(57)【要約】【課題】  複数の波長の光を効率よく受光することができる受光素子アレイを提供する。【解決手段】  本発明に係る受光素子アレイ１００は、基板１０と、前記基板１０の上方にアレイ状に形成された複数の光吸収層２０と、各前記光吸収層２０の上方に形成された反射防止膜５０、５２、５４、５６と、を含み、前記反射防止膜は、透過する光の波長領域が互いに異なる。【選択図】      図１
2005268421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方にアレイ状に形成された複数の光吸収層と、
各前記光吸収層の上方に形成された反射防止膜と、
を含み、
前記反射防止膜は、透過する光の波長領域が互いに異なる、受光素子アレイ。
【請求項２】
請求項１において、
各前記反射防止膜は、膜厚が互いに異なることによって、透過する光の波長領域が互いに異なる、受光素子アレイ。
【請求項３】
請求項２において、
前記複数の反射防止膜の各々の膜厚は、透過する光の波長をλとし、当該反射防止膜の屈折率をｎとすると、ｍλ／４ｎ（ｍは奇数）である、受光素子アレイ。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記反射防止膜の周囲に、液滴をせき止めるためのせき止め部をさらに含み、
前記反射防止膜は、当該反射防止膜の材料を含む液滴を用いた液滴吐出法によって形成されている、
受光素子アレイ。
【請求項５】
基板の上方に、複数の光吸収層をアレイ状に形成する工程と、
各前記光吸収層の上方に、反射防止膜を形成する工程と、
を含み、
各前記反射防止膜は、膜厚を異なるように、前記反射防止膜の材料を含む液滴を、前記光吸収層において光を取り込む受光面に向けて吐出することによって、透過する光の波長領域が互いに異なるように形成される、受光素子アレイの製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記反射防止膜を形成する前に、前記受光面に親液処理を施す工程を含む、受光素子アレイの製造方法。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記反射防止膜を形成する前に、前記基板の上方に、吐出した液滴をせき止めるためのせき止め部を形成する工程を含む、受光素子アレイの製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし４のいずれかに記載の受光素子アレイと、
前記受光素子アレイの出力電流を電圧に変換するトランスインピーダンスアンプと、
を含む光モジュール。
【請求項９】
請求項８に記載の光モジュールと、
発光素子と、
前記発光素子を駆動するドライバと、
前記トランスインピーダンスアンプの出力電圧を一定レベルにするリミッティングアンプと、
を含む光トランシーバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光素子アレイ、受光素子アレイの製造方法、光モジュールおよび光トランシーバに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の光通信技術の発展にともない、大容量でかつ高速な光ファイバを用いた通信が可能となっている。そして光ファイバを用いた通信においては、さらに伝送容量を大きくするため、複数の波長の光を１本の光ファイバで伝送する波長分割多重方式が利用される場合がある。
【０００３】
そこで、このような光ファイバ等によって伝送された複数の波長の光を受光することが可能なデバイスが必要とされている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、複数の波長の光を効率よく受光することのできる受光素子アレイを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る受光素子アレイは、
基板と、
前記基板の上方にアレイ状に形成された複数の光吸収層と、
各前記光吸収層の上方に形成された反射防止膜と、
を含み、
前記反射防止膜は、透過する光の波長領域が互いに異なる。
【０００６】
本発明に係る受光素子アレイによれば、受光素子ごとに複数の波長の光を効率よく受光することができる。
【０００７】
本発明に係る受光素子アレイにおいて、各前記反射防止膜は、膜厚が互いに異なることによって、透過する光の波長領域が互いに異なることができる。
