(57)【要約】【課題】  必要なバンプ高さを確保すると共に信頼性を損なわずに大幅な金の節減ができる金バンプを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  Ａｌパッド１２上及びその周囲上のパッシベーション膜１３上に下地用金属層１４が形成されている。下地用金属層１４上にＡｕ以外のバンプ基礎部材例えばＣｕめっきによるＣｕポスト１５が形成されている。Ｃｕポスト１５上にはＡｕめっき層１６が形成されている。Ｃｕポスト１５は、バンプ全体の２／３程度の厚さを占めている。Ａｕめっき層１６はＣｕポスト１５の半分以下の厚さになっている。さらに、Ｃｕポスト１５及びＡｕめっき層１６全体表面を被覆するＡｕめっき層１７が形成されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路内部への経路に接続され外部との電気的接続領域を有するパッド部材と、
前記パッド部材上の周囲部を含み前記電気的接続領域の周りに形成された一層以上の絶縁膜と、
前記パッド部材及びその周辺の前記絶縁膜上に被覆された下地金属層と、
前記下地金属層上に設けられた、金以外のバンプ基礎部材及びその上の金めっき層の積層でなるバンプ電極と、を含む半導体装置。
【請求項２】
前記金めっき層は前記バンプ電極の高さの１／３以下の厚さとなっている請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記バンプ基礎部材はＣｕ、Ａｇいずれかを含む請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
集積回路内部への経路に接続され外部との電気的接続領域を有するパッド部材と、
前記パッド部材上の周囲部を含み前記電気的接続領域の周りに形成された一層以上の絶縁膜と、
前記パッド部材及びその周辺の前記絶縁膜上に被覆された下地金属層と、
前記下地金属層上に設けられた、Ｃｕを含むバンプ基礎部材及び前記バンプ基礎部材の上部を厚く側部を薄くした金めっき層の積層でなるバンプ電極と、を含む半導体装置。
【請求項５】
集積回路内部への経路に接続され外部との電気的接続領域を有するパッド部材と、
前記パッド部材上の周囲部を含み前記電気的接続領域の周りに形成された一層以上の絶縁膜と、
前記パッド部材及びその周辺の前記絶縁膜上に被覆された下地金属層と、
前記下地金属層上に設けられた、Ａｇを含むバンプ基礎部材及び前記バンプ基礎部材の上部を厚く側部を薄くした金めっき層の積層でなるバンプ電極と、を含む半導体装置。
【請求項６】
前記バンプ基礎部材上部の前記金めっき層は前記バンプ電極の高さの１／３以下の厚さとなっている請求項４または５記載の半導体装置。
【請求項７】
基板上に選択的にパッド部材を形成する工程と、
前記パッド部材を覆うように一層以上の絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記パッド部材の電気的接続領域上を選択的に開口し、前記パッド部材における電気的接続領域表面を露出させる工程と、
前記パッド部材上への少なくとも１層以上の下地用金属層の堆積工程と、
前記電気的接続領域及びその周辺を除くバンプ用のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンに応じて前記下地用金属層上に前記レジストパターンの途中の高さまで金以外のバンプ基礎部材をめっきする工程と、
前記レジストパターンに応じて前記バンプ基礎部材上に前記バンプ基礎部材の半分以下の厚さで金めっきする工程と、
前記レジストパターンを除去し前記バンプ基礎部材及び金めっきの積層形状をマスクとして前記下地用金属層をエッチングする工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記バンプ基礎部材は硬度が金により近い金属が選ばれることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基板上に選択的にパッド部材を形成する工程と、
前記パッド部材を覆うように一層以上の絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記パッド部材の電気的接続領域上を選択的に開口し、前記パッド部材における電気的接続領域表面を露出させる工程と、
前記パッド部材上への少なくとも１層以上の下地用金属層の堆積工程と、
前記電気的接続領域及びその周辺を除くバンプ用のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンに応じて前記レジストパターンの途中の高さまでＣｕ部材をめっきする第１めっき工程と、
