(57)【要約】【課題】  シリコンウエハの表面粗さを小さく、かつ研磨速度を高めることができる研磨用組成物を提供する。【解決手段】  研磨用組成物はシリコンウエハの研磨に用いられ、二酸化ケイ素と、アルカリ化合物と、アニオン性界面活性剤とを含有している。アニオン性界面活性剤は、スルホン酸系界面活性剤、カルボン酸系界面活性剤及び硫酸エステル系界面活性剤から選ばれる少なくとも一種である。二酸化ケイ素はコロイダルシリカ又はフュームドシリカであることが好ましく、コロイダルシリカであることがより好ましい。アニオン性界面活性剤の含有量は０．００００８〜１．６質量％が好ましい。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウエハの研磨に用いられ、二酸化ケイ素と、アルカリ化合物と、アニオン性界面活性剤とを含有し、前記アニオン性界面活性剤がスルホン酸系界面活性剤、カルボン酸系界面活性剤及び硫酸エステル系界面活性剤から選ばれる少なくとも一種である研磨用組成物。
【請求項２】
アニオン性界面活性剤の含有量が０．００００８〜１．６質量％である請求項１に記載の研磨用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウエハの研磨に用いられる研磨用組成物に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイスに用いられるシリコンウエハは、表面が鏡面状態となるまで研磨用組成物で研磨される。特許文献１に示される研磨用組成物は、アルカリ性コロイダルシリカ、アニオン性界面活性剤等を含んでいる。この研磨用組成物は、アニオン性界面活性剤を用いることにより、ヘイズレベルを改善している。
【特許文献１】特開平４−２９１７２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年の半導体デバイスの高性能化及び高集積密度化に伴い、表面粗さがさらに小さなシリコンウエハが要求されている。一方、製造効率の観点から、研磨速度の高さも要求されている。しかし、前記の研磨用組成物は前記要求を十分に満たすものではない。
【０００４】
本発明は、このような従来技術に存在する問題点に着目してなされており、その目的は、シリコンウエハの表面粗さを小さく、かつ研磨速度を高めることができる研磨用組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明の研磨用組成物は、シリコンウエハの研磨に用いられ、二酸化ケイ素と、アルカリ化合物と、アニオン性界面活性剤とを含有し、前記アニオン性界面活性剤がスルホン酸系界面活性剤、カルボン酸系界面活性剤及び硫酸エステル系界面活性剤から選ばれる少なくとも一種である。
【０００６】
請求項２に記載の発明の研磨用組成物は、請求項１に記載の発明において、アニオン性界面活性剤の含有量が０．００００８〜１．６質量％である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の研磨用組成物によれば、シリコンウエハの表面粗さを小さく、かつ研磨速度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明をシリコンウエハの研磨に用いられる研磨用組成物に具体化した一実施形態について説明する。
シリコンウエハは単結晶シリコンで形成された半導体基板であり、シリコン単結晶インゴットから切断したウエハにラッピング、エッチング及びエッジポリッシュを順に施して製造される。シリコンウエハ表面は、表面状態を高めるため鏡面状態となるまで研磨液を用いて研磨される。この研磨は、機械的研磨と化学的研磨とを組み合わせたものであり、研磨速度を高めつつ表面品質を効率的に高めるため複数の工程に分けて行われる。複数の工程として、シリコンウエハ表面を粗研磨する第１の研磨工程と、精密研磨する第２の研磨工程と、超精密研磨する第３の研磨工程とが挙げられる。第１の研磨工程は高い研磨速度に主眼が置かれ、第２の研磨工程は研磨速度を高めつつ研磨後の表面粗さを小さくすることに主眼が置かれる。第３の研磨工程は、研磨後の表面粗さをより小さくすることに主眼が置かれる。本実施形態の研磨用組成物は、研磨速度を高めつつ、表面粗さを小さくする作用を発揮するものであり、高い研磨速度が要求される研磨工程、好ましくは高い研磨速度及び小さい表面粗さの両方が要求される研磨工程の研磨に使用される。例えば、前記３段の研磨工程においては、研磨用組成物は第１又は第２の研磨工程、好ましくは第２の研磨工程の研磨に使用される。尚、研磨は、複数の工程に分けずとも１段のみの工程で行ってもよく、また２段若しくは４段以上の工程で行ってもよい。
