(57)【要約】【課題】  光吸収量の確保とキャリア移動距離の短縮とを同時に達成して、出力を向上させた裏面電極型光起電力素子を提供する。【解決手段】  半導体基板に作り込んだ裏面電極型光起電力素子において、半導体基板の裏面は複数の尾根が谷を挟んで平行に並んだ形の凹凸面から成り、個々の尾根の両斜面は受光面に対して傾斜しており、該両斜面を成す半導体にはそれぞれ正キャリア収集層および負キャリア収集層が形成され、各キャリア収集層は該両斜面の外側に設けた対応する極性の電極にそれぞれ接続しており、かつ、谷を挟んで向き合う隣接の尾根斜面にある電極同士は逆極性であって、該谷が絶縁材料で埋められていることを特徴とする。【選択図】      図１
2005123510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に作り込んだ裏面電極型光起電力素子において、
半導体基板の裏面は複数の尾根が谷を挟んで平行に並んだ形の凹凸面から成り、個々の尾根の両斜面は受光面に対して傾斜しており、該両斜面を成す半導体にはそれぞれ正キャリア収集層および負キャリア収集層が形成され、各キャリア収集層は該両斜面の外側に設けた対応する極性の電極にそれぞれ接続しており、かつ、
谷を挟んで向き合う隣接の尾根斜面にある電極同士は逆極性であって、該谷が絶縁材料で埋められていることを特徴とする裏面電極型光起電力素子。
【請求項２】
半導体基板に作り込んだ裏面電極型光起電力素子において、
半導体基板の裏面は複数の尾根が谷を挟んで平行に並んだ形の凹凸面から成り、個々の尾根の両斜面は受光面に対して傾斜しており、該両斜面を成す半導体にはそれぞれ正キャリア収集層および負キャリア収集層が形成され、各キャリア収集層は該両斜面の外側に設けた対応する極性の電極にそれぞれ接続しており、かつ、
谷を挟んで向き合う隣接の尾根斜面にある電極同士は同極性であって、該谷が導電材料で埋められていることを特徴とする裏面電極型光起電力素子。
【請求項３】
請求項１または２において、上記裏面の凹凸を成す尾根の両斜面が受光面まで延在することを特徴とする裏面電極型光起電力素子。
【請求項４】
半導体に作り込んだ裏面電極型光起電力素子において、
光透過性フレキシブル基板面に受光面である底面を接合された尾根状の複数個の単位セルが谷を挟んで平行に並んで凹凸状の素子裏面を成し、かつ
該単位セルは、尾根の両斜面が該受光面に対して傾斜しており、該両斜面を成す半導体にはそれぞれ正キャリア収集層および負キャリア収集層が形成され、各キャリア収集層は該両斜面の外側に設けた対応する極性の電極にそれぞれ接続していることを特徴とする裏面電極型光起電力素子。
【請求項５】
請求項４において、谷を挟んで向き合った隣接する尾根斜面にある電極同士は逆極性であって、該光透過性フレキシブル基板を外側にして該尾根から成る凹凸状の素子裏面を内側に巻き回して柱状体とし、巻始め端部と巻終わり端部とが出会う隣接の電極同士は相互に絶縁して正負の出力端子とし、他の隣接する電極同士は直接接触させて電気的に接続させたことを特徴とする裏面電極型光起電力素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板に作り込んだ裏面電極型光起電力素子の出力向上に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体に作り込んだ従来の裏面電極型光起電力素子の構造を図７に示す。入射光Ｌに対して光吸収部として機能するｐ型またはｎ型の半導体基板１の裏面領域に形成した正キャリア収集部（ｐ＋型半導体層）２と負キャリア収集部（ｎ＋型半導体層）３がそれぞれ正電極４と負電極５に接続している。半導体基板１の裏面は、キャリア収集部２、３と電極４、５との接続部以外は表面保護膜（絶縁膜）６で被覆されている。半導体基板１の受光面も裏面と同じ表面保護膜（絶縁膜）６で被覆され、更にその外側が反射防止膜７で被覆されている。
【０００３】
図示した従来の裏面電極型光起電力素子は、光透過性の無い電極を受光面側に設けないことにより最大限の受光量を確保できるという利点があるが、その反面、半導体内、特に受光面近傍で発生したキャリアが裏面のキャリア収集層／電極に至るまでの平均移動距離が長いため、再結合損失が大きくなるという欠点がある。
【０００４】
