(57)【要約】【課題】  チップオンリード（ＣＯＬ）構造の半導体装置の製造工程を簡略化する。【解決手段】  半導体ウェハー１１の裏面に接着テープ１５を付着させた状態で半導体ウェハー１１を切断して作成した半導体チップ６を前記接着テープ１５から剥離させ、その半導体チップ６を固定したインナーリード１と半導体チップ６との間に配線を施し、そして、半導体チップ６とリードフレームと配線材料１６とを一体として封止する半導体装置の製造方法において、半導体チップ６を前記接着テープ１５から剥離させる際に、前記接着テープ１５に設けられていた接着剤１９を半導体チップ６の裏面に付着させたまま半導体チップ６を接着テープ１５より剥離し、インナーリード１の上面に半導体チップ６の裏面に付着させられている接着剤１９を介して半導体チップ６を接合することを特徴としている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハーの裏面に接着テープ付着させた状態で半導体ウェハーを切断して半導体チップを作成すると共にその半導体チップを前記接着テープから剥離させかつその半導体チップをリードフレームに固定し、そのリードフレームにおけるインナリードと半導体チップとの間に配線を施し、しかるのち前記半導体チップとリードフレームと配線材料とを一体として封止する半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップを前記接着テープから剥離させる際に、前記接着テープに設けられていた接着剤を前記半導体チップの裏面に付着させたまま前記半導体チップを前記接着テープより剥離し、かつ
前記半導体チップを前記リードフレームに接合する際に前記リードフレームの一部を構成しているインナーリードの上面に、前記半導体チップの裏面に付着させられている接着剤を介して前記半導体チップを接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記接着剤が、前記半導体チップの裏面の全面に付着していることを特徴とする請求項１に記載の方法で製造された半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置、特にチップオンリードタイプ（ＣＯＬ）の半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の小型化への要求は年々高度なものになっている。そのため、半導体装置のパッケージング技術に関しても新たな提案がなされている。そのなかで、チップオンリードタイプ（ＣＯＬ）と呼ばれるパッケージング技術がある。
【０００３】
チップオンリードタイプのパッケージではリードと半導体チップが重なっている部分があるために、パッケージの外寸に比べて相対的に大きい半導体チップを使用することが可能となり、同じチップサイズならばパッケージの大きさを小さくすることが可能となる。また、インナーリードと半導体チップが接着されているために、半導体チップで発生する熱をリードを経由して外部へ放熱することができる。
【０００４】
特許文献１には、これらチップオンリードタイプ半導体装置の一例が記載されている。すなわち、これらの半導体装置はインナーリード部の上面に絶縁接着テープあるいは絶縁接着剤等を施し、さらにＩＣ素子を貼り重ねた構造をしている。その上で、ＩＣ素子のワイヤーボンディングパッドとインナーリードとをワイヤで配線している。また、インナーリードは下方向に折り曲げられている。
【特許文献１】特開平７ー１６９７８０号公報  段落（０００４）〜（０００５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、インナーリードが下方向に折り曲げられているために半導体装置の薄型化が可能となる利点がある。また基本的なチップオンリード構造が保たれているので、半導体チップで発生した熱がリードを介して外部に放出されるという利点も有している。
【０００６】
しかし、インナーリード部上面に絶縁接着テープまたは絶縁接着剤等を施さねばならず、工程が複雑になるという問題点があった。
【０００７】
この発明は、上記の技術的課題に着目してなされたものであり、製造工程の簡略化を達成できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、上記の目的を達成するために製造工程を簡略化しつつチップオンリード構造を実現することを特徴とするものである。より具体的には請求項１の発明は、半導体ウェハーの裏面に接着テープ付着させた状態で半導体ウェハーを切断して半導体チップを作成すると共にその半導体チップを前記接着テープから剥離させかつその半導体チップをリードフレームに固定し、そのリードフレームにおけるインナーリードと半導体チップとの間に配線を施し、しかるのち前記半導体チップとリードフレームと配線材料とを一体として封止する半導体装置の製造方法において、前記半導体チップを前記接着テープから剥離させる際に、前記接着テープに設けられていた接着剤を前記半導体チップの裏面に付着させたまま前記半導体チップを前記接着テープより剥離し、かつ前記半導体チップを前記リードフレームに接合する際に前記リードフレームの一部を構成しているインナーリードの上面に、前記半導体チップの裏面に付着させられている接着剤を介して前記半導体チップを接合することを特徴とする製造方法である。
【０００９】
また、請求項２の発明は、前記接着剤が、前記半導体チップの裏面の全面に付着していることを特徴とする請求項１に記載の方法で製造された半導体装置である。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１の発明によれば、半導体ウェハーを切断し半導体チップを作成する際の半導体ウェハー固定用の接着テープの一部が半導体チップをリードフレームに固定する際の接着層として機能する。そのため、リードフレームに予め接着剤等を施す必要がなく、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００１１】