【０００９】
本実施形態の研磨用組成物は、二酸化ケイ素、アルカリ化合物及びアニオン性界面活性剤を含有している。二酸化ケイ素は砥粒であり、シリコンウエハ表面を機械的に研磨する。二酸化ケイ素としてはコロイダルシリカ、フュームドシリカ、沈殿法シリカ等が挙げられ、単独又は二種以上の組み合わせで含有される。中でもコロイダルシリカ又はフュームドシリカが好ましく、コロイダルシリカがより好ましい。これは、研磨によるスクラッチ（一定の幅及び深さを超える引掻き傷）の数を低減する効果が高いためである。
【００１０】
二酸化ケイ素の粒子径は、種類によってその最適値が異なる。二酸化ケイ素がコロイダルシリカの場合、粒子径は十分な研磨速度を得られることより、平均粒子径（ＤSA及びＤN4）で５ｎｍ以上が好ましい。一方、スクラッチ数を低減し、シリコンウエハの表面粗さを抑制できることから、ＤSAで３００ｎｍ以下が好ましく、２００ｎｍ以下がより好ましく、１２０ｎｍ以下が最も好ましく、ＤN4で３００ｎｍ以下が好ましく、２００ｎｍ以下がより好ましく、１５０ｎｍ以下が最も好ましい。さらに、二酸化ケイ素がフュームドシリカの場合、十分な研磨速度を得られることより、粒子径はＤSAで１０ｎｍ以上が好ましく、ＤN4で３０ｎｍ以上が好ましく、４０ｎｍ以上がより好ましく、５０ｎｍ以上が最も好ましい。一方、スクラッチ数を低減し、シリコンウエハの表面粗さを抑制できることから、ＤSAで３００ｎｍ以下が好ましく、２００ｎｍ以下がより好ましく、１２０ｎｍ以下が最も好ましく、ＤN4で５００ｎｍ以下が好ましく、４００ｎｍ以下がより好ましく、３００ｎｍ以下が最も好ましい。尚、ＤSAは気体吸着による粉体の比表面積測定法（ＢＥＴ法）により測定した比表面積と粒子密度とから算出され、ＤN4はレーザー光回折法により求められる。また、二酸化ケイ素の２０質量％水分散液中に不純物として存在する鉄、ニッケル、銅、カルシウム、クロム及び亜鉛の合計量は３００ｐｐｍ以下が好ましく、１００ｐｐｍ以下がより好ましく、０．３ｐｐｍ以下が最も好ましい。
【００１１】
研磨用組成物中の二酸化ケイ素の含有量は、十分な研磨速度を得るために０．１質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましく、１質量％以上が最も好ましい。また、二酸化ケイ素の含有量は、研磨用組成物の粘度が過大となってゲル化するのを抑制するために５０質量％以下が好ましく、３５質量％以下がより好ましく、２５質量％以下が最も好ましい。
【００１２】
アニオン性界面活性剤はシリコンウエハの表面粗さを小さくする表面粗さ低減剤として作用し、スルホン酸系界面活性剤、カルボン酸系界面活性剤及び硫酸エステル系界面活性剤から選ばれる少なくとも一種である。なかでも、表面粗さ低減作用が強く、さらに研磨速度の低下を抑制することができることから、カルボン酸系界面活性剤又は硫酸エステル系界面活性剤が好ましい。
【００１３】
具体的に、スルホン酸系界面活性剤としてはポリオキシエチレンアルキルスルホコハク酸二ナトリウム（下記式（１））等のスルホコハク酸塩、ヤシ油脂肪酸メチルタウリンナトリウム（下記式（２））、アルキルスルホン酸塩、アルキルベンゼン及びアルキルナフタレンスルホン酸塩、ナフタレンスルホン酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩、Ｎ−アシルスルホン酸塩等が挙げられる。カルボン酸系界面活性剤としては、ヤシ油脂肪酸サルコシンナトリウム（下記式（３））、ラウリル酸トリエタノールアミン（下記式（４））、石鹸、Ｎ−アシルアミノ酸塩、ポリオキシエチレン又はポリオキシプロピレンアルキルエーテルカルボン酸塩、アシル化ペプチド等が挙げられる。硫酸エステル系界面活性剤としては、ラウリル硫酸ナトリウム（下記式（５））等のアルキル硫酸塩、ラウレス硫酸ナトリウム（下記式（６））等のアルキルエーテル硫酸塩、硫酸化油、ポリオキシエチレン又はポリオキシプロピレンアルキルアリルエーテル硫酸塩、アルキルアミド硫酸塩等が挙げられる。これらは単独又は二種以上の組合わせで含有される。尚、下記式（１）において、Ｒは炭素数が１２〜１４のアルキル基を示す。
