(57)【要約】【課題】  犠牲層が消失せず、良好にインク供給口を形成可能なインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供すること。【解決手段】  Ｓｉ基板１０上に、インク供給口の形成位置に対応して、例えば、アルミニウム合金などの金属材料からなる犠牲層１８を設ける。好ましくは犠牲層１８を第１金属配線２０（配線層）と同時に同一な材料で形成する。これにより、犠牲層１８が消失することが防止され、良好にインク供給口を形成する。【選択図】図１
2005144850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱抵抗体、前記発熱抵抗体を駆動するための回路素子、及びインク供給口を有する基板と、
前記基板の前記発熱抵抗体を有する第１の主面側に設けられ、インク吐出口を有するオリフィス体と、
を備えるインクジェット記録ヘッドの製造方法において、
前記基板上の第１の主面上に、前記回路素子を形成する工程と、
前記基板上の第１の主面上に、金属材料からなる犠牲層を前記インク供給口の形成位置に対応して形成する工程と、
前記基板上の第１の主面上に、前記発熱抵抗体と前記回路素子とを電気的に接続するために配線層を形成する工程と、
前記基板を第１の主面とは反対側の第２の主面側からエッチング除去すると共に、前記犠牲層をエッチング除去して前記インク供給口を形成する工程と、
を有することを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記犠牲層は、アルミニウムを主体とした材料で形成されることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記犠牲層を形成する工程と、前記配線層を形成する工程と、は同時に行われ、前記犠牲層と前記配線層とは同一の材料で構成することを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記犠牲層は、前記基板に直接形成することを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記犠牲層上に絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記絶縁層の一部を除去し、前記犠牲層上に形成される前記絶縁層の膜厚を調整する工程を有することを特徴とする請求項５に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層は、酸化膜、窒化膜、及び樹脂膜から選ばれることを特徴とする請求項５に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記絶縁層の膜厚は、０．３μｍ以上であることを特徴とする請求項５に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェット方式の記録装置に利用されるインクジェット記録ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、オフィスにおけるカラー文書の普及はめざましく、そのための様々な出力機器が提案されている。そのなかで、小型化が可能であり、低価格なインクジェット方式は有力な記録方式として様々な出力機器に使用されている。
【０００３】
このようなインクジェット方式で用いられる記録ヘッドの製造方法は、ＬＳＩなどの半導体製造方法と同様にシリコンウエハーからなるＳｉ基板の表面にエッチング処理を行なう工程が基本となっている。
【０００４】
例えば、図７のようなインクジェット記録ヘッドの場合、図７のようにＳｉ基板１００の裏面からインク供給のためのインク供給口１４４を形成する必要があるが、このためには酸化膜あるいは窒化膜のマスクパターン１１０を予め形成し、ＫＯＨ（水酸化カリウム）、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）などの薬液で異方性エッチングを行ない、正確にインク供給口１０８を形成する。
【０００５】
工程の順序としては、Ｓｉ基板１００にヒータ１０２、その保護膜１０４、ノズル１０６を形成したのち、Ｓｉ基板１００の裏面側からインク供給口１０８を開口し、インク流路１１２を形成する。
【０００６】
