(57)【要約】【課題】  マイクロフォーカスＸ線装置の制御信頼性を高める。【解決手段】  制御装置がターゲット電流の少なくとも１つのパラメータ、例えばターゲット電流の電流強度を制御する制御手段を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットを有するＸ線管と、ターゲットにターゲット電流を印加する電流印加装置と、形成されたＸ線放射の強度（ドーシスレート）を制御する制御装置とを有する
マイクロフォーカスＸ線装置において、
制御装置はターゲット電流の少なくとも１つのパラメータ、例えばターゲット電流の電流強度を制御する制御手段を有する
ことを特徴とするマイクロフォーカスＸ線装置。
【請求項２】
ターゲット（６）はＸ線管（４）のベースボディ（８）に対して電気的に絶縁された状態で該ベースボディ（８）に配置されている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
ターゲット電流の電流強度の実際値を検出する電流センサ（２４）が設けられている、請求項１記載の装置。
【請求項４】
ターゲット電流の少なくとも１つのパラメータを制御する制御手段は第１の制御回路（２２）を有している、請求項１記載の装置。
【請求項５】
第１の制御回路（２２）はターゲット電流の実際値と設定された目標値とを比較し、目標値と実際値との差が最小化されるように調整量を変更する、請求項４記載の装置。
【請求項６】
高電圧発生器（１２）が設けられており、該高電圧発生器は有利にはほぼ一定の高電圧を形成し、該高電圧によりＸ線管（４）のエミッション電流（１４）の形成のために電子、有利にはカソードから放出された電子がターゲット（６）の方向へ加速される、請求項１記載の装置。
【請求項７】
調整量はエミッション電流に関する、請求項５記載の装置。
【請求項８】
第１の制御回路（２２）は閉ループ制御回路を形成する電気回路または電子回路を有している、請求項４記載の装置。
【請求項９】
第１の制御回路（２２）は制御ソフトウェアを介して制御可能な電子回路を有しており、ソフトウェア制御に基づいて制御を行う、請求項４記載の装置。
【請求項１０】
電子回路はマイクロコントローラその他を有する、請求項８または９記載の装置。
【請求項１１】
ターゲット電流の制御はオンオフ可能である、請求項１記載の装置。
【請求項１２】
ターゲット電流の制御がオフであるときは第２の制御回路がＸ線管（４）のエミッション電流（１４）を制御する、請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
ターゲット電流の制御がオンであるとき流れる瞬時のターゲット電流がターゲット電流の目標値とされる、請求項１１記載の装置。
【請求項１４】
ターゲット電流の制御がオフであるとき流れる瞬時のエミッション電流（１４）が第２の制御回路によってエミッション電流（１４）の目標値とされる、請求項１２記載の装置。
【請求項１５】
第１の制御回路（２２）は設定されたターゲット（６）の最大電力の上方超過が阻止されるようにターゲット電流を制御する、請求項４記載の装置。
【請求項１６】
ターゲット電流の制御のスイッチオンはＸ線管（４）のスイッチオンののち時間的に遅延して行われる、請求項１１記載の装置。
【請求項１７】
エミッション電流（１４）が設定された目標値に達したときにターゲット電流の制御のスイッチオンが行われる、請求項１６記載の装置。
【請求項１８】
高電圧の目標値が変更されると、該高電圧が新たな目標値に達するまでターゲット電流の制御はオフとされる、請求項６記載の装置。
【請求項１９】
第１の制御回路（２２）の制御パラメータは高電圧に依存して可変である、請求項５記載の装置。
【請求項２０】
高電圧が低減される場合には制御パラメータは制御ヒステリシスが増大するように変更され、高電圧が増大される場合には制御パラメータは制御ヒステリシスが低下するように偏向される、請求項１９記載の装置。
【請求項２１】
Ｘ線管（４）はエミッション電流（１４）のターゲット（６）への衝突をほぼ阻止する偏向手段または阻止手段を有している、請求項１記載の装置。
