(57)【要約】【課題】  大型化を抑制しながら、静電容量の増加を図る。【解決手段】  メインのコンデンサ導体パターン３，４により構成されるメインのコンデンサＣmainと、コイル導体パターン７ａ，７ｂにより構成されるインダクタとが直列又は並列に接続されているＬＣ共振子１において、コイル導体パターン７の周囲領域には、サブのコンデンサ導体パターン１５，１６を形成してサブのコンデンサＣsubを構成する。メインのコンデンサＣmainとサブのコンデンサＣsubを並列接続させるための接続手段を設ける。メインのコンデンサＣmainだけを有する場合よりも、サブのコンデンサＣsubを設けた分だけ、静電容量を増加させることができる。デッドスペースであったコイル導体パターン７の周囲領域を利用してサブのコンデンサ導体パターン１５，１６を形成することで大型化を防止できる。【選択図】        図１
2005184127.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を介して対向配置されて対を成すメインのコンデンサ導体パターンを有して成るメインのコンデンサと、絶縁層を介して積層配置された複数のコイル導体パターンが直列に接続されて成るインダクタとが、絶縁層を介して積層配置されており、それらメインのコンデンサとインダクタとが直列又は並列に接続されている構成を備えたＬＣ共振子であって、予め定めたコイル導体パターンの周囲領域にはサブのコンデンサ導体パターンが、コイル導体パターンの形成面と同じ面に形成されていて、このサブのコンデンサ導体パターンは、メインのコンデンサ導体パターン、又は、他の積層位置のサブのコンデンサ導体パターンと絶縁層を介して対向配置されてサブのコンデンサを形成している構成と成し、サブのコンデンサ導体パターンは、当該サブのコンデンサ導体パターンを通電する電流の経路がエンドレスの閉ループを形成しない形態と成し、また、サブのコンデンサと、メインのコンデンサとは、コンデンサ導体パターンとコイル導体パターンと絶縁層が積層形成されて成る積層体に設けられたコンデンサ並列接続手段によって並列接続されていることを特徴とするＬＣ共振子。
【請求項２】
絶縁層を介して対向配置されているメインのコンデンサ導体パターンとコイル導体パターンは、コンデンサ導体パターンとコイル導体パターンと絶縁層が積層形成されて成る積層体に設けられた接続手段を介して接続されて同電位と成していることを特徴とする請求項１記載のＬＣ共振子。
【請求項３】
メインのコンデンサ導体パターンとコイル導体パターンとサブのコンデンサ導体パターンは、フォトリソグラフィ工法を利用して形成された導体パターンであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＬＣ共振子。
【請求項４】
メインのコンデンサ導体パターン間の絶縁層に代えて、誘電体又は磁性体から成る基板が設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２又は請求項３記載のＬＣ共振子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルタ回路や発振回路等の回路に組み込まれるＬＣ共振子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図７（ａ）にはＬＣ共振子の一外観例が簡略化されて示され、図７（ｂ）にはそのＬＣ共振子の分解図が模式的に示されている。このＬＣ共振子１は誘電体又は磁性体から成る基板２を有し、この基板２の表面にはコンデンサ導体パターン３が形成され、また、基板２の裏面にはコンデンサ導体パターン４が表面側のコンデンサ導体パターン３と対向させて形成されている。それらコンデンサ導体パターン３，４はコンデンサ（Ｃ）を構成している。
【０００３】
基板２の裏面側のコンデンサ導体パターン４は絶縁層５により覆われ当該絶縁層５により保護されている。また、コンデンサ導体パターン３の表面側には、絶縁層６（６ａ，６ｂ）と、コイル導体パターン７（７ａ，７ｂ）とが交互に積層形成され、上側のコイル導体パターン７ｂは絶縁層８により覆われ当該絶縁層８により保護されている。コイル導体パターン７ａ，７ｂの巻回内側端部同士は、コイル導体パターン７ａ，７ｂ間の絶縁層６ｂに形成されたビアホール１０を介して電気的に直列に接続されており、コイル導体パターン７ａ，７ｂはインダクタ（Ｌ）を構成している。