前記レジストパターンに応じて前記Ｃｕ部材上に前記Ｃｕ部材の半分以下の厚さでＡｕ部材をめっきする第２めっき工程と、
前記レジストパターンを除去し前記Ｃｕ部材及びＡｕ部材の積層形状をマスクとして前記下地用金属層をエッチングする工程と、
少なくとも前記Ｃｕ部材及びＡｕ部材の露出表面をＡｕ部材で被覆する第３めっき工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
基板上に選択的にパッド部材を形成する工程と、
前記パッド部材を覆うように一層以上の絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記パッド部材の電気的接続領域上を選択的に開口し、前記パッド部材における電気的接続領域表面を露出させる工程と、
前記パッド部材上への少なくとも１層以上の下地用金属層の堆積工程と、
前記電気的接続領域及びその周辺を除くバンプ用のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンに応じて前記レジストパターンの途中の高さまでＡｇ部材をめっきする第１めっき工程と、
前記レジストパターンに応じて前記Ａｇ部材上に前記Ａｇ部材の半分以下の厚さでＡｕ部材をめっきする第２めっき工程と、
前記レジストパターンを除去し前記Ａｇ部材及びＡｕ部材の積層形状をマスクとして前記下地用金属層をエッチングする工程と、
少なくとも前記Ａｇ部材及びＡｕ部材の露出表面をＡｕ部材で被覆する第３めっき工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１、第２めっき工程は電解めっき法、第３めっき工程は無電解めっき法を利用して達成することを特徴とする請求項９，１０いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置のバンプ構造に係り、特に経済性に着目した金バンプを有する半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップのパッド上に形成される金バンプは、まず、半導体ウェハに形成したパッド上にＵＢＭ（アンダーバンプメタル）をスパッタ形成する。ＵＢＭはバリアメタルや密着力を高める金属層を含む。次に、ＵＢＭ上にパッド上を開口したフォトレジストパターンを形成する。その後、半導体ウェハはめっき液に接触させ、例えば電解めっき法によりパッド上に金をめっき形成する。金めっき液はフォトレジストパターンを保つため、金化合物としては特殊で高価な亜硫酸化合物を用いている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−３４０５９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ＩＣチップのバンプ全体の高さは、一般に１５〜２５μｍは必要である。上記のような金バンプにおいても同様である。しかし、これらのバンプに回路基板等のインナーリードをボンディングする場合、バンプ全体の高さは１５〜２５μｍ必要であるものの、すべてを金にする必要性があるのかどうかは検討する余地がある。近年のＩＣチップは狭ピッチのバンプ配列が要求され、チップ１個当りのバンプ数もかなり多くなってきている。従って、バンプ高さ全体をすべて金で形成することは、バンプコスト増大につながる。
【０００４】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、必要なバンプ高さを確保すると共に信頼性を損なわずに大幅な金の節減ができる金バンプを有する半導体装置及びその製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る半導体装置は、集積回路内部への経路に接続され外部との電気的接続領域を有するパッド部材と、前記パッド部材上の周囲部を含み前記電気的接続領域の周りに形成された一層以上の絶縁膜と、前記パッド部材及びその周辺の前記絶縁膜上に被覆された下地金属層と、前記下地金属層上に設けられた、金以外のバンプ基礎部材及びその上の金めっき層の積層でなるバンプ電極と、を含む。
【０００６】
上記本発明に係る半導体装置によれば、バンプ電極として実質的に必要な金の厚みを確保すれば、その下の金属はバンプ基礎部材として金以外の物質でも問題ない。これにより、金の大幅な節約が可能である。
なお、上記本発明に係る半導体装置において、好ましくは、次のような特徴を少なくとも一つ有する。
