(57)【要約】【課題】  簡素な工程および装置構成により、レーザ光の干渉縞による影響を低減することができるレーザ加工物の製造方法およびレーザ加工装置を提供する。【解決手段】  載置台４０に支持されたＴＦＴ基板１１に対して、局所加工部５０の窓５１を介してレーザ光ＬＢを照射し、配線パターン１２の短絡部１２Ａを修正する。載置台４０によりＴＦＴ基板１１をスリット３０および対物レンズ３１に対して移動させながらレーザ光ＬＢを照射する。ＴＦＴ基板１１上で干渉縞を移動させ、照射強度のむらを解消して、膜残りの発生しない均一な加工を行うことができる。ＴＦＴ基板１１を、レーザ光ＬＢにより発生する干渉縞の配列方向に移動させることが好ましい。また、ＴＦＴ基板１１を干渉縞のピッチの２分の１の距離ずつ移動させる毎にレーザ光ＬＢを照射することが好ましい。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜が形成された基板に対して光学部材を介してレーザ光を照射することにより前記薄膜を加工するレーザ加工物の製造方法であって、
前記基板と前記光学部材との相対位置を移動させながら前記レーザ光を照射する
ことを特徴とするレーザ加工物の製造方法。
【請求項２】
前記基板を、前記レーザ光により発生する干渉縞の配列方向に移動させる
ことを特徴とする請求項１記載のレーザ加工物の製造方法。
【請求項３】
前記基板を前記レーザ光により発生する干渉縞のピッチの２分の１の距離移動させる毎に前記レーザ光を照射する
ことを特徴とする請求項１記載のレーザ加工物の製造方法。
【請求項４】
前記基板を一定の速度および一定の軌道で移動させながら、前記レーザ光としてパルスレーザ光を照射する
ことを特徴とする請求項１記載のレーザ加工物の製造方法。
【請求項５】
前記光学部材として、レーザ光透過用の開口を備えたスリットを用いる
ことを特徴とする請求項１記載のレーザ加工物の製造方法。
【請求項６】
レーザ光を発生するレーザ光源と、
このレーザ光源からのレーザ光が出射される側に配置された光学部材と、
薄膜が形成された基板を支持すると共に前記基板を前記光学部材に対して相対的に移動させる載置台と、
前記レーザ光を透過させるための窓を有し、前記載置台上の基板の表面に対して相対的に変位可能な局所加工部と
を備えたことを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項７】
前記載置台は、前記基板を、前記レーザ光により発生する干渉縞の配列方向に移動させる
ことを特徴とする請求項６記載のレーザ加工装置。
【請求項８】
前記レーザ光源は、パルスレーザ光を発生するパルスレーザ素子である
ことを特徴とする請求項６記載のレーザ加工装置。
【請求項９】
前記光学部材は、レーザ光透過用の開口を備えたスリットである
ことを特徴とする請求項６記載のレーザ加工装置。
【請求項１０】
前記局所加工部を圧縮ガスにより前記基板に対して浮上させる浮上機構を備えた
ことを特徴とする請求項６記載のレーザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜が形成された基板に対してレーザ光を照射することにより配線修正などを行うレーザ加工物の製造方法およびレーザ加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板上に形成された配線などの薄膜のパターニング方法の一つとして、レーザ光の照射により薄膜を選択的に除去するレーザ加工法が知られている。レーザ加工法は、半導体製造において、または液晶あるいは有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造において、フォトマスクの欠陥修正、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）基板の配線修正などに用いられている。
【０００３】
