(57)【要約】【課題】  サブマテリアルの反り発生を防ぎ、工程時間を短縮することができるダイボンダー設備及びこれを用いた半導体チップ付着方法を提供する。【解決手段】  基板をローディングするローダー部と、ボンディングステージに前記基板をフィーディングするフィーディング部と、半導体チップをヒーティングするヒーティング機能を内蔵し、接着用テープが付着された半導体チップを前記基板の一定位置に移動させて実装するためのボンドヘッドと、前記半導体チップが付着された前記基板をアンローディングするアンローダー部と、を含むダイボンダー設備。【選択図】  図１
2005123609.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をローディングするローダー部と、
ボンディングステージに前記基板をフィーディングするフィーディング部と、
半導体チップをヒーティングするヒーティング機能を内蔵し、接着用テープが付着された半導体チップを前記基板の一定位置に移動させて実装するためのボンドヘッドと、
前記半導体チップが付着された前記基板をアンローディングするアンローダー部と、
を含むダイボンダー設備。
【請求項２】
前記ボンドヘッドは前記半導体チップをホールド及びピックアップするためのダイコレットを含むことを特徴とする請求項１に記載のダイボンダー設備。
【請求項３】
前記ダイコレットは前記ボンドヘッドからの熱を前記半導体チップに伝達することを特徴とする請求項２に記載のダイボンダー設備。
【請求項４】
前記ダイコレットは熱伝逹可能なセラミック材質よりなることを特徴とする請求項３に記載のダイボンダー設備。
【請求項５】
前記ダイコレットは熱伝逹可能な金属材質よりなることを特徴とする請求項３に記載のダイボンダー設備。
【請求項６】
前記ダイコレットは前記半導体チップをヒーティングするヒーティング機能を具備することを特徴とする請求項２に記載のダイボンダー設備。
【請求項７】
前記ダイコレットは熱伝逹可能なセラミック材質よりなることを特徴とする請求項６に記載のダイボンダー設備。
【請求項８】
前記ダイコレットは熱伝逹可能な金属材質よりなることを特徴とする請求項６に記載のダイボンダー設備。
【請求項９】
前記ボンドヘッドはパルスヒーティング方式で前記半導体チップに熱を伝達することを特徴とする請求項１に記載のダイボンダー設備。
【請求項１０】
前記ボンドヘッドはコンスタントヒーティング方式で前記半導体チップに熱を伝達することを特徴とする請求項１に記載のダイボンダー設備。
【請求項１１】
前記ボンドヘッドはリニアヒーティング方式で前記半導体チップに熱を伝達することを特徴とする請求項１に記載のダイボンダー設備。
【請求項１２】
多数の半導体チップ及び前記多数の半導体チップに付着された多数の接着用テープを具備するウェハをホールドするウェハホールド部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のダイボンダー設備。
【請求項１３】
前記基板はパッケージ基板であることを特徴とする請求項１に記載のダイボンダー設備。
【請求項１４】
前記基板は下部半導体チップであることを特徴とする請求項１に記載のダイボンダー設備。
【請求項１５】
前記基板は前記半導体チップをヒーティングするヒーティング機能が内蔵されたことを特徴とする請求項１に記載のダイボンダー設備。
【請求項１６】
接着用テープが裏面に付着された多数の半導体チップを具備するウェハをダイボンダー設備内に備える段階と、
ボンドヘッドを利用して前記多数の半導体チップをヒーティングする段階と、
前記ボンドヘッドを利用して基板の一定位置にそれぞれの半導体チップを移動させて実装する段階と、
前記基板に前記それぞれの半導体チップを付着する段階と、
を含むダイボンディング方法。
【請求項１７】
前記多数の半導体チップを備える段階は、
半導体回路が形成された表面と、半導体回路が形成されていない裏面と、を具備するウェハを備える段階と、
テープキャリヤフレームに位置する接着用テープ上に前記ウェハを実装する段階と、
