(57)【要約】  【課題】基板処理装置の設計の自由度を増すことができ、また、基板処理装置の小型化を図ることができる廃液処理機構、およびその廃液処理機構を備えた基板処理装置を提供する。  【解決手段】廃液配管８１の先端は、希釈水が流通する希釈水配管８２の途中部にＴ字接続されている。廃液配管８１の途中部には、処理液タンク６から廃液を吸い出して圧送するためのポンプ８４が介装されている。希釈水配管８２の途中部には、廃液と希釈水とを攪拌して十分に混合させるための撹拌フィン付流通管８７の下流側に、この撹拌フィン付流通管８７を通過後の希釈廃液の液温を検出するためのポンプ制御用温度センサ８８が介装されている。マイクロコンピュータを含む構成の制御装置９は、ポンプ制御用温度センサ８８からの入力信号に基づいて、廃液バルブ８３および希釈水バルブ８６の開閉ならびにポンプ８４の駆動を制御する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
廃棄すべき処理液である廃液を処理して排出する廃液処理機構であって、
廃液を希釈するための希釈水が流通する希釈水配管と、
この希釈水配管の途中部に先端が接続されており、廃液が流通する廃液配管と、
この廃液配管の途中部に介装されており、廃液を上記希釈水配管に向けて送液するためのポンプと、
上記希釈水配管の途中部であって、上記希釈水配管と上記廃液配管との接続部よりも流体流通方向下流側に設けられて、上記希釈水配管を流通する流体の温度を検出するための温度センサと、
この温度センサの出力に基づいて、上記ポンプの駆動を制御するポンプ制御手段と
を含むことを特徴とする廃液処理機構。
【請求項２】
廃棄すべき処理液である廃液を処理して排出する廃液処理機構であって、
廃液を希釈するための希釈水が流通する希釈水配管と、
この希釈水配管の途中部に先端が接続されており、廃液が流通する廃液配管と、
この廃液配管の途中部に介装されており、廃液を上記希釈水配管に向けて送液するためのポンプと、
上記希釈水配管の途中部であって、上記希釈水配管と上記廃液配管との接続部よりも流体流通方向下流側に設けられて、上記希釈水配管を流通する流体の濃度を検出するための濃度センサと、
この濃度センサの出力に基づいて、上記ポンプの駆動を制御するポンプ制御手段と
を含むことを特徴とする廃液処理機構。
【請求項３】
上記希釈水配管の途中部に介装されて、上記希釈水配管を流通してくる希釈水と上記廃液配管から上記希釈水配管に流入して希釈水に合流した廃液とを撹拌して混合させるための撹拌手段をさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載の廃液処理機構。
【請求項４】
処理液を貯留しておくための処理液タンクと、
この処理液タンクに貯留されている処理液を処理対象の基板に供給するための処理液供給手段と、
上記処理液タンクに貯留されている処理液を廃棄する際に、その廃棄される処理液を処理するための請求項１ないし３のいずれかに記載の廃液処理機構と
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、廃棄すべき処理液である廃液を工場の廃液ユーティリティラインなどに排出できるように処理する廃液処理機構およびこれを適用した基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板に処理液を供給して、この処理液による処理を基板の表面に施すための基板処理装置が用いられる。たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置では、処理液タンクに貯留されている処理液がノズルに送られて、このノズルから処理対象の基板に処理液が供給される。また、複数枚の基板を一括して処理するバッチ式の基板処理装置では、処理液タンクに貯留されている処理液が処理槽に供給されて、この処理槽に溜められた処理液中に複数枚の基板を一括して浸漬させることにより、基板に対する処理液の供給が達成される。
【０００３】
処理液を貯留している処理液タンクは、定期的に清掃および点検する必要があり、このとき、処理液タンクから処理液を排出しなければならない。基板の処理には、濃硫酸や高温に温度調節された処理液などが用いられることがあり、それらのような処理液の廃液は、基板処理装置が設置された工場の廃液ユーティリティラインにそのまま排出することができない。そのため、基板処理装置には、処理液タンクからの廃液を廃液ユーティリティラインに排出できるように処理する廃液処理機構が備えられている。
