(57)【要約】【課題】  吸光物質を生じさせず、且つ遮光した光束により結像特性に悪影響が及ぶことを防止する。【解決手段】  光束の少なくとも一部を遮光する遮光部５１を備える。遮光部５１は、到達した光束を、光束の光路空間Ｋに対する反射光の強度に比べて光路空間Ｋの外側に対する反射光の強度が大きくなるように反射する反射面５０ａ、５０ｂを有する。【選択図】      図５
2005079555.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光束の少なくとも一部を遮光する遮光部を備えた絞り装置であって、
前記遮光部は、到達した前記光束を、該光束の光路空間に対する反射光の強度に比べて前記光路空間の外側に対する反射光の強度が大きくなるように反射する反射面を有することを特徴とする絞り装置。
【請求項２】
請求項１記載の絞り装置において、
前記反射面は、前記光束の光軸を中心とする略放射方向に沿って形成されていることを特徴とする絞り装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の絞り装置において、
前記反射面は、前記光束の光軸と直交する面に対して、前記光束の光軸から離間するに従って前記光束の進行方向へ向けて傾斜して形成されることを特徴とする絞り装置。
【請求項４】
光束の少なくとも一部を遮光して制限する遮光部を備えた絞り装置であって、
前記遮光部は、到達した前記光束を交互に反射する一対の反射面を有することを特徴とする絞り装置。
【請求項５】
請求項４記載の絞り装置において、
前記一対の反射面は、前記光束の光路側に位置し前記光路の外側に向く第１反射面と、前記第１反射面よりも前記光路の外側に位置し前記光路側に向く第２反射面とから構成されることを特徴とする絞り装置。
【請求項６】
請求項５記載の絞り装置において、
前記第１反射面は、前記光束の光軸と直交する面に対して前記第２反射面よりも前記光束の入射側へ突出して形成されていることを特徴とする絞り装置。
【請求項７】
請求項５または６記載の絞り装置において、
前記第１反射面は、前記第２反射面よりも大きく形成されていることを特徴とする絞り装置。
【請求項８】
請求項５から７のいずれかに記載の絞り装置において、
前記反射面の対は、前記光束の光軸と直交する面に対して、前記光路に向かうに従って前記光束の入射側へ漸次突出するように複数形成されていることを特徴とする絞り装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の絞り装置において、
前記反射面は、前記遮光部の前記光軸方向両面に形成されていることを特徴とする絞り装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載の絞り装置において、
前記遮光部は前記光束の光軸周りに複数に分割され、
分割された各遮光部には、複数の前記反射面が互いに平行に形成されていることを特徴とする絞り装置。
【請求項１１】
光束によってマスクを照明する照明光学系と、照明された前記マスクのパターン像を基板上に投影する投影光学系とを備えた露光装置であって、
前記照明光学系と前記投影光学系との少なくとも一方の開口絞りとして、請求項１から１０のいずれか一項に記載の絞り装置が用いられることを特徴とする絞り装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の露光装置において、
前記光束の通過する光路空間のうち、前記反射面からの反射光が照射される位置に、前記光路空間に存在する汚染物質を光分解可能な光触媒が設けられることを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光路における開口の大きさを調整する絞り装置、及び開口絞りで規定された光束でマスクのパターンを基板に露光する露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体デバイス、ＣＣＤ等の撮像デバイス、液晶表示デバイス、または薄膜磁気ヘッド等の製造工程の１つであるリソグラフィ工程においては、マスク又はレチクル（以下、レチクルと称する）に形成された回路パターンをレジスト（感光剤）が塗布されたウエハ又はガラスプレート等の基板上に転写する種々の露光装置が用いられている。例えば、半導体デバイス用の露光装置としては、近年における集積回路の高集積化に伴うパターンの最小線幅（デバイスルール）の微細化に応じて、レチクルのパターンを投影光学系を用いてウエハ上に縮小転写する縮小投影露光装置が主として用いられている。
【０００３】
この縮小投影露光装置としては、レチクルのパターンをウエハ上の複数のショット領域（露光領域）に順次転写するステップ・アンド・リピート方式の静止露光型の縮小投影露光装置（いわゆるステッパ）や、このステッパを改良したもので、特許文献１等に開示されるようなレチクルとウエハとを一次元方向に同期移動してレチクルパターンをウエハ上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査露光型の露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ）が知られている。
【０００４】
この種の露光装置においては、露光光の光路上に光束の一部を遮光してＮＡ（開口数）を変更したり、光束の形状・大きさを調整する開口絞り（絞り装置）が配設されている。従来、遮光した光束が迷光（フレア）となって結像特性に悪影響を及ぼさないように、開口絞りには表面にアルマイト処理等の処理を施して多孔質の膜を形成し、遮光した光束を吸収していた。
【特許文献１】特開平８−１６６０４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
