(57)【要約】    【課題】  一般的にこれらの金属性の薄膜は通電性のものであり、これを不通電、とすることは考慮されて無く、また、従来はトップコートはウレタン系樹脂を塗装されており、耐摩耗性や耐候性や密着性に課題を有している。    【解決手段】  本発明は、純度が９９．９９％以上の錫を用いてフィラメント式真空蒸着法等により膜厚を電子間力顕微鏡の測定で５００オングストロング以下の錫薄膜１を形成し、形成した錫薄膜１が不通電であることを特徴としたもので、更に、基材Ａに下塗り層２を形成し、下塗り層２に錫薄膜１を形成し、錫薄膜１にハードコート層３１を形成したものであり、更には、錫薄膜の上面に中塗り層４を形成したものであり、加えて、錫薄膜１の上面に中塗り層４を形成し、中塗り層４の上面に加飾部５を形成し、加飾部５の上面に上塗り層６を形成したものである。    【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
純度が９９．９９％以上の錫を用いてフィラメント式真空蒸着法又はエレクトリックビーム式又はイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置により膜厚を電子間力顕微鏡の測定で５００オングストロング以下の錫薄膜を形成し、該形成した錫薄膜が不通電であることを特徴とする不通電蒸着方法。
【請求項２】
金属、樹脂、ガラス等の基材の表面に吹き付け塗装又はデッピンク塗装又はスピンコート又はインモールド転写又は熱転写等でＵＶ硬化性樹脂又は１液アクリルシリコン樹脂の１〜５０ミクロンの下塗り層を形成する工程と、該下塗り層の上面に純度が９９．９９％以上の錫を用いてフィラメント式真空蒸着法又はエレクトリックビーム式又はイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置により膜厚を電子間力顕微鏡の測定で５００オングストロング以下の錫薄膜を形成する工程と、該錫薄膜の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンのハードコート層を形成する工程と、を含み、前記錫薄膜が不通電であることを特徴とする不通電蒸着方法。
【請求項３】
金属、樹脂、ガラス等の基材の表面に吹き付け塗装又はデッピンク塗装又はスピンコート又はインモールド転写又は熱転写等でＵＶ硬化性樹脂又は１液アクリルシリコン樹脂の１〜５０ミクロンの下塗り層を形成する工程と、該下塗り層の上面に純度が９９．９９％以上の錫を用いてフィラメント式真空蒸着法又はエレクトリックビーム式又はイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置により膜厚を電子間力顕微鏡の測定で５００オングストロング以下の錫薄膜を形成する工程と、該錫薄膜の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンの中塗り層を形成する工程と、該中塗り層の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンのハードコート層を形成する工程と、を含み、前記錫薄膜が不通電であることを特徴とする不通電蒸着方法。
【請求項４】
金属、樹脂、ガラス等の基材の表面に吹き付け塗装又はデッピンク塗装又はスピンコート又はインモールド転写又は熱転写等でＵＶ硬化性樹脂又は１液アクリルシリコン樹脂の１〜５０ミクロンの下塗り層を形成する工程と、該下塗り層の上面に純度が９９．９９％以上の錫を用いてフィラメント式真空蒸着法又はエレクトリックビーム式又はイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置により膜厚を電子間力顕微鏡の測定で５００オングストロング以下の錫薄膜を形成する工程と、該錫薄膜の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンの中塗り層を形成する工程と、該中塗り層の上面にレザーマーキング又は印刷又はホットスタンプで加飾部を形成する工程と、該加飾部の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンの上塗り層を形成する工程と、該上塗り層の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンのハードコート層を形成する工程と、を含み、前記錫薄膜が不通電であることを特徴とする不通電蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は不通電の蒸着方法に関するものであり、更に詳細には、一般的に導電性である金属の錫を不通電の錫薄膜に蒸着する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的にこれらの金属性の薄膜は通電性のものであり、これを不通電、又は、無通電とする、つまり、電気抵抗値を無限大とすることは考慮されて無く、絶縁性の樹脂等の素材による薄膜を形成することのみが考慮されており、一方、錫薄膜を真空蒸着する技術も開発されているが通電性の被膜を形成するもので、不通電状態と成ることは考慮されていないものである。
