(57)【要約】【課題】欠陥の存在を許容して露光用マスクの品質管理をする場合に、手間をかけず確実に、各露光用マスクの欠陥位置を正確に管理でき、また生産性を阻害してしまうことのない露光用マスクの品質管理システムを提供する。【解決手段】マスクハウスで形成され検査して出荷された露光用マスクを、第１、第２の受入検査の検査を経て生産ラインに投入、使用する過程でのものであって、それぞれの過程で実施された露光用マスクの欠陥検査及び該露光用マスクにより転写が行われたウェハの欠陥検査の欠陥を座標で表した各検査結果をそれぞれ記憶保持する手段と、記憶保持する手段に保持された各検査結果を突合わせ比較して判定する手段を備えた比較判定ステーションＳＴの各比較判定部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５から、異なる過程間の対応する検査結果を比較出力する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク製造部門で形成され検査して出荷された露光用マスクを、受入検査部門の検査を経てウェハ製造部門で使用する過程での露光用マスクの品質管理システムであって、前記各部門のそれぞれで実施された前記露光用マスクの検査及び該露光用マスクにより転写が行われたウェハの検査の各検査データをそれぞれ記憶保持する手段と、前記記憶保持する手段に保持された各検査データを突合わせ比較する手段とを有すると共に、前記突合わせ比較する手段が、異なる前記部門間の対応する検査データを比較し出力するものであることを特徴とする露光用マスクの品質管理システム。
【請求項２】
マスク製造部門で形成され検査して出荷された露光用マスクを、受入検査部門の検査を経てウェハ製造部門で使用する過程での露光用マスクの品質管理システムであって、前記各部門のそれぞれで実施された前記露光用マスクの検査及び該露光用マスクにより転写が行われたウェハの検査の各検査データをそれぞれ記憶保持する手段と、前記記憶保持する手段に保持された各検査データを突合わせ比較する手段とを有すると共に、前記突合わせ比較する手段が、異なる前記部門間の対応する検査データの比較に際し、先行する部門からの増加分のみを比較し出力するものであることを特徴とする露光用マスクの品質管理システム。
【請求項３】
前記突合わせ比較する手段による出力が、画像によってなされたものであることを特徴とする請求項２記載の露光用マスクの品質管理システム。
【請求項４】
前記突合わせ比較する手段による出力が、予め設定したものを抜出し出力したものであることを特徴とする請求項２記載の露光用マスクの品質管理システム。
【請求項５】
前記各検査データが、前記露光用マスク及びウェハの欠陥を座標で表したものであることを特徴とする請求項２記載の露光用マスクの品質管理システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光用マスクの品質管理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えば半導体装置の製造に用いる露光用のマスクについて、その許容欠陥の管理についてみると、マスク製造工程で製造中のマスクに欠陥が生じ、修正による復元が不可能となった場合、そのマスクは廃却される。しかし、半導体メモリデバイスにおけるリダンダンシ救済のように、設計上である程度の欠陥を許容できる構造となっている場合、あるいは、その他のロジックなどのデバイスでも、欠陥発生個所が配線の存在しないエリアである場合や欠陥が微小である場合には、マスク上の修復不可能な欠陥であっても、これを許容する場合もある。
【０００３】
この修復不可能な欠陥であっても、これを許容するという措置は、デバイスの品質上、あるいは歩留上では問題を起こすものではないが、ウェハプロセスにおける露光用のマスクの品質管理という観点では、次のような問題をもっている。
【０００４】
（１）露光用マスク受入検査
露光用マスクは、例えば外部のマスクハウスで描画データをもとに形成された後、半導体装置の製造部門である工場に出荷され、工場での受入検査等を経て半導体装置の製造現場に投入される。そして工場での露光用マスクの受入検査では、「欠陥がないこと」を判定条件として検査される。しかし、上記の措置を取った場合には、受入検査で検出された欠陥がはたして事前に許容された欠陥であるか、あるいは新たに検出されたものなのかを判定する必要が、新たに生じる。そして、この判定をするには、欠陥座標のミクロンレベルでの突き合わせという精度を要する作業が必要で、迅速性を要求される製造現場で人間が行うと、生産性を著しく阻害し、また見逃しの危険度も高い。
