(57)【要約】【課題】  結合容量をなくすのではなく結合容量を発生させてこれを用いることによってフィルタ機能を発生させるとともに、容量電極を小さくすることで容量電極と接地電極との間に生じる浮遊容量を減らした小型のハイパスフィルタおよびこれを用いたダイプレクサを提供すること。【解決手段】  ハイパスフィルタは、直列接続された第１，第２のコンデンサＣ１ｃ，Ｃ２ｃと、第１，第２のコンデンサＣ１ｃ，Ｃ２ｃの接続部に一端が接続されるとともに他端が接地されているインダクタＬ１ｃとから成るハイパスフィルタであって、第１，第２のコンデンサＣ１ｃ，Ｃ２ｃは、複数の誘電体層が積層されて成る誘電体に誘電体層を挟んで対向する一対の対向電極（容量電極）14ａ，15ａと一対の対向電極14ａ，16ａを配置することによって形成されているとともに互いに電磁結合している。【選択図】  図１
2005160008.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列接続された第１および第２のコンデンサと、該第１および第２のコンデンサの接続部に一端が接続されるとともに他端が接地されているインダクタとから成るハイパスフィルタであって、前記第１および第２のコンデンサは、複数の誘電体層が積層されて成る誘電体に前記誘電体層を挟んで対向する一対の対向電極をそれぞれ配置することによって形成されているとともに互いに電磁結合していることを特徴とするハイパスフィルタ。
【請求項２】
前記第１および第２のコンデンサは、前記誘電体の前記誘電体層よりも上側の部位に形成された電極を介して互いに電磁結合していることを特徴とする請求項１記載のハイパスフィルタ。
【請求項３】
ローパスフィルタと請求項１または請求項２記載のハイパスフィルタと第１乃至第３の端子とから成り、前記第１の端子に前記ローパスフィルタの一端および前記ハイパスフィルタの一端が共通に接続され、前記第２の端子に前記ローパスフィルタの他端が接続され、前記ハイパスフィルタの他端に第３の端子が接続されていることを特徴とするダイプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種通信機器に用いられるハイパスフィルタおよびそれを用いたダイプレクサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図８は従来の一般的なハイパスフィルタの等価回路図である。ハイパスフィルタは、直列接続された第１のコンデンサＣ１ａおよび第２のコンデンサＣ２ａと、第１のコンデンサＣ１ａと第２のコンデンサＣ２ａとの接続部に第１のインダクタＬ１ａを介して一端が接続された第３のコンデンサＣ３ａとを有する構成である。
【０００３】
また、図９は図８のハイパスフィルタを用いたダイプレクサの等価回路図である。ダイプレクサはハイパスフィルタとローパスフィルタから構成されており、第１の端子にローパスフィルタの一端およびハイパスフィルタの一端を共通に接続するとともに、ローパスフィルタの他端に第２の端子を、ハイパスフィルタの他端に第３の端子を接続した構成である。
【０００４】
図９において、ハイパスフィルタは、直列接続された第１のコンデンサＣ１ｂおよび第２のコンデンサＣ２ｂと、第１のコンデンサＣ１ｂと第２のコンデンサＣ２ｂとの接続部に第１のインダクタＬ１ｂを介して一端が接続された第３のコンデンサＣ３ｂとを有しており、第３のコンデンサＣ３ｂの他端は接地されている。ローパスフィルタは、並列接続された第２のインダクタＬ２ｂと第４のコンデンサＣ４ｂとの一端に第５のコンデンサＣ５ｂの一端が接続されており、第５のコンデンサＣ５ｂの他端は接地されている。
【０００５】
