(57)【要約】 【課題】  本発明は、熱がこもるのを抑制された回路構成体を提供する。【解決手段】  回路基板１８の一方の面にプリント配線手段により制御回路を形成し、その一方の面に制御回路により制御されるリレー１１を実装してなる回路構成体であって、回路基板１８の他方の面にはプリント配線手段により金属製の導電路１３Ｂ（伝熱層）が形成され、その導電路１３Ｂに接着シート１６を介して、放熱部材を兼ねるロアケース５０が接着されている。この導電路１３Ｂ（伝熱層）により、回路基板１８の一方の面に実装されたリレー１１で発生した熱が、回路基板１８の他方の面に素早く伝達されるので、回路構成体１０において熱がこもるのを抑制できる。【選択図】  図４
2005268648.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板の一方の面にプリント配線手段により制御回路を形成し、その一方の面に前記制御回路により制御されるスイッチング素子を実装してなる回路構成体であって、
前記回路基板の他方の面にはプリント配線手段により金属製の伝熱層が形成され、その伝熱層に接着層を介して放熱部材が接着されていることを特徴とする回路構成体。
【請求項２】
前記伝熱層は回路パターンとして形成され、前記スイッチング素子により制御される電力回路を構成していることを特徴とする請求項１記載の回路構成体。
【請求項３】
前記伝熱層と前記放熱部材との間には前記スイッチング素子により制御される電力回路を構成するバスバーが絶縁性の接着層を介して接着されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の回路構成体。
【請求項４】
前記伝熱層の厚さが７０μｍ以上８００μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の回路構成体。
【請求項５】
前記伝熱層と前記放熱部材とは絶縁性の接着シートで接着されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の回路構成体。
【請求項６】
前記回路基板には、前記スイッチング素子の近傍に、前記基板の一方の面と他方の面とを熱的に連結するサーマルビアが形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の回路構成体。
【請求項７】
前記回路基板には開口部が形成されており、その開口部内に前記スイッチング素子が収納されて、前記伝熱層に接していることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の回路構成体。
【請求項８】
前記回路基板には開口部が形成されており、その開口部内に前記スイッチング素子が収納されており、
前記スイッチング素子の底面には端子が設けられており、前記端子が前記伝熱層と電気的に接続した状態で、前記スイッチング素子が前記伝熱層に実装されていることを特徴とする前記請求項２ないし請求項６のいずれかに記載の回路構成体。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路構成体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、共通の車載電源から各種電子ユニットへ電力を分配するための電力回路と、電力回路中に設けられるスイッチング素子（例えば機械式リレースイッチ、半導体スイッチング素子など）と、このスイッチング素子の駆動を制御する制御回路とを組み込んだ回路構成体をケーシングで包囲した電気接続箱が一般に知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
上記の回路構成体においては、回路基板の一方の面に回路パターンが形成されており、この面上には、電力回路を制御するスイッチング素子と、このスイッチング素子の駆動を制御するための制御回路素子（図示せず）が実装されて、これら回路パターン、スイッチング素子及び制御回路素子により制御回路が形成されている。回路基板の他方の面には、電力回路を構成するバスバーが絶縁層を介して接着されており、バスバーとスイッチング素子とは電気的に接続されている。このバスバーのうち回路基板に接着されたのと反対側の面には、絶縁層を介して放熱部材が接着されている。
【０００４】
回路構成体においては電力回路中に比較的大きな電流が流れる。この電力回路はスイッチング素子と接続されているので、スイッチング素子にも比較的大きな電流が流れる。このためスイッチング素子からの発熱量は比較的大きなものとなる。このスイッチング素子からの発熱により制御回路素子が悪影響を受けるおそれがあるので、スイッチング素子で発生した熱を素早く除去する必要がある。このため回路構成体には放熱部材が取り付けられており、この放熱部材によりスイッチング素子で発生した熱を電気接続箱の外部に放熱している。
【０００５】
しかしながら、上記の構成の電気接続箱においては、スイッチング素子で発生した熱が十分に放熱部材に伝わらず、熱がこもってしまう場合があるという問題があった。
【特許文献１】特開２００３−１６４０４０公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
スイッチング素子で発生した熱は、スイッチング素子→スイッチング素子の端子→制御回路を構成する回路パターン→回路基板→絶縁層→バスバー→絶縁層→放熱部材と伝わり、放熱部材から放熱される。
【０００７】
上記の経路のうち、スイッチング素子の端子、制御回路を構成する回路パターン及びバスバーは金属製なので比較的熱を伝導させやすい。
【０００８】
これに対し、回路基板は合成樹脂又はセラミックなどからなり、また絶縁層は主に合成樹脂からなるため、熱を伝導させにくい。したがって、回路構成体において熱がこもらないようにするためには、いかにして回路基板及び絶縁層の伝熱性を高めるかが問題となる。特に、スイッチング素子及び制御回路素子が回路基板の同一面上に実装されているものについては、制御回路素子に対する熱の影響を低減するためにも、スイッチング素子で発生した熱を素早く他方の面に伝達できるようにすることが求められる。
