(57)【要約】  【課題】  各画素の電荷蓄積時間が同じである読み出し方法と、画素群ごとに電荷蓄積時間が異なる読み出し方法についてそれぞれ適切な欠陥補正を行うことができる撮像装置を提供する。  【解決手段】  信号検出回路２１１とコントローラ２１２は、撮像素子からの信号を受信し、所定の欠陥判定レベルを越える信号レベルの画素を欠陥画素と判定する。複数の読み出し方法でそれぞれ欠陥画素の判定を行い、欠陥画素のアドレスを読み出し方法ごとに記憶する。その後、撮影時に、欠陥補正回路２０８は、記憶された欠陥画素のアドレスを、その読み出し方法に応じて読み取り、その欠陥画素に対して所定の補正処理を施す。また、コントローラ２１２は、欠陥画素の信号レベルを記憶して、各読み出し方法に応じてその信号レベルを変換することにより、１つの読み出し方法による欠陥検出によって、複数の読み出し方法の欠陥補正が行えるように制御する。【選択図】  図６
2005328421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの画素を有する画素群を複数備えた撮像素子と、
前記画素のそれぞれの蓄積電荷を読み出し、前記読み出された蓄積電荷の量に対応する信号レベルの信号を出力する信号検出手段と、
前記信号レベルに基づいて、前記画素のそれぞれが欠陥画素かどうかを判定する欠陥検出手段とを有し、
前記撮像素子の前記画素は、少なくとも第１の読み出し方法と第２の読み出し方法により読み出されるよう制御され、
前記第１の読み出し方法は、各画素における電荷蓄積時間が、同一または前記画素群によって異なるように読み出される方法であり、
前記第２の読み出し方法は、各画素における電荷蓄積時間が、少なくとも一部の画素群において、前記第１の読み出し方法とは異なるように読み出される方法であり、
前記欠陥検出手段は、前記読み出し方法ごとに欠陥判定レベルを設定し、前記信号レベルが前記欠陥判定レベルより大きい画素を欠陥画素として判定することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置において、
記憶手段をさらに有し、
前記欠陥検出手段は、前記読み出し方法に応じて、前記欠陥画素の前記撮像素子におけるアドレスを前記記憶手段に記憶することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項２に記載の撮像装置において、
前記欠陥画素から得られた信号を補正する欠陥補正手段をさらに有し、
前記欠陥補正手段は、所定の読み出し方法によって各画素群から得られた信号を補正する場合に、前記記憶手段から、前記所定の読み出し方法に対応する前記欠陥画素の前記アドレスを取得することによって、前記補正を行うべき画素を特定することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１に記載の撮像装置において、
前記撮像素子は、前記電荷蓄積時間内の所定の期間、光の入射が遮断されることを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
少なくとも１つの画素を有する画素群を複数備えた撮像素子と、
前記画素のそれぞれの蓄積電荷を読み出し、前記読み出された蓄積電荷の量に対応する信号レベルの信号を出力する信号検出手段と、
前記信号レベルに基づいて、前記画素のそれぞれが欠陥画素かどうかを判定する欠陥検出手段と、
記憶手段と、
欠陥補正手段とを有し、
前記撮像素子の前記画素は、少なくとも第１の読み出し方法と第２の読み出し方法により読み出されるよう制御され、
前記第１の読み出し方法は、前記撮像素子の所定の位置から前記画素群までの距離に対して、第１の比率で前記画素群の電荷蓄積時間が変化するように読み出される方法であり、
前記第２の読み出し方法は、前記撮像素子の前記所定の位置から前記画素群までの距離に対して、前記第１の比率とは異なる第２の比率で前記画素群の電荷蓄積時間が変化するように読み出される方法であり、
前記欠陥検出手段は、前記読み出し方法のなかから選択された１つの欠陥検出用読み出し方法において、前記画素群ごとに欠陥判定レベルを設定し、前記欠陥検出用読み出し方法における信号レベルが前記欠陥判定レベルより大きい画素を欠陥画素として判定し、前記欠陥画素の前記撮像素子におけるアドレスと、前記欠陥画素の信号レベルを前記記憶手段に記憶し、
前記欠陥補正手段は、前記欠陥検出用読み出し方法以外の読み出し方法に関する欠陥補正を行う場合に、前記記憶手段に記憶された前記欠陥画素の前記アドレスから、前記撮像素子の所定の位置から前記欠陥画素までの距離を求め、前記記憶手段に記憶された前記欠陥画素の信号レベル、前記計算された距離、前記第１の比率、および前記第２の比率から、前記欠陥画素についての変換後の信号レベルを求め、前記求められた変換後の信号レベルと前記欠陥判定レベルを比較することにより、前記欠陥画素の補正を行うかどうかを判定することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項５に記載の撮像装置において、
前記画素群が、前記撮像素子の１ラインに対応する画素から構成され、
前記第１の読み出し方法は、すべての前記画素群の画素について、前記電荷蓄積時間が等しくなるように読み出される方法であり、
前記第２の読み出し方法は、前記画素群ごとに異なる前記電荷蓄積時間で読み出され、前記撮像素子の下部のラインに対応する画素群の前記電荷蓄積時間が、前記撮像素子の上部のラインに対応する画素群の前記電荷蓄積時間より長いものであり、
前記欠陥判定レベルは、前記画素群ごとに同じレベルに設定されることを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
請求項５に記載の撮像装置において、
前記撮像素子の前記所定の位置が、前記撮像素子の１ライン目の画素群の位置であることを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
請求項５に記載の撮像装置において、
前記撮像素子は、前記電荷蓄積時間内の所定の期間、光の入射が遮断されることを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
少なくとも１つの画素を有する画素群を複数備えた撮像素子と、
前記画素のそれぞれの蓄積電荷を読み出し、前記読み出された蓄積電荷の量に対応する信号レベルの信号を出力する信号検出手段と、
前記信号レベルに基づいて、前記画素のそれぞれが欠陥画素かどうかを判定する欠陥検出手段とを有し、
前記撮像素子の前記画素は、少なくとも第１の読み出し方法と第２の読み出し方法により読み出されるよう制御され、
前記第１の読み出し方法は、前記撮像素子の所定の位置から前記画素群までの距離に対して、第１の比率で前記画素群の電荷蓄積時間が変化するように読み出される方法であり、
前記第２の読み出し方法は、前記撮像素子の前記所定の位置から前記画素群までの距離に対して、前記第１の比率とは異なる第２の比率で前記画素群の電荷蓄積時間が変化するように読み出される方法であり、
前記欠陥検出手段は、前記読み出し方法のなかから選択された１つの欠陥検出用読み出し方法において、前記画素群ごとに欠陥判定レベルを設定し、前記欠陥検出用読み出し方法における信号レベルが前記欠陥判定レベルより大きい画素を欠陥画素として判定し、
前記欠陥判定レベルは、前記撮像素子の所定の位置から前記画素群までの距離に対して、前記第１の比率と前記第２の比率の間の比率で変化するように設定されることを特徴とする撮像装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の撮像装置において、
記憶手段をさらに有し、
前記欠陥検出手段は、前記欠陥画素の前記撮像素子におけるアドレスを前記記憶手段に記憶することを特徴とする撮像装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の撮像装置において、
前記欠陥画素から得られた信号を補正する欠陥補正手段をさらに有し、
前記欠陥補正手段は、所定の読み出し方法によって各画素群から得られた信号を補正する場合に、前記記憶手段から、前記欠陥画素の前記アドレスを取得することによって、前記補正を行うべき画素を特定することを特徴とする撮像装置。
【請求項１２】
請求項９に記載の撮像装置において、
前記画素群が、前記撮像素子の１ラインに対応する画素から構成され、
前記第１の読み出し方法は、すべての前記画素群の画素について、前記電荷蓄積時間が等しくなるように読み出される方法であり、
前記第２の読み出し方法は、前記画素群ごとに異なる前記電荷蓄積時間で読み出され、前記撮像素子の下部のラインに対応する画素群の前記電荷蓄積時間が、前記撮像素子の上部のラインに対応する画素群の前記電荷蓄積時間より長いものであることを特徴とする撮像装置。
【請求項１３】
請求項９に記載の撮像装置において、
前記撮像素子の前記所定の位置が、前記撮像素子の１ライン目の画素群の位置であることを特徴とする撮像装置。
【請求項１４】
請求項９に記載の撮像装置において、
前記撮像素子は、前記電荷蓄積時間内の所定の期間、光の入射が遮断されることを特徴とする撮像装置。
【請求項１５】
少なくとも１つの画素を有する画素群を複数備えるよう構成された撮像素子について、前記画素のそれぞれの蓄積電荷を読み出し、前記読み出された蓄積電荷の量に対応する信号レベルの信号を出力する信号検出ステップと、
