(57)【要約】【課題】  光触媒粒子を水処理に使用すると、固・液分離などの処理後の操作と時間を要するため、光触媒粒子を固定化することが望ましいが、固定化すると光触媒粒子の反応表面積が減少し、さらに拡散速度の遅い水中では酸化された物質が還元されるという逆反応が起こることから、光触媒粒子を固定化してかつ光触媒の効率を向上させることを課題とする。【解決手段】  光触媒粒子２を懸濁・分散させた電気めっき浴または化学めっき浴を用いた電気めっきまたは還元剤を用いた還元反応により、光触媒能を増大させる金属層３の表面に光触媒粒子２が露出している金属と光触媒粒子の複合材を形成することにより、上記課題を解決することができる。【選択図】    図１
2005058900.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光触媒粒子を懸濁・分散させた電気めっき浴または化学めっき浴を用いた電気めっきまたは還元剤による還元反応により、光触媒能を増大させる金属の表面に光触媒粒子を露出させることを特徴とする金属と光触媒粒子との複合材の製造方法。
【請求項２】
金属を担持した光触媒粒子を懸濁・分散させた電気めっき浴または化学めっき浴を用いた電気めっきまたは還元剤による還元反応により、光触媒能を増大させる金属の表面に金属を担持した光触媒粒子を露出させることを特徴とする金属と光触媒粒子との複合材の製造方法。
【請求項３】
光触媒粒子を界面活性剤等で保護して分散性を高めためっき浴を用い、電気めっきまたは還元剤による還元反応により、光触媒粒子を含む光触媒能を増大させる金属層を形成させた後、化学エッチングまたは電解エッチングにより表層に光触媒粒子の多くを露出させることを特徴とする金属と光触媒粒子との複合材の製造方法。
【請求項４】
化学めっき浴を用いた還元剤による還元反応により、光触媒を含む基材表面の少なくとも一部に光触媒能を増大させる金属層が形成されていることを特徴とする金属と光触媒粒子との複合材の製造方法。
【請求項５】
スパッタリングおよび蒸着等により、光触媒を含む基材表面の少なくとも一部に光触媒能を増大させる金属層が形成されていることを特徴とする金属と光触媒粒子との複合材の製造方法。
【請求項６】
光触媒を含む基材表面に金属をこすり付けるなど、部分的に光触媒能を増大させる金属層が形成されていることを特徴とする金属と光触媒粒子との複合材の製造方法。
【請求項７】
光触媒能を増大させる金属が少なくとも銀、金、白金もしくはそれらの合金から選択された１つ又は複数を含む請求項１〜６のいずれか１つに記載の金属と光触媒粒子との複合材の製造方法。
【請求項８】
基材表面に光触媒粒子を含む金属層であって、光触媒能を増大させる金属の表面に光触媒粒子が露出していることを特徴とする金属と光触媒粒子との複合材。
【請求項９】
光触媒能を増大させる金属が少なくとも銀、金、白金もしくはそれらの合金から選択された１つ又は複数を含む請求項８に記載の金属と光触媒粒子との複合材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は金属と光触媒粒子との複合材及びその製造方法に関するものである。さらに詳しくは、水中に含まれる有害物質等を分解する機能を有する光触媒能を増大させる金属と光触媒粒子との複合材及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光触媒粒子はバンドギャップ以上のエネルギーを持つ波長の光を受光すると、光励起によって伝導帯に電子が、価電子帯に正孔が生ずる。それらが表面に拡散して、そこに吸着する物質を酸化還元分解する。この光励起により生成した正孔の強い酸化力は有機物質や水の分解等に利用されている。しかし、光触媒粒子をそのまま水処理に使用することは、固・液分離などの処理後の面倒な操作と時間を要する。そのため、光触媒粒子の固定化して使用することが検討されている。
