(57)【要約】【課題】超紫外線を使うリソグラフィ投影装置であって、基板をロードロックを介して真空室に装填する場合に、基板を最少の受渡し回数で且つ高精度で支持体上に配置する方法および装置を提供すること。【解決手段】基板１の位置を、基板がグリッパ２０で掴む前にロードロックＬＬ内にあるときに検出し、それに応じて決めたグリップ位置で基板を掴んで前処理位置の支持体１６または真空室内の支持体１７上の正しい位置へ配置するか、または基板１をグリッパ２０で掴んでから位置を検出し、それに応じて支持体１６、１７に提供するときに調整して正しい位置に配置する。この様にして、支持体上の基板の位置決めを数μｍ以下の精度で達成でき、移送時間および基板汚染、更にはコストも減少する。【選択図】図３
2005123613.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１）を支持部材（１６、１７）上に配置する方法が、
基準位置に対する前記基板の位置を、制御ユニット（６）へセンサ信号を出力するセンサ（４、５、９）を介して決める工程、および
前記基板（１）を制御ユニット（６）によって制御するグリッパ（２０、２２）で掴み、前記基板を支持部材（１６、１７）上の所定の位置に備付ける工程、を含む方法であって、
室（ＬＬ）内における前記基板の位置を検出し、前記基板（１）上のグリップ位置を決め、前記グリップ位置でグリッパ（２０、２２）を使って前記基板を掴みおよび前記基板の中心が支持部材（１６、１７）上の所定の位置に達するように前記基板を支持部材（１６、１７）に対する固定位置へ動かす工程か、または
前記室に対する固定位置でグリッパ（２０、２２）を使って前記基板を掴み、センサ（４、５、９）を使って掴んだ基板の位置を検出し、そして前記基板の中心が支持部材（１６、１７）上の所定の位置に達するように前記基板を支持部材（１６、１７）に対する変動位置へ動かす工程、を特徴とする方法。
【請求項２】
前記室（ＬＬ）が減圧移送装置（ＬＬ）であり、そして
前記基板を前記移送装置内に配置する工程、および
前記移送装置を排気する行程、を含む請求項１に記載された方法。
【請求項３】
前記支持部材（１６、１７）が回転軸（８）を有する回転可能支持面を有し、その軸が前記面に実質的に垂直であり、前記基板がその中心を前記回転軸またはその近くに置かれている請求項１または請求項２に記載された方法。
【請求項４】
前記支持部材の前記支持面をその上の前記基板と共に回転し、前記基板の多数のエッジ位置をセンサ（９）で検出する工程、
前記グリッパを使って前記支持部材から前記基板を掴む工程、および
前記基板（１）をその中心およびその角度方向を前記支持部材（１６、１７）上の所定の位置にして戻す工程、を含む請求項３に記載された方法。
【請求項５】
前記センサ（４、５、９）が前記移送装置（ＬＬ）に設けてある請求項２に記載された方法。
【請求項６】
前記センサ（４、５、９）が前記移送装置（ＬＬ）と前記支持部材（１６、１７）の間に設けてあり、前記基板を前記センサ（４、５、９）に対して動かし、前記センサからのセンサ信号に基づいて前記基板の位置を計算し、および前記グリッパ（２０、２２）を前記固定または変動位置へ向ける工程、を含む請求項１または請求項２に記載された方法。
【請求項７】
前記センサ（４、５、９）が前記支持部材（１６、１７）またはその近くに設けてあり、前記センサからのセンサ信号に基づいて前記基板の位置を計算し、および前記グリッパ（２０、２２）を前記基板の中心が前記回転軸（８）またはその近くに位置するように向ける工程、を含む請求項３に記載された方法。
【請求項８】
前記センサ（４、５、９）からのセンサ信号に基づいて支持部材座標で基板エッジ位置Ｒ（φ）を前記支持部材（１６、１７）に関する異なる角度φで計算する工程、および前記計算したエッジ位置の少なくとも１周期成分を決め、その絶対値および位相が支持部材座標中心からの基板座標中心のオフセットを表す工程、を含む請求項１ないし請求項７の何れか一項に記載された方法。
【請求項９】
第１検出器から９０°、６０°および４５°の角度間隔で前記基板の周りに分布する少なくとも三つの検出器を使う請求項８に記載された方法。
【請求項１０】
前記センサ（４、５、９）がビデオカメラであり、その信号を前記制御ユニット（６）で前記グリッパ（２０、２２）の運動制御用フィードバック信号として使う請求項１から９項までのいずれか１項に記載された方法。
【請求項１１】
半導体装置を製造する方法であって、
少なくとも部分的に放射線感応材料の層で覆われた基板を用意する工程、
放射線システムを使って放射線の投影ビームを用意する工程、
上記投影ビームの断面にパターンを付けるためにパターニング手段を使う工程、
上記放射線のパターン化したビームを上記放射線感応材料の層の目標部分上に投影する工程、および
請求項１ないし請求項１０の何れか１項に記載された前記基板を基板テーブルに提供する工程、を含む方法。
【請求項１２】
前記投影ビームががＥＵＶ放射線を含む請求項１１に記載された方法。
【請求項１３】
基板ハンドラ（ＳＨ）が、
上に基板（１）を受けるための基板支持部材（１６）を備える室（ＣＨ）、
第１環境から前記室（ＣＨ）内へ基板を移送するための移送装置（ＬＬ）、
基準位置に対する前記基板の位置を決めるためのセンサ（４、５、９）、
前記センサに接続してある制御ユニット（６）、および
前記制御ユニット（６）によって制御され、前記移送装置（ＬＬ）内で前記基板を掴み且つそれを前記支持部材（１６）に提供するグリッパ（２０、２２）を含むハンドラであって、
前記センサ（４、５、９）が前記室に対する前記基板の位置を検出するようになっていて、前記制御ユニット（６）が前記基板（１）上のグリップ位置を決め、前記グリッパが前記基板を前記グリップ位置で掴むように制御し且つ前記基板の中心が前記支持部材（１６）上の所定の位置に達するように前記基板を支持部材（１６）に対する固定位置へ動かすか、または
前記制御ユニット（６）が、前記室に対する固定グリップ位置で前記基板を掴むように前記グリッパを制御するようになっていて、前記センサ（４、５、９）が上記掴んだ基板の位置を検出するようになっていて、および前記制御ユニット（６）は、前記基板の中心が支持部材（１６）上の所定の位置に達するように前記基板を支持部材（１６）に対する変動位置へ動かすようになっていることを特徴とするハンドラ。
【請求項１４】
前記室が減圧室を含み、そして前記移送装置（ＬＬ）が中を減圧できるロードロック装置を含む請求項１３に記載された基板ハンドラ（ＳＨ）。
【請求項１５】
前記支持部材（１６）が回転軸（８）を有する回転可能支持面を有し、その軸が前記面に実質的に垂直であり、前記基板は、前記グリッパ（２０、２２）によりその中心を前記回転軸またはその近くにして配置可能である請求項１３または請求項１４に記載された基板ハンドラ（ＳＨ）。
