(57)【要約】  【課題】  コンデンサマイクロホンにおいて、その薄型化を図る。  【解決手段】  ＦＥＴ２０の回路基板２６への実装を、該ＦＥＴ２０を基板本体４２の上面４２ａにおいて導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃが形成されていない本体露出部分４２ａ１に載置した状態で、該ＦＥＴ２０の各端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄを各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃにハンダ付けすることにより行う。これにより、従来のように導電層の上面に供給されたハンダの上にＦＥＴを配置するようにした場合に比して、導電層の厚さおよびハンダの介在による部品浮きの分だけ、コンデンサマイクロホン１０の薄型化を図ることができるようにする。  【選択図】          図４
2005328340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動膜と背面電極板とが対向配置されてなるコンデンサ部と、少なくとも１つの電子チップ部品と、この電子チップ部品を実装する回路基板と、これらコンデンサ部、電子チップ部品および回路基板を収容するハウジングと、を備えてなるコンデンサマイクロホンにおいて、
上記回路基板が、基板本体と、この基板本体の上面に所定のパターンで形成された導電層とを備えてなり、
上記電子チップ部品の上記回路基板への実装が、該電子チップ部品を上記基板本体の上面において上記導電層が形成されていない本体露出部分に載置した状態で、該電子チップ部品の各端子部を上記導電層にハンダ付けすることにより行われている、ことを特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項２】
上記電子チップ部品の下面と上記基板本体の上面との間に、仮止め用接着剤が充填されている、ことを特徴とする請求項１記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項３】
上記電子チップ部品が、上記コンデンサ部の外周側に配置されている、ことを特徴とする請求項１または２記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項４】
上記基板本体の上面に、上記導電層を部分的に露出させるようにして該導電層を覆う絶縁層が形成されており、
上記導電層の上記各端子部近傍における露出形状が、該端子部を略Ｕ字状に囲む形状に設定されている、ことを特徴とする請求項１〜３いずれか記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項５】
上記各端子部が、上記電子チップ部品のチップ本体から側方へ突出する端子片として構成されており、
これら各端子片が、上記チップ本体の側壁の下端部から斜め上方へ延びるように形成されている、ことを特徴とする請求項１〜４いずれか記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項６】
上記各端子部が、上記電子チップ部品のチップ本体から側方へ突出する端子片として構成されており、
これら各端子片が、上記チップ本体の側壁の上下方向中間位置から略水平に延びるように形成されている、ことを特徴とする請求項１〜４いずれか記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項７】
上記各端子部が、上記電子チップ部品のチップ本体から側方へ突出する端子片として構成されており、
これら各端子片が、上記チップ本体の側壁の上端部から略水平に延びるように形成されている、ことを特徴とする請求項１〜４いずれか記載のコンデンサマイクロホン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、コンデンサマイクロホンに関するものであり、特に、その電子チップ部品の回路基板への実装構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、コンデンサマイクロホンは、振動膜と背面電極板とが対向配置されてなるコンデンサ部を有しており、このコンデンサ部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子等の電子チップ部品が、回路基板に実装された構成となっている。
【０００３】
その際「特許文献１」には、コンデンサ部の外周側に電子チップ部品が配置された状態で、これらコンデンサ部、電子チップ部品および回路基板がハウジング内に収容されたコンデンサマイクロホンが記載されている。
