(57)【要約】【課題】  半導体発光デバイスを製造する方法を提供すること。【解決手段】  半導体発光デバイスを製造する方法は、基板（１）と層構造（４）を含む半導体ウエーハ表面の１つ以上の選択された部分の上に導電性材料（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）を堆積することを包含する。層構造は（４）は、第１の導電率の第１の半導体層と第１の導電率のタイプとは異なる第２の導電率のタイプのと第２の半導体層（３）を少なくとも有しており、第１の層（２）は、第２の層（３）と基板（１）との間にある。導電性材料（９）は、第１の半導体層（２）にコンタクトを形成する。それから、ウエーハは、ダイシングされ、複数の発光デバイスを形成し、各発光デバイスは、導電性材料のそれぞれ部分を有する。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光デバイスを製造する方法であって、
ａ）基板（１）と層構造（４）を含む半導体ウエーハ表面の１つ以上の選択された部分の上に導電性材料（９）を堆積するステップであって、該層構造は（４）は、第１の導電率のタイプの第１の半導体層（２）と第１の導電率のタイプとは異なる第２の導電率のタイプの第２の半導体層（３）を少なくとも有しており、該第１の層（２）は、該第２の層（３）と該基板（１）との間にあり、その結果、該導電性材料（９）は、該第１の半導体層（２）にコンタクトを形成する、ステップと、
ｂ）前記ウエーハをダイシングすることにより、複数の発光デバイスを形成するステップであって、各発光デバイスは、該導電性材料のそれぞれの部分を有する、ステップと
を順に包含する、方法。
【請求項２】
ステップ（ａ）は、前記ウエーハの表面の前記１つ以上の選択された部分の上に前記導電性材料（９）を融解することを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップ（ａ）は、前記導電性材料（９）の前記融解温度より高い温度まで前記ウエーハを加熱することを包含する、請求項１もしくは請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ステップ（ａ）は、前記ウエーハの表面の前記１つ以上の選択された部分の上に前記導電性材料（９）を堆積することと、
該堆積した導電性材料（９）に熱を加えることにより、該堆積した導電性材料（９）を融解することと
を包含する、請求項１から請求項３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
ステップ（ａ）は、前記ウエーハの表面の前記１つ以上の選択された部分の上に前記導電性材料（９）を融解し、その結果、該融解した導電性材料が、前記第１の半導体層（２）に貫通することを包含する、請求項２から請求項４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記導電性材料は、４００℃以下の融解点を有する、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
ステップ（ａ）は、前記ウエーハの表面に１つ以上の溝を形成することと、
前記ウエーハの表面の前記１つ以上の選択された部分の上および該１つ以上の溝内に前記導電性材料（９）を堆積することと
を包含する、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記１つ以上の溝は、前記第１の半導体層を露出するために、前記第２の半導体層の完全なる厚さを貫通して拡大する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ウエーハの表面の１つ以上の部分は、線形に拡大する、請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記導電性材料（９）は、複数のストリップ（１１ａ〜１１ｆ；１３ａ〜１３ｆ）に堆積し、その結果、ステップ（ｂ）で形成された各デバイスは、該導電性材料（９）の少なくとも２つの異なるストリップのそれぞれの部分（９ａ〜９ｄ）を包含する、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
半導体発光デバイスを製造する方法であって、
ａ）基板（１）と層構造（４）を含む半導体ウエーハの第１の半導体層（２）の１つ以上の選択された領域を露出するステップであって、該層構造（４）は、第１の導電率のタイプの第１の半導体層（２）と該第１の導電率のタイプとは異なる第２の導電率のタイプの第２の半導体層（３）を少なくとも有しており、該第１の層（２）は、該第２の層（３）と該基板（１）との間にある、ステップと、該第１の半導体層（２）の１つ以上の露出した部分の上に４００℃以下の融解点を有する導電性材料（９）を直接的に堆積することにより、該第１の半導体層（２）に電気コンタクトを形成するステップと、
ｂ）前記ウエーハをダイシングすることにより、複数の発光デバイスを形成するステップであって、各発光デバイスは、該導電性材料のそれぞれの部分を有する、ステップと
を順に包含する、方法。
【請求項１２】
前記導電性材料（９）は、３５０℃以下の融解点を有する、請求項６から請求項１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
ステップ（ａ）は、前記第１の半導体層（２）の前記１つ以上の露出した部分の上に前記導電性材料（９）を融解することを包含する、請求項１１もしくは請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ステップ（ａ）は、前記導電性材料（９）の前記融解温度より高い温度まで前記ウエーハを加熱することを包含する、請求項１１から請求項１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
ステップ（ａ）は、前記第１の半導体層（２）の前記１つ以上の露出した部分の上に前記導電性材料（９）を堆積することと、
該堆積した導電性材料（９）に熱を加えることにより、該堆積した導電性材料（９）を融解することと
を包含する、請求項１１から請求項１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
ステップ（ａ）の後であってステップ（ｂ）の前に、前記ウエーハをアニールするステップを包含する、請求項１から請求項１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記導電性材料（９）は、金属である、請求項１から請求項１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記導電性材料は、インジウムである、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ウエーハ上の前記第２の半導体層（３）に複数のコンタクト（５、６）を提供するさらなるステップを包含し、その結果、ステップ（ｂ）で得られた各発光デバイスは、該第２の半導体層（３）に該コンタクト（５、６）のそれぞれの１つを含む、請求項１から請求項１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の半導体層に前記複数のコンタクトを形成するステップは、ステップ（ｂ）の前に実行される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
