(57)【要約】【課題】輝尽性蛍光体層にひび割れを発生させずに輝尽性蛍光体の結晶中から水成分を除去する。【解決手段】本発明に係る輝尽性蛍光体プレートの製造方法では、始めに、周知の気相堆積法により所定の基板２上に輝尽性蛍光体層３を形成し、その後輝尽性蛍光体層３にマイクロ波を照射する。【選択図】図１
2005351752.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の基板上に１層以上の輝尽性蛍光体層を形成し、当該輝尽性蛍光体層にマイクロ波を照射することを特徴とする輝尽性蛍光体プレートの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の輝尽性蛍光体プレートの製造方法において、
前記輝尽性蛍光体層を気相堆積法により形成することを特徴とする輝尽性蛍光体プレートの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の輝尽性蛍光体プレートの製造方法において、
前記輝尽性蛍光体層が柱状構造を有することを特徴とする輝尽性蛍光体プレートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被写体の放射線画像を形成する際に用いられる輝尽性蛍光体プレートの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、Ｘ線画像のような放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、いまなお、世界中の医療現場で用いられている。近年では、輝尽性蛍光体プレートを放射線画像変換パネルとして用いたコンピューテッドラジオグラフィー（ＣＲ（computed radiography））も商品化され、高感度化及び画質の改善が日夜続けられている。
【０００３】
上記「輝尽性蛍光体プレート」というのは、被写体を透過した放射線を蓄積して、励起光の照射等により、蓄積した放射線をその線量に応じた強度で輝尽発光するものであり、所定の基板上に輝尽性蛍光体が層状に形成された構成を有している。そのような輝尽性蛍光体プレートの製造方法の一例が特許文献１に開示されている。特許文献１に記載の製造方法では、周知の気相堆積法により所定の基板上に輝尽性蛍光体層を形成してその基板を熱処理している。（段落番号００３４，００３５参照）。
【特許文献１】特開２００３−２７９６９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、特許文献１に記載の製造方法のように、輝尽性蛍光体層を形成した基板を熱処理すると、輝尽性蛍光体の結晶中から水成分が除去され、輝尽性蛍光体層の輝尽発光量は増加するが、当該熱処理において、基板と輝尽性蛍光体層とで熱膨張率がそれぞれ異なるため、輝尽性蛍光体層にひび割れが発生する可能性がある。
本発明の目的は、輝尽性蛍光体層にひび割れを発生させずに輝尽性蛍光体の結晶中から水成分を除去することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、
請求項１に記載の発明の輝尽性蛍光体プレートの製造方法では、
所定の基板上に１層以上の輝尽性蛍光体層を形成し、当該輝尽性蛍光体層にマイクロ波を照射することを特徴としている。
【０００６】
請求項２に記載の発明は、
請求項１に記載の輝尽性蛍光体プレートの製造方法において、
前記輝尽性蛍光体層を気相堆積法により形成することを特徴としている。
【０００７】
請求項３に記載の発明は、
請求項１又は２に記載の輝尽性蛍光体プレートの製造方法において、
前記輝尽性蛍光体層が柱状構造を有することを特徴としている。
【発明の効果】
【０００８】
請求項１〜３の発明では、輝尽性蛍光体層にマイクロ波を照射するため、輝尽性蛍光体層にひび割れを発生させずに、輝尽性蛍光体層を構成する輝尽性蛍光体の結晶中から水成分を除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながら本発明を実施するための最良の形態について説明する。ただし、発明の範囲は図示例に限定されない。
図１は放射線画像変換パネル１の断面図である。
【００１０】
図１に示す通り、放射線画像変換パネル１は、所定の基板２上に輝尽性蛍光体層３が形成された輝尽性蛍光体プレート４を有している。
【００１１】
