(57)【要約】  【課題】  素子の製造の困難性を回避しながら、素子の放熱性を向上させることにより、素子の温度特性を向上させ、これによって、素子の信頼性を向上させる。  【解決手段】  リッジ１の側方にサポート２・２を形成する素子において、リッジ−サポート間距離Ｗａを、２０μｍよりも大きく５０μｍ未満に設定し、かつ、素子のチップ幅Ｗｃに対するサポート２・２の幅Ｗｓｓの割合（幅比Ｒｗ）を、３３％よりも大きく５２％未満に設定する。これにより、リッジ１下方の活性層１４にて発生した熱を、リッジ１およびサポート２・２を介して外部に確実に放散することができ、素子の放熱性が向上する。したがって、活性層１４での温度上昇が抑制され、素子の温度特性が向上し、素子の信頼性が向上する。また、リッジ−サポート間距離Ｗａが２０μｍよりも大きく、幅比Ｒｗが５２％未満なので、リッジ−サポート間のエッチングに支障をきたすことはない。【選択図】      図１
2005268561.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層の上方に位置するリッジの側方にサポートを有する半導体レーザ素子であって、
前記リッジの中心から前記サポートにおける前記リッジ側の端までの距離が、２０μｍよりも大きく、５０μｍ未満に設定されており、
当該素子のチップ幅に対する前記サポートの幅の割合が、３３％よりも大きく、５２％未満に設定されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
活性層の上方に位置するリッジの側方にサポートを有する半導体レーザ素子であって、
前記リッジの中心から前記サポートにおける前記リッジ側の端までの距離が、２０μｍよりも大きく、５０μｍ未満に設定されており、
当該素子の面積に対する前記サポートの面積の割合が、３３％よりも大きく、５２％未満に設定されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記サポートは、前記リッジの両側に少なくとも１本ずつ形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記サポートは、前記リッジの両側に複数本ずつ、各々離間して形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ストライプ状のリッジを有する、いわゆるリッジストライプ型の半導体レーザ素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、リッジストライプ型の半導体レーザ素子が種々提案されている（例えば特許文献１参照）。例えば、図８（ａ）は、従来の半導体レーザ素子の平面図を示し、図８（ｂ）は、上記半導体レーザ素子の断面図を示している。この半導体レーザ素子は、基板上に、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層、エッチングストッパ層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層が順に形成されている。そして、ｐ型クラッド層およびｐ型コンタクト層をエッチングすることにより、素子表面にリッジ１０１が形成されているとともに、リッジ１０１の両側に所定間隔おいてサポート１０２・１０２が形成されている。なお、説明を簡略化するため、図中では、ｎ型ブロック層、ｐ型電極およびｎ型電極の図示を省略している。
【０００３】
ここで、上記半導体レーザ素子のチップ幅を３００μｍとすると、リッジ１０１の中心からサポート１０２・１０２におけるリッジ１０１側の端までの距離（以下では、リッジ−サポート間距離と称する）は、例えば７０μｍに設定されている。また、サポート１０２・１０２の幅（チップ幅方向のサポート１０２・１０２の長さ）は、それぞれ５０μｍであり、合わせて１００μｍに設定されている。したがって、チップ幅に対するサポート幅の割合は、（１００／３００）×１００≒３３％となっている。
【０００４】
このような構成の半導体レーザ素子は、図８（ｃ）に示すように、基板におけるリッジ１０１およびサポート１０２・１０２側をサブマウント１０３に取り付け、このサブマウント１０３を介して保持体（図示せず）に保持される（ジャンクションダウン方式）。