【０００４】
基板２とコンデンサ導体パターン３，４と絶縁層５，６，８とコイル導体パターン７とが積層形成されて成る積層体１１には、例えば左右両側の側面に、それぞれ、外部接続用電極１２，１３が表面側から底面側に渡って形成されている。図７（ｂ）の例では、コンデンサ導体パターン３，４のうちの一方側３は外部接続用電極１２に接続され、他方側４は外部接続用電極１３に接続されている。また、コイル導体パターン７ａ，７ｂのうちの一方側７ａの巻回外側端部は外部接続用電極１２に接続され、他方側７ｂの巻回外側端部は外部接続用電極１３に接続されている。つまり、コンデンサ導体パターン３，４から成るコンデンサと、コイル導体パターン７ａ，７ｂから成るインダクタとは外部接続用電極１２，１３によって並列接続されてＬＣ並列回路を構成している。このＬＣ並列回路は外部接続用電極１２，１３を介して外部の回路と電気的に接続することができる。
【０００５】
【特許文献１】特許第２７３４２３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、ＬＣ共振子１の小型化が急速に進んでいるために、必然的に、コンデンサ導体パターン３，４も小型となってコンデンサ導体パターン３，４の対向面積が狭くなり、コンデンサ導体パターン３，４から成るコンデンサは、要求の静電容量を得ることができないという問題が発生している。
【０００７】
また、コンデンサ導体パターン３，４と同様な形状を持つ３つ以上のコンデンサ導体パターンを絶縁層を介しながら積層形成して２つ以上のコンデンサを構成することで、ＬＣ共振子１が有する静電容量を増加することが考えられる。しかしながら、コンデンサ導体パターンの積層数を増加するとＬＣ共振子１の高さが高くなるので、仕様等によってＬＣ共振子１の高さが制限されている場合には、その高さ制限のためにコンデンサ導体パターンの積層数を増加することは難しく、このような場合には、ますます、ＬＣ共振子１に要求通りの静電容量を持たせることが困難となる。
【０００８】
本発明は上記課題を解決するために成されたものであり、その目的は、大型化を抑制しながら、静電容量を増加することができるＬＣ共振子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、この発明は次に示す構成をもって前記課題を解決するための手段としている。すなわち、この発明は、絶縁層を介して対向配置されて対を成すメインのコンデンサ導体パターンを有して成るメインのコンデンサと、絶縁層を介して積層配置された複数のコイル導体パターンが直列に接続されて成るインダクタとが、絶縁層を介して積層配置されており、それらメインのコンデンサとインダクタとが直列又は並列に接続されている構成を備えたＬＣ共振子であって、予め定めたコイル導体パターンの周囲領域にはサブのコンデンサ導体パターンが、コイル導体パターンの形成面と同じ面に形成されていて、このサブのコンデンサ導体パターンは、メインのコンデンサ導体パターン、又は、他の積層位置のサブのコンデンサ導体パターンと絶縁層を介して対向配置されてサブのコンデンサを形成している構成と成し、サブのコンデンサ導体パターンは、当該サブのコンデンサ導体パターンを通電する電流の経路がエンドレスの閉ループを形成しない形態と成し、また、サブのコンデンサと、メインのコンデンサとは、コンデンサ導体パターンとコイル導体パターンと絶縁層が積層形成されて成る積層体に設けられたコンデンサ並列接続手段によって並列接続されていることを特徴としている。
【００１０】
