(57)【要約】【課題】  ＥＵＶ領域で用いられるミラーに関して、大気中に放置した場合であっても反射率の低下を防ぎ、かつ、プラズマを光源とするＥＵＶ光学系において、プラズマ光源より発生したデブリが付着したミラーについて、反射率の低下を招くことなくデブリの除去が可能なミラーを提供するものである。【手段】  波長６０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射するミラーにおいて、前記ミラーがミラー本体と保護膜から構成されており、前記保護膜を構成する材料の前記ＥＵＶ光の波長における屈折率が、０．９８以上１．０２以下であり、吸収係数が、０．０１以下である構成のミラーとすることにより、大気中で放置しても鏡面が酸化されることはなく、デブリ等の除去を物理的におこなっても反射率に影響を与えることはない。【選択図】  図１                                        
2005268359.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を反射するミラーにおいて、
前記ミラーがミラー本体と保護膜から構成されており、
前記保護膜を構成する材料の前記光源から発生する光の波長における屈折率が、０．９８以上１．０２以下であることを特徴とするミラー。
【請求項２】
波長６０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射するミラーにおいて、
前記ミラーがミラー本体と保護膜から構成されており、
前記保護膜を構成する材料の前記ＥＵＶ光の波長における屈折率が、０．９８以上１．０２以下であることを特徴とするミラー。
【請求項３】
請求項１または２に記載されたいずれかのミラーにおいて、
前記ミラー本体が、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、ＭｏＳｉのいずれか、或いはこれらを含む合金又は化合物により構成されていることを特徴とするミラー。
【請求項４】
波長６０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射するミラーにおいて、
前記ミラーが基板と金属膜と保護膜から構成されており、
前記保護膜を構成する材料の前記ＥＵＶ光の波長における屈折率が、０．９８以上１．０２以下であることを特徴とするミラー。
【請求項５】
請求項１から４に記載されたいずれかのミラーにおいて、
前記ミラーを使用する際、前記光或いは前記ＥＵＶ光と前記ミラーの表面とにより形成される角度が、３０°以下であることを特徴とする斜入射型のミラー。
【請求項６】
請求項１から５に記載されたいずれかのミラーにおいて、
前記保護膜を構成する材料の前記ＥＵＶ光の波長における吸収係数が、０．０１以下であることを特徴とするミラー。
【請求項７】
請求項４から６に記載されたいずれかのミラーにおいて、
前記金属膜を構成する材料が、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、ＭｏＳｉのいずれか、或いはこれらを含む合金又は化合物からなることを特徴とするミラー。
【請求項８】
請求項４から７に記載されたいずれかのミラーにおいて、
前記基板を構成する材料よりも、前記金属膜を構成する材料の方が、前記ＥＵＶ光における反射率が高く、かつ、
前記基板を構成する材料の方が、前記金属膜を構成する材料よりも、熱伝導率が高いことを特徴とするミラー。
【請求項９】
請求項１から８に記載されたいずれかのミラーにおいて、
前記保護膜を構成する材料が、Ｂｅ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｒｂ、Ｓｉ、Ｓｒのいずれか、或いは、これらを含む合金又は化合物からなることを特徴とするミラー。
【請求項１０】
請求項１から９に記載されたいずれかのミラーにおいて、
前記保護膜或いは前記金属膜が、スパッタリング又はイオンプレーティングにより成膜したものであることを特徴とするミラー。
【請求項１１】
波長６０ｎｍ以下のＥＵＶ光を発生させる光源と、
照明を行うための光学素子からなる照明光学装置において、
前記光学素子に請求項１から１０に記載されたいずれかのミラーを含むことを特徴とする照明光学装置。
【請求項１２】
マスク上に設けられたパターン像を感光性基板上へ転写する露光装置において、
前記マスクを照明するための請求項１１に記載された照明光学装置と、
