(57)【要約】【課題】  補強基材の両面に銅箔層を形成してなる両面プリント配線板において、強度上の観点から補強基材として高い強度が得られるガラス基材を使用するにしても、その基板端面からガラスの粉（滓）の落ちを可及的に少なくする。【解決手段】  樹脂が含浸された補強基材１１０の表裏両面に銅箔層１２０が配置されている両面プリント配線板において、上記補強基材１１０には第１補強基材層１１１とその両面に積層される第２および第３補強基材層１１２，１１３との３層が含まれ、上記第１補強基材層１１１をガラス基材などの硬い基材により形成し、上記第２および第３補強基材層１１２，１１３をともに上記第１補強基材層１１１よりも柔らかい例えばアラミド不織布基材とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂が含浸された補強基材の表裏両面に銅箔層が配置されている両面プリント配線板において、
上記補強基材には第１補強基材層と上記第１補強基材層を挟むようにその両面に積層される第２および第３補強基材層との３層が含まれ、上記第１補強基材層が硬い基材により形成され、上記第２および第３補強基材層がともに上記第１補強基材層よりも柔らかい基材からなることを特徴とする両面プリント配線板。
【請求項２】
上記第１補強基材層が樹脂が含浸されたガラス基材からなり、上記第２および第３補強基材層がともに樹脂が含浸されたアラミド不織布基材からなることを特徴とする請求項１に記載の両面プリント配線板。
【請求項３】
上記ガラス基材としてガラス布基材が用いられることを特徴とする請求項２に記載の両面プリント配線板。
【請求項４】
上記銅箔層にデータ入出力用の電極端子部を備える請求項１，２または３に記載の両面プリント配線板からなる半導体メモリカード用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は両面プリント配線板および半導体メモリカード用基板に関し、さらに詳しく言えば、基板端面から補強基材の粉（滓）落ちを低減する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近ではメモリ装置のひとつとして、ＳＤ（Ｓｅｃｕｒｅ  Ｄｉｇｉｔａｌ）メモリカードやメモリスティックなどと呼ばれる切手大の大きさの半導体メモリカードが携帯電話機をはじめとして各種の電子・電気機器に採用されている。
【０００３】
半導体メモリカードの詳細な構成については例えば特許文献１に譲るとして、図２の外観斜視図に示すように、半導体メモリカード１はカードエッジ部分に露出されたデータ入出力用の電極端子部（コネクタ）１ａを備え、電子機器２側に設けられているカードライターおよび／またはカードリーダー用のソケット２ａに対して抜き差し自在として使用される。
【０００４】
上記特許文献１に記載されているように、半導体メモリカード１の基板にはＥＥＰＲＯＭやそれを制御するコントローラなどが実装されるが、多くの場合、半導体メモリカード１の基板には銅張積層板からなる両面プリント配線板が用いられている。図３にその断面図を示す。
【０００５】
すなわち、両面プリント配線板１０は樹脂にて固められた補強基材（プリプレグ）１１を有し、その両面に銅箔層１２，１２が積層されている。銅箔層１２，１２は図示しないスルーホール内めっきにより互いに導通されており、いずれか一方の銅箔層１２により上記電極端子部１ａが形成される。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−９９７２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記半導体メモリカード１用の両面プリント配線板１０において、もっぱら強度上の観点から補強基材１１にはエポキシ樹脂などが含浸された強度の高いガラス基材が用いられているが、これによると次のような問題があった。
【０００８】
すなわち、半導体メモリカード１は電子機器２側に設けられている上記ソケット２ａに対して抜き差しされるが、その際、両面プリント配線板１０の基板端面から補強基材１１であるガラス基材からガラス粉（滓）が落ち、その一部が上記電極端子部１ａに付着することがある。
【０００９】
そうすると、半導体メモリカード１をソケット２ａに対して繰り返し抜き差しする回数が増えるに伴って電極端子部１ａおよび／またはソケット２ａのコンタクト端子に傷がついて接触抵抗が増大し、極端な場合には半導体メモリカード１に対するデータの書き込み／読み出しができなくなることがある。
【００１０】
したがって、本発明の課題は、補強基材（プリプレグ）の両面に銅箔層を形成してなる両面プリント配線板において、強度上の観点から補強基材として高い強度が得られるガラス基材を使用するにしても、その基板端面から粉（滓）の落ちを可及的に少なくすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記した課題を解決するため、本願の請求項１に係る発明は、樹脂が含浸された補強基材の表裏両面に銅箔層が配置されている両面プリント配線板において、上記補強基材には第１補強基材層と上記第１補強基材層を挟むようにその両面に積層される第２および第３補強基材層との３層が含まれ、上記第１補強基材層が硬い基材により形成され、上記第２および第３補強基材層がともに上記第１補強基材層よりも柔らかい基材からなることを特徴としている。
【００１２】
また、本願の請求項２に係る発明は、上記第１補強基材層が樹脂が含浸されたガラス基材からなり、上記第２および第３補強基材層がともに樹脂が含浸されたアラミド不織布基材からなることを特徴としている。
【００１３】
上記ガラス基材は布基材，不織布のいずれであってもよいが、収縮率の観点からすれば本願の請求項３に記載のように布基材であることが好ましい。また、本発明には本願の請求項４に記載されているように、上記銅箔層にデータ入出力用の電極端子部を備える上記両面プリント配線板からなる半導体メモリカード用基板も含まれる。
