(57)【要約】【課題】半導体チップを精度よく回路基板のパッドにマウントする。【解決手段】実装面４ａ側に複数のバンプ１０が形成された表面実装部品４と、表面実装部品４に形成された各バンプ１０に対応してバンプ１０の設計上の搭載箇所よりも表面実装部品４の外周側に偏倚してガイド突起７が形成された複数のパッド３を有し、表面実装部品４のバンプ１０がガイド突起７にガイドされることにより表面実装部品４が設計上の搭載箇所に位置決めされて接続されている基板２とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装面側に複数のバンプが形成された表面実装部品と、
上記表面実装部品に形成された上記各バンプに対応して該バンプの設計上の搭載箇所よりも上記表面実装部品の外周側に偏倚してガイド突起が形成された複数のパッドを有し、上記表面実装部品の上記バンプが上記ガイド突起にガイドされることにより上記表面実装部品が設計上の搭載箇所に位置決めされて接続されている基板とを備えるプリント回路板。
【請求項２】
上記ガイド突起の高さは、上記バンプの高さより低く形成されていることを特徴とする請求項１記載のプリント回路板。
【請求項３】
上記ガイド突起は、上記バンプの設計上の実装位置よりも該ガイド突起の半径の値以上偏倚していることを特徴とする請求項２記載のプリント回路板。
【請求項４】
上記表面実装部品の相対向する側縁部に沿って上記複数のバンプが配列され、
上記バンプ列の最端部に形成されたバンプに対応して形成された上記パッドには、該パッドに対応する上記最端部に形成されたバンプをそれぞれ上記搭載部のＸ方向又はＹ方向にガイドする一対のガイド突起が形成されていることを特徴とする請求項１記載のプリント回路板。
【請求項５】
実装面側に複数のバンプが形成された表面実装部品を、上記表面実装部品に形成された上記各バンプに対応して上記バンプよりも上記表面実装部品の外周側に偏倚してガイド突起が形成された複数のパッド上に圧接することにより、上記バンプを上記ガイド突起に摺動させて上記表面実装部品を所定の搭載箇所にガイドする表面実装部品の実装方法。
【請求項６】
上記ガイド突起の高さは、上記バンプの高さより低く形成されていることを特徴とする請求項５記載の表面実装部品の実装方法。
【請求項７】
上記バンプの設計上の実装位置よりも該ガイド突起の半径の値以上偏倚した上記ガイド突起により上記表面実装部品をガイドする請求項６記載の表面実装部品の実装方法。
【請求項８】
上記表面実装部品の相対向する側縁部に沿って配列されたバンプ列の最端部に形成されたバンプに対応して形成され、該最端部に形成されたバンプをそれぞれＸ方向又はＹ方向にガイドする一対の上記ガイド突起により上記最端部に形成されたバンプをガイドしながら上記表面実装部品を所定の搭載箇所に搭載する請求項５記載の表面実装部品の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ等の表面実装部品を実装したプリント回路板及び表面実装部品を回路基板に実装する実装方法に関し、特に、表面実装部品を回路基板に圧接することにより実装したプリント回路板及び表面実装部品を回路基板に圧接することにより実装する実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電子機器の小型化、高密度化に伴い、プリント回路板に表面実装される半導体パッケージは、ＱＦＰ（quad flat package）やＳＯＰ（small outline package）等の周辺にリード端子が設けられたペリフェラル型（peripheral）から、ＢＧＡ（ball grid array）やＬＧＡ（land grid array）等のパッケージの下面全体を電極として用いるエリアアレイ型（area array type）に移行しつつある。また、最近では携帯情報端末機器を中心に、チップと同じか又は同等の大きさを持つインターポーザー上にチップを搭載しパッケージした、ＢＧＡよりさらに狭ピッチに形成したＣＳＰ（chip size package）が用いられている。これらＬＧＡやＣＳＰ等に代表されるエリアアレイ型の半導体パッケージは、マザーボード等のプリント配線基板上に形成されたパッド上に搭載され、基板表面に実装される。
