(57)【要約】【課題】  信頼性試験を比較的短時間で低コストに行うことができ、また、試験結果に基づく推定値の誤差が少ない信頼性試験装置および信頼性試験方法を提供すること。【解決手段】  発熱体が設けられて温度調節が可能なカセット１に、被試験素子が固定されると共に被試験素子に接続される端子を有する１０個の固定部２と、この固定部２をカセット１に接続する接続部３とを有する。１０個の固定部２に、熱抵抗体を０個から９個まで順次増やして夫々配置する。制御部から各被試験素子に互いに同じ値の駆動電力を供給すると共に、カセット１を所定の温度に制御する。固定部２の抵抗体の数に応じて、この固定部２に固定された被試験素子の試験時の温度が順次高くなる。同時に複数の温度条件の試験を行うので、信頼性試験の所要時間が従来よりも短縮される。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度が調節可能な台座と、
上記台座に設けられ、被試験素子が固定される複数の固定部と、
上記固定部に各々設けられ、熱抵抗が互いに異なる複数の熱抵抗体と、
上記被試験素子に駆動電力を供給する電力供給手段と
を備えたことを特徴とする半導体素子の信頼性試験装置。
【請求項２】
互いに異なる温度に調節可能な複数の温度調節領域を有する台座と、
上記台座の複数の温度調節領域に各々設けられ、被試験素子が固定される固定部と、
上記被試験素子に駆動電力を供給する電力供給手段と
を備えることを特徴とする半導体素子の信頼性試験装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体素子の信頼性試験装置において、
上記被試験素子の温度を測定する温度測定手段と、
上記温度測定手段が測定した上記被試験素子の温度と、上記電力供給手段が上記被試験素子に供給する駆動電力とに基づいて、上記固定部に配置された状態の上記被試験素子の熱抵抗を検出する熱抵抗検出手段と
を備えることを特徴とする半導体素子の信頼性試験装置。
【請求項４】
複数の被試験素子に互いに同一の駆動電力を供給すると共に、上記複数の被試験素子を互いに異なる温度の下で同時に駆動させることを特徴とする半導体素子の信頼性試験方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体素子の信頼性試験方法において、
上記複数の被試験素子に、熱抵抗が互いに異なる熱抵抗体を接続することにより、上記複数の被試験素子の温度を互いに異ならせることを特徴とする半導体素子の信頼性試験方法。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体素子の信頼性試験方法において、
上記複数の被試験素子が配置される環境の温度を互いに異ならせることにより、上記複数の被試験素子の温度を互いに異ならせることを特徴とする半導体素子の信頼性試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば電気素子や光学素子等の信頼性試験装置および信頼性試験方法に関し、特に、半導体パワートランジスター等の電気素子やレーザ等の光学素子のような通電されて高温となる素子の信頼性試験装置および信頼性試験装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の分野では、素子の高密度化や集積化が進められており、特に、移動体通信機器等の小型化や軽量化に従い、このような機器に搭載される半導体素子の微細化は進む一方である。半導体素子の電気的な特性や光学的な特性を向上するため、また、半導体素子の平均寿命（ＭＴＴＦ：mean time to failure）を伸ばすためには、半導体素子の発熱量自体を抑えると共に、発生した熱を効率良く素子から逃がすことが大切である。このような半導体素子の熱に関する特性については、製造された素子の熱抵抗の評価や、高温加速試験による平均寿命の評価などにおいて、パッケージ実装された状態での評価が必要になる。
【０００３】
一般に、パッケージ実装された半導体素子の平均寿命ｈは、素子の活性化エネルギーＥおよびジャンクション温度Ｔｊと、下記の式（１）で表わされるような関係を有する。
【０００４】
ｈ＝Ａｅｘｐ（Ｅ／ｋＴｊ）・・・（１）
ここにおいて、Ａは試験電流密度などに関する定数であり、ｋはボルツマン定数である。
【０００５】
