(57)【要約】【課題】  研磨粒などを有効に除去すると共にパーティクルの発生を防止し、初期安定性を著しく向上させ、且つ低コストで製造できるスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】  表面研削工程を経て製造されたスパッタリングターゲットにおいて、水を所定の圧力で噴射することにより表面処理を施したもの。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面研削工程を経て製造されたスパッタリングターゲットにおいて、水を所定の圧力で噴射することにより表面処理を施したものであることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
請求項１において、当該ターゲットの表面粗さＲａが０．８μｍ以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】
請求項１又は２において、当該ターゲットのスパッタ面の前記表面処理前に対する表面処理後の機械加工跡残存率が４０％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかにおいて、当該ターゲットのスパッタ面の前記表面処理前に対する表面処理後の機械加工跡残存率が１０％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかにおいて、当該ターゲットがセラミックスからなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項６】
請求項５において、酸化インジウム及び酸化スズの少なくとも一方を含む酸化物からなるターゲットであることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項７】
請求項１〜６の何れかにおいて、前記水として純水を噴射することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項８】
請求項１〜７の何れかにおいて、前記水の噴射圧力が１ＭＰａ〜２５０ＭＰａの範囲内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項９】
表面研削工程を経て製造されたスパッタリングターゲットの表面に水を所定の圧力で噴射することにより表面処理を施すことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記水として純水を噴射することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０において、前記水の噴射圧力を１ＭＰａ〜２５０ＭＰａの範囲内とすることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１２】
請求項９〜１１の何れかにおいて、前記表面処理を製造工程の最終段階で行うことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１３】
請求項９〜１２の何れかにおいて、ターゲットをバッキングプレートに接合した後に前記表面処理を行うことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１４】
請求項９〜１３の何れかにおいて、当該ターゲットがセラミックスからなることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１５】
請求項１４において、当該ターゲットが酸化インジウム及び酸化スズの少なくとも一方を含む酸化物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリングターゲット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、薄膜を成膜する方法の１つとしてスパッタリング法が知られている。スパッタリング法とは、スパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより薄膜を得る方法であり、大面積化が容易であり、高性能の膜が効率よく成膜できるため、工業的に利用されている。また、近年、スパッタリングの方式として、反応性ガスの中でスパッタリングを行う反応性スパッタリング法や、ターゲットの裏面に磁石を設置して薄膜形成の高速化を図るマグネトロンスパッタリング法なども知られている。
【０００３】
このようなスパッタリング法で用いられる薄膜のうち、特に、酸化インジウム−酸化錫（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２の複合酸化物、以下、「ＩＴＯ」という）膜は、可視光透過性が高く、かつ導電性が高いので透明導電膜として液晶表示装置やガラスの結露防止用発熱膜、赤外線反射膜等に幅広く用いられている。
【０００４】
