(57)【要約】【課題】  被処理物上の照射エネルギ密度の安定化を図ることができるレーザアニール装置を提供すること。【解決手段】  非アニール処理時は、Ｘ−Ｙテーブル装置内部で発生した駆動クロックパルスを前記Ｘ−Ｙテーブル装置の駆動クロックパルスとして使用するが、アニール処理時は、レーザ発振器の動作クロックパルスを前記Ｘ−Ｙテーブル装置に供給して、前記動作クロックパルスをＸ−Ｙテーブル装置の駆動クロックパルスとして使用する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作クロックパルスに応じてレーザパルスを発振するレーザ発振器と、
駆動クロックパルス当たりのテーブルの移動量が一定であり、前記テーブル上に被処理物を載置し、駆動クロックパルスに応じて前記テーブルおよび被処理物を移動させるＸ−Ｙテーブル装置と、
前記レーザ発振器から発振されたレーザパルスを導き、所定位置において前記テーブル上の被処理物にレーザパルスを照射するレーザ光学光路と、
非アニール処理時は、前記Ｘ−Ｙテーブル装置内部で発生した駆動クロックパルスを前記Ｘ−Ｙテーブル装置の駆動クロックパルスとして使用する一方、アニール処理時になると、前記レーザ発振器の動作クロックパルスを前記Ｘ−Ｙテーブル装置に駆動クロックパルスとして供給して、前記Ｘ−Ｙテーブル装置の駆動クロックパルスを内部駆動クロックパルスから前記レーザ発振器の動作クロックパルスに切り替える手段と
を具備することを特徴とするレーザアニール装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザアニール装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
結晶粒が大きく安定したポリシリコンを安定的に生産できる技術は高輝度高応答性ＬＣＤを生産するためのキーポイントであり、中でもアニール処理は低温ポリシリコン生産工程の要となっている。従来、アニール処理は、被処理物である基板をテーブル上に載せてテーブルと一体に水平に移動させながら、所定位置でレーザパルスを照射することにより行われており、テーブルは、サーボ機構を用いたＸ−Ｙテーブル装置で水平方向（Ｘ−Ｙ方向）に移動される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このようなアニール処理において、基板上に照射されるエネルギ密度は任意の点においてのレーザパルス数に比例するが、テーブル移動に通常のサーボ機構を用いた従来の装置では、任意の通過点におけるテーブルおよび基板の移動速度が不安定であるから、ミクロン単位ではあるが照射エネルギ密度が安定せず、アニール後の表面粗さが安定しないことに影響を与えている。
【０００４】
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、被処理物上の照射エネルギ密度の安定化を図ることができるレーザアニール装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のレーザアニール装置は、動作クロックパルスに応じてレーザパルスを発振するレーザ発振器と、駆動クロックパルス当たりのテーブルの移動量が一定であり、前記テーブル上に被処理物を載置し、駆動クロックパルスに応じて前記テーブルおよび被処理物を移動させるＸ−Ｙテーブル装置と、前記レーザ発振器から発振されたレーザパルスを導き、所定位置において前記テーブル上の被処理物にレーザパルスを照射するレーザ光学光路と、非アニール処理時は、前記Ｘ−Ｙテーブル装置内部で発生した駆動クロックパルスを前記Ｘ−Ｙテーブル装置の駆動クロックパルスとして使用する一方、アニール処理時になると、前記レーザ発振器の動作クロックパルスを前記Ｘ−Ｙテーブル装置に駆動クロックパルスとして供給して、前記Ｘ−Ｙテーブル装置の駆動クロックパルスを内部駆動クロックパルスから前記レーザ発振器の動作クロックパルスに切り替える手段とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
上記のような本発明のレーザアニール装置によれば、アニール処理時は、レーザ発振器の動作クロックパルスがＸ−Ｙテーブル装置に供給されてＸ−Ｙテーブル装置の駆動クロックパルスとして用いられるので、テーブルおよび被処理物の移動とレーザ発振器とが同期した状態でレーザパルス照射が行われるようになる。その結果、基板上の照射エネルギ密度が安定し、例えば低温ポリシリコン生産においてアニール後の表面粗さの安定性が改善される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
