(57)【要約】【課題】  圧電薄膜共振器におけるパターン不良および圧電薄膜共振器間の不要な音響結合を防止する。【解決手段】  圧電薄膜を下部電極と上部電極とで挟んだ構造を有して下部電極、圧電薄膜および上部電極が相互に重なり合う領域で構成され、圧電薄膜の内部を伝搬するバルク波により所定の共振周波数の信号を得る圧電薄膜共振器であって、圧電薄膜共振器（たとえば圧電薄膜共振器１０ａ）とこの圧電薄膜共振器に隣接する他の圧電薄膜共振器（たとえば圧電薄膜共振器１０ｂ）との対向する外周部間の間隔が一定でないようにする。具体的には、圧電薄膜共振器１０ａ，１０ｂを楕円形状で形成する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電薄膜を第１の電極膜と第２の電極膜とで挟んだ構造を有して前記第１の電極膜、前記圧電薄膜および前記第２の電極膜が相互に重なり合う領域で構成され、前記圧電薄膜の内部を伝搬するバルク波により所定の共振周波数の信号を得る圧電薄膜共振器であって、
前記圧電薄膜共振器と当該圧電薄膜共振器に隣接する他の圧電薄膜共振器との対向する外周部間の少なくとも一部の間隔が一定でないことを特徴とする圧電薄膜共振器。
【請求項２】
前記圧電薄膜共振器は楕円形状であることを特徴とする請求項１記載の圧電薄膜共振器。
【請求項３】
前記圧電薄膜共振器は、その長軸の延長線が楕円形状を有する隣接した他の圧電薄膜共振器の長軸またはその延長線と交差することを特徴とする請求項２記載の圧電薄膜共振器。
【請求項４】
前記圧電薄膜共振器は、その長軸が楕円形状を有する隣接した他の圧電薄膜共振器の長軸の延長線と交差することを特徴とする請求項２記載の圧電薄膜共振器。
【請求項５】
圧電薄膜を第１の電極膜と第２の電極膜とで挟んだ構造を有して前記第１の電極膜、前記圧電薄膜および前記第２の電極膜が相互に重なり合う領域で構成され、前記圧電薄膜の内部を伝搬するバルク波により所定の共振周波数の信号を得る圧電薄膜共振器であって、
前記圧電薄膜共振器と当該圧電薄膜共振器に隣接する他の圧電薄膜共振器との対向する外周部の少なくとも一部が、間隔が一定となる曲線または折れ線で形成されていることを特徴とする圧電薄膜共振器。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載の圧電薄膜共振器が用いられていることを特徴とするフィルタ。
【請求項７】
入力電極パッドと出力電極パッドとの間に形成された第１の配線部と、
前記第１の配線部に配置された少なくとも１つの請求項１〜５の何れか一項に記載の圧電薄膜共振器と、
前記第１の配線部と接地電極パッドとの間に形成された少なくとも１つの第２の配線部と、
前記第２の配線部に配置され、前記第１の配線部に配置された前記圧電薄膜共振器の共振周波数とほぼ一致する反共振周波数を有する請求項１〜５の何れか一項に記載の圧電薄膜共振器と、
を有することを特徴とするフィルタ。
【請求項８】
前記接地電極パッドは、矩形形状を有する素子基板の相互に最も離間した２カ所の隅部近傍にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項７記載のフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電薄膜共振器およびそれを用いたフィルタに関し、特に圧電薄膜共振器間の不要な音響結合の防止に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話の発展と共に、小型で低損失なＲＦフィルタへの需要が高まっている。また、高速大容量通信への要求から、通信システムの搬送波の高周波化が進んでいる。
【０００３】
このような要求に対し、近年では圧電薄膜共振器を用いたフィルタへの関心が高まっている。ここで、圧電薄膜共振器は、圧電薄膜を上下の電極膜で挟んだ構造を有しており、上下の電極膜間に高周波信号を印加することにより所定の共振特性を示す。そして、フィルタは、このような圧電薄膜共振器が電気的にラダー（梯子）型に接続された構造となっている。