図１０は従来の一般的なハイパスフィルタの図である。複数の誘電体層を積層して成る誘電体の最下層の誘電体層の上面に接地電極１を設け、その上層の誘電体層の上面に、接地電極１と対向し接地容量を形成する接地容量電極２とこの接地容量電極２に一端が接続されたストリップライン３を設け、その上層の誘電体層の上面に、ストリップライン３の他端と貫通導体（ビア導体）４を介して接続された容量電極５を設け、その上層の誘電体層の上面に、容量電極５と対向して電気的な容量を形成する容量電極６，７を設ける。
【０００６】
ところが、図１０のハイパスフィルタでは、容量電極６と容量電極７との間に結合容量や、容量電極２と接地電極１との間に浮遊容量が発生し、図８の等価回路では破線で示したようなコンデンサが付加された形態になる。その結果、ハイパスフィルタおよびこれを用いたダイプレクサでは、余分なコンデンサの容量値が付加されるため目的のフィルタ機能が得られず、通過帯域が狭くなったり、挿入損失が大きくなるといった問題があった。
【０００７】
これに対して、例えば特許文献１では、誘電体からなる積層体と、誘電体の内層に設けられたアース電極と、このアース電極と誘電体層を介して対向した第１のコンデンサ電極と、第１のコンデンサ電極とインダクタ電極を介して接続された第２のコンデンサ電極と、第２のコンデンサ電極と異なる層に設けられるとともに、第２のコンデンサ電極と接続された第３のコンデンサ電極と、第３および第２のコンデンサ電極間のそれぞれと誘電体層を介して対向するとともに一端が第１の入出力端に接続された第４のコンデンサ電極と、第３或いは第２のコンデンサ電極のいずれか一方と誘電体層を介して対向するとともに一端が第２の入出力端に接続された第５のコンデンサ電極とを備えた積層型ハイパスフィルタが開示されている。
【０００８】
これによれば、図８のハイパスフィルタの等価回路で示す第１のコンデンサＣ１ａと第２のコンデンサＣ２ａの容量電極を異なる誘電体層を挟んで形成するため、第１のコンデンサＣ１ａと第２のコンデンサＣ２ａとの間での結合容量をなくすことができるものである。
【０００９】
また、例えば特許文献２では、第１乃至第３のポートと、第１および第２のポート間の低域通過フィルタを構成する第１のインダクタおよび第１のコンデンサと、第２および第３のポート間の高域通過フィルタを構成する第２のインダクタおよび第２のコンデンサとを備えるとともに、第１および第２のインダクタが、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなる多層基板に内蔵されるストリップライン電極で形成され、第１および第２のコンデンサが、多層基板に内蔵されるコンデンサ電極で形成されるダイプレクサであって、第２のポートと第３のポートとの間に直列接続される第２のコンデンサを、第１のポートおよび第２のポート間に接続される第１のコンデンサ上に配置し、かつ多層基板の高さ方向に積み重ねることを特徴とするタイプレクサが開示されている。
【００１０】
これによれば、第２のポートと第３のポートとの間に直列接続される第２のコンデンサを、第１のポートおよび第２のポート間に接続される第１のコンデンサ上に配置し、かつ多層基板の高さ方向に積み重ねることで、第２のコンデンサを形成するコンデンサ電極とグランド電極との間に発生する浮遊容量を抑えることができる。
【特許文献１】特開2001-267872号公報
【特許文献２】特開2000-349581号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記の従来のハイパスフィルタやダイプレクサでは、結合容量をなくすために、一対の対向電極同士の間隔を離すために、誘電体層数を増加させたり電極を無理な配置にしたものとする必要が生じて、構造が制約されるという問題があった。また、浮遊容量を抑える構造になっているが、根本的に形成される容量が大きいために、容量電極の面積が大きくなり、必然的に浮遊容量が大きくなってしまう問題があった。
【００１２】