【０００３】
また、半導体のベアチップの実装面側にアレイ状のバンプからなる接続端子が形成されたフリップチップを用い、このフリップチップを裏返してマザーボード等のプリント配線板のランドに直接実装するフリップチップ実装が行われている。
【０００４】
これら半導体パッケージやフリップチップといった表面実装部品を基板に接続する接続材料としては、はんだが多く用いられ、例えばはんだペーストが塗布されたランド上にはんだバンプが形成された半導体パッケージやフリップチップが搭載された後、リフロー炉に流されることによりはんだ付けされる。
【０００５】
このはんだ付けによる表面実装部品の実装方法においては、リフロー工程においてはんだペーストやはんだバンプが溶融することにより半導体パッケージやフリップチップにセルフアライメント効果が生じるため、半導体パッケージやフリップチップを搭載したときの多少のずれがあっても、はんだの表面張力によって正しい位置に調整される。
【０００６】
ところで、フリップチップ実装においては、このようなはんだ付けによる接続以外にも、例えば導電性接着剤や異方性導電膜等を用いた熱圧接工法による接続が行われている。かかる熱圧接工法においては、はんだ付けによる接続のようなリフロー工程におけるセルフアライメント効果が働かないため、熱圧接の前にフリップチップと回路基板表面に形成されたフリップチップが搭載されるパッドとの位置合わせを精度よく行う必要がある。
【０００７】
表面実装部品のマウント工程は、一般に、部品吸着ヘッドに表面実装部品が吸着保持されると共に、カメラを使って表面実装部品上のアルミパッド、バンプ等のマークを認識し、部品吸着ヘッドに対する表面実装部品の位置ズレ量を算出する。次いで、基板側に形成された位置合わせ用パターンや導体パターン形状によって基板と吸着ヘッドを備える吸着ベースとの位置ズレを算出し、さらに、吸着ヘッドと吸着ベースとの位置関係や、吸着ヘッドが基板側に垂直に降りてくるＺ軸の傾き調整誤差等の精度追い込んで、表面実装部品を基板上の目的の搭載位置に合わせるよう位置修正を行う。
【０００８】
こうして位置合わせ精度が確保された表面実装部品は、例えば、基板に形成された接続パッドの幅が４０μｍの場合、表面実装部品の片側精度としては半分の２０μｍ以内に統計的に入れないと、接続パッドから表面実装部品のパッドに形成されたバンプが滑り落ちる可能性がある。これは、基板側の接続パッドからパッド幅の半分ずれると、表面実装部品のバンプ先端が接続パッドの端部まで来てしまうためである。
【０００９】
一方で、フリップチップは、バンプが形成されるパッドピッチがチップの配線ルールによって概ね決まっており、近年の半導体チップの高集積化に伴って、ますますファインピッチ化されてきているため、より高精度な位置合わせが求められている。そして、フリップチップを回路基板上に形成されたパッドにマウントするフリップチップマウンタも、そのマウント精度とマウント速度には一定の限界があり、あまりに高精度を要求するとマウント速度が遅くなり生産性が落ちてしまい、またマウント速度を求めるとフリップチップのマウント精度が落ちて歩留まりが下がってしまう。
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−３７３９１４号公報
【特許文献２】特開２０００−１６５０２４号公報
【特許文献３】特開平６−２６８０１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、本発明は、表面実装部品を、接着剤を介して回路基板上のパッドに圧接することにより実装したプリント回路板及び表面実装部品の実装方法において、フリップチップマウンタに過度のマウント精度を要求することなく、よりファインピッチ化されたフリップチップを精度よく回路基板のパッドにマウントしたプリント回路板及び表面実装部品の実装方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した課題を解決するために、本発明に係るプリント回路板は、実装面側に複数のバンプが形成された表面実装部品と、上記表面実装部品に形成された上記各バンプに対応して該バンプの設計上の搭載箇所よりも上記表面実装部品の外周側に偏倚してガイド突起が形成された複数のパッドを有し、上記表面実装部品の上記バンプが上記ガイド突起にガイドされることにより上記表面実装部品が設計上の搭載箇所に位置決めされて接続されている基板とを備えるものである。