また請求項２の発明によれば、半導体チップの裏面に施されている接着層が裏面の全面に付着している。そのため、リードフレームに接着部材などを施す必要がなく、切断工程で使用したウェハー固定用の接着テープの一部を半導体チップ固定用の接着部材として使用することができ、製造工程の簡略化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
つぎにこの発明を具体例に基づいて説明する。この発明における製造工程の一例を図１および図２に示す。まずウェハーマウント工程では、熱硬化性の接着剤１９を有する接着テープ１５が設けられ、その上にウェハー１１が乗せられる（図１の（ａ））。そしてＵＶキュア工程では接着テープ１５に光源１７より紫外線が照射される。これにより接着テープ１５は硬化し、半導体ウェハー１１と接着テープ１５とが固定される（図１の（ｂ））。そして、ダイシング工程で半導体ウェハー１１はカッター１２により切断される（図１の（ｃ））。そして、ピックアップ工程に移る。
【００１３】
ピックアップ工程の具体的な手順は以下の通りである。まず、切り出された半導体チップ６を下部からニードル１３で上方向へ押し出しつつ、上部からピックアップ１８で吸引する。すると接着テープ１５から半導体チップに接する側の接着剤１９が剥離し、半導体チップ６と共に接着テープ１５から分離される（図１（ｄ））。
【００１４】
ピックアップ工程で分離された半導体チップ６はピックアップ１８で保持されたままインナーリード１の上面へ乗せられる。これがダイボンディング工程である（図２（ａ））。その上で、キュア工程で加熱される。接着剤１９は熱硬化性であるので、加熱により硬化し、インナーリード１の上に半導体チップ６が固定される（図２（ｂ））。そして、ワイヤボンディング工程で半導体チップ６上に設けられたパッドとインナーリード１が配線材料１６により電気的に結合され（図２（ｃ））、モールド工程で全体が樹脂により封止される（図２（ｄ））。
【００１５】
この製造方法によれば、半導体ウェハー１１を切断し半導体チップ６を作成する際の半導体ウェハー固定用の接着テープ１５の一部である接着剤１９が半導体チップ６をインナーリード１に固定する際の接着部材として機能する。そのため、インナーリード１に予め接着剤等を施す必要がなく、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００１６】
図１はこの方法に基づいて作成された半導体装置の具体例である。なお、図３（ａ）は平面図であり、図３（ｂ）は断面図である。
【００１７】
この半導体装置は、インナーリード１とアウターリード２とからなるリードフレーム１０と、そのインナーリード１の上面に接着された半導体チップ６と、前記半導体チップ６とリードとを電気的に結合する配線部材１６と、これらリードフレーム１０と半導体チップ６および配線部材１６とを一体として封止する封止樹脂５とから構成されている。
【００１８】
半導体チップ６とインナーリード１は熱硬化性の接着剤１９により接着されているので、半導体チップ６で発生した熱をインナーリード１からアウターリード２へ伝達することができる。また、この接着剤１９は半導体チップ６の裏面の全体に施されている。そのため、インナーリード１に接着部材などを施す必要がなく、切断工程で使用したウェハー固定用の接着テープ１５の一部である接着剤１９を半導体チップ固定用の接着部材として使用することができ、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００１９】
また、インナーリード１はアウターリード２に比べ幅が大きくなっている。すなわち、半導体チップ６に接触する面積が大きくなっている。したがって、半導体チップ６で発生する熱を効率よく外部に伝達することができる。また、インナーリード１と半導体チップ６は重なって接着されているので、パッケージの寸法に比べて相対的に大きな半導体チップを搭載することができる。つまり、同じ半導体チップの大きさならばパッケージを小さくすることができる。
【００２０】
上記実施例は半導体チップ６をインナーリード１のみに接着し保持したが、リードフレーム１０の中央部に半導体チップを接着させるタブ３を設けてもよい。図４はリードフレーム１０の中央部にタブ３を設けた例であり、その他の構成は図３に示す構成と同様である。したがって、図４に示す例では図３に示す構成と異なる部分のみを説明し、図３と同様の部分については図４に図３と同一の符号を付してその説明を省略する。
【００２１】
この半導体装置は図３に示す構成に加えてリードフレーム１０の中央部にタブ３とタブ３を保持する吊りピン４が設けられている。半導体チップ６はインナーリード１に加えてタブ３にも接着され、保持される。従って、半導体チップ６をリードフレーム１０に接着する際の安定性を向上させることができる。また、半導体チップ６の熱は、インナーリードから伝熱され放熱されるだけでなく、タブ３および吊りピン４にも伝熱され放熱される。したがって、半導体チップ６の放熱効果をさらに向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】この発明の半導体装置の製造工程の前半を示す図である。
【図２】この発明の半導体装置の製造工程の後半を示す図である。
【図３】この発明に係る半導体装置の一例を示す図である
【図４】この発明に係る半導体装置の他の例を示す図である
【符号の説明】
【００２３】
１…インナーリード、  ２…アウターリード、  ３…タブ、  ４…吊りピン、  ５…封止樹脂、  ６…半導体チップ、  １０…リードフレーム、  １１…半導体ウェハー、  １２…カッター、  １３…ニードル、  １５…接着テープ、  １６…配線材料    １７…光源、  １８…ピックアップ、  １９…  接着剤。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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