(57)【要約】【課題】ウェハ内のビア、特に、最初にブラインド・ビアを充填する方法、およびこの方法を実施するための様々な装置を提供すること。【解決手段】この方法は、ビアから空気を排出するステップと、ウェハの少なくとも一部分およびこのビアを充填するペーストを２つの表面間に捕捉するステップと、このペーストを加圧してビアを充填するステップとを含む。【選択図】図１４
2005142562.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ内のビアを充填する方法であって、
前記ビアから空気を排出するステップと、
前記ウェハの少なくとも一部分および前記ビアを充填するペーストを２つの表面の間に捕捉するステップと、
前記ペーストを加圧して前記ビアを充填するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記表面の間にシールを形成して前記ウェハの前記一部分と前記ペーストを前記表面の間に閉じ込めるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シールを前記ウェハの連続した部分の上で動かして前記ビアを充填するステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ウェハに面する平面上に前記ペーストを配置するステップと、
前記ペーストをその上に配置した前記平面を前記ウェハと接触するように移動させるステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記表面の１つと前記ウェハの間にペーストを注入するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ビアから空気を排出した後、前記表面の１つと前記ウェハの間にペーストを注入するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記両表面の間に排気された空間を設けるステップと、
前記両表面を互いに押し付けて前記ペーストをビア内部に押し込むステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
大気圧によって、前記両表面を互いに押し付ける、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ペーストが大気圧以上に加圧される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ペーストが１０〜１００ＰＳＩの圧力に加圧される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ビアがブラインド・ビアである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ウェハ内のビアを充填する装置であって、
排気可能であり、前記ウェハを内部に配置するチャンバと、
前記ウェハをその上に配置する表面と、
前記ビアを充填するためのペーストを供給するペースト供給部と、
前記ペーストが前記ビアを充填するように加圧下で前記ペーストを前記ビアに接触させるペースト充填部とを備える、装置。
【請求項１３】
前記ペースト充填部が、１０〜１００ＰＳＩの範囲の圧力で前記ペーストを供給する、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記ペースト供給部が、
前記ペーストを堆積させた表面と、
前記表面上の前記ペーストを前記ウェハに接触させるように加圧する機構とを備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記ペースト供給部が、
前記ペーストを堆積させた表面と、
前記表面に前記ペーストを供給する通路とを備える、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記加圧する機構が、
前記表面を画定するプレートと、
前記プレートを前記ウェハに向かわせるように前記プレートに圧力差を与える構成部品とを備える、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
前記ペーストを塗布した前記表面上に適合する材料をさらに含む、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記ペースト充填部が、
前記ペーストを受け取る部分を有するプレートと、
前記ウェハが配置された前記表面に前記プレートをシールする第１シールと、
前記プレートと前記ウェハの間に前記ペーストをシールする第２シールと、
前記ペーストが前記ウェハの前記ビア内部に押し込まれるように、前記ペーストを前記ウェハに押し付ける機構とを備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項１９】
前記ペーストを前記ウェハに押し付ける機構が、
前記プレートと前記ウェハが配置された前記表面の間のガスを排出するガス除去装置と、
前記チャンバから排出されたガスを置き換えるガス交換装置とを備える、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記ガス交換装置が、
ガスが、そこを通って前記チャンバに入ることを可能にする開口を備える、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記ウェハをその上に配置する前記表面が、前記ウェハ用の陥凹部を備えるベース・プレートを含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項２２】
前記ウェハをその上に配置する前記表面が、静電チャックの表面を備える、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記ペースト供給部が、加圧ペースト貯蔵部を備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項２４】
前記ペースト充填部が、
ピストンを受ける開口を備えるピストン・ハウジングと、
前記ペーストを閉じ込めるように前記ウェハの一部分に前記ピストン・ハウジングをシールするために適合するシールと、
前記ピストン・ハウジング内に配設されたピストンと、
前記ピストンを前記ウェハに押し付けるピストン・アクチェータとを備え、
前記ペースト供給部が、前記ペーストを前記開口に供給する、請求項１２に記載の装置。
【請求項２５】
