(57)【要約】      （修正有）【課題】外部導体となる導電膜のめっき付き性や緻密性を向上させることができ、しかも外部導体の爆ぜを招くこともなくセラミック電子部品を回路基板に容易に実装することができるようにする。【解決手段】導電性ペーストが、平均粒径が０．５〜１．０μｍの球形状Ａｇ粉末と、平均粒径が１．５〜５．０μｍであってアスペクト比が５〜７０の偏平状Ａｇ粉末との混合粉で構成され混合比率が重量比で１／４〜４とされた導電性粉末と、Ｂ２Ｏ３：１０重量％以上３１重量％以下、ＳｉＯ２：６５重量％以上８６重量％以下、Ｍ２Ｏ（ただし、Ｍはアルカリ金属元素）：５重量％を超え５重量％未満となるように調合されたホウケイ酸アルカリガラスからなるガラス粉末とを含有している。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性粉末とガラス粉末と有機ビヒクルとを含有した導電性ペーストにおいて、
前記導電性粉末が、平均粒径が０．５〜１．０μｍの球形状粉末と、平均粒径が１．５〜５．０μｍであって平均厚みに対する最大径の比率が５〜７０の扁平状粉末との混合粉で構成されると共に、前記扁平状粉末に対する前記球形状粉末の比率が重量比で１／４〜４となるように配合され、
前記ガラス粉末が、１０重量％以上３１重量％以下のＢ２Ｏ３と、６５重量％以上８６重量％以下のＳｉＯ２と、０．５重量％を超え５重量％未満のＭ２Ｏ（ただし、Ｍはアルカリ金属元素）とを含有したホウケイ酸アルカリガラスからなることを特徴とする導電性ペースト。
【請求項２】
前記導電性粉末は、Ａｇを主成分としていることを特徴とする請求項１記載の導電性ペースト。
【請求項３】
セラミック素体の表面に形成された外部導体が、請求項１又は請求項２記載の導電性ペーストの焼結体からなることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項４】
前記セラミック素体に内部導体が埋設されると共に、該内部導体が前記外部導体に電気的に接続されていることを特徴とする請求項３記載のセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は導電性ペースト及びセラミック電子部品に関し、より詳しくはセラミック電子部品の外部導体に使用される導電性ペースト、及び該導電性ペーストを使用して製造される積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品では、一般に、セラミック素体の両端部に外部導体形成用の導電性ペーストを塗布し、乾燥させた後、焼成処理を行なうことにより形成される。また、外部導体上には、はんだ濡れ性やはんだ耐熱性の向上を目的として、Ｎｉ、Ｓｎ、はんだ等のめっき処理が施されている。
【０００３】
そして、上記外部導体形成用の導電性ペーストとしては、通常、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等の導電性粉末とガラス粉末（ガラスフリット）とを有機ビヒクル中に分散したものが使用され、従来より、ガラス粉末として、ホウケイ酸亜鉛系ガラスを使用した技術が提案されている（例えば、特許文献１、２）。
【０００４】
【特許文献１】特開昭５９−１８４５１１号公報
【特許文献２】特開平６−３４９３１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１、２では、ホウケイ酸亜鉛系ガラスを含有した導電性ペーストを使用して外部導体を形成しているが、ホウケイ酸亜鉛系ガラスは、一般に軟化点が低く、焼成処理を行なった場合、ガラス成分が外部導体の表面や外部導体とセラミック素体との界面に移動し、このため外部導体の内部に気孔が形成され易い。また、ガラス成分が外部導体の表面に移動し、該ガラス成分により表面が被覆されてしまうと、後工程でめっき処理を行なっても外部導体へのめっき付き性が悪化し、所望のはんだ濡れ性や耐熱性を確保することができないという問題点があった。
