(57)【要約】  【課題】  レーザ光学とその制御系、及び集光レンズ用ドライバを制御するソフトウエアを開発することにより、上記基板損傷の問題を解決し、電子回路配線基板の精密レーザ加工技術を開発する。  【解決手段】  素材板上に設けた層に、該層のみを除去する程度の強度のレーザビームを照射し、素材板とレーザビームを相対的に移動させることにより該層にパターンを形成する。多くの配線基板では基板にガラスエポキシ樹脂、配線層に銅を使用しているが、この場合、Q-スイッチNd:YAGレーザ、Q-スイッチNd:YLFレーザ又はQ-スイッチNd:YVO4レーザを用いる。また、ガラスエポキシ樹脂基板に半田レジストを塗布した状態の配線基板の場合も、これらのレーザを用いる。これらのレーザを用いる場合、それらの基本波ではなく、2倍波（周波数が2倍、波長は1/2の高調波）を用いる。レーザ出力と描画速度を適宜調節することにより、基板上の導体層（金属層）部分又はレジスト層部分のみを確実に除去（アブレージョン）し、基板を損傷させないようにすることができる。【選択図】  図９
2005268423.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素材板上に設けた層に、該層のみを除去する程度の強度のレーザビームを照射し、素材板とレーザビームを相対的に移動させることにより該層にパターンを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
基板がガラスエポキシ樹脂、層が銅から成り、Q-スイッチNd:YAGレーザ、Q-スイッチNd:YLFレーザ又はQ-スイッチNd:YVO4レーザを用いることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
基板がガラスエポキシ樹脂、層が銅と半田レジストから成り、Q-スイッチNd:YAGレーザ、Q-スイッチNd:YLFレーザ又はQ-スイッチNd:YVO4レーザを用いることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
上記レーザの2倍波を用いることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
レーザビームの移動速度及びレーザのQ-スイッチ周波数に応じてレーザ出力を変化させることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
最小線幅をレーザビーム径以上とすることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
レーザビームをラスタ形式で移動させ、パターンに応じてレーザビームのON/OFFを切り替えることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
レーザビームをパターンに沿ってベクトル形式で移動させることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
偏向ミラーによりレーザビームの方を移動させることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
基板を載置したステージの方を移動させることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
a)レーザ光源と
b)素材板とレーザ光とを相対的に移動させるビーム移動機構と、
c)レーザ光を素材板上の被処理層に集光させる集光光学系と、
d)被処理層のみを除去するように、レーザ出力と上記移動の速度を制御する制御装置と、
を備えることを特徴とする配線基板製造装置。
【請求項１２】
レーザ光源がQ-スイッチNd:YAGレーザ光源、Q-スイッチNd:YLFレーザ光源又はQ-スイッチNd:YVO4レーザ光源であり、上記制御装置は、そのQ-スイッチ周波数をも制御することを特徴とする請求項１１に記載の配線基板製造装置。
【請求項１３】
レーザ光源の光を2倍波に変換する波長変換装置を備えることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の配線基板製造装置。
【請求項１４】