前記ビアを充填するために、前記シールを圧縮するように前記ピストン・ハウジングを移動させる機構をさらに備える、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記ピストン・ハウジングを移動させる機構が、さらに前記シールが前記ビアが充填されているときより軽く圧縮される位置に、前記ピストン・ハウジングを移動させ、それによって、前記ピストン・ハウジングが移動可能となり、その結果、前記開口に供給されたペーストを前記ウェハの１つあるいは複数の連続した部分のビアに充填する位置に前記ピストン・ハウジングが配設されるようになる、請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
ウェハのビアを充填後、前記ピストンを洗浄して余剰のペーストを除去する機構をさらに備える、請求項２４に記載の装置。
【請求項２８】
前記ペースト充填部が、
ペーストがそこを通ってウェハに供給されるスロットを備える表面を有する細長い部材と、
前記表面を前記ウェハにシールするために適合するシールとを備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項２９】
前記部材および前記ウェハを互いに平行移動させ、それによって前記ウェハの連続した部分内のビアを充填する機構をさらに備える、請求項２８に記載の装置。
【請求項３０】
前記部材および前記ウェハを互いに回転させ、それによって前記ウェハの連続した部分内のビアを充填する機構をさらに備える、請求項２８に記載の装置。
【請求項３１】
前記部材および前記ウェハを互いに回転させる機構が、前記ウェハが配置された前記表面を有する回転式ベースを備える、請求項３０に記載の装置。
【請求項３２】
円形のウェハを受け入れるように構成され、前記細長い部材が前記ウェハに対して径方向に配設される、請求項２８に記載の装置。
【請求項３３】
前記細長い部材の長さが前記ウェハの半径より短い長さを有し、前記装置は、
前記ウェハを回転させる機構と、
前記ウェハに対して径方向に前記部材を平行移動させる機構とをさらに備える、請求項３２に記載の装置。
【請求項３４】
前記ウェハを回転させる機構が、前記ウェハの回転速度を制御する回転速度制御部を備える、請求項３３に記載の装置。
【請求項３５】
前記部材を径方向に平行移動させる前記機構が、前記部材を前記ウェハに対して平行移動させる速度を制御する平行移動速度制御部を備える、請求項３３に記載の装置。
【請求項３６】
前記部材を径方向に平行移動させる前記機構が、ウォーム・ギヤ・アセンブリと前記アセンブリの駆動軸を回転させるモータとを備える、請求項３３に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、充填された、好ましくは導電性のビアおよび貫通ビアを半導体基板中に作成することを可能にする方法、装置、特にツールを対象とする。より詳細には、本発明は、該ビアの充填を可能にする方法および装置を対象とする。
【背景技術】
【０００２】
電子部品パッケージング用基板として、従来のセラミックおよび有機積層板によるパッケージングに比べてシリコンを使用すると多くの利点がある。シリコン・キャリア（carrier）の重要な特徴のいくつかを挙げると、通常のパケージングに比べてより微細なピッチで高性能な配線および接続を作成できる能力、高速度の応用例向けに異質な技術または異なる世代の技術を結合できる能力、受動部品、ＭＥＭＳまたは光ファイバを集積できる能力、配線に加えてキャリア・パッケージにシリコンの機能を付与できる能力、Ｉ／Ｏ密度を劇的に向上できる能力、および多くの応用例で、キャリアとしてＳｉを使用しない他のシステム・オン・パッケージ（ＳＯＰ）に比べて全体のシステム・コストを低減できる能力が含まれる。
【０００３】
半導体パッケージの素子および構造は、ブラック（Black）他の米国特許第５，９９８，２９２号、およびチュー（Chiu）他の米国特許第６，５９３，６４４号に記載されている。上述の概説した利点を実現するためには、図１〜図６に示すようないくつかの重要なステップが必要である。図１に示すように、まず、シリコン・ウェハ１２中に深いブラインド・ビア（blindvia）１０（深さ数１００ミクロン）をエッチングし、側壁絶縁体１４を堆積させる。図２に示すようにビア１０は導体１６で完全に充填しなければならない。図３に示すようにビアを充填すると、標準ＢＥＯＬ（後工程）配線レベル１８をシリコン・ウェハ１２の上面に構築することができ、全ウェハを裏面研磨によって薄くして、図４に示すように裏面にビア導体を露出させることができる。次いで図５に示すようにＣ４はんだボール２０のようなはんだ接続をキャリアの背面に構築することもでき、図６に示すようにフリップ・チップ・ボンディングなどの多くの従来の技法うちのどれかによってその正面にチップ２２を接合することもでき、その結果高性能なシリコン・キャリア・パッケージ２４が完成する。
【０００４】
この時点でいくつかの選択肢がありその１つを図７に示す。図７では、はんだボール２０を用いて、高性能シリコン・キャリア・パッケージ２４をセラミック・モジュール２６に接合し、次いで、例えば追加のＣ４はんだボール３０を用いてプリント回路基板２８に接合する。
【０００５】
上述のすべての重要な技術要素のうちで最もやっかいなものは、アスペクト比の高いブラインド・ビアを導体で充填することである。通常の金属をＰＶＤ法またはＣＶＤ法で充填することは現実的ではない。他方メッキは、メッキした側壁が上面で「パンの塊（breadloaf）」のようになり、それによってそれ以上のビアの充填が中断され、メッキ液が中心のボイドに捕捉（trap；トラップ）されるために極めて困難となる。これらまたは溶融金属を充填する等の他の固体金属の充填方法が実現できたとしても、典型的な金属はシリコンと整合しない大きな熱膨張係数（ＣＴＥ：coefficientof thermal expansion）を有する。ビアとシリコン基板の間の大きなＣＴＥ不整合に伴う３つの潜在的な問題点がある。つまり、１）ビア側壁での層間剥離（delamination）、２）ビア間でのシリコン基板のクラック、および３）ビアの上面／底面と接触している覆い構造または下地構造あるいは薄膜のピストン状の破裂である。したがって、シリコンとよく一致するＣＴＥを有し同時に導電性を有する材料を使用するのが有利である。
【０００６】
ガラス・セラミックのマルチ・チップ・モジュール（ＭＣＭ：multi-chipmodules）の作製にインターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションが使用してきたこのような１つの材料は、有機溶媒とバインダの混合物中に懸濁された銅粒子とガラス粒子の混合物を含むペーストである。このようなペーストは、通常は、スクリーン印刷法によってパターン形成されたセラミック・グリーンシート（greensheet）に塗布され、その後、このシートをスタックし高温で焼成する。焼成中、有機成分は焼失しガラス成分とＣｕ成分が融合して、導電配線および導電ビアを形成する。