【０００６】
しかも、外部導体の内部に気孔が存在すると、めっき処理を行う際にめっき液が外部導体内部に浸入し易く、このため外部導体とセラミック素体との間の接着強度が低下するという問題点があった。
【０００７】
また、セラミック電子部品は、通常、回路基板に実装されて使用されるが、軟化点の低いホウケイ酸亜鉛系ガラス粉末はめっき液に溶けやすく、このためめっき処理時に外部導体内部に浸入しためっき液の水分が部品実装時の加熱により気化・膨張し、外部導体の爆ぜを招くおそれがあるという問題点があった。
【０００８】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、外部導体となる導体膜のめっき付き性や緻密性を向上させることができ、しかも外部導体の爆ぜを招くこともなくセラミック電子部品を回路基板に容易に実装することができる導電性ペースト、及び該導電性ペーストを使用して製造されたセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意研究を行ったところ、特定の平均粒径を有する球形状粉末と、特定の平均粒径・形状を有する扁平状粉末とを特定比率で調合した導電性粉末を使用し、該導電性粉末と特定の成分組成を有するホウケイ酸アルカリガラスとを含有した導電性ペーストを使用してセラミック電子部品の外部導体を形成することにより、めっき付き性や緻密性の向上を図ることができ、しかも回路基板への実装時に加熱処理しても爆ぜることのない外部導体の形成が可能な導電性ペーストを得ることができるという知見を得た。
【００１０】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る導電性ペーストは、導電性粉末とガラス粉末と有機ビヒクルとを含有した導電性ペーストにおいて、前記導電性粉末が、平均粒径が０．５〜１．０μｍの球形状粉末と、平均粒径が１．５〜５．０μｍであって平均厚みに対する最大径の比率（以下、「アスペクト比」という）が５〜７０の扁平状粉末との混合粉で構成されると共に、前記扁平状粉末に対する前記球形状粉末の比率が重量比で１／４〜４となるように配合され、前記ガラス粉末が、１０重量％以上３１重量％以下のＢ２Ｏ３と、６５重量％以上８６重量％以下のＳｉＯ２と、０．５重量％を超え５重量％未満のＭ２Ｏ（ただし、Ｍはアルカリ金属元素）とを含有したホウケイ酸アルカリガラスからなることを特徴としている。
【００１１】
また、本発明の導電性ペーストは、前記導電性ペーストが、Ａｇを主成分としていることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック素体の表面に形成された外部導体が、上記導電性ペーストの焼結体からなることを特徴としている。
【００１３】
また、本発明に係るセラミック電子部品は、前記セラミック素体に内部導体が埋設されると共に、該内部導体が前記外部導体に電気的に接続されていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
上記導電性ペーストによれば、前記導電性粉末が、平均粒径が０．５〜１．０μｍの球形状粉末と、平均粒径が１．５〜５．０μｍであってアスペクト比が５〜７０の扁平状粉末との混合粉で構成されると共に、前記扁平状粉末に対する前記球形状粉末の比率が重量比で１／４〜４となるように配合され、前記ガラス粉末が、１０重量％以上３１重量％以下のＢ２Ｏ３化物と、６５重量％以上８６重量％以下のＳｉＯ２と、０．５重量％を超え５重量％未満のＭ２Ｏ（ただし、Ｍはアルカリ金属元素）とを含有したホウケイ酸アルカリガラスからなるので、導体膜の内部に気孔が形成されたりめっき液の導体膜内部への浸入もなく、めっき付き性や緻密性が良好な導体膜を得ることができ、はんだ濡れ性や耐熱性、機械的強度に優れた導体膜を得ることが可能となる。
