(57)【要約】【課題】金型構造や金型メンテナンスを簡素化し、基板上に形成される集積度の高いパッケージ部を効率良く樹脂封止できる樹脂封止装置を提供する。【解決手段】モールド金型に設けられたポット３４より金型面３６とキャビティプレート１のプレート面４４との間に形成された樹脂供給路３８を経て封止樹脂がキャビティ孔１７へ充填される。【選択図】図１
2005268560.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークと、該ワークの樹脂封止部の外形及び厚さを規定するキャビティ孔が穿孔されたキャビティプレートとがプレス部に搬入され、モールド金型と位置合わせしてクランプすることにより樹脂封止される樹脂封止装置において、
モールド金型に設けられたポットより封止樹脂が金型面とキャビティプレートのプレート面との間に形成された樹脂供給路を経てキャビティ孔へ充填されることを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項２】
前記キャビティプレートはプレート面がポットに対向するようモールド金型にクランプされ、ポットの内壁とキャビティ孔を仕切る仕切り部の外壁との間に形成される隙間を通じて封止樹脂がキャビティ孔へ充填されることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止装置。
【請求項３】
前記プレス部は、樹脂供給路を含む金型面がリリースフィルムにより覆われるトランスファー成形用のモールド金型を備えていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止装置。
【請求項４】
前記キャビティプレートは、プレス部に対してモールド金型のクランプ面と略平行なトラック面上を周回移動する金属製のプレートであることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止装置。                                                      
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワークがモールド金型に搬入されクランプされて樹脂封止が行なわれる樹脂封止装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置製造用の樹脂封止装置の一例として、トランスファー成形によりパッケージ部が形成される樹脂封止装置が用いられている。この樹脂封止装置は、半導体チップが樹脂基板、リードフレームなどの基板上に搭載されたワーク或いは半導体用基板などのワークが、キャビティ凹部が形成されたモールド金型に搬入されてクランプされ、ポットに装填された樹脂材をプランジャによりランナゲートを通じてキャビティ凹部へ移送して樹脂封止されるようになっている。
【０００３】
また、近年ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ・Ｓｉｚｅ・Ｐａｃｋａｇｅ又はＣｈｉｐ・Ｓｃａｌｅ・Ｐａｃｋａｇｅ）タイプの半導体装置に代表されるように、半導体チップが基板の一方の面にマトリクス状に搭載されたワークが一括して樹脂封止され、樹脂封止後、ダイシング装置により、半導体チップ毎に個片になるようにダイシングされて半導体装置が製造されている。
【０００４】
モールド金型は、上型及び下型を有し、半導体チップが収容されたキャビティ凹部へ封止樹脂を充填するためには基板上を封止樹脂が通過するランナゲートを設ける必要があり、基板面に特殊処理（例えばディゲート用金めっきの形成）が必要になり、製造工程が増えて生産効率が上がらず、製造コストも増大する。
また、ワークに片面モールドを行う場合、基板側面の樹脂バリが発生するおそれがあり、金型メンテナンスも必要になる。
【０００５】
