(57)【要約】【課題】  帯域外減衰量が大きく、かつ、帯域外減衰量の温度係数の絶対値と、アイソレーションが極大となる周波数の温度係数の絶対値とがそれぞれ小さい非可逆回路素子を提供する。【解決手段】  板状磁性体５の一面上で相互に交差する複数の中心導体６Ａ〜６Ｃと、中心導体６Ａ〜６Ｃにそれぞれ接続された複数の整合用コンデンサと、板状磁性体５に重ねられて板状磁性体５にバイアス磁界を与えるＳｍＣｏ系またはＡｌＮｉＣｏ系の磁石７とを具備してなり、板状磁性体５が、下記の組成式（１）〜（３）のいずれかにより表されるガーネットフェライトからなる非可逆回路素子１を採用する。(1)  Ｙ３−ｘＧｄｘＦｅｔ−２ｙ−ｚＣｏｙＳｉｙＡｌｚＯ１２(2)  Ｙ３−ｘ−ｕＧｄｘＣａｕＦｅｔ−2ｙ−ｕ−ｚＣｏｙＳｉｙＤｕＡｌｚＯ１２(3)  Ｙ３−ｘＧｄｘＦｅｔ−２ｙ−ｖ−ｚＣｏｙＳｉｙＩｎｖＡｌｚＯ１２【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状磁性体と、該板状磁性体の一面上で相互に交差する複数の中心導体と、各中心導体にそれぞれ接続された複数の整合用コンデンサと、前記板状磁性体に重ねられて該板状磁性体にバイアス磁界を与えるＳｍＣｏ系磁石またはＡｌＮｉＣｏ系磁石とを具備してなり、
前記板状磁性体が、下記の組成式により表されるガーネットフェライトからなることを特徴とする非可逆回路素子。
Ｙ３−ｘＧｄｘＦｅｔ−２ｙ−ｚＣｏｙＳｉｙＡｌｚＯ１２
ただし、前記組成式中の組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔは０．２≦ｘ≦１．５、０．００５≦ｙ≦０．０１５、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦５の範囲である。
【請求項２】
板状磁性体と、該板状磁性体の一面上で相互に交差する複数の中心導体と、各中心導体にそれぞれ接続された複数の整合用コンデンサと、前記板状磁性体に重ねられて該板状磁性体にバイアス磁界を与えるＳｍＣｏ系磁石またはＡｌＮｉＣｏ系磁石とを具備してなり、
前記板状磁性体が、下記の組成式により表されるガーネットフェライトからなることを特徴とする非可逆回路素子。
Ｙ３−ｘ−ｕＧｄｘＣａｕＦｅｔ−2ｙ−ｕ−ｚＣｏｙＳｉｙＤｕＡｌｚＯ１２
ただし、前記ＤはＺｒ、Ｈｆ、Ｓｎのうち１種又は２種以上の元素を示し、組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔ、ｕは０．２≦ｘ≦１．５、０．００５≦ｙ≦０．０１５、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦５、０＜ｕ≦０．３の範囲である。
【請求項３】
板状磁性体と、該板状磁性体の一面上で相互に交差する複数の中心導体と、各中心導体にそれぞれ接続された複数の整合用コンデンサと、前記板状磁性体に重ねられて該板状磁性体にバイアス磁界を与えるＳｍＣｏ系磁石またはＡｌＮｉＣｏ系磁石とを具備してなり、
前記板状磁性体が、下記の組成式により表されるガーネットフェライトからなることを特徴とする非可逆回路素子。
Ｙ３−ｘＧｄｘＦｅｔ−２ｙ−ｖ−ｚＣｏｙＳｉｙＩｎｖＡｌｚＯ１２
ただし、前記組成式中の組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔは０．２≦ｘ≦１．５、０．００５≦ｙ≦０．０１５、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦５、０＜ｖ≦０．２の範囲である。
【請求項４】
前記組成式中の組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔが、０．２≦ｘ≦１．２５、０．００５≦ｙ≦０．０１、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦４．９の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
前記組成式中の組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔ、ｕが、０．２≦ｘ≦１．２５、０．００５≦ｙ≦０．０１、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦４．９、０．０４≦ｕ≦０．２の範囲であることを特徴とする請求項２に記載の非可逆回路素子。
【請求項６】
前記組成式中の組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔ、ｖが、０．２≦ｘ≦１．２５、０．００５≦ｙ≦０．０１、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦４．９、０．０４≦ｖ≦０．２の範囲であることを特徴とする請求項３に記載の非可逆回路素子。
【請求項７】
前記整合用コンデンサが、比誘電率１５０以上の誘電体を備えたものであることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のアイソレータ。
【請求項８】
前記誘電体がチタン酸バリウムであることを特徴とする請求項７に記載の非可逆回路素子。
【請求項９】
前記板状磁性体、前記複数の中心導体、前記整合用コンデンサ及び前記ＳｍＣｏ系磁石またはＡｌＮｉＣｏ系磁石が、略直方体状の磁気ヨークに収納され、該磁気ヨークが３．２ミリ角以下の大きさとされていることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の非可逆回路素子を備えたことを特徴とする通信機装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波帯などの高周波帯域で使用される非可逆回路素子及び通信機装置に関するもので、特に、帯域外減衰量の温度係数の絶対値が小さく、かつ、アイソレーションが極大となる周波数の温度係数の絶対値が小さな非可逆回路素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