【００１４】
ＲＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）3ＣＯＣＨ2ＣＨ（ＳＯ3Ｎａ）ＣＯＯＮａ  …（１）
Ｃ12Ｈ25ＣＯＮ（ＣＨ3）ＣＨ2ＣＨ2ＳＯ3Ｎａ  …（２）
Ｃ12Ｈ25ＣＯＮ（ＣＨ3）ＣＨ2ＣＯＯＮａ  …（３）
Ｃ12Ｈ25ＣＯＯＮ（ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）3  …（４）
Ｃ12Ｈ25ＯＳＯ3Ｎａ  …（５）
Ｃ12Ｈ25Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）3ＳＯ3Ｎａ  …（６）
研磨用組成物中のアニオン性界面活性剤の含有量は、表面粗さを小さくするために０．００００８質量％以上が好ましく、０．０００８質量％以上がより好ましく、０．００４質量％以上が最も好ましい。また、アニオン性界面活性剤の含有量は、研磨用組成物のゲル化を抑制するために１．６質量％以下が好ましく、０．１６質量％以下がより好ましく、０．０１６質量％以下が最も好ましい。このため、アニオン性界面活性剤は、研磨用組成物中の含有量を０．００００８〜１．６質量％にすることにより、表面粗さを小さくしつつ、かつ研磨用組成物のゲル化を抑制することができる。
【００１５】
アルカリ化合物は、腐食やエッチングによる化学的研磨作用によって前記機械的研磨を補助し研磨速度を高める研磨促進剤として作用する。アルカリ化合物としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム等の無機アルカリ化合物、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム等のアンモニウム塩、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、無水ピペラジン、ピペラジン・六水和物、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン等のアミンが挙げられる。これらは単独又は二種以上の組み合わせで含有される。
【００１６】
前記具体例中で水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、無水ピペラジン、ピペラジン・六水和物、１−（２−アミノエチル）ピペラジン又はＮ−メチルピペラジンは、化学的研磨作用が強く、より高い研磨速度を得ることができるため好ましい。尚、アルカリ化合物の中には前記金属不純物とキレート結合するが、その結合力の弱さに起因してシリコンウエハを化学的研磨する際に金属不純物を解放してしまうことで、却ってシリコンウエハを汚染してしまうおそれのあるものが存在する。このため、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、無水ピペラジン又はピペラジン・六水和物は、前記金属不純物と錯イオンを形成せず、シリコンウエハの汚染を抑制するという観点からより好ましい。
【００１７】
研磨用組成物中のアルカリ化合物の含有量は、種類によってその最適値が異なる。アルカリ化合物が、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン又はトリエチレンテトラミンの場合、より高い研磨速度を得ることができることから、含有量は０．１質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましく、１質量％以上が最も好ましい。一方、研磨後のシリコンウエハ表面に面荒れが発生するのを抑制したり研磨用組成物のゲル化を抑制することができることから、６質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、４質量％以下が最も好ましい。