(57)【要約】【課題】  化合物原料などを充填したるつぼの搬送時においてるつぼに破損が生じることを防止できるとともに、結晶成長時の異常な固化を防止することができる化合物単結晶の製造方法およびそれに用いられる保持具付き単結晶成長用容器を提供する。【解決手段】  るつぼ１は、種結晶を収容する下部１ａと、単結晶を成長させる上部１ｃと、それら連結する増径部１ｂとを有している。保持具２ａは、把持部２ｂを有し、かつるつぼ下部１ａと増径部１ｂとを受けるようにるつぼ１の外側に密着している。この保持具２ａの把持部２ｂを手で持つことにより、化合物原料４を充填したるつぼ１を搬送することができ、単結晶を成長させる時には保持具２ａとるつぼ１とを一体化して使用することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶成長用容器内に充填された化合物原料を加熱溶融した後に固化して化合物単結晶を成長させる化合物単結晶の製造方法であって、
前記単結晶成長用容器は、種結晶を収容する下部と、単結晶を成長させる上部と、前記下部および前記上部を連結する増径部とを有し、
把持部を有する保持具を前記下部と前記増径部とを受けるように前記単結晶成長用容器の外側に密着させた状態で、前記把持部を手または治工具で保持することにより、前記化合物原料または前記化合物単結晶を充填した前記単結晶成長用容器を搬送し、かつ前記化合物単結晶を成長させる時には前記保持具と前記単結晶成長用容器とを一体化して使用することを特徴とする、化合物単結晶の製造方法。
【請求項２】
前記保持具は前記単結晶成長用容器の前記下部と前記増径部と前記上部とに沿うように形成されており、かつ外方へ突き出す厚肉状の前記把持部を有することを特徴とする、請求項１に記載の化合物単結晶の製造方法。
【請求項３】
前記保持具は前記単結晶成長用容器を密封する気密性容器であることを特徴とする、請求項１または２に記載の化合物単結晶の製造方法。
【請求項４】
前記保持具は前記単結晶成長用容器の前記下部と前記増径部とを受ける台状に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の化合物単結晶の製造方法。
【請求項５】
前記保持具は、石英、炭化ケイ素、窒化ケイ素、カーボンおよびモリブデンよりなる群から選ばれる１種以上よりなることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の化合物単結晶の製造方法。
【請求項６】
前記単結晶成長用容器はｐＢＮからなっていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の化合物単結晶の製造方法。
【請求項７】
前記化合物単結晶はヒ化ガリウム結晶であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の化合物単結晶の製造方法。
【請求項８】
化合物原料を加熱溶融した後に固化して化合物単結晶を成長させる化合物単結晶の製造方法に用いられる保持具付き単結晶成長用容器であって、
種結晶を収容する下部、単結晶を成長させる上部、および前記下部と前記上部とを連結する増径部を有し、かつ内部に前記化合物原料を充填可能な単結晶成長用容器と、
前記単結晶成長用容器の前記下部と前記増径部とを受けるように前記単結晶成長用容器の外側に密着し、かつ手または治工具で保持して前記単結晶成長用容器を運搬できる把持部を有する保持具とを備えた、保持具付き単結晶成長用容器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物単結晶の製造方法およびそれに用いられる保持具付き単結晶成長用容器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
周期律表のＩＩまたはＩＩＩ族の元素と周期律表のＶＩまたはＶ族の元素との組合せにより生じる単結晶の化合物は、電子産業に不可欠のものである。それらの単結晶の化合物の例は、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）などである。
【０００３】
単結晶のＩＩ−ＶＩ族化合物およびＩＩＩ−Ｖ族化合物は、典型的には約１０-3〜約１０11Ω・ｃｍの広い範囲内の抵抗率を有しているため、「半導体」と呼ぶことができる。半導体の電気伝導度は、適当な不純物（ドーパント）を単結晶の物質に添加することによって変えることができる。加えられる不純物、すなわちドーパントによって、半導体はｎ型にもｐ型にもなり得る。