【０００３】
また、従来の技術ではトップコートはウレタン系樹脂を塗装されており、耐摩耗性や耐候性や密着性に課題を有している。
【０００４】
例えば、フレキシブルプラスチック支持体及び、前記支持体の表面上に、酸化アルミニウム、酸、スズ及び酸化イットリウムの群から選ばれる物質で形成された約５０〜１８０Ａの厚さを有するバリヤー層を含む高無色透明性のバリヤーフィルム、並びにその製法で、このバリヤー層層は真空蒸着により形成されるもの（特許文献１参照）や、高分子成形体基板上に形成された酸化インジウムを主体とする透明導電性薄膜層上に、比誘電率が２以上の誘電体層を形成し、該誘電体層上に紫外線硬化樹脂を塗布、硬化させてなる透明導電性積層体、および透明導電性薄膜層を接着する方法において、透明導電性薄膜層と紫外線硬化樹脂層の間に、比誘電率が２以上の誘電体層を形成せしめることを特徴とするもの（特許文献２参照）や、透明導電薄膜上に、高分子化合物からなる保護層を成膜し、保護層は、ＵＶ硬化性樹脂の硬化膜であることが好ましく、これにより短時間に膜を形成することができ、また、保護層は、透明導電薄膜の膜面に垂直方向の導電性に影響を及ぼすことのない極薄い膜厚の保護層を形成すればよく、１から１０００ｎｍの範囲の膜厚であることが好ましく、１から１００ｎｍの範囲の膜厚であることが更に好ましいもの（特許文献３参照）が開示されている。
【特許文献１】特開Ｈ０５−１７０９６２号公報
【特許文献２】特開Ｈ１１−４８３９４号公報
【特許文献３】特開２００３−１１５２２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
然し乍ら、フレキシブルプラスチック支持体及び、前記支持体の表面上に、酸化アルミニウム、酸、スズ及び酸化イットリウムの群から選ばれる物質で形成された約５０〜１８０Ａの厚さを有するバリヤー層を含む高無色透明性のバリヤーフィルム、並びにその製法で、このバリヤー層層は真空蒸着により形成されるものでは、その構成に、酸化アルミニウム、酸化スズ及び酸化イットリウムの群から選ばれる物質で約５０〜１８０Ａの厚さを有するバリヤー層を形成してフレキシブルプラスチック支持体を高無色透明性のバリヤーフィルムに製造するものであり、酸化スズは用いられているものであるが、バリヤーフィルムを製造するものである。
【０００６】
更に、高分子成形体基板上に形成された酸化インジウムを主体とする透明導電性薄膜層上に、比誘電率が２以上の誘電体層を形成し、該誘電体層上に紫外線硬化樹脂を塗布、硬化させてなる透明導電性積層体、および透明導電性薄膜層を接着する方法において、透明導電性薄膜層と紫外線硬化樹脂層の間に、比誘電率が２以上の誘電体層を形成せしめることを特徴とするものでは、インジウムとスズとの酸化物（ＩＴＯ）層を備えているものの透明導電性薄膜層を形成するためのものである。
【０００７】
更には、透明導電薄膜上に、高分子化合物からなる保護層を成膜し、保護層は、ＵＶ硬化性樹脂の硬化膜であることが好ましく、これにより短時間に膜を形成することができ、また、保護層は、透明導電薄膜の膜面に垂直方向の導電性に影響を及ぼすことのない極薄い膜厚の保護層を形成すればよく、１から１０００ｎｍの範囲の膜厚であることが好ましく、１から１００ｎｍの範囲の膜厚であることが更に好ましいものでは、透明導電薄膜がスズインジウム酸化物層であることが開示されている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、前述の課題に鑑み、鋭意研鑽の結果、請求項１に記載の不通電蒸着方法は、純度が９９．９９％以上の錫を用いてフィラメント式真空蒸着法又はエレクトリックビーム式又はイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置により膜厚を電子間力顕微鏡の測定で５００オングストロング以下の錫薄膜を形成し、形成した錫薄膜が不通電であることを特徴とするものである。
【０００９】
