(57)【要約】【課題】チップ型ノイズフィルタにおいて、ミリ波、準ミリ波帯のノイズを吸収可能で、アウトガスのない信頼性に優れ、且つ、量産性にも優れたチップ型ノイズフィルタを得る。【解決手段】導体からなる信号線路と、該信号線路に密着するように配設された磁性体とを有するチップ型ノイズフィルタにおいて、前記磁性体は、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する焼結体から構成する。【選択図】図１
2005123390.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体からなる信号線路と、該信号線路に密着するように配設された磁性体とを有するチップ型ノイズフィルタにおいて、前記磁性体は、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する焼結体からなることを特徴とするチップ型ノイズフィルタ。
【請求項２】
前記磁性体は、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が７０〜９５ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１に記載のチップ型ノイズフィルタ。
【請求項３】
Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する磁性体を作製する工程と、前記磁性体に導体からなる信号線路を形成する工程と、前記磁性体を所定の個片寸法に分割する工程とを含むことを特徴とする請求項１乃至２の何れかに記載のチップ型ノイズフィルタの製造方法。
【請求項４】
半導体素子が気密封止された内部空間に請求項１乃至２の何れかに記載のチップ型ノイズフィルタを配置したことを特徴とする半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器の信号線路に進入する高周波ノイズを除去するためのチップ型ノイズフィルタとその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光通信や無線通信による情報通信の高速化、大容量化への市場要求に対し、これらの通信に使用される電子機器の動作周波数および信号周波数も年々高速化の一途をたどっている。
【０００３】
特に高速の光通信および無線通信に使用される電子機器の電気信号の周波数は、準ミリ波、ミリ波と呼ばれる１０ＧＨｚ以上の周波数帯域まで高速化しており、これらの周波数を取り扱う機器における共通の問題点として、ノイズの問題が顕在化している。
【０００４】
電気信号の周波数が準ミリ波、ミリ波の領域に達すると、信号線路を流れる電気信号は電磁波として取り扱われ、信号線路に沿って電磁波が伝搬することによって電気信号を伝達すると見なすことができる。
【０００５】
このような電磁波としての電気信号は、例えば信号線路の不連続面、屈曲部等で空間に放射されやすく、いわゆる放射ノイズを発生させることがある。
【０００６】
このような放射ノイズは、電子機器の筐体内部で多重に反射され、他の信号線路にノイズとして侵入し、クロストークと呼ばれるノイズ問題を発生させる。
【０００７】
このような信号線路に侵入したいわゆる伝導ノイズを除去するための部品としては、基板上に半田付けして使用する、小型のチップ型ノイズフィルタが製造されている。
【０００８】
この種のフィルタは図４に示すようなＬ１、Ｌ２およびＣからなる等価回路を形成し、高い周波数をカットし、低い周波数を通過させる、いわゆるローパスフィルタとして作用する。
【０００９】
従来のチップ型ノイズフィルタは、誘電体としてセラミックスを使用しており、その製造方法としては、所定の厚みのセラミックスのグリーンシートを成形後、これに回路部材および電極部材をスクリーン印刷等の方法で配置し、必要に応じて複数枚のグリーンシートを積層密着後、焼成により一体化することにより得られている（特許文献１）。
【００１０】
また、準ミリ波、ミリ波帯を含む、高周波領域で使用可能なノイズフィルタとしては、軟磁性材料の粉末をゴムまたはプラスチック等のマトリックス中に分散混合させた複合材料の表面に密着した状態で、導体からなる信号線路を有するチップ型ノイズフィルタ（特許文献２）が開示されている。