レーザ加工法では、例えば、ナノ秒オーダーのパルスレーザ光を、スリット等の光学部材により所定の断面形状に成形したのち、基板上の薄膜に照射し、不要な部分を除去するようにしている。このような従来のレーザ加工法では、レーザ光がスリットを透過する際に回折が生じるので、レーザ光の結像位置において干渉が引き起こされ、薄膜上に干渉縞が発生する。この干渉縞は、配線の短絡箇所を切断する場合に膜残りを生じさせるため、完全に短絡箇所を切断することができなくなってしまう。
【０００４】
このような干渉縞による影響を低減するため、例えば、集光点よりも前後の位置で加工するという方法が考えられる。しかし、この方法では、焦点が合っていないため加工精度が低下し、また、加工再現性が得られないという問題があった。更に、集光点をずらすだけでは干渉縞を低減するには不十分であった。
【０００５】
また、特許文献１では、スリットを透過したレーザ光に含まれる回折光のうち高次の回折光を除去する高次回折除去機構を設けることが提案されている。
【特許文献１】特開２００１−１８０８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の高次回折除去機構では、低次回折を除去することができないため、完全に干渉縞を除去することは難しいという問題があった。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、簡素な工程および装置構成により、レーザ光の干渉縞による影響を低減することができるレーザ加工物の製造方法およびレーザ加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によるレーザ加工物の製造方法は、薄膜が形成された基板に対して光学部材を介してレーザ光を照射することにより薄膜を加工するものであって、基板と光学部材との相対位置を移動させながらレーザ光を照射するものである。このとき、基板を、レーザ光により発生する干渉縞の配列方向に移動させることが好ましい。また、基板をレーザ光により発生する干渉縞のピッチの２分の１の距離移動させる毎にレーザ光を照射することが好ましい。
【０００９】
本発明によるレーザ加工装置は、レーザ光を発生するレーザ光源と、このレーザ光源からのレーザ光が出射される側に配置された光学部材と、薄膜が形成された基板を支持すると共に基板を光学部材に対して相対的に移動させる載置台と、レーザ光を透過させるための窓を有し、載置台上の基板の表面に対して相対的に変位可能な局所加工部とを備えたものである。載置台は、基板を、レーザ光により発生する干渉縞の配列方向に移動させることが好ましい。
【００１０】
本発明によるレーザ加工物の製造方法、または本発明によるレーザ加工装置では、光学部材と基板との相対位置が移動するのに伴って、レーザ光の回折などによる干渉縞も基板上で移動し、照射強度のむらが解消される。よって、レーザ光による薄膜の加工が均一に行われる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のレーザ加工物の製造方法、または本発明のレーザ加工装置によれば、光学部材と基板との相対位置を移動させながらレーザ光を照射するようにしたので、照射強度のむらを解消し、薄膜の加工を均一に行うことができる。よって、干渉縞による悪影響を防止して高品質のレーザ加工物を製造することができる。また、集光点の調整などの複雑な制御は不要であり、簡単な工程で生産性を高めることができる。更に、回折光除去フィルタなどを必要とせず、装置の構成も簡素であり、生産コストの低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１は、本発明の一実施の形態に係るレーザ加工装置により製造されるレーザ加工物の断面構造を表すものである。このレーザ加工物１０は、例えば、液晶あるいは有機エレクトロルミネッセンスディスプレイなどのディスプレイパネルとして用いられるものであり、例えばガラスよりなるＴＦＴ基板１１の表面に、例えば厚みが５００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）よりなる薄膜の配線パターン１２が形成されている。