【００１３】
また、本発明に係る表面実装部品の実装方法は、実装面側に複数のバンプが形成された表面実装部品を、上記表面実装部品に形成された上記各バンプに対応して上記バンプよりも上記表面実装部品の外周側に偏倚してガイド突起が形成された複数のパッド上に圧接することにより、上記バンプを上記ガイド突起に摺動させて上記表面実装部品を所定の搭載箇所にガイドするものである。
【発明の効果】
【００１４】
このようなプリント回路板及び表面実装部品の実装方法によれば、表面実装部品が基板に圧接されることにより、実装面側に形成されたバンプが基板のパッドに形成されたガイド突起によりガイドされて、表面実装部品が設計上の搭載位置に精度よく実装される。したがって、表面実装部品の高集積化に伴って実装面側に形成されたパッドがファインピッチ化された場合も、マウント精度が確保され確実に導通を図ることができる。
【００１５】
また、基板側のパッドに形成されたガイド突起の高さを表面実装部品のバンプより低く形成しているため、ガイド突起の先端が表面実装部品側のパッド以外の部分であって通常はＧＮＤに落ちているシリコン面部に接触することが防止できる。
【００１６】
さらに、基板側に形成されたガイド突起を各パッド当たり１又は２つ以内にしているため、搭載部６に塗布された接着剤の流動を妨げることなく、表面実装部品の良好な圧接状態を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明が適用されたプリント回路板及び表面実装部品の実装方法について図面を参照しながら詳細に説明する。このプリント回路板１は、図１に示すように、マザーボードやインターポーザー等の有機樹脂基板２と、この有機樹脂基板２の表面に形成されたパッド３に接着されている半導体チップ４とを有する。
【００１８】
有機樹脂基板２は、表面２ａ又は表裏面２ａ，２ｂに導電パターンが形成されると共に、少なくとも表面２ａ側に半導体チップ４が搭載される複数のパッド３が形成された搭載部６が形成されている。有機樹脂基板２は、近年のＬＳＩの小型化、高密度化に伴い、多層化されるとともに、導電パターンのライン幅やライン間隔も数百μｍから数十μｍとファインパターン化、ファインピッチ化されている。この有機樹脂基板２は、例えばガラスエポキシ材が用いられるが、インターポーザーとして用いる場合には耐熱エポキシ樹脂、ポリイミド、ＢＴ（Bismaleimide-Triazine）樹脂、ＰＰＥ（Poly Phenylene Oxide）樹脂等の高耐熱材を用いて形成されている。このような、有機樹脂基板２には、公知のフォトリソグラフィーを用いたフォトドライエッチング等により導電パターン及び複数のパッド３を備える搭載部６が形成されている。
【００１９】
半導体チップ４が搭載される搭載部６は、図２に示すように、半導体チップ４の実装面４ａ側に設けられた複数の金属バンプ１０の配列形状に応じて、複数の矩形状のパッド３が例えば正方形状に配列されている。矩形状のパッド３は、長手方向を当該パッド３が配列された搭載部６の一辺と直交させて配列されている。各パッド３は、長手方向の外方側の一端部３ａ側に、半導体チップ４の実装面側に形成された金属バンプ１０が圧接されることにより半導体チップ４の搭載位置を矯正するガイド突起７が形成されている。
【００２０】
ガイド突起７は、例えば金スタッドバンプからなり、図３に示すように、ワイヤーボンダーにより形成することにより、先端部にかけて縮径する錐体又は半球体に設けられる。このガイド突起７は、各パッド３の一端部３ａ側に設けられることにより、半導体チップ４の実装面４ａに形成された金属バンプ１０よりも所定の長さ分搭載部６の外方に位置されている。そしてガイド突起７は、搭載部６に載置された半導体チップ４が設計上の搭載位置よりもずれて載置された場合に、半導体チップ４の実装面４ａ側に設けられた金属バンプ１０が、搭載部６の中央側に面した摺接面７ａを摺動することにより、半導体チップ４を設計上の搭載位置へガイドしている。