【０００５】
（２）露光用マスク定期ＱＣ
また露光用マスクは、定期的に実施される露光用マスク定期ＱＣにおいて欠陥の有無等の検査が行われる。そして、このときの検査でも、同じく「欠陥がないこと」を判定条件としての検査が繰り返されることになる。このため、受入検査の場合と同様の問題があり、さらに製造現場マスク総数の多さを考えた場合には、上記の措置は現実的ではない。にある
（３）欠陥判定
さらに、上記の（１）露光用マスク受入検査、（２）露光用マスク定期ＱＣにおける欠陥判定については、次のような問題を有している。すなわち、
（ａ）検出された欠陥が同一欠陥であるか否かの判定には、ミクロンレベルの座標突合わせが必要で、人間系では困難である。
【０００６】
（ｂ）欠陥の位置が回路的に致命的か否かの判定は、検査中の単層だけでは判定できず、レイアウト設計情報との突合わせが必要である。例えば、ある欠陥の位置が、ＤＴレイヤ（Ｄｅｅｐ  Ｔｒｅｎｃｈを形成するためのマスク）ではセル領域から離れているから問題ないと判定したとしても、ＧＴレイヤ（Ｇａｔｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒを形成するためのマスク）では配線上に位置するため問題であるといったことが生じる。
【０００７】
（４）マスクセット管理
半導体集積回路では、多層回路を実現するために、一つの製品に複数の露光用マスク、例えば２５回の露光を行うものでは２５枚の露光用マスクをマスクセットとして使用する。上記措置のように欠陥の存在を許容する場合、露光用マスク１枚の同一チップ内に許容できる欠陥数を規定する。欠陥が複数の露光用マスクに存在する場合、それらが同一チップに存在するとリダンダンシを過剰に消費して、製品品質を劣化させる。従って、一つのマスクセットを組み上げるとき、各露光用マスクの有する欠陥の位置を正確に管理する必要があるが、これは現状では著しく困難である。
【０００８】
一方、露光用マスクにおける転写性の分析について見た場合、露光用マスクに存在する全ての欠陥がウェハに転写するわけではなく、どのような欠陥が転写するのかという転写性の分析は、マスク製造プロセス管理においては不可欠である。また転写性の分析のためには、ウェハプロセスで発見した露光用マスク起因の欠陥情報を、マスク製造プロセスで検出した欠陥情報と効率よく照合することが必要である。しかしながら、マスク製造プロセスとウェハプロセスとは、例えば別会社であったり、離れた別工場であったりして情報伝達の時間と精度に問題がある。また、不具合マスクの欠陥データ（座標、画像など）の収集、管理に多大な時間を割かなければならないといった問題がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような状況に鑑みて本発明はなされたもので、その目的とするところは欠陥の存在を許容して露光用マスクの品質管理をする場合に、手間をかけることなく確実に、各露光用マスクの有する欠陥の位置を正確にマスクセットとしても管理することができ、また欠陥の転写性の分析についても円滑に行え、さらに生産性を阻害してしまうことのない露光用マスクの品質管理システムを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の露光用マスクの品質管理システムは、マスク製造部門で形成され検査して出荷された露光用マスクを、受入検査部門の検査を経てウェハ製造部門で使用する過程での露光用マスクの品質管理システムであって、前記各部門のそれぞれで実施された前記露光用マスクの検査及び該露光用マスクにより転写が行われたウェハの検査の各検査データをそれぞれ記憶保持する手段と、前記記憶保持する手段に保持された各検査データを突合わせ比較する手段とを有すると共に、前記突合わせ比較する手段が、異なる前記部門間の対応する検査データを比較し出力するものであることを特徴とするシステムであり、
また、マスク製造部門で形成され検査して出荷された露光用マスクを、受入検査部門の検査を経てウェハ製造部門で使用する過程での露光用マスクの品質管理システムであって、前記各部門のそれぞれで実施された前記露光用マスクの検査及び該露光用マスクにより転写が行われたウェハの検査の各検査データをそれぞれ記憶保持する手段と、前記記憶保持する手段に保持された各検査データを突合わせ比較する手段とを有すると共に、前記突合わせ比較する手段が、異なる前記部門間の対応する検査データの比較に際し、先行する部門からの増加分のみを比較し出力するものであることを特徴とするシステムであり、