このインク供給口１０８の位置、寸法は、Ｓｉ基板１００裏面のマスクパターン１１０で決定されることになるが、エッチングのばらつき、マスクパターン１１０のアライメントずれなどによりインク供給口１０８の開口寸法、位置が狙いの位置からずれてしまうことがあり、歩留まり低下の原因となる。
【０００７】
また、インレット供給口１０８が形成されると、エッチング液（ＴＭＡＨ，ＫＯＨなど）が、Ｓｉ基板１００表面（ヒータ１０２側）に回り込んで、エッチング液によるダメージが発生し、歩留まり低下の原因となる。
【０００８】
このような問題を改善するために、特開平１０−１８１１０３２号では、犠牲層と呼ぶ層をインレット開口（インク供給口）位置にあらかじめ着膜しておき、開口寸法が一定になる方法を提案している。
また、特開２００２−３３７３４７では、貫通孔（インク供給口）部分のシリコン基板表面に不純物を前もって導入（ダメージ層形成）し、貫通口の寸法制御をする方法を提案している。
また、特開２００３−１３６４９１では、貫通孔（インク供給口）部分に酸化膜、チッ化シリコン膜を形成し、貫通孔形成時の薬液廻り込みによる表面へのダメージを防ぐ方法を提案している。
また、特開２００３−１３６４９２では、貫通孔（インク供給口）部分に酸化膜を覆うようにチッ化シリコン膜を形成し、貫通孔形成時の薬液廻り込みによる表面へのダメージを防ぐ方法を提案している。
【０００９】
【特許文献１】特開平１０−１８１１０３２号
【特許文献２】特開２００２−３３７３４７
【特許文献３】特開２００３−１３６４９１
【特許文献４】特開２００３−１３６４９２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特開平１０−１８１１０３２で代表されるような、犠牲層としてＰｏｌｙ−Ｓｉを犠牲層にする方法は、改善方法としては良いが、その作製工程が非常に複雑になる。また、犠牲層上に着膜するパシベイション膜（絶縁膜）も、その後の工程で膜減りして、効果がなくなる恐れがある。以下、図を示しながら問題点を２点、説明する。
【００１１】
問題点１：図８は、通常のＰｏｌｙ−Ｓｉのプロセスを説明した工程図である。通常Ｐｏｌｙ−Ｓｉは、論理回路（ＬＯＧＩＣ）のゲート電極として使われる。
【００１２】
まず、図８（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１２０に薄い酸化膜１２２（ダメージ対策）と窒化膜１２４を着膜する。次に、図８（ｂ）に示すように、レジスト１２６を回転塗布する。次に、図８（ｃ）に示すように、レジスト１２６をマスクに、窒化膜１２４をエッチングし、所望のパターンを形成する。次に、図８（ｄ）に示すように、例えば１０００℃で酸化処理をおこない、フィールド酸化膜１２８を形成する。また、Ｓｉ基板１２０裏面には酸化膜１３０が形成される。その後、図８（ｅ）に示すように、ゲート酸化膜１３２、ゲート電極１３４としてＰｏｌｙ−Ｓｉを形成する。
【００１３】
このように、通常のＰｏｌｙ−Ｓｉは以上のように形成されるが、問題となるのは、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ下のゲート酸化膜１３２である。ゲート酸化膜１３２が存在すると、裏面側からシリコン基板を異方性エッチングすると、ゲート酸化膜１３２でエッチングがストップしてしまう。
【００１４】
したがって、特開平１０−１８１１０３２で使われるような犠牲層としてのＰｏｌｙ−Ｓｉは、ゲート電極１３４のＰｏｌｙ−Ｓｉとは別に形成しなければならない。工程が複雑となりコストアップにつながる。
【００１５】
問題点２：犠牲層としてＰｏｌｙ−Ｓｉを形成した後、後工程（ヒータ形成、配線形成など）で、Ｐｏｌｙ−Ｓｉが膜減りし、もしくは消失し犠牲層としての役割を果たさない場合があることである。
【００１６】
図９は、犠牲層としてＰｏｌｙ−Ｓｉを形成した後、後工程（ヒータ形成、配線形成など）で、Ｐｏｌｙ−Ｓｉが膜減りし、もしくは消失する様子を示す工程図である。
【００１７】
まず、図９（ａ）に示すように、論理回路やフィールド酸化膜１２８が形成されたＳｉ基板１２０上に、犠牲層１３６となるＰｏｌｙ−Ｓｉを形成したのち、層間絶縁膜１３８及び第１金属配線１４０を形成する。この第１金属配線１４０形成時のオーバーエッチングにより、層間絶縁膜１３８に膜減りが発生する。論理回路に使われうるゲート電極（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）は図示しない。層間絶縁膜１３８は一般に、０．８〜１．０μｍ、第１金属配線１４０形成時の膜減りは、最大０．２〜０．３μｍ程度である。
