(57)【要約】【課題】  ノート型パーソナルコンピュータやフラットパネルディスプレイなどの薄型又は小型の電子機器に好適であって放熱を効率よく行なえる熱放射膜、熱放射構造体、熱放射性部材、及び熱放射性機器を提供すること。【解決手段】  電子機器の筐体（基材）２０の表面上に、アルミニウム層２１とＳｉＯ0.98層２２ａ／ＳｉＯ1.20層２２ｂ／ＳｉＯ1.70層２２ｃの４層の膜をコーティングして、光反射性のアルミニウム層２１上に３層の積層膜からなる波長選択放射膜２２を形成した熱放射構造体２３、及びこの熱放射構造体２３を外表面に設けた電子機器。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
８〜１３μｍの波長域の赤外線を放射できるように、互いに組成の異なる波長選択放射材料からなる複数の層が積層された構造を有する熱放射膜。
【請求項２】
８〜１３μｍの波長域の赤外線を放射できるように、厚さ方向に組成が連続的に変化した領域を含む波長選択放射材料層を有する熱放射膜。
【請求項３】
８〜１３μｍの波長域の赤外線を放射できるように、互いに組成の異なる波長選択放射材料からなる複数の層が積層された構造を有し、前記複数の層の組成がそれぞれ厚さ方向に連続的に変化している、請求項２に記載した熱放射膜。
【請求項４】
８〜１３μｍの波長域の光を吸収する、請求項１〜３のいずれか１項に記載した熱放射膜。
【請求項５】
セラミックス材料又は有機物からなる、請求項４に記載した熱放射膜。
【請求項６】
前記セラミックス材料が酸化珪素又は窒化珪素であり、前記有機物がポリビニルクロライド又はポリビニルフルオライドである、請求項５に記載した熱放射膜。
【請求項７】
外光反射性の下地層を有する、請求項１に記載した熱放射膜。
【請求項８】
前記下地層が金属からなる、請求項７に記載した熱放射膜。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか１項に記載した熱放射膜が、外光反射性の下地層上に形成されている熱放射構造体。
【請求項１０】
前記下地層が金属からなる、請求項９に記載した熱放射構造体。
【請求項１１】
請求項１〜６のいずれか１項に記載した熱放射膜が、基材上に形成されている熱放射性部材。
【請求項１２】
前記熱放射膜が、外光反射性の下地層上に形成されている、請求項１１に記載した熱放射性部材。
【請求項１３】
前記下地層が金属からなる、請求項１２に記載した熱放射性部材。
【請求項１４】
電子機器用の筐体又はヒートシンクとして構成された、請求項１１に記載した熱放射性部材。
【請求項１５】
請求項１〜６のいずれか１項に記載した熱放射膜が設けられている、熱放射性機器。
【請求項１６】
前記熱放射膜が筐体又はヒートシンク基材上に形成されている、請求項１５に記載した熱放射性機器。
【請求項１７】
前記熱放射膜が、外光反射性の下地層上に形成されている、請求項１５に記載した熱放射性機器。
【請求項１８】
前記下地層が金属からなる、請求項１７に記載した熱放射性機器。
【請求項１９】
薄型又は小型の電子機器として構成された、請求項１５に記載した熱放射性機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノート型パーソナルコンピュータやフラットパネルディスプレイ、カムコーダー（camcoder）、携帯電話などの薄型又は小型の電子機器に好適であって、特定波長範囲において熱放射率が高い波長選択熱放射膜と、この熱放射膜を有する熱放射構造体及び熱放射性部材と、この熱放射性部材を用いて放熱を効率良く行うように構成されたノート型パーソナルコンピュータやフラットパネルディスプレイなどの薄型機器の如き熱放射性機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化に伴い、単位体積当りの発熱量の増加が懸念される。また、コンピューターなどの各種電子・電気機器に搭載されている半導体やその他の発熱部品などの冷却の問題が注目されている。