【０００４】
【特許文献１】実開平７−７２９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
携帯電話機等に搭載されるコンデンサマイクロホンにおいては、その薄型化を図ることが強く要請される。
【０００６】
しかしながら、従来のコンデンサマイクロホンにおいては、上記「特許文献１」にも記載されているように、電子チップ部品の回路基板への実装が、その基板本体の上面に形成された導電層の上面に予めハンダを供給しておき、このハンダの上に電子チップ部品を配置することにより行われる構成となっているので、コンデンサマイクロホンの薄型化を十分に図ることができない、という問題がある。
【０００７】
本願発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、薄型化を十分に図ることができるコンデンサマイクロホンを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明は、電子チップ部品の回路基板への実装構造に工夫を施すことにより、上記目的達成を図るようにしたものである。
【０００９】
すなわち、本願発明に係るコンデンサマイクロホンは、
振動膜と背面電極板とが対向配置されてなるコンデンサ部と、少なくとも１つの電子チップ部品と、この電子チップ部品を実装する回路基板と、これらコンデンサ部、電子チップ部品および回路基板を収容するハウジングと、を備えてなるコンデンサマイクロホンにおいて、
上記回路基板が、基板本体と、この基板本体の上面に所定のパターンで形成された導電層とを備えてなり、
上記電子チップ部品の上記回路基板への実装が、該電子チップ部品を上記基板本体の上面において上記導電層が形成されていない本体露出部分に載置した状態で、該電子チップ部品の各端子部を上記導電層にハンダ付けすることにより行われている、ことを特徴とするものである。
【００１０】
上記「少なくとも１つ電子チップ部品」の種類は特に限定されるものではなく、例えば、インピーダンス変換素子、コンデンサ、抵抗等が採用可能である。
【００１１】
上記「コンデンサ部、電子チップ部品および回路基板」のハウジング内における具体的な配置は特に限定されるものではない。
【００１２】
上記「導電層」は、上記「本体露出部分」を有するパターンで形成されていれば、その具体的なパターン形状は特に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００１３】
上記構成に示すように、本願発明に係るコンデンサマイクロホンは、コンデンサ部、電子チップ部品および回路基板がハウジング内に収容されており、その回路基板は基板本体の上面に導電層が所定のパターンで形成された構成となっているが、その際、電子チップ部品の回路基板への実装は、該電子チップ部品を基板本体の上面において導電層が形成されていない本体露出部分に載置した状態で、該電子チップ部品の各端子部を導電層にハンダ付けすることにより行われているので、従来のように導電層の上面に供給されたハンダの上に電子チップ部品を配置するようにした場合に比して、導電層の厚さおよびハンダの介在による部品浮きの分だけコンデンサマイクロホンの薄型化を図ることができる。
【００１４】
このように本願発明によれば、コンデンサマイクロホンにおいて、その薄型化を図ることができる。
【００１５】
上記構成において、電子チップ部品の下面と基板本体の上面との間に、仮止め用接着剤が充填された構成とすれば、電子チップ部品の各端子部を導電層にハンダ付けする際、電子チップ部品を保持しておかなくても、電子チップ部品が不用意に移動してしまうのを未然に防止することができ、これによりハンダ付けの作業性を高めることができる。その際、上記「仮止め用接着剤」は、ハンダ付けの際に電子チップ部品が移動しない程度の接着力を有するものであれば、その材質は特に限定されるものではない。なお、この「仮止め用接着剤」は。その塗布厚を極薄く設定しても差し支えないので、これを充填したことによってコンデンサマイクロホンの薄型化が阻害されないようにすることができる。
【００１６】
上記構成において、電子チップ部品は、コンデンサ部に対して上下方向に重なるように配置された構成としてもよいが、コンデンサ部の外周側に配置された構成とすれば、コンデンサマイクロホンの一層の薄型化を図ることができる。
【００１７】