前記接着用テープが多数のダイボンディングテープに切断されるように前記ウェハを前記多数の半導体チップにダイシングする段階と、
を含むことを特徴とする請求項１６に記載のダイボンディング方法。
【請求項１８】
前記ウェハの表面にラミネーションテープを付着する段階と、
前記ウェハの裏面を一定厚さにグラインディングする段階と、
前記ラミネーションテープに紫外線を照射する段階と、
前記ウェハをダイシングする前に前記ウェハ表面からラミネーションテープを分離する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載のダイボンディング方法。
【請求項１９】
前記それぞれの半導体チップを移動させて実装する方法は、
前記ボンドヘッドのダイコレットを利用してそれぞれの半導体チップをピックアップする段階と、
それぞれの半導体チップをピックアップした時、前記半導体チップをヒーティングする段階と、
を含むことを特徴とする請求項１６に記載のダイボンディング方法。
【請求項２０】
前記ダイコレットはそれぞれの半導体チップをヒーティングするためにボンドヘッドからの熱を伝達することを特徴とする請求項１９に記載のダイボンディング方法。
【請求項２１】
前記ダイコレットは前記それぞれの半導体チップをヒーティングするヒーティング機能を具備することを特徴とする請求項１９に記載のダイボンディング方法。
【請求項２２】
前記それぞれの半導体チップをコンスタントヒーティング方式でヒーティングすることを特徴とする請求項１９に記載のダイボンディング方法。
【請求項２３】
前記それぞれの半導体チップをコンスタントパルス方式でヒーティングすることを特徴とする請求項１９に記載のダイボンディング方法。
【請求項２４】
前記それぞれの半導体チップを前記基板に付着した後、後硬化を実施する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載のダイボンディング方法。
【請求項２５】
前記基板物質にそれぞれの半導体チップを付着する時に、前記基板物質をヒーティングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載のダイボンディング方法。
【請求項２６】
接着用テープが付着された半導体チップを前記基板の一定位置に移動させて実装するための部材と、
前記半導体チップをヒーティングするためのヒータ部と、
を含むボンドヘッド。
【請求項２７】
前記半導体チップをホールド及びピックアップするためのダイコレットをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のボンドヘッド。
【請求項２８】
前記ダイコレットは前記ボンドヘッドからの熱を前記半導体チップに伝達することを特徴とする請求項２７に記載のボンドヘッド。
【請求項２９】
半導体チップをホールド及びピックアップする部材と、
前記半導体チップをヒーティングするヒータ部と、
を含むダイコレット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ダイボンダー設備及びこれを用いた半導体チップ付着方法に係るもので、特にダイボンダー設備内のボンドヘッドにヒーティング機能を内蔵しテープ接着剤を適用したダイ積層パッケージ（die stacking package）の製造に際して、前記ボンドヘッドのヒーティング可能なダイコレットにより半導体チップがピックアップされるようにして、パッケージ基板或いは下部半導体チップの反り発生を防止し、不良率を減少させ、工程時間を短縮することができるダイボンダー設備及びこれを用いた半導体チップ付着方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在の電子製品の市場は携帯用としてその需要を急激に増やしており、これを満足させるためにはこれらのシステムに実装される部品の軽薄短小化が必須である。
【０００３】
前記部品の軽薄短小化を実現するため、実装部品の個々のサイズを減らす技術と、多数の個々の素子をワンチップ（one chip）化するSOC（System On Chip）技術と、多数の個々の素子を一つのパッケージとして集積するSIP（System In Package）技術とが必要である。
