(57)【要約】【課題】  短絡による発光層の発光不良や発光領域が狭くなるのを抑制し、歩留まりの向上を図った電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器を提供すること。【解決手段】  発光層３１と画素電極２５の間に形成された正孔輸送層３２を、発光層３１と接する面が平坦になるような膜厚に形成している。正孔輸送層３２の膜厚ｔ２を画素電極２５より下方にある配線層３４の膜厚ｔ１よりも厚くしている。そのため、表面を平坦化した正孔輸送層３２の上に発光層３１を形成することができる。これにより、金属パターン残りなどの金属層４０が正孔輸送層３２の下に存在する場合にも、画素電極２５と陰極３３の間で短絡が発生するのが抑制される。したがって、短絡による発光層３１の発光不良や発光領域が狭くなるという不良品の発生率を低減することができ、歩留まりの向上を図ることができる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素の各々に、少なくとも発光層と、前記発光層と画素電極との間に形成された導電層とを含む電気光学素子が設けられた電気光学装置において、
前記導電層を、前記発光層と接する面が平坦になるような膜厚に形成したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記導電層は電荷注入／輸送層であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電気光学装置において、
前記導電層の膜厚は、前記発光層に対して前記画素電極より下方にある配線層或いは金属層よりも厚いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
前記発光層の抵抗は、前記導電層の抵抗と前記画素電極の抵抗の和より大きいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
複数の画素の各々に、少なくとも発光層と、前記発光層と画素電極との間に形成された導電層とを含む電気光学素子が設けられた電気光学装置の製造方法において、
前記導電層を、前記発光層と接する面が平坦になるような膜厚に液相プロセスにより形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記各画素の画素電極を囲む親液性のある第１隔壁と、前記第１隔壁上に位置する撥液性のある第２隔壁とを形成した後、前記各画素の画素電極上における前記第１隔壁および第２隔壁で囲まれる領域内に、前記導電層および前記発光層を液相プロセスにより形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置の製造方法において、
基板上の全面に配線層を形成する工程と、
前記画素電極を形成する予定領域内の、前記発光層および前記導電層が形成される領域と重なる領域に形成した前記配線層をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載の電気光学装置の製造方法において、
基板上に配線層を所定のパターンに形成する工程と、
前記配線層の所定のパターンの少なくとも一部の上方に前記画素電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか一つに記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置等の電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の製造方法として、有機ＥＬ表示装置において各画素の有機ＥＬ素子を構成する発光層や正孔輸送層などの各薄膜層を、複数の隔壁（バンク）で囲まれた被塗布領域に、有機半導体材料などの薄膜材料液をインクジェット法などにより塗布し、乾燥して形成する技術が知られている（例えば、特許文献１）。この特許文献１では、複数の隔壁は、基板側に位置する第１隔壁とその上に形成される第２隔壁とでそれぞれ構成される。複数の隔壁に対してプラズマ処理などの表面改質処理を施すことにより、第２隔壁の表面を撥液性にするとともに、画素電極および第１隔壁の表面を親液性にしている。第２隔壁の撥液性により隣接画素間で液滴（薄膜材料液）が交じり合わず、画素電極および第１隔壁の親液性により画素電極上に有機ＥＬ素子の各薄膜層を均一に形成できることが提案されている。
