(57)【要約】      （修正有）【課題】  小型化を図ることができる電磁弁を提供する。【解決手段】  ノズル４１を、小径部１３を介してカバー１１より突出し、小径部１３端部のフランジ部４２をブロック４３に当接して固定した状態で、ノズル４１をブロック４３に形成された油圧回路を構成する挿入穴４４へ挿入できるように構成する。カバー１１の下端部をポンチで押圧し、内側に後退したカシメ部７１を形成する。各カシメ部７１に対応したボビン２２の鍔部７３の部位に、各カシメ部７１を回避する内側へ後退した逃げ部７４を形成する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
油圧経路内に挿入されるノズルがカバーから延出した電磁弁において、
前記カバーを外側から押圧して部分的に内側へ後退させ、この後退したカシメ部で前記ノズルを固定したことを特徴とする電磁弁。
【請求項２】
前記カシメ部に対応した前記ノズルの部位に、前記カシメ部を回避する内側へ後退した逃げ部を設けたことを特徴とする請求項１記載の電磁弁。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カバー内にノズルが収容された電磁弁に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、オートマチックトランスミッションの油圧回路には、図６に示すように、電磁弁１０１が使用されていた。
【０００３】
この電磁弁１０１は、大径部１１１と小径部１１２とからなるカバー１１３を備えており、該カバー１１３内には、内蔵部品が収容されている。この内蔵部品であるソレノイド１１４のボビン１１５には、ノズル１１６が一体形成されており、該ノズル１１６と前記ボビン１１５との間には、コアプレート１１７がインサート成形されている。
【０００４】
前記ノズル１１６は、前記小径部１１２を挿通して外部へ延出しており、該小径部１１２の端部をブロック当接して固定した状態で、当該ノズル１１６をブロックに形成された油圧回路へ挿入できるように構成されている。
【０００５】
前記カバー１１３は、前記小径部１１２の外周部に形成された段部１２１の部位がレーザー溶接機によって熔解されており、当該段部１２１と前記コアプレート１１７とが、溶接部１２２，・・・にて溶接されて固定されている。これにより、カバー１１３内に収容されたノズル１１６は、油圧回路からの油圧による上動が防止されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このような電磁弁１０１にあっては、カバー１１３の段部１２１とコアプレート１１７とをレーザー溶接するため、レーザー溶接機のレンズ１３１からのレーザー光１３２が溶接部１２２で焦点を結ぶように、該溶接部１２２と前記レンズ１３１までの間に広いスペースを確保しなければならなかった。
【０００７】
つまり、レーザー光１３２がカバー１１３の小径部１１２又はノズル１１６と干渉しないように、前記溶接部１２２を外周方向へずら必要があり、段差部１２１の半径方向への拡張に伴って大径部１１１の大径化が余儀なくされるという問題があった。
【０００８】
本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたものであり、小型化を図ることができる電磁弁を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するために本発明の請求項１の電磁弁にあっては、油圧経路内に挿入されるノズルがカバーから延出した電磁弁において、前記カバーを外側から押圧して部分的に内側へ後退させ、この後退したカシメ部で前記ノズルを固定した。
【００１０】
すなわち、ノズルを収容したカバーには、外側から押圧され内側へ後退したカシメ部が形成されており、内部のノズルは、このカシメ部によって固定される。このため、ノズルを固定する為のレーザー溶接を廃止することができる。
【００１１】
また、請求項２の電磁弁においては、前記カシメ部に対応した前記ノズルの部位に、前記カシメ部を回避する内側へ後退した逃げ部を設けた。
【００１２】
これにより、カバーを押圧して内側後退させる際に、カシメ部との干渉が防止されつつ、逃げ部に挿入されたカシメ部によってノズルの移動が防止される。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように本発明の請求項１の電磁弁にあっては、カバーを外側から押圧してカシメ部を形成するだけで、内部のノズルを固定することができる。
【００１４】
このため、ノズルをレーザー溶接するための溶接部がカバーの端部に設定され、この端部の半径方向の幅寸法を所定量確保しなければならなかった従来と比較して、カバーの小径化を図ることができる。よって、電磁弁の小型化を図ることができる。
【００１５】
また、レーザー溶接を廃止することで、溶接時に生じるスパッタの発生を防止することができる。これにより、スパッタが発生してしまう場合と比較して、スパッタの除去作業が不要となり、工数の削減を図ることができる。
【００１６】
加えて、高価なレーザー溶接機が不要となるため、設備費用を抑えることができる。
【００１７】