【００２１】
ガイド突起７に搭載部６の設計上の搭載位置へガイドされて実装されている半導体チップ４は、ベアチップからなり、実装面４ａ側に複数のパッドが設けられ、この各パッド上に金属バンプ１０からなる端子が形成されている。この金属バンプ１０は、有機樹脂基板２の搭載部６に形成されたパッド３に接続することにより、半導体チップ４を有機樹脂基板４に形成された導電パターンと電気的に接続させている。また、金属バンプ１０は、搭載部６に載置される半導体チップ４が設計上の搭載位置よりもずれて載置された場合に、パッド３に形成されたガイド突起７の搭載部６の中央側に面した摺接面７ａを摺動する。したがって半導体チップ４は、搭載部６の設計上の搭載位置へガイドされて実装されている。
【００２２】
また、金属バンプ１０は、ガイド突起７よりも高く形成されている。これにより、半導体チップ４が搭載部６に圧接されて実装されている場合にも、ガイド突起７の先端が半導体チップ４の実装面４ａのパッド以外の部分であって通常はＧＮＤに落ちているシリコン面部に当接することが防止されている。さらに、ガイド突起７の先端がシリコン面部を突っ切り、半導体チップ４の回路部分に接触してショートする事態を防止することもできる。
【００２３】
また、この半導体チップ４は、搭載部６に塗布された熱硬化性の接着剤１１により搭載部６に接着されている。このような接着剤１１としては、ACF（Anisotropic Conductive Film  異方性導電フィルム）、ACP（Anisotropic Conductive Paste  異方性導電ペースト）、NCP（Non-conductive Paste  非導電性ペースト）又はNCF（Non-conductive Film  非導電性フィルム）等が挙げられる。ACF及びACPは、金属バンプ１０と搭載部６のパッド３との間にカーボン、銀、銅等の導電性のある微粒子を、高い濃度で延性のあるバインダに混ぜることにより、半導体チップ４と有機樹脂基板２との電気的な導通を確保する。また、NCP及びNCFは、導電性のある微粒子を含まず、金属バンプ１０と搭載部６のパッド３とを直接接触させることにより、半導体チップ４と有機樹脂基板２との電気的な導通を確保する。
【００２４】
このようなプリント回路板１は、半導体チップ４が搭載部６に圧接されることにより、実装面４ａ側に形成された金属バンプ１０が搭載部６のパッド３に形成されたガイド突起７によりガイドされて、半導体チップ４が設計上の搭載位置に精度よく実装されている。したがって、半導体チップ４の高集積化に伴って実装面４ａ側に形成されたパッドがファインピッチ化された場合も、マウント精度が確保され確実に導通を図ることができる。
【００２５】
また、各パッド３に形成されたガイド突起７の高さを半導体チップ４の金属バンプ１０より低く形成しているため、ガイド突起の先端が表面実装部品側のパッド以外の部分であって通常はＧＮＤに落ちているシリコン面部に接触してすることが防止できる。
【００２６】
さらに、パッド３に形成されたガイド突起７を各パッド３当たり１つにしているため、搭載部６に塗布された接着剤１１の流動を妨げることなく、半導体チップ４の良好な圧接状態を確保することができる。
【００２７】
次いで、プリント回路板１の製造方法について、有機樹脂基板２の搭載部６に半導体チップ４をフリップチップ実装する実装方法を中心に説明する。
【００２８】
上述したように、有機樹脂基板２は、マザーボートやインターポーザとして用いられるものであり、ガラスエポキシ樹脂や耐熱エポキシ樹脂、ＰＰＥ樹脂等の高耐熱材を用いた絶縁板である。この有機樹脂基板２は、例えば銅箔が貼着され、この銅箔上に感光性のエッチングレジストを塗布、アートワークフィルムマスクを用いて露光、現像することによりエッチングレジストパターンを作成する。次いで、これをレジストとしてエッチングを行い、導体パターンや半導体チップ４が搭載される複数のパッド３からなる搭載部６を形成する。なお、レジストパターンは、感光性ソルダレジストやスクリーン版を用いて作成することもできる。
