(57)【要約】【課題】  高周波電力増幅回路の出力電力を検出してフィードバック制御を行なう無線通信システムにおいて、電源電圧が変動して検出出力が変化しても高精度なパワー制御をすることができる出力電力制御技術を提供する。【解決手段】  高周波電力増幅回路（２１０）の出力電力を検出してフィードバック制御を行なう無線通信システムにおいて、電源電圧の変動を検出してその変動分に相当する補正電圧を生成する回路（２４０）を設け、該回路により生成された補正電圧を出力電力検出回路（２２０）からの検出出力に加えた電圧を誤差アンプ（２５０）に検出出力として与えるように構成した。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電力増幅回路の出力部から取り出された交流信号に基づいて出力電力のレベルを検出する出力電力検出回路と、該出力電力検出回路および出力レベル指示信号と検出電圧とを比較してその電位差に応じた電圧を生成して高周波電力増幅回路のバイアス制御回路に与える誤差アンプを備えた無線通信システムにおいて、環境の変化を検出してその変動分に相当する補正電圧を生成する環境変化検出回路を設け、該検出回路により生成された補正電圧を前記出力電力検出回路からの検出出力に加えた電圧を前記誤差アンプに検出出力として与えるように構成したことを特徴とする無線通信システム。
【請求項２】
前記環境変化検出回路は、前記高周波電力増幅回路の電源電圧の変化を検出する回路であることを特徴とする請求項１に記載の無線通信システム。
【請求項３】
前記環境変化検出回路は、温度の変化を検出する回路であることを特徴とする請求項１に記載の無線通信システム。
【請求項４】
高周波電力増幅回路の出力部から取り出された交流信号に基づいて出力電力のレベルを検出する出力電力検出回路と、該出力電力検出回路および出力レベル指示信号と検出電圧とを比較してその電位差に応じた電圧を生成して高周波電力増幅回路のバイアス制御回路に与える誤差アンプを備えた無線通信システムにおいて、前記高周波電力増幅回路の電源電圧の変化を検出してその変動分に相当する補正電圧を生成する電源電圧変化検出回路と、温度の変化を検出してその変動分に相当する補正電圧を生成する温度変化検出回路とを設け、前記電源電圧変化検出回路と温度変化検出回路により生成された補正電圧を前記出力電力検出回路からの検出出力に加えた電圧を前記誤差アンプに検出出力として与えるように構成したことを特徴とする無線通信システム。
【請求項５】
前記出力電力検出回路は、前記高周波電力増幅回路の出力部から取り出された交流信号を制御端子に受け出力電力に比例した電流を流す出力検出用トランジスタと、該出力検出用トランジスタに流れる電流を転写するカレントミラー回路と、転写された電流を電圧に変換する電流−電圧変換回路とからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の無線通信システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話機等の無線通信システムに適用して有効な技術に関し、特に高周波電力増幅回路の出力電力のレベルを検出する出力電力検出回路を備え、出力レベル指示信号と検出出力とに基づいて高周波電力増幅回路をフィードバック制御するようにされた無線通信システムに利用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、携帯電話機等の無線通信装置（移動体通信装置）における送信側出力部には、変調後の送信信号を増幅する高周波電力増幅回路が設けられている。従来の無線通信装置においては、ベースバンド回路もしくはマイクロプロセッサ等の制御回路からの送信要求レベルに応じて高周波電力増幅回路の増幅率を制御するため、高周波電力増幅回路もしくはアンテナの出力電力を検出して帰還をかけることが行なわれている（例えば、特許文献１参照）。そして、出力電力の検出は、従来は一般に、カプラや検波回路などを使用して行なっており、検波回路は高周波電力増幅回路とは別個の半導体集積回路またはディスクリートの部品で構成されることが多い。