近年、集積回路の高密度集積化、すなわち、回路パターンの微細化が進められており、投影露光装置における露光用照明ビーム（露光光）が短波長化される傾向にある。すなわち、これまで主流だった水銀ランプ代わって、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）といった短波長の光源が用いられるようになり、さらに短波長のＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）を用いた露光装置の実用化も最終段階に入りつつある。また、さらなる高密度集積化をめざして、Ｆ２レーザ（波長：１５７ｎｍ）を用いた露光装置の開発が進められている。波長約１９０ｎｍ以下のビームは真空紫外域に属し、これらのビームは、空気を透過しない。これは、空気中に含まれる酸素分子・水分子・二酸化炭素分子などの物質（以下、吸光物質と称する）によってビームのエネルギーが吸収されるからである。真空紫外域の露光光を用いた露光装置において、被露光基板上に露光光を十分な照度で到達させるには、露光光の光路上の空間から吸光物質を低減もしくは排除する必要がある。
【０００６】
ところが、開口絞りに多孔質膜が形成されている場合、多孔質膜に吸着されていた水分が脱離し（脱離Ｈ２Ｏ）吸光物質として作用するため、露光光が減光されてエネルギーが低下するという問題が生じる。
脱離Ｈ２Ｏを排除するために多孔質膜を形成しない場合、上述したように、開口絞りで遮光した光束が迷光となって結像特性に悪影響を及ぼす虞がある。
【０００７】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、脱離Ｈ２Ｏ等の吸光物質を生じさせず、且つ遮光した光束により結像特性に悪影響が及ぶことを防止できる絞り装置及び露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の絞り装置は、光束の少なくとも一部を遮光する遮光部（５１、７１）を備えた絞り装置であって、遮光部（５１、７１）は、到達した光束を、光束の光路空間（Ｋ）に対する反射光の強度に比べて光路空間（Ｋ）の外側に対する反射光の強度が大きくなるように反射する反射面（５０ａ、５０ｂ、７１ａ）を有することを特徴とするものである。
【０００９】
従って、本発明の絞り装置では、到達した光束を吸収するのではなく反射することで、多孔質膜等、吸光物質を生じさせることを防止できる。また、本発明では、反射面（５０ａ、５０ｂ、７１ａ）で反射した反射光の強度を光路空間（Ｋ）に比べて光路空間（Ｋ）の外側の方を大きくしているので、反射光が光路空間（Ｋ）へ到って迷光となる可能性を低下させることができる。
【００１０】
また、本発明の絞り装置は、光束の少なくとも一部を遮光して制限する遮光部（５１）を備えた絞り装置であって、遮光部（５１）は、到達した光束を交互に反射する一対の反射面（５０ａ、５０ｂ）を有することを特徴とするものである。
【００１１】
従って、本発明の絞り装置では、到達した光束を吸収するのではなく反射することで、多孔質膜等、吸光物質を生じさせることを防止できるとともに、一対の反射面（５０ａ、５０ｂ）で光束を複数回反射させることにより、反射光の強度を弱めることができ、反射光が迷光となった場合でも迷光の強度を弱めることが可能になる。
【００１２】
そして、本発明の露光装置は、光束によってマスク（Ｒ）を照明する照明光学系（ＩＵ）と、照明されたマスク（Ｒ）のパターン像を基板（Ｗ）上に投影する投影光学系（ＰＬ）とを備えた露光装置（１）であって、照明光学系（ＩＵ）と投影光学系（ＰＬ）との少なくとも一方の開口絞りとして、請求項１から１０のいずれか一項に記載の絞り装置（Ｅｐ）が用いられることを特徴とするものである。
【００１３】
従って、本発明の露光装置では、吸光物質による光束のエネルギー低下や開口絞りにおいて生じる迷光を抑制して、照明されたマスク（Ｒ）のパターン像を所定の結像特性をもって高精度に基板（Ｗ）上に投影露光することが可能になる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、吸光物質による光束のエネルギー低下を生じさせることなく、迷光による結像特性の低下を防止することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の絞り装置及び露光装置の実施の形態を、図１ないし図１７を参照して説明する。ここでは、基板を半導体デバイス製造用のウエハとし、露光装置をレチクルとウエハとを同期移動してレチクルのパターンをウエハに走査露光する走査型の投影露光装置とする場合の例を用いて説明する。
【００１６】
（第１実施形態）
本実施形態では、本発明に係る絞り装置を投影光学系の開口絞りに適用している。
図１は、本発明に係る投影露光装置（露光装置）１の概略的構成を示している。この図に示すように、投影露光装置１においては、光源ユニット２から例えば１５７ｎｍの出力波長を持つＦ２レーザ光（エネルギービーム）が露光装置本体側の照明光学系ＩＵへ向けて出射される。なお、露光装置本体は、チャンバー３内に収容されており、温度、湿度が一定に保たれるように制御されている。光源ユニット２には、酸素の吸収帯を避けて狭帯化されたほぼ平行光束としてのパルス光を発振する光源、狭帯化されたレーザ光の光路を照明光学系ＩＵとの間で位置的にマッチングさせるビームマッチングユニット（ＢＭＵ）、レーザ光を所定断面形状に整形するビーム整形光学系等が配設されている。
【００１７】
照明光学系ＩＵに入射したレーザ光は、反射ミラー５で反射して、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ６に導かれる。フライアイレンズ６は、多数のレンズ素子が束ねられて構成されており、このレンズ素子の射出面側には、それを構成するレンズ素子の数に対応した多数の光源像（２次光源）が形成される。
【００１８】
なお、本例ではフライアイレンズ６を１つ設けているが、このフライアイレンズ６と光源ユニット２あるいは反射ミラー５との間に、第２オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズを設けてもよく、さらにはフライアイレンズの代わりに内面反射型のロッド状の光学部材をオプティカルインテグレータとして用いてもよい。また、フライアイレンズ６により形成される多数の２次光源が形成される位置において、所定の形状あるいは所定の大きさの複数の開口絞りが形成されているターレット板７が配設されている。このターレット板７はモータ８で回転駆動され、１つの開口絞りが選択されて照明光学系ＩＵの光路中に挿入される。ターレット板７とモータ８で照明系用可変開口絞り装置が構成される。