また、請求項２の電磁弁においては、カシメ部に対応したノズルの部位に、前記カシメ部を回避する内側へ後退した逃げ部が形成されている。このため、カバーを押圧して内側後退させる際に、カシメ部との干渉を防止しつつ、逃げ部に挿入されたカシメ部によってノズルの移動を防止することができる。
【００１８】
このため、カシメ部との干渉を防止できる大きさまでカバーを大径化する場合と比較して、カバーをより小径化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施の形態を図面に従って説明する。図１は、本実施の形態にかかる電磁弁１を示す図であり、該電磁弁１は、例えばオートマチックトランスミッションの油圧回路で油圧を制御するものである。
【００２０】
この電磁弁１は、金属製のカバー１１を備えており、該カバー１１によって外周部が形成されている。このカバー１１は、円筒状に形成されており、大径部１２と該大径部１２より小径の小径部１３とが形成されている。
【００２１】
前記電磁弁１は、合成樹脂製の樹脂成型品２１を備えており、前記カバー１１の前記大径部１２内に収容された樹脂成型品２１の部位には、ボビン２２が形成されている。該ボビン２２には、コイル２３が巻回され、ソレノイド２４が形成されている。該ソレノイド２４内には、ガイドパイプ２５を介してプランジャ２６が上下動自在に収容されており、該プランジャ２６の上部には、前記ソレノイド２４で励磁されるコア２７が収容されている。前記プランジャ２６に設けられた収容部２８には、コイルスプリング２９が収容されており、該コイルスプリング２９の端部は、前記コア２７に当接され前記プランジャ２６を下方へ付勢している。これにより、前記コイルスプリング２９で付勢された前記プランジャ２６を前記コア２７で吸引できるように構成されている。
【００２２】
このコア２７の鍔部３１は、スプリングワッシャ３２を介して前記ボビン２２上に配置されており、前記カバー１１の端部が全周に渡って内側に折曲されてなる折曲部３３によって、その周縁が固定されている。前記ボビン２２の下端には、円形板状のヨークプレート３４がインサート成形されており、該ヨークプレート３４の周縁部が前記カバー１１の大径部１２と小径部１３との間に形成された段部３５に載置されている。これにより、前記樹脂成型品２１は、前記スプリングワッシャ３２を介して前記カバー１１の段部３５と折曲部３３間に挟持された状態で固定されている。
【００２３】
前記ボビン２２の下部には、ノズル４１が一体形成されており、該ノズル４１は、前記小径部１３を介してカバー１１より突出している。これにより、前記小径部１３の端部に形成されたフランジ部４２をブロック４３に当接して固定した状態で、当該ノズル４１をブロック４３に形成された油圧回路を構成する挿入穴４４へ挿入できるように構成されている。
【００２４】
このノズル４１には、ボール弁室５１を形成するインサート部品５２がインサート成形されており、前記ボール弁室５１内には、球状のボール弁５３が移動自在に収容されている。前記インサート部品５２には、下方へ延在する下方連通路５４が形成されており、該下方連通路５４は、ノズル４１側面に開口した入力ポート５５に接続されている。また、前記インサート部品５２には、側方に開口した側方連通路５６が形成されており、該側方連通路５６は、ノズル４１端部に開口した出力ポート５７に接続されている。
【００２５】
さらに、前記インサート部品５２には、上方へ開口した上部開口部６１が設けられており、該上部開口部６１は、ノズル４１基端部にて側方に開口したドレンポート６２に接続されている。この上部開口部６１には、前記プランジャ２６より延出したプッシャ６３が挿通するように構成されており、入力ポート５５からの油圧で上方へ押された前記ボール弁５３を前記プッシャ６３で下方へ付勢できるように構成されている。
【００２６】
これにより、ソレノイド２４通電時には、前記プッシャ６３でボール弁５３を下方へ付勢して前記下方連通路５４を閉鎖するとともに前記上部開口部６１を開放できるよう構成されており、前記入力ポート５５からの油圧の浸入を防止し、かつ出力ポート５７の油圧をドレンポート６２を介して電磁弁１外部へ排出できるように構成されている。また、ソレノイド２４非通電時には、前記ボール弁５３が入力ポート５５からの油圧を受けて上動することで、前記下方連通路５４を開放するとともに前記上部開口部６１を閉鎖できるよう構成されており、前記入力ポート５５からの油圧を出力ポート５７から出力できるように構成されている。
【００２７】
前記カバー１１の下端部には、図２にも示すように、内側に後退したカシメ部７１が形成されており、このカシメ部７１は、図３にも示すように、カバー１１の中心点７２を中心として９０度おきに形成されている。これにより、前記カバー１１には、周方向に等間隔をおいた四箇所に前記カシメ部７１，・・・が部分的に形成されており、各カシメ部７１，・・・に対応した前記ボビン２２の鍔部７３の部位には、各カシメ部７１，・・・を回避する内側へ後退した逃げ部７４，・・・が形成されている。
【００２８】
