(57)【要約】      （修正有）【課題】  発光特性、及び耐久性が良好であり、さらに製造適性に優れた有機電界発光素子を提供すること。【解決手段】  一対の電極間に、発光層、該発光層の隣接層にホール輸送層及び電子輸送層を有する有機電界発光素子において、前記発光層中に少なくとも２つのホスト材料と、少なくとも１つの赤色燐光発光材料を含有し、該ホール輸送層中のホール輸送材料のイオン化ポテンシャルが前記発光層中の２つの該ホスト材料のイオン化ポテンシャルより小さいことを特徴とする。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、発光層、ホール輸送層、及び電子輸送層を有する有機電界発光素子であって、該発光層中に少なくとも２種のホスト材料と、少なくとも１種の赤色燐光発光材料とを含有し、該ホール輸送層中のホール輸送材料のイオン化ポテンシャルは該発光層中の２種の該ホスト材料のイオン化ポテンシャルより小さいことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
該発光層中の少なくとも一種の該赤色燐光発光材料の最低励起三重項エネルギー準位が１６７．６ｋＪ／ｍｏｌ（４０Ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上２３０．５ｋＪ／ｍｏｌ（５５Ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
該発光層中のすべてのホスト材料が非金属錯体化合物であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
該発光層中のホスト材料の少なくとも一方がヘテロ原子を２つ以上含有するヘテロ環骨格を有する化合物であることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
ヘテロ原子を２つ以上含有するヘテロ環骨格を有する化合物が下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子。
【化１】
2005123168.tif 000025
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表す。Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、＝Ｎ−または＝Ｎ−Ｒａ（Ｒａは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）を表す。ＱはＮおよびＸと結合して縮合ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。）
【請求項６】
該有機電界発光素子が電子輸送層を含有し、該電子輸送層が一般式（Ｅ１）で表される化合物を含有することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【化２】
2005123168.tif 000026
（式中、ＲE は水素原子または置換基を表す。ＸE は−Ｏ−、−Ｓ−、＝Ｎ−または＝Ｎ−Ｒａ（Ｒａは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）を表す。ＱE はＮおよびＸE と結合してヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。）
【請求項７】
該電子輸送層が一般式（Ｅ−ＩＩ）で表される化合物を含有することを特徴とする請求項６記載の有機電界発光素子。
【化３】
2005123168.tif 000027
（式中、ＸE は−Ｏ−、−Ｓ−、＝Ｎ−または＝Ｎ−Ｒａ（Ｒａは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）を表す。ＺE は芳香族環を形成するに必要な原子群を表す。Ｂは連結基を表す。ｍは２以上の整数を表す）
【請求項８】
該電子輸送層が一般式（Ｅ−ＩＩＩ）で表される化合物を含有することを特徴とする請求項６記載の有機電界発光素子。
【化４】
2005123168.tif 000028
（式中、ＲE31、ＲE32およびＲE33はそれぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）
【請求項９】
該電子輸送層が一般式（Ｅ−ＩＶ）で表される化合物を含有することを特徴とする請求項６記載の有機電界発光素子。
【化５】
2005123168.tif 000029
（式中、ＲA1、ＲA2およびＲA3は、それぞれ水素原子または脂肪族炭化水素基を表す。  ＲA4、ＲA5およびＲA6は、それぞれ置換基を表す。ｎA1、ｎA2およびｎA3は、それぞれ０〜３の整数を表す。ＸA1、ＸA2およびＸA3は、それぞれ窒素原子またはＣ−ＲX（ＲX は水素原子または置換基を表す。）を表す。ＹA1、ＹA2およびＹA3は、それぞれ窒素原子またはＣ−ＲYX（ＲYXは水素原子または置換基を表す。）を表す。）
【請求項１０】
一対の電極間に発光層と、発光層の隣接層にホール輸送層と電子輸送層を有する有機電界発光素子において、該発光層中に少なくとも２つのホスト材料と、少なくとも１つの赤色燐光発光材料を含有し、発光層中の少なくとも一つのホスト材料が下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする有機電界発光素子。
【化６】
2005123168.tif 000030
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表す。Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、＝Ｎ−または＝Ｎ−Ｒａ（Ｒａは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）を表す。ＱはＮおよびＸと結合して縮合ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。有機ＥＬ素子の高耐久化の研究が行われており、ホール注入材料、ホール輸送材料、発光材料、ホスト材料、電子輸送材料、電子注入材料について種々の構造が検討されている。
【０００３】
高耐久化を検討したものとして、一重項発光素子では窒素含有配位子からなる金属錯体や窒素含有ヘテロ環化合物やＳｉ含有環化合物である電子輸送性化合物とアントリル化合物をホストとして混合した例が開示されている（例えば特許文献１）。電子とホールの両方を輸送し得る非極性の有機化合物と該成分より高極性の有機化合物をホストとして混合した例が開示されている（例えば特許文献２）。また、高効率発光可能な三重項発光素子でホストを混合した例も開示されている（例えば、特許文献３、特許文献４、特許文献５、特許文献６）。しかしながら、効率、色純度、耐久性の点で問題があり、改良が望まれていた。また、特許文献４、５には混合ホストを用いた三重項赤色発光素子が開示されているが、その製造法が煩雑であり。素子の製造適性は低い。
【特許文献１】特開２００１−２８４０５０号公報
【特許文献２】欧州特許出願公開第１２２１４７３号明細書
【特許文献３】特開２００２−３１３５８３号公報
【特許文献４】特開２００２−３１３５８４号公報
【特許文献５】特開２００２−３１３５８５号公報