これに対して回路基板の樹脂封止範囲以外には封止樹脂を接触させないようにするため、キャビティが形成されたキャビティプレートをプリント基板に重ね合わせて樹脂封止する方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特公昭６１−４６０４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の樹脂封止方法は、プリント基板と略同じ大きさのキャビティプレートとプリント基板とを別々にモールド金型のゲージピンに通して重ねているだけである。どのようにキャビティプレートとプリント基板とをモールド金型に搬入し、成形後にモールド金型からプリント基板を取り出すのか、更には成形品から不要樹脂のゲートブレイクやキャビティプレートとプリント基板との分離などをどのように具現化するかは明らかにされていない。また、金型クランプ面にランナゲートが形成されているため、金型のクリーニングやメンテナンスを随時行う必要があり、装置の稼動効率が低下し生産効率が低下する。また、基板上に形成されるパッケージ部（樹脂封止される部分）の面積占有率が高いワークに対して、樹脂供給路を確保しつつ封止樹脂の無駄なく封止することが困難である。
【０００８】
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決し、金型構造や金型メンテナンスを簡素化し、基板上に形成されるパッケージ部を広範囲に効率良く樹脂封止できる樹脂封止装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上記目的を達成するため、次の構成を備える。
即ち、ワークと、該ワークのパッケージ部の外形及び厚さを規定するキャビティ孔が穿孔されたキャビティプレートとがプレス部に搬入され、ワークをモールド金型と位置合わせしてクランプすることにより樹脂封止する樹脂封止装置において、モールド金型に設けられたポットより金型面とキャビティプレートのプレート面との間に形成された樹脂供給路を経て封止樹脂がキャビティ孔へ充填されることを特徴とする。
また、前記キャビティプレートはプレート面がポットに対向するようモールド金型にクランプされ、ポットの内壁とキャビティ孔を仕切る仕切り部の外壁との間に形成される隙間を通じて封止樹脂がキャビティ孔へ充填されることを特徴とする。
また、前記プレス部は、樹脂供給路を含む金型面がリリースフィルムにより覆われるトランスファー成形用のモールド金型を備えていることを特徴とする。
また、前記キャビティプレートは、プレス部に対してモールド金型のクランプ面と略平行なトラック面上を周回移動する金属製のプレートであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る樹脂封止装置を用いれば、モールド金型に設けられたポットより金型面とキャビティプレートのプレート面との間に形成された樹脂供給路を経て封止樹脂がキャビティ孔へ充填されるため、キャビティプレートにポットに対応した樹脂供給路となる貫通孔は省略でき、基板上に形成されるパッケージ部の面積占有率の高いワークを樹脂封止することができ、より多数個取りが可能となるため生産効率が向上する。また、ポットからキャビティ孔への樹脂供給路も短くなるので無駄な封止樹脂を減らしてワークを効率良く樹脂封止できる。
特に、キャビティプレートはプレート面がポットに対向するようモールド金型にクランプされ、ポットの内壁とキャビティ孔を仕切る仕切り部の外壁との間に形成される隙間を通じて封止樹脂がキャビティ孔へ充填されることにより、不要樹脂の発生量が極めて少なく歩留まりが向上し生産コストやスクラップ量を削減できる。
また、キャビティプレートに樹脂供給路となる貫通孔が存在しないので、キャビティプレートからの不要樹脂の分離除去が極めて容易であり、キャビティプレートのクリーニング作業が簡易に行える。
また、キャビティプレートに樹脂供給路となる貫通孔が存在しないので、熱容量を向上させてキャビティプレートからの熱放散性を抑えて封止樹脂の流動性を向上でき、またキャビティプレートの剛性低下による歪みが発生し難く、平坦度を向上させることができる。
