(57)【要約】【課題】  １０ｎｍ以下の極狭な浮上量で磁気ヘッドを浮上飛行させても、サーマルアスペリティ障害やヘッドクラッシュ障害の発生を防止でき、かつ、記録再生障害（エラー）の発生を防止できる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法等を提供する。【解決手段】  保持手段に保持されたガラス基板を化学強化処理液に接触させることにより、ガラス基板を強化する化学強化工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、前記化学強化処理液を収納する化学強化処理槽の少なくとも処理液と接する壁面及び／又はガラス基板を保持する保持手段を、化学強化溶融塩に対する耐腐食性を有するＮｉを主成分とする金属材料（例えばＮｉＣｒＭｏ系合金など）で構成する。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持手段に保持されたガラス基板を化学強化溶融塩に接触させることにより、ガラス基板を強化する化学強化工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、前記化学強化溶融塩を収納する化学強化処理槽の少なくとも溶融塩と接する壁面及び／又は溶融塩と接するガラス基板を保持する保持手段を、化学強化溶融塩に対する耐腐食性を有するＮｉを主成分とする金属材料で構成することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記化学強化溶融塩を収納する化学強化処理槽の少なくとも溶融塩と接する壁面及び／又は溶融塩と接するガラス基板を保持する保持手段を、化学強化溶融塩に対する耐腐食性を有するＮｉを４０重量％以上含む金属材料で構成することを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記磁気ディスク用ガラス基板が磁気抵抗ヘッド用磁気ディスク用ガラス基板であることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記前記磁気ディスク用ガラス基板が、ロード・アンロード駆動方式の磁気ディスク用ガラス基板であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって得られたガラス基板上に少なくとも磁性層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）等の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスク用のガラス基板の製造方法並びに磁気ディスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報化社会の高度化に伴い、情報記録技術の進歩は著しい。情報記録デバイスとして最も高い記録密度を実現することができる装置の一つがＨＤＤである。ＨＤＤにおいては、１平方インチ当り３０ギガビット程度の記録密度が実現できるまでに到っており、情報記録デバイスの中でもとりわけ高い記録密度が実現可能となっている。１平方インチ当り３０ギガビットの記録密度が実現できると、例えば２．５インチ型（直径６５ｍｍ）の磁気ディスクに１５ギガバイト程度の情報を収納することが可能になる。
ＨＤＤにおいてこのような高記録密度が実現できる理由の一つは、極めて高度な工作精度で搭載部品が製造されている点が挙げられる。磁気ディスクの表面は１０ｎｍ程度の表面精度で精密に平滑化されており、この高度平滑性により、磁気ヘッドは２０ｎｍ程度の極狭な浮上量で飛行しても安全に記録再生ができるようになっている。
このような高度の平滑性を実現できる基板として磁気ディスク用のガラス基板が知られている。ガラス基板は鏡面研磨により表面を高い平滑性に仕上げることが可能な上、剛性が高いので高速なディスク回転にも耐えうるという利点がある。
また、磁気ヘッド側においても、ＨＤＤの高記録密度化を支えている。例えば、再生素子は磁気抵抗効果型素子（ＭＲ素子）を用いることにより、再生効率を高め、高い信号強度Ｓ／Ｎ比を実現している。また、スライダーを負圧スライダー（ＮＰＡＢスライダー）とすることにより、極狭な浮上量を安定的に実現できるようにされている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