【００１５】
また、本発明のセラミック電子部品によれば、セラミック素体の表面に形成された外部導体が上記導電性ペーストの焼結体からなるので、良好なめっき付き性と緻密性を有する外部導体を得ることができ、したがって、外部導体の表面には所望の膜厚を有するめっき皮膜を容易に形成することができ、かつ外部導体内部にめっき液が浸入することのない信頼性に優れたセラミック電子部品を得ることができる。
【００１６】
また、本発明のセラミック電子部品によれば、前記セラミック素体に内部導体が埋設されると共に、該内部導体が前記外部導体に電気的に接続されているので、緻密化の良好な外部導体を有しており、したがってセラミック層と内部導体との界面にめっき液が浸入するのを回避することができ、セラミック層と内部導体との界面でデラミネーションが生じたりセラミック素体にクラックが発生するのを回避することができ、信頼性の優れた積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００１８】
本発明の一実施の形態としての導電性ペーストは、球形状Ａｇ粉末と扁平状Ａｇ粉末との混合粉からなる導電性粉末と、ホウケイ酸アルカリガラスからなるガラス粉末とが有機ビヒクル中に分散されてなる。
【００１９】
球形状Ａｇ粉末は平均粒径が０．５〜１．０μｍであり、扁平状Ａｇ粉末は平均粒径が１．５〜５．０μｍであってアスペクト比が５〜７０であり、しかも扁平状Ａｇ粉末に対する球形状Ａｇ粉末の混合比率（球形状Ａｇ粉末／扁平状Ａｇ粉末）は重量比で１／４〜４となるように配合されている。
【００２０】
また、前記ガラス粉末は、１０重量％以上３１重量％以下のＢ２Ｏ３と、６５重量％以上８６重量％以下のＳｉＯ２と、０．５重量％を超え５重量％未満のＭ２Ｏ（Ｍは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ等のアルカリ金属元素）とを含有したホウケイ酸アルカリガラスで構成されている。
【００２１】
すなわち、ガラス粉末は、
１０重量％≦Ｂ２Ｏ３≦３１重量％
６５重量％≦ＳｉＯ２≦８６重量％
０．５重量％＜Ｍ２Ｏ＜５重量％
を満足するように調合されている。
【００２２】
そして、上記導電性ペーストをセラミック素体等の被塗布物に塗布し、乾燥した後、焼成処理を行なうことにより、めっき付き性や緻密性が良好で引張応力等の機械的強度に優れた導体膜を得ることができる。
【００２３】
以下、球形状Ａｇ粉末及び扁平状Ａｇ粉末の平均粒径、アスペクト比、混合比率、及びガラス粉末の成分組成を上述のように限定した理由を詳述する。
【００２４】
球形状Ａｇ粉末及び扁平状Ａｇ粉末の平均粒径
Ａｇ粉末を含有した導電性ペーストをセラミック素体等の被塗布物の表面に塗布・乾燥した後、焼成処理を行なって導体膜を作製する場合、球形状Ａｇ粉末の平均粒径が０．５μｍ未満、及び扁平状Ａｇ粉末の平均粒径が１．５μｍ未満になると、これらの平均粒径が小さくなりすぎるため、導体膜の焼結性が過度に促進され、その結果、導体膜に亀裂が生じてめっき付き性が低下する。また、緻密性も低下してめっき液が導体膜内部に浸入し、回路基板への実装時における加熱処理により導体膜中に浸入しためっき液が気化・膨張して爆ぜてしまうおそれがある。
【００２５】
一方、球形状Ａｇ粉末の平均粒径が１．０μｍ、及び扁平状Ａｇ粉末の平均粒径が５．０μｍをそれぞれ超えた場合は、これらの平均粒径が大きくなりすぎ、導体膜の焼結性が悪化して緻密性の低下を招き、このため上述と同様、めっき液が導体膜内部に浸入し、回路基板への実装時における加熱処理によって導体膜（外部導体）中に浸入しためっき液が気化・膨張し、爆ぜてしまうおそれがある。
【００２６】