更に、請求項２に記載の不通電蒸着方法は、金属、樹脂、ガラス等の基材の表面に吹き付け塗装又はデッピンク塗装又はスピンコート又はインモールド転写又は熱転写等でＵＶ硬化性樹脂又は１液アクリルシリコン樹脂の１〜５０ミクロンの下塗り層を形成する工程と、下塗り層の上面に純度が９９．９９％以上の錫を用いてフィラメント式真空蒸着法又はエレクトリックビーム式又はイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置により膜厚を電子間力顕微鏡の測定で５００オングストロング以下の錫薄膜を形成する工程と、錫薄膜の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンのハードコート層を形成する工程と、を含み、錫薄膜が不通電であることを特徴とするものである。
【００１０】
更には、請求項３に記載の不通電蒸着方法は、金属、樹脂、ガラス等の基材の表面に吹き付け塗装又はデッピンク塗装又はスピンコート又はインモールド転写又は熱転写等でＵＶ硬化性樹脂又は１液アクリルシリコン樹脂の１〜５０ミクロンの下塗り層を形成する工程と、下塗り層の上面に純度が９９．９９％以上の錫を用いてフィラメント式真空蒸着法又はエレクトリックビーム式又はイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置により膜厚を電子間力顕微鏡の測定で５００オングストロング以下の錫薄膜を形成する工程と、錫薄膜の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンの中塗り層を形成する工程と、中塗り層の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンのハードコート層を形成する工程と、を含み、前記錫薄膜が不通電であることを特徴とするものである。
【００１１】
加えて、請求項４に記載の不通電蒸着方法は、金属、樹脂、ガラス等の基材の表面に吹き付け塗装又はデッピンク塗装又はスピンコート又はインモールド転写又は熱転写等でＵＶ硬化性樹脂又は１液アクリルシリコン樹脂の１〜５０ミクロンの下塗り層を形成する工程と、下塗り層の上面に純度が９９．９９％以上の錫を用いてフィラメント式真空蒸着法又はエレクトリックビーム式又はイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置により膜厚を電子間力顕微鏡の測定で５００オングストロング以下の錫薄膜を形成する工程と、錫薄膜の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンの中塗り層を形成する工程と、該中塗り層の上面にレザーマーキング又は印刷又はホットスタンプで加飾部を形成する工程と、加飾部の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンの上塗り層を形成する工程と、上塗り層の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンのハードコート層を形成する工程と、を含み、前記錫薄膜が不通電であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の不通電蒸着方法は９９．９９％以上の純度の高い錫を用いると共にフィラメント式真空蒸着法又はエレクトリックビーム式又はイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置により成形する膜厚を５００オングストロング以下の錫薄膜としたことによって、該錫薄膜を不通電としたもので、今後各分野での用途が考えられるものであり、更に、不通電の錫薄膜は非常に薄いため１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂により中塗り層や上塗り層やハードコート層を積層したことにより耐摩耗性や耐候性や密着性を著しく向上させたものであり、画期的で実用性の高い発明である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明は不通電の蒸着方法に関するものであり、更に詳細には、一般的に導電性である金属の錫を不通電の錫薄膜に蒸着する方法に関するものであり、請求項１に記載の不通電蒸着方法は、純度が９９．９９％以上の錫を用いてフィラメント式真空蒸着法又はエレクトリックビーム式又はイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置により膜厚を電子間力顕微鏡の測定で５００オングストロング以下の錫薄膜１を形成し、該形成した錫薄膜１が不通電であることを特徴とするものである。