さらに、前記突合わせ比較する手段による出力が、画像によってなされたものであることを特徴とするシステムであり、
さらに、前記突合わせ比較する手段による出力が、予め設定したものを抜出し出力したものであることを特徴とするシステムであり、
さらに、前記各検査データが、前記露光用マスク及びウェハの欠陥を座標で表したものであることを特徴とするシステムである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下本発明の一実施形態を、図１乃至図７を参照して説明する。図１はシステムを説明するために示す図であり、図２はウェハ上に転写する状態を説明するために示す図であり、図３は転写が行われたチップの平面図であり、図４は受入検査、定期ＱＣでの欠陥重ね合わせ処理の状況を説明するために示す図であり、図５は欠陥が付着しているウェハの要部の平面図であり、図６は全層レイアウトにおける欠陥のポジションについて説明するための図であり、図７はウェハ生産工程における欠陥重ね合わせ処理の状況を説明するために示す図である。
【００１２】
図１において、半導体装置の製造に用いる露光用マスクは、そのマスク製造部門、例えば外部のマスクハウスで描画データをもとに形成され、欠陥検査が実施された後、ステップＳ１でマスクハウスから出荷され、半導体装置の製造部門である工場に、マスクハウスでの欠陥検査結果を付けた状態で入荷される（ステップＳ２）。このとき露光用マスクに添付されたマスクハウスの欠陥検査結果は、各露光用マスクにおける欠陥が座標（座標値）で示されており、そのデータが比較判定ステーションＳＴの検査結果を記憶保持する手段と記憶保持した検査結果を突合わせ比較する手段を備えた第１比較判定部Ａ１に記憶される。なお、露光用マスクは、製品の半導体装置を製造する際の露光の数、例えば約２５回の露光に対し、２５枚の露光用マスクが使用されるため、通常、セットとして取り扱われ、検査については個々の露光用マスクに対してなされる。
【００１３】
また、工場に入荷された露光用マスクは、ステップＳ３において、先ず第１の受入検査を受ける。第１の受入検査では、検査用のウェハを作成するために設置されている露光装置の第１の異物検査機（ＡＲＬ：Ａｕｔｏ  Ｒｅｔｉｃｌｅ  Ｌｏａｄｅｒ）により、露光用マスクの表面に付着している異物（欠陥）の有無の検査が行われる。この検査による検査結果も、欠陥が座標で示されるようになっており、そのデータが比較判定ステーションＳＴの検査結果を記憶保持する手段と記憶保持した検査結果を突合わせ比較する手段を備えた第２比較判定部Ａ２、第３比較判定部Ａ３に記憶される。そして、ステップＳ４において、露光用マスクの表面に付着している異物のランク分けが行われ、例えばＣランクのものの数が予め設定した数を越える場合には、その露光用マスクは、不良品としてマスクハウスに戻入される。
【００１４】
一方、Ａランク、Ｂランクとされた良品の露光用マスクについては、次のステップＳ５において、良品となった露光用マスクを用い、ブランクウェハに露光、現像が行われる。続いて、現像までを終えたウェハは、ステップＳ６の第２の受入検査において、第２の異物検査機、例えばＫＬＡ社製のＫＬＡ−２１ＸＸによって、異物の検査が行われる。この検査における検査結果についても、ウェハ上の欠陥が座標で示されるようになっており、そのデータが比較判定ステーションＳＴの第１比較判定部Ａ１、第２比較判定部Ａ２、同じく検査結果を記憶保持する手段と記憶保持した検査結果を突合わせ比較する手段を備えた第４比較判定部Ａ４、第５比較判定部Ａ５に記憶される。
【００１５】
これにより、比較判定ステーションＳＴの第２比較判定部Ａ２において、ここに記憶されている第１の異物検査機による検査結果と第２の異物検査機による検査結果とを突合わせ、座標の比較（座標値の比較）を比較回路により行い、その比較結果を出力させることで、第１の異物検査機での検査の際に、検出されたけれども転写されないものであるから「ＯＫ」と判定された欠陥について、実際にウェハに転写されていないことが、ここで容易に確認することができる。なお、座標の比較においては、座標の数値が予め設定した所定数値範囲であれば同一座標と判断するようになっている。また確認については、座標の数値を見ることによって同一であるか否かの確認が行えることになる。
