(57)【要約】【課題】  複数の基板バイアスを調整する基板バイアス調整回路をオンチップで有するＣＣＤ型固体撮像装置を提供する。【解決手段】  ＣＣＤ型固体撮像装置は、第１導電型の半導体基板と、半導体基板に形成された第２導電型のウェルと、ウェル内に行列状に配置された多数の第１導電型の電荷蓄積領域と、ウェル内の電荷蓄積領域の各列に沿って配置された複数の第１導電型の垂直電荷転送路と、垂直電荷転送路の１端に結合され、垂直電荷転送路から電荷を受け、転送する第１導電型の水平電荷転送路と、前記半導体基板に形成され、前記第１導電型の半導体基板に印加する所定の複数のバイアス電圧を調整することのできる基板バイアス調整回路であって、各々複数の抵抗が直列に接続された、複数の抵抗ラダーと、前記複数の抵抗の少なくとも一部に並列に接続されたヒューズ素子と、前記複数の抵抗ラダーを選択するためのスイッチ回路とを有する基板バイアス調整回路と、を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板に形成された第２導電型のウェルと、
前記ウェル内に形成され、行列状に配置された多数の第１導電型の電荷蓄積領域と、
前記ウェル内に形成され、前記電荷蓄積領域の各列に沿って配置された複数の第１導電型の垂直電荷転送路と、
前記複数の垂直電荷転送路の１端に結合され、前記垂直電荷転送路から電荷を受け、転送する第１導電型の水平電荷転送路と、
前記半導体基板に形成され、前記第１導電型の半導体基板に印加する所定の複数のバイアス電圧を調整することのできる基板バイアス調整回路であって、各々複数の抵抗が直列に接続された、複数の抵抗ラダーと、前記複数の抵抗の少なくとも一部に並列に接続されたヒューズ素子と、前記複数の抵抗ラダーを選択するためのスイッチ回路とを有する基板バイアス調整回路と、
を有するＣＣＤ型固体撮像装置。
【請求項２】
前記スイッチ回路は、前記複数の抵抗ラダーの各々に接続されたスイッチを含む請求項１記載のＣＣＤ型固体撮像装置。
【請求項３】
前記スイッチ回路は、前記複数の抵抗ラダーの１つにはスイッチを接続せず、残りの前記抵抗ラダーの各々に接続されたスイッチを含む請求項１記載のＣＣＤ型固体撮像装置。
【請求項４】
第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板に形成された第２導電型のウェルと、前記ウェル内に形成され、行列状に配置された多数の第１導電型の電荷蓄積領域と、前記ウェル内に形成され、前記電荷蓄積領域の各列に沿って配置された複数の第１導電型の垂直電荷転送路と、前記複数の垂直電荷転送路の１端に結合され、前記垂直電荷転送路から電荷を受け、転送する第１導電型の水平電荷転送路と、前記半導体基板に形成され、前記第１導電型の半導体基板に印加する所定の複数のバイアス電圧を調整することのできる基板バイアス調整回路であって、各々複数の抵抗が直列に接続された、複数の抵抗ラダーと、前記複数の抵抗の少なくとも一部に並列に接続されたヒューズ素子と、前記複数の抵抗ラダーを選択するためのスイッチ回路とを有する基板バイアス調整回路と、を有するＣＣＤ型固体撮像装置と；
少なくともモニタモードとスチル撮像モードとを切り換え、前記スイッチ回路を自動的に切りかえるモード切り換え手段と；
を有するＣＣＤ型カメラ。
【請求項５】
