(57)【要約】【課題】  半導体装置の実装面積を低減させ、半導体素子への通電により発生する熱を放熱する効果を高める。【解決手段】  半導体装置は、内部に放熱空間３０を形成するように筒状に成形されたフレキシブル基板３と、フレキシブル基板３の内表面上に、インナーバンプ２を介して搭載された複数の半導体素子１と、フレキシブル基板３に設けられ、フレキシブル基板３上の配線と実装基板８上の外部配線とを接続する外部電極５（外部端子）とを備える。なお、放熱空間３０には、該空間を冷却する冷却手段が設けられる。【選択図】        図３
2005123503.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に放熱空間を形成するように筒状に成形されたフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板の内表面上に搭載された複数の半導体素子と、
前記放熱空間を冷却する冷却手段と、
前記フレキシブル基板に設けられ、該フレキシブル基板上の配線と外部配線とを接続する外部端子とを備えた半導体装置。
【請求項２】
前記冷却手段は、前記放熱空間内に設けた冷却パイプを含み、
前記冷却パイプ中に冷却媒体を供給した、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記放熱空間の軸方向の端部の少なくとも一方に冷却ファンをさらに備え、
前記冷却ファンは前記放熱空間内に外気を流入させる、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記放熱空間内に、その軸方向に延びる放熱体をさらに備えた、請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記放熱体は前記放熱空間の軸方向の端部の少なくとも一方に達するように延在し、
前記放熱体が前記放熱空間の軸方向の端部に達した側の前記フレキシブル基板の端部にヒートシンクを取り付けた、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
実装基板との接続部と該接続部の一端から立ち上がる立ち上がり部とを有するフレキシブル基板と、
前記接続部に設けられ、前記フレキシブル基板上の配線と前記実装基板上の外部配線とを接続する外部端子と、
前記接続部上に搭載された第１の半導体素子と、
前記立ち上がり部上に搭載された第２の半導体素子と、
前記立ち上がり部を支持するとともに放熱機能をも有する放熱部材とを備えた半導体装置。
【請求項７】
前記第１の半導体素子上から前記第２の半導体素子上に延在するように前記放熱部材を設けた、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記立ち上がり部に対して前記第２の半導体素子と反対側に前記放熱部材を立設した、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項９】
他の外部端子を備えた配線基板上に、請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置を複数実装した半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体モジュールに関し、特に、変形可能なフレキシブル基板を備えた半導体装置および半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
実装面積低減のため、複数のチップを搭載した半導体装置が従来から用いられている。
【０００３】
複数の半導体素子を搭載した半導体装置においては、高集積化および放熱性の向上が重要な課題となる。
【０００４】
たとえば複数のチップを同一平面上に配置した場合、放熱性を確保するために、それぞれのチップ間の間隔を大きくしたり、ヒートスプレッダなどを用いて、放熱手段のサイズを大きくしたりすることが考えられる。この結果、実装面積として、大きなスペースが必要となり、高集積化を十分に行なうことができない。
【０００５】
上記の課題に鑑みた従来の半導体装置および半導体モジュールとしては、たとえば、特開平８−３２１５８０号公報（従来例１）、特開２００２−９３９８８号公報（従来例２）、特開平１０−１５００６５号公報（従来例３）および特開平８−１１１５７５号公報（従来例４）に記載されたものなどが挙げられる。
【０００６】
従来例１においては、逆Ｕ字に曲げられたフレキシブル基板に搭載された電子部品と、フレキシブル基板を他の基板に接続するために設けられた台座と、フレキシブル基板を収納するように台座に装着するケースとを備えた半導体装置が開示されている。
