(57)【要約】【課題】  露光用マスクを破損することなく、適正な洗浄圧の洗浄物質で洗浄することができる、洗浄方法及びその装置を提供すること。【解決手段】  メンブレン部３（Ｂ領域）とＳｉウェーハ２（Ａ領域）とからなり、メンブレン部３（Ｂ領域）がＳｉウェーハ２（Ａ領域）よりも機械的強度が小さいステンシルマスク６をエアロゾル状の洗浄物質の噴出によって洗浄するに際し、メンブレン部３（Ｂ領域）をソフトな条件IIで洗浄し、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）をハードな条件Ｉで洗浄する。【選択図】          図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の被洗浄領域と第２の被洗浄領域とからなっていて前記第１の被洗浄領域が前記第２の洗浄領域よりも機械的強度が小さい洗浄対象物を、洗浄物質の噴出によって洗浄する洗浄方法において、前記第１の被洗浄領域の洗浄条件と、前記第２の被洗浄領域の洗浄条件とを異ならせることを特徴とする洗浄方法。
【請求項２】
前記洗浄物質としてエアロゾル状物質を用いる、請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項３】
前記エアロゾル状の洗浄物質を低温減圧下でノズルから前記洗浄対象物に対して噴出する、請求項２に記載の洗浄方法。
【請求項４】
前記第１の被洗浄領域を選択的に洗浄する工程と、前記第１の被洗浄領域を避けて前記第２の被洗浄領域を洗浄する、請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項５】
前記第２の被洗浄領域を選択的に洗浄した後に、前記第１の被洗浄領域を洗浄する、請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項６】
前記第２の被洗浄領域と前記第１の被洗浄領域とを同時に洗浄する、請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項７】
前記第１の被洗浄領域及び前記第２の被洗浄領域に共通して前記洗浄物質の噴出手段を設け、この噴出手段から異なる噴出圧で前記洗浄物質を噴出させる、請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項８】
前記第１の被洗浄領域及び前記第２の被洗浄領域に対応して前記洗浄物質の噴出手段をそれぞれ設け、これらの噴出手段から互いに異なる噴出圧で前記洗浄物質を噴出させる、請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項９】
前記洗浄対象物と前記洗浄物質の噴出手段との少なくとも一方の位置を変化させながら、前記洗浄を行う、請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項１０】
前記第１の被洗浄領域がメンブレン部であり、前記第２の被洗浄領域がメンブレン支持部である露光マスクを洗浄する、請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項１１】
第１の被洗浄領域と第２の被洗浄領域とからなっていて前記第１の被洗浄領域が前記第２の被洗浄領域よりも機械的強度が小さい洗浄対象物を、洗浄物質の噴出によって洗浄するのに用いる洗浄装置において、前記第１の被洗浄領域の洗浄条件と、前記第２の被洗浄領域の洗浄条件とを異ならせた状態で前記洗浄物質を噴出する噴出手段を有することを特徴とする洗浄装置。
【請求項１２】
前記洗浄物質としてエアロゾル状物質が用いられる、請求項１１に記載の洗浄装置。
【請求項１３】
前記エアロゾル状の洗浄物質が低温減圧下でノズルから前記洗浄対象物に対して噴出される、請求項１２に記載の洗浄装置。
【請求項１４】
前記第１の被洗浄領域及び前記第２の被洗浄領域に共通して前記洗浄物質の前記噴出手段が設けられ、この噴出手段から異なる噴出圧で前記洗浄物質が噴出される、請求項１１に記載の洗浄装置。
【請求項１５】
前記第１の被洗浄領域及び前記第２の被洗浄領域に対応して前記洗浄物質の前記噴出手段がそれぞれ設けられ、これらの噴出手段から互いに異なる噴出圧で前記洗浄物質が噴出される、請求項１１に記載の洗浄装置。
【請求項１６】
前記洗浄対象物の支持手段と、前記洗浄物質の前記噴出手段との少なくとも一方を位置変化させるための位置変化手段を有する、請求項１１に記載の洗浄装置。
【請求項１７】
少なくとも前記第１の被洗浄領域と、前記第２の被洗浄領域とに選択的に前記洗浄物質を供給する選択的供給手段を有する、請求項１１に記載の洗浄装置。
【請求項１８】
前記第１の被洗浄領域がメンブレン部であり、前記第２の被洗浄領域がメンブレン支持部である露光マスクを洗浄するのに用いる、請求項１１に記載の洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばステンシルマスク等の洗浄対象物の洗浄に好適な洗浄方法及びその装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の微細化は、光リソグラフィの解像限界を超えるために、電子線又はイオンビーム等の荷電粒子線を用いて微細な回路パターンを露光して描画する微細加工技術が開発されている。
【０００３】
しかし、従来の電子線露光による直描方式においては、微細パターンになるほどデータの規模が大きくなり、その結果、描画時間が長くなり、生産性（スループット）が低くなってしまう。
【０００４】
そこで、所定の回路パターンを有する転写マスクに電子線又はイオンビーム等を照射することによってウェーハ上に回路パターンを形成する、転写型の電子線露光装置又はイオンビーム露光装置が提案されている。転写型のリソグラフィには、マスクを透過した荷電粒子線を電子／イオン光学系により縮小投影する方式のもの（Lucent Technologies社のＳＣＡＬＰＥＬ：scattering with angular limitation in projection electron-beam lithography、ＩＢＭ社のＰＲＥＶＡＩＬ：projection exposure with variable axis immersion lenses、ニコン社のＥＢステッパーおよびイオンビーム転写リソグラフィ等）と、マスク直下に近接させたウェーハに電子／イオン光学系を介さずに転写する方式のもの（リープル、東京精密社によるＬＥＥＰＬ：low-energy e-beam proximity lithography等）がある。
【０００５】
これらの転写用に共通なのは、マスク上に厚さおよそ100 nmから10 μm程度の薄膜領域（メンブレン）を形成し、そのメンブレン上に転写パターンを配置することである。転写パターンが（１）メンブレンの開口により形成されるものはステンシルマスク（例えば：H. C. Pfeiffer, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 6658 (1995). ）、（２）金属薄膜等の散乱体で形成されるものは散乱メンブレンマスク（例えば：L. R. Harriott, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 2130 (1997). ）と呼ばれる。
【０００６】
上記のＬＥＥＰＬ：低加速電圧電子ビーム等倍近接露光は、１００ｎｍ以下の高スループットの電子線露光技術の一つであり、例えば、ウェーハとステンシルマスクとの間隔を約５０μｍに近接配置した状態で、平行低加速電圧電子線をウェーハに照射することにより、マスクパターンを等倍転写するものである。使用されるステンシルマスクは厚さ１００ｎｍ〜２μｍ程度であり、Ｓｉ、ＳｉＣ又はダイアモンド等の薄膜（メンブレン）にビーム貫通孔を開けたものである。
【０００７】
図２５の平面図（ａ）及びこの平面図のＸ−Ｘ’線断面図（ｂ）に示すように、ステンシルマスク６７は例えば、電子線を透過するための幅０．０３〜０．５μｍの複数の貫通孔（パターン開口部）５９が形成された厚さ０．４〜１．０μｍのメンブレン（薄膜）５１を有している（パターン開口部５９は理解容易のために、数個分を簡略に図示している）。このメンブレン５１は、パターン開口部５９の周囲に形成された１〜４０ｍｍ径の開口部６１を有するＳｉＯ2膜５５を介して、ＳｉＯ2膜５５の開口部６１より大きいサイズの開口部６０を有するＳｉウェーハ５６に支持されている。ステンシルマスク６７の全厚は例えば７２５μｍである。
【０００８】
このステンシルマスク６７の作製工程を図２６〜図２７に示すが、まず、図２６（ａ）に示すように、Ｓｉウェーハ５６にＳｉＯ2膜５５及びＳｉ又はＳｉＣからなるメンブレン５１をそれぞれ所定の厚さで順次形成する。或いは、所定の厚さで形成されたＳｉＯ2、Ｓｉ層をもつＳＯＩ基板（silicon on insulator）を用意する。
【０００９】
次に、図２６（ｂ）に示すように、Ｓｉウェーハ５６上にレジスト５７を所定パターンに設け、Ｓｉウェーハ５６の一部をＳｉＯ2膜５５の表面に至るまで、ドライエッチングで除去して開口部６０を形成する。
【００１０】