前記モード切り換え手段がシャッタを含む請求項４記載のＣＣＤ型カメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＣＤ型固体撮像装置に関し、特に基板抜きシャッタ機能を備え、モードに応じて表示画素数を変化させることのできるＣＣＤ型固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ型固体撮像装置においては、ｎ型シリコン基板にｐ型ウェルを形成し、ｐ型ウェル中に行列状に光電変換素子を構成するｎ型電荷蓄積領域を形成し、電荷蓄積領域の各列に沿ってｎ型垂直転送路を形成し、垂直電荷転送路の一端に結合してｎ型水平電荷転送路を形成している。ｎ型電荷蓄積領域に対してｐ型ウェルはポテンシャルバリアを形成する。ｎ型基板に２０−３０Ｖの高電圧のパルスを印加すると、ｐ型ウェルの形成するポテンシャルバリアが消滅し、電荷蓄積領域に蓄積された電荷を基板に抜き出すことができる（基板抜きシャッタ）。
【０００３】
通常の撮像状態においては、基板に１０−１５Ｖ程度の基板バイアスを印加して電荷蓄積領域が所望の電荷蓄積能力（飽和電荷量）を有するようにする。入射光に応答して電子−正孔対が発生すると、電子はｎ型電荷蓄積領域に蓄積される。入射光量に比例して蓄積電荷量、従って出力電圧、はほぼリニアに増加するが、やがて増加率は低下し、ある値（飽和電荷量）以上には増加しなくなる。
【０００４】
飽和電荷量は基板バイアスの関数である。所定の基板バイアスの下で、各電荷蓄積領域は理想的には所定の飽和電荷量を示す。垂直電荷転送路、水平電荷転送路は、飽和電荷量を転送できるように設計される。
【０００５】
ＣＣＤ型固体撮像装置の多くは、モニタ用にムービーモードを備える。ムービーモードにおいては通常表示画素数を減少させて、高速動作を容易にする。表示画素数を低減するためには、一部の行の画素のみから信号電荷を垂直電荷転送路に読み出す間引き読出しを行ったり、一旦垂直電荷転送路に読み出した信号電荷の一部を水平電荷転送路に移送する際等に捨てることもできる。
【０００６】
間引き読出しを行うと、電荷を読み出されなかった電荷蓄積領域には電荷が残るため、高速読出し、基板抜きシャッタなどにより不要の電荷を捨てる必要がある。また、読出し画素を減少させた再生画像は、受光領域に入射した光の一部しか利用しないため、画質の低下を避け難い。
【０００７】
電荷を捨てる工程を不要とし、より画質のよいモニタ画面を得るために、全画素から信号電荷を読出し、加算を行うことにより表示画素数を低減することが提案されている。信号電荷の加算は、垂直電荷転送路中、水平電荷転送路中で行なうことができる。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−３５００９９号公報
【特許文献２】特開２００１−５７４１９号公報
【特許文献３】特開２００２−６４８３３号公報
【特許文献４】特開２００２−１１２１１９号公報
【０００９】
垂直電荷転送路、水平電荷転送路で信号電荷の加算を行うと、電荷量が増加するので垂直電荷転送路、水平電荷転送路から電荷が溢れてしまう可能性が生じる。この現象を防止するためには、モニタモード（ムービーモード）においては、電荷蓄積領域の飽和電荷量を減少させることが好ましい。飽和電荷量を減少させるには、基板バイアスを増加し、ポテンシャルバリアを引き下げればよい。動作モードに応じて基板バイアスを変化させるＣＣＤ型固体撮像装置も提案されている。
【００１０】
【特許文献５】特開２０００−１０１０６０号公報
【００１１】
電荷蓄積領域の飽和電荷量は、ＣＣＤ型固体撮像装置の製造工程の影響を受け、ある程度のばらつきを示す。しかし、入射光量に対する出力電圧が飽和に達する前の、特性がリニアな領域では、画素によらず入射光量に対する出力電圧の特性が揃っている。多数の画素が均一な特性を有するようにするために、各画素が望ましい飽和電荷量以上の飽和電荷量を有するように基板バイアスを選択し、出力電圧をあるレベルでクリップすることが行われる。所望の飽和電荷量を実現するため、電荷蓄積領域の特性を調べ、その結果に基づいて基板バイアスを決定する。
