(57)【要約】【目的】  ＴＦＴの歩留りを向上させ、高い透過率と高い口径比とを同時に達成するカラー液晶表示装置を提供する。【解決手段】  複数の画素電極を有する第１基板と、複数の画素電極に接続する複数のスイッチ素子と、第1基板上の画素電極に対応する複数のカラーフィルターと、画素電極とスイッチ素子との間、および隣接するカラーフィルター間の空間に配置されるオーバーコート層と、接続された画素電極およびスイッチ素子間を貫通し、かつオーバーコート層を貫通するとともに、カラーフィルターから離れて配置される複数のコンタクトホールと、第1基板と対向するように配置される第２基板と、第1基板および第２基板間に挟まれた電気光学材料とから構成される。【選択図】  図９
2005173110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極を有する第１基板と、
前記した複数の画素電極に接続する複数のスイッチ素子と、
前記第1基板上の前記画素電極に対応する複数のカラーフィルターと、
前記画素電極と前記スイッチ素子との間、および隣接する前記カラーフィルター間の空間に配置されるオーバーコート層と、
接続された前記画素電極および前記スイッチ素子間を貫通し、かつ前記オーバーコート層を貫通するとともに、前記カラーフィルターから離れて配置される複数のコンタクトホールと、
前記第1基板と対向するように配置される第２基板と、
前記第1基板および前記第２基板間に挟まれた電気光学材料と
を含む表示装置。
【請求項２】
上記第1基板が、少なくとも１つのデータバスラインを備え、上記オーバーコート層が、前記した少なくとも１つのデータバスラインから前記画素電極を分離するものである請求項1記載の表示装置。
【請求項３】
上記コンタクトホールが、０.２μｍ〜２０μｍ範囲の幅を有するものである請求項1記載の表示装置。
【請求項４】
上記オーバーコート層が、有機材料を使用して形成されものであって、０.２μｍ〜１０μｍ範囲の厚さを有するものである請求項1記載の表示装置。
【請求項５】
上記オーバーコート層が、無機材料を使用して形成されるものであって、０.１μｍ〜５μｍ範囲の厚さを有するものである請求項1記載の表示装置。
【請求項６】
上記表示装置が、さらに、上記第１基板と前記スイッチ素子との間に配置されたバッファー層を備えるものである請求項1記載の表示装置。
【請求項７】
上記カラーフィルターが、１.５μｍより薄い厚さを有するものである請求項1記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電気光学表示装置に関し、特に、コンタクトホールがオーバーコート層を介してカラーフィルターから離れて配置されるよう形成された液晶表示装置（ＬＣＤ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
ここ数年、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）が画素電極を駆動するスイッチ素子として使用されるタイプのカラー液晶表示（ＬＣＤ）装置に発展があり、オンチップカラーフィルター（ＯＣＣＦ）構造は、ＬＣＤ装置において広く使用されるようになっている。カラーフィルターをＴＦＴ基板上に備えたタイプの構造は、カラーフィルターをＴＦＴ基板と反対側の基板上に備えたタイプの構造よりも様々な利点を提供するものである。例えば、その利点の１つとして、カラーフィルターと画素電極とは、その一方が他方の上に重なっているため、カラーフィルターと画素電極との間に視差が生じないことがある。従って、画素の口径比を比較的大きな値に設定することが可能となり、画素電極とカラーフィルターとの間のミスアラインメントがかなり減少するため、画素の精密度が高い時でも高い口径比を維持することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来のオンチップカラー基板において、個々の画素電極は、それぞれ個々のカラーフィルターを貫通してＴＦＴに接続されていた。