そこで、本実施の形態では、球形状Ａｇ粉末の平均粒径が０．５〜１．０μｍ、扁平状Ａｇ粉末の平均粒径が１．５〜５．０μｍの粉末粒子を使用している。
【００２７】
（２）アスペクト比
扁平状Ａｇ粉末と球形状Ａｇ粉末との混合粉からなる導電性粉末は、導体膜のめっき付き性や緻密性向上に寄与するが、扁平状Ａｇ粉末のアスペクト比が５未満になると、扁平状Ａｇ粉末の最大径が相対的に小さくなって導体膜の焼結性が過度に促進され、その結果、導体膜に亀裂が生じてめっき付き性が低下する。また、緻密性も低下するためめっき液が導体膜内部に浸入し、回路基板への実装時における加熱処理により導体膜中に浸入しためっき液が気化・膨張して爆ぜてしまうおそれがある。
【００２８】
一方、扁平状Ａｇ粉末のアスペクト比が７０を超えると、扁平状Ａｇ粉末の最大径が相対的に大きくなるため、導体膜の焼結性が悪化し、このため緻密性が低下してめっき液が導体膜内部に浸入し、回路基板への実装時における加熱処理により導体膜（外部導体）中に浸入しためっき液が気化・膨張して爆ぜてしまうおそれがある。
【００２９】
そこで、本実施の形態では、扁平状Ａｇ粉末のアスペクト比が５〜７０となるようにしている。
【００３０】
（３）混合比率
上述したように球形状Ａｇ粉末と扁平状Ａｇ粉末との混合粉からなる導電性粉末は、導体膜のめっき付き性や緻密性向上に寄与するが、扁平状Ａｇ粉末に対する球形状Ａｇ粉末の混合比率（球形状Ａｇ粉末／扁平状Ａｇ粉末）が重量比で１／４未満になると、扁平状Ａｇ粉末の含有量が相対的に多くなりすぎて導体膜の焼結性が劣化し、このため緻密性が低下してめっき液が導体膜内部に浸入し、回路基板への実装時における加熱処理により導体膜中に浸入しためっき液が気化・膨張して爆ぜてしまうおそれがある。
【００３１】
一方、混合比率が重量比で４を超えると、扁平状Ａｇ粉末の含有量が少なくなりすぎ、このためめっき付き性や緻密性が低下し、回路基板への実装時に導体膜が爆ぜてしまうおそれがある。
【００３２】
そこで、本実施の形態では、混合比率を重量比で１／４〜４となるようにしている。
【００３３】
（４）ガラス粉末の成分組成
ガラス粉末材料としてホウケイ酸アルカリガラスを使用することにより、導体膜のめっき付き性や緻密性の向上を図ることができるが、ガラス粉末（ホウケイ酸アルカリガラス）中のＢ２Ｏ３の含有量が１０重量％未満となり、ＳｉＯ２の含有量が８６重量％を超えると、導体膜の緻密性が悪化し、導体膜とセラミック素体等の被塗布物との間の接着強度が低下し、回路基板への実装時に導体膜が爆ぜてしまうおそれがある。
【００３４】
一方、ガラス粉末中のＢ２Ｏ３の含有量が３１重量％を超え、ＳｉＯ２の含有量が６５重量％未満になると、導体膜の緻密性低下と共にめっき付き性も低下し、導体膜とセラミック素体等の被塗布物との間の接着強度が低下し、この場合も回路基板への実装時に導体膜が爆ぜてしまうおそれがある。
【００３５】
また、ガラス粉末中のＭ２Ｏの含有量が０．５重量％以下になると、導体膜の緻密性が低下し、導体膜とセラミック素体等の被塗布物との間の接着強度が低下し、回路基板への実装時に導体膜が爆ぜてしまうおそれがある。
【００３６】
一方、ガラス粉末中のＭ２Ｏの含有量が５．０重量％以上になると、導体膜の緻密性劣化と共にめっき付き性も低下し、導体膜とセラミック素体等の被塗布物との間の接着強度が低下し、この場合も回路基板への実装時に導体膜が爆ぜてしまうおそれがある。
【００３７】
そこで、本実施の形態では、ガラス粉末の成分組成が、
１０重量％≦Ｂ２Ｏ３≦３１重量％
６５重量％≦ＳｉＯ２≦８６重量％
０．５重量％＜Ｍ２Ｏ＜５重量％
となるように含有量を調製している。
【００３８】
そして、本導電性ペーストは以下のようにして製造される。
【００３９】
