(57)【要約】【課題】クラックのない厚膜の酸化物超電導薄膜およびその製造方法と、その酸化物超電導薄膜を用いた超電導限流器とを提供する。【解決手段】本発明の酸化物超電導薄膜の製造方法は、ターゲット１にレーザー光３を照射することによりターゲット１から飛散した物質４を基板１０上に蒸着させるレーザー蒸着法により、サファイア単結晶基板１１を含む基板１０上に酸化物超電導薄膜１３をクラックなしに０．７μｍを超える膜厚で形成することを特徴とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料にレーザー光を照射することにより前記原料から飛散した物質を基板上に蒸着させるレーザー蒸着法により、サファイアを含む前記基板上に酸化物超電導薄膜をクラックなしに０．７μｍを超える膜厚で形成することを特徴とする、酸化物超電導薄膜の製造方法。
【請求項２】
前記原料に照射する前記レーザー光のレーザー周波数を少なくとも２段階に分けて前記酸化物超電導薄膜を形成することを特徴とする、請求項１に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法。
【請求項３】
第１段階のレーザー周波数が第２段階のレーザー周波数よりも小さいことを特徴とする、請求項１または２に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法。
【請求項４】
レーザーパワーが４００ｍＪ以上であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の酸化物超電導薄膜の製造方法。
【請求項５】
前記レーザー蒸着時の前記基板の温度が６００℃以上１２００℃未満であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の酸化物超電導薄膜の製造方法。
【請求項６】
前記レーザー蒸着時のガス圧力が１．３３Ｐａ以上６６．６６Ｐａ以下であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の酸化物超電導薄膜の製造方法。
【請求項７】
前記レーザー蒸着時の雰囲気中に酸素が含まれていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の酸化物超電導薄膜の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の酸化物超電導薄膜の製造方法により形成され、かつ０．７μｍを超える膜厚を有することを特徴とする、酸化物超電導薄膜。
【請求項９】
液体窒素中における自己磁場下の臨界電流密度が１×１０6Ａ／ｃｍ2以上であることを特徴とする、請求項８に記載の酸化物超電導薄膜。
【請求項１０】
液体窒素中における自己磁場下の臨界電流密度が１ｃｍ幅あたり７０Ａ／ｃｍ幅以上であることを特徴とする、請求項８または９に記載の酸化物超電導薄膜。
【請求項１１】
ＲＥ１２３構造を有し、かつＲＥが希土類元素およびイットリウム元素の少なくともいずれかを含む材質からなることを特徴とする、請求項８〜１０のいずれかに記載の酸化物超電導薄膜。
【請求項１２】
請求項８〜１１のいずれかに記載の酸化物超電導薄膜を用いたことを特徴とする、超電導限流器。
【請求項１３】
前記酸化物超電導薄膜を超電導状態から常電導状態へ転移させることにより電流を限流することを特徴とする、請求項１２に記載の超電導限流器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、酸化物超電導薄膜およびその製造方法ならびに超電導限流器に関するものであり、特に、サファイア基板上に酸化物超電導薄膜を形成する方法と、その方法により製造された酸化物超電導薄膜と、その酸化物超電導薄膜を用いた超電導限流器とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
