(57)【要約】【課題】  コストを掛けずに短時間で正確にレーザアニール装置の状態を測定し、最良のパラメータを設定できるレーザアニール装置の状態測定方法を提供すること。【解決手段】  レーザアニール装置の動作状態を設定するパラメータを複数種類記憶部に一括して記憶して、このパラメータに基づきレーザアニール装置の動作状態を順次複数の動作状態に設定しながら、一枚の被処理物上に前記複数の動作状態に対応する複数のレーザアニール処理を実施する。一枚の被処理物上には、複数の動作状態に対応する複数のレーザアニール処理が並べて実施される。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ−Ｙテーブル上の被処理物に対してレーザアニール処理するレーザアニール装置と、
このレーザアニール装置の動作状態を複数の動作状態に設定する複数のパラメータを一括して記憶する記憶部と、
この記憶部に記憶された複数のパラメータに基づいて前記レーザアニール装置の動作状態を複数の動作状態に順次制御する制御手段とを具備し、
前記記憶部に記憶された複数のパラメータに基づいて前記レーザアニール装置の動作状態を複数の動作状態に順次設定しながら、前記Ｘ−Ｙテーブル上の一枚の被処理物に対して、前記複数の動作状態に対応する複数のレーザアニール処理を実施することを特徴とするレーザアニール装置の状態測定方法。
【請求項２】
前記レーザアニール装置は、焦点位置およびレーザ出力のうち少なくとも一つを変えて複数の動作状態に順次設定されることを特徴とする請求項１に記載のレーザアニール装置の状態測定方法。
【請求項３】
前記一枚の被処理物上には、前記複数の動作状態に対応する複数のレーザアニール処理が並べて実施されることを特徴とする請求項１または２に記載のレーザアニール装置の状態測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザアニール装置の状態測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば低温ポリシリコンフラットパネルディスプレイの製造工程においては、ポリシリコン生成のためにレーザアニール処理が行われている。その際、基板処理の前に、レーザアニール装置の状態を検査し、最良のパラメータを設定する必要があることから、光学系を微調整しつつ複数枚の基板に試し照射し、アニール装置の状態、レーザ発振器の状態を把握している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、従来は、上記のように、光学系を微調整しつつ複数枚の基板に試し照射してレーザアニール装置の状態を測定するから、時間が掛かる上、複数枚の基板消費から高コストになる問題点があった。また、微調整毎に次々基板を代えてレーザ照射すると、前処理（例えば洗浄処理）からレーザ照射までの時間差によって複数の基板に変化が生じているので、その基板変化が照射結果に影響を与えかねない懸念があり、正確な測定ができない場合があった。
【０００４】
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、コストを掛けずに短時間で正確にレーザアニール装置の状態を測定し、最良のパラメータを設定できるレーザアニール装置の状態測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のレーザアニール装置の状態測定方法は、Ｘ−Ｙテーブル上の被処理物に対してレーザアニール処理するレーザアニール装置と、このレーザアニール装置の動作状態を複数の動作状態に設定する複数のパラメータを一括して記憶する記憶部と、この記憶部に記憶された複数のパラメータに基づいて前記レーザアニール装置の動作状態を複数の動作状態に順次制御する制御手段とを具備し、前記記憶部に記憶された複数のパラメータに基づいて前記レーザアニール装置の動作状態を複数の動作状態に順次設定しながら、前記Ｘ−Ｙテーブル上の一枚の被処理物に対して、前記複数の動作状態に対応する複数のレーザアニール処理を実施することを特徴とする。
【０００６】
前記レーザアニール装置は、具体的には、焦点位置およびレーザ出力のうち少なくとも一つを変えて複数の動作状態に順次設定される。また、前記一枚の被処理物上には、前記複数の動作状態に対応する複数のレーザアニール処理が並べて実施されることが好ましい。
【発明の効果】
【０００７】
上記のような本発明のレーザアニール装置の状態測定方法によれば、レーザアニール装置の動作状態を設定するパラメータを複数種類記憶部に一括して記憶して、このパラメータに基づきレーザアニール装置の動作状態を順次複数の動作状態に自動的に設定しながら、一枚の被処理物上に前記複数の動作状態に対応する複数のレーザアニール処理を実施するようにしたから、コストを掛けずに短時間でレーザアニール装置の状態を測定できる。また、一枚の被処理物上に、上記のように短時間で複数のレーザアニール処理を実施できるので、被処理物の変化が処理結果に影響を与えることがなく、正確にレーザアニール装置の状態を測定できる。さらに、一枚の被処理物上に、複数の動作状態に対応する複数のレーザアニール処理を並べて実施すれば、処理結果の比較検討ならびに装置の状態の測定が容易で、最良のパラメータの特定が容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
次に添付図面を参照して本発明によるレーザアニール装置の状態測定方法の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の実施の形態を説明するための装置の構成図である。この装置は、記憶、制御を行うオペレーション機器１０と、Ｘ−Ｙテーブル２７上の被処理物である基板４０に対してレーザアニール処理を施すレーザアニール装置２０と、このレーザアニール装置２０とオペレーション機器１０とを接続するシステムインタフェース３０とからなる。
