(57)【要約】【課題】  本発明はアッテネータの透過率を調整してレーザエネルギが目標値を保つための調整時間を短縮することを課題とする。【解決手段】  レーザアニーリング装置１０は、レーザ発振器１２と、ホモジナイザ２０と、プロセスステージ装置３０と、プロセスチャンバ８０と、主制御装置１００とを備える。主制御装置１００は、前回のアッテネータ４０の透過率を今回の初期値として設定し、ジュールメータ６０で測定したエネルギ計測値と目標値とを比較する。そして、主制御装置１００は、エネルギ計測値が目標値に達するようにアッテネータコントローラ７０に対して制御信号を出力する。アッテネータコントローラ７０は、バリアブルアッテネータ４０の透過率を変化させ、ジュールメータ６０の受光面の到達するエネルギ、すなわち基板Ｗ表面に到達するレーザエネルギを一定にする。【選択図】  図１
2005219077.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源から出力されたレーザ光のエネルギを計測する計測手段と、前記レーザ光源から出力されたレーザ光が通過する光路に配置されたアッテネータと、前記計測手段により計測されたエネルギ計測値が目標値になるように前記アッテネータの透過率を調整する制御手段とを有するレーザエネルギ調整装置において、
前記制御手段により調整された前記アッテネータの透過率を記憶する記憶手段と、
該記憶手段に記憶された前回の前記アッテネータの透過率を今回の透過率の初期値として設定する設定手段と、
を備えたことを特徴とするレーザエネルギ調整装置。
【請求項２】
前記請求項１に記載のレーザエネルギ調整装置であって、
前記記憶手段から読み込んだ前記アッテネータの透過率の値を初期値として設定された場合の前記計測手段により計測されたエネルギ計測値が目標値に達したかどうかを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記エネルギ計測値が前記目標値に達していないと判定されたとき、前記初期値に演算した補正値を加算した値を透過率の設定値として更新する更新手段と、
を備えたことを特徴とするレーザエネルギ調整装置。
【請求項３】
レーザ光源から出力されたレーザ光のエネルギを計測し、このエネルギ計測値が所定目標値になるようにアッテネータの透過率を調整するレーザエネルギ調整方法において、
調整された前記アッテネータの透過率を記憶する第１の過程と、
該第１の過程で記憶された前回の前記アッテネータの透過率を今回の透過率の初期値として設定する第２の過程と、
を有することを特徴とするレーザエネルギ調整方法。
【請求項４】
前記請求項３に記載のレーザエネルギ調整方法であって、
前記第２の過程で設定された前回の前記アッテネータの透過率に対する前記計測手段により計測されたエネルギ計測値が目標値に達したかどうかを判定する第３の過程と、
該第３の過程で前記エネルギ計測値が前記目標値に達していないと判定されたとき、前記初期値に演算した補正値を加算した値を透過率の設定値として更新する第４の過程と、
を有することを特徴とするレーザエネルギ調整方法。
【請求項５】
前記請求項１または請求項２に記載されたレーザエネルギ調整装置を備えたことを特徴とするレーザ加工機。
【請求項６】
レーザ光源から出力されたレーザ光のエネルギを計測する計測手段と、前記レーザ光源から出力されたレーザ光が通過する光路に配置されたアッテネータと、前記計測手段により計測されたエネルギ計測値が所定目標値になるように前記アッテネータの透過率を調整する制御手段と、前記アッテネータによりエネルギレベルを調整された前記レーザ光を被加工体に照射する光学系とを有するレーザ加工機において、
前記制御手段により調整された前記アッテネータの透過率を記憶する記憶手段と、
該記憶手段に記憶された前回の前記アッテネータの透過率を今回の透過率の初期値として設定する設定手段と、
前記記憶手段から読み込んだ前記アッテネータの透過率の値を初期値として設定された場合の前記計測手段により計測されたエネルギ計測値が目標値に達したかどうかを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記エネルギ計測値が前記目標値に達していないと判定されたとき、前記初期値に演算した補正値を加算した値を透過率の設定値として更新する更新手段と、
