乾燥し、色素塗布ディスクを調製する。
（ステップ２）分光光度計を用いて、波長３００ｎｍ〜９００ｎｍにおいて、（ステップ１）で調製した色素塗布ディスクの吸収スペクトルを測定し、波長範囲３４０ｎｍ〜４４０ｎｍに存在する吸収極大の吸光度をＩ０とする。
（ステップ３）（ステップ１）で調製した色素塗布ディスクに、キセノンランプを２５０Ｗ／ｍ２で８時間照射する光照射処理を施した後、（ステップ２）と同じ条件で吸収スペクトルを測定し、波長範囲３４０ｎｍ〜４４０ｎｍに存在する吸収極大の吸光度をＩ１とする。
（ステップ４）（ステップ２）における（Ｉ０）と、（ステップ３）における（Ｉ１）に基づき、｛（Ｉ１／Ｉ０）×１００｝を算出する。
尚、ステップ１における「溶液」は、吸収極大の吸光度が０．１〜１．０となる程度の有機色素化合物Ａと金属錯体化合物Ｂとの固形分を含む液体を意味する。
【００１４】
本発明が適用される光記録材料において、最大吸収波長（λｍａｘ）が３４０ｎｍ以上４４０ｎｍ以下に有する有機色素化合物Ａに、金属錯体化合物Ｂを含有することにより、有機色素化合物Ａの耐光性の弱さを補うものことが可能となる。それは、金属が配位することにより、配位しない場合よりも耐光性が向上する場合があり、そもそも金属錯体化合物Ｂの耐光性が強い、ということが要因として挙げられる。
【００１５】
また、特に、本発明での短波長領域においては、金属錯体化合物Ｂが、有機色素化合物Ａの最大吸収極大波長（λｍａｘ）の近傍に、微弱な吸収帯を有することにより、その吸収帯が、有機色素化合物Ａの吸収帯の光劣化をシールドする、あるいはマスキングするものと考えられる。かかる“弱い吸収帯”は、金属イオンに由来する、配位子との相互作用が小さい吸収や、配位子の弱い吸収帯と考えられる。その吸収帯が光学的あるいは熱的に安定であればなお好ましい。
【００１６】
また、金属錯体化合物Ｂが、有機色素化合物Ａよりも嵩高い立体構造をとるために、例えば、有機色素化合物Ａ単独では結晶化しやすい構造のものでも、金属錯体化合物Ｂによって適度に分散されたアモルファス状になり、塗膜性を向上することができると考えられる。
【００１７】
かかる金属錯体化合物Ｂは、耐光性、あるいは塗布性の観点などから、アゾ系金属錯体化合物あるいはインドアニリン系金属錯体化合物であることが好ましい。
本発明が適用される光記録材料において、アゾ系金属錯体化合物は、下記一般式（Ｉ）に示すアゾ化合物と、金属イオンとの金属錯体化合物であることを特徴とすれば、基板上への塗布時の塗膜性、保存安定性、耐光性、記録感度等の記録特性を向上させることが出来る。
【００１８】
【化１】
2005271587.tif 000002
【００１９】
（式（Ｉ）中、環Ａは、炭素原子及び窒素原子とともに形成される含窒素複素芳香環であり、ＸＬは、Ｌが脱離することによりＸが陰イオンとなり金属が配位可能となる置換基を表す。Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、環状アルキル基、アラルキル基又はアルケニル基を表し、これらは各々隣接する置換基同士または互いに縮合環を形成してもよい。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、単環の飽和複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基、−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基、−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基、−ＳＯＲ４４で表されるスルフィニル基、−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基、−ＳＯ３Ｒ４７で表されるスルホン酸エステル基、−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基を表す。（但しＲ３４、Ｒ３７、Ｒ３８、Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４７、Ｒ４８は、それぞれ独立に、炭化水素基、または複素環基を表し、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４５、Ｒ４６は、それぞれ独立に、水素原子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。））
【００２０】
前記一般式（Ｉ）で表されるアゾ化合物において、環Ａが５〜６員環の単環または２縮合環の含窒素複素芳香環を表し、ＸＬがヒドロキシ基、スルホン酸基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、メルカプト基、カルボキシル基を表し、Ｒ１、Ｒ２が、それぞれ独立に、炭素数１〜１２の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数７〜１２アラルキル基を表す、または各々隣接する置換基同士または互いに飽和縮合環を形成し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は、各々独立に水素原子または炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数７〜１２のアラルキル基、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、単環の５〜６員環の飽和複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基、−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基、−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基、−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基、−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基を表すものであることが好ましい。
【００２１】
また、本発明が適用される光記録材料において、インドアニリン系金属錯体化合物は、下記一般式（ＩＩ）に示す化合物と、金属イオン及び任意のアニオンと、からなる金属錯体化合物であることが好ましい。
【００２２】
【化２】
2005271587.tif 000003
【００２３】
（式（ＩＩ）中、Ｒ６、Ｒ７は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、環状アルキル基、アラルキル基、アルケニル基を表し、これらは各々隣接する置換基同士または互いに縮合環を形成してもよい。Ｒ８〜Ｒ１６は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、飽和または不飽和の複素環基、炭素数６〜１８のアリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基、−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基、−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基、−ＳＯＲ４４で表されるスルフィニル基、−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基、−ＳＯ３Ｒ４７で表されるスルホン酸エステル基、−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基を表す。（但しＲ３４、Ｒ３７、Ｒ３８、Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４７、Ｒ４８は、それぞれ独立に、炭化水素基、または複素環基を表し、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４５、Ｒ４６は、それぞれ独立に、水素原子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。））
【００２４】
本発明が適用される光記録材料において使用する任意のアニオンは、１価の一座配位子であることが好ましい。
【００２５】
また、金属錯体化合物Ｂが、２価または３価の遷移金属イオンを有する金属錯体化合物であることが好ましい。さらに、このような遷移金属が、ニッケル、コバルト、銅、鉄、亜鉛、白金、パラジウム及びマンガンからなる群から選ばれるものであることが好ましい。
【００２６】
次に、本発明が適用される光記録材料において、有機色素化合物Ａは、γ―ピロン系有機色素、γ−チオピロン系有機色素、γ−１，１−ジオキソチオピロン系有機色素、γ−ピリドン系有機色素、クマリン系有機色素、カルボスチリル系有機色素、及び１−チオクマリン系有機色素から選ばれる化合物であることが挙げられる。
本発明が適用される光記録材料において、γ―ピロン系有機色素としては、例えば、下記一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）に示す化合物（一般的には、下記一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）において、Ｚ＝Ｏのものをピロン、Ｚ＝Ｓのものをチオピロン、Ｚ＝ＳＯ２のものをジオキソチオピロン、Ｚ＝Ｎのものをピリドンと呼ぶ。）から選ばれるものが挙げられる。
【００２７】
【化３】
2005271587.tif 000004
【００２８】
【化４】
2005271587.tif 000005
【００２９】
（式（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）中、Ｒ１７〜Ｒ２０及びＲ１７’〜Ｒ２０’は、それぞれ独立に、水素原子、または炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、飽和または不飽和の複素環基、炭素数６〜１８のアリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基、−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基、−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基、−ＳＯＲ４４で表されるスルフィニル基、−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基、−ＳＯ３Ｒ４７で表されるスルホン酸エステル基、−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基を表す（但しＲ３４、Ｒ３７、Ｒ３８、Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４７、Ｒ４８は、それぞれ独立に、炭化水素基、または複素環基を表し、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４５、Ｒ４６は、それぞれ独立に、水素原子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。
【００３０】
但し、Ｒ１７とＲ１８、Ｒ１９とＲ２０、Ｒ１７’とＲ１８’、Ｒ１９’とＲ２０’は、各々縮合して炭化水素環または複素環構造を形成してもよい。当該炭化水素環及び当該複素環は、置換基を有していてもよい。）。Ｘ１は、電子吸引性基であり、Ｘ２は、水素原子または−Ｑ−Ｙ（Ｑは、直接結合、炭素数１または２のアルキレン基、アリーレン基またはヘテロアリーレン基であり、Ｙは、電子吸引性基であり、当該アルキレン基、当該アリーレン基、当該ヘテロアリーレン基は、Ｙ以外に任意の置換基を有していてもよい。）である。環Ｃは、Ｃ＝Ｏと共に置換基を有していてもよい炭素環式ケトン環または複素環式ケトン環である。Ｚ及びＺ’は、それぞれ−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＮＲ２１−（ここで、Ｒ２１は、水素原子、置換されてもよい炭化水素基、置換されてもよい複素環基、シアノ基、ヒドロキシ基）、−ＮＲ２２Ｒ２３で表されるアミノ基（Ｒ２２、Ｒ２３は、各々独立に、水素原子、炭化水素基または複素環基）、若しくは−ＣＯＲ２４（Ｒ２４は、炭化水素基または複素環基である）、−ＣＯＲ２５（Ｒ２５は、炭化水素基または複素環基である）で表されるアシル基のいずれかを表す。）
【００３１】
また、本発明が適用される光記録材料において、クマリン系有機色素（下記構造式で、Ｘ＝Ｏ），カルボスチリル系有機色素（下記構造式で、Ｘ＝ＮＲ３３）、１−チオクマリン系有機色素（下記構造式で、Ｘ＝Ｓ）としては、下記一般式（Ｖ）に示す化合物が挙げられる。
【００３２】
【化５】
2005271587.tif 000006
【００３３】
（式（Ｖ）中、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ３３−を表す。Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０は、それぞれ独立して水素原子または炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数６〜１８のアリール基、飽和または不飽和の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基、−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基、−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基、−ＳＯＲ４４で表されるスルフィニル基、−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基、−ＮＨＳＯ２Ｒ４７で表されるスルホンアミド基を表す。
【００３４】
Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、環状アルキル基、アラルキル基、直鎖または分岐のアルケニル基、アシル基を表す。またＲ２６〜Ｒ３３のうち隣接する２つが結合して飽和炭化水素環または飽和複素環を形成していてもよい。）
（但しＲ３４、Ｒ３７、Ｒ３８、Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４７、Ｒ４８は、それぞれ独立に、炭化水素基、または複素環基を表し、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４５、Ｒ４６は、それぞれ独立に、水素原子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。）
【００３５】