従来構造でも基板厚さは既に１００〜２００μｍ程度の薄さであるが、素子出力を向上させるためには、更に基板を薄くしてキャリア移動距離を短縮することにより再結合損失を低減することが望まれる。しかし、基板を薄くすると光吸収量も機械的強度も不可避的に低下してしまう。
【０００５】
更に、光吸収量を向上させる手段として、図８に示すように受光面に凹凸状のテクスチャーを設けて光閉じ込め効果を利用することも知られている。しかし、凹凸状のテクスチャーの存在は機械的強度を低下させるため、基板を薄くすることと併用はできない。
このように、従来は光吸収量の低下を防止すると同時に、キャリア発生量の多い受光面近傍へキャリア収集部を近づけることができなかった。
【０００６】
例えば、特許文献１（特開平１０−２２９２１０号公報）には、ｎ＋層とｐ＋層が交互に形成されたシリコン基板の太陽電池において、ｎ＋層がＶ字状になっており、その裏面に電極を設けた構造が開示されている。これにより、小数キャリアである電子がｎ＋層（負電極に接続）に収集されるまでの平均移動距離を短縮すると同時に負電極の面積も増大して抵抗を低減し、光電変換効率を向上させる。しかし、正孔がｐ＋層（正電極に接続）に収集されるまでの平均移動距離の短縮については考慮されていない。
【０００７】
特許文献２（特開２００１−４４４７０号公報）には、ｎ層およびｐ＋層がテクスチャ構造に形成されている太陽電池が開示されている。しかし、光吸収量の確保はできるが、テクスチャー構造に特有の上記問題が避けられないし、半導体内で発生したキャリアの平均移動距離の短縮については何ら考慮されていない。
【０００８】
特許文献３（特開２００２−２６０７４６号公報）には、光の入射角が３０〜８０°となるように光電極が傾斜した構造の太陽電池が開示されている。これにより半導体内での光路長増加により光吸収量を向上させる。しかし、半導体内で発生したキャリアの平均移動距離の短縮については何ら考慮されていない。
【０００９】
特許文献４（特開平１１−１９１６３２号公報）には、透光性基板上にテクスチャー構造の電極を取り付け、光の有効利用を図ることが開示されている。これも、光吸収量の確保はできるが、テクスチャー構造に特有の前記問題が避けられないし、半導体内で発生したキャリアの平均移動距離の短縮については何ら考慮されていない。
【００１０】
【特許文献１】特開平１０−２２９２１０号公報（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開２００１−４４４７０号公報（特許請求の範囲）
【特許文献３】特開２００２−２６０７４６号公報（特許請求の範囲）
【特許文献４】特開平１１−１９１６３２号公報（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、光吸収量の確保とキャリア移動距離の短縮とを同時に達成して、出力を向上させた裏面電極型光起電力素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
第１発明によれば、半導体基板に作り込んだ裏面電極型光起電力素子において、
半導体基板の裏面は複数の尾根が谷を挟んで平行に並んだ形の凹凸面から成り、個々の尾根の両斜面は受光面に対して傾斜しており、該両斜面を成す半導体にはそれぞれ正キャリア収集層および負キャリア収集層が形成され、各キャリア収集層は該両斜面の外側に設けた対応する極性の電極にそれぞれ接続しており、かつ、
谷を挟んで向き合う隣接の尾根斜面にある電極同士は逆極性であって、該谷が絶縁材料で埋められていることを特徴とする。
【００１３】
第２発明によれば、半導体基板に作り込んだ裏面電極型光起電力素子において、
半導体基板の裏面は複数の尾根が谷を挟んで平行に並んだ形の凹凸面から成り、個々の尾根の両斜面は受光面に対して傾斜しており、該両斜面を成す半導体にはそれぞれ正キャリア収集層および負キャリア収集層が形成され、各キャリア収集層は該両斜面の外側に設けた対応する極性の電極にそれぞれ接続しており、かつ、
谷を挟んで向き合う隣接の尾根斜面にある電極同士は同極性であって、該谷が導電材料で埋められていることを特徴とする裏面電極型光起電力素子。
【００１４】
第１発明および第２発明においては、上記裏面の凹凸を成す尾根の両斜面が受光面まで延在することが最も望ましい。これにより、素子を構成する半導体の厚さ全体に渡ってキャリア発生部からキャリア収集層（電極に接続）までの距離を短縮できる。