【非特許文献１】Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．,１４４，３１５９（１９９７）．例えば、光触媒粒子として酸化チタンを懸濁・分散させたＮｉめっき浴より、電気めっき法にて酸化チタン粒子をＮｉめっき膜中に取り込んで固定化する方法。
【非特許文献２】表面技術，４８，９７（１９９８）．酸化チタン粒子を懸濁・分散させたＮｉ−Ｐ浴より、無電解めっきよりＮｉ−Ｐ膜中に酸化チタン粒子を取り込んで固定化する技術などが報告されている。
【非特許文献３】Ｌａｎｇｍｕｉｒ，１６（１３），５６６５（２０００）．銀めっき膜中に酸化チタンを取り込んで固定化する技術が報告されているが、いずれも酸化チタンの光触媒能力について報告されていない。
【０００３】
しかし、光触媒粒子を固定化するとその反応面積が極端に減少し、さらに拡散速度の遅い水中では酸化された物質が還元されるという逆反応が起こるなど、光触媒効率が低いので実用化に至っていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
【非特許文献４】ＳＵＴ  ＢＵＬＬＥＴＩＮ，９，８（１９９８）．従来、光触媒粒子の光触媒効率を向上させるためには、光触媒粒子に金属担持を行い、還元反応を促進して再結合の割合を低くすることが行われてきた。しかし、それは正孔の酸化サイトと金属部の還元サイトが隣接することになり、一度正孔によって酸化分解された有機物質が、励起電子の還元反応によって元に戻る反応も起こり易くなるので、光触媒効率を飛躍的に向上することが出来なかった。
【０００５】
そこで、本発明では、還元サイトで生成した還元物質も酸化サイトでの生成物質と同様に酸化力を有する物質Ｏ2-を活発に生成できるようにして、光触媒粒子を固定化してかつ光触媒効率を向上することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本研究は、光触媒粒子を懸濁・分散させた電気めっき浴または化学めっき浴を用いた電気めっきまたは還元剤を用いた還元反応により、光触媒能を増大させる金属の表面に光触媒粒子を露出させて、光触媒能を増大させる金属と光触媒粒子の複合材を形成することにより、上記の課題が解決するに至った。この複合材を処理液中に浸け、そこに空気または酸素を吹き込むとさらにその光触媒効果は向上する。
【０００７】
光触媒粒子を懸濁・分散させた電気銀めっき浴または化学銀めっき浴より、銀とともに光触媒粒子を共析させた表面は、乳白色で水中に含まれる有機物質を分解する特性を示す。光触媒は蛍光灯や太陽光の光照射によって価電子帯の電子がエネルギーを吸収して伝導帯に励起され、そこで酸素と反応して活性の高いＯ2-を生成する。一方、電子の励起により価電子帯に生じた正孔は、触媒表面上に吸着されている水分からの水酸基と反応し・ＯＨラジカルを発生させる。これらの活性ラジカルは菌や汚れの有機物質と反応し、効率よく分解する。ここで、金属と共に共析している光触媒粒子は、金属と分子レベルで接触しているため、光触媒の励起により生じた電子は金属側に移行し易く、電子と正孔の電荷の分離を助長する。さらに、光触媒能を増大させる銀と光触媒粒子の複合材では、励起された電子は優先的に酸素の還元を起こし、酸化力の強いＯ2-を生成するので、銀以外の複合材の場合にみられるような、一度正孔で酸化された物質を元に戻す逆反応が抑えられ、分解効率は向上する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、銀、金、白金等、光触媒能を増大させる金属の表面に光触媒粒子が露出している金属と光触媒粒子との複合材は、その他の金属と光触媒粒子との複合材に比べて、光触媒活性が強い特徴を有する。また、複合材が電気めっきや還元剤による還元反応により製造することができ、光触媒粒子を容易に固定化できることも分かった。ゆえに、本発明の産業的意義は大である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
