(57)【要約】【課題】低コストで薄型化が可能なリードレス構造であり、しかも強度的にも優れた表面実装型の半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】接着テープにおける接着剤層上に部分的に複数の導電部２０を形成する基板作成工程、半導体素子１０を電極が形成されていない側が基板側となるように前記基板上に固着し、複数の導電部２０の上側と半導体素子１０の電極１１とをワイヤー３０により電気的に接続する半導体素子搭載工程、半導体素子１０とワイヤー３０と導電部２０とを封止樹脂４０で封止して接着テープ上に半導体装置を形成する樹脂封止工程、半導体装置から接着テープを分離するシート分離工程からなる製造方法であって、導電部２０が張出部分２０ａを有した形状にすることで、導電部２０と封止樹脂４０との接合強度を高くする。【選択図】図１
2005142207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着テープにおける接着面上に部分的に複数の導電部を少なくとも形成する基板作成工程、電極が形成されている少なくとも１つの半導体素子を電極が形成されていない側が基板側となるように前記基板上に固着し、複数の導電部の上側と半導体素子の上側にある電極とをワイヤーにより電気的に接続する半導体素子搭載工程、半導体素子とワイヤーと導電部とを封止樹脂で封止して接着テープ上に半導体装置を形成する樹脂封止工程、半導体装置から接着テープを分離する接着テープ除去工程、ダイサーカット又はパンチングにより個片化する切断工程からなる半導体装置の製造方法であって、
前記接着テープとして、金属基材層の上に第一接着剤層、樹脂基材層、第二接着剤層が順次積層された多層構造で、そのうちの第一接着剤層が加熱により接着力を失う性質を有する接着  テープを使用し、
前記接着テープ除去工程では、所定の温度に加温することにより、接着テープにおける第一接着剤層の接着力を消失せしめて金属基材層を剥離させてから、樹脂基材層を第一接着剤層及び第二接着剤層と共に折返し剥離するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法に用いられる接着テープであって、金属基材層の上に第一接着剤層、樹脂基材層、第二接着剤層が順次積層された多層構造で、そのうちの第一接着剤層が加熱により接着力を失う性質を有することを特徴とする接着テープ。
【請求項３】
第一の接着剤層が、加熱により接着力を失う性質として加熱発泡剥離機能を有することを特徴とする請求項２に記載の接着テープ。
【請求項４】
金属基材層と樹脂基材層の２００℃における弾性率が共に１．０ＧＰａ以上であり、かつ接着剤層の２００℃における弾性率が０．１ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項２又は３に記載の接着テープ。
【請求項５】
第二接着剤層が熱硬化型接着剤からなり、１００〜１５０℃における硬化前の弾性率が０．１ＭＰａ以下で、２００℃における硬化後の弾性率が０．１ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の接着テープ。
【請求項６】
熱硬化型接着剤が、エポキシ樹脂、エポキシ硬化剤、弾性体を必須成分として含有することを特徴とする請求項５に記載の接着テープ。
【請求項７】
半導体素子の上側にある電極と複数の導電部の上側とがそれぞれワイヤーで電気的に接続され、半導体素子の電極が形成されていない下側と導電部のワイヤーに接続していない下側とが裏面に露出した状態で半導体素子とワイヤーと導電部とが封止樹脂で封止されてなるリードレス構造の半導体装置であって、請求項１に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装型の半導体装置の技術分野に属し、詳しくは、リードレス構造をした表面実装型の半導体装置の製造方法に関し、またその方法に用いられる半導体装置製造用の接着テープに関し、さらにはその方法により得られる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置はその構成部材の一つに金属製のリードフレームを用いているが、多ピン化を実現するためには、リードフレームにおけるリードのピッチを微細化することが要求される。ところが、これに伴ってリード自体の幅を小さくすると、リードの強度が下がり、リードの曲がり等による短絡現象が生じてしまう。したがって、リードのピッチを確保するためにパッケージを大型化することが余儀なくされていた。このように、リードフレームを用いた半導体装置はパッケージサイズが大きくかつ厚くなる。そのため、リードフレームの影響のない、いわゆるリードレス構造をした表面実装型の半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開平９−２５２０１４号公報