【特許文献１】特許３３２８２９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や配線などに用いられる金属層をパターニングする際、エッチング装置内でフォトレジスト、金属などの異物、フォトレジスト塗布時の気泡などが存在することにより、これらが基板に付着しエッチング時にレジストとして作用して金属パターンが残ることがある。
【０００４】
このような金属パターン残りなどの金属層や配線層が有機ＥＬ素子の下に存在すると、発光層や正孔輸送層などの各薄膜層より金属パターン残りなどの金属層や配線層の方が厚いため、画素電極と共通電極の間で短絡（ショート）が発生し、有機ＥＬ素子に電圧が印加されなくなる。その結果、有機ＥＬ素子の発光層が発光しない、或いは発光層の発光領域が狭くなるなどの問題が発生する。特に、上述したインクジェット法（液滴吐出法）などの液相法による場合、画素電極上に凹凸が存在すると、液体は高い部分には薄膜が形成されにくくなるため、上記の短絡が発生し易くなる。
【０００５】
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、短絡による発光層の発光不良や発光領域が狭くなるのを抑制し、歩留まりの向上を図った電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明における電気光学装置は、複数の画素の各々に、少なくとも発光層と、前記発光層と画素電極との間に形成された導電層とを含む電気光学素子が設けられた電気光学装置において、前記導電層を、前記発光層と接する面が平坦になるような膜厚に形成したことを要旨とする。
【０００７】
これによれば、発光層と画素電極との間に形成された導電層を、発光層と接する面が平坦になるような膜厚に形成したので、表面を平坦化した導電層の上に発光層を形成することができる。これにより、上述した金属パターン残りなどの金属層や配線層が導電層の下に存在する場合にも、画素電極と共通電極の間で短絡が発生するのが抑制される。したがって、短絡による発光層の発光不良や発光領域が狭くなるという不良品の発生率を低減す
ることができ、歩留まりの向上を図ることができる。
【０００８】
この電気光学装置において、前記導電層は電荷注入／輸送層であることを要旨とする。
これによれば、発光層と画素電極との間に形成された電荷注入／輸送層を、発光層と接する面が平坦になるような膜厚に形成したので、表面を平坦化した電荷注入／輸送層の上に発光層を形成することができる。
【０００９】
なお、ここにいう「電荷注入／輸送層」は、陽極の少なくとも一部、或いは、正孔注入／輸送層、電子注入／輸送層などを含む意味で用いる。
この電気光学装置において、前記導電層の膜厚は、前記発光層に対して前記画素電極より下方にある配線層或いは金属層よりも厚いことを要旨とする。
【００１０】
これによれば、導電層の膜厚を、発光層に対して画素電極より下方にある配線層或いは金属層よりも厚くしているので、上述した金属残りなどの金属層や配線層が画素電極の下に存在する場合にも、導電層の表面が平坦になり、導電層の平坦な表面上に発光層を形成できる。したがって、短絡による発光層の発光不良や発光領域が狭くなるという不良品の発生率を低減することができ、歩留まりの向上を図ることができる。
【００１１】
この電気光学装置において、前記発光層の抵抗は、前記導電層の抵抗と前記画素電極の抵抗の和より大きいことを要旨とする。
これによれば、発光層の抵抗は導電層の抵抗と画素電極の抵抗の和より大きいので、上述した金属パターン残りによる金属層や配線層が導電層の下に存在することで、導電層に電荷経路の長い領域と短い領域とができたとしても、これら２つの領域での抵抗値はほぼ同等となる。したがって、各画素の発光層を、画素電極全面にて均一に発光させることができる。
【００１２】
なお、ここにいう「抵抗」は抵抗率と膜厚の積である。