前記金めっき層は前記バンプ電極の高さの１／３以下の厚さとなっている。
前記バンプ基礎部材はＣｕ、Ａｇいずれかを含む。
【０００７】
本発明に係る半導体装置は、集積回路内部への経路に接続され外部との電気的接続領域を有するパッド部材と、前記パッド部材上の周囲部を含み前記電気的接続領域の周りに形成された一層以上の絶縁膜と、前記パッド部材及びその周辺の前記絶縁膜上に被覆された下地金属層と、前記下地金属層上に設けられた、Ｃｕを含むバンプ基礎部材及び前記バンプ基礎部材の上部を厚く側部を薄くした金めっき層の積層でなるバンプ電極と、を含む。
【０００８】
上記本発明に係る半導体装置によれば、バンプ電極として実質的に必要な金の厚みを確保し、その下の金属はバンプ基礎部材としてＣｕを用いる。さらにバンプ電極全体は金めっき層でＣｕを覆うことにより信頼性を向上させる。これにより、高信頼性を得ると共に金の大幅な節約が可能である。
なお、好ましくは、前記金めっき層は前記バンプ電極の高さの１／３以下の厚さとなっていることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る半導体装置は、集積回路内部への経路に接続され外部との電気的接続領域を有するパッド部材と、前記パッド部材上の周囲部を含み前記電気的接続領域の周りに形成された一層以上の絶縁膜と、前記パッド部材及びその周辺の前記絶縁膜上に被覆された下地金属層と、前記下地金属層上に設けられた、Ａｇを含むバンプ基礎部材及び前記バンプ基礎部材の上部を厚く側部を薄くした金めっき層の積層でなるバンプ電極と、を含む。
【００１０】
上記本発明に係る半導体装置によれば、バンプ電極として実質的に必要な金の厚みを確保し、その下の金属はバンプ基礎部材としてＡｇを用いる。さらにバンプ電極全体は金めっき層でＡｇを覆うことにより信頼性を向上させる。これにより、高信頼性を得ると共に金の大幅な節約が可能である。
なお、好ましくは、前記金めっき層は前記バンプ電極の高さの１／３以下の厚さとなっていることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に選択的にパッド部材を形成する工程と、前記パッド部材を覆うように一層以上の絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に前記パッド部材の電気的接続領域上を選択的に開口し、前記パッド部材における電気的接続領域表面を露出させる工程と、前記パッド部材上への少なくとも１層以上の下地用金属層の堆積工程と、前記電気的接続領域及びその周辺を除くバンプ用のレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンに応じて前記下地用金属層上に前記レジストパターンの途中の高さまで金以外のバンプ基礎部材をめっきする工程と、前記レジストパターンに応じて前記バンプ基礎部材上に前記バンプ基礎部材の半分以下の厚さで金めっきする工程と、前記レジストパターンを除去し前記バンプ基礎部材及び金めっきの積層形状をマスクとして前記下地用金属層をエッチングする工程と、を含む。
【００１２】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、金以外のバンプ基礎部材をめっき後、バンプ基礎部材上にバンプ基礎部材の半分以下の厚さで金めっきする。バンプ電極として実質的に必要な金の厚みを確保すれば、その下の金属はバンプ基礎部材として金以外の物質でも問題ない。これにより、金の大幅な節約が可能である。
なお、好ましくは、前記バンプ基礎部材は硬度が金により近い金属が選ばれることを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に選択的にパッド部材を形成する工程と、前記パッド部材を覆うように一層以上の絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に前記パッド部材の電気的接続領域上を選択的に開口し、前記パッド部材における電気的接続領域表面を露出させる工程と、前記パッド部材上への少なくとも１層以上の下地用金属層の堆積工程と、前記電気的接続領域及びその周辺を除くバンプ用のレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンに応じて前記レジストパターンの途中の高さまでＣｕ部材をめっきする第１めっき工程と、前記レジストパターンに応じて前記Ｃｕ部材上に前記Ｃｕ部材の半分以下の厚さでＡｕ部材をめっきする第２めっき工程と、前記レジストパターンを除去し前記Ｃｕ部材及びＡｕ部材の積層形状をマスクとして前記下地用金属層をエッチングする工程と、少なくとも前記Ｃｕ部材及びＡｕ部材の露出表面をＡｕ部材で被覆する第３めっき工程と、を含む。
