(57)【要約】【課題】  発光効率の向上したフリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】  ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層、マルチオーム接触層及び反射層が順次に積層されており、マルチオーム接触層は、改質金属層／透明伝導性薄膜層を積層反復単位として少なくとも一組が反復積層されており、改質金属層は銀を含む発光素子。このようなフリップチップ型発光素子及びその製造方法によれば、ｐ型クラッド層とのオーム接触特性が改善されて、発光素子のパッケージング時にワイヤーボンディング効率を及び収率を高めることができ、低い比接触抵抗及び優秀な電流−電圧特性により素子の発光効率及び素子寿命を向上させうる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層との間に活性層を持ち、前記ｐ型クラッド層上に反射層が設けられたフリップチップ型窒化物系発光素子において、
前記ｐ型クラッド層と前記反射層との間に改質金属層および透明伝導性薄膜層からなる積層反復単位が少なくとも一回積層されたマルチオーム接触層を備え、
前記改質金属層は銀を含むことを特徴とするフリップチップ型窒化物系発光素子。
【請求項２】
前記透明伝導性薄膜層は、透明伝導性酸化物と透明伝導性窒化物とのいずれか一つで形成されてなることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子。
【請求項３】
前記透明伝導性薄膜層はチタン及び窒素を含有することを特徴とする請求項２に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子。
【請求項４】
前記透明伝導性酸化物は、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、カドミウム、マグネシウム、ベリリウム、銀、モリブデン、バナジウム、銅、イリジウム、ロジウム、ルテニウム、タングステン、コバルト、ニッケル、マンガン、アルミニウム、およびランタン系列元素のからなる群より選択される少なくとも一つ以上の成分と酸素とが結合されて形成されたものを含むことを特徴とする請求項２に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子。
【請求項５】
前記改質金属層は１ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子。
【請求項６】
前記反射層は銀、銀酸化物、アルミニウム、亜鉛、チタン、ロジウム、マグネシウム、パラジウム、及びルテニウムからなる群より選択される少なくとも一つ以上で形成されてなることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子。
【請求項７】
前記透明伝導性薄膜層は１０ｎｍないし１０００ｎｍの厚さを有し、前記反射層は１００ｎｍないし１０００ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子。
【請求項８】
ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層との間に活性層を持ち、前記ｐ型クラッド層上に反射層を持つフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法において、
基板上に前記ｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層が順次に積層された発光構造体の前記ｐ型クラッド層上に、改質金属層および透明伝導性薄膜層からなる積層反復単位を少なくとも一回積層してマルチオーム接触層を形成する段階と、
前記マルチオーム接触層上に反射層を形成する段階とを含み、
前記改質金属層は銀を含むことを特徴とするフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記透明伝導性薄膜層は、透明伝導性酸化物と透明伝導性窒化物とのいずれか一つで形成されることを特徴とする請求項８に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記透明伝導性薄膜層はチタン及び窒素を含有することを特徴とする請求項９に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記透明伝導性酸化物はインジウム、錫、亜鉛、ガリウム、カドミウム、マグネシウム、ベリリウム、銀、モリブデン、バナジウム、銅、イリジウム、ロジウム、ルテニウム、タングステン