上記構成において、基板本体の上面に、導電層を部分的に露出させるようにして該導電層を覆う絶縁層が形成された構成とし、その際、導電層の各端子部近傍における露出形状を、該端子部を略Ｕ字状に囲む形状に設定すれば、各端子部近傍において導電層上に供給されたハンダが該導電層に沿って不必要に拡がってしまうのを、絶縁層の端面の堰作用によって阻止することができる。
【００１８】
上記構成において、各端子部が電子チップ部品のチップ本体から側方へ突出する端子片として構成されている場合には、これら各端子片を、チップ本体の側壁の下端部から斜め上方へ延びるように形成された構成とすれば、次のような作用効果を得ることができる。
【００１９】
すなわち、回路基板の基板本体の上面における各端子片の近傍部位においては、チップ本体が配置された本体露出部分とその周囲の導電層との境界部分に、該導電層の厚みの分だけ段差が生じるが、各端子片をチップ本体の側壁の下端部から斜め上方へ延びるように形成することにより、各端子片と導電層の上面との間に所定の空間を確保することができるので、各端子片を導電層に対して容易にハンダ付けすることができる。その際、各端子片をチップ本体の側壁の下端部から斜め上方へ延びるように形成する方法としては、各端子片を当初からこのような形状に設定しておく方法以外にも、チップ本体の側壁の下端部から略水平に延びるように形成された各端子片を上方側へ折り曲げて上方へ延びるように形成する方法も採用可能である。後者の方法を採用した場合には、汎用の電子チップ部品を用いることが可能となる。
【００２０】
あるいは、このようにする代わりに、各端子片をチップ本体の側壁の上下方向中間位置から略水平に延びるように形成することによっても、各端子片と導電層の上面との間に所定の空間を確保することができるので、各端子片を導電層に対して容易にハンダ付けすることができる。
【００２１】
さらに、このようにする代わりに、各端子片をチップ本体の側壁の上端部から略水平に延びるように形成することによっても、各端子片と導電層の上面との間に所定の空間を確保することができるので、各端子片を導電層に対して容易にハンダ付けすることができる。このような構成を採用した場合には、汎用の電子チップ部品を上下反転させてそのまま用いることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を用いて、本願発明の実施の形態について説明する。
【００２３】
図１は、本願発明の一実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０を示す側断面図であり、図２は、図１のII-II 線断面図である。
【００２４】
これらの図に示すように、このコンデンサマイクロホン１０は、小型のエレクトレットコンデンサマイクロホンであって、高さが０．６ｍｍ程度で直径が４ｍｍ程度の背の低い略円筒形の外形形状を有している。
【００２５】
このコンデンサマイクロホン１０は、ハウジング１２内に、インシュレーティングブッシュ１４と、コンデンサ部１６と、コンタクトスプリング１８と、３つの電子チップ部品２０、２２、２４と、回路基板２６とが収容されてなっている。
【００２６】
ハウジング１２は、下端部が開放された円筒状の金属製部材であって、上記各部材を上方側から覆うようにした状態で、その周壁の下端部１２ｂを内周側へ折り曲げることにより、回路基板２６の周縁部にカシメ固定されている。このハウジング１２の上面部には、複数の音孔１２ａが形成されている。
【００２７】
インシュレーティングブッシュ１４は、合成樹脂製部材であって、ハウジング１２の内周面に沿って形成されたリング状の周壁部１４ａと、この周壁部１４ａの内周側に該周壁部１４ａよりも僅かに低い高さで形成された隔壁部１４ｂとからなり、これら周壁部１４ａと隔壁部１４ｂとにより４つの空間部Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４を形成している。
【００２８】
空間部Ｃ１は、コンデンサ部１６を収容する空間であって、比較的大きい円形の空間部として形成されており、空間部Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４は、この空間部Ｃ１を円弧状に囲むように配置された比較的小さい空間部として形成されている。その際、空間部Ｃ２は、空間部Ｃ１から隔離されているが、空間部Ｃ３、Ｃ４は、隔壁部１４ｂの上面に形成された連通溝１４ｂ１を介して空間部Ｃ１と連通しており、これによりコンデンサ部１６の背圧空間を拡大させるようになっている。
【００２９】
コンデンサ部１６は、振動膜サブアッセンブリ３２と、スペーサ３４と、背面電極板３６とからなっている。
【００３０】
