(57)【要約】  【課題】基板の表面に形成されているレジストをきれいに除去することができるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供する。  【解決手段】ウエハＷの表面に硫酸の液膜を形成する工程に先立って、高速回転しているウエハＷの表面に過酸化水素水が供給されることにより、ウエハＷの表面の全域が過酸化水素水によって湿潤した状態にされる。これにより、硫酸の液膜を形成する工程では、ウエハＷの表面中央部に供給される硫酸が、レジストの疎水性およびウエハＷの表面に形成されているパターンの影響を受けずに、ウエハＷの表面上をその供給位置を中心とする同心円状に拡が拡がる。そのため、ウエハＷの表面全域にほぼ均一な膜厚を有する硫酸の液膜がむらなく形成される。よって、その後、過酸化水素水を供給することにより、ウエハＷの表面上の全域でＳＰＭを生成させることができる。【選択図】        図１
2005268308.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板の表面に形成されているレジストを剥離するための方法であって、
処理対象の基板の表面に硫酸を供給して、その基板の表面上に硫酸の液盛りによる液膜を形成する液膜形成工程と、
この液膜形成工程に引き続いて、硫酸の液盛りによる液膜が形成されている基板の表面に過酸化水素水を供給することにより、基板の表面上で硫酸と過酸化水素水とを混合してレジスト剥離液を生成するレジスト剥離液生成工程と、
上記液膜形成工程に先立って、処理対象の基板の表面に過酸化水素水または純水を供給して、過酸化水素水または純水によって当該基板の表面を湿潤させる湿潤工程とを含むことを特徴とするレジスト剥離方法。
【請求項２】
硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板の表面に形成されているレジストを剥離するための方法であって、
処理対象の基板の表面に上記レジスト剥離液を供給して、その基板の表面上にレジスト剥離液の液盛りによる液膜を形成する液膜形成工程と、
この液膜形成工程に先立って、処理対象の基板の表面に硫酸、過酸化水素水および純水のうちのいずれか１種の液体を供給して、その液体によって当該基板の表面を湿潤させる湿潤工程とを含むことを特徴とするレジスト剥離方法。
【請求項３】
上記湿潤工程では、処理対象の基板がその表面に交差する軸線まわりに所定の高回転速度で回転されていることを特徴とする請求項１または２記載のレジスト剥離方法。
【請求項４】
硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板の表面に形成されているレジストを剥離するためのレジスト剥離装置であって、
基板をその表面を上方に向けた姿勢で保持する基板保持手段と、
この基板保持手段に保持された基板の表面に硫酸を供給するための硫酸供給手段と、
上記基板保持手段に保持された基板の表面に過酸化水素水を供給するための過酸化水素水供給手段と、
上記基板保持手段に保持された基板の表面に純水を供給するための純水供給手段と、
上記過酸化水素水供給手段または純水供給手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板の表面を過酸化水素水または純水によって湿潤させる湿潤制御手段と、
この湿潤制御手段による制御に引き続いて、上記硫酸供給手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板の表面上に硫酸の液盛りによる液膜を形成する液膜形成制御手段とを含むことを特徴とするレジスト剥離装置。
【請求項５】
硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板の表面に形成されているレジストを剥離するためのレジスト剥離装置であって、
基板をその表面を上方に向けた姿勢で保持する基板保持手段と、
この基板保持手段に保持された基板の表面に上記レジスト剥離液を供給するためのレジスト剥離液供給手段と、
上記基板保持手段に保持された基板の表面に硫酸、過酸化水素水および純水のいずれか１種の液体を供給するための液体供給手段と、
上記液体供給手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板の表面を液体によって湿潤させる湿潤制御手段と、
この湿潤制御手段による制御に引き続いて、上記レジスト剥離液供給手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板の表面上に上記レジスト剥離液の液盛りによる液膜を形成する液膜形成制御手段とを含むことを特徴とするレジスト剥離装置。
【請求項６】
上記基板保持手段に保持された基板をその表面に交差する軸線まわりに回転させるための基板回転手段と、