前記マスクのパターンの像を前記感光性基板上に形成するための投影光学系とを備えていることを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載された露光装置を用いて、前記マスクのパターンを前記感光性基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。            
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子としてのミラーに関するものであり、主として線幅６０ｎｍ以下の次世代半導体の製造に用いるミラー、当該ミラーを含んだ照明光学装置、並びに当該照明光学装置を含んだ投影露光装置、当該投影露光装置によるマイクロデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体用投影露光装置の開口数、使用波長は半導体素子の高密度化、対象線幅の細線化に伴って年々大口径化、短波長化する傾向にある。使用する光線の波長は水銀のｉ線（波長３６５．０１５ｎｍ）から、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）へ移り、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）を光源とした縮小投影露光装置も実用化されている。
【０００３】
しかし、従来の屈折光学素子を用いた投影光学系では、レンズ等を構成する硝材の透過率の面から、波長１５７ｎｍのＦ2エキシマレーザーを光源として使用したものが限界であり、これより波長が短くなると光学系は屈折部材を一切含まない反射型光学系により構成する必要がある。
【０００４】
このため波長が６０ｎｍよりも短いＥＵＶ光（極端紫外光）を光源として用いた縮小露光装置が次世代の半導体リソグラフィの手段として研究されている。現在、ＥＵＶ照明光学系の光源としては１３．４ｎｍの光を発するプラズマ光源が検討されており、レーザープラズマ光源、放電プラズマ光源の２種類が存在する。放電プラズマ光源では、放電させてＥＵＶ光を発生させることから、プラズマ放電させた部分よりデブリといわれる飛散物が発生し、このデブリがミラー表面等に付着し、反射率の低下の原因となる。
【０００５】
一方、ＥＵＶ照明光学系で用いられるミラーとしては、多層膜により形成されたブラッグ反射を利用した多層膜ミラーとミラー反射面に対して浅い入射角度で入射させて使用する斜入射型ミラーの２種類が存在している。多層膜ミラーは、収差は少ないものの反射率が７０％程度と低く、また多層膜を積み重ねて作製するため、非常に高価なものとなる。一方、斜入射型ミラーは収差が比較的大きいもの浅い角度で入射させると反射率が９０％程度とすることができ、多層膜ミラーと比べ高い反射率が得られる。
【０００６】
これらＥＵＶ領域で用いられる斜入射型ミラーは、反射率が高いこと等から照明光学装置のＥＵＶ光源の近傍に多く配置されており、ＥＵＶ光源から発生したデブリが付着しやすい。このため、デブリ付着防止の為の対策は、考えられているものの光量損失なく抜本的にデブリの付着を防止する方法はなく、デブリが付着した場合、そのデブリを除去する必要がある。
【特許文献１】特開２００３−２２９５０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、ミラーに付着したデブリを除去するには化学的或いは物理的な除去方法が考えられるが、どちらの方法においてもミラー表面を傷つけることなくデブリを除去すること
は困難であり、デブリを除去しようとするとミラーの反射面を傷つけ反射特性に悪影響を与えてしまい、折角デブリを除去しても、その後使用することができないミラーとなってしまう。
【０００８】
このため、デブリを除去した後再研磨する方法も考えられるが、再研磨により元通りのミラーの反射面に戻す為には多大な時間と労力を要し、また、Ｒｕ等の貴金属の場合、極めて高価な貴金属であることからミラーを削ることが憚られる場合もある。又、斜入射ミラーについては、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｒｕ等の材料により構成されているが、特に、Ｍｏは酸化等されやすく、Ｍｏからなるミラーをそのまま大気中に放置したのでは、酸化膜が形成されてしまい斜入射型ミラーとしての反射特性に悪影響を与える。
【０００９】
