(57)【要約】    【課題】  デラミネーション及び焼成後クラック発生率を劇的に低減することができるセラミック電子部品の製造方法を提供する。    【解決手段】  可撓性支持体１９の上に誘電体ペーストを塗布してセラミック誘電体層を形成し、セラミック誘電体層の上に電極６１を形成する。次に、セラミック誘電体層を剥離して得られたグリーンシートを積層圧着し、その積層体を分割して、積層グリーンチップを製造する。積層グリーンチップについて脱バインダ工程を実行し、その後、焼成する。脱バインダ工程前の積層グリーンチップの積層厚さＴ０と、脱バインダ工程実行後の積層グリーンチップの積層厚さＴ１との変化率Ｔ＝｛（Ｔ１−Ｔ０）／Ｔ０｝×１００（％）とし、積層界面の剥離力Ｆ（ｇｆ／ｍｍ２）としたとき、Ｆ＞２６Ｔ＋１０２．８を満たす。【選択図】      図６
2005079284.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック電子部品の製造方法であって、
可撓性支持体の上に、セラミック粉体及び樹脂成分を含有する誘電体ペーストを塗布して、セラミック誘電体層を形成し、
前記セラミック誘電体層の上に、導電成分及び樹脂成分を含有する電極ペーストを塗布して、複数の電極を所定の間隔を隔てて整列した電極群を形成し、
その後、前記セラミック誘電体層を、前記電極群毎に前記可撓性支持体の上から剥離して、グリーンシートを製造し、
次に、複数枚の前記グリーンシートを積層して圧着し、
次に、前記グリーンシートを、前記電極毎に細分割して、積層グリーンチップを製造し、
次に、前記積層グリーンチップを熱処理して、前記積層グリーンチップに含まれる樹脂成分を除去する脱バインダ工程を実行し、その後、焼成するステップを含み、
前記脱バインダ工程を実行する前の前記積層グリーンチップの積層厚さをＴ０とし、前記脱バインダ工程を実行した後の前記積層グリーンチップの積層厚さをＴ１とし、その変化率Ｔを、
Ｔ＝｛（Ｔ１−Ｔ０）／Ｔ０｝×１００（％）とし、
積層界面の剥離力をＦ（ｇｆ／ｍｍ２）としたとき、次の式
Ｆ＞２６Ｔ＋１０２．８
但し、Ｔ≧０
を満たす
セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載されたセラミック電子部品の製造方法であって、
前記セラミック誘電体層の上に、導電成分及び樹脂成分を含有する電極ペーストを塗布して、複数の電極を所定の間隔を隔てて整列した電極群を形成した後、前記セラミック誘電体層を、前記電極群毎に前記可撓性支持体の上から剥離して、グリーンシートを製造する前、前記電極及び前記電極群の周りに、セラミック粉体及び樹脂成分を含有する誘電体ペーストを塗布して、前記電極の厚みを吸収する補助誘電体層を形成するステップを含む
セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック電子部品として、例えば、積層セラミックコンデンサが知られている。積層セラミックコンデンサは、小型化、大容量化の要求が非常に強く、この要求に応えるため、１層あたりの誘電体層の厚みを薄くし、積層数を増大させている。例えば、最近の積層セラミックコンデンサは、誘電体層の厚みが２〜１０μｍ以下、積層数が数百層にも達している。
【０００３】
積層セラミックコンデンサの製造方法としては、シート状の可撓性支持体の上に、セラミック粉体及び樹脂成分を含有する誘電体ペーストを塗布して、セラミック誘電体層を形成し、セラミック誘電体層上に電極群を形成した後、セラミック誘電体層を、電極群毎に切断し、切断して得られたグリーンシートを順次に積層して積層構造体を形成し、この積層構造体を細断して積層グリーンチップを製造し、更に、脱バインダ工程により、積層グリーンチップに含まれる樹脂成分を除去した後、焼成し、端子電極を形成し、完成品の積層セラミックコンデンサを得る製造方法が知られている。
