(57)【要約】  【課題】  表面プラズモン共鳴測定装置において、１ＲＵまでの信頼性のある測定値を得る。  【解決手段】  表面プラズモン共鳴測定装置において、試料液５の溶媒の屈折率をｎ1、誘電体ブロック11の屈折率をｎ3とし、それぞれの温度変化率ｄｎ1／ｄｔ、ｄｎ3／ｄｔをΔｎ1、Δｎ3としたとき、−２×10-5≦（ｎ3・Δｎ1−ｎ1・Δｎ3）≦２×10-5の関係を満たす溶媒および誘電体ブロック11を用いる。【選択図】          図１
2005098788.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ビームを出射する光源と、
前記光ビームに対して透明な誘電体ブロック、該誘電体ブロックの一面に設けられた金属膜、および該金属膜上に試料液を保持する試料保持部からなるセンサユニットと、
前記光ビームを前記誘電体ブロックに対して前記誘電体ブロックの一面と前記金属膜との界面で全反射条件が得られるように種々の角度で入射させる光ビーム入射光学系と、
前記界面で全反射した光ビームの強度を測定して、全反射減衰の状態を検出する光検出手段とを備えてなる表面プラズモン共鳴測定装置において、
前記試料液の溶媒の屈折率をｎ1、前記誘電体ブロックの屈折率をｎ3とし、それぞれの温度変化率ｄｎ1／ｄｔ、ｄｎ3／ｄｔをΔｎ1、Δｎ3としたとき、
−２×10-5≦（ｎ3・Δｎ1−ｎ1・Δｎ3）≦２×10-5
の関係を満たすことを特徴とする表面プラズモン共鳴測定装置。
【請求項２】
所定の光ビームに対して透明な誘電体ブロック、該誘電体ブロックの一面に設けられた金属膜、および該金属膜上に試料液を保持する試料保持部からなるセンサユニットであって、
前記試料液の溶媒の屈折率をｎ1、前記誘電体ブロックの屈折率をｎ3とし、それぞれの温度変化率ｄｎ1／ｄｔ、ｄｎ3／ｄｔをΔｎ1、Δｎ3としたとき、
−２×10-5≦（ｎ3・Δｎ1−ｎ1・Δｎ3）≦２×10-5
の関係を満たすことを特徴とするセンサユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面プラズモンの発生を利用して試料中の物質を分析する表面プラズモン共鳴測定装置および該測定装置において用いられるセンサウェルユニットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
金属中においては、自由電子が集団的に振動して、プラズマ波と呼ばれる粗密波が生じる。そして、金属表面に生じるこの粗密波を量子化したものは、表面プラズモンと呼ばれている。
【０００３】
従来より、この表面プラズモンが光波によって励起される現象を利用して、試料中の物質を定量分析する表面プラズモン共鳴測定装置が種々提案されている。そして、それらの中で特に良く知られているものとして、 Kretschmann配置と称される系を用いるものが挙げられる（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
上記の系を用いる表面プラズモン共鳴測定装置は基本的に、例えばプリズム状に形成された誘電体ブロックと、この誘電体ブロックの一面に形成されて試料に接触させられる金属膜と、光ビームを発生させる光源と、上記光ビームを誘電体ブロックに対して、該誘電体ブロックと金属膜との界面で全反射条件が得られ、かつ表面プラズモン共鳴による全反射減衰が生じ得るように種々の角度で入射させる光学系と、上記界面で全反射した光ビームの強度を測定して、全反射減衰の状態を検出する光検出手段とを備えてなるものである。
【０００５】
なお上述のように種々の入射角を得るためには、比較的細い光ビームを入射角を変えて上記界面に入射させてもよいし、あるいは光ビームに種々の角度で入射する成分が含まれるように、比較的太い光ビームを上記界面に収束光状態であるいは発散光状態で入射させてもよい。前者の場合は、入射した光ビームの入射角の変化にしたがって反射角が変化する光ビームを、上記反射角の変化に同期して移動する小さな光検出器によって検出したり、反射角の変化方向に沿って延びるエリアセンサによって検出することができる。一方後者の場合は、種々の反射角で反射した光ビームの成分を全て受光できる方向に延びるエリアセンサによって検出することができる。