【０００７】
従来例２においては、半導体チップを実装した複数のフレキシブル基板と、該フレキシブル基板の一辺に沿って形成された接続端子群と、半導体チップに接着された放熱板とを備え、該放熱板と隣接するフレキシブル基板との間に冷却風通路を形成した半導体集積回路パッケージ（半導体装置）が開示されている。
【０００８】
従来例３においては、複数の電極を配置した半導体チップと、その半導体チップの電極形成面と電極形成面に直交する面とにわたって配設されるフレキシブルプリント基板と、フレキシブルプリント基板に配列され、配線基板に半田付けされる半田ボールとを備え、フレキシブル基板は、半導体チップの電極を露出させる貫通孔を有し、該貫通孔から露出した電極とフレキシブルプリント基板の配線とをワイヤパッドで接続したチップサイズパッケージ（半導体装置）が開示されている。
【０００９】
従来例４においては、配線層を含む基板上に半導体素子を実装し、半導体素子を実装した面が折り曲げの外側となるように、その基板の一端をＪ字またはＬ字状に折り曲げ、基板の折り曲げ部分の配線層とマザーボード上の配線とを電気的に接続することにより、該基板をマザーボードに実装した半導体装置が開示されている。
【特許文献１】特開平８−３２１５８０号公報
【特許文献２】特開２００２−９３９８８号公報
【特許文献３】特開平１０−１５００６５号公報
【特許文献４】特開平８−１１１５７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記のような半導体装置においては、以下のような問題があった。
【００１１】
従来例１に係る半導体装置においては、リード端子を有する台座を介してフレキシブル基板と実装基板とを接続しているため、実装密度の向上が制限される場合がある。
【００１２】
従来例２に係る半導体装置においては、冷却風通路は放熱板を用いて形成されており、フレキシブル基板を変形させることで放熱空間を形成するという思想は開示されていない。このため、半導体装置が大型化し、高集積化に対する制限となる場合がある。
【００１３】
従来例３に係る半導体装置においては、１枚のフレキシブル基板上に配設される半導体チップは１つだけであり、複数の半導体チップを１枚のフレキシブル基板上に実装するという思想は開示されていない。
【００１４】
従来例４に係る半導体装置においては、筒状に成形されたフレキシブル基板内に放熱空間を形成し、半導体素子から発生する熱を放熱するという思想は開示されていない。
【００１５】
以上のように、従来例１から従来例４に係る半導体装置と本発明に係る半導体装置とは前提が全く異なるものである。
【００１６】
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、高集積化に適し、放熱性に優れた半導体装置および該半導体装置を備えた半導体モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明に係る半導体装置は、内部に放熱空間を形成するように筒状に成形されたフレキシブル基板と、フレキシブル基板の内表面上に搭載された複数の半導体素子と、放熱空間を冷却する冷却手段と、フレキシブル基板に設けられ、該フレキシブル基板上の配線と外部配線とを接続する外部端子とを備える。
【００１８】
本発明に係る半導体モジュールは、他の外部端子を備えた配線基板上に、上述した半導体装置を複数実装することで形成されている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、半導体装置の実装面積を低減させ、半導体素子への通電により発生する熱を放熱する効果を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、本発明に基づく半導体装置および半導体モジュールの実施の形態について、図１から図１３を用いて説明する。
【００２１】
（実施の形態１）
図１は、複数の半導体素子１をインナーバンプ２を介して搭載したフレキシブル基板３（ＦＰＣ；Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）を示す断面図である。また、図２は、当該フレキシブル基板３を示した上面図である。
【００２２】
フレキシブル基板３はたとえばポリエステルやポリイミドなどからなるフィルム層を含み、丸めたり、折り曲げたりすることが可能である。図１および図２に示すような、半導体素子１を搭載したフレキシブル基板３を、たとえば筒形状やＬ形形状などに成形することにより、該フレキシブル基板を実装基板に搭載する際に要するスペースを小さくすることができる。この結果、半導体装置の実装面積を低減させることができる。