最近、ＨＤＤの情報記録密度は１平方インチ当り４０ギガビット以上が求められるようになってきた。このような情報記録密度を達成するためには、磁気ヘッドの浮上量が１０ｎｍにおいても、安定して故障無く記録再生できることが求められるようになってきた。
特に、ＨＤＤの駆動方式としてＬＵＬ（ロードアンロード）方式を導入することによって、磁気ヘッドの側面からは磁気ヘッド浮上量の一段の低下が実現可能となり、１０ｎｍ以下の極狭な浮上量が実現可能となってきた。ＬＵＬ方式とは、停止時には、磁気ヘッドを磁気ディスクの外に退避させておき、起動時には、磁気ディスクが回転開始した後に、磁気ヘッドを磁気ディスク上に滑動させてから浮上飛行させて記録再生を行う方式のことである。ＬＵＬ方式用磁気ディスクは、従来のＣＳＳ（コンタクト・スタート・アンド・ストップ）方式用磁気ディスクに比べて磁気ディスク面上の記録再生用領域を広く確保できるので高情報容量化にとって好ましいとされる。また、ＬＵＬ方式用磁気ディスクでは、ディスク面上にはＣＳＳのための凹凸形状を設ける必要がないので、磁気ディスク面を極めて平滑化でき、このため磁気ヘッドの浮上量を一段と低下させることができる。従って、ＬＵＬ方式は記録信号の高Ｓ／Ｎ比化を図ることができ、好適であるとされる。
しかしながら、磁気ヘッドの浮上量１０ｎｍのような極狭な浮上量では、磁気ディスク用のガラス基板及び磁気ディスクの側面から、従来は問題とされなかった僅かな欠陥であっても、実用上深刻な障害を引き起こすことが明らかとなた。
具体的には、第１の障害として、磁気ヘッドの浮上量１０ｎｍのような極狭な浮上量では、磁気ディスク用のガラス基板及び磁気ディスク側の問題から、サーマルアスベリティ障害に関する障害性が深刻になってきた。詳しくは、ＨＤＤの記録密度が１平方インチ当り４０ギガビット以上の記録密度を実現しようとすると、ＭＲ素子に由来するサーマルアスペリティ障害（ＴＡ障害）が一段と深刻な問題となってきた。ＴＡ障害とは、熱によるＭＲ素子の読み出し信号エラーのことである。磁気ヘッドの浮上飛行中に、ＭＲ素子に微小な突起が接触或いはＭＲ素子近傍を通過した場合、ＭＲ素子に瞬間的に熱が加わる。ＴＡ障害は、例えば、微小な突起が接触した場合は、ＭＲ素子と微小突起との間の運動エネルギーに因るものとされ、またＭＲ素子近傍を微小突起が通過した場合は、瞬間的な環境の断熱圧縮、断熱膨張に因るものとされている。ＭＲ素子が瞬間的に加熱、冷却されると、ＭＲ素子の抵抗値が瞬間的に変動するので、再生信号にこの変化が重畳されてしまい、正確な再生信号の読み出しが阻害されてしまう。
１平方インチ当り４０ギガビット以上の記録密度を実現するためには、磁気ヘッドの浮上量を１０ｎｍ程度にして記録再生する必要があるが、この場合、たとえ磁気ディスク表面をＲｍａｘで５ｎｍ程度の鏡面に仕上げてもＴＡ障害を抑止することが困難となってきた。特に、ＨＤＤの駆動方式がＬＵＬ（ロードアンロード）方式の場合、ＴＡ障害が発生し易いという点が問題となってきた。
また、第２の障害として、別の側面からも欠陥に対する障害性が深刻になってきた。再生トラック幅（Ｔｗｒ）との関係である。磁気ヘッドには再生用素子が搭載される。安定的に記録信号を再生するために許容できる欠陥の大きさは、Ｔｗｒに比べて十分に小さくなければならない。通常、情報記録密度を向上させようとした場合、線記録密度を向上させる点に主眼がおかれるが、１平方インチ当り４０ギガビット以上を達成しようとした場合では、熱揺らぎ障害を緩和させる必要性から線記録密度の上昇には制約が生ずる。このため、これを補うべくトラック密度を上昇させる必要が生じた。１平方インチ当り４０ギガビットの情報記録密度を達成しようとする場合、Ｔｗｒは０．３μｍ以下にすることが求められる。このため、従来は問題とされなかった僅かな欠陥であっても、深刻な記録再生障害（エラー）を発生させるようになってきた。
【０００４】
