(57)【要約】【課題】反応容器内における電力分布の均一性を高め、形成される堆積膜の品質をより均一にし、優れた品質の堆積膜を生産性良く形成することを可能とするプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】反応容器内に設置された基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、高周波電力を複数の高周波電力伝送部へと分割する電力分割部、複数の高周波電力伝送部各々と接続される複数の高周波電極、電力分割部及び複数の高周波電力伝送部を内包し導電性部材で形成される電力分割容器を備え、反応容器は少なくとも一部が導電性部材で形成され、反応容器の導電性部材の少なくとも一部は電力分割容器の一部を形成し、電力分割容器内には導電性部材で形成されるシールド部材が設置され、シールド部材は、電力分割部及び複数の高周波電力伝送部と、電力分割容器の一部を形成する反応容器の導電性部分との間に設置する。【選択図】  図１
2005298873.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応容器内に設置された基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、整合回路、前記整合回路を介した後の高周波電力を複数の高周波電力伝送部へと分割する電力分割部、前記複数の高周波電力伝送部各々と接続される複数の高周波電極、前記電力分割部及び前記複数の高周波電力伝送部を内包し、導電性部材で形成される電力分割容器を備え、前記反応容器は少なくとも一部が導電性部材で形成され、前記電力分割部及び前記複数の高周波電力伝送部と、前記電力分割容器の一部を形成する前記反応容器の導電性部分との間に導電性部材で形成されたシールド部材が設置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記反応容器の少なくとも一部が誘電体部材で構成され、前記高周波電極が反応容器の外に設置されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記高周波電力の周波数が５０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波電力を供給可能である高周波電源を備えることを特徴とした、請求項１または２のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記高周波電源は、互いに異なる周波数の高周波電力を供給可能である複数の高周波電源を備え、複数の互いに異なる周波数の高周波電力を重畳する電力重畳部が、前記整合回路と前記電力分割部の間に設置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記電力分割容器の一部を形成する前記反応容器の導電性部分は、前記基体の堆積膜形成面と平行でないことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記基体が円筒状であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記プラズマ処理装置が電子写真用感光体の堆積膜形成に用いられることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反応容器内に設置された基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
堆積膜形成方法の一つとして放電エネルギーを利用するプラズマＣＶＤ法があり、この方法により形成される非晶質薄膜（例えば水素又は／及びハロゲンによって補償されたアモルファスシリコン）は電子写真用感光体、半導体デバイス、ＴＦＴ等の半導体素子への応用が提案され、その中のいくつかは実用に至っている。特に１３．５６ＭＨｚのＲＦ帯の高周波電力を用いたプラズマＣＶＤ法は基板材料、堆積膜材料等が導電体、絶縁体に関わらず処理でき、又、その取り扱いが比較的容易であるため広く用いられている。又、近年においては、ＶＨＦ帯の高周波電力を用いたプラズマＣＶＤ法が注目を浴びており、これを用いた各種堆積膜形成方法の開発も積極的に進められている。これは、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法では膜堆積速度が速く、また高品質な堆積膜が得られるため、製品の低コスト化、高品質化を同時に達成し得るものと期待されるためである（例えば、特許文献１参照）。又、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法における生産性をより高めるために、複数の電極を用いて複数の基体上に同時に堆積膜を形成する技術の開発も積極的に進められている。その結果、複数の電極への均一な電力分割を実現することによって、複数基体を均一に処理することが可能となってきており、より高い生産性が実現されてきている（例えば、特許文献２参照）。
