(57)【要約】【課題】共振器内にＳＯＡとエタロンとを有するレーザ発光モジュールにおいて、共振器長を短縮することができ、優れた特性を有するレーザ発光モジュールを提供する。【解決手段】下地基板１４と、下地基板１４の主表面上に形成された活性層導波路１８とを有するＳＯＡ１０と、ＳＯＡ１０の一端面側の外部に配置され、一端面から出射される光を反射する反射型波長可変フィルタ１２と、ＳＯＡ１０の他端面に形成され、他端面から出射される光を反射する反射膜３０とを有する共振器と、ＳＯＡ１０と反射型波長可変フィルタ１２との間に配置されたエタロン３６とを有するレーザ発光モジュールにおいて、第１の光入出射面３６ａの法線と下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鋭角となるように、エタロン３６が共振器の光軸に対して傾斜して配置されている。【選択図】  図１
2005123345.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地基板と、前記下地基板の主表面上に形成された活性層導波路とを有する半導体光増幅器と、
前記半導体光増幅器の一端面側の外部に配置され、前記一端面から出射される光を反射する第１の反射手段と、前記半導体増幅器の他端面側に配置され、前記他端面から出射される光を反射する第２の反射手段とを有する共振器と、
前記半導体光増幅器と前記第１の反射手段との間に配置されたエタロンとを有し、
前記エタロンの前記半導体光増幅器側の光入出射面の法線と前記下地基板の前記主表面の法線とのなす角が鋭角となるように、前記エタロンが前記共振器の光軸に対して傾斜して配置されている
ことを特徴とするレーザ発光モジュール。
【請求項２】
下地基板と、前記下地基板の主表面上に形成された活性層導波路とを有する半導体光増幅器と、
前記半導体光増幅器の一端面側の外部に配置され、前記一端面から出射される光を反射する第１の反射手段と、前記半導体増幅器の他端面側に配置され、前記他端面から出射される光を反射する第２の反射手段とを有する共振器と、
前記半導体光増幅器と前記第１の反射手段との間に配置されたエタロンとを有し、
前記エタロンの前記半導体光増幅器側の光入出射面の法線の方向に前記下地基板が位置しないように、前記エタロンが前記共振器の光軸に対して傾斜して配置されている
ことを特徴とするレーザ発光モジュール。
【請求項３】
請求項１又は２記載のレーザ発光モジュールにおいて、
前記エタロンの前記光入出射面は、前記下地基板の前記主表面の法線と前記共振器の前記光軸とを含む平面に対して直交している
ことを特徴とするレーザ発光モジュール。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のレーザ発光モジュールにおいて、
前記第１の反射手段は、前記半導体光増幅器側から入射する光のうち所定の波長の選択光を反射する波長可変フィルタである
ことを特徴とするレーザ発光モジュール。
【請求項５】
請求項４記載のレーザ発光モジュールにおいて、
前記波長可変フィルタは、音響光学波長可変フィルタである
ことを特徴とするレーザ発光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ発光モジュールに係り、特に、共振器内にエタロンを含むレーザ発光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
これまで、大容量光ネットワークシステムにおける送信用光源等として用いられるレーザの一つとして、半導体光増幅器（Semiconductor Optical Amplifier：ＳＯＡ）と波長可変フィルタ及び、一定の周波数間隔で鋭い櫛型の透過ピークを有するエタロンとを組み合わせた波長可変レーザモジュールが知られている（例えば、特許文献１、２を参照）。
【０００３】
図７は、広帯域な利得特性を有するＳＯＡとエタロンとが共振器内に配置された従来の波長可変レーザモジュールの構成を示す平面図である。
【０００４】
図示するように、ＡＳＥ（Amplified Spontaneous Emission）光を発生し、また共振器内部を進行する光を増幅するＳＯＡ１００と、ＳＯＡ１００側から入射する光のうち所定の波長の選択光をＳＯＡ１００側に反射する反射型波長可変フィルタ１０２とが互いに端面が対向するように配置されている。
【０００５】
反射型波長可変フィルタ１０２に対向するＳＯＡ１００の一方の端面には、反射防止膜１０４が形成されている。また、反射型波長可変フィルタ１０２に対向する端面に対向するＳＯＡ１００の他方の端面には、反射膜１０６が形成されている。
【０００６】
こうして、ＳＯＡ１００の端面に形成された反射膜１０６と、反射型波長可変フィルタ１０２とによりレーザの共振器が構成されている。
【０００７】
ＳＯＡ１００と反射型波長可変フィルタ１０２との間の共振器内には、共振器を往復する光のうちＳＯＡ１００側から入射する光を平行光にコリメートして反射型波長可変フィルタ１０２側へ出射し、また、反射型波長可変フィルタ１０２側から入射する光をＳＯＡ１００の活性層導波路に集光して入射するレンズ１１０が配置されている。さらに、レンズ１１０と反射型波長可変フィルタ１０２との間には、一定の周波数間隔で鋭い櫛型の透過ピークを有するエタロン１１２が配置されている。
【０００８】
ＳＯＡ１００において発生するＡＳＥ光のうち、反射型波長可変フィルタ１０２により選択される所定の波長の光が共振器を往復することにより増幅される。
【０００９】
ここで、反射型波長可変フィルタ１０８のフィルタ特性が、ひとつの共振器縦モードを選択できるほど鋭くない場合においても、エタロン１１２が有する鋭い透過特性により、発振する縦モードを単一に選択することが可能となっている。
【００１０】
図７に示すような波長可変レーザモジュールにおいてエタロンを共振器内に挿入するにあたっては、エタロン１１２からの反射光がＳＯＡ１００の活性層導波路に結合することを防止する必要がある。このため、共振器の光軸に対してエタロン１１２を傾斜させて挿入しなければならない。しかしながら、エタロン１１２を傾斜させると、フィネスは小さくなり、また、挿入損失は増大することとなる。