【請求項２２】
偏向手段または阻止手段がアクティブになるとエミッション電流（１４）は偏向または阻止され、ターゲット電流の制御がオフにされる、請求項１１または２１記載の装置。
【請求項２３】
ターゲット（６）に短絡が生じているか否かを検出する検出手段が設けられており、短絡が検出されると該検出手段によりターゲット電流の制御がオフにされる、請求項１１記載の装置。
【請求項２４】
Ｘ線管とターゲットとターゲットにターゲット電流を印加する電流印加装置とを有するマイクロフォーカスＸ線装置について、Ｘ線管によって形成されたＸ線放射の強度（ドーシスレート）を制御する方法において、
Ｘ線放射の強度を制御するために、ターゲット電流の少なくとも１つのパラメータ、例えばターゲット電流の電流強度を制御する
ことを特徴とするＸ線放射の強度を制御する方法。
【請求項２５】
ターゲット電流の電流強度の実際値を検出する、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
ターゲット電流の電流強度の実際値と設定された目標値とを比較し、目標値と実際値との差が最小化されるように調整量を変更する、請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
高電圧発生器を介して有利にはほぼ一定の高電圧を形成し、該高電圧により電子、有利にはカソードから放出された電子をＸ線管のエミッション電流形成のためにターゲットの方向で加速する、請求項２４記載の方法。
【請求項２８】
調整量としてエミッション電流に関する量を用いる、請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
ターゲット電流の制御はオンオフ可能である、請求項２４記載の方法。
【請求項３０】
ターゲット電流の制御がオフであるときＸ線管のエミッション電流を制御する、請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
ターゲット電流の制御がオンであるとき流れる瞬時のターゲット電流をターゲット電流の目標値として用いる、請求項２９または３０記載の方法。
【請求項３２】
ターゲット電流の制御がオフであるとき流れる瞬時のエミッション電流をエミッション電流の目標値として用いる、請求項２９記載の方法。
【請求項３３】
ターゲットについて設定された最大電力の上方超過が阻止されるようにターゲット電流を制御する、請求項２４記載の方法。
【請求項３４】
マイクロフォーカスＸ線装置のスイッチオンののち時間的に遅延してターゲット電流の制御をスイッチオンする、請求項２９記載の方法。
【請求項３５】
エミッション電流が設定された目標値に達したときターゲット電流の制御をスイッチオンする、請求項３４記載の方法。
【請求項３６】
高電圧の目標値が変更されると、該高電圧が新たな目標値に達するまでターゲット電流の制御をオフにする、請求項２９記載の方法。
【請求項３７】
制御パラメータを高電圧に依存して変更する、請求項２４記載の方法。
【請求項３８】
高電圧が低減される場合には制御パラメータを制御ヒステリシスが増大するように変更し、高電圧が増大される場合には制御パラメータを制御ヒステリシスが低下するように偏向する、請求項３７記載の方法。
【請求項３９】
エミッション電流のターゲットへの衝突がほぼ阻止されてターゲット電流の制御がオフとなるように、エミッション電流を偏向または阻止する、請求項２９記載の方法。
【請求項４０】
ターゲットに短絡が生じているか否かを検出し、短絡が検出されると該検出手段によりターゲット電流の制御をオフにする、請求項２９記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ターゲットを有するＸ線管と、ターゲットにターゲット電流を印加する電流印加装置と、形成されたＸ線放射の強度（ドーシスレート）を制御する制御装置とを有するマイクロフォーカスＸ線装置に関する。
【０００２】
