(57)【要約】【課題】ウエハの自然酸化膜除去の工程時間を短縮する。【解決手段】酸化膜除去装置１０は、除去室１２に設置されシリンダ装置２１によって昇降される切頭円錐形状の保持具３０と、保持具３０に保持されたウエハ１にエッチング液およびリンス液を供給する薬液ノズル３９と、リンスされたウエハ１にスチームを吹き付けるスチームノズル４２と、吹き付けられたスチームを排気する排気ダクト４０と、保持具３０を回転させるモータ２５とを備えている。保持具３０が上昇した移載位置において、保持具３０の雄テーパ面３１が除去室１２の雌テーパ面３２に嵌合して除去室１２を上部空間と下部空間とに区切る。ウエハの移載が実施される移載空間である不活性ガスパージすべき空間を狭小化できるので、不活性ガスパージ時間を短縮できる。【選択図】図１
2005268244.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、この処理室に前記基板を移載する基板移載装置とを備えており、前記処理室の空間は、前記基板を移載する時の空間が前記基板を処理する時の前記空間よりも小さくなることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、被処理基板の酸化膜除去技術に係り、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、ＩＣが作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に不純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したりするのに利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の基板処理装置が述べられた文献としては、例えば、特許文献１がある。この特許文献１には次の縦型拡散・ＣＶＤ装置が開示されている。すなわち、この縦型拡散・ＣＶＤ装置は、複数枚のウエハを収納したカセット（ウエハキャリア）を収納しウエハを出し入れする気密構造のカセット室と、このカセット室内のカセットとボートとの間でウエハを移載するウエハ移載装置を有するロードロック室（ウエハ移載室）と、このロードロック室内のボートが搬入搬出される反応室（処理室）とを備えており、カセット室とロードロック室との間およびロードロック室と反応室との間がそれぞれ仕切弁を介して接続されており、ロードロック室は真空排気せずに窒素ガスによりロードロック室内の雰囲気が置換されるように構成されている。
【特許文献１】特公平７−１０１６７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
前記した縦型拡散・ＣＶＤ装置においては、ロードロック室に搬入される前にウエハが大気に触れることが避けられないために、ウエハに自然酸化膜が形成されてしまうという問題点がある。
【０００４】
本発明の目的は、基板の表面に成長した自然酸化膜を除去することができるとともに、その酸化膜除去の工程時間を短縮することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る基板処理装置は、基板を処理する処理室と、この処理室に前記基板を移載する基板移載装置とを備えており、前記処理室の空間は、前記基板を移載する時の空間が前記基板を処理する時の前記空間よりも小さくなることを特徴とする。
本願において開示されるその他の発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を処理する処理室と、この処理室に隣接した予備室と、この予備室に隣接し前記基板を搬送する基板移載装置が設置された基板移載室と、この基板移載室に隣接し前記基板を洗浄する洗浄室と、この洗浄室の空間を複数に区画する区切り部を移動可能とする移動機構とを備えていることを特徴とする基板処理装置。
（２）基板を処理する処理室と、前記基板の酸化膜を除去する酸化膜除去室と、この酸化膜除去室の空間を複数に区画する区切り部を移動可能とするとともに、前記酸化膜除去室の保持部をも移動可能である移動機構とを備えていることを特徴とする基板処理装置。
（３）前記区切り部は前記酸化膜除去室への前記基板の移載の際に区画し、区画された基板移載側の雰囲気を置換可能である（２）項に記載の基板処理装置。
（４）基板を処理する処理室と、この処理室に前記基板を移載する基板移載装置とを備えている基板処理装置を使用する半導体装置の製造方法において、
前記処理室に前記基板を移載するステップと、
前記基板を処理するステップと、
前記処理室の空間を、前記基板を移載する時の空間を前記基板を処理する時の前記空間よりも小さくするステップと、
を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（５）基板を処理する処理室と、この処理室に隣接した予備室と、この予備室に隣接し前記基板を搬送する基板移載装置が設置された基板移載室と、この基板移載室に隣接し前記基板の酸化膜を除去する酸化膜除去室と、この酸化膜除去室の空間を複数に区画する区切り部を移動可能とする移動機構とを備えている基板処理装置を使用した半導体装置の製造方法において、
前記移動機構が前記区切り部を移動させて前記酸化膜除去室の空間を複数に区画するステップと、
前記区画された基板搬入搬出側の雰囲気を置換するステップと、
前記基板を前記酸化膜除去室に搬入するステップと、
前記移動機構が前記区切り部を移動させ前記酸化膜除去室の空間を一つとする（区画しない）ステップと、
前記基板を前記酸化膜除去室において処理するステップと、
を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、基板の酸化膜を処理室において除去することができる。基板の酸化膜を除去して基板を移載する時の処理室の空間を、基板を処理する時の空間よりも小さくさせることにより、処理室の空間の雰囲気を容易に置換することができるので、酸化膜除去の工程時間を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００８】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法にあってウエハに形成された自然酸化膜を除去する酸化膜除去装置として構成されている。この酸化膜除去装置はウエハの表面を洗浄し乾燥するという意味で洗浄乾燥装置である。
