(57)【要約】【課題】  層間接続信頼性の高い多層配線板の製造方法を提供する。【解決手段】  第１のステージと第２のステージとを有する加熱加圧装置の前記第１のステージ上に、導体回路と、絶縁層と、前記絶縁層を貫通して前記導体回路上に形成された複数の導体ポストと、前記導体ポスト上面に前記絶縁層から突出して形成された半田層とを有する接続層と、前記半田層と相対する位置に層間接続用ランドを有する被接続層とを、接着剤層を介して、前記半田層が前記接着剤層と接触するように重ね合わせて、前記第２のステージとは非接触状態で載置し、前記第１および第２のステージを前記半田層が溶融する温度以上の温度で加熱した後、前記第２のステージを接触させ加圧して圧着し、前記導体ポストと前記層間接続用ランドとを半田接合することを特徴とする多層配線板の製造方法。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のステージと第２のステージとを有する加熱加圧装置の前記第１のステージ上に、導体回路と、絶縁層と、前記絶縁層を貫通して前記導体回路上に形成された複数の導体ポストと、前記導体ポスト上面に前記絶縁層から突出して形成された半田層とを有する接続層と、前記半田層と相対する位置に層間接続用ランドを有する被接続層とを、接着剤層を介して、前記半田層が前記接着剤層と接触するように重ね合わせて、前記第２のステージとは非接触状態で載置し、前記第１および第２のステージを前記半田層が溶融する温度以上の温度で加熱した後、前記第２のステージを接触させ加圧して圧着し、前記導体ポストと前記層間接続用ランドとを半田接合することを特徴とする多層配線板の製造方法。
【請求項２】
非接触状態は、無加圧状態で、前記第１のステージと前記第２のステージとの間隔と、前記接続層と前記被接続層とを前記接着剤層を介して重ね合わせた積層体の厚みとが、略同一で維持される請求項１に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項３】
第２のステージは、前記加熱において、第１のステージより少なくとも１０℃以上高い温度を有する請求項１または２に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項４】
第２のステージは、前記加熱において、第１のステージより少なくとも５℃／分以上速い昇温速度で加熱される請求項１ないし３のいずれかに記載の多層配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、多層配線板の製造において、金属層と、絶縁層と、前記金属層上に絶縁層を貫通して形成された導体ポストと、該導体ポストの先端表面に形成された半田層とを有する接続層と、非接続層とを、前記接続層上の微細な半田層を用いて、半田接合により層間接続を行うにあたり、半田接合に必要な表面清浄化機能を有する接着剤層を、接続層の半田層と、非接続層の導電体回路層間に介在させ、密着して、半田溶融温度まで加熱した後、加圧する工程を経て、半田接合して、層間接続する方法があった（例えば、特許文献１参照。）。この方法は、加熱工程において、該接着剤層の金属表面清浄化機能により、半田層が溶融して、その表面張力により、凸形状を形成した後、凸形状の半田層が溶融した状態のまま、加圧して、被接続用金属ランドと半田接合させるというものである。
【特許文献１】特願２００１−３８４８３４号（段落番号[００１２]〜[００２６]、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、前記従来の技術においては、加熱工程中に配置されている多層配線板と加熱加圧装置の上下ステージにおいて、多層配線板と上ステージが多層配線板に接触している場合、加圧していなくても、加熱による多層配線板自体の膨張、また、ステージの膨張により極低圧ながらも多層配線板に圧力がかかることになり、この圧力によって、加熱工程時に半田の溶融が十分でないか、溶融形状が不均一の状態で、半田接合が行われる可能性があり、良好な半田接合を得られない事態を生じる。また、上ステージと多層配線板が離れていると、熱伝導率が低下し、多層配線板の上下で温度差が発生し均一な半田接合が得られない。