【特許文献１】特開２０００−１５１３１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
カプラを使用した従来の高周波電力増幅回路の出力電力検出方式にあっては、カプラ自身の大きさもさることながら、その検出出力を検波するためダイオードが必要であり、高周波電力増幅回路とは別の半導体集積回路や電子部品を数多く使用しているため、モジュールの小型化を困難にしていた。また、カプラを使用すると、電力損失も比較的大きくなるという不具合がある。
【０００４】
無線通信システムにおける高周波電力増幅回路の出力電力検出回路に要求される特性のうち、特に重要な特性は、小型であること、高感度であること、挿入損失が低いこと、電源電圧変動や温度変化など使用環境の変化の影響を受けにくいことなどである。従来のカプラを用いた検出方式は、感度が良好で環境変化の影響も受けにくいという利点はあるものの、小型化と低挿入損失に関しては充分に要求を満たすものではなかった。
【０００５】
そこで、本出願人は、カプラを使用しない高周波電力増幅回路の出力電力の検出方式として、高周波電力増幅回路の最終増幅段の増幅用トランジスタの制御端子から交流電圧を取り出して検波手段と電流−電圧変換手段とからなる出力電力検出回路で検出するようにした発明をなし、先に出願した（ＰＣＴ／ＪＰ０２／０９０５３）。
【０００６】
この先願発明に係る出力電力検出回路は、カプラを使用する検出方式に比べて小型化や低挿入損失に関しては有利であるが、検出出力が電源電圧の変動や温度変化の影響を受けてしまい、ベースバンド部からの出力レベル指示信号と検出電圧とを比較してその電位差に応じて高周波電力増幅回路のバイアス電圧すなわちゲインを制御するフィードバック制御ループによる高精度なパワー制御が要求されるシステムには適用が難しいという課題があることが明らかとなった。
【０００７】
本発明の目的は、高周波電力増幅回路の出力電力を検出してフィードバック制御を行なう無線通信システムにおいて、電源電圧が変動して検出出力が変化しても高精度なパワー制御をすることができる出力電力制御技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、高周波電力増幅回路の出力電力を検出してフィードバック制御を行なう無線通信システムにおいて、温度が変化して検出出力が変化しても高精度なパワー制御をすることができる出力電力制御技術を提供することにある。
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴については、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、高周波電力増幅回路の出力部（最終増幅段から出力端子まで）から取り出された交流信号を制御端子に受け出力電力に比例した電流を流す出力検出用トランジスタと、該出力検出用トランジスタに流れる電流を転写するカレントミラー回路と、転写された電流を電圧に変換する電流−電圧変換回路とからなる出力電力検出回路および出力レベル指示信号と検出電圧とを比較してその電位差に応じた電圧を生成して高周波電力増幅回路のバイアス制御回路に与える誤差アンプを備えた無線通信システムにおいて、電源電圧の変動を検出してその変動分に相当する補正電圧を生成する回路を設け、該検出回路により生成された補正電圧を前記出力電力検出回路からの検出出力に加えた電圧を前記誤差アンプに検出出力として与えるように構成したものである。
【０００９】