図１ないし図４に示されているように、本実施の形態に係る酸化膜除去装置（洗浄乾燥装置ともいう。）１０は、ウエハ１の上面の自然酸化膜を除去する処理室である酸化膜除去室（以下、除去室という。）１２を形成した筐体（以下、除去室筐体という。）１１を備えている。除去室１２は大気圧未満の圧力（以下、負圧という。）を維持可能な気密性能を有する。除去室筐体１１は上下面が閉塞した円筒形状の中空体に形成されており、除去室１２の表面は弗素樹脂のコーティング処理によって撥水性の良好な表面に構成されている。除去室筐体１１の側壁における正面部分にはウエハ搬入搬出口１３が開設されており、ウエハ搬入搬出口１３はウエハ１を除去室１２に対して搬入搬出し得るように構成されている。ウエハ搬入搬出口１３にはゲートバルブ１４が設置されており、ゲートバルブ１４はウエハ搬入搬出口１３を摺動を伴わずに開閉するように構成されている。除去室筐体１１の天井には不活性ガスを除去室１２にシャワー状に吹き出すシャワーヘッド１５が設置されており、シャワーヘッド１５には不活性ガス供給装置（図示せず）が接続されている。除去室筐体１１の底壁および側壁上部には除去室１２を排気する排気管１６がそれぞれ接続されており、排気管１６は排気装置（図示せず）に接続されている。
【０００９】
除去室筐体１１の下方には支持板１７が同軸に配置されて水平に設置されており、支持板１７の上には複数本のガイドポスト１８が周方向に等間隔に配置されて垂直に立設されている。各ガイドポスト１８の上端は除去室筐体１１の下面にそれぞれ固定されている。各ガイドポスト１８にはガイド１９が上下方向に摺動自在にそれぞれ嵌合されており、各ガイド１９の間には取付板２０が水平に架設されている。支持板１７の下面には昇降駆動装置としてのシリンダ装置２１が上向きに据え付けられており、シリンダ装置２１のピストンロッド２２の上端には昇降板２３が水平に固定されている。昇降板２３と取付板２０との間は複数本の連結棒２４によって連結されており、取付板２０は昇降板２３の昇降に伴って昇降するようになっている。取付板２０の中心線上には回転駆動装置としてのモータ２５が上向きに据え付けられており、モータ２５の回転軸２６はシール機構付き軸受装置２７によって回転自在に支承されている。シール機構付き軸受装置２７には不活性ガス供給管２８が接続されている。シール機構付き軸受装置２７は除去室筐体１１の底壁を貫通して除去室１２の内部に挿入されており、シール機構付き軸受装置２７の上端と除去室１２の底面との間には、除去室１２の気密を維持しつつシール機構付き軸受装置２７の昇降を確保するベローズ２９が同心円に配されて設置されている。
【００１０】
モータ２５の回転軸２６の上端にはウエハ１を保持する保持具３０が、水平に配されて一体的に回転するように連結されており、保持具３０は切頭円錐形状（断面形状が台形の円盤形状）に形成されている。小径側である上側円形面（台形の上辺が形成する円形面）はウエハ１よりも若干小径に設定されており、ウエハ移載装置のツィーザによるウエハ１の掬い取りを確保するようになっている。大径側である下側円形面（台形の下辺が形成する円形面）はウエハ１よりも大径に設定されている。保持具３０の錐面は雄テーパ面３１を形成しており、雄テーパ面３１は除去室１２の中間部に形成された雌テーパ面３２に嵌合するように設定されている。雄テーパ面３１の中間部にはシールリング３３が同心円に敷設されており、シールリング３３は雌テーパ面３２の中間部に押接するように設定されている。保持具３０の下面における周辺部には円筒形状のスカート３４が同心円に垂下されており、スカート３４はエッチング液等がシール機構付き軸受装置２７の方向に侵入するのを防止するメカニカルシールを構成している。
【００１１】
除去室筐体１１の側壁におけるウエハ搬入搬出口１３と略同一高さ位置には、ゲートバルブ３６によって開閉される薬液ノズル挿入口３５と、ゲートバルブ３８によって開閉される排気ダクト挿入口３７が周方向に間隔を置かれてそれぞれ開設されている。薬液ノズル挿入口３５には薬液としてのエッチング液および超純水を滴下する薬液ノズル３９が進退自在に挿入されるようになっている。薬液ノズル３９は滴下口３９ａが保持具３０の中心線上に位置するように構成されており、エッチング液および超純水をウエハ１の中心に滴下するようになっている。薬液ノズル３９には給液配管（図示せず）の一端が接続されており、給液配管の他端には洗浄液としての弗酸等のエッチング液およびリンス液としての超純水を供給する薬液供給装置（図示せず）が接続されている。
【００１２】
他方、排気ダクト挿入口３７には円筒形状に形成された排気ダクト４０が進退自在に挿入されるようになっており、排気ダクト４０は先端開口が保持具３０の中心線上に達成することができるようになっている。排気ダクト４０の先端部は下向きに屈曲されており、先端開口によって吸込口４１を形成している。排気ダクト４０の基端側には排気装置（図示せず）が接続されている。排気ダクト４０の流路の中心線上には、乾燥用ガスとしての水蒸気（スチーム）を吹き出すノズル（以下、スチームノズルという。）４２が敷設されており、スチームノズル４２の吹出口４３は排気ダクト４０の吸込口４１に同心円に配置されている。スチームノズル４２の基端側には給気管（図示せず）の一端が接続されており、給気管の他端には乾燥用ガスとしてのスチーム（Ｈ2 Ｏ）を供給するためのスチーム供給装置（図示せず）が接続されている。
【００１３】
以下、前記構成に係る酸化膜除去装置１０を使用したＩＣの製造方法における酸化膜除去工程を説明する。
【００１４】
処理すべきウエハ１が酸化膜除去装置１０に搬送されて来ると、ウエハ搬入搬出口１３がゲートバルブ１４によって開放される。この際、図１に示されているように、保持具３０は雄テーパ面３１が雌テーパ面３２に嵌合した状態の移載位置にシリンダ装置２１によって持ち上げられている。続いて、ウエハ１が除去室１２にウエハ搬入搬出口１３を通じてウエハ移載装置によって搬入され、保持具３０の上へ移載される。ウエハ１が保持具３０によって保持されると、ウエハ搬入搬出口１３がゲートバルブ１４によって閉じられる。
【００１５】
次いで、図２に示されているように、保持具３０がシリンダ装置２１によって所定の高さの処理位置まで下降され、保持具３０によって保持されたウエハ１がモータ２５によって回転される。なお、処理位置の高さはシリンダ装置２１によって適宜に調整することができる。図２および図３に示されているように、薬液ノズル挿入口３５がゲートバルブ３６によって開放され、薬液ノズル３９が薬液ノズル挿入口３５から除去室１２に滴下口３９ａがウエハ１の中心線上に位置するように挿入される。続いて、エッチング液４４が薬液ノズル３９に薬液供給装置から給液配管を通じて供給され、薬液ノズル３９の滴下口３９ａからウエハ１の中心に滴下される。この際、図２に示されているように、不活性ガス４５がシャワーヘッド１５からウエハ１の上に吹き付けられる。
