(57)【要約】【課題】短波長光と長波長光が混在する光信号の中から、長波長光の光信号のみを選択的に受光できる受光素子において、ノイズキャリアの拡散による影響を抑えて波長選択比が改善する構造を提供する。【解決手段】短波長光のみを選択的に吸収して発生したノイズキャリアを受光層では吸収しない長波長光に変換して消滅させるＮＣＥ層と、第２導電型コンタクト層との間に半絶縁層を形成し、ＮＣＥ層と受光層とを電気的に遮断することによりノイズキャリアの拡散を防止する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１光（短波長）と第２光（長波長）とが入射する場合において、光の進行方向に対して光フィルタ層と受光層を形成し、前記光フィルタ層にはバンドギャップ波長が前記第１光の波長と前記第２光の波長の間にある第１半導体層と、前記第１半導体層よりもバンドギャップ波長が長い第２半導体層と、前記第２光の波長よりもバンドギャップ波長が長い第３半導体層とが含まれており、前記受光層は前記第３半導体層よりもバンドギャップ波長が短い第４半導体層から成り、前記光フィルタ層と前記受光層との間に絶縁又は半絶縁層を形成して前記光フィルタ層と前記受光層とを電気的に分離させ、前記第１光を前記光フィルタ層で吸収し、前記第３半導体層において発光再結合させて前記受光層で受光しない光に変換し、変換しきれなかったノイズキャリアが拡散して前記受光層に入り込むことを前記絶縁又は半絶縁層によって防止し、前記光フィルタ層を透過した前記第２光のみを前記受光層において選択的に受光することを特徴とする半導体受光素子。
【請求項２】
第１光（短波長）と第２光（長波長）とが入射する場合において、第１光を吸収する光フィルタ層を持つ半導体受光素子において、素子内部にて光を反射させて前記光フィルタ層を複数回通過させることによって見掛け上の前記光フィルタ層厚をかせぎ、且つ、前記光フィルタ層の第１次通過位置が受光領域から離れることによって、前記光フィルタ層で発生したノイズキャリアが拡散して受光領域に到達するのを防ぐことを特徴とする半導体受光素子。
【請求項３】
前記光フィルタ層の第１次通過位置と前記受光領域との間の光フィルタ層を除去することにより、光フィルタ層内を伝播するノイズキャリアを防ぐことを特徴とする請求項２記載の半導体受光素子。
【請求項４】
光の反射位置又はその近傍にｐｎ接合を形成することにより、ノイズキャリアを前記ｐｎ接合で消滅させることを特徴とする請求項２記載の半導体受光素子。
【請求項５】
前記光フィルタ層に、第１光を吸収して発生したノイズキャリアを受光層では吸収されない波長の光に変換して消滅させる請求項１記載の半導体多層構造の光フィルタ層を採用することを特徴とした請求項２、３、４記載の半導体受光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体受光素子に関し、特に光通信用半導体受光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光通信システムの中でもＰＯＮシステムに代表される光アクセス系においては、1.3μｍ帯、1.5μｍ帯などの波長の光信号が一本の光ファイバ内を行き来している。そのため、信号認識エラーを起こさないためにも、受光素子には各波長を選択的に受光できるものが要求される。
【０００３】
長波長（例えば1.5μｍ帯）光を受光せず、短波長（例えば1.3μｍ帯）光を選択的に受光するためには、受光層のバンドギャップ波長（λg）を長波長光と短波長光の間（例えば、λg=1.4μｍ）にすれば容易に実現する。
【０００４】
短波長（例えば1.3μｍ帯）光は受光せず、長波長（例えば1.5μｍ帯）光のみを選択的に受光するのは比較的困難で、これを実現可能にした受光素子として、本件発明者出願の特願２００２−２７０３７１号がある。
【０００５】