さらに、温度検出素子もしくは温度依存性の比較的顕著な素子を備え、出力電力検出回路の周囲温度の変化を検出して周囲温度の変化分に相当する補正電圧を生成する回路を設け、該検出回路により生成された補正電圧を前記出力電力検出回路からの検出出力に加えた電圧を前記誤差アンプに検出出力として与えるように構成する。
【００１０】
上記した手段によれば、電源電圧が変動したり温度が変化してもその変化分に相当する補正電圧を出力電力検出回路からの検出出力に加えた電圧が出力レベル指示信号と比較する誤差アンプに供給されるためフィードバック制御に必要な検出電圧を電源電圧や温度にかかわらずほぼ一定にすることができ、これによって電源電圧や温度が変化しても制御ループによって高周波電力増幅回路の出力電力が所望のレベルになるように制御することができるとともに、カプラの代わりに出力検出用トランジスタを含む検波回路を用いて出力電力を検出する回路を構成するようにした場合に、電源電圧の変動や温度の変化で出力検出出力が変化して精度の高い出力電力制御が行なえなくなるような事態を回避しつつ検出回路の小型化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
すなわち、本発明に従うと、高周波電力増幅回路の出力部から取り出された交流信号に基づいて出力電力のレベルを検出する出力電力検出回路を備え、該出力電力検出回路の検出出力に基づいて高周波電力増幅回路のバイアス電圧のフィードバック制御を行なう無線通信システムにおいて、電源電圧や温度が変化してもフィードバック制御に必要な検出電圧が安定し、高精度の出力電力制御を可能にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の好適な実施例を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明を適用した無線通信システムの高周波電力増幅部の第１の実施例を示したものである。
この実施例の高周波電力増幅部は、入力高周波信号Ｐｉｎを増幅する電力増幅用ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）を含む高周波電力増幅回路および該高周波電力増幅回路の各段の電力増幅用ＦＥＴにバイアス電圧を与えて各ＦＥＴに流すアイドル電流を制御するバイアス回路を含む高周波電力増幅器（パワーアンプ）２１０と、高周波電力増幅器（パワーアンプ）２１０の出力電力を検出する出力電力検出手段２２０と、該検出手段２２０により検出された交流信号を検波し電圧に変換する電流−電圧変換回路２３０と、電源電圧Ｖddの変動を検出してその変動分に相当する補正電圧Ｖcrt1を生成する電源電圧変動検出回路２４０と、図外のベースバンド部から供給される出力電力レベル指示信号Ｖrampと前記出力電力検出回路２２０からの検出電圧Ｖdetに補正電圧Ｖcrt1を加えた電圧とを比較してその電位差に応じた制御電圧Ｖapcを前記バイアス回路へ与える誤差アンプ（ＡＰＣ回路）２５０とからなる。
【００１３】
電源電圧変動検出回路２４０は、電源電圧端子（Ｖdd）と接地点との間に直列に接続された抵抗Ｒ１,Ｒ２からなる抵抗分圧回路と、抵抗Ｒ１，Ｒ２によって分圧された電圧をインピーダンス変換して出力するボルテージフォロワとして機能するアンプＡＭＰ１とから構成されており、電源電圧端子ＶddがΔＶだけ変動すると抵抗Ｒ１とＲ２との接続ノードの電圧が抵抗比Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）に応じて変化するため、アンプＡＭＰ１より出力される補正電圧Ｖcrt1もΔＶ・Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）だけ変化する。
【００１４】
