(57)【要約】【課題】光学素子、このような光学素子を備えたリソグラフィ装置及びデバイス製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、波長λの範囲が５〜２０ｎｍのＥＵＶ放射に対して透過性の頂部層を備えた光学素子であって、頂部層の構造が、λ／２以下の空間周期に対してλ／１０以上の二乗平均平方根粗さ値を有する構造である光学素子に関する。このような構造により、頂部層から光学素子への透過が促進される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長λの範囲が５〜２０ｎｍのＥＵＶ放射に対して少なくとも部分的に透過性の層と、二乗平均平方根粗さ値を有する構造を備えた頂部層とを備えた光学素子において、
前記頂部層が、波長λの範囲が５〜２０ｎｍのＥＵＶ放射に対して透過性であり、前記頂部層の前記構造が、λ／２以下の空間周期に対してλ／１０以上の二乗平均平方根粗さ値を有する構造であることを特徴とする、光学素子。
【請求項２】
前記透過性頂部層の前記構造が、λ／２より長く、且つ、１μｍ以下の空間周期に対してλ以下の二乗平均平方根粗さを有する、請求項１に記載の光学素子。
【請求項３】
前記少なくとも部分的に透過性の層が、λ／２以下の空間周期に対して、λ／５０以上で、且つ、４λ以下の二乗平均平方根粗さ値を有する構造を備えた表面を備えた、請求項１又は請求項２に記載の光学素子。
【請求項４】
前記透過性頂部層が、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択される材料からなる、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の光学素子。
【請求項５】
前記透過性頂部層及び前記構造がＲｕからなる、請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の光学素子。
【請求項６】
前記光学素子が鏡面を有するミラーからなり、前記鏡面が、波長λの範囲が５〜２０ｎｍのＥＵＶ放射に対して透過性の１つ又は複数の突起を備え、且つ、前記鏡面の少なくとも一部が、前記構造を備えた前記透過性頂部層をさらに備えた、請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の光学素子。
【請求項７】
高低差を有するプロファイルを備え、それにより所定の最大高低差を有する空所及び高所を提供する少なくとも１つの表面を備え、前記光学素子が、前記光学素子の前記空所内及び前記高所上に実質的に平らな透過性の層をさらに備え、且つ、請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の構造を備えた前記透過性頂部層をさらに備えた、請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の光学素子。
【請求項８】
前記透過性頂部層の二乗平均平方根粗さ値が、λ／２以下の空間周期に対して２ｎｍ以上である、請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の光学素子。
【請求項９】
前記光学素子が、光学フィルタ、光回折格子、ミラー及びレンズからなるグループから選択される１つ又は複数からなる、請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の光学素子。
【請求項１０】
前記光学素子が、鏡面及び前記鏡面に対して傾斜した傾斜多層スタックを備えたミラーからなる、請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の光学素子。
【請求項１１】
１つ又は複数の、請求項１から請求項１０までのいずれか一項に記載の光学素子を備えたリソグラフィ装置。
【請求項１２】
基板を提供するステップと、
照明システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
前記投影ビームの断面にパターンを付与するべくパターン形成手段を使用するステップと、
パターン形成された放射ビームを前記基板の目標部分に投射するステップと、
１つ又は複数の、請求項１から請求項１０までのいずれか一項に記載の光学素子を提供するステップとを含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光学素子に関し、詳細には波長λの放射に対して少なくとも部分的に透過性の層を備えた光学素子であって、二乗平均平方根平面粗さ値を有する構造を備えた頂部層をさらに備えた光学素子に関する。また、本発明は、このような光学素子を備えたリソグラフィ装置に関する。本発明は、さらに、デバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板の目標部分に所望のパターンを付けるマシンである。リソグラフィ装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。この場合、マスクなどのパターン形成手段を使用して、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンが生成され、このパターンが、放射感応材料（レジスト）の層を有する基板（たとえばシリコン・ウェハ）上の目標部分（たとえば１つ又は複数のダイ部分からなる）に画像化される。通常、１枚の基板には、順次露光される目標部分に隣接する回路網が含まれている。知られているリソグラフィ装置には、パターン全体を１回で目標部分に露光することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるステッパと、パターンを投影ビームで所与の方向（「走査」方向）に走査し、且つ、基板をこの方向に平行に、或いは逆平行に同期走査することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるスキャナがある。
【０００３】
リソグラフィ装置では、基板上に画像化されうるフィーチャのサイズは、投影放射の波長によって制限されている。デバイス密度がより高く、したがって動作速度がより速い集積回路を製造するためには、より小さいフィーチャを画像化できることが望ましい。現在使用されているほとんどのリソグラフィ投影装置には、水銀灯若しくはエキシマ・レーザによって生成される紫外光が使用されているが、より短い波長放射、たとえば約１３ｎｍの波長放射の使用が提案されている。このような放射は、極紫外線（ＥＵＶ）或いは軟Ｘ線と呼ばれており、可能な放射源には、たとえばレーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源或いは電子ストレイジ・リングからのシンクロトロン放射がある。
【０００４】
極紫外線源、特にプラズマ源の中には、広範囲の周波数に渡って放射線を放出するものがあり、これらの放射線には、赤外線（ＩＲ）、可視光、紫外線（ＵＶ）及び遠紫外線なども含まれている。望ましくないこれらの周波数が伝搬し、照明システム及び投影システムにおける加熱の問題をもたらし、また、ブロックされていない場合、レジストの不要な露光の原因になっている。照明システム及び投影システムの多層膜反射鏡が、所望の波長、たとえば１３ｎｍの波長の反射に対して最適化されている場合であっても、それらは光学的にフラットであり、ＩＲ、可視光及びＵＶ波長に対して極めて高い反射率を有している。したがって、比較的狭い周波数帯域の投影ビームを放射源から選択する必要がある。放射源が比較的狭い輝線を有している場合であっても、その輝線からの、とりわけより長い波長の放射を阻止しなければならない。この機能を実行するためのフィルタとして薄膜の使用が提案されているが、このような膜は極めて傷つきやすく、また、非常に熱くなり、たとえば２００〜３００℃又はそれ以上になるため、高い熱応力及びクラックの原因になり、また、リソグラフィ投影装置に必要な高出力レベルにおける昇華及び酸化の原因になっている。また、通常、所望する放射の少なくとも５０％が膜フィルタによって吸収される。
【０００５】
リソグラフィ投影装置の放射システムに回折格子スペクトル・フィルタを使用したリソグラフィ投影装置がＥＰ１１９７８０３号に記述されている。この回折格子スペクトル・フィルタは、投影ビームを形成するべく所望する波長の放射を通過させ、且つ、望ましくない波長の放射を偏向させるべく設計されている。回折格子スペクトル・フィルタは、所望する波長に対して１に近い複素屈折率を有する材料で実質的に形成されており、シリコン突起を備えている（この構造は、ＥＵＶ放射には「見えない」構造である）。このシリコン突起は、積層鋸歯プロファイル若しくは積層方形波プロファイル（それぞれＥＰ１１９７８０３号の図３及び図４に示されるプロファイル）を有している。また、この構造にはＲｕ被覆が施されており、１ｎｍの二乗平均平方根表面粗さを生成している。
【０００６】
このような被覆を備えたこのような光学フィルタの欠点は、望ましくない波長の放射だけでなく、（突起を通して）透過させる必要のある望ましい放射が、このような被覆によって大量に反射することである。したがって本発明の目的は、（光学素子の少なくとも一部を通して）透過を促進し、或いは望ましい波長の反射を少なくする層を有する、フィルタ、レンズなどの改良型光学素子を提供することである。このような光学素子はリソグラフィ投影装置に使用され、広帯域源からＥＵＶ放射を選択する、及び／又は望ましくない周波数を除去するが、このような光学素子は、他のアプリケーション、たとえばＵＶ或いは可視光（ＶＩＳ）にも使用されうる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって本発明の目的は、入射する、波長λの範囲が５〜２０ｎｍのＥＵＶ放射の反射が小さい層を備えた、光学フィルタ、光回折格子、ミラー、レンズなどの光学素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、
−波長λの範囲が５〜２０ｎｍのＥＵＶ放射に対して少なくとも部分的に透過性の層と、
−二乗平均平方根粗さ値を有する構造を備えた頂部層と
を備えた光学素子であって、頂部層が、波長λの範囲が５〜２０ｎｍのＥＵＶ放射に対して透過性であり、頂部層の構造が、λ／２以下の空間周期に対してλ／１０以上の二乗平均平方根粗さ値を有する構造であることを特徴とする光学素子が提供される。
【０００９】
このような光学素子の利点は、構造を備えたこの透過性頂部層の存在により、光学素子の表面、とりわけ透過性頂部層における放射（たとえば特定の入射角で投射される放射）の反射が少ないことである。したがって、より多くの放射が透過性頂部層及び／又は光学素子の（部分的に）透過性の層を通って透過する（たとえば、Ｅ．Ｓｐｉｌｌｅｒ、Ｓｏｆｔ  Ｒａｙ  Ｏｐｔｉｃｓ、Ｓｐｉｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  Ｐｒｅｓｓ、ＵＳ、１９９４年、ＩＳＢＮ  ０−８１９４−１６５５−ｘを参照されたい）。この方法によれば、より多くの放射が光学素子に到達するため、光学素子は、たとえば最適化フィルタ機能を提供することができる。
【００１０】
他の実施例では、本発明による、透過性頂部層の構造が、λ／２より長く、且つ、１μｍ以下の空間周期に対してλ以下の二乗平均平方根粗さを有する光学素子が提供される。さらに他の実施例では、少なくとも部分的に透過性の層が、約λ／２より長く、且つ、約１μｍ以下の空間周期に対して、λ／５０以上で、且つ、λ以下の二乗平均平方根粗さ値を有する構造、より好ましくは約λ／２より長く、且つ、約１μｍ以下の空間周期に対して、約λ／５０以上で、且つ、約λ／２以下の二乗平均平方根粗さ値を有する構造を備えた表面を備えた光学素子が提供される。
【００１１】
