(57)【要約】【課題】  シールリング上面に金属蓋をシーム溶接で固定する場合に、パッケージに接合されたシールリング下面のろう材の這い上がりを遮断することを目的とする。【解決手段】  電子部品と、金属蓋と、上記電子部品を収容するキャビティを形成する壁を有したセラミック基板と、金属部とセラミック部を接合して成り、当該金属部の上面に上記金属蓋が接合され、上記セラミック部の下面が上記セラミック基板の壁の上面に接合されるシールリングと、を備える。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板と、
金属部とセラミック部を接合して成り、当該金属部の上面に金属蓋の接合面を有するとともに、当該セラミック部の下面が上記セラミック基板の上面にはんだ付けされるシールリングと、
を備えたセラミックパッケージ。
【請求項２】
上記シールリングは、金属部が鉄ニッケルコバルト合金で成形され、金属部とセラミック部とを銀ろう付けで接合したことを特徴とする請求項１記載のセラミックパッケージ。
【請求項３】
上記シールリングは、セラミック部が低温焼成セラミックで成形されたことを特徴とする請求項１記載のセラミックパッケージ。
【請求項４】
電子部品と、
金属蓋と、
上記電子部品を収容するキャビティを形成する壁を有したセラミック基板と、
金属部とセラミック部を接合して成り、当該金属部の上面に上記金属蓋が接合され、
上記セラミック部の下面が上記セラミック基板の壁の上面に接合されるシールリングと、
を備えたセラミックパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、セラミック基板に形成されたキャビティ内に、電子部品を収容するセラミックパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のセラミックパッケージは、アルミナセラミック基板に設けられたメタライズ層に、シールリングを銀ろう付けした後、シームウエルド法によって、金属製のリッド（金属蓋）をシールリングに溶接（シーム溶接）していた。この際、シーム溶接時に発生する熱衝撃によって、メタライズ層が剥離して封止不良を生じないように、銀ろう付け部のメニスカス先端部をメタライズ層の外縁部内側に配置していた（例えば、特許文献１参照）。銀ろう付けは、一般に、溶接部を約６２０〜７００℃になるように均一に加熱して行われる。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２６０９４９号公報（第２頁、及び図１参照）
【０００４】
近年、ミリ波帯の高周波回路では、小型で実装密度が高く、生産性の良いセラミックパッケージを得るために、低温同時焼成セラミック（Low Temperature Co-fired Ceramic：以下、ＬＴＣＣ）を用いたセラミック基板（ＬＴＣＣ基板）が着目されている。ＬＴＣＣ基板は、高周波特性が良く、微細配線パターンを高精度に積層することが出来る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＬＴＣＣ基板は、アルミナセラミック基板と比べて強度が脆弱である。ろう付け時の加熱によりセラミック基板とシールリングの接合部に熱応力が集中すると、接合条件によってはクラックを発生することがある。この場合、セラミック基板とシールリングを軟ろう材で接合することにより、接合部にかかる機械的な応力を緩和させて、クラックの発生頻度を低減することが出来る。
【０００６】
しかしながら、シールリングをセラミック基板に軟ろう材でろう付けする場合、軟ろう材の融点は４５０℃以下と低い。金属蓋とシールリングのシーム溶接で発生した熱は、シールリング下方に伝達される。これによって、シールリング下部では軟ろう材が溶けて、シールリング側面を這い上がる。シールリングを這い上がった軟ろう材は、シールリング上面の溶接部に達して溶接を阻害し、場合によってはパッケージの気密化が出来なくなる。
