(57)【要約】【課題】鉛フリーはんだを用いたプリント配線基板への電子部品の実装において、ブローホールの発生を防止し、はんだ付け信頼性を向上したプリント配線基板を安価に提供すること。【解決手段】     繊維基材を樹脂に含浸させて構成される回路基板に、導体回路をエッチングにより形成したプリント配線基板であって、該プリント配線基板に穿設される貫通孔にメッキ処理しバイアホールが形成される前記プリント配線基板において、前記貫通孔穿設時に内壁に発生する窪みの深さと幅の比の値を所定値以下とすること。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維基材を樹脂に含浸させて構成される基板に、導体回路がエッチングにより形成されるプリント配線基板であって、該プリント配線基板に穿設される貫通孔にメッキ処理しバイアホールが形成される前記プリント配線基板において、
前記貫通孔穿設時に内壁に発生する窪みの深さと幅の比の値が所定値以下であることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項２】
繊維基材を樹脂に含浸させて構成される基板に、導体回路がエッチングにより形成されるプリント配線基板であって、該プリント配線基板に穿設される貫通孔にメッキ処理しバイアホールが形成され、該バイアホールに電子部品がはんだにより実装される前記プリント配線基板において、
前記貫通孔穿設時に内壁に発生する窪みの深さと幅の比の値が所定値以下であることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項３】
前記電子部品を実装するために用いられる前記はんだが、組成ＳｎＡｇ系の鉛フリーはんだであることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線基板。
【請求項４】
前記貫通孔穿設時に内壁に発生する窪みの深さと幅の比の値が７／１０以下であること特徴とする請求項１または請求項２に記載のプリント配線基板。
【請求項５】
前記貫通孔穿設時に内壁に発生する窪みの深さと幅の比の値が７／１０以下であり、さらに前記窪みの幅が５５ミクロン以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプリント配線基板。
【請求項６】
前記貫通孔に前記バイアホールを形成する為に施すメッキ処理によるメッキの厚みが２０〜５０ミクロンであることを特徴とする請求項１、２、４または請求項５に記載のプリント配線基板。
【請求項７】
前記バイアホールを形成するために、前記貫通孔にメッキ処理される導体層が、前記窪みのない部分に形成される前記導体層の厚さに比べて、少なくとも、前記窪みの開口部周囲で厚くなく、または、前記窪みの底部にて薄くなく被膜されて、前記窪みのある部分、ない部分にかかわらず略一定の厚みで形成されること特徴とする請求項１または請求項２に記載のプリント配線基板。
【請求項８】
繊維基材を樹脂に含浸させて基板を形成する工程と、該基板と銅箔を複数積層して熱間プレスにより加熱圧着し、多層積層構造の配線基板を形成する工程と、該配線基板に所定のドリル形状、加工条件にて貫通孔を穿設する工程と、該貫通孔の内壁にメッキ処理にて略一定の厚みの導体層を形成する工程と、前記銅箔に導体回路をエッチングにより形成する工程と、を行うことを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【請求項９】
