(57)【要約】【課題】  配線構造体の導体層及び樹脂層の研磨速度を共に高くすることが可能な研磨用組成物を提供する。【解決手段】  研磨用組成物は、アルミナ、錯化剤及び酸化剤を含有している。更に、研磨用組成物は、アルミナゾルを含有してもよい。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、基板上に形成され表面に配線溝を有する樹脂層と、配線溝内が埋まるように樹脂層上に形成される導体層とを備えた配線構造体の研磨に用いられる研磨用組成物であって、アルミナ、錯化剤及び酸化剤を含有している研磨用組成物。
【請求項２】
樹脂基板上に形成された配線溝が埋まるように、樹脂基板上に導体層が形成される配線構造体の研磨に用いられる研磨用組成物であって、アルミナ、錯化剤及び酸化剤を含有している研磨用組成物。
【請求項３】
錯化剤が、α−アミノ酸、アンモニア及びアンモニウム塩のうち少なくともいずれか１種である請求項１又は２に記載の研磨用組成物。
【請求項４】
錯化剤が、α−アミノ酸と、アンモニア及びアンモニウム塩のうち少なくともいずれか１種である請求項１〜３のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項５】
アルミナゾルを更に含有している請求項１〜４のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、回路基板の導体配線を形成するため、配線構造体の研磨に用いられる研磨用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩの高速化・高集積化に伴い、ＩＣやトランジスタ等が搭載される回路基板（半導体パッケージ基板等）にも様々な多機能化・高機能化が求められている。回路基板の製造工程においては、導体配線を形成する方法として、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）技術を用いた製造プロセス（ダマシンプロセス）が広まりつつある。導体配線の形成工程では、まず、樹脂基板上に配線溝が形成される。次に、配線溝が形成された樹脂基板上に、導体層が、少なくとも配線溝内が完全に埋まるように積層される。そして、配線溝以外の樹脂基板の表面が露出するまで導体層を研磨することにより、配線溝内に導体配線が形成される。こうして、樹脂基板上に導体配線を備えた配線構造体が形成される。このような配線構造体を研磨するスラリー状の研磨用組成物として、例えば砥粒、銅のキレート剤、銅のエッチング剤及び酸化剤等を含有してなる研磨用組成物が特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開平２００３−２５７９１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
導体配線の形成工程において、配線溝以外の樹脂基板の表面が露出するまで導体層を研磨することにより、同配線溝内に導体配線が形成される。このため、研磨効率を向上させるには、導体層の研磨速度を高めると共に、樹脂基板の表面の研磨速度も高くする必要がある。しかしながら、特許文献１の研磨用組成物では、導体層の研磨速度を高くすることは出来たが、同時に樹脂基板の研磨速度を高くすることが困難であった。
【０００４】
本発明は、基板と、基板上に形成される樹脂層と、樹脂層上に形成される導体層とを備えた配線構造体の表面研磨に適した研磨用組成物である。その目的とするところは、配線構造体の導体層及び樹脂層の研磨速度を共に高くすることが可能な研磨用組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、基板と、基板上に形成され表面に配線溝を有する樹脂層と、配線溝内が埋まるように樹脂層上に形成される導体層とを備えた配線構造体の研磨に用いられる研磨用組成物であって、アルミナ、錯化剤及び酸化剤を含有していることを要旨とする。
【０００６】
請求項２に記載の発明は、樹脂基板上に形成された配線溝が埋まるように、樹脂基板上に導体層が形成される配線構造体の研磨に用いられる研磨用組成物であって、アルミナ、錯化剤及び酸化剤を含有していることを要旨とする。
【０００７】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、錯化剤が、α−アミノ酸、アンモニア及びアンモニウム塩のうち少なくともいずれか１種であることを要旨とする。