【０００４】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであって、層間接続信頼性の高い多層配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、接合ばらつきの要因として、半田接合における加熱方法により均一で良好な半田接合が得られること加熱工程中の上ステージと多層配線板との接触による因子を突き止め、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、
１．  第１のステージと第２のステージとを有する加熱加圧装置の前記第１のステージ上に、導体回路と、絶縁層と、前記絶縁層を貫通して前記導体回路上に形成された複数の導体ポストと、前記導体ポスト上面に前記絶縁層から突出して形成された半田層とを有する接続層と、前記半田層と相対する位置に層間接続用ランドを有する被接続層とを、接着剤層を介して、前記半田層が前記接着剤層と接触するように重ね合わせて、前記第２のステージとは非接触状態で載置し、前記第１および第２のステージを前記半田層が溶融する温度以上の温度で加熱した後、前記第２のステージを接触させ加圧して圧着し、前記導体ポストと前記層間接続用ランドとを半田接合することを特徴とする多層配線板の製造方法貼り合わせた後、多層配線板の上下に配置された加熱ステージを用いて加熱及び加圧して圧着し、前記導体ポストと前記層間接続用ランドとを半田接合して多層配線板を製造する方法において、加熱工程中の上ステージと多層配線板とが接触せず離れている、
２．  非接触状態は、無加圧状態で、前記第１のステージと前記第２のステージとの間隔と、前記接続層と前記被接続層とを前記接着剤層を介して重ね合わせた積層体の厚みとが、略同一で維持される請求項１に記載の多層配線板の製造方法、
３．  第２のステージは、前記加熱において、第１のステージより少なくとも１０℃以上高い温度を有する請求項１または２に記載の多層配線板の製造方法加熱工程中の上ステージの加熱温度が下ステージ、
４．  第２のステージは、前記加熱において、第１のステージより少なくとも５℃／分以上速い昇温速度で加熱される請求項１ないし３のいずれかに記載の多層配線板の製造方法加熱工程中の上ステージの昇温速度が下ステージよりもことを特徴とする請求項１または２、
を提供するものである。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、被接続用金属ランドと半田層の接合界面、また、導体ポストと半田層の接合界面での剥離が生じることのない、層間接続信頼性の高い多層配線板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明は、第１のステージと第２のステージとを有する加熱加圧装置を用いて、多層配線板を製造する際に、第１のステージ上に接続層と非接続層とを接着剤層を介して重ね合わせて、第２のステージとは非接触状態で載置することで、加熱する工程において、接続層、非接続層および接着剤層を無加圧の状態を維持するすることで、均一で安定した半田接合が得られ、層間接続信頼性の高い多層配線板の製造方法を提供するものである。
【０００８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれによって何ら限定されるものではない。図１は、本発明の実施形態である多層配線板の製造方法の例を説明するための図で、図１（ｈ）は得られる多層配線板の構造を示す断面図である。
【０００９】
本発明における多層配線板の製造方法について、添付図面に従って説明する。本発明の多層配線板の製造方法としては、まず、金属層１０１と絶縁層１０２とから構成される２層構造体を用意し、前記絶縁層１０２の導体ポスト形成位置にビア１０３を形成する（第１図（ａ））。２層構造体としては、例えば、金属層１０１上に、絶縁層用樹脂ワニスを、印刷、カーテンコートおよびバーコート等の方法で、直接塗布することにより得ることができる。さらには、市販の樹脂付銅箔（例えば、ポリイミド付銅箔）のような２層構造体を用意しても良い。また、２層構造体は、ガラスエポキシ両面銅張積層板の一方の銅箔を全面エッチングして得ることもできる。
【００１０】
