(57)【要約】【課題】  電気的及び機械的信頼性を実質的に確保しつつコスト低減の可能なリードフレーム、及びそれを用いた電子部品を提供する。【解決手段】  電子部品の本体であるチップ１１が搭載されるべき板状のディスク部１と、前記電子部品の電気的外部接続端子として機能すべきリード部２とを備えたリードフレーム３において、前記ディスク部は少なくともその表層部が前記リード部とは異なる種類の材料１８で構成され、前記表層部と前記リード部とが接合されて、前記ディスク部と前記リード部とが接続されている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の本体であるチップが搭載されるべき板状のディスク部と、前記電子部品の電気的外部接続端子として機能すべきリード部とを備えたリードフレームにおいて、
前記ディスク部は少なくともその表層部が前記リード部とは異なる種類の材料で構成され、
前記表層部と前記リード部とが接合されて、前記ディスク部と前記リード部とが接続されている、リードフレーム。
【請求項２】
前記表層部が、前記ディスク部の本体の表面上にメッキ処理によって形成されたニッケル燐合金メッキ層である、請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記ニッケル燐合金メッキ層の厚みが１〜１０μｍである、請求項２記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記ディスク部はその表面に前記リード部が接合されるべき接合領域を有し、
前記接合領域と前記リード部とが重ね合わされかつ接合されて前記ディスク部と前記リード部とが接続されている、請求項１記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記ディスク部と前記リード部とが抵抗溶接によって接合されている、請求項１記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記ディスク部と前記リード部とがスポット溶接によって接合されている、請求項５記載のリードフレーム。
【請求項７】
前記ディスク部と前記リード部とが超音波溶接によって接合されている、請求項１記載のリードフレーム。
【請求項８】
電子部品の本体であるチップが搭載されるべき板状のディスク部と、該ディスク部に接続された前記電子部品の電気的外部接続端子として機能すべきリード部とを備え、全体が非連続な第１の部分と第２の部分とを有するように形成されたリードフレームにおいて、
前記第１の部分は少なくともその表層部が前記第２の部分とは異なる種類の材料で構成され、
前記表層部と前記第２の部分とが接合されて、前記第１の部分と前記第２の部分とが接続されている、リードフレーム。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れかに記載のリードフレームと電子部品の本体であるチップとを備え、前記リードフレームのディスク部に前記チップが搭載され、該チップが前記リードフレームに電気的に接続されている、電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム、及びそれを用いた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、リードフレームは、例えばパワートランジスタや三端子レギュレータ等のディスクリート用電子部品において用いられている。
【０００３】
ディスクリート用電子部品は、その本体が半導体デバイスからなるチップ（以下、単にチップと言う）で構成され、このチップがリードフレームに搭載されると共にリードワイヤを用いて配線され、その後、少なくともチップが耐熱性樹脂によってモールドされて構成されている。
【０００４】
このディスクリート用電子部品で用いられるリードフレームは、チップが搭載される板状のディスク部と、ディスクリート用電子部品の外部への電気的な接続端子として機能するリード部とを備えている。そして、前記ディスク部は、通常、その上に搭載されるチップの保持及び熱放散のため、主にベッドマウント及び放熱板として機能するように、比較的厚く形成されている。一方、前記リード部は、それを差し込むソケット等の規格に従って、比較的薄く形成されている。つまり、リードフレームでは、ディスク部の厚みがリード部の厚みよりも厚く形成されているのが一般的である。
【０００５】