集中定数型の非可逆回路素子の一種であるアイソレータは、信号を伝送方向に損失なく通過させ、逆方向への信号の通過を阻止する機能を備えた高周波部品であり、携帯電話機等の移動体通信装置の送信回路部に使用されている。
【０００３】
アイソレータは、複数の中心導体及び共通電極をフェライト等からなる板状磁性体に組み付けてなる磁性組立体と、バイアス用磁石と、整合用コンデンサ及び終端抵抗素子とが、磁気ヨーク内に収納されて構成されている。最近では、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯域の高周波数で駆動する小型の携帯電話機に内蔵されている。そこで、アイソレータにおいては、携帯電話機の小型化、高機能化に対応すべく、全体の大きさを数ミリ角以下にしたものが開発されている。
【０００４】
ところで、アイソレータに内蔵されている板状磁性体には、挿入損失を低減するためにＹＩＧフェライト（イットリウム鉄ガーネットフェライト）を用いるのが一般的である。また、アイソレータに内蔵されるバイアス用磁石には、フェライト磁石、ネオジウム鉄ボロン磁石、サマリウムコバルト磁石（ＳｍＣｏ系磁石）などが用いられている。特に、ＳｍＣｏ系磁石は、残留磁化が高いとともに、残留磁化の温度係数の絶対値が低いため、アイソレータの磁石として有望である。下記の特許文献１には、ＹＩＧフェライトとＳｍＣｏ系磁石とが備えられ、更にPbZrO系誘電体材料からなる容量部が備えられた非可逆回路素子が開示されている。
【特許文献１】特開平１１−２８３８２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の非可逆回路素子においては、容量部としてPbZrO系誘電体材料からなるものを用いている。この誘電体材料は、一般に比誘電率が１４０以下と小さく、静電容量も比較的小さくなっている。このため、特許文献１記載の非可逆回路素子を、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数帯域で動作させようとすると、静電容量Ｃが小さい分、中心導体のインダクタンスを高くせざるを得ない。
しかし、インダクタンスを高くなると、非可逆回路素子の２ｆ０における帯域外減衰量が小さくなる。帯域外減衰量が小さくなると、２ｆ０の周波数帯域において信号が漏れやすくなり、通信機装置のアンテナからノイズを発生させてしまうといった問題があった。
【０００６】
また、特許文献１に記載された磁気回転子（ＹＩＧフェライト）の組成は、PbZrO系誘電体材料からなる容量部を用いるために最適化されたものであった。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、帯域外減衰量が大きく、かつ、帯域外減衰量の温度係数の絶対値と、アイソレーションが極大となる周波数の温度係数の絶対値とがそれぞれ小さい非可逆回路素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の非可逆回路素子は、板状磁性体と、該板状磁性体の一面上で相互に交差する複数の中心導体と、各中心導体にそれぞれ接続された複数の整合用コンデンサと、前記板状磁性体に重ねられて該板状磁性体にバイアス磁界を与えるＳｍＣｏ系磁石またはＡｌＮｉＣｏ系磁石とを具備してなり、前記板状磁性体が、下記の組成式により表されるガーネットフェライトからなることを特徴とする。
Ｙ３−ｘＧｄｘＦｅｔ−２ｙ−ｚＣｏｙＳｉｙＡｌｚＯ１２
ただし、前記組成式中の組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔは０．２≦ｘ≦１．５、０．００５≦ｙ≦０．０１５、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦５の範囲である。
【０００９】
尚、上記組成式中の組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔは、０．２≦ｘ≦１．２５、０．００５≦ｙ≦０．０１、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦４．９の範囲であることがより好ましい。
【００１０】
また、本発明の非可逆回路素子は、板状磁性体と、該板状磁性体の一面上で相互に交差する複数の中心導体と、各中心導体にそれぞれ接続された複数の整合用コンデンサと、前記板状磁性体に重ねられて該板状磁性体にバイアス磁界を与えるＳｍＣｏ系磁石またはＡｌＮｉＣｏ系磁石とを具備してなり、前記板状磁性体が、下記の組成式により表されるガーネットフェライトからなることを特徴とする。
Ｙ３−ｘ−ｕＧｄｘＣａｕＦｅｔ−2ｙ−ｕ−ｚＣｏｙＳｉｙＤｕＡｌｚＯ１２
ただし、前記ＤはＺｒ、Ｈｆ、Ｓｎのうち１種又は２種以上の元素を示し、組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔ、ｕは０．２≦ｘ≦１．５、０．００５≦ｙ≦０．０１５、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦５、０＜ｕ≦０．３の範囲である。
【００１１】
尚、上記組成式中の組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔ、ｕは、０．２≦ｘ≦１．２５、０．００５≦ｙ≦０．０１、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦４．９、０．０４≦ｕ≦０．２の範囲であることがより好ましい。
【００１２】
また、本発明の非可逆回路素子は、板状磁性体と、該板状磁性体の一面上で相互に交差する複数の中心導体と、各中心導体にそれぞれ接続された複数の整合用コンデンサと、前記板状磁性体に重ねられて該板状磁性体にバイアス磁界を与えるＳｍＣｏ系磁石またはＡｌＮｉＣｏ系磁石とを具備してなり、前記板状磁性体が、下記の組成式により表されるガーネットフェライトからなることを特徴とする。
Ｙ３−ｘＧｄｘＦｅｔ−２ｙ−ｖ−ｚＣｏｙＳｉｙＩｎｖＡｌｚＯ１２
ただし、前記組成式中の組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔは０．２≦ｘ≦１．５、０．００５≦ｙ≦０．０１５、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦５、０＜ｖ≦０．２の範囲である。