【０００４】
図３は、従来の廃液処理機構の構成を図解的に示す図である。廃液処理機構には、処理液タンク１０１からの廃液を希釈および冷却するためのアスピレータユニット１０２と、このアスピレータユニット１０２で希釈および冷却された廃液をさらに希釈および冷却するための攪拌槽１０３とが備えられている。
処理液タンク１０１の底面には、処理液タンク１０１から廃液を導出するための廃液配管１０４が接続されており、この廃液配管１０４の先端が、アスピレータユニット１０２に接続されている。アスピレータユニット１０２にはさらに、希釈水を供給するための希釈水配管１０５と、アスピレータユニット１０２で希釈および冷却された廃液を攪拌槽１０３に導くための槽導入配管１０６とが接続されている。
【０００５】
アスピレータユニット１０２は、図４に示すような構成を有している。すなわち、アスピレータユニット１０２は、廃液配管１０４が接続される廃液配管接続口１０７と、希釈水配管１０５が接続される希釈水配管接続口１０８と、槽導入配管１０６が接続される槽導入配管接続口１０９とを備えている。また、アスピレータユニット１０２の内部には、槽導入配管接続口１０９に連通する混合室１１０が形成されるとともに、希釈水配管接続口１０８に連通して、その希釈水配管接続口１０８に接続された希釈水配管１０５から供給される希釈水を混合室１１０に吐出する希釈水ノズル１１１が設けられている。さらに、希釈水ノズル１１１の周囲には、廃液配管接続口１０７に連通する廃液導入室１１２が形成されており、この廃液導入室１１２は、希釈水ノズル１１１の先細り形状の先端部の周囲を取り囲む幅狭な筒状連通路１１３を介して混合室１１０に連通している。
【０００６】
この構成により、希釈水配管１０５から希釈水ノズル１１１に希釈水が大流量で供給されると、その大流量の希釈水が希釈水ノズル１１１から混合室１１０に吐出され、さらに混合室１１０から槽導入配管接続口１０９を介して槽導入配管１０６に流出する。このとき混合室１１０を通過する大流量の希釈水につられて、廃液導入室１１２に流入している廃液が筒状連通路１１３を通して混合室１１０に引き込まれ、この結果、廃液導入室１１２内が負圧となって、廃液配管１０４から廃液配管接続口１０７を介して廃液導入室１１２に廃液が新たに導入される。混合室１１０に引き込まれた廃液は、大流量の希釈水に混入して希釈および冷却され、希釈廃液となって、混合室１１０から槽導入配管接続口１０９を介して槽導入配管１０６に流出する。
【０００７】
こうしてアスピレータユニット１０２から槽導入配管１０６に流出する希釈廃液は、攪拌槽１０３に導入されて、その攪拌槽１０３に所定の高さ（液位）まで溜められる。所定の高さ以上に溜まった希釈廃液は、排出配管１１４に流出し、この排出配管１１４を通って廃液ユーティリティラインへと排出される。
攪拌槽１０３内には、たとえば、２カ所に温度センサ１１５が配設されていて、攪拌槽１０３に溜まった希釈廃液の液温が常時検出されている。そして、攪拌槽１０３内には、希釈水配管１０５から分岐したバイパス配管１１６の先端が挿入されていて、温度センサ１１５によって検出される希釈廃液の液温が予め定める温度を超えた場合には、廃液配管１０４の途中部に介装された廃液バルブ１１７が閉じられて、攪拌槽１０３への希釈廃液の導入が中断されるとともに、バイパス配管１１６の途中部に介装されたバイパスバルブ１１８が開かれて、バイパス配管１１６から攪拌槽１０３に希釈水が供給される。これにより、攪拌槽１０３内に溜まった希釈廃液がさらに希釈および冷却されるから、攪拌槽１０３から十分に希釈および冷却されていない廃液が排出されるのを防止することができる。
【特許文献１】特開２０００−１１４２２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の廃液処理機構の構成では、何らかの原因で槽導入配管１０６内に背圧が生じると、希釈水ノズル１１１から混合室１１０に吐出された希釈水が、筒状連通路１１３を通して廃液導入室１１２に流入し、廃液配管１０４内を希釈水および廃液が逆流するおそれがある。このような不具合の発生を可及的に防止するため、攪拌槽１０３はアスピレータユニット１０２よりも低い位置に配置しなければならず、このことは基板処理装置の設計上の大きな制限となっていた。