【０００３】
図３Ａに従来のＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用感光体の製造装置の代表例を示す模式的な構成図を示す。図３Ａは製造装置を横からみた概略断面図であり、図３Ｂは図３Ａの切断線Ｘ−Ｘ’に沿う真上から見た概略断面図である。
【０００４】
図３に示した製造装置を使用した場合の電子写真用感光体の製造方法の一例を以下に示す。
【０００５】
高周波電源１１３より出力された高周波電力は、整合回路１１４を介した後、導電性部材で構成される電力分割容器１１５内に導入される。次に、電力分割容器１１５内に導入された高周波電力は、電力分割容器１１５内に設置された電力分割部１１６によって複数の高周波電力伝送部１１７へと分割された後、高周波電極１０９を介して反応容器１０１内に導入される。原料ガスは原料ガス導入手段１０３より反応容器１０１内に導入されプラズマによって分解され、基体１０２上に堆積膜が形成される。
【０００６】
このような製造装置を使用することにより、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によって、速い堆積膜形成速度でも高品質な堆積膜が得ることができ、さらには、複数の基体を同時に均一処理することが可能となり、製品の低コスト化、高品質化を実現することができる。
【特許文献１】特開平０６−２８７７６０号公報（第１７頁、第１図）
【特許文献２】特開２００１−３１６８２９号公報（第１７頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記した製造装置では形成される堆積膜の品質を向上する上で更なる工夫の余地が存在する。その一つとして、反応容器内でのプラズマの分布が不均一となり、基体に形成される堆積膜に品質のむらが生じる場合があることが挙げられる。
【０００８】
図３に示した装置においては、高周波電極１０９と基体１０２を略並行に設置することによって、反応容器１０１内における、基体１０２軸方向のプラズマ分布を極力均一化にするようにしている。又、反応容器１０１の一部である上蓋１０７を導電性部材で構成することにより、電力分割部１１６や高周波電力伝送部１１７から直接反応容器１０１内へと高周波電力が導入されることを防止し、反応容器１０１内の基体１０２軸方向のプラズマ分布を極力均一化にするようにしている。
【０００９】
しかしながら、このような装置でＶＨＦ帯の高周波電力を使用して堆積膜形成を行うと、基体に形成される堆積膜の品質において、十分な均一性が得られない場合がある。
【００１０】
その理由は定かではないが、以下のように推察している。ＶＨＦ帯の高周波電力を使用する場合においては、高周波電力が反応容器の導電性部分に伝播してしまう場合がある。それは、たとえ当該導電性部分が接地されていても起こりうる場合がある。そして、そのようにして高周波電力が伝播した反応容器の導電性部分はあたかも高周波電極のような働きを持つため、本来の高周波電極以外の部分からも反応容器内に高周波電力が導入される場合がある。その結果、反応容器内のプラズマの分布が不均一になり、基体に形成される堆積膜に品質むらが生じてしまう場合があるのである。
【００１１】
例えば、図３に示した製造装置においては、上蓋１０７に高周波電力が伝播してしまい、上蓋１０７を通じて反応容器１０１内に高周波電力が導入される場合がある。その結果、反応容器１０１上部のプラズマが強くなってしまい、形成される堆積膜の基体軸方向に品質のむらが生じてしまう場合がある。
【００１２】
このような問題に対して、高周波電力が伝送部以外の導電性部材に極力伝播しないようにするためには、例えば図４に示す様な製造装置が考えられる。図４に示した製造装置においては、図３に示した装置と同様に、導電性部材で構成された電力分割容器１１５内に電力分割部１１６が設置され、複数の高周波電力伝送部１１７へと高周波電力を分割する構成となっている。図３と異なる点は、高周波電力伝送部１１７が電力分割容器１１５の外部に設置された同軸ケーブル４１９へ接続され、その後高周波電極１０９へと接続されている部分である。
