(57)【要約】【課題】    エッチング面積の異なる試料に対して、最適なエッチング条件で処理を施すことのできるエッチング処理装置を提供する。【解決手段】  エッチング面積比の異なる複数の試料にエッチング処理を施した際の各エッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度を格納した第１テーブル１４と、エッチング処理を施すべき試料の各エッチング面積毎に適用すべきレシピを格納した第２テーブル１５と、エッチング処理の初期にプラズマ発光スペクトルを取得して取得した発光スペクトルの強度をもとに第１テーブル１４を参照してエッチング面積を推定し、推定したエッチング面積をもとに第２テーブル１５を参照して適用すべきレシピを取得してエッチング処理を制御する制御部１３を備えた。【選択図】  図１
2005328001.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング面積の異なる複数の試料にエッチング処理を施した際の各エッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度を格納した第１テーブルと、
エッチング処理を施すべき試料の各エッチング面積毎に適用すべきレシピを格納した第２テーブルと、
エッチング処理の初期にプラズマ発光スペクトルを取得して取得した発光スペクトルの強度をもとに第１テーブルを参照してエッチング面積を推定し、推定したエッチング面積をもとに第２テーブルを参照して適用すべきレシピを取得してエッチング処理を制御する制御部を備えたことを特徴とするエッチング処理装置。
【請求項２】
請求項１記載のエッチング処理装置において、
第１テーブルは、少なくとも最小のエッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度および最大のエッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度を格納し、
前記制御部は、エッチング処理の初期に取得したプラズマ発光スペクトルの強度データの複数が最小のエッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度と最大のエッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度との範囲外であるとき処理に異常があると判定することを特徴とするエッチング処理装置。
【請求項３】
エッチング面積の異なる複数の試料にエッチング処理を施した際の各エッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度を格納した第１テーブル、およびエッチング処理を施すべき試料の各エッチング面積毎に適用すべきレシピを格納した第２テーブルを備え、
エッチング処理の初期にプラズマ発光スペクトルを取得し、取得した発光スペクトルの強度をもとに第１テーブルを参照して試料のエッチング面積を推定し、推定したエッチング面積をもとに第２テーブルを参照してレシピを変更してエッチング処理を続行することを特徴とするエッチング処理方法。
【請求項４】
請求項３記載のエッチング処理方法において、
エッチング処理の初期に取得したプラズマ発光スペクトルの強度データの複数が、前記第１テーブルに格納した最小のエッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度と最大のエッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度との範囲外であるとき処理異常であると判定することを特徴とするエッチング処理方法。
【請求項５】
請求項３記載のエッチング処理方法において、
エッチング処理の初期にプラズマ発光スペクトルを取得するために行うプラズマエッチング処理は第１テーブルを作成する際に行うプラズマエッチング処理と同一の条件で行うことを特徴とするエッチング処理方法。  
【請求項６】
請求項１記載のエッチング処理装置において、
第１テーブルおよび第２テーブルに格納するスペクトル強度を表すデータはスペクトル強度データを正規化したデータであることを特徴とするエッチング処理装置。
【請求項７】
請求項３記載のエッチング処理方法において、