【０００９】
また、攪拌槽１０３が必要であるため、廃液処理機構のサイズが大きく、それゆえ基板処理装置のサイズを小さくすることができないという問題もあった。攪拌槽１０３を省略すれば、廃液処理機構のサイズを大幅に縮小できるが、基板の処理に用いられる処理液が濃硫酸のように水との混合比率によって発熱量が変化するような処理液である場合、アスピレータユニット１０２における廃液と希釈水との混合比率が一定（固定）であるため、廃液濃度が変化すると、アスピレータユニット１０２から廃液ユーティリティラインに排出される希釈廃液の液温が高温になるおそれがある。
【００１０】
そこで、この発明の目的は、基板処理装置の設計の自由度を増すことができる廃液処理機構およびこれを適用した基板処理装置を提供することである。
また、この発明の他の目的は、基板処理装置の小型化を図ることができる廃液処理機構およびこれを適用した基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、廃棄すべき処理液である廃液を処理して排出する廃液処理機構（８）であって、廃液を希釈するための希釈水が流通する希釈水配管（８２）と、この希釈水配管の途中部に先端が接続されており、廃液が流通する廃液配管（８１）と、この廃液配管の途中部に介装されており、廃液を上記希釈水配管に向けて送液するためのポンプ（８４）と、上記希釈水配管の途中部であって、上記希釈水配管と上記廃液配管との接続部よりも流体流通方向下流側に設けられて、上記希釈水配管を流通する流体の温度を検出するための温度センサ（８８）と、この温度センサの出力に基づいて、上記ポンプの駆動を制御するポンプ制御手段（９）とを含むことを特徴とする廃液処理機構である。
【００１２】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
請求項１記載の構成によれば、廃液配管の途中部にポンプが介装されていて、廃液は、ポンプの作用によって廃液配管内を希釈水配管に向けて送液され、その希釈水配管を流通する希釈水に合流して希釈廃液となって排出される。ポンプの駆動は、希釈水配管を流通する流体（希釈廃液）の温度を検出するための温度センサの出力に基づいて制御される。
【００１３】
これにより、たとえば、希釈水配管を流通する流体の温度が一定温度を超えるとポンプの駆動を停止させ、希釈水配管を流通する流体の温度が上記一定温度以下に下がったことに応答してポンプの駆動を再開させるといった態様でポンプの駆動を制御するか、または、希釈水配管を流通する流体の温度が一定温度以下保持されるようにポンプの送液能力を制御することにより、廃液が濃硫酸のように水との混合比率によって発熱量が変化するような処理液であっても、その廃液の濃度および温度にかかわらず、希釈水配管を通して排出される希釈廃液の液温を一定温度以下に抑えることができる。
【００１４】
よって、請求項１の構成によれば、従来の廃液処理機構に必要であった攪拌槽を用いずに、廃液を希釈水によって十分に冷却して排出することができる。したがって、撹拌槽を省略でき、その撹拌槽を省略した分、装置サイズを従来の基板処理装置よりも縮小することができる。
また、廃液配管の途中部に介装されたポンプの作用によって、廃液が廃液配管を希釈水配管に向けて送液される構成であるから、請求項１の構成の廃液処理機構を工場の廃液ユーティリティラインよりも低い位置に設けても、希釈水配管を流れる希釈水が廃液配管を逆流するおそれがない。よって、請求項１の構成の排液処理機構を基板処理装置に適用することにより、アスピレータユニットを備えた廃液処理機構を適用した場合と比較して、基板処理装置の設計の自由度を増すことができる。
【００１５】
請求項２記載の発明は、廃棄すべき処理液である廃液を処理して排出する廃液処理機構（８）であって、廃液を希釈するための希釈水が流通する希釈水配管（８２）と、この希釈水配管の途中部に先端が接続されており、廃液が流通する廃液配管（８１）と、この廃液配管の途中部に介装されており、廃液を上記希釈水配管に向けて送液するためのポンプ（８４）と、上記希釈水配管の途中部であって、上記希釈水配管と上記廃液配管との接続部よりも流体流通方向下流側に設けられて、上記希釈水配管を流通する流体の濃度を検出するための濃度センサと、この濃度センサの出力に基づいて、上記ポンプの駆動を制御するポンプ制御手段（９）とを含むことを特徴とする廃液処理機構である。