【０００４】
約１０7Ω・ｃｍより大きい抵抗を有するＩＩＩ−Ｖ族またはＩＩ−ＶＩ族の単結晶の化合物はしばしば「半絶縁性」半導体と呼ばれ、この半絶縁性半導体はしばしば「半絶縁体」と呼ばれる。
【０００５】
このような単結晶の化合物を製造する方法として、たとえば垂直ブリッジマン法（ＶＢ法）や垂直温度勾配法（ＶＧＦ法）がある。
【０００６】
たとえば以下の特許文献１には、単結晶ＧａＡｓをＶＧＦ法またはＶＢ法で製造する方法が開示されている。具体的には、種結晶と、ＧａＡｓ原料と、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）とがるつぼ内に充填され、るつぼ下部にｐＢＮ製の補強台座が密着して装着され、そのるつぼが突起を備えた石英製アンプル内に封入される。この際、石英製アンプルの突起が補強台座に接して支持する。この後、従来のＶＧＦ法またはＶＢ法と同様の操作が行なわれて、ＧａＡｓ単結晶が成長する。
【特許文献１】特開２００３−３３５５９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献１に開示された技術は、ＧａＡｓ原料を加熱溶融する際の機械的強度を考慮したものにすぎない。また、るつぼの材質として熱分解窒化ホウ素（以下ｐＢＮ）が用いられている。るつぼの材質としてｐＢＮを用いた場合には、化合物原料への電気的に活性な不純物の混入が少ないので、育成する単結晶の比抵抗やキャリア濃度を制御しやすい利点がある。
【０００８】
しかし、ｐＢＮ製のるつぼの厚さは最大でも数ｍｍ程度しかなく、かつ、るつぼの材質であるｐＢＮ自体の機械的強度が十分に高くはない。このため、工業的に製造される規模で化合物原料などをるつぼ内に充填すると、るつぼ内の内容物の重量荷重により、るつぼを直接手で持って搬送する際に、るつぼを手で直接持つ部分に局所的な荷重がかかり、るつぼに破損が生じるという問題があった。
【０００９】
また、るつぼの機械的強度を向上させるために、るつぼ全体を単純に厚くすると、るつぼ内の化合物原料の融液から外部へ、るつぼ上部の側面部分を通る熱伝導は促進されることになる。この結果として、るつぼ内の化合物原料の融液はるつぼに接する最外周部においてその内周部よりも過度に冷却されやすくなり、その部分から異常な固化が始まり、転位欠陥を多く生じ、単結晶が得られなくなるという問題があった。
【００１０】
それゆえ本発明の目的は、化合物原料などを充填したるつぼの搬送時においてるつぼに破損が生じることを防止できるとともに、結晶成長時の異常な固化を防止することができる化合物単結晶の製造方法およびそれに用いられる保持具付き単結晶成長用容器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の化合物単結晶の製造方法は、単結晶成長用容器内に充填された化合物原料を加熱溶融した後に固化して化合物単結晶を成長させる化合物単結晶の製造方法であって、単結晶成長用容器は、種結晶を収容する下部と、単結晶を成長させる上部と、その下部および上部を連結する増径部とを有し、把持部を有する保持具を単結晶成長用容器の下部と増径部とを受けるように単結晶成長用容器の外側に密着させた状態で、その把持部を手または治工具で保持することにより、化合物原料または化合物単結晶を充填した単結晶成長用容器を搬送し、かつ化合物単結晶を成長させる時には保持具と単結晶成長用容器とを一体化して使用することを特徴とするものである。
【００１２】
上記の化合物単結晶の製造方法において好ましくは、保持具は単結晶成長用容器の下部と増径部と上部とに沿うように形成されており、かつ外方へ突き出す厚肉状の把持部を有している。
【００１３】
上記の化合物単結晶の製造方法において好ましくは、保持具は単結晶成長用容器を密封する気密性容器である。
【００１４】
上記の化合物単結晶の製造方法において好ましくは、保持具は単結晶成長用容器の下部と増径部とを受ける台状に形成されている。
【００１５】
上記の化合物単結晶の製造方法において好ましくは、保持具は、石英、炭化ケイ素、窒化ケイ素、カーボンおよびモリブデンよりなる群から選ばれる１種以上よりなる。
【００１６】
上記の化合物単結晶の製造方法において好ましくは、単結晶成長用容器はｐＢＮからなっている。
【００１７】