【０００４】
しかし、１００層〜５００層にも及ぶ積層数になると、電極による段差が無視できなくなり、完成したコンデンサにおいて、セラミック誘電体のみのマージン部分と、電極及び誘電体が積層されている部分とで段差ができ、完成したコンデンサに、湾曲などの変形が生じる。このような変形が生じると、基板実装時にマウンターの吸着エラーが発生したり、はんだ溶融時にツームストン現象が出たりする等大きな問題を惹起する。
【０００５】
上述した問題を解決する手段として、例えば、特許文献１は、シート状の可撓性支持体の上にセラミック誘電体層を形成し、セラミック誘電体層上に電極群からなる電極群を形成し、電極群の形成されたセラミック誘電体層を平坦な表面を持つ金型にて熱プレスした後、セラミック誘電体層を、電極群毎に切断し、切断して得られたグリーンシートを順次に積層して積層構造体を形成する製造方法を開示している。
【０００６】
別の従来技術として、特許文献２〜４は、電極の印刷されていない部分に誘電体を印刷あるいは塗布し、段差を吸収する技術を開示している。
【０００７】
上述した先行技術によれば、段差を解消し、段差に起因するデラミネーション及び焼成後クラックの発生を抑制できる。
【０００８】
しかしながら、脱バインダ工程から焼成工程に至る工程おいて、積層グリーンチップの収縮に伴って発生するデラミネーション及び焼成後クラックの発生を抑制することができなかった。この段階におけるデラミネーション及び焼成後クラックの発生を防止するため、例えば、焼結の際の収縮率差を小さくするなどの試みがなされたが、このような手段を講じても、デラミネーションや焼成後クラックの発生を防ぐことができなかった。
【特許文献１】特開平６−１６８８４０号公報  （第２−３頁、第１図）
【特許文献２】特開２００１−１２６９５１号公報
【特許文献３】特開２００２−４３１６４号公報
【特許文献４】特開２００１−３５８０３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、脱バインダ工程から焼成工程に至る工程おいて、積層グリーンチップの収縮に伴って発生するデラミネーション及び焼成後クラックの発生を抑制することができるセラミック電子部品の製造方法を提供することである。
【００１０】
本発明のもう一つの課題は、製品歩留まりを向上させ得るセラミック電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決するため、可撓性支持体の上に、セラミック粉体及び樹脂成分を含有する誘電体ペーストを塗布して、セラミック誘電体層を形成し、前記セラミック誘電体層の上に、導電成分及び樹脂成分を含有する電極ペーストを塗布して、複数の電極を所定の間隔を隔てて整列した電極群を形成する。
【００１２】
その後、前記セラミック誘電体層を、前記電極群毎に前記可撓性支持体の上から剥離して、グリーンシートを製造し、次に、複数枚の前記グリーンシートを積層して圧着する。次に、前記グリーンシートを、前記電極毎に細分割して、積層グリーンチップを製造し、次に、前記積層グリーンチップを熱処理して、前記積層グリーンチップに含まれる樹脂成分を除去する脱バインダ工程を実行し、その後、焼成するステップを含む。
【００１３】
上記ステップは、従来技術と異なるところはない。本発明の特徴は、前記脱バインダ工程を実行する前の前記積層グリーンチップの積層厚さをＴ０とし、前記脱バインダ工程を実行した後の前記積層グリーンチップの積層厚さをＴ１とし、その変化率Ｔを、
Ｔ＝｛（Ｔ１−Ｔ０）／Ｔ０｝×１００（％）とし、
積層界面の剥離力をＦ（ｇｆ／ｍｍ２）としたとき、次の式
Ｆ＞２６Ｔ＋１０２．８
但し、Ｔ≧０
を満たすことにある。
【００１４】