本発明は、上記従来の技術の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、結合容量をなくすのではなく結合容量を発生させてこれを用いることによってフィルタ機能を発生させるとともに、容量電極を小さくすることで容量電極と接地電極との間に生じる浮遊容量を減らした小型のハイパスフィルタおよびこれを用いたダイプレクサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のハイパスフィルタは、直列接続された第１および第２のコンデンサと、該第１および第２のコンデンサの接続部に一端が接続されるとともに他端が接地されているインダクタとから成るハイパスフィルタであって、前記第１および第２のコンデンサは、複数の誘電体層が積層されて成る誘電体に前記誘電体層を挟んで対向する一対の対向電極をそれぞれ配置することによって形成されているとともに互いに電磁結合していることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明のハイパスフィルタは、好ましくは、前記第１および第２のコンデンサは、前記誘電体の前記誘電体層よりも上側の部位に形成された電極を介して互いに電磁結合していることを特徴とするものである。
【００１５】
本発明のダイプレクサは、ローパスフィルタと上記本発明のハイパスフィルタと第１乃至第３の端子とから成り、前記第１の端子に前記ローパスフィルタの一端および前記ハイパスフィルタの一端が共通に接続され、前記第２の端子に前記ローパスフィルタの他端が接続され、前記ハイパスフィルタの他端に第３の端子が接続されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のハイパスフィルタは、第１および第２のコンデンサは、複数の誘電体層が積層されて成る誘電体に誘電体層を挟んで対向する一対の対向電極をそれぞれ配置することによって形成されているとともに互いに電磁結合していることにより、図８のハイパスフィルタのコンデンサをＹ（star）結線をΔ（delta）結線に等価変換するＹ−Δ変換することができることにより、第１のコンデンサを形成する容量電極（対向電極）と第２のコンデンサを形成する容量電極（対向電極）の電磁的な結合でもってフィルタを構成することができるとともに、個々のコンデンサの電気的な容量値を小さくすることができるため、コンデンサの容量電極自体を小さくすることができる。そのため、容量電極と接地電極との間に生じる浮遊容量を減らすことができ、その結果小型のハイパスフィルタを構成することが可能となる。
【００１７】
なお、Ｙ−Δ変換とは、たとえば、Ｙ（star）結線（１つの接続点に一端がそれぞれ結線）されたＺａ，Ｚｂ，Ｚｃのインピーダンスを有する３つの回路配線と、Δ（delta）結線（三角形状をなすように結線）されたＺａｂ，Ｚｂｃ，Ｚｃａのインピーダンスを有する３つの回路配線とを、等価変換するものである。すなわち、Ｚａ，Ｚｂ，ＺｃはそれぞれＺａｂ，Ｚｂｃ，Ｚｃａで表すことができ、Ｚａｂ，Ｚｂｃ，ＺｃａそれぞれＺａ，Ｚｂ，Ｚｃで表すことができる。
【００１８】
本発明のハイパスフィルタは、好ましくは、第１および第２のコンデンサは、誘電体の誘電体層よりも上側の部位に形成された電極を介して互いに電磁結合していることにより、この電極の大きさを変化させることで、形成する容量を容易に変化させることができ、所望の容量を得やすい。
【００１９】
本発明のダイプレクサは、ローパスフィルタと上記本発明のハイパスフィルタと第１乃至第３の端子とから成り、第１の端子にローパスフィルタの一端およびハイパスフィルタの一端が共通に接続され、第２の端子にローパスフィルタの他端が接続され、ハイパスフィルタの他端に第３の端子が接続されていることにより、本発明のハイパスフィルタを使用することで、浮遊容量を減らすことができ、その結果通過帯域を広くすることができ、かつ小型化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明のハイパスフィルタについて図面を用いて以下に説明する。なお、以下の実施の形態では、ＩＥＥＥ.802.11ａとＩＥＥＥ.802.11ｂの周波数に対応したハイパスフィルタについて説明する。ＩＥＥＥ.802.11ａの周波数帯は4.9ＧＨｚから5.825ＧＨｚで、ＩＥＥＥ.802.11ｂの周波数帯は2.4ＧＨｚから2.5ＧＨｚである。
