(57)【要約】【課題】基板表面に微小な凸状、凹状の表面欠陥が発生しないか又は発生率の低い電子デバイス用ガラス基板及びマスクブランクスの製造方法、並びに基板表面に微小な凸状、凹状の表面欠陥が起因する位相欠陥やパターン欠陥のない転写マスクの製造方法を提供する。【解決手段】研磨パッド７を貼着した研磨定盤５，６を電子デバイス用ガラス基板に押付け、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨定盤５，６と上記ガラス基板とを相対的に移動させて基板表面の精密研磨をすることにより、電子デバイス用ガラス基板を製造する。精密研磨に使用する上記研磨パッド７は、基材と表面に微細な開口を有するナップ層とを有し、該ナップ層の厚さが７００μｍ以上である。また、該研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）が６５以下である。こうして製造されたガラス基板を用いて、マスクブランクス及び転写マスクを製造する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨パッドを貼着した研磨定盤に電子デバイス用ガラス基板を押付け、研磨砥粒を含有した研磨液を供給しながら前記研磨定盤と前記ガラス基板とを相対的に移動させて、前記基板の表面を精密研磨する工程を有する電子デバイス用ガラス基板の製造方法であって、
前記研磨パッドは、表面に微細な開口を有するナップ層を有し、前記ナップ層の厚さが７００μｍ以上であることを特徴とする電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
研磨パッドを貼着した研磨定盤に電子デバイス用ガラス基板を押付け、研磨砥粒を含有した研磨液を供給しながら前記研磨定盤と前記ガラス基板とを相対的に移動させて、前記基板の表面を精密研磨する工程を有する電子デバイス用ガラス基板の製造方法であって、
前記研磨パッドは、表面に微細な開口を有するナップ層を有し、前記研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）が６５以下であることを特徴とする電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記研磨パッドのナップ層表面の開口径が１０〜７０μｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記研磨パッドは、微小な凸状の表面欠陥及び／又は微小な凹状の表面欠陥が発生しないように、前記ナップ層に含まれるカーボン含有量を調整することを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板は、マスクブランクス用ガラス基板であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法によって得られた電子デバイス用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクスの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載のマスクブランクスの製造方法によって得られたマスクブランクスにおける前記薄膜をパターニングして前記ガラス基板の主表面上に薄膜パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板表面に微小な表面欠陥のない電子デバイス用ガラス基板、該基板を用いたマスクブランクスの製造方法、及び転写マスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年における超ＬＳＩデバイスの高密度化、高精度化により、マスクブランクス用ガラス基板などの電子デバイス用ガラス基板の平坦度や表面欠陥に対する要求は年々厳しくなる状況にある。ここで、従来のマスクブランクス用ガラス基板の表面粗さを低減するための精密研磨方法としては、例えば、下記特許文献１（特開昭６４−４０２６７号公報）に記載されているものがある。この精密研磨方法は、酸化セリウムを主材とする研磨材を用いて研磨した後、コロイダルシリカを用いて仕上げ研磨するものである。
上記公報によれば、使用する研磨パッドとしては、基布としての不織布にポリウレタン樹脂を含浸、発泡させたもの等を使用することができるとされ、実施例ではスウェードタイプの研磨パッドを使った例が記載されている。
また、スウェードタイプの研磨パッドとしては、下記特許文献２（特開２００２−５９３５６号公報）にあるように、半導体ウエハーを鏡面研磨する際、微小傷や潜傷の発生を抑えるために、ナップ層の厚さを５２０μｍ，５７０μｍとした研磨パッドが開示されている。
【特許文献１】特開昭６４−４０２６７号公報
