(57)【要約】【課題】  内部でのパーティクルの発生を低減して、被搬送体へのパーティクルの付着を防止し、歩留まりを低下させることなく高品位な処理を行うことを可能とする収納装置、当該収納装置を用いた露光方法を提供する。【解決手段】  第１の雰囲気から前記第１の雰囲気と異なる第２の雰囲気に被搬送体を搬送する際に使用される収納装置であって、前記被搬送体と接触する接触面を介して前記被搬送体を支持する支持部と、前記支持部に対して前記被搬送体が摺動することを防止する摺動防止手段とを有することを特徴とする収納装置を提供する。【選択図】          図１
2005123292.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の雰囲気から前記第１の雰囲気と異なる第２の雰囲気に被搬送体を搬送する際に使用される収納装置であって、
前記被搬送体と接触する接触面を介して前記被搬送体を支持する支持部と、
前記支持部に対して前記被搬送体が摺動することを防止する摺動防止手段とを有することを特徴とする収納装置。
【請求項２】
前記収納装置は、筐体部と、前記筐体部に取り外し可能な蓋部とから構成され、
前記支持部は、前記筐体部及び前記蓋部に設けられ、前記被搬送体を狭持することを特徴とする請求項１記載の収納装置。
【請求項３】
前記摺動防止手段は、少なくとも前記接触面に設けられた弾性部材であることを特徴とする請求項１記載の収納装置。
【請求項４】
前記弾性部材は、１×１０−２Ｐａ以下のヤング率を有することを特徴とする請求項３記載の収納装置。
【請求項５】
前記摺動防止手段は、前記接触面に設けられ、前記被搬送体を吸着する吸着部であることを特徴とする請求項１記載の収納装置。
【請求項６】
前記吸着部は、静電吸着力を発生する静電吸着板であることを特徴とする請求項５記載の収納装置。
【請求項７】
前記静電吸着力は、５０Ｎ以上であることを特徴とする請求項６記載の収納装置。
【請求項８】
前記収納装置の内部と外部との差圧を除去する差圧除去手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の収納装置。
【請求項９】
第１の雰囲気から前記第１の雰囲気と異なる第２の雰囲気に被搬送体を搬送する際に使用される収納装置であって、
前記被搬送体を支持すると共に、前記被搬送体の摺動に追従する支持部を有することを特徴とする収納装置。
【請求項１０】
前記被搬送体は、所望のパターンが形成されたパターン面を有するレチクルであることを特徴とする請求項１又は９記載の収納装置。
【請求項１１】
前記被搬送体は、所望のパターンが形成されるウェハであることを特徴とする請求項１又は９記載の収納装置。
【請求項１２】
前記第１の雰囲気及び前記第２の雰囲気と気密に分離するための気密部材を更に有することを特徴とする請求項１又は９記載の収納装置。
【請求項１３】
減圧又は真空雰囲気下の露光チャンバに収納された露光装置を用いてレチクルに形成された所望のパターンをウェハに露光する露光方法であって、
前記レチクルを請求項１乃至９のうちいずれか一項記載の収納装置に収納するステップと、
前記収納ステップで前記レチクルを収納した収納装置の内部を前記減圧又は真空雰囲気となるように排気するステップと、
前記排気ステップで内部が前記減圧又は真空雰囲気となった前記収納装置を前記露光チャンバに搬送するステップと、
前記搬送ステップで搬送された前記収納装置が収納する前記レチクルを前記露光装置に設置するステップとを有することを特徴とする露光方法。
【請求項１４】
減圧又は真空雰囲気下の露光チャンバに収納された露光装置を用いてレチクルに形成された所望のパターンをウェハに露光する露光方法であって、
前記ウェハを請求項１乃至９のうちいずれか一項記載の収納装置に収納するステップと、
前記収納ステップで前記ウェハを収納した収納装置の内部を前記減圧又は真空雰囲気となるように排気するステップと、
前記排気ステップで内部が前記減圧又は真空雰囲気となった前記収納装置を前記露光チャンバに搬送するステップと、
前記搬送ステップで搬送された前記収納装置が収納する前記ウェハを前記露光装置に設置するステップとを有することを特徴とする露光方法。
【請求項１５】