【００２９】
搭載部６は、図２に示すように、実装される半導体チップ４の形状に応じて例えば正方形状に形成され、四辺のそれぞれに半導体チップ４の実装面側に設けられた金属バンプ１０に対応して、矩形状のパッド３が配列されて形成される。各パッド３は、長手方向を当該パッド３を含むパッド列の配列方向と直交するように形成される。
【００３０】
次に、搭載部６の各パッド３にワイヤーボンダーを用いてガイド突起７を形成することにより、導体パターン及び搭載部６を備えた有機樹脂基板２が完成する（図４（ａ））。ガイド突起７は、図３に示すように、例えば先鋭に形成された錐体又は半球体の金スタッドバンプからなり、後述するように、半導体チップ４が設計上の搭載位置よりもずれて搭載部６に載置されると、半導体チップ４の金属バンプ１０が摺接される摺接面７ａを有する。
【００３１】
パッド３上に形成されるガイド突起７は、図２に示すように、半導体チップ４の実装面４ａに形成された金属バンプ１０の設計上の位置よりも所定の長さ分搭載部６の外方側の一端部３ａ側に形成される。したがって、図３に示すように、ガイド突起７は、半導体チップ４が設計上の搭載位置よりもずれてマウントされると、半導体チップ４の金属バンプ１０が摺接面７ａに当接する。次いでガイド突起７は、半導体チップ４が搭載部６に熱圧着されると、金属バンプ１０が摺接面７ａを摺動することにより半導体チップ４を設計上の搭載位置へガイドする。また、搭載部６は、図２に示すように、かかるガイド突起７が半導体チップ４の四辺に対応して形成されることにより、半導体チップ４が±Ｘ方向及び±Ｙ方向にずれた場合にも確実に設計上の搭載位置にガイドすることができる。
【００３２】
また、このガイド突起７の高さは、図３に示すように、半導体チップ４の金属バンプ１０の高さよりも低く形成されている。これにより、ガイド突起７は、半導体チップ４が搭載部６に熱圧着されても、半導体チップ４の実装面４ａ側のパッド以外の部分であって通常はＧＮＤに落ちているシリコン面部に当接することが防止されている。
【００３３】
次いで、搭載部６には半導体チップ４を接着するための熱硬化性の接着剤１１が塗布される（図４（ｂ））。接着剤１１は、上述したように、ACF（Anisotropic Conductive Film  異方性導電フィルム）、ACP（Anisotropic Conductive Paste  異方性導電ペースト）、NCP（Non-conductive Paste  非導電性ペースト）又はNCF（Non-conductive Film  非導電性フィルム）等が用いられる。
【００３４】
次いで、マウント装置により位置合わせが行われ、ガイド突起７が形成された搭載部６に半導体チップ４がフェースダウンによりマウントされる（図４（ｃ））。このときマウント装置のアームによる半導体チップ４の吸着力は、半導体チップ４の搭載位置補正を可能とすべく、半導体チップ４の金属バンプ１０が搭載部６のガイド突起７の摺接面７ａを摺動可能な程度に設定される。すなわち、マウント装置のアームによって半導体チップ４をあまりに強固に吸着してしまうと、半導体チップ４の圧接時にガイド突起７によっても金属バンプ１０が摺動されず、金属バンプ１０とガイド突起７とが当接したまま、ガイド突起７又は金属バンプ１０が押しつぶされ、半導体チップ４が設計上の搭載位置にガイドされないおそれがある。したがって、半導体チップ４は、金属バンプ１０がガイド突起７を摺動可能な程度の吸着力でマウント装置のアームに保持される。
【００３５】
その後、マウントされた半導体チップ４は、搭載部６側に熱加圧される（図４（ｄ））。このとき、上述したように、搭載部６の各パッド３には半導体チップ４の実装面４ａに形成された金属バンプ１０の設計上の搭載位置よりも搭載部６の外方側に偏倚してガイド突起７が形成されているため、マウント装置により半導体チップ４が設計上の搭載位置よりもずれて搭載された場合にも、金属バンプ１０がガイド突起７の摺接面７ａを摺動し、設計上の搭載位置にガイドされる。そして、加熱されることにより、接着剤１１が熱硬化されて、半導体チップ４が設計上の搭載位置において実装される。