【０００７】
近年、アツシ・オクノ（Atsushi Okuno）およびノリコ・フジタ（NorikoFujita）、「真空孔版印刷機（ＶＰＥＳ（登録商標））によるスタック・チップ（３次元パケージ）のビア・ホールの充填（Filling the Via Holeof IC by VPES (Vacuum Printing Encapsulation Systems) for stacked chip (3Dpackaging)）」、２００２年、電子部品および電子技術コンファレンス（Electronic Comoponents and TechnologyConference、2002）で、ブラインド・ビアを導電ペーストで充填するために真空孔版印刷機（ＶＰＥＳ（登録商標））を適用することが記述されている。このＶＰＥＳ法は、もともと、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ：ballgrid array）またはＣＳＰ（chip scale package）パッケージングの製作、ウェハ・レベルのＣＳＰパッケージング、発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイ用の透明樹脂封止、フリップ・チップの下部充填（under-filling）および他の方法でプラスチック樹脂を供給するために使用されていた。ＢＧＡまたはＣＳＰパッケージングの場合、プリント回路基板上へのダイ・ボンディングおよびワイア・ボンディングに続いて、真空中で基板にスキージを当てて液体樹脂を印刷する。次いで、この基板を高温で硬化させて液体樹脂を固化させる。硬化後、端子用のはんだボールを基板の裏面上に取り付ける。従来のスクリーン印刷では、印刷後の樹脂を硬化後、樹脂からガスを除去する方法がなく、そのために高温プロセス中、クラックまたはそりが生じた。
【０００８】
オクノらによって記述された方法では、スキージ・ツールによってナイフ・エッジ（knifeedge）を用いて導電ペーストが塗布される。このツール設計では、エンクロージャ内部で真空に引かれ、例えば、ツールの基部（base）内のスロットによってペーストが供給される。
【０００９】
このようなツールを使用してビアを充填する例を、図８〜図１３に示す。これらの図では、真空ホース３６で真空チャンバ３４に接続された真空ポンプ（図示せず）を用いて、真空チャンバ３４が排気される。十分な真空が得られると、移動部材３９に取り付けられたスキージ・ブレード３８が、先端からペースト４４を供給しながら、ウェハ・ホルダすなわちベース・プレート４２内に固定されたビアを含むウェハ４０の表面を図の左から右へ移動する。ペースト４４は、通路（図示せず）によってチャネルすなわちベース・プレート・スロット４８まで導かれ、そのチャネル内を移動する支持部材４６によって所定位置に移動される。図１０に示すように、余分なペーストは、チャネルすなわちベース・プレート・スロット５２内の可動支持部材５０の上に堆積される。図１１に示すように支持部材５０はチャネル５２内を上方に移動し、他方支持部材４６はチャネル４８内を下方に移動する。追加のペーストは、第２通路（図示せず）を通ってスロット５２に供給される。図１２、図１３に示すように、次いで、移動部材３９の移動によって、スキージ・ブレード３８が図の右から左に移動しながらウェハ４０を再度横切る。
【００１０】
この方法にはいくつもの重大な欠点がある、そのうち最も重大なものは、スキージ・ブレード３８の先端で、一回の移動で、さらにはしばしば数回かけてもペースト４４を深いブラインド・ビアの底面まで到達させるのに十分なほど押さえつけられないことである。ペースト４４がビアの底面まで到達するかどうかは、ペースト４４の粘度、スキージ・ブレード３８にかかる下向きの力（down force）、スキージ・ブレード３８の正面に蓄積したペースト４４の量、およびブレードの速度を含めていくつかの因子によって決まる。この下向きの力に関しては、スキージ・ブレード３８が直接上を通過するときを除き、ブラインド・ビアの上で圧力下にペースト４４を完全に閉じ込める方法はなく、通過した後ですらペースト４４は自由にブレード３８の正面および背面を汚すことができる。このため、複数回の移動が必要になる。アスペクト比の高いビアの場合、真空度が十分低くないとき、またはペースト４４の粘性が極めて高いときは、不完全な充填が生じ得る。この方法は、四角ではなく円形の基板の半導体処理にもあまり適さない。円形の基板で完全な被覆率を保証するには、ペースト４４をウェハを固定しているベース・プレート４２に繰り返し断続的に押し付けては押し付けを止めなければならない。次いで、スキージ・ブレード３８の直線運動によってツールの両端にペーストが蓄積し、そのため定期的に洗浄するなんらかの方法が必要となり、かつ導電性の充填ペーストの浪費が大きくなる。したがって、ブラインド・ビアを含む半導体ウェハに粘性のある導電ペーストを塗布する、より効率的な方法を開発する必要がある。
【００１１】
フェレンス（Ference）らの米国特許第５，２４４，１４３号およびバーガー（Berger）らの米国特許第５，７７５，５６９号には、鋳型（mold）を溶融はんだで充填するツールおよび方法が記載されている。鋳型は、明らかに、特殊な形状が掘り込まれた領域を含む剛性の大きなプレートであるので、これらの形状が円筒形状をとる場合は、問題は本質的にブラインド・ビアを充填する問題の１つとなる。これらの特許に記載されている充填ヘッドは鋳型表面に対してシールされ、それによってヘッドの下のＯリング・シールによって画定される領域を真空にすることができる。次いで、ヘッドの中央スロットから溶融はんだを供給し、それによって真空引きされた、はんだ鋳型穴（avity）の完全な充填が一回で実現できる。このツールおよび方法の重要な際立った特徴は、２センチポイズ（ちなみに、水は定義により１センチポイズ）オーダーの粘度の溶融はんだなど極めて低粘度の材料にしか効果がないことである。これに対して半導体塗布に使用される導電ペーストは１，０００センチポイズ（１Ｐａ・ｓ）から５０，０００センチポイズ（５０Ｐａ・ｓ）を超える範囲のはるかに高い粘度であり、したがって、それらをウェハ表面に、またその中にエッチングされたブラインド・ビア内部に効果的に供給するには、はるかに高い内圧が必要になる。
【００１２】
