(57)【要約】【課題】  特に従来に比べて簡単な方法で、適切に接触子を立体成形することが可能な接続装置の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】  本発明では、いわゆるＬＩＧＡプロセスを利用して前記接触子を形成する。本発明では、複数の凹型条部３１が表面に形成された基板３０を用い、前記基板上にＬＩＧＡプロセスを利用して、接触子をメッキ成形している。よって本発明では、従来のように、前記接触子を形成した後に、別個に前記接触子を立体形状にするフォーミング工程が必要なくなる。しかもＬＩＧＡプロセスを利用することで、レジスト層３２の膜厚が厚くても、あるいは均一な膜厚で無くても、前記レジスト層３２に前記接触子の形状パターン３２ａを高精度に形成することができ、よって前記接触子を所定形状に形成することが可能である。【選択図】図８
2005079055.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台と、前記基台に設けられた複数の接触子とを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
（ａ）  表面に複数の凸型条部あるいは凹型条部が形成された基板を形成する工程と、
（ｂ）  前記基板の表面及び前記凸型条部あるいは凹型条部上に、レジスト層を形成する工程と、
（ｃ）  前記レジスト層に対してＸ線を照射し、前記接触子の所定パターンを前記レジスト層に形成する工程と、
（ｄ）  前記接触子を、前記所定パターン内にメッキ形成して、前記凸型条部あるいは凹型条部上にメッキ形成された前記接触子を立体成形する工程と、
（ｅ）  前記レジスト層を除去する工程と、
（ｆ）  前記基板を除去し、前記複数の接触子を前記基台に接合する工程と、
を有することを特徴とする接続装置の製造方法。
【請求項２】
前記（ｂ）工程において、前記レジスト層の膜厚を５０μｍ以上１００μｍ以下で、且つパターニングの最大アスペクト比を１以上で形成する請求項１記載の接続装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ｂ）工程では、前記レジスト層を形成した後、前記レジスト層の表面を平坦化処理する請求項１または２に記載の接続装置の製造方法。
【請求項４】
前記（ｆ）工程で、前記基板を除去する前に、接合部材により、隣り合う前記接触子の端部間を繋ぎ、その後、前記基板を除去する請求項１ないし３のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項５】
前記接触子を螺旋状で形成する請求項１ないし４のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項６】
前記接触子を、その中心に向うほど突き出すあるいは凹む形状となるように立体成形する請求項５記載の接続装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＩＣ（集積回路）等が装着されるＩＣソケットである接続装置の製造方法に係わり、特に、前記接続装置内に搭載される接触子を容易に且つ適切に立体成形することが可能な接続装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載されている半導体検査装置は、半導体を外部の回路基板などに電気的に仮接続させるものである。半導体の背面側には格子状またはマトリックス状に配置された多数の球状接触子が設けられており、これに対向する絶縁基板上には多数の凹部が設けられ、この凹部内にスパイラル接触子が対向配置されている。
【０００３】
前記半導体の背面側を前記絶縁基板に向けて押圧すると、前記球状接触子の外表面に前記スパイラル接触子が螺旋状に巻き付くように接触するため、個々の球状接触子と個々のスパイラル接触子との間の電気的接続が確実に行われるようになっている。