【０００４】
ここで、従来におけるフィルタでは、圧電薄膜共振器の形状は長方形や正方形、つまり矩形となっている。なお、圧電薄膜共振器の形状については、たとえば１９９５  ＩＥＥＥ  ＵＬＴＲＡＳＯＮＩＣＳ  ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ  Ｐ９０５〜９０８／ＳＯＬＩＤＬＹ  ＭＯＵＮＴＥＤ  ＲＥＳＯＮＡＴＯＲＳ  ＡＮＤ  ＦＩＬＴＥＲＳ、特にそのＦｉｇ．４に記載がある。
【０００５】
ここで、本明細書において、圧電薄膜共振器の形状とは、圧電薄膜共振器を構成する圧電薄膜や電極膜の個々の形状を指すのではなく、圧電薄膜とこの圧電薄膜を挟む電極膜が相互に重なり合った領域の形状を指す。
【０００６】
そして、フィルタにおいては、隣り合う圧電薄膜共振器の間隔は、チップの小型化や配線長削減による低損失化を図るために、なるべく狭く設計することが重要である。
【非特許文献１】１９９５  ＩＥＥＥ  ＵＬＴＲＡＳＯＮＩＣＳ  ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ  Ｐ９０５〜９０８／ＳＯＬＩＤＬＹ  ＭＯＵＮＴＥＤ  ＲＥＳＯＮＡＴＯＲＳ  ＡＮＤ  ＦＩＬＴＥＲＳ
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、隣り合う圧電薄膜共振器の間隔を狭くすると、振動部分が近接することにより音響結合が生じ、新たな共振モードが発生する可能性が懸念される。
【０００８】
一般に、新たな音響結合によるモードは不要なスプリアスとなり、フィルタ特性を劣化させるのみならず、製造上の問題点も顕著となってくる。
【０００９】
すなわち、電極膜、特に上部電極膜のレジストパターニングにおいては、パターンが密集する部分の解像度が劣化しやすく、エッチングにおいては、パターンの密集度が電極間部分とそれ以外の領域で大きく異なるので、エッチングレートが異なるなどの問題が生じ、特性ばらつきやエッチングダメージなどの問題がある。よって、従来では、相互に隣接する圧電薄膜共振器について十数μｍの間隔を設けていた。
【００１０】
また、長方形の圧電薄膜共振器では、回転方向におけるレイアウトの自由度が少なく、フィルタの小型化に不利である。これに対し、正方形の圧電薄膜共振器は、長方形の圧電薄膜共振器に比べてレイアウトの自由度が高いが、スプリアス削減のために各々の辺が隣接する圧電薄膜共振器と平行にならないようにする必要があるため、すなわち圧電薄膜共振器は隣り合う圧電薄膜共振器に影響されるため、各々独自にレイアウトが決めにくい。
【００１１】
そこで、本発明は、圧電薄膜共振器のパターン不良を防止することのできる技術を提供することを目的とする。
【００１２】
また、本発明は、圧電薄膜共振器間の不要な音響結合を防止することのできる技術を提供することを目的とする。
【００１３】
さらに、本発明は、圧電薄膜共振器のレイアウトの自由度を高めることのできる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するため、本発明に係る圧電薄膜共振器は、圧電薄膜を第１の電極膜と第２の電極膜とで挟んだ構造を有して前記第１の電極膜、前記圧電薄膜および前記第２の電極膜が相互に重なり合う領域で構成され、前記圧電薄膜の内部を伝搬するバルク波により所定の共振周波数の信号を得る圧電薄膜共振器であって、前記圧電薄膜共振器と当該圧電薄膜共振器に隣接する他の圧電薄膜共振器との対向する外周部間の少なくとも一部の間隔が一定でないことを特徴とする。
【００１５】
本発明の好ましい形態において、前記圧電薄膜共振器は楕円形状であることを特徴とする。
【００１６】
