(57)【要約】【課題】  圧力センサと温度センサとを１つのチップに集積化して複合センサを実現することにおいて、より正確に圧力と温度とを測定できる複合センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】  複合センサは、外部圧力変化に応じて抵抗値が変化する多数のピエゾ抵抗を備え、多数のピエゾ抵抗は外部圧力による圧電効果が第１の所定レベル以上になる方向に配置される圧力センサと、温度変化に応じて抵抗値が変化する抵抗を備え、抵抗は外部圧力による圧電効果が第２の所定レベル以下になる方向に配置される温度センサとを含む。これにより、圧力センサと温度センサとを１つのチップに集積化することができ、それぞれのセンサは、より正確に圧力と温度とを感知することができ、特に温度センサの場合に外部圧力変化に対応した圧電効果によって発生する温度感知上の誤差を排除することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部圧力変化に応じて抵抗値が変化する多数のピエゾ抵抗を備え、前記多数のピエゾ抵抗は前記外部圧力による圧電効果が第１の所定レベル以上になる方向に配置される圧力センサと、
温度変化に応じて抵抗値が変化する抵抗を備え、前記抵抗は前記外部圧力による圧電効果が第２の所定レベル以下になる方向に配置される温度センサと、
を含むことを特徴とする複合センサ。
【請求項２】
前記外部圧力の方向がｚ軸（００１）方向であるとき、前記圧力センサに設けられる前記多数のピエゾ抵抗は、ｘ軸（１００）方向で±５度以内の方向及びｙ軸（０１０）方向で±５度以内の方向のうちいずれか１つの方向に配置されることを特徴とする請求項１に記載の複合センサ。
【請求項３】
前記圧力センサに設けられる前記多数のピエゾ抵抗は、前記外部圧力による圧電効果が極大化される方向に配置され、
前記温度センサに設けられる前記抵抗は、前記外部圧力による圧電効果が極小化される方向に配置されることを特徴とする請求項１に記載の複合センサ。
【請求項４】
前記外部圧力の方向がｚ軸（００１）方向であるとき、前記圧力センサに設けられる前記多数のピエゾ抵抗は、ｘ軸（１００）方向及びｙ軸（０１０）方向のうちいずれか１つの方向に配置されることを特徴とする請求項３に記載の複合センサ。
【請求項５】
前記多数のピエゾ抵抗は、ｘ軸（１００）方向及びｙ軸（０１０）方向のそれぞれの方向に関して交互に所定回数以上のジグザグ状に形成されるパターンであることを特徴とする請求項４に記載の複合センサ。
【請求項６】
前記外部圧力の方向がｚ軸（００１）方向であるとき、前記温度センサに設けられる前記抵抗は、ｘｙ平面上でｙ軸（０１０）方向と４０度〜５０度及び−５０度〜−４０度のうちいずれか１つの角度を成す方向に配置されることを特徴とする請求項１に記載の複合センサ。
【請求項７】
前記外部圧力の方向がｚ軸（００１）方向であるとき、前記温度センサに設けられる前記抵抗は、ｘｙ平面上でｙ軸（０１０）方向と約４５度（１１０）及び約−４５度（−１１０）を成す方向のいずれか１つの方向に配置されることを特徴とする請求項６に記載の複合センサ。
【請求項８】
前記抵抗は、（１１０）方向及び（−１１０）方向に関して交互に所定回数以上ジグザグ状に形成されるパターンであることを特徴とする請求項７に記載の複合センサ。
【請求項９】
前記多数のピエゾ抵抗の配列方向と前記抵抗の配列方向とが成す角度が、４０度〜５０度のうちいずれか１つの角度であることを特徴とする請求項１に記載の複合センサ。
【請求項１０】
前記多数のピエゾ抵抗の配列方向と前記抵抗の配列方向とが成す角度が、約４５度であることを特徴とする請求項９に記載の複合センサ。
【請求項１１】
外部圧力と温度とを感知できる複合センサの製造方法であって、
前記外部圧力変化に応じて抵抗値が変化する多数のピエゾ抵抗を前記外部圧力による圧電効果が第１の所定レベル以上になる方向に形成する段階と、