上記湿潤制御手段による制御時に、上記基板回転手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板を所定の高回転速度で回転させる高速回転制御手段とをさらに含むことを特徴とする請求項４または５記載のレジスト剥離装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板の表面から不要になったレジストを剥離して除去するためのレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、たとえば、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面から不要になったレジストを剥離するための処理（レジスト剥離処理）が行われる。このレジスト剥離処理の方式としては、複数枚の基板を一括して処理するバッチ式が従来の主流であったが、最近では、処理対象の基板の大型化に伴って、基板の表面にレジスト剥離液を供給して、基板を１枚ずつ処理する枚葉式が注目されてきている。
【０００３】
枚様式のレジスト剥離処理は、たとえば、基板をほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板の表面（上面）に硫酸（Ｈ2ＳＯ4）および過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）をそれぞれ供給するためのノズルとを備えた装置で実施することができる。すなわち、スピンチャックによって基板を１０ｒｐｍ程度の低回転速度で回転させつつ、その回転している基板の表面の回転中心付近に硫酸を供給することにより、基板の表面上に硫酸を液膜の状態で溜めた後、その硫酸の液膜に過酸化水素水を供給する。硫酸の液膜に過酸化水素水が供給されると、硫酸と過酸化水素水とが反応して、Ｈ2ＳＯ5を含むレジスト剥離液が生成され、そのＨ2ＳＯ5の強い酸化力によって、基板の表面に形成されているレジストが剥離されて除去される。
【特許文献１】特開昭５０−２１６８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、レジストが疎水性であるため、基板の低速回転による弱い遠心力では、硫酸が基板の表面上を均一に拡がらず、基板の表面上に硫酸の供給されない部分を生じるおそれがあった。また、表面に格子状のパターンが形成された基板の場合には、基板の表面に供給された硫酸がパターンに沿って拡がるために、基板の表面上に硫酸の供給されない部分を生じることがあった。基板の表面に硫酸が供給されない部分があると、その部分では、レジスト剥離液が生成されないので、レジストが除去されない。
【０００５】
そこで、この発明の目的は、基板の表面全域にむらなくレジスト剥離液を供給することができ、基板の表面に形成されているレジストをきれいに除去することができるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板（Ｗ）の表面に形成されているレジストを剥離するための方法であって、処理対象の基板の表面に硫酸を供給して、その基板の表面上に硫酸の液盛りによる液膜を形成する液膜形成工程（Ｓ２）と、この液膜形成工程に引き続いて、硫酸の液盛りによる液膜が形成されている基板の表面に過酸化水素水を供給することにより、基板の表面上で硫酸と過酸化水素水とを混合してレジスト剥離液を生成するレジスト剥離液生成工程（Ｓ３）と、上記液膜形成工程に先立って、処理対象の基板の表面に過酸化水素水または純水を供給して、過酸化水素水または純水によって当該基板の表面を湿潤させる湿潤工程（Ｓ１）とを含むことを特徴とするレジスト剥離方法である。
【０００７】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、基板の表面に硫酸の液膜を形成する液膜形成工程に先立って、その基板の表面が過酸化水素水または純水によって湿潤した状態にされる。
これにより、液膜形成工程において、基板の表面に供給される硫酸は、その基板の表面上を、レジストの疎水性および基板の表面に形成されているパターンの影響を受けずに拡がる。そのため、基板の表面全域にほぼ均一な膜厚を有する硫酸の液膜がむらなく形成されるので、この硫酸の液膜の形成後、基板の表面に過酸化水素水を供給することにより、基板の表面の全域でレジスト剥離液を生成させることができ、そのレジスト剥離液によって、基板の表面に形成されているレジストを残すことなくきれいに剥離することができる。
【０００８】