本発明のさらに好ましい形態において、前記圧電薄膜共振器は、その長軸の延長線が楕円形状を有する隣接した他の圧電薄膜共振器の長軸またはその延長線と交差することを特徴とする。
【００１７】
本発明のさらに好ましい形態において、前記圧電薄膜共振器は、その長軸が楕円形状を有する隣接した他の圧電薄膜共振器の長軸の延長線と交差することを特徴とする。
【００１８】
また、上記課題を解決するため、本発明に係る圧電薄膜共振器は、圧電薄膜を第１の電極膜と第２の電極膜とで挟んだ構造を有して前記第１の電極膜、前記圧電薄膜および前記第２の電極膜が相互に重なり合う領域で構成され、前記圧電薄膜の内部を伝搬するバルク波により所定の共振周波数の信号を得る圧電薄膜共振器であって、前記圧電薄膜共振器と当該圧電薄膜共振器に隣接する他の圧電薄膜共振器との対向する外周部の少なくとも一部が、間隔が一定となる曲線または折れ線で形成されていることを特徴とする。
【００１９】
さらに、上記課題を解決するため、本発明に係るフィルタは、前述した圧電薄膜共振器が用いられていることを特徴とする。
【００２０】
本発明の好ましい形態において、入力電極パッドと出力電極パッドとの間に形成された第１の配線部と、前記第１の配線部に配置された少なくとも１つの前述した圧電薄膜共振器と、前記第１の配線部と接地電極パッドとの間に形成された少なくとも１つの第２の配線部と、前記第２の配線部に配置され、前記第１の配線部に配置された前記圧電薄膜共振器の共振周波数とほぼ一致する反共振周波数を有する前述した圧電薄膜共振器とを有することを特徴とする。
【００２１】
本発明のさらに好ましい形態において、前記接地電極パッドは、矩形形状を有する素子基板の相互に最も離間した２カ所の隅部近傍にそれぞれ配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば以下の効果を奏することができる。
【００２３】
すなわち、本発明によれば、圧電薄膜共振器のパターンが密集することがなくなるので、パターン形成時におけるレジスト残渣やエッチングレート低下によるパターン不良を防止することが可能になる。
【００２４】
また、本発明によれば、隣り合う圧電薄膜共振器の相互に対向する外周部の平行な箇所がなくなるので、２つの圧電薄膜共振器の位相が揃う条件がなくなり、不要な音響結合の発生を防止することが可能になる。
【００２５】
さらに、本発明によれば、このように２つの圧電薄膜共振器の位相が揃う条件がなくなることから、圧電薄膜共振器のレイアウトの自由度を高めることが可能になる。
【００２６】
そして、矩形形状を有する素子基板の相互に最も離間した２カ所の隅部近傍に２つの接地電極パッドをそれぞれ配置すれば、不要な誘導結合を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面を参照しつつさらに具体的に説明する。ここで、添付図面において同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複した説明は省略されている。なお、ここでの説明は本発明が実施される最良の形態であることから、本発明は当該形態に限定されるものではない。
【００２８】
（実施の形態１）
【００２９】
図１は本発明の実施の形態１におけるフィルタを構成する圧電薄膜共振器を示す断面図、図２は本発明の実施の形態１におけるフィルタを示す説明図、図３は図２のフィルタの回路図、図４は比較例としてのフィルタを示す説明図である。
【００３０】
図１に示すように、本実施の形態のフィルタを構成する圧電薄膜共振器１０は、ＳＭＲ（Ｓｏｌｉｄｌｙ  Ｍｏｕｎｔｅｄ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）型圧電薄膜共振器と呼ばれるもので、たとえば単結晶シリコンからなる素子基板１１の上に、音響インピーダンスが高い薄膜と低い薄膜、たとえばＡｌＮ膜１２ａとＳｉＯ２膜１２ｂとが交互に各２層ずつ形成されてなる音響反射膜１２が形成されている。この音響反射膜１２上にはＰｔ膜が真空蒸着法により成膜され、リソグラフィーによりパターニングされて下部電極（第１の電極膜）１３が形成されている。