【特許文献１】特許第３３４８０２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、半導体レーザ素子では、周囲温度が変化すると、それに伴って、例えば、一定の光出力を得るのに必要な動作電流や動作電圧、波長などの諸特性が変動する。ここで、以下では、周囲温度に対する諸特性のことを温度特性と称し、周囲温度に対して諸特性が変動することを温度特性の低下と称することにする。温度特性の低下は、素子の信頼性を低下させる要因となるため、極力、これを抑制することが必要である。
【０００６】
ここで、半導体レーザ素子の諸特性のうち、動作電流について着目すると、レーザ光を出力する活性層の温度が高くなればなるほど、動作電流が上昇する。これは、活性層の温度が高くなればなるほど、電流を光に変換する効率（変換効率）が低下するからである。したがって、素子の信頼性を向上させるためには、活性層およびその周囲にて発生する熱を活性層以外の部位（素子以外の部位）に逃がし、活性層の温度上昇を抑制して、動作電流の上昇を抑制する必要がある。
【０００７】
そこで、ジャンクションダウン方式が適用される半導体レーザ素子では、リッジの両側にサポート１０２・１０２を設け、活性層にて発生する熱を、リッジ１０１およびサポート１０２・１０２を介してサブマウント１０３に伝達させるようにしている。
【０００８】
しかし、上記した従来の半導体レーザ素子の構成では、リッジ−サポート間距離が７０μｍと比較的広めに設定されているため、実際には、リッジ１０１下部の活性層にて発生した熱がサポート１０２・１０２を介してサブマウント１０３に伝達されにくい。また、チップ幅に対するサポート幅の割合が３３％と比較的小さいため、リッジ１０１下部の活性層にて発生した熱がサポート１０２・１０２に伝達されても、サポート１０２・１０２からサブマウント１０３に効率よく熱を伝達させることができない。そのため、実際には素子の放熱が不十分であり、活性層の温度上昇を確実に抑制できるまでには至っていない。その結果、動作電流が上昇（温度特性が低下）し、素子の信頼性が確実に向上するまでには至っていない。
【０００９】
一方、リッジ１０１とサポート１０２・１０２との間は、エッチングストッパ層までエッチングされるが、リッジ−サポート間距離を短くしすぎたり、チップ幅に対するサポート幅の割合を大きくしすぎると、エッチングの進行を目視で確認するための領域が減るため、エッチングの進行を目視で確認することが困難となり、素子の製造に支障をきたす。
【００１０】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、素子の製造の困難性を回避しながら、素子の放熱性を確実に向上させることによって、素子の温度特性を確実に向上させ、これによって、素子の信頼性を確実に向上させることができる半導体レーザ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の半導体レーザ素子は、活性層の上方に位置するリッジの側方にサポートを有する半導体レーザ素子であって、前記リッジの中心から前記サポートにおける前記リッジ側の端までの距離（リッジ−サポート間距離Ｗａ）が、２０μｍよりも大きく、５０μｍ未満に設定されており、当該素子のチップ幅（Ｗｃ）に対する前記サポートの幅（Ｗｓｓ；全サポートの幅の合計）の割合（Ｒｗ）が、３３％よりも大きく、５２％未満に設定されていることを特徴としている。
【００１２】
５０μｍ未満のリッジ−サポート間距離は、従来の７０μｍに比べて十分に短いので、リッジ下方の活性層にて発生した熱が、リッジだけでなくサポートにも確実に伝達される。しかも、サポートの幅が、素子のチップ幅の３３％よりも大きいので、従来よりもサポート面積が確実に増える。なお、サポート面積とは、素子を上方から見た場合のサポート表面の平面的な面積を指す。
【００１３】
これにより、上記の熱をリッジおよびサポートを介して外部（例えば、ジャンクションダウン方式であれば、サブマウントを介して保持体）に確実に放散することができ、素子の放熱性を確実に向上させることができる。これにより、活性層での温度上昇を確実に抑制して、素子の温度特性を確実に向上させることができ（例えば一定の光出力を得るための動作電流を確実に低減することができ）、素子の信頼性を確実に向上させることができる。