しかしながら、カラーフィルターを貫通してＴＦＴに至る画素電極のコンタクトホールサイズが大きいため、カラーフィルターの低い解像度が、高い画素密度パネルにおいて幾分かＯＣＣＦ技術の効果を削減するものとなっていた。カラーフィルターの典型的厚さは１〜２μｍであるが、高い口径比のパネル設計において、画素電極は、データバスライン上に重なるか近づけて設計する必要があり、また、誘電体の必要条件により、カラーフィルターをより厚くする必要があった。しかしながら、カラーフィルターの厚さが厚くなれば、パネルの透過率が減少するものとなっていた。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するために、この発明は、複数の画素電極を有する第１基板と、複数の画素電極に接続する複数のスイッチ素子と、第1基板上の画素電極に対応する複数のカラーフィルターと、画素電極とスイッチ素子との間、および隣接するカラーフィルター間の空間に配置されるオーバーコート層と、接続された画素電極およびスイッチ素子間を貫通し、かつオーバーコート層を貫通するとともに、カラーフィルターから離れて配置される複数のコンタクトホールと、第1基板と対向するように配置される第２基板と、第1基板および第２基板間に挟まれた電気光学材料とを含む液晶表示装置を提供するものである。
【０００５】
この発明は、さらに、このようなＬＣＤ装置を形成するための方法も含むものである。この発明の他の特徴については、添付の図面および以下の詳細な説明により明らかにされるものである。
【０００６】
ここに述べた幾つかの実施形態において、カラーフィルターは、ＴＦＴ基板上に配置される。しかしながら、接触部分の領域は開放されたままになっており、平坦化のためのオーバーコート層がカラーフィルターを覆い、コンタクトホールがオーバーコート層を貫通して形成されている。個々の画素電極が、個々のコンタクトホールを介してＴＦＴ基板に電気接続されている。
【０００７】
オーバーコート層は、ＪＳＲ株式会社より入手可能なポジ型アクリル樹脂ＰＣ４０３またはＰＣ４１５のような０.２μｍ〜１０μｍ範囲の厚さを有する有機材料から形成される。オーバーコート層は、スピンコーティング、露光および現像により形成される。その後、オーバーコート層は、約１時間、約２００摂氏度（℃）で硬化される。あるいは、オーバーコート層は、ＳｉＮ2またはＳｉＯ2のような０.１μｍ〜５μｍ範囲の厚さを有する無機材料を使用して形成される。オーバーコート層は、ＣＶＤ（Chemical vapor deposition  化学気相体積）法あるいはスパッタリング法のような様々な方法を使用するとともに、フォトリソグラフィーマスクを使用した反応性エッチングのようなフォトエッチング法を介して形成される。
【０００８】
その結果、オーバーコート層を貫通するコンタクトホールは、オーバーコート層材料の特性により、カラーフィルターに対して非常に精密なサイズに構成される。ある実施形態において、コンタクトホールは、２μｍ〜２０μｍ範囲の厚さを有する。このコンタクトホールは、コーティング、露光および現像法を使用して、有機材料により作られたオーバーコート層に形成される。あるいは、フォトエッチング法を使用して、無機材料により作られたオーバーコート層に形成される。
【０００９】
また、いくつかの実施形態は、デルタタイプ構成の画素配列により適合したものである。さらに、オーバーコート層は、画素電極がデータバスラインと接触することを防止する絶縁として作用する。ある実施形態において、オーバーコート層がより高い口径比に対する平坦化層としても作用するので、結果としてＴＦＴの歩留りが増大する。オーバーコート層が、高い透過率ならびに低い誘電率を提供するため、高い透過率と高い口径比とが同時に達成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、この発明にかかる好適な実施例を図面に基づいて説明する。
