(57)【要約】【課題】  誘電体層の薄い小型大容量の積層型セラミックコンデンサにおいて、ＩＲ不良を低減することができる積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】  Ｂａ，Ｃａ）A（Ｔｉ，Ｚｒ）BＯ3系材料を主成分とする誘電体層と、内部電極層とが交互に積層された積層型セラミックコンデンサにおいて、対向する内部電極層間の誘電体粒子を、Ａ／Ｂ≧１の粒子、及び、Ａ／Ｂ＜１であり且つ前記主成分に対してＹＯ3/2を０．２〜１．２原子％含む粒子、の一方又は両方とすることにより、上記課題を解決した。【選択図】    図２
2005123252.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ｂａ，Ｃａ）A（Ｔｉ，Ｚｒ）BＯ3系材料を主成分とする誘電体層と、内部電極層とが交互に積層された積層型セラミックコンデンサにおいて、
対向する内部電極層間の誘電体粒子が、Ａ／Ｂ≧１の粒子、及び、Ａ／Ｂ＜１であり且つ前記主成分に対してＹＯ3/2を０．２〜１．２原子％含む粒子、の一方又は両方であることを特徴とする積層型セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記内部電極層間が一つの誘電体粒子の存在領域を主に有する１〜５μｍの距離で対向し、当該誘電体粒子が、Ａ／Ｂ≧１の粒子、及び、Ａ／Ｂ＜１であり且つ前記主成分に対してＹＯ3/2を０．２〜１．２原子％含む粒子、の一方又は両方であることを特徴とする請求項１に記載の積層型セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記（Ｂａ，Ｃａ）A（Ｔｉ，Ｚｒ）BＯ3系材料が［（Ｂａ(1-x-y)ＣａxＳｒy）Ｏ］A（Ｔｉ(1-z)Ｚｒz）BＯ2、０．９９０＜Ａ／Ｂ＜１．０１０、０＜ｘ＜０．８０、０＜ｙ＜０．５、０．１＜ｚ＜０．３であり、前記誘電体層は、副成分として少なくともＹ酸化物及び／又は焼成によりＹ酸化物になる化合物を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の積層型セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記誘電体層は、副成分として、Ｍｎ酸化物及び／又は焼成によりＭｎ酸化物になる化合物を酸化物（ＭｎＯ）換算で０．０１〜０．５重量％含有し、Ｙ酸化物及び／又は焼成によりＹ酸化物になる化合物を酸化物（Ｙ2Ｏ3）換算で０．０５〜０．５重量％含有し、Ｖ酸化物及び／又は焼成によりＶ酸化物になる化合物を酸化物（Ｖ2Ｏ5）換算で０．００５〜０．３重量％含有し、Ｗ酸化物及び／又は焼成によりＷ酸化物になる化合物を酸化物（ＷＯ3）換算で０〜０．３重量％含有し、Ｍｇ酸化物及び／又は焼成によりＭｇ酸化物になる化合物を酸化物（ＭｇＯ）換算で０〜０．１重量％含有し、Ｓｉ酸化物及び／又は焼成によりＳｉ酸化物になる化合物を酸化物（ＳｉＯ2）換算で０．００１〜０．２５重量％含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層型セラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記内部電極層がニッケル又はニッケル合金からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層型セラミックコンデンサ。
【請求項６】
誘電体層と内部電極層とを交互に積層して得られる素子本体を１２００〜１４００℃の温度で焼成して焼結体を得る焼成工程と、当該焼結体を８００〜１１００℃の温度で再酸化処理して再酸化処理済み焼結体を得る再酸化工程とを有する積層型セラミックコンデンサの製造方法であって、
前記誘電体層は、製造後の主成分が［（Ｂａ(1-x-y)ＣａxＳｒy）Ｏ］A（Ｔｉ(1-z)Ｚｒz）BＯ2、０．９９０＜Ａ／Ｂ＜１．０１０、０＜ｘ＜０．８０、０＜ｙ＜０．５、０．１＜ｚ＜０．３となり、副成分の含有量が、Ｍｎ酸化物及び／又は焼成によりＭｎ酸化物になる化合物を酸化物（ＭｎＯ）換算で０．０１〜０．５重量％、Ｙ酸化物及び／又は焼成によりＹ酸化物になる化合物を酸化物（Ｙ2Ｏ3）換算で０．０５〜０．５重量％、Ｖ酸化物及び／又は焼成によりＶ酸化物になる化合物を酸化物（Ｖ2Ｏ5）換算で０．００５〜０．３重量％、Ｗ酸化物及び／又は焼成によりＷ酸化物になる化合物を酸化物（ＷＯ3）換算で０〜０．３重量％、Ｍｇ酸化物及び／又は焼成によりＭｇ酸化物になる化合物を酸化物（ＭｇＯ）換算で０〜０．１重量％、Ｓｉ酸化物及び／又は焼成によりＳｉ酸化物になる化合物を酸化物（ＳｉＯ2）換算で０．００１〜０．２５重量％となるように調整され、
前記焼成工程において、焼成温度から１０００℃までの降温速度を１００℃／時間以下としたことを特徴とする積層型セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項７】
前記誘電体層と内部電極層とを交互に積層して得られる素子本体において、対向する内部電極層の距離を１〜５μｍとすることを特徴とする請求項６に記載の積層型セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、誘電体層の薄い小型大容量の積層型セラミックコンデンサにおいて、その絶縁抵抗不良を低減することができる誘電体層の構造に特徴がある積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