前記温度変化に応じて抵抗値が変化する抵抗を前記外部圧力による圧電効果が第２の所定レベル以下になる方向に形成する段階と、
を含むことを特徴とする複合センサの製造方法。
【請求項１２】
前記外部圧力の方向がｚ軸（００１）方向であるとき、前記多数のピエゾ抵抗はｘ軸（１００）方向で±５度以内の方向及びｙ軸（０１０）方向で±５度以内の方向のいずれか１つの方向に形成することを特徴とする請求項１１に記載の複合センサの製造方法。
【請求項１３】
前記多数のピエゾ抵抗は、前記外部圧力による圧電効果が極大化される方向に配置され、
前記抵抗は、前記外部圧力による圧電効果が極小化される方向に配置されることを特徴とする請求項１１に記載の複合センサの製造方法。
【請求項１４】
前記外部圧力の方向がｚ軸（００１）方向であるとき、前記多数のピエゾ抵抗はｘ軸（１００）方向及びｙ軸（０１０）方向のいずれか１つの方向に形成することを特徴とする請求項１３に記載の複合センサの製造方法。
【請求項１５】
前記多数のピエゾ抵抗は、ｘ軸（１００）方向及びｙ軸（０１０）方向に関して交互に所定回数以上のジグザグ状のパターンに形成することを特徴とする請求項１４に記載の複合センサの製造方法。
【請求項１６】
前記外部圧力の方向がｚ軸（００１）方向であるとき、前記温度センサに設けられる前記抵抗は、ｘｙ平面上でｙ軸（０１０）方向と４０度〜５０度及び−５０度〜−４０度のうちいずれか１つの角度を成す方向に配置されることを特徴とする請求項１１に記載の複合センサの製造方法。
【請求項１７】
前記外部圧力の方向がｚ軸（００１）方向であるとき、前記温度センサに設けられる前記抵抗は、ｘｙ平面上でｙ軸（０１０）方向と約４５度（１１０）及び約−４５度（−１１０）を成す方向のいずれか１つの方向に配置されることを特徴とする請求項１６に記載の複合センサの製造方法。
【請求項１８】
前記抵抗は、（１１０）方向及び（−１１０）方向に関して交互に所定回数以上のジグザグ状に形成されるパターンであることを特徴とする請求項１７に記載の複合センサの製造方法。
【請求項１９】
前記多数のピエゾ抵抗の配列方向と前記抵抗の配列方向とが成す角度が、４０度〜５０度のうちいずれか１つの角度であることを特徴とする請求項１１に記載の複合センサの製造方法。
【請求項２０】
前記多数のピエゾ抵抗の配列方向と前記抵抗の配列方向とが成す角度は、約４５度であることを特徴とする請求項１９に記載の複合センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合センサ及びその製造方法に係り、より詳しくは、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）技術を用いて圧力センサと温度センサとを１つのチップに集積化した複合センサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ技術は、機械的部品を半導体工程を用いて電気的素子に実現する技術であって、これを用いれば数μｍ以下の超微細構造を持った機械・装備を設計することができるという点で、電子・機械・医療・防衛産業など全産業分野に大きな変革を呼び起こすことと予測している。特に、最近脚光を浴びているＭＥＭＳ技術で製造されたセンサは、一般に超小型に製造することができるため、携帯電話のような各種小型機器などに内蔵することによって、多様な情報を感知して提供するように構成できる。
【０００３】
圧力センサは、外部圧力を感知するためのセンサである。圧力センサによって感知される圧力は、温度の影響により誤差が生じる可能性がある。従って、正確な外部圧力を測定するためには、温度による誤差を補正する必要があり、温度を感知するための温度センサを設ける必要がある。
従来では、このような圧力センサと温度センサとをそれぞれ個別的に製作した後、半導体基板などにパッケージング（ｐａｃｋａｇｉｎｇ）する工程によって集積する方式であった。こうした従来方式は、集積化されたセンサにより全体形状が大きくなり、電力消費が相対的に大きいという問題点を有している。したがって、小型化が要求されるＭＥＭＳに適用するセンサをよりコンパクトしに集積化できる方法の開発が要請される。