【０００６】
上記構成の表面プラズモン共鳴測定装置において、光ビームを金属膜に対して全反射角以上の特定入射角θSPで入射させると、該金属膜に接している試料中に電界分布をもつエバネッセント波が生じ、このエバネッセント波によって金属膜と試料との界面に表面プラズモンが励起される。エバネッセント光の波数ベクトルが表面プラズモンの波数と等しくて波数整合が成立しているとき、両者は共鳴状態となり、光のエネルギーが表面プラズモンに移行するので、誘電体ブロックと金属膜との界面で全反射した光の強度が鋭く低下する。この光強度の低下は、一般に光検出手段により暗線として検出される。
【０００７】
なお上記の共鳴は、入射ビームがｐ偏光のときにだけ生じる。したがって、光ビームがｐ偏光で入射するように予め設定しておく、もしくは、ｐ偏光成分のみを検出するように設定しておく必要がある。
【０００８】
この全反射減衰（ＡＴＲ）が生じる入射角θSPから表面プラズモンの波数が分かると、試料の誘電率が求められる。すなわち表面プラズモンの波数をＫSP、表面プラズモンの角周波数をω、ｃを真空中の光速、ε2  とε1  をそれぞれ金属、試料の誘電率とすると、以下の関係がある。
【数１】
2005098788.tif 000003
【０００９】
試料の誘電率ε1  が分かれば、所定の較正曲線等に基づいて試料中の特定物質の濃度が分かるので、結局、全反射減衰角を知ることにより、特定物質の定量分析を行うことができる。
【００１０】
また、表面プラズモン共鳴測定装置は、バイオセンサーとして、金属膜上に特定物質（例えば抗原）と結合するセンシング物質（例えば抗体）を配し、各検体についてそのセンシング物質との結合の有無および／または結合状態を測定する等の試料分析に用いられる。このような試料分析方法としては、各検体を含む試料液の溶媒（例えば生理食塩水）による屈折率変化の影響を排除するために、その溶媒と同一のバッファ液のみをウェルに分注し、検体を含まない状態での全反射減衰角を取得し、その後、液体試料を分注して反応後の全反射減衰角を測定することにより検体のみの反応を正確に抽出する方法が提案されている。
【特許文献１】特開平6−167443号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、試料液の屈折率ｎは温度変化の影響を受けるという問題がある（Analytical Chemstry,1999,Vol.71,4392-4396参照）。具体的には１℃の温度変化に対してｄｎ／ｄｔ≒１×10-4程度の屈折率変化が生じる。なお、１×10-6の屈折率変化が１ＲＵ（＝0.0001°）の信号変動として現れる（Journal of Colloid and Interface Science,1991,Vol.143,No2.513-526参照）ので、１×10-4［１／℃］の屈折率変化は約100［ＲＵ／℃］の信号変動が生じることに相当する。
【００１２】
一方、１ＲＵ程度の高感度検出を再現性良く（ＣＶ値10％程度）行うためには、バラツキを0.1ＲＵに抑える必要がある。前述のとおり屈折率には温度依存性があるので、この0.1ＲＵを実現するためには0.001℃の温度制御が必要である。しかしながら、0.01℃程度の温度制御は可能であるが、0.001℃までの高精度な温度制御は現実には不可能である。したがって、現在のところ１ＲＵの変動を許容するほかなかった。
【００１３】
本発明は上記事情に鑑みて、１ＲＵまで信頼性のある高感度検出が可能な測定装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
