(57)【要約】【課題】  スループットの低下を抑制しつつ、簡易な構成でダミーディスペンスを行う。【解決手段】  レジストノズル５ａ〜５ｎまたはリンスノズル５ｐ、５ｑのうちの１個がレジスト成膜処理またはリンス処理に用いられている間に、ノズル待機用ブロック８上で待機中の他のレジストノズル５ａ〜５ｎまたはリンスノズル５ｐ、５ｑからレジスト５ａ〜５ｎまたはリンス液Ｒｐ、Ｒｑをそれぞれ吐出させる。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴を吐出する複数のノズルと、
前記ノズルを待機位置から処理対象上に搬送する搬送手段と、
選択されたノズルから前記処理対象上に液滴を吐出させる吐出制御手段と、
前記液滴を前記処理対象上で広げることにより、前記処理対象の成膜処理を行う成膜処理手段と、
前記処理対象の成膜処理中に待機中の他のノズルから液滴を吐出させるダミーディスペンス処理手段とを備えることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
レジストを吐出する複数のノズルと、
前記ノズルを待機位置からウェハ上に搬送する搬送手段と、
選択されたノズルから前記ウェハ上にレジストを吐出させる吐出制御手段と、
前記レジストが吐出されたウェハを回転させることにより、前記ウェハ上にレジストの成膜処理を行う成膜処理手段と、
前記レジストの成膜処理中に待機中の他のノズルからレジストを吐出させるダミーディスペンス処理手段とを備えることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項３】
レジストを吐出する複数のレジストノズルと、
リンス液を吐出するリンスノズルと、
前記レジストノズルおよびリンスノズルを待機位置からウェハ上に搬送する搬送手段と、
選択されたレジストノズルから前記ウェハ上にレジストを吐出させる吐出制御手段と、
前記レジストが吐出されたウェハを回転させることにより、前記レジストの成膜処理を行う成膜処理手段と、
前記レジストが成膜されたウェハ上に前記リンスノズルからリンス液を吐出させることにより、バックリンスまたはエッジリンスを行うリンス処理手段と、
前記レジストの成膜処理中またはリンス処理中に待機中の他のノズルからレジストまたはリンス液を吐出させるダミーディスペンス処理手段とを備えることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項４】
複数のノズルのうちの一部のノズルのダミーディスペンスを行いながら、他のノズルを用いて処理対象上に液滴を吐出させ、前記処理対象の成膜処理を行うことを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項５】
選択されたノズルからウェハ上にレジストを吐出させる工程と、
前記レジストが吐出されたウェハを回転させることにより、前記ウェハ上にレジストの成膜処理を行う工程と、
前記レジストの成膜処理中に待機中の他のノズルからレジストを吐出させる工程とを備えることを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項６】
選択されたノズルからウェハ上にレジストを吐出させる工程と、
前記レジストが吐出されたウェハを回転させることにより、前記ウェハ上にレジストの成膜処理を行う工程と、
前記レジストが成膜されたウェハの裏面にリンス液を吐出させることにより、バックリンスを行う工程と、
前記レジストが成膜されたウェハの端部にリンス液を吐出させることにより、エッジリンスを行う工程と、
前記レジストの成膜処理中、前記バックリンス中または前記エッジリンス中に待機中の他のノズルからレジストまたはリンス液を吐出させる工程とを備えることを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項７】
選択されたノズルから半導体ウェハ上にレジストを吐出させ、前記半導体ウェハ上にレジストの成膜処理を行う工程と、
前記レジストの成膜処理中に待機中の他のノズルからレジストを吐出させる工程と、