剥離力Ｆが上記条件式を満たすと、デラミネーションや焼成後クラックの発生をほぼ確実に防ぐことができる。この点については、後でデータによって実証する。
【００１５】
セラミック誘電体層の上に、複数の電極を所定の間隔を隔てて整列した電極群を形成した後、セラミック誘電体層を、電極群毎に可撓性支持体の上から剥離して、グリーンシートを製造する前、電極及び電極群の周りに、セラミック粉体及び樹脂成分を含有する誘電体ペーストを塗布して、電極の厚みを吸収する補助誘電体層を形成するステップを含んでいてもよい。このステップを含むことにより、補助誘電体層により、電極の周りの段差を解消することができる。
【００１６】
グリーンシートのそれぞれは、補助誘電体層により、電極の周りの段差が解消されているから、セラミック誘電体層を、電極群毎に可撓性支持体の上から剥離して、グリーンシートを製造し、複数枚のグリーンシートを積層して圧着する際、積層されたグリーンシート間の密着不良を低減させることができる。
【００１７】
本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施例によって更に詳しく説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１〜図１８は本発明に係るセラミック電子部品の製造方法における各工程を示す図である。
【００１９】
まず、図１及び図２に示すように、押し出し式塗布ヘッド１０を用いて、可撓性支持体１９の一面上に、誘電体ペースト１７Ａを塗布し、厚みｔ１のセラミック誘電体層５１を形成する。誘電体ペーストは、セラミック粉体と、バインダ樹脂と、可塑剤と、有機溶剤等とを混合して、適当な粘度となるようにペースト化されたものである。セラミック粉体としては、BaTiO３等、公知の材料を用いることができる。バインダ樹脂は、アクリル系樹脂、ブチラール系樹脂、エチルセルロース系樹脂及びそれらの混合系樹脂等を用いることができる。
【００２０】
可塑剤及び有機溶剤の種類及び量は、従来より周知である。例えば、可塑剤とはＢＢＰが用いられ、有機溶剤としては、トルエン、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）、またはアルコール系溶剤形等が用いられる。
【００２１】
セラミック誘電体層１は、図示しない乾燥機に通して乾燥させる。可撓性支持体１９は、図示しない供給ロールと巻き取りロールとの間で、参照符号Ｆ１で示す方向に走行する。
【００２２】
可撓性支持体１９は、セラミック誘電体層５１を成形する面に剥離処理を施しておくことが好ましい。剥離処理は、例えば、可撓性支持体１９の一面上に、Ｓｉ等でなる剥離用膜を薄くコートすることによって実行することができる。このような剥離処理を施しておくことにより、セラミック誘電体層５１を可撓性支持体１９から容易に剥離することができる。
【００２３】
押し出し式塗布ヘッド１０は、誘電体ペースト排出用スリット４６と、誘電体ペーストだまり４９とを含む。このような押し出し式塗布ヘッドは公知である。この押し出し式塗布ヘッド１０を用いると、非常に面精度がよく、かつ、厚みバラツキの少ない均一な誘電体ペースト層を得ることができる。
【００２４】
次に図３〜図５に示すように、乾燥後のセラミック誘電体層５１の一面上に、複数の電極６１を所定の間隔Ｇ１を隔てて整列した電極群Ｑを形成する。電極６１及び電極群Ｑは、電極ペーストを用い、スクリーン印刷又はグラビア転写などの手段によって形成できる。電極ペーストは、導電粉体と、バインダ樹脂、可塑剤及び有機溶剤などの樹脂成分とを混合分散させて調製されたものである。導電粉体としては、例えばニッケル、銅等を主成分とする物が用いられる。バインダ樹脂は、電極ペ−ストの印刷性を考慮し、アクリル系樹脂、エチルセルロース系樹脂、ブチラール系樹脂及びこれらの混合物等を用いることができる。
【００２５】