【００１２】
従来、基板バイアスは、製造後に固体撮像装置の特性を調べ、その結果に基づいて決定していた。２種類の基板バイアスを用いる場合は、１Ｖ等の所定の電圧差を有する２電圧を選択して、外部から供給している。
【００１３】
特に、携帯用電話機内臓のＣＣＤ型デジタルカメラなどにおいては、出荷までの製造、調整工程を簡略化し、設計変更も容易にするため、固体撮像装置にオンチップで基板バイアス調整回路を組み込むことが望まれている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の目的は、複数の基板バイアスを調整する基板バイアス調整回路をオンチップで有するＣＣＤ型固体撮像装置を提供することである。
【００１５】
本発明の他の目的は、基板抜きシャッタ機能を備え、モードに応じて表示画素数を変化させることができ、複数の基板バイアスを調整する基板バイアス調整回路をオンチップで有するＣＣＤ型固体撮像装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の１観点によれば、第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板に形成された第２導電型のウェルと、前記ウェル内に形成され、行列状に配置された多数の第１導電型の電荷蓄積領域と、前記ウェル内に形成され、前記電荷蓄積領域の各列に沿って配置された複数の第１導電型の垂直電荷転送路と、前記複数の垂直電荷転送路の１端に結合され、前記垂直電荷転送路から電荷を受け、転送する第１導電型の水平電荷転送路と、前記半導体基板に形成され、前記第１導電型の半導体基板に印加する所定の複数のバイアス電圧を調整することのできる基板バイアス調整回路であって、各々複数の抵抗が直列に接続された、複数の抵抗ラダーと、前記複数の抵抗の少なくとも一部に並列に接続されたヒューズ素子と、前記複数の抵抗ラダーを選択するためのスイッチ回路とを有する基板バイアス調整回路と、を有するＣＣＤ型固体撮像装置が提供される。
【発明の効果】
【００１７】
ヒューズ素子を選択的に切断して、複数の抵抗ラダーをそれぞれ調整することにより、所望の複数の基板バイアスをオンチップで調整することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
【００１９】
図１（Ａ）は、ＣＣＤ型固体撮像装置の平面構成を概略的に示す。半導体チップ１０の中央部に、ｐ型ウェルにより受光領域１が画定されており、受光領域内には多数個のｎ型電荷蓄積領域５が行列状に配置されている。電荷蓄積領域の各列に沿って、ｎ型垂直電荷転送路６が配置されている。複数の垂直電荷転送路６の一端に、ｎ型水平電荷転送路３が結合されている。水平電荷転送路３の出力は、出力回路４によって増幅され、外部に出力される。
【００２０】
受光領域１の右側には、行駆動信号の配線等を有する駆動回路部２が形成されている。受光領域１の左側には、複数の基板バイアス電圧を調整することのできる基板バイアス調整回路７が形成されている。基板バイアス調整回路７は、後に説明するように複数の抵抗ラダーを含み、抵抗ラダーの少なくとも一部に並列に接続されたヒューズ素子の選択的切断により抵抗ラダーの抵抗値を選択する。基板バイアス調整回路７は、半導体チップ１０内に形成されたトランジスタも含み、スイッチとして利用する。
【００２１】
半導体チップ１０の上下の辺には、ボンディングパッド９が配置されている。又、半導体チップ１０の左辺には、固体撮像装置の特性を調べる際、プロ−ブピンを当て、特性を調べると共に、ヒューズ素子を切断する電圧を印加するパッド８が配置されている。
【００２２】