【００１４】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、第１めっき工程でＣｕ部材をめっき後、Ｃｕ部材上にこのＣｕ部材の半分以下の厚さで金めっきする（第２めっき工程）。さらに、第３めっき工程によってＣｕを含めたバンプ電極全体表面を金めっき層で覆うことにより信頼性を向上させる。すなわち、バンプ電極として実質的に必要な金の厚みを確保し、その下の金属はＣｕ部材で代替する。さらにバンプ電極全体は金めっきされる。これにより、高信頼性を得ると共に金の大幅な節約が可能である。
なお、好ましくは、前記第１、第２めっき工程は電解めっき法、第３めっき工程は無電解めっき法を利用して達成することを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に選択的にパッド部材を形成する工程と、前記パッド部材を覆うように一層以上の絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に前記パッド部材の電気的接続領域上を選択的に開口し、前記パッド部材における電気的接続領域表面を露出させる工程と、前記パッド部材上への少なくとも１層以上の下地用金属層の堆積工程と、前記電気的接続領域及びその周辺を除くバンプ用のレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンに応じて前記レジストパターンの途中の高さまでＡｇ部材をめっきする第１めっき工程と、前記レジストパターンに応じて前記Ａｇ部材上に前記Ａｇ部材の半分以下の厚さでＡｕ部材をめっきする第２めっき工程と、前記レジストパターンを除去し前記Ａｇ部材及びＡｕ部材の積層形状をマスクとして前記下地用金属層をエッチングする工程と、少なくとも前記Ａｇ部材及びＡｕ部材の露出表面をＡｕ部材で被覆する第３めっき工程と、を含む。
【００１６】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、第１めっき工程でＡｇ部材をめっき後、Ａｇ部材上にこのＡｇ部材の半分以下の厚さで金めっきする（第２めっき工程）。さらに、第３めっき工程によってＡｇを含めたバンプ電極全体表面を金めっき層で覆うことにより信頼性を向上させる。すなわち、バンプ電極として実質的に必要な金の厚みを確保し、その下の金属はＡｇ部材で代替する。さらにバンプ電極全体は金めっきされる。これにより、高信頼性を得ると共に金の大幅な節約が可能である。
なお、好ましくは、前記第１、第２めっき工程は電解めっき法、第３めっき工程は無電解めっき法を利用して達成することを特徴とする。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の要部であり、パッドに設けられたバンプの構成を示す断面図である。半導体基板上の絶縁膜１１上にＡｌパッド１２が形成されている。このＡｌパッド１２は図示しない集積回路内部への経路に接続されるものである。上記絶縁膜１１上とこのＡｌパッド１２上の周囲部にパッシベーション膜１３が形成されている。Ａｌパッド１２上及びその周囲上のパッシベーション膜１３上にバリアメタルや密着用の保護金属層の機能を果たす下地用金属層１４が形成されている。下地用金属層１４はアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）とも呼ばれ、例えばＴｉＷ／Ｃｕの積層構成であって、めっき用金属層を兼ねている。その他、ＴｉやＰｄを含む構成も考えられる。この下地用金属層１４上にＡｕ以外のバンプ基礎部材例えばＣｕめっきによるＣｕポスト１５が形成されている。Ｃｕポスト１５上にはＡｕめっき層１６が形成されている。さらに、Ｃｕポスト１５及びＡｕめっき層１６全体表面を被覆するＡｕめっき層１７が形成されている。
【００１８】
上記Ｃｕポスト１５は、バンプ全体の２／３程度の厚さを占めている。Ａｕめっき層１６はＣｕポスト１５の半分以下の厚さになっている。例えば、バンプ全体の高さが１５〜２５μｍである場合、Ａｕ部分の厚みは５〜１０μｍあれば十分である。これにより、硬度がＡｕに近いＣｕポスト１５を１０〜１５μｍ程度形成しておき、バンプ基礎部材とする。その上にＡｕめっき層１６、さらにはＡｕめっき層１７が構成される。
【００１９】