【特許文献２】特開２００２−５９３５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明者の検討によると、上述の先行技術文献で記載されている技術を使用したとしても、近年要求されている表面欠陥に対する高いレベルの条件を満たさないことがわかった。すなわち、先行技術に挙げた研磨方法によって得られたガラス基板表面には、高さが２ｎｍ〜７ｎｍ程度、大きさは数十ｎｍ〜２０００ｎｍ程度の凸状の突起や、深さが数ｎｍ〜２００ｎｍ程度、大きさは数十ｎｍ〜５００ｎｍ程度の凹状の欠陥が形成されていることが判明した。これは、従来の目視検査では確認できない小さい高さの凸状の突起や凹状の欠陥で、上記近年要請されるようになった高いレベルの表面欠陥フリーの要請を確認するために開発された欠陥検査装置によって始めて確認することができたものである。
例えば、この凸状の突起上に薄膜を形成し、マスクブランクス、及び転写マスクを作製した場合、凸状の突起の大きさが拡大化されるため、次世代の基板として要求される０．３μｍ以上の欠陥が無いこと、更には０．１μｍ以上の欠陥が無いこと、また更には０．０５μｍ以上の欠陥が無いことを満足したとしても、この基板を用いて作製されるマスクブランクス、及び転写マスクの欠陥検査を行った場合、問題となることがある。
【０００４】
また、この高さ数ｎｍ程度の凸状の突起が形成されたガラス基板を使って位相シフトマスクブランクス、及び位相シフトマスクを作製した場合、露光光の波長が短波長になるに従って、凸状の突起による位相差変化が大きくなり（凸状突起の高さが５ｎｍの場合、露光光がＡｒＦエキシマレーザー（露光波長：１９３ｎｍ）では、位相角変化は４．６度、Ｆ２エキシマレーザー（露光波長：１５７ｎｍ）では、位相角変化は５．７度となる）、無視できない程度になり問題となる。
また、この数ｎｍ程度の凸状の突起が形成されたガラス基板を使って反射型マスクブランクス、及び反射型マスクを作製した場合、マスク面のパターン近傍に凸状突起が存在すると、反射光にはその凸状突起に起因した位相の変化が起こる。この位相の変化は転写されるパターンの位置精度やコントラストを悪化させる原因となる。特に波長が０．２〜１００ｎｍ程度の極端紫外（Extreme Ultra Violet、ＥＵＶ）光のような短波長の光を露光光として用いる場合、マスク面上の微細な凹凸に対して位相の変化が非常に敏感となるため、転写像への影響が大きくなる。例えば凸状突起の高さが５ｎｍの場合、露光波長が１３．５ｎｍで位相の変化は２０度を超え、その結果、ＣＤ誤差不良となり、無視できない問題となる。
また、凹状の欠陥も同様に、位相シフトマスクや反射型マスクにおける位相欠陥やパターン不良の原因となる。
【０００５】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、ガラス基板表面に微小な凸状、凹状の表面欠陥が発生しないか又は発生率の低い電子デバイス用ガラス基板、及びマスクブランクスの製造方法を提供することを第一の目的とする。
また、本発明は、ガラス基板表面に微小な凸状、凹状の表面欠陥が起因する位相欠陥やパターン欠陥のない転写マスクの製造方法を提供することを第二の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、従来の研磨砥粒を含む研磨液と研磨パッドを使用して研磨すると、何故凸状や凹状の表面欠陥が形成されるかを検討した。そして、数多くの実験と考察を積み重ねた結果、凸状の表面欠陥は、精密研磨終了直前の基板に対する加工条件（研磨速度）が、凹状の表面欠陥は、精密研磨におけるガラス基板に対する加工圧力がそれぞれ表面欠陥の発生に大きく起因していることが判明した。
本発明者は、上述の課題を解決するため、得られた知見に基づき更に鋭意検討した結果、以下の構成を有する発明を完成するに至った。
【０００７】
（構成１）研磨パッドを貼着した研磨定盤に電子デバイス用ガラス基板を押付け、研磨砥粒を含有した研磨液を供給しながら前記研磨定盤と前記ガラス基板とを相対的に移動させて、前記基板の表面を精密研磨する工程を有する電子デバイス用ガラス基板の製造方法であって、前記研磨パッドは、表面に微細な開口を有するナップ層を有し、前記ナップ層の厚さが７００μｍ以上であることを特徴とする電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
（構成２）研磨パッドを貼着した研磨定盤に電子デバイス用ガラス基板を押付け、研磨砥粒を含有した研磨液を供給しながら前記研磨定盤と前記ガラス基板とを相対的に移動させて、前記基板の表面を精密研磨する工程を有する電子デバイス用ガラス基板の製造方法であって、前記研磨パッドは、表面に微細な開口を有するナップ層を有し、前記研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）が６５以下であることを特徴とする電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
