(57)【要約】【課題】  手軽に取り扱うことができ、かつAlGaInP系およびAs系化合物半導体などのエッチング液と比較的近いエッチング速度でエッチングが行え、かつエッチング後に得られる表面が平滑かつ均一であるGaInP系化合物半導体用エッチング液およびエッチング方法の提供。【解決手段】  ハロゲン酸素酸イオンを含有し、好ましくはIII族構成元素の少なくとも一種と水溶性錯イオンを形成する錯化剤を含有する酸性溶液からなる。【選択図】              なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハロゲン酸素酸イオンを含有する酸性溶液からなるGaInP系化合物半導体用エッチング液。
【請求項２】
前記ハロゲン酸素酸イオンがハロゲン酸イオンである請求項１に記載のエッチング液。
【請求項３】
塩酸および／または硫酸を含有する請求項１又は２に記載のエッチング液
【請求項４】
エッチングを行う半導体が異なる複数層で構成される半導体であって、少なくともGaInP系化合物半導層を含む半導体である請求項１〜３のいずれか一項に記載のエッチング液。
【請求項５】
エッチングを行う半導体が異なる複数層で構成される半導体であって、AlGaInP系化合物半導体層、AlGaAs系化合物半導体層およびGaAs系化合物半導体層からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物半導体層と、GaInP系化合物半導体層とからなる半導体である請求項１〜４のいずれか一項に記載のエッチング液。
【請求項６】
半導体を構成するIII族元素の少なくとも一種の元素と水溶性錯イオンを形成可能な錯化剤をさらに含有する請求項１〜５のいずれかの一項に記載のエッチング液。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のエッチング液を用いてGaInP系化合物半導体のエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。
【請求項８】
エッチングを行う半導体が異なる複数層で構成される半導体であり、該半導体のAlGaInP系化合物半導体層、AlGaAs系化合物半導体層およびGaAs系化合物半導体層からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物半導体層と、GaInP系化合物半導体層のエッチングを同時に行う請求項７に記載のエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子や高周波素子などで用いられているGaInP系化合物半導体のためのエッチング液およびそのエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
GayIn1-yP（0＜y＜1）系および（AlxGa1-x)yIn1-yP（0＜x＜1、0＜y＜1）系の化合物半導体からなる半導体材料は、赤色から緑色の発光が可能であり、電子のドリフト速度が高速であることが知られている。このため、従来から上記化合物半導体からなる半導体材料は、発光ダイオードや半導体レーザなどの発光素子、受光素子のほか、電界効果トランジスタなどにも幅広く利用されている。
【０００３】
一方、GaInP系化合物半導体は、エッチング液に対して強い耐性を示すことから、従来からエッチングストップ層として利用されている。このようなGaInP系化合物半導体がエッチングされ難いという特性を利用して、最近では種々の半導体材料のエッチングストップ層としてGaInP系化合物半導体が用いられている。しかるに、チップ作製時の素子分離、半導体レーザの電流狭窄層形成のためのリッジ形成およびグルーブ形成、多層構造膜の評価のための表面層エッチングなどにおいては、GaInP系化合物半導体層でエッチングを停止することが要求される場合がある。
【０００４】
