(57)【要約】【課題】高感度性、高鮮鋭性を有し、且つ、感度ムラを防止し、耐衝撃性を向上した放射線画像変換パネルを提供する。【解決手段】  気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体層の輝尽励起光及び／又は輝尽発光光の透過率分布を±２０％以下にする。【選択図】図１
2005127730.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、  
前記輝尽性蛍光体層の輝尽励起光及び／又は輝尽発光光の透過率分布が±２０％以下であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項２】
請求項１に記載の放射線画像変換パネルにおいて、
前記透過率分布は前記輝尽性蛍光体層の中心部から端部に向かって等方的であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項３】
請求項１または２に記載の放射線画像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体層は下記式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする放射線画像変換パネル。
ＣｓＢｒ：ｘＥｕ・・・（１）
〔但し、式（１）において、ｘの範囲は０＜ｘ≦０．２である。〕
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルを用いて放射線画像変換方法により、被写体からデジタル化した放射線画像を得ることが行われている。放射線画像変換方法とは、被写体を透過させた放射線を輝尽性蛍光体層に照射することによって、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを輝尽性蛍光体に蓄積させた後、励起光によって輝尽性蛍光体に蓄積された放射線エネルギーを輝尽発光させ、この輝尽発光光の強弱を電気信号に変換し、この電気信号を、感光材料などの画像記録材料やＣＲＴ（Cathode  Ray  Tube）、ＬＣＤ（Liquid  Crystal  Display）などの画像表示装置を介して可視像とする方法である。
【０００３】
ところで、近年、ＣｓＢｒを結晶母体とする輝尽性蛍光体を用いて蒸着法で輝尽性蛍光体層を支持体上に形成することにより、極めて感度の高い放射線画像変換パネルを得る技術が開発されている（例えば、「特許文献１」参照。）。
【０００４】
一方、微細な柱状結晶から輝尽性蛍光体層を構成することにより、高鮮鋭性を実現できることが知られている。微細な柱状結晶は光誘導効果を有し、輝尽励起光の散乱を防止しながら輝尽励起光を柱状結晶の底まで到達させることができ、これにより輝尽発光による画像の鮮鋭性を増大させることができる。
【０００５】
そこで、感度及び鮮鋭性がともに高い放射線変換パネルを得るには、輝尽性蛍光体層の結晶性を高め、輝尽励起光及び／又は輝尽発光光の透過率の高い輝尽性蛍光体層とすることが求められている。
【特許文献１】特開２００１−２４９１９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ＣｓＢｒなどのハロゲン化アルカリの母体にＥｕ等を賦活したＡＸ系蛍光体は熱膨張係数が大きく、結晶性を高めると支持体から剥離しやすく耐衝撃性も低下する傾向にあった。また、輝尽励起光及び／又は輝尽発光光の透過率分布が偏在すると、感度ムラとなって現れる場合がある。
本発明の課題は、高感度性、高鮮鋭性を有し、且つ、感度ムラを防止し、耐衝撃性を向上した放射線画像変換パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層の輝尽励起光及び／又は輝尽発光光の透過率分布が±２０％以下であることを特徴とする。
【０００８】
請求項２記載の発明は、請求項１に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記透過率分布は前記輝尽性蛍光体層の中心部から端部に向かって等方的であることを特徴とする。
【０００９】
請求項３記載の発明は、請求項１または２に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層は下記式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする。
ＣｓＢｒ：ｘＥｕ・・・（１）
〔但し、式（１）において、ｘの範囲は０＜ｘ≦０．２である。〕
【発明の効果】
【００１０】
請求項１記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層の輝尽励起光及び／又は輝尽発光光の
透過率分布を±２０％以下とすることにより、輝尽性蛍光体層の結晶性を均一なものとし、感度ムラを防止し、耐衝撃性を向上した放射線画像変換パネルにすることができる。
【００１１】