本発明はまた、Ｘ線管とターゲットとターゲットにターゲット電流を印加する電流印加装置とを有するマイクロフォーカスＸ線装置について、Ｘ線管によって形成されたＸ線放射の強度（ドーシスレート）を制御する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
マイクロフォーカスＸ線装置は例えば米国特許第４３４４０１３号明細書に記載されているように公知であり、例えば電子回路産業において配線板の検査のために使用される。相応のマイクロフォーカスＸ線装置はさらに欧州特許第８１５５８２号明細書、国際公開第９６２９７２３号明細書、独国出願第３２２２５１１号明細書からも公知である。
【０００４】
公知のマイクロフォーカスＸ線装置は、ターゲットとターゲットにターゲット電流を印加する電流印加手段とを有している。装置はさらに、生じたＸ線放射の強度（ドーシスレート）を制御する制御手段も有している。これは公知のＸ線装置では例えばフィラメントから出力されるエミッション電流を制御することにより行われる。
【０００５】
こうした公知のマイクロフォーカスＸ線装置の欠点は、制御が充分に確実に行われないということである。このため例えば電子回路モジュールの検査で検査が進行していくうちに画像輝度が変化してしまったりする。これは特に一定またはほぼ一定の画像輝度を前提とする自動画像処理に対して大きな制限となる。
【特許文献１】米国特許第４３４４０１３号明細書
【特許文献２】欧州特許第８１５５８２号明細書
【特許文献３】国際公開第９６２９７２３号明細書
【特許文献４】独国出願第３２２２５１１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、冒頭に言及した形式のマイクロフォーカスＸ線装置の制御信頼性を高めることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この課題は、制御装置がターゲット電流の少なくとも１つのパラメータ、例えばターゲット電流の電流強度を制御する制御手段を有することにより解決される。
【０００８】
課題はまた、Ｘ線放射の強度を制御するために、ターゲット電流の少なくとも１つのパラメータ、例えばターゲット電流の電流強度を制御することにより解決される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の主たるコンセプトは、ターゲット電流に関する少なくとも１組のパラメータ、特にターゲット電流の電流強度を用いてＸ線放射の強度（ドーシスレート）を閉ループ制御するという点である。ターゲット電流を閉ループ制御することにより、Ｘ線管によって形成されたＸ線放射の強度（ドーシスレート）は高い均一性および信頼性で制御される。本発明のＸ線装置は特にＸ線放射の高い均一性が必要な分野で適用される。また本発明のＸ線装置は特に自動的な画像処理プロセスを行う電子回路の検査に良好に適しており、形成されたＸ線放射の強度が充分に一定であれば充分な確実性が保証される。
【００１０】
本発明のコンセプトの利点は、ターゲット電流の制御に基づいてＸ線管およびこれに属する高電圧発生器の熱特性もＸ線装置のコンポーネントの経年劣化も生じるＸ線放射の強度にほとんど影響しなくなるという点である。Ｘ線装置を種々のスポットサイズが得られるように種々の駆動モードで切り換える場合にも、ターゲット電流を制御すれば、生じるＸ線放射の強度はさほど変化しない。
【００１１】
本発明によれば、ターゲット電流の任意のパラメータを閉ループ制御することができる。ターゲット電流は一般に直流であるので、特に有利にはターゲット電流の電流強度が制御される。これに対してターゲット電流が脈流である場合には、例えばターゲット電流のパルス時間またはオンオフ比が制御される。ターゲット電流が交流である場合には例えばターゲット電流の振幅および／または周波数が制御される。
【００１２】
本発明によれば、制御すべきターゲット電流の１つまたは複数のパラメータ、例えば電流強度を測定して直接に検出することができる。また本発明によれば制御すべきターゲット電流のパラメータを間接的に検出することもできる。ターゲット電流の電流強度が制御される場合、例えばターゲット電流から後方散乱される電子を捉えていわば電流強度の“シミュレーション”を行うことにより、電流強度を間接的に検出することができる。