繊維基材を樹脂に含浸させて基板を形成する工程と、該基板と銅箔を複数積層して熱間プレスにより加熱圧着し、多層積層構造の配線基板を形成する工程と、該配線基板に所定のドリル形状、加工条件にて貫通孔を穿設する工程と、該貫通孔の内壁にメッキ処理にて略一定の厚みの導体層を形成する工程と、前記銅箔に導体回路をエッチングにより形成する工程と、前記貫通孔に電子分品の端子を挿入し、鉛フリーはんだを用いてはんだ接合する工程と、を行うことを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、繊維基材を樹脂に含浸させて構成される基板に導体回路がエッチングにより形成されるプリント配線基板および該プリント配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線基板に電子部品を実装するはんだ付け（はんだ接合）に用いられるはんだは通常ＳｎＰｂ系の共晶はんだを用いており、はんだの成分の鉛は融点を低下させ、溶融時の流動性を向上し、表面張力を低下させる役割を担っている。ＳｎＰｂ系の共晶はんだの使用は、はんだ付時のエアーの巻込み防止等による接触不良低減の信頼性から広く用いられてきた。しかし、鉛の人体への毒性に関しては以前から問題になっており、さらに環境への影響から鉛フリーはんだ（無鉛はんだ）の開発、使用がすすめられてきた。
【０００３】
一方、図２に示すように、一般的なプリント配線基板１はガラス繊維織布２２を芯材としてエポキシ樹脂２１を固めて形成されるので内部組織が不均一に構成されており（図２（ａ））、貫通孔２３を穿設加工する際にこのガラス繊維２２がドリル、プレス抜き、もしくはレーザー光の加工精度を阻害して貫通孔２３の内壁に窪みが発生する。そして、この窪みは、貫通孔２３にメッキ処理をしてバイアホール２４を形成する工程において、窪みの底部にメッキ層２５の薄い箇所を形成してしまう原因となる。また、貫通孔２３の端部にバリが発生し、銅箔２０に損傷を与えてしまう。
【０００４】
次に、上述のように形成されるプリント配線基板１に電子部品１０をはんだ付けする場合を、図４（ｂ）を用いて説明する。はんだ溶融の熱によりプリント配線基板１内の水分が気化し、水蒸気（ガス）３ａがメッキ層２５の薄い部分に発生するクラック４を通過してはんだ２ａ中に到達し、部品端子１１とプリント配線基板１との導通不良の原因となるブローホール３を発生させる。従来、はんだ接合のはんだには、鉛入りのはんだ（ＳｎＰｂ系の共晶はんだ）が用いられており、先に述べたように、はんだ中の鉛は、はんだの流動性を向上させているため、はんだ中に形成されたブローホールは浮力により移動し、大気へ開放されるためはんだ中に残留せず、あまり導通不良の原因とならなかった。しかし、鉛フリーはんだでは、ＳｎＰｂ系はんだに比べて比重が小さく、流動性も悪いため、ブローホールがはんだ中に残留しはんだ接合の信頼性が大幅に低下する。
【０００５】
以上の問題を解決すべく、例えば、特開２０００−１５１０６５では、プリント配線板を構成するコア１１０材にプレス抜き加工で貫通孔１４０を穿設し、プラスチックを主材とするプリプレグ材１２０をプレスにより前記貫通孔１４０に充填して、炭酸ガスレーザ１７０により再び孔あけ加工しバイアホール１５１を穿設しバイアホール１５１の表面を平滑化する技術を提案している。（図１３）
【特許文献１】特開２０００−１５１０６５号公報（段落０００５、図１参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に開示されている方法では、バイアホールを形成する工程にて、２度孔あけ加工をしており、生産効率が悪くコストアップにつながる。