(57)【要約】【課題】  基板に密着した樹脂層を形成可能な樹脂層形成装置、およびこうした樹脂層に高精度で凹凸を形成することが可能な凹凸形成装置を提供することを目的とする。【解決手段】  凹凸形成装置３０は、大別して樹脂層形成装置３１と、凹凸加工部２１とからなる。樹脂層形成装置は、コロナ放電器（放電手段）３２、仕切壁４３、樹脂供給器（樹脂供給手段）１４、成型刃（平坦化手段）４５および送りローラ４６を備えている。樹脂層を形成する基板１７は送りローラ４６などで凹凸形成装置３０に導入される。コロナ放電器３２は、一組の電極３２ａに高周波の高電圧電流を印加することで電子エネルギーを励起して、コロナ放電を発生するものであり、基板１７に向けて放電される。【選択図】        図５
2005144743.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面にコロナ放電を行なう放電手段と、前記基板上に流動性の樹脂を盛り付ける樹脂供給手段と、前記樹脂の表面を平坦化して前記基板上に樹脂層を形成する平坦化手段とを備えたことを特徴とする樹脂層形成装置。
【請求項２】
前記コロナ放電の電界強度（ｋＶ／ｃｍ）を５ｋＶ／ｃｍ以上１５０ｋＶ／ｃｍ以下に設定することを特徴とする請求項１に記載の樹脂層形成装置。
【請求項３】
基板の表面にコロナ放電を行なう放電手段と、前記基板上に流動性の樹脂を盛り付ける樹脂供給手段と、前記樹脂の表面を平坦化して前記基板上に樹脂層を形成する平坦化手段と、前記樹脂層に凹凸を形成する凹凸形成手段とを備えたことを特徴とする凹凸形成装置。
【請求項４】
前記コロナ放電の電界強度（ｋＶ／ｃｍ）を５ｋＶ／ｃｍ以上１５０ｋＶ／ｃｍ以下に設定することを特徴とする請求項３に記載の凹凸形成装置。
【請求項５】
前記凹凸形成手段は、周面に突起が形成されたローラであることを特徴とする請求項３または４に記載の凹凸形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に樹脂層を形成する樹脂層形成装置、およびこの樹脂層に凹凸を形成する凹凸形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、携帯電話や携帯用ゲーム機などの携帯電子機器では、そのバッテリ駆動時間が使い勝手に大きく影響するために、消費電力を抑えることができる反射型液晶表示装置を表示部として備えている。反射型液晶表示装置は、その前面から入射する外光を反射するための反射膜を備えており、その形態としては液晶パネルを構成する２枚の基板の間に反射膜を内蔵したものや、透過型の液晶パネルの背面側に半透過膜を備えた反射体を配設したものが知られている。
【０００３】
光を反射させるための反射体としては、表面に多数の凹部を形成した基板の表面に反射膜を成膜した反射体が知られている。こうした反射体は、多数の凹部の作用によって反射面内でムラなく均一な反射光を得ることができる。
【０００４】
こうした反射体の従来の製造方法としては、例えば、下記特許文献１に記載されている方法が挙げられる。即ち、圧子によって凹凸面を備えた転写原型を製造し、この転写原型から転写積層体を形成して、転写積層体を基板に貼り付けて反射体を得る方法が記載されている。
【特許文献１】特開２００１−３１０３３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に示す反射体の製造方法では、転写積層体を基板に所望の強度で密着させることが困難であり、必要な強度を持った反射体が得られないという可能性がある。また、材料の種類も限定され、転写積層体の基板への貼り付けという工程上、所定の反射性能を維持した反射体の凹凸面を形成することが困難である。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、基板に密着した樹脂層を形成可能な樹脂層形成装置、およびこうした樹脂層に高精度で凹凸を形成することが可能な凹凸形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明によれば、基板の表面にコロナ放電を行なう放電手段と、前記基板上に流動性の樹脂を盛り付ける樹脂供給手段と、前記樹脂の表面を平坦化して前記基板上に樹脂層を形成する平坦化手段とを備えたことを特徴とする樹脂層形成装置が提供される。