基板（１）上に半導体層構造（４）を堆積することによって前記半導体ウエーハを成形するステップを包含しており、該層構造は、第１の導電率のタイプの第１の半導体層（２）と第１の導電率のタイプとは異なる第２の導電率のタイプの第２の半導体層（３）を少なくとも有している、請求項１から請求項２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
前記第１の半導体層（２）は、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ層である、請求項１から請求項２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
前記第２の半導体層（３）は、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ層である、請求項１から請求項２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
前記基板（１）は、サファイア基板である、請求項１から請求項２３のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】
請求項１から請求項２４のいずれかで定義される方法によって製造される半導体発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光デバイスの製造に関する。この方法は、特に（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料システムにおける発光ダイオードの製造に適用される。
【背景技術】
【０００２】
（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎの材料システムは、一般式：ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ、を有する材料を含む。このとき、Ｘは、０以上１以下であり、Ｙは、０以上１以下である。本明細書において、アルミニウム、ガリウム、インジウムの非ゼロモル分率を有する（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎの材料システムの要素は、ＡｌＧａＩｎＮと記載され、アルミニウムおよびインジウムのモル分率０かつガリウムの非ゼロモル分率を有する要素は、ＧａＮと記載される等である。
【０００３】
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、基板の表面上に成長された半導体層構造を含む。層構造は、ｐｎ接合をともに提供する少なくとも１つのｎ型のドープされた層および少なくとも１つのｐ型のドープされた層を含む。電流が、ｐｎ接合を通過するとき、光は生成される。半導体デバイスの製造において一般的であるように、ＬＥＤは、５ｃｍオーダーの直径を有する基板上に半導体層を成長させることによって通常、製造される。その結果生じたプロダクトは、通常「ウエーハ」と呼ばれる。それから、ウエーハは、カットつまり「ダイシング」されることにより、個々のＬＥＤチップを形成する。
【０００４】
ＬＥＤは、２つの電気コンタクトを提供されており、電流がｐｎ接合を通過することを可能にする。１つのコンタクトは、通常、基板から最も離れた層構造の層に置かれる（この層は、便宜上「最上」層もしくは「表」層と呼ばれる。もう１つのコンタクトは、通常、基板の背面に提供される（すなわち、基板の面は、層構造が成長する面の反対側の基板の面）。したがって、１つのコンタクトからもう１つのコンタクトへの電流パスは、層構造の層に対して通常垂直な方向に層構造を通過し、かつ、構造を通過する。
【０００５】
（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎの材料システムにおいて、ＬＥＤを成形することに現在特別な関心がある。（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎの材料システムのＬＥＤは、そのスペクトラムのブルー、バイオレットもしくはウルトラバイオレット領域において光を発光し得るとともに、多くの用途を有し得る。可視光を発光する（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ  ＬＥＤは、カラーディスプレイに用いられ得るか、もしくは他のＬＥＤと組み合わされることにより、白色光源を提供し得る。ＵＶ光を発光する（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ  ＬＥＤは、白色照明装置において蛍光材料にともに用いられ得る。
【０００６】
（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）ＮシステムにおけるＬＥＤの成形において、直面した１つの問題は、サファイアが、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料システムにおいて成形される半導体デバイスの基板としてしばしば用いられることである。サファイア基板は、ドープされ得ず、かつ、高い電気抵抗を有する。このことは、一方のコンタクトが基板裏面に形成された標準縦型ＬＥＤデザインを、サファイア基板上に（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料システムが成形されるＬＥＤに用いることを妨げる。そうして、ＬＥＤを通過する電流パスは、高すぎる電気抵抗を有する。
【０００７】
図１は、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料システムにおいてサファイア基板１上に成長するＬＥＤに一般的に用いられる構造を示す。ｎ型のドープされた層２およびｐ型のドープされた層３を少なくとも含む層構造４が、基板１の上に成長する。図１（ａ）において、ｎ型層２は、基板１に近い層であり、ｐ型層３は、層構造の上層である。ｐ型コンタクト層５は、ｐ型層３の露出した表面に堆積する。ボンドパッド６が、ｐ型コンタクト層５上に提供されている。ｐ型コンタクト層５によって覆われていないｐ型層３の領域は、エッチングされることにより、ｎ型層２を露出する。ｎ型コンタクト７が、ｎ型層２の露出した部分に堆積する。したがって、ｐ型層３とｎ型層２との間の接合を通過するｎ型コンタクト７からｐ型コンタクト層５への電流パスは、サファイア基板を通過しない。図１（ａ）に示される一般的な構造を有する（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ  ＬＥＤが、特許文献１に記載される。