【００１４】
また、リッジ−サポート間距離は２０μｍよりも大きく、しかも、サポート幅は、チップ幅の５２％未満であるので、リッジおよびサポートのエッチングの際のモニタ領域（エッチングストッパ層までのエッチングの進行を確認するための領域）を十分に確保することができる。その結果、リッジおよびサポートのエッチングに支障をきたすことはなく、素子の製造の困難性を十分に回避することができる。
【００１５】
ところで、素子におけるリッジ長手方向の長さが一定の場合、チップ幅に対するサポート幅の割合は、素子面積（素子を上方から見た場合の素子表面の平面的な面積）に対するサポート面積の割合と等しい。このことから、本発明の半導体レーザ素子は、活性層の上方に位置するリッジの側方にサポートを有する半導体レーザ素子であって、リッジ−サポート間距離が、２０μｍよりも大きく、５０μｍ未満に設定されており、当該素子の面積に対する前記サポートの面積の割合が、３３％よりも大きく、５２％未満に設定されている構成であるとも言うことができる。この構成でも、上記と同様の作用効果を得ることができる。しかも、この場合は、サポートの平面形状が例えば矩形に限定されず、種々の平面形状のサポートを構成することができ、素子のバリエーションを増大させることができる。
【００１６】
また、前記サポートは、前記リッジの両側に少なくとも１本ずつ形成されている構成であってもよい。例えば、リッジの両側にサポートが１本ずつ形成されていてもよく、リッジの片側にはサポートが２本形成され、反対側にはサポートが１本形成されていてもよい。このようにサポートをリッジの両側合わせて複数本形成することにより、サポートを介して素子をサブマウントに取り付けるジャンクションダウン方式を採用する際に、複数の接触部でサポートとサブマウントとが接触する。これにより、素子を安定してサブマウントに取り付けることができる。
【００１７】
また、前記サポートは、前記リッジの両側に複数本ずつ、各々離間して形成されている構成であってもよい。この場合は、上記の作用効果に加えて、各サポート間をエッチングの際のモニタ領域として活用することができるので、素子の製造困難性をより確実に回避することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、リッジ−サポート間距離および素子のチップ幅に対するサポート幅の割合（素子面積に対するサポート面積の割合）を適切に設定することにより、素子の製造困難性を回避したまま、活性層にて発生した熱を、リッジおよびサポートを介して外部に確実に放散することができる。これにより、活性層の温度上昇によって温度特性が低下するのを確実に回避して、素子の信頼性を確実に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２０】
図２（ａ）は、本実施形態に係る半導体レーザ素子（以下、単に素子と称する）の概略の構成を示す平面図であり、図２（ｂ）は、素子の概略の構成を示す断面図である。なお、説明を簡略化するため、これらの図中、素子表面の電極層（ｐ型電極、ｎ型電極）の図示は省略している。この素子は、ストライプ状のリッジ１と、その側方（本実施形態では両側）に所定間隔をおいて形成されるストライプ状のサポート２・２とを有している。サポート２・２は、後述するサブマウント３（図２（ｃ）参照）に素子を安定して取り付けるための支持部であり、このサポート２・２の存在により、リッジ１が保護される。
【００２１】
本素子は、図２（ｃ）に示すように、リッジ１およびサポート２・２側をサブマウント３に取り付け、このサブマウント３を介して保持体（図示せず）に保持される（ジャンクションダウン方式）。以下、素子の詳細な構成について説明する。
【００２２】
図１は、素子の詳細な構成を示す断面図である。この素子において、ｎ型（第１導電型）ＧａＡｓからなる基板１１上には、ｎ型ＧａＩｎＰからなるバッファ層１２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層１３、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰからなり、レーザ光（例えば赤色）を出射する活性層１４、ｐ型（第２導電型）ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層１５およびｐ型ＧａＩｎＰからなるエッチングストッパ層１６がこの順で積層されている。