図１（Ｂ）は、ＣＣＤ型カメラの構成を概略的に示す。撮像レンズＬの後方には機械シャッタＭＳが配置され、カメラの上面又は前面には、シャッタＳＨが配置されている。撮像レンズＬの後方に、ＣＣＤ型固体撮像装置のチップ１０が配置されている。モードセレクタＳＥＬは、暗視野フラッシュ撮影、逆光フラッシュ撮影、画素数選択等の動作モードを選択する。カメラ内には制御回路ＣＴＬが設けられ、モードセレクタＳＥＬ，シャッタＳＨ等からの信号に基づき、カメラの動作モードを制御する。
【００２３】
例えば、シャターボタンＳＢは、半押しスイッチと全押しスイッチを有する。シャッタボタンが半押しされると、自動露光調整、自動測距等の撮像準備動作が行われる。シャッタボタンが全押しされると、モニターモードから撮像モードに切り換えられ、固体撮像装置１０の駆動を切り換え、機械シャターＭＳを制御して、撮像を行う。モニターモードと撮像モードとにおいては、電荷蓄積領域の飽和電荷量が変化する。
【００２４】
図２（Ａ）は、基板バイアス調整回路７の構成例を示す。電源端子３０と接地端子との間に、基準抵抗Ｒ１を介して複数の抵抗ラダー３６−１，３６−２、３６−３が並列に接続されている。各抵抗ラダー３６−１，３６−２、３６−３には、トランジスタで構成されたスイッチ３７‐１、３７‐２、３７‐３が直列に接続されている。基準抵抗Ｒ１と抵抗ラダーとの相互接続点はエミッタフォロワ回路３２に接続され、エミッタフォロワ回路の出力がｎ型基板に印加される。
【００２５】
例えば、抵抗ラダー３６−１においては、抵抗Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４が直列に接続され、保護抵抗Ｒ１５を介してスイッチ３７−１に接続されている。抵抗は、例えば、酸化シリコンのフィールド絶縁膜上の多結晶シリコン抵抗で形成される。抵抗Ｒ１１に平行にヒューズＦ１１が接続され、抵抗Ｒ１２に並列にヒューズＦ１２が接続され、抵抗Ｒ１３、Ｒ１４に並列にヒューズＦ１３、Ｆ１４が接続されている。ヒューズは、例えば、対応する抵抗よりも抵抗値が著しく低い多結晶シリコン抵抗や金属抵抗で形成できる。
【００２６】
各ヒューズの両端は、パッドＰ１１〜Ｐ１５に接続され、選択的に電圧を印加することにより、選択的にヒューズを切断することができる。なお、電圧印加の代わりに、レーザ光照射等によりヒューズを切断することも可能である。
【００２７】
抵抗ラダー３６−２、３６−３も抵抗ラダー３６‐１と同様の構成を有する。なお、抵抗ラダー３６−２に属する抵抗は、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５のように標記し、同様にヒューズはＦ２１、Ｆ２２、Ｆ２３、Ｆ２４と標記する。パッドはＰ２１、Ｐ２２、Ｐ２３、Ｐ２４、Ｐ２５と表記する。
【００２８】
抵抗ラダー３６‐３においては、抵抗はＲ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５と標記し、ヒューズはＦ３１、Ｆ３２、Ｆ３３、Ｆ３４と標記し、パッドはＰ３１、Ｐ３２、Ｐ３３、Ｐ３４、Ｐ３５と標記する。
【００２９】
調整前の状態においては、抵抗ラダーの抵抗は、保護抵抗Ｒ１５、Ｒ２５、Ｒ３５以外はヒューズにより短絡されている。
【００３０】
基準抵抗Ｒ１と抵抗ラダー３６‐１、３６−２、３６−３のいずれかで電圧分割された電圧は、ソースフォローア回路３２を介して半導体基板に印加され、電荷蓄積領域の飽和電荷量を調整する。  パッド３３は、エミッタフォロワ回路３２の出力に接続されている。このパッドで基板バイアスをモニターできる。このパッド３３から外部よりのバイアス電圧を導入してもよい。
【００３１】