【００３６】
なお、半導体チップ４が熱加圧されることにより、搭載部６に塗布された接着剤１１は、半導体チップ４と搭載部６との間の余分が流動排除される。
【００３７】
ここで、半導体チップ４の実装位置を矯正するガイド突起７の大きさ及び形成位置は、半導体チップ４のマウンタ装置の精度や半導体チップ４の搭載位置の設計上のマージンを考慮して、どの程度の位置ズレを補正するかによって適宜変えることができる。例えば、図５（ａ）に示すように、半導体チップ４側の金属バンプ１０を直径８０μｍで高さ８０μｍとし、搭載部６側のガイド突起７を直径５０μｍで高さ５０μｍとし、ガイド突起７を金属バンプ１０とガイド突起７の各直径の和の凡そ半分である６５μｍだけ設計上の金属バンプ１０の搭載位置より外周側に偏倚して形成する。この場合、マウント装置よる半導体チップ４の搭載位置が＋Ｙ方向にずれた場合、そのズレ量が４０μｍから６５μｍの範囲であれば、半導体チップ４の金属バンプ１０が＋Ｙ方向のパッド３に形成されたガイド突起７の摺接面７ａに当接し、圧接されることにより、図５（ｂ）に示すように、金属バンプ１０が摺接面７ａを摺動して−Ｙ方向へガイドするように設定することができる。同様に、−Ｙ方向、＋Ｘ方向、−Ｘ方向のずれに対してもそのずれ量が６５μｍ以内であれば、それぞれ＋Ｙ方向、−Ｘ方向、＋Ｘ方向にガイドされて設計上の実装位置へ矯正される。
【００３８】
このようにガイド突起７の大きさ及び形成位置を設定することにより、半導体チップ４は、パッド３の設計上の搭載位置からのずれ量が４０μｍ以下の場合は、先端が鋭角上に形成されている金属バンプ１０が、ガイド突起７の摺接面７ａと当接されず、圧接されてもガイド突起７によりガイドされない。したがって、半導体チップ４の実装位置に±４０μｍのマージンが設定されている場合には、マウント位置が±４０μｍのずれに対してはガイド突起７によるマウント位置の矯正は行われないようにすることができる。また、半導体チップ４の実装位置のマージンが４０μｍよりも小さい場合には、ガイド突起７の直径を大きく形成し、摺接面７ａの下端部を設計上の搭載位置に近づけ、矯正可能な範囲を増やすようにすればよい。一方、半導体チップ４は、図５（ｃ）に示すように、パッド３の設計上の搭載位置よりも６５μｍ以上ずれた場合は、金属バンプ１０が、ガイド突起７の摺接面７ａと反対側で搭載部６の外方に向いた外面７ｂに当設し、さらに搭載位置のずれを増大させてしまう。したがって、半導体チップ４のマウント装置のマウント精度によれば±６５μｍ以上のずれは生じないと見込める場合にはガイド突起７の矯正可能範囲を最大±６５μｍとなるようガイド突起７の大きさ及び形成位置を上記のように設定すればよい。
【００３９】
また、例えば、図６（ａ）に示すように、半導体チップ４の金属バンプ１０を直径８０μｍで高さ８０μｍとし、搭載部６側のガイド突起７を直径５０μｍで高さ５０μｍとし、ガイド突起７を金属バンプ１０とガイド突起７の各直径のうち大きい方の値（８０μｍ）の半分である４０μｍだけ設計上の金属バンプ１０の搭載位置より外周側に偏倚させて形成する。この場合、マウント装置よる半導体チップ４の搭載位置が＋Ｙ方向にずれた場合、そのズレ量が１５μｍから４０μｍの範囲であれば、半導体チップ４の金属バンプ１０が＋Ｙ方向のパッド３に形成されたガイド突起７の摺接面７ａに当接し、圧接されることにより、図６（ｂ）に示すように、金属バンプ１０が摺接面７ａを摺動して−Ｙ方向へガイドするように設定することができる。同様に、−Ｙ方向、＋Ｘ方向、−Ｘ方向のずれに対してもそのずれ量が４０μｍ以内であれば、それぞれ＋Ｙ方向、−Ｘ方向、＋Ｘ方向にガイドされて設計上の実装位置へ矯正される。
【００４０】