【特許文献２】特開２００１−２１０７４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１に記載された半導体装置を図７に示す。この半導体装置の製造方法は、まず、基材１０１にベース基板としての金属箔を貼り付け、所定部分に金属箔を残すように当該金属箔のエッチングを行った後、半導体素子１０２と同等の大きさを有する金属箔１０３ａ（ダイパッド）の上に接着剤１０４を用いて半導体素子１０２を固着し、さらに、ワイヤー１０５によって半導体素子１０２と金属箔１０３ｂとの電気的接続を行い、金型を用いて封止樹脂１０６でトランスファモールドする（図７（ａ））。そして最後に、成形された封止樹脂１０６を基材１０１から分離することによって半導体素子１０２をパッケージとして完成している（図７（ｂ））。しかしながら、このようにベース基板に金属箔を使用すると、基材との分離は機械的に行うことになるが、金属箔は曲がりにくいためその分離の際に封止後の半導体装置に機械的な負荷を加えることになる。
【０００４】
また、特許文献１に記載の製造方法では、金属箔のエッチング工程及び封止樹脂のモールド工程において基材と金属箔が充分密着していることが要求され、一方、モールド工程後は基材と封止樹脂、基材と金属箔は容易に分離できることが要求される。このように、基材と金属箔は、密着特性において相反する特性が要求される。すなわち、エッチングに使用する薬品に対しては耐久性が、モールド工程での高温下及び封止樹脂が金型内を流れる時に加わる圧力下においては半導体素子がずれることがないような耐久性が必要であるにもかかわらず、モールド後には基材と封止樹脂、基材と金属箔が容易に分離できることが要求される。ところが、基材として例示されている、テフロン（登録商標）材料、シリコーン材料あるいはテフロン（登録商標）コーティングした金属等ではこのような密着特性を満足することが到底できない。
【０００５】
特許文献２に記載された半導体装置を図８に示す。この半導体装置は次の方法により製造される。まず、基材となる金属板に枡目状の凹溝２０１ａを形成した金属板２０１を得る。次いで、半導体素子２０２を接着剤２０３にて金属板２０１に固着し、その後に設計上必要な場所にワイヤーボンディングしてワイヤー２０４を形成し、封止樹脂２０５でトランスファーモールドする（図８（ａ））。次いで、金属板２０１の裏面側を少なくとも１／２の厚さ以上に研磨し、さらには設計に即した寸法に封止樹脂２０５とともに金属板２０１を切断して半導体装置を得る（図８（ｂ））。しかし、この製造方法では、金属板を機械的な研磨方法あるいはエッチング等による化学的な研磨方法にて除去する必要があることから、環境上もコスト的にも、また製品に与えるダメージの点からもあまり良好な方法とはいえない。
【０００６】
このように、従来の製造方法では、薄型化した半導体装置を得るのは困難であった。そのため、薄型化した半導体装置を得るには、半導体素子（チップ）そのものを薄く研磨する必要があり、その製造工程において半導体素子の割れや欠けが発生しやすく、コストアップにつながっていた。
【０００７】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、薄型化が可能なリードレス構造で、強度的にも優れた表面実装型の半導体装置の製造方法を提供し、併せてその方法に用いられる半導体装置製造用の接着テープを提供し、さらにはその方法により得られる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は、接着テープにおける接着面上に部分的に複数の導電部を少なくとも形成する基板作成工程、電極が形成されている少なくとも１つの半導体素子を電極が形成されていない側が基板側となるように前記基板上に固着し、複数の導電部の上側と半導体素子の上側にある電極とをワイヤーにより電気的に接続する半導体素子搭載工程、半導体素子とワイヤーと導電部とを封止樹脂で封止して接着テープ上に半導体装置を形成する樹脂封止工程、半導体装置から接着テープを分離する接着テープ除去工程、ダイサーカット又はパンチングにより個片化する切断工程からなる半導体装置の製造方法であって、