図２（Ｂ）は、モードに応じた基板バイアス調整回路の接続状態を示す表である。モードＭ１においては、トランジスタ３７‐１をオンとし、抵抗ラダー３６−１を基準抵抗Ｒ１と接地電位の間に接続する。モードＭ２においてはトランジスタ３７‐２をオンとし、抵抗ラダー３６−２を基準抵抗Ｒ１と接地電位の間に接続する。モードＭ３においてはトランジスタ３７‐３をオンとし、抵抗ラダー３６−３を基準抵抗Ｒ１と接地電位の間に接続する。
【００３２】
調整時においては、例えば接地側端子（又は電源端子）またはパッド３３から選択した基板バイアス電圧を印加する。全面が明るい視野を撮像し、各電荷蓄積領域の飽和電荷量を測定する。基板バイアス電圧を変化させ、それぞれの場合の飽和電荷量を測定し、所望の飽和電荷量を得るには基板バイアスとしてどのような電圧を印加すればよいかを決定する。
【００３３】
電源端子３０と接地端子間に、基準抵抗Ｒ１と抵抗ラダー３６−１とを接続した時、抵抗ラダー３６−１の抵抗値としてどのような抵抗を選ぶかを決定した後、ヒューズＦ１１、Ｆ１２、Ｆ１３、Ｆ１４を選択的に切断することにより、抵抗ラダー３６−１として所望の抵抗値を実現する。
【００３４】
例えば、Ｒ１２＝２Ｒ１１、Ｒ１３＝２Ｒ１２、Ｒ１４＝２Ｒ１３、Ｒ１５＝２Ｒ１４と設定すれば、Ｒ１１から１５Ｒ１１の１５種類の抵抗から所望の抵抗値を選択することができる。所望の抵抗値を実現するようにヒューズＦ１１、Ｆ１２、Ｆ１３，Ｆ１４の選択的切断動作を行う。例えば、切断すべきヒューズの両端に電圧０と電圧Ｖｆを印加し、他のパッドには電圧Ｖｆ／２を印加する。このようにして、例えばモニターモードでの基板バイアスを実現する抵抗値を調整する。
【００３５】
モードＭ２においては、トランジスタ３７‐２をオンとし、抵抗ラダー３６−２の抵抗値を調整する。例えば、スチール撮像モードにおいて適切な基板バイアスを実現するように抵抗値を選択する。
【００３６】
なお、動作モードはモニターモード及び撮像モードに限らない。その他任意のモードを採用することができる。モードＭ３は、その他のモードである。トランジスタ３７‐３を選択し、抵抗ラダー３６‐３の基板バイアスを調整する。その他のモードとしては、例えば通信回線を介した転送用に画素数を低減した撮影モード等がある。
【００３７】
このように、スイッチを備えた複数の抵抗ラダーを用いることにより、動作モードに応じた複数の基板バイアス電圧を調整することができる。基板バイアスを変化させるモード数は２つまたは３つに限らず、４つ以上としてもよい。
【００３８】
図３（Ａ）、（Ｂ）は、固体撮像装置の受光部の平面図及び断面図を示す。
【００３９】
図３（Ａ）において、電荷蓄積領域５と垂直電荷転送路６が水平方向に交互に配置されている部分を示す。垂直電荷転送路６の上方には、転送電極１４、１５が配置されている。電荷蓄積領域５と垂直電荷転送路６との間には、電荷を転送するゲート領域１８が形成されている。
【００４０】
図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＩＩＢ‐ＩＩＢ線に沿う断面構造を概略的に示す。ｎ型シリコン基板１１の表面部には、ｐ型ウエル１２が形成されている。ｐ型ウエル１２の中に多数の電荷蓄積領域を構成するｎ型領域５が形成されると共に、電荷蓄積領域５の各列に沿って垂直電荷転送路６が形成されている。ｐ型ウエル１２の外側には、基板１１にバイアスを与えるためのｎ型領域１３が形成されている。基板バイアス電圧調整回路７の出力電圧は、ｎ型領域１３に印加される。
【００４１】
垂直電荷転送路６の上方には、第１層多結晶シリコン電極１４、第２層多結晶シリコン電極１５が形成され、転送電極を構成する。これらの電極の上方には、絶縁膜を介してＷ等の遮光膜１６が形成され、電荷蓄積領域５上方において開口を形成している。遮光膜１６の上には、平坦化絶縁層１７が形成され、その上にカラーフィルタ１８が形成される。カラーフィルタ１８の上には、平坦化膜１９を介してマイクロレンズ２０が配置されている。