一実施例では、透過性頂部層は、波長λの範囲が５〜２０ｎｍの放射に対する屈折率の虚数部が比較的小さい材料から構成されている。たとえばＥＵＶアプリケーションの場合、透過性頂部層は、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択される材料からなっている。これらのすべての元素は、約１００ｎｍより長いＥＵＶ放射に対して減衰長を有している。また、Ｂ４Ｃ或いはＳｉＣなどの材料の組合せを選択することも可能である。特定の実施例では、本発明は、本発明による、透過性頂部層が、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ及びＲｕからなるグループから選択される１つ又は複数の材料からなる光学素子を対象としている。構造の材料は、透過性頂部層の材料とは異なる材料を使用することができるが、同じ材料であっても良い。
【００１２】
特定の実施例では、本発明は、透過性頂部層が少なくともＲｕからなる光学素子からなっている。Ｒｕを使用する利点は、酸化に対して、たとえばＳｉよりＲｕの方が比較的安定していることである。この方法によれば、構造を備えた、比較的安定した透過性頂部層によって波長未満表面粗さが導入される。また、このような透過性頂部層により、たとえば酸化から光学素子の（一部）が保護される。変形例では、本発明は、透過性頂部層及び構造がＲｕからなる光学素子を対象としている。ＥＰ  １１９７８０３号によれば、Ｒｕ層は保護のみ提供することができるが、ＥＰ  １１９７８０３号の場合、このＲｕ層が存在しているため、反射が強化されている。ＥＰ  １１９７８０３号とは対称的に、本発明による構造を備えた透過性頂部層によれば、光学素子が保護され、且つ、反射（ＥＰ  １１９７８０３号の場合のように、このような保護層によって生成されることになる）が減少する。Ｒｕの次に、本発明による透過性頂部層のために選択することができ、且つ、化学的に比較的不活性の層を提供することができる他の材料は、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ａｇ、Ｃなどである。
【００１３】
他の実施例では、構造（λ／１０以上の二乗平均平方根粗さ値を有する）は、λ／２以下、たとえばλ／５以下の空間周期を有している。構造の空間周期がλ／２未満になると、反射損失が透過利得に「変換」される。約１３．５ｎｍのＥＵＶ放射の場合、空間周期は、たとえば約６ｎｍ以下、５ｎｍ以下、２．５ｎｍ以下、２ｎｍ以下若しくは約１ｎｍ以下である。他の実施例では、透過性頂部層は、二乗平均平方根値が約λ／５以上、λ／２以上、λ以上、２λ以上であり、たとえば約２ｎｍ以上、２．５ｎｍ以上、５ｎｍ以上、６ｎｍ以上、１０ｎｍ以上若しくは約１３．５ｎｍ以上（約１３．５ｎｍのＥＵＶ放射波長に対して）であり、或いはさらに長く、たとえば上で言及したλ／２以下の空間周期に対して２０ｎｍ若しくは５０ｎｍである。ＥＵＶアプリケーションの場合、良好な結果が得られ、二乗平均平方根粗さ値は１．５ｎｍと約５０ｎｍの間であり、たとえば２〜２０ｎｍである。また、空間周期がλ／２以下、たとえば約１０〜２．５ｎｍ（上側の値（λ／２））と約１．０〜４ｎｍ（下側の値（λ／５））の間である場合、約１．５ｎｍと５０ｎｍの間のこの二乗平均平方根粗さを選択することができる。
【００１４】
さらに他の実施例では、頂部層の構造は、約λ／２以下の空間周期に対して、約λ／１０以上で、且つ、約４＊λ以上の二乗平均平方根粗さ値を有する構造である。好ましい実施例では、頂部層の構造は、約λ／２以下で、且つ、約λ／５以上の空間周期に対して、約λ／１０以上で、且つ、約４λ以上の二乗平均平方根粗さ値を有する構造である。
【００１５】
さらに他の実施例では、
・約λ／２以下で、且つ、約λ／５以上の空間周期に対して、約λ／１０以上で、且つ、約４λ以下の二乗平均平方根粗さ値と、
・約λ／２より長く、且つ、約１μｍ以下の空間周期に対して、約λ／５０以上で、且つ、約１λ以下の二乗平均平方根粗さ値と
を有する構造を備えた頂部層を備えた光学素子が提供される。
【００１６】
空間周期及び二乗平均平方根粗さは、当分野の技術者に知られている、（光）散乱技法、ＳＴＭ、ＡＦＭ、インタフェロメトリクスなどの技法を使用して決定することができる。
【００１７】
一実施例では、本発明による透過性頂部層は、厚さが最大約１０ｎｍ若しくは最大約２０ｎｍ、たとえば約１０〜２０ｎｍの層からなっている。
【００１８】
特定の実施例では、本発明は、少なくとも部分的に透過性の層（本発明による透過性頂部層がこの層の上を覆っている）が特定の粗さの構造を備えた表面を有する光学素子を対象としている。この透過性の層には、たとえばレンズ、ミラー（Ｍｏ層のように少なくとも部分的に透過性の層を備えたかすり入射ミラーのようなミラー）上の層或いは箔などを使用することができる。このような透過性若しくは反射性の層の表面には、通常、特定の（最大）粗さが得られるよう、研磨等が施されている。たとえば、表面が実質的に平らであり、且つ、該表面がλ以下の二乗平均平方根粗さ値を有する構造を備えた表面からなる、部分的に透過性の層を備えた光学素子を適用することが可能である。この二乗平均平方根粗さは、約λ／２以下若しくは約λ／５以下にすることも可能である。本発明による構造を備えた透過性頂部層が、この実質的に平らな表面を覆っている。
【００１９】
特定の実施例では、本発明による光学素子は、たとえば反射型ミラーの場合、さらに、波長λの範囲が５〜２０ｎｍのＥＵＶ放射に対して透過性の１つ又は複数の突起を備えた鏡面を有する透過性突起を備えた層を備えることができる。構造を備えた本発明による透過性頂部層を使用して、これらの突起、突起と突起の間の層若しくは表面、或いは突起及び突起と突起の間の層若しくは表面の両方を覆うことができる。この透過性頂部層の存在により、波長λの範囲が５〜２０ｎｍの放射の反射を少なくし、たとえば透過性突起を通してより多くの放射を光学素子に導くことができる。
【００２０】
他の実施例では、本発明は、波長λの範囲が５〜２０ｎｍのＥＵＶ放射に対して透過性の１つ又は複数の突起を備えた鏡面を有し、且つ、該鏡面の少なくとも一部が、構造を備えた透過性頂部層をさらに備えたミラーからなる光学素子を対象としている。このような光学素子は、参照により本明細書に援用されている欧州特許出願第０３０７７１５５号に準拠することができる。この実施例の変形例では、本発明は、鏡面が、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択される材料からなる突起を備えた光学素子を対象としている。
【００２１】
この実施例の他の変形例では、本発明は、鏡面が、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択される第１の材料からなる１つ又は複数の第１の突起と、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択される第２の材料からなる１つ又は複数の第２の突起とを備え、該第１及び第２の材料が同じ材料ではない光学素子を対象としている。これらの第１及び／又は第２の突起の頂部を、本発明による透過性頂部層が覆っている。
【００２２】
他の実施例では、本発明は、高低差を有するプロファイルを備え、それにより所定の最大高低差を有する空所及び高所を提供する少なくとも１つの表面を備えた光学素子であって、参照により本明細書に援用されている欧州特許出願第０３０７７８５０号に従って、該光学素子の空所中及び高所上に実質的に平らな透過性の層をさらに備え、且つ、たとえばこの実質的に平らな透過性の層の上に本発明による構造を備えた透過性頂部層をさらに備えた光学素子を対象としている。
【００２３】
本発明の他の態様によれば、本発明による１つ又は複数の光学素子を備えたリソグラフィ装置が提供される。このようなリソグラフィ装置は、
−投影放射ビームを供給するための放射システムと、
−投影ビームを所望のパターンに従ってパターン形成するべく機能するパターン形成手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持するための基板テーブルと、
−パターン形成されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと、
−本発明による１つ又は複数の光学素子と
を備えることができる。
【００２４】
本発明の他の態様では、本発明は、本発明による光学素子を使用したデバイス製造方法を対象としている。このような方法には、たとえば、
−基板を提供するステップと、
−照明システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
−投影ビームの断面にパターンを付与するべくパターン形成手段を使用するステップと、
−パターン形成された放射ビームを基板の目標部分に投射するステップと、
−本発明による１つ又は複数の光学素子を提供するステップ
が含まれている。
【００２５】
本発明のさらに他の態様によれば、本発明による方法に従って製造されたデバイス、或いは本発明による装置を使用して製造されたデバイスが提供される。
【００２６】
本発明のコンテキストにおいては、「光学素子」は、光学フィルタ、光回折格子、ミラー及びレンズからなるグループから選択される１つ又は複数からなっている。このような光学素子は、平らにすることも或いは湾曲させることもでき、また、層、箔、デバイス等として提供することができる。このような光学素子は、たとえば波長λの範囲が５〜２０ｎｍの所定の放射に対してブレーズ化若しくは最適化することができる。光学素子は、たとえばレンズの場合、波長がλのＥＵＶ放射に対して透過性にすることができ、また、ミラーの場合であれば反射性にすることができ、回折格子の場合であれば回折性にすることができる。光学素子の中には、これらの光効果のうちの１つ又は複数を提供することができるものもあり、たとえば欧州特許出願第０３０７７１５５号及び欧州特許出願第０３０７７８５０号を参照されたい。本発明による光学素子は、少なくとも、部分的に透過性の層と、構造を備えた透過性頂部層とを備えている。当分野の技術者には明らかであるように、光学素子は、他の層、フィーチャ、手段等を備えることも可能であり、また、部分的に透過性の層と透過性頂部層の間にこれらの層を配置することも可能である。
【００２７】
このコンテキストにおける「透過性の」或いは「実質的に透過性の」という表現は、透過性の層、たとえばＥＵＶ透過性の層を介した透過率がゼロより大きく、好ましくはたとえば少なくとも３０％、少なくとも５０％、少なくとも７０％、少なくとも８０％、少なくとも９０％又は少なくとも９５％であり、より好ましくは少なくとも９８％であることを意味している。或いは透過性のという表現は、透過性の層を介した（或いはたとえば透過性の突起を介した）減衰が約１／ｅ（０．３６８）より小さいことを意味している。本明細書においては、減衰長は、当分野の技術者に知られているように、透過率が１／ｅの値まで減少する長さとして定義されている。
【００２８】
このコンテキストにおける「吸収されない」或いは「実質的に吸収されない」という表現は、放射の吸収が１００％未満であり、好ましくはたとえば７０％未満、５０％未満、３０％未満、２０％未満であり、たとえば１０％未満或いは５％未満であり、より好ましくは２％未満であることを意味している。
【００２９】
当分野の技術者には明らかであるように、「透過性の」及び「吸収されない」という表現は、材料の透過率若しくは吸光度のみに依存しているのではなく、たとえば層の厚さなどの他の要因にも依存している。たとえば、本発明による構造を備えた透過性の層は比較的薄くすることができるため、Ｒｕ、Ａｕなどのように比較的透過性の少ない材料を適用することができる（ここでは、透過性は、ＥＵＶ放射に対する透過性である）。
【００３０】
「望ましくない放射」或いは「望ましくない波長」という表現は、使用を意図した波長より長い（或いは短い）波長を放射が有していることを意味している。たとえば、波長が約１３．５ｎｍのＥＵＶ放射が望ましい場合、波長が約１０ｎｍより短い放射或いは約２０ｎｍより長い放射は、望ましくない放射である。これは、当分野の技術者には明らかであるように、「波長λの範囲が５〜２０ｎｍの放射」という表現が、無限微小帯域幅λの放射への制限を意図するものではないことを意味している。光学素子は、１つの特定の波長λに対して設計されることも、或いは一定の範囲の波長に対して設計されることもできる。また、光学素子は、たとえば二次効果等により、異なる波長で使用されることも可能である。
【００３１】