前記接着テープとして、金属基材層の上に第一接着剤層、樹脂基材層、第二接着剤層が順次積層された多層構造で、そのうちの第一接着剤層が加熱により接着力を失う性質を有する接着テープを使用し、
前記接着テープ除去工程では、所定の温度に加温することにより、接着テープにおける第一接着剤層の接着力を消失せしめて金属基材層を剥離させてから、樹脂基材層を第一接着剤層及び第二接着剤層と共に折返し剥離するようにしたことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の接着テープは、上記の製造方法に用いられる接着テープであって、金属基材層の上に第一接着剤層、樹脂基材層、第二接着剤層が順次積層された多層構造で、そのうちの第一接着剤層が加熱により接着力を失う性質を有することを特徴とする。
【００１０】
そして、上記接着テープは、第一の接着剤層が、加熱により接着力を失う性質として加熱発泡剥離機能を有する形態を採ることができる。
【００１１】
また、上記接着テープは、金属基材層と樹脂基材層の２００℃における弾性率が共に１．０ＧＰａ以上であり、かつ接着剤層の２００℃における弾性率が０．１ＭＰａ以上であることが好ましい。
【００１２】
また、上記接着テープは、第二接着剤層が熱硬化型接着剤からなり、１００〜１５０℃における硬化前の弾性率が０．１ＭＰａ以下で、２００℃における硬化後の弾性率が０．１ＭＰａ以上であることが好ましく、その熱硬化型接着剤が、エポキシ樹脂、エポキシ硬化剤、弾性体を必須成分として含有することが好ましい。
【００１３】
また、本発明の半導体装置は、半導体素子の上側にある電極と複数の導電部の上側とがそれぞれワイヤーで電気的に接続され、半導体素子の電極が形成されていない下側と導電部のワイヤーに接続していない下側とが裏面に露出した状態で半導体素子とワイヤーと導電部とが封止樹脂で封止されてなるリードレス構造の半導体装置であって、上記の製造方法によって製造される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、リードフレームを用いないリードレス構造であって、半導体素子の下には何も存在しないという徹底した薄型化を図った半導体装置を製造することができ、また、半導体素子の位置ズレがなく、低コストであり、しかも、製造工程でのダメージが少ない半導体装置を得ることができる。
【００１５】
本発明の接着テープは、金属基材層の上に第一接着剤層、樹脂基材層、第二接着剤層が順次積層された多層構造で、そのうちの第一接着剤層が加熱により接着力を失う性質を有するので、半導体装置から接着テープを分離する接着テープ除去工程において、所定の温度に加温することにより、接着テープにおける第一接着剤層の接着力を消失せしめて金属基材層を剥離させてから、樹脂基材層を第一接着剤層及び第二接着剤層と共に折返し剥離することによって、端子に欠損を生じたりチップ破損や封止樹脂割れといった半導体装置へのダメージを与えたりすることなく、端子と第二接着剤、封止樹脂と第二接着剤を軽い力で容易に剥離することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１〜図３は本発明に係る半導体装置の製造方法を示す工程図であり、同図により以下に製造の手順を説明する。
【００１７】
まず、図１（ａ）に示すように、金属基材層５１の上に第一接着剤層５２、樹脂基材層５３、第二接着剤層５４を順次積層した多層構造の接着テープ５０を準備する。この接着テープ５０における第一接着剤層５２は、加熱により接着力を失う性質の接着剤により形成されている。このような接着テープ５０は、樹脂基材層５３におけるそれぞれの面に別の接着剤を塗布して第一接着剤層５２と第二接着剤層５４を形成し、これに金属基材層５１を貼り合わせることで作製される。そして、図１（ｂ）に示すように、接着テープ５０における第二接着剤層５４上に部分的に複数の導電部２０を形成して基板を作製する。なお、導電部２０は図示の如く上下にそれぞれ張出部分２０ａを有しているが、このような導電部２０を形成する基板作成工程については後述する。また、導電部２０に加えてダイパッドを形成する形態も採りえる。
【００１８】
導電部２０を形成した時点での接着テープ５０、すなわち基板の平面図を模式的に示したのが図４である。半導体素子の電極数に対応した導電部２０が接着テープ５０上に複数個形成されているが、複数個の導電部２０は全て電気的に独立している。
【００１９】