【０００７】
この発明は、係る課題を解決するために成されたものであって、シールリングに金属蓋をシーム溶接する場合に、シールリングとセラミック基板を接合するろう材の、這い上がりを抑圧することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明によるセラミックパッケージは、セラミック基板と、金属部とセラミック部を接合して成り金属部の上面に金属蓋の接合面を有するとともに、当該セラミック部の下面が上記セラミック基板の上面にはんだ付けされるシールリングと、を備えたものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、シールリングの一部にセラミックを用いることによって、シールリング側面へのろう材の這い上がりを抑圧することが可能となる。
【００１０】
また、シールリングの一部に熱伝導性の低いセラミックを用いることによって、シーム溶接時に、シールリングとセラミック基板の接合部に印加される熱ストレスを緩和することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
実施の形態１．
以下、図に基づいて、この発明の実施の形態について説明する。
図１は、この発明の実施の形態１によるセラミックパッケージの構成を示す図である。図１（ａ）はセラミックパッケージの構成を示す斜視図、図１（ｂ）はセラミックパッケージの各構成要素を示す図である。
【００１２】
図１（ａ）において、セラミックパッケージ１は、多層セラミック基板２と、多層セラミック基板２の上面に接合されたシールリング３とから構成される。セラミックパッケージ１には、上面が開口した複数のキャビティが形成されている。図１（ａ）の例では、２つのキャビティ１ａ、１ｂを構成している。
【００１３】
キャビティ１ａ、１ｂには、夫々電子部品４ａ、４ｂが収容される。電子部品４ａ、４ｂの底面はキャビティ１ａ、１ｂの底面に接合されている。キャビティ１ａ、１ｂの底面は接地されている。電子部品４ａ、４ｂは、ＭＩＣやＭＭＩＣ等の高周波回路として構成される。電子部品４ａは、例えば、送信系の回路（発振器、逓倍器、変調器、高出力増幅器など）として機能する。電子部品４ｂは、例えば、受信系の回路（低雑音増幅器、ミクサなど）として機能する。電子部品４ａ、４ｂの上面には、導体端子７が設けられている。
【００１４】
図１（ｂ）ではセラミックパッケージの構成要素として、多層セラミック基板２とシールリング３を示しており、シールリング３と多層セラミック基板２とを接合する前の状態を示している。
【００１５】
多層セラミック基板２は、圧膜基板の製造技術によって製造する。所定数のセラミックグリーンシートに夫々配線パターンを印刷した後、複数のセラミックグリーンシートを積層する。積層後、圧縮、焼結することによって、多層セラミック基板２が成形される。多層セラミック基板２は、ＬＴＣＣや、高温同時焼成セラミック（Hi Temperature Co-fired Ceramic：以下、ＨＴＣＣ）などの圧膜基板の製造技術で成形される。
特に、ＬＴＣＣは、ＨＴＣＣと比較べて高周波特性（低誘電率、低抵抗導体）が良く、実装部品の高周波帯域化を実現出来る。また、Au、Ag、Ag/Pd、Ag/Pt系の導体ペーストを導体材料として使用して各セラミックグリーンシート層に印刷することで、微細配線パターンを高精度に積層することができ、パッケージの小型化に適している。
この実施の形態では、多層セラミック基板２にＬＴＣＣを用いるのが好適である。
【００１６】