請求項２記載の発明は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板（Ｗ）の表面に形成されているレジストを剥離するための方法であって、処理対象の基板の表面に上記レジスト剥離液を供給して、その基板の表面上にレジスト剥離液の液盛りによる液膜を形成する液膜形成工程と、この液膜形成工程に先立って、処理対象の基板の表面に硫酸、過酸化水素水および純水のうちのいずれか１種の液体を供給して、その液体によって当該基板の表面を湿潤させる湿潤工程とを含むことを特徴とするレジスト剥離方法である。
【０００９】
この発明によれば、基板の表面にレジスト剥離液の液膜を形成する液膜形成工程に先立って、その基板の表面が硫酸、過酸化水素水または純水によって湿潤した状態にされる。
これにより、液膜形成工程において、基板の表面に供給されるレジスト剥離液は、その基板の表面上を、レジストの疎水性および基板の表面に形成されているパターンの影響を受けずに拡がる。そのため、基板の表面全域にほぼ均一な膜厚を有するレジスト剥離液の液膜が形成され、そのレジスト剥離液によって、基板の表面に形成されているレジストを残すことなくきれいに剥離することができる。
【００１０】
請求項３記載の発明は、上記湿潤工程では、処理対象の基板がその表面に交差する軸線まわりに所定の高回転速度で回転されていることを特徴とする請求項１または２記載のレジスト剥離方法である。
この発明によれば、高速回転している基板の回転中心付近に過酸化水素水などの液体を供給することにより、レジストの疎水性および基板の表面におけるパターンの有無にかかわらず、その液体を基板の表面全域に速やかに行き渡らせることができ、基板の表面全域に速やかに湿潤させることができる。
【００１１】
請求項４記載の発明は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板（Ｗ）の表面に形成されているレジストを剥離するためのレジスト剥離装置であって、基板をその表面を上方に向けた姿勢で保持する基板保持手段（１）と、この基板保持手段に保持された基板の表面に硫酸を供給するための硫酸供給手段（２，２２）と、上記基板保持手段に保持された基板の表面に過酸化水素水を供給するための過酸化水素水供給手段（３，３２）と、上記基板保持手段に保持された基板の表面に純水を供給するための純水供給手段（４，４２）と、上記過酸化水素水供給手段または純水供給手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板の表面を過酸化水素水または純水によって湿潤させる湿潤制御手段（５）と、この湿潤制御手段による制御に引き続いて、上記硫酸供給手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板の表面上に硫酸の液盛りによる液膜を形成する液膜形成制御手段（５）とを含むことを特徴とするレジスト剥離装置である。
【００１２】
このような構成の基板処理装置において、請求項１の発明を実施することができ、請求項１に関連して述べた効果を奏することができる。
請求項５記載の発明は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板（Ｗ）の表面に形成されているレジストを剥離するためのレジスト剥離装置であって、基板をその表面を上方に向けた姿勢で保持する基板保持手段（１）と、この基板保持手段に保持された基板の表面に上記レジスト剥離液を供給するためのレジスト剥離液供給手段と、上記基板保持手段に保持された基板の表面に硫酸、過酸化水素水および純水のいずれか１種の液体を供給するための液体供給手段（２，２２；３，３２；４，４２）と、上記液体供給手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板の表面を液体によって湿潤させる湿潤制御手段（５）と、この湿潤制御手段による制御に引き続いて、上記レジスト剥離液供給手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板の表面上に上記レジスト剥離液の液盛りによる液膜を形成する液膜形成制御手段（５）とを含むことを特徴とするレジスト剥離装置である。
【００１３】
このような構成の基板処理装置において、請求項２の発明を実施することができ、請求項２に関連して述べた効果を奏することができる。
請求項６記載の発明は、上記基板保持手段に保持された基板をその表面に交差する軸線まわりに回転させるための基板回転手段（１４）と、上記湿潤制御手段による制御時に、上記基板回転手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板を所定の高回転速度で回転させる高速回転制御手段（５）とをさらに含むことを特徴とする請求項４または５記載のレジスト剥離装置である。
【００１４】
