(57)【要約】  【課題】  リード端子を強固にかつ信頼性良く入出力部の線路導体に接続でき、パッケージ内部に収容する半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得る半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供すること。  【解決手段】  半導体素子収納用パッケージＡは、上面に形成された凹部の底面に半導体素子７の載置部１ａを有するセラミックスから成る基体１と、その側壁２の内外面に互いに対向するように設けられた２つの段差３ａの底面にわたってその中央部に側壁２を貫通する線路導体４が形成されるとともに側壁２の外面側の線路導体４にリード端子６がロウ付けされる入出力部３とを具備しており、側壁２の外面側の段差３ａの底面の線路導体４上に、上端でリード端子６を支持する同じ高さの突条４ｂが線路導体４の線路方向に垂直な方向に複数設けられ、突条を構成する金属粉末の平均粒径が線路導体を構成する金属粉末の平均粒径の1.5倍乃至３倍である。【選択図】  図１
2005079145.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に形成された凹部の底面に半導体素子を載置する載置部を有するセラミックスから成る基体と、該基体の側壁の内外面に互いに対向するように設けられた２つの段差の底面にわたってその中央部に前記側壁を貫通するメタライズ層から成る線路導体が形成されるとともに前記側壁の外面側の前記線路導体にリード端子がロウ付けされる入出力部とを具備しており、前記側壁の外面側の前記段差の底面の前記線路導体上に、上端で前記リード端子を支持する同じ高さのメタライズ法によって形成された突条が前記線路導体の線路方向に垂直な方向に複数設けられ、かつ前記突条を構成する金属粉末の平均粒径が前記線路導体を構成する金属粒子の平均粒径の１．５乃至３倍であることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記入出力部に電気的に接続された半導体素子と、前記基体の前記側壁の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、セラミックグリーンシート（以下、単にグリーンシートともいう）を用いて、金属ペーストの印刷、積層、切断、焼成などの基本工程を経て作製される半導体素子収納用パッケージ（以下、単にパッケージともいう）Ａを図４に示す。同図（ａ）に示すように、パッケージＡは、上面に載置部11ａを有するセラミックスから成る基体11と、基体11の上面に載置部11ａを囲むように取着され、側部に内外を電気的に導通する線路導体14が形成された入出力部13を有する側壁12と、線路導体14のうち側壁12の外面側に位置する外側線路導体14ａに一端がロウ材15により接合されるとともに他端が外部電気回路に接合される、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金等から成るリード端子16とを備えている。
【０００３】
図４（ｂ）はＢ−Ｂ’線における図４（ａ）の断面図において入出力部13周辺を拡大したものであり、リード端子を外側線路導体14ａ上に接合した状態を示す。このようなリード端子16のロウ材15による接合は、一般的にパッケージＡをカーボン治具に形成された凹みに載置し、複数のリード端子16をカーボン治具の所定の部位から入出力部13にかけて載置して、還元雰囲気のブレージング炉で800〜900℃で加熱することにより行われる。接合に用いられるロウ材15は、リード端子16と入出力部13との間に発生する熱応力を緩和する作用も有しており、リード端子16と外側線路導体14ａとの間にクラックが発生するのを防止している。
【０００４】
このパッケージＡは、半導体素子17が載置部11ａに載置されるとともにボンディングワイヤで内側線路導体14ｃに電気的に接続され、側壁12の上面に蓋体（図示せず）を接合して載置部11ａが気密に封止され半導体装置と成る。
【０００５】
しかしながら、従来のパッケージＡのリード端子16の接合構造では、リード端子16と外側線路導体14ａとの間の隙間の大きさのバラツキに起因してリード端子16の接合強度に寄与するロウ材15のメニスカス15ａの大きさが小さくなることがあり、その場合リード端子16の接合強度が小さくなっていた。また、複数のリード端子16のうちあるものは、リード端子16と外側線路導体14ａの上面との間の隙間の大きさがリード端子16の傾きによって部分的に小さくなり、その結果、部分的にロウ材15が薄くなっていた。その場合、リード端子16を上方に引張る外力が加わった際に、ロウ材15の応力緩和機能が有効に働かず、その結果、ロウ材15中またはロウ材15と外側線路導体14ａとの界面にクラックが発生し、このクラックを発端にしてリード端子16が外側線路導体14ａから剥れてしまうといった問題点があった。