よって、出力電力検出回路２２０から出力される検出電圧Ｖdetの電源電圧依存性に応じて、それを打ち消すのに見合う補正電圧Ｖcrt1を生成できるように予め抵抗Ｒ１とＲ２の抵抗比を設定しておくことにより、電源電圧依存性の少ない検出電圧Ｖdetを誤差アンプ２５０へ供給することができる。このように、本実施例では、電源電圧Ｖddの変動に応じた補正電圧Ｖcrt1を誤差アンプ２５０に与えているため、電源電圧変動に対してはフィードフォワード制御で出力電力を制御することができる。その結果、電源電圧Ｖddの変化に伴う高周波電力増幅回路の出力電力の変化を速やかに防止し、応答性に優れ高精度の出力電力制御が可能になる。
【００１５】
図３に、本実施例を適用した図１のシステムにおける出力電力Ｐoutの出力偏差を実測した結果を示す。また、比較のため、図１のシステムから電源電圧変動検出回路２４０を除いたシステムにおける出力電力Ｐoutの出力偏差を実測した結果を、図４に示す。
【００１６】
図３において、●印は電源電圧Ｖddがその変動許容範囲の最大値（４．５Ｖ）である場合における標準値（３．５Ｖ）での出力電力Ｐoutからの変化分ΔＰoutをプロットしたもの、▲印は電源電圧Ｖddがその変動許容範囲の最小値（３．１Ｖ）である場合における標準値での出力電力Ｐoutからの変化分ΔＰoutをプロットしたものである。また、図４において、●印は電源電圧変動検出回路２４０のないシステム（以下、比較システムと称する）にて電源電圧Ｖddがその変動許容範囲の最大値（４．５Ｖ）である場合における標準値（３．５Ｖ）での出力電力Ｐoutからの変化分ΔＰoutをプロットしたもの、▲印は電源電圧Ｖddがその変動許容範囲の最小値（３．１Ｖ）である場合における標準値での出力電力Ｐoutからの変化分ΔＰoutをプロットしたものである。ＧＳＭの規格では、出力電力Ｐoutの偏差ΔＰoutは、出力電力が５ｄＢｍ〜１１ｄＢｍの範囲では±６ｄＢ、出力電力が１１ｄＢｍ〜３５ｄＢｍの範囲では±４ｄＢと定められている。図３および図４において、一点鎖線で示されているのは、ＧＳＭの規格および本発明者ら決定した目標範囲を示す制限線である。
【００１７】
図３と図４を比較すると、目標値の厳しい２５ｄＢｍ〜３３ｄＢｍのような高出力レベルの領域では、比較システムにおける電源電圧Ｖddが最大値である場合の出力電力Ｐoutの偏差ΔＰout(●)の方が、電源電圧変動検出回路２４０を設けた本実施例のシステムにおける電源電圧Ｖddが最大値である場合の出力電力Ｐoutの偏差ΔＰout（●）よりも大きく、特に３１ｄＢｍ〜３５ｄＢｍの範囲では本実施例の方が余裕が大きいことが分かる。
【００１８】
なお、本実施例のシステムは、比較システムに比べて１５ｄＢｍ以下のような低出力レベルの領域で出力電力偏差が悪くなるが、低出力レベルの領域での出力電力偏差の増大は、低出力レベルの領域では図１のアンプＡＭＰ１の出力を遮断したりすることで回避することも可能である。
【００１９】
図２は、本発明を適用した無線通信システムの高周波電力増幅部の第２の実施例を示したものである。
この実施例は、図１の実施例のシステムにおける電源電圧変動検出回路２４０の代わりに温度変化検出回路２６０を設け、該温度変化検出回路２６０より出力される補正電圧Ｖcrt2を、出力電力検出回路２２０の検出出力Ｖdetに加えて誤差アンプ２５０に供給するように構成したものである。
【００２０】
温度変化検出回路２６０は、温度依存性のない基準電圧Ｖrefが印加された電源端子と接地点との間に直列に接続された抵抗Ｒ５と負の温度特性を有するサーミスタＴ１からなる分圧回路と、該分圧回路により分圧された電圧をインピーダンス変換して出力するボルテージフォロワとして機能するアンプＡＭＰ２とから構成されており、温度が変化するとサーミスタＴ１の抵抗値が変化し、それに応じて抵抗Ｒ５とサーミスタＴ１との接続ノードの電位が変化して、アンプＡＭＰ２より出力される補正電圧Ｖcrt2も変化する。その結果、温度の変化に伴う高周波電力増幅回路の出力電力の変化を防止し高精度の出力電力制御が可能になる。