【００１１】
そこで、このようなエタロン１１２の傾斜によるフィネスの低下及び挿入損失の増大を回避するため、ＳＯＡ１００と反射型可変波長フィルタ１０２との間にエタロン１１２を配置する際には、ＳＯＡ１００とエタロン１１２との間の距離を離すことにより、エタロン１１２の傾斜をできるだけ小さく抑えることが行われている。
【特許文献１】特開平４−９９３８９号公報
【特許文献２】特開２００２−２３２０５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述のように、ＳＯＡとエタロンとを組み合わせた図７に示すような従来のレーザ発光モジュールは、エタロンの傾斜によるフィネスの低下及び挿入損失の増大を回避するために、ＳＯＡとエタロンとを近接して配置することが困難であった。このため、その共振器長が長くなってしまっていた。共振器長が長くなると、縦モードの間隔が狭まるため、縦モードの競合が起こりやすくなる。
【００１３】
本発明の目的は、共振器内にＳＯＡとエタロンとを有するレーザ発光モジュールにおいて、共振器長を短縮することができ、優れた特性を有するレーザ発光モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的は、下地基板と、前記下地基板の主表面上に形成された活性層導波路とを有する半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器の一端面側の外部に配置され、前記一端面から出射される光を反射する第１の反射手段と、前記半導体増幅器の他端面側に配置され、前記他端面から出射される光を反射する第２の反射手段とを有する共振器と、前記半導体光増幅器と前記第１の反射手段との間に配置されたエタロンとを有し、前記エタロンの前記半導体光増幅器側の光入出射面の法線と前記下地基板の前記主表面の法線とのなす角が鋭角となるように、前記エタロンが前記共振器の光軸に対して傾斜して配置されていることを特徴とするレーザ発光モジュールにより達成される。
【００１５】
また、上記目的は、下地基板と、前記下地基板の主表面上に形成された活性層導波路とを有する半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器の一端面側の外部に配置され、前記一端面から出射される光を反射する第１の反射手段と、前記半導体増幅器の他端面側に配置され、前記他端面から出射される光を反射する第２の反射手段とを有する共振器と、前記半導体光増幅器と前記第１の反射手段との間に配置されたエタロンとを有し、前記エタロンの前記半導体光増幅器側の光入出射面の法線の方向に前記下地基板が位置しないように、前記エタロンが前記共振器の光軸に対して傾斜して配置されていることを特徴とするレーザ発光モジュールにより達成される。
【発明の効果】
【００１６】
以上の通り、本発明によれば、半導体光増幅器の一端面側の外部に配置され、一端面から出射される光を反射する第１の反射手段と、半導体増幅器の他端面側に配置され、他端面から出射される光を反射する第２の反射手段とを有する共振器と、半導体光増幅器と第１の反射手段との間に配置されたエタロンとを有するレーザ発光モジュールにおいて、エタロンの半導体光増幅器側の光入出射面の法線と下地基板の主表面の法線とのなす角が鋭角となるように、エタロンを共振器の光軸に対して傾斜して配置するので、フィネスの低下及び挿入損失の増大を伴うことなくエタロンでの反射光の影響を除去することができる。これにより、エタロンを半導体光増幅器の近傍に配置することが可能となり、レーザの共振器長を短縮することができる。
【００１７】
また、本発明によれば、波長可変フィルタとして反射型の音響光学波長可変フィルタを用いるので、組立時の工程を簡略化し、また、光学部品点数が減らすことができ、コストを削減することができる。さらに、不要となる光学系の分だけ共振器損失を低減することができるため、レーザ発振の諸特性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態によるレーザ発光モジュールについて図１乃至図３を用いて説明する。図１は本実施形態によるレーザ発光モジュールの構造を示す概略図、図２は本実施形態によるレーザ発光モジュールにおけるエタロンの傾斜を説明する図、図３はエタロンの傾斜角に対するＳＯＡの反射膜側からの出力の依存性を示すグラフ、図４はＳＯＡ側に向かうエタロン表面での反射光を示す側面図である。
【００１９】
まず、本実施形態によるレーザ発光モジュールの構造について図１乃至３を用いて説明する。図１（ａ）は本実施形態によるレーザ発光モジュールの構造を示す平面図、図１（ｂ）は本実施形態によるレーザ発光モジュールの構造を示す側面図である。
【００２０】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、ＡＳＥ光を発生し、また内部を進行する光を増幅するＳＯＡ１０と、ＳＯＡ１０側から入射する光のうち所定の波長の選択光をＳＯＡ１０側に反射する反射型波長可変フィルタ１２とが互いに端面が対向するように配置されている。
【００２１】
ＳＯＡ１０の積層構造は、図１（ｂ）に示すような構造を有している。例えばｎ型ＩｎＰよりなる下地基板１４の主表面上に、例えばｎ型ＩｎＰよりなるバッファ層１６と、例えば１．５５μｍ帯多重量子井戸（ＭＱＷ）構造の活性層導波路１８と、例えばｐ型ＩｎＰよりなるクラッド層２０とが順次積層されている。クラッド層２０上には、ｐ型コンタクト層（図示せず）とｐ側電極２２とが順次形成されている。下地基板１４の下面には、ｎ側電極２４が形成されている。ＳＯＡ１０の厚さすなわちｎ側電極２４下面からｐ側電極２２上面までの厚さは、例えば１００μｍとなっている。また、活性層導波路１８は、ｐ側電極２２上面から例えば５μｍ程度の位置に形成されている。このような積層構造を有するＳＯＡ１０は、ＳＯＡ１０を冷却するためのヒートシンク２６上に載置されている。
【００２２】