【００１４】
更に、請求項２に記載の不通電蒸着方法は、金属、樹脂、ガラス等の基材Ａの表面に吹き付け塗装又はデッピンク塗装又はスピンコート又はインモールド転写又は熱転写等でＵＶ硬化性樹脂又は１液アクリルシリコン樹脂の１〜５０ミクロンの下塗り層を形成する工程２と、該下塗り層２の上面に純度が９９．９９％以上の錫を用いてフィラメント式真空蒸着法又はエレクトリックビーム式又はイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置により膜厚を電子間力顕微鏡の測定で５００オングストロング以下の錫薄膜１を形成する工程と、該錫薄膜１の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンのハードコート層３を形成する工程と、を含み、前記錫薄膜１が不通電であることを特徴とするものである。
【００１５】
更には、請求項３に記載の不通電蒸着方法は、金属、樹脂、ガラス等の基材Ａの表面に吹き付け塗装又はデッピンク塗装又はスピンコート又はインモールド転写又は熱転写等でＵＶ硬化性樹脂又は１液アクリルシリコン樹脂の１〜５０ミクロンの下塗り層２を形成する工程と、該下塗り層の上面に純度が９９．９９％以上の錫を用いてフィラメント式真空蒸着法又はエレクトリックビーム式又はイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置により膜厚を電子間力顕微鏡の測定で５００オングストロング以下の錫薄膜１を形成する工程と、該錫薄膜１の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンの中塗り層４を形成する工程と、該中塗り層４の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンのハードコート層３を形成する工程と、を含み、前記錫薄膜１が不通電であることを特徴とするものである。
【００１６】
加えて、請求項４に記載の不通電蒸着方法は、金属、樹脂、ガラス等の基材の表面に吹き付け塗装又はデッピンク塗装又はスピンコート又はインモールド転写又は熱転写等でＵＶ硬化性樹脂又は１液アクリルシリコン樹脂の１〜５０ミクロンの下塗り層２を形成する工程と、該下塗り層２の上面に純度が９９．９９％以上の錫を用いてフィラメント式真空蒸着法又はエレクトリックビーム式又はイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置により膜厚を電子間力顕微鏡の測定で５００オングストロング以下の錫薄膜１を形成する工程と、該錫薄膜１の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンの中塗り層４を形成する工程と、該中塗り層４の上面にレザーマーキング又は印刷又はホットスタンプで加飾部５を形成する工程と、該加飾部５の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンの上塗り層６を形成する工程と、該上塗り層６の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で１〜５０ミクロンのハードコート層３を形成する工程と、を含み、前記錫薄膜１が不通電であることを特徴とするものである。
【実施例】
【００１７】
以下、本発明の不通電蒸着方法の実施例の図面を用いて詳細に説明すると、図１は基材の表面に本発明の不通電蒸着方法の実施例の説明のための断面図であり、図２は基材の表面に本発明の不通電蒸着方法の次実施例の説明のための断面図であり、図３は基材の表面に本発明の不通電蒸着方法の他の実施例の説明のための断面図である。
【００１８】
即ち、本発明の不通電蒸着方法は、フィラメント式真空蒸着法又はエレクトリックビーム式又はイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置により錫薄膜１を形成するもので、錫（Ｓｎ）は純度が９９．９９％以上であり、形成される膜厚は電子間力顕微鏡の測定で５００オングストロング以下にするものであり、つまり、この状態で通電試験を行うと導電性のはずの錫薄膜１が電気抵抗値が無限大と成っており、不通電状態、無通電状態と成っているものである。
【００１９】
そして、本発明の不通電蒸着方法の実施例は、図１に図示する如く、基材Ａと下塗り層２と錫薄膜１とハードコート層３とから構成されるものである。