【００１６】
この構成によれば、廃液配管の途中部にポンプが介装されていて、廃液は、ポンプの作用によって廃液配管内を希釈水配管に向けて送液され、その希釈水配管を流通する希釈水に合流して希釈廃液となって排出される。ポンプの駆動は、希釈水配管を流通する流体（希釈廃液）の濃度を検出するための濃度センサの出力に基づいて制御される。
これにより、たとえば、希釈水配管を流通する流体の濃度が一定濃度を超えるとポンプの駆動を停止させ、希釈水配管を流通する流体の濃度が上記一定濃度以下に下がったことに応答してポンプの駆動を再開させるといった態様でポンプの駆動を制御するか、または、希釈水配管を流通する流体の濃度が一定濃度以下保持されるようにポンプの送液能力を制御することにより、廃液が濃硫酸のように水との混合比率によって発熱量が変化するような処理液であっても、その廃液の濃度および温度にかかわらず、希釈水配管を通して排出される希釈廃液の濃度を一定濃度以下に抑えることができる。
【００１７】
よって、請求項２記載の構成によれば、従来の廃液処理機構に必要であった攪拌槽を用いずに、廃液を希釈水によって十分に希釈して排出することができる。したがって、撹拌槽を省略でき、その撹拌槽を省略した分、装置サイズを従来の基板処理装置よりも縮小することができる。
また、廃液配管の途中部に介装されたポンプの作用によって、廃液が廃液配管を希釈水配管に向けて送液される構成であるから、上記構成の廃液処理機構を工場の廃液ユーティリティラインよりも低い位置に設けても、希釈水配管を流れる希釈水が廃液配管を逆流するおそれがない。よって、上記構成の排液処理機構を基板処理装置に適用することにより、アスピレータユニットを備えた廃液処理機構を適用した場合と比較して、基板処理装置の設計の自由度を増すことができる。
【００１８】
請求項３記載の発明は、上記希釈水配管の途中部に介装されて、上記希釈水配管を流通してくる希釈水と上記廃液配管から上記希釈水配管に流入して希釈水に合流した廃液とを撹拌して混合させるための撹拌手段（８７）をさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載の廃液処理機構である。
この発明によれば、希釈水と廃液とを十分に混合させて排出できるから、希釈水配管から工場の廃液ユーティリティラインなどに排出された後に、希釈水と廃液との反応による大きな反応熱が生成されるのを防止することができる。
【００１９】
なお、上記温度センサおよび濃度センサは、上記希釈水配管における流体流通方向に関して、上記撹拌手段よりも下流側に設けられていることが好ましい。これにより、希釈水配管を流通する流体の温度および濃度を、それぞれ温度センサおよび濃度センサによって正確に検出することができる。
請求項４記載の発明は、処理液を貯留しておくための処理液タンク（６）と、この処理液タンクに貯留されている処理液を処理対象の基板に供給するための処理液供給手段（３，５，５２，５３）と、上記処理液タンクに貯留されている処理液を廃棄する際に、その廃棄される処理液を処理するための請求項１ないし３のいずれかに記載の廃液処理機構（８）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【００２０】
この発明によれば、請求項１ないし３のいずれかに記載の廃液処理機構が適用されることにより、従来の基板処理装置に比べて、装置サイズを小型化することができ、また、設計の自由度を増すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。この基板処理装置は、基板の一例であるシリコン半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）に処理液を供給して、そのウエハＷの表面に処理液による処理を施すための枚様式の装置であって、隔壁で区画された処理室１内に、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック２と、このスピンチャック２に保持されたウエハＷの表面（上面）に処理液を供給するためのノズル３とを備えている。
【００２２】