請求項１３又は１４記載の露光方法を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には、収納装置に係り、特に、半導体ウェハ用の単結晶基板、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用のガラス基板などのデバイスを製造する露光装置に用いられるレチクル等の基板を収納する収納装置に関する。本発明は、特に、露光光源として電子線（ＥＢ：ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ  ｂｅａｍ）、Ｘ線や極端紫外線（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ  ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を利用する露光装置に好適である。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー（焼き付け）技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造する際に、レチクル（又はマスク）に描画された回路パターンを投影光学系によってウェハ等に投影して回路パターンを転写する縮小投影露光装置が従来から使用されている。
【０００３】
縮小投影露光装置で転写できる最小の寸法（解像度）は、露光に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数（ＮＡ）に反比例する。従って、波長を短くすればするほど、解像度はよくなる。このため、近年の半導体素子の微細化への要求に伴い露光光の短波長化が進められ、露光光源は、ＫｒＦエキシマレーザー（波長約２４８ｎｍ）及びＡｒＦエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）からＦ２レーザー（波長約１５７ｎｍ）に移行しており、更には、ＥＵＶ光の実用化も進んでいる。
【０００４】
波長の短い露光光は、大気中での減衰が激しいため、露光装置を露光チャンバに収納し、かかる露光チャンバ内を露光光の減衰の少ない減圧又は真空雰囲気にしている。このような露光装置では、レチクルやウェハを露光チャンバと大気中の基板供給部（ポッド）との間で搬送するために、ミニエンバイロメント及びロードロック室が設けられている。換言すれば、レチクルやウェハは、大気中のポッドからミニエンバイロメント、ロードロック室を経由して露光チャンバに搬送される。
【０００５】
露光光源にＫｒＦエキシマレーザーやＡｒＦエキシマレーザーなどを用いる露光装置においては、レチクルの搬送中に回路パターンが形成されたパターン面にパーティクル（ゴミ）が付着することを防止するために、例えば、露光光を透過する数μｍ程度の厚さの薄膜（ペリクル膜）をレチクルに設けてパターン面を保護している。
【０００６】
しかし、露光光源にＥＵＶ光を用いる露光装置（以下、「ＥＵＶ露光装置」と称する。）では、物質による露光光（即ち、ＥＵＶ光）の吸収が大きく、ペリクル膜を用いることができない。例えば、ＥＵＶ光に対して比較的透過率が高いシリコン（Ｓｉ）を材料として、膜厚０．５μｍの極めて薄いペリクル膜を用いたとしても、ＥＵＶ光に対しての透過率は４３％程度しかない。ＥＵＶ露光装置では、反射型のレチクルを用いるため、ＥＵＶ光はペリクル膜を２回通過することになり、透過率は更に低下して１８％程度になってしまう。
【０００７】
ペリクル膜がないレチクルを搬送すると、ロードロック室での真空引き（排気）の際など、レチクルの搬送中にパターン面にパーティクルが付着し、露光光が反射（及び透過）されないために露光欠陥を生じ、歩留まりが低下するといった問題を引き起こしてしまう。
【０００８】
そこで、ペリクル膜を用いることができないレチクルを搬送する際には、レチクルをカセットに収納し、かかるカセットを露光チャンバまで搬送した後にカセットからマスクを取り出すことで、レチクルへのパーティクルの付着を防止することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特許第３３２０６２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、従来のカセットに設けられたレチクルを支持する支持部材は、一般に、カセット内部の保護の理由から硬くて軽いプラスティックスを材料として用いていたために、カセットの搬送中にレチクルが支持部材に対して摺動した場合、レチクルに損傷を与えたり、支持部材（及び／又はレチクル）の表面が剥離してパーティクルを発生させてしまったりする。また、プラスティックスを材料とする支持部材は、レチクルに対して極めて硬いために集中的に圧力が加わることとなり、同様に、カセット内部にパーティクルを発生させてしまう。
【００１０】