第１テーブルおよび第２テーブルに格納するスペクトル強度を表すデータはスペクトル強度データを正規化したデータであることを特徴とするエッチング処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング処理装置および処理方法に係り、特に、エッチング面積の異なる試料に対しても最適条件でエッチングを施すことのできるエッチング処理装置および処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置は、デジタル家電等に見られるような、多品種で且つ短期間の製品需要動向に対応して、多品種の半導体装置を少量だけ生産する機会が増大した。このような半導体装置は、多くの場合、１つのチップ上に予め用意した標準的な機能部品（ＣＰＵ、メモリ、入出力回路、カスタム回路等）のいくつかを適宜組み合わせて配置することにより実現される。
【０００３】
このように、半導体装置を構成する１つのチップを標準的な機能部品の組み合わせ等により実現する場合、チップ毎にエッチング面積（ウエハ表面のマスクにより被覆されない部分の面積）がそれぞれ異なることになる。このような場合には、前記チップを搭載した各ウエハ毎のエッチング面積（あるいはウエハ面積に対するエッチング面積の比）も異なることになる。
【０００４】
このようにエッチング面積の異なるウエハを同一のプロセス条件で処理する場合、同一の処理結果を得ることは困難である。また、通常の製造ラインでは、各ウエハ上に配置するチップの設計情報が与えられることはまれであり、チップの設計情報等からエッチング面積を取得することは事実上困難である。
【０００５】
一方、特許文献１には、Ａｌ（アルミニウム）のエッチングにおいて、ＡｌＣｌラジカルの発光強度を検出し、この検出値からエッチング面積を推定することが示されている。また、この推定値をもとにＡｌのエッチング形状ができるだけ９０度に近づくように処理ガスであるＣｌ２の流量を調整することが示されている。
【特許文献１】特開９−３２６３８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記特許文献１に示される技術では、エッチング面積の推定に際して、ＡｌＣｌラジカルの発光強度のみを検出している。このため、観測窓の曇り等の経時変化に伴う発光強度の検出誤差に対応することは困難である。また、前記特許文献１に示される技術はＡｌのエッチングに限定される技術であり、汎用性に欠ける。
【０００７】
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたもので、エッチング面積の異なる試料に対して、最適なエッチング条件で処理を施すことのできるエッチング処理装置および処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記課題を解決するため、次のような手段を採用した。
【０００９】
エッチング面積の異なる複数の試料にエッチング処理を施した際の各エッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度を格納した第１テーブルと、エッチング処理を施すべき試料の各エッチング面積毎に適用すべきレシピを格納した第２テーブルと、エッチング処理の初期にプラズマ発光スペクトルを取得して取得した発光スペクトルの強度をもとに第１テーブルを参照してエッチング面積を推定し、推定したエッチング面積をもとに第２テーブルを参照して適用すべきレシピを取得してエッチング処理を制御する制御部を備えた。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、以上の構成を備えるため、エッチング面積の異なる試料に対して、最適なエッチング条件で処理を施すことのできるエッチング処理装置および処理方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、最良の実施形態を添付図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態に係るエッチング処理装置を示す図である。図において、エッチング処理装置１は、処理チャンバ２、処理チャンバ２内に処理ガスを供給するガス供給手段３、処理ガスを排気し処理チャンバ内の圧力を制御するガス排気手段４を備える。さらに処理チャンバ２内には処理対象となるウエハ等の試料５を支持する試料台６が設置されており、また処理チャンバ２内にはプラズマを生成するためのプラズマ生成手段７が備えられる。
【００１２】
プラズマ生成手段７は、処置チャンバ２内に電磁波を伝送して供給する電磁波供給手段８、処理チャンバ２内に磁場を生成するためのソレノイドコイル９，１０を備える。また、試料台６には、発生したプラズマにより発生する反応物を試料側に向かわせるために高周波電源１１からの高周波電圧を印加する。
【００１３】