前記信号レベルに基づいて、前記画素のそれぞれが欠陥画素かどうかを判定する欠陥検出ステップとを有し、
前記撮像素子の前記画素は、少なくとも第１の読み出し方法と第２の読み出し方法により読み出されるよう制御され、
前記第１の読み出し方法は、各画素における電荷蓄積時間が、同一または前記画素群によって異なるように読み出される方法であり、
前記第２の読み出し方法は、各画素における電荷蓄積時間が、少なくとも一部の画素群において、前記第１の読み出し方法とは異なるように読み出される方法であり、
前記欠陥検出ステップは、前記読み出し方法ごとに欠陥判定レベルを設定し、前記信号レベルが前記欠陥判定レベルより大きい画素を欠陥画素として判定することを特徴とする撮像方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の撮像方法において、
前記欠陥検出ステップは、前記読み出し方法に応じて、前記欠陥画素の前記撮像素子におけるアドレスを所定の記憶手段に記憶することを特徴とする撮像方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の撮像方法において、
前記欠陥画素から得られた信号を補正する欠陥補正ステップをさらに有し、
前記欠陥補正ステップは、所定の読み出し方法によって各画素群から得られた信号を補正する場合に、前記記憶手段から、前記所定の読み出し方法に対応する前記欠陥画素の前記アドレスを取得することによって、前記補正を行うべき画素を特定することを特徴とする撮像方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の撮像方法において、
前記撮像素子は、前記電荷蓄積時間内の所定の期間、光の入射が遮断されることを特徴とする撮像方法。
【請求項１９】
少なくとも１つの画素を有する画素群を複数備えた撮像素子について、前記画素のそれぞれの蓄積電荷を読み出し、前記読み出された蓄積電荷の量に対応する信号レベルの信号を出力する信号検出ステップと、
前記信号レベルに基づいて、前記画素のそれぞれが欠陥画素かどうかを判定する欠陥検出ステップと、
欠陥補正ステップとを有し、
前記撮像素子の前記画素は、少なくとも第１の読み出し方法と第２の読み出し方法により読み出されるよう制御され、
前記第１の読み出し方法は、前記撮像素子の所定の位置から前記画素群までの距離に対して、第１の比率で前記画素群の電荷蓄積時間が変化するように読み出される方法であり、
前記第２の読み出し方法は、前記撮像素子の前記所定の位置から前記画素群までの距離に対して、前記第１の比率とは異なる第２の比率で前記画素群の電荷蓄積時間が変化するように読み出される方法であり、
前記欠陥検出ステップは、前記読み出し方法のなかから選択された１つの欠陥検出用読み出し方法において、前記画素群ごとに欠陥判定レベルを設定し、前記欠陥検出用読み出し方法における信号レベルが前記欠陥判定レベルより大きい画素を欠陥画素として判定し、前記欠陥画素の前記撮像素子におけるアドレスと、前記欠陥画素の信号レベルを所定の記憶手段に記憶し、
前記欠陥補正ステップは、前記欠陥検出用読み出し方法以外の読み出し方法に関する欠陥補正を行う場合に、前記記憶手段に記憶された前記欠陥画素の前記アドレスから、前記撮像素子の所定の位置から前記欠陥画素までの距離を求め、前記記憶手段に記憶された前記欠陥画素の信号レベル、前記計算された距離、前記第１の比率、および前記第２の比率から、前記欠陥画素についての変換後の信号レベルを求め、前記求められた変換後の信号レベルと前記欠陥判定レベルを比較することにより、前記欠陥画素の補正を行うかどうかを判定することを特徴とする撮像方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の撮像方法において、
前記画素群が、前記撮像素子の１ラインに対応する画素から構成され、
前記第１の読み出し方法は、すべての前記画素群の画素について、前記電荷蓄積時間が等しくなるように読み出される方法であり、
前記第２の読み出し方法は、前記画素群ごとに異なる前記電荷蓄積時間で読み出され、前記撮像素子の下部のラインに対応する画素群の前記電荷蓄積時間が、前記撮像素子の上部のラインに対応する画素群の前記電荷蓄積時間より長いものであり、
前記欠陥判定レベルは、前記画素群ごとに同じレベルに設定されることを特徴とする撮像方法。
【請求項２１】
請求項１９に記載の撮像方法において、
前記撮像素子の前記所定の位置が、前記撮像素子の１ライン目の画素群の位置であることを特徴とする撮像方法。
【請求項２２】
請求項１９に記載の撮像方法において、
前記撮像素子は、前記電荷蓄積時間内の所定の期間、光の入射が遮断されることを特徴とする撮像方法。
【請求項２３】
少なくとも１つの画素を有する画素群を複数備えた撮像素子について、前記画素のそれぞれの蓄積電荷を読み出し、前記読み出された蓄積電荷の量に対応する信号レベルの信号を出力する信号検出ステップと、
前記信号レベルに基づいて、前記画素のそれぞれが欠陥画素かどうかを判定する欠陥検出ステップとを有し、
前記撮像素子の前記画素は、少なくとも第１の読み出し方法と第２の読み出し方法により読み出されるよう制御され、
前記第１の読み出し方法は、前記撮像素子の所定の位置から前記画素群までの距離に対して、第１の比率で前記画素群の電荷蓄積時間が変化するように読み出される方法であり、
前記第２の読み出し方法は、前記撮像素子の前記所定の位置から前記画素群までの距離に対して、前記第１の比率とは異なる第２の比率で前記画素群の電荷蓄積時間が変化するように読み出される方法であり、
前記欠陥検出ステップは、前記読み出し方法のなかから選択された１つの欠陥検出用読み出し方法において、前記画素群ごとに欠陥判定レベルを設定し、前記欠陥検出用読み出し方法における信号レベルが前記欠陥判定レベルより大きい画素を欠陥画素として判定し、
前記欠陥判定レベルは、前記撮像素子の所定の位置から前記画素群までの距離に対して、前記第１の比率と前記第２の比率の間の比率で変化するように設定されることを特徴とする撮像方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の撮像方法において、
前記欠陥検出ステップは、前記欠陥画素の前記撮像素子におけるアドレスを所定の記憶手段に記憶することを特徴とする撮像方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の撮像方法において、
前記欠陥画素から得られた信号を補正する欠陥補正ステップをさらに有し、
前記欠陥補正ステップは、所定の読み出し方法によって各画素群から得られた信号を補正する場合に、前記記憶手段から、前記欠陥画素の前記アドレスを取得することによって、前記補正を行うべき画素を特定することを特徴とする撮像方法。
【請求項２６】
請求項２３に記載の撮像方法において、
前記画素群が、前記撮像素子の１ラインに対応する画素から構成され、
前記第１の読み出し方法は、すべての前記画素群の画素について、前記電荷蓄積時間が等しくなるように読み出される方法であり、
前記第２の読み出し方法は、前記画素群ごとに異なる前記電荷蓄積時間で読み出され、前記撮像素子の下部のラインに対応する画素群の前記電荷蓄積時間が、前記撮像素子の上部のラインに対応する画素群の前記電荷蓄積時間より長いものであることを特徴とする撮像方法。
【請求項２７】
請求項２３に記載の撮像方法において、
前記撮像素子の前記所定の位置が、前記撮像素子の１ライン目の画素群の位置であることを特徴とする撮像方法。
【請求項２８】
請求項２３に記載の撮像方法において、
前記撮像素子は、前記電荷蓄積時間内の所定の期間、光の入射が遮断されることを特徴とする撮像方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、撮像素子の各画素の欠陥を検出し、その検出結果を用いて欠陥画素からの映像信号を補正する撮像装置および撮像方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子カメラ等に搭載されている被写体を撮像する撮像素子は、製造過程において画素に欠陥が生じることがあり、この欠陥画素は異常なレベルの信号を出力する。そのため、このような欠陥を含む撮像素子からの出力信号を元に画像を生成すると、本来、被写体にはない、誤った情報が画像に含まれ、不自然な映像になってしまう。
【０００３】
このような欠陥画素は、暗電流やフォトダイオードの異常など、様々な原因によって発生しうる。ここで、欠陥画素の出力が、本来（すなわち、正常な画素で撮像した場合）の出力レベル（出力信号のレベル）よりも高いものとなってしまう場合を「白欠陥」と呼び、本来の出力レベルよりも低い場合を「黒欠陥」と呼んでいる。
【０００４】
この様な欠陥、特に白欠陥を検出、補正する方法として、撮像素子を遮光した状態で得られた画素の出力から、ある一定以上の出力レベルの画素を検出し、その白欠陥の位置を記憶装置（ＲＡＭ（Random Access Memory）またはＲＯＭ（Read Only Memory））に記憶しておき、実際に撮影するときは、この記憶装置から白欠陥の位置を読み出して、欠陥位置の画素を周囲の画素から補間する方法がある。本来、遮光した状態で正常画素の出力は理想的に０であるが、欠陥画素の出力は０以外の値をもつという特性の差を利用して欠陥を検出し、補正する方法である。この方法は、たとえば特許文献１や特許文献２において提案されている。
【０００５】
【特許文献１】特許第２５６５２６４号（特開平１−１０５６７２号公報）