反射型波長可変フィルタ１２に対向するＳＯＡ１０の一方の端面には、反射防止膜２８が形成されている。また、反射型波長可変フィルタ１２に対向する端面に対向するＳＯＡ１０の他方の端面には、反射膜３０が形成されている。
【００２３】
こうして、ＳＯＡ１０の端面に形成された反射膜３０と、反射型波長可変フィルタ１２とによりレーザの共振器が構成されている。
【００２４】
ＳＯＡ１０と反射型波長可変フィルタ１２との間の共振器内には、共振器を往復する光のうちＳＯＡ１０側から入射する光を平行光にコリメートして反射型波長可変フィルタ１２側へ出射し、また反射型波長可変フィルタ１２側から入射する光をＳＯＡ１０の活性層導波路２８に集光して入射するレンズ３４が配置されている。さらに、レンズ３４と反射型波長可変フィルタ１２との間には、一定の周波数間隔で鋭い櫛型の透過ピークを有するエタロン３６が配置されている。エタロン３６は、例えば光学ガラス、石英ガラス等よりなる平行平板状のものであり、ＳＯＡ１０側からの光が入射し反射型波長可変フィルタ１２側からの光が出射する第１の光入出射面３６ａと、ＳＯＡ１０側からの光が出射し反射型波長可変フィルタ１２側からの光が入射する第１の光入出射面３６ａにほぼ平行に対向する第２の光入出射面３６ｂとを有している。
【００２５】
エタロン３６は、ＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鋭角となる方向（図１（ｂ）中＋θｙ方向）に、レーザの共振器の光軸に対して傾斜した状態で配置されている。換言すると、エタロン１０のＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線の方向にＳＯＡ１０の下地基板１４が位置しないように、エタロン３６がレーザの共振器の光軸に対して傾斜した状態で配置されている。このような傾斜により、エタロン３６の第１の光入出射面３６ａでの反射光が、活性層導波路１８に対して下地基板１４と反対の方向に進行するようになっている。なお、エタロン３６は、ＳＯＡ１０の下地基板１４と水平な方向（図１（ａ）中±θｘ方向）の傾斜はゼロとなっている。すなわち、エタロン３６のＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａは、ＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とレーザの共振器の光軸とを含む平面に対して直交している。エタロン３６の傾斜角の設定については以下に詳述する。
【００２６】
こうして、本実施形態によるレーザ発光モジュールが構成されている。
【００２７】
本実施形態によるレーザ発光モジュールは、エタロン３６のＳＯＡ１０側表面での反射光が、活性層導波路１８に対して下地基板１４とは反対の方向に進行するように、ＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鋭角となる方向に、レーザの共振器の光軸に対して傾斜した状態でエタロン３６が配置されていることに主たる特徴がある。すなわち、エタロン１０のＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線の方向には、ＳＯＡ１０の下地基板１４は配置されていないことに主たる特徴がある。
【００２８】
本願発明者等は、エタロン３６を、ＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鋭角となる方向に傾斜した状態で配置することにより、エタロン３６がＳＯＡ１０近傍に配置された場合においても、傾きを小さく抑えつつエタロン３６表面での反射の影響を抑えることができることを実験的に確認している。
【００２９】
図２は、ＳＯＡ１０、レンズ３４、及びエタロン３６近傍の側面図である。ＳＯＡ１０の反射防止膜２８が形成された端面から出射したＡＳＥ光は、レンズ３４により平行光にコリメートされてエタロン３６に入射する。ここで、エタロン３６での反射光がＳＯＡ１０に影響を及ぼさない場合、ＳＯＡ１０の反射膜３０が形成された端面からはＡＳＥ光のみが出射する。一方、エタロン３６での反射光がＳＯＡ１０に影響を及ぼす場合、反射光成分もＳＯＡ１０により増幅される。このため、ＳＯＡ１０の反射膜３０が形成された端面からの光出力Ｐｆは、ＡＳＥ光のみが出射される場合と比較して増大することとなる。
【００３０】
そこで、ＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鋭角又は鈍角となる方向（図１（ｂ）及び図３中に示す±θｙ方向）にエタロン３６を傾斜させながら、光出力Ｐｆを検出してエタロン３６での反射光のＳＯＡ１０に対する影響の有無を調べた。なお、レンズ３４とエタロン３６との間の距離は約２ｍｍに設定されている。また、下地基板１４と水平な方向（図１（ａ）に示す±θｘ方向）でのエタロン３６の傾きはゼロに設定されている。すなわち、エタロン１０のＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａは、ＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とレーザの共振器の光軸とを含む平面に対して直交した状態となっている。
【００３１】
図３は上記の実験結果を示すグラフである。横軸はエタロン３６の傾斜角θｙ、縦軸は検出された光出力Ｐｆを示している。
【００３２】
ＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鈍角となる方向（−θｙ方向）にエタロン３６を傾斜させた場合、図３のグラフから次のことがいえる。すなわち、エタロン３６の傾斜を大きくしても、エタロン３６での反射光がＳＯＡ１０により増幅されＡＳＥ光のみの場合よりも大きい光出力Ｐｆが測定されている。
【００３３】