また、エッチング処理装置１は、発光検出手段１２を備える。発光検出手段１２は、例えばＯＥＳ（発光分光センサ: Optical Emission Spectroscopy)を備え、処理チャンバ２内にプラズマ生成手段７によって生成されたプラズマからの発光を検出してこれを分光する。すなわち、発光検出手段１２の出力は波長分解された発光スペクトルの各波長毎の発光強度を表す信号である。
【００１４】
さらに、本実施形態のエッチング処理装置は、前記発光検出手段１２からの信号およびレシピにしたがって、装置の運転条件を調節する制御部１３を備えている。この制御装置１３は、例えば、ガス供給手段３を制御して、チャンバ２内に供給するガス種およびガス流量を調整し、更に排気手段４を制御することによりチャンバ内のガス圧力を調整し、また、プラズマ発生手段７に対する印加電力を調整してプラズマの出力を調節することができる。
【００１５】
また、制御部１３は、エッチング面積の異なる複数の試料にプラズマエッチング処理を施した際の各エッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度を格納した第１テーブル１４と、エッチング処理を施すべき試料の各エッチング面積毎に適用すべきレシピを格納した第２テーブル１５を備える。
【００１６】
図２は、エッチング装置１内に配置したウエハ２１がプラズマによるエッチング反応によりエッチングされる様子を説明する模擬図である。図において、２１はウエハ、２２はエッチングの対象となるエッチング対象膜（ポリシリコン、Ａｌ、ＳｉＯ２等）、２３はフォトレジスト（有機系化合物）等からなるマスクである。
【００１７】
エッチングはマスク２３に覆われていない部分のエッチング対象膜２２を除去することを目的とする。このため、エッチング対象膜との反応性のよいガス（例えばＣｌ２）をエッチングガスとして供給する。
【００１８】
処理チャンバ２内に供給され、プラズマにより活性化されたエッチングガスはエッチング対象膜２２と反応し、該エッチング対象膜２２を気化することにより徐々に除去する。この際、エッチングガスはマスク２３ともある程度反応し、マスク２３はエッチング除去される。
【００１９】
図の例では、エッチングガス（例えばＣｌ２）２４はエッチング対象膜２２と反応してエッチング対象膜２２との反応生成物（例えばＳｉＣｌ２）２５を生成し、また、マスク２３と反応してマスク材との反応生成物（例えば炭素系化合物）２６を生成する。
【００２０】
ここで、エッチングガス２４とエッチング対象膜２２との反応、およびエッチングガス２４とマスク材との反応に際してはそれぞれ特有の波長の光２７、２８を放射する。このため、これらの発光状態を調べることにより、エッチング反応の状況を推測することができる。
【００２１】
図３は、エッチング面積が異なる場合における発光スペクトルの相違を説明する図であり、図３（ａ）はエッチング面積が大きい場合、図３（ｂ）はエッチング面積が小さい場合の発光スペクトルの例を示す。
【００２２】
図３（ａ）に示すように、エッチング面積が大きい場合は、エッチング対象膜を構成する材料（Ｓｉ，Ｃｌ、ＳｉＣｌ等）の発光を示す複数の線スペクトル（○印で示す）が大きな強度で発現する。また、図３（ａ）に示すように、エッチング面積が小さい場合は、マスク材料を構成する材料（Ｃ，Ｃｌ等）の発光を示す複数の線スペクトル（□印で示す）が大きな強度で発現する。
【００２３】
このように、エッチング面積が相違する場合には、エッチング対象膜を構成する材料の発光を示す線スペクトルおよびマスク材料を構成する材料の発光を示す線スペクトルのピークの高さがそれぞれ異なることになる。
【００２４】
図４は、エッチング面積の相違がプロセス性能に及ぼす影響について説明する図であり、図４（ａ）はエッチング面積が大きい場合におけるエッチング形状、図４（ｂ）はエッチング面積が小さい場合におけるエッチング形状をそれぞれ示す模式図である。なお、これらの例において、マスク２３の材料はフォトレジスト、エッチング対象膜２２はポリシリコンであり、エッチング条件は同一であると仮定している。
【００２５】
一般にフォトレジストは有機物であり、その反応生成物は側壁等のエッチング面に再付着しやすい。側壁に付着した反応生成物は側壁をエッチングから保護する保護膜として機能する。このため、エッチング面積が大きい場合、すなわちフォトレジストの面積が小さい場合は側壁保護膜となる材料が不足することになる。逆に、エッチング面積が小さい場合、すなわちフォトレジストの面積が大きい場合は側壁保護膜となる材料が過剰となる。
【００２６】
その結果、図４（ａ）に示すように、エッチング面積が大きい場合は側壁保護膜の形成が不足してアンダーカットが生じやすくなる。また、図４（ｂ）に示すようにエッチング面積が小さい場合には側壁保護膜の形成が過剰となり、テーパ状のエッチング面が生じやすくなる。図４（ａ）、（ｂ）に示す加工形状は、何れもエッチング性能としては不十分であり、プロセスの最適化が必要となる。