【０００８】
また、本発明によれば、基板の表面にコロナ放電を行なう放電手段と、前記基板上に流動性の樹脂を盛り付ける樹脂供給手段と、前記樹脂の表面を平坦化して前記基板上に樹脂層を形成する平坦化手段と、前記樹脂層に凹凸を形成する凹凸形成手段とを備えたことを特徴とする凹凸形成装置が提供される。
【０００９】
前記コロナ放電の電界強度（ｋＶ／ｃｍ）は５ｋＶ／ｃｍ以上１５０ｋＶ／ｃｍに設定されればよい。また、前記凹凸形成手段は、周面に突起が形成されたローラであればよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の樹脂層形成装置によれば、コロナ放電によって基材表面が親水性または極性が付与されるが、そのメカニズムは、電圧、イオンによる衝撃、電子の衝撃、コロナ放電による空間電荷等によって空気中の酸素が活性化され、基板表面の付着分子の分子鎖が切断される。例えば、ガラス基板の場合には、−ＯＨ，−ＳｉＯ−，−ＳｉＯＨ等の極性基が生成する。また、樹脂基板の場合には、＝Ｃ＝Ｏ，−Ｃ−Ｏ−，−ＣＯＯＨ，−Ｃ−ＯＨ等の極性基が生成する。その結果、基板の表面エネルギーが増大して基板表面の濡れ性が大幅に向上すると考えられる。これにより、極性材料である樹脂層が表面にしっかりと密着した基板を得ることができる。また、本発明の凹凸形成装置によれば、コロナ放電によって基板上に形成される樹脂層が基板としっかり密着するので、安定した高精度な凹凸を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を交えて説明する。まず最初に本発明の凹凸形成装置によって製造される反射体の一例について説明する。図１は、反射体の構成の一例を示す部分斜視図であり、図２は、図１に示す反射体の断面模式図であり、図３のＡは、図１に示す反射体に形成された凹部の平面構成図であり、図３のＢは、図３のＡに示すＧ−Ｇ線に沿う断面構成図である。
【００１２】
図１のＢに示すように、反射体１０は基板１１と、この基板１１の一面１１ａ上に積層されたＡｌやＡｇ等の高反射率の反射膜１２とから概略構成されている。この基板１１は、図１のＡに示すように、支持層１５と、この支持層１５上に形成された樹脂層１６とから構成されている。樹脂層１６は、反射膜１２に所定の表面形状、すなわち樹脂層１６の凹部１３に倣った凹部１２ａを与えるもので、一面１１ａに複数の凹部１３が設けられている。
【００１３】
こうした凹部１３によって、図１のＢに示すように、反射膜１２に凹部１２ａが形成され、反射膜１２にムラの無い均一な反射性を与える。こうした基板１１を構成する支持層１５は、例えばＳｉＯ２ コーティング付きのガラス板から構成されれば良く、また、樹脂層１６は紫外線硬化性樹脂から構成されていればよい。こうした基板１１の厚さは、例えば５０μｍ〜１ｍｍの範囲であれば好ましく、特に１００〜７００μｍの範囲がよい。
【００１４】
反射膜１２は、基板の一面１１ａ上に、例えば、ＡｌやＡｇ等の高反射特性の金属を蒸着して形成すればよく、膜厚は０．０５〜０．２μｍの範囲が良く、０．０８〜０．１５μｍの範囲が特に好ましい。反射膜１２の膜厚が０．０５μｍ未満だと反射率が低下してしまうので好ましくなく、０．２μｍを超えると必要以上に成膜コストがかかることや、凹部１３によって与えられる凹部１２ａが小さくなってしまうので好ましくない。
【００１５】