請求項２記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層の中心部から端部に向かって透過率分布が等方的であることにより、さらに感度ムラを防止し、耐衝撃性を向上することができる。
【００１２】
請求項３記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層はＣｓＢｒ：ｘＥｕを含有するため、Ｘ線変換効率を向上し、さらに感度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１に示す様に、本発明に係る放射線画像変換パネル１０は、支持体１１と、この支持体１１上に気相堆積法により輝尽性蛍光体の柱状結晶から形成された輝尽性蛍光体層１２を備えたものであり、必要に応じて輝尽性蛍光体層１２を保護する保護層１３を設けてもよい。
【００１４】
以下、各層毎に説明する。
支持体１１は、従来の放射線画像変換パネルの支持体として公知の材料から任意に選ぶことができるが、気相堆積法により輝尽性蛍光体層を形成する観点から石英ガラスシート、アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シート及び炭素繊維強化樹脂シートが好ましい。
【００１５】
支持体１１には、その表面を平滑な面とするために樹脂層（図示略）を有することが好ましい。樹脂層は、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、パラフィン、グラファイト等の化合物を含有することが好ましく、その膜厚は、約５μｍ〜５０μｍであることが好ましい。この樹脂層は、支持体１１の表面に設けても裏面に設けても両面に設けても良い。
【００１６】
支持体１１上に樹脂層を設ける手段としては、貼合法、塗設法等の手段が挙げられる。
貼合法による場合、加熱、加圧ローラを用いて行い、加熱条件としては約８０〜１５０℃が好ましく、加圧条件としては４．９０×１０〜２．９４×１０2Ｎ／ｃｍ、搬送速度は０．１〜２．０ｍ／秒が好ましい。
【００１７】
輝尽性蛍光体層１２は、感度ムラの防止及び耐衝撃性の向上の観点から、輝尽励起光及び／又は輝尽発光光の透過率分布が±２０％であることが好ましく、輝尽性蛍光体層１２の中心部から端部に向かって透過率分布が等方的であることが好ましい。
【００１８】
ここで、輝尽性蛍光体層１２の輝尽励起光および輝尽発光光の透過率は、透明のガラス基板上に後述する気相堆積法により所望の膜厚に形成した輝尽性蛍光体層を用いて分光光度計（例えば、ＨＩＴＡＣＨＩ５５７型、Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ）により測定することができる。
【００１９】
透過率分布（％）は、輝尽性蛍光体層において任意に選択した３０点について透過率を測定し、その最大値（ｍａｘ）と最小値（min）から下記式（２）に従って求めることができる。
透過率分布＝（ｍａｘ−min）／（ｍａｘ＋min）×１００・・・（２）
【００２０】
また、「透過率分布が等方的」であるとは、例えば、図２に示すように、平面視において輝尽性蛍光体層１２における透過率の等しい点を線で結んだ等透過率線ａ１、ａ２、ａ３が輝尽性蛍光体層１２の中心位置Ｏから略同心円状又は略同心楕円状に現れることを指す。すなわち、輝尽性蛍光体層１２の中心位置Ｏから略等距離にある点で透過率を測定した場合、その値が略等しい状態を指す。
【００２１】
ここで、略同心楕円状とは、等透過率線により現れる複数の略楕円の焦点が略同一であり、この焦点を結んだ線分の中点が輝尽性蛍光体層の中心位置Ｏと略一致する状態を指す。
【００２２】
例えば、図３や図４に示す様に、等透過率線ｂ１、ｂ２・・・、ｃ１、ｃ２・・・が輝尽性蛍光体層１２において偏在する場合（以下、透過率分布が「異方的」であるという）と比べて、透過率分布が等方的である輝尽性蛍光体層１２の方が感度ムラの防止および耐衝撃性の観点から好ましい。
【００２３】
輝尽励起光は、放射画像変換パネル１０から画像を読み取る際に照射される光で、その波長は実用上５００〜９００ｎｍが好ましい。特に、本発明において輝尽性蛍光体は、６８０ｎｍの励起波長を用いた時に、極めて良好な鮮鋭性を示すことから輝尽励起光の波長を６８０nmとすると好ましい。
【００２４】
輝尽励起光の光源としては、レーザ光源を用いることができる。レーザ光源としては、例えば、半導体レーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ、Ａｒイオンレーザ、Ｋｒイオンレーザ、Ｎ２レーザ、ＹＡＧレーザ及びその第２高調波、ルビーレーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レーザ等の金属蒸気レーザ等を用いることができる。放射線画像変換パネルの１画素の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザを用いることもできる。