このようにガイド突起７の大きさ及び形成位置を設定することにより、半導体チップ４は、パッド３の設計上の搭載位置からのずれ量が１５μｍ以下の場合は、先端が鋭角上に形成されている金属バンプ１０が、ガイド突起７の摺接面７ａと当接されず、圧接されてもガイド突起７によりガイドされない。したがって、半導体チップ４の実装位置に±１５μｍのマージンが設定されている場合には、マウント位置が±１５μｍのずれに対してはガイド突起７によるマウント位置の矯正は行われないようにすることができる。また、半導体チップ４の実装位置のマージンが１５μｍよりも小さい場合には、ガイド突起７の直径を大きく形成し、摺接面７ａの下端部を設計上の搭載位置に近づけ、矯正可能な範囲を増やすようにすればよい。一方、半導体チップ４は、図６（ｃ）に示すように、パッド３の設計上の搭載位置よりも４０μｍ以上ずれた場合は、金属バンプ１０が、ガイド突起７の摺接面７ａと反対側で搭載部６の外方に向いた外面７ｂに当設し、さらに搭載位置のずれを増大させてしまう。したがって、半導体チップ４のマウント装置のマウント精度によれば±４０μｍ以上のずれは生じないと見込める場合にはガイド突起７の矯正可能範囲を最大±４０μｍとなるようガイド突起７の大きさ及び形成位置を上記のように設定すればよい。
【００４１】
また、本発明が適用されたプリント回路板は、以下のように搭載部を形成してもよい。なお、以下に説明する搭載部２０においては、上記プリント回路板１の搭載部６と同一の部材については同一の符号を付してその詳細を省略する。この搭載部２０は、図７に示すように、半導体チップ４の実装面４ａ側に設けられた複数の金属バンプ１０の配列に応じて、複数の矩形状のパッド２１が半導体チップ４の相対向する一辺及び他辺に沿って配列されている。矩形状のパッド２１は、長手方向を当該パッド２１が配列された搭載部２０の一辺又は他辺と直交させて配列されている。各パッド２１は、長手方向の外方側の一端部２１ａ側には、半導体チップ４の搭載位置を矯正するガイド突起７が形成されている。
【００４２】
なお、このガイド突起７の形成位置は、上述したように、半導体チップ４の実装面４ａ側に形成された金属バンプ１０の設計上の搭載位置よりも所定の長さ分搭載部２０の外方に形成されている。
【００４３】
また、半導体チップ４の相対向する一辺及び他辺に沿って配列されている複数のパッド２１のうち、配列方向の両端に位置する端部パッド２２，２２は、略Ｔ字状に形成され、長手方向を複数のパッド２１の配列方向と直交させ外方側の一端部２２ａにガイド突起７が形成されるとともに、長手方向の略中間部より、複数のパッド２１の配列方向に外方へ向けて突出部２２ｂが形成されている。そして、この突出部２２ｂにもガイド突起７が形成されている。この突出部２２ｂに形成されたガイド突起７も半導体チップ４の実装面４ａに形成された金属バンプ１０の設計上の搭載位置よりも所定の長さ分搭載部２０の外方に形成されている。
【００４４】
したがって、半導体チップ４が設計上の搭載位置よりもずれてマウントされると、この端部パッド２２に対応して半導体チップ４のコーナ部に設けられた金属バンプ１０は、図７に示すように、当該コーナ部を挟む２辺の外方側から端部パッド２２の一端部２１ａ及び突出部２２ｂに形成されたガイド突起７，７の摺接面７ａに当接される。端部パッド２２に設けられたガイド突起７，７は、半導体チップ４が搭載部２０に熱圧着されると、半導体チップ４の各コーナ部に設けられた金属バンプ１０が摺接面７ａを摺動することにより、半導体チップ４を、±Ｘ方向及び±Ｙ方向のマウント位置ずれを矯正し、設計上の搭載位置にガイドする。
【００４５】
このように搭載部２０に搭載される半導体チップ４に形成された金属バンプ１０が、半導体チップ４の相対向する一辺及び他辺に配列されている場合には、半導体チップ４の実装面４ａの各コーナ部に設けられた金属バンプ１０を、当該コーナ部を挟む２辺の外方側から当接するガイド突起７，７によってガイドすることにより、半導体チップ４が±Ｘ方向及び±Ｙ方向のいずれの方向にずれた場合にも、設計上のマウント位置に搭載することができる。
【００４６】
また、この各パッド２１及び端部パッド２２に形成されたガイド突起７の高さも、上述したように、半導体チップ４の金属バンプ１０の高さよりも低く形成されている。これにより、ガイド突起７は、半導体チップ４が搭載部２０に熱圧着されても、半導体チップ４の実装面４ａ側のバンプが形成されたパッド以外の通常はＧＮＤに落ちているシリコン面部に当接することが防止されている。
【００４７】