次に、図２６（ｃ）に示すように、レジスト５７を除去した後に、Ｓｉウェーハ５６をマスクとしてＳｉＯ2膜５５の一部をメンブレン５１の表面に至るまで、ドライエッチングで除去して開口部６１を形成する。
【００１１】
次に、図２６（ｃ）の状態を上下反転させた図２７（ｄ）に示すように、メンブレン５１上に新たなレジスト５７を設け、このレジスト５７を所定のパターンに加工する。
【００１２】
次に、図２７（ｅ）に示すように、レジスト５７をマスクとして、メンブレン５１をドライエッチングして貫通孔を形成し、パターン開口部５９を形成する。その後に、図２７（ｆ）に示すように、メンブレン５１上のレジスト５７を除去することによって、所定形状のパターン開口部５９を有するメンブレン５１からなるパターンエリア７０を有するステンシルマスク６７を作製することができる。ドライエッチングでなく、ウェットエッチングを用いる方法など、様々な製造方法が考案されている。
【００１３】
上述のＬＥＥＰＬは、次世代の露光技術として有力視されている幾つかの候補技術の１つであり、図２８にＳＯＩ基板を元に作製されたＬＥＥＰＬ用ステンシルマスク６７の構造の具体例を示す。
【００１４】
ここで、図２８（ａ）は、ステンシルマスク６７の露光領域を拡大した斜視図であり、図２８（ｂ）は、メンブレン５１に所定形状のパターン開口部５９を設けた例である。
【００１５】
このパターン開口部５９は、例えば、０．３〜１μｍ程度（例えば約０．５μｍ）の厚みをもったＳｉ薄膜（メンブレン）５１に開口部として形成され、パターンエリア７０と周辺部（非パターンエリア）７２とからなる複数のメンブレン５１はそれぞれ、Ｓｉウェーハからなる支持基板（図示せず）、及びＳｉＯ2膜５５を介したマトリクス状の梁部７１で保持された構造を持っている。そして、これらの複数のメンブレン５１からステンシルマスク６７のメンブレン部８３が構成される。
【００１６】
そして、この構造において、メンブレン５１の下面から梁部７１の上面までの距離をｄ１、メンブレン５１の厚さをｄ２、メンブレン５１の幅をｄ３、梁部７１の幅をｄ４及び周辺部（非パターンエリア）７２を除くメンブレン５１の幅をｄ５とする。
【００１７】
ここで、ｄ１は３００〜１０００μｍである。また、ｄ２は０．１〜１０μｍ（例えば約０．５μｍ）であり、ｄ３は１０００〜２０００μｍ（例えば約１０００μｍ）であり、ｄ４は１００〜２００μｍ（例えば１００μｍ）であり、ｄ５は例えば約１０００μｍであり、正四角形のメンブレン部８３の一辺は４０〜５０ｍｍである。
【００１８】
ここで、一般的な材料力学の理論によれば、両端を支持された板の破壊強度は厚みの３乗に比例する。これをそのままこのＬＥＥＰＬステンシルマスク６７に当てはめた場合に、例えば、メンブレン５１の厚さを０．５μｍとし、支持基板厚さを７２５μｍとすると、メンブレン５１と支持基板との破壊強度比は１：３．０×１０9となり、メンブレン５１は支持基板に比べて圧倒的に力学的強度が低いことが理解できる。
【００１９】
従って、ステンシルマスク６７上からそこに付着しているパーティクル等を除去する洗浄を行う時には、支持基板は通常のウェーハと同じ条件で洗浄することが可能であるが、メンブレン５１の領域は力学的強度が低いために、よりダメージを少なくする条件で洗浄を行う必要がある。
【００２０】
上述のパーティクルは、ステンシルマスク６７の作成過程や、デバイス製造における露光工程におけるマスクのハンドリングによって生じるものであり、これがステンシルマスク６７に付着したままであると、このステンシルマスク６７に設けられるパターン開口部の開口精度を悪くすると共に、パターン開口部にこのパーティクルが目詰まりして良好な露光工程を妨げてしまうために、除去する必要がある。
【００２１】
なお、ＬＥＥＰＬ用ステンシルマスク６７として提案されている構造は図２８に示した例だけではない。例えば、メンブレン５１は必ずしも梁部７１等で補強されている必要はなく、メンブレン５１の材質についても、Ｓｉの他に、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＣｒＮ、ＤＬＣ(diamond like carbon)及びダイアモンド等の様々な材質を用いることができる。これら材質で構成されるメンブレン５１に、更に補強及び帯電防止用の金属薄膜等を重ねた多層膜にパターン開口部５９を形成することもできる。いずれの場合においても、それぞれのマスクの一部領域にはメンブレン５１が形成されている。
【００２２】
また、パーティクルを除去するマスクの洗浄は、図２８（ｂ）や図２７（ｆ）に示したように、ステンシルマスク６７のメンブレン５１に既にパターン開口部５９が形成された時点で行うが、図２６（ｃ）に示したようにメンブレン５１にパターン開口部５９を形成する前のマスクブランクスの状態で洗浄することができる。また、メンブレン５１の表面及び裏面（梁部７１の存在する面）のいずれかを順次洗浄するだけでなく、両面を同時に洗浄してもよい。
【００２３】
いずれの場合でも、マスクが力学的強度の大きく異なる２つの領域ＡとＢとを有する点で共通している。領域Ａは力学的（機械的）強度の強い領域（メンブレンの支持基板部）であり、領域Ｂは力学的強度の弱い領域（メンブレン領域）である。
【００２４】
次に、上述のステンシルマスク６７を洗浄する方法については、半導体ウェーハ、液晶基板及び露光用マスク等を対象とした精密洗浄の方式としての従来の湿式洗浄法等の他に、エアロゾル状態の物質（Ａｒ、Ｎ2、ＣＯ2等）を低温減圧雰囲気下において、洗浄対象物であるステンシルマスクの表面に噴出、衝突させて洗浄を行うエアロゾル洗浄方式が提案され（特開平６−２９５８９５号、特開２００２−３５３１０９号各公報参照）、一部実用化されている。
【００２５】
図２９には、ステンシルマスク６７等の被洗浄物７９の洗浄に使用可能なエアロゾル洗浄装置８４の構成概略図を示す。
【００２６】
ここでは、まず流量を制御されたアルゴンガス（ｍｐ−１８９℃）と窒素ガス（ｍｐ−１９６℃）（Ｎ2＋Ａｒ（４．９ｋｇ／ｃｍ2）とは、例えば液体Ｎ2ベルジャを用いる冷凍機７４によって冷却される熱交換器７３内で更に低温化し、この状態でノズル部７５から噴出した際に、ジュール・トムソンの法則により断熱膨張して冷却され、Ａｒ氷８２（エアロゾル状態）となる。この場合、ガスは、真空ポンプ７６によって大気圧の１／１０の気圧に真空引きされている真空チャンバー７８内に噴出される。
【００２７】
また、移動ステージ８１の上面直下にはステンシルマスク６７（被洗浄物）の加熱用のヒーター７７が埋め込まれ、被洗浄物が加熱される。そのために、加熱された被洗浄物６７の上面付近と、真空チャンバー７８内の低温のＡｒ氷８２との間に温度差による熱泳動が生じて気体の対流が生じ、被洗浄物６７に付着したパーティクル８０に揚力が生じる。
【００２８】
このように、真空チャンバー７８内の被洗浄物６７の上面に向かってＡｒ氷８２を衝突させて、その上面の揚力を付与されたパーティクル８０に衝突させることにより、低温減圧下で被洗浄物６７の上面からパーティクル８０を効果的に除去することができる。この場合、被洗浄物６７を支持する移動ステージ８１は水平方向に移動させることにより、被洗浄物６７の上面全てを洗浄することができる（後述の特許文献１参照）。
【００２９】
図３０について、この洗浄方法の具体例を説明すると、まず、図３０（ａ）に示すように、円形のＳｉウェーハ９２（上記したＡ領域）と、このＳｉウェーハ９２の中央部に所定の大きさに設けられた例えば正四角形のメンブレン部９３（上記したＢ領域）とからなり、ステンシルマスク位置設定用のノッチ部９４を有するステンシルマスク６７を配置する。
【００３０】
そして、このステンシルマスク６７を洗浄するためのガス状の洗浄物質（エアロゾル状の洗浄物質）を噴出しかつその長さがステンシルマスク６７の直径と同等の或いはより大きいノズル７５を、ステンシルマスク６７の左端側に配置する。
【００３１】
次に、図３０（ｂ）に示すように、ノズル７５がメンブレン部９３（Ｂ領域）の左側近傍に位置するまでステンシルマスク６７を図面左方向に平行移動させながら、エアロゾル（Ａｒ氷）８２の噴出によってＳｉウェーハ９２（Ａ領域）の一部を洗浄し、洗浄面９１ａを形成する。
【００３２】
次に、図３０（ｃ）に示すように、この位置からノズル９０がメンブレン部９３の右側近傍に位置するまでステンシルマスク６７を左方向に更に平行移動させて、Ｓｉウェーハ９２（Ａ領域）の一部及びメンブレン部９３（Ｂ領域）を洗浄することによって、Ｓｉウェーハ９２の一部に洗浄面９１ｂ及び９１ｄ、メンブレン部９３（Ｂ領域）に洗浄面９３ｃをそれぞれ形成する。
【００３３】
次に、図３０（ｄ）に示すように、この位置からノズル９０がＳｉウェーハ９２（Ａ領域）の右端に位置するまで、ステンシルマスク６７を左方向に更に平行移動させて、Ｓｉウェーハ９２（Ａ領域）の残部を洗浄することによって、洗浄面９１ｅを形成し、ステンシルマスク６７の洗浄工程を終了する。
【００３４】
【特許文献１】特開２０００−２６２９９５号公報（第２頁左欄４７行目〜第３頁右欄４９行目、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３５】
このように、低温減圧雰囲気下でノズル７５を介して噴出したエアロゾル状物質８２をサンプルとなる被洗浄物６７に衝突させて表面洗浄を行う洗浄方式は、乾式の洗浄法でありながら、粒子（パーティクル８０）の高い除去能力を持つ。
