(57)【要約】  【課題】処理時間の短縮およびレジスト剥離性能の向上を図ることができるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供する。また、基板の表面周縁部に厚い膜の状態で形成されているレジストもきれいに除去することができるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供する。  【解決手段】２０００ｒｐｍで高速回転しているウエハＷの表面周縁部に向けて、ＳＰＭノズル２からＳＰＭが吐出される。その後、ＳＰＭノズル２が移動されて、ウエハＷの表面におけるＳＰＭの供給位置が周縁部から中央部へと移動される。ＳＰＭの供給位置がウエハＷの表面中央部に移動されてから所定時間が経過すると、ウエハＷの回転速度が１０ｒｐｍまで減速される。ウエハＷの表面中央部へのＳＰＭの供給は、ウエハＷの回転速度が減速されてから所定時間が経過するまで続けられる。これによって、ウエハＷの表面上にＳＰＭの液盛りによる液膜が形成される。【選択図】        図１
2005268307.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板の表面に形成されているレジストを剥離するための方法であって、
基板保持手段によって処理対象の基板をその表面を上方に向けた姿勢で保持する基板保持工程と、
上記基板保持手段によって保持されている基板をその表面に交差する軸線まわりに回転させる基板回転工程と、
この基板回転工程中に、基板の表面にレジスト剥離液を供給するレジスト剥離液供給工程と、
このレジスト剥離液供給工程中に、基板の回転速度を所定の高回転速度から所定の低回転速度に減速させる減速工程と、
この減速工程の後に、基板の表面上にレジスト剥離液の液盛りによる液膜が形成された状態を維持するパドル工程とを含むことを特徴とするレジスト剥離方法。
【請求項２】
上記レジスト剥離液供給工程中に、基板の表面上におけるレジスト剥離液の供給位置を周縁部から中央部へと移動させる供給位置移動工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のレジスト剥離方法。
【請求項３】
上記供給位置移動工程は、基板表面の周縁部において所定時間だけ上記供給位置の移動を停止させた後に、上記供給位置を周縁部から中央部へと移動させることを特徴とする請求項２記載のレジスト剥離方法。
【請求項４】
上記供給位置移動工程は、上記減速工程前において基板が上記高回転速度で回転している間に行われることを特徴とする請求項２または３記載のレジスト剥離方法。
【請求項５】
上記レジスト剥離液供給工程は、上記減速工程後、基板の回転速度が上記低回転速度に減速されてから所定時間が経過するまで続けられることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のレジスト剥離方法。
【請求項６】
上記高回転速度は、１０００ｒｐｍ以上の回転速度に設定されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のレジスト剥離方法。
【請求項７】
硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板の表面に形成されているレジストを剥離するためのレジスト剥離装置であって、
基板をその表面を上方に向けた姿勢で保持する基板保持手段と、
この基板保持手段によって保持されている基板をその表面に交差する軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
この基板回転手段によって回転されている基板の表面にレジスト剥離液を供給するレジスト剥離液供給手段と、
このレジスト剥離液供給手段によって基板の表面にレジスト剥離液が供給されている間に、上記基板回転手段を制御して、上記基板回転手段によって回転されている基板の回転速度を所定の高回転速度から所定の低回転速度に減速させる減速制御手段と、
この減速制御手段による制御の後に、上記レジスト剥離液供給手段を制御して、基板の表面上にレジスト剥離液の液盛りによる液膜が形成された状態を維持するパドル制御手段とを含むことを特徴とするレジスト剥離装置。
【請求項８】
上記レジスト剥離液供給手段を移動させて、基板の表面上におけるレジスト剥離液の供給位置を移動させるための供給位置移動手段と、