本発明のコンテキストにおいては、「構造」は、層若しくは表面に提供することができる構造として、或いは高低差を提供する表面と見なすことができる構造として定義されている。この構造は、無作為に順序付けされた高低差（無作為構造）若しくは順序付けされた高低差（たとえば高低差を一次元若しくは二次元で順序付けした構造）から構成されることができる。
【００３２】
本発明のコンテキストにおいては、「無作為構造」は、層若しくは表面に提供することができる構造として、或いは表面と見なすことができ、且つ、規則的なパターン或いは意図した規則パターンすなわちプロファイルを備えていない構造として定義されている。たとえば、研磨のような表面加工後は若干の規則性が見出されるが、この規則性は意図したものではない。それに対して回折格子の場合、回折格子プロファイルを形成している突起は、意図した規則パターンを有している。無作為構造は、たとえば成膜スパッタリングなどによって特定の寸法の構造（たとえば直径２ｎｍ、５ｎｍ若しくは１０ｎｍの構造）を表面に成膜することによって得ることができる。これは、確率論的な方法のように思われる。無作為構造を備えた層は、同様に、たとえば層を成膜し、引き続いて層の一部をスパッタ除去することによって得ることができる。
【００３３】
本発明における「層」は、他の層及び／又は真空（使用中の）のような他の媒体との間に１つ又は複数の境界表面を有する層であるが、当分野の技術者に知られているように、「層」は構造の中間部分でもある。また、「層」という用語は、多数の層を表している。これらの層は、互いに隣接させることができ、或いは積み重ねることができる。これらの層には、単一の材料を使用することも、或いは複数の材料を組み合わせて使用することも可能である。「層」は連続層であっても或いは不連続層であっても良い。たとえば表面の突起も、個別の層或いは不連続層と見なすことができる。これは、本発明による、ＥＵＶ放射に対して少なくとも部分的に透過性の層が、たとえば図４〜図１１に示す突起を備えることができることを意味している。
【００３４】
本発明による「透過性頂部層」は構造を備えているが、基本的にはこの構造から構成することも可能である。本発明による透過性頂部層は、たとえば突起の上若しくは透過性の層の上の個別の層であっても良いが、光学素子の少なくとも部分的に透過性の層の一部であっても良い。本発明による透過性頂部層の少なくとも一部は、本発明による構造を備えている。
【００３５】
本発明においては、光学素子の「少なくとも部分的に透過性の層」は、波長λの範囲が５〜２０ｎｍの所望する放射に対して（実質的に）透過性の層である。このコンテキストにおける「部分的に」という表現は、層が、たとえば境界において完全に透過性である必要はないことを意味している。層の透過性は、当分野の技術者に知られているように、たとえば放射の波長及び放射ビームの入射角によって決まる。これは、層が反射性であっても、透過性であっても良いことを意味している。また、たとえば波長、放射ビームの入射角及び層の可能順序（たとえば回折格子のような）に応じて層に屈折効果を持たせることも可能であるが、本発明による光学素子を適用する場合、当分野の技術者には明らかであるように、これらの光効果のうちの１つを主として波長λの範囲が５〜２０ｎｍの放射に対して使用することができるため、他の効果及び／又はλ以外の他の波長の可能用途が排除されることはない。本発明における「少なくとも部分的に透過性の層」は、（順序付けされた）突起、突起の上及び／又は突起と突起の間の層、レンズ若しくはレンズ上の層などを備えることができる。
【００３６】
本発明においては、鏡面に存在している「突起」は、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択される材料を使用することができる鏡面から展開した構造として定義されている。これらの突起は、たとえばリソグラフィ技法を使用して構築することができる。このような技法を使用することにより、上部表面が極めて良好な表面粗さに研磨され、且つ、フォトレジスト・パターンによって画定されたランドを使用して溝がエッチングされる。この方法によれば、たとえば積層ブロック若しくは積層鋸歯などの特定のプロファイルが得られる。プロファイルは、ダイヤモンド工具を使用して（第１の）材料層に罫線を引く（線を罫書く）ことによっても提供することができる。
【００３７】
鏡面のこれらの突起には、突起が（反射）表面に積層配列された鋸歯プロファイルを有する積層鋸歯プロファイルを持たせることができる。このプロファイルは、特定の本数の平行線を備えた（ブレーズ化）一次元回折格子を形成するべく配列することができる（積層鋸歯突起）。また、突起には、突起が（反射）表面に積層配列された正方形若しくは長方形の構造を有する積層方形波プロファイルを持たせることができる。このプロファイルは、特定の本数の平行線を備えた一次元回折格子を形成するべく配列することができる（積層方形波突起）。
【００３８】
また、突起は、周期的に２方向に配列することもできる。たとえば、突起が周期的に作られた鋸歯プロファイルであって、突起が、一方の方向に鋸歯プロファイルを有し且つ市松模様のように周期的に配列された、立方体若しくは長方形であってもよい。このプロファイルは、周期的に配列された特定の数の構造を備えた（ブレーズ化）二次元回折格子を形成するべく配列することができる（周期鋸歯突起）。２方向に周期的に配列されたプロファイルの他の実施例は、周期的に構造化された方形波プロファイルを備えた構造であり、たとえば、突起が周期的に作られた方形波プロファイルであって、突起が、市松模様のように周期的に配列された、立方体若しくは長方形であってもよい。このプロファイルは、周期的に配列された特定の数の立方体若しくは長方形を備えた（ブレーズ化）二次元回折格子を形成するべく配列することができる（周期方形波突起）。このような二次元プロファイルを使用する場合、突起は、当分野の技術者に知られているように（たとえばＵＳ  ６４６９８２７号或いはＥ．Ｈｅｃｈｔ著「Ｏｐｔｉｃｓ」（第２版、４３０頁（段落１０．２．７）））、一種のブロック構造の鋸歯突起（自立型周期鋸歯突起）若しくはブロック突起（立方体若しくは長方形の自立型周期方形波突起）に配列される。
【００３９】
本発明においては、「第１」及び「第２」の突起という突起の表現は、異なる材料の異なる突起を単に表したものに過ぎない。これらの用語は、特定の順序を意味したものではない。
【００４０】
これらの突起すなわち高所は、「プロファイル」、たとえば規則性（回折格子のような）を形成しており、このような光学素子の表面に「空所」（隣接する領域に対してより深い領域）を提供している。この空所は、突起すなわち高所（隣接する領域に対してより高い領域）と高所の間の領域（二次元スピーキング）と見なすことができる。通常、突起は平らであり、同じ高さを有している。また、通常、空所も平らであり、同じ深さを有している（したがって、通常、空所の深と突起の高さは同じである）。これは、突起の高さが所定の最大高低差であることを意味している。突起及び空所が平らでない場合、空所の底部（表面）と高所の頂部（表面）の間の最大高低差が所定の最大高さである。一般的には、高所（の頂部表面）と空所（の底部表面）の間の最大高低差を決定することが可能であり、それが「所定の最大高低差」である。
【００４１】
本発明のコンテキストにおいては、「第１の高さ」は、光学素子の空所内及び高所上に透過性の層を提供した後の表面加工の前に得られる空所の高さを意味している。後続する表面加工工程によって第１の高さが減少し、得られる空所の高さは、所定の最大高低差より高くなる。また、「第２の高さ」という用語は、表面加工、たとえば研磨後に得られる突起上の透過性の層、たとえばＥＵＶ透過性の層の高さを意味している。
【００４２】
「実質的にゼロ」という表現は、ここでは、突起すなわち高所を覆っている層の高さ（第２の高さ）を、表面加工方式における実用上のリミットの範囲内で実質的にゼロ、たとえば数ナノメートル以下に減少させることができることを意味している。空所中の透過性の層の高さは、表面加工の前の段階では第１の高さである。表面加工、たとえば研磨若しくはエッチングが施されると、透過性の層の高さが減少し、したがって第１の高さが同じく減少するため、表面加工後に得られる高所上の第２の高さが実質的にゼロ以上になる。透過性の層の高さが、高所の上方の高さ（第２の高さ）が実質的にゼロになるまで減少すると、同じく第１の高さも減少し、その結果、空所の最終的な高さが、所定の最大高低差に「実質的に等しい」高さになる。空所内の層の高さと所定の最大高低差が実質的に等しくなると、これらの高さの間に存在する差が、たとえばせいぜい数ナノメートル以下になる。
【００４３】
また、「空所内及び高所上の事実上平らな表面」という表現は、ここでは、事実上連続した透過性の層が光学素子（の少なくとも一部）の上に存在し、それによってこのような層を空所内及び高所上に提供している状況を意味している。
【００４４】
本発明における「材料」は、材料の組合せとして解釈することも可能である。本明細書においては、「Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択される材料」という表現には、当分野の技術者には理解されるように、これらの元素の１つ又は複数からなる、たとえばＳｉ３Ｎ４のような窒化ケイ素、ＢＮのような窒化ホウ素、Ｃａ３Ｎ２のような窒化カルシウムなどの材料が含まれている。
【００４５】
本明細書においては、リソグラフィ装置のとりわけＩＣの製造における使用が言及されているが、本明細書において説明するリソグラフィ装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他の応用性を有していることを理解されたい。このような代替応用のコンテキストにおいては、本明細書における「ウェハ」或いは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」或いは「目標部分」という用語の同義語と見なすことができることは、当分野の技術者には理解されよう。本明細書において言及されている基板は、たとえばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、且つ、露光済みレジストを現像するツール）、度量衡学ツール若しくは検査ツール中で、露光前若しくは露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、たとえば多層ＩＣを生成するべく複数回に渡って処理することができるため、本明細書に使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
【００４６】
本明細書に使用されている「放射」及び「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射（たとえば、波長λが３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍの放射）、極紫外（ＥＵＶ）放射（たとえば、波長の範囲が５〜２０ｎｍの放射）、及びイオン・ビーム或いは電子ビームなどの粒子線を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。本明細書における「５〜２０ｎｍの範囲の」という表現は、放射の波長が５〜２０ｎｍのうちの少なくとも一部の間であることを意味している。特許請求の範囲を逸脱することなくこの範囲以外のＥＵＶ波長若しくは軟Ｘ線波長の放射、たとえば約１ｎｍ若しくは２５ｎｍの放射に本発明を使用することができることは、当分野の技術者には理解されよう。
【００４７】
本明細書に使用されている「パターン形成手段」という用語は、投影ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板の目標部分にパターンを生成するべく使用することができる手段を意味するものとして広義に解釈されたい。また、投影ビームに付与されるパターンは、基板の目標部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。通常、投影ビームに付与されるパターンは、目標部分に生成されるデバイス、たとえば集積回路中の特定の機能層に対応している。
【００４８】