基材が金属やガラスへＩＴＯコーティングが施されたもの等の電子導電性のある場合、基材表面を脱脂・酸洗により清浄にした後、光触媒粒子を懸濁・分散させた電気めっき浴を用いる。基材を陰極として電解すると、基材表面に光触媒粒子と金属との共析物が得られる。
【００１０】
基材がプラスチック等の非導電性である場合、基材表面を脱脂・酸洗により清浄にした後、ＳｎＣｌ2浴等を用いてアクティベーション処理を行い、上記の電気めっきを行うか、光触媒粒子を分散させた化学めっき浴(無電解めっき浴ともいう)に浸漬すると、図１に示す基材表面に光触媒粒子を含む光触媒能を増大させる金属層であって、金属層の表面に光触媒粒子が露出している複合材が得られる。電気めっきも化学めっきも既知の方法を用いることができる。また、図２、３に示す基材表面に光触媒粒子と光触媒能を増大させる金属粒子を共析したものも同様の効果が得られる。この場合は泳動電着法によって作製することができる。
【００１１】
光触媒粒子を懸濁・分散させた電気めっき浴としては、めっきに限らず合金でも使用できる。金属めっき膜の厚さとしては、０．０４〜４０μｍが好適に使用されるが、この範囲に限定されない。本発明の光触媒粒子としては、ＴｉＯ2、ＳｒＴｉＯ3、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＷＯ3、ＳｉＣ、ＢｉＯ3から選ばれた１種または２種以上が使用されるが、これらに限定されない。光触媒粒子の平均粒子径としては、０．０７〜１．０μｍのものが、好適に使用されるが、この範囲に限定されない。光触媒粒子の分散性を高めるためには、親水基を外に向けた界面活性剤を添加すると、光触媒粒子に保護膜が形成された状態となり、イオン強度の大きなめっき浴中でも安定に分散される。添加する界面活性剤はカチオン、アニオン、ノニオンのいずれでも良いが、特にフルオロカーボン系が好ましい。界面活性剤の添加量は光触媒粒子の粒子径とも関係するが、例えば、粒子径が約０．５μｍのものでは１ｇ当たり１〜５０ｍｇとする。めっき装置は通常用いられるもので良いが、懸濁・分散させた光触媒粒子を浮遊させるための装置を付随していることが望ましい。めっき膜中の光触媒粒子の含有率はめっき浴中の光触媒粒子の懸濁・分散濃度の上昇とともに増加する。しかし、金属と光触媒粒子の複合材の光触媒活性は、その含有率よりも表面に露出している光触媒粒子の表面積に関係するので、各種めっき浴で最適なｐＨ、電解電流密度および電解時間を選ぶ必要がある。光触媒能を増大させる金属と光触媒粒子の複合材はめっきのままの状態でも光触媒活性を示すが、必要に応じて表面をエッチングして、光触媒粒子の露出している表面積を増やすと光触媒活性は増大する。
【００１２】
ここで、金属と光触媒粒子の複合材の光励起に用いる光源としては、太陽光、室内照明、蛍光灯、ブラックライト、白熱電球、メタルハライドランプ、水銀ランプ、等の光源が好適に利用できる。屋外や室内で使用される場合には、太陽光や室内照明で励起されるので特に光励起のための光源を必要としないが、光の照射されない場所で使用する場合には、ブラックライト等を付けて光励起を行わせる。
【００１３】
以下、本発明について実施例を示して、その効果を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【実施例１】
【００１４】