また、支持部材は、一般には、レチクルのパターン面を下にしてレチクルを支持するために、回路パターンと支持部材との位置が近くなり、支持部材とレチクルとの接触によって発生したパーティクルが回路パターンに付着してしまう場合がある。換言すれば、従来のカセットは、カセット外部のパーティクルからレチクルを保護することができる反面、カセット内部でパーティクルを発生させてしまうと共に、カセット内部で発生したパーティクルのレチクルへの付着を防ぐことができない。
【００１１】
そこで、本発明は、内部でのパーティクルの発生を低減して、被搬送体へのパーティクルの付着を防止し、歩留まりを低下させることなく高品位な処理を行うことを可能とする収納装置、当該収納装置を用いた露光方法を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての収納装置は、第１の雰囲気から前記第１の雰囲気と異なる第２の雰囲気に被搬送体を搬送する際に使用される収納装置であって、前記被搬送体と接触する接触面を介して前記被搬送体を支持する支持部と、前記支持部に対して前記被搬送体が摺動することを防止する摺動防止手段とを有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の別の側面としての収納装置は、第１の雰囲気から前記第１の雰囲気と異なる第２の雰囲気に被搬送体を搬送する際に使用される収納装置であって、前記被搬送体を支持すると共に、前記被搬送体の摺動に追従する支持部を有することを特徴とする。
【００１４】
本発明の更に別の側面としての露光方法は、減圧又は真空雰囲気下の露光チャンバに収納された露光装置を用いてレチクルに形成された所望のパターンをウェハに露光する露光方法であって、前記レチクルを上述の収納装置に収納するステップと、前記収納ステップで前記レチクルを収納した収納装置の内部を前記減圧又は真空雰囲気となるように排気するステップと、前記排気ステップで内部が前記減圧又は真空雰囲気となった前記収納装置を前記露光チャンバに搬送するステップと、前記搬送ステップで搬送された前記収納装置が収納する前記レチクルを前記露光装置に設置するステップとを有することを特徴とする。
【００１５】
本発明の更に別の側面としての露光方法は、減圧又は真空雰囲気下の露光チャンバに収納された露光装置を用いてレチクルに形成された所望のパターンをウェハに露光する露光方法であって、前記ウェハを上述のうちいずれか一項記載の収納装置に収納するステップと、前記収納ステップで前記ウェハを収納した収納装置の内部を前記減圧又は真空雰囲気となるように排気するステップと、前記排気ステップで内部が前記減圧又は真空雰囲気となった前記収納装置を前記露光チャンバに搬送するステップと、前記搬送ステップで搬送された前記収納装置が収納する前記ウェハを前記露光装置に設置するステップとを有することを特徴とする。
【００１６】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光方法を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有することを特徴とする。
【００１７】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、内部でのパーティクルの発生を低減して、被搬送体へのパーティクルの付着を防止し、歩留まりを低下させることなく高品位な処理を行うことを可能とする収納装置、当該収納装置を用いた露光方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての収納装置について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１は、本発明の一側面としての収納装置１００の構成を示す概略断面図であって、図１（ａ）はレチクル２００を収納前、図１（ｂ）はレチクル２００の収納時の状態を示している。
【００２０】
本発明の収納装置１００は、第１の雰囲気から第１の雰囲気とは異なる第２の雰囲気に被搬送体を搬送する際に使用され、特に、真空雰囲気に維持された露光チャンバに収納されたＥＵＶ露光装置にレチクルやウェハを搬送する際に、かかるレチクルやウェハを収納するのに好適である。なお、本実施形態においては、収納装置１００は、被搬送体としてレチクル２００を収納する場合を例に説明する。
【００２１】
収納装置１００は、図１に示すように、筐体部１１０と、蓋部１２０と、支持部１３０と、気密部材１４０と、差圧除去手段１５０とを有する。
【００２２】
