(57)【要約】【課題】  確実に接続用端子と素子とを電気的に接続する。【解決手段】  接続用端子７と素子６とを導電性粒子３１を含む接合材３０を介して接続する素子の実装構造において、前記接続用端子７における前記接合材３０との接触面７ａの非周縁部に凹部７ｂが形成されている。【選択図】              図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続用端子と素子とを導電性粒子を含む接合材を介して接続する素子の実装構造において、
前記接続用端子における前記接合材との接触面の非周縁部に凹部が形成されていることを特徴とする素子の実装構造。
【請求項２】
前記凹部の最小幅は、前記導電性粒子の粒径よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の素子の実装構造。
【請求項３】
前記素子は、基板上で形成された後に該基板と分離されることによって製造される薄膜素子であることを特徴とする請求項１又は２記載の素子の実装構造。
【請求項４】
導電性粒子を含む接合材を介して素子と接続される接続用端子の製造方法であって、
前記接続用端子は、複数領域に分割された単一の導電材の各領域においてメッキ工法によって金属材を配置することによって製造されることを特徴とする接続用端子の製造方法。
【請求項５】
前記単一の導電材は、予め複数領域に分割されていることを特徴とする請求項４記載の接続用端子の製造方法。
【請求項６】
前記単一の導電材は、所定形状にパターニングされた絶縁層によって複数領域に分割されていることを特徴とする請求項４記載の接続用端子の製造方法。
【請求項７】
請求項４〜６いずれか一項に記載の接続用端子の製造方法によって製造されることを特徴とする接続用端子。
【請求項８】
請求項１〜３いずれか一項に記載の素子の実装構造を有することを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子の実装構造、接続用端子とその製造方法並びに電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示器（ＬＣＤ）パネル、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示器のような半導体応用装置では、変形や落下による壊れ防止、コスト引き下げ等の理由により下地基板としてプラスチック基板を使用することが望ましい場合がある。
ところが、パネル型の表示器に使用される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ素子）の製造では高温プロセスを使用するため、プラスチック基板や、ＥＬ素子等の回路素子には、高温に耐えられないものがある。
【０００３】
そこで、本出願人は、高温プロセスを含む従来の半導体製造技術によってＴＦＴ素子等の薄膜素子を耐熱の基礎基板上に製造した後に、当該基板から薄膜素子が形成されている素子形成膜（層）を剥離し、これを接合材によりプラスチック基板（配線基板）に貼り付け・転写することによって半導体応用装置を製造する転写技術を提案している。これらの転写技術は、例えば特許文献１〜特許文献３に詳細に説明されている。
【特許文献１】特開平１０−１２５９２９号公報
【特許文献２】特開平１０−１２５９３０号公報
【特許文献３】特開平１０−１２５９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
薄膜素子を配線基板に貼り付ける場合には、配線基板に形成された接続用端子と薄膜素子とが導電性粒子を含む接合材（異方性導電材料）を介して接合される。この際、接合材に含まれる導電性粒子が接続用端子と薄膜素子とを物理的に接続し、これによって接続用端子と薄膜素子とが電気的に導通される。具体的には、薄膜素子を押圧しながら配線基板に貼り付けることによって、接続用端子と薄膜素子とが互いの間に位置する導電性粒子と接触することとなり、接続用端子と薄膜素子とが電気的に導通される。
しかしながら、従来の実装構造では、薄膜素子を配線基板に対して押圧した際に、接合材の流れに伴って導電性粒子が接続用端子と薄膜素子との間から流れ出してしまい接続用端子と薄膜素子とが電気的に導通されない場合があった。
このような問題に対して、接合材における導電性粒子の含有量を増加させることが考えられるが、導電性粒子の含有量を増加させた場合には、接合材内において導電性粒子同士が接触する確率が高くなり、粒子間におけるショートを生じる可能性が高くなる。このため、導電性粒子の含有量を増加させることは現実的ではない。