０．２６９ｍｏｌ／ＬＡｇＣＮ、０．５６８ｍｏｌ／ＬＫＣＮ、０．３８３ｍｏｌ／ＬＫ2ＣＯ3から成るＡｇめっき浴に、アナターゼ型ＴｉＯ2 （ＴｉＯ2 （Ａ））粉末（平均粒子径０．４μｍ）を１００ｇ／Ｌ加え、ＴｉＯ2（Ａ）粉末を十分に分散させた。その浴をめっき浴とし、Ａｇストライクめっきを行った真鍮基板を陰極、Ｐｔ線を陽極として電流密度０．４Ａ／ｄｍ2にて１分から５分間電気めっきを行った。ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：走査電子顕微鏡）／ＥＤＸ（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ：エネルギー分散形Ｘ線分析装置）を用いて、作製しためっき膜を分析したところ、Ａｇめっき膜に酸化チタン粒子が共析（Ａｇ−ＴｉＯ2（Ａ）粒子分散膜）していた。
【実施例２】
【００１５】
０．２６９ｍｏｌ／ＬＡｇＣＮ、０．５６８ｍｏｌ／ＬＫＣＮ、０．３８３ｍｏｌ／ＬＫ2ＣＯ3から成るＡｇめっき浴に、ＴｉＯ2（Ａ）粉末（平均粒子径０．４μｍ）５０ｇ／Ｌを加え、ＴｉＯ2（Ａ）粉末を十分に分散させた。その浴をめっき浴とし、Ａｇストライクめっきを行った真鍮基板を陰極、Ｐｔ線を陽極として電流密度０．４Ａ／ｄｍ2にて１分から５分間電気めっきを行った。そのめっき膜に酸化チタンが含まれていることはＳＥＭ／ＥＤＸ分析により確認した。
【実施例３】
【００１６】
０．２６９ｍｏｌ／ＬＡｇＣＮ、０．５６８ｍｏｌ／ＬＫＣＮ、０．３８３ｍｏｌ／ＬＫ2ＣＯ3から成るＡｇめっき浴に、ＴｉＯ2（Ａ）粉末（平均粒子径０．４μｍ）２５ｇ／Ｌを加え、ＴｉＯ2（Ａ）粉末を十分に分散させた。その浴をめっき浴とし、Ａｇストライクめっきを行った真鍮基板を陰極、Ｐｔ線を陽極として電流密度０．４Ａ／ｄｍ2にて１分から５分間電気めっきを行った。そのめっき膜に酸化チタン粒子が含まれていることはＳＥＭ／ＥＤＸ分析により確認した。
【実施例４】
【００１７】
０．０２０ｍｏｌ／ＬＡｇＮＯ3、０．００７ｍｏｌ／ＬＣ4Ｈ4Ｏ6ＮａＫ、０．１７０ｍｏｌ／ＬＮＨ3、０．１００ｍｏｌ／ＬＫＯＨから成る化学銀めっき浴に、ＴｉＯ2(A)粉末（平均粒子径０．４μｍ）５ｇ／Ｌを加え、ＴｉＯ2（Ａ）粉末を十分に分散させた。その浴をめっき浴として予備処理を行ったＡＢＳ樹脂上にＴｉＯ2（Ａ）粉末とＡｇの複合材を作製した。ＳＥＭ／ＥＤＸを用いて、作製しためっき膜を分析したところ、Ａｇめっき膜に酸化チタン粒子が共析していた。
【実施例５】
【００１８】
０．１３９ｍｏｌ／ＬＡｇＣＮ、０．０９４ｍｏｌ／ＬＫ2Ｐｄ（ＣＮ）4、０．７３７ｍｏｌ／ＬＫＣＮ、０．３０３ｍｏｌ／ＬＫ2ＣＯ3からなる銀パラジウム合金めっき浴に、ＴｉＯ2（Ａ）粉末（平均粒子径０．４μｍ）５０ｇ／Ｌを加え、ＴｉＯ2（Ａ）粉末を十分に分散させた。その浴をめっき浴とし、Ａｇストライクめっきを行った真鍮基板を陰極、Ｐｔ線を陽極として電流密度０．４Ａ／ｄｍ2にて１分から５分間電気めっきを行った。そのめっき膜に酸化チタン粒子が含まれていることはＳＥＭ／ＥＤＸ分析により確認した。
【実施例６】
【００１９】
マグネトロンスパッタリング装置を用いて、１０-2〜１０-4Ｔｏｒｒの Ａｒガス圧中で１３．５６ＭＨｚの高周波を投入して、ＡｇターゲットにＡｒイオンを衝突させターゲットのＡｇ原子を酸化チタンを含む基材表面上に堆積させて作製した。なおＡｇ原子の堆積量は、ターゲットと酸化チタンを含む基材表面との間のシャッターの開く時間で調整した。酸化チタンを含む基材表面上に堆積するＡｇはＳＥＭ／ＥＤＸを用いた分析で確認した。
【実施例７】
【００２０】
酸化チタンを含む基材表面にＡｇ板を接触させ一定加重を掛け、Ａｇ板のＡｇの一部を酸化チタンを含む基材表面に付着させた。酸化チタンを含む基材表面上に移動したＡｇはＳＥＭ／ＥＤＸを用いた分析で確認した。
