(57)【要約】【課題】  下記式（３）で示されるテトラキスフェノールエタン化合物を、高収率かつ高い生産効率で製造する方法を提供する。【解決手段】  式（１）で示されるジオキシエタン化合物と、式（２）で示されるフェノール類とを、酸触媒の存在下に反応させることを特徴とする、式（３）で示されるテトラキスフェノールエタン化合物の製造方法。【化１】2005298386.tif 000023（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲン原子等を、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシアルキル基等を、Ｒ９、Ｒ１０は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルコキシ基又は炭素数１〜２０のハロアルコキシ基等をそれぞれ表す。）【選択図】  なし。【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）
【化１】
2005298386.tif 000020
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルコキシ基又は炭素数１〜２０のハロアルコキシ基を表し、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数２〜２０のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２０のアルキルチオアルキル基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数２〜２０のハロアルキルカルボニル基、置換基を有していてもよいフェニルカルボニル基、炭素数１〜２０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜２０のハロアルキルスルホニル基、又は置換基を有していてもよいフェニルスルホニル基を表す。）で示されるジオキシエタン化合物と、式（２）
【化２】
2005298386.tif 000021
（式中、Ｒ９、Ｒ１０はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルコキシ基又は炭素数１〜２０のハロアルコキシ基を表す。）で示されるフェノール類とを、酸触媒の存在下に反応させることを特徴とする、式（３）
【化３】
2005298386.tif 000022
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ９及びＲ１０は前記と同じ意味を表す。）で示されるテトラキスフェノールエタン化合物の製造方法。
【請求項２】
前記式（１）で示されるジオキシエタン化合物と式（２）で示されるフェノール類とを、０〜４０℃で反応させることを特徴とする、請求項１に記載のテトラキスフェノールエタン化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ジオキシエタン化合物とフェノール類とを反応させることにより、１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン及びその類縁体（以下「テトラキスフェノールエタン化合物」という）を、高収率かつ高い生産効率で製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
テトラキスフェノールエタン化合物は、耐熱用エポキシ樹脂製造用原料や、エポキシ樹脂用硬化剤、フォトレジスト関連の感光剤用バラスト剤、クレゾールノボラック樹脂改質剤、酸化防止剤等の原料として有用である。
【０００３】
また近年においては、テトラキスフェノールエタン化合物は、包接化合物のホスト化合物としても注目されており、多くの研究がなされている（特許文献１〜３等）。
包接化合物は、選択的分離、化学的安定化、不揮発化、粉末化等の多くの分野での応用が期待されており、高純度のテトラキスフェノールエタン化合物を、収率よく、高い生産効率で製造する技術の開発が求められている。また、種々のゲスト化合物を、その種類・大きさ等に応じて包接するために、多くのデザインのホスト化合物の開発も要望されている。
【０００４】
従来、テトラキスフェノールエタン化合物の製造方法としては、フェノール類とグリオキザール又はグリオキザール誘導体とを反応させる方法が知られている。
例えば、（ア）フェノール類とグリオキザール又はグリオキザール誘導体とを、反応系の水分を２重量％以下に保持した状態で縮合反応をさせる方法（特許文献４）、
（イ）フェノール類とグリオキザール又はグリオキザール誘導体とを、無溶媒、又は水若しくは有機溶媒中、−１０〜１０℃の低温下で、硫酸とリン酸の混合酸触媒存在下に縮合させる方法（特許文献５）、
（ウ）フェノール類とグリオキザール又はグリオキザール誘導体とを、酸性触媒の存在下に縮合させた後、揮発成分を留去させ、残留物を特定の溶媒で処理する方法（特許文献６）、
（エ）フェノール類とグリオキザール又はグリオキザール誘導体とを、特定量のアセトン共存下、特定の温度で反応させる方法（特許文献７）、等が挙げられる。
【０００５】
しかしながら、上記（ア）の方法は、低分子化合物、高次縮合物、構造異性体等の副生成物が大量に生成し、目的物を単離することが非常に困難である為、好ましいものとはいえない。（イ）〜（エ）の方法は、より高純度のテトラキスフェノールエタン化合物を収率よく製造する方法として提案されたものであるが、いずれの方法においても、高純度のテトラキスフェノールエタン化合物を、充分に満足できる収率及び生産効率で製造することができなかった。
【０００６】
また、上記（ア）〜（エ）の方法では、例えば、１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタンのように、４つの置換フェニル基が同じであるテトラキスフェノールエタン化合物以外は、製造することが困難である。
したがって、テトラキスフェノールエタン化合物を、高収率、かつ高い生産効率で製造する方法の開発が要望されていた。
【０００７】
【特許文献１】特開平５−４９７８号公報