これに対して、ＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鋭角となる方向（＋θｙ方向）にエタロン３６を傾斜させた場合、図３のグラフから次のことがいえる。すなわち、エタロン３６の傾斜の角度、すなわち第１の光入出射面３６ａの法線とレーザの共振器の光軸とのなす角度を約０．２５°以上にすることにより、図３のグラフ中点線で示すエタロンが挿入されていない場合の光出力Ｐｆレベルとほぼ同レベルの光出力Ｐｆが測定されている。
【００３４】
図４は、ＳＯＡ１０側に向かうエタロン３６での反射光を示す側面図である。図中×を付した矢印は、ＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鈍角となる方向（−θｙ方向）にエタロン３６を傾斜させた場合の反射光の進行方向を示している。また、図中○を付した矢印は、ＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鋭角となる方向（＋θｙ方向）にエタロン３６を傾斜させた場合の反射光の進行方向を示している。
【００３５】
−θｙ方向にエタロン３６を傾斜させた場合、エタロン３６での反射光は、図４に示す×を付した矢印のように、ＳＯＡ１０の活性層導波路１８に対して下地基板１４側の位置に向けて進行する。さらに、このような場合には、例えばｎ側電極２４と下地基板１４との界面等のＳＯＡ１０中の界面や、ヒートシンク２６とＳＯＡ１０のｎ側電極２４との界面で反射され、この反射光が活性層導波路１８に結合してしまう。このため、上記の実験において、ＡＳＥ光のみの場合よりも大きい光出力Ｐｆが測定されている。したがって、−θｙ方向にエタロン３６を傾斜させる場合にＳＯＡ１０中の界面等での反射光が活性層導波路１８に結合するのを防止するためには、エタロン３６を傾ける角度を更に大きくしなければならない。しかしその場合には、フィネスは低下し、挿入損失は増大してしまうこととなる。
【００３６】
一方、＋θｙ方向にエタロン３６を傾斜させた場合、エタロン３６での反射光は、図４に示す○を付した矢印のように、ＳＯＡ１０の活性層導波路１８に対して下地基板１４の反対側の位置に向けて進行する。ここで、ＳＯＡ１０の厚さは例えば約１００μｍ程度であるのに対して、活性層導波路１８は下地基板１４に対して反対側の表面から例えばわずか５μｍ程度の位置にある。したがって、＋θｙ方向にエタロン３６を僅かに傾斜させることで、エタロン３６での反射光が活性層導波路１８に結合するのを防止することができる。このため、上記の実験において、＋θｙ方向に０．２５°程度の僅かな角度でエタロン３６を傾斜させることにより、エタロンが挿入されていない場合の光出力Ｐｆレベルとほぼ同レベルの光出力Ｐｆが測定されている。この測定結果は、０．２５°程度の僅かな傾きでエタロン３６での反射光のＳＯＡ１０に対する影響を除去することができることを示している。
【００３７】
なお、θｙ方向の傾斜角をゼロに固定して±θｘ方向にエタロン３６を傾斜させた場合は、−θｙ方向に傾けた場合と同様にエタロン３６表面での反射の影響を除去することが困難であることが確認されている。
【００３８】
以上の結果が示すように、ＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鋭角となる方向（＋θｙ方向）にエタロン３６を傾斜させることにより、僅かな傾斜角度でエタロン３６での反射光の影響を除去することができる。これにより、エタロン３６をＳＯＡ１０近傍に配置することが可能となる。
【００３９】
本実施形態によるレーザ発光モジュールは、上述の知見に基づき、エタロン３６のＳＯＡ１０側表面での反射光が、活性層導波路１８に対して下地基板１４とは反対の方向に進行するように、ＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鋭角となる方向に傾斜した状態でエタロン３６を配置することにより、フィネスの低下及び挿入損失の増大を伴うことなくエタロン３６での反射光の影響を除去し、エタロン３６をＳＯＡ１０近傍に配置することを可能とするものである。これにより、エタロン３６が挿入されるＳＯＡ１０と反射型波長可変フィルタ１２との間の距離すなわち共振器長を短縮することができ、レーザ全長を短縮することが可能となる。
【００４０】
なお、エタロン３６の第１の光入出射面３６ａの法線とレーザの共振器の光軸とのなす角度は、反射光の影響を除去するためには、上記実験結果により例えば０．２５°程度で十分である。
【００４１】
次に、本実施形態によるレーザ発光モジュールの動作について図１を用いて説明する。
【００４２】
ｐ側電極２２及びｎ側電極２４により活性層導波路１８に電流を注入することによりＳＯＡ１０の活性層導波路１８内において発生したＡＳＥ光は、反射防止膜２８が形成された端面又は反射膜３０が形成された端面に向けて進行する。反射膜３０では、一部のＡＳＥ光が反射され、この反射光は、反射防止膜２８が形成された端面に向けて進行する。
【００４３】
こうして反射防止膜２８が形成された端面に向かって進行するＡＳＥ光は、反射防止膜２８が形成された端面から出射される。
【００４４】
ＳＯＡ１０の反射防止膜２８が形成された端面から出射されたＡＳＥ光は、レンズ３４により平行光にコリメートされる。レンズ３４により平行光にコリメートされたＡＳＥ光は、エタロン３６を透過した後、反射型波長可変フィルタ１２に入射する。ＡＳＥ光がエタロン３６を透過する際、エタロン３６は第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鋭角となる方向に傾斜した状態で配置されているため、エタロン３６での反射光がＳＯＡ１０の活性層導波路１８に結合することはない。
【００４５】
反射型波長可変フィルタ１２では、入射したＡＳＥ光のうち、所定の波長の選択光のみが反射され、ＳＯＡ１０に向けて進行する。反射型波長可変フィルタ１２により反射する選択光の波長を制御することにより、レーザの発振波長を制御することができる。
【００４６】
反射型波長可変フィルタ１２により反射された選択光は、エタロン３６を透過した後、レンズ３４により集光されＳＯＡ１０の活性層導波路１８に入射される。
【００４７】
