(57)【要約】【課題】  抵抗体を被覆するオーバーコートガラスを有するセラミック配線基板において、めっき層がオーバーコートガラス近傍で欠ける現象があり、この部分がマイグレーション、腐蝕の原因となっていた。【解決手段】  セラミック配線基板は、セラミック配線基板５の主面に形成された導体層３と、導体層３上に被着されためっき層４と、導体層３に接続されている抵抗体２と、抵抗体２および抵抗体２に接続されている導体層３の端部を被覆するオーバーコートガラス１とを具備し、オーバーコートガラス１は、Ｓｉ，Ｚｎ，Ｂを含有するとともに導体層３の端部を被覆する部位がさらにＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄを含有しており、めっき層４は、導体層３のオーバーコートガラス１によって被覆される端部の表面に被着されている。【選択図】  図１
2005268515.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層が積層されて成るとともに前記絶縁層の層間に内層導体層が形成された絶縁基板と、該絶縁基板の主面に形成された導体層と、該導体層上に無電解めっき法によって被着されためっき層と、前記導体層に接続されている抵抗体と、該抵抗体およびそれに接続されている前記導体層の端部を被覆するオーバーコートガラスとを具備しているセラミック配線基板において、前記オーバーコートガラスは、Ｓｉ，Ｚｎ，Ｂを含有するとともに前記導体層の端部を被覆する部位がさらにＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄのうちのいずれか１種以上の金属を含有しており、前記めっき層は、前記導体層の前記オーバーコートガラスによって被覆される端部の表面に被着されていることを特徴とするセラミック配線基板。
【請求項２】
請求項１記載のセラミック配線基板の製造方法であって、前記導体層はＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄのうちのいずれか１種以上の金属から成り、前記絶縁基板を５５０乃至７５０℃に加熱することによって、前記導体層から前記オーバーコートガラスの前記導体層の端部を被覆する部位に対して、前記導体層を成す金属を拡散させる工程を有することを特徴とするセラミック配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載のセラミック配線基板の製造方法であって、前記導体層の前記オーバーコートガラスによって被覆される端部に、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄのうちのいずれか１種以上の金属を含有する前記オーバーコートガラスを印刷塗布する工程を有することを特徴とするセラミック配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体集積回路素子やチップ部品等を搭載し、それらを相互配線するためのセラミック配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体集積回路素子やチップ部品等は小型化、軽量化が進んでおり、これらを実装する配線基板も小型化、軽量化が望まれている。このような要求に対して、基板内に内部電極等を配したセラミック配線基板は、高密度配線が可能であり、かつ薄型化が可能なことから、今日のエレクトロニクス業界において重要視されている。
【０００３】
このようなセラミック配線基板としては、例えばアルミナ質焼結体から成り、表面または内部にＷ，Ｍｏ等の高融点金属から成る導体層が形成されたものが従来から広く用いられている。
【０００４】
これらのセラミック配線基板には、一般に、回路形成のためにコンデンサ、インダクタ、抵抗体等の機能部品が、表面および内部の少なくとも一方にチップ搭載法，厚膜法，薄膜法等によって形成されている。そして、これらの機能部品のうち抵抗体をセラミック配線基板の表面に厚膜印刷法によって形成する場合、焼成したセラミック配線基板の上面および下面の少なくとも一方に抵抗体ペーストを印刷し、再度焼成することで形成する、いわゆるポストファイア（ｐｏｓｔ−ｆｉｒｅ）法を用いることが一般的である。
【０００５】
また、抵抗体は既に形成されている導体層の所定のパターンと導通するように位置を合わせて形成される。導通のためには抵抗体と導体層は一部重なるようにパターンを設計しなければならない。
【０００６】
さらに、各抵抗体の抵抗値はトリミングにより調整される。これは、予め所定の抵抗値よりも低くなるよう形成されたそれぞれの抵抗体を、レーザにより幅や長さ方向にカットすることで抵抗値を所定の値まで増加させることで調整される
