(57)【要約】【課題】電流モードのデータ伝送システムについて、正確な多値データ伝送を実現する。【解決手段】データ送信装置（１０）は、電流源（３０）から参照電流（Ｉｒｅｆ）を受け、送信データの値に応じて当該参照電流を所定倍した電流を電流信号として出力する。一方、データ受信装置（２０）は、データ送信装置（１０）から当該電流信号を受けて受信信号を生成するとともに、電流源（３０）から参照電流（Ｉｒｅｆ）を受け、受信信号のレベル判定に必要な参照信号を生成する。このように、電流信号および参照信号のそれぞれの元となる参照電流（Ｉｒｅｆ）を、データ送信装置（１０）およびデータ受信装置（２０）に共通の電流源（３０）から供給するようにする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
与えられた電流信号によってデータ受信を行うデータ受信装置であって、
抵抗回路を有し、前記電流信号を当該抵抗回路に通電して生じた電圧から、受信信号を生成する受信信号生成部と、
抵抗回路を有し、前記電流信号の元となる参照電流を受け、当該参照電流を元にした電流を当該抵抗回路に通電して生じた電圧から、参照信号を生成する参照信号生成部と、
前記受信信号生成部によって生成された受信信号および前記参照信号生成部によって生成された参照信号から、当該受信信号について多値判定を行う論理判定部とを備えた
ことを特徴とするデータ受信装置。
【請求項２】
請求項１に記載のデータ受信装置において、
前記受信信号生成部は、前記受信信号生成部における前記抵抗回路の中間電位を一定に保つ中間電位安定化回路を有する
ことを特徴とするデータ受信装置。
【請求項３】
請求項２に記載のデータ受信装置において、
前記中間電位安定化回路は、前記中間電位の変動に対して、前記中間電位が所定値になるように前記抵抗回路の両端の電圧を調整する
ことを特徴とするデータ受信装置。
【請求項４】
請求項３に記載のデータ受信装置において、
前記受信信号生成部は、前記中間電位安定化回路に並列に接続され、負性の出力抵抗値を呈する負性抵抗回路を有する
ことを特徴とするデータ受信装置。
【請求項５】
請求項１に記載のデータ受信装置において、
前記受信信号生成部における前記抵抗回路の中間電位と、前記参照信号生成部における前記抵抗回路の中間電位とは、同電位にされている
ことを特徴とするデータ受信装置。
【請求項６】
データ送信装置データ受信装置との間で電流信号によってデータ伝送を行うデータ伝送システムであって、
参照電流を生成する電流源を備え、
前記データ送信装置は、
前記電流源から前記参照電流を受け、当該参照電流を、送信データの値に応じて所定倍し、当該所定倍した電流を前記電流信号として出力するものであり、
前記データ受信装置は、
抵抗回路を有し、前記データ送信装置から前記電流信号を受け、当該電流信号を当該抵抗回路に通電して生じた電圧から、受信信号を生成する受信信号生成部と、
抵抗回路を有し、前記電流源から前記参照電流を受け、当該参照電流を元にした電流を当該抵抗回路に通電して生じた電圧から、参照信号を生成する参照信号生成部と、
前記受信信号生成部によって生成された受信信号および前記参照信号生成部によって生成された参照信号から、当該受信信号について多値判定を行う論理判定部とを備えている
ことを特徴とするデータ伝送システム。
【請求項７】
請求項６に記載のデータ伝送システムにおいて、
前記電流源は、前記データ送信装置および前記データ受信装置のいずれか一方に設けられている
ことを特徴とするデータ伝送システム。
【請求項８】
請求項６に記載のデータ伝送システムにおいて、
前記データ送信装置と前記データ受信装置とは、２線を介してデータ伝送を行い、
前記電流信号は、前記２線のいずれか一線を通じて前記データ送信装置から前記データ受信装置に流れ、他線を通じて前記データ受信装置から前記データ送信装置に還流する