【００１９】
図２はターレット板７の平面図である。
本例では、ターレット板７には、図２に示す複数の開口絞り７ａ〜７ｄが設けられ、用途に応じていずれかの開口絞りが選択される。
石英等の透明基板からなるターレット板７には、回折作用により光束の断面形状を所定形状に形成（変換）する４つの開口絞り７ａ〜７ｄが形成されている。円形開口を持つ開口絞り７ａからの光束は円形断面を持つことになる。また、２つの偏心した２次光源を形成するために２つの偏心した開口を持つ開口絞り７ｂからの光束は、所定の大きさの２極形状の断面を持つこととなり、４つの偏心した２次光源を形成するために４つの偏心した開口を持つ開口絞り７ｂからの光束は、所定の大きさの４極形状の断面を持つこととなる。そして、輪帯開口を持つ開口絞り７ｄからの光は回折作用によって、輪帯形状の断面を持つこととなる。
各開口絞り７ａ〜７ｄは、ターレット板７が回転軸７ｊ周りに回転することで光路に挿入される。
【００２０】
フライアイレンズ６によって形成される多数の２次光源からの光束は、可変開口絞りを通過してビームスプリッタ９で２つの光路に分岐され、反射光はインテグレータセンサ１０に導かれて照明光の照度が検出される。検出された照度に応じた信号Ｓ１は制御回路（制御器）４０に入力される。一方、通過光はリレーレンズ１１、駆動機構１２ａに駆動されてレチクルＲに対する照明領域を規定する視野絞り１２、リレーレンズ１３を通って反射ミラー１４で反射された後、複数のレンズ等の屈折性光学素子で構成されるコンデンサ光学系１５にて集光される。
【００２１】
この実施の形態の投影露光装置では、以上説明した光学素子５，６，７，９，１１，１２，１３，１４，１５が照明光学系ＩＵを構成し、モータ８、センサ１０とともにチャンバー３を構成する照明系ハウジング４内に収容される。照明系ハウジング４には、露光光を透過する窒素ガスのような不活性ガスが充填され、あるいは流通される。すなわち、照明光学系ＩＵを窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気中に配設する。そのため、照明系ハウジング４に不活性ガスを供給する不活性ガス供給装置（不図示）と、不活性ガスを排出する不活性ガス排出装置（不図示）とが設けられる。なお、不活性ガスとしては窒素に限ることなく、ヘリウム、アルゴン等の気体を用いることも可能である。
【００２２】
照明光学系ＩＵから光透過窓２３を介して出射したレーザ光は、レチクル（マスク）Ｒ上に形成された回路パターン（パターン）ＰＡを重畳的に均一照明する。そして投影光学系ＰＬによってウエハ（基板）Ｗ上にレチクルＲ上の回路パターンＰＡの像が形成され、ウエハＷ上に塗布されたレジストが感光して、ウエハＷ上に回路パターンＰＡの像が転写される。
【００２３】
レチクルＲはレチクルホルダ１７によりレチクルステージ１８に投影光学系ＰＬの物体面に位置して保持固定される。レチクルステージ１８は、図１の紙面と直交する面内に沿って２次元的に移動するようにベース２２に設けられている。レチクルホルダ１７にはミラー２１が設置され、レーザ干渉計２０からのレーザ光がミラー２１で反射されてレーザ干渉計２０に入射することで、レーザ干渉計２０によりレチクルステージ１８の位置が高精度に計測される。この位置情報は制御回路４０に入力され、この位置情報に基づいて制御回路４０はレチクルステージ駆動用モータ１９を駆動してレチクルＲの位置を制御している。
【００２４】
これらレチクルＲ、レチクルホルダ１７、レチクルステージ１８、ベース２２、レーザ干渉計２０、レチクルステージ駆動用モータ１９は、チャンバー３を構成するレチクルステージ系ハウジング２４内に収容されている。そして、レチクルステージ系ハウジング２４も照明系ハウジング４と同様に、内部空間に不活性ガスが流通されている。レチクルＲを透過したレーザ光は、光透過窓３２を介してチャンバー３を構成し、主に投影光学系ＰＬとウエハステージ２７とを収容するウエハステージ系ハウジング３３内に入射する。なお、投影光学系ＰＬとウエハステージ２７とを、それぞれ独立したハウジング内に収容してもよい。
【００２５】
ここで、本実施形態のように露光光がＦ２レーザ光である場合には、透過率の良好な光学硝材は、蛍石（ＣａＦ２の結晶）、フッ素や水素等をドープした石英ガラス及びフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）等に限られるため、投影光学系ＰＬを屈折光学部材のみで構成して所望の結像特性（色収差特性等）を得るのは困難である。そこで、本実施形態の投影光学系ＰＬでは、屈折光学部材と反射鏡とを組合わせた反射屈折系を採用しており、収差（倍率誤差等）を補正するために、少なくとも１つのレンズエレメント（例えばレチクルＲに最も近いレンズエレメント）を移動させる駆動機構とを備える。なお、投影光学系ＰＬを構成する複数の光学素子間に形成される複数の空間にも上述した窒素ガスやヘリウムガスなどの不活性ガスを供給し、空間内の不活性ガスを複数の空間から排出する。
【００２６】
また、本実施の形態の投影光学系ＰＬの瞳（入射瞳）の位置には絞り装置としての開口絞りＥｐが配置されている。この開口絞りＥｐは、照明光学系ＩＵ内の可変開口絞り７ａ〜７ｄ（図２参照）と光学的に共役な位置に配置されており、投影光学系ＰＬの開口数を可変とする構成になっている。
なお、開口絞りＥｐの詳細については後述する。
【００２７】