【特許文献６】特開２００２−３１９４９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、発光特性、及び耐久性が良好であり、さらに製造適性に優れる有機電界発光素子の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、上記課題について検討の結果、下記手段により本発明に到達したものである。
１．一対の電極間に、発光層、ホール輸送層、及び電子輸送層を有する有機電界発光素子において、該発光層中に少なくとも２つのホスト材料と、少なくとも１つの赤色燐光発光材料を含有し、該ホール輸送層中のホール輸送材料のイオン化ポテンシャルが該発光層中の２つの該ホスト材料のイオン化ポテンシャルより小さいことを特徴とする有機電界発光素子。
２．該発光層中の少なくとも少なくとも一種の該赤色燐光発光材料の最低励起三重項エネルギー準位が１６７．６ｋＪ／ｍｏｌ（４０Ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上２３０．５ｋＪ／ｍｏｌ（５５Ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以下であることを特徴とする上記１．に記載の有機電界発光素子。
３．該発光層中のすべての該ホスト材料が非金属錯体化合物であることを特徴とする上記１．又は上記２．に記載の有機電界発光素子。
４．該発光層中のホスト材料の膜状態での最低励起三重項エネルギー準位が該赤色燐光性化合物の最低励起三重項エネルギー準位より大きいことを特徴とする上記１．〜上記３．のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【０００６】
５．該発光層中のホスト材料の少なくとも一方がヘテロ原子を２つ以上含有するヘテロ環骨格を有する化合物からなることを特徴とする上記３．に記載の有機電界発光素子。
６．ヘテロ原子を２つ以上含有するヘテロ環骨格を有する化合物からなるホスト材料が下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする上記５．に記載の有機電界発光素子。
【０００７】
【化７】
2005123168.tif 000002
【０００８】
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表す。Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、＝Ｎ−または＝Ｎ−Ｒａ（Ｒａは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）を表す。ＱはＮおよびＸと結合して縮合ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。）
７．ヘテロ原子を２つ以上含有するヘテロ環骨格を有する化合物からなるホスト材料が一般式（Ｈ−Ｉ）で表される化合物を含有することを特徴とする上記６．に記載の有機電界発光素子。
【０００９】
【化８】
2005123168.tif 000003
【００１０】
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表す。Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、＝Ｎ−または＝Ｎ−Ｒａ（Ｒａは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）を表す。Ｚは芳香族環を形成するに必要な原子群を表す。）
８．ヘテロ原子を２つ以上含有するヘテロ環骨格を有する化合物からなるホスト材料が一般式（Ｈ−ＩＩ）で表される化合物を含有することを特徴とする上記７．に記載の有機電界発光素子。
【００１１】
【化９】
2005123168.tif 000004
【００１２】
（式中、ＸE は−Ｏ−、−Ｓ−、＝Ｎ−または＝Ｎ−Ｒａ（Ｒａは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）を表す。ＺE は芳香族環を形成するに必要な原子群を表す。Ｂは連結基を表す。ｍは２以上の整数を表す）
９．ヘテロ原子を２つ以上含有するヘテロ環骨格を有する化合物からなるホスト材料が一般式（Ｈ−ＩＩＩ）で表される化合物を含有することを特徴とする上記６．に記載の有機電界発光素子。
【００１３】
【化１０】
2005123168.tif 000005
【００１４】
（式中、ＲE31、ＲE32およびＲE33はそれぞれ水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）
１０．ヘテロ原子を２つ以上含有するヘテロ環骨格を有する化合物からなるホスト材料が下記一般式（Ｈ−ＩＶ）で表される化合物を含有することを特徴とする上記６．に記載の有機電界発光素子。
一般式（Ｈ−ＩＶ）
【００１５】
【化１１】
2005123168.tif 000006
【００１６】
（式中、Ｒ1 は置換基を表し、Ｌ1 は連結基を表す。ｎ1 は０〜４の整数を表し、ｍ1 は２以上の整数を表す。）
１１．ヘテロ原子を２つ以上含有するヘテロ環骨格を有する化合物からなるホスト材料が下記一般式（Ｈ−Ｖ）で表される化合物を含有することを特徴とする上記６．に記載の有機電界発光素子。
一般式（Ｈ−Ｖ）
【００１７】
【化１２】
2005123168.tif 000007
【００１８】
（式中、Ｒ2 は置換基を表し、Ｌ2 は連結基を表す。ｎ2 は０〜４の整数を表し、ｍ2 は２以上の整数を表す。）
１２．ヘテロ原子を２つ以上含有するヘテロ環骨格を有する化合物からなるホスト材料が一般式（Ｈ―ＶＩ）で表される化合物を含有することを特徴とする上記７．に記載の有機電界発光素子。
一般式（Ｈ―ＶＩ）
【００１９】
【化１３】
2005123168.tif 000008
【００２０】
（式中、ＲA1、ＲA2及びＲA3は、それぞれ水素原子または脂肪族炭化水素基を表す。ＲA4、ＲA5およびＲA6は、それぞれ置換基を表す。ｎA1、ｎA2およびｎA3は、それぞれ０〜３の整数を表す。ＸA1、ＸA2およびＸA3は、それぞれ窒素原子またはＣ−ＲX （ＲX は水素原子または置換基を表す。）を表す。ＹA1、ＹA2およびＹA3は、それぞれ窒素原子またはＣ−ＲYX（ＲYXは水素原子または置換基を表す。）を表す。）
１３．ヘテロ原子を２つ以上含有するヘテロ環骨格を有する化合物からなるホスト材料が下記一般式（Ｈ−ＶＩＩ）で表される化合物を含有することを特徴とする上記７．に記載の有機電界発光素子。
一般式（Ｈ−ＶＩＩ）
【００２１】
【化１４】
2005123168.tif 000009
【００２２】
（式中、Ｒ11は置換基を表し、Ｒ12は水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基又はヘテロ環基を表し、Ｒ13は水素原子又は置換基を表し、ｎは０〜２の整数を表し、Ｌは単結合又は連結基を表し、ｍは２以上の整数を表す。）
１４．該有機電界発光素子が電子輸送層を含有し、該電子輸送層が一般式（Ｅ１）で表される化合物を含有することを特徴とする上記１．〜上記１３．のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【００２３】
【化１５】
2005123168.tif 000010
【００２４】
