(57)【要約】【課題】複数の端子間ピッチに適用できる光結合半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】発光素子側搭載用端子１と発光素子側導線接続用端子２とが複数種類の規定端子間隔に合うよう端子間隔を異ならせてアウターパッケージ９の外に複数対形成するとともに、受光素子側搭載用端子３と受光素子側導線接続用端子４とが複数種類の規定端子間隔に合うよう端子間隔を異ならせてアウターパッケージ９の外に複数対形成し、タイバーカット以降の工程で選択的に端子またはタイバー１６を切除し、複数種類の規定端子間隔から所定の前記規定端子間隔を有する端子を形成する。【選択図】図１ 
2005328082.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子側搭載用端子に発光素子を搭載し、発光素子側導線接続用端子と前記発光素子とを導線によって接続し、受光素子側搭載用端子に受光素子を搭載し、受光素子側導線接続用端子と前記受光素子とを導線によって接続し、前記発光素子と前記受光素子との間の光路を形成し、樹脂封止によりアウターパッケージを形成し、タイバーカットして、光結合半導体装置を製造する光結合半導体装置の製造方法において、
前記発光素子側搭載用端子と発光素子側導線接続用端子とが複数種類の規定端子間隔に合うよう端子間隔を異ならせて前記アウターパッケージ外に複数対形成するとともに、前記受光素子側搭載用端子と受光素子側導線接続用端子とが複数種類の規定端子間隔に合うよう端子間隔を異ならせて前記アウターパッケージ外に複数対形成し、
前記タイバーカット以降の工程で選択的に端子またはタイバーを切除し、前記複数種類の規定端子間隔から所定の前記規定端子間隔を有する端子を形成することを特徴とする光結合半導体装置の製造方法。
【請求項２】
複数形成された前記発光素子側搭載用端子同士、発光素子側導線接続用端子同士、受光素子側搭載用端子同士、および受光素子側導線接続用端子同士がそれぞれ樹脂封止されたパッケージ内で連結されていることを特徴とする請求項１に記載の光結合半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記タイバーカット以降の工程で、複数形成された前記発光素子側搭載用端子同士、発光素子側導線接続用端子同士、受光素子側搭載用端子同士、および受光素子側導線接続用端子同士がそれぞれ樹脂封止されたアウターパッケージ外で連結するようにタイバーカットすることを特徴とする請求項１に記載の光結合半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記タイバーカット以降の工程で、前記複数対の発光素子側搭載用端子と発光素子側導線接続用端子、および前記複数対の受光素子側搭載用端子と受光素子側導線接続用端子、それぞれ任意の１対の端子のみを残して切除することを特徴とする請求項１または２に記載の光結合半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記タイバーカット以降の工程で、前記複数対の発光素子側搭載用端子と発光素子側導線接続用端子、および前記複数対の受光素子側搭載用端子と受光素子側導線接続用端子、それぞれ任意の１対の端子と前記連結部分とを残して、その連結部分より外側または内側の端子部分を切除することを特徴とする請求項３に記載の光結合半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記複数種類の規定端子間隔は、０．１インチ及び０．０５インチであることを特徴とする請求項１、２、３、４または５に記載の光結合半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子と受光素子とを有する光結合半導体装置を製造する光結合半導体装置の製造方法に係り、より詳細には、リードフレームからなる外部端子の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１３は、従来の代表的な光結合半導体装置の構造を示している。この光結合半導体装置は、対向型の２層モールドタイプを例示している。
【０００３】