このリードフレームは、一般に、均一な厚みを有する一枚の銅板等をディスク部及びリード部を形成するために異なる厚みを有するよう圧延した後、所定の打ち抜き型によってスタンピングすることによって成形される。つまり、リードフレームでは、ディスク部とリード部とは一体化成形されている。そして、リードフレームには、緑青及び腐食の発生を防止し、更にチップを搭載する際の半田濡れ性を改善するために、通常３μｍ程度の厚みのニッケル燐合金メッキ（又は、Ｎｉ−Ｐ合金メッキと記す）がその表面全体に施されている。このＮｉ−Ｐ合金メッキ層が形成されることによって、リードフレームは、種々の電気的信頼性を確保している（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
ところで、抵抗やコンデンサ等の電子部品をプリント配線板に実装する際には、その電子部品のリード部を必要に応じて屈曲する場合がある。例えば、電子機器を薄型化する場合には、前記電子部品のリード部を所定の位置で９０°屈曲させ、その電子部品の側面がプリント配線板に接触するように実装する。これによって、プリント配線板における電子部品の実装高が低減されるので、電子機器の薄型化が実現される。しかし、Ｎｉ−Ｐ合金メッキが施されたリードフレームが用いられるディスクリート用電子部品では、その実装高を低減するためにリード部を屈曲することは非常に困難であった。その理由は、リードフレームの表層部を構成するＮｉ−Ｐ合金メッキの硬度が高く、又、そのメッキ層の厚みが３μｍ程度と比較的厚いために、リード部を屈曲する際にＮｉ−Ｐ合金メッキが折れ、これによってリード部が切断される場合があったからである。従って、ディスクリート用電子部品をプリント配線板に実装する際には、そのリード部を屈曲することなく、プリント配線板に対して垂直に実装しなければならなかった。そして、そのため、ディスクリート用電子部品を用いて電子機器を製造する場合、その電子機器の薄型化や小型化が阻害されるという問題が生じていた。
【０００７】
そこで、硬質なＮｉ−Ｐ合金メッキに代えて比較的軟質なニッケルメッキ（又は、Ｎｉメッキと記す）を施し、そのＮｉメッキの表面上に半田濡れ性を確保するためだけに必要な極薄い厚み（通常、０．０１μｍ程度）のＮｉ−Ｐ合金メッキ層を形成するリードフレームが提案された。
【特許文献１】特開平７−１７６６７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この従来のＮｉメッキ及びＮｉ−Ｐ合金メッキの２層のメッキ層を有するリードフレームによれば、リードフレームの腐食等を防止するために必要な比較的厚いメッキ層が軟質なＮｉメッキ層によって構成され、かつ半田濡れ性を確保するために必要な硬質のＮｉ−Ｐ合金メッキ層が極薄く形成されているので、Ｎｉ−Ｐ合金メッキ層は折れることなく、従ってリード部を任意の角度に屈曲することが可能となる。
【０００９】
しかし、この従来の２層のメッキ層を有するリードフレームでは、Ｎｉメッキ層上へのＮｉ−Ｐ合金メッキが密着性よく行われないと、実装前の初期状態においてＮｉメッキ層からＮｉ−Ｐ合金メッキ層が剥離するという問題が発生することがあった。又、その後の調査によって、この従来のリードフレームでは、Ｎｉメッキ層上へのＮｉ−Ｐ合金メッキが密着力よく行われた場合でも、通電に伴ってリードフレームの温度が変化する際のＮｉメッキ層の熱膨張量とＮｉ−Ｐ合金メッキ層の熱膨張量とが異なるため、長期使用状態においてＮｉメッキ層とＮｉ−Ｐ合金メッキ層との界面で剥離が発生するという問題が生じることが判明した。つまり、この従来の２層のメッキ層を有するリードフレームは、短期信頼性と長期信頼性との２つ信頼性に関して問題を有しているのが実情であった。
【００１０】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、電気的及び機械的信頼性を実質的に確保しつつコスト低減の可能なリードフレーム、及びそれを用いた電子部品を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明に係るリードフレームは、電子部品の本体であるチップが搭載されるべき板状のディスク部と、前記電子部品の電気的外部接続端子として機能すべきリード部とを備えたリードフレームにおいて、前記ディスク部は少なくともその表層部が前記リード部とは異なる種類の材料で構成され、前記表層部と前記リード部とが接合されて、前記ディスク部と前記リード部とが接続されている（請求項１）。かかる構成とすると、例えば、ディスク部に耐腐食性を付与しながら、リード部に耐屈曲性を付与することが可能になるので、信頼性の優れたリードフレームを提供することが可能になる。
【００１２】
