(57)【要約】    【課題】  基準となるクロック信号を用いずにＲＣ型アクティブフィルタ回路の周波数特性を調整することができるフィルタ回路を提供すること。    【解決手段】  本発明では、電界効果トランジスタを抵抗素子として機能させたＲＣ型アクティブフィルタ回路と、前記電界効果トランジスタの抵抗値を設定値に調整することで前記ＲＣ型アクティブフィルタ回路の周波数特性を調整する周波数調整回路とを有するフィルタ回路において、前記周波数調整回路は、前記電界効果トランジスタと相似特性を有する調整用の電界効果トランジスタを有し、この調整用の電界効果トランジスタのドレイン・ソース端子間の抵抗値が設定値になるように前記調整用の電界効果トランジスタのゲート端子に印加する電圧を調整し、その電圧を前記ＲＣ型アクティブフィルタ回路の電界効果トランジスタのゲート端子に印加するように構成した。【選択図】      図３
2005210226.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果トランジスタを抵抗素子として機能させたＲＣ型アクティブフィルタ回路と、前記電界効果トランジスタの抵抗値を設定値に調整することで前記ＲＣ型アクティブフィルタ回路の周波数特性を調整する周波数調整回路とを有するフィルタ回路において、
前記周波数調整回路は、前記電界効果トランジスタと相似特性を有する調整用の電界効果トランジスタを有し、この調整用の電界効果トランジスタのドレイン・ソース端子間の抵抗値が設定値になるように前記調整用の電界効果トランジスタのゲート端子に印加する電圧を調整し、その電圧を前記ＲＣ型アクティブフィルタ回路の電界効果トランジスタのゲート端子に印加するように構成したことを特徴とするフィルタ回路。
【請求項２】
前記周波数調整回路は、前記調整用の電界効果トランジスタのドレイン・ソース端子間抵抗の設定値を変更できるように構成したことを特徴とする請求項１に記載のフィルタ回路。
【請求項３】
２個の前記調整用の電界効果トランジスタをカスケード接続したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のフィルタ回路。
【請求項４】
電界効果トランジスタを抵抗素子として機能させたＲＣ型アクティブフィルタ回路と、前記電界効果トランジスタの抵抗値を設定値に調整することで前記ＲＣ型アクティブフィルタ回路の周波数特性を調整する周波数調整回路とを半導体基板上に形成したフィルタ装置において、
前記周波数調整回路は、前記電界効果トランジスタと相似特性を有する調整用の電界効果トランジスタを有し、この調整用の電界効果トランジスタのドレイン・ソース端子間の抵抗値が設定値になるように前記調整用の電界効果トランジスタのゲート端子に印加する電圧を調整し、その電圧を前記ＲＣ型アクティブフィルタ回路の電界効果トランジスタのゲート端子に印加するように構成したことを特徴とするフィルタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルタ回路及び同回路を有するフィルタ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、高周波通信機器や画像処理機器などの各種電子機器には、半導体基板上にフィルタ回路を形成したフィルタ装置が多用されている。
【０００３】
このフィルタ装置に内蔵されるフィルタ回路としては多種多様のものが考えられてきているが、フィルタ回路の構成要素として抵抗素子を用いるＲＣ型アクティブフィルタ回路の場合には、抵抗素子として半導体基板上に形成した抵抗体を用いると、その抵抗体の形成時のばらつきによって抵抗値の精度が低減してしまうことから、抵抗素子として電界効果トランジスタのドレイン・ソース間抵抗が利用されるようになってきている。
【０００４】
このように電界効果トランジスタを抵抗素子として機能させたＲＣ型アクティブフィルタ回路では、周波数特性を調整するために周波数調整回路を設けていた（特許文献１参照）。
【０００５】
この周波数調整回路は、基準となるクロック信号を利用して電界効果トランジスタのゲート端子に印加する電圧を調整し、これによってドレイン・ソース間抵抗の抵抗値を調整することでＲＣ型アクティブフィルタ回路の周波数特性を調整するようにしていた。
【０００６】
