(57)【要約】【課題】光ファイバの被覆部を除去された光ファイバ先端部に反射防止膜を形成した光ファイバピグテイルにおいて、前記反射防止膜と前記光ファイバ先端部の端面との間に介在する異物の付着が少ない光ファイバピグテイルを提供する。【解決手段】被覆部を除去された光ファイバ先端部に反射防止膜を形成した光ファイバピグテイルにおいて、前記反射防止膜と前記光ファイバ先端部間の端面のコア上に介在する異物の直径が０．５μｍ以下、且つ、４個以下とした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被覆部を除去された光ファイバ先端部に反射防止膜を形成した光ファイバピグテイルにおいて、前記反射防止膜と前記光ファイバ先端部間の端面のコア上に介在する異物の直径が０．５μｍ以下、且つ、４個以下であることを特徴とする光ファイバピグテイル。
【請求項２】
前記光ファイバ先端部の端面に溶融面が形成されており、該溶融面上に前記反射防止膜を形成したことを特徴とする請求項１記載の光ファイバピグテイル。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光ファイバピグテイルにおいて、前記光ファイバ先端部にレーザ光を照射して端面の異物を除去する第一工程、前記端面に反射防止膜を形成する第二工程からなることを特徴とする光ファイバピグテイルの製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の光ファイバピグテイルにおいて、開閉可能な隔壁を介して成膜用チャンバーと接続された前処理用チャンバー内に前記光ファイバをセットして真空排気後、前記光ファイバ先端部にレーザ光を照射して異物を除去する第一工程、前記隔壁を開閉して、より高真空の前記成膜用チャンバーに前記光ファイバを移動する中間工程、前記成膜用チャンバーにて前記反射防止膜を形成する第二工程からなることを特徴とする光ファイバピグテイルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信に使用する光ファイバ、特に発光源、受光源との光結合に用いる光ファイバピグテイル及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光通信用の受光源としては、フォトダイオード（以下ＰＤという）、及び発光源としては、レーザダイオード（以下ＬＤという）もしくは，発光ダイオード等が用いられる。これらの発光、受光素子を光ファイバに接続する場合、光ファイバ先端部が、結合する素子に適した形状を形成することが重要である。
【０００３】
光ファイバ先端部として、図７（ａ）、図８（ｂ）に示す様に平面７１、斜め平面８２に加工したり、さらに図８（ａ）、図９に示すように先球８１や楔型９１に加工して、レンズ効果を持たせる場合があった（特許文献１参照）。
【０００４】
光ファイバ先端部１２に、平面７１もしくは斜め平面８２を形成させる方法として、被覆を除去した裸ファイバ１３を光ファイバ長手方向と垂直方向にダイヤモンドカッター等で表面に傷をつけ、光ファイバに瞬時的な力を加えて破断させる方法や、光ファイバを光ファイバ仮固定用治具に仮固定して研磨材にて研磨し、平面７１もしくは斜め平面８２を形成して、その後仮固定を外す方法が広く用いられてきた（特許文献２参照）。
【０００５】
これらの光ファイバ先端部１２の形状は、使用されるＬＤやＰＤ素子の特性、およびパッケージへの実装の形態を考慮して選択される。これらのＬＤやＰＤ素子をパッケージに組み込んで使用する際に、光ファイバ先端部１２を調心して位置固定されるが、光ファイバ先端部１２からの反射戻り光が発生する。この反射戻り光は、通信システムの中で雑音の原因となり、最悪の場合には、ＬＤやＰＤ素子自体が破壊するため、反射戻り光を減少させる目的で、前述の先端加工を行われた光ファイバピグテイル１１の光ファイバ先端部１２に反射防止膜１５を成膜することが多く行われていた。反射防止膜１５は、ＳｉＯ２やＴｉＯ２等の金属酸化物で１層以上の単層、もしくは多層膜を形成することによって得ることができる。この反射防止膜１５の成膜方法として、一般的に光ファイバ先端部１２の先端加工後に、光ファイバ先端部１２の洗浄を実施した後、蒸着法で成膜されていた。光ファイバ先端部１２の洗浄方法としては、アルコール等の溶剤に光ファイバ先端部１２を浸積して超音波洗浄を実施する方法が用いられてきた（特許文献３参照）。また、反射防止膜１５の成膜方法としては、光ファイバピグテイル１１を図４に示すような成膜機の上面のドーム２４に固定して成膜する方法があった。（特許文献４参照）