表面プラズモン共鳴に基づく全反射減衰の暗線角度θを表す式（ＳＰＲ信号の式）は、一般に、試料液の溶媒、金属膜、誘電体ブロックの屈折率（実部）をそれぞれ、ｎ1、ｎ2、ｎ3として、これらを含む関数として表される。それぞれの屈折率ｎは温度変動ｔの影響を含むが一般には考慮されていない。本発明者は、このＳＰＲ信号の式を温度変動の項として表すことにより、暗線角度の温度依存性（ｄθ／ｄｔ）と、試料液およびカップの物性値（ｄｎ／ｄｔ）との関係式を解析的に導くことに成功した。以下に本発明者が導いた関係式を示す。なお、以下において、試料液の溶媒の誘電率をε1、金属膜の誘電率をε2、誘電体ブロックの誘電率をε3とする。
【００１５】
表面プラズモン信号角度である暗線角度θ[rad]は実部（Ｒｅ）を取る関数として、以下の近似式により与えられる。
【数２】
2005098788.tif 000004
【００１６】
ここで、金属が金もしくは銀の場合は、｜ε1｜＜＜｜ε2｜であり、
【数３】
2005098788.tif 000005
【００１７】
は、ほぼ定数とみなすことができる。このとき、数式（２）は、
【数４】
2005098788.tif 000006
【００１８】
と表すことができる。ε1とε3は虚数部（吸収）を含まないから誘電率と屈折率（実部）との関係式ε＝ｎ2を用いることによって、数式（３）は、実数のみにて下記数式（４）のように表すことができる。
【００１９】
θ＝sin-1（Ｋ×ｎ1／ｎ3）  ・・・（４）
屈折率ｎは温度に対して一定ではなく、測定中の温度変動ｔに対し、ｎ＋Δｎ×ｔの変動を伴う。これを考慮し、上記式（４）を温度変動ｔを含めた関数として書き直すと、下記式のようになる。
【数５】
2005098788.tif 000007
【００２０】
なお、厳密にはＫもｔに対して変動するが、上記理由により定数と見なすことができる。
【００２１】
微小な温度変動ｔに対するθ（ｔ）の変化は、ｔが十分小さい時に微分におきかえることができ、下記式（５）で表される。
【数６】
2005098788.tif 000008
【００２２】
実際の測定においては、100ＲＵ以下の高精度な測定を行うために測定装置は何らかの温度制御がほどこされている（温度変動｜ｔ｜≦１℃）ので、上記置き換えは妥当である。
【００２３】
またこの温度変動ｔの範囲では、Ｋ'(ｔ)の変化はｔに対し鈍感であり、ほぼ定数と見なすことができる。溶媒として水系（純水、生理食塩水等）の水溶液を用いた場合、Ｋ'(ｔ)の値は0.95と見なすことができる。
【００２４】
この時、温度に対する表面プラズモン共鳴信号変動の式（５）は次式で表すことができる。
【００２５】
ｄθ／ｄｔ≒0.95×（ｎ3・Δｎ1−ｎ1・Δｎ3）        [rad/℃]
＝57×0.95×（ｎ3・Δｎ1−ｎ1・Δｎ3）    [deg./℃]
ここで、１deg.＝104ＲＵであるから、
ｄθ／ｄｔ≒5.42×105×（ｎ3・Δｎ1−ｎ1・Δｎ3）    [RU/℃]
したがってｎ3・Δｎ1−ｎ1・Δｎ3＝０であるとき、ｄθ／ｄｔ＝０となり温度依存をなくすことができ理想的である。しかしながら、−10ＲＵ≦ｄθ／ｄｔ≦10ＲＵの範囲であれば所望の精度を満たすことができる。
【００２６】
本発明はこれらの知見に基づいてなされたものである。
【００２７】
本発明の表面プラズモン共鳴測定装置は、光ビームを出射する光源と、
前記光ビームに対して透明な誘電体ブロック、該誘電体ブロックの一面に設けられた金属膜、および該金属膜上に試料液を保持する試料保持部からなるセンサユニットと、
前記光ビームを前記誘電体ブロックに対して前記誘電体ブロックの一面と前記金属膜との界面で全反射条件が得られるように種々の角度で入射させる光ビーム入射光学系と、
前記界面で全反射した光ビームの強度を測定して、全反射減衰の状態を検出する光検出手段とを備えてなる表面プラズモン共鳴測定装置において、
前記試料液の溶媒の屈折率をｎ1、前記誘電体ブロックの屈折率をｎ3とし、それぞれの温度変化率ｄｎ1／ｄｔ、ｄｎ3／ｄｔをΔｎ1、Δｎ3としたとき、
−２×10-5≦（ｎ3・Δｎ1−ｎ1・Δｎ3）≦２×10-5
の関係を満たすことを特徴とするものである。
【００２８】
本発明のセンサユニットは、所定の光ビームに対して透明な誘電体ブロック、該誘電体ブロックの一面に設けられた金属膜、および該金属膜上に試料液を保持する試料保持部からなるセンサユニットであって、