上記ジャンクション温度Ｔｊは、下記の式（２）により求められる。
【０００６】
Ｔｊ＝Ｔ＋Ｒｔｈ・Ｐ・・・（２）
ここにおいて、Ｒｔｈは熱抵抗値であり、Ｐは素子通電時の電力である。
【０００７】
上記式（２）に示されるように、ジャンクション温度Ｔｊは、試験を行う環境温度Ｔと、素子の発熱による温度上昇分Ｒｔｈ・Ｐとの和である。
【０００８】
従来の信頼性試験方法では、複数の素子を同一の環境温度Ｔの下で通電して、同一のジャンクション温度Ｔｊの下で試験を行う。そして、試験開始時から、各素子の電気的又は光学的な特性が劣化した時点までの経過時間が、上記素子のジャンクション温度Ｔｊにおける寿命となる。上記複数の素子の各々の寿命を加算平均した値が、上記ジャンクション温度Ｔｊにおける平均寿命である。従来の信頼性試験方法では、室温よりも十分に高いジャンクション温度Ｔｊを複数種類設定し、この複数のジャンクション温度Ｔｊ毎に試験を行った場合の複数の素子の平均寿命を求めることにより、室温での素子の平均寿命を推定している。
【０００９】
図３Ａは、従来の信頼性試験方法に用いられる信頼性試験装置を示す概略平面図であり、図３Ｂは、図３ＡのＢ−Ｂ’線における概略断面図である。この信頼性試験装置は、発熱体が設けられたカセット１１と、このカセット１１の上面に設けられ、被試験素子が固定されると共に上記被試験素子に電力を供給する１０個の固定部１２と、この固定部１２をカセット１１に接続する接続部１３とを有する。上記カセット１１の発熱体は、このカセット１１の背面に設けられた接続端子１４を介して接続される図示しない制御部により、所定の温度をなすように制御される。これにより、上記カセット１１全体が所定の温度にされることにより、上記被試験素子の環境温度が制御される。また、上記接続端子１４に接続された図示しない制御部から、上記接続部１３および固定部１２を介して、上記被試験素子に、所定の駆動電力が供給される。
【００１０】
図４は、従来の信頼性試験方法により、素子の室温での平均寿命を求めた例を具体的に説明する図である。図４に示す座標の横軸は、絶対温度Ｔ（Ｋ：ケルビン）の逆数１/Ｔであり、縦軸は平均寿命ＭＴＴＦ（時間）の対数である。信頼性試験は、熱抵抗Ｒｔｈが約５０℃／Ｗである３０個のＧａＡｓ（ガリウム砒素）ＨＢＴ（heterojunction bipolar transistor：ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）電力増幅素子を用いて行った。この３０個のＨＢＴ電力増幅素子を、１０個のＨＢＴ電力増幅素子からなる３つのグループに分け、各グループの環境温度を８０℃，１２０℃および１６０℃に設定して、上記信頼性試験装置により３回の試験を行う。上記ＨＢＴ電力増幅素子への通電条件が、電圧Ｖが３．３Ｖであり、電流Ｉが０．６Ａであって、電力Ｐ＝ＩＶが約２Ｗ（ワット）である場合、各素子は、熱抵抗Ｒｔｈに電力Ｐを掛け合わせて求められる値の熱を生じる。上記信頼性試験装置のカセット１１の固定部１２は、熱抵抗が互いに略等しいので、この複数の固定部１２に夫々配置された全てのＨＢＴ電力増幅素子に、上記発生した熱と略等しい１００℃の温度上昇が生じる。したがって、環境温度が互いに異なる３回の試験において、ジャンクション温度Ｔｊは、４５３Ｋ（１８０℃）、４９３Ｋ（２２０℃）、５３３Ｋ（２６０℃）になる。図４の横軸において、ｔ１１（Ｔ＝２６０℃），ｔ１２（Ｔ＝２２０℃）およびｔ１３（Ｔ＝１８０℃）が、各ジャンクション温度に応じた点である。これらの３つのジャンクション温度Ｔｊにおいて、各１０個の素子の平均寿命は、５００時間（ｈ１１），１２００時間（ｈ１２），２５００時間（ｈ１３）となった。図４の座標において、上記各ジャンクション温度に対する平均寿命で定められる３点を結ぶ直線Ｌ１１の傾きから、活性化エネルギーが約１．４ｅＶであることが導かれる。この活性化エネルギーにより、室温での平均寿命ＭＴＴＦが約１０万時間と推定される。
【００１１】
しかしながら、上記従来の信頼性試験方法は、１台の信頼性試験装置で試験を行なう場合、上記環境温度を複数個設定し、各環境温度で素子が全て劣化するまで試験を行う必要がある。図４に示した信頼性試験では、１台の信頼性試験装置により、３種類の環境温度に応じた３回の試験を行うので、全ての試験にかかる時間は、少なくとも、各回の平均寿命である５００時間（ｈ１１）と、１２００時間（ｈ１２）と、２５００時間（ｈ１３）とを足し合わせた４２００時間以上となる。つまり、信頼性試験に半年以上の時間が必要となる。この信頼性試験に必要な時間は、上記被試験素子の特性のバラツキが大きい場合、各試験条件の設定や、昇温および降温にかかる時間等が長くなるので、さらに長い時間となる。つまり、上記従来の信頼性試験は、比較的長時間が必要であるという問題がある。