また、この発明は、絶縁層を介して対向配置されているメインのコンデンサ導体パターンとコイル導体パターンが、コンデンサ導体パターンとコイル導体パターンと絶縁層が積層形成されて成る積層体に設けられた接続手段を介して接続されて同電位と成していることをも特徴としている。さらに、この発明は、メインのコンデンサ導体パターンとコイル導体パターンとサブのコンデンサ導体パターンが、フォトリソグラフィ工法を利用して形成された導体パターンであることも特徴としている。さらにまた、この発明は、メインのコンデンサ導体パターン間の絶縁層に代えて、誘電体又は磁性体から成る基板が設けられていることをも特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、メインのコンデンサ導体パターンを有して成るメインのコンデンサだけでなく、コイル導体パターンの周囲領域にサブのコンデンサ導体パターンを形成してサブのコンデンサを設け、メインのコンデンサとサブのコンデンサを並列接続する構成とした。換言すれば、この発明の構成は、今まで使用されていなかったコイル導体パターンの周囲領域にサブのコンデンサ導体パターンを形成してサブのコンデンサを設けることができる構成であり、今までデッドスペースであったところを有効活用するので、この発明の構成を備えることによって、ＬＣ共振子の大型化を防止しながら、ＬＣ共振子が持つ静電容量を増加させることが容易にできる。
【００１２】
また、仮に、サブのコンデンサ導体パターンは、当該サブのコンデンサ導体パターンの通電電流の経路がエンドレスの閉ループを形成する形態を備え、コイル導体パターンを囲んでいると、コイル導体パターンから成るインダクタの磁界に起因してサブのコンデンサ導体パターンに発生した誘導電流はエンドレスの閉ループの経路でもって通電することとなる。その誘導電流の閉ループの通電によって、サブのコンデンサ導体パターンから、インダクタの磁界を打ち消す方向の磁界が発生する。この磁界によって、インダクタのインダクタンス値を低下させてしまうという問題が発生する。
【００１３】
これに対して、この発明では、サブのコンデンサ導体パターンは、当該サブのコンデンサ導体パターンの通電電流の経路がエンドレスの閉ループを形成しない形態となっているので、インダクタの磁界に起因した誘導電流がサブのコンデンサ導体パターンに発生しても、その誘導電流の通電経路はエンドレスの閉ループとはならないので、インダクタの磁界を打ち消す方向の磁界がサブのコンデンサ導体パターンから発生することを抑制することができる。これにより、サブのコンデンサ導体パターンから発生する磁界に因るインダクタのインダクタンス値の低下を防止することができる。
【００１４】
さらに、絶縁層を介して対向配置されているメインのコンデンサ導体パターンとコイル導体パターンが互いに異なる電位であるときには、そのメインのコンデンサ導体パターンとコイル導体パターンとの間に浮遊容量が発生する。ＬＣ共振子に通電する電流が高周波電流である場合には、その浮遊容量に因ってインダクタの共振特性が悪化するという問題が生じてしまう。
【００１５】
このことを考慮し、この発明では、ＬＣ共振子に通電する電流が高周波電流である場合には、絶縁層を介して対向配置されているメインのコンデンサ導体パターンとコイル導体パターンを接続して同電位とする構成を備えることによって、上述したような浮遊容量に起因したインダクタの共振特性の悪化を防止することができる。なお、もちろん、ＬＣ共振子に通電する電流が高周波電流でない場合にも、絶縁層を介して対向配置されているメインのコンデンサ導体パターンとコイル導体パターンを接続して同電位とする構成を備えてもよい。
【００１６】
さらに、メインのコンデンサ導体パターンとコイル導体パターンとサブのコンデンサ導体パターンが、フォトリソグラフィ工法を利用して形成された導体パターンと成している構成を備えることによって、ＬＣ共振子の小型化を促進させることが容易となる。つまり、フォトリソグラフィ工法による加工精度は非常に高精度であることから、フォトリソグラフィ工法によって微細なメインのコンデンサ導体パターンとコイル導体パターンとサブのコンデンサ導体パターンを高精度に形成することが可能である。このため、性能を維持したまま、非常に小型なＬＣ共振子を作製することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、この発明に係る実施形態例を図面に基づいて説明する。なお、この実施形態例の説明において、図７に示したＬＣ共振子と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。
【００１８】