【００２０】
そして、基材Ａは金属、樹脂、ガラス等でありモバイル製品のケースや、耐摩耗性が求められるボタン等への加飾や、基板、各種フィルム等であり、本発明の不通電蒸着方法を実施できるものなら構わないものである。
【００２１】
そして、下塗り層２を形成する工程は後述する錫薄膜１を形成するため下塗りであり、基材Ａの表面にＵＶ硬化性樹脂又は１液アクリルシリコン樹脂を吹き付け塗装又はデッピンク塗装又はスピンコート又はインモールド転写又は熱転写等で１〜５０ミクロンの厚さの下塗り層２を形成するものである。
【００２２】
次に、錫薄膜１を形成する工程は、前記下塗り層２を形成する工程で形成した下塗り層２の上面に前述の錫薄膜１を形成する工程を実施するものである。
【００２３】
次いで、ハードコート層３を形成する工程では、前記錫薄膜１の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で膜厚が１〜５０ミクロンのハードコート層３を形成するものであり、ハードコート層３は耐摩耗性や耐候性、信頼性に優れているものが良好で、薄膜の錫薄膜１を保護するものである。
【００２４】
更に、本発明の不通電蒸着方法の次実施例は、図２に図示する如く、中塗り層４を錫薄膜１とハードコート層３との間に形成するもので、つまり、基材Ａと下塗り層２と錫薄膜１と中塗り層４とハードコート層３とから構成されるものである。
【００２５】
更には、中塗り層４を形成する工程では、錫薄膜１は膜厚は５００オームストロング以下と非常に薄い膜であり、錫薄膜１をハードコート層３と共に保護するためものであり、中塗り層４は錫薄膜１の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で膜厚が１〜５０ミクロンに形成するものである。
【００２６】
そして、中塗り層４を形成する工程で形成した中塗り層４の上面にハードコート層３を形成する工程を実施してハードコート層３を形成するものである。
【００２７】
更に、本発明の不通電蒸着方法の他の実施例は、図３に図示する如く、次実施例に加えて、加飾部５と上塗り層６とを中塗り層４とハードコート層３との間に形成するもので、つまり、基材Ａと下塗り層２と錫薄膜１と中塗り層４と加飾部５と上塗り層６とハードコート層３とから構成されるものである。
【００２８】
次いで、加飾部５を形成する工程は前記中塗り層４を形成する工程で形成させた中塗り層４の上面にレザーマーキング又は印刷又はホットスタンプで加飾部５を形成するもので、レザーマーキングの場合はレザーを照射することで中塗り層４及び錫薄膜１を刻設するもので、印刷又はホットスタンプの場合は中塗り層４の上面に加飾するものである。
【００２９】
更には、上塗り層６を形成する工程は、前記加飾部５の上面に１液アクリルシリコン樹脂又は２液アクリルシリコン樹脂又は１液アクリルウレタン樹脂又は２液アクリルウレタン樹脂又は２液塩ビ系樹脂又はＵＶ硬化性樹脂で膜厚が１〜５０ミクロンの上塗り層６を形成するものである。
【００３０】
次に、前述と同様に、上塗り層６の上面にハードコート層３を形成する工程を実施してハードコート層３を形成するものである。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明の不通電蒸着方法は、９９．９９％以上の純度の錫を用いて、膜厚が５００オングストロング以下の錫薄膜をフィラメント式真空蒸着法又はエレクトリックビーム式又はイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置により形成することによって、錫薄膜が不通電と成るもので、基材の表面の加飾のみならず、今後、あらゆる分野での用途が検討されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は基材の表面に本発明の不通電蒸着方法の実施例の説明のための断面図である。
【図２】図２は基材の表面に本発明の不通電蒸着方法の次実施例の説明のための断面図である。
【図３】図３は基材の表面に本発明の不通電蒸着方法の他の実施例の説明のための断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
Ａ      基材
１      錫薄膜
２      下塗り層
３      ハードコート層
４      中塗り層
５      加飾部
６      上塗り層
【図１】
2005298917.tif 000003
【図２】
2005298917.tif 000004
【図３】
2005298917.tif 000005