次に、図１（ｃ）に示すように、電極１１が形成されている半導体素子１０を電極が形成されていない側が基板側となるように基板上の所定位置に第二接着剤層５４を介して固着し、複数の導電部２０と半導体素子１０の電極１１とをワイヤー３０により電気的に接続する。なお、チップサイズが小さくて接着テープ５０による固着力が不十分な場合は、銀ペースト、ダイアタッチフィルム等の市販のダイアタッチ材にて半導体素子１０を接着テープ５０上にしっかりと固着するようにしても構わない。この場合でもダイパッドは不要であるため、従来の半導体装置と比較して厚み１００〜２００μｍの薄型化が可能である。また、ダイパッドを作製した場合でも、従来のパッケージに比較して５０〜１００μｍの薄型化が可能である。
【００２０】
次いで、図１（ｄ）に示すように、半導体素子１０とワイヤー３０と導電部２０とを封止樹脂４０で封止して接着テープ５０上に半導体装置を形成する。封止樹脂４０による封止は、通常のトランスファーモールド法により金型を用いて行う。なお、モールド後には、必要に応じて封止樹脂４０の後硬化加熱を行うようにする。後硬化加熱は、後述する接着テープ５０の分離前であっても後であっても構わない。
【００２１】
続いて、半導体装置から接着テープを分離する。この場合、図２に示すように、まず所定の温度に加温することにより第一の接着剤層５２の接着力を消失せしめ、易剥離状態にして金属基材層５１を除去する。ここで、第一接着剤層５２に用いる接着剤の種類によっては封止樹脂のモールド時にかかる熱で金属基材層５１を分離することも可能である。その後、樹脂基材層５３を第一接着剤層５２及び第二接着剤層５４と共に折返し剥離することにより、図３に示す半導体装置を得る。
【００２２】
この図３に示す半導体装置は、半導体素子１０の上側にある複数の電極１１と複数の導電部２０の上部とがそれぞれワイヤー３０で電気的に接続され、半導体素子１０とワイヤー３０と導電部２０とが外部環境から保護するために封止樹脂４０で封止されている。そして、半導体素子１０の電極１１が形成されていない下側と導電部２０のワイヤー３０に接続していない下側とが封止樹脂４０と同一面上に位置した状態で封止樹脂４０の裏面に露出している。このように、本発明の製造方法で得られる半導体装置は、半導体素子１０の下面と導電部２０の下面とが封止樹脂４０の表面に露出する構造で、ダイパッドや半導体素子固着用の接着剤層を有しないリードレス構造である。しかも、この半導体装置では、導電部２０が上下に張出部分２０ａを有した形状をしており、その張出部分２０ａが封止樹脂４０の中でアンカー効果を発揮するので、導電部２０と封止樹脂４０との接合強度が高いものになっている。
【００２３】
従来の半導体装置では、ダイパッドの厚みが約１００〜２００μｍ、半導体素子固着用の接着剤層の厚みは約１０〜５０μｍである。そのため、半導体素子の厚さ及び半導体素子上を覆う封止樹脂の厚みが同じ場合、本発明によれば、ダイパッドがない構成では１１０〜２５０μｍ程度の薄型化が可能となり、ダイパッドのある構成でも１０〜５０μｍ程度の薄型化が可能となる。
【００２４】
本発明の半導体装置の製造方法における基板作成工程、すなわち接着テープ５０における第二接着剤層５２上に部分的に導電部２０を形成する手順を図５に示す。この基板作成工程を説明すると次のようである。
【００２５】
まず、導電部の素材として銅又は銅合金からなる金属箔を準備する。この金属箔としては強度の観点から厚さが０．０１〜０．１ｍｍのものを使用する。そして、その金属箔の両面にドライフィルムレジストを貼り、図５（ａ）に示すように、フォトリソグラフィー法により導電部の形状とは逆のパターンで金属箔６０の両面のドライフィルムレジスト６１をそれぞれパターニングする。
【００２６】
次いで、図５（ｂ）に示すように、ドライフィルムレジスト６１をマスクとして、銅の拡散バリア層６２としてのニッケルめっきと貴金属めっき層６３を導電部の形状に部分めっきした後、図５（ｃ）に示すように、ドライフィルムレジスト６１を除去する。ここで、貴金属めっき層６３に用いる貴金属としては少なくともＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄのいずれか若しくはこれらの組合せとする。
【００２７】
続いて、図５（ｄ）に示すように、拡散バリア層６２と貴金属めっき層６３が形成された金属箔６０を接着テープ５０の接着剤層５２側に貼り付け、この貼り付けた状態で、図５（ｅ）に示すように、貴金属めっき層６３をレジストとして金属箔６０をエッチングし導電部２０を独立させ、さらにプレス加工により接着テープ５０の外形加工を行う。そして、貴金属めっき層６３をレジストとして金属箔６０をエッチングし導電部２０を独立させる工程で、金属箔６０の側面をもエッチングすることにより、金属箔６０の上下に貴金属とニッケルからなる張出部分２０ａを設けた形状とする。