上記の化合物単結晶の製造方法において好ましくは、化合物単結晶はヒ化ガリウム結晶である。
【００１８】
本発明の保持具付き単結晶成長用容器は、化合物原料を加熱溶融した後に固化して化合物単結晶を成長させる化合物単結晶の製造方法に用いられる保持具付き単結晶成長用容器であって、単結晶成長用容器と、保持具とを備えている。単結晶成長用容器は、種結晶を収容する下部、単結晶を成長させる上部、およびその下部と上部とを連結する増径部を有し、かつ内部に化合物原料を充填可能である。保持具は、単結晶成長用容器の下部と増径部とを受けるように単結晶成長用容器の外側に密着し、かつ手または治工具で保持して単結晶成長用容器を運搬できる把持部を有している。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の化合物単結晶の製造方法およびそれに用いる保持具付き単結晶成長用容器によれば、保持具は、手または治工具で保持することのできる把持部を有しているため、化合物原料を充填した単結晶成長用容器を搬送する際に、その保持具の把持部を手または治工具で保持して搬送することができ、単結晶成長用容器を直接手で持つことを避けることができる。これにより、単結晶成長用容器の直接手で持った部分に局所的な荷重がかかることを防止できるため、搬送時に単結晶成長用容器が破損することを防止することができる。
【００２０】
また、保持具が単結晶成長用容器の下部と増径部とを受けるように単結晶成長用容器の外側に密着しているため、保持具は、単結晶成長用容器の下部と増径部とで単結晶成長用容器内の充填物の重量を受けることができる。このため、充填物の重量荷重を広い部分で分散することが可能となり、重量荷重の集中による単結晶成長用容器の破損を防止することができる。
【００２１】
また、保持具を用いたことにより、上述のように単結晶成長用容器を厚くせずとも単結晶成長用容器の破損を防止することができるため、単結晶成長用容器を厚くすることにより生じる結晶成長時の異常な固化を防止することもできる。
【００２２】
さらに、化合物単結晶を成長させる時には保持具と単結晶成長用容器とを一体化させたまま使用することができる。
【００２３】
上記の化合物単結晶の製造方法において、保持具の把持部が外方へ突き出す厚肉状に形成されているため、把持部を手または治工具で保持することが容易となり、単結晶成長用容器の搬送が容易となる。
【００２４】
上記の化合物単結晶の製造方法において、保持具を単結晶成長用容器を密封する気密性容器として用いることもできる。
【００２５】
上記の化合物単結晶の製造方法において、保持具は単結晶成長用容器の下部と増径部とを受ける台状に形成されているため、その台状の底面に手または治工具をかけて保持することで単結晶成長用容器を下から支えて搬送することが可能となる。また、この台状の保持具を単結晶成長装置の昇降軸に連結するステージとしても兼用することができる。この構成は、特に化合物原料などの重量が比較的大きい場合に有効である。
【００２６】
上記の化合物単結晶の製造方法において、保持具は、石英、炭化ケイ素、窒化ケイ素、カーボンおよびモリブデンよりなる群から選ばれる１種以上よりなっているため、保持具の強度を容易に向上させることができる。
【００２７】
上記の化合物単結晶の製造方法において好ましくは、るつぼがｐＢＮからなっている。るつぼの構成元素によっては、酸化ホウ素や融液とるつぼが反応し、原料融液が汚染される恐れがある。したがって、酸化ホウ素や融液と反応しないるつぼの材料としてｐＢＮが最適である。
【００２８】
上記の化合物単結晶の製造方法においては好ましくは、化合物単結晶はヒ化ガリウム結晶である。つまり、本発明は、特にヒ化ガリウム結晶成長に有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
【００３０】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における保持具付き単結晶成長用容器の構成を示す概略断面図である。図１を参照して、本実施の形態の保持具付き単結晶成長用容器１０Ａは、るつぼ（単結晶成長用容器）１と、保持具２ａとを有している。
【００３１】
るつぼ１は、種結晶を収容するるつぼ下部１ａと、単結晶を成長させるるつぼ上部１ｃと、るつぼ下部１ａとるつぼ上部１ｃとを連結する増径部１ｂとを有している。るつぼ下部１ａは比較的小径であり、るつぼ上部１ｃは比較的大径である。このるつぼ上部１ｃの上端部には開口が形成されており、この開口部からるつぼ下部１ａ、増径部１ｂおよびるつぼ上部１ｃの内部に種結晶３、化合物原料４などを充填できるようになっている。