凹部１３は、基板１１の樹脂層１６に対して、後ほど詳述する反転金型を用いて型押し加工によって形成されたものであり、図１のＢ及び図２に示すように、反射膜１２上において、各凹部１２ａの輪郭１２ｃ同士が相互に接している。この輪郭１２ｃ同士が接する部分は先の尖ったピーク形状に形成され、凹部１２ａ同士の間にある平坦部分１２ｄの領域が少ないのが反射特性上好ましい。
【００１６】
また図３に示すように、凹部１３の内面は、各々半径が異なる２つの球面の一部である第１曲面１３ａと、第２曲面１３ｂとを含んでおり、これらの曲面１３ａ，１３ｂを与える球の中心Ｏ１，Ｏ２は凹部１３の最深点Ｏの法線上に配置されている。第１曲面１３ａはＯ１を中心とする半径Ｒ１の球面の一部とされ、第２曲面１３ｂはＯ２を中心とする半径Ｒ２の球面の一部とされている。そして、図３のＡに示す平面図において、凹部１３の最深点Ｏを通過し、Ｇ−Ｇ線に直交する直線Ｈの近傍において第１曲面１３ａと第２曲面１３ｂとが概ね区画されている。凹部１３の深さは例えば０．３〜２．０μｍ程度に形成されればよい。
【００１７】
図４は、上述したような構成の反射体１０に、図３における図示右側から入射角３０°で光を照射し、受光角を反射面に対する正反射の方向である３０°を中心として±３０°の範囲（０°〜６０°；０°が反射体一面の法線方向に相当）で振って反射体１０の反射率（％）を測定した結果を示すグラフである。
【００１８】
図４に示すグラフから明らかなように、上記構成を備えた反射体１０によれば、半径の比較的小さい球面からなる第２曲面１３ｂの傾斜角の絶対値が比較的大きいことから、反射光が広角に散乱されて約１５°〜５０°の広い受光角範囲で高い反射率を得ることができる。また、半径が比較的大きい球面からなる第１曲面１３ａにおける反射により、前記第２曲面１３ｂよりも特定方向の狭い範囲に散乱される反射が生じるため、全体として反射率が正反射方向である３０°よりも小さい角度で最大となり、そのピークの近傍における反射率も高くなる。
【００１９】
その結果、反射体１０に入射し反射された光のピークが正反射方向よりも反射体１０の法線方向に近い側にシフトするので、反射体１０正面方向の反射輝度を高めることができる。従って、こうした反射体１０が液晶表示装置の反射層に適用されれば、通常表示面を斜めにして使用されることから、液晶表示装置の正面方向における反射輝度を向上させることができ、液晶表示装置の観察者方向への輝度を高めることができる。
【００２０】
次に、本発明の凹凸形成装置について説明する。図５は本発明の樹脂層形成装置を含む凹凸形成装置を示す断面図である。凹凸形成装置３０は、大別して樹脂層形成装置３１と、凹凸加工部２１とからなる。樹脂層形成装置３１は、コロナ放電器（放電手段）３２、仕切壁３３、樹脂供給器（樹脂供給手段）３４、成型刃（平坦化手段）３５および送りローラ４６を備えている。樹脂層を形成する基板１７は送りローラ３６などで凹凸形成装置３０に導入される。
【００２１】
コロナ放電器３２は、１組の電極３２ａに所定周波数の高電圧を発生させる電源・トランス系からなるもので、電極が存在する雰囲気に電子エネルギーを与えてコロナ放電を発生させる。この図では、基板１７の表面近傍に電極で発生したコロナが放射される。この様に電極が被照射体である基板１７の表面に沿って配置される場合には（印加電圧の大きさにもよるが）電極３２ａと被照射体（基板１７）とは、距離を比較的小さく設定する。
【００２２】
すなわち、電極３２ａ間隔（Ａ）よりも電極−基板間距離（Ｄ）を小さく設定する必要があり、例えば印加電圧２ｋＶ程度では、Ａ：２０〜４０ｍｍの場合、Ｄは１〜１０ｍｍ、できれば１〜５ｍｍに設定する。Ｄが１０ｍｍ以上の場合には、電極間の放電が支配的になってしまい、被照射面へコロナ雰囲気が照射されず、ロスとなってしまう。また、１ｍｍ以下の場合には、放電雰囲気は生成されやすいが、装置の設計上或いは設置上の要求精度が必要になり、好ましくない。
【００２３】
