(57)【要約】【課題】複数の基板を組み合わせてなる半導体装置において、基板間のギャップが小さい場合でも基板間の多数の接続部位のすべての点で接続可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１００はミラー基板１１０と配線基板１３０と金属部材１５０とから構成されている。ミラー基板１１０は、ＭＥＭＳ技術によりシリコンから作製された基板で、枠部材１１２と可動ミラー１１４とそれらを接続しているヒンジ１１６と下面に設けられた導電性薄膜１１８とを有している。配線基板１３０は、複数の凹部１３２と、凹部１３２の底面に設けられた電極１３４と、可動ミラー１１４と対向する駆動電極１４４とを有している。金属部材１５０は、配線基板１３０の凹部１３２の深さよりも高い背を有している。金属部材１５０は、例えば金バンプで、加熱圧接により配線基板１３０の電極１３４とミラー基板１１０の導電性薄膜１１８とを電気的かつ機械的に接合する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの面に形成された第一の電極を有する第一の基板と、
一つの面に形成された凹部と、凹部の底面に設けられた第二の電極とを有する第二の基板と、
第一の基板の第一の電極と第二の基板の第二の電極との間に位置する金属部材とを有し、
金属部材は、その背が第二の基板の凹部の深さよりも高く、第一の基板の第一の電極と第二の基板の第二の電極とを電気的かつ機械的に接合していることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
第一の基板と第二の基板の一方は半導体からなる基板であり、半導体からなる基板は、機械的に動作する可動部と、可動部を動作させる駆動力を与えるための第三の電極とを有していることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
第一の電極は、第一の基板の面から異なる高さに位置する複数の電極部分を含んでおり、第一の電極と第二の電極との間隔がすべて等しくなるように、第二の基板は、底面の深さが異なる複数の凹部を有している、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
第一の基板と第二の基板は、線膨張係数の異なる材料からなることを特徴とする、請求項１〜請求項３のいずれかひとつに記載の半導体装置。
【請求項５】
第二の基板の材質が半導体であり、第一の基板の材質が絶縁性の無機材料であることを特徴とする、請求項１〜請求項４のいずれかひとつに記載の半導体装置。
【請求項６】
金属部材は、基板間隔方向に沿って少なくとも二つの金属部から構成されていることを特徴とする、請求項１〜請求項５のいずれかひとつに記載の半導体装置。
【請求項７】
金属部材の材質は金であり、第一の電極と第二の電極の表面近くの部分は、金と第一の電極または第二電極との接続の際に、金との相互拡散性の良好な導電性材料で構成されていることを特徴とする、請求項１〜請求項６のいずれかひとつに記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体装置は光学系への適用に向けられており、第一の基板の材質は使用する光の波長域において光の透過性のある材料であることを特徴とする、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項９】
第一の電極と第二の電極のうち、少なくとも一方は金であることを特徴とする、請求項７に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の基板を組み合わせて構成される半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
米国特許第６，５１９，０７５  Ｂ２号明細書は、半導体基板を加工して得られる静電駆動型ＭＥＭＳミラーアレイを、ハンダボール（ソルダバンプ）を用いて駆動電極を設けた別な基板の接続パッドに接続する技術を開示している。図１３は、そのようにして作製された半導体装置を示している。
【０００３】
この半導体装置は、ミラー基板（mirror layer）２０と駆動基板（actuator layer）２３とを有している。ミラー基板２０は、フレーム２２（surrounding frame）と、フレーム２２に対して傾斜可能なジンバル構造のミラー（gimbaled mirror）２１を有している。一方、駆動基板２３は、ミラー２１を駆動するための駆動電極（actuator electrode）２４を有している。ミラー基板２０と駆動基板２３はともに金属領域（metallization regions）２６を有し、ミラー基板２０の金属領域２６と駆動基板２３の金属領域２６とがハンダボール（solder balls）２６によって接合されている。
【特許文献１】米国特許第６，５１９，０７５  Ｂ２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この半導体装置においては、ＭＥＭＳ基板（ミラー基板）と配線基板（駆動基板）を狭いギャップ（基板間距離）で接続する場合、ギャップの大きさに比べてハンダボールの高さばらつきが大きいため、すべてのハンダボールにおいて基板間を電気的に接続することが難しい。
【０００５】
本発明は、この様な実状を考慮して成されたものであり、その目的は、複数の基板を組み合わせて構成される半導体装置において、基板間のギャップが小さい場合であっても、基板間の多数の接続部位のすべての点で接続することが可能な半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、少なくとも二枚の基板を組み合わせて構成される半導体装置に向けられており、以下の各項に列記する半導体装置を含んでいる。
【０００７】
１．  本発明の半導体装置は、少なくとも一つの面に形成された第一の電極を有する第一の基板と、一つの面に形成された凹部と、凹部の底面に設けられた第二の電極とを有する第二の基板と、第一の基板の第一の電極と第二の基板の第二の電極との間に位置する金属部材とを有し、金属部材は、その背が第二の基板の凹部の深さよりも高く、第一の基板の第一の電極と第二の基板の第二の電極とを電気的かつ機械的に接合していることを特徴とする。
【０００８】
（実施形態との対応）
この半導体装置は、第一実施形態〜第六実施形態に対応している。
【０００９】
第一の基板は、第一実施形態と第四実施形態のミラー基板１１０、第二実施形態のミラー基板２１０、第三実施形態のスイッチ基板３１０、第五実施形態の配線基板５３０、第六実施形態の透光性配線基板６３０が対応する。
【００１０】
第二の基板は、第一実施形態と第四実施形態の配線基板１３０、第二実施形態の配線基板２３０、第三実施形態の配線基板３３０、第五実施形態のミラー基板５１０、第六実施形態のミラー基板６１０が対応する。
【００１１】
凹部は、第一実施形態と第四実施形態の凹部１３２、第二実施形態の凹部２３２、第三実施形態の凹部３３２と凹部３３４と凹部３３６、第五実施形態の凹部５２２、第六実施形態の凹部６２２、図３に示される段差１４２が対応する。
【００１２】
第一の電極は、第一実施形態と第四実施形態の枠部材１１２上に位置する導電性薄膜１１８の部分、第二実施形態の枠部材２１２上に位置する導電性薄膜２１８の部分、第三実施形態の枠部材３１２上に位置するアルミ薄膜３２２の部分とアルミ薄膜３２６の部分、第五実施形態の導電性薄膜５４２の一部分、第六実施形態の導電性薄膜６４２の一部分が対応する。
【００１３】
第二の電極は、第一実施形態と第四実施形態の電極１３４、第二実施形態の電極２３４、第三実施形態の凹部３３２と凹部３３４と凹部３３６の底面にそれぞれ位置している導電性薄膜３４２の部分と導電性薄膜３４４の部分と導電性薄膜３４６の部分、第五実施形態の凹部５２２の底面に位置している導電性薄膜５１８の部分、第六実施形態の凹部６２２の底面に位置している導電性薄膜６１８の部分が対応する。
【００１４】
金属部材は、第一実施形態〜第六実施形態の金属部材１５０が対応する。特に、第四実施形態においては、金属部材はバンプ１５２とバンプ１５４からなる。
【００１５】
（作用）
第二の基板には凹部など低くなっている部位があり、接続用の金属部材の高さ（厚み）より、基板間のギャップは小さく構成されている。
【００１６】
これにより、ギャップ（基板間隔）の距離に比べて金属部材の高さを大きくできるので、低い金属部材を使用する場合に比べて金属部材の高さのばらつきの影響の度合いを低減できる。
【００１７】
また、ギャップよりも高さの高い金属部材を、より大きくつぶして接続することができるので、ばらつきのある金属部材であっても接続できる確率が高く、すべての金属部材で接続をとる事も可能となる。
【００１８】
さらに、金属部材を大きくつぶしても、金属部材の高さが高いので、金属部材が広がる量を相対的に減らすことができ、金属部材同士が接触してしまう恐れが少ない。
【００１９】
（効果）
基板間のギャップが狭い場合でも、多数の電極間の電気的接続を確実に行なうことができる。
【００２０】
２．  本発明の別の半導体装置は、第１項の半導体装置において、第一の基板と第二の基板の一方は半導体からなる基板であり、半導体からなる基板は、機械的に動作する可動部と、可動部を動作させる駆動力を与えるための第三の電極とを有していることを特徴とする。