【０００４】
また、温度センサは、温度を測定することにおいて、外部圧力によって誤差が発生するおそれがある。従って、温度センサが外部圧力による影響を受けずに正確に温度を測定できる方法が要求される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前記のような問題点を解決するためになされたものであって、圧力センサと温度センサとを１つのチップに集積化して複合センサを実現する際に、より正確に圧力と温度とを測定できる複合センサ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するための本発明による複合センサは、外部圧力変化に応じて抵抗値が変化する多数のピエゾ抵抗を備え、多数のピエゾ抵抗は外部圧力による圧電効果が第１の所定レベル以上になる方向に配置される圧力センサと、温度変化に応じて抵抗値が変化する抵抗を備え、抵抗は外部圧力による圧電効果が第２の所定レベル以下になる方向に配置される温度センサとを含む。
【０００７】
そして、外部圧力の方向がｚ軸（００１）方向であるとき、圧力センサに設けられる多数のピエゾ抵抗は、ｘ軸（１００）方向で±５度以内の方向及びｙ軸（０１０）方向で±５度以内の方向のうちいずれか１つの方向に配置されることが好ましい。
また、圧力センサに設けられる多数のピエゾ抵抗は、外部圧力による圧電効果が極大化する方向に配置され、温度センサに設けられる抵抗は、外部圧力による圧電効果が極小化する方向に配置することができる。
【０００８】
そして、外部圧力の方向がｚ軸（００１）方向であるとき、圧力センサに設けられる多数のピエゾ抵抗は、ｘ軸（１００）方向及びｙ軸（０１０）方向のうちいずれか１つの方向に配置することができる。
また、多数のピエゾ抵抗は、ｘ軸（１００）方向及びｙ軸（０１０）方向に関して交互に所定回数以上ジグザグ状に形成されるパターンとすることができる。
【０００９】
そして、外部圧力の方向がｚ軸（００１）方向であるとき、温度センサに設けられる抵抗は、ｘｙ平面上でｙ軸（０１０）方向と４０度〜５０度及び−５０度〜−４０度のうちいずれか１つの角度を成す方向に配置されることが好ましい。
また、外部圧力の方向がｚ軸（００１）方向であるとき、温度センサに設けられる抵抗は、ｘｙ平面上でｙ軸（０１０）方向と約４５度（１１０）及び約−４５度（−１１０）を成す方向のうちいずれか１つの方向に配置することができる。
【００１０】
そして、抵抗は、（１１０）方向及び（−１１０）方向に関して交互に所定回数以上ジグザグ状に形成されるパターンとすることができる。
また、多数のピエゾ抵抗の配列方向と抵抗の配列方向とが成す角度は、４０度〜５０度のうちいずれか１つの角度であることが好ましい。
そして、多数のピエゾ抵抗の配列方向と抵抗の配列方向とが成す角度は、約４５度とすることができる。
【００１１】
一方、本発明による、外部圧力と温度とを感知できる複合センサの製造方法は、外部圧力変化に応じて抵抗値が変化する多数のピエゾ抵抗を外部圧力による圧電効果が第１の所定レベル以上になる方向に形成する段階と、温度変化に応じて抵抗値が変化する抵抗を外部圧力による圧電効果が第２の所定レベル以下になる方向に形成する段階とを含む。
そして、外部圧力の方向がｚ軸（００１）方向であるとき、多数のピエゾ抵抗はｘ軸（１００）方向で±５度以内の方向及びｙ軸（０１０）方向で±５度以内の方向のうちいずれか１つの方向に形成することが好ましい。
【００１２】
また、多数のピエゾ抵抗は外部圧力による圧電効果が極大化する方向に配置され、抵抗は外部圧力による圧電効果が極小化する方向に配置することができる。
そして、外部圧力の方向がｚ軸（００１）方向であるとき、多数のピエゾ抵抗はｘ軸（１００）方向及びｙ軸（０１０）方向のうちいずれか１つの方向に形成することができる。