本発明では、プリント配線基板に穿設される貫通孔の内壁に発生する窪みの深さ（窪みの深さと幅の比の値）と、鉛フリーはんだを用いたはんだ接合時に発生するブローホールとの相関を調査し、貫通孔の内壁に発生してしまう窪みの深さを浅くし、貫通孔にメッキ処理される導体層の厚みを略一定にして、はんだ接合時の熱による窪みの底部に発生する導体層のクラックを防止して、ブローホールの発生を抑制することで、はんだ接合時に導通不良を起こさないプリント配線基板を提供し、さらに１度の穴あけ加工で貫通孔を形成することで生産性を高めることを技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために請求項１、２において講じた技術的手段は、繊維基材を樹脂に含浸させて構成される基板に、導体回路がエッチングにより形成されるプリント配線基板であって、該プリント配線基板に穿設される貫通孔にメッキ処理しバイアホールが形成され、該バイアホールに電子部品がはんだにより実装される前記プリント配線基板において、前記貫通孔穿設時に内壁に発生する窪みの深さと幅の比の値を所定値以下にしたことである。
【０００８】
請求項３において講じた技術的手段は、前記電子部品を実装するために用いられる前記はんだを、組成ＳｎＡｇ系の鉛フリーはんだとしたことである。
【０００９】
請求項４において講じた技術的手段は、前記貫通孔穿設時に内壁に発生する窪みの深さと幅の比の値を７／１０以下にしたことである。
【００１０】
請求項５において講じた技術的手段は、前記貫通孔穿設時に内壁に発生する窪みの深さと幅の比の値を７／１０以下にし、さらに前記窪みの幅を５５ミクロン以下としたことである。
【００１１】
請求項６において講じた技術的手段は、前記貫通孔に前記バイアホールを形成する為に施すメッキ処理によるメッキの厚みが２０〜５０ミクロンとしたことである。
【００１２】
請求項７において講じた技術的手段は、前記バイアホールを形成するために、前記貫通孔にメッキ処理される導体層が、前記窪みのない部分に形成される前記導体層の厚さに比べて、少なくとも、前記窪みの開口部周囲で厚くなく、もしくは前記窪みの底部にて薄くなく被膜されて、前記窪みのある部分、ない部分にかかわらず略一定の厚みで形成されることである。
【００１３】
請求項８において講じた技術的手段は、プリント配線基板の製造方法において、繊維基材を樹脂に含浸させて基板を形成する工程と、該基板と銅箔を複数積層して熱間プレスにより加熱圧着し、多層積層構造の配線基板を形成する工程と、該配線基板に所定のドリル形状、加工条件にて貫通孔を穿設する工程と、該貫通孔の内壁にメッキ処理にて略一定の厚みの導体層を形成する工程と、前記銅箔に導体回路をエッチングにより形成する工程としたことである。
【００１４】
請求項９において講じた技術的手段は、プリント配線基板の製造方法において、繊維基材を樹脂に含浸させて基板を形成する工程と、該基板と銅箔を複数積層して熱間プレスにより加熱圧着し、多層積層構造の配線基板を形成する工程と、該配線基板に所定のドリル形状、加工条件にて貫通孔を穿設する工程と、該貫通孔の内壁にメッキ処理にて略一定の厚みの導体層を形成する工程と、前記銅箔に導体回路をエッチングにより形成する工程と、前記貫通孔に電子分品の端子を挿入し、鉛フリーはんだを用いてはんだ接合する工程としたことである。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１、２に記載の発明によれば、プリント配線基板に穿設された貫通孔にバイアホールを形成するために施されるメッキ層の厚さが略均等に形成されるので、はんだ接合時の熱によるひずみが発生したときに、窪みに発生する応力集中が緩和されて、メッキ層にクラックが生じにくく、プリント配線基板から発生する水蒸気等のガスが、このクラックを経由してはんだ中に到達しないので、ブローホールの発生が防止され安定したはんだ接合ができ、信頼性が向上する。
【００１６】
請求項３に記載の発明によれば、請求項１、２に記載したプリント配線基板へ電子部品を実装する際に用いるはんだを組成ＳｎＡｇ系の鉛フリーはんだとすることで、従来用いられた有鉛はんだの鉛廃止を実現でき、さらにはんだ接合の信頼性を確保できる。
【００１７】
請求項４に記載の発明によれば、貫通孔穿設時に内壁に発生する窪みの深さと幅の比の値を管理することで、メッキ層の厚みがほぼ一定となり、安定したはんだ接合性が実現される。