【００１６】
また、比較判定ステーションＳＴの第１比較判定部Ａ１において、ここに記憶されているマスクハウスの欠陥検査結果と第２の異物検査機による検査結果とを突合わせ、座標の比較を比較回路により行い、その比較結果を出力させることで、第２の異物検査機で検出された欠陥が、マスクハウスとの間で合意された欠陥か、あるいは新たに発生した増加欠陥かが確認できる。
【００１７】
すなわち、例えば図２及び図３に示すように、露光用マスクに座標（ｘａ，ｙａ）の欠陥があった場合には、ウェハ１の各チップ２にはその欠陥３（○印で示す）が転写され、これが第２の異物検査機によって座標（ｘａ，ｙａ）の欠陥３として検出される。そして、これが合意された欠陥であれば、マスクハウスの欠陥検査結果にも同座標（ｘａ，ｙａ）に記録されていることになる。しかし、露光用マスク製造プロセス以後に付着または発生した欠陥や、マスクハウスでの検査をすり抜けた欠陥等は、第１の受入検査後のブランクウェハ１への露光、現像によってウェハ１上に焼付けられ、第２の異物検査機によって座標（ｘｂ，ｙｂ）をもつ新たに増加した欠陥４（▲印で示す）として検出され、確認することができる。
【００１８】
また、第１比較判定部Ａ１における突合わせは、次のようにしてもよい。例えば図４に示すように、マスクハウスの欠陥検査結果５をもとに、あたかもウェハに転写したようにしてマスクハウスでの欠陥が記されたフェイクウェハ（Ｆａｋｅ  Ｗａｆｅｒ）６を形成し、このフェイクウェハ６と転写がなされたブランクウェハ１の第２の異物検査機による検査結果とを、画像にして突合わせ、比較することで、当初からチップ２上に有った合意された欠陥３か、新たに受入検査で発生した増加欠陥４かを確認することができる。
【００１９】
あるいはまた、比較結果の出力の際に、第２の異物検査機による検査結果からマスクハウスの欠陥検査結果に対応するものを消去することで、増加欠陥のみが確認できる。さらに、こうした座標の比較によって、マスクハウスでの露光用マスクの製造プロセスにおけるどのような欠陥が、ウェハに転写するのかも確認することができ、それぞれ精度よく確実、かつ容易に確認することができる。
【００２０】
次に、ステップＳ７において、ステップＳ５で形成されたウェハに対して寸法測定や評価が、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた電子ビーム法によって行われる。さらに、ステップＳ８において、ステップＳ５でブランクウェハに繰り返し露光を行った際、それによってウェハに繰り返しの欠陥、すなわちリピータ欠陥が生じて、その欠陥がウェハ上に付着しているか否かの判定がなされる。そして、その結果が「ＯＫ」であれば受入の検査は終了し、ステップＳ９に進み、検査を終了した露光用マスクが製品の生産ラインに投入され、投入された露光用マスクによるウェハの生産が開始される。
【００２１】
また、ステップＳ８における結果が「ＮＧ」となったリピータ欠陥のあるウェハについては、ステップＳ１０において、検出されたリピータ欠陥が、製品上で問題となるクリティカルエリア欠陥であるか否か、またマスクハウスとの間で合意された欠陥であるか否かの判断がなされる。この時のクリティカルエリア欠陥であるか否かの判断は、図示しない比較判定部において、ウェハで検出された欠陥とレイアウト設計データＤとを重ね合わせ、両者の座標を比較するようにして行い、ウェハで検出された欠陥が、全露光用マスクを通じての全層レイアウト情報との比較で、製品の品質に影響を及ぼすものであるかを判定することで行う。
【００２２】
すなわち、例えば図５に示すウェハのパターン８上に検出された欠陥９が、図６に示すレイアウト設計データＤの全層レイアウト１０の中でどのようなポジションにあるか、座標値を用いて突合わせ、比較し、他の露光用マスクでの重要なポジションにあるものであればクリティカルエリア欠陥となる。その結果、欠陥９が検出された露光用マスクは「ＮＧ」と判定され、マスクハウスに戻入される。また、検出された欠陥９の座標が、他の露光用マスクにおける重要なポジションにあたるものではない場合には、露光用マスクは「ＯＫ」と判定され、受入の検査は終了してステップＳ９に進むことになる。
【００２３】
また、受入の検査が終了してウェハの生産が開始されると、所定回数の露光が終了した時点、あるいは所定期間が経過した時点で、ステップＳ１１の露光用マスクの定期品質管理（ＱＣ）が実行される。この定期ＱＣは、ウェハの生産が継続されている間、定期的に第１定期ＱＣ、第２定期ＱＣ、‥‥と実施される。