【００１３】
本発明の装置の有利な実施形態によれば、ターゲットはＸ線管のベースボディに対して電気的に絶縁された状態でこのベースボディに配置されている。この実施例ではターゲット電流の電流強度を特に高い信頼性で測定可能であり、これを実際値として制御に使用することができる。
【００１４】
有利にはターゲット電流の電流強度の実際値を検出する電流センサが設けられている。電流センサによって検出されたターゲット電流の実際値はこの実施例では直接に実際値としてターゲット電流制御に使用される。ターゲット電流の制御を別のパラメータに基づいて、例えばターゲット電流に依存する電気的パラメータに基づいて行うこともできる。特に測定されたターゲット電流を電圧に変換し、この電圧を実際値として制御に利用すると有利である。
【００１５】
有利には、ターゲット電流の少なくとも１つのパラメータを制御する制御手段は第１の制御回路を有している。
【００１６】
このとき有利な実施形態によれば、第１の制御回路によりターゲット電流の実際値と設定された目標値とが比較され、目標値と実際値との差が最小化されるように調整量が変更される。この実施形態では、ターゲット電流に依存する電気的パラメータに基づいて制御が行われる。特に検出されたターゲット電流の実際値が電圧値へ変換され、これが実際値として第１の制御回路へ供給される。第１の制御回路はこの電圧値を設定された目標電圧値と比較し、目標値と実際値との差が最小化されるように調整量を変更する。
【００１７】
有利には高電圧発生器が設けられており、この高電圧発生器は有利にはほぼ一定の高電圧を形成し、この高電圧によりＸ線管のエミッション電流の形成のために電子、有利にはカソードから放出された電子がターゲットの方向へ加速される。
【００１８】
特に簡単かつ確実にターゲット電流の制御を行うために、別の実施形態では、調整量としてエミッション電流に関する値が使用される。
【００１９】
また本発明の別の有利な実施形態によれば、第１の制御回路は閉ループ制御回路を形成する電気回路または電子回路を有している。この実施形態では閉ループ制御回路はハードウェアにより実現される。
【００２０】
そのつどの要求に応じて、第１の制御回路はソフトウェアによって実現することもできる。このために本発明の有利な実施形態では、第１の制御回路は制御ソフトウェアを介して制御可能な電子回路を有しており、ソフトウェアにより閉ループ制御を行う。このとき特に有利にはターゲット電流の制御はソフトウェアの変更により簡単に可変となる。
【００２１】
この実施形態では、電子回路はマイクロコントローラその他を有する。この種のマイクロコントローラにはシンプルで低コストな標準モジュールを使用することができる。
【００２２】
基本的にターゲット電流の制御はＸ線装置の駆動中いつでも行うことができる。特に有利な実施形態では、ターゲット電流の制御はオンオフ可能である。このときターゲット電流の制御のオンオフはユーザが行ってもよいし、および／または自動的に行ってもよい。ターゲット電流の制御は、例えば誤動作防止のためにＸ線装置の駆動パラメータの瞬時値を用いることから安定した制御が行えない場合などにスイッチオフされる。
【００２３】
この実施形態では、ターゲット電流の制御がオフであるときは第２の制御回路がＸ線管のエミッション電流を制御する。この場合、ターゲット電流の制御のスイッチオフ後はＸ線管のエミッション電流が制御される。生じたＸ線放射の強度制御が充分な精度で行えない場合にも、エミッション電流の制御によって強度の変動が所定の範囲内に抑えられ、確実性が保証される。
【００２４】
本発明の別の実施形態では、ターゲット電流の制御がオンであるとき流れる瞬時のターゲット電流がターゲット電流の目標値とされる。この手段により、制御がオンになっているとき、Ｘ線放射の強度ひいては画像輝度を一定に保持することができる。
【００２５】