【００３１】
さらに、下部電極１３を覆うようにして、スパッタリング法によりＺｎＯあるいはＡｌＮからなる圧電薄膜１４が成膜されている。そして、圧電薄膜１４上にはスパッタリング法によりＡｌが成膜され、リソグラフィーによりパターニングされて上部電極（第２の電極膜）１５が形成されている。
【００３２】
このような圧電薄膜共振器１０において、下部電極１３と上部電極１５とに交流電圧を印加すると、圧電効果により圧電薄膜１４の内部を伝搬するバルク波により所定の共振周波数の信号が得られる。
【００３３】
なお、音響反射膜１２は形成されていなくてもよく、この場合には素子基板１１上に直接下部電極１３が形成される。また、本形態においては音響反射膜１２は４層であるが、音響インピーダンスの異なる薄膜が積層されていれば、４層に限らない。さらに、各薄膜の膜質は上記のものに限定されるものではなく、一例に過ぎない。そして、たとえば音響反射膜１２と下部電極１３との間や、圧電薄膜１４と上部電極１５との間には、密着層としての薄膜を形成してもよい。
【００３４】
ここで、前述のように、圧電薄膜共振器１０の形状とは、圧電薄膜１４とこの圧電薄膜１４を挟む下部電極１３および上部電極１５が相互に重なり合った領域の形状であることから、図１に示す場合には、上下に延びる左右２本の破線で挟まれた領域を平面上から見た形状となる。これが図２に示す形状であり、このような圧電薄膜共振器１０ａ〜１０ｆをレイアウトすることにより、フィルタ１６が形成されている。
【００３５】
すなわち、本実施の形態のフィルタ１６は、矩形形状を有する素子基板上に形成された楕円形状を有する圧電薄膜共振器１０ａ〜１０ｆにより構成されている。図２および図３に示すように、フィルタ１６には、入力電極パッド１７と出力電極パッド１８との間に直列腕としての第１の配線部２１が形成され、４つの圧電薄膜共振器１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄが直列に接続されている。また、圧電薄膜共振器１０ａと圧電薄膜共振器１０ｂとの中点と接地電極パッド１９との間、および圧電薄膜共振器１０ｃと圧電薄膜共振器１０ｄとの中点と接地電極パッド２０との間に並列腕としての第２の配線部２２ａ，２２ｂがそれぞれ形成され、圧電薄膜共振器１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄの共振周波数とほぼ一致する反共振周波数を有して圧電薄膜共振器１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄとで通過帯域を形成する圧電薄膜共振器１０ｅ，１０ｆが配置されている。
【００３６】
図２において、圧電薄膜共振器１０ａ〜１０ｆの形状として楕円形状で示す部分は上部電極１５（図１）の形状と一致しており、電極パッド１７〜２０、第１の配線部２１および第２の配線部２２ａ，２２ｂはこのような上部電極１５を形成する成膜プロセスと同一の成膜プロセスで形成されている。また、圧電薄膜共振器１０ａ，１０ｂ，１０ｅを取り囲む破線で示す領域、および圧電薄膜共振器１０ｃ，１０ｄ，１０ｆを取り囲む破線で示す領域が下部電極１３である。なお、圧電薄膜１４（図１）は、本実施の形態においては素子基板の全面に形成されている。
【００３７】
したがって、図２に示す場合には、圧電薄膜共振器１０ａ，１０ｂ，１０ｅが下部電極で相互に電気的に接続され、圧電薄膜共振器１０ｃ，１０ｄ，１０ｆが下部電極で相互に電気的に接続されている。
【００３８】