振動膜サブアッセンブリ３２は、金属製の支持リング３２Ｂの下面に振動膜３２Ａが張設固定されてなり、その振動膜３２Ａは、上面に金属蒸着膜が形成された高分子フィルムで構成されている。スペーサ３４は、金属製の薄板リングで構成されている。背面電極板３６は、金属製の電極板本体３６Ａと、この電極板本体３６Ａの上面に熱融着されたエレクトレット層３６Ｂとからなっている。この背面電極板３６は、平面視において略十字形に形成されているが、その外径は支持リング３２Ｂの外径と略同じ値に設定されている。
【００３１】
そして、このコンデンサ部１６においては、振動膜サブアッセンブリ３２の振動膜３２Ａと背面電極板３６のエレクトレット層３６Ｂとが、スペーサ３４を介して所定の微小間隔をおいて対向している。
【００３２】
３つの電子チップ部品２０、２２、２４のうち、電子チップ部品２０は、接合型の電界効果トランジスタ（以下「ＦＥＴ」という）であって、コンデンサ部１６の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するためのインピーダンス変換素子として設けられている。残り２つの電子チップ部品２２、２４は、静電容量の異なる２種類のコンデンサであって、ノイズ除去のために設けられている。そして、ＦＥＴ２０は、空間部Ｃ２に収容された状態で回路基板２６に実装されており、２つのコンデンサ２２、２４は、いずれも空間部Ｃ３に収容された状態で回路基板２６に実装されてる。
【００３３】
回路基板２６は、基板本体４２と、この基板本体４２の上面４２ａに所定のパターンで形成された導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃと、この基板本体４２の下面４２ｂに形成された導電層４６Ａ、４６Ｂとからなっている。
【００３４】
その際、導電層４６Ａは、基板本体４２の下面４２ｂの中心部に形成されており、導電層４６Ｂは、その下面４２ｂの外周縁部に環状に形成されている。そして、導電層４６Ａは、図示しないスルーホールを介して導電層４４Ｃと導通しており、導電層４６Ｂは、図示しないスルーホールを介して導電層４４Ｂと導通している。
【００３５】
さらに、この回路基板２６においては、その基板本体４２の上面４２ａに、各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃを部分的に露出させるようにしてこれらを覆う絶縁層４８が、所定のパターンで形成されている。
【００３６】
基板本体４２は、０．０６ｍｍ程度の厚さを有しており、各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃ、各導電層４６Ａ、４６Ｂおよび絶縁層４８は、いずれも０．０４ｍｍ程度の厚さを有している。
【００３７】
コンタクトスプリング１８は、略環状コーン形に形成された金属製のプレートスプリングであって、その上端部において背面電極板３６の電極板本体３６Ａに当接するとともに、その下端部において回路基板２６の導電層４４Ａおよび絶縁層４８に当接している。
【００３８】
ＦＥＴ２０は、高さが０．３ｍｍ程度の直方体形状を有するチップ本体２０Ａと、このチップ本体２０Ａから側方へ突出する３つの端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄとからなっている。
【００３９】
端子片２０Ｇは、ゲート電極を構成する端子部であって、チップ本体２０Ａの一方の側壁における水平方向中央部の下端部から斜め上方へ延びるように形成されている。残り２つの端子片２０Ｓ、２０Ｄは、ソース電極およびドレイン電極を構成する端子部であって、チップ本体２０Ａの他方の側壁における水平方向両端部近傍部位の下端部から斜め上方へ延びるように形成されている。
【００４０】
そして、ゲート電極を構成する端子片２０Ｇは、導電層４４Ａおよびコンタクトスプリング１８を介して背面電極板３６の電極板本体３６Ａと導通しており、ソース電極を構成する端子片２０Ｓは、導電層４４Ｂ、導電層４６Ｂ、ハウジング１２および支持リング３２Ｂを介して振動膜３２Ａと導通しており、ドレイン電極を構成する端子片２０Ｄは、導電層４４Ｃを介して導電層４６Ａと導通している。
【００４１】
図３は、図１のIII 部詳細図である。また、図４は、ＦＥＴ２０の回路基板２６への実装構造を示す平面図である。
【００４２】
これらの図にも示すように、ＦＥＴ２０の回路基板２６への実装は、そのチップ本体２０Ａを、基板本体４２の上面４２ａにおいて導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃおよび絶縁層４８が形成されていない本体露出部分４２ａ１に載置した状態で、該ＦＥＴ２０の各端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄを各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃに各々ハンダ付けすることにより行われている。