本発明は、上記課題を解決しようとするものであって、本発明は、１０ｎｍ以下の極狭な浮上量で磁気ヘッドを浮上飛行させても、サーマルアスペリティ障害やヘッドクラッシュ障害の発生を防止でき、かつ、上述した記録再生障害（エラー）の発生を防止でき、１平方インチ当り４０ギガビット以上の高記録密度化に好適な磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
特に、１平方インチ当り４０ギガビット以上の高記録密度化の実現に好適なＬＵＬ方式用としてその実現に好適に使用できる磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。また、再生トラック幅が０．３μｍ以下とされる磁気ディスク及び磁気ディスク用ガラス基板に好適な製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、浮上量１０ｎｍでの記録再生中にサーマルアスペリティ障害、及び上述した記録再生障害を起こしたＨＤＤを分析し原因を調査したところ、サーマルアスペリティ信号及び上述した記録再生障害が検出されたディスク面位置に、極微細な０．１μｍ程度の異物を検出した。この異物を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、さらにエネルギー分散型Ｘ線分光器（ＥＤＸ）で精密に分析したところ、Ｆｅだけではなく、更にＮｉやＣｒ、Ｍｏ元素が検出された。これら構成元素群から判断すると、原因物質はステンレス（ＳＵＳ）であろうと推察された。
通常、サーマルアスペリティ障害を引き起こす異物は、数μｍ程度の鉄粉であると考えられており、様々な鉄粉飛散防止対策（例えば特許文献１）が提案されていた。
【特許文献１】特開平１０−１９８９５４号公報（要約書）  本発明が目的とする１０ｎｍ以下の極狭の浮上量においてサーマルアスペリティ障害及び上述した記録再生障害を発生させやすい異物は、０．１μｍ程度のステンレス粉が原因であろうとの知見を得た。この知見をもとに、本発明者らは、微細ステンレス粉の発生工程を突き止めるべく、様々な角度から鋭意原因調査を行った。  現在ではステンレスは極めて一般的な工業用資材であるために、磁気ディスク用ガラス基板の製造工程及び磁気ディスクの製造工程において、ステンレス部材やステンレス部材を備える装置は幾多数限りなく存在する。本発明者はこれら数限りない工程要素を一つ一つ検証していったところ、ガラス基板の化学強化工程が本発明の課題に関する主因ではないかとの知見を得た。具体的には、サーマルアスペリティ障害を防止すべく導入された化学強化処理槽の壁面やガラス基板を保持する保持手段の材料であるステンレス部材が高温の化学強化溶融塩に長期間曝されることによってステンレス部材が腐食し、これが原因で０．１μｍ程度のステンレス粉が発生することを突き止めた。  本発明者らは、得られた一連の知見に基づき高温の化学強化溶融塩に対する耐腐食性材料について検討を重ねた結果、以下の構成を有する発明を完成するに到った。
【０００６】
本発明は、以下の構成を有する。
（構成１）
保持手段に保持されたガラス基板を化学強化溶融塩に接触させることにより、ガラス基板を強化する化学強化工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、前記化学強化溶融塩を収納する化学強化処理槽の少なくとも溶融塩と接する壁面及び／又は溶融塩と接するガラス基板を保持する保持手段を、化学強化溶融塩に対する耐腐食性を有するＮｉを主成分とする金属材料で構成することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（構成２）
前記化学強化溶融塩を収納する化学強化処理槽の少なくとも溶融塩と接する壁面及び／又は溶融塩と接するガラス基板を保持する保持手段を、化学強化溶融塩に対する耐腐食性を有するＮｉを４０重量％以上含む金属材料で構成することを特徴とする構成１記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（構成３）
前記磁気ディスク用ガラス基板が磁気抵抗ヘッド用磁気ディスク用ガラス基板であることを特徴とする構成１又は２記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（構成４）
