(57)【要約】【課題】  ダイシング時の粘着力を確保することを可能としつつ、薄型化された半導体チップをダイシングテープから剥離する。【解決手段】  ダイシングテープ１にスリット２を設け、ダイシングテープ１から半導体チップ３を剥離する場合、ダイシングテープ１を引き伸ばすことによりスリット２を開かせ、ダイシングテープ１に開口部４を形成することで、ダイシングテープ１の粘着力を低下させる。【選択図】      図１
2005079151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
引き伸ばし可能な基材と、
前記基材に形成された粘着層と、
前記粘着層が形成された基材に設けられたスリットとを備えることを特徴とするダイシングテープ。
【請求項２】
前記スリットは向きが異なるように配置されていることを特徴とする請求項１記載のダイシングテープ。
【請求項３】
前記スリットは前記基材の引き伸ばし方向と直交するように配置されていることを特徴とする請求項１記載のダイシングテープ。
【請求項４】
前記スリットは同心円状に配置されていることを特徴とする請求項１記載のダイシングテープ。
【請求項５】
スリットが設けられたダイシングテープを引き伸ばす引き伸ばし手段と、
前記ダイシングテープに貼り付けられたチップをピックアップするピックアップ手段とを備えることを特徴とするピックアップ装置。
【請求項６】
前記ダイシングテープに紫外線を照射する紫外線照射手段と、
前記ダイシングテープを加熱する加熱手段とをさらに備えることを特徴とする請求項５記載のピックアップ装置。
【請求項７】
スリットが設けられたダイシングテープに半導体ウェハを貼り付ける工程と、
前記ダイシングテープに貼り付けられた半導体ウェハをチップ状にダイシングする工程と、
前記半導体ウェハをチップ状にダイシングした後に、前記ダイシングテープを引き伸ばす工程と、
前記ダイシングテープ上に貼り付けられている半導体チップをピックアップする工程と、
前記ピックアップされた半導体チップをマウントする工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ダイシングテープに設けられたスリットの長さまたは密度は、前記ダイシングテープを引き伸ばした際に、前記半導体チップをピックアップできる程度に粘着力が低下するように設定されていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はダイシングテープ、ピックアップ装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、ダイシングテープから半導体チップを剥離する方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置では、半導体ウェハをダイシングした後、半導体チップをダイシングテープから剥離するために、ダイシングテープに貼り付けられた半導体チップをニードルにて突き上げる方法が用いられている。
また、ニードルにて突き上げる方法とは別に、半導体チップが貼り付けられたダイシングテープを凹凸面または凹面上に配置し、凹凸面または凹面を介してダイシングテープを真空吸着することにより、半導体チップをダイシングテープから剥離する方法もある。
【０００３】
一方、例えば、特許文献１には、粘着テープに孔を設けることにより、粘着テープとウェハとの張り合わせ時に粘着テープとウェハとの間に気泡が溜まることを防止する方法が開示されている。
【特許文献１】特開平２−１１２２５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、実装時の高さを低減するために、半導体ウェハを５０μｍ程度に薄型化すると、ニードルによる突き上げ時に半導体チップがダイシングテープとともに曲がり易くなる。このため、従来のダイシングテープでは、ダイシングテープから半導体チップを剥離することが困難になり、半導体チップのピックアップが困難になるという問題があった。
【０００５】
また、凹凸面または凹面を介してダイシングテープを真空吸着した場合も同様に、半導体チップがダイシングテープとともに曲がり易くなるため、ダイシングテープから半導体チップを剥離することが困難になるという問題があった。
また、特許文献１に示すように、粘着テープに孔を単に設けただけでは、半導体チップとダイシングテープとの間の粘着力を低下させることができず、ダイシングテープから半導体チップを剥離することが困難であるという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、ダイシング時の粘着力を確保することを可能としつつ、薄型化された半導体チップをダイシングテープから剥離することが可能なダイシングテープ、ピックアップ装置および半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係るダイシングテープによれば、引き伸ばし可能な基材と、前記基材に形成された粘着層と、前記粘着層が形成された基材に設けられたスリットとを備えることを特徴とする。