【０００５】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、確実に接続用端子と素子とを電気的に接続される素子の実装構造、接続用端子とその製造方法並びに電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明に係る素子の実装構造は、第１の手段として、接続用端子と素子とを導電性粒子を含む接合材を介して接続する素子の実装構造において、前記接続用端子における前記接合材との接触面の非周縁部に凹部が形成されていることを特徴とする。
【０００７】
このような特徴を有する本発明に係る素子の実装構造では、接続用端子における接合材との接触面の非周縁部に凹部が形成されているため、素子を接続用端子に対して押圧した際に、この凹部に接合材の導電性粒子が掛かり止められる。したがって、確実に接続用端子と素子とを電気的に接続することが可能となる。
【０００８】
なお、前記凹部の最小幅は、前記導電性粒子の粒径よりも小さいことが好ましい。仮に、凹部の最小幅が導電性粒子の粒径よりも大きい場合には、凹部に導電性粒子が埋もれてしまい、場合によっては、接続用端子と素子との導電性が確保されない可能性がある。したがって、凹部の最小幅を導電性粒子の粒径よりも小さくすることによって、確実に接続用端子と素子とを電気的に接続することが可能となる。
また、この素子としては、基板上で形成された後に該基板と分離されることによって製造される薄膜素子を用いることができる。したがって、本発明に係る素子の実装構造は、いわゆる薄膜素子転写技術に応用することができる。
【０００９】
次に、本発明に係る接続用端子の製造方法は、導電性粒子を含む接合材を介して素子と接続される接続用端子の製造方法であって、前記接続用端子は、複数領域に分割された単一の導電材の各領域においてメッキ工法によって金属材を積層することによって製造されることを特徴とする。
【００１０】
このような特徴を有する本発明に係る接続用端子の製造方法によれば、接続用端子が複数領域に分割された単一の導電材の各領域においてメッキ工法によって金属材を配置することによって製造されるため、接続用端子における前記接合材との接触面の非周縁部に容易に凹部を形成することができる。
なお、前記単一の導電材を予め複数領域に分割しても良いし、所定形状にパターニングされた絶縁層によって複数領域に分割しても良い。
【００１１】
次に本発明に係る接続用端子は、本発明に係る接続用端子の製造方法によって製造されることを特徴とする。
本発明に係る接続用端子の製造方法によれば、容易に接続用端子における前記接合材との接触面の非周縁部に凹部を形成することができるため、本発明に係る接続用端子によれば、確実に、導電性粒子を含む接合材を介して素子と電気的に接続することが可能となる。
【００１２】
次に本発明に係る電気光学装置は、本発明に係る素子の実装構造を有することを特徴とする。
このような特徴を有する本発明に係る電気光学装置によれば、接続用端子と素子とが導電性粒子を含む接合材を介して確実に導通されるため、信頼性に優れた電気光学装置とすることが可能となる。  
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明に係る素子の実装構造、接続用端子とその製造方法並びに電気光学装置の一実施形態について説明する。
なお、ここでは、ＴＦＴ素子を設けた配線基板に有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）基板を接合してなるデバイスを用いて、電気光学装置としての有機ＥＬ表示体を製造する場合の例を用いて説明する。
【００１４】
（第１実施形態）
図１において、符号１は有機ＥＬ表示体（電気光学装置）である。
この有機ＥＬ表示体１は、第１基板としての配線基板２と、第２基板としてのＥＬ基板３とを接合部４において電気的に接合した構成となっており、これら配線基板２とＥＬ基板３との間は封止樹脂２５で封止されている。
【００１５】
配線基板２は、絶縁物からなる基板５の表面に導電層２ａ、絶縁層２ｂ及びレジスト層２ｃが積層されて構成されており、レジスト層２ｃ上に有機ＥＬ表示体１の画素の位置に対応して電気素子としてのＴＦＴ素子（薄膜素子）６が後述する転写により接続用端子７に接合材３０を介して実装された構成となっている。さらに、レジスト層２ｃ上には、配線基板２の表面を平坦化（平滑化）するために、アクリル等の樹脂材で形成された樹脂層９が設けられている。
【００１６】
図２は、ＴＦＴ素子６近傍の拡大図であり、また、図３は、接続用端子７を上方から見た模式図である。これらの図に示すように、接続用端子７は、その下端部が導電材料２ｄ（導電材）を介して導電層２ａと接触されて配置されており、接合材３０との接触面７ａの非周縁部に凹部７ｂが形成されている。
