(57)【要約】【課題】  出力の大きなＥＵＶ光源の集光点の位置や大きさ、形状を精度良く測定することが可能な測定装置、及びそれを用いた測定方法を提供することを課題とする。【解決手段】  プラズマ光源から発生したＥＵＶ光を含む光束を集光ミラーで集光点に集光して放出するＥＵＶ光源の該集光点の空間分布を測定する測定装置であって、  測定される光束の光路上に光束を減衰する複数の開口部を有する遮光板を有することを特徴とする測定装置。【選択図】  図１
2005268035.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ光源から発生したＥＵＶ光を含む光束を集光ミラーで集光点に集光して放出するＥＵＶ光源の該集光点の空間分布を測定する測定装置であって、
測定される光束の光路上に光束を減衰する複数の開口部を有する遮光板を有することを特徴とする測定装置。
【請求項２】
前記複数の開口部を有する遮光板は前記光路上の瞳面に略一致する位置に設置されることを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項３】
集光点と前記開口までの距離をＬ、測定する光の波長をλ、所望の解像力をＲとした場合に、前記遮光板の開口の大きさｄは、以下の式を満たすことを特徴とする請求項１乃至２に記載の測定装置。
ｄ＞１．２２＊λ＊Ｌ／Ｒ
【請求項４】
集光点と前記開口までの距離をＬ、測定する光の波長をλ、集光点の直径をＤとした場合に、前記遮光板の開口の大きさｄは、以下の式を満たすことを特徴とする請求項１乃至２に記載の測定装置。
ｄ＞６．１＊λ＊Ｌ／Ｄ
【請求項５】
プラズマ光源から発生したＥＵＶ光を含む光束を集光ミラーで集光点に集光して放出するＥＵＶ光源の該集光点の空間分布を測定する測定装置であって、
測定される光束の光路上に光束を減衰する所定のガスを含むガスフィルターを有することを特徴とする測定装置。
【請求項６】
前記ガスフィルターに含まれるガスは、所定の波長域の光に対する吸収係数の波長に対する微分係数が正のガスと負のガスを混合した混合ガスであることを特徴とする請求項５に記載の測定装置。
【請求項７】
請求項１乃至６に記載の測定装置を用いたＥＵＶ光源の集光点の空間分布を測定する測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、投影露光装置等で用いるＥＵＶ光源を評価するための、ＥＵＶ光強度分布測定装置およびその測定装置で用いられるＥＵＶ光強度分布測定方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造するための焼き付け（リソグラフィー）方法として、紫外線を用いた縮小投影露光が行われてきた。縮小投影露光で転写できる最小の寸法は転写に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数に反比例する。このため微細な回路パターンを転写するためには用いる光の短波長化が進められ、水銀ランプｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）と用いられる紫外光の波長は短くなってきた。
【０００３】
しかし半導体素子は急速に微細化しており、以上の紫外光を用いたリソグラフィーでは限界がある。そこで０．１μｍを下回るような非常に微細な回路パターンを効率よく焼き付けるために、紫外線よりも更に波長が短い波長１０〜１５ｎｍ程度の極端紫外光（ＥＵＶ光）を用いた縮小投影露光装置が開発されている。図１１はＥＵＶ露光装置の概念図である。
【０００４】
この縮小投影露光装置の開発と平行してこれに用いるＥＵＶ光源の開発が進められていて、たとえば特開２００２−１７４７００に記載されようなレーザープラズマ光源がある。これは真空容器中に置かれたターゲット材に高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマを発生させこれが発光点となって、これから放射される例えば波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。ターゲット材としては、金属薄膜、不活性ガス、液滴などが用いられ、ガスジェット等の手段で真空容器内に供給される。ターゲットから放射されるＥＵＶ光の平均強度を高くするためにはパルスレーザーの繰り返し周波数は高い方が良く、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数で運転される。