前記半導体ウェハ上に成膜されたレジストの露光・現像を行うことにより、前記半導体ウェハ上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記半導体ウェハのイオン注入処理またはエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
選択されたノズルから半導体ウェハ上にレジストを吐出させ、前記半導体ウェハ上にレジストの成膜処理を行う工程と、
前記レジストが成膜された半導体ウェハの裏面にリンス液を吐出させることにより、バックリンスを行う工程と、
前記レジストが成膜された半導体ウェハの端部にリンス液を吐出させることにより、エッジリンスを行う工程と、
前記レジストの成膜処理中、前記バックリンス中または前記エッジリンス中に待機中の他のノズルからレジストまたはリンス液を吐出させる工程と、
前記半導体ウェハ上に成膜されたレジストの露光・現像を行うことにより、前記半導体ウェハ上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記半導体ウェハのイオン注入処理またはエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜形成装置、薄膜形成方法および半導体装置の製造方法に関し、特に、レジストなどのダミーディスペンス方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のレジスト塗布装置では、製品または工程によってレジストを使い分けるために、レジストを吐出させるための複数のノズルを備えたものがある。そして、１つのノズルの使用中に、他のノズル内に残留したレジストが硬化することを防止するために、各ノズルについて一定時間ごとにダミーディスペンスが行われていた。
また、特許文献１には、複数のレジスト吐出ノズルを個別的に洗浄する複数の洗浄機構を設け、他のレジスト塗布処理を中断することなく、レジストの種類を交換したレジスト供給系に対応するレジスト吐出ノズルの洗浄処理を行う方法が開示されている。
【特許文献１】特開２０００−１９５７７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、各ノズルについて一定時間ごとにダミーディスペンスを行う方法では、ダミーディスペンスが行われている間、ワーク処理を停止させる必要があるため、ノズル数が増えると、スループットの低下の要因になるという問題があった。
また、特許文献１に開示された方法では、他のレジスト塗布処理を中断することなく、レジスト吐出ノズルの洗浄処理を行うためには、洗浄機構をノズルごとに設ける必要があり、装置の構成が複雑化するという問題があった。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、スループットの低下を抑制しつつ、簡易な構成でダミーディスペンスを行うことが可能な薄膜形成装置、薄膜形成方法および半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る薄膜形成装置によれば、液滴を吐出する複数のノズルと、前記ノズルを待機位置から処理対象上に搬送する搬送手段と、選択されたノズルから前記処理対象上に液滴を吐出させる吐出制御手段と、前記液滴を前記処理対象上で広げることにより、前記処理対象の成膜処理を行う成膜処理手段と、前記処理対象の成膜処理中に前記待機中の他のノズルから液滴を吐出させるダミーディスペンス処理手段とを備えることを特徴とする。
【０００６】
これにより、複数のノズルのうちの１個のノズルが成膜処理に用いられている間に、成膜処理に用いられていないノズルから液滴を吐出させることが可能となり、ダミーディスペンスシーケンスを変更することで、成膜処理中にダミーディスペンスを行うことが可能となる。このため、成膜処理を停止させることなく、ダミーディスペンスを行うことが可能となり、スループットの低下を抑制することが可能となるとともに、各ノズルについて洗浄機構を個別に設けることを不要として、装置構成の複雑化を抑制することができる。
【０００７】
また、本発明の一態様に係る薄膜形成装置によれば、レジストを吐出する複数のノズルと、前記ノズルを待機位置からウェハ上に搬送する搬送手段と、選択されたノズルから前記ウェハ上にレジストを吐出させる吐出制御手段と、前記レジストが吐出されたウェハを回転させることにより、前記ウェハ上にレジストの成膜処理を行う成膜処理手段と、前記レジストの成膜処理中に前記待機中の他のノズルからレジストを吐出させるダミーディスペンス処理手段とを備えることを特徴とする。
