(57)【要約】【課題】  荷電粒子線の偏向器のコストダウンおよび信頼性向上を図る。【解決手段】  偏向器の少なくとも１対の電極の形状および配置に対応する開孔を有する基板の該開孔に金以外の金属を充填して前記電極となる少なくとも１対の金属体を形成し、対となる金属体間の基板部分を除去することにより対となる金属体の対向面を露出させ、該対向面に金などの複数層の酸化保護膜を形成する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔と、該貫通孔の内壁に配置された１組の電極とを有する電極基板の製造方法であって、
前記１組の電極の形状および配置に対応する複数の第１開孔を基板材料に形成する第１の工程と、
前記複数の第１開孔のそれぞれに金以外の金属を充填して前記電極となる金属体を形成する第２の工程と、
前記貫通孔に前記１組の電極を配置した形状に対応する第２開孔を前記複数の第１開孔の間およびその近傍を含む部分に形成して前記金属体の前記貫通孔に面する表面を露出させる第３の工程と、
前記金属体の表面に酸化防止用の金属保護膜を単数または複数層形成する第４の工程と
を備えることを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板材料は、シリコン基板であり、前記第１の工程の後に、少なくとも前記第１開孔の内壁に絶縁層を形成する第５の工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記１組の電極は、互いに対面する少なくとも１対の電極を含み、前記第１開孔のうち該１対の電極に対応する開孔は、断面が該１対の電極それぞれの互いに対面する側面に対応する辺を上底として該上底が下底より短い台形状であることを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法で製造された少なくとも１対の電極を有する電極基板と、前記１対の電極の少なくとも一方に他の電極とは独立に電位を印加する電位印加手段とを有することを特徴とする偏向器。
【請求項５】
荷電粒子線が通過する貫通孔および該貫通孔の内壁に配置された互いに平行な面で対向する少なくとも１対の電極を有する電極基板と、該１対の電極の少なくとも一方に他の電極とは独立に電位を印加する電位印加手段とを備える偏向器であって、
前記１対の電極は、それぞれの断面が台形状であることを特徴とする偏向器。
【請求項６】
荷電粒子線を用いて被露光基板を露光する荷電粒子線露光装置であって、
荷電粒子線を放射する荷電粒子源と、
前記荷電粒子源の中間像を複数形成する第１の電子光学系と、
前記第１の電子光学系によって形成される複数の中間像を被露光基板上に投影する第２の電子光学系と、
前記被露光基板を保持し所定の位置に駆動して位置決めする位置決め装置とを有し、
前記第１の電子光学系が、請求項４または５に記載の偏向器を含むことを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の荷電粒子線露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビームやイオンビーム等の荷電ビームの偏向器に用いて好適な電極基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子線を複数本用いてレジストを塗布された半導体ウエハ等に直接描画するマルチ荷電粒子線露光装置が知られている。このような装置においては、複数の荷電粒子線を個別にオン・オフするブランカアレイや、複数の荷電粒子線の像を個別に所望の位置に結像させる電子レンズアレイ等に、偏向器アレイが用いられる。
【０００３】
特許文献１には、ブランキングアパーチャアレイの製造方法として、シリコンなどの半導体結晶の基板に複数の開口を所定間隔で２次元的に形成し、各開口周囲に偏向電極対を形成する方法が開示されている。電極主材料としては、金もしくは金の抵抗率に相当する金属を用いる。
【０００４】
特許文献２には、電子ビーム偏向装置の製造方法として、Ｘ線レジストを絶縁体として複数の配線回路層を有する積層体を形成し、該積層体のＸ線レジストを露光および現像して偏向電極等となる部分に開口部を形成し、電解めっきにより金等の金属材料を各開口部に充填し、１対の偏向電極の間の部分のＸ線レジストを露光および現像により除去してアパーチャを形成する方法が開示されている。
【特許文献１】特開平７−２９７１０７号公報
【特許文献２】特開２００２−２１７０８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の従来例においては、レジストにより形成された一端のみ開口する孔内に、金を、直接、めっきすることにより、電極を形成していた。しかし、この場合、金めっきの電流効率が悪いため、水素ガスの発生により、析出される金属体にボイド等が発生し、ボイドレスの金属体を得ることが困難であった。