【００２１】
（実施形態との対応）
この半導体装置は、第一実施形態〜第六実施形態に対応している。
【００２２】
可動部は、第一実施形態と第四実施形態と第五実施形態の可動ミラー１１４、第二実施形態と第六実施形態の可変形状ミラー２１４、第三実施形態のＭＥＭＳカンチレバー３１４が対応する。
【００２３】
第三の電極は、第一実施形態と第四実施形態と第五実施形態の可動ミラー１１４上に位置する導電性薄膜１１８と５１８の部分、第二実施形態と第六実施形態の可変形状ミラー２１４上に位置する導電性薄膜２１８と６１８の部分、第三実施形態のＭＥＭＳカンチレバー３１４上に位置するアルミ薄膜３２２の部分が対応する。
【００２４】
（作用・効果）
半導体基板には半導体プロセスを応用した微細加工が可能で、機械的および電気的に動作する微小な要素を作製することができる。このような微小要素は一枚の基板にアレイ状に多数集積することが可能であり、そのため基板間の電気的な接続を多数の点でとる必要がでてくるが、そのような場合でも、接続の確実性が高いため特に有効である。
【００２５】
３．  本発明の別の半導体装置は、第１項または第２項の半導体装置において、第一の電極は、第一の基板の面から異なる高さに位置する複数の電極部分を含んでおり、第一の電極と第二の電極との間隔がすべて等しくなるように、第二の基板は、底面の深さが異なる複数の凹部を有している。
【００２６】
（実施形態との対応）
この半導体装置は、第三実施形態に対応している。従って、第一の基板はスイッチ基板３１０が対応し、第二の基板は配線基板３３０が対応する。
【００２７】
第一の電極の複数の電極部分は、枠部材３１２上に位置するアルミ薄膜３２２の部分とアルミ薄膜３２６の部分が対応する。複数の凹部は凹部３３２と凹部３３４と凹部３３６が対応する。
【００２８】
（作用）
第一の基板は微細加工や成膜などにより場所ごとに凹凸があるため、厳密には第一の基板表面と第二の基板の表面との距離は場所ごとに異なることになるが、この半導体装置においては第一の基板の凹凸に応じて基板間距離が一定になるように段差の深さが複数に設定される。
【００２９】
（効果）
以上の作用により、金属部材の厚みが場所に寄らず一定になるように構成されるためすべての金属部材が均一に接続され、場所によって接続されない不良を防止できる。
【００３０】
４．  本発明の別の半導体装置は、第１項〜第３項の半導体装置において、第一の基板と第二の基板は、線膨張係数の異なる材料からなることを特徴とする。
【００３１】
（実施形態との対応）
この半導体装置は、第五実施形態と第六実施形態に対応している。従って、第一の基板は、第五実施形態の配線基板５３０、第六実施形態の透光性配線基板６３０が対応し、第二の基板は、第五実施形態のミラー基板５１０、第六実施形態のミラー基板６１０が対応する。
【００３２】
（作用）
この半導体装置においては、第一の基板と第二の基板の材質が異なることで、それぞれの基板に異なる機能、性能を持たせ、その特徴を有効に利用することが可能である。例えば第一の基板にＳｉ、ＧａＡｓなどの半導体基板を用いて微細加工による微小要素や電子回路を構成し、第二の基板にガラス基板を用いることで低コストなＭＥＭＳを得ることができる。
【００３３】
ここで、それぞれの基板の材質が異なると熱線膨張係数が異なるため、温度変化による基板の伸び量に差を生じ、基板間の接続部せん断応力が発生するが、接続に用いる金属部材は基板間の間隔以上に高さがあるので、せん断方向により撓みやすく、ストレスを緩和することが可能である。
【００３４】
（効果）
基板間のギャップが小さく、かつ基板の材料が異なる場合でも、基板間での高い電気接続性を持つとともに、高い耐久性を持った半導体装置を得ることができる。
【００３５】
５．  本発明の別の半導体装置は、第１項の半導体装置において、第二の基板の材質が半導体であり、第一の基板の材質が絶縁性の無機材料であることを特徴とする。
【００３６】
（実施形態との対応）
この半導体装置は、第五実施形態と第六実施形態に対応している。従って、第一の基板は、第五実施形態の配線基板５３０、第六実施形態の透光性配線基板６３０が対応し、第二の基板は、第五実施形態のミラー基板５１０、第六実施形態のミラー基板６１０が対応する。
【００３７】
（作用）
この半導体装置においては、第二の基板はシリコン、ＧａＡｓなどの半導体から選択され、化学的および物理的なエッチングなどの微細加工による微小要素と段差が形成される。
【００３８】
一方、第一の基板は電極およびそれに付随する配線が形成され、特に凹凸状の加工は不要である。
【００３９】
従って、第一の基板は例えばガラスまたはセラミックスなどの絶縁性の無機材料から選択することが可能である。絶縁材料であるので配線の形成が容易であり、無機材料であるため温度による変形が少ないという作用もある。また、材料としてもガラス、セラミックスは半導体基板に比べ安価に入手が可能である。
【００４０】
なお、第一の基板は、仮に樹脂を適用するのでは温度的な安定性が悪く、基板間距離が変動し易く、また金属では配線との絶縁が困難であるため好ましくない。
【００４１】
（効果）
以上より、低コストかつ温度特性、基板間の位置精度のよい半導体装置でありながら、基板間の電気的な接続性の高い半導体装置を得ることができる。
【００４２】
６．  本発明の別の半導体装置は、第１項〜第５項の半導体装置において、金属部材は、基板間隔方向に沿って少なくとも二つの金属部から構成されていることを特徴とする。
【００４３】
（実施形態との対応）
この半導体装置は、第四実施形態に対応している。
【００４４】
金属部材は金属部材１５０が対応し、二つの金属部はバンプ１５２とバンプ１５４が対応する。
【００４５】
（作用）
二つの金属部は例えばバンプからなり、バンプは例えば金やハンダが適用される。二つのバンプは、両方とも同じ金属材料で構成されても、異なる金属材料であるが、互いに接続性の良い、つまり濡れ性の良い材料から選択されてもよい。
【００４６】
バンプの材料に、同じもの、または、互いに濡れ性の良い組み合わせのものを選択することにより、加熱圧接によりバンプ同士が高い接続性で固定され、電気的な信頼性が向上する。
【００４７】
また、基板上のバンプを設けるための電極は、バンプを設けることが可能であれば様々な材質を選択することが可能である。バンプは金バンプであれば例えばアルミ電極に対して、熱と超音波によるバンプボンダーで形成することができる。つまり、金やハンダバンプと極めて相性が良い金やハンダ、銅、ニッケルなどを電極に用いなくても高い接続性を持って組み立てることが可能である。
【００４８】
金やハンダ、銅、ニッケルなどは半導体プロセス的にはできるだけ避けたい材料であるため、アルミなどのパッドが使用できるのは重要である。
【００４９】
この構成においては、それぞれの基板の接続用電極パッドに予めバンプを設けた後、バンプ同士を対向させて積層することが可能で、それぞれのバンプ同士の接続の相性が良い組み合わせにおいては、例えば加熱のみで他の超音波などのエネルギーをかける必要がない。
【００５０】
従って、基板間の相対位置を容易に高い精度で組み立てることが可能である。
【００５１】
なお、バンプを二段に積み重ねる構成であるため、バンプの高さをより高く構成できるので、温度耐久性も向上する。
【００５２】
（効果）
この半導体装置においては、金属部材が二つの金属部から構成されているので、すべての電極とバンプおよびバンプ間で確実な接続を得ることができることにより、電極間の接続性を向上させるとともに、プロセスを汚染しないため製造が容易な半導体装置を得ることができる。
【００５３】
７．  本発明の別の半導体装置は、第１項〜第６項の半導体装置において、金属部材の材質は金であり、第一の電極と第二の電極の表面近くの部分は、金と第一の電極または第二電極との接続の際に、金との相互拡散性の良好な導電性材料で構成されていることを特徴とする。
【００５４】
（実施形態との対応）
この半導体装置は、第一実施形態〜第六実施形態に対応している。
【００５５】
第一の電極は、第一実施形態と第四実施形態の枠部材１１２上に位置する導電性薄膜１１８の部分、第二実施形態の枠部材２１２上に位置する導電性薄膜２１８の部分、第三実施形態の枠部材３１２上に位置するアルミ薄膜３２２の部分とアルミ薄膜３２６の部分、第五実施形態の導電性薄膜５４２の一部分、第六実施形態の導電性薄膜６４２の一部分が対応する。
【００５６】
第二の電極は、第一実施形態と第四実施形態の電極１３４、第二実施形態の電極２３４、第三実施形態の凹部３３２と凹部３３４と凹部３３６の底面にそれぞれ位置している導電性薄膜３４２の部分と導電性薄膜３４４の部分と導電性薄膜３４６の部分、第五実施形態の凹部５２２の底面に位置している導電性薄膜５１８の部分、第六実施形態の凹部６２２の底面に位置している導電性薄膜６１８の部分が対応する。
【００５７】
金属部材は、第一実施形態〜第六実施形態の金属部材１５０が対応する。特に、第四実施形態においては、金属部材はバンプ１５２とバンプ１５４からなる。
【００５８】
（作用）