【０００８】
本発明に係る受光素子アレイにおいて、前記複数の反射防止膜の各々の膜厚は、透過する光の波長をλとし、当該反射防止膜の屈折率をｎとすると、ｍλ／４ｎ（ｍは奇数）であることができる。
【０００９】
係る態様によれば、本発明に係る受光素子アレイは、前記反射防止膜の表面反射率をより低減させることができる。
【００１０】
本発明に係る受光素子アレイにおいて、
前記反射防止膜は、当該反射防止膜の材料を含む液滴を、前記光吸収層の受光面に向けて吐出することによって、形成されており、
前記反射防止膜の周囲に、吐出した液滴をせき止めるためのせき止め部をさらに含むことができる。
【００１１】
本発明に係る受光素子アレイの製造方法は、
基板の上方に、複数の光吸収層をアレイ状に形成する工程と、
各前記光吸収層の上方に、反射防止膜を形成する工程と、
を含み、
前記各反射防止膜は、膜厚を異なるように形成することによって、透過する光の波長領域が互いに異なるように形成されることができる。
【００１２】
係る態様によれば、受光素子アレイ上において、受光素子ごとに、所望の膜厚の反射防止膜を形成することができる。
【００１３】
本発明に係る受光素子アレイの製造方法において、
前記反射防止膜の材料を含む液滴を、前記光吸収層において光を取り込む受光面に向けて吐出することによって、前記反射防止膜を形成することができる。
【００１４】
係る態様によれば、容易に膜厚の異なる反射防止膜を形成することができる。
【００１５】
本発明に係る受光素子アレイの製造方法において、
前記反射防止膜を形成する前に、前記受光面に親液処理を施すことができる。
【００１６】
係る態様によれば、吐出された液滴を平坦に広がりやすくすることができる。
【００１７】
本発明に係る受光素子アレイの製造方法において、
前記基板の上方に、吐出した液滴をせき止めるためのせき止め部を形成する工程をさらに含むことができる。
【００１８】
係る態様によれば、たとえば所望の反射防止膜の膜厚に応じた形状のせき止め部を形成することにより、吐出された液滴を確実にせき止めることができる。
【００１９】
本発明に係る光モジュールは、
本発明に係る受光素子アレイと、
前記受光素子アレイの出力電流を電圧に変換するトランスインピーダンスアンプと、
を含む。
【００２０】
本発明に係る光トランシーバは、
本発明に係る光モジュールと、
発光素子と、
前記発光素子を駆動するドライバと、
前記トランスインピーダンスアンプの出力電圧を一定レベルにするリミッティングアンプと、を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら述べる。
【００２２】
１．受光素子アレイ
図１は、本発明を適用した本実施の形態に係る受光素子アレイ１００を模式的に示す断面図である。受光素子アレイ１００は、半導体基板１０と、複数の受光素子９０を含む。各受光素子９０は、半導体基板１０上にアレイ状に形成されており、光吸収層２０、コンタクト層３０、第１電極４０、第２電極４２を有する。各受光素子９０上には、それぞれ第１反射防止膜５０、第２反射防止膜５２、第３反射防止膜５４および第４反射防止膜５６が形成されている。図示の例では、一のアレイ上に、４つの受光素子９０が形成されているが、この数に限定されるものではなく、たとえば受光素子アレイが受光する波長帯域の数に応じて、受光素子９０は形成される。
【００２３】
第１反射防止膜５０、第２反射防止膜５２、第３反射防止膜５４および第４反射防止膜５６は、膜厚が互いに異なる。これにより、第１反射防止膜５０、第２反射防止膜５２、第３反射防止膜５４および第４反射防止膜５６は、透過する光の波長領域が互いに異なる。具体的には、第１反射防止膜５０、第２反射防止膜５２、第３反射防止膜５４および第４反射防止膜５６の膜厚は、それぞれの受光素子９０に入射する光の波長をλとし、膜の屈折率をｎとすると、ｍλ／４ｎ（ｍは奇数）である。このように膜厚をｍλ／４ｎとすることにより、表面反射率をより小さくすることができる。
【００２４】
また、反射防止膜の膜厚は、それぞれの受光素子９０が受光する光の波長に基づいて、以下のように定められる。図２は、反射防止膜の表面反射特性を示す図である。図２に示すグラフの横軸は受光素子９０が受光する光の波長を示し、縦軸は反射防止膜の表面反射率を示す。４種のプロットは、互いに膜厚が異なる反射防止膜の表面反射率を示す。反射防止膜のサンプルとしては、屈折率が１．５のエポキシ系の樹脂を用いた。膜厚は２１５ｎｍ、２１８．３ｎｍ、２２１．６ｎｍ、２２５ｎｍである。