【００３６】
しかし、これまで提案されているエアロゾル洗浄装置８４及びこの装置を用いた洗浄方法は、一様な表面形状を有する被洗浄物（例えば、Ｓｉ基板）への適用が主であるために、被洗浄物の全面（片面又は両面）を同じ条件で洗浄処理することしか想定していない。
【００３７】
そのために、１つの被洗浄物内において力学的強度が異なる領域を有するようなステンシルマスク６７の如き被洗浄物を上述のエアロゾル洗浄装置８４による洗浄方式によって洗浄する場合に、被洗浄物の破壊を防止するために、機械的に脆弱な部分を非破壊に保つようにソフトな洗浄パラメータ（洗浄物質の量又は噴出圧等）を設定して洗浄する必要がある。
【００３８】
その結果、被洗浄物全体では、所望の除去率が得難くなり、スループットも低くなるなどの問題が生じる。
【００３９】
本発明は、上記のような状況に鑑みてなされたものであって、その目的は、機械的強度が異なる複数の領域を有するステンシルマスクの如き洗浄対象物を破損させることなく、十分に洗浄することができる洗浄方法及びその装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００４０】
即ち、本発明は、第１の被洗浄領域と第２の被洗浄領域とからなっていて前記第１の被洗浄領域が前記第２の被洗浄領域よりも機械的強度が小さい洗浄対象物を、洗浄物資、特にエアロゾル状の洗浄物質の噴出によって洗浄する洗浄方法において、前記第１の被洗浄領域の洗浄条件と、前記第２の被洗浄領域の洗浄条件とを異ならせることを特徴とする洗浄方法に係るものである。
【００４１】
この場合、第１の被洗浄領域と第２の被洗浄領域とからなっていて前記第１の被洗浄領域が前記第２の被洗浄領域よりも機械的強度が小さい洗浄対象物を洗浄する洗浄方法において、前記第１の被洗浄領域を前記第２の被洗浄領域よりも高ノズル圧のノズルから噴出した前記洗浄物質で洗浄することが望ましい。
【００４２】
本発明は又、第１の被洗浄領域と第２の被洗浄領域とからなっていて前記第１の被洗浄領域が前記第２の被洗浄領域よりも機械的強度が小さい洗浄対象物を、洗浄物質、特にエアロゾル状の洗浄物質の噴出によって洗浄するのに用いる洗浄装置において、前記第１の被洗浄領域の洗浄条件と、前記第２の被洗浄領域の洗浄条件とを異ならせた状態で前記洗浄物質を噴出する噴出手段を有することを特徴とする洗浄装置を提供するものである。
【００４３】
この場合、第１の被洗浄領域と第２の被洗浄領域とからなっていて前記第１の被洗浄領域が前記第２の被洗浄領域よりも機械的強度が小さい洗浄対象物を、洗浄物質の噴出によって洗浄するのに用いる洗浄装置において、前記第１の被洗浄領域が前記第２の被洗浄領域よりも高ノズル圧のノズルから前記洗浄物質を噴出する噴出手段を有することが望ましい。
【発明の効果】
【００４４】
本発明の洗浄方法及びその装置によれば、前記第１の被洗浄領域の洗浄条件と、前記第２の被洗浄領域の洗浄条件とを異ならせて前記洗浄物質で洗浄するために、前記第２の被洗浄領域は勿論のこと、より機械的強度が小さい前記第１の被洗浄領域を破損することなく、適正な洗浄圧で十分に洗浄することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
本発明において、前記洗浄対象物の前記洗浄を効果的に行うには、前記洗浄物質としてエアロゾル状物質を用いるのが望ましい。
【００４６】
この場合、冷却された前記エアロゾル状の洗浄物質によって効果的に前記洗浄対象物を洗浄するために、前記エアロゾル状の洗浄物質を低温減圧下でノズルから前記洗浄対象物に対して噴出するのが望ましい。
【００４７】
また、前記第１の被洗浄領域の破損を防止するために、前記第１の被洗浄領域を選択的に洗浄する工程と、前記第１の被洗浄領域を避けて前記第２の被洗浄領域を洗浄するのが望ましい。
【００４８】
また、前記第１の被洗浄領域の破損を防止するために、前記第２の被洗浄領域を選択的に洗浄した後に、前記第１の被洗浄領域を洗浄するのが望ましい。
【００４９】
また、前記第２の被洗浄領域への洗浄物質の洗浄圧と、前記第１の被洗浄領域への前記洗浄物質の洗浄圧とをそれぞれ適切に設定することによって、前記第２の被洗浄領域と前記第１の被洗浄領域とを同時に洗浄することができる。
【００５０】
また、前記第２の被洗浄領域と前記第１の被洗浄領域とをそれぞれに適切な洗浄圧で洗浄するために、前記第１の被洗浄領域及び前記第２の被洗浄領域の洗浄に共通して前記洗浄物質の噴出手段を設け、この噴出手段から異なる噴出圧で前記洗浄物質を噴出させることができる。
【００５１】
また、前記第２の被洗浄領域と前記第１の被洗浄領域とをそれぞれに適切な洗浄圧で洗浄するために、前記第１の被洗浄領域及び前記第２の被洗浄領域に対応して前記洗浄物質の噴出手段をそれぞれ設け、これらの噴出手段から互いに異なる噴出圧で前記洗浄物質を噴出させることができる。
【００５２】
前記洗浄対象物の全面を洗浄すると共に、前記洗浄対象物の所定の位置を選択的に洗浄するために、前記洗浄対象物と前記洗浄物質の噴出手段との少なくとも一方の位置を変化させながら、前記洗浄を行うことができる。
【００５３】
また、本発明は、前記第１の被洗浄領域がメンブレン部であり、前記第２の被洗浄領域がメンブレン支持部である露光マスクを洗浄するのに好適である。
【００５４】
また、前記第２の被洗浄領域と前記第１の被洗浄領域とをそれぞれに適切な洗浄圧で洗浄するために、少なくとも前記第１の被洗浄領域と、前記第２の被洗浄領域とに選択的に前記洗浄物質を供給する選択的供給手段を設けることが望ましい。
【００５５】
次に、本発明の好ましい実施の形態を図面の参照下に詳細に説明する。
【００５６】
第１の実施の形態
本実施の形態によれば、まず、図１〜図３に示すように、洗浄対象物であるステンシルマスク６（上述したステンシルマスク６７と同等のもの）の位置を平行方向及び回転方向に移動させながら、第１の被洗浄領域であるメンブレン部３（Ｂ領域）の支持部であって第２の被洗浄領域であるＳｉウェーハ２（Ａ領域）部分のみを、上述したＡｒ氷等のエアロゾル状の洗浄物質（以下、同様）によって洗浄する。この場合、洗浄パラメータセットを図５に示すハードな条件Ｉ（洗浄効果の高い条件）に設定した低ノズル圧での洗浄工程を、例えば２００ｍｍφのステンシルマスク６に対して、メンブレン部３の側（図２８では梁部７１の反対側）から行い（但し、パターン開口部は未だ形成されていない状態）、また、洗浄装置は図２９に示した洗浄装置を使用する（以下、同様）。
【００５７】
まず、図１（ａ）に示すように、機械的強度の大きい円形のＳｉウェーハ２（Ａ領域）、このＳｉウェーハ２の中央部に例えば５０ｍｍ×５０ｍｍの正四角形に設けられた機械的強度の小さいメンブレン部３（Ｂ領域）、及び位置設定用のノッチ部４からなるステンシルマスク６を、この直径とほぼ同程度の長さのノズル１ａに対して配置する。ステンシルマスク６の位置を検出してノズル１ａに対する位置を設定するためのノッチ部４の他に、洗浄装置内の移動ステージ（共に図２９参照）に載ったサンプルの形状をスキャンする機能を備えることによって、洗浄装置内で決定した原点位置（最初のノッチ部４の位置）に対してＣＡＤ（Computer Aided Design）情報等から座標で洗浄領域を指定し、この指定された領域毎に洗浄パラメータセットの条件を設定して洗浄を行うことができる。
【００５８】
次に、図１（ｂ）に示すように、ステンシルマスク６を洗浄するためのＡｒ氷等のエアロゾル状の洗浄物質を全長に亘ってステンシルマスク６に対し噴出する噴出手段であるノズル１ａが、メンブレン部３（Ｂ領域）の左側近傍に位置するまで、ステンシルマスク６を図面左方向に平行移動させながら、パラメータセットＩで噴出するエアロゾル状の洗浄物質を衝突させることによって、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部をハードな条件で洗浄し、洗浄面５ａを形成する。以下、「洗浄」とは、所定のパラメータセットの条件で噴出するエアロゾル状の洗浄物質を衝突させることによって、ステンシルマスク６上のパーティクルを飛散、除去することを意味する。
【００５９】
ここで、洗浄パラメータセットの条件Ｉにより低ノズル圧洗浄を行うノズル１ａが、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）とメンブレン部３（Ｂ領域）との境界付近に接近した時には、この低ノズル圧洗浄がメンブレン部３に掛からないようにしてノズル１ａの移動を停止する。このことは、以下の説明においても同様とする。
【００６０】
次に、図１（ｃ）に示すように、ノズル１ａがステンシルマスク６の左端に位置するまでステンシルマスク６を図面右方向に移動させる。
【００６１】
次に、図１（ｄ）に示すように、ステンシルマスク６を時計回り方向に９０度回転させることによって、洗浄面５ａをステンシルマスク６の上部に位置させ、ノッチ部４をステンシルマスク６の左端中央に位置させる。
【００６２】
次に、図２（ｅ）に示すように、ノズル１ａがメンブレン部３（Ｂ領域）の左側近傍に位置するまでステンシルマスク６を左方向に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部をハードな条件で洗浄し、上記の洗浄面５ａと部分的に重なり合った洗浄面５ｂを形成する。