このため、より効率よく低コストで成膜するために、現在においてもスパッタ条件やスパッタ装置などの改良が日々行われており、装置を如何に効率的に稼働させるかが重要となる。
【０００５】
このようなＩＴＯスパッタリングにおいては、新しいスパッタリングターゲットをセットしてから初期アーク（異常放電）がなくなって製品を製造できるまでの時間が短いことと、一度セットしてからどれくらいの期間使用できるか（積算スパッタリング時間：ターゲットライフ）が問題となる。
【０００６】
従来、スパッタリングターゲットの初期アークは、ターゲット表面を研磨して平滑にすればするほど低減するといわれており、表面を平滑にした表面研磨ターゲットが主流となっている。
【０００７】
また、スパッタリングを連続的に行っていくと、ターゲット表面にノジュールという黒色の付着物が生じ、これが異常放電の原因となったり、パーティクルの発生源となったりするといわれている。従って、薄膜欠陥を防止するためには、定期的なノジュール除去が必要となり、生産性の低下につながるという問題がある。
【０００８】
例えば、ターゲットの表面粗さを所定の範囲内とすることでアーキングやノジュールの発生を防止しようとする技術が開発されている（特許文献１，２等参照）。しかしながら、このような所定の表面粗さを有するＩＴＯスパッタリングターゲットを製造するためには、焼結後、研削により厚さを調整した後、徐々に細かい研磨砥石を用いて３〜４回の研磨工程が必要となり、製造時間及びコストが嵩むという問題があった。
【０００９】
また、スパッタリングターゲットを超音波洗浄したり、粘着テープを擦り付けて引き剥がしたりして、研削粉をクリーニングすることにより、ノジュールや異常放電の発生を防止した技術が提案されている（特許文献３参照）。しかしながら、この技術では研削粉を十分に除去することができないという問題があった。
【００１０】
さらに、例えば、超音波洗浄等により研削粉等を除去しても、ターゲットをバッキングプレート上にボンディングする後工程でターゲット表面にゴミ等が付着し、初期アーク及びパーティクル抑制効果は小さくなるという問題がある。また、スパッタリングターゲットの最終工程である包装工程直前に超音波洗浄を行えば、研削粉の除去と、ボンディング等で付着したゴミの除去とを同時に行うことができるが、今後益々大きくなる大型ターゲットをボンディング後に超音波洗浄するのは非常に困難であるという問題がある。
【００１１】
一方、ボンディング面を除くターゲット表面の全部又は一部を粗面とすることにより、連続的にスパッタリングを行う際に薄膜形成基板に付着しなかったターゲット粒子を付着物としてトラップし、スパッタリング中期から後期にかけて発生するパーティクルを抑制し、クリーニング回数を低減するという技術がある（特許文献４参照）。しかしながら、この考え方を上述した技術に取り入れると、平滑化処理した後に非エロージョン部のみを粗面にする必要があり、工程が著しく煩雑化するという問題があった。
【００１２】
そこで、所定のパルス幅のレーザ光線を用いて表面処理を施すことにより、加工時に生じるバリや研削粉、ちりやゴミを除去して初期アークを著しく低減するという技術を開発した（特許文献５，６参照）。
【００１３】
しかしながら、レーザ光線による表面処理によると、初期アークはほぼ完全に除去できるが、レーザ光線による処理を行うため、設備投資が大きくなるという欠点があった。
【００１４】
【特許文献１】特許第２７５０４８３号公報
【特許文献２】特許第３１５２１０８号公報
【特許文献３】特開１１−１１７０６２号公報
【特許文献４】特開平４−３０１０７４号公報
【特許文献５】特開２００３−５５７６２号公報
【特許文献６】特開２００３−７３８２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
そこで、本発明はこのような事情に鑑み、研磨粒などを有効に除去すると共にパーティクルの発生を防止し、初期安定性を著しく向上させ、且つ低コストで製造できるスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らは、初期アークの原因は研磨加工などで生じるマイクロクラックや研削粉などが主な原因であり、これらは研磨によるよりも、高圧水を噴射することによる表面処理により有効に除去できることを見いだし、本発明を完成するに至った。すなわち、水を所定の圧力でターゲット表面に噴射して表面処理することにより、スパッタ開始時にプラズマによる熱衝撃がターゲット表面にあたり、その衝撃によって生じるパーティクルの発生原因となるマイクロクラックを除去すると共に、ターゲット表面にある加工屑や包装前に付着したちりやゴミを除去してしまい、アークやパーティクルの発生を防止することができるという知見に基づき本発明を完成させた。
【００１７】
本発明の第１の態様は、表面研削工程を経て製造されたスパッタリングターゲットにおいて、水を所定の圧力で噴射することにより表面処理を施したものであることを特徴とするスパッタリングターゲットにある。