ウエハＷは、ウエハホルダ２６によりウエハステージ２７に投影光学系ＰＬの像面に位置される。ウエハステージ２７は、図１の紙面と直交する面内に沿って２次元的に移動するように設けられている。ウエハステージ２７にはミラー３１が設置され、レーザ干渉計３０からのレーザ光がミラー３１で反射されてレーザ干渉計３０に入射し、レーザ干渉計３０によりウエハステージ２７の位置が計測される。この位置情報は制御回路４０に入力され、この位置情報に基づいて制御回路４０はウエハステージ駆動用モータ２９を駆動してウエハＷの位置を制御している。ウエハステージ２７上には照度センサ２８が設けられ、ウエハＷに照射される露光光（レーザ光）の照度（エネルギー）が検出される。この照度センサ２８の検出信号は制御回路４０に出力される。
【００２８】
次に、投影露光装置における投影光学系ＰＬの開口数を変更する開口絞りＥｐについて説明する。
開口絞りＥｐは、図３に示すように、光束の光軸ＡＸ周りに環状に分割して配置され露光光の光束（の一部）を遮光するとともに、内径側の外形輪郭により開口Ｓを形成する複数枚（この実施形態では６枚、図３では５枚のみ図示）の絞り羽根（遮光部）５１と、これら絞り羽根５１を開口Ｓの中心である光軸ＡＸに向かう方向に沿って進退自在に直線移動させる駆動機構５２とから概略構成されている。なお、開口絞りＥｐの中、絞り羽根５１が投影光学系ＰＬの瞳面上の位置に配置される。
【００２９】
絞り羽根５１のそれぞれは、露光光を吸収するアウトガス（例えば有機物等）の発生が少ない材質、例えばステンレスで形成されており、光軸ＡＸと直交する面（以下、単に直交面と称する）に沿って配置されている。各絞り羽根５１は、図４に示すように、上記光軸ＡＸに向かう方向に沿う移動をガイドするリニアガイド等のガイド部材５３に連結されており、またその上面側（光束の入射側）には平面視円形の軸体５４が突設されている。
【００３０】
また、各絞り羽根５１における光束の入射側の面には、到達した光束を反射する反射部５０が光軸ＡＸを中心とする略放射状に形成されている（図３及び図４参照）。
図５に示すように、反射部５０は、上記光軸ＡＸとの直交面に対して交叉して（傾斜して）形成され、互いにＶ字状の溝（Ｖ溝）を形成する一対の反射面５０ａ、５０ｂが略光軸ＡＸへ向かう方向に延在させて複数ジグザグ状に形成される構成となっている。反射面５０ａ、５０ｂは、フライスの接面を一定に保つ等の切削工程により製造され、鏡面仕上げ等、高い面粗度で形成されている。
なお、絞り羽根５１における反射面５０ａ、５０ｂは、全て光軸ＡＸを中心とした放射状に形成することが好ましいが、製造性を向上させるために、本実施の形態では各絞り羽根５１においては、絞り羽根５１の移動方向に沿って互いに平行に形成されている。
【００３１】
図３に戻り、駆動機構５２は、円環部６１、及びこの円環部６１の外周部に立設された周壁部６２を有する断面視Ｌ字形状を成す金物６３と、金物６３の周壁部６２に回転自在に嵌合する矢車６４と、矢車６４を回転させる回転駆動部（不図示）と、絞り羽根５１を支持して直線移動させる上記ガイド部材５３とから概略構成されており、絞り羽根５１は金物６３の円環部６１と矢車６４との間の隙間に配設される。
なお、駆動機構５２の中、金物６３、矢車６４、ガイド部材５３は、投影光学系ＰＬの鏡筒内に設置され、回転駆動部は鏡筒の外側に設置され、駆動に伴う発塵等が投影光学系ＰＬの投影特性に影響を及ぼさない構成になっている。
【００３２】
矢車６４には、ガイド部材５３の軸体５４が摺動自在に嵌合する嵌合溝５５が周方向に等間隔（６０°間隔）で６カ所形成されている。各嵌合溝５５は、絞り羽根５１の内径側輪郭が開口Ｓの最小絞り径を形成するときの軸体５４の位置と、絞り羽根５１の内径側輪郭が開口Ｓの最大絞り径を形成するときの軸体５４の位置とを、周方向に所定角度（例えば３０°）離間させて結んだ直線状に形成されている。より詳細には、各嵌合溝５５は、開口Ｓの最大絞り径を形成するときの軸体５４の位置が開口Ｓの最小絞り径を形成するときの軸体５４の位置に対して時計回り方向に位置する直線状に形成されている。
【００３３】
また、図６に示すように、投影光学系ＰＬの鏡筒ＰＫの内壁には、光触媒として酸化チタン薄膜Ｔが設けられている。酸化チタンは、絞り羽根５１の反射面５０ａ、５０ｂからの光（反射光）が照射されることによって、光路空間Ｋに存在する汚染物質を光分解するものである。ここで、光路空間に存在する汚染物質は、ハイドロカーボン、カルボン酸化合物、アクリルアミドなどの有機化合物であって、光学素子（レンズ）の表面を汚染し、曇らせるものである。光路空間Ｋに存在する汚染物質は、例えば製造加工時に各部材に残留していた加工油、レジストの光反応による分解生成物質や、塗工、現像、ベーク、洗浄等のプロセスからくる放散物質、壁材からの揮発物質などに起因する。
【００３４】
酸化チタン薄膜Ｔは、鏡筒ＰＫの内壁に塗布あるいは蒸着によって設けられており、例えば１０〜１００μｍの膜厚に設定されている。酸化チタンは、紫外光線、特に遠紫外光線のエネルギーで、鏡筒ＰＫ内部（光路空間Ｋ）の一部の酸素を活性化する。活性化された酸素は鏡筒ＰＫ内部の光学素子表面に付着した汚染物質（有機物）と反応して、蒸気圧の高いＣＯ２、ＣＯ等を生成する。また、同時にＨ２Ｏも生成する。
酸化チタンは、紫外光線、特に遠紫外光線を吸収して光半導体としての効果を発揮する。光半導体としての効果の代表的な作用は、導電化による帯電防止作用、光触媒としての光分解作用、水に対する接触角の低減（吸着量の低減）、抗菌作用等がある。酸化チタンは光学特性としては高い屈折率を有している。
また、酸化チタンは紫外域の光を吸収可能であるので、鏡筒ＰＫの内壁に設けられた酸化チタン薄膜Ｔは絞り羽根５１によるフレア光（反射光）を吸収することができる。したがって、酸化チタン薄膜Ｔを設けることによって露光処理に不要なフレア光の発生が防止される。
【００３５】
次に、上記構成の投影露光装置１の中、まず開口絞りＥｐの動作について説明する。
回転駆動部の駆動により矢車６４が金物６３の円環部６１に対して開口Ｓの中心軸（光軸ＡＸ）回りに、例えば図３中、時計回りに回転すると、矢車６４の嵌合溝５５に嵌合する軸体５４は、ガイド部材５３にガイドされることにより、回転移動が直線移動に変換されて光軸ＡＸに向かって移動する。逆に、矢車６４が金物６３の円環部６１に対して反時計回りに回転すると、軸体５４は光軸ＡＸに対して後退する。この軸体５４の移動により、絞り羽根５１は光軸ＡＸに対して前進または後退し、開口Ｓが縮径または拡径される。従って、矢車６４の回転量（回転角）および回転方向を調整することで、光軸ＡＸに対して前進または後退する絞り羽根５１の移動量、すなわち開口Ｓの絞り径を制御することができる。