を備えたことを特徴とするレーザ加工機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザエネルギの調整時間を短縮するよう構成されたレーザエネルギ調整装置、及びレーザエネルギ調整方法、及びレーザ加工機に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ加工機として、例えばアモルファスＳｉ膜を形成したガラス基板をプロセスチャンバに収容し、このガラス基板上にプロセスチャンバ外からエキシマレーザ等のアニーリング光を照射し、ガラス基板上のアモルファスＳｉ膜を多結晶化するレーザアニーリング装置が存在する（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この種のレーザアニーリング装置では、照射面におけるレーザ光のエネルギが所望の値になる様にアッテネータの透過率を調整する。また、レーザ光のエネルギを計測する計測手段として、例えば、ジュールメータを設け、このジュールメータによって計測されたレーザ光のエネルギがアニール処理に必要なレベル（目標値）に達していることを確認する。
【０００４】
そして、レーザ光のエネルギが目標値に達していないときは、レーザ光のエネルギが目標値に達するまで、アッテネータの透過率をフィードバック制御することにより、レーザ光のエネルギ変動を防止して一定のレーザエネルギが得られるように制御する。
【特許文献１】特開２００１−３５１８７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のものは、アッテネータの透過率の初期値が予め決められた値に固定されているので、この固定値が１回目の透過率となり、計測されたレーザ光のエネルギ計測値が目標値に達していないときは、上記１回目の透過率に演算した補正値を加算した値を２回目の透過率として設定するため、経時変化に伴うレーザ発振器の劣化（例えば、ガス濃度変化など）や光学系の劣化（ミラーの汚れなど）によりアッテネータの透過率の１回の調整処理でカバーできないほどレーザ光のエネルギ低下が大きくなると、上記フィードバック制御によるアッテネータの透過率の調整回数が増大することになる。
【０００６】
そのため、従来のレーザアニーリング装置では、当初、１回目のフィードバック制御でアッテネータの透過率の調整が済んでいたのに、経時変化によりレーザ光のエネルギが低下するほど、エネルギが目標値に達するまでのフィードバック回数が増大してアッテネータの調整時間が長くなるという問題が生じる。
【０００７】
そこで、本発明は上記課題を解決したレーザエネルギ調整装置、及びレーザエネルギ調整方法、及びレーザ加工機を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１記載の発明は、レーザ光源から出力されたレーザ光のエネルギを計測する計測手段と、前記レーザ光源から出力されたレーザ光が通過する光路に配置されたアッテネータと、前記計測手段により計測されたエネルギ計測値が目標値になるように前記アッテネータの透過率を調整する制御手段とを有するレーザエネルギ調整装置において、
前記制御手段により調整された前記アッテネータの透過率を記憶する記憶手段と、
該記憶手段に記憶された前回の前記アッテネータの透過率を今回の透過率の初期値として設定する設定手段と、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
請求項２記載の発明は、前記請求項１に記載のレーザエネルギ調整装置であって、
前記記憶手段から読み込んだ前記アッテネータの透過率の値を初期値として設定された場合の前記計測手段により計測されたエネルギ計測値が目標値に達したかどうかを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記エネルギ計測値が前記目標値に達していないと判定されたとき、前記初期値に演算した補正値を加算した値を透過率の設定値として更新する更新手段と、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
請求項３記載の発明は、レーザ光源から出力されたレーザ光のエネルギを計測し、このエネルギ計測値が目標値になるようにアッテネータの透過率を調整するレーザエネルギ調整方法において、