多層セラミック基板２の外形は５０ｍｍ〜１００ｍｍ角程度の大きさで、高さが３ｍｍ〜５ｍｍ程度の大きさである。多層セラミック基板２は、凹状の穴を形成するキャビティ２ａと、キャビティ２ｂが設けられる。多層セラミック基板２のキャビティ２ａ、２ｂの内部には、夫々端子台５（５ａ、５ｂ、５ｃ）が設けられている。
端子台５は、上面に導体端子６（６ａ、６ｂ）が設けられる。また、電子部品４ａと電子部品４ｂの間に配置された、端子台５の上面に導体端子９（９ａ、９ｂ）が設けられる。
多層セラミック基板２のキャビティ壁２ｃの外壁側面には、端子台１０（１０ａ、１０ｂ）が設けられている。端子台１０の上面には、導体端子１１（１１ａ、１１ｂ）が設けられている。端子台５上の導体端子６と、電子部品４ａ、４ｂ上の導体端子７とは、ボンディングワイヤ８で接続される。
導体端子１１は、外部基板に搭載された外部回路と、ボンディングワイヤや導体リボンなどを介在して接続される。多層セラミック基板２は、内層線路が設けられて、端子台５の導体端子６を介在して、電子部品４ａ、４ｂに制御信号やバイアス電源を伝送する。
勿論、多層セラミック基板２の裏面にボールグリッドアレイを設けて、外部基板上の導体端子にフリップチップ実装されても良い。
【００１７】
多層セラミック基板２の上面には、金や、タングステン、モリブデン、銅、銀などの金属メタライズ層１２が被着形成されている。この金属メタライズ層１２は、例えば厚みが１０〜２０μｍ程度、層幅が１〜２ｍｍ程度である。
【００１８】
シールリング３は、矩形の外枠体３ｃの内側に、中枠体３ｄで分離配置された開口穴３ａと開口穴３ｂが形成されている。シールリング３の外形は５０ｍｍ〜１００ｍｍ角程度の大きさである。シールリング３の構造については、後述する。
【００１９】
シールリング３の下面は、多層セラミック基板２の金属メタライズ層１２に、軟ろう材を用いてはんだ付け接合される。シールリング３は外枠体３ｃおよび中枠体３ｄの厚さ（高さ）と枠体の幅が、数ｍｍ程度の小型なものを用いる。例えば、多層セラミック基板２をＬＴＣＣで成形する場合、シールリング３の高さは、２ｍｍ以下とするのが好ましい。この高さが２ｍｍよりも大きくなると、この接合部分の周辺で、多層セラミック基板２が割れる確立が高くなる。
【００２０】
図１（ａ）は、シールリング３の下面を、多層セラミック基板２の金属メタライズ層１２の上面に接合して、シールリング３と多層セラミック基板２とが一体化された状態を示している。シールリング３と多層セラミック基板２の接合により、キャビティ２ａとキャビティ３ａとがキャビティ１ａを構成し、キャビティ２ｂとキャビティ３ｂとがキャビティ１ｂを構成する。
【００２１】
図２は、図１のセラミックパッケージのＡ−Ａ方向から見た側断面図である。同図では、図１（ａ）に加えて、更にカバーを図示している。
シールリング３の下面と多層セラミック基板２の上面との間は、軟ろう材が被着して金属層２０を形成している。この金属層２０は、シールリング３の側面の接合面と多層セラミック基板２の上面の接合面との間にフィレット２２を形成している。
【００２２】
セラミックパッケージ１に、電子部品４ａ、４ｂが実装された後、カバー２１はシールリング３の上面にシーム溶接（抵抗溶接とも言う）で接合される。これによって、キャビティ１ａ、１ｂはカバー２１で気密封止されて、高周波モジュール１００が構成される。セラミックパッケージ１の内部は外気から遮断される。カバー２１は、鉄ニッケルコバルト合金（商標名コバール）のような導電性部材を用いるのが好ましい。カバー２１におけるシールリング３との接合面は、低融点金属層が被着している。低融点金属層は、例えば、金めっきやニッケルめっきなどが被着される。カバー２１は、シーム溶接時にカバー２１とシールリング３との間で電流が流れやすいように、接合部の厚さが薄くなっている。
【００２３】