【特許文献１】特開２００２−１７５８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで特許文献１では特許公報に掲載された図２等を参照するに、スパイラル状接触子２は平面的に形成されており、立体フォーミングは施されていない。しかし、前記スパイラル状接触子２をある程度、立体フォーミングしておいた方が、前記球状接続端子７との電気的接続を良好且つ確実なものにできて好ましい。
【０００５】
例えば図１７は、従来における立体フォーミング方法を説明するための一工程図である。
【０００６】
図１７Ａに示す符号５０は、基板である。この基板５０上に複数のスパイラル接触子５１を形成する。図１７Ａに示す右図は平面図であり、斜線で示す部分がスパイラル接触子５１を示す。
【０００７】
図１７Ｂに示す工程では、ガイドフレーム５２を、前記ガイドフレーム５２に設けられた穴部５２ａがちょうど各スパイラル接触子５１と対面するように位置決めした後、前記ガイドフレーム５２を各スパイラル接触子５１間に貼り付ける。図１７Ｂの左図は、前記ガイドフレーム５２の平面形状である。
【０００８】
次に図１７Ｃの工程では、前記基板５０を例えばエッチングなどの方法を用いて除去する。各スパイラル接触子５１は前記ガイドフレーム５２によって繋げられている。
【０００９】
次に図１７Ｄの工程では、ちょうどスパイラル接触子５１と対面する位置に凹部５３ａが形成された基台５３に、前記スパイラル接触子５１を導電接着剤５４等を用いて接着固定する。
【００１０】
そして図１７Ｅ工程で、前記スパイラル接触子５１を立体フォーミングする。
図１７Ｅ工程では、ちょうど凹部５３ａ内に下方から突出調整部材７０を通し、各スパイラル接触子５１の各ターン毎の接触子片５１ａを上方に突き出す。
【００１１】
しかし、図１７Ｅに示す工程では、前記突出調整部材７０を別個用意し、立体フォーミング工程をわざわざ設けなければならないという煩雑さがある。
【００１２】
また、前記別個に用意した突出調整部材７０によって前記接触子片５１ａの突き出し量を調整する際に全てのスパイラル接触子５１を同じ突き出し量に調整するのは困難で各スパイラル接触子５１で突き出し量がばらばらになりやすい。
【００１３】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に従来に比べて簡単な方法で、適切に接触子を立体成形することが可能な接続装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、基台と、前記基台に設けられた複数の接触子とを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
（ａ）  表面に複数の凸型条部あるいは凹型条部が形成された基板を形成する工程と、
（ｂ）  前記基板の表面及び前記凸型条部あるいは凹型条部上に、レジスト層を形成する工程と、
（ｃ）  前記レジスト層に対してＸ線を照射し、前記接触子の所定パターンを前記レジスト層に形成する工程と、
（ｄ）  前記接触子を、前記所定パターン内にメッキ形成して、前記凸型条部あるいは凹型条部上にメッキ形成された前記接触子を立体成形する工程と、
（ｅ）  前記レジスト層を除去する工程と、
（ｆ）  前記基板を除去し、前記複数の接触子を前記基台に接合する工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００１５】
本発明では、いわゆるＬＩＧＡ（Lithographie  Galvanofomung  Abfomung）プロセスを利用して前記接触子を形成する。
【００１６】
ところで本発明では、上記（ａ）工程のように、複数の凸型条部あるいは凹型条部が表面に形成された基板を用い、上記（ｂ）工程以降で、前記基板上にＬＩＧＡプロセスを利用して、立体形状の接触子をメッキ成形している。
【００１７】
よって本発明では、従来のように、前記接触子を形成した後に、別個に前記接触子を立体形状にするフォーミング工程が必要なくなり、工程の簡略化を図ることができる。
【００１８】