【００１３】
また、多数のピエゾ抵抗は、ｘ軸（１００）方向及びｙ軸（０１０）方向に関して交互に所定回数以上のジグザグ状のパターンに形成することができる。
そして、外部圧力の方向がｚ軸（００１）方向であるとき、温度センサに設けられる抵抗は、ｘｙ平面上でｙ軸（０１０）方向と４０度〜５０度及び−５０度〜−４０度のうちいずれか１つの角度を成す方向に配置されることが好ましい。
【００１４】
また、外部圧力の方向がｚ軸（００１）方向であるとき、温度センサに設けられる抵抗は、ｘｙ平面上でｙ軸（０１０）方向と約４５度（１１０）及び約−４５度（−１１０）を成す方向のうちいずれか１つの方向に配置することができる。
そして、抵抗は、（１１０）方向及び（−１１０）方向に関して交互に所定回数以上のジグザグ状に形成されるパターンとすることができる。
【００１５】
また、多数のピエゾ抵抗の配列方向と抵抗の配列方向とが成す角度は、４０度〜５０度のうちいずれか１つの角度であることが好ましい。
そして、多数のピエゾ抵抗の配列方向と抵抗の配列方向とが成す角度は、約４５度とすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、圧力センサと温度センサとを１つのチップに集積化することができ、それぞれのセンサはより正確に圧力と温度とを感知することができる。特に、温度センサの場合、外部圧力変化に対応する圧電効果により発生する温度感知上の誤差を排除することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付した図面を参照して、本発明についてより詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態による、単一チップに集積化された複合センサの平面図であり、図２は図１の線Ｉ−Ｉ'に沿った複合センサの断面図である。
図１及び図２に示すように、ＭＥＭＳ複合センサは、シリコンウェーハ１００とそれに形成された圧力センサ１２０及び温度センサ１３０を備える１つのチップで実現される。
【００１８】
シリコンウェーハ１００の上面には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2層）１１０と第１のＳｉ3Ｎ4膜１４１が形成されており、シリコンウェーハ１００の下面にはガラス基板２００が接合されている。
そして、シリコンウェーハ１００には、ピエゾ抵抗１２１、抵抗１３１が形成されている。また、外部圧力変化に応じる応力変化が発生するようにピエゾ抵抗１２１の下部に該当するシリコンウェーハ１００の領域には真空室１６０が形成されている。
【００１９】
圧力センサ１２０は、ピエゾ抵抗型センサである。圧力センサ１２０は、多数のピエゾ抵抗１２１と、ワイヤー１２３及び電極１２５とを含む。
ピエゾ抵抗１２１は、シリコンウェーハ１００の所定領域を所定厚さの硼素イオンＢ+にドーピング処理して形成される。ピエゾ抵抗１２１は、ワイヤー１２３によって電極１２５に接続される。
【００２０】
外部圧力が発生すると、シリコンウェーハ１００に外部圧力に相応する応力が発生し、このように発生した応力変化によってシリコンウェーハ１００に形成された多数のピエゾ抵抗１２１の抵抗値が変化する。外部回路（図示せず）において、ピエゾ抵抗１２１の抵抗値変化に対応する電圧値を検出することによって、外部圧力を測定することができる。
ピエゾ抵抗１２１は、外部圧力変化に応じる圧電効果（ＰｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃＥｆｆｅｃｔ）が‘極大化’するように配置されることが好ましい。圧電効果が極大化するように配置すれば、外部圧力変化に応じるピエゾ抵抗１２１の抵抗値の変化が極大化されて、外部圧力をより正確に感知することができるためである。一方、外部圧力変化に応じる圧電効果が‘極大化’するようにピエゾ抵抗１２１を配置することが不可能であれば、外部圧力変化に応じる圧電効果が所定レベル以上になるようにピエゾ抵抗１２１を配置することが好ましい。