【０００６】
【特許文献２】特許第２８０８８１４号（特開平３−２９６３７５号公報）
【０００７】
ここで、欠陥の検出とは、欠陥画素を欠陥画素として認識することを言い、欠陥の補正とは、欠陥の検出によって発見された欠陥画素からの出力信号を、予想される本来の信号に近づけるよう、画像処理によって補正することを言う。
【０００８】
また、白欠陥の画素から得られる信号レベルは、露光開始から読み出しまでの時間によって変化する。たとえば、この時間が長くなるにつれて信号レベルが増大し、短時間の場合では目立たなかった欠陥が目立つようになってくる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述した従来の欠陥検出方法では、ある一定以上の信号レベルを出力する画素を検出することによって欠陥画素を判定するため、検査対象のすべての画素（一画面内の各画素）で、露光時間から読み出しまでの時間が同じである必要がある。なぜなら、前述のように、白欠陥を有する画素から得られる信号レベルは、上述の時間が長くなるにつれて増大するからである。
【００１０】
たとえば、一画面内で画面下部の画素については、露光時間から読み出しまでの時間が長く、画面上部の画素については、その時間が短い場合、画面下部の画素の白欠陥による信号レベルが、画面上部における信号レベルより相対的に大きくなる。このとき、一定のしきい値を設けて欠陥画素を判定すると、実際には、白欠陥の画素が画面の上部および下部にほぼ均等に分布していたとしても、画面上部より画面下部の方で、より多くの欠陥画素が検出されることになり、適切な欠陥画素の検出ができない。
【００１１】
したがって、この発明の目的は、各画素の、露光から読み出しまでの時間が同じである第１の読み出し方法と、画素群ごとに、露光から読み出しまでの時間が異なる第２の読み出し方法を使用する撮像装置において、読み出し方法ごとに白欠陥を判断する判定レベルを有し、それぞれの読み出し方法に応じた適切な欠陥補正を行うことができる撮像装置および撮像方法を提供することにある。
【００１２】
また、この発明の他の目的は、上述のような第１の読み出し方法と第２の読み出し方法を使用する撮像装置において、欠陥画素の信号レベルを記憶することによって、１つの読み出し方法に対する１回の欠陥検出動作で、少なくとも上述した２つの読み出し動作の欠陥補正を行うことができる撮像装置および撮像方法を提供することにある。
【００１３】
またさらに、この発明の他の目的は、上述のような第１の読み出し方法と第２の読み出し方法を使用する撮像装置において、欠陥画素の信号レベルを記憶することなく、１つの読み出し方法に対する１回の欠陥検出動作で、少なくとも上述した２つの読み出し動作の欠陥補正を行うことができる撮像装置および撮像方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
第１の実施態様に係る発明は、少なくとも１つの画素を有する画素群を複数備えた撮像素子と、画素のそれぞれの蓄積電荷を読み出し、読み出された蓄積電荷の量に対応する信号レベルの信号を出力する信号検出手段と、信号レベルに基づいて、画素のそれぞれが欠陥画素かどうかを判定する欠陥検出手段とを有し、撮像素子の画素は、少なくとも第１の読み出し方法と第２の読み出し方法により読み出されるよう制御され、第１の読み出し方法は、各画素における電荷蓄積時間が、同一または画素群によって異なるように読み出される方法であり、第２の読み出し方法は、各画素における電荷蓄積時間が、少なくとも一部の画素群において、第１の読み出し方法とは異なるように読み出される方法であり、欠陥検出手段は、読み出し方法ごとに欠陥判定レベルを設定し、信号レベルが欠陥判定レベルより大きい画素を欠陥画素として判定するよう構成される撮像装置である。
【００１５】
第２の実施態様に係る発明は、上述の第１の実施態様に係る発明において、記憶手段をさらに有し、欠陥検出手段は、読み出し方法に応じて、欠陥画素の撮像素子におけるアドレスを記憶手段に記憶するように構成される撮像装置である。
【００１６】
第３の実施態様に係る発明は、上述の第２の実施態様に係る発明において、欠陥画素から得られた信号を補正する欠陥補正手段をさらに有し、欠陥補正手段は、所定の読み出し方法によって各画素群から得られた信号を補正する場合に、記憶手段から、所定の読み出し方法に対応する欠陥画素のアドレスを取得することによって、補正を行うべき画素を特定するように構成される撮像装置である。
【００１７】
第４の実施態様に係る発明は、上述の第１の実施態様に係る発明において、撮像素子は、電荷蓄積時間内の所定の期間、光の入射が遮断されるように構成される撮像装置である。
【００１８】
第５の実施態様に係る発明は、少なくとも１つの画素を有する画素群を複数備えた撮像素子と、画素のそれぞれの蓄積電荷を読み出し、読み出された蓄積電荷の量に対応する信号レベルの信号を出力する信号検出手段と、信号レベルに基づいて、画素のそれぞれが欠陥画素かどうかを判定する欠陥検出手段と、記憶手段と、欠陥補正手段とを有し、撮像素子の画素は、少なくとも第１の読み出し方法と第２の読み出し方法により読み出されるよう制御され、第１の読み出し方法は、撮像素子の所定の位置から画素群までの距離に対して、第１の比率で画素群の電荷蓄積時間が変化するように読み出される方法であり、第２の読み出し方法は、撮像素子の所定の位置から画素群までの距離に対して、第１の比率とは異なる第２の比率で画素群の電荷蓄積時間が変化するように読み出される方法であり、欠陥検出手段は、読み出し方法のなかから選択された１つの欠陥検出用読み出し方法において、画素群ごとに欠陥判定レベルを設定し、欠陥検出用読み出し方法における信号レベルが欠陥判定レベルより大きい画素を欠陥画素として判定し、欠陥画素の撮像素子におけるアドレスと、欠陥画素の信号レベルを記憶手段に記憶し、欠陥補正手段は、欠陥検出用読み出し方法以外の読み出し方法に関する欠陥補正を行う場合に、記憶手段に記憶された欠陥画素のアドレスから、撮像素子の所定の位置から欠陥画素までの距離を求め、記憶手段に記憶された欠陥画素の信号レベル、計算された距離、第１の比率、および第２の比率から、欠陥画素についての変換後の信号レベルを求め、求められた変換後の信号レベルと欠陥判定レベルを比較することにより、欠陥画素の補正を行うかどうかを判定するように構成される撮像装置である。
【００１９】
第６の実施態様に係る発明は、上述の第５の実施態様に係る発明において、画素群が、撮像素子の１ラインに対応する画素から構成され、第１の読み出し方法は、すべての画素群の画素について、電荷蓄積時間が等しくなるように読み出される方法であり、第２の読み出し方法は、画素群ごとに異なる電荷蓄積時間で読み出され、撮像素子の下部のラインに対応する画素群の電荷蓄積時間が、撮像素子の上部のラインに対応する画素群の電荷蓄積時間より長いものであり、欠陥判定レベルは、画素群ごとに同じレベルに設定されるように構成される撮像装置である。
【００２０】
第７の実施態様に係る発明は、上述の第５の実施態様に係る発明において、撮像素子の所定の位置が、撮像素子の１ライン目の画素群の位置であるように構成される撮像装置である。
【００２１】
第８の実施態様に係る発明は、上述の第５の実施態様に係る発明において、撮像素子は、電荷蓄積時間内の所定の期間、光の入射が遮断されるように構成される撮像装置である。
【００２２】
第９の実施態様に係る発明は、少なくとも１つの画素を有する画素群を複数備えた撮像素子と、画素のそれぞれの蓄積電荷を読み出し、読み出された蓄積電荷の量に対応する信号レベルの信号を出力する信号検出手段と、信号レベルに基づいて、画素のそれぞれが欠陥画素かどうかを判定する欠陥検出手段とを有し、撮像素子の画素は、少なくとも第１の読み出し方法と第２の読み出し方法により読み出されるよう制御され、第１の読み出し方法は、撮像素子の所定の位置から画素群までの距離に対して、第１の比率で画素群の電荷蓄積時間が変化するように読み出される方法であり、第２の読み出し方法は、撮像素子の所定の位置から画素群までの距離に対して、第１の比率とは異なる第２の比率で画素群の電荷蓄積時間が変化するように読み出される方法であり、欠陥検出手段は、読み出し方法のなかから選択された１つの欠陥検出用読み出し方法において、画素群ごとに欠陥判定レベルを設定し、欠陥検出用読み出し方法における信号レベルが欠陥判定レベルより大きい画素を欠陥画素として判定し、欠陥判定レベルは、撮像素子の所定の位置から画素群までの距離に対して、第１の比率と第２の比率の間の比率で変化するように設定されるように構成される撮像装置である。
【００２３】
第１０の実施態様に係る発明は、上述の第９の実施態様に係る発明において、記憶手段をさらに有し、欠陥検出手段は、欠陥画素の撮像素子におけるアドレスを記憶手段に記憶するように構成される撮像装置である。
【００２４】
第１１の実施態様に係る発明は、上述の第１０の実施態様に係る発明において、欠陥画素から得られた信号を補正する欠陥補正手段をさらに有し、欠陥補正手段は、所定の読み出し方法によって各画素群から得られた信号を補正する場合に、記憶手段から、欠陥画素のアドレスを取得することによって、補正を行うべき画素を特定するように構成される撮像装置である。
【００２５】
第１２の実施態様に係る発明は、上述の第９の実施態様に係る発明において、画素群が、撮像素子の１ラインに対応する画素から構成され、第１の読み出し方法は、すべての画素群の画素について、電荷蓄積時間が等しくなるように読み出される方法であり、第２の読み出し方法は、画素群ごとに異なる電荷蓄積時間で読み出され、撮像素子の下部のラインに対応する画素群の電荷蓄積時間が、撮像素子の上部のラインに対応する画素群の電荷蓄積時間より長いものであるように構成される撮像装置である。