【０００８】
（構成３）前記研磨パッドのナップ層表面の開口径が１０〜７０μｍであることを特徴とする構成１又は２に記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
（構成４）前記研磨パッドは、微小な凸状の表面欠陥及び／又は微小な凹状の表面欠陥が発生しないように、前記ナップ層に含まれるカーボン含有量を調整することを特徴とする構成１乃至３の何れかに記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
（構成５）前記基板は、マスクブランクス用ガラス基板であることを特徴とする構成１乃至４の何れかに記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
【０００９】
（構成６）構成１乃至５の何れかに記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法によって得られた電子デバイス用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクスの製造方法。
（構成７）構成６に記載のマスクブランクスの製造方法によって得られたマスクブランクスにおける前記薄膜をパターニングして前記ガラス基板の主表面上に薄膜パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ガラス基板表面の精密研磨に用いる研磨パッドのナップ層の厚さを７００μｍ以上とすることにより、精密研磨終了直前の基板に対する研磨速度を遅くでき、また精密研磨における加工圧力を小さくできるので、ガラス基板表面の微小な凸状、凹状の表面欠陥の発生を抑えることができる。
また、本発明によれば、ガラス基板表面の精密研磨に用いる研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）を６５以下とすることにより、精密研磨終了直前の基板に対する研磨速度を遅くでき、また精密研磨における加工圧力を小さくできるので、ガラス基板表面の微小な凸状、凹状の表面欠陥の発生を抑えることができる。
また、上記ナップ層表面の開口径を１０〜７０μｍとすることにより、精密研磨時における研磨砥粒が研磨パッド表面に均一に流動し、さらにガラス基板への加工圧力の均一性が向上するので、ガラス基板表面の微小な凸状、凹状の表面欠陥の発生の抑制に効果がある。
また、上記研磨パッドは、微小な凸状の表面欠陥及び／又は微小な凹状の表面欠陥が発生しないように、前記ナップ層に含まれるカーボン含有量を調整することにより、上記ナップ層の厚さ（７００μｍ以上）と、上記研磨パッドの硬度（６５（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）以下）の両条件を満足させることが出来、ガラス基板の微小な凸状、凹状の表面欠陥の発生の抑制効果が絶大である。
【００１１】
また、本発明は、マスクブランクス用ガラス基板の製造に好適であり、中でも位相シフトマスクブランクス用ガラス基板、或いは反射型マスクブランクス用ガラス基板の製造に好適であり、微小な凸状、凹状の表面欠陥により発生する位相差変化を抑えることができ、また微小な表面欠陥により、その上に形成する多層反射膜表面での位相欠陥等を抑えることができる。
また、本発明のマスクブランクスの製造方法によれば、本発明によって製造した電子デバイス用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することにより、ガラス基板上に形成された微小な凸状、凹状の表面欠陥によるマスクブランクスの欠陥（膜下欠陥）を防止することができる。
また、本発明の転写マスクの製造方法によれば、本発明によって得られたマスクブランクスにおける薄膜をパターニングして電子デバイス用ガラス基板の主表面上に薄膜パターンを形成することにより、基板表面に微小な凸状、凹状の表面欠陥が起因する薄膜パターンのパターン欠陥のない転写マスクが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための最良の実施形態にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、及び転写マスクの製造方法を詳細に説明する。
尚、以下の説明において、微小な凸状の表面欠陥とは、主成分がＳｉとＯとを含む凸状の突起をいい、その高さは２ｎｍ〜７ｎｍ程度で、その大きさは数十ｎｍ〜２０００ｎｍ程度のものをいう。また、微小な凹状の表面欠陥とは、その深さが数ｎｍ〜２００ｎｍ程度で、その大きさは数十ｎｍ〜５００ｎｍ程度のものをいう。