【００２１】
具体的には、温度が高くなると高周波電力増幅回路の出力電力が小さくなろうとするが、本実施例では、負の温度特性を有するサーミスタＴ１を備えた温度変化検出回路２６０が、温度の変化に応じて温度が高いときは温度が低いときよりも小さな補正電圧Ｖcrt2を誤差アンプ２５０に与えるため、高周波電力増幅回路の出力電力を高くするようなバイアスが与えられる。温度が低くなると誤差アンプ２５０は上記と逆のバイアスを与えるように働く。このように、本実施例のシステムでは、温度の変化に応じて予め設定した補正電圧Ｖcrt2を誤差アンプ２５０に与えているため、温度変動に対してもフィードフォワード制御で出力電力を制御することができる。
【００２２】
図５は、本発明を適用した無線通信システムの高周波電力増幅部の第３の実施例を示したものである。
この実施例は、第１の実施例のシステムにおける電源電圧変動検出回路２４０と第２の実施例のシステムにおける温度変化検出回路２６０の両方を設け、電源電圧変動検出回路２４０より出力される補正電圧Ｖcrt1と温度変化検出回路２６０より出力される補正電圧Ｖcrt2を、出力電力検出回路２２０の検出出力Ｖdetに加えて誤差アンプ２５０に供給するように構成したものである。本実施例に従うと、電源電圧の変化に伴う高周波電力増幅回路の出力電力の変化と温度の変化に伴う高周波電力増幅回路の出力電力の変化を防止して、より高精度の出力電力制御が可能になる。
【００２３】
図６には、実施例におけるパワーアンプ２１０と出力電力検出回路２２０の具体的な回路例が示されている。また、図６には、誤差アンプ２５０からの出力制御信号Ｖapcに基づいて高周波電力増幅回路２１０ａの各増幅段に流すバイアス電流Ｉｃ１，Ｉｃ２，Ｉｃ３を制御するバイアス制御回路２１０ｂが示されている。図１、図２および図５の実施例におけるパワーアンプ２１０は、高周波電力増幅回路２１０ａとバイアス制御回路２１０ｂとで構成される。
【００２４】
この実施例の高周波電力増幅回路２１０ａは、３つの増幅段２１１，２１２，２１３がそれぞれ直流をカットしインピーダンスの整合を行なうインピーダンス整合回路ＭＮ１〜ＭＮ３を介して縦続接続されている。各増幅段には電力増幅用ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）が設けられており、図６ではこのうち最終段の増幅段２１３とその後段のインピーダンス整合回路ＭＮ４の具体的な回路構成が示されている。図示しないが１段目と２段目の増幅段２１１、２１２も最終増幅段２１３と類似の構成を備えている。ＭＳ７，ＭＳ８はセラミック基板上に形成されたインピーダンスの整合をとるためのインダクタンス素子として働くマイクロストリップラインである。
【００２５】
最終増幅段２１３は、前段増幅段２１２の出力をインピーダンス整合回路ＭＮ３を介してゲート端子に受ける電力増幅用ＦＥＴ３１と、該ＦＥＴ３１とカレントミラー接続されたＦＥＴ３２とから構成されており、ＦＥＴ３１のドレイン端子にはインダクタンス素子Ｌ３を介して電源電圧Ｖddが印加されている。バイアス制御回路２１０ｂから供給される制御電流Ｉc3がカレントミラーＦＥＴ３２に流されることによって、この電流と同一もしくは比例したドレイン電流ＩｄがＦＥＴ３１に流されるようにされている。このドレイン電流Ｉｄの大きさによって当該増幅段における高周波信号の増幅度が決定される。１段目と２段目の増幅段２１１、２１２も同様である。
【００２６】
このようにバイアス制御回路２１０ｂが各増幅段２１１〜２１３の制御電流Ｉc1，Ｉc2，Ｉc3によって各段の増幅度を制御することによって、高周波入力信号Ｐｉｎの直流成分をカットし交流成分を所望のレベルまで増幅した信号Ｐｏｕｔが出力端子ＯＵＴより出力される。そして、この実施例においては、上記制御電流Ｉc1，Ｉc2，Ｉc3が、バイアス制御回路２１０ｂによって、出力電力検出回路２２０で検出された出力レベルと出力レベル指示信号Ｖrampとを比較する誤差アンプ２５０の出力電圧Ｖapcに応じて制御される。