さらに、各パッド２１及び端部パッド２２に形成されたガイド突起７の大きさ及び形成位置も、上述したように、半導体チップ４のマウンタのマウント精度や半導体チップ４の実装位置の設計上のマージンを考慮して、どの程度の位置ズレを補正するかによって適宜変えることができる。
【００４８】
パッド２１及び端部パッド２２が、半導体チップ４の金属バンプ１０に応じて相対向する一辺及び他辺に形成された搭載部２０は、銅箔が貼着された有機樹脂基板２に導体パターン及び搭載部２０が秒がされたワークを用いてレジストパターンを形成し、その後エッチングすることにより形成される。レジストパターンは、感光生成のエッチングレジストを塗布した後、露光、現像することにより、また感光性ソルダレジストやスクリーン版を用いた公知のプロセスにより形成することができる。
【００４９】
その後パッド２１及び端部パッド２２の所定箇所にガイド突起７が形成された搭載部２０には、上述したような接着剤塗布工程（図４（ｂ）参照）、半導体チップ４のマウント工程（図４（ｃ）参照）、半導体チップ４の熱圧着工程（図４（ｄ）参照）を経ることにより、半導体チップ４がフリップチップ実装される。このとき、パッド２１及び端部パッド２２に形成されたガイド突起７を各パッド当たり１又は２つ以内にしているため、搭載部２０に塗布された接着剤１１の流動を妨げることなく、表面実装部品の良好な圧接状態を確保することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明が適用されたプリント回路板及び表面実装部品の実装方法では、有機樹脂基板２に代えて、例えば酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体等のセラミックス材料やガラスセラミックス等の無機絶縁物材料あるいは無機絶縁物粉末を有機絶縁物樹脂材料で結合してなる複合絶縁物材料等により形成してもよい。この場合、導電パターンや搭載部６に設けられた複数のパッド３も絶縁基板の材料に応じた導体材料や金属により形成する。
【００５１】
また、上記実施例では、搭載部６のパッド３に形成されたガイド突起７を金スタッドバンプを用いた例を示したが、これに代えて、導体パターンが形成された後の有機樹脂基板２にレジストマスクを施し、アディティブ法を用いてパッド３上に銅メッキを積み上げ、その後レジストを除去することによりガイド突起７を形成するようにしてもよい。
【００５２】
また、半導体チップ４の実装面４ａ側に設けられる金属バンプ１０を高融点はんだで形成し、共晶はんだで搭載部６のパッド３に接合するＣ４実装や、半導体チップ４の周辺に外部接続端子を形成し、この外部接続端子に金ワイヤを接続、切断、成形して金バンプを形成し、金メッキを施した搭載部６のパッド３と金バンプとを金バンプに塗布した導電性樹脂で圧接により接合し、その後アンダーフィルを供給して加熱硬化するＳＢＢ実装等の工法においても本発明に係る実装方法を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明が適用されたプリント回路板を示す断面図である。
【図２】半導体チップが搭載されるプリント回路板の搭載部を示す平面図である。
【図３】パッド上に設けられたガイド突起を金属バンプが摺動することにより半導体チップが設計上の搭載位置にガイドされる様子を示す図である。
【図４】半導体チップの実装工程を示す図である。
【図５】半導体チップの搭載位置のずれを矯正する様子を示す図である。
【図６】半導体チップの搭載位置のずれを矯正する様子を示す図である。
【図７】半導体チップが搭載されるプリント回路板の他の搭載部を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  プリント回路板、２  有機樹脂基板、３  パッド、４  半導体チップ、６  搭載部、７  ガイド突起、１０  金属バンプ、１１  接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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