図１において、ＬＣＤ装置のある実施形態にかかるブロック図を示すと、ＬＣＤ装置１００は、マトリックス配列された複数の画素電極を有する第１基板と、複数の画素電極に接続する複数のスイッチ素子と、第1基板上の画素電極に対応する複数のカラーフィルターと、画素電極とスイッチ素子との間、および隣接するカラーフィルター間の空間に配置されるオーバーコート層と、接続された画素電極およびスイッチ素子間を貫通し、かつオーバーコート層を貫通するとともに、カラーフィルターから離れて配置される複数のコンタクトホールと、第1基板と対向するように配置される第２基板と、第1基板および第２基板間に挟まれた電気光学材料とを含んでいる。
【００１１】
図1において、ＬＣＤ装置１００は、マトリックス配列された画素電極１６０，１７０，１８０といった画素電極を含んでいる。カラーフィルター１２０，１３０，１４０といったカラーフィルターは、それぞれ画素電極１６０，１７０，１８０に対応して配置される。各画素電極は、コンタクトホール１５０のようなコンタクトホールの１つを介して、図２の電極２３０のようなＴＦＴのソース／ドレイン電極と接続される。ＴＦＴのソース／ドレイン電極は、図２の中間層２２０のような中間層を介してスイッチ素子（図示せず）に接続される。ある方法では、コンタクトホール１５０が、それぞれのカラーフィルター（例えばカラーフィルター１４０）を貫通して形成される。しかしながら、このような設計の誘電体は、その必要条件によって、カラーフィルターをより厚くすることが要求されるので、このように増大したカラーフィルターの厚さが、ＬＣＤパネルの透過率を減少させるものとなる。
【００１２】
ある実施形態では、コンタクトホール１５０は、接触領域においてカラーフィルターから遠ざけて（例えば離れて）配置される。例えば、カラーフィルター１４０は、対応する画素電極１８０の接触領域２４０を覆っていない。接触領域２４０は、隣接したカラーフィルター間の他の空間と同様に、図２のオーバーコート層２１０のようなオーバーコート層で充填される。コンタクトホール１５０は、オーバーコート層を貫通するとともに、カラーフィルター１４０から離れて配置される。コンタクトホール１５０は、オーバーコート層材料の特性により、２μｍ〜２０μｍ範囲の非常に精密なサイズに形成される。ある実施形態において、コンタクトホールは、異方性エッチング法を使用して形成される。オーバーコート層は、画素電極１８０のような画素電極をバスライン１１０のような近接するデータバスラインから分離する絶縁層として提供され、また、オーバーコート層は、高い口径比を提供するとともに、ＴＦＴパネルの歩留りを向上させるための平坦化層としても提供される。さらに、オーバーコート層は、高い透過率と低い誘電率とを提供するので、高い透過率と高い口径比とが同時に達成されるものとなる。
【００１３】
各カラーフィルターは、染料または色素含有光成像材料を使用して形成される。あるいは、分散された色素を含む有機感光性材料を使用して形成される。その他の材料であっても、このような目的のために使用されることは、当該分野の一般技術者にとって明白である。ある実施形態において、カラーフィルターは、分散された色素のような顔料を含む有機感光性材料から構成されたカラーレジストを塗布することによって形成され、次に露光、現像および焼付けをして、カラーフィルターのセグメント（例えばカラーフィルター１２０，１３０，１４０）を形成する。カラーフィルターは、０.２μｍ〜１０μｍ範囲の厚さを有するものとし、１.５μｍ以下の厚さが望ましい。画素電極は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜のような透明導電性膜を使用して形成される。
【００１４】