【００２５】
図２に示すように、膜厚ごとに、反射防止膜の表面反射率が最小となる波長が異なっていることがわかる。即ち、より効率的に光の反射を防止するために、受光する光の波長によって、反射防止膜の膜厚を変える必要がある。そこで、各受光素子９０が受光する光の波長において、より表面反射率が低い膜厚を選択した反射防止膜を形成することが望ましい。
【００２６】
第１反射防止膜５０、第２反射防止膜５２、第３反射防止膜５４および第４反射防止膜５６の材料は、光を透過するものであり、たとえば酸化シリコン、窒化シリコン等の無機物、あるいは樹脂からなってもよい。また、第１反射防止膜５０、第２反射防止膜５２、第３反射防止膜５４および第４反射防止膜５６に用いられる材料は、互いに同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。即ち、受光素子９０が受光する光の波長に応じて、適した材料を選択して各反射防止膜を形成することもできる。また、反射防止膜は複数層からなってもよい。
【００２７】
受光素子９０は、ｎ型ＧａＡｓ層からなる半導体基板１０と、不純物がドーピングされていないＧａＡｓ層からなる光吸収層２０と、ｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層３０とが順次積層されて、ｐｉｎフォトダイオードを構成する。
【００２８】
さらに、受光素子９０は、それぞれ第１電極４０および第２電極４２を有する。第２電極４２は、複数の受光素子９０の共通電極として用いられる。第１電極４０および第２電極４２は、受光素子９０に電圧を印加して駆動させるために使用される。具体的には、第１電極４０は、コンタクト層３０の上部に設けられ、第２電極４２は、半導体基板１０の下部に設けられる。第２電極４２は、たとえばクロムと、金およびゲルマニウムの合金と、ニッケルと、金との積層膜からなることができる。第１電極４０は、たとえば、白金と、チタンと、白金と、金との積層膜からなることができる。なお、第１電極４０は、各反射防止膜の高さ以上の高さであることが好ましい。これにより、反射防止膜を液滴吐出法により形成する場合に、第１電極４０は、液体状の材料をせき止めることができる。
【００２９】
次に本実施の形態に係る受光素子アレイ１００の動作について説明する。光信号が受光素子９０に入力される。たとえば、光は、第１反射防止膜５０を透過し、コンタクト層３０へ入射する。コンタクト層３０に入射した光は、次に光吸収層２０へ入射する。この入射光の一部が光吸収層２０に吸収された結果、光吸収層２０において光励起が生じ、電子および正孔が生じる。そして、素子外部から印加された電界により、電子は第２電極４２に、正孔は第１電極４０にそれぞれ移動する。その結果、受光素子９０において、第２電極４２から第１電極４０の方向に電流（光電流）が生じる。
【００３０】
以上に述べたように、それぞれの受光素子９０には、互いに異なる波長の光が入射する。この場合、それぞれの光の波長によって、表面反射率が最小になる反射防止膜の膜厚が異なる。したがって、一のアレイ上に異なる膜厚の反射防止膜を形成することにより、複数の波長の光を効率よく受光することができる。
【００３１】
２．受光素子アレイの製造方法
次に本実施の形態に係る受光素子アレイ１００の製造方法の一例について、図３〜図６を用いて説明する。図３〜図６は、図１に示す受光素子アレイ１００の一製造工程を模式的に示す断面図であり、それぞれ図１に示す断面図に対応している。
【００３２】
（１）まず、ｎ型ＧａＡｓからなる半導体基板１０の表面１０ａに、エピタキシャル成長させることにより、図３に示すように、半導体層である光吸収層２０およびコンタクト層３０が形成される。ここで光吸収層２０は、不純物がドーピングされていないＧａＡｓ層からなる。またコンタクト層３０は、ｐ型ＧａＡｓからなる。
【００３３】