筐体部１１０は、筐体部１１０に取り外し可能な蓋部１２０と共同して収納空間ＣＳを形成する。収納空間ＣＳにレチクル２００を収納することで外部の雰囲気と分離することが可能となり、収納装置１００の外部のパーティクルがレチクル２００に付着することを防止している。なお、本実施形態では、蓋部１２０は、レチクル２００を収納空間ＣＳに収納するための開口を形成するために取り外し可能となっているが、筐体部１１０と蓋部１２０とを同一部材として構成し、開閉可能な窓をレチクル２００を収納するための開口部として設けてもよい。また、筐体部１１０及び蓋部１２０は、本実施形態では、筐体部１１０が板状、蓋部１２０が断面凸形状を有しているが、筐体部１１０と蓋部１２０とを接続したときに、レチクル２００を収納する収納空間ＣＳを形成することが可能であるならば形状は問わない。
【００２３】
支持部１３０は、筐体部１１０に設けられる第１の支持部１３２及び蓋部１２０に設けられる第２の支持部１３４から構成され、レチクル２００と接触する接触面１３２ａ及び１３４ａを介してレチクル２００を支持する。
【００２４】
第１の支持部１３２は、図２に示すように、矩形形状であるレチクル２００の四隅を支持（即ち、４点支持）するように筐体部１１０に配置される。なお、第１の支持部１３２は、レチクル２００の回路パターンが形成されたパターン面２１０側を支持する。即ち、第１の支持部１３２は、レチクル２１０のパターン面２１０を重力方向に向けてレチクル２００を支持するように構成されており、重力によって落下したパーティクルがパターン面２１０に付着することを防止している。ここで、図２は、図１に示す第１の支持部１３２の配置を示す概略上視図である。
【００２５】
第２の支持部１３４は、レチクル２００に関して第１の支持部材１３２と対向する位置になるように蓋部１２０に配置される。即ち、レチクル２００は、図１（ｂ）に示すように、第１の支持部材１３２及び第２の支持部材１３４に狭持されることにより固定される。
【００２６】
支持部１３０は、本実施形態では、１×１０−２Ｐａ以下のヤング率を有するフッ素ゴムなどの弾性部材から構成されており、支持部材１４０に対してレチクル２００が摺動することを防止する摺動防止手段としての機能も有する。詳細には、レチクル２００の搬送に伴う加速度がレチクル２００に働いたとしても、図３に示すように、弾性部材である支持部１３０の変形（詳細には、接触面１３２ａ及び１３４ａの変形）によって、レチクル２００と支持部１３０との間（接触面１３２ａ及び１３４ａ）に働く滑り力を緩和することができる。換言すれば、支持部１３０（接触面１３２ａ及び１３４ａ）が弾性部材であるために、レチクル２００の摺動に追従し、レチクル２００の摺動を実質的に打ち消すことができる。従って、支持部１３０に対してレチクル２００が摺動することを防止し、収納空間ＣＳに発生するパーティクルを低減することができる。支持部１３０を構成する弾性部材のヤング率が１×１０−２Ｐａより大きくなると、レチクル２００の摺動に対して変化しにくくなり、パーティクルを発生させる原因となるため好ましくない。なお、支持部１３０をフッ素ゴムで構成することで、真空雰囲気下での高分子有機ガスの放出量を抑え、所謂、コンタミの発生を低減している。ここで、図３は、支持部１３０がレチクル２００の摺動に追従している状態を示す概略断面図である。
【００２７】
また、支持部１３０が弾性部材であるため、接触面１３２ａ及び１３４ａが変形して接触面積が大きくなり、接触圧力が低くなる。これにより、レチクル２００を支持する際（即ち、レチクル２００と支持部１３０との接触時）に、レチクル２００又は支持部１３０の接触面１３２ａ及び１３４ａの一部が剥離してパーティクルとなることを低減することができる。
【００２８】
なお、本実施形態では、支持部１３０全体を弾性部材で構成しているが、少なくとも接触面１３２ａ及び１３４ａを弾性部材とすればよい。なお、支持部１３０全体を弾性部材で構成することで、筐体部１１０及び蓋部１２０との接続部においても、レチクル２００と支持部１３０と同様に、弾性変形によってパーティクルの発生を低減することができる。また、レチクル２００と支持部１３０との間には、レチクル２００の重量×レチクル２００の最大搬送速度×安全係数／摩擦係数より５０Ｎ程度の力を必要としている。
【００２９】
気密部材１４０は、例えば、フッ素ゴムから構成され、本実施形態では、筐体部１１０に設けられている。気密部材１４０は、収納空間ＣＳを外部から気密に分離する機能を有する。支持部１３０がレチクル２００を支持すると、気密部材１４０によって、筐体部１１０と蓋部１２０とを密着させた状態となり、収納空間ＣＳを気密にすることができる。これにより、外部から収納空間ＣＳにパーティクルが進入することを更に防止することができる。なお、支持部１３０と同様に、気密部材１４０をフッ素ゴムで構成することで、コンタミの発生を低減することができる。