【００２３】
図３は、複数の半導体素子１を搭載したフレキシブル基板３を筒状に成形した半導体装置を示す図であり、図３（ａ）は軸方向断面図を示し、図３（ｂ）は斜視図を示す。
【００２４】
本実施の形態に係る半導体装置は、図３に示すように、内部に放熱空間３０を形成するように筒状に成形されたフレキシブル基板３と、フレキシブル基板３の内表面上に、インナーバンプ２を介して搭載された複数の半導体素子１と、フレキシブル基板３に設けられ、フレキシブル基板３上の配線と実装基板８上の外部配線とを接続する外部電極５（外部端子）とを備える。なお、放熱空間３０には、該空間を冷却する冷却手段が設けられる。
【００２５】
上記の構成により、半導体装置の実装面積を低減させることができる。また、放熱空間３０は、通電により発熱した半導体素子１を冷却するのに利用することができる。さらに、放熱空間３０内に冷却手段を備えることにより、上記の冷却効果を高めることができる。
【００２６】
なお、上記の筒形状としては、図３（ａ）に示すような断面形状に限られるものではなく、たとえば円筒形状や、３角形形状およびその他の多角形形状などが適用可能である。
【００２７】
図４は、図３に示す半導体装置の放熱空間３０内に、冷却手段としての冷却パイプ４を設けた状態を示す図であり、図４（ａ）は軸方向断面図を示し、図４（ｂ）は斜視図を示す。
【００２８】
ここで、冷却パイプ中には、たとえば冷却水、ならびにメタノールおよびアセトンなどの有機溶媒などを含む冷却媒体が供給されている。冷却パイプは放熱空間３０内部から該空間外部へと達するような循環回路を形成しており、ポンプなどの駆動手段によって冷却媒体が循環回路内を循環する。冷却媒体は、放熱空間３０内部において、半導体素子１から発生する熱を吸熱し、放熱空間３０外部において冷却される。
【００２９】
半導体素子１は、半導体チップや半導体パッケージを含み、たとえば半田ボールなどからなるインナーバンプ２を介したフリップチップ接合によりフレキシブル基板３に搭載されている。これにより、半導体素子１内に形成された配線と、フレキシブル基板３上に形成された配線とが接続される。また、筒状のフレキシブル基板３は、たとえば半田ボールなどからなる外部電極５を介して実装基板８に搭載されている。これにより、フレキシブル基板３上に形成された配線と、実装基板８上に形成された配線とが接続される。
【００３０】
インナーバンプ２および外部電極５は、リフローにおける耐熱性を高めるために、アンダーフィル樹脂で保護されることが好ましい。
【００３１】
なお、半導体素子１を、ワイヤボンディングによりフレキシブル基板３に搭載する構造としてもよい。
【００３２】
本実施の形態においては、上述した構成により、半導体装置の実装面積を低減することができる。また、冷却パイプの設置により、半導体素子から発生する熱を放熱する効率を高めることができるので、半導体装置の誤作動や性能劣化などを防ぐ効果を高めることができる。
【００３３】
（実施の形態２）
図５は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置を示す図であり、図５（ａ）は軸方向断面図を示し、図５（ｂ）は斜視図を示す。
【００３４】
図５を参照して、本実施の形態に係る半導体装置は、実施の形態１に係る半導体装置の変形例であって、上述した冷却手段として、放熱空間の軸方向の端部に冷却ファン９を設ける点で、実施の形態１と異なる。
【００３５】
ここで、冷却ファンは放熱空間３０内に外気を流入させる。これにより、通電した半導体素子により熱せられた放熱空間内に、外部の冷気が送り込まれ、放熱空間３０が冷却される。
【００３６】
また、冷却ファン９は、放熱空間の端部の一方にのみ設置されていてもよい。
【００３７】
なお、その他の事項については、実施の形態１に係る半導体装置と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００３８】
本実施の形態においても、上述した構成により、実施の形態１と同様に、半導体装置の実装面積を低減することができる。また、冷却ファンの設置により、半導体素子から発生する熱を放熱する効率を高めることができるので、半導体装置の誤作動や性能劣化などを防ぐことができる。
【００３９】
（実施の形態３）
図６は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置を示す図であり、図６（ａ）は軸方向断面図を示し、図６（ｂ）は斜視図を示す。