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−４２１７２号公報
【０００７】
【特許文献２】
特開平１１−２９５５３４号公報
【０００８】
【特許文献３】
特開２００３−１３７６０７号公報
【０００９】
【特許文献４】
特開平７−１５７３３８号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献２に開示された光ファイバ先端部１２の形状として前記の平面７１もしくは斜め平面８２の形状では、図７（ｂ）に示すように、面取り部７４の角部７３にカケ７２が生じることがあり、特に反射防止膜１５を成膜した後では、このカケ７２を起点として、反射防止膜１５の剥離が発生するという問題があった。なお、この面取り加工では、人体に危険な弗酸を使用しており、その安全対策が必要であった。光ファイバピグテイル１１は、端面７５のコア部分から光が入射もしくは出射するため、コア部分が反射防止膜１５に覆われていれば、正常に動作する事ができるが、光ファイバ先端部１２の角部７３に反射防止膜１５の剥がれが有る場合には、その部分から剥がれが進行しコア部分に到達して、光ファイバ先端部１２からの反射特性を悪化させる場合があった。特にクラッド径１２５μｍに対してコア径１０５μｍのマルチモードファイバの場合には、コア部分が大きいために、これらの反射防止膜１５の剥離が、コア部分に到達しやすい。光ファイバ先端部１２の表面にキズが生じている場合においても、このキズを基点に反射防止膜１５の剥離が発生する事が有るという問題があった。
【００１１】
図８，９の従来の楔型９１や先球８１においては、カケ７２の発生については平面７１や斜め平面８２に比較して発生は少ないが、成膜前にハンドリング中に発生したキズや異物７６が光ファイバ先端部１２に発生し、それが反射防止膜１５の剥がれの要因になるという問題があった。
【００１２】
次に、従来の特許文献４に開示された反射防止膜１５の成膜方法においては、特許文献３に開示された超音波洗浄等の従来の洗浄方法を実施した後に、成膜機に光ファイバ６４をセットして成膜される。この方法において、光ファイバ先端部１２の洗浄後には、端面７５に異物７６が付着していない状態であるが、光ファイバ６４は長くハンドリングしにくいので、成膜機へのセット中に、洗浄した光ファイバ先端部１２を装置等にぶつけてしまい、異物７６が端面７５に再付着するという問題があった。また、たとえ光ファイバ先端部１２を他の物体にぶつけないように注意深くハンドリングを実施したとしても、被覆部１７に付着している異物７６が、成膜機へのセット中に、洗浄された端面７５に再付着するという問題があった。被覆部１７は樹脂で構成されているために、静電気等で細かい異物７６がつきやすく、先端加工工程で発生する研磨塗粒等が異物７６として付着する。それらの付着した異物７６が端面７５が付着した状態で、反射防止膜１５の成膜が実施されるために、成膜後の製品として、光ファイバピグテイル１１の端面７５と反射防止膜１５の間に異物７６が介在した状態となる。
【００１３】
これを防ぐために、成膜用チャンバー２７へセットした後に異物７６を除去する方法として、従来から用いられている方法としては、ボンバード法がある。この方法では、成膜前にイオン化したアルゴンを端面７５にぶつけて、異物７６を除去する方法であるが、端面７５に付着した水分を除去することはできるが、異物７６は除去する事ができない問題があった。
【００１４】
端面７５のコア部分はシングルモードファイバでは、１０μｍ程度であるために、１〜２μｍ程度の非常に微少な異物７６であっても、コア部分に付着した場合には、光の通過を阻害してしまう。また、クラッド部分に異物７６が付着した場合においても、１〜２μｍ程度以上の異物７６である場合は、信頼性試験を実施後には、反射防止膜１５と端面７５の間で異物７６の付着部分を起点に剥離が生じて、それが端面７５のコア部に到達して、反射の原因となった。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記従来技術の課題を解決するため本発明は、被覆部を除去された光ファイバ先端部に反射防止膜を形成した光ファイバピグテイルにおいて、前記反射防止膜と前記光ファイバ先端部間の端面のコア上に介在する異物の直径が０．５μｍ以下、且つ、４個以下であることを特徴とするものである。