これにより、ダイシング後にダイシングテープを引き伸ばすことで、ダイシング時にはスリットを閉じたままダイシングを行うことが可能となるとともに、ダイシング後にはスリットを開かせて、ダイシングテープとの接触面積を低下させることが可能となる。このため、ダイシング時には、ダイシングテープとの接触面積の低下を抑制して、ダイシングテープの粘着力を確保することが可能となり、ダイシング時のチップの脱落を防止することが可能となるとともに、ダイシング後には、ダイシングテープの粘着力を低下させることを可能として、ダイシングテープから半導体チップを容易に剥離することが可能となり、半導体チップのピックアップを容易化することができる。
【０００８】
また、本発明の一態様に係るダイシングテープによれば、前記スリットは向きが異なるように配置されていることを特徴とする。
これにより、ダイシングテープの引き伸ばし方向に依存することなく、スリットを効率よく開かせることが可能となる。このため、ダイシングテープ上の任意の位置でダイシングテープとの接触面積を効率よく低下させることが可能となり、ダイシングテープ上の様々の位置に配置された半導体チップを容易に剥離すること可能となる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係るダイシングテープによれば、前記スリットは前記基材の引き伸ばし方向と直交するように配置されていることを特徴とする。
これにより、ダイシングテープを引き伸ばすことで、スリットを効率よく開かせることが可能となり、ダイシングテープの粘着力を容易に低下させることを可能として、ダイシングテープから半導体チップを容易に剥離すること可能となる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係るダイシングテープによれば、前記スリットは同心円状に配置されていることを特徴とする。
これにより、リングを用いてダイシングテープを突き上げることで、ダイシングテープを一様に引き伸ばすことが可能となるとともに、ダイシングテープの引き伸ばし方向と直交するようスリットを配置することができる。このため、ダイシング後にスリットを効率よく開かせることが可能となり、ダイシングテープの粘着力を容易に低下させることを可能として、ダイシングテープから半導体チップを容易に剥離すること可能となる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係るピックアップ装置によれば、スリットが設けられたダイシングテープを引き伸ばす引き伸ばし手段と、前記ダイシングテープに貼り付けられたチップをピックアップするピックアップ手段とを備えることを特徴とする。
これにより、ダイシングテープを引き伸ばすことで、スリットを開かせることが可能となり、ダイシングテープとの接触面積を低下させることが可能となる。このため、ニードルなどで半導体チップを突き上げることなく、ダイシングテープの粘着力を低下させることが可能となり、半導体チップが薄型化された場合においても、ダイシングテープから半導体チップを容易に剥離することを可能として、半導体チップのピックアップを容易化することができる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係るピックアップ装置によれば、前記ダイシングテープに紫外線を照射する紫外線照射手段と、前記ダイシングテープを加熱する加熱手段とをさらに備えることを特徴とする。
これにより、ダイシングテープの粘着力の低下を補助することが可能となり、ダイシングテープにスリットを設けただけでは十分に粘着力の低下させることができない場合においても、ダイシングテープから半導体チップを剥離することが可能となる。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、スリットが設けられたダイシングテープに半導体ウェハを貼り付ける工程と、前記ダイシングテープに貼り付けられた半導体ウェハをチップ状にダイシングする工程と、前記半導体ウェハをチップ状にダイシングした後に、前記ダイシングテープを引き伸ばす工程と、前記ダイシングテープ上に貼り付けられている半導体チップをピックアップする工程と、前記ピックアップされた半導体チップをマウントする工程とを備えることを特徴とする。
【００１４】
これにより、ダイシング後にダイシングテープを引き伸ばすことで、ダイシング時にはスリットを閉じたままダイシングを行うことが可能となるとともに、ダイシング後にはスリットを開かせて、ダイシングテープとの接触面積を低下させることが可能となる。このため、ダイシング時には、ダイシングテープとの接触面積の低下を抑制して、ダイシングテープの粘着力を確保することが可能となり、ダイシング時のチップの脱落を防止することが可能となるとともに、ダイシング後には、ダイシングテープの粘着力を低下させることを可能として、ダイシングテープから半導体チップを容易に剥離することが可能となり、半導体チップのピックアップを容易化することができる。