GaInP系を含むAlGaInP系化合物半導体をエッチングする場合、従来は６０℃程度の硫酸（98質量%）（特許文献１：特開昭63-20835号公報）や塩酸−水系のエッチング液（非特許文献１：J.W. Lee et. al., Solid-State Electronics 38 (1995) p1871-1874）が用いられていた。しかし、GaInP系化合物半導体層とAlGaInP系化合物半導体層とからなる多層構造体を形成した場合、前記エッチング液を用いてエッチングすると、AlGaInP系化合物半導体のエッチング速度がGaInP系化合物半導体よりもかなり速くなるため、エッチングの制御が困難であるという問題があった。
【０００５】
一方、GaInP系およびAlGaInP系の化合物半導体の選択性の少ないエッチング液としては、塩酸−酢酸−過酸化水素系のエッチング液（B. Schieller et. al., Materials Science and Engineering B 51 (1991) p34-38）が提案されている。しかしながら、このエッチング液でエッチングを行った場合、半導体の種類により異なるエッチング速度及びエッチング異方性を示すため、エッチング層の表面が荒れ、あるいはエッチングの制御が困難であるという欠点があった。さらにはエッチング液の作製後の経時的変化により、エッチング速度が変化してしまうといった問題もあった（J.R. Flemish et. al., J. Electrochem. Soc. 140 (1993) p844-847）。
【０００６】
上記エッチング液を改良したものとして、塩酸−酢酸−硫酸−過酸化水素系のエッチング液も提案されている（特許文献２：特開2001-267307号公報参照）。しかし、特許文献１に記載のエッチング液に含まれる酢酸は、揮発性であり、強い臭気を発すると共に、エッチング液の作製後にエッチング速度が経時的に変化するため、取り扱いが難しいという問題があった。
【０００７】
一方、AlGaInP系化合物半導体のエッチングは比較的簡単に行うことができ、２０〜３０℃程度の硫酸（98質量%）（特開平5-326485号公報）や塩酸−リン酸系のエッチング液、臭化水素酸を用いたエッチング液（特許第2771587号公報）などが数多く提案されている。さらに、GaAsやAlGaAsなどのAs系化合物半導体のエッチング液は、比較的よく知られており、過酸化水素を含む系など様々なエッチング液の報告がされている。
しかるに、GaAs系およびAlGaInP系化合物半導体を同時にエッチングでき、さらに多くの化合物半導体が１つのエッチング液でエッチングできるとの報告は少なく、GaInP系化合物半導体と前記塩酸−酢酸−過酸化水素系（特許文献１）や、GaAs系およびAlGaInP系化合物半導体を同時にエッチングできる塩酸−ヨウ素酸系のエッチング液（非特許文献２：M. Zaknoue et. al., J. Vac. Sci. Tech. B 16 (1998) p223-226）の報告がある程度である。さらに、GaInP系およびAlGaAs系化合物半導体のエッチングを同時に行うことが可能なエッチング液はほとんど報告されていない。
【０００８】
このようにGaInP系化合物半導体のエッチングは困難であり、手軽に使うことができるエッチング液はこれまでのところないのが現状である。さらに、GaInP系の化合物半導体と他の半導体、例えばAlGaInP系やAlGaAs系およびGaAs系の化合物半導体とを同時にエッチングしようとしても適当なエッチング液がないのが現状である。
したがって、予てから手軽に取り扱うことのできるGaInP系化合物半導体のエッチング液の開発が望まれていた。
【特許文献１】特開昭６３−２０８３５号公報（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開２００１−２６７３０７号公報（特許請求の範囲、［００２１］）
【非特許文献１】J.W. Leeら, Solid-State Electronics 38 (1995) p1871-1874
【非特許文献２】M. Zaknoueら, J. Vac. Sci. Tech. B 16 (1998) p223-226