ことを特徴とするデータ伝送システム。
【請求項９】
請求項６に記載のデータ伝送システムにおいて、
前記データ送信装置は、前記送信データの各ビットに対応する複数の電流スイッチ回路を備えたものであり、
前記複数の電流スイッチ回路は、それぞれ、前記参照電流の所定倍に相当する電流であって対応するビットごとに異なる大きさの電流を、当該対応するビットの論理値に応じて極性を反転させて出力するものであり、
前記電流信号は、前記複数の電流スイッチ回路のそれぞれから出力された電流を合計したものである
ことを特徴とするデータ伝送システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データ伝送システムに関し、特に、電流モードで多値データ伝送を行うデータ伝送システムの構築技術に属する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＳＩ間のデータ伝送は次のように行われている。図９は、従来のデータ伝送システムの構成を示す。データ送信装置としてのＬＳＩ１００は、スイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３およびＳＷ４を適宜制御して、電流源１０１または電流源１０２を信号伝送路Ｌ１およびＬ２に電気的に接続し、電流信号を出力する。一方、データ受信装置としてのＬＳＩ２００は、与えられた電流信号を抵抗素子２０１に通電し、これによって生じた抵抗素子２０１の両端電圧から受信データの値を判定する。具体的には、極性判定手段２０２によって、当該電圧の極性が判定され、当該極性に基づいて受信データの論理値が判定される。すなわち、当該データ伝送システムによると、データ送信装置およびデータ受信装置との間で、電流信号の極性を反転させることによって２値データを伝送することができる（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】米国特許第５６９４０６０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記のデータ伝送システムによって多値データの伝送を行うためには、データ受信装置側で、受信信号を多値判定するための適当な閾値、すなわち、比較レベルを設定する必要がある。たとえば、４値データを伝送する場合、図１０に示したように、受信信号のレベル判定は、３つの比較レベルとの大小関係から行われる。
【０００４】
しかし、データ受信装置側において、特に、図９に示した抵抗素子２０１がＬＳＩ内部に構成されている場合には、製造ばらつきなどにより、当該抵抗素子２０１の抵抗値は８０％〜１２０％程度の幅を持つ。したがって、たとえば、図１０における第１の信号レベルもまた幅を持つこととなり、当該第１の信号レベルの最小値と第１の比較レベルとが接近してしまう。そして、システムにノイズなどが印加された場合、受信信号のレベル判定が不可能となったり、誤判定されたりして、データ伝送の信頼性に支障をきたすおそれがある。
【０００５】
上記問題に鑑み、本発明は、データ受信装置およびデータ伝送システムに関して、製造ばらつきなどの要因に左右されることなく正確に受信信号のレベル判定を行うことができるようにし、高精度の多値データ伝送を実現することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために本発明が講じた手段は、与えられた電流信号によってデータ受信を行うデータ受信装置として、抵抗回路を有し、前記電流信号を当該抵抗回路に通電して生じた電圧から、受信信号を生成する受信信号生成部と、抵抗回路を有し、前記電流信号の元となる参照電流を受け、当該参照電流を元にした電流を当該抵抗回路に通電して生じた電圧から、参照信号を生成する参照信号生成部と、前記受信信号生成部によって生成された受信信号および前記参照信号生成部によって生成された参照信号から、当該受信信号について多値判定を行う論理判定部とを備えたものとする。