【００１５】
第３発明によれば、半導体に作り込んだ裏面電極型光起電力素子において、
光透過性フレキシブル基板面に受光面である底面を接合された尾根状の複数個の単位セルが谷を挟んで平行に並んで凹凸状の素子裏面を成し、かつ
該単位セルは、尾根の両斜面が該受光面に対して傾斜しており、該両斜面を成す半導体にはそれぞれ正キャリア収集層および負キャリア収集層が形成され、各キャリア収集層は該両斜面の外側に設けた対応する極性の電極にそれぞれ接続していることを特徴とする。
【００１６】
第３発明の光起電力素子の特別な形態として、谷を挟んで向き合った隣接する尾根斜面にある電極同士は逆極性であって、該光透過性フレキシブル基板を外側にして該尾根から成る凹凸状の素子裏面を内側に巻き回して柱状体とし、巻始め端部と巻終わり端部とが出会う隣接の電極同士は相互に絶縁して正負の出力端子とし、他の隣接する電極同士は直接接触させて電気的に接続させたことを特徴とする裏面電極型光起電力素子が提供される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、光を吸収してキャリアを発生させる半導体領域を尾根形状としたことにより、光路長が確保されるので光吸収量すなわちキャリア発生量を高レベルに確保できるし、同時に、尾根形状の半導体領域で発生した正負両方のキャリアが直近にある尾根両斜面のキャリア収集部まで短距離で移動できるので再結合損失が低減でき、その結果、素子出力が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
〔実施例１〕
図１に、第１発明の望ましい形態による裏面電極型光起電力素子の一例を示す。
図示の光起電力素子１００は、入射光Ｌに対して光吸収部として機能するｐ型またはｎ型の半導体１０１に作りこまれた４個の尾根状単位セルが、絶縁材料１０８で埋め込まれた谷を挟んで平行に配置されて構成されている。単位セルは、尾根状の半導体１０１の中央部（光吸収部）と、半導体１０１の尾根斜面内部に形成されたキャリア収集部１０２および１０３と、半導体１０１の尾根斜面外部に形成された正負の電極１０４および１０５と、表面保護膜（絶縁層）１０６と、受光面側の表面保護膜１０６上に形成された反射防止膜１０７とで構成される。
【００１９】
個々の単位セルにおいて、半導体１０１自体が尾根状の断面形状を有しており、尾根の底面である受光面Ｉ（図中の上面）が素子１００の受光面の一部を成し、尾根の両斜面内側の半導体１０１にそれぞれ形成された正キャリア収集層（ｐ＋型半導体層）１０２および負キャリア収集層（ｎ＋型半導体層）１０３が、各斜面外側の正電極１０４および負電極１０５と接続している。この接続部以外では各斜面は表面保護膜（絶縁層）１０６で被覆されている。受光面は、表面保護膜１０６の上に更に反射防止膜１０７が被覆されている。正キャリア収集層（ｐ＋型半導体層）１０２および負キャリア収集層（ｎ＋型半導体層）１０３は、光吸収部のｐ型またはｎ型半導体１０１よりもキャリア濃度が高い。
【００２０】
谷を挟んで向き合う隣接の尾根斜面にある電極１０４と１０５は互いに逆極性であり、谷は絶縁材料１０８で埋められている。正電極１０４と負電極１０５から素子出力を取り出す。
【００２１】
光吸収により半導体１０１内で発生したキャリアは、直近の斜面にあるキャリア収集部１０２、１０３で収集されるので、素子裏面にキャリア収集部を設けた従来構造に比べてキャリアの平均移動距離が大幅に短縮されるため、キャリア再結合による損失が顕著に低減する。
【００２２】
同時に、光吸収部である半導体１０１内で入射光は斜面で多重反射するので、半導体１０１内での光路長が増大し、光吸収量が増大する。
【００２３】
このように、光吸収量の確保とキャリア移動距離の短縮とが同時に達成され、素子出力が向上する。
【００２４】
隣接する尾根の向き合う斜面にある逆極性の電極間の谷を絶縁材料で埋めたことにより、素子全体としての機械的強度を確保できる。
【００２５】
本実施例による光起電力素子１００を構成する材質の具体例を下記に示す。
光吸収部１０１              ：p型Si層（5×10１３cm−３、三角形断面の尾根底面〔図中の上面〕から頂点〔図中の下端〕までの高さ150μm)
正孔収集部１０２            ：p+型Si層（1×10１９cm−３、拡散深さ1μm)