この場合、前記表層部が、前記ディスク部の本体の表面上にメッキ処理によって形成されたニッケル燐合金メッキ層であってもよい（請求項２）。かかる構成とすると、ニッケル燐合金は融点が低く鑞剤として機能するため、ディスク部とリード部とが強固に接合される。又、ニッケル燐合金の作用によって、半田の濡れ性が改善される。
【００１３】
この場合、前記ニッケル燐合金メッキ層の厚みが１〜１０μｍであってもよい（請求項３）。かかる構成とすると、ディスク部がニッケル燐合金メッキ層によって完全にかつ十分に覆われるので、ディスク部の本体を構成する銅又は銅合金の表面に緑青が発生することや、その表面に腐食が発生することが効果的に防止される。
【００１４】
又、上記の場合、前記ディスク部はその表面に前記リード部が接合されるべき接合領域を有し、前記接合領域と前記リード部とが重ね合わされかつ接合されて前記ディスク部と前記リード部とが接続されていてもよい（請求項４）。かかる構成とすると、ディスク部とリード部との接合面積を必要に応じて増大させることができ、ディスク部とリード部とをより強固に接合することが可能になる。又、スポット溶接等の溶接を行い易い接合形態となるので、リードフレームの生産効率が向上する。
【００１５】
又、上記の場合、前記ディスク部と前記リード部とが抵抗溶接によって接合されていてもよい（請求項５）。この場合、前記ディスク部と前記リード部とがスポット溶接によって接合されていてもよい（請求項６）。かかる構成とすると、既存の接合手段を用いてディスク部とリード部とを強固にかつ効率よく接合することができる。
【００１６】
又、上記の場合、前記ディスク部と前記リード部とが超音波溶接によって接合されていてもよい（請求項７）。かかる構成としても、既存の接合手段を用いてディスク部とリード部とを強固にかつ効率よく接合することができる。
【００１７】
又、本発明に係るリードフレームは、電子部品の本体であるチップが搭載されるべき板状のディスク部と、該ディスク部に接続された前記電子部品の電気的外部接続端子として機能すべきリード部とを備え、全体が非連続な第１の部分と第２の部分とを有するように形成されたリードフレームにおいて、前記第１の部分は少なくともその表層部が前記第２の部分とは異なる種類の材料で構成され、前記表層部と前記第２の部分とが接合されて、前記第１の部分と前記第２の部分とが接続されている（請求項８）。かかる構成とすると、第１の部分と第２の部分との各々に異なる特性を付与することが可能になり、従来に無い優れたリードフレームを提供することが可能になる。
【００１８】
又、本発明に係るリードフレームを用いた電子部品は、請求項１乃至８の何れかに記載のリードフレームと電子部品の本体であるチップとを備え、前記リードフレームのディスク部に前記チップが搭載され、該チップが前記リードフレームに電気的に接続されている（請求項９）。かかる構成とすると、電子部品の短期信頼性及び長期信頼性を向上することが可能になる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明は、以上に述べたような手段で実施され、電気的及び機械的信頼性を実質的に確保しつつコスト低減の可能なリードフレーム、及びそれを用いた電子部品を提供することが可能になるという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２１】
図１は、本発明の実施の形態に係るリードフレーム及び電子部品の構成を示す斜視図である。又、図２は、図１のII−II線に沿った断面図である。尚、本実施の形態では、便宜上、リードフレーム３の第１〜第３のリード４〜６の延在方向をリードフレーム３の縦方向（Ｘ方向）とし、平面視において縦方向に直交する方向を横方向（Ｙ方向）と定義する。
【００２２】
図１及び図２において、本実施の形態に係るリードフレーム３は、ディスクリート用電子部品としての、例えば、パワートランジスタに用いられる。ここで、リードフレーム３は、ディスク部１とリード部２とを有している。
【００２３】
