(57)【要約】【課題】  本発明は、ＬＥＤ素子からの発光光束を外部に反射するための良質な光反射面を有し、製造が容易であり、輝度や視野角の製造バラツキが小さいＬＥＤ用セラミックパッケージを提供することを目的とする。【解決手段】  上記課題を解決するため、本発明のＬＥＤ用セラミックパッケージでは、パッケージの一方の主面に開口を有し、底面１６の略中央がＬＥＤ素子１の実装領域２５とされるキャビティ３と、実装領域２５を取り囲むように、キャビティの底面及び側面に形成されたメタライズ層７ａ，７ｂと、パッケージを構成するセラミックの焼成温度よりも低融点の金属材からなり、メタライズ層７ａ，７ｂ上に形成されたフィレット５と、を備えるとともに、当該フィレット５が、ＬＥＤ素子１からの発光光束を所定の方向に反射する光反射面６を有することを特徴とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージの一方の主面に開口を有し、底面の略中央がＬＥＤ素子の実装領域とされるキャビティと、
前記実装領域を取り囲むように、前記キャビティの底面及び側面に形成されたメタライズ層と、
パッケージを構成するセラミックの焼成温度よりも低融点の金属材からなり、前記メタライズ層上に形成されたフィレットと、
を備えるとともに、
当該フィレットが、ＬＥＤ素子からの発光光束を所定の方向に反射する光反射面を有することを特徴とするＬＥＤ用セラミックパッケージ。
【請求項２】
前記フィレットは、前記メタライズ層の融点よりも低融点の金属材からなることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ用セラミックパッケージ。
【請求項３】
前記フィレットは、融点が７８０℃〜１０８０℃の金属材からなることを特徴とする請求項１または２に記載のＬＥＤ用セラミックパッケージ。
【請求項４】
前記メタライズ層の表面にはＮｉメッキが施されてなるとともに、前記フィレットは、Ｎｉメッキ面に対する濡れ角が３０°〜７０°である金属材からなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のＬＥＤ用セラミックパッケージ。
【請求項５】
前記フィレットは、ＡｇまたはＣｕを主成分とする金属材からなることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のＬＥＤ用セラミックパッケージ。
【請求項６】
前記フィレットは、Ａｇ系ロウ材からなることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のＬＥＤ用セラミックパッケージ。
【請求項７】
前記フィレットは、Ｃｕ系ロウ材からなることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のＬＥＤ用セラミックパッケージ。
【請求項８】
前記フィレットの表面には金属メッキが施されてなり、当該金属メッキの表面が前記光反射面をなすことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載のＬＥＤ用セラミックパッケージ。
【請求項９】
前記金属メッキは、Ａｇメッキからなることを特徴とする請求項８に記載のＬＥＤ用セラミックパッケージ。
【請求項１０】
前記フィレットと前記金属メッキの間には、該フィレットの成分が前記光反射面をなす該金属メッキへ拡散するのを阻止するためのバリア層が介挿されてなることを特徴とする請求項８または９に記載のＬＥＤ用セラミックパッケージ。
【請求項１１】
前記バリア層は、Ｎｉメッキからなることを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤ用セラミックパッケージ。
【請求項１２】