図２（ａ）（ｂ）において、典型的なＬＣＤカラー表示装置の断面図を示すと、中間層２２０は、他層の下側に接する中間層であり、この中間層２２０は、二酸化シリコン、窒化シリコンのような従来の誘電材料、あるいは燐シリケートガラス、ホウ素シリケートガラスのようなドーピングしたガラス層などを使用して形成される。ある実施形態において、中間層２２０は、プラズマ堆積酸化物の層である。もしくは、窒化シリコン層、燐シリケートガラス（ＰＳＧ）層、ほう燐シリケートガラス（ＢＰＳＧ）層、スピンオングラス（ＳＯＧ）層、酸窒化シリコン層、ポリアミド層、低誘電性絶縁体等である。さらに、前記誘電性材料の組み合わせも、また中間層２２０の形成に使用される。中間層２２０は、４００〜８００ｎｍ範囲の厚さを有するものとする。
【００１５】
当該分野における一般技術者にとって、絶縁層、バッファー層、ライトシールド層、ＴＦＴの電極（例えばゲート、ドレインまたはソース電極）といったような、他の層または構成要素が、中間層およびＴＦＴ基板間で実施されることは明白である。この実施例において、電極２３０は、ＴＦＴのソースまたはドレイン電極であり、電極１１０（図１を参照）は、データバスラインあるいはＴＦＴ間の相互結線である。電極２３０，１１０は、同じ材料または異なる材料により形成される。ある実施形態において、電極２３０，１１０は、Ti/Al/TiまたはMo/Al/Mo等のような低い電気抵抗を有する金属により形成される。電極２３０，１１０の厚さは、０．２μｍ〜２．０μｍ範囲であり、ＣＶＤまたはＰＶＤ（Physical vapor deposition）法を介して形成される。もしくは、電極２３０，１１０は、フォトエッチング法により形成される。
【００１６】
他の層と材料が中間層の下に形成されることは、よく知られている。ある実施形態において、電極２３０は、中間層を貫通してＴＦＴ基板（図示せず）上に形成されたＴＦＴスイッチ素子に接続される。電極２３０は、ワイヤ電極（図示せず）を介してＴＦＴ基板上に配置されたＴＦＴに接続される。ＴＦＴのゲート電極およびゲート中間層のような他の要素が中間層２２０の下のＴＦＴ構造において使用されることは、当該分野における一般技術者にとって、明白である。
【００１７】
図２において、カラーフィルター１４０は、図１の接触領域２４０のように、対応する接触領域を覆っていない。その代わりに、オーバーコート層２１０が接触領域に配置され、同様に隣接するカラーフィルター間の空間にも配置される。オーバーコート層２１０が一度形成されると、コンタクトホール１５０は、オーバーコート層２１０を貫通して形成される。オーバーコート層材料の特性により、コンタクトホール１５０は、非常に小さく解像される（例えば２μｍ〜２０μｍ範囲の直径）。コンタクトホール１５０は、画素電極１８０を中間層２２０上に形成された電極２３０と接続させる。ある実施形態において、電極２３０は、ＴＦＴの電極（例えばドレインまたはソース電極）であり、中間層２２０を貫通して（ＴＦＴ基板上に形成された）スイッチ素子に接続される。オーバーコート層２１０は、画素電極１６０，１７０，１８０をデータバスライン１１０から分離する絶縁層を提供する。さらに、オーバーコート層２１０は、ＬＣＤ装置の口径比を次第に増進させる滑らかな平坦化表面を与える平坦化層を提供する。
【００１８】
図３から図８において、ＬＣＤ装置を形成する方法を示すと、この方法の一例として、マトリックス配列された画素電極を備える第１基板を形成し、画素電極に接続されたスイッチ素子を形成し、第１基板上の画素電極と整合したカラーフィルターを形成し、画素電極およびスイッチ素子間、ならびに隣接するカラーフィルター間の空間に配置するオーバーコート層を形成する。画素電極およびスイッチ素子は、コンタクトホールを介して、それぞれオーバーコート層を貫通しカラーフィルターから離して接続される。他の実施形態において、この方法は、さらに、第１基板の反対側に配置された第２基板を形成し、第１基板と第２基板との間に挟まれた電気光学材料を堆積することをも含むものである。
【００１９】