前記前記磁気ディスク用ガラス基板が、ロード・アンロード駆動方式の磁気ディスク用ガラス基板であることを特徴とする構成１〜３のいずれか一項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（構成５）
構成１〜４記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって得られたガラス基板上に少なくとも磁性層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
なお、本発明における含有量（％）は、重量％のことを指す。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、１０ｎｍ以下の極狭な浮上量で磁気ヘッドを浮上飛行させても、サーマルアスペリティ障害やヘッドクラッシュ障害の発生を防止でき、かつ、上述した記録再生障害（エラー）の発生を防止でき、１平方インチ当り４０ギガビット以上の高記録密度化に好適な磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法を提供することが実現可能となった。
特に、１平方インチ当り４０ギガビット以上の高記録密度化の実現に好適なＬＵＬ方式用としてその実現に好適に使用できる磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクの製造方法を提供することができ、この結果１０ｎｍ以下（１平方インチ当り４０ギガビット以上）のＬＵＬ方式磁気ディスクを実現可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
本発明は、保持手段に保持されたガラス基板を化学強化溶融塩に接触させることにより、通常、ガラス基板の中に含まれる一部のイオンを、そのイオンより大きなイオン径の溶融塩中のイオンに置換することにより、ガラス基板を強化する化学強化工程を含む磁気ディスク用ガラス基板（以下、単にガラス基板と言う）を製造する方法に関する。
本発明においては、前記化学強化溶融塩を収納する化学強化処理槽の少なくとも溶融塩と接する壁面及び／又は溶融塩と接するガラス基板を保持する保持手段を、化学強化溶融塩に対する長期間の耐腐食性を有するＮｉを主成分とする材料で構成することを特徴とする。
ここで、化学強化溶融塩に対する長期間の耐腐食性とは、化学強化溶融塩（３００〜４００℃）に長期間（半年以上、好ましくは１年以上）接触させた場合であっても、粒界腐食（隙間腐食）などの０．１μｍ程度のステンレス粉を発生させる腐食を生じない特性をいう。
化学強化溶融塩に対する長期間の耐腐食性を有するＮｉを主成分とする材料としては、（１）Ｎｉを５０％以上含む高Ｎｉ合金、（２）Ｆｅが１０％以下である高Ｎｉ合金、（３）Ｎｉを５０％以上含みＦｅが１０％以下である高Ｎｉ合金、（４）Ｎｉを５０％以上含むＮｉＣｒ系合金（好ましくはＦｅ含有量が１０％以下、更に７％以下、更に５％以下）、（５）ＮｉＣｒＭｏ系合金［特にＮｉ・Ｃｒ・Ｍｏの合量が８９％以上のＮｉＣｒＭｏ系合金、例えば三菱マテリアル株式会社販売のハステロイＣ−２７６（ASTM B575），ハステロイＣ−２２(JIS合金番号NW6022)］（好ましくはＦｅ含有量が１０％以下、更に７％以下、更に５％以下）、などが挙げられる。
また、化学強化溶融塩に対する長期間の耐腐食性を有するＮｉを主成分とする材料としては、次の合金が挙げられる。
（６）Ｎｉを４０％以上（５０％以上がより好ましい）含むＦｅ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｍｏ−（Ｎ）系合金であって、好ましくはＦｅ含有量が１０％以下（７％以下、５％以下、がより好ましい）である合金。
（７）Ｎｉを４０％以上（５０％以上がより好ましい）含むＦｅ−Ｃｒ−Ｍｏ−Ｃｕ系系合金であって、好ましくはＦｅ含有量が１０％以下（７％以下、５％以下、がより好ましい）である合金。
（８）Ｎｉを４０％以上（５０％以上がより好ましい）含むＮｉ−Ｃｒ−Ｆｅ系合金であって、好ましくはＦｅ含有量が１０％以下（７％以下、５％以下、がより好ましい）である合金。