【００１５】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、前記ダイシングテープに設けられたスリットの長さまたは密度は、前記ダイシングテープを引き伸ばした際に、前記半導体チップをピックアップできる程度に粘着力が低下するように設定されていることを特徴とする。
これにより、ダイシングテープを引き伸ばすことで、ダイシングテープから半導体チップを剥離することが可能となり、半導体チップのピックアップを容易化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態に係るダイシングテープおよび半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るダイシングテープの引き伸ばし前の構成を示す平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のダイシングテープの引き伸ばし後の状態を示す平面図である。
【００１７】
図１（ａ）において、半導体チップ３が貼り付けられたダイシングテープ１にはスリット２が設けられている。なお、ダイシングテープ１に設けられたスリット２の長さまたは密度は、ダイシングテープ１を引き伸ばした際に、半導体チップ３をピックアップできる程度に粘着力が低下するように設定することが好ましい。
そして、ダイシングテープ１から半導体チップ３を剥離する場合、図１（ｂ）に示すように、ダイシングテープ１を引き伸ばすことによりスリット２を開かせ、ダイシングテープ１に開口部４を形成する。
【００１８】
これにより、ダイシングテープ１を引き伸ばすことで、半導体チップ３とダイシングテープ１との接触面積を低下させることが可能となる。このため、ニードルなどで半導体チップ３を突き上げることなく、ダイシングテープ１の粘着力を低下させることが可能となり、半導体チップ３が薄型化された場合においても、ダイシングテープ１から半導体チップ３を容易に剥離させることを可能として、半導体チップ１のピックアップを容易化することができる。
【００１９】
また、ダイシングテープ１を引き伸ばす前は、スリット２を閉じた状態に維持することができる。このため、ダイシングテープ１にスリット２を設けた場合においても、半導体チップ３とダイシングテープ１との接触面積の低下を抑制することができ、ダイシングテープ１の粘着力を維持することを可能として、半導体チップ３のダイシングを安定して行うことが可能となる。
【００２０】
なお、図１の例では、スリット２の向きを揃えて配置する方法について説明したが、スリット２の向きが異なるように配置してもよい。これにより、ダイシングテープ１の引き伸ばし方向に依存することなく、スリット２を効率よく開かせることが可能となる。このため、ダイシングテープ１上の任意の位置でダイシングテープ１との接触面積を効率よく低下させることが可能となり、ダイシングテープ１上の様々の位置に配置された半導体チップ３を容易に剥離すること可能となる。
【００２１】
また、スリット２はダイシングテープ１の引き伸ばし方向と直交するように配置することが好ましい。これにより、ダイシングテープ１を引き伸ばすことで、スリット２を効率よく開かせることが可能となり、ダイシングテープ１の粘着力を容易に低下させることを可能として、ダイシングテープ１から半導体チップ３を容易に剥離すること可能となる。
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００２２】
図２（ａ）において、ウェハサポート１６で保持されたウェハＷはダイシングテープ１１に貼り付けられている。ここで、ダイシングテープ１１にはスリット１２が設けられている。そして、ダイシングテープ１１の周囲を保持リング１５に貼り付けることにより、ダイシングテープ１１を平坦に保持することができる。なお、ウェハサポート１６で保持されたウェハＷは、例えば、５０μｍ程度に薄型化することができる。
【００２３】
次に、図２（ｂ）に示すように、ウェハＷが貼り付けられたダイシングテープ１１をダイシングテーブル１７上に配置し、ダイシングテープ１１をダイシングテーブル１７に吸着させることにより、ダイシングテープ１１をダイシングテーブル１７上に固定する。そして、ウェハサポート１６に紫外線照射またはレーザ照射を行うことにより、ウェハサポート１６の粘着力を低下させ、ウェハサポート１６をウェハＷから剥離する。
【００２４】
次に、図２（ｃ）に示すように、ブレード１８を用いてウェハＷをチップ状にダイシングし、半導体チップ１３を形成する。ここで、ウェハＷのダイシングを行う場合、ダイシングテープ１を引き伸ばさないようにして、スリット２が閉じた状態を維持することができる。これにより、ダイシングテープ１１にスリット１２を設けた場合においても、半導体チップ１３とダイシングテープ１１との接触面積の低下を抑制することができ、ダイシングテープ１１の粘着力を維持することを可能として、ダイシング時の半導体チップ１３の脱落を防止することが可能となる。
【００２５】
次に、図２（ｄ）に示すように、ダイシングテープ１１に紫外線照射を行うことにより、ダイシングテープ１１の粘着力を低下させる。