【００３２】
保持具２ａは、るつぼ下部１ａと増径部１ｂとを受けるようにるつぼ１の外側に密着し、かつ手または保持具で保持することのできる把持部２ｂを有している。具体的には、保持具２ａはるつぼ下部１ａと増径部１ｂとるつぼ上部１ｃとに沿うように形成されており、かつ外方へ突き出す把持部２ｂを上端付近に有している。この把持部２ｂは、保持具の他の部分の厚みｔ１よりも厚い厚みｔ２を有する厚肉状に形成されている。この厚みの比（ｔ２／ｔ１）は、１．５以上１０以下であることが好ましい。また、把持部２ｂは、るつぼ１内の充填物（化合物原料４など）の最上面（図中Ｓ−Ｓ線で示す面）よりも上方に取り付けられていることが好ましい。
【００３３】
るつぼ１の材質はたとえばｐＢＮからなっている。また保持具２ａの材質は、るつぼ１とは異なる材質よりなっており、たとえば石英よりなっていることが好ましい。しかし、これに限定されるものではなく、保持具２ａの材質は、石英、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、カーボン（Ｃ）およびモリブデン（Ｍｏ）のうちの単一の材料からなっていてもよく、これらの材料の任意に組み合わせからなる複合材料からなっていてもよい。
【００３４】
次に、図１に示す保持具付き単結晶成長用容器１０Ａを用いた本実施の形態の化合物単結晶の製造方法について説明する。
【００３５】
図１を参照して、まず化合物単結晶の製造に必要な原料として、予め準備された種結晶３と、化合物原料４とがるつぼ１内に充填される。種結晶３はるつぼ下部１ａ内に収容される。また、化合物原料４としては、たとえばＧａ（ガリウム）とＡｓ（ヒ素）とが予備合成されたＧａＡｓ多結晶体が用いられる。この状態で作業者が保持具２ａの把持部２ｂを手または治工具で保持して、保持具付き単結晶成長用容器１０Ａを図２に示すＶＢ装置２０に搬送する。
【００３６】
図２を参照して、ＶＢ装置２０のチャンバー１５内には断熱筒１４が設けられており、断熱筒１４内にはたとえば１０個の円筒形状のヒータ１３ａ〜１３ｊが配置されている。保持具付き単結晶成長用容器１０Ａは、ヒータ１３ａ〜１３ｊ内に挿入されて、ステージ１１上に載置される。ステージ１１の下部には昇降軸１２が取り付けられており、これにより保持具付き単結晶成長用容器１０Ａはヒータ１３ａ〜１３ｊ内で昇降可能である。
【００３７】
保持具付き単結晶成長用容器１０ＡがＶＢ装置２０に設置された後、ヒータ１３ａ〜１３ｊにより加熱される。これにより、種結晶３の上半分と化合物原料４とが溶融する。この後、化合物単結晶を成長させるために上部が高温域となり下部が低温域となるように温度勾配をヒータ１３ａ〜１３ｊが生じさせる。この状態で、るつぼ１をヒータ１３ａ〜１３ｊ内で昇降軸１２により昇降運動させることにより、化合物原料中の固−液界面が種結晶３の上端部（シードエンド）から化合部原料の上端部（テールエンド）へと移行することになり、化合物原料の融液４ａが種結晶３側から凝固して化合物単結晶４ｂが成長していく。これにより、化合物単結晶４ｂが得られる。
【００３８】
この後、作業者が保持具２ａの把持部２ｂを手または治工具で保持して、図２に示すＶＢ装置２０から搬送する。
【００３９】
本実施の形態によれば、保持具２ａは、手または治工具で保持することのできる把持部２ｂを有しているため、化合物原料４を充填したるつぼ１を搬送する際に、その保持具２ａの把持部２ｂを手または治工具で保持することができ、るつぼ１を直接手で持つことを避けることができる。これにより、るつぼ１の直接手で持った部分に局所的な荷重がかかることを防止できるため、搬送時にるつぼ１が破損することを防止できる。
【００４０】
また、保持具２ａがるつぼ下部１ａと増径部１ｂとを受けるようにるつぼ１の外側に密着しているため、保持具２ａは、るつぼ下部１ａと増径部１ｂとでるつぼ１内の充填物（化合物原料４など）の重量を受けることができる。このため、充填物の重量荷重を広い部分で分散させることが可能となり、重量荷重の集中によるるつぼ１の破損を防止することができる。
【００４１】
また、保持具２ａを用いたことにより、上述のようにるつぼ１を厚くせずともるつぼ１の破損を防止することができるため、るつぼ１を厚くことによる結晶成長時の異常な固化を防止することもできる。