しかもＬＩＧＡプロセスを利用することで、上記（ｂ）工程におけるレジスト層の膜厚が厚くても、あるいは均一な膜厚で無くても、前記レジスト層に前記接触子の形状パターンを高精度に形成することができ、よって前記接触子を所定形状に形成することが可能である。
【００１９】
また本発明では、前記（ｂ）工程において、前記レジスト層の膜厚を５０μｍ以上１００μｍ以下で、且つパターニングの最大アスペクト比を１以上で形成することが好ましい。
【００２０】
本発明では、上記（ａ）工程のように、基板の表面からは、複数の凸型条部あるいは凹型条部が形成されている。このため上記（ｂ）工程でのレジスト層を例えばスピンコート等により薄い膜厚で形成すると、前記凸型条部上等に、効果的にレジスト層が乗らず、前記凸型条部上等に接触子の形状パターンを形成しずらくなるため、レジスト層の膜厚の下限を５０μｍとした。
【００２１】
また本発明では、ＬＩＧＡプロセスを利用するため、前記（ｃ）工程でのＸ線が、このような厚いレジスト厚であっても、前記レジスト層に高精度に接触子の形状パターンを形成することが可能である。なお、前記レジスト層があまり厚くなりすぎると、例えばＸ線の照射時間を長くしなければならず、その結果、実用的な照射コストにならず、また現像歩留まりも大幅に下がるため、膜厚の上限を１００μｍとした。
【００２２】
またフォトリソ技術とメッキ技術の組み合わせによりメッキ膜厚の厚い微細パターンを形成するにはレジスト層間の溝幅を細かくする必要があり高アスペクト比が必要になる。そこでパターニングの最大アスペクト比を１以上で形成することとした。
【００２３】
また本発明では、前記（ｂ）工程では、前記レジスト層を形成した後、前記レジスト層の表面を平坦化処理することが望ましい。この平坦化処理を行うことにより、極端に厚い膜厚となるレジスト部分が無くなり、Ｘ線マスクとのコンタクト性がよくなるため前記レジスト層の全領域に高精度に前記接触子の形状パターンを形成することが出来る。
【００２４】
また本発明では、前記（ｆ）工程で、前記基板を除去する前に、接合部材により、隣り合う前記接触子の端部間を繋ぎ、その後、前記基板を除去することが好ましい。
【００２５】
また本発明では、前記接触子を螺旋状で形成し、この際、前記接触子を、その中心に向うほど突き出すあるいは凹む形状となるように立体成形することが好ましい。これによって電子部品の外部接続部（相手側）がどのような形状であっても、前記外部接続部を接触子に確実に接触しやすくできる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明における接触子の製造方法を用いれば、従来のように、前記接触子を平面的に形成した後に行う立体フォーミング工程を必要とせず、前記接触子を形成すると同時に立体成形でき、工程の簡略化を図ることが可能である。
【００２７】
特に本発明では、ＬＩＧＡプロセスを利用して前記接触子を立体成形するので、高精度に前記接触子を形成することができる。
【００２８】
また、基板上に形成された複数の凹型条部あるいは凸型条部を用いて、複数の接触子を同時に立体成形できるので、各接触子の凹み量あるいは突き出し量を容易に且つ適切に均一化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
図１は電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、図２は図１の２−２線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図である。
【００３０】
図１に示すように、検査装置１０は基台１１と、この基台１１の一方の縁部に設けられたひんじ部１３を介して回動自在に支持された蓋体１２とで構成されている。前記基台１１および蓋体１２は絶縁性の樹脂材料などで形成されており、前記基台１１の中心部には図示Ｚ２方向に凹となる装填領域１１Ａが形成されている。そして、前記装填領域１１Ａ内に半導体などの電子部品１が装着できるようになっている。また基台１１の他方の縁部には、被ロック部１４が形成されている。