【０００９】
レーザアニール装置２０は、レーザを発振し、オペレーション機器１０からシステムインタフェース３０を介して供給されるシャッタオン、オフ信号によりレーザの出力、遮断が制御されるレーザ発振器２１と、このレーザ発振器２１から出力されたレーザの出力レベルを調整するレーザアッテネータ２２と、このレーザアッテネータ２２をオペレーション機器１０からのアッテネータ制御信号ｂにより制御するコントローラ２３と、前記レーザアッテネータ２２出力のレーザが反射鏡２４を介して入射され、Ｘ−Ｙテーブル２７上の基板４０に対してレーザの焦点を結ばせるフォーカスレンズ２５と、オペレーション機器１０からのフォーカス制御信号ａにより前記フォーカスレンズ２５を制御して、基板４０上のレーザの焦点位置を制御するフォーカスシステム２６と、前記Ｘ−Ｙテーブル２７を有するＸ−Ｙテーブルシステム２８とからなる。Ｘ−Ｙテーブルシステム２８は、サーボシステムで構成され、駆動源としてのサーボモータ、Ｘ−Ｙテーブル移動機構および制御機構を有し、前記オペレーション機器１０から位置指令（Ｘ，Ｙ座標データｘ，ｙ）、開始指令、移動速度情報などを受信し、かつテーブル２７の位置情報を前記オペレーション機器１０に送出する。
【００１０】
前記オペレーション機器１０には、レーザアニール装置２０の動作状態を設定するパラメータが記憶される。しかも、前記オペレーション機器１０においては、レーザアニール装置２０の複数の動作状態に対応して複数のパラメータが一括して記憶される。図１では、符号１１の枠内に示すように、ｎ種類の動作状態に対応してｎ種類のパラメータが一括して記憶される。
【００１１】
レーザアニール装置２０は、Ｘ−Ｙテーブル２７上の基板４０に照射されるレーザ出力および基板４０上のレーザの焦点位置の少なくとも一つを変化させて複数の動作状態に設定される。したがって、オペレーション機器１０には、レーザ出力を制御するアッテネータ制御信号ｂに対応するアッテネータパラメータｂおよび焦点位置を制御するフォーカス制御信号ａに対応するフォーカスパラメータａのうち少なくとも一つを変化させて、ｎ種類の動作状態に対応するｎ種類のパラメータが記憶される。図１の枠１１内においては、ｎ種類のパラメータで、フォーカスパラメータａおよびアッテネータパラメータｂのうち少なくとも一つがａ１，ａ２，ａ３，ｂ１，ｂ２，ｂ３というように異なる値になっている。
【００１２】
また、ｎ種類のパラメータに対応するｎ種類の動作状態で合計ｎ回のレーザアニール処理を基板に対して行った際、一枚の基板４０上にｎ回のレーザアニール処理が並んで実施されるように、Ｘ，Ｙ座標パラメータｘ，ｙ（Ｘ，Ｙ座標データｘ，ｙに対応し、基板４０のＸ−Ｙ位置を指示する）を変えてｎ種類のパラメータがオペレーション機器１０に記憶される。例えば図１の左下部分にＸ−Ｙテーブル２７および基板４０の平面図を示すように、各動作状態でＸ方向（横方向）に帯状にレーザアニール処理が行われるとすると、ｎ回のレーザアニール処理がＹ方向（縦方向）に並ぶように、枠１１内のｎ種類のパラメータで、Ｙ座標パラメータｙをｙ１，ｙ２，ｙ３…ｙｎというように変える。
【００１３】
以上のような装置においては、オペレーション機器１０に記憶されたパラメータに基づいてレーザアニール装置２０の動作状態が設定され、その動作状態でＸ−Ｙテーブル２７上の基板４０に対してレーザアニール処理が行われるが、オペレーション機器１０に複数のパラメータが一括して記憶されているので、その複数のパラメータに基づいてレーザアニール装置２０が順次複数の動作状態に設定されながら、Ｘ−Ｙテーブル２７上の一枚の基板４０に対して、複数の動作状態に対応する複数のレーザアニール処理が自動的に連続的に繰り返し実施される。しかも、複数の動作状態に対応する複数のレーザアニール処理は、一枚の基板４０上に並んで実施される。
【００１４】
そして、そのレーザアニール処理結果からレーザアニール装置２０の状態を測定でき、最良のパラメータを選択できるが、上記の方法によれば、オペレーション機器１０に記憶された複数のパラメータに基づいて、レーザアニール装置２０の複数の動作状態における複数のレーザアニール処理が自動的に連続的に一枚の基板４０上に繰り返し実施されるから、短時間で装置の判断、ひいては最良のパラメータの選択を行うことができるようになり、かつ基板消費も一枚であるからコストが掛からなくなる。さらに、一枚の基板４０上に、上記のように短時間で複数のレーザアニール処理が実施されるので、基板４０の変化が処理結果に影響を与えることがなく、正確にレーザアニール装置２０の状態を測定できる。さらに、一枚の基板４０上に、複数の動作状態に対応する複数のレーザアニール処理が並べて実施されるので、処理結果の比較検討ならびに装置の状態の測定が容易で、最良のパラメータの特定が容易になる。
【００１５】
なお、本発明の方法は、上記の実施の形態に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変形、変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態を説明するための装置の構成図。
【符号の説明】
【００１７】
１０    オペレーション機器
２０    レーザアニール装置
２１    レーザ発振器
２２    レーザアッテネータ
２３    コントローラ
２４    反射鏡
２５    フォーカスレンズ
２６    フォーカスシステム
２７    Ｘ−Ｙテーブル
２８    Ｘ−Ｙテーブルシステム
３０    システムインタフェイス
４０    基板
【図１】
2005142506.tif 000003