積層型セラミックコンデンサとして、内部電極層用材料にコストメリットのあるＮｉ又はＮｉ合金を用いたＮｉ内部電極タイプの積層型セラミックコンデンサが製造されている。このＮｉ内部電極タイプの積層型セラミックコンデンサは、内部電極層を構成するＮｉと誘電体材料とを交互に積層した積層体をＮｉ酸化が起こらない還元雰囲気で焼成した後、焼成時に脱離した酸素を補充するために酸素を少し含む雰囲気中で再酸化処理を行い、その後、積層体の両端面に前記の内部電極と接続するように外部電極を設けることにより製造されている。
【０００３】
近年、積層型セラミックコンデンサの小型大容量化が進み、誘電体層をより薄くする傾向になってきている。例えば、同じ誘電体材料を用いた同じ外形形状の積層型セラミックコンデンサの容量を２倍にするには、誘電体層を構成する誘電体粒子径の大きさを維持しつつ誘電体層の厚さを半分にすることで達成できる。
【０００４】
この場合において、高誘電率を示す（Ｂａ，Ｃａ）A（Ｔｉ，Ｚｒ）BＯ3を主成分とする誘電体層は、特に誘電体粒子径の誘電率等に対する影響が大きく、誘電体粒子の粒径が小さくなると誘電率等の特性が低下する傾向がある。そのため、誘電体層を構成する誘電体粒子の大きさを維持しつつ誘電体層の厚さを薄くすることがより重要となる。
【０００５】
こうした積層型セラミックコンデンサの小型大容量化を目的とした誘電体層の薄層化については、従来より幾つか報告されている。例えば、下記特許文献１には、内部電極間に挟まれた誘電体層の厚さを５μｍ以下に薄くした場合において、３．５μｍ以上の粒径からなる誘電体粒子をその内部電極間に主に存在させることにより、コンデンサ特性（ＣＲ積）の低下を抑制できることが報告されている。また、下記特許文献２には、内部電極間に挟まれた誘電体層の厚さを３μｍ以下に薄くした場合において、内部電極層と誘電体層との間に薄い異相を介在させることにより、単位面積当たりの取得静電容量を向上できることが報告されている。
【特許文献１】特開平１１−３１７３２２号公報
【特許文献２】特開２００２−１２４４３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１，２に代表される従来の積層型セラミックコンデンサにおいては、誘電体層をより薄くした場合であっても所望のコンデンサ特性を得ることができ、その点については一定の成果が得られている。
【０００７】
しかしながら、そうした小型大容量化の積層型セラミックコンデンサにおいては、ＩＲ不良（絶縁抵抗不良のこと。以下同じ。）の発生確率が高いという問題があった。この問題に対しては、未だその原因の解明及び解決手段は提供されておらず、その解決が要請されている。
【０００８】
本発明は、上記要請に基づいてなされたものであって、その目的は、誘電体層の薄い小型大容量の積層型セラミックコンデンサにおいて、ＩＲ不良を低減することができる積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、ＩＲ不良が高い発生確率で生じるという問題に対し、薄層化した誘電体層を構成する個々の誘電体粒子の組成分析を詳細に行っている過程で、対向する内部電極層間の誘電体粒子がある特定の組成である場合に、ＩＲ不良が高い頻度で発生することを発見した。すなわち、対向する内部電極層間の（Ｂａ，Ｃａ）A（Ｔｉ，Ｚｒ）BＯ3系の誘電体粒子が、Ａ／Ｂ＜１であり且つその含有するＹＯ3/2が０．１原子％未満である場合に高い確率でＩＲ不良が発生することを見出した。
【００１０】
本発明は、上記知見に基づいてなされたものであって、（Ｂａ，Ｃａ）A（Ｔｉ，Ｚｒ）BＯ3系材料を主成分とする誘電体層と、内部電極層とが交互に積層された積層型セラミックコンデンサにおいて、対向する内部電極層間の誘電体粒子が、Ａ／Ｂ≧１の粒子、及び、Ａ／Ｂ＜１であり且つ前記主成分に対してＹＯ3/2を０．２〜１．２原子％含む粒子、の一方又は両方であることを特徴とする。なお、この場合のＡ及びＢは、（Ｂａ，Ｃａ）A（Ｔｉ，Ｚｒ）BＯ3系材料におけるＡサイトとＢサイトの組成比を表すものである。
【００１１】
この発明によれば、対向する内部電極層間の誘電体粒子が、Ａ／Ｂ≧１の粒子及びＡ／Ｂ＜１であり且つ前記主成分に対してＹＯ3/2を０．２〜１．２原子％含む粒子の一方又は両方であるので、ＩＲ不良を低減することができる。
【００１２】
特に本発明は、前記内部電極層間が一つの誘電体粒子の存在領域を主に有すると共に、その内部電極層が１〜５μｍの距離で対向する態様の積層型セラミックコンデンサにおいて好ましく適用される。すなわち、対向する当該内部電極層間の誘電体粒子が、Ａ／Ｂ≧１の粒子、及び、Ａ／Ｂ＜１であり且つ前記主成分に対してＹＯ3/2を０．２〜１．２原子％含む粒子、の一方又は両方であることを特徴とする。
【００１３】
内部電極層の間の電界方向に一つの誘電体粒子が主に存在する積層型セラミックコンデンサでは、一つ一つの誘電体粒子の特性が全体に大きな影響を及ぼすことになる。この発明によれば、内部電極層間に主に存在する一つ一つの誘電体粒子が上記組成であるので、ＩＲ不良を起こし難く、積層型セラミックコンデンサの小型大容量化を達成できる。
【００１４】
本発明は、上記の積層型セラミックコンデンサにおいて、前記（Ｂａ，Ｃａ）A（Ｔｉ，Ｚｒ）BＯ3系材料が［（Ｂａ(1-x-y)ＣａxＳｒy）Ｏ］A（Ｔｉ(1-z)Ｚｒz）BＯ2、０．９９０＜Ａ／Ｂ＜１．０１０、０＜ｘ＜０．８０、０＜ｙ＜０．５、０．１＜ｚ＜０．３であり、前記誘電体層は副成分として少なくともＹ酸化物及び／又は焼成によりＹ酸化物になる化合物を含有することを特徴とする。
【００１５】
この発明によれば、特に小型大容量化の積層型セラミックコンデンサに好ましく適用される［（Ｂａ(1-x-y)ＣａxＳｒy）Ｏ］A（Ｔｉ(1-z)Ｚｒz）BＯ2系でその効果がより発揮される。
【００１６】