すなわち、図８に示すように、従来の周波数調整回路101では、マスターとなるＲＣ型アクティブフィルタ回路と同様の周波数特性を有するスレーブとなるフィルタ回路102に基準となるクロック信号ｆrefを入力し、このフィルタ回路102の出力信号とクロック信号ｆrefとの位相差を位相検波回路103で検出し、その位相差を積分回路104で積分することによって生成した制御電圧Ｖcでフィルタ回路102の中心周波数をフィードバック制御するとともに、その制御電圧ＶcをマスターとなるＲＣ型アクティブフィルタ回路のゲート端子に印加する電圧とすることで周波数特性の調整を行っていた。      
【特許文献１】特開２００２−２７１１７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このように、上記従来のフィルタ装置では、ＲＣ型アクティブフィルタ回路の周波数特性を調整するために基準となるクロック信号を利用していた。
【０００８】
ところが、フィルタ装置に必ずしも基準となるクロック信号が提供されるとは限られず、また、基準となるクロック信号を外部からフィルタ装置に入力することを強要するとフィルタ装置の使い勝手が低減してしまうおそれがあった。
【０００９】
また、フィルタ装置の内部に基準となるクロック信号が提供される場合であっても、そのクロック信号がＲＣ型アクティブフィルタ回路やその周辺の回路の信号にノイズとして重畳されてしまい、フィルタ装置の特性が劣化してしまうおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そこで、請求項１に係る本発明では、電界効果トランジスタを抵抗素子として機能させたＲＣ型アクティブフィルタ回路と、前記電界効果トランジスタの抵抗値を設定値に調整することで前記ＲＣ型アクティブフィルタ回路の周波数特性を調整する周波数調整回路とを有するフィルタ回路において、前記周波数調整回路は、前記電界効果トランジスタと相似特性を有する調整用の電界効果トランジスタを有し、この調整用の電界効果トランジスタのドレイン・ソース端子間の抵抗値が設定値になるように前記調整用の電界効果トランジスタのゲート端子に印加する電圧を調整し、その電圧を前記ＲＣ型アクティブフィルタ回路の電界効果トランジスタのゲート端子に印加するように構成することにした。
【００１１】
また、請求項２に係る本発明では、前記請求項１に係る本発明において、前記周波数調整回路は、前記調整用の電界効果トランジスタのドレイン・ソース端子間抵抗の設定値を変更できるように構成することにした。
【００１２】
また、請求項３に係る本発明では、前記請求項１又は請求項２に係る本発明において、２個の前記調整用の電界効果トランジスタをカスケード接続することにした。
【００１３】
また、請求項４に係る本発明では、電界効果トランジスタを抵抗素子として機能させたＲＣ型アクティブフィルタ回路と、前記電界効果トランジスタの抵抗値を設定値に調整することで前記ＲＣ型アクティブフィルタ回路の周波数特性を調整する周波数調整回路とを半導体基板上に形成したフィルタ装置において、前記周波数調整回路は、前記電界効果トランジスタと相似特性を有する調整用の電界効果トランジスタを有し、この調整用の電界効果トランジスタのドレイン・ソース端子間の抵抗値が設定値になるように前記調整用の電界効果トランジスタのゲート端子に印加する電圧を調整し、その電圧を前記ＲＣ型アクティブフィルタ回路の電界効果トランジスタのゲート端子に印加するように構成することにした。
【発明の効果】
【００１４】
そして、本発明では、以下に記載する効果を奏する。
【００１５】
すなわち、請求項１に係る本発明では、電界効果トランジスタを抵抗素子として機能させたＲＣ型アクティブフィルタ回路と、電界効果トランジスタの抵抗値を設定値に調整することでＲＣ型アクティブフィルタ回路の周波数特性を調整する周波数調整回路とを有するフィルタ回路において、周波数調整回路は、電界効果トランジスタと相似特性を有する調整用の電界効果トランジスタを有し、この調整用の電界効果トランジスタのドレイン・ソース端子間の抵抗値が設定値になるように調整用の電界効果トランジスタのゲート端子に印加する電圧を調整し、その電圧を前記ＲＣ型アクティブフィルタ回路の電界効果トランジスタのゲート端子に印加するように構成しているため、基準となるクロック信号を用いずにＲＣ型アクティブフィルタ回路の周波数特性を調整することができる。
【００１６】
また、請求項２に係る本発明では、調整用の電界効果トランジスタのドレイン・ソース端子間抵抗の設定値を変更できるようにしているため、この設定値を適宜変更することによって、ＲＣ型アクティブフィルタ回路を構成する電界効果トランジスタの寄生容量に起因する中心周波数のずれをも調整することができる。