【０００６】
また、上記のように内側線路導体14ｃ上に半導体素子17を電気的に接続するためのボンディングワイヤをワイヤボンダーで接続する必要があり、このため、内側線路導体14ｃの表面は凹凸の少ない状態であることが要求され、これを構成する金属粒子の平均粒径を１〜２μｍ程度として線路導体14は表面の凹凸を極力小さくする工夫がなされていた。
【０００７】
しかしながら、金属粒子の平均粒径が小さくなって表面の凹凸が少なくなることは、ロウ材15のアンカー効果を損なうとともにロウ材15の量が少なくなり、メニスカス15ａの大きさが小さくなることと併せてリード端子16の接合強度を大きくすることができず、接合の信頼性をさらに低くする原因となっていた。この不具合に対して内側線路導体14ｃと外側線路導体14ａの表面粗さを異ならせることが検討されたが、それには平均粒径の異なる金属ペーストを互いに重なるように形成しなければならず、その結果線路導体14の厚みが局部的に大きくなり、セラミックグリーンシートを積層するに際して積層不良を誘発してデラミネーション（層間剥離）を招来することがあった。
【０００８】
これらの問題点のうち、ロウ材15のメニスカスの形成不良によるリード端子16の接合強度が小さくなることを解消するために、図５（ａ）に示すように、外側線路導体14ａ上に、外側線路導体14ａの外形よりも一回り小さな外形のメタライズ層Ｃを重ねて形成することにより、外側線路導体14ａに接合するリード端子16の周囲に大きなメニスカス15ａを形成することができて、これによりリード端子16の接合強度を大きくすることができる（例えば、下記の特許文献１参照）。
【０００９】
また他の構成として、図５（ｂ）に示すように、外側線路導体14ａを入出力部13の棚部13ａから側部13ｂに延出させることにより延出部14ｂを形成し、これによりロウ材15が延出部14ｂまで流れるようにして大きなメニスカス15ａを形成し、メニスカス15ａへの応力集中を分散させるという方法も提案されている（例えば、下記の特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平９−139439号公報（第３−４頁、図１）
【特許文献２】特開昭61−29547号公報（第３−４頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記従来の特許文献１の方法では、リード端子16の周囲におけるメニスカス15ａを大きくすることができても、ロウ材15を厚くすることができず、その結果、リード端子16と外側線路導体14ａとの間に熱応力が加わった場合に、ロウ材15の応力緩和機能が有効に働かず、クラックが発生してリード端子16が容易に剥れてしまうことがあった。
【００１１】
また、特許文献２の方法では、延出部14ｂと成る金属ペーストを側部13ｂに形成する必要がある。金属ペーストを外側線路導体14ａが形成された入出力部13の棚部13ａから側部13ｂにかけて形成するには、グリーンシートを積層する前に側部13ｂに金属ペーストを垂れ込ませる方法がある。しかし、この垂れ込みによって金属ペーストがグリーンシートの下面まで達すると、パッケージＡ内で接地導体を兼ねる載置部11ａに電気的に導通することがあり、よって垂れ込みの大きさを制御する必要があるが、この制御は甚だ困難であり、その結果、製造歩留まりが著しく低下して生産性が低くなるという問題点があった。
【００１２】
また、側部13ｂに所定の上下方向の長さで延出部14ｂを形成する方法として、線路導体14を設ける適当な厚さのグリーンシートの下に適当な厚さのグリーンシートを１層追加して側部13ｂを２層から成る絶縁層で構成し、その１層目にのみ上述したように金属ペーストを垂れ込ませて、延出部14ｂを形成するという方法がある。しかしながら、この方法では工程数が大きく増えることになり、また、金属ペーストがグリーンシートの下面に回り込んだ場合、積層時にデラミネーション（グリーンシート間の層間剥離）が発生し、その結果、リード端子16が棚部13ａを構成する１層目の絶縁層とともに剥れるという問題点を誘発させていた。
【００１３】
そして、金属粒子が小さいことによって表面の凹凸が小さく、その結果アンカー効果が得難いという不具合を解決することは、ワイヤボンディングの条件を考慮すると甚だ困難であった。
【００１４】