ここで、直列腕である第１の配線部２１に配置される圧電薄膜共振器は少なくとも１つであればよい。また、第２の配線部は少なくとも１つ形成されていればよく、よって並列腕の圧電薄膜共振器も少なくとも１つであればよい。さらに、本発明のフィルタは、このようなラダー構造を有するものには限定されるものではなく、様々な構造を採用することができる。
【００３９】
そして、圧電薄膜共振器の形状とは圧電薄膜１４とこれを挟む下部電極１３および上部電極１５が相互に重なり合った領域の形状であることから、本実施の形態のように、上部電極１５を楕円形状とし、圧電薄膜１４および下部電極１３をこれより広くすることのみならず、圧電薄膜１４のみあるいは下部電極１３のみを楕円形状として他をこれより広くしたり、これらの何れか２種類の薄膜、あるいは全ての薄膜を楕円形状としたり、これら３種類の薄膜の何れもが楕円形状ではないが重複部分では楕円形状となるようにすることができる。
【００４０】
ここで、比較例として従来の圧電薄膜共振器で構成されたフィルタを図４に示す。
【００４１】
図４に示すフィルタ１１６は、入力電極パッド１１７と出力電極パッド１１８との間に直列腕としての第１の配線部１２１が形成され、４つの圧電薄膜共振器１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄが直列に接続されている。また、圧電薄膜共振器１１０ａと圧電薄膜共振器１１０ｂとの中点と接地電極パッド１１９との間、および圧電薄膜共振器１１０ｃと圧電薄膜共振器１１０ｄとの中点と接地電極パッド１２０との間に並列腕としての第２の配線部１２２ａ，１２２ｂがそれぞれ形成され、圧電薄膜共振器１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄの共振周波数とほぼ一致する反共振周波数を有して圧電薄膜共振器１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄとで通過帯域を形成する圧電薄膜共振器１１０ｅ，１１０ｆが配置されている。この図４において、圧電薄膜共振器の面積および共振器間の最短距離は図２に示す場合と同様になっている。
【００４２】
なお、図４においても、圧電薄膜共振器１１０ａ〜１１０ｆの形状として示す部分は上部電極の形状と一致しており、圧電薄膜共振器１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｅを取り囲む破線で示す領域、および圧電薄膜共振器１１０ｃ，１１０ｄ，１１０ｆを取り囲む破線で示す領域が下部電極１１３である。また、圧電薄膜は素子基板の全面に形成されている。
【００４３】
図４に示すように、従来の圧電薄膜共振器１１０ａ〜１１０ｆは長方形（矩形）の形状となっており、隣り合う圧電薄膜共振器の間隔は一定となっている。
【００４４】
すると、たとえば圧電薄膜共振器１１０ａ、圧電薄膜共振器１１０ｂおよび圧電薄膜共振器１１０ｅに囲まれた領域（図４において網線で示す領域）はパターンが密集していることから、他の部分に比べてレジスト残渣やエッチングレートの低下によるパターン不良が生じやすい。
【００４５】
また、隣り合う圧電薄膜共振器の相互に対向する外周部が平行なために位相が揃う可能性が高く、音響的結合が懸念される。
【００４６】
さらに、圧電薄膜共振器の間隔が一定となる条件のもとでは、レイアウトに自由度がほとんどなく、設計上の制約が多くなる。
【００４７】
これに対して、本実施の形態のフィルタ１６では、図２に示すように、圧電薄膜共振器１０ａ〜１０ｆを楕円形状としているので、隣り合う圧電薄膜共振器の中心間距離が同じでも両者の間の距離を拡大できることから、たとえば圧電薄膜共振器１０ａ、圧電薄膜共振器１０ｂおよび圧電薄膜共振器１０ｅに囲まれた領域（図２において網線で示す領域）が広くなってパターンが密集することがなくなる。したがって、パターン形成時におけるレジスト残渣やエッチングレート低下によるパターン不良を防止することが可能になる。