【００１６】
また、前記光ファイバ先端部の端面に溶融面が形成されており、該溶融面上に前記反射防止膜を形成したことを特徴とするものである。
【００１７】
また、光ファイバの被覆部を除去された先端部に反射防止膜を形成した光ファイバピグテイルの製造方法において、前記光ファイバ先端部にレーザ光を照射して端面の異物を除去する第一工程、前記端面に反射防止膜を形成する第二工程からなることを特徴とするものである。
【００１８】
さらに、光ファイバの被覆部を除去された先端部に反射防止膜を形成した光ファイバピグテイルの製造方法において、開閉可能な隔壁を介して成膜用チャンバーと接続された前処理用チャンバー内に前記光ファイバをセットして真空排気後、前記光ファイバ先端部にレーザ光を照射して異物を除去する第一工程、前記隔壁を開閉して、より高真空の前記成膜用チャンバーに前記光ファイバを移動する中間工程、前記成膜用チャンバーにて前記反射防止膜を形成する第二工程からなることを特徴とするものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明による光ファイバピグテイルの実施形態について図１を用いて説明する。本発明による光ファイバピグテイル１１は、被覆部１７を除去された光ファイバ先端部１２にレーザ光を照射して端面７５の異物７６を除去する等の処理後、光ファイバ先端部１２に反射防止膜１５を形成したものであり、これにより反射防止膜１５と光ファイバ先端部１２間の端面７５のコア上に介在する異物７６の直径が０．５μｍ以下、且つ、４個以下となるように制御したものである。
【００２０】
また、光ファイバ先端部１２の端面７５にはレ−ザ光によって得られた溶融面１４が形成されており、該溶融面１４上に反射防止膜１５を形成したこととしたものである。
【００２１】
異物７６は、光ファイバ先端部１２の端面７５を構成しているガラス成分および反射防止膜１５の構成物質以外の物質で、直径が０．１μｍ以上のコア上の粒子状の物質を指す。ただし、光ファイバ先端部１２の端面７５を構成しているガラス成分および反射防止膜１５の構成物質であっても、光ファイバ先端部１２の端面７５もしくは、反射防止膜１５から脱落しているものは、異物７６に含める。
【００２２】
ここで、異物７６の定義として直径が０．１μｍ以上の大きさとしたのは、これ以下の大きさでは、異物７６として見分けることができないためである。また、本発明の異物７６の直径を０．５μｍ以下、且つ４個以下としたのは、この大きさ及び個数以上である場合は、光学特性において、挿入損失が大きくなるためである。異物７６の直径は、金属顕微鏡にて観測倍率４００倍以上で観測できる。
【００２３】
ストリップ長Ｌ１は、使用するパッケージの設計に制限され、約４〜３０ｍｍ以内の長さが望ましい。反射防止膜回り込み長さＬ２は、０以上であれば良い。
【００２４】
光ファイバ先端部１２の端面７５は、熱による溶融面１４となっており、その溶融面１４上に反射防止膜１５が形成されている。反射防止膜１５は、１以上の種類の金属酸化膜が１層以上の膜にて構成されている。酸化膜としては、ＴｉＯ２やＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５等が使用される。これらの反射防止膜１５の構成は、使用する光の波長と、その反射率より決定させる。
【００２５】
端面７５は、熱による溶解面１４であるため、境界部１６に角がなく、曲率半径Ｒが３μｍ以上の曲面となっている。境界部１６に角部７３が存在しないため、角部７３を起点としたカケ７２が生じない。
【００２６】
また、端面７５が熱により溶融して固まる際に、表面張力により、キズ等の段差部分が消滅して、幅が２μｍ以上のキズが存在しないため、キズを基点とした反射防止膜１５の剥離が発生しない。
【００２７】
従来の光ファイバピグテイル１１では、弗酸での面取り加工を実施できるが、端面６５のキズを除去することが難しく、また、光ファイバ６４のコア部分にＧｅがドープされているために、エッチングの際にコア部分が選択的に凹むという問題があったが、本発明の光ファイバピグテイル１１では、これらの問題無く、曲面を形成して、カケ７２を防止する事ができ、反射防止膜１５の剥離をなくす事が可能となる。