よって、本発明では、斜入射型ミラーにおいて物理的或いは化学的方法によりデブリを除去する場合であっても、反射特性に悪影響を与えることなく、また、斜入射型ミラーが酸化等反応性の高い材料で構成されている場合であっても、大気中において酸化等されることなく、反射特性の劣化のないミラー、特にＥＵＶ用斜入射反射型ミラーを提供するものである。
【００１０】
更に、本発明では、長期にわたり同一のミラーが使用可能となり、ランニングコストを低減させ、安定して稼動させることができる照明光学装置、露光装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は上記課題を解決するためになされたものである。
【００１２】
第１の発明は、光源からの光を反射するミラーにおいて、前記ミラーがミラー本体と保護膜から構成されており、前記保護膜を構成する材料の前記光源から発生する光の波長における屈折率が、０．９８以上１．０２以下であることを特徴とするミラーである。
【００１３】
第２の発明は、波長６０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射するミラーにおいて、
前記ミラーがミラー本体と保護膜から構成されており、前記保護膜を構成する材料の前記ＥＵＶ光の波長における屈折率が、０．９８以上１．０２以下であることを特徴とするミラーである。
【００１４】
第３の発明は、第１または第２の発明のいずれかのミラーにおいて、前記ミラー本体が、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、ＭｏＳｉのいずれか、或いはこれらを含む合金又は化合物により構成されていることを特徴とするミラーである。
【００１５】
第４の発明は、波長６０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射するミラーにおいて、前記ミラーが基板と金属膜と保護膜から構成されており、前記保護膜を構成する材料の前記ＥＵＶ光の波長における屈折率が、０．９８以上１．０２以下であることを特徴とするミラーである。
【００１６】
第５の発明は、第１から４の発明のいずれかのミラーにおいて、前記ミラーを使用する際、前記光或いは前記ＥＵＶ光と前記ミラーの表面とにより形成される角度が、３０°以下であることを特徴とする斜入射型のミラーである。
【００１７】
第６の発明は、第１から５の発明のいずれかのミラーにおいて、前記保護膜を構成する材料の前記ＥＵＶ光の波長における吸収係数が、０．０１以下であることを特徴とするミラーである。
【００１８】
第７の発明は、第４から６のいずれかのミラーにおいて、前記金属膜を構成する材料が、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、ＭｏＳｉのいずれか、或いはこれらを含む合金又は化合物からなることを特徴とするミラーである。
【００１９】
第８の発明は、第４から７のいずれかのミラーにおいて、前記基板を構成する材料よりも、前記金属膜を構成する材料の方が、前記ＥＵＶ光における反射率が高く、かつ、前記基板を構成する材料の方が、前記金属膜を構成する材料よりも、熱伝導率が高いことを特徴とするミラーである。
【００２０】
第９の発明は、第１から８の発明のいずれかのミラーにおいて、前記保護膜を構成する材料が、Ｂｅ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｒｂ、Ｓｉ、Ｓｒのいずれか、或いは、これらを含む合金又は化合物からなることを特徴とするミラーである。
【００２１】
第１０の発明は、第１から９の発明のいずれかのミラーにおいて、前記保護膜或いは前記金属膜が、スパッタリング又はイオンプレーティングにより成膜したものであることを特徴とするミラーである。
【００２２】
第１１の発明は、波長６０ｎｍ以下のＥＵＶ光を発生させる光源と、照明を行うための光学素子からなる照明光学装置において、前記光学素子に第１から１０の発明のいずれかのミラーを含むことを特徴とする照明光学装置である。
【００２３】
第１２の発明は、マスク上に設けられたパターン像を感光性基板上へ転写する露光装置において、前記マスクを照明するための第１１の発明の照明光学装置と、前記マスクのパターンの像を前記感光性基板上に形成するための投影光学系とを備えていることを特徴とする露光装置である。
【００２４】
