(57)【要約】【課題】  種々の密度で配置された同一サイズのコンタクトホールを簡易に形成する。【解決手段】  高密度で配置された第１のマスクパターンと、低密度で配置された第２のマスクパターンと、前記第２のマスクパターンの近辺に配置されたダミーパターンとを含み、前記第２のマスクパターンと前記ダミーパターンとで前記高密度と略同等のパターン密度を形成したフォトマスクを用いてレジスト膜を露光し、前記レジスト膜を現像処理してコンタクトホールパターンを形成し、前記コンタクトホールパターンの開口サイズを縮小し、前記ダミーパターンが形成されたフォトマスク領域に対応する第１の前記レジスト膜のリフロー開始温度を他の第２の前記レジスト膜よりも相対的に低下させ、前記第１のレジスト膜のみをリフローして、前記第１のレジスト膜中の前記ダミーコンタクトホールパターンを消滅させる。【選択図】  図５
2005123312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の密度で配置された第１のマスクパターンと、前記第１の密度よりも低い第２の密度で配置された、前記第１のマスクパターンと同一パターンを有する第２のマスクパターンと、前記第２のマスクパターンの近辺に配置された、前記第１のマスクパターンと同一パターンを有するダミーパターンとを含み、前記第２のマスクパターンと前記ダミーパターンとで前記第１の密度と略同等のパターン密度を形成したフォトマスクを用いて、半導体基板上に形成されたレジスト膜を露光し、
前記レジスト膜を現像処理して、前記第１及び第２のマスクパターンに対応したコンタクトホールパターンと、前記ダミーパターンに対応したダミーコンタクトホールパターンとを形成し、
前記コンタクトホールパターン及び前記ダミーコンタクトホールパターンの開口サイズを縮小し、
前記ダミーパターンが配置されたフォトマスク領域に対応する第１の前記レジスト膜のリフロー開始温度を、前記第１及び第２のマスクパターンが配置されたフォトマスク領域に対応する第２の前記レジスト膜のリフロー開始温度よりも相対的に低下させ、
前記第１のレジスト膜のリフロー開始温度以上且つ前記第２のレジスト膜のリフロー開始温度未満の温度で前記半導体基板を加熱処理することによって前記第１のレジスト膜をリフローして、前記第１のレジスト膜中の前記ダミーコンタクトホールパターンを消滅させる、
コンタクトホールの形成方法。
【請求項２】
前記半導体基板を加熱処理して前記レジスト膜をリフローすることにより前記開口サイズを縮小することを特徴とする請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項３】
加熱すると前記レジスト膜中の酸性分と架橋反応を起こす水溶性樹脂を前記半導体基板上に塗布し、その後、前記半導体基板を加熱処理することにより前記水溶性樹脂と前記酸性分との間に架橋反応を生じさせて前記レジスト膜の表面に膜を形成して前記開口サイズを縮小し、その後、不要な前記水溶性樹脂を除去することを特徴とする請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項４】
加熱すると収縮する水溶性樹脂を前記半導体基板上に塗布し、その後、前記半導体基板を熱処理することにより、前記水溶性樹脂の収縮力により前記レジスト膜を基板面に平行な方向に引き延ばして前記開口サイズを縮小し、その後、不要な前記水溶性樹脂を除去することを特徴とする請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項５】
前記第１及び第２のマスクパターン並びに前記ダミーパターンの集合は、同一のマスクパターンを所定のピッチで周期的に配置してなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のコンタクトホールの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造工程に用いて好適なコンタクトホールの形成方法に関し、特にレジスト膜によるコンタクトホールパターンの開口サイズを調整する工程を具備したコンタクトホールの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細化が進む半導体装置の製造においては、リソグラフィ工程においてレジストパターン形成の際に用いる露光光を短波長化すること以外に、最近、レジストパターン形成後にある種の処理を付加することによって当該パターンの寸法を調整することがしばしば行われる。例えば、微細なコンタクトホールを得るため、レジスト膜により形成されたコンタクトホールパターンのホール径（ホールサイズ）を縮小することがしばしば行われる。