一方、一般的にはポストファイア法で焼成した抵抗体の表面には、保護層としてオーバーコートガラスが形成される。これは、抵抗体のパターンを完全に被覆する形でオーバーコートガラスペーストを印刷し、焼成することで形成される。オーバーコートガラスの焼成は抵抗体の焼成より低い温度で行なわれ、一般的には６００℃前後である。したがって、セラミック配線基板の焼成後に、抵抗体の焼成、オーバーコートガラスの焼成の２回の焼成が行なわれることとなる。
【０００７】
その後、導体層に対してめっきを施す。これは主として導体層の保護と、導体層と半導体集積回路素子やチップ部品などとを電気的に接続するためのワイヤボンディングを良好に実施するためであり、無電解めっき法によってＮｉ，Ａｕ等のめっき層を形成するのが一般的である。
【０００８】
最後に、各抵抗体の抵抗値はトリミングにより調整される。これは、予め所定の抵抗値よりも低くなるよう形成されたそれぞれの抵抗体を、レーザにより幅や長さ方向にカットすることで抵抗値を所定の値まで増加させることでなされる。
【特許文献１】特開平２−９１９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このような従来のセラミック配線基板では、オーバーコートガラスは抵抗体を完全に被覆する必要があるので、抵抗体と接続されている導体層の端部をも被覆している。このとき、オーバーコートガラスと成るガラスペーストからのブリードやオーバーコートガラス焼成時のガラス溶出などによって、導体層の端部表面にめっき層の被着形成を阻害する成分が付着すると、その部位にはめっき層が形成されずに導体層が露出することとなるため、このめっき層の欠陥が原因となってマイグレーションや腐蝕が生じるという問題点があった。
【００１０】
このような問題点を解決するために、オーバーコートガラス焼成後のめっき工程において、酸やアルカリの処理液によってめっき層の被着形成を阻害する成分を除去することが考えられるが、これらの処理液によって導体層の端部以外のオーバーコートガラスが溶出や欠けの発生などの損傷を受けたりするという問題点があった。
【００１１】
また、導体層の端部とオーバーコートガラスとの境界は、オーバーコートガラスの表面は無電解めっき法における触媒金属の付与が行なわれないため、めっき層が導体層を保護するために必要な厚みに形成されなかったり緻密なめっき層が得られずに、マイグレーションや腐蝕が発生する原因となりやすいという問題点もあった。
【００１２】
本発明は、以上の従来技術の問題点を解決するために完成されたものであり、その目的は、オーバーコートガラスからのブリードやオーバーコートガラス焼成時のガラス溶出や、めっき層の形成が不十分になることによって、導体層の端部およびその端部とオーバーコートガラスとの境界において発生するマイグレーションや腐食を防止し、耐マイグレーション性、耐腐食性に優れたセラミック配線基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のセラミック配線基板は、複数の絶縁層が積層されて成るとともに前記絶縁層の層間に内層導体層が形成された絶縁基板と、該絶縁基板の主面に形成された導体層と、該導体層上に無電解めっき法によって被着されためっき層と、前記導体層に接続されている抵抗体と、該抵抗体およびそれに接続されている前記導体層の端部を被覆するオーバーコートガラスとを具備しているセラミック配線基板において、前記オーバーコートガラスは、Ｓｉ，Ｚｎ，Ｂを含有するとともに前記導体層の端部を被覆する部位がさらにＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄのうちのいずれか１種以上の金属を含有しており、前記めっき層は、前記導体層の前記オーバーコートガラスによって被覆される端部の表面に被着されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明のセラミック配線基板の製造方法は、前記導体層はＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄのうちのいずれか１種以上の金属から成り、前記絶縁基板を５５０乃至７５０℃に加熱することによって、前記導体層から前記オーバーコートガラスの前記導体層の端部を被覆する部位に対して、前記導体層を成す金属を拡散させる工程を有することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明のセラミック配線基板の製造方法は、前記導体層の前記オーバーコートガラスによって被覆される端部に、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄのうちのいずれか１種以上の金属を含有する前記オーバーコートガラスを印刷塗布する工程を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