【０００７】
これによると、受信信号を生成する元となる参照電流と参照信号を生成する元となる参照電流とが共通しているため、受信信号と参照信号との間に相関関係を持たせることができる。したがって、受信信号のレベルが変動しても、その変動に応じて参照信号のレベルもまた変動することとなり、正確に受信信号のレベル判定を行うことができる。
【０００８】
好ましくは、前記データ受信装置において、前記受信信号生成部は、前記受信信号生成部における前記抵抗回路の中間電位を一定に保つ中間電位安定化回路を有するものとする。
【０００９】
これによると、受信信号のレベル変化を、当該中間電位を基準として、所定のレベル範囲内に抑制することができ、当該受信信号を入力する論理判定部において入力レベルの範囲が容易になり、論理判定部の設計が容易になる。
【００１０】
そして、具体的には、前記中間電位安定化回路は、前記中間電位の変動に対して、前記中間電位が所定値になるように前記抵抗回路の両端の電圧を調整するものとする。
【００１１】
また、好ましくは、前記受信信号生成部は、前記中間電位安定化回路に並列に接続され、負性の出力抵抗値を呈する負性抵抗回路を有するものとする。
【００１２】
これによると、中間電位安定化回路の挿入によって、受信信号生成部の出力抵抗値が実際の抵抗値、すなわち、抵抗回路の出力抵抗値からずれてしまうのを補償することができる。したがって、受信信号生成部によって、より精度の高い受信信号を生成することが可能となる。
【００１３】
また、好ましくは、前記データ受信装置において、前記受信信号生成部における前記抵抗回路の中間電位と、前記参照信号生成部における前記抵抗回路の中間電位とは、同電位にされているものとする。
【００１４】
これによると、ノイズなどの影響により受信信号が変動する場合に、参照信号もそれに応じて変動することとなる。したがって、対ノイズ特性に優れたデータ受信が可能となる。
【００１５】
一方、上記課題を解決するために本発明が講じた手段は、データ送信装置データ受信装置との間で電流信号によってデータ伝送を行うデータ伝送システムとして、参照電流を生成する電流源を備えたものとし、前記データ送信装置は、前記電流源から前記参照電流を受け、当該参照電流を、送信データの値に応じて所定倍し、当該所定倍した電流を前記電流信号として出力するものであり、前記データ受信装置は、抵抗回路を有し、前記データ送信装置から前記電流信号を受け、当該電流信号を当該抵抗回路に通電して生じた電圧から、受信信号を生成する受信信号生成部と、抵抗回路を有し、前記電流源から前記参照電流を受け、当該参照電流を元にした電流を当該抵抗回路に通電して生じた電圧から、参照信号を生成する参照信号生成部と、前記受信信号生成部によって生成された受信信号および前記参照信号生成部によって生成された参照信号から、当該受信信号について多値判定を行う論理判定部とを備えているものとする。
【００１６】
これによると、データ送信装置に与えられ電流信号の元となる参照電流と、データ受信装置に与えられ参照信号の元となる参照電流とは、共通の電流源によって生成される。これにより、受信信号と参照信号との間に相関関係を持たせることができる。したがって、受信信号のレベルが変動しても、その変動に応じて参照信号のレベルもまた変動することとなり、正確に受信信号のレベル判定を行うことができる。
【００１７】
好ましくは、前記電流源は、前記データ送信装置および前記データ受信装置のいずれか一方に設けられているものとする。
【００１８】
また、好ましくは、前記データ送信装置と前記データ受信装置とは、２線を介してデータ伝送を行い、前記電流信号は、前記２線のいずれか一線を通じて前記データ送信装置から前記データ受信装置に流れ、他線を通じて前記データ受信装置から前記データ送信装置に還流するものとする。
【００１９】