、コバルト、ニッケル、マンガン、アルミニウム、およびランタン系列元素からなる群より選択される少なくとも一つ以上の成分と酸素とが結合されて形成されたものを含むことを特徴とする請求項８に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記改質金属層は１ｎｍないし２０ｎｍの厚さに形成することを特徴とする請求項８に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記マルチオーム接触層の形成段階以後または前記反射層の形成段階以後に熱処理する段階をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記反射層は銀、銀酸化物、アルミニウム、亜鉛、チタン、ロジウム、マグネシウム、パラジウム、及びルテニウムからなる群より選択される少なくとも一つ以上で形成することを特徴とする請求項８に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法に係り、詳細には、発光効率を向上させうる電極構造を持つフリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物系化合物半導体、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）半導体を利用した発光ダイオードまたはレーザーダイオードのような発光素子を製造するためには、半導体と電極との間のオーム接触構造が非常に重要である。現在商業的に利用できるＧａＮ系発光素子は絶縁性サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板上に形成される。
【０００３】
このようなＧａＮ系発光素子は、トップエミット型発光素子（Ｔｏｐ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅｓ；ＴＬＥＤＳ）と、フリップチップ発光素子（Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅｓ：ＦＣＬＥＤＳ）とに分類される。
【０００４】
トップエミット型発光素子は、ｐ型クラッド層と接触しているオーム電極層を通じて光を発するように形成される。
【０００５】
トップエミット型発光素子は、ｐ型クラッド層のホール濃度が低いため、低い電流注入及び電流拡散のような劣悪な電気的特性を持つ。このような劣悪な電気的特性は、透明かつ低い面抵抗値を持つオーム接触電極開発を通じて克服できる。
【０００６】
このようなトップエミット型発光素子には、一般的にニッケルのような遷移金属を基本とする金属薄膜構造として酸化された半透明ニッケル／金の金属薄膜が広く利用されている。
【０００７】
このようなニッケル金属を基本とする金属薄膜は、酸素（Ｏ２）雰囲気で熱処理すると１０−３〜１０−４Ωｃｍ２程度の比接触抵抗を持つ半透明オーム接触層を形成することが報告されている。５００℃〜６００℃温度範囲で、酸素（Ｏ２）雰囲気で熱処理すると、ショットキー障壁の高さ（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ  Ｂａｒｒｉｅｒ  Ｈｅｉｇｈｔ：ＨＢＴ）が低くなり、その結果、ＧａＮ表面付近に複数のキャリアであるホールを容易に供給してＧａＮ表面付近での実効キャリア濃度を増加させ、低い比接触抵抗を実現できる。他方では、ニッケル／金をｐ型ＧａＮに接触させて熱処理すれば、Ｍｇ−Ｈ金属間の化合物を除去することができるというＧａＮ表面でマグネシウムドープ剤の濃度を増加させる再活性化過程を通じてｐ型ＧａＮの表面での実効キャリア濃度を１０１９以上にすることにより、ｐ型ＧａＮと電極層（酸化ニッケル）との間にトンネリング伝導を起こしてオーム伝導特性を示すことが理解されている。
【０００８】
ところが、ニッケル／金で形成される半透明電極薄膜を利用したトップエミット型発光ダイオードは、光利用効率が低くて大容量及び高輝度発光素子を具現し難い。
【０００９】
最近では、大容量の高輝度発光素子の実現のために高反射層素材として注目されている銀、銀酸化物（Ａｇ２Ｏ）またはアルミニウムなどを利用したフリップチップ方式の発光素子開発の必要性が強く望まれている。
【００１０】
しかし、それら金属は、高い反射効率を持っているために一時的に高い発光効率を提供できるが、小さな仕事関数値を持つ特性のために低抵抗値を持つオーム接触の形成が難しくて、素子寿命が短くかつＧａＮとの接着性が悪くて素子の安定的な信頼性を提供できないという問題点がある。
【００１１】