【００２８】
次に本発明の光ファイバピグテイル１１の作製方法について説明する。図５に本発明の光ファイバピグテイルの工程フローチャートを示す。
【００２９】
まず、光ファイバ先端部１２の被覆がストリップ長Ｌ１の長さで除去され、露出した裸ファイバ１３を劈開を用いた方法で、光ファイバ６４の軸に垂直な平面に切断する。まず、使用する光ファイバピグテイル１１の構成を説明する。ここで用いる光ファイバ６４はシングルモード（ＳＭ）、マルチモード（ＭＭ）に依らず使用でき、ＰＭＦ（ＰＯＬＡＲＩＺＡＴＩＯＮ  ＭＡＩＮＴＥＮＡＮＣＥ  ＦＩＢＥＲ）のような偏光の極性を維持した光ファイバ６４でも支障なく使用することができる。また、光ファイバ６４の被覆部１７は、心線タイプ、素線タイプのどちらでも使用可能である。素線タイプの光ファイバ６４は、外径が約φ０．１２５ｍｍ程度の石英ガラスの裸ファイバ１３とその外側に約φ０．２５ｍｍ程度の合成樹脂の被覆部１７からなり、心線タイプの光ファイバ６４は、外径が約φ０．１２５ｍｍの石英ガラスの裸ファイバ１３とその外側にφ０．９ｍｍ程度の合成樹脂の被覆部１７からなり、先端部分の合成樹脂の被覆材を除去して使用する。
【００３０】
この光ファイバ６４を図４（ａ）に示すドーム２４にセットする。セット時には図４（ｂ）に示すようにする。図２、３に示す成膜装置は、前処理用チャンバー２５と成膜用チャンバー２７にわかれており、それぞれのチャンバーは、開閉可能な隔壁２６を経てつながれており、それぞれのチャンバーに個別の真空ポンプ２１０、２１１が装着されている。そのため、それぞれ別々の真空度に設定する事が可能である。真空ポンプ２１０、２１１は、一般で市販されている真空ポンプを使用すればよく、例えば、油拡散ポンプやクライオポンプが使用できる。
真空ポンプはバルブ２１２，２１３を介してそれぞれのチャンバーに接続されている。前処理用チャンバー２５は、側面もしくは、底面にレーザ光２３の導入用の集光レンズ２２が取り付けられており、この集光レンズ２２を通して光ファイバ６４の光ファイバ先端部１２にレーザ光２３を照射する。使用されるレーザ装置２１は、ガラスに対して吸収係数が高く効率的にガラスを熱することができるＣＯ２レーザ装置が望ましい。ＣＯ２レーザ装置を使用する場合には、レーザ導入用の集光レンズ２２は、ＺｅＳｎ等の窓材を使用する必要がある。通常のガラス製の集光レンズ２２を使用した場合には、レーザ光２３がガラスにより吸収されるため、光ファイバ６４の光ファイバ先端部１２に照射出来ないという問題が生じる。
【００３１】
光ファイバ６４がセットされたドーム２４は、前処理用チャンバー２５に図２のようにセットされ、バルブ２１２が開き真空ポンプ２１０にて真空引きが開始される。真空度が、１Ｐａ程度になったときに、レーザ装置２１にて、光ファイバ６４の光ファイバ先端部１２にレーザ光２３を照射する。照射された光ファイバ先端部１２は、レーザ光２３の熱を吸収して加熱され溶融する。溶融と同時に光ファイバ先端部１２の端面７５に付着していた異物７６が瞬時に蒸発し、異物７６のない清浄な溶融面１４となる。レーザ光２３の照射回数は、１本の光ファイバ６４の先端部１２に対して、１回以上であればよい。レーザ光１２の照射強度は、１０Ｗ以上の強度が望ましい。前処理用チャンバー２５の真空度は、１Ｐａ程度と述べたが、レーザ光２３の照射条件によっては真空度を任意に変えてもよく、Ａｒガス等の大気以外のガスを導入してもよい。ここまでが、第１工程となる。
【００３２】
レーザ光２３が照射されたあと、前処理用チャンバー２５をさらに真空引きする。これは、レーザ光２３の照射によって生じた異物７６の分解生成物を除去するためと、成膜用チャンバー２７にドーム２４を移動させるためである。
【００３３】
真空度が同じ程度になったときに隔壁２６を開けてドーム２４を成膜用チャンバ２７に移動させる。成膜用チャンバー２７にドーム２４を移動したあと、隔壁２６を閉めて前処理用チャンバー２５と成膜用チャンバー２７を切り離す。ここまでが中間工程である。
【００３４】