【０００９】
ガラス基板の保持手段の構成材料としては、化学強化溶融塩（３００〜４００℃）浸漬後の純水洗浄などの極端なヒートサイクルにさらされた場合であっても、保持手段の熱膨張差に起因するガラス基板の欠けなどの不良を低減できる合金材料が好ましい。また、ガラス基板の保持手段の構成材料としては、加工性が極端に悪くない合金材料が好ましい。
ガラス基板の保持手段としては、種々の形態が考えられるが、要は、ガラス基板に化学強化溶融塩が所定の状態で接触することが可能であり、液ダレを起こさず、液溜まり箇所（例えば、不必要な開口部（穿設された穴）や切り欠き部、液溜まりが生じやすい形状を有する部分など）を可能な限り少なくしたものが好ましい。
【００１０】
本発明においては、化学強化槽とガラス基板の保持手段の両方を上記材料で構成することが好ましいが、何れか一方でも所定の効果はある。又、化学強化槽あるいはガラス基板保持手段の全体を上記材料で構成するのが好ましいが、化学強化処理液と接触する部分だけとしても所定の効果はある。
【００１１】
本発明に使用するガラス基板の種類、サイズ、厚さ等は特に制限されない。ガラス基板の材質としては、例えば、アルミノシリケートガラスが好ましく、とりわけ、リチウムを含有するアモルファスのアミノシリケートガラスが好ましい。
【００１２】
アルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ２：５８〜７５重量％、Ａｌ２Ｏ３：５〜２３重量％、Ｌｉ2Ｏ：３〜１０重量％、Ｎａ2Ｏ：４〜１３重量％を主成分として含有する化学強化ガラスなどが好ましい。更に、アルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ2：６２〜７５質量％、Ａｌ2Ｏ3：５〜１５質量％、Ｌｉ2Ｏ：４〜１０質量％、Ｎａ2Ｏ：４〜１２質量％、ＺｒＯ2：５．５〜１５質量％を主成分として含有するとともに、Ｎａ2Ｏ／ＺｒＯ2の質量比が０．５〜２．０、Ａｌ2Ｏ3／ＺｒＯ2の質量比が０．４〜２．５である化学強化用ガラス等が好ましい。また、ＺｒＯ2の未溶解物が原因で生じるガラス基板表面の突起をなくすためには、モル％表示で、ＳｉＯ2を５７〜７４％、ＺｎＯ2を０〜２．８％、Ａｌ2Ｏ3を３〜１５％、ＬｉＯ2を７〜１６％、Ｎａ2Ｏを４〜１４％含有する化学強化用ガラス等を使用することが好ましい。このような組成のアルミノシリケートガラス等は、化学強化することによって、抗折強度が増加し、圧縮応力層の深さも深く、ヌープ硬度にも優れる。
【００１３】
また、本発明では、耐衝撃性や耐振動性等の向上を目的として、ガラス基板の表面にイオン交換法による化学強化処理を施す。ここで、化学強化方法としては、従来より公知の化学強化法であれば特に制限されないが、例えば、ガラス転移点の観点から転移温度を超えない領域でイオン交換を行う低温型化学強化などが好ましい。化学強化に用いるアルカリ溶融塩としては、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、あるいは、硝酸カリウムと硝酸ナトリウム混合した混合塩などが挙げられる。特に、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、硝酸リチウムを含む少なくとも三種の硝酸塩の溶融塩が好ましい。
【００１４】
上記本発明の製造方法に係る磁気ディスク用ガラス基板は、特に浮上量１０ｎｍ以下、再生トラック幅（Ｔｗｒ）０．３μｍ以下の磁気ディスク用ガラス基板、及びそれを用いた磁気ディスクの製造方法に好適に利用できる。
【００１５】
次に、磁気ディスクの製造方法について説明する。
本発明の磁気ディスクの製造方法では、上記本発明の磁気ディスク用ガラス基板上に、少なくとも磁性層を形成して磁気ディスクを製造する。
【００１６】
本発明を適用して得られる磁気ディスクは、１０ｎｍ以下の極狭な浮上量で磁気ヘッドを浮上飛行させた場合に、サーマルアスペリティ障害やヘッドクラッシュ障害、及び、上述した記録再生障害の原因となる極微細な０．１μｍ程度のステンレス合金などの異物を排除しているので、１０ｎｍ以下の極狭な浮上量で磁気ヘッドを浮上飛行させても、サーマルアスペリティ障害やヘッドクラッシュ障害の発生を防止でき、かつ、上述した記録再生障害（エラー）の発生を防止でき、１平方インチ当り４０ギガビット以上及び再生トラック幅（Ｔｗｒ）０．３μｍ以下の高記録密度化に好適な磁気ディスクの実現が可能となる。
