(57)【要約】【課題】  ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる場合に、装置構成を複雑にさせずに、成長速度を速くすることができて、高品質なＩＩＩ族窒化物結晶を作製することの可能なＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法を提供する。【解決手段】  基体上に、少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素とが溶解した混合融液の液滴を滴下若しくは載置し、該混合融液の液滴からＩＩＩ族窒化物結晶を成長する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素とが溶解した混合融液の液滴を滴下若しくは載置し、該混合融液の液滴からＩＩＩ族窒化物結晶を成長することを特徴とするＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法。
【請求項２】
基体上に、少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素とが溶解した混合融液の液滴を滴下若しくは載置し、該混合融液の液滴からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させた後、混合融液を除去し、成長したＩＩＩ族窒化物結晶の結晶表面に再び混合融液の液滴を滴下若しくは載置して、ＩＩＩ族窒化物を成長させる事を複数回繰り返してＩＩＩ族窒化物結晶の結晶成長を行うことを特徴とするＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法。
【請求項３】
基体またはＩＩＩ族窒化物結晶の結晶表面に、ＩＩＩ族金属を含む融液の液滴を滴下若しくは載置し、該融液にアルカリ金属と窒素を溶解することで混合融液を形成して、窒素とＩＩＩ族金属とからなるＩＩＩ族窒化物を結晶成長することを特徴とするＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法。
【請求項４】
基体あるいはＩＩＩ族窒化物結晶の結晶表面に、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属を含む融液の液滴を滴下若しくは載置し、該融液に窒素を溶解することで混合融液を形成して、窒素とＩＩＩ族金属とからなるＩＩＩ族窒化物を結晶成長することを特徴とするＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法において、融液を形成する位置を特定することを特徴とするＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法。
【請求項６】
請求項５記載のＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法において、融液で所定のパターンを形成し、該パターン上にＩＩＩ族窒化物を結晶成長することを特徴とするＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法。
【請求項７】
基体上に載置された種結晶上に、少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素とが溶解した混合融液の液滴を滴下若しくは載置し、該混合融液の液滴からＩＩＩ族窒化物結晶を成長することを特徴とするＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の結晶成長方法で作製されたＩＩＩ族窒化物結晶。
【請求項９】
請求項８記載のＩＩＩ族窒化物結晶を用いて作製された半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶および半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特許文献１に示されているように、アルカリ金属を含む融液中でＩＩＩ族金属と窒素を反応させてＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法（すなわち、フラックス法）が知られている。
【０００３】
図７は特許文献１に示されている結晶成長装置の構成例を示す図である。図７を参照すると、反応容器１０１内には、ＩＩＩ族金属（例えば、Ｇａ（ガリウム））とフラックス（例えば、金属ＮａあるいはＮａを含む化合物（アジ化ナトリウムなど））との混合融液１０２が収容されている。また、反応容器１０１には、結晶成長可能な温度に制御可能な加熱装置１０５が具備されている。
【０００４】
また、反応容器１０１内の気体と融液１０２の境界領域である気液界面１１３に接するように、種結晶（例えば、ＧａＮ結晶）１０３が設けられている。
【０００５】
また、窒素原料としては窒素ガスが用いられ、窒素ガスを反応容器１０１内に供給するため、反応容器１０１の外部には、第１のガス供給装置１２０が設けられている。ここで、第１のガス供給装置１２０は、気体の窒素原料を貯めておくための第１のシリンダー１１０と、第１のバルブ１１１とにより構成されている。これにより、窒素ガスは、窒素ガスが充填された第１のガス供給装置１２０の第１のシリンダー１１０から窒素供給管１０６を介して、反応容器１０１外から反応容器１０１内に供給可能となっている。