【００４０】
図６を参照して、本実施の形態に係る半導体装置は、上述した各実施の形態に係る半導体装置の変形例であって、放熱空間３０内に、上述した冷却手段として、該空間の軸方向に延びる放熱体６を備える点で、上述した各実施の形態と異なる。
【００４１】
ここで、放熱体６としては、たとえば、ゲル状の高吸水性樹脂や、金属製フィラーを含むシリコン樹脂などが考えられる。なお、上記の高吸水性樹脂は、メタアクリル酸などのモノマーの架橋反応により得ることができる。また、高吸水性樹脂には、水や有機溶剤を吸収させている。この有機溶剤としては、低沸点のものも使用可能であるが、リフロー温度（たとえば２６０℃程度）を考慮すると、高沸点（たとえば３００℃以上）のものを用いるのが好ましい。
【００４２】
また、金属フィラーを含まない樹脂体や金属体を放熱体として用いることも可能である。
【００４３】
なお、その他の事項については、上述した各実施の形態に係る半導体装置と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００４４】
本実施の形態においても、上述した構成により、上述した各実施の形態と同様に、半導体装置の実装面積を低減することができる。また、放熱体の設置により、半導体素子から発生する熱を放熱する効率を高めることができるので、半導体装置の誤作動や性能劣化などを防ぐ効果を高めることができる。
【００４５】
（実施の形態４）
図７は、本発明の実施の形態４に係る半導体装置を示す図であり、図７（ａ）は軸方向側面図を示し、図７（ｂ）は上面図を示し、図７（ｃ）は側面図を示す。
【００４６】
図７を参照して、本実施の形態に係る半導体装置は、実施の形態３に係る半導体装置の変形例であって、放熱体６を放熱空間３０の軸方向の両端部に達するように延在させ、フレキシブル基板３の両端部にヒートシンク１０を取り付けた点で、実施の形態３と異なる。
【００４７】
なお、ヒートシンク１０は、フレキシブル基板３の軸方向の両端に、接着剤を用いて接合されている。この接着剤としては、放熱性に優れたものを用いることが好ましい。
【００４８】
上記の構成により、半導体素子１で発生した熱は、放熱体６を介してヒートシンク１０に達し、外部に放熱される。すなわち、放熱体６とヒートシンク１０とが冷却手段として機能する。
【００４９】
なお、その他の事項については、上述した各実施の形態に係る半導体装置と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００５０】
本実施の形態においても、上述した構成により、実施の形態３と同様に、半導体装置の実装面積を低減することができる。また、半導体素子から発生する熱を放熱する効率を高めることができるので、半導体装置の誤作動や性能劣化などを防ぐ効果を高めることができる。
【００５１】
また、ヒートシンク１０を設置することにより、放熱空間３０外部の大気中に露出する面積が大きくなり、半導体素子１の放熱性の更なる向上が可能となる。
【００５２】
なお、放熱体６を放熱空間３０の軸方向の一方の端部にのみ達するように延在させ、放熱体６が放熱空間３０の端部に達した側のフレキシブル基板３の端部にのみヒートシンク１０を取り付ける構造としてもよい。この場合も、上記と同様の効果を奏する。
【００５３】
（実施の形態５）
図８は、本発明の実施の形態５に係る半導体装置を示した断面図である。
【００５４】
図８を参照して、本実施の形態に係る半導体装置は、実装基板との接続部３Ａと接続部３Ａの一端から立ち上がる立ち上がり部３Ｂとを有するフレキシブル基板３と、接続部３Ａに設けられ、フレキシブル基板３上の配線と実装基板上の外部配線とを接続する外部電極５（外部端子）と、接続部３Ａ上に搭載された第１の半導体素子としての半導体素子１Ａと、立ち上がり部上に搭載された第２の半導体素子としての半導体素子１Ｂと、立ち上がり部３Ｂを支持するとともに放熱機能をも有するヒートシンク１０（放熱部材）とを備える。
【００５５】
この構成により、半導体装置の実装面積を低減することができる。また、ヒートシンク１０により、半導体素子１Ａ,１Ｂから発生する熱の放熱性も確保することができる。さらに、接続部と立ち上がり部との両方に半導体素子を設置することで、放熱性を確保しながら実装面積を低減する効果をさらに高めることができる。
【００５６】
また、図８においては、ヒートシンク１０（放熱部材）は、半導体素子１Ａ（第１の半導体素子）上から半導体素子１Ｂ（第２の半導体素子）上に延在するように設けられている。より具体的には、ヒートシンク１０は、フレキシブル基板３の接続部３Ａと立ち上がり部３Ｂとに沿って延在し、フレキシブル基板３との間で、半導体素子１Ａ,１Ｂとインナーバンプ２とを挟持する。