【００２８】
このように、図５の工程図は、上下両面に張出部分を有するタイプの導電部を形成する場合を示しているが、金属箔の機能面（上面）にのみに張出部分２０を有する導電部２０を形成する場合は、金属箔の機能面にのみ拡散バリア層と貴金属メッキ層を施し、メッキしていない側の面で金属箔を接着テープに貼り付け、この貼り付け状態で金属箔のエッチングを行うようにする。これにより、機能面のみに張出部分を有する導電部を独立させることができる。
【００２９】
なお、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置を複数個まとめて製造するのが実用的である。図６にその例を示す。図６（ａ）は、接着テープ５０の平面図を模式的に示した説明図であり、接着テープ５０の上面には１つの半導体素子を固着する領域とその周囲に形成された導電部を１つのブロック７０として表し、そのブロック７０が枡目状に多数形成されている。一方、図６（ｂ）は１つのブロック７０の拡大図であり、半導体素子固着領域７１の周囲に導電部２０が必要な数だけ形成されている。
【００３０】
図６（ａ）において、例えば、接着テープ５０の幅（Ｗ）が５００ｍｍ幅であり、所定の工程を経て接着テープ５０の上に複数個のブロック７０が形成され、連続的にロールに巻かれた基材が作製される。このようにして得られた幅５００ｍｍの接着テープ５０を、次の半導体素子搭載工程、樹脂封止工程に必要なブロック数になるように適宜切断して使用される。このように複数個の半導体素子を一括して樹脂封止する場合には、樹脂封止後に接着テープを分離してから、ダイサーカット又はパンチングで所定の寸法に切断して個片化することで半導体装置を得ることになる。
【００３１】
本発明の半導体装置の製造方法に用いる接着テープは、樹脂封止工程が完了するまで半導体素子１０や導電部２０を確実に固着し、かつ半導体装置から分離する際には、端子にダメージを与えることなく、容易に剥離できるものが好ましい。このような条件を満たす接着テープ５０は、前述のように金属基材層５１の上に第一接着剤層５２、樹脂基材層５３、第二接着剤層５４を順次積層した多層構造になっている。
【００３２】
ワイヤーボンディング等が施される半導体素子搭載工程においては、温度は略１５０〜２００℃程度の高温条件におかれる。そのため、接着テープ５０を構成する各層にはこれに耐えうる耐熱性が求められる。かかる観点から、金属基材層５１及び樹脂基材層５３としては、２００℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上、好ましくは１０Ｇｐａ以上のものが好適に用いられるが、通常は１．０ＧＰａ〜１０００ＧＰａ程度であるのが好ましい。また、第一接着剤層５２及び第二接着剤層５４としては、弾性率が０．１ＭＰａ以上、好ましくは０．５ＭＰａ以上、さらに好ましくは１ＭＰａ以上のものが好適に用いられるが、通常は０．１ＭＰａ〜１００ＭＰａ程度であるのが好ましい。かかる弾性率の第一接着剤層５２及び第二接着剤層５４は、半導体素子搭載工程等において軟化・流動を起こしにくく、より安定した結線が可能である。なお、弾性率の測定は詳しくは実施例に記載の方法による。
【００３３】
接着テープ５０の金属基材層５１は、搬送時の取扱い性、モールド時のソリ等を考慮すると金属箔を用いるのが好ましい。このような金属箔としては、ＳＵＳ箔、Ｎｉ箔、Ａｌ箔、銅箔、銅合金箔等が挙げられるが、安価に入手可能なこと及び種類の豊富さからして銅、銅合金より選択するのが好ましい。また、このような金属基材層５１となる金属箔は、第一接着剤層５２との投錨性を確保するため、片面を粗化処理を施したものが好ましい。粗化処理の手法としては、従来公知のサンドブラスト等の物理的な粗化手法、或いはエッチング等の化学的な粗化手法のいずれでも可能である。この金属基材層５１の厚みは１２〜２００μｍ程度、好ましくは５０〜１５０μｍである。
【００３４】
接着テープ５０の第一接着剤層５２としては、アクリル系粘着剤が好ましく、アクリル系粘着剤層の易剥離性をさらに向上させるために、加熱発泡により剥離性の機能を発現し向上させる添加剤を加えることができる。この加熱発泡剥離機能を付与しうる添加剤としては、例えば熱膨張性微粒子が挙げられる。この熱膨張性微粒子としては、ブタン、プロパン、ペンタンなどの如き低沸点の適宜のガス発泡性成分をカプセル化した熱膨張性マイクロカプセルを用いることができる。第一接着剤層５２の厚みに関しては特に制限するものではないが、通常１〜５０μｍ程度、好ましくは５〜２０μｍである。