シーム溶接においては、カバー２１とシールリング３の接合部で、約１０００℃の熱が発生する。シーム溶接時の高温度によって発生した熱は、シールリング３の上部から下部へ伝わる。これによって、金属層２０と多層セラミック基板２との接合部では、両部材の膨張収縮差に伴なう熱応力が発生する。セラミック基板は機械的応力に弱く、特にＬＴＣＣはＨＴＣＣに比べて強度が６割程度と低い。
したがって、発生する熱応力に耐えて、セラミック基板２とシールリング３の接合部分で割れが生じないように、金属層２０には応力緩和用の軟ろう材を使用する。軟ろう材としては、共晶はんだ（Ｓｎ−Ｐｂ）や鉛フリーはんだ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）などの低融点はんだを用いると良い。例えば、共晶はんだは、融点が１８３℃、鉛フリーはんだは、融点が２１９℃である。はんだ付け後の金属層２０の厚みは、１０〜２０μｍ程度となる。
【００２４】
多層セラミック基板２は、端子台５ａ、端子台５ｃがキャビティ１ａの下部に配置される。また、端子台５ｂ、端子台５ｄがキャビティ１ｂの下部に配置される。端子台１０ａはキャビティ１ａ側のパッケージの外壁に設けられている。端子台１０ｂはキャビティ１ｂ側のパッケージの外壁に設けられる。伝送線路３１、３２、３３は、パッケージの内外で気密を確保したまま信号伝送を行うフィードスルーとして機能する。伝送線路３１は、端子台５ａ上面の導体端子６ａと端子台１０ａ上面の導体端子１１ａを接続する。伝送線路３２は、端子台５ｃ上面の導体端子９ａと端子台５ｄ上面の導体端子９ｂを接続する。伝送線路３３は、端子台５ｂ上面の導体端子６ｂと端子台１０ｂ上面の導体端子１１ｂを接続する。各導体端子６（６ａ、６ｂ）、９（９ａ、９ｂ）と、電子部品４ａ、４ｂとは、夫々ボンディングワイヤ８で接続される。
【００２５】
この実施の形態１による高周波モジュール１００は以上のように構成されて、次のように動作する。
高周波モジュール１００は、導体端子１１（１１ａ、１１ｂ）を介在させて、外部基板との間で制御信号やＲＦ信号を入出力する。ＲＦ信号として、例えばミリ波帯の信号が入出力される。また、導体端子１１（１１ａ、１１ｂ）を介在させて、外部基板からバイアス電源が入力される。電子部品４ａ、４ｂの導体端子７は、伝送線路３１、３２、３３、内層線路、導体端子６（６ａ、６ｂ）、及びボンディングワイヤ８などの伝送線路を介在させて、パッケージ外部の導体端子１１との間で制御信号やＲＦ信号が入出力される。また、電子部品４ａ、４ｂの導体端子７は、伝送線路３１、３３、内層線路、導体端子６（６ａ、６ｂ）、及びボンディングワイヤ８などの伝送線路を介在させて、電源端子からバイアス電源が入力される。これによって、電子部品４ａ、４ｂは、増幅器、減衰器、或いは発振器などとしての所要の動作を行い、入力信号の増幅や、入力信号の振幅調整や、高周波発振信号の出力などを行う。
この実施の形態では、シールリング３の高さを低くすることが出来るので、セラミックパッケージ１を小型化することが可能である。したがって、ミリ波帯で動作する電子部品４ａ、４ｂを用いると好適にして有用である。
【００２６】
高周波モジュール１００は、パッケージ内部の気密が充分に確保されていないと、水分や粉塵が混入して、性能劣化や誤動作を生じる。特に、カバー２１とシールリング３の接合が不十分であると、気密を保持することができず、その接合部から外気が混入してしまう。このため、シールリング３とカバー２１の溶接部分では、気密漏れの製品不良が発生しないように、溶接加工の品質を安定化させる必要がある。
【００２７】
以下の説明では、シーム溶接時のセラミックパッケージの品質を安定させ、信頼性を向上させるシールリング３の構造について説明する。
図３はシールリング３の構造を示す断面図である。図３において、シールリング３は、金属部２４とセラミック部２５を、ろう材２６で接合して一体化されている。金属部２４は、開口穴３ａ、３ｂにそれぞれ対応して日の字型に２つの開口穴を有しており、鉄ニッケルコバルト合金（商標名コバール）で形成される。