【０００９】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、熱がこもるのを抑制された回路構成体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するための手段として、請求項１の発明は、回路基板の一方の面にプリント配線手段により制御回路を形成し、その一方の面に前記制御回路により制御されるスイッチング素子を実装してなる回路構成体であって、前記回路基板の他方の面にはプリント配線手段により金属製の伝熱層が形成され、その伝熱層に接着層を介して放熱部材が接着されていることを特徴とする。
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１記載の回路構成体において、前記伝熱層は回路パターンとして形成され、前記スイッチング素子により制御される電力回路を構成していることを特徴とする。
【００１２】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２記載の回路構成体において、前記伝熱層と前記放熱部材との間には前記スイッチング素子により制御される電力回路を構成するバスバーが絶縁性の接着層を介して接着されていることを特徴とする。
【００１３】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の回路構成体において、前記伝熱層の厚さが７０μｍ以上８００μｍ以下であることを特徴とする。
【００１４】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の回路構成体において、前記伝熱層と前記放熱部材とは絶縁性の接着シートで接着されていることを特徴とする。
【００１５】
請求項６の発明は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の回路構成体において、前記回路基板には、前記スイッチング素子の近傍に、前記基板の一方の面と他方の面とを熱的に連結するサーマルビアが形成されていることを特徴とする。
【００１６】
請求項７の発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の回路構成体において、前記回路基板には開口部が形成されており、その開口部内に前記スイッチング素子が収納されて、前記伝熱層に接していることを特徴とする。
【００１７】
請求項８の発明は、請求項２ないし請求項６のいずれかに記載の回路構成体において、前記回路基板には開口部が形成されており、その開口部内に前記スイッチング素子が収納されており、前記スイッチング素子の底面には端子が設けられており、前記端子が前記伝熱層と電気的に接続した状態で、前記スイッチング素子が前記伝熱層に実装されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
＜請求項１の発明＞
スイッチング素子で発生した熱は、スイッチング素子→スイッチング素子の端子→制御回路を構成する回路パターン→回路基板→金属製の伝熱層と伝わる。スイッチング素子の端子、回路パターンは金属製なので、回路基板の一方の面に実装されたスイッチング素子で発生した熱は、回路基板まで素早く伝達される。そして請求項１の発明によれば、回路基板の他方の面に、金属製の伝熱層が形成されているので、回路基板に伝わった熱は伝熱層に素早く伝達される。これにより、スイッチング素子で発生した熱を、スイッチング素子が実装されているのとは反対側の面へ素早く伝達することができる。このように請求項１の発明によれば、熱がこもるのを抑制された回路構成体を得ることができる。
【００１９】
＜請求項２の発明＞
請求項２の発明においては、スイッチング素子で発生した熱は、スイッチング素子→スイッチング素子の端子→制御回路を構成する回路パターン→回路基板→金属製の伝熱層（電力回路）→絶縁層→放熱部材と伝わり、放熱部材から放熱される。
【００２０】
これに対し従来例では、上述したように、スイッチング素子→スイッチング素子の端子→制御回路を構成する回路パターン→回路基板→絶縁層→バスバー（電力回路）→絶縁層→放熱部材となっている。
【００２１】
両者を比較すると、回路基板から電力回路（伝熱層又はバスバー）への伝熱経路において、請求項２の発明は、熱伝導性の低い絶縁層が従来例よりも１つ少なくなっている。これにより、スイッチング素子で発生した熱を放熱部材へ伝える際の伝熱性が向上するので、回路構成体の放熱性が向上する。
【００２２】
また、従来例のようにバスバーを電力回路として用いる場合、１枚の金属板を打ち抜いて導電路を形成するため、打ち抜き用の治具間の間隔を確保する必要から、各導電路間の間隔をある程度広げておく必要があった。このため、電力回路の高密度化を図ることが難しいという問題点があった。
【００２３】
請求項２の発明によれば、回路基板上に形成された伝熱層が電力回路を構成するので、従来例のようにバスバーで電力回路を構成する場合と比べて、各導電路の間隔を狭くすることができる。この結果、回路の高密度化を図ることができる。
【００２４】
＜請求項３の発明＞
請求項３の発明においては、スイッチング素子で発生した熱は、スイッチング素子→スイッチング素子の端子→制御回路を構成する回路パターン→回路基板→伝熱層→絶縁層→バスバー（電力回路）→絶縁層→放熱部材と伝わり、放熱部材から放熱される。
【００２５】
これに対し従来例では、上述したように、スイッチング素子→スイッチング素子の端子→制御回路を構成する回路パターン→回路基板→絶縁層→バスバー（電力回路）→絶縁層→放熱部材となっている。
【００２６】
請求項３の発明及び従来例の伝熱経路を比較すると、請求項３の発明では、回路基板から絶縁層、バスバー（電力回路）へと熱が伝導される過程において、伝熱層が介在している。この伝熱層により回路構成体の伝熱性を向上させることができる。これは以下の理由による。
【００２７】
回路基板は熱伝導率が低いので、スイッチング素子の端子の直下部分や、この端子と接続された回路パターンの直下部分では、スイッチング素子で発生した熱が回路基板の他方の面に伝えられて回路基板の温度が上昇するが、端子や回路パターンから離れた部分では、回路基板の温度が十分に上がらないことがある。このように従来例では、回路基板の面方向に温度分布が発生しやすい。この結果、端子の直下部分や回路パターンの直下部分では全ての熱が放熱部材へ伝えきれない場合がある一方で、端子や回路パターンから離れた部分では、ほとんど熱が放熱部材へ伝達されないという場合がある。このように、従来例に係る回路構成体では、回路基板から放熱部材への熱伝導の効率が悪いという問題があった。