図３において、ある実施形態により、複数のＴＦＴがガラスのような透明絶縁基板上に形成される。それぞれのＴＦＴは、例えば多結晶シリコン薄膜のような半導体薄膜を含むものである。中間層２２０は、画素電極をＴＦＴ基板上に配置された複数のＴＦＴと連結させる幾つかの絶縁層の一つである。電極２３０は、中間層を貫通してワイヤ電極によりＴＦＴに接続される。電極２３０およびデータバスライン１１０は、０.２μｍから２０μｍまでの厚さを有するTi/Al/TiまたはMo/Al/Mo等のような金属膜を使用して形成される。電極２３０は、ＴＦＴのソースまたはドレイン電極である。電極２３０およびデータバスライン１１０は、中間層２２０上に金属膜を堆積することにより形成される。ある実施形態において、電極２３０およびデータバスライン１１０は、ドーピングしたポリシリコン、金属シリサイド、ポリサイド、高い融点を持つ単一金属または他の金属等から作られる。電極２３０およびデータバスライン１１０は、化学気相堆積（ＣＶＤ）法または物理気相堆積（ＰＶＤ）法を使用して形成される。そして、金属膜は、電極２３０およびデータバスライン１１０を形成するために、エッチングを介して図案化される。
【００２０】
電極２３０およびデータバスライン１１０が一度形成されると、分散された色素のような顔料を含む有機感光性材料から構成されたカラーレジストがマスクに覆われ、それから露光、現像および焼付けをして、図４（ａ）（ｂ）に示したようなカラーフィルター１２０，１３０，１４０のセグメントが形成される。ある実施形態において、このような露光、現像および焼付けの操作は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のそれぞれの色に対し異なるカラーレジストを使用するために３回繰り返され、カラーフィルター１２０，１３０，１４０は、０.２μｍ〜１０μｍ範囲の厚さを有する集積状態として形成される。
【００２１】
カラーフィルター１２０，１３０，１４０が形成された後、図５（ａ）（ｂ）に示すように、オーバーコート層２１０がカラーフィルター（１２０、１３０、１４０）、データバスライン１１０、電極２３０および中間層２２０上を覆うように堆積される。ある実施形態において、オーバーコート層２１０は、ＪＳＲ株式会社より入手可能なポジ型アクリル樹脂ＰＣ４０３またはＰＣ４１５のような、０.２μｍ〜１０μｍ範囲の厚さを有する透明な有機材料から作られた平坦化膜であり、スピンコーティング、露光および現像法により形成される。次に、オーバーコート層２１０は、約１時間、約２００摂氏度（℃）で硬化される。もしくは、オーバーコート層２１０は、ＳｉＮ2またはＳｉＯ2等のような、０.１μｍ〜５μｍ範囲の厚さを有する無機材料を使用して形成される。無機のオーバーコート層は、ＣＶＤ法あるいはスパッタリング法を使用し、光露光およびエッチング法を介して形成される。
【００２２】
ＴＦＴ基板上の凸面と凹面は、オーバーコート層２１０形成の結果として消滅するので、基板構造は優れた液晶配向特性を獲得する。さらに、オーバーコート層２１０は、画素電極をデータバスライン１１０から分離する絶縁体として機能するだけでなく、カラーフィルター中の不純物が液晶中へ拡散することを防止する役目も果たす。
【００２３】
次に、図６（ａ）（ｂ）に示すように、オーバーコート層の一部が、それぞれの各画素電極を電極２３０のような対応する個別のＴＦＴ電極に接続するコンタクトホール１５０のようなコンタクトホールを形成するために、除去される。コンタクトホール１５０は、オーバーコート層２１０を貫通してカラーフィルター１４０のようなカラーフィルターから離れて（離して）形成される。コンタクトホール１５０は、オーバーコート層材料の特性により、非常に精密なサイズ（２μｍ〜２０μｍ範囲の直径）に形成される。ある実施形態において、コンタクトホール１５０は、有機材料で作られたオーバーコート層上でコーティング、露光および現像法を直接使用して形成される。もしくは、無機材料で作られたオーバーコート層上で光露光およびエッチング法を介して形成される。
【００２４】
続いて、図７（ａ）（ｂ）に示すように、画素電極１６０，１７０，１８０のような画素電極が、オーバーコート層２１０上を覆うように形成される。ある実施形態において、画素電極は、ＩＴＯのような透明導電性膜を使用して形成される。ある実施形態において、このＩＴＯ膜は、例えばスパッタリングにより５０〜２００ｎｍ範囲の厚さに堆積され、この膜が図案化されて画素電極を形成する。