前記バリア層は、光沢Ｎｉメッキからなることを特徴とする請求項１１に記載のＬＥＤ用セラミックパッケージ。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか１項に記載のＬＥＤ用セラミックパッケージを製造するために、パッケージを構成するセラミックの焼成温度よりも低融点の金属材を溶融させ、前記キャビティの底面及び側面に形成された前記メタライズ層上を流動させることにより前記フィレットを形成することを特徴とするＬＥＤ用セラミックパッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記キャビティ内に前記金属材を配置しておき、パッケージごと加熱を行うことで当該金属材を溶融させることを特徴とする請求項１３に記載のＬＥＤ用セラミックパッケージの製造方法。
【請求項１５】
セラミック基板上にＬＥＤ素子の実装領域が形成され、前記セラミック基板上には前記ＬＥＤ素子を取り囲む経路に沿ってＡｇ系ロウ材からなるフィレット部が形成され、前記フィレット部に、前記ＬＥＤ素子からの発光光束を所定の方向に反射する光反射面が形成されたことを特徴とするＬＥＤ用セラミックパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ用セラミックパッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光ダイオード（Light emission diode：以下、ＬＥＤ素子とも記す）が注目されている。特に高輝度の青色発光ダイオードが製造可能となってから、赤、緑、青のＬＥＤ素子を用いて高輝度の白色光が得られるようになり、これらのＬＥＤ素子を電球や車のヘッドライトとして使用するための開発が進められている。ＬＥＤ素子は電力の消費量が少ないので、車のヘッドライトとして使用した場合、バッテリーの負荷が減る。また、長寿命であるので、室内に使用する蛍光灯や電球もＬＥＤ素子に置換わりつつある。これらＬＥＤ素子は、使用者の要求を満たすために、発光輝度やスペクトルなどの、光の特性を向上させるべく開発が進められている。
【０００３】
上記発光スペクトルや輝度などの特性は主に、ＬＥＤ素子を構成する化合物半導体により決定される。しかし輝度や視野角などの特性は、ＬＥＤ素子を実装するパッケージからも大きな影響を受ける。そのため、使用者の望む輝度や視野角を得るための手段としてＬＥＤ用セラミックパッケージが注目されている。セラミックパッケージは、例えばオーガニックパッケージと比較して、耐久性、耐熱性、耐食性に優れるとともに、放熱性も良好であるといった利点を有する。このようなＬＥＤ用セラミックパッケージとしては、従来からセラミック基板に実装するものが用いられている。その一例を図６に示す。ＬＥＤ素子１は第一セラミック基板２０上に載置されており、金属配線２３ａ，２３ｂと電気的に接続されている。また、ＬＥＤ素子１を収容するキャビティ２４ができている。キャビティ２４は、第二セラミック基板２１を貫通するように形成されており、第一セラミック基板２０および第二セラミック基板２１は接着されている。ＬＥＤ用セラミックパッケージの大きさは数ミリ程度で、多数集めることで所望の光量を得ることができる。キャビティ２４の内周面には金属層２２が形成されており、ＬＥＤ素子１からの発光光束を反射する構成となっている。
【０００４】
上記ＬＥＤ用セラミックパッケージは、例えばグリーンシート積層法により製造される。第一セラミック基板２０となるべきセラミックグリーンシートに、金属配線２３ａ，２３ｂとなるメタライズペーストを塗布するとともに、第二セラミック基板２１を打ち抜いてキャビティ２４を形成し、該キャビティ２４の内周面に金属層２２となるメタライズペーストを塗布する。その後、各セラミック基板２０，２１を接着し、高温で焼結して、各セラミック基板２０，２１が一体となった焼結体を得る。そして、金属層２２上にニッケルメッキ層や金メッキ層などを、周知の無電解メッキ法や電解メッキ法で被着させる。
【０００５】