【００１３】
本発明者らは、図４に示した装置を用いて検討を行った結果、基体軸方向におけるプラズマの均一性は改善され、基体に形成される堆積膜の品質むらも大幅に改善されることがわかった。しかしながら、図４に示した装置を使用した場合、異なる基体間の堆積膜の品質にむらが生じる場合があるという弊害も同時に発生する場合があることも確認された。その原因は現段階では定かではないが、図４に示した装置においては、電力分岐後の伝送部を個別にシールドするために、それぞれの伝送部のインピーダンスがわずかながらでもばらつき、そのため電力を均一に分割することが容易ではない場合があり、その結果、反応容器の水平方向でのプラズマの分布にむらが生じてしまうのではないかと考えている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
このような問題に対して、本発明者らは鋭意検討を行った結果、高周波電力伝送部のシールドの構成を最適化することによって、反応容器内のプラズマ分布の均一性を高めることを実現し、本発明を完成させるに至った。
【００１５】
即ち、本発明のプラズマ処理装置は、反応容器内に設置された基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、整合回路、前記整合回路を介した後の高周波電力を複数の高周波電力伝送部へと分割する電力分割部、前記複数の高周波電力伝送部各々と接続される複数の高周波電極、前記電力分割部及び前記複数の高周波電力伝送部を内包し、導電性部材で形成される電力分割容器を備え、前記反応容器は少なくとも一部が導電性部材で形成され、前記電力分割部及び前記複数の高周波電力伝送部と、前記電力分割容器の一部を形成する前記反応容器の導電性部分との間に導電性部材で形成されるシールド部材が設置されていることを特徴としている。
【００１６】
このような本発明の効果について、以下詳述する。
【００１７】
図１に本発明で使用される電子写真用感光体の製造装置の模式図の一例を示す。図１に示した装置においては、電力分割部１１６及び電力分割後の高周波電力伝送部１１７の形態は図３に示した装置と同様である。図３に示した装置と異なる点は、電力分割容器１１５内に新たにシールド部材１１９が設置される部分である。そして、前述したシールド部材１１９は、電力分割部１１６及び高周波電力伝送部１１７と、反応容器の導電性部分である上蓋１０７との間に上蓋１０７全体を覆うように設置されている。
【００１８】
これにより、反応容器内の基体軸方向におけるプラズマ分布のむらは解消され、基体に形成される堆積膜の品質むらは大幅に改善される。その原因は定かではないが、電力分割部１１６及び高周波電力伝送部１１７と、上蓋１０７の間にシールド部材１１９を設置することにより、高周波電力が上蓋１０７に伝播することが防止され、高周波電極１０９以外の部材から反応容器１０１内に高周波電力が導入されるといった弊害が防止されたからではないかと推察している。
【００１９】
又、図１に示した装置を使用した場合においては、図４に示した装置を使用した場合と比較して、異なる基体間の品質むらも大幅に低減することができることも併せて確認できた。その原因は定かではないが、高周波電力分割後の複数の高周波電力伝送部１１７を個別にシールドしないことが、より高い精度での電力の均一分割を可能にしているのではないかと推察している。
【００２０】
又、本発明における反応容器の導電性部分とは、即ち、反応容器を構成する導電性部分における、プラズマに直接さらされる部分を指す。例えば、図２は、図１におけるの上蓋１０７近傍の拡大図であるが、図２における反応容器を構成する導電性部分とは、図中斜線部で示した部分である。
【００２１】
又、本発明においては、前記反応容器の少なくとも一部が誘電体部材で構成され、前記高周波電極が反応容器の外に設置される構成がより好ましい。そのような構成とすることで、反応容器の内のプラズマにさらされる導電性部分の面積を制限することが容易な場合があるからである。
【００２２】
又、本発明においては、周波数が５０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下のＶＨＦ帯の高周波電力を供給可能である高周波電源を使用する場合において、その効果が顕著に現れる。その理由は定かではないが、周波数が５０ＭＨｚ以上の高周波においては、高周波電力が装置の導電性部分に伝播しやすい。よって、５０ＭＨｚ以上の高周波においては、本発明によって達成される、反応容器の導電性部分に対するシールド効果が顕著に現れるのではないかと推察している。また、周波数が２５０ＭＨｚ以上の高周波においては、伝送部を伝播する際に高周波電力の減衰が顕著なため、反応容器中に均一なプラズマを生成することが容易ではなく、本発明の効果を十分に得ることができないのではないかと推察している。