【００４８】
また、このように圧電薄膜共振器１０ａ〜１０ｆを楕円形状としているので、隣り合う圧電薄膜共振器の相互に対向する外周部には平行な箇所がなくなる。これにより、隣り合う２つの圧電薄膜共振器の位相が揃う条件がなくなり、不要な音響結合の発生を防止することが可能になる。
【００４９】
さらに、圧電薄膜共振器１０ａ〜１０ｆを楕円形状として２つの圧電薄膜共振器の位相が揃う条件がなくなることから、圧電薄膜共振器のレイアウトの自由度を高めることが可能になる。
【００５０】
さらに、隣り合う圧電薄膜共振器間に面積が広い領域が形成されるため、矩形電極に比べて共振器間距離を狭くできる。
【００５１】
そして、隣り合う楕円形状の圧電薄膜共振器の近接点に接続配線（第１の配線部２１、第２の配線部２２ａ，２２ｂ）を設ければ、配線抵抗を削減することが可能になる。
【００５２】
（実施の形態２）
【００５３】
図５は本発明の実施の形態２におけるフィルタを示す説明図、図６は本発明の実施の形態２における変形例としてのフィルタを示す説明図、図７は本発明の実施の形態２における他の変形例としてのフィルタを示す説明図である。
【００５４】
図５に示すように、本実施の形態では、楕円形状をした圧電薄膜共振器１０ａ〜１０ｄを適宜回転させることにより、その長軸の延長線が隣接した他の圧電薄膜共振器の長軸の延長線と交差するようにレイアウトしたものである。つまり、図５において、圧電薄膜共振器１０ａの長軸Ｓ１の延長線と圧電薄膜共振器１０ｂの長軸Ｓ２の延長線とが交差しており、圧電薄膜共振器１０ｂの長軸Ｓ２の延長線と圧電薄膜共振器１０ｃの長軸Ｓ３の延長線とが交差しており、圧電薄膜共振器１０ｃの長軸Ｓ３の延長線と圧電薄膜共振器１０ｄの長軸Ｓ４の延長線とが交差している。
【００５５】
なお、図示する場合には楕円形状をした２つの圧電薄膜共振器の延長線同士が交差しているが、一方の圧電薄膜共振器の長軸と他方の圧電薄膜共振器の長軸の延長線が交差する関係となっていてもよい。この場合には、交差位置が一方の圧電薄膜共振器の領域内となる。
【００５６】
つまり、交差位置が自らの領域内とはならない圧電薄膜共振器から見た場合には、その長軸の延長線が、楕円形状を有する隣接した他の圧電薄膜共振器の長軸またはその延長線と交差するようになる。また、交差位置が自らの領域内となる圧電薄膜共振器から見た場合には、その長軸が、楕円形状を有する隣接した他の圧電薄膜共振器の長軸の延長線と交差するようになる。
【００５７】
このようにすれば、圧電薄膜共振器１０ａ，１０ｂ，１０ｅの間隔、あるいは圧電薄膜共振器１０ｃ，１０ｄ，１０ｆの間隔をより狭くすることができ、面積効率の向上を図ることが可能になる。
【００５８】
また、最短の共振器間距離を変えないという制約条件のもとにおける共振器配置の自由度が増すとともに、電極パッドの配置の自由度も増す。
【００５９】
なお、長軸の回転角度は任意であり、図５に示す場合に限定されるものではない。すなわち、所望のレイアウトに応じて、それぞれの回転角度や位置関係を適宜変化させることができる。
【００６０】
たとえば、図６および図７に示すように、圧電薄膜共振器１０ｅ，１０ｆおよび電極パッド１７〜２０も含めて間隔をより狭くするようにレイアウトすれば、一層の面積効率の向上が図られるとともに、レイアウト密度がより均一になるので、エッチングのばらつきが減って安定した製造品質が得られる。
【００６１】
特に、図７に示すように、矩形形状を有する素子基板の相互に最も離間した２カ所の隅部近傍に２つの接地電極パッド１９，２０をそれぞれ配置すれば、不要な誘導結合を防ぐことができて望ましい。
【００６２】
なお、図４に示した従来のフィルタ１１６では、このような配置は困難である。これは、矩形の圧電薄膜共振器では、互いの位置関係が素子基板面に対して垂直か水平かの２方向しかないが、楕円形状の圧電薄膜共振器は、それ自体を回転させることができるので、他の楕円形状の圧電薄膜共振器に対して全方位に配置可能だからである。
