(57)【要約】【解決手段】  （Ａ）一分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有するオルガノポリシロキサン、（Ｂ）ＳｉＯ2単位、Ｒ3nＲ4pＳｉＯ0.5単位及びＲ3qＲ4rＳｉＯ0.5単位からなるレジン構造のオルガノポリシロキサン（Ｒ3はビニル基又はアリル基、Ｒ4は脂肪族不飽和結合を含まない一価炭化水素基、ｎは２又は３、ｐは０又は１、ｎ＋ｐ＝３、ｑは０又は１、ｒは２又は３、ｑ＋ｒ＝３）（Ｃ）オルガノハイドロジェンポリシロキサン、（Ｄ）白金族金属系触媒を含有してなり、前記（Ｂ）成分は、前記（Ａ）及び（Ｂ）成分の合計量に対して２０〜７０質量％の量で配合されているシリコーンゴム組成物。【効果】  本発明によれば、耐衝撃性に優れ、シリコーンエラストマーの欠点である表面タックによる埃の付着のない硬化物が得られる。【選択図】  図１
2005042099.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）一分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有し、粘度が２５℃で１０〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓであるオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）ＳｉＯ2単位、Ｒ3nＲ4pＳｉＯ0.5単位及びＲ3qＲ4rＳｉＯ0.5単位からなるレジン構造のオルガノポリシロキサン（但し、上記式において、Ｒ3はビニル基又はアリル基、Ｒ4は脂肪族不飽和結合を含まない一価炭化水素基であり、ｎは２又は３、ｐは０又は１で、ｎ＋ｐ＝３、ｑは０又は１、ｒは２又は３で、ｑ＋ｒ＝３である。）
（Ｃ）一分子中に２個以上のケイ素原子に結合する水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（Ｄ）白金族金属系触媒
を含有してなり、前記（Ｂ）成分は、前記（Ａ）及び（Ｂ）成分の合計量に対して２０〜７０質量％の量で配合されていることを特徴とするシリコーンゴム組成物。
【請求項２】
（Ａ）成分が、下記一般式（１）
【化１】
2005042099.tif 000047
（式中、Ｒ1は互いに同一又は異種の非置換又は置換一価炭化水素基、Ｒ2は互いに同一又は異種の脂肪族不飽和結合を有さない非置換又は置換一価炭化水素基であり、ｋ，ｍは０又は正の整数であり、ｋ＋ｍがこのオルガノポリシロキサンの２５℃の粘度を１０〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓとする数である。）
で表されるオルガノポリシロキサンである請求項１記載のシリコーンゴム組成物。
【請求項３】
更に、（Ｅ）接着助剤を配合した請求項１又は２記載のシリコーンゴム組成物。
【請求項４】
（Ｅ）成分の接着助剤が、下記一般式（３）
【化２】
2005042099.tif 000048
（式中、Ｒ6は、下記式（４）
【化３】
2005042099.tif 000049
で表される有機基又は脂肪族不飽和結合を含有する一価炭化水素基であるが、少なくとも１個は式（４）の有機基であり、Ｒ7は水素原子又は炭素数１〜６の一価炭化水素基、ｓは１〜６の整数である。）
で表されるイソシアヌレート化合物及び／又はその加水分解縮合物である請求項３記載のシリコーンゴム組成物。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項記載のシリコーンゴム組成物からなる透明な発光半導体被覆保護材。
【請求項６】
発光半導体素子が開口部を有するセラミック及び／又はプラスチック筐体内に配置された発光半導体装置で、その筐体内部が請求項５記載の被覆保護材の硬化物で被覆保護された発光半導体装置。
【請求項７】
発光半導体素子が開口部を有するセラミック及び／又はプラスチック筐体内のリード電極上に配置された発光半導体装置で、その筐体内部が請求項５記載の被覆保護材の硬化物で被覆保護された発光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、付加硬化型のシリコーンゴム組成物に関するものであり、特にゴム的性質と強度特性が良好であり、表面のタック性が殆どないシリコーンゴムを与えるシリコーンゴム組成物に関する。
また、本発明は、硬化物表面における埃付着が全くなく、かつ低弾性で耐クラック性に優れた発光半導体被覆保護材及びこれを用いて発光半導体素子を被覆してなる発光半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコーンゴム組成物は、耐候性、耐熱性等の特性や、硬度、伸び等のゴム的性質に優れた硬化物を形成することから、種々の用途に使用されているが、表面にタック性があり、電気電子部品のコート剤等では埃の付着が問題となっていた（特許文献１：特開２００１−２９２２号公報）。
【０００３】
また、これを解決したシリコーンワニスでは、クラックの発生が起こり、問題となっていた。このため、電気電子部品等のパッケージにおいて硬化物表面に埃の付着がなく、かつ耐クラック性に優れた硬化物を形成し得るようなシリコーンゴム組成物が望まれている。
【０００４】
この場合、一般に、付加硬化型のシリコーンゴム組成物においては、レジン状のオルガノポリシロキサンを配合することにより、硬化物の強度を向上させ得ることが、従来から知られている。しかしながら、レジン状のオルガノポリシロキサンにより硬化物の強度を高めた時でも、表面にタックが残り、埃の付着の問題があった。
【０００５】
一方、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の発光半導体装置には素子がリード電極上に配置され、その周囲を透明樹脂で覆われた砲弾型と称される図３のような発光半導体装置が使用されていたが、近年実装工程の簡略化から図１及び図２に示されるような「表面実装型」と称される発光半導体装置が主流になりつつある。
【０００６】
なお、図１〜３において、１はガラス繊維強化エポキシ樹脂製筐体、２は発光素子、３，４はリード電極、５はダイボンド材、６は金線、７は被覆保護材である。
【０００７】
発光ダイオード（ＬＥＤ）等の発光半導体素子の被覆保護用樹脂組成物としては、その硬化体が透明性を有することが要求されており、一般にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂と酸無水物系硬化剤を用いて得られるものが用いられている（特許文献２：特許第３２４１３３８号公報、特許文献３：特開平７−２５９８７号公報参照）。