上記実施形態の構成によれば、バンプ電極として実質的に必要なＡｕの厚みを確保すれば、その下の金属はバンプ基礎部材としてＡｕ以外の物質でも問題ない。これにより、金の大幅な節約が可能である。なお、バンプ基礎部材はＣｕポスト１５としたが、Ｃｕ合金物質、Ｃｕ以外の物質や、合金物質を用いることも考えられる。また、Ａｕめっき層１７を省略することも考えられる。ただし、Ｃｕポスト１５が変質、腐食し難い環境、または多少の変質でも支障のない環境で使われる場合など、限られた環境においての構成が可能である。
【００２０】
図２〜図４は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を工程順に示す断面図である。第１実施形態と同様の箇所には図１と同一の符号を付して説明する。
図２に示すように、半導体基板上の絶縁膜１１上に集積回路内部への経路（図示せず）に接続されるＡｌパッド１２を形成する。絶縁膜１１上とこのＡｌパッド１２上の周囲部にパッシベーション膜１３を形成する。Ａｌパッド１２上及びパッシベーション膜１３上にＴｉＷ及びＣｕを順にスパッタ積層し、下地用金属層（ＵＢＭ）１４を形成する。
【００２１】
次に、下地用金属層１４上に、Ａｌパッド１２とその周辺上方を開口するレジストパターン２１を形成する。次に電解めっき法により、レジストパターン２１の途中の高さまでＣｕをめっき成長させる。これによりＣｕポスト１５を形成する。Ｃｕポスト１５の高さはバンプ全体の高さの略２／３とする。電解めっき液には例えば硫酸銅めっき液またはピロリン酸銅めっき液が使用される。次いで、電解めっき法により、レジストパターン２１に応じてＡｕをめっき成長させる。これにより、Ａｕめっき層１６を形成する。Ａｕめっき層１６の高さはＣｕポスト１５の高さの略半分とする。電解めっき液には亜硫酸化合物で構成される金めっき液が使用される。各めっき工程における析出量はめっき時間によって制御される。
【００２２】
次に、図３に示すように、レジストパターン２１を剥離する。次に、Ｃｕポスト１５及びＡｕめっき層１６の積層形状をマスクにして下地用金属層１４をウェットエッチにて除去する。
【００２３】
次に、図４に示すように、Ａｕイオン、還元剤、安定剤、緩衝剤等を含む無電解金めっき液に浸漬し、無電解Ａｕめっきを施す。例えばＡｕの自己析出量が０．３〜１．０μｍ程度になるまでめっき時間を制御する。これにより、下地用金属層１４、Ｃｕポスト１５及びＡｕめっき層１６の積層形状を含む露出金属表面を薄い金めっきで被覆する。これにより、Ａｕめっき層１７が形成され、前記図１のような構成を得ることができる。
【００２４】
上記実施形態の方法によれば、第１の電解めっき工程でＣｕポスト１５を形成する。次いで、第２の電解めっき工程により、Ｃｕポスト１５上にこのＣｕの半分以下の厚さでＡｕめっき層１６を形成する。さらに、無電解めっき工程を経てバンプ電極全体表面をＡｕめっき層１７で覆うことにより信頼性を向上させる。すなわち、バンプ電極として実質的に必要なＡｕの厚みを確保し、その下の金属はＣｕ部材で代替する。さらにバンプ電極全体はＡｕで被覆される。これにより、高信頼性を得ると共に金の大幅な節約が可能である。
【００２５】
図５は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の要部であり、パッドに設けられたバンプの構成を示す断面図である。第１実施形態と同様の箇所には同一の符号を付す。半導体基板上の絶縁膜１１上にＡｌパッド１２が形成されている。このＡｌパッド１２は図示しない集積回路内部への経路に接続されるものである。上記絶縁膜１１上とこのＡｌパッド１２上の周囲部にパッシベーション膜１３が形成されている。Ａｌパッド１２上及びその周囲上のパッシベーション膜１３上にバリアメタルや密着用の保護金属層の機能を果たす下地用金属層３４が形成されている。すなわち、アンダーバンプメタル（ＵＢＭ）であり、例えばＴｉＷ／Ａｇの積層構成であって、めっき用金属層を兼ねている。その他、ＴｉやＰｄを含む構成も考えられる。この下地用金属層３４上にＡｕ以外のバンプ基礎部材例えばＡｇめっきによるＡｇポスト３５が形成されている。Ａｇポスト３５上にはＡｕめっき層１６が形成されている。
【００２６】
上記Ａｇポスト３５は、バンプ全体の２／３程度の厚さを占めている。Ａｕめっき層１６はＡｇポスト３５の半分以下の厚さになっている。例えば、バンプ全体の高さが１５〜２５μｍである場合、Ａｕ部分の厚みは５〜１０μｍあれば十分である。そこで、Ａｇポスト３５を１０〜１５μｍ程度形成しておき、バンプ基礎部材とする。その上にＡｕめっき層１６が構成される。
【００２７】