前記調整された前記アッテネータの透過率を記憶する第１の過程と、
該記憶手段に記憶された前回の前記アッテネータの透過率を今回の透過率の初期値として設定する第２の過程と、
を有することを特徴とする。
【００１１】
請求項４記載の発明は、前記請求項３に記載のレーザエネルギ調整方法であって、
前記第２の過程で設定された前回の前記アッテネータの透過率に対する前記計測手段により計測されたエネルギ計測値が目標値に達したかどうかを判定する第３の過程と、
該第３の過程で前記エネルギ計測値が前記目標値に達していないと判定されたとき、前記初期値に演算した補正値を加算した値を透過率の設定値として更新する第４の過程と、
を有することを特徴とする。
【００１２】
請求項５記載の発明は、前記請求項１または請求項２に記載されたレーザエネルギ調整装置を備えたことを特徴とするレーザ加工機である。
【００１３】
請求項６記載の発明は、レーザ光源から出力されたレーザ光のエネルギを計測する計測手段と、前記レーザ光源から出力されたレーザ光が通過する光路に配置されたアッテネータと、前記計測手段により計測されたエネルギ計測値が目標値になるように前記アッテネータの透過率を調整する制御手段と、前記アッテネータによりエネルギレベルを調整された前記レーザ光を被加工体に照射する光学系とを有するレーザ加工機において、
前記制御手段により調整された前記アッテネータの透過率を記憶する記憶手段と、
該記憶手段に記憶された前回の前記アッテネータの透過率を今回の透過率の初期値として設定する設定手段と、
前記記憶手段から読み込んだ前記アッテネータの透過率の値を初期値として設定された場合の前記計測手段により計測されたエネルギ計測値が目標値に達したかどうかを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記エネルギ計測値が前記目標値に達していないと判定されたとき、前記初期値に演算した補正値を加算した値を透過率の設定値として更新する更新手段と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、前回設定されたアッテネータの透過率を今回の透過率の初期値として設定することにより、経時変化に伴うレーザ光源や光学系での劣化が進んでも、アッテネータの透過率の初期値が更新されているので、少ないフィードバック制御回数でレーザ光のエネルギが目標値になるようにアッテネータの透過率を調整することが可能になり、アッテネータの透過率の調整時間を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面と共に本発明の一実施例について説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は本発明になるレーザエネルギ調整装置を有するレーザ加工機の一実施例を示す構成図である。
図１に示されるように、レーザ加工機としてのレーザアニーリング装置１０は、ガラス基板上にアモルファス状Ｓｉ等の半導体薄膜を形成した被加工体である基板Ｗを熱処理するように構成されている。
【００１７】
また、レーザアニーリング装置１０は、半導体薄膜を加熱するためのエキシマレーザその他のレーザ光ＡＬを発生するレーザ発振器（レーザ光源に相当する）１２と、このレーザ光ＡＬを線状にして所定の照度で基板Ｗ上に入射させるホモジナイザ２０と、基板Ｗを支持してこの基板ＷをＸ−Ｙ面内で滑らかに並進移動させると共にＺ軸方向に昇降移動させることができるプロセスステージ装置３０と、プロセスチャンバ８０と、主制御装置１００とを備える。
【００１８】
レーザ発振器１２とホモジナイザ２０との間には、ホモジナイザ２０に入射するレーザ光ＡＬのエネルギレベルを調整するためのバリアブルアッテネータ４０が配置されている。本実施例のバリアブルアッテネータ４０は、互いに対向する２枚のビームスプリッタ４０ａ，４０ｂを有しており、ビームスプリッタ４０ａ，４０ｂの傾斜角度を変更することにより、入射光の一部が反射される割合が調整され、その結果、透過率を調整することができるように構成されている。
【００１９】