仕切り壁３３は、こうした樹脂供給器１４から基板１７上に樹脂１８が塗布可能にする樹脂溜１９とコロナ放電器３２との間を区画すると同時に、樹脂１８の不要な流出を防止する機能を果たす。成型刃（ブレード）３５は、例えば樹脂溜１９に隣接して設置され、刃状先端３５ａによって基板との間に所定の隙間が保たれている。この隙間の間隔を制御することにより、基板１７上に塗布される樹脂層３６の膜厚が制御される。
【００２４】
通常、この膜厚は、形成後の膜厚で２．５〜３．５μm，好ましくは２．５〜３．０μmに設定される。２．５μm未満であると、ランダムな微小凹凸のうち深い側の凹部を安定に形成できなくなって所望の反射特性が得られない。また３．５μｍを超えると、形成した凹部の上に形成される平坦化膜の膜厚が厚くなり、パネルの信頼性に悪影響を及ぼす（高温保存或いは高温高湿保存時の平坦化膜の収縮、或いは極端な場合クラック等が発生する等。）。なお、図には示していないが、この樹脂の塗布手段は上述のものに限らずいわゆるロールコータであっても良い。
【００２５】
凹凸加工部２１は、加工ローラ（凹凸形成手段）２２、ピンチローラ２３、および送りローラ２４を備えている。略円筒形の加工ローラ（凹凸形成手段）２２は、その周囲に多数の凹凸（突起）２２ａが形成されている。凹凸（突起）２２ａは、例えば図１に示す反射体１０の樹脂層３６に形成される凹部（凹凸）４３の形状を反転させた形状であればよい。
【００２６】
加工ローラ２２の回転によって、樹脂層形成装置３１で基板１７上に積層された樹脂１６に凹凸２２ａが連続的に押し付けられ、樹脂層３６に多数の凹部（凹凸）４３が形成される。こうした凹凸２２ａを備えた加工ローラ２２は、塑性変形性の円筒材に凹部（又は凸部）４３を象った圧子を打ち付けて形成することができる。
【００２７】
ピンチローラ２３は、基板１７を介して加工ローラ２２に対面して設けられ、加工ローラ２２との間で基板を支持する。送りローラ２４は樹脂層３６に凹部４３が形成された基板１７を、加工ローラ２２の円周速度と基板１７の移動速度とを高精度で一致させて搬送することで加工が行われる。
【００２８】
このような構成の凹凸形成装置の動作と作用を説明する。本発明の凹凸形成装置３０を用いて、基板１７上に樹脂層３６を形成し、さらにこの樹脂層３６に凹部４３を形成する場面を想定する。樹脂層３６を形成された基板１７は送りローラ１６によって凹凸形成装置３０内に導入され、コロナ放電器３２に達する。
【００２９】
ここでコロナ放電器３２は一組の電極３２ａに印加された交流電圧によって周辺の雰囲気に電子エネルギーが付与され、基板１７表面の近傍にコロナ放電によるイオン・ラジカル雰囲気が生成し、つまり空気中の酸素が活性化されることにより基板表面の付着分子の分子鎖が切断され、例えばガラス基板の場合には−ＯＨ，−ＳｉＯ−，ＳｉＯＨ，等の極性基が生成する。
【００３０】
また樹脂基板の場合には＝Ｃ＝Ｏ、−Ｃ−Ｏ−，−ＣＯＯＨ、−Ｃ−ＯＨ  等の極性基が生成する。その結果、基板の表面エネルギーが増大し、基板の水あるいは樹脂への濡れ性が大幅に向上する。一般に、ガラス基板では本来−ＳｉＯ−，−Ｓｉ−ＯＨのような親水性極性基が存在するが、製造後の履歴、たとえば保管・梱包輸送・反射板やパネルの製造プロセス内の雰囲気内での仕掛、前段工程の薬液の残り  等々の影響で水や積層される樹脂材料の濡れ性が種々変化することがある。
【００３１】
さらにフィルム基板の場合には、上記のような履歴に加え基板の材料自体の持つ疎水性基のために、いっそう濡れ性が複雑に変化する。本発明では、フィルム材料として、ＰＥＴをはじめ種々の材料、例えばポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリスチレン系等に対しても表面処理効果が得られる。
【００３２】
本発明では図５に示す以外に、図６に示すようなコロナ放電効果を高めたものが特に好ましく用いられる。この装置では、コロナ放電用電極（電極Ｉ：４２  及び電極ＩＩ：４２’）を、被照射体（基板１７）の表面上方と被照射体（基板１７）の下面との間に、絶縁材６０（ポリ４フッ化エチレン、ジュラコン、アクリル、ポリエステル、或いはアルマイト処理したアルミ板等）を介して所定の距離（Ｄ＋基板厚み）をもって配置されている。