【特許文献２】特開平８−５３３０４号公報
【特許文献３】特開平８−２０８５４９号公報
【特許文献４】特開昭６３−２２３０２０号公報
【特許文献５】特開平７−７６５３８号公報
【特許文献６】特開平７−１７３０８９号公報
【特許文献７】特開平１０−８７５３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記した実情に鑑みてなされたものであり、テトラキスフェノールエタン化合物を、高収率かつ高い生産効率で製造する方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、下記の式（１）で示されるジオキシエタン化合物と式（２）で示されるフェノール類とを、酸触媒の存在下に反応させることにより、テトラキスフェノールエタン化合物を、高収率かつ高い生産効率で得ることができることを見出し、本発明を完成するに到った。
【００１０】
かくして本発明によれば、式（１）
【００１１】
【化１】
2005298386.tif 000002
【００１２】
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルコキシ基又は炭素数１〜２０のハロアルコキシ基を表し、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数２〜２０のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２０のアルキルチオアルキル基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数２〜２０のハロアルキルカルボニル基、置換基を有していてもよいフェニルカルボニル基、炭素数１〜２０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜２０のハロアルキルスルホニル基、又は置換基を有していてもよいフェニルスルホニル基を表す。）で示されるジオキシエタン化合物と、式（２）
【００１３】
【化２】
2005298386.tif 000003
【００１４】
（式中、Ｒ９、Ｒ１０はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルコキシ基又は炭素数１〜２０のハロアルコキシ基を表す。）で示されるフェノール類とを、酸触媒の存在下に反応させることを特徴とする、式（３）
【００１５】
【化３】
2005298386.tif 000004
【００１６】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ９及びＲ１０は前記と同じ意味を表す。）で示されるテトラキスフェノールエタン化合物の製造方法が提供される。
【００１７】
本発明のテトラキスフェノールエタン化合物の製造方法においては、前記式（１）で示されるジオキシエタン化合物と式（２）で示されるフェノール類とを、０〜４０℃で反応させることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、高純度のテトラキスフェノールエタン化合物を、高収率、かつ高い生産効率で製造することができる。
また本発明によれば、従来製造が困難であった２種類以上の置換フェニル基を有するテトラキスフェノールエタン化合物を、簡便な方法により、収率よく製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明のテトラキスフェノールエタン化合物の製造方法について、詳細に説明する。
本発明のテトラキスフェノールエタン化合物の製造方法は、前記式（１）で表されるジオキシエタン化合物と前記式（２）で表されるフェノール類とを、酸触媒の存在下に反応させることを特徴とする。
【００２０】
（ジオキシエタン化合物）
本発明に用いるジオキシエタン化合物は、前記式（１）で表される化合物である。
式（１）中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６はそれぞれ独立して、水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基等の炭素数１〜２０のアルキル基；クロロメチル基、フルオロメチル基、ブロモメチル基、ジクロロメチル基、ジフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等の炭素数１〜２０のハロアルキル基；フェニル基、２−クロロフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基等の置換基を有していてもよいフェニル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜２０のアルコキシ基；又は、クロロメトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基等の炭素数１〜２０のハロアルコキシ基；を表す。
【００２１】
Ｒ２、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ独立して、水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基等の炭素数１〜２０のアルキル基；クロロメチル基、フルオロメチル基、ブロモメチル基、ジクロロメチル基、ジフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等の炭素数１〜２０のハロアルキル基；メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ブトキシメチル基、ｔ−ブトキシメチル基、２−メトキシエチル基、１−メトキシエチル基、２−エトキシエチル基、１−エトキシエチル基、２−プロポキシエチル基、３−メトキシプロピル基等の炭素数２〜２０のアルコキシアルキル基；
【００２２】