本発明の実施の形態にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法は、構成１にあるように、精密研磨工程で使用する研磨パッドのナップ層の厚さを７００μｍ以上とすることを特徴とする。また、構成２にあるように、精密研磨工程で使用する研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）を６５以下とすることを特徴とする。
本発明者の検討によると、凸状の表面欠陥は、精密研磨終了直前の基板に対する加工条件（研磨速度）が、凹状の表面欠陥は、精密研磨におけるガラス基板に対する加工圧力がそれぞれ表面欠陥の発生に大きく起因していることが判明した。
【００１３】
本発明者の考察によれば、凸状の表面欠陥が形成されるメカニズムとしては、以下のことが考えられる。
精密研磨加工中、研磨液に含まれる研磨砥粒は、砥粒単体か凝集体を形成し、ガラス基板表面を転がって研磨加工を行っているが、精密研磨終了（研磨定盤とガラス基板との相対的な移動の停止）直前において研磨砥粒の凝集体がガラス基板の表面に残留した場合、その残留物によってその部分のみの研磨が阻止され、結果として微小な凸状の表面欠陥となる。精密研磨終了直前における研磨速度が大きければ、凸状の表面欠陥の高さが大きくなる。したがって、精密研磨終了直前における研磨速度が小さい（遅い）方が、凸状の表面欠陥の発生を抑制することが出来る。研磨速度は一般に加工圧力が一定の場合、研磨パッドのナップ層の厚さが厚くなる（長さが長くなるとも言える）にしたがって、またナップ層の硬度が小さくなるにしたがって遅くなる。
【００１４】
また、凹状の表面欠陥が形成されるメカニズムとしては、以下のように考えられる。
研磨液に含まれる研磨砥粒凝集体の形成、又は研磨パッドやキャリア等が研磨装置のギア部との接触による脱落物、研磨装置付着物による研磨砥粒凝集体脱落物等が精密研磨加工中に混入し、微小な凹状の表面欠陥となると考えられる。したがって、精密研磨における基板に対する加工圧力が小さい方が、凹状の表面欠陥の発生を抑制することが出来る。基板に対する加工圧力は一般に研磨体からの荷重が一定の場合、研磨パッドのナップ層の厚さが厚くなる（長さが長くなるとも言える）にしたがって、またナップ層の硬度が小さくなるにしたがって小さくなる。
【００１５】
上述の点を考慮して、電子デバイス用ガラス基板として使用する場合に、位相欠陥となる凸状の表面欠陥や、位相欠陥やパターン欠陥となる凹状の表面欠陥の発生を防止するために、研磨パッドのナップ層の厚さを７００μｍ以上、及び／又は、研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）を６５以下とする。
研磨パッドのナップ層の厚さは、特に７００μｍ〜１０００μｍの範囲内であることが好ましい。ナップ層の厚さが１０００μｍを超えると、研磨速度が低下し加工時間が長くなること、ガラス基板の外周部において研磨パッドの沈み込みが大きくなり、ガラス基板の端部が縁ダレが大きくなり端部形状が悪化するので好ましくない。
また、研磨パッドのナップ層の硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）は６０以下が好ましく、特に４０〜６０の範囲内であることが好ましい。研磨パッドの硬度が４０未満の場合、そのような硬度の研磨パッドを製作すること自体が困難であること、研磨速度が低下し加工時間が長くなること、ガラス基板の外周部において研磨パッドの沈み込みが大きくなり、ガラス基板の端部形状が悪化するので好ましくない。なお、本発明において研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）とは、ＳＲＩＳ０１０１（日本ゴム協会標準規格）において定義され、研磨パッド（１枚）を試料とし、その研磨パッドをＡｓｋｅｒ−Ｃ硬度計（荷重１ｋｇ）で測定した値である。
【００１６】
基材と、表面に微細な開口を有するナップ層とを有する研磨パッドは、一般にウレタン樹脂組成物を用いた湿式凝固法によって製造される。この湿式凝固法とは、ウレタン樹脂組成物を調整した後、このウレタン樹脂組成物を基材に塗布し、次いで、水、ジメチルホルムアミドに、界面活性剤等の分散安定剤、湿式凝固助剤を添加した混合溶液中にて湿式凝固処理を行い、基材上に発泡層を生成させ、その後乾燥し、最表面をバフして得られる。
上述の所定のナップ層厚さを有する研磨パッド、及び／又は、所定の硬度を有する研磨パッドは、ウレタン樹脂組成物、添加剤、湿式凝固処理条件等を調整することで得ることが出来る。
また、上記ナップ層表面の開口径は、精密研磨時における研磨砥粒が研磨パッド表面に均一に流動し、さらに、ガラス基板への加工圧力の均一性向上の点から小さい方が好ましい。従って、構成３にあるように、ナップ層表面の開口径は、１０〜７０μｍであることが望ましい。開口径が７０μｍを超えると、研磨速度が上昇し、特に微小な凸状の表面欠陥の発生原因となる精密研磨終了直前の加工圧力制御が難しくなり、１０μｍ未満であると、目詰まりの現象となり研磨速度が著しく低下することとなるのでいずれにしても好ましくない。好ましいナップ層表面の開口径は１０〜５０μｍが望ましい。なお、ナップ層表面の開口径は、前述の研磨パッドの製造過程におけるバフの加工条件等によって調整することが出来る。