【００１３】
尚、上記組成式中の組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔ、ｖは、０．２≦ｘ≦１．２５、０．００５≦ｙ≦０．０１、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦４．９、０．０４≦ｖ≦０．２の範囲であることがより好ましい。
【００１４】
また、上記ＳｍＣｏ系磁石としては、ＳｍＣｏ５、Ｓｍ２Ｃｏ１７、Ｓｍ(Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍ)ｚ（ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうちの一種以上の元素であり、ｚは６．８〜７．６の範囲である）のいずれかを主成分とするものが用いられる。これらのＳｍＣｏ系磁石の残留磁化の温度係数は、組成によって異なるが、−０．０３〜−０．０５％／Ｋの範囲が好ましく、特に−０．０４％／Ｋ程度がより好ましい。
また、上記ＡｌＮｉＣｏ系磁石としては、Ｆｅ５１Ａｌ８Ｎｉ１４Ｃｏ２４Ｃｕ３、Ｆｅ３４Ａｌ７Ｎｉ１５Ｃｏ３５Ｃｕ４Ｔｉ５（添え字は質量％）のいずれかの組成を主成分とするものが用いられ、これらＡｌＮｉＣｏ系磁石の残留磁化の温度係数は、０．０１〜−０．０２％／Ｋ程度のものが好ましい。
【００１５】
上記のガーネットフェライトは、Ｇｄを上記範囲で添加することにより、４πＭｓ（飽和磁化）の温度係数（α）の絶対値を低減できる。このαの小さなガーネットフェライトと、残留磁化の温度係数が小さなＳｍＣｏ系磁石とを用いることで、帯域外減衰量の温度係数の絶対値と、アイソレーションが極大となる周波数の温度係数の絶対値とを、それぞれ小さくすることができる。
また、ガーネットフェライトにＣｏとＳｉとを上記組成比で添加することにより、Ｇｄを単独添加する場合（Y-Gd-Fe-Al-O系）に比べて強磁性共鳴半値幅（ΔＨ）を小さくすることができ、挿入損失を低減することができる。
また、Ａｌの添加量を上記の範囲内で変更することにより、４πＭｓの値を調整することができる。また、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ａｌの合計量を上記範囲で調整することにより、異相が析出することなく、ガーネット単相にすることができ、ΔＨを小さくすることができる。
【００１６】
また、ＣｏとＳｉに加えてＣａと上記Ｄをそれぞれ上記組成比で添加することにより、Ｇｄを単独添加する場合と比べて強磁性共鳴半値幅（ΔＨ）をより小さくすることができる。
更に、ＣｏとＳｉに加えてＩｎを上記組成比で添加することにより、Ｇｄを単独添加する場合と比べて強磁性共鳴半値幅（ΔＨ）を小さくすることができる。
【００１７】
尚、本発明において、帯域外減衰量とは、アイソレーションの中心周波数（非可逆回路素子の動作周波数）をｆ０としたとき、このｆ０の２倍の周波数２ｆ０における損失量のことである。
また、帯域外減衰量の温度係数の絶対値とは、温度変化に対する帯域外減衰量の変化率の絶対値である。また、アイソレーションの中心周波数の温度係数の絶対値とは、温度変化に対する中心周波数の変化率の絶対値である。
【００１８】
また、上記の強磁性共鳴半値幅（ΔＨ）とは、透磁率の虚数部μ''のピークの半値幅であり、通常の磁性体の透磁率を測定する場合は磁場をかけた方向と同じ方向に基づいて透磁率を測定するものであるのに対し、静磁場で飽和させた状態で静磁場の方向と直角方向に高周波磁界を印加した時の透磁率を測定し、その虚数部の測定値から求められる値である。この値が小さいほど低損失であることを意味する。
また、磁化温度係数α（−３５）及びα（８５）は、次のように計算される。
【００１９】
α（−３５）＝[｛４πＭｓ（２５℃）−４πＭｓ（−３５℃）｝／４πＭｓ（２５℃）]×（１００／６０）    [％・℃−１]
【００２０】
α（８５）＝[｛４πＭｓ（８５℃）−４πＭｓ（２５℃）｝／４πＭｓ（２５℃）]×（１００／６０）        [％・℃−１]
【００２１】
上記式中、４πＭｓ（−３５℃）、４πＭｓ（２５℃）、４πＭｓ（８５℃）は、それぞれ−３５℃、２５℃、８５℃における板状磁性体の４πＭｓ（飽和磁化）の値である。
【００２２】
また、本発明の非可逆回路素子においては、前記整合用コンデンサが、比誘電率１５０以上の誘電体を備えたものであることが好ましく、特に前記誘電体がチタン酸バリウムであることがより好ましい。
【００２３】
上記の構成によれば、整合用コンデンサとして比誘電率１５０以上の誘電体を備えていることから、静電容量Ｃを比較的大きくすることができる。これにより、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数帯域で動作させる場合に、静電容量Ｃが大きい分、中心導体のインダクタンスＬを小さくすることができる。インダクタンスＬを小さくすることによって、２ｆ０における帯域外減衰量を大きくすることができ、周波数２ｆ０の信号の通過を阻止することができる。これにより、不要な信号の通過を阻止してノイズ発生を防止できる。
また、チタン酸バリウムにはＰｂ等の有害元素が含まれないので、環境汚染を防止できる。
【００２４】
また本発明の非可逆回路素子においては、前記板状磁性体、前記複数の中心導体、前記整合用コンデンサ及び前記ＳｍＣｏ系磁石またはＡｌＮｉＣｏ系磁石が、略直方体状の磁気ヨークに収納され、更に該磁気ヨークが３．２ミリ角以下の大きさとされていることが好ましい。
【００２５】
次に、本発明の通信機装置は、先のいずれかに記載の非可逆回路素子を備えたことを特徴とする。
上記の通信機装置によれば、帯域外減衰量が大きく、かつ、帯域外減衰量の温度係数の絶対値と、アイソレーションが極大となる周波数の温度係数の絶対値とがそれぞれ小さな非可逆回路素子を備えているので、使用環境に対する通信機装置の性能の変動を小さくすることができ、安定な性能を得ることができる。また、非可逆回路素子の帯域外減衰量が小さいので、通信機装置のアンテナからノイズを発生させることがない。