加圧ペースト・ノズルを用いてビアを充填する方法は、ジェイ、エル、ペディゴ（J. L.Pedigo）の米国特許第６，５０６，３３２号に記載されている。この方法は、オクノらによって記述されたスキージ法に勝る利点を有するが、主として有機プリント回路板（ＰＣＢ）、高密度相互接続（ＨＤＩ：high-densityinterconnect）、およびシーケンシャル・ビルドアップ（ＳＢＵ：sequential build up）積層板タイプの用途に用いるように意図されている。記載されている装置では、圧力ヘッドがＯリング・ガスケットを含む組合せで使用される。このＯリング・ガスケットは、電子回路基板に押し付けた状態に保持されて充填され、かつこの基板に対して移動され、その結果、このヘッドがビア・ホールの頭上を通過するとき、ビア・ホール内にペーストが押し込まれるようになる。記載されているこの装置には、いくつもの欠点があり、それによってシリコン・ウェハ系パッケージングでそれを利用する際の適用可能性が制限される。具体的には、この方法は、高アスペクト比の小さいブラインド・ビアを完全に充填するのに実際に必要な真空を使用していない。その代り、この方法は「ボード当たり必要な処理量を減少させながらビア充填ペースト中に形成されるエアポケット数の低減」を得る方法として記述されている。さらに、特許請求されているビア寸法は、そのブラインド・ビアが１０：１より大きいアスペクト比で直径１０μｍ程度になり得るシリコンから作製されたパッケージ基板内で容易に達成される、直径５０μｍ（２ミル）より小さいビア構造体は無視して、最も重要な電子回路配線板の用途をカバーする直径５０〜６２５μｍ（２〜２５ミル（千分の一インチ））の範囲にある。このような小さなブラインド構造体に真空を用いないで粘性ペーストを充填することは、不可能ではないとしても極めて困難である。
【特許文献１】米国特許第５，９９８，２９２号
【特許文献２】米国特許第６，５９３，６４４号
【特許文献３】米国特許第５，２４４，１４３号
【特許文献４】米国特許第５，７７５，５６９号
【特許文献５】米国特許第６，５０６，３３２号
【非特許文献１】アツシ・オクノ（Atsushi Okuno）およびノリコ・フジタ（NorikoFujita）、「真空孔版印刷機（ＶＰＥＳ）によるスタック・チップ（３次元パケージ）のビア・ホールの充填（Filling the Via Hole of ICby VPES (Vacuum Printing Encapsulation Systems) for stacked chip (3D packaging)）」、ElectronicComoponents and Technology Conference、2002
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明者らは、真空環境で加圧ペースト供給の組合せを使用してシリコン・ウェハ内に、その寸法が１０μｍ（＜０．５ミル）〜２５０μｍ（＜１０ミル）の範囲をとり得るエッチングされたブラインド構造体を、配線であれビアであれ、完全に充填することができる方法およびツールが必要とされていることを認識してきた。さらに、ＣＭＯＳ後工程（ＢＥＯＬ）処理に適合する高度に自動化されたバッチ操作に容易に適合する製造性の高い製造法および製造ツールが必要とされている。
【００１４】
したがって、本発明の目的は、ビアを確実に粘性のある材料で充填する方法を提供することである。
【００１５】
本発明の別の目的は、ビアを確実に粘性のある材料で充填する装置およびツールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明によれば、ウェハ中のビア、特にブラインド・ビアを充填する方法は、ビアから空気を排出すること、２つの表面の間のビアを充填するために、このウェハの少なくとも一部分およびペーストを捕捉すること、およびこのペーストを加圧してビアを充填することを含む。この方法はさらに、この両面の間にシールを形成し、それによってこのウェハの一部分およびペーストを閉じ込めることを含む。この方法はさらに、ウェハの連続した部分の上でこのシールを移動させてビアを充填することを含む。
【００１７】
さらに、この方法は、ウェハに面している平面（planar surface）上にペーストを配置し、ペーストがその上でこのウェハに接触して配置されているこの平面を移動させることを含み得る。ペーストを表面の一方とウェハの間に注入することができる。好ましくは、ビアから空気を排出した後、ペーストを表面の一方とウェハの間に注入する。
【００１８】
さらに、この方法は、両表面の間に排気された空間を設け、この両表面を互いに押し付けてペーストをビア内部に押し込むことを含み得る。これら両表面を大気圧で互いに押し付けることができる。
【００１９】
好ましくは、ペーストを大気圧より高く、より具体的には１０〜１００ＰＳＩの範囲で加圧する。
【００２０】
本発明によれば、ウェハ内のビアを充填する装置は、ウェハを内部に配置するためのチャンバであって排気することができるチャンバと、ウェハをその上に配置するための表面と、ペーストを供給してビアを充填するためのペースト供給部と、加圧下でペーストをビアに接触させ、それによってペーストをビアに充填するペースト充填部とを備える。好ましくは、このペースト充填部は、１０〜１００ＰＳＩの範囲の圧力でペーストを供給する。
【００２１】
このペースト供給部は、ペーストがその上に堆積される表面と、加圧し、それによってこの表面上のペーストを強制的にウェハに接触させる機構とを備える。このペースト供給部は、ペーストがその上に堆積される表面、およびペーストが通って表面に供給される通路とを備えることもできる。加圧する機構は、表面を画定するプレート、およびこのプレートに圧力差を与え、それによってプレートをウェハに強制的に向かわせる構成部品を備えることができる。ペーストが塗布される表面上に適合する材料（compliant material）を配設することもできる。
【００２２】
ペースト充填部は、ペーストを受け取る部分を備えるプレートと、ウェハがその上に配置される表面に対してこのプレートをシールする第１のシールと、ペーストをこのプレートとウェハの間にシールする第２シールと、このプレートをウェハの方に強制的に向かわせ、それによってウェハのビア内部にペーストを押し込む機構とを備える。
【００２３】
このプレートをウェハに向かわせる機構は、プレートとウェハがその上に配置される表面との間のガスを排出する装置、およびチャンバから排出されたガスを置き換えるガス交換装置を備えることができる。このガス交換装置は、ガスをチャンバに入れるための開口を備えることができる。
【００２４】
ウェハをその上に配置する表面は、ウェハ用の陥凹部（recess）を備えるベース・プレートを備えることができ、あるいは静電チャック（electrostaticchuck）の表面とすることもできる。
【００２５】
ペースト供給部は、加圧ペースト貯蔵部（reservoir）を備えることができる。本発明によれば、ペースト充填部は、ピストンを受ける開口を備えるピストン・ハウジングと、このピストン・ハウジングをウェハの一部分にシールし、それによってペーストを閉じ込めるのに適合するシールと、ピストン・ハウジング内に配設されたピストンと、ピストンをウェハに向かわせるピストン・アクチェータとを備え、ペースト供給部は開口にペーストを供給する。