パターン形成手段は、透過型であっても或いは反射型であっても良い。パターン形成手段の実施例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ及びプログラム可能ＬＣＤパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、交番移相及び減衰移相などのマスク・タイプ、及び様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。プログラム可能ミラー・アレイの実施例には、マトリックスに配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう、個々に傾斜させることができるため、この態様において反射ビームがパターン形成される。
【００４９】
支持構造は、パターン形成手段を支持している。つまり、支持構造は、パターン形成手段の重量を支えている。支持構造は、パターン形成手段の配向、リソグラフィ装置の設計及び他の条件、たとえばパターン形成手段が真空環境中で保持されているか否か等に応じた方法でパターン形成手段を保持している。パターン形成手段の支持には、機械式クランプ技法、真空クランプ技法若しくは他のクランプ技法、たとえば真空条件下における静電クランプ技法を使用することができる。支持構造は、たとえば必要に応じて固定若しくは移動させることができ、且つ、たとえば投影システムに対してパターン形成手段を確実に所望の位置に配置することができるフレームであっても、或いはテーブルであっても良い。本明細書における「レチクル」或いは「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターン形成手段」という用語の同義語と見なすことができる。
【００５０】
本明細書に使用されている「投影システム」という用語には、たとえば使用する露光放射に適した、或いは液浸液の使用若しくは真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系及びカタディオプトリック光学系を始めとする様々なタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。
【００５１】
また、照明システムには、投影放射ビームを導き、整形し、或いは制御するための屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント及びカタディオプトリック光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントが包含されており、このようなコンポーネントについても、以下、集合的若しくは個々に「レンズ」と呼ぶ。
【００５２】
リソグラフィ装置は、場合によっては２つ（二重ステージ）以上の基板テーブル（及び／又は複数のマスク・テーブル）を有するタイプの装置であり、このような「多重ステージ」マシンの場合、追加テーブルを並列に使用することができ、或いは１つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用している間、１つ又は複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。
【００５３】
また、リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的屈折率の大きい液体、たとえば水で覆われ、それにより投影システムと基板の間の空間が充填されるタイプの装置であっても良い。また、リソグラフィ装置内の他の空間、たとえばマスクと投影システムの間に液浸液を充填することも可能である。液浸技法は、当分野においては、投影システムの開口数を大きくすることで良く知られている。本明細書に使用されている「液浸」という用語は、基板などの構造物を液体中に浸さなければならないことを意味するものではなく、露光中、投影システムと基板の間に液体が充填されることを単に意味しているに過ぎない。
【００５４】
以下、本発明の実施例について、単なる実施例に過ぎないが、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は、対応する部品を表している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５５】
「実施例１」
実施例１では、最初にリソグラフィ装置の概要を説明した後、粗表面のいくつかの特性について説明し、次に、本発明による構造を備えた透過性頂部層を有する透過性突起を備えたミラーについて、その概要を説明する。
【００５６】
リソグラフィ装置の概要
図１は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィ装置を略図で示したものである。この装置は、
−投影放射ビームＰＢ（たとえばＵＶ放射若しくはＥＵＶ放射）を提供するための照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−パターン形成手段（たとえばマスク）ＭＡを支持するための、アイテムＰＬに対してパターン形成手段を正確に位置決めするための第１の位置決め手段ＰＭに接続された第１の支持構造（たとえばマスク・テーブル）ＭＴと、
−基板（たとえばレジスト被覆ウェハ）Ｗを保持するための、アイテムＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段ＰＷに接続された基板テーブル（たとえばウェハ・テーブル）ＷＴと、
−パターン形成手段ＭＡによって投影ビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（たとえば１つ又は複数のダイからなる）に画像化するための投影システム（たとえば反射型投影レンズ）ＰＬと
を備えている。
【００５７】
図に示すように、このリソグラフィ装置は、反射型（たとえば反射型マスク若しくは上で言及したタイプのプログラム可能ミラー・アレイを使用した）タイプの装置である。別法としては、このリソグラフィ装置は、透過型（たとえば透過型マスクを使用した）タイプの装置であっても良い。
【００５８】
イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取っている。放射源がたとえばプラズマ放電源である場合、放射源及びリソグラフィ装置は、別々の構成要素にすることができる。その場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、通常、たとえば適切な集光ミラー及び／又はスペクトル純度フィルタを備えた放射コレクタを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ引き渡される。それ以外のたとえば放射源が水銀灯などの場合、放射源は、リソグラフィ装置の一構成要素である。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、放射システムと呼ぶことができる。
【００５９】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するための調整手段を備えることができる。通常、イルミネータのひとみ平面内における強度分布の少なくとも外部及び／又は内部ラジアル・エクステント（一般に、それぞれσ−外部及びσ−内部と呼ばれている）は調整が可能である。イルミネータは、投影ビームＰＢと呼んでいる、所望する一様な強度分布をその断面に有する調節済み放射ビームを提供している。
【００６０】
投影ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに入射する。マスクＭＡで反射した投影ビームＰＢは、ビームを基板Ｗの目標部分Ｃに集束させるレンズＰＬを通過する。基板テーブルＷＴは、第２の位置決め手段ＰＷ及び位置センサＩＦ２（たとえば干渉デバイス）を使用して正確に移動でき、それによりたとえば異なる目標部分Ｃを投影ビームＰＢの光路内に位置決めすることができる。同様に、第１の位置決め手段ＰＭ及び位置センサＩＦ１を使用して、たとえばマスク・ライブラリから機械的に検索した後、若しくは走査中に、マスクＭＡを投影ビームＰＢの光路に対して正確に位置決めすることができる。通常、対物テーブルＭＴ及びＷＴの移動は、位置決め手段ＰＭ及びＰＷの一部を形成している長ストローク・モジュール（粗位置決め）及び短ストローク・モジュール（精密位置決め）を使用して実現されているが、ステッパ（スキャナではなく）の場合、マスク・テーブルＭＴは、短ストローク・アクチュエータのみに接続することができ、或いは固定することも可能である。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置合せマークＭ１、Ｍ２及び基板位置合せマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。
【００６１】
図に示す装置は、以下に示す好ましいモードで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターン全体が目標部分Ｃに１回の照射（すなわち単一静止露光）で投影される。次に、基板テーブルＷＴがＸ及び／又はＹ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Ｃのサイズが制限される。
２．走査モードでは、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが同期走査される（すなわち単一動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＬの倍率（縮小率）及び画像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅（非走査方向の）が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ（走査方向の）が左右される。
３．他のモードでは、プログラム可能パターン形成手段を保持するべくマスク・テーブルＭＴが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、基板テーブルＷＴが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルＷＴが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン形成手段が更新される。この動作モードは、上で言及したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン形成手段を利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
【００６２】
上で説明した使用モードの組合せ及び／又はその変形形態若しくは全く異なる使用モードを使用することも可能である。
【００６３】
図２は、投影装置１をより詳細に示したもので、放射システム４２、照明光学ユニット４４及び投影光学系ＰＬを備えている。放射システム４２は、放電プラズマを使用して形成することができる放射源ＳＯを備えている。ＥＵＶ放射は、Ｘｅガス若しくはＬｉ蒸気などのガス若しくは蒸気によって生成され、これらのガス若しくは蒸気中に極めて熱いプラズマが生成され、それにより電磁スペクトルのＥＵＶレンジの放射が放出される。この極めて熱いプラズマは、電気放電の部分的にイオン化したプラズマを光軸Ｏ上に崩壊させることによって生成される。効率良く放射を生成するためには、たとえば１０ＰａのＸｅ若しくはＬｉ蒸気、或いは他の任意の適切なガス若しくは蒸気の部分圧力が必要である。放射源ＳＯによって放出される放射は、ガス障壁構造すなわち汚染トラップ４９を介してソース・チャンバ４７からコレクタ・チャンバ４８へ引き渡される。ガス障壁構造４９は、たとえば、参照により本明細書に援用されている欧州特許出願ＥＰ−Ａ−１−  ０５７  ０７９号及びＥＰ−Ａ−１２２３４６８号に詳細に記載されているようなチャネル構造を備えている。
【００６４】