ところが上記キャビティ２４は、第二セラミック基板２１を打ち抜いて形成するために角度θが直角になり、ＬＥＤ素子１からの発光光束が外部に放出されず、望ましい視野角と輝度が得られない問題があった。そこで下記特許文献１などのように、角度θが５５°〜７０°となるように穿孔し、且つ金属層の中心線平均粗さＲａを１〜３μｍ、光反射率を８０％以上とすることで、高い発光効率が得られるＬＥＤ用セラミックパッケージが提案されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２３２０１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、角度θが常に一定の角度となるように穿孔するのは難しく、量産すると角度θにバラツキが生じてしまう問題があった。また、メタライズペーストをグリーンシートに塗布して、セラミックとの同時焼成によって金属層を形成すると、表面に屈曲が生じ易く、良質の光反射面を形成するのが難しい。そのため、輝度や視野角のバラツキが大きくなるという問題があった。
【０００８】
本発明は上述のごとき実情に鑑みてなされたものであって、特に、ＬＥＤ素子からの発光光束を外部に反射するための良質な光反射面を有し、製造が容易であり、輝度や視野角の製造バラツキが小さいＬＥＤ用セラミックパッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段・発明の効果】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明のＬＥＤ用セラミックパッケージでは、パッケージの一方の主面に開口を有し、底面の略中央がＬＥＤ素子の実装領域とされるキャビティと、実装領域を取り囲むように、キャビティの底面及び側面に形成されたメタライズ層と、パッケージを構成するセラミックの焼成温度よりも低融点の金属材からなり、メタライズ層上に形成されたフィレットと、を備えるとともに、当該フィレットが、ＬＥＤ素子からの発光光束を所定の方向に反射する光反射面を有することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明のＬＥＤ用セラミックパッケージの製造方法では、上記ＬＥＤ用セラミックパッケージを製造するために、パッケージを構成するセラミックの焼成温度よりも低融点の金属材を溶融させ、キャビティの底面及び側面に形成されたメタライズ層上を流動させることによりフィレットを形成することを特徴とする。
【００１１】
上記本発明によると、キャビティの底面及び側面に形成されたメタライズ層上にフィレットを形成することによって、当該フィレットが有する光反射面によりＬＥＤ素子からの発光光束を良好に反射させることができる。また、金属材を溶融させてメタライズ層上を流動させることにより、容易にフィレットを形成することができる。かかるフィレットを形成するためには、パッケージを構成するセラミックが変質しないように、セラミックの焼成温度よりも低融点の金属材を用いる必要がある。ここで、パッケージに用いられる代表的なセラミックの焼成温度を例示すると、Ａｌ２Ｏ３では１５５０℃程度、ＡｌＮでは１７５０℃程度である。具体的には、フィレットは、融点が７８０℃〜１０８０℃の金属材により構成することが望ましい。
【００１２】
また、フィレットは、メタライズ層を溶融させてしまわないように、メタライズ層の融点よりも低融点の金属材により構成することが望ましい。また、フィレット形成の際には、キャビティ内に金属材を配置しておき、パッケージごと加熱を行うことで当該金属材を溶融させることが簡便である。
【００１３】
次に、メタライズ層の表面にはＮｉメッキが施されてなるとともに、フィレットは、Ｎｉメッキ面に対する濡れ角が３０°〜７０°である金属材により構成することが望ましい。このような金属材を用いることによって、ＬＥＤ素子からの発光光束を良好に反射することが可能な形状のフィレットを得ることができる。          
【００１４】