【００１６】
ウエハ１の中心に滴下されたエッチング液４４は、回転するウエハ１の遠心力によって周辺部に均一に拡散することにより、ウエハ１の表面に全体的に均一に接触するので、ウエハ１の表面に形成された自然酸化膜を全体にわたって均一にエッチングして除去する。ウエハ１によって振り切られた余分のエッチング液４４は、除去室１２の上部に形成された雌テーパ面３２で下向きに反射するとともに、不活性ガス４５によって除去室１２の底部方向にパーティクルと一緒に押し流されて、除去室１２の底部によって回収される。予め、設定された時間が経過すると、エッチング液４４の供給が停止される。
【００１７】
次いで、リンス液としての超純水（図示せず）が薬液供給装置から給液配管を通じて薬液ノズル３９に供給され、薬液ノズル３９の滴下口３９ａからウエハ１の中心に滴下される。ウエハ１の中心に滴下された超純水は、回転するウエハ１の遠心力によって周辺部に拡散することにより、ウエハ１の表面に全体的に均一に接触するので、ウエハ１に残ったエッチング液を全体にわたって均一に洗い流す。ウエハ１によって振り切られた余分の超純水は、除去室１２の上部に形成された雌テーパ面３２で下向きに反射するとともに、不活性ガスによって除去室１２の底部方向にパーティクルと一緒に押し流されて、除去室１２の底部によって回収される。予め、設定された時間が経過すると、超純水の供給が停止される。リンスが完了すると、薬液ノズル３９が薬液ノズル挿入口３５から引き抜かれ、薬液ノズル挿入口３５がゲートバルブ３６によって閉じられる。
【００１８】
次に、図４に示されているように、排気ダクト挿入口３７がゲートバルブ３８によって開放され、排気ダクト４０が排気ダクト挿入口３７から除去室１２に吸込口４１がウエハ１の中心線上に位置するように挿入される。続いて、スチーム４６がスチームノズル４２にスチーム供給装置から給気管を通じて供給され、スチームノズル４２の吹出口４３からウエハ１に吹き付けられるとともに、排気ダクト４０の吸込口４１が排気装置によって排気配管を通じて排気されることにより、スチーム４６が吸込口４１から吸い込まれて排気される。ウエハ１に接触したスチーム４６はウエハ１の表面に残ったリンス液としての超純水を加熱して気化させることにより、ウエハ１を乾燥させる。スチーム４６としては、超純水を加熱した２００℃前後の高温スチームが使用される。但し、好ましくは２００℃前後であるが、１００℃以上であればよい。
【００１９】
このとき、図４に示されているように、スチームノズル４２の吹出口４３からウエハ１の表面に吹き付けられたスチーム４６は、ウエハ１の上面において鋭角に反射して排気ダクト４０の吸込口４１に直ちに吸い込まれるために、液化することなくスチーム状態（ガス状態）のままで吸い込まれる。つまり、ウエハ１を乾燥させたスチーム４６が液化して水滴となり、この水滴がウエハ１に再付着することによってウオータマークの原因になる現象が発生するのを未然に防止することができる。
【００２０】
以上のスチームの吹き付けステップおよび排気ステップに際して、スチームノズル４２および排気ダクト４０は往復運動装置（図示せず）によって進退操作される。この進退動作により、スチームノズル４２の吹出口４３から吹き出されたスチーム４６は、ウエハ１が回転されていることとあいまってウエハ１の表面に全体的に均一に接触するので、ウエハ１の表面は均一に乾燥される。この際、ウエハ１はスチーム４６による気化力によって乾燥されるので、ウエハ１は高速で回転させる必要はなく、スチーム４６がウエハ１に均一に吹き付けられる程度の低速で回転させればよい。
【００２１】
予め、設定された時間が経過すると、スチームノズル４２によるスチーム４６の供給および排気ダクト４０による排気が停止される。続いて、図１に示されているように、排気ダクト４０が排気ダクト挿入口３７から引き抜かれ、排気ダクト挿入口３７がゲートバルブ３８によって閉じられる。モータ２５による保持具３０の回転が停止された後に、雄テーパ面３１が除去室１２の雌テーパ面３２に嵌合する移載位置に、保持具３０がシリンダ装置２１によって上昇される。保持具３０の雄テーパ面３１が雌テーパ面３２に嵌合すると、シールリング３３が雌テーパ面３２に押接するので、除去室１２は保持具３０によって上側空間と下側空間とに区切られた状態になる。すなわち、保持具３０は処理室としての除去室１２を複数に区画する区切り部を構成しており、保持具３０を昇降させるシリンダ装置２１は区切り部を移動させる移動機構を構成している。
【００２２】
除去室１２が保持具３０によって上下に区切られた後に、図１に示されているように、除去室１２の上部空間が排気管１６によって排気されながら、除去室１２の上部空間には不活性ガス４５がシャワーヘッド１５から供給される。これにより、除去室１２の上部空間が不活性ガスによって置換（パージ）されるので、自然酸化膜が除去されたウエハ１の再酸化やパーティクルによる汚染を確実に防止することができる。そして、除去室１２が保持具３０によって区切られることにより、この不活性ガスによって置換（パージ）すべき空間はきわめて狭小に減少されているので、短時間でパージすることができる。
なお、パージ後に、上部空間の排気管によって排気することにより、上部空間を減圧に保つようにしてもよいし、パージを行わずに減圧に置換してもよい。
【００２３】
その後、ウエハ搬入搬出口１３がゲートバルブ１４によって開放される。続いて、保持具３０に保持された自然酸化膜除去および乾燥済みのウエハ１がウエハ移載装置によってピックアップされて、ウエハ搬入搬出口１３を通じて搬出される。
【００２４】
以降、前述した作動が繰り返されることにより、ウエハ１について自然酸化膜除去工程が一枚ずつ実施されて行く。
【００２５】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００２６】
1)  ウエハに生成された自然酸化膜をＣＶＤ膜の形成等の本処理前に除去することにより、本処理の精度を向上させることができるので、ＩＣの製造方法全体としての製造歩留りを向上させることができる。
【００２７】