【００１８】
かかる第１の態様では、水がターゲット表面に所定の圧力で噴射されて衝突することにより、マイクロクラックが除去されると共にターゲット表面にある加工屑やちりやゴミが除去されてしまうので、初期アークの発生が防止される。
【００１９】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、当該ターゲットの表面粗さＲａが０．８μｍ以上であることを特徴とするスパッタリングターゲットにある。
【００２０】
かかる第２の態様では、水が所定の圧力でターゲット表面に噴射されて衝突することにより、マイクロクラックが除去されると共にターゲット表面にある加工屑やちりやゴミが除去されるが、ターゲットの表面粗さは基本的には維持され、表面粗さＲａが、０．８μｍ以上であっても、初期アークは防止される。
【００２１】
本発明の第３の態様は、第１又は２の態様において、当該ターゲットのスパッタ面の前記表面処理前に対する表面処理後の機械加工跡残存率が４０％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲットにある。
【００２２】
かかる第３の態様では、水が所定の圧力でターゲット表面に噴射されて衝突することにより、マイクロクラックが除去されると共にターゲット表面にある加工屑やちりやゴミが除去され、表面処理後のターゲットの全表面に対する研削跡残存率が４０％以下となり、初期アークは防止される。
【００２３】
本発明の第４の態様は、第１〜３の何れかの態様において、当該ターゲットのスパッタ面の前記表面処理前に対する表面処理後の機械加工跡残存率が１０％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲットにある。
【００２４】
かかる第４の態様では、水が所定の圧力でターゲット表面に噴射されて衝突することにより、マイクロクラックが除去されると共にターゲット表面にある加工屑やちりやゴミが除去され、表面処理後のターゲットの全表面に対する研削跡残存率が１０％以下となり、初期アークは防止される。
【００２５】
本発明の第５の態様は、第１〜４の何れかの態様において、当該ターゲットがセラミックスからなることを特徴とするスパッタリングターゲットにある。
【００２６】
かかる第５の態様では、セラミックスターゲットの研削等の加工時に生じるバリや研削粉が水の噴射による表面処理により除去される。
【００２７】
本発明の第６の態様は、第５の態様において、酸化インジウム及び酸化スズの少なくとも一方を含む酸化物からなるターゲットであることを特徴とするスパッタリングターゲットにある。
【００２８】
かかる第６の態様では、水の噴射による表面処理によりＩＴＯスパッタリングターゲットの初期安定性が著しく向上する。
【００２９】
本発明の第７の態様は、第１〜６の何れかの態様において、前記水として純水を噴射することを特徴とするスパッタリングターゲットにある。
【００３０】
かかる第７の態様では、純水がターゲット表面に噴射されて衝突することにより、マイクロクラックが除去されると共にターゲット表面にある加工屑やちりやゴミが除去される。
【００３１】
本発明の第８の態様は、第１〜７の何れかの態様において、前記水の噴射圧力が１ＭＰａ〜２５０ＭＰａの範囲内であることを特徴とするスパッタリングターゲットにある。
【００３２】
かかる第８の態様では、水が所定の圧力でターゲット表面に噴射されて衝突することにより、マイクロクラックが有効に除去され、且つターゲット表面にある加工屑やちりやゴミが除去され、初期アークの発生が防止される。
【００３３】
本発明の第９の態様は、表面研削工程を経て製造されたスパッタリングターゲットの表面に水を所定の圧力で噴射することにより表面処理を施すことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法にある。
【００３４】
かかる第９の態様では、水が所定の圧力でターゲット表面に噴射されて衝突することにより、マイクロクラックが除去されると共にターゲット表面にある加工屑やちりやゴミが除去されてしまうので、初期アークの発生が防止される。
【００３５】
本発明の第１０の態様は、第９の態様において、前記水として純水を噴射することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法にある。
【００３６】
かかる第１０の態様では、純水が所定の圧力でターゲット表面に噴射されて衝突することにより、マイクロクラックが除去されると共にターゲット表面にある加工屑やちりやゴミが除去される。
【００３７】
本発明の第１１の態様は、第９又は１０の態様において、前記水の噴射圧力を１ＭＰａ〜２５０ＭＰａの範囲内とすることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法にある。
【００３８】