【００３０】
差圧除去手段１５０は、例えば、管状の給排気口１５２及びバルブ１５４から構成され、収納空間ＣＳ（即ち、収納装置１００の内部）と外部との差圧を除去する。具体的には、例えば、収納装置１００が搬送されたロードロック室を真空引きする際には、バルブ１５４を開くことで、給排気口１５２を介して収納空間ＣＳと外部で差圧が発生しないようにしている。即ち、ロードロック室の真空引きによって収納空間ＣＳも真空引きされ、収納装置１００からレチクル２００を取り出す際に、筐体部１１０から蓋部１２０を取り外すために必要な力が差圧によって大きくなることを防止している。
【００３１】
また、収納装置１００を大気中に搬送する際には、ロードロック室へのエアの供給と同時にバルブ１５４を開き、給排気口１５２を介して収納空間ＣＳにパーティクルを除去したエアを供給することで、収納空間ＣＳと外部との差圧を除去し、収納空間ＣＳへエアと共にパーティクルが進入することを防止している。このように、積極的に外部の圧力の高い供給源からエアを供給することで圧損差圧がなくなるまでの時間を短縮し、スループットの向上を図ることができる。
【００３２】
差圧除去手段１５０は、例えば、ロードロック室で真空引きする際には、バルブ１５４ではなく、図４に示すような、管状の給排気口１５２にシール材１５５を介して係合するような、取り外し可能な栓１５６であってもよい。ここで、図４は、図１に示す差圧除去手段１５０の別の構成を示す概略断面図である。
【００３３】
差圧除去手段１５０は、例えば、ロードロック室でエアを供給する際には、図５に示すような、管状の給排気口１５２にシール材１５５を介して係合するような、エア導入アタッチメント１５７を用いてもよい。エア導入アタッチメント１５７によれば、給排気口１５２を介して収納空間ＣＳへ流れ込む可能性のあるバルブ１５２の開閉に伴って発生するパーティクルを低減することができる。また、図６に示すように、図４に示す栓１５６にフィルター１５８を設ければ、簡便にパーティクルの進入を防ぐと共に差圧を除去することができる。ここで、図５は、図１に示す差圧除去手段１５０の別の構成を示す概略断面図である。図６は、図４に示す差圧除去手段１５０の別の構成を示す概略断面図である。
【００３４】
動作において、収納装置１００は、筐体部１１０に設けられた第１の支持部１３２が接触面１３２ａを介してレチクル２００を支持すると、筐体部１１０に蓋部１２０が取り付けられる。蓋部１２０が取り付けられると、蓋部１１０に設けられた第２の支持部１３４によりレチクル２００は狭持され、筐体部１１０及び蓋部１２０が形成した収納空間ＣＳに固定される。これにより、収納空間ＣＳと外部とを分離し、収納空間ＣＳへのパーティクルの進入を防止することができる。また、第１の支持部１３２及び第２の支持部１３４は、弾性部材から構成されているため、レチクル２００と接触することで発生するパーティクルを低減することができる。換言すれば、収納装置１００は、レチクル２００を収納する収納空間ＣＳにおいても、パーティクルの発生を低減している。これにより、収納装置１００は、レチクル２００へのパーティクルの付着を防止し、歩留まりを低下させることなく高品位な処理を行うことを可能にしている。
【００３５】
次に、図７を参照して、図１に示す収納装置１００の変形例である収納装置１００Ａについて説明する。図７は、図１に示す収納装置１００の変形例である収納装置１００Ａの構成を示す概略断面図であって、図７（ａ）はレチクル２００を収納前、図７（ｂ）はレチクル２００の収納時の状態を示している。収納装置１００Ａは、収納装置１００と同様であるが、支持部１７０の構成が異なる。
【００３６】
支持部１７０は、本実施形態では、蓋部１２０に設けられ、レチクル２００と接触する接触面がレチクル２００を吸着する吸着部１７２となっている。吸着部１７２は、本実施形態では、ポリミイドから構成される静電チャックとして具体化され、かかる静電チャックに電圧を供給するための電極１７３が接続されている。吸着部１７２は、電極１７３に印加電圧を加えることで静電吸着力を発生し、かかる静電吸着力によってレチクル２００を吸着する。なお、レチクル２００を吸着するために必要な静電吸着力は、レチクル２００の重量×レチクル２００の最大搬送速度×安全係数／摩擦係数より５０Ｎ程度である。収納装置１００Ａは、吸着部１７２がレチクル２００を吸着すると、筐体部１１０に蓋部１２０を取り付ける。これにより、レチクル２００を収納した気密な収納空間ＣＳが形成され、外部からパーティクルが進入することを防止することができる。