【０００６】
また、特許文献１の偏向電極対は、（１）各開口周囲で基板上に自立して形成されるため、すなわち荷電粒子線の進行方向（以下、光軸方向という）と垂直な方向へ支持する手段がないため、変形し易い、また、（２）絶縁体（基板表面の絶縁膜）が荷電ビーム近くに露出されているため、絶縁体表面でチャージアップを引き起こし、開口を通過する荷電ビームに影響を与え、荷電ビームの適切な偏向および位置制御が行われない可能性があった。
また、特許文献２の基板は、Ｘ線レジストの未露光部分が基板となるため、耐熱性が不十分であり、かつ経時変化や荷電粒子線の照射による劣化および寸法変化の可能性があった。
【０００７】
また、多層プリント配線基板等においては、金属ペーストを用いてスクリーン印刷やディスペンスノズル等によりスルーホールが形成される。つまり、φ０．１ｍｍ〜φ０．２ｍｍの丸穴に金属ペーストを埋め込む。しかし、マルチ荷電粒子線露光装置の偏向器アレイのように埋め込み高さ／開口の比（アスペクト比）が４．０以上となる形状に埋め込むために、真空引き等の方法をとった場合、厚みが０．４ｍｍ以下となるようなシリコン基板では、機械的強度が小さく、埋め込み中に該シリコン基板が破損する問題があった。
なお、所望の形状が厚み方向に露出している金属に酸化しにくい金属保護膜を付ける方法としては、プリント基板（アスペクト比１．０以下）の例があるが、本発明が対象とするアスペクト比４．０以上の先行例は見当たらない。
【０００８】
本発明の課題は、上記従来例における問題点を解決するもので、安価で信頼性の高い電極基板を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を達成するため本発明の製造方法は、貫通孔と、該貫通孔の内壁に配置された１組の電極とを有する電極基板の製造方法であって、前記１組の電極の形状および配置に対応する複数の第１開孔を基板材料に形成する第１の工程と、前記複数の第１開孔のそれぞれに金以外の金属を充填して前記電極となる金属体を形成する第２の工程と、前記貫通孔に前記１組の電極を配置した形状に対応する第２開孔を前記複数の第１開孔の間およびその近傍を含む部分に形成して前記貫通孔内に前記金属体の表面を露出させる第３の工程と、前記金属体の表面に酸化防止用の金属保護膜を単数または複数層形成する第４の工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、信頼性の高い電極基板を安価に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に、本発明の実施の形態を列挙する。
［実施形態１］  貫通孔と、該貫通孔の内壁に配置された１組の電極とを有する電極基板の製造方法であって、
前記１組の電極の形状および配置に対応する複数の第１開孔を基板材料に形成する第１の工程と、
前記複数の第１開孔のそれぞれに金以外の金属を充填して前記電極となる金属体を形成する第２の工程と、
前記貫通孔に前記１組の電極を配置した形状に対応する第２開孔を前記複数の第１開孔の間およびその近傍を含む部分に形成して前記貫通孔内に前記金属体の側面を露出させる第３の工程と、
前記金属体の表面に酸化防止用の金属保護膜を単数または複数層形成する第４の工程と
を備えることを特徴とする電極基板の製造方法。
【００１２】
[実施形態２]  前記基板材料は、シリコン基板であり、前記第１の工程の後に、少なくとも前記第１開孔の内壁に絶縁層を形成する第５の工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
[実施形態３]  前記第２の工程は、めっきにより前記金属体を形成する工程である実施形態１〜３のいずれか１つに記載の製造方法。
[実施形態４]  前記第２の工程は、前記第１開孔に金属ペーストを埋め込み、それを乾燥、焼成することにより前記金属体を形成する工程である実施形態１〜３のいずれか１つに記載の製造方法。
[実施形態５]  前記１組の電極は、互いに対面する少なくとも１対の電極を含み、前記第１開孔のうち該１対の電極に対応する開孔は、該１対の電極それぞれの互いに対面する側面に対応する辺を上底として該上底が下底より短い台形状であることを特徴とする実施形態１〜４のいずれか１つに記載の製造方法。
【００１３】
上述において、１組の電極とは、上記電極基板が偏向器に適用される電極基板であれば、対向する少なくとも１対の偏向電極であり、必要に応じて貫通孔の内壁に形成されるシールド電極等の補助電極を含むものである。