かかる第１１の態様では、水が所定の圧力でターゲット表面に噴射されて衝突することにより、マイクロクラックが有効に除去され、且つターゲット表面にある加工屑やちりやゴミが除去され、初期アークの発生が防止される。
【００３９】
本発明の第１２の態様では、第９〜１１の何れかの態様において、前記表面処理を製造工程の最終段階で行うことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法にある。
【００４０】
かかる第１２の態様では、水の噴射による表面処理をできるだけ最終段階で行うことにより、初期アークが効果的に低減できる。
【００４１】
本発明の第１３の態様は、第９〜１２の何れかの態様において、ターゲットをバッキングプレートに接合した後に前記表面処理を行うことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法にある。
【００４２】
かかる第１３の態様では、水の噴射による表面処理であるので、バッキングプレートに接合した後にも行うことができ、より効果的に初期アークが低減できる。
【００４３】
本発明の第１４の態様は、第９〜１３の何れかの態様において、当該ターゲットがセラミックスからなることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法にある。
【００４４】
かかる第１４の態様では、セラミックスターゲットの研削等の加工時に生じるバリや研削粉が水の噴射による表面処理により除去される。
【００４５】
本発明の第１５の態様は、第１４の態様において、当該ターゲットが、酸化インジウム及び酸化スズの少なくとも一方を含む酸化物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法にある。
【００４６】
かかる第１５の態様では、水の噴射による表面処理によりＩＴＯスパッタリングターゲットの初期安定性が著しく向上する。
【００４７】
本発明では、スパッタリングターゲットの表面仕上げを高圧水を吹き付けることにより行うようにしたので、ちりやゴミや手脂などの汚れ、及び研削（又は研磨）等の加工時に生じるバリや研削粉、さらにはマイクロクラック等が除去され、当該スパッタリングターゲットの使い始めに初期アークがほとんど発生せず、予備運転をほとんど行うことなく薄膜製造に移行することができ、初期安定性を著しく向上することができる。
【００４８】
さらに、本発明によると、ターゲット表面の表面粗さに依存することなく初期アークが防止できるので、エロージョン部を含め、非エロージョン部を粗面とすることができ、連続的にスパッタリングを行う際に薄膜形成基板に付着しなかったターゲット粒子を非エロージョン部の粗面で付着物として有効にトラップすることができ、スパッタリング中期から後期にかけて発生するパーティクルを抑制し、クリーニング回数を低減するという効果も奏する。
【００４９】
本発明では、表面研削工程を経て製造されたスパッタリングターゲットの表面に、水を所定の圧力で噴射することにより表面処理を施すことで、ショット材の回収の必要がないという利点だけでなく、スパッタリングターゲットの表面粗さにほとんど影響を与えることなく、初期アークの原因となるマイクロクラックを有効に除去できるという新たな知見に基づいて完成されたものである。
【００５０】
ここで、表面処理に用いる水としては、実質的に不純物が混入しておらず、且つ不純物が溶解していないものを用いるのが好ましく、脱イオン水、蒸留水などの、いわゆる純水を用いるのが好ましい。勿論、スパッタリングターゲットの表面に影響を与えない液体、例えば、各種アルコール等の親水性溶媒を混合して使用してもよく、純水に限定されるものではない。また、高圧水を噴出する際に、ガス媒体を同時に噴射するようにしてもよい。
【００５１】
また、本発明では、スパッタリングターゲットの表面に対して噴射される高圧水は、例えば、１ＭＰａ〜２５０ＭＰａの範囲内の圧力で噴射されるものであり、１００ＭＰａ〜２５０ＭＰａの圧力とするのがさらに好ましい。これは、水の噴射圧力を高めると、噴射時間によっても異なるが、スパッタリングターゲットの全表面に対する表面研削工程後の研削跡残存率を４０％以下、さらに好ましくは研削跡残存率を１０％以下とすることができる。このように、水の噴射圧力を所定値に設定することにより、表面研削工程で形成されるマイクロクラック等を効率よく除去できるので、初期アークを大幅に低減でき、初期安定性を向上できる。
【００５２】
ここで、研削跡とは、研削砥石の移動した跡であり、通常、平行に複数本形成されるが、残存率が４０％以下とは、研削跡の凹凸の程度が平均的に４０％以下に低減したことをいう。
【００５３】
このような高圧水の噴射方法は特に限定されず、例えば、所定の圧力で噴出するノズル等を用いた方法が挙げられる。また、噴射時間は、噴射方法、噴射圧力等によっても異なるが、研削跡が４０％以下となる程度を目安とすればよい。
【００５４】