2)  除去室を保持具によって区切ることにより、この不活性ガスによって置換（パージ）すべき空間や減圧する空間をきわめて狭小に減少させることができるので、ウエハの移載が実施される移載空間を不活性ガスによって短時間でパージすることができる。
【００２８】
3)  不活性ガスによるパージや減圧を短時間で実施することにより、自然酸化膜除去工程全体としてのスループットを向上させることができるので、ＩＣの製造方法のスループットを向上させることができる。
【００２９】
4)  ウエハを処理する高さの処理室筐体の内壁を下方に行くに従って広がる雌テーパ形状に形成するようにすることにより、処理された後のエッチング液やリンス液や超純水やパーティクル等が内壁面にて反射し、下方の空間に押し流され易くなるので、ウエハへの再付着を防止することができる。
【００３０】
5)  保持具の上端を下方に行くに従って広がる雄テーパ形状に形成することにより、処理された後のエッチング液やリンス液や超純水やパーティクル等が保持具の表面に溜まることなく、下方の空間に押し流され易くなるので、ウエハへの再付着を防止することができる。
【００３１】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００３２】
例えば、除去室の上部の雌テーパ面および保持具の雄テーパ面は平坦面な錐面に形成するに限らず、図５に示されているように、互い嵌合する凹状弯曲面（凹状球面）の雌テーパ面３２Ａと凸状弯曲面（凸状球面）の雄テーパ面３１Ａとに形成してもよい。
【００３３】
また、図６に示されているように、互い嵌合する階段状の雌テーパ面３２Ｂと雄テーパ面３１Ｂとに形成してもよい。この場合、シールリング３３は階段の水平面に配置した方が、良好なシール性能を発揮するので、好ましい。
【００３４】
保持具を昇降させる移動機構は、シリンダ装置によって構成するに限らず、モータ等の他の移動機構によって構成してもよい。
【００３５】
薬液ノズル、スチームノズルおよび排気ダクトを保持具に対して移動させる移動駆動装置は、往復直線運動装置によって構成するに限らず、旋回（円弧運動）駆動装置等によって構成してもよい。
【００３６】
薬液ノズル、スチームノズルおよび排気ダクトは除去室の外に設置するに限らず、除去室内に設置してもよい。
【００３７】
図７、図８および図９は本発明の第二の実施の形態を示している。
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法にあってウエハに不純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したりする工程に使用されるバッチ式縦型拡散・ＣＶＤ装置（以下、バッチ式ＣＶＤ装置という。）として構成されている。本実施の形態に係るバッチ式ＣＶＤ装置５０においては、ウエハ搬送用のウエハキャリアとしてはＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）が使用されている。なお、以下の説明において、前後左右は図７を基準とする。すなわち、フロント筐体５１側が前側、その反対側である耐圧筐体８１側が後側、ボートエレベータ１００側が左側、その反対側であるシールキャップ１０３側が右側とする。
【００３８】
図７および図８に示されているように、バッチ式ＣＶＤ装置５０はフロント筐体５１を備えており、フロント筐体５１によってポッド保管室５２が形成されている。フロント筐体５１の正面壁にはポッド搬入搬出口５３が開設されており、フロント筐体５１のポッド搬入搬出口５３の手前にはポッドステージ５４が構築されている。ポッドステージ５４にはポッド２がＲＧＶ等の工程内搬送装置によって供給および排出されるようになっている。フロント筐体５１内の上部には前側ポッド棚５５と後側ポッド棚５６とがそれぞれ設置されており、これらポッド棚５５、５６は複数台のポッド２を一時的に保管し得るように構成されている。フロント筐体５１の前側部分にはリニアアクチュエータやエレベータおよびスカラ形ロボット等によって構成されたポッド搬送装置５７が設置されており、ポッド搬送装置５７はポッドステージ５４、前後のポッド棚５５、５６およびポッドオープナの間でポッド２を搬送するように構成されている。
【００３９】
フロント筐体５１の背面壁にはポッドオープナ室６０を形成する筐体（以下、ポッドオープナ筐体という。）６１が隣接して設置されており、ポッドオープナ室６０の背面壁にはウエハ搬入搬出口７３を開閉するゲートバルブ６２が設置されている。ポッドオープナ筐体６１の側壁にはポッドオープナ室６０へ窒素（Ｎ2 ）ガスを給気するためのガス供給管６３と、ポッドオープナ室６０を負圧に排気するための排気管６４とがそれぞれ接続されている。なお、窒素ガスの供給はガス供給管６３による供給を設けずに、ゲートバルブ６２の開放により、ウエハ移載室７２内に充満された窒素ガスが流れ込むように構成してもよいし、排気管６４を設けずに、ポッド２とポッドオープナ室筐体との隙間から排気するように構成してもよい。ポッドオープナ筐体６１の正面壁にはウエハ搬入搬出口６５が開設されており、ポッドオープナ筐体６１の正面のウエハ搬入搬出口６５の下端辺にはポッド２を載置する載置台６６が水平に突設されている。ポッドオープナ室６０の内部には載置台６６に載置されたポッド２のキャップを着脱するキャップ着脱機構６７が設置されており、載置台６６に載置されたポッド２のキャップをキャップ着脱機構６７によって着脱することにより、ポッド２のウエハ出し入れ口を開閉するようになっている。
【００４０】
ポッドオープナ筐体６１の背面壁には、大気圧未満の圧力（以下、負圧という。）を維持可能な気密性能を有する耐圧筐体７１が連設されており、ウエハ移載室７２が耐圧筐体（以下、移載室筐体という。）７１によって形成されている。ウエハ移載室７２にはウエハ搬入搬出口７３が開設されており、ウエハ搬入搬出口７３はゲートバルブ６２によって開閉されるように構成されている。ウエハ移載室７２には負圧下でウエハ１を移載するウエハ移載装置７４が水平に設置されており、ウエハ移載装置７４はスカラ形ロボット（selective compliance assembly robot arm 。ＳＣＡＲＡ）によって構成されている。異物がウエハ移載室７２および待機室８２に侵入するのを防止するために、ウエハ移載装置７４の駆動部であるモータ７５はウエハ移載室７２の底壁の外部に設置されている。移載室筐体７１の側壁にはウエハ移載室７２を負圧に排気するための排気管７６が接続されている。ウエハ移載室７２には圧力調整装置および圧力センサ（図示せず）が接続されており、圧力調整装置は、圧力センサの検出に基づいてウエハ移載室７２の圧力を調整するように構成されている。