【００１７】
また、前述の表面欠陥において、特に凸状の表面欠陥の発生を防止するためには、精密研磨における基板に対する加工圧力をたとえば複数段階に分けて行い、精密研磨終了（研磨定盤とガラス基板との相対的な移動の停止）直前の基板に対する加工圧力を１００ｇ／ｃｍ２以下とすることが好ましい。また、精密研磨終了直前の基板に対する加工圧力を低荷重化することで、ガラス基板の外周部における研磨パッドの沈み込みによる縁ダレが少なくなり、平坦度が良好になるという利点もある。本発明の実施の形態において好ましくは、５０ｇ／ｃｍ２以下、特に好ましくは２５ｇ／ｃｍ２以下、更に好ましくは１０ｇ／ｃｍ２以下である。
なお、上記加工圧力における研磨時間は、９０秒以上であることが好ましく、特に好ましくは１２０秒以上、さらには１８０秒以上であることが好ましい。但し、生産性を考慮して３６０秒以下であることが望ましい。
【００１８】
また、本発明における研磨砥粒は、ガラス基板の良好な平滑性、平坦性が得られる点からコロイダルシリカが好ましい。ただし、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液は通常、安定性の点からＮａＯＨやＫＯＨ等の無機アルカリや、アミン等の有機アルカリを添加してアルカリ性の研磨液としている。従って、アルカリを添加していない研磨液に比べ研磨液の粘性が高くなるので、コロイダルシリカの凝集体が精密研磨加工中にガラス基板のある箇所に付着する確率が高くなり、凸状の表面欠陥の発生率も高くなる恐れがある。よって、このような観点から凸状の表面欠陥の発生を抑制するためには、粘性の低い研磨液を使用することが好ましい。コロイダルシリカ砥粒を含む粘性の低い研磨液とする方法としては、たとえばアルカリを含まない中性域で使用することができるコロイダルシリカとすることが好ましい。中性域のコロイダルシリカは、蒸留精製が可能な有機珪素化合物を加水分解することで得られ、中性域でしかもＮａやＫ等のアルカリ金属の少ない高純度なコロイダルシリカを得ることが可能である。
尚、以上の実施の形態においては、ガラス基板の材料は特に限定されない。ガラス基板の材料としては、例えば、合成石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、結晶化ガラスなどが挙げられる。
また、以上の実施の形態における精密研磨は、両面研磨、片面研磨のどちらでも構わない。
【００１９】
また、構成５にあるように、電子デバイス用ガラス基板はたとえばマスクブランクス用ガラス基板とする。この場合、マスクブランクスとしては、フォトマスクブランクス、位相シフトマスクブランクス、反射型マスクブランクスなどが挙げられ、用途としてはＬＳＩ（半導体集積回路）用マスクブランクス、ＬＣＤ（液晶表示板）用マスクブランクスなどが挙げられる。
また、構成５にかかる基板は、位相シフトマスクブランクス用ガラス基板か、反射型マスクブランクス用ガラス基板の何れかとすると好適である。上述の通り、本発明の実施の形態にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法は、微小な凸状、凹状の表面欠陥により発生する位相差変化を抑えることができること、微小な凸状、凹状の表面欠陥により、その上に形成する多層反射膜表面での位相欠陥等を抑えることができることから位相シフトマスクブランクス用ガラス基板、反射型マスクブランクス用ガラス基板に特に効果がある。
【００２０】
また、構成６にあるように、構成１乃至５にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法によって製造した電子デバイス用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクスの製造方法により、ガラス基板上に形成された微小な凸状、凹状の表面欠陥によるマスクブランクスの欠陥（膜下欠陥）を防止することができる。
ここで、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜とは、露光光の位相を変化させる位相シフト膜（多層の場合を含む）、露光光を遮断する遮光膜（多層の場合を含む）、あるいは位相シフト膜と遮光膜とを積層した膜や、位相シフト機能と遮光機能を有するハーフトーン膜（多層の場合を含む）、露光光を反射する反射膜、露光光を吸収する吸収体膜などを指す。従って、本発明でいうマスクブランクスは広義の意味で用い、遮光膜のみが形成されたフォトマスクブランクスのほか、位相シフト膜やハーフトーン膜などが形成された位相シフトマスクブランクス、更には反射膜と吸収体膜などが形成された反射型マスクブランクスが含まれる。