【００２６】
本発明によれば、この装置はさらに、ピストン・ハウジングを移動させ、それによって、ビアを充填するためにシールを圧縮する機構を備えることもできる。このピストン・ハウジング移動機構はさらに、ビアが充填されているときもシールがより弱く圧縮される位置にピストン・ハウジングを移動させ、それによってウェハの１つあるいは複数の連続した部分のビアを開口に供給されたペーストで充填する位置にくるようにピストン・ハウジングを配設できるようにする。
【００２７】
この装置はさらに、ウェハのビアが充填された後、ピストンを洗浄し余剰なペーストを除去する機構を備えることもできる。
【００２８】
装置のペースト充填部は、そこを通ってペーストをウェハに供給するためのスロットのある表面を有する細長い部材、およびこの表面をウェハに対してシールするために適合するシールを備えることができる。
【００２９】
本発明によれば、この装置はさらに、この部材とウェハを互いに平行移動させ、それによってウェハの連続した部分のビアを充填する機構、およびこの部材とウェハを互いに回転させ、それによってウェハの連続した部分のビアを充填する機構を備えることもできる。部材とウェハを互いに回転させる機構は、ウェハがその上に配置される表面を有する回転式ベースを備えることができる。
【００３０】
この装置は、円形のウェハを受け入れるような構成にすることができ、細長い部材はウェハに対して径方向に配設される。好ましくは、この細長い部材はウェハの半径より短く、さらにウェハを回転させる機構、およびウェハに対して径方向にこの部材を平行移動させる機構を備える。このウェハを回転させる機構は、ウェハの回転速度を制御する回転速度制御部を備えることができる。この部材を径方向に平行移動させる機構は、ウェハに対して部材を平行移動させる速度を制御する平行移動速度制御部を備えることができる。
【００３１】
この部材を径方向に平行移動させる機構は、ウォーム・ギヤ（worm gear）・アセンブリ、およびこのアセンブリの駆動軸を回転させるモータを備えることもできる。
【００３２】
本発明のこれらおよび他の態様、特徴、および利点は、以下の本発明の詳細な説明を諸図と共にさらに考察すれば明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
本発明について説明する様々な変形形態は、特定の各アプリケーションにとって望ましいどんな組合せででも実現することができる。したがって、特定の制限、あるいは特定の用途にとって特に有利となり得る本明細書に記述された改良実施形態は、すべての用途に使用する必要はない。本発明の１つあるいは複数の概念を含む方法、システムまたは装置あるいはそのいずれかの組合せで必ずしもすべての制限を実施する必要がないことも理解すべきである。
【００３４】
図１４を参照すると、本発明による第１の装置および方法では、外側処理チャンバ６０は、真空源（図示せず）が接続された外側真空ポート６２を備える。矢印６５で示すように、ポート６２を通してチャンバ６０を排気する。テフロン（Ｒ）または他の汚れが付着せず表面に適合する材料６８で被覆された、上部プレートすなわちピストン６６の片面の一部分に導電ペースト６４を塗布する。
【００３５】
本明細書で使用するペーストという用語は、プリント回路板のスクリーン印刷に使用される、金属または金属／誘電体を高濃度で含むペーストなどの従来のペースト、導電材料の微小な粒子を含有した水性懸濁液、および有機金属液の粘度におよぶ範囲を含む幅広い範囲の粘度を有する任意の材料、特に、導電材料を指す。
【００３６】
内側のＯリング６９が表面材料とペースト６４を取り囲む。皿状の陥凹部（countersunkrecess）またはバンキング・ピン（banking pins）（図示せず）を使用して、底部すなわちベース・プレート７２上に処理対象のウェハ７０を固定する。適合する外側のＯリング７４によってピストン６６の平面とベース・プレート７２を離しておく。ピストン６６とベース・プレート７２の間の空間７５内に十分な真空を実現することによって、ペースト被覆側をウェハから分離しているギャップ中の空気がペーストの下のビア内に捕捉（トラップ）されるのを防ぐ。これは、真空ホース７８に接続され、内側の真空ポート８０に接続された真空システム（図示せず）によって排気される、ピストン６６内の通路７６を使用して空間７５を排気することによって実施される。すなわち、図１４で、内側の真空ポート８０と外側の真空ポート６２のどちらも開にし、その結果、プレートを互いにぶつけることなくペースト６４とウェハ７０の間の空間７５を排気する。
【００３７】
次いで、ピストン６６に圧力を加え、それによってペーストをウェハ７０に接触させる。図１５に矢印８２で示すように、この圧力は、空間７５を画定するピストン・エンクロージャ（enclosure）内の真空を維持し、一方外側のチャンバ６０に、空気、例えば、矢印６５Ａで表すように大気圧の空気を再充填する（backfill）ことによって容易に実現できる。内側のＯリング６９はバッフル（baffle：調節板）・エンクロージャを形成し、それによってペーストがウェハ７０の端部から漏れ出すのを防ぎ、かつペーストをウェハ７０の排気されたビア内部に押し込むことを可能にするのに十分な圧力を保証する。内側真空ポート８０での真空を解除することによって、内側のピストンから真空を解除し、かつ矢印８０Ａが空気の流れを示しているように、空間７５を、例えば大気圧に戻らせると、外側のＯリング７４が復元力を与えて、図１６に示すように、ピストン６６とベース・プレート７２の間の分離間隔を増大させる。
【００３８】
いくつかの追加の特徴が、図１４〜図１６に示す装置で利用可能である。図１５に示すようなより低粘度の液体ペーストの場合、その供給はベッセル（vessel）を排気後ピストン６６内のオリフィス８４、および表面材料６８を経由して実現することができる。この場合、好ましい柔らかいペースト供給チューブ８６（気密状態でチャンバ６０に差し込むことができる）を通して、ペーストを正確な量で供給し、ウェハ表面の全体にわたって流し、排気されたビア内部に流入させてから最終圧を加える。代替実施形態では、ウェハ搭載面とペースト被覆面を逆にする。この場合、下部プレート内のオリフィスを通してペーストの自動供給を行い、正確な時間だけより低い粘度のペーストを溜まらせてからウェハを接触させ加圧する。これは、図１５を逆にすることによって視覚化することができる。この実施形態では、それだけに限定されないが、上述のようなスキージまたはドクター・ブレード（doctorblade）を含む任意の数の方法または回転ブラシ洗浄法により、後続のステップでペーストの表層（overburden：余剰分）を除去しなければならない。