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、手軽に取り扱うことができ、かつAlGaInP系およびAs系化合物半導体などのエッチング液と比較的近いエッチング速度でGaInP系化合物半導体をエッチングすることができ、かつエッチング後の半導体平面が平滑である、GaInPを含んだ系化合物半導体の組成依存性のないエッチング液を提供することにある。
【００１０】
また本発明のもう一つの目的は、本発明のエッチング液を用いたGaInP系化合物半導体のエッチング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記課題を解決するために、エッチング液の組成について鋭意検討した結果、GaInP系化合物半導体を良好にエッチングできる組成からなるエッチング液を見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち、本発明の目的は、ハロゲン酸素酸イオンを含有する酸性溶液からなるGaInP系化合物半導体用エッチング液により達成できる。
【００１３】
本発明のエッチング液は、ハロゲン酸素酸イオンがハロゲン酸イオンであることが好ましい。
【００１４】
また、本発明のエッチング液は、塩酸および／または硫酸を含有することが好ましい。
【００１５】
また、本発明のエッチング液は、エッチングを行う半導体が、異なる複数層で構成される半導体であって、少なくともGaInP系化合物半導層を含む半導体であってもエッチングを行える。
【００１６】
また、本発明のエッチング液は、エッチングされる半導体が、異なる複数層で構成される半導体であって、AlGaInP系化合物半導体層、AlGaAs系化合物半導体層およびGaAs系化合物半導体層からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物半導体層と、GaInP系化合物半導体層とからなる半導体であってもエッチングを行える。
【００１７】
本発明のもう一つの目的は、本発明のエッチング液を用いてGaInP系化合物半導体をエッチングすることを特徴とするエッチング方法により達成される。
【００１８】
本発明のエッチング方法は、AlGaInP系化合物半導体層、AlGaAs系化合物半導体層およびGaAs系化合物半導体層からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物半導体層と、GaInP系化合物半導体層のエッチングを同時に行うことができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のエッチング液は、ハロゲン酸素酸イオンを含有する酸性溶液でGaInP系化合物半導体のエッチングを行うことで、実用的なエッチング速度でエッチング表面が平滑かつ均一なエッチングを行うことができる。さらに、本発明のエッチング液は、酢酸を含有しないため、エッチング時における臭気の発生がなく、取り扱いが容易である。さらに、本発明のエッチング液は、化合物半導体の構成元素の少なくとも１つの元素と錯イオンを形成する錯化剤を混合することにより、より平滑かつ均一なエッチングを実現することができる。さらに、GaInP系化合物半導体やAlGaInP系化合物半導体、AlGaAs系化合物半導体を含んだ複数層のエッチングを行う場合であっても、実用的なエッチング速度で平滑かつ均一なエッチングが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明のエッチング液およびエッチング方法について詳細に説明する。
【００２１】
［エッチング液］
本発明のエッチング液は、ハロゲン酸素酸イオンを含有する酸性溶液からなることを特徴とする。
本発明で使用されるハロゲン酸素酸イオンとしては、１価の正イオンのハロゲン元素を含む次亜ハロゲン酸イオン、３価の正イオンのハロゲン元素を含む亜ハロゲン酸イオン、５価の正イオンのハロゲン元素を含むハロゲン酸イオン、および７価の正イオンのハロゲン元素を含む過ハロゲン酸イオンが挙げられる。
【００２２】
