(57)【要約】【課題】  セルアレイを備えた半導体装置において、不良セルの半導体基板上の位置を特定する際の位置精度及び速度を向上させる。【解決手段】  半導体装置を、電気回路を有する複数のセル（１）がマトリックス状に配列されたセルアレイ（１０）と、セルアレイ（１０）を区画化してなるマトリックス状に配列された複数のセルユニット（２）の各々に設けられ、複数のセルユニット（２）の各々において定義されるサブセルアドレスの起点を表す起点記号体３と、複数のセルユニット（２）の各々に設けられ、セルアレイ（１０）において定義されるユニットアドレスを表す複数のアドレス記号体（４）とを備えた構成とする。【選択図】  図４
2005123396.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気回路を有する複数のセルがマトリックス状に配列されたセルアレイを含む半導体装置であって、
前記セルアレイを区画してなるマトリックス状に配列された複数のセルユニットの各々に設けられ、前記複数のセルユニットの各々において定義されるサブセルアドレスの起点を表す起点記号体と、
前記複数のセルユニットの各々に設けられ、前記セルアレイにおいて定義されるユニットアドレスを表す複数のアドレス記号体と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記複数のセルユニットの各々には、縦列方向に複数のセルが配列され、かつ横列方向に複数のセルが配列されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記起点記号体が、前記複数のセルユニットの各々における４隅のいずれか１つの特定の隅に対応するセルに設けられている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記起点記号体は、上面が図形記号を表す柱状体又は錐台状体である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記複数のアドレス記号体の各々は、前記セルアレイにおける互いに異なるセルに１つずつ設けられている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数のアドレス記号体の各々は、上面が図形記号を表す柱状体又は錐台状体である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記起点記号体は、上面が図形記号を表す柱状体又は錐台状体であり、
前記複数のアドレス記号体の各々は、上面が前記起点記号体の図形記号と異なる図形記号を表す柱状体又は錐台状体である、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記電気回路が、複数の薄膜から構成され、
前記起点記号体及び前記複数のアドレス記号体の少なくとも一方が、前記電気回路を構成する前記複数の薄膜と同一種類の複数の薄膜の積層体により形成された、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置を評価する半導体装置の評価方法であって、
前記半導体装置におけるセルアレイの電気特性を測定するステップと、
前記電気特性の測定結果に応じて選択された特定のセルに対応するセルアドレスを抽出するステップと、
前記特定のセルのセルアドレスに基づいて、前記セルアレイにおける複数のセルユニットのうち前記特定のセルを含む特定のセルユニットに対応するユニットアドレスと、前記特定のセルユニットにおいて定義された前記特定のセルに対応するサブセルアドレスとを算出するアドレス算出ステップと、
前記特定のセルユニットに対応するユニットアドレスと前記特定のセルに対応するサブセルアドレスとに基づき、前記複数のセルユニットの各々に設けられた起点記号体と前記複数のセルユニットの各々に設けられた複数のアドレス記号体とを参照して、前記半導体装置を観察する観察位置を前記特定のセルに移動する移動ステップと、
前記特定のセルを観察するステップと、
を含むことを特徴とする半導体装置の評価方法。
【請求項１０】
前記移動ステップが、
前記特定のセルユニットのユニットアドレスに基づき、前記複数のセルユニットのうちの所定のセルユニットに設けられた起点記号体を始点として起点記号体数を計数しながら、前記観察位置を前記特定のセルユニットに移動させるユニット間移動サブステップと、
前記特定のセルユニットに設けられた複数のアドレス記号体が表すユニットアドレスを確認するアドレス確認サブステップと、
前記特定のセルのサブセルアドレスに基づき、前記特定のセルユニットにおける起点記号体の設けられたセルを起点としてセル数を計数しながら、前記観察位置を前記特定のセルに移動させるユニット内移動サブステップと、
を有する請求項９に記載の半導体装置の評価方法。
【請求項１１】
前記半導体装置を載置する移動自在な載置台、前記観察位置における半導体装置を観察する観察手段、入力手段、演算手段、パターン認識手段及び前記載置台を移動させる位置制御手段を備えた検査装置を用い、
前記アドレス算出ステップにおいて、前記特定のセルのセルアドレスを前記入力手段で入力することにより、前記演算手段で前記特定のセルユニットのユニットアドレスと前記特定のセルのサブセルアドレスとを自動的に算出し、
前記ユニット間移動サブステップにおいて、前記特定のセルユニットのユニットアドレスに基づき、前記観察手段及び前記パターン認識手段で起点記号体数を自動的に計数しながら、前記半導体装置の載置された前記載置台を前記位置制御手段で自動的に移動させ、かつ、
前記アドレス確認サブステップにおいて、前記観察手段及び前記パターン認識手段で前記特定のセルユニットのユニットアドレスを自動的に確認する、
請求項１０に記載の半導体装置の評価方法。
【請求項１２】
前記移動ステップが、
前記セルアレイにおける任意のセルユニットである参照セルユニットに観察位置を移動する参照移動サブステップと、
前記参照セルユニットに設けられた複数のアドレス記号体が表すユニットアドレスを読み出すアドレス読み出しサブステップと、
前記特定のセルユニットのユニットアドレスと前記参照セルユニットのユニットアドレスとに基づき、前記参照セルユニットに設けられた起点記号体を起点として起点記号体数を計数しながら、前記観察位置を前記特定のセルユニットに移動するユニット間移動サブステップと、
前記特定のセルユニットに設けられた複数のアドレス記号体が表すユニットアドレスを確認するアドレス確認サブステップと、
前記特定のセルのサブセルアドレスに基づき、前記特定のセルユニットにおける起点記号体の形成されたセルを起点としてセル数を計数しながら、前記観察位置を前記特定のセルに移動するユニット内移動サブステップと、
を有する請求項９に記載の半導体装置の評価方法。