具体的には、フィレットは、ＡｇまたはＣｕを主成分とする金属材から構成することができる。他にＡｕ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｇ等を主成分とする金属材を用いることもできる。また、これらの中でも、Ａｇ系ロウ材またはＣｕ系ロウ材を用いるのが良い。ここで、Ａｇ系ロウ材とは、銀を主成分とし、これに銅、亜鉛、カドミウムなどの金属を加えた合金を指す。また、Ｃｕ系ロウ材とは、銅を主成分とし、これに銀、亜鉛、カドミウムなどの金属を加えた合金を指す。
【００１５】
次に、上記光反射面について、フィレットの表面を用いることも可能であるが、発光光束に対する反射率をより向上させるため、フィレットの表面に金属メッキが施し、当該金属メッキの表面を光反射面とすることが好ましい。特に、Ａｇメッキは良好な反射率を有するので、当該金属メッキをＡｇメッキにより構成することがさらに好ましい。
【００１６】
また、フィレットと金属メッキの間には、該フィレットの成分が光反射面をなす該金属メッキへ拡散するのを阻止するためのバリア層を介挿させて構成することが好ましい。バリア層には、例えばＮｉメッキを用いることができる。中でも、光沢Ｎｉメッキを用いることで、光反射面の平滑性をより向上させることができる。なお、光沢Ｎｉメッキとは、光沢剤を添加したＮｉメッキ浴を用いて形成するメッキをいう。
【００１７】
上記課題を解決するために本発明のＬＥＤ用セラミックパッケージは、セラミック基板上にＬＥＤ素子の実装領域が形成され、セラミック基板上にはＬＥＤ素子を取り囲む経路に沿ってＡｇ系ロウ材からなるフィレット部が形成され、フィレット部に、ＬＥＤ素子からの発光光束を所定の方向に反射する光反射面が形成されたことを主要な特徴とする。
【００１８】
上記フィレット部は、上記セラミック基板の表面に、上記経路に沿って形成されたメタライズ層上に配置されている。また、本発明のＬＥＤ用セラミックパッケージは、上記セラミック基板の一方の主表面に開口する有底のキャビティが形成され、該キャビティの底面に上記ＬＥＤ素子の実装領域が形成されると共に、上記底面の外周縁部と上記キャビティの内周面とに上記メタライズ層が形成され、それら２つのメタライズ層にまたがるように上記フィレット部が形成されている。
【００１９】
上記光反射面は開口方向に広くなるように形成されている。また、上記光反射面には、光反射率を上げるためのＡｇメッキ層が形成されている。さらに、本発明のＬＥＤ用セラミックパッケージは、上記ＬＥＤ素子の実装領域は第一のセラミック基板上に形成されると共に、上記キャビティは第二のセラミック基板を貫通するように形成され、上記キャビティが上記ＬＥＤ素子を収容するように、上記第一のセラミック基板および上記第二のセラミック基板が接着されている。
【００２０】
また、本発明のＬＥＤ用セラミックパッケージは、第一、第二、第三のセラミック基板をこの順に積層してなり、第一のセラミック基板上に上記ＬＥＤ素子の実装領域が形成されると共に、第二および第三のセラミック基板に貫通穴が形成され、これら二つの貫通穴が連なって上記キャビティをなし、第二のセラミック基板の一方の主表面に上記ＬＥＤ素子と接続する金属パットが形成され、該金属パッドは上記キャビティから露出している。
【００２１】
上記貫通穴は円柱形であり、上記第三のセラミック基板に形成された貫通穴の直径は、上記第二のセラミック基板に形成された貫通穴の直径よりも大きい。上記貫通穴は、上記第二および第三のセラミック基板を垂直に打ち抜いて形成される。
【００２２】
本発明のＬＥＤ用セラミックパッケージは、Ａｇ系ロウ材からなるフィレット部に光反射面を形成する。その表面は滑らかなので、ＬＥＤ素子からの発光光束を外部に反射し、高い発光効率が得られる。Ａｇ系ロウ材とは、銀を主成分とし、これに銅、亜鉛、カドミウムなどの金属を加えた合金を指す。後述するように、フィレット部の形状は精度よく製造できるので、本発明のＬＥＤ用セラミックパッケージは、視野角や輝度のバラツキが小さくなるように量産できる。さらに、上記光反射面の表面に銀メッキ層を形成することもでき、光の反射率をさらに高めることができる。
【００２３】