ビア１０３の形成方法としては、例えば、レーザーまたはプラズマによるドライエッチング、ケミカルエッチング等の方法が挙げられる。前記レーザーとしては、炭酸ガスレーザー、紫外線レーザーおよびエキシマレーザー等を使用することができる。絶縁層１０２が、ガラスエポキシのように補強繊維を含む場合には、樹脂とガラスクロスを貫通して、ビア１０３を形成することができる炭酸ガスレーザーを使用することが好ましい。絶縁層１０２が、ポリイミド等の補強繊維を含まない場合には、より微細なビア１０３を形成できる紫外線レーザーを使用することが好ましい。また、絶縁層１０２を、感光性樹脂とした場合には、絶縁層１０２を選択的に感光し、現像することで、ビア１０３を形成することもできる。
【００１１】
次に、金属層１０１を電解めっき用リード（給電用電極）として、電解めっきにより、導体ポスト１０４をビア１０３に形成し、続いて、導体ポスト１０４の先端表面に、絶縁層１０２から突出して半田層１０５を形成する（第１図（ｂ））。
【００１２】
導体ポストの形成方法としては、電解めっきにより導体ポスト１０４を形成すれば、導体ポスト１０４の先端の形状を自由に制御することができ、導体ポストの高さは、絶縁層１０２の表面と同じか、もしくは、表面より突出していることが望ましい。表面より導体ポストを突出させることで、導体ポスト先端に形成された半田が溶融し、導体ポスト先端の接合部にリング状の補強構造を形成した半田接合が得られる。導体ポスト１０４の材質としては、例えば、銅、ニッケル、金、錫、銀およびパラジウム等が挙げられる。さらには、銅を用いることで、低抵抗で安定した導体ポスト１０４が得られる。
【００１３】
半田層１０５の形成方法としては、無電解めっきにより形成する方法、金属層１０１を電解めっき用リード（給電用電極）として電解めっきにより形成する方法、半田を含有するペーストを印刷する方法などが挙げられる。印刷による方法では、印刷用マスクを導体ポスト１０４に対して精度良く位置合せする必要があるが、無電解めっきや電解めっきによる方法では、導体ポスト１０４の先端表面以外に、半田層１０５が形成されることがないため、導体ポスト１０４の微細化・高密度化にも対応しやすい。特に、電解めっきによる方法では、無電解めっきによる方法よりも、めっき可能な金属が多様多種であり、また、薬液の管理も容易であるため、非常に好適である。
また、形成される半田層の厚みとしては、加熱して半田を溶融する際に、凸形状、より好ましくはドーム形状、雫状の形状を形成するのに必要な量となる厚みで形成されていれば良い。
【００１４】
半田層１０５の材質としては、ＳｎやＩｎ、もしくはＳｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｐｄ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ａｕの少なくとも二種からなる半田を使用することが好ましい。より好ましくは、環境に優しいＰｂフリー半田である。
【００１５】
次に、金属層１０１を選択的にエッチングすることにより、導体回路１０６を形成して、接続層１１０を得る（第１図（ｃ））。
【００１６】
次に、接続層１１０の絶縁層１０２の表面に、接着剤層１０８を形成する（第１図（ｄ））。
【００１７】
接着剤層１０８の形成方法としては、使用する接着剤に応じて適した方法で良く、接着剤ワニスを、印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗布したり、ドライフィルムタイプの接着剤を、真空ラミネート、真空プレス等の方法で積層したりする方法などが挙げられる。前記ドライフィルムの形成方法としては、例えば、接着剤ワニスを、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどの基材上に塗布して接着剤層を形成し乾燥させることによりフィルムを形成する方法が挙げられるが、ドライフィルムを提供できるのであれば、その方法は何ら制限するところではない。
【００１８】
接着剤層１０８は、金属の表面清浄化機能と接着機能の２機能を有することが、より好ましい。前者は半田接合を実現するために重要な機能であり、後者は接続層１１０と被接続層１２０とを接着するために重要な機能である。なお、第１図に示す例では、絶縁層１０２の表面に接着剤層１０８を形成する例を示したが、少なくとも半田層が、接着剤層と接触していれば良い。半田が接着剤層と接触していることで、半田溶融時に接着剤層中で溶融して、凸形状を形成することができる。また、接着剤層１０８形成時における接着剤層の厚みが、少なくとも半田溶融時の凸形状頂点部と、相対する層間接続用ランドとが、非接触を保てる厚みより厚く形成されると良い。
【００１９】