更には、リリースフィルムを使用することで、封止樹脂が金型クランプ面に接触することがないので、金型クリーニングが簡略になり、エジェクタピンを省略できるので、金型構造も簡略化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明に係る樹脂封止装置の好適な実施の形態について添付図面と共に詳述する。
本願発明は、ワークと、該ワークのパッケージ部の外形及び厚さを規定するキャビティ孔が穿孔されたキャビティプレートとがプレス部に搬入され、ワークをモールド金型と位置合わせしてクランプすることにより樹脂封止する樹脂封止装置について広く適用可能である。
【００１２】
先ず、樹脂封止装置の概略構成について図９及び図１０を参照して説明する。本実施例はトランスファー成形方式を採用した樹脂封止装置について例示する。図１０において、キャビティプレート１は、モールド金型のクランプ面と略平行なトラック面２上を周回移動するようになっている。このトラック面２に沿ってプレヒート部３、プレス部４、ディゲート部５及びクリーナー部６が設けられている。
半導体チップが基板上に搭載されたワークＷ或いは半導体用基板などのワークＷは、ワーク供給部７より基板プレヒート部８へ送り出される。ワークＷは供給マガジン９に収容されており、該供給マガジン９からプッシャー１０によってワークＷが基板プレヒート部８へ送り出されて、キャビティプレート１へ位置合わせして重ね合わせるように供給される。基板プレヒート部８は、基板温度と金型温度との温度差を縮小して成形時間を短縮するために設けられる。
【００１３】
プレヒート部３は、プレス部４の搬送方向上流側に設けられ、ワークＷが載置されたキャビティプレート１をプレヒートする。キャビティプレート１は、板厚が薄く熱容量が少ないことから、成形サイクルを短縮し、成形品質を維持するためにはプレス部４へ搬入される前に予め１２０°〜１３０°程度に余熱しておくことが望ましい。
【００１４】
プレヒート部３の下方には、図示しない樹脂供給部が設けられている。樹脂供給部は、例えばパーツフィーダーから整列して送り出された樹脂材（樹脂タブレットなど）をカセットなどに収容し、該カセットがタブレット補給位置とローダーへの受渡し位置との間を上下に往復移動するようになっている。図示しないローダーは基板プレヒート部８とプレス部４との間を往復移動する。ローダーは、樹脂供給部へ移動して樹脂材を保持し、これらをプレス部４の下型へ搬入する。また、ローダーによる樹脂材搬入動作は、キャビティプレート１のプレス部４への搬入前に行われる。
【００１５】
キャビティプレート１は、図９に示す支持枠体１１に位置決めされて支持される。キャビティプレート１及び支持枠体１１は、搬送アーム１３に設けられたピン、突起などに嵌合させ、位置決めして重ね合わせたまま搬送される。支持枠体１１及び搬送アーム１３には、キャビティプレート１の金型クランプ面に相当するステージエリアを包含するように中空孔１４が形成されている。中空孔１４は、キャビティプレート１に対して各工程で作業を行う際に、支持枠体１１及び搬送アーム１３と干渉しないように設けられている。
【００１６】
図１０において、複数若しくは１基の搬送アーム１３は、プレヒート部３、プレス部４、ディゲート部５及びクリーナー部６にそれぞれ一時停止しながら周回移動し、トラック面２の内外へ退避することなく、中空孔１４内に形成される各ステージエリアでキャビティプレート１やワークＷに対して作業が行われるようになっている。尚、搬送アーム１３に重ね合わされた支持枠体１１及びキャビティプレート１は、プレヒート部３やプレス部４に設けられたリフター装置１５によりリフトアップ可能に載置されている。
【００１７】
図８（ａ）において、キャビティプレート１は一例として矩形状の金属プレートが用いられる。キャビティプレート１には複数箇所にキャビティ孔（貫通孔）１７が所定ピッチで穿孔されている。破線部は基板外形を示す。キャビティプレート１には、金型と同様の鋼材、例えばステンレススチール、チタン、ニッケル合金などが用いられ、パッケージ部の厚さに応じて、板厚０．３〜１．０ｍｍ程度のものが用いられる。尚、キャビティプレート１は金属製に限らず、耐熱性、耐摩耗性、搬送に耐え得る剛性があれば他の部材でも良く、ポリイミド樹脂のような樹脂製板材であっても良い。また、キャビティプレート１のプレート面（両面又は片面）やキャビティ孔１７の孔壁面には、成形品との離型性を考慮して必要に応じてテフロン（登録商標）樹脂やフッソ樹脂等がコーティングされていても良い。