メチルチオメチル基、エチルチオメチル基、プロピルチオメチル基、イソプロピルチオメチル基、ブチルチオメチル基、ｔ−ブチルチオメチル基、２−メチルチオエチル基、１−メチルチオエチル基、２−エチルチオエチル基、１−エチルチオエチル基、２−プロポキシエチル基、３−メチルチオプロピル基等の炭素数２〜２０のアルキルチオアルキル基；ベンジル基、４−メチルベンジル基、２−クロロベンジル基、α−メチルベンジル基、２−フェニルエチル基、３−フェニルプロピル基等の炭素数７〜２０のアラルキル基；アセチル基、プロピオニル基、プロピルカルボニル基、イソプロピルカルボニル基、ブチルカルボニル基、ピバロイル基等の炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基；
【００２３】
クロロアセチル基、トリクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、２，２，２−トリフルオロプロピオニル基、ペンタフルオロプロピオニル基等の炭素数２〜２０のハロアルキルカルボニル基；ベンゾイル基、２−クロロベンゾイル基、４−メチルベンゾイル基、２，４−ジフルオロベンゾイル基、３，５−ジメトキシベンゾイル基、２，４，６−トリメチルベンゾイル基等の置換基を有していてもよいフェニルカルボニル基；メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ブチルスルホニル基、ｔ−ブチルスルホニル基等の炭素数１〜２０のアルキルスルホニル基；
【００２４】
トリフルオロメチルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基等の炭素数１〜２０のハロアルキルスルホニル基；又は、フェニルスルホニル基、２−クロロフェニルスルホニル基、４−メチルフェニルスルホニル基、２，４−ジフルオロフェニルスルホニル基、３，５−ジメトキシフェニルスルホニル基、２，４，６−トリメチルフェニルスルホニル基等の置換基を有していてもよいフェニルスルホニル基；を表す。
【００２５】
式（１）で表される化合物の具体例としては、
１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジトリフルオロメチルフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメトキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン、１，２−ビス〔４−ヒドロキシ−３，５−ジ（トリフルオロメトキシ）フェニル〕−１，２−ジヒドロキシエタン、
【００２６】
１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ジメトキシエタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ジアセトキシエタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ジ（ベンゾイルオキシ）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ジ（メチルスルホニルオキシ）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ジ（フェニルスルホニルオキシ）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ジ（ｐ−メチルフェニルスルホニルオキシ）エタン、
【００２７】
１，２−ビス（４−メトキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン、１，２−ビス（４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン、１，２−ビス（４−メトキシ−３，５−ジトリフルオロメチルフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン、１，２−ビス（４−メトキシ−３，５−ジクロロフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン、１，２−ビス（３，４，５−トリメトキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン、１，２−ビス（４−メトキシ−３，５−ジトリフルオロメトキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン、１，２−ビス（４−メトキシメトキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン、１，２−ビス（４−メチルチオメトキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン、１，２−ビス（４−ベンジルオキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン、
【００２８】
１，２−ビス（４−メトキシフェニル）−１，２−ジメトキシエタン、１，２−ビス（４−メトキシフェニル）−１，２−ジアセトキシエタン、１，２−ビス（４−メトキシフェニル）−１，２−ジベンゾイルオキシエタン、１，２−ビス（４−メトキシフェニル）−１，２−ジメチルスルホニルオキシエタン、１，２−ビス（４−メトキシフェニル）−１，２−ジフェニルスルホニルオキシエタン、等が挙げられる。
これらの中でも、式（１）で表される化合物としては、Ｒ２及びＲ５がともに水素原子であるものが好ましい。
【００２９】
式（１）で表されるジオキシエタン化合物は、例えば、次の（ｉ）〜（vi）に示す方法により製造することができる。
（i）ベンゾイン化合物を還元する方法
【００３０】
【化４】
2005298386.tif 000005
【００３１】
前記式（１）で表される化合物のうち、Ｒ７及びＲ８が水素原子である化合物（１−１）は、式（４）で表されるベンゾイン化合物のカルボニル基を還元剤により還元することにより製造することができる。
【００３２】
用いる還元剤としては、カルボニル基を還元して水酸基に変換できるものであれば特に制限されない。例えば、水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ４）、リチウムアルミニウムハイドライド（ＬｉＡｌＨ４）、ジイソブチルアルミニウムハイドライド〔（ｉ−Ｂｕ）２ＡｌＨ〕等が挙げられる。