ここで、接合材３０としては、異方性導電ペースト（ＡＣＰ；Anisotropic Conductive Paste）が用いられている。異方性導電ペーストは、接合用樹脂等のバインダに導電性粒子（フィラー）３１が分散されたもので、分散剤が添加される場合もある。導電性粒子３１は、略球形の樹脂性粒子（樹脂ボール）の表面に金メッキ等の導電性金属メッキを施したものが用いられている。なお、メッキ材料、金属微粒子は鉛フリー材料とする。また、後に詳説するが、ＴＦＴ素子６と接続用端子７とは、ＴＦＴ素子６を接合材３０を介して接続用端子７に対して押圧しながら接合材３０を硬化させることによって接続される。このため、接続用端子７の接触面７ａに凹部７ｂを形成することによって、ＴＦＴ素子６を接続用端子７に対して押圧した際に接合材３０に含まれる導電性粒子３１が凹部７ｂに掛かり止められるため、接続用端子７の外側に導電性粒子３１が流れ出ることを防止することができる。したがって、ＴＦＴ素子６と接続用端子７との間に確実に導電性粒子３１が存在する状態でＴＦＴ素子６と接続用端子７とが接合材３０を介して接合されるため、確実にＴＦＴ素子６と接続用端子７との導通を確保することが可能となる。
【００１７】
なお、接続用端子７に形成される凹部７ｂの最小幅は、接合材３０に含まれる導電性粒子３１の粒径よりも小さいことが好ましい。このように、凹部７ｂの最小幅を導電性粒子３１の粒径よりも小さくすることによって、凹部７ｂに導電性粒子が埋もれてしまうことがなくなるため、確実にＴＦＴ素子６と接続用端子７との導通を確保することが可能となる。
【００１８】
図１に戻り、ＴＦＴ素子６は、ＥＬ基板用端子及び接合部４を介してＥＬ基板３と電気的に接続される。接合部４は、上記接合材３０と同様に異方性導電ペーストが用いられているが、接合材３０に含まれる導電性粒子３１よりも大きな導電性粒子（不図示）を含んでいる。
【００１９】
ＥＬ基板３は、ガラス等の透明基板の表面全体に亘って形成される透明電極層と、正孔注入層及び有機ＥＬ層からなる発光層と、陰極層とが積層されているものであり、例えば、陰極層が接合部４を介して配線基板２と電気的に接続されている。
なお、透明電極層、発光層、陰極層を形成する材料は、公知の有機ＥＬ表示体に用いられている材料と同じものが適用可能である。
【００２０】
ＴＦＴ素子６は、図５（ｆ）に示すように、第３基板としてのＴＦＴ基板１６上に複数形成される。ＴＦＴ基板１６は、例えば、１０００℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板１９上に剥離層２０が形成され、剥離層２０上に複数のＴＦＴ素子６が形成された構成となっている。透光性耐熱基板１９の厚さには、大きな制限要素はないが、基板の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基板の透過率が低い場合に後述する照射光の減衰を招くため、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることがより好ましい。
【００２１】
剥離層２０は、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）を生ずる。即ち、一定の強度の照射光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層２０に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層２が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
剥離層２０の組成としては、例えば、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を使用することができる。この非晶質シリコン中には、水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０％ａｔ％であることが更に好ましい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層２０に内圧が発生し、これが剥離を促進する。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。この他の剥離層材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
【００２２】
剥離層２０の厚さとしては、剥離層２０の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じ、剥離層２０の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層２０の残渣を除去するのに時間を要したりするため、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍ程度であるのが更に好ましい。