前記公報記載の受光素子では、短波長（ノイズ）光を光フィルタ層内の第１、第２半導体（ＩｎＧａＡｓＰ）層で吸収し、発生したノイズキャリアを第３半導体（ＩｎＧａＡｓ）層に拡散させ、前記ＩｎＧａＡｓ層において発光再結合させている。このＩｎＧａＡｓ層は受光層よりもバンドギャップ波長を長く設定してあるため、再結合光は受光層で吸収されることなく、効果的にノイズキャリアを消滅させることが可能となる。また、長波長（シグナル）光は、光フィルタ層内でほとんど吸収されることなく受光層に到達するため、長波長光を選択的に受光することが可能になる。以下、本半導体多層構造の光フィルタ層をＮＣＥ（Noise Carrier Extinction）層と呼ぶことにする。
【０００６】
図１に試作したサンプルの断面模式図を示す。図１(a)は、ＩｎＧａＡｓＰ層１７のみで光フィルタ層を構成した受光素子である。また、図１(b)は、ＮＣＥ層２で光フィルタ層を構成した（前記公報記載の）受光素子である。両者の光フィルタ層厚は共に4.3μｍとし、受光層５厚も共に2.5μｍとした。これにより、光フィルタ層の短波長（ノイズ）光透過率、受光層５での長波長（シグナル）光吸収率は、両者共にほぼ同じである。
【０００７】
図２は波長選択比の周波数依存性を比較した結果である。この結果から図２(b)のＮＣＥ層２内蔵の受光素子の方が波長選択比を５ｄＢ程度改善していることが分かる。ＮＣＥ層２内蔵の受光素子では、低周波域で−１３ｄＢ程度、２０ＭＨｚ以上の高周波域で−２０ｄＢ程度の波長選択比が得られた。ちなみに、長波長光の受光感度に対する短波長光の受光感度の比を波長選択比と呼び、ｄＢ単位で表される。数１は波長選択比の計算式である。長波長光選択受光素子の場合は、この値が小さいほど波長選択比が良いことになる。
【０００８】
短波長光起因のノイズは、主に(１)光フィルタ層透過光、(２)光フィルタ層内再結合光、(３)拡散ノイズキャリア、によると考えられる。(１)は短波長（ノイズ）光が光フィルタ層内で吸収されきらず受光層にまで到達することで波長選択比を劣化させる。(２)は光フィルタ層内のＩｎＧａＡｓＰ層で発光再結合し、再結合光が受光層で吸収されることで波長選択比を劣化させる。(３)は光フィルタ層内で発生したノイズキャリアが受光層まで拡散することで波長選択比を劣化させる。
【０００９】
図２の評価結果を解析すると、低周波成分２１と高周波成分２２とで構成されていることが分かる。低周波成分２１は、応答速度の遅い前記(３)の拡散ノイズキャリアに起因していると考えられる。高周波成分２２は、応答速度の速い前記(１)と(２)の光に起因していると考えられる。
【００１０】
前記公報記載のＮＣＥ層内蔵の受光素子では、その構造から前記(２)の光フィルタ層内再結合光と前記(３)の拡散ノイズキャリアの低減が可能である。従って、図２の評価結果のように、低周波域、高周波域共に波長選択比を５ｄＢ程度改善することができている。
【特許文献１】特願２００２−２７０３７１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
前記ＮＣＥ層内蔵の受光素子において波長選択比が改善されているが、前記(３)の拡散ノイズキャリアは完全に消滅しきれておらず、また、前記(１)の光フィルタ層透過光起因のノイズも発生してしまう。更なる波長選択比改善のためには、前記(１)、(３)の低減が必須であり、とりわけ前記(３)の拡散ノイズキャリアの消滅が波長選択比改善の鍵となる。
【００１２】
前記(１)の光フィルタ層透過光の低減には、ＮＣＥ層厚を厚くすること、ＮＣＥ層内のＩｎＧａＡｓＰ層のバンドギャップ波長を長波側にシフトして短波長光の吸収率を上げることなどが考えられる。しかし、試作品のエピ総厚（ＩｎＰ基板１上にエピタキシャル成長した総厚：ＮＣＥ層２、ＩｎＰ第２コンタクト層４、受光層５、ＩｎＰ第１コンタクト層６を加算した厚み）でも１０μｍ程度とエピタキシャル成長の限界に近い厚みになっているため、これ以上、ＮＣＥ層厚を厚くすることは不可能に近い。また、バンドギャップ波長の調整による手法も、長波長（シグナル）光の透過率との兼ね合いから、大幅な波長選択比の改善は望めない、と言う問題があった。
【００１３】