【０００８】
しかし、かかる透明エポキシ樹脂においても、樹脂の吸水率が高いために耐湿耐久性が低い、特に短波長の光に対する光線透過性が低いために耐光耐久性が低い、あるいは光劣化により着色するという欠点を有していた。
【０００９】
そのため、ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を一分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、及び一分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、ヒドロシリル化触媒からなる光半導体素子の被覆保護用樹脂組成物も提案されている（特許文献４：特開２００２−３２７１２６号公報、特許文献５：特開２００２−３３８８３３号公報参照）。
【００１０】
しかし、このようなシリコーン系の硬化物は耐クラック性を改良しようすると一般に硬化物表面にタックがのこり、埃が容易に付着し光の透過性を損なう欠点がある。そのため、高硬度シリコーン樹脂を保護被覆用に使用したものが提案されている（特許文献６：特開２００２−３１４１３９号公報、特許文献７：特開２００２−３１４１４３号公報参照）。
【００１１】
しかし、これらの高硬度シリコーン樹脂ではまだ接着性が乏しく、セラミック及び／又はプラスチック筐体内に発光素子が配置され、その筐体内部をシリコーン樹脂で充填したケース型の発光半導体装置では、−４０℃〜１２０℃での熱衝撃試験で、シリコーン樹脂が筐体のセラミックやプラスチックから剥離してしまう問題点が生じていた。
【００１２】
また更に、発光素子に使用されるＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＡｌＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ等の各種の化合物半導体の光学結晶の屈折率が高いため、被覆保護樹脂の屈折率がジメチル系シリコーン樹脂のように低い場合、被覆樹脂と光学結晶との界面で反射して発光効率が低下する欠点があった。
【００１３】
このため、出光率を高めるための手段として反射防止膜をつけるなどの手法が提案されている（特許文献８：特開２００１−２４６２３６号公報、特許文献９：特開２００１−２１７４６７号公報参照）。しかし、反射防止膜を作製するためには工程が増え、コスト高になってしまう。
【００１４】
【特許文献１】特開２００１−２９２２号公報
【特許文献２】特許第３２４１３３８号公報
【特許文献３】特開平７−２５９８７号公報
【特許文献４】特開２００２−３２７１２６号公報
【特許文献５】特開２００２−３３８８３３号公報
【特許文献６】特開２００２−３１４１３９号公報
【特許文献７】特開２００２−３１４１４３号公報
【特許文献８】特開２００１−２４６２３６号公報
【特許文献９】特開２００１−２１７４６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
従って、本発明の目的は、伸び等のゴム的性質が損なわれることなく、硬度や表面タック性が向上した硬化物を形成し得る付加硬化型のシリコーンゴム組成物を提供することにある。
本発明の他の目的は、表面タック性がなく、かつ接着性に優れ、しかも耐衝撃性、光透過性に優れた発光半導体被覆保護材及びこれを用いて被覆され、発光効率の高い発光半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討を行った結果、付加硬化型のシリコーンゴム組成物に、ＳｉＯ2単位、Ｒ3nＲ4pＳｉＯ0.5単位及びＲ3qＲ4rＳｉＯ0.5単位からなるレジン構造のオルガノポリシロキサン（但し、上記式において、Ｒ3はビニル基又はアリル基、Ｒ4は脂肪族不飽和結合を含まない一価炭化水素基であり、ｎは２又は３、ｐは０又は１で、ｎ＋ｐ＝３、ｑは０又は１、ｒは２又は３で、ｑ＋ｒ＝３である。）を特定量配合することにより、伸び等のゴム的性質を損なうことなく、硬度や表面タック性を向上させることができ、埃の付着も防止し得ることを知見した。
【００１７】
また、下記一般式（１）で表され、粘度が２５℃で１０〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓであるオルガノポリシロキサンと、上記レジン構造のオルガノポリシロキサンの特定量とを併用することにより得られた付加反応硬化型シリコーンゴム組成物の硬化物が、表面タック性もなく、低弾性及び透明性を兼ね備え、接着性も良好で、発光半導体被覆保護材として効果的に用いられることを知見し、本発明をなすに至った。
【００１８】
従って、本発明は、
（Ａ）一分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有し、粘度が２５℃で１０〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓであるオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）ＳｉＯ2単位、Ｒ3nＲ4pＳｉＯ0.5単位及びＲ3qＲ4rＳｉＯ0.5単位からなるレジン構造のオルガノポリシロキサン（但し、上記式において、Ｒ3はビニル基又はアリル基、Ｒ4は脂肪族不飽和結合を含まない一価炭化水素基であり、ｎは２又は３、ｐは０又は１で、ｎ＋ｐ＝３、ｑは０又は１、ｒは２又は３で、ｑ＋ｒ＝３である。）
（Ｃ）一分子中に２個以上のケイ素原子に結合する水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（Ｄ）白金族金属系触媒
を含有してなり、前記（Ｂ）成分は、前記（Ａ）及び（Ｂ）成分の合計量に対して２０〜７０質量％の量で配合されていることを特徴とするシリコーンゴム組成物を提供する。
【００１９】
また、本発明は、上記シリコーンゴム組成物、特に上記（Ａ）成分が下記一般式（１）で表され、粘度が２５℃で１０〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓであるオルガノポリシロキサンであるシリコーンゴム組成物からなる透明な発光半導体被覆保護材を提供する。
【００２０】
【化１】
2005042099.tif 000003
（式中、Ｒ1は互いに同一又は異種の非置換又は置換一価炭化水素基、Ｒ2は互いに同一又は異種の脂肪族不飽和結合を有さない非置換又は置換一価炭化水素基であり、ｋ，ｍは０又は正の整数であり、ｋ＋ｍがこのオルガノポリシロキサンの２５℃の粘度を１０〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓとする数である。）