ビームスプリッタ４０ａ，４０ｂは、角度が９０度となり、互いに平行な向きになるように調整されたときの透過率が最大となり、傾きを大きくすることにより透過率が下がるように構成されている。従って、バリアブルアッテネータ４０は、ビームスプリッタ４０ａ，４０ｂの傾斜角度により設定された透過率によってレーザ発振器１２からのレーザ光を減衰し、透過率に応じたエネルギレベルのレーザ光を出力する。尚、ビームスプリッタ４０ａ，４０ｂの傾斜角度は、後述するアッテネータコントローラ７０によって制御される。
【００２０】
ホモジナイザ２０は、レーザ発振器１２からのレーザ光ＡＬを均一にして基板Ｗ表面すなわち照射位置に投影するための照射光学系を構成している。また、ホモジナイザ２０の下方の計測位置には、入射したレーザ光ＡＬのエネルギを計測するエネルギ計測手段であるジュールメータ６０が配置されている。ジュールメータ６０は、ホモジナイザ２０から出射されたレーザ光ＡＬのエネルギを計測し、その検出信号を主制御装置１００に出力する。主制御装置１００では、後述するようにジュールメータ６０により計測されたエネルギ計測値が予め設定された目標値になるようにアッテネータコントローラ７０の制御信号を出力してバリアブルアッテネータ４０の透過率制御を行う。
【００２１】
また、レーザ発振器１２とホモジナイザ２０との間には、レーザ光ＡＬの光路を調節するための複数のミラーＭ１〜Ｍ４が配置されている。
【００２２】
プロセスステージ装置３０は、処理容器であるプロセスチャンバ８０内に収容されており、基板Ｗを支持するステージ３１と、このステージ３１をＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に３次元的に移動させるステージ駆動装置３２とを備えている。そのため、プロセスステージ装置３０は、プロセスチャンバ８０内に基板Ｗを支持すると共に、基板Ｗをプロセスチャンバ８０内で適宜移動させることができる。
【００２３】
また、ステージ３１は、基板Ｗを下面から支持する支持プレート部分を有している。この支持プレート部分は、基板Ｗをレーザアニール処理に必要な高温に保持するヒータを内蔵している。
【００２４】
ホモジナイザ２０及びミラーＭ４は、光学系ユニット２１に収納されており、光学系ユニット２１は移動装置９０によってＡ，Ｂ方向に移動可能に設けられている。この移動装置９０は、光学系ユニット２１の移動を案内するガイドレール９１と、光学系ユニット２１をガイドレール９１に沿って駆動する駆動装置９２とを備えた構成となっている。
【００２５】
従って、光学系ユニット２１は、移動装置９０によって基板Ｗにレーザ光を照射するレーザ光照射位置と、ジュールメータ６０にレーザ光のエネルギレベルを計測させるレーザ光計測位置（図１に示す位置）との間を移動する。
【００２６】
移動装置９０によりＢ方向に駆動された光学系ユニット２１がレーザ光照射位置にあるとき、ホモジナイザ２０を通過したレーザ光ＡＬは、プロセスチャンバ８０の上面に設けた窓８０ａを通過して、ステージ３１に保持された基板Ｗ上の所望領域に入射する。また、移動装置９０によりＡ方向に駆動された光学系ユニット２１がレーザ光計測位置にあるとき、ホモジナイザ２０を通過したレーザ光ＡＬは、図１に示すようにジュールメータ６０に入射する。
【００２７】
主制御装置１００は、レーザ光のエネルギ計測・調整処理及び基板アニール処理に応じてアッテネータコントローラ７０及び移動装置９０に制御信号を出力するコンピュータである。また、主制御装置１００の記憶部には、調整されたバリアブルアッテネータ４０の透過率を記憶する制御プログラム（記憶手段）と、記憶された前回のバリアブルアッテネータ４０の透過率を今回の透過率の初期値として設定する制御プログラム（設定手段）と、前回のバリアブルアッテネータ４０の透過率を初期値として設定された場合のジュールメータ６０（計測手段）により計測されたエネルギ計測値が目標値に達したかどうかを判定する制御プログラム（判定手段）と、エネルギ計測値が目標値に達していないと判定されたとき、初期値に演算した補正値を加算した値を透過率の設定値として更新する制御プログラム（更新手段）と、が格納されている。
【００２８】
ジュールメータ６０は、プロセスチャンバ８０外であって、基板Ｗの表面と等価な計測位置の下方に配置されている。理想的には、基板Ｗ表面でエネルギを測定してバリアブルアッテネータ４０の透過率を制御することが望ましい。しかし、プロセスチャンバ８０は加熱チャンバであるため、プロセスチャンバ８０中にジュールメータ６０を設置することはできない。