【００３３】
出発原料である式（４）で表されるベンゾイン化合物は、後述する式（５）で表される芳香族アルデヒドをベンゾイン縮合することにより製造することができる。
(ii)芳香族アルデヒドを還元的二量化する方法
【００３４】
【化５】
2005298386.tif 000006
【００３５】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は前記と同じ意味を表す。）
前記式（１）で表される化合物のうち、Ｒ７及びＲ８が水素原子である化合物（１−１’）は、式（５）で表される芳香族アルデヒドを還元的二量化することによって製造することができる。
【００３６】
すなわち、式（５）で表される芳香族アルデヒドに、水酸化カリウム等の塩基の存在下、金属アルミニウムを反応させるか、あるいはヨウ化サマリウムを反応させることにより、目的とする式（１−１）で表される化合物を製造することができる（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｐｅｒｋｉｎ  Ｔｒａｎｓ．，１，２２１３−２２１５（１９９６）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．，７６５−７６６（１９８３）等参照）。
(iii)式（１−１）で表される化合物をＯ−アルキル化する方法
【００３７】
【化６】
2005298386.tif 000007
【００３８】
（式中、Ｒ１〜Ｒ６は前記と同じ意味を表し、Ｒａは、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のハロアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルチオアルキル基、炭素数７〜２０のアラルキル基を表し、Ｘはハロゲン原子等の脱離基を表す。）
【００３９】
前記式（１）で表される化合物のうち、Ｒ７及びＲ８が炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のハロアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルチオアルキル基、炭素数７〜２０のアラルキル基である化合物（１−２）は、式（１−１）で表される化合物をＯ−アルキル化することによって製造することができる。
【００４０】
すなわち、式（１−１）で表される化合物に、塩基の存在下、式：Ｒａ−Ｘで表される化合物を反応させることにより、式（１−２）で表される化合物を得ることができる。
【００４１】
ここで用いる塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物；水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム等の炭酸塩；水素化ナトリウム、水素化カルシウム等の水素化物；ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシド、マグネシウムメトキシド等の金属アルコキシド；トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、１，４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ[５，４，０]−７−ウンデセン等の有機塩基が挙げられる。
（iv）式（１−１）で表される化合物をＯ−アシル化する方法
【００４２】
【化７】
2005298386.tif 000008
【００４３】
（式中、Ｒ１〜Ｒ６及びＸは前記と同じ意味を表し、Ｒｂは、炭素数２〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のハロアルキル基、又は置換基を有していてもよいフェニル基を表す。
【００４４】
前記式（１）で表される化合物のうち、Ｒ７及びＲ８が炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数２〜２０のハロアルキルカルボニル基、又は置換基を有していてもよいフェニルカルボニル基である化合物（１−３）は、式（１−１）で表される化合物をＯ−アシル化することによって製造することができる。
【００４５】
すなわち、式（１−１）で表される化合物に、塩基の存在下、式：ＲｂＣＯＸで表される酸ハライド、又は式：（ＲｂＣＯ）２Ｏで表される酸無水物を反応させることにより、式（１−３）で表される化合物を得ることができる。
ここで用いる塩基としては、前記（iii）の方法で用いることができる塩基として列記したものと同様のものが挙げられる。
（ｖ）式（１−１）で表される化合物をＯ−スルホニル化する方法
【００４６】
【化８】
2005298386.tif 000009
【００４７】
（式中、Ｒ１〜Ｒ６及びＸは前記と同じ意味を表し、Ｒｃは、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基を表す。
【００４８】
前記式（１）で表される化合物のうち、Ｒ７及びＲ８が炭素数１〜２０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜２０のハロアルキルスルホニル基、又は置換基を有していてもよいフェニルスルホニル基である化合物（１−４）は、式（１−１）で表される化合物をＯ−スルホニル化することによって製造することができる。
【００４９】
すなわち、式（１−１）で表される化合物に、塩基の存在下、式：ＲｃＳＯ２Ｘで表されるスルホニルハライド化合物、又は式：（ＲｃＳＯ２）２Ｏで表されるスルホン酸無水物を反応させることにより、式（１−４）で表される化合物を得ることができる。
ここで用いる塩基としては、前記（iii）の方法で用いることができる塩基として列記したものと同様のものが挙げられる。
【００５０】
(vi)その他の方法
また、式（１）で表される化合物のうち、Ｒ２及びＲ５が水素原子ではない化合物（１−１”）を、公知の水酸基の脱保護反応により、式（１−５）で表される化合物に誘導することもできる（下記反応式）。