【０００８】
従来の技術のＬＥＤ構造は、ＬＥＤの成形が、ｐ型コンタクトをパターンニングするステップと、ｎ型層をパターンニングおよびエッチングするステップと、ｎ型コンタクトをパターンニングするステップとを実行するために、多くのプロセシングステップを必要とする不都合を有する。すべてのパターニングステップは、従来、フォトリソグラフィを用いて実行される。
【０００９】
特許文献２は、図１（ａ）示されるＬＥＤと同様な構造を有するＬＥＤを開示する。それは、ｐ型層３に比較的小さい領域を有するｐ型のコンタクトパッドを置き、かつ、ｎ型層の露出した部分に比較的小さい領域を有するｎ型コンタクトパッドを置くことを提案する。それから、例えばインジウムといった導電材料は、コンタクトパッド上および（以前、電気的絶縁層で被覆されていた）層構造の側面に堆積して、大きな領域のコンタクトを形成する。これは、電極領域を減少させ、かつ、大きな領域のボンディングパッドの必要性を取り除くことによりＬＥＤの光出力領域を増加させると言われる。しかしながら、このＬＥＤ構造の製造は、少なくとも図１（ａ）の製造と同等の量のフォトリソグラフィを伴う。
【００１０】
非特許文献１は、サファイア基板１の上に堆積したｎ型層２とｐ型層３によってに形成されるｐｎ接合を有するＬＥＤを記載している。このＬＥＤは、図１（ｂ）に示されている。ｐ型コンタクト層５とボンドパッド６は、図１（ａ）のＬＥＤと同じ方法で、ｐ型層３上に形成される。ｎ型コンタクト７は、またｐ型層３の表面に形成し、ｐ型層３を貫通することにより、ｎ型層２と電気コンタクトを作成する。ｎ型コンタクト７は、「スポット」コンタクト、つまり、ｎ型コンタクトは、ＬＥＤが平面図で見られたとき、小さな領域を有する。
【００１１】
このＬＥＤの製造において、ウエーハがダイシングされて、個々のＬＥＤチップを形成した後、ｎ型コンタクトが施される。ｎ型コンタクトは、それぞれ個々のＬＥＤチップに、ハンダ付けを用いて、手で施される。したがって、この成形技術は、大量生産に対して全く適していない。それぞれ個々のＬＥＤチップに各ｎ型コンタクトを手で施すことは、大変なコストと時間がかかり、また最終的な最小のＬＥＤの大きさを増加させる。これは、所定の領域からの作られるＬＥＤチップの数が減少するので、産出を減少させる。
【００１２】
特許文献３は、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎシステムにおいて、ＬＥＤを製造する方法を開示する。この方法において、順に、ｎ型ＧａＮ層と、ｎ型ＡｌＧａＮ層と、ｐ型ＡｌＧａＮ発光層と、さらなるｐ型ＡｌＧａＮ層と、第１および第２ＧａＮ型コンタクト層とを含む、層構造が成長する。層構造は、エッチングされて、下向きに伸びて、コンタクト層と、ｐ型ＡｌＧａＮ層と、ｎ型ＡｌＧａＮ層とを貫通して、ｎ型ＧａＮ層内に達するリセスを作成する。ニッケルが、気相成長によってリセスに堆積して、デバイスのｎ型コンタクトを形成する。
【００１３】
特許文献４は、（Ａｌ，Ｇａ）Ｎシステムにおいて、発光デバイスを製造する方法を開示する。ｎ型ＧａＮ層の上に堆積したｉ型ＧａＮ層を有する層構造が成長し、リセスがｉ型層に形成されて、ｎ型層を露出する。アルミニウムが、リセスに堆積して、デバイスのｎ型コンタクトを形成する。ｎ型コンタクトを形成するためにアルミニウムを堆積するプロセスは、ウエーハの全体の上面の上にアルミニウムを堆積することを伴い、マスキングとエッチングステップが後に続き、ｎ型コンタクトが形成されるべき以外の領域からアルミニウムを除去する。
【００１４】
特許文献５は、ＧａＮ材料システムにおいて、発光デバイスの製造の方法を開示する。ｎ型ＧａＮ層の上に堆積したｉ型ＧａＮ層を有する層構造が成長し、リセスが、ｉ型層に形成されて、ｎ型層を露出する。アルミニウムが、蒸着によって、ウエーハの全表面上に堆積する。ニッケル膜もしくは銅膜が、リセス内のアルミニウムおよびｐ型コンタクトが所望される場所に選択的に堆積する。それから、ウエーハが、ハンダ槽に浸されて、ニッケル膜もしくは銅膜上にハンダバンプを形成する。同時に、ニッケル膜もしくは銅膜で覆われていないアルミニウムは、ハンダ槽によってエッチングされる。
【００１５】
特許文献６は、（Ａｌ，Ｇａ）Ｎ材料システムにおいて、発光デバイス製造の方法を開示する。バッファ層と、ｎ型クラッディング層と、バリア層、さらなるクラッディング層と、キャップ層とを有する層構造が、成長する。層構造は、バッファ層の一部分を露出するように、部分的にエッチングされる。それから、金属電極（例えば、金もしくはアルミニウム電極）は、スパッタリングにより、バッファ層の露出した部分上に堆積して、ｎ型電極を形成する。
【特許文献１】米特許第５，５６３，４２２号明細書
【特許文献２】米特許第６，２８１，５２４号明細者
【特許文献３】米特許第５，７５３，９３９号明細書
【特許文献４】米特許第５，３６９，２８９号明細書
【特許文献５】特開昭５５―９４４２号公報
【特許文献６】特開平８―５１２３５号公報
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，Ｖｏｌ．６６  Ｎｏ．３  ｐｐ２６８〜２７０（１９９５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
半導体発光デバイスを製造する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の第１の局面は、半導体発光デバイスを製造する方法を提供する。方法は、順に以下のステップを包含する。
ａ）基板と層構造を含む半導体ウエーハの表面の１つ以上の選択された部分の上に導電性材料を堆積するステップであって、層構造は、第１の導電率のタイプの第１の半導体層および第１の導電率のタイプとは異なる第２の導電率のタイプの第２の半導体層を少なくとも有しており、第１の層は、第２の層と基板との間にあり、その結果、導電性材料は、第１の半導体層に電気コンタクトを形成する。
ｂ）ウエーハをダイシングすることにより、複数の発光デバイスを形成するステップであって、各発光デバイスは、導電性材料のそれぞれの部分を有する。
【００１８】
本発明の方法によれば、ｐｎ接合の下層（すなわち、基板により近いｐｎ接合の層）へのコンタクトは、図１（ｂ）に示されるように、デバイスの上面から作られる。これは、基板の背面にコンタクトを提供する必要性を回避し、発光デバイスが、サファイアといった高抵抗基板上に成形されることを可能にする。
【００１９】