【０００５】
また、ターゲットから放射されるＥＵＶ光を効率よく利用するために光学素子が設けられている。ＥＵＶ光を用いた露光装置を構成する光学素子は、主として斜入射全反射ミラー、および直入射に近い入射角のミラーとしてシリコンとモリブデンからなる多層膜ミラーが用いられるが、この直入射多層膜ミラーは波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対する反射率が高いことから、ＥＵＶ光源から放射される光のうち、投影露光としては結果的に波長１３．５ｎｍを中心とした、１３．３６５ｎｍ乃至１３．６３５ｎｍのＥＵＶ光が用いられる。発光点からのＥＵＶ光は、集光ミラーによって集光点に集光され、集光点から発散した後、投影露光装置に導入され投影露光装置の照明光学系によってマスクを均一に照明する。
【０００６】
マスクを均一に照明することは、例えば解像力といった投影露光装置の性能にとって極めて重要であり、そのためには集光点が所望の位置に所定の大きさ以下の広がりを持って形成され、さらに集光点から対象性良くＥＵＶ光が発散されることが望ましい。しかし集光点から発散されるＥＵＶ光は、プラズマの形状や真空容器内のガス濃度の分布、集光ミラーの形状などの因子によって、必ずしも理想的であるとは限らないため、使用するＥＵＶ光源の集光点の位置、大きさ、形状等を予め把握して、照明光学系で補正する等の必要がある。
【０００７】
集光点の位置、大きさ、形状等を測定するためには、集光点からのＥＵＶ光を光学系により結像した像の内部の強度分布を測定することが必要となる。波長の短いＥＵＶ光を結像するための結像光学系としては、多層膜ミラーを用いて構成されるシュバルツシルト光学系が知られている。
【特許文献１】特開２００２−１７４７００
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、多層膜ミラーを用いて構成される結像光学系を用いて結像した像の強度分布を測定する場合には、以下のような問題点がある。
【０００９】
通常のＥＵＶ光源に求められるＥＵＶ光の強度は１００Ｗ程度であるが、ＥＵＶ光源では露光に不要な可視光や赤外線などの波長領域の光が含まれるため、集光点を通過して結像光学系に入射する光量は１ｋＷ以上となる。
【００１０】
一方、結像光学系を構成する多層膜ミラーは、ＥＵＶ光露光に必要な波長領域のみを反射するように設計されるため、ミラーに入射するエネルギーの多くはミラーに吸収されてミラーを加熱する。また、ＥＵＶ光用の光学系は真空中に設置され、さらに振動の問題によって直接水冷が困難であるため、ミラーを効率的に冷却することは困難である。
【００１１】
この結果、多層膜ミラーの温度が上昇し、熱変形により形状の誤差が生じ、更に多層膜の構造が破壊されて反射率が低下するという問題を生じる。
【００１２】
また、結像光学系により結像した像の強度分布を測定する検出器としてはＣＣＤ等が使用されるが、検出器に入射する光強度が大きい場合には検出器の出力が飽和して正確な測定ができなくなる問題を生じる。
【００１３】
このような問題を解決するためには光量を減衰するためのフィルターを用いることが有効である。しかし、例えば金属製の薄膜をフィルターとして用いる場合には数μｍ程度の厚さにする必要があり、熱による融解やフィルターの透過率むら等を生じるために実際の測定には使用できない。
【００１４】
本発明は、以上のような状況に鑑みてなされたものであって、出力の大きなＥＵＶ光源の集光点の位置や大きさ、形状を精度良く測定することが可能な測定装置、及びそれを用いた測定方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記課題を解決するために、本発明に係る測定装置はプラズマ光源から発生したＥＵＶ光を含む光束を集光ミラーで集光点に集光して放出するＥＵＶ光源の該集光点の空間分布を測定する測定装置であって、測定される光束の光路上に光束を減衰する複数の開口部を有する遮光板を有することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明に係る別の測定装置はプラズマ光源から発生したＥＵＶ光を含む光束を集光ミラーで集光点に集光して放出するＥＵＶ光源の該集光点の空間分布を測定する測定装置であって、測定される光束の光路上に光束を減衰する所定のガスを含むガスフィルターを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