本発明における電気光学装置の製造方法は、複数の画素の各々に、少なくとも発光層と、前記発光層と画素電極との間に形成された導電層とを含む電気光学素子が設けられた電気光学装置の製造方法において、前記導電層を、前記発光層と接する面が平坦になるような膜厚に液相プロセスにより形成することを要旨とする。
【００１３】
これによれば、表面を平坦化した導電層の上に発光層を液相プロセスにより形成することができる。これにより、導電層に凹凸が存在すると、液体は高い部分には薄膜が形成されにくくなるために上記の短絡が発生し易くなるインクジェット法などの液相プロセスによる場合でも、画素電極と共通電極の間で短絡が発生するのが抑制される。したがって、短絡による発光層の発光不良や発光領域が狭くなるという不良品の発生率を低減することができ、歩留まりの向上を図ることができる。
【００１４】
この電気光学装置の製造方法において、前記各画素の画素電極を囲む親液性のある第１隔壁と、前記第１隔壁上に位置する撥液性のある第２隔壁とを形成した後、前記各画素の画素電極上における前記第１隔壁および第２隔壁で囲まれる領域内に、前記導電層および前記発光層を液相プロセスにより形成することを要旨とする。
【００１５】
これによれば、各画素の導電層および発光層を均一な膜厚に形成できるので、歩留まりの向上をさらに図ることができるととともに、色抜けや色むらの生じない高品質な表示を実現することができる。
【００１６】
この電気光学装置の製造方法において、基板上の全面に配線層を形成する工程と、前記画素電極を形成する予定領域内の、前記発光層および前記導電層が形成される領域と重な
る領域に形成した前記配線層をエッチングする工程と、を含むことを要旨とする。
【００１７】
これによれば、基板上の全面に形成した配線層のうち、画素電極を形成する予定領域内の、発光層および導電層が形成される領域と重なる領域に形成した配線層をエッチングする工程において、配線層の一部が異物として（金属パターン残りとして）残ったとしても、表面を平坦化した導電層の上に発光層を液相プロセスにより形成することができる。
【００１８】
この電気光学装置の製造方法において、基板上に配線層を所定のパターンに形成する工程と、前記配線層の所定のパターンの少なくとも一部の上方に前記画素電極を形成する工程と、を含むことを要旨とする。
【００１９】
これによれば、基板上に配線層を所定のパターンに形成する工程と、配線層の所定のパターンの少なくとも一部の上方に画素電極を形成する工程とを行うことで、トップエミッション構造の電気光学装置が作製される。このようなトップエミッション構造の電気光学装置を作製する際にも、導電層の膜厚を画素電極より下方にある前記配線層よりも厚くすることで、表面を平坦化した導電層の上に発光層を液相プロセスにより形成することができる。したがって、トップエミッション構造の電気光学装置において、短絡による発光層の発光不良や発光領域が狭くなるという不良品の発生率を低減することができ、歩留まりの向上を図ることができる。
【００２０】
本発明における電子機器は、上記電気光学装置を備えたことを要旨とする。
これによれば、短絡による発光層の発光不良や発光領域が狭くなるという不良品の発生率を低減することができ、歩留まりの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に基づいて説明する。
[一実施形態]
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を図１および図２に基づいて説明する。図１は一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の一部を断面で示している。図２は有機ＥＬ表示装置の概略的な電気的構成と表示領域としてのアクティブマトリクス部の電気的等価回路の一部を示している。
【００２２】
図２に示す有機ＥＬ表示装置１は、アクティブマトリクス部２、信号線駆動回路３、および走査線駆動回路４等を備えている。アクティブマトリクス部２は、透明基板５上に形成されている。この透明基板５は、例えばガラス基板である。この有機ＥＬ表示装置１は、信号線駆動回路３および走査線駆動回路４を透明基板５上に形成した周辺駆動回路内蔵型の表示装置、或いは信号線駆動回路３および走査線駆動回路４を独立した電子部品によって構成した表示装置のいずれであっても良い。