【００２９】
このため、本実施例では、ジュールメータ６０をプロセスチャンバ８０外に配置している。この場合、プロセスチャンバ８０外の基板Ｗ表面と等価な計測位置にジュールメータ６０が配置されている。
【００３０】
また、主制御装置１００は、ジュールメータ６０で測定したエネルギ計測値と目標値とを比較し、エネルギ計測値が目標値に達するようにアッテネータコントローラ７０に対して制御信号を出力する。その結果、アッテネータコントローラ７０は、バリアブルアッテネータ４０のビームスプリッタ４０ａ，４０ｂの傾斜角度を変更することによりバリアブルアッテネータ４０の透過率を変化させ、ジュールメータ６０の受光面の到達するエネルギ、すなわち基板Ｗ表面に到達するレーザエネルギを一定にすることができる。
【００３１】
ここで、レーザアニーリング装置１０の動作手順について説明する。
先ず、プロセスチャンバ８０中のステージ３１上に基板Ｗを搬送して載置し、基板Ｗを所望の温度まで上昇させる。
【００３２】
次に、光学系ユニット２１をレーザ光計測位置に移動させ、レーザ光ＡＬをジュールメータ６０に入射させてレーザ光の照射エネルギを測定する。この照射エネルギは、基板Ｗ表面に照射されるエネルギと比例関係にあり、予めその関係を求めておけば、バリアブルアッテネータ４０の調整により、基板Ｗ表面に照射されるエネルギを所望の値に設定することができる。
【００３３】
次に、上記のような調整を終了した段階においてジュールメータ６０で測定された照射エネルギを主制御装置１００の記憶部(図示せず)に記憶させる。つまり、フィードバック制御の基準となる基準値（設定値）を測定、記憶する。
【００３４】
次に、光学系ユニット２１をレーザ光照射位置に移動させると共に、ステージ駆動装置３２を動作させてステージ３１上の基板Ｗをホモジナイザ２０に対向する照射開始位置に移動させる。その後、ステージ３１を移動させながら、ホモジナイザ２０から出射された線状ビームを基板Ｗ上に照射させる。基板Ｗ上には、アモルファスＳｉ等の非晶質半導体の薄膜が形成されており、線状ビームの照射及び走査によって基板Ｗ上の所定領域で非晶質半導体の薄膜がアニール、再結晶化され、電気的特性の優れたポリシリコン層を提供することができる。
【００３５】
基板Ｗにレーザ光を照射する前に、移動装置９０によりホモジナイザ２０をレーザ光照射位置からレーザ光計測位置に移動させて、ホモジナイザ２０からのレーザ光の照射エネルギをジュールメータ６０で再度計測する。主制御装置１００は、そのエネルギ計測値を予め記憶した基準値と比較する。このような比較の結果、エネルギに変化があった場合、その変化に対応させてバリアブルアッテネータ４０の透過率を変化させて基板Ｗ表面への到達エネルギを一定に保つ。
【００３６】
例えば、バリアブルアッテネータ４０の透過率が６０％に設定された状態で、基板到達エネルギ３０ｍＪに相当するジュールメータ６０の測定値が得られたものとする。その後、一定量のアニール処理を行った状態で、ジュールメータ６０の測定値が基板到達エネルギ２０ｍＪに相当する値に低下していた場合、バリアブルアッテネータ４０の透過率を例えば、７０％に変更することにより、基板面到達エネルギを３０ｍＪに調整することができる。その結果、基板Ｗ表面に到達するレーザ光のエネルギを一定に保つことができ、常に安定したアニール結果を得ることができる。
【００３７】
ここで、主制御装置１００が実行する制御処理について図２に示すフローチャートを参照して説明する。
図２に示されるように、主制御装置１００は、Ｓ１１で電源スイッチ（図示せず）がオンに操作されると、Ｓ１２に進み、前回設定されたバリアブルアッテネータ４０の透過率の値を読み込む。続いて、Ｓ１３では、前回設定されたバリアブルアッテネータ４０の透過率の値を今回の透過率の初期値として設定する（設定手段に相当する）。
【００３８】
次のＳ１４では、移動装置９０により光学系ユニット２１をレーザ光計測位置（図１を参照）に移動させ、ホモジナイザ２０をジュールメータ６０の上方に対向する位置に移動させる。
【００３９】
続いて、Ｓ１５に進み、ホモジナイザ２０から出射されたレーザ光をジュールメータ６０の受光面に照射させる。そして、ジュールメータ６０から出力されたレーザ光のエネルギ計測値に応じた検出信号を読み込む。