【００１８】
次に、図９（ｂ）に示すように、層間絶縁膜１４２を着膜、第１金属配線１４０のコンタクトホール１４４などの必要な部分のパターニングを行う。このとき、犠牲層１３６部分の層間絶縁膜１４２も除去して開口１４６を設けるが、その際のオーバーエッチングで、層間絶縁膜１３８も削りこまれる。
【００１９】
次に、図９（ｃ）に示すように、第２金属配線１４８、ヒータ１５０を着膜し、所望のパターニングを行う。このときのエッチングにより、犠牲層１３６上に形成された層間絶縁膜１３８は膜減りによりほぼなくなり、犠牲層１３６のＰｏｌｙ−Ｓｉまで削り込まれることとなる。
【００２０】
そして、図９（ｄ）に示すように、保護膜としてのＰ−ＳｉＮ膜１５２、Ｔａ膜１５４を着膜、パターニングするが、この時点で、犠牲層１３６としてのＰｏｌｙ−Ｓｉは完全に消失することになる。
【００２１】
このように犠牲層１３６としてのＰｏｌｙ−Ｓｉ消失を避けるには、犠牲層１３６上の層間絶縁膜１４２を開口せず（図９（ｂ）参照）に、工程を行うという方法もあるが、その場合、犠牲層１３６としてのＰｏｌｙ−Ｓｉ上の絶縁膜（層間絶縁膜）が最終的に厚くなりすぎ（この絶縁膜も最終的には除去しなければならない）、除去する場合、除去時間が延びる、エッチング手法によっては、別のパターンに異常がおきるなどの、二次障害が発生することになる。
【００２２】
従って、本発明は、前記従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明の目的は、犠牲層が消失せず、良好にインク供給口を形成可能なインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法は、
発熱抵抗体、前記発熱抵抗体を駆動するための回路素子、及びインク供給口を有する基板と、
前記基板の前記発熱抵抗体を有する第１の主面側に設けられ、インク吐出口を有するオリフィス体と、
を備えるインクジェット記録ヘッドの製造方法であり、
前記基板上の第１の主面上に、前記回路素子を形成する工程と、
前記基板上の第１の主面上に、金属材料からなる犠牲層を前記インク供給口の形成位置に対応して形成する工程と、
前記基板上の第１の主面上に、前記発熱抵抗体と前記回路素子とを電気的に接続するために配線層を形成する工程と、
前記基板を第１の主面とは反対側の第２の主面側からエッチング除去すると共に、前記犠牲層をエッチング除去して前記インク供給口を形成する工程と、
を有することを特徴としている。
【００２４】
本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法では、犠牲層を金属材料で構成するので、例えば、犠牲層上層に形成される絶縁層の膜厚調整に伴うエッチングや、絶縁層膜減りなどによって犠牲層が露出した場合でも、犠牲層が消失することがない。
【００２５】
本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法においては、前記犠牲層は、アルミニウムを主体とした材料で形成されることが好適である。また、前記犠牲層を形成する工程と、前記配線層を形成する工程と、は同時に行われ、前記犠牲層と前記配線層とは同一の材料で構成することが好適である。
【００２６】
犠牲層を、アルミニウムを主体とした材料で構成すると、犠牲層として消失することなく良好に機能する。そして、さらに、配線層と同時に同一材料で形成することで、工程数を削減し、低コスト化が図れる。
【００２７】
本発明のインクジェット記録ヘッドの記録方法において、前記犠牲層は、前記基板に直接形成することがよい。
【００２８】
犠牲層を、例えば絶縁膜などの他の膜を介さず直接基板に形成することで、インク供給口形成時において、第２の主面側（裏面側）からのエッチング除去が連続して犠牲層も除去されるので、犠牲層として良好に機能させることができる。なお、犠牲層と基板との間に他の膜が介在した場合、インク供給口形成時に当該他の膜でエッチングがストップしてしまい、工程数が増えてしまう。
【００２９】
