(57)【要約】      （修正有）【課題】開口率が向上された円形の電極構造の横電界型の液晶表示装置を提供する。【解決手段】各画素が共通電極２２０と画素電極２３８を同心円状に配設した円形電極ＣＥからなり、かつ隣接する円形電極ＣＥ間の離隔距離を最小化して、開口領域として活用されない領域を縮めるために、円形電極ＣＥをデルタ構造で配置するとともに、前記デルタ構造と対応するように曲がった構造のゲート配線及びデータ配線２２８を形成する。【選択図】図７
2005173541.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１方向へと形成された多数のゲート配線等；  前記ゲート配線と交差する第２方向へと形成され、円形の画素領域を定義する多数のデータ配線等において、前記円形の画素領域を形成するため、画素領域に対応する部分が、半円形状であるゲート配線及びデータ配線；
前記ゲート配線等間に、第１方向へと形成された共通配線；
前記共通配線から、画素領域別に分岐されているリング状の共通電極；
前記ゲート配線及びデータ配線の交差地点に形成された薄膜トランジスタ；
前記薄膜トランジスタに連結されて、前記共通電極、一定間隔離隔されるように位置して、前記共通電極と対応するリング状の画素電極を含む横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項２】
前記共通電極と画素電極は、リング状の開口領域を形成し、前記円形の画素領域別の円形電極は、横の方向には水平線上に位置して、縦の方向には傾いた線に沿って位置するデルタ構造で配置されていることを特徴とする請求項１に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項３】
前記円形構造は、楕円形構造を含む構造であることを特徴とする請求項２に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項４】
前記共通電極及び画素電極は、前記画素領域別に、多数のパターン等で構成されて、前記共通電極パターン等及び画素電極パターン等は、交互に離隔されるように位置することを特徴とする請求項１に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項５】
前記円形の共通電極は、実質的に、円形である第１共通電極パターン、第２共通電極パターンを含み、前記第１共通電極パターンは、第２共通電極パターンより大きくて、前記第２共通電極パターンは、前記第１共通電極パターンの内側に位置することを特徴とする請求項４に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項６】
前記共通配線は、前記円形の共通電極の半径に沿って、形成され、前記円形の共通電極を、半円形の２つの部分に分離することを特徴とする請求項５に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項７】
前記リング状の画素電極は、前記第１共通電極パターンは、第２共通電極パターン等間に位置する第１画素電極パターンと、前記第２共通電極パターンの内側に位置する第２画素電極パターンを含み、前記第１画素電極パターン及び第２画素電極パターンを連結する連結配線をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項８】
前記連結配線から延長され、第１共通電極パターンと重なるキャパシター電極をさらに含み、前記キャパシター電極と前記第１共通電極パターンが重なる領域は、ストレージキャパシターを構成することを特徴とする請求項７に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項９】
前記第１共通電極パターンは、前記薄膜トランジスタに対応する領域が分離されており、前記薄膜トランジスタは、第１共通電極パターンの前記分離領域を通じて、前記画素電極まで延長されたドレイン電極を含むことを特徴とする請求項５に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項１０】
前記ゲート配線及びデータ配線の半円形の部分は、前記円形の共通電極及び画素電極に対応する構造を有することを特徴とする請求項１に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項１１】