【００３５】
接着テープ５０の樹脂基材層５３は、その樹脂材料を特に限定するものではないが、耐熱性の観点から、ポリイミド、液晶ポリマー、ＰＥＥＫ、ＰＥＫ、ＰＥＳ等が好適に用いられる。この樹脂基材層５３の厚みは１２〜１００μｍ程度、好ましくは２５〜５０μｍである。
【００３６】
接着テープ５０の第二接着剤層５４は、樹脂封止工程が完了するまで半導体素子１０や導電部２０を確実に固着し、かつ半導体装置から分離する際には容易に剥離できるものが好ましく、この接着剤としては、エポキシ樹脂、エポキシ硬化剤、弾性体を必須成分として含有する熱硬化性接着剤を用いるのが好ましい。熱硬化性接着剤の場合、通常、基材の貼り合わせは、未硬化のいわゆるＢステージ状態、すなわち１５０℃以下の比較的低温にて貼り合わせを行うことができ、かつ貼り合わせ後に硬化させることにより弾性率を向上し耐熱性を向上させることができる。この第二接着剤層５４の厚みに関しては特に制限するものではないが、通常１〜５０μｍ程度、好ましくは５〜２０μｍである。
【００３７】
ここで、エポキシ樹脂としては、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられ、これらを単独もしくは２種以上混合して用いることができる。そして、エポキシ硬化剤としては、各種イミダゾール系化合物及びその誘導体、アミン系化合物、ジシアンジアミド、ヒドラジン化合物、フェノール樹脂等が挙げられ、これらを単独もしくは２種以上混合して用いることができる。また、弾性体としては、アクリル樹脂、アクリロニトリルブタジエン共重合体、フェノキシ樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられ、これらを単独もしくは２種以上混合して用いることができる。
【００３８】
また、第二接着剤層５４の金属箔に対する接着力は、０．１〜１５Ｎ／２０ｍｍであることが好ましい。さらには０．３〜１５Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。ここで、接着力は導電部の大きさによって前記範囲内で適宜選択することができる。すなわち、導電部のサイズが大きい場合は接着力は比較的小さく、導電部のサイズが小さい場合は接着力は大きく設定することが好ましい。この接着力を有する接着テープは、適度の接着力を有し、基板作成工程〜半導体素子搭載工程においては接着剤層に固着した導電部のズレが起こりにくい。また接着テープ除去工程においては、半導体装置からの接着テープの分離性が良好であり、半導体装置へのダメージを少なくすることができる。なお、接着力の測定は詳しくは実施例に記載に方法による。
【００３９】
また、接着テープ５０には、必要に応じて帯電防止機能を付与することができる。接着テープ５０に帯電防止機能を付与するには、少なくとも一つの層に帯電防止剤、導電性フィラーを混合する方法がある。また、各層の界面や、金属基材層５１の裏面に帯電防止剤を塗布する方法がある。この帯電防止機能を付与することにより、接着テープを半導体装置から分離する際に発生する静電気を抑制することができる。
【００４０】
帯電防止剤としては、帯電防止機能を有するものであれば特に制限はない。具体例としては、例えば、アクリル系両性、アクリル系カチオン、無水マレイン酸−スチレン系アニオン等の界面活性剤等が使用できる。帯電防止層用の材料としては、具体的には、ボンディップＰＡ、ボンディップＰＸ、ボンディップＰ（コニシ社製）等が挙げられる。また、導電性フィラーとしては、慣用のものを使用でき、例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ等の金属、これらの合金又は酸化物、カーボンブラックなどのカーボンなどが例示できる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。導電性フィラーは、粉体状、繊維状の何れであってもよい。その他、接着テープ中には老化防止剤、顔料、可塑剤、充填剤、粘着付与剤等の従来公知の各種添加物を添加することができる。
【実施例１】
【００４１】
〔接着テープの作製〕