【請求項１３】
前記半導体装置を載置する移動自在な載置台、前記観察位置における前記半導体装置を観察する観察手段、演算手段、入力手段、演算手段、パターン認識手段及び前記載置台を移動させる位置制御手段を備えた検査装置を用い、
前記アドレス算出ステップにおいて、前記特定のセルのセルアドレスを前記入力手段で入力することにより、前記特定のセルユニットのユニットアドレスと前記特定のセルのサブセルアドレスとを前記演算手段で自動的に算出し、
前記参照移動サブステップにおいて、前記半導体装置の載置された前記載置台を前記位置制御手段で自動的に移動させ、
前記アドレス読み出しサブステップにおいて、前記参照セルユニットのユニットアドレスを前記観察手段及び前記パターン認識手段で自動的に読み出し、
ユニット間移動ステップにおいて、前記観察手段及び前記パターン認識手段で起点記号体数を自動的に計数しながら前記載置台を前記位置制御手段で自動的に移動させ、かつ、
前記アドレス確認ステップにおいて、前記観察手段及び前記パターン認識手段により、前記特定のセルユニットのユニットアドレスを自動的に確認する、
請求項１２に記載の半導体装置の評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の評価方法に関するものであり、特に、半導体装置の製造プロセス等を評価するための評価用半導体装置とそれを用いた半導体評価方法に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置（特に半導体集積回路装置）の製造プロセスにおける不良原因を検出すること等によって製造プロセスを評価するには、例えば、数万個のコンタクトチェインを半導体基板上に配列したアレイＴＥＧ（Ｔｅｓｔ  Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｇｒｏｕｐ）やＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）が一般的に用いられており、これらを用いて電気特性の不良箇所あるいはメモリーセルを特定した後、その不良箇所の物理的解析を行い、製造プロセスにおいて発生した不良の原因を明らかにしている。半導体基板上に形成されたアレイＴＥＧ及びＳＲＡＭは、それぞれ、テスト用のパターンセル及びテスト用のメモリーセルが縦横に規則正しく配列（マトリックス状に配列）されたものである。
【０００３】
従来、このようなテストデバイスにおける不良箇所は、テスター等を用いた電気特性の測定を行い、特定の電気特性を満たさない不良セルに対応する横列方向（以下において、ｘ軸方向とも称する）及び縦列方向（以下において、ｙ軸方向とも称する）のアドレス情報を取得し、この取得したアドレス情報に基づいてアレイＴＥＧやＳＲＡＭにおける不良セルの位置をセルアレイの端より順番に数えて特定していた（例えば、特許文献１参照）。特定された不良セルは、ＳＥＭ断面観察等によって観察され、不良原因が明らかにされる。不良セルにおける不良箇所は、半導体装置の上層から順次に薄膜の一部又は全部をエッチング等によって除去して不良セルを観察することを繰り返して行うことにより特定される。
【０００４】
従来の典型的な不良解析用の半導体装置（評価用半導体装置）の検査方法を、図５を参照しながら説明する。図５は、従来の典型的な評価用半導体装置における不良セルの位置を特定する方法を説明するための説明図である。図５には、半導体基板（図示せず）上に形成された多数の評価用半導体装置（図示せず）のうちの１個のダイ（チップ）に形成された１つの評価用半導体装置におけるセルアレイ１１０を表す。図５に示されたセルアレイ１１０は、ｘ軸方向（横列方向）及びｙ軸方向（縦列方向）の双方にそれぞれ２５６個のテストセル１０１が配列（合計約６４ｋ個）した構成である。セルアレイ１１０内のテスト用の電気回路は、具体的には例えば１０個から数１０個程度のコンタクトを直列に接続したコンタクトチェイン（図示せず）からなる。また、このセルアレイ１１０の外縁には選択的に特定のセルに電気的にアクセスするためのアドレス選択回路（図示せず）が設けられている。
【０００５】
従来の典型的な評価用半導体装置において、不良セルの位置を特定する方法は、まず、テスター等で電気特性を測定し、不良セル１０１ａのアドレス情報（ｘ軸方向のセルアドレス及びｙ軸方向のセルアドレス）を取得する。例えば、不良セルのセルアドレスが（ｘ，ｙ）＝（１２６，１３０）である場合、目標とする不良セル１０１ａを端のセル１０１ｂ（（ｘ，ｙ）＝（１，１））から順番にセル数を数えながらｘ軸方向に観察位置を移動（図中の矢印）し、引き続き、セル数を数えながらｙ軸方向に観測位置を移動する（図中の矢印）ことによって、観測位置を不良セル１０１ａに移動し、不良解析をおこなっていた。なお、図５に示された黒丸は、観察位置を所定のセル１ｂから不良セル１ａに移動させる過程において認識されるセルを表している。
【特許文献１】特開平３−１６３８４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体装置に形成される回路素子数の増加及び回路素子寸法の微細化に伴い、製造プロセス等の製造能力、レベルを正確に評価するためには、従来よりも多数のテストセルを評価する必要があり、また、必然的に１個のダイに形成するテストセル数も増大する。この場合、従来のようにセルアレイの端のセルから順番にセル数を数えて不良セルを特定する方法では、セルの大きさが小さくなること及び数えるセル数が増えることにより数え間違えが起こりやすい。また、数え間違えをすることなく観察位置を不良セルに移動するためには長時間を要し、効率的な解析が困難になるという問題があった。
【０００７】
本発明は、半導体装置のセルが微細化又はセル数が増加しても、半導体装置の評価における数え間違えを抑制できる構成の半導体装置を提供することを目的とする。