【００２３】
エッチングストッパ層１６上には、上記したストライプ状のリッジ１が形成されているとともに、そのリッジ１の両側に所定間隔をおいてサポート２・２が形成されている。そして、リッジ１のトップを除く表面には、ｎ型ＡｌＩｎＰからなるブロック層１７が積層されており、リッジ１のトップおよびブロック層１７上には、ｐ型電極１８が積層されている。一方、基板１１の裏面側には、ｎ型電極１９が形成されている。ｐ型電極１８とｎ型電極１９とを流れる電流が、素子の動作電流である。
【００２４】
上記のリッジ１およびサポート２・２は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層２０、ｐ型ＧａＩｎＰからなるコンタクト層２１およびｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層２２がこの順で積層されて構成されており、これらをエッチングストッパ層１６までエッチング（ドライエッチング、ウェットエッチング）することにより形成されている。
【００２５】
次に、本実施形態では、素子の放熱性の向上および温度特性が向上するように、以下の実験結果に基づいて、リッジ１の中心からサポート２・２におけるリッジ１側の端までの距離（以下、リッジ−サポート間距離と称する）Ｗａを設定した。この点について説明する。
【００２６】
本実施形態では、周囲温度２５℃のときに一定の光出力Ｐ０（例えば４０ｍＷ）を得るための動作電流Ｉｏｐ（約８５ｍＡ）に対する、周囲温度７０℃のときに一定の光出力Ｐ０（例えば４０ｍＷ）を得るための動作電流Ｉｏｐの変化を、リッジ−サポート間距離Ｗａを変化させて調べた。その結果を表１に示す。なお、チップ幅Ｗｃは、素子１個の幅のことであり、本実施形態では３００μｍとした。また、サポート２・２の各サポート幅Ｗｓは、それぞれ５０μｍとした（サポート２・２の幅の総和をＷｓｓとする）。図３は、表１の数値に基づいて作成した、リッジ−サポート間距離Ｗａと動作電流Ｉｏｐとの関係を示すグラフである。
【００２７】
【表１】
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図３より、リッジ−サポート間距離Ｗａが従来と同じ７０μｍでは、動作電流Ｉｏｐは１３３．６ｍＡであり、最大となっている。また、リッジ−サポート間距離Ｗａが５０μｍ以上７０μｍ以下の範囲でも、動作電流Ｉｏｐは上記と同じ１３３．６ｍＡであり、最大となっている。これは、リッジ−サポート間距離Ｗａが大きいため、活性層１４にて発生した熱がサポート２・２に伝達されにくく、放熱性が優れていないため、活性層１４での温度上昇により、動作電流Ｉｏｐが増大しているためと思われる。
【００２８】
一方、リッジ−サポート間距離Ｗａが３０μｍでは、動作電流Ｉｏｐは１２２．９ｍＡと最小であり、放熱性が向上した結果、動作電流Ｉｏｐが最小になったものと思われる。つまり、リッジ−サポート間距離Ｗａが３０μｍでは、素子の放熱性向上の効果が一番高いと思われる。
【００２９】
また、リッジ−サポート間距離Ｗａが２０μｍでは、動作電流Ｉｏｐは１２４．６ｍＡであり、最小ではないが、リッジ−サポート間距離Ｗａが従来の７０μｍのときよりも大幅に低減していることは言え、放熱性向上の効果は依然として高いと言える。ただし、リッジ−サポート間距離Ｗａが２０μｍちょうどでは、リッジ１とサポート２・２間のｐ型クラッド層２０、コンタクト層２１およびコンタクト層２２のエッチングを精度よく行う必要があり、製造の困難性を伴うので、リッジ−サポート間距離Ｗａは、２０μｍよりも大きくとる必要がある。また、図３のグラフより、リッジ−サポート間距離Ｗａが３３μｍのときも、動作電流Ｉｏｐが上記と同じ１２４．６ｍＡであり、放熱性向上の効果が高いと言える。
【００３０】
また、リッジ−サポート間距離Ｗａが４０μｍでは、図３のグラフから動作電流Ｉｏｐは１２８．０ｍＡ付近であり、リッジ−サポート間距離Ｗａが３０μｍ、２０μｍ（３３μｍ）の次に、放熱性向上の効果が高いと言える。