剥離層２０の形成方法としては、均一な厚みで剥離層２０を形成可能な方法であればよく、剥離層２０の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
特に剥離層２０の組成が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また、剥離層２０をゾル−ゲル（sol-gel）法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
そして、この剥離層２０上に、シリコン酸化膜の絶縁層、不純物がドープされたソース・ドレイン領域を含むシリコン層、ゲート絶縁膜、ゲート配線膜、層間絶縁膜、ソース・ドレインの配線膜等によって構成されるＴＦＴ素子６が公知の技術により複数形成される。
【００２３】
続いて、上記構成の有機ＥＬ表示体の製造手順について図４〜図６を参照して説明する。なお、これらの図においては、理解を容易にするため、各層や各部材毎に簡略化して図示するとともに縮尺を異ならせてある。
【００２４】
まず、図４（ａ）に示すように、スパッタリングやフォトリソ等の公知の技術を用いて、導電層２ａが形成された基板５上に絶縁層２ｂ、導電層２ａ及び導電材料２ｄを形成する。
次に、図４（ｂ）に示すように、導電層２ａを覆うように配線基板２上にさらにレジスト層２ｃを全面配置する。
そして、フォトマスクを用いたフォトリソ等の手法により、図４（ｃ）に示すように、導電層２ａの中、導電材料２ｄ及びＴＦＴ素子６との接続部８（ＥＬ基板用端子８）が露出するように絶縁層２ｂに開口部を形成する。この際導電材料２ｄ上に形成される開口部１０は、導電材料２ｄが複数領域に分割されて露出されるように、複数領域１０ａに分割されている。なお、本実施形態においては導電材料２ｄ上に形成される開口部は、導電材料２ｄが４ヶ所に分割され露出されるように形成されている。
【００２５】
続いて、図５（ｄ）に示すように、開口部１０の内壁及び開口部１０において露出された導電材料２ｄに下地膜７１を形成する。ここで、下字膜７１は、バリア層及びシード層からなり、まずバリア層を形成した後で、バリア層上にシード層を形成することによって成膜される。ここで、バリア層は例えばＴｉ及びＴｉＮによって形成され、シード層はＮｉによって形成される。これらは、例えばＩＭＰ（イオンメタルプラズマ）法、又は、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のＰＶＤ（Phisical Vapor Deposition）法で形成される。なお、バリア層及びシード層は配線基板２全面に形成し、最後に不要部をエッチングで除去することによって、図５（ｄ）に示すようにパターニングされる。
【００２６】
下地膜７１の形成が終了したら、図５（ｅ）に示すように、下地膜７１を基材として電界メッキ法（メッキ工法）によって接続用端子７を完成させる。具体的には、電界メッキ法によってＡｕ等の金属材を下地膜７１上に成長させ、各開口部１０ａにおいて開口部１０ａから突出させる。このように、各開口部１０ａから金属材を突出形成することによって、結果として、凹部７ｂが形成された接続用端子７が製造される。
【００２７】
この後、図５（ｆ）に示すように、接続用端子７上に接合材３０を配置し、複数のＴＦＴ素子６が形成されたＴＦＴ基板１６を配線基板２に対向配置する。
このとき、ＴＦＴ素子６の接続端子（図示せず）が接続用端子７と対向するようにＴＦＴ基板１６を配置する。このとき、ＴＦＴ基板１６を押圧しながら接合することで、導電性粒子３１がＴＦＴ素子６の接続端子と接続することとなるが、ここで、接続用端子７には、凹部７ｂが形成されているためバインダの流動に伴って導電性粒子３１が接続用端子７の外部に流れ出ない。しがって、確実に接続用端子７とＴＦＴ素子６とを電気的に接続することが可能となる。
この後、バインダを硬化させることにより、配線基板２とＴＦＴ素子６とが固着される。
【００２８】
そして、図６（ｇ）に示すように、複数のＴＦＴ素子の中、所定のＴＦＴ素子６に対して、透光性耐熱基板１９の裏面側（照射光入射面１９ａ側）から照射光２１を選択的（局所的）に照射する。この照射光２１は、基板１９を透過した後、界面側から剥離層２０に照射される。