【００２８】
請求項３の発明によれば、回路基板の他方の面に金属製の伝熱層が形成されている。スイッチング素子で発生した熱は、スイッチング素子の端子の直下部分や、この端子と接続された回路パターンの直下部分から、回路基板の他方の面に伝達されて伝熱層に伝わる。すると、この伝熱層中を熱が素早く伝わる結果、伝熱層全体の温度が略一定になる。これにより、スイッチング素子で発生した熱は、伝熱層全体に面方向にむらなく分散されて、伝熱層全体から放熱部材へと伝えられるので、回路構成体の伝熱性が向上する。
【００２９】
＜請求項４の発明＞
従来のプリント配線基板においては一般に、導電路（金属層）の厚さが、１８μｍ〜３５μｍのものが用いられているのに対して、請求項４の発明においては、伝熱層（金属層）の厚さが７０μｍ以上８００μｍ以下の基板が用いられている。このように伝熱層が厚いと、伝熱層の面方向における伝熱経路の断面積が大きくなるので、伝熱層中を面方向に伝導する単位時間当たりの熱量が増加する。このため伝熱層全体に効率よく熱が分散されて、伝熱層の面方向における温度分布が小さくなる結果、伝熱層全体から放熱部材へ熱が伝達されるので、回路構成体の伝熱性が向上する。
【００３０】
＜請求項５の発明＞
請求項５の発明によれば、絶縁性の接着シートにより、回路基板と放熱部材とを接着する。これにより、伝熱層に対してレジスト処理（絶縁性の樹脂を塗布して絶縁層を形成するもの）を行わなくても、伝熱層表面に絶縁性を付与することができるので、工程数を削減できる。
【００３１】
＜請求項６の発明＞
請求項６の発明によれば、回路基板の一方の面に実装されたスイッチング素子で発生した熱を、サーマルビアを介して回路基板の他方の面に伝達することができる。これにより、熱伝導率の低い回路基板を介することなく、スイッチング素子で発生した熱を回路基板の他方の面に伝達できるので、熱がこもるのを抑制された回路構成体を得ることができる。
【００３２】
＜請求項７の発明＞
請求項７の発明よれば、回路基板に開口部が形成されて、この開口部内にスイッチング素子が収納されて、伝熱層に接している。これにより、スイッチング素子で発生する熱を、熱伝導率の低い回路基板を介することなく、回路基板の他方の面に形成された伝熱層に直接伝えることができるので、熱がこもるのを抑制された回路構成体を得ることができる。
【００３３】
＜請求項８の発明＞
請求項８の発明によれば、回路基板には開口部が形成されており、その開口部内にスイッチング素子が収納されており、スイッチング素子の底面に設けられた端子が前記伝熱層と電気的に接続した状態で、スイッチング素子が伝熱層に実装されている。これにより、スイッチング素子から突出して、回路基板上の導電路と接続する端子の数を減らすことができる。すると、回路基板の上面に形成される端子接続用の導電路の数を減らすことができる。その結果、導電路を設けなくてもよくなった領域に、新たに回路を形成することができるので、回路基板の上面の配線密度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１ないし図４によって説明する。本実施形態は、回路基板１８と、回路基板１８上に実装されるリレー１１及び電子デバイス１２と、回路基板１８に接続されるコネクタ３０及びヒューズボックス４０とを、放熱部材７１を兼ねるロアケース５０で下方から包囲してなる回路構成体１０を、上方からアッパーケース６０で包囲して電気接続箱７２としたものである。なお実施形態１の説明においては、上下方向については図１を基準とし、左右方向については、図１の右手前側を右方、左方奥側を左方とし、前後方向については、図３の左方を前方、右方を後方とする。
【００３５】
（回路基板１８）
回路基板１８上には、リレー１１（スイッチング素子に相当する）及び電子デバイス１２が実装されている。この回路基板１８は横長板状をなし、後方側の２つの角部を上方から見て三角形状に切り欠いた形状となっている。
【００３６】
回路基板１８の上下両面には、プリント配線手段により銅製の導電路１３が形成されている。回路基板１８の上面に形成された導電路１３Ａは、リレー１１の駆動を制御する制御回路を構成し、下面に形成された導電路１３Ｂ（請求項１の伝熱層に相当する）は、車載電源（図示せず）と接続する電力回路を構成している。導電路１３の厚さは、１８μｍ〜３５μｍである。
【００３７】
回路基板１８の両面に導電路１３を構成するには、例えば以下のような手法をもちいることができる。図示しないプリプレグ（例えばガラス繊維からなる布に熱硬化性樹脂を含浸させ、半硬化状態にしたもの）を所定枚数重ねた積層体（図示せず）の上下両面に、銅箔（図示せず）を１枚ずつ重ね合わせ、これらを重ね合わせた状態で、加熱圧縮して熱硬化性樹脂を硬化させることにより、回路基板１８の両面に銅箔（図示せず）が直接形成された銅張積層板（図示せず）を作製し、この銅張積層板の両面に、導電路１３とする部分にエッチングレジストを塗布後、両面の不要銅箔を同時にエッチングし、エッチングレジストを除去することにより両面に導電路１３が形成された回路基板１８を作製できる（サブトラクティブ法）。
【００３８】
また、プリプレグ（図示せず）を所定枚数重ねた積層体（図示せず）を加熱圧縮して熱硬化性樹脂を硬化させて積層板を作製し、この積層板の表面に触媒（図示せず）を吸着させ、導電路１３を除く部分を耐メッキ性材料で被覆した後、無電解銅メッキを施して導電路１３のみに銅メッキを析出させることにより両面に導電路１３が形成された回路基板１８を作製できる（アディティブ法）。
【００３９】
回路基板１８の上面には、複数のリレー１１が実装されるとともに、複数の電子デバイス１２が実装されている。これらの電子デバイス１２及び導電路１３Ａによって、リレー１１の駆動を制御する制御回路が形成されている。
【００４０】