のセラミック配線基板によれば、抵抗体およびそれに接続されている導体層の端部を被覆するオーバーコートガラスが、Ｓｉ，Ｚｎ，Ｂを含有するとともに導体層の端部を被覆する部位がさらにＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄのうちのいずれか１種以上の金属を含有していることから、オーバーコートガラスの表面に露出したＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄが無電解めっき法における触媒金属と同様の触媒として作用してめっき層の被着形成を促進するため、オーバーコートガラスと成るガラスペーストからのブリードやオーバーコートガラス焼成時のガラス溶出などによって導体層の端部の表面にめっき層の被着形成を阻害する成分が付着した場合でも、導体層が露出することを抑制することができる。
【００１７】
さらに、めっき層が、オーバーコートガラスが導体層の端部を被覆する部位の表面に被着されていることから、導体層の端部とオーバーコートガラスとの境界に導体層を保護するための充分な厚みや緻密なめっき層で覆われるために、導体層の端部とオーバーコートガラスとの境界に生じるめっき層が形成されない部位が原因となって発生するマイグレーションや腐食を防止することができる。
【００１８】
また、本発明のセラミック配線基板の製造方法によれば、導体層がＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄから成り、５５０乃至７５０℃の加熱によって導体層からオーバーコートガラスが導体層の端部を被覆する部分にＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄを拡散させる工程を含むことから、あらかじめオーバーコートガラスにＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄのうちのいずれか１種以上の金属を含有させなくても、オーバーコートガラスと成るガラスペーストからのブリードやオーバーコートガラス焼成時のガラス溶出などによって、導体層の端部の表面にめっき層の被着形成を阻害する成分やオーバーコートガラスが導体層の端部を被覆する部位の表面に、無電解めっき法における触媒金属と同様の触媒として作用するＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄを含有させることができ、簡易かつ経済的に本発明のセラミック配線基板を製造することができる。
【００１９】
また、本発明のセラミック基板の製造方法によれば、オーバーコートガラスが導体層の端部を被覆する部分にＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄのうちのいずれか１種以上の金属を含有するオーバーコートガラスを印刷する工程を含む場合には、オーバーコートガラスが導体層の端部を被覆する部位の表面にめっき層を被着形成する際、めっき層を形成したい部位を所望の形態に得ることが容易となるため、確実に本発明のセラミック配線基板を製造することができる。すなわち、本発明ではオーバーコートガラス上にめっき層を形成する際に、オーバーコートガラスの焼成によって、下地メタライズからガラス表面にまでＡｇ，Ｐｄ等の元素を拡散させるか、またはオーバーコートガラスが導体層の端部を被覆する部分にＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄのうちのいずれか１種以上の金属を含有するオーバーコートガラスを印刷するが、印刷する場合、結果としてオーバーコートガラス表面にＡｇ，Ｐｄ等の元素が存在することとなり、めっき層を形成したい部位を所望の形態（パターン）にすることが容易になる。
【００２０】
以上より、本発明のセラミック配線基板およびその製造方法によれば、オーバーコートガラスからのブリードやオーバーコートガラス焼成時のガラス溶出や、めっき層の形成が不十分になることによって、導体層の端部およびその端部とオーバーコートガラスとの境界に生じるめっき層が形成されない部位が原因となって発生するマイグレーションや腐食を防止し、耐マイグレーション性、耐腐食性に優れたセラミック配線基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明のセラミック配線基板について添付図面に基づき説明する。
【００２２】
図１は本発明のセラミック配線基板の実施の形態の一例を示す断面図、図２は図１の平面図である。図１において、１はオーバーコートガラス、２は抵抗体、３は導体層、４はめっき層、５は絶縁基板としてのセラミック基板である。
【００２３】