【比較例１】
【００２１】
０．８０２ｍｏｌ／ＬＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ、０．５１０ｍｏｌ／ＬＨ2ＳＯ4から成る硫酸銅めっき浴にＴｉＯ2（Ａ）粉末（平均粒子径０．４μｍ）を加えて、十分ＴｉＯ2（Ａ）粉末を十分に分散させた。その浴をめっき浴とし、真鍮基板を陰極、Ｃｕ板を陽極として電流密度５Ａ／ｄｍ2にて１分から５分間電気めっきを行った。そのめっき膜中に酸化チタン粒子が含まれていることはＳＥＭ／ＥＤＸ分析により確認した。
【比較例２】
【００２２】
１．２１ｍｏｌ／ＬＮｉＳＯ4、０．１８９ｍｏｌ／ＬＮｉＣｌ2、０．４８８ｍｏｌ／ＬＨ3ＢＯ3から成るＮｉめっき浴（ワット浴）にＴｉＯ2（Ａ）粉末（平均粒子径０．４μｍ）を加えて、十分ＴｉＯ2（Ａ）粉末を分散させた。その浴をめっき浴とし、真鍮基板を陰極、Ｎｉ板を陽極として電流密度４Ａ／ｄｍ2にて１分から５分間電気めっきを行った。そのめっき膜に酸化チタン粒子が含まれていることをＳＥＭ／ＥＤＸ分析により確認した。
【比較例３】
【００２３】
０．０９６ｍｏｌ／ＬＰｄＣｌ2、０．７８７ｍｏｌ／ＬＮＨ4ＯＨ、０．８７０ｍｏｌ／ＬＮＨ4Ｈ2ＰＯ4、０．４６７ｍｏｌ／ＬＮＨ4Ｃｌから成るパラジウムめっき液にＴｉＯ2（Ａ）粉末（平均粒子径０．４μｍ）を加えて、ＴｉＯ2（Ａ）粉末を十分に分散させた。その浴をめっき浴とし、真鍮基板を陰極、Ｎｉ板を陽極として電流密度０．２５Ａ／ｄｍ2にて１０分から２０分間電気めっきを行った。そのめっき膜に酸化チタン粒子が含まれていることをＳＥＭ／ＥＤＸ分析により確認した。
【比較例４】
【００２４】
０．２６９ｍｏｌ／ＬＡｇＣＮ、０．５６８ｍｏｌ／ＬＫＣＮ、０．３８３ｍｏｌ／ＬＫ2ＣＯ3から成るＡｇめっき浴を調製した。その浴をめっき浴とし、Ａｇストライクめっきを行った真鍮基板を陰極、Ｐｔ線を陽極として電流密度０．４Ａ／ｄｍ2にて１分から５分間電気めっきを行い、Ａｇめっき膜を得た。
【比較例５】
【００２５】
０．８０２ｍｏｌ／ＬＣｕＳＯ4・５Ｈ2、０．５１０ｍｏｌ／ＬＨ2ＳＯ4から成る硫酸銅めっき浴を調製した。その浴をめっき浴とし、真鍮基板を陰極、Ｃｕ板を陽極として電流密度５Ａ／ｄｍ2にて１分から５分間電気めっきを行い、Ｃｕめっき膜を得た。
【比較例６】
【００２６】
１．２１０ｍｏｌ／ＬＮｉＳＯ4、０．１８９ｍｏｌ／ＬＮｉＣｌ2、０．４８８ｍｏｌ／ＬＨ3ＢＯ3から成るＮｉめっき浴（ワット浴）を調製した。その浴をめっき浴とし、真鍮基板を陰極、Ｎｉ板を陽極として電流密度４Ａ／ｄｍ2にて１分から５分間電気めっきを行い、Ｎｉめっき膜を得た。
【比較例７】
【００２７】
０．０９６ｍｏｌ／ＬＰｄＣｌ2、０．７８７ｍｏｌ／ＬＮＨ4ＯＨ、０．８７０ｍｏｌ／ＬＮＨ4Ｈ2ＰＯ4、０．４６７ｍｏｌ／ＬＮＨ4Ｃｌから成るパラジウムめっき液を調製した。その浴をめっき浴とし、真鍮基板を陰極、Ｎｉ板を陽極として電流密度０．２５Ａ／ｄｍ2にて１０分から２０分間電気めっきを行い、Ｐｄめっき膜を得た。
（光触媒活性の評価）    
【００２８】
実施例１〜３及び比較例１〜３の光触媒活性の評価を以下の方法で行った。Ｂｒｉｌｌｉａｎｔ  Ｇｒｅｅｎ（和光純薬工業（株）１級試薬Ｃ27Ｈ34Ｎ2Ｏ4Ｓ；以下Ｂ．Ｇ．と略記する）１０ｐｐｍを含む水溶液５０ｍＬを調製し、その溶液に作製した基板を浸し、Ａｉｒポンプで空気（１．２Ｌ／ｍｉｎ）を送り、一定時間ＵＶ照射した。また、ブランク実験として、ＴｉＯ2（Ａ）を埋め込んでいない、比較例４のＡｇ、比較例５のＣｕ、比較例６のＮｉ、比較例７のＰｄを同様の手順で行った。ここで、作製した基板を浸さず、Ａｉｒポンプにより空気のみを送ったものを比較例８とした。ＵＶ照射前後のＢ．Ｇ．溶液の吸光度を分光光度計で測定し、分解率を求めることにより評価した。そのときの照射光量は２．５〜２．７ｍＷ／ｃｍ2・ｓｅｃとした。