上記レジスト剥離液供給手段によって基板の表面にレジスト剥離液が供給されている間に、上記供給位置移動手段を制御して、基板の表面上におけるレジスト剥離液の供給位置を周縁部から中央部へ移動させる供給位置制御手段とをさらに含むことを特徴とする請求項７記載のレジスト剥離装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板の表面から不要になったレジストを剥離して除去するためのレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、たとえば、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面から不要になったレジストを剥離するための処理（レジスト剥離処理）が行われる。このレジスト剥離処理の方式としては、複数枚の基板を一括して処理するバッチ式が従来の主流であったが、最近では、処理対象の基板の大型化に伴って、基板の表面にレジスト剥離液を供給して、基板を１枚ずつ処理する枚葉式が注目されてきている。
【０００３】
枚葉式のレジスト剥離処理を実施する従来装置は、基板をほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板の表面（上面）にレジスト剥離液を供給するためのノズルとを備えている。レジスト剥離処理では、スピンチャックによって基板が１０ｒｐｍ程度の低回転速度で回転されつつ、その回転している基板の表面の回転中心付近にノズルからレジスト剥離液が供給される。基板の表面に供給されたレジスト剥離液は、基板の回転による遠心力を受けて、その供給位置である回転中心付近から基板の周縁に向けて拡がりつつ流れる。これにより、基板の表面の全域にレジスト剥離液が行き渡って、基板の表面に対するレジスト剥離処理が達成される（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開昭６１−１２９８２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、レジスト剥離液の供給時における基板の回転速度が低いため、基板の表面全域にレジスト剥離液が行き渡るのに時間がかかり、レジスト剥離処理に要する時間が長い（処理のスループットが低い）という問題があった。
また、基板の表面中央部に供給された処理液は、基板の表面上をレジストと反応しつつ流れるので、基板の周縁部に到達するまでの間に処理能力が徐々に低下する。基板の表面周縁部のレジストは、パターニングされておらず、厚い膜の状態に形成されているので、処理能力の低下した処理液では、そのような基板周縁部のレジストをきれいに除去することができない。
【０００５】
そこで、この発明の目的は、処理時間の短縮を図ることができるとともに、レジストの剥離性能を向上を図ることができるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供することである。
また、この発明の他の目的は、基板の表面周縁部に厚い膜の状態で形成されているレジストもきれいに除去することができるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板（Ｗ）の表面に形成されているレジストを剥離するための方法であって、基板保持手段（１）によって処理対象の基板をその表面を上方に向けた姿勢で保持する基板保持工程と、上記基板保持手段によって保持されている基板をその表面に交差する軸線まわりに回転させる基板回転工程と、この基板回転工程中に、基板の表面にレジスト剥離液を供給するレジスト剥離液供給工程と、このレジスト剥離液供給工程中に、基板の回転速度を所定の高回転速度から所定の低回転速度に減速させる減速工程と、この減速工程の後に、基板の表面上にレジスト剥離液の液盛りによる液膜が形成された状態を維持するパドル工程とを含むことを特徴とするレジスト剥離方法である。
【０００７】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、基板が所定の高回転速度で回転されている状態で、その高速回転されている基板の表面にレジスト剥離液が供給された後、基板の表面へのレジスト剥離液の供給が続けられたまま、基板の回転速度が高回転速度から所定の低回転速度に減速される。
【０００８】
