(57)【要約】【課題】リフトオフ法における単層でのレジストパターンを用いて、高アスペクト比の膜パターンが形成可能なリフトオフ用剥離装置により、製造コストを抑えた電子部品を提供する。【解決手段】リフトオフ用剥離装置５０は、剥離液槽１と、剥離液槽１の底部に超音波発生装置２と、処理する基板１０を保持する保持部材３とを備える。保持部材３は、基板１０を回転および上下に揺動させる駆動装置４に接続されている。また、保持部材３は、基板１０の傷等の発生を防止するために、基板１０の端面部を保持する。更に、基板１０は、剥離液槽１の底部設置された超音波発生装置２と対面するように保持部材３により保持される。【選択図】  図１
2005079460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを含む前記基板上に薄膜を形成し、前記薄膜が形成された前記基板を剥離液に浸漬し、前記レジストパターンおよび前記レジストパターン上の不要な薄膜を前記基板から剥離することにより所望する薄膜パターンを前記基板上に形成するリフトオフ法で用いる剥離装置であって、
剥離液を満たす槽と、前記槽の底部に設けられた超音波発生装置と、前記基板の前記薄膜形成面を前記剥離液中で前記槽の底部方向に向けるように前記基板の端部を保持する保持部材とを備え、前記保持部材は、前記基板を回転および上下に揺動する駆動装置を備えることを特徴とするリフトオフ用剥離装置。
【請求項２】
前記槽は、剥離液循環濾過機能を備え、前期剥離液循環濾過機能により循環された剥離液は、前記基板の近傍に前記基板の薄膜形成面と平行に吐出されることを特徴とする、前記請求項１に記載のリフトオフ用剥離用装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に形成されたレジストパターンおよびレジストパターン上の不要な膜を剥離することにより、所望の膜パターンを基板上に形成するリフトオフ法で用いる剥離装置に関し、特に単層からなるレジストパターンにより、高アスペクト比の膜パターンを基板上に形成するリフトオフ用剥離装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子部品等の基板上に電極膜パターンを形成する形成方法として、リフトオフ法が広く用いられている。リフトオフ法では、基板上に所望する電極膜パターンに対応する開口部を有するレジストパターンを形成し、該レジストパターンを含む基板上に真空蒸着法等を用いて所望する金属膜等を形成する。
その後、金属膜等が形成された基板を剥離液に浸漬し、基板上のレジストパターンおよびレジストパターン上の不要な金属膜等を剥離し、基板上に所望の金属膜パターンを形成する方法である。
基板上に所望の金属膜パターンを形成するために、レジストパターンは、所望する金属膜パターンに対応する開口部の断面を逆テーパー形状に形成する。レジストパターンの開口部の断面を逆テーパー形状とすることにより、レジストパターンを含む基板上に形成された金属膜において、基板上に形成された金属膜とレジストパターン上に形成された金属膜とを不連続な状態とする。これは、この不連続な状態とすることで、基板上に形成された金属膜に影響を及ぼすことなく、レジストパターン上の不要な金属膜を剥離するためである。
一方、形成する金属膜の膜厚が増加すると、それに対応するようにレジストパターンの膜厚を増加させる必要が生じる。しかし、膜厚の増加したレジストパターンにおいて、開口部の断面の逆テーパー形状を維持することは困難となる。よって、基板上に形成された金属膜とレジストパターン上に形成された不要な金属膜とを不連続な状態とすることが困難となるため、基板上に形成された金属膜に影響を及ぼすことなく、レジストパターン上の不要な金属膜を容易に剥離することが困難であるとの課題を有することになる。
そこで、このような課題を解決するために、次のようなリフトオフ法が提案されている。この方法によれば、基板上に二層のレジストパターンを形成する。上層のレジスト層のパターンエッジを下層のレジスト層のパターンエッジに対し、オーバーハング形状とする。次に、レジストパターンを含む基板上に膜を成膜し、レジストパターンとレジストパターン上の不要な膜とを剥離することで、基板上に所望する膜パターンを形成するリフトオフ法である（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平６−１５１３５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記に説明した従来技術による膜パターンを形成するリフトオフ法には、以下の問題が存在する。
特許文献１においては、先ず、基板上に第一のレジストを塗布し、露光することで第一のレジスト層を形成する。次に、第一のレジスト層上に第二のレジストを塗布し、露光することにより第二のレジスト層を形成する。この際、第二のレジスト層は、第一のレジスト層に形成された開口部に対し、オーバーハング形状となる開口部を有するように形成される。これらのレジストパターンの形成は、所定の膜厚のレジストを塗布後に、それぞれの所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光し、現像することより形成される。そのため、所望する膜パターンを形成するためには、多くのプロセスを有し、また複数のフォトリソマスクを要するとの課題を有していた。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記問題を解決すべく本発明のリフトオフ用剥離用装置は、基板上にレジストパターンを形成し、レジストパターンを含む基板上に薄膜を形成し、薄膜が形成された基板を剥離液に浸漬し、レジストパターンおよびレジストパターン上の不要な薄膜を基板から剥離することにより所望する薄膜パターンを基板上に形成するリフトオフ用剥離用装置であって、剥離液を満たす槽と、槽の底部に設けられた超音波発生装置と、基板の薄膜形成面を槽の底部方向に向けるように基板の端部を保持する保持部材とを備え、保持部材は、基板を回転および上下に揺動する駆動装置を備えることを特徴とするリフトオフ用剥離用装置である。