【００４０】
次のＳ１６では、ジュールメータ６０によって計測されたレーザ光のエネルギ計測値が予め設定された目標値の許容範囲（±０．５％以内）に入っているかどうかを確認する。Ｓ１６において、エネルギ計測値が目標値の許容範囲（±０．５％以内）に入っていない場合は、Ｓ１７に進み、バリアブルアッテネータ４０の補正値を演算する。
【００４１】
ここで、バリアブルアッテネータ４０の補正値を演算方法について説明する。
バリアブルアッテネータ４０の補正値は、以下の演算式（１）（２）によって求めることができる。
アッテネータ補正値＝（ジュールメータ計測値−目標値）÷ジュールメータ計測値…（１）
アッテネータ設定値＝（現在のアッテネータ透過率）×（１−アッテネータ補正値）…（２）
よって、上記式（１）により補正値を算出し、式（２）によりアッテネータ透過率を算出することができる。
【００４２】
例えば、以下の条件での演算例について説明する。フィードバック目標エネルギが４０mJ、現在のアッテネータ透過率が７０％、ジュールメータ計測値が３０mJとした場合、アッテネータ補正値は、（３０mJ−４０mJ）÷３０mJ×１００＝−３３．３（％）となる。また、アッテネータ設定値は、７０％×｛１−（−０．３３３）｝＝９３．３（％）となる。
【００４３】
次の、Ｓ１８では、上記演算により求められたアッテネータ補正値を加算してバリアブルアッテネータ４０の透過率の設定値を更新する（更新手段に相当する）。その後、上記Ｓ１５に戻り、ホモジナイザ２０から出射されたレーザ光を再度ジュールメータ６０の受光面に照射させる。そして、ジュールメータ６０から出力されたレーザ光のエネルギ計測値に応じた検出信号を再度読み込む。
【００４４】
２回目のＳ１６では、ジュールメータ６０によって計測されたレーザ光のエネルギ計測値が目標値の許容範囲（±０．５％以内）に入っているかどうかを判定する（判定手段に相当する）。そして、Ｓ１６において、透過率の設定値に対するエネルギ計測値が目標値の許容範囲（±０．５％以内）に入っていない場合は、上記Ｓ１７の２回目の処理を繰り返す。
【００４５】
また、Ｓ１６において、エネルギ計測値が目標値の許容範囲（±０．５％以内）に入っている場合は、計測されたレーザ光のエネルギ計測値が目標値に達しているので、Ｓ１９に進み、今回の処理で最終的に設定された透過率の値を記憶部に記憶する（記憶手段に相当する）。続いて、Ｓ２０に進み、基板Ｗをプロセスチャンバ８０内に搬入し、プロセスステージ装置３０のステージ３１に基板Ｗを装着する。
【００４６】
次のＳ２１では、移動装置９０により光学系ユニット２１をレーザ光照射位置に移動させ、ホモジナイザ２０をプロセスチャンバ８０の窓８０ａの上方に対向する位置に移動させる。
【００４７】
続いて、Ｓ２２に進み、ホモジナイザ２０から出射された線状ビームを基板Ｗ上に照射させながら、ステージ３１を移動させて基板Ｗに対するアニール処理を行う。次のＳ２３では、基板Ｗに対するアニール処理が終了したかどうかを確認する。そして、基板Ｗに対するアニール処理が終了するまで上記Ｓ２２，Ｓ２３を繰り返す。
【００４８】
また、アニール処理が終了すると、Ｓ２４に進み、アニール処理が終了した基板Ｗをプロセスチャンバ８０から搬出する。
【００４９】
そして、Ｓ２５では、処理予定の全ての基板Ｗに対するアニール処理が終了したかどうかを確認する。Ｓ２５において、まだ未処理の基板Ｗが残っている場合には、前述したＳ１２に戻り、Ｓ１２〜Ｓ２５の処理を繰り返す。また、Ｓ２５において、処理予定の全ての基板Ｗに対するアニール処理が終了した場合には、今回の処理を終了する。
【００５０】
ここで、図３（Ａ）（Ｂ）を参照して従来の透過率調整方法と本発明の透過率調整方法とを比較する。
図３（Ａ）に示されるように、従来の透過率調整方法では、バリアブルアッテネータ４０の透過率の初期値が固定されているが、例えば、時間Ｔ１のときは、経過時間が少ないので、１回目の透過率フィードバック制御でエネルギ計測値を目標値の許容範囲内に入るように調整することが可能である。しかしながら、時間Ｔ２，Ｔ３に経過して経時的なエネルギ低下が起こると、１回目の透過率フィードバック制御ではエネルギ計測値を目標値の許容範囲内に入れることができず、２回目の透過率フィードバック制御でエネルギ計測値を目標値の許容範囲内に入れることが可能になる。