また、前記(３)の拡散ノイズキャリアの低減には、ＩｎＰ第２コンタクト層４の厚みを厚くすること、ＩｎＰ第２コンタクト層４のｎ型キャリア濃度を高くし、ＮＣＥ層内のＩｎＧａＡｓ層との価電子帯ギャップを大きくしてノイズキャリアの拡散を妨げることなどが考えられる。しかし、前述のように層厚を厚くすることは困難である。また、試作品のＩｎＰ第２コンタクト層のキャリア濃度は1.7Ｅ＋18ｃｍ-3と比較的高めに設定してあるため、これ以上のキャリア濃度を望むのは難しい、と言う問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記問題を解決するために、本願第１の発明からなる半導体受光素子は、前記ＮＣＥ層と前記ＩｎＰ第２コンタクト層との間に絶縁層又は半絶縁層を形成することを特徴とする。
【００１５】
本願第２の発明からなる半導体受光素子は、前記公報記載のＮＣＥ層やＩｎＧａＡｓＰ層などの光フィルタ層を持つエピウェハ（エピタキシャル成長したウェハ）を使用して受光領域以外の受光層を取り除き、素子内部で光を反射させて、光が光フィルタ層を２回以上通過するように設定する。また、受光領域と光フィルタ層第１次通過位置を１０μｍ以上離すことを特徴とする。
【００１６】
本願第３の発明からなる半導体受光素子は、第２の発明からなる半導体受光素子において、光フィルタ層第１次通過位置と受光領域との間の光フィルタ層を除去してしまうことを特徴とする。
【００１７】
本願第４の発明からなる半導体受光素子は、第２の発明からなる半導体受光素子の光の反射位置又はその近傍にｐｎ接合を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本願第１の発明からなる半導体受光素子では、前記ＮＣＥ層と前記ＩｎＰ第２コンタクト層との間に絶縁層又は半絶縁層を形成することにより、ＮＣＥ層と受光層とを電気的に独立させることが可能になり、ＮＣＥ層で発生したノイズキャリアが拡散して受光層に入り込むことがなくなる。結果的に拡散ノイズキャリアによる低周波域の波長選択比劣化を抑えることが可能になる。
【００１９】
本願第２の発明からなる半導体受光素子では、素子内部で光を反射させて、光が光フィルタ層を２回以上通過するように設定することで、見かけ上の光フィルタ層の総厚を稼ぐことが可能になり、前記(１)の光フィルタ透過光を低減することで波長選択比を改善することができる。更に、受光領域と光フィルタ層第１次通過位置が離れることにより、前記(３)の拡散ノイズキャリアが受光領域まで到達できなくなり、低周波域の波長選択比も改善できる。また、光フィルタ層に前述のＮＣＥ層ではなくＩｎＧａＡｓＰ層を使用した場合でも、発生したノイズキャリアが発光再結合したとしても、受光領域と光フィルタ層第１次通過位置が離れることにより受光領域に入り込む立体角が小さくなり、前記（２）の発光再結合光の影響もほとんど受けずに波長選択比が改善する。
【００２０】
本願第３の発明からなる半導体受光素子では、光が光フィルタ層を通過する箇所と受光層との間の光フィルタ層を除去することにより、光フィルタ層内部で発生したノイズキャリアが光フィルタ層内を拡散して受光部に入り込むことを防ぐことができる。これにより、前記拡散ノイズキャリアによる低周波域の波長選択比劣化を防ぐことが可能になり、更に波長選択比を向上できる。
【００２１】
本願第４の発明からなる半導体受光素子では、光の反射位置又はその近傍にｐｎ接合を形成することにより、光フィルタ層内で発生した拡散ノイズキャリアをトラップして消滅させることが可能になる。これにより、第１の発明よりも波長選択比の向上が期待できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本願の実施例を以下に示す。
【実施例１】
【００２３】
本願第１の発明の実施例を以下に示す。図３は、本実施例の受光素子断面図であり、裏面入射型の受光素子を例示した。
【００２４】