本発明は、上記の積層型セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層は、副成分として、Ｍｎ酸化物及び／又は焼成によりＭｎ酸化物になる化合物を酸化物（ＭｎＯ）換算で０．０１〜０．５重量％含有し、Ｙ酸化物及び／又は焼成によりＹ酸化物になる化合物を酸化物（Ｙ2Ｏ3）換算で０．０５〜０．５重量％含有し、Ｖ酸化物及び／又は焼成によりＶ酸化物になる化合物を酸化物（Ｖ2Ｏ5）換算で０．００５〜０．３重量％含有し、Ｗ酸化物及び／又は焼成によりＷ酸化物になる化合物を酸化物（ＷＯ3）換算で０〜０．３重量％含有し、Ｍｇ酸化物及び／又は焼成によりＭｇ酸化物になる化合物を酸化物（ＭｇＯ）換算で０〜０．１重量％含有し、Ｓｉ酸化物及び／又は焼成によりＳｉ酸化物になる化合物を酸化物（ＳｉＯ2）換算で０．００１〜０．２５重量％含有することが好ましい。
【００１７】
本発明は、上記の積層型セラミックコンデンサにおいて、前記内部電極層がニッケル又はニッケル合金からなることが好ましい。
【００１８】
上記課題を解決する本発明の積層型セラミックコンデンサの製造方法は、誘電体層と内部電極層とを交互に積層して得られる素子本体を１２００〜１４００℃の温度で焼成して焼結体を得る焼成工程と、当該焼結体を８００〜１１００℃の温度で再酸化処理して再酸化処理済み焼結体を得る再酸化工程とを有する積層型セラミックコンデンサの製造方法であって、前記誘電体層は、製造後の主成分が［（Ｂａ(1-x-y)ＣａxＳｒy）Ｏ］A（Ｔｉ(1-z)Ｚｒz）BＯ2、０．９９０＜Ａ／Ｂ＜１．０１０、０＜ｘ＜０．８０、０＜ｙ＜０．５、０．１＜ｚ＜０．３となり、副成分の含有量が、Ｍｎ酸化物及び／又は焼成によりＭｎ酸化物になる化合物を酸化物（ＭｎＯ）換算で０．０１〜０．５重量％、Ｙ酸化物及び／又は焼成によりＹ酸化物になる化合物を酸化物（Ｙ2Ｏ3）換算で０．０５〜０．５重量％、Ｖ酸化物及び／又は焼成によりＶ酸化物になる化合物を酸化物（Ｖ2Ｏ5）換算で０．００５〜０．３重量％、Ｗ酸化物及び／又は焼成によりＷ酸化物になる化合物を酸化物（ＷＯ3）換算で０〜０．３重量％、Ｍｇ酸化物及び／又は焼成によりＭｇ酸化物になる化合物を酸化物（ＭｇＯ）換算で０〜０．１重量％、Ｓｉ酸化物及び／又は焼成によりＳｉ酸化物になる化合物を酸化物（ＳｉＯ2）換算で０．００１〜０．２５重量％となるように調整され、前記焼成工程において、焼成温度から１０００℃までの降温速度を１００℃／時間以下としたことを特徴とする。
【００１９】
この発明によれば、対向する内部電極層間に上述した組成からなる（Ｂａ，Ｃａ）A（Ｔｉ，Ｚｒ）BＯ3系の誘電体粒子を安定して生成できるので、小型大容量化の積層型セラミックコンデンサのＩＲ不良が低減し、歩留まりを向上させることができる。
【００２０】
本発明の積層型セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層と内部電極層とを交互に積層して得られる素子本体において、対向する内部電極層の距離を１〜５μｍとすることを特徴とする。
【００２１】
この発明によれば、対向する内部電極層の距離を１〜５μｍとしたので、その内部電極層間の誘電体層は、その厚さ方向（電界方向）に一つの誘電体粒子が主に存在する。この発明では、そうした誘電体粒子がＩＲ不良を起こし難い組成となるので、小型大容量化を達成できる積層型セラミックコンデンサを製造できる。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように、本発明の積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法によれば、積層型セラミックコンデンサのＩＲ不良を低減し、歩留まりを向上させることができる。その結果、誘電体層を上記組成の誘電体粒子で構成することにより、積層型セラミックコンデンサの小型大容量化を達成できる。特に、対向する内部電極層の距離が１〜５μｍであってその内部電極層間が電界方向に一つの誘電体粒子の存在領域を主に有する態様で形成される積層型セラミックコンデンサにおいては、誘電体粒子がＩＲ不良を起こし難い組成となっているので、小型大容量化を図る上で特に有効である。
【００２３】
また、本発明の積層型セラミックコンデンサの製造方法によれば、対向する内部電極層間に上述した組成からなる（Ｂａ，Ｃａ）A（Ｔｉ，Ｚｒ）BＯ3系の誘電体粒子を安定して生成できる。その結果、ＩＲ不良の低減と、歩留まりの向上と、小型大容量化とを達成できる積層型セラミックコンデンサを製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下に説明する実施形態により本発明の範囲は制限されない。
【００２５】
（積層型セラミックコンデンサ）
図１は本発明の積層型セラミックコンデンサの一例を模式的に示す断面である。
【００２６】
本発明の積層型セラミックコンデンサは、図１に示されるように、誘電体層２とニッケル内部電極層３とが交互に積層された積層誘電体素子本体１０を有している。積層誘電体素子本体１０の両端部には、素子本体１０の内部で交互に配置されたニッケル内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成されている。積層誘電体素子本体１０の形状は、通常、直方体状であるが特に制限されない。また、その寸法も特に制限はないが、通常、長辺：１．５〜６．０ｍｍ×短辺：０．７〜４．５ｍｍ×高さ：０．７〜４．５ｍｍ程度である。
【００２７】
誘電体層２は、高い誘電体特性を示す（Ｂａ，Ｃａ）A（Ｔｉ，Ｚｒ）BＯ3系材料を主成分とする材料で形成された層であり、より具体的には、（Ｂａ，Ｃａ）A（Ｔｉ，Ｚｒ）BＯ3系材料が、［（Ｂａ(1-x-y)ＣａxＳｒy）Ｏ］A（Ｔｉ(1-z)Ｚｒz）BＯ2で表される誘電体酸化物を含んでいる。この組成式を構成するＡ、Ｂ、ｘ、ｙ、ｚの範囲は、０．９９０＜Ａ／Ｂ＜１．０１０、０＜ｘ＜０．８０、０＜ｙ＜０．５、０．１＜ｚ＜０．３であり、その範囲の組成を含むことにより高い誘電体特性を示す誘電体層となる。
【００２８】