高速回転されている基板の表面に供給されるレジスト剥離液は、基板の高速回転による大きな遠心力を受け、基板の表面における供給位置から回転半径外方に向けて、比較的大きな流速で流れる。そのため、基板の表面中央部（回転中心付近）にレジスト剥離液が供給されるようにすれば、基板の表面全域にレジスト剥離液が速やかに行き渡るので、基板の表面にレジスト剥離液を供給している時間を短縮することができ、その分だけ処理時間を短縮することができる。
【０００９】
また、レジスト剥離液が基板の表面に供給され続けている間、その基板の表面上をレジスト剥離液が大きな流速で流れることにより、基板の表面の全域で、処理に寄与した反応済みのレジスト剥離液と処理に寄与していない未反応のレジスト剥離液とが速やかに入れ替わるので、基板の表面の全域に対して、常に、未反応の新鮮なレジスト剥離液による処理を施すことができる。よって、基板の表面のレジストを剥離する性能（レジスト剥離性能）を格段に向上させることができる。
【００１０】
さらにまた、基板回転速度の減速後は、パドル工程が行われて、基板の表面上の全域にレジスト剥離液の液盛りによる液膜を有する状態が良好に維持される。これによって、レジスト剥離液の消費量を最小限に抑えつつ、基板の表面のレジストとレジスト剥離液とを基板表面全域に渡って十分に反応させることができ、比較的強固なレジスト（たとえば、高濃度イオン注入のために用いられたレジスト）であっても、基板の表面からきれいに剥離することができる。
【００１１】
さらに、基板の表面中央部にレジスト剥離液が供給される場合には、レジスト剥離液の液膜形成に先立って、基板の表面全域からレジストが剥離されているか、または、基板の表面にレジストが残っていても、その残っているレジストは剥離しやすい状態になっているから、パドル工程の時間を短く設定しても、基板の表面に残っているレジストをきれいに剥離することができる。したがって、パドル工程の時間を短く設定することによって、従来のレジスト剥離処理よりも短い処理時間で良好なレジスト剥離処理を達成することができる。
【００１２】
請求項２記載の発明は、上記レジスト剥離液供給工程中に、基板の表面上におけるレジスト剥離液の供給位置を周縁部から中央部へと移動させる供給位置移動工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のレジスト剥離方法である。
この発明によれば、基板の表面周縁部にレジスト剥離液が供給された後、レジスト剥離液の供給位置が移動されて、基板の表面中央部にレジスト剥離液が供給される。
【００１３】
基板の表面周縁部にレジスト剥離液が供給されることにより、基板の表面周縁部に厚い膜の状態で形成されているレジストに対して、レジスト剥離液による処理を集中的に行うことができる。また、基板の表面中央部に供給されるレジスト剥離液は、基板の表面上を供給位置（表面中央部）から表面周縁部へと流れるから、このときにも、基板の表面周縁部に対するレジスト剥離液による処理が行われることになる。これにより、基板の表面周縁部に厚い膜の状態で形成されているレジストを良好に剥離することができ、その結果、基板の表面全域からレジストをきれいに剥離することができる。
【００１４】
さらには、請求項３に記載のように、基板表面の周縁部において所定時間だけ上記供給位置の移動を停止させた後に、上記供給位置を周縁部から中央部へと移動させるようにすれば、さらに基板の表面周縁部のレジストを良好に剥離することができる。
なお、基板の表面中央部にレジスト剥離液を供給した後に、レジスト剥離液の供給位置を移動させて、基板の表面周縁部にレジスト剥離液を供給するようにしても、基板の表面周縁部に厚い膜の状態で形成されているレジストを良好に剥離することができる。ところが、その場合、ウエハＷの表面周縁部にレジスト剥離液が供給されている間は、表面中央部にはレジスト剥離液が供給されないので、その間に表面中央部に付着しているレジスト剥離液が乾燥し、このレジスト剥離液の乾燥による基板汚染（レジスト剥離液の乾燥跡、レジスト剥離液の成分が析出することによるパーティクル発生など）を生じるおそれがある。これに対して、基板の表面中央部よりも先に表面周縁部にレジスト剥離液が供給される場合には、基板の表面でレジスト剥離液が乾燥することがなく、レジスト剥離液の乾燥による基板汚染を生じるおそれがない。
【００１５】