本発明が適用できるスパッタリングターゲットは特に限定されず、酸化物などからなるセラミックスターゲットに好適に適用できる。このような酸化物の粉末材料を焼結して得られるセラミックスのターゲットでは、厚さ調整のための研削や表面研磨において、マイクロクラックができやすいので、本発明を効果的に適用できる。この中でも、酸化インジウム及び酸化スズを含む酸化物からなるＩＴＯスパッタリングターゲットでは、効率的なスパッタリングを目指して高度な初期安定性が要求されているので、本発明を特に効果的に適用できる。
【００５５】
本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法の一例をセラミックスターゲットを例として説明する。
【００５６】
まず、原料となる粉末を、所望の配合率で混合し、従来から公知の各種湿式法又は乾式法を用いて成形し、焼成する。
【００５７】
乾式法としては、コールドプレス（Ｃｏｌｄ  Ｐｒｅｓｓ）法やホットプレス（Ｈｏｔ  Ｐｒｅｓｓ）法等を挙げることができる。コールドプレス法では、混合粉を成形型に充填して成形体を作製し、大気雰囲気下または酸素雰囲気下で焼成・焼結させる。ホットプレス法では、混合粉を成形型内で直接焼結させる。
【００５８】
湿式法としては、例えば、濾過成形法（特開平１１−２８６００２号公報参照）を用いるのが好ましい。この濾過成形法は、セラミックス原料スラリーから水分を減圧排水して成形体を得るための非水溶性材料からなる濾過式成形型であって、１個以上の水抜き孔を有する成形用下型と、この成形用下型の上に載置した通水性を有するフィルターと、このフィルターをシールするためのシール材を介して上面側から挟持する成形用型枠からなり、前記成形用下型、成形用型枠、シール材、およびフィルターが各々分解できるように組立てられており、該フィルター面側からのみスラリー中の水分を減圧排水する濾過式成形型を用い、混合粉、イオン交換水と有機添加剤からなるスラリーを調製し、このスラリーを濾過式成形型に注入し、該フィルター面側からのみスラリー中の水分を減圧排水して成形体を製作し、得られたセラミックス成形体を乾燥脱脂後、焼成する。
【００５９】
各方法において、焼成温度は、例えば、ＩＴＯターゲットの場合には、１３００〜１６００℃が好ましく、さらに好ましくは、１４５０〜１６００℃である。その後、所定寸法に成形・加工のための機械加工を施しターゲットとする。
【００６０】
一般的には、成形後、厚さ調整のために表面を研削し、さらに、表面を平滑にするために、何段階かの研磨を施す。本発明の高圧水による表面処理は、厚さ調整の研削後に行っても、研磨後に行ってもよい。何れにしても、水による表面処理を行った後には、その後の研磨等の処理はいっさい行わない。
【００６１】
このような水による表面処理を施すことにより、たとえ、表面が平滑でなくても、研削時に生じるマイクロクラックや使用時の熱衝撃により脱離し易い箇所が除去されると考えられる。すなわち、本発明を適用する場合には、厚さ調整の研削を行った後、表面を研磨する工程を省略することができ、さらには、研削工程の後の研磨工程を省いて水による表面処理を行うのが好ましい。また、これにより、ボンディング面を除くターゲット表面の全部又は一部を粗面とすることにより、連続的にスパッタリングを行う際に薄膜形成基板に付着しなかったターゲット粒子を付着物としてトラップすることができ、スパッタリング中期から後期にかけて発生するパーティクルを抑制し、クリーニング回数を低減することができるという利点もある。
【００６２】
従って、本発明のスパッタリングターゲットの表面粗さＲａは、従来好ましいとされている０．５μｍより大きく、０．８μｍ以上、例えば、０．８μｍ〜１０μｍの範囲にあってもよい。また、勿論、これより小さくてもよく、例えば、０．０５μｍ以上、すなわち、０．０５μｍ〜０．８μｍであってもよい。これは、表面粗さＲａが０．８μｍより大きくても、水による表面処理が施されているので、マイクロクラックが除去されており、初期アークが大幅に低減し、初期安定性が向上するからである。また、水による表面処理により表面粗さＲａが大きくなる傾向があるので、結果的に表面粗さが大きくなったものでもよい。さらに、厚さ調整の後、通常のブラスト処理をして表面を粗面としたものを、水により表面処理してもよい。
【００６３】
また、従来においては、研磨工程が完了した後、ターゲットをバッキングプレートに接合してスパッタリングターゲットとするが、本発明の水による表面処理はバッキングプレートに接合した後にも行うことができる。また、製造されたスパッタリングターゲットの初期安定性を考慮すると、バッキングプレートに接合した後に行うのが好ましい。高圧水による表面処理の後にちり、ゴミ等が表面に付着するのを防止するためである。
【００６４】
従って、本発明の水による表面処理を行った後、直ぐに梱包するのが好ましい。なお、樹脂製フィルムで梱包する場合には、樹脂製フィルムと接触したターゲット表面にパーティクルが転写される虞があるので、離脱性パーティクルが含有されない樹脂製フィルムを用いるのが好ましく、また、表面に何も接触しないような梱包を行うのが好ましい。
【００６５】