【０００８】
これにより、複数のノズルのうちの１個のノズルがレジストの成膜処理に用いられている間に、待機中の他のノズルからレジストを吐出させることが可能となり、ダミーディスペンスシーケンスを変更することで、成膜処理中にダミーディスペンスを行うことが可能となる。このため、成膜処理を停止させることなく、待機中のノズル内のレジスト硬化を防止することが可能となり、ノズルが多数設けられている場合においても、成膜処理のタクト内でダミーディスペンス処理を完了させることができる。この結果、スループットの低下を抑制しつつ、レジストの成膜処理を行うことが可能となるとともに、各ノズルについて洗浄機構を個別に設けることを不要として、装置構成の複雑化を抑制することができる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る薄膜形成装置によれば、レジストを吐出する複数のレジストノズルと、リンス液を吐出するリンスノズルと、前記レジストノズルおよびリンスノズルを待機位置からウェハ上に搬送する搬送手段と、選択されたレジストノズルから前記ウェハ上にレジストを吐出させる吐出制御手段と、前記レジストが吐出されたウェハを回転させることにより、前記レジストの成膜処理を行う成膜処理手段と、前記レジストが成膜されたウェハ上に前記リンスノズルからリンス液を吐出させることにより、バックリンスまたはエッジリンスを行うリンス処理手段と、前記レジストの成膜処理中またはリンス処理中に前記待機中の他のノズルからレジストまたはリンス液を吐出させるダミーディスペンス処理手段とを備えることを特徴とする。
【００１０】
これにより、複数のノズルのうちの１個のノズルがレジスト成膜処理またはリンス処理に用いられている間に、待機中の他のノズルからレジストまたはリンス液を吐出させることが可能となり、ダミーディスペンスシーケンスを変更することで、レジスト成膜処理中またはリンス処理中にダミーディスペンスを行うことが可能となる。このため、成膜処理またはリンス処理を停止させることなく、待機中のノズル内の目詰まりを防止することが可能となり、ノズルが多数設けられている場合においても、成膜処理およびリンス処理のタクト内でダミーディスペンス処理を完了させることができる。この結果、スループットの低下を抑制しつつ、レジスト成膜処理およびリンス処理を行うことが可能となるとともに、各ノズルについて洗浄機構を個別に設けることを不要として、装置構成の複雑化を抑制することができる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る薄膜形成方法によれば、複数のノズルのうちの一部のノズルのダミーディスペンスを行いながら、他のノズルを用いて処理対象上に液滴を吐出させ、前記処理対象の成膜処理を行うことを特徴とする。
これにより、ダミーディスペンスシーケンスを変更することで、成膜処理中にダミーディスペンスを行うことが可能となり、スループットの低下を抑制しつつ、簡易な構成でノズルの目詰まりを防止することが可能となる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る薄膜形成方法によれば、選択されたノズルからウェハ上にレジストを吐出させる工程と、前記レジストが吐出されたウェハを回転させることにより、前記ウェハ上にレジストの成膜処理を行う工程と、前記レジストの成膜処理中に待機中の他のノズルからレジストを吐出させる工程とを備えることを特徴とする。
これにより、ダミーディスペンスシーケンスを変更することで、成膜処理中にレジストのダミーディスペンスを行うことが可能となる。このため、ノズルが多数設けられている場合においても、成膜処理のタクト内でダミーディスペンス処理を完了させることができ、スループットの低下を抑制しつつ、簡易な構成でノズル内のレジスト硬化を防止することが可能となる。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る薄膜形成方法によれば、選択されたノズルからウェハ上にレジストを吐出させる工程と、前記レジストが吐出されたウェハを回転させることにより、前記ウェハ上にレジストの成膜処理を行う工程と、前記レジストが成膜されたウェハの裏面にリンス液を吐出させることにより、バックリンスを行う工程と、前記レジストが成膜されたウェハの端部にリンス液を吐出させることにより、エッジリンスを行う工程と、前記レジストの成膜処理中、前記バックリンス中または前記エッジリンス中に待機中の他のノズルからレジストまたはリンス液を吐出させる工程とを備えることを特徴とする。