上記制御装置は、ラスタ形式で移動を行うことを特徴とする請求項１１〜１３のいずれかに記載の配線基板製造装置。
【請求項１５】
上記制御装置は、ベクトル形式で移動を行うことを特徴とする請求項１１〜１３のいずれかに記載の配線基板製造装置。
【請求項１６】
レーザビーム移動のためのミラー偏向機構を備えることを特徴とする請求項１１〜１５のいずれかに記載の配線基板製造装置。
【請求項１７】
XY移動機構を有する基板をステージを備えることを特徴とする請求項１１〜１６のいずれかに記載の配線基板製造装置。
【請求項１８】
電子回路設計CADデータを、移動指示データ及びビームON/OFFデータを含むCAMデータに変換するデータ変換部を備えることを特徴とする請求項１１〜１７のいずれかに記載の配線基板製造装置。
【請求項１９】
上記制御装置が、CADデータ、CAMデータ及びレーザ制御条件入力画面を表示するグラフィカルユーザーインターフェイスを備えていることを特徴とする請求項１１〜１８のいずれかに記載の配線基板製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザビームにより、パターンを有する配線基板を製造する方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型化・高性能化の市場要求に応えるため、デジカメや携帯電話等の電子機器は毎月のようにモデルチェンジが繰り返されている。このため、セットメーカから部品メーカに対しては、試作部品の超短納期化が求められている。電子部品を搭載するためのマザーボードであるプリント配線基板は、搭載電子部品の品種が一つでも異なれば、新しいプリント配線基板の設計変更が必要である。プリント配線基板は、最後に設計仕様が決定される部品でありながら、その実装工程では、最初に必要となる部品である為、試作工程においては納期の短縮化が常に求められている。
【０００３】
現在、試作工程においても、配線基板の製造は、大ロット製造プロセスと同様のエッチング法が用いられ、短納期化の要求に対しては、人海戦術に頼った工程改善で対応している。
【０００４】
従来のケミカルエッチングによる製造では、ラインアンドスペース(L/S)が100μm以下の細線パターン加工になると、化学エッチングの条件出しが難しく、試作基板においては歩留まり率が数10％程度も悪化するという欠点がある。
【０００５】
試作に限れば、ミーリングマシンによる機械加工方式も採用されている。しかし、ミーリングドリル径より細い配線パターン間隔(L/S=200μm以下)を実現することは原理的に不可能であり、近年の市場が要求する50μmなどの細線パターンには対応が出来ない。
【０００６】
エッチング法には、時間的な問題もある。エッチング法は半導体製造設備と同様の原理を採用しているため、ドライフィルムによる露光が必須となっている。このため、設計データから焼き付け用のネガフィルムを作成しなければならないが、このフィルムの設計（CAM作業）及び製作のための時間が必要となる。これは大量生産でも1個の注文でも必要であり、試作基板では工程の待ち時間が重大なネック工程となっている。
【０００７】
なお、ブラインドビアホール等の導電層の穴明け加工については、レーザービームによる穿孔が検討されている（特許文献１）。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１７９３６０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
これに対する根本的な改善法として、設計データから直接、配線基板にパターンを描画加工する方法が考えられてきた。これが可能になれば、ネガフィルム製作のための時間が不要で、且つドライフィルムなどの副資材も不要になる。そこで、レーザ加工によりダイレクトにパターンを加工することのできる技術の実用化が待ち望まれていた。
【００１０】
プリント配線基板のレジスト工程においては、このレーザによるダイレクトイメージ装置が既に実用化されているが、パターン工程においては未だ実用化されていない。これは、配線材である銅箔をレーザ加工するには大きいレーザパワーが要求されるため、ガラスエポキシ基板に損傷を与えてしまうためである。
【００１１】