【００６３】
（実施の形態３）
【００６４】
図８は本発明の実施の形態３におけるフィルタを示す説明図、図９は本発明の実施の形態３における第１の変形例としてのフィルタを示す説明図、図１０は本発明の実施の形態３における第２の変形例としてのフィルタを示す説明図、図１１は本発明の実施の形態３における第３の変形例としてのフィルタを示す説明図、図１２は本発明の実施の形態３における第４の変形例としてのフィルタを示す説明図、図１３は本発明の実施の形態３における第５の変形例としてのフィルタを示す説明図、図１４は本発明の実施の形態３における第６の変形例としてのフィルタを示す説明図、図１５は本発明の実施の形態３における第７の変形例としてのフィルタを示す説明図、図１６は本発明の実施の形態３における第８の変形例としてのフィルタを示す説明図である。
【００６５】
図８に示すフィルタでは、向かい合う辺が平行ではない角形を有する圧電薄膜共振器１０ａ〜１０ｆが用いられている。なお、図８において、圧電薄膜共振器の面積は図２に示す場合と同様になっている。
【００６６】
圧電薄膜共振器１０ａ〜１０ｆをこのような形状にすることにより、ある圧電薄膜共振器（たとえば圧電薄膜共振器１０ａ）とこの圧電薄膜共振器に隣接する他の圧電薄膜共振器（たとえば圧電薄膜共振器１０ｂ）との対向する外周部間の間隔は一定ではなくなる。
【００６７】
したがって、本実施の形態においても、パターンが密集することがなくなるので、パターン形成時におけるレジスト残渣やエッチングレート低下によるパターン不良を防止することが可能になる。
【００６８】
また、隣り合う圧電薄膜共振器の相互に対向する外周部には平行な箇所がなくなるので、隣り合う２つの圧電薄膜共振器の位相が揃う条件がなくなり、不要な音響結合の発生を防止することが可能になる。
【００６９】
そして、このように２つの圧電薄膜共振器の位相が揃う条件がなくなることから、圧電薄膜共振器のレイアウトの自由度を高めることが可能になる。
【００７０】
このように、実施の形態１，２に示す場合のように圧電薄膜共振器を楕円形状にするのではなく、本実施の形態のように角形にしても、所期の作用効果が得られる。つまり、本発明では、ある圧電薄膜共振器と、この圧電薄膜共振器に隣接する他の圧電薄膜共振器との対向する外周部間の間隔が一定でなければよく、三角形や五角形以上の多角形、円、長円、あるいはこれらを組み合わせた形状など、様々な形状を採用することができる。また、間隔が一定でない箇所は、対向する外周部の全体にわたっている必要はなく、一部であってもよい。
【００７１】
一例を挙げると、図９の第１の変形例に示すように、圧電薄膜共振器１０ａ，１０ｂの相互に対向した角の一方を直線で切り欠いた形状、図１０の第２の変形例に示すように、圧電薄膜共振器１０ａ，１０ｂの相互に対向した角の一方を曲線で切り欠いた形状、図１１の第３の変形例に示すように、圧電薄膜共振器１０ａ，１０ｂの相互に対向した２つの角を曲線で切り欠いた形状、図１２の第４の変形例に示すように、圧電薄膜共振器１０ａ，１０ｂの相互に対向した角の一方を直線で切り欠くとともに圧電薄膜共振器１０ｅにおけるその切り欠き部分の近傍を切り欠いた形状、図１３の第５の変形例に示すように、圧電薄膜共振器１０ａ，１０ｂの相互に対向した２つの角を曲線で切り欠くとともに圧電薄膜共振器１０ｅにおける圧電薄膜共振器１０ａ，１０ｂ側の２つの角を曲線で切り欠いた形状などを採用することができる。
【００７２】
さらに、以上説明したように相互に隣接する２つの圧電薄膜共振器の対向する外周部間の間隔が一定でない場合のみならず、一定であっても所期の作用効果が得られる形状が考えられる。
【００７３】
これは、ある圧電薄膜共振器とこの圧電薄膜共振器に隣接する他の圧電薄膜共振器との対向する外周部が、間隔が一定となる曲線または折れ線で形成されている場合である。なお、ここでも、曲線や折れ線で形成された箇所は、対向する外周部の全体にわたっている必要はなく、一部であってもよい。