前記一般式（Ｖ）において、Ｘが、−Ｏ−、−ＮＲ３３−であり、Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０が、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜８の環状アルキル基、炭素数７〜１２のアラルキル基、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数６〜１２のアリール基、飽和または不飽和の単環または２縮合環の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基、−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基、−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基であることが好ましい。
【００３６】
尚、前記一般式（Ｖ）において、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３がそれぞれ独立して、炭素数１〜１２の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数７〜１８のアラルキル基であり、Ｒ２９とＲ３１、Ｒ３０とＲ３２の一方または両方が飽和炭化水素環または飽和複素環を形成していてもよい構造をもつものが好ましい。
【００３７】
また、本発明が適用される光記録材料において、金属錯体化合物Ｂが有機色素化合物Ａの結晶化を阻害するものであることが好ましい。
さらに、金属錯体化合物Ｂの分解開始温度が有機色素化合物Ａの分解開始温度以下であることが好ましい。
【００３８】
次に、本発明によれば、基板と、基板上に設けられ、光による情報の記録又は再生が可能な記録層と、を有し、記録層は、前述した光記録材料を含有することを特徴とする光学記録媒体が提供される。
光学記録媒体の情報の記録又は再生に使用される光は、波長３５０ｎｍ〜５３０ｎｍのレーザ光であることが好ましい。
また、記録層に含有される光記録材料の金属錯体化合物Ｂの吸収強度を測定することにより、記録層の膜厚の測定及び膜厚の管理がされることが好ましい。
【００３９】
尚、本発明が適用される光記録材料における“最大吸収波長（λｍａｘ）”は、クロロホルム溶液又はメタノール溶液中で測定した吸収極大の波長のことを言い、どちらかの溶液中での最大吸収波長（λｍａｘ）が３４０ｎｍ以上、４４０ｎｍ以下、又は、５００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の範囲にあればよい。尚、光記録材料を膜状に形成した場合の極大吸収は、クロロホルム溶液又はメタノール溶液中で測定した値から、−１０ｎｍ〜１０ｎｍ程度変動すると考えられる。
【００４０】
また、本発明における試験方法に記載された“吸収極大”は、上述したように光記録材料を膜状に形成した場合の吸収極大を意味する。尚、本発明において「吸収スペクトル」とは、「試験片を膜状に形成した場合に測定された吸収スペクトル」を意味する。また、試験片を「膜状に形成」する方法としては、例えば、前述した耐光性ｘを算出するための操作ステップにおける「色素塗布ディスク」を調製する方法が挙げられる。
【発明の効果】
【００４１】
かくして本発明によれば、短波長の青色レーザによって記録・再生が可能であり、高水準の光記録材料が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、発明の実施の形態と言う。）について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することが出来る。また、使用する図面は、本実施の形態を説明するために使用するものであり、実際の大きさを表すものではない。
本実施の形態が適用される光記録材料は、最大吸収波長（λｍａｘ）が３４０ｎｍ以上４４０ｎｍ以下である有機色素化合物Ａと、最大吸収波長（λｍａｘ）が５００ｎｍ以上９００ｎｍ以下である金属錯体化合物Ｂとを含有し、有機色素化合物Ａの含有量が金属錯体化合物Ｂの含有量よりも多く、下記式で算出された耐光性ｘが３０％以上となるように有機色素化合物Ａと金属錯体化合物Ｂとを含有する。
【００４３】
耐光性ｘ＝｛（Ｉ１／Ｉ０）×１００｝
（但し、上記式中、Ｉ０は、有機色素化合物Ａ及び金属錯体化合物Ｂ混合物の分光光度計により測定された膜の吸収スペクトルにおいて、波長範囲３４０ｎｍ〜４４０ｎｍに存在する吸収極大の吸光度である。Ｉ１は、有機色素化合物Ａ及び金属錯体化合物Ｂ混合物の膜に光照射処理を施した後、分光光度計により測定された膜の吸収スペクトルにおいて、波長範囲３４０ｎｍ〜４４０ｎｍに存在する吸収極大の吸光度である。）
【００４４】
ここで、上記耐光性ｘは、下記操作ステップにより算出される。
（操作ステップ）
（ステップ１）有機色素化合物Ａと金属錯体化合物Ｂとを含有する溶液を透明基板上にスピンコートした後に乾燥し、色素塗布ディスクを調製する。
（ステップ２）分光光度計を用いて、波長３００ｎｍ〜９００ｎｍにおいて、（ステップ１）で調製した色素塗布ディスクの吸収スペクトルを測定し、波長範囲３４０ｎｍ〜４４０ｎｍに存在する吸収極大の吸光度をＩ０とする。
（ステップ３）（ステップ１）で調製した色素塗布ディスクに、キセノンランプを２５０Ｗ／ｍ２で８時間照射する光照射処理を施した後、（ステップ２）と同じ条件で吸収スペクトルを測定し、波長範囲３４０ｎｍ〜４４０ｎｍに存在する吸収極大の吸光度をＩ１とする。
（ステップ４）（ステップ２）における（Ｉ０）と、（ステップ３）における（Ｉ１）に基づき、｛（Ｉ１／Ｉ０）×１００｝を算出する。
【００４５】
上記のようにすることにより、（ａ）記録感度等の記録特性を向上させることが出来、（ｂ）耐光性を向上させることができ、さらに、（ｃ）光学記録媒体の基板上への塗布時の塗膜性を向上させることができる。
尚、有機色素化合物Ａの最大吸収波長（λｍａｘ）が３４０ｎｍ以上４４０ｎｍ以下であれば、青色レーザの波長域に適切な吸収をもつ。このため、有機色素化合物Ａを用いることにより、青色レーザに用いることができる記録感度を有する光学記録媒体を得ることができる。有機色素化合物Ａの最大吸収波長（λｍａｘ）がこの範囲を超える場合には、吸収が少なすぎて十分な記録が行えない、あるいは、吸収が大きすぎて十分な反射率が得られないという問題が起こりうる。
【００４６】
（ａ）については、本実施の形態で使用する金属錯体化合物Ｂは、記録再生に直接関与する有機色素化合物Ａの吸収スペクトルに影響を与えないために、最大吸収波長（λｍａｘ）が通常５００ｎｍ以上、好ましくは５５０ｎｍ以上、好ましくは６２０ｎｍ以上、より好ましくは６８０ｎｍ以上、通常９００ｎｍ以下、好ましくは８５０ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下、のような、可視光から近赤外の領域に最大吸収波長（λｍａｘ）をもつことが必要である。また、重量比は、有機色素化合物Ａ＞金属錯体化合物Ｂである必要がある。そうでないと、波長の異なる成分が記録特性にかかわることになり、記録特性が損なわれる可能性がある。有機色素化合物Ａと金属錯体化合物Ｂとの合計量を１００重量％としたときの金属錯体化合物Ｂの含有量は４０重量％以下、より好ましくは３５重量％以下、さらに好ましくは３０重量％以下である。
【００４７】
また、金属錯体化合物Ｂが、このような可視光領域の吸収を有することにより、この領域の光が金属錯体化合物Ｂに吸収され、有機色素化合物Ａへの光学的ダメージが軽減され、（ｂ）の目的が達成されると考えられる。
上記のように、金属錯体化合物Ｂは、まず、有機色素化合物Ａの光学的ダメージを軽減するために含有させる。具体的には、金属錯体化合物Ｂを含有させて、上記試験方法で測定される耐光性ｘを３０％以上とする。従って、有機色素化合物Ａ及び金属錯体化合物Ｂのそれぞれの含有量は、有機色素化合物Ａ単独での耐光性、金属錯体化合物Ｂ単独での耐光性を考慮して決めることができる。
【００４８】
つまり、有機色素化合物Ａは、単独で用いた場合の耐光性ｘが３０％未満となるような材料である。従って、有機色素化合物Ａの単独での耐光性ｘが、３０％未満の範囲において比較的高い値となる場合は、金属錯体化合物Ｂの含有量を比較的少なくすることができる。一方で、有機色素化合物Ａの単独での耐光性ｘが、３０％未満の範囲において比較的低い値となる場合は、金属錯体化合物Ｂの含有量を比較的多くする必要がある。このように、有機色素化合物Ａの単独での耐光性ｘの程度によって、金属錯体化合物Ｂの含有量が決まってくる。
また、金属錯体化合物Ｂを単独で使用した場合の耐光性ｘの程度によって、金属錯体化合物Ｂの含有量が決まる。つまり、金属錯体化合物Ｂは、単独での耐光性ｘが高ければ高いほど、少ない含有量で光記録材料の耐光性ｘを３０％以上に確保することができる。
【００４９】
本発明者等は、光記録材料の耐光性ｘと金属錯体化合物Ｂとの間に以下のような関係が存在するのではないかと推察している。つまり、光記録材料の耐光性ｘを向上させるためには、金属錯体化合物Ｂの波長３００ｎｍ〜４００ｎｍ近傍の”弱い吸収体”を利用することが好ましいと考えられる。この“弱い吸収帯”は、金属イオン由来の配位子との相互作用の小さい吸収帯あるいは配位子由来の弱い吸収帯と考えられる。その“弱い吸収帯”が、有機色素化合物Ａの最大吸収波長（λｍａｘ）の光劣化をシールドする、あるいはマスキングするもの効果を有すると考えられる。この“弱い吸収帯”は金属錯体化合物Ｂの最大吸収波長（λｍａｘ）と連動していることが多い。
【００５０】
具体的には、金属錯体化合物Ｂの最大吸収波長（λｍａｘ）が短波長側であれば、この“弱い吸収帯”も短波長側に見られる。本発明者らの検討で、耐光性試験で最も色素の劣化に関与すると考えられる３５０ｎｍ〜５００ｎｍ近傍、特に４００ｎｍ近傍にこの“弱い吸収帯”を有する金属錯体化合物Ｂは、最大吸収波長（λｍａｘ）を６２０ｎｍよりも長波長側に、より具体的には６８０ｎｍ以上に有するものであることがわかった（図７参照）。５００ｎｍ〜６２０ｎｍに最大吸収波長（λｍａｘ）を有する金属錯体化合物Ｂは、かかる“弱い吸収帯”が３５０ｎｍよりも短波長となり、４００ｎｍ近傍の吸光度が非常に小さくなることが多い（図８参照）。
【００５１】
従って、４００ｎｍ近傍に“弱い吸収帯”を有する、６８０ｎｍ以上に最大吸収波長（λｍａｘ）を有する金属錯体化合物Ｂを用いる場合は、金属錯体化合物Ｂの含有量を少なくできると考えられる。一方、５００ｎｍ以上６２０ｎｍ以下に最大吸収波長（λｍａｘ）を有する金属錯体化合物Ｂは、有機色素化合物Ａの耐光性向上に対する効果が小さいため、所望の耐光性を確保するための金属錯体化合物Ｂの量をより多く必要とすることになると考えられる。
【００５２】
本実施の形態においては、上記で説明したように、金属錯体化合物Ｂの最大吸収波長（λｍａｘ）や有機色素化合物Ａそのものの耐光性により、実用性のある耐光性が確保されるための金属錯体化合物Ｂの重量比が異なり、重量比を一義的に数値表現することはできない。従って、本実施の形態においては、所定の耐光性が３０％以上となるように有機色素化合物Ａと金属錯体化合物Ｂとを含有させればよい。
【００５３】
上記の理由により、金属錯体化合物Ｂの最大吸収波長（λｍａｘ）が５００ｎｍ〜６２０ｎｍの時は、有機色素化合物Ａと金属錯体化合物Ｂとの合計量を１００重量％としたときの金属錯体化合物Ｂの含有量を２０重量％以上４０重量％以下とすることが好ましい。それ以外の波長範囲の金属錯体化合物Ｂの含有量としては、５重量％以上が好ましく、より好ましくは１０重量％以上である。上限は４０重量％以下である。
【００５４】
金属錯体化合物Ｂの最大吸収波長（λｍａｘ）が６８０ｎｍ以上９００ｎｍ以下の場合には、４００ｎｍ近傍に“弱い吸収帯”が位置することになるため、より少ない量で所望の耐光性を確保することが可能である。
【００５５】
尚、上記の理由で、金属錯体化合物Ｂの最大吸収波長（λｍａｘ）と有機色素化合物Ａの最大吸収波長（λｍａｘ）との差は１００ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは１５０ｎｍ、さらに好ましくは２００ｎｍ以上、より一層好ましくは３００ｎｍ以上であり（図１０参照）、上限は５００ｎｍ、より好ましくは４５０ｎｍ、さらに好ましくは４００ｎｍである。
【００５６】
また、（ｃ）塗布時の塗膜性（製膜性）が向上するのは、金属錯体化合物Ｂが、有機色素化合物Ａに比べ、非常に嵩高い立体構造をとるため、例えば有機色素化合物Ａ単独では結晶化しやすい構造のものでも、金属錯体化合物Ｂにより適度に分散されアモルファス状になり、結晶化が妨げられるためと考えられる。
【００５７】
また、光記録材料における金属錯体化合物Ｂの金属錯体化合物の含有量が過度に小さいと、塗布時の塗膜性、保存安定性、耐光性等の記録特性の向上が見られない。また、含有量が過度に大きいと、有機色素化合物Ａの含有量が低減し、十分な記録を行うことが出来ない。
【００５８】
尚、耐光性ｘは０％でなければ実際には使用できる。しかしながら、紫外線硬化樹脂を使用して貼り合わせやカバー層、保護コート層を形成したり、記録部を繰り返し再生する際の劣化を防止するという観点から、通常、耐光性ｘは、好ましくは３０％以上、より好ましくは５０％以上、さらに好ましくは８０％以上、より一層好ましくは９０％以上であると考えられる。
耐光性ｘの評価に用いる光源、即ち、光照射処理としては、太陽光暴露、キセノンランプ光照射等の方法が知られている（ＩＳＯ−１０５−Ｂ０２参照）。例えば、太陽光（自然昼光）の波長分布に類似した分布を有する光（キセノンランプが一般的である。）を、ＷｏｏｌＳｃａｌｅ５級（または、Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ＃５）に相当する量だけサンプルに照射したときの（Ｉ１／Ｉ０）を測定すればよい。尚、かかる光照射処理は、通常、色素の膜を光源側に向けて行う。
【００５９】
本実施の形態における耐光性ｘは、より具体的には、下記（１）〜（４）の操作を行うことによって求める。
（１）有機色素化合物Ａと金属錯体化合物Ｂとを有機溶媒に含有させ、透明基板にスピンコートした後に乾燥し、色素塗布ディスクを得る。
（２）波長３００ｎｍ〜９００ｎｍまでの（１）の色素塗布ディスクの吸収スペクトルを紫外・可視分光光度計で測定し、３４０ｎｍ〜４４０ｎｍの波長範囲にある吸収極大の吸光度をＩ０とする。
（３）（１）の塗布ディスクを耐光性試験機内において、キセノンランプを２５０Ｗ／ｍ２で８時間照射した後、（２）と同じ条件で吸収スペクトルを測定し、３４０ｎｍ〜４４０ｎｍの波長範囲にある吸収極大の吸光度をＩ１とする。
（４）（Ｉ１／Ｉ０）×１００を算出し、それを耐光性ｘとする。
【００６０】
以下、（１）〜（４）の操作についてさらに詳細に説明する。
（１）の操作
有機溶媒は、有機色素化合物Ａと金属錯体化合物Ｂとを含有した時に、その吸収を、分光光度計が検出することが可能な程度溶解するものであり、基板材料を溶かすものでなければ、特に制限されない。尚、溶解このような溶媒としては例えば、アルコール系溶媒を挙げることができる。より具体的には、例えば、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール等を挙げることができる。本実施の形態の実施例においては、テトラフルオロプロパノールを使用した。上記化合物を有機溶媒に含有させたところで、超音波分散器にかけて、なるべく固形分（有機色素化合物Ａと金属錯体化合物Ｂ）上記を上記有機溶媒に溶解させることが好ましい（以下、溶液とする。）。上記固形分は、可能な限り、ろ過により除去する。何故ならば、固形分が膜中に存在する場合には、それを核として、膜の結晶化が起こる可能性があるからである。