【００１７】
上記磁気ディスクにおいて、ガラス基板上に形成する磁性層の材料には特に制限はない。磁性層としては、例えば、Ｃｏを主成分とするＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａＢなどの磁性膜が挙げられる。磁性層は、磁性膜を非磁性膜（例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶ、ＣｒＭｎＣなど）で分割してノイズの低減を図った多層構造としても良い。また、必要に応じ、ガラス基板と磁性層との間に、シード層や下地層を、磁性層上に保護層や潤滑層を設けても良い。
【００１８】
シード層としては、その上に形成される下地層や磁性層の結晶粒径を制御する役割があり、例えば、ＮｉＡｌ、ＣｒＮｉ、ＣｒＴｉなどの材料が挙げられる。下地層としては、磁気特性の向上を目的として設けられ、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料からなる非磁性膜が挙げられる。下地層は単層でも複数層でもかまわない。
【００１９】
保護層としては、機械的耐久性、耐食性等のために設けられ、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、カーボン、水素化カーボン、窒化カーボン、ジルコニア、ＳｉＯ２などが挙げられる。潤滑層としては、磁気ヘッドとの吸着防止、摩擦係数の低減のために設けられ、パーフルオロポリエーテル潤滑剤などが一般的に使用される。
【実施例】
【００２０】
以下、実施例にもとづき本発明をさらに具体的に説明する。
（１）粗ラッピング工程
まず、溶融ガラスを、上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスして、直径６６ｍｍφ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のアルミノシリケートガラスからなるガラス基板を得た。この場合、ダイレクトプレス以外に、ダウンドロー法やフロート法で形成したシートガラスから研削砥石で切り出して円盤状のガラス基板を得ても良い。なお、アルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ２：５８〜７５重量％、Ａｌ２Ｏ３：５〜２３重量％、Ｌｉ２Ｏ：３〜１０重量％、Ｎａ２Ｏ：４〜１３重量％を主成分として含有する化学強化ガラスを使用した。
【００２１】
次いで、ガラス基板にラッピング工程を施した。このラッピング工程は、寸法制度及び形状制度の向上を目的としている。ラッピング工程は、両面ラッピング装置を用いて行い、砥粒の粒度を＃４００で行った。詳しくは、粒度＃４００のアルミナ砥粒を用い、荷重Ｌを１００ｋｇ程度に設定して、内転ギアと外転ギアを回転させることによって、キャリア内に収納したガラス基板の両面を面精度０〜１μｍ、表面粗さＲｍａｘで６μｍ程度（ＪＩＳ Ｂ ０６０１で測定、以下同様）に仕上げた。
【００２２】
（２）形状加工工程
次に，円筒状の砥石を用いてガラス基板の中央部分に孔を開けると共に、外周端面も研削して直径６５ｍｍφとした後、外周端面及び内周面に所定の面取り加工を施した。このときのガラス基板端面（内周、外周）の表面粗さは、Ｒｍａｘで４μｍ程度であった。
【００２３】
（３）端面研磨工程
次いで、ブラシ研磨により、ガラス基板を回転させながらガラス基板の端面（内周、外周）の表面粗さをＲｍａｘで１μｍ、Ｒａで０．３μｍ程度に研磨した。上記端面研磨工程を終えたガラス基板の表面を水洗浄した。
【００２４】
（４）精ラッピング工程