また本発明の非可逆回路素子においては、板状磁性体にバイアス磁界を与えるＡｌＮｉＣｏ系磁石であることが好ましく、前記ＡｌＮｉＣｏ系磁石は、残留磁化の温度係数が０．０１〜−０．０２％／Ｋ程度のものが好ましい。温度係数αの小さなガーネットフェライトと、残留磁化の温度係数が小さなＡｌＮｉＣｏ系磁石を用いることで、帯域外減衰量の温度係数の絶対値と、アイソレーションが極大となる周波数の温度係数の絶対値とを、それぞれ小さくすることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の非可逆回路素子によれば、帯域外減衰量が大きくすることができ、かつ、帯域外減衰量の温度係数の絶対値と、アイソレーションが極大となる周波数の温度係数の絶対値とをそれぞれ小さくすることができる。
また本発明の通信機装置によれば、使用環境に対する通信機装置の性能の変動を小さくすることができ、また、不要なノイズの発生を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、以下の全ての図面は、本実施形態の内容を的確に把握するために、各構成要素の寸法比率などを、実際の製品とは適宜異ならせて示してある。
図１は本発明に係る非可逆回路素子の一種であるアイソレータの一例を示す分解斜視図であり、この形態のアイソレータ（非可逆回路素子）１は、上部ケース２と下部ケース３との間に、下部ケース３側から順に基板４と円板状の板状磁性体５と中心導体６Ａ、６Ｂ、６Ｃ（これらは板状磁性体５の下部側で共通電極部により電気的に接続されている。）とＳｍＣｏ系もしくはＡｌＮｉＣｏ系の硬磁性材料からなる磁石７とを設けて構成されている。
先の上部ケース２と下部ケース３は側面コ字型の磁性体製のケースであり、上部ケース２と下部ケース３を一体化することで略直方体状の磁気ヨーク８が構成される。この磁気ヨーク８は一辺の寸法Ｍが３．２ｍｍ以下であり、いわゆる３．２ミリ角以下の磁気ヨークである。
また、先の基板４は、中央部に丸型の透孔４ａが形成された樹脂製の基台４Ａを有し、その一面周縁部３カ所にパターン電極（整合用コンデンサ）４ｂが形成され、残り１つの縁部にアース電極４ｃが形成され、更にアース電極４ｃと先のパターン電極４ｂの１つに電気的に接続された抵抗素子４ｄが設けられたものである。
【００２８】
板状磁性体５は、後述するガーネットフェライトからなる板状のものであり、板状磁性体５の外周部には帯状の金属片からなる中心導体６Ａ、６Ｂ、６Ｃが板状磁性体５の中心部を起点に周回りに６０゜間隔で巻き付けられ、板状磁性体５は基板４の透孔４ａに挿入されて各中心導体６Ａ、６Ｂ、６Ｃの各一端部が各パターン電極４ｂに電気的に接続され、各中心導体６Ａ、６Ｂ、６Ｃの各他端部は図示しない共通電極部に一体的に接続されている。そして、中心導体６Ａ、６Ｂ、６Ｃ上に板状磁性体５の上下方向にバイアス磁界を印加する円盤型のＳｍＣｏ系磁石７が積み重ねられ、この状態でこれらが上ケース２と下ケース３との間に収納されてアイソレータ１が構成されている。
【００２９】
ＳｍＣｏ系磁石７は、ＳｍＣｏ５、Ｓｍ２Ｃｏ１７、Ｓｍ(Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍ)ｚ（ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうちの一種以上の元素であり、ｚは６．８〜７．６の範囲である）のうちのいずれかを主成分とするものが用いられる。これらのＳｍＣｏ系磁石の残留磁化の温度係数は、組成によって異なるが、―０．０３〜―０．０５％／Ｋの範囲が好ましく、特に０．０４％／Ｋ程度のものが好ましい。また、ＡｌＮｉＣｏ系磁石７は、Ｆｅ５１Ａｌ８Ｎｉ１４Ｃｏ２４Ｃｕ３、Ｆｅ３４Ａｌ７Ｎｉ１５Ｃｏ３５Ｃｕ４Ｔｉ５（添え字は質量％）のいずれかの組成を主成分とするものが用いられ、これらＡｌＮｉＣｏ系磁石の残留磁化の温度係数は、０．０１〜−０．０２％／Ｋ程度のものが好ましい。
残留磁化の温度係数を上記の範囲に設定することで、板状磁性体５の４πＭｓの温度係数との整合性を取ることができ、これにより帯域外減衰量の温度係数の絶対値と、アイソレーションが極大となる周波数の温度係数の絶対値とをそれぞれ小さくすることができ、特に、２５℃〜８５℃の温度範囲におけるそれぞれの温度係数の絶対値を小さくすることができる。
【００３０】
また、整合用コンデンサ（パターン電極４ｂ…）は、比誘電率１５０以上の誘電体を備えたものであることが好ましく、特に誘電体がチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）であることがより好ましい。このような誘電体を備えたアイソレータ１は、整合用コンデンサの静電容量を比較的大きくすることができる。これにより、中心導体のインダクタンスＬを小さくして、２ｆ０における帯域外減衰量を大きくすることができる。また、比誘電率が１５０以上と比較的大きいことから、コンデンサ自体の小さくしても十分な静電容量が得られるので、アイソレータ１の小型化を図ることができる。特に、３．２ミリ角以下のアイソレータを容易に構成することができる。
【００３１】
次に、板状磁性体５を構成するガーネットフェライトの組成について説明する。
上記板状磁性体５は、Ｙ３−ｘＧｄｘＦｅｔ−２ｙ−ｚＣｏｙＳｉｙＡｌｚＯ１２（ただし、上記組成式中の組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔは０．２≦ｘ≦１．５、０．００５≦ｙ≦０．０１５、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦５の範囲である。）なる組成式（１）で示されるガーネットフェライトから構成されている。
また、上記組成式（１）中の組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔは、０．２≦ｘ≦１．２５、０．００５≦ｙ≦０．０１、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦４．９の範囲であることがより好ましい。
【００３２】
板状磁性体５が上記組成式（１）で示されるガーネットフェライトから構成されている場合のＹとＧｄの組成比の合計は、３であり、上記Ｙの組成比は１．５以上２．８以下である。