【００１４】
図２は、図１に示したレーザ加工物１０を製造するレーザ加工装置の断面構成を表している。このレーザ加工装置は、例えば、配線パターン１２に生じた短絡部１２Ａを切断して修正するものであり、レーザ光ＬＢを発生するレーザ光源２０と、スリット３０と、ＴＦＴ基板１１を支持する載置台４０と、載置台４０上のＴＦＴ基板１１の表面に対して相対的に変位可能な局所加工部５０とを備えている。また、このレーザ加工装置には、圧縮ガスＧにより局所加工部５０をＴＦＴ基板１１に対して浮上させる浮上機構６０が設けられている。
【００１５】
レーザ光源２０は、例えば、パルスレーザ素子が好ましい。１ショットのエネルギーを大きくすることができるからである。この場合、レーザ光ＬＢのパルス幅はナノ秒オーダー以下であることが好ましい。ＴＦＴ基板１１に対する残留熱の影響を小さくすることができるからである。レーザ光ＬＢの波長は例えば５３２ｎｍである。
【００１６】
スリット３０は、レーザ光ＬＢの断面形状を所望の寸法形状に成形するための光学部材であり、レーザ光源２０からのレーザ光ＬＢが出射される側に配置されている。スリット３０は、レーザ光透過用の開口３０Ａを有している。開口３０Ａの寸法形状は、ＴＦＴ基板１１表面におけるレーザ光ＬＢの断面形状、すなわち加工サイズが例えば１０μｍ□となるように設定されている。
【００１７】
また、スリット３０と載置台４０上のＴＦＴ基板１１との間には、例えば、スリット３０を透過したレーザ光ＬＢを集光するための光学部材として、対物レンズ３１が配置されている。この対物レンズ３１は、短絡部１２Ａの修正状況を観察するための観察部を構成している。なお、レーザ光源２０の設置位置およびレーザ光ＬＢの進行経路によっては、レーザ光ＬＢの方向を変更するための光学部材として、ミラー（図示せず）などが配置されていてもよい。
【００１８】
載置台４０は、例えばＸ−Ｙステージにより構成され、図示しないステッピングモータによりＴＦＴ基板１１を局所加工部５０に対して相対的に移動させ、ＴＦＴ基板１１上に点在する短絡部１２Ａにレーザ光ＬＢを照射させることができるようになっている。なお、載置台４０には、ＴＦＴ基板１１の載置、交換などの際に局所加工部５０を待避させるための図示しない待避部が設けられている。
【００１９】
更に、載置台４０は、ＴＦＴ基板１１上の特定の短絡部１２Ａに局所加工部５０を対向させた状態で、図示しないステッピングモータによりＴＦＴ基板１１をスリット３０および対物レンズ３１に対して微細に移動させることができる。これにより、このレーザ加工装置では、レーザ光ＬＢがスリット３０で回折することにより生じる干渉縞をＴＦＴ基板１１上において微細に移動させて、照射強度のむらを解消することができるようになっている。載置台４０は１μｍ以下の移動精度を有するものであることが好ましい。干渉縞は通常数μｍ程度のピッチで発生するので、載置台４０も例えば１μｍないし２μｍずつ移動可能なものである必要があるからである。
【００２０】
局所加工部５０は、略円板状の形状を有し、その中央に窓５１およびレーザ照射室５２が設けられている。窓５１は、レーザ光ＬＢを透過させるためのものであり、例えば、レーザ光ＬＢに対して透過性を有するガラスなどの透明材料により構成されている。レーザ照射室５２は、窓５１により塞がれると共にＴＦＴ基板１１側が開放されている。
【００２１】
浮上機構６０は、例えば窒素（Ｎ2 ）などの圧縮ガスＧにより局所加工部５０をＴＦＴ基板１１に対して浮上させるものである。また、浮上機構６０は、圧縮ガスＧにより反応室５２への外気の侵入を遮断するガスカーテン機構としての機能も有しており、窓５１と共にレーザ照射室５２を密閉し、ＴＦＴ基板１１上におけるレーザ光ＬＢの照射位置を外気から遮断するようになっている。
