(57)【要約】【課題】  高温に曝された状態でのポリイミドフィルムと導電層との接合強度を高める。【解決手段】  この金属化ポリイミドフィルムは、ポリイミドフィルム１と、その第１面１ＡにＭｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，およびＡｌから選択される１種または２種以上の元素を厚さ０．３〜１５ｍｇ／ｍ２で付着させてなる中間層２と、中間層２上に形成された銅または銅合金からなる導電層４と、ポリイミドフィルム１の第２面１Ｂに酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化錫、酸化インジウム、フッ化マグネシウム、酸化マグネシウム、およびインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）から選択される１種または２種以上の元素を厚さ５〜３００ｎｍで付着させてなる酸素・水分遮蔽膜６とを具備する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面および第２面を有するポリイミドフィルムと、このポリイミドフィルムの第１面にＭｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，およびＡｌから選択される１種または２種以上の元素を厚さ０．３〜１５ｍｇ／ｍ２で付着させてなる中間層と、前記中間層上に形成された銅または銅合金からなる導電層と、前記ポリイミドフィルムの第２面に酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化錫、酸化インジウム、フッ化マグネシウム、酸化マグネシウム、およびインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）から選択される１種または２種以上の元素を厚さ５〜３００ｎｍで付着させてなる酸素・水分遮蔽膜とを具備する金属化ポリイミドフィルム。
【請求項２】
第１面および第２面を有するポリイミドフィルムと、このポリイミドフィルムの第１面にＭｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，およびＡｌから選択される１種または２種以上の元素を厚さ０．３〜１５ｍｇ／ｍ２で付着させてなる中間層と、前記中間層上に形成された銅または銅合金からなる導電層と、前記ポリイミドフィルムの第２面にＡｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，およびＳｎから選択される１種または２種以上の元素を厚さ１００〜３００ｎｍで付着させてなる酸素・水分遮蔽膜とを具備する金属化ポリイミドフィルム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の金属化ポリイミドフィルムであって、前記中間層と前記導電層との間に、５〜３００ｎｍの厚さを有する銅または銅合金からなる第２中間層を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリイミドフィルムの表面に銅などの導電層を形成した金属化ポリイミドフィルムに関し、例えば、ＴＡＢテープ、フレキシブル回路基板またはフレキシブル配線板などとして使用可能な金属化ポリイミドフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化・軽量化・構造の柔軟化を図るために、ＴＡＢ、フレキシブル回路基板、フレキシブル配線板等に対する需要が高まってきている。従来、この種の基板としては、可撓性のあるプラスチック基板上に銅箔をエポキシ系接着剤等の接着剤で貼り合わせたものが使用されていた。
【０００３】
しかし、電子機器の高密度実装を図るために、この種の基板もさらに薄膜化することが望まれており、前述のように銅箔を接着する構造では、薄膜化への要求に十分応えることができなかった。
【０００４】
また、上記の接着剤を用いた回路基板では、（１）接着剤層に銅箔のエッチング液がしみこみ易く、高温高湿下でバイアスを加えると銅のマイグレーションが発生し、回路を短絡させることがある、（２）高速化のためにはインピーダンスをマッチングさせるとともにクロストークを減少させる必要があるが、接着剤があるために困難である、（３）接着剤層の寸法安定性が悪い、（４）接着剤層の存在により回路基板の微細加工が困難であり、高密度化に対応しにくい、（５）接着剤層の熱特性がプラスチック基板材料のそれよりも劣るため熱安定性に問題があり、高密度化への対応が困難である、（６）接着剤があるために製品に変形が生じやすいなどの問題もあった。