上記Ｇｄの組成比を０．２以上１．５以下とすることにより、４πＭｓの温度係数（α）の絶対値を低減できる。また、アイソレータ１に使用するＳｍＣｏ磁石７の表面磁束の温度係数は負の値であるため、Ｇｄの組成比を０．２以上１．５以下とすることが室温付近の温度係数を負あるいはゼロに近い値あるいはゼロにできる。また、Ｇｄの組成比が１．２５以下であれば強磁性共鳴半値幅（ΔＨ）を６０００Ａ／ｍ以下の低い値にできる点で好ましい。
また、Ｇｄの組成比が１．０以下であれば板状磁性体５のαを全温度範囲でマイナスにでき、ＳｍＣｏ系磁石７の表面磁束の温度係数と傾きを合わせることができ、アイソレータ１の安定性を高めることができる点で好ましい。
Ｇｄの組成比が０．２未満であるとＣｏ−Ｓｉ添加によるΔＨ低減効果は得られなくなるので好ましくない。
【００３３】
また、ＣｏとＳｉの組成比をそれぞれ０．００５以上０．０１５以下とすることにより、ΔＨを小さくすることができる。また、ＣｏとＳｉの組成比をそれぞれ０．００５以上０．０１以下とすることが、確実にΔＨ低減効果を得られる点で好ましい。ＣｏとＳｉの組成比がそれぞれ０．０１５を超えるとΔＨが増大してしまう。ＣｏとＳｉの組成比がそれぞれ０．００５未満になるとΔＨ低減効果が得られなくなってしまう。
【００３４】
また、Ａｌの組成比を０以上１．５以下とすることにより、４πＭｓの値を調整することができる。Ａｌの組成比が１．５を超えると、４πＭｓがゼロになってしまう。従って、Ａｌの組成比の上限を１．５とすることが実用的な大きさの４πＭｓ値が得られる点で好ましい。
【００３５】
上記ＦｅとＣｏとＳｉとＡｌの組成比の合計はｔである。組成比ｔを４．７５以上５以下とすることにより、異相が析出することなく、ガーネット単相にすることができ、ΔＨを小さくすることができる。組成比ｔが４．７５未満になると、板状磁性体５がガーネット単相にならず、異相が析出してΔＨが急激に大きくなってしまい、５を超えると上記と同様の異相が析出してΔＨが急激に大きくなってしまう。また、上記組成比ｔを４．７５以上４．９以下とすることが、ΔＨをより効果的に低減できる点で好ましい。
上記ＦｅとＣｏとＳｉとＡｌの組成比の合計の範囲は、４．７５以上５未満であり、好ましくは４．７５以上４．９未満とされる。Ｆｅの組成比を５未満にするとΔＨが低下し始め、４．７５未満にするとΔＨの値が明らかに悪化する。
【００３６】
また、板状磁性体５は、Ｙ３−ｘ−ｕＧｄｘＣａｕＦｅｔ−2ｙ−ｕ−ｚＣｏｙＳｉｙＤｕＡｌｚＯ１２（ただし、前記ＤはＺｒ、Ｈｆ、Ｓｎのうち１種又は２種以上の元素を示し、組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔ、ｕは０．２≦ｘ≦１．５、０．００５≦ｙ≦０．０１５、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦５、０＜ｕ≦０．３の範囲である。）なる組成式（２）で示されるガーネットフェライトから構成されていてもよい。
また、上記組成式（２）中の組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔ、ｕは、０．２≦ｘ≦１．２５、０．００５≦ｙ≦０．０１、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦４．９、０．０４≦ｕ≦０．２の範囲であることがより好ましい。
板状磁性体５が上記組成式（２）で示されるガーネットフェライトから構成されている場合のＹとＧｄとＣａの組成比の合計は、３であり、上記Ｙの組成比は１．２以上２．７６以下である。
【００３７】
また、上記ＣａとＤの組成比をそれぞれ０を超えて０．３以下とすることにより、確実にΔＨ低減効果を得られる点で好ましい。上記ＣａとＤの組成比がそれぞれ０．３を超えるとΔＨをこれ以上下げることができず、逆にαの絶対値が増大してしまう。また、上記ＣａとＤを組成比でそれぞれ０．０４以上０．２以下とすることが、低いαとΔＨのバランスが取れる点で好ましい。さらに、ＣａとＤを組成比でそれぞれ０．１以上０．１６以下とすることで、αの絶対値及びΔＨをともに小さくすることができる。
上記ＦｅとＣｏとＳｉと上記ＤとＡｌの組成比の合計はｔであり、上記組成比ｔを４．７５以上５以下とすることにより、異相が析出することなく、ガーネット単相にすることができ、ΔＨを小さくすることができる。
上記ＦｅとＣｏとＳｉと上記ＤとＡｌの組成比の合計の範囲は、４．７５以上５未満であり、好ましくは４．７５以上４．９未満とされる。
【００３８】
また、上記板状磁性体５は、Ｙ３−ｘＧｄｘＦｅｔ−２ｙ−ｖ−ｚＣｏｙＳｉｙＩｎｖＡｌｚＯ１２（ただし、前記組成式中の組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔは０．２≦ｘ≦１．５、０．００５≦ｙ≦０．０１５、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦５、０＜ｖ≦０．２の範囲である。）なる組成式（３）で示されるガーネットフェライトから構成されていてもよい。
また、上記組成式（３）中の組成比を示す組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｔ、ｖは０．２≦ｘ≦１．２５、０．００５≦ｙ≦０．０１、０≦ｚ≦１．５、４．７５≦ｔ≦４．９、０．０４≦ｖ≦０．２の範囲であることがより好ましい。
【００３９】
Ｉｎの組成比を０を超えて０．２以下とすることにより、ΔＨを小さくすることができる。また、Ｉｎの組成比を０．０４以上０．２以下とすることが、確実にΔＨ低減効果を得られる点で好ましい。Ｉｎを０．２を超えて添加してもΔＨをこれ以上下げることができず、逆にαの絶対値が増大してしまう。このようにＩｎの組成比を０．０４以上０．２以下とし、Ｇｄと複合で添加することが、低いαとΔＨのバランスが取れる。また、Ｉｎの組成比を０．１以上０．１６以下とすることで、αの絶対値及びΔＨをともに小さくすることが可能となるので、より好ましい。
上記ＦｅとＣｏとＳｉとＩｎとＡｌの組成比の合計はｔであり、上記組成比ｔを４．７５以上５以下とすることにより、異相が析出することなく、ガーネット単相にすることができ、ΔＨを小さくすることができる。