【００４２】
また、保持具２ａはるつぼ１の材質であるｐＢＮと異なる材質よりなっているため、保持具２ａの機械的強度をるつぼ１よりも高めることが容易である。
【００４３】
また、保持具２ａがるつぼ１の上部１ｃの側面に密着して外方へ突き出すように形成されているため、作業者が保持具２ａを手または治工具で保持し易く、るつぼ１の搬送が容易となる。この構成は、化合物原料４などのるつぼ１内の充填物の重量がたとえば５〜５０ｋｇの場合に有効である。
【００４４】
また、把持部２ｂはるつぼ１内の充填物の最上面（図中Ｓ−Ｓ線で示す面）よりも上方に取り付けられているため、充填物の溶融・固化時の障害となることはない。
【００４５】
（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２における保持具付き単結晶成長用容器の構成を示す概略断面図である。図３を参照して、本実施の形態の保持具付き単結晶成長用容器１０Ｂの構成は、保持具２ａがるつぼ１を密封する石英製アンプル（気密性容器）である点において、実施の形態１の構成と異なる。
【００４６】
これ以外の図３の構成については、上述した図１の構成とほぼ同じであるため、同一の構成要素については同一の符号を付し、その構成の説明を省略する。
【００４７】
本実施の形態の製造方法は、図３に示すようにるつぼ１内に種結晶３および化合物原料４を充填した後、このるつぼ１を保持具２ａである石英製アンプル内に密封する工程において、実施の形態１の製造方法と異なる。また、るつぼ１が保持具２ａである石英製アンプル内に密封されるため、図４に示すようにＶＢ装置２０により単結晶を成長させる工程において、るつぼ１内の充填物はチャンバー１５内の雰囲気に曝されることはない。
【００４８】
これ以外の本実施の形態の製造方法については、上述した実施の形態１の製造方法とほぼ同じであるため、その説明を省略する。なお、図４の各部に付された符号のうち図２の符号と同じ符号は、図２に示される部材と同一または対応する部材を示している。
【００４９】
本実施の形態においても、実施の形態１と同様の作用効果が得られる。
【００５０】
（実施の形態３）
図５は、本発明の実施の形態３における保持具付き単結晶成長用容器の構成を示す概略断面図である。図５を参照して、本実施の形態の保持具付き単結晶成長用容器１０Ｃの構成は、保持具２ｃの取り付け位置および形状において、実施の形態１の構成と異なる。
【００５１】
保持具２ｃは、るつぼ１の底部（るつぼ下部１ａおよび増径部１ｂの双方）に密着するよう取り付けられており、かつ台状に形成されている。つまり、保持具２ｃは、るつぼ下部１ａ全体を取囲むとともに、るつぼ下部１ａおよび増径部１ｂを下から支える形状を有している。この保持具２ｃは、るつぼ１の底部の単結晶成長方向の長さと同等もしくはそれ以上の厚み（単結晶成長方向の長さ）部分を有している。この保持具２ｃは台状を有しているため、台状の底面を把持部としてそこに手または治工具を掛けることで保持具付き単結晶成長用容器１０Ｃを持ち上げて搬送することができる。
【００５２】
この保持具２ｃは、るつぼ１とは異なる材質よりなっており、たとえば石英、炭化ケイ素、窒化ケイ素、カーボンおよびモリブデンのうちの単一の材料からなっていてもよく、これらの材料の任意に組み合わせからなる複合材料からなっていてもよい。
【００５３】
これ以外の図５の構成については、上述した図１の構成とほぼ同じであるため、同一の構成要素については同一の符号を付し、その構成の説明を省略する。
【００５４】
次に、図５に示す保持具付き単結晶成長用容器１０Ｃを用いた本実施の形態の化合物単結晶の製造方法について説明する。
【００５５】
本実施の形態の製造方法は、保持具付き単結晶成長用容器１０Ｃを搬送する工程およびＶＢ装置２０に設置する工程において、実施の形態１の製造方法と異なる。本実施の形態では、図５を参照して、作業者が保持具２ｃを手または治工具で保持して、るつぼ１を保持具２ｃにより下から支えながら図６に示すＶＢ装置２０に搬送する。また図６を参照して、保持具２ｃはＶＢ装置２０のステージを兼用するため、保持具付き単結晶成長用容器１０Ｃがヒータ１３ａ〜１３ｊ内に挿入された後、保持具２ｃが昇降軸１２に連結される。この昇降軸１２により保持具付き単結晶成長用容器１０Ｃはヒータ１３ａ〜１３ｊ内で昇降可能となる。
【００５６】