この誘電体層２は、副成分として少なくともＹ酸化物を含有する。具体的には、Ｙ酸化物の他、Ｍｎ酸化物、Ｖ酸化物、Ｍｇ酸化物及びＳｉ酸化物から選ばれる１種又は２種以上の酸化物が副成分として含まれる。これらの酸化物は、誘電体層２の原料である誘電体材料中にＭｎ酸化物、Ｙ酸化物、Ｖ酸化物、Ｍｇ酸化物又はＳｉ酸化物として含まれていてもよいし、焼成後にＭｎ酸化物、Ｙ酸化物、Ｖ酸化物、Ｍｇ酸化物又はＳｉ酸化物になる化合物として含まれていてもよい。
【００２９】
さらに具体的には、Ｍｎ酸化物及び／又は焼成によりＭｎ酸化物になる化合物を酸化物（ＭｎＯ）換算で０．０１〜０．５重量％含有し、Ｙ酸化物及び／又は焼成によりＹ酸化物になる化合物を酸化物（Ｙ2Ｏ3）換算で０．０５〜０．５重量％含有し、Ｖ酸化物及び／又は焼成によりＶ酸化物になる化合物を酸化物（Ｖ2Ｏ5）換算で０．００５〜０．３重量％含有し、Ｗ酸化物及び／又は焼成によりＷ酸化物になる化合物を酸化物（ＷＯ3）換算で０〜０．３重量％含有し、Ｍｇ酸化物及び／又は焼成によりＭｇ酸化物になる化合物を酸化物（ＭｇＯ）換算で０〜０．１重量％含有し、Ｓｉ酸化物及び／又は焼成によりＳｉ酸化物になる化合物を酸化物（ＳｉＯ2）換算で０．００１〜０．２５重量％含有する。上記範囲の含有量は、（Ｂａ，Ｃａ）A（Ｔｉ，Ｚｒ）BＯ3系材料、具体的には［（Ｂａ(1-x-y)ＣａxＳｒy）Ｏ］A（Ｔｉ(1-z)Ｚｒz）BＯ2で表される主成分を１００重量％としたとき、各々の含有元素を酸化物換算で重量％により表したものである。なお、重量％は質量％と同義である。こうした含有量の各酸化物を含む誘電体層２は、誘電体層を薄層化した場合の信頼性不良を低減でき、長寿命化を図ることができる。
【００３０】
誘電体層２は、図２に示すように、対向する内部電極層面の法線方向（内部電極層面に直交する方向。電界方向と同じ。）に誘電体粒子が１つ存在している形態（図２の（ａ）を参照）、又は、電界方向に２つ以上の誘電体粒子が主に存在している形態（図２の（ｂ）を参照）、を呈している。なお、図２は誘電体層の断面に現れる誘電体粒子を示しているが、誘電体粒子は、当然に誘電体層の面内方向にも並んでいる。
【００３１】
本発明は、上述した全体組成を有する誘電体層２において、その誘電体層２を挟む対向した内部電極層３，３間に存在する粒子が、主成分である［（Ｂａ(1-x-y)ＣａxＳｒy）Ｏ］A（Ｔｉ(1-z)Ｚｒz）BＯ2におけるＡサイトとＢサイトの比で、Ａ／Ｂ≧１の粒子２２、及び、Ａ／Ｂ＜１であり且つ前記の主成分に対してＹＯ3/2を０．２〜１．２原子％含む粒子、の一方又は両方であることに特徴がある。
【００３２】
言い換えれば、本発明は、誘電体層２を挟む対向した内部電極層３，３間の誘電体粒子が、主成分である［（Ｂａ(1-x-y)ＣａxＳｒy）Ｏ］A（Ｔｉ(1-z)Ｚｒz）BＯ2に対してＹＯ3/2を０．１原子％未満含み且つＡサイトとＢサイトの比がＡ／Ｂ＜１の粒子２３を有していない点に特徴がある。
【００３３】
本発明は、対向した内部電極層３，３間の誘電体粒子が、主成分に対してＹＯ3/2を０．１原子％未満含み且つＡサイトとＢサイトの比がＡ／Ｂ＜１である場合にＩＲ不良が発生することを見出し、その知見に基づいて達成されたものであるので、本発明の要件を満たす誘電体粒子２１，２２が内部電極層３，３間に存在することにより、ＩＲ不良が低減した歩留まりのよい積層型セラミックコンデンサを提供できる。なお、これらの現象について、本件出願時点での考察によれば、ＡサイトとＢサイトの比がＡ／Ｂ＜１の組成を持つ誘電体粒子では、粒子内の抵抗の低下が生じてＩＲ不良を引き起こすと考えられるが、Ａ／Ｂ＜１の組成を持つ誘電体粒子であっても、ＹがＡサイトを補償することにより、高抵抗となってＩＲ不良が生じ難くなっていると考えられる。
【００３４】
図２は、本発明の要件を満たす誘電体粒子２１，２２が内部電極層３，３間に存在する態様を模式的に示す拡大図である。図２（ａ）は、対向する内部電極層３，３の距離が１〜５μｍであって、その内部電極層３，３間が電界方向に一つの誘電体粒子の存在領域を主に有する場合であり、図２（ｂ）は、対向する内部電極層３，３の距離が約６〜１０μｍ程度であって、その内部電極層３，３間が電界方向に２以上の誘電体粒子からなる存在領域を主に有する場合である。
【００３５】
図２（ａ）の場合においては、ＩＲ不良の発生要因となる誘電体粒子２３（図３を参照）が存在しないので、ＩＲ不良が起き難い。図２（ｂ）の場合においても、ＩＲ不良の発生要因となる誘電体粒子２３（図３を参照）が存在しないので、ＩＲ不良が起き難い。
【００３６】
ここで、内部電極層３，３間が電界方向に一つの誘電体粒子の存在領域を主に有する場合とは、次の測定結果により定義される。先ず、積層セラミックコンデンサを内部電極に垂直な面で切断し、この面について誘電体層を形成している誘電体粒子の粒径を測定する。次に、その平均粒径を算出し、内部電極に対して垂直な線を平均粒径の間隔で引き、一つの誘電体粒子がかかっている線の数を全部の線に対する割合で求める。そして、その求めた割合が２０％以上である場合に、内部電極層３，３間が電界方向に一つの誘電体粒子の存在領域を主に有する場合と定義する。
【００３７】
図３は、本発明の要件を満たさない誘電体粒子２３からなる領域が内部電極層３，３間に存在する態様を模式的に示す拡大図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）は、上述した図２（ａ）と図２（ｂ）に対応している。
【００３８】
図３（ａ）の場合においては、ＩＲ不良の発生要因となる誘電体粒子２３が存在しているので、ＩＲ不良が発生する。図３（ｂ）の場合においても、ＩＲ不良の発生要因となる誘電体粒子２３からなる領域（領域Ａで表す）が存在するので、ＩＲ不良が発生する。
【００３９】