単結晶基板上の薄膜材料に関して、電力用途としては超電導限流器など、またはエレクトロニクス用途としては超電導マイクロ波フィルタなどの実用化開発が期待されている。特に、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）単結晶基板上に形成した超電導薄膜を限流器に用いた場合、サファイアが熱伝導率に優れることから超電導薄膜の発熱を逃がす熱はけとなるメリットがある。また、サファイア単結晶には、他の単結晶基板と比べて安価であるとともに比較的大面積サイズの基板が作製できるというメリットもある。
【０００３】
超電導薄膜は、臨界電流密度が同じであれば厚膜であるほど大電流を通電することができるため、特に電力用途では厚膜化が望まれる。たとえば、超電導限流器に大電流通電が可能な厚膜の超電導薄膜を用いればコンパクトな超電導限流器を作製することができる。
【０００４】
しかしながら、サファイア単結晶基板上に形成される超電導薄膜は、これまである限界値以下の膜厚を持つ薄膜しか形成することができなかった。具体的にはサファイアの上に形成したＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（ＹＢＣＯ）の限界膜厚については、典型的には０．２５〜０．３μｍが主流であり、以下の文献では０．７μｍが最高値として報告されている。
【０００５】
文献：R. Wordenweber et al., “Large-Area YBCO Films on Sapphire for Microwave Applications”, IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY, VOL.9, NO.2, JUNE 1999, pp.2486-2491
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
これまでの報告では、サファイア単結晶基板上の超電導薄膜の膜厚がある限界値を超えると薄膜にクラックが発生するとされてきた。そのクラックは経時変化とともにその数を増す。限界値を超えた膜厚を有する薄膜は、クラックを有するため臨界電流密度はほとんどゼロになる。
【０００７】
臨界膜厚を超えると超電導薄膜にクラックが発生する理由は、（１）単結晶基板と超電導薄膜との熱収縮率の違い、および（２）超電導層とその下地（基板や中間層）との格子定数のミスマッチによる。特にこれまでの超電導薄膜の有力手法とされていた熱共蒸着法を用いた場合、加熱されて蒸気となった原料物質が基板上に蒸着するため緻密な結晶が成長しやすいというデメリットもある。
【０００８】
それゆえ本発明の一の目的は、クラックのない厚膜の酸化物超電導薄膜およびその製造方法を提供することである。
【０００９】
また本発明の他の目的は、クラックのない厚膜の酸化物超電導薄膜を備えることにより、通常の運転時には高い臨界電流値を示し、短絡事故などのときには高いクエンチ（常電導転移）抵抗値を示す超電導限流器を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の酸化物超電導薄膜の製造方法は、原料にレーザー光を照射することにより原料から飛散した物質を基板上に蒸着させるレーザー蒸着法により、サファイアを含む基板上に酸化物超電導薄膜をクラックなしに０．７μｍを超える膜厚で形成することを特徴とするものである。
【００１１】
本願発明者らは、鋭意検討した結果、従来の熱共蒸着法ではなく、レーザー蒸着法を用いるとともにレーザ蒸着時の各条件を適切に設定してサファイア基板上に酸化物超電導薄膜を形成することにより、クラックを生じさせることなく０．７μｍを超える厚膜で酸化物超電導薄膜を成膜できることを見出した。これは、レーザー蒸着法の場合、熱共蒸着法に比べてある程度の塊状態の粒子が飛散すると考えられるため、熱共蒸着法ほど緻密な結晶は成長しないが、熱的または機械的な歪みを緩和しやすいためであると考えられる。つまり、レーザー蒸着法では、条件を適切に設定することにより塊状態の粒子が飛散して酸化物超電導薄膜を成膜するため、単結晶基板と超電導薄膜との熱収縮率の違いや、超電導層とその下地（基板もしくは中間層）との格子定数のミスマッチなどの熱的または機械的な歪みを緩和できるものと考えられる。これにより、大電流を通電することが可能となり、電力用途に好適な酸化物超電導薄膜を製造することができる。
【００１２】