この基礎技術を実用化するためには、100mm×100mm程度の大きさの配線基板を1時間以内でパターン加工できる装置の実用化開発が必要であり、レーザを用いて配線基板を製造する技術及びノウハウを獲得することが、産業界から強く望まれている。
【００１２】
本発明は、レーザ光学とその制御系、及び集光レンズ用ドライバを制御するソフトウエアを開発することにより、上記基板損傷の問題を解決し、電子回路配線基板の精密レーザ加工技術を開発したものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために成された本発明に係る配線基板の製造方法は、素材板上に設けた層に、該層のみを除去する程度の強度のレーザビームを照射し、素材板とレーザビームを相対的に移動させることにより該層にパターンを形成することを特徴とするものである。
【００１４】
多くの配線基板では基板にガラスエポキシ樹脂、配線層に銅を使用しているが、この場合、Q-スイッチNd:YAGレーザ、Q-スイッチNd:YLFレーザ又はQ-スイッチNd:YVO4レーザを用いることが望ましい。
【００１５】
また、ガラスエポキシ樹脂基板に銅及び半田レジストを塗布した状態の配線基板の場合も、Q-スイッチNd:YAGレーザ、Q-スイッチNd:YLFレーザ又はQ-スイッチNd:YVO4レーザを用いることが望ましい。
【００１６】
上記レーザを用いる場合、それらの基本波ではなく、2倍波（周波数が2倍、波長は1/2の高調波）を用いることが望ましい。
【００１７】
基板上の導体層（金属層）部分又はレジスト層部分のみを確実に除去（アブレージョン）し、基板を損傷させないようにするためには、レーザビームの（素材板との間の相対的な）移動速度及びレーザのQ-スイッチ周波数に応じてレーザ出力を変化させる。
【００１８】
配線パターンを描くとき、線間のスペースの幅Ｓは当然、レーザビーム径以上となるが、最小線幅（ライン幅）Ｌもレーザビーム径以上とすることが望ましい。
【００１９】
レーザビームと素材板との相対移動の方式は、ラスタ形式・ベクトル形式のいずれであってもよい。ラスタ形式の場合は、パターンに応じてレーザビームのON/OFFを切り替えなければならない。
【００２０】
このレーザビームの移動は、ビームの方を移動させてもよいし、基板の方を移動させてもよい。また、場合によっては双方を移動させる方が便利である場合もある。いずれにせよ、レーザビームを移動させる場合は、ミラーの偏向による方法が便利である。
【００２１】
基板側を移動させる場合は、基板を載置したステージをパルスモータ等で移動させる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る配線基板の製造方法では、レーザビームの強度を、素材板上に設けた導電層（金属層）やレジスト層等の表面層のみを除去する程度に制御することにより、素材板を損傷することなく、正確に配線パターンを形成することができる。特に、製作すべき配線基板の数が少ない（少ロットの）生産の場合、特注等のパターンの変化にフレキシブルに対応することができ、しかも、（ネガフィルム等を製作する必要がないため）比較的短時間に基板を完成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明に係る方法を説明する前に、まず、従来の配線基板製造方法を図１及び図２により説明する。縦横1000mm（又は1200mm)の定尺素材（a1)を、まず、工程で流すことのできる大きさ（ワークサイズ）に切り分ける(a2)。素材板はa3に示すとおり、基板となる厚さ1mmのガラスエポキシ板の両面に厚さ18μmの銅導電層を被覆した構成を有する(a3)。この素材板に、まず部品実装や表裏導通用の穴を明ける(a4)。これに銅メッキを施し、表面の導通層と裏面の導通層を導通させる(a5)。次に、両面に感光性のドライフィルムをラミネートロールにより熱圧着し(a6)、そこにパターン（第１パターン）の露光を行って、非露光部を現像液により溶解除去する（a7)。更に、電解液でエッチングを行うことにより、フィルムで被覆されていない部分の銅メッキ層及び銅導電層を溶解除去する(a8)。その後、溶解剤によりドライフィルムを除去すると、パターン化された導電層が現れる(a9)。
【００２４】