【００１２】
そこで、３台の信頼性試験装置を使って各環境温度の試験を同時に行うと、全信頼性試験に必要な時間は、試験時間が最長となる環境温度での試験であって、ジャンクション温度Ｔｊが１８０℃の場合の平均寿命である２５００時間程度に短縮できる。しかしながら、信頼性試験装置が３台必要となるので、信頼性試験のコストが増大するという問題がある。
【００１３】
また、上記従来の信頼性試験方法は、室温の平均寿命に関する推定値の誤差が大きいという問題がある。すなわち、図４において、３つの平均寿命を示す点を結ぶ直線Ｌ１１の傾きから室温の平均寿命ｈｒを推定し、この直線Ｌ１１の傾きは、上記平均寿命の値によって比較的大きく変化する。例えば、ジャンクション温度Ｔｊが２６０℃のグループのうちの寿命が最も短い素子と、ジャンクション温度Ｔｊが１８０℃のグループのうちの寿命が最も長い素子とを除いて平均寿命を算出し、この平均寿命を示す点を結んだ場合、破線で示す直線Ｌ１２が得られる。この直線Ｌ１２により求められる室温Ｔｒでの平均寿命ｈｒ’は、ログスケールにおいて、上記直線Ｌ１１により求められる平均寿命ｈｒよりも、比較的大きい差をなして小さい値となる。このように、従来の信頼性試験方法は、室温の平均寿命に関する推定値の誤差が比較的大きいという問題がある。
【特許文献１】特開昭６１−１２８５４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで、本発明の課題は、信頼性試験を比較的短時間で低コストに行うことができ、また、試験結果に基づく推定値の誤差が少ない信頼性試験装置および信頼性試験方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明の半導体素子の信頼性試験装置は、
温度が調節可能な台座と、
上記台座に設けられ、被試験素子が固定される複数の固定部と、
上記固定部に各々設けられ、熱抵抗が互いに異なる複数の熱伝達体と、
上記被試験素子に駆動電力を供給する電力供給手段と
を備えたことを特徴としている。
【００１６】
上記構成によれば、上記複数の固定部に被試験素子が固定され、この被試験素子に上記電力供給手段から駆動電力が供給されると共に、上記台座が所定の温度に調節されて、上記被試験素子の信頼性試験が行われる。上記被試験素子は、上記駆動電力が供給されて熱を生じる。上記固定部に設けられた複数の熱抵抗体は、熱抵抗が互いに異なるので、上記複数の被試験素子が達する温度は互いに異なる。したがって、上記複数の被試験素子を、異なる温度の下で同時に試験を行うことができるので、従来のように環境温度を変えて複数回試験を行う必要が無い。その結果、上記被試験素子の信頼性試験を比較的短時間で行うことができる。
【００１７】
また、１つの信頼性試験装置により、複数の温度条件の信頼性試験を同時に行うことができるので、複数の信頼性試験装置を用いる必要が無くて、信頼性試験を低コストで行うことができる。
【００１８】
なお、熱抵抗とは、１Ｗ（ワット）の熱が物に加えられたときに、この物に生じる温度の上昇量である。
【００１９】
また、本発明の半導体素子の信頼性試験装置は、
互いに異なる温度に調節可能な複数の温度調節領域を有する台座と、
上記台座の複数の温度調節領域に各々設けられ、被試験素子が固定される固定部と、
上記被試験素子に駆動電力を供給する電力供給手段と
を備えることを特徴とする。
【００２０】
上記構成によれば、上記複数の被試験素子が、上記複数の固定部に各々固定され、上記電力供給手段から駆動電力が供給されると共に、上記複数の固定部が設けられた複数の温度調節領域が互いに異なる温度に調節されて、上記被試験素子の信頼性試験が行われる。上記複数の被試験素子は、上記駆動電力が供給されて発熱する一方、上記複数の温度調節領域が互いに異なる温度に調節されるので、上記複数の被試験素子は互いに異なる温度となる。したがって、複数の上記被試験素子を、異なる到達温度の下で同時に試験を行うことができるので、従来のように環境温度を変えて複数回試験を行う必要が無い。その結果、上記被試験素子の信頼性試験を比較的短時間で行うことができる。