ここで、被接続層１２０は、層間接続用ランドを有するものであれば、どのような構造でも構わないが、図１では、接続される接続層１１０の導体ポスト１０４と接続するための層間接続用ランド１０７と、層間接続用ランド１０７を支える基材１０９から構成された例を示している。層間接続用ランド１０７は、図１に示すように、基材１０９と一方の面を接して基材１２３表面から突出していても良いし、一方の面を露出するように基材１０９に埋め込まれていても良い（図示無し）。層間接続用ランド１０７の材質としては、半田層１０５と金属接合可能な金属であればどのようなものでもよいが、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ等が挙げられ、特に銅を用いることで、低抵抗で安定した層間接続用ランド１０７が得られる。
【００２０】
次に、接続層１１０の半田層１０５と被接続層１２０の層間接続用ランド１０７が相対するように位置合わせする（第１図（ｅ））。
【００２１】
接続層と被接続層との位置合わせ方法としては、接続層１１０および被接続層１２０に、予め形成されている位置決めマークを、画像認識装置により読み取り、位置合わせする方法、位置合わせ用のピン等で位置合わせする方法等を用いることができる。
【００２２】
次に、接着剤層１０８を介して、接続層１１０と被接続層１２０とを、それぞれが有する半田層１０５および層間接続用ランド１０７が、接着剤層１０８と接触するように重ね合わせて積層体を形成する（第１図（ｆ））。
【００２３】
接続層の半田層および被接続層の層間接続用ランドと接着剤層とを接触させる方法としては、例えば、真空プレスまたは加圧式真空ラミネーターを用いて重ね合わせて接触させることができるが、この時、半田層１０５が溶融しない温度で加熱して加熱・加圧することにより、接着剤層１０８を軟化させて接触させると好ましいる方法が挙げられる。上記工程においては、少なくとも半田層と層間接続用ランドが空気に接触せず又は接着剤層と接触していると良く、また、半田層１０５と層間接続用ランド１０７とは非接触を保たれていると良い。
【００２４】
次いで、上記で得た積層体を、下加圧ステージ（第１のステージ）と上加圧ステージ（第２のステージ）とを有する加熱加圧装置の前記下加圧ステージ上に、前記上加圧ステージとは非接触状態で載置し、前記下加圧ステージおよび上加圧ステージを半田層１０５を形成する半田の融点以上の温度に加熱し半田を溶融させた後、前記上加圧ステージ（第２のステージ）を接触させ、加圧して圧着する（第１図ｇ、ｈ））。
更に加熱して接着剤層１０８を硬化させて、接続層１１０と被接続層１２０とを接着して、多層配線板１３０を得ることができる。
【００２５】
接続層と被接続層との加熱、加圧工程においては、例えば、加熱加圧装置に真空プレスを用いて、半田層１０５が、その半田の融点温度以上にまで加熱されたとき、接着剤層１０８（好ましくは表面清浄化機能を有する接着剤）により、半田層１０５の表面の酸化膜が還元されて溶融し、溶融半田の表面張力により、接着剤層１０８内で、半田層１０５が、凸形状を形成する。接着剤層１０８は、半田の融点以上の温度での加熱に伴って粘度が低下していくが、軟化した接着剤層中で半田層を溶融することで、溶融した形状が凸形状を形成し良好な半田接合を形成することができる。溶融時の半田の粘度としては、半田層１０５の凸形状の形成、並びに、半田層１０５と層間接続用ランド１０７と接触および半田の濡れ拡がりによる良好な半田接合を得る上で、５０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。５０Ｐａ・ｓより高いと、半田層１０５の凸形状の形成、並びに、層間接続用ランド１０７と接触、および、半田の濡れ拡がりを阻害して、十分な半田接合が行われない恐れがある。
加熱工程において、上記で得た積層体と上加圧ステージとを非接触状態とすることにより多層配線板の上下に配置されている加熱・加圧ステージの上加熱ステージ（第２のステージ）１４０と多層配線板とを接触させずに、ある程度の距離を保つことで、上加圧ステージが熱膨張等によって、積層体に接触し、極低加重が積層体に加わることにより不均一な半田接合を生じることによる、多層配線板の接合を抑えることができる。
【００２６】