【００４１】
ウエハ移載室７２のウエハ移載装置７４と反対側には、基板仮置き具としての一対のストッカ７７Ａ、７７Ｂが前後に並べられて設置されている。両ストッカ７７Ａ、７７Ｂは後記するボートと同様な構造に構成されており、ボートが保持可能な最大枚数以上の枚数のウエハ１を保持可能なように構成されている。ウエハ移載室７２の前側ストッカ７７Ａと後側ストッカ７７Ｂとの間には、遮蔽手段としての遮蔽板７８が垂直に設置されており、遮蔽板７８は前側ストッカ７７Ａと後側ストッカ７７Ｂとの間の熱を遮断するように構成されている。前側ストッカ７７Ａおよび後側ストッカ７７Ｂのウエハ移載装置７４と反対側の近傍のそれぞれには、窒素ガスを吹き出す前側ガス吹出管７９Ａと後側ガス吹出管７９Ｂとが設置されており、前側ガス吹出管７９Ａおよび後側ガス吹出管７９Ｂは前側ストッカ７７Ａおよび後側ストッカ７７Ｂに窒素ガスをそれぞれ吹き付けるように構成されている。
【００４２】
図７に示されているように、移載室筐体７１の後側には負圧を維持可能な気密性能を有する耐圧筐体８１が隣接して設置されており、この耐圧筐体８１によりボートを収納可能な容積を有するロードロック方式の予備室である待機室８２が形成されている。なお、ロードロック方式とは、ゲートバルブ等の仕切弁を用いて処理室と予備室とを隔離し、処理室への空気の流入を防止したり、温度や圧力等の外乱を小さくして処理を安定化させる方式、である。耐圧筐体（以下、待機室筐体という。）８１の前面壁および移載室筐体７１の背面壁にはウエハ搬入搬出口８３およびウエハ搬入搬出口８０がそれぞれ開設されており、これらのウエハ搬入搬出口８３、８０はゲートバルブ８４によって開閉されるように構成されている。待機室筐体８１の一対の側壁には待機室８２へ窒素（Ｎ2 ）ガスを給気するためのガス供給管８５と、待機室８２を負圧に排気するための排気管８６とがそれぞれ接続されている。
【００４３】
図８および図９に示されているように、待機室８２の天井壁にはボート搬入搬出口８７が大きく開設されており、ボート搬入搬出口８７は仕切弁としてのシャッタ８８によって開閉されるように構成されている。待機室筐体８１の上に構築された筐体８９の内部にはヒータユニット９０が垂直方向に設置されており、ヒータユニット９０の内部には処理室９１を形成するプロセスチューブ９２が設置されている。プロセスチューブ９２は石英（ＳｉＯ2 ）が使用されて上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されたアウタチューブ９３と、石英または炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて上下両端が開口した円筒形状に形成されたインナチューブ９４とを備えており、アウタチューブ９３がインナチューブ９４に同心円に被せられている。アウタチューブ９３とインナチューブ９４との間には環状の排気路９５が両者の間隙によって形成されている。プロセスチューブ９２は待機室筐体８１の天井壁の上にマニホールド９６を介して支持されており、マニホールド９６はボート搬入搬出口８７に同心円に配置されている。マニホールド９６にはプロセスチューブ９２の内部を排気するための排気管９８とがそれぞれ接続されており、排気管９８は排気路９５に連通するようになっている。なお、プロセスチューブ９２には熱電対９９が挿入されており、熱電対９９の側温によってヒータユニット９０のフィードバック制御が実施されるようになっている。処理室９１には原料ガスやパージガス等がガス導入管９７により導入されるようになっている。
【００４４】
待機室８２にはボートを昇降させるためのボートエレベータ１００が設置されており、ボートエレベータ１００は送りねじ装置やベローズ等によって構成されている。ボートエレベータ１００の昇降台１０１の側面にはアーム１０２が水平に突設されており、アーム１０２の先端部にはシールキャップ１０３が水平に据え付けられている。シールキャップ１０３はプロセスチューブ９２の炉口になる待機室筐体８１のボート搬入搬出口８７を気密シールするように構成されているとともに、基板保持具であるボート１０４を垂直に支持するように構成されている。ボート１０４は複数枚（例えば、２５枚、５０枚、１００枚、１２５枚、１５０枚ずつ等）のウエハ１を、その中心を揃えて水平に支持した状態でボートエレベータ１００によるシールキャップ１０３の昇降に伴って、プロセスチューブ９２の処理室９１に対して搬入搬出するように構成されている。ボート１０４はシールキャップ１０３に設置されたロータリーアクチュエータ１０５によって回転されるように構成されている。
【００４５】
図７に示されているように、移載室筐体７１の右脇には酸化膜除去装置１０が隣接して設置されており、ウエハ移載室７２と酸化膜除去装置１０との間でウエハ１を搬入搬出し得るようになっている。すなわち、移載室筐体７１の右側壁には連絡口１３Ａが開設されており、連絡口１３Ａは酸化膜除去装置１０のウエハ搬入搬出口１３に対向されている。連絡口１３Ａとウエハ搬入搬出口とは酸化膜除去装置１０のゲートバルブ１４によって開閉されるようになっている。
【００４６】
以下、前記構成に係るバッチ式ＣＶＤ装置を使用したＩＣの製造方法における成膜工程を説明する。なお、本実施の形態においては、一台のポッド２に収納された二十五枚以内のウエハ１をバッチ処理（一括処理）する場合について説明する。
【００４７】
成膜すべきウエハ１は二十五枚以内がポッド２に収納された状態で、バッチ式ＣＶＤ装置５０のポッドステージ５４へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。搬送されて来たポッド２はポッドステージ５４から前側ポッド棚５５または後側ポッド棚５６の指定された場所にポッド搬送装置５７によって搬送されて保管される。
【００４８】
ウエハ１が収納されたポッド２は載置台６６の上へポッド搬送装置５７によって搬送されて載置される。ポッドオープナ室６０には窒素ガスがガス供給管６３によって供給されるとともに、排気管６４によって排気されることにより、窒素ガスが充満（窒素ガスパージ）される。この時のポッドオープナ室６０の酸素濃度は２０ｐｐｍ以下であることが好ましい。載置されたポッド２のキャップがキャップ着脱機構６７によって取り外され、ポッド２のウエハ出し入れ口が開放される。窒素ガスがポッド２のウエハ出し入れ口にポッドオープナ室６０に敷設された窒素ガス供給ノズルから吹き込まれ、ポッド２のウエハ収納室の雰囲気が窒素ガスパージされる。この時のポッド２のウエハ収納室の酸素濃度は２０ｐｐｍ以下であることが好ましい。その後、ウエハ搬入搬出口７３がゲートバルブ６２によって開放される。この際、ウエハ移載室７２には窒素ガスが充満（窒素ガスパージ）されている。