すなわち、１０重量％≦Ｂ２Ｏ３≦３１重量％、６５重量％≦ＳｉＯ２≦８６重量％、０．５重量％＜Ｍ２Ｏ＜５重量％となるようにＢ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及びＭ２Ｏを調合し、温度１０００〜１６００℃で所定時間保持して溶融させ、次いでこの溶融物を純水中に流し込み、ボールミル等で湿式粉砕した後、乾燥し、これによりガラス粉末を作製する。
【００４０】
次に、平均粒径が０．５〜１．０μｍの球形状Ａｇ粉末と平均粒径が１．５〜５．０μｍであってアスペクト比が５〜７０の扁平状Ａｇ粉末を混合比率が重量比で１／４〜４となるように秤量し、導電性粉末を調合する。
【００４１】
次に、この導電性粉末及びガラス粉末を有機ビヒクル中に混合し、三本ロールミルで混練して分散させ、これにより導電性ペーストが作製される。尚、有機ビヒクルとしては、例えば、所定量のエチルセルロース樹脂をテルピネオール等の有機溶剤中に分散させたものを使用することができる。
【００４２】
このようにして作製された導電性ペーストは、平均粒径が０．５〜１．０μｍの球形状Ａｇ粉末と、平均粒径が１．５〜５．０μｍであってアスペクト比が５〜７０の偏平状Ａｇ粉末との混合粉で構成され混合比率が重量比で１／４〜４とされた導電性粉末と、Ｂ２Ｏ３：１０重量％以上３１重量％以下、ＳｉＯ２：６５重量％以上８６重量％以下、Ｍ２Ｏ：５重量％を超え５重量％未満となるように調合されたホウケイ酸アルカリガラスからなるガラス粉末とを含有しているので、導体膜のめっき付き性や緻密性が良好となり、はんだ濡れ性や耐熱性向上を図ることができると共に、導体膜中にめっき液が浸入するのを回避することができ、機械的強度の優れた導体膜を形成することが可能となる。
【００４３】
次に、上記導電性ペーストを使用して製造されたセラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサについて詳説する。
【００４４】
図１は積層セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示した断面図である。
【００４５】
該積層セラミックコンデンサは、セラミック素体１に内部導体２（２ａ〜２ｆ）が埋設されると共に、該セラミック素体１の両端部には外部導体３ａ、３ｂが形成され、さらに該外部導体３ａ、３ｂの表面には第１のめっき皮膜４ａ、４ｂ及び第２のめっき皮膜５ａ、５ｂが形成されている。
【００４６】
具体的には、各内部導体２ａ〜２ｆは積層方向に並設されると共に、内部導体２ａ、２ｃ、２ｅは外部導体３ａと電気的に接続され、内部導体２ｂ、２ｄ、２ｆは外部導体３ｂと電気的に接続されている。そして、内部導体２ａ、２ｃ、２ｅと内部導体２ｂ、２ｄ、２ｆとの対向面間で静電容量を取得している。
【００４７】
上記積層セラミックコンデンサは以下のようにして製造される。
【００４８】
まず、チタン酸バリウム等の誘電体材料を主成分とするセラミックグリーンシートを用意し、次いで、Ａｇ及びＰｄのうちの少なくとも一方からなる貴金属材料を主成分とした内部導体形成用の導電性ペーストを使用し、セラミックグリーンシート上にスクリーン印刷を施して所定形状の導電パターンを形成する。尚、内部導体用の金属としては、ＮｉやＣｕ等の卑金属を用いることもできるが、ＡｇやＰｄ等の貴金属の方が酸化されにくいため好ましい。
【００４９】
そしてこの後、導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートを所定方向に複数枚積層し、導電パターンの形成されていないセラミックグリーンシートで挟持・圧着し、所定寸法に切断してセラミック積層体を作製する。しかる後、温度約５００℃で脱バインダ処理を行ない、その後、温度１０００〜１５００℃の大気中で所定時間焼成処理を行い、これにより内部導体２が埋設されたセラミック素体１を作製する。
【００５０】