上記ＦｅとＣｏとＳｉとＩｎとＡｌの組成比の合計の範囲は、４．７５以上５未満であり、好ましくは４．７５以上４．９未満とされる。
【００４０】
上記組成式（１）乃至（３）のいずれかで示される板状磁性体５によれば、αの絶対値を小さくでき、しかもΔＨを６０００Ａ・ｍ−１以下にすることも可能である。また、板状磁性体５は、従来のガーネットフェライトとαが同じ値でもΔＨについては従来のものよりも低くすることができる。また、Ａｌの量の調整により、４πＭｓの値を調整できるので、高周波領域用として好適な値に設定することができる。また、上記Ｇｄの量の調整により、ＳｍＣｏ系磁石７と組み合わせてアイソレータ１として使用する場合にＳｍＣｏ系磁石７の温度特性を補償することができる。
【００４１】
以上説明したように、本実施形態のアイソレータ１によれば、帯域外減衰量が大きくすることができ、かつ、帯域外減衰量の温度係数の絶対値と、アイソレーションが極大となる周波数の温度係数の絶対値とをそれぞれ小さくすることができる。更に、板状磁性体５のΔＨが小さくなって挿入損失を低減できる。
【００４２】
次に、この板状磁性体５の製造方法の一例について説明する。
先の板状磁性体５を製造するには、まず、目的とする組成の構成元素の酸化物粉末を用意し、目的の元素組成比となるように混合する。  例えば、Ｙ−Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ系のガーネットフェライトを製造するためには、原料として、Ｙ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ｃｏ３Ｏ４、ＳｉＯ２、Ａｌ2Ｏ3の各粉末を用意する。また、Ｙ−Ｃａ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｄ（Ｓｎ又はＺｒ又はＨｆ）‐Ａｌ-Ｏ系のガーネットフェライトを製造するためには、原料として、Ｙ2Ｏ3、ＣａＣＯ３、Ｆｅ2Ｏ3、Ｃｏ３Ｏ４、ＳｉＯ２ 、ＳｎＯ２又はＺｒＯ２又はＨｆＯ２、Ａｌ2Ｏ3の各粉末を用意する。また、Ｙ−Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｉｎ−Ａｌ-Ｏ系のガーネットフェライトを製造するためには、原料として、Ｙ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3 、Ｃｏ３Ｏ４、ＳｉＯ２ 、Ｉｎ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3の各粉末等を用意する。
ここで目的の組成比のガーネットフェライト素子とは、上記組成式（１）乃至（３）のいずれかで示されるものである。
【００４３】
これらの原料としてはこれらの粉末を用いることが好ましく、各粉末を目的の組成比になるように秤量する。なお、粉末状ではない粒状あるいは固体状の原料を用いる場合は、これらの原料を混合し、ボールミル、あるいはアトライタ等で原料を粉砕混合する。なお、鉄の混入を防止するために、ミルやアトライタにおいて混合粉末と接触する部分に鉄分を含まないものを用いることが好ましい。
【００４４】
先の混合物を乾燥した後、１０００℃〜１２００℃程度の温度で大気中もしくは酸素雰囲気中において必要時間、例えば数時間仮焼し、仮焼粉末（仮焼物）を得る。
続いてこの仮焼粉末（仮焼物）をボールミルあるいはアトライタによって粉砕して粉末化する。ここで用いる粉砕装置においてもＦｅの混入を防止する目的で先の条件を満足する装置を用いることが好ましい。
得られた仮焼後の粉末の粒径を揃えた後、バインダーとともに目的の形状となるように成型し、１ｔ／ｃｍ2程度の圧力を加えて目的の円盤状あるいは板状あるいは角柱状などの形状に成型し、次いでこの成型体を１３５０℃〜１５００℃程度の温度に加熱して焼結すると、目的とする板状磁性体５が得られる。
なおここで、目的の形状に近い形に成型しておき、焼結後に得られた成型体から目的の形状の板状磁性体を切り出すようにして製造することもできる。
【００４５】
また、図２には、本実施形態のアイソレータ１が組み込まれた携帯電話装置（通信機装置）の回路構成の一例を示す。この例の回路構成においては、アンテナ１４０にアンテナ共用器（ディプレクサ）１４１が接続され、アンテナ共用器１４１の出力側にローノイズアンプ（増幅器）１４２と段間フィルタ１４８と選択回路（混合回路）１４３を介して受信回路（ＩＦ回路）１４４が接続され、アンテナ共用器１４１の入力側に上記のアイソレータ１とパワーアンプ（増幅器）１４５と選択回路（混合回路）１４６を介して送信回路（ＩＦ回路）１４７が接続され、選択回路１４３、１４６に分配トランス１４９を介して局部発振器１５０に接続されて構成されている。
先の構成のアイソレータ１は図２に示す携帯電話装置の回路に組み込まれて使用され、アイソレータ１からアンテナ共振器１４１側への信号は低損失で通過させるが、その逆方向の信号は損失を大きくして遮断するように作用する。これにより、増幅器１４５側のノイズ等の不要な信号を増幅器１４５側に逆入力させないという作用を奏する。
【００４６】
上記の携帯電話装置によれば、帯域外減衰量の温度係数の絶対値と、アイソレーションが極大となる周波数の温度係数の絶対値とがそれぞれ小さなアイソレータ１を備えているので、使用環境に対する携帯電話装置の性能の変動を小さくすることができ、安定な性能を得ることができる。また、アイソレータ１の帯域外減衰量が小さいので、携帯電話装置のアンテナからノイズを発生させることがない。
【実施例】
【００４７】
［実験例１］
図１に示したものと同様の３．２ｍｍ角のサイズの実施例１〜２及び比較例１〜６のアイソレータを作製し、アイソレーション値の中心周波数の変動量と、帯域外減衰量の変動量を調べた。また、アイソレータの使用した板状磁性体の４πＭｓの温度係数（α）も調べた。
【００４８】
（実施例１）