リレー１１は略直方体状をなしており、リレー１１の底部からは複数の端子１４（本実施形態では６本）が突出して下方に延出された後、直角に外方に曲げられ、回路基板１８の表面に沿うように配されている。これらの端子１４には、制御回路と接続されてリレー１１の駆動を制御する制御用の端子１４と、電力回路と接続されて電力回路を制御する通電用の端子１４とがある。
【００４１】
リレー１１及び電子デバイス１２と、導電路１３Ａとは、例えばリフロー半田付けにより接続できる。このリフロー半田付けは、回路基板１８の上面に形成された導電路１３Ａのうち、リレー１１及び電子デバイス１２の端子１４を接続すべき部位に、例えばスクリーン印刷などによりクリーム半田（図示せず）を塗布し、この上にリレー１１及び電子デバイス１２の端子１４を載置し、リフロー炉（図示せず）で半田溶融温度まで加熱、冷却することにより、リレー１１及び電子デバイス１２と、導電路１３Ａとを半田付けする手法である。
【００４２】
回路基板１８の上面に形成された導電路１３Ａのうちリレー１１の通電用の端子１４と接続されたものは、図示しないジャンパ線または図示しないビアホールにより、回路基板１８の下面に形成された導電路１３Ｂと接続されている。これらのリレー１１、導電路１３Ａ及び導電路１３Ｂにより電力回路が形成されている。
【００４３】
回路基板１８の前端寄りの位置には、左右方向に並んだ複数個のスルーホール２２Ａが上下方向に貫通して形成されている。これらのスルーホール２２Ａには後述する端子金具３１が挿入され、この端子金具３１を介して回路基板１８にコネクタ３０が接続されている。
【００４４】
また、回路基板１８の後端寄りの位置には、左右方向に並んだ複数個の、上方から見て横長の長円形をなすスルーホール２２Ｂが上下方向に貫通して形成されている。これらのスルーホール２２Ｂには後述するヒューズ用端子金具４１が挿入され、このヒューズ用端子金具４１を介して回路基板１８にヒューズボックス４０が接続されている。
【００４５】
（コネクタ３０）
回路基板１８に接続されるコネクタ３０は、コネクタハウジング３２と、複数本の端子金具３１と、アライメントプレート３３とからなる。
【００４６】
コネクタハウジング３２は、合成樹脂製で横長箱状をなしており、前方に開口するフード部３４を備えている。フード部３４の底壁部３５には、複数本の端子金具３１が前後方向に貫通する形態で圧入されている。端子金具３１の前端部はフード部３４内に突出されていると共に、後端部はコネクタハウジング３２の後方へ露出している。この端子金具３１の後方への露出部分は下向きに屈曲された基板接続部３１Ａとされ、この基板接続部３１Ａの下端部が回路基板１８のスルーホール２２Ａに上下方向に挿入されて、回路基板１８の下面に形成された電力回路と接続されている。
【００４７】
アライメントプレート３３は樹脂製であって、左右方向に延びる本体部３３Ａと、本体部３３Ａの両端縁から後方に向かって延設された１対の板状をなす取付片３３Ｂ、３３Ｂとからなる。両取付片３３Ｂ、３３Ｂの後端部は上方に突出して、側方から見て略Ｌ字状になっており、この取付片３３Ｂ、３３Ｂの上端寄りの位置にはアライメントプレート３３をロアケース５０にネジ止めするための、左右方向に連通する挿通孔３３Ｃが設けられている。
【００４８】
本体部３３Ａの上面には、上下方向に連通する挿通孔３３Ｄが左右方向に並んで形成されている。これらの挿通孔３３Ｄに基板接続部３１Ａの下端部が上方から挿入されて、基板接続部３１Ａの下端部が前後左右方向へ変位することが防止されている。
【００４９】
（ヒューズボックス４０）
回路基板１８に接続されるヒューズボックス４０は、ヒューズブロック４２と、複数のヒューズ用端子金具４１とからなる。
【００５０】
ヒューズブロック４２は合成樹脂製であり、横長の箱状をなしている。ヒューズブロック４２の後面壁４３には、図示しないヒューズが挿入されるための開口部４４が、左右方向に並んで設けられている。ヒューズブロック４２の左右両外側面には、一対の矩形状をなす取付部４５，４５が外方に突設されており、この取付部に４５，４５には、上下方向に連通する挿通孔４６が形成されている。
【００５１】
ヒューズブロック４２の底面壁４８には、上方から見て略Ｌ字状をなす複数のスリット（図示せず）が左右方向に並んで形成されており、このスリットに、後述する複数のヒューズ用端子金具４１が下方から挿入されている。このヒューズ用端子金具４１は細長い板状をなしており、板面を左右方向に向けたヒューズ接続部４１Ａと、ヒューズ接続部４１Ａの後端から下方へ延びて形成される基板接続部４１Ｂとからなる。ヒューズ用端子金具４１は、ヒューズ接続部４１Ａと基板接続部４１Ｂとの境界を折り曲げ線として、上方から見て左方に直角に曲げられている。
【００５２】
ヒューズ接続部４１Ａの後端部には圧入溝４７が設けられており、図示しないヒューズの端子が差し込まれて挟持されることにより電気的に接続するようになっている。
【００５３】
一方、基板接続部４１Ｂの下端はヒューズブロック４２の底面壁４８を貫通して下方に突出しており、この基板接続部４１Ｂの下端部が回路基板１８のスルーホール２２Ｂに上下方向に挿入されて、回路基板１８の下面に形成された電力回路と接続されている。
【００５４】
（ロアケース５０）
ロアケース５０は金属製（本実施形態ではアルミ製）であり、横長板状の底面壁５１と、底面壁５１の後端から上方に延出された後面壁５２と、底面壁５１の左右両側端から上方に延出された側面壁５３，５３とを備えている。
【００５５】
底面壁５１の前端部から、所定寸法だけ後方へ引っ込んだ位置には、底面壁５１から上方へ突出すると共に左右に延びる仕切壁５４が形成されている。この仕切壁５４とコネクタハウジング３２の底面部３５の外面とが突き当たることにより、コネクタハウジング３２が後方へ変位するのが防止される。
【００５６】
底面壁５１には、仕切壁５４の後方に、左右方向に延びる第１の逃がし溝５５Ａが形成されている。底面壁５１の後端部から所定幅前方へ引っ込んだ位置には、左右方向に延びる第２の逃がし溝５５Ｂが形成されている。回路基板１８をロアケース５０に組み込む際には、第１の逃がし溝５５Ａにより、回路基板１８と接続された端子金具３１の下端部がロアケース５０と干渉することが回避されるようになっていると共に、第２の逃がし溝５５Ｂにより、回路基板１８と接続されたヒューズ用端子金具４１の下端部がロアケース５０と干渉することが回避されるようになっている。
