(57)【要約】【課題】半導体レーザチップがプローブ針あるいはチップ載置用プレートに固着することを防ぐ。【解決手段】半導体レーザチップ１１を、金が自己拡散しにくいニッケルまたはクロムからなるメッキ層１２を銅基材の表面に設けたプローブ針１５と、同じく金が自己拡散しにくいニッケルまたはクロムからなるメッキ層１３を表面に設けた金属製ブロック１４とにより挟持し、半導体レーザチップ１１に対する試験に際して、金の自己拡散により半導体レーザチップ１１がプローブ針１５あるいは金属製ブロック１４に固着することを防ぐ。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザをチップ状態で試験する半導体レーザ試験装置に設置されて、前記半導体レーザチップに接触させて電流を注入するプローブ針において、針本体を自己拡散しにくい金属にて構成したことを特徴とする半導体レーザ試験装置のプローブ針。
【請求項２】
半導体レーザをチップ状態で試験する半導体レーザ試験装置に設置されて、前記半導体レーザチップに接触させて電流を注入するプローブ針において、針本体をニッケルまたはクロムにて構成したことを特徴とする半導体レーザ試験装置のプローブ針。
【請求項３】
半導体レーザをチップ状態で試験する半導体レーザ試験装置に設置されて、前記半導体レーザチップを載せるためのプレートにおいて、チップ載置面に金が自己拡散しにくい金属層を形成したことを特徴とする半導体レーザ試験装置のプレート。
【請求項４】
半導体レーザをチップ状態で試験する半導体レーザ試験装置に設置されて、前記半導体レーザチップを載せるためのプレートにおいて、チップ載置面にニッケル層またはクロム層を形成したことを特徴とする半導体レーザ試験装置のプレート。
【請求項５】
半導体レーザチップを載せるためのプレートと、前記半導体レーザチップに接触させて電流を注入するプローブ針を備え、半導体レーザをチップ状態で試験する半導体レーザ試験装置において、前記プレートと前記プルーブ針との表面に、金が自己拡散しにくい金属層を形成したことを特徴とする半導体レーザ試験装置。
【請求項６】
半導体レーザチップを載せるためのプレートと、前記半導体レーザチップに接触させて電流を注入するプローブ針を備え、半導体レーザをチップ状態で試験する半導体レーザ試験装置において、前記プレートと前記プルーブ針との表面に、ニッケル層またはクロム層を形成したことを特徴とする半導体レーザ試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザの欠陥品をスクリーニング（選別）するための半導体レーザ試験装置、および半導体レーザ試験装置に用いられるプローブ針、ならびにチップ載置用のプレートに係り、特にチップの状態でも安定してスクリーニングを行うことができる治具に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に半導体レーザの欠陥品を選別するスクリーニングは、半導体レーザを高温にした状態で通電を行いながら所定時間放置することにより、半導体レーザの欠陥を加速劣化させる方法が行われる。
【０００３】
このスクリーニングは、半導体レーザを実装部材にマウント済みの状態とした後に行われることが通常であるが、不良の場合にはマウント材料あるいはマウント工数が無駄になり、コストの増大につながってしまう。
【０００４】
そこで、これら無駄を排除するために半導体レーザのチップの状態でスクリーニングするようにした特許文献１に記載の「ＩｎＧａＡｓＰ系半導体レーザダイオードの良否判別法」、特許文献２に記載の「半導体レーザダイオードの良否判別法」、特許文献３に記載の「半導体レーザの選別方法及びその装置」のような試験方法が提案されている。
【０００５】
従来のスクリーニング方法を図面を参照しながら説明する。
【０００６】
図２は半導体レーザをチップの状態でスクリーニングすることができる従来装置の構成図であって、銅のような熱伝導率の高い金属製ブロック２４上に、金属基体に金メッキしてなるプローブ針２５にて半導体レーザチップ２１を挟み込んで固定した後、高温槽２７などに入れて高温保持した状態において、通電装置２６により電流を流して試験を行う。
【０００７】
このスクリーニング装置では、半導体レーザを実装部材にマウントする必要がない。
【０００８】
しかしながら、半導体レーザチップ２１は、ここ数年でシュリンク化が進み、小さいものは縦０.１６ｍｍ，横０.２ｍｍ，高さ０.１２ｍｍと非常に小さく、取り扱いが容易ではない。
【０００９】
特に半導体レーザチップ２１の表面および裏面には、それぞれ金メッキされた表面電極２８，裏面電極２９が設けられているが、この半導体レーザチップ２１を金属製ブロック２４に載せると、半導体レーザチップ２１の表面電極２８または裏面電極２９の金メッキが金属製ブロック２４あるいはプローブ針２５に対して自己拡散反応を起こす。
【００１０】