【００３６】
ここで、投影光学系ＰＬにおいて開口絞りＥｐに到達した光束は、一部が絞り羽根５１へ到達して遮光され、残りは開口Ｓを通過する。絞り羽根５１の反射面５０ａ、５０ｂは、光軸ＡＸへ向かう方向に延在しており、図４中、二点鎖線で示す光路空間Ｋの外側に向けて形成されているため、絞り羽根５１に到達した光束は、光路空間Ｋの外側に向けて反射される。このとき、反射面５０ａ、５０ｂの面粗度によっては微小な凹凸が存在し、その凹凸により光束の一部が光路空間Ｋに向けて反射される可能性はあるが、光束のほとんどが光路空間Ｋの外側に向けて反射されるため、光路空間Ｋに対する反射光の強度に比べて光路空間Ｋの外側に対する反射光の強度が大きくなる。
【００３７】
また、反射面５０ａ、５０ｂは互いにＶ字状の溝を形成するように、光軸ＡＸとの直交面に対して傾斜しているため、図７に示すように、反射面５０ａ、５０ｂの一方で反射した反射光は、反射面５０ａ、５０ｂの他方で反射した後に、更に一方で反射する。換言すると、反射面５０ａ、５０ｂに到達した光束は、反射面５０ａ、５０ｂで交互に反射された後に、光束の入射側へ向かうことになり、反射を複数回繰り返すことで強度を弱められる。
【００３８】
そして、反射面５０ａ、５０ｂからの反射光は、鏡筒ＰＫの内壁に設けられている酸化チタン薄膜Ｔを照射する。酸化チタン薄膜Ｔは、真空紫外光である露光光に基づく反射光を照射されることによって、光触媒反応し、光路空間Ｋに存在する汚染物質を光分解する。このように、露光光の光路空間Ｋのうち、反射面５０ａ、５０ｂからの反射光が照射される位置として鏡筒ＰＫの内壁に酸化チタン薄膜Ｔを設けておき、この酸化チタン薄膜Ｔに反射光（露光光）を照射することによって、光路空間Ｋに存在する汚染物質は光分解される。
【００３９】
そして、上記の投影露光装置１によりレチクルＲのパターン像をウエハＷに投影露光する際には、不図示のレチクルローディング機構により、転写の目的となるパターンの描画されたレチクルＲをレチクルステージ１８の上に搬送して載置する。このとき、そのレチクルＲが所定の位置に設置されるように、不図示のレチクルアライメント系によりそのレチクルＲの位置を計測し、その結果にしたがって、不図示のレチクル位置制御回路によってレチクルＲの位置を所定の位置に設定する。
【００４０】
レチクルＲのパターンが転写されるウエハＷの表面には感光材料であるレジストがあらかじめ塗布されており、その状態で不図示のウエハローディング機構によりウエハＷが搬送されてウエハステージ２７上に設置される。ウエハＷはウエハステージ２７上に吸着保持される。ウエハステージ２７上に設置されたウエハＷは第１層目のレチクルのパターンの転写では、そのウエハＷ上にパターンは存在せず、ウエハステージ２７上の所定の位置に、例えばウエハＷはその外径（オリフラまたはノッチなど）を基準として定められる位置に設置される。
【００４１】
なお、ウエハＷに対する第２回目以降のパターンの転写の場合には、ウエハＷ上にパターンが存在するため、予め転写されたパターンに付設されるマークを不図示のウエハアライメント系で計測することにより、ウエハＷ上に先に転写されたパターンに対して、これから転写するパターンが所定の位置関係になるように、レチクルステージ１８やウエハステージ２７の位置を制御する。
【００４２】
また、ウエハＷ上に投影露光するレチクルＲのパターン特性（パターン形状、パターン種類）に応じて、最適な解像度及び焦点深度となるように、照明系用可変開口絞りにおけるモータ８を介してターレット板７を回転させるとともに、投影光学系ＰＬにおける開口絞りＥＰの回転駆動部を駆動して開口数の大きさを変更する。具体的には、レチクルＲのパターンが、二重露光を実施する際に比較的緩い精度が求められる、いわゆるラフパターンである場合や、比較的配線密度が低い、いわゆる孤立線である場合には開口数を小さく設定して焦点深度を大きくする。逆に、レチクルＲのパターンが、二重露光を実施する際に厳密な精度が求められる、いわゆるファインパターンである場合や、比較的配線密度が高い、例えばライン・アンド・スペースパターンである場合には、開口数を大きく設定することで解像度を向上させる。
【００４３】
その後、照明系用可変開口絞り及び開口絞りＥＰで規定された開口数の光束により、ウエハＷ上にパターン像がステップアンドスキャン方式で投影露光される。この転写は、レチクルＲ上のパターンの一部を視野絞り１２によって選択的に照明し、レチクルステージ１８によってレチクルＲを移動させ、それに同期しながらウエハＷをウエハステージ２７によって動かすいわゆる走査型の転写である。あるいは、レチクルＲとウエハＷとを静止させた状態で転写したいレチクルＲ上のパターンを１度に全て照明して転写するステップアンドリピート方式でもよい。
【００４４】
以上のように、本実施の形態では、投影光学系ＰＬにおいて到達した光束を、光路空間Ｋに対する反射光の強度に比べて光路空間Ｋの外側に対する反射光の強度が大きくなるように絞り羽根５１の反射面５０ａ、５０ｂにより反射しているので、絞り羽根５１で遮光された光束が迷光となる可能性を抑制できる。そのため、本実施の形態では、絞り羽根５１に多孔質膜を形成した場合のように脱離Ｈ２Ｏ等による露光光のエネルギー低下を生じさせることなく、迷光による結像特性の低下を防止することが可能になる。
さらに、本実施の形態では、反射面５０ａ、５０ｂが光束を交互に複数回反射することにより、光路空間Ｋに対する反射光の強度を一層弱めることができるので、迷光をより少なくして結像特性に悪影響が及ぶことを効果的に抑えることが可能である。
【００４５】
さらに、本実施の形態では、光束が通過する光路空間Ｋのうち、反射面５０ａ、５０ｂからの反射光が照射される位置に光触媒を設けているので、光路空間Ｋに存在する汚染物質を光分解して、汚染物質に基づく投影光学系ＰＬを構成する各光学素子の曇りの発生を抑えることができるとともにこの曇りを除去することができ、精度良い露光処理を行うことができる。