【００１７】
また、請求項３に係る本発明では、２個の調整用の電界効果トランジスタをカスケード接続しているため、それぞれの電界効果トランジスタが互いに偶数次の歪を相殺しあうことになり、調整する中心周波数の誤差を少なくすることができる。
【００１８】
また、請求項４に係る本発明では、電界効果トランジスタを抵抗素子として機能させたＲＣ型アクティブフィルタ回路と、電界効果トランジスタの抵抗値を設定値に調整することでＲＣ型アクティブフィルタ回路の周波数特性を調整する周波数調整回路とを半導体基板上に形成したフィルタ装置において、周波数調整回路は、電界効果トランジスタと相似特性を有する調整用の電界効果トランジスタを有し、この調整用の電界効果トランジスタのドレイン・ソース端子間の抵抗値が設定値になるように調整用の電界効果トランジスタのゲート端子に印加する電圧を調整し、その電圧又は電流をＲＣ型アクティブフィルタ回路の電界効果トランジスタのゲート端子に印加するように構成しているため、基準となるクロック信号を用いずにＲＣ型アクティブフィルタ回路の周波数特性を調整することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明に係るフィルタ装置は、ＲＣ型アクティブフィルタ回路とその周波数特性を調整する周波数調整回路とから構成したフィルタ回路を半導体基板上に形成したものである。
【００２０】
そして、ＲＣ型アクティブフィルタ回路は、電界効果トランジスタのドレイン・ソース間抵抗を利用することによって電界効果トランジスタを抵抗素子として機能させるように構成したものである。
【００２１】
また、周波数調整回路は、ＲＣ型アクティブフィルタを構成する電界効果トランジスタのゲート端子に印加する電圧を調整することによって、電界効果トランジスタのドレイン・ソース間抵抗の抵抗値を調整し、これによってＲＣ型アクティブフィルタ回路の中心周波数やカットオフ周波数などの周波数特性を調整するように構成したものである。
【００２２】
しかも、本発明に係るフィルタ回路では、周波数調整回路にＲＣ型アクティブフィルタ回路を構成する電界効果トランジスタと相似特性（同一特性を含む。）を有する調整用の電界効果トランジスタを設け、この調整用の電界効果トランジスタのドレイン・ソース端子間の抵抗値が予め設定した設定値になるように調整用の電界効果トランジスタのゲート端子に印加する電圧を調整し、その電圧をＲＣ型アクティブフィルタ回路を構成する電界効果トランジスタのゲート端子に印加するように構成している。
【００２３】
このように、電界効果トランジスタと相似特性を有する調整用の電界効果トランジスタのドレイン・ソース端子間の抵抗値が設定値になるように調整することでＲＣ型アクティブフィルタ回路の周波数特性を調整するようにしているため、ＲＣ型アクティブフィルタ回路を構成する電界効果トランジスタの閾値電圧や電圧・電流特性βなどのばらつきに起因する抵抗値のばらつきを調整することによってＲＣ型アクティブフィルタ回路の周波数特性を良好に調整することができ、しかも、ＲＣ型アクティブフィルタ回路の周波数特性を調整するために基準となるクロック信号を別途用意する必要がなくなり、フィルタ装置の使い勝手を向上させることができる。
【００２４】
また、フィルタ装置の内部に基準となるクロック信号が供給されなくなることによって、クロック信号がＲＣ型アクティブフィルタ回路やその周辺の回路の信号にノイズとして重畳されてしまうことがなくなり、ノイズの影響によるフィルタ装置の特性劣化を未然に防止することができる。
【００２５】
特に、調整用の電界効果トランジスタのドレイン・ソース端子間抵抗の設定値を変更できるようにした場合には、この設定値を適宜変更することによって、ＲＣ型アクティブフィルタ回路を構成する電界効果トランジスタの容量の製造ばらつきに起因する周波数特性のずれをも調整することができる。
【００２６】
また、２個の調整用の電界効果トランジスタをカスケード接続した場合には、それぞれの電界効果トランジスタが互いに偶数次の歪を相殺しあうことになり、調整する周波数の誤差を少なくすることができる。
【００２７】
以下に、本発明に係るフィルタ回路の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
【００２８】