【００２７】
図５は、エッチング形状を最適化する処理を説明する図であり、図５（ａ）はエッチング面積が大きい場合の最適化処理を説明する図、図５（ｂ）はエッチング面積が小さい場合の最適化処理を説明する図である。
【００２８】
図５の例では、エッチングガス（Ｃｌ２）３１と同時に処理室内に導入された側壁保護膜形成用ガス（Ｏ２）３２の流量をエッチング面積に応じて変化させることにより最適化を図っている。例えば、図５（ａ）に示すようにエッチング面積が大きい場合には、側壁保護膜の形成が不足してアンダーカットが生じやすくなるため、側壁保護膜形成用ガス３２の流量を増大させる。また、図５（ｂ）に示すようにエッチング面積が小さい場合には、側壁保護膜の形成が過剰となるため、側壁保護膜形成用ガス３２の流量を減少させる。
【００２９】
すなわち、フォトレジストから発生する反応生成物のうち側壁保護膜形成用の成分量を側壁保護膜形成用のガス３２の流量の一部と考え、両者の合計が一定になるようにガス３２の流量を調整する。なお、ウエハに印加する高周波の電力量を調整して、ウエハに到達する反応生成物の量をコントロールすることによっても加工形状を調整することが可能であり、この手法と、前記ガスの流量をコントロールする手法とを組み合わせて最適化を図ることも可能である。
【００３０】
次に、エッチング面積に応じて処理条件を最適化する手順について説明する。
【００３１】
図６は、各エッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度データを作成する手順を説明する図であり、図７は作成したデータを格納したテーブル説明する図である。
【００３２】
まず、ステップ１において、同一エッチング条件でエッチング面積の異なる複数のウエハに対してエッチング処理を施し、この際にプラズマ発光データ（発光スペクトル）を収集する。この際、発光データを採取するウエハとしては、少なくとも最大のエッチング面積を有するウエハ、および最小のエッチング面積を有するウエハを選択することが望ましい。
【００３３】
ステップ２において、例えば、最大のエッチング面積を有するウエハおよび最小のエッチング面積を有するウエハの発光データを比較し、エッチング面積の相違に起因する発光スペクトルの変動量を検出する（図３（ａ）に示すスペクトルデータと図３（ｂ）に示すスペクトルデータを比較して変動量を検出する。なお、スペクトルの強度を採取する波長としては、前記エッチング対象膜を構成する材料の発光を示す複数の波長（○印で示す）およびマスクを構成する材料の発光を示す複数の波長（□印で示す）を含むことが望ましい）。なお、発光データの採取に際しては、エッチング開始直後のウエハ表面に形成された自然酸化膜を除去する際の発光データ無視し、それ以降のエッチングの進行が定常的になった時点、いわゆるメインエッチングの部分のデータを使用するのが好ましい。また、エッチングする際のエッチング前半部分のデータのみ使用するのがより好ましい。すなわち、エッチングがさらに進行すると、まずエッチング対象膜がなくなり下地膜が露出するジャストエッチ状態になり、さらに下地が完全に露出するオーバーエッチング状態になる。しかし、ジャストエッチ状態を過ぎるとプラズマ発光は下地の影響を受け時間的に大きく変化する。このためエッチング面積の推定には適さないデータとなるためである。
【００３４】
ステップ３において、前記エッチング面積の相違に起因する発光スペクトルの変動量をもとに、エッチング面積が寄与するの波長、すなわち、エッチング面積の変化に伴いスペクトル強度が変動する波長を抽出する。ステップ４において、抽出したデータをもとに各エッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度データを表すテーブル（第１テーブル）を作成する。
【００３５】
図７は、エッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度データを格納したテーブル（第１テーブル）を説明する図である。なお、図において、λは波長、ＰＳ１，ＰＳ２はそれぞれ正規化した発光強度であり、エッチング面積が３０％（ウエハ表面積に対する比で表す）および７０％であるウエハを処理した際の発光強度を示す。すなわち、このテーブルでは、エッチング面積が３０％のウエハおよびエッチング面積が７０％のウエハを例にして、それぞれの波長におけるスペクトル強度データ（正規化値）をテーブル化している。なお、上記以外のエッチング面積比を有するウエハのデータを取得しておくことによりエッチング面積推定の精度を高めることができる。また、前記強度データはエッチング面積のとり得る範囲の最大値、最小値を含むことが望ましい。