次いで、上述した本導電性ペーストをセラミック素体１の両端面に塗布した後、乾燥し、大気中温度８００〜９００℃で所定時間焼成処理を施し、外部導体３ａ、３ｂを形成する。
【００５１】
次に、電解めっきを施して外部導体３ａ、３ｂの表面にＮｉ、Ｃｕ等からなる第１のめっき皮膜４ａ、４ｂを形成し、さらに該第１のめっき皮膜４ａ、４ｂの表面にはんだやＳｎ等からなる第２のめっき皮膜５ａ、５ｂを形成し、これにより積層セラミックコンデンサが製造される。
【００５２】
このように本積層セラミックコンデンサは、上述した導電性ペーストを使用してセラミック素体１の両端面に外部導体３ａ、３ｂが形成されているので、めっき付き性や緻密性の良好な外部導体３ａ、３ｂを得ることができ、はんだ濡れ性や耐熱性に優れた外部導体３ａ、３ｂを有する積層セラミックコンデンサを得ることができる。また、外部導体３ａ、３ｂの緻密性が良好であることから該外部導体３ａ、３ｂの内部や内部導体にめっき液が浸入するのを回避することが可能となり、したがって回路基板への実装時に外部電極が爆ぜることのない積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００５３】
しかも、外部導体が緻密であることから内部導体へのめっき液の浸入を回避することが可能となり、したがってセラミック層と内部導体との界面でデラミネーションが生じたりセラミック素体にクラックが発生することもなく、信頼性の優れた積層セラミックコンデンサを高効率で得ることができる。
【００５４】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されることはない、例えば、上記実施の形態では、導電性粉末としてＡｇ粉末を使用したが、Ａｇ粉末以外の単体金属粉末、例えばＣｕ粉末にも適用でき、またＡｇ−Ｐｄ粉末のような合金粉末にも適用できるのはいうまでもない。
【００５５】
また、上記実施の形態では、本導電性ペーストを積層セラミックコンデンサに応用した場合について述べたが、他のセラミック電子部品についても同様に適用できるのはいうまでもない。
【００５６】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【００５７】
まず、表１に示すような組成を有するようにＢ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及びＭ２Ｏ（Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ）を秤量し、白金製の坩堝に入れて温度１０００〜１６００℃で６０分間保持し、完全に溶融したことを確認した後、坩堝から取り出して純水中に投入し、ボールミルで湿式粉砕した後乾燥し、これにより平均粒径０．５〜２．０μｍの実施例１〜８及び比較例１〜４のガラス粉末を作製した。
【００５８】
次に、これらガラス粉末の軟化点を示差熱分析装置により測定した。尚、前記ガラス粉末をＸ線回折法により分析したところ、非晶質であることが確認された。
【００５９】
表１は各実施例及び比較例におけるガラス粉末の成分組成と軟化点を示している。
【表１】
2005268204.tif 000002
次に、平均粒径が０．７μｍの球形状Ａｇ粉末：３５．５重量％、平均粒径が３．５μｍであってアスペクト比が３０の扁平状Ａｇ粉末：３５．５重量％、上記ガラス粉末：５．０重量％、有機ビヒクル：２４．０重量％となるように配合し、三本ロールミルで混練して外部電極形成用の導電性ペーストを作製した。尚、有機ビヒクルは、エチルセルロース樹脂が２０重量％となるように有機溶剤としてのテルピネオール中にエチルセルロース樹脂を溶解したものを使用した。
【００６０】