【００３１】
図２に示すように、この検査装置１０は、電子部品１の下面に多数の球状接触子（外部接続部）１ａがマトリックス状（格子状または碁盤の目状）に配置されたものを検査対象とするものである。
【００３２】
図２に示すように、前記装填領域１１Ａには所定の径寸法からなり、装填領域１１Ａの表面から基台１１の裏面に貫通する複数の凹部（スルーホール）１１ａが、前記電子部品１の球状接触子１ａに対応して設けられている。
【００３３】
前記凹部１１ａの上面（装填領域１１Ａの表面）には、接触子が渦巻き状に形成された複数のスパイラル接触子２０が設けられている。
【００３４】
図３は前記スパイラル接触子２０の斜視図である。図３に示すように、前記スパイラル接触子２０は基台１１に、図示Ｘ方向及びＹ方向に所定間隔を空けて複数形成されている。
【００３５】
前記各スパイラル接触子２０は、図３のように、前記凹部１１ａの上方の開口端の縁部に固定された基部２１を有し、スパイラル接触子２０の巻き始端２２が前記基部２１側に設けられている。そして、この巻き始端２２から渦巻き状に延びる巻き終端２３が前記凹部１１ａの中心に位置するようになっている。
【００３６】
前記凹部１１ａの内壁面には図示しない導通部が形成されており、導通部の上端と前記スパイラル接触子２０の前記基部２１とが導電性接着材などで接続されている。また凹部１１ａの下方の開口端は前記導通部に接続された接続端子１８で塞がれている。
【００３７】
図２に示すように、前記基台１１の下方には複数の配線パターンやその他の回路部品を有するプリント基板２９が設けられており、前記基台１１はこのプリント基板２９上に固定されている。前記プリント基板２９の表面には前記基台１１の底面に設けられた接続端子１８に対向する対向電極２８が設けられており、前記各接続端子１８が各対向電極２８にそれぞれ接触することにより、電子部品１とプリント基板２９とが検査装置１０を介して電気的に接続される。
【００３８】
一方、検査装置１０の蓋体１２の内面の中央の位置には、電子部品１を図示下方に押し付ける凸形状の押圧部１２ａが前記装填領域１１Ａに対向して設けられている。また前記ひんじ部１３と逆側となる位置にはロック部１５が形成されている。
【００３９】
前記蓋体１２の内面と押圧部１２ａとの間には前記押圧部１２ａを蓋体１２の内面から遠ざかる方向に付勢するコイルスプリングなどからなる付勢部材が設けられている（図示せず）。従って、電子部品１を前記凹部１１ａ内に装着して蓋体１２を閉じてロックすると、電子部品１を装填領域１１Ａの表面に接近する方向（Ｚ２方向）に弾性的に押し付けることが可能となっている。
【００４０】
前記基台１１の装填領域１１Ａの大きさは、前記電子部品１の外形とほぼ同じ大きさであり、電子部品１を前記装填領域１１Ａに装着して蓋体１２をロックすると、電子部品１側の各球状接触子１ａと検査装置１０側の各スパイラル接触子２０とが正確に対応して位置決めできるようになっている。
【００４１】
蓋体１２のロック部１５が基台１１の被ロック部１４にロックされると、電子部品１が前記押圧部１２ａによって図示下方に押し付けられるため、前記各球状接触子１ａが各スパイラル接触子２０を凹部１１ａの内部方向（図示下方）に押し下げる。同時に、スパイラル接触子２０の外形は、前記巻き終端２３から巻き始端２２方向（渦巻きの中心から外方向）に押し広げられるように変形し、前記球状接触子１ａの外表面を抱き込むように巻き付き、各球状接触子１ａと各スパイラル接触子２０とが接続される。
【００４２】
図４は、図３に示す前記スパイラル接触子２０を４−４線から切断し、その断面を矢印方向から見た部分拡大断面図である。
【００４３】
図３及び図４に示すように、前記スパイラル接触子２０を構成する各ターン毎の接触子片２０ａは、前記巻き始端２２から巻き終端２３方向に、螺旋階段のごとく斜め上方向（図示Ｚ１方向）に向けて傾斜して延びている。このため図３及び図４では、各スパイラル接触子２０は、その巻き終端２３が最も高く突き出した山型の立体形状として構成されている。