次に、感光性のソルダーレジストインクを全面に塗布し(a10)、上記とは別のパターン（第２パターン）で露光する。光を照射された部分（a11の黒い部分）のレジストインクを現像液により除去し、その部分の下地（導電層）を露出させる(a11)。これにより、第１及び第２パターンが形成された配線基板が完成する(a12)。通常、最後に、基板表面に部品配置図やメーカー名等を印字する(a13)。
【００２５】
このように、従来の配線基板製造方法では各種薬剤を使用するため、複雑且つ高価な排液処理装置が必要であった。また、多数の基板を一挙に処理できるという利点はあるものの、各工程間に洗浄や乾燥工程が必要となるため、時間的には不利であった。
【００２６】
本発明に係る方法では、そのような薬剤の使用を大幅に削減することができるため、排液処理装置を簡略化することができる。また、薬液を用いた処理工程が１工程しかないため、洗浄や乾燥の時間が大幅に削減され、少数（少ロット）の製品であれば従来よりも短時間に製造することができる。
【００２７】
本発明を用いた配線基板製造装置の一例を図９に示す。本装置９０は、基板（基板材料）９１を載置して、X、Y方向に移動するX-Yステージ９２とそのドライバユニット９３、レーザ光源を含むレーザ光学系９４とそれを制御するレーザ制御系９５、そして、全体を制御する制御装置としてのコンピュータ(PC)９６等から成る。レーザ源としては、Q-スイッチNd:YVO4レーザを使用している。X-Yステージ９２は基板素材９１をX-Y方向に移動するために使用される。これらにより、レーザビームが基板素材９１の表面をX-Y方向に隙間なく走査することができるようになっている。なお、図９ではX-Yステージのドライバユニット９３がレーザ光学系９４の焦点距離を制御するようになっているが、もちろん、X-YステージにZ方向の駆動系を設け、それを制御するようにしてもよい。
【００２８】
図１０に示すように、配線基板のパターンは、通常、コンピュータ上で作動するCADプログラムにより作成される。作成されたCADデータは、そのプログラムの種類或いは後工程の種類に応じて、Gerber、DXF等の各種形式のファイルにされる。本実施例の制御装置９６では、これら各種ファイル形式の電子回路設計CADデータを入力することができる。制御装置９６は、入力されたこれらのデータに基づき、まず、配線パターンのモノクロ（２値）ビットマップ（BMP）データを作成する。そして、ラスタスキャン描画を行う場合は、領域加工方式のCAM（コンピュータ支援加工機）で使用するCRS形式のデータに変換し、ベクトルスキャン描画を行う場合は、輪郭加工方式のCAMで使用するBPC又はBPIデータに変換する。なお、L/S=50μmの微細パターンを良好に形成するためには、BMPファイルの分解能が2400dpi（約10[μm/dot]）以上必要であり、このときのA4版基板のBMPファイルサイズでは100MB程度になる。
【００２９】
図１０において、各ファイル形式（拡張子）の略号の意味及び構成は次の通りである。
POC（Parts Outline Coordinate file）テキスト
ベクトルスキャンで使用するCAMデータ生成用中間ファイル。独自に定義したファイル。ヘッダ部にソースファイルの画像サイズ（縦横dot数）、データ部に各配線パターンの輪郭座標（dot）を記述したファイル。
BPC（Bit Pattern Configuration file）テキスト
ベクトルスキャンで使用するCAMデータ。独自に定義したファイル。ヘッダ部にソースファイルの画像サイズ（縦横dot数）、分解能（μm/dot）、配線パターン総数、データ部に各配線パターンのビットパターンデータのビット数、配線パターン始点座標、終点座標（μm）を記述したファイル。
BPI（Bit Pattern Interpolation file）バイナリ
ベクトルスキャンで使用するCAMデータ。独自に定義したファイル。各配線パターンのXYステージ4軸（X+方向、X−方向、Y+方向、Y−方向）、レーザ制御用1軸、および予備1軸のビットパターンデータIを2バイトずつ、すなわち計12バイトを1パケットとして記述したファイル。
CRS（Compare match Raster Scanning file）テキスト
ラスタスキャンで使用するCAMデータ。独自に定義したファイル。ヘッダ部にソースファイルの画像サイズ（縦横dot数）、分解能(μm/dot)、データ部に各行のレーザ照射開始座標、終了座標（μm）を記述したファイル。