図１にはこの実施形態例のＬＣ共振子が分解状態により模式的に示されている。この実施形態例のＬＣ共振子１においては、誘電体又は磁性体から成る基板２の表面にはメインのコンデンサ導体パターン３が形成され、また、基板２の裏面にはメインのコンデンサ導体パターン４がメインのコンデンサ導体パターン３に対向させて形成されており、それらメインのコンデンサ導体パターン３，４によってメインのコンデンサＣmainが構成されている。
【００１９】
また、メインのコンデンサ導体パターン３の表面上には、コイル導体パターン７ａ，７ｂから成るインダクタが絶縁層６ａを介して積層形成されている。図１では図示が省略されているが、図７（ａ）に示すような外部接続用電極１２，１３がＬＣ共振子１（積層体１１）の左右両側にそれぞれ形成されている。この実施形態例では、メインのコンデンサ導体パターン３と、コイル導体パターン７ａの巻回外側端部７ａoutとは外部接続用電極１２によって接続され、また、メインのコンデンサ導体パターン４と、コイル導体パターン７ｂの巻回外側端部７ｂoutとは外部接続用電極１３によって接続されている。
【００２０】
このため、メインのコンデンサＣmainと、インダクタとは並列に接続されている。また、絶縁層６ａを介して対向し合うメインのコンデンサ導体パターン３とコイル導体パターン７ａとは、接続手段である外部接続用電極１２を介して接続されていて、同電位となっている。これにより、メインのコンデンサ導体パターン３とコイル導体パターン７ａ間に浮遊容量が発生することを防止できて、浮遊容量に起因したインダクタの共振特性の悪化を抑制することができる。
【００２１】
さらに、この実施形態例では、上述した構成に加えて、次に示すような特有な構成を備えている。つまり、この実施形態例では、コイル導体パターン７ａの周囲領域にはサブのコンデンサ導体パターン１５が、また、コイル導体パターン７ｂの周囲領域にはサブのコンデンサ導体パターン１６が、それぞれ、コイル導体パターン７ａ，７ｂの形成面と同じ面に形成されている。それらサブのコンデンサ導体パターン１５，１６は、互いに対向し合うように配設されており、それらサブのコンデンサ導体パターン１５，１６のうちの一方側１５は、メインのコンデンサ導体パターン３と同様に、外部接続用電極１２に接続され、また、他方側１６は、メインのコンデンサ導体パターン４と同様に、外部接続用電極１３に接続されている。
【００２２】
このような構成によって、それらサブのコンデンサ導体パターン１５，１６によりサブのコンデンサＣsubが構成される。このサブのコンデンサＣsubは、コンデンサ並列接続手段として機能する外部接続用電極１２，１３によって、メインのコンデンサＣmainに並列に接続されている。
【００２３】
よって、この実施形態例のＬＣ共振子１は、図２に示されるような等価回路を有する。すなわち、ＬＣ共振子１には、メインのコンデンサＣmainとサブのコンデンサＣsubの並列回路と、インダクタＬとが並列接続されている回路が形成されている。
【００２４】
このＬＣ共振子１では、メインのコンデンサＣmainが持つ静電容量Ｃmainに、サブのコンデンサＣsubが持つ静電容量Ｃsubを加算した静電容量Ｃ（Ｃ＝Ｃmain＋Ｃsub）を有することとなり、図７に示されるようなメインのコンデンサＣmainだけしか設けられていない構成のものに比べて、サブのコンデンサＣsubを設けた分、静電容量Ｃを増加することができる。
【００２５】
なお、この実施形態例では、メインのコンデンサ導体パターン３とサブのコンデンサ導体パターン１５は、外部接続用電極１２を介して接続されて同電位となっているので、メインのコンデンサ導体パターン３とサブのコンデンサ導体パターン１５によるコンデンサは構成されない。また、サブのコンデンサ導体パターン１５は、コイル導体パターン７ａと同様に、外部接続用電極１２に接続されているので、コイル導体パターン７ａと同電位となっている。このため、サブのコンデンサ導体パターン１５とコイル導体パターン７ａとの間に浮遊容量が発生することを防止できる構成となっていて、浮遊容量に起因したインダクタの共振特性の悪化を抑制できる。
【００２６】