第１３の発明は、第１２の発明の露光装置を用いて、前記マスクのパターンを前記感光性基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係るミラーは、大気中に放置しておいてもミラーの反射面の劣化を防止することができ長期保存、長期使用が可能である。又、デブリの付着したミラーであっても、反射特性に影響を与えることがなく、物理的或いは化学的にデブリを除去することができる効果がある。従って、デブリが付着したミラーであっても再生可能であり、再生されたミラーは何度も使用することができる。更に、本発明に係る照明光学装置、露光装置においては、安価で長期的に安定して使用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
【実施例１】
【００２７】
以下、本発明に係るミラーの実施例を図1に基づき説明する。
【００２８】
本発明に係るミラーは、ミラー本体１上に保護膜２を形成した構成からなるものである。具体的には、ミラー本体１は１３．４ｎｍの波長の光線３を斜入射で入射させた場合高い反射率を示すＭｏ（モリブデン）からなり、反射面となる面は鏡面となるように研磨されている。ミラー本体１を構成する材料としては、この他、１３．４ｎｍの波長の光線３
を斜入射で入射させた場合に高い反射率を示す材料であるＲｕ、Ｒｈにより構成しても良い。また、ミラー本体１を構成する材料は、使用する波長によって異なる場合があり、各々の波長において最適となる材料により構成されている。
【００２９】
又、保護膜２はＳｉ膜からなるものであり、スパッタリング法により成膜されている。具体的には、ミラー本体１をスパッタリング装置のチャンバー内に設置した後、真空ポンプにより１×１０-6Ｔｏｒｒまで排気を行う。スパッタリング装置には、電界を印加可能なカソードの上にスパッタリングターゲットとしてＳｉターゲットが置かれ、前記カソードはＲＦ電源に接続されている。この後、チャンバー内部にアルゴンガスを導入し、カソードにＲＦ電界を印加してプラズマ放電を発生させる。この際のチャンバー内の圧力は２×１０-3Ｔｏｒｒである。ミラー本体１の反射面となる領域に保護膜２としてＳｉ膜を１μｍ成膜することにより作製される。
【００３０】
本実施例では、スパッタリング法により成膜を行ったが、これは真空蒸着等と比べ緻密で付着力の強い膜の成膜が可能であるからである。従って、緻密で付着力の強い成膜手法であれば、スパッタリング以外の成膜手法であってもよく、イオンプレーティング等により成膜を行ってもよい。
【００３１】
また、本実施例では、成膜される保護膜２は、使用される波長である１３．４ｎｍにおいて、吸収係数が低く、屈折率が１に近い材料であることが望ましい。これは、光線１が保護膜２に入射した場合、保護膜２の表面での反射を低減し、保護膜２中における光線の吸収を低減する為である。具体的には、吸収係数は、０．０１以下、屈折率が０．９８から１．０２であれば、斜入射型ミラーは保護膜２がない場合とほぼ同じ光学特性を得ることができる。本実施例ではＳｉを保護膜２として用いたが、Ｓｉは１３．４ｎｍの波長にて、屈折率が０．９９９９、吸収係数は０．００１８であり本発明の保護膜２として最も適した材料の一つである。この他１３．４ｎｍで保護膜２の候補となる材料としては、Ｂｅ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｒｂ、Ｓｒ等がある。
【００３２】
本実施例に係るミラーは、大気中に放置してもミラーの鏡面部であるＭｏの表面が酸化されることはなく、鏡面となる部分は保護膜２であるＳｉ膜で覆われており、物理的なデブリの除去、具体的にはイオンビームエッチングや手拭等により、Ｓｉ膜の表面が傷ついたとしても真空中の屈折率とＳｉの屈折率とがほぼ等しいことから、本実施例に係るミラーの反射特性に影響を与えることは殆どない。
【実施例２】
【００３３】
以下、本発明に係る実施例を図２に基づき説明する。
【００３４】
本発明に係るミラーは、基板６上に金属膜７を形成し、更に保護膜８を積層形成した構成からなる。
【００３５】
具体的には、基板６は熱伝導率の高いＡｌＳｉＣにより構成されており、反射面となる面を鏡面としたのち、金属膜７としてＥＵＶ光を斜入射に入射させた場合に高い反射率を示すＲｕ膜が成膜されている。
【００３６】
このＲｕ膜はスパッタリング法により成膜されている。具体的には、基板６をスパッタリング装置のチャンバー内に設置した後、真空ポンプにより１×１０-6Ｔｏｒｒまで排気を行う。スパッタリング装置には、電界を印加可能なカソードの上にスパッタリングターゲットとしてＲｕターゲットが置かれ、前記カソードは直流電源に接続されている。この後、チャンバー内部にアルゴンガスを導入し、カソードに直流電界を印加して、プラズマ
