(57)【要約】【課題】  配線同士のショートを防ぎ、スルーホール等の導通を確実に行うことができる、信頼性の高い配線板の形成方法、配線形成装置及び配線板を提供すること。【解決手段】  第１パターンを基体に形成する第１パターン形成工程と第２パターンを基体に形成する第２パターン形成工程とのうちの一方の形成工程を行った後に、他方の形成工程を行うことで配線パターンを基体に形成することを特徴とする。【選択図】  図１７
2005210079.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１パターンを形成する第１の液体と、第２パターンを形成する前記第１の液体とは異なる第２の液体と、を基体上で互いに接するように供給することにより、前記第１パターンと前記第２パターンによる配線パターンを前記基体に形成する配線形成方法において、
前記第１の液体を前記基体に供給することにより、前記第１パターンを前記基体に形成する第１パターン形成工程と、
前記第２の液体を前記基体に供給することにより、前記第２パターンを前記基体に形成する第２パターン形成工程と、を有し、
前記第１パターン形成工程と前記第２パターン形成工程とのうちの一方の形成工程を行った後に、他方の形成工程を行うことを特徴とする配線形成方法。
【請求項２】
前記第１パターン形成工程を行った後に、前記第２パターン形成工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。
【請求項３】
前記第１パターン形成工程において、前記基体に供給された第１の液体に硬化処理を行うことを特徴とする請求項２に記載の配線形成方法。
【請求項４】
前記硬化処理は、前記基体に供給された前記第１の液体を加熱することによって硬化させることを特徴とする請求項３に記載の配線形成方法。
【請求項５】
前記第１パターン形成工程において、前記第１パターンを前記基体の複数箇所に形成した後に、前記第２パターン形成工程において、前記複数箇所に形成された前記第１パターンの間に当該第１パターンに接するように前記第２パターンを前記基体に形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項６】
前記第１の液体及び前記第２の液体は、インクジェット方式によって吐出されることにより、前記基体に供給されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項７】
前記第２パターン形成工程を行った後に、前記第１パターン形成工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。
【請求項８】
前記第１パターンは、絶縁性の絶縁パターンであり、前記第２パターンは導電性の導電パターンであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項９】
前記第１パターンおよび前記第２パターンは、性質の異なる絶縁性の絶縁パターンであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項１０】
前記第１のパターンは絶縁性の絶縁パターンであり、前記第２パターンは半導体の半導体パターンであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の配線形成方法によって形成された配線と前記基体とを有する配線板。
【請求項１２】
第１パターンを形成する第１の液体と第２パターンを形成する第２の液体とを基体上で互いに接するように供給することにより、前記第１パターンと前記第２パターンによる配線パターンを前記基体に形成する配線形成装置において、
前記第１の液体を貯留する第１の液体容器と、
前記第２の液体を貯留する第２の液体容器と、
前記第１の液体容器から前記第１の液体を前記基体に供給することにより、前記第１パターンを前記基体に形成する第１パターン形成手段と、
前記第２の液体容器から前記第２の液体を前記基体に供給することにより、前記第２パターンを前記基体に形成する第２パターン形成手段と、
前記第１パターン形成手段と前記第２パターン形成手段とのうちの一方の手段を用いてパターンの形成を行った後に、他方の手段を用いてパターンの形成を行うように制御を行う制御手段と、
を有することを特徴とする配線形成装置。
【請求項１３】
前記第１パターン形成手段を用いて前記第１パターンを前記基体に形成した後に、前記第２パターン形成手段を用いて前記第２パターンを前記基体に形成することを特徴とする請求項１２に記載の配線形成装置。
【請求項１４】
前記第２パターン形成手段を用いて前記第２パターンを前記基体に形成した後に、前記第１パターン形成手段を用いて前記第１パターンを前記基体に形成することを特徴とする請求項１２に記載の配線形成装置。
【請求項１５】
前記第１パターン形成手段と前記第２パターン形成手段とは、インクジェット方式によって液体を前記基体に供給することを特徴とする請求項１２〜１４のいずれかに記載の配線形成装置。
【請求項１６】
これから形成される第２パターンの大きさに応じて、対応する第１パターンの大きさの変更が可能である請求項１２〜１５のいずれかに記載の配線形成装置。
【請求項１７】
前記第１パターンは、絶縁性の絶縁パターンであり、前記第２パターンは導電性の導電パターンであることを特徴とする請求項１２〜１６のいずれかに記載の配線形成装置。
【請求項１８】
前記第１パターンおよび前記第２パターンは、性質の異なる絶縁性の絶縁パターンであることを特徴とする請求項１２〜１６のいずれかに記載の配線形成装置。
【請求項１９】
前記第１のパターンは絶縁性の絶縁パターンであり、前記第２パターンは半導体の半導体パターンであることを特徴とする請求項１２〜１６のいずれかに記載の配線形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線パターンを基体に形成するための配線形成方法、配線形成装置及び配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板の配線形成は一般にサブトラクテイブ法により行われている。サブトラクテイブ法による配線形成は、穴開け工程、無電解メッキ工程、ドライフィルム等によるパターニング工程、電解メッキ工程、エッチング工程、半田剥離工程などを経て形成されるが、工程数が多く、各工程に要する時間が掛かり、製造原価に占める加工費の割合が高い。特に、多層配線板の形成の場合には、加工費の低減が大きな課題になっている。また、メッキ工程やエッチング工程において発生する廃液処理等の問題も抱えている。