このような構成の基板処理装置において、請求項３の発明を実施することができ、請求項３に関連して述べた効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係るレジスト剥離装置の構成を図解的に示す図である。このレジスト剥離装置は、基板の一例である半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）の表面から不要になったレジストを剥離して除去するためのレジスト剥離処理を行う枚葉式の装置であり、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持されたウエハＷの表面（上面）に硫酸（Ｈ2ＳＯ4）を供給するための硫酸ノズル２と、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面に過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）を供給するための過酸化水素水ノズル３と、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面にＤＩＷ（脱イオン化された純水）を供給するためのＤＩＷノズル４とを備えている。
【００１６】
スピンチャック１には、たとえば、ほぼ鉛直に延びたスピン軸１１と、スピン軸１１の上端にほぼ水平に取り付けられたスピンベース１２と、このスピンベース１２の上面に立設された複数個の挟持部材１３とを含む構成のものが採用されている。
複数個の挟持部材１３は、ウエハＷの外形に対応した円周上に互いに間隔を空けて配置されており、ウエハＷの端面を互いに異なる複数の位置で挟持することにより、そのウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持することができる。また、複数個の挟持部材１３は、スピン軸１１の中心軸線を中心とする円周上に配置されており、複数個の挟持部材１３によってウエハＷを保持したときに、ウエハＷの中心がスピン軸１１の中心軸線上に位置するようになっている。
【００１７】
スピン軸１１には、モータなどの駆動源を含む回転駆動機構１４が結合されている。この回転駆動機構１４からスピン軸１１に回転力を入力することにより、スピン軸１１をその中心軸線まわりに回転させることができる。よって、複数個の挟持部材１３によってウエハＷを保持した状態で、回転駆動機構１４からスピン軸１１に回転力を入力することにより、そのウエハＷをスピンベース１２とともにスピン軸１１の中心軸線まわりに回転させることができる。
【００１８】
なお、スピンチャック１としては、このような構成のものに限らず、たとえば、ウエハＷの非デバイス面を真空吸着することにより、ウエハＷを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
硫酸ノズル２には、硫酸供給源からの硫酸を供給する硫酸供給管２１が接続されている。硫酸供給管２１の途中部には、硫酸供給管２１を開閉するための硫酸バルブ２２とが介装されており、この硫酸バルブ２２を開くと、硫酸供給管２１から供給される硫酸が硫酸ノズル２から吐出され、硫酸バルブ２２を閉じると、硫酸ノズル２からの硫酸の吐出が停止される。硫酸ノズル２から吐出される硫酸は、たとえば、連続流の状態（硫酸の液流が柱状をなしている状態）でウエハＷの表面の回転中心付近に供給される。
【００１９】
過酸化水素水ノズル３には、過酸化水素水供給源からの過酸化水素水を供給する過酸化水素水供給管３１が接続されている。過酸化水素水供給管３１の途中部には、過酸化水素水供給管３１を開閉するための過酸化水素水バルブ３２が介装されており、この過酸化水素水バルブ３２を開くと、過酸化水素水供給管３１から供給される過酸化水素水が過酸化水素水ノズル３から吐出され、過酸化水素水バルブ３２を閉じると、過酸化水素水ノズル３からの過酸化水素水の吐出が停止される。過酸化水素水ノズル３は、過酸化水素水を扇状に噴霧して、その霧状の過酸化水素水をウエハＷの表面上のスリット状の範囲に供給するフラットノズル（扇状ノズル）であってもよいし、過酸化水素水をコーン状（円錐状）に噴霧して、その霧状の過酸化水素水をウエハＷの表面上の円形状の範囲に供給するコーンノズルであってもよい。
【００２０】
ＤＩＷノズル４には、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷを供給するＤＩＷ供給管４１が接続されている。ＤＩＷ供給管４１の途中部には、ＤＩＷ供給管４１を開閉するためのＤＩＷバルブ４２が介装されており、このＤＩＷバルブ４２を開くと、ＤＩＷ供給管４１から供給されるＤＩＷがＤＩＷノズル４から吐出され、ＤＩＷバルブ４２を閉じると、ＤＩＷノズル４からのＤＩＷの吐出が停止される。ＤＩＷノズル４は、ＤＩＷを柱状の連続流の状態でウエハＷの表面の回転中心付近に供給するキャピラリノズルであってもよいし、ＤＩＷを扇状に噴霧して、その霧状のＤＩＷをウエハＷの表面上のスリット状の範囲に供給するフラットノズル（扇状ノズル）であってもよいし、ＤＩＷをコーン状（円錐状）に噴霧して、その霧状のＤＩＷをウエハＷの表面上の円形状の範囲に供給するコーンノズルであってもよい。