本発明の好ましい実施の形態では、金以外の金属をめっき法または埋め込み法により第１開孔に充填し、電極となる金属形状（金属体）を形成する。より具体的には、めっき法では、電流効率の良好な（１００％に近い）銅を採用し、埋め込み法の場合は、微粒子銀粉（２μｍ以下）を樹脂バインダーに混錬した、体積収縮の小さい（乾燥焼成後２％以下）ペーストを採用する。これにより、金属体形成時にボイド発生を減少させ、所定の金属物性を有する信頼性の高い金属体を形成する。
さらに、金属体間のシリコンおよびシリコン酸化膜を除去して露出させた銅金属表面へ金の多層保護膜をめっき、または銅金属体とシリコン酸化膜の絶縁体の表面エネルギーの差を利用した活性化処理、または金ナノ粒子分散液により形成する。
【００１４】
本実施形態の製造方法をさらに具体的に説明する。
基板材料としては、例えば通常のシリコン基板を使用する。その基板材料に、所望の形状の第１開孔を形成する（第１の工程）。所望の形状は、電極基板完成品を構成する１組（少なくとも１対）の電極の形状および配置に対応する形状である。第１開孔の形成には、湿式エッチングによる化学処理、レーザもしくはプラズマまたはＤ−ＲＩＥなどによる物理処理、ドリル等による機械処理など何れも使用可能である。その後、第１開孔の内壁を含むシリコン基板表面に、熱処理によりまたはＣＶＤ等の方法によりＳｉＯ２の絶縁皮膜を形成する（第５の工程）。その膜厚は０．１〜２．０μｍが好ましい範囲である。
なお、予め第１開孔等の所望の形状が形成され、かつ該形状の壁面および表面が絶縁化されているシリコン基板が入手可能であれば、上記第１および第５の工程は省略することができる。
【００１５】
次いで、第１開孔内に銅、銀、すず、アルミニウム等の金属を水溶液または非水溶液系から電解処理（めっき）により析出させることによりシリコン基板内に電極となる三次元金属構造体（金属体）を形成する（第２の工程）。または、銀等の体積収縮の小さい金属ペーストをスクリーン印刷またはディスペンス法等を繰り返し行うことにより第１開孔に隙間無く埋め込むことにより前記金属体を形成してもよい。後者の場合、ペーストの加熱焼成時の熱収縮が小さい（２〜３％）材料を常圧にて埋め込むことにより、基板の破損を防止することができる。
その後、前記金属体を形成したシリコン基板表面を必要に応じてＣＭＰなどの手法で研摩し平滑化する。次いで、対となる金属体間（電極間）のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）およびシリコンを、ケミカルエッチングまたはプラズマもしくはＤ−ＲＩＥ等の物理的エッチングによって除去し、対となる電極が対向するように前記金属体のシリコン基板の厚み方向に平行な面を露出させる（第３の工程）。
【００１６】
次いで、露出した金属体表面に活性化処理を行い、その後、金めっき（電解または無電解）または金ナノ分散液中への浸漬によるコーティングを繰り返し行うことにより複数層の電極保護膜を形成する（第４の工程）。活性化処理は、ＵＶ光を照射してＯ３により金属表面に付着した有機物または酸化物を除去する方法、またはプラズマによるライトエッチング、または酸性水溶液等によるケミカルエッチングにより行うことができる。
表面を覆う金保護膜が単層の場合、その金保護膜が熱処理等により下地となる電極金属間に拡散が起こることが考えられるが、複数層の処理をすることにより電極金属上の第１層の保護膜は電極金属と保護膜の金との合金層を形成させて、この層を拡散防止のためのバリア膜として機能させることができ、高真空下での使用環境でも変質のない、信頼性の高い電極構造とすることが可能となる。金属体表面の酸化保護膜の一層あたりの膜厚は０．１μｍ〜３μｍである。
【００１７】
[実施形態６]  実施形態１〜５のいずれか１つに記載の方法で製造された少なくとも１対の電極を有する電極基板と、前記１対の電極の少なくとも一方に他の電極とは独立に電位を印加する電位印加手段とを有することを特徴とする偏向器。
[実施形態７]  荷電粒子線が通過する貫通孔および該貫通孔の内壁に配置された互いに平行に対面する少なくとも１対の電極を有する電極基板と、該１対の電極の少なくとも一方に他の電極とは独立に電位を印加する電位印加手段とを備える偏向器であって、
前記１対の電極は、それぞれの横断面形状が台形であることを特徴とする偏向器。
【００１８】
[実施形態８]  荷電粒子線を用いて被露光基板を露光する荷電粒子線露光装置であって、
荷電粒子線を放射する荷電粒子源と、
前記荷電粒子源の中間像を複数形成する第１の電子光学系と、
前記第１の電子光学系によって形成される複数の中間像を被露光基板上に投影する第２の電子光学系と、
前記被露光基板を保持し所定の位置に駆動して位置決めする位置決め装置とを有し、
前記第１の電子光学系が、実施形態６または７に記載の偏向器を含むことを特徴とする荷電粒子線露光装置。