【００２２】
浮上機構６０は、局所加工部５０の載置台４０側の面に、圧縮ガスＧを載置台４０上のＴＦＴ基板１１に向けて吹き出す通気部６１と、レーザ照射室４２方向へ向かって流れてくる圧縮ガスＧを吸引する圧縮ガス吸引口６２とを備えている。通気部６１には、圧縮ガスＧを吹き出すため、図示しないが多数の空孔が設けられている。通気部６１は、圧縮ガスＧを均一に放出するため例えば多孔質材料により構成されていることが好ましい。多孔質材料としては、例えば多孔質金属、多孔質セラミックスあるいは多孔質合成樹脂が好ましく、中でも多孔質アルミニウム（Ａｌ）がより好ましい。
【００２３】
また、浮上機構６０は、圧縮ガスＧを供給する圧縮ガス供給部６３と、圧縮ガスＧを局所加工部５０へと導く圧縮ガス供給路６４と、圧縮ガス吸引口６２から吸引された圧縮ガスＧを排気処理する圧縮ガス排気部６５とを備えている。
【００２４】
このような浮上機構６０は、ＴＦＴ基板１１の反りあるいはうねりに追随して局所加工部５０を一定の浮上量Ｄで浮上させることができるので好ましく、大面積のＴＦＴ基板１１にも適用可能である。例えば、浮上量Ｄが１０μｍの場合、１０ｋｇの荷重をかけても局所加工部４０がＴＦＴ基板１１に接することはない。また、局所加工部４０をＴＦＴ基板１１に対して相対移動させても浮上量Ｄはまったく変動しない。ここで、局所加工部５０の浮上量Ｄとは、局所加工部５０とＴＦＴ基板１１との間隔をいう。
【００２５】
浮上機構６０は、更に、圧縮ガス吸引口６２と圧縮ガス排気部６５との間に弁６５Ａを備えており、この弁６５Ａにより圧縮ガスＧの圧力または流量と圧縮ガス吸引口６２からの吸引量とを調整し、局所加工部５０の浮上量Ｄを制御することができるようになっている。
【００２６】
図３は、局所加工部５０を載置台４０側から見た底面図である。なお、図３では、局所加工部５０および通気部６１の識別を容易とするために、それらに図２と同一の斜線をそれぞれ付している。圧縮ガス吸引口６２および通気部６１は、窓５１に近い方からこの順に、窓５１を中心とした同心環状に配置されている。
【００２７】
次に、このレーザ加工装置の動作および図１に示したレーザ加工物の製造方法について図２および図４ないし図８を参照して説明する。
【００２８】
まず、配線パターン１２が形成されたＴＦＴ基板１１を載置台４０に載置し、局所加工部５０の下方に移動させる。このとき、局所加工部５０を予め浮上させておくことが好ましい。局所加工部５０がＴＦＴ基板１１に接触して損傷を与えることを防止することができるからである。局所加工部５０を浮上させるには、例えば、圧縮ガス供給部６３から圧縮ガスＧとして例えば圧力０．２ＭＰａの圧縮窒素を供給し、この圧縮ガスＧを通気部６１を介してＴＦＴ基板１１に向けて吹き出させる。
【００２９】
続いて、圧縮ガス排気部６５により排気を開始し、弁６５Ａにより圧縮ガスＧの圧力または流量を制御して、局所加工部５０の浮上量Ｄを例えば１０μｍとする。このとき、局所加工部５０の浮上量Ｄを、例えば１０μｍ程度となるべく小さくすることが好ましい。局所加工部５０とＴＦＴ基板１１との間にバネ定数の極めて大きなバネを形成し、局所加工部５０の浮上量Ｄの変動を抑えて浮上の剛性を高めることができるからである。
【００３０】
そののち、窓５１を通して配線パターン１２を観察しながら載置台４０を操作することにより、修正したい短絡部１２Ａが局所加工部５０の下方になるようにＴＦＴ基板１１を移動させる。
【００３１】
修正したい短絡部１２Ａを局所加工部５０の窓５１に合わせたのち、短絡部１２Ａにレーザ光ＬＢを照射し、短絡部１２Ａの金属膜を除去して短絡部１２Ａを切断し、修正する。レーザ光ＬＢの照射条件は、例えば、加工サイズを１０μｍ□とし、波長５３２ｎｍのパルスレーザ光、照射回数１０回、繰り返し周波数１０Ｈｚとすることができる。
【００３２】