基板上に、第１方向へと形成された多数のゲート配線等；
前記ゲート配線と垂直に交差する第２方向へと形成され、四角形の画素領域を定義する多数のデータ配線等において、前記四角形の画素領域を形成するため、直線であるゲート配線及びデータ配線；
前記画素領域内に位置する円形の共通電極；
前記円形の共通電極を接する画素領域の共通電極に連結して、前記ゲート配線等間に、第１方向へと形成された共通配線；
前記円形の共通電極内で、前記共通電極と、一定間隔離隔されるように位置する円形の画素電極；
前記四角形の画素領域内で、前記ゲート配線及びデータ配線の交差点に形成された薄膜トランジスタ；
前記円形の画素電極を、前記薄膜トランジスタに連結する連結配線を含む横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項１２】
前記円形の共通電極は、リング状であることを特徴とする請求項１１に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項１３】
前記円形の共通電極は、前記薄膜トランジスタに対応する部分が分離されており、前記連結配線は、この共通電極の前記分離領域を通ることを特徴とする請求項１１に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項１４】
前記連結配線は、前記四角形の画素領域を横切らず、前記ゲート配線と交差することを特徴とする請求項１１に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項１５】
前記円形の共通電極及び画素電極は、円形の開口領域を形成することを特徴とする請求項１１に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項１６】
前記画素領域は、横の方向では水平線に沿って位置して、縦の方向では垂直線に沿って位置する構造で配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項１７】
少なくとも、第１横列、第２横列及び第１縦列、第２縦列に沿って、分布しており、実質的に、円形である画素；
前記第１横列に分布した画素に対して、横の方向へと一定間隔相殺されるように、前記第２横列に分布した画素を含む横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項１８】
前記第１横列、第２横列の縦の距離は、前記第１縦列、第２縦列の横の長さより短いことを特徴とする請求項１７に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項１９】
前記第２横列に位置した画素の上部の一端は、前記第１横列に位置した画素の下部の一端と、縦の方向へと同じ位置にあることを特徴とする請求項１８に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項２０】
前記第２横列に位置する画素の一部は、前記第１横列に位置する２つの画素間に位置することを特徴とする請求項１８に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項２１】
前記第１横列の接する第１画素、第２画素と、前記第２横列で、前記第１画素、第２画素に隣接した第３画素は、デルタ構造であって、前記デルタ構造の３つの頂点は、前記第１画素、第２画素、第３画素の中心であることを特徴とする請求項１７に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【請求項２２】
前記第１画素、第２画素、第３画素の中心間の距離は、実質的に、相互に同じであることを特徴とする請求項２１に記載の横電界型の液晶表示装置用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に、横電界型の液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置の駆動原理は、液晶の光学的異方性と分極性質を利用する。前記液晶は、構造が細くて長いために、分子の配列に方向性があって、人為的に、液晶に電界を印加して分子の配列の方向を制御することができる。  従って、前記液晶分子の配列の方向を任意に調節すると、液晶分子の配列が変わって、光学的異方性により前記液晶分子の配列の方向で光が屈折して、画像の情報が表現できる。