本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法において、さらに、前記犠牲層上に絶縁層を形成する工程を有することができる。
【００３０】
例えば、配線層の層間絶縁膜などと共に、犠牲層上にも絶縁層を形成することで、当該絶縁層が犠牲層除去時のエッチングストッパー層として機能させることができる。
【００３１】
また、前記絶縁層の一部を除去し、前記犠牲層上に形成される前記絶縁層の膜厚を調整する工程を有していてもよい。
【００３２】
犠牲層上の絶縁層の一部を除去して、当該絶縁層を犠牲層除去時のエッチングストッパー層として機能させる最適な膜厚とすることで、犠牲層除去後の絶縁層除去する際の除去時間短縮、別のパターン異常防止を図ることができる。
【００３３】
また、前記絶縁層は、酸化膜、窒化膜、及び樹脂膜から選ぶことができる。また、犠牲層除去時のエッチングストッパー層として機能させるために、前記絶縁層の膜厚は、０．３μｍ以上であることが好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明について、図面を参照しつつ説明する。なお、実質的に同一の機能を有する部材には全図面通して同じ符合を付与して説明する。
【００３５】
（第１の実施形態）
図１〜３は、本発明の第１の実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【００３６】
本実施形態では、まず、図１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１０（＜１００＞基板、厚さ５５０μｍ）表面（第１の主面）に、論理回路作製プロセスを行い、後述するヒータ２６を駆動するための回路素子を形成する。なお、論理回路作製プロセスは、周知の半導体プロセスにて行われるため、本実施形態では省略する。但し、図中、素子分離層であるフィールド熱酸化膜１４（ＬＯＣＯＳ：Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）のみ図示する。
【００３７】
次に、Ｓｉ基板１０の表面側上に、層間絶縁膜１６（酸化膜）としてＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ−Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜を０．８μｍ着膜し、犠牲層１８の着膜位置などに所望のパターンで開口する。このとき、層間絶縁膜１６が残らないように、きちんと除去しておく。ここで、層間絶縁膜１６が薄く残っていると犠牲層１８が酸化膜を介してＳｉ基板１０上に形成されることとなり、インク供給口４２形成時におけるＳｉ基板１０裏面（第２の主面）からのエッチングに影響がでる。
【００３８】
次に、アルミニウム合金をスパッタ法により着膜し、ホトリソ工程、例えば塩素系ガスによるドライエッチング工程を順次施し、パターン化して第１金属配線２０（配線層）を形成する。このとき、同時に犠牲層１８も形成する。これにより、アルミニウムを主体とした材料で構成された犠牲層１８が、第１金属配線２０と同時に形成される。この犠牲層１８の厚みは、０．５〜１．０μｍであることがよい。
【００３９】
そして、図１（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板の表面側上に、層間絶縁膜２２としてＰ−ＳｉＯ／Ｐ−ＴＥＯＳの積層膜を１．０μｍ着膜し、ホトリソ工程、例えばフッ素系ガスによるドライエッチング工程を順次施し、第１金属配線２０へのコンタクトホール２４を形成する。
【００４０】
次に、図１（ｃ）に示すように、層間絶縁膜２２上に、例えば、ＴａＳｉＯをスパッタ法により着膜し、ホトリソ工程、例えばフッ素系ガスによりエッチング工程を順次行い、パターニングして、第１金属配線２０とコンタクトホール２４を通じて接続されたヒータ２６（発熱抵抗体）を形成する。そして、アルミニウム合金をスパッタ法により着膜し、ホトリソ工程、例えば塩素系ガスによるドライエッチング工程を順次施し、パターン化して、少なくともヒータ２６の発熱領域が開口するように第２金属配線２８（配線層）を形成する。
【００４１】
ここで、ヒータ２６、第２金属配線２８のパターニングの際、エッチングにより層間絶縁膜２２が膜削するが、０．２〜０．３μｍ程度であり、犠牲層１８上の層間絶縁膜２２の残膜は十分である。
【００４２】