【０００５】
これらの問題を解決するため、接着剤を使用せずに金属化フィルムを形成する技術が検討されている。例えば、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の薄膜形成技術により、プラスチックフィルム上に直接、金属薄膜を回路パターンに沿って成膜したのち、この金属薄膜上に電解めっき等により金属めっき層を堆積させる方法や、金属薄膜をプラスチック基板の表面に形成し、その上に電解めっき等で金属を堆積させた後に、導電層をエッチングして回路パターンを形成する方法などが公知である。
【０００６】
しかし、このような構造において、耐熱性に優れているポリイミドフィルムを使用した場合には、ポリイミドフィルムと金属との接合性が他のプラスチックに比して劣るため、回路パターン形成工程や電解めっき工程等の後工程を経ると、ポリイミドフィルムと金属薄膜間の接合強度が低下し、剥離しやすいという問題があった。
【０００７】
銅箔にポリイミドモノマーを塗布した後、加熱硬化させてポリイミド層を形成する方法、および、熱可塑性ポリイミドフィルムと銅箔を熱融着法を用いて貼り合わせる方法なども一部で使用されている。
しかし、これらの方法では、銅箔を使用するために、銅箔の表面粗さが製品の表面粗さに反映され、微細パターンの形成時には悪影響がでるおそれがあった。また、銅箔の厚さは限定されるので、薄膜化が困難だった。
【０００８】
この問題を解決するため、本出願人は先に、特開２００３−０１１２７３号公報において、ポリイミドフィルムと、ポリイミドフィルムの表面に形成された金属核付着部と、この金属核付着部上に形成された金属層とからなる金属化ポリイミドフィルムを提案した。
【０００９】
金属核付着部は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，およびＡｌから選択される１種または２種以上で形成される。
【特許文献１】特開２００３−０１１２７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、最近では金属化ポリイミドフィルムの用途が広がるにつれ、金属化ポリイミドフィルムの使用環境が過酷化する傾向にあり、高温や高湿度に対する耐久性および長寿命がさらに要求されるようになった。
【００１１】
本発明者等が金属化ポリイミドフィルムについて高温環境試験を用いた研究を行った結果、金属化ポリイミドフィルムが酸素・水分存在下で、現状よりも高い温度に曝された場合、次のような現象が起こりえることが判明した。
【００１２】
金属化ポリイミドフィルムを高温に曝した場合、ポリイミドフィルムの裏面から酸素および水分がポリイミドフィルム内へ徐々に侵入する。侵入した酸素および水分が銅層へ到達すると、銅が酸化されて銅イオンを生じ、この銅イオンがポリイミドと反応し、やがて高温によりポリイミドを加水分解する。よって、銅層に近い界面でポリイミドフィルムが僅かずつ分解され、長時間が経過すると銅層とポリイミドフィルムとの接合強度が低下するおそれがある。
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高温に曝された場合にも、導電層とポリイミドフィルムとの接合強度を高めることができる金属化ポリイミドフィルムを提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するため、本発明に係る第１の金属化ポリイミドフィルムは、第１面および第２面を有するポリイミドフィルムと、このポリイミドフィルムの第１面にＭｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，およびＡｌから選択される１種または２種以上の元素を厚さ０．３〜１５ｍｇ／ｍ２で付着させてなる中間層と、前記中間層上に形成された銅または銅合金からなる導電層と、前記ポリイミドフィルムの第２面に酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化錫、酸化インジウム、フッ化マグネシウム、酸化マグネシウム、アルミニウム、およびインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）から選択される１種または２種以上の元素を厚さ５〜３００ｎｍで付着させてなる酸素・水分遮蔽膜とを具備する。