ディスク部１は略矩形状の平坦な板状に形成され、そのリード部２に近い側（以下、リード部側という）の約半分に一対の溝１０１の間に位置するようにチップ搭載部１０が形成されており、リード部２に遠い側の約半分の中央部に位置決め孔９が形成されている。ここで、ディスク部１は、図１には半完成状態が示されており、このディスク部１がブリッジ４４によって所定数連結されてディスク連結片４２が形成されている。そして、ディスク部１、ひいてはディスク連結片４２の表面には、図２に示すようにＮｉ−Ｐ合金メッキ層１８が形成されている。このＮｉ−Ｐ合金メッキ層１８は、第１の目的として、ディスク部１の表面に緑青が発生することや、ディスク部１が腐食すること等を防止するために設けられている。そのため、このＮｉ−Ｐ合金メッキ層１８はある程度の厚みを有するように形成されることが必要とされ、一般的には１〜１０μｍ程度の厚みを有するように形成され、好ましくは３〜５μｍ程度の厚みを有するように形成されている。又、このＮｉ−Ｐ合金メッキ層１８は、第２の目的として、半田を用いてチップ搭載部１０に後述するチップを搭載する際の半田濡れ性を改善するために設けられている。具体的には、チップ搭載部１０にチップを搭載する際の高温状態の半田は、時間の経過と共にその濡れ性が低下する。そこで、Ｎｉ−Ｐ合金が有する半田濡れ性の改善作用を利用することにより、濡れ性が低下した半田を改質する。これによって、半田の濡れ性が改善されるので、チップ搭載部１０とチップとが完全に接合されるようになる。ここで、本実施の形態では、このＮｉ−Ｐ合金メッキ層１８を、従来から好適に用いられているウエットめっき法によって形成した。このメッキ処理により、Ｎｉ−Ｐ合金メッキ層１８には、約１０％のＰが安定して存在するようになる。
【００２４】
一方、リード部２も、図１には半完成状態が示されている。即ち、リード部２は、中央に位置する第１のリード４と、その両側に位置する第２のリード５及び第３のリード６とを有している。各リード４，５，６は、図１に実線及びそれに続く二点鎖線で示されるように、何れも、略一定幅の本体部の先端にそれより幅広の頭部が形成された形状を有している。そして、これらの各リード４，５，６及びこれらの組がブリッジ４５によって連結されてリード連結片４３が形成されている。このリード連結片４３では、第１のリード４が第２のリード５及び第３のリード６より突出するように形成され、その先端部４ｂが段差部４ａによって一段低く形成されている。第１のリード４の先端部４ｂは、ここでは平面視において逆台形状に形成されている。又、リード連結片４３の、最終的に第１〜第３のリード４〜６となる部分の間に位置するように、位置決め孔７及び８が各々形成されている。
【００２５】
図２に示すように、リード連結片４３は均一な厚みに形成されており、厚みｔ２を有している。又、同様にして、ディスク連結片４２も均一な厚みに形成されており、厚みｔ１を有している。尚、ここでは、厚みｔ２は厚みｔ１より薄く形成されている。又、ディスク連結片４２及びリード連結片４３の位置決め孔７〜９は、ディスク部１とリード部２における第１のリード４の先端部４ｂとをここではスポット溶接によって溶接する工程において、ディスク連結片４２及びリード連結片４３の位置決めのために用いられる。
【００２６】
そして、図１及び図２に示すように、リード連結片４３の第１のリード４の先端部４ｂが、ディスク部１のリード側の端部１ａの上面の中央部に、スポット溶接によって溶接されている。これにより、ディスク部１がリード部２、即ち、リード連結片４３より、段差部４ａの段差とリード連結片４３の厚みｔ２との和に相当する高さだけ低く位置せしめられている。
【００２７】
尚、ディスク部１、ひいてはディスク連結片４２の本体は、ここでは銅又は銅合金で構成されている。又、第１〜第３のリード４〜６、ひいてはリード連結片４３は、ここではニッケルメッキされた銅又は銅合金で構成されている。
【００２８】
又、図１及び図２に示すように、ディスク部１のチップ搭載部１０には、電子部品としてのパワートランジスタの本体を構成するチップ１１が、半田１６を用いて固定されている。このチップ１１には上面に一対のパッド１２，１３が形成されており、この一対のパッド１２，１３が、それぞれ、金製のリードワイヤ１４，１５を用いて、第２のリード５及び第３のリード６に接続されている。これにより、ディスクリート用電子部品としてのパワートランジスタが半完成状態となっている。この後、この半完成状態のパワートランジスタは、ディスク部１及び第１〜第３のリード４〜６が個々に分離され、第１〜第３のリード４〜６の先端から所定長に渡る部分と、ディスク部１の所定の部分とが外部に露出するようにして耐熱性樹脂によりモールド（封止）されて完成される。
【００２９】
図３は、耐熱性樹脂によりモールドされて完成したパワートランジスタの外観を模式的に示す図であり、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は側面図である。尚、ここでは、パワートランジスタの内部構造を点線により示している。