【００３１】
以上のことから、素子の放熱性向上の効果を得るためには、リッジ−サポート間距離Ｗａの上限としては、５０μｍ未満、４０μｍ以下、３３μｍ以下、３０μｍ以下を考えることができる。
【００３２】
また、リッジ−サポート間距離Ｗａの下限としては、リッジ−サポート間のエッチングを容易にすることを主に考慮して、２０μｍよりも大きい、３０μｍ以上、３３μｍ以上、４０μｍ以上を考えることができる。
【００３３】
したがって、リッジ−サポート間距離Ｗａの適切な範囲としては、２０μｍよりも大きく５０μｍ未満の範囲で、上記した下限と上限とを適宜組み合わせることによって設定することが可能である。つまり、リッジ−サポート間距離Ｗａは、２０μｍよりも大きく５０μｍ未満の範囲、２０μｍよりも大きく４０μｍ以下の範囲、２０μｍよりも大きく３３μｍ以下の範囲、２０μｍよりも大きく３０μｍ以下の範囲を考えることができる。また、リッジ−サポート間距離Ｗａは、３０μｍ以上５０μｍ未満の範囲、３０μｍ以上４０μｍ以下の範囲、３０μｍ以上３３μｍ以下の範囲を考えることができる。さらに、リッジ−サポート間距離Ｗａは、３３μｍ以上５０μｍ未満、３３μｍ以上４０μｍ以下の範囲を考えることもでき、４０μｍ以上５０μｍ未満の範囲も考えることができる。
【００３４】
ここで、図３に示すように、リッジ−サポート間距離Ｗａが、２０μｍよりも大きく３０μｍ以下の範囲をａとし、３０μｍ以上３３μｍ以下の範囲をｂとし、３３μｍ以上４０μｍ以下の範囲をｃとし、４０μｍ以上５０μｍ未満の範囲をｄとする。なお、境界の値は、隣接するどちらの範囲に含めて考えてもよい。
【００３５】
動作電流Ｉｏｐの低減に最も着目するならば、リッジ−サポート間距離Ｗａの範囲は、ａとｂとのうち少なくとも一方を含む範囲（ａ＋ｂ、ａ、ｂ）であることが一番好ましく、次に、それにｃを含む範囲（例えばａ＋ｂ＋ｃ、ｂ＋ｃ、ｃで表される範囲）であることが好ましく、その次に、それにｄを含む範囲（例えばａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ、ｂ＋ｃ＋ｄ、ｃ＋ｄ、ｄで表される範囲）であることが好ましいと言える。
【００３６】
次に、本実施形態では、素子の放熱性の向上および温度特性が向上するように、以下の実験結果に基づいて、素子のチップ幅Ｗｃに対するサポート２・２の幅Ｗｓｓの割合（以下、幅比Ｒｗと記載する）を設定した。以下、この点について説明する。なお、幅Ｗｓｓとは、上述したように全サポート２・２の幅を合計したものを指し、１個のサポート２の幅は幅Ｗｓと記載する。つまり、２個のサポート２・２を有する本実施形態の素子では、Ｗｓｓ＝２Ｗｓである。また、幅比Ｒｗ＝（サポート幅Ｗｓｓ／チップ幅Ｗｃ）×１００である。
【００３７】
本実施形態では、周囲温度２５℃のときに一定の光出力Ｐ０（例えば４０ｍＷ）を得るための動作電流Ｉｏｐ（約８５ｍＡ）に対する、周囲温度７０℃のときに一定の光出力Ｐ０（例えば４０ｍＷ）を得るための動作電流Ｉｏｐの変化を、幅比Ｒｗを変化させて調べた。その結果を表２に示す。
【００３８】
なお、チップ幅Ｗｃは３００μｍとした。また、本実施形態では、リッジ−サポート間距離Ｗａとサポート２の幅Ｗｓとの和を１２０μｍに維持しながら、サポート幅Ｗｓを変化させ、幅比Ｒｗを変化させた。図４は、表２の数値に基づいて作成した、幅比Ｒｗと動作電流Ｉｏｐとの関係を示すグラフである。
【００３９】
【表２】
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図４より、幅比Ｒｗが２０％以上３３％以下の範囲では、動作電流Ｉｏｐは１ｍＡしか減少していない。これは、活性層１４にて発生した熱のサポート２・２での放熱効率が優れていないため、活性層１４での温度上昇を抑制する効果が低く、温度特性の低下があまり抑制できていないことを意味している。
【００４０】
これに対して、幅比Ｒｗが３３％を超えると、動作電流Ｉｏｐは著しく低減されている。これは、サポート２・２のサポート面積が増大することによって、サポート２・２での放熱効果が著しく上昇し、活性層１４での温度上昇を効果的に抑制できていることを意味している。したがって、幅比Ｒｗが３３％を超えると、素子の温度特性の低下を確実に抑制できていると言える。特に、幅比Ｒｗが４０％を超えると、動作電流Ｉｏｐの低減はさらに著しく、素子の温度特性の向上の効果が一段と高いと言える。