【００３７】
吸着部１７２は、図８に示すように、矩形形状であるレチクル２００の外周部を吸着するように、四角枠形状に蓋部１２０に配置される。吸着部１７２を１つの部材で構成することで、電極１７３に電圧を供給する電圧供給機構を１系統のみにすることが可能であるために有利である。また、吸着部１７２を蓋部１２０に配置するのは、レチクル２００のパターン面２１０を重力方向に向けてレチクル２００を吸着するためである。これは、真空中に存在するパーティクルに働く力として重力が存在し、かかる重力によってパーティクルが落下するため、パターン面２１０を重力方向に向けて吸着することが望ましいからである。また、支持部１３０のような重力による支持とは異なり、吸着部１７２は、図７（ｂ）に示すように、レチクル２００の非パターン面（即ち、パターン面２１０の反対側の面）で接触し、レチクル２００を支持することが可能であるため、接触部とパターン面２１０を離すことが可能となり、接触によって発生するパーティクルがパターン面２１０に付着する確率を低減している。ここで、図８は、図７に示す吸着部１７２の配置を示す概略上視図である。
【００３８】
吸着部１７２は、静電吸着力を面で発生するためレチクル２００と接触する接触面積が大きくなり、接触圧力が低くなる。これにより、レチクル２００を支持する際（即ち、吸着部１７２がレチクル２００を吸着する際）に、レチクル２００又は吸着部１７２の一部が剥離してパーティクルとなることを低減することができる。
【００３９】
吸着部１７２は、給電を一時的に中断しても、残留する静電吸着力によってレチクル２００を吸着することができる。従って、例えば、収納装置１００Ａを露光チャンバに搬送する際に、電極１７３と図示しない電圧供給機構とを接続するケーブルを常に接続させておく必要がない。即ち、収納装置１００Ａの搬送時にケーブルが邪魔になったり、搬送ができなくなったりするといった問題を生じない。また、搬送時間が短い場合や十分に残留電荷があるような場合には、搬送前にのみ（即ち、レチクル２００の吸着時のみ）に吸着部１７２に電圧を供給すればよい。この場合には、搬送経路の途中、例えば、ロードロック室などに電圧供給機構を設置しなくてもよいという利点がある。
【００４０】
なお、吸着部１７２を構成する誘電体の材質を摺動があってもパーティクルの発生が少ないポリミイドとすることで、パーティクルの発生を更に抑制している。また、ポリミイドを用いた吸着部１７２は、他の材質と比較して、残留電荷も大きいために、上述したように、ロードロック室などに電圧供給機構を設置しなくてもよいという効果も得られる。
【００４１】
以下、図９を参照して、収納装置１００又は収納装置１００Ａを用いた露光方法について説明する。なお、本実施形態では、収納装置１００を用いた露光方法を例に説明するが、収納装置１００Ａを用いた露光方法も同様である。ここで、図９は、本発明の一側面としての露光方法１０００を説明するための概略断面図である。露光方法１０００は、減圧又は真空雰囲気下の露光チャンバ５００に収納された露光装置６００を用いてレチクル２００に形成されたレチクルパターンをウェハ７００に露光する露光方法である。
【００４２】
まず、図９（ａ）に示すように、レチクル２００を図示しない清浄な環境下で、筐体部１１０に設けられた第１の支持部１３２に載置する。次いで、図９（ｂ）に示すように、レチクル２００を載置した筐体部１１０に蓋部１２０を取り付け、収納空間ＣＳにレチクル２００を収納する。このとき、収納装置１００は、ハンドＨＤによって筐体部１１０と蓋部１２０が密着した状態となっている。
【００４３】
レチクル２００を収納した収納装置１００は、図９（ｃ）に示すように、図示しない清浄な環境下でポッド３００内に設置される。ポッド３００は、例えば、ＳＭＩＦやＦＯＵＰなどが知られている。次に、ポッド３００とロードロック室４００との間のバルブ３５０を開ける。なお、説明を簡単にするために、本実施形態では、ミニエンバイロメントは省略している。ミニエンバイロメントとは、ポッド３００とロードロック室４００との間に設けられ、清浄なエアを循環させるなどしてクラス１以下の洗浄度に保たれた空間である。
【００４４】
バルブ３５０が開かれると、図９（ｄ）に示すように、ポット３００からロードロック室４００に収納装置１００を搬送し、ポッド３００とロードロック室４００との間のバルブ３５０を閉める。収納装置１００の給排気口１５２に設けられたバルブ１５４を開き、図示しない真空ポンプによってロードロック室４００の真空度が１×１０−４Ｐａ程度となるまで真空引きを行う。このとき、給排気口１５２に設けられたバルブ１５４は開かれているので、図９（ｅ）に示すように、収納装置１００の収納空間ＣＳも同時に真空引きされる。なお、図示しない真空排気ポンプを給排気口１５２に接続してロードロック室４００と同時に真空引きを行ってもよい。