【００１８】
請求項５に記載の発明によれば、貫通孔穿設時に内壁に発生する窪みの深さと幅の比の値と前記円周方向の幅を管理することにより、メッキ層の厚みがほぼ一定となり、ブローホールの発生が抑えられて、さらに安定したはんだ接合性が実現される。
【００１９】
請求項６に記載の発明によれば、前記貫通孔に施すメッキ層の厚みを管理することで、前記窪みのメッキ層の厚みがほぼ一定となり、また、メッキ処理時間も延長されないので、安定した接合性と高い生産性が確保される。
【００２０】
請求項７に記載の発明によれば、メッキ処理にて形成される導体層が、貫通孔穿設時に発生する窪みの底部でも所定の厚みが確保されるので、はんだ接合時の熱による応力による窪み底部の導体層に生じるクラックが防止され、基板から噴出する水蒸気がはんだ中に到達するのを抑制し、はんだ接合不良の原因となるブローホールを効果的に現象させることができ、信頼性の高いはんだ接合性を達成できる。
【００２１】
請求項８，９に記載の発明によれば、従来広く用いられている貫通孔穿設時のドリルの形状と加工条件を調整することで、穿設時に発生する窪みの形状を鈍化し、窪みにおける導体層の厚みを略一定にして、流動性に劣る鉛フリーはんだを用いたはんだ接合においても、はんだ付け信頼性の高いプリント基板をコストアップせず提供することができる。
【００２２】
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明を実施するための最良の形態を、図面を基に説明する。図１は、電子部品１０のプリント配線基板１への実装を模式的に表した図であり、プリント配線基板１に設けられたバイアホール２４に電子部品１０の端子１１が挿入され、本発明の特徴である鉛フリーはんだ２を用いたはんだ付けにより電気的、物理的に接合されて、電子部品１０が実装される。以下、プリント配線基板１、はんだ付けに関して詳しく説明していく。
【００２４】
まず、プリント配線基板の製造法に関して説明する。図２は、プリント配線基板の製造方法を模式的に示している。ガラス繊維織布２２を芯材としてエポキシ樹脂２１を固めて構成した基板１ｂに銅箔２０を張った配線基板１ａを、複数積層して熱間プレスにより加熱圧着し、多層積層構造の配線基板１ｃを形成する。配線基板１ａの所定の位置にドリルにより孔あけ加工し、配線基板１ｃの厚み方向に貫通孔２３を穿設（図２（ｂ））した後、この貫通孔２３の内壁に導体層２５（メッキ層）を形成する。導体層２５は無電解銅メッキ処理により銅のメタライズ層が被膜された後、電解メッキ処理により所定の厚さに被膜形成されて、バイアホール２４が形成される。また、図２（ｃ）に示したように導体層２５は配線基板１ｃのランド２６と電気的接合されるので、配線基板１ｃの各層のランドと導通する。配線基板１ｃの最外層の銅箔２０にはエッチング処理により、ランド２６及び回路パターン２８が形成され、ランド２６は貫通孔２３の開口部の周囲に円環状に形成されて、プリント配線基板１が形成される。プリント配線基板１の最外の表面の回路パターン２８には、耐熱絶縁性保護膜２７（ソルダレジスト）が溶融樹脂材料を印刷などにより塗布され、硬化処理されて被膜形成される。本実施例では、例えば、銅箔２０の厚みは１８ミクロン、貫通孔２３の径はφ１．４、導体層２５であるメッキ層の厚みは３０ミクロンを採用した。また基板１ｂを構成する基材の構成は、例えば、紙／フェノール樹脂、紙／エポキシ樹脂、ガラス布／エポキシ樹脂、ガラス不織布／エポキシ樹脂、合成繊維／エポキシ樹脂、ガラス布／ポリイミド樹脂、ガラス布／エポキシ変性ポリイミド樹脂、ガラス布／ビスマレイミド／トリアジン／エポキシ樹脂、ガラス布／フッ素系樹脂、ガラス布／ＰＰＯ（ポリフェニレンオキサイド）樹脂、ガラス布／ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）樹脂の組み合わせから適宜選択することができる。