本受光素子は、ＩｎＰ基板１上に、ＮＣＥ層２、ＦｅドープＩｎＰ半絶縁層３、ｎ+型ＩｎＰ第２コンタクト層４、ｎ-型ＩｎＧａＡｓ受光層５、ｎ-型ＩｎＰ層７が順次形成されたエピウェハを加工して作製される。ｎ-型ＩｎＰ層７のｐｎ接合を作りたい領域だけにＺｎなどを拡散してｐ+型ＩｎＰ第１コンタクト層６を形成する。ここでｎ-型ＩｎＰ層７はｐ+型のジャンクションエピウェハを使用しても良い。ＮＣＥ層２は、ＩｎＧａＡｓＰ第１ノイズ光吸収層９、ＩｎＧａＡｓＰ第２ノイズ光吸収層１０、ＩｎＧａＡｓノイズキャリア消滅層１１、ＩｎＰ拡散キャリア障壁層１２とからなり、図１に示すような多層構造になっている。受光領域８以外のｎ-型ＩｎＰ層７を塩酸系エッチング液などで除去し、受光層５を硫酸系エッチング液などで除去する。
【００２５】
バンドギャップ波長は、第１ノイズ光吸収層９が1.39μｍ、第２ノイズ光吸収層１０が1.43μｍ、ノイズキャリア消滅層１１が1.83μｍ、受光層５が1.65μｍとした。
【００２６】
ｐ電極１３は第１コンタクト層６上に形成され、ｎ電極１４は第２コンタクト層４上に形成されている。ｐ電極１３以外の第１コンタクト層６上面とｎ-型ＩｎＰ層７上面と端面、受光層５端面及びｎ電極１４以外の第２コンタクト層４上面にはパシベーション膜１５としてシリコン窒化膜などの絶縁膜が形成されている。また、ＩｎＰ基板１のエピタキシャル成長面とは反対側の面上（受光素子裏面）にはシグナル光である1.55μｍ用の反射防止膜１６が形成されている。この反射防止膜１６には屈折率が1.9前後のシリコン窒化膜を使用する。
【００２７】
本実施例の受光素子の裏面からシグナル光である1.55μｍ光が入射した場合は、ＮＣＥ層２ではほとんど吸収されずに透過して、受光層５に到達し吸収される。一方、ノイズ光である1.31μｍ光が入射すると、ＮＣＥ層２内で吸収されノイズキャリアを発生させる。このノイズキャリアは素子裏面側に近いほど発生確率が高いため、無バイアス下でも受光層５側にむけて電位勾配を形成する。これによりノイズキャリアは拡散するが、その多くはＮＣＥ層２内のノイズキャリア消滅層１１で発光再結合して消滅する。しかし、消滅しきれなかったノイズキャリアは電位勾配に沿って拡散し受光層５に入り込もうとするが、半絶縁層３によって電気的に遮断されているため、受光層５に入り込むことは不可能になる。従って、拡散ノイズキャリアによる低周波域の波長選択比劣化の低減が実現する。ちなみに、ＩｎＰ基板１にFeドープの半絶縁性基板を使用すると、基板内での吸収損失が低減できるため、シグナル光の高受光感度を確保することもできる。本実施例は素子サイズを大きくできない場合に有効であるが、半絶縁層をエピタキシャル成長した場合のモホロジーなどの結晶欠陥が問題となる場合がある。
【実施例２】
【００２８】
本願第２の発明の実施例を以下に示す。図４は、本実施例の受光素子断面図であり、端面入射型の受光素子を例示した。また、光フィルタ層は前記ＮＣＥ層で例示した。
【００２９】
本受光素子は、ＩｎＰ基板１上に、ＮＣＥ層２、ｎ+型ＩｎＰ第２コンタクト層４、ｎ-型ＩｎＧａＡｓ受光層５、ｎ-型ＩｎＰ層７が順次形成されたエピウェハを加工して作製される。ｎ-型ＩｎＰ層７のｐｎ接合を作りたい領域だけにＺｎなどを拡散してｐ+型ＩｎＰ第１コンタクト層６を形成する。ここでｎ-型ＩｎＰ層７はｐ+型のジャンクションエピウェハを使用しても良い。ＮＣＥ層２は、実施例１と同様のものを使用する。ＩｎＰ基板１裏面を臭素系エッチング液などでエッチングすることでメサ面１９を形成する。ここでメサ面１９は、エッチング液の種類、形成方法（ドライエッチング、ダイサーでの加工など）の種別を問わず、順テーパーを形成していれば良い。また、受光領域８以外のｎ-型ＩｎＰ層７を塩酸系エッチング液で除去し、受光層５を硫酸系エッチング液で除去する。ここもエッチング液の種類や形成方法は問わず、第２コンタクト層４上面又はＮＣＥ層２上面が露出すれば良い。ｐ電極１３は第１コンタクト層６上に形成され、ｎ電極１４は第２コンタクト層４上に形成されている。ｐ電極１３以外の第１コンタクト層６上面とｎ-型ＩｎＰ層７上面と端面、受光層５端面にはシリコン窒化膜などの絶縁膜がパシベーション膜１５として形成される。