【特許文献１】特開２０００−２１６４０号公報
【特許文献２】特開２００２−１７１１０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら特許文献１に開示されるようなフィルタで除去できるノイズの周波数は最大でも３ＧＨｚ程度であり、準ミリ波、ミリ波のノイズを除去することが出来なかった。またその製造方法においても、加工費が高く、部品の低コスト化の面においても問題があった。
【００１２】
また、特許文献２に開示されるようなフィルタは、準ミリ波、ミリ波帯のノイズを除去することは可能であるが、マトリックスとしてゴムまたはプラスチック等が用いられているため、電子機器の製造条件、使用条件によっては、温度上昇時にアウトガスが発生して、周辺の電子回路や信号線路を腐食したり、特性を劣化させたりすると言う問題点があった。
【００１３】
特に、半導体パッケージ内部のように高い気密性が要求される部分に、このようなフィルタを用いることは、半導体パッケージの製造工程および使用環境における温度上昇時にアウトガスが発生し、半導体素子の特性を劣化させたり、周辺の信号線路を腐食したりして伝送特性を劣化させる等の問題点があった。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題に対して検討を重ねた結果、本発明は、導体からなる信号線路と、該信号線路に密着するように配設された磁性体とを有するチップ型ノイズフィルタにおいて、前記磁性体は、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する焼結体からなることを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明のチップ型ノイズフィルタは、前記磁性体の、Ｆｅ２Ｏ３の含有量を７０〜９５ｍｏｌ％としたことを特徴とするものである。
【００１６】
さらに、本発明のチップ型ノイズフィルタの製造方法は、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する磁性体を作製する工程と、前記磁性体に導体からなる信号線路を形成する工程と、前記磁性体を所定の個片寸法に分割する工程とを含むことを特徴とする
さらに、本発明の半導体パッケージは、半導体素子が気密封止された内部空間に前記チップ型ノイズフィルタを配置したことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、導体からなる信号線路と、該信号線路に密着して配設された磁性体とを有するチップ型ノイズフィルタにおいて、前記磁性体を、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する焼結体とすることにより、準ミリ波、ミリ波のノイズを効果的に吸収減衰させると同時に、半導体パッケージ内部にて使用する場合においても、その組み立て工程や使用条件による温度上昇時にアウトガスが発生せず、半導体パッケージの特性を向上させると同時に高い信頼性を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施形態として、チップ型ノイズフィルタおよびそれを使用した半導体パッケージについて説明する。
【００１９】
図１は本発明のチップ型ノイズフィルタのそれぞれ一例を示す斜視図である。
【００２０】
図１（ａ）は平板状の磁性体１１表面に密着させるように一面全体に信号線路１２を形成してチップ型ノイズフィルタ１０としたものであり、図１（ｂ）は、面積を小さくした信号線路１３とするとともに、この両端部に外部回路と接続をするための端子電極１４、１５を形成してチップ型ノイズフィルタ２０としたものである（なお、図中、同部位を表す場合は同符号にて示す）。
【００２１】
何れも磁性体１１の面上に信号線路１２、１３を形成したチップ型ノイズフィルタの基本形状を示すものである。
【００２２】