【００２１】
このレジスト剥離装置はさらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御部５を備えている。制御部５は、回転駆動機構１４の動作を制御し、また、硫酸バルブ２２、過酸化水素水バルブ３２およびＤＩＷバルブ４２の開閉をそれぞれ制御する。
図２は、レジスト剥離処理について説明するためのフローチャートである。処理対象のウエハＷは、図示しない搬送ロボットによって搬入されてきて、デバイス形成面である表面を上方に向けた状態でスピンチャック１に保持される。
【００２２】
レジスト剥離処理では、まず、回転駆動機構１４が制御されて、スピンチャック１に保持されたウエハＷが所定の高回転速度（たとえば、３０００ｒｐｍ）で回転される。その一方で、過酸化水素水バルブ３２が開かれて、過酸化水素水ノズル３から高速回転中のウエハＷの表面に過酸化水素水が供給される（ステップＳ１）。ウエハＷの表面に供給された過酸化水素水は、ウエハＷの高速回転による大きな遠心力を受け、その供給位置からウエハＷの周縁へ向けて、ウエハＷの表面上を比較的強い液流となって流れる。これにより、ウエハＷの表面に格子状のパターンが形成されていても、ウエハＷの表面に供給された過酸化水素水は、そのパターンの影響をほとんど受けずにウエハＷの表面の全域に行き渡る。この結果、ウエハＷの表面の全域が過酸化水素水によって湿潤した状態になる。
【００２３】
過酸化水素水の供給が所定のプリウエット時間にわたって行われると、過酸化水素水バルブ３２が閉じられて、過酸化水素水ノズル３からウエハＷの表面への過酸化水素水の供給が停止される。また、回転駆動機構１４が制御されて、スピンチャック１によるウエハＷの回転速度が高回転速度から所定の低回転速度（たとえば、１０ｒｐｍ）に減速される。
【００２４】
ウエハＷの回転速度が低回転速度になると、次に、硫酸バルブ２２が開かれて、硫酸ノズル２から低速回転中のウエハＷの表面の回転中心付近に向けて硫酸が吐出される（ステップＳ１）。ウエハＷの表面に供給される硫酸は、ウエハＷの表面上に拡がり、その表面張力でウエハＷの表面上に液膜となって溜められていく。すなわち、ウエハＷの表面上に硫酸が液盛りされて、ウエハＷの表面上に硫酸の液膜が形成されていく。この液膜形成に先立って、ウエハＷの表面全域が過酸化水素水で湿潤されているので、ウエハＷの表面に供給される硫酸は、レジストの疎水性にかかわらず、また、ウエハＷの表面にパターンが形成されていても、そのパターンの影響を受けずに、ウエハＷの表面上をその供給位置を中心とする同心円状に拡がる。これによって、ウエハＷの表面上には、その全域にほぼ均一な膜厚を有する硫酸の液膜がむらなく形成される。
【００２５】
硫酸の供給が所定の硫酸パドル時間にわたって行われると、硫酸バルブ２２が閉じられて、硫酸ノズル２からウエハＷの表面への硫酸の供給が停止される。そして、ウエハＷの表面上に硫酸の液膜が形成されている状態で数秒間（たとえば、２〜３秒間）放置される。この放置後、過酸化水素水バルブ３２が開かれて、過酸化水素水ノズル３から低速回転中のウエハＷの表面に過酸化水素水が供給される（ステップＳ３）。過酸化水素水ノズル３からの過酸化水素水は、ウエハＷの表面上に形成されている硫酸の液膜内に浸透する。これにより、ウエハＷの表面上では、その全域で、硫酸と過酸化水素水との化学反応（Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2→Ｈ2ＳＯ5＋Ｈ2Ｏ）が生じて、強い酸化力を有するＨ2ＳＯ5を含むＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）が生成される。また、このとき化学反応による発熱（反応生成熱）を生じ、この反応生成熱によって、ウエハＷの表面上に生成されるＳＰＭは、ウエハＷの表面に形成されているレジストを良好に剥離可能な約１００℃以上の高温に達する。
【００２６】
過酸化水素水の供給は、所定の過酸化水素水供給時間（たとえば、１５秒間）にわたって行われる。そして、過酸化水素水の供給停止後は、そのままの状態（ウエハＷが静止し、そのウエハＷの表面上にＳＰＭの液膜が形成されている状態）で、予め定める時間（たとえば、３０〜１２０秒間）が経過するまで放置される。過酸化水素水が供給されている期間およびその後の放置されている期間に、ウエハＷの表面に形成されているレジスト膜が約１００℃以上の高温に昇温したレジスト剥離液としてのＳＰＭによる酸化を受け、ウエハＷの表面から剥離されて除去されていく。
【００２７】