コレクタ・チャンバ４８は、かすり入射コレクタを使用して形成することができる放射コレクタ５０を備えている。コレクタ５０によって引き渡された放射は、回折格子スペクトル・フィルタ５１で反射し、コレクタ・チャンバ４８の開口で仮想ソース・ポイント５２に集束する。コレクタ・チャンバ４８から入射した投影ビーム５６は、照明光学ユニット４４内で垂直入射リフレクタ５３、５４を介して、レチクルすなわちマスク・テーブルＭＴ上に配置されたレチクルすなわちマスク上へ反射する。パターン形成されたビーム５７が形成され、投影光学系ＰＬ内で反射エレメント５８、５９を介してウェハ・ステージすなわち基板テーブルＷＴ上に画像化される。通常、照明光学ユニット４４及び投影システムＰＬには、図に示す数よりさらに多くのエレメントが存在している。
【００６５】
放射コレクタ５０については、従来技術によって知られており、たとえばＥＰ特許出願ＥＰ１３９４６１２号に、本発明に使用することができる放射コレクタの実施例の１つが記載されている（詳細には図３、図４及び図５を参照されたい）。
【００６６】
粗表面の特性
以上、リソグラフィ装置の概要について説明したが、次に表面の粗さについて、その概要をいくつか示しておく。
【００６７】
通常、粗表面は構造を備えており、それにより高さプロファイルを提供している。この構造は、より小さい構造からなっており、それにより高低差を提供している。このような表面の高さプロファイルは、当分野で知られている技法を使用して特性化することができる。高さプロファイルは、プロファイルの平均高さに対する局部高さの差として画定することができる。粗表面上の構造は無作為に配置することができるため、高さプロファイルを完全に詳細に画定する必要はない。つまり、すべての位置におけるプロファイルの高さを知る必要はない。高さプロファイルの詳細な画定は、構造の主な特徴を示す１組の数によって実施される。１組の便利な数は、表面上の１組の特性長に対する高さの二乗平均平方根粗さ値である。図３は、この二乗平均平方根粗さ値を示したもので、粗表面プロファイルの断面（不規則に湾曲した太線）が略図で示されている。図３では、粗表面プロファイルに包含されている５つの正弦関数がプロットされている。プロファイル中の構造は、無作為の順序で出現している。このプロファイルでは明らかに長波長正弦が依然として優勢である。
【００６８】
図３では、正弦関数の相対振幅は、波長に比例するように選択されている。表１は、これらの相対数を要約したものである。
【００６９】
【表１】
2005142569.tif 000003
【００７０】
波長が最も長い正弦波は、高さが比較的穏やかに変化していることを表している。また、正弦波の波長が短くなるほど高さの変化が速くなっている。図３に示す構造は、多数の周期に渡って反復することができ、それにより、本発明による所望の二乗平均平方根粗さを備えた、一種の規則構造を提供することができる。
【００７１】
したがって図３に示すプロファイルは、表１に示す５組の数（プロファイルのフーリエ解析）によって特性化することができる。この場合、表１に示す数が図３に示すプロファイルを完全に画定していることに留意されたい。しかしながら、一般的には、分解にはたとえば６つ以上の波長が必要であるため、必ずしもこれには限定されない。波長を関数とした正弦波の振幅は、文字通り「パワー・スペクトル密度」と呼ばれている。また、波長は、「空間周期」と呼ばれている。しばしば使用されている他の用語は、「空間周波数」であり、この周波数は空間周期に渡って１に等しい。粗表面の構造すなわち高さプロファイルをフーリエ解析することにより、高さプロファイルのパワー・スペクトル密度が提供される。
【００７２】
正弦波の振幅及びそれらの空間周期は、構造の高さプロファイルを特徴付けるには十分であり、したがって構造の高さプロファイルを特徴付けるために、適切に選択された空間周期を有する１組の正弦波に高さプロファイルが分解され、次に、対応する振幅によって構造が特徴付けられる。粗さは、文字通り、正弦波の二乗平均平方根値、つまり正弦波の振幅を（√２）／２倍した値を使用して特徴付けられた周波数である。
【００７３】
粗さの空間周期（つまり波長）は、光学コンポーネントの重要な量である。たとえばＥＵＶミラーの場合、空間周波数が１ｍｍ−１より小さい（つまり空間周期が１ｍｍより長い）粗さの場合、解像度及び歪としての画像品質に問題が生じることがある。また、中間空間周波数（１〜１０−３ｍｍ−１、つまり空間周期が１μｍと１ｍｍの間の）粗さはフレアの原因になり、高空間周波数（１０−３ｍｍ−１、つまり空間周期が１μｍより長い）粗さは、反射損失の原因になることがある。したがって、粗さの物理的な効果は、粗さの空間周波数に大きく依存している。単一空間周期では粗さの全効果が表現されないため、実際の表面に対しては、空間周期の範囲全体に渡って粗さは特徴付けられる或いは規定されることに留意されたい。また、これは、単一の正弦波ではなく、特定の（拘束）範囲における正弦波と空間周期の重畳を使用して二乗平均平方根値が計算されることを意味している。
【００７４】
本発明は、粗さが極めて細かい、つまり空間周期（波長）が入射光の波長の約半分以下の表面が散乱光を生成しないか、或いは散乱光の生成が少ないこと、及び透過率を大きくすることによって反射率の損失が（部分的に）補償されることに基づいている。
【００７５】
たとえば、ＥＵＶリソグラフィに使用する場合、光の波長を１３．５ｎｍにすることができるため、粗さの空間周期を約６．７５ｎｍ未満にすることができる。ほぼすべての光に構造を透過させるためには、大きな二乗平均平方根粗さが必要である。たとえば入射角１５度でＲｕ構造に入射する場合、８ｎｍの二乗平均平方根粗さによって約３６％の反射損失がもたらされる。つまり、入射光の約３６％以上が透過する（実施例６を参照されたい）。粗さが大きくなるほど透過率が大きくなる。粗さの空間周期が約６．７５ｎｍより長くなると、より多くの光が散乱することになり、したがってより多くの所望放射が失われることになる。
【００７６】
本発明による構造を備えた透過性頂部層を有する透過性突起を備えたミラー
図２に示すミラーの１つ又は複数、たとえば図２の位置１１の光学フィルタは、図４ａに示すような、波長λの範囲が５〜２０ｎｍのＥＵＶ放射に対して（実質的に）透過性の１つ又は複数の突起３０１（欧州特許出願第０３０７７１５５号を参照されたい）を備え、且つ、本発明による構造ＲＳを備えた透過性頂部層ＴＬをさらに備えた鏡面すなわち反射層ＲＬを有するミラーすなわち光学フィルタ３００を備えた光学素子にすることができる。
【００７７】
このような光学フィルタすなわちミラー３００には、たとえば図４ａに示すような積層方形波プロファイルを有する突起プロファイル、図４ｂに示すような積層鋸歯構造を有する突起プロファイル、及び図４ｃに示すような一種の積層非対称２面鋸歯プロファイルを有する突起プロファイルを持たせることができる。
【００７８】
図４ａは、反射層すなわち鏡面ＲＬを有する光学フィルタすなわちミラー３００を略図で示したもので、この表面は、一種の積層方形波プロファイルを備えている。この方形波プロファイルは、たとえば５００〜５０００ｎｍの値の周期すなわちピッチｐ及び高さｈ（たとえば１２〜２０ｎｍ）を有する突起３０１（Ｇは溝であり、Ｌはランドである）によって形成されている。規則的に配列された突起３０１の上（表面３４０）に透過性頂部層ＴＬが形成されており、この層の上に、或いはこの層の中に、若しくは層ＴＬの一部として、無作為に構造ＲＳが配列されている。構造ＲＳに包含されている構造と構造の間の距離ｈｄ、その高さ及び直径は、光学フィルタすなわちミラー３００の透明層ＴＬ及び突起３０１の全体に渡って変化しており（図３に示す構造に匹敵している）、それにより透過性頂部層ＴＬに構造ＲＳを提供している。
【００７９】
この実施例の場合、λ／２以下（たとえばＥＵＶ放射の場合、約６．７５ｎｍ以下）の空間周期に対して、λ／１０（約１．５ｎｍ）以上の二乗平均平方根粗さ値を構造ＲＳに持たせることができるが、この空間周期は、もっと短い周期、たとえば３ｎｍ若しくは１ｎｍであっても良く、また、二乗平均平方根値は、たとえば約５ｎｍ若しくは１０ｎｍであっても良い。通常、表面における（一定の波長及び同じ放射入射角の下での）反射損失は、二乗平均平方根粗さの増加と共に減少するため、これらの空間周期に対する二乗平均平方根値が大きいほどより良好な結果が得られる。
【００８０】
図４ａ及び図４ｂは、一例としてこれを示したものである。ミラー３００に対する入射角がαの投影ビームＰＢは、構造ＲＳを備えた透過性頂部層ＴＬを透過して移動し、鏡面ＲＬに到達する。鏡面ＲＬに到達した投影ビームＰＢは、角度βで反射する。あり得る回折若しくは屈折については、図面には何ら考慮されていないことに留意されたい。角度αは、図４ａ及び図４ｂに示す角度より小さくても、或いは大きくても良い。また、角度αは、ＲＳ、ＴＬ、突起３０１及びミラー３００を覆っている媒体の材料の屈折率に応じて角度βと同じ角度にすることも、或いは異なる角度にすることもできる。
【００８１】
投影ビームＰＢの放射の一部は、反射ビームＰＢｒで示すように突起の表面で反射するが、本発明による構造ＲＳを備えた透過性頂部層ＴＬが存在しているため、この反射ＰＢｒは有利に最小化され、５〜２０ｎｍの範囲の所望する波長λを有する投影ビームＰＢのより多くの放射が反射層ＲＬに到達する。本発明による構造ＲＳを有するこの頂部層ＴＬが存在していない場合、所望の波長λを有するより多くの放射が反射し、エネルギーの損失を招くことになるが、この方法によれば、突起３０１によって所望の放射をより有効に反射させ、且つ、不要な波長を有する放射を吸収し、屈折させ、且つ／又は回折させることができる。したがって、本発明による構造ＲＳを有するこの透過性頂部層ＴＬを提供することにより、より良好な光学フィルタが提供される。また、本発明による構造ＲＳが存在しない場合、たとえばＥＰ１１９７８０３号の場合と同様、たとえば本発明によるこのような構造を持たない透過性及び／又は保護層ＴＬによって、より多くの放射が反射することになる。
【００８２】
図４ａでは、構造ＲＳを備えた透明層すなわち頂部被覆ＴＬは、突起３０１の垂直方向の側面或いは突起３０１間の表面ＲＬには示されていない。また、図４ｂの角度ｂａの反対側の面についても同様であるが、図４ａ〜図４ｃに示すこの実施例のこれらの変形例は、同じく、これらの側面若しくは表面が本発明による透過性頂部層ＴＬを備える状況が包含されている（たとえば図４ｃに示すように）。しかしながら、これらの側面若しくは表面は、必ずしも構造ＲＳを備える必要はない。
【００８３】
透過性頂部層は、たとえばＣＶＤプロセスによって提供することができる。たとえば約２．５ｎｍの滑らかな頂部層ＴＬを生成した後、引き続いてＣＶＤプロセスによって、より大きい粒子（たとえば約５〜１０ｎｍ）を「粗く」蒸着させ、それにより透過性頂部層の中及び透過性頂部層の上に構造ＲＳを生成することができる。これらの２つのＣＶＤ工程の実施中に使用される材料は、それぞれ異なる材料が使用されるが、同じ材料を使用することも可能である。イオンによるスパッタリングによって層の粗さが変化することは、文献により良く知られている。また、スパッタ成膜技法及び蒸着技法によって、成膜設定値に応じて特定の粗さサンプルが得られる。必要な粗さに応じて層を研磨することも可能であり、研磨材の粒子（粒子を含んだ液体）を選択することもできる。たとえば光学方式の場合、得られる粗さを評価することができる。より大きい粒子を蒸着させた後、任意選択で第２のＣＶＤプロセスを適用し、構造ＲＳを備えた透過性頂部層ＴＬの上に薄層（図４ａ〜図４ｃには示されていない）を形成することができる。この層には、透過性の層ＴＬ及び／又は構造ＲＳの材料と同じ材料を使用することができる。たとえばある変形例では、透過性の層ＴＬ及び構造ＲＳにはＲｕが使用されており、他の変形例では、第１及び第２のＣＶＤプロセスによって提供される透過性の層ＴＬにはＳｉが使用され、構造ＲＳにもＳｉが使用されている。
【００８４】
この実施例及びその変形例では、（たとえば研磨後の）二乗平均平方根粗さ値がλ以下の構造を備えた表面を有する少なくとも部分的に透過性の層は、突起３０１とそれらの表面３４０である。この透過性頂部層ＴＬは、突起の側面（少なくとも部分的に透過性の層、つまり図４ａ〜図４ｃの反射層ＲＬから展開している面）、及び適用可能である場合、突起と突起の間の反射層ＲＬの表面、つまり溝Ｇにも提供することができる（上記参照）。
【００８５】