【００４３】
これを実現するため、導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃは、導電層４４Ａの端面４４Ａ１と導電層４４Ｂ、４４Ｃの端面４４Ｂ１、４４Ｃ１とが、ＦＥＴ２０のチップ本体２０Ａの幅よりもやや広い間隔で向き合うように形成されている。また、絶縁層４８には、ＦＥＴ２０のチップ本体２０Ａよりもひとまわり大きい略矩形状の開口部４８ａが形成されている。その際、この開口部４８ａにおける各端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄに対応する位置には、略Ｕ字状の切欠き部４８ａ１、４８ａ２、４８ａ３が形成されており、これにより各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃの各端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄ近傍における露出形状を、該端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄを略Ｕ字状に囲む形状に設定するようになっている。
【００４４】
そして、これら各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃの露出部分と各端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄとの間に各々ハンダＳを供給することにより、上記ハンダ付けが行われるようになっている。その際、これら３箇所に供給されたハンダＳは、導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃの各端面４４Ａ１、４４Ｂ１、４４Ｃ１と絶縁層４８の各切欠き部４８ａ１、４８ａ２、４８ａ３とで囲まれる範囲内において略ドーム状に盛り上がった形状となる。これは、ハンダＳの表面張力および各切欠き部４８ａ１、４８ａ２、４８ａ３の堰としての作用によるものである。
【００４５】
ＦＥＴ２０のチップ本体２０Ａの下面と基板本体４２の上面４２ａとの間には、仮止め用接着剤Ａが充填されている。この仮止め用接着剤Ａの充填を行うことにより、ハンダ付けの際にＦＥＴ２０が不用意に移動してしまうのを未然に防止するようになっている。
【００４６】
図５は、図２のV-V 線断面詳細図であって、コンデンサ２２の回路基板２６への実装構造を示す側断面である。
【００４７】
同図に示すように、このコンデンサ２２は、ＦＥＴ２０よりもやや高さが低い直方体形状を有しており、その長手方向の両端面が端子部２２ａ、２２ｂとして構成されている。そして、このコンデンサ２２は、その各端子部２２ａ、２２ｂが各導電層４４Ｂ、４４Ｃと各々導通している。
【００４８】
このコンデンサ２２の回路基板２６への実装も、ＦＥＴ２０の場合と略同様にして行われている。すなわち、コンデンサ２２を、基板本体４２の上面４２ａにおいて導電層４４Ｂ、４４Ｃが形成されていない本体露出部分４２ａ２に載置した状態で、該コンデンサ２２の各端子部２２ａ、２２ｂを各導電層４４Ｂ、４４Ｃに各々ハンダ付けすることにより、その回路基板２６への実装が行われている。
【００４９】
これを実現するため、導電層４４Ｂ、４４Ｃは、導電層４４Ｂの端面４４Ｂ２と導電層４４Ｃの端面４４Ｃ２とが、コンデンサ２２の全長よりもやや広い間隔で向き合うように形成されている。また、絶縁層４８には、コンデンサ２２よりもひとまわり大きい略矩形状の開口部４８ｂ（図６（ａ）参照）が形成されている。その際、この開口部４８ｂにおける各端子部２２ａ、２２ｂに対応する位置には、略Ｕ字状の切欠き部４８ｂ１、４８ｂ２が形成されており、これにより各導電層４４Ｂ、４４Ｃの各端子部２２ａ、２２ｂ近傍における露出形状を、該端子部２２ａ、２２ｂを略Ｕ字状に囲む形状に設定するようになっている。
【００５０】
そして、これら各導電層４４Ｂ、４４Ｃの露出部分と各端子部２２ａ、２２ｂとの間に各々ハンダＳを供給することにより、上記ハンダ付けが行われるようになっている。その際、各端子部２２ａ、２２ｂは、端子片ではなくコンデンサ２２の各端面で構成されているので、ハンダＳは、各導電層４４Ｂ、４４Ｃだけでなく基板本体４２の上面４２ａにまで供給されるが、この上面４２ａにおいてはほとんど拡がることはなく、また、各導電層４４Ｂ、４４Ｃの上面においても、各切欠き部４８ｂ１、４８ｂ２の堰としての作用により、広がり範囲は限定的なものとなる。