【００４５】
ロードロック室４００の真空度が１×１０−４Ｐａ程度になったら真空引きを停止し、給排気口１５２のバルブ１５４を閉じる。次いで、ロードロック室４００と露光チャンバ５００との間のバルブ４５０を開け、ロードロック室４００から露光チャンバ５００に収納装置１００を搬送する。
【００４６】
露光チャンバ５００に収納装置１００を搬送したら、ロードロック室４００と露光チャンバ５００との間のバルブ４５０を閉じる。次いで、図９（ｆ）に示すように、筐体部１１０から蓋部１２０を取り外し、収納装置１００からレチクル２００を取り出す。収納装置１００から取り出されたレチクル２００は、図９（ｇ）に示すように、露光チャンバ５００に設置された露光装置６００のレチクルステージ６２０に装着する。
【００４７】
レチクルステージ６２０にレチクル２００が装着されると、図示しないＥＵＶ光源から射出したＥＵＶ光がＥＵＶ照明光学系６１０を介してレチクルステージ６２０上のレチクル２００に導かれる。レチクル２００で反射され、レチクルパターンを反映したＥＵＶ光は、複数枚の反射ミラーから構成される投影光学系６３０を介してウェハステージ６４０上に載置されたウェハ７００上に結像する。なお、レチクル２００はレチクルステージ６２０によって、ウェハ７００はウェハステージ６４０によってスキャン（走査）され、レチクルパターン全面が転写される。
【００４８】
露光方法１０００によれば、レチクル２００を清浄な収納装置１００の収納空間ＣＳに収納して搬送しているために、搬送によってレチクル２００（特に、レチクル２００のレチクルパターン）にパーティクルが付着することが低減され、歩留まりを低下させることなく高品位な露光を行うことができる。
【００４９】
露光方法１０００は、本実施形態では、ポッド３００を設置しているが、収納装置１００が、ロードロック室４００と露光チャンバ５００との間のバルブ４５０を介して、収納装置１００の蓋部１２０を筐体部１１０から取り外し可能な構成であるならば、ポッド３００を必要とせず、収納装置１００をポッド３００に搬送しなくてもよい。
【００５０】
露光の終了後に別のレチクルをレチクルステージ６２０に装着するために、レチクル２００を回収する方法を説明する。図１０は、露光装置６００のレチクルステージ６２０に装着されたレチクル２００を回収する方法を説明するための概略断面図である。
【００５１】
まず、図１０（ａ）に示すように、レチクルステージ６２０に装着されたレチクル２００を取り外し、筐体部１１０に設けられた第１の支持部１３２に載置する。次いで、図１０（ｂ）に示すように、レチクル２００を載置した筐体部１１０に蓋部１２０を取り付け、収納空間ＣＳにレチクル２００を収納する。このとき、収納装置１００は、ハンドＨＤによって筐体部１１０と蓋部１２０が密着した状態となっている。
【００５２】
レチクル２００を収納装置１００に収納したら、図１０（ｃ）に示すように、ロードロック室４００と露光チャンバ５００との間のバルブ４５０を開き、露光チャンバ５００からロードロック室４００に収納装置１００を搬送する。ロードロック室４００に収納装置１００を搬送したら、ロードロック室４００と露光チャンバ５００との間のバルブ４５０を閉じ、図示しないエア供給源から清浄なエアをロードロック室４００の圧力が大気圧になるまで供給する。なお、ロードロック室４００へのエアの供給と同時に、図１０（ｄ）に示すように、給排気口１５２のバルブ１５４を開き、図示しないエア供給源からの清浄なエアが収納装置１００の収納空間ＣＳにも供給されるようにする。これにより、収納装置１００の収納空間ＣＳの圧力も大気圧となる。
【００５３】
次に、図１０（ｅ）に示すように、ポッド３００とロードロック室４００とのバルブ３５０を開き、ロードロック室４００からポッド３００に収納装置１００を搬送する。そして、ポッド３００とロードロック室４００との間のバルブ３５０を閉じ、図１０（ｆ）に示しように、図示しない清浄な環境下で、筐体部１１０から蓋部１２０を取り外し、収納装置１００からレチクル２００を取り出す。
【００５４】