【０００８】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発明において、錯化剤が、α−アミノ酸と、アンモニア及びアンモニウム塩のうち少なくともいずれか１種とであることを要旨とする。
【０００９】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか１項に記載の発明において、アルミナゾルを更に含有していることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、配線構造体の導体層及び樹脂層の研磨速度を共に高くすることが可能な研磨用組成物を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を配線構造体の研磨用組成物に具体化した一実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図１に示すように、配線構造体は、基板１０の表面に絶縁性の樹脂層１１を備えている。この基板１０に配線構造を形成するときには、まず、公知のリソグラフィ技術及びエッチング技術等により、回路設計に基づく配線溝１２を樹脂層１１の表面に形成する。一般に樹脂層１１としては、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、紙エポキシ樹脂、ベークライト樹脂等が挙げられる。次に、少なくとも配線溝１２内が完全に埋まるように、樹脂層１１の表面に導体層１３を形成する。一般に導体層１３は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、めっき等により形成され、銅、銅−アルミニウム合金、銅−チタン合金等、銅を含有する材料からなる。
【００１２】
そして、図２に示すように、配線溝１２を除いた箇所の樹脂層１１が露出するまで導体層１３を研磨することにより、回路基板１５の表面に、導体配線１４及び樹脂層１１が露出し、両者が平滑に、かつ面一に形成される。具体的には、１回の研磨工程で、配線溝１２を除いた箇所の樹脂層１１が露出するまで導体層１３が研磨される。その結果、配線溝１２内に導体配線１４が形成される。本実施形態は、導体層１３及び樹脂層１１を研磨する研磨工程にて使用される研磨用組成物を提供する。
【００１３】
本発明の研磨用組成物は、アルミナ、錯化剤、酸化剤及び水を含有している。この研磨用組成物は、導体層１３及び樹脂層１１の研磨速度を高めるのに優れている。
アルミナは、優れた機械的研磨作用を有しており、主に被研磨面としての樹脂層１１及び導体層１３を研磨するための研磨材として研磨用組成物中に含有されている。アルミナは、水酸化アルミニウムを熱処理後に微粉砕、分級することにより製造されるパウダーのほか、コロイダルアルミナや、フュームドアルミナ等の異なる製造方法にて製造されるものがあり、これらのうち少なくとも１種を用いる。研磨用組成物中におけるアルミナの含有量は、導体層１３及び樹脂層１１の十分な研磨速度を得るという観点から、０．１質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、５質量％以上が更に好ましく、７質量％以上が最も好ましい。一方、研磨用組成物中における各成分の水への分散・溶解性を確保するという観点から、アルミナの含有量は、５０質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましい。
【００１４】
アルミナの平均粒子径は、樹脂層１１の十分な研磨速度を得るという観点から、０．１μｍ以上が好ましく、１μｍ以上がより好ましい。一方、被研磨面へのスクラッチ発生を抑制するという観点から、アルミナの平均粒子径は、５０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がより好ましい。ここで、スクラッチとは、被研磨面に生じた線状の傷のことをいう。また、平均粒子径は、電気抵抗法（コールター法）で測定された値を示している。更に、アルミナがフュームドアルミナ又はコロイダルアルミナである場合、平均粒子径は、樹脂層１１の十分な研磨速度を得るという観点から、０．１μｍ以上が好ましい。一方、被研磨面へのスクラッチ発生を抑制するという観点から、平均粒子径は、１０μｍ以下が好ましく、１μｍ以下がより好ましい。この場合、平均粒子径は、レーザー光回折法で測定された値を示している。
【００１５】