上記の酸化物超電導薄膜の製造方法において好ましくは、原料に照射するレーザー光のレーザー周波数を少なくとも２段階に分けることにより酸化物超電導薄膜が形成される。
【００１３】
これにより、単一のレーザー周波数で酸化物超電導薄膜を成膜する場合よりも、さらに高い臨界電流密度を有する酸化物超電導薄膜を製造することが可能となる。
【００１４】
上記の酸化物超電導薄膜の製造方法において好ましくは、第１段階のレーザー周波数が第２段階のレーザー周波数よりも小さい。
【００１５】
このようにレーザー周波数を具体的に制御することによって、上述したようなさらに高い臨界電流密度を有する酸化物超電導薄膜を製造することが可能となる。
【００１６】
上記の酸化物超電導薄膜の製造方法において好ましくは、レーザーパワーが４００ｍＪ以上である。
【００１７】
このようにレーザーパワーを設定することによって、臨界電流密度の高い酸化物超電導薄膜を得ることができる。
【００１８】
上記の酸化物超電導薄膜の製造方法において好ましくは、レーザー蒸着時の基板の温度が６００℃以上１２００℃未満である。
【００１９】
このように基板の温度を設定することにより、臨界電流密度の高い酸化物超電導薄膜を得ることができる。
【００２０】
上記の酸化物超電導薄膜の製造方法において好ましくは、レーザー蒸着時のガス圧力が１．３３Ｐａ以上６６．６６Ｐａ以下である。
【００２１】
このようにガス圧力を設定することにより、臨界電流密度の高い酸化物超電導薄膜を得ることができる。
【００２２】
上記の酸化物超電導薄膜の製造方法において好ましくは、レーザー蒸着時の雰囲気中に酸素が含まれている。
【００２３】
このように酸素が含まれていることにより、臨界電流密度の高い酸化物超電導薄膜を得ることができる。
【００２４】
本発明の酸化物超電導薄膜は、上記の製造方法により形成され、かつ０．７μｍを超える膜厚を有している。
【００２５】
本発明の酸化物超電導薄膜によれば、レーザー蒸着法により形成されるため、クラックを発生させることなく０．７μｍを超える厚膜に成膜することが可能となる。このように厚膜の酸化物超電導薄膜を実現することが可能となったため、大電流を通電することができ、特に電力用途に好適な酸化物超電導薄膜を得ることができる。
【００２６】
上記の酸化物超電導薄膜において好ましくは、液体窒素中における自己磁場下の臨界電流密度が１×１０6Ａ／ｃｍ2以上である。
【００２７】
上記したようにレーザー蒸着法によりクラックを発生させることなく厚膜に酸化物超電導薄膜を形成することができるため、臨界電流密度も１×１０6Ａ／ｃｍ2以上と高くすることが可能となる。
【００２８】
上記の酸化物超電導薄膜において好ましくは、液体窒素中における自己磁場下の臨界電流密度が１ｃｍ幅あたり７０Ａ／ｃｍ幅以上である。
【００２９】
これにより大電流通電が可能となる。
上記の酸化物超電導薄膜において好ましくは、ＲＥ１２３構造を有し、かつＲＥが希土類元素およびイットリウム元素の少なくともいずれかを含む材質からなっている。
【００３０】
このように大電流通電が可能なＲＥ１２３構造の酸化物超電導薄膜を用いることによって、電力用途に好適な酸化物超電導薄膜を得ることができる。
【００３１】
なお、本願明細書における「ＲＥ１２３構造」とは、ＲＥxＢａyＣｕzＯ7-dにおいて、０．７≦ｘ≦１．３、１．７≦ｙ≦２．３、２．７≦ｚ≦３．３であることを意味する。また、「ＲＥ１２３構造」のＲＥは、希土類元素およびイットリウム元素の少なくともいずれかを含む材質を意味する。
【００３２】
本発明の超電導限流器は、上記の酸化物超電導薄膜を用いて構成されている。
このようにクラックのない厚膜の酸化物超電導薄膜を用いて超電導限流器を構成することにより、通常の運転時には高い臨界電流値を示し、短絡事故などの時には高いクエンチ抵抗値を示す超電導限流器を得ることができる。
【００３３】
上記の超電導限流器において好ましくは、酸化物超電導薄膜を超電導状態から常電導状態へ転移させることにより電流が限流される。
【００３４】
このようにいわゆる超電導・常電導（ＳＮ）転移型の超電導限流器に本発明を適用することができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