照射光２１としては、剥離層２０に層内剥離及び／又は界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α線、β線、γ線）等が挙げられるが、そのなかでも、分離層２の剥離（アブレーション）を生じさせ易いという点で、レーザ光が好ましい。このレーザ光を発生させるレーザ装置としては、各種気体レーザ、固体レーザ（半導体レーザ）等が挙げられるが、エキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ２レーザ、ＣＯレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が好適に用いられ、その中でもエキシマレーザが特に好ましい。エキシマレーザは、短波長域で高エネルギーを出力するため、極めて短時間で剥離層２０にアブレーションを生じさせることができ、よって、隣接する又は近傍のＴＦＴ素子６、基板１９等に温度上昇をほとんど生じさせることなく、すなわち劣化、損傷を生じさせることなく剥離層２０を剥離することができる。
これにより、照射光２１が照射された剥離層２０に層内剥離及び／又は界面剥離が生じ、結合力が減少又は消滅するので、基板１９とＴＦＴ素子６とを離間させると、図６（ｈ）に示すように、ＴＦＴ素子６が基板１９から離脱して、配線基板２へ転写される。
【００２９】
そして、レジスト層２ｃに形成された開口部において露出されたＥＬ接続部８上に接合部４を形成し、その後、ＥＬ基板３を配線基板２に対して位置決めしながら、接合部４において陰極層を接合する。続いて、接合部４を形成する異方性導電樹脂を硬化させるとともに、ＥＬ基板３と配線基板２との隙間を封止樹脂２５で封止することにより、有機ＥＬ表示体１が完成する。
【００３０】
このように、本第１実施形態に係る素子の実装構造、接続用端子とその製造方法並びに電気光学装置によれば、接続用端子７における接合材３０との接触面７ａの非周縁部に凹部７ｂが形成されているため、ＴＦＴ素子６を接続用端子７に対して押圧した際に、この凹部７ｂに接合材の導電性粒子３１が掛かり止められる。したがって、確実に接続用端子７とＴＦＴ素子６とを電気的に接続することが可能となる。
【００３１】
また、本実施形態に係る接続用端子の製造方法によれば、接続用端子７が複数領域に分割された単一の導電材料２ｄの各領域においてメッキ工法によって金属材を配置することによって製造されるため、接続用端子７における前記接合材との接触面７ａの非周縁部に容易に凹部７ｂを形成することができる。
【００３２】
（第２実施形態）
上記第１実施形態では、配線基板２とＴＦＴ基板１６条のＴＦＴ素子６を転写・接合する場合の例について説明したが、本第２実施形態では、配線基板２とＥＬ基板３との接合に本発明を適用した例について説明する。
なお、上述した第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
【００３３】
まず、図７（ａ）に示すように、スパッタリングやフォトリソ等の公知の技術を用いて、基板５上に絶縁層２ａ、ＴＦＴ素子用端子４０及びＥＬ基板用端子８等の配線を形成する。
次に、図７（ｂ）に示すように、複数のＴＦＴ素子６が形成されたＴＦＴ基板１６をスペーサー１７を介して対向配置する。
このとき、ＴＦＴ素子用端子４０上には予め導電性接着剤１８が塗布され、ＴＦＴ基板１６は、ＴＦＴ素子６とＴＦＴ素子用端子４０とが対向し、これらの間に導電性接着剤１８が充填されるようにセットさる。そして、導電性接着剤１８を図中縦方向に加熱及び加圧しつつ硬化させる。これにより、ＴＦＴ素子６とＴＦＴ素子用端子４０とが導電性接着剤１８を介して接着されるとともに、この導電性接着剤１８中の図示しない導電粒子が図中縦方向につながり（接触し）、ＴＦＴ素子６とＴＦＴ素子用端子４０とが前記導電粒子を介して電気的に接続される。
【００３４】
そして、複数のＴＦＴ素子の中、所定のＴＦＴ素子６に対して、透光性耐熱基板１９の裏面側（照射光入射面１９ａ側）から照射光２１を選択的（局所的）に照射する。この照射光２１は、基板１９を透過した後、界面側から剥離層２０に照射される。
これにより、照射光２１が照射された剥離層２０に層内剥離及び／又は界面剥離が生じ、結合力が減少又は消滅するので、基板１９とＴＦＴ素子６とを離間させると、図７（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子６が基板１９から離脱して、配線基板２へ転写される。
【００３５】
この後、図８（ｄ）に示すように、ＴＦＴ素子６及びＥＬ基板用端子８を覆うように配線基板２上に樹脂を全面塗布して樹脂層９を形成し、配線基板２の上面を平滑化する。なお、図７〜図９においては、便宜上、絶縁層２ａと樹脂層９とを一体化した状態で図示している。
そして、フォトマスクを用いたフォトリソ等の手法により、図８（ｅ）に示すように、接続パッド８が露出するように樹脂層９に凹部５０を形成する。そして、この凹部５０は、ＥＬ基板用端子８が複数領域に分割されて露出されるように、複数領域５０ａに分割されている。
【００３６】