【００２３】
又、本発明においては、異なる周波数の高周波電力を供給可能である複数の高周波電源を使用し、周波数の異なる複数の高周波電力を重畳して使用する場合において、その効果が顕著に現れる。その理由は定かではないが、複数の周波数の高周波電力を使用する場合においては、周波数によって導電性部分への伝播の程度に違いがでる場合がある。そのため、反応容器の導電性部分を介して反応容器内に高周波電力が導入されてしまう場合においては、基体軸方向に周波数毎にプラズマのむらが生じてしまい、複数の周波数を重畳する効果が得にくい場合がある。よって、複数の周波数の高周波電力を使用するような場合においては、本発明の効果が顕著に現れるのではないかと考えている。
【００２４】
又、本発明においては、使用する基体が円筒状である場合において、より顕著な効果を得ることができる。
【００２５】
以上、本発明についてその詳細を説明したが、これを下記に整理して記述する。
【００２６】
（１）反応容器内に設置された基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、整合回路、前記整合回路を介した後の高周波電力を複数の高周波電力伝送部へと分割する電力分割部、前記複数の高周波電力伝送部各々と接続される複数の高周波電極、前記電力分割部及び前記複数の高周波電力伝送部を内包し、導電性部材で形成される電力分割容器を備え、前記反応容器は少なくとも一部が導電性部材で形成され、前記電力分割部及び前記複数の高周波電力伝送部と、前記電力分割容器の一部を形成する前記反応容器の導電性部分との間に導電性部材で形成されたシールド部材が設置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【００２７】
（２）前記反応容器の少なくとも一部が誘電体部材で構成され、前記高周波電極が反応容器の外に設置されることを特徴とする前記（１）に記載のプラズマ処理装置。
【００２８】
（３）前記高周波電力の周波数が５０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波電力を供給可能である高周波電源を備えることを特徴とした、前記（１）または（２）のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【００２９】
（４）前記高周波電源は、互いに異なる周波数の高周波電力を供給可能である複数の高周波電源を備え、複数の互いに異なる周波数の高周波電力を重畳する電力重畳部が、前記整合回路と前記電力分割部の間に設置されることを特徴とする前記（１）乃至（３）のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【００３０】
（５）前記電力分割容器の一部を形成する前記反応容器の導電性部分は、前記基体の堆積膜形成面と平行でないことを特徴とする前記（１）乃至（４）のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【００３１】
（６）前記基体が円筒状であることを特徴とする前記（１）乃至（５）のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【００３２】
（７）前記プラズマ処理装置が電子写真用感光体の堆積膜形成に用いられることを特徴とする前記（１）乃至（６）のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【発明の効果】
【００３３】
本発明のプラズマ処理装置は、反応容器内に設置された基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、整合回路、前記整合回路を介した後の高周波電力を複数の高周波電力伝送部へと分割する電力分割部、前記複数の高周波電力伝送部各々と接続される複数の高周波電極、前記電力分割部及び前記複数の高周波電力伝送部を内包し、導電性部材で形成される電力分割容器を備え、前記反応容器は少なくとも一部が導電性部材で形成され、前記電力分割部及び前記複数の高周波電力伝送部と、前記電力分割容器の一部を形成する前記反応容器の導電性部分との間に導電性部材で形成されるシールド部材を設置することにより、電力の均一分割を維持した状態で、反応容器内の基体軸方向におけるプラズマ分布のむらは解消し、基体に形成される堆積膜の品質むらを大幅に改善することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