（式中、ＲE は水素原子または置換基を表す。ＸE は−Ｏ−、−Ｓ−、＝Ｎ−または＝Ｎ−Ｒａ（Ｒａは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）を表す。ＱE はＮおよびＸEと結合してヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。）
１５．該電子輸送層が一般式（Ｅ−ＩＩ）で表される化合物を含有することを特徴とする上記１４．に記載の有機電界発光素子。
【００２５】
【化１６】
2005123168.tif 000011
【００２６】
（式中、ＸE は−Ｏ−、−Ｓ−、＝Ｎ−または＝Ｎ−Ｒａ（Ｒａは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）を表す。ＺE は芳香族環を形成するに必要な原子群を表す。Ｂは連結基を表す。ｍは２以上の整数を表す）
１６．該該電子輸送層が一般式（Ｅ−ＩＩＩ）で表される化合物を含有することを特徴とする上記１４．に記載の有機電界発光素子。
【００２７】
【化１７】
2005123168.tif 000012
【００２８】
（式中、ＲE31 、ＲE32 、ＲE33 は水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）
１７．該電子輸送層が一般式（Ｅ−ＩＶ）で表される化合物を含有することを特徴とする上記１４．に記載の有機電界発光素子。
一般式（Ｅ−ＩＶ）
【００２９】
【化１８】
2005123168.tif 000013
【００３０】
（式中、ＲA1、ＲA2およびＲA3は、それぞれ水素原子または脂肪族炭化水素基を表す。  ＲA4、ＲA5およびＲA6は、それぞれ置換基を表す。ｎA1、ｎA2およびｎA3は、それぞれ０〜３の整数を表す。ＸA1、ＸA2およびＸA3は、それぞれ窒素原子またはＣ−ＲX （ＲX は水素原子または置換基を表す。）を表す。ＹA1、ＹA2およびＹA3は、それぞれ窒素原子またはＣ−ＲYX（ＲYXは水素原子または置換基を表す。）を表す。）
１８．一対の電極間に発光層と、該発光層の隣接層にホール輸送層と電子輸送層を有する有機電界発光素子において、該発光層中に少なくとも２つのホスト材料と、少なくとも１つの赤色燐光発光材料を含有し、発光層中の少なくとも一つのホスト材料が下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする有機電界発光素子。
【００３１】
【化１９】
2005123168.tif 000014
【００３２】
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表す。Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、＝Ｎ−または＝Ｎ−Ｒａ（Ｒａは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）を表す。ＱはＮおよびＸと結合して縮合ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。尚、以下、本明細書では、＝Ｎ−における二重結合は、ＱとＸとの結合が二重結合であることを表わす。また、＝Ｎ−Ｒａにおける二重結合は２つの単結合を表わし、ＱとＸとの単結合、並びにＸと、Ｒ及びＮとが結合した炭素原子との単結合を表わす。）
【発明の効果】
【００３３】
本発明の発光素子は発光特性（色純度や外部量子効率（φEL））、耐久性（駆動電圧の経時的上昇および輝度低下が小さい）に優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。本明細書において「〜」はその前後に記載される数値を、それぞれ最小値および最大値として含む範囲を示す。
【００３５】
本発明は、一対の電極間に、発光層と、ホール輸送層と、電子輸送層とを有する有機電界発光素子であって、発光層中にホスト材料を少なくとも２種と、少なくとも１種の赤色燐光発光材料とを有することを特徴とする。同様の赤色発光三重項素子の特許として特開２００２−３０５０８５号公報があり、該発明では発光層ホストとして、発光層に隣接したホール輸送層、電子輸送層やブロック層を形成するホール輸送材料、電子輸送材料やブロック材料を混合したものを用い、発光層と隣接層との界面のエネルギー障壁を低減させることにより、キャリアーの移動を潤滑に行わせ素子寿命を向上させることを説明している。しかしながら、発光層ホストとして発光層の隣接層を構成する材料を用いると、例えば電極からのホール注入・輸送性、電子注入・輸送性の点で選択できる化合物が制限され、耐久性の観点で充分安定な化合物を選択できない。特開２００２−３０５０８５号公報においては、混合ホストとしてＢＡｌｑが用いられているが、このような金属錯体は通電時に生成するラジカルカチオンの安定性が低く、耐久性が十分でない。
本発明は発光層に少なくとも２つのホスト材料を用い、ホール輸送層中のホール輸送材料のイオン化ポテンシャルが発光層中の２つのホスト材料のイオン化ポテンシャルより小さいことを特徴とし、それにより生じる層界面のエネルギー差を利用し、ホールの注入性をコントロールすることでラジカルカチオンの生成領域を調節したものであり、より好ましくは、より安定な非錯体ホストを用い、素子安定性の向上を謀ったものである。次に、本発明の発光層を構成する材料について説明する。
【００３６】
燐光を発する材料を「燐光発光材料」と称する。本発明の発光素子は少なくとも１種のりん光発光材料を含む。本発明で用いるりん光発光材料は特に限定されないが、遷移金属錯体が好ましい。遷移金属錯体の中心金属は特に限定されないが、好ましくはイリジウム、白金、レニウム、またはルテニウムであり、より好ましくはイリジウムまたは白金であり、特に好ましくはイリジウムである。遷移金属錯体の中でも、オルトメタル化錯体が非常に好ましい。オルトメタル化錯体（Ｏｒｔｈｏｍｅｔａｌａｔｅｄ  Ｃｏｍｐｌｅｘ）とは、山本明夫著，「有機金属  基礎と応用」，１５０頁および２３２頁，裳華房社（１９８２年）やＨ．Ｙｅｒｓｉｎ著，「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ」，７１〜７７頁および１３５〜１４６頁，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社（１９８７年）等に記載されている化合物群の総称である。
【００３７】
上記燐光材料は、２０℃以上における燐光量子収率が７０％以上であるのが好ましく、より好ましくは８０％以上であり、さらに好ましくは８５％以上である。
本発明の燐光発光性化合物のりん光寿命（室温）は特に限定されないが、１ｍｓ以下であることが好ましく、１００μｓ以下であることがより好ましく、１０μｓ以下であることがさらに好ましい。
【００３８】