【００６３】
次に、図２（ｆ）に示すように、ノズル１ａがステンシルマスク６の左端に位置するまでステンシルマスク６を右方向に平行移動させる。
【００６４】
次に、図２（ｇ）に示すように、ステンシルマスク６を時計回り方向に９０度回転させることによって、洗浄面５ａをステンシルマスク６の右側に位置させ、洗浄面５ｂをステンシルマスク６の上部に位置させ、ノッチ部４をステンシルマスク６の上端中央に位置させる。
【００６５】
次に、図２（ｈ）に示すように、ノズル１ａがメンブレン部３（Ｂ領域）の左側に位置するまでステンシルマスク６を左方向に平行移動させて、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部をハードな条件で洗浄し、上記の洗浄面５ｂと部分的に重なり合った洗浄面５ｃを形成する。
【００６６】
次に、図３（ｉ）に示すように、ノズル１ａがステンシルマスク６の左端に位置するまでステンシルマスク６を右方向に平行移動させる。
【００６７】
次に、図３（ｊ）に示すように、ステンシルマスク６を時計回り方向に９０度回転させることによって、洗浄面５ａをステンシルマスク６の下部に位置させ、洗浄面５ｂをステンシルマスク６の右側に位置させ、洗浄面５ｃをステンシルマスク６の上部に位置させ、ノッチ部４をステンシルマスク６の右端中央に位置させる。
【００６８】
次に、図３（ｋ）に示すように、ノズル１ａがメンブレン部３（Ｂ領域）の左側に位置するまでステンシルマスク６を左方向に平行移動させて、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部をハードな条件で洗浄し、上記の洗浄面５ａ及び５ｃと部分的に重なり合った洗浄面５ｄを形成する。
【００６９】
次に、図３（ｌ）に示すように、ノズル１ａがステンシルマスク６の左端に位置するまでステンシルマスク６を右方向に平行移動させる。こうして、Ｓｉウェーハ領域２（Ａ領域）の洗浄を終了する。
【００７０】
なお、図１（ｂ）の状態からステンシルマスクを図１（ｃ’）のように回転させ、この状態からステンシルマスクを右方向へ移動させながら洗浄しても、図２（ｅ）と同等の洗浄面５ｂを形成できる。また、図２（ｈ）の状態からステンシルマスクを図２（ｈ’）のように回転させ、この状態からステンシルマスクを右方向へ移動させながら洗浄しても、図３（ｋ）と同等の洗浄面５ｄを形成できる。
【００７１】
こうして、ステンシルマスク６のＳｉウェーハ２（Ａ領域）の洗浄を行った後、図４に示すように、洗浄パラメータセットを図５に示すソフトな条件IIに設定した高ノズル圧での洗浄工程をステンシルマスク６に対して行う。
【００７２】
まず、図４（ｍ）に示すように、上記した洗浄パラメータセットの条件Ｉによって低ノズル圧で洗浄された洗浄面５ａ、５ｂ、５ｃ及び５ｄを有するステンシルマスク６の左端にノズル１ａを位置させる。
【００７３】
次に、図４（ｎ）に示すように、ノズル１ａがステンシルマスク６の右端に位置するまでステンシルマスク６を左方向に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）とメンブレン部３（Ｂ領域）とを同じ洗浄条件IIで洗浄し、メンブレン部３（Ｂ領域）をソフトに洗浄した洗浄面７ａを形成する。この際、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）もソフトな条件で洗浄されて洗浄面７ｂ（上記の洗浄面５ａ、５ｂ、５ｃ及び５ｄと重複する。）を形成する。
【００７４】
これにより、ステンシルマスク６に対して洗浄パラメータセットの条件Ｉ及びIIを選択的に適用することによって、ステンシルマスク６の全体をメンブレン部３の破損なしに十分に洗浄することができる。
【００７５】
なお、図５（１）について、ステンシルマスク６の洗浄工程における条件を改めて述べる。
【００７６】
図５（１）に示すように、力学的強度の低いメンブレン部３（Ｂ領域）に対しては、メンブレンやパターン開口部等を破壊しないソフトな条件（洗浄パラメータセットの条件II）で洗浄を行う必要がある。それに対して、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）においては、ソフトな洗浄条件よりも洗浄効果が高く、通常のウェーハ等の洗浄条件であるハードな条件（洗浄パラメータセットの条件Ｉ）を適用する。
【００７７】
ここで、ハードな洗浄条件ＩをＢ領域に対して適用することは、機械的強度の小さいＢ領域の破損につながるために好ましくないが、上記のようにソフトな洗浄条件IIをＡ領域に適用しても、機械的強度の大きいＡ領域は何ら破損しないために支障はない。
【００７８】
図５（２）には、力学的強度の大きく異なる２つの領域：力学的強度の大きいＳｉウェーハ２（Ａ領域）と力学的強度の小さいメンブレン部３（Ｂ領域）からなるステンシルマスク６を示す。メンブレン部３は、パターン開口部の形成前はマスクブランクスの状態である。
【００７９】
次に、図６のフローチャートについて、上記したステンシルマスク６の洗浄フローを説明する。
【００８０】
まず、洗浄工程の開始（１）後に、洗浄用サンプル６の洗浄位置へのロード（２）を行う。これは、ステンシルマスク等の洗浄用サンプル６を予め定めた向き及び位置で洗浄室にロードすることを示す。この際に、ＬＥＥＰＬ用ステンシルマスク６においては、一般的なノッチ又はオリエンテーションフラットの検出機構を用いて、洗浄用サンプル６の初期の向きを検出して調整し、位置合わせをすればよい。
【００８１】
次に、洗浄用サンプル６の洗浄領域及び洗浄条件の指定（３）を行う。例えば、直径が２００ｍｍφの円形状洗浄用サンプル６の中心部に位置する５０ｍｍ角の領域を除いたＳｉウェーハ２（Ａ領域）を、パラメータセットの条件Ｉ下で洗浄し、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）とメンブレン部３（Ｂ領域）とからなるサンプル６の全面をパラメータセットの条件II下で洗浄するように、洗浄領域と洗浄条件との組み合わせを設定する。
【００８２】
次に、洗浄シーケンスの決定（４）を行う。これは、サンプル６（又は洗浄物質の噴出用ノズル）の駆動シーケンスを制御できる機構を備え、サンプル６に対するエアロゾル状の洗浄物質が作用する領域を制御できるようにしておくことを意味する。場合によっては、上述したように、サンプル６を回転させる機構を持たせてその向きを変えられるようにしておく必要もある。また、必要に応じてノズル長の最適化を行っておくのもよい。
【００８３】
このように、ハードウェアを整備しておいた上で、洗浄領域及び洗浄条件の指定（２）で設定した条件で洗浄が可能なようにサンプル６（又はノズル）駆動のシーケンスを決定する。これは自動で設定できるのが望ましい。
【００８４】
次に、上記の洗浄条件下のシーケンスに従って実際に洗浄（５）を行う。具体的な方法は上述した通りである。
【００８５】
次に、サンプル６のアンロード（６）を行う。即ち、一連の洗浄が終了したら、サンプル６をアンロードし、工程の終了（７）とする。
【００８６】
上記したように、本実施の形態の洗浄方法及びその装置によれば、メンブレン部３（Ｂ領域）の洗浄条件と、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の洗浄条件とを異ならせて、メンブレン部３（Ｂ領域）をＳｉウェーハ２（Ａ領域）よりも低洗浄圧のエアロゾル状の洗浄物質で洗浄するために、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）よりも機械的強度が小さいメンブレン部３（Ｂ領域）を破損することなく、適正な洗浄圧でステンシルマスク全体を十分に洗浄することができる。
【００８７】
こうして、１つの洗浄対象物内において力学的強度が異なる領域をもつステンシルマスク６のような洗浄用サンプルの洗浄を、高い異物除去効率で行うことが可能になる。それにより、ステンシルマスク６等の歩留まりを向上させることができる。
【００８８】
また、上述の洗浄パラメータセットの条件Ｉによる洗浄工程において、洗浄面５ａ、５ｂ、５ｃ及び５ｄが互いに一部重複して形成され、更に、洗浄パラメータセットの条件IIによる洗浄工程において、洗浄面７ｂも洗浄されるために、より十分に洗浄することができる。
【００８９】
第２の実施の形態
本実施の形態においては、図７〜図１０に示すように、使用するノズル１ｂの長さが上記したノズル１ａより短かく、洗浄対象物（又はノズル）の移動範囲を大きくしてＡ領域の洗浄時にＢ領域に洗浄物質が作用することをより効果的に避ける（各洗浄面のパターン形状等が異なる）ようにした以外は、上述した第１の実施の形態と同様である。
【００９０】
まず、図７（ａ）に示すように、洗浄パラメータセットを条件Ｉに設定して低ノズル圧での洗浄工程をステンシルマスク６に対して行うに際し、円形のＳｉウェーハ２（Ａ領域）と、このＳｉウェーハ２の中央部に所定大きさに設けられた例えば正四角形のメンブレン部３（Ｂ領域）とからなり、位置設定用のノッチ部４を有するステンシルマスク６をノズル１ｂに対して配置する。
【００９１】