従って、本発明は上記の問題点に鑑み完成されたもので、その目的は、リード端子を強固にかつ信頼性良くパッケージの入出力部の外側線路導体に接続することにより、長期にわたり正常かつ信頼性良く作動させ得る半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面に形成された凹部の底面に半導体素子を載置する載置部を有するセラミックスから成る基体と、該基体の側壁の内外面に互いに対向するように設けられた２つの段差の底面にわたってその中央部に前記側壁を貫通するメタライズ層から成る線路導体が形成されるとともに前記側壁の外面側の前記線路導体にリード端子がロウ付けされる入出力部とを具備しており、前記側壁の外面側の前記段差の底面の前記線路導体上に、上端で前記リード端子を支持する同じ高さのメタライズ法によって形成された突条が前記線路導体の方向に垂直な方向に複数設けられ、かつ前記突条を構成する金属粉末の平均粒径が前記線路導体を構成する金属粒子の平均粒径の1.5乃至３倍であることを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の半導体装置は、本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記入出力電極に電気的に接続された半導体素子と、前記基体の前記側壁の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、側壁の外面側の段差の底面の線路導体上に、上端でリード端子を支持する同じ高さのメタライズ法によって形成された突条が複数設けられ、かつ突条を構成する金属粉末の平均粒径が線路導体を構成する金属粒子の平均粒径の1.5〜３倍であることより、リード端子と線路導体との間の間隔をロウ付け部全体にわたって均一かつ大きくすることができ、さらに突条の表面粗さを大きくできる。
【００１８】
その結果、ロウ材を全体にわたって厚くすることができるとともにロウ材のメニスカスを大きくすることができ、さらに良好なアンカー効果も得られることから従来は小さなメニスカスに集中していた応力を分散させてクラックの発生を効果的に抑えることができるとともに、リード端子の接合強度を充分なものとすることができ、接合の信頼性が非常に高いものとできる。
【００１９】
また、本発明の半導体装置は、本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置固定されるとともに入出力電極に電気的に接続された半導体素子と、基体の側壁の上面に接合された蓋体とを具備したことより、本発明の半導体素子収納用パッケージを用いたことによるリード端子の接合強度および接合の信頼性が高いために、長期に亘って外部装置に強固かつ信頼性良く接続できるものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置について以下に詳細に説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明のパッケージの実施の形態の一例を示す平面図および断面図、図２（ａ），（ｂ）は図１のパッケージにおける入出力部の部分拡大平面図および部分拡大断面図、図３は突条付近の拡大断面図である。
【００２１】
これらの図において、１は半導体素子が載置される載置部１ａを有するセラミックスから成る基体、２は基体１の上面に載置部１ａを囲繞するように形成され、内外を貫通するように線路導体４が形成された入出力部３を有する側壁、４は線路導体、４ａは線路導体４の側壁２の外面側の段差３ａに位置する外側線路導体、４ｂは突条、５はロウ材、５ａはメニスカス、６は外側線路導体４ａに接合されるとともに外部電気回路装置に電気的に接続されるリード端子である。また、７は半導体素子、８は蓋体、Ａはパッケージ、Ｂは半導体装置である。これら基体１、側壁２、入出力部３、リード端子６とで、半導体素子７を収容するためのパッケージが基本的に構成される。
【００２２】
本発明のパッケージＡは、上面に形成された凹部の底面に半導体素子７を載置する載置部１ａを有するセラミックスから成る基体１と、基体１の側壁２の内外面に互いに対向するように設けられた２つの段差３ａの底面にわたってその中央部に側壁２を貫通するメタライズ層から成る線路導体４が形成されるとともに側壁２の外面側の線路導体４（外側線路導体４ａ）にリード端子６がロウ付けされる入出力部３とを具備している。さらに側壁２の外面側の段差３ａの底面の線路導体４（外側線路導体４ａ）上に、上端でリード端子６を支持する同じ高さのメタライズ法によって形成された突条４ｂが線路導体４の方向に垂直な方向に複数設けられ、突条４ｂを構成する金属粉末の平均粒径が線路導体４を構成する金属粒子の平均粒径の1.5乃至３倍とされる。