【００２３】
アクティブマトリクス部２は、図２に示すように、行方向に延びるｎ本の走査線（配線層）Ｙ１〜Ｙｎ（ｎは整数）と列方向に延びるｍ本の信号線（配線層）Ｘ１〜Ｘｍ（ｍは整数）との交差部に対応する位置にｎ行ｍ列に配列された複数の画素２０を有している。
【００２４】
このアクティブマトリクス部２の各画素２０は、例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂの順に配置された赤用画素，緑用画素および青用画素の３つの画素でそれぞれ構成されている。赤用画素，緑用画素および青用画素には、赤用画素回路，緑用画素回路および青用画素回路がそれぞれ設けられている。
【００２５】
したがって、本例のアクティブマトリクス部２では、走査線Ｙ１〜Ｙｎの各々にｍ×３個の画素回路がＲ，Ｇ，Ｂの順に接続されている。なお、図２では、説明を簡単にするた
めに、走査線Ｙ１〜Ｙｎの各々に接続されたｍ個の画素回路と、ｍ本の信号線Ｘ１〜Ｘｍのみを示してある。
【００２６】
有機ＥＬ表示装置１は、走査線駆動回路４が走査線Ｙ１〜Ｙｎを線順次走査により一つずつ順に選択すると、選択された１本の走査線に接続されたｍ×３個の各画素回路には、信号線駆動回路３によってｍ×３本の信号線Ｘ１〜Ｘｍ（ｍ×３）をそれぞれ介してデータ信号ＩＤが一斉に供給されるようになっている。各画素２０の赤用画素回路，緑用画素回路および青用画素回路には、赤用データ信号ＩＤＲ，緑用データ信号ＩＤＧおよび青用データ信号ＩＤＢがそれぞれ供給される。各データ信号ＩＤＲ，ＩＤＧおよびＩＤＢは、例えば諧調表示のための８ビットデータである赤用，緑用および青用の各表示データを信号線駆動回路３内でＤ−Ａ変換した電流信号である。
【００２７】
各画素２０の赤用画素回路，緑用画素回路および青用画素回路は、有機半導体材料で構成された発光層から赤色，緑色および青色の光をそれぞれ放射する電気光学素子としての有機ＥＬ素子２１を有している。
【００２８】
各画素２０の赤用画素回路，緑用画素回路および青用画素回路は、図２に示すように、上述した有機ＥＬ素子２１と、駆動用トランジスタＱｄと、スイッチングトランジスタＱｓと、保持キャパシタＣｓとをそれぞれ備えている。駆動用トランジスタＱｄおよびスイッチングトランジスタＱｓは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）でそれぞれ構成されている。
【００２９】
図２に示すように、各画素２０のスイッチングトランジスタＱｓのゲート（ゲート電極）は、走査線Ｙ１〜Ｙｎのうちの対応する１つの走査線に接続されている。スイッチングトランジスタＱｓのドレイン（ドレイン領域）は、信号線Ｘ１〜Ｘｍのうちの対応する１つの信号線に接続され、そのソース（ソース領域）は駆動用トランジスタＱｄのゲートに接続されている。
【００３０】
図１および図２に示すように、各画素２０の駆動用トランジスタＱｄのドレイン（ドレイン領域）２２は、第１層間絶縁膜２３のスルーホールを貫通する中継電極２４を介して有機ＥＬ素子２１の陽極である画素電極２５に接続されている。この画素電極２５は、酸化インジウム錫（Indium Tin Oxide：「ＩＴＯ」）膜で構成される透明電極である。各駆動用トランジスタＱｄのソース（ソース領域）２６は、第１層間絶縁膜２３のスルーホールを貫通する共通給電線ｃｏｍにそれぞれ接続されている。そして、各駆動用トランジスタＱｄのゲート・ソース間には保持キャパシタＣｓがそれぞれ接続されている。図１において、符号２７が駆動用トランジスタＱｄのゲート（ゲート電極）である。なお、図１では、スイッチングトランジスタＱｓおよび保持キャパシタＣｓの図示を省略してある。
【００３１】
各画素２０の有機ＥＬ素子２１は、図１に示すように、発光層３１と、発光層３１と画素電極２５との間に形成された導電層としての正孔輸送層３２と、陽極としての画素電極２５と、陰極３３とで構成されている。
【００３２】