これによると、データ受信装置側に、電流信号を吸収するバッファを設ける必要を無くすことができる。したがって、データ受信装置の消費電力および回路規模を縮小することができる。
【００２０】
そして、具体的には、前記データ伝送システムにおいて、前記データ送信装置は、前記送信データの各ビットに対応する複数の電流スイッチ回路を備えたものであり、前記複数の電流スイッチ回路は、それぞれ、前記参照電流の所定倍に相当する電流であって対応するビットごとに異なる大きさの電流を、当該対応するビットの論理値に応じて極性を反転させて出力するものであり、前記電流信号は、前記複数の電流スイッチ回路のそれぞれから出力された電流を合計したものとする。
【発明の効果】
【００２１】
上記のように本発明によると、電流モードのデータ伝送システムについて、製造ばらつきなどの要因に左右されることのない、高精度の多値データ伝送を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２３】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るデータ伝送システムの構成を示す。本実施形態に係るデータ伝送システムは、データ送信装置１０とデータ受信装置２０とからなり、データ送信装置１０から信号伝送路Ｌ１およびＬ２を通じて多値データに基づく電流信号を出力し、データ受信装置２０において多値データを受信する。データ送信装置１０およびデータ受信装置２０は、それぞれ１チップのＬＳＩで構成可能である。また、本実施形態に係るデータ伝送システムは、基準電流Ｉｒｅｆを生成する電流源３０を備えている。なお、電流源３０はデータ受信装置２０上に設けられている。
【００２４】
図２は、電流源３０の具体的な回路構成を示す。電流源３０は、基準電圧Ｖｒｅｆを受け、基準電流Ｉｒｅｆを出力する。電流源３０において、抵抗素子３１（抵抗値Ｒ）の一端は演算増幅器３２の非反転入力端子に接続され、他端は接地されている。演算増幅器３２の反転入力端子に基準電圧Ｖｒｅｆが与えられたとき、いわゆるイマジナリーショートによって抵抗素子３１の一端の電圧がＶｒｅｆとなる。これにより、抵抗素子３１に直列に接続されたＰＭＯＳトランジスタ３３に、Ｖｒｅｆ／Ｒで決定される電流が流れる。電流源３０において、ＰＭＯＳトランジスタ３３、３４および３５のゲート電極は互いに接続され、演算増幅器３２からの出力によってバイアスされている。したがって、ＰＭＯＳトランジスタ３３〜３５の素子特性が互いに等しいとき、ＰＭＯＳトランジスタ３３に流れる電流に相当する電流がＰＭＯＳトランジスタ３４および３５にも流れ、基準電流Ｉｒｅｆとしてそれぞれ出力される。
【００２５】
図１に戻り、データ送信装置１０は、バイアス電流伝送路Ｌ３を通じて与えられた基準電流Ｉｒｅｆを逓倍（α倍）する電流逓倍回路１１と、多値データを電流信号として出力する送信回路１２とを備えている。
【００２６】
図３は、電流逓倍回路１１の具体的な回路構成を示す。電流逓倍回路１１は、ＮＭＯＳトランジスタ１１１および１１２から構成されたカレントミラー回路１１３と、ＰＭＯＳトランジスタ１１４および１１５から構成されたカレントミラー回路１１６とからなり、基準電流Ｉｒｅｆのα倍に相当する電流Ｉｏを出力する。
【００２７】
図４は、送信回路１２の具体的な回路構成を示す。送信回路１２は、送信データの各ビットに対応して複数の電流スイッチ回路１３を備え、電流逓倍回路１１によって生成された電流Ｉｏを受け、送信データの値に応じて電流Ｉｏを所定倍して、電流信号を信号伝送路Ｌ１およびＬ２に出力する。なお、本実施形態では、送信データを２ビット（Ｂ０およびＢ１）として説明する。
【００２８】