【００３３】
なお、絶縁材６０は、印加電圧、基板１７の厚さ、絶縁性、照射時間等に応じて適宜設置されるものであるが、通常は１〜３０ｍｍの誘電体が用いられる。
このような構成にすることにより、基板表面に対し安定したコロナ放電処理とそれによる表面改質（濡れ性の向上）が得られる。
【００３４】
コロナ放電に関わる条件としては、電極間距離が、例えば３〜２００ｍｍ，被照射エリアを広く取り生産性を良くするには、２０〜１００ｍｍ程度に設定される。印加電圧は、電界強度（ｋＶ／ｃｍ：単位電極間距離あたりの電圧）が３〜１５０ｋＶ／ｃｍ，好ましくは５〜１００ｋＶ／ｃｍが選択される。電界強度が３ｋＶ未満ではコロナ放電が有効に発生せず、表面改質の効果が得にくい。一方１５０ｋＶ／ｃｍを超えると不要なスパークが発生し、コロナ放電が発生しにくくなる。また電源系もパワーの大きなものが必要になる等のデメリットもある。
【００３５】
さらに、印加電圧の周波数・波形もコロナ放電効果に影響するファクタであり、本発明では、パルス状の高電圧が用いられる。（１μｓｅｃ以下のパルスの場合、被照射面への表面改質効果が低下するためである。）例えば、本発明では通常１μｓｅｃ以上のパルスが使用される。なお、本発明では、コロナ放電時にその近傍の雰囲気に気流を存在させることで、表面改質効果をさらに上げることができる。これは、気流により、発生したイオンやラジカル種が基板表面に接触する確率を上げることができるためと考えられる。
【００３６】
コロナ放電により基板表面の濡れ性が向上する度合いは、通常、極性液体（例えば水、アルコール、アセトン  等）の接触角を接触角計（例えば協和界面科学社製ドロップマスタ１００型）で評価することで定性的に判断できる。すなわち、基板表面の極性が増加するほど極性液体の接触角が低下し０度に近づくからである。
【００３７】
或いは簡便な方法としては、例えば約３０ｄｙｎ／ｃｍ〜７０ｄｙｎ／ｃｍの範囲の表面張力を有する炭化水素系液体が、“濡れ性試薬”として市販されており、これらの液体を少量基板表面に滴下又は塗布した際の液の拡がり度合いで基板表面の極性を定性的に判定するものである。
【００３８】
コロナ放電によって表面の濡れ性が大幅に向上した基板１７は、仕切り壁３３の下部から樹脂溜１９に入る。ここで基板１７には樹脂供給器１４から供給された樹脂１８が塗布される。この時基板１７はコロナ放電によって濡れ性が向上しているので、塗布された樹脂１８の膜厚が均一になり、その後に形成される凹凸形状の深さの精度が確保できることとなる。
【００３９】
形成される樹脂層の膜厚の均一性は、基板上の樹脂層の材料と基板との濡れ性に極めて敏感であり、濡れ性が悪い場合には、樹脂塗布後に徐々に「うねり」現象が出ることがあり、樹脂の表面に細かな凹凸を生じたり、顕著な場合には「はじき」と呼ばれる現象により樹脂層が形成されない領域ができると同時に、その近傍の樹脂層が著しく厚くなった部分（ビルドアップ部）が発生する。このような状態では、反射体としての特性が制御できなくなる。
【００４０】
本発明に関わる反射体では、完成された反射体としての反射特性を所望のものにするためには、凹凸の深さ形状をサブミクロンレベル、例えば±０．１５μｍの精度で制御する必要がある。このような観点から、基板に塗布される樹脂層の膜厚及びその凹凸バラツキも上記の値のレベルで制御されることが重要である。そのためには、基板と樹脂層との間の濡れ性が良いことが基本的な条件である。さらにまた、基板上に形成した樹脂層を硬化させた後の密着性も向上し、パネルとしての信頼性にも良い結果が得られる。
【００４１】
再び図５を参照して、樹脂１８が塗布された基板１７は、搬送されるに従って成型刃（ブレード）３５によって塗布された樹脂１８の膜厚が一定に規制され樹脂層３６が形成される。この後均一な樹脂層３６が形成された基板１７は、そのまま凹凸加工部２１に導入される。
【００４２】