【００３６】
なお、ウエハのエッチング面積が異なる場合は、処理チャンバ内の発光強度が全体として変化することが考えられる。このため、前述のようにスペクトル強度データは検出した発光量そのものではなく、例えば全発光量の平均値に対する比率として正規化して入力するとよい。また、正規化することにより、発光スペクトルを観測する観測窓の曇り等の経時変化に伴う発光強度の検出誤差を抑制することができる。
【００３７】
図８は、各エッチング面積に対して、適用すべき最適のレシピを格納したテーブル（第２テーブル）を作成する手順を説明する図であり、図９は適用すべき最適のレシピ格納したテーブルを説明する図である。なお、図９において、ウエハａ，ウエハｂはそれぞれのウエハのエッチング面積が３０％および７０％であることを示す。また、レシピ項目はレシピの制御対象項目を示し、ガスＡは例えば塩素ガス（エッチングガス）、ガスＢは例えば酸素ガス（側壁保護膜形成用ガス）である。
【００３８】
図８に示すように、ステップ１１において、エッチング面積の異なるウエハ毎に適用すべき最適のレシピを求め、ステップ１２において、求めたエッチング面積毎のレシピを第２テーブルとして格納する。なお、エッチング面積の異なるそれぞれのウエハに適用すべき最適のレシピは過去の実績あるいは実験により定めることができる。
【００３９】
このテーブルでは、エッチング面積が３０％のウエハａおよびエッチング面積が７０％のウエハｂを例にして、それぞれのウエハにおける最適レシピをテーブル化している。なお、上記以外のエッチング面積比を有するウエハに対しても最適レシピのデータを取得しておくことにより、例えば、異なるエッチング面積を有するウエハに対し適用すべきレシピを補間により求める場合には、その精度を高めることができる。なお、このテーブルはエッチング面積のとり得る範囲の最大値、最小値を含むウエハに対する最適レシピを含むことが望ましい。
【００４０】
図１０は、エッチング面積が未知のウエハに対するエッチング処理を説明する図である。
【００４１】
まず、ステップ２１において、エッチング面積が未知であるウエハを所定のエッチング処理条件で処理する。このとき図１１に示すように各波長ごとの線スペクトル強度データを取得する。なお、このときの処理条件は、図６に示す手順で発光データを収集した際のエッチング処理条件であり、全てのウエハの処理の前半において適用する共通の処理条件である。また、この処理はエッチングの最後まで実施することはなく、前述のようにメインエッチングの途中までしか実施しない。
【００４２】
ステップ２２において、前記取得した各波長ごとのスペクトル強度データをもとに、図７に示す第１テーブル（各エッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度データを格納したテーブル）を参照して、後述するようにエッチング面積を推定する。
【００４３】
ステップ２３において、推定したエッチング面積もとに図９に示す第２テーブル（各エッチング面積に対して、適用すべき最適のレシピを格納したテーブル）を参照して、推定したエッチング面積のウエハに最適なエッチング条件を求める。最適なエッチング条件を求めるに際しては、補間等の演算を施すことができる。
【００４４】
ステップ２４において、前記求めたエッチング条件を適用してウエハのエッチングを続行して、残りのエッチング処理を完了させる。なお、以上の手順のうち、前半のエッチング処理と後半のエッチング処理の間は一時的に処理を中断して処理条件を変更してもよいし、処理を継続しながら処理条件を変更しても良い。
【００４５】
図１１は、エッチング面積が未知であるウエハを所定のエッチング処理条件で処理した際に得られた各波長ごとのスペクトル強度データをもとに、演算によりそのエッチング面積を推定する方法を説明する図である。
【００４６】
図１１において、波長λ、発光強度ＰＳ１，ＰＳ２の欄は図７に示す第１テーブルに同じである。また、Ｐ１，Ｐ２は前記所定のエッチング条件で、エッチング面積がそれぞれ３０％および７０％のウエハを処理した際に得られる波長λのスペクトルの強度データを示し、Ｐｘは前記所定のエッチング条件で、エッチング面積が未知のウエハを処理した際に得られる波長λのスペクトルの強度データを示す。
【００４７】
ここで、未知のエッチング面積を持つウエハをエッチング処理した際に得られる各波長毎のスペクトル強度データＰｘが図示の通りであったとする。また、エッチング面積に対するスペクトル強度データの変化量が直線的な関係にあると仮定すると、エッチング面積の推定値は（１）式で求めることができる。
【数１】
2005328001.tif 000003
【００４８】