【０００６】
また、窒素圧力を調整するために、圧力調整機構が窒素供給管１０６の途中に設けられている。この窒素ガスの圧力調整機構は、圧力センサー１０７及び圧力調整弁１０８から構成されており、圧力センサー１０７で測定された圧力情報がケーブル１０９を介して圧力調整弁１０８に伝わり、圧力調整弁１０８で圧力調整がなされ、反応容器１０１内の窒素圧力が所望の値に設定されるようになっている。
【０００７】
窒素ガスが充填された第１のシリンダー１１０内の窒素ガス圧力は、ＩＩＩ族窒化物（例えばＧａＮ）結晶が、結晶成長する際に生じる反応容器１０１内の圧力以上になるように、窒素ガスが充填されている。
【０００８】
従って、窒素原料としての窒素ガスは、第１のシリンダー１１０から供給され、圧力調整機構で窒素原料のガス圧力が調整されて、反応容器１０１内に供給される。
【０００９】
このような構成の結晶成長装置を使用して、結晶成長可能な成長温度、窒素圧力、Ｎａ量の条件下において、種結晶１０３を核としてＩＩＩ族窒化物結晶（例えばＧａＮ結晶）が成長し、アルカリ金属（例えばＮａ）とＩＩＩ族金属（例えば、Ｇａ（ガリウム））を含む融液１０２と外部から供給される窒素ガスとを原料として、時間経過と共にＩＩＩ族窒化物結晶の大きさが大きくなっていく。
【００１０】
このように、特許文献１の発明では、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属（例えばＮａ）が十分ある状態で、窒素原料である窒素ガスを外部から供給することで、継続的なＩＩＩ族窒化物結晶（ＧａＮ結晶）の成長が可能となり、ＩＩＩ族窒化物結晶（ＧａＮ結晶）を所望の大きさに成長させることが可能となっている。
【特許文献１】特開２００１−６４０９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従来の結晶成長方法では、融液保持容器内にアルカリ金属とＩＩＩ族金属を含む混合融液を保持し、それに気相から窒素を溶解して、結晶成長を行っていた。
【００１２】
そのため、融液の気液界面から結晶表面までの距離が長い場合には、窒素が気液界面から結晶まで拡散するのに要する時間が長くなり、成長速度を律速するため成長速度は必ずしも速くなかった。
【００１３】
このため、特許文献１では、種結晶を気液界面付近に保持し、窒素の拡散距離を短くして、成長速度の速い領域で結晶成長を行っている。しかし、結晶の大型化のためには種結晶に成長に合わせて結晶を上あるいは下に移動する手段が必要になり、装置構成が複雑になるという問題があった。
【００１４】
また、融液保持容器内の内壁に微小な屑結晶の成長も同時に起こる場合も多く、それら屑結晶に原料が消費されて、種結晶や特定の結晶への原料供給が不足することも成長速度を遅くする一因となっている。そして、これら原料の供給不足は、窒素欠陥の発生等、結晶品質を下げる要因となっている。
【００１５】
また、従来の方法では、融液保持容器内に保持された混合融液中で結晶成長を行うので、基板上の特定領域のみに結晶成長させることは困難であった。この場合は、基板上にマスクパターンを形成して結晶成長するなどの複雑な工程を要した。
【００１６】
本発明は、ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる場合に、装置構成を複雑にさせずに、成長速度を速くすることができて、高品質なＩＩＩ族窒化物結晶を作製することの可能なＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶および半導体デバイスを提供することを目的としている。
【００１７】
さらに、本発明は、特定位置に任意のパターン形状，結晶サイズでＩＩＩ族窒化物結晶を成長させることの可能なＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶および半導体デバイスを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、基体上に、少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素とが溶解した混合融液の液滴を滴下若しくは載置し、該混合融液の液滴からＩＩＩ族窒化物結晶を成長することを特徴としている。
【００１９】
また、請求項２記載の発明は、基体上に、少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素とが溶解した混合融液の液滴を滴下若しくは載置し、該混合融液の液滴からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させた後、混合融液を除去し、成長したＩＩＩ族窒化物結晶の結晶表面に再び混合融液の液滴を滴下若しくは載置して、ＩＩＩ族窒化物を成長させる事を複数回繰り返してＩＩＩ族窒化物結晶の結晶成長を行うことを特徴としている。
【００２０】
また、請求項３記載の発明は、基体またはＩＩＩ族窒化物結晶の結晶表面に、ＩＩＩ族金属を含む融液の液滴を滴下若しくは載置し、該融液にアルカリ金属と窒素を溶解することで混合融液を形成して、窒素とＩＩＩ族金属とからなるＩＩＩ族窒化物を結晶成長することを特徴としている。