各カシメ部７１，・・・は、側面から前記中心点７２へ向けて押圧されるポンチ８１によって同時に形成されており、カシメ時に内部の樹脂成型品２１を中心位置に配置できるように構成されている。これにより、該樹脂成型品２１の前記ノズル４１は、各カシメ部７１，・・・によって周囲からカバー１１で固定されている。
【００２９】
前記各カシメ部７１，・・・を形成する前記ポンチ８１は、先端が円形であってテーパ角αが９０度の円錐台形状に形成されており、このポンチ８１による押圧位置は、図２に示したように、前記カバー１１先端のフランジ部４２からの高さ寸法Ｈによって管理されている。また、前記ポンチ８１の押し込み量Ｓは、前記カバー１１の板厚Ｔと前記テーパ角α及び前記ヨークプレート３４の肉厚Ｎによって管理されている。これにより、前記ポンチ８１でカシメた際に、前記カバー１１が前記ヨークプレート３４の角部８５を押し潰し、カシメ部７１とヨークプレート３４とが面接触するとともに、上部の角部８５に押圧された前記カシメ部７１とカバー１１に形成された段部３５との間に前記ヨークプレート３４が挟持された状態で固定されるように構成されている。
【００３０】
これにより、前記入力ポート５５からの油圧によって上動させる応力がノズル４１に加えられても、当該ノズル４１の上動を防止し、プランジャ２６のストローク量の変動を防止できるように構成されている。
【００３１】
そして、前記カシメ部７１が形成される部位には、カシメ時のカバー１１の一般部の変形を防止する為の変形防止手段が講じられている。
【００３２】
その一例としては、図４の（ａ）に示すように、カシメ位置９１の両脇に縦長の長方形状の縦長穴９２，９２を開口する。これにより、両縦長穴９２，９２間のカシメ位置９１でのカシメを容易とし、他の一般部での変形を確実に防止することができる。また、図４の（ｂ）に示すように、カシメ位置９１の上下位置に横長の長方形状の横長穴９５，９５を開設しても良い。さらに、図５に示すように、カバー１１のカシメ位置９１を含んだ矩形領域９８を薄肉に形成し、この矩形領域９８の剛性を低下させる構造であっても良い。
【００３３】
以上の構成にかかる本実施の形態にあっては、ノズル４１の基端部を収容したカバー１１には、外側から押圧され内側へ後退したカシメ部７１，・・・が形成されており、ノズル４１は、このカシメ部７１，・・・によって基端部が固定されている。このため、ノズル４１を固定する為のレーザー溶接を廃止することができる。
【００３４】
このように、前記カバー１１を外側からポンチ８１押圧してカシメ部７１，・・・を形成するだけで、内部に収容されたノズル４１の基端部を固定することができる。このため、ノズル４１をレーザー溶接するための溶接部がカバー１１の大径部１２端部の段部３５に設定され、この段部３５の半径方向の幅寸法を所定量確保しなければならなかった従来と比較して、カバー１１の小径化を図ることができる。よって、電磁弁１の小型化を図ることができる。
【００３５】
また、前記カシメ部７１，・・・は、前記大径部１２の下部に設定されている。これにより、少ないスペースで、前記ノズル４１の高い保持力を確保することができる。
【００３６】
さらに、レーザー溶接を廃止することで、溶接時に生じるスパッタの発生を防止することができる。これにより、スパッタが発生してしまう場合と比較して、スパッタの除去作業が不要となり、工数の削減を図ることができる。
【００３７】
加えて、高価なレーザー溶接機が不要となるため、設備費用を抑えることができる。
【００３８】
そして、前記各カシメ部７１，・・・に対応したノズル４１の部位には、各カシメ部７１，・・・を回避する内側へ後退した逃げ部７４，・・・が形成されている。このため、カバー１１を押圧して内側後退させる際に、カシメ部７１，・・・との干渉を防止しつつ、逃げ部７４，・・・に挿入されたカシメ部７１，・・・によってノズル４１の上動を防止することができる。
【００３９】
このため、カシメ部７１，・・・との干渉を防止できる大きさまでカバー１１の大径部１２を大径化する場合と比較して、カバー１１をより小径化することができる。
【００４０】
なお、本実施の形態にあっては、カシメ部７１を９０度おきに形成した場合を例に挙げて説明したが、これに限定されるものでは無く、１２０度おきの三箇所に形成しても良い。また、溝状のカシメ部を全周に渡って形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施の形態を示す断面図である。
【図２】図１の要部を示す拡大図である。
【図３】同実施の形態の水平断面を示す模式図である。
【図４】（ａ）はカシメ部を示す拡大図であり、（ｂ）は他の例を示す図である。
【図５】（ａ）は他のカシメ部を示す拡大図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図６】従来の電磁弁を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１    電磁弁
１１    カバー
４１    ノズル
４４    挿入穴
７１    カシメ部
７４    逃げ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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