【００４２】
図３（Ｃ）は、電荷蓄積領域５、ｐ型ウエル１２、ｎ型基板１１のポテンシャル分布を概略的に示す。電荷蓄積領域５がポテンシャルウエルを形成し、ｐ型ウエル１２がポテンシャルバリアを形成する。基板１１に正の高電圧を印加すると、基板１１のポテンシャルが下がり、ｐ型ウェル１２のポテンシャルバリアが調整される。
【００４３】
曲線ｐ１は、例えばスチル撮影モードにおけるポテンシャル分布であり、高い飽和電荷量を有する。曲線ｐ２は、例えばモニターモードにおけるポテンシャル分布であり、飽和電荷量が低減されている。各電荷蓄積領域５の飽和電荷量を低減すれば、垂直電荷転送路６、水平電荷転送路３内で信号電荷を加算しても、信号電荷が垂直電荷転送路６、水平電荷転送路３から溢れ出すことを防止できる。
【００４４】
図３（Ｄ）は、各電荷蓄積領域で蓄積した電荷による出力電圧と、入射光量との関係を示すグラフである。曲線ｖが出力電圧の光量に対する変化を示す。光量が増加すると、出力電圧はほぼリニアに増加する。光量がある程度以上増加すると、出力電圧はそれ以上増加しなくなる。この時蓄積されている電荷が飽和電荷量である。
【００４５】
固体撮像装置の製造工程におけるバラツキにより、飽和電荷量はある程度のバラツキを有する。このため、出力電圧（飽和電圧）もバラツキを有する。飽和電荷量に差があるまま撮像を行うと、例えば同一色の白レベルの再生画像に明暗が生じ、画質が劣化する。そこで、ある光量で出力電圧が飽和するように、クリッピングを行う。各電荷蓄積領域は、クリップ電圧に達するまでの信号電荷は蓄積することができるように選択する。
【００４６】
このように、飽和電荷量を一定とすることにより、均質な画像が実現可能となる。このためには、適切な基板バイアス電圧を選択する必要がある。図２（Ａ）に示した基板バイアス調整回路により、適切な基板バイアス電圧を実現することにより、均質な動作が保証される。
【００４７】
上述の実施例においては、抵抗ラダーを複数並列に配置し、所望の複数の基板バイアス電圧を調整した。基板バイアス電圧の調整方法は上述のものに限らない。
【００４８】
図４は、基板バイアス電圧の調整回路の他の例を示す。本構成においては、抵抗ラダー３６−１にはスイッチが接続されていない。抵抗ラダー３６‐１は常に電源端子３０と接地端子との間に接続される。
【００４９】
図４（Ｂ）は、３つのモードＭ１、Ｍ２、Ｍ３におけるスイッチ３７−２、３７−３の状態を示す。モードＭ１においては、スイッチ３７−２、３７−３はオフであり、抵抗ラダー３６−１のみが基準抵抗Ｒ１に直列に接続される。
【００５０】
モードＭ２においては、スイッチ３７‐２がオンとなり、抵抗ラダー３６‐１と抵抗ラダー３６−２の並列接続が基準抵抗Ｒ１と直列に接続される。モードＭ３においては、スイッチ３７−２、３７−３が共にオンとされ、抵抗ラダー３６−１、３６−２、３６−３の３つが並列に接続され、基準抵抗Ｒ１に直列に接続される。
【００５１】
抵抗ラダー３６−１が最も高抵抗の抵抗値を実現し、抵抗ラダー３６−２，３６−３は、この抵抗値を引き下げる役割を果たす。モードＭ１，Ｍ２，Ｍ３により、３種類の抵抗値が実現され、所望の電圧分割を行う。モードＭ３の抵抗値が最も低く、モードＭ２の抵抗値は、モードＭ１とモードＭ３の抵抗値の中間値である。
【００５２】
図４（Ｃ）は、抵抗ラダーの接続の他の例を示す。モードＭ１、Ｍ２は図４（Ｂ）の場合と同様である。モードＭ３においては、スイッチ３７‐３のみがオンにされる。この場合、スイッチ３７―２とスイッチ３７―３とを共にオンにする第４のモードを設定することもできる。