また、本発明では、観察位置を確実にかつ高速で不良セルに移動させることにより、半導体装置を評価する際の効率を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明に係る半導体装置は、電気回路を有する複数のセルがマトリックス状に配列されたセルアレイと、セルアレイを区画してなるマトリックス状に配列された複数のセルユニットの各々に設けられ、かつ複数のセルユニットの各々において定義されるサブセルアドレスの起点を表す起点記号体と、複数のセルユニットの各々に設けられ、セルアレイにおいて定義されるユニットアドレスを表す複数のアドレス記号体と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明に係る半導体装置の評価方法は、本発明の半導体装置を評価する評価方法であって、半導体装置におけるセルアレイの電気特性を測定するステップと、電気特性の測定結果に応じて選択された特定のセルに対応するセルアドレスを抽出するステップと、特定のセルのセルアドレスに基づいて、セルアレイにおける複数のセルユニットのうち特定のセルを含む特定のセルユニットに対応するユニットアドレスと特定のセルユニットにおいて定義された特定のセルに対応するサブセルアドレスとを算出するアドレス算出ステップと、特定のセルユニットに対応するユニットアドレスと特定のセルに対応するサブセルアドレスとに基づき、複数のセルユニットの各々に設けられた起点記号体と複数のセルユニットの各々に設けられた複数のアドレス記号体とを参照して、半導体装置を観察する観察位置を前記特定のセルに移動する移動ステップと、特定のセルを観察するステップと、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体装置であれば、セル（回路素子等）が微細化されても所定のセル間隔で離隔した起点記号体を設けたことにより、所望のセル（不良セル）に到達するまでの時間を短縮することができると共に、半導体装置上における所望のセルの位置を確実に特定することができる。また、本発明の半導体装置の評価方法であれば、各セルユニットにアドレス記号体を設けたことにより観察位置を特定のセルを含む特定のセルユニットに移動させる精度が高くなるため、所望のセルの位置を更に確実に特定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
上述のような本発明の半導体装置であれば、起点記号体を設けたことにより、セルアレイを複数のセルユニットに区画して認識することができる。これにより、セルアレイにおける特定のセル（不良セル）の位置を、特定のセルを含むセルユニットのアドレスと、セルユニット内で定義され、起点記号体を起点とするサブセルアドレスとを参照して決定することができる。なお、セルユニットは、複数のセルで構成されていることに注意を要する。また、起点記号体は、セルアレイの各セルユニットにおいて、同一のサブセルアドレスを有するセルに設ける。
【００１２】
本発明の半導体装置は、縦列方向及び横列方向の少なくとも一方に対して、複数のセル間隔ごとに起点記号体が設けられているため、半導体装置を評価する際の観察位置の移動において、起点記号体を順次に認識することにより観察位置を特定のセルユニット毎に移動させることができる。これにより、セルユニット毎に１つのセルを認識すればよいので、セルユニット到達するまでに認識しなければならないセル数を低減することができる。また、複数のセル間隔ごとに起点記号体を設けることにより、近隣の起点記号体と混同することなく容易に各々の起点記号体を区別することができる。また、起点記号体が所定の記号を表すことにより、起点記号体の設けられたセルと他のセルとを容易に識別することができる。したがって、起点記号体を数える際の数え間違いを低減することができる。
【００１３】
また、セルユニット内にユニットアドレスを表す複数のアドレス記号体を設けたことにより、特定のセル（不良セル）を含む特定のセルユニットと他のセルユニットとを区別することができる。したがって、特定のセルユニット内において、セル数の数え間違えを起こさない限り、特定のセルを他のセルと誤認することはなくなる。更に、セルユニット内のセルの数はセルアレイ全体に比べて少数であるので、セルユニット内での数え間違いは発生し難いため、特定のセルを他のセルと誤認することを良好に抑制できる。
【００１４】
以上により、本発明の半導体装置では、半導体装置の製造プロセスを評価する際の観察位置の移動において、特定のセル（不良セル）に到達するまでの時間を短縮することができると共に、特定のセルに確実に到達することができる。
【００１５】
起点記号体は、すべてのセルユニットにおいて同一記号を表すものであってもよいし、縦列方向及び／又は横列方向に、所定のセルユニット間隔でその他のセルユニットと異なる記号を表すものを配置してもよい。例えば、５０個のセルユニットが配列している場合に、１０番目、２０番目、３０番目、４０番及び５０番目のセルユニットの各々に第１の記号を表す起点記号体を設け、その他のセルユニットには第２の記号を表す起点記号体を設ける構成や、更に５番目、１５番目、３５番目、４５番目のセルユニットの第１の記号を表す起点記号体に代えて第３の記号を表す起点記号体を設ける構成である。なお、第１の記号、第２の記号及び第３の記号は互いに異なる記号である。
【００１６】
起点記号体が、１つのセル内に形成されている限りにおいて、起点記号体の表す記号は、曲線又は直線で囲まれた単一閉領域で表される単純図形であっても、複数の単純図形を組み合わせた複合図形であってもよい。起点記号体が表す記号としては、文字記号や数字記号や図形記号が挙げられる。
【００１７】
また、複数のアドレス記号体の各々が表す記号は、曲線又は直線で囲まれた単一閉領域で表される単純図形であっても、複数の単純図形を組み合わせた複合図形であってもよい。起点記号体が表す記号としては、文字記号や数字記号や図形記号が挙げられる。複数のアドレス記号体の各々は、縦列方向のユニットアドレス及び横列方向のユニットアドレスを表す各桁の数字に１つずつ対応する構成とすることが好ましい。
【００１８】
本発明の半導体装置においては、複数のセルユニットの各々には、縦列方向に複数のセルが配列し、かつ横列方向に複数のセルが配列している構成とすることが好ましい。この構成であれば、縦列方向及び横列方向の双方に対して複数のセル間隔ごとに起点記号体が設けられているため、縦列方向及び横列方向の双方に対して特定のセルユニットに到達するまでに認識しなければならないセル数を低減することができる。
【００１９】
本発明の半導体装置においては、起点記号体が、複数のセルユニットの各々における４隅のいずれか１つの特定の隅に対応するセルに設けられている構成とすることが好ましい。なぜなら、サブセルアドレスの横列方向のアドレスが０又は正の値のみ又は０又は負の値のみを有する構成となり、かつ縦列方向のアドレスが０又は正の値のみ又は０又は負の値のみを有する構成となるためである。この構成であれば、起点記号体が４隅に対応するセルに設けられていない場合のようにサブセルアドレスが０と正の値と負の値とを有する場合に比べて、人為的な正と負の符号の取り違えや観察点の移動方向の取り間違えを抑制できると共に、特定のセルユニットにおける起点記号体の形成されたセルからの特定のセルへの移動が簡便となる。横列方向（正方向）又は横列方向の反対方向（負方向）の一方向に移動させ、かつ、縦列方向（正方向）又は縦列方向の反対方向（負方向）の一方向に移動させればよいからである。
【００２０】