【００６１】
次に、有機色素化合物Ａ及び金属錯体化合物Ｂの含有する溶液（本実施の形態の実施例では有機色素化合物Ａと金属錯体化合物Ｂとの合計量を、溶液重量の０．６重量％とした。）を基板上に塗布する。この溶液濃度は、有機色素化合物Ａ及び金属錯体化合物Ｂの溶解性も考慮して決める。
【００６２】
基板としては、可視光に対する透明性が確保されるものであればよい。基板としては、例えば、ガラス基板や樹脂基板が挙げられるが、上記溶液の表面張力との兼ね合いから、良好な膜が形成できるという点で、樹脂基板を用いることが好ましい。より好ましくは、ＣＤやＤＶＤで実用的に用いられているポリカーボネート基板を用いる。ポリカーボネート基板を用いる場合には、例えば、厚さ０．６ｍｍあるいは１．２ｍｍのものを用いればよい。
【００６３】
また、基板への塗布は、特に制限されないが、光記録媒体の記録層の塗布に汎用的に用いられている方法として、スピンコート塗布が挙げられる。スピンコート塗布を用いる場合の具体的な方法としては、厚さ０．６ｍｍ／直径１２０ｍｍの円盤状のポリカーボネート基板を８００ｒｐｍで回転させながら、有機色素化合物Ａ及び金属錯体化合物Ｂの含有する溶液を円盤の中心部分付近に滴下して塗布する方法が挙げられる。この時の溶液濃度、スピンコートの回転数は、吸収が検出できる限り特に制限されないが、吸収極大の吸光度は０．１以上、より好ましくは０．２以上、さらに好ましくは０．３以上である。上限は、およそ１．０である。できれば、記録再生に好適な膜厚となるように、上記濃度および回転数の条件設定することが好ましい。
塗布後、塗膜から有機溶媒を除去するために塗膜を乾燥する。乾燥温度は、有機溶媒が蒸発するような温度範囲で、特に制限はされないが、６０℃〜１００℃が好ましい。
【００６４】
（２）の操作
（１）で得られた色素塗布ディスクの３００ｎｍ〜９００ｎｍまでの吸収スペクトルを紫外・可視分光光度計で測定する。紫外・可視分光光度計としては、公知の装置を用いることができる。このような装置としては、例えば、株式会社日立製作所製Ｕ−３３００が挙げられる。そして、３００ｎｍ〜９００ｎｍまでの吸収スペクトルにおいて、３４０ｎｍ〜４４０ｎｍの波長範囲における最大の吸光度を示す波長（吸収極大波長）の吸光度Ｉ０を求める。
【００６５】
（３）の操作
（１）の色素塗布ディスクに対して、キセノンランプを２５０Ｗ／ｍ２で８時間照射する。キセノンランプの照射は、例えば、耐光性試験機を用いて行えばよい。その後、上記（２）と同様にして、色素塗布ディスクの３００ｎｍ〜９００ｎｍまでの吸収スペクトルを紫外・可視分光光度計で測定し、３４０ｎｍ〜４４０ｎｍの波長範囲における最大の吸光度を示す波長の吸光度Ｉ１を求める。
【００６６】
（４）の操作
上記（２）、（３）で求めた、Ｉ０、Ｉ１を用いて（Ｉ０／Ｉ１）×１００を算出し、これを耐光性ｘとする。
尚、有機色素化合物Ａ又は金属錯体化合物Ｂの単独での耐光性ｘを求める場合には、上記有機色素化合物Ａと金属錯体化合物Ｂの併用のかわりに、耐光性ｘを求めたい有機色素化合物Ａ又は金属錯体化合物Ｂを単独で用いればよい。
【００６７】
本実施の形態で用いる金属錯体化合物Ｂとしては、例えば、アゾ系金属錯体化合物あるいはインドアニリン系金属錯体化合物を挙げることができる。これらアゾ系金属錯体化合物あるいはインドアニリン系金属錯体化合物は、光記録材料の用途を考慮して、水難溶性であることが好ましい。以下、これらアゾ系金属錯体化合物あるいはインドアニリン系金属錯体化合物の具体例について説明する。
【００６８】
本実施の形態で使用する金属錯体化合物Ｂとしては、一般式（Ｉ）で示されるアゾ色素と金属イオンからなるアゾ系金属錯体化合物、一般式（ＩＩ）で示される化合物と金属イオン、任意のアニオンからなる金属錯体化合物を挙げることができる。尚、金属錯体化合物は同一種に限らず、複数種の金属錯体化合物を使用しても良い。
【００６９】
【化６】
2005271587.tif 000007
【００７０】
一般式（Ｉ）で示される化合物と金属とがキレート結合することにより金属錯体化合物が形成される。一般式（Ｉ）で表されるアゾ化合物の分子量は、通常、２０００以下であり、好ましくは１５００以下である。
【００７１】
本実施の形態で使用する金属錯体化合物Ｂを構成する金属は、一般式（Ｉ）と配位形成能力があれば特に限定されず、遷移元素または典型元素でもよく、その酸化数も限定されない。また、錯体における金属とアゾ化合物の比も特に問わないが、遷移金属１に対してアゾ化合物２の割合で配位した構造が好ましい。安定な錯体構造をとるためには、２価あるいは３価のイオンを有する遷移金属が好ましい。中でも特に、ニッケル、コバルト、銅、鉄、亜鉛、白金、パラジウム、マンガンからなる群から選ばれることが好ましい。
【００７２】
一般式（Ｉ）で表される化合物において、環Ａは、環Ａが結合している炭素原子及び窒素原子とともに形成される含窒素複素芳香環を表す。芳香環の構造は、配位可能な位置に窒素原子を有していれば単環でも縮合環でも良く、例えば、以下に例示するような芳香環が挙げられる。
【００７３】
【化７】
2005271587.tif 000008
【００７４】
ここで、Ｄ１〜Ｄ９は、水素原子または置換されてもよいアルキル基、アシル基のいずれかを表す。また、芳香環は水素原子以外に任意の置換基を有していてもよく、その置換基の数も位置にも特に制限はない。この中で、環Ａとして好ましい構造としては、５〜６員環の単環及び２縮合環であり、中でも、合成の容易さと溶解性の点からベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、イミダゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、ピリジン環、ピラゾール環、イソキサゾール環が好ましい。尚、一般式（Ｉ）で示されるアゾ化合物と金属とがキレート結合する結合には、例えば、次のａとａ’，ｂとｂ’の様な形態を含むものとする。
尚、Ｍは中心金属を表す。
【００７５】
【化８】
2005271587.tif 000009
【００７６】
以下、一般式（Ｉ）におけるＲ１〜Ｒ５について説明する。
一般式（Ｉ）において、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の直鎖または分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の環状アルキル基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基を表す。
【００７７】
これらのＲ１、Ｒ２が示す構造は、一般的にアルキル鎖部分の炭素数を増やしたり後述するような縮合環構造をとることにより、より長波長にλｍａｘがシフトするが、あまり炭素数が多すぎても波長的にはそれほど効果が見られず、逆にグラムあたりの吸収強度が下がる、生成物が固形化しないなどの問題も起こりうる。
【００７８】
そのためＲ１、Ｒ２として好ましくは炭素数１〜１２の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数７〜２０のアラルキル基（これらの芳香族環部分は任意の置換基を有していてもよい）、であり、特に好ましくは炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜８の環状アルキル基、炭素数７〜１２のアラルキル基である。
【００７９】
また、Ｒ１及びＲ２の一方もしくは双方が隣接するベンゼン環のＲ３またはＲ５と結合して飽和炭素環（縮合環）を形成しても良く、またＲ３、Ｒ５がそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子を有し、その先でＲ１、Ｒ２と縮合して飽和複素環（縮合環）を形成してもよい。さらにＲ１とＲ２とは、相互に結合して飽和炭素環構造（縮合環）を形成してもよい。またこのとき炭素原子以外に他のヘテロ原子を１ないし複数個含む飽和複素環（縮合環）を形成していてもよい。このようにして形成される環（縮合環）は、５〜７員環が好ましく、更に好ましくは５〜６員環である。更にこれらのＲ１及びＲ２が結合して形成される環（縮合環）や、Ｒ１、Ｒ２がベンゼン環と結合して形成される環には、置換基が結合していてもよい。
【００８０】
ここで、（−ＮＲ１Ｒ２）が環構造である場合の例としては、以下に示すものが挙げられる。
【００８１】
【化９】
2005271587.tif 000010
【００８２】
ここで、Ｄ１０〜Ｄ１２は、水素原子または置換されてもよいアルキル基、アシル基のいずれかを表す。また芳香環は任意の置換基を有していてもよく、その置換基の数や位置も、本発明の要旨の範囲内であれば特に制限はない。
【００８３】
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は、水素原子または、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−へプチル基等の炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の炭素数３〜１２の環状アルキル基；ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜１２の直鎖又は分岐のアルケニル基、ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７〜１８のアラルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルコキシ基；メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基等炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキルチオ基；４−ピペリジル基、モルホリノ基等の単環の飽和複素環基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ニトロ基；シアノ基；メルカプト基；ヒドロキシ基；ホルミル基；−ＣＯＲ３４で表されるアシル基；−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基；−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基；−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基；−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基；−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基；−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基；−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基；−ＳＯＲ４４で表されるスルフィニル基；−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基；−ＳＯ３Ｒ４７で表されるスルホン酸エステル基；−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基を表す。
【００８４】
ここで、Ｒ３４、Ｒ３７、Ｒ３８、Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４７、Ｒ４８は、炭化水素基、または複素環基を表し、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４５、Ｒ４６は水素原子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。
【００８５】
Ｒ３４〜Ｒ４８で表される炭化水素基とは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−へプチル基等の炭素数１〜１８の直鎖または分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の炭素数３〜１８の環状アルキル基；ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルケニル基；シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数３〜１８の環状アルケニル基；ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７〜２０のアラルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基等の炭素数６〜１８アリール基を表す。これらの基のアルキル鎖部分及びアリール基部分は後述するアルキル鎖部分が有し得る置換基で更に置換されていてもよい。
【００８６】
また、Ｒ３４〜Ｒ４８で表される複素環基は、４−ピペリジル基、モルホリノ基、２−モルホリニル基、ピペラジル基等の飽和複素環でも、２−フリル基、２−ピリジル基、２−チアゾリル基、２−キノリル基等の芳香族複素環でもよい。これらは複数のヘテロ原子を含んでいても、さらに置換基を有していてもよく、また結合位置も問わない。複素環として好ましい構造のものは、５〜６員環の飽和複素環、５〜６員環の単環及びその２縮合環の芳香族複素環である。
【００８７】
−ＣＯＲ３４で表されるアシル基；−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基；−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基；−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基；−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基；−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基；−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基；−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基；−ＳＯＲ４４で表されるスルフィニル基；−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基；−ＳＯ３Ｒ４７で表されるスルホン酸エステル基；−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基の具体例としては、以下に示すものが挙げられる。
【００８８】
アシル基（−ＣＯＲ３４）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。
【００８９】
【化１０】
2005271587.tif 000011
【００９０】