スピンチャック２には、たとえば、複数個の挟持部材２１でウエハＷを挟持することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持し、さらにその状態でほぼ鉛直な軸線まわりに回転することによって、その保持したウエハＷをほぼ水平な姿勢を保ったまま回転させることができる構成のものが採用されている。このスピンチャック２によってウエハＷが回転されつつ、その回転しているウエハＷの表面にノズル３から処理液が供給されることにより、ウエハＷの表面の全域に処理液が行き渡って、ウエハＷの表面に対する処理液を用いた処理が達成される。
【００２３】
ウエハＷに対する処理は、処理液を用いた処理であれば、たとえば、ウエハＷの表面に洗浄液を供給して、そのウエハＷの表面からパーティクルや各種金属不純物などの不要物を除去する洗浄処理であってもよいし、ウエハＷの表面に酸化処理液を供給して、そのウエハＷの表面に酸化膜を形成させる酸化処理であってもよい。あるいは、ウエハＷの表面にＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）などのレジスト剥離液を供給して、そのウエハＷの表面から不要となったレジスト膜を除去するレジスト剥離処理であってもよいし、ウエハＷの表面にポリマー除去液を供給して、ウエハＷの表面のポリマー（レジスト残渣）を除去するポリマー除去処理であってもよい。
【００２４】
また、スピンチャック２としては、上記のような構成のものに限らず、たとえば、ウエハＷの下面を真空吸着することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持し、さらにその状態でほぼ鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
ノズル３には、処理室１とは別置の処理液キャビネット４から処理室１内に導入された処理液配管５から処理液が供給されるようになっている。処理液キャビネット４には、処理液を貯留している処理液タンク６が備えられており、処理液配管５は、その処理液タンク６から延びている。処理液配管５の途中部には、処理液タンク６側から順に、温度調節用ヒータ５１、ポンプ５２および処理液供給バルブ５３が介装されている。温度調節用ヒータ５１は、ポンプ５２の作用によって処理液タンク６から汲み出される処理液の温度を処理に適した一定温度に調節するためのものである。また、処理液配管５には、ポンプ５２と処理液供給バルブ５３との間の分岐点Ｊにおいて、処理液帰還配管７が分岐接続されている。処理液帰還配管７の先端は、処理液タンク６に挿入されており、処理液帰還配管７の途中部には、処理液帰還バルブ７１が介装されている。
【００２５】
装置運転中は、温度調節用ヒータ５１およびポンプ５２が常に駆動されており、ウエハＷの表面に温調液による処理を施すべき時には、処理液帰還バルブ７１が閉じられ、処理液供給バルブ５３が開かれて、処理液配管５を流れる処理液（一定温度に調節された処理液）がノズル３へと供給される。一方、ウエハＷの処理を行わない時（ウエハＷの表面への処理液の供給を行わない時）には、処理液供給バルブ５３が閉じられ、処理液帰還バルブ７１が開かれて、処理液配管５を流れる処理液が分岐点Ｊから処理液帰還配管７を通して処理液タンク６に戻される。これにより、ウエハＷの処理を行わない時には、処理液タンク６、処理液配管５および処理液帰還路７からなる処理液循環路を処理液が循環することになる。こうして処理液を循環させておくことによって、一定温度に温度調節された処理液を処理液タンク６に貯留しておくことができ、処理液供給バルブ５３の開成後、速やかに、その一定温度に温度調節された処理液をノズル３に供給することができる。
【００２６】
また、処理液キャビネット４には、故障時や処理液タンク６の清掃時などに、処理液タンク６に貯留されている処理液を希釈および冷却して、この基板処理装置が設置された工場の廃液ユーティリティラインに排出するための廃液処理機構８が備えられている。
図２は、廃液処理機構８の構成を示す図である。廃液処理機構８は、処理液タンク６から廃棄すべき処理液（廃液）を導出するための廃液配管８１と、廃液を希釈および冷却するための希釈水が流通する希釈水配管８２とを備え、廃液配管８１の先端が希釈水配管８２の途中部にＴ字接続された配管構成を有している。