次に、砥粒の粒度を＃１０００に変え、ガラス基板表面をラッピングすることにより、平坦度３μｍ、表面粗さＲｍａｘが２μｍ程度、Ｒａが０．２μｍ程度とした。尚、Ｒｍａｘ、Ｒａは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定、平坦度は、平坦度測定装置で測定したもので、基板表面の最も高い部位と、もっとも低い部位との上下方向（表面に垂直な方向）の距離（高低差）である。上記精ラッピング工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、水の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。
【００２５】
（５）第一ポリッシング工程
次に、ポリッシング工程を施した。このポリッシング工程は、上述したラッピング工程で残留した傷や歪みの除去を目的とするもので、両面研磨装置を用いて行った。詳しくは、ポリシャとして硬質ポリシャを用い、以下の研磨条件で実施した。
研磨液：酸化セリウム（平均粒径１．３μｍ）砥粒に水を加えた遊離砥粒
荷重（付圧）：８０〜１００ｇ／ｃｍ２
研磨時間：３０〜５０分
除去量：３５〜４５μｍ
【００２６】
上記ポリッシング工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。尚、各洗浄槽には超音波を印加した。また、この洗浄工程は、次の第二ポリッシング工程において使用する研磨液が同一のものである場合、省略することもできる。また、第一ポリッシング工程で使用する硬質ポリシャは、特に限定されず、目標とする表面粗さ、基板の端部形状等によって適宜選択することが可能である。
【００２７】
（６）第二ポリッシング工程（鏡面研磨加工工程）
次に、第一ポリッシング工程で使用した両面研磨装置を用い、ポリシャとして硬質ポリシャから軟質ポリシャに変えて第二ポリッシング工程（ファイナルポリッシング）を実施した。
【００２８】
（７）洗浄工程
上記第二ポリッシング工程を終えたガラス基板を、アルカリ（ＮａＯＨ）、硫酸に順次浸漬して、洗浄を行った。尚、各洗浄槽には超音波を印加した。さらに、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。
【００２９】
（８）化学強化工程
次に、上記ラッピング、ポリッシング、洗浄工程を終えたガラス基板に化学強化を施した。化学強化には、硝酸カリウムと、硝酸ナトリウムと、硝酸リチウムを混合した化学強化塩を用意し、この化学強化塩を３７５℃に加熱して化学強化溶融塩とし、３００℃に予熱された洗浄済みのガラス基板を約３時間浸漬して行った。この浸漬の際に、ガラス基板の表面全体が化学強化されるように、複数のガラス基板が端面で保持されるようにホルダー（保持手段）に収納した状態で行った。ホルダー（保持手段）の具体的な形態は、ガラス基板の配列方向に等間隔でＶ溝を複数個形成した３本の支柱を、その両端面で連結部材で連結して形成されている。複数のガラス基板は、各ガラス基板が３本の支柱の同一平面内にあるＶ溝によって３点支持されて保持され、支柱の延在する方向に複数枚配列されている。
この際、ガラス基板ホルダー（保持手段）及び化学強化処理槽（壁）全体を構成する材料として、表１に示す各種材料・組成のものを使用した。
【００３０】
【表１】
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【００３１】
上記のように、化学強化塩に浸漬処理することによって、ガラス基板表層のリチウムイオン、ナトリウムイオンは、化学強化塩中のナトリウムイオン、カリウムイオンにそれぞれ置換されガラス基板は強化される。ガラス基板の表層に形成された圧縮応力層の厚さは、約１００〜２００μｍであった。
上記化学強化を終えたガラス基板を２０℃の水槽に浸漬して急冷し、約１０分維持した。
【００３２】
（９）洗浄工程
上記急冷を終えたガラス基板を、約４０℃に加熱した硫酸に浸漬し、超音波をかけながら洗浄を行った。
以上のようにして、内径（内直径）２０ｍｍ、外径（外直径）６５ｍｍの２．５インチ型ガラス基板（主表面の表面粗さＲｍａｘ：５ｎｍ、Ｒａ：０．５ｎｍ）を得た。
【００３３】
（１０）評価工程
化学強化工程（化学強化溶融塩はそれぞれ新品）を５回繰り返した各ガラス基板ホルダーについてその表面の走査型電子顕微鏡観察を行った。各ガラス基板ホルダーの表面の走査型電子顕微鏡写真（ＳＥＭ写真）を図１（１）〜（４）に示す。図１（１）はＳＵＳ３１６Ｌ製基板ホルダー表面（１０００倍）、図１（２）はＳＵＳ３１６Ｌ製基板ホルダー表面（１００００倍）、図１（３）はハステロイＣ−２７６製基板ホルダー表面（１０００倍）、図１（４）はハステロイＣ−２７６製基板ホルダー表面（１００００倍）を、それぞれ示す。