この光結合半導体装置は、あらかじめ折り曲げ加工された発光素子側リードフレーム８１、８２と受光素子側リードフレーム８３、８４とを備えており、発光素子側の一方のリードフレーム８１のヘッダ部８１ａに発光素子８５が搭載され、受光素子側の一方のリードフレーム８３のヘッダ部８３ａに受光素子８６が搭載されている。また、発光素子８５と発光素子側の他方のリードフレーム８２とがＡｕ線等９１で接続され、受光素子８６と受光素子側の他方のリードフレーム８４とがＡｕ線等９１で接続されている。そして、このようにして各リードフレーム８１、８３に搭載された発光素子８５および受光素子８６は、上下に対向配置された状態で、その全体が透光性エポキシ樹脂（インナーパッケージ）８８にて被覆され、さらにインナーパッケージ８８の全体が、遮光性エポキシ樹脂（アウターパッケージ）８９にて被覆された構造とされている。なお、発光素子８５は、インナーパッケージ８８の形成前にシリコーン樹脂８７にてプリコートされている。
【０００４】
次に、このような構造の光結合半導体装置の製造方法について説明する。あらかじめ折り曲げ加工されたＣｕ・Ｆｅ合金等の金属材料で形成された発光素子側リードフレーム８１、８２と受光素子側リードフレーム８３、８４とを用意し、発光素子側の一方のリードフレーム８１のヘッダ部８１ａに、発光素子８５をＡｇペースト等の導電性ペーストでダイボンドし、受光素子側の一方のリードフレーム８３のヘッダ部８３ａに、受光素子８６をＡｇペースト等の導電性ペーストでダイボンドする。また、発光素子８５と発光素子側の他方のリードフレーム８２とをＡｕ線等９１でワイヤボンドし、受光素子８６と受光素子側の他方のリードフレーム８４とをＡｕ線等９１でワイヤボンドする。
【０００５】
次に、このようにしてダイボンドおよびワイヤボンドされた発光素子８５を、応力緩和用としてのシリコーン樹脂８７で被った（以下、プリコートという）後、発光素子８５および受光素子８６をダイボンドしたリードフレーム８１、８３を、スポット溶接またはローディングフレームセットすることにより、各素子８５、８６を位置決めして対向配置させ、発光素子８５から受光素子８６に向かって光路形成するように、透光性エポキシ樹脂にて１次トランスファモールドによりインナーパッケージ８８を形成し、樹脂漏れした余分な箇所の樹脂バリをバリ取りする。そして後、外来光の入光や内部からの光漏れを防止して、発光素子８５から受光素子８６への光信号が正しく伝達できるように、遮光性エポキシ樹脂にて２次トランスファモールドし、アウターパッケージ８９を形成する。
【０００６】
この後、リードフレームの外装めっき、タイバーカット（隣接するリードフレーム間を支持し、トランスファーモールド等の樹脂封止の際の樹脂漏れを低減するように設けられた補助リード部を切除すること）、フォーミング（パッケージから露出しているリードフレームを成形加工し、外部端子とすること）、絶縁耐圧試験（入出力素子間の絶縁性評価）、電気特性検査、外観検査等を経て、図１３に示す光結合半導体装置となる。
【０００７】
また、１層モールドタイプの光結合半導体装置（図示省略）の製造方法は、前記の２層モールドタイプでいうところのインナーパッケージ８８の代わりに、シリコーン樹脂にてドッキング（発光素子と受光素子との間を透光性シリコーン樹脂にて光路形成すること）した後、遮光性エポキシ樹脂にてトランスファーモールドしてアウターパッケージを形成し、リードフレームの外装めっき、タイバーカット、フォーミング、絶縁耐圧試験、電気特性検査、外観検査等を経て光結合半導体装置となる。
【０００８】
これら２例の光結合半導体装置において、外部端子となる発光素子側リードフレーム８１、８２、および受光素子側リードフレーム８３、８４のピッチ（端子間隔）は、通常０．１インチ（２．５４ｍｍ）、または前記のハーフピッチとなる０．０５インチ（１．２７ｍｍ）のいずれかの専用リードフレームとなっている。図１４（ａ）、（ｂ）は０．１インチ（２．５４ｍｍ）ピッチ専用の光結合半導体装置を示しており、図１５（ａ）、（ｂ）は０．０５インチ（１．２７ｍｍ）ピッチ専用の光結合半導体装置を示している。図１４および図１５はいずれも平面図であるが、（ｂ）については内部を透視的に示した平面図である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このように、従来の光結合半導体装置の製造方法では、端子間ピッチが、一般的な０．１インチ（２．５４ｍｍ）、またはハーフピッチとなる０．０５インチ（１．２７ｍｍ）の専用リードフレームとなっているため、それぞれのリードフレームの端子間ピッチに合わせた専用の製造金型が必要となる。また、パッケージ形状が同じ場合であっても、リードフレームの端子間ピッチが異なるため、端子間ピッチに合わせた専用のモールド金型が必要となる。
