(57)【要約】【課題】リードフレーム素材を露出させているため、防錆機能が低下すると共に、リードフレームに施す選択めっき工程が増え、めっき層形成工程が煩雑になり製造コストが上昇すること。【解決手段】半導体装置用リードフレームの素材全面に下地めっき層が形成され、下地めっき層の上に第一めっき層が形成され、ワイヤ接続領域ならびに外部接続領域に第二めっき層を形成したものであり、さらに下地めっきがニッケルであり、第一めっき層がパラジウム若しくはパラジウム合金めっきであり、第二めっき層に金を施すことにより、パラジウム若しくはパラジウム合金めっきと封止樹脂とが強固に密着するとともに防錆機能に優れることになる。【選択図】図１
2005079524.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子搭載部と、前記半導体素子搭載部に搭載された半導体素子と導電性ワイヤで接続されるワイヤ接続領域を備えた内部リードと、前記内部リードにそれぞれ連接され、組立された後は外部回路に接続される外部接続領域を備えた外部リードからなる半導体装置用リードフレームにおいて、前記半導体装置用リードフレームの素材全面に下地めっき層が形成され、前記下地めっき層の上に第一めっき層が形成され、前記ワイヤ接続領域ならびに外部接続領域に第二めっき層が形成されたことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
【請求項２】
前記下地めっきがニッケルであり、前記第一めっき層がパラジウム若しくはパラジウム合金めっきであり、前記第二めっき層が金であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項３】
前記下地めっきのニッケル膜厚が０．５〜２μｍであり、前記第一めっき層のパラジウム若しくはパラジウム合金膜厚が０．０１〜０．０８μｍであり、前記第二めっき層の金膜厚が０．００１〜０．００８μｍであることを特徴とする請求項２記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項４】
前記ワイヤ接続領域の第二めっき層の金膜厚が０．００１μｍであり、前記外部接続領域の第二めっき層の金膜厚が０．００８μｍであることを特徴とする請求項３記載の半導体装置用リードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は封止樹脂との密着性を必要とした半導体装置用リードフレームに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置用リードフレームとしては、ワイヤおよび外部回路との接合性を考慮しつつ、金や銀などの貴金属めっき材料の使用量を極力少なくしているものがあった（例えば、特許文献１参照）。図２は、前記特許文献１に記載された従来の半導体装置用リードフレームを示すものである。
【０００３】
図２において、リードフレーム１０１は金属素材からなる薄板材をプレス加工又はエッチング加工により不要部分を除去し、半導体素子１０２を搭載する半導体素子搭載部１０３と、その周囲に配置された半導体素子１０２に連結される導電性ワイヤ１０４を接続するワイヤ接続領域１０５とを有する内部リード１０６と、内部リード１０６に連結され、外部回路（図示せず）に接続される外部接続領域１０７を有する外部リード１０８と、内部リード１０６と外部リード１０８との間にはエポキシ樹脂などからなる封止樹脂（図示せず）を封止する樹脂封止部１０９とから形成されていた。
【０００４】
リードフレーム１０１には、全面に下地めっき１１０としてニッケルめっきが０．１〜１μｍ施され、さらに内部リード１０６のワイヤ接続領域１０５と外部リード１０８の外部接続領域１０７には第一めっき層１１１としてパラジウムまたはパラジウム合金めっきが０．１〜１μｍ施され、ワイヤ接続領域１０５には第二めっき層１１２として金めっきが０．００１〜０．１μｍ施され、外部接続領域１０７には第二めっき層１１２として銀めっきが０．００１〜０．１μｍ施されていた。さらに、樹脂封止部１０９は下地めっき１１０のニッケルが露出した状態となっているため、封止樹脂（図示せず）との密着性が弱く、そのため、樹脂封止部１０９の一部にリードフレーム１１０素材を露出し、その素材部に酸化被膜層を形成し、封止樹脂との密着性を向上させることが提案されている。
【特許文献１】特開平１０−７４８７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記従来の構成では、封止樹脂（図示せず）との密着性が弱い。そのため、樹脂封止部１０９の一部にリードフレーム１１０素材を露出させ、その素材部に酸化皮膜層を形成し、封止樹脂との密着性を向上させることが提案されている。しかしながら、リードフレーム１０１素材を露出させているため、防錆機能が低下すると共に、リードフレーム１０１に施す選択めっき工程が増え、めっき層形成工程が煩雑になり製造コストが上昇するという課題を有していた。