【００１８】
搬送アーム１３の周回機構について説明する。図１０において、トラック面２の中心部には、プーリ（スプロケットホイール）１８、１９間に無端状のベルト（チェーン）２０が巻き回されている。ベルト２０は、周回用モータ２１によりモータ側プーリ１８を介して回転駆動される。ベルト２０には、図示しないガイドブロックを介して搬送アーム１３が片持ち状に連繋している。ガイドブロックは、ベルト２０に沿って配設された図示しないガイドレールに連繋して周回移動するようになっている。
【００１９】
図９において、プレス部４は、モールド金型を構成する固定型である上型３０と可動型である下型３１とを備えている。下型は例えば電動モータ等を用いた型締め機構により上下動するようになっている。図１０において、下型３１側には、下型クランプ面に長尺状のリリースフィルム２２を供給するフィルム搬送機構２３が設けられている。フィルム搬送機構２３は供給リールから巻取りリールへ同期をとってリリースフィルム２２を所定ピッチで送るようになっている。
【００２０】
型閉じする場合は、下型３１が上動し、搬送アーム１３及び支持枠体１１の中空孔１４（図９参照）へ進入して上型クランプ面へリフトアップされたキャビティプレート１をクランプする。このとき、ワークＷは半導体チップがキャビティ孔１７に進入したままキャビティプレート１に載置されており、基板が上型面とキャビティプレート面とでクランプされる。下型３１にはポット３２内に装填される樹脂材を押動するプランジャを備えた公知のトランスファ機構が設けられている。ワークＷをクランプした状態でトランスファ機構を作動させると、プランジャが溶融した封止樹脂をキャビティプレート１とリリースフィルム２２との間に形成された樹脂路を通じてキャビティ孔１７内へ圧送りして樹脂封止される。
【００２１】
リリースフィルム２２は、封止樹脂に接触する部位を覆うものであり、本実施例では下型の樹脂路を覆ってクランプ面に吸引されて張設される（図１参照）。リリースフィルム２２は、モールド金型の加熱温度に耐えられる耐熱性を有するもので、上型面より容易に剥離するものであって、柔軟性、伸展性を有するフィルム材、例えば、ＰＴＦＥ、ＥＴＦＥ、ＰＥＴ、ＦＥＰ、フッ素含浸ガラスクロス、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリジン等が好適に用いられる。上記リリースフィルム２２を用いることでモールド金型にエジェクタピン及び樹脂封止後に金型面をクリーニングするクリーナー部を設ける必要がない。
【００２２】
樹脂封止が終了すると、下型３１（図９参照）が下動してキャビティプレート１より下方へ離間させるとワークＷ（パッケージ部）とリリースフィルム２２とが分離し、次いでリフター装置１５（図１０参照）を作動させてリフトアームをリフトダウンさせると、キャビティプレート１が支持枠体１１と共に搬送アーム１３上に載置される。成形後のキャビティプレート１は、周回用モータ２１を起動してディゲート部５へ搬送される。また、リリースフィルム２２は、次の成形動作に備えて所定ピッチだけ先に送られる。
【００２３】
図１０において、キャビティプレート１がディゲート部５へ搬送されると、キャビティプレート１が上下でクランプされ、ワークＷ及びスクラップ部（成形品カル及び成形品ランナゲート）２５が吸着保持されたまま、キャビティ孔１７に露出するパッケージ部２４を押動してキャビティプレート１から成形品（パッケージ部２４とスクラップ部２５）のゲートブレークが行われる。スクラップ部２５は排出シュート２８を通じて回収され、ワークＷは、ディゲートパレット２６に載置されたまま、一旦搬送アーム１３より下方へ移動して、ワーク収納部（収納マガジン）２７へ移送される。
【００２４】