【００２１】
更に、本発明は、発光半導体素子が開口部を有するセラミック及び／又はプラスチック筐体内に配置された発光半導体装置で、その筐体内部が上記被覆保護材の硬化物で被覆保護された発光半導体装置、及び発光半導体素子が開口部を有するセラミック及び／又はプラスチック筐体内のリード電極上に配置された発光半導体装置で、その筐体内部が上記被覆保護材の硬化物で被覆保護された発光半導体装置を提供する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、耐衝撃性に優れ、シリコーンエラストマーの欠点である表面タックによる埃の付着のない硬化物が得られる。また、本発明の発光半導体被覆保護材で被覆保護された発光半導体装置は、耐熱試験による変色も少なく、発光効率も高いため長寿命で省エネルギーに優れる発光半導体装置を提供することが可能となり、産業上のメリットは多大である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
（Ａ）オルガノポリシロキサン
（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンとしては、一分子中に２個以上のビニル基、アリル基等の炭素数２〜８、特に２〜６のアルケニル基で代表される脂肪族不飽和結合を有し、粘度が２５℃で１０〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓ、特に１００〜１００，０００ｍＰａ・ｓであれば、いずれのものでも使用することができるが、なかでも下記一般式（１）で表される分子鎖両末端のケイ素原子上にそれぞれ少なくとも１個のアルケニル基を有する直鎖状オルガノポリシロキサンで、上記でも述べた通り、２５℃における粘度が１０〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓのものが作業性、硬化性などから望ましいものである。なお、この直鎖状オルガノポリシロキサンは少量の分岐状構造（三官能性シロキサン単位）を分子鎖中に含有するものであってもよい。
【００２４】
【化２】
2005042099.tif 000004
（式中、Ｒ1は互いに同一又は異種の非置換又は置換一価炭化水素基、Ｒ2は互いに同一又は異種の脂肪族不飽和結合を有さない非置換又は置換一価炭化水素基であり、ｋ，ｍは０又は正の整数であり、ｋ＋ｍがこのオルガノポリシロキサンの２５℃の粘度を１０〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓとする数である。）
【００２５】
ここで、Ｒ1の一価炭化水素基としては、炭素数１〜１０、特に１〜６のものが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基や、これらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換したもの、例えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基やシアノエチル基等が挙げられる。
また、Ｒ2の一価炭化水素基としても、炭素数１〜１０、特に１〜６のものが好ましく、上記Ｒ1の具体例と同様のものが例示できるが、但しアルケニル基は含まない。
ｋ，ｍは、一般的には５≦ｋ＋ｍ≦１０，０００を満足する０又は正の整数であり、好ましくは１０≦ｋ＋ｍ≦２，０００で、０＜ｋ／（ｋ＋ｍ）≦０．２を満足する整数である。
【００２６】
（Ａ）成分として具体的には、下記のものを例示することができる。
【化３】
2005042099.tif 000005
（上記式において、ｔは８〜２，０００の整数である。）
【００２７】
【化４】
2005042099.tif 000006
【００２８】
【化５】
2005042099.tif 000007
（上記式において、ｋ，ｍは上述した通りである。）
【００２９】
（Ｂ）レジン構造のオルガノポリシロキサン
本発明組成物の重要な構成成分であるレジン構造（即ち、三次元網状構造）のオルガノポリシロキサンは、ＳｉＯ2単位、Ｒ3nＲ4pＳｉＯ0.5単位及びＲ3qＲ4rＳｉＯ0.5単位からなるレジン構造のオルガノポリシロキサン（但し、上記式において、Ｒ3はビニル基又はアリル基、Ｒ4は脂肪族不飽和結合を含まない一価炭化水素基であり、ｎは２又は３、ｐは０又は１で、ｎ＋ｐ＝３、ｑは０又は１、ｒは２又は３で、ｑ＋ｒ＝３である。）である。
なお、Ｒ4の一価炭化水素基としては、上記Ｒ2と同様の炭素数１〜１０、特に１〜６のものが挙げられる。
【００３０】
ここで、ＳｉＯ2単位をａ単位、Ｒ3nＲ4pＳｉＯ0.5単位をｂ単位、Ｒ3qＲ4rＳｉＯ0.5単位をｃ単位とした場合、モル比として、
（ｂ＋ｃ）／ａ＝０．３〜３、特に０．７〜１
ｃ／ａ＝０．０１〜１、特に０．０７〜０．１５
であることが好ましく、またこの（Ｂ）成分のオルガノポリシロキサンは、ＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量が５００〜１０，０００の範囲であるものが好適である。
【００３１】
なお、この（Ｂ）成分のレジン構造のオルガノポリシロキサンは、上記ａ単位、ｂ単位、ｃ単位に加えて、更に、二官能性シロキサン単位や三官能性シロキサン単位（即ち、オルガノシルセスキオキサン単位）を本発明の目的を損なわない範囲で少量含有するものであってもよい。
【００３２】
このようなレジン構造のオルガノポリシロキサンは、各単位源となる化合物を、上記モル割合となるように組み合わせ、例えば酸の存在下で共加水分解を行うことによって容易に合成することができる。
【００３３】
ここで、前記ａ単位源としては、ケイ酸ソーダ、アルキルシリケート、ポリアルキルシリケート、四塩化ケイ素等を例示することができる。
【００３４】
また、ｂ単位源としては、下記のものを例示することができる。
【化６】
2005042099.tif 000008
【００３５】
更に、ｃ単位源としては、下記のものを例示することができる。
【化７】
2005042099.tif 000009
【００３６】
上記（Ｂ）成分のレジン構造のオルガノポリシロキサンは、硬化物の物理的強度及び表面のタック性を改善するために配合されるものであり、先にも説明した通り、前記（Ａ）成分との合計量当り、２０〜７０質量％の量で配合される。好ましくは３０〜６０質量％配合される。（Ｂ）成分の配合量が少なすぎると、上記効果が十分達成されず、多すぎると、組成物の粘度が著しく高くなったり、硬化物にクラックが発生し易くなるなどの不利が生ずる。
【００３７】
（Ｃ）オルガノハイドロジェンポリシロキサン