【００２５】
特に、半導体レーザは高出力であることから輝尽励起光強度を大きくすることができ、輝尽発光光率を向上できるので好ましい。また、半導体レーザは光学系を簡易に構成することができるので、装置のコンパクト化を図ることができる。
【００２６】
輝尽発光光は、輝尽性蛍光体が輝尽励起状態から基底状態に戻る時に発する光で、本発明における輝尽性蛍光体の場合、そのピーク波長は３００〜５００ｎｍとなる。
【００２７】
上記の様な輝尽性蛍光体層１２は、下記式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有することが好ましい。
【００２８】
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’2・ｂＭ3Ｘ”3：ｘＡ・・・（１）
〔但し、式（１）中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の三価金属原子であり、Ｘ、Ｘ’、Ｘ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子であり、また、ａ、ｂ、ｘはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｘ≦０．２の範囲の数値を表す。］
【００２９】
上記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体において、Ｍ1は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ等の各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子を表すが、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、さらに好ましくはＣｓ原子である。
【００３０】
Ｍ2は、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。
【００３１】
Ｍ3は、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。
【００３２】
Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子である。中でも好ましくはＥｕ原子である。
【００３３】
輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子を表すが、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が好ましく、Ｂｒ原子が更に好ましい。
【００３４】
また、前記式（１）において、ｂ値は０≦ｂ＜０．５であるが、好ましくは、０≦ｂ＜１０―2である。
【００３５】
本発明において輝尽性蛍光体層１２は、上記式（１）で表される輝尽性蛍光体のいずれを用いてもよいが、高感度性、高鮮鋭性の観点から、特に、ＣｓＢｒ：ｘＥｕを用いることが好ましい。このとき、上記式（１）において、Ｍ1＝Ｃｓ、Ｘ＝Ｂｒ、ａ＝０、ｂ＝０、０＜ｘ≦０．２である。
【００３６】
上記の輝尽性蛍光体は、例えば下記（ａ）〜（ｃ）に示す蛍光体原料を用いて、以下に述べる方法により製造される。
【００３７】
（ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物が用いられる。
【００３８】
（ｂ）ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、ＳｒＦ2、ＳｒＣｌ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ2、ＢａＦ2、ＢａＣＩ2、ＢａＢｒ2、ＢａＢｒ2・２Ｈ2Ｏ、ＢａＩ2、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＣｄＦ2、ＣｄＣｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、ＣｕＣｌ2、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2及びＮｉＩ2の化合物から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の化合物が用いられる。
【００３９】
（ｃ）前記式（１）において、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇ等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。
【００４０】
製造する輝尽性蛍光体の組成式に応じて、上記（ａ）〜（ｃ）の中から用いる蛍光体原料を適宜選択し、各原料を上記式（１）のａ，ｂ，ｘの範囲を満たすように秤量し、純水にて溶解する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合しても良い。