上記手段を用いることにより、出力の大きなＥＵＶ光源であっても、その集光点の位置や大きさ、形状を精度良く測定することが可能な測定装置、及びそれを用いた測定方法を提供することが可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、発明を実施するための最良の形態について実施例を用いて具体的に説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１は、本発明の実施例１に係るＥＵＶ光源の集光点の位置、大きさ形状等の空間分布の測定を行なう測定装置１４を示す図である。図１においては測定装置１４を測定に係るＥＵＶ光源１７に取り付けた状態を示す。
【００２０】
ＥＵＶ光源１７は、タ−ゲット材にパルスレ−ザ−光を照射し、又は放電によりガス分子を励起することによって発光点２０においてＥＵＶ光を含む光線１を発するプラズマを発生する。回転楕円面からなる集光ミラー１６は、前記発光点２０の位置又はその近傍を一方の焦点とする位置に配置されて、発光点２０から放射された光線１を他方の焦点位置に集光して結像する。図１において、集光点２の位置が集光ミラー１６の一方の焦点位置に対応する。集光点２に集光した光線１は、集光点２を二次光源として発散し、露光用光源として用いられる場合には露光器の照明光学系に導かれる。
【００２１】
ＥＵＶ光源１７が露光用光源として用いられる場合には、集光点２が所定の位置にあって対称な強度分布を有することで、集光点２からの発散角内において対象な強度分布を有することが望ましい。更に、露光器の照明光学系における諸収差を抑制するためには、集光点２の大きさが一定以下であることが望ましい。
【００２２】
しかしながら、上述の通り発光点２０は様々な方法で発生されるプラズマによって構成されるため、必ずしも位置や大きさ、分布などが理想的でない場合が生じる。また、集光点２は発光点２０を集光ミラー１６で結像したものであるため、集光ミラー１６の形状誤差や反射率の分布などによってさらに位置や大きさ、分布などの空間分布に変動を生じる。このため、良好な露光を行うためには本発明に係る測定装置１４等により、実際の集光点２の位置や大きさ、分布を確認して所定の条件を満たすものとすることが重要となる。
【００２３】
本発明に係る集光点２の空間分布評価装置である測定装置１４は、集光点２から発散する光線１を凹面ミラーである第１ミラー３と凸面ミラーである第２ミラー４で構成されるシュバルツシルト光学系によって、スクリーン８に拡大結像する。ここで第１ミラー３と第２ミラー４には、それぞれ凹面凸面に加工された基板の表面に多層膜が蒸着された多層膜ミラーが用いられる。波長１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光に対して用いられる多層膜ミラーとしては、ＭｏとＳｉが交互に積層され１３．５ｎｍをピークに±０．５ｎｍ付近の波長のＥＵＶ光を反射するものが用いられる。
【００２４】
測定対象であるＥＵＶ光はガス分子による減衰が激しいため、ＥＵＶ光の光路であるチャンバー１５は真空に保たれることが望ましい。
【００２５】
本実施例においては、スクリーン８として蛍光体９が形成されたガラス基板１０を用いている。蛍光体９で吸収されたＥＵＶ光は蛍光体特有の波長の可視光である蛍光１２に変換され、ガラス基板１０及び真空窓であるビューポート１１を介して大気中に置かれたＣＣＤ１３に結像することによって、集光点２の像が測定される。また、スクリーン８として直接ＣＣＤを設置してもよい。
【００２６】
本実施例では、集光点２と第１ミラー３の間に減光板５、第２ミラー４とスクリーン８の間にガスフィルター７を挿入している。
【００２７】
図２および図３は減光板５に設けられる開口の形状を示している。減光板５は、光を遮る遮光板に、図２に示すピンホール形状、または図３に示すスリット形状の開口を有するものであることが望ましい。特に集光点２から発散された光線の強度分布が減光板５の位置で円状の場合には図２のピンホール型が、輪帯状の場合には図３のスリット型を用いることが望ましい。また、減光板５はスクリーン８の位置に結像しない位置に配置されることが望ましい。特に、減光板を使用しても集光点２内の強度分布が変化させず、各位置から放射された光を均一に減光するためには、測定装置１４の光学系内の瞳面に配置されることが望ましい。