さらに、アルカリ化合物が無水ピペラジン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン又はＮ−メチルピペラジンの場合、より高い研磨速度を得ることができることから、含有量は０．１質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、３質量％以上が最も好ましい。一方、研磨後のシリコンウエハ表面に面荒れが発生するのを抑制したり研磨用組成物のゲル化を抑制することができることから、１０質量％以下が好ましく、９質量％以下がより好ましく、８質量％以下が最も好ましい。加えて、アルカリ化合物がピペラジン・六水和物の場合、より高い研磨速度を得ることができることから、含有量は０．１質量％以上が好ましく、２質量％以上がより好ましく、５質量％以上が最も好ましい。一方、研磨後のシリコンウエハ表面に面荒れが発生するのを抑制したり研磨用組成物のゲル化を抑制することができることから、２０質量％以下が好ましく、１８質量％以下がより好ましく、１６質量％以下が最も好ましい。
【００１８】
研磨用組成物は、その他の添加成分としてキレート剤を含有してもよい。キレート剤は、研磨用組成物に含まれる金属不純物と錯イオンを形成することでこれを捕捉する。金属不純物として、鉄、ニッケル、銅、カルシウム、マグネシウムの他、これらの水酸化物、酸化物等が挙げられる。キレート剤としては、ニトリロ三酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチレンジアミン四酢酸、プロパンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、エチレンジアミン四エチレンホスホン酸、エチレンジアミン四メチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラキスメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五エチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五メチレンホスホン酸、トリエチレンテトラミン六エチレンホスホン酸、トリエチレンテトラミン六メチレンホスホン酸、プロパンジアミン四エチレンホスホン酸プロパンジアミン四メチレンホスホン酸等の酸、並びにそれら酸のアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩及びリチウム塩等の塩が挙げられる。
【００１９】
研磨用組成物の各成分を分散又は溶解させるための分散煤又は溶媒として、水を用いるのが好ましい。水は、他の成分の作用を阻害するのを防止するために不純物をできるだけ含有しないものが好ましい。水の具体例は、イオン交換樹脂で不純物イオンを除去後にフィルターろ過して異物を除去した純水、超純水、蒸留水等である。
【００２０】
研磨用組成物は、必要に応じ、前記各成分以外の添加成分として前記アニオン性界面活性剤以外の界面活性剤、増粘剤、乳化剤、防腐剤、防錆剤、消泡剤等を含有してもよい。
研磨液は、研磨用組成物を水で希釈して調製される。希釈率は、研磨速度を高めつつ、表面粗さを小さくするために５０倍以下が好ましく、３０倍以下がより好ましく、２０倍以下が最も好ましい。ここで、前記希釈率は体積比で示す。また、研磨液は、研磨用組成物が水を含有するときには研磨用組成物のみで構成されてもよい。
【００２１】
前記の実施形態によって発揮される効果について、以下に記載する。
・  研磨用組成物は、表面粗さ低減剤として作用するスルホン酸系界面活性剤、カルボン酸系界面活性剤及び硫酸エステル系界面活性剤から選ばれる少なくとも一種のアニオン性界面活性剤を含有しており、シリコンウエハの表面粗さを小さくすることができる。これは、以下の理由によるものと推察される。
【００２２】
即ち、二酸化ケイ素はその表面に弱い負電荷を帯びており、負電荷に起因した弱い静電気的反発作用で研磨液中に分散する。一方、スルホン酸系界面活性剤、カルボン酸系界面活性剤及び硫酸エステル系界面活性剤も負電荷を有しており、二酸化ケイ素との静電気的反発作用により研磨液中の二酸化ケイ素の優れた分散性を得ることができる。この結果、二酸化ケイ素の凝集が抑制され、凝集した二酸化ケイ素によりシリコンウエハ表面が荒らされることを抑制することができると考えられる。尚、アニオン性界面活性剤の中でもリン酸エステル系界面活性剤は、シリコンウエハの表面粗さを十分に小さくすることができない。これは、リン酸エステル系界面活性剤では二酸化ケイ素の優れた分散性を得ることができないためと推察される。