【０００３】
現在には、薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに連結された画素電極が能動方式で配列された能動行列の液晶表示装置(以下、液晶表示装置の液晶表示装置(以下、液晶表示装置と略称する。)が解像度及び動映像の具現能力が優れて最も注目を浴びている。
【０００４】
液晶表示装置は、共通電極が形成されたカラーフィルター基板と、画素電極が形成されたアレイ基板と、両基板間に充填された液晶とで構成されるが、このような液晶表示装置では、共通電極と画素電極間の上−下に掛かる垂直の電界により液晶を駆動させる方式であって、透過率と開口率等の特性が優れる。
ところが、前述した垂直の電界による液晶の駆動は、視野角の特性が優れてないので、これを改善するため、水平の電界により液晶を駆動させ、広視野角の特性がある横電界型の液晶表示装置が提案されている。
【０００５】
図１は、一般的な横電界型の液晶表示装置の断面を示した断面図である。
図示したように、カラーフィルター基板である上部基板１０と、アレイ基板である下部基板２０が、相互に向かい合って離隔しており、この上部基板１０及び下部基板２０間には、液晶層３０が介在されている構造で、前記下部基板２０の内部面には、共通電極２２及び画素電極２４が形成されている。
前記液晶層３０は、前記共通電極２２と画素電極２４の水平の電界２６により作動されて、液晶層３０内の液晶分子３２が水平の電界により移動するので、視野角が広くなる特性がある。
例えば、前記横電界型の液晶表示装置を正面から見た場合、上/下/左/右に約８０°−８５°方向で見ることができる。
【０００６】
以下、図２は、従来の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の概略的な平面図である。
図示したように、ゲート配線４０及びデータ配線４２が、相互に交差して形成されており、ゲート配線４０及びデータ配線４２の交差地点には、薄膜トランジスタＴが形成されている。ゲート配線４０及びデータ配線４２の交差領域は、画素領域Ｐとして定義され、画素領域Ｐには、共通電極４４及び画素電極４６が形成されており、両電極間の横電界により液晶が水平に配列される領域を、実質的の開口領域Ｉとすることを特徴とする。
【０００７】
より詳しく説明すると、前記薄膜トランジスタＴに連結され引出配線４８が形成されており、引出配線４８では、データ配線４２と同じ方向へ、多数の画素電極４６が分岐されている。そして、前記ゲート配線４０と同じ方向へ、一定間隔離隔されるように共通電極５０が形成されており、前記共通配線５０では、画素電極４６と交互に、多数の共通電極４４が形成されている。
例えば、本図面では、共通電極４４と画素電極４６の開口領域Ｉを１つのブロックとして定義した場合、４ブロック構造に関して示した。
【０００８】
このように、横電界型の液晶表示装置は、共通電極と画素電極間に形成される横電界により液晶分子を駆動させる構造であるので、既存の垂直電界型の一般的な液晶表示装置より視野角が向上される効果を得る。
【０００９】
最近には、横電界型の液晶表示装置の視野角の特性をさらに向上させるために、ドメインを多数に分割する構造が提案されている。
【００１０】
図３は、既存のマルチドメインである横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の概略的な平面図であって、前記図２と重複する部分の説明は、簡略にして、特徴的な構造を中心に説明する。図２と異なるように、ストレージ配線５８は、共通電極６０と一定部分重なる。
また、ストレージ配線５８及び共通配線６０から、各々画素電極５６及び共通電極５４が、交互に多数分岐されることに応じて、前記画素電極５６及び共通電極５４が、ジグザグに何度も曲がった構造で構成されている。
そして、前記画素電極５６及び共通電極５４の間区間に位置する液晶分子等は、画素電極５６及び共通電極５４の曲がっている部分を基準に、相互に異にして配列され、マルチドメイン構造を構成する。従って、既存の一字型の電極構造と比べて、視野角が改善される。