【０００３】
このような冷却すべき部品の冷却方法として、それが搭載される機器筐体にファンを取り付け、機器筐体を冷却する方法や、冷却すべき部品にヒートパイプやヒートスプレッダ、ヒートシンクやフィンなどの熱伝導体を取り付け、部品からの熱を外部に運ぶことにより冷却する方法等が一般的である。
【０００４】
しかし、コンピューターやフラットパネルディスプレイを使用したテレビジョン受像機などが家庭で用いられるに伴い、冷却ファンから発生する騒音が無視できなくなり、このため、冷却ファンの出力を落とすか或いは冷却ファンレスが要求されるようになってきたが、これでは冷却効率に乏しくなる。また、小型電子機器の場合には、冷却ファンを備えるスペースがないことのみならず、筐体の表面積が小さいために、熱を大気中に放出しにくく、電子機器を長時間使用したときに温度上昇が無視できないという問題がある。
【０００５】
一般的に、熱の移動は、（１）熱伝導、（２）対流、（３）熱放射（輻射）により生じる。大気中に熱を放出するには、筐体表面からの熱が自然対流にて大気中に移動するか、冷却ファンを用いることによる強制対流にて、電子機器の内部の空気を外部に強制的に逃がす方法がこれまで採用されてきた。近年、冷却ファンの負担を減らしながらも、少しでも大気中に熱を放出するために、上記（３）の熱放射を用いる方向になってきている。熱の放出部の温度が室温からそれほど高くない場合には、対流による放熱が支配的であるが、温度が高くなるにつれて、赤外線の形で放出される熱放射が効果的となる。
【０００６】
熱放射とは、ある物体からエネルギーが電磁波の形で放出される現象である。理想的には、図９（ａ）に示すようなプランクスペクトルで表わされる黒体放射が起こる。これによれば、０〜１００℃程度の低い温度範囲では、電磁波はほとんど赤外線の領域（特に波長８〜１３μｍ）で放射される。
【０００７】
なお、熱放射による放熱量は放熱面積と放射率に比例し、環境温度との温度差が大きくなるほど大きくなる。放射率は、黒体から放射される理想的な熱量と実際の放射熱量との比であり、金属のような光沢を持つ材料は放射率が０．０２〜０．３程度とかなり小さい。
【０００８】
そのため、例えばアルミニウム製のヒートシンクから効率良く熱を放出するためにアルマイト処理を施すことにより、放射率を０．７〜０．９程度まで上げることができ、ヒートシンク表面の放射効率を高めることができる。
【０００９】
また、例えば後記の特許文献１（特開２００２−２２６７８３号公報）や特許文献２（特公平６−７５０８号公報）などに記載されているように、カーボンブラックや酸化物、炭化物などのセラミックスなどを含有し、例えば６μｍや１２μｍの波長で熱放射率の高い顔料を含有する０．８〜０．９６程度の高放射率を持つ塗料（熱放射塗料）を放熱部の表面に塗布することにより、熱放射率を高めることが知られている。なお、市販のスプレー塗料なども、放射率が高いセラミックス材料等を含有していることが多く、こうした塗料を用いてもよいし、色も黒のみでなく、白、赤、青など種々のものがある。これらの塗料には、赤外線領域を含む全波長領域で熱放射率が高いものがある。
【００１０】
大気は、水や二酸化炭素、オゾンなど多くの成分を含むことから、複雑な光吸収スペクトルを有し、図９（ｂ）に示すように、１μｍ以上の波長の赤外線を所々の波長域を除いて良く吸収する。しかし、８〜１３μｍの波長域は、赤外線をほとんど吸収しない「大気の窓」と言われる領域である。
【００１１】
冬の晴天の夜に地表の温度が急激に低下することは放射冷却と呼ばれるが、これは、前記の「大気の窓」の波長範囲で地表から放出される赤外線が大気にほとんど吸収されずに宇宙空間に放出されることが原因である。この効果を利用して、後記の非特許文献１（C.G.Granqvist et al., J.Appl.Phys., 52, p.4205 (1981).）などにも記載されているように、８〜１３μｍの波長範囲の赤外線を選択的に吸収・放射することにより、全波長領域の放射率を上げるよりも効率良く熱を大気中に放出することが考えられている。