活性層導波路１８に入射された選択光は、活性層導波路１８内を進行することにより増幅された後、その一部が反射膜３０により反射される。この反射光は、ＳＯＡ１０の反射防止膜２８が形成された端面より再び出射される。
【００４８】
こうして、反射型波長可変フィルタ１２により選択された所定の波長の選択光は、ＳＯＡ１０の反射膜３０と反射型波長可変フィルタ１２とにより構成される共振器間を往復する。このとき、選択光は、ＳＯＡ１０の活性層導波路１８内を進行する間に増幅される。こうしてレーザ発振が得られる。このレーザ発振は、共振器内に挿入されたエタロン３６の透過特性により、単一の縦モード発振となる。
【００４９】
こうして得られたレーザ光は、ＳＯＡ１０の反射膜３０が形成された端面から出射される。
【００５０】
このように、本実施形態によれば、ＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鋭角となるように、レーザの共振器の光軸に対して傾斜した状態でエタロン３６を配置するので、フィネスの低下及び挿入損失の増大を伴うことなくエタロン３６での反射光の影響を除去し、エタロン３６をＳＯＡ１０近傍に配置することを可能となる。これにより、エタロン３６が挿入されるＳＯＡ１０と反射型波長可変フィルタとの間の距離すなわち共振器長を短縮することができ、レーザ全長を短縮することが可能となる。
【００５１】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態によるレーザ発光モジュールについて図５及び図６を用いて説明する。図５は波長可変フィルタとしてＡＯＴＦを用いたＳＯＡとエタロンとを有するレーザ発光モジュールの構造を示す平面図、図６は本実施形態によるレーザ発光モジュールの構造を示す概略図である。なお、第１実施形態によるレーザ発光モジュールと同一の構成要素には、同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
【００５２】
本実施形態によるレーザ発光モジュールの基本的構成は、第１実施形態によるレーザ発光モジュールとほぼ同様である。本実施形態によるレーザ発光モジュールは、第１実施形態によるレーザ発光モジュールにおける反射型波長可変フィルタ１２として、音響光学効果により入射光の波長選択を行う音響光学波長可変フィルタ（Acousto-Optic Tunable Filter：ＡＯＴＦ）を用いたものである。
【００５３】
これまで、ＳＯＡとエタロンとを共振器内に含むレーザ発光モジュールにおいて、波長可変フィルタとしてＡＯＴＦを用いたものが知られている。図５は波長可変フィルタとしてＡＯＴＦを用いたレーザ発光モジュールの構造を示す平面図である。ＡＯＴＦは透過型の構造とすることが可能であるため、このレーザ発光モジュールにおいては、ＳＯＡとエタロンとの間に透過型ＡＯＴＦが配置されている。
【００５４】
図５に示すように、ＳＯＡ１０の一方の端面に対して、ミラー３８が対向して配置されている。ミラー３８に対向するＳＯＡ１０の一方の端面には、反射防止膜２８が形成されている。ミラー３８に対向する端面に対向するＳＯＡ１０の他方の端面には、反射膜３０が形成されている。ＳＯＡ１０の反射膜３０とミラー３８とによりレーザの共振器が構成されている。
【００５５】
ＳＯＡ１０とミラー３８との間には、エタロン３６が配置されている。
【００５６】
ＳＯＡ１０とエタロン３６との間には、所定の波長の選択光を透過する波長可変フィルタとしての透過型ＡＯＴＦ４０が配置されている。
【００５７】
ＳＯＡ１０と透過型ＡＯＴＦ４０との間には、ＳＯＡ１０の活性層導波路と透過型ＡＯＴＦ４０の一方のポートとを光結合するためのレンズ群（レンズ４２、４４）が配置されている。
【００５８】
透過型ＡＯＴＦ４０の他方のポートとエタロン３６との間には、透過型ＡＯＴＦ４０の他方のポートから出射される光を平行光にコリメートしてエタロン３８側に出射し、また、ミラー３８により反射されエタロン３６を透過した光を集光して透過型ＡＯＴＦ４０のポートに集光して入射するレンズ４６が配置されている。
【００５９】
上述のようにＳＯＡ１０とエタロン３６との間に透過型ＡＯＴＦ４０を挿入することにより、ＳＯＡ１０とエタロン３６とを離れた距離に配置することができる。例えば、ＳＯＡ１０とエタロン３６との間の距離を例えばおよそ５０ｍｍとすることができる。このため、エタロン３６での反射光が共振器に結合しないようにするために要するエタロン３６を傾斜角度は０．３°程度の微小なものでよい。これにより、エタロン３６の傾斜によるフィネスの低下及び挿入損失の増大を抑制することが可能となる。
【００６０】
しかしながら、図５に示す透過型ＡＯＴＦ４０がＳＯＡ１０とエタロン３６との間に配置されたレーザ発光モジュールにおいては、その各構成要素を組み立てる際、まず、ＳＯＡ１０と透過型ＡＯＴＦ４０との結合を調整する工程が必要となる。さらに、透過型ＡＯＴＦ４０による選択光をコリメートするレンズ４６と、共振器端として用いるミラー３８からなる光学系とを調整する工程が必要となる。このため、図５に示すレーザ発光モジュールは、組立に時間を要しコストが増大してしまうという難点がある。また、光学部品の点数が多いこともコスト増大の要因となる。さらに、これらの光学系を往復する際に生じる損失の分だけ全共振器損失が増大する。共振器損失が増大すると、発振閾値電流も増大するなど、レーザの諸特性が劣化する。
【００６１】
上述の透過型ＡＯＴＦを用いたレーザ発光モジュールに対して、本実施形態によるレーザ発光モジュールは、透過型ＡＯＴＦに代えて反射型ＡＯＴＦを波長可変フィルタとして用いることにより、組立時の工程を簡略化するとともに光学部品点数を減らしてコストの削減を図り、また、共振器損失を低減して優れたレーザ特性を実現するものである。以下、本実施形態によるレーザ発光モジュールについて詳述する。
【００６２】
まず、本実施形態によるレーザ発光モジュールの構造について図６を用いて説明する。図６（ａ）は本実施形態によるレーザ発光モジュールの構造を示す平面図、図６（ｂ）は本実施形態によるレーザ発光モジュールの構造を示す側面図である。
【００６３】