【００１５】
また、本発明に係る第２の金属化ポリイミドフィルムは、第１面および第２面を有するポリイミドフィルムと、このポリイミドフィルムの第１面にＭｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，およびＡｌから選択される１種または２種以上の元素を厚さ０．３〜１５ｍｇ／ｍ２で付着させてなる中間層と、前記中間層上に形成された銅または銅合金からなる導電層と、前記ポリイミドフィルムの第２面にＡｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，およびＳｎから選択される１種または２種以上の元素を厚さ１００〜３００ｎｍで付着させてなる酸素・水分遮蔽膜とを具備する。
【００１６】
前記中間層と前記導電層との間に、５〜３００ｎｍの厚さを有する銅または銅合金からなる第２中間層を有していてもよい。
また、本発明の金属化ポリイミドフィルムは、ＴＡＢテープ、フレキシブル回路基板、フレキシブル配線板などの形態であってもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る金属化ポリイミドフィルムによれば、酸素・水分遮蔽膜を形成したことにより、高温に曝された場合にも、ポリイミドフィルムの第２面から酸素および水分が侵入しにくくなる。これにより、酸素および水分の存在下で導電層中の銅が酸化され、生じた銅イオンがポリイミドと反応して加水分解を起こすことによるポリイミドの分解反応が抑制できる。したがって、従来品の使用環境よりも高い温度に曝された場合にも、導電層または中間層がポリイミドフィルムから剥離することが少なく、高い信頼性を得ることができる。
【００１８】
また、ポリイミドフィルムの第１面に特定の核形成元素を極微量付着させて中間層を形成した上、導電層を形成しているから、さらにポリイミドフィルムと導電層との接合強度を高めることができる。したがって、この点からも、高温での使用時においても導電層の接合強度を高く維持できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１は、本発明に係る金属化ポリイミドフィルムの一実施形態を示す断面拡大図である。この金属化ポリイミドフィルムは、ポリイミドフィルム１と、ポリイミドフィルム１の第１面１Ａに形成された中間層２と、この中間層２上に形成された導電層４と、ポリイミドフィルム１の第２面１Ｂに形成された酸素・水分遮蔽膜６を具備する。
【００２０】
ポリイミドフィルム１の材質は、通常この種の用途に使用されているポリイミド樹脂であればいずれも可能であり、ＢＰＤＡ系ポリイミド樹脂であっても、ＰＭＤＡ系ポリイミド樹脂であってもよい。一般的にＢＰＤＡ（ビフェニルテトラカルボン酸）を原料とするポリイミドフイルム（宇部興産製商品名「ユーピレックス」など）は熱および吸湿寸法安定性および剛性が良好であり、主にＴＡＢ用途に使用されているが、金属薄膜との接合強度が低い特徴を有する。一方、ＰＭＤＡ（ピロメリット酸二無水物）を原料とするポリイミドフィルム（東レ・デュポン製商品名「カプトン」、鐘淵化学工業製商品名「アピカル」など）は金属薄膜との接合強度が高いとされている。ポリイミドフィルム１の厚さは特に限定されないが、１２〜１２５μｍであることが好ましい。
【００２１】
ポリイミドフィルム１は、単層であってもよいが、複数種のポリイミド樹脂を積層した積層フィルムであってもよい。ポリイミドフィルム１の中間層２が接する第１面１Ａは、ＢＰＤＡ系およびＰＭＤＡ系のどちらであっても同様の効果が得られる。
【００２２】
中間層２は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，およびＡｌから選択される１種または２種以上の核形成元素および不可避不純物からなるものであり、導電層４を形成する際に銅原子の付着を容易にして導電層４の接合強度を高める作用を有する。中間層２の厚さ（付着量）は、０．３〜１５ｍｇ／ｍ２ であり、連続した緻密な膜にはなっていない。予め中間層２および導電層４が所望のパターン形状をなすように形成されていてもよい。
【００２３】