電流スイッチ回路１３は、電流源としてのＰＭＯＳトランジスタ１３１およびＮＭＯＳトランジスタ１３２と、スイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３およびＳＷ４とを備え、対応する送信データのビットの論理値に応じて、スイッチＳＷ１〜ＳＷ４を適宜制御し、出力電流の方向を切り替える。各電流スイッチ回路１３の出力電流は合計され、信号伝送路Ｌ１およびＬ２に出力される。
【００２９】
ここで、たとえば、ビットＢ１に対応する電流スイッチ回路１３＿Ｂ１の電流源の電流値を２Ｉｏ／３、ビットＢ０に対応する電流スイッチ回路１３＿Ｂ０の電流源の電流値をＩｏ／３とする。この場合、送信データ（Ｂ１，Ｂ０）が（“０”，“０”）のとき、電流スイッチ回路１３＿Ｂ１からの出力電流は２Ｉｏ／３、電流スイッチ回路１３＿Ｂ０からの出力はＩｏ／３となり、送信回路１２からの出力電流はＩｏとなる。以下、同様に、送信データ（Ｂ１，Ｂ０）が（“０”，“１”）のとき、電流スイッチ回路１３＿Ｂ１からの出力電流は２Ｉｏ／３、電流スイッチ回路１３＿Ｂ０からの出力は−Ｉｏ／３となり、送信回路１２からの出力電流はＩｏ／３となる。送信データ（Ｂ１，Ｂ０）が（“１”，“０”）のとき、電流スイッチ回路１３＿Ｂ１からの出力電流は−２Ｉｏ／３、電流スイッチ回路１３＿Ｂ０からの出力はＩｏ／３となり、送信回路１２からの出力電流は−Ｉｏ／３となる。そして、送信データ（Ｂ１，Ｂ０）が（“１”，“１”）のとき、電流スイッチ回路１３＿Ｂ１からの出力電流は−２Ｉｏ／３、電流スイッチ回路１３＿Ｂ０からの出力は−Ｉｏ／３となり、送信回路１２からの出力電流は−Ｉｏとなる。このようにして、多値データ（この場合、４値）を電流信号として出力することが可能である。
【００３０】
図１に戻り、データ受信装置２０は、受信回路２１を備えている。図５は、受信回路２１の具体的な回路構成を示す。受信回路２１は、与えられた電流信号から受信信号Ｓｒｃｖ１およびＳｒｃｖ２を生成する受信信号生成部２２と、電流源３０から基準電流Ｉｒｅｆを受け、受信データの多値判定を行うための比較レベル、すなわち、参照信号Ｓｒｅｆ１およびＳｒｅｆ２を生成する参照信号生成部２３と、受信データの多値判定を行う論理判定部２４とを備えている。
【００３１】
受信信号生成部２２は、直列に接続された抵抗素子２２０および２２１を有する抵抗回路２２２を備えている。抵抗回路２２２は、電気的に信号伝送路Ｌ１と信号伝送路Ｌ２との間に接続されている。したがって、信号伝送路Ｌ１またはＬ２を通じて入力端ＩＮ１またはＩＮ２に与えられた電流信号は抵抗回路２２２を流れ、入力端ＩＮ２またはＩＮ１から信号伝送路Ｌ２またはＬ１を通じてデータ送信装置１０へと還流する。電流信号が抵抗回路２２２を流れるとき、抵抗回路２２２の両端に電圧が生じる。この電圧が、それぞれ受信信号Ｓｒｃｖ１およびＳｒｃｖ２となる。
【００３２】
また、受信信号生成部２２は、２個のＰＭＯＳトランジスタ２２３および２２４を有し、抵抗回路２２２における抵抗素子２２０と抵抗素子２２１との接続点の電位（中間電位）を入力とし、抵抗回路２２２の両端の電位を制御する中間電位安定化回路２２５と、２個のＮＭＯＳトランジスタ２２６および２２７を有し、中間電位安定化回路２２５に並列に接続された負性抵抗回路２２８と、これら中間電位安定化回路２２５および負性抵抗回路２２８に電流を供給する電流源２２９とを備えている。
【００３３】
中間電位安定化回路２２５において、ＰＭＯＳトランジスタ２２３および２２４のゲートどうしは互いに接続され、抵抗回路２２２の中間電位は当該ゲートに印加されるようになっている。また、ＰＭＯＳトランジスタ２２３および２２４のソースには所定電位が与えられ、ドレインはそれぞれ抵抗回路２２３の両端に接続されている。このような構成において、中間電位が上昇するとＰＭＯＳトランジスタ２２３および２２４の電流能率が向上し、ドレインの電位が下降する。一方、中間電位が下降するとＰＭＯＳトランジスタ２２３および２２４の電流能率が低下し、ドレインの電位が上昇する。すなわち、中間電位安定化回路２２５は、抵抗回路２２２の中間電位の変化と逆方向の変化の電位を抵抗回路２２２の両端に与える。これにより、抵抗回路２２２の中間電位、すなわち、両端電圧の平均値が安定する。