【００２１】
また、請求項４記載の発明は、基体あるいはＩＩＩ族窒化物結晶の結晶表面に、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属を含む融液の液滴を滴下若しくは載置し、該融液に窒素を溶解することで混合融液を形成して、窒素とＩＩＩ族金属とからなるＩＩＩ族窒化物を結晶成長することを特徴としている。
【００２２】
また、請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法において、融液を形成する位置を特定することを特徴としている。
【００２３】
また、請求項６記載の発明は、請求項５記載のＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法において、融液で所定のパターンを形成し、該パターン上にＩＩＩ族窒化物を結晶成長することを特徴としている。
【００２４】
また、請求項７記載の発明は、基体上に載置された種結晶上に、少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素とが溶解した混合融液の液滴を滴下若しくは載置し、該混合融液の液滴からＩＩＩ族窒化物結晶を成長することを特徴としている。
【００２５】
また、請求項８記載の発明は、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の結晶成長方法で作製されたＩＩＩ族窒化物結晶である。
【００２６】
また、請求項９記載の発明は、請求項８記載のＩＩＩ族窒化物結晶を用いて作製された半導体デバイスである。
【発明の効果】
【００２７】
請求項１記載の発明によれば、基体上に、少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素とが溶解した混合融液の液滴を滴下若しくは載置し、該混合融液の液滴からＩＩＩ族窒化物結晶を成長するので、気液界面と成長領域の距離を短くすることができて、これにより、気液界面からの窒素（Ｎ２）の供給が増加し、ＩＩＩ族窒化物結晶の成長速度を増加させることができる。また、窒素欠損が減り、高品質のＩＩＩ族窒化物結晶を成長することができる。
【００２８】
また、融液を液滴として供給するので、液量を制御することで、微小領域にＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長することができる。また、結晶サイズを制御することができる。
【００２９】
また、請求項２記載の発明によれば、基体上に、少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素とが溶解した混合融液の液滴を滴下若しくは載置し、該混合融液の液滴からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させた後、混合融液を除去し、成長したＩＩＩ族窒化物結晶の結晶表面に再び混合融液の液滴を滴下若しくは載置して、ＩＩＩ族窒化物を成長させる事を複数回繰り返してＩＩＩ族窒化物結晶の結晶成長を行うようにしており、結晶成長後、融液を除去するので、常に融液組成を制御して結晶成長を行うことができる。
【００３０】
また、請求項３記載の発明によれば、基体またはＩＩＩ族窒化物結晶の結晶表面に、ＩＩＩ族金属を含む融液の液滴を滴下若しくは載置し、該融液にアルカリ金属と窒素を溶解することで混合融液を形成して、窒素とＩＩＩ族金属とからなるＩＩＩ族窒化物を結晶成長するようにしており、ＩＩＩ族金属融液にアルカリ金属と窒素を溶解するので、アルカリ金属が融液表面から溶け込む際に窒素の溶け込みが起こり、気液界面からの窒素の供給が増加する。その結果、成長速度が増加し、また、窒素欠損が減り、高品質の結晶を成長することができる。
【００３１】
また、請求項４記載の発明によれば、基体あるいはＩＩＩ族窒化物結晶の結晶表面に、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属を含む融液の液滴を滴下若しくは載置し、該融液に窒素を溶解することで混合融液を形成して、窒素とＩＩＩ族金属とからなるＩＩＩ族窒化物を結晶成長するようにしており、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属の混合融液に窒素を溶解するので、融液中のＩＩＩ族金属とアルカリ金属の量比を制御でき、成長条件を常に制御して結晶成長を行うことができる。
【００３２】
また、請求項５，請求項６記載の発明によれば、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法において、融液を形成する位置を特定するようにしており、融液を特定の位置に形成することで、特定位置にＩＩＩ族窒化物結晶を成長することができる。具体的には、例えば、ＩＩＩ族窒化物結晶を任意の形状に配列することや、ＩＩＩ族窒化物結晶で任意のパターン形状を作製することができる。
【００３３】