その後は、スピンチャック１によるウエハＷの回転速度が予め定めるリンス回転速度（たとえば、３００〜１５００ｒｐｍ）まで上げられる。その後、ＤＩＷバルブ４２が開かれて、ＤＩＷノズル４からウエハＷの表面にＤＩＷが供給される（ステップＳ４）。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転に伴って受ける遠心力により、その供給位置からウエハＷの回転半径方向外方側へと導かれる。その供給位置からウエハＷの周縁に向けて流れる。これによって、ウエハＷの表面全域にＤＩＷが行き渡り、ウエハＷの表面に付着しているＳＰＭがＤＩＷによって洗い流される。
【００２８】
ＤＩＷの供給が所定のリンス時間（たとえば、３０秒間）にわたって行われると、ウエハＷの回転速度が予め定めるスピンドライ速度（たとえば、３０００ｒｐｍ）に上げられて、ウエハＷに付着しているＤＩＷを振り切って乾燥させるスピンドライ処理が行われる（ステップＳ５）。このスピンドライ処理は、所定のスピンドライ時間（たとえば、３０秒間）にわたって行われる。スピンドライ処理後は、ウエハＷの回転速度が減速され、ウエハＷが静止すると、図示しない搬送ロボットによって、スピンチャック１から処理後のウエハＷが搬出されていく。
【００２９】
以上のように、この実施形態によれば、ウエハＷの表面に硫酸の液膜を形成する工程に先立って、ウエハＷが高速回転されつつ、その高速回転しているウエハＷの表面に過酸化水素水が供給されることにより、ウエハＷの表面の全域が過酸化水素水によって湿潤した状態にされる。これにより、硫酸の液膜を形成する工程において、ウエハＷの表面に供給される硫酸は、レジストの疎水性およびウエハＷの表面に形成されているパターンの影響を受けずに、ウエハＷの表面上をその供給位置を中心とする同心円状に拡がる。そのため、ウエハＷの表面全域にほぼ均一な膜厚を有する硫酸の液膜がむらなく形成される。よって、硫酸の液膜の形成後、ウエハＷの表面に過酸化水素水を供給することにより、ウエハＷの表面上の全域でＳＰＭを生成させることができ、そのＳＰＭによってウエハＷの表面に形成されているレジストを残すことなくきれいに剥離することができる。
【００３０】
この発明の一実施形態の説明は以上の通りであるが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、ウエハＷの表面上に硫酸の液盛りによる液膜を形成する前に、ウエハＷの表面を過酸化水素水で湿潤させる場合の例を挙げたが、ウエハＷの表面の湿潤は、ＤＩＷノズル４からウエハＷの表面へのＤＩＷの供給によって達成されてもよい。すなわち、ウエハＷの表面上に硫酸の液盛りによる液膜を形成する前に、ＤＩＷノズル４からウエハＷの表面にＤＩＷが供給されて、ウエハＷの表面がＤＩＷによって湿潤されてもよい。
【００３１】
また、上記の実施形態では、ウエハＷの表面上に形成されている硫酸の液膜に対して過酸化水素水を供給して、ウエハＷの表面上で硫酸と過酸化水素水とを反応させることによってＳＰＭ（レジスト剥離液）を生成する場合の例を上げたが、スピンチャック１の上方にＳＰＭノズルを設けて、このＳＰＭノズルからウエハＷの表面中央部に、硫酸と過酸化水素水とを予め混合して生成されたＳＰＭを供給するようにしてもよい。この場合、ウエハＷの表面に硫酸、過酸化水素水またはＤＩＷを供給するためのノズルを設けて、ＳＰＭの液膜の形成に先立ち、ウエハＷの表面に硫酸、過酸化水素水およびＤＩＷのいずれかの液体を供給して、その液体によってウエハＷの表面を湿潤した状態にすることにより、ＳＰＭノズルからウエハＷの表面に供給されるＳＰＭを、ウエハＷの表面全域にむらなく行き渡らせることができ、ウエハＷの表面上の全域にほぼ均一な膜厚を有するレジスト剥離液の液膜を形成することができる。よって、ウエハＷの表面に形成されているレジストを残すことなくきれいに剥離することができる。
【００３２】
さらに、たとえば、処理対象となる基板の一例としてウエハＷを取り上げたが、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板および磁気／光ディスク用基板などの他の種類の基板が処理の対象とされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】この発明の一実施形態に係るレジスト剥離装置の構成を図解的に示す図である。
【図２】レジスト剥離処理について説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００３４】
１      スピンチャック
２      硫酸ノズル
３      過酸化水素水ノズル
４      ＤＩＷノズル
５      制御部
１４    回転駆動機構
２２    硫酸バルブ
３２    過酸化水素水バルブ
４２    ＤＩＷバルブ
Ｗ      半導体ウエハ
【図１】
2005268308.tif 000003
【図２】
2005268308.tif 000004