【請求項１６】
前記センサ（４、５、９）が前記移送装置（ＬＬ）に設けてある請求項１３に記載された基板ハンドラ（ＳＨ）。
【請求項１７】
前記センサ（４、５、９）が前記移送装置（ＬＬ）と前記支持部材（１６）との間に設けてある請求項１３に記載された基板ハンドラ（ＳＨ）。
【請求項１８】
前記センサ（４、５、９）が前記支持部材（１６）またはその近くに設けてあり、および前記制御ユニット（６）が前記センサからのセンサ信号に基づいて前記基板の位置を計算し、前記グリッパ（２０、２２）を前記基板の中心が前記回転軸（８）またはその近くに位置するように向けるようになっている請求項１５に記載された基板ハンドラ（ＳＨ）。
【請求項１９】
第１検出器から９０°、６０°および４５°の角度間隔で前記基板の周りに分布する少なくとも三つの検出器を含む請求項１３から請求項１８までの何れかの一項に記載された基板ハンドラ（ＳＨ）。
【請求項２０】
放射線の投影ビームを提供するための放射線システム（Ｅｘ、ＩＬ）、
前記投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するのに役立つパターニング手段を支持するための支持構造体（ＭＴ）、
請求項１３から請求項１９までの何れか一項に記載された基板ハンドラ（ＳＨ）、および
前記パターン化したビームを前記基板の目標部分上に投影するための投影システム（ＰＬ）を含む装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を支持部材上に配置する方法に関する。
本発明は、半導体装置の製造方法、基板ハンドラおよびそのような基板ハンドラを含むリソグラフィ投影装置にも関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ投影装置は、典型的には、
放射線の投影ビームを供給するための放射線システム、
所望のパターンに従ってこの投影ビームをパターン化するのに役立つパターニング手段を支持するための支持構造体、
基板を保持するための基板テーブル、および
このパターン化したビームを基板の目標部分上に投影するための投影システム、を一般的に含む。
【０００３】
ここで使う“パターニング手段”という用語は、入射放射線ビームに、基板の目標部分に創成すべきパターンに対応する、パターン化した断面を与えるために使うことができる手段を指すと広く解釈すべきであり；“光バルブ”という用語もこのような関係で使うことができる。一般的に、上記パターンは、集積回路またはその他のデバイス（以下参照）のような、この目標部分に創るデバイスの特定の機能層に対応するだろう。そのようなパターニング手段の例には次のようなものがある：
−    マスク。マスクの概念は、リソグラフィでよく知られ、それには、二値、交互位相シフト、および減衰位相シフトのようなマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型がある。そのようなマスクを放射線ビーム中に置くと、このマスク上のパターンに従って、マスクに入射する放射線の選択透過（透過性マスクの場合）または選択反射（反射性マスクの場合）を生ずる。マスクの場合、この支持構造体は、一般的にマスクテーブルであり、それがこのマスクを入射放射線ビームの中の所望の位置に保持できること、およびもし望むなら、それをこのビームに対して動かせることを保証する；
【０００４】
−    プログラム可能ミラーアレイ。そのような装置の一例は、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックスアドレス可能面である。そのような装置の背後の基本原理は、（例えば）この反射面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射し、一方アドレス指定されない領域が入射光を未回折光として反射するということである。適当なフィルタを使って、上記未回折光を反射ビームから濾過して取除き、回折光だけを後に残すことができ；この様にして、このビームがマトリックスアドレス可能面のアドレス指定パターンに従ってパターン化されるようになる。プログラム可能ミラーアレイの代替実施例は、極小ミラーのマトリックス配置を使用し、適当な局部電界を印加することにより、または圧電作動手段を使うことにより、それらの各々を軸線周りに個々に傾斜することができる。やはり、これらのミラーは、マトリックスアドレス可能で、アドレス指定したミラーが入射放射線ビームをアドレス指定されないミラーと異なる方向に反射し；この様にして、反射ビームをこれらのマトリックスアドレス可能ミラーのアドレス指定パターンに従ってパターン化する。必要なアドレス指定は、適当な電子手段を使って行える。上に説明した両方の場合に、パターニング手段は、一つ以上のプログラム可能ミラーアレイを含むことができる。ここで言及したようなミラーアレイについての更なる情報は、例えば、米国特許ＵＳ５，２９６，８９１およびＵＳ５，５２３，１９３、並びにＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７およびＷＯ９８／３３０９６から集めることができ、それらを参考までにここに援用する。プログラム可能ミラーアレイの場合、上記支持構造体は、例えば、必要に応じて固定または可動でもよい、フレームまたはテーブルとして具体化してもよい；並びに
【０００５】
−    プログラム可能液ＬＣＤアレイ。そのような装置の例は、米国特許ＵＳ５，２２９，８７２で与えられ、それを参考までにここに援用する。上記同様、この場合の支持構造体は、例えば、必要に応じて固定または可動でもよい、フレームまたはテーブルとして具体化してもよい。
【０００６】
簡単のために、この本文の残りは、或る場所で、マスクおよびマスクテーブルを伴う例を具体的に指向するかも知れないが；しかし、そのような場合に議論する一般原理は、上に示すようなパターニング手段の広い文脈で見るべきである。
【０００７】
リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使うことができる。そのような場合、パターニング手段がこのＩＣの個々の層に対応する回路パターンを創成してもよく、このパターンを、放射線感応性材料（レジスト）の層で塗被した基板（シリコンウエハ）の目標部分（例えば、一つ以上のダイを含む）上に結像することができる。一般的に、単一ウエハが隣接する目標部分の全ネットワークを含み、それらをこの投影システムを介して、一度に一つずつ、順次照射する。マスクテーブル上のマスクによるパターニングを使う現在の装置では、機械の二つの異なる種類を区別することができる。一つの種類のリソグラフィ投影装置では、全マスクパターンをこの目標部分上に一度に露光することによって各目標部分を照射し；そのような装置を普通ウエハステッパまたはステップアンドリピート装置と呼ぶ。代替装置 ― 普通ステップアンドスキャン装置と呼ぶ ― では、マスクパターンを投影ビームの下で与えられた基準方向（“走査”方向）に順次走査することによって各目標部分を照射し、一方、一般的に、この投影システムが倍率Ｍ（一般的に＜１）であり、この基板テーブルを走査する速度Ｖが、倍率Ｍ掛けるマスクテーブルを走査する速度であるので、この基板テーブルをこの方向に平行または逆平行に同期して走査する。ここに説明したようなリソグラフィ装置に関する更なる情報は、例えば、ＵＳ６，０４６，７９２から収集することができ、それを参考までにここに援用する。
【０００８】
リソグラフィ投影装置を使う製造プロセスでは、パターン（例えば、マスクの中の）を、少なくとも部分的に放射線感応材料（レジスト）の層で覆われた基板上に結像する。この結像工程の前に、基板は、例えば、下塗り、レジスト塗布およびソフトベークのような、種々の処理を受けるかも知れない。露光後、基板は、例えば、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベークおよび結像形態の測定／検査のような、他の処理を受けるかも知れない。この一連の処理は、デバイス、例えばＩＣの個々の層をパターン化するための基礎として使用する。そのようにパターン化した層は、次に、エッチング、イオン注入（ドーピング）、金属化処理、酸化処理、化学・機械的研磨等のような、全て個々の層の仕上げを意図した種々の処理を受けるかも知れない。もし、幾つかの層が必要ならば、全処理またはその変形を各新しい層に反復しなければならないだろう。結局、デバイスのアレイが基板（ウエハ）上にできる。次に、これらのデバイスをダイシングまたは鋸引のような手法によって互いから分離し、そこから個々のデバイスをキャリヤに取付け、ピンに接続し等できる。そのようなプロセスに関する更なる情報は、例えば、ピータ・バン・ザントの“マイクロチップの製作：半導体加工の実用ガイド”、第３版、マグロウヒル出版社、1997年、ISBN0-07-067250-4という本から得ることができ、それを参考までにここに援用する。
【０００９】
簡単のために、この投影システムを、以後“レンズ”と呼ぶかも知れないが；この用語は、例えば、屈折性光学素子、反射性光学素子、および反射屈折性光学素子を含む、種々の型式の投影システムを包含するように広く解釈すべきである。この放射線システムも放射線の投影ビームを指向し、成形しまたは制御するためにこれらの設計形式の何れかに従って作用する部品を含んでもよく、そのような部品も以下で集合的または単独に“レンズ”と呼ぶかも知れない。更に、このリソグラフィ装置は、二つ以上の基板テーブル（および／または二つ以上のマスクテーブル）を有する型式でもよい。そのような“多段”装置では、追加のテーブルを並列に使ってもよく、または準備工程を一つ以上のテーブルで行い、一方他の一つ以上のテーブルを露光に使ってもよい。二段階リソグラフィ装置は、例えば、ＵＳ５，９６９，４４１およびＷＯ９８／４０７９１に記載してあり、それを参考までにここに援用する。
【００１０】
典型的リソグラフィ装置では、基板を、基板トラックおよび基板ハンドラを介してリソグラフィ投影装置の基板ステージへ搬送する。この基板トラックで、基板の表面を前処理する。基板の前処理には、典型的に、基板を少なくとも部分的に放射線感応材料（レジスト）の層で覆うことがある。更に、結像工程の前に、基板は、下塗りおよびソフトベークのような、種々の他の前処理手順を受けるかも知れない。基板の前処理後、基板を、基板ハンドラを介して基板トラックから基板ステージへ搬送する。
基板ハンドラは、典型的には基板を基板ステージの基板テーブル上に正確に配置するようになっていて、基板の温度も制御するかも知れない。
【００１１】
超紫外放射線（短ＥＵＶ放射線の）を使う装置のような、あるリソグラフィ投影装置用には、基板上への投影を真空下で行うことが不可欠である。従って、基板ハンドラは、前処理した基板を真空中へ移送するようになっているべきである。それは、少なくとも基板トラックでの基板の前処理後、基板の取扱いおよび温度制御を真空中で行わなければならないことを意味する。
【００１２】
１５７ｎｍ放射線を使うＮ２環境で動作する装置のような、他の種類のリソグラフィ投影装置用には、Ｎ２環境のような、特定のガス環境を維持することが不可欠である。従って、基板ハンドラは、前処理した基板を特定のガス環境の中へ移送するようになっているべきである。それは、少なくとも基板トラックでの基板の前処理後、基板の取扱いおよび温度制御を特定のガス環境で行わなければならないことを意味する。
【００１３】
ウエハの位置決めを真空ロードロックで行うようになっているウエハ取扱い装置は、ＧＢ−Ａ−２３４９２０４から知られている。
この公報は、ウエハをロードロックを介して真空室に装填する、イオン注入装置のような、ウエハ処理装置を開示する。このロードロックには、エッジ検出によってウエハの位置を決めるために多数のセンサが配置してある。このウエハを真空室内でグリッパアームによって掴む。このクリッパアームサーボ駆動装置は、コンピュータによって制御し、センサ信号の読取りはコンピュータによって行い、このグリッパとウエハが適正に位置するかどうかを決めるために記憶する読取り値と比較する。
【００１４】
この既知の装置の問題点は、グリッパアームを介する位置決めが１００マイクロメートル以上の範囲でのオフセットの機械的誤差に繋がることである。基板上のパターンを基板ステージ上に数マイクロメートル以下の精度で正確に整列しなければならない、リソグラフィ目的には、既知のグリッパアームは適当でない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
従って、基板移送数が最小になり、基板を支持部材に関して正確に整列できる、基板を支持部材上に配置するための方法および装置を提供することは有益である。
特にＥＵＶリソグラフィ装置に於いて、真空室で基板を支持部材上に配置するための方法および装置を提供することも有益である。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
一態様によれば、基板を支持部材上に配置する方法が、
基準位置に対するこの基板の位置を、制御ユニットへセンサ信号を出力するセンサ
を介して決める工程、および
この基板を制御ユニットによって制御するグリッパで掴み、この基板を支持部材上