次に、図７（ｂ）に示すように、ノズル１ｂがメンブレン部３（Ｂ領域）の左側に位置するまでステンシルマスク６を左方向に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄し、洗浄面９ａを形成する。
【００９２】
次に、図７（ｃ）に示すように、ノズル１ｂがメンブレン部３（Ｂ領域）の左上角部に接する位置までステンシルマスク６を図面下方向に平行移動させる。
【００９３】
次に、図７（ｄ）に示すように、ノズル１ｂがメンブレン部３（Ｂ領域）の右上角部に位置するまでステンシルマスク６を左方向に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄し、洗浄面９ｂを形成する。
【００９４】
次に、図８（ｅ）に示すように、ノズル１ｂがメンブレン部３（Ｂ領域）の右側中央に位置するまでステンシルマスク６を図面上方向に平行移動させる。
【００９５】
次に、図８（ｆ）に示すように、ノズル１ｂがステンシルマスク６の右端に位置するまでステンシルマスク６を左方向に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄し、洗浄面９ｃを形成する。
【００９６】
次に、図８（ｇ）に示すように、ノズル１ｂがステンシルマスク６の中央右端に位置するようにステンシルマスク６を上方向に平行移動させる。
【００９７】
次に、図８（ｈ）に示すように、ノズル１ｂがメンブレン部３（Ｂ領域）の右側に位置するまでステンシルマスク６を右方向に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄し、洗浄面９ｄを形成する。
【００９８】
次に、図９（ｉ）に示すように、ノズル１ｂがメンブレン部３（Ｂ領域）の右下角部に接するまでステンシルマスク６を上方向に平行移動させる。
【００９９】
次に、図９（ｊ）に示すように、ノズル１ｂがメンブレン部３（Ｂ領域）の左下角部に接するまでステンシルマスク６を右方向に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄し、洗浄面９ｅを形成する。
【０１００】
次に、図９（ｋ）に示すように、ノズル１ｂがメンブレン部３（Ｂ領域）の左側中央に接するまでステンシルマスク６を下方向に平行移動させる。
【０１０１】
次に、図９（ｌ）に示すように、ノズル１ｂがステンシルマスク６の中央左端に位置するまでステンシルマスク６を右方向に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄し、洗浄面９ｆを形成する。
【０１０２】
こうして、ステンシルマスク６のＳｉウェーハ２（Ａ領域）を洗浄した後、図１０（ｍ）に示すように、ステンシルマスク６の位置を決め、洗浄パラメータセットを条件IIに設定した高ノズル圧での洗浄工程をステンシルマスク６に対して行う。
【０１０３】
まず、図１０（ｎ）に示すように、ノズル１ｂがステンシルマスク６の中央右端に位置するまでステンシルマスク６を左方向に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）及びメンブレン部３（Ｂ領域）の一部を洗浄し、メンブレン部３（Ｂ領域）の下半分の領域に洗浄面１０ａを形成し、かつＳｉウェーハ２（Ａ領域）の既洗浄面９ｄ、９ｅ、９ｆと部分的に重複して洗浄された洗浄面１０ｂを形成する。
【０１０４】
次に、図１０（ｏ）に示すように、ノズル１ｂがステンシルマスク６の中央右端に接するまでステンシルマスク６を下方向に平行移動させる。
【０１０５】
次に、図１０（ｐ）に示すように、ノズル１ｂがステンシルマスク６の中央左端に位置するまでステンシルマスク６を右方向に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）及びメンブレン部３（Ｂ領域）の残部を洗浄し、メンブレン部３（Ｂ領域）の上半分の領域を洗浄面１０ｃとし、かつＳｉウェーハ２（Ａ領域）の既洗浄面９ａ、９ｂ、９ｃと重複して洗浄された洗浄面１０ｄを形成する。
【０１０６】
こうして、洗浄パラメータセットの条件Ｉ及びIIによるステンシルマスク６の洗浄工程を終了する。
【０１０７】
本実施の形態によれば、より短いノズル１ｂを用いて、メンブレン部３を避けてステンシルマスク６のＳｉウェーハ２（Ａ領域）のみを、洗浄パラメータセットの条件Ｉ下で複数の洗浄面に区分して洗浄するために、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の洗浄を選択的に行うことが可能である。
【０１０８】
その他、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【０１０９】
第３の実施の形態
本実施の形態においては、図１１〜図１３に示すように、使用するノズル１ｂの長さが上記したノズル１ａより短かく、ステンシルマスクの移動経路を変化させて各洗浄面のパターン形状等が異なり、またステンシルマスクに対する距離（即ち、洗浄物質の噴出圧又は洗浄圧）を選択的に変化させた以外は、上述した第１の実施の形態と同様である。
【０１１０】
まず、図１１（ａ）に示すように、洗浄パラメータセットを条件Ｉに設定して低ノズル圧での洗浄工程をステンシルマスク６に対して行うに際し、ステンシルマスク６をノズル１ｂに対して配置する。
【０１１１】
次に、図１１（ｂ）に示すように、ノズル１ｂがステンシルマスク６の右端近傍に位置するまでステンシルマスク６を左方向に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄し、洗浄面１１ａを形成する。
【０１１２】
次に、図１１（ｃ）に示すように、ノズル１ｂがステンシルマスク６の中央右端に接するまでステンシルマスク６を上方向に平行移動させる。
【０１１３】
次に、図１１（ｄ）に示すように、ノズル１ｂがメンブレン部３（Ｂ領域）の右側に位置するまでステンシルマスク６を右方向に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄し、上記の洗浄面１１ａと部分的に重なり合った洗浄面１１ｂを形成する。
【０１１４】
次に、図１２（ｅ）に示すように、ノズル１ｂがメンブレン部３（Ｂ領域）の左側に位置するまでステンシルマスク６を左方向に平行移動させる。
【０１１５】
次に、図１２（ｆ）に示すように、ノズル１ｂがステンシルマスク６の左端に位置するまでステンシルマスク６を右方向に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄し、上記の洗浄面１１ａと部分的に重なり合った洗浄面１１ｃを形成する。
【０１１６】
ここで、図１１（ｃ）の状態から図１２（ｆ）の状態までステンシルマスク６を右方向へ平行移動させながら、メンブレン部３（Ｂ領域）を避けてＳｉウェーハ２（Ａ領域）のみを洗浄パラメータセットの条件Ｉ下で洗浄する際に、図１３に示すように、メンブレン部３（Ｂ領域）の上を通過する間はノズル１ｂを上方に上げてメンブレン部３（Ｂ領域）から離間させる。これによって、メンブレン部３（Ｂ領域）が条件Ｉ下の低ノズル圧洗浄に晒されることがないので、破損を生じることがない。
【０１１７】
次に、図１２（ｇ）に示すように、ステンシルマスク６を上方向に平行移動させる。
【０１１８】
次に、図１２（ｈ）に示すように、ノズル１ｂがステンシルマスク６の右端近傍に位置するまでステンシルマスク６を左方向に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄し、上記の洗浄面１１ｂ及び１１ｃと部分的に重なり合った洗浄面１１ｄを形成する。
【０１１９】
こうして、ステンシルマスク６のＳｉウェーハ２（Ａ領域）の洗浄を行った後、洗浄パラメータセットを条件IIに設定して上記した図４又は図１０で述べたと同様にしてメンブレン部３を洗浄して、ステンシルマスク６全体の洗浄を終了する。
【０１２０】
本実施の形態によれば、より短いノズル１ｂを用いてステンシルマスク６のＳｉウェーハ２（Ａ領域）のみを、洗浄パラメータセットの条件Ｉ下で複数の洗浄面に区分して洗浄するために、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の洗浄を選択的に行うことが可能である。この場合、図１３に示したように、ノズル１ｂの高さ制御によってメンブレン部３（Ｂ領域）に対する洗浄物質の衝撃を緩和し、その破壊を防止することができる。
【０１２１】
その他、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【０１２２】
第４の実施の形態
本実施の形態においては、図１４に示すように、使用するノズル１ｃの長さが上記したノズル１ａの例えば１／４であり、かつステンシルマスク６上を相対的に前進しながら前進方向及びこれと交差する方向のいずれにも相対移動し、これによって各洗浄面のパターン形状等を異ならせる以外は、上述した第１の実施の形態と同様である。
【０１２３】
まず、図１４（ａ）に示すように、洗浄パラメータセットを条件Ｉに設定して低ノズル圧洗浄をステンシルマスク６に対して行うに際し、ノズル１ｃの右下角部をステンシルマスク６の中央左端に位置させる。
【０１２４】