起点記号体は、上面が図形記号を表す柱状体又は錐台状体であることが好ましい。起点記号体の表す記号が図形記号である場合は、文字記号や数字記号の場合に比べて、起点記号体を形成する際に微細な加工を施す必要がないために、簡便に起点記号体を形成することができる。また、記号を容易に認識することができるために、半導体装置の評価において、起点記号体を確実に認識すると共に、起点記号体を計数する速度が向上する。つまり、半導体装置の評価を更に確実かつ高速で行うことができる。
【００２１】
ここで、本明細書において、柱状体とは、基板面と水平な任意の平面で切断した場合に略合同な断面形状を有する構造体を意味する。つまり、柱状体には、数学的に厳密な柱体のみを含意するのではないことに注意を要する。例えば、柱状体には、略合同な複数の膜を積層した構造体を含意する。また、本明細書において、錐台状体とは、基板面と水平な任意の平面で切断した場合に略相似な断面形状を有する構造体であり、基板面からの距離が小さい平面による断面の縮尺率が、基板面からの距離が大きい平面による断面の縮尺率より大きくない構成である。つまり、錐台状体には、数学的に厳密な錐台のみを含意するのではないことに注意を要する。例えば、錐台状体には、縮尺率の異なる略相似な複数の膜を、縮尺率の大きい膜から順に積層した構造体を含意する。
【００２２】
本発明の半導体装置は、複数のアドレス記号体の各々は、セルアレイにおける互いに異なるセルに１つずつ設けられていることが好ましい。なぜなら、アドレス記号体が少なくとも１つのセル間隔で設けられるために、アドレス記号体の確認における誤認を抑制することができるからである。また、アドレス記号体の認識が容易となることにより、半導体装置の評価を更に確実かつ高速に行うことができる。
【００２３】
各セルユニットにおける複数のアドレス記号体は、ユニットアドレスの横列方向のアドレスと横列方向のアドレスとを表す。横列方向のアドレスと縦列方向のアドレスを区別できるように配置を調整することが好ましい。例えば、横列方向のアドレスを表すアドレス記号体を設ける列と縦列方向のアドレスを表すアドレス記号体を設ける列とを異ならせる構成や、横列方向のアドレスを表すアドレス記号体を横列に、縦列方向のアドレスを表すアドレス記号体を縦列に配置する構成である。また、各アドレス記号体は、起点記号体の設けられたセルと異なるセルに設けることが好ましい。この場合、起点記号体と各アドレス記号体との識別が容易となるからである。また、アドレス記号体は、起点記号体の設けられたセルの近隣のセルに設けることが好ましい。観察位置を特定のセルユニットに移動させる際には起点記号体を認識しながら移動させるため、起点記号体を認識した後に起点記号体を簡便に認識できるからである。
【００２４】
複数のアドレス記号体の各々は、上面が図形記号を表す柱状体又は錐台状体であることが好ましい。なぜなら、上述の起点記号体と同様に、アドレス記号体の表す記号が図形記号である場合は、文字記号や数字記号の場合に比べて、起点記号体を形成する際に微細な加工を施す必要がないために、簡便にアドレス記号体を形成できるからである。また、アドレス記号体の表す記号を容易に認識できるために、半導体装置の評価において、ユニットアドレスを確実に確認できると共に、ユニットアドレスを確認する速度が向上する。つまり、半導体装置の評価を確実かつ高速に行うことができる。
【００２５】
また、起点記号体は上面が図形記号を表す角柱状又は角錐台状であり、複数のアドレス記号体の各々は上面が起点記号体の図形記号と異なる図形記号を表す角柱状又は角錐台状であることが更に好ましい。起点記号体とアドレス記号体とを混同することがなくなるからである。これにより、更に確実にかつ更に高速に半導体装置の評価を行える。
【００２６】
本発明の半導体装置においては、電気回路が複数の薄膜で構成され、起点記号体及び複数のアドレス記号体の少なくとも一方が電気回路を構成する複数の薄膜と同一種類の複数の薄膜の積層体で形成された構成とすることができる。この構成であれば、電気回路を形成すると同時に起点記号体を形成することができる。また、電気回路を形成するために必要な複数の薄膜のすべてを積層して起点記号体を形成すれば、半導体装置の評価を行う際に行うエッチングによっても、電気回路を完全に除去しない限り起点記号体が完全に除去されることはない。したがって、半導体装置の評価において、常に起点記号体を参照して特定のセル（不良セル）に到達することができる。
【００２７】
また、複数のアドレス記号体の各々が複数の薄膜と同一種類の複数の薄膜の積層体で形成された構成であれば、上記の起点記号体の場合と同様に、半導体装置の評価において、常に複数のアドレス記号体を参照してセルユニットのユニットアドレスを確認できる。
【００２８】
起点記号体及びアドレス記号体の各々は、電気回路を形成する複数の薄膜の一部の薄膜を用いて形成してもよいし、半導体装置の評価におけるエッチングにおいてエッチングされない材料又はエッチングされ難い材料により電気回路の形成とは別に形成されてもよい。起点記号体及び複数のアドレス記号体のすべては、電気回路を完全に除去しない限り起点記号体及びアドレス記号体が完全に除去されない構成とすることが好ましい。
【００２９】
上述のような本発明の半導体装置の評価方法であれば、起点記号体及びアドレス記号体を参照して、特定のセル（不良セル）を含む特定のセルユニットに設けられた起点記号体に到達することができる。したがって、半導体装置の評価において、特定のセルに観察位置を移動する際の他のセルとの取り間違えを抑制できると共に特定のセルに到達する時間を短縮することができる。これにより、半導体装置の評価を確実にかつ高速に行える。
【００３０】
本発明の半導体装置の評価方法において、移動ステップが、特定のセルユニットのユニットアドレスに基づき、複数のセルユニットのうちの所定のセルユニットに設けられた起点記号体を始点として起点記号体数を計数しながら、観察位置を特定のセルユニットに移動させるユニット間移動サブステップと、特定のセルユニットに設けられた複数のアドレス記号体が表すユニットアドレスを確認するアドレス確認サブステップと、特定のセルのサブセルアドレスに基づき、特定のセルユニットにおける起点記号体の設けられたセルを起点としてセル数を計数しながら、観察位置を特定のセルに移動させるユニット内移動サブステップと、を有する評価方法（以下、第１の半導体装置の評価方法とも称する）とすることができる。
【００３１】
第１の半導体装置の評価方法において、半導体装置を載置する移動自在な載置台、観察位置における半導体装置を観察する観察手段、入力手段、演算手段、パターン認識手段及び載置台を移動させる位置制御手段を備えた検査装置を用い、アドレス算出ステップにおいて、特定のセルのセルアドレスを入力手段で入力することにより、演算手段で特定のセルユニットのユニットアドレスと特定のセルのサブセルアドレスとを自動的に算出し、ユニット間移動サブステップにおいて、特定のセルユニットのユニットアドレスに基づき、観察手段及びパターン認識手段で起点記号体数を自動的に計数しながら載置台を位置制御手段で自動的に移動させることにより特定のセルユニットに観察位置を移動させ、かつ、アドレス確認サブステップにおいて、観察手段及びパターン認識手段で特定のセルユニットのユニットアドレスを自動的に確認することもできる。この構成であれば、人為的な数え間違えやユニットアドレスの読み出しミス等を抑制することができるため、特定のセルを選択する際の位置精度を向上できる。更に、目視により起点記号体の表す記号やアドレス記号体の表す記号を認識するよりも高速でそれらを認識することができるため、観察位置を更に高速で移動させることができる。