【００４１】
一方、リッジ１およびサポート２・２のエッチング時には、リッジ１とサポート２・２との間の領域を、エッチングの進行を目視で確認するためのモニタ領域として確保する必要がある。幅比Ｒｗが５２％以上では、このモニタ領域にてエッチングの進行を目視で確認できないことが実験的に分かっている。
【００４２】
なお、ウェハ上にモニタ領域を予め設けておくことにより、幅比Ｒｗの上限を増大させる方法もあるが、これでは、１個のウェハから採れる素子の数が、ウェハ上にモニタ領域を設けない場合に比べて１０％程度減少するため、素子の製造効率が低減してしまう。
【００４３】
したがって、幅比Ｒｗとしては、３３％よりも大きく、５２％未満であることが望ましく、４０％よりも大きく、５２％未満であることがさらに望ましい。また、幅比Ｒｗの上限が５０％未満であれば、エッチングのためのモニタ領域がさらに広がることから、幅比Ｒｗは、３３％よりも大きく、５０％未満であることがさらに望ましく、４０％よりも大きく、５０％未満であることが、より一層望ましいと言える。
【００４４】
以上のことから、素子の製造困難性（特にエッチングの困難性）を回避しながら、素子の放熱性および温度特性を確実に向上させるためには、図３および図４の結果に基づいて、リッジ−サポート間距離Ｗａおよび幅比Ｒｗの上述した好適な範囲を適宜組み合わせて素子を構成すればよいと言える。
【００４５】
つまり、活性層１４の上方に位置するリッジ１の側方にサポート２・２を有する素子において、例えば、リッジ−サポート間距離Ｗａが、例えば２０μｍよりも大きく、５０μｍ未満に設定されており、当該素子のチップ幅Ｗｃに対するサポート２・２の幅Ｗｓｓの割合Ｒｗが、例えば３３％よりも大きく、５２％未満に設定されていればよいと言える。その結果、以下の作用効果を奏する。
【００４６】
５０μｍ未満のリッジ−サポート間距離Ｗａは、従来の７０μｍに比べて十分に短いので、活性層１４にて発生した熱が、リッジ１だけでなくサポート２・２にも確実に伝達される。しかも、サポート２・２の幅Ｗｓｓが、素子のチップ幅の３３％よりも大きいので、従来よりもサポート面積が確実に増える。
【００４７】
これにより、上記の熱をリッジ１およびサポート２・２を介して外部（例えばサブマウント３を介して保持体）に確実に放散することができ、素子の放熱性を確実に向上させることができる。したがって、活性層１４での温度上昇を確実に抑制して、素子の動作電流Ｉｏｐを確実に低減することができる。その結果、素子の温度特性を確実に向上させることができ、素子の信頼性を確実に向上させることができる。
【００４８】
また、リッジ−サポート間距離Ｗａは２０μｍよりも大きく、しかも、サポート２・２の幅Ｗｓｓは、チップ幅の５２％未満であるので、リッジ１およびサポート２・２のエッチングの際のモニタ領域を十分に確保することができる。その結果、リッジ１およびサポート２・２のエッチングに支障をきたすことはなく、素子の製造の困難性を十分に回避することができる。
【００４９】
また、幅比Ｒｗが上記範囲に設定されることにより、サポート面積が従来よりも広がるので、サブマウント３への素子の取り付け時の安定性も確実に向上し、ジャンクションダウンで組み立てやすくなるというメリットもある。
【００５０】
しかも、本実施形態のように、サポート２・２をリッジ１の両側に少なくとも１本ずつ形成するようにすれば、複数の接触部でサポート２・２とサブマウント３とが接触するので、サブマウント３への素子に取り付け時の安定性は、より一層増大する。
【００５１】
ところで、素子の奥行方向の長さを一定としたとき、素子面積（素子を上方から見た場合の素子表面の平面的な面積）に対するサポート面積の割合（以下、面積比Ｒｓと記載する）は、幅比Ｒｗに比例する。したがって、上記した幅比Ｒｗの範囲は、面積比Ｒｓの範囲として言い換えることができ、この場合でも、上記と同様の効果を得ることができると言える。
【００５２】