【００１２】
図１０には、波長選択放射膜を用いた冷却システムの一例を示す。冷却すべき基材１０に、光をほとんどすべて反射する金属膜１１をコーティングし、その上に波長選択放射膜１２をコーティングする。こうした構造により、外部から入射する光（電磁波）１２はほとんど反射されるが、８〜１３μｍの波長の光は波長選択放射膜１２にいったん吸収され、赤外線の形で放射される。また、基材１０側からの熱１３は波長８〜１３μｍの赤外線１４として放射され、大気に吸収されないために熱平衡に達することがなく、効率的に大気中に放射され続け、放射冷却１５が可能となる。
【００１３】
なお、８〜１３μｍの波長域中のみにおいて放射率が大きな材料としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、ポリビニルクロライド、ポリビニルフルオライドなどが知られている。これらを波長選択放射膜の素材として用い、これを電子機器の筐体又はヒートシンクにコーティングすることによって、効率的に大気中に熱を放出し、電子機器の温度を低下させることが可能となる。
【００１４】
【特許文献１】特開２００２−２２６７８３号公報（特許請求の範囲、第５欄２５行目〜第８欄２行目、第１０欄１行目〜第１２欄２４行目、図１）
【特許文献２】特公平６−７５０８号公報（特許請求の範囲、第２欄２行目〜第３欄５０行目、第１０欄４９行目〜第１２欄１４行目、第１図及び第２図）
【非特許文献１】C.G.Granqvist et al., J.Appl.Phys., 52, p.4205 (1981)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、上記特許文献１や２に示された熱放射の場合、上述したように環境温度との温度差が大きくなるほど熱の放射量が大きくなるものの、大気が吸収しやすい波長（例えば６μｍの波長）で高い熱放射率を有する顔料を用いると、周りの空気が電子機器から放出された熱を吸収するため、結果的に環境温度と電子機器の筐体表面との温度差が小さくなって放熱されにくくなる。
【００１６】
また、上記非特許文献１に示された冷却構造の場合、それを構成する波長選択放射膜の素材は、８〜１３μｍの波長域の中のある波長で吸収ピークを持ち、一定の熱放射特性を示すが、８〜１３μｍの波長域すべてで熱放射率が高いわけではない。
【００１７】
従って、これまで提案されている波長選択放射膜を電子機器の筐体等に設けた場合、電子機器内の発熱部品の発熱による電子機器の温度上昇を十分に抑えることができず、電子機器内のデバイスの誤動作や故障が生じ易く、また筐体表面を手で触れた時に低温やけどを生じることがある。
【００１８】
そこで、本発明の目的は、ノート型パーソナルコンピュータやフラットパネルディスプレイなどの薄型又は小型の電子機器に好適であって、放熱を効率よく行なえる熱放射膜、熱放射構造体、熱放射性部材、及び熱放射性機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
即ち、本発明は、８〜１３μｍの波長域の赤外線を放射できるように、互いに組成の異なる波長選択放射材料からなる複数の層が積層された構造を有する熱放射膜に係り、また、８〜１３μｍの波長域の赤外線を放射できるように、厚さ方向に組成が連続的に変化した領域を含む波長選択放射材料層を有する熱放射膜に係るものである。
【００２０】
本発明はまた、本発明の上記熱放射膜が、外光反射性の下地層上又は基材上に形成さている熱放射構造体又は熱放射性部材に係り、更に、本発明の上記熱放射膜が例えば筐体又はシートシンク基材上に形成されている熱放射機器も提供するものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、熱放射を大気中に効果的に行なえる８〜１３μｍの波長範囲の赤外線を放射できる（即ち、８〜１３μｍの波長範囲の光吸収率が高い）材料を組成を変えて積層し若しくは組成を厚さ方向に連続的に変化させて波長選択放射膜を形成しているので、例えば、電子機器の筐体又はヒートシンクにコーティングすることにより、８〜１３μｍの波長の全領域にわたって熱放射率を高め、効率良く大気中に熱を放出することが可能となり、電子機器等の温度を効果的に下げ、機器内部のデバイスの誤動作や故障、筐体表面を手で触れた時の低温やけどを防ぐことが可能となる。