【０００６】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、封止樹脂との密着性および防錆機能に優れると共に製造コストを抑えた半導体装置用リードフレームを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記従来の課題を解決するために、本発明の半導体装置用リードフレームは、半導体素子搭載部と、半導体素子搭載部に搭載された半導体素子と導電性ワイヤで接続されるワイヤ接続領域を備えた内部リードと、内部リードにそれぞれ連接され、組立された後は外部回路に接続される外部接続領域を備えた外部リードからなる半導体装置用リードフレームにおいて、半導体装置用リードフレームの素材全面に下地めっき層が形成され、下地めっき層の上に第一めっき層が形成され、ワイヤ接続領域ならびに外部接続領域に第二めっき層を形成したものであり、さらに下地めっきがニッケルであり、第一めっき層がパラジウム若しくはパラジウム合金めっきであり、第二めっき層に金を施すものである。
【０００８】
本構成によって、半導体装置用リードフレームと封止樹脂との密着性を強固にすると共に、半導体装置用リードフレームの防錆機能を十分に発揮することができる。
【発明の効果】
【０００９】
以上のように、本発明の半導体装置用リードフレームによれば、防錆機能を低下させることなくリードフレームと封止樹脂との密着性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１１】
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態における半導体装置用リードフレームの断面図である。
【００１２】
図１において、１はＣｕ系合金又はＦｅ系合金などの金属素材からなる薄板材をプレス加工又はエッチング加工により不要部分を除去したリードフレーム、２は半導体素子、３は半導体素子２を搭載する半導体素子搭載部、４は半導体素子２を外部回路（図示せず）に接続するための導電性ワイヤ、５は導電性ワイヤ４を接続するワイヤ接続領域、６はワイヤ接続領域５が形成された内部リード、７は内部リード６と外部回路（図示せず）とを接続する外部接続領域、８は外部接続領域７が形成された外部リード、９は半導体素子２を保護することを主な目的として形成される透明エポキシ樹脂、クレゾールノボラック系樹脂、ビフェニール樹脂などからなる封止樹脂（図示せず）が封止される樹脂封止部である。
【００１３】
詳細な構成を以下に説明する。
【００１４】
リードフレーム１はプレス加工又はエッチング加工により半導体素子搭載部３および内部リード６ならびに外部リード８が形成されている。
【００１５】
リードフレーム１全面に下地めっき１０としてニッケルめっきが０．５〜２μｍ施されている。ニッケルめっきの膜質は非常にポーラス（微小孔質）で、且つピンホール（微小穴）が多く、製造工程での熱履歴による素材金属の拡散防止する機能を有しており、その機能が最大限発揮され、且つ製造工程での折曲げなどで亀裂が発生せぬよう厚みは０．５μｍ〜２．０μｍが好ましい。
【００１６】
下地めっき１０を覆う様に第一めっき層１１としてパラジウムまたはパラジウム合金めっきが０．０１〜０．０８μｍ施されている。第一めっき層１１は、下地めっき１０の金属拡散防止する機能を有しており、その機能が最大限発揮される厚みは０．０１μｍ〜０．０８μｍである。
【００１７】
第一めっき層１１が施されたリードフレーム１の半導体搭載部３およびワイヤ接続領域５ならびに外部接続領域７に第二めっき層１２として選択的に金めっきが０．００１〜０．００８μｍ施されている。第二めっき層１２は、第一めっき層１１の酸化防止と外部回路（図示せず）に接続される際のはんだ付け性を向上させる機能を有しており、その機能が最大限発揮される厚みは０．００１μｍ〜０．００８μｍである。
【００１８】
このとき、リードフレーム１に封止樹脂（図示せず）が封止される樹脂封止部９には第二めっき層は施されていない。これは、第一めっき層１１のパラジウム上に生成される酸化被膜が封止樹脂との水素結合に有効に作用することから、酸化被膜を積極的に利用し、リードフレーム１と封止樹脂（図示せず）との密着性に優れるものである。また、第一めっき層１１の酸化被膜を利用しているので素材の防錆機能に影響することはない。
【産業上の利用可能性】
【００１９】
封止樹脂と金属素材からなる薄板材との密着性向上として有用であり、特に半導体装置用リードフレームに適している。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置用リードフレームの部分断面図
【図２】従来の半導体装置用リードフレームの部分断面図
【符号の説明】
【００２１】
１  リードフレーム
２  半導体素子
３  半導体素子搭載部
４  導電性ワイヤ
５  ワイヤ接続領域
６  内部リード
７  外部接続領域
８  外部リード
９  樹脂封止部
１０  下地めっき
１１  第一めっき層
１２  第二めっき層
１０１  リードフレーム
１０２  半導体素子
１０３  半導体素子搭載部
１０４  導電性ワイヤ
１０５  ワイヤ接続領域
１０６  内部リード
１０７  外部接続領域
１０８  外部リード
１０９  樹脂封止部
１１０  下地めっき
１１１  第一めっき層
１１２  第二めっき層
【図１】
2005079524.tif 000003
【図２】
2005079524.tif 000004