次に、チタン酸バリウムを主成分とするセラミックグリーンシートを準備し、一方の端縁がセラミックグリーンシートの何れかの端面に露出するように、該セラミックグリーンシートの表面にＡｇを主成分とする導電性ペーストを用いて内部導体となるべき導電パターンをスクリーン印刷した。次に、導電パターンの形成されたセラミックグリーンシートを所定枚数積層し、次いで、導電パターンの形成されていないセラミックグリーンシートで挟持した後、圧着してセラミック積層体を作製し、その後温度約５００℃で脱バインダ処理を行なった後、温度１０００〜１５００℃の大気中で焼成処理を行ない、これによりセラミック焼結体を作製し、セラミック素体を得た。
【００６１】
次に、このセラミック素体の両端部に前記導電ペーストを浸漬法で塗布した後、乾燥し、その後、大気雰囲気下、温度８５０℃で２０分間焼成処理を施し、外部導体を形成した。
【００６２】
次に、外部導体の形成されたセラミック素体に電解Ｎｉめっき処理、及び電解Ｓｎめっき処理を順次施し、外部導体の表面にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を形成し、縦１．０ｍｍ、横０．５ｍｍ、厚み０．５ｍｍからなる実施例１〜７及び比較例１〜４の積層セラミックコンデンサを得た。
【００６３】
次に、各実施例及び比較例について、めっき皮膜の膜厚、及び外部導体の接着強度を測定し、更にははんだ飛散の有無を観察して外部導体の爆ぜの有無を評価した。
【００６４】
ここで、めっき皮膜の膜厚は、実施例及び比較例の各５個について、Ｘ線膜厚計で測定し、その平均値を求めた。
【００６５】
接着強度は、実施例及び比較例の各１０個について、外部導体にリード線をはんだ付けし、引張り強度を測定し、平均値を求めた。
【００６６】
はんだ飛散の有無は、実施例及び比較例の各１０００個について、外部導体の表面にＳｎ−Ｐｂ共晶のクリームはんだを塗布した後、最高温度を２５０℃に設定したリフロー炉に２回通し、はんだ飛散の個数を計測した。
【００６７】
表２は各実施例及び比較例におけるめっき皮膜、接着強度の測定結果、及びはんだ飛散の個数を示している。
【表２】
2005268204.tif 000003
この表２から明らかなように比較例１は、ガラス粉末中のＢ２Ｏ３の含有量が９．０重量％と少なく、ＳｉＯ２の含有量が８８重量％と多いため、接着強度が２Ｎと低く、緻密性に欠け１０００個中１５０個の試料にはんだ飛散が認められた。
【００６８】
比較例２は、ガラス粉末中のＢ２Ｏ３の含有量が３２．０重量％と多く、ＳｉＯ２の含有量が６４重量％と少ないため、Ｎｉ皮膜の膜厚が０．８４μｍと薄く、またＳｎ皮膜の膜厚も１．２２μｍと薄く、めっき付き性に劣り、しかも接着強度が３Ｎと低く、緻密性に欠け１０００個中１３５個の試料にはんだ飛散が認められた。
【００６９】
比較例３は、ガラス粉末中のＫ２Ｏの含有量が５．０重量％と多すぎるため、Ｎｉ皮膜の膜厚が０．９５μｍと薄く、またＳｎ皮膜の膜厚も１．３５μｍと薄く、めっき付き性に劣り、また接着強度が２Ｎと低く、緻密性に欠け１０００個中１５３個の試料にはんだ飛散が認められた。
【００７０】
比較例４は、ガラス粉末中のＫ２Ｏの含有量が０．５重量％と少ないため、接着強度が２Ｎと低く、緻密性に欠け１０００個中１６８個の試料にはんだ飛散が認められた。
【００７１】
これに対して実施例１〜８は本発明範囲内の導電性粉末及びガラス粉末を含有した導電性ペーストを使用して外部導体を形成しているので、Ｎｉ皮膜の膜厚が２．０７〜２．２６μｍ、Ｓｎ皮膜の膜厚が３．７７〜３．９７μｍであり、めっき付き性が良好で耐熱性やはんだ濡れ性の優れた外部導体を得ることができた。しかも、接着強度も１０〜１４Ｎと大きく、緻密性も良好で実装時にもはんだ飛散が生じず外部導体が爆ぜるのを回避できることが分かった。
【実施例２】
【００７２】
表３に示すような平均粒径、アスペクト比、混合比率（球形状Ａｇ粉末／扁平状Ａｇ粉末）を有するように導電性粉末としてのＡｇ粉末を調合した。
【００７３】