可塑剤及び有機溶剤の種類及び量は、従来より周知である。例えば、可塑剤とはＢＢＰが用いられ、有機溶剤としてはターピネオール等が用いられる。
【００２６】
図示実施例では、電極６１のそれぞれは、電極群Ｑのそれぞれの内部で、ｍ行Ｎ列となるように形成されている。図示実施例において、電極群Ｑは、１つの製版によって、可撓性支持体１９の長手方向Ｘに間隔を隔てて形成される。電極６１のそれぞれは、図示とは異なって、偶数列と奇数列とが電極間ピッチの半分だけ異なるように配列してもよい。
【００２７】
次に、図６及び図７に示すように、次に、電極６１及び電極群Ｑの周りに、スクリーン印刷９等の手段によって、誘電体ペーストを塗布して、電極６１の厚みを吸収する補助誘電体層６５を形成する。誘電体ペーストは、セラミック粉体と、バインダ樹脂と、可塑剤と、有機溶剤等とを混合して、適当な粘度となるようにペースト化されたものである。セラミック粉体としては、ＢＡTiO３等、公知の材料を用いることができる。
【００２８】
補助誘電体層６５は、セラミック誘電体層５１上に形成された電極６１の周りの段差を埋めるように形成する。補助誘電体層６５は、電極６１と同じ厚みであってもよいし、電極６１の端部に乗り上げていてもよい。補助誘電体層６５は、焼成時における収縮率が、電極６１の焼成時における収縮率と等しい材料であることが好ましい。また、補助誘電体層６５は、焼成後において、セラミック誘電体層５１と一体化し得る材料で構成することが好ましい。補助誘電体層６５は溝などによる非印刷部分を含んでいてもよい。
【００２９】
図１〜図７に示した工程を経た後、電極群Ｑを有するセラミック誘電体層５１を、電極群Ｑのそれぞれ毎に、可撓性支持体１９の上から剥離する。図８は、上述の剥離工程を経て得られたセラミック誘電体層の平面図を示している。剥離後のセラミック誘電体層はシート状であるので、これをグリーンシートと称することとする。
【００３０】
次に、図９に示すように、剥離した複数枚（ｒ）のグリーンシートＱ１〜Ｑｒを、積層台７１の上で積層する。実際の積層工程では、積層台７１の上に保護層となるセラミック誘電体層５２を載せ、このセラミック誘電体層５２の上に、グリーンシートＱ１〜Ｑｒを積層し、更に、最上層のグリーンシートＱｒの上にも保護層５３を積層する。保護層５２、５３は、通常、複数層で構成される。
【００３１】
図示実施例において、グリーンシートＱ１〜Ｑｒにおいて、電極６１及び補助誘電体層６５は、同一の製版を用いて、スクリーン印刷又はグラビア転写などによって形成されているので、電極重なりを得るために、図１０に図示するように、偶数番目のグリーンシートＱ１、Ｑ３、．．．と奇数番目のグリーンシートＱ２、Ｑ４、．．．とは、電極間ピッチの半分だけのオフセットΔＯＦＦを付して積層する。
【００３２】
次に、図１１に示すように、積層台７１の上に積層された保護層５２、グリーンシートＱ１〜Ｑｒ及び保護層５３を、プレス７２により加圧Ｐ１して、圧着させる。加圧圧着の工程は、加熱しながら実行する。
【００３３】
この後、図１２に示すように、保護層５２、グリーンシートＱ１〜Ｑｒ及び保護層５３の積層体を、矢印Ａの方向に回転する切断具８を用いて、電極毎に細分割する。
【００３４】
図１３は、図１２に示す細分割工程を経て得られた積層グリーンチップの拡大断面図を示している。積層グリーンチップは、保護層５２と保護層５３との間に、セラミック誘電体層５１―内部電極６１１―セラミック誘電体層５１―内部電極６１２の積層構造を、所定数だけ繰り返す構造となっている。奇数番目の内部電極６１１は、一端が同一端面に現れ、偶数番目の内部電極６１２は、一端が、内部電極６１１の一端とは反対側の端面に現れる。奇数番目の内部電極６１１は、他端がセラミック誘電体層１−５１の間の補助誘電体層６５によって閉じられている。偶数番目の内部電極６１２は、他端がセラミック誘電体層５１−５１の間の補助誘電体層６５によって閉じられている。。