電子収集部１０３            ：n+型Si層（1×10１９cm−３、拡散深さ1μm)
正電極１０４                ：Al（膜厚2μm）
負電極１０５                ：Al（膜厚2μm）
表面保護膜１０６            ：SiO２（膜厚 0.3μm(斜面)、10nm(受光面))
反射防止膜１０７            ：MgF２/ZnS二層膜（膜厚110nm/50nm)
絶縁材料（埋め込み層）１０８：ポリイミド樹脂（三角形断面の尾根底面〔図中の上面〕から頂点〔図中の下端〕までの高さ150μm）
【００２６】
なお、本実施例では半導体材料としてＳｉを用いた場合を示したが、これに限定する必要はなく、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、Ｃ等を用いても同様な効果が得られる。
【００２７】
〔実施例２〕
図２に、第２発明の望ましい形態による裏面電極型光起電力素子の一例を示す。
図示の光起電力素子２００は、入射光Ｌに対して光吸収部として機能するｐ型またはｎ型の半導体２０１に作りこまれた４個の尾根状単位セルが谷を挟んで平行に配置されて構成されている。単位セルは、尾根状の半導体２０１の中央部（光吸収部）と、半導体２０１の尾根斜面内部に形成されたキャリア収集部２０２および２０３と、半導体２０１の尾根斜面外部に形成された正負の電極２０４および２０５と、表面保護膜（絶縁層）２０６と、受光面側の表面保護膜２０６上に形成された反射防止膜２０７とで構成される。
【００２８】
個々の単位セルにおいて、半導体２０１自体が尾根状の断面形状を有しており、尾根の底面である受光面Ｉ（図中の上面）が素子２００の受光面の一部を成し、尾根の両斜面内側の半導体２０１にそれぞれ形成された正キャリア収集層（ｐ＋型半導体層）２０２および負キャリア収集層（ｎ＋型半導体層）２０３が、各斜面外側の正電極２０４および負電極２０５と接続している。この接続部以外では各斜面は表面保護膜（絶縁層）２０６で被覆されている。受光面は、表面保護膜２０６の上に更に反射防止膜２０７が被覆されている。
【００２９】
正キャリア収集層（ｐ＋型半導体層）２０２および負キャリア収集層（ｎ＋型半導体層）２０３は、光吸収部のｐ型またはｎ型半導体２０１よりもキャリア濃度が高い。
【００３０】
この実施例では、谷を挟んで対面する隣接単位セルのキャリア収集部は同じ導電型であり、したがって各キャリア収集部に接続する電極は同極性であり、谷を埋める導電材料が隣接単位セルの同極性電極を同時に構成している。正電極２０４と負電極２０５から素子出力を取り出す。
【００３１】
光吸収により半導体２０１内で発生したキャリアは、直近の斜面にあるキャリア収集部２０２、２０３で収集されるので、素子裏面にキャリア収集部を設けた従来構造に比べてキャリアの平均移動距離が大幅に短縮されるため、キャリア再結合による損失が顕著に低減する。
【００３２】
同時に、光吸収部である半導体２０１内で入射光は斜面で多重反射するので、半導体２０１内での光路長が増大し、光吸収量が増大する。
【００３３】
このように、光吸収量の確保とキャリア移動距離の短縮とが同時に達成され、素子出力が向上する。
【００３４】
隣接する尾根の向き合う斜面にある同極性の電極間の谷を、共通の電極材料としての導電材料で埋めたことにより、素子全体としての機械的強度を確保できる。
【００３５】
本実施例の特徴として、谷を埋める導電材料により電極の断面積が大きくなり、抵抗損失が低減される。
【００３６】
本実施例による光起電力素子２００を構成する材質の具体例を下記に示す。
光吸収部２０１              ：n型Si層（1×10１4cm−３、三角形断面の尾根底面〔図中の上面〕から頂点〔図中の下端〕までの高さ200μm)
正孔収集部２０２            ：p+型Si層（1×10１９cm−３、拡散深さ1μm)
電子収集部２０３            ：n+型Si層（1×10１９cm−３、拡散深さ1μm)
正電極２０４                ：Al（三角形断面の尾根底面〔図中の上面〕から頂点〔図中の下端〕までの高さ200μm）
負電極２０５                ：Al（三角形断面の尾根底面〔図中の上面〕から頂点〔図中の下端〕までの高さ200μm）
表面保護膜２０６            ：SiO２（膜厚 0.3μm(斜面)、10nm(受光面))