本発明の燐光発光性化合物としては、例えば米国特許（ＵＳ）６３０３２３８Ｂ１、ＵＳ６０９７１４７、国際公開（ＷＯ）００／５７６７６、ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／０８２３０、ＷＯ０１／３９２３４Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２Ａ１、ＷＯ０２／０２７１４Ａ２、ＷＯ０２／１５６４５Ａ１、特開２００１−２４７８５９、特願２０００−３３５６１、特願２００１−１８９５３９、特願２００１−２４８１６５、特願２００１−３３６８４、特願２００１−２３９２８１、特願２００１−２１９９０９、ＥＰ１２１１２５７、特開２００２−２２６４９５、特開２００２−２３４８９４、特開２００１−２４７８５９、特開２００１−２９８４７０、特開２００２−１７３６７４、特開２００２−２０３６７８、特開２００２−２０３６７９等の特許文献や、Ｎａｔｕｒｅ，３９５巻，１５１頁（１９９８年）、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，７５巻，４頁（１９９９年）、Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，４１巻，７７０頁（２０００年）、Ｊｏｕｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，１２３巻，４３０４頁（２００１年）、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，７９巻，２０８２頁（１９９９年）等の非特許文献に記載されている赤色燐光発光材料が好適に利用できる。好ましくは、ＵＳ６３０３２３８Ｂ１、ＷＯ０１／４１５１２Ａ１、ＷＯ０２／４５４６６Ａ１、特開２００１−２４７８５９、特開２００１−２９８４７０、特開２００２−２０３６７８、特願２００２−２５１８７１、特願２００３−１５７００６等記載の赤色燐光発光材料が挙げられる。
【００３９】
赤色発光材料として好ましくは発光極大が５５０ｎｍ〜７００ｎｍ、より好ましくは５６０ｎｍ〜６８０ｎｍ、特に好ましくは５８０ｎｍ〜６６０ｎｍである。また、赤色発光材料の最低励起三重項エネルギー準位が好ましくは１６７．６ｋＪ／ｍｏｌ（４０Ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上２４３．０ｋＪ／ｍｏｌ（５８Ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下、より好ましくは１８８．６ｋＪ／ｍｏｌ（４５Ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上２３０．５ｋＪ／ｍｏｌ（５５Ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以下、特に好ましくは、１８８．６ｋＪ／ｍｏｌ（４５Ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上２１７．９ｋＪ／ｍｏｌ（５２Ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以下である。
【００４０】
本発明の燐光発光性化合物の発光層中の濃度は、１質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、１質量％以上３０質量％以下であることがより好ましく、１質量％以上１０質量％以下であることがさらに好ましい。
【００４１】
次に発光層に含まれるホスト材料について説明する。ホスト材料として用いる化合物としてはホール及び電子を注入し得る化合物であり、その膜状態の最低励起三重項エネルギーが、赤色発光材料の最低励起三重項エネルギーと同等以上であればよい。
具体的には、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含有する５ないし７員のヘテロ環化合物（例えばピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、ピロール、フラン、チオフェン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール、オキサゾール、インダゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、インドール、プリン、トリアゾロピリダジン、トリアゾロピリミジン、テトラザインデン、ピラリジン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、ジベンズアゼピン、トリベンズアゼピン等）、ポリアリーレン化合物、フルオレン化合物、シクロペンタジエン化合物、縮合芳香族炭素環化合物（好ましくは２ないし５環、より好ましくは２ないし４環、特に好ましくは２ないし３環であり、例えば、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン等を持つ化合物が挙げられる。）、トリアリールアミン化合物、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体（このましくは特開２０００―３０２７５４号公報記載の一般式（Ｉ）で表される化合物などが挙げられる。
【００４２】
ホスト材料としてより好ましくは、非金属錯体化合物であり、トリアリールアミン化合物、カルバゾール化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、チオフェン化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物、ヘテロ原子を２つ以上含有するヘテロ環骨格を有する化合物などである。
本発明で用いるヘテロ原子を２つ以上含むヘテロ環骨格を有する化合物は、炭素原子、水素原子以外の原子を、環を形成する基本骨格内に２つ以上有する化合物であり、単環または縮環であっても良い。ヘテロ環骨格としては、好ましくはＮ、Ｏ、Ｓ原子から選ばれる原子を２つ以上有するものであり、更に好ましくはヘテロ原子のうち少なくとも一つがＮ原子である芳香族ヘテロ環であり、特に好ましくはＮ原子を骨格内に２つ以上有する芳香族ヘテロ環である。また、ヘテロ原子は縮合位置にあっても、非縮合位置にあってもよい。ヘテロ原子を２つ以上含むヘテロ環骨格としては、例えばピラゾール、イミダゾール、ピラジン、ピリミジン、インダゾール、ベンズイミダゾール、プリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、フェナントロリン、ピロロイミダゾール、ピロロトリアゾール、ピラゾロイミダゾール、ピラゾロトリアゾール、ピラゾロピリミジン、ピラゾロトリアジン、イミダゾイミダゾール、イミダゾピリダジン、イミダゾピリジン、イミダゾピラジン、トリアゾロピリジン、トリアゾロピリダジン、トリアゾロピリミジン、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、ベンゾチアゾール、ナフトチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン、トリアジンなどが挙げられ、好ましくは一つの環に２つ以上のヘテロ原子を有する５ないし６員環であり、５員の場合はヘテロ環同士が縮合した環を有するものが更に好ましい。例えばイミダゾピリダジン、イミダゾピリジン、イミダゾピラジン、ベンズイミダゾール、トリアゾロピリダジン、トリアゾロピリミジン、プリン、ナフトイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、ベンゾチアゾール、ナフトチアゾール、トリアジンであり、より好ましくはイミダゾピリジン、イミダゾピラジン、ベンゾイミダゾール、トリアゾロピリダジン、トリアゾロピリミジン、プリン、ナフトイミダゾール、トリアジンであり、更に好ましくはイミダゾピリジン、ベンゾイミダゾール、トリアゾロピリダジン、トリアゾロピリミジン、プリン、ナフトイミダゾール、トリアジンであり、特に好ましくはイミダゾピリジン、トリアゾロピリダジン、トリアゾロピリミジン、プリン、トリアジンである。