次に、上記のような効果が得られる本発明を以下で図を用いて詳述する。
【００３５】
図１は本発明で使用されるプラズマＣＶＤ法による電子写真用感光体製造装置の模式図の一例であり、この製造装置を横から見た概略断面図である。又、図２は図１の上蓋近傍の拡大図であり、図中斜線部は上蓋のうちの直接プラズマにさらされる部分を示す。
【００３６】
図１及び図２で示す電子写真用感光体製造装置は、堆積膜が形成される円筒状の基体１０２を内部に設置する反応容器１０１を有する。基体１０２は基体下部支持手段１０５及び基体キャップ１０６により反応容器１０１内に支持される。基体１０２の内部には基体１０２を加熱する基体加熱ヒーター１０８が基体１０２の長手方向に沿って配置されている。基体１０２は回転機構１０４によって回転可能である。反応容器１０１の側壁を構成する円筒部が誘電体部材で構成されている。反応容器１０１内には、反応容器１０１外のガス供給装置（不図示）、圧力調整器及びマスフローコントローラー等と原料ガス導入配管１１０を介して繋がった原料ガス導入手段１０３が配置されている。さらに、反応容器１０１は内部圧力をモニターする圧力測定手段１１１を有し、また、開度調節可能なバルブを開くことで容器内部を容器外と連通させるスロットルバルブ１１２も備えている。
【００３７】
反応容器１０１の側壁の外側にはアースシールド１１８が反応容器１０１の周りを囲むように設けられている。反応容器１０１の側壁とアースシールド１１８との間には複数の高周波電極１０９が反応容器１０１の周りに均等に配置されている。
【００３８】
複数の高周波電極１０９はそれぞれ、電力分割部１１６で分割された高周波電力伝送部１１７に接続され、電力分割部１１６は高周波電力伝送部１１７を介して整合回路１１４に接続され、整合回路１１４は高周波電力伝送部１１７を介して高周波電源１０９に接続されている。
【００３９】
電力分割部１１６及び複数の高周波電力伝送部１１７は電力分割容器１１５内に内包され、電力分割部１１６及び複数の高周波電力伝送部１１７と、上蓋１０７の内の少なくともプラズマにされされる部分（図２斜線部）の間にはシールド部材１１９が設置されている。
【００４０】
次に、図１及び図２に示した装置を使用して実施される、本発明による堆積膜形成方法の一例を以下に詳述する。
【００４１】
少なくとも一部が誘電体部材で構成された反応容器１０１内に基体１０２を設置した後、排気装置（例えば真空ポンプ）を用いて反応容器１０１内を真空引きする。反応容器１０１内を十分排気した後、ガス供給装置（図示せず）内のＨｅ、Ｎ２、Ａｒ及びＨ２等のガスボンベから供給される内の必要とされる加熱用ガスが、不図示の圧力調整器及びマスフローコントローラー等を介することにより適切な流量に調節され、原料ガス導入配管１１０、原料ガス導入手段１０３を介して反応容器１０１内に送り込まれる。加熱用ガス導入後の反応容器１０１内の圧力は圧力測定手段１１１によってモニターされ、スロットルバルブ１１２の開度を調節すること等によって、所定の値に制御される。所定の基体加熱環境が整ったところで、基体１０２は基体加熱ヒーター１０８によって間接的に所定の温度にまで加熱される。
【００４２】
所定の加熱終了後、ガス供給装置（図示せず）内のＳｉＨ４、Ｈ２、ＣＨ４、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３等のガスボンベから供給される内の必要とされる堆積膜形成用ガスが、圧力調整器及びマスフローコントローラー等を介することにより適切な流量に調節され、原料ガス導入配管１１０、原料ガス導入手段１０３を介して、反応容器１０１内に送り込まれる。堆積膜形成用ガス導入後の反応容器１０１内の圧力は圧力測定手段１１１によってモニターされ、スロットルバルブ１１２の開度を調節すること等によって、所定の値に制御される。所定の堆積膜形成環境が整ったところで、高周波電源１１３より出力された高周波電力が、整合回路１１４を介した後に、所定の電位に維持された壁面からなる電力分割容器１１５内に導入される。その後、高周波電力は電力分割容器１１５内の電力分割部１１６において複数の高周波電力伝送部１１７へと分割され、電力分割容器１１５外へと出力された後、少なくとも一部が誘電体部材で構成された反応容器１０１とアースシールド１１８との間に設置された複数の高周波電極１０９を介して、反応容器１０１内に導入されプラズマを生起する。該プラズマにより堆積膜形成用ガスが分解され、基体１０２上に堆積膜を形成する。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例により本発明の効果を具体的に説明する。