【００５７】
インナーバンプ２は、半導体素子１Ａ,１Ｂ内に形成された配線と、フレキシブル基板３上に形成された配線とを接続する。また、外部電極５は、フレキシブル基板３上に形成された配線と、実装基板上に形成された配線とを接続する。
【００５８】
インナーバンプ２および外部電極５は、リフローにおける耐熱性を高めるために、アンダーフィル樹脂で保護されることが好ましい。
【００５９】
ヒートシンク１０は、接着剤を用いて半導体素子１Ａ,１Ｂに接着されている。この接着剤としては、放熱性に優れたものを用いることが好ましい。
【００６０】
上記の構成により、ヒートシンク１０を、半導体装置における構造支持体として用いることができる。
【００６１】
本実施の形態においては、フレキシブル基板３に接続部３Ａと立ち上がり部３Ｂとを用いることで、半導体装置の実装面積を低減させることができる。ここで、フレキシブル基板３の接続部３Ａと立ち上がり部３Ｂとの間に形成される空間内にヒートシンク１０を設けることにより、実装面積を増加させることなく、半導体素子１Ａ,１Ｂから発生する熱の放熱効果を高めることができる。
【００６２】
（実施の形態６）
図９は、本発明の実施の形態６に係る半導体装置を示した断面図である。
【００６３】
本実施の形態に係る半導体装置は、実施の形態５に係る半導体装置の変形例であって、フレキシブル基板３の立ち上がり部３Ｂに対して半導体素子１Ｂ（第２の半導体素子）と反対側にヒートシンク１０（放熱部材）を立設している点で、実施の形態５と異なる。
【００６４】
なお、ヒートシンク１０は、接着剤を用いて立ち上がり部３Ｂに接着されている。この接着剤としては、放熱性に優れたものを用いることが好ましい。
【００６５】
この構成においても、ヒートシンク１０を、半導体装置における構造支持体として用いることができる。
【００６６】
なお、その他の事項については、実施の形態５と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００６７】
本実施の形態においても、フレキシブル基板３に接続部３Ａと立ち上がり部３Ｂとを用いることで、実施の形態５と同様に、半導体装置の実装面積を低減させることができる。ここで、立ち上がり部３Ｂの半導体素子１Ｂと反対側の面にヒートシンク１０を設けることにより、立ち上がり部３Ｂにおける半導体素子１Ｂの実装の自由度を向上させることができる。この結果、半導体装置の高集積化が行ないやすくなる。
【００６８】
（実施の形態７）
図１０は、本発明の実施の形態７に係る半導体モジュールを示した断面図である。
【００６９】
本実施の形態に係る半導体モジュールは、外部電極５Ａ（他の外部端子）を備えた実装基板８上に、実施の形態５に係る半導体装置を複数（３つ）実装することで形成されている。
【００７０】
外部電極５Ａは、たとえば半田ボールなどにより形成され、実装基板８上に形成された配線と、図示しないマザーボード上に形成された配線とを接続する。
【００７１】
インナーバンプ２および外部電極５,５Ａは、リフローにおける耐熱性を高めるために、アンダーフィル樹脂で保護されることが好ましい。
【００７２】
この半導体モジュールは、上述したとおり、実装面積を低減させることができ、放熱性にも優れた構造を有する。また、モジュール化することにより、マザーボードへの実装が容易となる。
【００７３】
なお、実装基板８上に搭載する半導体装置の数（本実施の形態では３つ）は、任意の数に変更可能である。
【００７４】
（実施の形態８）
図１１は、本発明の実施の形態８に係る半導体モジュールを示した断面図である。
【００７５】
本実施の形態に係る半導体モジュールは、実施の形態７に係る半導体モジュールの変形例であって、実施の形態６に係る半導体装置を、実装基板８上に複数（３つ）実装することで形成されている。
【００７６】
なお、その他の事項については、実施の形態７と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００７７】
このような構成によっても、実施の形態７と同様の効果を奏する。
【００７８】
（実施の形態９）
図１２は、本発明の実施の形態９に係る半導体モジュールを示した断面図である。
【００７９】
本実施の形態に係る半導体モジュールは、実施の形態７および実施の形態８に係る半導体モジュールの変形例であって、実施の形態５に係る半導体装置（２つ）と、実施の形態６に係る半導体装置（１つ）とを実装基板８上に搭載している。
【００８０】