また、ｎ電極１４以外の第２コンタクト層４上面とＩｎＰ基板１裏面には、シリコン窒化膜などの絶縁膜（シリコン酸化膜やポリイミド、ＳＯＧなどでも可、また、ＩｎＰ基板１裏面と第２コンタクト層４上面とには、異なる種類及び異なる膜厚の絶縁膜を形成しても良い）が形成され、反射膜１８として機能する。光の入射面に相当するメサ面１９上には、シグナル光である1.55μｍ用の反射防止膜１６が形成される。この反射防止膜１６にはシリコン窒化膜などの絶縁膜（シリコン酸化膜など）を形成する。メサ面１９の頂点からダイサーや劈開機などでチップ化することで、本受光素子が完成する。
【００３０】
本実施例の受光素子底面に対して光が平行に入射する場合、シグナル光である1.55μｍ光は、メサ面１９で屈折して本受光素子内部に入る。本受光素子の場合メサ面１９のテーパー角が54°程度になるため、1.55μｍ光に対するＩｎＰの屈折率が3.17程度とすると、メサ面に対する屈折角は10.7°になる。つまり、受光素子底面に対しては25.3°の角度で光が上方に進むことになる。素子内部を進行する光は、ＮＣＥ層２を透過して第２コンタクト層４と反射膜１８の界面にまで到達する。この界面に対する光の入射角は64.7°になる。反射膜１８の屈折率が1.9程度とすると、反射膜１８の厚みが3618Å以上であれば全反射することになる。全反射した光は、再びＮＣＥ層２を透過して素子裏面のＩｎＰ基板１と反射膜１８の界面で全反射して再び上方に進む。三度ＮＣＥ層２を透過した光は、受光層５にて吸収される。一方、ノイズ光である1.31μｍ光も同様のプロセスを経るが、三度のＮＣＥ層２通過中にほぼ完全に吸収されてしまう。以上より、光フィルタ層透過光による波長選択比劣化を抑えることが可能になる。
【００３１】
また、本実施例で受光素子総厚150μｍの場合、受光領域８と光フィルタ層第１次通過位置２４とが600μｍ程度と極めて長くなる。1.31μｍ光起因のノイズキャリアは、光フィルタ層第１次通過位置２４近傍のＮＣＥ層２で大量に発生するため、受光領域と600μｍ以上も離れていれば、拡散されて入り込むことは考え難い。よって、本実施例では、拡散ノイズキャリアによる影響も抑えることができるため、低周波域の波長選択比の改善が可能になる。
【００３２】
本実施例の場合、光の経路が長くなるため、ＩｎＰ基板１にｎ+ＩｎＰ基板を使用すると基板での吸収損失が甚大になる。よって、ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性基板を使用する方が良い。Ｆｅドープの半絶縁性基板を使用し、受光素子の総厚を150μｍとし、ＮＣＥ層を4μｍ、受光層を2.5μｍとした場合、計算上では1.55μｍ光の受光感度が0.89A/W、波長選択比が-41.4dBと、極めて良好な数値になる。
【００３３】
ちなみに本実施例ではメサ面を受光面として利用した端面入射型を例示したが、図５に示すような表面入射型や裏面入射型、その他の端面入射型でも、光が光フィルタ層を数回通過し、受光位置と光フィルタ層第１次通過位置とが10μｍ以上離れていれば同様の結果が得られる。また本実施例は、実施例１のエピウェハを使用しても同様の結果が得られる。尚、本実施例の場合、光の入射方法によって素子サイズが大きくなるため、実装上の制約などを考慮する必要がある。
【実施例３】
【００３４】
本願第３の発明の実施例を以下に示す。図６は、本実施例の受光素子断面図であり、端面入射型の受光素子を例示した。
【００３５】
本受光素子は、第２の実施例で例示した受光素子の光フィルタ層除去領域２３のｎ+型ＩｎＰ第２コンタクト層４とＮＣＥ層２とを臭素系エッチング液などでエッチングすることで除去している。ここで、光フィルタ層除去領域２３は、エッチング液の種類や除去方法（ドライエッチング、ダイサー加工など）の種別を問わず、受光領域８と光フィルタ層第１次通過位置２４との間のＮＣＥ層２を除去していれば良い。
【００３６】