本発明において、ウエーハが、個々のデバイスにダイシングされる前に、ウエーハの下層へのコンタクトが、ウエーハ上に提供される。コンタクトが、ウエーハ上に提供されるので、コンタクトを提供する１つのステップだけが、必要とされる。ウエーハがダイシングされるとき、ダイシングステップで形成される各デバイスは、コンタクトのそれぞれの部分を有する。本発明は、各デバイスにコンタクトを個々に施す必要性を取り除く。本発明の方法は、大量生産に適している。
【００２０】
本発明は、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料システムにおいて、デバイスの製造に適用されるとき、特に利益である。本発明は、絶縁基板上に成長するとき、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎシステムにおいて、ＬＥＤを製造するプロセシング時間およびコストを著しく減少させる。本発明は、またより単純なプロセシングによって、産出を増加させる。
【００２１】
ステップ（ａ）は、ウエーハの表面の１つ以上の選択された部分の上に導電性材料を溶解することを包含し得る。これは、例えば、ハンダ付け型技術を用いることによって、マスキング、エッチング、もしくはフォトリソグラフィすることを用いる必要なしに、コンタクトが堆積することを可能にする。したがって、本発明は、マスキングおよびエッチングのステップを必然的に伴う上述の従来の方法より実行することがより簡単である。
【００２２】
ステップ（ａ）は、導電性材料の溶解温度より高い温度までウエーハを加熱することを包含し得る。これは、材料がウエーハの表面上に溶解することを確実する便利な方法である。
【００２３】
ステップ（ａ）は、層構造の表面の１つ以上の選択された部分の上に導電性材料を溶解することと、堆積した導電性材料に熱を加えることにより、堆積した導電性材料を溶解することとを包含し得る。このことは、ウエーハの表面上に材料が溶解することを確実する他の便利な方法である。
【００２４】
方法は、ウエーハの表面の１つ以上の選択された部分の上に導電性材料を溶解し、その結果、溶解した導電性材料は、第２の半導体層を貫通し、第１の半導体層に達することを包含し得る。
【００２５】
導電性材料は、４００度以下の融解点を有し得る。このことは、導電性材料が「ハンダ付け型」技術によって堆積することを可能にし、導電性材料がウエーハの表面の１つ以上の選択された部分の上に溶解される。上述されたように、このことは、マスキング、エッチング、もしくはフォトリソグラフィステップを用いる必要なしにコンタクトが堆積することを可能にする。対照的に、気相成長、もしくはスパッタリングすることによってｎ型電極が堆積する従来の技術は、マスキング、エッチング、もしくはフォトリソグラフィステップを必然的に伴う。
【００２６】
もしくは、ステップ（ａ）は、ウエーハの表面に１つ以上の溝を形成することと、ウエーハの表面の１つ以上の選択された部分の上、および１つ以上の選択された溝の中に導電性材料を堆積することを包含し得る。これは、材料とウエーハとの間の接着性を増加させる。
【００２７】
１つ以上の溝は、第１の半導体層を露出するために第２の半導体層の完全な厚さを貫通して拡大する。これは、導電性材料が、第１の半導体層にコンタクトを作成することを可能にし、かつ、結果生じたデバイスの電気的特性を向上させる。
【００２８】
層構造の表面の1つ以上の部分は、線形的に拡大する。
【００２９】
導電性材料は、複数のストリップに堆積する。したがって、ステップ（ｂ）で形成される各デバイスは、導電性材料の少なくとも２つの異なるストリップのそれぞれの部分を包む。このことは、結果生じたデバイスにおける電流クラウディング効果を減少させる。
【００３０】
本発明の第２の局面は、半導体発光デバイスを製造する方法を提供する。方法は、順に以下のステップを包含する。
ａ）基板と層構造を含む半導体ウエーハにおける第１の半導体層の１つ以上の選択された領域を露出するステップであり、層構造は、第１の導電率のタイプの半導体層と第１の伝導率のタイプとは異なる第２の導電率のタイプの第２の半導体層を少なくとも有しており、第１の層は、第２の層と基板との間にある。また、第１の半導体層の１つ以上の露出した部分の上に４００度以下の融解点を有する導電性材料を堆積し、これにより、第１の半導体層に電気コンタクトを形成するステップを包含する。
ｂ）ウエーハをダイシングすることにより、複数の発光デバイスを形成するステップであって、各発光デバイスは、導電性材料のそれぞれの部分を有する。
【００３１】
また、４００度以下の融解点を有する導電性材料の使用は、導電性材料が「ハンダ付け型」技術によって堆積することを可能にし、導電性材料がウエーハの表面の１つ以上の選択された部分の上に溶解される。
【００３２】
導電性材料は、３５０℃以下（もしくは、さらに３００℃以下）の融解点を有し得る。このことは、導電性材料を堆積するためにハンダ付け型技術を用いることをより容易にする。一般的に、導電性材料の融解点が低ければ低いほど、導電性材料を堆積するためにハンダ付け型技術を用いることはより容易になる。
【００３３】
ステップ（ａ）は、第１の半導体層の１つ以上の露出した部分の上に導電性材料を溶解することを包含する。
【００３４】
ステップ（ａ）は、導電性材料の溶解温度より高い温度までウエーハを加熱することを包含し得る。
【００３５】
ステップ（ａ）は、第１の半導体層の１つ以上の露出した部分の上に導電性材料を堆積することと、堆積した導電性材料に熱を加えることにより、堆積した導電性材料を溶解することとを包含し得る。
【００３６】
方法は、ステップ（ａ）後であってステップ（ｂ）前にウエーハをアニールすることを包含し得る。
【００３７】
導電性材料は、金属であり得る。金属はイジウムであり得る。
【００３８】
方法は、ウエーハ上の第２の半導体層に複数のコンタクトを提供するさらなるステップを包含し得る。したがって、ステップ（ｂ）で得られる各発光デバイスは、第２の半導体層にコンタクトのそれぞれの１つを含む。
【００３９】
第２の半導体層に複数のコンタクトを形成するステップは、ステップ（ａ）の前に実行され得る。コンタクトが、この順序で形成されるとき、第１の半導体層へのコンタクトは、第２の半導体層へのコンタクトの堆積に用いられるマスクを妨害しない。
【００４０】
方法は、基板上に半導体層構造を堆積することによって半導体ウエーハを成形するステップを包含し得て、層構造は、第１の導電率のタイプを有する第１の半導体層と第１の導電率のタイプとは異なる第２の導電率のタイプを有する第２の半導体層を少なくとも含む。
【００４１】
第１の半導体層は、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ層であり得る。第２の半導体層は、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ層であり得る。
【００４２】
基板は、サファイア基板であり得る。
【００４３】
本発明の第３の局面は、第１もしくは第２の局面の方法によって製造される半導体発光デバイスを提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