反射防止膜２０７            ：MgF２/ZnS二層膜（膜厚110nm/50nm)
【００３７】
なお、本実施例では半導体材料としてＳｉを用いた場合を示したが、これに限定する必要はなく、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、Ｃ等を用いても同様な効果が得られる。
【００３８】
〔実施例３〕
図３に、第３発明の望ましい形態による裏面電極型光起電力素子の一例を示す。
図示の光起電力素子３００は、入射光Ｌに対して光吸収部として機能するｐ型またはｎ型の半導体３０１に作りこまれた４個の尾根状単位セルが、各々その受光面である尾根底面（図中の上面）を光透過性フレキシブル基板３０８に接合され、相互に谷を挟んで平行に配置されて構成されている。単位セルは、尾根状の半導体３０１の中央部（光吸収部）と、半導体３０１の尾根斜面内部に形成されたキャリア収集部３０２および３０３と、半導体３０１の尾根斜面外部に形成された正負の電極３０４および３０５と、表面保護膜（絶縁層）３０６と、受光面側の表面保護膜３０６上に形成された反射防止膜３０７とで構成される。
【００３９】
個々の単位セルにおいて、半導体３０１自体が尾根状の断面形状を有しており、尾根の底面である受光面Ｉ（図中の上面）が素子３００の受光面の一部を成し、尾根の両斜面内側の半導体３０１にそれぞれ形成された正キャリア収集層（ｐ＋型半導体層）３０２および負キャリア収集層（ｎ＋型半導体層）３０３が、各斜面外側の正電極３０４および負電極３０５と接続している。この接続部以外では各斜面は表面保護膜（絶縁層）３０６で被覆されている。受光面は、表面保護膜３０６の上に更に反射防止膜３０７が被覆されている。正キャリア収集層（ｐ＋型半導体層）３０２および負キャリア収集層（ｎ＋型半導体層）３０３は、光吸収部のｐ型またはｎ型半導体３０１よりもキャリア濃度が高い。
【００４０】
谷を挟んで向き合う隣接の尾根斜面にある電極３０４と３０５は互いに逆極性であり、谷は空隙になっている。正電極３０４と負電極３０５から素子出力を取り出す。
【００４１】
光吸収により半導体３０１内で発生したキャリアは、直近の斜面にあるキャリア収集部３０２、３０３で収集されるので、素子裏面にキャリア収集部を設けた従来構造に比べてキャリアの平均移動距離が大幅に短縮されるため、キャリア再結合による損失が顕著に低減する。
【００４２】
同時に、光吸収部である半導体３０１内で入射光は斜面で多重反射するので、半導体３０１内での光路長が増大し、光吸収量が増大する。
【００４３】
このように、光吸収量の確保とキャリア移動距離の短縮とが同時に達成され、素子出力が向上する。
【００４４】
本実施例の特徴として、単位セルの受光面を光透過性フレキシブル基板に接着し且つ単位セル間は空隙として残したことにより、素子全体としての機械的強度を確保すると同時にセル性能を損なうことなく素子全体を湾曲させることができるので、素子の設置場所の自由度が向上する。
【００４５】
本実施例による光起電力素子３００を構成する材質の具体例を下記に示す。
光吸収部３０１                ：n型Ge層（1×10１5cm−３、三角形断面の尾根底面〔図中の上面〕から頂点〔図中の下端〕までの高さ200μm)
正孔収集部３０２              ：p+型Ge層（1×10１９cm−３、拡散深さ1μm)
電子収集部３０３              ：n+型Ge層（1×10１９cm−３、拡散深さ1μm)
正電極３０４                  ：Al（膜厚2μm）
負電極３０５                  ：Al（膜厚2μm）
表面保護膜３０６              ：SiNX（膜厚 0.3μm(斜面)、10nm(受光面))
反射防止膜３０７              ：SiO2/TiO2二層膜（膜厚100nm/60nm)
光透過性フレキシブル基板３０８：プラスチック基板（厚さ300μm）
【００４６】
なお、本実施例では半導体材料としてＧｅを用いた場合を示したが、これに限定する必要はなく、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、Ｃ等を用いても同様な効果が得られる。
【００４７】
〔実施例４〕