【００３０】
これらのデータ入力及びパターン生成のためのGUI（グラフィカル・ユーザ・インターフェイス）の一例を図１１に示す。
【００３１】
こうして生成したデータに基づき、制御装置９６はレーザ制御系９５により、X-Yステージ９２の移動及び基板材料９１の表面に照射するレーザビームのON/OFFを同期制御する。基板素材９１のX方向の移動と同期させることにより、基板材料９１の表面に載置された層が、パターンに従って除去され、所定の回路パターンが形成される。その工程を、図３〜図８の(b1)〜(b11)により説明する。
【００３２】
使用する基板材料（b1、b3）、及びそれをワークサイズに切断する(b2)点は、図１で説明した従来工程と同じである。また、部品を実装するための穴、又は表裏道通用の穴を明け、そこに銅導電層を形成する点も従来の方法と同じである（b5)。本発明に係る方法では、薬液を使用するのはこの工程のみである。なお、b4の穴明けは、後述のレーザビーム装置を用いて行ってもよい。
【００３３】
銅メッキを行った後、基板材料を更に各製品単位に切断する(b6)。なお、本実施例では装置の制約上、このように各製品単位（大きさ約100×100mm）に切断したが、大量生産を行う場合には、切り出す大きさを、製品単位にして数枚又は数十枚として、その状態で次に述べるレーザビーム描画加工を施してもよい。
【００３４】
こうして切り出した製品単位（または複数の製品単位）の単板を９１をX-Yステージ９２上に固定し、X-Yステージ９２を所定の原点位置に移動させた後、レーザビームがその表面の銅層に焦点を結ぶようにレーザ光学系９４を調節する。そして、ラスタスキャンの場合はX-Yステージ９２をX方向に高速で往復させながら、レーザビームをパターンデータに基づいてON/OFFさせるとともに、Y方向に移動させる。
【００３５】
このときの基板材料９１（X-Yステージ９２）の動きとレーザビームの動きを図２２により説明する。所定の原点位置にあるX-Yステージ９２に対して、ドライバユニット９３からステージ移動パルスが送出されると(a)、X-Yステージ９２は速やかに加速し、短時間のうちに一定の移動速度に達する(b)。X-Yステージ９２がその速度に達した後、レーザ制御系９５からレーザ放出パルスがレーザ光学系９４に送出され、その時点でQ-スイッチNd:YVO4レーザからパルス状のビームが発射される(c)。
【００３６】
レーザビームのパルスは、その強度が、丁度、基板素材９１の表面の銅導電層のみを蒸発させ、基板素材９１には何らの損傷を与えないような強度とされる。後述するように、Q-スイッチNd:YVO4レーザの場合は、その基本波（波長1.047μm）ではなく、２倍波（波長0.523μm）を用いると、このような分別処理を行うことができる。なお、Q-スイッチNd:YAGレーザ（基本波1.06μｍ、２倍波0.532μｍ）、Q-スイッチNd:YLFレーザ（基本波1.053μm、２倍波0.526μm）の場合も同様である。
【００３７】
X-Yステージ９２を移動しつつ、パルスレーザの発射を間欠的に繰り返すことにより、図２３に示すように、所定の範囲内の銅導電層を剥離することができる。こうして、b7に示すように、基板材料９１上に回路パターンが描画されてゆく。
【００３８】
この回路パターンを描く際に同時に、又は、パターンを描いた後に別途、レーザビームにより部品取り付け用等の穴を基板材料に穿孔してもよい。
【００３９】
こうしてパターンを描いた後、基板９１全体をレジスト液に浸漬し、全面にレジスト層を形成する(b8)。このレジスト層を第２のパターンで剥離してゆく工程においても、上記と同様にレーザビーム描画方法を用いる(b9。図２の工程a11に相当)。そして、不要なレジスト層を剥離する工程（図２の工程a12に相当）においても、レーザビームを使用する(b10)。こうして完成した基板に、レーザビームをベクトルスキャンすることにより、文字の輪郭に溝を形成し、パターンNo.、メーカー名等を印字する(b11)。彫り込んだ溝にはシルク印字用の塗料を塗り込み、視認性を上げる。
【００４０】
次に、レーザパルスの強度、レーザビームの移動速度等の条件について、詳しく説明する。
本発明では、次のような目標を定めた。