基板２は矩形状を呈している。基板２は、高分子材料，ガラス，金属等で構成されており、特に、セルロースアセテートフィルム，ポリエステルフィルム，ポリエチレンテレフタレート，ポリアミドフィルム，ポリイミドフィルム，トリアセテートフィルム，ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、石英，ホウ珪酸ガラス，化学的強化ガラス等の板ガラス、又はアルミニウム，鉄，銅，クロム等の金属シート若しくはそれら金属酸化物の被覆層を有する金属シートで構成されているのがよい。
【００１２】
基板２の表面２ａ（図１中上面）は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体層３との接着性を向上させる目的でマット面であってもよく、その表面２ａ上には輝尽性蛍光体層３との接着性を向上させる目的で下引層が設けられてもよい。
【００１３】
輝尽性蛍光体層３はＣｓＢｒ：Ｅｕ等の周知の輝尽性蛍光体から構成されており、蒸着法，スパッタリング法，ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法，イオンプレーティング法等の周知の気相堆積法で形成されている。輝尽性蛍光体層３は１層で構成されていてもよいし、２以上の層で構成されていてもよい。
【００１４】
図２は輝尽性蛍光体プレート４の拡大断面図であって輝尽性蛍光体層３を巨視的にみた断面図である。
図２に示す通り、輝尽性蛍光体層３は、輝尽性蛍光体から構成された多数の柱状結晶３ａ，３ａ，…が互いに間隔をあけて並んだ柱状構造を有している。各柱状結晶３ａは、基板２の表面２ａの法線Ｒに対し所定角度で傾斜している。
【００１５】
放射線画像変換パネル１では、図１に示す通り、輝尽性蛍光体プレート４が、２枚の防湿性の保護フィルム５，６間に介在しており、各保護フィルム５，６の周縁部同士が輝尽性蛍光体プレート４の全周にわたって融着されている。これにより、輝尽性蛍光体プレート４が保護フィルム５，６で完全に封止され、輝尽性蛍光体プレート４への水分の浸入を確実に防止している。
【００１６】
続いて、本発明に係る輝尽性蛍光体プレート４の製造方法について説明する。
【００１７】
始めに、所定の基板２を準備してその基板２上に周知の気相堆積法で輝尽性蛍光体層３を形成する。
【００１８】
例えば、複数存在する周知の気相堆積法のうち、蒸着法で輝尽性蛍光体層３を形成する場合について簡単に説明すると、基板２を蒸着装置内の基板ホルダに固定・設置し、当該蒸着装置内を排気して真空状態とする。その後、抵抗加熱法，エレクトロンビーム法等の方法により輝尽性蛍光体を蒸着源として当該輝尽性蛍光体を加熱・蒸発させ、基板２の表面２ａ上に輝尽性蛍光体を所望の厚さになるまで成長させ、輝尽性蛍光体層３を基板２上に形成する。
【００１９】
ここで、図２に示す通り、蒸着装置内の基板ホルダに固定した基板２の表面２ａの法線Ｒに対し、輝尽性蛍光体の蒸気流の入射角度をθ２とし、形成しようとする柱状結晶３ａの傾斜角度をθ１とすると、経験的に傾斜角度θ１は入射角度θ２の約半分となり、入射角度θ２に応じた傾斜角度θ１で多数の柱状結晶３ａ，３ａ，…が形成される。すなわち、入射角度θ２＝６０°で輝尽性蛍光体の蒸気流を基板２の表面２ａに入射させれば、当該基板２の表面２ａには傾斜角度θ１＝３０°の多数の柱状結晶３ａ，３ａ，…を形成することができる。
【００２０】
基板２の表面２ａに対し輝尽性蛍光体の蒸気流を所定の入射角度で供給する方法としては、蒸着源に対し基板２を傾斜させるように配置する方法や、基板２と蒸着源とを互いに平行に設置して、スリット等により輝尽性蛍光体の蒸気流の斜め成分のみを蒸着面から蒸発させる方法等がある。
【００２１】
そして基板２上に輝尽性蛍光体層３を形成したら、当該輝尽性蛍光体層３に対し周波数２．４５ＧＨｚ±５０ＭＨｚのマイクロ波を所定時間照射して各柱状結晶３ａ中から水成分を除去し、輝尽性蛍光体プレート４が製造される。
【００２２】
なお、上記方法で製造した輝尽性蛍光体プレート４を各保護フィルム５，６間に挟み、保護フィルム５，６の各周縁部をインパルスシーラで加熱・融着すれば、輝尽性蛍光体プレート４を各保護フィルム５，６で封止することができ、放射線画像変換パネル１を製造することができる。
【００２３】
以上の輝尽性蛍光体プレート４の製造方法では、輝尽性蛍光体層３にマイクロ波を照射して各柱状結晶３ａ中から水成分を除去するため、その製造過程において、輝尽性蛍光体層３にひび割れが発生することはない。そのため、本発明に係る輝尽性蛍光体プレート４の製造方法によれば、輝尽性蛍光体層３にひび割れを発生させずに、輝尽性蛍光体層３を構成する各柱状結晶３ａ中から水成分を除去することができる。