【００３２】
また、本発明の半導体装置の評価方法において、移動ステップが、セルアレイにおける任意のセルユニットである参照セルユニットに観察位置を移動する参照移動サブステップと、参照セルユニットに設けられた複数のアドレス記号体が表すユニットアドレスを読み出すアドレス読み出しサブステップと、特定のセルユニットのユニットアドレスと参照セルユニットのユニットアドレスとに基づき、参照セルユニットに設けられた起点記号体を起点として起点記号体数を計数しながら、観察位置を特定のセルユニットに移動するユニット間移動サブステップと、特定のセルユニットに設けられた複数のアドレス記号体が表すユニットアドレスを確認するアドレス確認サブステップと、特定のセルのサブセルアドレスに基づき、特定のセルユニットにおける起点記号体の形成されたセルを起点としてセル数を計数しながら、観察位置を特定のセルに移動するユニット内移動サブステップと、を有する評価方法（以下、第２の半導体装置の評価方法とも称する）とすることができる。
【００３３】
第２の半導体装置の評価方法においては、半導体装置を載置する移動自在な載置台、観察位置における半導体装置を観察する観察手段、演算手段、入力手段、演算手段、パターン認識手段及び載置台を移動させる位置制御手段を備えた検査装置を用い、アドレス算出ステップにおいて、特定のセルのセルアドレスを入力手段で入力することにより、特定のセルユニットのユニットアドレスと特定のセルのサブセルアドレスとを演算手段で自動的に算出し、参照移動サブステップにおいて、半導体装置の載置された載置台を位置制御手段で自動的に移動させ、アドレス読み出しサブステップにおいて、参照セルユニットのユニットアドレスを観察手段及びパターン認識手段で自動的に読み出し、ユニット間移動ステップにおいて、観察手段及びパターン認識手段で起点記号体数を自動的に計数しながら載置台を位置制御手段で自動的に移動させ、かつ、アドレス確認ステップにおいて、観察手段及びパターン認識手段により、特定のセルユニットのユニットアドレスを自動的に確認することもできる。
【００３４】
また、本発明の第２の半導体装置の評価方法において、移動ステップが、セルアレイにおける任意のセルユニットである参照セルユニットに観察位置を移動する参照移動サブステップと、参照セルユニットに設けられた複数のアドレス記号体が表すユニットアドレスを読み出すアドレス読み出しサブステップと、参照セルユニットのユニットアドレスと特定のセルユニットのユニットアドレスとに基づき、参照セルユニットから特定のセルユニットに至る相対ユニットアドレスを算出する相対アドレス算出サブステップと、相対ユニットアドレスに基づき、参照セルユニットに設けられた起点記号体を起点として起点記号体数を計数しながら、観察位置を特定のセルユニットに移動するユニット間移動サブステップと、特定のセルユニットに設けられた複数のアドレス記号体が表すユニットアドレスを確認するアドレス確認サブステップと、特定のセルのサブセルアドレスに基づき、特定のセルユニットにおける起点記号体の形成されたセルを起点としてセル数を計数しながら、観察位置を前記特定のセルに移動するユニット内移動サブステップと、を有する評価方法とすることができる。
【００３５】
また、第２の半導体装置の評価方法においては、半導体装置を載置する移動自在な載置台、観察位置における半導体装置を観察する観察手段、演算手段、入力手段、演算手段、パターン認識手段及び載置台を移動させる位置制御手段を備えた検査装置を用い、アドレス算出ステップにおいて、特定のセルのセルアドレスを入力手段で入力することにより、特定のセルユニットのユニットアドレスと特定のセルのサブセルアドレスとを演算手段で自動的に算出し、参照移動サブステップにおいて、ユニットアドレスに基づき、載置台を位置制御手段で移動させることにより、観察位置を参照セルユニットに自動的に移動させ、アドレス読み出しサブステップにおいて、参照セルユニットのユニットアドレスを観察手段及びパターン認識手段で自動的に読み出し、相対アドレス算出ステップにおいて、相対ユニットアドレスを演算手段で自動的に算出し、ユニット間移動ステップにおいて、相対ユニットアドレスに基づき、観察手段及びパターン認識手段で起点記号体数を計数しながら載置台を位置制御手段で自動的に移動させることにより、観察位置を特定のセルユニットに移動させ、かつ、アドレス確認ステップにおいて、観察手段及びパターン認識手段により、特定のセルユニットのユニットアドレスを自動的に確認することもできる。
【００３６】
検査装置を用いた第２の半導体装置の評価方法であれば、人為的な数え間違えやユニットアドレスの読み出しミス等を抑制することができるため、特定のセルを選択する際の位置精度を向上できる。更に、検査装置を用いた第２の半導体装置の評価方法であれば、目視により起点記号体の表す記号やアドレス記号体の表す記号を認識するよりも高速でそれらを認識することができるため、観察位置を更に高速で移動させることができる。
【００３７】
第１の半導体装置の評価方法は、起点記号体及びアドレス記号体を参照して、セルアレイにおいて予め始点として定められた所定のセルユニットに設けられた起点記号体から特定のセル（不良セル）を含む特定のセルユニットに到達するが、第２の半導体装置の評価方法であれば、起点記号体及びアドレス記号体を参照して、任意のセルユニットにおける起点記号体から、特定のセル（不良セル）を含む特定のセルユニットに設けられた起点記号体に到達することができるために、第１の半導体装置の評価方法を適用する場合に比べて、起点記号体を数える個数を低減できるために数え間違えを更に抑制でき、また、起点記号体を数える個数が低減することにより更に高速に特定のセルユニットに到達することができる。
【００３８】
第１及び第２の半導体装置の評価方法で用いる検査装置の観察手段としては、光学顕微鏡、ＳＥＭ等の顕微鏡や撮像部と画像表示部を備えた観察装置等が挙げられる。撮像部としては、ＣＣＤカメラ等を用いることができる。検査装置のパターン認識手段は、観察手段からの画像を認識する手段である。
【００３９】
（実施の形態１）