【００３９】
図１７ないし２２を参照すると、本発明の第２の実施形態では、小型のピストン９０が、可動の小型動作ピストン・ヘッド９２のピストン・ハウジング９１内に配設されている。このピストン・ヘッド９２は、真空チャンバ９４（図示せず）の内部に配設される。例えば、静電チャック９８に固定されたウェハ９６の表面を横切って小型ピストン・ヘッド９２を１ステップずつ移動させるようになっている。チャンバ９４が十分排気されるとすぐに、充填が始まる。図１８に示すように、ピストン・ヘッド９２は、適切な開始点（図１７）に移動され、ピストン・ハウジング９１は、例えば、アクチュエータ９９を垂直方向に伸長させることによってウェハ表面に対して垂直に押し付けられ、Ｏリング・ガスケット１００を圧縮する。図１９に示すように、加圧されたペースト供給部および貯蔵部１０２に貯蔵されたペーストは、ピストン９０の下、ウェハ９６の上の空間１０８内の開口１０６で終わるペースト供給チューブまたはホース１０４を通して、小型ピストンの下の排気された空間１０８の内部に供給される。
【００４０】
図２０に示すように、次いで、ピストン９０を下向きにするピストン駆動機構１１０によってピストン９０が作動され、それによって下にあるウェハ９６のビア内部にペーストが押し込まれる。電気モータあるいは空圧駆動または油圧式駆動を用いる等の従来のいくつかの方法のどれかによってピストン駆動機構１１０を作動させることもできる。次いで、駆動機構１１０を逆転させ、それによってピストン９０を引っ込ませることができる。ヘッド９２のピストン・ハウジング９１の下向きの力はアクチュエータ９９によって解放され、それによってＯリング・ガスケット１００は減圧されるが、ウェハ９６の上側表面に軽く接触したままになる。図２２に示すように、ヘッド９２全体が、ウェハ９６の表面全体ににわたって次の供給位置まで平行移動され上述のプロセスが繰り返される。ヘッドによってアクセス可能なウェハ全体のビアが充填されるまで、このプロセスを連続した位置で繰り返すことができる。この方法は、ペーストを直接用いる個所に極めて容易に供給できるようになる点で有利である。さらに、図２３に示すように、例えば、小型ピストン面の底部から余剰のペーストを除去してから充填するためにウェハ・チャック９８から離れた場所に回転洗浄ホイール１１２を備える洗浄ステーションを備えるのは比較的容易である。この操作を実施するために、ヘッド９２をチャック９８から外れた位置に移動し、ピストン駆動機構１１０によってピストン９０を移動させ、それによって、その下側の表面を、ピストン・ハウジング９１の外、Ｏリング・ガスケット１００の下に延ばす。
【００４１】
ピストン９０の面は円形でよいが、ｘ−ｙ平行移動システムの場合は、正方形または長方形とするのが有利であることを留意されたい。ヘッドが固定され、ウェハが回転する回転システムの場合、ヘッドが、円のある妥当な弧（segment）に等しい形状をとることが有利である。
【００４２】
図２４（部分底面図）、図２５（断面図）、および図２６（断面図）を参照すると、本発明の第３の実施形態では、ウェハ１２２の上部表面にしっかりと接触して保持されたＯリング・シールまたはガスケット１２１を備える加圧ノズル１２０を使用してペーストが塗布される。ウェハ１２２は、真空チャンバ１２８などの真空雰囲気中で、ベース・プレート１２６の皿状のノッチまたは陥凹部１２４内に支持される。導電ペースト１２９は、スロット１３１を通して塗布される。図２６に、ノズル１２０が矢印１３０の方向にウェハ１２２を横切って移動しているところを示す。第１、第２の実施形態と同様に、チャンバ１２８全体が、１０トール未満、好ましくは１トール近くまでの真空レベルに減圧されるまで、充填は生じない。ピストン・アセンブリ１３５の移動に基づいてペーストを供給するペースト貯蔵部１３４に接続された供給チューブ１３２を通して、加圧下にある導電ペーストが、ノズル１２０に供給される。この実施形態の利点は、供給チューブを経由してノズルにペーストを供給する加圧ペースト・カートリッジを真空チャンバ内部に配設し、その内部で電気的または機械的に作動させることができることである。この構成では、空気がペースト供給システム内に浸入する可能性はなく、ペースト自体に空気がゆっくり浸入するのを防ぐ対策がなされている。この空気の浸入防止は、特にこの用途のために意図的に真空中で混合され供給されたペーストにとって決定的に重要である。
【００４３】
図２７に示す直線的スキャン操作も参照すると、ノズル１２０はベース・プレート１２６（図２６）の皿状の陥凹部１２４内に固定されたウェハ１２２の左側の場所から始まり、矢印１２７で示されるように移動する。陥凹部１２４はウェハ１２２の全厚に一致するかわずかに浅くなっており、それによってウェハ１２２の上部表面が、傾斜しているか、ノズル１２０がその上部を移動するベース・プレートの表面よりわずかに高く（約２５μｍ（１ミル））なる。これによって、適合するノズルＯリング・ガスケット１２１が、充填操作中、ウェハ１２２の上部表面に対して圧縮された接触状態に留まるようになる。上述のように、所与の粘度のペーストで、制御可能な充填パラメータは、チャンバ１２８の内側の真空度、ノズル１２０の内側のペーストに加えられる圧力、およびウェハ１２２の表面の上をノズル１２０がスキャンする速度である。
【００４４】
以下の図２８〜図３０に示す回転式実施形態を除き、ウェハは、ウェハ表面がベース・プレート表面に対して極めて平面に近くなるようにツール・ベース・プレート内の加工した皿状のノッチ内部にぴったり篏合する。ノズルは、経路内の排気されたビアを充填し、ウェハ表面に極めて薄い表層のみを残しながら表面を横切って移動する。代わりに、位置決めピンまたはバンキング・ピンを使用してウェハを所定位置に保持することもできる。
【００４５】
図２８、２９に示すように、この加圧ペースト・ノズルは、ウェハが回転式ベース・プレート（図２８〜図３０に図示せず）上に、例えば、静電チャック（やはり図示せず）によって保持されている回転式構成においても有利に適用できる。ウェハ１２２Ａ、１２２Ｂ、１２２Ｃは矢印１２５で示されるように回転する。この静電チャックは、ウェハを保持する方法に関しては従来の設計のものでよいが、ベース・プレートの回転を可能にする電気接続手段でウェハを固定するのに使用される電圧を印加するようになっている点で異なることがある。
【００４６】
ノズル１２０Ａは、ペースト１２３Ａを塗布するために、回転するウェハ１２２Ａに対して径方向に静止して保持される。この方法には、ノズルが、充填されるウェハの表面以外の別の表面に接触しないという利点がある。このノズルをウェハ径より狭く設計して、ペーストが塗布されない除外区域を設けることができる。この２つの特徴は、本発明のこの実施形態を、典型的なＣＭＯＳ半導体処理に特に適合したものにするのに役立っている。