この凹凸加工部２１では、樹脂層３６及び基板１７は加工ローラ２２とピンチローラ２３に挟まれる。そして加工ローラ２２の凹凸２２ａが樹脂３６に連続して押し付けられ、樹脂層３６には多数の凹部４３が形成される。このような凹部４３は、コロナ放電器によって基板１７の表面の濡れ性を高めてから樹脂層３６が形成されるので安定して凹部４３を形成することができる。
【００４３】
この後、凹部４３が形成された樹脂層３６に紫外線等（不図示）を照射して樹脂層３６を硬化させ、さらに凹部を覆うようにその上面にＡｌやＡｇのような高反射性膜を成膜することで図１に示すような反射体１０を得ることができる。
【００４４】
このような反射体１０は、例えば液晶表示パネル（反射型液晶表示装置）に好適に用いることができる。図９に示すように、液晶表示パネル５１は、液晶層５２を挟持して対向する第１の基板５３と第２の基板５４をシール材５５で接合一体化した液晶表示パネルであり、第１の基板５３の液晶層５２側には、電極層や配向膜を含み、液晶層５２を駆動制御するための表示回路５６が形成され、第２の基板５４の液晶層５２側には、電極層や配向膜を含み液晶層５２を駆動制御するための表示回路５７が積層形成されている。
【００４５】
また、表示回路５６と表示回路５７との間には、この２つの表示回路５６，５７間に一定の間隔を保持するためのスペーサ部材５８が多数形成されている。そして、第１の基板５３と第２の基板５４の間に、反射体１０が形成される。また反射体１０の上面には、オーバーコート層５９が積層されている。
【００４６】
このような構成により、反射体１０は液晶表示パネル５１に入射した外光Ｎを効率的に反射させ、液晶層５２を明るく照らし出す役割を果たす。
【００４７】
また、反射体１０は、例えば半透過反射型の液晶表示パネル（半透過反射型液晶表示装置）にも好適に用いることができる。図１０に示すように、反射体１０には、一定の大きさの開口１０ａが形成されるとともに、第１の基板５３の下側には、液晶表示パネル５１を照明する照明装置６１が備えられる。こうした液晶表示パネル５１は、液晶表示パネル５１に入射した外光Ｎを反射体１０で効率的に反射させ、液晶層５２を明るく照らし出すとともに、照明装置６１から照射される照明光Ｌを反射体１０に形成した開口１０ａから透過させ、夜間や暗所でも液晶層５２を明るく照らし出すことができる。
【実施例１】
【００４８】
本出願人は本発明の樹脂層形成装置の効果を検証した。検証にあたって、樹脂層を形成する基板として厚み０．７ｍｍのガラス基板（ＳｉＯ２ パッシベーション膜４００Å付き４５０ｍｍ×３５０ｍｍ）を準備した。また基板上に形成する樹脂層として、感光性アクリル系樹脂を用いた。また図６に示す装置でコロナ放電ユニット（タンタック社製ジェネレータＨＶ２０１０型）によって、１００ｋＶ、パルス頻度１００ｐｐｓ（１秒あたりのパルス数）、電極幅２００ｍｍ、電極間隔５０ｍｍで２０秒間コロナ放電処理を行った。その後感光性アクリル系樹脂を基板表面に厚さ３μｍになるように塗布し平坦化した。
【００４９】
その後所定の凹凸形状を有するローラを設置した凹凸形成装置に基板を導入して樹脂層に凹凸形状を形成した。この時、同一工程の同一条件でコロナ放電処理した基板に、感光性アクリル系樹脂を塗布し平坦化したサンプルを半硬化させ、膜の平坦化度を粗さ計（ミツトヨ製  サーフテスト  ＳＪ−４００型など）を用いて計測した。Ｒａ：０．０１５〜０．０１８μｍ、Ｒｙ：０．１５μｍであった（ＪＩＳに基き、ＲａとＲｙは、それぞれ、Ｒａ：平均表面粗さ、Ｒｙ：最大粗さである。）。また、比較例として、本発明のコロナ放電を行わずに形成した樹脂層を平坦化させ、上記と同様に半硬化させて膜の平坦化度を計測した。こうした本発明例の検証結果を図７（ａ）（ｂ）に、比較例の検証結果を図７（ｃ）（ｄ）にそれぞれ示す。
【００５０】