[実施形態９]  実施形態８に記載の荷電粒子線露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【実施例】
【００１９】
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
[実施例１]
図１は本発明の実施例１に係る荷電粒子線の偏向器１００の概観図であり、（ａ）が上面図、（ｂ）が（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図、（ｃ）が（ａ）における偏向電極１の寸法図である。
【００２０】
先ず、偏向器１００の構造について説明する。この偏向器１００は、シリコン基板４、シリコン基板４の厚み方向に設けられた荷電粒子線を通過させるための貫通孔５、貫通孔５の内壁に配置された１対の偏向電極１、１および偏向電極１、１に不図示の電源から任意の電位を印加するための駆動配線３、３を備えている。また、シリコン基板４と偏向電極１、１および駆動配線３、３との間には絶縁膜２を備えており、偏向器としての動作時、偏向電極１、１に安定して電位を与えることができるようにしてある。
【００２１】
偏向器１００において、シリコン基板４の厚さは主に必要な偏向感度により決定されるが、ここでは、厚さ２００μｍのシリコン基板を用いた。偏向電極１、１は、図１（ｂ）および（ｃ）に示すように、貫通孔５の軸（光軸）８に垂直な断面において、上底が約５０μｍ、下底が約７０μｍ、高さが約１５μｍの台形状に形成されている。また、偏向電極１、１は、その電極金属１１部分がＣｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｌ等の低抵抗な金属で上記台形状に形成され、その露出面（貫通孔内壁に接する面の反対側の面）には、金などの酸化しにくい金属からなる保護膜１２が１層の膜厚０．１〜３μｍで２層形成されている。すなわち、貫通孔内壁における偏向電極１、１は厚みが約１５μｍ、高さが貫通孔５と同じ約２００μｍである。１対の偏向電極１、１の間隔は３０μｍである。駆動配線３、３はＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ等の低抵抗な金属を、絶縁膜２にはシリコン窒化膜やシリコン酸化膜等を用いる。
【００２２】
この偏向器１００においては、不図示の荷電粒子線をその光軸（貫通孔５の軸）８方向に通過するように照射した場合、偏向電極１、１のそれぞれを電気的に接地したときには荷電粒子線は貫通孔５を軌道を変えることなく通過する。しかし、偏向電極１、１のそれぞれに異なる電位を与えたときには貫通孔５に電界が発生し、荷電粒子線を所望の方向に偏向することができる。
【００２３】
次に、図１の偏向器１００の製造方法を図２により説明する。
図２（ａ）に示すように、２００μｍの厚さの絶縁性を有するシリコン基板４に図１の電極金属１１の断面形状および配置に対応する幅１５μｍの第１開孔（アスペクト比１３．３）１５をＤ−ＲＩＥにより形成し（第１の工程）、シリコン基板４の表面および第１開孔１５の壁面に熱酸化膜（絶縁膜）２を〜２μｍ形成した（第５の工程）。
【００２４】
次いで、図２（ｂ）に示すように、シリコン基板４の第１開孔１５内に、硫酸銅５水塩９５ｇ／Ｌと硫酸１８０ｇ／Ｌの硫酸銅メッキ浴にて１．５Ａ／ｄｍ２の電解条件で銅を１５時間析出させ（第２の工程）、図２（ｃ）に示すように、析出させた銅からなる金属体１６のシリコン基板４の表面から突出した部分をＣＭＰ研磨により平坦化した。
次に、図２（ｄ）に示すように、対向する電極金属１１（金属体１６）の表面を露出するため再度Ｄ−ＲＩＥにて金属体１６、１６間をエッチングした（第３の工程）。すなわち、第２開孔１７を形成した。第２開孔形成用のマスクにおいて、金属体１６、１６の間隔は３０μｍとした。開口間隔を変える場合、必要に応じてマスクの寸法、エッチング条件および後述するＡｕ保護膜の厚みを調節すればよい。
【００２５】
表面を露出した電極金属１１（金属体１６）の最表面をＯ２プラズマにより活性化させ、金濃度２ｇ／ｌ、ＰＨ＝５．０、めっき液温度７５℃±５℃の無電解めっき液により処理して０．２μｍの保護膜を形成し、さらに、金ナノ分散液中に浸漬して２層目の保護膜を形成する（第４の工程）ことにより、図２（ｅ）に示すような、電極金属１１の表面に保護膜１２を有する偏向電極１を形成した。Ａｕ保護膜の厚みは〜１．５μｍとした。
【００２６】
また、表面を露出させた電極が銅の場合は、脱脂剤により表面の洗浄を行い、ついで金濃度〜１．２ｇ/ｌ、ＰＨ＝７．０、めっき温度８５℃の無電解金めっき液により、０．０５μｍの下地（銅置換の）金めっき膜を形成し、引き続き、亜硫酸金ナトリウムを用いた金濃度３．０ｇ/ｌ、ＰＨ＝７．０、めっき温度５０℃の還元金めっきにより、前記同様1.5μｍのＡｕ保護膜を形成することもできる。