【００３５】
次に、積層グリーンチップは脱バインダ工程に付される。脱バインダ工程は、主に、積層グリーンチップに含まれる樹脂成分を除去するための工程である。積層グリーンチップ内には、電極６１に含まれるバインダ樹脂、及び、補助誘電体層６５に含まれるバインダ樹脂、更には、セラミック誘電体層５１に含まれるバインダ樹脂が存在する。その他、可塑剤、有機溶剤等の有機物成分も含まれている。脱バインダ工程では、これらの有機物成分を、全て熱分解して、ガスとして排出する。
【００３６】
図１４は脱バインダ工程を経た後の積層グリーンチップの正面断面図、図１５は図１４に示した積層グリーンチップの右側面図である。図示するように、セラミック誘電体５０の内部に、内部電極６１１、６１２を交互に配置した積層グリーンチップが得られる。この後、積層グリーンチップは、焼成工程に付される。
【００３７】
ここで、本発明の特徴として、脱バインダ工程を実行する前の積層グリーンチップの積層厚さＴ０と、脱バインダ工程を実行した後の積層グリーンチップの積層厚さＴ１としたときの変化率Ｔ、
Ｔ＝｛（Ｔ１−Ｔ０）／Ｔ０｝×１００（％）とし、
積層界面の剥離力をＦ（ｇｆ／ｍｍ２）としたとき、次の式
Ｆ＞２６Ｔ＋１０２．８
但し、Ｔ≧０
を満たす。
【００３８】
剥離力Ｆが上記条件式を満たすと、デラミネーションや焼成後クラックの発生をほぼ確実に防ぐことができる。次に、実施例及び比較例を挙げて、本発明の効果を説明する。
【実施例】
【００３９】
まず、チタン酸バリウムを主成分とした誘電体ぺーストをペットフイルムでなる可撓性支持体の上に塗布し、セラミック誘電体層を形成した。セラミック誘電体層の厚みは２．１μｍとした。
【００４０】
次に、セラミック誘電体層上に内部電極となる導電ぺーストを印刷により形成した。電極の厚さは１．８μｍとした。
次に、内部電極パターン間の余白部分に誘電体ぺーストを印刷により形成し、段差吸収用の補助誘電体層とした。
【００４１】
次に、内部電極パターン及び補助誘電体層を形成してあるセラミック誘電体を、可撓性支持体から剥離し、グリーンシートを得た。こうして得られたグリーシートの２００枚を積層し、更に、積層グリーシートの最外側層に保護層を積層し、全体を熱圧着させた。
【００４２】
次に、積層グリーンシートを電極毎に細分割して、積層グリーンチップを得た。積層グリーンチップの外形寸法は、焼成後寸法で、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚さ０．８ｍｍとなるような大きさに切断した。
【００４３】
次に、積層グリーンチップを、脱バインダ処理を施した後、焼成した。脱バインダ工程を実行する前に積層グリーンチップの積層厚さＴ０を測定するとともに、脱バインダ工程を実行した後の積層グリーンチップの積層厚さＴ１を測定し、その変化率Ｔ、
Ｔ＝｛（Ｔ１−Ｔ０）／Ｔ０｝×１００（％）
を求めた。
【００４４】
上記脱バインダ処理、焼成および熱処理のそれぞれの雰囲気用ガスの加湿には、ウエッターを使用した。表１に実験データを示す。
【００４５】
得られた積層グリーンチップについて、剥離力Ｆ（ｇｆ／ｍｍ２）と、焼成後クラック発生率（％）とを示してある。剥離力Ｆ（ｇｆ／ｍｍ２）は、実施例１〜１０、及び、比較例１〜５のそれぞれにおいて、サンプル数Ｎ＝１００における平均値である。焼成後クラック発生率（％）は、実施例１〜１０、及び、比較例１〜５のそれぞれにおいて、サンプル数Ｎ＝１００における百分率である。
【００４６】
表１において、内部電極の電極種Ａは、粒径０．４μｍのＮｉ粉と、エチルセルロース系樹脂と、ターピネオールとを含む電極ペーストを用いたもの、電極種Ｂは粒径０．２μｍのＮｉ粉と、エチルセルロース系樹脂と、ターピネオールとを含む電極ペーストを用いたもの、電極種Ｃは粒径０．４μｍのＮｉ粉と、エチルセルロース系樹脂と、ターピネオールとに、更に、ロジン０．５ｗｔ％を添加した電極ペーストを用いたものものを示す。