図１０において、ディゲート後のキャビティプレート１は、搬送アーム１３に載置されたままクリーナー部６へ搬送される。クリーナー部６には、キャビティプレート１の上下面に接離動可能なクリーニングブラシ２９ａ、２９ｂが設けられている。クリーニングブラシ２９ａ、２９ｂはフードカバー２９ｄに覆われており、フードカバー２９ｄには図示しない吸引装置に接続する吸引ダクト２９ｃが各々接続されている。このクリーナー部６を、クリーニングブラシ２９ａ、２９ｂにより上下プレート面をブラッシングしながら図１０の矢印方向へ往復動させることで、キャビティプレート１のクリーニングが行われる。このクリーニング工程は、キャビティプレート１の樹脂封止動作を通じて繰り返し行えるので、十分なクリーニングが行える。
【００２５】
次に、各種ワークＷに対応した樹脂封止装置における樹脂封止動作について、図１乃至図８を参照して具体的に説明する。図１（ａ）（ｂ）は、基板３２の片面にパッケージ部２４が形成されるワークＷを樹脂封止する装置である。基板３２は樹脂封止後に図示しないダイシング装置により半導体チップ毎に個片になるように切断される。
図１（ａ）において、ワークＷとして１の基板３２上に複数の半導体チップが個別に形成されるワークＷが図示されているが、複数の半導体チップが一括封止されるマトリクス基板であっても良い。ワークＷはキャビティプレート１上に載置されてプレス部４へ搬入有されると、リフター装置１５により上型３０のクランプ面に引寄せられる。上型３０のクランプ面には、基板３２を受ける基板用凹部３３が形成されている。
【００２６】
また、下型３１には、ポット３４及びプランジャ３５がポット３４内を上下動可能に設けられている。ポット３４内には例えば樹脂タブレットＴが装填される。また、ポット３４の周囲には樹脂供給路（下型ランナ・ゲート）を形成する下型凹部３６が形成されている。下型３１のポット（ポット孔）３４及び下型凹部３６を含むクランプ面には、リリースフィルム２２が張設されている。リリースフィルム２２は、下型３１に形成されたクランプ面に連通するエア吸引孔３７よりエア吸引されて下型パーティング面を覆って吸着される。
【００２７】
ワークＷがキャビティプレート１に載置されたまま上型面に引き寄せられ、リリースフィルム２２が下型面に張設されたポット３４に樹脂タブレットＴが装填されると、下型３１は上動して上型３０との間でワークＷ及びキャビティプレート１をクランプする。このとき、キャビティプレート１は、キャビティ孔１７どうしを仕切る仕切り部４４がポット３４に対向した位置でクランプされる。次いで、図示しないトランスファ機構を作動させてプランジャ３５を上昇させて溶融した封止樹脂がポット３５より仕切り部４４と下型凹部３６との間に形成される樹脂供給路（金型ランナ・ゲート）３８を通じてキャビティ孔１７へ充填される（図１（ａ）参照）。このように、キャビティプレート１にポット３４に対応する貫通孔を設ける必要がないため、基板３２上に形成されるパッケージ部２４の面積占有率の高いワークＷを樹脂封止することができ、より多数個取りが可能となるため生産効率が向上する。
また、ポット３４からキャビティ孔１７への樹脂供給路も短くなるので無駄なスクラップ部２５（不要樹脂）の発生量を減らしてワークＷを効率良く樹脂封止できる（図１（ｂ）参照）。
【００２８】
図２（ａ）（ｂ）は、基板３２の上下面にパッケージ部２４が形成されるワークＷを樹脂封止する装置である。即ち、上型３０の基板用凹部３３にはキャビティ凹部４２が形成されており、該キャビティ凹部４２を含む上型クランプ面を覆ってリリースフィルム２２が張設される。リリースフィルム２２はクランプ面に連通するエア吸引孔３９よりエア吸引されて吸着されている。それ以外の装置構成及び樹脂封止動作は図１（ａ）（ｂ）と同様である。
【００２９】
図３（ａ）（ｂ）は、ワークＷが基板３２の片面にパッケージ部２４が形成される製品を樹脂封止する装置である。本実施例は、キャビティプレート１に基板３２を受ける基板凹部３３が形成されており、上型３０のクランプ面は平坦面に形成されている。また、キャビティプレート１のキャビティ孔１７どうしを仕切る仕切り部４４（ポット３４に対向する部位）に、キャビティ孔１７に連通するサイドランナ・ゲート（金型凹溝）４０が設けられており、下型３１のクランプ面は平坦面に形成されている。その他の装置構成及び樹脂封止動作は図１（ａ）（ｂ）と同様である。即ち、モールド金型（上型３０及び下型３１）の構造が簡素化され、ワークＷの基板支持や樹脂供給路は全てキャビティプレート１への加工で形成される。よって、成形品の品種が変わると、キャビティプレート１のみを交換すればたり、上型３０及び下型３１は共用することができる。