この半導体装置においては、金属部材が金である場合、金ワイヤーを用いたバンプボンダーで様々なサイズのバンプを形成することが可能である。また、融点が高いので加熱しても溶融して流れ出すことがなく、適切な基板間隔を維持することが可能であるとともに、基板間を近づけるような圧力に対しての反力により、電極とバンプの界面に接続圧力を有した状態が発生するため、すべてのバンプで確実な電気接続が行われる。
【００５９】
一方、電極の材料に、例えば金、アルミ、ニッケル、チタン、銅、から選ばれるような金との相互拡散性のよい材料を使用すると、バンプと電極を接続する際に、バンプの材料である金と電極材料との相互拡散性が良好であるため、電極と金バンプとの機械的および電気的な接続性が高まり、補強用の樹脂を用いなくても、耐久性に優れた半導体装置とすることができるのである。
【００６０】
（効果）
この半導体装置においては、金属部材に金を用い、電極材料に適切な材質を選んでいるので、電気的かつ機械的に確実な接続をすべての電極間で実施することができる。また、これにより、基板の耐リフロー性・耐熱性が向上するため、後にリフロー処理することも可能となる。
【００６１】
８．  本発明の別の半導体装置は、第５項の半導体装置において、光学系への適用に向けられており、第一の基板の材質は使用する光の波長域において光の透過性のある材料であることを特徴とする。
【００６２】
（実施形態との対応）
この半導体装置は、第六実施形態に対応している。従って、第一の基板は、透光性配線基板６３０が対応する。
【００６３】
（作用）
使用する光は可視光、赤外光、紫外光などが適用可能であり、対応する実施形態では例えば可視光を利用する例を示している。
【００６４】
これらの光の波長に対して透過性の有る材料としては、例えば可視光はガラス、石英、水晶などであり、赤外光および紫外光においては石英、水晶などが好適である。
【００６５】
第一の基板が透光性を有しているので、第二の基板における第一の基板に対向する面の光学的な作用を、第一の基板を透過して利用することが可能である。
【００６６】
従って、第一の基板を封止パッケージの透光性ウィンドウとして利用し、構成の簡素化を図るとともに外部の環境変化による影響の少ない構成とすることも可能である。
【００６７】
（効果）
以上より、第二の基板の光学的な作用を逆の側から利用することが可能であり、さらに低コストかつ温度特性、基板間の位置精度のよい半導体装置でありながら、基板間の電気的な接続性の高い半導体装置を得ることができる。
【００６８】
９．  本発明の別の半導体装置は、第７項の半導体装置において、第一の電極と第二の電極のうち、少なくとも一方は金であることを特徴とする。
【００６９】
（実施形態との対応）
この半導体装置は、第一実施形態〜第三実施形態と第五実施形態第六実施形態に対応している。
【００７０】
第一の電極は、第一実施形態の枠部材１１２上に位置する導電性薄膜１１８の部分、第二実施形態の枠部材２１２上に位置する導電性薄膜２１８の部分、第三実施形態の枠部材３１２上に位置するアルミ薄膜３２２の部分とアルミ薄膜３２６の部分、第五実施形態の導電性薄膜５４２の一部分、第六実施形態の導電性薄膜６４２の一部分が対応する。
【００７１】
第二の電極は、第一実施形態の電極１３４、第二実施形態の電極２３４、第三実施形態の凹部３３２と凹部３３４と凹部３３６の底面にそれぞれ位置している導電性薄膜３４２の部分と導電性薄膜３４４の部分と導電性薄膜３４６の部分、第五実施形態の凹部５２２の底面に位置している導電性薄膜５１８の部分、第六実施形態の凹部６２２の底面に位置している導電性薄膜６１８の部分が対応する。
【００７２】
（作用）
この半導体装置においては、金属部材は金バンプであるので、金ワイヤーからバンプを形成するバンプボンダーや、金メッキにより、金、アルミ、ニッケル、チタン、銅、から選ばれるような金との相性の良い材料で一方の電極は形成されるのが有効である。これはボンダーでのバンプ形成は熱と圧力と超音波を利用し高いエネルギーで接続し、メッキバンプではメッキ液中における金の析出特性により金と電極が高い結合力で形成されるためである。
【００７３】
他方、基板同士の接合工程においては、バンプが金であるが、バンプ数が多い場合、熱と圧力は均等にすべてのバンプに与えることが容易であるが、超音波などのエネルギーは均一に与えるのが困難である。従って、熱と圧力のみで接続するには金を使用するのが好適である。電極に金を使用すると、バンプと電極を接続する際に、バンプの材料である金との相互拡散性が最も良好である電極材料は金であるため、電極と金バンプとの機械的および電気的な接続性が高まり、補強用の樹脂を用いなくても、耐久性に優れた半導体装置とすることができるのである。
【００７４】
（効果）
以上のように、この半導体装置においては金属部材に金を用い、少なくとも一方の電極材料に金を選んでいるので、電気的かつ機械的に確実な接続をすべての電極間で実施することができる。
【発明の効果】
【００７５】
本発明によれば、複数の基板を組み合わせて構成される半導体装置であって、基板間のギャップが小さい場合であっても、基板間の多数の接続部位のすべての点で接続することが可能な半導体装置が提供である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７６】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
【００７７】
第一実施形態
本実施形態は、ＭＥＭＳ偏向ミラーに向けられている。ＭＥＭＳ偏向ミラーの詳細は、米国特許第６，５１９，０７５  Ｂ２号明細書などに開示されている。
【００７８】
図１は、本発明の第一実施形態の半導体装置であるＭＥＭＳ偏向ミラーの分解斜視である。図２は、図１に示されたII−II線に沿ったＭＥＭＳ偏向ミラーの断面図である。
【００７９】
図１と図２に示されるように、半導体装置１００は、ミラー基板１１０と、ミラー基板１１０に対向して配置された配線基板１３０と、ミラー基板１１０と配線基板１３０とを接合する金属部材１５０とから構成されている。
【００８０】
ミラー基板１１０は、ＭＥＭＳ技術により、シリコン基板にエッチング・薄膜積層などの微細加工を施し、電極や配線などを形成して作製された基板である。
【００８１】
ミラー基板１１０は、枠部材１１２と、可動ミラー１１４と、枠部材１１２と可動ミラー１１４とを接続している二本のヒンジ１１６とから構成されている。ヒンジ１１６はねじり変形可能であり、可動ミラー１１４はヒンジ１１６を回転軸として枠部材１１２に対して揺動可能である。つまり、可動ミラー１１４は機械的に動作する可動部を構成している。可動ミラー１１４は、その上面（配線基板１３０と反対側の面）に、反射面を有している。反射面は、例えば、可動ミラー１１４の上面に別途設けられた高反射率の膜の表面であってよい。
【００８２】
配線基板１３０は、ミラー基板１１０と対向する面に、複数の凹部１３２を有している。例えば、配線基板１３０はシリコンからなり、凹部１３２はウェットエッチングにより形成される。
【００８３】
配線基板１３０はさらに、凹部１３２の底面に設けられた電極１３４と、配線基板１３０の上面の端部に設けられた、外部との電気的接続のための電極パッド１３６と、電極１３４と電極パッド１３６とを電気的に接続している配線１３８とを有している。互いに連続している電極１３４と電極パッド１３６と配線１３８は同一の導電性薄膜で構成されている。
【００８４】
配線基板１３０はさらに、ミラー基板１１０の可動ミラー１１４と対向する部分に設けられた二つの駆動電極１４４と、配線基板１３０の上面の端部に設けられた、外部との電気的接続のための電極パッド１４６と、駆動電極１４４と電極パッド１４６とを電気的に接続している配線１４８とを有している。互いに連続している駆動電極１４４と電極パッド１４６と配線１４８は同一の導電性薄膜で構成されている。
【００８５】
二つの駆動電極１４４は間隔を置いて位置し、その間隔は、ミラー基板１１０のヒンジ１１６の真下に位置し、ミラー基板１１０のヒンジ１１６に沿って延びている。
【００８６】
ミラー基板１１０はさらに、特に図２に示されるように、配線基板１３０と対向する面に導電性薄膜１１８を有している。導電性薄膜１１８は、枠部材１１２と可動ミラー１１４とヒンジ１１６の部分に広がっている。可動ミラー１１４上に位置する導電性薄膜１１８の部分は、可動ミラー１１４を揺動動作させる駆動力を与えるためのミラー電極を構成している。枠部材１１２上に位置する導電性薄膜１１８の部分は、配線基板１３０の電極１３４との電気的導通をとるための電極を構成している。ヒンジ１１６上に位置する導電性薄膜１１８の部分は、可動ミラー１１４上の電極と枠部材１１２上の電極とを電気的に接続する配線を構成している。
【００８７】
金属部材１５０は、特に図２に示されるように、配線基板１３０の凹部１３２の深さよりも高い背を有している。金属部材１５０は、例えば、金などからなるバンプであり、配線基板１３０の凹部１３２の底面に設けられた電極１３４と、ミラー基板１１０の枠部材１１２上に位置する導電性薄膜１１８の部分との間に設けられる。バンプ１５０は、加熱圧接されることにより、配線基板１３０の凹部１３２の底面に設けられた電極１３４と、ミラー基板１１０の枠部材１１２上に位置する導電性薄膜１１８の部分とを電気的かつ機械的に接合する。
【００８８】