続いて、図８（ｆ）に示すように、開口部５０の内壁及び開口部５０において露出された導電材料２ｄに下地膜６０を形成する。ここで、下字膜６０は、バリア層及びシード層からなり、まずバリア層を形成した後で、バリア層上にシード層を形成することによって成膜される。ここで、バリア層は例えばＴｉ及びＴｉＮによって形成され、シード層はＮｉによって形成される。これらは、例えばＩＭＰ（イオンメタルプラズマ）法、又は、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のＰＶＤ（Phisical Vapor Deposition）法で形成される。なお、バリア層及びシード層は配線基板２全面に形成し、最後に不要部をエッチングで除去することによって、図８（ｆ）に示すようにパターニングされる。
【００３７】
下地膜６０の形成が終了したら、図９（ｇ）に示すように、下地膜６０を基材として電界メッキ法によって接続用端子６１を完成させる。具体的には、電界メッキ法によってＡｕ等の金属材を下地膜６０上に成長させ、各開口部５０ａにおいて開口部５０ａから突出させる。このように、各開口部５０ａから金属材を突出形成することによって、結果として、凹部６１ａが形成された接続用端子６１が製造される。
【００３８】
そして、図９（ｈ）に示すように、接続用端子６１上に導電性粒子８０を含む異方性導電樹脂からなる接合材８０を配置し、ＥＬ基板３を配線基板２に対して位置決めしながら配線基板２に対して押圧する。その後、接合材８０を硬化させ、ＥＬ基板３と配線基板２との隙間を封止樹脂２５で封止することにより有機ＥＬ表示体が完成する。
ここで、接続用端子６１には、凹部６１ａが形成されているためバインダの流動に伴って導電性粒子８１が接続用端子６１の外部に流れ出ない。しがって、確実に接続用端子６１とＥＬ基板３とを電気的に接続することが可能となる。
【００３９】
このように、本第２実施形態に係る素子の実装構造、接続用端子とその製造方法並びに電気光学装置によれば、接続用端子６１における接合材８０との接触面の非周縁部に凹部６１ａが形成されているため、ＥＬ基板３を接続用端子６１に対して押圧した際に、この凹部６１ａに接合材の導電性粒子８１が掛かり止められる。したがって、確実に接続用端子６１とＥＬ基板３とを電気的に接続することが可能となる。
【００４０】
（第３実施形態）
図１０に、本発明の電気光学装置を適用した電子機器の具体例について説明する。
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の有機ＥＬ表示体を備えた表示部を示している。
図１０（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の有機ＥＬ表示体を備えた表示部を示している。
図１０（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の有機ＥＬ表示体を備えた表示部を示している。
図１０（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の有機ＥＬ表示体を備えたものであるので、小型化、薄型化及び高品質化が可能となる。
【００４１】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る素子の実装構造、接続用端子とその製造方法並びに電気光学装置の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。上述した実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００４２】
例えば、上記実施形態において、レジスト層２ｃあるいは樹脂層９を導電材料２ｄあるいはＥＬ接続用端子８上に残存するようにパターニングすることによって、導電材料２ｄあるいはＥＬ接続用端子８を複数領域に分割し、この各領域においてメッキ工法によって金属材を成長させることによって、凹部７ｂ，６１ａを有する接続用端子７，６１を製造した。しかしながら、本発明は、これに限定されるものではなく、例えば、平坦な上面を有する接続用端子を形成し、この接続用端子の上面にレーザによって凹部を形成しても良い。
【００４３】
また、上記実施形態において、レジスト層２ｃあるいは樹脂層９を導電材料２ｄあるいはＥＬ接続用端子８上に残存するようにパターニングすることによって、導電材料２ｄあるいはＥＬ接続用端子８を複数領域に分割した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、導電材料２ｄあるいはＥＬ接続用端子８の全面が露出するようにレジスト層２ｃあるいは樹脂層９をパターニングし、その後、全面が露出された導電材料２ｄあるいはＥＬ接続用端子８上に所定形状にパターニングされた絶縁層を形成することによって、導電材料２ｄあるいはＥＬ接続用端子８を複数領域に分割しても良い。
【００４４】