【００４１】
次に、得られた水溶液のｐＨ値Ｃを０＜Ｃ＜７に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
【００４２】
次に、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。焼成温度は５００〜１０００℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、０．５〜６時間が好ましい。
【００４３】
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
【００４４】
なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば輝尽性蛍光体の発光輝度を更に高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の輝尽性蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気もしくは中性雰囲気のままで冷却しても良い。
【００４５】
また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた輝尽性蛍光体から発せられる輝尽光の輝度をより一層高めることができ好ましい。
【００４６】
本発明に係る輝尽性蛍光体層は、上記の輝尽性蛍光体を支持体の一面へ気相堆積法により所望の膜厚に柱状結晶化させることにより形成することができる。
気相堆積法としては、真空蒸着法（以下、「蒸着法」という）、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法等、如何なる方法を用いても良いが、特に蒸着法を好ましく用いることができる。
【００４７】
蒸着法を適用するに当たり、例えば、図５に示す蒸着装置１を好適に用いることができる。
【００４８】
図５に示すように、蒸着装置１は、真空容器２と、真空容器２内に設けられて輝尽性蛍光体を加熱して蒸発または昇華させ、その蒸気を支持体１１に蒸着させる蒸発源３と、支持体１１を保持する支持体ホルダ４と、支持体ホルダ４を蒸発源３に対して回転させる支持体回転機構５と、真空容器２内の排気及び大気の導入を行う真空ポンプ６等を備えている。本蒸着装置１において、支持体回転機構５により支持体ホルダ４を回転させながら、支持体１１上に蒸発源３からの蒸気を蒸着させて輝尽性蛍光体層を形成することができる。
【００４９】
蒸発源３は、輝尽性蛍光体を収容して抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いたアルミナ製のるつぼから構成しても良いし、ボートや、高融点金属からなるヒータから構成しても良い。また、輝尽性蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でも良いが、本発明では、比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ、非常に多くの物質に適用可能である点から抵抗加熱法が好ましい。また、蒸発源３は分子源エピタキシャル法による分子線源でも良い。
【００５０】
さらに、支持体１１と蒸発源３との間に、蒸発源３から支持体１１に至る空間を遮断するシャッタ（図示略）を設けても良い。シャッタを設けることにより輝尽性蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、支持体に付着するのを防ぐことができる。
【００５１】
支持体ホルダ４には、支持体１１を加熱する加熱ヒータ（図示略）を備えることが好ましい。支持体１１を加熱することによって、支持体１１表面の吸着物を離脱・除去し、支持体１１表面と輝尽性蛍光体との間に不純物層の発生を防いだり、密着性の強化や輝尽性蛍光体層の膜質調整を行うことができる。
【００５２】
支持体回転機構５は、例えば、支持体ホルダ４を支持するとともに支持体ホルダ４を回転させる回転軸５aと、真空容器２外に配置されて回転軸５aの駆動源となるモータ（図示略）等から構成されている。
【００５３】
このように構成された蒸着装置１を使用して、以下の手順により、支持体１１に輝尽性蛍光体層１２を形成することができる。
【００５４】
まず、支持体ホルダ４に支持体１１を取り付ける。
次いで、真空容器２内を真空排気する。その後、支持体回転機構５により支持体ホルダ４を蒸発源３に対して回転させ、蒸着可能な真空度に真空容器２が達したら、加熱された蒸発源３から輝尽性蛍光体を蒸発させて、支持体１１表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。この場合において、支持体１１と、蒸発源３との間隔は、１００ｍｍ〜１５００ｍｍに設置するのが好ましい。支持体１１と、蒸発源３との距離を調整することにより輝尽性蛍光体層の膜厚、結晶性、透過率分布等を制御することができる。