【０００４】
この中でSIP技術は複数個のシリコンチップを水平・垂直に一つのパッケージとして実装する技術で、既存のMCM（Multi-Chip Module）概念の延長線上にある。既存のMCMの場合、パッケージの製造時に水平実装が主な方法であったが、SIPの場合は複数個のチップを垂直に積層する技術が主に適用される。
【０００５】
複数個のチップを垂直に積層するに際して既存から適用してきた技術は、エポキシ接着剤をダイ付着領域に塗布し、半導体チップをその上に実装した後に硬化して、所望の位置に固定させる方式である。
【０００６】
即ち、半導体チップを付着する前にパッケージ基板或いは下部半導体チップの表面に決められた液状エポキシをディスペンシング（dispensing）などの方法により供給し、半導体チップを前記エポキシ上に実装し、後続硬化を実施して半導体チップをパッケージ基板或いは下部半導体チップと機械的に固定させる方式により半導体チップを付着するものである。
【０００７】
しかし、上記のようにディスペンシングなどの方法によりエポキシをダイ付着領域に塗布すれば、接着剤の流出量を調節し難くて、供給された接着剤の量が一定でなく、接着剤が液体なので流出現象（bleeding phenomenon）が発生するなどの不都合な点がある。
【０００８】
接着剤が流出されれば、接着剤がチップの上面までに至り、または半導体チップが偏って、ワイヤボンディングのような後続パッケージング作業の際に問題が発生しやすくなる。さらに、樹脂封入の後に高温条件下でパッケージが載置される場合、流出された接着剤から蒸発した揮発性成分によりパッケージ亀裂が生ずることもある。
【０００９】
そこで、最近では液状エポキシの代わりにテープ接着剤を用いて半導体チップをパッケージ基板或いは下部半導体チップに積層及び接合する方式によりダイ積層パッケージを製造している。上記の技術はテープ接着剤を媒介体として半導体チップをダイ付着領域に実装した後に硬化して、所望の位置に固定させる方式である。
【００１０】
即ち、チップの裏面に接着用テープが付着された半導体チップをパッケージ基板のダイ付着領域或いは下部半導体チップ上に実装した後、パッケージ基板或いは下部半導体チップを加熱して前記サブまたは下部チップに半導体チップを仮接着し後続硬化を実施して、所望の位置に半導体チップを機械的に固定させる方式により半導体チップを付着するものである。ここで、チップの裏面とは、半導体回路が形成された表面に対応する部分、即ち、回路形成がなされていない部分をさす。そして、前記チップは裏面のテープがパッケージ基板或いは下部半導体チップ上に位置するように実装される。
【特許文献１】大韓民国特開第2001-0051970号公報
【特許文献２】特開平08-316194号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記のようにテープ接着剤を用いてダイ積層パッケージを製造すると、既存液状エポキシの適用の際に惹起された不良発生を除去できるが、接着テープの特性上、半導体チップをパッケージサブのダイ付着領域または下部チップ表面に付着する過程において以下のような不都合な点が発生する。
【００１２】
半導体チップをパッケージ基板のダイアタッチ領域または下部半導体チップ上に仮接着するために、これらのパッケージ基板或いは下部チップを一定以上の温度までにヒーティングさせなければならない。ここで、ヒーティング温度とはチップの裏面に粘着された接着用テープが仮硬化される温度を意味し、通常１７５℃乃至２５０℃程度の高い温度が要求されることが一般的である。
【００１３】
しかし、上記の温度で半導体チップ付着工程を進行すると、ヒーティング作業の際にパッケージ基板或いは下部半導体チップが高温に耐えることができなくて、反りの不良が頻繁に発生する。
【００１４】
このようにパッケージ基板或いは下部半導体チップに反りが発生する場合、半導体チップ付着の作業自体が不可能になるだけでなく、後続パッケージング作業を進行することができなくて不良発生率が高くなり、品質低下が招来される。