錯化剤は、研磨された導体を捕捉し、導体層１３の研磨を促進するために含有される。錯化剤としては、例えば、シュウ酸、クエン酸、コハク酸、マレイン酸、酒石酸等の有機酸や、グリシン、アラニン等のα−アミノ酸、エチレンジアミン、トリエチレンテトラアミン等の多価アミン、アンモニア及びアンモニウム塩等が挙げられ、これらのうち少なくとも１種を用いる。このとき、導体の種類によって適する錯化剤の種類は異なるが、導体が銅からなる場合、銅に対する研磨促進効果が高いという観点から、α−アミノ酸、アンモニア、アンモニウム塩が好ましい。
【００１６】
アンモニア及びアンモニウム塩から選ばれる少なくとも１種のみを錯化剤として含む場合、含有量によっては銅の表面に腐食が生ずる虞がある。又、α−アミノ酸のみを錯化剤として含む場合、含有量によってはアンモニア及びアンモニウム塩から選ばれる少なくとも１種のみを含む場合に比べて、銅の高い研磨速度が得られない。これらの理由から、研磨用組成物は、錯化剤としてα−アミノ酸を含有し、かつアンモニア及びアンモニウム塩から選ばれる少なくとも１種を含有するのがより好ましい。
【００１７】
α−アミノ酸の具体例としては、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、アロイソロイシン、セリン、トレオニン、アロトレオニン、システイン、メチオニン、フェニルアラニン、トリプトファン、チロシン、プロリン及びシスチン等の中性アミノ酸、グルタミン酸、アスパラギン酸等の酸性アミノ酸、アルギニン、ヒスチジン等の塩基性アミノ酸が挙げられ、これらのうち少なくとも１種を用いる。これらのうち、入手が容易であり、導体層１３の十分な研磨速度を得られるという観点から、グリシン及びα−アラニンが好ましく、グリシンがより好ましい。又、α−アミノ酸は、鏡像異性体の関係にあるＬ体及びＤ体のいずれであってもよい。研磨用組成物中におけるα−アミノ酸の含有量は、導体の種類によって最適な値は異なるが導体層１３が銅からなる場合、銅の十分な研磨速度を得るという観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましい。一方、一定以上の研磨速度向上は期待できないという観点から、α−アミノ酸の含有量は、２０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましい。
【００１８】
アンモニウム塩の具体例としては、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、リン酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム及び塩化アンモニウム等の無機酸のアンモニウム塩、シュウ酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、コハク酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム等の有機酸のアンモニウム塩が挙げられ、これらのうち少なくとも１種を用いる。
【００１９】
アンモニアは、優れた化学的研磨作用を提供し、かつ金属不純物が少ないことから、研磨用組成物中に含有するのが好ましい。研磨用組成物中におけるアンモニア及び／又はアンモニウム塩の含有量は、導体の種類によって最適な値は異なるが、導体層１３が銅からなる場合、十分な銅の研磨速度を得るという観点から、０．１質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましい。一方、銅の表面に腐食を生じさせないという観点から、その含有量は、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。
【００２０】
酸化剤は、化学的研磨作用を有することから、導体層１３の研磨を促進させるために含有される。酸化剤としては、過酸化水素や、過硫酸、過ヨウ素酸、過塩素酸、過酢酸、過蟻酸、及び硝酸並びにそれらの塩のうち少なくとも１種が挙げられるが、安価でかつ金属不純物の少ないものを容易に入手できることから、過酸化水素が好ましい。研磨用組成物中における酸化剤の含有量は、導体層１３の十分な研磨速度を得るという観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましく、０．３質量％以上が更に好ましい。一方、一定以上の研磨速度の向上は期待できないという観点から、その含有量は、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、３質量％以下が更に好ましい。
【００２１】