次に、図１４（ｂ）に示すように、ノズル１ａがステンシルマスク６の右端に位置するまでステンシルマスク６を左方向及び上下方向に移動させながら、メンブレン部３（Ｂ領域）を避けてＳｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄し、洗浄面１２ａを形成する。
【０１２５】
この時に、図１４（ｂ’）に矢印で示すように、ノズル１ｃは、始点から終点までの間でＳｉウェーハ２内をジグザグ状の軌跡を描きながら洗浄が行われる。
【０１２６】
次に、図１４（ｃ）に示すように、ノズル１ａの左上角部がステンシルマスク６の中央右端に接する位置までステンシルマスク６を上方向に平行移動させる。
【０１２７】
次に、図１４（ｄ）に示すように、ノズル１ａがステンシルマスク６の左端に位置するまでステンシルマスク６を右方向及び上下方向に図１４（ｂ’）で示したと同様にジグザグ状に移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の残部を洗浄し、洗浄面１２ｂを形成する。
【０１２８】
こうして、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）を洗浄した後、洗浄パラメータセットを条件IIに設定した高ノズル圧での洗浄工程を図４又は図１０に示したと同様にステンシルマスク６のメンブレン部３（Ｂ領域）に対して行い、ステンシルマスク６全体の洗浄工程を終了する。
【０１２９】
本実施の形態によれば、より短いノズル１ｃでステンシルマスク６のＳｉウェーハ２（Ａ領域）のみを、条件Ｉ下で右又は左方向及び上下方向（即ち、ｘ、ｙ方向）に移動させつつ洗浄するために、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）を選択的に洗浄することができると共に、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）以外の部分には洗浄物質が噴出されないので、洗浄物質の無駄を省いて効率良く洗浄することができる。
【０１３０】
その他、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【０１３１】
第５の実施の形態
本実施の形態においては、図１５〜図１６に示すように、使用するノズル１ｄの長さがステンシルマスク６の直径と同程度であり、このノズル１ｄが、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）に対応した２つのノズル部１３ａ、１３ａと、これらの間に設けられ、メンブレン部３（Ｂ領域）に対応したノズル部１３ｂとからなっている以外は、上述した第１の実施の形態と同様である。
【０１３２】
まず、図１５（ａ）及び図１６（ａ）に示すように、洗浄パラメータセットを条件Ｉに設定して低ノズル圧での洗浄工程をステンシルマスク６に対して行うに際し、ステンシルマスク６をノズル１ｄに対して配置する。
【０１３３】
次に、図１５（ｂ）及び図１６（ｂ）に示すように、ノズル１ｄがメンブレン部３（Ｂ領域）の左側に位置するまで、ステンシルマスク６を左方向に平行移動させながら、ノズル部１３ａ及び１３ｂからそれぞれ条件Ｉ下で洗浄物質を噴出して、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄し、洗浄面１４ａを形成する。
【０１３４】
次に、図１５（ｃ）及び図１６（ｃ）に示すように、ノズル１ｄがメンブレン部３（Ｂ領域）の右側に位置するまで、ステンシルマスク６を左方向に更に平行移動させながら、ノズル部１３ａから条件Ｉ下で洗浄物質の噴出を行うが、ノズル部１３ｂからはその噴出を行わないで、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄することによって、洗浄面１４ｂ及び１４ｃをそれぞれ形成する。
【０１３５】
次に、図１５（ｄ）及び図１６（ｄ）に示すように、ノズル１ｄがＳｉウェーハ２（Ａ領域）の右端に位置するまで、ステンシルマスク６を左方向に更に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の残部を洗浄することによって、洗浄面１４ｄを形成する。ステンシルマスク６のＳｉウェーハ２（Ａ領域）の洗浄工程を終了する。
【０１３６】
こうして、ステンシルマスク６のＳｉウェーハ２（Ａ領域）を洗浄した後、図４又は図１０に示した方法によって、洗浄パラメータセットを条件IIに設定した高ノズル圧洗浄をステンシルマスク６のメンブレン部３（Ｂ領域）に対して行い、ステンシルマスク６全体の洗浄工程を終了する。
【０１３７】
本実施の形態によれば、ノズル１ｄが、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）に洗浄物質を常に噴出するノズル部１３ａと、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）には洗浄物質を噴出するがメンブレン部３（Ｂ領域）には洗浄物質を噴出しないノズル部１３ｂとに分けているために、メンブレン部３（Ｂ領域）の上にノズル部１３ｂが位置する際にはエアロゾルの噴出を停止させることができ、ステンシルマスク６の上をノズル１ｄが一方向に一度だけ相対的に通過するだけで、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）のみを条件Ｉによって洗浄することができる。
【０１３８】
その他、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【０１３９】
第６の実施の形態
本実施の形態においては、図１７に示すように、２つのノズル１ｅ及び１ｆがメンブレン部３（Ｂ領域）以外のＳｉウェーハ２（Ａ領域）に対して図面上の上、下にそれぞれ配置され、各洗浄領域のパターン形状等が異なる以外は、上述した第１の実施の形態と同様である。
【０１４０】
まず、図１７（ａ）に示すように、洗浄パラメータセットを条件Ｉに設定した低ノズル圧での洗浄工程をステンシルマスク６に対して行うに際し、ステンシルマスク６をノズル１ｅ及び１ｆに対して配置する。
【０１４１】
次に、図１７（ｂ）に示すように、ノズル１ｅの左下角部及びノズル１ｆの左上角部がステンシルマスク６の右端近傍に位置するまで、ステンシルマスク６を左方向に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄し、洗浄面１５ａと洗浄面１５ｂとを形成する。
【０１４２】
次に、図１７（ｃ）に示すように、ステンシルマスク６を時計回り方向に９０度回転させる。
【０１４３】
次に、図１７（ｄ）に示すように、ノズル１ｅの右下角部及びノズル１ｆの上右角部がステンシルマスク６の左端近傍に位置するまで、ステンシルマスク６を右方向に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄することによって、上記の洗浄面１５ａ、１５ｂと部分的に重なり合った洗浄面１５ｃと洗浄面１５ｄとを形成する。
【０１４４】
こうして、ステンシルマスク６のＳｉウェーハ２（Ａ領域）の洗浄を行った後、洗浄パラメータセットを条件IIに設定した高ノズル圧洗浄を図４又は図１０で述べたと同様にステンシルマスク６のメンブレン部３（Ｂ領域）に対して行い、ステンシルマスク６全体の洗浄工程を終了する。
【０１４５】
本実施の形態によれば、ノズル１ｅ及び１ｆがＳｉウェーハ２（Ａ領域）のみに対応して配置されているために、ノズル１ｅ及び１ｆを上下方向に移動させることなく、比較的少ない工程数でＳｉウェーハ２（Ａ領域）を洗浄することができる。
【０１４６】
その他、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【０１４７】
第７の実施の形態
本実施の形態においては、メンブレン部３（Ｂ領域）を洗浄パラメータセットの条件IIで洗浄するに際し、図４や図１０に示したようにＳｉウェーハ２（Ａ領域）にも洗浄物質を噴出させるのではなく、メンブレン部３のみに洗浄物質を噴出させる以外は、上述した第１の実施の形態と同様である。
【０１４８】
即ち、図１８（ａ）に示すように、ステンシルマスク６を左方向に平行移動させてノズル１ｂがＳｉウェーハ２（Ａ領域）の上を通過する間は、エアロゾルソース部１８から配管を通して送られるエアロゾル用のガスを方向切換え用のバルブ１６によって枝管１７に送り、ノズル１ｂから噴出させない。
【０１４９】
次に、図１８（ｂ）に示すように、ステンシルマスク６を更に左方向に平行移動させてノズル１ｂがメンブレン３（Ｂ領域）の上を通過する間は、バルブ１６を切換えて、エアロゾルソース部１８から配管を通して送られるエアロゾル用のガスをノズル１ｂに送り、ノズル１ｂから噴射させ、メンブレン部３（Ｂ領域）のみを洗浄する。
【０１５０】
次に、図示しないが、ステンシルマスク６を更に左方向に平行移動させ、ノズル１ｂがＳｉウェーハ２（Ａ領域）の上を通過する間は、バルブ１６の切換えによってエアロゾル用のガスを枝管１７に送り、ノズル１ｂから噴出させない。
【０１５１】
このようにして、洗浄パラメータセットを条件IIに設定した高ノズル圧での洗浄工程をステンシルマスク６のメンブレン部３（Ｂ領域）のみに対して、比較的少ないエアロゾル量で行うことができる。
【０１５２】