エピタキシャル成長を行う際の温度は、成長方法や原料、半導体基板１０の種類、あるいは形成する光吸収層２０およびコンタクト層３０の種類、厚さ、およびキャリア密度などによって適宜決定されるが、一般に、４５０℃〜８００℃であるのが好ましい。また、エピタキシャル成長を行う際の所要時間も、温度と同様に適宜決定される。また、エピタキシャル成長させる方法としては、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ：Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法や、ＭＢＥ法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、あるいはＬＰＥ法（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることができる。
【００３４】
（２）次に、光吸収層２０およびコンタクト層３０（図３参照）を所定の形状にパターニングして、光吸収層２０およびコンタクト層３０が形成される（図４参照）。具体的には、まず、少なくともコンタクト層３０上にレジストを塗布した後、リソグラフィ法により該レジストをパターニングすることにより、所定のパターンのレジスト層が形成される。
【００３５】
次いで、レジスト層をマスクとして、たとえばドライエッチング法またはウェットエッチング法により、光吸収層２０およびコンタクト層３０をエッチングする。以上の工程により、図４に示すように、コンタクト層３０および光吸収層２０が形成される。その後、レジスト層が除去される。
【００３６】
（３）次に、図５に示すように、コンタクト層３０上に第１電極４０が形成される。具体的には、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、またはメッキ法などにより、たとえば、白金と、チタンと、白金と、金との積層膜（図示せず）を形成する。次いで、たとえばリフトオフ法、またはドライエッチング法などにより、所定の領域以外の積層膜を除去することにより、第１電極４０が形成される。ここで第１電極４０は、外周部分が閉じた形状に形成される。これにより、後述するようにインクジェット１１０から吐出された液滴をせき止めることができる。
【００３７】
なお、第１電極４０を形成するための材料は、上述したものに限定されるわけではない。
【００３８】
（４）次に、図５に示すように、半導体基板１０の下面に第２電極４２が形成される。具体的には、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、またはメッキ法などにより、たとえば、クロムと、金およびゲルマニウムの合金と、ニッケルと、金との積層膜を形成する。次いで、たとえばリフトオフ法、またはドライエッチング法などにより、所定の領域以外の積層膜を除去することにより、第２電極４２が形成される。次いで、アニール処理を行う。アニール処理の温度は電極材料に依存する。本実施の形態で用いる電極材料の場合は、通常４００℃前後で行う。
【００３９】
（５）次に、図６を用いて反射防止膜の形成方法について説明する。図６は、第２反射防止膜５２を形成している図である。反射防止膜は、液滴吐出法により形成される。図６では、液滴吐出法の一例としてインクジェット法を使用する。
【００４０】
インクジェット１１０は、液体材料の液滴１１４を、受光面６０に向けて吐出する。インクジェット１１０の吐出方法としては、例えば、（I）熱により液体中の気泡の大きさを変化させることで圧力を生じ、液体を吐出する方法、（II）圧電素子により生じた圧力によって液体を吐出させる方法とがある。圧力の制御性の観点からは、前記（II）の方法が望ましい。
【００４１】
インクジェットヘッド１１２のノズル１１４の位置と、液滴の吐出位置とのアライメントは、一般的な半導体集積回路の製造工程における露光工程や検査工程で用いられる公知の画像認識技術を用いて行なわれる。例えば、図６に示すように、インクジェットヘッド１１２のノズル１１４の位置と、受光面６０の位置とのアライメントを行なう。アライメント後、インクジェットヘッド１１２に印加する電圧を制御して、液体材料の液滴１１４を吐出する。吐出された液滴１１４は、受光素子９０上で広がり、第１電極４０によりせき止められる。その後、塗膜を乾燥させ、溶媒等を除去することにより、第２反射防止膜５２を形成する。
【００４２】
インクジェット１１０は、受光素子アレイ１００上を順次移動し、たとえば、第４反射防止膜５６、第３反射防止膜５４、第２反射防止膜５２、第１反射防止膜５０の順に膜を形成する。
【００４３】