研磨用組成物は、アルミナ粒子の凝集を抑制して再分散性を高めるという観点から、凝集抑制剤としてのアルミナゾルを更に含有するのが好ましい。アルミナゾルは、研磨用組成物中でコロイド状に分散する特性を有し、アルミナの凝集を抑制して再分散性を発揮し、凝集した固い沈殿（ハードケーキング）の発生や、凝固したアルミナによって被研磨面にスクラッチが発生するのを抑制する。本実施形態のアルミナゾルは、水和アルミナまたは水酸化アルミニウムを酸性水溶液中にコロイド状に分散させたものである。水和アルミナとしては、ベーマイト、擬ベーマイト、ダイアスポア、ジブサイト、バイヤライト等が挙げられる。研磨用組成物に含有されるアルミナゾルとしては、特にベーマイト又は擬ベーマイトを酸性水溶液中に分散させて得られたものが好ましい。研磨用組成物中におけるアルミナゾルの含有量は、アルミナの固い沈殿を防止するという観点から、０．０５質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましく、０．５質量％以上が更に好ましい。一方、研磨用組成物中における各成分の水への分散・溶解性を確保するという観点から、その含有量は、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましい。
【００２２】
研磨用組成物の各成分を分散又は溶解させるための分散煤又は溶媒として、水を用いるのが好ましい。水としては、研磨用組成物中に含まれる他の成分が持つ機能を阻害しない純水や超純水、又は蒸留水等が好ましい。
【００２３】
研磨用組成物のｐＨは、導体の種類によって最適値は異なるが、導体層１３が銅からなる場合、銅に対する研磨促進効果が高いという観点から、７以上が好ましく、８．５以上がより好ましく、９以上が更に好ましい。一方、銅の表面に腐食を生じさせないという観点から、１２未満が好ましく、１１．５未満がより好ましく、１１未満が更に好ましい。
【００２４】
上記錯化剤はα−アミノ酸と、アンモニア及びアンモニウム塩から選ばれる少なくとも１種とを組み合わせて使用することもできるが、その場合における含有量は、上記ｐＨの範囲を考慮して設定することが好ましい。
【００２５】
図２に示すように、導体配線１４を形成する際に、本実施形態の研磨用組成物を用い、配線溝１２を除いた箇所の樹脂層１１が露出するまで導体層１３を研磨することにより、配線溝１２内に導体配線１４が形成される。このとき、アルミナにより研磨された導体が、錯化剤に捕捉されることで、導体層１３の研磨が促進される。こうして、導体層１３の研磨工程においては、導体層１３の研磨速度が高められる。次に、導体層１３の研磨に引き続いて、樹脂層１１の研磨が行われる。この場合、アルミナの機械的研磨作用が効果的に発揮されるため、樹脂層１１の研磨が促進されて、同樹脂層１１の研磨速度が高められる。このように、導体配線１４の形成工程では、本実施形態の研磨用組成物を用いることによって、導体層１３及び樹脂層１１の研磨速度が共に高められて、配線構造体の研磨効率を向上させることができる。
【００２６】
上記実施形態によれば以下のような効果を得ることができる。
・研磨用組成物は、アルミナ、錯化剤及び酸化剤を含有している。この場合、アルミナにより研磨された導体が、錯化剤により捕捉されることで、導体層１３の研磨を促進することができる。こうして、導体配線１４の形成工程において、導体層１３の研磨を促進すると共に、樹脂層１１の研磨を促進することもできる。つまり、本実施形態の研磨用組成物を用いれば、配線構造体の導体層１３及び樹脂層１１の研磨速度を共に高くすることが可能となる。
【００２７】
・研磨用組成物は、α−アミノ酸、アンモニア及びアンモニウム塩から選ばれる少なくとも一種を錯化剤として含有するのが好ましい。導体が銅からなる場合、α−アミノ酸、アンモニア及びアンモニウム塩から選ばれる少なくとも一種を用いることによって、効果的に導体層１３の研磨を促進することができる。
【００２８】
・研磨用組成物は、α−アミノ酸と、アンモニア及びアンモニウム塩から選ばれる少なくとも一種とを組み合わせたものを錯化剤として含有するのが好ましい。導体が銅からなる場合、α−アミノ酸と、アンモニア及び／又はアンモニウム塩の相乗効果によって、効率的に導体の捕捉がなされ、より効果的に導体層１３の研磨を促進することができる。
【００２９】