【００２８】
また、減光板５の開口の直径または幅ｄは、集光点と減光板５の開口までの距離をＬ、波長をλ、所望の解像力をＲとして、レイリー限界から、Ｒ≒０．６１λ／（０．５ｄ／Ｌ）が得られるので、式１を満たすものとすることで減光板５の開口による解像力の低下は生じない。 
ｄ＞１．２２＊λ＊Ｌ／Ｒ    （式１）
特に、集光点２の重心位置の変動を測定する場合には、解像力Ｒは集光点の直径Ｄの１／５程度であればよいので、幅ｄは式２を満たせば十分となる。 
ｄ＞６．１＊λ＊Ｌ／Ｄ    （式２）
例えば、減光板５が集光点から１５０ｍｍの位置に置かれている場合、測定対象であるＥＵＶ光の波長が１３．５ｎｍで、必要とする解像力を０．１ｍｍとすれば、開口の直径は２５μｍ以上であればよい。本実施例においては、直径１００μｍの開口がピッチ２ｍｍ間隔で開けられており、解像力の低下を生じずに０．００２倍の減光率としている。
【００２９】
減光手段として所定の開口を有する減光板５を用いることにより、所望の減光率を得ることができると共に、薄膜フィルターを用いた場合に比較して熱伝導の良い厚板を使用できると共に、面内の減光率の分布をより均一にすることができる。
【００３０】
図４はガスフィルター７の構造を示している。ガスフィルター７は、光線の入射側がＥＵＶ光を透過する薄膜でできており、反対側がスクリーン８となっている。この空間に例えばＸｅガスを封じてＥＵＶ光を減衰させることができる。ガスフィルター７内部の圧力は、ガスフィルター７にガスの供給管で連結された図示されない圧力制御手段によって制御される。
【００３１】
図５は、温度３００Ｋにおいてガス中の光路長を５０ｍｍとしたときの１３．５ｎｍの光の透過率とＸｅのガス圧の関係３０を示す。図５に示すように、一定の温度であればガスの圧力を制御することで、透過する光の強度を１桁から６桁程度まで減衰させることできる。透過率は数密度の関数なので、温度が変化する場合、圧力Ｐと温度ＴでＰ／Ｔが所定の値になる制御すればよい。
【００３２】
ガスフィルター７には、ガスを封止するための窓が必要となる。窓はＥＵＶ光を所定の透過率で透過する必要があるため、薄い膜で製作される必要がある。このため、ガスフィルターの圧力を増加すると、ガスの圧力によって窓が撓み、光線が通過する位置によって透過率が変化する。これを避けるために、格子状の枠で構成されるメッシュでサポートされた薄膜をガスフィルターの窓に使用しても良い。この時、サポートメッシュの影がスクリーン上の強度むらとならないために、サポートメッシュをスクリーンから一定距離はなれた位置におくことが望ましい。
【００３３】
メッシュの影がスクリーン８上に投影されても問題の生じない距離Ｌ２は以下のように求められる。メッシュ上の光線の切る距離Ｄが、メッシュのピッチＰの１０倍以上となるような、距離Ｌ２の条件は、光学系の開口数をＮＡ、倍率をＭとするとき式３で表せる。 
Ｌ２＞５＊ｐ＊Ｍ／ＮＡ    （式３）
この様にメッシュのついたガスフィルターの窓６を配置することで、Ａ点を発した光線もＢ点を発した光線もその光路の中に十分多くのメッシュの枠が入ることから、メッシュがスクリーン８上の強度むらを生じさせない。
【００３４】
窓６とサポートメッシュの組合せの一例として、厚さ０．２μｍのＺｒ薄膜で１３．５ｎｍの光が５０％透過する窓６を構成し、厚さ３０μｍのＮｉの格子状の枠で構成されるメッシュによって支持する。この時、メッシュのピッチを０．３ｍｍとし、ＮＡ＝０．１で倍率２．５倍の光学系を用いた場合、式３から窓６とスクリーン８の距離Ｌ２を３７．５ｍｍ以上とすれば、メッシュの影がスクリーン８上に観察されない。
【００３５】
さらに、ガスフィルター７内のガス（Ｘｅ）の圧力を０〜１５００Ｐａまで制御すれば、透過率０．５〜０．０００１までの制御が行なえる。尚、Ｚｒ薄膜は可視光を完全に遮蔽し、可視光除去のフィルターの役目を兼ねている。
【００３６】