【００４７】
ウェハは、回転するチャック（例えば、上述したような静電チャック）上に固定され、ペースト・ノズルは、ウェハに接触させられ、その経路で排気されたビアを充填し、ウェハ１２２Ａの表面に非常に薄いペースト１２３Ａの表層を残しながら、この表面を横切って移動する。図２８のように、固定ノズルは図示されるようなウェハ半径にほぼ等しいスロット寸法とすることもでき、あるいは全直径に等しいスロット寸法とすることもできる。
【００４８】
図２９に、ノズル１２０Ｂが、したがってスロット寸法がウェハ１２２Ｂの半径より小さい、特に好ましい実施形態を示す。この実施形態では、分離したペースト供給トラック１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃ等が画定されるように、ノズル１２０Ｂを径方向に沿って等しいステップで移動させなければならない。このような移動を提供する例示的な機構は、以下図３０に関して説明する。真空と、ペースト圧と、ビアまたはビアの集合体の上にノズルが滞留する時間の組合せが充填の重要なパラメータである。図２９に示す実施形態では、ウェハ回転速度を各個別のペースト供給トラックごとに調節して、どんな所与の位置にあるノズルの平均滞留時間もウェハの全体にわたってほぼ等しくなるようにする。より小さいノズルの別の利点は、ノズルの下向きの力が所与の大きさの場合に、全ペースト圧をより高くすることができることである。ペースト圧にスロットＯリングによって画定される面積を掛けた値が、Ｏリング・シール下の漏れを避けるために、ノズルをウェハ表面に押し付ける力となる。一般的に、図２９に示すようなどんな移動する機械的なシステムにも、それが適切に作動する最大の構造的な力がある。ノズルによって画定されるペースト供給領域が減少する場合、同じ機械的な下向きの力によって、ペースト漏れ条件になる前に、より高いノズル圧を発生することができる。
【００４９】
図３０を参照すると、ノズル１２０Ｃが、ネジ穴１４５を有するブロック１４４に連結されたアーム１４２上に支持されている。ウォーム・ギヤ駆動アセンブリは、固定ベアリング・ブロック１４８、１５０中で支持されたネジ・シャフト１４６を備え、穴を通って延び、穴１４５のネジ山に係合する。このシャフト１４６は、速度制御装置１５４によって制御されるモータ１５２によって回転される。シャフト１４６の回転によってもたらされるブロック１４４の運動によって、ノズル１２０Ｃがウェハ１２２Ｃに対して径方向に移動する。図２９に関して上述したように個別のペースト供給トラック１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃなどを堆積させるのに加えて、ペースト供給トラック１４０Ａが堆積されると、所望の表面領域がペーストで覆われるまで、ノズル１２０Ｃをウェハ１２２Ｃに対して径方向外側に連続的に移動させることができる。ウェハの回転速度を連続的に適切に調節することによって、先に述べたように適度に均一なペースト供給が保証される。
【００５０】
図３０を参照して上述したウォーム・ギヤ駆動機構は単なる例示であり、他のどんな適切な駆動機構も使用できることを留意されたい。さらに、平行移動を必要とする、様々な図で説明された本発明のどんな実施形態においても、任意の駆動機構も使用することができる。
【００５１】
先に概要を述べたこの３つの実施形態は、ペースト塗布ステップだけを記載したものである。これらのいずれかの実施形態にもとづく作成ツールは、好ましくは以下の機能も備える：カセットとの間でペースト供給段までの自動化されたウェハ処理（ロード・ロック）；（必要ならば）ウェハ端部の洗浄の準備（レジスト塗布装置におけるエッジ・ビード除去に類似）；自動のペースト圧制御、計量、および供給（dispense）；何らかの形態の自動検査；およびその場で（in-situ）低温乾燥するためのバッチ真空オーブン内部への自動ローディング。
【００５２】
本明細書で記述した本発明は、多層集積回路チップまたは他のデバイスあるいはその両方を搭載し実装するための、半導体またはガラス基板ベースのキャリアで特に利用される。このキャリアは、上部と下部が露出され絶縁された導電性の貫通ビアを備える、自立したチップまたはウェハであり、この貫通ビアは、フリップ・チップおよび他のデバイスの入出力（Ｉ／Ｏ）を、キャリアを通してその底面側に搭載された次のレベルのパッケージング、ボード（基板）、またはフリップ・チップに接続する。しかし、本発明は、ペーストのような粘性のある物質でビア、特に深いビアを充填しなければならないどんな状況にも適用できる。
【００５３】
したがって、上述してきたことは、本発明のより適切な目的および実施形態のいくつかの概説であることに留意されたい。本発明の概念は、多くの用途に使用できる。すなわち、特定の構成および方法について説明してきたが、本発明の意図および概念は他の構成および用途にも適しており適用可能である。本発明の範疇および範囲から逸脱することなく、開示された実施形態に他の修正を加え得ることは当業者には明白であろう。記述した実施形態は、本発明のより際立った特徴および用途のいくつかを単に例示したものであると解釈すべきである。当技術分野で周知の方法を用いて、開示の発明を異なる方法で適用し、または本発明に修正を加えることによって他の有益な結果が実現できる。したがって、実施形態が例として提供したものにすぎず、制限として提供されてきたのではないことを理解されたい。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって規定される。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】導電性貫通ビア、上面側のランド接合（landing join）またはバンプ、および背面側のはんだ接続を備えるシリコン系チップ・キャリアを作製する従来技術のプロセス・フローの諸段階の断面図である。
【図２】導電性貫通ビア、上面側のランド接合またはバンプ、および背面側のはんだ接続を備えるシリコン系チップ・キャリアを作製する従来技術のプロセス・フローの諸段階の断面図である。
【図３】導電性貫通ビア、上面側のランド接合またはバンプ、および背面側のはんだ接続を備えるシリコン系チップ・キャリアを作製する従来技術のプロセス・フローの諸段階の断面図である。
【図４】導電性貫通ビア、上面側のランド接合またはバンプ、および背面側のはんだ接続を備えるシリコン系チップ・キャリアを作製する従来技術のプロセス・フローの諸段階の断面図である。
【図５】導電性貫通ビア、上面側のランド接合またはバンプ、および背面側のはんだ接続を備えるシリコン系チップ・キャリアを作製する従来技術のプロセス・フローの諸段階の断面図である。