先ず、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製「エビコート１００２」）１００重量部、アクリロニトリルブタジエン共重合体（日本ゼオン社製「ニッポール１０７２Ｊ」）３５重量部、フェノール樹脂（荒川化学社製「Ｐ−１８０」）４重量部、イミダゾール（四国ファイン社製「Ｃ１１Ｚ」）２重量部を、メチルエチルケトン３５０重量部に溶解し、接着剤溶液を得た。これを厚さ２５μｍのポリイミド基材（宇部興産製「ユーピレックスＳ」）の片面に塗布した後、１５０℃で３分間乾燥させることにより、樹脂基材層の片面に厚さ１５μｍの第二接着剤層を形成した。この第二接着剤層の硬化前の１００℃での弾性率は２．５×１０-3Ｐａ、硬化後の２００℃での弾性率は４．３ＭＰａであった。
【００４２】
次に、アクリル酸エチル５０重量部とアクリル酸ブチル５０重量部とアクリル酸２−ヒドロキシエチル１重量部の共重合体（重量平均分子量約６０万）からなるベースポリマー１００部、ポリウレタン系架橋剤５部、及び熱膨張性微粒子（平均粒径１５μｍ、比重１．０１）３０部を添加混合したトルエン溶液を作製した。これを上記ポリイミド基材の反対面に塗布した後、１５０℃で３分間乾燥させることにより、樹脂基材層のもう一方の面に厚さ１５μｍの第一接着剤層を形成した。この第一接着剤層の硬化前の１００℃での弾性率は２．５×１０-3Ｐａ、硬化後の２００℃での弾性率は４．３ＭＰａであった。これにより、樹脂基材層の両面にそれぞれ第一接着剤層と第二接着剤層を有する両面テープが作製された。
【００４３】
次いで、温度が８０℃、ラミネート圧力が０．５Ｍｐａのラミネーターを使用し、１．０ｍ／分のスピードにて、上記で作製した両面テープを、厚さ１００μｍの片面粗化銅合金箔（ジャパンエナジー社製「ＢＨＹ−１３Ｂ−７０２５」）と貼り合わせて半導体装置製造用の接着テープを得た。
【００４４】
〔基板の作製〕
まず、厚さ４０μｍの銅箔（「Ｏｌｉｎ７０２５」）の両面にドライフィルムレジスト（東京応化製「オーディルＡＲ３３０」）をラミネートした。そして、そのドライフィルムレジストをフォトリソグラフィー法により導電部とは逆のパターンでパターニングした。次いで、パターニングされたドライフィルムレジストをマスクとして、銅箔の両面にニッケルめっきとＡｕめっきを順次施した後、ドライフィルムレジストを除去した。続いて、ニッケルめっき層とＡｕめっき層の積層物が部分的に配された銅箔を接着テープに接着剤層を介して貼り付けた。そして、この貼り付け状態で、Ａｕめっき層をレジストとして銅箔をエッチングし導電部を独立させた。このエッチング加工に際して、銅箔の側面をもエッチングすることによ、銅箔の上下にＡｕとニッケルからなる張出部分を設けた。最後に、プレス加工により接着テープの外形を加工した。
【００４５】
そして、図６の例（Ｗは５００ｍｍ）で示したようなパターンで接着テープ５０上に導電部２０を形成した。１つのブロック７０における四角形の各辺に１６個の導電部２０を形成し、合計で６４個の導電部２０を形成した。
【００４６】
〔半導体素子の搭載〕
試験用のアルミ蒸着シリコンチップ（６ｍｍ×６ｍｍ）を、前記接着テープの接着剤層面（図６（ｂ）の７１に相当）へ固着した。具体的には、１７５℃、０．３ＭＰａ、１秒間の条件で貼り付けた後、１５０℃で１時間、乾燥させて固着した。次いで、直径２５μｍの金ワイヤーを用いて、シリコンチップの電極と導電部との間をボンディングした。ワイヤーボンド数は１個のチップ当たり６４点である。
【００４７】
前記１単位（４個×４個）の１０単位について、すなわち、アルミ蒸着チップ１６０個に対しワイヤーボンディングを行った。ワイヤーボンディングの成功率は１００％であった。続いて、トランスファー成形により封止樹脂（日東電工製「ＨＣ−１００」）をモールドした。この樹脂モールド時に、接着テープにおける第一接着剤層が加熱発泡して銅箔が剥離した。したがって、残った樹脂基材層を第一接着剤層と第二接着剤層と共に、角度１５度のナイフエッジ上に合わせて剥離した。このように接着テープを剥離してから、１７５℃で５時間、乾燥機中で後硬化を行った。その後、ダイサーにて１ブロック単位に切断し半導体装置を得た。
【００４８】
この半導体装置に対して軟Ｘ線装置（マイクロフォーカスＸ線テレビ透視装置：島津製作所製「ＳＭＸ−１００」）で内部観察を行ったところ、ワイヤー変形やチップズレ等がなく、しかも導電部の張出部分が封止樹脂の中に埋め込まれた状態になっており、導電部と封止樹脂との接合強度が高い半導体装置が得られていたことを確認した。
【００４９】
なお、ワイヤーボンディング条件、トランスファーモールド条件、弾性率測定方法、接着力測定方法、ワイヤーボンド成功率については次のとおりである。
【００５０】
〔ワイヤーボンディング条件〕
装置：株式会社新川製「ＵＴＣ−３００ＢＩ  ＳＵＰＥＲ」
超音波周波数：１１５ＫＨｚ
超音波出力時間：１５ミリ秒
超音波出力：１２０ｍＷ
ボンド荷重：１０１８Ｎ
サーチ荷重：１０３７Ｎ