【００１１】
前記ストレージ配線５８は、前記共通配線６０と重なるように位置して、ストレージ配線５８と共通配線６０の重畳領域は、ストレージキャパシターＣstを構成する。
前記多数の画素電極５６のうち、どちらかの一画素電極５６は、薄膜トランジスタＴ用ドレイン電極６２と、一体型パターンで構成されている。
【００１２】
ところが、既存のジグザグ構造を利用したマルチドメイン横電界型の液晶表示装置によると、視野角により液晶方向子が異なるので、色の反転が発生され、これによって、視野角の改善が限られた。
図４は、既存のジグザグ構造のマルチドメイン横電界型の液晶表示装置の視野角の特性を示した図である。既存のジグザグ構造の横電界型の液晶表示装置によると、９０°、１８０°方向(ＩＶａ，ＩＶｂ)すなわち、上/下、左/右への視野角の特性は改善されたが、４５°、１３５°方向(ＩＶｃ，ＩＶｄ)への視野角の特性は、低下された。  また、色の反転現象も同じく、全方向に対して視野角別の差が存在する。
【００１３】
より詳しく説明すると、液晶層に電圧が印加されると、液晶分子は、両電極間の電界の影響を受けて、平均的に大略４５°位回転して、このような液晶分子が回転する方向での階調の反転が発生する。特に、階調表示の駆動時には、液晶分子の屈折率の異方性のせいで、偏光子に対する４５°(＋４５°)方向へは、大体的に黄色を示して、１３５°(−４５°)方向へは、大体的に青色を示すカラーシフトが発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
前述したような問題を解決するために、本発明では、階調の反転によるカラー シフトによる視野角の特性の低下を防げる構造の横電界型の液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明では、共通電極及び画素電極を円形電極に形成して、両電極間に存在する開口領域での液晶の方向子が、全ての方向で一定にする。
本発明のまた他の目的は、開口率が向上された円形の電極構造の横電界型の液晶表示装置を提供することであって、このために、ゲート配線とデータ配線の交差領域を画素領域に定義する場合、円形パターンで開口領域を構成することによって、ダミー領域として残される画素領域部分を、開口領域として活用する方法により開口率を高める。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前述した目的を達成するために、本発明の第１特徴では、基板上に、第１方向へと形成された多数のゲート配線等と；ゲート配線と交差する第２方向へと形成され、円形の画素領域を定義する多数のデータ配線等において、円形の画素領域を形成するため、画素領域に対応する部分が、半円形状であるゲート配線及びデータ配線；ゲート配線等間に、第１方向へと形成された共通配線；共通配線から、画素領域別に分岐されているリング状の共通電極；ゲート配線及びデータ配線の交差地点に形成された薄膜トランジスタ；薄膜トランジスタに連結されて、共通電極、一定間隔離隔されるように位置して、共通電極と対応するリング状の画素電極を含む横電界型の液晶表示装置用基板を提供する。
【００１６】
第１特徴において、共通電極と画素電極は、リング状の開口領域を形成して、円形の画素領域別の円形電極は、横の方向では水平線上に位置して、縦の方向には傾いた線に沿って、位置するデルタ構造で配置されている。
円形構造は、楕円形構造を含む構造である。
共通電極及び画素電極は、画素領域別に、多数のパターン等で構成されて、共通電極パターン等及び画素電極パターン等は、交互に離隔されるように位置する。
【００１７】
円形の共通電極は、実質的に、円形である第１共通電極パターン、第２共通電極パターンを含み、第１共通電極パターンは、第２共通電極パターンより大きくて、第２共通電極パターンは、第１共通電極パターンの内側に位置する。
共通配線は、円形の共通電極の半径に沿って、形成され、円形の共通電極を、半円形の２つの部分に分離する。
リング状の画素電極は、第１共通電極パターンは、第２共通電極パターン等間に位置する第１画素電極パターンと、第２共通電極パターンの内側に位置する第２画素電極パターンを含み、第１画素電極パターン及び第２画素電極パターンを連結する連結配線をさらに含む。
【００１８】