上記実施形態の構成によれば、バンプ電極として実質的に必要なＡｕの厚みを確保すれば、その下の金属はバンプ基礎部材としてＡｕ以外の物質でも問題ない。これにより、金の大幅な節約が可能である。また、Ａｇポスト３５が変質、腐食し易い環境、またはわずかな変質により支障がある環境で使われる場合には、前記図１と同様に、Ａｕめっき層１７をバンプ表面として構成することも考えられる（図８）。
【００２８】
図６、図７は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を工程順に示す断面図である。第３実施形態と同様の箇所には図５と同一の符号を付して説明する。
図６に示すように、半導体基板上の絶縁膜１１上に集積回路内部への経路（図示せず）に接続されるＡｌパッド１２を形成する。絶縁膜１１上とこのＡｌパッド１２上の周囲部にパッシベーション膜１３を形成する。Ａｌパッド１２上及びパッシベーション膜１３上にＴｉＷ及びＡｇを順にスパッタ積層し、下地用金属層（ＵＢＭ）３４を形成する。
【００２９】
次に、下地用金属層３４上に、Ａｌパッド１２とその周辺上方を開口するレジストパターン２１を形成する。次に電解めっき法により、レジストパターン２１の途中の高さまでＡｇをめっき成長させる。これによりＡｇポスト３５を形成する。Ａｇポスト３５の高さはバンプ全体の高さの略２／３とする。電解めっき液には例えば低シアン、弱アルカリ性の高純度銀めっき液が使用される。次いで、電解めっき法により、レジストパターン２１に応じてＡｕをめっき成長させる。これにより、Ａｕめっき層１６を形成する。Ａｕめっき層１６の高さはＡｇポスト３５の高さの略半分とする。電解めっき液には亜硫酸化合物で構成される金めっき液が使用される。各めっき工程における析出量はめっき時間によって制御される。
【００３０】
次に、図７に示すように、レジストパターン２１を剥離する。次に、Ａｇポスト３５及びＡｕめっき層１６の積層形状をマスクにして下地用金属層３４をウェットエッチにて除去する。これにより、図５のような構成が得られる。
【００３１】
図８は、本発明の第５実施形態に係る半導体装置の要部であり、前記第３実施形態にさらに、前記第１実施形態と同様にＡｕめっき層１７を付加した構成である。すなわち、前記図７の構成において、Ａｕイオン、還元剤、安定剤、緩衝剤等を含む無電解金めっき液に浸漬し、無電解Ａｕめっきを施す。例えばＡｕの自己析出量が０．３〜１．０μｍ程度になるまでめっき時間を制御する。これにより、下地用金属層３４、Ａｇポスト３５及びＡｕめっき層１６の積層形状を含む露出金属表面を薄い金めっきで被覆し、Ａｕめっき層１７を構成する。
【００３２】
上記各実施形態及び方法によれば、第１の電解めっき工程でＡｇポスト３５を形成する。次いで、第２の電解めっき工程により、Ａｇポスト３５上にこのＡｇの半分以下の厚さでＡｕめっき層１６を形成する。すなわち、バンプ電極として実質的に必要なＡｕの厚みを確保し、その下の金属はＡｇ部材で代替する。さらに、無電解めっき工程を経てバンプ電極全体表面をＡｕめっき層１７で覆うことにより信頼性を向上させることができる。これにより、高信頼性を得ると共に金の大幅な節約が可能である。
【００３３】
以上説明したように本発明によれば、バンプ電極として実質的に必要な金の厚みを確保すれば、その下の金属はバンプ基礎部材として金以外の物質を代替可能である。これにより、全体のバンプ形状、高さを整え、バンプコストの大幅な削減に寄与する。この結果、必要なバンプ高さを確保すると共に信頼性を損なわずに大幅な金の節減ができる金バンプを有する半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置の要部構成を示す断面図。
【図２】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す第１断面図。
【図３】図２に続く第２断面図。
【図４】図３に続く第３断面図。
【図５】第３実施形態に係る半導体装置の要部構成を示す断面図。
【図６】第４実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す第１断面図。
【図７】図６に続く第２断面図。
【図８】第５実施形態に係る半導体装置の要部構成を示す断面図。
【符号の説明】
【００３５】
１１…絶縁膜、１２…Ａｌパッド、１３…パッシベーション膜、１４，３４…下地用金属層、１５…Ｃｕポスト、１６，１７…Ａｕめっき層、２１…レジストパターン、３５…Ａｇポスト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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