【００２５】
最後に、図８（ａ）（ｂ）に示すように、電気光学材料が、カラー表示装置を形成するために、対向基板２７０（例えばＴＦＴ基板と反対側の基板）の対電極２６０下の空間に充填される。ある実施形態において、電気光学材料は、液晶である。
【００２６】
図９において、実施形態としてのＬＣＤ表示装置の断面図を示すと、ＬＣＤ表示装置は、ガラスのような絶縁材料から作られたＴＦＴ基板３２０と、画素（液晶セル）を構成する画素電極１８０のような透明画素電極と、各ＴＦＴの能動（アクティブ）層として機能する半導体薄膜２９０と、各ＴＦＴのゲート電極３３０と、ゲート絶縁膜３００と、各ＴＦＴのソース部に電気的に接続されるとともに、データバスライン１１０に接続された信号ライン３５０から引き出されているワイヤ電極３４０と、ＴＦＴのドレイン領域に電気接続されるとともに、各画素電極１８０から引き出されているワイヤ電極２８０と、セグメント１２０（赤）、１３０（緑）、１４０（青）として微細に分割されたカラーフィルターと、オーバーコート層２１０と、透明半導体膜で形成された対電極２６０と、対向電極２７０と、電気光学基板として使用される液晶２５０とを含んでいる。ＬＣＤ表示装置は、また、ＴＦＴ基板３２０上に配置されたバッファー層３１０も選択的に含むものである。バッファー層３１０は、約３０００オングストローム（Å）の厚さを有するＳｉＯ2を使用して、ＴＦＴ基板３２０上に形成される。
【００２７】
より具体的には、ＴＦＴはガラスのような透明絶縁基板（ＴＦＴ基板）３２０上に形成され、各ＴＦＴは、例えば７０〜１００ｎｍの厚さを有する多結晶シリコン薄膜のような半導体薄膜２９０を含む。ある実施形態において、半導体膜２９０はアモルファス状態を得るためにＳｉ＋イオン注入により形成されてから、約６００℃の温度でアニーリングが行われる。半導体膜２９０は、その後、ＴＦＴを形成するために予め定められたパターンに図案化される。１０〜１００ｎｍの厚さを有するゲート絶縁膜３００は、パターン化された半導体膜２９０上に形成される。ある実施形態において、ゲート絶縁膜３００は、熱酸化またはＬＰＣＶＤ（low pressure chemical vapor deposition  低圧化学気相堆積）により形成される。
【００２８】
ゲート電極３３０は、パターン化され、ゲート絶縁膜（中間層）２２０中を通って半導体薄膜２９０上に形成される。前述した構成を有するＴＦＴは、中間層（絶縁膜）２２０で覆われる。中間層２２０は、ＰＳＧまたは前述したような従来の絶縁材料を使用して形成される。ある実施形態において、中間層は、約６００ｎｍの厚さを有して形成されるとともに、通常の圧力のもとでＣＶＤ法により形成される。そして、コンタクトホール１５０は、中間層２２０を貫通して形成される。ワイヤ電極３４０，２８０（電極３５０，２３０を含む）は、パターン化され、中間層２２０のコンタクトホールを通って形成されるとともに、それぞれ半導体膜２９０のソースおよびドレイン領域に接続される。ある実施形態において、ワイヤ電極３４０，２８０は、４０〜６００ｎｍの厚さになるまでＡｌのような導電性薄膜をスパッタリングすることにより形成されるとともに、この薄膜がワイヤ電極３４０，２８０を形成するために予め定められたパターンに図案化される。
【００２９】
電極３４０，２８０は、遮光層等のような他の絶縁層（図示せず）により覆われる。中間層２２０上には、例えば、前記した順序または配列により、ＩＴＯのような透明導電性膜から形成された電極３５０，２３０、カラーフィルター１４０、オーバーコート層２１０、画素電極１８０が形成される。カラーフィルター１４０、オーバーコート層２１０、画素電極１８０は、前記した方法を使用して形成される。ドレイン領域に接続されたワイヤ電極は、電極２３０およびコンタクトホール１５０を通って画素電極１８０に電気接続される。コンタクトホール１５０は、オーバーコート層２１０を貫通するとともに、カラーフィルター（例えばカラーフィルター１４０）から離して形成される。オーバーコート層材料の特性により、コンタクトホール１５０は、非常に精密なサイズ（例えば２μｍ〜２０μｍ範囲の直径）に形成される。全領域にわたり対電極２６０に並行する対向基板２７０は、その間に保持された液晶２５０とともに、ＴＦＴ基板３２０と対向するように配置されて、カラー表示装置が形成される。