ＬＥＤ素子はキャビティ底面の略中央に載置されており、キャビティ底面の外周縁部およびキャビティ内周面にはメタライズ層が形成されている。フィレット部は、メタライズ層にＡｇ系ロウ材を流し込み、例えば８００℃程度の高温処理を施して形成する。高温によってロウ材がリフローして、滑らかな光反射面が形成される。光反射面は開口方向に広くなるように形成されるので、アンテナ型の構造になり、ＬＥＤ素子からの発光光束を効率的に外部に反射する。
【００２４】
フィレット部の構造では、キャビティ底面と光反射部との角度が重要なパラメータである。量産において角度のバラツキが大きいと、視野角が安定しない。従来の技術ではセラミックグリーンシートに角度をつけて打ち抜いていたので、バラツキが大きかった。それに対して本発明では、メタライズ層の形状を精度良く製造できるので、上記角度のバラツキを小さくできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明のＬＥＤ用セラミックパッケージに係わる実施形態を、図面を参照して説明する。
図１（ａ）は本発明のＬＥＤ用セラミックパッケージの一実施形態を示す要部断面図であり、図１（ｂ）は同じく正面図である。セラミック基板１５は例えば酸化アルミニウムや窒化アルミニウム等のセラミック材料からなる略四角平板であり、一方の主表面に有底のキャビティ３を有している。また、キャビティ底面１６上にＬＥＤ素子１の実装領域２５を有しており、ＬＥＤ素子１の支持基板として機能する。キャビティ底面１６には金属パッド８ａ，８ｂが構成されている。ＬＥＤ素子１は、実装領域２５に接着されるとともに、ボンディングワイヤ２を介して金属パッド８ａ，８ｂと電気的に接続されている。金属パッド８ａ，８ｂはセラミック基板１５の裏面にある外部端子２６ａ，２６ｂと導通しており、ここからＬＥＤ素子１の駆動電流を流す。
【００２６】
キャビティ底面１６の外周縁部およびキャビティ内周面４には、例えばＭｏ−Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｗ−Ｍｎ等からなるメタライズ層７ｂ，７ａが、ＬＥＤ素子１を取り囲む経路に沿って、それぞれ形成されている。これら２つのメタライズ層にまたがるように、Ａｇ系ロウ材からなるフィレット部５が形成されている。このフィレット部５は、Ａｇ系ロウ材のボールを載置し、８００℃程度の熱処理をかけてリフローして形成したので、滑らかな光反射面６を有する。この光反射面６が、ＬＥＤ素子１からの発光光束を外部へ反射する。
【００２７】
メタライズ層７ｂと光反射面６の角度θは、メタライズ層７ａの高さＡおよび、メタライズ層７ｂの幅Ｂによって決定され、視野角および輝度に影響を与える重要なパラメータである。特に量産する場合にθのバラツキが問題になるが、ＡとＢの寸法バラツキは小さくなるように量産できるので、θのバラツキも抑えられる。角度θは、ユーザーの要求する視野角や輝度を満たすように設計される。例えば角度θを３０°にしたい場合は、Ｂ≒１．７３Ａの関係を満たすようにＡおよびＢを決めればよい。
【００２８】
光反射面６の表面に電解メッキ法や無電解メッキ法によりニッケルや銀、白金、パラジウム等などのメッキを施すと、光の反射率をより高めることができる。特に、表面に銀メッキを施すと高い反射効率が得られる。
【００２９】
フィレット部５は、ＬＥＤ素子１を中心とした円周上に配置されていることが望ましい。その理由は、フィレット部が略円形であると、ＬＥＤ素子１からの発光光束を光反射面６が均一に反射して、外部に放出できるからである。
【００３０】
次に、別の実施形態について説明する。図２（ａ）は本発明のＬＥＤ用セラミックパッケージの、別の実施形態を示す概略断面図であり、図２（ｂ）は同じく正面図である。図２のＬＥＤ用セラミックパッケージは、第一セラミック基板１０、第二セラミック基板１１、第三セラミック基板１２が積層されてなる。第二セラミック基板１１および第三セラミック基板１２は板を貫通する穴を有し、それら２つの貫通穴が連なってキャビティ３を構成する。
【００３１】