なお、図１おいて、符号３５は第２層間絶縁膜であり、符号３６は各画素２０の画素電極２５を囲むように形成された親液性のある第１隔壁（バンク）である。符号３７は各画素２０の画素電極２５を囲むように第１隔壁３６上に形成された撥液性のある第２隔壁（バンク）である。
【００３３】
そして、本例の有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、複数の画素２０の各々に、発光層３１と、発光層３１と画素電極２５との間に形成された導電層としての正孔輸送層３２とを含む有機ＥＬ素子２１を備え、正孔輸送層３２を、発光層３１と接する面が平坦になるような膜厚に形成した点に特徴がある。
【００３４】
具体的には、正孔輸送層３２の膜厚ｔ２は、発光層３１に対して画素電極２５より下方にある金属層或いは配線層（以下、「配線層」という）３４の膜厚ｔ１よりも厚くなっている。ここにいう「配線層３４」には、図１に示す共通給電線ｃｏｍおよび中継電極２４の他に、走査線Ｙ１〜Ｙｎや信号線Ｘ１〜Ｘｍなどの配線が含まれる。
【００３５】
また、各有機ＥＬ素子２１において、発光層３１の抵抗は、正孔輸送層３２の抵抗と画素電極２５の抵抗の和より大きい。
このような構成を有する有機ＥＬ表示装置１の動作を説明する。
【００３６】
走査線Ｙ１〜Ｙｎが一つずつ順に選択される各選択期間に、選択された走査線に接続された各画素２０の赤用画素回路，緑用画素回路および青用画素回路のスイッチングトランジスタＱｓがオン状態になる。これにより、赤用画素回路，緑用画素回路および青用画素回路には、輝度に応じた一定電流値の赤用データ信号ＩＤＲ，緑用データ信号ＩＤＧおよび青用データ信号ＩＤＢが、各信号線および各スイッチングトランジスタＱｓを介して供給される。これにより、赤用画素回路，緑用画素回路および青用画素回路の各保持キャパシタＣｓに、各データ信号に応じた電荷が各スイッチングトランジスタＱｓを介して蓄積される。各スイッチングトランジスタＱｓがオフ状態になると、赤用画素回路，緑用画素回路および青用画素回路の各有機ＥＬ素子２１に、保持キャパシタＣｓに蓄積された電荷に応じた電流値の駆動電流が流れ、各有機ＥＬ素子２１はその駆動電流に応じた輝度で発光する。そして、各画素２０において有機ＥＬ素子２１の発光層３１で発光した光は、陰極３３でそれぞれ反射して図１において下方へ進み、透明基板５側から外部へ出射される。つまり、本例の有機ＥＬ表示装置１は、ボトムエミッション構造の表示装置である。
【００３７】
次に、上記構成を有する有機ＥＬ表示装置１の製造方法について、特徴的な工程のみを図１に基づいて簡単に説明する。
上記製造方法の特徴の１つは、以下の工程を含む点にある。
【００３８】
・正孔輸送層３２を、発光層３１と接する面（図１の上面）が平坦になるような膜厚に液相プロセスにより形成する工程。この工程では、例えば、図１に示す配線層３４の膜厚を略５０００Åとすると、正孔輸送層３２を５０００Åよりも充分に厚い２００ｎｍ以上の膜厚に形成する。ちなみに、発光層３１の膜厚は、通常５００〜１０００Å程度の薄さである。
【００３９】
なお、ここにいう「液相プロセス」は、インクジェット法、スピンコート法、スリットコート法（ダイコート法）、ディップ法やメッキ法などの液相法を含む意味で用いる。
上記製造方法の別の特徴は、以下の工程を含む点にある。
【００４０】
・各画素２０の画素電極２５を囲む親液性のある第１隔壁３６と、第１隔壁３６上に位置する撥液性のある第２隔壁３７とを形成する工程。
・この後、各画素２０の画素電極２５上における第１隔壁３６および第２隔壁３７で囲まれる被塗布領域内に、正孔輸送層３２および発光層３１を上記液相プロセスにより形成する工程。
【００４１】
上記製造方法のさらに別の特徴は、以下の工程を含む点にある。
・第１層間絶縁膜２３の上面全体（基板上の全面）に配線層３４を形成する工程。
・画素電極２５を形成する予定領域内の、発光層３１および正孔輸送層３２が形成される領域と重なる領域に形成した配線層をエッチングする工程。
【００４２】
以上のように構成された一実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