の所定の位置に備付ける工程、を含む方法であって、
室内でこの基板の位置を検出し、基板上のグリップ位置を決め、このグリップ位置でグリッパを使って基板を掴みおよびこの基板の中心が支持部材上の所定の位置に達するように基板を支持部材に対する固定位置へ動かす工程か、または
この室に対する固定位置でグリッパを使って基板を掴み、センサを使ってこの掴んだ基板の位置を検出し、およびこの基板の中心が支持部材上の所定の位置に達するように基板を支持部材に対する変動位置へ動かす工程に特徴がある方法が提供される。
【００１７】
基板の位置は、基板がグリッパで掴む前に室内にあるときか、またはグリッパで掴んだ後に支持体へ移送しながら決める。このグリップ位置は、センサ信号に基づいて、支持体に対する基板中心のオフセットを補正するために、基板を掴む位置か、またはこの基板を支持体に提供する位置で制御する。この様にして、支持体上の基板の正確な位置決めを数マイクロメートル以下の精度で達成できる。
【００１８】
一実施例では、この室が減圧移送装置であり、この方法は、
基板を移送装置内に配置する工程、および
この移送装置を排気する行程、を含む。
例えば、ＥＵＶリソグラフィ装置のような、真空環境で、本発明の実施例による方法は、基板を支持体へ移送するとき、それを引継ぐ数を減らす。基板をロードロックから真空室の中へ移送するために必要なマニピュレータ運動を使って、グリップ位置のオフセットによるか、または基板を支持体（予備整列支持体）へ提供するときの位置のオフセットによって、基板を正しく配置する。従来技術のリソグラフィ投影装置で普通使うような、室内の別のセンタリングチャックをこの様にして削除でき、そのようなセンタリングチャックからこの（予備整列）支持体への移送を避ける。これは、移送数の減少、移送時間の減少および基板汚染の減少という結果になる。
更に、機械部品数の減少は、価格の低下および真空システムの部品数の減少という結果になる。
【００１９】
一実施例では、センサが、ロードロックのような、移送装置に設けてある。この移送装置の中で、基板は、位置の読みを比較的簡単且つ正確な方法で得られる様に、静止している。グリッパによって掴むと、位置測定を行い且つ位置補正を行うために十分な時間が利用できる。
【００２０】
更なる実施例では、センサが移送装置と支持部材の間に設けてあり、この方法が基板をこのセンサに対して動かす工程、センサからのセンサ信号に基づいてこの基板の位置を計算する工程、およびグリッパを固定または変動位置へ向ける工程を含む。
【００２１】
センサを移送装置の外部に置くことによって、センタリングをこの移送装置から来る基板に対してだけでなく、更なる移送装置からのような、他の位置から来る基板に対しても行える。センサの位置は、このセンサ位置でのグリッパの運動がこのロードロックから（予備整列）支持体へ行く基板の位置決めに対して、およびもう一つの位置（基板ステージまたは更なるロードロック）からこの（予備整列）支持体へ移送する基板に対して実質的に同じであるようになっている。
【００２２】
ロードロック内のスペースは限られるので、センサをロードロックの外に置くのが都合がよい。“動作中の”基板の位置測定は、更に基板の位置を決めるための時間を減らす結果となる。
【００２３】
センサを移送装置の外部に置く実施例では、センサを通過するとき基板の前および後エッジを検出できる。この様にして、センサ当りの読取り数を２倍に出来、精度を改善する。
【００２４】
更なる実施例では、センサを（予備整列）支持体に近接して置く。この場合、基板を、ロードロックと干渉しない更なるグリッパによってこの（予備整列）支持体の上に置くことができる。また、センタリング補正を基板のこの（予備整列）支持体の方へ（ｚ方向）の運動と同時に実行できる。これは、工程数が少ない迅速なセンタリングという結果になり、汚染（埃、温度等）を減らす結果となる。
【００２５】
もう一つの実施例によれば、この方法は、
この部材の支持面をその上の基板と共に回転し、この基板の多数のエッジ位置をセンサで検出する工程、
グリッパを使って支持部材からこの基板を掴む工程、および
この基板をその中心およびその角度方向を支持部材上の所定の位置にして戻す工程、を含む。
【００２６】
この様にして、エッジ検出センサを（予備整列）支持体上のｘおよびｙ方向の基板のセンタリングのために使うことが出来る。基板の回転位置Ｒｚは、整列できないが、測定でき、これを補償するために支持体を回転できる。これは、基板をセンタリングする迅速な方法となるだろう。
【００２７】
この本文では、ＩＣの製造でこの発明による装置を使用することを具体的に参照するかも知れないが、そのような装置は、他の多くの可能な用途があることを明確に理解すべきである。例えば、それを集積光学システム、磁区メモリ用誘導検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使ってもよい。当業者は、そのような代替用途の関係で、この本文で使う“レチクル”、“ウエハ”または“ダイ”という用語のどれも、それぞれ、より一般的な用語“マスク”、“基板”および“目標部分”で置換えられると考えるべきであることが分るだろう。
【００２８】
本文書では、“放射線”および“ビーム”という用語を紫外（ＵＶ）放射線（例えば、波長３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの）および超紫外（ＥＵＶ）放射線（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の）、並びにイオンビームまたは電子ビームのような、粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射線を包含するために使用する。
【００２９】
次に、この発明の実施例を、例としてだけ、添付の概略図を参照して説明し、それらの図面で対応する参照記号または数字は対応する部品を指す。
【実施例】
【００３０】
図１は、この発明の特定の実施例によるリソグラフィ投影装置（ＬＰ）を概略的に表現する。この装置は、
放射線（例えば、ＥＵＶ放射線）の投影ビームＰＢを供給するための、この特別な場合放射線源ＬＡも含む、放射線システムＥｘ、ＩＬ、
マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのマスクホルダを備え、且つこのマスクを部材ＰＬに関して正確に位置決めするために第１位置決め手段ＰＭに結合された第１物体テーブル（マスクテーブル）ＭＴ、
基板Ｗ（例えば、レジストを塗被したシリコンウエハ）を保持するための基板ホルダを備え、且つこの基板を部材ＰＬに関して正確に位置決めするために第２位置決め手段ＰＷに結合された第２物体テーブル（基板テーブル）ＷＴ、および