【００４６】
（第２実施形態）
次に、図８を参照して本発明に係る絞り装置の第２実施形態について説明する。また、本第２実施形態において、上記第１実施形態と同一の機能を有するものは同一の符号を付し、その説明を省略または簡略化する。
上記第１実施形態では、矢車６４を回転させることにより絞り羽根５１を光軸ＡＸに対して前進又は後退させる構成としたが、本実施の形態では図８に示すように、エアシリンダ、リニアモータ等の直動の駆動機構５６により絞り羽根５１を光軸ＡＸに対して前進又は後退させる構成となっている。他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
本実施形態でも、上記第１実施形態と同様の作用・効果を得ることができ、迷光による結像特性の低下を防止することが可能になる。
【００４７】
（第３実施形態）
次に、図９を参照して本発明に係る絞り装置の第３実施形態について説明する。
上記第１実施形態では、光軸ＡＸと直交する面と平行に配置された絞り羽根５１に、この直交面に対して傾斜し、且つ略光軸ＡＸへ向かう方向に延在する互いにＶ字状の溝を形成する一対の反射面５０ａ、５０ｂを設ける構成としたが、本実施の形態では平板状の絞り羽根を光軸ＡＸとの直交面に対して傾斜して配置している。
即ち、図９に示すように、本実施の形態では平板状の絞り羽根（遮光部）７１は、光束の入射側の反射面７１ａが光軸ＡＸから離間するに従って光束の進行方向へ傾斜するように配置されている。
そして、絞り羽根７１は、この姿勢を保持した状態でエアシリンダ、リニアモータ等の直動の駆動機構５７により絞り羽根７１を光軸ＡＸに対して前進（接近）又は後退（離間）させる構成となっている。
【００４８】
上記の構成では、絞り羽根７１に到達した光束（のほとんど）は、光路空間Ｋの外側に向けて反射される。また絞り羽根７１の光軸側端面等により光束の一部が光路空間Ｋに向けて反射される可能性はあるが、光束のほとんどが光路空間Ｋの外側に向けて反射されるため、光路空間Ｋに対する反射光の強度に比べて光路空間Ｋの外側に対する反射光の強度が大きくなり、上記第１実施形態と同様と同様の作用・効果を奏することになる。
【００４９】
（第４実施形態）
続いて、図１０を参照して本発明に係る絞り装置の第４実施形態について説明する。
上記第１〜第３実施形態では絞り羽根が直動（直線的に移動）する開口絞りの例を用いて説明したが、本実施の形態では絞り羽根が揺動（回転移動）する開口絞り、いわゆる虹彩絞りについて説明する。
図１０に示す絞り羽根（遮光部）７２のそれぞれは、幅広の一端側（反時計回り方向側）に設けられた不図示の軸部（ダボ）が揺動（回転）自在に支持され、幅狭の他端側（時計回り方向側）を揺動（回転）先端として軸部周りに所定角度揺動することで、各絞り羽根７２の内径側輪郭で形成される開口Ｓの大きさを可変に設定することができる。
各絞り羽根７２の光束の入射面側（上面側）には、図５に示したものと同様に、略光軸ＡＸへ向かう方向に延在し、互いにＶ字状の溝を形成する一対の反射面５０ａ、５０ｂからなる反射部５０が形成されている。
【００５０】
本実施の形態では、絞り羽根７２が揺動することで、反射面５０ａ、５０ｂの延在方向が光軸ＡＸへ向かう方向からずれることになるが、形成すべき開口Ｓの大きさに応じて絞り羽根７２が揺動する範囲は僅かであるため、光軸ＡＸへ向かう方向からのずれ量も僅かとなる。従って、絞り羽根７２に到達した光束の多くが光路空間Ｋの外側に向けて反射されることになり、光路空間Ｋに対する反射光の強度に比べて光路空間Ｋの外側に対する反射光の強度を大きくすることができるため、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００５１】
（第５実施形態）
次に、図１１を参照して本発明に係る絞り装置の第５実施形態について説明する。
上記第４実施形態では、絞り羽根７２における反射面５０ａ、５０ｂを略光軸ＡＸへ向かう方向に延在して形成したが、製造上の理由等により必ずしもこの方向に形成できるとは限らない。図１１には、光軸ＡＸへ向かう方向と略直交する方向に延在する反射面５０ａ、５０ｂが形成された絞り羽根７２が示されている。図１２に示すように、互いにＶ字状の溝を形成する反射面の中、光軸ＡＸ側（光路側）に位置する反射面（第１反射面）５０ｂは光路の外側に向いており、光路の外側に位置する反射面（第２反射面）５０ａは光軸ＡＸ側に向いている。
【００５２】
この場合、絞り羽根７２に到達した光束の、光路空間Ｋに対する反射光の強度と光路空間Ｋの外側に対する反射光の強度とはほぼ同等となるが、図７を用いて説明したように、反射面５０ａ、５０ｂで交互に複数回反射された反射光は、反射を複数回繰り返すことで強度を弱められるため、迷光となった場合でも強度が弱くなり、結像特性に与える影響を小さくすることが可能になる。
【００５３】
（第６実施形態）
次に、図１３乃至図１５を参照して本発明に係る絞り装置の第６実施形態について説明する。
第５実施形態における絞り羽根７２は、反射面５０ａ、５０ｂが光軸ＡＸへ向かう方向と略直交する方向に延在しているため、絞り羽根７２に到達した光束の半分近くが光路空間Ｋ側へ反射されることになる。
そこで、本実施の形態では、反射面５０ａ、５０ｂが光軸ＡＸへ向かう方向と略直交する方向に延在する場合でも、光路空間Ｋに対する反射光の強度を小さくする構成について説明する。
【００５４】
図１３に示す絞り羽根７２は、光軸ＡＸと直交する面に対する反射面５０ａ、５０ｂの傾斜角が図１２で示した反射面と同一で、且つ互いにＶ字状の溝を形成する一対の反射面５０ａ、５０ｂの中、光軸ＡＸ側に位置する反射面５０ｂが光軸ＡＸの外側に位置する反射面５０ａよりも直交面に対して光束の入射側に突出して形成されている。さらに、これら反射面５０ａ、５０ｂの対は、上記光軸ＡＸへ向かうに従って直交面に対して漸次突出して形成されている。
上記の構成では、反射面５０ａからの反射光は光軸ＡＸへ向けて進むが、反射面５０ｂが反射面５０ａよりも突出しているため、その一部が遮蔽（遮光）されることになる。そのため、光路空間Ｋに対する反射光の強度を小さくすることが可能となり、反射光に起因する迷光の強度を小さくすることができる。