金属部２４の表面全周には金めっきが施されている。金属部２４の高さは０．５ｍｍ〜１ｍｍである。金属部２４は、熱伝導率が１７Ｗ／Ｋ・ｍ、熱膨張係数が５．３ｐｐｍ／℃である。
【００２８】
セラミック部２５は、金属部２４と同形で２つの開口穴が形成されて、ＬＴＣＣで成形される。セラミック部２５は、下面と、外側面下部と内側面下部の一部とが、金でメタライズされている。セラミック部２５は、強度が１９６Ｎ／ｃｍ２、熱伝導率が５Ｗ／Ｋ・ｍ、熱膨張係数が５ｐｐｍ／℃である。
金属部２４とセラミック部２５の熱膨張係数は近いので、熱膨張収縮差は生じにくい。また、セラミック部２５は、金属部２４に比して熱伝導率が１／３以下であって熱を伝えにくい。
金属部２４とセラミック部２５は、ろう材２６に銀ろうを用いて、銀ろう付けで接合される。銀ろうは融点が６５０℃程度で接合温度が高いので、セラミック部２５に割れが生じないように、セラミック部２５の高さは０．５ｍｍ〜１．５ｍｍとする。
【００２９】
この実施の形態では、事前にシールリング３の成形段階で銀ろう付けを行うので、ろう付け条件が悪くてシールリング３が割れたとしても、多層セラミック基板２への影響はない。すなわち、銀ろう付けによって多層セラミック基板２に割れが発生するようなことはない。
【００３０】
シールリング３は、セラミック部２５の下面と、外側面下部と内側面下部の一部とに、金がメタライズされたメタライズ部分２７を設けている。このメタライズ部分２７でははんだ濡れ性が良く、シールリング３を多層セラミック基板２のメタライズ層１２にはんだ付けする際に、はんだ付けを妨げるようなことはない。
【００３１】
また、シールリング３は、セラミック部２５の外側面下部とろう材２６との間で、セラミック表面が露出した露出領域２８を有している。セラミック部２５の内側面下部とろう材２６との間にも、同様にしてセラミック表面が露出した露出領域２８を有している。この露出領域２８でははんだ濡れ性が悪いので、シーム溶接時にシールリング下部のはんだが這い上がるのを食い止めることが出来る。
露出領域２８の高さｄは、フィレット２２がろう材２６に至らないように設定され、０．５ｍｍ程度の高さがあれば良く、はんだの這い上がりがないように適宜調整される。
【００３２】
勿論、金属部２４とセラミック部２５の高さ比は、セラミック部の強度と、軟ろう材の這い上がり抑圧効果を考慮して適宜調整すれば良いが、シールリング３全体の高さは概ね１ｍｍ〜２ｍｍ程度に極力低く設定する。
【００３３】
なお、この実施の形態では、セラミック部２５にＬＴＣＣを用いた例を説明したが、はんだ濡れ性が悪ければ、他のセラミック基板を用いても良い。例えば、アルミナセラミックのようなＨＴＣＣを用いても良い。ただし、アルミナセラミックの場合は、熱伝導率が２９Ｗ／Ｋ・ｍであるので、金属部２４よりも熱を伝えやすくなる。
また、金属部２４に鉄ニッケルコバルト合金を用いた例を説明したが、熱伝導率が高くセラミック部２５と線膨張係数が近似していれば、他の金属部材を用いても良いことは言うまでもない。
【００３４】
図４は、この実施の形態による高周波モジュール１００の製造フローを示す図である。
工程Ｓ１０１では、多層セラミック基板２を構成するセラミックグリーンシートに配線パターン印刷を行った後、セラミックグリーンシートに打ち抜き加工を行ってキャビティやスルーホールを形成する。その後、セラミックグリーンシートを積層して圧縮成形する。圧縮成形後の積層体を焼結して、多層セラミック基板２を形成する。
工程Ｓ１０２では、工程Ｓ１０１の後に、多層セラミック基板２にめっき処理やメタライジングなどの表面加工を行う。
工程Ｓ２０１では、機械加工によってシールリング３の金属部２４の外形を日の字型に成型し、全周に金めっきを施す。