中間層２における金属付着量が０．３ｍｇ／ｍ２よりも少ないと、ポリイミドフィルム１に対する導電層４の接合強度を十分に高めることができなくなる。また、中間層２が１５ｍｇ／ｍ２よりも多いと、付着された前記核形成元素の酸化によって導電層４の付着強度が低下する現象が顕著となる。さらに、導電層４をエッチングでパターン加工する場合には、中間層２を同時にエッチングする必要が生じるが、中間層２が厚すぎるとエッチングの効率が低下するという問題もある。
【００２４】
モリブデン等を用いてポリイミドフィルムに対する導電層４の接合強度を高める場合、モリブデン層を膜となる程度に厚く成膜しなければ接合強度が高められないと考えられていた。これに対し、本発明の場合、前記金属を極少量、ポリイミドフィルム１に付着させるだけでも、導電層４の接合強度を十分に高められる。
【００２５】
中間層２のより好ましい付着量は０．９〜１０ｍｇ／ｍ２である。この範囲内であると、製造コストも安く、導電層４の接合強度を高める効果も安定している。なお、核形成元素の付着量は誘導結合高周波プラズマ分光分析法（ＩＣＰ）により測定することが可能である。
【００２６】
中間層２の付着量は０．３〜１５ｍｇ／ｍ２という極微量であるから、中間層２は膜と呼べる状態ではなく、ポリイミドフィルム１の表面の特に活性点に対して前記金属の粒子が付着して核粒子を形成し、このような核粒子が点在する状態と考えられる。
【００２７】
中間層２の材質は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ａｌ，およびこれらのうち２種以上の元素から実質的に形成される合金から選択される１種または２種以上であればよいが、本発明者らの実験によると、この中でも特にＭｏ，Ｓｉを使用した場合に高い接合強度が得られ、また耐久試験後でも高い接合強度を維持できた。
【００２８】
中間層２と導電層４との間に、導電層４と接合性の良い１層以上の第２中間層を蒸着してもよい。第２中間層としては、銅または銅合金が好適であり、その場合には、高い電気伝導度を確保しつつ、フィルム基材と金属層の接合性をさらに改善することが可能である。第２中間層の厚さは５〜３００ｎｍ程度が好ましい。
【００２９】
中間層２をポリイミドフィルム１上に形成するには、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の乾式成膜技術により、前記核形成元素をポリイミドフィルム１上に付着させればよい。核形成元素を付着させる上でより好ましい成膜方法は、スパッタリング法、およびイオンプレーティング法である。成膜条件は特に限定されないが、核形成元素の酸化を防ぐ上では成膜槽内の酸素、水の分圧を極力低くすることが好ましい。
【００３０】
導電層４の材質は、銅または銅合金から選択される１種または２種以上であり、特に好ましくは純銅、または、ニッケル、亜鉛、もしくは鉄等を含む銅合金である。導電層４の厚さは１０ｎｍ以上であればよく、より好ましくは３０ｎｍ以上である。導電層４が厚すぎるとコストが高くなりすぎ、薄すぎるとめっき工程にて焼き切れる等の不良が発生しやすくなる。
【００３１】
導電層４を形成するには、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の薄膜形成技術により、中間層２を形成したポリイミドフィルム１上に金属を成膜するだけでもよいし、あるいは、ある程度の薄膜を前記各方法で成膜した後に、この蒸着膜上に電解めっき法や無電解めっき法等により金属めっき層を堆積させてもよい。
【００３２】
本発明の第１態様においては、酸素・水分遮蔽膜６は、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化錫、酸化インジウム、フ化マグネシウム、酸化マグネシウム、アルミニウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）から選択される１種または２種以上から形成されている。酸素および水分の遮断性能に優れ、量産性にも優れる点から、酸化珪素および酸化アルミニウムが特に酸素・水分遮蔽膜６として適している。
【００３３】
第１態様における酸素・水分遮蔽膜６の厚さは５〜３００ｎｍが好ましい。５ｎｍ未満であると十分に酸素および水分を遮蔽する効果が得られにくい。一方、３００ｎｍより大きくしても効果は変わらずコストが増える。酸素・水分遮蔽膜６の厚さは、より好ましくは２０〜１５０ｎｍである。酸素・水分遮蔽膜６の形成方法は限定されないが、物理蒸着法（ＰＶＤ）または化学蒸着法（ＣＶＤ）などが好適である。
【００３４】