図６（ａ）及び図（ｂ）に示すように、ＳＯＡ１０と、ＳＯＡ１０側から入射する光のうち所定の波長の選択光をＳＯＡ１０側に出射する反射型波長可変フィルタとしての反射型ＡＯＴＦ４８が互いに端面が対向するように配置されている。ＳＯＡ１０と反射型ＡＯＴＦ４８との間には、第１実施形態によるレーザ発光モジュールと同様にＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鋭角となるように、レーザの共振器の光軸に対して傾斜した状態でエタロン３６が配置されている。
【００６４】
ＳＯＡ１０とエタロン３６との間には、ＳＯＡ１０側から入射する光を平行光にコリメートしてエタロン３６側へ出射し、また、エタロン３６側から入射する光をＳＯＡ１０の活性層導波路１８に集光して入射するレンズ５０が配置されている。
【００６５】
エタロン３６と反射型ＡＯＴＦ４８との間には、エタロン３６側から入射する光を反射型ＡＯＴＦ４８の一方のポートに集光して入射し、また、反射型ＡＯＴＦ４８の一方のポートから出射される光を平行光にコリメートしてエタロン３６側に出射するレンズ５２が配置されている。
【００６６】
ここで、反射型ＡＯＴＦ４８の構造について図６（ａ）を用いて説明する。
【００６７】
基板５４上の中央付近に、モード分岐器としての偏光ビームスプリッタ（Polarization Beam Splitter：ＰＢＳ）５６が設けられている。ＰＢＳ５６のＳＯＡ１０側には、基板５４上に互いに並行に形成された光導波路５８ａ、５８ｂがそれぞれ形成されている。光導波路５８ａ、５８ｂの端部は、それぞれ基板５４のＳＯＡ１０に対向する一端に位置している。ＰＢＳ５６のＳＯＡ１０と反対側には、基板５４上に互いに並行に形成された光導波路６０ａ、６０ｂがそれぞれ形成されている。光導波路の端部６０ａ、６０ｂは、それぞれ基板５４の他端に位置している。
【００６８】
光導波路５８ａには、モード分岐器としてのＰＢＳ６２が設けられており、光導波路５８ａの基板５４の一端側部分と他端側部分とが、ＰＢＳ６２の互いにクロス側に位置するようにそれぞれ形成されている。
【００６９】
さらに、ＰＢＳ６２とＰＢＳ５６との間の光導波路５８ａ上には、所定の周波数の表面弾性波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）を発生する櫛型電極６４と、櫛型電極６４により発生したＳＡＷを光導波路５８ａに沿って伝搬させるためのＳＡＷガイド６６とが設けられている。櫛型電極６４には、櫛型電極６４にＲＦ信号を印加する交流電源６８が接続されている。こうして、櫛型電極６４とＳＡＷガイド６６とにより、所定の波長を中心とした光成分をモード変換するモード変換部７０が構成されている。
【００７０】
また、光導波路６０ａには、所定の周波数のＳＡＷを発生する櫛型電極７２と、櫛型電極７２により発生したＳＡＷを光導波路６０ａに沿って伝搬させるためのＳＡＷガイド７４とが設けられている。櫛型電極７２には、櫛型電極７２にＲＦ信号を印加する交流電源６８が接続されている。こうして、櫛型電極７２とＳＡＷガイド７４とにより、所定の波長を中心とした光成分をモード変換するモード変換部７６が構成されている。
【００７１】
さらに、モード変換部７６と基板５４の他端との間の光導波路６０ａには、モード分岐器としてのＰＢＳ７８が設けられており、光導波路６０ａの基板５４の一端側部分と他端側部分とが、ＰＢＳ７８の互いにクロス側に位置するようにそれぞれ形成されている。ＰＢＳ７８の基板５４の他端側の他方には、基板５４上に形成された光導波路７９の一端が接続されている。光導波路７９の他端は、基板５４の他端に位置しており、選択された所定の波長の選択光以外の非選択光が出力される非選択光ポートＰｕ１となっている。
【００７２】
基板５４の他端に位置する光導波路６０ａの端部は、選択された所定の波長の選択光が出力される選択光ポートＰｓとなっており、その端面には、出力される選択光を反射する反射膜８０が形成されている。
【００７３】
一方、基板５４の他端に位置する光導波路６０ｂの端部は、選択された所定の波長の選択光以外の非選択光が出力される非選択光ポートＰｕ２となっている。
【００７４】
上述の構造を有する反射型ＡＯＴＦ４８に対して、ＳＯＡ１０側からの光は、ＰＢＳ６２及びモード変換部７０が設けられた光導波路５８ａの一端に入射されるようになっている。ＳＯＡ１０の反射膜３０と、光導波路６０ａの端部に設けられた反射膜８０とにより、レーザの共振器が構成されている。
【００７５】
こうして、本実施形態によるレーザ発光モジュールが構成されている。
【００７６】
本実施形態によるレーザ発光モジュールは、第１実施形態によるレーザ発光モジュールと同様にＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鋭角となるように、レーザの共振器の光軸に対して傾斜した状態で配置されたエタロン３６を有し、さらに、所定の波長の選択光を選択する波長可変フィルタとして反射型ＡＯＴＦ４８を有することに主たる特徴がある。
【００７７】
第１実施形態によるレーザ発光モジュールと同様にＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鋭角となる方向に傾斜した状態でエタロン３６を配置することにより、フィネスの低下及び挿入損失の増大を伴うことなくエタロン３６での反射光の影響を除去し、エタロン３６をＳＯＡ１０近傍に配置することが可能となる。これにより、エタロン３６が挿入されるＳＯＡ１０と反射型ＡＯＴＦ４８との間の距離すなわち共振器長を短縮することができ、レーザ全長を短縮することが可能となる。
【００７８】
さらに、波長可変フィルタとして図５に示す透過型ＡＯＴＦ４０に代えて反射型ＡＯＴＦ４８を用いることにより、透過型ＡＯＴＦ４０を用いた場合に要した選択光をコリメートするためのレンズ４６と共振器端となるミラー３８とを省略することができる。したがって、組立時の光軸調整においては、ＳＯＡ１０と反射型ＡＯＴＦ４８との結合を調整するだけでよい。このため、図５に示す透過型ＡＯＴＦ４０を用いた場合と比較して、組立時の工程が簡略化され、また、光学部品点数が減るのでコストを削減することができる。さらに、不要となる光学系の分だけ共振器損失を低減することができるため、発振閾値電流が低減されるなど、レーザ発振の諸特性を向上することができる。