【００２６】
第１３の実施態様に係る発明は、上述の第９の実施態様に係る発明において、撮像素子の所定の位置が、撮像素子の１ライン目の画素群の位置であるように構成される撮像装置である。
【００２７】
第１４の実施態様に係る発明は、上述の第９の実施態様に係る発明において、撮像素子は、電荷蓄積時間内の所定の期間、光の入射が遮断されるように構成される撮像装置である。
【００２８】
第１５の実施態様に係る発明は、少なくとも１つの画素を有する画素群を複数備えるよう構成された撮像素子について、画素のそれぞれの蓄積電荷を読み出し、読み出された蓄積電荷の量に対応する信号レベルの信号を出力する信号検出ステップと、信号レベルに基づいて、画素のそれぞれが欠陥画素かどうかを判定する欠陥検出ステップとを有し、撮像素子の画素は、少なくとも第１の読み出し方法と第２の読み出し方法により読み出されるよう制御され、第１の読み出し方法は、各画素における電荷蓄積時間が、同一または画素群によって異なるように読み出される方法であり、第２の読み出し方法は、各画素における電荷蓄積時間が、少なくとも一部の画素群において、第１の読み出し方法とは異なるように読み出される方法であり、欠陥検出ステップは、読み出し方法ごとに欠陥判定レベルを設定し、信号レベルが欠陥判定レベルより大きい画素を欠陥画素として判定するように構成される撮像方法である。
【００２９】
第１６の実施態様に係る発明は、上述の第１５の実施態様に係る発明において、欠陥検出ステップは、読み出し方法に応じて、欠陥画素の撮像素子におけるアドレスを所定の記憶手段に記憶するように構成される撮像方法である。
【００３０】
第１７の実施態様に係る発明は、上述の第１６の実施態様に係る発明において、欠陥画素から得られた信号を補正する欠陥補正ステップをさらに有し、欠陥補正ステップは、所定の読み出し方法によって各画素群から得られた信号を補正する場合に、記憶手段から、所定の読み出し方法に対応する欠陥画素のアドレスを取得することによって、補正を行うべき画素を特定するように構成される撮像方法である。
【００３１】
第１８の実施態様に係る発明は、上述の第１５の実施態様に係る発明において、撮像素子は、電荷蓄積時間内の所定の期間、光の入射が遮断されるように構成される撮像方法である。
【００３２】
第１９の実施態様に係る発明は、少なくとも１つの画素を有する画素群を複数備えた撮像素子について、画素のそれぞれの蓄積電荷を読み出し、読み出された蓄積電荷の量に対応する信号レベルの信号を出力する信号検出ステップと、信号レベルに基づいて、画素のそれぞれが欠陥画素かどうかを判定する欠陥検出ステップと、欠陥補正ステップとを有し、撮像素子の画素は、少なくとも第１の読み出し方法と第２の読み出し方法により読み出されるよう制御され、第１の読み出し方法は、撮像素子の所定の位置から画素群までの距離に対して、第１の比率で画素群の電荷蓄積時間が変化するように読み出される方法であり、第２の読み出し方法は、撮像素子の所定の位置から画素群までの距離に対して、第１の比率とは異なる第２の比率で画素群の電荷蓄積時間が変化するように読み出される方法であり、欠陥検出ステップは、読み出し方法のなかから選択された１つの欠陥検出用読み出し方法において、画素群ごとに欠陥判定レベルを設定し、欠陥検出用読み出し方法における信号レベルが欠陥判定レベルより大きい画素を欠陥画素として判定し、欠陥画素の撮像素子におけるアドレスと、欠陥画素の信号レベルを所定の記憶手段に記憶し、欠陥補正ステップは、欠陥検出用読み出し方法以外の読み出し方法に関する欠陥補正を行う場合に、記憶手段に記憶された欠陥画素のアドレスから、撮像素子の所定の位置から欠陥画素までの距離を求め、記憶手段に記憶された欠陥画素の信号レベル、計算された距離、第１の比率、および第２の比率から、欠陥画素についての変換後の信号レベルを求め、求められた変換後の信号レベルと欠陥判定レベルを比較することにより、欠陥画素の補正を行うかどうかを判定するように構成される撮像方法である。
【００３３】
第２０の実施態様に係る発明は、上述の第１９の実施態様に係る発明において、画素群が、撮像素子の１ラインに対応する画素から構成され、第１の読み出し方法は、すべての画素群の画素について、電荷蓄積時間が等しくなるように読み出される方法であり、第２の読み出し方法は、画素群ごとに異なる電荷蓄積時間で読み出され、撮像素子の下部のラインに対応する画素群の電荷蓄積時間が、撮像素子の上部のラインに対応する画素群の電荷蓄積時間より長いものであり、欠陥判定レベルは、画素群ごとに同じレベルに設定されるように構成される撮像方法である。
【００３４】
第２１の実施態様に係る発明は、上述の第１９の実施態様に係る発明において、撮像素子の所定の位置が、撮像素子の１ライン目の画素群の位置であるように構成される撮像方法である。
【００３５】
第２２の実施態様に係る発明は、上述の第１９の実施態様に係る発明において、撮像素子は、電荷蓄積時間内の所定の期間、光の入射が遮断されるように構成される撮像方法である。
【００３６】
第２３の実施態様に係る発明は、少なくとも１つの画素を有する画素群を複数備えた撮像素子について、画素のそれぞれの蓄積電荷を読み出し、読み出された蓄積電荷の量に対応する信号レベルの信号を出力する信号検出ステップと、信号レベルに基づいて、画素のそれぞれが欠陥画素かどうかを判定する欠陥検出ステップとを有し、撮像素子の画素は、少なくとも第１の読み出し方法と第２の読み出し方法により読み出されるよう制御され、第１の読み出し方法は、撮像素子の所定の位置から画素群までの距離に対して、第１の比率で画素群の電荷蓄積時間が変化するように読み出される方法であり、第２の読み出し方法は、撮像素子の所定の位置から画素群までの距離に対して、第１の比率とは異なる第２の比率で画素群の電荷蓄積時間が変化するように読み出される方法であり、欠陥検出ステップは、読み出し方法のなかから選択された１つの欠陥検出用読み出し方法において、画素群ごとに欠陥判定レベルを設定し、欠陥検出用読み出し方法における信号レベルが欠陥判定レベルより大きい画素を欠陥画素として判定し、欠陥判定レベルは、撮像素子の所定の位置から画素群までの距離に対して、第１の比率と第２の比率の間の比率で変化するように設定されるように構成される撮像方法である。
【００３７】
第２４の実施態様に係る発明は、上述の第２３の実施態様に係る発明において、欠陥検出ステップは、欠陥画素の撮像素子におけるアドレスを所定の記憶手段に記憶するように構成される撮像方法である。
【００３８】
第２５の実施態様に係る発明は、上述の第２４の実施態様に係る発明において、欠陥画素から得られた信号を補正する欠陥補正ステップをさらに有し、欠陥補正ステップは、所定の読み出し方法によって各画素群から得られた信号を補正する場合に、記憶手段から、欠陥画素のアドレスを取得することによって、補正を行うべき画素を特定するように構成される撮像方法である。
【００３９】
第２６の実施態様に係る発明は、上述の第２３の実施態様に係る発明において、画素群が、撮像素子の１ラインに対応する画素から構成され、第１の読み出し方法は、すべての画素群の画素について、電荷蓄積時間が等しくなるように読み出される方法であり、第２の読み出し方法は、画素群ごとに異なる電荷蓄積時間で読み出され、撮像素子の下部のラインに対応する画素群の電荷蓄積時間が、撮像素子の上部のラインに対応する画素群の電荷蓄積時間より長いものであるように構成される撮像方法である。
【００４０】
第２７の実施態様に係る発明は、上述の第２３の実施態様に係る発明において、撮像素子の所定の位置が、撮像素子の１ライン目の画素群の位置であるように構成される撮像方法である。
【００４１】
第２８の実施態様に係る発明は、上述の第２３の実施態様に係る発明において、撮像素子は、電荷蓄積時間内の所定の期間、光の入射が遮断されるように構成される撮像方法である。
【発明の効果】
【００４２】
この発明によって、各画素の、露光から読み出しまでの時間が同じである第１の読み出し方法と、画素群ごとに、露光から読み出しまでの時間が異なる第２の読み出し方法を使用する撮像装置において、それぞれの読み出し方法に応じた適切な欠陥補正を行うことができる。また、欠陥画素の信号レベルを記憶することによって、１つの読み出し方法に対する１回の欠陥検出動作で、少なくとも上述した２つの読み出し動作の欠陥補正を行うことができる。さらに、欠陥画素の信号レベルを記憶しない場合でも、第１の読み出し方法の欠陥判定レベルと第２の読み出し方法の欠陥判定レベルの間の欠陥判定レベルを用いることによって、１つの読み出し方法に対する１回の欠陥検出動作で、少なくとも上述した２つの読み出し動作の欠陥補正を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
最初に、従来の白欠陥の検出で生じる問題についてさらに詳細に説明する。従来の欠陥検出方法では、各画素の出力信号と所定の欠陥判定レベルを比較することで各画素に欠陥が存在するかどうかを判定していた。この欠陥判定レベルは、通常、一画面に対して１つの値を有するものであり、一画面内の画素は、すべてこの欠陥判定レベルによって判定される。しかしながら、撮像素子の種類によっては、画素を読み出すタイミングが画素ごとに異なるため、同じ白欠陥を有していても、画素によって出力する信号レベルが異なる場合がある。