【００１５】
また、現在のシステムをそのまま適用する場合、反りが発生していないとしてもパッケージ基板或いは下部半導体チップの熱が半導体チップの裏面のテープに伝達されて、仮接着されるまでに多くの時間が掛かるため、工程時間が増加し単位時間当たり生産量（UPH;Unit Per Hour）が減少するなどの又他の問題が誘発されて、これに対する改善策が至急に要求されている。
【００１６】
そこで、この発明の第１目的は、ヒーティング機能が内蔵されたボンドヘッドのダイコレットにより半導体チップをピックアップするように設計された新しい概念のダイボンダー設備を提供することにある。
【００１７】
また、この発明の第２目的は、テープ接着剤を適用したダイ積層パッケージの製造の際、選択的熱伝達が可能な前記ダイコレットにより個々のチップをピックアップしてサブマテリアル（例えば、パッケージ基板或いは下部半導体チップなど）上に実装することにより、チップ付着の際にサブマテリアルに加えるヒーティング温度を低め、サブマテリアルの反り発生を防ぎ、不良率を減少させ、工程時間を短縮することができる半導体チップ付着方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
以上の第１目的を達成するために本発明では、サブマテリアル、即ち、基板をローディングするローダー部と、ボンディングステージに前記基板をフィーディングするフィーディング部と、半導体チップをヒーティングするヒーティング機能を内蔵し、接着用テープが付着された半導体チップを前記基板の一定位置に移動させて実装するためのボンドヘッドと、前記半導体チップが付着された前記基板をアンローディングするアンローダー部と、を含むダイボンダー設備が提供される。
【００１９】
また、第２目的を達成するために本発明では、接着用テープが裏面に付着された多数の半導体チップを具備するウェハをダイボンダー設備内に備える段階と、ボンドヘッドを利用して前記多数の半導体チップをヒーティングする段階と、前記ボンドヘッドを利用して基板の一定位置にそれぞれの半導体チップを移動させて実装する段階と、前記基板に前記それぞれの半導体チップを付着する段階と、を含むダイボンディング方法が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
第１発明、または第２発明によると、ヒーティング可能なダイコレットでテープ付きの個々のチップをピックアップしてサブマテリアル上に実装する方式によりチップ付着工程を進行すると、ピックアップと同時にチップ加熱作業が進行されるので、半導体チップがサブマテリアルに加えられる熱と共にダイコレットによっても加熱されることになる。
【００２１】
従って、サブマテリアルに加えられる温度を低め、場合によっては温度を加えずにチップ付着ができるし、パッケージ基板或いは下部半導体チップの熱が上部チップの裏面のテープまでに伝達されるに掛かる時間をも減らすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付図を参照して本発明の好ましい実施例に対し詳しく説明する。
【００２３】
本発明は、ボンドヘッドにヒーティング機能を追加し、チップ移送手段のダイコレットを熱伝達可能な材質で形成することにより、前記コレットで半導体チップをピックアップするときに前記チップに選択的な加熱を行い得る新しい概念のダイボンダー設備を製作し、これを用いてチップ付着工程を進行して、既存の設備を用いてチップ付着工程を進行するときに惹起された不良発生を防ぎ、工程時間を短縮することができる。
【００２４】
図１は本発明で提案された半導体チップ付着方法を示した工程ブロック図で、図２Ａ乃至図２Ｇは図１の工程ブロック図に対応する工程順序図で、図３は本発明で提案されたダイボンダー設備の概略的な構造を示すブロック構成図である。
【００２５】
以下、前記図を参照して本発明で提案されたチップ付着工程を第８段階に区分して説明する。
【００２６】
第１段階（Ｓ１）として、図２Ａに示すように、半導体回路が形成された表面及び形成されない裏面を有するｔ厚さのウェハ１００を準備する。