板状磁性体５として、縦約１．５ｍｍ、横約２．４７ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍの平面視略六角形状のイットリウム鉄ガーネットフェライト（ＹＩＧ)からなるものを使用した。また、バイアス用磁石として、Ｓｍ２（ＣｏＦｅＣｕ）１７なる組成のＳｍＣｏ系磁石を用いた。ＳｍＣｏ系磁石のＢＨmaxは１９１ｋＪ／ｍ３であり、残留磁化Ｂｒは１．０５Ｔであり、保磁力ｂＨｃは６３６ｋＡ／ｍであり、２５℃〜８５℃の間の残留磁化の温度係数は−０．０４％／℃であった。これらの板状磁性体と磁石を用いて、図１に示すような実施例１のアイソレータを製造した。板状磁性体の組成は表１に示した通りである。また、入力側の中心導体に接続する整合用コンデンサは、チタン酸バリウム系の誘電体材料を用い、の静電容量Ｃ１を１２．３ｐＦとし、出力側の中心導体に接続する整合用コンデンサの静電容量Ｃ２を１２．２ｐＦとし、終端抵抗に並列接続される整合用コンデンサの静電容量Ｃ３を２６．７ｐＦとし、終端抵抗を６８Ωとした。
【００４９】
（実施例２）
板状磁性体５の組成を変更したこと以外は実施例１と同様にして実施例２のアイソレータを製造した。板状磁性体の組成は表１に示した通りである。
【００５０】
（実施例３）
板状磁性体５の組成を変更し、また、バイアス用磁石として、Ｆｅ５１Ａｌ８Ｎｉ１４Ｃｏ２４Ｃｕ３（添え字は質量％）のＡｌＮｉＣｏ系磁石を用いたこと以外は実施例１と同様にして実施例３のアイソレータを製造した。板状磁性体の組成は表１に示した通りである。
【００５１】
（比較例１〜６）
板状磁性体５の組成を変更するとともに、バイアス用磁石としてフェライト磁石を用いたこと以外は実施例１と同様にして比較例１〜６のアイソレータを製造した。各比較例において、フェライト磁石のＢＨmaxは３０ｋＪ／ｍ３であり、残留磁化Ｂｒは０．４Ｔであり、保磁力ｂＨｃは２６０ｋＡ／ｍであり、２５℃〜８５℃の間の残留磁化の温度係数は−０．１８％／℃であった。板状磁性体の組成は表１に示した通りである。
【００５２】
実施例１〜３及び比較例１〜６のアイソレータについて、アイソレーション値の中心周波数の変動量と、帯域外減衰量の変動量を調べた。また、アイソレータの使用した板状磁性体の４πＭｓの温度係数（α）も調べた。結果を表１に示す。
表１に示すアイソレーション値の中心周波数の変動量は、２５℃から８５℃までの間の中心周波数の変化量であり、帯域外減衰量の変動量は、２５℃から８５℃までの間の帯域外減衰量の変化量である。また、板状磁性体の温度係数（α(-35)）は、−３５℃〜２５℃の４πＭｓの温度係数であり、温度係数（α(85)）は、２５℃〜８５℃の４πＭｓの温度係数である。
【００５３】
【表１】
2005184088.tif 000003
【００５４】
表１に示すように、実施例１〜３の中心周波数の変動量は、比較例１〜６よりも小さくなっていることが分かる。また、実施例１〜３の帯域外減衰量の変動量についても、比較例１〜６よりも小さくなっていることが分かる。これは、表１に示すように、板状磁性体の磁化の温度係数と、ＳｍＣｏ系磁石またはＡｌＮｉＣｏ系磁石の残留磁化の温度係数が比較的近い値であり、両者の整合が確保されているためと考えられる。
【００５５】
［実験例２］
図１に示したものと同様な実施例４及び比較例７のアイソレータを作製し、挿入損失と帯域外減衰量を調べた。
【００５６】
（実施例４）
板状磁性体５として、縦約１．５ｍｍ、横約１．８７ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍの平面視略六角形状であってＹ１．６５Ｇｄ１．３５Ｆｅ４．８６３Ｃｏ０．０１Ｓｉ０．０１Ｏ１２なる組成のイットリウム鉄ガーネットフェライトを使用した。また、バイアス用磁石として、実施例１及び２で用いたのと同様のＳｍＣｏ系磁石を用いた。これらの板状磁性体と磁石を用いて、図１に示すような実施例４のアイソレータを製造した。また、整合用コンデンサの誘電体には、比誘電率が１６０のチタン酸バリウムからなるものを使用し、静電容量Ｃ１を５．３ｐＦとし、静電容量Ｃ２を５．９ｐＦとし、静電容量Ｃ３を７．８ｐＦとし、終端抵抗を７５Ωとした。
【００５７】
（比較例７）
整合用コンデンサの誘電体として比誘電率が１４０のジルコニウム酸鉛（ＰｂＺｒｘＯｙ）からなるものを使用し、静電容量Ｃ１を４．１ｐＦとし、静電容量Ｃ２を４．６ｐＦとし、静電容量Ｃ３を８．２ｐＦとし、終端抵抗を７５Ωとしたこと以外は実施例３と同様にして比較例７のアイソレータを製造した。
【００５８】
実施例４及び比較例７のアイソレータについて、１．８８ＧＨｚ（ｆ０）における挿入損失と、３．７６ＧＨｚ（２ｆ０）における帯域外減衰量を測定した。結果を表２に示す。
表２に示すように、実施例４及び比較例７について、挿入損失に大きな違いは見られないものの、帯域外減衰量については実施例４の方が大きく（絶対値として小さく）なっていることがわかる。
【００５９】
【表２】
2005184088.tif 000004
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】図１は本発明の実施形態であるアイソレータの分解斜視図である。
【図２】図２は本発明の実施形態である携帯電話装置の回路構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００６１】
１…アイソレータ（非可逆回路素子）、２…上部ケース、３…下部ケース、４…基板、４ａ…透孔、４Ａ…基台、４ｂ…パターン電極（整合用コンデンサ）、４ｃ…アース電極、４ｄ…抵抗素子、５…板状磁性体（ガーネットフェライト）、６Ａ、６Ｂ、６Ｃ…中心導体、７…磁石（ＳｍＣｏ系磁石、ＡｌＮｉＣｏ系磁石）、８…磁気ヨーク
【図１】
2005184088.tif 000005
【図２】
2005184088.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月22日(2004.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ＳｍＣｏ系磁石７は、ＳｍＣｏ５、Ｓｍ２Ｃｏ１７、Ｓｍ(Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍ)ｚ（ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうちの一種以上の元素であり、ｚは６．８〜７．６の範囲である）のうちのいずれかを主成分とするものが用いられる。これらのＳｍＣｏ系磁石の残留磁化の温度係数は、組成によって異なるが、―０．０３〜―０．０５％／Ｋの範囲が好ましく、特に−０．０４％／Ｋ程度のものが好ましい。また、ＡｌＮｉＣｏ系磁石７は、Ｆｅ５１Ａｌ８Ｎｉ１４Ｃｏ２４Ｃｕ３、Ｆｅ３４Ａｌ７Ｎｉ１５Ｃｏ３５Ｃｕ４Ｔｉ５（添え字は質量％）のいずれかの組成を主成分とするものが用いられ、これらＡｌＮｉＣｏ系磁石の残留磁化の温度係数は、０．０１〜−０．０２％／Ｋ程度のものが好ましい。