図４ａ〜図４ｃ（及び図５、図６）では、構造ＲＳは、同じ大きさの球として示されているが、この構造には、大きさ、形状等が異なる粒子を持たせることも可能であり、たとえば大きさが約０ｎｍから２０ｎｍまでの範囲で分布するたとえば約１〜１０ｎｍの大きさ、たとえば２ｎｍ若しくは５ｎｍの大きさの粒子を持たせることができる。透過性頂部層の厚さは、最大約２０、たとえば約１〜１０の厚さにすることができる。
【００８６】
実施例７で、突起３０１を備えたミラー３００のいくつかの変形例（本発明の主題ではない）について説明するが、これらの変形例は、本発明による構造ＲＳを備えた透過性頂部層ＴＬとは無関係である。
【００８７】
「実施例２」
実施例２では、高度差を有するプロファイルを備え、それにより、所定の最大高低差を有する空所及び高所を提供する少なくとも１つの表面を備えた光学素子について説明する。この光学素子は、欧州特許出願第０３０７７８５０号による光学素子の空所内及び高所上に実質的に平らな透過性の層を備えている。この光学素子は、さらに、本発明による構造を備えた透過性頂部層を備えている。
【００８８】
実施例２では、最初に概要を説明し（本発明による透過性頂部層ＴＬとは別に）、続いて本発明による透過性頂部層ＴＬ及びその機能について考察する。
【００８９】
実施例２では、回折格子構造を備えたミラーは、ＥＵＶ光学素子として説明されているが、この実施例はＥＵＶアプリケーションに限定されない。
【００９０】
平らな透過性の層を有する回折格子構造を備えたミラーの概要
図５は、一例としてこの実施例を略図で示したもので、積層方形波プロファイルを形成している突起３０１を有するミラー３００が示されている。この突起は、周期ｐ、長さ３８０及び高さ５０２を有している。高さ５０２は、所定の最大高さである（すべての突起３０１の高さが同じであるため）。参照符号Ｌは「ランド」を表し、参照符号Ｇは「溝」を表している。突起３０１は、たとえばＣｒ或いはＴａＮなどのＥＵＶ吸収体若しくは多層Ｓｉ／Ｍｏからなっているが、位相差を生成する透過性の材料、たとえばＺｒなどを使用することも可能である。突起３０１の高さは５０２であり、本発明によれば、空所すなわち溝Ｇには、高さ５０６のＥＵＶ透過性の層５０４が充填されている。ＥＵＶ透過性の層５０４の高所すなわち突起３０１の上方の高さは、参照符号５０７で示されている（第２の高さ）。
【００９１】
図５に示すＥＵＶ透過性の層５０４は、たとえばＳｉなどのＥＵＶ透過性の材料を気相成長させることによって提供することができる。空所内及び高所上にこのＥＵＶ透過性の層が提供されると、続いて研磨され、それにより、高所すなわち突起３０１の上方の高さ５０７、つまり空所すなわち溝Ｇの上方の高さ５０６のＥＵＶ透過性の層が得られる。
【００９２】
ここでは、少なくとも部分的に透過性の層（構造を備えた表面を有している）は、このＥＵＶ透過性の層５０４である（たとえば表面加工後の）。たとえば表面加工後のこの層の粗さは、λ以下、たとえばλ／２或いはλ／５以下の二乗平均平方根粗さ値にすることができる。
【００９３】
図５に示すミラーは、たとえば、所望の波長を選択するべく使用される回折格子として使用することができ、また、ＥＵＶ透過性の層は、一方では、容易に浄化することができる保護層を提供し、他方では、ＥＵＶ放射を透過させ、且つ、非ＥＵＶ放射（の一部）を吸収することによって光学フィルタ機能を提供している。ＥＵＶ透過性の層５０４には、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択される材料を使用することができる。また、ＥＵＶ透過性の層５０４には、複数のこれらの材料を組み合わせて使用することも可能である。当分野の技術者には、ＥＵＶ透過性の層５０４及び突起３０１に適した材料を選択することができよう。
【００９４】
代替構造では、ＥＵＶ透過性の層５０４は、Ｓｉのように１に近い複素屈折率を有する材料からなっている。ＥＵＶ放射にはＥＵＶ透過性の層５０４が見えないため（上記参照）、このような材料をＥＵＶ透過性の層５０４に選択することにより、回折格子を設計し直す必要がない。ＥＵＶ透過性の層は、ＥＵＶ放射に対して実質的に透過性であり、また、Ｓｉの場合、１に近い複素屈折率を有しているため、投影ビームＰＢのＥＵＶ放射は、実質的に妨害されることなくＥＵＶ透過性の層５０４を通過して移動することができる。図５は、一例としてこれを示したもので、投影ビームＰＢの光線ｒ１は、ＥＵＶ透過性の層を透過して移動し、屈折することなく光線ｒ２としてミラー３００で反射している。１に近くない複素屈折率を有する材料若しくは材料の組合せが選択される場合、光線ｒ１及びｒ２が屈折することになり、回折格子構造を設計し直す必要がある。
【００９５】
図５には、積層方形波プロファイルを有する回折格子構造を備えたミラーが示されているが、この実施例は、別法として、当分野の技術者には理解されるように、ＥＵＶ透過性の層及びこのようなＥＵＶ透過性の層を有する二次元回折格子を有する鋸歯プロファイルを備えたミラーにも関連している。
【００９６】
図５に示す回折格子若しくはこの実施例に包含されている他の回折格子は、たとえば図２に示すリソグラフィ投影装置の位置５３、５４、５７若しくは５８にミラーとして提供することができる。
【００９７】
平らな透過性の層を有し、且つ、本発明による構造を備えた透過性頂部層を有する回折格子構造を備えたミラー
以上、平らな透過性の層を有する回折格子を備えたミラーの概要を説明したが、次に、光学素子の頂部に構造ＲＳを備えた透過性頂部層について説明する。
【００９８】
図５の平らな透過性の層５０４の頂部には、本発明による透過性頂部層ＴＬが示されている。ここでは、この透過性頂部層ＴＬは構造ＲＳを備えている。投影ビームＰＢは光線ｒ１と共に構造ＲＳを備えた透過性頂部層ＴＬを透過して移動し、光線ｒ２としてミラー３００で反射する。構造ＲＳを備えた透過性頂部層ＴＬが存在しない場合、投影ビームＰＢの光線ｒ１は、透過性の層５０４に入射する代わりに、表面３４０（光学素子の上方の大気（ＥＵＶの場合、通常、真空）と平らな透過性の層５０４の表面との界面）で部分的に反射することになる。この実施例では、本発明による構造ＲＳを備えた透過性頂部層ＴＬの存在によって反射が減少し、図５に示す光学素子は、そのフィルタ機能（５〜２０ｎｍの範囲の所望の波長λを残し、望ましくない波長を光学フィルタリングする）をより良好に提供することができる。また、本発明による構造ＲＳが存在しない場合、たとえばこのような構造ＲＳを持たない透過性及び／又は保護層ＴＬによって、より多くの放射が反射することになる。本発明は、とりわけ、研磨による構造ＲＳ生成の可能性を提供している（上記参照）。
【００９９】
「実施例３」
実施例３では、欧州特許出願第０３０７７８５０号による、鏡面、鏡面に対して傾斜した傾斜多層スタック（たとえば鏡面に対して傾斜した複数の傾斜多層スタック）、及びこのスタックの頂部にＥＵＶ透過性の層を備えたミラーとしてのブレーズ格子について説明する。このようなミラーにより、高低差を有し、それにより、所定の最大高低差を有する空所及び高所を提供するプロファイルを備えた少なくとも１つの表面が提供される。この光学素子は、光学素子の空所内及び高所上に実質的に平らな透過性の層を備えている。最初にこの実施例の概要を説明し（本発明による透過性頂部層とは別に）、続いて透過性頂部層及びその機能について考察する。
【０１００】
実施例３では、傾斜多層スタック及びこのスタックの頂部にＥＵＶ透過性の層を備えたミラーとしてのブレーズ格子は、ＥＵＶ光学素子として説明されているが、この実施例はＥＵＶアプリケーションに限定されない。
【０１０１】
傾斜多層スタック及びこのスタックの頂部にＥＵＶ透過性の層を備えたミラーの概要
この実施例では、図６に示すように、傾斜多層スタック及びこのスタックの頂部にＥＵＶ透過性の層を備えたミラーとしてのブレーズ格子について説明する。傾斜多層膜反射鏡（ＥＵＶ透過性の層を有していない）及びその製造については、従来技術によって知られており、たとえばＳｅｅｌｙらのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｏｐｔｉｃｓ  ４０（ｖｏｌ．３１、５５６５頁（２００１年））を参照されたい。
【０１０２】
図６では、多層表面が傾斜し、周期ｐ、ブレーズ角ｂａの多層（たとえば、当分野で知られているＳｉ層及びＭｏ層）突起３０１を備えた一種の多層傾斜スタック構造が生成されている。突起３０１の傾斜多層スタックは、たとえば基板すなわちホルダ３１０の上に提供することができる。多層の突起すなわち高所３０１は、高さが変化する高所を形成しており、したがって突起の最大高さは、高所の頂部３１１で示されている。また、空所すなわち溝Ｇが提供されている。ここでは、空所Ｇ（の底部）と突起３０１の頂部３１１の間の高低差は、高さ５０２（所定の最大高低差）である。
【０１０３】
空所Ｇ及び突起すなわち高所３０１の上をＥＵＶ透過性の層５０４が覆っている。このＥＵＶ透過性の層５０４の高さは、空所すなわち溝Ｇの底部から計算される高所の頂部３１１すなわち高さ５０６から計算される参照符号５０７で示されている。
【０１０４】
必要に応じて、特別の層３１２を提供し、それによりたとえば特別の保護若しくは特別の光学フィルタ機能を提供することができる。この特別の層３１２は、この実施例以外に、前述の実施例にも適用することができる。このような層には、たとえばＲｕを使用することができる。
【０１０５】
たとえばＳｉを使用したＥＵＶ透過性の層は、たとえば気相成長によって５０２より高い高さを有するＥＵＶ透過性の層５０４を提供し、続いて表面加工（研磨）を施すことによって提供することができる。この方法によれば、ＥＵＶ放射を反射させることができ、且つ、非ＥＵＶ放射を偏向させ、反射させ、且つ／又は吸収することができる多層膜反射鏡が提供される。たとえば、投影ビームＰＢのＥＵＶ波長を有する放射（たとえば１３．５ｍｍの所望する放射）である光線ｒ１は、妨害されることなく、或いは実質的に妨害されることなく任意選択の層３１２及びＥＵＶ透過性の層５０４を透過して伝搬し、光線ｒ２として傾斜多層スタックの突起３０１で反射する。当分野の技術者には、回折格子（図６には示されていない）による投影ビームＰＢからの放射の回折を考慮して、投影ビームがこの傾斜多層の表面に到達する入射角及び／又は角度ｂａを選択し、それにより光線ｒ２が反射する方向を決定することができよう。
【０１０６】
ＥＵＶ波長以外の波長を有する放射、たとえばＶＩＳ或いはＩＲは、任意選択の層３１２の表面で反射する（この反射は、図には示されていない）か、或いはＥＵＶ透過性の層５０４の表面で反射する。このＥＵＶ透過性の層５０４の表面での反射は、図６に、光線ｒ４のようにＥＵＶ透過性の層５０４の表面で反射する非ＥＵＶ波長の光線であることを示す参照符号ｒ３で示されている。
【０１０７】
また、放射の一部或いはすべてが任意選択の層３１２を透過し、或いはＥＵＶ透過性の層５０４を透過し、若しくは両方の層を透過することもあり得るが、界面の両側の材料（真空を含む）間の屈折率の差により、非ＥＵＶ波長を有する投影ビームＰＢの光線である光線ｒ５が屈折し、この屈折により、光線ｒ５及びｒ６（光線ｒ５は、多層スタック突起３０１で反射する）は、それぞれ図６に示すように屈折する。
【０１０８】
ＥＵＶ透過性の層５０４は、ＥＵＶ波長を有する放射に対しては透過性であるが、非ＥＵＶ波長を有する放射に対しては実質的に透過性ではないため、非ＥＵＶ波長を有する放射の一部が吸収される。反射、屈折及び吸収により、非ＥＵＶ波長を有する放射は、ＥＵＶ波長を有する放射（ｒ２）が反射する方向に減少する（図６の略図には、回折は考慮されていない）。この方法によれば、浄化が容易であるという利点、及びＥＵＶ放射（たとえば１３．５ｍｍ）のための光学フィルタが提供されるという利点を有する、表面が実質的に平らな光学フィルタが得られる。
【０１０９】
一般的には（これは、実施例２についても同様であるが）、ある範囲の所定の最大高低差５０２が存在している場合、所定の最大高低差は、最も深い空所と最も高い高所すなわち突起３０１の間の高低差５０２であることは、当分野の技術者には理解されよう。また、このような場合、ゼロより高い（表面加工後の）高所上のＥＵＶ透過性の層の高さ５０７は、通常、最も高い高所すなわち突起３０１（の頂部３１１）に対して画定され、それにより突起及び空所を覆う平らなＥＵＶ透過性の層が提供されることは、当分野の技術者には理解されよう。
【０１１０】