実施の形態１における半導体装置について、図１〜４を参照しながら説明する。本実施の形態の半導体装置は、１種類の図形記号を示す起点記号体と１０種類の図形記号を示す複数のアドレス記号体とを用いた構成である。図１は、本発明の半導体装置のセルアレイを概念的に表す平面図である。図２は、本発明の半導体装置における１つのセルユニットを概念的に表す平面図である。図３は、起点と起点記号体の表す起点記号との対応関係と、ユニットアドレスとアドレス記号体の表す記号との対応関係とを説明するための説明図である。図４は、本発明の半導体装置の評価方法における不良セルを特定する過程を説明するための説明図である。
【００４０】
本実施の形態における半導体装置は、図１に示されたように、半導体基板（図示せず）上に約１００個程度形成された評価用半導体装置のうち、１個のダイに形成されたセルアレイ１０を表している。セルアレイ１０は、ｘ軸方向（横列方向）（図１においてｘ軸方向のセルアドレスが増加する方向）及びｙ軸方向（縦列方向）（図１においてｙ軸方向のセルアドレスが増加する方向）にそれぞれ２５６個のテストセル１（セル）がマトリックス状に配列された構造を有する。図１に示されたセルアレイ１０においては、ｘ軸方向に６４個、ｙ軸方向に１２８個のセルユニット２がマトリクス状に配列されている。セルユニット２は、ｘ軸方向に４個のテストセル１及びＹ軸方向に２個のテストセル１が配列した８個のセル１で構成されている。
【００４１】
図２に示されたように、テストセル１ａには、表面が十字マークの角柱状体（柱状体）の起点記号体３が設けられており、テストセル１ｂ〜１ｄ，１ｆ〜１ｈには、セルユニット２のユニットアドレスを表す複数のアドレス記号体４が設けられている。テストセル１ａ〜１ｄ，１ｆ〜１ｈにおいては、コンタクトチェイン等の電気回路（図示せず）が形成された領域を除く残余領域に、起点記号体３及び複数のアドレス記号体４が設けられている。図２に示された起点記号体３及び複数のアドレス記号体４は、電気回路の回路素子（図示せず）を構成するためのシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリシリコン、シリサイド、アルミニウム合金膜などの膜（マスクレイヤ）をパターニングして形成する際に、同時に、表面が所定の図形記号を表すようにを加工して形成される。したがって、図２に示された起点記号体３及び複数のアドレス記号体４は、電気回路を構成するマスクレイヤ毎に同じ図形記号を表す膜が積層されている。
【００４２】
アドレス記号体４の表す図形記号は、図３に示されたように、予め定められた数字に対応付けられている。また、セル１ｂ〜１ｄに設けられたアドレス記号体４の示す３つの図形記号がユニットアドレスのＸ成分（ｘ軸方向のセルユニットのアドレス）、セル１ｆ〜１ｈに設けられたアドレス記号体４の表す３つの図形記号がユニットアドレスのＹ成分（ｙ軸方向のセルユニットのアドレス）を示している。つまり、図２に示されたセルユニットのユニットアドレスは（Ｘ，Ｙ）＝（４５，１２３）である。
【００４３】
半導体装置を評価する方法について説明する。なお、半導体装置の一部を観察する観察位置を不良セルに移動する方法、すなわちセルアレイ上をたどって目標とする不良セルへ到達する方法以外については、従来のいかなる方法を適用してもよい。したがって、以下においては、目標とする不良セルに到達する方法について図４を参照しながら説明する。
【００４４】
以下の説明において、セルアレイ１０上で定義されたセルアドレスを（ｘ，ｙ）とし、セルアレイ１０上で定義されたセルユニットのユニットアドレスを（Ｘ，Ｙ）とし、セルユニット２内で定義されたサブセルアドレスを（ｍ，ｎ）とする。また、不良セル１ｉのセルアドレスを（ｘ，ｙ）＝（ｘ’，ｙ’）とし、不良セル１ｉを含むセルユニット２ａのユニットアドレスを（Ｘ，Ｙ）＝（Ｘ’，Ｙ’）とし、不良セル１ｉのサブセルアドレスを（ｍ，ｎ）＝（ｍ’，ｎ’）とする。なお、セルアドレス、ユニットセルアドレス及びサブセルアドレスの始点は、それぞれ、（ｘ，ｙ）＝（１，１）、（Ｘ，Ｙ）＝（１，１）及び（ｍ，ｎ）＝（０，０）とする。
【００４５】
まず、電気特性の測定を行い不良セル１ｉ（特定のセル）のセルアドレスを求める。求められたセルアドレスから不良セル１ｉを含むセルユニット２ａのユニットアドレス及びサブセルアドレスを算出する（アドレス算出ステップ）。
【００４６】
ここで、ユニットアドレス及びサブセルアドレスを算出する方法を説明する。求められた不良セル１ｉのセルアドレスを（ｘ，ｙ）＝（ｘ’，ｙ’）としたとき、ユニットアドレスのＸ成分の値Ｘ’は、ｘ’が４の倍数の場合にはＸ’＝［ｘ’／４］（＝ｘ’／４）であり、一方、ｘ’が４の倍数でない場合にはＸ’＝［ｘ’／４］＋１である。なお、［ｘ’／４］は、ｘ／４を超えない最大の整数を意味する。Ｘ成分の場合と同様に、ユニットアドレスのＹ成分の値Ｙ’は、ｙ’が２の倍数の場合にはＹ’＝［ｙ’／２］（＝ｙ’／２）であり、一方、２の倍数でない場合にはＹ’＝［ｙ’／２］＋１である。サブセルアドレスの起点（起点記号体３）が、セルユニット２内において、ｘ方向のセルアドレスが最小値でありかつｙ軸方向のセルアドレスが最大値であるセルである場合には、不良セルのサブセルアドレスは、（ｍ’，ｎ’）＝（ｘ’−４（Ｘ’−１）−１），ｙ−２Ｙ’）である。これらの演算により、セルアドレスをユニットアドレスとサブセルアドレスとに分割することができる。
【００４７】
目的とする不良セル１ｉは、ユニットアドレスが（Ｘ，Ｙ）＝（Ｘ’，Ｙ’）のセルユニット２ａにおいて起点記号体の形成されたセルを１番目とし、ｘ軸方向に（｜ｍ’｜＋１）番目のセルであり、ｙ軸方向と反対方向に（｜ｎ’｜＋１）番目のセルである。なお、｜ｍ’｜及び｜ｎ’｜は、それぞれ、ｍの絶対値及びｎの絶対値を意味する。
【００４８】
より具体的には、図２に示されたセルユニット２においては、不良セルの位置は、ｘ’＝４（Ｘ’−１）＋１のときセル１ａ又はセル１ｅであり、ｘ’＝４（Ｘ’−１）＋２のときセル１ｂ又はセル１ｆであり、ｘ’＝４（Ｘ’−１）＋３のときセル１ｃ又はセル１ｇであり、ｘ’＝４Ｘ’のときセル１ｄ又はセル１ｈである。同様に、ｙが偶数（ｙ’＝２Ｙ’）である場合は上段のセル（１ａ〜１ｄ）であり、ｙが奇数（ｙ＝２Ｙ’−１）である場合は下段のセル（１ｅ〜１ｈ）である。
【００４９】