すなわち、アルミニウムを用いる場合には仕事関数値が低いために熱処理時にｐ型ＧａＮの界面にオーム接触ではないショットキー接触を形成する傾向があってほとんど利用できず、銀はアルミニウムとは違ってＧａＮとのオーム接触を形成するが、熱的な不安定性及びＧａＮとの機械的接着力の低さのために発光素子製作及び作動時信頼性を確保し難いという問題点がある。
【００１２】
このような問題を解決するために、低い比接触抵抗値を持ちつつも高い反射率を提供するオーム接触層の開発が活発に行われている。
【００１３】
Ｍｅｎｓｚ等のグループは、非特許文献１において２層構造としてニッケル／アルミニウム及びニッケル／銀構造を提案したが、この構造は、オーム接触形成が難しくて発光ダイオード作動時に高い作動電圧による多くの熱発生を引き起こすという問題点を持っている。
【００１４】
最近、Ｍｉｃｈａｅｌ  Ｒ．Ｋｒａｍｅｓ等のグループは、特許文献１をにおいてニッケル／銀及び金／酸化ニッケル（ＮｉＯｘ）／アルミニウム電極構造を研究開発したと報告した。ところが、この構造も接着性が落ち、乱反射によって発光効率が低下するという短所を持っている。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００２／０１７１０８７号明細書
【非特許文献１】ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  ｌｅｔｔｅｒｓ  ３３（２４）ｐ．２０６６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は前記のような問題点を改善するためになされたものであり、優れた接着性及び低い比接触抵抗を持つ電極構造のフリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法を提供するところにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明によるフリップチップ型窒化物系発光素子は、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層との間に活性層を持ち、前記ｐ型クラッド層上に反射層が設けられたフリップチップ型窒化物系発光素子において、前記ｐ型クラッド層と前記反射層との間に改質金属層および透明伝導性薄膜層を積層反復単位として少なくとも一回積層されたマルチオーム接触層を備え、前記改質金属層は銀を含む。
【００１７】
前記透明伝導性薄膜層は、透明伝導性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ：ＴＣＯ）と透明伝導性窒化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｎｉｔｒｉｄｅ：ＴＣＮ）のうちいずれか一つで形成され、前記透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）としては、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、カドミウム、マグネシウム、ベリリウム、銀、モリブデン、バナジウム、銅、イリジウム、ロジウム、ルテニウム、タングステン、コバルト、ニッケル、マンガン、アルミニウム、およびランタン系列元素の金属のうち少なくとも一つ以上の成分と酸素とが結合されて形成されたものが挙げられ、前記透明伝導性薄膜層はチタン及び窒素を含有することが好ましい。
【００１８】
望ましくは、改質金属層は１ｎｍないし２０ｎｍの厚さに形成される。
【００１９】
また、前記反射層は銀、銀酸化物、アルミニウム、亜鉛、チタン、ロジウム、マグネシウム、パラジウム、及びルテニウムからなる群より選択される少なくとも一つ以上の元素で形成される。
【００２０】
前記透明伝導性薄膜層は１０ｎｍないし１０００ｎｍに形成され、前記反射層は１００ｎｍないし１０００ｎｍに形成されることが望ましい。
【００２１】
また、本発明によるフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法は、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層との間に活性層を持ち、前記ｐ型クラッド層上に反射層を持つフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法において、基板上に前記ｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層が順次に積層された発光構造体の前記ｐ型クラッド層上に、改質金属層／透明伝導性薄膜層を積層反復単位として少なくとも一組以上を積層してマルチオーム接触層を形成する段階と、前記マルチオーム接触層上に反射層を形成する段階と、を含み、前記改質金属層は銀を含む。