【００５１】
コンデンサ２２の下面と基板本体４２の上面４２ａとの間には、仮止め用接着剤Ａが充填されている。この仮止め用接着剤Ａの充填を行うことにより、ハンダ付けの際にコンデンサ２２が不用意に移動してしまうのを未然に防止するようになっている。
【００５２】
図６は、仮止め用接着剤Ａが仮に充填されていないとした場合に生じ得る現象を説明するための図であって、同図（ｂ）が図５と同様の図であり、同図（ａ）がその平面図である。
【００５３】
同図（ａ）、（ｂ）に示すように、各導電層４４Ｂ、４４Ｃの露出部分と各端子部２２ａ、２２ｂとの間にハンダＳを供給したとき、コンデンサ２２にはその両側にハンダＳの表面張力が微妙なバランスで作用するので、かなり不安定な状態となり、いずれか一方に引き付けられやすくなる。このため、例えば図中矢印で示すように、端子部２２ｂ側へコンデンサ２２が引き付けられたとすると、コンデンサ２２は、導電層４４Ｃの端面４４Ｃ２に当接する位置まで端子部２２ｂ側へ移動する。その際、同図（ｃ）、（ｄ）に示すように、反対側の導電層４４Ｂの露出部分と端子部２２ａとの間に供給されていたハンダＳが、端子部２２ａから離れて、導電層４４Ｂの露出部分の上面に略ドーム状に盛り上がった形状となり、ハンダ付け不良が発生してしまうこととなる。
【００５４】
これに対し、本実施形態のように、コンデンサ２２の下面と基板本体４２の上面４２ａとの間に仮止め用接着剤Ａを充填しておくようにすれば、ハンダ付けの際、コンデンサ２２を保持しておかなくても、コンデンサ２２が不用意に移動してしまうのを未然に防止することができる。
【００５５】
なお、もう１つのコンデンサ２４の回路基板２６への実装構造についても、コンデンサ２２の場合と全く同様である。
【００５６】
以上詳述したように、本実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０は、そのＦＥＴ２０の回路基板２６への実装が、該ＦＥＴ２０を基板本体４２の上面４２ａにおいて導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃおよび絶縁層４８が形成されていない本体露出部分４２ａ１に載置した状態で、該ＦＥＴ２０の各端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄを各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃにハンダ付けすることにより行われているので、従来のように導電層の上面に供給されたハンダの上にＦＥＴを配置するようにした場合に比して、導電層の厚さおよびハンダの介在による部品浮きの分だけコンデンサマイクロホン１０の薄型化を図ることができる。同様に、各コンデンサ２２、２４の回路基板２６への実装に関しても、該コンデンサ２２、２４を基板本体４２の上面４２ａにおいて各導電層４４Ｂ、４４Ｃが形成されていない本体露出部分４２ａ２に載置した状態で、該コンデンサ２２、２４の各端子部２２ａ、２２ｂ等を各導電層４４Ｂ、４４Ｃにハンダ付けすることにより行われているので、これらコンデンサ２２、２４が設けられていることによりコンデンサマイクロホン１０の薄型化が阻害されてしまわないようにすることができる。
【００５７】
しかも本実施形態においては、ＦＥＴ２０およびコンデンサ２２、２４が、ハウジング１２内においてコンデンサ部１６の外周側に配置されているので、コンデンサマイクロホン１０の一層の薄型化を図ることができる。
【００５８】
また本実施形態においては、ＦＥＴ２０の下面と基板本体４２の上面４２ａとの間に、仮止め用接着剤Ａが充填されているので、ＦＥＴ２０の各端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄを各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃにハンダ付けする際に、ＦＥＴ２０が不用意に移動してしまうのを未然に防止することができ、これによりハンダ付けの際にＦＥＴ２０を保持しておく必要性をなくし、その作業性を高めることができる。同様に、各コンデンサ２２、２４の下面と基板本体４２の上面４２ａとの間にも、仮止め用接着剤Ａが充填されているので、各コンデンサ２２、２４の各端子部２２ａ、２２ｂ等を各導電層４４Ｂ、４４Ｃにハンダ付けする際に、該コンデンサ２２、２４が不用意に移動してしまうのを未然に防止することができ、これによりハンダ付けの際にコンデンサ２２、２４を保持しておく必要性をなくし、その作業性を高めることができる。特に、これら各コンデンサ２２、２４は、その各端子部２２ａ、２２ｂが端子片としては構成されておらず、ハンダ付けする際に移動してしまいやすいので、仮止め用接着剤Ａが充填された構成としておくことが極めて効果的である。