当分野の技術者には、湾曲ミラー或いは回折格子構造を備えた湾曲ミラーのように湾曲した表面に高低差を有するプロファイルを有する、湾曲した光学素子に本発明を適用し、それにより透過性の層が一般的に同じ曲率を有していることを考慮することができよう。
【０１１１】
傾斜多層スタック及びこのスタックの頂部にＥＵＶ透過性の層を備え、且つ、本発明による構造を備えた透過性頂部層を有するミラー
以上、傾斜多層スタック及びこのスタックの頂部にＥＵＶ透過性の層を備えたミラーの概要を説明したが、次に、光学素子の頂部に構造ＲＳを備えた透過性頂部層について説明する。
【０１１２】
図６は、変形例を示したもので、層３１２の頂部に透過性頂部層ＴＬが示されているが、層３１２が存在せず、透過性頂部層ＴＬが平らな透過性の層５０４の頂部、すなわち透過性の層５０４の表面３４０を直接覆っていても良い（図５に示すように）。この実施例の他の変形例では、たとえば表面加工技法若しくはＣＶＤ技法等を使用して層３１２に構造ＲＳを提供した後、この層を透過性頂部層ＴＬとして使用することも可能である。また、この実施例は、研磨による構造ＲＳ生成の可能性を提供している（上記参照）。
【０１１３】
図６の平らな透過性の層５０４の上には、本発明による透過性頂部層ＴＬが示されている。ここでは、この透過性頂部層ＴＬは構造ＲＳを備えている。投影ビームＰＢは光線ｒ１と共に構造ＲＳを備えた透過性頂部層ＴＬを透過して移動し、光線ｒ２としてミラー３００で反射（及び／又は、図６には考慮されていないが屈折）する。構造ＲＳを備えた透過性頂部層ＴＬが存在しない場合、投影ビームＰＢの光線ｒ１は、透過性の層５０４に入射する代わりに、光学素子の上方の大気と層３１２の表面との界面で反射することになる。この実施例では、本発明による構造ＲＳを備えた透過性頂部層ＴＬの存在によって反射が減少し、図６に示す光学素子は、そのフィルタ機能（所望の波長λを残し、望ましくない波長を光学フィルタリングする）をより良好に提供することができる。また、構造の存在により、透過性の層ＴＬで反射する放射が少なくなっている。
【０１１４】
「実施例４」
実施例４（図示せず）は、構造ＲＳが形成されるよう、透過性の層５０４の表面３４０が、たとえば表面加工技法、たとえば研磨、エッチングなどの当分野の技術者に知られている技法によって処理されている点を除き、実施例２若しくは３の光学素子と同じである。この方法によれば、本発明による透過性頂部層ＴＬ及び構造ＲＳを備えた透過性の層５０４が得られる。
【０１１５】
「実施例５」
実施例５（図示せず）は、材料の特定の組合せが選択されている点を除き、実施例２、３若しくは４の光学素子と同じである。透過性の層５０４は実質的にＳｉからなり、構造ＲＳを備えた透過性頂部層ＴＬは実質的にＲｕからなっている。
【０１１６】
「実施例６」
実施例６では、本発明による、二乗平均平方根粗さ値が８ｎｍ、空間周期がλ／２以下の頂部層の、１３．５ｎｍのＥＵＶ放射に対する２種類の材料の入射角を関数とした反射率と透過率の依存性について説明する。
【０１１７】
【表２】
2005142569.tif 000004
【０１１８】
空間周期が約λ／２より長くなるほど透過率が小さくなる。
【０１１９】
たとえば、二乗平均平方根粗さが約８ｎｍ及び本発明による構造を有する二乗平均平方根粗さが約８ｎｍの表面に衝突する放射ビームの放射波長が１３．５ｎｍであると仮定すると、反射率は約４５％である。λ／２以下の空間周期に対する二乗平均平方根粗さが８ｎｍの場合、透過率は約３６％であり、散乱（無作為の方向への反射）は無視することができる。また、λ／２より長く、且つ、約１μｍ未満の空間周期に対する二乗平均平方根粗さが８ｎｍの場合、３６％が散乱し、透過率は無視することができる。したがって本発明は、本発明による構造によって透過率利得を提供している。
【０１２０】
「実施例７」
実施例７では、本発明による構造ＲＳを備えた透過性頂部層ＴＬについての説明を省略し、実施例１による透過性頂部層ＴＬを備えたミラーのいくつかの特定の変形例について説明する（本発明の主題ではない）。これらの変形例は、参照により本明細書に援用されている欧州特許出願第０３０７７１５５号の実施例に関連している。実施例７に記載されているミラー、フィルタ及び／又は回折格子の表面若しくは表面の一部に、本発明による構造ＲＳを備えた透過性の層ＴＬを提供し、それによりこの透過性の層の利点をミラー、フィルタ及び／又は回折格子に提供することができる。
【０１２１】
「実施例７、変形例Ａ」
図７は、本発明によるミラーの一実施例を示したもので、一種の積層鋸歯プロファイルが示されている。突起は、周期ｐ、長さ３８０、高さｈ及び角度ｂａを有している。図８は、積層方形波プロファイルを有する突起プロファイルを備えた他の実施例を示したもので、突起は、周期ｐ、長さ３８０及び高さｈを有している。参照符号Ｌは「ランド」を表し、参照符号Ｇは「溝」を表している。突起は、ミラー３００の鏡面に配列されている。
【０１２２】
このようなミラー若しくはこのようなミラーを備えた装置の利点は、ＥＵＶ放射がミラー３００でたとえば特定の角度で反射する際に、所望のＥＵＶ放射のみがこの角度で反射し、一方、上で言及した材料によって不要な放射、たとえばＩＲ放射が吸収され、且つ／又は他の方向に偏向し、或いは屈折することである。図８は、一例としてこれを示したものである。入射角αを有する投影ビームＰＢが突起ＬＰ１（積層突起ＬＰ１）の表面に入射する。光の一部が反射し（図示せず）、光の一部若しくはすべてが突起に入射する。突起は、ＥＵＶ放射に対して透過性であるため、この放射は、吸収されることなく、或いは実質的に吸収されることなく伝搬し、一方、ＵＶ或いはＩＲのような望ましくない波長を有する放射は、実質的に吸収される。投影ビームは、積層突起ＬＰ２で示す次の突起（第２の突起）までさらに伝搬する。積層突起ＬＰ２の（左側の）表面に到達すると、放射の一部が再度反射し（図示せず）、放射の一部が突起ＬＰ２を透過して伝搬する。この突起ＬＰ２は、ＥＵＶ放射と他の波長を有する放射を弁別することもできる。投影ビームＰＢは、位置３０５でミラー３００（たとえば多層膜反射鏡）の表面に到達すると、角度β（ミラー３００の表面で鏡面反射する場合、βはαである）で反射する。投影ビームＰＢは、突起ＬＰ２及びＬＰ３を透過してさらに伝搬する。このように、本発明によるミラーで反射した後の投影ビームＰＢは、ミラーに入射する前よりそのＥＵＶ／非ＥＵＶ放射比率が大きくなる。投影ビームＰＢの伝搬に関する図８の説明は、積層突起が図８に示すような積層方形波プロファイルを形成している代わりに、積層鋸歯プロファイルが使用されている図７にも適用することができる。
【０１２３】
図７及び図８（及び後述する図９及び図１１）には、投影ビームＰＢの屈折が示されていないことに留意されたい。上で言及した比率は、ブレーズ回折格子すなわち最適化回折格子を使用することによってさらに改善することができる。上で言及した突起を備えたミラーは、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵがＥＵＶ放射に対して実質的に透過性であり、且つ、ＥＵＶ放射以外の他の波長を有する放射に対しては実質的に透過性ではないため、たとえばＵＶ波長で最適化若しくはブレーズ化されている場合であっても、望ましくない波長（たとえばＩＲ）を阻止し、且つ、ＥＵＶ放射を透過させることができる。また、Ｓｉを含むこれらのすべての材料は、１３．５ｎｍに対して１００ｎｍより長い吸収長を有している。また、突起には、たとえばＢ４Ｃ或いはＳｉＣなどの材料の組合せを使用することも可能である。この実施例のミラー３００上の突起は、主として、ＥＵＶ放射に対して透過性の光学フィルタとして提供されており、また、可能な回折格子すなわち回折構造は、投影ビームＰＢのＥＵＶ放射に対して実質的に透過性であるが、ＥＵＶ放射が突起に入射し、且つ、突起から射出する際の屈折率の差により、投影ビームＰＢのＥＵＶ放射に若干の回折損失が存在している。
【０１２４】
「実施例７、変形例Ｂ」
他の変形例では、図９に示すように、ＥＵＶ放射からなる、入射角が０°と９０°の間の投影ビームのＥＵＶ放射の一部が、１つの突起のみを通過するように、或いは投影ビームＰＢの実質的にすべての部分が１つの突起のみを通過するように突起が配列されている。
【０１２５】
プロファイル（回折型プロファイルであっても、たとえば約１３．５ｎｍ若しくは他のＥＵＶ波長で最適化されたプロファイルであっても良い）は、放射ビームＰＢに含まれている所望の放射がプロファイルの１つの周期ｐのみを通過し、たとえば位置３０５でミラーすなわちミラー表面３００で反射するように構築されている。ミラー３００に対する投影ビームＰＢの入射角は、参照符号αで示され、突起の側面に対する投影ビームＰＢの入射角は、α’１で示されている。入射角α’１は、投影ビームＰＢの反射を最小にするべく小さい角度に維持されている。また、突起表面における望ましくない放射（波長がたとえばＥＵＶより長い放射、たとえばＵＶ、ＶＩＳ及びＩＲ）の反射が、所望する放射の方向とは別の方向に導かれるよう、ブレーズ回折格子の場合と同様、プロファイルの突起の上部表面に角度を付けることができる。突起の長さ３８０及び高さｈ、突起を配列している周期ｐ及び入射角αは、投影ビームＰＢが１つの突起のみを通過するように選択することができる。
【０１２６】
ミラー上のプロファイルは、ダイヤモンド工具を使用して罫線を引く（線を罫書く）ことによって生成される。また、正弦波構造のイオン・エッチングを施すことによってプロファイルを生成することも可能である。また、リソグラフィ技法を使用し、且つ、リソグラフィに続いてイオン・エッチングを施すことにより、かすり入射ミラー上にブロック・プロファイルを生成することも有力なオプションである。図９に示すプロファイルは、一実施例として示したものであり、ＥＵＶ放射が実質的に吸収されないこと（すなわち実質的に透過性であること）、及びＥＵＶ放射の回折が小さいこと（たとえば約３０％未満の回折であること）を条件として他のプロファイルも可能である。
【０１２７】
図９は、一例として積層方形波プロファイルを示したものであるが、この実施例は、また、積層鋸歯プロファイルを使用した構成、或いは周期的に構造化された鋸歯プロファイル若しくは周期的に構造化された方形波プロファイルを使用した構成を備えている。
【０１２８】
積層鋸歯プロファイルを使用する場合、突起の長さ３８０及び高さｈ、突起を配列している周期ｐ、角度ｂａ及び入射角αは、投影ビームＰＢが１つの突起のみを通過するように選択されうる。
【０１２９】
周期的に構造化されたプロファイルに対しても同様であるが、このような実施例の場合、二次元構造が形成されるため、周期ｐは２つの周期から構成されることになる。
【０１３０】
また、この実施例は、突起の長さ３８０が周期ｐの１／２未満であるプロファイルを使用して構成することも可能である（積層配列方形波プロファイルを示す図９は、これを示したものであるが、鋸歯プロファイル及び二次元プロファイルについても同様である）。
【０１３１】
「実施例７、変形例Ｃ」
上記変形例では、リソグラフィ装置についてその概要を説明し、また、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択される材料からなる１つ又は複数の突起を備えたミラーについて説明した。実施例４では、以下、図１０及び図１１を参照して説明するように、複数の異なる材料からなる少なくとも２つの異なる突起を備えたミラーについて説明する。
【０１３２】
この実施例では、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択される第１の材料ｍ１からなる１つ又は複数の第１の突起ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂ（突起ＬＰ１ａ）、及びＢｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択される第２の材料ｍ２からなる１つ又は複数の第２の突起（突起ＬＰ１ｂ）を備えたミラー３００が提供されている。第１と第２の材料は同じではなく、たとえばＳｉとＭｏ、ＭｏとＺｒ、ＣとＳｉ、ＢｅとＺｒ等が使用されている。他の実施例では、ｍ１は、Ｂｅ若しくはＺｒであり、ｍ２は、Ｓｉ３Ｎ４若しくはＳｉＯ２である。また、必要に応じて、ｍ１及びｍ２以外の他の材料及び／又は第１及び第２の突起以外の他の突起をミラー３００に適用することも可能である。