アミノ基（−ＮＲ３５Ｒ３６）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。
【００９１】
【化１１】
2005271587.tif 000012
【００９２】
アシルアミノ基（−ＮＨＣＯＲ３７）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。
【００９３】
【化１２】
2005271587.tif 000013
【００９４】
カーバメート基（−ＮＨＣＯＯＲ３８）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。
【００９５】
【化１３】
2005271587.tif 000014
【００９６】
カルボン酸エステル基（−ＣＯＯＲ３９）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。
【００９７】
【化１４】
2005271587.tif 000015
【００９８】
アシルオキシ基（−ＯＣＯＲ４０）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。
【００９９】
【化１５】
2005271587.tif 000016
【０１００】
カルバモイル基（−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。
【０１０１】
【化１６】
2005271587.tif 000017
【０１０２】
スルホニル基（−ＳＯ２Ｒ４３）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。
【０１０３】
【化１７】
2005271587.tif 000018
【０１０４】
スルフィニル基（−ＳＯＲ４４）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。
【０１０５】
【化１８】
2005271587.tif 000019
【０１０６】
スルファモイル基（−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。
【０１０７】
【化１９】
2005271587.tif 000020
【０１０８】
スルホン酸エステル基（−ＳＯ３Ｒ４７）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。
【０１０９】
【化２０】
2005271587.tif 000021
【０１１０】
スルホンアミド基（−ＮＨＳＯ２Ｒ４８）としては、以下の構造の置換基が挙げられる。
【０１１１】
【化２１】
2005271587.tif 000022
【０１１２】
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５として好ましいものは、水素原子または炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数７〜１２のアラルキル基、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、単環の５〜６員環の飽和複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基、−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基、−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基、−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基、−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基である。
【０１１３】
一般式（Ｉ）において、ＸＬは、脱離基Ｌが脱離することにより金属と配位することが可能な置換基を表す。具体的にＸＬで表される置換基としては、ヒドロキシ基（−Ｏ−；Ｘ、Ｈ＋；Ｌ）、スルホン酸基（−ＳＯ３Ｈ−；Ｘ、Ｈ＋；Ｌ）、アミノ基（−Ｎ−Ｈ；Ｘ、Ｈ＋；Ｌ）、アシルアミノ基（−Ｎ−ＣＯＲ３７、Ｈ＋；Ｌ）、スルホンアミド基（−Ｎ−ＳＯ２Ｒ４８、Ｈ＋；Ｌ）、メルカプト基（−Ｓ−；Ｘ、Ｈ＋；Ｌ）、カルボキシル基（−ＣＯＯ−；Ｘ、Ｈ＋；Ｌ）等が挙げられる。
【０１１４】
一般式（Ｉ）で示されるアゾ化合物の好ましい構造は、以下（１）〜（４８−２）に示される。
【０１１５】
【化２２】
2005271587.tif 000023
【０１１６】
【化２３】
2005271587.tif 000024
【０１１７】
【化２４】
2005271587.tif 000025
【０１１８】
【化２５】
2005271587.tif 000026
【０１１９】
【化２６】
2005271587.tif 000027
【０１２０】
【化２７】
2005271587.tif 000028
【０１２１】
本実施の形態が適用される光記録材料の金属錯体化合物Ｂとしては、一般式（ＩＩ）で示される化合物と、金属イオン及びアニオンとが結合することにより形成されたインドアニリン系金属錯体化合物を使用することができる。一般式（ＩＩ）で表される化合物の分子量は、配位子と金属との配位構造にも左右されるが、通常、４５００以下であり、好ましくは３０００以下である。
【０１２２】
【化２８】
2005271587.tif 000029
【０１２３】
前記一般式（ＩＩ）で表される化合物において、Ｒ６、Ｒ７は水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、環状アルキル基、アラルキル基、直鎖または分岐のアルケニル基を表す。
これらのＲ６、Ｒ７が示す構造も、前述のＲ１，Ｒ２と同様の理由から、好ましくは炭素数１〜１２の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数７〜２０のアラルキル基（これらの芳香族環部分は任意の置換基を有していてもよい）、であり、特に好ましくは炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜８の環状アルキル基、炭素数７〜１２のアラルキル基である。
【０１２４】
また、Ｒ６及びＲ７の一方もしくは双方が隣接するベンゼン環のＲ８またはＲ１０と縮合して飽和炭素環（縮合環）を形成しても良く、またＲ８、Ｒ１０がそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子を有し、その先でＲ６、Ｒ７と縮合して飽和複素環（縮合環）を形成してもよい。さらにＲ６とＲ７とは、相互に縮合して飽和炭素環（縮合環）構造を形成してもよい。またこのとき炭素原子以外に他のヘテロ原子を１ないし複数個含む飽和複素環を形成していてもよい。このようにして形成される環は、５〜７員環が好ましく、更に好ましくは５〜６員環である。更にこれらのＲ６及びＲ７が結合して形成される環や、Ｒ６、Ｒ７がベンゼン環と結合して形成される環には、置換基が結合していてもよい。
【０１２５】
このような構造は、前述の（−ＮＲ１Ｒ２）が環構造である場合の例としては示されたものと同様の構造を用いることができる。
【０１２６】
一般式（ＩＩ）において、Ｒ８〜Ｒ１６は、水素原子または炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、単環の飽和複素環基、炭素数６〜１８のアリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基；−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基；−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基；−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基；−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基；−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基；−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基；−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基；−ＳＯＲ４４で表されるスルフィニル基；−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基；−ＳＯ３Ｒ４７で表されるスルホン酸エステル基；−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基を表す（ここで、Ｒ３４、Ｒ３７、Ｒ３８、Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４７、Ｒ４８は、それぞれ独立に、炭化水素基、または複素環基を表し、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４５、Ｒ４６は、それぞれ独立に、水素原子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。）。
【０１２７】
Ｒ８〜Ｒ１６として好ましくは、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数６〜１８のアリール基、飽和または不飽和の単環または２縮合環の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基、−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基、−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基、−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基、−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基である。
【０１２８】
本実施の形態で使用する金属錯体化合物Ｂを構成する金属は、一般式（ＩＩ）に示す化合物と配位形成能力があれば特に限定されず、遷移元素または典型元素でもよく、その酸化数も限定されない。また、錯体における金属とアゾ化合物の比も特に問わないが、遷移金属１に対してアゾ化合物２の割合で配位した構造が好ましい。安定な錯体構造をとるためには、２価あるいは３価のイオンを有する遷移金属が好ましい。中でも特に、ニッケル、コバルト、銅、鉄、亜鉛、白金、パラジウム、マンガンからなる群から選ばれることが好ましい。
【０１２９】
インドアニリン化合物と、上記金属のイオンとともに錯体を形成するアニオンは、トータルとして錯体全体が電荷的に中性になればよく、任意のアニオンを用いることができる。例えば、ハロゲン原子、硝酸イオン、塩素酸イオン、過塩素酸イオンのように１価の電荷のものが挙げられる。さらに、このようなアニオンとしては、シュウ酸イオン、硫酸イオン、炭酸イオンのように２価の電荷のものが挙げられる。また、このようなアニオンとしては、それ以上の電荷をもつものでもよい。また、配座数は単座配位子でも、二座配位子、三座配位子等のように複数の配位原子をもつ多座配位子でもよい。好ましくは、アニオンが１価の一座配位子である。アニオンが１価の一座配位子であると、単一成分の化合物が合成しやすいので好ましい。価数が１価であることにより、比較的容易に合成しやすいため好ましい。また、アニオンは配位子として金属原子に直接配位する形でも、塩のように離れて存在する形でもよい。
【０１３０】
これらの配位子としては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１３１】
【化２９】
2005271587.tif 000030
【０１３２】
一般式（ＩＩ）で示す化合物と金属イオン及びアニオンとの割合は特に特定されず、金属イオンの電荷、金属錯体化合物の配位構造により様々に変化してもよいが、好ましい構造としては、金属イオン１に対して、一般式（ＩＩ）で示す化合物が２個または３個が配位した構造である。このような構造の化合物は、以下の示される錯体を形成しやすい。尚、下記構造式では、Ｍは金属イオン、Ｘはアニオンを示す。
【０１３３】
【化３０】
2005271587.tif 000031
【０１３４】
これらが配位する際に、同種の一般式（ＩＩ）で示される化合物と金属イオン及びアニオンとからなる金属錯体化合物のほか、複数種の一般式（ＩＩ）で示される化合物またはアニオンが配位した形でもよい。以下に、一般式（ＩＩ）で示される化合物の好ましい構造を示す。
【０１３５】
【化３１】
2005271587.tif 000032
【０１３６】
【化３２】
2005271587.tif 000033
【０１３７】
【化３３】
2005271587.tif 000034
【０１３８】
次に、本実施の形態が適用される光記録材料における有機色素化合物Ａについて説明する。本実施の形態が適用される光記録材料で使用する有機色素化合物Ａとしては、吸収極大が３４０ｎｍから４４０ｎｍの範囲にある、いわゆる青色レーザで記録可能なものであれば、公知の任意のものを用いることができる。尚、青色レーザでの記録を可能とするような有機色素化合物Ａは、一般に、単独で用いた場合における上記試験方法で測定した耐光性ｘが３０％未満となるものが多い。このような有機色素化合物Ａとしては、特に限定されないが、なかでも、γ―ピロン系有機色素、クマリン系有機色素、カルボスチリル系有機色素、１−チオクマリン系有機色素が挙げられる。
【０１３９】
γ―ピロン系有機色素、クマリン系有機色素、カルボスチリル系有機色素、１−チオクマリン系の分子量は特に限定されないが、通常、ピロン系有機色素の場合、分子量９００以下、好ましくは６００以下である。クマリン系有機色素又はカルボスチリル系有機色素の場合、通常、分子量７００以下、好ましくは５００以下である。分子量が過度に大きいと、特に吸収に寄与しない部分でＯＤ値が低下するため記録に必要な吸収を確保できなくなるので好ましくない。
【０１４０】
より具体的には、前述した一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）に示す化合物から選ばれるものを使用することが好ましい。
【０１４１】
【化３４】
2005271587.tif 000035
【０１４２】
【化３５】
2005271587.tif 000036
【０１４３】
【化３６】
2005271587.tif 000037
【０１４４】
以下、まず、一般式（ＩＩＩ）又は一般式（ＩＶ）について説明する。尚、一般式（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）におけるＲ１７’〜Ｒ２０’については、Ｒ１７〜Ｒ２０と同様なものが挙げられる。
【０１４５】