【００３０】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るパワートランジスタ１７では、図１に示すチップ１１が半田１６により固定されている部分を含むディスク部１の所定の部分と、第２のリード５及び第３のリード６のディスク部１側の所定の部分と、第１のリード４の先端部４ｂ及び段差部４ａを含むディスク部１側の所定の部分とが、モールド樹脂１０２によって完全にモールドされている。つまり、パワートランジスタ１７において、モールド樹脂１０２からは、第１〜第３のリード４，５，６の所定の部分が各々略平行に延出していると共に、ディスク部１の位置決め孔９が形成された所定の部分が露出している。そして、このように、本実施の形態で例示するパワートランジスタ１７では第１〜第３のリード４，５，６がモールド樹脂１０２によって変位不能に固定されているので、例えば、第１〜第３のリード４，５，６を任意に屈曲させた場合であっても、パワートランジスタ１７の機能及び動作に問題は発生しない。又、第１〜第３のリード４，５，６にその他の何らかの外力が加わった場合であっても、第２のリード５及び第３のリード６とチップ１１との電気的な接続状態は保持され、かつ第１のリード４の先端部４ｂとディスク部１との電気的な接続状態も保持される。つまり、通常の使用状態においては、第１〜第３のリード４，５，６に外力が加わった場合であっても、パワートランジスタ１７が破損することは無い。
【００３１】
次に、ディスク部１とリード部２の第１のリード４とのスポット溶接による溶接方法について説明する。
【００３２】
図４は、図１に示すリードフレームを製造するためのディスク連結片とリード連結片との構成を示す図であって、（ａ）はディスク連結片を示す平面図であり、（ｂ）はリード連結片を示す平面図である。又、図５は、図４に示したディスク連結片とリード連結片とをスポット溶接する状態を示す模式図である。更に、図６は、スポット溶接によって溶接されたディスク連結片とリード連結片とを示す平面図である。
【００３３】
先ず、図４に示すように、ディスク連結片４２とリード連結片４３とが用意される。ここで、図４（ａ）に示すように、ディスク連結片４２は、ディスク部１がブリッジ４４によって横方向（Ｙ方向）に所定数連結され構成されている。このディスク連結片４２は、Ｎｉ−Ｐ合金メッキが施された銅又は銅合金製の平板状の素材を、順送金型を取り付けた高速プレス機でプレスすることにより製造される。又、図４（ｂ）に示すように、リード連結片４３は、銅又は銅合金製の平板状の素材に数ミクロン厚のニッケルメッキを施した後、それを、順送金型を取り付けた高速プレス機でプレスすることにより製造される。このリード連結片４３は、第１〜第３のリード４〜６の組が、ディスク連結片４２におけるディスク部１の数と同じ数だけ連結されて構成されている。
【００３４】
次に、図５に示すように、このディスク連結片４２とリード連結片４３とが重ね合わされる。この時、リード連結片４３の第１のリード４の先端部４ｂが、ディスク連結片４２のディスク部１のリード側の端部１ａの上面の中央部に位置させられる。この第１のリード４の先端部４ｂとディスク部１のリード側の端部１ａとの重なり部を、以下、被溶接部と呼ぶ。ディスク連結片４２とリード連結片４３とは、ここでは図示されない受け部材によってその下面の所定部分が支持される。また、ディスク連結片４２の位置決め孔９にパイロット兼押さえピン２１が挿入されかつリード連結片４３の位置決め孔８にパイロット兼押さえピン２２が挿入される。パイロット兼押さえピン２１，２２は、それぞれに対応する位置決め孔９，８に丁度嵌合する径を有し、かつ先端部に鍔を有しているので、位置決め孔９，８にパイロット兼押さえピン２１，２２が挿入されることによって、ディスク連結片４２及びリード連結片４３が、それぞれ、厚みに垂直な方向及び厚み方向にしっかりと位置決めされる。
【００３５】
そして、被溶接部における第１のリード４の先端部４ｂの上面に第１の電圧印加ツール２３ａが所定の圧力で押し付けられ、又、被溶接部におけるディスク部１の下面に第２の電圧印加ツール２３ｂが所定の圧力で押し付けられる。この第１及び第２の電圧印加ツール２３ａ及び２３ｂは、スポット溶接器３３に接続されている。このスポット溶接器３３は所定の高電圧を発生する電源３１と、図示されない操作部と、この操作部からの操作入力に応じて電源３１を制御する制御部３２と、電源３１の出力電圧が印加される電圧印加ツール２３ａ及び２３ｂとを備えている。電圧印加ツール２３ａ及び２３ｂは、前述した被溶接部に対して上下方向から所定の圧力を加えることができるように構成されている。
【００３６】