【００４４】
図１に示す、ＣＣＤ（Charged Coupled Device）１００を用いた撮像素子の場合、光を入射した画素１０３に蓄積された電荷を読み出すときは、まず各画素１０３の電荷が、その画素の接続されたＶ転送レジスタ１０１に移動される。たとえば、Ｐ１１ないしＰｋ１からなる組の画素１０３の電荷は、左端のＶ転送レジスタ１０１に転送される。その後、順にＨ転送レジスタ１０２にその電荷が移動される。最終的な各画素１０３の出力信号は、出力１０４として、Ｈ転送レジスタ１０２から得られる。すなわち、この読み出し方法では、すべての画素１０３の電荷は同じタイミングで読み出され、画素１０３に電荷が蓄積する時間は、すべての画素１０３の間で同じである。
【００４５】
一方、図２に示すように、ＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxid Semiconductor）１１０を用いた撮像素子では、図１に示すようなＶ転送レジスタ１０１がないため、画素１１２の電荷を読み出すときに、各画素の出力信号は１ラインずつカラム１１１に移動する。カラム１１１は、実質的に、図１のＨ転送レジスタ１０２の機能を実現するものである。１ラインは、たとえば、画素Ｐ１１、Ｐ１２、．．．Ｐ１ｐからなる画素群１１２Ａである。通常は、画素の集合が画素群であるが、この明細書では、１つの画素からなるものも画素群と呼ぶことにする。
【００４６】
最初に、１ライン目の画素群１１２Ａの出力信号を同じタイミングでカラム１１１に移動させ、カラム１１１の信号が出力１１３として出力され、カラム１１１が空になったら、２ライン目の画素群１１２Ｂの出力信号を、次のタイミングでカラム１１１に移動させ、カラム１１１が空になったら、３ライン目の画素群１１２Ｃの出力信号を、次のタイミングでカラム１１１に移動させ、これらの処理を繰り返すことで、すべての画素１１２の出力信号が出力１１３として出力される。
【００４７】
このとき、露光開始時点がすべての画素１１２で同じであった場合には、ライン間で、画素の電荷蓄積時間が異なることになる。また、上述したように、白欠陥は、電荷蓄積時間が長くなるにつれて、出力信号のレベルが大きくなる（出力信号のレベルは、電荷蓄積時間にほぼ比例する）。したがって、このように、欠陥の成長度が異なる画素について、一つの欠陥判定レベルで判定すると、各画素の欠陥を正確に判定できないという問題が生じる。
【００４８】
次に、撮影モードと各画素の電荷蓄積時間との関係について説明する。あるタイプの電子カメラには、動画モードと静止画モードが存在し、それぞれのモードで異なる読み出し動作がとられる。図３には、動画モードにおける露光および読み出しのタイミングが示されている。
【００４９】
動画モードでは、ＴＶフォーマットに準じて撮像素子の読み出しを行うため、１／６０秒ごと（垂直同期信号ごと）に撮像素子から映像信号を読み出す必要がある。そのため、各画素の読み出し動作は、図３に示すように、垂直同期信号に基づいたタイミングで行われる。この読み出し動作は、画面の上部の画素から下部の画素に向かってラインごとに順に行われ、読み出し動作が終了した時点が、次のタイミングの露光開始時間となる。この結果、図３の最下部に示すように、各画素の電荷蓄積時間、すなわち、露光の開始から読み出しまでの時間は、画面のすべての位置の画素について同じものとなる。
【００５０】
ＣＭＯＳ等を用いた撮像素子では、前述したように、画素群ごとに読み出しタイミングが異なるので、露光開始の時間がすべての画素で同じ場合には欠陥の成長度が異なり、欠陥の判定において問題がある。しかしながら、図３に示すような読み出し動作であれば、読み出しタイミングのずれに伴って、露光開始の時間もずれているので、画素群毎（ライン毎）に読み出しタイミングのずれはあるものの、各画素間で露光開始（画素に蓄積された電荷をリセットする時間）から画素に蓄積された電荷を読み出すまでの時間は、すべて同じになる。すなわち、動画モードにおいて白欠陥の成長度（欠陥レベル）はすべて同じであり、図１で説明したＣＣＤの場合と同様と考えることができる。
【００５１】
一方、静止画モードでは、ＴＶフォーマットに準じて撮像素子の読み出しを行う必要がないため、比較的低速で画素信号を読み出すことが可能である。
【００５２】
また、動画モードでは、画面の上部と下部で露光タイミングがずれている（すなわち、電荷蓄積時間は同じであるが、電荷蓄積の時間帯が異なっている）ため、動いている被写体を撮影すると、画面の上部と下部とで画像のゆがみが生じる。たとえば、カメラをパンニングしながら棒を撮影したり、動いている棒を撮影したりすると、本来は図４Ａの画像１３１のように撮影されるべきものが、上記の時間帯の差によって、図４Ｂの画像１３２のように撮影されてしまう。しかしながら、動画モードに関しては、フレームレートが１／６０秒であるために、極端に高速で動く被写体を撮影したり、極端に高速でパンニングしない限り、見た目に不都合は生ぜず、実用上は問題がない。
【００５３】
一方、静止画の撮影においては、図４Ｂのような症状は、棒が斜めになっているのが顕著に現れるという不都合を与えてしまうので、読み出しの方法を変える必要がある。この問題を回避するため、静止画の撮影の場合は、図５のように読み出すことが好ましい。図５に示すように、露光開始時点においてリセットパルスが与えられると、すべての画素が同時に電荷を掃きだす動作をする。この動作により、すべての画素は、この位置から露光を開始し、同じ時点から電荷の蓄積が開始されることになる。そして、ある程度の電荷が画素に蓄積されたら、遮光装置を光軸に入れることで、撮像素子に入射する光が遮断され露光が終了する。これにより、すべての画素に対して電荷（光）が蓄積するタイミングが同じとなり、図４に示したような、画面の上部と下部とでの画像のゆがみは発生しない。
【００５４】
また、図５に示すように、この例では、メカシャッター動作パルスがオンとなるタイミングで遮光装置が遮光動作を開始し、時間ｔの経過後にその遮光装置が完全に光を遮光する。その遮光の直後に画素信号の読み出しを開始するが、読み出し動作は、画素群ごとに順次行われるため、各画素群の間（各ライン間）の読み出し開始時間は異なる。そのため、欠陥の成長度（欠陥レベル）は各画素群の間で異なるものになってしまう。図５の場合、画面の上部の画素では欠陥による信号レベルは小さく、画面の下部に向かうほど、その信号レベルが大きくなるという状況が発生する。
【００５５】
このように、各画素の読み出し動作は、動画モードおよび静止画モードで、ともに画素群（ライン）ごとに順次、異なるタイミングで開始される。一方、露光開始時間（画素の電荷をリセットするタイミング）は、動画モードでは、読み出しタイミングのずれに対応してずれたものとなっているが、静止画モードでは、すべての画素について同じタイミングである。そのため、静止画モードにおいては、画面の上部の画素と下部の画素とで、欠陥による信号レベルが変化することになる。また、静止画モードの場合は、遮光装置によって、実質的な露光時間については、画面の上部と下部とでほぼ同一であるが、上記欠陥による信号レベルを考える上では、露光開始から最終的な読み出し時点までの期間が問題となる。
【００５６】
この発明の撮像装置では、欠陥判定レベルを、画素の画面上の位置に関連づけて制御することによって、上述の問題を解消または軽減するものである。
【００５７】
次に、この発明の撮像装置について図６を参照して説明する。このような撮像装置は、たとえば電子カメラとして使用される。図６には、この発明の第１の実施形態に係る撮像装置２００が示されている。また、この発明の撮像装置は、他の様々な撮像システムに組み込まれて使用されうる。撮像装置２００は、レンズ２０２、絞り（Ｉｒｉｓ）２０３、遮光装置２０４、撮像素子２０５、ＡＧＣ（Auto Gain Control:オートゲインコントロール）２０６、Ａ／Ｄ（Analog to Digital:アナログ-ディジタル変換装置）２０７、欠陥補正回路２０８、およびカメラ信号処理回路２０９、記憶装置２１０、信号検出回路２１１、およびコントローラ２１２を備えている。
【００５８】
図６において、各構成要素間を接続する実線は画像データの流れを表し、点線は構成要素を制御するための制御信号、または欠陥画素に関する情報の流れを表している。
【００５９】
ここで、レンズ２０２は、外光を撮像素子２０５に集光させ、絞り２０３は、撮像素子２０５への入射光をコントロールする。遮光装置２０４は、静止画を撮影する場合等に使用され、メカシャッター動作パルスがオンとなった場合に遮断動作を開始し、撮像素子２０５への入射光を完全に遮断する。また、撮像素子２０５は、光を電気信号に変換する複数画素のアレイからなり、ＡＧＣ２０６は、撮像素子２０５からの出力を電気的に増幅し、Ａ／Ｄ２０７は、増幅された、撮像素子２０５からのアナログ信号をディジタル信号に変換する。
【００６０】
ディジタル信号はその後、各画素の出力信号のレベルを検出する信号検出回路２１１に提供される。信号検出回路２１１によって検出された各画素の信号レベルは、コントローラ２１２に提供され、そこで、信号レベルと欠陥判定レベル等との比較が行われ、欠陥画素が判定される。コントローラ２１２は、欠陥画素を判定すると、それらの位置（画面上の位置）を、ＲＯＭやＲＡＭのような記憶装置２１０に記憶する。
【００６１】
欠陥補正回路２０８は、撮像素子２０５によって撮像されたディジタル信号を受信すると、コントローラ２１２を介して記憶装置２１０から欠陥画素の位置情報を取得し、これに基づいて、欠陥画素の補正を行う。カメラ信号処理回路２０９は、欠陥補正回路２０８から出力された欠陥補正後の画像に対して、ホワイトバランス、ガンマ補正、Ｙ（輝度）−Ｃ（色）分離その他の信号処理を行う。