【００３６】
図１は、本発明の一実施の形態における酸化物超電導薄膜の製造方法を示す図である。図１を参照して、まずターゲット（原料）１に対して基板１０が所定角度だけ傾いた状態でヒータ２上に配置される。この傾斜状態で基板１０の所定部分をマスク（図示せず）で覆い、レーザーアブレーション法によりターゲット１にレーザー光３が照射される。これにより、ターゲット１から飛散された物質（プルーム）４が、基板１０の露出表面に蒸着されることにより酸化物超電導薄膜が形成される。
【００３７】
このターゲット１に照射するレーザー光のレーザー周波数は、図２に示すように２段階（ステップＳ１、Ｓ２）に分けることが好ましい。また、第１段階目のレーザー照射（ステップＳ１）におけるレーザー周波数は、第２段階目のレーザー照射（ステップＳ２）のレーザー周波数よりも小さいことが好ましい。またこのレーザー照射において、レーザーパワーは好ましくは４００ｍＪ以上であり、より好ましくは６００ｍＪ以上であり、さらに好ましくは８００ｍＪ〜１０００ｍＪである。
【００３８】
またレーザー蒸着時の基板１０の温度は好ましくは６００℃以上１２００℃未満であり、より好ましくは８００℃以上１２００℃未満である。
【００３９】
またレーザー蒸着時のガス圧力は１．３３Ｐａ以上６６．６６Ｐａ以下であることが好ましく、レーザー蒸着時の雰囲気中に酸素が含まれていることが好ましい。
【００４０】
次に、上記の製造方法により形成される酸化物超電導薄膜について説明する。図３は、本発明の一実施の形態における酸化物超電導薄膜の構成を概略的に示す断面図である。図３を参照して、酸化物超電導薄膜１３は、基板１０上に形成されている。この基板１０は、サファイア単結晶基板１１と、たとえば酸化セリウムよりなる中間層１２とを有している。
【００４１】
酸化物超電導薄膜１３は、たとえばＨｏＢａ2Ｃｕ3Ｏxよりなっており、０．７μｍを超える膜厚Ｔを有している。またこの酸化物超電導薄膜１３は、液体窒素中における自己磁場下の臨界電流密度１×１０6Ａ／ｃｍ2以上であることが好ましく、また１ｃｍ幅あたり７０Ａ／ｃｍ幅以上であることが好ましい。なお、酸化物超電導薄膜１３の材質は、ＨｏＢａ2Ｃｕ3Ｏxに限定されず、ＲＥ１２３構造を有していればよい。また、ＲＥ１２３構造におけるＲＥは希土類元素およびイットリウム元素の少なくともいずれかであることが好ましい。
【００４２】
なお、酸化物超電導薄膜１３は、サファイア単結晶基板１１上に直接形成されていてもよい。
【００４３】
次に、上記の酸化物超電導薄膜を用いた超電導限流器について説明する。
図４は、本発明の一実施の形態における超電導限流器の構成を示す図であり、図５および図６は図４の超電導限流器に用いられる超電導薄膜よりなるコイルを示す平面図および断面図である。
【００４４】
図４を参照して、本実施の形態における超電導限流器は、液体窒素などにより冷却可能なコイル２８ａ、２８ｂを有している。このコイル２８ａ、２８ｂには、図５および図６に示すように、たとえば平板状の超電導コイルが用いられる。この超電導コイル２８ａは絶縁基板２７の表面上に渦巻き状に形成されており、超電導コイル２８ｂは絶縁基板２７の裏面上に渦巻き状に形成されている。この超電導コイル２８ａ、２８ｂの各々の一方端は、表裏面回路接続部２９によって互いに電気的に接続されている。また、超電導コイル２８ａ、２８ｂの各々の他方端は、端子２６ａ、２６ｂの各々に電気的に接続されている。
【００４５】
このような超電導限流器は以下のように限流器として作用する。
通常は、超電導導体を用いた限流器は電力系統からみて、インピーダンスが最小となるように巻線してある。また、定常状態で負荷電流が限流器を通過して流れているときは超電導状態に保たれているので電力損失は非常に小さい。これに対し、事故時に短絡電流が過大となったときに、その短絡電流が限流器に用いた超電導線のクエンチ電流を超えるような場合、限流器は即、超電導状態から常電導状態になり、限流器は電気抵抗ゼロから高電気抵抗に転移し、インピーダンスが一瞬のうちに大きくなり、過大な短絡電流を即座に限流することが可能となる。また、短絡事故が復帰するときは、限流器が冷却媒体によって冷却され超電導状態に復帰するため、元の電流系統として動作するようになる。