ここで、セルユニット１のｘ軸方向のセルの配列数がａ個（ａは正の整数である）であり、かつｙ軸方向のセル配列数がｂ個（ｂは正の整数である）であるときに、起点記号体３の設けられたセルのｘ軸方向のサブセルアドレスがセルユニット２における最小値であり、かつそのｙ軸方向のサブセルアドレスがセルユニット２における最大値である場合ｆ（図２におけるセル１ａに起点記号体が設けられた場合に相当）について説明する。セルユニット２のアドレスＸ’は、ｘ’がａの倍数である場合にはＸ’＝［ｘ’／ａ］であり、ｘ’がａの倍数でない場合にはＸ’＝［ｘ’／ａ］＋１であり、ｙ’がｂの倍数である場合Ｙ’＝［ｙ’／ｂ］であり、ｙ’がｂの倍数でない場合にはＹ’＝［ｙ’／ｂ］＋１である。また、サブセルアドレスは、（ｍ’，ｎ’）＝（ｘ’−ａ（Ｘ’−１）−１），ｙ’−ｂＹ’）である。この場合、目的とする不良セル１ａは、ユニットアドレスが（Ｘ’，Ｙ’）のセルユニット１ａにおいて起点記号体３の設けられたセル（（ｍ’，ｎ’）＝（０，０））を１番目のセル１として、ｍが０又は正の場合にはｘ軸方向に（ｍ’＋１）番目のセル１であり、ｍが負の場合にはｘ軸方向と反対方向に（｜ｍ’｜＋１）番目のセル１であり、ｎ’が正の場合にはｙ軸方向に（ｎ’＋１）番目のセル１であり、ｎ’が負の場合にはｙ軸方向と反対方向に（｜ｎ’｜＋１）番目のセル１である。
【００５０】
また、起点記号体３の設けられたセル１のｘ軸方向のサブセルアドレスがセルユニット２における最大値であり、かつそのｙ軸方向のサブセルアドレスがセルユニット２における最大値である場合（例えば、図２におけるセル１ｄに起点記号体が設けられた場合に相当）には、サブセルアドレスは、（ｍ’，ｎ’）＝（ｘ’−ａＸ’，ｙ’−ｂＹ’）である。また、起点記号体３の設けられたセル１のｘ軸方向のサブセルアドレスがセルユニット２における最大値であり、そのｙ軸方向のサブセルアドレスがセルユニット２における最小値である場合（例えば、図２におけるセル１ｈに起点記号体３が設けられた場合に相当）には、（ｍ’，ｎ’）＝（ｘ’−ａＸ’，ｙ’−ｂ（Ｙ’−１）−１）である。また、起点記号体３の設けられたセル１のｘ軸方向のサブセルアドレスがセルユニットにおける最小値であり、そのｙ軸方向のサブセルアドレスがセルユニット２における最大値である場合（例えば、図２におけるセル１ｄに起点記号体３が設けられた場合に相当）には、（ｍ’，ｎ’）＝（ｘ’−ａ（Ｘ’−１）−１，ｙ’−ｂＹ）である。
【００５１】
次に、算出されたユニットアドレスを参照して、観察位置を所定のセルユニット２ｂ（図４においては（Ｘ，Ｙ）＝（１，１））から不良セル１ｉを含む特定のセルユニット２ａに移動する。所定のセルユニット２ｂに設けられた起点記号体３ｂを検出し、その起点記号体３ｂを始点として起点記号体３を計数しながら観察位置をｘ軸方向に移動させ、セルユニット２ｃに設けられた起点記号体３ｃまで移動させる。引き続き、起点記号体３を計数しながら観察位置をｙ軸方向に移動させ、特定のセルユニット２ａに設けられた起点記号体３ａに到達させる（ユニット間移動サブステップ）。
【００５２】
より具体的には、例えば、不良セル１ｉのアドレスが（ｘ，ｙ）＝（１２６，１３０）である場合、ユニットアドレスは（Ｘ，Ｙ）＝（３２，６５）であり、サブセルアドレスは（ｍ，ｎ）＝（１，０）である。まず、観察位置を１番目の起点記号体３ｂからｘ軸方向に３２番目の起点記号体３ｃに移動する（図４中の矢印）。引き続き、観察位置をｙ軸方向に６５番目の起点記号体３ａに移動する（図４中の矢印）。これにより、ユニットアドレス（Ｘ，Ｙ）＝（３２，６５）であるセルユニット２ａに設けられた起点記号体３ａに到達できる。図４に示された黒丸は、所定のセルユニット２ｂから特定のセルユニット２ａに観察位置を移動させる過程において認識される起点記号体３を含むセル１を表している。
【００５３】
次に、特定のセルユニット２ａに設けられたアドレス記号体４の表すユニットアドレスと算出されたユニットアドレスとを比較し、目的の特定のユニットアドレス２ａに到達したことを確認する（アドレス確認サブステップ）。
【００５４】
次に、観察位置を、セル数を計数しながらｘ軸方向に２番目（ｍ＝１）のセルに移動する（ユニット内移動サブステップ）。これにより、観測位置を不良セル１ｉに到達できる。この場合、ｙ軸方向は１番目（ｎ＝０）のセルであるので、ｙ軸方向に観察位置を移動させる必要はない。
【００５５】
次に、不良セル１ｉを観察して不良原因等を調査し、製造プロセス等の半導体装置の評価を行う（特定セルを観察するステップ）。現在観察されている表面に不良原因がない場合には、半導体装置の表面層をエッチング等により剥離又は部分的に除去して内部を露出させて、再度、上記と同様の方法により不良セル１ｉの観察を行う。なお、不良セル１ｉのユニットアドレス及びサブセルアドレスを改めて算出する必要はないことに注意を要する。
【００５６】
上記の評価方法に従えば、観察位置を不良セル１ｉに移動させる精度及び速度が向上する。また、万が一に特定のセルユニット１ｉに移動する際に起点記号体３の計数を間違えたとしても、到達したセルユニット２にはアドレス記号体４が設けられているために、計数の間違いを簡単に認識することができる。更に、到達したセルユニット２に設けられたアドレス記号体４の表すユニットアドレスと算出された特定のセルユニット１ｉのユニットアドレスとから相対アドレスを算出することにより、到達しているセルユニット２を始点として目的の不良セル１ｉを含む特定のセルユニット２ａに到達することもできる。更に、セルアレイ内に複数の不良セルがある場合には、第１の不良セルを観察後に、第１の不良セルを含むセルユニットに設けられた起点記号体を始点として、第２の不良セルを含むセルユニットに観察点を移動させることもできる。
【００５７】
上記の評価方法においては、観察位置のｘ軸方向及びｙ軸方向の移動が完了した後に、ユニットアドレスを確認したが、観察位置をｘ軸方向のみに移動させた後に、到達したセルユニット２のアドレス記号体３の表すユニットアドレスのＸ成分を確認し、かつ、Ｘ成分の確認後に観察位置をｙ軸方向に移動させた後に、到達した特定のセルユニット２ａのアドレス記号体３の表すユニットアドレスのＹ成分を確認してもよい。また、上記の評価方法においては、観察位置をｘ軸方向に移動させた後にｙ軸方向に移動させたが、観察位置を移動させる順序は、ｙ軸方向の移動を行った後にｘ軸方向に移動させてもよい。
【００５８】
また、上記の評価方法においては、観察位置はユニットアドレスが（Ｘ，Ｙ）＝（１，１）であるセルユニット２ｂを始点として特定のセルユニット２ａに到達したが、ユニットアドレスが（Ｘ，Ｙ）＝（６４，１）のセルユニット、（Ｘ，Ｙ）＝（１，１２８）のセルユニット又は（Ｘ，Ｙ）＝（６４，１２８）のセルユニットを始点としてもよい。この場合には、算出されたセルアドレス又はユニットアドレスに基づいて、セルアレイの４隅に対応するセルユニットから不良セル１ｉに至る距離が最も短いユニットセルを選択し、そのセルユニットを始点とすることが好ましい。計数する起点記号体の数が減少するからである。起点記号体の計数において、特定のセルユニット２ａのユニットアドレスのＸ成分が、始点とするセルユニット２のユニットアドレスのＸ成分より小さい場合には、Ｘ成分の値を起点記号体３の検知に応じて逐次に減少させて計数してもよいし、始点のセルユニット２のユニットアドレスのＸ成分と特定のユニットアドレス２ａのＸ成分との相対アドレスを導出し、その相対アドレスに基づいて起点記号体３の検知に応じて逐次に増加させて計数してもよい。