【００１４】
これにより、ダミーディスペンスシーケンスを変更することで、成膜処理中にレジストまたはリンス液のダミーディスペンスを行うことが可能となる。このため、ノズルが多数設けられている場合においても、成膜処理およびリンス処理のタクト内でダミーディスペンス処理を完了させることができ、スループットの低下を抑制しつつ、簡易な構成でノズルの目詰まりを防止することが可能となる。
【００１５】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、選択されたノズルから半導体ウェハ上にレジストを吐出させ、前記半導体ウェハ上にレジストの成膜処理を行う工程と、前記レジストの成膜処理中に待機中の他のノズルからレジストを吐出させる工程と、前記半導体ウェハ上に成膜されたレジストの露光・現像を行うことにより、前記半導体ウェハ上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記半導体ウェハのイオン注入処理またはエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
【００１６】
これにより、ノズル内でのレジスト硬化を防止することを可能としつつ、レジストを吐出させる多数のノズルを設けることが可能となり、スループットの低下を抑制しつつ、イオン注入処理またはエッチング処理を精度よく行うことが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、選択されたノズルから半導体ウェハ上にレジストを吐出させ、前記半導体ウェハ上にレジストの成膜処理を行う工程と、前記レジストが成膜された半導体ウェハの裏面にリンス液を吐出させることにより、バックリンスを行う工程と、前記レジストが成膜された半導体ウェハの端部にリンス液を吐出させることにより、エッジリンスを行う工程と、前記レジストの成膜処理中、前記バックリンス中または前記エッジリンス中に待機中の他のノズルからレジストまたはリンス液を吐出させる工程と、前記半導体ウェハ上に成膜されたレジストの露光・現像を行うことにより、前記半導体ウェハ上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記半導体ウェハのイオン注入処理またはエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
【００１７】
これにより、ノズルの目詰まりを防止しつつ、レジストまたはリンス液を吐出させる多数のノズルを設けることが可能となり、スループットの低下を抑制しつつ、イオン注入処理またはエッチング処理を精度よく行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態に係る薄膜形成装置およびその方法について図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る薄膜形成装置の概略構成を示す斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の薄膜形成装置のカップ部分の概略構成を示す断面図、図２（ａ）は、図１の薄膜形成装置の動作を示す斜視図、図２（ｂ）は、図２（ａ）の薄膜形成装置のカップ部分の概略構成を示す断面図である。
【００１９】
図１および図２において、カップ１内には、ウェハＷを回転させるモータ３が設けられるとともに、モータ３には、ウェハＷを吸着保持する吸着パット２が連結されている。