【００６２】
また、コントローラ２１２は、制御信号を生成して、遮光装置２０４と撮像素子２０５の動作を制御する。たとえば、遮光装置２０４にメカシャッター動作パルスを与えることによって、遮光装置２０４の遮断動作タイミングを制御し、撮像素子２０５にリセットパルスを与えることによって、露光開始タイミング等を制御する。
【００６３】
信号検出回路２１１と欠陥補正回路２０８はともに、撮像素子２０５によって得られたイメージデータを入力するが、信号検出回路２１１の場合は、通常、白欠陥を検出するための全黒の画像を入力し、欠陥補正回路２０８は、ユーザが実際に撮影した画像を入力する。
【００６４】
この例では、コントローラ２１２によって、欠陥画素が判定され、記憶装置２１０にその欠陥画その位置情報が記録されるが、これらの機能を信号検出回路２１１や欠陥補正回路２０８が行うように構成することもできる。図６に示した構成は、単なる一例にすぎず、他の様々な構成によって同様の欠陥検出および欠陥補正を行うことができる。撮像装置２００の具体的な動作については、後で説明する。
【００６５】
ここで、各画素の白欠陥を検出する手段について、前提となる原理を含め詳細に説明する。白欠陥の画素の検出は、図６で示した遮光装置２０４をレンズ２０２の光軸上に配置し、撮像素子２０５への光の入射を完全に遮断することによって行う。こうすることで、映像信号（撮像素子２０５の各画素からの出力信号）のレベルが０（すなわち、黒）になる。このとき、微小の電気的ノイズにより信号のレベルが０とならない場合があるが、きわめて小さいものであり、その場合も信号のレベルを０とみなすことができる。
【００６６】
しかしながら、白欠陥の画素がある場合は、その画素からの出力信号のレベルが、ある一定以上の大きさとなる。欠陥画素は、画素が何らかの原因で壊れているために正常な値の信号を出力できず、他の正常な画素とは全く異なるレベルの出力となってしまうのである。ここで、従来の欠陥検出では、所定の欠陥判定レベルが提供され、その欠陥判定レベル以上の出力信号が得られた画素を白欠陥の画素と判定する。白欠陥と判定された画素のアドレスは記憶され、その画素については補正処理が施される。補正処理は、たとえば、欠陥と判定された画素の周囲の正常な画素の信号レベルの平均値を用いて、その欠陥画素の出力信号（画素データ）とするといった処理である。
【００６７】
ここでは、図３示すような、一般的な動画モードで使われる方法、すなわち、画素群の間で露光開始タイミングがずれていて、かつ読み出しタイミングも露光開始タイミングに応じてずれているが、電荷蓄積時間が、各画素群の間で同じである読み出し方法を「ローリングシャッター」と呼び、図５に示すような、一般的には静止画モードで使われる方法、すなわち、画素群の間で露光開始時間が同じで、かつ読み出しタイミングがずれているために、電荷蓄積時間が、各画素群の間で異なっている読み出し方法を「グローバルシャッター」と呼ぶことにする。
【００６８】
次に、複数の読み出し方法（たとえば、ローリングシャッターとグローバルシャッターによる読み出し方法）を備える電子カメラで、電源投入時に画素の欠陥検出を行うことを考えてみる。この場合、ローリングシャッターで欠陥検出を行って、その後、静止画の撮影を行うと、静止画の撮影では、通常グローバルシャッターが使用されるため、グローバルシャッターでの欠陥画素の影響が画面の上部と下部で異なり、特に画面の下部または上部で適切な欠陥補正をすることができない。
【００６９】
逆に、電源投入時にグローバルシャッターで欠陥検出を行った後で、動画の撮影を行うと、動画の撮影ではローリングシャッターが使用されるため、特に画面の上部または下部で適切な補正をすることができない。
【００７０】
そこで、この発明の第１の実施形態に係る撮像装置では、複数の読み出し方法を持つ電子カメラにおいて、１つの読み出し方法では、各画素群について、露光開始から読み出しまでの時間が同じで、他の読み出し方法では、画素群ごとに、露光開始から読み出しまでの時間が異なるものである場合、読み出し方法ごとに欠陥検出を行い、その欠陥検出結果を記憶装置に記憶する。
【００７１】
このような欠陥検出を、工場出荷時に行っておくこともできる。この場合は、最初にグローバルシャッターで欠陥検出を行って、その結果検出された欠陥アドレスを記憶装置の所定の領域に記憶させ、次に、ローリングシャッターで欠陥検出を行って、その結果検出された欠陥アドレスを記憶装置の他の領域に記憶させる。実際にユーザがカメラを使用するときには、使用するモードに応じて、対応する欠陥アドレスが記憶装置から読み出され、欠陥補正が行われる。
【００７２】
また、電源投入時に欠陥検出を行うようにすることもできる。その場合には、ユーザがカメラのモードを切り替えたときに、そのモードの読み出し方法に応じた方法で欠陥検出を行う。たとえば、ユーザが動画の撮影をしようと思い、動画モードを選択した際に、ローリングシャッターで欠陥検出を行って、その結果検出された欠陥アドレスを記憶装置の所定の領域に記憶させ、静止画の撮影をしようと静止画モードを選択した際に、グローバルシャッターで欠陥検出を行って、その結果検出された欠陥アドレスを記憶装置の所定の領域に記憶させる。このような構成によって、各モードの欠陥の補正が適切に行われるようになる。
【００７３】
電源投入時に欠陥検出を行う場合は、工場出荷時に欠陥検出する場合に比べて記憶装置の容量を約半分にでき、工場出荷後の画素の欠陥にも対応できるというメリットがある。
【００７４】
ここで、第１の実施形態に係る撮像装置の構成要素の各動作について説明する。図６に示す信号検出回路２１１は、Ａ／Ｄ２０７から、ディジタル化された撮像素子２０５からの映像信号を受信し、各画素の信号レベルを検出する。欠陥検出の際は全黒が入力されるため、各画素の信号レベルは理想的には０となる。その後、各画素の信号レベルは、コントローラ２１２に渡され、そこで、所定の欠陥判定レベル以上の信号レベルを有する画素が欠陥画素と判定される。欠陥画素と判定された画素の（画面上の）位置を表すアドレスは、コントローラ２１２によって記憶装置２１０に記憶される。アドレスは、画素が撮像素子上でどの位置にあるかを示すものであり、たとえば、撮像素子アレイの行および列を特定する２次元の値を用いたり、画面上でユニークな番号や連番を用いたりすることによって特定されうる。また、欠陥画素の検出は、工場出荷時や電源投入時の他、ユーザが指定したタイミングで行うようにすることもできる。
【００７５】
コントローラ２１２は、信号検出回路２１１を制御し、たとえば、グローバルシャッターによる欠陥検出と、ローリングシャッターによる欠陥検出を個別に行って、それぞれの検出の結果得られた欠陥画素のアドレスを記憶装置２１０の別の領域に記憶する。また、グローバルシャッターによる欠陥検出と、ローリングシャッターによる欠陥検出でともに欠陥として認定された画素があれば、それらの画素のアドレスを共通領域に記憶して、記憶装置２１０の使用容量を提言させるようにすることもできる。
【００７６】
補正処理は、欠陥補正回路２０８によって行われる。欠陥補正回路２０８は、ユーザがローリングシャッターを用いた撮影（通常は動画モードの撮影）を行った場合に、Ａ／Ｄ２０７から、ディジタル化された撮像素子２０５からの映像信号を受信すると、コントローラ２１２を介して記憶装置２１０から、ローリングシャッターによる欠陥検出で欠陥と認定された画素のアドレスを読み込み、そのアドレスの画素から得られた信号について所定の補正処理を行う。一方、ユーザがグローバルシャッターを用いた撮影（通常は動画モードの撮影）を行った場合に、Ａ／Ｄ２０７から、ディジタル化された撮像素子２０５からの映像信号を受信すると、コントローラ２１２を介して記憶装置２１０から、グローバルシャッターによる欠陥検出で欠陥と認定された画素のアドレスを読み込み、そのアドレスの画素から得られた信号について所定の補正処理を行う。
【００７７】
また、コントローラ２１２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）およびＲＡＭやＲＯＭのようなメモリ等を備えるマイクロコンピュータによって構成されうる。コントローラ２１２内のＣＰＵは、メモリ内に記憶されたプログラムの指令に基づいて欠陥補正回路２０８や信号検出回路２１１の動作を制御する。たとえば、信号検出回路２１１がローリングシャッターによる欠陥検出を実施している場合は、その欠陥検出に適した上記欠陥判定レベルがコントローラ２１２から提供される。プログラムは、あらかじめＲＯＭに書き込まれていたり、ハードディスクのような記録装置からメモリにロードされたりするが、ＵＳＢのような外部端子とインターネット等のネットワークを経由して外部のコンピュータからもメモリにロードされうる。
【００７８】
ここでは、ローリングシャッターによる読み出しと、グローバルシャッターによる読み出しの２通りの読み出し方法に対応できる撮像装置の例について示したが、３つ以上の読み出し方法に、この発明の撮像装置を適用することも可能である。その場合、第１の読み出し方法において、各画素の電荷蓄積時間が、同一または画素群ごとに異なるように読み出されるものである場合、第２の読み出し方法は、少なくとも一部の画素で、第１の読み出し方法とは異なる電荷蓄積時間を有するように読み出されるものであり、第３の読み出し方法は、少なくとも一部の画素で、第１および第２の読み出し方法とは異なる電荷蓄積時間を有するように読み出されるものである。記憶装置２１０には、読み出し方法の識別とともに、欠陥画素のアドレスが記憶される。