【００２７】
［比較例］
比較例として、保護膜不要のプロセスで偏向器を製造した。すなわち、実施例１の第２の工程で実施例１の第１および５の工程で得られたシリコン基板の開孔１５内に、偏向電極１（＝金属体１６）として直接、金をめっきにより２００μｍの厚さに埋め込んだ後、第４の工程を行わないことを除き、実施例１と同様にして偏向器を作成した。
めっき中に水素ガスが発生し、得られた金電極膜金属体１６にボイドが観察され、所望の偏向電極１を得ることが出来なかった。
【００２８】
［実施例２］
２００μｍの厚さの絶縁性を有するシリコン基板に対し、Ｄ−ＲＩＥにより１５μｍの孔あけを（アスペクト比１３．３）行い、基板表面および孔壁面に熱酸化膜を〜２μｍ形成したシリコン基板（図２（ａ））に、硫酸銅５水塩９５ｇ／Ｌと硫酸１８０ｇ／Ｌの硫酸銅メッキ浴にて１．５Ａ／ｄｍ２の電解条件にて銅を１５時間析出させた（図２（ｂ））。次に、基板表面の突起部（金属体１６）をＣＭＰ研磨により平坦化し（図２（ｃ））、次いで、対向する電極金属１１（金属体１６）の対向面を露出するため、再度Ｄ−ＲＩＥにて電極金属１１間をエッチングした（図２（ｄ））。
【００２９】
光軸方向に延びて露出した電極金属１１を、硫酸−過酸化水素１０％水溶液によりソフトエッチングして、銅最表面を活性化させ、金ナノ分散液中に浸漬して１層目の保護膜形成を行い、乾燥焼成後さらに同液にて、２層目の保護膜形成を行った（図２（ｅ））。この際の保護膜の厚みは、１層目０．２μｍ、２層目０．２μｍの膜厚を得た。その結果、実施例１と同様の偏向電極１を得ることが出来た。
【００３０】
［実施例３］
実施例２同様に、２００μｍの厚さの絶縁性を有するシリコン基板に１５μｍの孔（アスペクト比１３．３）をＤ−ＲＩＥにより形成し、基板表面および孔壁面に熱酸化膜を〜２μｍ形成したシリコン基板（図２（ａ））に、硫酸銅５水塩９５ｇ／Ｌと硫酸１８０ｇ／Ｌの硫酸銅メッキ浴で１．５Ａ／ｄｍ２の電解条件にて銅を１５時間析出させた（図２（ｂ））。次に、析出させた銅（金属体１６）による基板表面の突起部をＣＭＰ研磨により平坦化し（図２（ｃ））、次いで、対向する電極金属１１（金属体１６）の対向面を露出するため、再度Ｄ−ＲＩＥにて電極間をエッチングした（図２（ｄ））。
厚み方向に露出した電極金属１１の最表面をＯ２プラズマにより活性化させ、実施例２と同様に、金ナノ分散液中への浸漬と、乾燥焼成を２回以上複数回行った（図２（ｅ））。結果として、実施例２と同様の保護膜１２を得ることが出来た。
【００３１】
以上のように絶縁性を有するシリコン基板体に所望の形状に金属体を安価にかつ高い信頼性を有する複合体を形成することができ、半導体やＬＳＩ等のＳｉウエハの３次元集積化への応用に可能となった。
【００３２】
［実施例４］
次に上記説明した電極基板をブランカに用いた電子ビーム露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図３は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）では微小デバイス、例えば半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（ＥＢデータ変換）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００３３】
図４は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の微小デバイスを低コストに製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施例１に係る偏向器の構造を説明する図である。
【図２】図１の偏向器の作製方法を説明する図である。
【図３】本発明を適用した露光装置によるデバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【図４】図４におけるウエハプロセスを説明する図である。
【符号の説明】
【００３５】
１  偏向電極
２  絶縁膜
３  駆動配線
４  シリコン基板
５  貫通孔
１１  電極金属
１２  保護膜
１５  第１開孔
１６  金属体
１７  第２開孔
１００  偏向器
【図１】
2005142101.tif 000003
【図２】
2005142101.tif 000004
【図３】
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【図４】
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