【００４４】
また図３及び図４と異なり、図５（図５は、スパイラル接触子２０の部分拡大断面図）のように、前記前記スパイラル接触子２０を構成する各接触子片２０ａが、前記巻き始端２２から前記巻き終端２３方向にかけて徐々に下方（図示Ｚ２方向）に向けて凹む谷型に立体成形されたものであってもよい。
【００４５】
以下では、図３ないし図５に示すスパイラル接触子２０の立体成形の方法について説明する。まず、図５に示す谷型に立体成形されたスパイラル接触子２０の形成方法について以下で説明する。
【００４６】
図６に示す符号３０は基板である。図６に示すように前記基板３０の表面３０ａには、複数の凹型条部３１（図６において符号は２つの凹型条部のみに付し、他の凹型条部への符号付けは省略した）が形成されている。図６に示すように前記凸型条部３１は、前記基板３０の幅方向（図示Ｘ方向）及び長さ方向（図示Ｙ方向）に所定間隔を空けながら規則的に形成されている。
【００４７】
本発明では、図６に示す基板３０を電鋳あるいは鍛造で形成している。これにより図６に示す基板３０上に複数の凹型条部３１を容易且つ均一な形状で形成することができる。
【００４８】
また図６に示すように、前記凹型条部３１を円錐形状で形成することが好ましい。前記凹型条部３１を円錐形状で形成すると、図５で説明したような、谷型のスパイラル接触子２０を容易且つ適切に形成できる。
【００４９】
図７は、図６に示す基板３０の一部分のみを拡大した部分拡大断面図である。図７に示すように、前記基板３０の表面３０ａ及び前記凹型条部３１上にかけて、レジスト層３２を形成する。
【００５０】
ここで前記レジスト層３２の形成は、スピンコート、スプレイコートなどで行うことができるが、前記レジスト層３２を電着によって形成してもよい。前記スピンコートやスプレイコートでは、図７のように基板３０に凹んだ箇所がある場合、前記レジスト層３２を均一な膜厚で形成できない。
【００５１】
一方、電着では、前記レジスト層３２の膜厚を均一に形成しやすい。しかし電着でレジスト形成を行うには、前記レジスト層として電着レジストを用い、メッキと同様の設備を用いて前記レジスト層の電着を行うことが必要になる。よって製造工程の煩雑さやコスト面が懸念される。
【００５２】
また電着によれば、前記レジスト層を薄い膜厚（例えば数十μｍ）でも均一な膜厚で形成できるが、本発明では、後述するようにＬＩＧＡプロセスを利用して前記スパイラル接触子２０をメッキ形成するので、前記レジスト層を数百μｍの厚い膜厚で形成しても、また前記レジスト層の膜厚が均一でなくても、高精度に前記スパイラル接触子２０をパターン成形できる。
【００５３】
よって図７工程では、例えばスピンコートやスプレイコートによって前記レジスト層３２を形成する。この際、前記レジスト層３２の膜厚を数百μｍ程度に厚く形成して、適切に前記基板３０の表面３０ａ及び凹型条部３１内をレジスト層３２によって覆う。
【００５４】
また図７のように、前記レジスト層３２の表面を一点鎖線で示す位置まで削り込み、前記レジスト層３２の表面を平坦化処理してもよい。この平坦化処理には、例えばＣＭＰ技術による研削工程を用いる。
【００５５】
前記レジスト層３２の表面を平坦化処理することで、前記レジスト層３２の膜厚が極端に厚くなる部分を排除でき、前記レジスト層３２を所定範囲内の膜厚に収めることができる。
【００５６】
本発明では、前記レジスト層３２の膜厚は５０μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。ただし、前記レジスト層３２への平坦化処理は必ず必要なプロセスではない。図７に示すレジスト層３２を形成した時点で、既に前記レジスト層の膜厚が、５０μｍ〜１００μｍの範囲内に収まっていれば、前記平坦化処理を行わなくてもよい。
【００５７】
次に図８工程では、ＬＩＧＡ（Lithographie  Galvanofomung  Abfomung）プロセスの一工程に当たるＸ線リソグラフィーを行う。
【００５８】