また、請求項７記載の発明によれば、基体上に載置された種結晶上に、少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素とが溶解した混合融液の液滴を滴下若しくは載置し、該混合融液の液滴からＩＩＩ族窒化物結晶を成長するようにしており、種結晶を使用することで、所望の面方位のＩＩＩ族窒化物結晶を成長することができる。
【００３４】
また、請求項８記載の発明によれば、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の結晶成長方法で作製されたＩＩＩ族窒化物結晶であるので、窒素欠損が少ない高品質なＩＩＩ族窒化物結晶を提供することができる。
【００３５】
また、請求項９記載の発明によれば、請求項８記載のＩＩＩ族窒化物結晶を用いて作製された半導体デバイスであり、高品質なＩＩＩ族窒化物結晶を用いているので，欠陥が少なく、高性能で高信頼性の半導体デバイスを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００３７】
（第１の形態）
本発明の第１の形態は、基体上に、少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素とが溶解した混合融液の液滴を滴下若しくは載置し、該混合融液の液滴からＩＩＩ族窒化物結晶を成長することを特徴としている。
【００３８】
図１は第１の形態を説明するための図である。なお、図１の例では、アルカリ金属としてＮａ（ナトリウム）を用い、ＩＩＩ族金属としてＧａを用いる場合が示されている。すなわち、図１の例では、Ｇａ−Ｎａ−Ｎ混合融液を形成して、ＧａＮを結晶成長するようになっている。
【００３９】
第１の形態によれば、基体上に、少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素とが溶解した混合融液の液滴を滴下若しくは載置し、該混合融液の液滴からＩＩＩ族窒化物結晶を成長するので、気液界面と成長領域の距離を短くすることができて、これにより、気液界面からの窒素（Ｎ２）の供給が増加し、ＩＩＩ族窒化物結晶の成長速度を増加させることができる。また、窒素欠損が減り、高品質のＩＩＩ族窒化物結晶を成長することができる。
【００４０】
（第２の形態）
本発明の第２の形態は、基体上に、少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素とが溶解した混合融液の液滴を滴下若しくは載置し、該混合融液の液滴からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させた後、混合融液を除去し、成長したＩＩＩ族窒化物結晶の結晶表面に再び混合融液の液滴を滴下若しくは載置して、ＩＩＩ族窒化物を成長させる事を複数回繰り返してＩＩＩ族窒化物結晶の結晶成長を行うことを特徴としている。
【００４１】
図２は第２の形態を説明するための図である。なお、図２の例では、アルカリ金属としてＮａ（ナトリウム）を用い、ＩＩＩ族金属としてＧａを用いる場合が示されている。すなわち、図２の例では、先ず、Ｇａ，Ｎａ，Ｎの混合融液中でＧａＮが結晶成長する（工程Ｓ１）。ＧａＮが結晶成長すると、Ｇａがなくなり、成長が終わり、融液中にはＮａのみとなる（工程Ｓ２）。そして、融液のＮａが蒸発して（工程Ｓ３）、ＧａＮ結晶のみが残る（工程Ｓ４）。そして、再び、工程Ｓ１に戻り、ＧａＮの成長工程（Ｓ１乃至Ｓ４）を繰り返し行なう。
【００４２】
第２の形態によれば、基体上に、少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素とが溶解した混合融液の液滴を滴下若しくは載置し、該混合融液からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させた後、混合融液を除去し、成長したＩＩＩ族窒化物結晶の結晶表面に再び混合融液の液滴を滴下若しくは載置して、ＩＩＩ族窒化物を成長させる事を複数回繰り返してＩＩＩ族窒化物結晶の結晶成長を行うようにしており、結晶成長後、融液を除去するので、常に融液組成を制御して結晶成長を行うことができる。
【００４３】
（第３の形態）
本発明の第３の形態は、基体またはＩＩＩ族窒化物結晶の結晶表面に、ＩＩＩ族金属を含む融液の液滴を滴下若しくは載置し、該融液にアルカリ金属と窒素を溶解することで混合融液を形成して、窒素とＩＩＩ族金属とからなるＩＩＩ族窒化物を結晶成長することを特徴としている。
【００４４】
図３は第３の形態を説明するための図である。なお、図３の例では、アルカリ金属としてＮａ（ナトリウム）を用い、ＩＩＩ族金属としてＧａを用いる場合が示されている。すなわち、図３の例では、Ｎａ，Ｎを気相から供給して、Ｇａ融液中にＮａ，Ｎを溶解して、ＧａＮを結晶成長するようになっている。
【００４５】
このように、第３の形態によれば、基体またはＩＩＩ族窒化物結晶の結晶表面に、ＩＩＩ族金属を含む融液の液滴を滴下若しくは載置し、該融液にアルカリ金属と窒素を溶解することで混合融液を形成して、窒素とＩＩＩ族金属とからなるＩＩＩ族窒化物を結晶成長するようにしており、ＩＩＩ族金属融液にアルカリ金属と窒素を溶解するので、アルカリ金属が融液表面から溶け込む際に窒素の溶け込みが起こり、気液界面からの窒素の供給が増加する。その結果、成長速度が増加し、また、窒素欠損が減り、高品質の結晶を成長することができる。
【００４６】