これ以外の本実施の形態の製造方法については、上述した実施の形態１の製造方法とほぼ同じであるため、その説明を省略する。なお、図６の各部に付された符号のうち図２の符号と同じ符号は、図２に示される部材と同一または対応する部材を示している。
【００５７】
本実施の形態においても、実施の形態１と同様の作用効果が得られる。
【００５８】
また、保持具２ｃはるつぼ１の底部に密着する台状に形成されているため、るつぼ１を下から支えて搬送することが可能である。このため、この構成は、化合物原料４などのるつぼ１内の充填物の重量がたとえば５〜７０ｋｇと比較的大きい場合に有効である。
【００５９】
また、保持具２ｃをＶＢ装置２０のステージと兼用することができるため、部品の省略を図ることができる。
【００６０】
上記の実施の形態１〜３においては、ＧａＡｓ単結晶の製造方法について説明したが、これ以外の化合物単結晶、たとえば周期律表のＩＩまたはＩＩＩ族の元素と周期律表のＶＩまたはＶ族の元素との組合せにより生じる化合物単結晶（ＧａＰ、ＩｎＰ、ＣｄＴｅなど）にも本発明は適用することができる。
【００６１】
また上記の実施の形態１〜５においては、るつぼを炉（ヒータ）に対して相対的に移動させる垂直ブリッジマン法（ＶＢ法）について説明したが、本発明は、炉内多段ヒータを用いる垂直温度勾配法（ＶＧＦ法）や、垂直ゾーンメルティング法（ＶＺＭ法）に適用することもできる。
【実施例１】
【００６２】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００６３】
図１に示す直径１００ｍｍのＧａＡｓ単結晶製造用の保持具付き単結晶成長用容器１０Ａのるつぼ１内に種結晶３および化合物原料４を充填して搬送する場合、充填物の重量が５０ｋｇまでは、るつぼ１に破損を生じさせずに搬送することができる。
【００６４】
また図５に示す直径１００ｍｍのＧａＡｓ単結晶製造用の保持具付き単結晶成長用容器１０Ｃのるつぼ１内に種結晶３および化合物原料４を充填して搬送する場合、充填物の重量が７０ｋｇまでは、るつぼ１に破損を生じさせずに搬送することができる。
【００６５】
一方、従来の直径１００ｍｍのＧａＡｓ単結晶製造用のるつぼ内に種結晶および化合物原料を充填して手または保持具で保持して搬送する場合、るつぼに破損を生じさせない充填物の重量の限界は５ｋｇである。
【００６６】
このように本実施の形態の保持具付き単結晶成長用容器１０Ａ、１０Ｃを用いることにより、充填物の重量が大きくても、るつぼに破損を生じさせること無く手または保持具で保持して搬送することができる。
【００６７】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、化合物原料などを充填した単結晶成長用容器を手または保持具で保持して搬送する工程を含む化合物単結晶の製造方法に特に有利に適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施の形態１における保持具付き単結晶成長用容器の構成を示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１における化合物単結晶の製造方法の一例を説明するための図である。
【図３】本発明の実施の形態２における保持具付き単結晶成長用容器の構成を示す概略断面図である。
【図４】本発明の実施の形態２における化合物単結晶の製造方法の一例を説明するための図である。
【図５】本発明の実施の形態３における保持具付き単結晶成長用容器の構成を示す概略断面図である。
【図６】本発明の実施の形態３における化合物単結晶の製造方法の一例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００７０】
１  るつぼ、１ａ  るつぼ下部、１ｂ  増径部、１ｃ  るつぼ上部、２ａ，２ｃ  保持具、２ｂ  把持部、３  種結晶、４  化合物原料（ＧａＡｓ原料）、４ａ  化合物原料融液、４ｂ  化合物単結晶、１０Ａ〜１０Ｃ  保持具付き単結晶成長用容器、１１  ステージ、１２  昇降軸、１３ａ〜１３ｊ  ヒータ、１４  断熱筒、１５  チャンバー、２０  ＶＢ装置。
【図１】
2005298301.tif 000003
【図２】
2005298301.tif 000004
【図３】
2005298301.tif 000005
【図４】
2005298301.tif 000006
【図５】
2005298301.tif 000007
【図６】
2005298301.tif 000008