放電を発生させる。この際のチャンバー内の圧力は２×１０-3Ｔｏｒｒである。基板６の反射面となる領域にＲｕ膜を１００ｎｍ成膜した後、更にこの上に保護膜８としてＳｉ膜を約１μｍ成膜して作製する。Ｓｉ膜の成膜方法は、実施例１に記載した方法により成膜される。本実施例ではＲｕ膜の成膜は、スパッタリング法により成膜を行ったが、緻密で付着力の強い成膜手法であれば、スパッタリング以外の成膜手法であってもよく、イオンプレーティング等により成膜を行ってもよい。
また、本実施例では、成膜される金属膜７の材料としてＲｕを用いたが、これ以外であっても使用される光源の波長において反射率の高い材料であればよく、１３．４ｎｍのＥＵＶ光用に用いる場合では、Ｒｕの他、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｍｏ或いは、これらを含む合金や化合物等であってもよい。また、使用される波長により最適となる材料は異なる場合があり、各々の波長において最適となる材料により構成されている。
【００３７】
更に、基板６は、放熱効果を高める必要性から熱伝導率が高い材料であることが好ましく、少なくとも５０〔Ｗ／ｍ・Ｋ〕以上の熱伝導率のある材料により構成されることが必要とされる。特には、１５０〔Ｗ／ｍ・Ｋ〕以上であることがより好ましい。放熱効果の観点から基板６となる材料は金属膜７を構成する材料よりもある程度高い熱伝導率を示す材料であることが必要であり、本発明に係る基板６の熱伝導率としては、経験上顕著な効果が期待できる値だからである。
【００３８】
このような材料で代表的なものとしては、金、銀、銅、アルミニウム、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ等がある。しかしながら、ＥＵＶ光の照射によりミラーが高温になった場合に、基板６と金属膜７を構成する材料の熱膨張係数が大きく異なると、膜はがれ等が生ずる可能性がありミラー破損の原因となる。このため、できるだけ基板６と金属膜７との熱膨張係数は近いものであることが望ましく、本実施例ではＲｕと比較的熱膨張係数が近い材料であるＡｌＳｉＣを基板６の材料として用いている。この他に候補となる材料としてＷ−Ｃｕ等の合金材料がある。
【００３９】
本実施例に係るミラーにＥＵＶ光の光線９を斜入射に入射させると、光線９は保護膜８を通過し反射膜７の表面で反射され、再び保護膜８を通過し反射光となる。反射面となるＲｕ膜は、保護膜８であるＳｉ膜で覆われており、物理的なデブリの除去、具体的にはイオンビームエッチングや手拭等により、保護膜８であるＳｉ膜が傷ついたとしても、反射膜７であるＲｕ膜は傷つくことはなく、真空中の屈折率とＳｉの屈折率とがほぼ等しいことから、本実施例に係るミラーの反射特性に影響を与えることは殆どない。
【実施例３】
【００４０】
以下、本発明に係る照明光学装置の実施例について図３に基づき説明する。
【００４１】
本実施例は、ＥＵＶ光を使用することから照明光学装置全体が真空チャンバー内部に組み込まれ真空ポンプにより排気されている（不図示）。このような真空チャンバー内に、ＥＵＶ光源１１としてプラズマ光源を設置する。このプラズマ光源はＸｅガスを流しながら電極に電界を印加して放電させることによりプラズマを発生させるものである。このプラズマ光源からは、波長１３．４ｎｍのＥＵＶ光が放出されている。尚、本実施例ではＥＵＶ光源１１として放電プラズマ光源を使用しているが、レーザープラズマ光源を用いても良い。
【００４２】
このＥＵＶ光源１１により発光したＥＵＶ光は、斜入射型のコレクター光学系１２により集光する。このコレクター光学系１２は、同心円状に円錐面を複数配置した斜入射型ミラーであり、ミラー本体にＭｏを用い反射面に保護膜としてＳｉを成膜したミラーにより
構成されている。このＥＵＶ光源１１とコレクター光学系１２は、一つの容器１３の内部に収められており、コレクター光学系１２によりＥＵＶ光が集光された位置の近傍にはピンホールＰが設けられ、ＥＵＶ光源１１から発生したＥＵＶ光を取り出すことができる構成となっている。また、この容器１３内部は容器外部よりも圧力が低圧に設定され、ＥＵＶ光源１１より発生した飛散物が容器１３の外に飛散しないように圧力調整がなされている。この容器１３のピンホールＰから射出したＥＵＶ光は、コリメーター光学系１４に入射する。
【００４３】