また、高温保持されることにより、自己拡散反応が加速することになり、この結果、半導体レーザチップ２１が金属製ブロック２４あるいはプローブ針２５に固着して外れないというような現象がしばしば発生していた。
【特許文献１】特開昭５７−３２６９１号公報
【特許文献２】特開昭５７−１３３３６８号公報
【特許文献３】特開平１０−１６０７８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
このように、特許文献１〜３に記載された従来の試験方法では、実装部材に組み込む無駄はなくなるが、試験後に金属製ブロックあるいはプローブ針に半導体レーザチップの電極に施された金メッキ中の金が自己拡散反応を生じ、これにより半導体レーザチップが金属製ブロックあるいはプローブ針に固着してしまい、回収できなくなるという不具合を発生することがあった。
【００１２】
本発明の目的は、前記従来の課題を解決し、半導体レーザチップがプローブ針あるいはチップ載置用プレートに固着することを防ぐようにした構成の半導体レーザ試験装置のプローブ針、および半導体レーザ試験装置のプレート、ならびに半導体レーザ試験装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するために、本発明は、半導体レーザをチップ状態で試験する半導体レーザ試験装置において、熱伝導性の高い銅などからなるチップ搭載用の金属製ブロック（プレート）、あるいはプローブ針を、ニッケルあるいはクロムなどの自己拡散しにくい金属から構成したり、ニッケルあるいはクロムなどの金が自己拡散しにくいニッケル層あるいはクロム層などをメッキなどによって形成したものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、金の自己拡散により半導体レーザチップがプローブ針あるいは金属製ブロックに固着することを防ぐことができ、それにより半導体レーザチップを実装部材にマウントすることなく、チップの状態で良好にスクリーニング試験することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の半導体装置の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
図１は本発明に係る半導体レーザチップの試験装置の実施形態の構成図であり、１１は被試験体である半導体レーザチップであって、該半導体レーザチップ１１は、金が自己拡散しにくいニッケルまたはクロムからなるメッキ層１２が銅基材の表面に形成されているプローブ針１５と、同じく金が自己拡散しにくいニッケルまたはクロムからなるメッキ層１３が表面に形成されている金属製ブロック１４とによって挟み込まれて保持されている。
【００１７】
したがって、半導体レーザチップ１１の表面電極１８の主成分である金は、金が自己拡散しにくい組成のメッキ層１２を介してプローブ針１５に電気的に接続しており、また半導体レーザチップ１１の裏面電極１９の主成分である金は、金が自己拡散しにくい組成のメッキ層１３を介して金属製ブロック１４に電気的に接続されているため、金の自己拡散の発生を防止することができる。
【００１８】
プローブ針１５には、スプリング（図示せず）が組み込まれており、約１０ｇ程度の荷重が半導体レーザチップ１１に加わる。また、半導体レーザチップ１１に対して、このプローブ針１５と金属製ブロック１４を介して通電装置１６から電流が注入されることにより通電試験が行われ、さらに高温槽１７内に、このままの状態で投入することにより高温試験を行うことができる。
【００１９】
なお、プローブ針１５自体を、ニッケルあるいはクロムなどの自己拡散しにくい金属から構成することも考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００２０】
本発明は、半導体レーザの欠陥品をスクリーニング（選別）するため、半導体レーザをチップ状態で試験する半導体レーザ試験装置に適用され、特に半導体レーザ試験装置に設置されるプローブ針、ならびにチップ載置用の金属製ブロック（プレート）に用いて有効である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明に係る半導体レーザチップの試験装置の実施形態の構成図
【図２】半導体レーザをチップの状態でスクリーニングすることができる従来装置の構成図
【符号の説明】
【００２２】
１１  半導体レーザチップ
１２  プローブ針に施されたニッケルまたはクロムのメッキ層
１３  金属製ブロックに施されたニッケルまたはクロムのメッキ層
１４  金属製ブロック（プレート）
１５  プローブ針
１６  通電装置
１７  高温槽
１８  半導体レーザチップの金からなる表面電極
１９  半導体レーザチップの金からなる裏面電極
【図１】
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【図２】
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