マスクＭＡの被照射部分を基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、一つ以上のダイを含む）上に結像するための投影システム（“レンズ”）ＰＬ（例えば、反射型ミラーシステム）、を含む。
【００３１】
ここに表現するように、この装置は、反射型である（即ち、反射性のマスクを有する）。しかし、一般的に、それは、例えば、（反射性レンズシステムと共に透過性マスクを備える）透過型でもよい。その代りに、この装置は、上に言及した種類のプログラム可能ミラーアレイのような、他の種類のパターニング手段を使ってもよい。
【００３２】
この線源ＬＡ（例えば、プラズマ源）は、放射線のビームを作る。このビームを直接か、または、例えば、ビーム拡大器Ｅｘのような、状態調節手段を通してから、照明システム（照明器）ＩＬの中へ送る。この照明器ＩＬは、このビームの強度分布の外側および／または内側半径方向範囲（普通、それぞれ、σ外側および／またはσ内側と呼ぶ）を設定するための調整手段ＡＭを含んでもよい。その上、それは、一般的に、積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯのような、種々の他の部品を含む。この様にして、マスクＭＡに入射するビームＰＢは、その断面に所望の均一性および強度分布を有する。
【００３３】
図１に関して、線源ＬＡは、（この線源ＬＡが、例えば、水銀灯である場合によくあることだが）このリソグラフィ投影装置のハウジング内にあってもよいが、このリソグラフィ投影装置から遠く離れていて、それが作る放射線ビームをこの装置に（例えば、適当な指向ミラーを使って）導いてもよいことに注目すべきで；この後者のシナリオは、線源ＬＡがエキシマレーザである場合によくあることである。本発明および請求項は、これらのシナリオの両方を包含する。
【００３４】
ビームＰＢは、次に、マスクテーブルＭＴ上に保持されたマスクＭＡで反射される。マスクＭＡで反射されてから、ビームＰＢは、レンズＰＬを通過し、それがこのビームＰＢを基板Ｗの目標部分Ｃ上に集束する。第２位置決め手段ＰＷ（および干渉計測定手段ＩＦ）を使って、基板テーブルＷＴを、例えば、異なる目標部分ＣをビームＰＢの経路に配置するように、正確に動かすことができる。同様に、例えば、マスクＭＡをマスクライブラリから機械的に検索してから、または走査中に、第１位置決め手段ＰＭを使ってマスクＭＡをビームＰＢの経路に関して正確に配置することができる。一般的に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、図１にはっきりは示さないが、長ストロークモジュール（粗位置決め）および短ストロークモジュール（精密位置決め）を使って実現する。しかし、ウエハステッパの場合は（ステップアンドスキャン装置と違って）、マスクテーブルＭＴを短ストロークアクチュエータに結合するだけでもよく、または固定してもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスク整列マークＭ１、Ｍ２および基板整列マークＰ１、Ｐ２を使って整列してもよい。
【００３５】
図示する装置は、二つの異なるモードで使うことができる。
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴを本質的に固定して保持し、全マスク像を目標部分Ｃ上に一度に（即ち、単一“フラッシュ”で）投影する。次に基板テーブルＷＴをｘおよび／またはｙ方向に移動して異なる目標部分ＣをビームＰＢで照射できるようにする。そして、
２．走査モードでは、与えられた目標部分Ｃを単一“フラッシュ”では露光しないことを除いて、本質的に同じシナリオを適用する。その代りに、マスクテーブルＭＴが与えられた方向（所謂“走査方向”、例えば、ｙ方向）に速度ｖで可動で、それで投影ビームＰＢがマスク像の上を走査させられ；同時に、基板テーブルＷＴがそれと共に同じまたは反対方向に速度Ｖ＝Ｍｖで動かされ、このＭはレンズＰＬの倍率（典型的には、Ｍ＝１／４または１／５）である。この様にして、比較的大きい目標部分Ｃを、解像度について妥協する必要なく、露光することができる。
【００３６】
図２は、この発明の実施例によるリソグラフィ投影組立体ＬＰＡの別々のモジュールのレイアウトを概略的に表現する。このレイアウトは、
基板を第１環境と第２環境の間で移送するための二つのロードロックＬＬで、モジュールＨＣとＬＰに拡がる第２環境が第１環境より低圧であるロードロック、
基板を前処理するための予備整列支持体および／または熱処理手段のような、前処理手段、並びに基板をロードロックＬＬから前処理手段へおよび更にこの前処理手段からリソグラフィ投影装置ＬＰの取付け位置へおよび逆方向にリソグラフィ投影装置ＬＰの取外し位置からロードロックＬＬへ移送するための搬送手段を備えるハンドラ室ＨＣ、そして
上に詳しく説明したような、リソグラフィ投影装置ＬＰ、を含む。
これらのロードロックは、ハンドラ室と共に、普通基板ハンドラＳＨと呼ぶ。
【００３７】
このリソグラフィ投影装置は、投影室を含み、それはとりわけ基板テーブルＷＴおよび典型的には図１に示す第２位置決め手段ＰＷおよびこの投影室を排気するための排気手段を含む。ロードロックおよびハンドラ室の機能を以下に詳しく説明する。
【００３８】
図３および図４は、それぞれ、この発明の第１および第２実施例によるリソグラフィ投影装置を表現する。両図で以下のモジュールが認識されよう。
二つのロードロックＬＬ、
二つのロードロックＬＬと組合わせて基板ハンドラＳＨと呼ぶハンドラ室ＨＣ、および
投影室を含むリソグラフィ投影装置ＬＰ。
後者のモジュールＬＰに、構成を詳細には示さないが、例えば図１から理解できる。
【００３９】
ロードロックＬＬにハンドラ室ＨＣと反対に隣接して、ロードロックＬＬに基板を出し入れするために備える、基板トラックＳＴ（図２参照）のような、もう一つのモジュールが存在する。
【００４０】
各ロードロックＬＬに、ドア１０、１１があり、そのドアは第１環境とロードロックＬＬの間の基板の移送を可能にするためである。その反対側に、各ロードロックは、ロードロックＬＬとハンドラ室ＨＣの間の基板の移送を可能にするためのドア１２、１３を備える。第２環境は、ハンドラ室ＨＣと投影プロセス中のリソグラフィ投影装置ＬＰに拡がる。各ドア１０、１１、１２、１３は、それぞれのロードロックの内部を気密状態に封鎖できるようになっている。
各ロードロックは、基板を支持するための基板支持位置１４ａ、１５ａを有する。
【００４１】