【００５１】
【化９】
2005298386.tif 000010
【００５２】
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４及びＲ６は前記と同じ意味を表し、Ｒ２’、Ｒ５’は、水素原子を除く、前記Ｒ２、Ｒ５と同じ意味をそれぞれ表す。）
【００５３】
水酸基の脱保護反応としては特に制限されず，水酸基の保護基を脱保護して水酸基に誘導する公知の方法が使用できる。
例えば、式（１−１”）において、Ｒ２’、Ｒ５’が炭素数１〜２０のアルキル基である化合物等の場合には、このものを、ＢＢｒ３、塩化ピリジル、ＡｌＣｌ３等で処理することにより式（１−５）で表される化合物に誘導することができる。
【００５４】
また、式（１−１”）において、Ｒ２’、Ｒ５’が炭素数１〜２０のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数２〜２０のハロアルキルカルボニル基、置換基を有していてもよいフェニルカルボニル基、炭素数１〜２０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜２０のハロアルキルスルホニル基、又は置換基を有していてもよいフェニルスルホニル基である化合物等の場合には、このものを、酸又は塩基の存在下に加水分解することにより、式（１−５）で表される化合物に誘導することができる。
【００５５】
前記（ｉ）〜（vi）の方法における各反応は、反応に不活性な溶媒中で行うことができる。用いる溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール等のアルコール類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン等のエーテル類；ベンゼン、トルエン等の芳香族類；塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化アルキル類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；及びこれらの２種以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。
【００５６】
上記（ｉ）〜（vi）のいずれの方法においても、反応終了後は通常の有機合成化学で用いる分離・精製操作により、目的物を単離することができる。
【００５７】
（フェノール類）
本発明に用いるフェノール類は、前記式（２）で表される化合物である。
式（２）中、Ｒ９、Ｒ１０はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルコキシ基又は炭素数１〜２０のハロアルコキシ基を表す。
【００５８】
前記Ｒ９及びＲ１０の炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルコキシ基又は炭素数１〜２０のハロアルコキシ基としては、式（１）において、前記Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６の炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルコキシ基及び炭素数１〜２０のハロアルコキシ基として例示したものと同様のものが挙げられる。
【００５９】
用いるフェノール類としては、フェノール、２−メチルフェノール、２，６−ジメチルフェノール、２−エチルフェノール等の炭素数１〜１０のアルキル基置換フェノール；２−トリフルオロメチルフェノール、２，６−ジトリフルオロメチルフェノール等の炭素数１〜１０のハロアルキル基置換フェノール；２−フェニルフェノール、２，６−ジフェニルフェノール等の置換基を有していてもよいフェニル基置換フェノール；２−フルオロフェノール、２，６−ジフルオロフェノール、２−クロロフェノール、２，６−ジクロロフェノール、２−ブロモフェノール、２，６−ジブロモフェノール等のハロゲン原子置換フェノール；２−メトキシフェノール、６−メトキシフェノール、２，６−ジメトキシフェノール等の炭素数１〜１０のアルコキシ基置換フェノール；２−トリフルオロメトキシフェノール等の炭素数１〜１０のハロアルコキシ基置換フェノール；等が挙げられる。これらの中でも、フェノールが特に好ましい。
【００６０】
フェノール類の使用量は、式（１）で示されるジオキシエタン化合物に対して、２〜４５モル、好ましくは、２〜１０モルである。フェノール類の使用量をこの範囲に設定することにより、目的とする式（３）で表されるテトラキスフェノールエタン化合物を収率よく製造することができる。
【００６１】
（酸触媒）
本発明に用いる酸触媒としては、ジオキシエタン化合物とフェノール類との反応を触媒して、テトラキスフェノールエタン化合物を与える酸性物質であれば、特に制限されない。例えば、無機酸、有機酸、酸性イオン交換樹脂、ヘテロポリ酸、希土類元素を含む酸等が挙げられる。
【００６２】
無機酸としては、硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸等が挙げられる。
有機酸としては、酢酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等が挙げられる。
【００６３】
酸性イオン交換樹脂は、微細な三次元網目構造の高分子基体に酸性のイオン交換基を有する不溶性で多孔質の合成樹脂からなり、一般的に陽イオン交換樹脂と称されるものである。酸性イオン交換樹脂としては、イオン交換基としてスルホン酸基またはカルボン酸基を有し、イオン交換基が結合する高分子基体として、フェノールとホルムアルデヒドを縮重合させて得られる高分子基体や、スチレンまたはハロゲン化スチレンとジビニルベンゼンとの共重合体基体を有するものが挙げられる。
【００６４】
ヘテロポリ酸は、遷移金属のオキソ酸を酸性水溶液中で、ヘテロ原子のイオンと脱水縮合させて得られる３元系の縮合オキソ酸である。ヘテロポリ酸の配位構造は、ケギン構造、ドーソン構造、アンダーソン構造等が代表的であるが、これらに限定されない。