【０００３】
具体例としてもっとも一般的なものに、コンタクトホールパターンの形成後に加熱処理を半導体基板に施すことによりレジスト膜に流動性をもたせてホールの内側にレジスト膜を多少流動させ、これにより開口径を小さくするリフロープロセスがある。
【０００４】
また、リラックスと呼ばれるプロセスもある。このプロセスでは、加熱するとレジスト中の酸成分と架橋反応をおこす水溶性樹脂をコンタクトホールパターン形成後に半導体基板上にスピン塗布する。その後加熱処理して、水溶性樹脂とレジスト膜中の酸との間で架橋反応を起こさせてレジスト膜の表面に膜を形成し、これにより開口径を縮小する。不要な水溶性樹脂膜はリンス液で除去する。
【０００５】
この他、加熱すると収縮する水溶性樹脂をコンタクトホールパターン形成後に半導体基板上にスピン塗布し、その後加熱して、水溶性樹脂が収縮する力によってレジスト膜を基板面に平行な方向に引き延ばして開口径を縮小させ、その後、水溶性樹脂膜をリンス液で除去するサファイアとよばれるプロセスがある。
【０００６】
以上のような各プロセスを用いることにより通常では形成できなかった微細なコンタクトホールを形成することが可能となる。
【特許文献１】特開２００３−８４４５９号公報
【特許文献２】特開平１０−７３９２７号公報
【非特許文献１】Evaluation of Process Based Resolution Enhancement Techniques to Extend 193nm Lithography (SPIE Vol. 5039-29(2003))
【非特許文献２】Advanced RELACS (Resolution Enhancement of Lithography by Assist of Chemical Shrink) Material for 193nm Lithography（SPIE Vol. 5039-93(2003)）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、フォトマスクのタイプの１つに、１つのコンタクトホールに対応して１つの開口パターンを有し、この開口パターンが密度高く配置された密部と、密度低く配置された粗部とが混在するものがある。このようなフォトマスクを用いてレジスト膜によるコンタクトホールパターンを形成する場合、従来においては、密度の高い部分と低い部分とで同一サイズ（同一開口径）のコンタクトホールパターンを得ることは困難であるという問題があった。これについて以下に詳しく説明する。
【０００８】
一般に、フォトマスクにおいてはパターン密度が粗になる程、フォーカスマージンは小さくなる。そこで、パターン密度が粗の部分においてフォーカスマージンを確保するため、粗部における開口パターンのサイズを密部よりも大きくすることが行われる。このように粗部における開口パターンのサイズを大きくした場合、当然ながら、コンタクトホールパターンのサイズも大きくなる。このため、上述のようにしてレジスト膜によるコンタクトホールパターンのホール径を縮小する際、粗部ではホール径の変動量を大きく、密部ではホール径の変動量を少なくして、最終的にそれぞれ同一のホール径とする必要がある。つまり、コンタクトホールパターンのホール径を調整するプロセスには、パターンの粗密によってホール径の変動量が異なることが要求される。
【０００９】
上述した各プロセスのうち、リラックスプロセス及びサファイアプロセスでは、パターンの粗密によってホール径の変動量が変わらないため、これらを用いることは実際上、困難である。つまり、これらリラックスプロセス及びサファイアプロセスでは、フォトマスクにおける密部と粗部とでフォーカスマージンが異なる問題を解決できない。
【００１０】