そして、図５に示す状態で、操作部が操作されてスポット溶接器３３が作動すると、電圧印加ツール２３ａ及び２３ｂによって所定の高電圧が被溶接部に印加される。すると、被溶接部における電気抵抗によって、被溶接部が高温状態に変化する。そして、この印加される高電圧によって発生する熱と加圧力とにより、被溶接部が溶融してスポット溶接される。この時、ディスク部１の表面には鑞剤でもあるＮｉ−Ｐ合金メッキが施されているため、ディスク連結片４２とリード連結片４３とは強固に溶接される。尚、このスポット溶接の際に、ディスク連結片４２及びリード連結片４３はＸ方向及びＹ方向にずれようとしかつ前記加圧力によってＸ方向及びＹ方向に変形しようとする場合があるが、パイロット兼押さえピン２１，２２によってそれが抑制される。その結果、ディスク連結片４２とリード連結片４３との相対的位置関係が所定の位置関係に保持され、溶接後のディスク連結片４２及びリード連結片４３における各部位の位置が設計値に適合したものとなる。つまり、スポット溶接が好適に遂行される。
【００３７】
このディスク連結片４２とリード連結片４３とがスポット溶接により溶接された後の結果物の構成を、図６に示す。この図６を参照して、スポット溶接による溶接によれば、被溶接部が強固に溶接されるので、ディスク部１と第１のリード４との電気的な接続が好適に確保される。又、被溶接部分の面積が比較的一定であり、そのため、溶接部分の機械的強度のバラツキが小さなものとなる。又、スポット溶接の作業効率が高いので、リードフレームを安価に製造することが可能となる。
【００３８】
図１及び図３をも参照して、このようにスポット溶接によって溶接されたディスク連結片４２及びリード連結片４３について、ディスク部１のチップ搭載部１０にチップ１１が半田１６により固定され、そのチップ１１の一対のパッド１２，１３が、それぞれ、金製のリードワイヤ１４，１５を用いて、第２のリード５及び第３のリード６に電気的に接続される。その後、ディスク部１及び第１〜第３のリード４〜６が個々に分離され、所定の部分がモールド樹脂１０２によってモールドされる。この際、第１〜第３のリード４〜６の先端から所定長に渡る部分が外部に突出せしめられる。これにより、パワートランジスタ１７が完成する。
【００３９】
このように、本実施の形態によれば、ディスク部１の表層部には緑青や腐食等の発生を防止するために必要十分な厚みのメッキ層が形成されている。そして、そのメッキ層が、半田濡れ性を改善するＮｉ−Ｐ合金メッキ層１８によって構成されている。そのため、ディスク部１の表面に緑青や腐食が発生することが、効果的にかつ長期に渡って防止される。又、半田濡れ性が改善されて、ディスク部１とチップ１１との密着力が十分に確保される。又、Ｎｉ−Ｐ合金は一般的に鑞剤としても機能するため、これによってもディスク部１とチップ１１との密着力が十分に確保される。尚、この時、Ｎｉ−Ｐ合金中のＰはチップ１１のチップ搭載部１０への実装時の熱によって変性されるが、この変性物はその実装時の熱によって蒸発するため、チップ１１とディスク部１との密着力に悪影響を及ぼすことは無い。又、このディスク部１の表層部に形成されたＮｉ−Ｐ合金メッキ層１８は比較的厚くかつ硬質であるが、ディスク部１は屈曲されることが無いため、その層状態は好適に保持される。又、本実施の形態のディスク部１によれば、その本体である銅又は銅合金に対するＮｉ−Ｐ合金メッキ層１８の密着力は強いため、初期状態における信頼性が確保される。又、従来のリードフレームにおいて存在していたＮｉメッキ層とＮｉ−Ｐ合金メッキ層との界面が存在しないため、そのメッキ層界面における剥離が発生することは無い。そのため、ディスクリート用電子部品の短期信頼性と長期信頼性との両方を確保することが可能となる。又、本実施の形態のリード部２によれば、その表層部に硬質なＮｉ−Ｐ合金メッキ層１８が形成されていないため、例えば電子機器を薄型化する場合にリード部２を任意の角度に屈曲することが可能となり、これによりプリント配線板における電子部品の実装高が低減されるので、電子機器の薄型化が実現可能となる。
【００４０】
又、本実施の形態によれば、ディスク部とリード部とが接合部分において相互に重ね合わされる。そのため、ディスク部とリード部との接合面積を必要に応じて変化させることができ、ディスク部とリード部とを必要に応じた強度で接合することが可能になる。又、スポット溶接等の溶接を行い易い接合形態となるので、リードフレームの生産効率が向上し、その結果リードフレームの生産コストが低減される。
【００４１】