ヘテロポリ酸の具体例としては、ウンデカタングストリン酸、ウンデカタングスト二コバルト(II)酸、ウンデカタングストコバルト（III）酸，ドデカモリブドケイ酸、ドデカモリブドリン酸、ドデカタングストケイ酸、ドデカタングストリン酸、オクタデカモリブド二リン酸、オクタデカモリブド二ヒ酸、オクタデカタングスト二リン酸、オクタデカタングスト二ヒ酸等が挙げられる。
【００６５】
希土類元素を含むルイス酸としては、スカンジウムメタンスルホネート、イットリウムメタンスルホネート、ランタンメタンスルホネート、セリウムメタンスルホネート、プラセオジムメタンスルホネート、ネオジムメタンスルホネート等の希土類元素のメタンスルホン酸塩；スカンジウムトリフルオロメタンスルホネート、イットリウムトリフルオロメタンスルホネート、ランタントリフルオロメタンスルホネート、セリウムトリフルオロメタンスルホネート、プラセオジムトリフルオロメタンスルホネート、ネオジムトリフルオロメタンスルホネート等の希土類元素のトリフルオロメタンスルホン酸塩；スカンジウムｐ−トルエンスルホネート、イットリウムｐ−トルエンスルホネート、ランタンｐ−トルエンスルホネート、セリウムｐ−トルエンスルホネート、プラセオジムｐ−トルエンスルホネート、ネオジム、ｐ−トルエンスルホネート等の希土類元素のｐ−トルエンスルホン酸塩；フッ化スカンジウム、フッ化イットリウム、フッ化ランタン、フッ化セリウム、塩化スカンジウム、塩化イットリウム、塩化ランタン、塩化セリウム等の希土類元素のハロゲン化物；等が挙げられる。
これらの酸触媒は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６６】
これらの中でも、目的とする式（３）で表されるテトラキスフェノールエタン化合物を高収率で得ることができる点から、無機酸の使用が好ましく、硫酸の使用がより好ましい。また、酸性イオン交換樹脂、ヘテロポリ酸及び希土類元素を含むルイス酸を使用する場合には、これらの酸触媒は、使用後、回収し、通常の再生処理を行うことにより、繰り返し使用することができ、経済的である。
【００６７】
酸触媒の使用量は、特に限定されないが、式（１）で示されるジオキシエタン化合物１モルに対して、好ましくは０．１〜３モルである。酸触媒の使用量をこの範囲に設定することにより、目的とする式（３）で表されるテトラキスフェノールエタン化合物を収率よく製造ことができる。
【００６８】
（反応溶媒）
前記式（１）で表されるジオキシエタン化合物と式（２）で表されるフェノール類との反応は、適当な溶媒中で行うことができる。
用いることができる溶媒としては、水；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール等のアルコール類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル類；ニトロメタン、ニトロエタン、ニトロプロパン、ニトロブタン等のニトロアルカン類；アセトニトリル等のニトリル類；ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド等のスルホキシド類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化アルキル類；等が挙げられる。これらは１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６９】
これらの中でも、水、ケトン類、ニトロアルカン類、水とケトン類又はニトロアルカン類との混合溶媒の使用が好ましく、水とケトン類又はニトロアルカン類との混合溶媒の使用が特に好ましい。
【００７０】
式（１）で示されるジオキシエタン化合物とフェノール類を反応させる方法は、特に制限されない。例えば、
（ａ）ジオキシエタン化合物、フェノール類及び反応溶媒の混合物に酸触媒を添加し、得られた混合溶液を攪拌する方法、
（ｂ）ジオキシエタン化合物、酸触媒及び反応溶媒の混合物にフェノール類（又はフェノール類の溶媒溶液）を添加し、得られた混合溶液を攪拌する方法、
（ｃ）フェノール類、酸触媒及び反応溶媒の混合物にジオキシエタン化合物（又はジオキシエタン化合物の溶媒溶液）を添加し、得られた混合溶液を攪拌する方法、
（ｄ）ジオキシエタン化合物、フェノール類及び反応溶媒の混合物を固体酸触媒と接触させる方法、等が挙げられる。
【００７１】
なお、（ｂ）及び（ｃ）の方法で、ジオキシエタン化合物の溶媒溶液、フェノール類の溶媒溶液に用いる溶媒としては、前記反応溶媒として用いることができるものとして列記したものと同様のものが挙げられる。
【００７２】
本発明においては、前記（ａ）〜（ｄ）の中でも、収率良く目的物が得られることから、（ａ）の方法が特に好ましい。
【００７３】
前記（ａ）の方法を採用する場合、固体状の酸触媒を添加する場合には、反応溶媒、ジオキシエタン化合物及びフェノール類の混合物に、固体状の酸触媒の所定量を一度に添加してもよいし、複数回に分割して添加してもよい。
【００７４】
また、液体状の酸触媒を添加する場合、酸触媒はそのままの形で添加してもよいし、適当な不活性溶媒で希釈した形で添加してもよい。
【００７５】
さらに、液体状の酸触媒を添加する場合には、滴下装置等を使用して連続的に滴下することもできる。この場合、酸触媒の滴下速度は特に制約されないが、反応液の温度が０〜６０℃となるように、注意深く滴下することが好ましい。
【００７６】
例えば、酸触媒として濃硫酸を使用する場合には、酸触媒の滴下速度は、通常０．０１〜３グラム当量／ｈｒ、好ましくは０．１〜０．３グラム当量／ｈｒである。酸触媒の滴下速度が速すぎると、副生成物の生成が促進され、テトラキスフェノールエタン化合物の純度及び収率が低下する傾向にある。
【００７７】
前記式（１）で表されるジオキシエタン化合物と式（２）で表されるフェノール類との反応温度は、通常０〜６０℃、好ましくは０〜４０℃、より好ましくは１０〜４０℃である。この温度範囲において、副反応を少なくして、高純度のテトラキスフェノールエタン化合物を高収率で製造することができる。
【００７８】
前記式（１）で表されるジオキシエタン化合物と式（２）で表されるフェノール類との反応時間は、原料の反応性や反応条件に応じて適宜選択すればよいが、通常数分から７０時間、好ましくは１〜３０時間、より好ましくは３〜７時間である。