図４に示す光起電力素子モジュール４００は、図３に示した実施例３の光起電力素子を、光透過性フレキシブル基板３０８を外側にして、尾根３０１から成る凹凸状の素子裏面を内側に巻き込んで柱状体とした構造である。巻始め端部と巻終わり端部とが出会う隣接の電極４０４と４０５とは絶縁膜４１０で相互に絶縁して正負の出力端子とし、他の隣接する電極同士は直接接触させて電気的に直列接続させてある。ここで電極４０４、４０５はそれぞれ図３の正電極３０４、負電極３０５である。
【００４８】
本実施例により得られる柱状のモジュールは、両端面に垂直な方向以外からの入射光で出力が得られる点が特徴である。
【００４９】
以上説明した各実施例では、半導体材料に作り込んだ単位セルの断面形状を三角形としたが、これに限定する必要はない。例えば、図５に示すように、（ａ）半円形や（ｂ）三角形と部分円の組合せ等であっても同様な効果が得られる。
【００５０】
また、斜面で反射した光の光路を長くするために、斜面の傾斜は受光面に対して４５度以上で、９０度より小さい角度であることが望ましい。例えば図６に示すように、θ＜４５度である（ａ）の場合は、尾根状断面を持つ単位セルの受光面Ｉから入った入射光Ｌの一部は、両斜面Ｓ１、Ｓ２のうちの一方（図ではＳ１）で反射しただけで一次反射光Ｌ１として単位セル外へ出て行く。これに対して、４５度≦θ＜９０度である（ｂ）の場合は、尾根状断面を持つ単位セルに受光面Ｉから入った入射光Ｌの全ては、両斜面Ｓ１、Ｓ２のうちの一方の斜面Ｓ１で反射した一次反射光Ｌ１は更に他方の斜面Ｓ２で反射して二次反射光Ｌ２となり、更に再び斜面Ｓ１で反射して三次反射光Ｌ３となるというように両斜面で少なくとも１回以上反射した後に単位セル外へ出て行く。
すなわち、図６(ａ）のように、受光面に対する傾斜角θ＜４５度の場合は、斜面での反射光のうち対向する斜面に到達する前に外部に出て行ってしまう光が存在するため、それらの反射光は半導体内での光路が短くなってしまう。これに対して、図６（ｂ）のように、傾斜角θが４５度≦θ＜９０度であれば、斜面での反射光が少なくとも１回以上両斜面のうちの一方で反射した後に半導体外部に出て行くため全ての反射光の光路を長く確保できる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明によれば、光吸収量の確保とキャリア移動距離の短縮とを同時に達成して、出力を向上させた裏面電極型光起電力素子が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】図１は、第１発明の望ましい形態により裏面電極型光起電力素子の構造例を示す断面図である。
【図２】図２は、第２発明の望ましい形態により裏面電極型光起電力素子の構造例を示す断面図である。
【図３】図３は、第３発明の望ましい形態により裏面電極型光起電力素子の構造例を示す断面図である。
【図４】図４は、図３の光起電力素子を巻き回した柱状の光起電力素子の構造例を示す（ａ）斜視図および（ｂ）正面図である。
【図５】図５は、本発明の光起電力素子を構成する尾根状単位セルの三角形以外の断面形状を示す断面図であり、（ａ）は半円形、（ｂ）は三角形と部分円との組合せを示す。
【図６】図６は、本発明の光起電力素子を構成する尾根状単位セルの斜面角度θが（ａ）θ＜４５度の場合および（ｂ）４５度≦θ＜９０度の場合について、それぞれ反射光の向きを示す断面図である。
【図７】図７は、従来の裏面電極型光起電力素子の基本構造を示す断面図である。
【図８】図８は、従来の裏面電極型光起電力素子において受光面にテクスチャーを形成した構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１００、２００、３００、４００…本発明の裏面電極型光起電力素子
１０１、２０２、３０１…光吸収部（半導体）
１０２、２０２、３０２…正キャリア収集部
１０３、２０３、３０３…負キャリア収集部
１０４、２０４、３０４…正電極
１０５、２０５、３０５…負電極
１０６、２０６、３０６…表面保護膜（絶縁層）
１０７、２０７、３０７…反射防止膜
１０８…絶縁材料
３０８…光透過性フレキシブル基板
Ｉ…受光面
Ｌ…入射光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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