前記試料液の溶媒の屈折率をｎ1、前記誘電体ブロックの屈折率をｎ3とし、それぞれの温度変化率ｄｎ1／ｄｔ、ｄｎ3／ｄｔをΔｎ1、Δｎ3としたとき、
−２×10-5≦（ｎ3・Δｎ1−ｎ1・Δｎ3）≦２×10-5
の関係を満たすことを特徴とするものである。
【００２９】
具体的には、溶媒として純水、生理食塩水等を用いる場合、センサユニットの誘電体ブロックとしては、ゼオネクスＥ４８Ｒ（商品名：日本ゼオン）からなるものを用いることができる。
【００３０】
なお、試料液の溶媒として純水（ｎ1＝1.33、Δｎ1＝−８×10-5）もしくは生理食塩水（ｎ1＝1.36、Δｎ1＝‐８×10-5）を用い、誘電体ブロックとして、屈折率ｎ3≒1.5であって、異なるΔｎ3を有するものを用いた場合における、異なるΔｎ3毎の測定値の温度変化率ｄθ/ｄｔの計算値を表１に示す。
【表１】
2005098788.tif 000009
【００３１】
表１から明らかなように、溶媒として純水もしくは生理食塩水を用いる場合には、
−７×10-5＜Δｎ3＜−11×10-5
にあるΔｎ3を有する誘電体ブロックを用いれば、ｄθ／ｄｔを10ＲＵ／℃程度以下に抑えることができ好ましい。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の表面プラズモン共鳴測定装置は、試料液の溶媒の屈折率をｎ1、センサユニットの誘電体ブロックの屈折率をｎ3とし、それぞれの温度変化率ｄｎ1／ｄｔ、ｄｎ3／ｄｔをΔｎ1、Δｎ3としたとき、−２×10-5≦（ｎ3・Δｎ1−ｎ1・Δｎ3）≦２×10-5の関係を満たすものであるため、これはすなわち、−10ＲＵ≦ｄθ／ｄｔ≦10ＲＵと略同等である。すなわち、１℃の温度変動につき全反射減衰角の信号として10ＲＵ以内の変動が生じ得るものであるが、10ＲＵの変動を生じる系であっても0.01℃の温度制御を行って測定を行えば、結果として0.1ＲＵの変動に抑えることができ、１ＲＵまで信頼性を有する高精度の測定が可能である。また、さらに、ｄθ／ｄｔ＝０を満たす屈折率および屈折率変化の溶媒と誘電体ブロックの組合わせを用いれば、信号の温度変化を０とすることも可能である。
【００３３】
本発明のセンサウェルユニットは、上記表面プラズモン共鳴測定装置において用いられる得るものであり、試料液の溶媒の屈折率をｎ1、センサユニットの誘電体ブロックの屈折率をｎ3とし、それぞれの温度変化率ｄｎ1／ｄｔ、ｄｎ3／ｄｔをΔｎ1、Δｎ3としたとき、−２×10-5≦（ｎ3・Δｎ1−ｎ1・Δｎ3）≦２×10-5の関係を満たすものであるため、上述の通り、表面プラズモン共鳴測定装置の測定精度を１ＲＵ程度まで信頼性のあるものとし得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る表面プラズモン共鳴測定装置の側面形状を示すものである。
【００３５】
図１に示す通りこの表面プラズモン共鳴測定装置は、センサユニットの一形態である測定チップ10と、測定用の光ビーム（レーザビーム）Ｌを発生させる半導体レーザ等からなるレーザ光源14と、光ビームＬを測定チップ10に対して入射させる光ビーム入射光学系15と、コリメータレンズ16と、光検出器17と、上記レーザ光源14の駆動を制御するとともに、上記光検出器17の出力信号Ｓを受けて後述の処理を行なう信号処理部20と、この信号処理部20に接続された表示部21とを有している。
【００３６】
測定チップ10は、概略四角錐形状とされた誘電体ブロック11と、この誘電体ブロック11の一面に形成された、例えば金、銀等からなる金属膜12と、この金属膜12の上に側方が閉じられた空間を画成する筒状部材からなる試料保持枠13とを有している。試料液保持枠13の部分は、断面円形であり、その内面が金属膜12から上方に離れるにつれて側外方に離れるテーパ形状とされている。この試料液保持枠13内のテーパ形状の空間は、試料液５を貯えるウェル部13ａとして機能している。なお、誘電体ブロック11と試料液保持枠13とは、後述の屈折率を有する透明樹脂により一体整形されている。また、金属膜12上には特定物質と結合するセンシング物質14が固定されている。