【００４３】
上記ホスト材料として特に好ましくはトリアリールアミン化合物、カルバゾール化合物、特開２００２−３０５０８４号記載のインドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、特開２００３−２７０４８号記載のポリアリーレン化合物、特開２００１−１９２６５１号記載の縮合芳香族炭素環化合物、下記一般式（Ｉ）で表されるヘテロ原子を２つ以上含有する縮合環からなる化合物などである。
【００４４】
【化２０】
2005123168.tif 000015
【００４５】
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表す。Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、＝Ｎ−または＝Ｎ−Ｒａ（Ｒａは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）を表す。ＱはＮおよびＸと結合して縮合ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。）
【００４６】
一般式（Ｉ）中、Ｒは水素原子または置換基を表す。ＸはＯ、Ｓ、ＮまたはＮ−Ｒａ（Ｒａは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）を表す。ＱはＮおよびＸと結合して縮合ヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。また、ＲとＸ、ＲとＱは可能な場合には結合して環を形成しても良い。
【００４７】
前記Ｒで表される置換基として、例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２４、特に好ましくは炭素数０〜２０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノ、ジナフチルアミノなどが挙げられ、特に好ましくはジフェニルアミノ、ジトリルアミノ、ジナフチルアミノ基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェノキシ、１−ナフトキシ、２−ナフトキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数３〜１６、特に好ましくは炭素数４〜１２であり、例えばピリジノオキシ、ピリミジノオキシ、ピリダジノオキシ、ベンズイミダゾリルオキシなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２０であり、例えばトリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェノキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェノキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル、アゼピニルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には連結して環を形成してもよい。
【００４８】
Ｒで表される置換基として好ましくは、脂肪族炭化水素基、アリール基およびヘテロ環基であり、より好ましくはアリール基、芳香族ヘテロ環基であり、更に好ましくはアリール基、５または６員の芳香族ヘテロ環基であり、特に好ましくはアリール基、Ｎ、Ｓ、Ｏ原子の少なくとも一つを含む５または６員の芳香族ヘテロ環基であり、最も好ましくはアリール基である。
【００４９】
ＸはＯ、Ｓ、ＮまたはＮ−Ｒａを表す。Ｒａは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒａで表される脂肪族炭化水素基は直鎖、分岐または環状のアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）であり、より好ましくはアルキル基である。
【００５０】
Ｒａで表されるアリール基は、単環または縮環のアリール基であり、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、更に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２−メトキシフェニル、３−トリフルオロメチルフェニル、ペンタフルオロフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル等が挙げられる。Ｒａで表されるヘテロ環基は、単環または縮環のヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、更に好ましくは炭素数２〜１０のヘテロ環基）であり、好ましくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子の少なくとも一つを含む芳香族へテロ環基である。Ｒａで表されるヘテロ環基の具体例としては、例えばピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルフォリン、チオフェン、セレノフェン、フラン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、ピリミジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン、カルバゾール、アゼピン等が挙げられ、好ましくは、フラン、チオフェン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリンであり、より好ましくはフラン、チオフェン、ピリジン、キノリンであり、更に好ましくはキノリンである。
【００５１】
Ｒａで表される脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基は置換基を有していてもよく、置換基としては一般式（Ｉ）におけるＲで表される基として挙げたものが適用でき、また好ましい置換基も同様である。Ｒａとして好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基であり、より好ましくはアリール基、芳香族へテロ環基であり、更に好ましくはアリール基である。
【００５２】
Ｘとして好ましくはＯ、Ｎ、Ｎ−Ｒａであり、より好ましくはＮ、Ｎ−Ｒａであり、特に好ましくはＮ、Ｎ−Ａｒ（Ａｒはアリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、更に好ましくは炭素数６〜１２のアリール基）、芳香族ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、更に好ましくは炭素数２〜１０の芳香族ヘテロ環基）であり、好ましくはアリール基である。）である。
【００５３】