ハロゲン酸素酸イオンは、次亜ハロゲン酸、亜ハロゲン酸、ハロゲン酸および過ハロゲン酸のイオンのいずれであってもよいが、ハロゲン酸イオンは、次亜ハロゲン酸や亜ハロゲン酸よりも分解し難く安定であり、秤量が容易であり、かつ過ハロゲン酸よりも反応が早い。このため、ハロゲン酸素酸イオンとしては、ハロゲン酸イオンを用いることが好ましい。
【００２３】
ハロゲン酸イオンの例としては、塩素酸イオン（ClO3-）、臭素酸イオン（BrO3-）、ヨウ素酸イオン（IO3-）などが挙げられる。中でも塩が水溶性となりやすい塩素酸イオンまたはヨウ素酸イオンを用いることが好ましく、反応性が穏やかなヨウ素酸イオンを用いることがさらに好ましい。また、ハロゲン酸イオンは、水素と結合した酸の状態のものでもよいが、K、Naなどと結合した塩の状態であってもよい。
【００２４】
エッチング溶液中におけるハロゲン酸素酸イオン濃度は、ハロゲン酸素酸イオンが多すぎるとエッチング後の表面が荒れてしまい、少なすぎるとエッチングが不十分となる。そこで、本発明のエッチング溶液中におけるハロゲン酸素酸イオンの濃度は、０．０００１〜１mol/lであることが好ましく、０．００５〜０．１mol/lであることが好ましい。
【００２５】
本発明のエッチング液は、酸性溶液となっていれば前記ハロゲン酸素酸イオンを含有すするだけでもよいが、溶液を酸性にする試薬を含有していることが好ましい。含有させる酸性試薬としては、溶液を酸性にし得る試薬であれば特に制限はなく、例えば、HCl、HF、H2SO4、HNO3、H3PO4などの無機酸や、クエン酸、酒石酸などの有機酸を用いることができる。ハロゲン酸素酸イオンと混合した場合、ハロゲン酸素酸イオンのハロゲンを還元しない程度の酸化還元電位を有する酸性試薬を選択し使用することが好ましく、HClおよび／またはH2SO4を使用することがさらに好ましい。
【００２６】
また、GaInP系化合物半導体以外の（AlyGa1-y)xIn1-xP(0＜x＜1, 0＜ｙ＜1）やAlzGa1-zAs （0＜ｚ＜1）などの化合物半導体と共にエッチングする場合には、GaInP系とほぼ同じエッチング速度を維持するため、これらの化合物半導体をあまり速い速度でエッチングしない酸を選択することが好ましい。
【００２７】
本発明のエッチング液は、強い酸性を示す場合、Al、Ga、InなどのIII族元素を溶液中に溶解し易くなるが、その反面、ハロゲン酸素酸が解離し難くなる。その結果、解離するハロゲン酸素酸イオンが少なくなり、十分なエッチングが得られなくなる場合がある。一方、エッチング液が弱い酸性を示す場合には、ハロゲン酸素酸イオンが多数存在するため、エッチングは容易になるが、III族元素の溶液中への溶解度が小さくなるため、結果的にエッチングが進みにくくなる場合がある。そこで、本発明のエッチング液を酸性に維持するために用いられる酸は、ハロゲン酸素酸イオンを含む水溶液が酸性である場合、酸性試薬は添加せずにハロゲン酸素酸のみとするか、または酸を用いた場合であっても酸濃度を２５mol/l以下とすることが好ましく、０．００１〜１０mol/lとすることがさらに好ましい。
【００２８】
酸を用いる場合、低いｐＨ値を維持するため、なるべく酸を溶液中で解離しておくことが好ましい。なお、ハロゲン酸素酸が存在するため、酸の解離定数は変化し、このままの形ではｐＨで表すことはできないが、ハロゲン酸素酸を含有しない酸および水からなる二成分溶液を作製した場合、酸のｐＨ値は好ましくは−１．５〜４、さらに好ましくは−１〜３である。なお、ｐＨの微調整が必要な場合には少量のアルカリ性を添加することもできる。そのようなｐＨ調整用のアルカリ剤は特に制限はなく、例えば、一般的なNH3(OH)、NaOH、KOHなどを用いることができる。
【００２９】
エッチング液の溶媒は、一般的には水を用いることができるが、不純物の混合を防ぐ観点からは、濾過水、精製水、蒸留水などを用いることが好ましい。また、エチルアルコール、グリセリンなどのアルコール系の溶媒を用いることもできる。
【００３０】
本発明のエッチング液は、半導体に含まれる、通常、溶解し難いIII族の元素の溶解を助ける目的で、Al、GaおよびInと水溶性の錯イオンを形成可能な錯化剤を含有させることができる。上記錯化剤を含有させることにより、III族元素の錯イオンがエッチング溶液中で安定して存在するため、安定したエッチングが可能となる。