【００３４】
中間電位安定化回路２２５におけるＰＭＯＳトランジスタ２２３および２２４の電流能率をｇｍとするとき、中間電位安定化回路２２５の出力抵抗値はおよそ１／ｇｍとなる。すなわち、入力端ＩＮ１およびＩＮ２から見込んだ受信信号生成部２２の出力抵抗値は、抵抗回路２２２と中間電位安定化回路２２５とを並列接続したものとなり、抵抗回路２２２の真の抵抗値からずれてしまう。そこで、中間電位安定化回路２２５の抵抗値を打ち消すための負性抵抗回路２２８を設けている。
【００３５】
負性抵抗回路２２８において、ＮＭＯＳトランジスタ２２６のゲートとＮＭＯＳトランジスタ２２７のドレインとは接続され、ＮＭＯＳトランジスタ２２７のゲートとＮＭＯＳトランジスタ２２６のドレインとは接続されている。ここで、入力端ＩＮ１およびＩＮ２から見込んだ負性抵抗回路２２８の抵抗値が−ｇｍとなるようにＮＭＯＳトランジスタ２２６および２２７の素子特性を調整することで、中間電位安定化回路２２５の出力抵抗値を相殺することができる。したがって、入力端ＩＮ１およびＩＮ２から見込んだ受信信号生成部２２の出力抵抗値を、等価的に抵抗回路２２２の出力抵抗値とすることができる。
【００３６】
一方、参照信号生成部２３は、直列に接続された抵抗素子２３０および２３１を有する抵抗回路２３２を備えている。参照信号生成部２３は、その内部において、参照電流Ｉｒｅｆのβ倍に相当する電流を生成し、抵抗回路２３２に当該電流を通電する。このとき抵抗回路２３２の両端に生じた電圧が、それぞれ参照信号Ｓｒｅｆ１およびＳｒｅｆ２となる。
【００３７】
論理判定部２４は、受信信号Ｓｒｃｖ１およびＳｒｃｖ２ならびに参照信号Ｓｒｅｆ１およびＳｒｅｆ２を入力し、受信データの多値判定を行う。図６は、論理判定部２４の具体的な回路構成を示す。論理判定部２４は、３個の差動比較器２４１、２４２および２４３を備えている。差動比較器２４１〜２４３は、いずれも受信信号Ｓｒｃｖ１およびＳｒｃｖ２の差動電圧を第１の入力とする。
【００３８】
差動比較器２４１は、参照信号Ｓｒｅｆ１およびＳｒｅｆ２の差動電圧を第２の入力とする。なお、当該差動電圧は、図１０に示した第１の比較レベルに相当する。
【００３９】
差動比較器２４２は、受信信号Ｓｒｃｖ２およびＳｒｃｖ１の差動電圧、つまり、第１の入力と逆極性の差動電圧を第２の入力とする。なお、当該差動電圧は、図１０に示した第２の比較レベルに相当し、そのレベルは“０”である。
【００４０】
差動比較器２４３は、参照信号Ｓｒｅｆ２およびＳｒｅｆ１の差動電圧、つまり、差動比較器２４１の第２の入力と逆極性の差動電圧を第２の入力とする。なお、当該差動電圧は、図１０に示した第３の比較レベルに相当する。
【００４１】
論理判定部２４において、差動比較器２４２の反転出力をインバータ２４４で反転したものが、受信データの上位ビットＢ１となる。受信データの下位ビットＢ０は、差動比較器２４１および２４３の反転出力を、それぞれトライステート出力付き信号反転回路（以下、「トライステート回路」と称する）２４５および２４６で反転したものである。トライステート回路２４５および２４６は、差動比較器２４２の非反転出力および反転出力によって制御されている。上位ビットＢ１が“１”のとき、トライステート回路２４６の出力はハイインピーダンス状態となり、トライステート回路２４５からの出力が下位ビットＢ０となる。逆に、上位ビットＢ１が“０”のとき、トライステート回路２４５の出力はハイインピーダンス状態となり、トライステート回路２４６からの出力が下位ビットＢ０となる。
【００４２】