【００５１】
〔トランスファーモールド条件〕
装置：ＴＯＷＡ成形機
成形温度：１７５℃
時間：９０秒
クランプ圧力：２００ＫＮ
トランスファースピード：３ｍｍ／秒
トランスファー圧：５ＫＮ
【００５２】
〔弾性率測定方法〕
基材層、接着剤層のいずれも
評価機器：レオメトリックス社製の粘弾性スペクトルメータ「ＡＲＥＳ」
昇温速度：５℃／ｍｉｎ
周波数：１ＨＺ
測定モード：引張モード
【００５３】
〔接着力測定方法〕
幅２０ｍｍ、長さ５０ｍｍの接着テープを、１２０℃×０．５ＭＰａ×０．５ｍ／ｍｉｎの条件で、３５μｍ銅箔（ジャパンエナジー製「Ｃ７０２５」）にラミネートした後、１５０℃の熱風オーブンにて１時間放置後、温度２３℃、湿度６５％ＲＨの雰囲気条件で、引張り速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、１８０°方向に３５μｍ銅箔を引張り、その中心値を接着強度とした。
【００５４】
〔ワイヤーボンド成功率〕
ワイヤーボンドのプル強度を、株式会社レスカ製のボンディングテスタ「ＰＴＲ−３０」を用い、測定モード：プルテスト、測定スピード：０．５ｍｍ／ｓｅｃで測定した。プル強度が０．０４Ｎ以上の場合を成功、０．０４Ｎより小さい場合を失敗とした。ワイヤーボンド成功率は、これらの測定結果から成功の割合を算出した値である。
【実施例２】
【００５５】
この実施例２では、接着テープの除去工程を変えた以外は実施例１と同様にして半導体装置を製造した。すなわち、樹脂モールド後に、半導体装置を２００℃のホットプレート上で加温して接着テープの第一接着剤層を加熱発泡させ、銅箔を剥離させてから、実施例１と同様に、残った樹脂基材層を第一接着剤層と第二接着剤層と共に、角度１５度のナイフエッジ上に合わせて剥離した。
【００５６】
（比較例）
この比較例では、接着テープの構成とその除去工程を変えた以外は実施例１と同様にして半導体装置を製造した。すなわち、実施例１で用いた第二接着剤層用の接着剤溶液を、厚さ１００μｍの片面粗化銅合金箔（ジャパンエナジー社製「ＢＨＹ−１３Ｂ−７０２５」）に塗布した後、１５０℃で３分間乾燥させることにより、厚さ１５μｍの接着剤層を形成した接着シートを作製した。そして、樹脂モールド後、接着シートを室温にて角度１５度のナイフエッジ上に合わせて剥離した。
【００５７】
上記の実施例１，２と比較例で製造した半導体装置に対し、接着テープ除去工程における端子の欠損と半導体装置の破壊（チップ破損、封止樹脂割れ）の２点について評価を行った。サンプル数はそれぞれ６４個とした。その結果、実施例１，２で製造した半導体装置はいずれの欠陥も発生しなかったが、比較例で製造した半導体装置は、端子欠損の見られるものが６４個中５個あり、破壊の見られたものが６４個中２個あった。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法を示す前半の工程図である。
【図２】図１に続く接着テープ除去工程を示す説明図である。
【図３】本発明の製造方法で得られる半導体装置を示す概略構成図である。
【図４】図１の工程にて導電部を形成した時点での接着テープ（基板）の平面図を模式的に示した説明例である。
【図５】基板作成の手順を示す工程図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法における基板作成工程で接着テープに導電部形成した状態の上面図である。
【図７】リードレス構造をした従来の半導体装置の一例を示す説明図である。
【図８】リードレス構造をした従来の半導体装置の別の例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０  半導体素子
１１  電極
２０  導電部
２０ａ  張出部分
３０  ワイヤー
４０  封止樹脂
５０  接着テープ
５１  金属基材層
５２  第一接着剤層
５３  樹脂基材層
５４  第二接着剤層
６０  金属箔
６１  ドライフィルムレジスト
６２  バリア層
６３  貴金属めっき層
７０  ブロック
７１  半導体素子固着領域
【図１】
2005142207.tif 000003
【図２】
2005142207.tif 000004
【図３】
2005142207.tif 000005
【図４】
2005142207.tif 000006
【図５】
2005142207.tif 000007
【図６】
2005142207.tif 000008
【図７】
2005142207.tif 000009
【図８】
2005142207.tif 000010