【００１０】
つまり、従来の光結合半導体装置の製造方法では、リードフレームの端子間ピッチに合わせて、それぞれの製造金型やモールド金型が必要となるため、製造コストが増大するといった問題があった。
【００１１】
本発明は係る問題点を解決すべく創案されたもので、その目的は、リードフレームを複数の端子間ピッチに適用できる構造とすることにより、製造コストの削減を図った光結合半導体装置を製造する光結合半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明の光結合半導体装置の製造方法は、発光素子側搭載用端子に発光素子を搭載し、発光素子側導線接続用端子と前記発光素子とを導線によって接続し、受光素子側搭載用端子に受光素子を搭載し、受光素子側導線接続用端子と前記受光素子とを導線によって接続し、前記発光素子と前記受光素子との間の光路を形成し、樹脂封止によりアウターパッケージを形成し、タイバーカットして、光結合半導体装置を製造する光結合半導体装置の製造方法において、前記発光素子側搭載用端子と発光素子側導線接続用端子とが複数種類の規定端子間隔に合うよう端子間隔を異ならせて前記アウターパッケージ外に複数対形成するとともに、前記受光素子側搭載用端子と受光素子側導線接続用端子とが複数種類の規定端子間隔に合うよう端子間隔を異ならせて前記アウターパッケージ外に複数対形成し、前記タイバーカット以降の工程で選択的に端子またはタイバーを切除し、前記複数種類の規定端子間隔から所定の前記規定端子間隔を有する端子を形成することを特徴とする。
【００１３】
このような特徴を有する本発明の光結合半導体装置の製造方法は、受光素子側搭載用端子と受光素子側導線接続用端子とが端子間隔を異ならせて複数対形成されているので、これを製造する金型も、端子間隔にかかわらず１種類の金型でよい。また、製造後は、必要な端子対のみを残し、不要な端子対を切除することで、例えば端子間ピッチが０．１インチ専用の光結合半導体装置とすることができ、また端子間ピッチが０．０５インチ専用の光結合半導体装置とすることができる。具体的には、このような光結合半導体装置を製造するに際し、タイバーカット以降の工程で選択的に端子間ピッチを形成することにより、最終的には複数種類の端子間ピッチの光結合半導体装置を製造することができる。
【００１４】
また、このように複数形成された発光素子側搭載用端子同士、発光素子側導線接続用端子同士、受光素子側搭載用端子同士、および受光素子側導線接続用端子同士は、樹脂封止されたパッケージ内でそれぞれ連結されていてもよいし、樹脂封止されたアウターパッケージ外でそれぞれ連結されていてもよい。
【００１５】
また、本発明の光結合半導体装置の製造方法によれば、前記タイバーカット以降の工程で、前記複数対の発光素子側搭載用端子と発光素子側導線接続用端子、および前記複数対の受光素子側搭載用端子と受光素子側導線接続用端子、それぞれ任意の１対の端子のみを残して切除することを特徴とする。このように、任意の一対の端子のみを残すことで、その残した１対の端子のピッチ専用の光結合半導体装置とすることができる。
【００１６】
また、本発明の光結合半導体装置の製造方法によれば、前記タイバーカット以降の工程で、前記複数対の発光素子側搭載用端子と発光素子側導線接続用端子、および前記複数対の受光素子側搭載用端子と受光素子側導線接続用端子、それぞれ任意の１対の端子と前記連結部分とを残して、その連結部分より外側または内側の端子部分を切除することを特徴とする。このように、任意の１対の端子とその連結部分とを残すことで、その残した１対の端子のピッチ専用の光結合半導体装置とすることができる。また、連結部分までは複数形成された他の端子とつながっているので、その部分の端子の強度が保たれ、外部からの衝撃等にも強い構造となる。
【００１７】