こうした熱放射特性は特に、冷却ファンを備えるスペースがなく、筐体の表面積も小さい薄型又は小型の電子機器に好適となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の熱放射膜は、８〜１３μｍの波長域の赤外線を放射できるように、互いに組成の異なる波長選択放射材料からなる複数の層が積層された構造を有し、前記複数の層の組成がそれぞれ厚さ方向に連続的に変化していてもよい。
【００２３】
本発明においては、放射平衡状態での放射エネルギーと吸収能との比が一定であって、吸収率が高いと放射性能も高いことから、本発明の上記熱放射膜は、８〜１３μｍの波長域の赤外線を放射すると同時に、８〜１３μｍの波長域の光を吸収する特性も併せて有していることが望ましい。
【００２４】
本発明の上記熱放射膜は、セラミックス材料又は有機物からなるのがよいが、こうしたセラミックス材料として酸化珪素又は窒化珪素が挙げられ、また有機物としてポリビニルクロライド又はポリビニルフルオライドが挙げられる。
【００２５】
また、上記熱放射膜は、外光反射性の下地層、例えばアルミニウム等の光反射性金属からなる下地層を有するのがよい。
【００２６】
本発明の熱放射構造体は、こうした下地層を有しているので、入射する外光を効果的に反射し、この反射光のうち８〜１３μｍの波長の光を上記熱放射膜が効果的に吸収することになる（図９参照）。
【００２７】
本発明の熱放射性部材は、望ましくは上記下地層付きの熱放射膜が基材上に形成された例えば電子機器用の筐体又はヒートシンクとして構成される。
【００２８】
また、本発明の熱放射性機器は、望ましくは上記下地層付きの熱放射膜が例えば筐体又はヒートシンク基材上に形成された薄型又は小型の電子機器として構成されてよいが、これには、ノート型パーソナルコンピュータやフラットパネルディスプレイ、カムコーダー（camcoder）、携帯電話などが挙げられる。
【００２９】
以下、本発明の好ましい実施の形態を図面参照下に詳細に説明する。なお、本実施の形態は本発明の好適な例であって、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、これは本発明を何ら限定するものではない。
【００３０】
本実施の形態において、まず、波長選択放射膜の素材としてシリコン（Ｓｉ）の酸化物を例にとって説明する。シリコン酸化物は不定比化合物（ＳｉＯX）であり、ｘ＝約１〜２の間で組成を連続的に変化させることができる。ＳｉＯXは９．１〜１０．３μｍの波長域に強い赤外吸収があるが、ＳｉとＯの比に応じて赤外吸収のピークを示す波長が変化する。ｘが２に近づくと、この吸収以外に１２．５μｍ及び７．７〜８．３μｍにも強い吸収が見られ、このことにより、ＳｉＯXは波長選択放射膜として優れた特性を持つ。なお、放射平衡状態にある材料では、放射エネルギーと吸収能の比は一定であることから、吸収率が高いと放射性能も高い。
【００３１】
図１には、ＳｉＯ1.0の単層膜の吸収特性を破線で示し、またＳｉＯXのｘを０．９８から１．７０まで変化させた積層膜の吸収特性を実線で示す。これによれば、ＳｉＯ1.0のみの（単層膜の）場合は８〜１３μｍの波長範囲で赤外吸収率のピークが１つであるが、ＳｉＯ0.98／ＳｉＯ1.20／ＳｉＯ1.70の３層の積層膜とした場合は８〜１３μｍの波長範囲で赤外吸収率のピークが３つとなり、かつ吸収率が８〜１３μｍの波長範囲で全般的に向上し、変動量もかなり小さくなる。
【００３２】