また、ノズルブロック４ａ〜４ｎには、レジストＲａ〜Ｒｎをそれぞれ吐出させるレジストノズル５ａ〜５ｎがそれぞれ設けられている。そして、ノズルブロック４ａ〜４ｎは、レジストノズル５ａ〜５ｎにレジストＲａ〜Ｒｎをそれぞれ供給するレジストライン７ａ〜７ｎにそれぞれ接続されるとともに、ノズルブロック４ａ〜４ｎを移動させるアーム６ａ〜６ｎに連結されている。なお、レジストＲａ〜Ｒｎは種類の異なるものを用意し、製品または工程によってレジストＲａ〜Ｒｎを使い分けることができる。
【００２０】
また、ノズルブロック４ｐ、４ｑには、リンス液Ｒｐ、Ｒｑをそれぞれ吐出させるリンスノズル５ｐ、５ｑがそれぞれ設けられている。そして、ノズルブロック４ｐ、４ｑは、リンスノズル５ｐ、５ｑにリンス液Ｒｐ、Ｒｑをそれぞれ供給するリンスライン７ｐ、７ｑにそれぞれ接続されるとともに、ノズルブロック４ｐ、４ｑを移動させるアーム６ｐ、６ｑに連結されている。
【００２１】
そして、ノズルブロック４ａ〜４ｎ、４ｐ、４ｑ下には、ノズル待機用ブロック８が設けられている。そして、ノズル待機用ブロック８には、ダミーディスペンス時に、レジストノズル５ａ〜５ｎからそれぞれ吐出されるレジストＲａ〜Ｒｎをそれぞれ受け入れるレジスト受け９ａ〜９ｎが配置されるとともに、リンスノズル５ｐ、５ｑからそれぞれ吐出されるリンス液Ｒｐ、Ｒｑをそれぞれ受け入れるリンス受け９ｐ、９ｑが配置されている。
【００２２】
ここで、レジストノズル５ａ〜５ｎおよびリンスノズル５ｐ、５ｑが待機状態にある場合、ノズルブロック４ａ〜４ｎ、４ｐ、４ｑはノズル待機用ブロック８上で保持される。
そして、例えば、ウェハＷ上にレジストＲｂを成膜する場合、ウェハＷを吸着パット２上に配置し、ウェハＷを吸着パット２上に固定する。そして、図２に示すように、ノズルブロック４ａ〜４ｎからノズルブロック４ｂを選択し、アーム６ｂを介してノズルブロック４ｂをウェハＷ上に移動させる。
【００２３】
そして、ノズルブロック４ｂがウェハＷ上に移動させられると、レジストノズル５ｂを介してレジストＲｂをウェハＷ上に吐出させる。そして、モータ３を介してウェハＷを回転させ、ウェハＷ上に吐出されたレジストＲｂを広げることにより、ウェハＷ上にレジストＲｂを成膜させる。
ここで、ウェハＷ上にレジストＲｂを成膜させる場合、ノズル待機用ブロック８上で待機させられている他のレジストノズル５ａ、５ｎまたはリンスノズル５ｐ、５ｑから、レジストＲａ、Ｒｎまたはリンス液Ｒｐ、Ｒｑをそれぞれ吐出させることにより、ダミーディスペンス処理を行うことができる。
【００２４】
図３は、図１の薄膜形成装置のダミーディスペンス動作を示すシーケンス図である。
図３において、ウェハＷ上でのレジストＲａ〜Ｒｎの成膜処理またはリンス液Ｒｐ、Ｒｑを用いたリンス処理中に、ノズル待機用ブロック８上で待機させられている他のレジストノズル５ａ〜５ｎまたはリンスノズル５ｐ、５ｑから、レジストＲａ〜Ｒｎまたはリンス液Ｒｐ、Ｒｑをそれぞれ吐出させる。
【００２５】
これにより、ノズルが多数設けられている場合においても、レジストノズル５ａ〜５ｎまたはリンスノズル５ｐ、５ｑのダミーディスペンス処理ＤＰ１〜ＤＰｍをＷＦタクト内で行うことができ、ＷＦタクトの乱れを防止して、スループットの低下を抑制することができる。
ここで、ＷＦタクト内でダミーディスペンス処理ＤＰ１〜ＤＰｍを行う場合、複数のノズルのダミーディスペンス処理ＤＰ１〜ＤＰｍを同時に行うようにしてもよいし、時間的にずらしながら複数のノズルのダミーディスペンス処理ＤＰ１〜ＤＰｍを行うようにしてもよい。
【００２６】
また、ロットの先頭で使用されるレジストノズル５ａ〜５ｎについては、ウェハＷの成膜処理を行う前にダミーディスペンス処理を行うようにしてもよい。ただし、この場合においても、ＷＦタクト内でダミーディスペンス処理を完了させることが好ましい。
図４は、図３の薄膜形成装置のＷＦタクト内に行われる処理を示す図である。
図４（ａ）において、例えば、ノズルブロック４ｂをウェハＷ上に移動させ、レジストノズル５ｂを介してレジストＲｂをウェハＷ上に吐出させる。なお、ウェハＷ上へのレジストＲｂの吐出が完了すると、ノズルブロック４ｂはアーム６ｂを介してノズル待機用ブロック８上に戻される。
【００２７】
そして、レジストＲｂがウェハＷ上に吐出されると、図４（ｂ）に示すように、モータ３を介してウェハＷを回転させ、ウェハＷ上に吐出されたレジストＲｂを広げることにより、ウェハＷ上にレジストＲｂを成膜させる。ここで、ウェハＷ上にレジストＲｂを成膜させると、ウェハＷ上のレジストＲｂがウェハＷの裏面に回り込み、ウェハＷの側面にレジストＲｂが付着する。