尚、本発明でいうマスクブランクスは、上述の薄膜以外に、薄膜上にレジスト膜等を形成しても構わない。
【００２１】
また、構成７にあるように、構成６にかかるマスクブランクスの製造方法によって得られたマスクブランクスにおける前記薄膜をパターニングして電子デバイス用ガラス基板の主表面上に薄膜パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法により、基板表面に微小な凸状、凹状の表面欠陥が起因する薄膜パターンのパターン欠陥や位相欠陥のない転写マスクが得られる。薄膜パターンの形成は、レジスト膜付きマスクブランクスを準備し、フォトリソ工程によりレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして薄膜をエッチングすることにより薄膜パターンを形成することができる。
【００２２】
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明する。以下の例では、電子デバイス用ガラス基板として位相シフトマスクブランクス用ガラス基板、ＥＵＶ反射型マスクブランクス用ガラス基板（以下、単にガラス基板と称する）を例に説明する。
まず、以下の実施例において精密研磨で使用する遊星歯車方式の両面研磨装置について図１を用いて説明する。
遊星歯車方式の両面研磨装置は、太陽歯車２と、その外方に同心円状に配置される内歯歯車３と、太陽歯車２及び内歯歯車３に噛み合い、太陽歯車２や内歯歯車３の回転に応じて公転及び自転するキャリア４と、このキャリア４に保持された被研磨加工物１を研磨パッド７が貼着された挟持可能な上定盤５及び下定盤６と、上定盤５と下定盤６との間に研磨液を供給する研磨液供給部（図示せず）とを備えている。
精密研磨加工時には、キャリア４に保持された被研磨加工物１を上定盤５及び下定盤６とで挟持するとともに、上下定盤５，６の研磨パッド７と被研磨加工物１との間に研磨液を供給しながら、太陽歯車２や内歯歯車３の回転に応じて、キャリア４が公転及び自転しながら、被研磨加工物１の上下両面が精密研磨加工される。
【実施例１】
【００２３】
本実施例は、実施の形態にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法の具体例である。
合成石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ）の端面を面取加工、及び研削加工、更に酸化セリウム砥粒を含む研磨液で粗研磨処理を終えたガラス基板を上述の両面研磨装置のキャリアにセットし、以下の研磨条件で精密研磨を行った。
研磨パッド：スウェードタイプ（ウレタン樹脂組成物を用いた湿式凝固法により製造されたもの、ナップ層の厚さ：７６０μｍ、研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）：５６、ナップ層表面の開口径：１０〜５０μｍ）
研磨液：コロイダルシリカ砥粒（平均粒径１００ｎｍ）を含むアルカリ水溶液
加工圧力：５０〜１００ｇ／ｃｍ２
加工時間：６０ｍｉｎ
なお、精密研磨の開始時においては加工圧力を１００ｇ／ｃｍ２とし、これを段階的に下げていき、終了前の３００秒間は５０ｇ／ｃｍ２とした。
精密研磨終了後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を、希フッ酸水溶液を含む洗浄液が入った洗浄槽に浸漬（超音波印加）し、洗浄を行った。
上述の精密研磨を複数バッチ行い、精密研磨を施したガラス基板（位相シフトマスクブランクス用ガラス基板）を１００枚作製した。
【００２４】
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であった。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥、及び深さ約１０〜５０ｎｍの微小な凹状の表面欠陥を調べたところ、１００枚中１枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な表面欠陥の発生率は１％であった。
【実施例２】
【００２５】
上述の実施例１において、精密研磨で使用する研磨液を、中性（ｐＨ：７〜７．６）のコロイダルシリカ（平均粒径３０〜２００ｎｍ）を含む水溶液にした以外は、実施例１と同様にしてガラス基板（位相シフトマスクブランクス用ガラス基板）１００枚を作製した。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であった。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥、及び深さ約１０〜５０ｎｍの微小な凹状の表面欠陥を調べたところ、１００枚中の何れのガラス基板からも確認されなかった。つまり、微小な表面欠陥の発生率は０％であった。