（Ｃ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは架橋剤として作用するものであり、該成分中のＳｉＨ基と（Ａ）及び（Ｂ）成分中のビニル基とが付加反応することにより硬化物を形成するものである。かかるオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子（即ち、ＳｉＨ基）を２個以上有するものであればいずれのものでもよいが、特に下記平均組成式（２）
Ｈa（Ｒ5）bＳｉＯ(4-a-b)/2                          （２）          
（式中、Ｒ5は脂肪族不飽和結合を含有しない同一又は異種の非置換又は置換の一価炭化水素基であり、ａ及びｂは、０．００１≦ａ＜２、０．７≦ｂ≦２、かつ０．８≦ａ＋ｂ≦３を満たす数である。）
で表され、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を少なくとも２個、好ましくは３個以上有するものが挙げられる。
【００３８】
ここで、上記式（２）中のＲ5は、脂肪族不飽和結合を含有しない同一又は異種の非置換又は置換の炭素数１〜１０、特に炭素数１〜７の一価炭化水素基であることが好ましく、例えばメチル基等の低級アルキル基、フェニル基等のアリール基、前述の一般式（１）の置換基Ｒ2で例示したものが挙げられる。また、ａ及びｂは、０．００１≦ａ＜２、０．７≦ｂ≦２、かつ０．８≦ａ＋ｂ≦３を満たす数であり、好ましくは０．０５≦ａ≦１、０．８≦ｂ≦２、かつ１≦ａ＋ｂ≦２．７となる数である。ケイ素原子に結合した水素原子の位置は特に制約はなく、分子の末端でも途中でもよい。
【００３９】
上記オルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位とから成る共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位と（Ｃ6Ｈ5）3ＳｉＯ3/2単位とから成る共重合体などが挙げられる。
また、下記構造で示されるような化合物も使用することができる。
【００４０】
【化８】
2005042099.tif 000010
【００４１】
このオルガノハイドロジェンポリシロキサンの分子構造は、直鎖状、環状、分岐状、三次元網状構造のいずれであってもよいが、一分子中のケイ素原子の数（又は重合度）は３〜１，０００、特に３〜３００程度のものを使用することができる。
【００４２】
このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、通常、Ｒ5ＳｉＨＣｌ2、（Ｒ5）3ＳｉＣｌ、（Ｒ5）2ＳｉＣｌ2、（Ｒ5）2ＳｉＨＣｌ（Ｒ5は、前記の通りである）のようなクロロシランを加水分解するか、加水分解して得られたシロキサンを平衡化することにより得ることができる。
【００４３】
なお、このオルガノハイドロジェンポリシロキサンの配合量は、上記（Ａ）、（Ｂ）成分の硬化有効量であり、特にそのＳｉＨ基が（Ａ）成分及び（Ｂ）成分中のアルケニル基（例えばビニル基）の合計量当たり０．１〜４．０、特に好ましくは１．０〜３．０、更に好ましくは１．２〜２．８のモル比で使用されることが好ましい。０．１未満では硬化反応が進行せずシリコーンゴム硬化物を得ることが困難であり、４．０を超えると、未反応のＳｉＨ基が硬化物中に多量に残存するため、ゴム物性が経時的に変化する原因となる場合が生じる。
【００４４】
（Ｄ）白金族金属系触媒
この触媒成分は、本発明の組成物の付加硬化反応を生じさせるために配合されるものであり、白金系、パラジウム系、ロジウム系のものがあるが、コスト等の見地から白金、白金黒、塩化白金酸などの白金系のもの、例えば、Ｈ2ＰｔＣｌ6・ｍＨ2Ｏ，Ｋ2ＰｔＣｌ6，ＫＨＰｔＣｌ6・ｍＨ2Ｏ，Ｋ2ＰｔＣｌ4，Ｋ2ＰｔＣｌ4・ｍＨ2Ｏ，ＰｔＯ2・ｍＨ2Ｏ（ｍは、正の整数）等や、これらと、オレフィン等の炭化水素、アルコール又はビニル基含有オルガノポリシロキサンとの錯体等を例示することができ、これらは単独でも、２種以上の組み合わせでも使用することができる。これらの触媒成分の配合量は、所謂触媒量でよく、通常、前記（Ａ）〜（Ｃ）成分の合計量に対して白金族金属換算（質量）で０．１〜１，０００ｐｐｍ、好ましくは０．５〜２００ｐｐｍの範囲で使用される。
【００４５】
（Ｅ）接着助剤
本発明の組成物には、これを硬化して得られる硬化物の接着性を向上させるため、ケイ素原子結合アルコキシ基を有するオルガノシラン、オルガノポリシロキサン等の有機ケイ素化合物などの接着助剤を任意成分として必要に応じて添加配合してもよい。このような有機ケイ素化合物としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、メチルフェニルジエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアルコキシシラン化合物及び一分子中にケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）、ケイ素原子に結合したアルケニル基（例えばＳｉ−ＣＨ＝ＣＨ2基）、アルコキシシリル基（例えばトリメトキシシリル基等のトリアルコキシシリル基など）、エポキシ基（例えばグリシドキシプロピル基、３，４−エポキシシクロヘキシルエチル基）から選ばれる官能性基を少なくとも２種、好ましくは２又は３種含有する、通常、ケイ素原子数４〜３０、特には４〜２０程度の、直鎖状又は環状構造のシロキサン化合物（オルガノシロキサンオリゴマー）が挙げられる。
【００４６】
この場合、接着助剤として、下記一般式（３）で示されるオルガノオキシシリル変性イソシアヌレート化合物及び／又はその加水分解縮合物（オルガノシロキサン変性イソシアヌレート化合物）が好適に使用される。
【化９】
2005042099.tif 000011
（式中、Ｒ6は、下記式（４）
【化１０】
2005042099.tif 000012
で表される有機基又は脂肪族不飽和結合を含有する一価炭化水素基であるが、少なくとも１個は式（４）の有機基であり、Ｒ7は水素原子又は炭素数１〜６の一価炭化水素基、ｓは１〜６、特に１〜４の整数である。）
【００４７】
この場合、Ｒ6の脂肪族不飽和結合を含有する一価炭化水素基としては、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数２〜８、特に２〜６のアルケニル基が挙げられる。また、Ｒ7の一価炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基等の上記Ｒ6として例示したものと同様のアルケニル基、フェニル基等のアリール基などの炭素数１〜８、特に１〜６の一価炭化水素基が挙げられ、好ましくはアルキル基である。