（第４の形態）
本発明の第４の形態は、基体あるいはＩＩＩ族窒化物結晶の結晶表面に、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属を含む融液の液滴を滴下若しくは載置し、該融液に窒素を溶解することで混合融液を形成して、窒素とＩＩＩ族金属とからなるＩＩＩ族窒化物を結晶成長することを特徴としている。
【００４７】
図４は第４の形態を説明するための図である。なお、図４の例では、アルカリ金属としてＮａ（ナトリウム）を用い、ＩＩＩ族金属としてＧａを用いる場合が示されている。すなわち、図４の例では、Ｎを気相から供給して、Ｇａ−Ｎａ融液中にＮを溶解して、ＧａＮを結晶成長するようになっている。
【００４８】
このように、第４の形態によれば、基体あるいはＩＩＩ族窒化物結晶の結晶表面に、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属を含む融液の液滴を滴下若しくは載置し、該融液に窒素を溶解することで混合融液を形成して、窒素とＩＩＩ族金属とからなるＩＩＩ族窒化物を結晶成長するようにしており、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属の混合融液に窒素を溶解するので、融液中のＩＩＩ族金属とアルカリ金属の量比を制御でき、成長条件を常に制御して結晶成長を行うことができる。
【００４９】
（第５の形態）
本発明の第５の形態は、第１乃至第４のいずれかの形態のＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法において、融液を形成する位置を特定することを特徴としている。
【００５０】
第５の形態では、融液を特定の位置に形成することで、特定位置にＩＩＩ族窒化物結晶を成長することができる。具体的には、例えば、ＩＩＩ族窒化物結晶を任意の形状に配列することや、ＩＩＩ族窒化物結晶で任意のパターン形状を作製することができる。図５には、ＩＩＩ族窒化物結晶を所定の形状に配列した例が示されている。
【００５１】
（第６の形態）
本発明の第６の形態は、第５の形態のＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法において、融液で所定のパターンを形成し、該パターン上にＩＩＩ族窒化物を結晶成長することを特徴としている。
【００５２】
図６には、一例として、Ｇａ融液で所定のパターンＰを形成した例が示されており、このパターンＰの形状のＧａ融液にＮａ，Ｎを溶解して、パターンＰの形状のＧａＮを結晶成長する（作製する）ことができる。
【００５３】
このように、第６の形態では、ＩＩＩ族窒化物結晶で任意のパターン形状を作製することができる。
【００５４】
（第７の形態）
本発明の第７の形態は、基体上に載置された種結晶上に、少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素とが溶解した混合融液の液滴を滴下若しくは載置し、該混合融液の液滴からＩＩＩ族窒化物結晶を成長することを特徴としている。
【００５５】
第７の形態によれば、基体上に載置された種結晶上に、少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素とが溶解した混合融液の液滴を滴下若しくは載置し、該混合融液の液滴からＩＩＩ族窒化物結晶を成長するようにしており、種結晶を使用することで、所望の面方位のＩＩＩ族窒化物結晶を成長することができる。
【００５６】
（第８の形態）
本発明の第８の形態は、第１乃至第７のいずれかの形態の結晶成長方法で作製されたＩＩＩ族窒化物結晶であることを特徴としている。
【００５７】
第８の形態によれば、第１乃至第７のいずれかの形態の結晶成長方法で作製されたＩＩＩ族窒化物結晶であるので、窒素欠損が少ない高品質なＩＩＩ族窒化物結晶を提供することができる。
【００５８】
（第９の形態）
本発明の第９の形態は、第８の形態のＩＩＩ族窒化物結晶を用いて作製された半導体デバイスであることを特徴としている。
【００５９】
第９の形態によれば、第８の形態のＩＩＩ族窒化物結晶を用いて作製された半導体デバイスであり、高品質なＩＩＩ族窒化物結晶を用いているので，欠陥が少なく、高性能で高信頼性の半導体デバイスを提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、光ディスク用青紫色光源、紫外光源（全面）、電子写真用青紫色光源、ＩＩＩ族窒化物電子デバイスなどに利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】第１の形態を説明するための図である。
【図２】第２の形態を説明するための図である。
【図３】第３の形態を説明するための図である。
【図４】第４の形態を説明するための図である。
【図５】ＩＩＩ族窒化物結晶を所定の形状に配列した例を示す図である。
【図６】Ｇａ融液で所定のパターンＰを形成した例を示す図である。
【図７】特許文献１に記載の結晶成長装置の構成例を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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