本発明に係るフィルタ回路は、ＲＣ型アクティブフィルタ回路１とその周波数特性（中心周波数）を調整するための周波数調整回路２とから構成している。
【００２９】
ＲＣ型アクティブフィルタ回路１は、図１に示すように、バイクワッド型のバンドパスフィルタで構成しており、入力端子3,4に入力された信号をフィルタ処理して出力端子5,6から出力するようにしている。
【００３０】
このＲＣ型アクティブフィルタ回路１では、電界効果トランジスタM1のドレイン・ソース端子間の抵抗を利用することで電界効果トランジスタM1を抵抗素子として機能させており、この電界効果トランジスタM1のゲート端子に制御端子７を介して印加する電圧Ｖcによってソース・ドレイン端子間の抵抗の値を調整することでＲＣアクティブフィルタ回路１の中心周波数を調整することができるようにしている。図２は、このＲＣ型アクティブフィルタ回路１の等価回路図である。
【００３１】
周波数調整回路２は、図３に示すように、ＲＣ型アクティブフィルタ回路１の抵抗素子を構成する電界効果トランジスタM1と相似特性を持った調整用の電界効果トランジスタM2を有しており、この調整用の電界効果トランジスタM2のドレイン・ソース端子間の抵抗値が予め設定した設定値になるように調整用の電界効果トランジスタM2のゲート端子に印加する電圧Ｖcを調整し、その電圧ＶcをＲＣ型アクティブフィルタ回路１の電界効果トランジスタM1のゲート端子に印加するように構成している。
【００３２】
具体的には、周波数調整回路２は、調整用の電界効果トランジスタM2のソース端子にＲＣ型アクティブフィルタ回路１の基準電圧と等しい電圧Ｖrefを有する電源E1を接続し、この電源E1にグランド端子GNDを接続し、一方、調整用の電界効果トランジスタM2のドレイン端子に所定の電流Irefを通電する電流源I1を接続し、この電流源I1にグランド端子GNDに接続している。
【００３３】
また、周波数調整回路２は、オペアンプA1の正転入力端子に調整用の電界効果トランジスタM2のドレイン端子を接続し、一方、オペアンプA1の反転入力端子に電圧Ｖref＋ΔＶを有する電源E2を接続し、この電源E2にグランド端子GNDを接続し、さらには、オペアンプA1の出力端子を調整用の電界効果トランジスタM2のゲート端子に接続している。
【００３４】
これにより、周波数調整回路２は、調整用の電界効果トランジスタM2のドレイン端子の電位が電圧Ｖref＋ΔＶとなるようにオペアンプA1で調整用の電界効果トランジスタM2のゲート端子に帰還をかけ、調整用の電界効果トランジスタM2のドレイン・ソース間に電圧ΔＶ及び電流Irefが通電されるようにして、調整用の電界効果トランジスタM2のドレイン・ソース間の抵抗値Ｒが、
Ｒ＝ΔＶ／Ｉref
で決定される設定値になるようにしている。
【００３５】
そして、上記構成のフィルタ回路では、周波数調整回路２の調整用の電界効果トランジスタM2がＲＣ型アクティブフィルタ回路１を構成する電界効果トランジスタM1と相似特性を有することから、オペアンプA1の出力端子の電圧Ｖcを電界効果トランジスタM1のゲート端子に印加することによって、この電界効果トランジスタM1のドレイン・ソース端子間の抵抗値を設定値に調整することができる。
【００３６】
これにより、フィルタ回路では、ＲＣ型アクティブフィルタ回路１の製造上のばらつきや温度変化や電源電圧の変化が生じても、ＲＣ型アクティブフィルタ回路１の電界効果トランジスタM1の抵抗値を設定値に調整することができ、ＲＣ型アクティブフィルタ回路の周波数特性の変動を未然に防止することができる。
【００３７】
図３に示す周波数調整回路２では、１個の調整用の電界効果トランジスタM2を用いて構成しているが、これを２個の調整用の電界効果トランジスタM3,M4をカスケード接続した構成の周波数調整回路８とすることもできる。
【００３８】
すなわち、周波数調整回路８は、図４に示すように、図３に示す周波数調整回路２の１個の調整用の電界効果トランジスタM2に代えて２個の調整用の電界効果トランジスタM3,M4を用い、この調整用の電界効果トランジスタM3のソース端子と調整用の電界効果トランジスタM4のドレイン端子とを直接接続し、これらの調整用の電界効果トランジスタM3,M4のゲート端子をオペアンプA2の出力端子に接続している。
【００３９】