【００５１】
また、時間が経過して時間Ｔ４になると、経時変化によるエネルギ低下が大幅に進むため、２回目のフィードバック制御時におけるアッテネータ移動量が増大する。従って、経時的なエネルギ低下が起こると、１回目のエネルギ計測値が低下していくため、透過率フィードバック制御の回数が２回以上に増えることになり、透過率調整時間が延長されるという問題が生じる。
【００５２】
これに対し、本発明では、図３（Ｂ）に示されるように、前回の透過率調整処理で設定された透過率を読み込んで今回の調整処理の初期値として設定するため、例えば、当初はグラフＩで示すようにレーザ光のエネルギが経時的に低下するが、時間Ｔ２で調整された透過率を次回調整処理の初期値とすると、レーザ光エネルギはグラフIIに示すように経時的に低下することになる。
【００５３】
そして、時間Ｔ４では、時間Ｔ４で設定された透過率を次回調整処理の初期値とすることで、レーザ光エネルギはグラフIIIに示すように経時的に低下することになる。そのため、エネルギ低下が進んでも透過率の初期値を更新することで、透過率調整処理のフィードバック制御が１回で済み、従来よりも少ない回数でエネルギ計測値を目標値の許容範囲内に入れることが可能になる。
【００５４】
すなわち、経時的なエネルギ低下が著しくなると、バリアブルアッテネータ４０の透過率の補正量が増大するため、補正時間が長くかかることになるが、本発明によれば、バリアブルアッテネータ４０の透過率の補正量が小さくなるため、補正しなくても良い場合があり、１回の透過率フィードバック制御で済むことが可能になる。
【００５５】
このように、本発明では、レーザ光のエネルギが経年変化で劣化しても透過率調整処理のフィードバック制御回数を削減することができるので、従来よりも透過率調整時間を短縮することが可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
尚、上記実施例では、移動装置９０により光学系ユニット２１をレーザ光計測位置（図１を参照）に移動させたが、これに限らず、例えば光学系ユニット２１を移動させるのではなく、光学系ユニット２１を出たレーザ光ＡＬの照射方向をミラーを出し入れする事により変更しジュールメータ６０に入射させて照射エネルギを計測する事もできる。
【００５７】
また、レーザ光ＡＬをジュールメータ６０に入射させてレーザ光ＡＬのエネルギを計測するタイミングは、１枚の基板Ｗに対するアニールが終了したときでも良いし、あるいは２枚以上の基板Ｗに対するアニールが終了したときでも良いし、あるいは、レーザアニール処理を避けた時間に定期的或いは不定期にレーザエネルギを計測することも可能である。
【００５８】
また、上記実施例では、エキシマレーザを用いた装置を例に挙げて説明したが、基板Ｗをアニールするレーザ光ＡＬは、エキシマレーザに限らず、各種のレーザ光とすることも可能である。
【００５９】
また、上記実施例では、レーザアニーリング装置においてアニーリング光のエネルギを調整する装置を一例としたが、これに限らず、例えば液晶や半導体装置の表面改質、化合物形成等に用いられる各種レーザ加工装置において加工用レーザ光のエネルギ調整を上記と同様に行う場合にも適用することができるのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明になるレーザエネルギ調整装置を有するレーザ加工機の一実施例を示す構成図である。
【図２】主制御装置１００が実行する制御処理を説明するためのフローチャートである。
【図３】従来の透過率調整方法と本発明の透過率調整方法とを比較するグラフである。
【符号の説明】
【００６１】
１０  レーザアニーリング装置
１２  レーザ発振器
２０  ホモジナイザ
２１  光学系ユニット
３０  プロセスステージ装置
３１  ステージ
３２  ステージ駆動装置
４０  バリアブルアッテネータ
６０  ジュールメータ
７０  アッテネータコントローラ
８０  プロセスチャンバ
９０  移動装置
９１  ガイドレール
９２  駆動装置
１００  主制御装置
【図１】
2005219077.tif 000003
【図２】
2005219077.tif 000004
【図３】
2005219077.tif 000005