本発明は、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料システムにおいて、サファイア基板上のＬＥＤの製造を参照して記載される。しかしながら、本発明は、この特定の適用に限定されない。同様の参照番号は、図中の同様の構成要素を示す。
【００４５】
最初に、半導体層構造４は、図６（ａ）に示されるように、基板１上に成長する。層構造は、第１の導電率のタイプを有する第１の半導体層２（例えば、ｎ型層）と第１の導電率のタイプとは異なる第２の導電率のタイプを有する第２の半導体層３（例えばｐ型層）を少なくとも含み、第１の層は、第２の層と基板との間にある。したがって、層構造は、異なる導電率のタイプの材料間に接合（例えば、ｐｎ接合）を含む。電流が接合を通過するとき、光が発光される。
【００４６】
好ましい実施形態において、層構造は、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮおよび／またはＡｌＧａＩｎＮの複数の層からなり、サファイア基板上に成長する。構造は、順に、基板に隣接した、もしくは意図的にドープされていない領域により基板から分離された、１つ以上のｎ型のドープされた層と、意図的にドープされた層を含み得るもしくは含みえない活性化領域と、１つ以上のｐ型のドープされた層とを含む。したがって、基板から１番遠い層構造の層（これは、「表面層」と呼ばれる）は、本実施形態において、ドープされたｐ型である。（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料の成長において、従来のように、ｎ型ドーピングは、シリコン、ゲルマニウム、セレン、硫黄もしくはテルルでドープすることによって達成され得て、ｐ型ドーピングは、マグネシウム、炭素、ベリリウム、ストロンチウム、バリウムもしくは亜鉛でドープすることによって達成され得る。したがって、ｐｎ接合は、その接合で量子井戸領域とともに形成される。これは、電気的に駆動されて光を発光し得る。
【００４７】
層構造の詳細は、本発明にとって重要ではなく、任意の適切な層構造が用いられる。本発明の方法は、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料システムもしくはサファイア基板に限定されない。成長プロセスの詳細は、本発明にとって重要ではなく、任意の適切な成長技術が用いられ得る。
【００４８】
従来のように、成長プロセスに用いられる基板は、５ｃｍオーダーの直径を有する。基板上に層構造を成長させることは、基板と同じ直径を有するウエーハを作成する。ウエーハは、最終的に、ダイシングシングされて、個々のＬＥＤチップを形成する。
【００４９】
ウエーハがダイシングされる前に、電気コンタクトは、ウエーハ上に提供される。図４（ａ）は、ウエーハの概略的な平面図である。ウエーハは、ダイシングされて、多くのＬＥＤチップを形成する（実際には、ウエーハは、ダイシングされて、９個よりはるかに多いＬＥＤチップを形成するが、９個のＬＥＤチップが、図４（ａ）で示されている）。図４（ａ）は、ｐ型コンタクト５およびｎ型コンタクトを提供する導電性材料１１ａ〜１１ｃのストリップが形成された後のウエーハ８示す。図４（ｂ）は、図４（ａ）の拡大図の一部であり、単一のＬＥＤチップに対応するウエーハの領域を示す。
【００５０】
図４（ａ）、図４（ｂ）、図６（ｃ）に示されるｐ型コンタクトは、従来のｐ型コンタクトである。各ｐ型コンタクトは、ｐ型コンタクトのボンドパッド６が堆積するコンタクト層５を含む。コンタクト層５は、好ましくは、ＬＥＤによって発光される光に対して透明である（ここで、透明は、ＬＥＤより発光される光の１％より多く透過すると定義される）。ｐ型コンタクトは、従来のマスキングもしくはフォトリソグラフィ方法を用いて堆積し得る。それらは、例えば、高速熱アニール装置（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）内で、５２０℃で５分間アニールされ得る。１つのｐ型コンタクト層５は、ウエーハ８が、ダイシングされるとき、形成されるべきと意図される各ＬＥＤチップに提供される。
【００５１】
ｎ型コンタクト９は、ウエーハ８の表面の１つ以上の選択された部分に導電性材料を堆積し、その結果、導電性材料がウエーハの表面上に溶解してｎ型半導体層２に電気的導電パスを形成することによって作成される。溶解した導電性材料は、ｐ型層３に貫通し得て、かつ、図６（ｃ）に示されるように、好ましくは、ｐ型層３を貫通し、ｎ型層２に達する。
【００５２】
本発明の好ましい実施形態において、溝もしくはスクラッチ１４は、図６（ｂ）に示されるように、ｎ型コンタクト９の意図される位置に沿ってｐ型層３に形成される。特に好ましい実施形態において、溝は、ｎ型層２を露出するために十分に深くされる。なぜなら、このことは、ｎ型コンタクトの材料が、ｎ型層に直接的なコンタクトを作成することを可能にすることによって、最終的なデバイスの向上した電気的特性を提供することが認識されたからである。ｎ型コンタクト９の意図された位置に沿って、溝１４を提供することは、またｎ型コンタクトとウエーハとの間の接着性を向上するとともに、デバイスの信頼性を向上し得る。図６（ｃ）に示されるように、溝１４が形成された後、導電性材料９は、溝１４および溝に隣接したウエーハの表面の領域上に堆積する。
【００５３】
好ましい実施形態において、溝は、メカニカルプロセスを用いて、例えば、ウエーハの表面をスクラッチすることにより形成される。このことは、溝の形成が、マスク、エッチングもしくはフォトリソグラフィステップを必要としない利点を有する。
【００５４】
溝の幅は、原則的に、溝を形成するのに用いられる技術が可能な限り小さくされる。原則的に、溝の幅について上限はないが、溝の幅を大変広くすることは、各ＬＥＤの大きさを増加させるとともに、１つのウエーハから作成されるＬＥＤの数を減少させる。溝１４の幅は、通常１０μｍ〜１ｍｍの範囲である。
【００５５】
ｎ型層を露出するために、ｎ型コンタクト９の意図される位置に沿って、ｐ型層３に溝を形成することが好まれるが、溝を形成するステップは、省略され得て、本発明は、ｎ型コンタクトの意図される位置に沿って、ｐ型層の表面上に導電材料を単純に堆積することにより、実行され得ることが認識された。もしくは、ｎ型層を露出するには十分に深くない溝が、ｎ型コンタクトの意図される位置に沿って、ｐ型層に形成され得る。
【００５６】
（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料システムの特徴の１つは、マキシマムｐドーピングの低い達成値である。これは、ｎ型層２より、より大きい電気抵抗有するｐ型層３に結果的になる。したがって、図６（ｃ）ＬＥＤにおいて、ｐ型層３を介してのｎ型コンタクト９からｐ型コンタクトパッド６への電流パスが存在するけれども、この電流パスは、ｎ型層２を介してのｎ型コンタクト９からｐ型コンタクトパッド６への電流パス（図６（ｃ）に示される電流パス１０）よりも著しく高い抵抗を有する。したがって、この電流パス１０が、ＬＥＤが動作しているとき、主要な電流パスである。