また、周波数調整回路８は、調整用の電界効果トランジスタM4のソース端子に電圧Ｖref−ΔＶ／２を有する電源E3を接続し、この電源E3にグランド端子GNDを接続し、一方、調整用の電界効果トランジスタM3のドレイン端子に所定の電流Irefを通電する電流源I2を接続し、この電流源I2にグランド端子GNDを接続し、さらには、オペアンプA2の正転入力端子に調整用の電界効果トランジスタM3のドレイン端子を接続し、一方、オペアンプA2の反転入力端子に電圧Ｖref＋ΔＶ／２を有する電源E4を接続し、この電源E4にグランド端子GNDを接続して、それぞれの調整用の電界効果トランジスタM3,M4のドレイン・ソース間に電圧ΔＶ／２が印加されるようにしている。
【００４０】
このように、２個の調整用の電界効果トランジスタM3,M4をカスケード接続した周波数調整回路８では、それぞれの調整用の電界効果トランジスタM3,M4が互いに偶数次の歪を相殺しあい、偶数次の歪による影響を低減することができ、これによって、調整する周波数の誤差を少なくすることができる。
【００４１】
しかも、それぞれの調整用の電界効果トランジスタM3,M4のドレイン・ソース間の電圧を大きくすることもでき、その場合には、オフセット電圧による影響をも低減することができ、これによっても、調整する周波数の誤差を少なくすることができる。
【００４２】
なお、図５に示すように、カスケード接続した２個の調整用の電界効果トランジスタM3,M4は、ゲート幅Ｗが等しくゲート長Ｌが２倍の１個の調整用の電界効果トランジスタM5に置き換えても同様の効果を奏する。
【００４３】
図３及び図４に示した周波数調整回路2,8では、調整用の電界効果トランジスタM2,M3,M4のゲート端子の電位を直接フィードバック制御することでゲート端子の電圧を調整するようにしているが、調整用の電界効果トランジスタM6,M7のドレイン・ソース間に通電される電流をフィードバック制御することでゲート端子の電圧を調整するように周波数調整回路９を構成することもできる。
【００４４】
すなわち、周波数調整回路９は、図６に示すように、調整用の電界効果トランジスタM6のソース端子と調整用の電界効果トランジスタM7のドレイン端子とを直接接続するとともに、これらの調整用の電界効果トランジスタM6,M7のゲート端子同士を共通接続することによって２個の調整用の電界効果トランジスタM6,M7をカスケード接続し、調整用の電界効果トランジスタM7のソース端子に電圧Ｖref−ΔＶ／２を有する電源E5を接続し、この電源E5にグランド端子GNDを接続し、一方、調整用の電界効果トランジスタM6のドレイン端子にnpn型のバイポーラトランジスタQ1のエミッタ端子を接続し、このバイポーラトランジスタQ1のコレクタ端子に所定の電流Irefを通電する電流源I3を接続し、この電流源I3にグランド端子GNDを接続し、さらには、バイポーラトランジスタQ1のコレクタ端子を調整用の電界効果トランジスタM6,M7のゲート端子に接続している。
【００４５】
また、周波数調整回路９は、調整用の電界効果トランジスタM6のドレイン端子をオペアンプA3の反転入力端子に接続する一方、このオペアンプA3の正転入力端子に電圧Ｖref＋ΔＶ／２を有する電源E6を接続し、この電源E6にグランド端子GNDを接続しており、それぞれの調整用の電界効果トランジスタM6,M7のドレイン・ソース間に電圧ΔＶ／２が印加されるようにしている。
【００４６】
さらに、周波数調整回路９は、オペアンプA3の出力端子をバイポーラトランジスタQ1のベース端子に接続している。
【００４７】
そして、周波数調整回路９では、調整用の電界効果トランジスタM6,M7のドレイン・ソース端子間に電流Ｉrefが通電されるようにオペアンプA3で帰還をかけるようにしている。
【００４８】
これにより、周波数調整回路９では、調整用の電界効果トランジスタM6,M7のドレイン・ソース間に通電される電流を調整することによって、調整用の電界効果トランジスタM6,M7のゲート端子の電圧を調整し、そのゲート端子での電圧を制御端子７を介してＲＣ型アクティブフィルタ回路１の電界効果トランジスタM1のゲート端子に印加するようにしている。
【００４９】
以上に説明した周波数調整回路2,8,9では、電流源I1,I2,I3での電流値や電圧源E1〜E6での電圧値を一定としているが、これらの電流値や電圧値を変更できるようにした可変電流源や可変電圧源として、こららの電流値や電圧値を変更することで調整用の電界効果トランジスタM2〜M7の抵抗値の設定値を変更できるようにすることもできる。
【００５０】
たとえば、図７に示す周波数調整回路10では、電流源で発生する電流値を外部から入力される４ビットデータを用いて変更できるように構成している。