【０００３】
これらの問題を解決するため、基体の表面に導電パターン及び絶縁パターンをインクジェット方式により同時に形成することにより配線を形成するプリント配線板の製造方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。図２０は従来例における配線板の断面図である。基体３０１に導電パターンＡと絶縁パターンＢを同時に形成する為、導電パターンＡと絶縁パターンＢの切り分けが難しく、導電パターンＡが基体で広がることにより、図２０のように、導電パターン同士が接触して配線のショートが起こり、信頼性の高い配線を形成するのは困難であった。
【特許文献１】特開平１１−１６３４９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は従来技術の問題点を解決し、信頼性の高い配線パターンを形成することができる配線形成方法、配線形成装置及び配線板を提供することを主たる目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は第１パターンを形成する第１の液体と、第２パターンを形成する前記第１の液体とは異なる第２の液体と、を基体上で互いに接するように供給することにより、前記第１パターンと前記第２パターンによる配線パターンを前記基体に形成する配線形成方法において、前記第１の液体を前記基体に供給することにより、前記第１パターンを前記基体に形成する第１パターン形成工程と、前記第２の液体を前記基体に供給することにより、前記第２パターンを前記基体に形成する第２パターン形成工程と、を有し、前記第１パターン形成工程と前記第２パターン形成工程とのうちの一方の形成工程を行った後に、他方の形成工程を行うことを特徴とする配線形成方法に関するものである。
【０００６】
また、第１パターンを形成する第１の液体と第２パターンを形成する第２の液体とを基体上で互いに接するように供給することにより、前記第１パターンと前記第２パターンによる配線パターンを前記基体に形成する配線形成装置において、前記第１の液体を貯留する第１の液体容器と、前記第２の液体を貯留する第２の液体容器と、前記第１の液体容器から前記第１の液体を前記基体に供給することにより、前記第１パターンを前記基体に形成する第１パターン形成手段と、前記第２の液体容器から前記第２の液体を前記基体に供給することにより、前記第２パターンを前記基体に形成する第２パターン形成手段と、前記第１パターン形成手段と前記第２パターン形成手段とのうちの一方の手段を用いてパターンの形成を行った後に、他方の手段を用いてパターンの形成を行うように制御を行う制御手段と、を有することを特徴とする配線形成装置に関するものである。
【０００７】
（作用）
例えば、第１パターンとして絶縁パターンを形成した後に第２パターンとして導電パターンを形成することにより、導電パターンである配線同士のショートを防ぐことができ、また、第２パターンとして導電パターン形成工程を行った後に第１パターンとして絶縁パターン形成工程を行うことにより、スルーホール等の導通を確実に行うことができ、信頼性の高い配線板の形成が可能となる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線形成方法及び配線形成装置を用いることにより、信頼性の高い配線板の形成が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
印刷情報として半導体マスク情報を用いて配線パターンを形成し、第１パターンを絶縁物質を含む絶縁パターンとし、第２パターンを導電物質を含む導電パターンとする例を示す。
【００１０】
図２は、本発明の実施形態の１つであるインクジェット方式による配線形成装置の要部を示す斜視図である。
【００１１】
データ処理装置１から指示される配線パターン（絶縁パターン及び／または導電パターン）形成情報に従って、基体の搬送部２と、ヘッドの搬送部３を制御し、第１の液体容器５にある第１の液体を、絶縁パターン形成用ヘッド４から吐出することにより基体受け部９上の基体に絶縁パターンを形成する工程と、第２の液体容器７にある第２の液体を、導電パターン形成用ヘッド６から吐出することにより基体に導電パターンを形成する工程と、によって配線パターンを形成し、この工程を繰り返すことにより配線板を形成する。インクジェット方式を用いて配線を形成した場合、配線の幅は数μｍ〜数１０μｍ程度の微細な配線形成が可能である。絶縁パターンを形成する第１の液体には、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２などの無機材料やポリイミドなどの有機材料を含有した物が好ましく、導電パターンを形成する第２の液体には、半田，Ｐｔ，Ａｇ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｇａ等の金属材料を含有した物が好ましい。加熱硬化装置８は、赤外線ランプやキセノン灯のような輻射熱源によって、基体に形成された配線パターン（絶縁パターン及び／または導電パターン）の加熱硬化又は溶剤を揮発させることを目的としている。熱処理条件は、配線パターン形成液体（第１の液体及び／または第２の液体）中の加熱硬化が可能な成分の硬化条件に依存するものであるが、通常は基体の配線パターン部分が８０度〜１５０度の温度になるように設定を行う。基体が熱処理に耐えうる材質の場合、基体に抵抗体を接触させ基体全体を加熱する方法を用いることも可能である。また、配線パターン形成材料や基体の材質が、熱処理によって変質する可能性がある場合には、基体または配線パターン形成部の放熱及び冷却機構を兼ね備える構造をとる。さらに、配線パターン形成液体の材質によっては、熱処理の代わりに光照射あるいはその両方により配線パターン部分を硬化させる。光照射に用いる波長は、配線パターン形成液体中の光硬化が可能な成分が実用的感度を有する範囲の波長であり、光反応モードを用いる場合、一般的には紫外・可視領域の２００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲が用いられ、光源としてはたとえば水銀灯、キセノン灯、蛍光灯等の放電管が用いられる。
【００１２】
図３は、本発明の配線形成装置のシステム構成を示した概略ブロック図である。
【００１３】