これに対し、リフロープロセスは、ホール径の変動量が密部より粗部の方が大きいという特徴を有する。従って、あらかじめパターンの粗密によるホール径の変動量の違いを加味してフォトマスクを作成することで、密度の高いコンタクトホールパターンと密度の低いコンタクトホールパターンとを同一サイズで形成することが可能となる。つまり、このリフロープロセスによれば、フォトマスクにおける密部と粗部とでフォーカスマージンが異なる問題を解決できる。
【００１１】
しかしながら、密部に比べて粗部では、ホール径の変動量が、加熱プロセスの精度に大きく影響を受けるという問題がある。これは、ホールサイズが粗部の方が密部よりも大きいことに起因する。また、レジスト条件（例えばレジストの材料やレジストの膜厚）や加熱条件等のプロセス条件を変更すると、ホール径の変動量が変化するため、開口パターンの粗密に応じたフォトマスクの修正が必要となる。
【００１２】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、種々の密度で配置された同一サイズのコンタクトホールを簡易に形成できるコンタクトホールの形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、第１の密度で配置された第１のマスクパターンと、前記第１の密度よりも低い第２の密度で配置された、前記第１のマスクパターンと同一パターンを有する第２のマスクパターンと、前記第２のマスクパターンの近辺に配置された、前記第１のマスクパターンと同一パターンを有するダミーパターンとを含み、前記第２のマスクパターンと前記ダミーパターンとで前記第１の密度と略同等のパターン密度を形成したフォトマスクを用いて、半導体基板上に形成されたレジスト膜を露光し、前記レジスト膜を現像処理して、前記第１及び第２のマスクパターンに対応したコンタクトホールパターンと、前記ダミーパターンに対応したダミーコンタクトホールパターンとを形成し、前記コンタクトホールパターン及び前記ダミーコンタクトホールパターンの開口サイズを縮小し、前記ダミーパターンが配置されたフォトマスク領域に対応する第１の前記レジスト膜のリフロー開始温度を、前記第１及び第２のマスクパターンが配置されたフォトマスク領域に対応する第２の前記レジスト膜のリフロー開始温度よりも相対的に低下させ、前記第１のレジスト膜のリフロー開始温度以上且つ前記第２のレジスト膜のリフロー開始温度未満の温度で前記半導体基板を加熱処理することによって前記第１のレジスト膜をリフローして、前記第１のレジスト膜中の前記ダミーコンタクトホールパターンを消滅させるものとして構成される。
【発明の効果】
【００１４】
低密度で配置されたマスクパターンと、このマスクパターンの周辺に配置したダミーパターンとの間で、高密度で配置されたマスクパターンと略同一の配置ピッチを形成するフォトマスクを用いてコンタクトホールパターンを形成し、ダミーパターンによって形成されたコンタクトホールパターンを最終的に消滅させるようにしたので、高密度及び低密度で配置された同一サイズのコンタクトホールを容易に形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。
【００１６】
まず、本発明の実施の形態において使用する２つのフォトマスクＸ、Ｙの平面図を図５（ａ）及び（ｂ）に示す。
【００１７】
図５（ａ）に示すように、フォトマスクＸは、直径Ｌ１を有する円形の平面形状を有するマスクパターン２がピッチＰ１で格子状に配置されたものとして構成されている。直径径Ｌ１は例えば２００ｎｍであり、ピッチＰ１は例えば３００ｎｍである。図中点線１ａ〜１ｃで囲まれた部分が最終的に形成するコンタクトホールに対応したパターンを示し、それ以外の部分はダミーパターンを示す。より詳しくは、点線１ａは、高密度で配置されたマスクパターンを示し、点線１ｂ、１ｃは、低密度で配置されたマスクパターンを示す。
【００１８】
一方、図５（ｂ）に示すように、フォトマスクＹは、フォトマスクＸの点線１ａ〜１ｃの部分に対応した開口パターン３ａ〜３ｃと、それ以外の遮光パターン４とを有する。
【００１９】
本実施の形態では、これら２つのフォトマスクＸ、Ｙを用いて、高密度で配置されたコンタクトホールパターンと低密度で配置されたコンタクトホールパターンとを同一レジスト層に同一開口径で形成する。