【００５１】
すなわち、周波数調整回路10は、図７に示すように、調整用の電界効果トランジスタM8のソース端子と調整用の電界効果トランジスタM9のドレイン端子とを直接接続するとともに、これらの調整用の電界効果トランジスタM8,M9のゲート端子同士を共通接続することによって２個の調整用の電界効果トランジスタM8,M9をカスケード接続し、調整用の電界効果トランジスタM8のドレイン端子に可変電流源11を接続し、この可変電流源11にグランド端子GNDを接続している。
【００５２】
この可変電流源11は、固定抵抗R0と、スイッチS1〜S4を並列接続したスイッチング抵抗R1〜R4と、電圧Ｖref＋ΔＶ／２＋VRを有する電圧源E9とで構成し、固定抵抗R0とスイッチング抵抗R1〜R4との間に電圧VRが印加されるようにしており、スイッチング抵抗R1〜R4の抵抗値をそれぞれ倍増させた値とし、これらのスイッチング抵抗R1〜R4に並列接続したスイッチS1〜S4を外部から入力する４ビットデータで断続制御することによって合成抵抗値を変更して、この可変電流値11で発生する電流値を増減できるようにしている。
【００５３】
また、周波数調整回路10は、調整用の電界効果トランジスタM8のソース端子をオペアンプA4の正転入力端子に接続する一方、このオペアンプA4の反転入力端子に電圧Ｖref＋ΔＶ／２を有する電源E7を接続し、この電源E7にグランド端子GNDを接続して、さらには、オペアンプA4の出力端子に調整用の電界効果トランジスタM8,M9のゲート端子を接続している。
【００５４】
さらに、周波数調整回路10は、調整用の電界効果トランジスタM9のソース端子にnpn型のバイポーラトランジスタQ2のコレクタ端子を接続し、このバイポーラトランジスタQ2のエミッタ端子にグランド端子GNDを接続し、さらには、このバイポーラトランジスタQ2のコレクタ端子をオペアンプA5の正転入力端子に接続する一方、このオペアンプA5の反転入力端子に電圧Ｖref−ΔＶ／２を有する電源E8を接続し、この電源E8にグランド端子GNDを接続している。
【００５５】
そして、周波数調整回路10は、オペアンプA4によって調整用の電界効果トランジスタM8のドレイン端子が電圧Ｖref＋ΔＶ／２となるように帰還をかけるとともに、オペアンプA5によって調整用の電界効果トランジスタM9のソース端子が電圧Ｖref−ΔＶ／２となるように帰還をかけることによって、調整用の電界効果トランジスタM8,M9のゲート端子の電圧を調整し、そのゲート端子での電圧を制御端子７を介してＲＣ型アクティブフィルタ回路１の電界効果トランジスタM1のゲート端子に印加するようにしている。
【００５６】
この周波数調整回路10では、可変電流値11で発生する電流値を増減することによって調整用の電界効果トランジスタM8,M9のドレイン・ソース端子間の抵抗値の設定値を変更できるようにしており、この設定値を適宜変更することによって、ＲＣ型アクティブフィルタ回路１を構成する電界効果トランジスタM1の容量に製造ばらつきに起因する周波数特性のずれをも調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】ＲＣ型アクティブフィルタ回路を示す回路図。
【図２】同等化回路図。
【図３】周波数調整回路を示す回路図。
【図４】周波数調整回路を示す回路図。
【図５】調整用の電界効果トランジスタを示す説明図。
【図６】周波数調整回路を示す回路図。
【図７】周波数調整回路を示す回路図。
【図８】従来の周波数調整回路を示す回路図。
【符号の説明】
【００５８】
１  ＲＣ型アクティブフィルタ回路
2,8,9,10  周波数調整回路
3,4  入力端子
5,6  出力端子
７  制御端子
11  可変電流源
M1  電界効果トランジスタ
M2〜M9  調整用の電界効果トランジスタ
I1〜I3  電流源
E1〜E9  電源
Q1,Q2  バイポーラトランジスタ
A1〜A5  オペアンプ
【図１】
2005210226.tif 000003
【図２】
2005210226.tif 000004
【図３】
2005210226.tif 000005
【図４】
2005210226.tif 000006
【図５】
2005210226.tif 000007
【図６】
2005210226.tif 000008
【図７】
2005210226.tif 000009
【図８】
2005210226.tif 000010