【００２２】
望ましくは、前記マルチオーム接触層の形成段階以後または前記反射層の形成段階以後に熱処理する段階をさらに含む。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によるフリップチップ型発光素子及びその製造方法によれば、ｐ型クラッド層とのオーム接触特性が改善されて、発光素子のパッケージング時にワイヤーボンディング効率及び収率を高めることができ、低い比接触抵抗及び優秀な電流−電圧特性により素子の発光効率及び素子寿命を向上させうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましいフリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法をさらに詳細に説明する。
【００２５】
図１は、本発明の第１実施例によるフリップチップ型発光素子を示す断面図である。
【００２６】
図面を参照すれば、フリップチップ型発光素子は、基板１１０、バッファ層１２０、ｎ型クラッド層１３０、活性層１４０、ｐ型クラッド層１５０、マルチオーム接触層１６０及び反射層１７０が順次に積層された構造からなっている。参照符号１８０はｐ型電極パッドであり、１９０はｎ型電極パッドである。
【００２７】
マルチオーム接触層１６０は、改質金属層１６０ａと透明伝導性薄膜層１６０ｂとが順次に積層されたものからなる。
【００２８】
ここで、基板１１０からｐ型クラッド層１５０までが発光構造体に該当し、ｐ型クラッド層１５０上に積層されたマルチオーム接触層１６０と反射層１７０とがｐ型電極構造体に該当する。
【００２９】
基板１１０は、サファイア、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）、およびガリウムヒ素（ＧａＡｓ）からなる群より選択されるいずれか一つで形成されたことが望ましい。
【００３０】
本発明の発光素子では、バッファ層１２０は含んでいてもよいし、含まなくてもよい。
【００３１】
バッファ層１２０からｐ型クラッド層１５０までの各層は、ＩＩＩ族窒化物系化合物のＡｌｘＩｎｙＧａｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）で示される化合物を基本として形成され、ｎ型クラッド層１３０及びｐ型クラッド層１５０にはドープ剤が添加される。
【００３２】
また、活性層１４０は単層またはＭＱＷ（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）層など公知の多様な構造に構成できる。
【００３３】
一例として、ＧａＮ系化合物を適用する場合、バッファ層１２０はＧａＮで形成され、ｎ型クラッド層１３０は、ＧａＮにｎ型ドープ剤としてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、またはＴｅなどが添加されて形成され、活性層はＩｎＧａＮ／ＧａＮのＭＱＷまたはＡｌＧａＮ／ＧａＮのＭＱＷで形成され、ｐ型クラッド層１５０は、ＧａＮにＰ型ドープ剤としてＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、またはＢａなどが添加されて形成される。
【００３４】
ｎ型クラッド層１３０とｎ型電極パッド１９０との間には、ｎ型オーム接触層（図示せず）が介在し、ｎ型オーム接触層は、チタンとアルミニウムとが順次に積層された層構造など公知の多様な構造が適用される。
【００３５】
ｐ型電極パッド１８０は、ニッケル／金または銀／金が順次に積層された層構造が適用できる。
【００３６】
各層の形成方法は電子ビーム蒸着器、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＬＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、二重型の熱蒸着器、スパッタなど公知の蒸着方式により形成することができる。
【００３７】
マルチオーム接触層１６０は、望ましくはｐ型クラッド層１５０の実効キャリア濃度を高めることができ、ｐ型クラッド層１５０をなしている化合物のうち窒素以外の成分と反応性の良い物質が適用される。例えば、ＧａＮ系化合物がｐ型クラッド層として適用される場合、マルチオーム接触層１６０には、窒素よりもガリウムに対して優先的に反応する物質が適用される。
【００３８】
この場合、一例として、ＧａＮを主成分とするｐ型クラッド層１５０の場合、前述の特性を持つマルチオーム接触層１６０によるｐ型クラッド層１５０のガリウムとマルチオーム接触層１６０との反応により、ｐ型クラッド層１５０の表面にはガリウム空孔が形成される。ｐ型クラッド層１５０に形成されるガリウム空孔はｐ型ドープ剤として作用するので、ｐ型クラッド層１５０とマルチオーム接触層１６０との反応により、ｐ型クラッド層１５０の表面の実効ｐ型キャリア濃度が増加する。