工程Ｓ２０２では、シールリング３のセラミック部２５の外形を日の字型に成形する。この成形では、セラミックグリーンシートに打ち抜き加工を行って開口穴を得る。その後、セラミックグリーンシートを積層して圧縮成形する。圧縮成形後の積層体を焼結する。次いで、焼結された積層体に金のメタライズを施してセラミック部２５を得る。
工程Ｓ２０３では、工程Ｓ２０１、２０２の後に、金属部２４とセラミック部２５とを銀ろう付けで接合して、一体化したシールリング３を得る。
工程Ｓ２０４では、工程Ｓ１０２、Ｓ２０３の後に、一体となったシールリング３を、多層セラミック基板２にはんだ付け接合して、セラミックパッケージ１を構成する。
工程Ｓ２０５では、工程Ｓ２０４の後に、セラミックパッケージ１に電子部品４ａ、４ｂを収容し、実装する。
工程Ｓ２０６では、工程Ｓ２０５の後に、カバー２１をセラミックパッケージ１の上面にシーム溶接することによって、気密化された高周波モジュール１００が製造される。
【００３５】
次に、工程Ｓ２０６における、シーム溶接加工について詳細を説明する。図５は、シールリング３のシーム溶接加工を示す概念図である。
シーム溶接加工機３０は、回転可能に軸支され対向配置された２つのローラ電極５０ａ、５０ｂが設けられている。各ローラ電極５０ａ、５０ｂは、カバー２１の上端面の角に当接され、カバー２１の上端面に沿って回転しながら、図の奥行き方向に移動する。ローラ電極５０ａは信号線５２ａに接続される。ローラ電極５０ｂは信号線５２ｂに接続される。信号線５２ａと信号線５２ｂは、電流制御器５１に接続される。電流制御器５１は、信号線５２ａ、５２ｂを介して、各ローラ電極５０ａ、５０ｂに所望の大きさの交流電流を供給する。この電流供給により、カバー２１とシールリング３との接触面の接触熱抵抗によって接触面に熱が発生する。また、電流制御器５１は、各ローラ電極５０ａ、５０ｂとカバー２１との接触面の温度がほぼ所望の範囲内になるように、適宜電流制御が成される。
【００３６】
なお、シーム溶接加工機３０に冷却器を設けて、各ローラ電極５０ａ、５０ｂの温度を制御し、各ローラ電極５０ａ、５０ｂとカバー２１との接触面の温度を一定に保持しても良い（例えば、特開２００３−２４５７８０号参照）。
【００３７】
シーム溶接時の高温度によって発生した熱は、シールリング３の上部から下部へと伝わる。上述したように、金属層２０では低融点はんだを使用している。このため、シールリング３下部では、金属層２０のはんだ材が溶けて、シールリング側面を這い上がろうとする。
【００３８】
図６は、這い上がり現象によるシーム溶接への影響を説明するための図である。図６（ａ）ははんだの這い上がり現象を示す図、図６（ｂ）は実施の形態１のシールリング３を用いた場合の図、図６（ｃ）はシーム溶接時に、金属製のシールリング６０と多層セラミック基板６２の接合部に発生する、不具合を説明する図である。
図６（ａ）において、金属製のシールリング６０は、ろう材６１で多層セラミック基板６２に接合されている。ここで説明するシールリング６０には、図３で説明したセラミック部２５を設けていない。ローラ電極５０ａは、カバー２１の端面の角に接触しており、カバー２１はシールリング６０にシーム溶接される。
【００３９】
シールリング６０では、シーム溶接時の発熱によって、ろう材６１が溶ける。溶けたろう材６１は、シールリング６０上面のシーム溶接部に達し、カバー２１とシールリング６０の溶接を阻害する。例えば、はんだが溶接部へ混入して脆い組織を形成する。或いは、シーム溶接時にはんだの混入部分で接触抵抗が急激に大きくなり、過大電流が流れてスパークし、カバー２１が割れる。
【００４０】