この第２環境は、第１環境より低圧でも良い。リソグラフィ投影装置ＬＰが、例えば、超紫外（ＥＵＶ）放射線を使うとき、第２環境は、真空環境になろう。この場合の投影室は、真空室である。真空雰囲気を確立するため、両実施例のリソグラフィ投影組立体は、真空を確立または維持するために真空手段（図示せず）を備えてもよい。
その代りに、この第２環境は、窒素環境のような、特別なガス環境でも良い。
【００４２】
基板を第１環境と低圧の第２環境の間で制御不能な激しい気流による重要部分の損傷なしに移送するためには、一時にロードロックＬＬの一つのドアだけを開く。基板支持位置１４ａ、１５ａから第１環境へ移送すると、それぞれのドア１０、１１を開く前に最初にロードロックＬＬを通気し、一方基板支持位置１４ａ、１５ａから第２環境へ移送すると、それぞれのドア１２、１３を開く前に最初にロードロックを必要な真空レベルに排気する。
【００４３】
ハンドラ室ＨＣに、前処理位置１６があり、そこに予備整列手段および／または熱処理手段が配置してある（図示せず）。この前処理位置１６での予備整列は、基板の基板ウエハテーブルＷＴ上での位置決めで必要なレベルの精度に達するために重要である。次の位置は、リソグラフィ投影装置ＬＰの中の取付け位置１７である。この位置で、基板を図１に示す基板テーブルＷＴの上に置く。この位置１６で熱処理手段を適用することは、基板をリソグラフィ投影装置ＬＰに導入する前に、基板全域に管理した温度を維持するために都合がよい。
【００４４】
図４に描くこの発明の第２実施例では、リソグラフィ投影装置ＬＰに追加の取外し位置１８が配置してある。これは、両位置１７および１８がたまたま一致する図３の第１実施例と対照をなす。
【００４５】
基板をハンドラ室ＨＣとリソグラフィ投影装置ＬＰの間およびその逆に移送すると、基板が入口２３または２４を通る。先の段落の差に匹敵して、図３の第１実施例では、ハンドラ室と取付け、取外し位置の間の入口２３、２４がたまたま一致する。
【００４６】
図３と図４の第１および第２実施例の間のもう一つの差は、搬送手段に関係する。図３の第１実施例は、グリッパ２０を有する一つのマニピュレータ１９を含み、一方図４に描く第２実施例は、第１マニピュレータの隣に、やはりグリッパ２２を有する第２マニピュレータ２２を含む。両マニピュレータは、これらの実施例ではロボット、スカラーロボットであるが、他のロボットまたは他のマニピュレータも考えられる。
【００４７】
これらのロボットは、以下の作業に適する。
１．ロードロックＬＬの一つから基板を拾い、上記基板を前処理位置１６へ移送し、およ
び／または
２．前処理位置１６から基板を拾い、上記基板を取付け位置１７へ移送し、および／また
は
３．取外し位置１８から基板を拾い、上記基板をロードロックＬＬの一つの基板支持位置
１４、１５へ移送する。
【００４８】
第１実施例の基板のスループットの向上を、ロードロックＬＬの一つを通気するか排気する前に、上述の三つの作業の二つ以上を組合わせることによって達成できる。
【００４９】
第２実施例の場合のように、一つのロボットではなく二つのロボットを使えば、上述の作業の組合せの可能性が極端に上昇することが容易に分るだろう。
勿論、他の有利な組合せも可能である。
【００５０】
移送作業の最も論理的順序は、リソグラフィ投影組立体ＬＰＡの次の動作モードに依存する。即ち、
取外し位置１８からロードロックＬＬへの基板の移送が必要なく、一つ以上の基板をハンドラ室およびリソグラフィ投影装置の中へ移送する、始動段階、
それぞれ、取付け位置１７および取外し位置１８へ出し入れする移送が同等な、定常状態動作、または
ロードロックＬＬから前処理位置１６若しくは取付け位置への移送が起らず、一つ以上の基板をハンドラ室およびリソグラフィ投影装置から移送する、空にする段階、である。
【００５１】
この発明の実施例によれば、各ロードロックＬＬは、第１基板支持位置１４ａ、１５ａおよび第２基板支持位置１４ｂ、１５ｂ（図３および図４に示さず）を備える。追加の支持位置は、この第２位置が入来および出立基板のためのある種のバッファとして作用できるので、上述の移送作業を組合わせる可能性を高める。
【００５２】
この第１および第２実施例の両方で、対応するロボットを備える両ロードロックは、所謂双方向ロードロックとして作ってあり、それは、各ロードロックにハンドラ室のロボットと、例えば、基板トラックからのロボットの両方が、基板をドア１０、１１、１２、１３を通して双方向に移送できるよう、アクセス可能であることを意味する。これを図３および図４に矢印付の線Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇによって示す。この構成は、基板のスループットを向上できる。一つのロードロックが入来基板用であり、他のロードロックが出立基板用である、この発明によるリソグラフィ投影組立体の実施例も可能である。そのような実施例は、三つの移送作業の組合せの柔軟性を低下するが、同時にロボットの作業上のリーチに関する要件も減少する。
【００５３】
両実施例で、基板ハンドラＳＨは、基板を第３環境と第２環境の間で移送するための第３ロードロック２５を任意に備える。この第３ロードロック２５の対向する側に、二つのドア２７、２８を備える。ドア２７は、第３ロードロックの内部をハンドラ室に接続する。外側ドア２８は、第３ロードロックの内部を基板ハンドラの外部の環境に接続する。
【００５４】
この第３ロードロックは、ハンドラ室の自由にアクセス可能な側に配置してあり、それは、例えば、基板を除去すべき場合または第１および第２ロードロックの両基板支持位置１４ａ、１５ａが既に塞がっている場合にこの第３ロードロックをバッファとして使うことによって、リソグラフィ投影組立体ＬＰＡの柔軟性および応用の可能性を向上する。更に、それは、ハンドラ室ＨＣおよび／またはリソグラフィ投影装置ＬＰの修理および保守を容易にするために使える。この第３環境は、第１環境と同じでよいが、第１環境と違ってもよいことを注記する。
【００５５】
図３および図４では、ロードロックＬＬの一つが自由にアクセス可能な側に配置してある任意の外側ドア２６を含む。このドア２６は、基板またはその他の物体を第３環境（それは第１環境と同じでよい）から直接このロードロックへ移送するためである。更に、それは、対応するロードロックの修理および保守のために使える。両ロードロックに外側ドア２６を設けること、または他のロードロックＬＬに外側ドア２６を配置することも可能である。
【００５６】
図３および図４の実施例では、センサ４、５がロードロックＬＬに配置してある。これらのセンサ４、５は、ＣＣＤカメラのような、光センサでもよく、または静電式、磁気式若しくは機械式センサでもよい。センサ４、５は、ロードロックＬＬの中の基板１の位置を決め、この基板１の中心を前処理位置１６の所定の位置にするためにマニピュレータ１９、２１を制御するために使うデータを供給する。