(a) レーザ直接描画方式にて、L/S=50μm以下の銅箔配線パターンを、80%以上の歩留まりで、1時間／□100mm（100mm×100mm四方）以内で加工できること。
(b) レーザ直接描画方式にて、L/S=50μm以下の半田レジストパターンを、80%以上の歩留まりで、20分／□100mm以内で加工できること。
(c) レーザ直接描画方式にて、12ポイントアルファベット文字を1分／10文字で印字できること。
【００４１】
これらの目標を満たすレーザー照射条件について検討した結果を、以下に示す。
【００４２】
(A) 銅箔パターン形成条件のデータベース化、ならびにパターン形状の評価とガラスエポキシ基板の変形、変質、電気絶縁特性などの評価
表面に銅箔を形成したガラスエポキシ基板に対して諸条件を変化させてレーザを照射したときのアブレーション状態を評価した（図１２、図１３）。ここで、「良好状態」○、「不良状態」▲、「損傷状態」■とは以下の状態のことを指す。
「良好状態」○
銅箔を完全にアブレーションしガラスエポキシに損傷を与えていない状態。
「不良状態」▲
レーザを照射した加工ラインに銅箔が残留している、もしくは全くアブレーションされていない状態
「損傷状態」■
銅箔はアブレーションされているがガラスエポキシ材に損傷を与えている状態
【００４３】
図１２の写真の中央に示される部分が良好状態である領域であり、ガラスエポキシ材に影響を与えることなく銅箔のみが選択的にアブレーションされている。したがって、この領域の条件であれば良好な銅箔パターンを形成することが可能である。
レーザ直接描画法での最小L/Sを調べるために、銅箔張ガラスエポキシ基板に対してL/Sパターンの形成を行った。図１４にその結果を示す。最小L/S=20μmで銅箔配線パターンを形成することを実現できた。
【００４４】
次に、レーザ直接描画法で形成した銅箔配線パターンの再現性の検証を行った。図１５の上部に配線テストパターンを、下部の(a)から(c)にその状態を示す。ここでは、L/S=100μm、50μm、20μm、10μmのテストパターンを形成した。良好状態(a)とは、断線または残銅した個所が無く、パターンが導通しており、なおかつ、隣接した配線同士が絶縁されている状態である。25個の加工サンプルについて検査を行った。図１６に各L/Sにおける歩留まり率を示す。L/S=100μm、50μmでの歩留まり率は100%、L/S=20μmでは12%、L/S=10 μmでは0%であった。L/S=20μm以下での歩留まり率は、レーザのスポット径を微細化することで向上できる可能性がある。
【００４５】
銅箔張ガラスエポキシ基板に対して高密度携帯電話用配線パターンを形成した。図１７にその形成例を示す。L/S＝20μmの配線パターンの形成を実現した。これにより、実際にCADで設計された電子回路配線基板の配線パターン形成においても実験的なパターン形成と同等のL/Sで加工できることを確認できた。
【００４６】
(B) 半田レジストパターン形成条件とマーキング印字条件のデータベース化、ならびに銅箔の変質と半田ぬれ特性などの評価
レジストを塗布した銅箔張ガラスエポキシ基板（レジストディップ基板）に対して諸条件を変化させてレーザを照射したときのアブレーション状態を評価した（図１８、図１９）。ここで、「良好状態」○、「不良状態」▲、「損傷状態」■とは以下の状態のことを指す。
「良好状態」○
レジスト膜を完全にアブレーションし銅箔への影響が小さい状態。
「不良状態」▲
レジスト膜が完全にアブレーションされていない状態
「損傷状態」■
レーザ照射個所周辺のレジスト膜が炭化したり、銅箔が著しくアブレーションされた状態
図１８の中央に示される良好状態となっている領域で加工することで、銅箔やレジスト膜への影響を少なく抑え、レジスト膜のみを選択的にアブレーションすることが可能となる。すなわち、この領域が形成されるような条件であれば良好なレジストパターンを形成することが可能である。
レーザ直接描画法を用いてレジストディップ基板に対して半田レジストパターンの形成を行った。図２０に加工例を示す。レジスト膜のみが選択的にアブレーションされており、電気的にも良好なパターンを形成することができた。
【００４７】