【００２７】
第２段階（Ｓ２）として、図２Ｂに示すように、前記ウェハ１００表面にラミネーションテープ１０１を付着し、その裏面を一定厚さ（例えばα）だけグラウンディングしてウェハ１００をｔ−α厚さに加工する。
【００２８】
第３段階（Ｓ３）として、図２Ｃに示すように、一定厚さに加工されたウェハ１００を、半導体回路が形成されない裏面を下向きにしてテープキャリヤフレーム２００により支持されたソーイング（sawing）用ウェハ実装テープ２０１のチップ接着用テープ２０２上に実装する。次いで、矢印の方向にラミネーションテープ１０１に紫外線を照射する。これはラミネーションテープ１０１の特性上、紫外線に当てられると、接着力が低下して後続工程の際に半導体チップ１００の表面から前記テープ１０１を容易に剥離することができるからである。
【００２９】
第４段階（Ｓ４）として、図２Ｄに示すように、ラミネーションテープ１０１を剥離する。
【００３０】
第５段階（Ｓ５）として、図２Ｅに示すように、ラミネーションテープの剥離されたウェハ１００をブレードのような切断手段でダイシングして個々の半導体チップ１００ａに分離する。このとき、ブレードにより切断される領域はウェハ１００とチップ接着用テープ２０２とを含む。従って、ウェハ１００の切断作業が完了すると、ダイシング溝ｈを備えた形態に作られる。
【００３１】
第６段階（Ｓ６）として、ダイシング作業の後、個々のチップ１００ａの実装されたテープキャリヤフレーム２００を図３に示したダイボンダー設備のウェハハンドリングシステム４００内にローディングする。図３の参照番号４００には後続工程の理解を助けるため、図２Ｅの結果物がローディングされた状態を、前記結果物を上から見た形態に提示しておく。
【００３２】
図３のブロック構成図を参照すると、本発明で提案されたダイボンダー設備は大別して、サブマテリアルハンドリングシステム３００とウェハハンドリングシステム４００とからなることがわかる。
【００３３】
前記サブマテリアルハンドリングシステム３００内にはパッケージ基板或いは下部半導体チップなどのサブマテリアルがローディングされたマガジンローダー部３１０と、前記マガジンローダー部３１０から供給されたサブマテリアルをフィーディングするフィーディング部３３０と、チップ移送手段のダイコレットを備えたボンドヘッド３４０と、チップ付着作業済みのサブマテリアルをローディングするマガジンアンローダー部３２０と、が具備される。
【００３４】
また、前記ボンドヘッド３４０はヒーティング機能が内蔵されるように設計され、これに付着されたダイコレットは熱伝達の可能なセラミック材質または金属材質で形成される。
【００３５】
従って、この場合はマガジンローダー部３１０からフィーディング部３３０にサブマテリアル３１５が供給されると、回路が形成されない裏面にテープ２０２が付着された半導体チップ１００ａの表面をコレットでピックアップして、フィーディング部３３０のダイボンディングステージにフィーディングされたサブマテリアル３１５上の一定位置に前記チップ１００ａを実装する方式によりチップ移送作業がなされる。
【００３６】
このようにボンドヘッド３４０にヒーティング機能を別途に追加し、ダイコレットを熱伝達可能材質で形成することは、ダイコレットで半導体チップをピックアップするときに前記チップに直接的に選択的加熱を行い得るようにするためである。
【００３７】
図５にヒーティング機能を有するボンドヘッドの断面が簡略に図示されている。
【００３８】
図５に図示されたように、ボンドヘッド３４０は、その下部にダイコレット３４５が結合されている。ボンドヘッド３４０は、外部の真空ポンプと連結されて真空吸着方式でダイをピックアップし、それをボンディングステージのサブマテリアル３１５上の一定位置にチップを移送する作業を実行する装置である。ボンドヘッド３４０は、外部の真空ポンプと連結された真空通路３４１を具備し、前記真空通路３４１はボンドヘッド３４０の下部に結合されたダイコレットホルダー部３４２の真空ホール３４３に連結されて、前記ダイコレット３４５がダイ１００ａを真空吸着可能にする。また、ヒーティング機能を具現するようにヒーティングコイル３４４を具備する。