【００２１】
図１は本発明のハイパスフィルタについて実施の形態の１例を示す等価回路図である。図１において、Ｃ１ｃは第１のコンデンサ、Ｃ２ｃは第２のコンデンサ、Ｃ３ｃは第３のコンデンサ、Ｌ１ｃは第１のインダクタである。
【００２２】
図１のハイパスフィルタは、直列接続された第１のコンデンサＣ１ｃおよび第２のコンデンサＣ２ｃと、第１のコンデンサＣ１ｃと第２のコンデンサＣ２ｃの接続部に一端が接続され、他端が接地されている第１のインダクタＬ１ｃとから成る。また、第１のコンデンサＣ１ｃと第２のコンデンサＣ２ｃとは、第３のコンデンサＣ３ｃを介して電磁結合されている。
【００２３】
図２は従来のハイパスフィルタの各回路定数と本発明のハイパスフィルタの各回路定数である。従来のハイパスフィルタの各回路定数である第１〜３のコンデンサＣ１ａ〜Ｃ３ａをＹ−Δ変換することで、本発明の各回路定数である第１〜３のコンデンサＣ１ｃ〜Ｃ３ｃを求めることができ、各回路定数を小さくすることができる。
【００２４】
図３は、本発明のハイパスフィルタの実施の形態の一例を示す図である。図３においては、８ａ〜12ａは第１〜第５の誘電体層、13ａは接地電極、14ａ〜16ａは第１〜第３の容量電極、17ａは第１のストリップライン、18ａは第１のビア導体である。
【００２５】
図３において、第３の誘電体層10ａおよび第４の誘電体層11ａの層間に形成された第１の容量電極14ａと、第４の誘電体層11ａおよび第５の誘電体層12ａの層間に形成された第２の容量電極15ａとの間に生じる容量によるコンデンサをＣ１ｃとする。また、第３の誘電体層10ａおよび第４の誘電体層11ａの層間に形成された第１の容量電極14ａと、第４の誘電体層11ａおよび第５の誘電体層12ａの層間に形成された第３の容量電極16ａとの間に生じる容量によるコンデンサをＣ２ｃとする。また、第４の誘電体層11ａおよび第５の誘電体層12ａの層間に形成された第２の容量電極15ａと、同じ層間に形成された第３の容量電極16ａとの間に生じる容量によるコンデンサをＣ３ｃとする。
【００２６】
すなわち、図３の構成は、Ｃ１ｃは一対の対向電極（容量電極）14ａ，15ａによって形成され、Ｃ２ｃは一対の対向電極14ａ，16ａによって形成されており、対向電極14ａを共有しており、対向電極15ａ，16ａが近接配置されて容量結合を生じるように電磁結合しているというものである。
【００２７】
また、第３の誘電体層10ａおよび第４の誘電体層11ａの間に形成された第１のストリップライン17ａに生じるインダクタンスをＬ１ｃとする。そして、第１のストリップライン17ａの一端を第１の容量電極14ａに電気的に接続し、他端を接地電極13ａに、第２の誘電体層９ａおよび第３の誘電体層10ａを貫通する第１のビア導体18ａを介して電気的に接続することにより、Ｃ１ｃ〜Ｃ３ｃ，Ｌ１ｃからなるハイパスフィルタを構成している。
【００２８】
そして、第１〜第５の誘電体層８ａ〜12ａ，第１〜３の容量電極14ａ〜16ａ、第２の容量電極15ａと第３の容量電極16ａとの距離によって容量Ｃ１ｃ〜Ｃ３ｃを調整し、また、第１〜第５の誘電体層８ａ〜12ａ、第１のストリップライン17ａによってインダクタンスＬ１ｃを調整することにより、所望のハイパスフィルタ特性を得ることができる。
【００２９】