前記コリメーター光学系１４により入射したＥＵＶ光は分布が均一な平行光束に変換され射出される。本実施例では、コリメーター光学系１４内のミラーは、基板にＡｌＳｉＣを用いており、反射面に金属膜としてＲｕ膜を成膜した後、その上に保護膜としてＳｉ膜を成膜した斜入射型ミラーであり、ＥＵＶ光束の入射角度がミラー面に対し約１０度の角度で入射されるように設置されている。この角度で斜入射型ミラーにＥＵＶ光束を入射させた場合では反射率は約９０％であり、多層膜ミラーの反射率が７０％程度であるのに対し高い反射率を示す。
【００４４】
コリメーター光学系１４から射出した平行光束のＥＵＶ光は、その後、斜入射型の反射型フライアイ光学系１５に入射し二次光源群を生成する。斜入射型の反射型フライアイ光学系１５は、入射側のフライアイミラーと出射側のフライアイミラーの二枚一組で構成されている。本実施例では反射型フライアイ光学系１５は、基板にＡｌＳｉＣを用いており、反射面に金属膜としてＲｕ膜を成膜した後、その上に保護膜としてＳｉ膜を成膜した斜入射型ミラーであり、ＥＵＶ光束の入射角度がミラー面に対し約１０度の角度で入射されるように設置されている。
【００４５】
反射型フライアイ光学系１５から射出したＥＵＶ光束は、コンデンサー光学系１６を介した後、レチクル１７を照明する。コンデンサー光学系１６は、基板にＡｌＳｉＣを用いており、反射面に金属膜としてＲｕ膜を成膜し、その上に保護膜としてＳｉ膜を成膜した斜入射型ミラーにより構成されている。
【実施例４】
【００４６】
上述の照明光学装置を含む露光装置により、マイクロデバイスを露光する方法について以下に説明する。この露光装置は、照明光学装置によってマスク(またはレチクル)を照明し(照明工程)、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用パターンを感光性基板に露光する(露光工程)ことにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。この露光装置を用いて感光性基板としてのウエハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例を図４のフローチャートに基づき説明する。
【００４７】
先ず、図４のステップ１０１において、１ロットのウエハ上に金属膜が蒸着される、次のステップ１０２において、その１ロットのウエハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ１０３において、上述の実施形態の露光装置を用いて、マスク上のパターンの像がその投影光学系(投影光学モジュール)を介して、その１ロットのウエハ上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップ１０４において、その１ロットについてウエハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ１０５において、その１ロットのウエハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウエハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤに回路パターンの形成を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスの製造も可能である。
【００４８】
また、上述の実施形態の露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施例１に係るミラーの構成図である。
【図２】本発明の実施例２に係るミラーの構成図である。
【図３】本発明の実施例３に係る照明光学装置の構成図である。
【図４】本発明に係る投影露光装置によりマイクロデバイスを作製するプロセスを示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  ミラー本体
２  保護膜
３  光線
６  基板
７  反射膜
８  保護膜
９  光線                                                                    
【図１】
2005268359.tif 000003
【図２】
2005268359.tif 000004
【図３】
2005268359.tif 000005
【図４】
2005268359.tif 000006