【００４８】
（Ｅ）成分の接着助剤として、下記式に示される化合物が例示される。
【化１１】
2005042099.tif 000013
（式中、ｍ，ｎはそれぞれｍ＋ｎが２〜５０、好ましくは４〜２０を満足する正の整数である。）
【００４９】
【化１２】
2005042099.tif 000014
【００５０】
【化１３】
2005042099.tif 000015
【００５１】
このような有機ケイ素化合物の内、得られる硬化物の接着性が特に優れている化合物としては、一分子中にケイ素原子結合アルコキシ基とアルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子（ＳｉＨ基）を有する有機ケイ素化合物であることが好ましい。
【００５２】
本発明において、上記（Ｅ）成分（任意成分）の接着助剤の配合量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との合計１００質量部に対して、通常１０質量部以下（即ち、０〜１０質量部）、好ましくは０．０１〜５質量部、より好ましくは０．１〜１質量部程度配合することができる。（Ｅ）成分の配合量が少なすぎると基材に対する接着性に劣る場合があり、多すぎると硬化物の硬度や表面タック性に悪影響を及ぼす場合がある。
【００５３】
なお、本発明のシリコーンゴム組成物は、発光半導体被覆保護材として使用することができるが、上記のように接着助剤を配合することにより、得られた被覆保護材は、接着力が強いため樹脂硬化や実装時のＩＲリフローによる剥離を起こすことはない。また、その硬化物はデュロメータタイプＡで７０以上の硬さをもち、硬化物の表面に対する埃の付着もなく、低弾性特性を有することからセラミックやプラスチックの筐体との熱膨張係数の違いによる応力を吸収できるため、低温側−４０℃、高温側１２０℃の熱衝撃試験を１，０００サイクル行ってもクラックが発生することはない。
【００５４】
本発明の組成物には、上述した（Ａ）〜（Ｅ）成分以外にも、必要に応じて、それ自体公知の各種の添加剤を配合することができる。例えば、ヒュームドシリカ、ヒュームド二酸化チタン等の補強性無機充填剤、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、二酸化チタン、酸化第二鉄、カーボンブラック、酸化亜鉛等の非補強性無機充填剤を、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量１００質量部当り６００質量部以下の範囲で適宜配合することができる。
【００５５】
本発明のシリコーンゴム組成物は、上述した各成分を均一に混合することによって調製されるが、通常は、硬化が進行しないように２液に分けて保存され、使用時に２液を混合して硬化を行う。勿論、作業可能時間を長くするためにアセチレンアルコール系化合物、トリアゾール類、ニトリル化合物、リン化合物などの反応抑制剤を微量添加して１液として用いることができる。また、本発明のシリコーンゴム組成物に波長変更するための蛍光体や酸化チタン微粉末（ＴｉＯ2）などのような光散乱剤等を添加することもできる。この組成物は、必要により加熱することにより直ちに硬化して、高い硬度と表面タックのない弾性硬化物を形成し、電気電子部品等の保護コート剤や、ポッティング、キャスティング、モールド剤等をはじめシリコーンゴムキーボードの表面コートなどのシリコーンの粘着性が問題となる汎用用途として広く使用することができる。なお、硬化条件は特に制限されるものではないが、通常、６０〜２００℃、好ましくは８０〜１８０℃で５分〜８時間、好ましくは１０分〜４時間程度で硬化することができる。
【００５６】
なお、本発明の組成物は液状に調製することができ、特に発光半導体被覆保護材として用いる場合、液状であることが好ましく、２５℃の粘度は１０〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓ、特には１００〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓ程度が好ましい。
【００５７】
本発明の被覆保護材は、発光半導体を被覆保護するために使用される。この場合、発光半導体としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機電界発光素子（有機ＥＬ）、レーザーダイオード、ＬＥＤアレイ等を挙げることができる。発光半導体を被覆保護する態様は特に制限されるものではないが、図１，２に示されるように、開口部を有する筐体内に配置された発光半導体を覆って筐体内に被覆保護材を充填し、これを硬化させる等の方法を採用し得る。
【００５８】
なお、本発明の被覆保護材の硬化条件は、室温（２５℃）で７２時間から２００℃で３分間と、その作業条件に合わせて任意であり、生産性と発光素子や筐体耐熱性とのバランスから適宜選定することができる。
【実施例】
【００５９】
以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、下記例で部は質量部を示し、粘度は２５℃の値である。更に、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【００６０】
［実施例１］
下記式（ｉ）
【化１４】
2005042099.tif 000016
で示されるポリシロキサン（ＶＦ）５０部に、ＳｉＯ2単位５０モル％、（ＣＨ3）3ＳｉＯ0.5単位４２．５モル％及びＶｉ3ＳｉＯ0.5単位７．５モル％からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン（ＶＭＱ）５０部、ＳｉＨ基量が前記ＶＦ及びＶＭＱ成分中のビニル基の合計量当り１．５倍モルとなる量の下記式（ｉｉ）
【化１５】
2005042099.tif 000017
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン及び塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液（Ｐｔ濃度２質量％、以下同様）０．０５部を加え、よく撹拌し、シリコーンゴム組成物を調製した。
【００６１】
この組成物を１５０℃／４ｈｒにて加熱成型して硬化物を形成し、ＪＩＳ  Ｋ  ６３０１に準拠して、引張強度、硬度（Ａ型スプリング試験機を用いて測定）及び伸び率を測定した。また表面のタック性を指触にて確認したほか、綿埃中に硬化物を置き、取り出し後、エアーにて表面の埃が取れるかを試験した。更に、アルミ皿（直径６ｃｍ，深さ０．６ｍｍ）に樹脂を封入し、硬化したサンプルを−５０℃〜１５０℃の冷熱サイクルに投入し、クラックを確認した。各測定結果を表１に示した。