【００２１】
図１の右側上部に示された方向系で、外部圧力の方向がｚ軸（図示せず）方向（（００１）方向）である場合に、ピエゾ抵抗１２１が、ｘ軸方向（（１００）方向）やｙ軸方向（（０１０）方向）に配置されるとき、圧電効果が極大化して抵抗値の変化が極大化し、その結果圧力感知度が優れたものとなる。一方、ｘ軸方向（（１００）方向）やｙ軸方向（（０１０）方向）にピエゾ抵抗１２１を配置することが不可能であれば、ｘ軸方向（（１００）方向）で±５度以内の方向やｙ軸方向（（０１０）方向）で±５度以内の方向にピエゾ抵抗１２１を配置することが好ましい。
【００２２】
これにより、図１に示された多数のピエゾ抵抗１２１は、（１００）方向や（０１０）方向に配置される。示されたピエゾ抵抗１２１は、ジグザグパターンであり、これらは交互に（１００）方向と（０１０）方向にジグザグ状に形成されている。その結果、ピエゾ抵抗１２１の配置方向は（１００）方向又は（０１０）方向なので、ピエゾ抵抗１２１は優秀な圧力感知度を有する。
【００２３】
温度センサ１３０は、抵抗値を検出して温度を感知するが、抵抗１３１とパッド１３３とを備える。抵抗１３１は、温度変化についてその抵抗値が比例する物質として、例えばＰｔ、Ｎｉ、ポリシリコンなどで実現することができる。抵抗１３１の両端には、外部回路（図示せず）に接続されるパッド１３３が形成される。
抵抗１３１は、温度変化によってのみ抵抗値が変化することで、正確な温度感知が可能となる。すなわち、温度ではない他の要素によって、抵抗１３１の抵抗値が変化すれば、誤差が発生する。ところで、抵抗１３１には外部圧力変化に応じて圧電効果が発生する。この際、抵抗１３１は、圧電効果によって抵抗値が変動し、これにより温度感知において誤差が発生する。
【００２４】
したがって、抵抗１３１は、外部圧力変化に応じる圧電効果が‘極小化’するように配置することが好ましい。圧電効果が極小化する方向に配置されれば、外部圧力変化に応じる抵抗１３１の抵抗値の変化が極小化して、温度値のより正確な感知が可能となるためである。一方、外部圧力変化に応じる圧電効果が‘極小化’するように抵抗１３１を配置することが不可能であれば、外部圧力変化に応じる圧電効果が所定レベル以下になるように抵抗１３１を配置することが好ましい。
【００２５】
図１の右側上部に示された方向系で外部圧力の方向がｚ軸（図示せず）方向（（００１）方向）である場合に、抵抗１３１はｙ軸を基準に±４５度方向、すなわち（１１０）方向や（−１１０）方向に配置されるとき、圧電係数（Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）が‘０’になって圧電効果が極小化する。その結果、外部圧力変化に応じる抵抗値の変化が極小化して、温度感知度が優れたものとなる。一方、ｙ軸を基準に±４５度方向に抵抗１３１を配置することが不可能であれば、ｙ軸を基準に４０度〜５０度方向のうちいずれか１つの方向、又は−５０度〜−４０度のうちいずれか１つの方向に抵抗１３１を配置することが好ましい。
【００２６】
これにより、図１に示された抵抗１３１は、（１１０）方向や（−１１０）方向に配置される。示された抵抗１３１は、ジグザグ状のパターンであり、これらは交互に（１１０）方向と（−１１０）方向にジグザグ状に形成されている。抵抗１３１の配置方向は、(１１０)方向又は（−１１０）方向なので、抵抗１３１は優秀な温度感知度を有することとなる。この際、抵抗１３１の配置方向と多数のピエゾ抵抗１２１の配置方向とが成す角度は約４５度になる。
【００２７】
以下では、図３Ａ〜図３Ｈを参照して、図１の線Ｉ−Ｉ'に沿って取った複合センサの製造工程について詳細に説明する。
先ず、図３Ａに示すように、シリコンウェーハ１００の上面にＳｉＯ2を所定厚さで蒸着してシリコン酸化膜１１０を形成する。