第一セラミック基板１０の主表面には、メタライズ層７ｂおよび金属製の実装領域１４が形成されている。これらメタライズ層７ｂおよび実装領域１４は、例えばＭｏ−Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｗ−Ｍｎなどの金属からなる。ＬＥＤ素子１は実装領域１４に接着する。
【００３２】
第二セラミック基板１１の一方の主表面には金属パッド８ａ，８ｂおよび、それに連なる金属配線１３が形成されている。金属パッド８ａ，８ｂはボンディングワイヤ２を介してＬＥＤ素子１と接続している。ＬＥＤ素子を駆動するための電力は、これら金属パッド８ａ，８ｂおよび金属配線１３を通して、図示しない外部端子から供給する。また、第三セラミック基板１２は金属配線１３を覆うように、第二セラミック基板と接着している。また、第三セラミック基板１２の貫通穴は、第二セラミック基板１１の貫通穴よりも大きく形成されており、金属パッド８ａ，８ｂが露出する形態とされている。このようにすると第三セラミック基板１２が金属配線１３を保護するので、使用中に金属配線１３が剥離するなどの不具合を回避できる。
【００３３】
キャビティ内周面４にはメタライズ層７ａが形成されており、メタライズ層７ａおよび７ｂが垂直に結合するように、第一セラミック基板１０および第二セラミック基板１１が接着している。その結果、キャビティ底面１６の外周縁部およびキャビティ内周面４に、ＬＥＤ素子１を取り囲む経路に沿って、メタライズ層７ａ，７ｂが形成された形態となっている。
【００３４】
Ａｇ系ロウ材からなるフィレット部５は、メタライズ層７ａ，７ｂにまたがるように形成されている。このフィレット部５は、例えば各セラミック基板１０，１１，１２を接着して焼結体とした後に、Ａｇ系ロウ材の粒子を載置し、８００℃程度の熱処理をかけてリフローして形成したものである。光反射面６には図示しないニッケルメッキ層と銀メッキ層が、銀メッキ層が表面になるようにメッキされており、光の反射率を高める工夫がされている。さらに、図２（ｂ）に示すように、フィレット部５はＬＥＤ素子１を取り囲む円に沿っており、開口方向に広くなるように形成されているため、アンテナ型の構造となり、光を外部に効率的に反射する。
【００３５】
本発明のＬＥＤ用セラミックパッケージは、図３のように複数のＬＥＤ素子を実装することも可能である。図３の実施形態では、３つのＬＥＤ素子１ａ，１ｂ，１ｃを実装した形態である。各ＬＥＤ素子の一方の端子は、金属パッド８ａ，８ｂ，８ｃとボンディングワイヤ２で接続する。他方の端子は共通端子として、金属パッド８ｄに接続する。赤色、青色、緑色のＬＥＤ素子を用いれば白色光が得られる。
【００３６】
次に、本発明のＬＥＤ用セラミックパッケージの製造方法に係わる一実施形態を、図４および図５を参照して説明する。まず、図４（ａ）に示すように第一〜第三セラミック基板となるべきグリーンシート１０ａ，１１ａ，１２ａを用意する。このようなグリーンシートは、セラミック微粉末と有機結合材、可塑剤、溶剤などの混合スリップを、周知のドクタープレード法やカレンダー法で薄板状にすることで作成される。
【００３７】
次に図４（ｂ）に示すように、第一セラミック基板用のグリーンシート１０ａ上にメタライズ層７ｂおよび実装領域１４用のメタライズペーストを、スクリーン印刷法により印刷する。メタライズ層７ｂは実装領域１４を取り囲む経路に沿って、略円形に印刷される。さらに第二セラミック基板用のグリーンシート１１ａに、貫通穴３ａを形成し、貫通穴３ａの内周面４にメタライズ層７ａ用のメタライズペーストを印刷するとともに、グリーンシート１１の上面に金属パッド８ａ，８ｂおよびそれに連なる金属配線１３用のメタライズペーストを印刷する。また、第三セラミック基板用のグリーンシート１２ａにも貫通穴３ｂを形成する。貫通穴３ａ，３ｂは略円柱形であり、各グリーンシートを垂直に打ち抜いて形成される。従来の技術では角度をつけて打ち抜く方法が採用されていたが、本発明では垂直に打ち抜くので、容易に製造できる。
【００３８】