請求項４記載の発明は、上記供給位置移動工程は、上記減速工程前において基板が上記高回転速度で回転している間に行われることを特徴とする請求項２または３記載のレジスト剥離方法である。
この発明のように、基板の高速回転中に、レジスト剥離液の供給位置が移動されて、基板の表面中央部にレジスト剥離液が供給されることにより、基板の表面全域にレジスト剥離液を速やかに行き渡らせることができる。
【００１６】
請求項５記載の発明は、上記レジスト剥離液供給工程は、上記減速工程後、基板の回転速度が上記低回転速度に減速されてから所定時間が経過するまで続けられることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のレジスト剥離方法である。
この発明のように、基板の回転速度が低回転速度に減速されてから所定時間が経過するまでレジスト剥離液が供給されることにより、基板の表面上の全域にレジスト剥離液の液膜を十分に厚く形成することができる。
【００１７】
なお、上記高回転速度は、請求項６に記載のように、１０００ｒｐｍ以上の回転速度に設定することができ、１０００〜３０００ｒｐｍの速度範囲内に設定されていることが好ましい。
また、上記低回転速度は、０ｒｐｍ〜１００ｒｐｍの速度範囲内で設定することができる。
【００１８】
請求項７記載の発明は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板（Ｗ）の表面に形成されているレジストを剥離するためのレジスト剥離装置であって、基板をその表面を上方に向けた姿勢で保持する基板保持手段（１）と、この基板保持手段によって保持されている基板をその表面に交差する軸線まわりに回転させる基板回転手段（１４）と、この基板回転手段によって回転されている基板の表面にレジスト剥離液を供給するレジスト剥離液供給手段（２）と、このレジスト剥離液供給手段によって基板の表面にレジスト剥離液が供給されている間に、上記基板回転手段を制御して、上記基板回転手段によって回転されている基板の回転速度を所定の高回転速度から所定の低回転速度に減速させる減速制御手段（５）と、この減速制御手段による制御の後に、上記レジスト剥離液供給手段を制御して、基板の表面上にレジスト剥離液の液盛りによる液膜が形成された状態を維持するパドル制御手段（５）とを含むことを特徴とするレジスト剥離装置である。
【００１９】
このような構成の基板処理装置において、請求項１の発明を実施することができ、請求項１に関連して述べた効果を奏することができる。
請求項８記載の発明は、上記レジスト剥離液供給手段を移動させて、基板の表面上におけるレジスト剥離液の供給位置を移動させるための供給位置移動手段（３３）と、上記レジスト剥離液供給手段によって基板の表面にレジスト剥離液が供給されている間に、上記供給位置移動手段を制御して、基板の表面上におけるレジスト剥離液の供給位置を周縁部から中央部へ移動させる供給位置制御手段（５）とをさらに含むことを特徴とする請求項７記載のレジスト剥離装置である。
【００２０】
このような構成の基板処理装置において、請求項２の発明を実施することができ、請求項２に関連して述べた効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係るレジスト剥離装置の構成を図解的に示す図である。このレジスト剥離装置は、基板の一例である半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）の表面（デバイス形成面）にレジスト剥離液を供給して、そのウエハＷの表面から不要になったレジストを剥離して除去するための枚葉式の装置であり、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持されたウエハＷの表面（上面）にレジスト剥離液としてのＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）を供給するためのＳＰＭノズル２とを備えている。
【００２２】
スピンチャック１には、たとえば、ほぼ鉛直に延びたスピン軸１１と、スピン軸１１の上端にほぼ水平に取り付けられたスピンベース１２と、このスピンベース１２の上面に立設された複数個の挟持部材１３とを含む構成のものが採用されている。