つまり、面積比Ｒｓが、３３％よりも大きく、５２％未満に設定されていれば、幅比Ｒｗが、３３％よりも大きく、５２％未満に設定されている場合と同様の効果を得ることができ、面積比Ｒｓが、４０％よりも大きく、５０％未満に設定されていれば、幅比Ｒｗが、４０％よりも大きく、５０％未満に設定されている場合と同様の効果を得ることができると言える。
【００５３】
したがって、面積比Ｒｓがそのような一定の範囲に収まるのであれば、サポート２・２の形状は、平面視でストライプ形状には限定されない。例えば、図５（ａ）ないし図５（ｃ）は、片側のサポート２の平面形状を示している。図５（ａ）に示すように、サポート２は、リッジ１の長手方向両端部以外の部分に対応する部分で太く、リッジ１の長手方向両端部に対応する部分で細くなる形状であってもよい。また、逆に、図５（ｂ）に示すように、サポート２は、リッジ１の長手方向両端部以外の部分に対応する部分で細く、リッジ１の長手方向両端部に対応する部分で太くなる形状であってもよい。さらに、図５（ｃ）に示すように、サポート２は、リッジ１の長手方向両端部以外の部分に対応する部分に開口部が形成される形状であってもよい。
【００５４】
なお、他方のサポート２についても同様であり、上記いずれの平面形状を採用することもできる。また、一方のサポート２と他方のサポート２とで、別々の平面形状をなすようにしてもよい。また、サポート２・２の形状は、図５（ａ）ないし図５（ｃ）で示した形状以外の形状とすることも勿論可能である。
【００５５】
なお、サポート２におけるリッジ１の長手方向両端部以外の部分に対応する部分とは、リッジ１における長手方向両端部以外の部分をサポート２方向に平行移動したときに、サポート２とオーバーラップする部分のことを指す。
【００５６】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、実施の形態１と同一の構成には同一の部材番号を付記し、その説明を省略する。
【００５７】
図６（ａ）は、本実施形態に係る半導体レーザ素子（以下、単に素子と称する）の概略の構成を示す平面図であり、図６（ｂ）は、素子の概略の構成を示す断面図であり、図６（ｃ）は、素子をサブマウント３にジャンクションダウン方式で取り付けた状態を示す断面図である。なお、説明を簡略化するため、これらの図中、素子表面の電極層（ｐ型電極、ｎ型電極）の図示は省略している。また、図７は、本実施形態の素子の詳細な構成を示す断面図である。
【００５８】
本実施形態の素子は、リッジ−サポート間距離Ｗａおよび幅比Ｒｗ（面積比Ｒｓ）が実施の形態１の範囲に収まるように、ストライプ状のリッジ１の側方（本実施形態では両側）に、複数のサポート２を各々離間して形成した以外は、実施の形態１と同様の構成である。なお、本実施形態でのリッジ−サポート間距離Ｗａとは、リッジ１の中心から、リッジ１に最も近い位置にあるサポート２のリッジ１側の端までの距離のことを指すものとする。
【００５９】
本実施形態の素子では、実施の形態１における片側のサポート２、すなわち、リッジ１の片側に位置するサポート２が複数に分離された形となっているが、リッジ１に最も近い位置のサポート２について、リッジ−サポート間距離Ｗａが実施の形態１にて説明した範囲に収まり、かつ、複数のサポート２全体の幅比Ｒｗ（面積比Ｒｓ）が実施の形態１にて説明した範囲に収まっていれば、実施の形態１と同様の作用効果を奏することが類推できる。
【００６０】
しかも、本実施形態の素子では、リッジ１の両側のそれぞれにおいて、各サポート２・２間をエッチングの際のモニタ領域として活用することができるので、エッチングストッパ層１６までのエッチングの進行の確認がよりしやすくなる。したがって、素子の製造困難性をより確実に回避することができる。
【００６１】
また、図７に示すように、リッジ１の両側のそれぞれにおいて、リッジ１から最も離れた位置にあるサポート２・２（素子の最も外側に位置するサポート２・２）を、素子の最外縁（リッジ１とは反対側の縁）に位置させるようにしてもよい。この場合は、リッジ１の両側のそれぞれにおいて、並設されるサポート２・２の間の距離が広がるので、サポート２・２とサブマウント３との接触部の幅が広がり、サブマウント３への素子の取り付け時の安定性を一段と向上させることができる。
【００６２】