【００２５】
次に、電子部品１０のプリント配線基板１への実装（はんだ付け）について図３を用いて説明する。図３（ａ）に示した通り、電子部品１０であるコネクタ、リレー、コイル、アルミ電解コンデンサなどの端子１１をプリント配線基板１上に設けられたバイアホール２４に挿入する。そして、図３（ｂ）のようにプリント配線基板１にフラックスを塗布し、予備過熱を行い、２６０℃の溶融鉛フリーはんだ２を噴流し、はんだ付け後、冷却し電子部品１０の実装を完了する。本実施例では、はんだ材はＳｎ３．０Ａｇ０．５Ｃｕ鉛フリーはんだを用いたが、ＳｎＡｇ系、ＳｎＢｉ系、ＳｎＣｕ系等の各種の鉛フリーはんだが適用可能である。
【００２６】
以上のように、プリント配線基板の製造、電子部品の実装がおこなわれるが、本実施例に関して考慮されたブローホールの発生のメカニズム、またブローホール低減のための具体的手段について説明する。
【００２７】
図４は配線基板にバイアホール２４を形成する工程を模式的にしめしており、配線基板１ａに貫通孔２３をドリル５０にて穿設する工程において、貫通孔２３の内壁は、配線基板１ａがガラス繊維２２と樹脂２１で構成されており内部組織が均一でない。貫通孔２３の穿設加工の際、ドリル５０の切れ刃５０ａにより削られた配線基板１ａの被切削性のよくないガラス繊維２２の切りくずがドリル５０に巻きつき、貫通孔２３の内壁に擦りつけられて、貫通孔２３の内壁の表面に損傷を与えられると考えられ、結果として、表面の面粗さは悪く、図４（ｂ）のように窪み３０が発生する。
【００２８】
図５は鉛フリーはんだを用いたはんだ接合の工程を模式的に示しており、図４（ａ）に示したように導体層２５あるいはランド２６等を介して、空気中の水分は、平衡状態になろうとしてプリント配線基板１に吸湿される。図６（ａ）、（ｂ）に示すように、窪み３０は、貫通孔２３に導体層２５を被膜してバイアホール２４を構成するためのメッキ処理工程において、はんだ接合時にクラック３０ｅを生じさせる原因となる。詳述すると、まず、貫通孔２３にメッキ処理をする際に、特に窪みが深い場合には、（１）窪み３０に空気が入り込みメッキ液が、十分窪み最深部３０ｂまで入り込まない、（２）空気が除去されメッキ液が入り込んでも、銅イオンが開口している周縁部３０ｃに着層してしまい窪みの最深部３０ｂまで十分到達しない、等の理由から窪みの最深部３０ｂには導体層２５（メッキ層）の薄い箇所３０ｄが形成されてしまう。次に、この状態で、電子部品１０をプリント配線基板１にはんだ接合すると、溶融したはんだ２ａの熱によりプリント配線基板１が膨張し、窪み最深部３０ｂではメッキ層の薄い部分３０ｄにプリント配線基板１の厚み方向に引張る方向の力３０ｆが働き、クラック３０ｅが発生する。同時にプリント配線基板１の内部も加熱され、プリント配線基板１に吸収されている水分が気化し水蒸気３ａ（ガス）となってプリント配線基板１内を移動し、クラック３０ｅを通過してはんだ２の中に到達し（図５（ｂ））、その状態ではんだが冷却され凝固し、図５（ｃ）にしめされるブローホール３が発生する。また、鉛フリーはんだ２の溶融温度は２１０〜２３０℃であり、従来使用されていた有鉛はんだの溶融温度、約１８０℃に比べて高いことも、はんだ接合時の温度が上昇するので、クラック３０ｅの発生、水分のプリント配線基板１からの離脱を助長している。さらに、有鉛はんだを用いたはんだ接合では、はんだの流動性が高いため、ブローホール３は、はんだ２中を移動して大気へ拡散してゆくが、鉛フリーはんだ２を用いたはんだ接合では十分な流動性がなく、また比重も有鉛はんだに比べて小さいため、ブローホールに働く浮力も小さく、ブローホールがはんだ中に残留してしまう。場合によっては図５（ｃ）中左のように大気に対して開口してブローホール３が残ってしまうこともあり、はんだ接合時の導通不良の原因となる。上記の問題の解決策として、メッキ層２５の厚みを熱膨張時の引張り力３０ｆに耐えるように十分に厚くすることも考えられるが、倍以上のメッキ層２５の厚みが必要であり、著しくメッキ処理時間が延びるため実用できない。