【００３９】
具体的に、前記ダイコレット３４５は、ボンドヘッド３４０下部のダイコレットホルダー部３４２に着脱方式で結合されることもあり、ボンドヘッド３４０に完全に結合されて着脱不能に製造されることもある。また、前記ダイコレット３４５は熱伝導度の高いメタルなどの材質よりなることが望ましい。
【００４０】
ダイ１００ａは、真空吸着されてダイコレット３４５の下面にくっついてボンドヘッド３４０の動作によって前記サブマテリアル３１５上の一定位置に移送されうる。この時、ボンドヘッド３４０の前記ヒーティングコイル３４４から発生した熱が前記ダイコレット３４５に伝導され、次いで前記ダイ１００ａにまで伝導されてダイ１００ａに付着されたウェハ実装テープ２０２に熱が加えられる。ここで、前記ヒーティングコイル３４４はボンドヘッド３４０の外周面に沿って巻き取られていることが望ましく、外部の電源供給装置から電気的信号を提供されて熱を発生させうる。
【００４１】
他の実施例として図６に図示されたように、前記ヒーティングコイル３４４は、ボンドヘッド３４０の内部に前記ダイコレットホルダー部３４２の外周面に沿って巻き取られるように構成されうる。
【００４２】
半導体チップのピックアップの際に適用可能な選択的加熱方式はパルスヒーティング方式とコンスタントヒーティング方式とがある。図４Ａ及び図４Ｂにはこれと関連されたボンドヘッドのヒーティング方法を示した図面が提示されている。この中で図４Ａはパルスヒーティングを実施した場合の温度−時間グラフを示し、図４Ｂはコンスタントヒーティングを実施した場合の温度−時間グラフを示す。
【００４３】
パルスヒーティング方式は、図４Ａに示すように、ピックアップの初期には相対的に低い温度でヒーティングし、その以後にはヒーティング温度を上げる方式でチップ加熱を行うもので、コンスタントヒーティング方式は、図４Ｂに示すように、初期ピックアップ状態から一定温度を維持する方式でチップ加熱を行うものである。
【００４４】
第７段階（Ｓ７）として、図２Ｆに示すように、ヒーティング機能が内蔵された前記ボンドヘッド３４０のダイコレットで個々の半導体チップ１００ａをピックアップして、ダイボンディングステージにフィーディングされたサブマテリアル３１５上の一定位置に実装した後、一定した力（force）と時間遅延とを加えてサブマテリアル３１５上に前記チップ１００ａを仮圧着する。このとき、前記個々のチップ１００ａはチップの裏面にチップ接着用テープ２０２が付着された状態でピックアップされて移送される。図２Ｆは図３のＸ-Ｘ′の切断面構造を示し、図３のブロック構成図にはこれと関連された一連の工程フローが提示されている。
【００４５】
第８段階（Ｓ８）として、図２Ｇに示すように、サブマテリアル３１５を一定温度に加熱して、ヒーティングされたサブマテリアル３１５を通じて伝達される熱とダイコレットにより直接チップ１００ａに伝達される熱とを用いて仮圧着された個々のチップ１００ａをサブマテリアル３１５に接着させた後、チップ付着済みのサブマテリアル３１５を図３のマガジンアンローダー部３２０に移送することにより、本工程を完了する。
【００４６】
一方、本発明の一変形例として前記実施例は、サブマテリアル３１５上に個々のチップ１００ａを付着した後、テープの接合安定性を確保する目的でオーブンで後硬化をオプションとしてさらに実施することもできる。
【００４７】
また、前記実施例では一例としてボンドヘッドにヒーティング機能を追加した場合に限って言及したが、ボンドヘッドの代わりにダイコレット自体にヒーティング機能を追加する方式で設備設計をしてもよい。
【００４８】
また、本実施例ではサブマテリアル３１５とピックアップされた個々の半導体チップ１００ａとを全て加熱する場合に限って説明したが、サブマテリアルには別途のヒーティングをせずにダイコレットで半導体チップだけを加熱する方式で工程を進行することもできる。
【００４９】