【００４７】
比較例１は、現行品に相当し、その製造条件は次のとおりである。
＜誘電体ペースト＞
セラミック粉体：チタン酸バリウム
バインダ樹脂：アクリル系樹脂
可塑剤添加量：５０（ｐｈｒ）
＜プレス圧＞
８００（kg/ｃm２）
＜脱バインダ工程、焼成工程、及び、アニール熱処理条件＞
大気中２６０℃―８時間の熱処理をした後、還元雰囲気中で、３５０℃の温度条件で、脱バインダ処理を行った。大気中２６０℃―８時間の熱処理における昇温速度は、０．５（℃／分）とした。この後、１２５０℃の温度で焼成した。
【００４８】
焼成の後、熱処理を行った。この熱処理工程では、保持温度１１００℃で、３時間保持した後、３００（℃／時間）の冷却速度で冷却した。雰囲気用ガスには、加湿したＮ２ガスを用いた。また、酸素分圧は、１０−６atmとした。
【００４９】
上述した比較例１を基準とし、実施例１〜１０、及び、比較例２〜６において、内部電極の電極種、誘電体ペースト中の可塑剤量、積層圧着時のプレス圧力及び大気中での脱バインダ工程における昇温速度を、表１に示すように変更した。誘電体ペーストを構成するバインダ樹脂としては、実施例５及び比較例６において、ブチラール系樹脂を用い、それ以外の実施例及び比較例ではアクリル系樹脂を用いた。
【００５０】
【表１】
2005079284.tif 000003
【００５１】
表１の結果より、同じ電極種であっても、可塑剤量、プレス圧、及び、昇温速度の組み合わせによって、変化率Ｔ及び剥離強度Ｆが変化し、最終的に焼成後クラック発生率に影響を及ぼすことがわかる。以下、電極種Ａ、Ｂ及びＣのそれぞれについて、各実施例及び比較例について、詳細に検討する。
【００５２】
（１）電極種Ａの場合
電極種Ａを用いたものは、実施例１、２、６、７、５及び比較例１、３〜６である。
【００５３】
（ａ）比較例についての検討
可塑剤量(pｈr)が５０（pｈr）、プレス圧が８００（kg/ｃm２）、脱バインダ工程における昇温速度が０.５(℃/分)の組み合わせである比較例１では、変化率Ｔ（％）が０．５（%）に収まるものの、剥離強度Ｆが８３（ｇｆ／ｍｍ２）に低下し、焼成後クラック発生率が１００（％）になる。
【００５４】
可塑剤量(pｈr)が１００（pｈr）、プレス圧が８００（kg/ｃm２）、脱バインダ工程における昇温速度が１.５(℃/分) の組み合わせである比較例３では、剥離強度Ｆが１３０（ｇｆ／ｍｍ２）という高い値を示すものの、変化率Ｔ（％）も１．２（%）の高い値に達し、焼成後クラック発生率が５０（％）になる。
【００５５】
可塑剤量(pｈr)が１００（pｈr）、プレス圧が８００（kg/ｃm２）、脱バインダ工程における昇温速度が１(℃/分)の組み合わせである比較例４では、剥離強度Ｆが１２５（ｇｆ／ｍｍ２）という高い値を示すものの、変化率Ｔ（％）も１．１（%）の高い値に達し、焼成後クラック発生率が８０（％）になる。
【００５６】
可塑剤量(pｈr)が２０（pｈr）、プレス圧が５００（kg/ｃm２）、脱バインダ工程における昇温速度が０．７(℃/分)の組み合わせである比較例５では、変化率Ｔ（％）が０．７（%）と低い値を示すものの、剥離強度Ｆも１１５（ｇｆ／ｍｍ２）の低い値に低下し、焼成後クラック発生率が７０（％）になる。
【００５７】
可塑剤量(pｈr)が２０（pｈr）、プレス圧が８００（kg/ｃm２）、脱バインダ工程における昇温速度が０．５(℃/分)の組み合わせである比較例６では、変化率Ｔ（％）が１（%）と比較的高い値を示すのに対し、剥離強度Ｆが１００（ｇｆ／ｍｍ２）の低い値に低下し、焼成後クラック発生率が１００（％）になる。
【００５８】
（ｂ）実施例についての検討