連結配線から延長され、第１共通電極パターンと重なるキャパシター電極をさらに含み、キャパシター電極と第１共通電極パターンが重なる領域は、ストレージキャパシターを構成する。
第１共通電極パターンは、薄膜トランジスタに対応する領域が分離されており、薄膜トランジスタは、第１共通電極パターンの分離領域を通じて、画素電極まで延長されたドレイン電極を含む。
ゲート配線及びデータ配線の半円形の部分は、円形の共通電極及び画素電極に対応する構造である。
【００１９】
本発明の第２特徴では、基板上に、第１方向へと形成された多数のゲート配線等；ゲート配線と垂直に交差する第２方向へと形成され、四角形の画素領域を定義する多数のデータ配線等において、四角形の画素領域を形成するため、直線であるゲート配線及びデータ配線と；画素領域内に位置する円形の共通電極；前記円形の共通電極を接する画素領域の共通電極に連結して、ゲート配線等間に、第１方向へと形成された共通配線と；円形の共通電極内で、共通電極、一定間隔離隔されるように位置する円形の画素電極；四角形の画素領域内で、ゲート配線及びデータ配線の交差点に形成された薄膜トランジスタ；円形の画素電極を、薄膜トランジスタに連結する連結配線を含む横電界型の液晶表示装置用基板を提供する。
【００２０】
第２特徴において、円形の共通電極は、リング状である。また、円形の共通電極は、前記薄膜トランジスタに対応する部分が分離されており、連結配線は、この共通電極の分離領域を通る。
連結配線は、四角形の画素領域を横切らなく、ゲート配線と交差する。
円形の共通電極及び画素電極は、円形の開口領域を形成する。
画素領域は、横の方向では水平線に沿って位置して、縦の方向では垂直線に沿って位置する。
【００２１】
本発明の第３特徴では、少なくとも、第１横列、第２横列及び第１縦列、第２縦列に沿って、分布しており、実質的に、円形である画素と；前記第１横列に分布した画素に対して、横の方向へと一定間隔相殺されるように、第２横列に分布した画素を含む横電界型の液晶表示装置用基板を提供する。
第３特徴において、第１横列、第２横列の縦の距離は、第１縦列、第２縦列の横の長さより短い。
第２横列に位置した画素の上部の一端は、第１横列に位置した画素の下部の一端と、縦の方向へと同じ位置にある。また、第２横列に位置する画素の一部は、第１横列に位置する２つの画素間に位置する。
【００２２】
第１横列の接する第１画素、第２画素と、第２横列で、第１画素、第２画素に隣接した第３画素は、デルタ構造であって、デルタ構造の３つの頂点は、第１画素、第２画素、第３画素の中心を構成する。
第１画素、第２画素、第３画素の中心間の距離は、実質的に、相互に同じである。
以下、本発明による望ましい実施例を、図面を参照して詳しく説明する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によるデルタ構造の円形電極の横電界型の液晶表示装置によると、共通電極及び画素電極が、円形電極構造で形成されることによって、どちらかの方向でも液晶方向子が同じなので、特定の角での色の反転なしに、対照比を向上させて、視野角の特性を高めることができる。
また、円形電極間の離隔距離を縮めて、円形電極と対応するパターン構造で画素領域を構成し、画素領域のほとんどを、開口領域として活用することによって、開口率を効果的に高める。
【実施例１】
【００２４】
本実施例は、円形の電極構造の横電界型の液晶表示装置用基板構造の実施例である。
図５は、本発明の実施例１による円形の電極構造の横電界型の液晶表示装置用基板の平面図であって、ストライプパターンタイプのカラーフィルターを含む構造を一例として提示している。
【００２５】
図示したように、第１方向へとゲート配線１１２が形成されており、第１方向と交差される第２方向へとデータ配線１２８が形成されていて、前記ゲート配線１１２及びデータ配線１２８の交差領域は、画素領域Ｐで定義される。
前記ゲート配線１１２及びデータ配線１２８の交差地点に、薄膜トランジスタＴが形成されていて、前記第１方向へとゲート配線１１２と離隔するように共通配線１１４が形成されている。
前記共通配線１１４では、画素領域Ｐ別に、円形パターン構造の共通電極１２０が分岐されており、接する円形の共通電極１２０を、相互に連結する役割を行う。前記薄膜トランジスタＴは、引出配線１４０に連結されており、前記引出配線１４０では、前記共通電極と、交互に位置する円形パターン構造の画素電極１３８が分岐されている。