【００５９】
さらに本実施形態においては、基板本体４２の上面４２ａに、導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃを部分的に露出させるようにしてこれらを覆う絶縁層４８が形成されているが、その際、ＦＥＴ２０の各端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄ近傍における各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃの露出形状は、該端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄを略Ｕ字状に囲む形状に設定されているので、各端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄ近傍において各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃ上に供給されたハンダＳが該導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃに沿って不必要に拡がってしまうのを、絶縁層４８において略Ｕ字状に形成された各切欠き部４８ａ１、４８ａ２、４８ａ３の端面の堰作用によって阻止することができる。同様に、各コンデンサ２２、２４の各端子部２２ａ、２２ｂ等近傍における各導電層４４Ｂ、４４Ｃの露出形状は、該端子部２２ａ、２２ｂ等を略Ｕ字状に囲む形状に設定されているので、各端子部２２ａ、２２ｂ等近傍において各導電層４４Ｂ、４４Ｃ上に供給されたハンダＳが該導電層４４Ｂ、４４Ｃに沿って拡がってしまうのを、絶縁層４８において略Ｕ字状に形成された各切欠き部４８ｂ１、４８ｂ２等の端面の堰作用によって阻止することができる。
【００６０】
また本実施形態においては、ＦＥＴ２０において、そのチップ本体２０Ａから側方へ突出する端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄが、該側壁の下端部から斜め上方へ延びるように形成されているので、チップ本体２０Ａが配置された本体露出部分４２ａ１とその周囲の各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃとの境界部分に、該導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃの厚みの分だけ段差が生じるにもかかわらず、各端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄと各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃの上面との間に所定の空間を確保することができ、これにより各端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄを各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃに対して容易にハンダ付けすることができる。
【００６１】
ところで、上記実施形態のＦＥＴ２０に代えて、図７に示すようなＦＥＴ１２０あるいはＦＥＴ２２０を用いることも可能である。
【００６２】
同図（ａ）に示すＦＥＴ１２０は、その各端子片１２０Ｇ、１２０Ｄ等が、チップ本体１２０Ａの側壁の上下方向中間位置から略水平に延びるように形成されている。このような構成を採用した場合においても、各端子片１２０Ｇ、１２０Ｄ等と各導電層４４Ａ、４４Ｃ等の上面との間に所定の空間を確保することができるので、各端子片１２０Ｇ、１２０Ｄ等を各導電層４４Ａ、４４Ｃ等に対して容易にハンダ付けすることができる。
【００６３】
また、同図（ｂ）に示すＦＥＴ２２０は、その各端子片２２０Ｇ、２２０Ｄ等がチップ本体２２０Ａの側壁の上端部から略水平に延びるように形成されている。このような構成を採用した場合においても、各端子片２２０Ｇ、２２０Ｄ等と各導電層４４Ｂ、４４Ｃ等の上面との間に所定の空間を確保することができるので、各端子片２２０Ｇ、２２０Ｄ等を各導電層４４Ｂ、４４Ｃ等に対して容易にハンダ付けすることができる。そして、このような構成を採用した場合には、ＦＥＴ２２０として、汎用のＦＥＴを上下反転させてそのまま用いることが可能となる。
【００６４】