一般式（ＩＩＩ）又は一般式（ＩＶ）において、Ｒ１７〜Ｒ２０は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、飽和または不飽和の複素環基、炭素数６〜１８のアリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基；−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基；−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基；−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基；−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基；−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基；−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基；−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基；−ＳＯＲ４４で表されるスルフィニル基；−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基；−ＳＯ３Ｒ４７で表されるスルホン酸エステル基；−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基を表す。
【０１４６】
但し、Ｒ１７とＲ１８、Ｒ１９とＲ２０、Ｒ１７’とＲ１８’、Ｒ１９’とＲ２０’は、各々縮合して炭化水素環または複素環構造を形成してもよい。当該炭化水素環及び当該複素環は、置換基を有していてもよい。Ｘ１は、電子吸引性基であり、Ｘ２は、水素原子または−Ｑ−Ｙ（Ｑは、直接結合、炭素数１または２のアルキレン基、アリーレン基またはヘテロアリーレン基であり、Ｙは、電子吸引性基であり、当該アルキレン基、当該アリーレン基、当該ヘテロアリーレン基は、Ｙ以外に任意の置換基を有していてもよい。）である。環Ｃは、Ｃ＝Ｏと共に置換基を有していてもよい炭素環式ケトン環または複素環式ケトン環である。Ｚ及びＺ’は、それぞれ−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＮＲ２１−（ここで、Ｒ２１は、水素原子、置換されてもよい炭化水素基、置換されてもよい複素環基、シアノ基、ヒドロキシ基、−ＮＲ２２Ｒ２３で表されるアミノ基（Ｒ２２、Ｒ２３は、各々独立に、水素原子、炭化水素基または複素環基、若しくは−ＣＯＲ２４（Ｒ２４は、炭化水素基または複素環基である）、−ＣＯＲ２５（Ｒ２５は、炭化水素基または複素環基である）で表されるアシル基を表す。）のいずれかを表す）。
【０１４７】
上記置換基のうち、Ｒ１７〜Ｒ２０として好ましいものは、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜８の環状アルキル基、炭素数２〜８の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数７〜１２のアラルキル基、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、飽和または不飽和の単環又は２縮合環の複素環基、炭素数６〜１２のアリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基；−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基；−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基；−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基；−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基；−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基；−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基；−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基；−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基；−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基である。
【０１４８】
Ｒ１７とＲ１８、Ｒ１９とＲ２０、Ｒ１７’とＲ１８’、Ｒ１９’とＲ２０’が、各々縮合して炭化水素環または複素環構造を形成する場合の好ましいものとしては、以下の縮合環構造が挙げられる。
【０１４９】
【化３７】
2005271587.tif 000038
【０１５０】
（上記縮合環構造において、Ｄ１３〜Ｄ１５は、水素原子または置換されてもよいアルキル基、アシル基のいずれかを表す。また芳香環は任意の置換基を有していてもよく、その置換基の数や位置も、本発明の要旨の範囲内であれば特に制限はない。）またこれらの縮合環は前述したような置換または未置換のアルキル基で置換されていてもよい。このアルキル基が有し得る置換基としては、例えば、後述するＲ１７〜Ｒ２０のアルキル鎖部分が有し得る置換基と同種のものが挙げられる。
【０１５１】
有機色素化合物Ａの一般式（ＩＩＩ）又は一般式（ＩＶ）において、Ｘ１及びＸ２におけるＹの電子吸引性基としては、一般にハメット則においてシグマ定数σ（σｍ及びσｐ、特にσｐ）が正の値を持つものが挙げられる。これらの例としては、シアノ基、ニトロ基、ニトロソ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、ホルミル基、アシル基、カルボン酸エステル基、カルバモイル基、トリアルキルアミノ基、トリフルオロメチル基等のハロゲン置換アルキル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、スルホニル基、スルファモイル基、スルフィニル基等が挙げられる。アシル基、カルボン酸エステル基、カルバモイル基、トリアルキルアミノ基、トリフルオロメチル基等のハロゲン置換アルキル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、スルホニル基、スルファモイル基、スルフィニル基については、前述と同様なものが挙げられる。
【０１５２】
有機色素化合物Ａの一般式（ＩＩＩ）又は一般式（ＩＶ）において、Ｑの連結基は、直接結合（Ｘ２は−Ｙとなる。）、炭素数１〜２のアルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基を表す。ここで、Ｙは、電子吸引性基であり、当該アルキレン基、当該アリーレン基、当該ヘテロアリーレン基は、Ｙ以外に任意の置換基を有していてもよい。Ｑがアルキレン基の場合、炭素原子は水素原子以外に、後述するＲ１〜Ｒ４８がアルキル鎖となる場合に有し得る置換基を有していても、そこから分岐したアルキル鎖を有していてもよい。Ｑが６員環のアリーレン基、ヘテロアリーレン基を表す場合、電子吸引性基Ｙが結合部に対してオルト位かパラ位にあることが好ましく、５員環のヘテロアリーレン基である場合は、結合部と電子吸引性基が、２位と４位にあることが好ましい。またこれら連結基に結合するＹは複数個でもよい。またＹが結合している以外の箇所に置換基を有していてもよい。これらの連結基と電子吸引性基の好ましい結合を下記に例示する。
【０１５３】
【化３８】
2005271587.tif 000039
【０１５４】
（上記の例示中、Ｇ１〜Ｇ６は、炭素数１〜４の任意の置換基または置換されてもよいアルキル鎖を表し、Ｘ１、Ｙは電子吸引性基を示す。Ｘ１としては、より好ましくは、シアノ基、ニトロ基、アシル基、カルボン酸エステル基、カルバモイル基、ハロゲン置換アルキル基、スルホニル基、スルファモイル基、スルフィニル基が挙げられる。また、Ｙとしては、より好ましくは、シアノ基、ニトロ基、アシル基、カルボン酸エステル基、カルバモイル基、ハロゲン置換アルキル基、スルホニル基、スルファモイル基、スルフィニル基が挙げられる。さらに、Ｑの連続基としてより好ましくは、アリーレン基、ヘテロアリレーン基が挙げられる。）
【０１５５】
有機色素化合物Ａの一般式（ＩＩＩ）又は一般式（ＩＶ）において、環Ｃは、＞Ｃ＝Ｏと共に炭素環式ケトン構造または複素環式ケトン構造を表す。炭素環式ケトン、複素環式ケトンとは、不飽和または芳香環系の環内の−ＣＨ２−や＝ＣＨ−が、＞Ｃ＝Ｏに置き換わったものである。また点線で示した環Ｃの環構造部にも、複数の＞Ｃ＝Ｏ、＞Ｃ＝Ｓや＞Ｃ＝ＮＨ等を有していてもよい。環Ｃが形成する炭素環式ケトン構造や複素環式ケトン構造は、飽和でも不飽和でもよく、環の員数も特に問わない。また複素環においてはヘテロ原子の数も特に問わない。また環内の炭化水素基部や環を構成する−ＮＨ−の水素原子は、任意の置換基で置換されていてもよい。置換基としては、特にアルキル基やアリール基が好ましい。
【０１５６】
これらの炭素環式ケトン構造や複素環式ケトン構造は、環の一部に更なる環が縮合して、縮合環構造を形成してもよい。環式ケトン構造に縮合する環構造は、炭化水素環、複素環を問わないが、好ましくは、ベンゼン環または５〜６員環の複素芳香環である。以下に、環式ケトンが示す構造を例示する。
【０１５７】
【化３９】
2005271587.tif 000040
【０１５８】
環Ｃが形成する炭素環式ケトン構造と複素環式ケトン構造の好ましい例としては、５〜６員環の飽和炭化水素環、５〜６員環の飽和または不飽和の複素環のものである。
【０１５９】
有機色素化合物Ａの一般式（ＩＩＩ）又は一般式（ＩＶ）において、Ｚの−ＮＲ２１−の、Ｒ２１における炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−へプチル基等の炭素数１〜１８の直鎖または分岐のアルキル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の炭素数３〜１８の環状アルキル基、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルケニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数３〜１８の環状アルケニル基、ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７〜２０のアラルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基等の炭素数６〜１８アリール基を表す。これらの基のアルキル鎖部分及びアリール基部分は後述するＲ１〜Ｒ４８がアルキル鎖となる場合に有し得る置換基で更に置換されていてもよい。
【０１６０】
Ｒ２１で表される複素環基としては、４−ピペリジル基、モルホリノ基、２−モルホリニル基、ピペラジル基等の飽和複素環でも、２−フリル基、２−ピリジル基、２−チアゾリル基、２−キノリル基等の芳香族複素環でもよい。これらは複数のヘテロ原子を含んでいても、さらに置換基を有していてもよく、また結合位置も問わない。複素環として好ましい構造のものは、５〜６員環の飽和複素環、５〜６員環の単環及びその２縮合環の芳香族複素環である。これらの基は後述するＲ１〜Ｒ４８がアルキル鎖となる場合に有し得る置換基で更に置換されていてもよい。
【０１６１】
Ｒ２１が置換されてもよい炭化水素基としてアルキル鎖を有する場合、Ｒ１８またはＲ２０、Ｒ１８’またはＲ２０’と結合して、飽和または不飽和の炭化水素環や、飽和または不飽和の複素環構造を形成してもよい。環状構造の員数は特に制限されないが、炭化水素環、複素環共に好ましいのは５〜６員環である。これらの好ましい縮合環構造を下記に示す。
【０１６２】
【化４０】
2005271587.tif 000041
【０１６３】
−ＮＲ２２Ｒ２３のＲ２２、Ｒ２３は、Ｒ２１として例示した炭化水素基および複素環基と同様の基が挙げられる。−ＣＯＲ２４のＲ２４は、Ｒ２１と同様の炭化水素基、複素環基と同様な基が挙げられる。−ＣＯＲ２５のＲ２５は、炭化水素基、複素環基のいずれかを表し、Ｒ２１と同様に、炭化水素基、複素環基と同様な基が挙げられる。以下に、好ましい―ＮＲ２１―の例を挙げる。
【０１６４】
【化４１】
2005271587.tif 000042
【０１６５】
【化４２】
2005271587.tif 000043
【０１６６】
有機色素化合物Ａの一般式（ＩＩＩ）又は一般式（ＩＶ）で表される化合物の好ましい例として下記のもの（Ａ（１）〜Ａ（１０３））が挙げられる。なお、Ｅｔはエチル基を、Ｂｕはブチル基を、Ｐｈはフェニル基を表す。
【０１６７】
【化４３】
2005271587.tif 000044
【０１６８】
【化４４】
2005271587.tif 000045
【０１６９】
【化４５】
2005271587.tif 000046
【０１７０】
【化４６】
2005271587.tif 000047
【０１７１】
【化４７】
2005271587.tif 000048
【０１７２】
【化４８】
2005271587.tif 000049
【０１７３】
【化４９】
2005271587.tif 000050
【０１７４】
【化５０】
2005271587.tif 000051
【０１７５】
【化５１】
2005271587.tif 000052
【０１７６】
【化５２】
2005271587.tif 000053
【０１７７】
【化５３】
2005271587.tif 000054
【０１７８】
次に、本実施の形態が適用される光記録材料における有機色素化合物Ａとしては、前述した一般式（Ｖ）に示す化合物を使用することが好ましい。
一般式（Ｖ）において、Ｘは酸素原子、硫黄原子または−Ｎ−Ｒ３３を表す。Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐のアルケニル基、炭素数７〜１８のアラルキル基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数６〜１８のアリール基、飽和または不飽和の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基、−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基、−ＳＯ２Ｒ４３で表されるスルホニル基、−ＳＯＲ４４で表されるスルフィニル基、−ＳＯ２ＮＲ４５Ｒ４６で表されるスルファモイル基、−ＮＨＳＯ２Ｒ４７で表されるスルホンアミド基を表す。
【０１７９】
Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、環状アルキル基、アラルキル基、直鎖または分岐のアルケニル基、アシル基を表す。またＲ２６〜Ｒ３３のうち隣接する２つが結合して飽和炭化水素環または飽和複素環を形成していてもよい（但し、Ｒ３４、Ｒ３７、Ｒ３８、Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４７、Ｒ４８は、それぞれ独立に、炭化水素基、または複素環基を表し、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４５、Ｒ４６は、それぞれ独立に、水素原子、炭化水素基、複素環基のいずれかを表す。）