本発明のセラミック配線基板は、セラミック基板５上に形成される導体層３、導体層３の一部に重なることで導通を得る抵抗体２、抵抗体２と導体層３の一部を被覆するオーバーコートガラス１、導体層３を被覆し、オーバーコートガラス１の一部にまで進行する形で形成されるめっき層４から構成される。ここでオーバーコートガラス１にはＺｎ，Ｓｉ，Ｂを含む材料が用いられる。
【００２４】
本発明においてセラミック基板５は、酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体，ガラスセラミック質焼結体などのセラミックスから成る電気絶縁体である。
【００２５】
本発明のセラミック基板５は、有機バインダを含有し表面に導体層３と成るパターン（以下、導体層パターンともいう）が形成されたセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）の複数枚を積層して、表面に導体層パターンが配置されたグリーンシート積層体を作製する工程と、グリーンシート積層体から有機成分を除去し、次いで焼成して、セラミック積層体の表面に導体層が形成されたセラミック配線基板の焼成体を得る工程とを含むものである。
【００２６】
本発明において、セラミック配線基板のセラミック基板５となるグリーンシートは、セラミック粉末とガラス粉末と有機バインダ、可塑剤有機溶剤などを混合、シート形状にして形成される。
【００２７】
本発明において導体層３は、セラミック基板５の主面（表面、裏面）または内部に、所定のパターンにて形成され、配線を形成する。一部の導体層３には後に抵抗体２が形成される時に接続されるように抵抗体２と重なる部分が設定されている。導体層３としては、セラミック配線基板の主面に形成されたものだけでなく、主面と内層、両主面間を接続するためのビア導体等の貫通導体も含まれる。導体層３は、グリーンシート上に導体ペーストを塗布し、セラミック基板５と同時焼成されることで形成される。また、本発明のセラミック配線基板は、内層にも内層導体層が形成される。内層導体層は、導体層３と同様にグリーンシート上に導体ペーストを塗布することで形成されるが、その後のグリーンシート積層時に内層化される。セラミック基板５の両主面の導体層３同士は貫通導体により接続されたり、内層導体層は貫通導体により主面の導体層３に接続されて、所望の配線パターンとされる。
【００２８】
グリーンシートの表面に導体層パターンを形成するには、例えば導体材料粉末をペースト化したものをスクリーン印刷法やグラビア印刷法等により印刷するか、あるいは所定パターン形状の金属箔を転写する等の方法が挙げられる。導体材料としては、例えばアルミナセラミックスのような高温で焼成するセラミックスには高融点のＭｏ，Ｗが適しており、ガラスセラミックスの場合は８００〜９００℃で焼成できるＡｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ等の導電性に優れる材料が選択できる。
【００２９】
本発明では、導体材料としてＡｇまたはＡｇを含む合金を選択することが望ましい。これにより、後のオーバーコートガラス１の形成時に導体材料を意図的にオーバーコートガラス１中に拡散させ、さらに後のめっき工程でめっき層とオーバーコートガラス１との反応性を向上させ得る。
【００３０】
なお、導体層パターンには、上下の層間の導体層パターン同士を接続するためのビア導体やスルーホール導体等の貫通導体が表面に露出した部分も含まれる。これら貫通導体は、パンチング加工等によりグリーンシートに形成した貫通孔に、導体材料粉末をペースト化したもの（導体ペースト）を印刷により埋め込む等の手段によって形成される。
【００３１】
所定の導体層パターンが形成されたグリーンシートの積層には、積み重ねたグリーンシートに熱と圧力を加えて熱圧着する方法や、有機バインダ、可塑剤、溶剤等から成る接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用可能である。
【００３２】
グリーンシートの積層後、有機成分の除去と焼成を行なう。有機成分の除去は１００〜８００℃の温度範囲で積層体を加熱することによって行ない、有機成分を分解、揮散させる。また、焼成温度はセラミックスの組成により若干異なるが、ガラスセラミックスでは約８００〜９００℃、アルミナセラミックスでは約１３００〜１４００℃が一般的である。焼成雰囲気は導体成分によって異なる。ＭｏやＷ，Ｃｕの導体層３は酸化を防ぐため中性または還元雰囲気で焼成し、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔなどの酸化しない導体層３では大気中で焼成する。
【００３３】