誘電体層２の積層数や厚さ等の諸条件は、目的や用途に応じ適宜決定すればよいが、誘電体層２の厚さｄ１としては、通常３０μｍ以下であり、小型大容量化の観点からは、誘電体層２の厚さｄ１を５μｍ以下とすることが好ましい。これらの厚さ範囲内においても、ＩＲ不良が低減し歩留まりのよい積層型セラミックコンデンサを提供できる。
【００４０】
ニッケル内部電極層３は、各端面が積層誘電体素子本体１０の対向する２つの端部の表面に交互に露出するように積層されている。一対の外部電極４は、積層誘電体素子本体１０の両端部に形成され、交互に配置されたニッケル内部電極層３の露出端面に接続されて、積層型セラミックコンデンサを構成している。
【００４１】
内部電極層３は、実質的に電極として作用する非金属の導電材から構成される。具体的には、Ｎｉ又はＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ａｌ，Ｗ等の１種又は２種以上と、Ｎｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量が９５重量％以上であることが好ましい。また、Ｎｉ又はＮｉ合金中には、Ｐ，Ｃ，Ｎｂ，Ｆｅ，Ｃｌ，Ｂ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆ，Ｓ等の各種微量成分が０．１重量％以下含有されていてもよい。
【００４２】
ニッケル内部電極層３の積層数や厚さ等の諸条件は、目的や用途に応じ適宜決定すればよいが、厚さｄ２としては、通常０．５μｍ〜５μｍ程度が好ましく、１μｍ〜２．５μｍがより好ましい。
【００４３】
外部電極４は、積層誘電体素子本体１０の内部で交互に配置されたニッケル内部電極層３と各々導通する電極であり、積層誘電体素子本体１０の両端部に一対形成されている。
【００４４】
外部電極４としては、通常、Ｎｉ，Ｐｄ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ等の少なくとも１種又はそれらの合金を用いることができる。通常は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｎｉ又はＮｉ合金等や、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ｉｎ−Ｇａ合金等が使用される。外部電極４の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、１０〜２００μｍ程度であることが好ましい。
【００４５】
（積層型セラミックコンデンサの製造方法）
次に、本発明の積層型セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
【００４６】
本発明の積層型セラミックコンデンサの製造方法は、誘電体材料で形成された層とニッケル内部電極層とが交互に積層された積層体（グリーンチップ）を焼成する焼成工程と、焼成後の焼結体を再酸化する再酸化工程とを有している。さらに、再酸化処理後の積層体の両端面に外部電極を設けて必要に応じて焼き付けることにより製造される。
【００４７】
先ず、積層体の作製から説明する。
【００４８】
積層体は、誘電体材料で形成された層とニッケル内部電極層とを交互に積層して形成される。
【００４９】
誘電体材料の原料としては、焼成後における前述した（Ｂａ，Ｃａ）A（Ｔｉ，Ｚｒ）BＯ3系の誘電体層の組成に応じ、主成分を構成する原料と、副成分を構成する原料とが用いられる。
【００５０】
主成分を構成する原料としては、Ｔｉ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｚｒの酸化物及び／又は焼成により酸化物になる化合物が用いられる。副成分を構成する原料としては、少なくともＹ酸化物及び／又は焼成によりＹ酸化物になる化合物を含有し、具体的には、Ｙ酸化物及び／又は焼成によりＹ酸化物になる化合物の他、Ｍｎ，Ｖ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｔｉ，Ｃａ，Ｓｎ，Ｗ，及びＰの酸化物及び／又は焼成により酸化物になる化合物から選ばれる１種又は２種以上の単一酸化物又は複合酸化物が用いられる。特に本発明においては、Ｍｎ，Ｙ，Ｖ，Ｗ、Ｍｇ及びＳｉの酸化物及び／又は焼成により酸化物になる化合物から選ばれる１種又は２種以上の単一酸化物又は複合酸化物が好ましく用いられる。また、不可避不純物として、Ｃ，Ｆ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｐ，Ｓ，Ｃｌ等の各種微量成分が０．１重量％以下含有されていてもよい。
【００５１】
これらの主成分構成材料と副成分構成材料は、製造後の主成分が［（Ｂａ(1-x-y)ＣａxＳｒy）Ｏ］A（Ｔｉ(1-z)Ｚｒz）BＯ2、０．９９０＜Ａ／Ｂ＜１．０１０、０＜ｘ＜０．８０、０＜ｙ＜０．５、０．１＜ｚ＜０．３となり、副成分の含有量が、Ｍｎ酸化物及び／又は焼成によりＭｎ酸化物になる化合物を酸化物（ＭｎＯ）換算で０．０１〜０．５重量％、Ｙ酸化物及び／又は焼成によりＹ酸化物になる化合物を酸化物（Ｙ2Ｏ3）換算で０．０５〜０．５重量％、Ｖ酸化物及び／又は焼成によりＶ酸化物になる化合物を酸化物（Ｖ2Ｏ5）換算で０．００５〜０．３重量％、Ｗ酸化物及び／又は焼成によりＷ酸化物になる化合物を酸化物（ＷＯ3）換算で０〜０．３重量％、Ｍｇ酸化物及び／又は焼成によりＭｇ酸化物になる化合物を酸化物（ＭｇＯ）換算で０〜０．１重量％、Ｓｉ酸化物及び／又は焼成によりＳｉ酸化物になる化合物を酸化物（ＳｉＯ2）換算で０．００１〜０．２５重量％となるように調整された後に配合される。
【００５２】
これらの原料粉末は、通常、平均粒子径０．００１〜２μｍ程度のものが用いられる。
【００５３】