【実施例】
【００２４】
本実施例では、輝尽性蛍光体プレートを想定した複数種類の試料を作製し、それら各試料について輝度や鮮鋭性を測定・評価した。
【００２５】
（１）試料の作製
周知の蒸着装置により、波長４００ｎｍの光に対し反射率が８５％で、波長６６０ｎｍの光に対し反射率が２０％となるように、フルウチ化学社製酸化チタンとフルウチ化学社製酸化ジルコニウムとを、３枚の透明結晶化ガラス基板（厚さ；５００μｍ）上にそれぞれ蒸着して各ガラス基板上に光反射層を形成した。
【００２６】
その後、各ガラス基板を蒸着装置の真空チャンバに固定・設置して２４０℃に加温し、その真空チャンバ中に窒素ガスを導入して当該真空チャンバ内の真空度を０．１Ｐａとした。
【００２７】
この状態において、各ガラス基板と蒸着源との間隔を６０ｃｍに保ちながら各ガラス基板を搬送して蒸着処理をおこない、当該各ガラス基板上に、５００μｍ厚の柱状構造を有するＣｓＢｒ：Ｅｕのアルカリハライド輝尽性蛍光体層をそれぞれ形成した。ただし、輝尽性蛍光体層の蒸着処理では、上記で形成した光反射層が蒸着源に対向し、かつ、蒸着源と各ガラス基板との間にアルミニウム製のスリットを配置して各ガラス基板の表面の法線に対し３０°の角度で輝尽性蛍光体の蒸気が入射するようにした。
【００２８】
以上の方法で輝尽性蛍光体層が形成された３枚のガラス基板のうち、１枚のガラス基板を「試料Ａ」とし、残り２枚のガラス基板においては、キャビティ（電子レンジ）内に収納して輝尽性蛍光体層に対し周波数が２．４５ＧＨｚ±５０ＭＨｚで出力が１ｋＷのマイクロ波を照射した。マイクロ波を照射した２枚のガラス基板のうち、マイクロ波を１０分間照射したものを「試料Ｂ」とし、マイクロ波を６０分間照射したものを「試料Ｃ」とした。
【００２９】
（２）輝度の測定
管電圧８０ｋＶｐのＸ線を各試料Ａ〜Ｃの裏面（輝尽性蛍光体層が形成されていない面）から照射した。その後、半導体レーザを各試料Ａ〜Ｃの表面（輝尽性蛍光体層が形成された面）上で走査して輝尽性蛍光体層を励起させ、当該輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光の光量（光強度）を受光器（分光感度Ｓ−５の光電子像倍管）で測定してその測定値を「輝度」とした。測定結果を下記表１に示す。ただし、表１中、各試料Ｂ，Ｃの輝度は、試料Ａの輝度を１．０とした相対値である。
【００３０】
（３）鮮鋭性の評価
管電圧８０ｋＶｐのＸ線を各試料Ａ〜Ｃの裏面（輝尽性蛍光体層が形成されていない面）から照射し、その後、Ｈｅ−Ｎｅ半導体レーザを各試料Ａ〜Ｃの表面（輝尽性蛍光体層が形成された面）上で走査して蛍光体層を励起させた。その後、当該輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を受光器（分光感度Ｓ−５の光電子像倍管）で受光して電気信号に変換し、その電気信号をアナログ／デジタル変換してハードディスクに記録した。その後、ハードディスク上の記録をコンピュータで分析して当該ハードディスクに記録されたＸ線像の変調伝達関数（ＭＴＦ（Modulation Transfer Function））を調査した。調査結果（空間周波数１サイクル／ｍｍにおけるＭＴＦ値（％））を下記表１に示す。表１中の調査結果において、ＭＴＦ値が高いほど鮮鋭性に優れている。
【００３１】
【表１】
2005351752.tif 000003
【００３２】
表１に示す通り、マイクロ波を照射した試料Ａと、マイクロ波を照射した試料Ｂ，Ｃとを比較すると、試料Ｂ，Ｃは試料Ａより輝度及びＭＴＦ値が高い。以上から、輝尽性蛍光体プレートの製造工程において、輝尽性蛍光体層にマイクロ波を照射することが有用であることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】放射線画像変換パネルの断面図である。
【図２】輝尽性蛍光体プレートの拡大断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１  放射線画像変換パネル
２  基板
２ａ  表面
３  輝尽性蛍光体層
３ａ  柱状結晶
４  輝尽性蛍光体プレート
５，６  保護フィルム
【図１】
2005351752.tif 000004
【図２】
2005351752.tif 000005