【００７９】
次に、本実施形態によるレーザ発光モジュールの動作について図６を用いて説明する。
【００８０】
第１実施形態によるレーザ発光モジュールと同様に、ＳＯＡ１０の反射防止膜２８が形成された端面から出射されたＡＳＥ光は、レンズ３４により平行光にコリメートされた後、エタロン３６を透過する。このとき、第１実施形態によるレーザ発光モジュールと同様に、エタロン３６はＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鋭角となる方向に傾斜した状態で配置されているため、エタロン３６での反射光がＳＯＡ１０の活性層導波路１８に結合することはない。
【００８１】
エタロン３６を透過したＡＳＥ光は、レンズ５２により集光され、反射型ＡＯＴＦ４８の光導波路５８ａの一端に入射される。
【００８２】
光導波路５８ａに入射された光は、まずＰＢＳ６２を通過し、ＴＥモード成分のみがモード変換部７０に導かれる。
【００８３】
モード変換部７０においては、櫛型電極６４にＲＦ信号を印加することにより、ＲＦ信号の周波数に対応する周波数のＳＡＷが発生する。発生したＳＡＷは、ＳＡＷガイド６６により光導波路５８ａに沿って伝搬する。このＳＡＷガイド６６を伝搬するＳＡＷと光導波路５８ａを伝搬する光とが相互作用し、所定の波長を中心とした成分がＴＭモードに変換される。
【００８４】
ＴＭモードに変換された光成分は、ＰＢＳ５６により光導波路６０ａのモード変換部７６に導かれる。一方、ＴＭモードに変換されない光成分は、ＰＢＳ５６により光導波路６０ｂに導かれ、非選択光ポートＰｕ２である光導波路６０ｂの端部から出射される。
【００８５】
モード変換部７６においては、櫛型電極７２にＲＦ信号を印加することにより、ＲＦ信号の周波数に対応する周波数のＳＡＷが発生する。発生したＳＡＷは、ＳＡＷガイド７４により光導波路６０ａに沿って伝搬する。このＳＡＷガイド７４を伝搬するＳＡＷと光導波路６０ａを伝搬する光とが相互作用し、前段のモード変換部７０において選択された所定の波長を中心として更に狭い波長帯域の成分が、今度はＴＥモードに変換される。ここで、櫛型電極６４、７２に印加するＲＦ信号の周波数を適宜制御することにより、モード変換部７０、７６によりモード変換される波長成分を制御することができ、レーザの発振波長を制御することができる。
【００８６】
モード変換部７６においてＴＥモードに変換された光成分は、ＰＢＳ７８により、反射膜８０が形成された選択光ポートＰｓである光導波路６０ａ端部に分離される。一方、ＴＥモードに変換されない光成分は、ＰＢＳ７８により非選択光ポートＰｕ１である光導波路７９の端部から出射される。
【００８７】
こうして、ＳＯＡ１０から入射した光のうち、所定の波長の選択光成分と、非選択光成分とが別々のポートに分離される。なお、非選択光ポートＰｕ２である光導波路６０ｂの端部は、ＲＦ信号を櫛型電極６４、７２に印加しない場合にＳＯＡ１０からの入射光がそのまま出射されるポートである。この光導波路６０ｂの端部から出射される光はＳＯＡ１０と反射型ＡＯＴＦ４８の光軸調整の際にモニタ光として利用される。
【００８８】
ここで、ＳＡＷガイド６６、７４を直列２段の構成にしているのは、ＴＥ／ＴＭモード変換における周波数シフトをキャンセルするためである。
【００８９】
選択光ポートＰｓである光導波路６０ａ端部に分離された所定の波長の選択光は、反射膜８０により反射される。反射膜８０により反射された選択光は、伝搬してきた光導波路６０ａ、５８ａを逆方向に伝搬し、光導波路５８ａの端部からＳＯＡ１０側に出射される。
【００９０】
光導波路５８ａの端部から出射された選択光は、レンズ５２により平行光にコリメートされてからエタロン３６を透過した後、レンズ５０により集光され、ＳＯＡ１０の活性層導波路１８に入射される。
【００９１】
活性層導波路１８に入射された選択光は、活性層導波路１８内を進行することにより増幅された後、その一部が反射膜３０により反射される。この反射光は、ＳＯＡ１０の反射防止膜２８が形成された端面から再び出射される。
【００９２】
ＳＯＡ１０から再び出射された光は反射型ＡＯＴＦ４８に入射され、反射型ＡＯＴＦ４８では、上記と同様にして所定の波長の選択が行われる。
【００９３】
こうして、反射型ＡＯＴＦ４８により選択された所定の波長の選択光は、ＳＯＡ１０の反射膜３０と反射型ＡＯＴＦ４８の光導波路６０ａの端部に形成された反射膜８０とにより構成される共振器間を往復する。このとき、選択光は、ＳＯＡ１０の活性層導波路１８内を進行する間に増幅される。こうしてレーザ発振が得られる。このレーザ発振は、共振器内に挿入されたエタロン３６の透過特性により、単一の縦モード発振となる。
【００９４】
このように、本実施形態によれば、ＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鋭角となるように、レーザの共振器の光軸に対して傾斜した状態でエタロン３６を配置するので、フィネスの低下及び挿入損失の増大を伴うことなくエタロン３６での反射光の影響を除去し、エタロン３６をＳＯＡ１０近傍に配置することを可能となる。これにより、エタロン３６が挿入されるＳＯＡ１０と反射型波長可変フィルタとの間の距離すなわち共振器長を短縮することができ、レーザ全長を短縮することが可能となる。
【００９５】
さらに、本実施形態によれば、波長可変フィルタとして反射型ＡＯＴＦ４８を用いるので、組立時の工程を簡略化し、また、光学部品点数が減らすことができ、コストを削減することができる。さらに、不要となる光学系の分だけ共振器損失を低減することができるため、レーザ発振の諸特性を向上することができる。
【００９６】
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【００９７】