その他、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【０１５３】
第８の実施の形態
本実施の形態においては、図１９（ａ）に示すように、洗浄パラメータセットを条件IIに設定した高ノズル圧での洗浄工程をステンシルマスク６に対して行うに際し、使用するノズル１ｃがメンブレン部３（Ｂ領域）のみに対応するように配置される以外は、上述した第１の実施の形態と同様である。
【０１５４】
即ち、上述した方法によって、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）が既に洗浄パラメータセットの条件Ｉで洗浄された状態において、図１９（ｂ）に示すように、ノズル１ｃがステンシルマスク６の右端に位置するまで、ステンシルマスク６を左方向に平行移動させながら、ノズル１ｃから条件II下で洗浄物質を噴出させて、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部及びメンブレン部３（Ｂ領域）を洗浄し、Ｓｉウェーハ２の既洗浄面と部分的に重複した洗浄面１９ａ及び１９ｃをＳｉウェーハ２に形成すると共に、メンブレン部３に洗浄面１９ｃを形成する。
【０１５５】
このようにして、洗浄パラメータセットを条件IIに設定した高ノズル圧での洗浄工程をステンシルマスク６のメンブレン部３（Ｂ領域）に対して行うことができる。
【０１５６】
本実施の形態によれば、ノズル１ｃが、メンブレン部３に対応して配置されているために、上下方向に移動させることなく、比較的少ない洗浄工程及びエアロゾル量でメンブレン部３を洗浄することができる。
【０１５７】
その他、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【０１５８】
第９の実施の形態
本実施の形態においては、図２０〜図２１に示すように、使用するノズル１ｅの長さがステンシルマスク６の直径とほぼ同じであり、このノズル１ｅが、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）に対応した２つのノズル部１３ａ、１３ａと、これらの間に設けられ、メンブレン部３（Ｂ領域）に対応したノズル部１３ｂとからなっている以外は、上述した第１の実施の形態と同様である。
【０１５９】
まず、図２０（ａ）及び図２１（ａ）に示すように、洗浄パラメータセットを条件Ｉに設定した低ノズル圧での洗浄工程をステンシルマスク６に対して行うに際し、ステンシルマスク６をノズル１ｅに対して配置する。
【０１６０】
次に、図２０（ｂ）及び図２１（ｂ）に示すように、ノズル１ｅがメンブレン部３（Ｂ領域）の左側に位置するまで、ステンシルマスク６を左方向に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄し、洗浄面２０ａを形成する。
【０１６１】
次に、図２０（ｃ）及び図２１（ｃ）に示すように、ノズル１ｅがメンブレン部３の右側に位置するまでステンシルマスク６を左方向に更に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部及びメンブレン部３（Ｂ領域）を洗浄することによって、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）に洗浄面２０ｂ及び２０ｄ、メンブレン部３（Ｂ領域）に洗浄面２０ｃをそれぞれ形成する。
【０１６２】
この際、各ノズル部１３ａ及び１３ｂからはそれぞれ洗浄パラメータセットの条件Ｉ下におけるエアロゾルの噴出がなされているが、メンブレン部３の上をノズル部１３ｂが通過する間は、このノズル部１３ｂのみをメンブレン部３から所定距離だけ上昇させる。このため、メンブレン部３に対するノズル部１３ｂからのエアロゾルの噴出条件が洗浄パラメータセットの条件Ｉと同等となるように洗浄圧が低下するので、ノズル１３ａによるＳｉウェーハ２（Ａ領域）の低ノズル圧洗浄と同時にメンブレン部３（Ｂ領域）の高ノズル圧洗浄を行うことが可能となる。
【０１６３】
従って、ノズル部１３ａからは条件Ｉで、ノズル部１３ｂからは条件IIでエアロゾルの噴出がなされることになる。
【０１６４】
このように、メンブレン部３の高ノズル圧洗浄を行った後に、ノズル部１３ｂをノズル部１３ａと同じ高さ位置に下降させ、図２０（ｄ）及び図２１（ｄ）のように、ノズル１ｅがＳｉウェーハ２（Ａ領域）の右端に位置するまで、ステンシルマスク６を左方向に更に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の残部を条件Ｉで洗浄することによって、洗浄面２０ｅを形成し、ステンシルマスク６のＳｉウェーハ２（Ａ領域）及びメンブレン部３（Ｂ領域）の洗浄工程を終了する。
【０１６５】
本実施の形態によれば、ノズル１ｅが、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）に対応したノズル部１３ａと、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）及びメンブレン部３（Ｂ領域）に対応したノズル部１３ｂとに分け、メンブレン部３（Ｂ領域）の上をノズル部１３ｂが通過する間は上昇位置にあってエアロゾルを条件IIで噴出し、ノズル部１３ａによって条件Ｉでエアロゾルを噴出させてＳｉウェーハ２を洗浄することができる。それゆえに、ステンシルマスク６の上をノズル１ｅが一方向に一度通過するだけで、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）及びメンブレン部３（Ｂ領域）をそれぞれの条件で洗浄することができる。
【０１６６】
その他、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【０１６７】
第１０の実施の形態
本実施の形態においては、図２２〜図２３に示すように、使用するノズル１ｆの長さがステンシルマスク６の直径とほぼ同じであり、このノズル１ｆが、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）に対応して条件Ｉでの洗浄を行う２つのノズル部１３ａ、１３ａと、これらのノズル部の間に設けられ、メンブレン部３（Ｂ領域）に対応して条件Ｉから条件IIへ切換え可能なノズル部１３ｂとからなっている以外は、上述した第１の実施の形態と同様である。
【０１６８】
まず、図２２（ａ）及び図２３（ａ）に示すように、洗浄パラメータセットを条件Ｉに設定した低ノズル圧での洗浄工程をステンシルマスク６に対して行うに際し、ステンシルマスク６をノズル１ｆに対して配置する。
【０１６９】
次に、図２２（ｂ）及び図２３（ｂ）に示すように、ノズル１ｆがメンブレン部３（Ｂ領域）の左側に位置するまで、ステンシルマスク６を左方向に平行移動させながら、ノズル部１３ａ及び１３ｂから条件Ｉで洗浄物質を噴出して、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄し、洗浄面２１ａを形成する。
【０１７０】
次に、図２２（ｃ）及び図２３（ｃ）に示すように、ノズル１ｆがメンブレン部３の右側に位置するまでステンシルマスク６を左方向に更に平行移動させながら、ノズル１３ａによって条件ＩでＳｉウェーハ２（Ａ領域）の一部を洗浄すると同時に、ノズル１３ｂを条件Ｉから条件IIに切換えてメンブレン部３（Ｂ領域）を洗浄することによって、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）に洗浄面２１ｂ、２１ｄ、メンブレン部３（Ｂ領域）に洗浄面２１ｃをそれぞれ形成する。
【０１７１】
この際、ノズル部１３ａからは条件Ｉ下におけるエアロゾルの噴出がなされているが、メンブレン部３の上をノズル部１３ｂが通過する間は、ノズル部１３ｂからはメンブレン部３に対して条件IIでエアロゾルが噴出されるので、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の低ノズル圧洗浄を行うと同時にメンブレン部３の高ノズル圧洗浄を行うことが可能となる。
【０１７２】
このようにしてメンブレン部３の高ノズル圧洗浄を行った後に、ノズル部１３ｂからのエアロゾルの噴出条件を条件IIから条件Ｉに戻し、この状態で図２２（ｄ）及び図２３（ｄ）に示すように、ノズル１ｆがＳｉウェーハ２（Ａ領域）の右端に位置するまで、ステンシルマスク６を左方向に更に平行移動させながら、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）の残部を洗浄することによって、洗浄面２１ｅを形成し、ステンシルマスク６のＳｉウェーハ２（Ａ領域）及びメンブレン部３（Ｂ領域）の洗浄工程を終了する。
【０１７３】
本実施の形態によれば、ノズル１ｆが、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）に対応したノズル部１３ａと、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）及びメンブレン部３（Ｂ領域）に対応して噴出条件を切換え可能なノズル部１３ｂとに分割されているために、メンブレン部３（Ｂ領域）に対しては、ノズル部１３ｂが通過する間に条件IIによってエアロゾルの噴出を行うことができる。それゆえに、ステンシルマスク６の上をノズル１ｆが一方向に一度通過するだけで、ノズル部１３ｂを上下動させなくてもＳｉウェーハ２（Ａ領域）及びメンブレン部３（Ｂ領域）をそれぞれの洗浄条件Ｉ及びIIで洗浄することができる。