【００５５】
また、図１４に示す絞り羽根７２における反射面５０ａ、５０ｂは、光軸ＡＸとの直交面からの突出高さは同一であるが、反射面５０ｂの直交面に対する傾斜角を小さくすることで、反射面５０ｂが反射面５０ａよりも大きく形成されている。
この構成では、光束が等分布で反射面５０ａ、５０ｂに到達すると、反射面５０ａ、５０ｂの面積比に応じて、光路空間Ｋに対する反射光の強度を小さくすることができる。
【００５６】
また、図１５に示す絞り羽根７２における反射面５０ａ、５０ｂは、図１４に示したものと同様に、反射面５０ｂが反射面５０ａよりも大きく形成され、且つこれら反射面５０ａ、５０ｂの対が光軸ＡＸへ向かうに従って直交面に対して漸次突出して形成されている。
この構成では、反射面５０ａ、５０ｂの面積比に応じて、光路空間Ｋに対する反射光の強度を小さくすることができるとともに、反射面５０ａからの反射光を一部遮光してその強度を小さくすることができる。
【００５７】
（第７実施形態）
次に、図１６を参照して本発明に係る絞り装置の第７実施形態について説明する。
上記第１〜第６実施形態においては、本発明に係る絞り装置を投影光学系ＰＬにおける開口絞りに適用する例を用いて説明したが、本実施の形態では照明光学系ＩＵにおける開口絞り（ターレット板７）に適用する例を用いて説明する。
【００５８】
図１６は、開口絞り（絞り装置）７ａ〜７ｄが形成されたターレット板７の平面図であり、図中符号１６ａ〜１６ｄは各開口絞り７ａ〜７ｄを光路に挿入したときの光路領域を示している（この光路領域は実際の光路よりも大きく設定されている）。各光路領域１６ａ〜１６ｄにおける開口の周囲には到達した光束を遮光する遮光部４１ａ〜４１ｄが形成されている。遮光部４１ａ〜４１ｄは、図５に示したように、光軸ＡＸａ〜ＡＸｄに向かう方向に延在するＶ溝を形成する反射面が、各開口絞り７ａ〜７ｄを光路に挿入したときの光軸位置ＡＸａ〜ＡＸｄを中心とする放射状にそれぞれ形成されている。
【００５９】
この構成では、光路に挿入された開口絞り７ａ〜７ｄに到達した光束の多くは、遮光部４１ａ〜４１ｄで反射して光路空間の外側に向かう。そのため、本実施の形態では照明光学系ＩＵにおいても、光路空間に対する反射光の強度に比べて光路空間の外側に対する反射光の強度が大きくすることができ、反射光に起因する迷光の強度を小さくして迷光による結像特性の低下を抑制することが可能になる。
【００６０】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００６１】
例えば、上記実施の形態では開口絞りＥＰや７ａ〜７ｄに関して、光束の入射面側に本発明に係る反射面を設ける構成としたが、これに限定されるものではなく、光軸方向両面に反射面を設ける構成としてもよい。
これにより、例えば投影光学系ＰＬから出射してウエハＷで反射した光束が投影光学系ＰＬに再入射した場合に、再入射した光束の多くを光路空間の外側に向けて反射できるため、ウエハＷからの反射光に起因する迷光の強度を小さくして迷光による結像特性の低下を抑制することが可能になる。
【００６２】
また、図１０で示した虹彩絞りの場合、絞り羽根７２を揺動した際に反射面の一部（特に、揺動先端側）が光路空間に向く可能性がある。このような場合、局所的（例えば揺動先端側のみ）に図１３乃至図１５に示したように、光路空間に対する反射光の強度を小さくする反射面を設ける構成としてもよい。
【００６３】
さらに、上記各実施形態においては光触媒として酸化チタンを用いているが、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＴｉＯ２、及びこれらの物質の混合物を用いてもよい。
【００６４】
なお、本実施の形態の基板としては、半導体デバイス用の半導体ウエハＷのみならず、液晶ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００６５】
投影露光装置１としては、レチクルＲとウエハＷとを同期移動してレチクルＲのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニング・ステッパー；USP5,473,410）の他に、レチクルＲとウエハＷとを静止した状態でレチクルＲのパターンを露光し、ウエハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパー）にも適用することができる。
【００６６】
勿論、本発明は、半導体素子の製造に用いられる露光装置だけでなく、液晶表示素子、プラズマディスプレイなどを含むディスプレイの製造に用いられる、デバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置、薄膜磁気へッドの製造に用いられる、デバイスパターンをセラミックウエハ上に転写する露光装置、及び撮像素子（ＣＣＤなど）の製造に用いられる露光装置などにも適用することができる。
【００６７】
また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（遠紫外）光やＶＵＶ（真空紫外）光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。また、ＥＵＶ露光装置では反射型マスクが用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハなどが用いられる。
【００６８】
投影光学系ＰＬとしては、光源としてＡｒＦエキシマレーザ光源あるいはＫｒＦエキシマレーザ光源を用いる場合には、屈折光学素子（レンズ素子）のみから成る屈折系が主として用いられるが、Ｆ２レーザ光源、Ａｒ２レーザ光源等を用いる場合には、例えば特開平３−２８２５２７号公報に開示されているような、屈折光学素子と反射光学素子（凹面鏡やビームスプリッタ等）とを組み合わせたいわゆるカタディオプトリック系（反射屈折系）、あるいは反射光学素子のみから成る反射光学系が主として用いられる。但し、Ｆ２レーザ光源を用いる場合に、屈折系を用いることは可能である。