【００５７】
側面壁５３，５３の高さは、所定寸法だけ後方へ引っ込んだ位置までは、中央部分に比べて１段低くなっており、直角に切り立った第１の段差部５９Ａが形成されている。各側面壁５３，５３には、第１の段差部５９Ａの後方に、左右方向に貫通する挿通孔５６Ａ，５６Ｂが前後に２つ並んで形成されている。回路基板１８をロアケースに組み込む際、前側に位置する挿通孔５６Ａは、後述するアッパーケース６０の挿通孔６５と整合するように形成されており、図示しないボルトが左右方向から挿通孔５６Ａと挿通孔６５とに挿通され、図示しないナットにねじ込まれて、ロアケース５０とアッパーケース６０とが固定されている。また、後ろ側に位置する挿通孔５６Ｂは、アライメントプレート３３の挿通孔３３Ｃと整合するように形成されており、図示しないボルトが左右方向から挿通孔５６Ｂと、挿通孔３３Ｃとに挿通され、図示しないナットにねじ込まれて、ロアケース５０とアライメントプレート３３とが固定されている。
【００５８】
側面壁５３，５３の後端部から所定長さだけ前方に引っ込んだ位置までの領域の高さは、中央部分の高さ寸法に比べて１段低くなっており、直角に切り立った第２の段差部５９Ｂが形成されている。側面壁５３，５３は、中央部分の後端がやや幅広になっており、幅広となった部分には上下方向を向くネジ孔５７が形成されている。
【００５９】
後面壁５２の両側端は前方にやや幅広になって一対のネジ止め部５８，５８が形成されており、各ネジ止め部５８，５８には、上下方向を向いてネジ孔５８Ａが形成されている。このネジ孔５８Ａは、回路基板１８をロアケース５０に組み付ける際に、ヒューズブロック４２の取付部４５，４５に形成された挿通孔４６と整合するように形成されており、ネジ孔５８Ａ及び挿通孔４６とには、図示しないボルトがねじ込まれて、ヒューズブロック４２とロアケース５０とが組み付けられている。
【００６０】
ロアケース５０の底面壁５１の上面には、仕切壁５４よりも後方かつ後面壁５２よりも前方の領域に、所定形状に切り出された接着シート（請求項１の絶縁性の接着層に相当する）１６が配されており、この接着シート１６の上には回路基板１８が重ねられている。この接着シート１６として、本実施形態ではプリプレグが用いられている。これら回路基板１８、接着シート１６及びロアケース５０は、重ねられた状態のまま加熱、圧着され、硬化した接着シート１６により回路基板１８とロアケース５０とが接着されて、回路構成体１０が構成されている。
【００６１】
（アッパーケース６０）
アッパーケース６０は、金属製（本実施形態ではアルミ製）であり、横長板状の上面壁６１と、上面壁６１の前端から下方に延出された前面壁６２と、上面壁６１の後端から下方に延出された後面壁６３と、上面壁６１の左右両側端から下方に延出された側面壁５３，５３とを備えている。
【００６２】
アッパーケース６０の前面壁６２には、その下端部から上方に向かって略２分の１の領域に、前面壁６２の両側端縁部を残して、凹部６４が形成されており、アッパーケース６０とロアケース５０とを組み付けたときにコネクタ３０が収容されるようになっている。
【００６３】
アッパーケース６０の両側面壁６４，６４には、側面壁６４，６４の前端縁から所定寸法だけ後方へ引っ込んだ位置に、矩形状の取付片６６が下方へ垂れ下がった状態で形成されている。取付片６６には左右方向に向いて挿通孔６６Ａが形成されている。この挿通孔６６Ａは、アッパーケース６０をロアケース５０と組み付ける際に、ロアケース５０の側面壁５３に設けられた挿通孔５６Ａと整合するように形成されており、挿通孔５６Ａと、挿通孔６６Ａとに図示しないボルトが左右方向から挿通され、図示しないナットにねじ込まれてアッパーケース６０とロアケース５０とが固定されている。
【００６４】
アッパーケース６０の後方側に位置する２つの角部には、下方に方形に窪んだ形状に形成された一対のネジ止め部６７，６７が形成されており、各ネジ止め部６７，６７には、上下方向に貫通する挿通孔６７Ａが形成されている。アッパーケース６０をロアケース５０に組み付ける際には、アッパーケース６０に形成された挿通孔６７Ａと、ロアケース５０に形成されたネジ孔５７とが整合するようになっており、挿通孔６７Ａ及びネジ孔５７に図示しないボルトが上方からねじ込まれて、アッパーケース６０とロアケース５０とが固定されている。
【００６５】
以下に、実施形態１の作用及び効果について説明する。上述のように実施形態１においては、リレー１１で発生した熱は、リレー１１→リレー１１の端子１４→回路基板１８上の導電路１３Ａ→回路基板１８→伝熱層１３Ｂ（電力回路）と伝わる。リレー１１の端子１４、導電路１３Ａは金属製なので、回路基板１８の上面に実装されたリレー１１で発生した熱は、回路基板１８まで素早く伝達される。そして実施形態１によれば、回路基板１８の下面に、金属製の導電路（伝熱層）１３Ａが形成されているので、回路基板１８に伝わった熱は導電路（伝熱層）１３Ａに素早く伝達される。これにより、リレー１１で発生した熱を、リレー１１が実装されているのとは反対側の面へ素早く伝達することができるので、実施形態１によれば、熱がこもるのを抑制された回路構成体１０を得ることができる。
【００６６】
また、実施形態１においては、リレー１１で発生した熱は、リレー１１→スイッチング素子の端子１４→回路基板１８上の導電路１３Ａ→回路基板１８→伝熱層１３Ｂ（電力回路）→接着シート１６（絶縁層）→ロアケース５０と伝わり、ロアケース５０から放熱される（図４参照）。
【００６７】
したがって、実施形態１は、伝熱経路において熱伝導性の低い絶縁層が従来例よりも１つ少なくなっている。これにより、リレー１１で発生した熱をロアケース５０へ伝える際の伝熱性が向上するので、回路構成体１０の放熱性が向上する。
【００６８】
また、従来例のようにバスバーを電力回路として用いる場合、１枚の金属板を打ち抜いて導電路を形成するため、打ち抜き用の治具間の間隔を確保する必要から、各導電路間の間隔をある程度広げておく必要があった。このため、電力回路の高密度化を図ることが難しいという問題点があった。
【００６９】
実施形態１によれば、回路基板１８の下面に形成された導電路１３Ｂが電力回路を構成するので、従来例のようにバスバーで電力回路を構成する場合と比べて、各導電路１３Ｂの間隔を狭くすることができる。この結果、回路の高密度化を図ることができる。