・研磨用組成物は、アルミナゾルを含有するのが好ましい。アルミナは、沈降性を有する微粒子であることから堅い沈殿が生じ易くなっている。しかし、仮に、アルミナが沈殿する場合であっても、アルミナゾルがアルミナを包み込む、又はアルミナの粒子間に介在することによって、アルミナを軟らかい沈殿（ソフトケーキング）にして保持することができるものと考えられる。このため、アルミナゾルによって、アルミナの再分散性を高く保つことができる。
【実施例】
【００３０】
次に、実施例及び比較例を挙げて実施形態をさらに具体的に説明する。
（実施例１〜２２及び比較例１〜８）
実施例１〜２２、比較例１〜８については、研磨材、錯化剤、酸化剤、アルミナゾル及び水を、表１に示されるように混合して研磨用組成物を調製した。次に、各研磨用組成物を用いて、銅のブランケットウェハ（電解めっき法により銅が成膜された８インチシリコンウエハ）、エポキシ樹脂のブランケットウェハ（スピンコートによりエポキシ樹脂（ＡＢＦ；味の素社製）が成膜された８インチシリコンウエハ）を下記の研磨条件で１分間研磨した。そして、下記に示す計算式に基づいて各ウェハに対する研磨速度を求めると共に、研磨用組成物の再分散性を下記に示す方法に基づいて評価した。それらの結果を表１に示す。
【００３１】
続いて、各研磨用組成物を用いて、銅、エポキシ樹脂のパターンウェハを下記の研磨条件で研磨した。パターンウェハは、エポキシ樹脂からなる下地層の表面に溝幅の異なる複数種の配線溝１２を形成し、各配線溝１２が完全に埋まるように銅被膜を形成することにより作製された。各配線溝１２の深さは２０μｍであり、溝幅はそれぞれ３００μｍ、５００μｍ、８５μｍである。そして、上記パターンウェハを下記の研磨条件で研磨し、配線溝１２以外の箇所のエポキシ樹脂が完全に露出するまでの研磨時間をクリア時間として求めた。又、各配線溝１２でのディッシング値を下記方法に基づいて求めると共に、研磨材の再分散性を下記に示す方法に基づいて評価した。それらの結果を表１に示す。
【００３２】
＜研磨条件＞研磨機：片面ＣＭＰ用研磨機（ＡＲＷ；ＭＡＴ社製）、研磨パッド：ポリウレタン製の積層研磨パッド（ＩＣ−１０００／Ｓｕｂａ４００；ロデール社製）、研磨圧力：２８ｋＰａ（＝約６ｐｓｉ）、定盤回転数：９０ｍｉｎ−１、研磨用組成物の供給速度：１４０ｍｌ／ｍｉｎ、ウェハを支持するキャリアの回転数：９５ｍｉｎ−１
＜研磨速度の計算式＞銅の研磨速度［μｍ／ｍｉｎ］＝（研磨加工前のブランケットウェハの厚み［μｍ］−研磨加工後のブランケットウェハの厚み［μｍ］）／研磨時間［ｍｉｎ］
尚、研磨加工前後のブランケットウェハの厚みはシート抵抗測定器（ＶＲ−１２０；国際電気システムサービス株式会社製）を用いて測定した。
【００３３】
エポキシ樹脂の研磨速度［μｍ／ｍｉｎ］＝（研磨加工前のエポキシ樹脂ブランケットウェハの重量［ｇ］−研磨加工後のエポキシ樹脂ブランケットウェハの重量［ｇ］）／エポキシ樹脂の比重［ｇ／ｃｍ３］／エポキシ樹脂ブランケットウェハの面積［ｃｍ２］／研磨時間［ｍｉｎ］
＜ディッシング値の測定方法＞パターンウェハの研磨後、各配線溝１２内に形成される導体配線１４に生じた段差をディッシング値として求めた。尚、段差は、接触式の表面測定装置であるプロフィラ（ＨＲＰ３４０；ケーエルエー・テンコール社製）を用いて測定した。
【００３４】
＜再分散性の評価方法＞各研磨用組成物をポリプロピレン製の容器に充填し、１０日間放置した後にポリ容器を振って、研磨材の分散状態を目視にて確認した。再分散性については、○、△、×の３段階で評価した。○は沈殿が発生しなかったか、或いはポリ容器を振って１分以内に沈殿が再分散した、△はポリ容器を１分〜１０分振った後に沈殿が再分散、×はポリ容器を１０分以上振っても沈殿が再分散しなかったことを示す。
【００３５】
【表１】
2005268666.tif 000002
表１の研磨材の欄において、Ａ１は平均粒子径１．３μｍのアルミナ、Ａ２は平均粒子径３．０μｍのアルミナ、Ａ３は平均粒子径５．５μｍのアルミナ、ＣＡは平均粒子径０．０５μｍのコロイダルアルミナ、ＦＡは平均粒子径０．２μｍのフュームドアルミナを示す。同様に、ＣＳ、ＦＳは、それぞれ、平均粒子径０．０７μｍのコロイダルシリカ、平均粒子径０．２μｍのフュームドシリカを示す。ここで示す平均粒子径は、Ａ１，Ａ２，Ａ３のアルミナについて、Coulter Multisizer（Beckman Coulter, Inc.社製）により電気抵抗法（コールター法）で測定された値を示す。又、コロイダルアルミナ、フュームドアルミナ、コロイダルシリカ及びフュームドシリカについては、N4 Plus Submicron Particle Sizer（Beckman Coulter, Inc.社製）によりレーザー光回折法で測定された値を示す。表１中の錯化剤１について、Ｇはグリシン、Ａはアラニンを示し、錯化剤２はアンモニアである。ディッシング値の欄において、Ｄｉｓｈｉｎｇ１，２，３は、それぞれ溝幅３００μｍ，５００μｍ，８５μｍの導体配線１４にて測定されたディッシング値を示す。尚、ディッシング値がプラスの場合は、導体配線１４の表面に凹状のディッシングが生じたことを示し、ディッシング値がマイナスの場合は、導体配線１４の表面に凸状のディッシングが生じたことを示している。