【００６９】
また、上記実施形態では、投影光学系として縮小系を用いる場合について説明したが、投影光学系は等倍系および拡大系のいずれでも良い。さらに、反射屈折型の投影光学系としては、前述したものに限らず、例えば円形イメージフィールドを有し、かつ物体面側、及び像面側が共にテレセントリックであるとともに、その投影倍率が１／４倍又は１／５倍となる縮小系を用いても良い。また、この反射屈折型の投影光学系を備えた走査型露光装置の場合、照明光の照射領域が投影光学系の視野内でその光軸をほぼ中心とし、かつレチクル又はウエハの走査方向とほぼ直交する方向に沿つて延びる矩形スリット状に規定されるタイプであっても良い。かかる反射屈折型の投影光学系を備えた走査型露光装置によれば、例えば波長１５７ｎｍのＦ２レーザ光を露光用照明光として用いても１００ｎｍＬ／Ｓパターン程度の微細パターンをウエハ上に高精度に転写することが可能である。
【００７０】
また、本発明に係る露光装置では、露光用照明光として、前述した遠紫外域、真空紫外域の光に限らず、波長５〜３０ｎｍ程度の軟Ｘ線領域のＥＵＶ光を用いても良い。また、例えば真空紫外光としては、ＡｒＦエキシマレーザ光やＦ２レーザ光などが用いられるが、これに限らず、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイットリビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
【００７１】
例えば、単一波長レーザの発振波長を１．５１〜１．５９μｍの範囲内とすると、発生波長が１８９〜１９９ｎｍの範囲内である８倍高調波、又は発生波長が１５１〜１５９ｎｍの範囲内である１０倍高調波が出力される。特に発振波長を１．５４４〜１．５５３μｍの範囲内とすると、発生波長が１９３〜１９４ｎｍの範囲内の８倍高調波、即ちＡｒＦエキシマレーザ光とほぼ同一波長となる紫外光が得られ、発振波長を１．５７〜１．５８μｍの範囲内とすると、発生波長が１５７〜１５８ｎｍの範囲内の１０倍高調波、即ちＦ２レ−ザ光とほぼ同一波長となる紫外光が得られる。
【００７２】
また、発振波長を１．０３〜１．１２μｍの範囲内とすると、発生波長が１４７〜１６０ｎｍの範囲内である７倍高調波が出力され、特に発振波長を１．０９９〜１．１０６μｍの範囲内とすると、発生波長が１５７〜１５８μｍの範囲内の７倍高調波、即ちＦ２レーザ光とほぼ同一波長となる紫外光が得られる。この場合、単一波長発振レーザとしては例えばイットリビウム・ドープ・ファイバーレーザを用いることができる。
【００７３】
上記実施形態のように基板ステージやレチクルステージにリニアモータを用いる場合においてエアベアリングを用いたエア浮上型に限られず、ローレンツ力を用いた磁気浮上型を用いてもよい。また、各ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。
【００７４】
基板ステージの移動により発生する反力は、特開平８−１６６４７５号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。また、レチクルステージの移動により発生する反力は、特開平８−３３０２２４号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。
【００７５】
以上のように、本願実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００７６】
半導体デバイスは、図１７に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の実施の形態を示す図であって、投影露光装置の概略構成図である。
【図２】ターレット板の平面図である。
【図３】投影露光装置を構成する開口絞りの外観斜視図である。
【図４】絞り羽根の概略構成図である。
【図５】絞り羽根に形成された反射面の要部を示す部分拡大図である。
【図６】投影光学系における鏡筒に開口絞りが配設された図である。
【図７】一対の反射面で光束が交互に反射する図である。
【図８】第２実施形態の絞り羽根の構成を示す図である。
【図９】第３実施形態に係る絞り羽根の構成を示す図である。
【図１０】本発明の第４実施形態を示す図であって、本発明を虹彩絞りの絞り羽根に適用した平面図である。
【図１１】本発明の第５実施形態を示す図であって、本発明を虹彩絞りの絞り羽根に適用した平面図である。
【図１２】第５実施形態における光束の反射状態を示す図である。
【図１３】本発明の第６実施形態を示す図であって、反射面の他の構成例を示す図である。
【図１４】本発明の第６実施形態を示す図であって、反射面の他の構成例を示す図である。
【図１５】本発明の第６実施形態を示す図であって、反射面の他の構成例を示す図である。
【図１６】本発明の第７実施形態を示す図であって、本発明に係る絞り装置をターレット板に適用した図である。
【図１７】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
【００７８】
Ｅｐ  開口絞り（絞り装置）
ＩＵ  照明光学系
Ｋ  光路空間
ＰＬ  投影光学系
Ｒ  レチクル（マスク）
Ｔ  酸化チタン薄膜（光触媒）
１  投影露光装置（露光装置）
７ａ〜７ｄ  開口絞り（絞り装置）
４１ａ〜４１ｄ  遮光部
５０ａ  反射面（第２反射面）
５０ｂ  反射面（第１反射面）
７１ａ  反射面
５１、７１、７２  絞り羽根（遮光部）
【図１】
2005079555.tif 000003
【図２】
2005079555.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2005079555.tif 000016
【図１５】
2005079555.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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