本発明の第２態様では、酸素・水分遮蔽膜６は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，およびＳｎから選択される１種または２種以上から形成されている。この中では、酸素および水分の遮断性能に優れ、量産性にも優れる点から、ＡｌおよびＣｕが特に酸素・水分遮蔽膜６として適している。
【００３５】
第２態様における酸素・水分遮蔽膜６の厚さは１００〜３００ｎｍが好ましい。１００ｎｍ未満であると十分に酸素および水分を遮蔽する効果が得られにくい。一方、３００ｎｍより大きくしても効果は変わらずコストが増える。酸素・水分遮蔽膜６の厚さは、より好ましくは１００〜２００ｎｍである。酸素・水分遮蔽膜６の形成方法は限定されないが、物理蒸着法（ＰＶＤ）または化学蒸着法（ＣＶＤ）などが好適である。
【００３６】
上記各態様からなる金属化ポリイミドフィルムによれば、酸素・水分遮蔽膜６を形成したことにより、高温に曝された場合にも、ポリイミドフィルム１の第２面１Ｂから酸素および水分が侵入しにくくなる。これにより、酸素および水分の存在下で導電層４中の銅が酸化され、生じた銅イオンがポリイミドと反応して加水分解を起こすことによるポリイミドの分解反応が抑制できる。したがって、従来品の使用環境よりも高い温度に長時間曝された場合にも、導電層４または中間層２がポリイミドフィルム１から剥離することが少なく、高い信頼性を得ることができる。特に、高温および水分に曝されやすい車載用の部品として好適である。上記効果の差は、例えば高温環境試験により評価することができる。
【００３７】
また、ポリイミドフィルム１の表面に特定の核形成元素を極微量付着させて中間層２を形成した上、導電層４を形成したことにより、ポリイミドフィルム１と導電層４との接合強度を高めることができる。したがって、この点からも、高温での使用時においても導電層４の接合強度を高く維持できる。また、中間層２が接する界面がＢＰＤＡ系ポリイミド、ＰＭＤＡ系ポリイミドのいずれであっても、高い接合強度が得られるという効果を奏する。
【００３８】
さらに、酸素・水分遮蔽膜６を形成したことにより、中間層２の厚さは酸素・水分を遮蔽できるほどに厚くしなくて済む。このため、中間層２を薄くすることができ、導電層４と同時にエッチングすることが容易になる。したがって、中間層２が有りながらも、導電層４のエッチング条件を実質的に変更しなくて済むという利点を有する。
【実施例】
【００３９】
次に実施例を挙げて本発明の効果を実証する。
［実施例１］
ポリイミドフィルム基材として、宇部興産株式会社製の「ユーピレックス−Ｓ」（商品名）：７５μｍ厚を使用し、このフィルム基材の両面に下記の条件でプラズマ表面処理を施した。
プラズマ表面処理条件：アルゴンガス、ＲＦ出力１．５ｋＷ、２０ｍｉｎ
【００４０】
次に、フィルム基材を電子ビーム蒸着機内にセットし、下記の成膜条件で酸化珪素からなる酸素・水分遮蔽膜を３０ｎｍの厚さに形成した。
到達真空度：１×１０ー３Ｐａ
電子ビームパワー：１５０ｍＡ
【００４１】
次に、フィルム基材を反転させて、スパッタリング装置内にセットし、酸素・水分遮蔽膜とは逆の面に、以下の条件で中間層および第２中間層を形成した。
中間層材質：Ｎｉ−Ｃｒ合金
成膜条件：アルゴンガス、高周波出力２００Ｗ
中間層成膜厚さ：３ｎｍ
第２中間層材質：Ｃｕ
成膜条件：アルゴンガス、高周波出力２００Ｗ
第２中間層成膜厚さ：２００ｎｍ
さらに、第２中間層上に、硫酸銅浴を用いた銅電解めっきにより銅からなる導電層を１８μｍの厚さに形成し、実施例１を得た。
【００４２】
［実施例２］
実施例１と同じポリイミドフィルム基材に、実施例１と同じ条件でプラズマ表面処理を施した。次に、フィルム基材を電子ビーム蒸着機内にセットし、下記の成膜条件で酸化アルミニウムからなる酸素・水分遮蔽膜を３０ｎｍの厚さに形成した。
到達真空度：１×１０ー３Ｐａ
電子ビームパワー：２００ｍＡ
その後、実施例１と同じ材質および条件で中間層、第２中間層、および導電層を形成し、実施例２を得た。
【００４３】
［実施例３］
実施例１と同じポリイミドフィルム基材に、実施例１と同じ条件でプラズマ表面処理を施し、実施例１と同様に酸化珪素からなる酸素・水分遮蔽膜を３０ｎｍの厚さに形成した。
次に、フィルム基材を反転させて、スパッタリング装置内にセットし、酸素・水分遮蔽膜とは逆の面に、以下の条件で中間層を形成した。
中間層材質：Ｍｏ
成膜条件：アルゴンガス、高周波出力２００Ｗ
中間層成膜厚さ：３ｎｍ
さらに、実施例１と同じ材質および条件で、第２中間層および導電層を形成し、実施例３を得た。