【００３９】
また、マルチオーム接触層１６０には、工程上ｐ型クラッド層１５０の表面に残留してしまい界面でキャリアの流れに対する障害物となる自然酸化層であるガリウム酸化物（Ｇａ２Ｏ３）を還元してショットキー障壁の高さ及び幅を減らしうる物質が適用される。前記のｐ型ＧａＮ表面でのガリウム空孔の形成、自然酸化層の還元機能及び透明な伝導性酸化層の形成により、ＧａＮ系半導体と接触金属電極との界面でトンネリング伝導現象を発生させうる。
【００４０】
このような条件を満たしうるマルチオーム接触層１６０は、ｐ型クラッド層１５０上に形成された改質金属層１６０ａ及び改質金属層１６０ａ上に形成された透明伝導性薄膜層１６０ｂを反復単位として少なくとも一組有し、改質金属層１６０ａ及び透明伝導性薄膜層１６０ｂの反復数は、適宜決定することができる。
【００４１】
改質金属層１６０ａには、高い導電性を持ちつつ６００℃以下の温度と酸素雰囲気での熱処理時に容易に伝導性ナノ相粒子に分解され、容易に酸化されない物質が適用される。
【００４２】
このような条件を備えた改質金属層１６０ａ用素材には銀が適用される。
【００４３】
望ましくは、改質金属層１６０ａは銀単独で形成される。また他には、改質金属層１６０ａは銀を含む合金または固溶体で形成できる。
【００４４】
また、マルチオーム接触層１６０を形成している改質金属層１６０ａの厚さは、熱処理時に容易に伝導性ナノ相粒子に分解できる厚さである１ｎｍないし２０ｎｍ以内に形成することが望ましい。
【００４５】
透明伝導性薄膜層１６０ｂには、透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）または透明伝導性窒化物（ＴＣＮ）のうちいずれか一つが適用される。
【００４６】
透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）は、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、カドミウム（Ｃｄ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、銀、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、銅（Ｃｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ランタン（Ｌａ）元素系列などの金属のうち少なくとも一つ以上の成分と酸素とで形成される透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）が適用される。
【００４７】
透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）用素材は特に限定されないが、仕事関数値及び面抵抗値を優先的に考慮して選択することができ、透明伝導性窒化物（ＴＣＮ）は低い面抵抗値及び高い光の透過率を持つチタンと窒素とで形成された透明伝導性窒化物（ＴＣＮ）が適用されることが望ましい。
【００４８】
また、透明伝導性薄膜層１６０ｂに適用される透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）及び透明伝導性窒化物（ＴＣＮ）は、前記主成分に対して電気的特性を向上させるために、元素周期律表上の金属成分のうち少なくとも一つ以上の元素をドープ剤として添加できる。
【００４９】
ここで、透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）及び透明伝導性窒化物（ＴＣＮ）に適切な電気的特性を持たせるために添加されるドープ剤の添加比率は０．００１ないし２０質量％の範囲内で適用されることが望ましい。ここで、質量％は添加される元素の質量比率をいう。
【００５０】
また、透明伝導性薄膜層１６０ｂの厚さは、適切な光の透過率及び導電性を示すために１０ｎｍないし１０００ｎｍの厚さに形成されることが望ましい。
【００５１】
このようなマルチオーム接触層１６０は、電子ビーム蒸着器、熱蒸着器、スパッタ蒸着器、レーザー蒸着器のうちいずれか一つで形成することが望ましい。
【００５２】
また、マルチオーム接触層１６０を形成するために適用される蒸着温度は２０℃ないし１５００℃範囲内であり、蒸着器内の圧力は大気圧ないし１０−１２ｔｏｒｒ程度であることが好ましい。
【００５３】
また、マルチオーム接触層１６０を形成した後には熱処理過程を経ることが望ましい。