１００は配線形成装置で、この配線形成装置のハード的な制御をつかさどるＣＰＵ１０３、ＡＳＩＣ１０６、ソフト処理を実行するプログラムが格納されているＲＯＭ１０４、印刷するための画像を選択するためのキー入力装置１０２、印刷指示された配線パターン形成情報を展開するため及び／または形成するに当たってヘッドの制御を情報に変換するためのメモリＤＲＡＭ１０８、ヘッド等の表示ステータスを使用者に示すための表示装置１０１、配線形成装置ユニット２００を駆動するための配線形成装置ドライバ１０５及び外部から受け取った配線パターン構成情報３００等を取り込むための入り口となる、データ入力用Ｉ／Ｆ１１０、その他の入出力を制御するためのＩ／Ｏ１０７で構成される。
【００１４】
また、配線形成装置ユニット２００は、配線形成装置の各種制御用モーター２０１、配線パターン形成用ヘッド２０２、前記制御をつかさどるエンコーダ、センサ等の制御系２０３、配線パターン形成面に対するヘッドのＵＰ／ＤＯＷＮ等の制御をつかさどる制御部２０４、第１の液体を貯留するための第１の液体容器２０５と第２の液体を貯留する為の第２の液体容器２０６、配線パターンを形成する基体３０１及び配線形成装置の制御に必要な情報（回復動作、配線パターン形成液体の残量等の情報）を記憶しておくためのＥＥＰＲＯＭ１０９で構成されている。形成する配線パターン情報は、配線パターン形成情報３００から所得し、該取得情報はＩ／Ｆ部１１０を介して記憶手段であるＤＲＡＭ１０８上に一時的に保管される。この情報をＤＲＡＭ上のメモリエリアの一部を用いて、配線パターン形成情報に変換する。
【００１５】
配線パターンを形成する為には、
・各層の高さ情報
・Ｘ，Ｙ方向の規定（最小線幅、最小線間隔等）
・Ｘ，Ｙ方向の重ね合わせた場合の規定（重ねあわせの際の間隔等）
・Ｘ，Ｙ方向描画のグリッドサイズ
が必要であり、該情報を基に配線パターンが形成される。即ち、配線パターンを形成すべき位置の主操作方向のＸ，Ｙ座標値が解っていれば配線パターンが形成できる。
【００１６】
また、パターン幅、パターン長等については、マスク情報として、前述した如く事前にＸ，Ｙ座標が解っているためその情報を使用する。
【００１７】
図４は、本発明の実施形態の１つである、基体受け部９の高さ調整法を示す図である。図４（ａ）は、基体受け部の高さ方向の制御を行う図である。図４（ｂ）は、基体受け部が最上段にあるときの状態を示す図である。図４（ｃ）は、基体受け部が最下段にあるときの状態を示す図である。
【００１８】
基体受け部９の下部にカム４０２を配置し、基体上の配線パターンの厚さに対応したモーター４０１の回転によって、基体受け部９が上下することにより、印刷用ヘッド（絶縁パターン形成用ヘッド４、導電パターン形成用ヘッド６の吐出口面ａと配線パターン形成面ｂとの距離を一定に保つ。配線パターン形成面ｂとは、基体受け部９に配置された基体３０１の、これから配線パターンを形成する面を指し、基体３０１面に限らず、積層構造の場合は既に作成したこれから配線パターンを形成する、すでに形成された配線パターンの上面を指す。
【００１９】
図５は、本発明の実施形態の１つである、ヘッド部の高さ方向の制御を行う構成図である。図５（ａ）は、制御部を基体の横方向から見た図である。図５（ｂ）は、制御部を基体の上方向から見た図である。印刷用ヘッドの吐出口面と配線パターン形成面との距離を一定に保つ方法の１つとして、ヘッド部のＵＰ／ＤＯＷＮによる制御を行う。印刷用ヘッド（絶縁パターン形成用ヘッド４及び導電パターン形成用ヘッド６）にモーター４０１とカム４０２を配置し、カム４０２の動作によって上下するハネ４０３を用いることにより、ヘッドがＵＰ／ＤＯＷＮする。印刷用ヘッド（絶縁パターン形成用ヘッド４及び導電パターン形成用ヘッド６）の吐出口面と、配線パターン形成面との距離が一定になるように、これから配線パターンを形成する印刷層の情報によって、モーターとカムが動き、ヘッドの吐出口面が上下する構成である。
【００２０】
以上で説明した配線形成装置を用いた配線パターン形成方法を以下の実施例において説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【実施例１】
【００２１】
本実施例では、絶縁パターンを導電パターンより先に形成することにより、単層の配線パターンを形成する例を示す。印刷情報としては、最低でも基体に対するヘッドの１スキャン分の吐出データを保存できるだけの印刷用のバッファを有しており、該バッファよりデータを読み出して第１の液体及び第２の液体を吐出する。図１は、本発明における配線板の断面図である。基体３０１に、第１の液体からなる絶縁パターンＢを複数箇所形成した後に、該絶縁パターンＢの間に、第２の液体からなる導電パターンＡを形成する。先に形成した絶縁パターンＢが導電パターンＡの縁の役目を果たすことにより、導電パターンＡが基体で広がらず、導電パターン同士が接触して配線がショートすることを防ぐ。
【実施例２】
【００２２】
図６は、本発明における積層構造の配線を示す図である。絶縁パターンと導電パターンの積層の構造が明確になるように模式的に示した。
【００２３】
積層構造の配線は、絶縁パターンと導電パターンを基体に積み重ねることにより形成する。図６（ａ）は、本発明における積層構造の配線パターンを基体上方向から見下ろした図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＬ−Ｌ’における断面図である。
Ａは、マスクパターン１層目にあたる、縦方向の導電パターンである。
Ｂは、マスクパターン２層目にあたる、縦方向の絶縁パターンである。
Ｃは、マスクパターン３層目にあたる、横方向の導電パターンである。
Ｄは、マスクパターン４層目にあたる、縦方向の絶縁パターンである。
Ｅは、マスクパターン５層目にあたる、縦方向の導電パターンである。
Ｚは、導電パターンのショートを抑制する為に設けられた絶縁パターンである。
【００２４】
印刷情報としては、最低でも基体に対するヘッドの１スキャン分の吐出データを保存できるだけの印刷用のバッファを有しており、該バッファよりデータを読み出して第１の液体及び第２の液体を吐出する。各層毎のマスク情報を基に、高さ情報によって印刷層毎の情報へと変換を行う。１つの層の高さ情報は設計ルールで規定されているため、Ｘ，Ｙの位置情報と何層目の部分に当たるかを演算する事により、印刷層毎の情報への変換が行える。前述の演算により得られた層毎の情報を用いて、図６で示した積層構造の配線の形成方法として、ヘッドをスキャンして配線を形成する過程を図７（１）〜（６）に示す。