半導体装置１００は、例えば、次のようにして作製される。まず、ミラー基板１１０の枠部材１１２上の導電性薄膜１１８の部分の所定の位置にバンプボンダーを用いて例えば金のバンプ１５０を形成する。次に、フリップチップボンダーのステージに、バンプ１５０が上を向くように、ミラー基板１１０を固定する。続いて、配線基板１３０を実装ヘッドに吸着し、配線基板１３０の駆動電極１４４とミラー基板１１０の可動ミラー１１４とが適切に対向するように位置決めを行なう。この状態では、配線基板１３０の凹部１３２に設けられた電極１３４とミラー基板１１０に形成されたバンプ１５０も適切に対向する。次に、加熱圧接（加熱と加圧）を行ない、バンプ１５０と凹部１３２の底面の電極１３４とを接続する。
【００８９】
このように作製された半導体装置１００においては、ミラー基板１１０に設けられた導電性薄膜１１８は、バンプ１５０により、配線基板１３０の凹部１３２の底面に設けられた電極１３４と電気的に接続されている。電極１３４は配線１３８を介して電極パッド１３６と電気的に接続されている。従って、電極パッド１３６をグランドに接続することにより、可動ミラー１１４と導電性薄膜１１８の電位を０とすることができる。
【００９０】
この状態で、一方の駆動電極１４４に電圧を印加すると、可動ミラー１１４上の導電性薄膜１１８の部分すなわちミラー電極との間に静電引力が発生し、可動ミラー１１４はヒンジ１１６を回転軸として傾斜する（偏向する）。
【００９１】
静電引力は可動ミラー１１４と駆動電極１４４の距離の増大に対して急激に減少する。このため、可動ミラー１１４と駆動電極１４４の距離が大きい場合、可動ミラー１１４に所定の傾きを与えるためには、非常に大きな電圧を必要とする。非常に大きな電圧を得るには、大型の電源が必要である。また、非常に大きな電圧は、絶縁破壊の限界を超えて、ＭＥＭＳを破壊してしまう可能性がある。
【００９２】
従って、米国特許第６，５１９，０７５  Ｂ２号明細書の様に、凹部が形成されていない構成では、バンプの高さによりミラー基板と配線基板の距離が大きくなってしまう。
【００９３】
これに対し、本実施形態の半導体装置では、配線基板１３０に凹部１３２が形成されているため、バンプ１５０の高さより、ミラー基板１１０と配線基板１３０の間の距離、つまりミラー電極と駆動電極１４４の電極間距離を小さくできる。これにより、必要な駆動電圧を低減することができる。
【００９４】
また、ミラー基板１１０と配線基板１３０を直接的に接合してしまうと、可動ミラー１１４が傾斜したときに配線基板１３０に接触してしまい、偏向ミラーとして作用しない。
【００９５】
本実施形態では、バンプの加熱圧接で基板間を接続しており、接着剤や異方性導電ペーストまたはフィルムなどの樹脂を用いていないので、ＭＥＭＳの機能を樹脂の流れ出しやはみだしにより阻害することがない。
【００９６】
また、複数のバンプによりミラー電極と可動ミラー１１４を確実にグランドに電気的に接続することができる。
【００９７】
これまでに説明したように、本実施形態では、複数の基板を貼り合わせる半導体装置において、配線基板に凹部を形成したことにより、基板の間隔を適切にできるとともに、すべてのバンプで電気的な接続をとることができる。
【００９８】
その結果、動作電圧が低く、破壊する恐れの少ないＭＥＭＳ装置などの半導体装置を得ることができる。
【００９９】
本実施形態は、上述した構成に限定されるものではなく、様々な変形や変更が施されてもよい。
【０１００】
本実施形態においては、半導体基板としてシリコン基板を加工した例で説明したが、化学的あるいは物理的なエッチングなどの微細加工や配線の形成ができる様々な材料を基板として選択することが可能である。
【０１０１】
また、バンプは、金バンプの場合、スタッドバンプ、メッキバンプなどが適用可能である。バンプの材料は、金のみに限定されるものではなく、導電性の金属であればよく、例えば鉛錫ハンダ、ＡｕＳｎハンダ、Ｉｎ（インジューム）ハンダなども適用可能である。
【０１０２】
金属部材で接続する基板表面の電極材料は、適用する金属部材にあわせて選択することが重要である。金バンプの場合は、金の電極が最も好適で、アルミ、ニッケル、チタン、銅なども適用可能である。電極材料に適切な材質を選ぶことにより、基板の耐リフロー性・耐熱性が向上し、基板を後にリフロー処理することも可能となる。また、バンプがハンダの場合、ハンダとの濡れ性の良い材料を電極の最表面に形成することが有用である。
【０１０３】
基板同士は加熱圧接により接合されるが、加熱圧接の際に必要に応じて超音波があわせて加えられてもよい。この場合、接合する材料同士の相性の影響を低減できるため、電極の材料と金属部材の材料の組み合わせの自由度が増す、加熱温度を低くて済む、という効果が見込まれる。
【０１０４】
また、凹部１３２は、上述した説明では、図１と図２に示されるように、配線基板１３０の上面よりも低い部分（すなわち底面）がすべて取り囲まれている形態を示したが、凹部１３２の形態は、これに限定されるものではなく、図３に示されるように、配線基板１３０の上面よりも低い部分が配線基板１３０の端まで延びている形態、つまり段差１４２であってもよい。凹部１３２が段差１４２である場合でも、上述した説明と同様の利点が得られる。
【０１０５】
第一実施形態の応用例
本応用例は、上述したＭＥＭＳ偏向ミラーを含む半導体装置のアレイ化に向けられている。図４は、第一実施形態の半導体装置の応用例を示している。図４において、図１や図２に示された部材と同一の参照符号で指示された部材は同様の部材であり、その詳しい説明は省略する。
【０１０６】
偏向ミラーは、ＭＥＭＳとして半導体プロセスで製造することが可能であるため、可動ミラー１１４をアレイ状に形成したミラーアレイ１１０Ａを作製し、配線基板１３０の凹部１３２にバンプ１５０を用いて接続することで、ＭＥＭＳ偏向ミラーアレイを得ることができる。
【０１０７】
このようなミラーアレイは、例えば特開２００１−１７４７２４号公報のような、大規模な光スイッチを構成するのに有用である。
【０１０８】
本応用例においては、基板の大型化により基板間の傾き誤差でよりバンプでの接続確率が低下し易い大規模なアレイにおいても、凹部の中にバンプを形成するためすべてのバンプで確実に接続することができるとともに、基板間の距離を小さくできるため、動作電圧を低減することが可能である。
【０１０９】
アレイ状のデバイスにおいては、アレイの数だけ偏向器の駆動電圧源となる制御アンプなどの電気回路が必要となり、必要電圧によりアンプのサイズや価格が大きく変動するため、駆動回路装置全体の小型化、低コスト化という点でも駆動電圧の低減は有効である。
【０１１０】
本応用例では、大規模なアレイにすることでバンプ１５０の数は増加するが、バンプの接続部に予め凹部を形成しているので、すべてのバンプでより確実な接続が行なわれる。
【０１１１】
第二実施形態
本実施形態は、ＭＥＭＳ可変形状ミラーに向けられている。ＭＥＭＳ可変形状ミラーは、例えば特開２００２−１５６５１４号公報などに開示されているように、ミラー薄膜部の電極と駆動電極間の静電引力により、ミラー薄膜部の曲率を変えることのできる装置である。
【０１１２】
図５は、本発明の第二実施形態の半導体装置であるＭＥＭＳ可変形状ミラーの分解斜視図である。図６は、図５に示されたVI−VI線に沿ったＭＥＭＳ可変形状ミラーの断面図である。
【０１１３】
図５と図６に示されるように、半導体装置２００は、ミラー基板２１０と、ミラー基板１１０に対向して配置された配線基板２３０と、ミラー基板２１０と配線基板２３０とを接合する金属部材１５０とから構成されている。
【０１１４】
ミラー基板２１０は、開口を有する枠部材２１２と、枠部材２１２の開口内に位置する可変形状ミラー２１４と、枠部材２１２と可変形状ミラー２１４とを接続している導電性薄膜２１８とから構成されている。このようなミラー基板２１０は、例えば、ＭＥＭＳ技術により、シリコン基板などの半導体基板から作製される。
【０１１５】
可変形状ミラー２１４は、その上面（配線基板２３０と反対側の面）に、反射面を有している。可変形状ミラー２１４は、枠部材２１２の開口内に位置する導電性薄膜２１８の部分と共に容易に変形可能であり、その反射面の曲率が変わり得る。つまり、可変形状ミラー２１４は機械的に動作する可動部を構成している。
【０１１６】
配線基板２３０は、ミラー基板２１０と対向する面に、複数の凹部２３２を有している。例えば、配線基板２３０はシリコンからなり、凹部２３２はウェットエッチングにより形成される。
【０１１７】
配線基板２３０はさらに、凹部２３２の底面に設けられた電極２３４と、配線基板２３０の上面の端部に設けられた、外部との電気的接続のための電極パッド２３６と、電極２３４と電極パッド２３６とを電気的に接続している配線２３８とを有している。互いに連続している電極２３４と電極パッド２３６と配線２３８は同一の導電性薄膜で構成されている。
【０１１８】
配線基板２３０はさらに、ミラー基板２１０の可変形状ミラー２１４と対向する部分に設けられた駆動電極２４４と、配線基板２３０の上面の端部に設けられた、外部との電気的接続のための電極パッド２４６と、駆動電極２４４と電極パッド２４６とを電気的に接続している配線２４８とを有している。互いに連続している駆動電極２４４と電極パッド２４６と配線２４８は同一の導電性薄膜で構成されている。
【０１１９】