【００３１】
エッチング液中における上記錯化剤の含有量は、半導体に含まれるIII族元素と水溶性の錯イオンを形成する量より多ければよく、好ましくはIII族元素含有量の１００倍以上含有されていることが好ましい。
【００３２】
上記錯化剤の錯安定度定数は、１以上であれば特に限定されないが、好ましくは３以上である。ここで、錯安定度定数とは、例えば、ＡＸからなる錯体において、そのイオン状態を考慮せず、ＡＸ＝Ａ＋Ｘで表わす場合、K＝−([A] [X] / [AX]）の値をいう。錯安定度定数が１以上であれば、錯イオンとして溶媒中に安定して存在するため好ましい。
【００３３】
上記錯化剤は、一般的にIII族元素と水溶性の錯イオンを形成し得るものであれば特に限定されない。上記錯化剤の例としては、例えば、Al、Ga、In等と水溶性の錯イオンを形成可能な多官能性カルボン酸、エチレンジアミン四酢酸系の化合物（EDTA）、アセチルアセトネート(AA)などを挙げることができる。多官能性カルボン酸としては、酒石酸、クエン酸、グリコール酸等を用いることができる。これらの錯化剤は、一種類で用いてもよく、さらに複数種を混合して用いてもよい。
【００３４】
次に、本発明のエッチングを行う半導体について説明する。
本発明のエッチング液を用いてエッチングを行う半導体は、GaInP系化合物半導体である。GaInP系化合物半導体は、一般式GaxIn1-xP（0＜x＜1）で表すことができ、ｘは０．２≦ｘ≦０．８であることが好ましく、GaAs基板上で多用されるGaxIn1-xPの場合、ｘは０．４≦ｘ≦０．６であることがさらに好ましい。
【００３５】
エッチングを行う半導体は、異なる複数層で構成される半導体であって、少なくともGaInP系化合物半導体層を含む半導体であってもよい。例えば、GaInP系化合物半導体層と、AlGaInP系化合物半導体層、AlGaAs系化合物半導体層およびGaAs系化合物半導体層からなる群から選ばれる少なくとも１種とからなる複数層で構成される半導体であってもよい。
【００３６】
AlGaInP系化合物半導体層を形成するAlGaInP系化合物半導体は、一般式（AlxGa1-x)yIn1-yP（0＜x＜1、0＜y＜1）で表わされ、通常エピタキシャル成長でよく用いられるGaAs基板との格子結合の観点からは０．２≦ｙ≦０．８であることが好ましく、０．４≦ｙ≦０．６であることがさらに好ましい。
【００３７】
AlGaAs系化合物半導体層を形成するAlGaAs系化合物半導体は、一般式AlxGa1-xAsで表わされ、通常エピタキシャル成長でよく用いられるGaAs基板との格子結合できればｘは特に限定されない。
【００３８】
上記複数層からなる半導体の層構成は特に限定されず、デバイス構造上必要な構成をとることができる。
【００３９】
本発明のエッチング液は、使用するハロゲン酸素酸イオン、酸性試薬および錯化剤の種類によりエッチング速度は多少異なる。例えば、ハロゲン酸イオンとして、ヨウ素酸イオンを用い、かつ酸性試薬として硫酸または塩酸を用いた場合、硫酸および塩酸のいずれも０．０１〜１．０μm/min、好ましくは０．０５〜０．５μm/min、さらに好ましくは０．０５〜０．３μm/minの範囲のエッチング速度を有することができる。
【００４０】
エッチングを行う半導体が異なる複数層で構成される半導体である場合、例えば、１層がGaInP系化合物半導体であり、他の１層がAlGaInP系、AlGaAs系、GaInAsP系化合物半導体などから選ばれる化合物半導体層で構成される半導体である場合、GaInP系化合物半導体層と組み合わせた他の化合物半導体層のエッチング速度は、その組成によって多少異なるが、各化合物半導体層におけるエッチング速度差は少なく、しかも各層ともに平滑かつ均一にエッチングが行われる。同様に、GaInP系化合物半導体層と、AlGaInP系、AlGaAs系およびGaAs系化合物半導体層とを３層以上組み合わせた場合も、２層の場合と同様、０．０１〜１．０μm/minの範囲のエッチング速度を維持することができる。
【００４１】
［エッチング方法］