本発明において、抵抗体２は、導体層３に接続されてその抵抗値を調整するためのものであり、ＲｕＯ２やＡｇＰｄ合金，ＳｎＯ２，ＬａＢ６，ＣｕＮｉ合金を主成分とし、絶縁性のガラス材料を混合することで抵抗値を調整する。さらに有機バインダ、可塑剤、溶剤等を混合してペースト化する。また、予め所定の抵抗値よりも低くなるようにして抵抗体２を形成し、レーザにより幅や長さをカットして所定の値まで抵抗値を増加させることで調整することも可能である。
【００３４】
抵抗体２と成るパターン（以下、抵抗体パターンともいう）は焼成されたセラミック配線基板の上下面の少なくとも一方または両方に形成され、所定位置に所定の形状および厚みで塗布される。抵抗体パターンは導体層３と重なり合うように塗布され、このために抵抗体２と導体層３の接続部には、抵抗体パターンの幅に応じた電極部が形成されている。
【００３５】
抵抗体ペーストを塗布後、焼成する。抵抗体２の焼成は一般に８００〜９００℃で実施する。雰囲気はセラミック基板５の焼成時と同じものとするのが一般的である。
【００３６】
本発明において、オーバーコートガラス１は、抵抗体２を被覆し、保護するためのものであり、絶縁性のガラス材料から成る。オーバーコートガラス１により被覆されることで、抵抗体２の表面が外気から保護され、耐湿性が向上するとともに、後のトリミングでのレーザカットにおいて抵抗体２に割れ、クラックが生じることを防止する。オーバーコートガラス１は、レーザを照射した時の衝撃で抵抗体２にマイクロクラックが生じることを防止する効果有し、抵抗体２にマイクロクラックが生じると後々進行して抵抗値が徐々に変化することとなる。
【００３７】
オーバーコートガラス１を形成するには、ガラス成分をペースト化したガラスペーストをスクリーン印刷法やグラビア印刷法等により印刷する。オーバーコートガラス１は抵抗体２を保護するためのものであり、その印刷は導体層３および抵抗体２が形成された後に行なわれる。印刷される形状は抵抗体２を完全に覆うもので、結果として抵抗体２と接続している導体層３の一部も覆われる。
【００３８】
オーバーコートガラス１に用いるガラスとしては、Ｚｎ，Ｓｉ，Ｂを含むものを選択することが好ましい。このようなガラスは、オーバーコートガラス１の焼成時に導体層３の金属イオンをオーバーコートガラス１中に拡散させやすく、結果として次のめっき工程でめっき液とオーバーコートガラス１の表面との反応性を向上させる。また、導体材料としては前述のＡｇがオーバーコートガラス１中に拡散しやすく、ＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ等のＡｇを含む合金がよい。
【００３９】
オーバーコートガラス１は塗布後、焼成される。オーバーコートガラス１の焼成は一般に６００℃前後で行なわれる。また、抵抗体２の焼成温度よりも低温でなければならない。これは、オーバーコートガラス１の焼成温度は、オーバーコートガラス１に用いたガラスの軟化温度よりも２０〜３０℃高い温度に設定されるのが通常であるが、必要以上に高温で焼成すると導体層３の拡散が促進され、後のめっき工程でオーバーコートガラス１の表面全体にめっき層４が形成される危険性があるからである。
【００４０】
オーバーコートガラス１に形成されるめっき層は、導体層３とオーバーコートガラス１の境界より１００μｍ以下の範囲内に形成されるのがよい。１００μｍを超えると、めっき層が隣の配線に接触し易くなり、オーバーコートガラス１全体の絶縁抵抗が低下することとなる。また、ＣＣ１００のデザインルールでは線間距離が１００μｍであることによる。
【００４１】
なお、めっき層４が施される都合上、オーバーコートガラス１はめっき液およびめっき前処理時の酸、アルカリに耐性を有するものを選択する。
【００４２】
めっき層４は、導体層３を保護するためのものであり、オーバーコートガラス１の焼成後に施される。めっき層４が形成されることで導体層３の耐腐食性が向上し、特に導体層３がＡｇを含むような場合は耐マイグレーション性を向上させるためにも必要である。よって、めっき層４は導体層３を完全に欠損無く被覆する必要があり、一部にでもめっき層４が被覆していない欠損やピンホールなどが生じた場合、そこから腐蝕やマイグレーションが進行し、セラミック配線基板として使用するのが難しくなる。
【００４３】
本発明においては、オーバーコートガラス１と導体層３の成分を選択することで、導体層３近傍のオーバーコートガラス１のめっき層４との反応性を向上させ、めっき層４の形成がオーバーコートガラス１に阻害されずに促進されるので、欠損やピンホールを生じないめっき層４となる。
【００４４】
なお、めっき層４としては、無電解Ｎｉ−Ａｕ層が一般的であるが、特にこれに限らず、必要に応じてＰｄなど混合してもかまわない。
【実施例】
【００４５】