従って、図２に示すように、電子機器の筐体（基材）２０の表面上に、アルミニウム層２１とＳｉＯ0.98層２２ａ／ＳｉＯ1.20層２２ｂ／ＳｉＯ1.70層２２ｃの４層の膜をコーティングして、光反射性のアルミニウム層２１上に３層の積層膜からなる波長選択放射膜２２を形成した熱放射構造体２３を設けることにより、波長選択放射膜を用いない場合や単層の放射膜を形成する場合に比べて、電子機器の筐体表面の温度を十分に低下させることが可能である。なお、上記の４層膜はコーティングで設けるが、これ以外にも、接着などで基材に固定することもできる。
【００３３】
即ち、互いに組成の異なるＳｉＯ0.98層２２ａ／ＳｉＯ1.20層２２ｂ／ＳｉＯ1.70層２２ｃの３層の積層膜２２によって、８〜１３μｍの波長範囲で赤外吸収率のピークが３つとなり、かつ吸収率が８〜１３μｍの波長範囲で全般的に向上し、変動量もかなり小さくなるので、８〜１３μｍの波長の全領域にわたって熱放射率を高め、効率良く大気中に熱を放出することが可能となり、電子機器等の温度を効果的に下げ、機器内部のデバイスの誤動作や故障、筐体表面を手で触れた時の低温やけどを防ぐことが可能となる。
【００３４】
また、この多層の波長選択放射膜２２は、放射平衡状態で８〜１３μｍの波長範囲の光を効率良く吸収する特性を有しているので、外光が入射した場合に赤外域の光を良好に吸収し、Ａｌ層２１による反射光の赤外成分も良好に吸収して、大気中に効果的に放射することができる。
【００３５】
本実施の形態による波長選択放射膜２２を使用して、実際に筐体の表面温度を測定した結果、放射膜を設けない場合には１７℃、単層膜の場合には１６℃であったが、１４℃まで温度低下した。
【００３６】
これに反し、ＳｉＯ1.0の単層膜や既述した非特許文献１の熱放射膜は、８〜１３μｍの波長範囲で吸収ピークが１つしかないために、それ以外の波長では、赤外光の吸収が悪く、その放射も不十分となる。また、既述した特許文献１及び２の場合には、８〜１３μｍ以外の波長でも吸収、放射が生じるため、周りの空気が電子機器から放出された熱を吸収し、結果的に環境温度と電子機器の筐体表面との温度差が小さくなって放熱されにくくなる。
【００３７】
本実施の形態の積層膜２２においては、上記した効果を得る上で、ＳｉＯ0.98層２２ａの膜厚は約０．３〜２０μｍ（例えば１μｍ）、ＳｉＯ1.20層２２ｂの膜厚は約０．３〜２０μｍ（例えば２μｍ）、ＳｉＯ1.70層２２ｃの膜厚は約０．４〜２０μｍ（例えば３μｍ）とするのがよい。これらのうち、吸収率の大きいＳｉＯ1.70層２２ｃの膜厚を大きくするのがよく、例えば膜厚の大きさはＳｉＯ1.70層２２ｃ＞ＳｉＯ1.20層２２ｂ＞ＳｉＯ0.98層２２ａとするのがよい。
【００３８】
また、これらの各層の組成は、上記したものに限ることはなく、第１層２２ａのｘ、第２層２２ｂのｘ、第３層２２ｃのｘを約１．０〜２．０の範囲としてよい。これらのうち、ｘが大きくなる程に吸収率が大きくなる傾向があるので、各層の膜厚を上記したと同様に設定したり、或いは膜厚と同一にして各層のｘを選択することによって吸収特性を良好にすることができる。
【００３９】
また、上記積層膜２２の層数は３層としたが、２層としてもよい。一般に、この層数が多い程（即ち、ｘの異なる放射膜の数が多い程）、図１に示した吸収曲線が一層平坦化（平均化）するので、吸収特性がより向上し易い。この層数は２層以上とするのがよいが、層数があまりに多いと却って全厚が増えたり、或いは膜厚の制御性又は成膜性や組成の制御性が低下する傾向がある。
【００４０】
上記の例においては、波長選択放射膜２２を３層にしたが、この放射膜の下面から上面に向けてｘを０．９８から２．００まで連続的に組成を変えて、傾斜機能材料（Functional Graded Material；ＦＧＭ）膜を波長選択放射膜として形成することにより、図３に実線で示すように、８〜１３μｍの波長域での吸収率を全体的に高め、より平均化することが可能である。図４には、他の組成又は材料についてのデータを示す。
【００４１】
即ち、このように厚さ方向（又は積層方向）に連続的に組成を傾斜させると、８〜１３μｍの範囲内のいずれの波長でも吸収率が高くなるので、有利である。こうした膜は、単層膜としてこの膜中で組成を変化させてもよく、或いは上記と同様に積層膜として各膜中で組成を変化させてもよい。