図６に示されるように、導電性薄膜２１８は、枠部材２１２の開口を横切り、枠部材２１２の下面の全体に広がっている。可変形状ミラー２１４上に位置する導電性薄膜２１８の部分は、可変形状ミラー２１４を揺動動作させる駆動力を与えるためのミラー電極を構成している。枠部材２１２上に位置する導電性薄膜２１８の部分は、配線基板２３０の電極１３４との電気的導通をとるための電極を構成している。可変形状ミラー２１４と枠部材２１２の間に位置する導電性薄膜２１８の部分は、可変形状ミラー２１４を支持しているとともに、可変形状ミラー２１４上の電極と枠部材２１２上の電極とを電気的に接続する配線として機能する。
【０１２０】
金属部材１５０は、図６に示されるように、配線基板２３０の凹部２３２の深さよりも高い背を有している。金属部材１５０は、例えば、金などからなるバンプであり、配線基板２３０の凹部２３２の底面に設けられた電極２３４と、ミラー基板２１０の枠部材２１２上に位置する導電性薄膜２１８の部分との間に設けられる。バンプ１５０は、加熱圧接されることにより、配線基板２３０の凹部２３２の底面に設けられた電極２３４と、ミラー基板２１０の枠部材２１２上に位置する導電性薄膜２１８の部分とを電気的かつ機械的に接合する。
【０１２１】
このように作製された半導体装置２００においては、ミラー基板２１０に設けられた導電性薄膜２１８は、バンプ１５０により、配線基板２３０の凹部２３２の底面に設けられた電極２３４と電気的に接続されている。電極２３４は配線２３８を介して電極パッド２３６と電気的に接続されている。従って、電極パッド２３６をグランドに接続することにより、可変形状ミラー２１４と導電性薄膜２１８の電位を０とすることができる。
【０１２２】
この状態で、駆動電極２４４に電圧を印加すると、可変形状ミラー２１４上の導電性薄膜２１８の部分すなわちミラー電極との間に静電引力が発生し、可変形状ミラー２１４は凹状に変形して反射面の曲率が変わる。
【０１２３】
第一実施形態において既に説明したように、静電引力は、可変形状ミラー２１４と駆動電極２４４の距離の増大に対して急激に減少する。このため、可変形状ミラー２１４と駆動電極２４４の距離が大きい場合、可変形状ミラー２１４を所定の形状に変形させるためには、非常に大きな電圧を必要とする。非常に大きな電圧を得るには、大型の電源が必要である。また、非常に大きな電圧は、絶縁破壊の限界を超えて、ＭＥＭＳを破壊してしまう可能性がある。
【０１２４】
特に、可変形状ミラーは、偏向ミラーにおけるヒンジのように弾性の低い部位を持たないため、その駆動電圧は高くなる傾向にある。
【０１２５】
本実施形態の半導体装置では、配線基板２３０に凹部２３２が形成されているため、バンプ１５０の高さより、ミラー基板２１０と配線基板２３０の間の距離、つまりミラー電極と駆動電極２４４の電極間距離を小さくできる。これにより、必要な駆動電圧を低減することができる。
【０１２６】
その一方において、可変形状ミラー２１４を所定の形状に変形させるためには、それに対応した距離を可変形状ミラー２１４と駆動電極２４４の間に確保する必要がある。特に、静電駆動型の可変形状ミラーでは、可変形状ミラーが駆動電極に完全に接触してしまうプルイン現象を避けるため、通常、可変形状ミラーの変形量は、可変形状ミラーと駆動電極の初期の間隔の三分の一に抑えられる。つまり、可変形状ミラー２１４と駆動電極２４４は、可変形状ミラー２１４に与える変形量の三倍は離しておく必要がある。
【０１２７】
結局、可変形状ミラー２１４と駆動電極２４４の間の距離は、駆動電圧の大きさと可変形状ミラー２１４の変形量とを考慮して、設計に応じて適切な値に調節されることが望まれる。また、可変形状ミラー２１４と駆動電極２４４の間の距離の最適値は、通常、バンプの背の高さよりは小さい。
【０１２８】
本実施形態の半導体装置では、金のバンプなどの金属部材１５０と配線基板２３０に形成する凹部２３２とにより、さらにはミラー基板２１０と配線基板２３０とを接合する際に与える加圧を制御することにより、初期の可変形状ミラー２１４と駆動電極２４４の間の距離を最適値にすることができる。
【０１２９】
本実施形態では、バンプの加熱圧接で基板間を接続しており、接着剤や異方性導電ペーストまたはフィルムなどの樹脂を用いていないので、ＭＥＭＳの機能を樹脂の流れ出しやはみだしにより阻害することがない。
【０１３０】
これまでに説明したように、本実施形態では、複数の基板を貼り合わせる半導体装置において、配線基板に凹部を形成したことにより、基板の間隔を適切にできるとともに、すべてのバンプで電気的な接続をとることができる。
【０１３１】
その結果、動作電圧が低く、破壊する恐れの少ないＭＥＭＳ装置などの半導体装置を得ることができる。
【０１３２】
本実施形態は、上述した構成に限定されるものではなく、様々な変形や変更が施されてもよい。
【０１３３】
基板やバンプや電極の材料については第一実施形態で述べた種々の変形が適用可能である。また、第一実施形態で述べたように、基板同士を接合する加熱圧接の際に、必要に応じて超音波があわせて加えられてもよい。さらに、凹部２３２の形態についても第一実施形態で述べた変形が適用可能である。すなわち、凹部２３２は、図３に示されるように、配線基板の上面よりも低い部分が配線基板の端まで延びている形態（段差１４２）であってもよい。
【０１３４】
第二実施形態の応用例
本応用例は、上述したＭＥＭＳ可変形状ミラーを含む半導体装置のアレイ化に向けられている。図７は、第一実施形態の半導体装置の応用例を示している。図７において、図５や図６に示された部材と同一の参照符号で指示された部材は同様の部材であり、その詳しい説明は省略する。
【０１３５】
可変形状ミラーは、ＭＥＭＳとして半導体プロセスで製造することが可能であるため、可変形状ミラー２１４をアレイ状に形成したミラーアレイ２１０Ａを作製し、配線基板２３０の凹部２３２にバンプ１５０を用いて接続することで、ＭＥＭＳ可変形状ミラーアレイを得ることができる。このような装置は特に画像表示装置などに有用である。
【０１３６】
本応用例においては、基板の大型化により基板間の傾き誤差でよりバンプでの接続確率が低下し易い大規模なアレイにおいても、凹部の中にバンプを形成するためすべてのバンプで確実に接続することができるとともに、基板間の距離を小さくできるため、動作電圧を低減することが可能である。
【０１３７】
アレイ状のデバイスにおいては、アレイの数だけ偏向器の駆動電圧源となる制御アンプなどの電気回路が必要となり、必要電圧によりアンプのサイズや価格が大きく変動するため、駆動回路装置全体の小型化、低コスト化という点でも駆動電圧の低減は有効である。
【０１３８】
本応用例では、大規模なアレイにすることでバンプ１５０の数は増加するが、バンプの接続部に予め凹部を形成しているので、すべてのバンプでより確実な接続が行なわれる。
【０１３９】
第三実施形態
本実施形態は、ＭＥＭＳ高周波スイッチに向けられている。ＭＥＭＳ高周波スイッチは、特開２００１−１４３５９５号公報などに開示されている。本実施形態のＭＥＭＳ高周波スイッチの動作は、基本的に特開２００１−１４３５９５号公報に開示されている装置と同様である。
【０１４０】
図８と図９は、本発明の第三実施形態の半導体装置であるＭＥＭＳ高周波スイッチの断面図であり、図８はスイッチがオフの状態を示し、図９はスイッチがオンの状態を示している。
【０１４１】
図８と図９に示されるように、半導体装置３００は、スイッチ基板３１０と、スイッチ基板３１０に対向して配置された配線基板３３０と、スイッチ基板３１０と配線基板３３０とを接合する金属部材１５０とから構成されている。
【０１４２】
スイッチ基板３１０は、開口を有する枠部材３１２と、枠部材３１２から開口内へ延びているＭＥＭＳカンチレバー３１４とから構成されている。ＭＥＭＳカンチレバー３１４は、枠部材３１２の下面に順に積層されたアルミ薄膜３２２と絶縁性の支持薄膜３２４とアルミ薄膜３２６とから構成されている。このようなスイッチ基板３１０は、例えば、ＭＥＭＳ技術により、シリコン基板などの半導体基板から作製される。
【０１４３】
ＭＥＭＳカンチレバー３１４は弾性変形可能であり、その自由端部が上下に変位し得る。つまり、ＭＥＭＳカンチレバー３１４は、機械的に動作する可動部を構成している。また、ＭＥＭＳカンチレバー３１４上に位置しているアルミ薄膜３２２の部分は、ＭＥＭＳカンチレバー３１４を動作させる駆動力を与えるための電極を構成している。
【０１４４】
アルミ薄膜３２２は枠部材３１２の端まで延びており、一方、支持薄膜３２４とアルミ薄膜３２６は枠部材３１２の中程で終端している。従って、アルミ薄膜３２２は枠部材３１２の端部において露出している。
【０１４５】
配線基板３３０は、スイッチ基板３１０と対向する面に、凹部３３２と凹部３３４と凹部３３６とを有している。例えば、配線基板３３０はシリコンからなり、凹部３３２と凹部３３４と凹部３３６はウェットエッチングにより形成される。
【０１４６】
配線基板３３０はさらに、凹部３３２の底面と配線基板３３０の上面との間に延びている導電性薄膜３４２と、凹部３３４の底面と配線基板３３０の上面との間に延びている導電性薄膜３４４と、凹部３３６の底面と配線基板３３０の上面との間に延びている導電性薄膜３４６とを有している。
【０１４７】
凹部３３２の底面に位置する導電性薄膜３４２の部分は、アルミ薄膜３２６との導通をとるための電極を構成している。同様に、凹部３３４の底面に位置する導電性薄膜３４４の部分も、アルミ薄膜３２６との導通をとるための電極を構成している。また、凹部３３６の底面に位置する導電性薄膜３４６の部分は、アルミ薄膜３２２との導通をとるための電極を構成している。