また、本発明のハイパスフィルタは、図８の従来のハイパスフィルタから、第１〜３のコンデンサＣ１ａ〜Ｃ３ａをＹ−Δ変換することで、本発明の各回路定数である第１〜３のコンデンサＣ１ｃ〜Ｃ３ｃを求めることができ、Ｃ１ａとＣ２ａの結合容量をなくすのではなく、第２の容量電極15ａと第３の容量電極16ａを近づけて電磁的に結合させることでフィルタを構成することができる。また、Ｙ−Δ変換により、個々のコンデンサの容量値を小さくすることができるため、コンデンサの容量電極自体を小さくすることができる。その結果、容量電極と接地電極との間に生じる浮遊容量を減らすことができ、小型のハイパスフィルタを構成することが可能となる。
【００３０】
なお、本発明のハイパスフィルタは、例えば誘電体層がセラミックスから成る場合、焼成後に各誘電体層となるセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）に所定の孔開け加工を施すとともに、各電極のパターン形状および貫通導体となる貫通孔やグリーンシートの側面等に導体ペーストを塗布し、これらを積層して焼成することによって製作される。あるいは、誘電体層がフッ素樹脂やガラスエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂のような樹脂から成る場合、樹脂基板を用い、その表面に被着させた銅箔をエッチングして各電極パターンの形成を行ない、層間接続用の貫通導体を形成して積層プレスすることによって製作される。
【００３１】
また、誘電体を成す第１〜５の誘電体層８ａ〜12ａとしては、アルミナセラミックス，ムライトセラミックス等のセラミックス材料やガラスセラミックス等の無機系材料、または四フッ化エチレン樹脂（ポリテトラフルオロエチレン；ＰＴＦＥ），四フッ化エチレン−エチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂；ＥＴＦＥ），四フッ化エチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂；ＰＦＡ）等のフッ素樹脂やガラスエポキシ樹脂，ポリイミド等の樹脂系材料等が用いられる。
【００３２】
また、接地電極13ａ、第１〜３の容量電極14ａ〜16ａ，第１のストリップライン17ａには、高周波信号伝送用の金属材料から成る導体層が用いられる。例えば、Ｃｕ層、Ｍｏ−Ｍｎのメタライズ層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、Ｗのメタライズ層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、Ｃｒ−Ｃｕ合金層、Ｃｒ−Ｃｕ合金層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、Ｔａ２Ｎ層上にＮｉ−Ｃｒ合金層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、Ｔｉ層上にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、またはＮｉ−Ｃｒ合金層上にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの等が用いられ、厚膜印刷法あるいは各種の薄膜形成方法やメッキ法等により形成される。その厚みや幅は、伝送される高周波信号の周波数や用途等に応じて設定される。
【００３３】
次に、図４に本発明のハイパスフィルタの実施の形態の他の例を示す。図４において、８ｂ〜12ｂは第１〜第５の誘電体層、13ｂは接地電極、14ｂ〜16ｂは第１〜第３の容量電極、18ｂ，19ｂは第１，第２のビア導体、20はチップインダクタである。
【００３４】