【００４４】
［実施例１］
図１に示したプラズマ処理装置において、発振周波数１０５ＭＨｚの高周波電源１１３を用い、前記した方法により、反応容器１０１内に設置された、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダである基体１０２上に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる電子写真用感光体を作成した。
【００４５】
【表１】
2005298873.tif 000003

【００４６】
［比較例１］
本例では、実施例１で使用したプラズマ処理装置に代えて、図３に示したプラズマ処理装置を使用し、発振周波数１０５ＭＨｚの高周波電源１１３を用い、実施例１と同様の方法により、反応容器１０１内に設置された、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダである基体１０２上に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる電子写真用感光体を作成した。
【００４７】
［比較例２］
本例では、実施例１で使用したプラズマ処理装置に代えて、図４に示したプラズマ処理装置を使用し、発振周波数１０５ＭＨｚの高周波電源１１３を用い、実施例１と同様の方法により、反応容器１０１内に設置された、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダである基体１０２上に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる電子写真用感光体を作成した。
【００４８】
［実施例１、比較例１及び２の評価］
実施例１、比較例１及び２において作製した、各６本の電子写真用感光体の電子写真特性を以下に記載した方法で評価し、実施例１で作製した電子写真用感光体と比較例１及び２で作製した電子写真用感光体との比較を行った。
【００４９】
『電子写真特性むら評価方法』
作成した各々の電子写真用感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ｉＲ−５０００に設置し、評価項目は、『帯電能母線方向むら』、『感度母線方向むら』、『画像濃度むら』の三項目とし、以下の具体的評価法により各項目の評価を行った。
【００５０】
『帯電能母線方向むら』
複写機の主帯電器に一定の電流を流したときの現像器位置での暗部電位を『帯電能』とする（ただし、周方向一周の平均値とする）。電子写真用感光体の母線方向全域にわたって『帯電能』を測定し、平均値に対する最大値と最小値の差を帯電能むらとして評価した。従って、数値が小さいほど良好である。実施例１、比較例１及び２において作成した、それぞれ６本の電子写真用感光体の『帯電能母線方向むら』を測定し、それぞれにおいて６本間の平均値を求め、比較例１と比較し、比較例１の値を１００％として以下のランクに区分した。
【００５１】
Ａ：比較例１と比較して５０％未満に良化
Ｂ：比較例１と比較して５０％以上７５％未満に良化
Ｃ：比較例１と比較して７５％以上同等以下に良化
Ｄ：比較例１と比較して悪化
【００５２】
『感度母線方向むら』
現像器位置における暗部電位が所定の値となるように、主帯電器の電流値を調整した後、像露光を照射する。ついで像露光光源の光量を調整して、現像器位置における表面電位（明電位）が所定の値となるようにし、そのときの露光量を『感度』とする（ただし、周方向一周の平均値とする）。電子写真用感光体の母線方向全域にわたって『感度』を測定し、平均値に対する最大値と最小値の差を感度むらとして評価した。従って数値が小さいほど良好である。実施例１、比較例１及び２において作成した、それぞれ６本の電子写真用感光体の『感度母線方向むら』を測定し、それぞれにおいて６本間の平均値を求め、比較例１と比較し、比較例１の値を１００％として以下のランクに区分した。
【００５３】
Ａ：比較例１と比較して５０％未満に良化
Ｂ：比較例１と比較して５０％以上７５％未満に良化
Ｃ：比較例１と比較して７５％以上同等以下に良化
Ｄ：比較例１と比較して悪化
【００５４】
『画像濃度むら』