以上説明したように、高圧水を用いた表面処理によれば、ショット材の回収の必要がないという利点だけでなく、スパッタリングターゲットの表面粗さにほとんど影響を与えることなく、初期アークの原因となるマイクロクラックを有効に除去できるという新たな効果を奏するものである。
【発明の効果】
【００６６】
以上説明したように、本発明によれば、ターゲット表面に水を所定の圧力で噴射することによる表面処理により、パーティクルの発生原因となるマイクロクラックを除去すると共に、ターゲット表面にある加工屑や包装前に付着したちりやゴミを除去し、アーキングやパーティクルの発生を防止するという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６７】
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、これに限定されるものではない。
【実施例】
【００６８】
（実施例１）
ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２＝９０：１０ｗｔ％）ターゲットで密度９９．８％の板材を焼成し、この板材から、直径４インチで厚さ６ｍｍのターゲットを作製した。このターゲットの表面を研削するにあたり、平面研削盤に＃１７０のダイヤ砥石を装着し表面の加工を行った。その後、３０ＭＰａの圧力で純水をターゲット表面に噴射した。噴射後は、真空乾燥機で乾燥した。乾燥後のターゲットをＩｎにて銅製バッキングプレートにボンディングした。ボンディング後ターゲット周辺にはみ出したＩｎやバッキングプレートに付着したＩｎ、バッキングプレートの酸化物除去のためにサンドペーパーにて磨き上げた。そして、削り屑を除去するためにターゲット及びバッキングプレートの表面をイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で拭き上げ、実施例１のターゲットとした。
【００６９】
（実施例２）
ダイヤ砥石による表面加工後は、純水で表面を流すのみの洗浄に留め、削り屑を除去するためにターゲット及びバッキングプレートの表面をイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で拭き上げた後に、７０ＭＰａの圧力で純水をターゲット表面に噴射した以外は、実施例１と同様にし、実施例２のターゲットとした。
【００７０】
（比較例１）
実施例１と同様なＩＴＯターゲットを＃１７０のダイヤ砥石で加工した後、純水で超音波洗浄器にて洗浄後、真空乾燥機で乾燥した。その後、乾燥後のターゲットをＩｎにて銅製バッキングプレートにボンディングし、ボンディング後ターゲット周辺にはみ出したＩｎやバッキングプレートに付着したＩｎ、バッキングプレートの酸化物除去のためにサンドペーパーにて磨き上げた。最後にサンドペーパーによる削り屑を除去するためにターゲット及びバッキングプレートの表面をＩＰＡで拭き上げ、比較例１のターゲットとした。
【００７１】
（試験例）
実施例１、２及び比較例１のターゲットをスパッタ装置に装着し、下記条件にてスパッタを行い、ランドマークテクノロジー社のアークカウンターにて、スパッタ時に発生するアーキングの累積発生回数をカウントした。その結果を表１に示す。
【００７２】
また、平面研削跡の残存率は、５００倍の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）（日立ＳＥＭで５００倍相当）を用い、観察視野が２４６μｍ×１８５μｍの範囲において研削跡が残った部分を面積比で算出することにより測定した。
【００７３】
また、実施例１及び比較例１のＳＥＭ写真をそれぞれ図１及び図２に示す。
【００７４】
スパッタ条件：
プロセス圧力（Ａｒ）＝３ｍＴｏｒｒ
酸素分圧（Ｏ２）＝１×１０−５Ｔｏｒｒ
投入電力＝３Ｗ／ｃｍ  ２
投入積算電力量＝１２０Ｗｈｒ／ｃｍ２
【００７５】
【表１】
2005042169.tif 000002
【００７６】
以上の結果から、水による表面処理により、表面粗さにかかわらず、累積アーク回数が大幅に低減され、初期安定性が大幅に向上すると共に長期的にもアークが低減されることが確認された。また、水の噴射圧力を大きく設定することにより、平面研削跡残存率が４０％以下、特に、噴射圧力が７０ＭＰａでは１５％以下となり、累積アーク回数が大幅に低減されていることも確認された。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の実施例１の５００倍の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した表面状態を示す図である。
【図２】本発明の比較例１の５００倍の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した表面状態を示す図である。
【図１】
2005042169.tif 000003
【図２】
2005042169.tif 000004