図７に示す検証結果によれば、本発明による基板は、後述の比較例１（コロナ放電処理なし）に比べるとＲａやＲｙ値においていずれも小さい値を示し、かつ比較例１に見られるようなウネリ（最大０．１μｍ）が見られなかった。また、この時感光性アクリル系樹脂を塗布する直前の基板の水接触角を計測したところ、約２２±３度であった。
【００５１】
一方、従来の比較例によれば、平坦化度はＲａ：０．０１８〜０．０２０μｍ、Ｒｙ：０．１７〜０．１８μｍにとどまった。また樹脂層形成前の水の接触角は、約４７±５度であった。
【実施例２】
【００５２】
上述した実施例１と同様のガラス基板及び同じコロナ放電装置を用いて、処理を行った。但し、印加電圧と電極間距離を変化させることで、電界強度のレベルを変化させて表面処理した。基板表面の水の接触角と膜厚の均一性を表１に示す。なお、コロナ処理時間は３０秒、パルスは３００ｐｐｓに設定した。
【００５３】
【表１】
2005144743.tif 000003
【００５４】
表１に示す検証結果によれば、接触角は、電界強度が低い領域（〜６ｋＶ／ｃｍ）では、約±５度のばらつきであり、それ以上では約±３°であった。６ｋＶ／ｃｍ以上の電界強度では、表面処理の効果が現れた。また１６０ｋＶ／ｃｍ以上では、２００ｍｍ角エリア内では効果があまり変化しなかった。しかし、基板周囲（３００ｍｍ角エリアに相当）では、膜のうねりが見られ、最外周辺では、一部膜のはじきが見られた。
【実施例３】
【００５５】
上述した実施例２において、基板面にほぼ沿うように１００ｍｍ／ｓｅｃの気流が存在するようにした。なお、実施例３にかかわる電極まわりの構成を図８に示す。こうした検証結果を表２に示す。表２によれば、表面処理の効果の向上が見られた。なお、比較例はコロナ放電処理を行なわなかったものを示す。
【００５６】
【表２】
2005144743.tif 000004
【実施例４】
【００５７】
基板としてＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート（１８８μｍ厚）を用いる以外は実施例１と同様にコロナ放電処理を行った。印加電圧と電極間距離を変化させた場合の水の接触角をまとめて表３に示す。なお、コロナ処理時間は４０秒、パルスは４００ｐｐｓであった。比較例として、コロナ放電処理を行なわないものを挙げた。
【００５８】
【表３】
2005144743.tif 000005
【００５９】
表３に示す検証結果によれば、コロナ放電処理を行なわない比較例では、水の接触角がかなり大きいが、コロナ処理により低下した。また角度の低下に伴い、均一な塗布が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】図１は、反射体の構成の一例を示す部分斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す反射体の断面模式図である。
【図３】図３は、図１に示す反射体に形成された凹部の平面構成図である。
【図４】図４は、図３に示すＧ−Ｇ線に沿う断面構成図である。
【図５】図５は、本発明の樹脂層形成装置および凹凸形成装置を示す断面図である。
【図６】図６は、好ましい装置の実施形態を示す平面図である。
【図７】図７は、樹脂膜の粗さを示す説明図である。
【図８】図８は、他の実施形態を示す模式図である。
【図９】図９は、他の実施形態を示す断面図である。
【図１０】図１０は、他の実施形態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０  凹凸形成装置
１１  樹脂層形成装置
１２  コロナ放電器（放電手段）
１３  凹部（凹凸）
１４  樹脂供給器（樹脂供給手段）
１５  成型刃（平坦化手段）
１６  樹脂層
１７  基板
２２  加工ローラ（凹凸形成手段）
２２ａ  凹凸（突起）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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