図８に示すように、前記レジスト層３２上にマスク３３を配置する。このマスク３３には、Ｘ線透過領域（Ｘ線を通す領域）３３ａと、Ｘ線吸収領域（Ｘ線を通さない領域）３３ｂとがあり、前記Ｘ線透過領域３３ａの平面形状が、前記スパイラル接触子２０の平面形状と一致している。
【００５９】
前記Ｘ線透過領域３３ａの材質は例えばベリリウムなどであり、前記Ｘ線吸収領域３３ｂはその表面及び下面にＸ線吸収物質であるＡｕやＷ等からなる層が設けられているか、あるいは前記Ｘ線吸収領域３３ｂ全体がＡｕやＷ等によって形成されている。
【００６０】
この図８工程でのＸ線リソグラフィーでは、直進性の高いシンクロトロン放射（ＳＲ）光装置から発生するＸ線を用いることが好ましい。
【００６１】
前記シンクロトロン放射光Ｘ線が、前記マスク３３のＸ線透過領域３３ａを通過し、前記レジスト層３２に照射されると、その照射された箇所のレジスト層３２では、高分子の連鎖が切れて、分子量が減少した状態になる。そしてＸ線が照射された箇所は、現像液によって溶解し、前記スパイラル接触子２０と同形状のパターン３２ａが前記レジスト層３２に形成される。
【００６２】
ところで本発明において、Ｘ線リソグラフィーを用いて、前記レジスト層３２にスパイラル接触子２０の形状パターン３２ａを形成する理由は、前記形状パターン３２ａを高精度且つ容易に形成できるからである。
【００６３】
例えば、ＵＶフォトリソグラフィー技術では、前記レジスト層３２の膜厚が薄く且つ均一である必要がある。それは、光源波長や焦点深度のためであり、前記レジスト層３２があまりに厚くなりすぎると、レジスト層３２の下面側にまで有効に露光されず、よって現像によりパターンが抜けない場合や、不均一の膜厚であると、焦点深度が各箇所で異なってしまうため、高精度なパターンを形成できないといった問題があった。
【００６４】
上記の問題は本発明のように、基板３０の表面３０ａに複数の凹型条部３１が形成されているなど、基板表面が平坦化面でないと顕著に生じてしまう。従って本発明では、ＵＶフォトリソグラフィーなど、レジスト層３２を高精度に形成しなければ精密なパターンを形成できない方法を採用すると、所定形状のスパイラル接触子を立体成形しずらく、製造工程が煩雑化するなどの問題が生じる。
【００６５】
一方、ＬＩＧＡプロセスによるＸ線リソグラフィーを用いれば、前記レジスト層３２が厚い膜厚であっても、また膜厚が均一でなくても、強度が高いシンクロトロン放射光Ｘ線により、前記レジスト層３２にパターン３２ａを高精度に形成することが可能である。
【００６６】
上記したように本発明では、前記レジスト層３２を５０μｍ〜１００μｍの範囲内で形成している。前記レジスト層３２があまり厚くなりすぎると、例えばＸ線の照射時間を長くしなければならず、その結果、実用的な照射コストにならず、また現像歩留まりも大幅に下がるため、膜厚の上限を１００μｍとしている。
【００６７】
またフォトリソ技術とメッキ技術の組み合わせによりメッキ膜厚の厚い微細パターンを形成するにはレジスト層３２間の溝幅を細かくする必要があり高アスペクト比（Ｂ／Ａ）が必要になる。ここで前記アスペクト比は図８に示すように、レジスト層３２の膜厚を寸法Ｂ、レジストパターンの最小スペース幅を寸法Ａで表したとき、ＢをＡで割ったＢ／Ａで定義される。本発明では、パターニングの最大アスペクト比を１以上で形成している。
【００６８】
次の図９に示す工程では、前記パターン３２ａ内にスパイラル接触子２０を構成する金属層３４をメッキ形成する。前記金属層３４は、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＮｉあるいはＮｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのうちいずれか１種以上）のいずれかからなる単層、あるいは２種以上選択された多層構造で形成される。なお、前記金属層３４を多層構造にする場合には、導電性に優れたＣｕ、Ａｕ、ＡｇあるいはＰｄから選択された導電性部材と、ばね性に優れたＮｉあるいはＮｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのうちいずれか１種以上）から選択された補助弾性部材との積層構造であることが好ましい。