又、本実施の形態によれば、ディスク部１と第１のリード部４の先端部４ｂとをスポット溶接によって溶接するので、ディスク部１とリード部２とを分離して作成することができる。そのため、ディスク部１の材料としてチップ１１の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する材料を選択することが可能となり、チップ１１の接合のための半田等の接合材料の金属疲労を軽減することができる。これにより、電子部品の信頼性を更に向上することができる。尚、チップ１１に近い熱膨張係数を有するリードフレーム３の材料としては、例えば、Ｆｅ、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ａｌ等が挙げられる。これらの材料は、リードフレーム３の全体を構成してもよい。
【００４２】
尚、本実施の形態では、ディスク部とリード部とを溶接する手段としてスポット溶接を例示したが、このスポット溶接に限定されず、抵抗溶接の他の溶接手段や超音波溶接等の溶接手段、又は他の如何なる接合手段を用いてもよい。かかる構成としても、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４３】
又、本実施の形態では、リード部２としてニッケルメッキされた銅又は銅合金を用いているが、リード部２の本体としては銅又は銅合金に限定されず、導電性を有しかつ半田実装可能な材料であれば如何なる材料を用いてもよい。例えば、銅又は銅合金に代えて鉄、アルミニウム等の材料を用いてもよい。又、リード部２の表面にメッキ処理が施されている必要は無く、或いはＮｉメッキや半田メッキ、又はＮｉメッキ上に半田メッキが施されていてもよい。かかる構成としても、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４４】
又、本実施の形態では、ディスク部とリード部とを接続する場合について説明したが、本発明は、ディスク部及びリード部以外の異なる２つの部分同士を接続する場合にも同様に適用することができる。
【００４５】
更に、本実施の形態ではパワートランジスタからなる電子部品に本発明を適用する場合について説明したが、本発明は他の如何なる電子部品にも同様に適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明のリードフレーム、及びそれを用いた電子部品は、電気的及び機械的信頼性を実質的に確保しつつコスト低減の可能なリードフレーム、及びそれを用いた電子部品として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施の形態に係るリードフレーム及び電子部品の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るリードフレーム及び電子部品の構成を示す図であり、図１のII−II線における断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るパワートランジスタの完成体の構成を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図である。
【図４】図１のリードフレームを製造するためのディスク連結片とリード連結片との構成を示す図であって、（ａ）はディスク連結片を示す平面図、（ｂ）はリード連結片を示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係るディスク連結片とリード連結片とをスポット溶接する状態を示す模式図である。
【図６】本発明の実施の形態に係るスポット溶接により溶接されたディスク連結片とリード連結片とを示す平面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  ディスク部
１ａ  端部
２  リード部
３  リードフレーム
４  第１のリード
４ａ  段差部
４ｂ  先端部
５  第２のリード
６  第３のリード
７〜９  位置決め孔
１０  チップ搭載部
１１  チップ
１２，１３  パッド
１４，１５  リードワイヤ
１６  半田
１７  パワートランジスタ
１８  Ｎｉ−Ｐ合金メッキ層（材料）
２１，２２  パイロット兼押さえピン
２３ａ  第１の電圧印加ツール
２３ｂ  第２の電圧印加ツール
３１  電源
３２  制御部
３３  スポット溶接器
４１  溶接部分
４２  ディスク連結片
４３  リード連結片
４４，４５  ブリッジ
１０１  溝
１０２  モールド樹脂
【図１】
2005268410.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005268410.tif 000008