最後に第２工程として、以下に述べる方法にて反射防止膜１５を形成する。成膜用チャンバー２７に移動後に、更に真空引きを実施して、真空度が１×１０−３Ｐａ程度になった後に、成膜を開始する。成膜方法は、電子ビーム励起のイオンアシスト蒸着法が望ましい。電子銃２８にて電子ビーム３１をターゲット２９に照射して蒸着を実施する。この方法では、成膜膜厚をｎｍレベルで制御することが可能であるため、設計通りの成膜を実施することが可能である。また、イオンアシスト法を用いることにより、光ファイバ先端部１２の溶解面１４に対して密着強度が強い、緻密な膜を成膜することができる。成膜中、ドーム２４を膜厚分布を均一にするために回転させ、所定の膜厚が作製されるまで、成膜を実施し、成膜用チャンバー２７を開けて、光ファイバピグテイル１１を取り出す。
【００３５】
本方法では、光ファイバ先端部１２の洗浄は、装置に導入後実施され、ドーム２４にセットされた状態で成膜されるので、洗浄後に光ファイバ先端部１２を装置やドーム２４等にぶつけることがないために、異物７６の付着や、キズ、カケを発生すること無く成膜することが可能である。また、装置への投入前の段階で発生したキズやカケについても、レーザ光２３の照射時に溶融することにより、消滅するため、キズ、カケのない状態で成膜することができる。
【００３６】
さらに、光ファイバ６４はドーム２４に乗せた状態で洗浄されて、光ファイバ先端部１２に触れることなく成膜することができ、異物７６が被覆部１７より脱落することがないために、光ファイバ先端部１２への異物７６の付着がない光ファイバピグテイル１１を作製することが可能となる。さらに、従来の楔型の光ファイバ先端部において、別工程であった放電によるＲ加工を、洗浄と同時に実施することが可能となる。
【００３７】
【実施例】
実施例１として、光ファイバピグテイル１１の端面７５と反射防止膜１５の間に介在する異物７６の直径の挿入損失への依存性を確認するため、本発明および従来の光ファイバピグテイル１１を各１５本作製した。本発明、従来の光ファイバピグテイル１１において、φ０．２５の被覆径を持った素線のシングルモードの光ファイバ６４を使用し、まず、被覆部１７を除去して、裸ファイバ１３のストリップ長Ｌ１が１０ｍｍとなるように光ファイバ先端部１２を劈開にて光ファイバ６４の軸に対して垂直な面にカットした。その後、本発明の実施例として、クリーンルームにて、図３の本発明の成膜装置にセットして、レーザ光２３の照射後に反射防止膜１５の成膜を実施した。従来の比較例として、クリーンルームにてエタノールの溶剤中に光ファイバ６４の光ファイバ先端部１２を浸積して超音波洗浄を実施した後、従来の成膜装置にセットして成膜を実施した。どちらの光ファイバピグテイル１１においても、反射防止膜１５は、１５５０ｎｍの波長において０．５％以下の反射率となるように成膜を実施した。
【００３８】
外観の評価方法としては、反射防止膜１５の上から、４００倍の光学顕微鏡にて観察を行い、本発明、従来の光ファイバピグテイル１１からコア上の個数が１個で且つ、異物７６の直径が異なるもの５本を選別し、挿入損失を測定した。挿入損失の評価方法としては、図６（ａ）に示す光学系にて測定を実施した。光ファイバピグテイル１１の光ファイバ先端部１２の逆端を、融着接続にて光源６３からの光ファイバ６４に接続点６５にて接続し、反射防止膜１５の形成された先端部１２からの出射光を受光器６１で受けて、パワーメーター６２にて読みとった。
【００３９】
次に図６（ａ）に示す接続点６５の位置にて光ファイバピグテイル１１を切断して、その切断面からの出射光を図６（ｂ）に示すようにパワーメータ−６２にて読みとった。これより、挿入損失を求めた。
【００４０】
表１に、挿入損失の異物７６の直径に対する依存性を示す。
【００４１】
【表１】
2005049408.tif 000003
【００４２】
表１に示されるように、異物７６の直径が１μｍの時の挿入損失が０．０７ｄＢであるのに対して０．５μｍの時の挿入損失が０．０１ｄＢと０．０６ｄＢ向上していることがわかる。この結果より本発明の異物７６の直径を０．５μｍ以下とした。
【００４３】
ここで異物７６の直径とは異物全体が丁度入る円の直径のことである。
【００４４】
次に、実施例２として、端面７５のコア上と反射防止膜１５の間に介在する直径０．５μｍ以下の異物７６の個数に対する挿入損失の依存性を確認するため、本発明および従来の光ファイバピグテイル１１を各２０本作製した。サンプルの作製は実施例１と同様の方法で行った。
【００４５】