本発明のエッチング方法は、前記エッチング液を用いてGaInP系化合物半導体をエッチングすることを特徴とする。エッチングの条件は、公知のエッチング方法と同様の条件を用いることができる。例えば、通常の室温付近（０〜４０℃、好ましくは１５〜３０℃）でのエッチングが可能であり、時間として数秒から数十分の間で安定したエッチングを行うことができる。
【００４２】
また、本発明のエッチング方法は、エッチングを行う半導体が異なる複数層で構成される半導体である場合、GaInP系化合物半導体層のほかに、AlGaInP系化合物半導体層、AlGaAs系化合物半導体層およびGaAs系化合物半導体層からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物半導体層のエッチングも同時に行うことができる。この場合、各層のエッチング速度は、各化合物半導体層において速度差は少なく、しかも各層ともに平滑かつ均一にエッチングを行うことができる。
【００４３】
本発明のエッチング方法におけるエッチング速度は、使用するハロゲン酸素酸イオンと酸性試薬により多少異なるが、０．０１〜１．０μm/minの範囲、好ましくは０．０５〜０．５μm/minの範囲、さらに好ましくは０．０５〜０．３μm/minの範囲である。
【実施例】
【００４４】
以下に具体例を挙げて、本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、割合、操作等は、本発明の精神から逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例に制限されるものではない。
【００４５】
（実施例１）
［エッチング液の調製］
１．エッチング液Ａ１およびＡ２の調製
３６％塩酸１２９ml（HClの解離定数＝0.3として、塩酸と水の混合液でpH＝0を示す溶液）中に１．７５９ｇのヨウ素酸（HIO3）を添加した後、水で希釈して全体を１リットルとしてヨウ素酸０．０１mol/lを含有するエッチング液Ａ１を調製した。
同様に、３６％塩酸３１ml（HClの解離定数＝0.3として、塩酸と水の混合液でpH＝0.5を示す溶液）中に５．２７７ｇのヨウ素酸（HIO3）を添加した後、水で希釈して全体を１リットルとしてヨウ素酸０．０３mol/lを含有するエッチング液Ａ２を調製した。
【００４６】
２．エッチング液Ｂ１およびＢ２の調製
３６％塩酸１２９ml（HClの解離定数＝0.3として、塩酸と水の混合液でpH＝0を示す溶液）中に２．１４０ｇのヨウ素酸カリウム（KIO3）を添加した後、水で希釈して全体を１リットルとしてヨウ素酸カリウム０．０１mol/lを含有するエッチング液Ｂ１を調製した。
同様に、３６％塩酸３１ml（HClの解離定数＝0.3として、塩酸と水の混合液でｐＨ＝0.5を示す溶液）中に６．４２０ｇのヨウ素酸カリウム（KIO3）を添加した後、水で希釈して全体を１リットルとしてヨウ素酸カリウム０．０３mol/lを含有するエッチング液Ｂ２を調製した。
【００４７】
［複数層で構成される化合物半導体の作製］
ＭＯＣＶＤ法を用いてGaAs上に厚さ０．１μｍのp-Ga0.5In0.5P層を積層し、次いで厚さ１．０μｍのp-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P層を積層させて、エッチングを行うGaInP系化合物半導体を作製した。
【００４８】
［エッチング］
得られた化合物半導体をエッチング液Ａ１乃至Ｂ２を用いてp-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P層をエッチングする程度までエッチングを行った。
エッチング後のp-Ga0.5In0.5P層の表面を倍率２００倍の微分干渉顕微鏡により観察したところ、極めて鏡面に近く、かつエッチング残渣や反応付着物のない平滑なエッチング面が形成されていることが分かった。
【００４９】
（実施例２）
エッチング液として０．０１mol/l、０．０３mol/l、０．０５mol/lのヨウ素酸カリウムを含有するエッチング液を用い、さらに塩酸の替わりに硫酸を用いた以外は、実施例１と同様の方法でエッチングを行った。