【００５５】
なお、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層１２を形成することも可能である。さらに、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体１１上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層１２を形成することも可能である。
【００５６】
また、蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて、被蒸着体（支持体１１、保護層１３又は中間層）を冷却あるいは加熱しても良い。
さらに、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層１２を加熱処理しても良い。また、蒸着法においては必要に応じてＯ2、Ｈ2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行っても良い。
【００５７】
形成する輝尽性蛍光体層１２の膜厚は、放射線画像変換パネル１０の使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から５０μｍ〜２０００μｍであり、好ましくは５０μｍ〜１０００μｍであり、さらに好ましくは１００μｍ〜８００μｍである。
【００５８】
上記の気相堆積法による輝尽性蛍光体層１２の形成にあたり、輝尽性蛍光体層１２が形成される支持体１１の温度は、室温（ｒｔ）〜３００℃に設定することが好ましく、さらに好ましくは５０〜２００℃である。
【００５９】
また、蒸着時においては、真空度を調整するために必要に応じて窒素、酸素、水素、Ａｒ等のガスを導入してもよい。
【００６０】
以上のようにして輝尽性蛍光体層１２を形成した後、必要に応じて、輝尽性蛍光体層１２の支持体１１とは反対の側に、物理的にあるいは化学的に輝尽性蛍光体層１２を保護するための保護層１３（図１参照）を設けてもよい。保護層１３は、保護層１３用の塗布液を輝尽性蛍光体層１２の表面に直接塗布して形成もよいし、また、予め別途形成した保護層１３を輝尽性蛍光体層１２に接着してもよい。
【００６１】
保護層１３の材料としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体などの通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層として用いることもできる。
【００６２】
また、保護層１３は蒸着法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3等の無機物質を積層して形成してもよい。
これらの保護層１３の層厚は０．１μｍ〜２０００μｍが好ましい。
【実施例１】
【００６３】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれらに限定されるものではない。
【００６４】
（放射線画像変換パネルの作製）
（１）実施例１の作製
炭素繊維強化樹脂シートからなる支持体の片面に図５に示す蒸着装置１を使用して以下に示す方法に従って、輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：０．０００２Ｅｕ）を蒸着させ輝尽性蛍光体層１２を形成した。また、０．５ｔ透明ガラス基板（コーニング製、７０５９）上に同様の方法にて輝尽性蛍光体層１２を作成し、透過率測定のためのサンプルを作製した。
【００６５】
まず、上記蛍光体原料を蒸着材料として抵抗加熱ルツボに充填し、また回転する支持体ホルダ４に支持体１１を設置し、支持体１１と蒸発源３との間隔を４００ｍｍに調節した。続いて蒸着装置１内を一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．１Ｐａに真空度を調整した後、１０ｒｐｍの速度で支持体１１を回転しながら支持体１１の温度を１００℃に保持した。
【００６６】
次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して輝尽性蛍光体を蒸着し、輝尽性蛍光体層１２の膜厚が５００μｍとなったところで蒸着を終了させた。
次いで、乾燥空気内で輝尽性蛍光体層１２を保護層袋に入れ、輝尽性蛍光体層１２が密封された構造の本発明に係る実施例１としての放射線画像変換パネル１０を得た。
【００６７】
（２）実施例２〜５の作製
次に、表１に示すように、支持体１１と蒸発源３との距離をそれぞれ６００ｍｍ、８００ｍｍ、１０００ｍｍ、１４００ｍｍとした以外は上記と同様にして放射線画像変換パネル及び透過率測定用のサンプルを製造し、本発明に係る実施例２〜５とした。なお、表１において、図５に示す蒸着装置１を回転型として示す。
【００６８】
（３）比較例１および２の作製