残留磁化の温度係数を上記の範囲に設定することで、板状磁性体５の４πＭｓの温度係数との整合性を取ることができ、これにより帯域外減衰量の温度係数の絶対値と、アイソレーションが極大となる周波数の温度係数の絶対値とをそれぞれ小さくすることができ、特に、２５℃〜８５℃の温度範囲におけるそれぞれの温度係数の絶対値を小さくすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
上記ＦｅとＣｏとＳｉとＡｌの組成比の合計はｔである。組成比ｔを４．７５以上５以下とすることにより、異相が析出することなく、ガーネット単相にすることができ、ΔＨを小さくすることができる。組成比ｔが４．７５未満になると、板状磁性体５がガーネット単相にならず、異相が析出してΔＨが急激に大きくなってしまい、５を超えると上記と同様の異相が析出してΔＨが急激に大きくなってしまう。また、上記組成比ｔを４．７５以上４．９以下とすることが、ΔＨをより効果的に低減できる点で好ましい。
上記ＦｅとＣｏとＳｉとＡｌの組成比の合計の範囲は、４．７５以上５以下であり、好ましくは４．７５以上４．９以下とされる。Ｆｅの組成比を５未満にするとΔＨが低下し始め、４．７５未満にするとΔＨの値が明らかに悪化する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、上記ＣａとＤの組成比をそれぞれ０を超えて０．３以下とすることにより、確実にΔＨ低減効果を得られる点で好ましい。上記ＣａとＤの組成比がそれぞれ０．３を超えるとΔＨをこれ以上下げることができず、逆にαの絶対値が増大してしまう。また、上記ＣａとＤを組成比でそれぞれ０．０４以上０．２以下とすることが、低いαとΔＨのバランスが取れる点で好ましい。さらに、ＣａとＤを組成比でそれぞれ０．１以上０．１６以下とすることで、αの絶対値及びΔＨをともに小さくすることができる。
上記ＦｅとＣｏとＳｉと上記ＤとＡｌの組成比の合計はｔであり、上記組成比ｔを４．７５以上５以下とすることにより、異相が析出することなく、ガーネット単相にすることができ、ΔＨを小さくすることができる。
上記ＦｅとＣｏとＳｉと上記ＤとＡｌの組成比の合計の範囲は、４．７５以上５以下であり、好ましくは４．７５以上４．９以下とされる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
Ｉｎの組成比を０を超えて０．２以下とすることにより、ΔＨを小さくすることができる。また、Ｉｎの組成比を０．０４以上０．２以下とすることが、確実にΔＨ低減効果を得られる点で好ましい。Ｉｎを０．２を超えて添加してもΔＨをこれ以上下げることができず、逆にαの絶対値が増大してしまう。このようにＩｎの組成比を０．０４以上０．２以下とし、Ｇｄと複合で添加することが、低いαとΔＨのバランスが取れる。また、Ｉｎの組成比を０．１以上０．１６以下とすることで、αの絶対値及びΔＨをともに小さくすることが可能となるので、より好ましい。
上記ＦｅとＣｏとＳｉとＩｎとＡｌの組成比の合計はｔであり、上記組成比ｔを４．７５以上５以下とすることにより、異相が析出することなく、ガーネット単相にすることができ、ΔＨを小さくすることができる。
上記ＦｅとＣｏとＳｉとＩｎとＡｌの組成比の合計の範囲は、４．７５以上５以下であり、好ましくは４．７５以上４．９以下とされる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
また、図２には、本実施形態のアイソレータ１が組み込まれた携帯電話装置（通信機装置）の回路構成の一例を示す。この例の回路構成においては、アンテナ４０にアンテナ共用器（ディプレクサ）４１が接続され、アンテナ共用器４１の出力側にローノイズアンプ（増幅器）４２と段間フィルタ４８と選択回路（混合回路）４３を介して受信回路（ＩＦ回路）４４が接続され、アンテナ共用器４１の入力側に上記のアイソレータ１とパワーアンプ（増幅器）４５と選択回路（混合回路）４６を介して送信回路（ＩＦ回路）４７が接続され、選択回路４３、４６に分配トランス４９を介して局部発振器５０に接続されて構成されている。
先の構成のアイソレータ１は図２に示す携帯電話装置の回路に組み込まれて使用され、アイソレータ１からアンテナ共振器４１側への信号は低損失で通過させるが、その逆方向の信号は損失を大きくして遮断するように作用する。これにより、増幅器４５側のノイズ等の不要な信号を増幅器４５側に逆入力させないという作用を奏する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
上記の携帯電話装置によれば、帯域外減衰量の温度係数の絶対値と、アイソレーションが極大となる周波数の温度係数の絶対値とがそれぞれ小さなアイソレータ１を備えているので、使用環境に対する携帯電話装置の性能の変動を小さくすることができ、安定な性能を得ることができる。また、アイソレータ１の帯域外減衰量が大きいので、携帯電話装置のアンテナからノイズを発生させることがない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
表１に示すように、実施例１〜３の帯域外減衰量の変動量は、比較例１〜６よりも小さくなっていることが分かる。これは、表１に示すように、板状磁性体の磁化の温度係数と、ＳｍＣｏ系磁石またはＡｌＮｉＣｏ系磁石の残留磁化の温度係数が比較的近い値であり、両者の整合が確保されているためと考えられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
実施例４及び比較例７のアイソレータについて、１．８８ＧＨｚ（ｆ０）における挿入損失と、３．７６ＧＨｚ（２ｆ０）における帯域外減衰量を測定した。結果を表２に示す。
表２に示すように、実施例４及び比較例７について、挿入損失に大きな違いは見られないものの、帯域外減衰量については実施例４の方が大きく（絶対値として大きく）なっていることがわかる。