【実施例３】
【００２６】
上述の実施例１において、研磨パッドのウレタン樹脂組成物を変更し、ナップ層の厚さを７００μｍ、研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）を６０、ナップ層表面の開口径を１０〜５０μｍの研磨パッドを使用したこと以外は、実施例１と同様にしてガラス基板（位相シフトマスクブランクス用ガラス基板）１００枚を作製した。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であった。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥、及び深さ約１０〜５０ｎｍの微小な凹状の表面欠陥を調べたところ、１００枚中５枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な表面欠陥の発生率は５％であった。
【実施例４】
【００２７】
上述の実施例１において、研磨パッドのウレタン樹脂組成物を変更し、ナップ層の厚さを６８０μｍ、研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）を５８、ナップ層表面の開口径を１０〜５０μｍの研磨パッドを使用したこと以外は、実施例１と同様にしてガラス基板（位相シフトマスクブランクス用ガラス基板）１００枚を作製した。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であった。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥、及び深さ約１０〜５０ｎｍの微小な凹状の表面欠陥を調べたところ、１００枚中３枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な表面欠陥の発生率は３％であった。実施例１と比較し、凸状の表面欠陥の発生が若干増えた。
【実施例５】
【００２８】
上述の実施例１において、研磨パッドのウレタン樹脂組成物を変更し、ナップ層の厚さを５６０μｍ、研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）を６２、ナップ層表面の開口径を３０〜６０μｍの研磨パッドを使用したこと以外は、実施例１と同様にしてガラス基板（位相シフトマスクブランクス用ガラス基板）１００枚を作製した。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であった。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥、及び深さ約１０〜５０ｎｍの微小な凹状の表面欠陥を調べたところ、１００枚中８枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な表面欠陥の発生率は８％であった。実施例１と比較し、凸状の表面欠陥の発生が若干増えた。
【００２９】
（比較例１）
上述の実施例１において、研磨パッドのウレタン樹脂組成物を変更し、ナップ層の厚さを５６０μｍ、研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）を６７、ナップ層表面の開口径を３０〜１００μｍの研磨パッドを使用したこと以外は、実施例１と同様にしてガラス基板（位相シフトマスクブランクス用ガラス基板）１００枚を作製した。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であったが、レーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥、及び深さ約１０〜５０ｎｍの微小な凹状の表面欠陥を調べたところ、１００枚中１７枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な表面欠陥の発生率は１７％と非常に高かった。
【実施例６】
【００３０】
上述の実施例１において、ガラス基板の材料をＳｉＯ２−ＴｉＯ２系低熱膨張ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ）に変えた以外は、実施例１と同様にしてガラス基板（ＥＵＶ反射型マスクブランクス用ガラス基板）１００枚を作製した。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であった。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥、及び深さ約１０〜５０ｎｍの微小な凹状の表面欠陥を調べたところ、１００枚中３枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な表面欠陥の発生率は３％であった。