【００２９】
図７はプリント配線基板１が吸湿している水分吸湿量とブローホール発生率との相関を示しており、水分を吸湿している場合（相関図の水分吸湿量０ｍｇより右側）では、水分吸湿量が増加するとブローホール３の発生率が高くなる傾向が明らかになった。また、相関図の水分吸湿量０ｍｇより左側は、プリント配線基板１を加熱して水分を除去した場合であり、ブローホール３の発生は０パーセントである。このことからも、プリント配線基板内１の水分がブローホール３の原因となっていることがわかる。しかし、プリント配線基板１を加熱し水分を除去した後、はんだ付け工程を実施することは、加熱により各部が酸化してしまうため、はんだが密着しなくなる。
【００３０】
よって、ブローホール３の発生を抑制するためには、貫通孔２３のメッキ処理時に発生するメッキ層２３の薄い部分３０ｄをなくし、はんだ付け時にクラック３０ｅが入らないようすることが有効な手段である。
【００３１】
本実施例では、配線基板１ａに貫通孔２３を穿設する際のドリル加工に着目し、貫通孔２３の内壁に発生する窪み３０の深さを浅くして、メッキ層２５が均一に形成されるように改良し、鉛フリーはんだ２を用いたはんだ接合においても、ブローホール３の発生を防止し、はんだ接合の高信頼性を達成している。
【００３２】
具体的には、従来のドリル加工による研究から、配線基板１ａに含まれているガラス繊維２２がドリル加工中に切粉となり、ドリルに絡み付いて内壁に窪み３０を発生させることがわかっており、特にガラス繊維２２の折重なる部分では窪み３０の発生が多くなる確立が高くなる。
【００３３】
図８は、一般的なドリル５０の形状を示しており、ネジレ角αを大きくすることで切粉がドリルの溝に沿ってゆっくりと上昇し排出されることになり内壁との接触や摩擦を減らすことができる。また、芯厚５３を薄くすることでドリルの溝５２が深くなり切粉の排出性を向上することができる。さらに、ドリル５０の切刃のコーナ５１が貫通孔２３の内壁を抉る場合では、先端角θを大きくし切刃のコーナ５１を内壁に対して鈍角にして回転方向の切削トルクを少なくして内壁へのダメージを低減する方法や芯厚５３を厚くしてドリル５０の剛性を向上してドリル５０の切刃をブレなくすることが知られている。そして、加工条件において、回転数を上げると切削性がよくなり内壁の表面粗さが向上し、また、チップロード（ドリル１回転あたりの送り量）を少なくすると、内壁の表面粗さを向上することができる。
【００３４】
ドリルの形状変更による、ブローホール３の原因となる窪み３０の形状の変化を説明する。なお、窪み３０の深さを示す指標として、窪みの円周方向の幅ｗと深さｄの比で表される窪み形状（＝窪みの深さｄ／円周方向の窪みの幅ｗ）を用いる。（図６（ａ）参照）図９と図１０は、ドリル径と窪み形状の相関、ドリル径と窪み深さの相関を示しており、それぞれ加工条件は、回転数４３０００回転／分である。ドリル形状は変更前（従来の形状：先端角１４０°、ネジレ角３５°、芯厚０．１４ｍｍ、加工条件：送り速度１．５ｍ／分）と変更後（先端角１５０°、ネジレ角３０°、芯厚０．３０ｍｍ、加工条件：１．６ｍ／分）である。図９、図１０はそれぞれの相関を示しており、プロット９ａ（変更前）とプロット９ｂ（変更後）の比較、図１０のプロット１０ａ（変更前）とプロット１０ｂ（変更後）の比較から、ドリル形状の変更前後で、窪み深さｄが浅くなる傾向があり、変更前でははんだ付け（鉛フリーはんだ）でブローホール３が発生したが、変更後ではブローホール３が発生していない。また、ドリル径と窪み深さには相関がみられなく、変更後のドリルによる窪み形状ｄ／ｗの値が０．７以下（値が小さいほど窪みが鈍角形状になる）で、さらに深さの値が略５０ミクロンで、ブローホール３の発生がなくなった。図６（ａ）と図６（ｃ）は、変更前の形状のドリルと変更後の形状のドリルによる窪み３０、３０ｈにメッキ処理した時の拡大したメッキ層２５の断面図である。変更前のドリルによる窪みの最深部３０ｂには、他部分のメッキ層の厚みに比べてメッキ層の厚みの薄い箇所３０ｄがあるが、変更後のドリルによる窪みの最深部３０ｇのメッキ層２５の厚みは他の部分とほぼ均一で一定である。