エミッション電流を制御する際には、さらに別の実施形態として、ターゲット電流の制御がオフであるとき流れる瞬時のエミッション電流が第２の制御回路によってエミッション電流の目標値とされる。このようにすればターゲット電流の制御がオフとなっても画像輝度は変化しない。
【００２６】
本発明の別の有利な実施形態では、第１の制御回路は設定されたターゲットの最大電力の上方超過が阻止されるようにターゲット電流を制御する。この実施形態によれば、過負荷（例えばスイッチオン時に発生する過励振）により生じうるターゲットの損傷が確実に回避される。
【００２７】
本発明の別の有利な実施形態では、ターゲット電流の制御のスイッチオンはＸ線管のスイッチオンに時間的に遅延して行われる。このようにすれば安定した駆動が可能である場合にのみターゲット電流の制御がアクティブとなることが保証される。
【００２８】
この実施形態では、エミッション電流が設定された目標値に達したときにターゲット電流の制御のスイッチオンが行われる。この手段によれば、エミッション電流が流れないような時点での制御のスイッチオンが確実に回避される。
【００２９】
また高電圧の目標値が変更されると、この高電圧が新たな目標値に達するまでターゲット電流の制御はオフとされる。
【００３０】
ターゲット電流の制御に関わる高電圧発生器、これに属する高電圧ケーブルおよびＸ線管によって形成される制御区間の特性は高電圧に大きく依存しているので、本発明の別の有利な実施形態では、第１の制御回路の制御パラメータは高電圧に依存して可変である。
【００３１】
特にこの実施形態では、高電圧が低減される場合には制御パラメータは制御ヒステリシス（Traegheit）が増大するように変更され、高電圧が増大される場合には制御パラメータは制御ヒステリシスが低下するように偏向される。このとき制御ヒステリシスは高電圧に関してＸ線管内で支配的な特性に適合化される。
【００３２】
そのつどの要求に応じて、Ｘ線管はエミッション電流のターゲットへの衝突をほぼ阻止する偏向手段または阻止手段を有していなければならない。
【００３３】
このとき偏向手段または阻止手段がアクティブになるとエミッション電流は偏向または阻止され、ターゲット電流の制御がオフにされる。この手段により制御時の誤動作が確実に回避される。
【００３４】
本発明の別の有利な実施形態では、ターゲットに短絡が生じているか否かを検出する検出手段が設けられており、短絡が検出されるとこの検出手段によりターゲット電流の制御がオフにされる。このようにすれば短絡の場合にターゲット電流は完全にまたは部分的に逃がされ、過度に高いターゲット電流によって装置が破壊されることが阻止される。
【００３５】
上述の手段はまたＸ線放射の強度を制御する本発明の方法にも関しており、これらの方法の有利な実施形態は従属請求項２５〜４０に記載されている。
【実施例】
【００３６】
本発明を以下に添付図を参照しながら詳細に説明する。図１にはＸ線放射の強度を制御することのできる本発明のＸ線装置が示されている。図に示した特徴および以下に説明する特徴は、特許請求の範囲、発明の詳細な説明および図にまとめられた特徴とは別に、それぞれ単独でも任意に組み合わせても本発明の対象となりうるものである。
【００３７】
図１には本発明のマイクロフォーカスＸ線装置（以下ではＸ線装置と略する）２の実施例が示されている。このＸ線装置はターゲット６を備えたＸ線管４を有しており、ターゲットはＸ線管４のベースボディ８に配置されている。図にははっきりと示されていないが、ターゲット６はベースボディ８に配置されたＸ線管４に対して電気的に絶縁されている。この絶縁は例えばセラミックその他によって行われる。
【００３８】
Ｘ線装置２はさらにターゲット６にターゲット電流を印加する電流印加装置を有しており、これはカソードとして接続されたフィラメント１０を有している。電流印加装置はさらに可変の（ただし一度変更されたのちにはほぼ一定の）電圧を形成する高電圧発生器１２を有している。フィラメント１０からベースボディ内部の真空へ放出された電子が高電圧発生器１２によりターゲット６へ向かって加速される。ここで電子がターゲット６に衝突すると、当該分野の技術者に周知のように、Ｘ線が発生する。