この実施形態例では、サブのコンデンサ導体パターン１５，１６は、当該導体パターン１５，１６の通電電流がエンドレスの閉ループを形成しない形態と成している。つまり、図３に示す平面図のように、コイル導体パターン７ａ（７ｂ）を囲むように形成されているサブのコンデンサ導体パターン１５（１６）の両端部Ａ，Ｂのうちの一方側Ａは外部接続用電極１２（１３）に接続されているが、他方側の端部Ｂは外部接続用電極１２（１３）と間隔を介して配置されている。
【００２７】
これに対して、例えば、サブのコンデンサ導体パターン１５（１６）の両端部Ａ，Ｂが両方共に外部接続用電極１２（１３）に接続されている場合には、サブのコンデンサ導体パターン１５（１６）の通電電流は、外部接続用電極１２（１３）を介してエンドレスの閉ループの通電経路を形成することとなる。このために、コイル導体パターン７ａ，７ｂから成るインダクタの磁界に起因してサブのコンデンサ導体パターン１５（１６）に生じた誘導電流は、エンドレスの閉ループの経路でもって通電する。この誘導電流のエンドレスの閉ループ通電によって、インダクタの磁界を打ち消す方向の磁界がサブのコンデンサ導体パターン１５（１６）から発生し、これにより、インダクタのインダクタンス値を低下するという問題が生じる。
【００２８】
この実施形態例では、サブのコンデンサ導体パターン１５，１６は、インダクタの磁界による誘導電流の通電経路がエンドレスの閉ループを形成しない形態と成しているので、インダクタの磁界を打ち消す方向の磁界がサブのコンデンサ導体パターン１５，１６から発生することを抑制することができて、インダクタのインダクタンス値の低下を防止することができる。
【００２９】
以下に、この実施形態例のＬＣ共振子１の製造工程の一例を説明する。例えば、基板２を用意し、この基板２の表裏両面にそれぞれメインのコンデンサ導体パターン３，４を形成する。ここでは、微細なメインのコンデンサ導体パターン３，４を高精度に形成するために、フォトリソグラフィ工法を利用してメインのコンデンサ導体パターン３，４を設ける。つまり、フォトリソグラフィ工法を利用して次に示すようにメインのコンデンサ導体パターン３，４を形成する。
【００３０】
例えば、基板２の表面と裏面のうちの一方側の面（ここでは説明を容易にするために裏面とする）の全面に、感光性の例えば銀（Ａｇ）等の導体ペーストを例えばスクリーン印刷等の印刷技術により塗布形成する。そして、その塗布された導体ペーストに対向させてメインのコンデンサ導体パターン形成用のフォトマスクを配置する。その後、そのフォトマスクを介して感光性の導体ペーストに紫外線等の光を照射し露光させて、メインのコンデンサ導体パターン４となる部分を硬化させる。この露光工程の後に、未硬化の導体ペースト部分を除去する現像工程を行う。これにより、メインのコンデンサ導体パターン４が形作られる。その後、焼成することにより、メインのコンデンサ導体パターン４を作製することができる。
【００３１】
然る後に、基板２の表面上にも上記同様の形成手順でもってメインのコンデンサ導体パターン３を形成する。
【００３２】
なお、フォトリソグラフィ工法を利用してメインのコンデンサ導体パターン３，４を作製する手法としては、次に示すような手法もある。例えば、スパッタや蒸着等の真空成膜技術や、スピンコート等を利用して、基板２の表面と裏面のうちの一方側（ここでは裏面とする）の面の全面に導体膜を形成する。その後、その導体膜上の全面にフォトレジストを積層形成する。
【００３３】
そして、そのフォトレジストと対向する位置に、メインのコンデンサ導体パターン形成用のフォトマスクを配置し、このフォトマスクを介してメインのコンデンサ導体パターン４の形成領域のフォトレジスト部分に光を照射し露光させて硬化させる。然る後に、現像処理により、未硬化なフォトレジスト部分を除去する。次に、フォトレジストが除去された部分に形成されている導体膜部分を例えばエッチング等により除去し、その後、フォトレジストを剥離する。このようにして、メインのコンデンサ導体パターン４を形成することができる。このメインのコンデンサ導体パターン４の形成後には、基板２の表面上に上記同様にメインのコンデンサ導体パターン３を形成する。
【００３４】