現像器位置での暗部電位が一定値となるよう主帯電器の電流値を調整した後、原稿に所定の白紙を用い、現像器位置での明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調整した。ついで中間調チャートを原稿台に置き、コピーしたときに得られたコピー画像上全領域における反射濃度の最高値と最低値の差により評価した。従って数値が小さいほど良好である。実施例１、比較例１及び２において作成した、それぞれ６本の電子写真用感光体の『画像濃度むら』を測定し、それぞれにおいて６本間の平均値を求め、比較例１と比較し、比較例１の値を１００％として以下のランクに区分した。
【００５５】
Ａ：比較例１と比較して５０％未満に良化
Ｂ：比較例１と比較して５０％以上７５％未満に良化
Ｃ：比較例１と比較して７５％以上同等以下に良化
Ｄ：比較例１と比較して悪化
【００５６】
『電子写真特性ばらつき評価方法』
作成した各々の電子写真用感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ｉＲ−５０００に設置し、評価項目は、『帯電能ばらつき』、『感度ばらつき』の二項目とし、以下の具体的評価法により各項目の評価を行った。
【００５７】
『帯電能ばらつき』
実施例１、比較例１及び２で作製したそれぞれ６本の電子写真用感光体の軸方向中位置における『帯電能』を測定する。６本の電子写真用感光体の『帯電能』の平均値に対する最大値と最小値の差を『帯電能ばらつき』として評価する。従って、数値が小さいほど良好である。実施例１及び比較例２について比較例１と比較し、比較例１の値を１００％として以下のランクに区分した。
【００５８】
Ａ：比較例１と比較して７５％未満
Ｂ：比較例１と比較して７５％以上同等未満
Ｃ：比較例１と比較して同等
Ｄ：比較例１と比較して増加
【００５９】
『感度ばらつき』
実施例１、比較例１及び２で作製したそれぞれ６本の電子写真用感光体の軸方向中位置における『感度』を測定する。６本の電子写真用感光体の『感度』の平均値に対する最大値と最小値の差を『感度ばらつき』として評価する。従って、数値が小さいほど良好である。実施例１及び２について比較例１と比較し、比較例１の値を１００％として以下のランクに区分した。
【００６０】
Ａ：比較例１と比較して７５％未満
Ｂ：比較例１と比較して７５％以上同等未満
Ｃ：比較例１と比較して同等
Ｄ：比較例１と比較して増加
【００６１】
その結果を表２に示す。
【００６２】
【表２】
2005298873.tif 000004
【００６３】
表２より明らかな様に、実施例１で用いた装置、即ち、電力分割容器１１５内の電力分割部１１６及び高周波電力伝送部１１７と、反応容器の導電性部分である上蓋１０７との間にシールド部材１１９を設置することにより、電子写真用感光体特性むら及び、異なるシリンダ間の電子写真用感光体特性のばらつきを抑えることができた。
【００６４】
［実施例２］
本例では実施例１と同様に、図１に示したプラズマ処理装置において、発振周波数が
イ）３０ＭＨｚ
ロ）５０ＭＨｚ
ハ）２５０ＭＨｚ
ニ）３００ＭＨｚ
の高周波電源１１３を用意し、それぞれの高周波電源１１３を使用して、実施例１と同様に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる電子写真用感光体を、計四種類作成した。
【００６５】
［比較例３］
本例では、実施例２で使用した図１の真空処理装置に代えて、比較例１と同様に図３に示したプラズマ処理装置を使用し、高周波電源１１３として、発振周波数がイ）〜ニ）のものを用意し、
イ）３０ＭＨｚ
ロ）５０ＭＨｚ
ハ）２５０ＭＨｚ
ニ）３００ＭＨｚ
それぞれの高周波電源を使用して、比較例１と同様に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる電子写真用感光体を、計四種類作成した。
【００６６】
［実施例２及び比較例３の評価］
実施例２の（イ）〜（ニ）及び比較例３の（イ）〜（ニ）において作製した電子写真用感光体の『帯電能母線方向むら』、『感度母線方向むら』、『画像濃度むら』を評価し、上記三項目について、（１）実施例２の（イ）と比較例３の（イ）、（２）実施例２の（ロ）と比較例３の（ロ）、（３）実施例２の（ハ）と比較例３の（ハ）、（４）実施例２の（ニ）と比較例３の（ニ）をそれぞれ比較し、比較例３の値を１００％として以下のランクに区分した。その結果を表３に示す。
【００６７】
Ａ：比較例３と比較して７５％未満
Ｂ：比較例３と比較して７５％以上同等未満
Ｃ：比較例３と比較して同等
Ｄ：比較例３と比較して増加
【００６８】
【表３】