なお、これらＦＥＴ１２０またはＦＥＴ２２０を用いる場合には、上記実施形態のＦＥＴ２０を用いる場合に比して、ハンダＳの供給量をその供給空間の大きさに応じて適宜変更すればよい。その際、ハンダＳの供給量に応じて、絶縁層４８の各切欠き部４８ａ１、４８ａ３等の大きさを適宜変更すれば、ハンダＳが導電層４４Ｂ、４４Ｃに沿って不必要に拡がってしまうのを防止した上で、略ドーム状に盛り上がった形状とすることができる。
【００６５】
上記実施形態においては、ＦＥＴ２０の回路基板２６への実装が、そのチップ本体２０Ａの下面を基板本体４２の上面４２ａに仮止め固定した状態で各端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄを各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃにハンダ付けすることにより行われるものとして説明したが、ハンダＳを予め導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃの露出部分に供給した状態で、ＦＥＴ２０の下面を基板本体４２の上面４２ａに当接させることにより、上記実装が行われる構成とすることも可能である。このようにした場合には、仮止め用接着剤Ａを用いなくても、ハンダ付けの際にＦＥＴ２０が不用意に移動してしまうといった不具合が発生するのを未然に回避することができる。なお、この点に関しては、上記ＦＥＴ１２０またはＦＥＴ２２０を採用した場合も同様である。
【００６６】
また、上記実施形態においては、ＦＥＴ２０の回路基板２６への実装が、各端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄを各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃ上においてハンダ付けすることにより行われるものとして説明したが、このようにする代わりに、コンデンサ２２を回路基板２６に実装する場合と同様に、各端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄの横方向にハンダＳを供給してハンダ付けを行うようにすることも可能である。
【００６７】
さらに、上記実施形態においては、コンデンサマイクロホン１０がエレクトレットコンデンサマイクロホンであるものとして説明したが、これ以外のコンデンサマイクロホンである場合においても、上記実施形態と同様の構成を採用することにより上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本願発明の一実施形態に係るコンデンサマイクロホンを示す側断面図
【図２】図１のII-II 線断面図
【図３】図１のIII 部詳細図
【図４】上記コンデンサマイクロホンにおけるＦＥＴの回路基板への実装構造を示す平面図
【図５】図２のV-V 線断面詳細図
【図６】上記コンデンサマイクロホンにおいて仮止め用接着剤が仮に充填されていないとした場合に生じ得る現象を説明するための図
【図７】上記ＦＥＴの実装構造の２つの変形例を示す側断面図
【符号の説明】
【００６９】
１０  コンデンサマイクロホン
１２  ハウジング
１２ａ  音孔
１２ｂ  下端縁部
１４  インシュレーティングブッシュ
１４ａ  周壁部
１４ｂ  隔壁部
１４ｂ１  連通溝
１６  コンデンサ部
１８  コンタクトスプリング
２０、１２０、２２０  ＦＥＴ（電子チップ部品）
２０Ａ、１２０Ａ、２２０Ａ  チップ本体
２０Ｄ、２０Ｇ、２０Ｓ、１２０Ｄ、１２０Ｇ、２２０Ｄ、２２０Ｇ  端子片
２２、２４  コンデンサ（電子チップ部品）
２２ａ、２２ｂ  端子部
２６  回路基板
３２  振動膜サブアッセンブリ
３２Ａ  振動膜
３２Ｂ  支持リング
３４  スペーサ
３６  背面電極板
３６Ａ  電極板本体
３６Ｂ  エレクトレット層
４２  基板本体
４２ａ  上面
４２ａ１、４２ａ２  本体露出部分
４２ｂ  下面
４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃ、４６Ａ、４６Ｂ  導電層
４４Ａ１、４４Ｂ１、４４Ｂ２、４４Ｃ１、４４Ｃ２  端面
４８  絶縁層
４８ａ、４８ｂ  開口部
４８ａ１、４８ａ２、４８ａ３、４８ｂ１、４８ｂ２  切欠き部
Ｓ  ハンダ
Ａ  仮止め用接着剤
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４  空間部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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