【００７４】
このような一例を挙げると、図１４の第６の変形例に示すように、圧電薄膜共振器１０ａ，１０ｂの相互に対向した外周部（辺）を等間隔を保った折れ線で形成した形状、図１５の第７の変形例に示すように、圧電薄膜共振器１０ａ，１０ｂの相互に対向した外周部（辺）を等間隔を保った曲線で形成した形状、図１６の第８の変形例に示すように、圧電薄膜共振器１０ａ，１０ｂの相互に対向した外周部（辺）を等間隔を保った曲線で形成するとともに、圧電薄膜共振器１０ａ，１０ｂと圧電薄膜共振器１０ｅの相互に対向した外周部（辺）を等間隔を保った曲線で形成した形状などを採用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
以上の説明においては、本発明をＳＭＲ型の圧電薄膜共振器で構成した場合について説明したが、上下電極に挟まれた圧電薄膜の上下方向を大気開放の状態にし、音響的に全反射させるダイヤフラム型の圧電薄膜共振器など、圧電薄膜を用いた積層型の圧電薄膜共振器全般に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の実施の形態１におけるフィルタを構成する圧電薄膜共振器を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１におけるフィルタを示す説明図である。
【図３】図２のフィルタの回路図である。
【図４】比較例としてのフィルタを示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態２におけるフィルタを示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２における変形例としてのフィルタを示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２における他の変形例としてのフィルタを示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態３におけるフィルタを示す説明図である。
【図９】本発明の実施の形態３における第１の変形例としてのフィルタを示す説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態３における第２の変形例としてのフィルタを示す説明図である。
【図１１】本発明の実施の形態３における第３の変形例としてのフィルタを示す説明図である。
【図１２】本発明の実施の形態３における第４の変形例としてのフィルタを示す説明図である。
【図１３】本発明の実施の形態３における第５の変形例としてのフィルタを示す説明図である。
【図１４】本発明の実施の形態３における第６の変形例としてのフィルタを示す説明図である。
【図１５】本発明の実施の形態３における第７の変形例としてのフィルタを示す説明図である。
【図１６】本発明の実施の形態３における第８の変形例としてのフィルタを示す説明図である。
【符号の説明】
【００７７】
１０ａ〜１０ｆ，１１０ａ〜１１０ｅ  圧電薄膜共振器
１１  素子基板
１２  音響反射膜
１２ａ  ＡｌＮ膜
１２ｂ  ＳｉＯ２膜
１３，１１３  下部電極（第１の電極膜）
１４  圧電薄膜
１５  上部電極（第２の電極膜）
１６，１１６  フィルタ
１７，１１７  入力電極パッド
１８，１１８  出力電極パッド
１９，２０，１１９，１２０  接地電極パッド
２１，１２１  第１の配線部
２２ａ，２２ｂ，１２２ａ，１２２ｂ  第２の配線部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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