【０１７４】
その他、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【０１７５】
第１１の実施の形態
本実施の形態においては、図２４に示すように、ステンシルマスク６のＳｉウェーハ２（Ａ領域）に対応した部分のみを開口したマスク２５と、メンブレン部３（Ｂ領域）に対応した部分のみを開口した別のマスク２６とを用いることによって、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）とメンブレン部３（Ｂ領域）とを個別に洗浄する以外は、上述した第１の実施の形態と同様である。
【０１７６】
即ち、まず、図２４（ａ）に示すように、洗浄パラメータセットを条件Ｉに設定した低ノズル圧での洗浄工程をステンシルマスク６に対して行うに際し、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）より少し広い四角形の開口部２３を有するマスク部２２ａをステンシルマスク６上に配置し、メンブレン部３（Ｂ領域）と同一形状であって、Ｓｉウェーハ２に対する洗浄を妨げない支持手段（図示せず）で支持されたマスク部２２ｂをメンブレン部３（Ｂ領域）上に配置する。
【０１７７】
次に、マスク部２２ａとマスク部２２ｂとからなるマスク２５によって形成される開口部２３を通して、条件Ｉでエアロゾルを噴出する。これにより、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）のみを洗浄することができる。
【０１７８】
次に、図２４（ｂ）に示すように、洗浄パラメータセットを条件IIに設定した高ノズル圧での洗浄工程をステンシルマスク６に対して行うに際し、メンブレン部３（Ｂ領域）と同一形状の開口部２４を有するマスク部２２ｃからなるマスク２６をステンシルマスク６上に配置し、マスク部２２ｃの開口部２４を通して、条件IIでエアロゾルを噴出する。これにより、メンブレン部３（Ｂ領域）のみを洗浄することができる。
【０１７９】
本実施の形態によれば、２種類のマスク２５、２６によって、Ｓｉウェーハ２（Ａ領域）とメンブレン部３（Ｂ領域）とを明確に区分し、それぞれのマスクを用いてＳｉウェーハ２（Ａ領域）とメンブレン部３（Ｂ領域）とを選択的に洗浄することができ、上述した実施の形態のようにステンシルマスクを移動させなくても洗浄を行うことができる。
【０１８０】
その他、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【０１８１】
以上に説明した実施の形態は、本発明の技術的思想に基づいて種々に変形が可能である。
【０１８２】
例えば、洗浄パラメータセットは上述の条件Ｉ及びIIに限らず、異なる力学的強度をもつ洗浄対象物の強度や構造等の条件に対応して、自在に変化させることができる。この他にも、洗浄物質の種類、ノズルの大きさ、ノズルの形状、洗浄面積、洗浄工程の順序等を変化させることができる。
【０１８３】
また、洗浄時に、ノズルを固定してステンシルマスクを移動させることに限らず、ステンシルマスクを固定してノズルを移動させることもできる。また、ステンシルマスクの洗浄は、上述した梁部のある側から行ってもよいし、またパターン開口を形成していない状態に限らず、パターン開口形成後も上述した洗浄を同様に行ってもよい。
【０１８４】
また、次世代露光候補技術で用いられるさまざまな洗浄サンプルとしてのマスクには、ＬＥＥＰＬ用マスクと同様にメンブレン部と非メンブレン部とを有しているものが多いが、本発明はそうしたマスクに広く適用可能である。具体的には、ＰＲＥＶＡＩＬ用マスク（例えば、H. C. Pfeiffer, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 6658 (1995)）、ＳＣＡＬＰＥＬ用マスク（例えば、L. R. Harriott, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 2130 (1997). ）、Ｘ線露光用マスク及びイオンビーム露光用マスク等であり、これらの全てに同様に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１８５】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【図２】同、ステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【図３】同、ステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【図４】同、ステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【図５】同、ステンシルマスク洗浄条件を示す表（１）、及びステンシルマスクの平面図（２）である。
【図６】同、ステンシルマスク洗浄工程を示すフローチャートである。
【図７】本発明の第２の実施の形態によるステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【図８】同、ステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【図９】同、ステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【図１０】同、ステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態によるステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【図１２】同、ステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【図１３】同、ステンシルマスクとノズルとの位置関係を示す平面図及び断面図である。
【図１４】本発明の第４の実施の形態によるステンシルマスクの作製工程を順次示す    平面図である。
【図１５】本発明の第５の実施の形態によるステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【図１６】同、ステンシルマスクの作製工程を順次示す断面図である。
【図１７】本発明の第６の実施の形態によるステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【図１８】本発明の第７の実施の形態によるステンシルマスクの作製工程を順次示す    概略断面図である。
【図１９】本発明の第８の実施の形態によるステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【図２０】本発明の第９の実施の形態によるステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【図２１】同、ステンシルマスクの作製工程を順次示す断面図である。
【図２２】本発明の第１０の実施の形態によるステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【図２３】同、ステンシルマスクの作製工程を順次示す断面図である。
【図２４】本発明の第１１の実施の形態によるステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図及び断面図である。
【図２５】従来例によるステンシルマスクの平面図（ａ）及びＸ−Ｘ’線断面図（ｂ）である。
【図２６】同、ステンシルマスクの作製工程を順次示す断面図である。
【図２７】同、ステンシルマスクの作製工程を順次示す断面図である。
【図２８】同、メンブレン部の斜視図（ａ）及び断面図（ｂ）である。
【図２９】同、エアロゾル洗浄装置の概略構造図である。
【図３０】同、ステンシルマスクの作製工程を順次示す平面図である。
【符号の説明】
【０１８６】
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ…ノズル、２…Ｓｉウェーハ（Ａ領域）、
３…メンブレン部（Ｂ領域）、
４…ノッチ部、５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、７ａ、７ｂ、９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅ、９ｆ、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１２ａ、１２ｂ、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ…洗浄面、６…ステンシルマスク、１３ａ、１３ｂ…ノズル部、１６…バルブ、１７…枝管、
１８…エアロゾルソース部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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