【００２７】
出力電力検出回路２２０は、最終段２１３の電力増幅用ＥＦＴ３１のゲート電圧と同一の電圧がゲート端子に印加されるように構成されたＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２１と、電源電圧端子Ｖdd０との間に前記ＭＯＳＦＥＴ２２１と直列に接続されたＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２２２と、該ＭＯＳＦＥＴ２２２と並列に設けられたＭＯＳＦＥＴ２２３と、該ＭＯＳＦＥＴ２２３と直列に接続された電流−電圧変換手段２３０としてのセンス抵抗Ｒｓとからなる。
【００２８】
上記ＭＯＳＦＥＴ２２２はゲートとドレインが結合され、ＭＯＳＦＥＴ２２３はＭＯＳＦＥＴ２２２とゲートが共通に接続されることによりカレントミラー回路を構成している。なお、出力電力検出回路２２０に流れる電流を抑えるため、出力検出用のＭＯＳＦＥＴ２２１は最終段の電力増幅ＥＦＴ３１よりもサイズの小さなものが使用される。そして、上記ＭＯＳＦＥＴ２２１のゲート端子に最終段の電力増幅ＥＦＴ３１のゲート電圧と同一の電圧が印加されることにより、ＦＥＴ３１のドレイン電流に比例した電流がＭＯＳＦＥＴ２２１に流れ、この電流がカレントミラー回路により転写されて抵抗Ｒｓに流される。
【００２９】
従って、抵抗ＲｓとＭＯＳＦＥＴ２２３との接続ノードの電圧Ｖdetは最終段の電力増幅ＥＦＴ３１の電流に比例した電圧となる。本実施例では、この電圧Ｖdetに前記実施例の電源電圧変動検出回路２４０からの補正電圧Ｖcrt1が加算されて誤差アンプ２５０に出力レベルの検出信号としてフィードバックされて、誤差アンプ２５０はこの検出信号とベースバンド部からの出力レベル指示信号Ｖrampとを比較してバイアス制御回路２１０ｂに対する出力制御電圧Ｖapcを生成し、バイアス制御回路２１０ｂに供給されて高周波電力増幅回路２１０ａの各増幅段の制御電流Ｉc1，Ｉc2，Ｉc3が生成される。
【００３０】
バイアス制御回路２１０ｂは、誤差アンプ２５０からの出力制御電圧Ｖapcを分圧する直列抵抗Ｒ１１，Ｒ１２と、該抵抗Ｒ１１，Ｒ１２により生成された電圧Ｖａが非反転入力端子に印加された差動アンプＡＭＰ０と、電源端子と接地点との間に直列に接続されたＭＯＳトランジスタＱ１および抵抗Ｒ１３と、ＭＯＳトランジスタＱ１と同一のゲート電圧をゲートに受けてＱ１のドレイン電流に比例した電流を流すＭＯＳトランジスタＱ２，Ｑ３，Ｑ４とからなる。なお、前記トランジスタＱ１と抵抗Ｒ１３は、差動アンプＡＭＰ０の出力段とみなすことができる。
【００３１】
この実施例のバイアス制御回路２１０ｂは、トランジスタＱ１と抵抗Ｒ１３との接続ノードの電位Ｖ２が差動アンプＡＭＰ０の反転入力端子にフィードバックされることにより、Ｖ２をＶ１に一致させるような電流ＩａがＭＯＳトランジスタＱ１に流される。そして、トランジスタＱ１とＱ２〜Ｑ４のゲート幅が所定のサイズ比となるように形成されることにより、Ｑ２〜Ｑ４にはＩａに比例した電流が流され、この電流が各増幅段２１１〜２１３へバイアス電流Ｉc1〜Ｉc3として供給されるようにされている。
【００３２】
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば実施例においては、最終増幅段の電力増幅ＦＥＴ３１のゲート電圧を出力電力検出回路２２０に伝えて出力電力の大きさを検出するようにした例が示されているが、最終増幅段のＦＥＴ３１のドレイン端子、あるいは高周波電力増幅回路２１０ａの出力端子ＯＵＴまたはＦＥＴ３１のドレイン端子と出力端子ＯＵＴの両方から容量や抵抗等を介して、出力電力検出回路２２０の検出用ＭＯＳトランジスタ２２１のゲートに交流信号を入力して出力電力の大きさを検出するように構成する変形例も考えられる。その場合にも、出力電力検出回路２２０の出力に電源電圧変動検出回路２４０や温度変動検出回路２６０の出力を加算して誤差アンプ２５０へ入力させるようにした前記実施例を適用することができる。