複数個の挟持部材１３は、ウエハＷの外形に対応した円周上に互いに間隔を空けて配置されており、ウエハＷの端面を互いに異なる複数の位置で挟持することにより、そのウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持することができる。また、複数個の挟持部材１３は、スピン軸１１の中心軸線を中心とする円周上に配置されており、複数個の挟持部材１３によってウエハＷを保持したときに、ウエハＷの中心がスピン軸１１の中心軸線上に位置するようになっている。
【００２３】
スピン軸１１には、モータなどの駆動源を含む回転駆動機構１４が結合されている。この回転駆動機構１４からスピン軸１１に回転力を入力することにより、スピン軸１１をその中心軸線まわりに回転させることができる。よって、複数個の挟持部材１３によってウエハＷを保持した状態で、回転駆動機構１４からスピン軸１１に回転力を入力することにより、そのウエハＷをスピンベース１２とともにスピン軸１１の中心軸線まわりに回転させることができる。
【００２４】
なお、スピンチャック１としては、このような構成のものに限らず、たとえば、ウエハＷの非デバイス面を真空吸着することにより、ウエハＷを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
ＳＰＭノズル２は、スピンチャック１の上方でほぼ水平に延びたアーム３１の先端部に、吐出口を下方に向けて取り付けられている。アーム３１は、スピンチャック１の側方でほぼ鉛直に延びた支持軸３２に支持されている。支持軸３２には、モータなどの駆動源を含むアーム駆動機構３３が結合されていて、このアーム駆動機構３３から支持軸３２に駆動力を入力して、支持軸３２を所定角度範囲内で往復回転させることにより、アーム３１をほぼ水平な面内で揺動させることができる。そして、アーム３１の揺動によって、ＳＰＭノズル２を、スピンチャック１に保持されたウエハＷの周縁部の上方に配置したり、ウエハＷの中央部の上方に配置したりすることができる。
【００２５】
ＳＰＭノズル２には、ＳＰＭ供給路４１が接続されている。このＳＰＭ供給路４１には、硫酸と過酸化水素水との混合液であるＳＰＭが供給されるようになっている。このＳＰＭは、硫酸と過酸化水素水とが、たとえば、硫酸：過酸化水素水＝１：０．５〜０．８の比率で混合されているのが好ましい。
また、ＳＰＭ供給路４１の途中部には、ＳＰＭノズル２へのＳＰＭの供給／停止を切り換えるためのＳＰＭバルブ４２が介装されている。
【００２６】
なお、このＳＰＭ供給路４１を流通しているＳＰＭは、ＳＰＭ供給路４１に供給される直前において、硫酸および過酸化水素水がミキシングバルブにより混合され、撹拌機構により十分に撹拌されることが好ましい。これにより、硫酸と過酸化水素水との化学反応（Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2→Ｈ2ＳＯ5＋Ｈ2Ｏ）が生じて、強い酸化力を有するＨ2ＳＯ5を含むＳＰＭが生成される。そのとき、化学反応による発熱（反応熱）を生じ、この発熱によって、ＳＰＭの液温は、ウエハＷの表面に形成されているレジストを良好に剥離可能な温度よりも十分高い温度（たとえば、１２０〜１３０℃）に昇温する。そして、昇温したＳＰＭは、ＳＰＭ供給路４１を通ってＳＰＭノズル２に供給され、ＳＰＭノズル２の吐出口からスピンチャック１に保持されたウエハＷの表面に向けて吐出される。
【００２７】
このレジスト剥離装置はさらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御部５を備えている。制御部５は、回転駆動機構１４およびアーム駆動機構３３の動作を制御する。また、ＳＰＭバルブ４２の開閉を制御して、ＳＰＭノズル２からＳＰＭを吐出させたり、そのＳＰＭの吐出を停止させたりする。
図２は、このレジスト剥離装置における処理（レジスト剥離処理）について説明するためのタイムチャートである。処理対象のウエハＷは、図示しない搬送ロボットによって搬入されてきて、デバイス形成面である表面を上方に向けた状態でスピンチャック１に保持される。
【００２８】
レジスト剥離処理では、まず、回転駆動機構１４が制御されて、スピンチャック１に保持されたウエハＷの回転が開始される。また、アーム駆動機構３３が制御されて、ＳＰＭノズル２がウエハＷの表面周縁部（エッジ部）の上方に移動される。