【０１４８】
これに対応して、スイッチ基板３１０の側においては、枠部材３１２の端部に露出しているアルミ薄膜３２２の部分は、導電性薄膜３４６との導通をとるための電極を構成している。また、枠部材３１２上に位置しているアルミ薄膜３２６の部分は、導電性薄膜３４２と導電性薄膜３４４との導通をとるための電極を構成している。
【０１４９】
凹部３３２と凹部３３４は同じ深さを有し、凹部３３６は、アルミ薄膜３２２とアルミ薄膜３２６の段差分、すなわち、支持薄膜３２４とアルミ薄膜３２６の膜厚分、凹部３３２と凹部３３４よりも浅くなっている。従って、凹部３３２の底面に位置する導電性薄膜３４２の部分とアルミ薄膜３２６との間隔と、凹部３３４の底面に位置する導電性薄膜３４４の部分とアルミ薄膜３２６との間隔と、凹部３３６の底面に位置する導電性薄膜３４６の部分とアルミ薄膜３２２との間隔は、いずれも等しくなっている。
【０１５０】
図８と図９において、凹部３３４と凹部３３６は互いに連続している。従って、凹部３３４と凹部３３６は、見方によっては、深さの異なる二つの底面部分を持つ一つの大きな凹部を構成している。しかし、本明細書では、深さの異なる複数の底面部分を持つ凹部は、底面部分の深さの違いに注目して、複数の凹部と見なすものとする。
【０１５１】
もちろん、凹部３３４と凹部３３６は、連続している必要はなく、互いに離れていてもよい。つまり、凹部３３４と凹部３３６は、互いに独立した凹部であってもよい。
【０１５２】
配線基板３３０はさらに、駆動電極３５２と、駆動電極３５２を覆う保護膜３５４と、コンタクト電極３５６とを有している。駆動電極３５２とコンタクト電極３５６はともに、スイッチ基板３１０のＭＥＭＳカンチレバー３１４と対向する位置に設けられている。
【０１５３】
金属部材１５０は、凹部３３２の底面に位置する導電性薄膜３４２の部分とアルミ薄膜３２６との間と、凹部３３４の底面に位置する導電性薄膜３４４の部分とアルミ薄膜３２６との間と、凹部３３６の底面に位置する導電性薄膜３４６の部分とアルミ薄膜３２２との間とに設けられる。これらの金属部材１５０は等しい背を有し、しかも、配線基板３３０の凹部３３２と凹部３３４の深さよりも高い背を有している。
【０１５４】
金属部材１５０は、例えば、金などからなるバンプであり、加熱圧接されることにより、スイッチ基板３１０と配線基板３３０とを機械的に接合するとともに、スイッチ基板３１０と配線基板３３０の電極同士を電気的に接合する。
【０１５５】
半導体装置３００は、例えば、次のようにして作製される。
【０１５６】
例えばシリコンのＳＯＩ基板をスタートウェハとして、レジストのパターニング、エッチング、薄膜形成などの工程を経て、微細なＭＥＭＳ構造を構成して、スイッチ基板３１０を作製する。
【０１５７】
一方、配線基板３３０に、スイッチ基板３１０上のアルミ薄膜３２２とアルミ薄膜３２６の段差を考慮して、適切な深さの凹部３３２と凹部３３４と凹部３３６を形成する。
【０１５８】
次に、配線基板３３０上に、駆動電極３５２、コンタクト電極３５６、導電性薄膜３４２、導電性薄膜３４４、導電性薄膜３４６を形成し、必要に応じて、保護膜３５４を形成する。
【０１５９】
続いて、凹部３３２と凹部３３４と凹部３３６の底面に設けられた電極上に、例えば金からなるバンプ１５０を形成する。
【０１６０】
最後に、スイッチ基板３１０を配線基板３３０に加熱圧接することにより、ＭＥＭＳ高周波スイッチが完成する。
【０１６１】
半導体装置３００においては、スイッチ基板３１０に設けられたアルミ薄膜３２２は、バンプ１５０により、配線基板３３０の凹部３３６の底面に設けられた導電性薄膜３４６の部分と電気的に接続されている。導電性薄膜３４６はグランドに接続される。これにより、スイッチ基板３１０のアルミ薄膜３２２は良好にグランド電位に保たれる。また、導電性薄膜３４４（あるいは導電性薄膜３４２）には信号が供給される。
【０１６２】
この状態で、駆動電極３５２に電圧を印加すると、駆動電極３５２と、これに対向しているアルミ薄膜３２２の部分との間に、静電引力が発生する。その結果、アルミ薄膜３２２つまりＭＥＭＳカンチレバー３１４が駆動電極３５２に引き寄せられ、アルミ薄膜３２６とコンタクト電極３５６が接触する。その結果、コンタクト電極３５６と導電性薄膜３４４（あるいは導電性薄膜３４２）との間が電気的に接続される。
【０１６３】
また、駆動電極３５２への電圧の印加を停止すると、駆動電極３５２とアルミ薄膜３２２との間の静電引力が消え、ＭＥＭＳカンチレバー３１４は元の形状に戻り、コンタクト電極３５６と導電性薄膜３４４（あるいは導電性薄膜３４２）との間の電気的接続が遮断される
このように、駆動電極３５２への電圧印加をオンオフすることにより、コンタクト電極３５６と導電性薄膜３４４（あるいは導電性薄膜３４２）との間の信号の流れをオンオフすることができる。
【０１６４】
本実施形態では、配線基板３３０のバンプ１５０を設ける部位に凹部を設けているので、スイッチ基板３１０と配線基板３３０の間隔を小さくすることができる。これにより、アルミ薄膜３２２と駆動電極３５２の間の距離を小さくできるため、駆動電極３５２にかける電圧を低減することが可能である。また、支持薄膜３２４の駆動距離が小さくなるため、動作速度が向上する。
【０１６５】
本実施形態では、アルミ薄膜３２２と支持薄膜３２４とアルミ薄膜３２６の厚さを考慮して、基板の接合面間距離が接続部位で異なるのを補正するため、それに応じて凹部（段差）の深さを変えている。つまり、凹部（段差）の深さを、場所により適切に変えることで、すべての接続部の間隔を一定にしている。
【０１６６】
これにより、バンプの初期の高さばらつきと、接続部の距離の場所によるばらつきという、バンプの接続確率を低下させる部材の形状ばらつきの対策として、凹部を設けることで、バンプ高さばらつきの影響を低減し、凹部の深さを場所により変えることで接続部の距離のばらつきを解消している。
【０１６７】
その結果、すべての接続部で確実に電気的な接続を得ることが可能である。
【０１６８】
本実施形態は、上述した構成に限定されるものではなく、様々な変形や変更が施されてもよい。
【０１６９】
基板やバンプや電極の材料については第一実施形態で述べた種々の変形が適用可能である。また、第一実施形態で述べたように、基板同士を接合する加熱圧接の際に、必要に応じて超音波があわせて加えられてもよい。さらに、凹部の形態についても第一実施形態で述べた変形が適用可能である。すなわち、凹部は、図３に示されるように、配線基板の上面よりも低い部分が配線基板の端まで延びている形態（段差１４２）であってもよい。
【０１７０】
本実施形態では、配線基板３３０の側にバンプ１５０を設ける製造工程を例として示したが、スイッチ基板３１０の側にバンプ１５０を設ける製造工程で作製されてもよく、そのように作製された半導体装置も本実施形態と同様の作用と利点を有する。
【０１７１】
また、支持薄膜はＳＯＩなどによるシリコン酸化物を活用することが好適であるが、シリコン窒化物、ポリイミドレジストなど様々な材料が利用可能である。
【０１７２】
本実施形態では、凹部の深さは二種類の例を示したが、枠部材の表面形状に応じて、より多くの深さの水準を設けることが可能であることは言うまでもない。
【０１７３】
さらに言えば、本実施形態では静電駆動型のＭＥＭＳ高周波スイッチの代表的な例を示したが、他の静電駆動型スイッチ、電磁駆動型スイッチ、圧電駆動型スイッチなど、少なくとも二枚の基板を近接して配置して作製可能なものに適用可能である。
【０１７４】
第四実施形態
本実施形態は、第一実施形態と同様、ＭＥＭＳ偏向ミラーに向けられている。図１０は、本発明の第四実施形態の半導体装置であるＭＥＭＳ偏向ミラーの断面図である。図１０において、図１や図２に示された部材と同一の参照符号で指示された部材は同様の部材であり、その詳しい説明は省略する。
【０１７５】
本実施形態の半導体装置４００は、第一実施形態の半導体装置１００に類似しており、図１０に示されるように、ミラー基板１１０と配線基板１３０とを接合する金属部材１５０が、二つのバンプ、すなわちバンプ１５２とバンプ１５４とで構成されている点においてのみ相違している。
【０１７６】
本実施形態では、半導体装置４００は次のようにして作製される。まず、ミラー基板１１０の枠部材１１２上に位置する導電性薄膜１１８の部分に金のバンプ１５２を形成し、また、配線基板１３０の凹部１３２に設けられた電極１３４の上にも金のバンプ１５４を形成する。金バンプは、具体的には、金ワイヤーからバンプを形成する設備であるバンプボンダーを用いて形成されると好適である。続いて、ミラー基板１１０と配線基板１３０とを、バンプ１５２とバンプ１５４が対向するように位置決めし、加熱圧接する。これにより、半導体装置４００が得られる。
【０１７７】
本実施形態では、ミラー基板１１０の導電性薄膜１１８と配線基板１３０の電極１３４のそれぞれに予め金バンプを形成している。この場合、導電性薄膜１１８と凹部１３２の底面の電極１３４にアルミを用いることが可能である。半導体プロセスつまりＭＥＭＳプロセスでは、金を使用しないことが好ましいことが既に常識化している。アルミの使用は、この点において好適である。
【０１７８】