【００２４】
そして、生産開始後はじめての第１定期ＱＣにおいて、上記と同様の第１の異物検査機と同様構成の第３の異物検査機を用いての生産に供している露光用マスクの欠陥の検査、また第２の異物検査機と同様構成の第４の異物検査機を用いての生産に供している露光用マスクにより転写がなされたウエハの欠陥の検査が行われる。
【００２５】
そして、第３の異物検査機による検査では、露光用マスクの表面に付着している欠陥の有無の検査がなされ、欠陥を座標で示した検査結果のデータが、比較判定ステーションＳＴの第３比較判定部Ａ３に記憶される。さらに、定期ＱＣ対象の露光用マスクを用いてブランクウェハに露光、現像を行い、現像を終えたウェハについて、第４の異物検査機による欠陥の検査が行われる。この検査における検査結果についても、ウェハ上の欠陥が座標で示されるようになっており、そのデータが比較判定ステーションＳＴの第４比較判定部Ａ４に記憶される。
【００２６】
これにより、比較判定ステーションＳＴの第３比較判定部Ａ３において、ここに記憶されているステップＳ３での第１の異物検査機による検査結果と第３の異物検査機による検査結果の座標の比較を比較回路により行い、その比較結果を出力させることで、定期ＱＣ対象の露光用マスクに新たに付着した増加欠陥の有無を確認することができる。そして比較結果の出力の際に、第３の異物検査機による検査結果から第１の異物検査機での検査結果に対応するものを消去することで、増加欠陥のみが確認できる。
【００２７】
また、第４比較判定部Ａ４において、ここに記憶されているステップＳ６での第２の異物検査機による検査結果と第４の異物検査機による検査結果の座標の比較を比較回路により行い、その比較結果を出力させることで、定期ＱＣ対象の露光用マスクによって露光、形成したウェハ上に、新たに付着した増加欠陥の有無を確認することができる。また同様に、比較結果の出力の際に、第４の異物検査機による検査結果から第２の異物検査機での検査結果に対応するものを消去することで、増加欠陥のみが確認できる。この結果、生産ラインで用いている露光用マスクの欠陥付着状況を簡単に把握することができる。
【００２８】
また第１定期ＱＣ及びそれ以降の定期ＱＣの状況は、例えば図４に示すように、前回の検査結果と対比することで、前回から今回までの間に異常事項があったか否かを容易に見極めることができる。なお、図中の○印は、前回の検査時点での既知欠陥を示し、▲印は、前回から今回までの間における増加欠陥を示す。また図中の（再測）、（再々測）は、同一回の検査の中で、何らかの不都合、例えば装置動作の不都合等により測定が正常に完了しなかった場合に、再測定を行った場合を示し、対比には最新の検査結果が用いられる。
【００２９】
また、定期ＱＣ後、ステップ１２において、ステップ８と同様に、ステップＳ１１で転写がなされたウェハは、繰り返し露光を行った際、それによってウェハに繰り返しの欠陥であるリピータ欠陥が生じて、その欠陥がウェハ上に付着しているか否かの判定がなされる。そして、その結果が「ＯＫ」であれば再びステップ９に進み、定期ＱＣを終了した露光用マスクが製品の生産ラインに投入され、投入された露光用マスクによるウェハの生産が再び開始される。
【００３０】
また、ステップＳ１２における結果が「ＮＧ」となったリピータ欠陥のあるウェハについては、ステップＳ１３において、ステップＳ１０と同様に、検出されたリピータ欠陥が、製品上で問題となるクリティカルエリア欠陥であるか否かの判断がなされる。この時のクリティカルエリア欠陥であるか否かの判断は、図示しない比較判定部において、ウェハで検出された欠陥とレイアウト設計データＤとを重ね合わせ、両者の座標を比較するようにして行い、ウェハで検出された欠陥が、全露光用マスクを通じての全層レイアウト情報との比較で、製品の品質に影響を及ぼすものであるかを判定することで行う。
【００３１】
そして、検出された欠陥が、他の露光用マスクでの重要なポジションにあるものであればクリティカルエリア欠陥となり、欠陥が検出された露光用マスクは「ＮＧ」と判定され、マスクハウスに戻入される。また、検出された欠陥の座標が、他の露光用マスクにおける重要なポジションにあたるものではない場合には、露光用マスクは「ＯＫ」と判定され、定期ＱＣを終了してステップＳ９に進み、ウェハの生産が再開されることになる。
【００３２】