【００４９】
ポッド２が開放されると、ウエハ１はポッド２からウエハ移載装置７４によってウエハ搬入搬出口７３を通してピックアップされ、ウエハ移載室７２に搬入される。ウエハ移載室７２に搬入されたウエハ１は、ウエハ移載室７２の一方のストッカである前側ストッカ７７Ａへウエハ移載装置７４によって移載される。ポッド２の全てのウエハ１が前側ストッカ７７Ａへ移載されて装填（ウエハチャージング）されると、ウエハ搬入搬出口７３がゲートバルブ６２によって閉じられる。ウエハ搬入搬出口７３が閉じられると、ポッドオープナ室６０への窒素ガスの供給は停止される。ちなみに、空になったポッド２は載置台６６からポッド棚５５または５６にポッド搬送装置５７によって一時的に戻される。
【００５０】
次いで、連絡口１３Ａおよびウエハ搬入搬出口１３がゲートバルブ１４によって開放される。続いて、前側ストッカ７７Ａに装填されたウエハ１がウエハ移載装置７４によってピックアップされて、酸化膜除去装置１０の除去室１２に連絡口１３Ａおよびウエハ搬入搬出口１３を通じて搬入され、保持具３０へ移載される。保持具３０に移載されたウエハ１は保持具３０によって保持される。ウエハ１が保持されると、連絡口１３Ａおよびウエハ搬入搬出口１３がゲートバルブ１４によって閉じられる。
【００５１】
その後、酸化膜除去装置１０において、ウエハ１の自然酸化膜除去ステップ（洗浄ステップ、リンスステップおよび乾燥ステップ）が、前記実施の形態と同様の作動によって実施される。ウエハ１の自然酸化膜除去ステップが終了すると、連絡口１３Ａおよびウエハ搬入搬出口１３がゲートバルブ１４によって開放される。続いて、保持具３０に保持された自然酸化膜除去済みのウエハ１がウエハ移載装置７４によってピックアップされて、ウエハ移載室７２に連絡口１３Ａおよびウエハ搬入搬出口１３を通じて搬入され、前側ストッカ７７Ａに移載される。ウエハ１の移載が完了すると、連絡口１３Ａおよびウエハ搬入搬出口１３がゲートバルブ１４によって閉じられる。
【００５２】
以降、前述した作動が繰り返されることにより、前側ストッカ７７Ａの全てのウエハ１について自然酸化膜除去ステップが一枚ずつ実施されて、自然酸化膜除去ステップが前側ストッカ７７Ａの全てのウエハ１について完了される。
【００５３】
自然酸化膜除去ステップが前側ストッカ７７Ａの全てのウエハ１について完了すると、ウエハ移載室７２は排気管６４によって真空引きされることにより、ウエハ移載室７２の圧力が待機室８２の圧力と等しく減圧される。この際、ウエハ移載室７２の容積は待機室８２のそれに比べて小さいので、減圧時間は短くて済む。ウエハ移載室７２が待機室８２と等しく減圧されると、ウエハ搬入搬出口８０、８３がゲートバルブ８４によって開放される。
【００５４】
続いて、前側ストッカ７７Ａに装填された自然酸化膜除去済みのウエハ１が、ウエハ移載装置７４によってピックアップされて、待機室８２にウエハ搬入搬出口８０、８３を通じて搬入され、待機室８２のボート１０４へ移載される。
【００５５】
以降、ウエハ１の前側ストッカ７７Ａからボート１０４へのウエハ移載装置７４による移載作業が繰り返される。この間、ウエハ移載室７２および待機室８２は負圧に減圧されているので、自然酸化膜除去済みのウエハ１が移載途中で自然酸化される現象を防止することができる。また、ボート搬入搬出口８７がシャッタ８８によって閉鎖されることにより、プロセスチューブ９２の高温雰囲気が待機室８２に流入することは防止されている。したがって、移載途中のウエハ１および移載されたウエハ１が高温雰囲気に晒されることはなく、ウエハ１が高温雰囲気に晒されることによる自然酸化等の弊害の派生は防止されることになる。
【００５６】
前側ストッカ７７Ａに装填された全てのウエハ１がボート１０４へ装填されると、ボート搬入搬出口８７がシャッタ８８によって開放される。続いて、シールキャップ１０３がボートエレベータ１００の昇降台１０１によって上昇されて、図９に想像線で示されているように、シールキャップ１０３に支持されたボート１０４がプロセスチューブ９２の処理室９１に搬入（ボートローディング）される。ボート１０４が上限に達すると、ボート１０４を支持したシールキャップ１０３の上面の周辺部がボート搬入搬出口８７をシール状態に閉塞するため、処理室９１は気密に閉じられた状態になる。このボート１０４の処理室９１への搬入に際して、待機室８２は負圧に維持されているため、ボート１０４の処理室９１への搬入に伴って外部の酸素や水分が処理室９１に侵入することは確実に防止される。また、前側ストッカ７７Ａのウエハ１をボート１０４に装填した後に、待機室８２を真空引きしたり窒素ガスパージしたりせずに、ボート１０４を処理室９１へ搬入することができるので、スループットを大幅に向上させることができる。
【００５７】
その後、プロセスチューブ９２の処理室９１は気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるように排気管９８によって排気され、ヒータユニット９０によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管９７によって所定の流量だけ供給される。これにより、予め設定された処理条件に対応する所望の膜がウエハ１に形成される。
【００５８】
翻って、前側ストッカ７７Ａに装填された全てのウエハ１がボート１０４へ装填されると、ウエハ搬入搬出口８３、８０がゲートバルブ８４によって閉鎖されて、ウエハ移載室７２がガス吹出管７９Ａ、７９Ｂによって窒素ガスパージされる。一方、次の（二番目の）バッチのウエハ１が収納されたポッド２は、載置台６６の上へポッド搬送装置５７により搬送されて載置される。ポッドオープナ室６０は窒素ガスがガス供給管６３によって供給されるとともに排気管６４によって排気されることにより、窒素ガスパージされる。その後、載置されたポッド２のキャップがキャップ着脱機構６７によって取り外され、ポッド２のウエハ出し入れ口が開放される。続いて、窒素ガスがポッド２のウエハ出し入れ口にポッドオープナ室６０に敷設された窒素ガス供給ノズルから吹き込まれ、ポッド２のウエハ収納室の雰囲気が窒素ガスパージされる。その後、ウエハ搬入搬出口７３がゲートバルブ６２によって開放される。この際、ウエハ移載室７２には窒素ガスが充満（窒素ガスパージ）されている。