【０１３３】
図１０は、この実施例の構成をより詳細に示したもので、ミラー３００上の積層鋸歯プロファイルが示されている。この積層鋸歯プロファイルは、図７に示す鋸歯プロファイルとは異なり、２種類の材料構造からなっている。この構造は、第１の材料ｍ１からなる高さｈ１、ブレーズ角ｂａ２の第１の突起ＬＰ１ａ、及び第２の材料ｍ２からなる高さｈ２、角度ｂａ３の第２の突起ＬＰ１ｂからなっている。これらの突起（複数の材料からなる）が相俟って、ブレーズ角ｂａの１つの突起すなわち構造を形成している。これらの突起により、周期ｐの規則的な構造が形成されている。
【０１３４】
図１０に示すミラー３００上の突起は、ＥＵＶ波長でブレーズ化されうる回折格子を形成することができるが、この実施例の他の変形例では、他の波長、たとえばＵＶ、ＶＩＳ或いはＩＲ波長でブレーズ化することも可能である。
【０１３５】
ブレーズ角ｂａは、上で言及したように、望ましくない放射が所望する放射の方向から偏向するように選択することができる。このブレーズ角ｂａは、この実施例では互いに重なり合っている突起ＬＰ１ａ（第１の突起）の材料ｍ１の角度ｂａ２、突起ＬＰ１ｂ（第２の突起）の材料ｍ２の角度ｂａ３、及び突起ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂの高さｈ１及びｈ２によって決まる。
【０１３６】
ブレーズ・プロファイルの代替として、図１１に示すタイプの積層プロファイルを使用することも可能である。この積層プロファイルは、図１１に示すように、図１０に示す積層鋸歯プロファイルの１周期ｐに等しい定数ｐを有する方形波表面プロファイルを有している。突起は、高さが異なる突起、すなわち材料ｍ１からなる高さｈ１の突起ＬＰ１ａと材料ｍ２からなる高さｈ２の突起ＬＰ１ｂが交互に隣り合って配置されている。突起の長さは、図１１では、材料ｍ１からなる突起ＬＰ１ａ（第１の突起）に対しては参照符号３８０ａで示され、また、材料ｍ２からなる突起ＬＰ１ｂ（第２の突起）に対しては参照符号３８０ｂで示されている。図１１では、長さ３８０ａ及び３８０ｂは同じ長さであり、両方の長さを加えた長さが周期ｐである。
【０１３７】
材料をその屈折率、高さｈ１及びｈ２に基づいて、また、適用可能である場合、長さ３８０ａ、３８０ｂ若しくは角度ｂａ、ｂａ２、ｂａ３、第１及び第２の突起の距離（周期ｐ）、及びミラーに入射する投影ビームの特定の入射角に基づいて選択することにより、所望の放射を特定の角度で反射し、且つ、光路長差が鏡面上で変化しないよう、異なる材料によって光路長差を修正し、一方では望ましくない波長の光を吸収及び／又は他の角度で偏向するミラーを得ることができる。
【０１３８】
図１１は、一例としてこのミラーを示したもので、投影ビームＰＢの光線ｒ１が材料ｍ１からなる第１の突起ＬＰ１ａに入射し、この第１の突起ＬＰ１ａを実質的に透過して、ミラーすなわちミラー表面３００の位置３０５で反射する。反射した光線ｒ１は、第１の突起ＬＰ１ａから射出する。同じく投影ビームＰＢに含まれている光線ｒ２は、材料ｍ２からなる第２の突起ＬＰ１ｂに入射し、ミラーすなわちミラー表面３００の位置３０６で反射する。この第２の突起ＬＰ１ｂが存在しない場合、光路長（第１及び第２の突起と真空を介した）は、光線毎に異なっている。第２の材料ｍ２からなる第２の突起ＬＰ１ｂは、この光路長の差を補償するためのものである。第２の材料ｍ２は、第１の材料とは異なる屈折率を有している。上で言及したように、突起の寸法及び入射角を適切に選択することにより、投影ビームＰＢ（中の様々な光線）の光路差が材料ｍ２からなる第２の突起ＬＰ１ｂによって補償され、それにより鏡面上で変化しない光路長差が提供される。これは、光路長差がゼロであるか、或いは波長の整数倍であることを意味している。光路長（差）の決定に際しては、突起上の真空も考慮しなければならない。この方法によれば、光線ｒ１及びｒ２に対して、突起ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂに入射する前の波面ＷＦｂから始まって、突起ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂを出た後の波面ＷＦａまで、光路長すなわち経路長と屈折率の積が同じであるか、或いは光線ｒ１の光路長と光線ｒ２の光路長の差が波長（たとえば１３．５ｎｍの放射）の整数倍になる。したがってこの実施例の場合、鏡面上で変化しない光路長差がＥＵＶ放射に対して生成される。
【０１３９】
ＥＵＶ放射に対して１に近い屈折率を有するＳｉの場合、このような第２の補償突起の存在は必須のものではないが、他の材料の中から１つを適用する場合、第２の突起ＬＰ１ｂが存在することはとりわけ有利である。しかしながらＳｉを使用することにより、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵの第２の突起ＬＰ１ｂが存在することによって補償されることになる、投影ビームＰＢ中の異なる光線（図１１に示すｒ１及びｒ２のような光線）間の光路長差が小さくなる。
【０１４０】
また、この実施例は、鏡面を有するミラー（たとえばリソグラフィ装置における）を備えており、入射角が０°と９０°の間のＥＵＶ放射からなる投影ビームのＥＵＶ放射の一部が、（材料ｍ１からなる）１つの第１の突起ＬＰ１ａ及び（材料ｍ２からなる）１つの第２の突起ＬＰ１ｂの１周期ｐ中のみを通過するように突起が配列されている。これは、突起の長さ３８０ａ及び３８０ｂが周期ｐより短いことを意味している。
【０１４１】
また、この実施例は、突起のプロファイルが、所望の放射、たとえば１３．５ｎｍで、或いは他の波長でブレーズ化（鋸歯）若しくは最適化（方形波）された回折格子を形成しているミラーを備えている。ミラー上のこのようなタイプのプロファイルには、一次元特性若しくは二次元特性を持たせることができる。これらの突起はＥＵＶ放射に対して透明であるため、所望する波長がミラー３００で反射し、且つ、望ましくない波長の放射が吸収され、屈折し、且つ／又は偏向する。
【０１４２】
この実施例は、一般的には、第１の材料ｍ１からなる１つ又は複数の突起ＬＰ１ａ（第１の突起）、及び第２の材料ｍ２からなる１つ又は複数の突起ＬＰ１ｂ（第２の突起）を備え、第１及び第２の材料が同じではない少なくとも１つの鏡面３００を有するミラーを示している。このようなミラー３００は、使用する材料が所望の波長に対して透明であるか、或いは所望の波長に対して透明になるように最適化されている場合、光学フィルタとして使用することができる。望ましくない他の波長は材料によって吸収され、また、特定の波長に対する回折格子を選択する（回折格子若しくはブレーズ回折格子）ことにより、望ましくない波長を（部分的に）偏向させることも可能である。
【０１４３】
また、この実施例は、この実施例に記載されているミラーを備えたリソグラフィ装置（実施例１参照）を備えることも可能である。
【０１４４】
上で説明した構造は、ダイヤモンド工具を使用して材料ｍ１の層を罫引きし、材料ｍ２を付着させ、且つ、ダイヤモンド工具を使用してもう一度罫引きすることによってブレーズ構造を提供することによって実現される。形状が正方形の構造の場合は、リソグラフィ・プロセスを使用することができる。
【０１４５】
「実施例８」
実施例８（図示せず）は、材料の特定の組合せが選択されている点を除き、実施例１の光学素子と同じである。突起３０１は実質的にＳｉからなり、本発明による構造ＲＳを備えた透過性頂部層ＴＬは、実質的にＲｕからなっている。
【０１４６】
「実施例９」
実施例９（図示せず）は、保護被覆を有するミラー、たとえばかすり入射ミラー、垂直入射ミラー、多層膜反射鏡からなる光学素子である。保護被覆は、本発明による構造ＲＳを備えた透過性頂部層ＴＬを備えているため、このような構造ＲＳを持たない保護層に対して透過率が向上している。
【０１４７】
「実施例１０」
下の表は、異なる波長５ｎｍ、１３．５ｎｍ及び２０ｎｍに対する透過性頂部層構造の二乗平均平方根値を示したものである。多数の実施例で説明したように、本発明による光学素子には、これらの二乗平均平方根粗さ値を有する透過性頂部層を提供することができる。当分野の技術者は、アプリケーションに応じて、また、透過性頂部層及びその構造を提供するために使用する方法に応じて、以下で説明する範囲の二乗平均平方根粗さを選択することができる。
【０１４８】
また、表にはこの実施例の変形例が提供されている。たとえば約１３．５ｎｍの波長を使用する場合、約２．７ｎｍ以上で、且つ、約６．７５ｎｍ以下の空間周期に対して、約１．４ｎｍ以上で、且つ、約５４ｎｍ以下の二乗平均平方根粗さを提供することができる。また、当分野の技術者は、５４ｎｍ未満の二乗平均平方根粗さを提供することも可能である。変形例の場合、たとえば、約２．７ｎｍ以上で、且つ、約６．７５ｎｍ以下の空間周期に対して、約２．７ｎｍ以上で、且つ、約２７ｎｍ以下の二乗平均平方根粗さを提供することができる。
【０１４９】
【表３】
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【０１５０】
この実施例では、空間周期が約６．７５ｎｍより長く、且つ、約１μｍ以下である場合、二乗平均平方根粗さは、約０．１ｎｍ以上で、且つ、約５．０ｎｍ以下である。変形例の場合、約６．７５ｎｍより長く、且つ、約１μｍ以下の空間周期に対して、約０．１ｎｍ以上で、且つ、約２．５ｎｍ以下の二乗平均平方根粗さを提供することができる。
【０１５１】
以上、本発明の特定の実施例について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。実施例についての以上の説明は、本発明を制限することを意図したものではない。また、実施例のいくつかは、とりわけＥＵＶアプリケーション及びＥＵＶ光学素子について記述されているが、本発明は、たとえばＵＶ或いはＶＩＳなどの他のスペクトル・レンジの光学素子にも適用することができる。また、図面には、一般的に、本発明を理解するために必要な重要な構成要素及び特徴のみが示されている。本発明は、略図に示されているこれらの構成要素に何ら限定されず、たとえば図面に示されている数よりもっと多くの層を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５２】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】図１に示すリソグラフィ投影装置のＥＵＶ照明システム及び投影光学系の略側面図である。
【図３】理論的粗表面の略断面図である。
【図４ａ】本発明の一実施例による積層方形波プロファイル及び透過性頂部層の形態の鏡面（反射層）及び突起を有する光学フィルタを示す略図である。
【図４ｂ】本発明の一実施例による積層鋸歯プロファイル及び透過性頂部層の形態の鏡面（反射層）及び突起を有する光学フィルタを示す略図である。
【図４ｃ】本発明の一実施例による積層非対称２面鋸歯プロファイル及び透過性頂部層の形態の鏡面（反射層）及び突起を有する光学フィルタを示す略図である。
【図５】本発明の一実施例による積層方形波プロファイル、実質的に平らな（ＥＵＶ）透過性の層及び透過性頂部層の形態の鏡面突起を備えたミラーを示す略図である。
【図６】本発明の一実施例による傾斜多層スタック、該傾斜多層スタックの頂部の（ＥＵＶ）透過性の層及び透過性頂部層を備えたミラーを示す略図である。
【図７】本発明の一実施例による積層鋸歯プロファイルの形態の鏡面突起を備えたミラーを示す略図である。
【図８】本発明の一実施例による積層方形波プロファイルの形態の鏡面突起を備えたミラーを示す略図である。
【図９】本発明の一実施例による、ＥＵＶ放射からなる投影ビームのＥＵＶ放射の一部が１つの突起のみを通過するように突起が配列された、図４に示すミラーと同様のミラーを示す略図である。
【図１０】本発明の一実施例による、重なり合った２つの材料の積層鋸歯プロファイルの形態の鏡面突起を備えたミラーを示す略図である。
【図１１】本発明の一実施例による、互いに隣接した２つの材料の積層方形波プロファイルの形態の鏡面突起を備えたミラーを示す略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【外国語明細書】
2005142569000001.pdf