【００５３】
図４（Ａ）の基板バイアス調整回路においては、抵抗ラダー３６‐１が常に接続され、抵抗ラダー３６−２、３６−３は分割抵抗の抵抗値を減少させるのに使用される。スイッチを構成するトランジスタが１つ減少するため、構成が簡略化され、占有面積を減少できる。
【００５４】
抵抗ラダー３６−１と抵抗ラダー３６−２、３６−３を同一の規格とする必要はなく、抵抗ラダー３６―１より、抵抗ラダー３６−２、３６−３の抵抗の数を減少させることも可能であろう。
【００５５】
図５（Ａ）は、基板バイアス調整回路の他の構成例を示す。本構成においては、抵抗ラダー３６‐１に含まれる保護抵抗Ｒ１５が抵抗ラダー３６−２、３６−３にも共通に使用される。このため、抵抗Ｒ１５とＲ１４との相互接続点が、抵抗ラダー３６−２、３６−３内にも導入され、この相互接続点と基準抵抗Ｒ１との間に抵抗ラダー３６−２、３６−３が接続されている。回路の機能としては図４（Ａ）と同様であるが、抵抗の数を減少させることができ、構成を簡略化できる。
【００５６】
図５（Ｂ）、図５（Ｃ）は、図５（Ａ）に示す基板バイアス調整回路の動作モードを示す。こららの動作モードは、図４（Ｂ）、（Ｃ）と同様である。
【００５７】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば種々の変更、改良、組み合わせが可能なことは当業者に自明であろう。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
ＣＣＤ型固体撮像装置及びＣＣＤ型カメラに利用することができる。特に携帯電話内臓のＣＣＤ型固体撮像装置に応用するのに適切である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施例によるＣＣＤ型固体撮像装置の平面構成を示す平面図、ＣＣＤ型カメラの構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図１（Ａ）に示す基板バイアス調整回路の構成及び動作モードを示す等価回路図および表である。
【図３】図１（Ａ）に示す固体撮像装置の平面構成を示す平面図、断面構造を示す断面図及び特性を示すグラフである。
【図４】本発明の他の実施例による基板バイアス調整回路の等価回路図及び動作モードを示す表である。
【図５】本発明のさらに他の実施例による基板バイアス調整回路の等価回路図及び動作モードを示す表である。
【符号の説明】
【００６０】
１  受光領域
２  駆動回路部
３  水平電荷転送路
４  出力回路
５  電荷蓄積領域
６  垂直電荷転送路
７  基板バイアス調整回路
８、９  パッド
１０  半導体チップ
１１  ｎ型シリコン基板
１２  ｐ型ウエル
１３  （基板バイアス印加用の）ｎ型領域
１４  第１層多結晶シリコン電極
１５  第２層多結晶シリコン電極
１６  遮光膜
１７  平坦化絶縁層
１８  カラーフィルタ
１９  平坦化膜
２０  マイクロレンズ
Ｌ  撮像レンズ
ＭＳ  機械シャッター
ＳＨ  シャッタ
ＣＴＬ  制御回路
３０  電源電圧端子
３２  エミッタホロア回路
３６−１、３６−２、３６−３  抵抗ラダー
３７−１、３７−２、３７−３  トランジスタ（スイッチ）
Ｐ  パッド
Ｆ  ヒューズ
Ｒ  抵抗
ｐ１、ｐ２  ポテンシャル分布
ｖ  出力電圧特性
【図１】
2005123965.tif 000003
【図２】
2005123965.tif 000004
【図３】
2005123965.tif 000005
【図４】
2005123965.tif 000006
【図５】
2005123965.tif 000007