上記実施形態において、リッジ１並びにサポート２の高さ（ｐ型電極は含まない）は、１０μm以下、好ましくは２〜７μmの範囲に設定される。また、活性層１４からリッジ１の頂上部までの間隔は、１０μm以下、好ましくは２〜８μmの範囲に設定される。ｐ型電極１８の厚さは、１〜５μｍに設定される。ｐ型電極１８を加えたリッジ１並びにサポート２の高さは、１５μm以下、好ましくは３〜１２μmの範囲に設定される。
【００６３】
なお、本実施形態では、各サポート２の幅Ｗｓについては、特に言及していないが、各サポート２の幅Ｗｓの総和である全サポート幅Ｗｓｓが、実施の形態１で説明した範囲に収まればよい。したがって、例えば、個々のサポート２が全て同じ幅Ｗｓである必要はなく、個々のサポート２の幅Ｗｓを別々に設定することも勿論可能である。
【００６４】
なお、本実施形態では、リッジ１の両側に２本ずつサポート２を形成した例について説明したが、サポート２の本数は、これに限定されるわけではない。例えば、リッジ１の片側にサポート２を複数本形成し、もう片側にサポート２を１本形成する構成であってもよい。また、リッジ１の両側合わせて、サポート２を５本以上の複数本形成することも勿論可能である。ただし、サポート２の本数をあまり増やしすぎると、変動率（素子特性のばらつき）が増大することも考えられるので、サポート２は、本実施形態のように、リッジ１の両側に２本ずつ形成される構成が望ましい。
【００６５】
なお、以上の実施の形態１・２では、チップ幅Ｗｃが３００μｍの場合について説明したが、これに限定されるわけではなく、任意のチップ幅Ｗｃにおいてリッジ−サポート間距離Ｗａおよび幅比Ｒｗ（面積比Ｒｓ）を適切に設定することにより、本発明の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、例えばＣＤ−Ｒ／ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ／±ＲＷなどの記録媒体に対して情報の記録、再生を行う情報記録再生装置の光源として使用される半導体レーザ素子に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の実施の一形態に係る半導体レーザ素子の詳細な構成を示す断面図である。
【図２】（ａ）は、上記半導体レーザ素子の平面図であり、（ｂ）は、上記半導体レーザ素子の概略の構成を示す断面図であり、（ｃ）は、上記半導体レーザ素子をサブマウントにジャンクションダウン方式で接続した状態を示す断面図である。
【図３】リッジ−サポート間距離と動作電流との関係を示すグラフである。
【図４】チップ幅に対するサポート幅の割合と動作電流との関係を示すグラフである。
【図５】（ａ）ないし（ｃ）は、サポートの他の構成例を示す平面図である。
【図６】（ａ）は、本発明の他の実施の形態に係る半導体レーザ素子の平面図であり、（ｂ）は、上記半導体レーザ素子の概略の構成を示す断面図であり、（ｃ）は、上記半導体レーザ素子をサブマウントにジャンクションダウン方式で接続した状態を示す断面図である。
【図７】上記半導体レーザ素子の詳細な構成を示す断面図である。
【図８】（ａ）は、従来の半導体レーザ素子の平面図であり、（ｂ）は、上記半導体レーザ素子の概略の構成を示す断面図であり、（ｃ）は、上記半導体レーザ素子をサブマウントにジャンクションダウン方式で接続した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１    リッジ
２    サポート
１４    活性層
【図１】
2005268561.tif 000005
【図２】
2005268561.tif 000006
【図３】
2005268561.tif 000007
【図４】
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【図５】
2005268561.tif 000009
【図６】
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【図７】
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【図８】
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