薄膜フィルターを用いた場合、厚さのむらによってＥＵＶ光の透過率に違いを生じる問題がある。例えば、Ｚｒフィルターの場合、厚さ±０．１μｍのむらで±３０％の透過率むらが生じる。そこで、メッシュサポートと同様にスクリーン上の１点に入射する光線が、薄膜フィルターを横切る位置で、膜厚むらの凹凸を多く含めば、膜厚むらによる強度むらはスクリーンで観察されない。薄膜フィルターとスクリーンの位置関係は、式３に透過率のむらを掛けたものになる。むらのピッチをｐ、光学系の開口数をＮＡ、倍率をＭ、フィルターとスクリーンの距離をＬ３、透過率むらの平均周期をＰＶとするとき、式４の条件を満たす位置に、薄膜フィルターを設置すれば、膜厚むらによる強度むらはスクリーンで観察されない。 
Ｌ３＞５＊ｐ＊ＰＶ＊Ｍ／ＮＡ    （式４）
また、薄膜フィルターがミラーと集光点の間にあってもよく、その場合、Ｍ＝１とすればよいので、式５に従う位置に設置すればよい。 
Ｌ３＞５＊ｐ＊ＰＶ／ＮＡ    （式５）
薄膜フィルターの温度上昇が問題となる場合には、厚さ数１０μｍでピッチが数１００μｍの格子状のサポートメッシュで支持された薄膜を使用すれば、熱はサポートメッシュを通してサポートメッシュの枠に逃がすため、薄膜の温度は上昇しない。この場合、サポートメッシュの影がスクリーン上に投影されないためには、式３の条件を満たす位置に、薄膜フィルターを置けばよい。また、ガスをガスフィルター７に循環させることで、窓の熱を効率的に取り除くことができる。
【００３７】
以上説明した減光板５、ガスフィルター７、ガスフィルターの窓６とそのメッシュサポートについては、上記の構成に限定されることなく、それぞれに説明とは適宜異なる透過率を持たせることができる。また、減光板５とガスフィルター７の設置位置も上記説明に限定されることは無く、光路各部の光強度などを考慮して適宜決定することができる。
【００３８】
減光板５により、第１ミラー３と第２ミラー４に入射する光線の強度を十分小さくでき、ミラーに与える損傷を抑制できる。また、ガスフィルター７により、スクリーン８に設ける強度センサーに合わせた透過率とすることができる。
【００３９】
尚、本実施例においては、シュバルツシルト光学系を結像光学系として用いた場合について説明したが、結像光学系は反射ミラーを用いた偏心光学系であっても本発明の適用が可能である。
【実施例２】
【００４０】
第２の実施例では、ガスフィルター７に用いるガスとしてＸｅとＳＦ６の混合ガスを用いた場合について説明する。図６にＸｅ、ＳＦ６、およびその混合ガスの１２〜１４ｎｍの光に対する透過率を示す。いずれも光路長４０ｍｍ、圧力４００Ｐａで、横軸に波長を縦軸に透過率を示す。ＸｅやＳＦ６の単一のガスでは、波長に依存して透過率が変化することがわかる。これに対し、ＸｅとＳＦ６の混合ガスを用いることで、透過率の波長依存性が小さなガスフィルターを構成することができることが図６から分かる。図６においてはＳＦ６―４５％Ｘｅの混合比のガスについての透過率の波長依存性を示したが、４０％〜６０％のＸｅを含む混合ガスを用いれば、１３〜１４ｎｍの範囲において略均一な透過率を有するガスフィルターを構成することができる。
【００４１】
ガスフィルターに混合ガスとして用いるガスは、ＸｅやＳＦ６に限定されるものではなく、注目する波長域において吸収係数の波長に対する微係数が正のガスと負のガスを適切な濃度で混合すれば、透過率の波長に対する依存性の小さなガスフィルターを構成することができる。
【実施例３】
【００４２】
第３の実施例では、ガスフィルター７に用いるガスとしてＸｅとＫｒの混合ガスを用いた場合について説明する。図７は多層膜ミラーを用いたシュバルツシルト光学系で反射したＥＵＶ光に対してＫｒを含むガスをガスフィルター７に用いた場合の分光強度を示す。
【００４３】
図１に示したようなシュバルツシルト光学系を用いてＥＵＶ光を結像させる場合には、反射ミラーとして多層膜ミラーが用いられる。多層膜ミラーは、特定の入射角で入射する特定波長の光を特定の方向に回折して反射する特性を有するため、反射を受けた光線は所定の設計波長に極大をもつ強度分布を有することとなる。しかしながら、本発明に係る測定装置のようにミラーのどこに当たったＥＵＶでも均一な反射率を得ようとして、多層膜の層数を少なくしたシュバルツシルト光学系で反射されたＥＵＶ光は、例えば分光強度３１のように、実際に露光に用いられる１３．３６５ｎｍ乃至１３．６３５ｎｍの範囲に対して比較的広い波長で強度を持つ。このため、このＥＵＶ光の空間分布の測定結果は実際に露光に使用するＥＵＶ光の空間分布と一致しない場合がある。
【００４４】
一方、Ｋｒは吸収曲線３３に示すように１３．５ｎｍの両側に強い吸収を有する。このため、分光強度３１を持つＥＵＶ光に対してＫｒをガスフィルター７に用いることで、１３．５ｎｍ付近が強調された分光強度３２が得られ、より実際の露光波長についての情報が得られやすくなる。