【００７９】
反応の終了は、例えば、反応液をサンプリングして、高速液体クロマトグラフィー、ガスクロマトグラフィー、薄層クロマトグラフィー等の公知の分析手段により、確認することができる。
【００８０】
反応終了後、反応液を塩基により中和処理することにより反応を停止させる。中和処理に用いる塩基としては特に制限はなく、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物；水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム等の炭酸塩；等が挙げられる。これらの中でも、製造コスト等の点から、水酸化ナトリウムが好ましい。これらは、固体、水溶液いずれの形態でも用いることができる。
【００８１】
塩基による中和後、反応混合物から、通常の分離・精製手段により、前記式（３）で表される化合物を単離することができる。
【００８２】
また、本発明においては、式（３）で表される化合物のうち、Ｒ２及びＲ５が水素原子ではない化合物（３−１）は、公知の方法（水酸基の脱保護反応）により、式（３−２）で表されるテトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン化合物に誘導することができる（下記反応式）。
【００８３】
【化１０】
2005298386.tif 000011
【００８４】
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ２’及びＲ５’は、前記と同じ意味を表す。）
【００８５】
水酸基の脱保護反応としては特に制限されず、前記(vi)で説明した方法と同様の、水酸基の保護基を脱保護して水酸基に誘導する公知の方法が採用できる。
【００８６】
以上のようにして、式（３）で表される化合物を製造することができる。
本発明によれば、式（３）で表されるテトラキスフェノールエタン化合物を、高収率、かつ高い生産効率で製造することができる。
本発明によれば、従来製造が困難であった、２種類以上の置換フェニル基を有するテトラキスフェノールエタン化合物を、簡便な方法により、収率よく製造することができる。
【００８７】
本発明の製造方法により得られるテトラキスフェノールエタン化合物は、包接化合物のホスト化合物、耐熱用エポキシ樹脂製造用原料、エポキシ樹脂用硬化剤、フォトレジスト関連の感光剤用バラスト剤、クレゾールノボラック樹脂改質剤、酸化防止剤等の原料として有用である。
【実施例】
【００８８】
次に実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
なお、反応生成物の分析は、高速液体クロマトグラフィー（型式：シマズＬＣ−１０、(株)島津製作所製、以下、「ＨＰＬＣ」と略す。）を用いて行った。
参考例１：４−メトキシメトキシベンズアルデヒドの製造
【００８９】
【化１１】
2005298386.tif 000012
【００９０】
４−ヒドロキシベンズアルデヒド（５）２５０．２ｇのアセトニトリル２リットル溶液に、炭酸カリウム３１１．３ｇを加えて室温で攪拌した。次いで、メトキシメチルクロリド１８１．３ｇを氷冷下に加えた。反応液を室温に昇温し、室温で８時間攪拌した。反応混合物をろ過して過剰な炭酸カリウムおよび塩化カリウムを除去し、得られたろ液を濃縮して、４−メトキシメトキシベンズアルデヒド（６）を３４５．１ｇ得た。
【００９１】
参考例２：１，２−ビス（４−メトキシメトキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタンの製造
【００９２】
【化１２】
2005298386.tif 000013
【００９３】
アルミニウム金属３３．２４ｇを３規定塩酸５０ｍｌで洗浄し、塩酸を除去した後に水５０ｍｌで洗浄した。メタノール５０ｍｌを加えた後、減圧濃縮して乾燥した。得られたアルミニウム金属にメタノール２００ｍｌを加えて攪拌した後、参考例１で得た４−メトキシメトキシベンズアルデヒド（６）１００．５ｇを加えた。この溶液に、水酸化カリウム２４０．０２ｇをメタノール８００ｍｌに溶解した溶液を１時間かけて滴下し、滴下終了後、室温で１時間半さらに攪拌した。反応中においては、反応液の内温が２０℃を越えないように調節した。
【００９４】
反応混合物をろ過して過剰なアルミニウムを除去した後、ろ液を濃縮した。得られた残留物に水３００ｍｌを加えて、ジクロロメタン３００ｍｌで抽出した。この操作を２回繰り返した。有機層を集め、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去して、１，２−ビス（４−メトキシメトキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン（７）９６．７１ｇをジアステレオマー混合物として得た。
【００９５】
参考例３：１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタンの製造
【００９６】
【化１３】
2005298386.tif 000014
【００９７】
参考例２で得た１，２−ビス（４−メトキシメトキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン（７）のジアステレオマー混合物９６．７１ｇにメタノール４００ｍｌを加えた。さらに１２規定塩酸１．５３ｇをメタノール５０ｍｌで希釈した溶液を加え、全容を５０℃にて５時間攪拌した。反応液を減圧濃縮し、得られた残留物に酢酸エチル３００ｍｌ及び水３００ｍｌを加えた。酢酸エチル層を分取し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去して、油状物を８１．９１ｇ得た。このものを、２−プロパノール２０ｍｌ−ヘキサン４０ｍｌ−クロロホルム１００ｍｌを用いて結晶化することにより、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン（８）の白色結晶２４．０６ｇをジアステレオマー混合物として得た。
【００９８】