【００２３】
・  アルカリ化合物は金属不純物と錯イオンを形成しないものが好ましい。金属不純物と錯イオンを形成するアルカリ化合物は、研磨時にシリコンウエハを金属不純物で汚染するおそれがある。これは、以下の理由によるものと推察される。即ち、金属不純物とアルカリ化合物との錯イオンは化学的研磨に伴って分解し、シリコンウエハ表面上に金属不純物を放出する。この金属不純物は、シリコンウエハ表面に付着し、その後の熱処理においてシリコンウエハ中に拡散され、シリコンの電気特性に悪影響を与える。
【実施例】
【００２４】
次に、実施例及び比較例を挙げて前記実施形態をさらに具体的に説明する。
（実施例１〜２０及び比較例１〜８）
表１に示すコロイダルシリカ、界面活性剤及びアルカリ化合物を超純水に混合して実施例１〜２０及び比較例１〜８の研磨用組成物を調製した。超純水以外の各成分の含有量を表１に示す。そして、各例の研磨用組成物に超純水を混合してその体積を２０倍に希釈して研磨液をそれぞれ調製した後、下記（ｉ）及び（ｉｉ）の各項目について評価を行った。その結果を表１に示す。
（ｉ）研磨速度
研磨前のシリコンウエハの厚みを、DIGIMATIC INDICATOR（Mitutoyo社製の製品名）を用いて測定した。次いで、シリコンウエハ表面に、各例の研磨液を用いるとともに下記研磨条件により研磨を施した。続いて、研磨後のシリコンウエハを純水にて洗浄した後、シリコンウエハの厚みを前記と同様にして測定し、下記計算式に基づいて研磨速度を求めた。そして、研磨速度について、研磨速度が０．４μｍ／ｍｉｎ以上を◎、０．３μｍ／ｍｉｎ以上０．４μｍ／ｍｉｎ未満を○、０．２μｍ／ｍｉｎ以上０．３μｍ／ｍｉｎ未満を△、０．２μｍ／ｍｉｎ未満を×で評価した。
【００２５】
＜研磨条件＞研磨装置：片面研磨機（日本エンギス株式会社製）、定盤の大きさ：直径３８０ｍｍ、研磨加工圧力：３８．７ｋＰａ、定盤回転数：６０ｍｉｎ-1、ヘッド回転数：４０ｍｉｎ-1、被研磨物：３２ｍｍ角シリコンウエハ（ｐ型、結晶方位＜１００＞、抵抗率０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ未満、3pices/plate）、研磨パッド：発泡ウレタンタイプ（MH Pad S-15；Rodel社製）、研磨時間：２０ｍｉｎ、研磨液の温度：２０℃、研磨液の供給速度：８０ｍｌ／ｍｉｎ（掛け流し）
＜計算式＞研磨速度［ｎｍ／ｍｉｎ］＝（研磨前のシリコンウエハの厚み［ｎｍ］−研磨後のシリコンウエハの厚み［ｎｍ］）÷研磨時間［ｍｉｎ］
（ｉｉ）表面粗さ
前記項目（ｉ）と同様にしてシリコンウエハ表面を研磨及び洗浄した後、十分に自然乾燥させた。次いで、RST plus（WYKO社製、測定範囲：０．９ｍｍ×１．２ｍｍ、測定倍率：５倍）を用いてシリコンウエハの表面粗さＲａを測定した。そしてシリコンウエハの表面粗さについて、Ｒａが０．８０μｍ未満を◎、０．８０μｍ以上０．９０μｍ未満を○、０．９０μｍ以上１．００μｍ未満を△、１．００μｍ以上を×で評価した。
【００２６】
なお、各実施例並びに比較例１，２，５及び６のシリコンウエハについては、シリコンウエハ表面を鏡面状態にまで研磨できたため、Ｒａの測定を行うことができた。一方、比較例３，４，７及び８のシリコンウエハについては、研磨速度が過剰に低いためにシリコンウエハ表面を鏡面状態にすることができず、Ｒａを測定することができなかった。
【００２７】
【表１】
2005268665.tif 000002
表１中の記号の意味は以下の通りである。
＜コロイダルシリカ＞Ｃ１：ＤN4が７０ｎｍ及びＤSAが３５ｎｍのコロイダルシリカ、Ｃ２：ＤN4が２６ｎｍ及びＤSAが１２ｎｍのコロイダルシリカ
但し、コロイダルシリカのＤN4は、N4 Plus Submicron Particle Sizer（Beckman Coulter, Inc.の製品名）で測定された平均粒子径を示す。一方、ＤSAはFlowSorbII2300（micromeritics社製の製品名）により測定した比表面積を用いて算出された平均粒子径を示す。また、各コロイダルシリカの２０質量％水分散液中における鉄、ニッケル、銅、カルシウム、クロム及び亜鉛の含有量はそれぞれ２０ｐｐｂ以下であった。