【００７９】
次に、この発明の第２の実施形態に係る撮像装置について説明する。第１の実施形態に係る撮像装置は、読み出し方法ごとに欠陥検出を行い、記憶された検出結果を用いて欠陥の補正を行うものであったが、第２の実施形態に係る撮像装置では、１つの読み出し方法についてのみ欠陥検出を行い、この検出結果をもとに、複数の読み出し方法ついて欠陥の補正を行うものである。そのために、第２の実施形態に係る撮像装置では、１つの読み出し方法についての欠陥検出時に、欠陥画素のアドレスを記憶するとともに、欠陥による信号レベルも欠陥画素のアドレスに対応づけて記憶する。
【００８０】
ここで、グローバルシャッターにおける欠陥検出の結果を、グローバルシャッターおよびローリングシャッターにおける欠陥の補正に用いる場合を考えてみる。たとえば、全黒を撮影した場合の各画素の信号レベルの例が、図７Ａに示すグラフのようになっていると仮定する。図７Ａのグラフは、各画素における信号レベル（蓄積電荷の量）を縦軸とし、その画素が撮像素子アレイ（すなわち、画面）の最上部からどれくらいの距離にあるかを横軸として示している。符号「イ」ないし「リ」として示された各画素は、画面内の画素のいくつかをサンプルとして抽出したものであり、グラフの横軸に示す距離が大きいものほど、画面の下部に位置する画素であることを示している。したがって、画素イは、画面の最上部に位置する画素であり、画素リは、画面の最下部に位置する画素である。
【００８１】
また、各画素については、同じ電荷蓄積時間における信号レベルが表わされているものとする。前述のように、通常、全黒の撮影の場合、各画素の信号レベルは、理想的には０であるが、ここでは、説明の便宜上、各画素が、欠陥およびノイズ等のために、それぞれ０以外の所定レベルの蓄積電荷を有しているものとする。
【００８２】
図７Ａに示すような状況で、グローバルシャッターを用いて撮影をすると、図７Ｂのグラフに示すような信号レベルが得られる。図７Ｂのグラフの縦軸と横軸は、図７Ａと同じであり、図７Ａと同じ画素についての信号レベルが表されている。前述のように、グローバルシャッターでは、画面の下部、すなわち、グラフの横軸に示す距離が大きいものほど信号レベルが大きくなる。したがって、図７Ａでは、画素イの信号レベルは、画素ハの信号レベルより大きいものであったが、図７Ｂでは、その関係が逆転している。
【００８３】
図７Ｂにおいて、所定の信号レベルが欠陥判定レベル表示線２２０によって表されており、このレベル以上の画素を欠陥画素とすると、画素ニ、ト、リが欠陥画素として検出される。ここで、この所定の信号レベルを欠陥判定レベルと呼ぶ。
【００８４】
次に、図７Ａに示すような状況で、ローリングシャッターを用いて撮影をすると、図８のグラフに示すような信号レベルが得られる。図８のグラフの縦軸と横軸は、図７Ａと同じであり、図７Ａと同じ画素についての信号レベルが表されている。前述のように、ローリングシャッターでは、各画素群について、露光開始から読み出しまでの時間が同じであるため、各画素の信号レベルは、図７Ａに示すものとほぼ同様のものとなる（ローリングシャッターにおいては、各画素の電荷蓄積時間帯は同じではないので、図７Ａに示す信号レベルとは必ずしも一致しない）。すなわち、画面の下部においても、信号レベルが増加することはない。
【００８５】
この場合に、図７Ｂに示したのと同じ欠陥判定レベル表示線２２０によって欠陥の判定をすると、画素ニのみが欠陥画素として検出される。したがって、ローリングシャッターを用いる際には、画素トおよび画素リは欠陥画素と見なす必要がない。
【００８６】
よって、グローバルシャッターによる欠陥画素の判定結果を利用して、ローリングシャッターを用いた撮影の欠陥補正に用いると、欠陥画素ではない画素トおよび画素リについて補正が行われ、本来適切な信号を提供する画素からの情報が失われることになる。
【００８７】
ここで、グローバルシャッターの場合に、露光開始から読み出し開始までの時間が、画素の位置によってどのように異なるかを、図９を参照して説明する。撮像素子アレイの最上部、すなわち、画面の１ライン目の画素は、図９に示すように、露光開始の時点Ｔ１から露光を開始し、読み出し開始（１）の時点Ｔ２で読み出しが開始される。一方、撮像素子アレイの最下部、すなわち画面の最終ラインの画素は、図９に示すように、露光開始の時点Ｔ１から露光を開始し、読み出し開始（Ｎ）の時点Ｔ３で読み出しが開始される。
【００８８】
よって、画面の１ライン目の画素と最終ラインの画素とで、露光開始時点から読み出し開始時点までの時間（すなわち、電荷蓄積時間）を比べると、最終ラインの画素の方がＴ３−Ｔ２の時間だけ長いことが分かる。また、画面の１ライン目から最終ラインの間の各ラインの画素についての、電荷蓄積時間は、Ｔ２−Ｔ１からＴ３−Ｔ１に向かってほぼ線形的に増加する。
【００８９】
ここで、たとえば、Ｔ２−Ｔ１は６Ｖであり、Ｔ３−Ｔ１は１０Ｖ（ただし、Ｖは１／６０秒）である。また、前述のように、電荷蓄積時間に比例して欠陥による信号レベルが増大する。したがって、画面の最終ラインの画素については、実質的には１ライン目の画素と同じレベルの信号であっても、検出される信号レベルの大きさとしては、１ライン目の画素の信号の１．６６倍（１０Ｖ／６Ｖ）となって表されるということができる。同様に、画面の中程のラインの画素は、１ライン目の画素の信号の１．３３倍（８Ｖ／６Ｖ）となって表れる。
【００９０】
よって、グローバルシャッターでの欠陥検出結果を用いてローリングシャッターにおける欠陥を補正する場合には、各画素の信号レベルと画面上の位置（ライン）を元に、その画素が、たとえば画面の１ライン目であったとしたらどのような信号レベルとなるかを求めた上で、所定の欠陥判定レベルと比較する。
【００９１】
たとえば、図７Ｂの欠陥判定レベル表示線２２０によって示された欠陥判定レベルが４０で、画素リについて検出された信号レベルが４７である場合、画素リの信号レベルを１／１．６６倍してローリングシャッターで検出されるべき信号レベルに変換する。この計算により、画素リの信号レベルは、約２８（４７＊（１／１．６６））と求められ、欠陥判定レベルの４０より小さいので、ローリングシャッター使用時には欠陥と判定されない。
【００９２】
このように、その画素が画面上どの位置（ライン）に配置されていたかに基づいて、その欠陥画素の信号レベルが、ローリングシャッターで読み出されていたらどのようなレベルになっていたのかが計算される。この場合、ローリングシャッターでは、各画素が画面上の位置によらず一定の電荷蓄積時間で読みとられ（すなわち、各画素の電荷蓄積時間は、画面上の所定の位置（ここでは、画面の１ライン目）からの距離に対して、比率０で変化する）、グローバルシャッターでは、各画素が画面上の位置に応じて変化する電荷蓄積時間で読みとられる（すなわち、各画素の電荷蓄積時間は、画面上の所定の位置（ここでは、画面の１ライン目）からの距離に対して、０以外の所定の比率で変化する）。よって、これらの比率の差から、グローバルシャッターによって得られた信号レベルをローリングシャッターにおける信号レベルに変換する。
【００９３】
この例では、変化の比率が０の場合（ローリングシャッターの場合）と、変化の比率が０以外の所定の比率である場合（グローバルシャッターの場合）とで信号レベルの変換を行っているが、０以外の２つの比率の間で信号レベルを変換するよう構成することも可能である。
【００９４】
上述した原理を用いると、グローバルシャッターを用いて欠陥検出した場合、欠陥と判定された画素のアドレスとその信号レベルを記憶装置に記憶することで、グローバルシャッターでの撮影はそのまま検出結果を用いて欠陥補正が行われ、ローリングシャッターの撮影では、欠陥補正をする際に、その記憶装置に記憶された信号レベルをローリングシャッターでの信号レベルに変換し、その後再度、欠陥判定レベルと比較され、欠陥画素が判定される。この例における欠陥判定レベルは、各画素の画面上の位置によらず一定であり、換言すれば、各画素に関する欠陥判定レベルは、その画素と画面上の所定の位置（ここでは、画面の１ライン目）からの距離に対して、比率０で変化するものである。
【００９５】
逆に、ローリングシャッターで欠陥検出を行う場合は、もちろん、ローリングシャッターでの撮影はそのまま検出結果を用いて欠陥の補正を行うことができる。しかしながら、ローリングシャッターにおける各画素の電荷蓄積時間とグローバルシャッターにおける１ライン目の画素の電荷蓄積時間がほぼ等しいような場合は、ローリングシャッターで欠陥画素として検出された画素以外に、グローバルシャッターの撮影で欠陥として取り扱うべき画素が存在しうる。このため、ローリングシャッターで欠陥検出を行う場合に、たとえば、各画素の信号レベルに所定の数値（たとえば、図７Ａの画素リについては１．６６）を掛けた値が、欠陥判定レベルを超えていないかどうかを判定する等、グローバルシャッターでの撮影を考慮した欠陥検出処理が必要となる。
【００９６】
ここで、第２の実施形態に係る撮像装置の構成要素の各動作について説明する。欠陥画素の検出について、信号検出回路２１１とコントローラ２１２の動作は、第１の実施形態に係る撮像装置と同様であり、通常、グローバルシャッターを用いて検出動作が行われる。ただし、コントローラ２１２は、欠陥画素と判定された画素のアドレスを記憶装置２１０に記憶する際に、その画素のアドレスと関連付けて、その画素の信号レベルも記憶する。