次に、図２（ｅ）に示すように、引き伸ばしリング２０ａ、２０ｂを用いることによりダイシングテープ１１の周囲を上下から挟み込む。そして、例えば、上方の引き伸ばしリング２０ａを固定した状態で、下方の引き伸ばしリング２０ｂを上昇させることにより、ダイシングテープ１１を上方に突き上げ、ダイシングテープ１１を引き伸ばす。
【００２６】
ここで、ダイシングテープ１１を引き伸ばすことで、ダイシングテープ１１に設けられたスリット１２を開かせることが可能となり、ダイシングテープ１１に開口部１４を形成することが可能となる。このため、半導体チップ１３とダイシングテープ１との接触面積を低下させることが可能となり、ダイシングテープ１１の粘着力を低下させることが可能となる。
【００２７】
そして、ステージ２１をダイシングテープ１１の裏面に押し付け、ダイシングテープ１１を加熱することにより、ダイシングテープ１１の粘着力をさらに低下させることができる。
そして、ダイシングテープ１１を上方に突き上げた状態で、半導体チップ１３上にコレット１９を移動させる。そして、コレット１９を介して半導体チップ１３を吸着することにより、半導体チップ１３をピックアップすることができる。
【００２８】
これにより、ニードルなどで半導体チップ１３を突き上げることなく、ダイシングテープ１１の粘着力を低下させることが可能となり、半導体チップ１３が薄型化された場合においても、ダイシングテープ１１から半導体チップ１３を容易に剥離させることを可能として、半導体チップ１１のピックアップを容易化することができる。
また、ダイシング後にダイシングテープ１１の紫外線照射または加熱を行うことにより、ダイシングテープ１１の粘着力の低下を補助することが可能となり、ダイシングテープ１１にスリット１２を設けただけでは十分に粘着力の低下させることができない場合においても、ダイシングテープ１１から半導体チップ１３を剥離することが可能となる。
【００２９】
図３は、本発明の第３実施形態に係るダイシングテープの引き伸ばし前の構成を示す平面図である。
図３において、半導体チップ３３が貼り付けられたダイシングテープ３１にはスリット３２が十字状に設けられている。そして、ダイシングテープ３１から半導体チップ３３を剥離する場合、ダイシングテープ３１を引き伸ばすことによりスリット３２を開かせることができる。
【００３０】
これにより、ダイシングテープ３１の引き伸ばし方向に依存することなく、スリット３２を効率よく開かせることが可能となる。このため、ダイシングテープ３１上の任意の位置で、半導体チップ３３とダイシングテープ３１との接触面積を効率よく低下させることが可能となり、ダイシングテープ３１上の様々の位置に配置された半導体チップ３３を容易に剥離すること可能となる。
【００３１】
図４は、本発明の第４実施形態に係るダイシングテープの引き伸ばし前の構成を示す平面図である。
図４において、半導体チップ４３が貼り付けられたダイシングテープ４１にはスリット４２が同心円状に設けられている。そして、ダイシングテープ４１から半導体チップ４３を剥離する場合、ダイシングテープ４１を引き伸ばすことによりスリット４２を開かせることができる。
【００３２】
これにより、リングを用いてダイシングテープ４１を突き上げることで、ダイシングテープ４１を一様に引き伸ばすことが可能となるとともに、ダイシングテープ４１の引き伸ばし方向と直交するようスリットを４２配置することができる。このため、ダイシング後にスリット４２を効率よく開かせることが可能となり、ダイシングテープ４１の粘着力を容易に低下させることを可能として、ダイシングテープ４１から半導体チップ４３を容易に剥離すること可能となる。
【００３３】
なお、上述した実施形態では、半導体チップのピックアップ方法を例にとって説明したが、本発明は、必ずしも半導体チップのピックアップ方法に限定されることなく、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ）素子などのセラミック素子、光変調器や光スイッチなどの光学素子、磁気センサやバイオセンサなどの各種センサ類などのピックアップ方法に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】第１実施形態に係るダイシングテープの構成を示す平面図。
【図２】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図３】第３実施形態に係るダイシングテープの構成を示す平面図。
【図４】第４実施形態に係るダイシングテープの構成を示す平面図。
【符号の説明】
【００３５】
１、１１、３１、４１  ダイシングテープ、２、１２、３２、４２  スリット、３、３３、４３  半導体チップ、４  開口部、１５  保持リング、１６  ウェハサポート、１７  ダイシングテーブル、１８  ブレード、１９  コレット、２０ａ、２０ｂ  引き伸ばしリング、２１  ステージ、Ｗ  ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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