また、上記で得た積層体と上加圧ステージとを非接触状態とすることにより上ステージと多層配線板が離れた状態で加熱されることで生じる多層配線板上下の温度分布の不均一による不具合を緩和するために、無加圧状態で、前記第１のステージと前記第２のステージとの間隔と、前記接続層と前記被接続層とを前記接着剤層を介して重ね合わせた積層体の厚みとが、略同一で維持されることが好ましく、上加圧ステージ１４０の加熱温度を下加圧ステージの加熱温度よりも高くすることが好ましく、より好ましくは、１０℃以上、さらに好ましくは３０℃以上高くすることが好ましい。
また、上加圧ステージ１４０の昇温速度を下加圧ステージ（第１のステージ）の昇温速度より速くすることが好ましく、より好ましくは、５℃／分以上、さらに好ましくは１０℃／分以上昇温速度を速くすることが好ましい。前記昇温速度よりも遅い場合、加圧ステージ上の積層体の厚み方向の温度が不均一になる場合がある。
【００２７】
本発明に用いる金属表面浄化機能を有する好ましい接着剤としては、例えば、少なくとも１つ以上のフェノール性水酸基を有する樹脂と、その硬化剤からなる樹脂組成物が挙げられる。
【００２８】
本発明において好ましい接着剤に用いる少なくとも１つ以上のフェノール性水酸基を有する樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、レゾール樹脂、および、ポリビニルフェノール樹脂が好ましく、これらの１種以上を用いることができる。また、フェノールフタリン、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸なども好ましい。
【００２９】
本発明において好ましい接着剤に用いるフェノール性水酸基を有する樹脂の、硬化剤としては、エポキシ樹脂やイソシアネート樹脂等が用いられる。具体的には、いずれも、ビスフェノール系、フェノールノボラック系、アルキルフェノールノボラック系、ビフェノール系、ナフトール系やレソルシノール系等のフェノールベースのものや、脂肪族、環状脂肪族や不飽和脂肪族等の骨格をベースとして変性されたエポキシ化合物やイソシアネート化合物が挙げられる。
【００３０】
前記フェノール性水酸基を有する樹脂は、接着剤中に、５重量％以上８０重量％以下で含まれることが好ましい。５重量％未満であると、金属表面を清浄化する作用が低下し、半田接合できなくなる恐れがある。また、８０重量％より多いと、十分な硬化物が得られず、接合強度と信頼性が低下する恐れがある。フェノール性水酸基を有する樹脂の硬化剤の配合量は、例えば、エポキシ基当量またはイソシアネート基当量が、少なくともフェノール性水酸基を有する樹脂のヒドロキシル基当量に対し０．５倍以上、１．５倍以下が好ましいが、良好な金属接合性と硬化物物性が得られる場合は、この限りではない。また、接着剤には、上記成分の他に、無機充填材、硬化触媒、着色料、消泡剤、難燃剤、カップリング剤等の各種添加剤や、溶剤を添加しても良い。
【実施例】
【００３１】
以下、実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれによって何ら制限されるものではない。
【００３２】
（実施例１）
（１）接着剤ワニスの調合
クレゾールノボラック樹脂［住友ベークライト（株）製、ＰＲ−ＨＦ−３、ＯＨ基当量１０６］１０６ｇと、フェノールフタリン［東京化成製］１０５ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂［日本化薬（株）製、ＲＥ−８１０ＮＭ、エポキシ当量２２５］４５０ｇとをメチルエチルケトン１６５ｇに溶解し、接着剤ワニスを作製した。
【００３３】
（２）多層配線板用積層体の製造
銅箔（金属箔１０１、厚み１８μｍ）と、ポリイミド樹脂絶縁膜（絶縁膜１０２、厚み２５μｍ）とからなるフレキシブルプリント配線用基板（住友ベークライト（株）製、Ａ１フレキ）のポリイミド樹脂絶縁膜に、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを用いて、トップ径が４５μｍ、ボトム径が２５μｍのビア（ビア１０３）を３００個形成した。ビア内部およびビア周辺部を過マンガン酸樹脂エッチング液にて清浄化した後、裏面の銅箔を電解めっき用リード（給電用電極）として、電解銅めっきを行って、ビアを銅で充填し、銅ポスト（導体ポスト１０４）を形成した。ここで、銅ポストの直径が４５μｍとなるよう、電解銅めっきの時間を調整した。次に、銅ポストの表面に、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田（融点１８３℃）層（半田層１０５）を電解めっきにより、４μｍの厚みで形成した。なお、半田層の先端表面の絶縁膜表面から突出している高さは、１０μｍであった。次に、銅箔を選択的にエッチングして、配線パターン（導体回路１０６）を形成した。以上の工程により、接続層（接続層１１０）を得ることができた。