【００５９】
ポッド２が開放されると、ウエハ１はポッド２からウエハ移載装置７４によってウエハ搬入搬出口７３を通してピックアップされ、ウエハ移載室７２に搬入される。ウエハ移載室７２に搬入されたウエハ１はウエハ移載室７２の後側ストッカ７７Ｂへウエハ移載装置７４によって移載される。ポッド２の全てのウエハ１が後側ストッカ７７Ｂへ移載されて装填されると、ウエハ搬入搬出口７３がゲートバルブ６２によって閉じられる。ウエハ搬入搬出口７３が閉じられると、ポッドオープナ室６０への窒素ガスの供給は停止される。ちなみに、空になったポッド２は載置台６６からポッド棚５５または５６にポッド搬送装置５７によって一時的に戻される。
【００６０】
そして、ウエハ搬入搬出口７３がゲートバルブ６２によって閉じられると、連絡口１３Ａおよびウエハ搬入搬出口１３がゲートバルブ１４によって開放され、後側ストッカ７７Ｂに装填されたウエハ１がウエハ移載装置７４によってピックアップされて、除去室１２に連絡口１３Ａおよびウエハ搬入搬出口１３を通じて搬入され、保持具３０へ移載される。
【００６１】
以降、前側ストッカ７７Ａのウエハ１について前述した自然酸化膜除去ステップの作業が繰り返されることにより、後側ストッカ７７Ｂの全てのウエハ１について自然酸化膜除去ステップが実施されて行き、自然酸化膜除去ステップが後側ストッカ７７Ｂの全てのウエハ１について実施される。この次のバッチのポッド２に対するウエハ１群の後側ストッカ７７Ｂへの装填ステップおよび自然酸化膜除去ステップは、前回のバッチの成膜ステップと同時進行することができるので、スループットの低下を防止することができる。
【００６２】
他方、前回のバッチに対するウエハ１に対しての成膜ステップについて設定された処理時間が経過すると、図８および図９に示されているように、ボート１０４がボートエレベータ１００によって下降されることにより、処理済みウエハ１を保持したボート１０４が待機室８２に搬出（ボートアンローディング）される。
【００６３】
ボート１０４が待機室８２に排出されると、ボート搬入搬出口８７がシャッタ８８によって閉鎖され、ウエハ搬入搬出口８３、８０がゲートバルブ８４によって開放される。続いて、搬出されたボート１０４の処理済みウエハ１がウエハ移載装置７４によって脱装（ディスチャージング）されて、予め減圧されたウエハ移載室７２に搬入され、前側ストッカ７７Ａへ装填される。ボート１０４の全ての処理済みウエハ１が前側ストッカ７７Ａへウエハ移載装置７４によって装填されると、続いて、後側ストッカ７７Ｂに予め装填された次のバッチのウエハ１が、ボート１０４にウエハ移載装置７４によって移載されて装填される。このようにして、大きな容量を有する待機室８２を窒素ガスパージせずに、処理室９１から待機室８２に搬出された処理済みウエハ１を待機室８２と同圧に減圧されたウエハ移載室７２へ待機室８２に搬出された直後に移送して前側ストッカ７７Ａに装填し、続いて、次のバッチのウエハ１をウエハ移載室７２の後側ストッカ７７Ｂから待機室８２のボート１０４に装填すると、大きな容量を有する待機室８２を窒素ガスパージする時間を省略することができるので、スループットを大幅に高めることができる。
【００６４】
後側ストッカ７７Ｂに装填された次のバッチのウエハ１がボート１０４へ全て装填されると、ボート搬入搬出口８７がシャッタ８８によって開放される。続いて、シールキャップ１０３がボートエレベータ１００の昇降台１０１によって上昇されて、シールキャップ１０３に支持されたボート１０４がプロセスチューブ９２の処理室９１に搬入される。ボート１０４が上限に達すると、ボート１０４を支持したシールキャップ１０３の上面の周辺部がボート搬入搬出口８７をシール状態に閉塞するために、プロセスチューブ９２の処理室９１は気密に閉じられた状態になる。このボート１０４の処理室９１への搬入に際しても、待機室８２は負圧に維持されているために、ボート１０４の処理室９１への搬入に伴って外部の酸素や水分が処理室９１に侵入することは確実に防止される。さらに、後側ストッカ７７Ｂのウエハ１をボート１０４に装填した後に、待機室８２を真空引きしたり窒素ガスパージしたりせずに、ボート１０４を処理室９１へ搬入することができるので、スループットを大幅に向上させることができる。
【００６５】
その後、前回の（一番目の）バッチのウエハ１に対する場合と同様にして、プロセスチューブ９２の処理室９１は気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるように排気管９８によって排気され、ヒータユニット９０によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管９７によって所定の流量だけ供給される。これにより、前回のバッチと同様にウエハ１に対する処理条件に対応する所望の膜がウエハ１に形成される。
【００６６】
他方、後側ストッカ７７Ｂに装填された全てのウエハ１がボート１０４へ装填されると、ウエハ搬入搬出口８０、８３がゲートバルブ８４によって閉鎖され、冷却媒体としての冷えた新鮮な窒素ガスが前側ストッカ７７Ａに装填された処理済みウエハ１に前側ガス吹出管７９Ａによって直接的に吹き付けられる。この窒素ガスの吹き付けにより、前側ストッカ７７Ａに装填された高温のウエハ１はきわめて効果的に強制冷却される。前側ストッカ７７Ａに装填された処理済みウエハ１に対する強制冷却時間は、次の（二番目の）バッチに対する成膜ステップの処理時間に対応して充分に確保することができるので、（一番目の）処理済みウエハ１を充分に冷却することができる。しかも、この処理済みウエハ１の強制冷却ステップは次の（二番目の）バッチのウエハ１についての成膜ステップと同時に進行されていることにより、冷却待ち時間は吸収されることになるため、バッチ式ＣＶＤ装置５０の全体としてのスループットを低下させることにはならない。
【００６７】