そして、前記磁性体１１は磁性材料であるので高周波の電気信号を吸収減衰する効果を有しており、信号線路１２、１３が磁性体１１上に形成されていることから、信号線路１２、１３に流れる高周波のノイズ成分を有効に吸収することができる。
【００２３】
また、磁性体１１は、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、残部にＮｉＯを含有する焼結体とすることが重要である。
【００２４】
前記磁性体１１を、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、残部にＮｉＯを含有する焼結体とすることで、準ミリ波、ミリ波領域の電磁波に対するノイズ吸収特性に優れ、また焼結体であるため耐熱性に優れたものとなり、熱処理によって各部品を接合する際、変質、変形及び強度劣化が少なく、脱ガスの発生を無くすことができる。
【００２５】
また、前記磁性体１１はＦｅ２Ｏ３の含有量を５０〜９５ｍｏｌ％とすることが好ましく、さらに好適には７０〜９５ｍｏｌ％とすることが重要である。
【００２６】
なぜならば、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が５０ｍｏｌ％未満となると、準ミリ波帯、ミリ波帯でのノイズ吸収特性を十分に得ることが難しくなり、信号線路１２、１３に侵入したこれらの周波数のノイズを完全には除去することが出来ないからで、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が５０ｍｏｌ％以上、７０ｍｏｌ％未満では、準ミリ波帯、ミリ波帯におけるノイズ吸収特性は良好であるものの、Ｆｅ２Ｏ３の含有量の僅かなぶれによりノイズ吸収特性の変化が残るからであり、チップ型ノイズフィルタ２０の設計を困難にするためである。
【００２７】
一方、Ｆｅ２Ｏ３の含有量を９５ｍｏｌ％以下とするのは、９５ｍｏｌ％を超えると、整形時の圧力によっては焼結させることが困難になり、良好なノイズ吸収特性が得られなかったり、歩留まりが低下したりするからである。
【００２８】
また、その残部にＮｉＯを含有させたのは、ＮｉＯを全く含まない場合は、磁性体１１の体積固有抵抗値が上昇し、良好なノイズ吸収特性が得られないとともに、低温で焼結させることが困難になるからである。
【００２９】
磁性体１１の結晶粒径としては、平均値で１．０μｍ〜１００μmの範囲であることが好ましく、さらに１．０〜２０μｍの範囲がより好ましい。結晶粒径が上記範囲以外になると、磁性体１１の強度が低下して加工時や実装時に割れを生じたり、良好なノイズ吸収特性が得られなかったりするからである。
【００３０】
また、磁性体１１の気孔率としては、０．５％以下であることが好ましい。気孔率が０．５％を超えると、伝送線路１２、１３の表面平滑性が損なわれ、実装時の半田濡れ性やワイヤボンディング性が低下するからである。また、チップ型ノイズフィルタ２０の製造工程において使用される研削液やワックス等の洗浄が困難となるからである。
【００３１】
なお、信号線路１２、１３の材質は電気抵抗や磁性材料との密着性等を考慮すると、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ等の金属、及びこれらを含む合金を使用することが好ましく、１層または２層以上の構成としても構わない。
【００３２】
次に、本発明の磁性体１１は、以下の方法によって作製される。
【００３３】
先ず、Ｆｅ２Ｏ３５０ｍｏｌ％以上の原料粉末及びＮｉＯの原料粉末を、水とともにボールミルまたはビーズビルに投入調合した後、６〜１０時間湿式混合を行うことで、所定の粘性を有するスラリーを得る。
【００３４】
ここで、Ｆｅ２Ｏ３原料粉末やＮｉＯ原料粉末をボールミルまたはビーズビルに投入調合する際、本発明の範囲内において公知の硬化剤、硬化助剤、可塑剤、分散剤、離型剤、着色剤、増量剤（無機材）を少量添加しても何ら差し支えない。
【００３５】
また、焼結性確保のため、平均粒径１μｍ以下、好ましくは０．８５μｍ以下のＦｅ２Ｏ３原料粉末やＮｉＯ原料粉末を用いることが好ましい。
【００３６】