【００７０】
実施形態１によれば、絶縁性の接着シート１６により、回路基板１８とロアケース５０とを接着する。これにより、導電路１３Ｂに対してレジスト処理（絶縁性の樹脂を塗布して絶縁層を形成するもの）を行わなくても、導電路１３Ｂの表面に絶縁性を付与することができるので、工程数を削減できる。
【００７１】
電力回路はスイッチング素子であるリレー１１を用いて構成されているので、電力回路中の電流は、定常的に流れているのではなく、スイッチングにより断続的に流れている。したがって、リレー１１からは熱が断続的に発生している。
この熱は、一旦リレー１１から放出された後、リレー１１の端子１４、回路基板１８を経て回路基板１８に蓄えられ、放熱部材を兼ねるロアケース５０から徐々に放熱される。
【００７２】
従来例においては、回路基板１８の熱容量を超えて発せられた熱が、回路基板１８に蓄えきれずに回路構成体１０の内部にこもることがあった。
【００７３】
実施形態１によれば、回路基板１８の下面に導電路１３Ｂ（伝熱層）が形成されているので、回路基板１８の熱容量を全体として増大させることができる。これにより、一旦回路基板１８に蓄えられる熱量を増大させることができる。この結果、回路基板１８に蓄えきれなかった熱が回路構成体１０の内部にこもることが防止される。
【００７４】
＜実施形態２＞
次に、本発明の実施形態２に係る回路構成体を図５ないし図７によって説明する。本実施形態に係る回路構成体１０は、回路基板１８の上面にはリレー１１及び電子デバイス１２を実装し、回路基板１８の下面には複数のバスバー７０を取り付けると共に、バスバー７０のうち回路基板１８と接着したのと反対側の面に放熱部材７１を取り付けてなるものである。なお、実施形態１と同一部分には、同一符号を付して重複する説明を省略する。
【００７５】
（回路基板１８）
本実施形態における回路基板１８は、矩形状をなしており、その上面に形成された制御回路側の導電路１３Ａの厚さが１８〜３５μｍであり、下面に形成された電力回路側の導電路１３Ｂの厚さが７０〜８００μｍのものが用いられている。
【００７６】
本実施形態に係る回路基板１８は、例えば以下のようにして作製できる。回路基板１８の上面に形成された導電路１３Ａについては、実施形態１で説明したサブトラクティブ法又はアディティブ法を、回路基板１８の上面に対してのみ適用することにより作製できる。
【００７７】
回路基板１８の下面に形成された導電路１３Ｂについては、回路基板１３の下面に、スクリーン印刷により、金属粉（例えば銅粉）を含有する導電ペースト（図示せず）を塗布し、導電路１３Ｂを形成する。その後、導電ペーストを加熱等により固化させることにより、回路基板１８の下面に、厚さが７０〜８００μｍである導電路１３Ｂを形成することができる。
【００７８】
導電路１３は、回路基板１８の上面に形成した後、下面に形成してもよい。また、回路基板１８の下面に形成した導電路１３Ｂにレジスト（図示せず）を塗布して保護した後、回路基板１８の上面に導電路１３Ａを作製し、その後レジストを除去してもよい。
【００７９】
回路基板１８の上面には、複数のリレー１１が実装されるとともに、複数の電子デバイス１２が実装されている。これらの電子デバイス１２及び導電路１３Ａによって、リレー１１の駆動を制御する制御回路が形成されている。
【００８０】
リレー１１は略直方体状をなしており、リレー１１の底部からは複数の端子１４（本実施形態では６本）が突出して下方に延出された後、直角に外方に曲げられ、回路基板１８の表面に沿うように配されている。これらの端子１４には、制御回路と接続されてリレー１１の駆動を制御する制御端子１４と、電力回路と接続されて電力回路を制御する通電端子１４とがある。
【００８１】
回路基板１８の上面に形成された導電路１３Ａのうちリレー１１の通電用の端子１４と接続されたものは、図示しないジャンパ線または図示しないビアホールにより、回路基板１８の下面に形成された導電路１３Ｂと接続されている。これらのリレー１１、導電路１３Ａ及び導電路１３Ｂにより電力回路が形成されている。
【００８２】
（バスバー７０）
複数のバスバー７０は金属製であって細長い板状をなしている。各バスバー７０の一方又は両方の端部は、上方へ直角に曲げられている。これらのバスバー７０は、一枚の金属板をプレス加工で打ち抜いた後、曲げ加工することにより作製される。
【００８３】
各バスバー７０は、長手方向を同一方向に向けた状態で、この長手方向と直交する方向に並べられている。各バスバー７０の上面側には、所定形状に切り出された接着シート１６（本実施形態ではプリプレグが用いられている）が載置されて、この接着シート１６の上には、リレー１１及び電子デバイス１２が実装された回路基板１８が重ねられている。これら回路基板１８、接着シート１６及びバスバー７０は、重ねられた状態のまま加熱、圧着され、硬化した接着シート１６により回路基板１８とバスバー７０とが接着されている。バスバー７０のうち、回路基板１８からはみ出した部分は、上方に略直角に曲げられて、図示しない枠体に下方から挿入されて、端子金具として使用される。
【００８４】
（放熱部材７１）
放熱部材７１は金属製（本実施形態ではアルミ製）であり、上方から見て矩形状をなす本体部７１Ａと、本体部７１Ａの側縁のうち、図５において右手前側の側縁から延出されて下方にクランク状に曲げられている矩形状の取付部７１Ｂとからなる。
【００８５】
取付部７１Ｂには、上下方向に連通する挿通孔７１Ｃが設けられており、この挿通孔７１Ｃに図示しないボルトが挿通されて、図示しない車体に取付可能となっている。
【００８６】
放熱部材７１とバスバー７０とは、例えば以下のようにして接着できる。放熱部材７１の上面に、絶縁性が高く、熱伝導性が高い接着剤を塗布してから、回路基板１８とバスバー７０とを接着したもののうちバスバー７０側を貼り付けて乾燥させることにより、バスバー７０と放熱部材７１とが接着される。このようにして、請求項３の接着剤層２３が形成されている。
【００８７】