本実施例の場合、拡散ノイズキャリアがＮＣＥ層２中を拡散して、受光層に入ることを防止することができる。ＩｎＰ基板１にＦｅドープの半絶縁性基板を採用している場合は、拡散ノイズキャリアの発生元と受光領域とを、電気的に完全に分離することが可能になる。よって、拡散ノイズキャリアによる影響を完全に無視できるため、低周波域の波長選択比劣化はなくなる。但し、光フィルタ層除去分の加工費が第２の発明よりも掛かってしまうため、コストアップは避けられない。
【実施例４】
【００３７】
本願第４の発明の実施例を以下に示す。図７は、本実施例の受光素子断面図であり、端面入射型の受光素子を例示した。
【００３８】
図７(a)の受光素子は、第２の実施例で例示した受光素子の反射領域２５のｎ+型ＩｎＰ第２コンタクト層４にＺｎなどを拡散してｐ+型にし、ｐｎ接合２６を形成している。このｐｎ接合２６はＮＣＥ層２中に形成されても構わない。また、図７(b)のように反射領域２５の近傍にｐｎ接合２６を形成しても効果は同様である。
【００３９】
本実施例の場合、光の反射位置又はその近傍にｐｎ接合２６を形成することにより、第２コンタクト層４中を拡散して受光層に入り込もうとする拡散ノイズキャリアをトラップして消滅させることが可能になる。よって、拡散ノイズキャリアによる影響を低減できるため、低周波域の波長選択比劣化を抑えられる。但し、拡散工程分のコストアップは避けられない。
【００４０】
上記、実施例２、３、４では、ＮＣＥ層に特化したが、光フィルタ層としてＩｎＧａＡｓＰ層の単層などを使用しても、発生ノイズキャリアが受光領域まで到達することがほとんど無くなる上に、発光再結合しても受光領域とに距離があるために立体角が小さくなり、受光領域に入り込むノイズ起因の光は微弱になる。結果的に、光フィルタ層にＩｎＧａＡｓＰ層を採用しても、ＮＣＥ層と大差のない波長選択比が得られる。
【００４１】
尚、実施例２、３、４と類似構造の出願も数件見受けられるが、本願では、素子内部にて光を反射させることで実効的な光フィルタ層厚を稼ぐこと、光フィルタ層第一次通過位置と受光領域とを離して発生ノイズキャリアの受光領域到達を妨げることが特徴であり、これを主目的としている出願は見受けられない。これらの特徴は、本願発明者の実験及び試作から図２のノイズ成分の分析が行われたことによって初めて効果が予測できたものであり、本願発案の新規性は高いと言える。
【００４２】
【数１】
2005142499.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】長波長光選択受光素子の試作サンプル断面模式図（背景技術）
【図２】波長選択比の周波数依存性実測値（背景技術）
【図３】第１の発明の実施例である裏面入射型受光素子断面図（実施例１）
【図４】第２の発明の実施例である端面入射型受光素子断面図（実施例２）
【図５】第２の発明の応用例（実施例２）
【図６】第３の発明の実施例である端面入射型受光素子断面図（実施例３）
【図７】第４の発明の実施例である端面入射型受光素子断面図（実施例４）
【符号の説明】
【００４４】
１：ＩｎＰ基板
２：ＮＣＥ層
３：ＦｅドープＩｎＰ半絶縁層
４：ｎ+型ＩｎＰ第２コンタクト層
５：ｎ-型ＩｎＧａＡｓ受光層
６：ｐ+型ＩｎＰ第１コンタクト層
７：ｎ-型ＩｎＰ層
８：受光領域
９：ＩｎＧａＡｓＰ第１ノイズ光吸収層
１０：ＩｎＧａＡｓＰ第２ノイズ光吸収層
１１：ＩｎＧａＡｓノイズキャリア消滅層
１２：ＩｎＰ拡散ノイズキャリア障壁層
１３：ｐ電極
１４：ｎ電極
１５：パシベーション膜
１６：反射防止膜
１７：ＩｎＧａＡｓＰ光フィルタ層
１８：反射膜
１９：メサ面
２０：光 （シグナル光、ノイズ光）
２１：低周波成分
２２：高周波成分
２３：光フィルタ層除去領域
２４：光フィルタ層第１次通過位置
２５：反射領域
２６：ｐｎ接合
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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