【００２５】
図７は、本発明の実施形態の１つである配線形成工程を示す図である。絶縁パターンと導電パターンの積層の構造が明確になるように模式的に示した。ヘッドの吐出口面ａと配線パターン形成面ｂとの距離は、図４に示した如くモーターとカムによる基体受け部分のＵＰ／ＤＯＷＮにより、一定の距離αに制御される。ヘッドは左から右に動作するものとし、絶縁パターンＢ、Ｄは配線パターン情報内に含まれている絶縁パターン情報により形成されたパターンであり、絶縁パターンＺは、導電パターンのショートを抑制する為に設けられた絶縁パターンである。
【００２６】
図７（１）では、印刷層の第１層目の配線パターンの形成にあたって、ヘッドの吐出口面ａと配線パターン形成面ｂとの距離をαにし、導電パターンを形成する予定の近傍に絶縁パターンＢとＺを形成する。
【００２７】
図７（２）では、絶縁パターンの形成を終了した後、該絶縁パターンの間に導電パターンＣとＡを形成することにより、導電パターンが基体で広がることを抑制し、配線のショートを防ぎ信頼性の高い配線の形成が可能となる。ここまでの工程が、印刷層の第１層目の形成である。
【００２８】
続いて、マスク情報から変換したデータを基に、印刷層の第２層目に当たる配線パターンの形成を行う。
【００２９】
図７（３）では、ヘッドの吐出口面ａと配線パターン形成面ｂとの距離は、第１層目の配線パターンによる高さβだけ短くなっているので、モーターを回転させることにより基体受け部を下方に移動させ、ヘッドの吐出口面ａと印刷層の第２層目にあたる配線パターン形成面ｂとの距離をαにするために、ヘッドと基体との距離をα＋βに調節し、絶縁パターンＢ、Ｄ、Ｚの形成を行う。
【００３０】
図７（４）では、絶縁パターンの形成を終了した後、導電パターンＣの形成を行い、印刷層の第２層目の形成は完了する。
【００３１】
図７（５）では、印刷層の第３層目の配線パターンの形成にあたって、先ほどと同様に、ヘッドの吐出口面ａと配線パターン形成面ｂとの距離は、第２層目の配線パターンによる高さβだけ短くなっているので、モーターを回転させることにより基体受け部を下方に移動させ、ヘッドの吐出口面ａと印刷層の第３層目にあたる配線パターン形成面ｂとの距離をαにするために、ヘッドの吐出口面と基体との距離をα＋２βに調整し、絶縁パターンＺの形成を行う。
【００３２】
図７（６）では、絶縁パターンの形成が終了した後、絶縁パターンＺの間に導電パターンＣとＥを形成し、配線パターンの形成を終了する。
【００３３】
図８は、図３のＲＯＭ１０４に記憶されている配線形成工程のプログラムのフローチャートを示す。ステップＳ１では、配線パターン形成の印刷指示があった否かの判断を行う。印刷指示で無い場合には、ステップＳ２でその他の処理を実行し、終了する。印刷指示の場合には、ステップＳ３で印刷指示されたデータ（本実施例では、半導体印刷のためのマスク情報）を読み出し、メモリ上に記憶する。ステップＳ４では、取得したマスク情報より全ての層のパターン情報を解析して、印刷層ごとの配線パターン形成情報にデータ変換を行う。ここで変換された情報は、本体上のメモリ手段に記憶保存され、この印刷層毎の配線パターン形成情報に基づいて、配線パターンの形成を実行する。ステップＳ５では、ステップＳ４で変換した印刷層毎の情報から、最初に実行する配線パターン形成情報を読み出して、データをセットする。ステップＳ６では、これから配線パターンを形成する層の配線パターン形成情報を基にして、ヘッドの位置を決定する。ステップＳ７では、先に解析した印刷層毎の情報の印刷指示された層内に、絶縁パターン情報が存在しているか否かの判断を行う。絶縁パターン情報が含まれていない場合には、ステップＳ９へジャンプする。絶縁パターン情報が含まれていた場合には、ステップＳ８に進み、印刷層の指示ライン内に含まれている絶縁パターン情報をセットして絶縁パターンの形成を行う（図７（１）の絶縁パターンの形成に相当する）。ステップＳ９では、印刷指示された層内の導電パターンを形成し（図７（２））印刷層の第１層目に当たる配線パターン形成情報の出力が終了する。ステップＳ１０では、１ページ分に値する配線パターン形成情報の出力が終了したか否かの判断を行っている。即ち、指示されたラインごとの配線パターン形成を継続して、最終ラインまでの配線パターンの形成が終了したかどうかの判断である。１ページ分の配線パターンの形成が終了していた場合には、取得した配線パターン情報を全て出力し終わった状態であり、全ての処理を終了する。１ページ分の配線パターン形成処理が終了していなかった場合には、ステップＳ１１において、いままで配線パターンを形成してきた情報の次のライン情報を読み出してセットし、ステップＳ６へ戻る。これらの流れを継続する事により、インクジェット方式を採用した配線形成装置で取得した情報を、基体に適宜出力できる。
【実施例３】
【００３４】
実施例２では、マスク情報から印刷層毎の情報に変換を施した後、該情報を用いて印刷層毎に出力を行う例を示したが、本実施例ではマスク情報に従って出力を行い、配線を形成する過程を示す。図９，１０は、本発明の実施形態の１つである配線形成工程を示す図である。絶縁パターンと導電パターンの積層の構造が明確になるように模式的に示した。ヘッドの吐出口面ａと配線パターン形成面ｂとの距離は、図４に示した如くモーターとカムによる基体受け部分のＵＰ／ＤＯＷＮにより、一定の距離αに制御される。ヘッドは左から右に動作するものとし、絶縁パターンＢ、Ｄは配線パターン情報内に含まれている絶縁パターン情報により形成された絶縁パターンであり、絶縁パターンＺは、導電パターンのショートを抑制する為の絶縁パターンである。また、実施例２ではすべての導電パターンの両脇に絶縁パターンを設けたが、本実施例では、導電パターンの広がりによる配線のショートを起こす可能性が高い部分のみ、絶縁パターンＺを形成する例を示す。
【００３５】
図９（１）では、ヘッドの吐出口面ａと基体３０１との距離をαにし、マスク情報に従って配線パターンを形成するにあたって、まず、マスクパターン第２層目にあたる絶縁パターンＢの印刷層第１層目の形成を行う。図９（２）では、絶縁パターンＢの形成が終了した後に、マスクパターン第１層目にあたる導電パターンＡの形成を行う。
【００３６】
図９（３）では、モーターを回転させることにより基体受け部を、配線パターン１層分の高さβだけ下方に移動させ、ヘッドの吐出口面ａと配線パターン形成面ｂとの距離をαにするために、ヘッドの吐出口面ａと基体との距離をα＋βに調節し、マスクパターン第２層目にあたる絶縁パターンＢの印刷層第２層目を形成し、マスクパターン第２層目の形成を終了する。