【００４２】
このためには、ＳｉＯXについては、放射膜の厚さ方向（又は積層方向）に変化させるｘの下限を０．９８、上限を２．００とすればよいが、その濃度プロファイルは、直線状となる設定条件で成膜してよく、或いはステップ状や曲線状、又は直線と曲線の組み合わせの設定条件で成膜してもよい。
【００４３】
また、放射膜の組成を上記のように段階的又は連続的に変えることは、スパッタやＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学的気相成長法）などの気相成長や、ゾル−ゲル法のような液相成長法にて容易にかつ安価に実現することが可能である。
【００４４】
例えば、ＳｉＯXを成膜する場合、化学的気相成長法によって原料ガスをＳｉＨ4５〜２０cc／min、Ｏ2０〜２０cc／minで供給し、各膜毎に供給量の比を変化させる。この結果、ＳｉＯX膜が積み上がっていくにつれて、Ｏ2ガスの流量を上げていくと、Ｓｉに対するＯの割合を大きくし、上記した積層膜等を成膜することができる。
【００４５】
なお、上記において、下地層として８〜１３μｍの波長以外の電磁波を反射するための金属層にアルミニウム層２１を用いたが、それに限ることなく、反射性の他の金属又は他の材料も使用可能である。
【００４６】
また、このような反射層を設けない場合には、外部からの所望以外の波長の大きい電磁波が膜に透過、吸収され、トータルの放熱効率が下がるという問題が生じ易い。
【００４７】
図５は、本実施の形態による熱放射構造体２３を金属筐体基材２０の外表面に被着した熱放射性部材としての電子機器筐体２４と、この筐体２４の内部に、発熱部品２５を実装したプリント配線板２６などの各種部材とからなる熱放射性電子機器２７を示す。筐体基材２０自体がアルミニウム等の反射性もある材料からなる場合、上記した下地層２１は設けてよいが、設けなくてもよい。なお、ここでは一例として、リード２８付きのＩＣチップを発熱部品２５とし、プリント配線板２６のランド２９にはんだ付けで実装した状態を示すが、筐体２４内には他の発熱部品が存在していることは言うまでもない。
【００４８】
このように、電子機器２７の筐体（基材）２０の表面上に、上記したアルミニウム層２１とＳｉＯ0.98層２２ａ／ＳｉＯ1.20層２２ｂ／ＳｉＯ1.70層２２ｃの４層の膜をコーティングして、熱放射構造体２３を設けることにより、波長選択放射膜を用いない場合や単層の放射膜を形成する場合に比べて、電子機器の筐体表面の温度を十分に低下させることが可能である。この効果は、特に、電子機器２７が薄型又は小型であって、筐体内部に冷却ファンを設置するスペースがなく、筐体の表面積も小さいときに、顕著となる。
【００４９】
従って、８〜１３μｍの範囲内のみ吸収率が高い材料からなる波長選択放射膜２２を筐体又はヒートシンクにコーティングした電子機器２７は、効率良く大気中に熱を放出することが可能となり、電子機器の温度を下げ、機器内部のデバイスの誤動作や故障を防止し、筐体表面を手で触れた時の低温やけども防ぐことができる。
【００５０】
図６〜図８は、本実施の形態による上記の熱放射構造体２３を放熱箇所に設けた他の例を示すものである。
【００５１】
図６（Ａ）は、ノート型パーソナルコンピュータの冷却システムの一部を示し、また図６（Ｂ）はその設置状態と放熱状態を示し、ＭＰＵ（Micro Processor Unit）等の発熱部品３５を取り付けた基板部３０にヒートスプレッダ３１及びヒートパイプ３２を設け、ヒートパイプ３２から伝えられた熱をフィン３３から放熱するが、フィン３３の表面に上記の波長選択放射膜２２を塗布する。これにより、大気中に効率良く熱を放射できるので、冷却ファン３４の負担が減ることになる。
【００５２】