可塑剤量(pｈr)が１００（pｈr）、プレス圧が８００（kg/ｃm２）、脱バインダ工程における昇温速度が０.５(℃/分)の組み合わせである実施例１では、変化率Ｔ（％）が０．５（％）の低い値であるのに対し、剥離強度Ｆが１２５（ｇｆ／ｍｍ２）の比較的高い値に達し、焼成後クラック発生率が０（％）である。
【００５９】
可塑剤量(pｈr)が１００（pｈr）、プレス圧が１５００（kg/ｃm２）、脱バインダ工程における昇温速度が０.５(℃/分)の組み合わせである実施例２では、変化率Ｔ（％）が０．２（％）の低い値であるのに加えて、剥離強度Ｆが１８０（ｇｆ／ｍｍ２）の高い値に達し、焼成後クラック発生率が０（％）である。
【００６０】
可塑剤量(pｈr)が２０（pｈr）、プレス圧が１０００（kg/ｃm２）、脱バインダ工程における昇温速度が０.５(℃/分)の組み合わせである実施例６では、変化率Ｔ（％）が０．２（％）の低い値であるのに加えて、剥離強度Ｆが１２０（ｇｆ／ｍｍ２）の比較的高い値に達し、焼成後クラック発生率が０（％）である。
【００６１】
可塑剤量(pｈr)が２０（pｈr）、プレス圧が１５００（kg/ｃm２）、脱バインダ工程における昇温速度が１(℃/分)の組み合わせである実施例７では、変化率Ｔ（％）が０．８（％）、剥離強度Ｆが１２５（ｇｆ／ｍｍ２）であり、焼成後クラック発生率が０（％）である。
【００６２】
可塑剤量(pｈr)が１００（pｈr）、プレス圧が８００（kg/ｃm２）、脱バインダ工程における昇温速度が０．５(℃/分)の組み合わせである実施例５では、変化率Ｔ（％）が１（％）に上昇するものの、剥離強度Ｆが２０８（ｇｆ／ｍｍ２）の非常に高い値に達し、焼成後クラック発生率が０（％）である。
【００６３】
（２）電極種Ｂの場合
電極種Ｂは実施例９及び比較例２が相当する。
【００６４】
（ａ）比較例２についての検討
可塑剤量(pｈr)が１００（pｈr）、プレス圧が８００（kg/ｃm２）、脱バインダ工程における昇温速度が０.５(℃/分)の組み合わせである比較例２では、変化率Ｔ（％）は０．２（%）に収まるものの、剥離強度Ｆが１０４（ｇｆ／ｍｍ２）に低下し、焼成後クラック発生率が２０（％）になる。
【００６５】
（ｂ）実施例９についての検討
可塑剤量(pｈr)が１００（pｈr）、プレス圧が１０００（kg/ｃm２）、脱バインダ工程における昇温速度が０．５(℃/分)の組み合わせである実施例９では、剥離強度Ｆが１１０（ｇｆ／ｍｍ２）であるものの、変化率Ｔ（％）が０．１（％）の低い値にあり、焼成後クラック発生率が０（％）である。
【００６６】
（３）電極種Ｃの場合
電極種Ｃは実施例３、４、８、１０が相当する。
【００６７】
可塑剤量(pｈr)が１００（pｈr）、プレス圧が８００（kg/ｃm２）、脱バインダ工程における昇温速度が０．５(℃/分)の組み合わせである実施例３では、変化率Ｔ（％）が０．７（％）であるものの、剥離強度Ｆが１３０（ｇｆ／ｍｍ２）の非常に高い値に達し、焼成後クラック発生率が０（％）である。
【００６８】
可塑剤量(pｈr)が１００（pｈr）、プレス圧が１５００（kg/ｃm２）、脱バインダ工程における昇温速度が０．５(℃/分)の組み合わせである実施例４では、変化率Ｔ（％）が０．６（％）であるものの、剥離強度Ｆが１３５（ｇｆ／ｍｍ２）の高い値に達し、焼成後クラック発生率が０（％）である。
【００６９】
可塑剤量(pｈr)が１００（pｈr）、プレス圧が１５００（kg/ｃm２）、脱バインダ工程における昇温速度が１(℃/分)の組み合わせである実施例４では、変化率Ｔ（％）が１（％）の比較的高い値であるものの、剥離強度Ｆが１３５（ｇｆ／ｍｍ２）の高い値に達し、焼成後クラック発生率が０（％）である。
【００７０】
可塑剤量(pｈr)が１００（pｈr）、プレス圧が１５００（kg/ｃm２）、脱バインダ工程における昇温速度が１．５(℃/分)の組み合わせである実施例４では、変化率Ｔ（％）が１．３（％）の高い値であるものの、剥離強度Ｆが１３５（ｇｆ／ｍｍ２）の高い値に達し、焼成後クラック発生率が３（％）の極めて低い値になる。。