図４において、第２の誘電体層９ｂおよび第３の誘電体層10ｂの層間に形成された第１の容量電極14ｂと、第４の誘電体層11ｂおよび第５の誘電体層12ｂの層間に形成された第２の容量電極15ｂとの間に生じる容量によるコンデンサをＣ１ｃとする。また、第２の誘電体層９ｂおよび第３の誘電体層10ｂの層間に形成された第１の容量電極14ｂと、第３の誘電体層10ｂおよび第４の誘電体層11ｂの層間に形成された第３の容量電極16ｂとの間に生じる容量によるコンデンサをＣ２ｃとする。また、第３の誘電体層10ｂおよび第４の誘電体層11ｂの層間に形成された第２の容量電極15ｂと、第４の誘電体層11ｂおよび第５の誘電体層12ｂの間に形成された第３の容量電極16ｂとの層間に生じる容量によるコンデンサをＣ３ｃとする。
【００３５】
また、チップインダクタ20に生じるインダクタをＬ１ｃとする。そして、チップインダクタ20の一端と接地電極13ｂは、第２〜第５の誘電体層９ｂ〜12ｂを貫通する第１のビア導体18ｂを介して電気的に接続されている。また、チップインダクタ20の他端は、第１の容量電極14ｂに、誘電体層９ｂ〜12ｂを貫通する第２のビア導体19ｂを介して電気的に接続されることにより、Ｃ１ｃ〜Ｃ３ｃ，Ｌ１ｃからなるハイパスフィルタを構成している。
【００３６】
そして、第１〜第５の誘電体層８ｂ〜12ｂの所定の層間に形成された、第１〜３の容量電極14ｂ〜16ｂの平面視での重なり具合、および第２の容量電極15ｂと第３の容量電極16ｂの平面視での重なり具合によって、Ｃ１ｃ〜Ｃ３ｃの容量を調整するとともに、チップインダクタ20のインダクタンスＬ１ｃを調整することにより、所望のハイパスフィルタ特性を得ることができる。
【００３７】
次に、図１１に本発明のハイパスフィルタの実施の形態の他の例を示す。図１１において、８ｃ〜12ｃは第１〜第５の誘電体層、13ｃは接地電極、14ｃ〜16ｃは第１〜第３の容量電極、37ｃは第４の容量電極、17ｃは第１のインダクタ、18ｃは第１のビア導体である。
【００３８】
図１１において、第２の誘電体層９ｃおよび第３の誘電体層10ｃの層間に形成された第１の容量電極14ｃと、第３の誘電体層10ｃおよび第４の誘電体層11ｃの層間に形成された第２の容量電極15ｃとの間に生じる容量によるコンデンサをＣ１ｃとする。また、第２の誘電体層９ｃおよび第３の誘電体層10ｃの層間に形成された第１の容量電極14ｃと、第３の誘電体層10ｃおよび第４の誘電体層11ｃの層間に形成された第２の容量電極15ｃとの間に生じる容量によるコンデンサをＣ２ｃとする。また、第３の誘電体層10ｃおよび第４の誘電体層11ｃの層間に形成された第２の容量電極15ｃと、第３の誘電体層10ｃおよび第４の誘電体層11ｃの間に形成された第３の容量電極16ｃとの間に生じる容量と、第３の誘電体層10ｃおよび第４の誘電体層11ｃの層間に形成された第２の容量電極15ｃと、第４の誘電体層11ｃおよび第５の誘電体層12ｃの間に形成された第４の容量電極37ｃとの間に生じる容量と、第３の誘電体層10ｃおよび第４の誘電体層11ｃの層間に形成された第３の容量電極16ｃと、第４の誘電体層11ｃおよび第５の誘電体層12ｃの間に形成された第４の容量電極37ｃとの間に生じる容量によるコンデンサをＣ３ｃとする。
【００３９】
また、第２の誘電体層９ｃおよび第３の誘電体層10ｃの間に形成された第１のストリップライン17ｃに生じるインダクタンスをＬ１ｃとする。そして、第１のストリップライン17ｃの一端を第１の容量電極14ｃに電気的に接続し、他端を接地電極13ｃに、第２の誘電体層９ｃを貫通する第１のビア導体18ｃを介して電気的に接続することにより、Ｃ１ｃ〜Ｃ３ｃ，Ｌ１ｃからなるハイパスフィルタを構成している。
【００４０】
そして、第１〜第５の誘電体層８ｃ〜12ｃ，第１〜３の容量電極14ｃ〜16ｃ、第４の容量電極37ｃ、第２の容量電極15ｃと第３の容量電極16ｃとの距離、第２の容量電極15ｃと第４の容量電極37ｃの平面視での重なり具合、および第３の容量電極16ｃと第４の容量電極37ｃの平面視での重なり具合によって容量Ｃ１ｃ〜Ｃ３ｃを調整し、また、第１〜第５の誘電体層８ｃ〜12ｃ、第１のストリップライン17ｃによってインダクタンスＬ１ｃを調整することにより、所望のハイパスフィルタ特性を得ることができる。