【００３０】
図４（ａ）（ｂ）は、基板３２の片面にパッケージ部２４が形成されるワークＷを樹脂封止する装置である。本実施例は、パッケージ部２４がキャビティ孔１７の空間部全てに封止樹脂が充填されるものではなく、キャビティ孔１７の孔壁面に沿ってリング状に形成される。このため、下型３１側に金型クランプ状態でキャビティ孔１７に進入して上型３０と共に基板３２をクランプする下型凸部４１が形成されている。樹脂封止後の成形品は、基板３２上にパッケージ部２４がリング状に囲まれて形成される。このパッケージ部２４に囲まれた基板露出部には、例えばＣＣＤ（電荷結合素子）などの光電変換素子が搭載される。その他の装置構成及び樹脂封止動作は図１（ａ）（ｂ）と同様である。
【００３１】
図５（ａ）（ｂ）は、基板３２の片面にパッケージ部２４が形成されるワークＷを樹脂封止する装置である。本実施例は、キャビティプレート１にキャビティ凹部４２と該キャビティ凹部４２に反対面から連通するバーチカルゲート４３が形成されている。バーチカルゲート４３は、図５（ａ）（ｂ）左半図のように、下型３１からキャビティ凹部４２に向かってゲート径が小さくなる形状と、図５（ａ）（ｂ）右半図のように、下型３１からキャビティ凹部４２に向かってゲート径が大きくなる形状とがある。図５（ａ）（ｂ）左半図の場合には、パッケージ部２４の直近でゲートブレイクが行われる。図５（ａ）（ｂ）右半図の場合には、ランナ側の直近でゲートブレイクが行われ、パッケージ部２４に突設されたゲート樹脂２４ａは、ゲートブレイク後にパッケージ部２４を研磨などして除去される。
また、図５（ａ）（ｂ）において、キャビティプレート１のポット３４に対向する部位には、バーチカルゲート４３の長さとほぼ同様な深さで内底面が粗面化されたプレート凹部４８が形成されている。このプレート凹部４８により、キャビティプレート１の熱伝導性を高めると共に厚さの薄いランナー樹脂とプレート面との密着性を高めてキャビティプレート１の搬送時の脱落を防ぐことができる。尚、ゲート部分の脆さを考慮すると、金型ランナ・ゲート３８を形成するプレート面を粗面化してもよく、ポット近傍のみのプレート面を粗面化するようにしても良い。その他の装置構成及び樹脂封止動作は図１（ａ）（ｂ）と同様である。
【００３２】
図６（ａ）（ｂ）は、基板３２の片面にパッケージ部２４が形成されるワークＷを樹脂封止する装置である。本実施例は、キャビティプレート１のキャビティ孔１７を仕切る仕切り部４４の外径がポット３４の内径より小さく形成されており、ポット３４の内壁と仕切り部４４の外壁との間に隙間（金型ゲート）４５が形成されている。下型３１には樹脂供給路となる下型凹部は形成されておらず平坦面に形成されている。その他の装置構成及び樹脂封止動作は図１（ａ）（ｂ）と同様である。
【００３３】
キャビティプレート１は、キャビティ孔１７どうしを仕切る仕切り部４４がポット３４に対向した位置でクランプされる（図６（ａ）参照）。次いで、図示しないトランスファ機構を作動させてプランジャ３５を上昇させて溶融した封止樹脂がポット３５より隙間４５を通じてキャビティ孔１７へ充填される（図６（ｂ）参照）。このようにポット３４からキャビティ孔１７への樹脂供給路が極めて短いので、基板３２上に形成されるパッケージ部２４の面積占有率が高いワークＷを樹脂封止することができるうえに、スクラップ部２５の発生量が極めて少なく歩留まりが向上し生産コストやスクラップ量を削減できる。
【００３４】