【００７１】
図１６は表１の結果を示すグラフである。図１６において、横軸に変化率（％）をとり、縦軸に剥離力Ｆ（ｇｆ／ｍｍ２）をとってある。○印は実施例１〜１１のデータ、×印は比較例１〜６のデータである。図１６の参照符号Ｅは実施例を示し、参照符号Ｅに付された数字は、実施例の番号を示す。たとえば、Ｅ１は実施例１である。参照符号Ｃは比較例を示し、参照符号Ｃに付された数字は、比較例の番号を示す。たとえば、Ｃ１は比較例１である。
【００７２】
表１の分析において既に述べたように、焼成後クラック発生率は、変化率Ｔと、剥離強度Ｔとの相関関係を有する。変化率Ｔが小さければ、剥離強度Ｆが小さくとも、焼成後クラック発生率は低下するし、逆に、変化率Ｔが大きくとも、剥離強度Ｆが大きければ、焼成後クラック発生率は低下する。
【００７３】
図１６において、焼成後クラックを殆ど発生しない実施例群（Ｅ１〜Ｅ１０）と、焼成後クラックを生じた比較例群（Ｃ１〜Ｃ６）は、ほぼ、直線Ｆの上下に分散している。直線Ｆは、近似的に、次の式、
Ｆ＝２６Ｔ＋１０２．８                （１）
として表すことができる。変化率Ｔ及び剥離強度Ｆの単位は図１６に示すとおりである。
【００７４】
上記式（１）で表される直線Ｆにおいて、同一の変化率Ｔに対して、直線Ｆよりも高い剥離力Ｆを与える領域は、焼成後クラックを殆ど発生しない領域である。この領域は、
Ｆ＞２６Ｔ＋１０２．８                （２）
と表現できる。本発明では、この条件式（２）を満たすので、脱バインダ工程及び焼成工程において、焼成後クラックを発生することがない。実際には、について、条件式（２）を満たす変化率Ｔ及び剥離力Ｆが得られるように、電極種、可塑剤量、プレス圧、及び、バインダ樹脂の種類等を設定する。これにより、焼成後クラックのない積層チップコンデンサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】セラミック電子部品の製造方法に含まれる工程を示す図である。
【図２】図１の工程によって得られたセラミック誘電体層を示す平面図である。
【図３】図２に示した工程の後の工程を示す図である。
【図４】図３に示した工程によって得られた電極配置状態を示す平面図である。
【図５】図３〜図４に示した工程の後の工程を示す図である。
【図６】図５に示した工程によって得られた補助誘電体層の状態を示す平面図である。
【図７】図６の７−７線に沿った拡大断面図である。
【図８】図６〜図７に示した工程の後の工程を示す正面断面図である。
【図９】図８に示した工程の後の積層工程を示す正面図である。
【図１０】図９の積層工程におけるグリーンシート積層状態を示す図である。
【図１１】図９、図１０に示した積層工程の後の圧着工程を示す正面図である。
【図１２】図１１に示した圧着工程の後の切断工程を示す正面断面図である。
【図１３】図１２に示した切断工程を経て得られた積層グリーンチップの断面図である。
【図１４】図１３に示した積層グリーンチップを焼成した後の断面図である。
【図１５】図１４に示した積層グリーンチップの右側面図である。
【図１６】表１の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００７６】
５１            セラミック誘電体層
６１            電極
６５            補助誘電体層
Ｑ              電極群
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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