【００６２】
［実施例２］
ＶＦとして下記式（ｉｉｉ）
【化１６】
2005042099.tif 000018
を使用した以外は実施例１と同じ組成にてシリコーンゴム組成物を調製し、硬化物を形成し、実施例１と同様に測定した結果を表１に示した。
【００６３】
［実施例３］
実施例１で用いたＶＦ７０部、実施例１で用いたＶＭＱ３０部（ＶＦとＶＭＱの合計量として、ＳｉＶｉ結合を０．０４３ｍｏｌ／１００ｇ含有）、実施例１で用いたオルガノハイドロジェンポリシロキサン（ＳｉＨ結合を０．７４ｍｏｌ／１００ｇ含有）４．３部、塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液０．０５部を混合し、実施例１と同様にしてシリコーンゴム組成物を調製し、硬化物を形成し、実施例１と同様に測定した結果を表１に示した。
【００６４】
［実施例４］
実施例１において、使用したＶＭＱレジンをＳｉＯ2単位５０モル％、（ＣＨ3）3ＳｉＯ0.5単位４２．５モル％及びＶｉ2ＭｅＳｉＯ0.5単位７．５モル％からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン（ＶＭＱ）５０部、ＳｉＨ基量が前記ＶＦ及びＶＭＱ成分中のビニル基の合計量当り１．５倍モルとなる量の上記式（ｉｉ）のオルガノハイドロジェンポリシロキサンを使用した以外は、実施例１と同様にしてシリコーンゴム組成物を調製し、硬化物を形成し、実施例１と同様に測定した結果を表１に示した。
【００６５】
［実施例５］
上記式（ｉ）で示されるポリシロキサン（ＶＦ）５０部に、ＳｉＯ2単位５０モル％、（ＣＨ3）3ＳｉＯ0.5単位４０モル％及びＶｉ3ＳｉＯ0.5単位１０モル％からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン（ＶＭＱ）５０部、ＳｉＨ基量が前記ＶＦ及びＶＭＱ成分中のビニル基の合計量当り１．５倍モルとなる量の上記式（ｉｉ）で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン及び塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液０．０５部を加え、よく撹拌し、シリコーンゴム組成物を調製した。この組成物を１５０℃／４ｈｒにて加熱成型して硬化物を形成し、実施例１と同様に測定した結果を表１に示した。
【００６６】
［比較例１］
上記式（ｉｉｉ）で示されるポリシロキサン（ＶＦ）５０部に、ＳｉＯ2単位５０モル％、（ＣＨ3）3ＳｉＯ0.5単位４２．５モル％及びＶｉＭｅ2ＳｉＯ0.5単位７．５モル％からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン（ＶＭＱ）５０部、ＳｉＨ基量が前記ＶＦ及びＶＭＱ成分中のビニル基の合計量当り１．５倍モルとなる量の上記式（ｉｉ）で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン及び塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液０．０５部を加え、よく撹拌し、シリコーンゴム組成物を調製した。この組成物を１５０℃／４ｈｒにて加熱成型して硬化物を形成し、実施例１と同様に測定した結果を表２に示した。
【００６７】
［比較例２］
上記式（ｉ）で示されるポリシロキサン（ＶＦ）５０部に、ＳｉＯ2単位５０モル％、（ＣＨ3）3ＳｉＯ0.5単位４２．５モル％及びＶｉＭｅ2ＳｉＯ0.5単位７．５モル％からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン（ＶＭＱ）５０部、ＳｉＨ基量が前記ＶＦ及びＶＭＱ成分中のビニル基の合計量当り１．５倍モルとなる量の上記式（ｉｉ）で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン及び塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液０．０５部を加え、よく撹拌し、シリコーンゴム組成物を調製した。この組成物を１５０℃／４ｈｒにて加熱成型して硬化物を形成し、実施例１と同様に測定した結果を表２に示した。
【００６８】
［比較例３］
市販シリコーンワニスＫＪＲ−６３２（信越化学工業（株）製）を同様に硬化させて硬化物を形成し、実施例１と同様に測定した結果を表２に示した。
【表１】
2005042099.tif 000019
【００６９】
【表２】
2005042099.tif 000020
【００７０】
［実施例６］
上記式（ｉ）で示されるポリシロキサン（ＶＦ）５０部に、ＳｉＯ2単位５０モル％、（ＣＨ3）3ＳｉＯ0.5単位４２．５モル％及びＶｉ3ＳｉＯ0.5単位７．５モル％からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン（ＶＭＱ）５０部、下記式（ｉｖ）
【化１７】
2005042099.tif 000021
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン８部、下記式（ｖ）
【化１８】
2005042099.tif 000022
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン５部、下記式（ｖｉ）
【化１９】
2005042099.tif 000023
で示される接着助剤０．３部及び塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液０．０５部を加え、よく撹拌し、シリコーンゴム組成物を調製した。
【００７１】
この組成物を１５０℃／４ｈｒにて加熱成型して硬化物を形成し、ＪＩＳ  Ｋ  ６３０１に準拠して、アルミニウムに対する剪断接着強度、硬度（Ａ型スプリング試験機を用いて測定）及び伸び率を測定した。また、表面のタック性を指触にて確認したほか、綿埃中に硬化物を置き、取り出した後、エアーにて表面の埃が取れるかを試験した。更に、アルミ皿（直径６ｃｍ，深さ０．６ｍｍ）に樹脂を封入し、硬化したサンプルを−５０℃〜１５０℃の冷熱サイクルに投入し、クラックを確認した。各測定結果を表３に示した。
【００７２】
［実施例７］
ＶＦとして上記式（ｉｉｉ）を使用した以外は実施例６と同じ組成にてシリコーンゴム組成物を調製し、硬化物を形成し、実施例６と同様に測定した結果を表３に示した。
【００７３】
［実施例８］