【００２３】
本発明の基体１および側壁２は、アルミナ質焼結体（アルミナセラミックス）等のセラミックスから成る。基体１がセラミックスから成ることから、基体１は金属に比し非常に軽量となり、パッケージＡ内部に半導体素子６を載置固定するとともに蓋体８を側壁２の上面に接合して半導体装置Ｂとなした場合、半導体装置Ｂの重量を極めて軽量とすることができる。
【００２４】
この基体１および側壁２は以下のようにして作製される。基体１および側壁２が例えばアルミナセラミックスから成る場合、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３），酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダ，溶剤等を添加混合してスラリーとなす。このスラリーをドクターブレード法やカレンダーロール法によってグリーンシートと成し、所望の大きさに切断する。次に、その中から選ばれた複数のグリーンシートに、側壁２および入出力部３の段差３ａと成る切欠きや貫通孔を適当な打抜き加工で形成し、さらに線路導体４等の導体層を形成するためのタングステン（Ｗ）等の金属粉末を主成分とする金属ペーストを印刷塗布し、次に順次複数枚のセラミックグリーンシートを積層し約1600℃の温度で焼成することによって作製される。
【００２５】
また、作製された基体１および側壁２に形成された線路導体４等のメタライズ層の表面に、耐食性に優れかつロウ材５との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ0.5〜９μｍのＮｉ層および厚さ0.5〜９μｍのＡｕ層をメッキ法により順次被着しておくのがよく、導体層の酸化腐食を防止するとともに外側線路導体４ａとリード端子６との銀ロウ等のロウ材５による接合をより強固なものとできる。
【００２６】
線路導体４は、図１に示すように、側壁２の内外面に互いに対向するように設けられた入出力部３の２つの段差３ａの底面にわたってその中央部に側壁を貫通するように設けられる。また、入出力部３は、側壁２の一部の内外面を薄くした上下方向の溝状として形成された段差３ａの底面に形成されているが、側壁２の一部が内外面に突出するように形成され、その突出部に形成されてもよい。また、側壁２の上面にはシールリング（図示せず）を取着するためのメタライズ層等から成る接合層（図示せず）が形成される。側壁２は、基体１の上面に載置部１ａを囲繞するようにして設けられ、パッケージＡの内外を貫通して設けられた線路導体４を有する入出力部３が形成されている。また、入出力部３の外側線路導体４ａにリード端子６がロウ材５を介して接合される。
【００２７】
本発明において、例えば、図２に示すように、側壁２の外面側の段差３ａの底面の線路導体４（外側線路導体４ａ）上に、線路導体４の線路方向に直交する方向に延びるとともに線路導体４の線路幅方向の両側にわたって形成された、上端でリード端子６を支持する同じ高さのメタライズ法によって形成された突条４ｂが複数設けられている。この突条４ｂを構成する金属粉末の平均粒径は1.5〜６μｍ（線路導体４に用いられる金属粒子の平均粒径は通常１〜２μｍであり、突条４ｂとなる金属ペーストに用いられる金属粉末の平均粒径はこの値よりも大きい）であり、突条４ｂは、この金属粉末を用いて金属ペーストを作製し、次いでスクリーン印刷法により線路導体４となる印刷層上に印刷し、グリーンシートとともに焼成することにより形成される。そして、リード端子６はロウ付けの際に突条４ｂと外部のカーボン治具（図示せず）とにより水平に支えられてロウ付けされ、外側線路導体４ａとリード端子６の周囲との間に大きなメニスカス５ａを形成することができ、さらに、リード端子６と外側線路導体４ａとの間のロウ材５の厚さを全体にわたって均一とすることができ、加えて突条４ｂの表面の算術平均粗さを従来よりも金属粉末の平均粒径の比と同等程度に大きくできることが実験により確認されている。それらの結果、ロウ材５による応力緩和効果および突条４ｂの表面の算術平均粗さが大きいことによるロウ材５のアンカー効果が得られ、クラックの発生のない、かつ接合強度が大きな信頼性の高いリード端子６の接合を実現することができる。
【００２８】
突条４ｂの高さは10〜30μｍが好ましい。10μｍ未満の場合、ロウ材５が薄くなり過ぎてメニスカス５ａの大きさが小さくなり、リード端子６の接合強度が小さくなるとともにロウ材５の応力緩和効果がほとんどなくなる。30μｍを超えると、メニスカス５ａを大きくしてロウ材５に加わる引張り応力を分散させることができるが、ロウ材５の熱膨張係数が常温で20×10−６／℃程度と大きいため、半導体素子７が作動する際にロウ材５とアルミナセラミックス（熱膨張係数：７×10−６〜９×10−６／℃）等のセラミックスから成る基体１との間に大きな熱応力が発生し、その結果、基体１にマイクロクラックが発生し易くなる。