【００５７】
センサ４、５または後に説明するセンサ９が、基板およびマニピュレータ１９、２０の位置を観察し且つ測定するビデオカメラを含むとき、基板エッジ上の切欠き位置と無関係な位置決めを得ることができる。このビデオカメラ信号は、制御ユニット６によって制御するマニピュレータ１９、２０の位置制御プログラムにフィードバック信号を提供するためにユニット６でマニピュレータ１９、２０のサーボループで使用する。ビデオ検出システムが較正の必要性を無くすることができる。
【００５８】
前処理位置１６上に、基板の中心を必要な位置にして基板を適正に配置する。前処理位置１６が予備整列手段を含むとき、基板を取付け位置１７で適正な方向で基板テーブルに移送できるように、この予備整列手段の支持体をその中心周りに回転することによって基板を必要な角度方向にでき且つその方向にする。予備整列支持体１６での基板の位置決めは、二つの方法で実行することができる：
【００５９】
第１方法の位置決めでは、センサ４、５のセンサ信号がロードロックＬＬの基板支持位置１４ａ、１５ａで予備整列支持体１６に関する基板１の中心の位置を決める。次に、グリッパ２０、２１が固定拾い位置でロードロックＬＬ内の基板を掴む。制御ユニット６によって基板と共にマニピュレータ１９、２１を、予備整列支持体１６の近くの変動位置へ向け、ウエハ１の中心をこの予備整列支持体の中心のすぐ近くに置き、基板１を予備整列支持体に提供する。
【００６０】
第２センサ９は、回転する予備整列支持体１６によって基板１を回転するとき、基板のエッジ輪郭を検出するために予備整列支持体１６の近くで使ってもよい。このエッジ輪郭を制御ユニット６で計算する。このエッジ輪郭に基づいて、予備整列支持体１６上の基板の角度方向を決める。
【００６１】
第２方法の位置決めでは、基板１の位置をセンサ信号に基づいて、予備整列支持体１６に対して決める。次に、マニピュレータ１９、２１を制御して、グリッパが計算した掴み位置でロードロックＬＬの中の支持位置１４ａ、１５ａから基板を拾うようにする。次に、マニピュレータ１９、２１を制御ユニット６によって予備整列支持体近くの固定位置へ向け、基板の中心が、計算した基板の掴み位置のために、予備整列支持体１６の中心のすぐ近くにあるようにする。次に、基板を予備整列支持体に提供する。
【００６２】
図３および図４の実施例では、センサ４、５をロードロックＬＬの内部に置く。ロードロックの中で、基板１は、基板支持位置１４ａ、１５ａ上に静止し、位置の読みを比較的簡単且つ正確な方法で得ることができる。グリッパによってロードロックＬＬから基板を拾う前に、位置測定を−例えば、ロードロックＬＬを排気しながら−実行し且つ上述のように位置決定を行うために十分な時間が利用できる。
【００６３】
図５に示す実施例では、センサ５をハンドラ室ＨＣ内に置き、基板が、取付けまたは取外しする間、センサの上または下を通過するようにする。図５に示すセンサ５の位置では、基板のセンタリングをロードロックＬＬから来る基板に対してだけでなく、第３ロードロック２５からのような、他の位置から来る基板に対しても行える。センサ５の位置は、このセンサ位置でのマニピュレータ１９、２１の運動がロードロックＬＬから前処理位置１６へ行く基板の位置決めに対して、および更なるロードロック２５から前処理位置１６へ移送する基板に対して、実質的に同じであるようになっている。
【００６４】
センサ５は、基板の位置を“動作中”、即ち、それがセンサ５を通過するときに測定し、基板の位置を決めるための時間を短縮する結果となる。制御ユニット６で、基板のエッジ輪郭を決めることにより、またはセンサ５を通過するとき基板のリーディングおよびトレーリングエッジを検出することにより、エッジ検出技術によって基板の位置を決めてもよい。この様にして、センサ当りの読取り数を２倍に出来、精度を改善する。センサ５を使う他の基板位置検出方法は、基板上の一つ以上のマークによる。
【００６５】
図６の実施例では、センサ５が前処理位置１６に極めて接近して位置する。この場合、センサ位置は、ハンドラ室ＨＣ内のマニピュレータの経路に鈍感であり、それでロードロックＬＬから来る基板と第３ロードロック２５から来る基板に対して、両マニピュレータ１９、２１によって前処理位置１６へ基板を同等の精度で提供できる。また、前処理位置１６へ提供する基板のセンタリング補正を基板の前処理位置の方へ（ｚ方向）の垂直運動で同時に実行できる。
【００６６】
図４ないし図６の実施例では、センサ９を使って、例えば、エッジまたはマーカ検出を設けることによって前処理位置１６で基板の角度方向を決めるステップを実行してもよく、それからのエッジ／マーク検出データを位置１６で予備整列支持体の回転を制御するために使うことが出来る。センサ９の信号に基づいて微細位置決めステップを実行することも可能で、その信号を、予備整列支持体１６から基板を拾い且つそれを補正した位置へ提供するために、制御ユニット６によってマニピュレータ１９、２１を制御するために使うことが出来る。制御ユニット６は、図４ないし図６のセンサ４、５および／または９のセンサ信号の高速フーリエ変換（ＦＦＴ）を行ってもよい。図７に示すように、非円形基板のエッジＲedge,wafer（φwafer）を、基板極座標によって、次の式による厳密な表現で与える。
【００６７】
【数１】
2005123613.tif 000003
【００６８】
但し、φwaferは、図７に示すように、基板座標系での半径Ｒｗの角度、φoffset,waferは、ロードロック（または基板ステージ）座標系の中心と基板中心の間の半径Ｒ０の角度、ｍは、基板の非円形度の指数で、項Ａ０は、ｍ＝０でウエハの半径（典型的には１００ｍｍまたは１５０ｍｍ）を示し、ｍ＝１は、ここでは０となるオフセットを示し、ｍ＝２は楕円率を示す等である。上の式で、オフセット（ｍ＝１）項は、基板エッジを基板座標の関数として与えてあるので、省略した。
【００６９】
ロードロック座標に関して、非円形基板のエッジＲedge,loadlock（φloadlock）をロードロック座標の関数として次式のように表現できる。
【００７０】
【数２】
2005123613.tif 000004
【００７１】
ここでφloadlockは、図７に示すように、ロードロック座標系で半径Ｒedge,loadlockの角度である。ｘoffsetおよびｙoffsetは、ロードロック座標系でのウエハ中心の座標である。
【００７２】
Ａ0＞＞ｙoffsetおよびＡ0＞＞ｘoffsetであるので、φwafer≒φloadlockということになる。
従って、非円形基板のエッジを近似式でロードロック座標の関数として次の式のように表現できる。
【００７３】