次に、誘電体材料粉末から誘電体層を作製する。誘電体層は、誘電体材料と樹脂バインダーとを混練して顆粒状に作製した後にプレス機等で作製する方法、又は、誘電体材料粉末と樹脂バインダーとを有機溶剤中で混合してスラリー状にした後にドクターブレード法等の成膜手段によりＰＥＴ等の基材シート上に作製する方法、等が挙げられる。
【００５４】
誘電体材料と樹脂バインダーとを混合する際には、可塑剤、分散剤、溶剤等の添加剤が必要に応じて加えられる。樹脂バインダーとしては、例えばエチルセルロース、アビエチン酸レジン、ポリビニルブチラールなどが挙げられ、可塑剤としては、例えばアビエチン酸誘導体、ジエチル蓚酸、ポリエチレングリコール、ポリアルキレングリコール、フタール酸エステル、フタール酸ジブチルなどが挙げられ、分散剤としては、例えばグリセリン、オクタデシルアミン、トリクロロ酢酸、オレイン酸、オクタジエン、オレイン酸エチル、モノオレイン酸グリセリン、トリオレイン酸グリセリン、トリステアリン酸グリセリン、メンセーデン油などが挙げられ、溶剤としては、例えばトルエン、ターピネオール、ブチルカルビトール、メチルエチルケトンなどが挙げられる。
【００５５】
次に、誘電体層とニッケル内部電極層とを積層して積層体を作製する。
【００５６】
積層体は、(a)上述した内部電極層用ペーストを誘電体層上に印刷し、それらを順次積層させるシート法、(b)予め印刷した内部電極層用パターンを誘電体層上に転写する転写法、又は、(c)誘電体層用のスラリーと内部電極層用ペーストとを交互に印刷して形成する印刷法、等により作製される。
【００５７】
なお、ニッケル内部電極層用ペーストは、ニッケル又はニッケル合金からなる導電材料粉末、又は焼成後にニッケル又はニッケル合金となる各種化合物粉末等と、有機ビヒクルとを混練して調製する。ニッケル又はニッケル合金からなる導電材料粉末は、球状、リン片状等、その形状に特に制限はなく、また、これらの形状のものが混合したものであってもよい。また、導体材料粉末の平均粒子径は、通常、０．１〜１０μｍ、好ましくは０．２〜１μｍ程度のものが用いられる。有機ビヒクルは、バインダーと溶剤を含有するものであり、バインダーとしては、例えばエチルセルロース、アクリル樹脂、ブチラール樹脂等公知のものがいずれも使用可能である。バインダー含有量は通常１〜５重量％程度である。溶剤としては、例えばターピネオール、ブチルカルビトール、ケロシン等、公知のものはいずれも使用可能である。溶剤含有量は、ニッケル内部電極層用ペースト全体に対して通常２０〜５５重量％程度である。
【００５８】
こうして作製された積層体は、内部電極パターンと誘電体層とが積層方向に多数積層されており、その積層方向上下端には、内部電極パターンを介さない複数の誘電体層が積層されている。
【００５９】
次に、このようにして得られた積層体を、所定の積層体サイズに切断し、グリーンチップとする。その後、そのグリーンチップは、脱バインダー処理工程、焼成工程、再酸化物質付与工程、及び再酸化工程を経て積層型セラミックコンデンサとなる。
【００６０】
脱バインダー処理工程は、グリーンチップ中に含まれるバインダーを除去するための熱処理工程である。脱バインダー処理は、通常の条件で行えばよいが、内部電極層の導電体材料にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合には、昇温速度：５〜３００℃／時間好ましくは１０〜５０℃／時間、保持温度：２００〜４００℃好ましくは２５０〜３５０℃、保持時間：０．５〜２０時間好ましくは１〜１０時間、雰囲気：加湿したＮ2とＨ2との混合ガス、の条件で行うことが好ましい。
【００６１】
焼成工程は、誘電体材料を焼結させて所望のセラミックス層にするための熱処理工程である。焼成は、昇温速度：５０〜５００℃／時間好ましくは２００〜３００℃／時間、保持温度：１２００〜１４００℃好ましくは１２５０〜１３００℃、保持時間：０．５〜８時間好ましくは１〜３時間、冷却速度：５０〜５００℃／時間好ましくは２００〜３００℃／時間、雰囲気ガス：加湿したＮ2とＨ2との混合ガス又は大気雰囲気中等、の条件で行うことが好ましい。この焼成において、酸素分圧は、１０−４Ｐａ以下、特に１０−９〜１０−４Ｐａにて行うことが好ましい。酸素分圧が１０−４Ｐａを超えると、内部電極層が酸化する傾向にあり、また、酸素分圧が１０−９Ｐａよりも小さいと、内部電極層の電極材料が異常焼結を起こし、途切れてしまう傾向にある。
【００６２】
本発明者は、積層型セラミックコンデンサの製造において、焼成工程において、一定時間保持した焼成温度（℃）から１０００℃までの降温速度を１００℃／時間以下としたときに、上述した本発明の特徴的な誘電体層２構造をとることを見出した。すなわち、その降温条件を適用することにより、上述した全体組成を有する誘電体層２において、その誘電体層２を挟む対向した内部電極層３，３間に存在する粒子を、主成分である［（Ｂａ(1-x-y)ＣａxＳｒy）Ｏ］A（Ｔｉ(1-z)Ｚｒz）BＯ2におけるＡサイトとＢサイトの比で、Ａ／Ｂ≧１の粒子２２、及び、Ａ／Ｂ＜１であり且つ前記の主成分に対してＹＯ3/2を０．２〜１．２原子％含む粒子、の一方又は両方とすることを可能にした。言い換えれば、誘電体層２を挟む対向した内部電極層３，３間の誘電体粒子を、主成分である［（Ｂａ(1-x-y)ＣａxＳｒy）Ｏ］A（Ｔｉ(1-z)Ｚｒz）BＯ2に対してＹＯ3/2を０．１原子％未満含み且つＡサイトとＢサイトの比がＡ／Ｂ＜１の粒子２３とならないようにすることを可能にした。
【００６３】
なお、上記の条件は本発明の積層型セラミックコンデンサの製造を可能にした一例であるが、本発明の積層型セラミックコンデンサを製造する手段は、焼成条件等をさらに詳細に検討することによって、種々の条件からなる製造条件を規定することも可能である。
【００６４】