【００３０】
図１０および図１１は、別な実施形態によるＬＣＤ装置を示すものである。その構成については、当該分野の一般技術者にとって明白であるので、説明を繰り返さない。
【００３１】
以上のごとく、この発明を好適な実施例により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【００３２】
上記構成により、この発明にかかる液晶表示装置は、オーバーコート層により、各画素電極をデータバスラインから分離する絶縁層を提供するだけでなく、このオーバーコート層によって、ＬＣＤ装置の口径比を次第に増進させる滑らかな平坦化表面を与える平坦化層を提供する。オーバーコート層は、画素電極がデータバスラインと接触することを防止する絶縁として作用する。また、オーバーコート層がより高い口径比に対する平坦化層としても作用するので、結果としてＴＦＴの歩留りが増大する。オーバーコート層が、高い透過率ならびに低い誘電率を提供するため、高い透過率と高い口径比とが同時に達成される。従って、産業上の利用価値が高い。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】この発明のカラー表示装置にかかる好適に実施例を示す平面図である。
【図２】図１のカラー表示装置にかかる好適に実施例を示す断面図である。
【図３】（ａ）（ｂ）は、図１のカラー表示装置を形成する方法を示す断面図である。
【図４】（ａ）（ｂ）は、図１のカラー表示装置を形成する方法を示す断面図である。
【図５】（ａ）（ｂ）は、図１のカラー表示装置を形成する方法を示す断面図である。
【図６】（ａ）（ｂ）は、図１のカラー表示装置を形成する方法を示す断面図である。
【図７】（ａ）（ｂ）は、図１のカラー表示装置を形成する方法を示す断面図である。
【図８】（ａ）（ｂ）は、図１のカラー表示装置を形成する方法を示す断面図である。
【図９】図１のカラー表示装置を形成する方法を示す断面図である。
【図１０】別なカラー表示装置にかかる好適な実施例を示す断面図である。
【図１１】さらに別なカラー表示装置にかかる好適な実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１００  ＬＣＤ装置
１１０  バスライン
１２０  カラーフィルター
１３０  カラーフィルター
１４０  カラーフィルター
１５０  コンタクトホール
１６０  画素電極
１７０  画素電極
１８０  画素電極
２１０  オーバーコート層
２２０  中間層
２３０  電極
２４０  接触領域
２５０  液晶
２６０  対電極
２７０  対向基板
２８０  ワイヤ電極
２９０  半導体薄膜
３００  ゲート絶縁膜
３１０  バッファー層
３２０  ＴＦＴ基板（透明絶縁基板）
３３０  ゲート電極
３４０  ワイヤ電極
３５０  信号ライン（電極）
【図１】
2005173110.tif 000003
【図２】
2005173110.tif 000004
【図３】
2005173110.tif 000005
【図４】
2005173110.tif 000006
【図５】
2005173110.tif 000007
【図６】
2005173110.tif 000008
【図７】
2005173110.tif 000009
【図８】
2005173110.tif 000010
【図９】
2005173110.tif 000011
【図１０】
2005173110.tif 000012
【図１１】
2005173110.tif 000013