さらに、より低圧での成形を可能にするという観点から、ＺｎＯ，ＣｕＯ，Ｂｉ２Ｏ３の少なくとも一種の原料粉末を添加することが好ましく、その添加量の合計が５〜１０ｍｏｌ％であることが特に好適であり、このようにすることで、成形に用いる装置のコスト低減を計ることができ、複雑な形状の磁性体１１を作製することもできるようになる。
【００３７】
次に、噴霧乾燥機を用い、上記スラリーを乾燥、造粒した後、得られた造粒粉を所望の成形手段、例えば、粉末加圧成形法により、任意形状の成形体を得る。
【００３８】
あるいは、上記スラリーを乾燥したものを７００〜９００℃程度で仮焼合成を行い、ボールミルやビーズミル等で粉砕し、噴霧乾燥機で再度乾燥させた後、所望の成形手段、例えば、粉末加圧成形法により、任意形状の成形体を作製してもよい。
【００３９】
ここで、粉末加圧成形法を用いる場合、その成形圧は、例えば１００〜３００ＭＰａとすればよい。
【００４０】
そして、上記成形体を１０００〜１４００℃、保持時間０〜２時間で焼成した後、３００〜５００℃／時間で降温することで本発明の磁性体１１が得られる。
【００４１】
こうして得られた磁性体１１の表面に、例えば、真空蒸着法により下地層としてＮｉ、表面保護層としてＡｕの膜を製膜して信号線路１２を形成し、その後所定のチップサイズにダイシング機を用いて切断することにより、本発明のチップ型ノイズフィルタ１０を得ることができる。
【００４２】
さらに、チップ型ノイズフィルタ２０の場合には、前記チップ型ノイズフィルタ１０の信号線路１２の形成に換えて、信号線路１３を形成し、その後、所定のチップサイズに切断した後、Ｍｏ−Ｍｎ合金等からなる端子電極１４、１５を、電極ペースト中にディッピングして形成した後、所定の温度で焼き付ける等の方法で形成すればよく、必要に応じて電解メッキ等の方法でＮｉ、更にＡｕ等のメッキを施しても構わない。
【００４３】
なお、端子電極１４、１５は図１（ｂ）では磁性体１１の両端部の全面に形成する形状で示したが、必ずしも本形状にこだわる必要はなく、両端部の一部、あるいは磁性体１１の表面のみに形成するものであっても構わない。
【００４４】
また、前述のチップサイズに切断する場合、あらかじめ磁性体１１に個片分割用のＶ溝を形成しておき、薄膜法、あるいは厚膜印刷法等の方法により信号線路１２、１３を形成したのち、Ｖ溝に沿って個片に分割してもよい。
【００４５】
つぎに、図２に本発明のチップ型ノイズフィルタの別の形態のそれぞれ一例を斜視図で示す。
【００４６】
図２（ａ）は角柱状の磁性体１６の内部を貫通して信号線路１７を形成したチップ型ノイズフィルタ３０を示し、図２（ｂ）は板状の導体を信号線路１９として、上下方向から挟み込むように磁性体１８（１８ａ、１８ｂ）を密着させることにより作製したチップ型ノイズフィルタ４０である。
【００４７】
これらのチップ型ノイズフィルタ３０、４０はともに信号線路１７、１９をそれぞれ囲むように磁性体１６、１８を形成してあることから、信号線路１７、１９を流れるノイズは、図１（ａ）、（ｂ）のチップ型ノイズフィルタ１０、２０に比べてより効果的に磁性体１６、１８に吸収することができる。
【００４８】
この磁性体１６、１８においても、前記磁性体１１と同様にＦｅ２Ｏ３を主成分とし、残部にＮｉＯを含有する焼結体とすることが重要である。
【００４９】
さらに、磁性体１６を作製するには、前記磁性体１１の場合と同様にして、セラミックの一般的な粉末加圧成形法などにより、中央部に貫通穴を有した角柱状の成形体を得た後、
１０００〜１４００℃、保持時間０〜２時間で焼成した後、３００〜５００℃／時間で降温して作製すればよく、この後、信号線路１７となる導体を挿入して接合するか、ペースト状の導体を充填した後、熱処理して信号線路１７を形成し、チップ型ノイズフィルタ３０としてもよい。
【００５０】
また、チップ型ノイズフィルタ４０などの場合には、予め薄板状の導体を信号電極１９とし、磁性体１８ａ、１８ｂで上下方向から挟み込むように密着させて接合し、チップ型ノイズフィルタ４０としてもよく、さらには、磁性体１８ａ、１８ｂのどちらか少なくとも一方側に信号電極１９となるペースト状の導体を印刷等により形成しておいて、前記磁性体１８ａ、１８ｂを信号電極１９が内側となるように合わせた後、熱処理して接合してもよい。
【００５１】