再酸化工程は、上記の焼成工程後に行われる工程である。再酸化（以下、アニールともいう。）を行う再酸化条件としては、保持温度又は最高温度を、好ましくは８００℃以上、さらに好ましくは８００〜１１００℃として行う。再酸化処理時の保持温度又は最高温度が８００℃未満では、誘電体材料の酸化が不十分なために絶縁抵抗寿命が短くなる傾向にあり、再酸化処理時の保持温度又は最高温度が１１００℃を超えると、内部電極のＮｉが酸化し、容量が低下するだけでなく、誘電体素地と反応してしまい、寿命も短くなる傾向にある。再酸化処理の際の酸素分圧は、焼成時の還元雰囲気よりも高い酸素分圧であり、好ましくは１０−４Ｐａ〜１Ｐａ、より好ましくは１０−３Ｐａ〜１０−１Ｐａである。酸素分圧が１０−４Ｐａ未満では、誘電体層２の再酸化が困難であり、酸素分圧が１Ｐａを超えると内部電極層３が酸化する傾向にある。そして、そのほかの再酸化処理条件は、保持時間：０〜６時間、特に２〜５時間、冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に１００〜３００℃／時間、雰囲気用ガス：加湿したＮ２ガス等の条件が好ましい。
【００６５】
上述した脱バインダー処理工程、焼成工程及び再酸化工程は、それぞれを連続して行っても、独立に行ってもよい。これらを連続して行なう場合、脱バインダー処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、再酸化の保持温度に達したときに雰囲気を変更して再酸化を行なうことが好ましい。一方、これらを独立して行なう場合、焼成に際しては、脱バインダー処理時の保持温度までＮ２ガス又は加湿したＮ２ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、再酸化時の保持温度まで冷却した後は、再びＮ２ガスあるいは加湿したＮ２ガス雰囲気に変更して冷却を続けることが好ましい。また、再酸化に際しては、Ｎ２ガス雰囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更してもよく、熱処理の全過程を加湿したＮ２ガス雰囲気としてもよい。
【００６６】
このようにして得られた焼結体（積層誘電体素子本体１０）の両端面を、例えばバレル研磨、サンドブラスト等で端面研磨し、その両端面にＣｕ又はＣｕ合金、Ｎｉ又はＮｉ合金等を含む外部電極用ペーストを焼き付けるか、あるいはＩｎ−Ｇａ合金を塗布する等、公知の方法にて外部電極４を形成する。
【００６７】
外部電極用ペーストの一例としては、例えば、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる導電材料粉末をバインダー等と混練りして調製するか、若しくは、公知の外部電極用ペーストを用いることができる。
【００６８】
製造された積層セラミックコンデンサ１は、ＩＲ不良が発生し難く、静電容量が高く、ニッケル内部電極層の酸化も起こっていない。
【００６９】
以上、本発明の積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。
【実施例】
【００７０】
以下の実験例により本発明を詳細に説明する。但し、本発明は、以下の記載内容に限定されるものではない。
【００７１】
（実験１）
［（Ｂａ(1-x-y)ＣａxＳｒy）Ｏ］A（Ｔｉ(1-z)Ｚｒz）BＯ2  の組成式を構成するＡ／Ｂ、ｘ、ｙ、ｚの値が表１に記載のような組成となるように、各種の原料を配合した。原料には、高純度のＢａＣＯ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＣａＣＯ3の粒径約０．５μｍの各粉末を使用し、各原料粉の所定量を採取してボールミルで１５時間混合した後、８００℃・１時間の熱処理条件で仮焼成を行い、下記の表１に示す［（Ｂａ(1-x-y)ＣａxＳｒy）Ｏ］A（Ｔｉ(1-z)Ｚｒz）BＯ2  の組成の誘電体層を形成するための誘電体材料の主成分を得た。
【００７２】
この主成分の粉末に、副成分として高純度のＭｎ，Ｙ，Ｖ，Ｗ，Ｍｇ，Ｓｉの粒径約０．２μｍの各酸化物粉末を１種類ずつ配合してボールミルで１５時間混合し、各試料を作製した。表１に、副成分の配合を示した。表１に示す配合割合は、主成分［（Ｂａ(1-x-y)ＣａxＳｒy）Ｏ］A（Ｔｉ(1-z)Ｚｒz）BＯ2  を１００重量％としたときの各々の含有元素を酸化物換算で重量％により表したものである。
【００７３】
作製した粉末試料に、有機バインダーとしてＰＶＢ（ポリビニルブチラール）樹脂をその粉末試料に対して１０重量％となるように秤量して添加すると共に、可塑剤としてＤＯＰ（ジオクチルフタレート）をその粉末試料に対して５重量％となるように秤量して添加し、その後ボールミルで混練してスラリーとした。そのスラリーを、ＰＥＴフィルム上にドクターブレード法で厚さ３．５μｍとなるように塗布形成してグリーンシートを作製した。
【００７４】
ニッケル内部電極層用のペーストの調製は、先ず、Ｎｉ粉末を準備し、そのＮｉ粉末に、誘電体層の形成に用いたものと同じ組成のセラミック粉末（表１のＭｎ，Ｙ，Ｖ，Ｗ，Ｍｇ，Ｓｉの各酸化物粉末）をそのＮｉ粉末に対して２０重量％となるように秤量して添加した。混合した後、その混合粉末に、エチルセルロース樹脂をその混合粉末に対して５重量％となるように秤量して添加し、さらにターピネオールをその混合粉末に対して３５重量％となるように秤量して添加し、その後ボールミルで混練してニッケル内部電極層用のペーストとした。
【００７５】
その後、グリーンシート上に、Ｎｉ電極ペーストを内部電極パターンで厚さ１．５μｍで印刷した後、そのグリーンシートをＰＥＴフィルムから剥離した。ニッケル内部電極層を印刷し後に剥離したグリーンシートを、誘電体層とニッケル内部電極層とが合計４００層になるまで積層し、その後、保護用グリーンシート（内部電極層用ペーストを印刷しないもの）とを上下に積層し、圧着し、さらにその積層シートを切断して縦３．９ｍｍ×横１．７ｍｍ×高さ１．７ｍｍの寸法からなるグリーンチップを作製した。