一方、ウェハの生産が継続されている中では、日常的に生産ラインにおける製品ウェハに対するインライン検査として、第２の異物検査機と同様構成の第５の異物検査機を用いて異状の有無の管理が行われている。ここでは、図１中にステップ１４として示すように、各工程での実ラインウェハをサンプリングし、第５の異物検査機による実ラインウェハの欠陥の検査が行われる。そして、その検査結果でもウェハ上の欠陥が座標で示されるようになっており、そのデータが比判定ステーションＳＴの第５比較判定部Ａ５に記憶される。
【００３３】
これにより、比較判定ステーションＳＴの第５比較判定部Ａ５において、ここに記憶されているステップＳ６での第２の異物検査機による検査結果と第５の異物検査機による検査結果の座標の比較を比較回路により行い、その比較結果を出力させることで、第２の受入検査後に生産ラインに投入した露光用マスクに、生産を行う中で新たに付着した増加欠陥の有無を確認することができる。そして比較結果の出力の際に、第５の異物検査機による検査結果から第２の異物検査機での検査結果に対応するものを消去することで、増加欠陥のみが確認できる。その結果、生産ラインの各工程で用いている露光用マスクの欠陥付着状況を簡単に把握することができる。また各工程間では、前工程の検査結果と比較することで、前工程以後に発生した増加欠陥かを確認することができる。
【００３４】
さらに、第５比較判定部Ａ５における比較については、次のようにしてもよい。例えば図７に示すように、第２の受入検査での検査結果１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄをもとに、それぞれフェイクウェハ１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを形成し、このフェイクウェハ１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄと、各工程で転写がなされた実ラインウェハ１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄの第５の異物検査機による検査結果を、画像にして突合わせ、比較することで、前工程までで既知となった欠陥１４か、その後に発生した増加欠陥１５かを確認することができる。また、各工程で用いている図示しない露光装置の健全性をもチェックすることができる。
【００３５】
なお、上記実施形態においては、各比較判定部において、比較結果の出力の際に増加欠陥のみが確認できるようにしたが、さらに、予め設定したもののみ、例えば品質欠陥に相当するものを予め指定しておき、それのみを抜出し出力できるようにしてもよい。
【００３６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、欠陥の存在を許容して露光用マスクの品質管理をする場合に、マスクの有する欠陥の位置を正確にマスクセットとしても把握でき、既知の欠陥を突合わせ比較、重ね合わせ処理することで、必要とする欠陥のみを明確にすることができ、異常や不良を速やかにまた確実かつ容易に確認することができて良好な品質管理を行うことでき、また欠陥の転写性の分析についても円滑に行え、さらに生産性を阻害してしまうようなこともない等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のシステムを説明するために示す図である。
【図２】本発明の一実施形態におけるウェハ上に転写する状態を説明するために示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る転写が行われたチップの平面図である。
【図４】本発明の一実施形態における受入検査、定期ＱＣでの欠陥重ね合わせ処理の状況を説明するために示す図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る欠陥が付着しているウェハの要部の平面図である。
【図６】本発明の一実施形態の全層レイアウトにおける欠陥のポジションについて説明するための図である。
【図７】本発明の一実施形態のウェハ生産工程における欠陥重ね合わせ処理の状況を説明するために示す図である。
【符号の説明】
Ａ１…第１比較判定部
Ａ２…第２比較判定部
Ａ３…第３比較判定部
Ａ４…第４比較判定部
Ａ５…第５比較判定部
ＳＴ…比較判定ステーション
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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