【図６】導電性貫通ビア、上面側のランド接合またはバンプ、および背面側のはんだ接続を備えるシリコン系チップ・キャリアを作製する従来技術のプロセス・フローの諸段階の断面図である。
【図７】第１（セラミック・モジュール）レベル・パッケージ、および第２（ＰＣＢ）レベル・パッケージ上にチップを取り付けて実装した、従来技術のシリコン・ベースのチップ・キャリアを示す図である。
【図８】ベース・プレート・スロットを経由するペースト供給を用いる従来技術のシステムで真空スキージ・ブレードが定位置にあるときのシステムを示す図である。
【図９】図８に示すシステムで一回目のパスのペースト充填中、真空スキージ・ブレードが中間位置にあるときのシステムを示す図である。
【図１０】図８に示すシステムで一回目のパスの後、真空スキージ・ブレードが最終位置にあるときのシステムを示す図である。
【図１１】図８に示すシステムでベース・プレート・スロットを通ってペーストが供給され、真空スキージ・ブレードが最終位置にあるときのシステムを示す図である。
【図１２】図８に示すシステムで二回目（復路）のパスのペースト充填中、真空スキージ・ブレードが中間位置にあるときのシステムを示す図である。
【図１３】図８に示すシステムでウェハの表面を横切る２つのパスを含む完全な１サイクル後、真空スキージ・ブレードが定位置にあるときのシステムを示す図である。
【図１４】ペーストで被覆された上部表面を有する真空ピストン・ツールが初期位置にある、本発明による装置を示す図である。
【図１５】装置の内側真空ポートが「開」に保たれ外側真空ポートが大気圧に再充填される構成にある、図１４に示す装置を示す図である。
【図１６】内側真空ポートが大気圧に再充填されるように設定され、それによってあるペーストがウェハのビア内にあり、表層（余剰分）がウェハ表面上にある構成にある、図１４に示す装置を示す図である。
【図１７】小型のピストン・ヘッドが開始位置にある、本発明の第２の実施形態による装置の断面図である。
【図１８】小型のピストン・ヘッドがウェハに向かってガスケットを押し付けるように移動された、図１７の装置の断面図である。
【図１９】ペーストがピストン面とウェハ表面の間の排気領域に供給された、図１７の装置の断面図である。
【図２０】ピストンが下方に延びそれによってウェハのブラインド・ビア内部にペーストを押し込んだ、図１７の装置の断面図である。
【図２１】ピストンが引っ込みピストン・ヘッドが所定位置にありその結果ガスケットとウェハ表面の間に弱い圧がかかっている、図１７の装置の断面図である。
【図２２】ピストン・ヘッドが第２位置にあり、ガスケットとウェハ表面の間の弱い圧が維持されている、図１７の装置の断面図である。
【図２３】ピストンがウェハ表面から離れた位置にあり、ピストンが延びて余剰のペーストを除去するために装置に接触している、図１７の装置の断面図である。
【図２４】本発明の第３の実施形態による装置の部分底面図である。
【図２５】図２４の装置の側断面図である。
【図２６】図２４、図２５の装置を使用した真空ペースト・ノズル供給チャンバの断面図である。
【図２７】図２４、図２５の装置を使用した、真空中での直線的なノズル供給操作の平面図である。
【図２８】図２４、図２５の装置を使用した、真空中での回転式のノズル供給操作の平面図である。
【図２９】図２４、図２５の装置を使用した、真空中での回転式のノズル供給操作の平面図である。
【図３０】図２４、図２５の装置を使用した、真空中での回転式のノズル供給操作の平面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０  ビア
１２  シリコン・ウェハ
１４  側壁絶縁体
１６  導体
１８  標準ＢＥＯＬ（後工程）配線レベル
２０  はんだボール
２２  チップ
２４  シリコン・キャリア・パッケージ
２６  セラミック・モジュール
２８  プリント回路基板
３０  はんだボール
３４  真空チャンバ
３６  真空ホース
３８  スキージ・ブレード
３９  移動支持部材
４０  ビアを含むウェハ
４２  ペース・プレート
４４  ペースト
４６  可動支持部材
４８  ペース・プレート・スロット、チャネル
５０  可動支持部材
５２  ペース・プレート・スロット
６０  外側処理チャンバ
６２  外側真空ポート
６４  ペースト
６５  排出される空気の流れを示す矢印
６５Ａ  大気圧の空気の流れを示す矢印
６６  ピストン、上部プレート
６８  表面材料
６９  内側Ｏリング（第２シール）
７０  ウェハ
７２  ベース・プレート
７４  外側Ｏリング（第１シール）
７５  ピストンとベース・プレートの間の空間
７６  ピストン内の通路
７８  真空ホース
７９  内側真空ポート
８０  排出される空気の流れを示す矢印
８０Ａ  大気圧の空気の流れを示す矢印
８２  ピストンに加えられる圧力
８４  オリフィス
８６  ペースト供給チューブ
９０  小型ピストン
９１  ピストン・ハウジング
９２  ピストン・ヘッド
９４  真空チャンバ
９６  ウェハ
９８  静電チャック
９９  アクチェータ
１００  Ｏリング・ガスケット
１０２  ペースト貯蔵部
１０４  ペースト供給チューブ、ホース
１０６  開口
１０８  小型ピストンの下の排気された空間
１１０  ピストン駆動機構
１１１  導電ペースト
１１２  回転洗浄ホイール
１２０  加圧ノズル
１２０Ａ、１２０Ｂ、１２０Ｃ  ノズル
１２１  Ｏリング・シール、ガスケット
１２２、１２２Ａ、１２２Ｂ、１２２Ｃ  ウェハ
１２３Ａ、１２３Ｂ  導電ペースト
１２４  皿状のノッチ、陥凹部
１２５  ウェハの回転方向を示す矢印
１２６  ベース・プレート
１２７  直線的なスキャンの場合のノズルの移動方向を示す矢印
１２８  チャンバ
１２９  導電ペースト
１３０  ノズルの移動方向を示す矢印
１３１  スロット
１３２  供給チューブ
１３４  ペースト貯蔵部
１３５  ピストン・アセンブリ
１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃ  分離したペースト供給トラック
１４２  アーム
１４４  ブロック
１４５  ネジ穴
１４６  ネジ・シャフト
１４８、１５０  固定ベアリング・ブロック
１５２  モータ
１５４  速度制御装置
【図１】
2005142562.tif 000003
【図２】
2005142562.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005142562.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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