【００３３】
さらに、前記実施例の高周波電力増幅回路では、電力増幅ＦＥＴを３段接続しているが、２段構成としたり、４段以上の構成としても良い。また、実施例では、電力増幅用素子２１１〜２１３として、ＬＤＭＯＳが使用されているが、通常のＣＭＯＳプロセスで形成されるＭＯＳＦＥＴやバイポーラ・トランジスタ、ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）等他のトランジスタを用いても良い。ただし、その場合、検出用トランジスタＱ１や電流−電圧変換用トランジスタＱ２も電力増幅用素子２１１〜２１３と同一構造の素子で構成するのが望ましい。
【００３４】
さらに、前記実施例では、温度変動検出回路２６０の温度検出素子としてサーミスタを使用しているが、サーミスタの代わりにダイオード素子を使用するようにしても良い。また、出力電力検出回路２２０からの検出電圧Ｖdetに電源電圧変動検出回路２４０や温度変動検出回路２６０の出力を加算したものをベースバンド部へ供給して、ベースバンド部側に設けられている誤差アンプ（ＡＰＣ回路）２５０で送信信号を増幅する可変利得アンプの利得を制御する制御電圧Ｖapcを生成するのに用いるようにすることができる。かかる方式は、例えば電力増幅回路２１０のバイアス電圧すなわち利得を固定して入力信号Ｐｉｎの振幅を出力要求レベルに応じて増幅するようなシステムに適用すると有効である。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるＧＳＭ方式による送受信を行なう携帯電話機のような無線通信システムに適用した場合を説明したが、本発明はそれに限定されるものでなく、他の通信方式や、ＧＳＭとＤＣＳの２つの通信方式による送受信が可能なデュアルモードやＧＳＭとＤＣＳとＰＣＳ（Personal Communications System）など３以上の通信方式による送受信が可能なマルチモードの携帯電話機などの無線通信システムに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明を適用した無線通信システムの高周波電力増幅部の第１の実施例を示す回路構成図である。
【図２】本発明を適用した無線通信システムの高周波電力増幅部の第２の実施例を示す回路構成図である。
【図３】本実施例を適用した図１のシステムにおける出力電力Ｐoutの出力偏差を実測した結果を示すグラフである。
【図４】図１のシステムから電源電圧変動検出回路２４０を除いたシステムにおける出力電力Ｐoutの出力偏差を実測した結果を示すグラフである。
【図５】本発明を適用した無線通信システムの高周波電力増幅部の第３の実施例を示す回路構成図である。
【図６】実施例の無線通信システムの高周波電力増幅部と出力電力検出回路の具体的な回路例を示す回路図である。
【符号の説明】
【００３７】
２１０  高周波電力増幅部
２１０ａ  高周波電力増幅回路
２１０ｂ  バイアス制御回路
２１１，２１２，２１３  電力増幅段
２２０  出力電力検出回路
２３０  電流−電圧変換回路
２４０  電源電圧変動検出回路
２５０  誤差アンプ（ＡＰＣ回路）
２６０  温度変動検出回路
【図１】
2005210549.tif 000003
【図２】
2005210549.tif 000004
【図３】
2005210549.tif 000005
【図４】
2005210549.tif 000006
【図５】
2005210549.tif 000007
【図６】
2005210549.tif 000008