【００４６】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００４７】
（実施例１）
サファイア基板（Ｒ面）上に酸化セリウム中間層（膜厚約４０ｎｍ）を蒸着したものの上にレーザー蒸着法によりＨｏＢａ2Ｃｕ3Ｏx超電導層を成膜した。レーザー蒸着法ではＨｏＢａ2Ｃｕ3Ｏx焼結ターゲット上にＸｅＣｌエキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）を照射し、レーザーエネルギを９００ｍＪ、レーザーの繰返し周波数を５Ｈｚ＋４０Ｈｚ（各々同時間成膜）、基板温度を９００℃、酸素雰囲気を１３．３３Ｐａの条件で成膜を行なった。成膜時間を変えることにより種々の膜厚を持つＨｏＢａ2Ｃｕ3Ｏx超電導層を成膜した。
【００４８】
また比較例としてサファイア基板（Ｒ面）上に酸化セリウム中間層（膜厚約４０ｎｍ）を蒸着したものの上に熱共蒸着法によりＨｏＢａ2Ｃｕ3Ｏx超電導層を成膜した。Ｈｏ、Ｂａ、Ｃｕの金属を原料として抵抗加熱で飛散させ、対向面に配置し、７００℃に加熱した基板上に蒸着した。
【００４９】
上記のレーザー蒸着法および熱共蒸着法で作製した各ＨｏＢａ2Ｃｕ3Ｏx膜（ＨｏＢＣＯ膜）の臨界電流密度と膜厚との関係を調べた。その結果を表１に示す。
【００５０】
【表１】
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【００５１】
表１の結果より、熱共蒸着法によれば、ＨｏＢＣＯ膜の膜厚が０．５μｍ以上になると臨界電流密度がゼロになっているのに対し、レーザー蒸着法で作製したＨｏＢＣＯ膜では０．５μｍ以上の膜厚となっても高い臨界電流値を維持できることがわかる。このことから、レーザー蒸着法を用いてサファイヤ基板上に超電導薄膜を形成することにより、クラックを生じさせることなく０．７μｍを超える厚膜で酸化物超電導薄膜を形成できることがわかる。
【００５２】
（実施例２）
サファイア基板（Ｒ面）上に酸化セリウム中間層（膜厚約４０ｎｍ）を蒸着したものの上にレーザー蒸着法により、ホルミウム系超電導薄膜（ＨｏＢａ2Ｃｕ3Ｏx：ＨｏＢＣＯ）を形成した。その際、レーザーの繰返し周波数をパラメータとして変化させた。第１ステップの繰返し周波数で１０分間成膜した後、第２ステップの繰返し周波数で１０分間成膜した。なお、成膜時の雰囲気は酸素ガスを１３．３３Ｐａとし、基板温度を９００℃とし、レーザーのパワーを９００ｍＪとして各々一定とした。超電導層の特性を見るために、ＨｏＢＣＯ超電導層の液体窒素中における自己磁場下での臨界電流密度の測定を実施した。その結果を表２に示す。
【００５３】
【表２】
2005344125.tif 000004
【００５４】
表２の結果より、レーザーの繰返し周波数において、第１ステップの繰返し周波数が第２ステップの繰返し周波数よりも小さいときに、臨界電流密度が高くなっていることがわかる。
【００５５】
（実施例３）
サファイア基板（Ｒ面）上に酸化セリウム中間層（膜厚約４０ｎｍ）を蒸着したものの上にレーザー蒸着法により、ホルミウム系超電導薄膜（ＨｏＢａ2Ｃｕ3Ｏx：ＨｏＢＣＯ）を形成した。その際、レーザーエネルギをパラメータとして変化させた。なお、成膜時には、第１ステップでは５Ｈｚの繰返し周波数で１０分間成膜した後、第２ステップでは４０Ｈｚの繰返し周波数で１０分間成膜した。成膜雰囲気は酸素ガスを１３．３３Ｐａとし、基板温度を９００℃として各々一定とした。超電導層の特性を見るために、ＨｏＢＣＯ超電導層の液体窒素中における自己磁場下での臨界電流密度の測定を実施した。その結果を表３に示す。
【００５６】
【表３】
2005344125.tif 000005
【００５７】
表３の結果より、レーザーエネルギが４００ｍＪ以上のとき、臨界電流密度が高くなっていることがわかる。
【００５８】
（実施例４）