【００２９】
突条４ｂの線路導体４の線路方向の幅は75〜200μｍが好ましい。75μｍ未満であれば、外側線路導体４ａ上に突条４ｂと成る金属ペーストを印刷する際に厚みの制御が困難であり、ロウ材５の厚さにバラツキを発生させてしまうのでロウ材５のクラック発生の原因となる。また、200μｍを超えると、突条４ｂが占める体積が大きくなりすぎてロウ材５の体積が減少し、温度サイクルなどの環境試験においてロウ材５が緩衝材としての作用を十分に発揮せず、よってマイクロクラックを誘発させてロウ材５全体の接合強度が小さくなってしまう。
【００３０】
本発明の突条４ｂは、図３に示すように線路導体４等の導体層を形成するためのタングステン（Ｗ）等の金属粉末を主成分とする金属ペーストに対して平均粒径が大きい金属粉末を用いた金属ペーストを、線路導体４と成る乾燥させた印刷層上にさらに印刷塗布することによって形成される。このとき、金属粉末の粒径を線路導体4を構成する金属粒子の粒径の1.5〜３倍とすることにより線路導体４のみでは得られない大きなアンカー効果を実現することができる。すなわち、線路導体４を形成する金属粒子の平均粒径が１μｍであれば、突条４ｂを形成する金属粉末の平均粒径は1.5〜３μｍが良く、また線路導体４を形成する金属粒子の平均粒径が２μｍであれば、突条４ｂを形成する金属粉末の平均粒径は３〜６μｍが良い。
【００３１】
または、突条４ｂと成る所定の形状に加工された金属棒，金属片などの表面をエッチングなどにより粗化しておき、これを線路導体４上にあらかじめロウ付けしておいても本発明の目的が達せられる。
【００３２】
金属粒子と金属粉末の平均粒径の比が1.5未満であれば、平均粒径に差をつける効果がほとんどなくなり大きなアンカー効果が得られなくなって、リード端子６のロウ付けによる接合強度に向上が見られなくなる。またこの比が３を超えると突条４ｂと線路導体４との境界に明確な境界線が生じてしまい、そのために突条４ｂと外側線路導体４ａとの接合強度が小さくなり剥れやすくなってしまう。従って、突条４ｂを形成する金属粉末の平均粒径は線路導体４を形成する金属粒子の平均粒径の1.5〜３倍がよい。
【００３３】
また、リード端子６を接合するに際して、リード端子６の長さ方向の中心線と線路導体４の長さ方向の中心線とが多少ずれていても、リード端子６の接合部の全周にわたって形成された大きなメニスカス５ａの表面張力によるいわゆるセルフアライメント効果により、リード端子６を所望の位置に移動させて接合することができる。その結果、リード端子６と線路導体４との接合部において接合強度のばらつきが非常に小さくなり、接合強度、および接合の信頼性をより向上させることができる。
【００３４】
かくして、本発明のパッケージＡは、図１に示すように、半導体素子７が載置部１ａに錫（Ｓｎ）−鉛（Ｐｂ）半田などの低融点ロウ材で載置固定されるとともに、線路導体４の側壁２の内面側部分と半導体素子７の電極とがボンディングワイヤで電気的に接続され、側壁２の上面にシールリングおよび蓋体８がシーム溶接法などにより接合されて載置部１ａが気密に封止されることによって、製品としての半導体装置Ｂと成る。この半導体装置Ｂは、例えば外部電気回路から供給される電気信号によって半導体素子７が駆動され、大容量の情報を高速に処理する情報処理装置等に用いられる。
【００３５】
なお、蓋体８は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金やＦｅ−Ｎｉ合金等から成り、側壁２の上面に対応する形状に形成される。Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金は、セラミック基体１の熱膨張係数に近似する熱膨張係数（5.5〜７×10−７／℃）を有することからセラミック基体１にクラックを発生させ難く、さらに適当な電気抵抗を有しているためにシーム溶接に際して必要な溶接温度に加熱しやすいという利点を有している。
【００３６】
本発明の半導体装置Ｂは、本発明の半導体素子収納用パッケージＡを具備したことによって、リード端子の接合強度および接合の信頼性が高いために、長期に亘って外部装置に強固かつ信頼性良く接続できるものとなり、外部装置の信頼性を高めることができる。
【実施例】
【００３７】
本発明の半導体素子収納用パッケージの実施例について以下に説明する。
【００３８】
図２の本発明の入出力部３を有するパッケージおよび従来の入出力部13（図５）を有するパッケージについて、リード端子６の引張り強度を以下のようにして測定した。