ＱはＮおよびＸと結合して縮合ヘテロ環を形成するに必要な原子群をあらわす。Ｑで形成される縮合ヘテロ環として好ましくは芳香族縮合ヘテロ環であり、より好ましくはＮおよびＸとが結合する環が５〜８員の芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはＮおよびＸとが結合する環が５または６員環の芳香族ヘテロ環である。ＮおよびＸとが結合するヘテロ環の具体例としては、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、セレナゾール環、テルラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、オキサトリアゾール環、チアトリアゾール環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トリアジン環、テトラジン環等が挙げられ、好ましくはイミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、トリアジン環であり、より好ましくはイミダゾール環、オキサゾール環、トリアゾール環、トリアジン環であり、更に好ましくはイミダゾール環、トリアゾール環、トリアジン環である。ＮおよびＸとが結合するヘテロ環は更に他の環と縮合して環を形成する。また、前記縮合ヘテロ環は置換基を有していてもよい。
前記置換基としては例えばＲで表される基として挙げたものが適用できる。Ｑの置換基として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、芳香族ヘテロ環基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、芳香族ヘテロ環基である。
【００５４】
一般式（Ｉ）で表される化合物の好ましい形態は、一般式（Ｈ−Ｉ）、一般式（Ｈ−ＩＩＩ）、一般式（Ｈ−ＩＶ）、一般式（Ｈ−Ｖ）で表される化合物である。
【００５５】
【化２１】
2005123168.tif 000016
【００５６】
一般式（Ｈ−Ｉ）中、Ｒは一般式（Ｉ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−または＝Ｎ−Ｒａを表す。Ｒａは一般式（Ｉ）におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｘとして好ましくは−Ｏ−、＝Ｎ−Ｒａであり、より好ましくは＝Ｎ−Ｒａであり、特に好ましくは＝Ｎ−Ａｒ（Ａｒはアリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、更に好ましくは炭素数６〜１２のアリール基）、芳香族ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、更に好ましくは炭素数２〜１０の芳香族ヘテロ環基）であり、好ましくはアリール基である。）である。Ｚは芳香族環を形成するに必要な原子群を表す。Ｚで形成される芳香族環は芳香族炭化水素環、芳香族ヘテロ環のいずれでもよく、具体例としては、例えばベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、テルロフェン環、イミダゾール環、チアゾール環、セレナゾール環、テルラゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環、ピラゾール環などが挙げられ、好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環であり、より好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環であり、更に好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環であり、特に好ましくはピリジン環である。Ｚで形成される芳香族環は更に他の環と縮合環を形成してもよく、また置換基を有していてもよい。置換基としては例えば一般式（Ｉ）におけるＲで表される基として挙げたものが適用でき、Ｚで形成される芳香族環の置換基として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、芳香族へテロ環基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、芳香族へテロ環基である。
【００５７】
一般式（Ｈ−Ｉ）で表される化合物のさらに好ましい形態は一般式（Ｈ−ＩＩ）、一般式（Ｈ−ＶＩ）、一般式（Ｈ−ＶＩＩ）である。
一般式（Ｈ−ＩＩ）は、特開２００２−３１９４９１号公報記載の一般式（Ｂ−ＩＩ）と同義であり、好ましい範囲も同様であり、特開２００２−３１９４９１号公報記載の一般式（Ｂ−ＩＩＩ）〜（Ｂ−Ｘ）で表される化合物である。
一般式（Ｈ−ＩＶ）は、特開２００２−１００４７６号公報記載の一般式（Ａ）と同義であり、好ましい範囲も同様である。
一般式（Ｈ−ＶＩＩ）は、特開２００２−３３８５７９号公報記載の一般式（Ｉ）と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００５８】
一般式（Ｈ−ＩＩＩ）は、特開２００２−３１９４９１号公報記載の一般式（Ｃ−ＩＩ）と同義であり、好ましい範囲も同様である。
一般式（Ｈ−Ｖ）、一般式（Ｈ−ＶＩ）は、特開２００２−３５６４８９号公報記載の一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００５９】
一般式（ＩＩ）で表される含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体は特開２０００−３０２７５４号公報記載の一般式（Ｉ）と同義であり、好ましい範囲も同様で
ある。
【００６０】
本発明の有機電界発光素子は好ましくは発光層中のホスト材料の少なくとも一方が上記で説明したヘテロ原子を２つ以上含有するヘテロ環骨格を有する化合物である。
その他、特に好ましいホストとしては、特開２００２−１００４７６号公報記載の一般式（Ｉ）で表され、より好ましくは一般式（Ａ−１）、一般式（Ｂ−１）、一般式（Ｃ−１）、一般式（Ｄ−１）で表される化合物や下記具体例などが挙げられる。
【００６１】
【化２２】
2005123168.tif 000017
【００６２】
【化２３】
2005123168.tif 000018
【００６３】
本発明の少なくとも一つのホスト材料の発光層中の濃度は、それぞれ１質量％以上９９質量％以下であることが好ましく、５質量％以上９０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以上８０質量％以下であることがさらに好ましく、残りを燐光性発光材料と他のホスト材料がしめる。
【００６４】
発光層中のすべてのホスト材料は好ましくはすべて非金属錯体化合物であり、より好ましくは、少なくとも一つのホスト材料がヘテロ環骨格を有する化合物であり、更に好ましくは、少なくとも一つのホスト材料がヘテロ原子を２つ以上含有する化合物であり、特に好ましくは、少なくとも一つのホスト材料が２つ以上のヘテロ原子を一つの環に有するヘテロ環縮環化合物である。
【００６５】
本発明の有機電界発光素子の発光層は電子輸送化合物と正孔輸送化合物の積層構造を少なくとも一つ有していても良い。発光層中は他の層構造を有していても良い。積層数は２層以上５０層以下が好ましく、４層以上３０層以下がより好ましく、６層以上２０層以下がさらに好ましい。
【００６６】
積層を構成する各層の膜厚は特に限定されないが、０．２ｎｍ以上、２０ｎｍ以下が好ましく、０．４ｎｍ以上、１５ｎｍ以下がより好ましく、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下がさらに好ましく、１ｎｍ以上５ｎｍ以下が特に好ましい
【００６７】