また、本発明の光結合半導体装置の製造方法によれば、前記複数種類の規定端子間隔は、０．１インチ及び０．０５インチであることを特徴とする。これにより、一般的な光結合半導体装置の端子間ピッチに適合した装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の光結合半導体装置の製造方法によれば、発光素子側搭載用端子と発光素子側導線接続用端子とが複数種類の規定端子間隔に合うよう端子間隔を異ならせてアウターパッケージ外に複数対形成するとともに、受光素子側搭載用端子と受光素子側導線接続用端子とが複数種類の規定端子間隔に合うよう端子間隔を異ならせてアウターパッケージ外に複数対形成し、タイバーカット以降の工程で選択的に端子またはタイバーを切除し、複数種類の規定端子間隔から所定の規定端子間隔を有する端子を形成することを特徴とする。これにより、製造後は必要な端子対のみを残し、不要な端子対を切除することで、例えば端子間ピッチが０．１インチ専用の光結合半導体装置を製造することができ、また端子間ピッチが０．０５インチ専用の光結合半導体装置を製造することができる。つまり、このような光結合半導体装置を製造するに際し、タイバーカット以降の工程で選択的に端子間ピッチを形成することにより、最終的には複数種類の端子間ピッチの光結合半導体装置を製造することができる。また、端子間隔に合わせて専用の金型を用意する必要もないので、製造コストも低減できる。
【００１９】
また、本発明の光結合半導体装置の製造方法によれば、タイバーカット以降の工程で、複数対の発光素子側搭載用端子と発光素子側導線接続用端子、および複数対の受光素子側搭載用端子と受光素子側導線接続用端子、それぞれ任意の１対の端子のみを残して切除する。このように、任意の一対の端子のみを残すことで、その残した１対の端子のピッチ専用の光結合半導体装置を製造することができる。
【００２０】
また、本発明の光結合半導体装置の製造方法によれば、タイバーカット以降の工程で、複数対の発光素子側搭載用端子と発光素子側導線接続用端子、および複数対の受光素子側搭載用端子と受光素子側導線接続用端子、それぞれ任意の１対の端子と連結部分とを残して、その連結部分より外側または内側の端子部分を切除する。このように、任意の１対の端子とその連結部分とを残すことで、その残した１対の端子のピッチ専用の光結合半導体装置とすることができる。また、連結部分までは複数形成された他の端子とつながっているので、その部分の端子の強度が保たれ、外部からの衝撃等にも強い構造となる。
【００２１】
また、本発明の光結合半導体装置の製造方法によれば、複数種類の規定端子間隔は、０．１インチ及び０．０５インチとしている。これにより、一般的な光結合半導体装置の端子間ピッチに適合した装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２３】
図１は、本発明の光結合半導体装置の内部を透視的に示す平面図、図２はその外観図（平面図）である。ただし、図１は、製造工程の途中の状態（光結合半導体装置がタイバー部で複数個連接されている状態）で示している。また、この光結合半導体装置は、対向型の２層モールドタイプを例示している。
【００２４】
この光結合半導体装置は、発光素子側リードフレーム１、２と受光素子側リードフレーム３、４とを備えており、発光素子側の一方のリードフレーム（発光素子側搭載用端子）１のヘッダ部１ｃに発光素子５が搭載され、受光素子側の一方のリードフレーム（受光素子側搭載用端子）３のヘッダ部３ｃに受光素子６が搭載されている。また、発光素子５と発光素子側の他方のリードフレーム（発光素子側導線接続用端子）２の先端部２ｃとがＡｕ線等１１で接続され、受光素子６と受光素子側の他方のリードフレーム（受光素子側導線接続用端子）４の先端部４ｃとがＡｕ線等１１で接続されている。そして、このようにして各リードフレーム１、３に搭載された発光素子５および受光素子６は、対向配置された状態で、その全体が図示しない透光性エポキシ樹脂（インナーパッケージ）にて被覆され、さらにインナーパッケージの全体が、遮光性エポキシ樹脂（アウターパッケージ）９にて被覆された構造となっている。
【００２５】
このような構造において、本発明の光結合半導体装置は、発光素子側の一方のリードフレーム１がヘッダ部１ｃから２つに分岐されて外側リードフレーム１ａと内側リードフレーム１ｂとに形成され、発光素子側の他方のリードフレーム２が先端部２ｃから２つに分岐されて外側リードフレーム２ａと内側リードフレーム２ｂとに形成されている。同様に、受光素子側の一方のリードフレーム３がヘッダ部３ｃから２つに分岐されて外側リードフレーム３ａと内側リードフレーム３ｂとに形成され、受光素子側の他方のリードフレーム４が先端部４ｃから２つに分岐されて外側リードフレーム４ａと内側リードフレーム４ｂとに形成されている。