【００６９】
なお前記金属層３４をメッキ形成するため、前記基板３０が導電性基板である場合には、この前記金属層３４を基板３０上に直接メッキ形成することは可能であるが、前記基板３０が導電性基板でない場合、図７工程のレジスト層３２形成前に、前記基板３０上に導電材料からなるメッキ下地層を設けておくことが必要である。
【００７０】
図９工程のように、基板３０の表面３０ａに予め設けられた凹型条部３１上に前記金属層３４をメッキ形成することで、従来の図１７Ｅ工程のように、接触子５１を形成した後、わざわざ立体フォーミングしなくても、前記金属層３４をメッキ形成したと同時に谷型に立体成形することができる。このため本発明では、従来における図１７Ｅ工程を削除することが可能である。
そして前記レジスト層３２を除去する。
【００７１】
ところで、前記金属層３４は、複数のスパイラル接触子２０を構成しており、図９工程時で前記金属層３４をメッキ形成した状態では、前記金属層３４から成る複数のスパイラル接触子２０間は、何ら繋がっていない状態である。このため前記基板３０を除去すると、各スパイラル接触子２０がばらばらになってしまうので、前記基板３０を除去する前に、図１０に示すように、各スパイラル接触子２０の基部２１（図３を参照）間にポリイミド等で形成されたガイドフレーム（接合部材）３６を貼り付け、前記基部２１間を前記ガイドフレーム３６によって繋ぐことが好ましい。
【００７２】
前記ガイドフレーム３６によって前記金属層３４から成る各接触子２０間を繋いだ後、前記基板３０を除去する。
【００７３】
そして、図１１工程では、ちょうどスパイラル接触子２０と対面する位置に凹部１１ａが形成され、さらにその凹部１１ａの内壁面１１ａ１が例えばメッキなどされ、且つ前記スパイラル接触子２０の基部２１が対向する、前記凹部１１ａの上方の周縁部、及び隣り合う周縁部間に異方性導電接着剤４６が塗布された基台１１を用い、この基台１１に前記スパイラル接触子２０の基部２１を前記異方性導電接着剤４６を介して接着固定する。
【００７４】
図１２ないし図１６に示す工程は、前記スパイラル接触子２０を山型に立体成形する製造方法である。
【００７５】
図１２に示すように、基板４０の表面４０ａには、凸型条部４１が形成されている。この凸型条部４１は、図６に示す凹型条部３１と同様に、基板４０の幅方向（Ｘ方向）及び長さ方向（図示Ｙ方向）に所定間隔を空けて複数個形成されている。
【００７６】
図１２工程では、前記基板４０の表面４０ａ及び前記凸型条部４１上に例えばスピンコートなどによってレジスト層４２を形成する。前記レジスト層４２の膜厚は５０μｍ以上１００μｍ以下である。また図１２に示すように、前記レジスト層４２の表面を一点鎖線まで削り平坦化処理を施してもよい。前記平坦化処理にはＣＭＰ技術による研削法を用いる。
【００７７】
図７工程で説明したように、この平坦化処理は、必ずしも必要な工程ではない。しかし前記基板４０の表面４０ａから凸型条部４１が複数形成されている形態では、前記凸型条部４１の上面に乗るレジスト層４２の膜厚が薄くなりやすく、前記凸型条部４１上に所定膜厚のレジスト層を乗せるために、レジスト層４２の膜厚は全体的に厚くなりやすい。
【００７８】
このため前記レジスト層４２の膜厚は凹凸になりやすく、Ｘ線マスクとのコンタクト性が悪いので平坦化処理をすることが好ましい。
【００７９】
図１３工程は、図８工程と同様である。すなわちＸ線リソグラフィーにより、前記レジスト層４２にスパイラル接触子２０の形状パターン４２ａを形成する。このときパターニングの最大アスペクト比を１以上に形成する。なおアスペクト比の定義については図８と同じであるのでそちらを参照されたい。
【００８０】
図１４工程は、図９工程と同様である。すなわち前記形状パターン４２ａ内に、前記スパイラル接触子２０を構成する金属層４３をメッキ形成する。
【００８１】