【００３６】
表１に示すように、実施例１〜２２より、銅の研磨速度について３．０μｍ／ｍｉｎ以上、エポキシ樹脂の研磨速度について２．０μｍ／ｍｉｎ以上の値を共に得ることができた。一方、比較例１〜８では、銅の研磨速度又はエポキシ樹脂の研磨速度のいずれかが上記値に満たなかったことが確認された。これは、比較例１，２では、アルミナの含有量が少ないため、比較例３〜８では研磨材、錯化剤、酸化剤のうち少なくも１つを含んでいないため、銅、エポキシ樹脂の研磨が十分に促進されなかったものと推定される。
【００３７】
クリア時間、ディッシング値共に良好な結果を得るには、実施例１〜３より、アルミナの含有量を１２〜１８質量％とするのが最も好ましく、実施例２，８，９より、α−アミノ酸の含有量を０．１質量％以上とするのが好ましいことが確認された。同じく、クリア時間、ディッシング値共に良好な結果を得るには、実施例２，１２，１３よりアンモニアの含有量を１〜３質量％とするのが最も好ましく、実施例１３，１４より錯化剤は、α−アミノ酸とアンモニアとの組み合わせが好ましく、実施例２，１５〜１８より過酸化水素の含有量を０．８〜２質量％とするのが最も好ましいことが確認された。又、実施例２，１１より、錯化剤としてグリシンを使用した場合、銅の研磨が促進されることが確認された。更に、実施例２，２０〜２２より、アルミナゾルの含有量を１質量％以上とすれば、アルミナの再分散性を高くできることが確認された。
【００３８】
なお、本実施形態は、次のように変更して具体化することも可能である。
・研磨用組成物はアルミナゾルを省略した構成であってもよい。
・研磨用組成物は、調製時には水の含有量が研磨工程に用いられるときよりも少なくすることにより水以外の成分が濃縮され、使用時には水が加えられて希釈されるように構成してもよい。この場合、研磨用組成物の管理を容易に行なうとともに輸送効率を向上させることができる。更に、酸化剤と他の成分とを別々に分けた状態で研磨用組成物を調製及び保管し、使用する直前に酸化剤を他の成分に加えても良い。この場合、研磨用組成物を長期間保管するときに、酸化剤の分解を抑制することができる。
【００３９】
・研磨用組成物は、従来の研磨用組成物が一般的に含有する公知の添加剤、例えば界面活性剤、増粘剤、乳化剤、防錆剤、防腐剤、防黴剤、消泡剤、ｐＨ調整剤等を含有してもよい。
【００４０】
・基板１０は、樹脂層１１と同一の材料で形成された樹脂基板であってもよい。
・例えばセラミックスや金属からなる基板の表面に樹脂層１１を積層してもよい。
さらに、実施形態より把握できる技術的思想について以下に記載する。
【００４１】
・アルミナの含有量を０．１〜５０質量％、α−アミノ酸の含有量を０．０１〜２０質量％、アンモニア及び／又はアンモニウム塩の含有量を０．１〜１０質量％、酸化物の含有量を０．０１〜１０質量％に設定した請求項４または５に記載の研磨用組成物。これにより、より高い導体層及び樹脂層の研磨速度を効率的に得ることができる。
【００４２】
・ｐＨが７以上である請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の研磨用組成物。これにより、導体層が銅からなる場合、銅に対する高い研磨促進効果を得ることができる。
・請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の研磨用組成物を用いて、基板と、基板上に形成され表面に配線溝を有する樹脂層と、配線溝内が埋まるように樹脂層上に形成される導体層とを備えた配線構造体の表面を研磨する研磨方法。これにより、配線構造体の製造効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本実施形態の研磨方法を模式的に示す要部拡大端面図。
【図２】同じく研磨方法を模式的に示す要部拡大端面図。
【符号の説明】
【００４４】
１０…基板、１１…樹脂層、１２…配線溝、１３…導体層。
【図１】
2005268666.tif 000003
【図２】
2005268666.tif 000004