前記円形の共通電極１２０と画素電極１３８は、リング状構造の開口領域を形成する。円形の開口領域は、液晶方向子が、全ての方向で同じなので、カラーシフトを防いで、画質を改善し、マルチドメインの構成により視野角が向上できる。
説明の便宜上、前記共通電極１２０及び画素電極１３８は、円形電極ＣＥと称する。
【００２６】
前記ゲート配線１１２とデータ配線１２８は、一方向のストライプパターン構造で形成されることによって、両配線が構成する画素領域は、四角形パターン構造を構成する。ところが、四角形パターン構造の画素領域内の円形電極が形成されることによって、画素領域内には、画素領域と横電界の形成電極間のパターンの差により、開口領域として利用されないダミー領域(ＤＡ;dummy area)が存在されて、このようなダミー領域は、開口率低下の要因として作用する。
すなわち、開口率の向上のためには、前述したダミー領域を、最小化する構造が必要とする。
【００２７】
以下、円形電極の配置構造による開口率の向上程度を、図６Ａ、図６Ｂを参照して説明する。図６Ａは、ストライプ構造で画素領域が構成されており、画素領域Ｐ内の円形電極ＣＥは、ストライプ構造に対応するように、一列に配置されている。図６Ｂは、接する円形電極ＣＥ等の中心地点を連結する場合、三角構図を構成するデルタ(delta)構造または、ひし形構造に、円形電極ＣＥを配置した構造である。
前記図６Ａと同じ大きさの円形電極ＣＥの配置構造を変更して、図６Ｂによる配置構造を形成することができる。図６Ａと図６Ｂを比べた場合、図６Ｂの図面上に示したＲ領域ほど、円形電極ＣＥ間の離隔距離が狭くてなって、開口領域を広めることができる。
すなわち、前記図６Ａ、図６Ｂで、接する円形電極ＣＥ等の中心点を連結して構成される領域を比べる場合、図６Ａは四角形領域Ａを構成して、前記図６Ｂでは、デルタ構造を構成する三角形領域Ｂまたは、平行四辺形構造Ｃを構成する。従って、図６Ｂの場合が、円形電極ＣＥ間に存在するダミー領域を、効果的に減らせる。
【００２８】
図面には詳しく提案してないが、前記図６Ｂによるデルタ構造Ｂまたは、平行四辺形構造Ｃの円形電極ＣＥの配置構造に合うように、画素領域がデルタ構造または、平行四辺形構造Ｃであるように変更できて、これに関する具体的な構造は、後述する実施例を通じて説明する。
【実施例２】
【００２９】
図７は、本発明の実施例２による円形電極構造の横電界型の液晶表示装置用基板の平面図である。
本実施例では、画素領域別の円形電極の離隔距離を最小化して、画素領域内の開口領域として活用されないダミー領域を最小化するために、デルタ構造または、平行四辺形構造Ｃに配置された円形電極を含むことを特徴とする。
【００３０】
以下、図を参照して、本実施例の構造を具体的に説明する。
図示したように、多数のゲート配線２１２とデータ配線２２８が、相互に交差するように形成されることに応じて、ゲート配線２１２及びデータ配線２２８は、両配線が、交差する領域で定義される画素領域Ｐは、デルタ構造または、平行四辺形構造Ｃに配置されている。すなわち、前記ゲート配線２１２及びデータ配線２２８は、円形の画素領域Ｐを定義して、このため、画素領域Ｐで、半円形の丸い構造であることを特徴とする。  前記ゲート配線２１２間の離隔区間には、ゲート配線２１２の主方向と平行な方向へと共通配線２１４が形成されており、前記共通配線２１４に連結され画素領域Ｐ内には、リング状構造の共通電極２２０が形成されている。前記共通電極２２０の内部には、前記共通電極２２０と相似形であるリング状構造の画素電極２３８が、前記薄膜トランジスタＴに連結され、形成されている。
前記共通電極２２０及び画素電極２３８は、円形電極ＣＥを構成して、前記ゲート配線２１２及びデータ配線２２８は、円形電極ＣＥ間の離隔距離に沿って、半円形構造に形成されることによって、画素領域Ｐは、円形電極ＣＥと対応する円形パターン構造で形成され、画素領域Ｐ及び円形電極ＣＥは、デルタ構造または、平行四辺形構造Ｃであることを特徴とする。
【００３１】
本実施例によると、画素領域別の円形電極ＣＥ間の離隔距離を最小化して、画素領域Ｐが、円形電極ＣＥと対応する円形構造であることによって、画素領域と円形電極とのパターンの差によるダミー領域が除去でき、ストライプ構造と比べた場合、開口率を効果的に高めることができる。
【００３２】