本発明で適用される化学強化溶融塩に対する長期間の耐腐食性を有するＮｉを主成分とする材料の代表的例に該当するハステロイＣ−２７６製基板ホルダー表面は、粒界腐食などの腐食の痕跡は認められなかった。これに対応して、製造後のガラス基板表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したが、本発明において問題となりそうな異物は認められなかった。
これに対し、ＳＵＳ３１６Ｌ製基板ホルダー表面は、ひび割れ（粒界と考えられる）が存在し、ひび割れ部分の腐食の痕跡や、鱗状の剥がれ腐食の痕跡が認められた。これに対応して、製造後のガラス基板上に、極微細な０．１μｍ程度の異物が検出され、更にこの異物を、エネルギー分散型Ｘ線分光器（ＥＤＸ）で精密に分析したところ、いずれの異物についても、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉの各元素が検出された。
【００３４】
次に、化学強化工程（化学強化溶融塩はそれぞれ新品）を５回繰り返した各ガラス基板ホルダー［上記（９）洗浄工程を終えたもの］について、それぞれ同容積の純水に浸漬し、超音波をかけながらガラス基板ホルダーに付着した異物の採取を行った。液体パーティクルカウンターにてパーティクル数を測定したところ、ハステロイＣ−２７６製基板ホルダーは約２８００（pcs/ml）、ＳＵＳ３１６Ｌ製基板ホルダーは約５４００（pcs/ml）、であった。
【００３５】
（１１）磁気ディスクの製造工程
上述した工程を経て得られた磁気ディスク用ガラス基板に対し、インライン型スパッタリング装置にて、ＮｉＡｌシード層、ＣｒＶ下地層、ＣｏＰｔＣｒＢ磁性層、水素化カーボン保護層を成膜し、ディップ法によりパーフルオロポリエーテル潤滑層を形成して磁気ディスクを作製した。
【００３６】
上記で得られた磁気ディスクを、再生トラック幅（Ｔｗｒ）が０．３５μｍ、浮上量が１０ｎｍのロードアンロード方式の磁気抵抗型ヘッドを用いて、再生試験を行ったが、ハステロイＣ−２７６製基板ホルダーを使用して作製した磁気ディスクについてについては、複数のサンプル（５００枚）の全数についてサーマルアスペリティによる再生の誤動作は認められなかった。これに対し、ＳＵＳ３１６Ｌ製基板ホルダーを使用して作製した磁気ディスクについてについては、同試験においてサーマルアスペリティによる再生の誤動作が５００枚中０枚認められた。
次に、上記で得られた磁気ディスクを、再生トラック幅（Ｔｗｒ）が０．１５μｍ〜０．３μｍ、浮上量が１０ｎｍのロードアンロード方式の磁気抵抗型ヘッドを用いて、再生試験を行ったが、ハステロイＣ−２７６製基板ホルダーを使用して作製した磁気ディスクについてについては、複数のサンプル（５００枚）の全数について上述した記録再生障害（エラー）の発生は認められなかった。これに対し、ＳＵＳ３１６Ｌ製基板ホルダーを使用して作製した磁気ディスクについてについては、同試験において上述した記録再生障害（エラー）の発生が５００枚中４枚認められた。合格率は９９．２％であり、生産上問題は無かった。
次に、上記得られた磁気ディスクについて浮上量が１０ｎｍの磁気ヘッドを用いて、グライドテストを実施したところ、ハステロイＣ−２７６製基板ホルダーを使用して作製した磁気ディスクについてについては、ヒット（ヘッドが磁気ディスク表面の突起にかすること）やクラッシュ（ヘッドが磁気ディスク表面の突起に衝突すること）は認められなかった。これに対し、ＳＵＳ３１６Ｌ製基板ホルダーを使用して作製した磁気ディスクについてについては、同試験においてヒットやクラッシュが認められた。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】ガラス基板ホルダーの表面の走査型電子顕微鏡写真（ＳＥＭ写真）を示す図である。
【図１】
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