図７（Ａ）は、レンズ４０付きのカメラ部４１、マイク４２、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネル４３、ファインダー４４、バッテリー４５等をケース本体（筐体）４６に備えたデジタルカムコーダー４７の前面側を示し、また図７（Ｂ）は、その後面側を示し、筐体４６の表面の金属面（反射面）に波長選択放射膜２２をコーティングすることにより、筐体表面の温度や内部のＬＳＩ（大規模集積回路）などの温度を低下させることができる。
【００５３】
図８（Ａ）は、デスクトップ型のパーソナルコンピュータやＤＶＤ（デジタル・ビデオ・レコーダ）などの据え置き型の電子機器のドライバ部５０の前面側を示し、また図８（Ｂ）は、その後面側を示し、後面にヒートシンク５１がある場合にはこのヒートシンクを波長選択放射膜２２でコーティングすることにより、筐体５２の内部の温度を低下させることができる。
【００５４】
なお、発熱部品に取り付けられたヒートシンクに上記の熱放射構造体２３を設けると、ヒートシンクの放熱効率を向上させることができる。この場合、ヒートシンクには、例えばアルミニウム製の場合には放熱効果を上げるためにアルマイト処理を施すが、このアルマイト処理面上に上記の熱放射構造体２３を設けるのが効果的である。
【００５５】
以上に述べた実施の形態は、本発明の技術的思想に基づいて種々に変形することが可能である。
【００５６】
例えば、上述した実施の形態では、波長選択放射膜の材料としてＳｉＯxを挙げたが、それ以外に窒化珪素（ＳｉＮx）等の他のセラミックス材料、ポリビニルクロライド、ポリビニルフルオライド等の有機物も使用可能である。窒化珪素（ＳｉＮx）の場合、ｘの組成を段階的又は連続的に変えた膜を積層してもよいし、単層膜中で組成を変化させてもよい。また、ＳｉＯx、ＳｉＮx、ポリビニルクロライド、ポリビニルフルオライドなどの各材料を組み合わせて用い（例えば、積層又は混合し）、８〜１３μｍの波長の範囲全体で吸収率が高くなるように最適化してもよいし、８〜１３μｍの波長域で放射率がピークを持つ上記以外のセラミックスや高分子化合物などの材料の組み合わせでもよく、使用する材料は上記に限定されるものではない。
【００５７】
また、本発明の波長選択放射膜は、上記した部材や電子機器に限定されることなく、放熱の要求される各種の部材や機器に広く適用可能であり、放射膜を設ける箇所は放熱の要求される箇所であれば、任意であってよい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施の形態によるＳｉＯ0.98／ＳｉＯ1.20／ＳｉＯ1.70の３層膜の赤外吸収特性を単層ＳｉＯ1.0膜と比較して示す赤外吸収スペクトル図である。
【図２】同、組成を変化させた３層の波長選択放射ＳｉＯx膜と熱放射構造体を示す概略断面図である。
【図３】同、ＳｉＯXについての組成連続傾斜（ＦＧＭ）膜の赤外吸収特性を単層膜及び３層膜と比較して示す赤外吸収スペクトル図である。
【図４】同、他の組成連続傾斜（ＦＧＭ）膜の赤外吸収特性を単層膜及び３層膜と比較して示す赤外吸収スペクトル図である。
【図５】同、波長選択放射膜を筐体外表面に設けた電子機器の要部概略断面図である。
【図６】同、ノート型パーソナルコンピュータの冷却システムの要部斜視図（Ａ）とこれを取り付けたノート型パーソナルコンピュータの要部斜視図（Ｂ）である。
【図７】同、カムコーダーの前面側の斜視図（Ａ）とその後面側の斜視図（Ｂ）である。
【図８】同、据え置き型の電子機器の前面側の概略斜視図（Ａ）とその後面側の概略斜視図（Ｂ）である。
【図９】黒体からの放射エネルギースペクトル図（ａ）と大気の赤外吸収スペクトル図（ｂ）である。
【図１０】波長選択放射膜を用いた冷却システムの概略図である。
【符号の説明】
【００５９】
２０…基材、２１…下地層(Ａｌ層)、２２ａ…ＳｉＯ0.98層、２２ｂ…ＳｉＯ1.20層、
２２ｃ…ＳｉＯ1.70層、２２…波長選択放射膜、２３…熱放射構造体、２４…筐体、
２５…発熱部品、２６…プリント配線板、２７…電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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