【００２８】
次に、図４（ｃ）に示すように、アーム６ｐを介してノズルブロック４ｐをウェハＷ上に移動させる。そして、リンスノズル５ｐを介してリンス液ＲｐをウェハＷの裏面に吐出させることにより、ウェハＷのバックリンスを行い、ウェハＷの裏面に回り込んだレジストＲｂを除去する。なお、ウェハＷのバックリンスが完了すると、ノズルブロック４ｐはアーム６ｐを介してノズル待機用ブロック８上に戻される。
【００２９】
次に、図４（ｄ）に示すように、アーム６ｑを介してノズルブロック４ｑをウェハＷ上に移動させる。そして、リンスノズル５ｑを介してリンス液ＲｑをウェハＷの端部に吐出させることにより、ウェハＷのエッジリンスを行い、ウェハＷの端部のレジストＲｂを除去する。なお、ウェハＷのエッジリンスが完了すると、ノズルブロック４ｑはアーム６ｑを介してノズル待機用ブロック８上に戻される。
【００３０】
ここで、レジストノズル５ａ〜５ｎまたはリンスノズル５ｐ、５ｑのうちの１個がレジスト成膜処理またはリンス処理に用いられている間に、ノズル待機用ブロック８上で待機中の他のレジストノズル５ａ〜５ｎまたはリンスノズル５ｐ、５ｑからレジスト５ａ〜５ｎまたはリンス液Ｒｐ、Ｒｑをそれぞれ吐出させることができる。
これにより、レジスト成膜処理中またはリンス処理中にダミーディスペンスを行うことが可能となり、ダミーディスペンスを行うために、成膜処理またはリンス処理を停止させる必要がなくなることから、スループットの低下を抑制することが可能となる。
【００３１】
また、ダミーディスペンスシーケンスを変更することで、レジスト成膜処理中またはリンス処理中にダミーディスペンスを行うことが可能となり、各ノズルについて洗浄機構を個別に設けることを不要として、装置構成の複雑化を抑制することができる。
また、ウェハＷにレジストＲｂを塗布した後、ウェハＷのバックリンスおよびエッジリンスを行うことにより、ウェハＷの裏面および端部に付着したレジストＲｂを除去することができる。このため、ウェハＷの搬送系にレジストＲｂが付着することを防止することができ、パーティクルの発生を防止して、ウェハＷの成膜処理を安定して行うことが可能となる。
【００３２】
なお、上述した実施形態では、半導体装置の製造方法を例にとって説明したが、本発明は、必ずしも半導体装置の製造方法に限定されることなく、例えば、液晶表示装置、プラズマディスプレイ装置または有機ＥＬ装置などの表示装置、弾性表面波（ＳＡＷ）素子などのセラミック素子、光変調器や光スイッチなどの光学素子、あるいは磁気センサやバイオセンサなどの各種センサ類などの製造方法に適用してもよい。
【００３３】
また、上述した実施形態では、レジストＲａ〜Ｒｎおよびリンス液Ｒｐ、ＲｑをウェハＷ上に吐出させる方法について説明したが、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）用材料、研磨用スラリー、樹脂などのレジストＲａ〜Ｒｎおよびリンス液Ｒｐ、Ｒｑ以外の液滴を吐出させる方法に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】第１実施形態に係る薄膜形成装置の概略構成を示す図。
【図２】図１の薄膜形成装置の動作を示す図。
【図３】図１の薄膜形成装置のダミーディスペンス動作を示すシーケンス図。
【図４】図３の薄膜形成装置のＷＦタクト内に行われる処理を示す図。
【符号の説明】
【００３５】
Ｗ  ウェハ、１  カップ、２  吸着パット、３  モータ、４ａ〜４ｎ、４ｐ、４ｑ  ノズルブロック、５ａ〜５ｎ、５ｐ、５ｑ  ノズル、６ａ〜６ｎ、６ｐ、６ｑ  アーム、７ａ〜７ｎ  レジストライン、７ｐ、７ｑ  リンスライン、８  ノズル待機用ブロック、９ａ〜９ｎ  レジスト受け、９ｐ、９ｑ  リンス受け、Ｒａ〜Ｒｎ  レジスト、Ｒｐ、Ｒｑ  リンス液
【図１】
2005079302.tif 000003
【図２】
2005079302.tif 000004
【図３】
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【図４】
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