【発明の効果】
【００１４】
上記第２，第３補強基材層（例えばアラミド不織布基材）は上記第１補強基材層（例えばガラス基材）に比べて柔らかい。したがって、一例としてマザー基板からカード用基板をプレスで打ち抜く際のプレス外形加工工程での衝撃が緩和されるため、粉（滓）落ちの原因となる樹脂の微細なクラック発生が抑えられる。
【００１５】
また、プレス打ち抜き時に柔らかい方の上記第２，第３補強基材層が引っ張られて基板端面に露出している上記第１補強基材層の面を全面でないにしても少なくとも部分的に覆うようになると考えられるため、これによっても粉落ちが実際に低減される。
【００１６】
また、たとえ基板端面から粉落ちが発生しその一部分が電極端子部に付着しても、上記第２，第３補強基材層は上記第１補強基材層に比べて柔らかいため、たとえばソケットへの抜き差し時における粉体の擦りによる傷の発生が低減される。
【００１７】
また、基板上の電極面に対してワイヤボンディングを行う場合、その電極面が硬すぎると（すなわち下地である補強基材が硬すぎると）ボンディング性が低下してしまうが、上記第２，第３補強基材層は上記第１補強基材層に比べて柔らかいためボンディング性についても改善される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に、図１に本発明による両面プリント配線板の断面図を示し、これについて本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１９】
本発明による両面プリント配線板１００は補強基材１１０を備え、その両面に銅箔層１２０，１２０を積層することにより形成されるが、補強基材１１０には３つの補強基材層が含まれている。
【００２０】
すなわち、補強基材１１０にはコアとなる第１補強基材層１１１と、第１補強基材層１１１の両面に積層される第２および第３補強基材層１１２，１１３とが含まれており、第２および第３補強基材層１１２，１１３上に銅箔層１２０，１２０が積層配置される。
【００２１】
本発明において、第１補強基材層１１１は両面プリント配線板１００に必要とされる機械的強度を確保するため硬い基材により形成され、第２および第３補強基材層１１２，１１３は基板端面からの粉落ちを少なくするため第１補強基材層１１１よりも柔らかい基材により形成される。
【００２２】
好ましい態様としては、第１補強基材層１１１にはエポキシ樹脂が含浸されたガラス基材が用いられ、第２および第３補強基材層１１２，１１３にはエポキシ樹脂が含浸されたアラミド不織布基材が用いられる。
【００２３】
ガラス基材は布基材，不織布基材のいずれでも使用できるが、収縮率などの点からすれば布基材が好ましい。各補強基材層１１１，１１２，１１３ともに含浸する樹脂はエポキシのほかにフェノール，ポリイミド，ＢＴ，シリコン，ポリエステル，ポリブタジエンなどであってもよい。
【００２４】
この両面プリント配線板１００の製造方法は常法にしたがってよい。その概略を説明すると、まず第１補強基材層１１１の両面に第２および第３補強基材層１１２，１１３を配置し、さらにその外側に銅箔層１２０，１２０を配置して、これら５層をプレスにより一体に積層して銅張積層板とする。
【００２５】
次に、所定部分に孔明けを行い電解銅めっきおよび／または無電解銅めっきにより銅箔層１２０，１２０上および孔（スルーホール）内に銅めっきを施して表裏の銅箔層１２０，１２０の導通をとり、フォトレジストなどを塗布して露光・現像したのちエッチングにより不要な銅箔を除去して所定の回路パターンを形成する。そして、その回路パターンの電極端子部（図２の電極端子部１ａ参照）となる部分に金めっきを施し、必要に応じてハンダレジストやシンボル印刷などを行えばよい。
【実施例】
【００２６】
〔実施例１〕
図１を参照して、第１補強基材層１１１をエポキシ樹脂を含浸した厚さ０．１ｍｍのガラス布基材とした。第２および第３補強基材層１１２，１１３にはエポキシ樹脂を含浸した厚さ０．０３５ｍｍのアラミド不織布基材をそれぞれ用いた。銅箔層１２０，１２０の厚さはともに０．０１２ｍｍとした。
この両面プリント配線板１００により図２に示す半導体メモリカード１を１０枚作製し、電子機器２側のソケット２ａに対する抜き差し試験を行い電極端子部１ａの接触抵抗値の変化から粉落ちによって発生する電極端子部２ａの擦り傷の状況を観察した。
抜き差し回数は１時間あたり２００回とし、接触抵抗が１００ｍΩを超えたものを不良判定基準としたところ、この実施例１においては１０枚とも抜き差し回数１００００回を超えても接触抵抗が１００ｍΩ未満の値を示した。
【００２７】
〔比較例１〕
図３を参照して、補強基材１１がエポキシ樹脂を含浸してなる厚さ０．２ｍｍのガラス基材（ＦＲ−５相当）で、その両面に厚さ０．０１２ｍｍの銅箔１２，１２を積層してなる両面プリント配線板１０により、上記実施例１と同じく図２に示す半導体メモリカード１を１０枚作製し、電子機器２側のソケット２ａに対する抜き差し試験を行い電極端子部１ａの接触抵抗値の変化から粉落ちによって発生する電極端子部２ａの擦り傷の状況を観察した。その結果、この比較例１においては１０枚中の３枚が抜き差し回数１００００回を超えたところで接触抵抗が１００ｍΩ超となった。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明による両面プリント配線板を示す断面図。
【図２】半導体メモリカードを示す斜視図。
【図３】従来の両面プリント配線板を示す断面図。
【符号の説明】
【００２９】
１００  両面プリント配線板
１１０  補強基材
１１１  第１補強基材層
１１２  第２補強基材層
１１３  第３補強基材層
１２０  銅箔層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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