このとき、例えば従来のようにＴＦＴ基板１１を固定してレーザ光ＬＢを照射した場合には、スリット３０を透過したレーザ光ＬＢの干渉により、図４に示したように、例えば１０μｍ□の照射領域１３内に、ピッチＰが例えば２．５μｍの干渉縞１４が二次元方向に発生する。この干渉縞１４は、パルスレーザ光が照射されるたびに同一位置に同一ピッチＰで発生する。その結果、レーザ光ＬＢの照射が完了した後の短絡部１２Ａには、図５に示したように、例えば最も厚い部分の厚みが２００ｎｍの膜残り１５が生じてしまい、短絡部１２Ａが完全に切断されなくなる。
【００３３】
このような干渉縞１４の影響を防止するために、本実施の形態では、載置台４０によりＴＦＴ基板１１をスリット３０および対物レンズ３１に対して移動させながらレーザ光ＬＢを照射するようにしている。これにより、ＴＦＴ基板１１上で干渉縞１４を移動させることができ、照射強度のむらを解消して、膜残り１５の発生しない均一な加工を行うことができる。
【００３４】
このとき、ＴＦＴ基板１１を、レーザ光ＬＢにより発生する干渉縞１４の配列方向に移動させることが好ましい。干渉縞１４の影響を確実に解消することができるからである。本実施の形態では、干渉縞１４は二次元方向に配列されているので、ＴＦＴ基板１１も干渉縞１４の配列方向に沿って二次元方向に移動させる。
【００３５】
また、ＴＦＴ基板１１を干渉縞１４のピッチＰの２分の１の距離ずつ移動させる毎にレーザ光ＬＢを照射することが好ましい。干渉縞１４の影響を確実に解消することができるからである。本実施の形態では、干渉縞１４は２．５μｍのピッチＰで発生しているので、ＴＦＴ基板１１を１．２５μｍ移動させる毎にレーザ光ＬＢを照射する。
【００３６】
ここで、ＴＦＴ基板１１を１．２５μｍ移動させたら停止させてレーザ光ＬＢを照射し、再びＴＦＴ基板１１を１．２５μｍ移動させたら停止させてレーザ光ＬＢを照射するということを繰り返し行うようにすることも可能であるが、ＴＦＴ基板１１を一定の速度および一定の軌道で移動させながら、レーザ光ＬＢとしてパルスレーザ光を照射することが好ましい。一定の時間間隔で、かつ、一定の軌道上に正確な位置関係でレーザ光ＬＢを照射することができ、照射回数を設定して照射を開始させるだけでよく、工程が簡単になると共にタクトタイムの短縮も可能になるからである。なお、ＴＦＴ基板１１の移動速度は、特に限定されないが、例えば、繰り返し周波数１０Ｈｚのパルスレーザを用いた場合、１２．５μｍ／ｓｅｃとする。
【００３７】
二次元方向の軌道の最も単純な例としては、図６に示したように、初期位置としての第１照射点１６Ａ、ここからＸ方向に１．２５μｍずれた第２照射点１６Ｂ、および第１照射点１６ＡからＹ方向に１．２５μｍずれた第３照射点１６Ｃの、少なくとも三つの照射点を通るものが挙げられる。この場合、膜残り１５のほとんどをなくすことができる。
【００３８】
更に、照射点の数および位置を適切に調整することにより、干渉縞１４の影響をより確実に排除することができる。例えば、好ましい軌道の一例としては、図７に示したように、初期位置としての第１照射点１７Ａ、この第１照射点１７ＡからＸ方向またはＹ方向に１．２５μｍずつ離れた四つの照射点１７Ｂ、およびこれらの四つの照射点１７Ｂを含む一辺２．５μｍの正方形の頂点に位置する四つの照射点１７Ｃの、合計九つの照射点を通るものが挙げられる。この場合、照射強度のむらを完全に解消し、図８に示したように、膜残り１５がまったく生じない高品質な加工を行うことができる。
【００３９】
なお、図６および図７では、照射領域１３の中央位置を第１照射点１６Ａ，１７Ａとし、この第１照射点１６Ａ，１７Ａでレーザ光ＬＢを照射した場合に発生する干渉縞１４を点線で表している。レーザ光ＬＢの照射回数は、照射点の数およびレーザ光のパワーに応じて、各照射点に適切な回数ずつレーザ光ＬＢが照射されるように設定することが好ましい。
【００４０】