インクジェット１１０の液滴の吐出量を変化させることによって、反射防止膜の膜厚を制御する。各反射防止膜を形成するための液は、当該反射防止膜を平坦に形成するため、粘度の低い材料であることが望ましい。具体的には、溶媒の量を調整すること等により、反射防止膜の材料の粘度を低くすることができる。
【００４４】
またインクジェット１１０により液滴を吐出させる受光面６０は、液滴を吐出する前に、たとえば酸素プラズマ処理等の親液処理を施しておくことが好ましい。これにより、インクジェット１１０から吐出された液滴を、受光面６０上で広がりやすくすることができ、より平坦に反射防止膜を形成することができる。
【００４５】
以上の工程により、受光素子アレイ１００が得られる（図１参照）。このように液滴吐出法を用いることにより、互いに異なる膜厚の反射防止膜を容易に製造することができる。また、受光素子９０の受光面６０にのみ反射防止膜を形成することができるため、たとえばスパッタ法により基板上に一括で反射防止膜を形成する場合と比べて、反射防止膜の材料を節約することができる。
【００４６】
３．変形例
図７を用いて本実施の形態に係る受光素子アレイ１００の変形例を説明する。図７は、変形例に係る受光素子アレイ１５０を模式的に示す断面図である。受光素子アレイ１５０は、半導体基板１０上において、受光素子９０の周囲に、インクジェット１１０から吐出された液滴１１６（図６参照）をせき止めるためのせき止め部８０をさらに有する点で、図１の受光素子アレイ１００と異なる。
【００４７】
せき止め部８０は、受光素子９０の相互間を埋め込む形状で形成される。せき止め部８０は、上方に向けて開口部が大きくなるように傾斜した形状で、コンタクト層３０の高さより高く形成される。そして第１電極４０は、コンタクト層３０とせき止め部８０の上部に設けられる。なお、せき止め部８０は、たとえばポリイミドからなる。せき止め部８０の上には、第１電極４０が形成される。
【００４８】
これにより、たとえば、インクジェット１１０から吐出された液滴が、第１電極４０上に落下した場合でも、第１電極４０が受光素子９０に向けて傾斜した形状に形成されているため、当該液滴は、第１電極４０上からコンタクト層３０上に流れ込む。従って、より簡単に反射防止膜を形成することができる。
【００４９】
また、せき止め部８０が形成されることにより、たとえば第１反射防止膜５８のように、第１電極４０の層の厚さより厚い反射防止膜であっても、容易に形成することができる。
【００５０】
４．受光素子アレイを用いた光トランシーバ
図８は、本発明に係る受光素子アレイを有する光トランシーバ７００を模式的に示す断面図である。図８では、図１に示す受光素子アレイ１００を適用する。光トランシーバ７００は、受信部２００、送信部３００、および電子回路部６００を含む。電子回路部６００は、増幅回路部４００、および駆動回路部５００を含む。受信部２００は、サブマウント基板２２０上に半導体基板１０を有し、その上に受光素子９０と、トランスインピーダンスアンプ１２０とを有する。送信部３００は、サブマウント基板３４０上に半導体基板３３０を有し、半導体基板３３０上に発光素子３１０と、光量モニタフォトダイオード３２０とを有する。
【００５１】
筐体部２０２は、樹脂材料で形成され、後述するスリーブ２０４と一体的に形成される。同様に筐体部３０２は、樹脂材料で形成され、後述するスリーブ３０４と一体的に形成される。樹脂材料としては、光を透過可能なものが選択され、たとえば、プラスチック系光ファイバ（ＰＯＦ）に用いられるポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ジアリルフタレート、フェニルメタクリレート、フッ素系ポリマー等を採用することができる。
【００５２】
スリーブ２０４は、外部から光ファイバなどの導光部材（図示せず）をはめ込み可能に形成されており、収容空間２０８の周壁の一部を構成している。受信部２００において、スリーブ２０４の収容空間２０８側には、導光部材からの光信号を集光して送り出すためのレンズ部２０６を有する。これにより、導光部材からの光の損失を低減して、受光素子９０と導光部材との光の結合効率を良好なものとすることができる。
【００５３】
送信部３００において、スリーブ３０４の収容空間３０８側には、発光素子３１０からの光を反射および透過させる斜めガラス部３０６を有する。反射した光は、光量モニタフォトダイオード３２０が受け取る。モニタフォトダイオード３２０が受け取った光の光量に応じて、駆動回路部５００は、発光素子３１０が発光する光量を調節する。斜めガラス部３０６を透過した光は、送信部３００のスリーブ３０４にはめ込まれる導光部材に送り出される。