つぎに、本発明のチップ型ノイズフィルタを用いた半導体パッケージについて、前記チップ型ノイズフィルタ１０を例に説明する。
【００５２】
図３は本発明の半導体パッケージを示す横断面図である。（なお、図中、図１と同部位は同符号で示す。）半導体素子５１は、例えばＧａ−Ａｓ化合物からなり、セラミック基板５３上に設けられたアイランドパターン上に共晶マウント法等の方法により固定されている。
【００５３】
高周波信号の入出力は外部配線用リード５４とパッケージ基板６１上に形成された電極５６とボンディングワイヤ６１を介して半導体素子５１と接続されている。
【００５４】
バイアス電圧入力用の外部配線用リード５５は、電極５７、ボンディングワイヤ５９を介して、チップ型ノイズフィルタ１０に接続され、更にボンディングワイヤ６０を介して半導体素子５１に接続されている。
【００５５】
半導体パッケージ５０の内部空間６２は、金属板からなるリッド（不図示）にて気密封止されることにより、耐湿性、耐ガス性に劣る半導体素子５１を保護している。
【００５６】
ここで、本発明のチップ型ノイズフィルタ１０を半導体パッケージ内に配置することにより、高周波信号入出力用の電極５６、ボンディングワイヤ６１、半導体素子５１およびそれらの接続部から放射される高周波のノイズがパッケージケース５２の側壁部やリッド（不図示）の内部空間面にて多重反射した結果、バイアス電圧用の配線部に侵入する高周波のノイズを吸収し、半導体素子５１の動作を安定化させることが可能となる。
【００５７】
さらに、チップ型ノイズフィルタ１０は、磁性体がＦｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する焼結体としてあることにより、パッケージ製造工程や使用環境での温度上昇時にアウトガスが発生しないため、従来の樹脂やゴム等を用いたチップ型ノイズフィルタと比較してアウトガスの発生を大幅に削減することが可能となり、半導体素子５１の信頼性を向上させることが可能となる。
【実施例】
【００５８】
本発明の実施例を図１（ａ）のチップ型ノイズフィルタ１０を用いた場合に基づいて説明する。
【００５９】
まず、磁性体１１を、以下の方法によって作製した。
【００６０】
まず、Ｆｅ２Ｏ３およびＮｉＯの原料粉末が表１に示す比率になるように秤量したものを出発原料とした。この出発原料を水とともにボールミルに投入、調合した後、８時間湿式混合を行うことで、所定の粘度を有するスラリーを得た。
【００６１】
次に、噴霧乾燥機（スプレードライヤー）を用い、上記スラリーを乾燥、造粒した後、得られた造粒粉を粉末加圧成形法により、成形圧力１００ＭＰａで成形することで成形体を得た。
【００６２】
そして、上記成形体を空気中１３００℃の雰囲気で焼成することにより、磁性体１１を得た。
【００６３】
さらに、得られた磁性体１１の一方の主面に薄膜法により下地Ｎｉ、表面層Ａｕの信号線路１２を形成したのち、ダイシング機を用いて所定の個片形状に切断して、チップ型ノイズフィルタ１０を得た。
【００６４】
まず、磁性体１１のＦｅ２Ｏ３およびＮｉＯの含有量の最適範囲を検証するために、それぞれの含有量を変化させた磁性体１１を用いてチップ型ノイズフィルタを作製し、高周波の電気信号に対する吸収量を検証した。
【００６５】
吸収量は、チップ型ノイズフィルタ１０の信号線路１２の両端に、ネットワークアナライザのポート１、ポート２を、同軸ケーブルおよびコンタクトプローブを介して接続し、１００ＭＨｚ〜４０ＧＨｚにおける電力透過係数Ｓ２１を測定し、吸収量とした。
【００６６】
ここで、１００ＭＨｚにおける吸収量が０．０１ｄＢ以下であり、且つ１０ＧＨｚ以上における吸収量が０．５ｄＢ以上である物を可として○、１００ＭＨｚにおける吸収量が０．０１ｄＢ以下であり、且つ１０ＧＨｚ以上における吸収量が２．０ｄＢ以上である物を可として◎、１００ＭＨｚにおける吸収量が０．０１ｄＢ以下であり、且つ１０ＧＨｚ以上における吸収量が０．５ｄＢ未満である物を不可として×とした。
【００６７】
さらに、図３に示すように、本発明のチップ型ノイズフィルタ１０と、半導体素子５１を、それぞれＡｕ−Ｓｎ合金によるろう付けおよび共晶マウント法にてセラミック基板５３上に固定し、ボンディングワイヤ５８、５９、６０にて外部配線用リード５４、５５までを接続し、さらに金属板からなるリッド（不図示）をシーム溶接法にて接合してパッケージ５２の内部空間６２を気密封止して、半導体パッケージ５０を得た。