例えば、上記実施形態では、波長可変フィルタとしてＡＯＴＦを用いる場合を例に説明したが、ＡＯＴＦのみならず種々の波長可変フィルタを本発明に適用することができる。
【００９８】
また、上記実施形態では、エタロン３６のＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａが、ＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とレーザの共振器の光軸とを含む平面に対して直交している場合について説明したが、必ずしも直交する場合に限定されるものではなく、第１の光入出射面３６ａと、ＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とレーザの共振器の光軸とを含む平面とが９０°以外の所定の角度で交差していてもよい。
【００９９】
また、上記実施形態では、ｎ側電極２４をヒートシンク２６側に向けてＳＯＡ１０がヒートシンク２６上に載置されている場合について説明したが、ＳＯＡ１０は、ｐ側電極２２をヒートシンク２６側に向けてヒートシンク２６上に載置されていてもよい。この場合においても、エタロン３６については、ＳＯＡ１０の下地基板１４を基準として、ＳＯＡ１０側の第１の光入出射面３６ａの法線とＳＯＡ１０の下地基板１４の主表面の法線とのなす角が鋭角となる方向に傾斜した状態で配置すればよい。
【０１００】
（付記１）
下地基板と、前記下地基板の主表面上に形成された活性層導波路とを有する半導体光増幅器と、
前記半導体光増幅器の一端面側の外部に配置され、前記一端面から出射される光を反射する第１の反射手段と、前記半導体増幅器の他端面側に配置され、前記他端面から出射される光を反射する第２の反射手段とを有する共振器と、
前記半導体光増幅器と前記第１の反射手段との間に配置されたエタロンとを有し、
前記エタロンの前記半導体光増幅器側の光入出射面の法線と前記下地基板の前記主表面の法線とのなす角が鋭角となるように、前記エタロンが前記共振器の光軸に対して傾斜して配置されている
ことを特徴とするレーザ発光モジュール。
【０１０１】
（付記２）
下地基板と、前記下地基板の主表面上に形成された活性層導波路とを有する半導体光増幅器と、
前記半導体光増幅器の一端面側の外部に配置され、前記一端面から出射される光を反射する第１の反射手段と、前記半導体増幅器の他端面側に配置され、前記他端面から出射される光を反射する第２の反射手段とを有する共振器と、
前記半導体光増幅器と前記第１の反射手段との間に配置されたエタロンとを有し、
前記エタロンの前記半導体光増幅器側の光入出射面の法線の方向に前記下地基板が位置しないように、前記エタロンが前記共振器の光軸に対して傾斜して配置されている
ことを特徴とするレーザ発光モジュール。
【０１０２】
（付記３）
付記１又は２記載のレーザ発光モジュールにおいて、
前記エタロンの前記光入出射面は、前記下地基板の前記主表面の法線と前記共振器の前記光軸とを含む平面に対して直交している
ことを特徴とするレーザ発光モジュール。
【０１０３】
（付記４）
付記１乃至３のいずれかに記載のレーザ発光モジュールにおいて、
前記第１の反射手段は、前記半導体光増幅器側から入射する光のうち所定の波長の選択光を反射する波長可変フィルタである
ことを特徴とするレーザ発光モジュール。
【０１０４】
（付記５）
付記４記載のレーザ発光モジュールにおいて、
前記波長可変フィルタは、音響光学波長可変フィルタである
ことを特徴とするレーザ発光モジュール。
【０１０５】
（付記６）
付記５記載のレーザ発光モジュールにおいて、
前記音響光学波長可変フィルタは、前記半導体光増幅器から光が入力される第１のポートと、前記選択光が出力される第２のポートと、前記第２のポートの端面に形成され、前記選択光を反射する反射膜とを有し、
前記選択光は、前記第１のポートから出力される
ことを特徴とするレーザ発光モジュール。
【０１０６】
（付記７）
付記１乃至６のいずれかに記載のレーザ発光モジュールにおいて、
前記第２の反射手段は、前記半導体光増幅器の前記他端面に形成された反射膜である
ことを特徴とするレーザ発光モジュール。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の第１実施形態によるレーザ発光モジュールの構造を示す概略図である。
【図２】本発明の第１実施形態によるレーザ発光モジュールにおけるエタロンの傾斜を説明する図である。
【図３】ＳＯＡからの光出力のエタロンの傾斜角に対する依存性を示すグラフである。
【図４】ＳＯＡの積層構造及びエタロンからの反射光を示す側面図である。
【図５】波長可変フィルタとして透過型ＡＯＴＦを用いたＳＯＡとエタロンとを有するレーザ発光モジュールの構造を示す平面図である。
【図６】本発明の第２実施形態によるレーザ発光モジュールの構造を示す概略図である。
【図７】ＳＯＡとエタロンとを共振器内に含む従来のレーザ発光モジュールの構造を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１０…ＳＯＡ
１２…反射型波長可変フィルタ
１４…下地基板
１６…バッファ層
１８…活性層導波路
２０…クラッド層
２２…ｐ側電極
２４…ｎ側電極
２６…ヒートシンク
２８…反射防止膜
３０…反射膜
３４…レンズ
３６…エタロン
３６ａ…第１の光入出射面
３６ｂ…第２の光入出射面
３８…ミラー
４０…透過型ＡＯＴＦ
４２、４４、４６…レンズ
４８…反射型ＡＯＴＦ
５０、５２…レンズ
５４…基板
５６…ＰＢＳ
５８ａ、５８ｂ…光導波路
６０ａ、６０ｂ…光導波路
６２…ＰＢＳ
６４…櫛型電極
６６…ＳＡＷガイド
６８…交流電源
７０…モード変換部
７２…櫛型電極
７４…ＳＡＷガイド
７６…モード変換部
７８…ＰＢＳ
７９…光導波路
８０…反射膜
１００…ＳＯＡ
１０２…反射型波長可変フィルタ
１０４…反射防止膜
１０６…反射膜
１１０…レンズ
１１２…エタロン
【図１】
2005123345.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005123345.tif 000009