【００２６】
また、これらリードフレーム１ａ〜４ｂは、発光素子側の両外側リードフレーム１ａ、２ａ間、および受光素子側の両外側リードフレーム３ａ、４ａ間が、それぞれ０．１インチ（２．５４ｍｍ）ピッチに形成され、発光素子側の両内側リードフレーム１ｂ、２ｂ間、および受光素子側の両内側リードフレーム３ｂ、４ｂ間が、それぞれ０．０５インチ（１．２７ｍｍ）ピッチに形成されている。
【００２７】
そして、発光素子側の各リードフレーム１ａ、１ｂ、２ａ、２ｂが補助リード部（タイバー部）１５によってアウターパッケージ９外で一体的に支持されており、受光素子側の各リードフレーム３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂが同じく補助リード部（タイバー部）１６によってアウターパッケージ９外で一体的に支持されている。
【００２８】
なお、上記構成の光結合半導体装置の製造方法は、従来の技術のところですでに説明した製造方法と全く同様であるので、ここでは詳細な説明を省略するが、図１および図２に示す光結合半導体装置は、製造工程でいえばタイバーカットする前の状態、つまり、２次トランスファモールドしてアウターパッケージ９を形成し、次にリードフレームの外装めっきを行った状態である。
【００２９】
この外装めっき後、タイバーカット、フォーミングの各工程を経て、外観上、以下に示す各実施例の光結合半導体装置となる。つまり、タイバーカット、フォーミングの際に、最終的に外部端子として有効にする端子を選択できる構造となっている。以下に、外部端子として有効にする端子を種々選択した実施例について説明する。
【００３０】
［実施例１］
図３は実施例１を示している。この実施例１は、発光素子側のタイバー部１５と１．２７ｍｍピッチである両内側リードフレーム１ｂ、２ｂとを切除し、受光素子側のタイバー部１６と１．２７ｍｍピッチである両内側リードフレーム３ｂ、４ｂとを切除して、２．５４ｍｍピッチの外側リードフレーム１ａ、２ａ、３ａ、４ａを選択的に残存させた構造となっている。これにより、２．５４ｍｍピッチ専用の光結合半導体装置となる。
【００３１】
［実施例２］
図４は実施例２を示している。この実施例２は、発光素子側のタイバー部１５と２．５４ｍｍピッチである両外側リードフレーム１ａ、２ａとを切除し、受光素子側のタイバー部１６と２．５４ｍｍピッチである両外側リードフレーム３ａ、４ａとを切除して、１．２７ｍｍピッチの内側リードフレーム１ｂ、２ｂ、３ｂ、４ｂを選択的に残存させた構造となっている。これにより、１．２７ｍｍピッチ専用の光結合半導体装置となる。
【００３２】
［実施例３］
図５は実施例３を示している。この実施例３は、発光素子側において、タイバー部１５については、一方のリードフレーム１ａ、１ｂ間のタイバー部１５ｍ、および他方のリードフレーム２ａ、２ｂ間のタイバー部１５ｎを残してその他のタイバー部１５を切除し、アウターパッケージ９とタイバー部１５との間では両内側リードフレーム１ｂ、２ｂを残して両外側リードフレーム１ａ、２ａを切除し、タイバー部１５より外側（アウターパッケージ９と反対側）では両外側リードフレーム１ａ、２ａを残して両内側リードフレーム１ｂ、２ｂを切除して、最終的には２．５４ｍｍピッチの外側リードフレーム１ａ、２ａを選択的に残存させた構造となっている。
【００３３】
同様に、受光素子側において、タイバー部１６については、一方のリードフレーム３ａ、３ｂ間のタイバー部１６ｍ、および他方のリードフレーム４ａ、４ｂ間のタイバー部１６ｎを残してその他のタイバー部１６を切除し、アウターパッケージ９とタイバー部１６との間では両内側リードフレーム３ｂ、４ｂを残して両外側リードフレーム３ａ、４ａを切除し、タイバー部１６より外側（アウターパッケージ９と反対側）では両外側リードフレーム３ａ、４ａを残して両内側リードフレーム３ｂ、４ｂを切除して、最終的には２．５４ｍｍピッチの外側リードフレーム３ａ、４ａを選択的に残存させた構造となっている。これにより、２．５４ｍｍピッチ専用の光結合半導体装置となる。
【００３４】
［実施例４］