上記演算はテーブルに示される各波長毎に行い推定面積を算出するとよい。なお、各波長毎に演算した推定面積は必ずしも全てが一致しないため、最終的には各波長毎の推定面積の平均値を算出し、この平均値をそのウエハのエッチング面積とする。
【００４９】
なお、図１１の例では、波長７８０ｎｍにおけるデータＰｘ、すなわち、エッチング処理の初期に取得したプラズマ発光スペクトルの強度Ｐｘ（＝０．３）が最小のエッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度Ｐ１（＝０．８）と最大のエッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度Ｐ２（＝０．４）との範囲に納まっていない。このような場合は前記Ｐｘの値を無視するとよい。
【００５０】
さらに、このような範囲外のデータが複数（例えば予め設定した値以上）になった場合、エッチング状態が異常であると判断できる。このようなときには、エッチング処理を停止し、警報を発行することができる。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態によれば、エッチング面積をプラズマ発光をもとに推定し、推定したエッチング面積に応じたエッチング条件を自動的に適用してエッチング処理を施すことができる。これにより、ウエハ毎にエッチング面積が異なる場合においておいても各ウエハに最適な条件でエッチング処理を施すことができる。例えば、エッチング面積が大きい場合に側壁保護膜の形成が不足して発生するアンダーカットを防止することができる。また、エッチング面積が小さい場合に側壁保護膜の形成が過剰となって発生するエッチング面のテーパ形状を抑制することができる。このため、エッチング形状、特にゲート電極の線幅（ＣＤ：Critical Dimension）値の変動を抑止することができる。
【００５２】
また、エッチング面積の推定に際して、エッチング面積によって変化するプラズマ発光の複数のスペクトル発光を検出し、その相対的な値（正規化値）を用いてエッチング面積を推定する。このため観測窓の曇り等による経時変化による影響を受けることはない。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施形態に係るエッチング処理装置を示す図である。
【図２】ウエハがプラズマによりエッチングされる様子を説明する模擬図である。
【図３】エッチング面積が異なる場合における発光スペクトルの相違を説明する図である。
【図４】エッチング面積の相違がプロセス性能に及ぼす影響について説明する図である。
【図５】エッチング形状を最適化する処理を説明する図である。
【図６】各エッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度データを作成する手順を説明する図である。
【図７】エッチング面積に対するプラズマ発光スペクトル強度データを格納したテーブルを説明する図である
【図８】エッチング面積に対して適用すべき最適のレシピを格納したテーブルを作成する手順を説明する図である。
【図９】エッチング面積に対して適用すべき最適のレシピ格納したテーブルを説明する図である。
【図１０】エッチング面積が未知のウエハに対するエッチング処理を説明する図である。
【図１１】演算によりエッチング面積を推定する方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  エッチング処理装置
２  処理チャンバ
３  ガス供給手段
４  ガス排気手段
５  試料
６  試料台
７  プラズマ生成手段
８  電磁波供給手段
９，１０  ソレノイドコイル
１１  高周波電源
１２  発光検出手段
１３  制御部
１４  第１テーブル
１５  第２テーブル
２１  ウエハ
２２  エッチング対象膜
２３  マスク
２４  エッチングガス
２５  エッチング対象膜の反応生成物
２６  マスク材の反応生成物
２７，２８  反応生成物の発光
【図１】
2005328001.tif 000004
【図２】
2005328001.tif 000005
【図３】
2005328001.tif 000006
【図４】
2005328001.tif 000007
【図５】
2005328001.tif 000008
【図６】
2005328001.tif 000009
【図７】
2005328001.tif 000010
【図８】
2005328001.tif 000011
【図９】
2005328001.tif 000012
【図１０】
2005328001.tif 000013
【図１１】
2005328001.tif 000014