上記のようにフォトリソグラフィ工法を利用してメインのコンデンサ導体パターン３，４を形成することができる。このメインのコンデンサ導体パターン３，４の形成後には、メインのコンデンサ導体パターン３の上側に、例えば、ペースト状のガラス等の絶縁材料を例えば印刷技術等により形成し、その後、焼成する。このようにして絶縁層６ａを形成する。
【００３５】
この絶縁層６ａの上側には、コイル導体パターン７ａおよびサブのコンデンサ導体パターン１５を同時に、メインのコンデンサ導体パターン３，４の形成手法と同様にフォトリソグラフィ工法を利用して形成する。
【００３６】
それら導体パターン７ａ，１５の形成後には、それら導体パターン７ａ，１５の上側全面に、例えば、感光性のペースト状の例えばガラス等の絶縁材料を例えば印刷技術等により積層形成する。そして、その絶縁材料の層に対向させてビアホール形成用のフォトマスクを配置し、このフォトマスクを介してビアホール１０となる部分以外の絶縁材料ペースト部分に光を照射し露光させて硬化させる。そして、現像処理によって、未硬化な絶縁材料ペースト部分を除去する。これにより、ビアホール形成用の孔部が形作られる。然る後に焼成する。このようにしてビアホール形成用の孔部が設けられた絶縁層６ｂを形成することができる。
【００３７】
絶縁層６ｂの上側には、コイル導体パターン７ｂとサブのコンデンサ導体パターン１６を同時に、メインのコンデンサ導体パターン３，４の形成手法と同様にフォトリソグラフィ工法を利用して形成する。この工程で、導体パターン７ｂ，１６を構成する導体材料の一部が、絶縁層６ｂに形成されているビアホール形成用の孔部に入り込んでビアホール１０が形成される。
【００３８】
その後、基板２の表面側と裏面側の両側に、例えば、ペースト状のガラス等の絶縁材料を例えば印刷技術等により塗布形成して焼成することにより、保護層としての絶縁層５，８が形成される。
【００３９】
なお、この実施形態例では、ここまでの工程は、複数の基板２を切り出すための親基板の状態のままで行われており、親基板に複数のＬＣ共振子１の積層体１１を同時に製造する構成となっている。絶縁層（保護層）５，８の形成の後には、例えばダイシングやスクライブやレーザ切断等の切断加工によって各ＬＣ共振子１の積層体１１毎に分離分割する作業が行われる。そして、この分離分割工程の後に、各ＬＣ共振子１の積層体１１毎に外部接続用電極１２，１３を形成する。この外部接続用電極１２，１３の形成工程では、例えば、まず、積層体１１の、外部接続用電極１２，１３が形成される側面に例えばペースト状の銀等の導体材料を塗布形成して焼成する。このようにして下地電極を形成する。その後、その下地電極の上側にＮｉとＳｎを電解めっきにより形成することにより外部接続用電極１２，１３を形成する。
【００４０】
以上のようにして、この実施形態例のＬＣ共振子１を作製することができる。
【００４１】
なお、この発明はこの実施形態例の形態に限定されるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例えば、この実施形態例では、サブのコンデンサ導体パターン１５（１６）の両端部Ａ，Ｂのうちの一方側は外部接続用電極１２（１３）に接続され、他方側は外部接続用電極１２（１３）と間隔を介して配置されて非接続状態であり、サブのコンデンサ導体パターン１５，１６は、通電電流が外部接続用電極１２（１３）を介してエンドレスの閉ループを形成しない構成となっていたが、例えば、図４に示されるように、サブのコンデンサ導体パターン１５（１６）の両端部Ａ，Ｂは両方共に外部接続用電極１２（１３）に接続され、サブのコンデンサ導体パターン１５（１６）の一端側Ａから他端側Ｂに向かう途中に分断部１８が設けられており、分断部１８によって、サブのコンデンサ導体パターン１５（１６）は通電電流がエンドレスの閉ループを形成しない形態と成している構成としてもよい。なお、図４のＬＣ共振子１は上記サブのコンデンサ導体パターン１５（１６）以外の構成は図１に示すＬＣ共振子１と同様であり、図４のＬＣ共振子１の等価回路も図１のＬＣ共振子１と同様な図２に示されるような等価回路を有している。
【００４２】