【００２１】
また、１つの信頼性試験装置により、複数の温度条件の信頼性試験を同時に行うことができるので、複数の信頼性試験装置を用いる必要が無くて、信頼性試験を低コストで行うことができる。
【００２２】
一実施形態の半導体素子の信頼性試験装置は、
上記被試験素子の温度を測定する温度測定手段と、
上記温度測定手段が測定した上記被試験素子の温度と、上記電力供給手段が上記被試験素子に供給する駆動電力とに基づいて、上記固定部に配置された状態の上記被試験素子の熱抵抗を検出する熱抵抗検出手段と
を備える。
【００２３】
上記実施形態によれば、上記温度測定手段によって、上記被試験素子の駆動時の温度が検出される。上記被試験素子の温度と、この被試験素子に供給される駆動電力とに基づいて、上記熱抵抗検出手段によって、上記固定部に配置された状態の被試験素子の熱抵抗が検出される。例えば、上記固定部等の熱抵抗をあらかじめ測定しておくことにより、上記固定部に配置された状態の被試験素子の熱抵抗から、上記被試験素子のみの熱抵抗が算出される。これにより、上記複数の被試験素子の間の熱抵抗のバラツキが算出できる。この熱抵抗のバラツキに基づいて、この試験によって得られた寿命の補正を行うことにより、上記被試験素子の室温における寿命を少ない誤差で求めることができる。
【００２４】
本発明の半導体素子の信頼性試験方法は、
複数の被試験素子に互いに同一の駆動電力を供給すると共に、上記複数の被試験素子を、互いに異なる温度の下で同時に駆動させることを特徴としている。
【００２５】
上記構成によれば、上記複数の被試験素子は、互いに同一の駆動電力が供給されると共に、互いに異なる温度の下で、同時に駆動される。したがって、異なる温度条件の信頼性試験を同時に行なうことができるので、従来におけるように同一の温度条件の信頼性試験を複数回行うよりも、短時間で信頼性試験を行うことができる。
【００２６】
一実施形態の半導体素子の信頼性試験方法は、
上記複数の被試験素子に、熱抵抗が互いに異なる熱抵抗体を接続することにより、上記複数の被試験素子の温度を互いに異ならせる。
【００２７】
上記実施形態によれば、上記被試験素子の温度条件を容易に異ならせることができる。
【００２８】
一実施形態の半導体素子の信頼性試験方法は、
上記複数の被試験素子が配置される環境の温度を互いに異ならせることにより、上記複数の被試験素子の温度を互いに異ならせる。
【００２９】
上記実施形態によれば、上記被試験素子の温度条件を容易に異ならせることができる。
【００３０】
ここにおいて、環境とは、被試験素子に直接的または間接的に接し、この被試験素子に熱を伝達するものであって、気体、固体又は液体のいずれをもいう。
【発明の効果】
【００３１】
以上のように、本発明の半導体素子の信頼性試験装置は、温度が調節可能な台座と、上記台座に設けられ、被試験素子が固定される複数の固定部と、上記固定部に各々設けられ、熱抵抗が互いに異なる複数の熱抵抗体と、上記被試験素子に駆動電力を供給する電力供給手段とを備えたので、上記複数の被試験素子が各々達する温度を互いに異ならせることができ、これにより、複数の被試験素子を異なる温度条件の下で同時に試験を行うことができる。したがって、上記被試験素子の信頼性試験を比較的短時間で行うことができる。また、複数の信頼性試験装置を同時に用いる必要が無いので、信頼性試験を低コストで行うことができる。
【００３２】
また、本発明の半導体素子の信頼性試験装置は、互いに異なる温度に調節可能な複数の温度調節領域を有する台座と、上記台座の複数の温度調節領域に各々設けられ、被試験素子が固定される固定部と、上記被試験素子に駆動電力を供給する電力供給手段とを備えるので、上記複数の被試験素子を、異なる温度条件の下で同時に試験を行うことができるので、信頼性試験を比較的短時間で行うことができる。また、複数の信頼性試験装置を同時に用いる必要が無いので、信頼性試験を低コストで行うことができる。
【００３３】
また、本発明の半導体素子の信頼性試験方法は、複数の被試験素子を、互いに同一の駆動電力を供給する一方、各被試験素子が達する温度を互いに異ならせて同時に駆動させるので、異なる温度条件の下で同時に試験を行なうことができて、従来よりも短時間で信頼性試験を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