【００３７】
図９（４）では、ヘッドの吐出口面ａと配線パターン形成面ｂとの距離をαに設定し、マスクパターン第３層目にあたる導電パターンＣの印刷層第１層目の形成を行う。
【００３８】
図９（５）では、ヘッドの吐出口面ａと基体の距離をα＋βにし、マスクパターン第３層目にあたる導電パターンＣの印刷層第２層目における導電パターンのショートを防ぐための、絶縁パターンＺの形成を行い、図９（６）では、マスクパターン第３層目にあたる導電パターンＣの印刷層第２層目を形成する。
【００３９】
図９（７）では、ヘッドの吐出口面ａと基体の距離をα＋２βにし、マスクパターン第３層目の導電パターンＣの印刷層第３層目における導電パターンの配線のショートを防ぐための、絶縁パターンＺの形成を行う。図１０（８）では、マスクパターン第３層目にあたる導電パターンＣの印刷層第３層目の形成を行い、マスクパターン第３層目までの情報の出力が終了する。
【００４０】
図１０（９）では、ヘッドの吐出口面ａと基体までの距離をα＋βにして、マスクパターン第４層目にあたる絶縁パターンＤを形成する。
【００４１】
図１０（１０）では、ヘッドの吐出口面ａと基体までの距離をα＋２βにして、続けて形成する導電パターンＥのショートを防ぐための絶縁パターンＺの形成を行った後、マスクパターン第５層目にあたる導電パターンＥの形成を行い、配線パターンの形成を完了する（図１０（１１））。
【実施例４】
【００４２】
本実施例は、マスク情報に従って実施例２の配線を形成した例を示す。図１１，図１２は、本発明の実施形態の１つである配線形成工程を示す図である。図９，図１０で説明した実施例３の配線形成方法との相違点は、すべての導電パターンの両脇に絶縁パターンを形成した点のみである為、形成方法についての説明は省略する。実施例３に比べて一番外側の導電パターンの広がりを抑えることが出来る為、本配線パターンの近傍に別の配線を形成する際にも、配線のショートがなく信頼性の高い配線が形成できる。
【実施例５】
【００４３】
図１３は、対応する導電パターンの大きさに応じて、絶縁パターンの大きさの制御を示すフローチャートである。導電パターン幅が一定の幅より大きい場合には、該パターンを流れる電流等を考慮し、隣接するパターン迄の絶縁のパターン幅を大きくするように構成する。
【００４４】
配線パターン形成方法に関しては、実施例１〜４のいずれの方式でも良い。
【００４５】
ステップＳ５１では、これから配線パターンを形成しようとしている配線パターン情報内の導電パターンに、規定値より大きなパターン幅が有るか無いかの判断を行う。ここで、規定値のみのパターンの場合には、ステップＳ５２で絶縁パターンの幅を、既定値とし、印刷層毎の配線パターン形成情報を変換する演算を実行する。ステップＳ５１で規定値以外の導電パターン幅が含まれていた場合は、ステップＳ５３で規定値以外の導電パターンの幅が、規定値より大きいか小さいかの判断を行う。規定値より小さい導電パターンがある場合には、ステップＳ５４で絶縁パターンの幅を規定値として配線パターン形成情報を変換する演算を実行する。規定値より大きい導電パターンがある場合には、Ｓ５５で、絶縁パターンのパターンの幅を導電パターンに合わせて、大きく形成するように、印刷層毎の配線パターン形成情報を変換する演算を実行する。Ｓ５６では、該絶縁パターン情報と該導電パターン情報にしたがって配線パターンを基体に形成し、配線パターンの形成を終了する。
【００４６】
導電パターン幅及び絶縁パターン幅に限らず、パターンの高さを変えるためには、配線パターンを形成する際の配線パターン形成液体の吐出量を多くして、導電パターン及びまたは絶縁パターンを上方へ延ばす事も考えられる。また、印刷層情報を受け取った後に、配線形成装置側で上記処理を実行するように記載してきたが、これに限らず、受け取る際に各種情報を判別して、処理に見合った形式のデータに変換を施された印刷層情報として受け取る事も可能である。
【実施例６】
【００４７】
本実施例では、配線パターンを形成後に、加熱硬化処置を行う手順を示す。
【００４８】
基体に絶縁パターンを形成した後に、加熱硬化装置を通すことによって基体に形成された絶縁パターンを硬化させ、その後、導電パターンを形成し、再び加熱硬化装置を通して硬化させることにより、硬化した絶縁パターンが導電パターンの縁の役目を果たし、導電パターン同士の接触による配線のショートを防ぎ、信頼性の高い配線が形成できる。加熱を行う手順としては、印刷層ごとに、あるいはマスクパターンごとに、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々応用可能である。
【００４９】
本実施例は、基体に対して、印刷層１層目にあたる絶縁パターンをすべて形成した後に、加熱処理を行い、その後、印刷層１層目の導電パターンの形成を行い、印刷層毎に配線パターンを形成する。図１４は、配線パターンの加熱硬化処理を行う手順を示すフローチャートである。図１４のステップＳ１００では、配線パターン形成の指示がなされたか否かの判断を行う。配線パターン形成指示で無い場合には、ステップＳ１０１でその他の処理を実行し、終了する。配線パターン形成指示の場合には、ステップＳ１０２で形成指示されたデータ（本実施例では、半導体印刷のためのマスク情報）を読み出し、メモリ上に記憶する。ステップＳ１０３では、取得したマスク情報より、全ての層の配線パターン形成情報を解析して、印刷層ごとの配線パターン形成情報にデータ変換を行う。ここで変換された情報は、本体上のメモリ手段に記憶保存され、この印刷層毎の配線パターン形成情報に基づいて、配線パターンの形成を実行する。ステップＳ１０４では、ステップＳ１０３で変換した印刷層毎の情報から、最初に実行する配線パターン形成情報を読み出して、データをセットする。ステップＳ１０５では、これから配線パターンを形成する層の配線パターン形成情報を基にして、ヘッドの位置を決定する。ステップＳ１０６では、これから配線パターンを形成する印刷層内の、絶縁パターンの形成は終了したか否かの判断を行う。絶縁パターンの形成が終了している場合には、ステップＳ１０７へ進み、これから配線パターンを形成する印刷層内の導電パターンを形成する。印刷層内に絶縁パターンが残っている場合には、ステップＳ１０８に進み、印刷層内の絶縁パターンの形成を行う。ステップＳ１０９では、基体に形成した配線パターンに対して熱硬化処理と基体のフィード及びバックフィードを実行する。ステップＳ１１０では、配線パターンの形成を指示された印刷層内の配線パターンが存在するか否かの判断を行う。配線パターンがまだある場合には、ステップＳ１０６に戻る。配線パターンの形成を指示された印刷層内の配線パターンの形成が終了している場合には、ステップＳ１１１に進む。ステップＳ１１１では、配線パターンの形成を指示された印刷層以外に配線パターンを形成する層が存在するか否かの判断を行う。全ての層において配線パターンの形成が終了している場合には、印刷情報の出力が終了する。印刷層が存在する場合には、ステップＳ１１２に進み、ステップＳ１０３で求めた情報から、次に配線パターンの形成を行う印刷パターン情報を読み出して、データをセットし、ステップＳ１０５に戻る。これらの流れを継続する事により、基体に導電パターンと絶縁パターンからなる配線パターンを形成する。