図６は実施例４を示している。この実施例４は、発光素子側において、タイバー部１５については、一方のリードフレーム１ａ、１ｂ間のタイバー部１５ｍ、および他方のリードフレーム２ａ、２ｂ間のタイバー部１５ｎを残してその他のタイバー部１５を切除し、アウターパッケージ９とタイバー部１５との間では両外側リードフレーム１ａ、２ａを残して両内側リードフレーム１ｂ、２ｂを切除し、タイバー部１５より外側（アウターパッケージ９と反対側）では両内側リードフレーム１ｂ、２ｂを残して両外側リードフレーム１ａ、２ａを切除して、最終的には１．２７ｍｍピッチの内側リードフレーム１ｂ、２ｂを選択的に残存させた構造となっている。
【００３５】
同様に、受光素子側において、タイバー部１６については、一方のリードフレーム３ａ、３ｂ間のタイバー部１６ｍ、および他方のリードフレーム４ａ、４ｂ間のタイバー部１６ｎを残してその他のタイバー部１６を切除し、アウターパッケージ９とタイバー部１６との間では両外側リードフレーム３ａ、４ａを残して両内側リードフレーム３ｂ、４ｂを切除し、タイバー部１６より外側（アウターパッケージ９と反対側）では両内側リードフレーム３ｂ、４ｂを残して両外側リードフレーム３ａ、４ａを切除して、最終的には１．２７ｍｍピッチの内側リードフレーム３ｂ、４ｂを選択的に残存させた構造となっている。これにより、１．２７ｍｍピッチ専用の光結合半導体装置となる。
【００３６】
［実施例５］
図７は実施例５を示している。この実施例５は、発光素子側において、タイバー部１５については、一方のリードフレーム１ａ、１ｂ間のタイバー部１５ｍ、および他方のリードフレーム２ａ、２ｂ間のタイバー部１５ｎを残してその他のタイバー部１５を切除し、アウターパッケージ９とタイバー部１５との間では両内側リードフレーム１ｂ、２ｂと両外側リードフレーム１ａ、２ａとを共に残し、タイバー部１５より外側（アウターパッケージ９と反対側）では両外側リードフレーム１ａ、２ａを残して両内側リードフレーム１ｂ、２ｂを切除して、最終的には２．５４ｍｍピッチの外側リードフレーム１ａ、２ａを選択的に残存させた構造となっている。
【００３７】
同様に、受光素子側において、タイバー部１６については、一方のリードフレーム３ａ、３ｂ間のタイバー部１６ｍ、および他方のリードフレーム４ａ、４ｂ間のタイバー部１６ｎを残してその他のタイバー部１６を切除し、アウターパッケージ９とタイバー部１６との間では両内側リードフレーム３ｂ、４ｂと両外側リードフレーム３ａ、４ａとを共に残し、タイバー部１６より外側（アウターパッケージ９と反対側）では両外側リードフレーム３ａ、４ａを残して両内側リードフレーム３ｂ、４ｂを切除して、最終的には２．５４ｍｍピッチの外側リードフレーム３ａ、４ａを選択的に残存させた構造となっている。これにより、２．５４ｍｍピッチ専用の光結合半導体装置となる。
【００３８】
［実施例６］
図８は実施例６を示している。この実施例６は、発光素子側において、タイバー部１５については、一方のリードフレーム１ａ、１ｂ間のタイバー部１５ｍ、および他方のリードフレーム２ａ、２ｂ間のタイバー部１５ｎを残してその他のタイバー部１５を切除し、アウターパッケージ９とタイバー部１５との間では両内側リードフレーム１ｂ、２ｂと両外側リードフレーム１ａ、２ａとを共に残し、タイバー部１５より外側（アウターパッケージ９と反対側）では両内側リードフレーム１ｂ、２ｂを残して両外側リードフレーム１ａ、２ａを切除して、最終的には１．２７ｍｍピッチの外側リードフレーム１ｂ、２ｂを選択的に残存させた構造となっている。
【００３９】
同様に、受光素子側において、タイバー部１６については、一方のリードフレーム３ａ、３ｂ間のタイバー部１６ｍ、および他方のリードフレーム４ａ、４ｂ間のタイバー部１６ｎを残してその他のタイバー部１６を切除し、アウターパッケージ９とタイバー部１６との間では両内側リードフレーム３ｂ、４ｂと両外側リードフレーム３ａ、４ａとを共に残し、タイバー部１６より外側（アウターパッケージ９と反対側）では両内側リードフレーム３ｂ、４ｂを残して両外側リードフレーム３ａ、４ａを切除して、最終的には１．２７ｍｍピッチの外側リードフレーム３ｂ、４ｂを選択的に残存させた構造となっている。これにより、１．２７ｍｍピッチ専用の光結合半導体装置となる。
【００４０】
［実施例７］
図９は実施例７を示している。この実施例７は、発光素子側および受光素子側共に、タイバー部１５、１６のみを切除し、１．２７ｍｍピッチである両内側リードフレーム１ｂ、２ｂ、３ｂ、４ｂ、および２．５４ｍｍピッチである両外側リードフレーム１ａ、２ａ、３ａ、４ａの両方を残した構造となっている。