ウエハＷの回転速度は、回転開始から約３秒間で、１０００ｒｐｍ以上、好ましくは１０００〜３０００ｒｐｍの範囲内で定められた高回転速度（たとえば、２０００ｒｐｍ）に達する。ウエハＷの回転速度が高回転速度に達すると、ＳＰＭバルブ４２が開かれて、その高速回転しているウエハＷの表面周縁部に向けて、ＳＰＭノズル２からＳＰＭが吐出される（エッジ吐出）。ウエハＷの表面周縁部へのＳＰＭの供給は、所定のエッジ吐出時間（たとえば、１３秒間）にわたって行われる。すなわち、このエッジ吐出時間の期間中は、アーム駆動機構３３が制御されてＳＰＭノズル２の移動が停止され、ウエハＷの表面周縁部（エッジ部）においてＳＰＭの供給位置の移動が停止されている。これにより、ウエハＷの表面周縁部にＳＰＭが集中的に供給されて、その表面周縁部に形成されている厚膜状のレジストが、ウエハＷから剥離されるか、または、ウエハＷから剥離しやすい状態になる。
【００２９】
その後、アーム駆動機構３３が制御されて、ＳＰＭノズル２がウエハＷの回転中心を含む表面中央部（センタ部）の上方に移動される。このとき、ＳＰＭバルブ４２が開かれたままであり、ＳＰＭノズル２の移動に伴って、図３に示すように、ウエハＷの表面におけるＳＰＭの供給位置が周縁部のエッジ位置Ｅから中央部のセンター位置Ｃ（この場合、ウエハＷの回転中心と一致）へと移動されることになる。
【００３０】
ＳＰＭの供給位置の移動後は、ウエハＷの表面中央部にＳＰＭが集中的に供給されて、ウエハＷの表面中央部に形成されているレジストが、ウエハＷから剥離されるか、または、ウエハＷから剥離しやすい状態になっていく。また、ウエハＷの表面中央部に供給されるＳＰＭは、ウエハＷの高速回転による大きな遠心力を受け、ウエハＷの表面上を供給位置から周縁部に向けて、比較的大きな流速で拡がりつつ流れる。これによって、ウエハＷの表面全域にＳＰＭが速やかに行き渡り、ウエハＷの表面中央部だけでなく、ウエハＷの表面周縁部に形成されているレジストの剥離がさらに進む。
【００３１】
ＳＰＭノズル２がウエハＷの表面中央部の上方に移動されてから所定時間（たとえば、２７秒間）が経過すると、回転駆動機構１４が制御されて、ウエハＷの回転速度が、約３秒間をかけて、高回転速度から予め定められた低回転速度（たとえば、１０ｒｐｍ）まで減速される。この減速の間も、ＳＰＭバルブ４２は開かれたままであり、ＳＰＭノズル２からウエハＷの表面中央部にＳＰＭが供給し続けられている。
【００３２】
ウエハＷの表面中央部へのＳＰＭの供給は、さらに、ウエハＷの回転速度が低回転速度に減速されてから所定時間（たとえば、７秒間）が経過するまで続けられる。この間に、ウエハＷの表面中央部に供給されるＳＰＭは、ウエハＷの低速回転によるごく小さな遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を供給位置から周縁部に向けて徐々に拡がり、ウエハＷの表面上にＳＰＭの液盛りによる液膜を形成する。
【００３３】
ＳＰＭの供給が続けられている間は、新たなＳＰＭの供給によって、ウエハＷの表面周縁からＳＰＭが溢れている。そして、ウエハＷの回転速度が減速されてから所定時間が経過し、ＳＰＭバルブ４２が閉じられて、ＳＰＭノズル２からのＳＰＭの吐出が停止されると、ＳＰＭの表面張力によって、ウエハＷの表面周縁からのＳＰＭの流下がほぼなくなり、ウエハＷの表面上にほぼ静止したＳＰＭの液膜が形成される。この静止したＳＰＭの液膜が形成されている状態（パドル状態）は、ＳＰＭの吐出停止から所定のパドル時間（たとえば、３０〜１２０秒間）が経過するまで維持される。これにより、ウエハＷの表面に剥離しやすい状態で残っているレジストが、ウエハＷの表面からきれいに剥離されて除去される。
【００３４】
以上のように、この実施形態によれば、ウエハＷが高速回転されている状態で、そのウエハＷの表面周縁部にＳＰＭが集中的に供給された後、ＳＰＭの供給位置が移動されて、ウエハＷの表面中央部にＳＰＭが供給される。
ウエハＷの表面周縁部では、レジストがパターニングされずに厚い膜の状態のままで残っている。ウエハＷの表面周縁部にＳＰＭが集中的に供給されることにより、ウエハＷの表面周縁部に形成されているレジストに対して、ＳＰＭによる処理（レジスト剥離）が集中的に行われる。また、ウエハＷの表面中央部に供給されるレジスト剥離液は、ウエハＷの表面上を供給位置から表面周縁部へと流れるから、このときにも、ウエハＷの表面周縁部に対するＳＰＭによる処理が行われることになる。これにより、ウエハＷの表面周縁部に厚い膜の状態で形成されているレジストを良好に剥離することができ、その結果、ウエハＷの表面全域からレジストをきれいに剥離することができる。