【００３７】
誘電体ブロック11を構成する透明樹脂としては、試料液５の溶媒の屈折率をｎ1、誘電体ブロック11の屈折率をｎ3とし、それぞれの温度変化率ｄｎ1／ｄｔ、ｄｎ3／ｄｔをΔｎ1、Δｎ3としたとき、
−２×10-5≦（ｎ3・Δｎ1−ｎ1・Δｎ3）≦２×10-5
の関係を満たす材料からなるものを用いる。
【００３８】
光ビーム入射光学系15は、光ビームＬを集光して収束光状態で誘電体ブロック11に通し、誘電体ブロック11と金属膜12との界面12ａに対して種々の入射角が得られるように入射させるものであり、光源14から発散光状態で出射した光ビームＬを平行光化するコリメータレンズ15ａと、該平行光化された光ビームＬを上記界面12ａ上で収束させる集光レンズ15ｂとから構成されている。入射角の範囲は、上記界面12ａにおいて光ビームＬの全反射条件が得られ、かつ、表面プラズモン共鳴が生じ得る角度範囲を含む範囲とされる。
【００３９】
なお光ビームＬは、界面12ａに対してｐ偏光で入射させる。そのようにするためには、予めレーザ光源14をその偏光方向が所定方向となるように配設すればよい。その他、波長板や偏光板で光ビームＬの偏光の向きを制御してもよい。
【００４０】
光検出器17は、多数の受光素子が１列に配されてなるラインセンサーであり、受光素子の並び方向が図１中の矢印Ｘ方向となるように配されている。光ビームＬは、界面12ａで全反射した後、コリメータレンズ16によって平行光化され、光検出器17により検出される。
【００４１】
なお、本実施形態の表面プラズモン共鳴測定装置においては、さらに、温度制御手段として、誘電体ブロック11の温度を測定するサーミスタ50と、温度を調整するペルチェ素子52と、サーミスタ50の出力信号に基づいてペルチェ素子52を駆動するドライバ51とを備えている。温度制御手段の形態はこれらに限るものではなく、上述のもの以外のものを用いてもよい。本実施の形態において、サーミスタ50は、誘電体ブロック11の側面に設けられているが、誘電体ブロック11と周囲の温度が熱平衡状態になっていれば、誘電体ブロック11の周囲の温度を測定すればよいため、必ずしも上記の場所に設置する必要はない。また、ペルチェ素子52は、誘電体ブロック11の底面に設けられているが、必ずしも上記の場所に設置する必要はない。
【００４２】
この温度制御手段により、測定時における温度を所定温度に対して0.01℃程度以内で制御する。
【００４３】
以下、上記構成の表面プラズモンセンサーによる試料分析について説明する。まず、測定チップ10に、試料液５が供給される。信号処理部20からの指令でレーザ光源14が駆動され、そこから発せられた光ビームＬが前述のように収束する状態で、誘電体ブロック11と金属膜12との界面12ａに入射する。この界面12ａで全反射した光ビームＬは、光検出器17によって検出される。
【００４４】
図１に示す通り、光源14から発散光状態で出射した光ビームＬは、光学系15の作用により、誘電体ブロック11と金属膜12との界面12ａ上で集束する。したがって光ビームＬは、界面12ａに対して種々の入射角θで入射する成分を含むことになり、光ビームＬは界面12ａで全反射し、この反射した光ビームＬには、種々の反射角で反射する成分が含まれることになる。
【００４５】
このように光ビームＬが全反射するとき、界面12ａから金属膜12側にエバネッセント波がしみ出す。そして、光ビームＬが界面12ａに対してある特定の入射角θSPで入射した場合は、このエバネッセント波が金属膜12の表面に励起する表面プラズモンと共鳴するので、この光については反射光強度Ｉが鋭く低下（全反射減衰）する。この反射光強度Ｉが鋭く低下する部分は暗線（図１中Ｄ）として光検出器17で検出される。なお図２には、この全反射減衰現象が生じた際の入射角θと反射光強度Ｉとの関係を概略的に示してある。
【００４６】
そこで、信号処理部20において、全反射減衰の状態として、光検出器17が出力する出力信号Ｓから各受光素子毎の検出光量を調べ、暗線を検出した受光素子の位置に基づいて上記入射角（全反射減衰角）θSPを求める。