以下に、実施形態２の作用・効果について説明する。実施形態２においては、リレー１１で発生した熱は、リレー１１→リレー１１の端子１４→回路基板１８上の導電路１３Ａ→回路基板１８→導電路１３Ｂ（伝熱層）→接着シート１６→バスバー７０（電力回路）→絶縁層２３→放熱部材７１と伝わり、放熱部材７１から放熱される（図７参照）。実施形態２及び従来例の伝熱経路を比較すると、実施形態２では、回路基板１８から接着シート１６、バスバー７０（電力回路）へと熱が伝導される過程において、導電路１３Ｂ（伝熱層）が介在している。
【００８８】
これにより、リレー１１で発生した熱は、リレー１１の端子１４の直下部分や、この端子１４と接続された導電路１３Ａの直下部分から、回路基板１８の他方の面に伝達されて導電路１３Ｂ（伝熱層）に伝わった後、この導電路１３Ｂ（伝熱層）中を熱が素早く伝わる結果、導電路１３Ｂ（伝熱層）全体の温度が面方向において略一定になる。すると、リレー１１で発生した熱は、導電路１３Ｂ（伝熱層）全体に面方向にむらなく分散されて、導電路１３Ｂ（伝熱層）全体から放熱部材７１へと伝えられるので、回路構成体１０の伝熱性が向上する。
【００８９】
また、従来のプリント配線基板においては一般に、導電路１３の厚さが、１８μｍ〜３５μｍのものが用いられているのに対して、実施形態２においては、導電路１３Ｂ（伝熱層）の厚さが７０μｍ以上８００μｍ以下のものが用いられている。このように導電路１３Ｂ（伝熱層）が厚いと、導電路１３Ｂ（伝熱層）の厚さ方向と交差する方向における伝熱経路の断面積が大きくなるので、導電路１３Ｂ（伝熱層）中を厚さ方向と交差する方向に伝導する単位時間当たりの熱量が増加する。このため導電路１３Ｂ（伝熱層）全体に効率よく熱が分散されて導電路１３Ｂ（伝熱層）の温度分布が小さくなる結果、導電路１３Ｂ（伝熱層）全体から放熱部材７１へ熱が伝達されるので、回路構成体１０の伝熱性が向上する。
【００９０】
実施形態２においては、放熱部材７１には取付部７１Ｂが設けられているので、図示しない車体に直接取り付けることができる。これにより車体へも熱を伝えて放熱できるので、放熱効率が向上する。
【００９１】
＜実施形態３＞
実施形態３においては、回路基板１８に開口部１７が形成されており、開口部１７の底には、回路基板１８の下面に形成した導電路１３Ｂが露出している。露出した導電路１３Ｂに、半導体スイッチング素子１９（スイッチング素子に相当する。本発明においてはＦＥＴ（電解効果型トランジスタ）が用いられている。）の端子２０が接続されている。その他の構成については実施形態１と同一であるので、実施形態１と同一部分には、同一符号を付して重複する説明を省略する。
【００９２】
導電路１３Ｂが露出した開口部１７を回路基板１８に形成するには、例えば以下のようにすればよい。まず、実施形態１又は実施形態２と同様にして、上下両面に導電路１３Ａ，１３Ｂが形成された回路基板１８を作製する。このとき、開口部１７を作製しようとする部分については、回路基板１８の上面側には導電路１３Ａが形成されないようにすると共に、下面側には導電路１３Ｂが形成されるようにする。この回路基板１８の上面側から、開口部１７を作製しようとする部分をルーター加工によって導電路１３Ｂ上に０．２ｍｍ程度の基材（残し代）を残すように穿設してから、レーザー加工によって先の残し代を削り取る。この工程により、回路基板１８のみを貫通して下面の導電路１３Ｂが露出するような開口部を作製できる。
【００９３】
上記のようにして形成した開口部１７は略矩形状をなしており、回路基板の上面側と連通している。この開口部１７は、半導体スイッチング素子１９を収納可能な大きさに形成された素子収納部１７Ａと、半導体スイッチング素子１９の端子２０を収納可能な大きさに形成された端子収納部１７Ｂとからなる。
【００９４】
半導体スイッチング素子１９は、図示しない半導体チップと、この半導体チップに接続されるゲート端子２０Ａ（制御用の端子）、図示しないドレイン端子（通電用の端子）及びソース端子２０Ｂ（通電用の端子）とが、合成樹脂製のハウジング１９Ａで覆われたものである。これらの端子２０のうち、ドレイン端子（図示せず）はハウジング１９Ａの下面外側に設けられ、ソース端子２０Ｂ及びゲート端子２０Ａはハウジング１９Ａの側面から突出して下方へ延出されている。
【００９５】
半導体スイッチング素子１９は、ハウジング１９Ａが素子収容部１７Ａに載置され、ソース端子２０Ｂが端子収容部１７Ｂに載置されている。ドレイン端子（図示せず）と導電路１３Ｂ、及びソース端子２０Ｂと導電路１３Ｂとは接触しており、例えばリフロー半田付けにより実装される。また、ゲート端子２０Ａは、１３Ａと直接接触しており、例えばリフロー半田付けにより実装される。
【００９６】
実施形態３においては、ドレイン端子（図示せず）及びソース端子２０Ｂは導電路１３Ｂと接触しているので、半導体スイッチング素子１９から発せられた熱は、ドレイン端子（図示せず）及びソース端子２０Ｂから導電路１３Ｂへと直接伝わる。このように、熱伝導率の低い回路基板１８を介することなく、半導体スイッチング素子１９で発生した熱を、回路基板１８の下面に伝達できるので、回路構成体１０において熱がこもるのを抑制できる。
【００９７】
また、ドレイン端子（図示せず）は、半導体スイッチング素子１９のハウジング１９Ａの裏面に形成されて、導電路１３Ｂと接続されているので、従来のように、回路基板１８の上面側にドレイン端子（図示せず）と接続させるための導電路１３Ａを制御回路とは別に形成する必要がなくなる。これにより、ドレイン端子接続用の導電路を設ける必要のなくなった領域に、新たに回路を形成することができるので、回路基板１８上の配線密度を高めることができる。
【００９８】
＜実施形態４＞
実施形態４においては、半導体スイッチング素子１９の端子２０の近傍に、回路基板１８の上下を熱的に連結するサーマルビア２１が形成されている。その他の構成については実施形態３と同一であるので、実施形態３と同一部分には、同一符号を付して重複する説明を省略する。
【００９９】
サーマルビア２１は、回路基板１８を貫通すると共に、その内部に熱伝導性の高い材料が充填されており、回路基板１８の上面又は下面で発生した熱を反対側の面に伝達可能に形成されている。実施形態４に係るサーマルビア２１の形状は上方から見て略円形をなしているが、長円形、矩形など他の形状であってもよい。
【０１００】
サーマルビア２１は、以下のようにして作製することができる。まず、ドリル又はレーザ光により、回路基板１８及び導電路１３Ｂを上下に連通するスルーホール２４を形成する。次に、このスルーホール２４に、熱伝導性の高い金属粉を含有する導電ペーストをスクリーン印刷により充填した後、ペーストを固化させてサーマルビア２１を形成することができる。