また、上記実施形態において、図３に示したように、接続用端子７の上面を各々が切り離された４つの領域から構成することによって、凹部７ｂを形成した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図１１（ａ）に示すように、接続用端子７の上面が４つの領域のうち各領域の一部同士が接触するような構成であっても良いし、図１１（ｂ）に示すように、凹部７ｂが接続用端子７の中心を囲むように接続用端子７を形成しても良い。
なお、接続用端子７の形状は、導電材料２ｄの露出パターンやメッキ工法における金属材の成長時間を変化させることによって容易に変化させることが可能である。例えば、図１１（ａ）に示すような各領域の一部同士が接触するような構成の接続用端子を製造する場合には、メッキ工法の時間を若干長くすることによって製造することができる。また、図１１（ｂ）に示すような接続用端子の中心を囲むような凹部を形成する場合には、レジスト層２ｃをパターニングする際に露出された導電材２ｄの中心を囲むようなレジスト層が残るようにパターングすることによって製造することができる。
なお、ＥＬ基板用端子８上に形成される接続用端子６１においても、同様に、容易に形状を変化させることができる。
【００４５】
また、上記実施形態において、接合材３０，８０として、ＡＣＰを用いた。しかしながら本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、接合材３０，８０として、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Film）を用いても良い。
【００４６】
また、上記実施形態において、配線基板２に対してＥＬ基板３を接合した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、液晶基板、プラズマ型基板を接合させても良い。これによって、確実にＴＦＴ素子６、液晶基板あるいはプラズマ型基板が配線基板２に対して電気的に導通された電気光学装置を提供することが可能となる。
また、本第３実施形態において示した電子機器は、有機ＥＬ表示体でなく、このような液晶表示体やプラズマ型表示体を備えるものとしても良い。
【００４７】
また、上記実施形態において、メッキ工法として、電界メッキ法を用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、メッキ工法として、無電界メッキ法を用いても良い。
【００４８】
なお、上記実施形態において、ＴＦＴ素子６と配線基板２とを接合するための接続用端子７に凹部７ｂを形成した形態を第１実施形態、ＥＬ基板３と配線基板２とを接合するための接続用端子６１に凹部６１ａを形成した形態を第２実施形態として説明したが、本発明は、上記第１及び第２実施形態を組合わせた形態、すなわち凹部７ｂを有する接続用端子７と凹部６１ａを有する接続用端子６１とを共に備える形態であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示体の概略構成図である。
【図２】図１におけるＴＦＴ素子近傍の拡大図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る接続用端子を上方から見た模式図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示体の製造方法の説明図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示体の製造方法の説明図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示体の製造方法の説明図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示体の製造方法の説明図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示体の製造方法の説明図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示体の製造方法の説明図である。
【図１０】本発明の電気光学装置を適用した電子機器の具体例を示す図である。
【図１１】接続用端子の変形例を上方から見た模式図である。
【符号の説明】
【００５０】
１……有機ＥＬ表示体（電気光学装置）、２……配線基板、３……ＥＬ基板（素子）、６……ＴＦＴ素子（薄膜素子、素子）、７，６０……接続用端子、７ｂ，６１ａ……凹部、３０，８０……接合材、３１，８１……導電性粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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