（第１実施形態）
図１Ａは、本発明の第１実施形態の半導体素子の信頼性試験装置を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ’線における概略断面図である。
【００３５】
本実施形態の信頼性試験装置を用いて、熱抵抗Ｒｔｈが５０℃／ＷであるＧａＡｓＨＢＴ電力増幅素子の信頼性試験を行ない、この試験結果より、室温における上記ＨＢＴ電力増幅素子の平均寿命ＭＴＴＦを求める。
【００３６】
上記信頼性試験装置は、発熱体が設けられた台座としてのカセット１と、このカセット１の上面に設けられ、被試験素子が固定されると共に上記被試験素子に接続される端子を有する１０個の固定部２と、この固定部２をカセット１に接続する接続部３とを有する。上記カセット１の発熱体は、このカセット１の背面に設けられた接続端子４を介して接続される図示しない制御部により、所定の温度をなすように制御される。これにより、上記カセット１全体の温度を制御して、上記被試験素子の環境温度を制御するようになっている。また、上記接続端子４に接続された図示しない制御部により、上記接続部３および固定部２を介して、上記複数の被試験素子に、互いに略同一の駆動電力を供給するようになっている。
【００３７】
上記固定部２には、熱抵抗が予め判明している熱抵抗体を配置している。上記熱抵抗体としては、導電粘着層の銀ペーストを付着した耐熱性フィルムを用いており、この抵抗体は５℃／Ｗの熱抵抗を有する。この抵抗体を、各固定部２に枚数を変えて配置する。これにより、上記固定部２に固定される被試験素子からカセット１に伝達される熱量が変わり、上記被試験素子の温度を固定部２毎に変えることが可能になる。具体的には、第１の固定部２には熱抵抗体を配置せず、第２の固定部２から第１０の固定部２まで、順次、２枚から９枚の抵抗体を夫々配置している。
【００３８】
上記固定部２に夫々固定された１０個の被試験素子を、カセット温度（環境温度）が８０℃、駆動電圧が３．３Ｖおよび駆動電流が０．６Ａの条件で通電すると、各被試験素子が互いに異なるジャンクション温度Ｔｊに達する。このジャンクション温度Ｔｊは、上記固定部２に設けられた熱抵抗の枚数に応じた温度となる。すなわち、熱抵抗体を配置していない第１の固定部２に固定された第１の被試験素子は、ジャンクション温度Ｔｊが１８０℃であり、熱抵抗体を９枚配置した第１０の固定部２に固定された第１０の被試験素子は、ジャンクション温度Ｔｊが２７０℃になる。上記第１の被試験素子から第１０の被試験素子までの各被試験素子の温度は、上記１８０℃から２７０℃までの間で線形的に増大する値となる。
【００３９】
上記温度条件の下で信頼性試験を行った結果、ジャンクション温度が１８０℃（横軸におけるｔ１０に相当）の被試験素子の寿命が最も長く、約２５００時間（ｈ１０）であった。一方、ジャンクション温度が２６０℃（横軸におけるｔ１に相当）の被試験素子の寿命が最も短く、約５００時間（ｈ１）であった。
【００４０】
上記第１から第１０の被試験素子の寿命の値に基づいて、図２に示す座標において最小二乗法により直線Ｌ１を引いて、この直線Ｌ１の傾きで表される活性化エネルギーと、室温での平均寿命ｈｒを求めた。従来は、１台の信頼性試験装置を用いた場合は３回以上の試験が必要であったのに比べ、本実施形態の信頼性試験装置によれば、１回の試験で全ての信頼性試験が完了する。したがって、信頼性試験に要する時間が半分以下に短縮できた。また、使用する被試験素子の数を従来の３分の１に削減できた。具体的には、１回の信頼性試験のみにより、約２５００時間の試験時間で、被試験素子の活性化エネルギーを求めることができる。従来は、各温度条件での試験の所要時間であるｈ１１，ｈ１２およびｈ１３を足し合わせた約４５００時間が必要であった。
【００４１】
また、本実施形態では、室温での被試験素子の平均寿命ｈｒを、従来よりも高精度に求めることができる。従来、図４の座標に示されるように、各ジャンクション温度における実験結果にバラツキがある場合、実験結果の最大値および最小値を除外しない場合の直線Ｌ１１と、最大値および最小値を除外した場合の直線Ｌ１２とで、室温Ｔｒにおける推定値ｈｒおよびｈｒ’が大幅に異なっていた。つまり、実験結果の選択による推定値の任意性があった。これに対して、本実施形態によれば、１０個の実験結果のうちの２つに比較的大きな誤差が含まれている場合であっても、上記２つの結果を除外した８個の実験結果に基づいて最小二乗法で得られる直線は、１０個の実験結果に基づくものと大幅に異なることはない。つまり、実験結果の選択による推定値の任意性が少ない。したがって、従来よりも短時間に、被試験素子の活性化エネルギーを比較的高精度に求めることができて、室温における被試験素子の平均寿命の推定が可能になる。