以上の工程を繰り返すことにより、配線パターン１２の短絡部１２Ａが順次切断されて修正され、図１に示したレーザ加工物１０が完成する。ここでは、載置台４０によりＴＦＴ基板１１がスリット３０および対物レンズ３１に対して移動しており、移動しているＴＦＴ基板１１に対してレーザ光ＬＢが照射されるので、干渉縞１４もＴＦＴ基板１１上において移動し、照射強度のむらが解消される。よって、膜残り１５が発生せず、レーザ光ＬＢによるＴＦＴ基板１１の加工が均一に行われる。
【００４１】
このように本実施の形態では、載置台４０によりＴＦＴ基板１１をスリット３０および対物レンズ３１に対して移動させながらレーザ光ＬＢを照射するようにしたので、照射強度のむらを解消し、ＴＦＴ基板１１の加工を均一に行うことができる。よって、干渉縞１４による悪影響を防止して高品質のレーザ加工物１０を製造することができる。また、集光点の調整などの複雑な制御は不要であり、簡単な工程で生産性を高めることができる。更に、回折光除去フィルタなどを必要とせず、装置の構成も簡素であり、生産コストの低減を図ることができる。
【００４２】
特に、ＴＦＴ基板１１を、レーザ光ＬＢにより発生する干渉縞１４の配列方向に移動させるようにすれば、または、ＴＦＴ基板１１を干渉縞１４のピッチＰの２分の１の距離ずつ移動させる毎にレーザ光ＬＢを照射するようにすれば、干渉縞１４の影響を確実に解消することができる。
【００４３】
加えて、特に、レーザ光ＬＢとして、パルスレーザ光を用いるようにすれば、一定の時間間隔で正確にレーザ光ＬＢを照射することができるので、ＴＦＴ基板１１を一定の移動速度で移動させておいて照射回数を設定して照射を開始させるだけでよく、工程が簡単になる。
【実施例】
【００４４】
更に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００４５】
（実施例）
上記実施の形態と同様にして、ＴＦＴ基板１１上の配線パターン１２の短絡部１２Ａを修正し、レーザ加工物１０を作製した。その際、ＴＦＴ基板１１を１２．５μｍ／ｓｅｃの速度で図７に示したように移動させながらレーザ光ＬＢを照射した。レーザ光ＬＢの照射条件は、加工サイズを１０μｍ□とし、波長５３２ｎｍのパルスレーザ光、照射回数１０回、繰り返し周波数１０Ｈｚとした。得られたレーザ加工物１０について、光学顕微鏡により短絡部１２Ａを観察した。その結果を図９に示す。
【００４６】
（比較例）  
ＴＦＴ基板１１を固定してレーザ光ＬＢを照射したことを除き、上記実施例と同様にしてレーザ加工物を作製した。得られたレーザ加工物について、上記実施例と同様にして短絡部を観察した。その結果を図１０に示す。
【００４７】
図９から分かるように、実施例によれば、加工後の短絡部１２Ａには膜残り１５が全く生じておらず、干渉縞１４は完全に解消されていた。これに対して、比較例では、干渉縞の影響により、９ヶ所に白い膜残りが認められた。すなわち、載置台４０によりＴＦＴ基板１１をスリット３０および対物レンズ３１に対して移動させながらレーザ光ＬＢを照射するようにすれば、照射強度のむらを解消し、膜残り１５の発生を防止して配線パターン１２の加工を均一に行うことができることが分かった。なお、図９の右下の溶融痕のようなものは、照射回数を１０回としたために最後の照射位置が最初の照射位置と重なって生じたものと考えられ、本発明による干渉縞１４の解消という効果を左右するものではない。
【００４８】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態および実施例では、スリット３０を透過したレーザ光ＬＢの回折により、干渉縞１４が二次元方向に発生する場合について説明したが、干渉縞１４の形状や配列方向は発生原因により異なっており、それに応じて、ＴＦＴ基板１１の軌道または照射点の選択も異なってくる。例えば、ミラーの裏面反射に起因する干渉縞は、図１１に示したように、縦縞が一次元方向に配列されたものとなり、この場合、ＴＦＴ基板１１を一次元方向（図１１ではＸ方向）に移動させながらレーザ光ＬＢを照射すればよい。
【００４９】