【００３９】
フィラメント１０から発生し、高電圧によってターゲット６のほうへ加速される電子はエミッション電流１４を形成し、このエミッション電流はコイル１６によってフォーカシングされる。コイル１６の後方の運動方向にホールアパーチャ１８が配置されており、これが電子ビームの径を低減してＸ線管の焦点の径が≦２００μｍ、特に有利には≦１０μｍとなるようにする。Ｘ線管４はマイクロフォーカスＸ線管として構成されている。エミッション電流のうちターゲット６に達する成分がターゲット電流を形成する。
【００４０】
Ｘ線装置２はさらに発生したＸ線の強度（ドーシスレート）を制御する制御装置を有している。これは図では参照番号２０で表されており、ここではターゲット電流の電流強度を制御する制御装置である。図示の実施例では、ターゲット電流の制御すべきパラメータはターゲット電流の電流強度である。ターゲット電流の制御装置はこの実施例ではマイクロコントローラである第１の制御回路２２を有している。第１の制御回路は制御ソフトウェアによって制御され、ターゲット電流の電流強度の閉ループ制御をソフトウェア制御に基づいて行う。
【００４１】
Ｘ線装置２はさらにターゲット６でのターゲット電流をセンシングし、この値を測定増幅器２６へ供給するセンサ２４を有している。測定増幅器２６は測定されたターゲット電流を増幅し、測定増幅器の出力信号はターゲット電流の電流強度の実際値となり、この値が第１の制御回路２２の第１の入力側２８へ供給される。第１の制御回路２２にはさらに第２の入力側３０を介してターゲット電流の電流強度の目標値が供給される。この目標値と検出された実際値とが比較され、その差が最小化されるように調整量が変更される。
【００４２】
図示の実施例ではエミッション電流は閉ループ制御の調整量を形成する。一般に知られているように、フィラメント１０から電子が放出され、これが高電圧発生器１２の形成した高電圧によってターゲットのほうへ加速されることによりエミッション電流が生じる。図示されていないが、電子の運動方向でフィラメント１０の後方に格子その他が配置されており、ここにも同様に高電圧発生器１２によって形成された電圧が印加される。格子で電圧が変更されることによりエミッション電流も可変であり、格子に印加される電圧が高くなるとエミッション電流は低下し、電圧が低くなるとエミッション電流は増大する。
【００４３】
調整量を制御するために第１の制御回路２２の出力側３２は高電圧発生器１２の制御入力側３４に接続されている。ここで格子に印加される電圧、ひいてはエミッション電流をこの制御入力側３４を介して変更することができる。
【００４４】
本発明のＸ線装置２は次のように機能する。
【００４５】
Ｘ線装置２の駆動中はフィラメント１０が加熱され、ここから真空中へ電子が放出される。高電圧発生器１２により、アノードとして接続されたターゲット６とカソードとして接続されたフィラメント１０とのあいだに高電圧が形成され、このためにフィラメント１０から放出された電子がターゲット６のほうへ加速され、Ｘ線管４のエミッション電流が形成される。エミッション電流１４はコイル１６およびアパーチャ１８を介してフォーカシングされ、そのうちターゲットに達した成分がターゲット電流となる。電子がターゲット６に衝突すると当該分野の技術者に周知のようにＸ線ビーム２０が発生する。Ｘ線ビームはこの実施例では電子回路モジュールの検査に使用される。
【００４６】
Ｘ線装置２の駆動中センサ２４はターゲット電流をセンシングし、測定増幅器２６による増幅ののちに検出したターゲット電流の実際値を第１の制御回路２２の第１の入力側２８へ印加する。第１の制御回路２２は検出された実際値と第２の入力側３０へ印加される目標値とを比較し、これらのあいだの差が最小化されるように制御する。
【００４７】
第１の制御回路２２を介してターゲット電流の実際値が低下していることが検出された場合、これはＸ線ビーム２０によって形成される画像の輝度低下をもたらすので、第１の制御回路２２は上述したようにエミッション電流を増大する。これによりターゲット電流の電流強度は検出された実際値と目標値との差がゼロとなるまで上昇する。これに対してターゲット電流の電流強度が上昇している場合には、第１の制御回路２２は制御入力側３４を介してエミッション電流を低下させる。これによりターゲット電流の電流強度は検出された実際値と目標値との差がゼロとなるまで低下する。