【００３１】
（比較例２）
上述の実施例６において、前述の比較例１と同じ、ナップ層の厚さを５６０μｍ、研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）を６７、ナップ層表面の開口径を３０〜１００μｍの研磨パッドを使用したこと以外は、実施例１と同様にしてガラス基板（ＥＵＶ反射型マスクブランクス用ガラス基板）１００枚を作製した。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であったが、レーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥、及び深さ約１０〜５０ｎｍの微小な凹状の表面欠陥を調べたところ、１００枚中２２枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な表面欠陥の発生率は２２％と非常に高かった。
尚、上述の実施例１〜６及び比較例１、２で確認された微小な凸状の表面欠陥をＥＰＭＡ（ElectronProbe(X-ray) Micro Analyzer）で成分分析を行ったところ、主成分がＳｉ、Ｏを含むものであることが確認された。
【実施例７】
【００３２】
上述の実施例１〜５にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法によって製造した微小な凸状、凹状の表面欠陥のない位相シフトマスクブランクス用ガラス基板の一主表面上に、モリブデンシリサイド窒化膜からなるハーフトーン膜をスパッタリング法により形成した後、レジスト膜を形成して位相シフトマスクブランクスを作製した。
さらに、レジスト膜を所定の描画、現像によりパターニングしてレジストパターンとした後、このレジストパターンをマスクとしてモリブデンシリサイド窒化膜をドライエッチングによりエッチング除去、レジストパターンを除去して位相シフトマスクを作製した。
（比較例３）
上述の比較例１の製造方法によって製造した微小な凸状、凹状の表面欠陥のある位相シフトマスクブランクス用ガラス基板の一主表面上に実施例５と同様にして成膜を行い、位相シフトマスクブランクスを作製し、さらにこのマスクブランクスから位相シフトマスクを作製した。
【実施例８】
【００３３】
また、上述の実施例６にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法によって製造した微小な凸状、凹状の表面欠陥のないＥＵＶ反射型マスクブランクス用ガラス基板の一主表面上に、Ｍｏ膜とＳｉ膜の交互積層膜を４０周期にわたり形成して多層反射膜を形成し、さらに、多層反射膜上にＴａＢＮ膜からなる吸収体膜を形成し、レジスト膜を形成してＥＵＶ反射型マスクブランクスを作製した。
さらに、レジスト膜を所定の描画、現像によりパターニングしてレジストパターンとした後、このレジストパターンをマスクにしてＴａＢＮ膜をドライエッチングによりエッチング除去、レジストパターンを除去してＥＵＶ反射型マスクを作製した。
（比較例４）
上述の比較例２の製造方法によって製造した微小な凸状、凹状の表面欠陥のあるＥＵＶ反射型マスクブランクス用ガラス基板の一主表面上に実施例６と同様にして成膜を行い、ＥＵＶ反射型マスクブランクスを作製し、さらにこのマスクブランクスからＥＵＶ反射型マスクを作製した。
【００３４】
（評価結果）
こうして作製した位相シフトマスクブランクス、位相シフトマスク、ＥＵＶ反射型マスクブランクス、ＥＵＶ反射型マスクの欠陥検査を行ったところ、実施例１〜６にかかる電子デバイス用ガラス基板を用いて製造した位相シフトマスクブランクス、及び位相シフトマスク、並びにＥＵＶ反射型マスクブランクス、及びＥＵＶ反射型マスクには凸状、凹状の表面欠陥は認められなかった。これに対し、微小な凸状、凹状の表面欠陥が確認された比較例１、２にかかる電子デバイス用ガラス基板を用いて製造した位相シフトマスクブランクス、及び位相シフトマスク、並びにＥＵＶ反射型マスクブランクス、及び反射型マスクには、ガラス基板表面、ハーフトーン膜パターンの境界、多層反射膜表面、吸収体膜パターンの境界に凸状、凹状の表面欠陥が確認された。これらの表面欠陥は、マスクを用いてパターン転写を行った際の転写像のパターン精度等にも影響を及ぼす。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】精密研磨工程で使用する遊星歯車方式の両面研磨装置の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１  被研磨加工物
２  太陽歯車
３  内歯歯車
４  キャリア
５  上定盤
６  下定盤
７  研磨パッド
【図１】
2005066781.tif 000003