前側ストッカ７７Ａに装填された処理済みウエハ１が窒素ガスの吹き付けによって強制的に冷却されて、ポッド２に収納可能な温度（例えば、８０℃以下）に降温したところで、ウエハ搬入搬出口７３がゲートバルブ６２によって開放される。このとき、ウエハ移載室７２およびポッドオープナ室６０は窒素ガスパージされている。続いて、載置台６６に載置された空のポッド２のキャップがキャップ着脱機構６７によって取り外され、ポッド２のウエハ出し入れ口が開放される。空のポッド２が開放されると、窒素ガスがポッド２のウエハ出し入れ口にポッドオープナ室６０に敷設された窒素ガス供給ノズルから吹き込まれ、ポッド２のウエハ収納室の雰囲気が窒素ガスパージされる。続いて、前側ストッカ７７Ａの処理済みのウエハ１が載置台６６の空のポッド２にウエハ移載装置７４によって収納される。この際、処理済みウエハ１はポッド２に収納可能な温度に降温されているため、ポッド２が樹脂によって製作されている場合であっても、処理済みウエハ１をポッド２に安全に収納することができる。
【００６８】
前側ストッカ７７Ａに装填された処理済みウエハ１がポッド２に全て収納されると、ポッド２はキャップ着脱機構６７によってキャップを装着された後に、載置台６６から前側ポッド棚５５または後側ポッド棚５６にポッド搬送装置５７によって搬送される。この際、ウエハ搬入搬出口６５はキャップ着脱機構６７によって閉じられた状態になっている。処理済みウエハ１を収納したポッド２が載置台６６から搬送されると、次の（三番目の）バッチのポッド２が載置台６６へポッド搬送装置５７によって搬送される。以降、前述した作動が繰り返されることにより、次の（三番目の）バッチのウエハ１について前述した成膜が施されることになる。
【００６９】
他方、前々回の（一番目の）バッチの処理済みウエハ１を収納したポッド２は、前側ポッド棚５５または後側ポッド棚５６からポッドステージ５４に搬送され、ポッドステージ５４から次の処理工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。この処理済みウエハ１の空のポッド２への収納作業は、後続のバッチのウエハ１に対する成膜ステップの間に同時に進行することができる。
【００７０】
以降、前述した作用が繰り返されて、ウエハ１が例えば２５枚ずつ、バッチ式ＣＶＤ装置５０によってバッチ処理されて行く。
【００７１】
前記実施の形態によれば、前記実施の形態に加えて、次の効果が得られる。
【００７２】
ウエハの自然酸化膜を酸化膜除去装置によって事前に除去した後に、ウエハを待機室に搬送して処理室に搬入することにより、ウエハへの自然酸化膜を低減することができたり、不純物が再付着することを低減することができる。したがって、良好な本処理を確保することができる。例えば、高品質な容量膜の形成や容量絶縁膜の耐圧劣化の抑制等が可能となる。
【００７３】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００７４】
一対のストッカは交互に使用するように設定するに限らず、一方を処理前専用のストッカに使用し、他方を処理後専用のストッカに使用するように設定してもよい。また、ストッカには製品となる所謂プロダクトウエハだけを装填するに限らず、製品とならない所謂ダミーウエハをも装填してもよい。
酸化膜除去室の上部空間とウエハ移載室との間でのゲートバルブを開ける際は、互いに同圧となるようにすれば、減圧でもよいし、窒素ガス雰囲気でもよい。
【００７５】
前記実施の形態ではバッチ式ＣＶＤ装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、基板処理装置全般に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の一実施の形態である酸化膜除去装置の移載ステップを示す側面断面図である。
【図２】エッチングステップを示す側面断面図である。
【図３】一部省略平面断面図である。
【図４】乾燥ステップを示す側面断面図である。
【図５】本発明の第二の実施の形態である酸化膜除去装置を示す側面断面図である。
【図６】本発明の第三の実施の形態である酸化膜除去装置を示す側面断面図である。
【図７】本発明の第二の実施の形態であるバッチ式ＣＶＤ装置を示す平面断面図である。
【図８】その一部省略側面断面図である。
【図９】図７のVII-VII 線に沿う断面図である。
【符号の説明】
【００７７】
１…ウエハ（基板）、２…ポッド（ウエハキャリア）、１０…酸化膜除去装置（基板処理装置）、１１…除去室筐体、１２…酸化膜除去室（処理室）、１３…ウエハ搬入搬出口、１３Ａ…連絡口、１４…ゲートバルブ、１５…シャワーヘッド、１６…排気管、１７…支持板、１８…ガイドポスト、１９…ガイド、２０…取付板、２１…シリンダ装置、２２…ピストンロッド、２３…昇降板、２４…連結棒、２５…モータ、２６…回転軸、２７…シール機構付き軸受装置、２８…不活性ガス供給管、２９…ベローズ、３０…保持具、３１…雄テーパ面、３２…雌テーパ面、３３…シールリング、３４…スカート、３５…薬液ノズル挿入口、３６…ゲートバルブ、３７…排気ダクト挿入口、３８…ゲートバルブ、３９…薬液ノズル、３９ａ…滴下口、４０…排気ダクト、４１…吸込口、４２…スチームノズル、４３…吹出口、４４…エッチング液、４５…不活性ガス、４６…スチーム（乾燥用ガス）、５０…バッチ式ＣＶＤ装置（基板処理装置）、５１…フロント筐体、５２…ポッド保管室、５３…ポッド搬入搬出口、５４…ポッドステージ、５５、５６…ポッド棚、５７…ポッド搬送装置、６０…ポッドオープナ室、６１…ポッドオープナ筐体（耐圧筐体）、６２…ゲートバルブ、６３…ガス供給管、６４…排気管、６５…ウエハ搬入搬出口、６６…載置台、６７…キャップ着脱機構、７１…移載室筐体（耐圧筐体）、７２…ウエハ移載室、７３…ウエハ搬入搬出口、７４…ウエハ移載装置、７５…モータ、７６…排気管、７７Ａ、７７Ｂ…ストッカ（基板保持具）、７８…遮蔽板（遮蔽手段）、７９Ａ、７９Ｂ…ガス吹出管（ガス吹出手段）、８０…ウエハ搬入搬出口、８１…待機室筐体（耐圧筐体）、８２…待機室（予備室）、８３…ウエハ搬入搬出口、８４…ゲートバルブ、８５…ガス供給管、８６…排気管、８７…ボート搬入搬出口、８８…シャッタ、８９…筐体、９０…ヒータユニット、９１…処理室、９２…プロセスチューブ、９３…アウタチューブ、９４…インナチューブ、９５…排気路、９６…マニホールド、９７…ガス導入管、９８…排気管、９９…熱電対、１００…ボートエレベータ、１０１…昇降台、１０２…アーム、１０３…シールキャップ、１０４…ボート（基板保持具）、１０５…ロータリーアクチュエータ。
【図１】
2005268244.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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