サファイア基板（Ｒ面）上に酸化セリウム中間層（膜厚約４０ｎｍ）を蒸着したものの上にレーザー蒸着法により、ホルミウム系超電導薄膜（ＨｏＢａ2Ｃｕ3Ｏx：ＨｏＢＣＯ）を形成した。その際、基板温度をパラメータとして変化させた。なお、成膜時には、第１ステップでは５Ｈｚの繰返し周波数で１０分間成膜した後、第２ステップでは４０Ｈｚの繰返し周波数で１０分間成膜した。成膜雰囲気は酸素ガスを１３．３３Ｐａとし、レーザーのパワーを９００ｍＪとして各々一定とした。超電導層の特性を見るために、ＨｏＢＣＯ超電導層の液体窒素中における自己磁場下での臨界電流密度の測定を実施した。その結果を表４に示す。
【００５９】
【表４】
2005344125.tif 000006
【００６０】
表４の結果より、基板温度が６００℃以上１２００℃未満のとき、臨界電流密度が高くなることがわかる。
【００６１】
（実施例５）
サファイア基板（Ｒ面）上に酸化セリウム中間層（膜厚約４０ｎｍ）を蒸着したものの上にレーザー蒸着法により、ホルミウム系超電導薄膜（ＨｏＢａ2Ｃｕ3Ｏx：ＨｏＢＣＯ）を形成した。その際、成膜酸素ガスの圧力をパラメータとして変化させた。なお、成膜時には、第１ステップでは５Ｈｚの繰返し周波数で１０分間成膜した後、第２ステップでは４０Ｈｚの繰返し周波数で１０分間成膜した。基板温度を９００℃とし、レーザーのパワーを９００ｍＪとして各々一定とした。超電導層の特性を見るために、ＨｏＢＣＯ超電導層の液体窒素中における自己磁場下での臨界電流密度の測定を実施した。その結果を表５に示す。
【００６２】
【表５】
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【００６３】
表５の結果より、ガス圧が１．３３Ｐａ以上６６．６６Ｐａ以下のとき、臨界電流密度が高くなることがわかる。
【００６４】
（実施例６）
サファイア基板（Ｒ面）上に酸化セリウム中間層（膜厚約４０ｎｍ）を蒸着したものの上にレーザー蒸着法により、ホルミウム系超電導薄膜（ＨｏＢａ2Ｃｕ3Ｏx：ＨｏＢＣＯ）を形成した。その際、成膜雰囲気のガス種をパラメータとして変化させた。なお、成膜時には、第１ステップでは５Ｈｚの繰返し周波数で１０分間成膜した後、第２ステップでは４０Ｈｚの繰返し周波数で１０分間成膜した。基板温度を９００℃とし、レーザーのパワーを９００ｍＪとし、雰囲気ガス圧を１３．３３Ｐａとして各々一定とした。超電導層の特性を見るために、ＨｏＢＣＯ超電導層の液体窒素中における自己磁場下での臨界電流密度の測定を実施した。その結果を表６に示す。
【００６５】
【表６】
2005344125.tif 000008
【００６６】
表６の結果より、ガス種が酸素のとき、臨界電流密度が高いことがわかる。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の酸化物超電導薄膜の製造方法によれば、適切な条件の下でレーザー蒸着法によりサファイア基板上に酸化物超電導薄膜を形成するため、クラックを生じさせることなく０．７μｍを超える厚膜で酸化物超電導薄膜を形成することが可能となる。このため、大電流を通電することが必要な電力用途に好適な酸化物超電導薄膜を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施の形態における酸化物超電導薄膜の製造方法を説明するための図である。
【図２】  レーザー蒸着法におけるレーザー光のレーザー周波数を２段階に分けて酸化物超電導薄膜を形成する工程を示す図である。
【図３】  本発明の一実施の形態における酸化物超電導薄膜の構成を概略的に示す断面図である。
【図４】  本発明の一実施の形態における超電導限流器の構成を示す図である。
【図５】  図４の超電導限流器に用いられる超電導薄膜よりなるコイルを示す平面図である。
【図６】  図４の超電導限流器に用いられる超電導薄膜よりなるコイルを示す断面図である。
【符号の説明】
１  ターゲット、２  ヒータ、３  レーザー光、４  プルーム、１０  基板、１１  サファイア単結晶基板、１２  中間層、１３  酸化物超電導薄膜、２６ａ，２６ｂ  端子、２７  絶縁基板、２８ａ，２８ｂ  超電導コイル、２９  表裏面回路接続部。
【図１】
2005344125.tif 000009
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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