【００３９】
まず、図２の入出力部３を有するアルミナセラミックスから成る基体１において、幅1.5ｍｍ、長さ１ｍｍの平均粒径が１μｍ，1.5μｍ，２μｍのＷの金属粒子を主成分とするメタライズ層から成る外側線路導体４ａの上面に、線路導体４となる金属粒子の平均粒径が１μｍでは金属粉末の平均粒径を1.25，1.5，２，2.5，３，3.25（μｍ）とし、線路導体４となる金属粒子の平均粒径が1.5μｍでは金属粉末の平均粒径を２，2.25，３，3.75，4.5，4.75（μｍ）とし、線路導体４となる金属粒子の平均粒径が２μｍでは2.75，３，４，５，６，6.25（μｍ）としたＷの金属粉末から成る突条４ｂとなる金属ペーストを準備し、線路導体の線路方向の幅をそれぞれ75μｍとして、300μｍ間隔で３本形成した各粒径の金属ペーストで形成した突条４ｂを有するサンプルをそれぞれ10個ずつ用意した。
【００４０】
次に、幅0.5ｍｍ、厚さ0.2ｍｍのＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成るリード端子６を、外側線路導体４ａ上にＡｇロウ（ＢＡｇ８：ＪＩＳ Ｚ 3261）を介して850℃の還元雰囲気下で接合した。
【００４１】
また、比較例として、幅1.5ｍｍ、長さ１ｍｍの外側線路導体14ａを有する入出力部13を形成し、外側線路導体14ａ上に幅0.5ｍｍ、厚さ0.2ｍｍのＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成るリード端子６を同じＡｇロウで接合したものを10個用意した。
【００４２】
さらに、突条４ｂを形成する金属粉末の平均粒径を線路導体４の金属粉末の平均粒径より大きくした効果を比較するために、線路導体４に用いた３種類（１μｍ，1.5μｍ，２μｍ）の平均粒径と同じ平均粒径の金属ペーストで線路導体の線路方向に垂直な方向の幅が100μm幅の突条を300μｍ間隔で３本形成したサンプルをそれぞれの線路導体４の金属粉末の平均粒径について各10個ずつ計30個形成し、上記と同様にしてリード端子６を接合した。
【００４３】
これらのサンプルについて、温度サイクル試験（−55〜＋125℃の温度幅で１サイクルが１時間）を10サイクル行なった後、リード端子６を接合部の際から上方に垂直に折り曲げて上方に引っ張ることにより接合強度を求める方法（ピール法）により接合強度を測定した。その結果を表１に示す。表１において、接合強度の値は10個の平均値である。
【表１】
2005079145.tif 000003
【００４４】
表１より、本発明のパッケージＡでは、リードピン６の接合強度が突条４ｂが無い場合に比して46％を超える強度向上が見られ、また突条４ｂを構成する金属粉末の平均粒径が線路導体４を構成する金属粒子の平均粒径よりも大きいことによるリード端子６の接合強度が24%以上向上することが明らかになった。また、マイクロクラックの発生が皆無となることが明らかになった。
【００４５】
なお、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。例えば、半導体素子７が半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子である場合においても本発明の効果は同様であり、その場合は側壁２に光ファイバ取着用の貫通孔が設けられた構成とすればよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示し、（ａ）はパッケージの平面図、（ｂ）はパッケージの断面図である。
【図２】（ａ）は図１の半導体素子収納用パッケージの入出力部の部分拡大平面図であり、（ｂ）は同じく図１の半導体素子収納用パッケージの部分拡大断面図である。
【図３】突条の表面付近の拡大断面図である。
【図４】従来の半導体素子収納用パッケージの例を示し、（ａ）は従来のパッケージの断面図、（ｂ）は（ａ）の要部拡大断面図である。
【図５】（ａ），（ｂ）はそれぞれ従来の半導体素子収納用パッケージの他の例における入出力部を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１：基体
１ａ：戴置部
２：側壁
３：入出力部
４：線路導体
４ａ：外側線路導体
４ｂ：突条
５：ロウ材
５ａ：メニスカス
６：リード端子
７：半導体素子
８：蓋体
Ａ：半導体素子収納用パッケージ
Ｂ：半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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