【００２７】
廃液配管８１の途中部には、処理液タンク６側から順に、エア弁からなる廃液バルブ８３と、処理液タンク６から廃液を吸い出して圧送するためのポンプ８４と、希釈水配管８２から処理液タンク６側への廃液および希釈水の逆流を阻止するための逆止弁８５とが介装されている。
一方、希釈水配管８２の途中部には、廃液配管８１の接続点よりも上流側に、エア弁からなる希釈水バルブ８６が介装され、廃液配管８１の接続点よりも下流側に、廃液と希釈水とを攪拌して十分に混合させるための撹拌フィン付流通管８７と、この撹拌フィン付流通管８７を通過後の流体（希釈廃液）の液温を検出するためのポンプ制御用温度センサ８８および警報用温度センサ８９とが、希釈水配管８２における流体流通方向に順に介装されている。
【００２８】
撹拌フィン付流通管８７は、管部材内に、それぞれ液体流通方向を軸にほぼ１８０度のねじれを加えた長方形板状体からなる複数の撹拌フィンを、液体流通方向に沿う管中心軸まわりの回転角度を９０度ずつ交互に異ならせて配置した構成のものであり、たとえば、株式会社ノリタケカンパニーリミテド・アドバンス電気工業株式会社製の商品名「ＭＸシリーズ：インラインミキサー」を用いることができる。
【００２９】
また、この基板処理装置には、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置９が備えられている。制御装置９には、ポンプ制御用温度センサ８８および警報用温度センサ８９の検出信号が入力されるようになっている。制御装置９は、そのポンプ制御用温度センサ８８からの入力信号に基づいて、廃液バルブ８３および希釈水バルブ８６の開閉ならびにポンプ８４の駆動を制御し、また、警報用温度センサ８９からの入力信号に基づいて、希釈水配管８２を流れる流体（撹拌フィン付流通管８７を通過後の希釈廃液）の液温が予め定める警報温度以上になると、その旨の警報を出力するための警報出力器（図示せず）を作動させる。
【００３０】
より具体的には、処理液タンク６に貯留されている処理液を廃棄する際、制御装置９は、廃液バルブ８３および希釈水バルブ８６を開成させ、その状態でポンプ８４を駆動させる。希釈水バルブ８６が開成されると、希釈水配管８２を廃液ユーティリティラインに向けて希釈水が流れる。また、廃液バルブ８３が開成された状態でポンプ８４が駆動されることにより、処理液タンク６から廃液配管８１に廃液が吸い出され、その吸い出された廃液が廃液配管８１を希釈水配管８２に向けて流れる。廃液配管８１を流れる廃液は、希釈水配管８２を流れる希釈水に合流して、さらに希釈水配管８２を廃液ユーティリティラインに向けて流れる。この途中で、希釈水および廃液配管８１からの廃液は、撹拌フィン付流通管８７を通過し、撹拌フィン付流通管８７で攪拌されて十分に混ざり合った希釈廃液となる。
【００３１】
この希釈廃液の液温がポンプ制御用温度センサ８８によって検出され、これに基づいて、制御装置９は、希釈廃液の液温が予め設定された温度（たとえば、４０℃）以下となるようにポンプ８４の駆動を制御する。たとえば、ポンプ制御用温度センサ８８によって検出される希釈廃液の液温が設定温度を超えると、ポンプ８４の駆動が停止されて、処理液タンク６からの廃液の導出が中断され、その後、ポンプ制御用温度センサ８８によって検出される希釈廃液の液温が設定温度以下に低下すると、ポンプ８４の駆動が再開されて、処理液タンク６からの廃液の導出が再開される。これにより、希釈水配管８２から廃液ユーティリティラインに排出される希釈廃液は、その液温が確実に設定温度以下に保たれる。
【００３２】
以上のように、この実施形態によれば、従来の廃液処理機構に必要であった攪拌槽（図３参照）を用いずに、処理液タンク６に貯留されている廃液を、希釈水によって十分に希釈および冷却して排出することができる。したがって、撹拌槽を省略でき、その撹拌槽を省略した分、装置サイズを従来の基板処理装置よりも縮小することができる。
また、廃液配管８１の途中部に介装されたポンプ８４の作用によって、処理液タンク６からの廃液が廃液配管８１を希釈水配管８２に向けて圧送されるから、ポンプ８４の駆動中に、希釈水配管８２を流れる希釈水が廃液配管８１を処理液タンク６に向けて逆流するおそれはない。また、ポンプ８４の駆動を停止させても、廃液配管８１には、そのポンプ８４の廃液流通方向下流側に逆止弁８５が介装されているから、希釈水配管８２を流れる希釈水が廃液配管８１を処理液タンク６に向けて逆流するおそれはない。よって、廃液処理機構８を工場の廃液ユーティリティラインよりも低い位置に設けても、希釈水配管８２を流れる希釈水が廃液配管８１を逆流するおそれがないから、アスピレータユニットを備えた廃液処理機構を適用した場合と比較して、基板処理装置の設計の自由度を増すことができる。