【０１８０】
上記基の中でも、Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０として好ましくは、水素原子または炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜８の環状アルキル基、炭素数７〜１２のアラルキル基、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルコキシ基、炭素数１〜８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数６〜１２のアリール基、飽和または不飽和の単環または２縮合環の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、−ＣＯＲ３４で表されるアシル基、−ＮＲ３５Ｒ３６で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ３７で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ３８で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ３９で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ４０で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ４１Ｒ４２で表されるカルバモイル基、−ＮＨＳＯ２Ｒ４８で表されるスルホンアミド基である。
【０１８１】
これらの置換基は、塗布溶媒に対する溶解性を上げる効果（特にアルキル基部分を持つもの）や、最大吸収波長（λｍａｘ）をより長波長にシフトさせることができる（特に、アリール基、不飽和複素環、ハロゲン化アルキル基やシアノ基などの電子吸引性基）点で有用であり、特にこれらをＲ２６、Ｒ２７に持つものが好ましい。
【０１８２】
Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３は、それぞれ独立に、水素原子、置換されてもよい直鎖または分岐のアルキル基、置換されてもよい環状アルキル基、置換されてもよいアラルキル基、置換されてもよい直鎖または分岐のアルケニル基、アシル基を表す。
Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３として好ましくは、水素原子、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数７〜１８のアラルキル基である。
【０１８３】
特にＲ３１、Ｒ３２においては、アミノ基の電子供与性を増す事により最大吸収波長（λｍａｘ）が長波長側にシフトするので、青色レーザに対する吸収をより持たせることができる。このため、Ｒ３１、Ｒ３２は、無置換の直鎖または分岐のアルキル基、環状アルキル基であることが特に好ましい。しかし、炭素数が多すぎても波長的にはそれほど効果が見られず逆に吸収強度が下がる、生成物が固形化しないなどの問題も考えられるので、Ｒ３１、Ｒ３２の炭素数は１から８程度が好ましい。
【０１８４】
また、Ｒ２６〜Ｒ３３のうち隣接する２つが結合して飽和炭化水素環を形成していてもよく、また、Ｒ２６〜Ｒ３０それぞれが独立に酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子を表し、その先で縮合した飽和複素環を形成してもよい。
上記縮合環構造として好ましいのは、Ｒ２９とＲ３１またはＲ３０とＲ３２が縮合した５〜７員環構造である。アミノ基構造をもつＲ３１，Ｒ３２は隣接置換基と縮合構造をとることにより、よりλｍａｘを長波長にシフトさせることができ、なおかつ溶解性の向上も期待できることから好ましい。更にこれらが結合して形成される環には、さらに置換基を有していてもよい。環構造の具体例としは、以下に示される構造が挙げられる。
【０１８５】
【化５４】
2005271587.tif 000055
【０１８６】
ここでＤはＲ３１、Ｒ３２と同様の置換基を表す。
【０１８７】
一般式（Ｖ）で示される化合物の好ましい具体例を以下に示す。
【０１８８】
【化５５】
2005271587.tif 000056
【０１８９】
【化５６】
2005271587.tif 000057
【０１９０】
【化５７】
2005271587.tif 000058
【０１９１】
【化５８】
2005271587.tif 000059
【０１９２】
【化５９】
2005271587.tif 000060
【０１９３】
【化６０】
2005271587.tif 000061
【０１９４】
【化６１】
2005271587.tif 000062
【０１９５】
尚、上記説明したＲ１〜Ｒ４８が示す直鎖又は分岐のアルキル基、環状アルキル基、直鎖または分岐のアルケニル基、環状アルケニル基、アラルキル基、直鎖または分岐のアルコキシ基、直鎖または分岐のアルキルチオ基となる場合、これらの置換基のアルキル鎖部分は、必要に応じて置換基を有していてもよい。ただしその場合の置換基あるいは、“置換されてもよい”“置換基を有していてもよい”なる記載における“置換基”は、スルホン酸基やカルボン酸基、水酸基のような水溶性基を含まない。
【０１９６】
その置換基としては、例えば以下のものが挙げられる。メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メトキシブトキシ基等の炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基；メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基等の炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルコキシ基；フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数６〜１２のアリールオキシ基；アリルオキシ基、ビニルオキシ基等の炭素数２〜１２のアルケニルオキシ基等が例示される。
【０１９７】
更に、他の置換基として、２−チエニル基、２−ピリジル基、４−ピペリジル基、モルホリノ基等の複素環基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシ基；メルカプト基；メチルメルカプト基、エチルメルカプト基等のアルキルチオ基；アミノ基；Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ基等の炭素数１〜１０のアルキルアミノ基；メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニルアミノ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メチルカロボニル基、エチルカルボニル基、イソプロピルカルボニル基等のアルキルカルボニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。これらの置換基の位置は特に限定されず、置換基の数は、１〜４個の範囲で可能である。複数の置換基を有する場合、種でも異なってもよい。
【０１９８】
（光学記録媒体）
次に、光学記録媒体について説明する。
本実施の形態が適用される光学記録媒体は、少なくとも、基板と、クロロホルムまたはメタノール溶液中の吸収極大が３４０ｎｍ以上、４４０ｎｍ以下の有機色素化合物Ａ及びクロロホルムまたはメタノール溶液中の吸収極大が５００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の金属錯体化合物Ｂとを含有する記録層とから構成される。尚、必要に応じて、更に、下引き層、反射層、保護層等を設けても良い。
【０１９９】
図１は、本実施の形態が適用される光学記録媒体を説明する図である。図１（ａ）は、第１の実施の形態であり、図１（ｂ）は、第２の実施の形態である。図１（ａ）に示される光学記録媒体１０は、光透過性材料からなる基板１と、基板１上に設けられた記録層２と、記録層２上に積層された反射層３及び保護層４とが順番に積層されている。光学記録媒体１０は、基板１側から照射されるレーザ光により、情報の記録・再生が行われる。
なお、説明の便宜上、光学記録媒体１０において、保護層４が存在する側を上方、基板１が存在する側を下方とし、これらの方向に対応する各層の各面を、それぞれ各層の上面及び下面とする。
【０２００】
基板１は、基本的に記録光及び再生光の波長において透明な材料であれば、様々な材料を使用することができる。具体的には、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン系樹脂（特に、非晶質ポリオレフィン）、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂；ガラスが挙げられる。また、ガラス上に光硬化性樹脂等の放射線硬化性樹脂からなる樹脂層を設けた構造が挙げられる。中でも、高生産性、コスト、耐吸湿性等の観点からは、射出成型法にて使用されるポリカーボネート樹脂、耐薬品性及び耐吸湿性等の観点からは、非晶質ポリオレフィンが好ましい。更に、高速応答等の観点からは、ガラスが好ましい。
【０２０１】
樹脂製の基板１を使用した場合、又は、記録層と接する側（上側）に樹脂層を設けた基板１を使用した場合には、上面に、記録再生光の案内溝やピットを形成してもよい。案内溝の形状としては、光学記録媒体１０の中心を基準とした同心円状の形状やスパイラル状の形状が挙げられる。スパイラル状の案内溝を形成する場合には、溝ピッチが０．２μｍ〜１．２μｍ程度であることが好ましい。
【０２０２】
記録層２は、基板１の上側に直接、又は必要に応じて基板１上に設けた下引き層等の上側に形成され、有機色素化合物Ａの、クロロホルムまたはメタノール溶液中の最大吸収波長（λｍａｘ）が３４０ｎｍ以上、４４０ｎｍ以下の化合物と、クロロホルム溶液またはメタノール溶液中の最大吸収波長（λｍａｘ）が５００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の金属錯体化合物Ｂと、を含有する。記録層２中の有機色素化合物Ａの含有量が、金属錯体化合物Ｂの含有量よりも多く、下記試験方法で測定したときの耐光性ｘが３０％以上となるように有機色素化合物Ａと金属錯体化合物Ｂとを含有する。
【０２０３】
金属錯体化合物Ｂの分解開始温度は、有機色素化合物Ａの分解開始温度以下であることが好ましい。金属錯体化合物Ｂの分解温度が有機色素化合物Ａの分解温度より低いことにより、記録層２全体としての分解温度を低下させることができ、記録層２の記録感度を向上させることが出来る。
好ましくは金属錯体化合物Ｂの分解温度と有機色素化合物Ａの分解温度の差が５℃以上、さらに好ましくは１０℃以上あることであり、好ましくは５０℃以下、さらに好ましくは４０℃以下である。
【０２０４】
尚、本実施の形態の分解開始温度は、大気中もしくは窒素フロー中で昇温速度１０℃／ｍｉｎ（分）で、色素量３ｍｇ〜４ｍｇをアルミニウム製のパンに入れて示差熱天秤法によって３０℃〜６００℃までのＴＧ−ＤＴＡを測定して求めたものである。減量が１０％以上ある減量過程において、減量前後の減量線の接線の交点をその減量過程の減量開始温度とする。
【０２０５】
記録層２の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等、一般に行なわれている様々な薄膜形成法が挙げられる。量産性やコストの観点からは、スピンコート法が好ましく、均一な厚みの記録層２が得られるという観点からは、塗布法よりも真空蒸着法等の方が好ましい。スピンコート法による成膜の場合、回転数は５００ｒｐｍ〜１５０００ｒｐｍが好ましい。また、場合によっては、スピンコートの後に、加熱する、溶媒蒸気にあてる等の処理を施しても良い。
【０２０６】
ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等の塗布法により記録層２を形成する場合に、有機色素化合物Ａと金属錯体化合物Ｂとを溶解させて基板１に塗布するために使用する塗布溶媒は、基板１を侵食せず、分光光度計で吸収が検出可能な濃度の溶液を作製できうる程度の、有機色素化合物Ａと金属錯体化合物Ｂの溶解性のある溶媒であれば特に限定されない。具体的には、例えばジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒；ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン等の鎖状炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の環状炭化水素系溶媒；テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒；乳酸メチル、乳酸エチル、２−ヒドロキシイソ酪酸メチル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶媒等が挙げられる。
【０２０７】
真空蒸着法を用いる場合には、例えば、必要に応じて他の色素や各種添加剤等の記録層成分とを、真空容器内に設置されたるつぼに入れ、この真空容器内を適当な真空ポンプで１０−２Ｐａ〜１０−５Ｐａ程度にまで排気した後、るつぼを加熱して記録層成分を蒸発させ、るつぼと向き合って置かれた基板上に蒸着させることによって、記録層２を形成する。
【０２０８】
また、記録層２には、安定性や耐光性の向上のために、さらに一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物（例えば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等）等を含有させたり、記録感度の向上のために、金属系化合物等の記録感度向上剤を含有させたりしても良い。ここで、金属系化合物とは、遷移金属等の金属が原子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるものを言い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチン系錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロリン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキシム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メタロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有機金属化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されないが、遷移金属であることが好ましい。なお、ここで列挙した遷移金属キレート化合物や金属系化合物は、クロロホルムまたはメタノール溶液中の吸収極大が５００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下にはない。