【００２０】
図１（ａ）は、本発明の実施の形態に従ったコンタクトホールの形成工程におけるパターン形成工程（露光及び現像工程）を説明する平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ’線における断面図である。
【００２１】
図２（ａ）及び（ｂ）は、図１のパターン形成工程に続く寸法調整工程（リフロー工程）を説明する平面図及び断面図である。
【００２２】
図３（ａ）及び（ｂ）は、図２の寸法調整工程に続くパターン選択工程（紫外線露光工程）を説明する平面図及び断面図である。
【００２３】
図４（ａ）及び（ｂ）は、図３のパターン選択工程に続くダミーパターン消去工程（加熱工程）を説明する平面図及び断面図である。
【００２４】
まず、図１（ｂ）に示すように、塗布型反射防止膜を形成した半導体基板１１上にＫｒＦポジ型のレジスト膜１２を例えば０．４μｍの厚さで形成する。
【００２５】
次に、現像後のホール径Ｗ１が１５０ｎｍになるように、ステッパのドーズ量を調整した状態で、フォトマスクＸ（図５（ａ）参照）を用いてパターンをレジスト膜１２に転写する。
【００２６】
具体的には、ドーズ量（露光量）を、例えば２０ｍＪ/cm2とする。この際、高いフォーカスマージンを確保するため、変形照明、例えば輪帯照明や４つ目照明などを用いて露光することが好ましい。
【００２７】
従来では、フォトマスク上にマスクパターンの粗密が存在したため、周期的なマスクパターンのフォーカスマージンのみを向上させる変形照明を使うことは難しかったが、本実施の形態におけるマスクパターンは周期的であるため、上述の変形照明を用いることでフォーカスマージンを向上させることができる。
【００２８】
次に、濃度２．４％ｗｔのＴＭＡＨ(水酸化テトラメチルアンモニウム)水溶液に露光後の半導体基板を３０秒間浸漬することによりレジスト膜１２を現像する。これにより、図１（ａ）に示すような、ピッチＱ１で周期的に配置された、開口径Ｗ１のコンタクトホールパターンＨを得る。
【００２９】
次に、図２（ｂ）に示すように、例えば１６０℃に設定された枚様式ベーキング装置において９０秒間半導体基板を加熱することにより、レジスト膜１２をリフローする。これにより、上述のホール径Ｗ１（１５０ｎｍ）をホール径Ｗ２（１００ｎｍ）に縮小する。
【００３０】
ここで、図６に、現像工程後におけるコンタクトホールパターンＨの配置ピッチ（レジスト膜の残し幅）Ｑ１（図１（ａ）参照）と、リフロープロセスによるフロー量（現像後のホール径Ｗ１−リフロー後のホール径Ｗ２）との関係を示すグラフを示す。このグラフは、本発明者による独自の実験の結果に基づき作成したものである。
【００３１】
図６から分かるように、例えば、現像工程後におけるコンタクトホールパターンＨの配置ピッチ（レジスト膜の残し幅）Ｑ１が２００ｎｍの場合、フロー量は約２５ｎｍである。従って、フロー後のホール径Ｗ２を例えば１００ｎｍにしたい場合は、上述のプロセス条件の下、現像工程後におけるホール径Ｗ１を直径１２５（＝２５＋１００）ｎｍとすれば良いことが分かる。
【００３２】
ここではリフロープロセスを用いてホール径を縮小したが、この他、例えば、リラックス（ＲＥＬＡＣＳ）プロセスやサファイア（ＳＡＦＩＲＥ）プロセスを用いてもよい。以下、これらリラックスプロセス及びサファイアプロセスについて図７及び図８を用いて説明する。
【００３３】
図７（ａ）〜（ｄ）は、リラックスプロセスを説明するための工程断面図である。
【００３４】
リラックスプロセスでは、図７（ａ）に示す現像工程後の半導体基板（図１（ｂ）に示すものと同じ）に対して、図７（ｂ）に示すように、加熱するとレジスト膜１２中の酸性分と架橋反応を起こす水溶性樹脂１３を、例えばスピン塗布法を用いて塗布する。次に、図７（ｃ）に示すように、半導体基板を加熱処理して、水溶性樹脂１３とレジスト膜１２中の酸性分とを架橋反応させることにより膜１３’を形成する。この後、図７（ｄ）に示すように、不要な水溶性樹脂１３を除去する。これにより、ホール径がＷ１からＷ２に狭められたコンタクトホールパターンを得る。
【００３５】
図８（ａ）〜（ｄ）は、サファイアプロセスを説明するための工程断面図である。
【００３６】