＜界面活性剤＞Ａ１：ラウリル硫酸ナトリウム（硫酸エステル系界面活性剤）、Ａ２：ラウレス硫酸ナトリウム（硫酸エステル系界面活性剤）、Ａ３：ポリオキシエチレンアルキル（12〜14）スルホコハク酸二ナトリウム（スルホン酸系界面活性剤）、Ａ４：ヤシ油脂肪酸メチルタウリンナトリウム（スルホン酸系界面活性剤）、Ａ５：ヤシ油脂肪酸サルコシンナトリウム（カルボン酸系界面活性剤）、Ａ６：ラウリル酸トリエタノールアミン（カルボン酸系界面活性剤）、Ｅ１：ポリオキシエチレンアルキル(12〜15)エーテルリン酸（リン酸エステル系界面活性剤）、Ｅ２：モノラウリン酸ポリオキシエチレンソルビタン（20EO、ノニオン性界面活性剤）、Ｅ３：モノオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン（20EO、ノニオン性界面活性剤）、Ｅ４：ヒドロキシエチルセルロース（分子量：1,600,000、粘度：2000〜3000mPa・S、ノニオン性界面活性剤）、Ｅ５：ポリビニルアルコール（平均重合度：550、けん化度：88%、ノニオン性界面活性剤）
但し、Ａ１〜Ａ６及びＥ１の各アニオン性界面活性剤はアルキル基の炭素数が１０〜１６の範囲内において異なる複数の活性剤からなり、炭素数が１２のものをそれぞれ主成分としている。ここで、主成分とは、混合物中の存在割合（重量％）が最も高いことを意味している。
＜アルカリ化合物＞Ｂ１：水酸化テトラメチルアンモニウム、Ｂ２：ピペラジン・六水和物、Ｂ３：無水ピペラジン、Ｂ４：水酸化カリウム、Ｂ５：水酸化ナトリウム
＜その他＞Ｄ１：エチレンジアミン四エチレンホスホン酸（キレート剤）、Ｄ２：トリエチレンテトラアミン六酢酸（キレート剤）
表１に示すように、実施例１〜２０においては、各項目（ｉ），（ｉｉ）について優れた結果が得られた。このため、各実施例の研磨液は、シリコンウエハの表面粗さを小さくするとともに高い研磨速度が得られることを確認できた。実施例１、７及び８に示すように、アニオン性界面活性剤は、その含有量を０．０８質量％以上に、特に０．８質量％以上にすることにより、表面粗さを特に小さくできることを確認できた。
【００２８】
一方、比較例１、２、５及び６においては、スルホン酸系界面活性剤（例えばＡ３）、カルボン酸系界面活性剤（例えばＡ５）及び硫酸エステル系界面活性剤（例えばＡ１）から選ばれる少なくとも一種のアニオン性界面活性剤を含有しないために、表面粗さについて各実施例に比べて劣る結果となった。比較例３及び４においては、モノラウリン酸ポリオキシエチレンソルビタン（Ｅ２）又はモノオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン（Ｅ３）を含有しているために、それらに起因して研磨速度が低下した。このため、比較例３及び４は、シリコンウエハ表面を鏡面状態にするまで研磨することができなかった。比較例７及び８においては、コロイダルシリカ又はアルカリ化合物を含有しないために、研磨速度が低く、シリコンウエハ表面を鏡面状態にするまで研磨することができなかった。
【００２９】
さらに、前記実施形態より把握できる技術的思想について以下に記載する。
（１）アニオン性界面活性剤はカルボン酸系界面活性剤又は硫酸エステル系界面活性剤である請求項１又は２に記載の研磨用組成物。この構成によれば、シリコンウエハの表面粗さをより小さくすることができる。
【００３０】
（２）シリコンウエハの研磨方法であって、シリコンウエハ表面に粗研磨を施す粗研磨工程と、シリコンウエハ表面に精密研磨を施す精密研磨工程と、シリコンウエハ表面に超精密研磨を施す超精密研磨工程とを備え、前記精密研磨工程において、請求項１及び２並びに前記（１）のいずれか一項に記載の研磨用組成物を含有する研磨液を用いる研磨方法。この構成によれば、シリコンウエハの表面粗さを小さくし、かつ研磨速度を高めることができる。
【００３１】
（３）請求項１及び２並びに前記（１）のいずれか一項に記載の研磨用組成物を含有する研磨液。この構成によれば、シリコンウエハの表面粗さを小さくし、かつ研磨速度を高めることができる。