比較例の放射線画像変換パネルおよび透過率測定用のサンプルを、図５の蒸着装置１の代わりに図６に示す蒸着装置１００を用いて支持体１１を矢印Ｂ方向に往復移動させることにより作製した。なお、図６に示す蒸着装置１００は、蒸着装置１（図５参照）における支持体ホルダ４及び支持体回転機構５の代わりに、支持体１１を保持するとともに支持体１１の面方向と平行（図６に示す矢印Ａ方向）に往復移動させる移動機構（図示略）を設け、蒸発源３と支持体１１との間にアルミニウム製のスリット７を設けたものである。なお、図６において蒸着装置１と同様の構成については同様の符号を付した。また、表１において、この蒸着装置１００を搬送型として示す。
【００６９】
このとき、表１に示すように、支持体１１と蒸発源３との距離を１０００ｍｍとして輝尽性蛍光体層を形成したものを比較例１、同距離を４００ｍｍとしたものを比較例２とした。
【００７０】
〔評価〕
以上の様にして得られた実施例１〜５および比較例１および２について、透過率分布を求め、感度ムラ及び耐衝撃性について評価した。
【００７１】
（１）透過率分布の測定
分光光度計として、ＨＩＴＡＣＨＩ５５７型、Spectrophotometerを用いて、測定光を３００〜８００nmまでスキャンさせ、輝尽励起光波長の６８０nmおよび輝尽発光のピーク波長の４４０nmにおける輝尽性蛍光体層の透過率を、下記条件に基づいて測定し、透過率分布を上記（２）式に基づいて求めた。結果を透過率分布特性と併せて表１に示す。
【００７２】
（透過率測定条件）
測定光の波長：４４０nm、６８０nm
スキャンスピード：１２０nm／min
繰り返し回数：１０回
レスポンス：Auto
測定点数：３０
【００７３】
（２）感度ムラ
実施例１〜５および比較例１、２で製造した放射線画像変換パネルの感度ムラを下記のようにして測定した。
各放射線画像変換パネルに管電圧80kVpのX線を輝尽性蛍光体層とは逆の支持体側から均一に照射した後、該パネルをHe-Neレーザー光(633nm)で走査して励起し、放射線画像変換パネル上に等間隔に並んだ25の測定点において、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を受光器(分光感度S−5の光電子像倍管)で受光してその強度を測定した。
感度ムラは、各測定点間の強度のばらつきから評価するものとし、各パネルの各測定点における輝度の最大値と最小値の幅を25点の測定点の強度の平均値で割り、これを百分率（％）で表した値とした。結果を表１に示す。
【００７４】
（３）耐衝撃性
実施例１〜５および比較例１、２で製造した放射線画像変換パネルに対して、５００ｇの鉄球を２０ｃｍの高さから落下させた後、目視評価した。さらに、その後各放射線画像変換パネルに、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を照射した後、パネルをＨｅ−Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ）で走査して励起し、蛍光体層から放射される輝尽発光を上記記載の受光器で受光して電気信号に変換し、これを画像再生装置によって画像として再生し、出力装置よりプリントアウトし、得られたプリント画像を、目視にて耐衝撃性の評価を行った。結果を表１に示す。
【表１】
2005127730.tif 000003
【００７５】
表１より実施例１〜実施例５の感度ムラはいずれも比較例１、２よりも少なく、輝尽性蛍光体層の輝尽励起光（６８０ｎｍ）及び輝尽発光光（４４０ｎｍ）の透過率分布を±２０％以下にすることにより、感度ムラを防止できることが分かる。また、透過率分布の値が小さくになるにつれ、すなわち輝尽性蛍光体層１２における透過率が均一に分布するにつれて感度ムラが小さくなることが分かる。
【００７６】
また、耐衝撃性についても、実施例１〜５はいずれも比較例１、２よりも高い評価が得られた。感度ムラと同様に、透過率分布の値が低くなるにつれて、耐衝撃性も高くなることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明に係る放射線画像変換パネルの一例を示す模式図である。
【図２】透過率分布が等方的である輝尽性蛍光体層の一例を示す模式図である。
【図３】透過率分布が異方的である輝尽性蛍光体層の一例を示す模式図である。
【図４】透過率分布が異方的である輝尽性蛍光体層の他の例を示す模式図である。
【図５】蒸着装置の一例の概略構成を示す断面図である。
【図６】蒸着装置の他の例の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１  蒸着装置
２  真空容器
３  蒸発源
４  支持体ホルダ
５  支持体回転機構
６  真空ポンプ
１０  放射線画像変換パネル
１１  支持体
１２  輝尽性蛍光体層
１３  保護層
【図１】
2005127730.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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