また、この実施形態例では、メインのコンデンサＣmainとサブのコンデンサＣsubとの並列回路と、コイル導体パターン７ａ，７ｂから成るインダクタとは並列接続されている例を示したが、例えば、メインのコンデンサＣmainとサブのコンデンサＣsubとの並列回路と、コイル導体パターン７ａ，７ｂから成るインダクタ（Ｌ）とが例えば図５（ｂ）の等価回路図に示されるように直列に接続されている構成としてもよい。この場合には、例えば、図５（ａ）に示されるような形態とすることが考えられる。つまり、図５（ａ）の例では、メインのコンデンサ導体パターン３と、その上側に絶縁層６ａを介して対向配置されるコイル導体パターン７ａの巻回外側端部７ａoutとは絶縁層６ａに形成されたビアホール２０を介して接続されている。また、メインのコンデンサ導体パターン４は、外部接続用電極１３に接続され、コイル導体パターン７ｂは外部接続用電極１２に接続されている。なお、メインのコンデンサ導体パターン３は、外部接続用電極１２，１３の何れにも接続されていない。
【００４３】
このような構成によって、メインのコンデンサ導体パターン３，４から成るメインのコンデンサＣmainと、コイル導体パターン７ａ，７ｂから成るインダクタ（Ｌ）とは直列接続されている状態となっている。
【００４４】
また、この図５（ａ）の例では、サブのコンデンサ導体パターン１５はメインのコンデンサ導体パターン３と対向配置されており、これらメインのコンデンサ導体パターン３とサブのコンデンサ導体パターン１５は互いに電位が異なることから、当該メインのコンデンサ導体パターン３とサブのコンデンサ導体パターン１５は、サブのコンデンサＣsubを構成している。この例では、サブのコンデンサ導体パターン１５はメインのコンデンサ導体パターン４と同様に外部接続用電極１３に接続されており、また、メインのコンデンサ導体パターン３は、メインのコンデンサＣmainとサブのコンデンサＣsubに兼用のものであることから、この例においても、図１と同様に、メインのコンデンサＣmainとサブのコンデンサＣsubは並列接続された状態となっている。
【００４５】
したがって、図５（ａ）に示す形態とすることによって、図５（ｂ）に示すようなメインのコンデンサＣmainとサブのコンデンサＣsubの並列回路と、インダクタ（Ｌ）とが直列に接続されている等価回路を持つＬＣ共振子１を得ることができる。なお、もちろん、図５（ａ）の構成においても、サブのコンデンサ導体パターン１５は、通電電流の経路がエンドレスの閉ループを形成しない形態と成している。
【００４６】
図１に示す例では、絶縁層６ａを介して対向し合うメインのコンデンサ導体パターン３とコイル導体パターン７ａは、外部接続用電極１２を介して接続されて同電位となっている構成であったが、例えば、メインのコンデンサ導体パターン３とコイル導体パターン７ａとの間の浮遊容量に起因したインダクタの共振特性の悪化の心配が殆ど無い場合（例えば、ＬＣ共振子１に通電する電流が高周波電流ではない場合や高周波電流であっても低周波側に近い周波数である場合や、例えばメインのコンデンサ導体パターン３とコイル導体パターン７ａ間の間隔が広くて当該メインのコンデンサ導体パターン３とコイル導体パターン７ａ間に生じる浮遊容量が非常に小さい場合）には、メインのコンデンサ導体パターン３とコイル導体パターン７ａが互いに異なる電位となっていても構わない。
【００４７】
メインのコンデンサ導体パターン３とコイル導体パターン７ａとが異なる電位を有する構成を持つＬＣ共振子１の一形態例が図６（ａ）により分解状態で示されている。この図６（ａ）の構成では、メインのコンデンサ導体パターン３は図７に示したような外部接続用電極１２に接続されているのに対して、コイル導体パターン７ａは外部接続用電極１３に接続されており、メインのコンデンサ導体パターン３と、コイル導体パターン７ａとは、互いに異なる電位を持つ構成となっている。また、この例では、サブのコンデンサ導体パターン１５もコイル導体パターン７ａと同様に外部接続用電極１３に接続されているので、サブのコンデンサ導体パターン１５と、メインのコンデンサ導体パターン３とは互いに異なる電位を持つこととなる。このため、サブのコンデンサ導体パターン１５とメインのコンデンサ導体パターン３を対向配置することにより、サブのコンデンサ導体パターン１５とメインのコンデンサ導体パターン３とによって、サブのコンデンサＣsubを構成することができる。