このようにヒーティング可能なダイコレットで接着用テープ２０２の付着された個々のチップをピックアップしてサブマテリアル上に実装する方式により工程を進行すると、ピックアップと同時にチップ加熱作業が進行されるため、半導体チップ１００ａがサブマテリアルに加えられる熱と共にダイコレットによっても加熱されるとの効果が得られる。
【００５０】
従って、チップ実装後のサブマテリアル３１５のヒーティング温度を既存よりも低くするか、或いはサブマテリアルに温度自体を加えなくてもチップ付着することができる。
【００５１】
その結果、既存設備の接着用テープを適用するに際して問題となったサブマテリアルの反り発生を防ぎ、反り発生により惹起された問題（例えば、後続工程進行不良率増加など）を解決することができるようになる。
【００５２】
また、サブマテリアルの熱が個々の半導体チップ１００ａの裏面のテープ２０２までに伝達されるに掛かる時間を減らすことにより、工程時間を短縮し、単位時間当たりの生産量を増加させることができる。
【００５３】
以上、添付図を参照して本発明の実施例を説明したが、本発明は前記実施例に限定されず、本発明の技術的要旨を外れない範囲内で当業者により多様に変形実施されることができる。
【００５４】
上述のように本発明によると、ダイボンダー設備のボンドヘッドにヒーティング機能を内蔵して、サブマテリアル上に半導体チップを付着するに際して前記ボンドヘッドのダイコレットにより半導体チップをピックアップすることにより、サブマテリアルのヒーティング温度を既存よりも低め、サブマテリアルに温度を加えずもチップ付着をすることができるため、ダイ積層パッケージの製造の際にサブマテリアルの反り発生を防ぎ、不良率を減少させ、品質向上を図ることができる。また、パッケージサブまたは下部チップの熱が上部チップの裏面のテープまでに伝達されるのに掛かる時間を従来と比べて減らすことにより、工程時間を短縮し、単位時間当たり生産量を増加させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明で提案された半導体チップ付着方法を示した工程ブロック図である。
【図２Ａ】図１の工程ブロック図に対応する工程順序図である。
【図２Ｂ】図１の工程ブロック図に対応する工程順序図である。
【図２Ｃ】図１の工程ブロック図に対応する工程順序図である。
【図２Ｄ】図１の工程ブロック図に対応する工程順序図である。
【図２Ｅ】図１の工程ブロック図に対応する工程順序図である。
【図２Ｆ】図１の工程ブロック図に対応する工程順序図である。
【図２Ｇ】図１の工程ブロック図に対応する工程順序図である。
【図３】本発明で提案されたダイボンダー設備の概略的な構造を示したブロック構成図である。
【図４Ａ】図３に提示したダイボンダー設備のボンドヘッドヒーティング方法を示すもので、パルスヒーティングを実施した場合の温度−時間グラフである。
【図４Ｂ】図３に提示したダイボンダー設備のボンドヘッドヒーティング方法を示すもので、コンスタントヒーティングを実施した場合の温度−時間グラフである。
【図５】本発明の一実施の形態によるボンドヘッドの断面図である。
【図６】本発明の他の一実施の形態によるボンドヘッドの断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
３１０  ローダー部
３２０  アンローダー部
３３０  フィーディング部
３４０  ボンドヘッド
３４５  ダイコレット
【図１】
2005123609.tif 000003
【図２Ａ】
2005123609.tif 000004
【図２Ｂ】
2005123609.tif 000005
【図２Ｃ】
2005123609.tif 000006
【図２Ｄ】
2005123609.tif 000007
【図２Ｅ】
2005123609.tif 000008
【図２Ｆ】
2005123609.tif 000009
【図２Ｇ】
2005123609.tif 000010
【図３】
2005123609.tif 000011
【図４Ａ】
2005123609.tif 000012
【図４Ｂ】
2005123609.tif 000013
【図５】
2005123609.tif 000014
【図６】
2005123609.tif 000015