図７（ａ）乃至（ｄ）は、基板３２の片面にパッケージ部２４が形成されるワークＷを樹脂封止する装置である。本実施例は、図１（ａ）（ｂ）と同様の装置構成を用いて、半導体チップ４６が基板３２にワイヤボンディング実装されたワークＷを封止する場合（図７（ａ）参照）、半導体チップ４６が複数個基板３２にワイヤボンディング実装されたワーク（マルチチップモジュールなど）Ｗを封止する場合（図７（ｂ）参照）を示す。また、図３（ａ）（ｂ）と同様の装置構成を用いて、半導体チップ４６が基板３２にフリップチップ実装されたワークＷを封止する場合（図７（ｃ）参照）、半導体チップ４６が複数個基板３２にフリップチップ実装されたワーク（積層型マルチチップモジュールなど）Ｗを封止する場合（図７（ｄ）参照）を示す。アンダーフィルモールド及びオーバーモールドを行う場合、サイドランナ・ゲート４０を用いることで、パッケージ部２４にボイドを発生させずに封止樹脂を効率良く充填できる。
【００３５】
図８（ｂ）乃至図８（ｆ）に樹脂封止されたワークＷの平面図を示す。パッケージ部２４及びスクラップ部２５を黒色部で示す。図１、図２、図３、図５及び図７の樹脂封止装置で樹脂封止されたワークＷを図８（ｂ）および図８（ｃ）に示す。図８（ｂ）はポット３４からシングルランナゲートを通じて各キャビティ孔１７へ封止樹脂が充填されてパッケージ部２４が形成される場合を示し、図８（ｃ）はポット３４の周囲の共通ランナから枝分かれするマルチランナゲートを通じて各キャビティ孔１７へ封止樹脂が充填されてパッケージ部２４が形成される場合を示す。
【００３６】
また、図４の樹脂封止装置で樹脂封止されたワークＷを図８（ｄ）および図８（ｅ）に示す。図８（ｄ）はポット３４からシングルランナゲートを通じて各キャビティ孔１７へ封止樹脂が充填されてパッケージ部２４が形成される場合を示し、図８（ｅ）はポット３４の周囲の共通ランナから枝分かれするマルチランナゲートを通じて各キャビティ孔１７へ封止樹脂が充填されてパッケージ部２４が形成される場合を示す。
【００３７】
また、図６の樹脂封止装置で樹脂封止されたワークＷを図８（ｆ）に示す。図８（ｆ）はポット３４の両側で隣接する各キャビティ孔１７へ隙間４５（図６（ａ）（ｂ）参照）を通じて封止樹脂が充填されてパッケージ部２４が形成される場合を示す。これにより、基板３２上に形成されるパッケージ部２４の面積占有率の高いワークＷを樹脂封止することができ、ポット３４からキャビティ孔１７への樹脂供給路も極めて短いのでスクラップ部２５の発生量を減らすことができる。
【００３８】
上述した各実施例は、図１１（ａ）（ｂ）に示すようにキャビティプレート１に載置されるワークＷが１枚基板３２の例であり、該基板３２上に搭載された半導体チップ４６を複数箇所で封止してパッケージ部２４が形成される場合について説明したが、他例について図１１（ｃ）（ｄ）に示す。即ち、ワークＷは予め個片化された基板３２が用いられ、１枚ごとに単数若しくは複数の同じ品種若しくは異なる品種の半導体チップ４６を各々搭載して個別に樹脂封止され、樹脂封止後に１つの独立した半導体装置として完成される製品であっても良い（この場合には、樹脂封止後のワークＷのダイシング（切断）工程が不要となる）。更には、各基板毎に樹脂封止した後で当該基板をダイシング（切断）工程で半導体チップごとに更に細分化するワークＷであっても良い。
【００３９】
図１２（ｂ）乃至図１２（ｈ）において、図１乃至図７に示す樹脂封止装置を用いて樹脂封止されたワークＷの平面図を示す。パッケージ部２４及びスクラップ部２５を黒色部で示し、基板形状を破線で示す。図１、図２、図３、図５及び図７の樹脂封止装置で樹脂封止されたワークＷを図１２（ｂ）および図１２（ｃ）に示す。また、図４の樹脂封止装置で樹脂封止されたワークＷを図１２（ｄ）および図１２（ｅ）に示す。尚、キャビティプレート１は、個々の基板３２に対応したキャビティ孔１７が穿孔されたものが用いられ（図１２（ａ）参照）、各キャビティ孔１７に基板３２が位置合わせして載置される（図１１（ｃ）参照）。
【００４０】