【実施例７】
【００５０】
本実施例では、基体に形成する配線パターンの情報に従って、絶縁パターン形成工程と、導電パターン形成工程と、の形成順序を変更して配線を形成する例を示す。
【００５１】
図１５は本発明の実施形態の１つである配線形成工程を示す図である。絶縁パターンと導電パターンの積層の構造が明確になるように模式的に示した。ヘッドの吐出口面と、配線パターン形成面の制御方法は、図４または図５に示した方法を用いる。図１５に示す、導電パターンＡとＣ、絶縁パターンＢとＤとＺは、実施例２で説明した通りである。
【００５２】
図１５の（１）では、印刷層の第１層目の配線パターン形成にあたって、導電パターンを形成する予定の近傍に絶縁パターンＢとＺを形成する。
【００５３】
図１５の（２）では、絶縁パターンの形成を終了した後、該絶縁パターンの間に導電パターンＣとＡを形成する。ここまでは実施例２と同じである。
【００５４】
図１５の（３）において、印刷層の第２層目の導電パターンＣは、第１層目と第３層目の導電パターンとを繋ぐスルーホールの役目を果たす。スルーホールを形成する導電パターンが存在する印刷層においては、絶縁パターンより先にスルーホールの導電パターンを形成する。これによって、スルーホールを形成する導電パターンと、上下の印刷層の導電パターンとの連結が確実になるので、図１５の（３）では、印刷層の第２層目の導電パターンＣを同層の絶縁パターンより先に形成する。
【００５５】
図１５の（４）では、絶縁パターンＢとＤとＺ’を形成する。絶縁パターンＺ’とは、導電パターンより後に形成を行う絶縁パターンである。ここで、絶縁パターンＤと、該絶縁パターンＤと一定の距離を置いて隣り合う絶縁パターンＺ’との間に導電パターンが存在しないので、２つの絶縁パターンを繋げて形成する。
【００５６】
図１５の（５）では、印刷層の第３層目にあたって、絶縁パターンＺを形成する。ここでも、ある一定の距離を置いて隣あう絶縁パターンＺが存在するので、それぞれの絶縁パターンを繋げて形成を行う。
【００５７】
図１５の（６）では、導電パターンＣと導電パターンＥを形成する。
【００５８】
以上で説明したように、基体に形成する配線の情報に従って、絶縁パターン形成工程と、導電パターン形成工程と、の形成順序を適切に変更することにより、印刷層の第１層目では配線のショートが起こらず、印刷層の第２層目以降では、スルーホールの役目をはたす導電パターンは上下の導電パターンと導通し、スルーホール以外の配線部分では、配線のショートを防ぐことができ、より一層信頼性の高い配線板の作成が可能である。
【００５９】
図１６に、本実施例において、配線パターンの加熱硬化処置を行う手順を示すフローチャートを示す。図１６のステップＳ６００では、配線パターン形成の指示があった否かの判断を行う。配線パターン形成指示で無い場合には、ステップＳ６０１でその他の処理を実行し、終了する。配線パターン形成指示の場合には、ステップＳ６０２で形成指示されたデータ（本実施例では、半導体印刷のためのマスク情報）を読み出し、メモリ上に記憶する。ステップＳ６０３では、取得したマスク情報より、全ての層の配線パターン形成情報を解析して、印刷層ごとの配線パターン形成情報にデータ変換を行う。ここで変換された情報は、本体上のメモリ手段に記憶保存され、この印刷層毎の配線パターン形成情報に基づいて、配線パターンの形成を実行する。ステップＳ６０４では、ステップＳ６０３で変換した印刷層毎の情報から、最初に実行する配線パターン形成情報を読み出して、データをセットする。ステップＳ６０５では、これから配線パターンを形成する層の配線パターン形成情報を基にして、ヘッドの位置を決定する。ステップＳ６０６では、これから配線パターンを形成する印刷層が印刷層第１層目であるか否かの判断を行う。
【００６０】
ステップＳ６０６において、印刷層第１層目の配線パターン形成の指示である場合には、ステップＳ６０９に進む。ステップＳ６０９では、これから配線パターンを形成する印刷層内の絶縁パターンの形成が終了しているか否かの判断を行う。絶縁パターンの形成が終了してない場合には、ステップＳ６１１で絶縁パターンを形成し、ステップＳ６１２で絶縁パターンの熱硬化処理と基体のフィード及びバックフィードを実行する。絶縁パターンの形成が終了している場合には、ステップＳ６１０に進み、導電パターンを形成し、ステップＳ６１２で導電パターンの熱効果処理等を行う。
【００６１】
ステップＳ６０６において、印刷層第１層目の印刷でない場合には、ステップＳ６０７に進む。ステップＳ６０７では、これから配線パターンを形成する印刷層内にスルーホールを形成する配線パターン情報が含まれているか否かの判断を行う。
【００６２】
これから配線パターンを形成する印刷層内にスルーホールが存在しな場合には、ステップＳ６０９に進む。これから配線パターンを形成する印刷層内にスルーホールが存在する場合には、ステップＳ６０８に進む。ステップＳ６０８では、これから配線パターンを形成する印刷層内の導電パターンの形成が終了したか否かの判断を行う。これから配線パターンを形成する印刷層内の導電パターンの印形成が終了していない場合には、ステップＳ６１０に進み、導電パターンを形成する。これから配線パターンを形成する印刷層内の導電パターンの形成が終了している場合には、ステップＳ６１１に進み絶縁パターンを形成する。
【００６３】
ステップＳ６１２で導電パターンの熱効果処理を行い、ステップＳ６１３では、配線パターンの形成を指示された印刷層内の配線パターンの形成はすべて終了したか否かの判断を行う。配線パターンの形成が終了していない場合には、ステップＳ６０６に戻る。配線パターンの形成が終了した場合には、ステップＳ６１４に進む。