【００４５】
Ｘｅは図６に示すように、１３．５ｎｍ近傍において比較的平坦な吸収特性を持つ。このため、上記の選択的な吸収を生じるＫｒと例えばＸｅをそれぞれ所定の分圧で有するガスフィルター７を用いることで減衰率の調整と波長選択を同時に行うことができ、特に実際に露光に用いる１３．５ｎｍ付近の波長の強度の空間分布を得ることができる。
【実施例４】
【００４６】
第４の実施例では、以上説明した測定装置１４で集光点２の空間分布を測定する際の測定精度を高める方法について説明する。図８は、本実施例に係る測定装置であって、測定の校正を行うための可倒式のチャート板１８を集光点２の位置に設けた測定装置を示す。また、図９は、チャート板１８に設けられた格子点状のピンホール１９を示す。
【００４７】
以下にチャート板１８を用いて精度良く集光点２の空間分布を測定する方法について説明する。
【００４８】
まず、チャート板１８を光軸上に設置した状態で光源を発光させ、光線１がピンホール１９を通過するようにしてスクリーン８に結像し、ピンホール１９の像の位置を求める。この際の実際のピンホール１９の位置と、スクリーン８に結像したピンホール１９の像の位置の関係から、結像光学系とＣＣＤ光学系を通した一連の像歪みが求められる。
【００４９】
次に、チャート板１８を光軸上から取り外して、実施例１で説明したように集光点２の像をスクリーン８に結像して集光点の空間分布を測定する。この際に、先に求めた集光点からスクリーン８までの光学的な歪を考慮することで、集光点の像を正確に求めることができる。
【００５０】
以上のように測定上で生じる像の歪を補正することで、測定中に結像光学系の熱膨張などが生じた場合でも集光点の像を正確に求めることができる。
【００５１】
ここで、チャート板１８は集光ミラー１６による集光位置に設けられることが好ましい。また、チャート板１８が一定の厚みを持つ場合には、光の入射側の面を集光位置に設置し、ピンホール１９の断面構造を図１０に示すように、光軸方向に一定以上の角度で広がっている形状とすることが好ましい。この時のピンホール１９の広がり角度θは、測定対象の光源の角度をＮＡとすると、式６で表される。 
θ＞２＊ａｒｃｓｉｎ（ＮＡ）    （式６）
チャート板１８に開けられる開口はピンホール１９に限定されることなく、スリット等でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】実施例１に係るＥＵＶ光源の集光点の空間分布の測定を行なう測定装置１４を示す図である。
【図２】減光板５に設けられる開口の形状の一例を示す図である。
【図３】減光板５に設けられる開口の形状の一例を示す図である。
【図４】ガスフィルター７の構造を示す図である。
【図５】Ｘｅのガス圧と１３．５ｎｍの光の透過率（光路長：５０ｍｍ）との関係を示す図である。
【図６】各種ガスの１２〜１４ｎｍの光に対する透過率を示す図である。
【図７】多層膜ミラーを用いたシュバルツシルト光学系で反射したＥＵＶ光に対してＫｒを含むガスをガスフィルター７に用いた場合の分光強度を示す図である。
【図８】実施例４に係るＥＵＶ光源の集光点の空間分布の測定を行なう測定装置を示す図である。
【図９】チャート板１８に設けられた格子点状のピンホール１９を示す図である。
【図１０】ピンホール１９の断面構造を示す図である。
【図１１】ＥＵＶ露光装置の概念図を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  ＥＵＶ光を含む光線
２  集光点
３  第１ミラー
４  第２ミラー
５  減光板
６  窓
７  ガスフィルター
８  スクリーン
９  蛍光体
１０  ガラス基板
１１  ビューポート
１２  蛍光
１３  ＣＣＤ
１４  測定装置
１５  チャンバー
１７  ＥＵＶ光源
１６  集光ミラー
２０  発光点
【図１】
2005268035.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2005268035.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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