サファイアプロセスでは、図８（ａ）に示す現像工程後の半導体基板に対して、図８（ｂ）に示すように、加熱すると収縮する水溶性樹脂１４を、例えばスピン塗布法を用いて塗布する。次に、半導体基板を熱処理して、図８（ｂ）中の矢印に示すように、水溶性樹脂１４の収縮力を利用してレジスト膜１２を基板面に平行な方向に引き延ばし、図８（ｃ）に示す状態とする。この後、図８（ｄ）に示すように、不要な水溶性樹脂膜１４を除去する。これにより、ホール径がＷ１からＷ２に狭められたコンタクトホールパターンを得る。
【００３７】
次に、図３（ｂ）に示すように、図５（ｂ）のフォトマスクＹを用いて、リフロープロセス後のレジスト膜１２に対して１２０ｍＪ/cm2の露光量でパターンを転写（紫外線露光又は電子線露光）してレジスト膜１２’とする。このレジスト膜１２’は、パターンが転写されていないレジスト膜１２よりもリフロー開始温度が高くなる。
【００３８】
即ち、フォトマスクＹの開口部３ａ〜３ｃを介して十分な光が照射された領域Ｒ１〜Ｒ３（図３（ａ）参照）のレジスト膜１２’は、露光によってレジスト膜中の樹脂が高分子化するため、光が照射されていないレジスト膜１２に比べてリフロー開始温度が高くなる。
【００３９】
次に、図４（ｂ）に示すように、例えば１６５℃に設定された枚葉式ベーキング装置で半導体基板を９０秒、加熱する。
【００４０】
フォトマスクＹの開口部３ａ〜３ｃによって光を照射されたレジスト膜１２’のリフロー開始温度は、この加熱温度に比べて十分高い為、レジスト膜１２’は流動化せず、従って、レジスト膜１２’中に形成されたコンタクトホールパターンのホール径は変動しない。即ち、各領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３（図４（ａ）参照）において同一径のコンタクトホールパターンＨが得られる。
【００４１】
一方、フォトマスクＹの遮光部４によって上述の露光時に光が照射されなかったレジスト膜１２のリフロー開始温度は、上述の加熱温度よりも十分に低いため、レジスト膜１２は十分に流動化され、この結果、レジスト膜１２中のコンタクトホールパターン（ダミーパターン）は消滅する。
【００４２】
この後、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜１２’を用いて半導体基板１１を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等することにより半導体基板１１中にコンタクトホール（図示せず）を形成する。
【００４３】
上述した本実施の形態では、点線１ａ〜１ｃで囲まれた各マスクパターン領域間にダミーパターンを配置して格子状にパターンが配置されるようにしたが（図５（ａ）参照）、ダミーパターンは必要な領域にのみ配置するようにしてもよい。例えば、点線１ｂ、１ｃで囲まれた領域の周辺部分にのみダミーパターンを配置し、このダミーパターンと点線１ｂ、１ｃ内のマスクパターンとの間で、点線１ａ内の高密度の配置ピッチと略同一の配置ピッチを形成するようにしてもよい。
【００４４】
また、本実施の形態では、マスクパターン（点線１ａ〜１ｃで囲まれたもの）とダミーパターンとをフォトマスクに対し格子状に配置したが、最密充填配置方式（３つのパターンが正三角形を構成する配置を敷き詰めた配置）により配置してもよい。
【００４５】
また、本実施の形態では、マスクパターン（点線１ａ〜１ｃで囲まれたもの）とダミーパターンとをそれぞれ平面的に円形としたが本発明はこれに限定されない。
【００４６】
以上のように、本実施の形態によれば、低密度で配置されたマスクパターンと、このマスクパターンの周辺に配置したダミーパターンとの間で、高密度で配置されたマスクパターンと略同一の配置ピッチを形成するフォトマスクを用いてコンタクトホールパターンを形成し、ダミーパターンによって形成されたコンタクトホールパターンを最終的に消滅させるようにしたので、高密度及び低密度で配置された同一サイズのコンタクトホールを容易に形成できる。
【００４７】
また、本実施の形態によれば、同一サイズのマスクパターンを同一ピッチで配置したフォトマスクを用いるようにしたので、従来のように、マスクパターンの粗密によるフォーカスマージンの違いを考慮したフォトマスクの修正を行う必要はない。つまり、フォーカスマージンの確保が容易になる。