Ａｇ−ＴｉＯ2（Ａ）粒子分散膜の光触媒活性を評価した結果を図４、図５に示す。また、この光触媒活性の向上には光触媒粒子を固定化するのに使われている銀が関与するＯ2-の生成に影響を受けていることを図６に示す。
【００２９】
図４に示すように、実施例１により作製したＡｇ−ＴｉＯ2（Ａ）膜は、比較例１のＣｕ−ＴｉＯ2（Ａ）、比較例２のＮｉ−ＴｉＯ2（Ａ）、比較例３のＰｄ−ＴｉＯ2（Ａ）の固定化金属より際だったＢ．Ｇ．の分解率、即ち、光触媒活性を示した。また、実施例１により作製したＡｇ−ＴｉＯ2（Ａ）膜は、ＴｉＯ2（Ａ）粒子を膜中に取り込んでいない比較例４のＡｇ、比較例５のＣｕ、比較例６のＮｉ、比較例７のＰｄ、比較例８のＡｉｒより際だったＢ．Ｇ．の分解率、即ち、光触媒活性を示した。図５に示すように、ＴｉＯ2粒子濃度が２５ｇ／Ｌ、５０ｇ／Ｌ、１００ｇ／Ｌと増加するに伴い光触媒活性は向上していることが分かる。めっき膜表面に露出している酸化チタン粒子の量が増加していることはＳＥＭ／ＥＤＸ分析により確認した。すなわち、複合材表面に露出するＴｉＯ2（Ａ）粒子の表面積が大きいほど光触媒活性は強くなることが分かる。
【００３０】
図６に示すように、ＴｉＯ2（Ａ）粉末の固定化にＡｇが優れている理由は、ＡｇがＯ2-の生成に影響を受けていることが分かった。Ｏ2-の生成率は、ニトロブルーテトラゾリウム試薬（東京化成工業（株）特殊用Ｃ40Ｈ30Ｃｌ2Ｎ10Ｏ6・ｘＨ2Ｏ・ｙＣＨ3ＯＨ；ＮＢＴ）により測定した。Ｏ2-はＮＢＴと反応しブルーホルマザンを生成し、ブルーホルマザンは水に不溶性なため、その吸光度の変化により、Ｏ2-の生成率を測定した。まず、ＮＢＴ試薬を濃度６．００×１０−6ｍｏｌ／Ｌ、５０ｍｌ調整し、光触媒活性の評価と同様に、作製した各種基板を浸し、Ａｉｒポンプで空気（１．２Ｌ／ｍｉｎ）を送り、一定時間ＵＶ照射した。ＵＶ照射前後のＮＢＴ溶液の吸光度を分光光度計（島津製作所（株）製ＵＶｍｉｎｉ−１２４０）で測定し、Ｏ2-の生成率を求めた。Ｏ2-の生成率はＯ2-生成率 ＝ （Ａ1−Ａ2）／Ａ1×１００により計算した。Ａ1はＮＢＴ吸光度、Ａ2はＵＶ１時間照射後ＮＢＴ吸光度とした。
上記実施例では銀についての効果を確認したが、金、白金でも同様の効果が得られた。      
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明に係わる光触媒粒子が光触媒能を増大させる金属めっきもしくは合金の膜中に埋め込まれていることを表す概略断面図である。
【図２】本発明に係わる光触媒能を増大させる金属と光触媒粒子の複合材の別の概略断面図である。
【図３】本発明に係わる光触媒能を増大させる金属と光触媒粒子の複合材の別の概略断面図である。
【図４】本発明に係わるＡｇとＴｉＯ2（Ａ）粒子からなる膜が、Ｃｕ、Ｎｉ、ＰｄとＴｉＯ2（Ａ）からなる膜よりも強い光触媒活性を表す図である。
【図５】本発明に係わるＡｇ−ＴｉＯ2（Ａ）複合材が、Ａｇめっき浴中のＴｉＯ2粒子濃度と光触媒活性を表す図である。
【図６】本発明に係わるＡｇ−ＴｉＯ2（Ａ）複合材の光触媒活性の向上は、Ｏ2-の生成因子が強く係わることを表す図である。
【符号の説明】
【００３２】
１  基材
２  光触媒粒子
３  光触媒能を増大させる金属めっきもしくは合金
３１  光触媒能を増大させる金属めっきもしくは合金粒子
【図１】
2005058900.tif 000003
【図２】
2005058900.tif 000004
【図３】
2005058900.tif 000005
【図４】
2005058900.tif 000006
【図５】
2005058900.tif 000007
【図６】
2005058900.tif 000008