2005298873.tif 000005
【００６９】
表３より明らかな様に、発振周波数が５０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波電源を使用して、電子写真用感光体を作製した場合、本発明の効果を顕著に得ることができ、電子写真用感光体特性むらを抑えることができる。
【００７０】
［実施例３］
本例では、実施例２で使用した図１のプラズマ処理装置に代えて、図５に示すように、異なる周波数の高周波電力を供給可能である二つの高周波電源５１３Ａ、５１３Ｂを使用した。高周波電源Ａ：５１３Ａの発振周波数を１０５ＭＨｚ、高周波電源Ｂ：５１３Ｂの発振周波数を７０ＭＨｚとし、表４に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる電子写真用感光体を作成した。
【００７１】
【表４】
2005298873.tif 000006
【００７２】
［比較例４］
本例では、実施例３で使用した図５のプラズマ処理装置に代えて、図６に示す装置を使用した。高周波電源Ａ：５１３Ａの発振周波数を１０５ＭＨｚ、高周波電源Ｂ：５１３Ｂの発振周波数を７０ＭＨｚとし、表４に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる電子写真用感光体を作成した。
【００７３】
［実施例３及び比較例４の評価］
実施例３及び比較例４において作製した電子写真用感光体の『帯電能母線方向むら』、『感度母線方向むら』、『画像濃度むら』を評価し、上記三項目について、実施例３と比較例４をそれぞれ比較し、比較例４の値を１００％として以下のランクに区分した。その結果を表５に示す。
【００７４】
Ａ：比較例４と比較して７５％未満
Ｂ：比較例４と比較して７５％以上同等未満
Ｃ：比較例４と比較して同等
Ｄ：比較例４と比較して増加
【００７５】
【表５】
2005298873.tif 000007
【００７６】
表５より明らかな様に、異なる周波数の高周波電力を供給可能である二つの高周波電源１１３Ａ、１１３Ｂを使用した場合においても、本発明の効果を得ることができる。さらには、実施例２及び比較例３の結果と比較すると、本例のように、異なる周波数の高周波電力を供給可能である複数の高周波電源を使用し、周波数の異なる複数の高周波電力を重畳して使用する場合において、本発明の効果を顕著に得ることができ、電子写真用感光体特性むらを抑えることができることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】図１Ａ，図１Ｂは、本発明におけるプラズマ処理装置の一例で、プラズマＣＶＤ法による電子写真用感光体の製造装置を横から見た概略断面図である。
【図２】図２Ａ，図２Ｂは、本発明におけるプラズマ処理装置の一例で、図１に示した装置の上蓋近傍の拡大図である。
【図３】図３Ａ，図３Ｂは、従来のプラズマ処理装置の一例で、プラズマＣＶＤ法による電子写真用感光体の製造装置の模式的説明図である。
【図４】図４Ａ，図４Ｂは、従来のプラズマ処理装置の一例で、プラズマＣＶＤ法による電子写真用感光体の製造装置の模式的説明図である。
【図５】図５Ａ，図５Ｂは、本発明におけるプラズマ処理装置の一例で、プラズマＣＶＤ法による電子写真用感光体の製造装置を横から見た概略断面図である。
【図６】図６Ａ，図６Ｂは、従来のプラズマ処理装置の一例で、プラズマＣＶＤ法による電子写真用感光体の製造装置の模式的説明図である。
【符号の説明】
【００７８】
１０１    反応容器
１０２    基体
１０３    原料ガス導入手段
１０４    回転機構
１０５    基体下部支持手段
１０６    基体キャップ
１０７    上蓋
１０８    基体加熱ヒーター
１０９    高周波電極
１１０    原料ガス導入配管
１１１    圧力測定手段
１１２    スロットルバルブ
１１３    高周波電源
１１４    整合回路
１１５    電力分割容器
１１６    電力分割部
１１７    複数の高周波電力伝送部
１１８    アースシールド
１１９    シールド部材
４１９    同軸ケーブル
５１３Ａ  高周波電源Ａ
５１３Ｂ  高周波電源Ｂ
【図１】
2005298873.tif 000008
【図２】
2005298873.tif 000009
【図３】
2005298873.tif 000010
【図４】
2005298873.tif 000011
【図５】
2005298873.tif 000012
【図６】
2005298873.tif 000013