【００４８】
また、本実施の形態によれば、従来のように低密度部におけるマスクパターンのサイズを大きくする必要はない。従って、従来存在した、寸法調整工程において加熱処理の精度によりフロー量が大きく変動する問題を回避できる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施の形態に従ったコンタクトホールの形成工程において露光及び現像する様子を示す図である。
【図２】ホール径の寸法を調整する様子を示す図である。
【図３】残すべきコンタクトホールパターンを選択する様子を示す図である。
【図４】ダミーパターンを消去する様子を示す図である。
【図５】本実施の形態において用いる２つのフォトマスクを示す平面図である。
【図６】現像工程後におけるホールの配置ピッチと、フロー量との関係を示すグラフである。
【図７】リラックスプロセスを説明する工程断面図である。
【図８】サファイアプロセスを説明する工程断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１ａ〜１ｃ  点線
２  マスクパターン
３ａ〜３ｃ  開口部
４  遮光部
１１  半導体基板
１２、１２’レジスト膜
Ｌ１  直径
Ｗ１、Ｗ２  ホール径（ホールサイズ）
Ｐ１、Ｑ１  配置ピッチ
Ｈ  コンタクトホールパターン
Ｘ、Ｙ  フォトマスク
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３  領域
【図１】
2005123312.tif 000003
【図２】
2005123312.tif 000004
【図３】
2005123312.tif 000005
【図４】
2005123312.tif 000006
【図５】
2005123312.tif 000007
【図６】
2005123312.tif 000008
【図７】
2005123312.tif 000009
【図８】
2005123312.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月1日(2004.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の間隔で２次元状にマスクパターンが配置された第１のフォトマスクを用いて半導体基板上に形成されたレジスト膜を露光し、
前記レジスト膜を現像処理して前記マスクパターンに対応したコンタクトホールパターンを前記レジスト膜に形成し、
前記レジスト膜に形成された前記コンタクトホールパターンの開口サイズを縮小し、
所定のパターンが形成された第２のフォトマスクを用いて前記レジスト膜を露光することにより、前記所定のパターンに対応する前記レジスト膜の部分としての第１レジスト膜のリフロー開始温度を、前記第１レジスト膜以外の第２レジスト膜におけるリフロー開始温度よりも相対的に高くし、
前記第２レジスト膜のリフロー開始温度以上且つ前記第１レジスト膜のリフロー開始温度未満で前記半導体基板を加熱処理することにより前記第２レジスト膜をリフローして、前記第２レジスト膜に形成された前記コンタクトホールパターンを消滅させる、
コンタクトホールの形成方法。
【請求項２】
前記コンタクトホールパターンを消滅させた後、前記第１レジスト膜を用いて前記半導体基板をエッチングすることにより前記半導体基板にコンタクトホールを形成することを特徴とする請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項３】
前記コンタクトホールパターンを形成した後、加熱処理により前記レジスト膜をリフローすることにより、前記コンタクトホールパターンの開口サイズを縮小することを特徴とする請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項４】
加熱するとレジスト膜中の酸性分と架橋反応を起こす水溶性樹脂を前記半導体基板上に塗布し、
前記半導体基板を加熱処理することにより前記架橋反応に基づく膜を前記レジスト膜の表面に形成し、
その後、前記架橋反応を起こさなかった不要な前記水溶性樹脂を除去する、