【００５９】
更に、上記においては、セルアレイ１０における４隅のセルユニット２（セルユニット２ｂを含む）を始点とする半導体装置の評価方法について説明したが、任意のセルユニットを始点として不良セルを含む特定のセルユニットに到達する第２の半導体装置の評価方法を適用することが更に好ましい。この場合、特定のセルユニットに到達するまでに計数する起点記号体数を減少できるために、高速に特定のセルユニットに到達できるからである。
【００６０】
（実施の形態２）
本実施の形態２においては、上記の実施の形態１の半導体装置と同一の半導体装置に対して適用できる上記の実施の形態１の半導体装置の評価方法と異なる評価方法について説明する。本実施の形態の半導体装置の評価方法は、不良セルのセルアドレスを抽出するステップ及び半導体装置を観察して評価するステップ以外を自動的に行える検査装置を用いる方法である。なお、図４を便宜的に参照して説明する。
【００６１】
本実施の形態で用いる検査装置（図示せず）は、半導体装置を載置する移動自在な載置台、観察位置における半導体装置を観察する観察手段、入力手段、演算手段、パターン認識手段及び載置台を移動させる位置制御手段を備える。
【００６２】
まず、不良セル１ｉのセルアドレスを抽出した後に、検査装置の載置台に半導体装置を載置する。
【００６３】
次に、入力手段により不良セル１ｉのセルアドレスを入力する。検査装置では、演算手段により、不良セル１ｉのセルアドレスに基づいて不良セル１ｉの含まれる特定のセルユニット２ａのユニットアドレスと特定のセルユニット２ａにおける不良セル１ｉのサブセルアドレスとが算出される。
【００６４】
次に、特定のセルユニット２ａのユニットアドレスのＸ成分の値に基づいて、位置制御手段で載置台をｘ軸方向と反対方向に移動させることにより、観察位置を始点となる所定のセルユニット２ｂの起点記号体３ｂを有するセルからｘ軸方向に移動させる。この載置台の移動中、観察位置であるセルアレイ１０の一部の領域が観察手段で観察され、この観察においてパターン認識手段で観察位置の移動経路中に設けられた起点記号体の表す記号が検知されると、起点記号体を順次に計数する。具体的には、ユニットアドレスのＸ成分の値を１つずつ変化させて、算出されたユニットアドレスのＸ成分と同一の値になるまで載置台を移動させる。また、ｘ軸方向の場合と同様にして、位置制御手段で載置台をｙ軸方向と反対方向に移動させることにより、観察位置をｙ軸方向に移動させる。
【００６５】
次に、到達したセルユニット２に設けられた複数のアドレス記号体４を観察して、特定のセルユニット１ａであることを観察手段及びパターン認識手段により自動的に確認する。なお、複数のアドレス記号体４の観察においては、必要により位置制御手段で載置台を移動させる。
【００６６】
ここで、到達したセルユニットのアドレスと算出したセルアドレスとが同一でなければ、到達したセルユニット２のユニットアドレスと算出した特定のセルユニット２ａのセルアドレスとに基づいて、到達したセルユニット２に設けられた起点記号体３を始点として載置台を位置制御手段でｘ軸方向、ｙ方向及びそれらの反対方向のいずれかの方向に自動的に移動させる。なお、この移動中においても、観察手段とパターン認識手段で観察位置の移動経路中に設けられた起点記号体３を検知し、検知された起点記号体３を自動的に計数する。引き続き、到達したセルユニット２に設けられた複数のアドレス記号体４が表すユニットアドレスを観察手段及びパターン認識手段により自動的に確認する。到達したセルユニット２における複数のアドレス記号体４が表すユニットアドレスと算出された特定のセルユニット２ａのユニットアドレスとが同一となるまで、これらの操作を自動的に繰り返す。
【００６７】
次に、算出した特定のセル１ｉのサブセルアドレスに基づいて、載置台を位置制御手段でｘ軸方向と反対方向に自動的に移動させる。この載置台の移動中、観察位置であるセルアレイ１０の一部の領域が観察手段で観察され、この観察においてパターン認識手段で観察位置の移動経路中に設けられたアドレス記号体３の表す記号が検知されると、起点記号体及びアドレス記号体を順次に計数する。具体的には、ユニットアドレスのｍ成分の値を１つずつ変化させて、算出されたユニットアドレスのｍ成分と同一の値になるまで位置制御手段で載置台を自動的に移動させる。
【００６８】
次に、不良セル１ｉを観察して不良原因等を調査し、半導体装置の製造におけるプロセス等の評価を行う。現在観察されている表面に不良原因がない場合には、半導体装置の表面層をエッチング等により剥離又は部分的に除去して内部を露出させて、再度、上記と同様の方法により不良セル１ｉの観察を行う。なお、不良セル１ｉのユニットアドレス及びサブセルアドレスを改めて算出する必要はない。
【００６９】
上記に半導体装置の評価方法においては、所定のセルユニット２ｂを始点として観察位置を特定のセルユニット２ａに移動させたが、任意のセルユニット２を始点として特定のセルユニット２ａに移動させることもできる。この場合、特定のセルユニット２ａに到達するまでに計数する起点記号体３の数を減少できるために、更に高速にかつ位置精度よく特定のセルユニットに到達できる。
【００７０】
以上において、本発明の実施の形態について具体的な形態を挙げて説明したが、上記の実施の形態に限定されず本発明の技術的思想に基づき他の実施の形態に適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明は、電気回路を有する複数のセルがマトリックス状に配列したセルアレイを含む半導体装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】実施の形態１における半導体装置に形成されたセルアレイの構成を説明するための概念的な平面図
【図２】実施の形態１の半導体装置におけるセルユニットの構成を説明するための概念的な平面図
【図３】サブアドレス起点と起点記号体の表す起点記号との対応関係と、ユニットアドレスとアドレス記号体の表す記号との対応関係との一例とを説明するための説明図
【図４】実施の形態１の半導体装置の評価方法における不良セルを特定する過程を説明するための説明図
【図５】従来の半導体装置の評価方法における不良セルを特定する過程を説明するための説明図
【符号の説明】
【００７３】
１，１０１  セル
１ａ，１０１ａ  不良セル（特定のセル）
２    セルユニット
２ａ  特定のセルユニット
３    起点記号体
４    アドレス記号体
１０，１１０  セルアレイ
【図１】
2005123396.tif 000003
【図２】
2005123396.tif 000004
【図３】
2005123396.tif 000005
【図４】
2005123396.tif 000006
【図５】
2005123396.tif 000007