【００５４】
熱処理は、反応器内の温度を１００℃〜８００℃で真空またはガス雰囲気で１０秒ないし３時間程度行うことが好ましい。
【００５５】
熱処理時に反応器内に投入されるガスは、窒素、アルゴン、ヘリウム、酸素、水素、および空気のうち少なくとも一つ以上の気体が適用される。
【００５６】
このような構造のマルチオーム接触層１６０は、前述したような適正な雰囲気及び温度で熱処理を行えば、高い光の透過率（波長４００ｎｍの光において９０％）及び低い面抵抗値（１０Ω／ｃｍ２以下）を持つ透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）になると同時に、ｐ型ＧａＮの上部に存在する自然酸化層であうガリウム酸化物（Ｇａ２Ｏ３）を還元させてショットキー障壁の幅を減少させる。したがって、オーム接触形成に有利なトンネリング効果を誘発して電気的特性を向上させ、１００％に近い光の透過率を持つ。
【００５７】
反射層１７０は、光の反射率の高い素材、例えば、銀、銀酸化物（Ａｇ２Ｏ）、アルミニウム、亜鉛、チタン、ロジウム、マグネシウム、パラジウム、ルテニウムなどの金属元素のうち少なくとも一つ以上で形成される。
【００５８】
本発明の一側面によれば、反射層１７０は銀にアルミニウムが約５質量％含まれた合金で形成する。このような銀−アルミニウム合金は、銀のみで形成すると生じるおそれのある悪い接着性及び熱的不安定性を改善させて優秀な接触性及び耐久性を提供することができるため好ましい。
【００５９】
望ましくは、反射層１７０は、１００ｎｍ以上の厚さを持つ膜とすることが望ましい。
【００６０】
さらに望ましくは、反射層１７０は１００ｎｍないし１０００ｎｍの厚さに形成する。
【００６１】
反射層１７０も前述された蒸着方式により形成すればよい。
【００６２】
望ましくは、マルチオーム接触層１６０及び反射層１７０を、連続的な蒸着工程を行った以後に共に前述された方法で熱処理することが望ましい。
【００６３】
このような構造のオーム接触電極は、２００℃以上の温度で発生する表面劣化現象を防止し、酸化に安定的でかつ高い反射率を元来通り持つことができて高効率の発光素子を具現できる。
【００６４】
一方、図示された例では、ｐ型クラッド層１５０と反射層１７０との間に改質金属層１６０ａ／透明伝導性薄膜層１６０ｂのみよりなる構造が適用されたが、ｐ型クラッド層１５０と反射層１７０との間に改質金属層１６０ａ及び透明伝導性薄膜層１６０ｂを反復的に積層した構造を適用できる。
【００６５】
以下では、ＧａＮを主成分とした発光素子の製造過程の一例を図２を参照して説明する。
【００６６】
まず、基板１１０上にｎ型ＧａＮを成長させてｎ型クラッド層１３０を形成する（段階２１０）。
【００６７】
次いで、ｎ型クラッド層１３０上に活性層１４０を成長させ（段階２２０）、その上にｐ型ＧａＮを成長させてｐ型クラッド層１５０を形成する（段階２３０）。
【００６８】
以後、ｎ型電極パッド１９０を設置するための空間を確保するために、一部をエッチングしてＭＥＳＡ構造に製作する（段階２４０）。
【００６９】
次いで、ｐ型クラッド層１５０上にマルチオーム接触層１６０と反射層１７０とを連続工程で蒸着し（段階２５０及び段階２６０）、前述された熱処理条件で熱処理を行う（段階２７０）。
【００７０】
これとは違って、前記図示された図面と同一工程については同一参照符号を表記した図３に図示されたように、マルチオーム接触層１６０を形成した後（段階２５０）、前記の条件で１次熱処理を行い（段階３６０）、反射層１７０を蒸着した後に２次熱処理を行ってもかまわない（段階３８０）。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の望ましい実施例によるマルチオーム接触層が適用された発光素子を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例による発光素子の製造工程を示すフローチャートである。
【図３】本発明のさらに他の実施例による発光素子の製造工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７２】
１１０    基板、
１２０    バッファ層、
１３０    ｎ型クラッド層、
１４０    活性層、
１５０    ｐ型クラッド層、
１６０    マルチオーム接触層、
１６０ａ    改質金属層、
１６０ｂ    透明伝導性薄膜層、
１７０    反射層、
１８０    ｐ型電極パッド、
１９０    ｎ型電極パッド。
【図１】
2005184006.tif 000003
【図２】
2005184006.tif 000004
【図３】
2005184006.tif 000005