【００６８】
そして、得られた半導体パッケージ５０を、１５０℃、２０００時間の信頼性試験に投入し、半導体パッケージ５０の内部空間の有機ガス発生の有無をガスクロマトグラフにて測定した。
【００６９】
そして、以上の結果をもとに、半導体パッケージ５０としての総合評価が不良のものを×、良好なものを○、特にすぐれたものを◎とした。
【００７０】
なお、表中の試料Ｎｏ．に付記した＊印は本発明の範囲外を示し、また、比較例は従来の方法に基づき、本発明のＦｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する焼結体を用いずに、ゴム＋パーマロイを用いた場合を示す。
【００７１】
結果を表１に示す。
【表１】
2005123390.tif 000003
【００７２】
この結果、本発明の範囲内であるチップ型ノイズフィルタを用いた（Ｎｏ．２〜Ｎｏ．９）では、１００ＭＨｚにおける減衰が０．０１ｄＢ以下と極めて小さいと同時に、１０ＧＨｚ以上の、いわゆる準ミリ波、ミリ波帯域におけるノイズに対する減衰量が、０．５ｄＢ以上であり、本発明のチップ型ノイズフィルタとして好適に使用することができ、これを用いた半導体パッケージにおいても、比較例にくらべ、工程中および使用環境下でのアウトガスの発生がなく、すぐれたノイズ吸収特性を示すことが判る。
【００７３】
これに対し、本発明の範囲外の試料（Ｎｏ．１、Ｎｏ．１０）では、ノイズ吸収特性に劣り、１０ＧＨｚ以上の、準ミリ波、ミリ波帯域のノイズに対する減衰量が０．５ｄB以下と小さく、本発明のチップ型ノイズフィルタ１０として使用することが出来ない。
【００７４】
さらには、Ｆｅ２Ｏ３の含有量を７０〜９５％の範囲とすることで、ノイズの減衰量がＦｅ２Ｏ３の含有量の変化に対して安定した領域で製造することが可能となり、製造条件管理が容易になると共に、磁性体として安定した特性が得られるため、歩留まりが向上し、さらにチップ型ノイズフィルタの設計が容易になるため好都合であることが判る。
【００７５】
また、このようにして得られたチップ型ノイズフィルタは、気密封止空間に半導体素子等を実装した半導体パッケージ内部に使用して高周波ノイズを吸収抑制するために使用することができ、温度上昇時にアウトガスの発生が無いため、半導体素子の劣化を防ぎ、半導体パッケージの信頼性を向上させることが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明は、特に高速の情報通信および高周波計測用に使用される電子回路および光素子パッケージ並びに高周波回路パッケージ利用でき、その結果、各種電子回路およびパッケージの特性および信頼性を向上させることが可能となるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】（ａ）、（ｂ）は本発明のチップ型ノイズフィルタを示す斜視図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は本発明のチップ型ノイズフィルタの他の実施形態を示す斜視図である。
【図３】本発明の半導体パッケージを示す横断面図である。
【図４】従来のチップ型ノイズフィルタの等価回路図である。
【符号の説明】
【００７８】
１０、２０、３０、４０・・・・・・・・チップ型ノイズフィルタ
１１、１６、１８、１８ａ、１８ｂ・・・磁性体
１２、１７、１９・・・・・・・・・・・信号線路
１３、１４、１５・・・・・・・・・・・端子電極
５０・・・・・半導体パッケージ
５１・・・・・半導体素子
５２・・・・・パッケージケース
５３・・・・・セラミック基板
５４、５５・・外部配線用リード
５６、５７・・電極
５８、５９、６０・・・ボンディングワイヤ
６１・・・・・パッケージ基板
【図１】
2005123390.tif 000004
【図２】
2005123390.tif 000005
【図３】
2005123390.tif 000006
【図４】
2005123390.tif 000007