【００５４】
発光素子３１０は、外部から入力した電気信号を光信号に変換して、光ファイバ（図示せず）を介して外部に出力する。受光素子９０は、光ファイバを介して光信号を受信し、これを電流に変換し、変換した電流をトランスインピーダンスアンプ１２０に送る。トランスインピーダンスアンプ１２０は、受け取った電流を電圧出力に変換し、増幅して、電子回路部６００に送る。増幅回路部４００は、電圧出力が一定以上にならないように制御し、外部に出力する。なお、電気信号の出力端子や入力端子などの外部端子の説明は省略する。
【００５５】
このように、受光素子アレイ１００は、波長帯域の異なる複数の受光素子９０を有した状態で、光トランシーバ７００に用いられる。これにより、複数の波長のレーザ光を同時に効率よく受信することができる。また、一のアレイで形成された複数の受光素子９０を集積させるため、異なるチップで形成された複数の受光素子９０を集積させる場合と比べて、光トランシーバ７００の製造工程を簡略化することができる。
【００５６】
図９（ａ）は、変形例に係る光トランシーバ７５０を模式的に示す断面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【００５７】
上述した光トランシーバ７００は、同一の半導体基板１０上に、受光素子９０およびトランスインピーダンスアンプ１２０が形成されていたが、光トランシーバ７５０は、半導体基板１０上にトランスインピーダンスアンプ１２０は形成されず、サブマウント基板２２０上に搭載されている点で光トランシーバ７００と異なる。また、送信部３００においても、上述した光トランシーバ７００は、同一の半導体基板３３０上に発光素子３１０と、光量モニタフォトダイオード３２０とが形成されていたが、両者は異なる基板上に形成されている点で光トランシーバ７００と異なる。
【００５８】
具体的には、受光素子９０は半導体基板１０上に形成され、トランスインピーダンスアンプ１２０は、サブマウント２２０上に搭載されている。また、発光素子３１０は、半導体基板３３０上に形成され、光量モニタフォトダイオード３２０は、半導体基板３３２上に形成されている。スリーブ２０４およびスリーブ３０４は、互いに波長の異なる光を送る４本の導光部材（図示せず）を、コネクタを介して嵌め込むことができるように形成される。
【００５９】
図９（ａ）、（ｂ）のような構造にすることによって、図８のような構造である場合と比べて、光トランシーバをより小型化することができる。
【００６０】
以上、本発明の好適な実施の形態について述べたが、本発明はこれらに限定されず、各種の態様を取りうる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本実施の形態に係る受光素子アレイの断面図。
【図２】反射防止膜の表面反射特性を示す図。
【図３】本実施の形態に係る受光素子アレイの製造方法を示す断面図。
【図４】本実施の形態に係る受光素子アレイの製造方法を示す断面図。
【図５】本実施の形態に係る受光素子アレイの製造方法を示す断面図。
【図６】本実施の形態に係る受光素子アレイの製造方法を示す断面図。
【図７】変形例に係る受光素子アレイ１５０を模式的に示す断面図。
【図８】本実施の形態に係る光トランシーバ７００を模式的に示す断面図。
【図９】（ａ）変形例に係る光トランシーバ７５０を模式的に示す断面図。（ｂ）図９（ａ）のＡ−Ａ’断面図。
【符号の説明】
【００６２】
１０  半導体基板、２０  光吸収層、３０  コンタクト層、４０  第１電極、４２  第２電極、５０  第１反射防止膜、５２  第２反射防止膜、５４  第３反射防止膜、５６  第４反射防止膜、８０  せき止め部、９０  受光素子、１００  受光素子アレイ、１１０  インクジェット、１２０  トランスインピーダンスアンプ、７００  光トランシーバ
【図１】
2005268421.tif 000003
【図２】
2005268421.tif 000004
【図３】
2005268421.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005268421.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005268421.tif 000011