次に、図１（ｄ）に示すように、第２金属配線２８及び露出したヒータ２６上に、ヒータ保護膜として、Ｐ−ＳｉＮ膜３０、Ｔａ膜３２を形成する。
【００４３】
次に、図２（ｅ）に示すように、Ｓｉ基板１０の裏面（第２の主面）に、Ｐ−ＣＶＤ法によりＰ−ＳｉＯ膜３４を１．０μｍ着膜する。一方、Ｓｉ基板１０の裏面（第２の主面）側上には、型材３６としてＰＭＧＩレジスト（ＭｉｃｒｏＣｈｅｍ社）を回転塗布法により形成し、さらに型材３６を覆うようにエポキシ系樹脂（ＳＵ−８、ＭｉｃｏｒＣｈｅｍ社）を回転塗布して、被覆樹脂層３８を形成する。ここで、型材３６としては、後工程で除去できるように、例えば、溶剤に対して溶解可能な樹脂が使用される。
【００４４】
次に、図２（ｆ）に示すように、Ｓｉ基板１０裏面に形成されたＰ−ＳｉＯ膜３４表面にレジストパターン（ＯＦＰＲ８００東京応化製：図示せず）を形成し、ＣＦ系ドライエッチング（ＡＭＪ製  Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  ５０００Ｅｔｃｈ）により、Ｐ−ＳｉＯ膜３４をパターニングして、マスクパターン４０を形成する。
【００４５】
次に、図３（ｇ）に示すように、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）液にＳｉ基板１０を浸漬して（８０℃、１５Ｈｒ）、裏面からＳｉ基板１０をエッチング除去してインク供給口４２を形成する。このとき、エッチングによりＳｉ基板１０を貫通した直後から、犠牲層１８もエッチング除去され、犠牲層１８上の層間絶縁膜２２によりエッチングがストップする。
【００４６】
そして、図３（ｈ）に示すように、Ｓｉ基板１０の裏面側から、犠牲層１８上に形成された層間絶縁膜２２をフッ酸にて除去して、インク供給口４２を完全に貫通させる。その後、被覆樹脂層３８にヒータ２６に対応したノズル４４（インク吐出口）を形成し、型材３６を有機溶剤にて除去してインク流路４７を形成すると共に、被覆樹脂層３８からなるオリフィスプレート４６（オリフィス体）を形成する。
【００４７】
このようにしてインクジェット記録ヘッドは作製される。
【００４８】
以上、説明したように、本実施形態では、犠牲層１８をアルミニウム合金で構成したため、たとえ犠牲層１８に形成された層間絶縁膜２２が膜減りなどによって犠牲層が露出した場合でも、犠牲層が消失することがなく、確実に犠牲層１８により寸法精度よくインク供給口４２が形成される。
【００４９】
また、本実施形態では、第１金属配線２０形成と同時に同一材料により犠牲層１８を形成しているため、工程数が削減され、低コスト化が図れる。
【００５０】
また、本実施形態では、犠牲層１８を、層間絶縁膜１６を介さずに直接、Ｓｉ基板１０上に形成しているので、インク供給口４２形成時に、Ｓｉ基板１０及び犠牲層１８を連続してエッチング除去可能であり、工程数が増加することなく、インク供給口４２を形成することができる。
【００５１】
また、インク供給口４２形成時、インク供給口４２がＳｉ基板１０を貫通した直後から、犠牲層１８がエッチング液（ＴＭＡＨ）によりエッチングされ、裏面だけでなく、表面からもエッチング液が廻り込み、エッチングが進行する場合があるが、本実施形態では、犠牲層１８上に形成された層間絶縁膜２２がエッチングストッパー層として機能し、エッチング液が他のパターンにダメージを与えることはない。
【００５２】
ここで、エッチングストッパー層として、犠牲層１８上に形成される絶縁層（本実施形態では層間絶縁膜２２）の厚さは、ピンホールが生じない程度、即ち０．３μｍ以上（好ましくは０．５〜１．０μｍ）であることがよい。但し、該絶縁層（本実施形態では層間絶縁膜２２）は、上述のように当該絶縁層が、ヒータ２６、第２金属配線のパターニングなどにおけるエッチングにより膜減りすることがあるため、インク供給口４２形成時にピンホールが生じない程度、即ち０．３μｍ以上（好ましくは０．５〜１．０μｍ）の厚さで残膜されるように形成することがよい。
【００５３】
（第２の実施形態）
図４〜６は、本発明の第２の実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【００５４】
本実施形態は、金属配線構造を３層構造にした形態でる。本実施形態では、図４（ａ）〜図４（ｂ）までは、第１の実施形態における図１（ａ）〜図１（ｂ）と同様に、第１金属配線２０、犠牲層１８、層間絶縁膜１６、２２、コンタクトホール２４などの形成が行われる。