【００７６】
次いで、作製したチップ試料に対し、脱バインダー処理工程、焼成工程、再酸化工程を行い、表１に示す組成からなる積層型セラミックコンデンサを得た。
【００７７】
脱バインダー処理は、昇温時間：３０℃／時間、保持温度：２５０℃、保持時間：８時間、雰囲気：大気雰囲気中、の条件で行った。
【００７８】
焼成処理は、昇温速度：２００℃／時間、保持温度：表２を参照（１２２０℃〜１２５０℃）、保持時間：２時間、冷却速度：表２を参照（３０℃／時間〜３００℃／時間）、雰囲気：加湿したＮ2とＨ2との混合ガス中（露点３５℃）（酸素分圧＝約３×１０-6Ｐａ）、の条件で行った。
【００７９】
再酸化処理は、保持温度：１０００℃、保持時間：２時間、冷却速度：２００℃／時間、雰囲気：加湿したＮ2ガス中（露点３５℃）（酸素分圧＝約１×１０-1Ｐａ）、の条件で行った。
【００８０】
次に、サンドブラストで予め研磨された積層誘電体焼成体の端面に、Ｉｎ−Ｇａ合金を塗布し、外部電極を形成した。
【００８１】
得られた積層型セラミックコンデンサのサイズは、縦３．２ｍｍ×横１．６ｍｍ×高さ１．６ｍｍであり、誘電体層の厚さは２．７μｍ、ニッケル内部電極層の厚さは１．２μｍであった。
【００８２】
【表１】
2005123252.tif 000003
【００８３】
【表２】
2005123252.tif 000004
【００８４】
（特性測定方法及び評価結果）
得られた積層型セラミックコンデンサチップに、その両電極から６．３Ｖを１分間印加し、抵抗を高抵抗測定装置で測定し、抵抗値が５×１０５Ω以下になるチップをＩＲ不良とし、その割合をＩＲ不良率として求めた。表３に判断基準を示す。
【００８５】
ＩＲ不良を示したチップを積層方向に対して垂直に切り出し、対向する電極間に挟まれる任意の誘電体粒子２０個をＴＥＭ−ＥＤＳ（日本電子株式会社製、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）：２０００ＦＸ、２００ＫＶ、エネルギー分散型Ｘ線分析法（ＥＤＸ）、組成分析領域：０．０１μｍ2）により組成分析し、Ａ／Ｂ＜１を示す粒子のＹＯ3/2（原子％）を調べた。その結果を表４に示す。なお、ＹＯ3/2の原子％の値は、上記のＥＤＸで得られた金属元素（Ｂａ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｙ、及び他の副成分）の原子濃度の総量を１００原子％とした場合におけるＹ原子％の値とした。
【００８６】
ＩＲ判定が×のもののＡ／Ｂ＜１の粒子には十分なＹＯ3/2量が含まれていないことが示される。よって、Ａ／Ｂ＜１の組成の粒子があっても十分な量のＹが固溶されることが、特性に効果を及ぼすことがわかる。
【００８７】
【表３】
2005123252.tif 000005
【００８８】
【表４】
2005123252.tif 000006
【００８９】
（実験２）
主成分として表５に示すような組成割合になるように各種秤量し、上記実験１と同様の手順により、厚さ３．５μｍのシートに形成した。同様に、内部電極パターンを印刷しシートを得て、５枚積層し切断しグリーンチップを得た。
【００９０】
実験１と同様に、グリーンチップを２５０℃８ｈ（Ａｉｒ中）で脱脂し、それぞれＨ２とＮ２の混合ガスとウエッターで還元雰囲気を調整し、表６に示す条件で焼成し１０００℃まで表６に示すスピードで降温した。その後、再酸化処理を行って積層セラミックコンデンサを得た。
【００９１】
【表５】
2005123252.tif 000007
【００９２】
【表６】
2005123252.tif 000008
【００９３】
（特性測定方法及び評価結果）
得られた積層型セラミックコンデンサチップの両電極から６．３Ｖを１分間印加し、抵抗を高抵抗測定装置で測定し、抵抗値が５×１０７Ω以下になるチップをＩＲ不良とし、その割合をＩＲ不良率として求めた。実験１と同様の判断基準表３を用いた。実験１と同様に、ＩＲ不良を示したチップを積層方向に対して垂直に切り出し、対向する電極間に挟まれる任意の誘電体粒子２０個を実験１と同じＴＥＭ−ＥＤＳにより組成を調べ、Ａ／Ｂ＜１を示す粒子のＹＯ3/2（原子％）を調べた。その結果を表７に示す。
【００９４】
ＩＲ判定が×のもののＡ／Ｂ＜１の粒子には十分なＹＯ3/2量が含まれていないことが示される。よって、Ａ／Ｂ＜１の組成の粒子があっても十分な量のＹが固溶されることが、特性に効果を及ぼすことがわかる。
【００９５】
【表７】
2005123252.tif 000009
【００９６】
（実験３）
主成分として、実験２のサンプル３の組成割合になるように各種秤量し、実験２と同様に、これらを厚さ１５μｍのシートに形成し、グリーンチップを得た。実験２の焼成条件１と２により焼成し、チップを得た。層間を観察した結果、誘電体粒子は、４〜５個存在していた。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の積層型セラミックコンデンサの一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の要件を満たす誘電体粒子が内部電極層間に存在している態様を模式的に示す拡大図である。
【図３】本発明の要件を満たさない誘電体粒子からなる領域が内部電極層間に存在している態様を模式的に示す拡大図である。
【符号の説明】
【００９８】
１… 積層型セラミックコンデンサ
２… 誘電体層
３… ニッケル内部電極層
４… 外部電極
１０… 積層誘電体素子本体
２１，２２，２３…誘電体粒子
【図１】
2005123252.tif 000010
【図２】
2005123252.tif 000011
【図３】
2005123252.tif 000012