しかしながら、この実施の形態１によるシールリング３は、図６（ｂ）に示すように、下部にセラミック部を有している。これによって、シーム溶接の熱で溶融したはんだ材がシールリング３の側面を這い上がろうとしても、セラミック部２５のはんだ濡れ性が悪いので、セラミック表面の露出領域２８で遮断されて、シールリング３とカバー２１の接合部分に達することがない。このため、シーム溶接を正常に実施することができる。
【００４１】
一方で、図６（ｃ）に示すように、シールリング６０とカバー２１をシーム溶接するときに発生する熱は、シールリング６０と多層セラミック基板６２の接合部に伝わる。このとき、シールリング６０と多層セラミック基板６２との接合部でろう材が溶け出してメタライズ層が剥離する、或いは接合部周辺でセラミック基板６２にクラックが入ることがある。
【００４２】
この実施の形態によるシールリング３は、図６（ｂ）のように金属部２５とセラミック部２６を張り合わせているので、熱伝導率が低くなる。このため、カバー２１を接合する際に発生する熱が、多層セラミック基板２に伝わりにくくなるため、シーム溶接時に発生する熱応力を緩和させることが出来る。したがって、図６（ｃ）に示すような多層セラミック基板６２のクラックや、メタライズ層の剥離などの問題が低減出来る。
【００４３】
また、シールリング３上部の金属部分は放熱されにくくなるので、溶接する際に発生する熱が溶接スポット近辺に集中し周辺に拡散しないので、シールリング３上部の温度が安定して、良好な溶接が可能となる。
【００４４】
以上説明したように、この実施の形態１によるセラミックパッケージ１は、キャビティの形成されたパッケージ壁の上端面でシールリング３がはんだ付けされる。シールリング３は金属部２４とセラミック部２５をろう付け接合して成り、セラミック部２５の下面が多層セラミック基板２の上面に軟ろう材ではんだ付け接合される。
【００４５】
この構成によって、この実施の形態１では、軟ろう材に対する濡れ性の悪い材料を、シールリング側面に配置することによって、シールリング側面への軟ろう材の這い上がりを抑圧することが可能となる。これによって、シーム溶接時の発生熱による、カバー２１の溶接部への軟ろう材の這い上がりを防ぐことが出来る。また、はんだが溶接部へ混入し、脆い組織が形成されるのを防ぐことが出来る。さらに、はんだの電極への付着によって電極の表面状態が悪化することもないので、安定して大量に品質の良い気密パッケージをつくることが出来る。
【００４６】
また、シールリングの一部に熱伝導性の低いセラミックを用いることによって、シーム溶接時に、シールリングとセラミック基板の接合部に印加される熱ストレスを緩和することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】実施の形態１によるセラミックパッケージの構成を示す斜視図である。
【図２】実施の形態１によるセラミックパッケージの構成を示す断面図である。
【図３】実施の形態１によるシールリングの構造を示す断面図である。
【図４】実施の形態１による製造フローを示す図である。
【図５】実施の形態１によるシーム溶接加工を示す断面図である。
【図６】実施の形態１によるシーム溶接加工時のろう材の這い上がりの課題を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  セラミックパッケージ、２  多層セラミック基板、３  シールリング、４  電子部品、２１  カバー、２４  金属部、２５  セラミック部、２６  銀ろう材。
【図１】
2005268333.tif 000003
【図２】
2005268333.tif 000004
【図３】
2005268333.tif 000005
【図４】
2005268333.tif 000006
【図５】
2005268333.tif 000007
【図６】
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