【００５７】
本発明によれば、ｎ型コンタクトは、ウエーハがダイシングされる前にウエーハ上に導電性材料を堆積することによって形成される。その結果、ウエーハ８がダイシングされるとき、材料は、１つより多いＬＥＤチップに対してｎ型コンタクトを形成する。図４（ａ）の実施形態において、導電性材料は、互いにおよそ平行である３つのストリップ１１ａ、１１ｂ、１１ｃで、ウエーハ上８に堆積する。
【００５８】
ウエーハ８がダイシングされるとき、導電性材料の各ストリップは、１つより多いＬＥＤチップに対してｎ型コンタクトを形成するようにカットされる（各チップは、図４（ａ）の例において、３つのＬＥＤチップに対してｎ型コンタクトを形成するようにカットされる）。例えば、図４（ａ）のウエーハ８がダイシングされるとき、ＬＥＤ構造の中央の縦の列から得られる各ＬＥＤチップは、導電材料の中央のストリップ１１ｂの一部で形成されるｎ型コンタクト有する。
【００５９】
したがって、本発明は、ウエーハがダイシングされた後、各ＬＥＤチップに個々のｎ型コンタクトを施す必要性を取り除く。ウエーハ上に提供される各導電ストリップは、複数のＬＥＤに対してｎ型コンタクトを形成する。
【００６０】
原則的に、ｎ型コンタクトを形成するために用いられる材料は、（提供されているとき、適切な技術によって）、ウエーハ上および溝１４内に適用され得る。しかしながら、ｎ型コンタクトの材料が、ウエーハの表面の一部の上および溝１４（存在するとき）内に、直接的に適用されることが好まれる。このとき、コンタクトを形成することが所望される。このことは、マスキングもしくはエッチングステップの必要なしにウエーハ８上にｎ型コンタクトが堆積することを可能にする。これは、本発明が、大量生産技術に適用されることを可能にする。したがって、本発明の実施形態は、絶縁基板上にＬＥＤを作成する迅速で、廉価で、容易な方法を提供し、特に、（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料システムにおいて、ＬＥＤの大量生産に適用され得る。
【００６１】
ウエーハ上に直接的にｎ型コンタクトを施す１つの方法は、金属プローブ（つまり「先端」）を用いてウエーハ上にインジウムもしくはハンダといった低い融解点を有する金属を堆積することである。ｎ型コンタクトを形成するために用いられる材料が、低い融解温度の金属であるとき、ｎ型コンタクトの材料は、室温であるウエーハ上に適用され得て、熱は、材料を適用するプローブつまり先端によって供給されているｎ型コンタクト材料を融解するのに必要とされる。コンタクトを形成する金属は、最初は、固体であり、ハンダ付け型技術において、ウエーハの表面上に加熱されたプローブに対して融解され、プローブは、半田ごての先端として働く。もしくは、ｎ型コンタクトの材料は、材料の融解温度より高い温度まで加熱されるウエーハに適用され得て、かつ、独立的に加熱されない先端に適用される。さらなる代替として、ｎ型コンタクトの材料は、室温より高く独立的に加熱される先端を介して室温より高く加熱されるウエーハに適用され得る。
【００６２】
一般的に、ハンダ付け型技術もしくは上述の他の技術のうちの１つ使用は、ｎ型コンタクトに用いられる金属が、およそ４００℃未満の融解点を有することを必要とする。（好ましくは、３５０℃未満、もしくはさらに３００℃未満の融解点を有することを必要とする。）４００℃未満の融解点を有する適切な金属は、インジウムおよび多くのハンダを含む（疑義を避けるために、ここで用いられる用語「金属」は合金を含む）。
【００６３】
ｎおよびｐ型コンタクトが、ウエーハ８上に提供された後、ウエーハは、ダイシングステップで形成される各々のＬＥＤチップ１２上に、ｐ型コンタクト５、６およびｎ型コンタクトを形成する導電材料のストライプを残すようにウエーハがダイシングされる。ダイシングステップで形成される１つのＬＥＤチップは、図４（ｂ）で示される。それから、各ＬＥＤチップ１２は、図５に示されるように、ヘッダー１６に実装される。導電性材料１４が、チップのｎ型コンタクト９をヘッダーのベースへショートするように形成される。絶縁体１８によってヘッダーベースの残りから電気的に絶縁されたヘッダーベースの領域１７に接続されている外部リード１５は、ｐ型コンタクトのボンドパッド６に結合される。
【００６４】
図２、３は、本発明の方法によって製造されるＬＥＤチップの電気的特性を示す。図２は、インジウムｎ型コンタクト（曲線ａ）およびハンダｎ型コンタクト（曲線ｂ）に提供されるＬＥＤチップに対する電流・電圧の特性曲線を示す。両方の曲線が、優れたダイオード特性を表していることがわかる。
【００６５】
図３は、またインジウムｎ型コンタクト（曲線ａ）およびハンダｎ型コンタクト（曲線ｂ）のダイシングする前のウエーハ上の１つｎ型コンタクトから他のｎ型コンタクトに対して測定された電流・電圧の特性曲線を示す。コンタクトが、優れたオームの挙動、特にインジウムのコンタクトを表していることが分かる。この特性曲線は、またデバイスが、低電気抵抗を有していることを示す。
【００６６】
本発明のさらなる実施形態において、ｎ型コンタクトが、ウエーハ上に堆積した後、ウエーハはアニールされる。ウエーハは、炉もしくは高速熱アニール装置（Ｒａｄｐｉｄ  Ｔｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｅｒ）内で、ｎ型コンタクトの堆積後、アニールされ得る。良く知られている通り、半導体層へのコンタクトは、電気的特性を向上させるためにしばしばアニールされる。アニールの効果は、例えば、表面のドーピングを促進することであり（コンタクトへの表面原子の拡散もしくは表面へのコンタクト原子の拡散のため）、不純物をアニールをして除去し、もしくはコンタクトを向上させる。１つの実施形態において、本発明のデバイスは、１秒から１時間のアニール時間で、２００℃〜１０００℃間の温度を提供し得る高速熱アニール装置（Ｒａｄｐｉｄ  Ｔｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｅｒ）内で、アニールされた。５分間、アニール温度５２０℃で、ｎ型コンタクトをアニールすることは、良い結果を提供することが認識された。
【００６７】
上述の実施形態において、ｐ型コンタクトが、ウエーハ上に堆積された後、ｎ型コンタクトが形成される。ｐ型コンタクトを形成する従来の技術は、マスクの使用を伴うエッチング／フォトリソグラフィステップを伴う。ｐ型コンタクトが形成された後、ｎ型コンタクトを形成することは、ｎ型コンタクトが、ｐ型コンタクトの堆積に用いられるマスクを妨害することを防ぐ。また、この実施形態において、１つのアニールステップだけが必要とされる。なぜなら、ｎ型コンタクトをアニールするステップの間、ｐ型コンタクトが存在すると同様に、ｎ型コンタクトがアニールされるとき、ｐ型コンタクトはアニールされる。