【００４４】
［実施例４］
実施例１と同じポリイミドフィルム基材に、実施例１と同じ条件でプラズマ表面処理を施し、実施例２と同様に酸化アルミニウムからなる酸素・水分遮蔽膜を３０ｎｍの厚さに形成した。
次に、フィルム基材を反転させて、スパッタリング装置内にセットし、酸素・水分遮蔽膜とは逆の面に、実施例３と同じ材質および条件で、中間層、第２中間層および導電層を形成し、実施例４を得た。
【００４５】
［実施例５］
実施例１と同じポリイミドフィルム基材に、実施例１と同じ条件でプラズマ表面処理を施した。次に、フィルム基材を電子ビーム蒸着機内にセットし、下記の成膜条件でアルミニウムからなる酸素・水分遮蔽膜を１００ｎｍの厚さに形成した。
到達真空度：１×１０ー３Ｐａ
電子ビームパワー：１５０ｍＡ
その後、実施例１と同じ材質および条件で中間層、第２中間層および導電層を形成し、実施例５を得た。
【００４６】
［実施例６］
実施例１と同じポリイミドフィルム基材に、実施例１と同じ条件でプラズマ表面処理を施した。次に、フィルム基材を電子ビーム蒸着機内にセットし、下記の成膜条件でチタンからなる酸素・水分遮蔽膜を１００ｎｍの厚さに形成した。
到達真空度：１×１０ー３Ｐａ
電子ビームパワー：２２０ｍＡ
その後、実施例１と同じ材質および条件で中間層、第２中間層および導電層を形成し、実施例６を得た。
【００４７】
［実施例７］
実施例１と同じポリイミドフィルム基材に、実施例１と同じ条件でプラズマ表面処理を施した。次に、フィルム基材を電子ビーム蒸着機内にセットし、下記の成膜条件で銅からなる酸素・水分遮蔽膜を１００ｎｍの厚さに形成した。
到達真空度：１×１０ー３Ｐａ
電子ビームパワー：１７０ｍＡ
その後、実施例１と同じ材質および条件で中間層、第２中間層および導電層を形成し、実施例７を得た。
【００４８】
［比較例１］
実施例１と同じポリイミドフィルム基材に、実施例１と同じ条件でプラズマ表面処理を施した。次に、酸素・水分遮蔽膜を形成せずに、実施例３と同じ材質および条件で、中間層（Ｍｏ）、第２中間層および導電層を形成し、比較例１を得た。
【００４９】
［比較例２］
実施例１と同じポリイミドフィルム基材に、実施例１と同じ条件でプラズマ表面処理を施した。次に、酸素・水分遮蔽膜を形成せずに、実施例１と同じ材質および条件で、中間層（Ｎｉ−Ｃｒ合金）、第２中間層および導電層を形成し、比較例２を得た。
【００５０】
［比較例３］
実施例１と同じポリイミドフィルム基材に、実施例１と同じ条件でプラズマ表面処理を施した。次に、酸素・水分遮蔽膜および中間層を形成せずに、実施例１と同じ材質および条件で第２中間層および導電層を形成し、比較例３を得た。
【００５１】
［比較実験］
実施例１〜７および比較例１〜３の金属化ポリイミドフィルムから幅１０ｍｍ×長さ１５０ｍｍの短冊状試験片を切り出した。ＩＰＣ−ＴＭ−６５０（米国プリント回路工業会規格試験法）による方法で、フィルム基材と導電層間の剥離強度（ピール強度）を測定した。この試験法は、前記短冊状試験片のポリイミドフィルム側を６インチの直径のドラムの外周に周方向へ向けて接着固定したうえ、金属膜の一端を治具で５ｃｍ／分でポリイミドフィルムから９０゜の方向へ剥離させながら引っ張り、それに要する荷重（ｋＮ／ｍ）を測定する方法である。
【００５２】
一方、実施例１〜７および比較例１〜３の別の各試験片を加熱処理したうえで上記方法により剥離強度を測定した。加熱処理条件は、大気中にて１５０℃に１６８時間加熱保持する条件とした。
【００５３】
さらに、実施例１〜７および比較例１〜３の別の各試験片を加湿加熱処理（ＰＣＴ処理）したうえで上記方法で剥離強度を測定した。ＰＣＴ処理条件は、温度１２１℃、湿度１００％にて、４８時間保持する条件とした。
結果は表１に示す通りであった。
【００５４】
【表１】
2005219259.tif 000003
【００５５】
表１に示すように、実施例１〜７は、加熱処理した後、およびＰＣＴ処理した後のいずれにおいても高いピール強度を示した。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明に係る金属化ポリイミドフィルムの一実施形態の断面拡大図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  ポリイミドフィルム
１Ａ  第１面
１Ｂ  第２面
２  中間層
４  導電層
６  酸素・水分遮蔽膜
【図１】
2005219259.tif 000004