【００４１】
さらに、容量Ｃ３ｃは、第２の容量電極15ｃと第３の容量電極16ｃとの間に生じる容量と、第２の容量電極15ｃと第４の容量電極37ｃとの間に生じる容量と、第３の容量電極16ｃと第４の容量電極37ｃとの間に生じる容量とによって形成されるが、例えば、積層ずれが起こり、第４の容量電極37ｃが設計に対してずれて、第２の容量電極15ｃと第４の容量電極37ｃの平面視での重なり具合が増加し、それにより第２の容量電極15ｃと第３の容量電極16ｃとの間に生じる容量が増加したとしても、第３の容量電極16ｃと第４の容量電極37ｃの平面視での重なり具合が減少し、それにより第３の容量電極16ｃと第４の容量電極37ｃとの間に生じる容量が減少するのため、容量変化を抑制することができる。
【００４２】
次に、図５に本発明のダイプレクサの等価回路図の一例を示す。図５において、Ｃ１ｄは第１のコンデンサ、Ｃ２ｄは第２のコンデンサ、Ｃ３ｄは第３のコンデンサ、Ｃ４ｄは第４のコンデンサ、Ｃ５ｄは第５のコンデンサ、Ｌ１ｄは第１のインダクタ、Ｌ２ｄは第２のインダクタである。これらの接続および回路定数については図９，図２で説明したとおりである。
【００４３】
図６は本発明のダイプレクサの実施の形態の一例を示すものである。図６において、21〜25は第１〜第５の誘電体層、26は接地電極、27〜30は第１〜第４の容量電極、31は接地容量電極、32は第１のストリップライン、33は第２のストリップライン、34〜36は第１〜第３のビア導体である。
【００４４】
図６において、第３の誘電体層23および第４の誘電体層24の層間に形成された第１の容量電極27と、第４の誘電体層24および第５の誘電体層25の層間に形成された第２の容量電極28との間に生じる容量によるコンデンサをＣ１ｄとする。また、第３の誘電体層23および第４の誘電体層24の層間に形成された第１の容量電極27と、第４の誘電体層24および第５の誘電体層25の層間に形成された第３の容量電極29との間に生じる容量によるコンデンサをＣ２ｄとする。また、第４の誘電体層24および第５の誘電体層25の層間に形成された第２の容量電極28と、第４の誘電体層24および第５の誘電体層25の層間に形成された第３の容量電極29との間に生じる容量によるコンデンサをＣ３ｄとする。
【００４５】
また、第３の誘電体層23および第４の誘電体層24の層間に形成された第１のストリップライン32に生じるインダクタをＬ１ｄとする。そして、第１のストリップライン32の一端を第１の容量電極27に電気的に接続し、他端を、第１の誘電体層21および第２の誘電体層22の層間に形成された接地電極26に、第２，第３の誘電体層22，23を貫通する第１のビア導体34を介して電気的に接続する。
【００４６】
また、第３の誘電体層23および第４の誘電体層24の層間に形成された第４の容量電極30と、第２の誘電体層22および第３の誘電体層23の層間に形成された接地容量電極31との間に生じる容量によるコンデンサをＣ４ｄとする。また、第１の誘電体層21および第２の誘電体層22の層間に形成された接地電極21と、第２の誘電体層22および第３の誘電体層23の層間に形成された接地容量電極31との間に生じる接地容量によるコンデンサをＣ５ｄとする。
【００４７】
また、第４の誘電体層24および第５の誘電体層25の間に形成された第２のストリップライン33に生じるインダクタをＬ２ｄとする。そして、第２のストリップライン33の一端を、第４の容量電極30に、第４の誘電体層24を貫通する第２のビア導体36を介して電気的に接続し、他端を、接地容量電極31に、第３，第４の誘電体層23，24を貫通する第３のビア導体36を介して電気的に接続する。
【００４８】
そして、第２の容量電極28と第２のストリップライン33を電気的に接続することにより、Ｃ１ｄ〜Ｃ５ｄ，Ｌ１ｄ，Ｌ２ｄからなるダイプレクサを構成している。