基板同士の接合は実質的に金バンプ同士の接合により行われ、金バンプ同士は加熱圧接に対して良好に互いに熱拡散するため、ミラー基板１１０と配線基板１３０とがより強固に接合される。
【０１７９】
本実施形態では、金属部材１５０は二つのバンプからなるため、背が高くなるが、凹部１３２をより深くすることにより、基板間の距離を小さくできる。
【０１８０】
本実施形態においては、配線基板に凹部を予め形成してので、従来よりもバンプによる確実な接続が可能であるとともに、ミラー基板１１０と配線基板１３０をバンプの高さより小さい間隔で配置することが可能である。さらに、ミラー基板１１０と配線基板１３０に金薄膜を形成することなく、ミラー基板１１０と配線基板１３０とを金バンプで加熱圧接により接合できるため、半導体基板自体の製造・加工プロセスに金を持ち込む必要がないという利点を有している。
【０１８１】
本実施形態は、上述した構成に限定されるものではなく、様々な変形や変更が施されてもよい。
【０１８２】
基板やバンプや電極の材料については第一実施形態で述べた種々の変形が適用可能である。また、第一実施形態で述べたように、基板同士を接合する加熱圧接の際に、必要に応じて超音波があわせて加えられてもよい。さらに、凹部の形態についても第一実施形態で述べた変形が適用可能である。すなわち、凹部は、図３に示されるように、配線基板の上面よりも低い部分が配線基板の端まで延びている形態（段差１４２）であってもよい。
【０１８３】
基板毎のバンプ材料の組み合わせは、同じ材料のみに限定されるものではない。バンプ同士が接合可能な材料であれば、様々な組み合わせが採用可能である。例えば、金のスタッドバンプとハンダペーストから作製したハンダバンプなどの組み合わせでもよく、それらは加熱接合により接合可能である。
【０１８４】
また、バンプは、二つの組み合わせによる二段構成だけでなく、三つ以上の組み合わせによる三段以上の構成であってもよい。また、バンプの種類も三種類以上であってもよい。この場合、接触するバンプ同士の接続の相性がよければ、離れたバンプ同士は特に接続性を問題としないため、様々な材料を選択することが可能となる。
【０１８５】
第五実施形態
本実施形態は、第一実施形態と同様、ＭＥＭＳ偏向ミラーに向けられている。図１１は、本発明の第五実施形態の半導体装置であるＭＥＭＳ偏向ミラーの断面図である。図１１において、図５や図６に示された部材と同一の参照符号で指示された部材は同様の部材を示している。
【０１８６】
図１１に示されるように、半導体装置５００は、ミラー基板５１０と、ミラー基板１１０に対向して配置された配線基板５３０と、ミラー基板５１０と配線基板５３０とを接合する金属部材１５０とから構成されている。
【０１８７】
ミラー基板５１０は、開口を有する枠部材５１２と、配線基板５３０と対向する枠部材５１２の面に形成された複数の凹部５２２と、枠部材５１２の開口内に位置する可動ミラー１１４と、枠部材５１２と可動ミラー１１４とを接続しているヒンジ１１６と、配線基板５３０と対向する面に設けられた導電性薄膜５１８とから構成されている。
【０１８８】
ミラー基板５１０は、例えばシリコンなどの半導体材料から、半導体製造プロセスにより作製される。凹部５２２は例えばウェットエッチングにより形成される。導電性薄膜５１８は部分的に枠部材５１２に形成された凹部５２２の底面に位置している。
【０１８９】
配線基板５３０は、ミラー基板５１０の可動ミラー１１４と対向する部分に設けられた駆動電極１４４と、ミラー基板５１０と対向する面に設けられた導電性薄膜５４２とを有している。配線基板５３０は、特にこれに限定されないが、例えば、絶縁性の無機材料からなる。
【０１９０】
ミラー基板５１０において、可動ミラー１１４上に位置する導電性薄膜５１８の部分は、可動ミラー１１４を揺動動作させる駆動力を与えるためのミラー電極を構成している。枠部材５１２の凹部５２２の底面に位置する導電性薄膜５１８の部分は、配線基板５３０の導電性薄膜５４２との電気的導通をとるための電極を構成している。導電性薄膜５１８の他の部分は、可動ミラー１１４上のミラー電極と凹部５２２の底面の電極とを電気的に接続する配線として機能する。
【０１９１】
一方、配線基板５３０において、枠部材５１２と対向している導電性薄膜５４２の部分は、枠部材５１２の凹部５２２の底面に位置する導電性薄膜５１８の部分との電気的導通をとるための電極を構成している。
【０１９２】
金属部材１５０は、ミラー基板５１０の凹部５２２の深さよりも高い背を有している。金属部材１５０は、例えば、金などからなるバンプであり、ミラー基板５１０の凹部５２２の底面に設けられた導電性薄膜５４２の部分と、配線基板５３０の上面に設けられた導電性薄膜５４２の部分との間に設けられる。バンプ１５０は、加熱圧接されることにより、ミラー基板５１０上の導電性薄膜５１８と配線基板５３０の導電性薄膜５４２とを電気的かつ機械的に接合する。
【０１９３】
半導体装置５００の動作は、第一実施形態の半導体装置１００と全く同様であり、ここではその説明は省略する。
【０１９４】
本実施形態では、配線基板５３０は、単に、平坦な上面に駆動電極１４４と導電性薄膜５４２とを有しているに過ぎない。つまり、配線基板５３０は、凹部を形成する等の加工が不要である。このため、配線基板５３０は、特に半導体基板である必要はなく、例えばコスト的な側面からパイレックスガラス等が好適に適用可能である。一方、ミラー基板５１０は、前述したように、シリコン基板から作られている。
【０１９５】
このように、ミラー基板５１０と配線基板５３０は、異なる材料からなり、従って、異なる線膨張係数を有している。このため、外部温度の変化により、せん断応力がバンプにかかってしまう。しかし、基板間ギャップに比べてバンプの背が高いため、バンプのせん断撓みにより応力が緩和される。その結果、高い耐久性を持った半導体装置を得ることが可能である。
【０１９６】
以上のように、本実施形態では、異なる材料からなる基板を接合して構成された場合においても、高い耐久性を確保することができる。また、異なる材料を使用することにより、例えば低コストなどの特有の効果を付加的に得ることができる。
【０１９７】
本実施形態は、上述した構成に限定されるものではなく、様々な変形や変更が施されてもよい。
【０１９８】
基板やバンプや電極の材料については第一実施形態で述べた種々の変形が適用可能である。また、第一実施形態で述べたように、基板同士を接合する加熱圧接の際に、必要に応じて超音波があわせて加えられてもよい。さらに、凹部の形態についても第一実施形態で述べた変形が適用可能である。すなわち、凹部は、図３に示されるように、配線基板の上面よりも低い部分が配線基板の端まで延びている形態（段差１４２）であってもよい。
【０１９９】
また、本実施形態では、低コストを狙った例として配線基板５３０にパイレックスガラスを用いた例を示したが、配線基板５３０の材料は、これに限定されるものではなく、選択の自由度が高く、様々なガラス、アルミナなどのセラミックスあるいは結晶材料、ＧａＡｓなどの様々な半導体、金属基板などが適用可能である。
【０２００】
例えばＧａＡｓなどの材料を用いて特殊な電子デバイス基板を適用することにより、さらに高い機能を持った半導体装置とすることも可能である。
【０２０１】
ただし、ガラスエポキシ樹脂基板などは、適用は可能であるが、温度による形状安定性が極めて悪く、基板間ギャップの精度も保証できないため、あまり好ましくない。
【０２０２】
第六実施形態
本実施形態は、第二実施形態と同様、ＭＥＭＳ形状可変ミラーに向けられている。図１２は、本発明の第六実施形態の半導体装置であるＭＥＭＳ形状可変ミラーの断面図である。図１２において、図５や図６に示された部材と同一の参照符号で指示された部材は同様の部材を示している。
【０２０３】
図１２に示されるように、半導体装置６００は、ミラー基板６１０と、ミラー基板１１０に対向して配置された透光性配線基板６３０と、ミラー基板６１０と透光性配線基板６３０とを接合する金属部材１５０とから構成されている。
【０２０４】
ミラー基板６１０は、開口を有する枠部材６１２と、透光性配線基板６３０と対向する枠部材６１２の面に形成された複数の凹部６２２と、枠部材６１２の開口内に位置する可変形状ミラー２１４と、枠部材６１２と可変形状ミラー２１４とを接続している導電性薄膜６１８とから構成されている。
【０２０５】
例えばシリコンなどの半導体材料から、半導体製造プロセスにより作製される。凹部６２２は例えばウェットエッチングにより形成される。導電性薄膜６１８は部分的に枠部材６１２に形成された凹部６２２の底面に位置している。ミラー基板６１０は、
透光性配線基板６３０は、ミラー基板６１０の可変形状ミラー２１４と対向する部分に設けられた透光性駆動電極６４４と、ミラー基板６１０と対向する面に設けられた導電性薄膜６４２とを有している。
【０２０６】
透光性配線基板６３０は、絶縁性の無機材料からなり、特にこれに限定されないが、例えば、ガラスで構成されている。ガラスは、品質的な安定性から、ＢＫ−７（ＨＯＹＡショット社製）など光学ガラスやパイレックスガラスなどが好適である。また、使用する光の波長領域によっては、石英や水晶などが適用されてもよい。
【０２０７】
また、透光性駆動電極６４４は、特にこれに限定されないが、例えば、ＩＴＯなどの導電性薄膜が適用されると好適である。
【０２０８】