一方、前記共通電極２２０及び画素電極２３８のパターン構造を、より具体的に説明する。前記共通電極２２０は、画素領域Ｐの最外角に位置する第１共通電極パターン２２０ａと、前記第１共通電極パターン２２０ａの内部に位置する第２共通電極パターン２２０ｂとで構成される。前記画素電極２３８は、前記第１共通電極パターン２２０ａ、第２共通電極パターン２２０ｂの間区間に位置する第１画素電極パターン２３８ａと、前記第２共通電極パターン２２０ｂの内部に位置する第２画素電極パターン２３８ｂとで構成される。また、前記第１画素電極パターン２３８ａでは、第１共通電極パターン２２０ａと重なるようにキャパシター電極２２１が形成されており、図示してない絶縁体が介在された状態で、キャパシター電極２２１と重なる第１共通電極パターン２２０ａ領域は、ストレージキャパシターＣstを構成する。
【００３３】
前記第１共通電極パターン２２０ａは、薄膜トランジスタＴと離隔されるように位置するために、前記薄膜トランジスタＴと重なる区間で、分離された構造である。
そして、前記キャパシター電極２２１では、第１画素電極パターン２３８ａ、第２画素電極パターン２３８ｂを、電気的に連結するための連結配線２４１が延長されている。
さらに、前記薄膜トランジスタＴは、画素領域Ｐ別に、半円形のデータ配線２２８から分岐されたソース電極２５０を含んでおり、ソース電極と離隔されたドレイン電極２５２を含む。一方、前記ドレイン電極２５２は、第１画素電極パターン２３８ａに連結されていて、データ信号を、前記画素電極２３８及び前記キャパシター電極２２１に伝達する役割をする。
【００３４】
本実施例以外にも、前記キャパシター電極は、前段ゲート配線と重なる領域まで延長形成され、前段ゲート配線と重なる領域をストレージキャパシターとして追加する構造を含む。この場合、前記キャパシター電極と重なるゲート配線部は、もう１つのキャパシター電極として利用される。
ところが、本発明の前記実施例等に限らず、本発明の趣旨に反しない範囲内で、多様に変更して実施することができる。
例えば、本発明による円形構造は、楕円形構造を含む包括的な意味の円形構造に当たる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】一般的な横電界型の液晶表示装置の断面を示した断面図である。
【図２】従来の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の概略的な平面図である。
【図３】既存のマルチドメイン横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の概略的な平面図である。
【図４】既存のジグザグ構造のマルチドメイン横電界型の液晶表示装置の視野角の特性を示した図である。
【図５】本発明の実施例１による円形の電極構造の横電界型の液晶表示装置用基板の平面図である。
【図６Ａ】円形電極の配置構造による開口率の向上程度を説明するための図である。
【図６Ｂ】円形電極の配置構造による開口率の向上程度を説明するための図である。
【図７】本発明の実施例２による円形の電極構造の横電界型の液晶表示装置用基板の平面図である。
【符号の説明】
【００３６】
２１２：ゲート配線                 
２１４：共通配線
２２０ａ：第１共通電極パターン２２０ａ
２２０ｂ：第２共通電極パターン２２０ｂ
２２０：共通電極                  
２２１：キャパシター電極
２２８：データ配線
２３８ａ：第１画素電極パターン
２３８ｂ：第２画素電極パターンｂ
２３８：画素電極                  
２４１：連結配線
ＣＥ：円形電極                    
Ｐ：画素領域
Ｔ：薄膜トランジスタ
【図１】
2005173541.tif 000003
【図２】
2005173541.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005173541.tif 000006
【図５】
2005173541.tif 000007
【図６Ａ】
2005173541.tif 000008
【図６Ｂ】
2005173541.tif 000009
【図７】
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