【００４７】
なお、上記光学系15は、光ビームＬを界面12ａにデフォーカス状態で入射させるように構成されてもよい。そのようにすれば、表面プラズモン共鳴の状態検出（例えば前記暗線の位置測定）の誤差が平均化されて、測定精度が高められる。
【００４８】
本実施形態では金属膜12上に、特定物質と結合するセンシング物質30が固定され、特定物質との結合状態に応じて金属膜12上の測定物質の屈折率が変化するので、上記全反射減衰角θSPを測定し続けることにより、この結合状態の変化の様子を調べることができる。
【００４９】
すなわち、時間経過とともに、全反射減衰角θSPの角度が変化する場合には、試料液５中の特定物質がセンシング物質30と結合していると判定することができ、全反射減衰角θSPの角度に変化が生じない場合には、試料液５中には、センシング物質と結合する特定物質は存在していないと判定することができる。信号処理部20は、以上の原理に基づいて上記結合の有無を判定するものであり、その判定結果を表示部21に表示する。
【００５０】
本実施形態の測定装置においては、前述の温度制御手段により測定時における温度を所定温度に対して0.01℃程度の精度で温度制御を行っている。既述の通り、従来この0.01℃程度の温度変動を許容する測定装置では、その測定値において１ＲＵの信頼性を得ることはできなかった。
【００５１】
しかしながら、本実施形態においては、上記式を満たす試料液の溶媒および誘電体ブロックの組合わせを用いることにより、１℃あたりの屈折率変動を10ＲＵ程度に抑制することができるため、0.01℃の精度で温度制御を行っていれば、屈折率変動を１ＲＵ程度に抑制することができる。したがって、本実施形態の測定装置においては、１ＲＵまで信頼性を得ることができる高精度な測定を行うことができる。
【００５２】
試料液の溶媒と誘電体ブロック材料の具体的な組合わせとしては、純水もしくは生理食塩水とゼオネクスＥ４８Ｒ（商品名：日本ゼオン）が挙げられる。
【００５３】
誘電体ブロック材料としてゼオネクスＥ４８Ｒを用い、溶媒として純水を用いた場合、および生理食塩水を用いた場合について表２に示す。
【表２】
2005098788.tif 000010
【００５４】
いずれの場合もｄθ／ｄｔが非常に小さく、0.01℃の精度で温度制御を行えば１ＲＵ程度まで信頼性のある測定値を得ることができる。特に、生理食塩水の場合は非常に高い精度で測定値を得ることができ、温度制御精度を0.3℃程度にしても１ＲＵ程度の信頼性を得ることができる。
【００５５】
次に、溶媒として生理食塩水を用いた場合、従来誘電体ブロックの材料として用いられていたゼオネクス３３０Ｒ、ＰＭＭＡ等を用いた場合について、本実施形態で例として挙げたゼオネクスＥ４８Ｒについてのｄθ／ｄｔと比較する。
【表３】
2005098788.tif 000011
【００５６】
表３に示すように、ゼオネクスＥ４８Ｒ以外の材料を用いた場合、ｄθ／ｄｔの絶対値がいずれも10を超えており、0.01℃の精度で温度制御を行ったとしても１ＲＵの精度の測定値を得ることはできない。なお、ここで挙げた屈折率および屈折率の温度変化の値はSCHOTT社のカタログ・データを参考にしたものである。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第１の実施形態による表面プラズモンセンサーの側面図
【図２】上記表面プラズモンセンサーにおける光ビーム入射角と検出光強度との関係を示す概略図
【符号の説明】
【００５８】
10    測定チップ
11    誘電体ブロック
12    金属膜
12ａ  誘電体ブロックと金属膜との界面
13    試料保持部
14    光源
15    光ビーム入射光学系
16    コリメータレンズ
17    光検出器
20    信号処理部
21    表示部
30    センシング物質
【図１】
2005098788.tif 000012
【図２】
2005098788.tif 000013