外観の評価方法としては、反射防止膜１５の上から、４００倍の光学顕微鏡にて観察を行い、本発明、従来の光ファイバピグテイル１１から異物の直径が０．５μｍ以下で異物７６の数量が異なる５本を選別した。選別した光ファイバピグテイ１１ルの挿入損失を実施例１と同じ方法で測定した。
【００４６】
表２に、挿入損失の直径０．５μｍ以下の異物７６の個数に対する依存性を示す。
【００４７】
【表２】
2005049408.tif 000004
【００４８】
コア上の異物７６の数が４個では挿入損失が０．０２５ｄＢであるのに対して、５個では、挿入損失０．０５ｄＢと更に０．０２５ｄＢ劣化していることが分かる。
【００４９】
この結果から、異物７６の個数は、４個以下で有ることが望ましい。
【００５０】
最後に、レ−ザによる溶融面１４の洗浄効果を比較するために、本発明の実施例３として、図７に示す光ファイバピグテイル１１と、比較例として、図６に示す従来の光ファイバピグテイル１１をそれぞれ１０本作製し、その外観と光学特性として挿入損失を測定した。光ファイバピグテイル１１は実施例１と同様の方法で作成し、外観、及び挿入損失の評価方法も実施例１と同様の方法で評価した。
【００５１】
以上のサンプルでの評価結果を表３に示す。
【００５２】
【表３】
2005049408.tif 000005
【００５３】
表３に示すように、従来の光ファイバピグテイル１１において、外観において０．５μｍ以上の異物７６の付着が平均で７個であったのに対して、本発明の光ファイバピグテイル１１では、異物７６の付着が見られなかった。また、挿入損失では、従来の光ファイバピグテイル１１の挿入損失が平均で０．０５５ｄＢであったのに対して、本発明の光ファイバピグテイル１１では、平均で０．００７ｄＢと、平均で０．０４８ｄＢの向上が見られた。
【００５４】
これより本発明の光ファイバピグテイル１１では、異物７６の付着がなく挿入損失の劣化を少なくすることが出来ることが確認できた。
【００５５】
【発明の効果】
以上本発明によれば、光ファイバ先端部の溶融面と反射防止膜の間の０．５μｍ以上の直径の異物をなくすことができるために、挿入損失の劣化を防止することができる。
【００５６】
また、光ファイバ先端部の洗浄と反射防止膜の成膜を一連の工程にて加工できるため、異物付着のない安定した加工を実現することができる。
【００５７】
さらに、従来の工程では別の工程であった放電加工も一括の工程として実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光ファイバピグテイルの側面図である。
【図２】本発明の光ファイバピグテイルの成膜装置の側面図である。
【図３】本発明の光ファイバピグテイルの成膜装置の側面図である。
【図４】（ａ）は、本発明の成膜装置のドームの側面図で、（ｂ）は、光ファイバピグテイルのドーム取り付け時の側面図を示す。
【図５】本発明の光ファイバピグテイルの製造方法の工程フローチャートを示す。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は、挿入損失評価方法の模式図を示す。
【図７】（ａ）〜（ｂ）は、従来の光ファイバピグテイルの側面図である。
【図８】（ａ）〜（ｂ）は、従来の光ファイバピグテイルの側面図である。
【図９】（ａ）は、従来の光ファイバピグテイルの側面図であり、（ｂ）は従来の光ファイバピグテイルの側面図である。
【符号の説明】
１１：光ファイバピグテイル
１２：光ファイバ先端部
１３：裸ファイバ
１４：溶融面
１５：反射防止膜
１６：境界部
１７：被覆部
２１：レーザ装置
２２：集光レンズ
２３：レーザ光
２４：ドーム
２５：前処理用チャンバー
２６：隔壁
２７：成膜用チャンバー
２８：電子銃
２９：ターゲット
２１０：真空ポンプ
２１１：真空ポンプ
２１２：バルブ
２１３：バルブ
３１：電子ビーム
６１：受光器
６２：パワーメーター
６３：光源
６４：光ファイバ
６５：接続点
７１：平面
７２：カケ
７３：角部
７４：面取り部
７５：端面
７６：異物
８１：先球
８２：斜め平面
９１：楔形
Ｌ１：ストリップ長
Ｌ２：反射防止膜回り込み長さ
【図１】
2005049408.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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