【００９７】
グローバルシャッターを用いた撮影に関する補正処理は、第１の実施形態に係る撮像装置と同様である。しかしながら、ローリングシャッターを用いた撮影に関する補正処理においては、コントローラ２１２が、記憶装置２１０から、ローリングシャッターによる欠陥検出で欠陥と認定された画素のアドレスと信号レベルを読み込み、その信号レベルをローリングシャッター用に上述の変換処理を施した上で、欠陥判定レベルと比較し、最終的に欠陥画素と判定された画素についてのみ所定の補正処理を行うよう、欠陥補正回路２０８を制御する。
【００９８】
グローバルシャッターでは、画素群と撮像素子の所定の位置（たとえばここでは１ライン目）との距離に対して、所定の比率で各画素の電荷蓄積時間が変化（増加）し、たとえば、撮像素子の１ライン目の画素イの電荷蓄積時間を１とすると、撮像素子の最終ラインの画素リの電荷蓄積時間は１．６６である（この場合、比率を１．６６と考えるものとする）。一方、ローリングシャッターでは、各画素群の位置に関わらず、各画素の電荷蓄積時間は一定であり、変化の比率は０と考えることができる。
【００９９】
記憶装置２１０には、欠陥画素のアドレスが記憶されているので、そのアドレスから、その画素が、たとえば撮像素子の１ライン目からどれくらいの距離にあるかを求めることができ、その距離と上述の変化比率、および記憶装置２１０に記憶された信号レベルから、各種読み出し方法に適した信号レベルを生成することができる。
【０１００】
次に、この発明の第３の実施形態に係る撮像装置について説明する。第２の実施形態に係る撮像装置は、欠陥画素のアドレスに加え、欠陥画素の信号レベルも記憶するため、大きな記憶容量の記憶装置が必要となるというデメリットがある。そこで、この発明の第３の実施形態に係る撮像装置では、欠陥画素の信号レベルを記録せずに、かつ、欠陥画素の検出を１回だけ行うことによって、複数の読み出し方法について適切な欠陥の補正を実現する。
【０１０１】
グローバルシャッターで欠陥画素の検出を行って、グローバルシャッターによる撮影の際に欠陥補正をする場合、欠陥判定レベルは、画面の上部の画素と下部の画素の間で一定であることが好ましい。一方、グローバルシャッターで欠陥画素の検出を行って、ローリングシャッターによる撮影の際に欠陥補正する場合、欠陥判定レベルは、画面の上部と下部でレベルを変える（すなわち、画素の位置が画面の下部になるほど欠陥判定レベルを大きくする）ように制御することが好ましい。このような欠陥判定レベルは、前述の、各画素の画面上の位置に対する電荷蓄積時間の変化比率と同じ比率で変化することが、より好ましい。
【０１０２】
したがって、これらの両方の読み出し方法による撮影で適切な欠陥補正を行うには、基本的に、上述した別の欠陥判定レベルでそれぞれ欠陥画素の検出を行う必要がある。
【０１０３】
ここで、グローバルシャッターで欠陥画素の検出を行う場合について考えてみる。図１０は、グローバルシャッターを用いた各画素の信号レベルを表したグラフで、各画素の信号レベルの大きさは、図７Ｂで示したものと同様である。画素イないし画素リが、図に示す信号レベルであるとき、グローバルシャッターで撮影する際の欠陥補正に適切な欠陥判定レベルは、画面の上部と下部で一定に設定することが好ましく、これが欠陥判定レベル表示線２２０で表されている。これは、上述した変化比率０に対応するものである。
【０１０４】
一方、ローリングシャッターで撮影する際の欠陥補正に適切な欠陥判定レベルは、画面の下部の方が大きくなるように設定することが好ましく、これが欠陥判定レベル表示線２３０で表されている。これは、上述した比率１．６６に対応するものである。このような欠陥判定レベルの設定は、第２の実施形態に係る撮像装置において、たとえば、画面の下部に位置する画素の信号レベルを１／１．６６倍して欠陥判定レベルと比較していることと実質的に同じであるといえる。ただし、第２の実施形態に係る撮像装置においては、各欠陥画素の信号レベルを記録していたために、このような比較が可能となっていた。
【０１０５】
第３の実施形態に係る撮像装置では、各欠陥画素の信号レベルを記録することなく、１回の欠陥検出で、グローバルシャッターとローリングシャッターの２つの読み出し方法に関しての欠陥補正が可能となるように、上述した欠陥判定レベルを、欠陥判定レベル表示線２２０と欠陥判定レベル表示線２３０の中間に設定する（すなわち、変化比率０と変化比率１．６６の間の比率で変化する）。このようにして設定されたのが、図１０に示す、欠陥判定レベル表示線２４０である。
【０１０６】
このような、画面の上部から下部に進むにしたがって少しずつレベルが増加するような欠陥判定レベルによって、グローバルシャッターによる撮影の際も、ローリングシャッターによる撮影の際も比較的良好な欠陥の補正が期待できる。
【０１０７】
この方法は、少ない記憶装置の容量でグローバルシャッター、ローリングシャッターの両方の読み出し方法での欠陥補正を、実用上問題にならない範囲レベルで実現する。これらの２つの方法において、信号レベルの極めて大きい欠陥画素については欠陥画素として判定し、ある程度の範囲の欠陥は欠陥として判定しないことで記憶装置の削減が可能である。
【０１０８】
第３の実施形態に係る撮像装置では、欠陥判定レベル表示線２４０の傾きは、上述の、グローバルシャッターでの理想的な欠陥判定レベル表示線２３０の変化比率（１．６６）と、ローリングシャッターでの理想的な欠陥判定レベル表示線２２０の変化比率（０）の間であればよく、そのなかで、どのような比率を選択するかは、グローバルシャッターおよびローリングシャッターの精度の優先順位、読み出し方法の使用頻度、商品戦略等に応じて、適宜選択する事が可能である。
【０１０９】
図１０に示す欠陥判定レベル表示線２４０にしたがって欠陥判定レベルを設定すると、グローバルシャッターにおける欠陥補正の場合は、図１１Ａに示すように、画素トの部分が欠陥画素と判断されないために適正に補正されず、ローリングシャッターにおける欠陥補正の場合は、図１１Ｂに示すように、画素リの部分が欠陥画素と判断され、誤って補正されてしまう。ただし、これらの補正漏れや誤補正は、欠陥判定レベルに近い画素のみであり、実用上問題がないと考えることができる。
【０１１０】
ここで、第３の実施形態に係る撮像装置の構成要素の各動作について説明する。欠陥画素の検出について、信号検出回路２１１とコントローラ２１２の動作は、第１の実施形態に係る撮像装置と同様であり、通常、グローバルシャッターを用いて検出動作が行われる。ただし、コントローラ２１２は、この際、上述した欠陥判定レベル表示線２４０で示されるような、中間的な欠陥判定レベルを用いて欠陥画素を判定する。
【０１１１】
補正処理は、欠陥画素と判定された画素の信号について所定の補正処理を施すという点で、第１の実施形態に係る撮像装置と同様である。
【０１１２】
上述したように、記憶装置は、欠陥アドレスを記憶するだけでよいため、容量を小さくすることができ、また工場出荷時や電源投入時には欠陥検出をそれぞれの読み出し方法について行う必要がなく、たとえばグローバルシャッターに関して１回だけ行えばよいというメリットがある。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】ＣＣＤの構成および蓄積された電荷の転送を説明するための略線図である。
【図２】ＣＭＯＳの構成および蓄積された電荷の転送を説明するための略線図である。
【図３】ローリングシャッターの読み出し方法における露光、読み出しタイミングを示す略線図である。
【図４】動画モードにおいて、画面の上部と下部で露光タイミングがずれるために生ずる画像のゆがみを表した略線図である。
【図５】グローバルシャッターの読み出し方法における露光、読み出しタイミングを示す略線図である。
【図６】この発明の第１の実施形態に係る撮像装置の構成を示すブロック図である。
【図７】各画素の信号レベルを示すグラフである。
【図８】各画素の信号レベルを示すグラフである。
【図９】グローバルシャッターの読み出し方法における、露光開始から読み出し開始までの時間と、画素の位置との関係を示した略線図である。
【図１０】この発明の第３の実施形態に係る撮像装置における欠陥判定レベルの設定を説明するための略線図である。
【図１１】この発明の第３の実施形態に係る撮像装置による欠陥画素の判定を説明するための略線図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１００・・・ＣＣＤ、１１０・・・ＣＭＯＳ、２００・・・撮像装置、２０２・・・レンズ、２０３・・・絞り、２０４・・・遮光装置、２０５・・・撮像素子、２０６・・・ＡＧＣ、２０７・・・Ａ／Ｄ、２０８・・・欠陥補正回路、２０９・・・カメラ信号処理回路、２１０・・・記憶装置、２１１・・・信号検出回路、２１２・・・コントローラ
【図１】
2005328421.tif 000003
【図２】
2005328421.tif 000004
【図３】
2005328421.tif 000005
【図４】
2005328421.tif 000006
【図５】
2005328421.tif 000007
【図６】
2005328421.tif 000008
【図７】
2005328421.tif 000009
【図８】
2005328421.tif 000010
【図９】
2005328421.tif 000011
【図１０】
2005328421.tif 000012
【図１１】
2005328421.tif 000013