【００４８】
このようにしてターゲット電流は制御され、高い精度で一定に保持される。これにより強度（ドーシスレート）は発生したＸ線に対して一定に保持される。したがってＸ線によって検査される電子回路モジュールの画像の輝度も一定となるので、画像評価を自動画像処理によって行い、大幅に簡単化することができる。
【００４９】
第１の制御回路２２はこの実施例ではターゲット電流の閉ループ制御をオンオフ可能であるように構成されている。
【００５０】
本発明によれば、ターゲット電流の閉ループ制御はＸ線管４のスイッチオンののち、Ｘ線装置２の起動時の制御時の誤動作、すなわちＸ線管４の駆動準備（ウォームアップ）の際のエラーやフィラメント１０へ印加される電圧の調整（フィラメントアジャスト）時のエラー、電子ビームのセンタリングの際のエラーなどを防止するために、時間的に遅延してスイッチオンされる。この実施例ではエミッション電流が測定され、当該のエミッション電流が設定された閾値に達した場合に閉ループ制御をスイッチオンする。
【００５１】
この実施例では、ターゲット電流の閉ループ制御のスイッチオン時に流れる瞬時電流をターゲット電流の目標値とし、この値を第１の制御回路２２の第２の入力側３０へ供給する。
【００５２】
さらにこの実施例では、ターゲット電流の閉ループ制御のスイッチオフ時に図示していない第２の制御回路を介してＸ線管のエミッション電流を制御する。ここでターゲット電流の閉ループ制御のスイッチオフ時に流れる瞬時のエミッション電流を第２の制御回路でのエミッション電流制御の目標値として設定する。このようにすればターゲット電流の閉ループ制御のスイッチオフ時の輝度の変化も回避される。
【００５３】
さらにこの実施例では、目標値を変更して変更後に再びほぼ一定の高電圧が印加されるとき、新たな目標値が達成されるまでターゲット電流の閉ループ制御をオフとする。さらにこの実施例では、第１の制御回路２２の制御パラメータは高電圧発生器１２によって形成される高電圧に依存して可変である。特に高電圧が低下するときには制御パラメータは制御ヒステリシスが増大するように変更され、高電圧が上昇するときには制御パラメータは制御ヒステリシスが低下するように変更される。
【００５４】
図にははっきりとは示されていないが、Ｘ線管４はエミッション電流の偏向手段または阻止手段を有しており、これによりエミッション電流のターゲットへの衝突がほぼ阻止される。シャッタとも称されるこの偏向手段または阻止手段が作動されるときも、この実施例ではターゲット電流の閉ループ制御がスイッチオフされる。
【００５５】
ターゲット６を損傷から保護するために、この実施例では、第１の制御回路２２はターゲットについて設定された最大電力の上方超過を阻止するようにターゲット電流を閉ループ制御する。また図にははっきりと示されていないが、ターゲット６で短絡が生じたか否かを検出する手段が設けられており、この手段が短絡を検出するとターゲット電流の閉ループ制御がスイッチオフされる。このようにして、この実施例では過負荷によるターゲットの損傷または破壊が確実に回避される。
【００５６】
本発明のＸ線装置２により簡単かつ確実にＸ線の強度（ドーシスレート）の閉ループ制御を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明のＸ線装置のブロック図である。
【符号の説明】
【００５８】
２  マイクロフォーカスＸ線装置
４  Ｘ線管
６  ターゲット
８  ベースボディ
１０  ヒータフィラメント
１２  高電圧発生器
１４  エミッション電流
１６  コイル
１８  ホールアパーチャ
２０  Ｘ線放射
２２  制御回路
２４  センサ
２６  測定増幅器
２８，３０  入力側
３２  出力側
３４  制御入力側
【図１】
2005142140.tif 000003