本発明の有機電界発光素子の発光層は電子輸送化合物と正孔輸送化合物の複数のドメイン構造を有していても良い。発光層中に他のドメイン構造を有していても良い。各ドメインの径は、０．２ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましく、０．３ｎｍ以上５ｎｍ以下がより好ましく、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下がさらに好ましく、０．７ｎｍ以上２ｎｍ以下が特に好ましい。
【００６８】
本発明の電子注入・輸送層を構成する材料について説明する。
本発明の電子注入層、電子輸送層の材料は陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。電子輸送層の材料としては、電子吸引性基（このましくはＨａｍｍｅｔｔのσｐ値が０．２以上の電子吸引性基であり、更に好ましくはアリール基、芳香族ヘテロ環基、シアノ基、カルボニル基、チオカルボニル基、オキシカルボニル基、アシルアミノ基、カルバモイル基、スルファモイル基、スルホニル基、イミノ基、ハロゲン原子などが挙げられる。）の置換した芳香族炭素環化合物（好ましくはベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントラセン、テトラセン、ピレン、ペンタセン、ペリレン、コロネン、クリセン、ピセン、ペリサイクレン、アセナフテン、フルオランテンなどが挙げられる。）、含窒素芳香族ヘテロ環（５ないし６員の芳香族含窒素ヘテロ環が挙げられ、ヘテロ原子として更に酸素原子、窒素原子、硫黄原子、珪素原子を含んでも良く、２ないし１０環の縮合環を形成してもよい。例えばピリジン構造、ピラジン構造、ピリミジン構造、ピリダジン構造、ピロール構造、ピラゾール構造、イミダゾール構造、オキサゾール構造、チアゾール構造、トリアゾール構造やこれらの組合せが挙げられる。）、金属錯体などが挙げられる。
その具体例としてはトリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレン、ペリレン等の芳香族デトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン化合物及びその誘導体等が挙げられる。
【００６９】
電子輸送層に含有される材料として好ましくは特開２００２−３１９４９１号公報記載の一般式（Ｉ）で表される化合物（ここでは、一般式（Ｉ）で表される化合物を一般式（Ｅ１）で表される化合物として表示する）、特開２００２−１００４７６号公報記載の一般式（Ａ）で表される化合物（ここでは、一般式（Ａ）で表される化合物を一般式（Ｅ−ＩＶ）で表される化合物として表示する）である。
【００７０】
【化２４】
2005123168.tif 000019
【００７１】
（式中、ＲE は水素原子または置換基を表す。ＸE は−Ｏ−、−Ｓ−、＝Ｎ−または＝Ｎ−Ｒａ（Ｒａは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）を表す。ＱEはＮおよびＸEと結合してヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。それぞれの基の説明は特開２００２−３１９４９１号公報記載の一般式（Ｉ）と同様である。
【００７２】
一般式（Ｅ１）で表される化合物の好ましい形態は、下記一般式（Ｅ２）または一般式（Ｅ−ＩＩＩ）である。
【００７３】
【化２５】
2005123168.tif 000020
【００７４】
式中、ＲE 、ＸE は一般式（Ｅ１）におけるそれらと同義である。ＺE は芳香族環を形成するに必要な原子群を表し、特開２００２−３１９４９１号公報記載の一般式（ＩＩ）記載のＺと同様である。
【００７５】
一般式（Ｅ２）で表される化合物のさらに好ましい形態は一般式（Ｅ−ＩＩ）であり、式中、ＺE 、ＸE 、Ｂは特開２００２−３１９４９１号公報記載の一般式（Ｂ−ＩＩ）記載のそれと同義であり、好ましい範囲も同様であり、特開２００２−３１９４９１号公報記載の一般式（Ｂ−ＩＩＩ）〜（Ｂ−Ｘ）で表される化合物である。
前記一般式（Ｅ−ＩＩ）および一般式（Ｈ−ＩＩ）におけるＢは連結基を表すが、Ｂで表される連結基として好ましくは、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、Ｇｅなどで形成される連結基である。Ｂとして好ましくは炭素原子、アルキレン、アルケニレン、アルキニレン、アリーレン、多価の芳香環（炭素原子のみからなる芳香環であってもヘテロ環であってもよく、ヘテロ環として好ましくアゾール、チオフェン、フラン環から形成される芳香族ヘテロ環などである。）およびＮとこれらの組合わせから成る基であり、更に好ましくはアリーレン、三価の芳香環およびＮとこれらの組み合わせから成る基であり、更に好ましくは三価の芳香環およびＮとこれらの組合わせから成る基であり、特に好ましくは、１，３，５−ベンゼントリイル基である。
【００７６】
【化２６】
2005123168.tif 000021
【００７７】
式中、ＲE31 、ＲE32 およびＲE33 は水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表し、特開２００２−３１９４９１号公報記載の一般式（Ｃ−ＩＩ）で表される化合物と同義であり、好ましい範囲も同様である。本発明で用いる一般式（Ｅ１）で表される化合物の具体例は、特開２００２−３１９４９１号公報記載の具体例（化合物番号２０５〜３０６、３６７〜３８１）を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
一般式（Ｅ−ＩＶ）
【００７８】
【化２７】
2005123168.tif 000022
【００７９】
式中、ＲA1、ＲA2およびＲA3はそれぞれ水素原子または脂肪族炭化水素基を表す。ＲA4、ＲA5およびＲA6は、それぞれ置換基を表す。ｎA1、ｎA2およびｎA3は、それぞれ０〜３の整数を表す。ＸA1、ＸA2およびＸA3は、それぞれ窒素原子またはＣ−ＲX （ＲX は水素原子または置換基を表す。）を表す。ＹA1、ＹA2およびＹA3は、それぞれ窒素原子またはＣ−ＲYX（ＲYXは水素原子または置換基を表す。）を表し、特開２００２−１００４７６号公報記載の一般式（Ａ）で表される化合物と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００８０】
次に、本発明の発光素子の構成作成方法について説明する。
本発明の発光素子の有機層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法などの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法、転写法が好ましい。
【００８１】
本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機層を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層を有し、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の適宜材料を用いることができる。
【００８２】
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００８３】