【００４８】
さらに、この例では、コイル導体パターン７ｂと、その周囲領域に形成されるサブのコンデンサ導体パターン１６とは外部接続用電極１２に接続されている。このため、サブのコンデンサ導体パターン１５，１６を対向配置することにより、サブのコンデンサ導体パターン１５，１６によってもサブのコンデンサＣsubを構成することができる。
【００４９】
すなわち、この図６（ａ）の例では、メインのコンデンサ導体パターン３とサブのコンデンサ導体パターン１５によって、サブのコンデンサＣsub（Ｃsub1）が構成され、サブのコンデンサ導体パターン１５，１６によってサブのコンデンサＣsub（Ｃsub2）が構成されており、それらサブのコンデンサＣsub1，Ｃsub2と、メインのコンデンサＣmainとは並列接続されている。また、メインのコンデンサＣmainと、コイル導体パターン７ａ，７ｂから成るインダクタとは並列接続されていることから、図６（ａ）のＬＣ共振子１は、図６（ｂ）に示されるような等価回路を有することができる。なお、もちろん、図６（ａ）の構成においても、サブのコンデンサ導体パターン１５，１６は、通電電流の経路がエンドレスの閉ループを形成しない形態と成している。
【００５０】
図１に示す例では、サブのコンデンサ導体パターン１５，１６は、コイル導体パターン７ａ，７ｂを囲むように形成されていたが、例えば、サブのコンデンサＣsubの静電容量が少なくても済む場合には、サブのコンデンサ導体パターン１５，１６は、コイル導体パターン７ａ，７ｂを半周するような形態としてもよい。このように、サブのコンデンサ導体パターン１５，１６は、通電電流の経路がエンドレスの閉ループを形成しない形態であれば、例えば仕様等により定まる設定のサブのコンデンサＣsubに基づいて、適宜な形態としてよいものである。
【００５１】
また、上述した例では、インダクタを構成するコイル導体パターン７は２つであったが、３つ以上のコイル導体パターン７を設け、それらを直列に接続することでインダクタを構成してもよい。このように３つ以上のコイル導体パターン７を設けた場合には、それらコイル導体パターン７の中から予め定められた一部又は全てのコイル導体パターン７の周囲領域に、サブのコンデンサ導体パターンを形成して１つ以上のサブのコンデンサＣsubを構成する。サブのコンデンサＣsubの形成数は限定されるものではなく、適宜形成してよい。もちろん、全てのサブのコンデンサ導体パターンは、当該サブのコンデンサ導体パターンの通電電流の経路がエンドレスの閉ループを形成しない形態とする。
【００５２】
さらに、上述した例では、基板２の表面にメインのコンデンサ導体パターン３が、また、基板２の裏面にメインのコンデンサ導体パターン４がそれぞれ形成されていたが、例えば、基板２の表面にメインのコンデンサ導体パターン４を積層形成し、このメインのコンデンサ導体パターン４の上側に絶縁層を介してメインのコンデンサ導体パターン３を形成し、さらに、その上側に前記同様に絶縁層６とコイル導体パターン７を交互に積層形成していく構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明に係るＬＣ共振子の一形態例を分解状態で示したモデル図である。
【図２】図１のＬＣ共振子の等価回路図である。
【図３】図１に示されるサブのコンデンサ導体パターンの形態例を説明するための図である。
【図４】サブのコンデンサ導体パターンのその他の形態例を説明するための図である。
【図５】インダクタとコンデンサの直列回路が形成されているＬＣ共振子の一形態例を説明するための図である。
【図６】その他の実施形態例を説明するための図である。
【図７】ＬＣ共振子の一形態例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  ＬＣ共振子
２  基板
３，４  メインのコンデンサ導体パターン
７  コイル導体パターン
１５，１６  サブのコンデンサ導体パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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