○発光層３１と画素電極２５との間に形成された正孔輸送層３２を、発光層３１と接する面が平坦になるような膜厚に形成している。具体的には、正孔輸送層３２の膜厚ｔ２を、発光層３１に対して画素電極２５より下方にある配線層３４の膜厚ｔ１よりも厚くしている。そのため、表面を平坦化した正孔輸送層３２の上に発光層３１を形成することができる。
【００４３】
これにより、上述した金属パターン残りなどの金属層や配線層が正孔輸送層３２の下に存在する場合にも、画素電極２５と共通電極としての陰極３３の間で短絡が発生するのが抑制される。例えば、図１に示すように、配線層３４の一部に、上述した金属パターン残りによる金属層４０が画素電極２５の下方に存在すると、画素電極２５の金属層４０と対応する個所２５ａが盛り上がる。しかし、本実施形態では、正孔輸送層３２を、発光層３１と接する面が平坦になるような膜厚に形成したので、表面を平坦化した正孔輸送層３２の上に発光層３１を形成することができる。したがって、短絡による発光層３１の発光不良や発光領域が狭くなるという不良品の発生率を低減することができ、歩留まりの向上を図ることができる。
【００４４】
○図１に示す配線層３４の膜厚を略５０００Åとすると、正孔輸送層３２を５０００Åよりも充分に厚い膜厚、例えば２００ｎｍ以上の膜厚に形成している。このため、発光層３１の膜厚が５００〜１０００Å程度の薄さであっても、上述した金属パターン残りによる金属層４０が画素電極２５の下方に存在しても、表面を平坦化した正孔輸送層３２の上に５００〜１０００Å程度の膜厚の発光層３１を形成することができる。したがって、発光層３１の膜厚が５００〜１０００Å程度であっても、画素電極２５と陰極３３の間で短絡が発生するのが抑制され、歩留まりの向上を図ることができる。
【００４５】
○各有機ＥＬ素子２１において、発光層３１の抵抗は、正孔輸送層３２の抵抗と画素電極２５の抵抗の和より大きい。そのため、上述した金属パターン残りによる金属層４０が正孔輸送層３２の下に存在することで、正孔輸送層３２に電荷経路の長い領域ａと短い領域ｂとができたとしても、これら２つの領域ａ，ｂでの抵抗値はほぼ同等となる。したがって、各画素２０の発光層３１を、画素電極２５全面にて均一に発光させることができる。
【００４６】
○正孔輸送層３２を、発光層３１と接する面が平坦になるような膜厚に液相プロセスにより形成するので、表面を平坦化した正孔輸送層３２の上に発光層３１を液相プロセスにより形成することができる。これにより、正孔輸送層３２に凹凸（盛り上がった個所２５ａ）が存在すると、液体は高い部分には薄膜が形成されにくくなるために上記の短絡が発生し易くなるインクジェット法などの液相プロセス（液相法）による場合でも、画素電極２５と陰極３３の間で短絡が発生するのが抑制される。したがって、短絡による発光層３１の発光不良や発光領域が狭くなるという不良品の発生率を低減することができ、歩留まりの向上を図ることができる。
【００４７】
○各画素２０の画素電極２５を囲む親液性のある第１隔壁３６と、第１隔壁３６上に位置する撥液性のある第２隔壁３７とを形成し、この後、各画素２０の画素電極２５上における第１隔壁３６および第２隔壁３７で囲まれる被塗布領域内に、正孔輸送層３２および発光層３１を上記液相プロセスにより形成する。これにより、各画素２０の正孔輸送層３２および発光層３１を均一な膜厚に形成できるので、歩留まりの向上をさらに図ることができるととともに、色抜けや色むらの生じない高品質な表示を実現することができる。
【００４８】
○有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、第１層間絶縁膜２３の上面全体（基板上の全面）に配線層３４を形成する工程と、画素電極２５を形成する予定領域内の、発光層３１および正孔輸送層３２が形成される領域と重なる領域に形成した配線層をエッチングする工程
とを含む。これにより、基板上の全面に形成した配線層のうち、画素電極を形成する予定領域内の、発光層および導電層が形成される領域と重なる領域に形成した配線層をエッチングする工程において、配線層の一部が異物として（金属パターン残りとして）残ったとしても、表面を平坦化した導電層の上に発光層を液相プロセスにより形成することができる。
【００４９】
［電子機器］