【００４２】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態の信頼性試験装置は、台座としてのカセット１１が、各固定部２に応じた複数の温度調節領域を有し、この複数の温度調節領域が互いに異なる温度に調節可能である一方、上記固定部２には熱抵抗体を配置しない点が、第１実施形態と異なる。
【００４３】
本実施形態の信頼性試験装置は、台座としてのカセットが１０個の温度調節領域を有し、この１０個の温度調節領域に、固定部が１個ずつ設けられている。上記固定部には、熱抵抗体が配置されておらず、互いに同じ熱抵抗を有する。
【００４４】
上記カセットの温度調節領域は、カセットの一端における第１の領域が約８０℃となるように制御され、他端側の領域になるにつれて順次高い温度に制御されて、他端の第１０の領域が約１６０℃となるように制御される。つまり、第１の領域から第１０の領域まで、各領域の温度がリニアに増大するように温度制御している。この温度調節領域の温度制御は、接続端子を介して接続される制御部により行われる。
【００４５】
本実施形態の信頼性試験装置は、上記１０個の固定部に固定された１０個の被試験素子に、電圧が３．３Ｖで電流が０．６Ａの通電条件の電力が供給される一方、上記カセットの温度調節領域が、第１の領域から第１０の領域に向かって温度が上昇するように温度制御される。これにより、上記１０個の被試験素子は、上記温度調節領域に応じて制御される環境温度の下、いずれもＲｔｈ・Ｐで求められる値の熱を生成する。その結果、上記１０個の被試験素子のジャンクション温度Ｔｊは、第１の被試験素子が１８０℃となり、順次線形的に高くなり、第１０の被試験素子で２７０℃に達する。この温度条件の下で試験を１回行った結果、ジャンクション温度Ｔｊが１８０℃の被試験素子が最も長寿命の約２５００時間となった。この実験結果から得られた１０個の被試験素子の寿命の値について、図２と同様の座標において最小二乗法で直線を引き、この直線の傾きから活性化エネルギーを求めて、室温での平均寿命ＭＴＴＦが得られた。本実施形態の信頼性試験装置によれば、１回の試験により室温での平均寿命が得られるので、温度条件が異なる３回以上の試験が必要な従来の信頼性試験装置に比べて、試験に必要な時間を大幅に削減できる。また、信頼性試験に必要な被試験素子の数を従来の３分の１にできる。
【００４６】
上記実施形態において、カセット１，１１に１０個の固定部２，１２を設けて、１０個の被試験素子の試験を行ったが、固定部２，１２の設置個数は１０個以外の何個でもよく、１０個以外の被試験素子について同時に試験を行ってもよい。この場合、上記固定部１２の個数に応じて、上記カセット１１の温度調節領域の個数を変えて、所定のジャンクション温度が得られるように、各温度調節領域の温度を制御してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１Ａ】第１実施形態の半導体素子の信頼性試験装置を示す概略平面図である。
【図１Ｂ】図１ＡのＡ−Ａ’線における概略断面図である。
【図２】信頼性試験の結果から室温の平均寿命を求める様子を示した図である。
【図３Ａ】従来の信頼性試験装置を示す概略平面図である。
【図３Ｂ】図３ＡのＢ−Ｂ’線における概略断面図である。
【図４】従来の信頼性試験の結果から室温の平均寿命を求める様子を示した図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  カセット
２  固定部
３  接続部
４  接続端子
【図１Ａ】
2005127729.tif 000003
【図１Ｂ】
2005127729.tif 000004
【図２】
2005127729.tif 000005
【図３Ａ】
2005127729.tif 000006
【図３Ｂ】
2005127729.tif 000007
【図４】
2005127729.tif 000008