以上の構成により、データ送信装置１０からは、参照電流Ｉｒｅｆをα倍した電流αＩｒｅｆを、送信データの値に応じて所定倍した電流（αＩｒｅｆ、αＩｒｅｆ／３、−αＩｒｅｆ／３および−αＩｒｅｆの４種類）が出力される。ここで、データ受信装置２０において、受信信号生成部２２における抵抗回路２２２の抵抗値をＲｉｎとすると、受信信号Ｓｒｃｖ１およびＳｒｃｖ２の差動電圧は、受信した電流信号、たとえばαＩｒｅｆに抵抗値Ｒｉｎを乗じた値であるＲｉｎαＩｒｅｆとなる。一方、参照信号生成部２３もまた参照電流Ｉｒｅｆをβ倍した電流βＩｒｅｆに基づいて参照信号Ｓｒｅｆ１およびＳｒｅｆ２を生成しており、抵抗回路２３２の抵抗値をＲｒｅｆとすると、参照信号Ｓｒｅｆ１およびＳｒｅｆ２の差動電圧は、ＲｒｅｆβＩｒｅｆとなる。したがって、受信信号レベルと比較レベルとの比精度は、αＲｉｎ／βＲｒｅｆとなる。
【００４３】
抵抗回路２２２および２２３はいずれもデータ受信装置２０上に構成されている、すなわち、同一のＬＳＩ中に存在するため、ＲｉｎとＲｒｅｆとの比精度は非常に高い（誤差は１％程度である）。一方、αは、図３に示したカレントミラー回路１１３を構成するＮＭＯＳトランジスタ１１１とＮＭＯＳトランジスタ１１２とのアスペクト比（ゲート幅／ゲート長）、およびカレントミラー回路１１６を構成するＰＭＯＳトランジスタ１１４とＰＭＯＳトランジスタ１１５とのアスペクト比よって決定される。一般に、ＬＳＩの加工精度は非常に高いため、αの精度もまた非常に高い。同様に、βは、図５に示したＮＭＯＳトランジスタ２１１とＮＭＯＳトランジスタ２３３とのアスペクト比によって決定され、その精度は非常に高い。したがって、αとβとの比精度もまた非常に高い。よって、本実施形態に係るデータ伝送システムにおいて、受信信号レベルと比較レベルとの比精度αＲｉｎ／βＲｒｅｆは極めて高い。
【００４４】
以上、本実施形態によると、受信信号レベルと比較レベルとの比精度を非常に高くすることができる。すなわち、データ受信装置２０の製造ばらつきなどの要因で受信信号のレベルにばらつきがあっても、そのばらつきに応じて比較レベルが決定されるため、正確に受信信号の多値レベル判定を行うことができる。
【００４５】
さらに、図５に示したように、抵抗回路２２２における抵抗素子２２０および２２１の接続点と、抵抗回路２３２における抵抗素子２３０および２３１の接続点とは互いに接続されている。すなわち、抵抗回路２２２の中間電位と抵抗回路２３２の中間電位とは同電位にされている。したがって、ノイズなどの影響により受信信号のレベルが変化した場合でも、参照信号のレベルがそれに連動して変化するため、正確に受信信号の多値レベル判定を行うことができる。
【００４６】
なお、必ずしも、抵抗回路２２２の中間電位と抵抗回路２３２の中間電位とを同電位にする必要はない。
【００４７】
また、電流源３０において、必ずしもＰＭＯＳトランジスタ３３〜３５の素子特性を互いに等しくする必要はない。すなわち、データ送信装置１０およびデータ受信装置２０にそれぞれ与えられる基準電流Ｉｒｅｆは、互いに等しいものである必要はない。互いに異なる大きさの基準電流をデータ送信装置１０およびデータ受信装置２０のそれぞれに与えるようにしても、当該基準電流が共通の電流源３０によって生成されたものであるなら、上記と同様の効果を得ることができる。
【００４８】
また、受信信号生成部２２において、負性抵抗回路２２８を省略してもよい。さらに、中間電位安定化回路２２５および電流源２２９を省略してもよい。この場合、抵抗回路２２２を一の抵抗素子で構成することが可能である。さらに、抵抗回路２３２についても同様に一の抵抗素子で構成することが可能である。
【００４９】
また、データ送信装置１０から出力された電流信号は、信号伝送路Ｌ１およびＬ２のいずれか一方を通じてデータ受信装置２０に流れ、他方を通じてデータ送信装置１０に還流するものとしたが、本発明はこれに限定されるものではない。たとえば、データ受信装置２０にバッファを設けて、電流信号を吸収するようにすることで、一線でデータ伝送を行うことができる。そして、このような構成にした場合であっても、上述した効果を何ら損なうことはない。