【００６８】
本発明のさらなる利点は、また必要とされる、より単純なプロセシングによって、産出を増加し得ることである。
【００６９】
本発明のさらなる実施形態において、ｎ型コンタクトは、ウエーハの領域をエッチングすることにより、ウエーハ上に形成されて、ｎ型層を現し、ｎ型コンタクトは、ｎ型層に直接的に施される。この実施形態の方法の主要なステップは、図１０（ａ）〜１０（ｄ）に示される。
【００７０】
最初に、２つの異なる導電率のタイプの半導体層を含む半導体層構造４が、成長する。半導体層構造は、概略的に図１０（ａ）に示され、表面の半導体層３およびアンダーレイする半導体層２だけが示される。しかしながら、層構造が、実際には、基板上に成長し、必要に応じて、さらなる半導体層を含むことに留意すべきである。表面層への複数のコンタクトは、表面層３の上面の一部に提供される（記載を簡単にするために、１つのコンタクトだけが示されている）。本実施形態において、表面層３は、ｐ型層であり、アンダーレイする層２は、ｎ型層であり、各コンタクトは、コンタクト層５とボンドパッド６で形成されるｎ型コンタクトである。
【００７１】
次に、半導体層構造は、少なくとも１つのメサ構造を形成するためにエッチングされる。これは、エッチングされるべきでない層構造の一部の上にフォトレジスト１９を堆積することにより実施され得る。ｐ型コンタクトが提供される層構造の領域は、エッチングされるべきでない。したがって、フォトレジスト１９は、図１０（ｂ）に示されるように各ｐ型コンタクトの上に堆積する。それから、半導体層構造は、好都合なエッチング技術を用いてエッチングされ、フォトレジストは、除去される。図１０（ｃ）は、エッチングステップが実行されて、フォトレジストが除去された後の半導体層構造を示す。
【００７２】
次にｎ型コンタクト７が、ｎ型層の露出した部分に堆積する。ｎ型コンタクト７は、１つ以上のストリップの形状で堆積する。例えば、ｎ型コンタクト７は、図４に示されるストリップ１１ａ、１１ｂ、１１ｃと同様な方法で配置された多くのストリップから形成される。（また、記載を簡単にするために、１つのｎ型コンタクトストリップだけが、図１０（ｄ）に示されている。）ｎ型コンタクト７が、ｎ型層の露出した部分の上に導電性材料を堆積することにより提供される。その結果、導電性材料は、層の表面上に融解し、材料が上述の任意の方法で堆積し得る。ｎ型層は、ｎ型コンタクトが、堆積する前に、溝を形成するためにスクラッチされ得るもしくはされ得ない。図１０（ｄ）は、ｎ型コンタクト７が、堆積した後の半導体層構造を示す。
【００７３】
それから、半導体層構造は、ダイシングされることにより、個々のＬＥＤチップを形成する。これまでの実施形態と同様に、半導体層は、各チップが、１つのｐ型コンタクトおよびｎ型コンタクトの一部を含むようにダイシングされる。
【００７４】
本実施形態において、エッチングまたはフォトリソグラフィステップは、ウエーハのメサ構造を定義するために用いられえる。しかしながら、本発明の方法によるｎ型コンタクトの形成は、ｎ型コンタクトを形成するためにエッチング、マスキングもしくはフォトリソグラフィステップが必要されないことを意味する。
【００７５】
本発明は、これまでを図４（ａ）、図４（ｂ）の実施形態を参照にして記載されてきた。そこでは、ｎ型コンタクトが、破線状でないストライプのシリーズとしてウエーハに施される。１つのストリップ１１ａ、１１ｂ、１１ｂが、ウエーハ上のＬＥＤの各縦の列（もしくは、各横の列）に提供される。ウエーハが、ダイシングされるとき、各ＬＥＤチップは、図４（ｂ）に示されるように、ストリップの形状（平面図）のｎ型コンタクトを有する。
【００７６】
図４（ｂ）に示されるＬＥＤチップにおいて、ｐ型コンタクトのコンタクトパッド６が、ｐ型コンタクト層５のコーナーに近接して堆積するので、ＬＥＤチップの２つの側面に近く、かつ、ＬＥＤチップの残りの２つの側面から間隔があく。ｎ型コンタクトは、好ましくは、ｐ型コンタクトのコンタクトパッド６から間隔があくＬＥＤチップの側面に沿って、もしくは近接して延伸される。なぜなら、これは、ＬＥＤチップの領域上により一様な電流分布を提供するからであり、ｎ型コンタクトが、ｐ型コンタクトのコンタクトパッド６の付近のＬＥＤチップの側面に沿って延伸するとき、起こりえる電流集中効果を取り除くもしくは減少させる。
【００７７】
しかしながら、本発明は、図４（ａ）、図４（ｂ）に示される特定の形成のｎ型コンタクトの形成に限定されない。例えば、図７（ａ）、図７（ｂ）に示される本実施形態において、ｎ型コンタクトが、２組ストリップ１１ａ、１１ｂ、１１ｃ；１３ａ、１３ｂ、１３ｃの形状でウエーハ８に施される。１組のストリップ１１ａ、１１ｂ、１１ｃが、もう１組のストリップ１３ａ、１３ｂ、１３ｃと交差する。第１の組のストリップは、通常互いに平行であり、ウエーハ上のＬＥＤの各縦の列の１つに提供さえている。第２の組のストリップは、通常互いに平行であり、ウエーハ上のＬＥＤの各横の列の１つに提供さえている。各ストリップ１１ａ〜１１ｃ、１３ａ〜１３ｃは、上述の方法によって適用され得る。
【００７８】
ウエーハが、ＬＥＤチップにダイシングされるとき、各ＬＥＤチップは、図７（ｂ）に示されるように、第１のセグメント９ａおよび第２のセグメント９ｂからなるｎ型コンタクト９を有する。ＬＥＤチップのｎ型コンタクトの２つのセグメントは、単一の連続的なコンタクトを提供するために交点で、お互いに交差し、電気的に共に接続される。これは、ＬＥＤチップの領域上により一様な分配電流を提供し、かつ、電流集中効果を減少させる。
【００７９】
図７（ａ）、図７（ｂ）の実施形態において、ｎ型コンタクト材料のストリップ１１ａ、１１ｂ、１１ｃ；１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、好ましくは、ウエーハ８に適用される。その結果、ウエーハがダイシングされるとき、ＬＥＤチップ１２のｎ型コンタクトの２つのセグメント９ａ、９ｂは、ｐ型コンタクトのボンドパッド６から１番遠いＬＥＤチップ１２の２つの側面に沿って、もしくは近接して延伸する。これは、電流集中効果を減少させることにおいて特に効果的である。
【００８０】
図８（ａ）、図８（ｂ）は、本発明の他の実施形態を示す。この実施形態において、ｎ型コンタクト材料は、２組のストリップ１１ａ、１１ｂ、１１ｃ；１３ａ〜１３ｆでウエーハに適用される。１組のストリップ１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、もう１組のストリップ１３ａ〜１３ｆと交差する。第１の組のストリップは、通常互いに平行であり、ウエーハ上のＬＥＤの各縦の列の１つに提供さえている。第２の組のストリップは、通常互いに平行であり、ウエーハ上のＬＥＤの各横の列の１つに提供さえている。ウエーハ上のＬＥＤの横の列に対する第２の組の２つのストリップは、横の列のＬＥＤのｐ型コンタクトの反対側に位置する。例えば、ストリップ１３ａ、１３ｄは、ウエーハ８上のＬＥＤの横の列の上部の下および上それぞれに伸びる。各ストリップ１１ａ〜１１ｃ、１３ａ〜１３ｆは、上述の方法によって適用され得る。