エッチング後のp-Ga0.5In0.5P層の表面を倍率２００倍の微分干渉顕微鏡により観察したところ、極めて鏡面に近く、かつエッチング残渣や反応付着物のない平滑なエッチング面が形成されていることが分かった。
【００５０】
（実施例３）
３６％塩酸１７６ml（HClの解離定数=0.3として、塩酸と水の混合液でpH=−0.1を示す溶液）中に１．７５９ｇ、５．２７７ｇおよび８．７９５ｇのヨウ素酸（HIO3）を添加した後、水で希釈して全体を１リットルとしてヨウ素酸０．０１mol/l、０．０３mol/lおよび０．０５mol/lを含有するエッチング液Ｃ１、Ｄ１およびＥ１を調製した。同様に、３６％塩酸１２９ml（HClの解離定数=0.3として、塩酸と水の混合液でpH=0を示す溶液）中に１．７５９ｇ、５．２７７ｇおよび８．７９５ｇのヨウ素酸（HIO3）を添加した後、水で希釈して全体を１リットルとしてヨウ素酸０．０１mol/l、０．０３mol/lおよび０．０５mol/lを含有するエッチング液Ｃ２、Ｄ２およびＥ２を調製した。さらに、同様に、３６％塩酸５４ml（HClの解離定数=0.3として、塩酸と水の混合液でpH=0.3を示す溶液）中に１．７５９ｇ、５．２７７ｇおよび８．７９５ｇのヨウ素酸（HIO3）を添加した後、水で希釈して全体を１リットルとしてヨウ素酸０．０１mol/l、０．０３mol/lおよび０．０５mol/lを含有するエッチング液Ｃ３、Ｄ３およびＥ３を調製した。
次いで、実施例１と同様の方法で作製したGaInP系化合物半導体の各層のエッチング速度を測定した。結果を表１に示す。
【００５１】
（比較例１）
エッチング液として、硫酸（98質量%、60℃）を用いたことを除き、実施例３と同様の方法により各層のエッチング速度を測定した。結果を表１に示す。
【００５２】
（比較例２）
エッチング液としてHCl (36質量%)：H2O = 1：１（体積比）のエッチング液を用いたことを除き、実施例３と同様の方法により各層のエッチング速度を測定した。結果を表１に示す。
【００５３】
【表１】
2005123331.tif 000002
【００５４】
表１より、本発明のエッチング液Ｃ１乃至Ｅ３を用いた場合、０．０１〜０．０５mol/lのいずれの濃度も、(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P層、Ga0.5In0.5P層およびGaAs層において良好なエッチング速度が得られたことが分かる。これに対し、従来GaInP系エッチング液として汎用されていた硫酸（98質量%、60℃）を用いた場合、(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P層で250nm/minであり、Ga0.5In0.5Pで15nm/minであり、GaAsはエッチングされず、各層においてエッチングの可否とエッチング速度に大きな差があることが分かる。また、HCl (36質量%)：H2O =１：１（体積比）のエッチング液を用いた場合、(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P層で1320nm/min、Ga0.5In0.5P層で32nm/min、GaAs層ではエッチングされず、各層においてエッチングの可否とエッチング速度に大きな差があることが分かる。
【００５５】
（実施例４）
実施例１のＡ１及びＡ２と同じ塩酸及びヨウ素酸量にクエン酸一水和物を２１０ｇ添加して全量を１リットルになるように水を加えた後、同様のエッチングを行った。その結果、実施例１よりもさらに鏡面状の表面が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明のエッチング液は、ハロゲン酸素酸イオンを含有する酸性溶液を用いるため、GaInP系化合物半導体用のエッチング液として利用できる。また、本発明のエッチング方法は、SEMの断面観察のサンプル作製に適用すると、層の組成に応じてエッチング速度が若干異なるため、段差が明瞭になり、界面がはっきりと観察でき、SEM用のステンエッチとしても有効である。