上記式（ｉ）で示されるポリシロキサン５０部に、ＳｉＯ2単位５０モル％、（ＣＨ3）3ＳｉＯ0.5単位４０モル％及びＶｉ3ＳｉＯ0.5単位１０モル％からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン（ＶＭＱ）５０部、上記式（ｉｉ）で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン３部、上記式（ｉｖ）で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン５部、下記式（ｖｉｉ）
【化２０】
2005042099.tif 000024
で示される接着助剤０．２部及び塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液０．０５部を加え、よく撹拌し、シリコーンゴム組成物を調製した。この組成物を１５０℃／４ｈｒにて硬化物を形成し、実施例６と同様に測定した結果を表３に示した。
【００７４】
［比較例４］
上記式（ｉｉｉ）で示されるポリシロキサン５０部に、ＳｉＯ2単位５０モル％、（ＣＨ3）3ＳｉＯ0.5単位４２．５モル％及びＶｉＭｅ2ＳｉＯ0.5単位７．５モル％からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン（ＶＭＱ）５０部、上記式（ｉｖ）で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン８部、上記式（ｖ）で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン５部、上記式（ｖｉ）で示される接着助剤０．３部及び塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液０．０５部を加え、よく撹拌し、シリコーンゴム組成物を調製した。この組成物を１５０℃／４ｈｒにて加熱成型して硬化物を形成し、実施例６と同様に測定した結果を表３に示した。
【００７５】
［比較例５］
上記式（ｉ）で示されるポリシロキサン５０部に、ＳｉＯ2単位５０モル％、（ＣＨ3）3ＳｉＯ0.5単位４２．５モル％及びＶｉＭｅ2ＳｉＯ0.5単位７．５モル％からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン（ＶＭＱ）５０部、上記式（ｉｉ）で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン３部、上記式（ｉｖ）で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン５部、上記式（ｖｉｉ）で示される接着助剤０．２部及び塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液０．０５部を加え、よく撹拌し、シリコーンゴム組成物を調製した。この組成物を１５０℃／４ｈｒにて加熱成型して硬化物を形成し、実施例６と同様に測定した結果を表３に示した。
【００７６】
【表３】
2005042099.tif 000025
【００７７】
表１〜３の結果に示されているように、本発明によれば、耐衝撃性に優れ、シリコーンエラストマーの欠点である表面タックによる埃の付着のない硬化物が得られる。
【００７８】
次に、透明半導体被覆保護材の実施例と比較例を示す。
実施例９〜１２と比較例６〜８の被覆保護材の評価方法は下記の通りである。
［評価方法］
シリコーン系ダイボンド材の調製
下記式（Ｉ）
【化２１】
2005042099.tif 000026
で表される末端ビニルジメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体（粘度３Ｐａ・ｓ）１００部、下記式（ＩＩ）
【００７９】
【化２２】
2005042099.tif 000027
で表されるメチルハイドロジェンポリシロキサン（粘度１５ｍＰａ・ｓ）２．５部、塩化白金酸２−エチルヘキシルアルコール変性溶液（Ｐｔ濃度２質量％）０．０３部、エチニルシクロヘキシルアルコール０．０５部、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン７部及び平均粒径９μｍの球状アルミナ微粉末４００部を均一混合してシリコーンダイボンド材を調製した。
【００８０】
発光半導体装置の作製方法
発光素子として、ＩｎＧａＮからなる発光層を有し、主発光ピークが４７０ｎｍのＬＥＤチップを用いて、図１に示すような発光半導体装置を作製した。発光素子２をリード電極にシリコーン系ダイボンド材５を用い、１８０℃で１０分間加熱して固定した。発光素子２とリード電極３，４を金線６にて接続させた後、被覆保護材７をポッティングし、１８０℃で１時間硬化し、発光半導体装置を作製した。
耐熱衝撃性の試験方法
作製した発光半導体装置を、低温側−４０℃、高温側１２０℃の熱衝撃試験を１，０００サイクル行って外観のクラックが発生した数を観察した。
表面埃付着性
作製した発光半導体装置に微粉末シリカをふりかけ表面に付着させた後、エアーを吹きかけることで半導体装置表面に付着した微粉末シリカを除去できるかどうか確認した。
【００８１】
［実施例９］
下記式
【化２３】
2005042099.tif 000028
で示されるポリシロキサン（ＶＦ）５０部に、ＳｉＯ2単位５０モル％、（ＣＨ3）3ＳｉＯ0.5単位４２．５モル％及びＶｉ3ＳｉＯ0.5単位７．５モル％からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン（ＶＭＱ）５０部、
【化２４】
2005042099.tif 000029
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン８部、
【化２５】
2005042099.tif 000030
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン５部、
【化２６】
2005042099.tif 000031
で示される接着助剤０．３部、及び、塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液０．０５部を加え、よく撹拌し、シリコーンゴム組成物を調製した。この組成物を１５０℃／４ｈｒにて加熱成型して硬化物を形成し、ＪＩＳ  Ｋ  ６３０１に準拠して、硬度（Ａ型スプリング試験機を用いて測定）を測定した。この組成物を硬化させたものは無色透明なものであった。このゴム組成物を用いて発光半導体装置を作製した。
【００８２】
［実施例１０］
ＶＦとして下記式
【化２７】
2005042099.tif 000032