【００３５】
ドリルの加工条件変更による窪み形状の変化を説明する。図１１と図１２はφ１．３のドリルで配線基板１ａに貫通孔２３を穿設した時のドリル回転数と窪み形状の相関（チップロード２６μ／回転）、ドリル回転数と窪みの深さの相関（チップロード４０μ／回転）を示しており、図１１からわかるようにドリルの回転数の増加とともに、切刃の切削性が向上し、窪み形状ｗ／ｄの値が減少する（窪みが鈍角形状になる）。また、図１２からわかるように、窪み深さは、約４５０００回転／分付近で最小値をとり、４５０００回転／分より回転数が大きくなると窪み３０は深くなる。
【００３６】
本実施例では、鉛フリーはんだを用いたはんだ接合方式に、フロー方式を使用しているが、本発明の他のはんだ接合方式でもブローホールの不具合が発生するため、他の方式例えば、局所フロー方式や、コテはんだ付け方式等にも本発明の技術的思想は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の主要部を模式的に表した斜視図
【図２】本発明に係るプリント配線基板の製造工程を模式的に表す図
【図３】本発明に係るプリント配線基板への電子部品の実装の工程を模式的に表す図
【図４】本発明に係る配線基板にバイアホールを形成する工程を模式的に表す図
【図５】本発明に係るはんだ接合時に発生するブローホールの発生のメカニズムを模式的に表す図
【図６】本発明に係るプリント配線基板の貫通孔に発生する窪みの拡大断面図（図５中、Ｘの拡大図）
【図７】本発明に係るブローホールと水分吸湿量を表す図
【図８】一般的なドリルの正面図と側面図
【図９】本発明に係るドリルの形状とプリント配線基板の貫通孔に発生する窪みの形状の相関を表す図
【図１０】本発明に係るドリルの形状とプリント配線基板の貫通孔に発生する窪みの深さの相関を表す図
【図１１】本発明に係るドリルの加工条件とプリント配線基板の貫通孔に発生する窪みの形状の相関を表す図
【図１２】本発明に係るドリルの加工条件とプリント配線基板の貫通孔に発生する窪みの深さの相関を表す図
【図１３】従来の技術によるプリント配線基板を製造する工程を表す図
【符号の説明】
【００３８】
１    プリント配線基板
１ａ  配線基板
２    はんだ、鉛フリーはんだ
３    ブローホール
３ａ  水蒸気、ガス
４    クラック
１０  電子部品
１１  端子
２０  銅箔、銅層
２１  樹脂、エポキシ樹脂
２２  ガラス繊維織布、ガラス繊維
２３  貫通孔
２４  バイアホール
２５  導体層、メッキ層
２６  ランド
２７  耐熱絶縁性保護膜、ソルダレジスト
３０  窪み
３０ｅ  クラック
【図１】
2005079214.tif 000003
【図２】
2005079214.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005079214.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2005079214.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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