次に添付図面を参照して本発明によるレーザアニール装置の実施の形態を詳細に説明する。図１は本発明のレーザアニール装置の実施の形態を示す構成図である。この図において、１１はレーザ発振器で、内部で発生した動作クロックパルスに応じてレーザパルスを発振する。また、このレーザ発振器１１は、装置制御部１２からのシャッタオン、オフ信号によりレーザパルスの出力、遮断が制御される。１３はレーザ光学光路で、前記レーザ発振器１１から出力されたレーザパルスを導き、所定位置において、次に説明するＸ−Ｙテーブル装置１４のテーブル１５上の基板（被処理物）１６にレーザパルスを照射する。１４は前記Ｘ−Ｙテーブル装置で、テーブル１５を有し、その上に前記基板１６を載置する。このＸ−Ｙテーブル装置１４はサーボ機構で構成され、駆動源としてのサーボモータ、Ｘ−Ｙテーブル移動機構、制御機構を有し、内部で発生した駆動クロックパルスに応じてテーブル１５を移動し、一体にその上の基板１６を移動させる。ここで、駆動クロックパルス当たりのテーブル１５および基板１６の移動量は一定になるように制御されている。また、このようなＸ−Ｙテーブル装置１４には、装置制御部１２から位置指令、開始指令、移動速度情報などが伝達される。Ｘ−Ｙテーブル装置１４からは、テーブル１５の位置情報が装置制御部１２に伝達される。１７はクロックパルス切替器で、装置制御部１２から切替信号が供給されると、レーザ発振器１１の動作クロックパルスをＸ−Ｙテーブル装置１４に供給する。Ｘ−Ｙテーブル装置１４は、レーザ発振器１１からの動作クロックパルスが供給されると、テーブル１５移動用（駆動用）の駆動クロックパルスを内部駆動クロックパルスから動作クロックパルスに切替え、レーザ発振器１１からの動作クロックパルスを駆動クロックパルスとして使用する。
【０００８】
上記のようなレーザアニール装置においては、Ｘ−Ｙテーブル装置１４のテーブル１５と一体に基板１６を水平に移動させながら、所定位置でレーザパルスを基板１６に照射することによりレーザアニール処理が実施されるが、基板導入時や基板搬出時などの非アニール処理時は、Ｘ−Ｙテーブル装置１４内部で発生した駆動クロックパルスをテーブル移動用の駆動クロックパルスとして使用してテーブル１５の移動が行われ、一体に基板１６が移動される。
【０００９】
一方、基板１６上のレーザアニール処理開始位置がレーザパルス照射位置に位置してレーザアニール処理が開始されると、装置制御部１２から切替信号がクロックパルス切替器１７に供給されることにより、レーザ発振器１１の動作クロックパルスがクロックパルス切替器１７を介してＸ−Ｙテーブル装置１４に供給され、この動作クロックパルスがＸ−Ｙテーブル装置１４の駆動クロックパルスとして使用される。したがって、Ｘ−Ｙテーブル装置１４は、レーザ発振器１１の動作クロックパルスを駆動クロックパルスとして使用してテーブル１５および基板１６の移動が行われるようになり、その結果、テーブル１５および基板１６の移動と、レーザ発振器１１（より詳細にはレーザ発振器１１によるレーザパルスの発生）が同期した状態で、基板１６に対するレーザパルスの照射が行われるようになる。そして、その結果として基板１６上の照射エネルギ密度が安定し、例えばレーザパルス照射により融解した半導体の融解範囲と次の照射位置を明確にすることができ、低温ポリシリコン生産においてアニール後の表面粗さの安定性を改善できる。また、再結晶化の度合いを観測する場合は、照射位置（距離）を厳密に定量化できる。さらに、広範囲において条件の再現性を良好にしえる。
【００１０】
本発明の実施の形態を上述したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変形、変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明によるレーザアニール装置の実施の形態を示す構成図。
【符号の説明】
【００１２】
１１    レーザ発振器
１２    装置制御部
１３    レーザ光学光路
１４    Ｘ−Ｙテーブル装置
１５    テーブル
１６    基板
１７    クロックパルス切替器
【図１】
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