【０２０９】
なお、記録層２には、必要に応じて、有機色素化合物Ａを複数種類併用しても良い。その場合には、複数種類全部（総和）を有機色素化合物Ａと見なす。更に、記録層２には、有機色素化合物Ａに加え、併用する金属錯体化合物により、異なる波長帯域に属する複数種のレーザ光を用いた記録・再生に対応する光学記録媒体１０を製造することもできる。
【０２１０】
有機色素化合物Ａ以外の他系統の色素としては、本実施の形態の金属錯体化合物のほか、必要に応じてベンゾフェノン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シアニン系色素、アゾ系化合物、スクアリリウム系色素、トリアリールメタン系色素、メロシアニン系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色素、キサンテン系色素、オキサジン系色素、ピリリウム系色素等が挙げられる。更に、必要に応じて、バインダー、レベリング剤、消泡剤等を併用することもできる。好ましいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられる。
【０２１１】
記録層２の膜厚は、記録方法等により適した膜厚が異なる為、特に限定するものではないが、記録を可能とするためにはある程度の膜厚が必要とされるため、通常、少なくとも１ｎｍ以上であり、好ましくは５ｎｍ以上である。但しあまり厚すぎても記録が良好に行えなくなるおそれがあり、通常３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下である。
また、記録層２は、記録および再生光波長における消衰係数（複素屈折率の虚部）ｋが０〜０．５０、好ましくは０．０５〜０．３５の範囲である。さらに、屈折率（複素屈折率の実部）ｎが１〜３、好ましくは１．５〜２．５の範囲である。
【０２１２】
記録層２の膜厚を測定し、膜厚が所定の値になるように管理する方法としては、記録層２にレーザ光を照射し、記録層２を構成する記録用色素層の吸収強度、即ち透過スペクトルを測定することにより記録層２の膜厚を測定して管理する方法がある。
尤も、この方法は、極大吸収が４００ｎｍ以下の記録層２の膜厚を測定することが困難な場合があった。記録層２の膜厚の測定が困難になる理由としては、光学記録媒体１０の基板１に使用される材料の極大吸収が４００ｎｍ以下であることが多く、記録層２の極大吸収と重なってしまうこと、照射するレーザ光の波長が小さくなると（特に５００ｎｍ以下）、基板１に形成した案内溝によるレーザ光の回折の影響が大きくなり、正確なデータを測定できないことが考えられる。
【０２１３】
本実施の形態において、記録層２中に含まれる有機色素化合物Ａ（極大吸収が３４０ｎｍ以上、４４０ｎｍ以下にある）ではなく、極大吸収が５００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下にある金属錯体化合物Ｂの透過スペクトルを測定することにより、上述したような問題を解決し、正確な記録層２の膜厚を測定することができ、最適な膜厚を持つ光学記録媒体１０を提供することが出来る。
【０２１４】
反射層３は、記録層２の上に形成されている。反射層３の膜厚は、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。反射層３の材料としては、再生光の波長において十分高い反射率を有する材料、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｐｄ等の金属を、単独あるいは合金にして用いることができる。これらの中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く、反射層３の材料として適している。
【０２１５】
また、これらの金属を主成分とした上で、加えて他の材料を含有させても良い。ここで主成分とは、含有率が５０％以上のものをいう。主成分以外の他の材料としては、例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｄ等の金属及び半金属を挙げることができる。
【０２１６】
中でもＡｇを主成分とするものは、コストが安い点、高反射率が出やすい点、後述する印刷受容層を設けた場合に地色が白く美しいものが得られる点等から、特に好ましい。例えば、ＡｇにＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、及びＮｄから選ばれる一種以上を０．１原子％〜５原子％程度含有させた合金は、高反射率、高耐久性、高感度且つ低コストであり好ましい。具体的には、例えば、ＡｇＰｄＣｕ合金、ＡｇＣｕＡｕ合金、ＡｇＣｕＡｕＮｄ合金、ＡｇＣｕＮｄ合金等である。金属以外の材料としては、低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、これを反射層３として用いることも可能である。
【０２１７】
反射層３を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。また、基板１の上や反射層３の下に、反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のために、公知の無機系又は有機系の中間層、接着層を設けることもできる。
【０２１８】
保護層４は、反射層３の上に形成される。保護層４の材料は、反射層３を外力から保護するものであれば、特に限定されない。有機物質の材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることができる。
また、無機物質としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＭｇＦ２、ＳｎＯ２等が挙げられる。
【０２１９】
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等を用いる場合は、適当な溶剤に溶解して調製した塗布液を反射層３の上に塗布して乾燥させれば、保護層４を形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂を用いる場合は、そのまま反射層３の上に塗布するか、又は適当な溶剤に溶解して調製した塗布液を反射層３の上に塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによって、保護層４を形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート等のアクリレート系樹脂を用いることができる。これらの材料は、単独で用いても、複数種を混合して用いても良い。また、保護層４は、単層として形成しても、多層として形成してもよい。
【０２２０】
保護層４の形成方法としては、記録層２と同様に、スピンコート法やキャスト法等の塗布法や、スパッタリング法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、中でもスピンコート法が好ましい。保護層４の膜厚は、その保護機能を果たすためにはある程度の厚みが必要とされるため、一般に０．１μｍ以上であり、好ましくは３μｍ以上である。但しあまり厚すぎると、効果が変わらないだけでなく保護層４の形成に時間がかかったりコストが高くなるおそれがあるので通常１００μｍ以下であり、好ましくは３０μｍ以下である。
【０２２１】
上述したように、光学記録媒体１０の層構造として、基板、記録層、反射層、保護層をこの順に積層して成る構造を例に採って説明したが、この他の層構造を採っても構わない。
例えば、上例の層構造における保護層４の上面に、又は上例の層構造から保護層４を省略して反射層３の上面に、更に別の基板１を貼り合わせてもよい。この際の基板１は、何ら層を設けていない基板そのものであってもよく、貼り合わせ面又はその反対面に反射層３等任意の層を有するものでも良い。また、同じく上例の層構造を有する光学記録媒体１０や、上例の層構造から保護層４を省略した光学記録媒体１０を、それぞれの保護層４及び／又は反射層３の上面を相互に対向させて２枚貼り合わせてもよい。
【０２２２】
次に、光学記録媒体の第２の実施の形態について説明する。
図１（ｂ）は、光学記録媒体の第２の実施の形態を説明する図である。第１の実施の形態の光学記録媒体１０と共通する部分は同じ符号を付し、説明を省略する。図１（ｂ）に示される光学記録媒体２０は、光透過性材料からなる基板１と、基板１上に設けられた反射層３と、反射層３上に積層された記録層２及び保護被膜５とが順番に積層されている。光学記録媒体２０は、保護被膜５側から照射されるレーザ光により、情報の記録・再生が行われる。
【０２２３】
保護被膜５は、フィルム又はシート状のものを接着剤によって貼り合わせてもよく、また、前述の保護層４と同様の材料を用い、成膜用の塗液を塗布し硬化又は乾燥することにより形成しても良い。保護被膜５の厚さは、その保護機能を果たすためにはある程度の厚さが必要とされるため、一般に０．１μｍ以上であり、好ましくは３μｍ以上である。但しあまり厚すぎると、効果が変わらないだけでなく保護被膜５の形成に時間がかかったりコストが高くなるおそれがあるので通常３００μｍ以下であり、好ましくは２００μｍ以下である。尚、記録層２、反射層３等の各層は通常、前述の光学記録媒体１０と同様のものが用い得る。但し、本層構成では基板１は透明である必要はなく、従って、前述の材料以外にも、不透明な樹脂、セラミック、金属（合金を含む）等が用いられる。このような層構成においても、上記各層間には、本発明の特性を損なわない限り、必要に応じて任意の層を有してよい。
【０２２４】
ところで、光学記録媒体１０、２０の記録密度を上げるための一つの手段として、対物レンズの開口数を上げることがある。これにより情報記録面に集光される光スポットを微小化できる。しかしながら、対物レンズの開口数を上げると、記録・再生を行うためにレーザ光を照射した際に、光学記録媒体１０、２０の反り等に起因する光スポットの収差が大きくなりやすいため、良好な記録再生信号が安定して得られない場合がある。
【０２２５】
このような収差は、レーザ光が透過する透明な基板１や保護被膜５の膜厚が厚いほど大きくなりやすいので、収差を小さくするためには基板１や保護被膜５をできるだけ薄くするのが好ましい。ただし、通常、基板１は光学記録媒体１０、２０の強度を確保するためにある程度の厚みを要するので、この場合、光学記録媒体２０の構造（基板１、反射層３、記録層２、保護被膜５なる基本的層構成の光学記録媒体２０）を採用するのが好ましい。光学記録媒体１０の基板１を薄くするのに比べると、光学記録媒体２０の保護被膜５は薄くしやすいため、好ましくは光学記録媒体２０を用いる。
【０２２６】
但し、光学記録媒体１０の構造（基板１、記録層２、反射層３、保護層４なる基本的層構成の光学記録媒体１０）であっても、記録・再生用レーザ光が通過する透明な基板１の厚さを５０μｍ〜３００μｍ程度にまで薄くすることにより、収差を小さくして使用できるようになる。
また、他の各層の形成後に、記録・再生レーザ光の入射面（通常は、基板１の下面）に、表面の保護やゴミ等の付着防止の目的で、紫外線硬化樹脂層や無機系薄膜等を成膜形成してもよく、記録・再生レーザ光の入射面ではない面（通常は、反射層３や保護層４の上面）に、インクジェット、感熱転写等の各種プリンタ、あるいは各種筆記具を用いて記入や印刷が可能な印刷受容層を設けてもよい。
【０２２７】
本実施の形態が適用される光学記録媒体１０、２０において、情報の記録・再生のために使用するレーザ光は、高密度記録を実現する観点から波長が短いほど好ましいが、特に波長３５０ｎｍ〜５３０ｎｍのレーザ光が好ましい。かかるレーザ光の代表例として、中心波長約４０５ｎｍ、約４１０ｎｍ、約５１５ｎｍのレーザ光が挙げられる（約は、±５ｎｍ程度の波長シフトを許容する）。
【０２２８】
波長３５０〜５３０ｎｍのレーザ光は、波長４０５ｎｍ、４１０ｎｍの青色又は５１５ｎｍの青緑色の高出力半導体レーザ光を使用することによって得られる。また、その他にも、例えば、（ａ）基本発振波長が７４０ｎｍ〜９６０ｎｍの連続発振可能な半導体レーザ光、及び（ｂ）半導体レーザ光によって励起される基本発振波長７４０ｎｍ〜９６０ｎｍの連続発振可能な固体レーザ光の何れかの発振レーザ光を、第二高調波発生素子（ＳＨＧ）により波長変換することによっても得られる。
【０２２９】
尚、ＳＨＧとしては、反転対称性を欠くピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ、ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体等が好ましい。第二高調波の具体例として、基本発振波長が８６０ｎｍの半導体レーザ光の場合には、その基本発振波長の倍波である４３０ｎｍ、また、半導体レーザ光励起の固体レーザ光の場合には、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ６結晶（基本発振波長８６０ｎｍ）からの倍波の４３０ｎｍ等が挙げられる。
【０２３０】
記録再生に用いる波長としては、高密度化に有利な短波長で、かつ、実用的なレーザダイオードが供給されている波長４０５ｎｍを用いることが最も好ましい。この波長を用いる場合は、有機色素化合物Ａの最大吸収波長（λｍａｘ）は、３４０ｎｍ〜４００ｎｍにあることが好ましく、より好ましくは３５０ｎｍ〜４００ｎｍにあることであり、さらに好ましくは３７０ｎｍ〜４００ｎｍにあることである。
【０２３１】
本実施の形態が適用される光学記録媒体１０、２０に、情報の記録を行なう際には、記録層２に対して（通常は、基板１側から基板１を透過させ）、通常、０．４〜０．６μｍ程度に集束したレーザ光を照射する。記録層２のレーザ光が照射された部分は、レーザ光のエネルギーを吸収することによって分解、発熱、溶解等の熱的変形、複素屈折率の変化を起こすため、光学的特性が変化する。
記録層２に記録された情報の再生を行なう際には、同じく記録層２に対して（通常は、記録時と同じ方向から）、よりエネルギーの低いレーザ光を照射する。記録層２において、光学的特性（光学定数や位相差等）の変化が起きた部分（即ち、情報が記録された部分）の反射率と、変化が起きていない部分の反射率との差を読みとることにより、情報の再生が行なわれる。
【実施例】
【０２３２】
以下、実施例に基づき本実施の形態をさらに具体的に説明する。尚、本実施の形態は実施例に限定されるものではない。また、下記の表では、有機色素化合物Ａを（Ａ）成分、金属錯体化合物Ｂを（Ｂ）成分、金属錯体化合物Ｂの比較としての化合物を（Ｃ）成分と記載する。
【０２３３】
（化合物の合成例）
本実施の形態において使用する化合物の合成方法は、特に限定されるものではないが、式（Ｉ）で示されるアゾ化合物の合成方法としては、例えば、特開平６−３２９６１６号公報等に記載されている合成方法が挙げられる。また、式（ＩＩ）で示される化合物の合成方法としては、例えば、特開昭６３−０５７８４６号公報等が挙げられる。式（ＩＩＩ）や式（ＩＶ）で示される化合物の合成方法としては、例えば、特願２００１−３７２１９９（ＵＳＰ６８１５０３３）、式（Ｖ）で示される化合物の合成方法としては、例えば、特願２００１−０２７５９９等に記載されている方法により合成することができる。