【０１０１】
また、回路基板１８に穿孔したスルーホール２４に触媒（図示せず）を塗布した後、無電解メッキ及び電解メッキを施して、スルーホール２４内を銅メッキにより充填することによっても形成することができる。
【０１０２】
このようにして作製したサーマルビア２１は、回路基板１８の上下を熱伝導性の高い金属粉又は銅により熱的に連結している。このため、半導体スイッチング素子１９から発せられた熱が、熱伝導率の低い回路基板１８を介することなく、サーマルビア２１を介して回路基板１８の下面に伝えられるので、回路構成体１０において熱がこもるのを抑制できる。
【０１０３】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【０１０４】
（１）本実施形態においては、回路基板１８の下面に形成した導電路（伝熱層）１３Ｂが電力回路を構成するものとしたが、これに限られず、例えば、回路基板１８の下面の全面に金属製の伝熱層を形成し、スイッチング素子で発生した熱を回路基板１８の下面全体に分散させ、伝熱層全体から放熱部材へ熱を伝達させることにより、回路構成体１０の放熱性を向上させることができる。このとき、スイッチング素子の通電用の端子に接続された導電路１３Ａと、バスバーなどで別途形成された電力回路とは、例えば伝熱層をまたぎこえるジャンパ線により接続される構成としてもよいし、また、伝熱層と絶縁されたビアホールにより接続される構成としてもよい。
【０１０５】
（２）実施形態１においては、放熱部材７１はアルミ製のロアケース５０とし、実施形態２においては平板状の放熱部材７１としたが、これに限られず、片面に放熱フィンの形成されたアルミ板を用いてもよい。
【０１０６】
（３）実施形態２においては、導電路１３Ｂ（伝熱層）とバスバー７０とは絶縁性の接着シート１６により接着されていたが、これに限られず、導電路１３Ｂ（伝熱層）とバスバー７０とは、絶縁性の接着剤により接着してもよい。
【０１０７】
（４）実施形態２においては、導電路１３Ｂ（伝熱層）とバスバー７０とは絶縁性の接着シート１６により接着されていたが、これに限られず、導電路１３Ｂ（伝熱層）のパターンと、バスバー７０のパターンとを同一のものとし、導電路１３Ｂ（伝熱層）とバスバー７０とを電気的に接続した状態で接着するものとしてもよい。これにより電力回路の導電路の面積が大きくなるので、電流量を大きくすることができる。同様に、伝熱路の面積が大きくなるので、熱伝導性も向上する。
【０１０８】
（５）実施形態２においては、回路基板１８の上面に形成された制御回路の導電路１３Ａの厚さは１８〜３５μｍとし、回路基板１８の下面の導電路１３Ｂ（伝熱層）の厚さを７０μｍ以上８００μｍ以下のものとしたが、これに限られず、回路基板１８の下面の導電路１３Ｂ（伝熱層）と共に、回路基板１８の上面に形成された導電路１３Ａの厚さも７０μｍ以上８００μｍ以下としてもよい。これにより、回路構成体１０の放熱性を高めることができる。
また、このとき、導電路１３Ａの厚さを２００μｍ程度にすると、回路基板１８の上面側に、ディスクリートの電子部品を実装可能で、かつ放熱性を高めることができるので好ましい。
【０１０９】
（６）実施形態１においては、導電路１３Ｂ（伝熱層）と放熱部材７１とは接着シート１６により接着したが、これに限られず、導電路１３Ｂ（伝熱層）にレジスト処理を行って絶縁性を付与した後、導電路１３Ｂ（伝熱層）と放熱部材７１とを接着剤で接着する構成としてもよい。
【０１１０】
（７）実施形態３においては、半導体スイッチング素子１９の通電用の端子（図示しないドレイン端子、ソース端子２０Ｂ）を、回路基板１８に形成された開口部１７において導電路１３Ｂ（伝熱層）と接続する構成としたが、これに限られず、リレー１１や半導体スイッチング素子１９などのスイッチング素子の筐体の一部を、開口部１７内で導電路１３Ｂ（伝熱層）と接触させ、端子は回路基板１８上に形成された導電路１３Ａと接続する構成としてもよい。これにより、スイッチング素子で発生した熱を、熱伝導率の低い回路基板１８を介することなく、直接に導電路１３Ｂ（伝熱層）に伝達させることができる。
【０１１１】
（８）実施形態４においては、絶縁基板１８に開口部１７を設けた構成としたが、これに限られず、回路基板１８に開口部１７を設けないで、スイッチング素子の端子近傍にサーマルビア２１を形成する構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】実施形態１に係る回路構成体を用いた電気接続箱の分解斜視図
【図２】同じく電気接続箱の平面図
【図３】同じく電気接続箱の縦断面図
【図４】実施形態１に係る回路構成体の伝熱経路を示す一部拡大断面図
【図５】実施形態２に係る回路構成体の分解斜視図
【図６】同じく回路構成体の斜視図
【図７】同じく伝熱経路を示す一部拡大断面図
【図８】実施形態３に係る回路構成体における回路基板の開口部を示す一部拡大斜視図
【図９】実施形態４に係る回路構成体における回路基板の開口部及びサーマルビアの構成を示す一部拡大斜視図
【図１０】同じくサーマルビアの構成を示す一部拡大断面図
【符号の説明】
【０１１３】
１０…回路構成体
１１…リレー（スイッチング素子）
１３Ａ…導電路（制御回路）
１３Ｂ…導電路（伝熱層）
１６…接着シート（接着層）
１７…開口部
１８…回路基板
１９…半導体スイッチング素子（スイッチング素子）
２１…サーマルビア
２３…接着層
５０…ロアケース（放熱部材）
７０…バスバー
７１…放熱部材
【図１】
2005268648.tif 000003
【図２】
2005268648.tif 000004
【図３】
2005268648.tif 000005
【図４】
2005268648.tif 000006
【図５】
2005268648.tif 000007
【図６】
2005268648.tif 000008
【図７】
2005268648.tif 000009
【図８】
2005268648.tif 000010
【図９】
2005268648.tif 000011
【図１０】
2005268648.tif 000012