【００８１】
ウエーハがダイシングされるとき、作成された各ＬＥＤチップは、図８（ｂ）に示されるように、第１のセグメント９ａ、第２のセグメント９ｂおよび第３のセグメント９ｃからなるｎ型コンタクト９を有する。第２および第３のセグメント９ｂ、９ｃは、単一の連続的なコンタクトを提供するために、それぞれは、第１のセグメント９ａと交差し、電気的に接続されている。結果生じたｎ型コンタクト９は、実質的には、ＬＥＤの３つの側面に沿ってもしくは近接して延伸し、これは、ＬＥＤチップの領域上により一様な分配電流を提供するし、かつ、電流集中効果を減少させる。
【００８２】
図８（ａ）、図８（ｂ）の実施形態において、ｐ型コンタクトのボンドパッド６は、好ましくは、ｐ型コンタクト層５のコーナーより、むしろｐ型コンタクト層５の側面に沿っておよそ中間に位置する。ｎ型コンタクトのセグメント９ａ、９ｂ、９ｃは、ボンドパッド６から１番遠いｐ型コンタクト３つの側面に沿ってもしくは近接して伸びる。このようにして、ｐ型コンタクトのボンドパッドを位置づけることは、ｐ型コンタクト層５のコーナーの付近よりも、電流集中効果をさらに小さく抑える。
【００８３】
図９（ａ）、図９（ｂ）は、本発明の他の実施形態を示す。この実施形態において、ｎ型コンタクト材料が、２組のストリップ１１ａ〜１１ｆ；１３ａ〜１３ｆの形状でウエーハ８に適用される。１組のストリップ１１ａ〜１１ｆは、もう１組のストリップ１３ａ〜１３ｆと交差する。第１の組のストリップは、通常互いに平行であり、ウエーハ上のＬＥＤの各縦の列の１つに提供さえている。ウエーハ上のＬＥＤの各縦の列に対して、その縦の列に対する第１の組の２つのストリップは、縦の列のＬＥＤのｐ型コンタクトの反対側に位置する。第２の組のストリップ１３ａ〜１３ｆは、通常互いに平行であり、ウエーハ上のＬＥＤの各横の列の１つに提供さえている。ウエーハ上のＬＥＤの横の列に対して、横の列に対する第２の組の２つのストリップは、横の列のＬＥＤのｐ型コンタクトの反対側に位置する。例えば、ストリップ１３ａ、１３ｄは、ウエーハ８上のＬＥＤの横の列の上部の下および上それぞれに伸びる。各ストリップ１１ａ〜１１ｆ、１３ａ〜１３ｆは、上述の方法によって適用され得る。
【００８４】
ウエーハがダイシングされるとき、各ＬＥＤチップは、図９（ｂ）に示されるように、第１のセグメント９ａ、第２のセグメント９ｂ、第３のセグメント９ｃおよび第４のセグメント９ｄからなるｎ型コンタクト９を有する。第２および第３のセグメント９ｂ、９ｃは、単一の連続的なコンタクトを提供するために、第１のセグメント９ａおよび第４のセグメント９ｄのそれぞれと交差し、電気的に接続されている。結果生じたたｎ型コンタクトは、実質的には、ＬＥＤのすべての４つの側面に沿ってもしくは近接して伸び、これは、ＬＥＤチップ１２の領域上により一様な分配電流を提供するし、かつ、電流集中効果を減少させる。
【００８５】
図９（ａ）、図９（ｂ）の実施形態において、ｐ型コンタクトのボンドパッド６は、好ましくは、ｐ型コンタクト５のおよそ中央に位置する。ここにｐ型コンタクトのボンドパッドを位置づけることは、ｐ型コンタクト５の１つのコーナーの付近および１つ側面の付近よりも、電流クラウディング効果をさらに小さく抑える。
【００８６】
上述されたように、ｎ型コンタクトに用いられる材料は、好ましくは低い融解点を有する金属であり、特に４００℃以下（好ましくは、３５０℃以下）の融解温度を有する金属であり、ｎ型コンタクトを堆積するハンダ付け型技術の使用を可能にする。ｎ型コンタクトに対する適切な金属は、インジウム、すず、鉛、ガリウム、リチウム、セレン、ビスマス、タリウム、亜鉛もしくはテルルを含む。ハンダといったこれらの材料の合金もまた用いられえる。
【００８７】
上述の実施形態において、ｎ型コンタクト材料は、実質的に直線であるストリップ状として、ウエーハ８に形成されてきた。これは、実質的にストレードであるかもしくは実質的に直線のセグメントからなるｎ型コンタクトを有するＬＥＤチップに導く。実質的に直線であるストリップ状のウエーハ８にｎ型コンタクト材料を適用することは、ｎ型コンタクト材料の堆積を容易にするために通常好まれるが、原則的に、ｎ型コンタクト材料は、直線のストリップ状でウエハー８に適用される必要はない。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】（ａ）は、１つの既知の構造の概略的な断面図であり、（ｂ）は、他の既知の構造の概略的な断面図である。
【図２】本発明のＬＥＤの電気的特性を示す。
【図３】本発明のＬＥＤの電気的特性を示す。
【図４】（ａ）は、本発明の方法によるウエーハ上のＬＥＤアレイの概略図であり、（ｂ）は、（ａ）のウエーハから得られたＬＥＤチップの概略図である。
【図５】本発明の方法によって作られた個々の実装されたＬＥＤの概略図である。
【図６】（ａ）と（ｂ）は、本発明のＬＥＤの製造のステップを示し、（ｃ）は、本発明のＬＥＤの断面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の他の方法によるウエーハ上のＬＥＤアレイの概略図であり、（ｂ）は、（ａ）のウエーハから得られたＬＥＤチップの概略図である。
【図８】（ａ）は、本発明の他の方法によって作られたウエーハ上のＬＥＤアレイ概略図であり、（ｂ）は、（ａ）のウエーハから得られたＬＥＤチップの概略図である。
【図９】（ａ）は、本発明の他の方法によって作られたウエーハ上のＬＥＤアレイの概略図であり、（ｂ）は、（ａ）のウエーハから得られたＬＥＤチップの概略図である。
【図１０】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の他の実施形態に従った方法を示す。
【符号の説明】
【００８９】
１  基板
２  第１の半導体層（Ｎ層）
３  第２の半導体層（Ｐ層）
４  層構造
５  コンタクト層
６  ボンドパッド
７  ｎ型コンタクト
８  ウエーハ
９  導電性材料
９ａ〜９ｄ  セグメント
１１ａ〜１１ｆ、１３ａ〜１３ｆ  ストリップ
１２  ＬＥＤチップ
１４  溝
１５  外部リード
１６  ヘッダー
１７  ヘッダーベースの領域
１８  絶縁体
１９  フォトレジスト
【図１】
2005268800.tif 000003
【図２】
2005268800.tif 000004
【図３】
2005268800.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005268800.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005268800.tif 000009
【図８】
2005268800.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2005268800.tif 000012