次に、図１１及び図１２を参照して、上述の露光方法１０００を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図１１は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。本実施形態においては、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて本発明のリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
【００５５】
図１２は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光方法１０００によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも歩留まりよく高品位のデバイスを製造することができる。このように、本発明のリソグラフィー技術を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００５６】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、本発明は、ＥＵＶ光を露光光源とする露光装置だけでなく、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザーなどを露光光源とする露光装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一側面としての収納装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】図１に示す第１の支持部の配置を示す概略上視図である。
【図３】支持部がレチクルの摺動に追従している状態を示す概略断面図である。
【図４】図１に示す差圧除去手段の別の構成を示す概略断面図である。
【図５】図１に示す差圧除去手段の別の構成を示す概略断面図である。
【図６】図４に示す差圧除去手段の別の構成を示す概略断面図である。
【図７】図１に示す収納装置の変形例である収納装置の構成を示す概略断面図である。
【図８】図７に示す吸着部の配置を示す概略上視図である。
【図９】本発明の一側面としての露光方法を説明するための概略断面図である。
【図１０】露光装置のレチクルステージに装着されたレチクルを回収する方法を説明するための概略断面図である。
【図１１】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図１２】図１１に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００５８】
１００              収納装置
１１０              筐体部
１２０              蓋部
１３０              支持部
１３２              第１の支持部
１３２ａ            接触面
１３４              第２の支持部
１３４ａ            接触面
１４０              気密部材
１５０              差圧除去手段
１５２              給排気口
１５４              バルブ
１５５              シール材
１５６              栓
１５７              エア導入アタッチメント
１００Ａ            収納装置
１７０              支持部
１７２              吸着部
１７３              電極
２００              レチクル
２１０              パターン面
３００              ポッド
４００              ロードロック室
５００              露光チャンバ
６００              露光装置
７００              ウェハ
【図１】
2005123292.tif 000003
【図２】
2005123292.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2005123292.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005123292.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005123292.tif 000011
【図１０】
2005123292.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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