ことにより前記コンタクトホールパターンの開口サイズを縮小することを特徴とする請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項５】
加熱すると収縮する水溶性樹脂を前記半導体基板上に塗布し、
前記半導体基板を熱処理することにより、前記水溶性樹脂の収縮力により前記レジスト膜を基板面に平行な方向に引き延ばし、
その後、前記水溶性樹脂を除去する、
ことにより前記コンタクトホールパターンの開口サイズを縮小することを特徴とする請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項６】
前記第１のフォトマスクとして、前記マスクパターンが第１の方向及び前記第１の方向に垂直な第２の方向にそれぞれ前記所定の間隔で配置されたものを用いることを特徴とする請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項７】
半導体基板上にレジスト膜を形成し、
所定の間隔で２次元状にマスクパターンが配置された第１のフォトマスクを用いて前記レジスト膜を露光し、
前記レジスト膜を現像処理して前記マスクパターンに対応したコンタクトホールパターンを前記レジスト膜に形成し、
前記レジスト膜に形成された前記コンタクトホールパターンの開口サイズを縮小し、
所定のパターンが形成された第２のフォトマスクを用いて前記レジスト膜を露光することにより、前記所定のパターンに対応する前記レジスト膜の部分としての第１レジスト膜のリフロー開始温度を、前記第１レジスト膜以外の第２レジスト膜におけるリフロー開始温度よりも相対的に高くし、
前記第２レジスト膜のリフロー開始温度以上且つ前記第１レジスト膜のリフロー開始温度未満で前記半導体基板を加熱処理することにより前記第２レジスト膜をリフローして、前記第２レジスト膜に形成された前記コンタクトホールパターンを消滅させ、
前記第１レジスト膜を用いて前記半導体基板をエッチングすることにより前記半導体基板にコンタクトホールを形成する、
半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の一態様としてのコンタクトホールの形成方法は、所定の間隔で２次元状にマスクパターンが配置された第１のフォトマスクを用いて半導体基板上に形成されたレジスト膜を露光し、前記レジスト膜を現像処理して前記マスクパターンに対応したコンタクトホールパターンを前記レジスト膜に形成し、前記レジスト膜に形成された前記コンタクトホールパターンの開口サイズを縮小し、所定のパターンが形成された第２のフォトマスクを用いて前記レジスト膜を露光することにより、前記所定のパターンに対応する前記レジスト膜の部分としての第１レジスト膜のリフロー開始温度を、前記第１レジスト膜以外の第２レジスト膜におけるリフロー開始温度よりも相対的に高くし、前記第２レジスト膜のリフロー開始温度以上且つ前記第１レジスト膜のリフロー開始温度未満で前記半導体基板を加熱処理することにより前記第２レジスト膜をリフローして、前記第２レジスト膜に形成された前記コンタクトホールパターンを消滅させることを特徴とする。
本発明の一態様としての半導体装置の製造方法は、半導体基板上にレジスト膜を形成し、所定の間隔で２次元状にマスクパターンが配置された第１のフォトマスクを用いて前記レジスト膜を露光し、前記レジスト膜を現像処理して前記マスクパターンに対応したコンタクトホールパターンを前記レジスト膜に形成し、前記レジスト膜に形成された前記コンタクトホールパターンの開口サイズを縮小し、所定のパターンが形成された第２のフォトマスクを用いて前記レジスト膜を露光することにより、前記所定のパターンに対応する前記レジスト膜の部分としての第１レジスト膜のリフロー開始温度を、前記第１レジスト膜以外の第２レジスト膜におけるリフロー開始温度よりも相対的に高くし、前記第２レジスト膜のリフロー開始温度以上且つ前記第１レジスト膜のリフロー開始温度未満で前記半導体基板を加熱処理することにより前記第２レジスト膜をリフローして、前記第２レジスト膜に形成された前記コンタクトホールパターンを消滅させ、前記第１レジスト膜を用いて前記半導体基板をエッチングすることにより前記半導体基板にコンタクトホールを形成することを特徴とする。