次に、上記で得られた接続層に対して、バーコートにより、上記で得た接着剤ワニスを、絶縁膜の表面、すなわちＳｎ−Ｐｂ共晶半田層が形成された面に塗布後、８０℃で２０分間乾燥し、３０μｍ厚の接着剤層（接着剤層１０８）を形成した。続いて、得られた接続層を、熱風循環乾燥機中で、１００℃、１２０℃、および１５０℃で１０分間乾燥した接続層を、それぞれ準備した。
一方、厚み１２μｍ銅箔が両面に形成されたＦＲ−５相当のガラスエポキシ両面銅張積層板（住友ベークライト（株）製、ＥＬＣ）を用い、銅箔表面に配線パターン（図示せず）および層間接続用ランドを、選択的に金メッキし、さらに金メッキをエッチングレジストとして、銅箔をエッチングして、配線パターンと層間接続用ランドを形成し、被接続層を得た。層間接続用ランドは、位置合わせ許容誤差を考慮して、３００μｍ径とした。
次に、上記で得られたそれぞれの接続層と被接続層に、予め形成されている位置決めマークを、画像認識装置により読み取り、両者を位置合わせし、１００℃の温度で仮圧着して、接続層表面と、相対する被接続層の表面とを接触させて積層体を得た。
【００３４】
（３）多層配線板の製造
上記で得た多層配線板用積層体を下側の加圧ステージに載せ、上側加圧ステージを、上下加圧ステージの間隔が多層配線板用積層体の厚みとほぼ同じで非接触の状態の位置に調節し、無加圧として、下加圧ステージを５０℃／分の昇温速度で２５０℃まで加熱し、上加圧ステージを５５℃／分の昇温速度で、約３分間掛けて２６０℃まで加熱した後、上加圧ステージを接触させ圧着して、接続層の銅ポストと被接続層の層間接続用ランドとを半田接合して多層配線板を得た。得られた多層配線板について、半田接合断面を共焦点レーザー顕微鏡（ＫＥＹＥＮＣＥ  ｖｋ−８５１０）を用いて観察のところ、それぞれの接合部は接合状態が均一で良好であった。
【００３５】
（実施例２）
実施例１の多層配線板の製造において、下加圧ステージの昇温速度を６０℃／分とした以外は実施例１と同様にして多層配線板を得て、半田接合断面を観察のところ、それぞれの接合部は接合状態が均一で良好であった。
【００３６】
（実施例３）
実施例１の多層配線板の製造において、上加圧ステージの温度を２７０℃まで加熱した以外は実施例１と同様にして多層配線板を得て、半田接合断面を観察のところ、それぞれの接合部は接合状態が均一で良好であった。
【００３７】
（実施例４）
実施例１の多層配線板の製造において、上側の加圧ステージを、上下加圧ステージの間隔が多層配線板用積層体の厚みの２倍になる位置に調節した以外は実施例１と同様にして多層配線板を得て、半田接合断面を観察のところ、それぞれの接合部は接合状態が均一で良好であった。
【００３８】
（比較例１）
実施例１の多層配線板の製造において、上側の加圧ステージを、多層配線板用積層体の上面に接触した位置に調節し、実施例１と同じ条件で加熱し、圧着して半田接合させ多層配線板を得た。得られた多層配線板を実施例１と同様にして半田接合断面を観察のところ、接合部における半田の溶融形状が不均一であり、良好な半田接合が得られなかった。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明によって得られる、確実に層間接続でき、且つ信頼性の高い多層配線板は、電子部品の高密度集積化や、高密度実装化を可能にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明による多層配線板の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０１      金属層
１０２      絶縁層
１０３      ビア
１０４      導体ポスト
１０５      半田層又は半田バンプ
１０６      導体回路
１０７      層間接続用ランド
１０８      接着剤層
１０９      基材
１１０      接続層
１２０      被接続層
１３０      多層配線板
１４０      上加圧ステージ
【図１】
2005123444.tif 000003