ミラー基板６１０において、可変形状ミラー２１４上に位置する導電性薄膜６１８の部分は、可変形状ミラー２１４を形状変形させる駆動力を与えるためのミラー電極を構成している。枠部材６１２の凹部６２２の底面に位置する導電性薄膜６１８の部分は、透光性配線基板６３０の導電性薄膜６４２との電気的導通をとるための電極を構成している。導電性薄膜６１８の他の部分は、可変形状ミラー２１４上のミラー電極と凹部６２２の底面の電極とを電気的に接続する配線として機能する。
【０２０９】
一方、透光性配線基板６３０において、枠部材６１２と対向している導電性薄膜６４２の部分は、枠部材６１２の凹部６２２の底面に位置する導電性薄膜６１８の部分との電気的導通をとるための電極を構成している。
【０２１０】
金属部材１５０は、ミラー基板６１０の凹部６２２の深さよりも高い背を有している。金属部材１５０は、例えば、金などからなるバンプであり、ミラー基板６１０の凹部６２２の底面に設けられた導電性薄膜６４２の部分と、透光性配線基板６３０の上面に設けられた導電性薄膜６４２の部分との間に設けられる。バンプ１５０は、加熱圧接されることにより、ミラー基板６１０上の導電性薄膜６１８と透光性配線基板６３０の導電性薄膜６４２とを電気的かつ機械的に接合する。
【０２１１】
本実施形態では、ミラー基板６１０と透光性配線基板６３０は、異なる材料からなり、従って、異なる線膨張係数を有している。このため、外部温度の変化により、せん断応力がバンプにかかってしまう。しかし、基板間ギャップに比べてバンプの背が高いため、バンプのせん断撓みにより応力が緩和される。その結果、高い耐久性を持った半導体装置を得ることが可能である。
【０２１２】
半導体装置６００の動作は、第二実施形態の半導体装置２００と同様であり、可変形状ミラー２１４と透光性駆動電極６４４との間に電圧を印加することにより、静電引力により、可変形状ミラー２１４の曲率を変えることができる。
【０２１３】
さらに、透光性配線基板６３０と透光性駆動電極６４４が、使用する光の波長域である可視光に対して光学的に透明であるため、透光性配線基板６３０と透光性駆動電極６４４を介して可変形状ミラー２１４に光を入射させることも可能である。その場合、可変形状ミラー２１４上に位置する導電性薄膜６１８の部分の下面が反射面として機能する。
【０２１４】
通常の静電駆動型の可変形状ミラーは、例えば特開平２−１０１４０２号公報に開示されているように、反射面を入射光に対して凹面に変形されることしかできない。
【０２１５】
これに対して、本実施形態のＭＥＭＳ可変形状ミラー６００は、配線基板６３０を通して光を入射させることもできるため、反射面を入射光に対して凸面に変形させることも可能である。これにより、平行光束の入射光から発散性光束の射出光を作り出すことが可能である。
【０２１６】
もちろん、本実施形態のＭＥＭＳ可変形状ミラー６００は、通常の可変形状ミラーと同様に、配線基板６３０の反対側から光を入射させることで、反射面を入射光に対して凹面に変形させることも可能である。
【０２１７】
また、透光性配線基板６３０は、気密パッケージにおけるガラスリッドあるいはガラスウィンドウと呼ぶ蓋の替わりに適用することで、通常ＣＰＵなどの半導体素子をパッケージするセラミックキャビティパッケージに直接封止することが可能であるため、ウィンドウ部材を別途使用する必要がなく、構成の簡素化が可能である。
【０２１８】
また、透光性配線基板６３０は、例えば水晶などを適用して波長板として活用したり、透光性配線基板６３０の一方の面に光学薄膜からなるフィルター機能を設けたりすることが可能である。
【０２１９】
この場合も光学薄膜のための光学基板を別途に用意する必要がなく、より複雑な光学機能を簡素な構成で発揮することが可能である。
【０２２０】
以上のように、本実施形態では、基板間の高い接続性を得られるとともに、特に透光性配線基板を使用する事で、通常得られない光学特性を得る事や、簡素な構成で複雑な光学性能を得ることができる。
【０２２１】
以上のように、異なる材料からなる基板を積層する場合においても、本発明により高い耐久性を確保することができ、また、透光性材料を使用することにより例えば通常とは逆の光学的性質や、低コストなどの特有の効果を付加的に得ることができる。
【０２２２】
本実施形態は、上述した構成に限定されるものではなく、様々な変形や変更が施されてもよい。
【０２２３】
透光性材料は、様々な光の波長に対して様々な透光性を示す材料が存在するので、透光性配線基板６３０には様々な材料が適用可能である。具体的には光学ガラス、石英、水晶、ＬＮ、ＬＴ、サファイアなどの光学結晶などが、波長に応じて、透光性配線基板６３０の材料に適用可能である。
【０２２４】
さらに、他の光学的機能を付け加えることも可能であり、透光性配線基板にフォトニック結晶や光導波路基板を適用しさらなる光学機能を加えることも可能である。
【０２２５】
また、駆動配線材料もＩＴＯに限るものではなく、利用したい光の波長に応じて導電性有機薄膜やシリコン薄膜など適宜選択できるとともに、電極の形状も光学的な有効領域の外周に配置するなど光学的な性能低下を避けて設けるなどの変形も有効である。
【０２２６】
これまで、図面を参照しながら本発明の複数の実施形態について述べたが、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において様々な変形や変更が施されてもよい。
【０２２７】
つまり、上述した実施形態は、発明の趣旨・概念を変えない範囲において、適当に組み合わされたり、一部が省かれたり、様々な他の要素が追加されたりしてもよい。
【０２２８】
例えば、半導体装置は、二枚の基板だけでなく、より多くの基板を接合して構成されてもよい。接合に用いる金属部材の数量や位置は、必要に応じて、適宜設定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【０２２９】
【図１】本発明の第一実施形態の半導体装置であるＭＥＭＳ偏向ミラーの分解斜視である。
【図２】図１に示されたII−II線に沿ったＭＥＭＳ偏向ミラーの断面図である。
【図３】図１と図２に示されている凹部に代えて適用可能な一つの代替形態を示している。
【図４】第一実施形態の半導体装置の応用例を示している。
【図５】本発明の第二実施形態の半導体装置であるＭＥＭＳ可変形状ミラーの分解斜視図である。
【図６】図５に示されたVI−VI線に沿ったＭＥＭＳ可変形状ミラーの断面図である。
【図７】第一実施形態の半導体装置の応用例を示している。
【図８】本発明の第三実施形態の半導体装置であるＭＥＭＳ高周波スイッチの断面図であり、スイッチがオフの状態を示している。
【図９】本発明の第三実施形態の半導体装置であるＭＥＭＳ高周波スイッチの断面図であり、スイッチがオンの状態を示している。
【図１０】本発明の第四実施形態の半導体装置であるＭＥＭＳ偏向ミラーの断面図である。
【図１１】本発明の第五実施形態の半導体装置であるＭＥＭＳ偏向ミラーの断面図である。
【図１２】本発明の第六実施形態の半導体装置であるＭＥＭＳ形状可変ミラーの断面図である。
【図１３】米国特許第６，５１９，０７５  Ｂ２号明細書に開示されている技術を利用して作製された半導体装置を示している。
【符号の説明】
【０２３０】
１００…半導体装置、１１０…ミラー基板、１１０Ａ…ミラーアレイ、１１２…枠部材、１１４…可動ミラー、１１６…ヒンジ、１１８…導電性薄膜、１３０…配線基板、１３２…凹部、１３４…電極、１３６…電極パッド、１３８…配線、１４２…段差、１４４…駆動電極、１４６…電極パッド、１４８…配線、１５０…金属部材、１５２…バンプ、１５４…バンプ、２００…半導体装置、２１０…ミラー基板、２１０Ａ…ミラーアレイ、２１２…枠部材、２１４…可変形状ミラー、２１８…導電性薄膜、２３０…配線基板、２３２…凹部、２３４…電極、２３６…電極パッド、２３８…配線、２４４…駆動電極、２４６…電極パッド、２４８…配線、３００…半導体装置、３１０…スイッチ基板、３１２…枠部材、３１４…ＭＥＭＳカンチレバー、３２２…アルミ薄膜、３２４…支持薄膜、３２６…アルミ薄膜、３３０…配線基板、３３２…凹部、３３４…凹部、３３６…凹部、３４２…導電性薄膜、３４４…導電性薄膜、３４６…導電性薄膜、３５２…駆動電極、３５４…保護膜、３５６…コンタクト電極、４００…半導体装置、５００…半導体装置、５１０…ミラー基板、５１２…枠部材、５１８…導電性薄膜、５２２…凹部、５３０…配線基板、５４２…導電性薄膜、６００…半導体装置、６１０…ミラー基板、６１２…枠部材、６１８…導電性薄膜、６２２…凹部、６３０…透光性配線基板、６３０…配線基板、６４２…導電性薄膜、６４４…透光性駆動電極。
【図１】
2005066727.tif 000003
【図２】
2005066727.tif 000004
【図３】
2005066727.tif 000005
【図４】
2005066727.tif 000006
【図５】
2005066727.tif 000007
【図６】
2005066727.tif 000008
【図７】
2005066727.tif 000009
【図８】
2005066727.tif 000010
【図９】
2005066727.tif 000011
【図１０】
2005066727.tif 000012
【図１１】
2005066727.tif 000013
【図１２】
2005066727.tif 000014
【図１３】
2005066727.tif 000015