【数３】
2005123613.tif 000005
【００７４】
ここでＡ0は基板の半径、ｘoffsetcos（φloadlock）＋ｙoffsetsin（φloadlock）はロードロックでの基板センタリング、および次式は外乱要因である。
【００７５】
【数４】
2005123613.tif 000006
【００７６】
基板のオフセット、またはセンタリングを決めるために、センサ４または９のセンサ読みＲedge,loadlock（φloadlock）の高速フーリエ変換によってセンタリング項を見付けることができる。フーリエ級数では、単一周期の成分しか計算する必要がない。それで第１周期成分の位相および絶対値が基板偏心率の極座標を表すことが分った。ＦＦＴアルゴリズムの主なステップは次の通り：
【００７７】
関数［ｘ＿オフセット＿実測，ｙ＿オフセット＿実測］＝フーリエ＿アルゴリズム（Ｒ＿シリーズ，Ｎ）
％フーリエ変換によりオフセットを決める、
％Ｒの長さＬ＝Ｎ（測定点）*Ｓ（サンプル数）
％測定点は等距離分布をしていなければならないことに注目
Ｌ＝長さ（Ｒ＿シリーズ）、
Ｓ＝Ｌ／Ｎ、
ｋ＝Ｓ＋１、
Ｇ＝０、
for ｉ＝１：Ｌ
Ｇ＝Ｇ＋（Ｒ＿シリーズ(i)*exp(j*2*pi*(1-k)*(i-1)/Ｌ)）、
end
ｘ＿オフセット＿実測＝2*abs(Ｇ)*cos(角（Ｇ）)/Ｌ、
％実測ｘ＿ウエハのオフセット
ｙ＿オフセット＿実測＝2*abs(Ｇ)*sin(角（Ｇ）)/Ｌ、
％実測ｙ＿ウエハのオフセット。
【００７８】
これは基本的に、１周期の成分だけを計算する標準ＦＦＴ変換である。従って、このアルゴリズムには一つのfor-nextループしかなく、標準ＦＦＴ変換に現れるような二つの入れ子式のfor-nextループはない。
【００７９】
更に、基板周りの多数のセンサ４の幾何学的配置を使って低次の非円形度の幾何学的濾過をすることができる。限られた数の固定センサが使え、それらの角度位置は、次のように決める：
【００８０】
ｘoffsetおよびｙoffsetの値を決める際に、それは、基板に関する検出器位置を適正に選択することによって、次式の外乱要因を最小にする目的である。
【００８１】
【数５】
2005123613.tif 000007
【００８２】
この外乱項を全測定点ｎに亘って合計して、次式の外乱を得る。
【００８３】
【数６】
2005123613.tif 000008
【００８４】
最後の項を書き改めて次の式の外乱を得る。
【００８５】
【数７】
2005123613.tif 000009
【００８６】
この関数を最小にするためには、全ての項を（これらの項が独立であるという仮定に基づいて）独立に最小にすべきである。第１項を最小にするためには、９０°位相ずれした二つの測定点が必要である。これらの検出器位置を図８にＤ１およびＤ４で示す。図８に、等距離検出器位置Ｄ１ないしＤ４を、ｍ２、３および４に対して、ロードロックに関して示す。
【００８７】
第２項は、６０°位相ずれした二つの測定点によって最小になる。これらの検出器位置を図８にＤ１およびＤ４によって示す。
第３項は、４５°位相ずれした二つの測定点によって最小になり、これらの検出器位置を図８にＤ１およびＤ２によって示す。次の測定点は、３６°、３０°等の位相ずれを有する。
【００８８】
基板のエッジに切欠きがある場合、この切欠きが測定点Ｄ１〜Ｄ４の一つと一致するかも知れない。従って、二つの測定点または検出器Ｄ５およびＤ６を加えて、その都度、９０°の位相ずれに対して検出器Ｄ１、Ｄ４およびＤ３、Ｄ６の様に、与えられた位相ずれに対して二つの検出器の組合せを可能にする。これを図９に示す。
【００８９】
図９の検出器配置は、基板直径の以下の異常に鈍感である、即ち：非円形度の楕円形、４ローブおよび６ローブ異常。残りの異常には、５、７、８、９、１０次等がある（３０°の角度が二度含まれている）。
【００９０】
図６に関して示したような予備整列手順は、センサ５の較正が容易であるという利点を有することを注記する。例えば、前処理位置１６で基板を回転することにより、およびセンサ９の測定結果をセンサ５のそれと比較することにより、較正を行ってもよい。これと共に、真空領域内部で特殊な追加の器具を使う必要なく較正の実行を達成できる。
【００９１】
この発明の特定の実施例を上に説明したが、この発明を説明したのと別の方法で実施してもよいことが分るだろう。この説明は、この発明を制限することを意図しない。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】この発明の実施例によるリソグラフィ投影装置を概略的に示す。
【図２】この発明の実施例によるリソグラフィ投影組立体の別々のモジュールの一般的レイアウトを概略的に示す。
【図３】センサがロードロックの内部に置いてある、この発明の第１実施例によるリソグラフィ投影組立体を示す。
【図４】センサがロードロックの内部に置いてある、この発明の第２実施例によるリソグラフィ投影組立体を示す。
【図５】センサがハンドラ室に置いてある、この発明の第３実施例によるリソグラフィ投影組立体を示す。
【図６】センサが予備整列支持体に極めて接近して置いてある、この発明の第４実施例によるリソグラフィ投影組立体を示す。
【図７】基ロードロックに置いた基板および板座標およびロードロック座標の関数としての基板エッジの概略図を示す。
【図８】ウエハオフセットおよび／または高次のエッジ欠陥を検出するための、基板位置周りの検出器Ｄ１〜Ｄ４の第１アレイを示す。
【図９】ウエハオフセットおよび／または高次のエッジ欠陥を検出するための、基板位置周りの検出器Ｄ１〜Ｄ４の、基板エッジの切欠きの存在に鈍感であるべき第２アレイを示す。
【符号の説明】
【００９３】
１  基板
４  センサ
５  センサ
６  制御ユニット
８  回転軸
９  センサ
１６  支持部材
１７  支持部材
２０  グリッパ
２２  グリッパ
ＣＨ  室
Ｅｘ  ビーム拡大器
ＩＬ  照明システム
ＬＬ  室、減圧移送装置
ＭＡ  パターニング手段
ＭＴ  支持構造体
ＰＢ  投影ビーム
ＰＬ  投影システム
Ｒ（φ）  基板エッジ位置
ＳＨ  基板ハンドラ
φ    角度
【図１】
2005123613.tif 000010
【図２】
2005123613.tif 000011
【図３】
2005123613.tif 000012
【図４】
2005123613.tif 000013
【図５】
2005123613.tif 000014
【図６】
2005123613.tif 000015
【図７】
2005123613.tif 000016
【図８】
2005123613.tif 000017
【図９】
2005123613.tif 000018