図１５工程は、図１０工程と同様である。すなわち各スパイラル接触子２０の基部２１間にポリイミド等で形成されたガイドフレーム（接合部材）３６を貼り付け、前記基部２１間を前記ガイドフレーム３６によって繋ぐ。
その後、前記基板３０を除去する。
【００８２】
そして、図１６工程では図１１工程と同様に、ちょうどスパイラル接触子２０と対面する位置に凹部１１ａが形成され、さらにその凹部１１ａの内壁面１１ａ１が例えばメッキなどされ、且つ前記スパイラル接触子２０の基部２１が対向する、前記凹部１１ａの上方の周縁部、及び隣り合う周縁部間に異方性導電接着剤４６が塗布された基台１１を用い、この基台１１に前記スパイラル接触子２０の基部２１を前記異方性導電接着剤４６を介して接着固定する。
【００８３】
ところで上記では、図３ないし図５に示す、巻き始端２２から巻き終端２３に向けて、螺旋状に立体成形されたスパイラル接触子２０の製造方法に関し説明したが、本発明での接触子２０はスパイラル形状に限るものではない。
【００８４】
本発明におけるスパイラル接触子２０の製造方法を用いれば、従来のように、前記スパイラル接触子２０を平面的に形成した後に行う立体フォーミング工程を必要とせず、前記スパイラル接触子２０を形成すると同時に立体成形でき、工程の簡略化を図ることが可能である。
【００８５】
特に本発明では、ＬＩＧＡプロセスを利用して前記スパイラル接触子２０を立体成形するので、高精度に前記スパイラル接触子２０を形成することができる。
【００８６】
また上記した製造方法では、基板３０,４０上に形成された複数の凹型条部３１あるいは凸型条部４１を用いて、複数のスパイラル接触子２０を同時に立体成形できるので、各スパイラル接触子２０の凹み量あるいは突き出し量を容易に且つ適切に均一化できる。
【００８７】
また、図７ないし図１０工程では、スパイラル接触子２０は谷型に立体成形されたものとして形成されるが、この接触子２０を裏返せば、前記接触子２０は、図４と同様に山型になるので、図３及び図４のように、巻き始端２２から巻き終端２３にかけて徐々に上方に突き出る山型のスパイラル接触子２０を形成する場合に、図７ないし図１０工程で、谷型のスパイラル接触子２０を形成し、それを裏返して山型のスパイラル接触子２０として使用してもよいことは当然である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、
【図２】図１の２−２線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図、
【図３】本発明におけるスパイラル接触子の形状を示す拡大斜視図、
【図４】図３に示す４−４線から切断したスパイラル接触子の部分拡大断面図、
【図５】図４とは異なる形態のスパイラル接触子の部分拡大断面図、
【図６】本発明の接触子の製造に用いられる基板の斜視図、
【図７】本発明における接触子の製造方法を示す一工程図、
【図８】図７の次に行われる一工程図、
【図９】図８の次に行われる一工程図、
【図１０】図９の次に行われる一工程図、
【図１１】図１０の次に行われる一工程図、
【図１２】図７ないし図１１工程とは別の製造方法を説明するための一工程図、
【図１３】図１２の次に行われる一工程図、
【図１４】図１３の次に行われる一工程図、
【図１５】図１４の次に行われる一工程図、
【図１６】図１５の次に行われる一工程図、
【図１７】従来における接続装置の製造方法を示すための一連の工程図、
【符号の説明】
【００８９】
１  電子部品
１ａ  球状接触子（外部接続部）
１０  接続装置
１１  基台
２０  スパイラル接触子
２０ａ  接触子片
２１  基部
２２  巻き始端
２３  巻き終端
３０、４０  基板
３１  凹型条部
３２、４２  レジスト層
３３  マスク
３２ａ、４２ａ  パターン
３４  金属層
３６  ガイドフレーム
４１  凸型条部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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