なお、その他の事項については、実施の形態７および実施の形態８と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００８１】
このように、実装基板８上に異なるタイプの半導体装置を混在させた構成によっても、実施の形態７および実施の形態８と同様の効果を奏する。
【００８２】
なお、上述した異なるタイプの半導体装置の配置の順番は、任意に変更することが可能である。
【００８３】
（実施の形態１０）
図１３は、本発明の実施の形態１０に係る半導体モジュールを示した断面図である。
【００８４】
本実施の形態に係る半導体モジュールは、実施の形態７から実施の形態９に係る半導体モジュールの変形例であって、実施の形態１から実施の形態４に係る半導体装置を、実装基板８上に複数（３つ）実装することで形成されている。
【００８５】
図１３において、放熱空間３０内に設ける冷却手段は図示しないが、実施の形態１から実施の形態４において述べた冷却手段の内、任意のものを設置することが可能である。
【００８６】
また、実装基板８上に、異なるタイプの冷却手段を有する複数の半導体装置が混在してもよい。
【００８７】
なお、その他の事項については、実施の形態７から実施の形態９と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００８８】
このような構成によっても、実施の形態７から実施の形態９と同様の効果を奏する。
【００８９】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、上述した各実施の形態の特徴部分を適宜組み合わせることは、当初から予定されている。また、今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】複数の半導体素子をインナーバンプを介して搭載したフレキシブル基板を示す断面図である。
【図２】図１に示すフレキシブル基板の上面図である。
【図３】複数の半導体素子を搭載したフレキシブル基板を筒状に成形した半導体装置を示す図であり、図３（ａ）は軸方向断面図を示し、図３（ｂ）は斜視図を示す。
【図４】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す図であり、図４（ａ）は軸方向断面図を示し、図４（ｂ）は斜視図を示す。
【図５】本発明の実施の形態２に係る半導体装置を示す図であり、図５（ａ）は軸方向断面図を示し、図５（ｂ）は斜視図を示す。
【図６】本発明の実施の形態３に係る半導体装置を示す図であり、図６（ａ）は軸方向断面図を示し、図６（ｂ）は斜視図を示す。
【図７】本発明の実施の形態４に係る半導体装置を示す図であり、図７（ａ）は軸方向側面図を示し、図７（ｂ）は上面図を示し、図７（ｃ）は側面図を示す。
【図８】本発明の実施の形態５に係る半導体装置を示した断面図である。
【図９】本発明の実施の形態６に係る半導体装置を示した断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態７に係る半導体モジュールを示した断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態８に係る半導体モジュールを示した断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態９に係る半導体モジュールを示した断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態１０に係る半導体モジュールを示した断面図である。
【符号の説明】
【００９１】
１,１Ａ,１Ｂ  半導体素子、２  インナーバンプ、３  フレキシブル基板、３Ａ  接続部、３Ｂ  立ち上がり部、４  冷却パイプ、５,５Ａ  外部電極、６  放熱体、８  実装基板、９  冷却ファン、１０  ヒートシンク、３０  放熱空間。
【図１】
2005123503.tif 000003
【図２】
2005123503.tif 000004
【図３】
2005123503.tif 000005
【図４】
2005123503.tif 000006
【図５】
2005123503.tif 000007
【図６】
2005123503.tif 000008
【図７】
2005123503.tif 000009
【図８】
2005123503.tif 000010
【図９】
2005123503.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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