【００４９】
そして、第１〜第５の誘電体層21〜25の所定の層間に形成された、第１〜４の容量電極27〜30，接地容量電極31，第２の容量電極28，第３の容量電極29の距離によってＣ１ｄ〜Ｃ５ｄの容量を調整し、また、第１〜第５の誘電体層21〜25の所定の層間に形成された、第１，第２のストリップライン32，33によってインダクタンスＬ１ｄ，Ｌ２ｄを調整することにより、所望のダイプレクサ特性を得ることができる。
【００５０】
本発明のダイプレクサは、本発明のハイパスフィルタを使用することにより、浮遊容量を減らすことができ、かつ小型で通過帯域を広くすることができる。
【００５１】
図７は、図６の本発明のダイプレクサのハイパスフィルタ側の周波数特性を示すグラフである。図７において、横軸は周波数（単位：ＧＨｚ）を、縦軸はハイパスフィルタ側の信号通過量Ｓ(２，１)（単位：ｄＢ）を表わし、実線の特性曲線は本発明のダイプレクサの周波数特性を、破線の周波数特性は従来のダイプレクサの周波数特性を示している。
【００５２】
図７の結果より、本発明のダイプレクサによれば、容量電極の大きさを小さくすることでハイパスフィルタの浮遊容量を減らすことができたため、良好な通過帯域の広帯域化がなされることが分かる。
【００５３】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を加えることは何ら差し支えない。たとえば、ハイパスフィルタおよびダイプレクサを内蔵した誘電体基板において、第１〜５の誘電体層８ａ〜12ａ，８ｂ〜12ｂ，21〜25の厚さを薄くしたり、これらに高誘電率材料を用いたり、磁性体を混ぜたりすることにより、さらなる小型化が可能となる。また、ハイパスフィルタやダイプレクサを内蔵した誘電体基板に、半導体素子等を収容するためのキャビティを設けたりしてもよい。また、本発明のハイパスフィルタおよびダイプレクサを、ＧＳＭ（Global System for Mobile Communications）やＤＣＳ（Digital Cellular System）などのシステムに用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明のハイパスフィルタの等価回路図である。
【図２】図１のハイパスフィルタの回路定数と従来のハイパスフィルタの回路定数を示す表である。
【図３】図１のハイパスフィルタの実施の形態の１例を示す分解斜視図である。
【図４】図１のハイパスフィルタの実施の形態の他の例を示す分解斜視図である。
【図５】本発明のダイプレクサの等価回路図である。
【図６】図５のダイプレクサの実施の形態の１例を示す分解斜視図である。
【図７】図６のダイプレクサのハイパスフィルタ側の周波数特性を示すグラフである。
【図８】従来のハイパスフィルタの等価回路図である。
【図９】従来のダイプレクサの等価回路図である。
【図１０】図８の従来のハイパスフィルタを示す分解斜視図である。
【図１１】図１のハイパスフィルタの実施の形態の他の例を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００５５】
８ａ〜12ａ，８ｂ〜12ｂ，８ｃ〜12ｃ，21〜25：第１〜第５の誘電体層
13ａ，13ｂ，13ｃ，26：接地電極
14ａ〜16ａ，14ｂ〜16ｂ，14ｃ〜16ｃ，27〜29：第１〜第３の容量電極
30，37ｃ：第４の容量電極
31：接地容量電極
17ａ，17ｃ，32：第１のストリップライン
32：第２のストリップライン
18ａ，18ｂ，18ｃ，34：第１のビア導体
19ｂ，35：第２のビア導体
36：第３のビア導体
20：チップインダクタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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