【００５０】
また、本実施形態では、伝送されるデータを４値（２ビット）であるとしたが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明により、８値（３ビット）あるいはそれ以上の多値データを正確に伝送することが可能である。
【００５１】
（第２の実施形態）
図７は、本発明の第２の実施形態に係るデータ伝送システムの構成を示す。本実施形態に係るデータ伝送システムは、第１の実施形態に係るデータ伝送システムとは異なり、電流源３０が、データ受信装置２０ではなくデータ送信装置１０上に設けられている。これ以外の構成要素については第１の実施形態の実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００５２】
本実施形態のように、電流源３０がデータ送信装置１０上に構成されていても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、本発明に係るデータ伝送システムでは、電流源３０を設ける箇所は任意である。電流源３０をデータ送信装置１０およびデータ受信装置２０以外の箇所に設けるようにしてもよい。
【００５３】
なお、上記第１および第２の実施形態において、データ送信装置１０およびデータ受信装置２０は、ＰＭＯＳおよびＮＭＯＳトランジスタを用いて構成されるものとしたが、本発明はこれに限定されるものではない。これ以外の種類のトランジスタを用いてデータ送信装置１０およびデータ受信装置２０を構成しても、上記と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
以上説明したように、本発明に係るデータ伝送システムは、電流信号による多値データ伝送を正確に行うことができるため、特に、電流モードにおける近距離におけるＬＳＩ間の送受信を必要とするシステムに有効である。たとえば、図８に示すように、液晶パネル４０を駆動するためのソースドライバＬＳＩ５０は、通常、液晶パネル４０に対して複数個必要となる。通常、ソースドライバＬＳＩ５０は、液晶パネル４０の下辺部に沿って実装される。その際、図８に示すように左側からデータを転送する場合には、右側に実装されるＬＳＩ５０に対してはその左側に実装されたＬＳＩ５０から送信されたデータを受信する必要がある。したがって、このような液晶パネルシステムには、本発明におけるデータ伝送システムが特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るデータ伝送システムの構成図である。
【図２】図１における電流源の回路図である。
【図３】図１における電流逓倍回路の回路図である。
【図４】図１における送信回路の回路図である。
【図５】図１における受信回路の回路図である。
【図６】図５における論理判定部の回路図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係るデータ伝送システムの構成図である。
【図８】本発明の応用例を示す図である。
【図９】従来のデータ伝送システムの構成図である。
【図１０】多値データ伝送に係る受信信号レベルと閾値レベルとの関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０  データ送信装置
１３  電流スイッチ回路
２０  データ受信装置
２２  受信信号生成部
２２２  抵抗回路
２２５  中間電位安定化回路
２２８  負性抵抗回路
２３  参照信号生成部
２３２  抵抗回路
２４  論理判定部
３０  電流源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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