を使用した以外は実施例９と同じ組成にてシリコーンゴム組成物を調製し、硬化物を形成し、実施例９と同様に測定した結果を表４に示した。硬化物は無色透明であった。このゴム組成物を用いて発光半導体装置を作製した。
【００８３】
［実施例１１］
実施例９において使用したポリシロキサン（ＶＦ）７０部、ＶＭＱレジンとしてＳｉＯ2単位５０モル％、（ＣＨ3）3ＳｉＯ0.5単位４２．５モル％及びＶｉ2ＭｅＳｉＯ0.5単位７．５モル％からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン（ＶＭＱ）３０部、下記式
【化２８】
2005042099.tif 000033
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン１０部を使用した以外は、実施例９と同様にしてシリコーンゴム組成物を調製し、硬化物を形成し、実施例９と同様に測定した結果を表４に示した。硬化物は無色透明であった。このゴム組成物を用いて発光半導体装置を作製した。
【００８４】
［実施例１２］
下記式
【化２９】
2005042099.tif 000034
で示されるポリシロキサン５０部に、ＳｉＯ2単位５０モル％、（ＣＨ3）3ＳｉＯ0.5単位４０モル％及びＶｉ3ＳｉＯ0.5単位１０モル％からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン（ＶＭＱ）５０部、下記式
【化３０】
2005042099.tif 000035
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン３部、
【化３１】
2005042099.tif 000036
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン５部、
【化３２】
2005042099.tif 000037
で示される接着助剤０．２部、及び、塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液０．０５部を加え、よく撹拌し、シリコーンゴム組成物を調製した。この組成物を１５０℃／４ｈｒにて加熱成型して硬化物を形成し、実施例９と同様に測定した結果を表４に示した。この硬化物は無色透明なものであった。このゴム組成物を用いて発光半導体装置を作製した。
【００８５】
［比較例６］
下記式
【化３３】
2005042099.tif 000038
で示されるポリシロキサン５０部に、ＳｉＯ2単位５０モル％、（ＣＨ3）3ＳｉＯ0.5単位４２．５モル％及びＶｉＭｅ2ＳｉＯ0.5単位７．５モル％からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン（ＶＭＱ）５０部、下記式
【化３４】
2005042099.tif 000039
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン８部、
【化３５】
2005042099.tif 000040
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン５部、
【化３６】
2005042099.tif 000041
で示される接着助剤０．３部、及び、塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液０．０５部を加え、よく撹拌し、シリコーンゴム組成物を調製した。この組成物を１５０℃／４ｈｒにて加熱成型して硬化物を形成し、実施例９と同様に測定した結果を表４に示した。硬化物は無色透明であった。このゴム組成物を用いて発光半導体装置を作製した。
【００８６】
［比較例７］
下記式
【化３７】
2005042099.tif 000042
で示されるポリシロキサン５０部に、ＳｉＯ2単位５０モル％、（ＣＨ3）3ＳｉＯ0.5単位４２．５モル％及びＶｉＭｅ2ＳｉＯ0.5単位７．５モル％からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン（ＶＭＱ）５０部、下記式
【化３８】
2005042099.tif 000043
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン３部、
【化３９】
2005042099.tif 000044
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン５部、
【化４０】
2005042099.tif 000045
で示される接着助剤０．２部、及び、塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液０．０５部を加え、よく撹拌し、シリコーンゴム組成物を調製した。この組成物を１５０℃／４ｈｒにて加熱成型して硬化物を形成し、実施例９と同様に測定した結果を表４に示した。硬化物は無色透明であった。このゴム組成物を用いて発光半導体装置を作製した。
【００８７】
［比較例８］
市販シリコーンワニスＫＪＲ−６３２（信越化学工業（株）製）を同様に硬化させ、硬化物を形成し、実施例９と同様に測定した結果を表４に示した。硬化物は無色透明であった。このワニスを用いて発光半導体装置を作製した。
【００８８】
実施例９〜１２及び比較例６〜８のシリコーンゴム組成物及びワニスを用いて発光素子を封止し、特性を評価した。
上記実施例９〜１２及び比較例６〜８の被覆保護材の評価結果を表４に示す。
【００８９】
【表４】
2005042099.tif 000046
【００９０】
表４の結果に示されているように、本発明の発光半導体被覆保護材で被覆保護された発光半導体装置は、耐熱試験による変色も少なく、発光効率も高いため長寿命で省エネルギーに優れる発光半導体装置を提供することが可能となり、産業上のメリットは多大である。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】表面実装型半導体発光装置の一例（発光素子が絶縁性の筐体上にダイボンドされたもの）を示す発光ダイオードの断面図である。
【図２】表面実装型半導体発光装置の他の例（発光素子が筐体に挿入されたリード電極上にダイボンドされたもの）を示す発光ダイオードの断面図である。
【図３】砲弾型半導体発光装置を示す発光ダイオードの断面図である。
【符号の説明】
【００９２】
１  筐体
２  発光素子
３，４  リード電極
５  ダイボンド材
６  金線
７  被覆保護材
【図１】
2005042099.tif 000050
【図２】
2005042099.tif 000051
【図３】
2005042099.tif 000052