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げて、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【００８４】
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物または酸化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることもできる。例えば、アルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウムの積層構造が好ましい。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
【００８５】
陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
【００８６】
発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００８７】
発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、ＬＢ法、転写法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。
【００８８】
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、カーボン膜、本発明の化合物等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００８９】
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【００９０】
電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００９１】
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【００９２】
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、Ａｌ2Ｏ3 、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3 、Ｙ2Ｏ3 、ＴｉＯ2 等の金属酸化物、ＭｇＦ2 、ＬｉＦ、ＡｌＦ3 、ＣａＦ2 等の金属フッ化物、ＳｉＯxＮy 、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
【００９３】
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、
印刷法、転写法を適用できる。
【００９４】
本発明の発光素子は、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸ハ゜ターンを形成する）、基板・ＩＴＯ層・有機層の屈折率を制御する、基板・ＩＴＯ層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。
【００９５】
本発明の発光素子は、陰極側から発光を取り出す、いわゆる、トップエミッション方式であっても良い。
【００９６】
本発明の発光素子で用いられる基材は、特に限定されないが、ジルコニア安定化イットリウム、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルや、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、テフロン、ポリテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子量材料であっても良い。
【００９７】
本発明の有機電界発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。
【００９８】
[実施例]
以下に本発明の実施例について説明するが、本発明の実施の態様はこれらに限定されない。
【００９９】
（比較例）
発光層に２種以上のホスト材料と赤色燐光発光化合物を含有する素子として、特開２００２−３１３５８４号公報、特開２００２−３１３５８５号公報に、発光層ホストとしてＢＡｌｑとα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を混合し、発光材料としてＰｔＯＥＰ（Ｔ1＝４５Ｋｃａｌ／ｍｏｌ）を用いた素子が開示されている。そこで、以下の素子を作製した。洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを１０ｎｍ蒸着しその上にα−ＮＰＤを４０ｎｍ蒸着しホール輸送層を形成した。この上に、第一ホストとしてＮＰＤを、第二ホストとしてＢＡｌｑを、発光材料としてＰｔＯＥＰをそれぞれ０．４ｎｍ／秒、０．１ｎｍ／秒、０．０３ｎｍ／秒で膜厚が２０ｎｍになるように共蒸着し発光層を形成した。その上にＢＡｌｑを１０ｎｍ、さらにＡｌｑを４０ｎｍ蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でフッ化リチウムを５ｎｍ蒸着した後、アルミニウムを５００ｎｍを蒸着し、引き続き素子を封止しＥＬ素子を作製した（素子Ｎｏ−１０１、発光波長：６４８ｎｍ）。上記と同様の操作で発光材料をＩ−１に変更し、ＥＬ素子を作成した（素子Ｎｏ−１０２、発光波長：６２０ｎｍ）。
【実施例１】
【０１００】
上記比較例と同様の操作でα−ＮＰＤを蒸着した後、表１記載の第一ホスト、第二ホストおよび発光材料（Ｉ−１のＴ1：４９Ｋｃａｌ／ｍｏｌ）をそれぞれ０．４ｎｍ／秒、０．１ｎｍ／秒、０．０３ｎｍ／秒で膜厚が２０ｎｍになるように共蒸着し発光層を形成した。その上に表１記載の電子輸送材料を５０ｎｍ蒸着後、上記と同様に陰極を蒸着、封止し、ＥＬ素子を作成した（素子１０３〜１０７、素子１０３の発光波長：６２０ｎｍ）。
【０１０１】
【化２８】
2005123168.tif 000023
【０１０２】
次に以下のようにして各素子を評価した。
有機薄膜上に東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００を用いて、直流定電流をＥＬ素子に印加し、比較例および本発明の素子を発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８、発光波長を浜松ホトニクス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定し発光効率を求めた。その結果を表１に示す。
【０１０３】
【表１】
2005123168.tif 000024
【０１０４】
ホール輸送材料と共通のホストを含有する素子１０１、素子１０２に比較し、Ｉｐが大きいホストを用いた本発明の素子（素子１０３〜１０７）は良好な発光効率および耐久性を示す。さらに発光層中のホストがすべて非錯体とした素子（素子１０４−１０７）はさらに良好な発光効率を示し、特に２つ以上のヘテロ原子を１つの環に有するヘテロ環ホストを用いた素子（１０５−１０７）はさらに優れた発光効率を示す。また。本発明の発光素子は耐久性にも優れる。このように、本発明の素子は発光効率に優れ、特に青色純度に優れる発光、耐久性、エージング特性にも優れる三重項発光素子を実現する。さらに、本発明の素子は特開２００２−３１３５８４号公報、特開２００２−３１３５８５号公報の素子のように蒸着操作が煩雑ではなく、素子作製適性に優れる。