本実施例では、セラミック材料としてガラスセラミックス、導体材料としてＡｇを用いた。ガラスセラミックスとして、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系結晶化ガラス粉末６０質量％，ＣａＺｒＯ３粉末２０質量％，ＳｒＴｉＯ３粉末１７質量％およびＡｌ２Ｏ３粉末３質量％を使用した。このガラスセラミックス１００質量％に、外添加で有機バインダとしてアクリル樹脂１２質量％，フタル酸系可塑剤６質量％および溶剤としてトルエン３０質量％を加え、ボールミル法により混合しスラリーとした。このスラリーを用いて、ドクターブレード法により厚さ３００μｍのグリーンシートを成形した。
【００４６】
次に、このグリーンシート上にＡｇペーストを用いて導体層パターンをスクリーン印刷にて形成した。導体ペーストとしては、平均粒径１μｍのＡｇ粉末１００質量％に対して、外添加でＡｌ２Ｏ３粉末２質量％および上記ガラス粉末と同組成のガラス粉末２質量％、さらにビヒクル成分として所定量のエチルセルロース系樹脂，テルピネオールを加え、３本ロールにより適度な粘度になるように混合したものを用いた。
【００４７】
導体層パターンを形成した上記のグリーンシートの所定枚数を積み重ねてグリーンシート積層体を得て、さらにその両面に上記の拘束グリーンシートを重ね合わせ、真空積層機によって、温度５５℃で圧力２０ＭＰａの条件で圧着して積層体を得た。
【００４８】
得られた積層体をアルミナセッターに載置し、バッチ式焼成炉にて大気中５００℃で２時間加熱して有機成分を除去した後、９００℃で１時間焼成し、導体層３が形成されたセラミック配線基板の焼結体を得た。
【００４９】
得られたセラミック配線基板の焼結体に、抵抗体パターンをスクリーン印刷にて形成した。抵抗体ペーストとしては、平均粒径０．５μｍのＲｕＯ２粉末とガラス粉末とを混合し、さらに、ビヒクル成分として所定量のエチルセルロース系樹脂，テルピネオールを加え、３本ロールにより適度な粘度になるように混合したものを用いた。なお、ＲｕＯ２粉末とガラス粉末との比により抵抗値を制御することができる。そして印刷した抵抗体２を乾燥した。
【００５０】
次に抵抗体２を焼成した。焼成は８５０℃で１０分、大気中で実施した。
【００５１】
抵抗体パターンの形成後、オーバーコートガラス１をスクリーン印刷法で形成した。オーバーコートガラス１と成るガラスペーストとしては、Ｚｎ，Ｓｉ，Ｂを含む軟化点５８０℃のガラス粉末に、ビヒクル成分として所定量のエチルセルロース系樹脂，テルピネオールを加え、３本ロールにより適度な粘度になるように混合したものを用いた。印刷したガラスペーストを乾燥し、その後焼成した。焼成は６２０℃で１０分、大気中で実施した。
【００５２】
次に、オーバーコートガラス１が形成されたセラミック配線基板にめっき層４を施した。めっき層４は、無電解Ｎｉめっき層，無電解Ａｕめっき層を順次形成したものとした。Ｎｉめっき層の厚みは５μｍ、Ａｕめっき層の厚みは０．３〜０．５μｍとした。めっき層４の形成中にオーバーコートガラス１のめっき液中への溶出は見られず、めっき層４形成後のセラミック配線基板は、導体層３とオーバーコートガラス１との境界からオーバーコートガラス１の表面へめっき層４が進行し形成されており、めっき層４の欠けなどは見られなかった。
【００５３】
以上の手順で作製されたセラミック配線基板を用い、マイグレーション性を評価した。評価は、セラミック配線基板に水滴が連続的に落下する状態で、配線間の間隔が１６０μｍの導体層３が形成されたものに電圧１０Ｖを印加した後、絶縁抵抗を連続測定し短絡するまでの時間を測定した。その結果、電圧印加後２０７秒で短絡した。
【００５４】
次に、比較例として、オーバーコートガラス１に用いるガラスとしてＢｉ，Ｓｉを含むガラスを比較のために用いた以外は実施例と同様にしてセラミック配線基板を作製した。本比較例のガラスは、耐めっき液性が上記実施例で用いたガラスと同等であり、実施例と異なる成分から成るものとした。めっき層４は、導体層３とオーバーコートガラス１との境界近傍の導体層３の表面が露出する形でめっき層４に欠けが生じていた。
【００５５】
得られたセラミック配線基板を用い、実施例と同様のマイグレーション性評価を行なった。その結果、電圧印加後９秒で短絡した。これは実施例の短絡時間と比べて非常に短く、耐マイグレーション性がきわめて低いことが判明した。
【００５６】
なお、本発明のセラミック配線基板の製造方法は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明のセラミック配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明のセラミック配線基板の実施の形態の一例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１：オーバーコートガラス
２：抵抗体
３：導体層
４：めっき層
５：セラミック基板
【図１】
2005268515.tif 000003
【図２】
2005268515.tif 000004