【００５５】
次に、図４（ｃ）に示すように、層間絶縁膜２２上に、アルミニウム合金をスパッタ法により着膜し、ホトリソ工程、例えば塩素系ガスによるドライエッチング工程を順次施し、パターン化して第２金属配線２８（配線層）を形成する。そして、層間絶縁膜４８としてＰ−ＳｉＯ／Ｐ−ＴＥＯＳの積層膜を１．０μｍ着膜し、ホトリソ工程、例えばフッ素系ガスによるドライエッチング工程を順次施し、第２金属配線２８へのコンタクトホール５０を形成する。このとき、犠牲層１８上の層間絶縁膜４８もエッチング除去して開口５２を設ける。
【００５６】
次に、図４（ｄ）に示すように、層間絶縁膜４８上に、例えば、ＴａＳｉＯをスパッタ法により着膜し、ホトリソ工程、例えばフッ素系ガスによりエッチング工程を順次行い、パターニングして、第２金属配線２８とコンタクトホール５０を通じて接続されたヒータ２６（発熱抵抗体）を形成する。そして、アルミニウム合金をスパッタ法により着膜し、ホトリソ工程、例えば塩素系ガスによるドライエッチング工程を順次施し、パターン化して、少なくともヒータ２６の発熱領域が開口するように第３金属配線５４（配線層）を形成する。
【００５７】
この工程以降は、図４（ｅ）〜図６（ｉ）に示すように、上記第１の実施形態における図１（ｄ）〜図３（ｈ）と同様に行い、インクジェット記録ヘッドを作製する。
【００５８】
以上、説明したように、本実施形態では、犠牲層１８上には、層間絶縁膜２２、４８の２層の絶縁層が形成されることとなり、犠牲層１８のエッチングスットパー層としては厚くなりすぎてしまうため、犠牲層１８上に形成された絶縁層の一部（本実施形態では層間絶縁膜４８）を除去して、膜厚を調整している。このため、犠牲層１８除去後の絶縁層除去する際の除去時間短縮、別のパターン異常防止を図れる。
【００５９】
そして、たとえ、このエッチング除去においてオーバーエッチングにより犠牲層１８が露出したとしても、犠牲層１８を金属材料（本実施形態ではアルミニウム合金）で構成しているため、消失することもない。
【００６０】
なお、上記何れの実施形態では、犠牲層をアルミニウム合金で構成した形態を説明したが、これに限られず、例えば、Ｔａ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｗなどの合金で構成されていてもよい。
【００６１】
また、本実施形態では、第１金属配線形成と共に犠牲層を形成した形態を説明したが、これに限られず、金属配線を多層構造にする場合、例えば、第２金属配線形成時、第３金属配線形成時に犠牲層を形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図７】従来のインクジェット記録ヘッドの構成を示す概略断面図である。
【図８】通常のＰｏｌｙ−Ｓｉのプロセスを説明した工程図である。
【図９】犠牲層としてＰｏｌｙ−Ｓｉを形成した後、後工程（ヒータ形成、配線形成など）で、Ｐｏｌｙ−Ｓｉが膜減りし、もしくは消失する様子を示す工程図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０   基板
１４   フィールド熱酸化膜
１６   層間絶縁膜
１８   犠牲層
２０   第１金属配線（配線層）
２２   層間絶縁膜（絶縁層）
２４   コンタクトホール
２６   ヒータ
２８   第２金属配線（配線層）
３０   Ｐ−ＳｉＮ膜
３２   Ｔａ膜
３４   Ｐ−ＳｉＯ膜
３６   型材
３８   被覆樹脂層
４０   マスクパターン
４２   インク供給口
４４   ノズル（インク吐出口）
４６   オリフィスプレート（オリフィス体）
４７   インク流路
４８   層間絶縁膜
５０   コンタクトホール
５２   開口
５４   第３金属配線
【図１】
2005144850.tif 000003
【図２】
2005144850.tif 000004
【図３】
2005144850.tif 000005
【図４】
2005144850.tif 000006
【図５】
2005144850.tif 000007
【図６】
2005144850.tif 000008
【図７】
2005144850.tif 000009
【図８】
2005144850.tif 000010
【図９】
2005144850.tif 000011