【００３３】
さらに、希釈水配管８２を流れる希釈廃液の液温に基づいてポンプ８４の駆動が制御されることにより、処理液タンク６から排出される廃液（ウエハＷの処理に用いられる処理液）が濃硫酸のように水との混合比率によって発熱量が変化するような処理液であっても、その廃液の濃度および温度にかかわらず、廃液ユーティリティラインに排出される希釈廃液の液温を予め設定された温度以下に抑えることができる。
【００３４】
さらにまた、希釈水配管８２の途中部に撹拌フィン付流通管８７が介装されていて、この撹拌フィン付流通管８７によって、希釈水配管８２を流れる希釈水とこの希釈水に廃液配管８１から合流した廃液とを十分に混合させて排出できるから、希釈水配管８２から工場の廃液ユーティリティラインなどに排出された後に、希釈水と廃液との反応による大きな反応熱が生成されるのを防止することができる。
【００３５】
なお、この実施形態では、ポンプ制御用温度センサ８８によって検出される希釈廃液の液温に基づいてポンプ８４の駆動がオン／オフされるとしたが、たとえば、ポンプ制御用温度センサ８８によって検出される希釈廃液の液温に基づいて、制御装置９によってポンプ８４の送液能力（エア駆動されるエアードポンプの場合には、駆動エアーの流量、モータ駆動される羽根車式ポンプの場合には、モータの回転速度）を制御することにより、希釈水配管８２から廃液ユーティリティラインに排出される希釈廃液の液温が予め設定された温度以下に保持されるようにしてもよい。
【００３６】
また、ポンプ制御用温度センサ８８に代えて、希釈水配管８２から廃液ユーティリティラインに排出される希釈廃液の濃度（希釈廃液中に含まれる処理液成分の量）を検出するための濃度センサを設けて、この濃度センサの出力に基づいて、制御装置９によってポンプ８４の駆動が制御されるようにしてもよい。また、希釈水配管８２の希釈水バルブ８６よりも上流側に８５と同様の逆止弁を介装し、希釈水配管８２の上流側への廃液および希釈水の逆流を阻止するようにしてもよい。
【００３７】
以上、この発明の実施形態を説明したが、この発明は、上記の実施形態以外の形態で実施することも可能である。たとえば、上記の実施形態では、ウエハＷを１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置の廃液処理機構を取り上げたが、この発明は、処理液が貯留された処理槽内に複数枚のウエハＷを一括して浸漬させることにより、複数枚のウエハＷを一括して処理するバッチ式の基板処理装置に備えられて、処理槽またはこの処理槽に供給するための処理液を貯留した処理液タンクからの廃液を処理するための廃液処理機構に適用することもできる。
【００３８】
また、基板処理装置による処理対象となる基板は、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの他の種類の基板であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。
【図２】廃液処理機構の構成を示す図である。
【図３】従来の廃液処理機構の構成を図解的に示す図である。
【図４】従来の廃液処理機構に備えられているアスピレータユニットの構成を示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
３      ノズル
５      処理液配管
６      処理液タンク
８      廃液処理機構
９      制御装置
５２    ポンプ
５３    処理液供給バルブ
８１    廃液配管
８２    希釈水配管
８４    ポンプ
８７    撹拌フィン付流通管
８８    ポンプ制御用温度センサ
Ｗ      ウエハ
【図１】
2005103455.tif 000003
【図２】
2005103455.tif 000004
【図３】
2005103455.tif 000005
【図４】
2005103455.tif 000006