【００６４】
ステップＳ６１４では、配線パターンの形成を指示された印刷層以外にも、印刷層が存在するか否かの判断を行う。全ての層において配線パターンの形成が終了している場合には、印刷情報の出力が終了する。印刷層が存在する場合には、ステップＳ６１５に進み、ステップＳ６０３で求めた情報から次に配線パターンの形成を行う印刷パターン形成情報を読み出してセットし、ステップＳ６０４に戻る。これらの流れを継続する事により、基体に導電パターンと絶縁パターンからなる配線パターンを形成する。
【実施例８】
【００６５】
実施例７では、スルーホールを形成する導電パターンのある印刷層において、同一層内の絶縁パターンより導電パターンを先に形成する例を示したが、本実施例では、これから印刷を行う印刷層内の導電パターンの下の層に、該導電パターンと接する導電パターンがある場合には、絶縁パターンより導電パターンを先に形成する例を示す。
【００６６】
図１７は、本発明の実施形態の１つである配線形成工程を示す図である。
【００６７】
ヘッドの吐出口面と、配線パターン形成面の制御方法は、図４または図５に示した方法を用いる。図１７に示す、導電パターンＡとＣ、絶縁パターンＢとＤとＺは、実施例２で説明した通りである。
【００６８】
図１７の（１）では、印刷層の第１層目の配線パターンの形成にあたって、導電パターンを形成する予定の近傍に絶縁パターンＢとＺを形成する。
【００６９】
図１７の（２）では、絶縁パターンの形成を終了した後、該絶縁パターンの間に導電パターンＣとＡを形成する。
【００７０】
図１７の（３）において、印刷層の第２層目の導電パターンＣは、第１層目と第３層目の導電パターンとを繋ぐスルーホールの役目を果たす。これから形成する導電パターンの下の層に該導電パターンと接する導電パターンが存在するので、絶縁パターンより先に導電パターンを形成するので、印刷層の第２層目の導電パターンＣを同層の絶縁パターンより先に形成することにより、スルーホールを形成する導電パターン同士の連結が確実になる。
【００７１】
図１７の（４）では、絶縁パターンＢとＤとＺ’を形成する。絶縁パターンＺ’とは、導電パターンより後に形成を行う絶縁パターンである。
【００７２】
図１７の（５）では、下の印刷層の導電パターンと接しない印刷層第３層目の導電パターンの周りの絶縁パターンＺを形成する。
【００７３】
図１７の（６）では、絶縁パターンＺの間に導電パターンＥを形成し、下の印刷層の導電パターンと接する印刷層第３層目の導電パターンＣを形成する。
【００７４】
図１７の（７）では、絶縁パターンＺ’を形成する。
【００７５】
以上で説明したように、基体に形成する配線の情報に従って、絶縁パターン形成工程と、導電パターン形成工程と、の形成順序を適切に変更することにより、印刷層の第１層目では配線のショートが起こらず、印刷層の第２層目以降では、スルーホールの役目をはたす導電パターンは上下の導電パターンと導通し、スルーホール以外の配線部分では、配線のショートを防ぐことができ、より一層信頼性の高い配線板の作成が可能である。
【実施例９】
【００７６】
本実施例では、平面でない基体に配線を形成した様子を、図１８、図１９に示す。
【００７７】
図１８は、浸透性のある基体（紙や布等）に配線パターンを形成した場合の断面図である。導電パターンＣが基体３０１に染みこんで配線の精度が落ちることを防ぐために、絶縁パターンＺ同士が接するように複数形成した後、絶縁パターンと絶縁パターンの間の凹部に、導電パターンＣを形成する。
【００７８】
図１９は、凸部のある基体に配線パターンを形成した場合の断面図である。基体３０１の凸部の横に絶縁パターンＺを形成し、基体の凸部と絶縁パターンの間に導電パターンＣを形成することにより、導電パターンが広がることを防ぎ、本配線パターンの近傍に別の配線を形成する際にも、配線のショートがなく信頼性の高い配線が形成できる。
【００７９】
実施例１〜８において、ヘッドの１スキャン毎に全ての印刷層情報を出力するとして記載してきたが、１ページ分の印刷層にあたる絶縁パターンを形成した後に、基体のバックフィードを実行して基体を印刷装置の初期位置に戻し、１ページ分の印刷層にあたる導電パターンを形成することも考えられる。動作としては、フィード系のモーターを逆転駆動して配線パターンの形成を施せば実行できる事は明白である。
【００８０】
更に、実施例１〜８においては、片方向の配線パターンの形成に関して記載しているが、これに限らず、双方向印刷で実行する事も可能である。実施例１〜８において、指定層の指定パターン毎に配線パターンを形成するとして記載してきたが、これに限らず、例えば、ヘッドの１スキャン内に、各々異なった高さの部分が存在している場合には、１層分の高さの部分は１スキャン時に１回だけパターン形成液滴を出力し、２層分の高さが存在する所は２スキャンして必要な部分にのみ各々１回ずつパターン形成液滴を出力し、更に同様の方式で、３層目の部分に関しては、必要な部分にのみ３回パターン形成液滴を出力するという方法で実現可能である。
【実施例１０】
【００８１】
本発明を用いることで、導電パターンからなるコイルや導電パターンと絶縁パターンからなるコンデンサを形成することで、非接触のＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ−Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）Ｃｈｉｐを形成することも可能である。さらに、トランジスタ、ダイオード等の形成を行う場合には、配線パターン形成液体として、上述の導電パターンを形成する第２の液体と絶縁パターンを形成する第１の液体のほかに、第３の液体としてＳｉやＧｅなどの無機材料やアミン系、ヒドラゾン系、スチルベン系、スターバスト系などの有機材料を含有した半導体パターンを形成する液体や、第４の液体として配線パターンを定着させるための接着層等、必要に応じた材料を用いることにより、電子素子の形成も可能となる。ここで、半導体パターン形成工程の場合は、上述の導電パターン形成工程と同じ様に扱い、半導体パターン形成工程と絶縁パターン形成工程の形成順序を変えることにより、信頼性の高い半導体パターンの形成が可能となる。
【実施例１１】
【００８２】
本実施例においては、性質の異なる絶縁パターンを用いることで、有機ＥＬをインクジェット法で作成する例を示す。
【００８３】