次いで、Ａｇ粉末：７１重量％、表１の実施例２で作製した本発明ガラス粉末：５．０重量％、有機ビヒクル：２４．０重量％となるように配合し、三本ロールミルで混練して外部電極形成用の導電性ペーストを作製した。尚、有機ビヒクルは、〔実施例１〕と同様、エチルセルロース樹脂が２０重量％となるように有機溶剤としてのテルピネオール中にエチルセルロース樹脂を溶解したものを使用した。
【００７４】
そして、この導電性ペーストを使用し、〔実施例１〕と同様の方法・手順で、実施例１１〜１９及び比較例１１〜１８の積層セラミックコンデンサを作製した。
【００７５】
次に、〔実施例１〕と同様の方法で、めっき皮膜の膜厚、接着強度、及びはんだ飛散数を求めた。
【００７６】
表３はその結果を示している。
【表３】
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この表３から明らかなように比較例１１は、球形状Ａｇ粉末の平均粒径が０．４μｍと小さいため、Ｎｉ皮膜の膜厚が０．９７μｍと薄く、またＳｎ皮膜の膜厚も１．２５μｍと薄く、めっき付き性に劣り、さらに接着強度も５Ｎと低く、緻密性に欠け１０００個中３０個の試料にはんだ飛散が認められた。
【００７７】
比較例１２は、球形状Ａｇ粉末の平均粒径が１．１μｍと大きいため、接着強度が９Ｎと低く、緻密性に欠け１０００個中４１個の試料にはんだ飛散が認められた。
【００７８】
比較例１３は、扁平状Ａｇ粉末の平均粒径が１．３μｍと小さいため、Ｎｉ皮膜の膜厚が０．９３μｍと薄く、またＳｎ皮膜の膜厚も１．３３μｍと薄く、めっき付き性に劣り、また接着強度も５Ｎと低く、緻密性に欠け１０００個中３５個の試料にはんだ飛散が認められた。
【００７９】
比較例１４は、扁平状Ａｇ粉末の平均粒径が５．５μｍと大きいため、接着強度が８Ｎと低く、緻密性に欠け１０００個中６６個の試料にはんだ飛散が認められた。
【００８０】
比較例１５は、扁平状Ａｇ粉末のアスペクト比が４と小さいため、Ｎｉ皮膜の膜厚が０．８８μｍと薄く、またＳｎ皮膜の膜厚も１．１８μｍと薄く、めっき付き性に劣り、また接着強度も４Ｎと低く、緻密性に欠け１０００個中２８個の試料にはんだ飛散が認められた。
【００８１】
比較例１６は、扁平状Ａｇ粉末のアスペクト比が７５と大きいため、接着強度が８Ｎと低く、緻密性に欠け１０００個中５８個の試料にはんだ飛散が認められた。
【００８２】
比較例１７は、扁平状Ａｇ粉末に対する球形状Ａｇ粉末の混合比率が重量比で１／９と小さいため、接着強度が７Ｎと低く、緻密性に欠け１０００個中７２個の試料にはんだ飛散が認められた。
【００８３】
比較例１８は、前記混合比率が９／１と大きいため、Ｎｉ皮膜の膜厚が０．９８μｍと薄く、またＳｎ皮膜の膜厚も１．２５μｍと薄く、めっき付き性に劣り、また接着強度も５Ｎと低く、緻密性に欠け１０００個中４２個の試料にはんだ飛散が認められた。
【００８４】
これに対して実施例１１〜１９は、球形状Ａｇ粉末及び扁平状Ａｇ粉末の平均粒径、アスペクト比、混合比率が本発明範囲内の導電性粉末を使用しているので、Ｎｉ皮膜の膜厚が２．０６〜２．２０μｍ、Ｓｎ皮膜の膜厚が３．７７〜３．９７μｍであり、めっき付き性が良好で耐熱性やはんだ濡れ性に優れた外部導体を得ることができた。
【００８５】
しかも、接着強度も１１〜１４Ｎと大きく、機械的強度も強く緻密性が良好で、実装時にもはんだ飛散が生じず外部導体が爆ぜるのを回避できることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明に係るセラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００８７】
１  セラミック素体
２  内部導体
３ａ、３ｂ  外部導体
【図１】
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