また、槽は、剥離液循環濾過機能を備え、剥離液循環濾過機能により循環された剥離液は、基板の近傍に水平方向に吐出されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００５】
以上のようなリフトオフ用剥離装置によれば、基板上に形成されたレジストパターンおよびレジストパターン上の不要な薄膜を基板から容易に剥離することが可能となる。
【０００６】
よって、電子部品等において、リフトオフ法における単層でのレジストパターンを用いて、基板上に高アスペクト比の薄膜パターンを形成することが可能となり、その結果、製造コストを抑えた、信頼性の高い電子部品を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
【実施例１】
【０００８】
以下、本発明の実施例について添付図に基いて詳細に説明する。
図１は、本発明のリフトオフ用剥離装置の概略構造の断面図を示す。
図１において、リフトオフ用剥離装置５０は、剥離液槽１と、剥離液槽１の底部に超音波発生装置２と、処理する基板１０を保持する保持部材３とを備える。
保持部材３は、基板１０を回転および上下に揺動させる駆動装置４に接続されている。また、保持部材３は、基板１０の傷等の発生を防止するために、基板１０の端面部を保持する構造とすることが好ましい。更に、基板１０は、剥離液槽１の底部に設置された超音波発生装置２と対面するように保持部材３により保持される。
また、リフトオフ用剥離装置５０は、外槽５を備える。外槽５は、供給される剥離液の新液および剥離液槽１から溢れた剥離液を、循環濾過配管６を経由し、剥離液層１に戻す構造を有する。また、循環濾過配管６は、フィルタ７およびフィルタ８を備える。フィルタ７に１０μｍメッシュ、フィルタ８に１μｍメッシュのフィルタが設置される。更に、循環濾過配管６は、循環用ポンプ９を備える。
剥離液は、外槽５から循環用ポンプ９によりフィルタ７およびフィルタ８を経由して剥離液層１へと循環される。また、剥離液層１への供給口は、処理される基板１０の近傍に前記基板１０の処理面と平行に剥離液が吐出されるように設置されている。また、ポンプ能力および配管径等については、剥離液層１および外槽５より最適なサイズが設置されるが、剥離液層１への剥離液の導入時に、剥離液に循環流が生じるサイズが設定される。
上記に示した本発明におけるリフトオフ用剥離装置５０を用いたリフトオフ法の詳細を図２に示す概略製造プロセスを用いて説明する。ここでは、ライン＆スペースが２μｍの膜パターンを形成するものとして説明する。
先ず、基板１０の上面に所定の膜厚のレジストをスピンコータ等により塗布する。塗布するレジストの膜厚は、その後形成する薄膜の膜厚によって決定されるが、ここでは、５μｍとした。次に、所定のパターンが形成されたフォトリソマスクを介してレジストを露光し、現像処理することでレジストパターン１１が形成される（図２（ａ））。レジストパターン１１は、リフトオフ法を考慮し、その開口部の断面を逆テーパー形状とすることが好ましい。この逆テーパー形状は、レジストパターン１１のレジスト上部幅寸法をａ、レジスト下部幅寸法をｂとした時、（ａ−ｂ）／２がａ／１０より小さくても構わない。
次に、図２（ｂ）に示すようにレジストパターン１１を含む基板１０上に薄膜１２を形成する。薄膜１２の膜厚は、４μｍとした。また、薄膜１２は、特に材料を限定するものではなく、所望の機能にあった材料が選択されれば良い。
次に、図１に示したリフトオフ用剥離装置５０を用いて、レジストパターン１１およびレジストパターン１１上の不要な薄膜を剥離する。この際、基板１０は、剥離液槽の底部に設置された超音波発生装置と対面するように保持部材により保持される。また、基板１０は、保持部材により、剥離液中を回転し、更に上下に揺動される。これらにより、剥離液は、レジストパターン１１と薄膜１２との間に容易に進入することが可能となり、レジストパターン１１の剥離が効率良くなされる。また、基板１０の処理面が、超音波発生装置と対向していることから、超音波のエネルギーが有効に作用する。また、保持部材により、剥離液中を回転し、更に上下に揺動されることにより、レジストパターン１１上の不要な膜と剥離液との間に生じるエネルギーが不要な薄膜の剥離に有効に働く。更に、剥離液層への供給口が、処理される基板１０の近傍に基板１０の薄膜形成面と平行に剥離液が吐出されることから、剥離液に生じる循環流がその処理面に有効に働く。これらにより、図２（ｃ）に示すように、容易にレジストパターン１１およびレジストパターン１１上の不要な薄膜の剥離が容易になされ、アスペクト比の高い薄膜パターン１３がリフトオフ法により形成される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明のリフトオフ用剥離装置の一実施例における概略断面図である。（実施例１）
【図２】本発明のリフトオフ法の一実施例における概略プロセスフローである。（実施例１）
【符号の説明】
【００１０】
１    剥離液槽
２    超音波発生装置
３    保持部材
４    駆動装置
５    外槽
６    循環濾過配管
７、８    フィルタ
９    循環用ポンプ
１０    基板
１１    レジストパターン
１２    薄膜
１３    薄膜パターン
５０    リフトオフ用剥離装置
【図１】
2005079460.tif 000003
【図２】
2005079460.tif 000004