図２１に示すように、ガラス基板５０４上にレジストを吐出することで、光遮断層とインク垂れ防止壁を兼ねた構造のレジスト５０５をに複数形成する。レジストの幅は、２０ミクロン、厚さは１．０ミクロン程度が好ましい。レジスト５０５の高さが目的の高さになるよう、必要に応じて複数回吐出を行うとよい。
【００８４】
まず、１層目のパターンとして形成されたレジスト５０５の間に、透明画素電極を形成する液体５０１、５０２および５０３をインクジェットにより１００ミクロンピッチ、０．１ミクロン厚程度のパターンになるよう吐出する。
【００８５】
続いて、２層目のパターンとして、１層目のレジスト５０５上に再びレジスト５０５を吐出する。該レジスト間でかつ透明電極上に、絶縁パターンである発光材料であるＰＰＶ前駆体を吐出することで厚さ０．０５ミクロン程度の発色層５０６、５０７と、アルミニウムキノリノール錯体の電荷輸送型の発光層５０９を形成する。その後、ポリマー前駆体は加熱処理により高分子化され、発光層５０６、５０７が形成される。
【００８６】
次に、先に形成されたレジスト５０５上に再びレジスト５０５を吐出する。その後、各レジスト間に、アルミニウムキノリノール錯体の電荷輸送型の発光層５０９を吐出し、０．１ミクロン程度に形成する。最後に、厚さ０．１〜０．２ミクロンのＭｇＡｇ反射電極５１０を吐出して形成し、有機ＥＬ表示体が完成する。
【００８７】
このように、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々応用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明における配線板の断面図。
【図２】本発明の実施形態の１つであるインクジェット方式による配線形成装置の要部を示す斜視図。
【図３】本発明の配線形成装置のシステム構成を示した概略ブロック図。
【図４】本発明における基体受け部の高さ方向の制御を行う構成図。（ａ）は、基体受け部の高さ方向の制御を行う構成図。（ｂ）は、基体受け部が最上段にあるときの状態を示す図。（ｃ）は、基体受け部が最下段にあるときの状態を示す図。
【図５】本発明におけるヘッドの高さ方向の制御を行う構成図。（ａ）は、制御部を基体の横方向から見た図。（ｂ）は、制御部を基体の上方向から見た図。
【図６】本発明における積層構造の配線パターンを示す図。（ａ）は、積層構造の配線パターンを基体上方向から見下ろした図。（ｂ）は、図６（ａ）のＬ−Ｌ´における断面図。
【図７】本発明の実施例２における配線形成工程を示す図。
【図８】本発明の実施例２おける配線形成工程のプログラムのフローチャート。
【図９】本発明の実施例３における配線形成工程を示す図。
【図１０】本発明の実施例３における配線形成工程を示す図であって、図９の工程の続きを示す図。
【図１１】本発明の実施例４における配線形成工程を示す図。
【図１２】本発明の実施例４における配線形成工程を示す図であって、図１１の工程の続きを示す図。
【図１３】本発明の実施例５における絶縁パターンの大きさの制御を示すフローチャート。
【図１４】本発明の実施例６における配線パターンの加熱硬化処理を行う手順を示すフローチャート。
【図１５】本発明の実施例７における配線形成工程を示す図。
【図１６】本発明の実施例７における配線形成工程の手順を示すフローチャート。
【図１７】本発明の実施例８における配線形成工程を示す図。
【図１８】本発明の実施例９における浸透性のある基体に配線パターンを形成した場合の断面図。
【図１９】本発明の実施例９における、凸部のある基体に配線パターンを形成した場合の断面図。
【図２０】従来例における配線板の断面図。
【図２１】本発明の実施例１１における有機ＥＬの形成工程を示す図。
【符号の説明】
【００８９】
１  データ処理装置
２  基体の搬送部
３  ヘッドの搬送部
４  絶縁パターン形成用ヘッド
５  第１の液体容器
６  導電パターン形成用ヘッド
７  第２の液体容器
８  加熱硬化装置
９  基体受け部
１０  電源
１００  配線形成装置
１０１  表示装置
１０２  キー入力装置
１０３  ＣＰＵ
１０４  ＲＯＭ
１０５  ドライバ
１０６  ＡＳＩＣ（Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）
１０７  その他の入出力を制御するＩ／Ｏ（ＬＥＤ，ＢＵＺＺＥＲ）
１０８  ＤＲＡＭ
１０９  ＥＥＰＲＯＭ
１１０  データ入力用Ｉ／Ｆ
２００  配線形成装置ユニット
２０１  各種制御用モーター
２０２  配線パターン形成用ヘッド
２０３  エンコーダ、センサ等の制御系
２０４  配線パターン形成面に対するヘッド制御部
２０５  第１の液体容器
２０６  第２の液体容器
３００  配線パターン構成情報
３０１  基体
４０１  モーター
４０２  カム
４０３  ハネ
Ａ  縦方向の導電パターン
Ｂ  絶縁パターン
Ｃ  横方向の導電パターン
Ｄ  絶縁パターン
Ｅ  縦方向の導電パターン
Ｚ  絶縁パターン
Ｚ’  導電パターンより後に形成する絶縁パターン
α  ヘッドの吐出口面と配線パターン形成面との距離
β  配線パターン１層分の高さ
ａ  吐出口面
ｂ  配線パターン形成面
【図１】
2005210079.tif 000003
【図２】
2005210079.tif 000004
【図３】
2005210079.tif 000005
【図４】
2005210079.tif 000006
【図５】
2005210079.tif 000007
【図６】
2005210079.tif 000008
【図７】
2005210079.tif 000009
【図８】
2005210079.tif 000010
【図９】
2005210079.tif 000011
【図１０】
2005210079.tif 000012
【図１１】
2005210079.tif 000013
【図１２】
2005210079.tif 000014
【図１３】
2005210079.tif 000015
【図１４】
2005210079.tif 000016
【図１５】
2005210079.tif 000017
【図１６】
2005210079.tif 000018
【図１７】
2005210079.tif 000019
【図１８】
2005210079.tif 000020
【図１９】
2005210079.tif 000021
【図２０】
2005210079.tif 000022
【図２１】
2005210079.tif 000023