次に、上記一実施形態で説明した有機ＥＬ表示装置１を用いた電子機器について説明する。有機ＥＬ表示装置１は、図３に示すようなモバイル型のパーソナルコンピュータに適用できる。図３に示すパーソナルコンピュータ７０は、キーボード７１を備えた本体部７２と、有機ＥＬ表示装置１を用いた表示ユニット７３とを備えている。
【００５０】
パーソナルコンピュータ７０によれば、短絡による発光層の発光不良や発光領域が狭くなるという不良品の発生率を低減することができ、歩留まりの向上を図ることができるので、コストを低減できるとともに、高品質な表示を実現することができる。
【００５１】
[変形例]
なお、この発明は以下のように変更して具体化することもできる。
・上記一実施形態の製造方法は、第１層間絶縁膜２３の上面全体に配線層３４を形成する工程と、画素電極２５を形成する予定領域内の、発光層３１および正孔輸送層３２が形成される領域と重なる領域に形成した配線層をエッチングする工程とを含む。
【００５２】
これに対して、有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、第１層間絶縁膜２３の上面上に（基板上に）配線層３４を所定のパターンに形成する工程と、配線層３４の所定のパターンの少なくとも一部の上方に画素電極２５を形成する工程と、を含むようにしても良い。これによれば、トップエミッション構造の有機ＥＬ表示装置が作製される。このようなトップエミッション構造の有機ＥＬ表示装置を作製する際にも、正孔輸送層３２の膜厚を画素電極２５より下方にある配線層３４よりも厚くすることで、表面を平坦化した正孔輸送層３２の上に発光層３１を液相プロセスにより形成することができる。したがって、トップエミッション構造の有機ＥＬ表示装置において、短絡による発光層３１の発光不良や発光領域が狭くなるという不良品の発生率を低減することができ、歩留まりの向上を図ることができる。
【００５３】
・上記一実施形態では、有機ＥＬ素子２１が、発光層３１と正孔輸送層３２の２つの薄膜層を含む構成としているが、本発明はこのような構成に限定されない。導電層としての正孔輸送層３２と画素電極２５の間に正孔注入層を設けた構成、発光層３１の上に電子輸送層を設けた構成、発光層３１の上に電子輸送層と電子注入層を設けた構成などにも、本発明は適用可能である。
【００５４】
・つまり、上記一実施形態では、発光層３１と画素電極２５の間の導電層として正孔輸送層３２を設けてあるが、本発明はこれに限定されない。導電層として、上で定義した「電荷注入／輸送層」を用いる構成にも本発明は適用可能である。
【００５５】
なお、「電荷注入／輸送層」についての上記定義における「陽極の少なくとも一部」は、陽極の金属または金属酸化膜材料を、インクジェット法、スピンコート法、スリットコート法（ダイコート法）、ディップ法やメッキ法などの液相法により形成してもよい。また、ここにいう「陽極の少なくとも一部」は、薄膜トランジスタや配線との接続のための層は従来と同様に形成して、上記第１隔壁３６および第２隔壁３７を形成した後、正孔輸送層３２と同様に陽極を液相法にて形成してもよいという意味で用いる。
【００５６】
・図２に示す各画素の画素回路は一例として示したもので、本発明はこのような画素回路に限定されない。
・上記一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、図３に示すようなパーソナルコンピュータに限らず、携帯電話、デジタルカメラ等の各種の電子機器に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の一部を示す断面図。
【図２】同装置の概略的な電気的構成とアクティブマトリクス部の電気的等価回路の一部を示す回路図。
【図３】有機ＥＬ表示装置を用いた電子機器を示す斜視図。
【符号の説明】
【００５８】
ａ，ｂ…領域、ｔ１，ｔ２…膜厚、２０…画素、２５…画素電極、３１…発光層、３４…配線層、３６…第１隔壁、３７…第２隔壁、４０…金属層。
【図１】
2005268137.tif 000003
【図２】
2005268137.tif 000004
【図３】
2005268137.tif 000005