最後に、レーザ直接描画法を用いてマーキング印字を行った。図２１(a)に示すCAD出力データを基に、文字パターンの形成を試みた。図２１(b)にレーザ直接描画方式により文字パターンを形成した例を示す。このパターンでは、ベクトルスキャンによる輪郭加工を行い、レジストディップ基板に文字を形成した。このパターンではレジスト膜を完全にアブレーションせずに溝を形成している。今回は、1.6mm、1.2mm、0.8mmのアルファベット文字パターンを形成した。印字速度は0.8mmのアルファベット文字パターンで30秒/10文字であった。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】従来のウェットエッチングによる配線基板製造方法を示す説明図（その１）。
【図２】従来のウェットエッチングによる配線基板製造方法を示す説明図（その２）。
【図３】本発明に係る配線基板製造方法を示す説明図（その１）。
【図４】本発明に係る配線基板製造方法を示す説明図（その２）。
【図５】本発明に係る配線基板製造方法を示す説明図（その３）。
【図６】本発明に係る配線基板製造方法を示す説明図（その４）。
【図７】本発明に係る配線基板製造方法を示す説明図（その５）。
【図８】本発明に係る配線基板製造方法を示す説明図（その６）。
【図９】本発明を実施するための装置の一例の概略構成図。
【図１０】配線パターンのデータの流れとその間の変化を示す説明図。
【図１１】レーザ照射条件等を入力するためのGUIプログラムの画面の一例を示す図。
【図１２】銅箔張ガラスエポキシ樹脂基板におけるアブレーション状態の良否を示す顕微鏡写真。
【図１３】銅箔張ガラスエポキシ樹脂基板へのレーザ照射条件とアブレーション状態の関係を示すグラフ。
【図１４】銅箔張ガラスエポキシ基板に対するレーザ照射において、L及びSの値を変えたときの表面アブレーションの状態を示す顕微鏡写真。
【図１５】銅箔張ガラスエポキシ基板に対するレーザ照射において、線間距離Sの値を変えたときの表面アブレーションの状態を示す顕微鏡写真。
【図１６】L/Sの値と配線基板の歩留まり率を示すグラフ。
【図１７】本発明に係る方法により高密度携帯電話用配線パターンを形成した銅箔張ガラスエポキシ基板の顕微鏡写真。
【図１８】銅箔張ガラスエポキシ樹脂基板上のレジストにおけるアブレーション状態の良否を示す顕微鏡写真。
【図１９】銅箔張ガラスエポキシ樹脂基板上のレジストへのレーザ照射条件とアブレーション状態の関係を示すグラフ。
【図２０】レーザ直接描画法を用いてレジストディップ基板に対して半田レジストパターンの形成を行った例の顕微鏡写真。
【図２１】文字パターンのCAD出力データ(a)及び、レーザ直接描画方式により文字パターンを形成した配線基板の顕微鏡写真(b)。
【図２２】レーザーパルスの照射スポットの移動の様子を示す平面図。
【図２３】X-Yステージ移動のためのパルスの生成状況、ステージの移動速度、及びレーザーパルスの照射タイミングを示すタイミングチャート。
【図３】
2005268423.tif 000003
【図６】
2005268423.tif 000004
【図７】
2005268423.tif 000005
【図８】
2005268423.tif 000006
【図１３】
2005268423.tif 000007
【図１６】
2005268423.tif 000008
【図１９】
2005268423.tif 000009
【図２１】
2005268423.tif 000010
【図２２】
2005268423.tif 000011
【図２３】
2005268423.tif 000012
【図１】
2005268423.tif 000013
【図２】
2005268423.tif 000014
【図４】
2005268423.tif 000015
【図５】
2005268423.tif 000016
【図９】
2005268423.tif 000017
【図１０】
2005268423.tif 000018
【図１１】
2005268423.tif 000019
【図１２】
2005268423.tif 000020
【図１４】
2005268423.tif 000021
【図１５】
2005268423.tif 000022
【図１７】
2005268423.tif 000023
【図１８】
2005268423.tif 000024
【図２０】
2005268423.tif 000025