実施例１：１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタンの製造
【００９９】
【化１４】
2005298386.tif 000015
【０１００】
参考例３で得た１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン（８）のジアステレオマー混合物５．００ｇに、アセトン３．００ｇ及びフェノール６．６９ｇを加えた。この混合物に、氷冷下、６７重量％の硫酸５．９５ｇを加え、内温を１５℃に保ちながら８時間攪拌した。一晩放置後、反応液にアセトン３．００ｇ、水３０ｍｌを加えた。得られた混合液に、氷冷下、２８重量％水酸化ナトリウム水溶液１５．７ｇを加えた。析出結晶をろ取して、アセトン：水＝１：２の溶液１２ｍｌで洗浄後、水１０ｇで水洗して、１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン（９）を白色結晶として６．２７ｇ得た。収率６５．８％（単離収率４８．５％）。得られた白色結晶は、純度６２．６％のアセトン包接体であった。
【０１０１】
参考例４：１，２−ビス（４−メトキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタンの製造
【０１０２】
【化１５】
2005298386.tif 000016
【０１０３】
アルミニウム金属１８．０１ｇを３規定塩酸２０ｍｌ、次いで、水２０ｍｌで洗浄し、メタノール２０ｍｌを加えた後、減圧濃縮して乾燥した。得られたアルミニウム金属にメタノール１００ｍｌを加えて攪拌した後、４−メトキシベンズアルデヒド（１０）を４５．００ｇ加えた。この溶液に、水酸化カリウム１３５．０６ｇをメタノール３００ｍｌに溶解した溶液を１時間かけて滴下し、室温で攪拌した。反応中においては、反応液の内温は２０℃を越えないように調節した。反応混合物をろ過して過剰なアルミニウムを除去した後、ろ液を濃縮した。得られた残留物に水３００ｍｌを加えて、ジクロロメタン３００ｍｌで抽出した。この操作を２回繰り返した。有機層にも水層にも溶解しない白色固体が生成していたので、これをろ過すると９．０４ｇの白色固体が得られた。これは単一のジアステレオマーである１，２−ビス（４−メトキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン（１１）であった。ろ液を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去し、未精製結晶を３８．９５ｇ得た。クロロホルム−ｎ−ヘキサンを用いて再結晶を行い、１，２−ビス（４−メトキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン（１ｑ）の白色結晶２１．３１ｇをジアステレオマー混合物として得た。
【０１０４】
実施例２  １，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ビス（４−メトキシフェニル）エタンの製造
【０１０５】
【化１６】
2005298386.tif 000017
【０１０６】
参考例４で得た１，２−ビス（４−メトキシフェニル）−１，２−ジヒドロキシエタン（１０）のジアステレオマー混合物１０．００ｇに、アセトン１１．００ｇ及びフェノール１７．２０ｇを加えた。この混合物に、氷冷下、９８ｗｔ％の硫酸４．１５ｇを加え、室温で７時間攪拌した。一晩放置後、アセトン６．００ｇ、水３０ｍｌを加え、氷冷下で２８ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液１１．４ｇを加えた。析出結晶をろ取して白色結晶を３．７０ｇ得た。ろ液をクロロホルム２００ｍｌで抽出した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥してクロロホルム溶液を得た。この溶液にｎ−ヘキサンを加えたところ固体が析出したので、これをろ過して、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ビス（４−メトキシフェニル）エタン（１２）の淡黄色結晶９．７５ｇを異性体混合物として得た。収率は７４．１％（単離収率６４．９％）であった。
【０１０７】
参考例５  １，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタンの製造
【０１０８】
【化１７】
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【０１０９】
実施例２で得た１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ビス（４−メトキシフェニル）エタン（１２）の異性体混合物０．６０ｇにジクロロメタン２０ｍｌを加え、室温で攪拌しながら１規定３臭化ホウ素（ＢＢｒ３）のジクロロメタン溶液５．０ｍｌを添加し、室温で２時間攪拌した。反応液を氷水に注加して、析出した淡黄色固体をろ過することにより、１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン（９）の結晶０．４０３ｇを得た。
【０１１０】
参考例６  １，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタンの製造
【０１１１】
【化１８】
2005298386.tif 000019
【０１１２】
ピリジン２０．０ｇに３５重量％塩酸２１．８ｇを氷冷下で加えて攪拌した。発熱が終わったところで過剰なピリジンを減圧留去した。１５０℃に加熱した油浴に２時間浸して水を蒸発させた。このものに、実施例２で得た１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ビス（４−メトキシフェニル）エタン（１２）の異性体混合物０．６０ｇを加え、１５０℃に加熱して４時間攪拌した。室温まで冷却した後、反応液に水２０ｍｌを加えた。淡黄色固体が析出したのでろ過し、１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン（９）の結晶０．４０ｇを得た。