【０２３４】
（１）金属錯体化合物Ｂの合成
前述した例示化合物（４５）、（４６）、（４７）のメタノール溶液に、それぞれ酢酸ニッケルのメタノール溶液（０．６当量）を滴下した後濾別し、表１で示す金属錯体化合物Ｂ（Ｂ成分：Ｂ１〜Ｂ３）を合成した。また、例示化合物（６３）のエタノール溶液中に塩化ニッケル水溶液及びＮＨ４ＰＦ６水溶液を滴下した後濾別し、金属錯体化合物（Ｂ成分：Ｂ４）を合成した。クロロホルム溶液中の最大吸収波長λｍａｘとモル吸光係数εとを表１に示す。
【０２３５】
【表１】
2005271587.tif 000063
【０２３６】
（２）耐光性試験
有機色素化合物Ａと金属錯体化合物Ｂとを所定の組成比で調製した光記録材料の０．６重量％テトラフルオロプロパノール溶液を、厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃｍの射出成形型ポリカーボネート製樹脂基板上に回転８００ｒｐｍでスピンコートした後で乾燥し、次いで、適当な大きさにカットして調製してディスク切片に、耐光性試験機（株式会社東洋精機製作所製：サンテストＸＬＳ＋）を使用して、Ｘｅランプを４５℃、２５０Ｗ／ｍ２で８時間照射した。
【０２３７】
尚、光記録材料中の有機色素化合物Ａ（即ち、３４０ｎｍ〜４４０ｎｍの波長範囲の吸収極大）をモニターできる吸収帯について、Ｘｅランプの照射前の吸収極大の吸光度Ｉ０と、Ｘｅランプの照射後の吸収極大の吸光度Ｉ１とをそれぞれ測定し、耐光性ｘ＝Ｉ１／Ｉ０を算出した。通常、Ｉ１とＩ０の波長は同じである。数値が大きいほど耐光性が良好である。
尚、混合したＢ成分自身の４４０ｎｍ以下の吸収は、Ａ成分と比較して非常に小さく、混合時の含量を考慮するとλｍａｘの吸収の大きさは、ほぼＡ成分の吸収としてみなすことができる。
【０２３８】
（実施例１〜１３、比較例１〜７）
表２に示した組成の光記録材料について試験を行い耐光性ｘを評価した。結果を表２に示す。尚、有機色素化合物Ａは以下の化合物（Ａ１、Ａ２）を使用した。
【０２３９】
【化６２】
2005271587.tif 000064
【０２４０】
【化６３】
2005271587.tif 000065
【０２４１】
【表２】
2005271587.tif 000066
【０２４２】
表２の結果から、有機色素化合物Ａの重量／金属錯体化合物Ｂの重量（以下「（Ａ）成分／（Ｂ）成分」と記載する場合がある。）（Ａ）成分／（Ｂ）成分＝８５／１５〜７０／３０である光記録材料（実施例１〜１３）は、前述の（２）耐光性試験方法で実施した耐光性ｘが５０％以上あり、耐光性に優れることが確認できた。
一方、（Ａ）成分／（Ｂ）成分＝１００／０及び、例えば、実施例１０を除く９０／１０である光記録材料（比較例１〜７）は、耐光性ｘが３０％未満であり、耐光性に劣ることが分かる。
【０２４３】
尚、実施例１３で使用した光記録材料をオクタフルオロペンタノールに溶解し、０．６ｗｔ％に調整した。これをろ過してできた溶解液を直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布し、塗布後、１００℃で３０分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長（λｍａｘ）は、３８８．５ｎｍ、次に大きな最大吸収波長は８０３．５ｎｍであった。図２に吸収スペクトルを示す。
【０２４４】
（比較例８〜１１）
実施例１で使用した化合物Ａ１と、以下に示す化合物Ｃ（Ｃ成分：Ｃ１〜Ｃ４）とを表３に示す組成で調製し、耐光性試験を行った。結果を表３に示す。尚、Ｃ１は、５００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲にλｍａｘを有するアントラキノン色素であり、Ｃ２は、シアニン色素であり、Ｃ３は、Ｂ１の金属イオンに配位していないアゾ化合物であり、Ｃ４は、λｍａｘが５００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲外にあるアゾ系金属錯体化合物である。また、化合物Ｃの最大吸収波長（λｍａｘ）とεの値は、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ４、Ｃ５はクロロホルム溶液中、Ｃ３はメタノール溶液中の測定値である。
【０２４５】
【化６４】
2005271587.tif 000067
【０２４６】
【化６５】
2005271587.tif 000068
【０２４７】
【化６６】
2005271587.tif 000069
【０２４８】
【化６７】
2005271587.tif 000070
【０２４９】
【表３】
2005271587.tif 000071
【０２５０】
表３の結果から、これら（比較例８〜１１）は、いずれも耐光性の向上は見られないことが分かる。
【０２５１】
（実施例１４〜１７、比較例１２〜１５）
（１）光学記録媒体の作製例
表４に示す組成の光記録材料のオクタフルオロペンタノール溶液（０．６ｗｔ％）を、トラックピッチ４２５ｎｍ、溝幅１６３ｎｍ、溝深さ９０ｎｍの溝を有する直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板に滴下し、スピナー法により塗布した。なお、塗布は、回転数６００ｒｐｍから４９００ｒｐｍへ２５秒かけて回転数を上げ、４９００ｒｐｍで５秒間保持して行った。更に、１００℃で３０分間乾燥し、記録層とした。次いで、スパッタリング法にて銀合金を１００ｎｍの厚さで成膜し、反射層を形成した。その後、ＵＶ硬化性樹脂からなる保護コート剤をスピナー法により塗布し、ＵＶ光を照射して厚さ５μｍの保護層を形成させた。更に、遅延硬化型接着剤を用いて、保護層のある面に、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板を接着して、評価用の光学記録媒体を作成した。
【０２５２】
（２）記録例
前述した光学記録媒体を線速度５．７ｍ／ｓｅｃで回転させながら、波長４０５ｎｍ（対物レンズの開口数ＮＡ＝０．６５）のレーザ光で、（８Ｔマーク／８Ｔスペース）及び（３Ｔマーク／３Ｔペース）の単一周波数信号を溝上に記録し、それぞれの記録特性を測定した。結果を表４に示す。尚、Ｔは、周波数６６ＭＨｚに対応する基準クロック周期である。記録パルスストラテジとして、分割パルス数はマーク長をｎＴとして（ｎ−１）、先頭記録パルス幅２Ｔ、後続記録パルス幅０．６Ｔ、バイアスパワー０．２ｍＷ、再生パワー０．２ｍＷ、記録パワーを可変とした。
【０２５３】
【表４】
2005271587.tif 000072
【０２５４】
表４の結果から、（Ａ）成分／（Ｂ）成分＝８０／２０、７０／３０の光記録材料を使用した光学記録媒体（実施例１４〜１７）の記録特性及び記録感度が向上することが分かる。
【０２５５】
（実施例１８〜２１、比較例１６〜１９）
実施例１４〜１７及び比較例１２〜１５において使用した光学記録媒体について、それぞれ、再生光パワー０．２ｍＷで１０５回読み込み、８ＴのＣ／Ｎの減少ｄＢを測定し、再生光劣化を比較した。数値が小さいほど再生光劣化が良好である。結果を表５に示す。
【０２５６】
【表５】
2005271587.tif 000073
【０２５７】
表５の結果から、（Ａ）成分／（Ｂ）成分＝８０／２０、７０／３０の光記録材料を使用した光学記録媒体（実施例１８〜２１）の再生光劣化が良好であることが分かる。
【０２５８】
（実施例２２、比較例２０）
表６に示した組成の光記録材料を用いて、実施例１４と同様に光学記録媒体を調製し、記録感度等について測定した。尚、有機色素化合物Ａは以下の化合物（Ａ３）を使用した。結果を表６に示す。
【０２５９】
【化６８】
2005271587.tif 000074
【０２６０】
【表６】
2005271587.tif 000075
【０２６１】
表６の結果から、記録感度が向上することが分かる。
【０２６２】
（実施例２３〜２６、比較例２１〜２６）
表７及び表８に示した組成の光記録材料について、ＴＧ−ＤＴＡ（ＤＴＧ）測定を行い、熱分解挙動を観察した。ＴＧ−ＤＴＡ（ＤＴＧ）測定は、光記録材料の粉末を乳鉢で均一になるようすりつぶし、それぞれのサンプル（約３．５ｍｇ）を、ＴＧ−ＤＴＡ（ＤＴＧ）（セイコーインスツルメンツ株式会社製：ＴＧ／ＤＴＡ  ６２００）を用いて、３０℃から６００℃まで、１０℃／ｍｉｎの速度で昇温しながら、フローガスとして窒素、空気のそれぞれの条件で行った。結果を表７及び表８に示す、また、測定チャートを、図３〜図５に示す。
【０２６３】
【表７】
2005271587.tif 000076
【０２６４】
【表８】
2005271587.tif 000077
【０２６５】
表７及び表８の結果から、（Ａ）成分／（Ｂ）成分＝８０／２０、７０／３０の光記録材料は、単純な重量比以上にＴＧの分解開始温度が低温側にシフトし、そのＤＴＧ（ＴＧの微分ピーク）ピーク温度が低下することが分かる。このような熱分解挙動により、光学記録媒体の記録感度等が向上していると考えられる。
【０２６６】
（実施例２７、２８、比較例２７〜３０）
【０２６７】
【化６９】
2005271587.tif 000078
【０２６８】
実施例２３〜２６と同様に、表９に記載した割合でＡ５とＢ１，Ｂ３、Ｃ５を混合した粉末をＴＧ−ＤＴＡ（ＤＴＧ）測定を行い、熱分解挙動を観察した。ＴＧ−ＤＴＡ（ＤＴＧ）測定の条件は前項と同様である。結果を表９、表１０に示す。また、比較例２７の測定チャートを図６に示す。
【０２６９】
【表９】
2005271587.tif 000079
【０２７０】
【表１０】
2005271587.tif 000080
【０２７１】
表９及び表１０の結果から、こちらも同様に（Ａ）成分／（Ｂ）成分＝７０／３０混合粉末が、単純な重量比以上にＴＧの分解開始温度が低温側にシフトし、そのＤＴＧ（ＴＧの微分ピーク）ピーク温度も低下することが分かる。
一方、比較例として用いた未含金のモノアゾ化合物であるＣ５を混合した粉末は、図６を見て明らかな様に、Ｃ５単体の分解温度で先に混合比の分だけ分解してしまい、記録用である有機色素化合物Ａの分解開始温度の低下に寄与しないことが明らかである。
【０２７２】
（実施例２９〜４４、比較例３１〜３９）
前述の実施例１〜１３と同様にして、有機色素化合物Ａ２，Ａ４，Ａ５に、金属錯体化合物Ｂ５、Ｂ６、Ｂ３、Ｂ４を表１１に示す割合で調合し、色素塗布ディスクを作成し、耐光性試験を行い、耐光性ｘを算出した結果を表１１に示す。また、Ｂ５、Ｂ６の成分を表１２に示した。
【０２７３】
【表１１】
2005271587.tif 000081
【０２７４】
【化７０】
2005271587.tif 000082
【０２７５】
【化７１】
2005271587.tif 000083
【０２７６】
【化７２】
2005271587.tif 000084
【０２７７】
【化７３】
2005271587.tif 000085
【０２７８】
【表１２】
2005271587.tif 000086
【０２７９】
この結果から、Ａ２，Ａ４，Ａ５がそれぞれ１００％の結果に比べて、金属錯体化合物Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５を含有することにより耐光性が極めて向上することが明らかである。
【０２８０】
また、図９には、実施例１〜１３、比較例１〜７、実施例２９〜４４、比較例３１〜３９の結果をまとめて図示した。図９から、所望の耐光性ｘを得ることができるＡ／Ｂは、金属錯体化合物Ｂが０重量％の時の有機色素化合物Ａの耐光性と金属錯体化合物Ｂとの組み合わせにより、異なることが分かる。
【０２８１】
また、Ａ２に対する最大吸収波長（λｍａｘ）がそれぞれ７９３．５ｎｍ、５７７ｎｍ、５７９．５ｎｍであるＢ４、Ｂ５、Ｂ６の耐光性への効果を比較するとわかるように、最大吸収波長（λｍａｘ）が６２０ｎｍ以下であるＢ５、Ｂ６の必要量はそれよりも長波長側に最大吸収波長（λｍａｘ）を有するＢ４よりも大きく、この例では金属錯体化合物Ｂは１５重量％以上と見積もれる。耐光性ｘを５０％以上とするには、２０重量％程度は必要である。
【０２８２】
図１０に、有機色素化合物Ａ２と金属錯体化合物Ｂとの最大吸収波長（λｍａｘ）の差（Δλ＝λｍａｘ（Ｂ）−λｍａｘ（Ａ））と耐光性ｘとの関係を示す。
即ち、比較例１（Ａ２＝１００％  Δλ＝０）と、実施例１３（Ａ２／Ｂ４＝７０／３０，Δλ＝４０４．５ｎｍ），実施例３０（Ａ２／Ｂ５＝７０／３０，Δλ＝１８８ｎｍ）、実施例３２（Ａ２／Ｂ６＝７０／３０，Δλ＝１９０．５ｎｍ）の耐光性ｘを示す。図１０には、有機色素化合物Ａに対する金属錯体化合物Ｂの最大吸収波長（λｍａｘ）は長い方が耐光性ｘへの効果が大きいという傾向が見られる。この例では、耐光性ｘ５０％以上を得るには、波長は１００ｎｍ以上長い方が良いことが分かる。耐光性ｘ８０％以上を得るには、波長は２００ｎｍ以上長い方が良い。さらに好ましい耐光性ｘ９０％以上を得るには、波長は３００ｎｍ以上長い方が良い。
【０２８３】
（比較例４０）
金属錯体化合物ではなく、また、最大吸収波長（λｍａｘ）が３５４．５ｎｍとＡ４（最大吸収波長（λｍａｘ）＝３７７ｎｍ）よりも短波長であるＣ４を、実施例４３と同様にしてＡ４／Ｃ４＝７０／３０として色素塗布ディスクを作製し、耐光性ｘを調べたところ、１３．３％と、耐光性の向上は見られなかった。結果を表１３に示す。
【０２８４】
【表１３】
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【０２８５】
尚、本出願は、２００４年２月２６日付きで出願された日本出願（特願２００４−０５２４２１）に基づいており、その全体が引用により援用される。
【図面の簡単な説明】
【０２８６】
【図１】本実施の形態が適用される光学記録媒体を説明する図である。図１（ａ）は、第１の実施の形態であり、図１（ｂ）は、第２の実施の形態である。
【図２】実施例１３で使用した光記録材料の吸収スペクトルである。
【図３】比較例２４で使用した光記録材料の空気中で測定したＴＧ−ＤＴＡのチャートである。
【図４】実施例２６で使用した光記録材料の空気中で測定したＴＧ−ＤＴＡのチャートである。
【図５】比較例２６で使用した光記録材料の空気中で測定したＴＧ−ＤＴＡのチャートである。
【図６】比較例２７で使用した光記録材料の空気中でＴＧ−ＤＴＡのチャートである。
【図７】４００ｎｍ近傍に「弱い吸収帯」をもつ金属錯体化合物Ｂからなる膜の吸収スペクトルである。
【図８】４００ｎｍ近傍に「弱い吸収帯」をもたない金属錯体化合物Ｂからなる膜の吸収スペクトルである。
【図９】表２及び表１１に示した光記録材料の耐光性ｘを示す図である。
【図１０】有機色素化合物Ａ２と金属錯体化合物Ｂとの最大吸収波長（λｍａｘ）の差（（Δλ＝λｍａｘ（Ｂ）−λｍａｘ（Ａ））と耐光性ｘとの関係を示す図である。
【符号の説明】
【０２８７】
１…基板、２…記録層、３…反射層、４…保護層、５…保護被膜、１０，２０…光学記録媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005271587.tif 000099
【図８】
2005271587.tif 000100
【図９】
2005271587.tif 000101
【図１０】
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