【００３５】
ここで、ウエハＷの表面中央部にＳＰＭを供給した後に、ＳＰＭの供給位置を移動させて、ウエハＷの表面周縁部にＳＰＭを供給するようにしても、ウエハＷの表面周縁部に厚い膜の状態で形成されているレジストを良好に剥離することができる。しかしながら、その場合、ウエハＷの表面周縁部にＳＰＭが供給されている間は、表面中央部にはＳＰＭが供給されないので、その間に表面中央部に付着しているＳＰＭが乾燥し、このＳＰＭの乾燥によるウエハＷの汚染（ＳＰＭの乾燥跡、ＳＰＭの成分が析出することによるパーティクル発生など）を生じるおそれがある。
【００３６】
これに対して、この実施形態のように、ウエハＷの表面中央部よりも先に表面周縁部にＳＰＭを供給することにより、ウエハＷの表面でＳＰＭが乾燥することを防止でき、ＳＰＭの乾燥によるウエハＷの汚染の問題を回避することができる。しかも、ウエハＷの表面上にＳＰＭをほぼ均一な液膜の状態で溜めるためには、ウエハＷの表面中央部にＳＰＭを供給する必要があるので、ウエハＷの表面周縁部にＳＰＭを供給した後に、ウエハＷの表面中央部にＳＰＭを供給する方が、ＳＰＭノズル２の無駄な移動がなく、より効率的な処理動作を実現することができる。
【００３７】
また、ウエハＷの表面中央部に供給されるＳＰＭは、ウエハＷの高速回転による大きな遠心力を受け、ウエハＷの表面上を供給位置から周縁部に向けて、比較的大きな流速で拡がりつつ流れる。そのため、ウエハＷの表面全域にＳＰＭが速やかに行き渡る。よって、ウエハＷの表面にレジスト剥離液を供給している時間を短縮することができ、その分だけ処理時間を短縮することができる。
【００３８】
しかも、ＳＰＭがウエハＷの表面に供給され続けている間、そのウエハＷの表面上をＳＰＭが大きな流速で流れることにより、ウエハＷの表面の全域で、処理に寄与した反応済みのＳＰＭと処理に寄与していない未反応のＳＰＭとが速やかに入れ替わるので、ウエハＷの表面の全域に対して、常に、未反応の新鮮なＳＰＭによる処理を施すことができる。よって、ウエハＷの表面のレジストを剥離する性能（レジスト剥離性能）を格段に向上させることができる。
【００３９】
さらに、ウエハＷの回転速度が低回転速度に減速された後、パドル状態が維持されることによって、レジスト剥離液の消費量を最小限に抑えつつ、基板の表面のレジストとＳＰＭとを基板表面全域に渡って十分に反応させることができる。そのため、比較的強固なレジスト（たとえば、高濃度イオン注入のために用いられたレジスト）であっても、ウエハＷの表面からきれいに剥離することができる。
【００４０】
しかも、ＳＰＭの液膜形成に先立って、ウエハＷの表面全域からレジストが剥離されているか、または、ウエハＷの表面にレジストが残っていても、その残っているレジストは剥離しやすい状態になっているから、パドル時間を短く設定しても、ウエハＷの表面に残っているレジストをきれいに剥離することができる。したがって、パドル時間を短く設定することによって、従来のレジスト剥離処理よりも短い処理時間で良好なレジスト剥離処理を達成することができる。
【００４１】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、処理対象となる基板の一例としてウエハＷを取り上げたが、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板および磁気／光ディスク用基板などの他の種類の基板が処理の対象とされてもよい。
【００４２】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】この発明の一実施形態に係るレジスト剥離装置の構成を図解的に示す図である。
【図２】図１に示すレジスト剥離装置における処理について説明するためのタイムチャートである。
【図３】ウエハの表面上におけるＳＰＭ（レジスト剥離液）の供給位置の移動について説明するための図解図である。
【符号の説明】
【００４４】
１      スピンチャック
２      ＳＰＭノズル
５      制御部
１４    回転駆動機構
３３    アーム駆動機構
Ｗ      半導体ウエハ
【図１】
2005268307.tif 000003
【図２】
2005268307.tif 000004
【図３】
2005268307.tif 000005