その後、図４（ｃ）に示すように、第一〜第三セラミック基板となるべきグリーンシート１０ａ，１１ａ，１２ａを積層し、接着する。すると貫通穴３ａおよび３ｂは連なって、ＬＥＤ素子を収容するキャビティ３となる。その後、グリーンシートを焼成すると、セラミック基板１０〜１２が一体化し、キャビティ３を有する焼結体が得られる。
【００３９】
次に、メタライズ層７ａ，７ｂの表面に図示しないニッケルメッキ層を周知の電解メッキ法または無電解メッキ法で被膜形成する。ニッケルメッキ層は、Ａｇ系ロウ材との接着性を向上させるために行う。その後、図５（ｄ）に示すように、メタライズ層７ａ，７ｂにＡｇ系ロウ材のボール５ａを載置する。この工程は例えばボール５ａをキャビティ３内に入れ、セラミック基板自体を傾斜させて載置する。その後、例えば８００℃程度の高温処理を施すとボール５ａがリフローし、図５（ｅ）に示すように、Ａｇ系ロウ材のフィレット部５が、メタライズ層７ａおよび７ｂをまたぐように形成される。リフローによって光反射面６が形成され、ＬＥＤ素子１からの発光光束を効率的に外部へ反射できるようになる。さらに、上記光反射面６上に、図示しないニッケルメッキ層および銀メッキ層をこの順に形成してもよい。表面に銀メッキ層を形成することで、光反射率をさらに高めることができる。
【００４０】
以下、上述の各実施形態に共通するフィレット部５周辺の詳細な断面構造について説明する。図７に示すように、メタライズ層７ａ，７ｂの表面にはＮｉメッキ層７１が形成されている。Ａｇ系ロウ材は、該Ｎｉメッキ層７１の表面上で濡れ性が良好であり、当該表面上にて溶融・流動させることによりフィレット部５が形成される。
【００４１】
フィレット部５の表面には、Ｎｉメッキ層６２及びＡｇメッキ層６１がこの順に形成されており、良好な反射率を有するＡｇメッキ層６１の表面が光反射面６をなしている。また、Ｎｉメッキ層６２には、光沢Ｎｉメッキが用いられているので、その上に形成されたＡｇメッキ層６１の表面（光反射面）は良好な平滑性を有している。
【００４２】
また、パッド８ａ，８ｂの表面にも、Ｎｉメッキ層８２及びＡｇメッキ層８１がこの順に形成されている。これにより、ボンディングワイヤ２のボンディング性が良好なものとなっている。ここで、かかるＮｉメッキ層８２及びＡｇメッキ層８１は、フィレット部５の表面に形成されたＮｉメッキ層６２及びＡｇメッキ層６１と同一の組成、すなわち同時に形成することが可能である。
【００４３】
その他、上述の実施形態のＬＥＤ用セラミックパッケージの構成・形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、適宜変更して実施し得るものである。例えば、キャビティ底面１６の略中央の実装領域１４には、ＬＥＤ素子１のみならず、例えばＬＥＤ素子１を駆動するための素子等を併せて実装することなども可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一実施形態を示す概略断面図（ａ）および正面図（ｂ）
【図２】本発明の別の実施形態を示す概略断面図（ａ）および正面図（ｂ）
【図３】複数のＬＥＤ素子を搭載したＬＥＤ用セラミックパッケージの正面図
【図４】本発明のＬＥＤ用セラミックパッケージの工程図
【図５】図４に続く工程図
【図６】ＬＥＤ用セラミックパッケージの従来例を示す断面図
【図７】フィレット部周辺の詳細な断面構造を表す模式図
【符号の説明】
【００４５】
１  ＬＥＤ素子
３  キャビティ
４  キャビティ内周面
５  フィレット部
６  光反射面
７  メタライズ層
８  金属パッド
１３  金属配線
１４  実装領域
１６  キャビティ底面
【図１】
2005210056.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005210056.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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