また、例えば、上記実施の形態および実施例では、載置台４０により、ＴＦＴ基板１１をスリット３０および対物レンズ３１に対して移動させることによりＴＦＴ基板１１とスリット３０および対物レンズ３１との相対位置を移動させる場合について説明したが、レーザ光源３０および対物レンズ３１をＴＦＴ基板１１に対して移動させるようにしてもよく、あるいは両方を移動させるようにしてもよい。
【００５０】
更に、上記実施の形態および実施例では、レーザ加工装置の構成について具体的に例を挙げて説明したが、他の構造としてもよい。例えば、除去された配線パターン１２の飛散物が窓５１に付着してしまうことを防止するため、アルゴン（Ａｒ）ガスなどのパージガスを窓５１に吹き付けるパージガス供給機構を備えていてもよい。
【００５１】
加えて、例えば、上記実施の形態および実施例では、局所加工部５０を圧縮ガスＧを用いた浮上機構６０により浮上させる場合について説明したが、浮上機構６０の浮上方式は圧縮ガスＧによる静圧浮上方式に限定されない。
【００５２】
更にまた、局所加工部５０は、例えば支柱等に固定されていてもよい。
【００５３】
加えてまた、上記実施の形態および実施例では、図３に示したように円板状の局所加工部５０に、通気部６１および圧縮ガス吸引口６２を環状に形成するようにしたが、通気部６１および圧縮ガス吸引口６２の形状は環状に限定されず、例えば矩形、三角形などとしてもよい。ただし、環状とすれば製造が容易であるので好ましい。
【００５４】
更にまた、圧縮ガスＧは、上記実施の形態および実施例で説明したガス種に限られず、他のガスでもよい。
【００５５】
加えてまた、上記実施の形態ではＴＦＴ基板１１の欠陥部分を修正する場合について説明したが、本発明のレーザ加工物の製造方法および本発明のレーザ加工装置は、例えば、フォトマスクの欠陥修正、透明導電性薄膜、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムスズ）薄膜の電極パターン形成、および薄膜により構成された抵抗またはコイルなどのトリミングにも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明のレーザ加工物の製造方法および本発明のレーザ加工装置は、レーザ光により薄膜を選択的に除去するレーザ加工法だけでなく、レーザ光により薄膜を成膜する光ＣＶＤまたは熱ＣＶＤ法にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】図２に示したレーザ加工装置により製造されるレーザ加工物の一例を表す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係るレーザ加工装置の構成を表す断面図である。
【図３】図１に示した局所加工部をＴＦＴ基板側から見た構成を表す底面図である。
【図４】従来のレーザ加工物の製造方法を表す平面図である。
【図５】図４に示した従来の方法により製造されたレーザ加工物の一部拡大断面図である。
【図６】本実施の形態のレーザ加工物の製造方法の一例を表す平面図である。
【図７】本実施の形態のレーザ加工物の製造方法の他の例を表す平面図である。
【図８】図７に示した方法により製造されたレーザ加工物の一部拡大断面図である。
【図９】本発明の実施例の結果を表す写真である。
【図１０】本発明の比較例の結果を表す写真である。
【図１１】干渉縞の他の例を表す平面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０…レーザ加工物、１１…ＴＦＴ基板、１２…配線パターン、１２Ａ…短絡部、２０…レーザ光源、３０…スリット、３１…対物レンズ、４０…載置台、５０…局所加工部、５１…窓、５２…レーザ照射室、６０…浮上機構、６１…通気部、６２…圧縮ガス吸引口、Ｇ…圧縮ガス
【図１】
2005144527.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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