また、図１３（ａ）（ｂ）の樹脂封止装置で樹脂封止されたワークＷを図１２（ｆ）（ｇ）に、図１４（ａ）（ｂ）の樹脂封止装置で樹脂封止されたワークＷを図１２（ｈ）に示す。図１３（ａ）（ｂ）及び図１４（ａ）（ｂ）に示す樹脂封止装置は、下型凸部４１及びサイドランナ・ゲート４０の有無を除いては図６（ａ）（ｂ）と装置構成は同様である。但し、ワークＷが個片化された基板３２が用いられるため、基板３２と基板３２との間に隙間４７が形成される。この隙間４７は、キャビティ孔１７を仕切る仕切り部４４と上型３０とでクランプされるため、封止樹脂が入り込むことはない。これにより、個片化されたワークＷの基板３２上に形成されるパッケージ部２４の面積占有率を高めた配置構成を採用することができ、ポットからキャビティ孔１７への樹脂供給路も極めて短いのでスクラップ部２５の発生量を減らすことができる。図１２（ｆ）は例えばラッピング樹脂（ラッピングフィルムに包装された樹脂；特開平８−１４２１０５号公報参照）に対応する矩形状ポット３４を用いて封止されたワークＷ、図１２（ｇ）（ｈ）は図８（ｆ）と同様の円形状ポット３４を用いて封止されたワークＷを示す。
【００４１】
以上、本発明の好適な実施例について種々述べてきたが、樹脂封止装置は上述したトランスファー成形方式について例示したが、圧縮成形方式の樹脂封止装置にも適用可能である。また、キャビティプレート１は、金属プレートが好適であるがこれに限定されるものではなく、耐熱性、耐摩耗性、柔軟性を有し封止樹脂が付着し難いものであれば、材質は任意である。また、樹脂封止装置は、下型３１にポット３４が設けられるについて説明したが、上型３０にポット３４が設けられる装置構成であっても良い等、発明の本旨を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得るのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】樹脂封止前後のワークをクランプしたモールド金型の断面図である。
【図２】樹脂封止前後のワークをクランプしたモールド金型の断面図である。
【図３】樹脂封止前後のワークをクランプしたモールド金型の断面図である。
【図４】樹脂封止前後のワークをクランプしたモールド金型の断面図である。
【図５】樹脂封止前後のワークをクランプしたモールド金型の断面図である。
【図６】樹脂封止前後のワークをクランプしたモールド金型の断面図である。
【図７】ワークをクランプしたモールド金型の断面図である。
【図８】キャビティプレートの平面図及び樹脂封止後のキャビティプレートに載置されたワークの平面図である。
【図９】樹脂封止装置をキャビティプレートの移動方向から見た説明図である。
【図１０】樹脂封止装置全体のレイアウトを示す平面図である。
【図１１】ワーク及びキャビティプレートの平面図である。
【図１２】他例に係るキャビティプレートの平面図及び樹脂封止後のキャビティプレートに載置されたワークの平面図である。
【図１３】他例に係る樹脂封止前後のワークをクランプしたモールド金型の断面図である。
【図１４】他例に係る樹脂封止前後のワークをクランプしたモールド金型の断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
Ｗ  ワーク
１  キャビティプレート
２  トラック面
３  プレヒート部
４  プレス部
５  ディゲート部
６  クリーナー部
７  ワーク供給部
８  基板プレヒート部
９  供給マガジン
１０  プッシャー
１１  支持枠体
１３  搬送アーム
１４  中空孔
１５  リフター装置
１７  キャビティ孔
１８、１９  プーリ
２０  ベルト
２１  周回用モータ
２２  リリースフィルム
２３  フィルム搬送機構
２４  パッケージ部
２５  スクラップ部
２６  ディゲートパレット
２７  ワーク収納部
２８  排出シュート
２９ａ、２９ｂ  クリーニングブラシ
２９ｃ  吸引ダクト
２９ｄ  フードカバー
３０  上型
３１  下型
３２  基板
３３  基板用凹部
３４  ポット
３５  プランジャ
３６  下型凹部
３７、３９  エア吸引孔
３８  金型ランナ・ゲート
４０  サイドランナ・ゲート
４１  下型凸部
４２  キャビティ凹部
４３  ゲート樹脂
４４  仕切り部
４５、４７  隙間
４６  半導体チップ
４８  プレート凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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