【００４１】
［実施例８］
図１０は実施例８を示している。この実施例８は、発光素子側において、タイバー部１５については、一方のリードフレーム１ａ、１ｂ間のタイバー部１５ｍ、および他方のリードフレーム２ａ、２ｂ間のタイバー部１５ｎを残してその他のタイバー部１５のみを切除し、１．２７ｍｍピッチである両内側リードフレーム１ｂ、２ｂおよび２．５４ｍｍピッチである両外側リードフレーム１ａ、２ａの両方を残した構造となっている。
【００４２】
同様に、受光素子側において、タイバー部１６については、一方のリードフレーム３ａ、３ｂ間のタイバー部１６ｍ、および他方のリードフレーム４ａ、４ｂ間のタイバー部１６ｎを残してその他のタイバー部１６を切除し、１．２７ｍｍピッチである両内側リードフレーム３ｂ、４ｂおよび２．５４ｍｍピッチである両外側リードフレーム３ａ、４ａの両方を残した構造となっている。
【００４３】
［実施例９］
図１１（ａ）、（ｂ）および図１２は実施例９を示している。この実施例９は、各リードフレームの構造自体は実施例７（図９）に示すものと同じであり、１．２７ｍｍピッチの内側リードフレーム１ｂ、２ｂ、３ｂ、４ｂと、２．５４ｍｍピッチの外側リードフレーム１ａ、２ａ、３ａ、４ａとが共存するものであるが、内側リードフレーム１ｂ、２ｂ、３ｂ、４ｂと、外側リードフレーム１ａ、２ａ、３ａ、４ａの折り曲げ加工位置が異なっている。図１１（ａ）では、外側１ａ、２ａ、３ａ、４ａの折り曲げ加工位置がアウターパッケージ９に近接し、内側リードフレーム１ｂ、２ｂ、３ｂ、４ｂの折り曲げ加工位置がアウターパッケージ９から離れている。また、図１１（ｂ）では、外側１ａ、２ａ、３ａ、４ａの折り曲げ加工位置がアウターパッケージ９から離れており、内側リードフレーム１ｂ、２ｂ、３ｂ、４ｂの折り曲げ加工位置がアウターパッケージ９に近接している。
【００４４】
なお、上記実施例１〜９に示したリードフレームやタイバー部の形状および構造は単なる一例であって、これに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の光結合半導体装置の内部を透視的に示す平面図である。
【図２】本発明の光結合半導体装置を示す平面図である。
【図３】本発明の光結合半導体装置の実施例１を示す平面図である。
【図４】本発明の光結合半導体装置の実施例２を示す平面図である。
【図５】本発明の光結合半導体装置の実施例３を示す平面図である。
【図６】本発明の光結合半導体装置の実施例４を示す平面図である。
【図７】本発明の光結合半導体装置の実施例５を示す平面図である。
【図８】本発明の光結合半導体装置の実施例６を示す平面図である。
【図９】本発明の光結合半導体装置の実施例７を示す平面図である。
【図１０】本発明の光結合半導体装置の実施例８を示す平面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は本発明の光結合半導体装置の実施例９を示す平面図である。
【図１２】本発明の光結合半導体装置の実施例９を示す正面図である。
【図１３】従来の代表的な光結合半導体装置の構造を示す正面図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）は従来の０．１インチ（２．５４ｍｍ）ピッチ専用の光結合半導体装置の平面図である。
【図１５】（ａ）、（ｂ）は従来の０．０５インチ（１．２７ｍｍ）ピッチ専用の光結合半導体装置の平面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１    発光素子側リードフレーム（発光素子側搭載用端子）
２    発光素子側リードフレーム（発光素子側導線接続用端子）
３    受光素子側リードフレーム（受光素子側搭載用端子）
４    受光素子側リードフレーム（受光素子側導線接続用端子）
５    発光素子
６    受光素子
９    遮光性エポキシ樹脂（アウターパッケージ）
１１  Ａｕ線等（導線）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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