その後、図３Ｂに示すように、フォトリソグラフィック工程を通じてシリコン酸化膜１１０をパターニングして、温度センサの抵抗のパターン１１０−１と圧力センサのピエゾ抵抗のパターン１１０−２，１１０−３とを形成する。
【００２８】
この際、温度センサの抵抗は、外部圧力変化に応じる圧電効果が極小化して、抵抗値の変化が極小化するように構成するために、抵抗のパターン１１０−１を交互に（１１０）方向と（−１１０）方向にジグザグ状に形成する。
そして、圧力センサのピエゾ抵抗は、外部圧力変化に応じる圧電効果が極大化して抵抗値の変化が極大化するように構成するために、ピエゾ抵抗のパターン１１０−２，１１０−３を交互に（１００）方向と（０１０）方向にジグザグ状に形成する。
【００２９】
その後、図３Ｃに示すように、拡散法・合金法・イオン注入法などを用いて、シリコンウェーハ１００の対応部分の中に硼素イオンをドーピングして、圧力センサのピエゾ抵抗１２１と温度センサの抵抗１３１とを形成する。
その後、図３Ｄに示すように、ＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて、シリコン酸化膜１１０、ピエゾ抵抗１２１及び抵抗１３１上に第１のＳｉ3Ｎ4膜１４１を形成し、シリコンウェーハ１００の下面上に第２のＳｉ3Ｎ4膜１４３を形成する。
【００３０】
その後、図３Ｅに示すように、ピエゾ抵抗１２１の下部に該当するシリコンウェーハ１００の領域及び第２のＳｉ3Ｎ4膜１４３の領域をエッチングして、キャビティ１５０を形成する。
その後、図３Ｆに示すように、ピエゾ抵抗１２１と抵抗１３１とを露出させるため、対応するパターンによって第１のＳｉ3Ｎ4膜１４１をエッチングしてホール１４１−１，１４１−２，１４１−３を形成する。
【００３１】
その後、図３Ｇに示すように、第２のＳｉ3Ｎ4膜１４３を除去し、共融ボンディング（ｅｕｔｅｃｔｉｃ  ｂｏｎｄｉｎｇ）を用いてシリコンウェーハ１００とガラス基板２００とを接合して真空室１６０を形成する。
その後、図３Ｈに示すように、Ａｌなどの導電物質を蒸着してホール１４１−１，１４１−２，１４１−３を埋め、第１のＳｉ3Ｎ4膜１４１上に所定厚さの導電膜を形成する。そして、パターンによって導電膜をエッチングして、圧力センサ１２０のワイヤー１２３と電極１２５及び抵抗１３１のパッド１３３とを形成する。
【００３２】
一方、本実施形態では、圧力センサ１２０と温度センサ１３０とを１つのチップに集積化した複合センサを例に挙げて説明した。しがしながら、これは一例に過ぎないことであって、圧力センサ１２０と温度センサ１３０それぞれを別個に実現する場合にも本発明の技術的思想がそのまま適用することができる。これによれば、外部圧力変化に応じる圧電効果を極小化することができる温度センサ１３０のみを実現することもできる。
【００３３】
また、以上では本発明の好適な実施形態について示して説明したが、本発明は詳述した特定の実施形態に限定されなく、特許請求の範囲で請求する本発明の要旨を外れることなく当業者によって多様な変形実施が可能なことは勿論であり、こうした変形実施は本発明の技術的思想や展望から個別的に理解されてはいけないことである。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施形態による単一チップに集積化された複合センサの平面図である。
【図２】図１の線Ｉ−Ｉ'に沿って取った複合センサの断面図である。
【図３Ａ】図１の線Ｉ−Ｉ'に沿って取った複合センサの製造工程の説明に提供される段階別断面図である。
【図３Ｂ】図１の線Ｉ−Ｉ'に沿って取った複合センサの製造工程の説明に提供される段階別断面図である。
【図３Ｃ】図１の線Ｉ−Ｉ'に沿って取った複合センサの製造工程の説明に提供される段階別断面図である。
【図３Ｄ】図１の線Ｉ−Ｉ'に沿って取った複合センサの製造工程の説明に提供される段階別断面図である。
【図３Ｅ】図１の線Ｉ−Ｉ'に沿って取った複合センサの製造工程の説明に提供される段階別断面図である。
【図３Ｆ】図１の線Ｉ−Ｉ'に沿って取った複合センサの製造工程の説明に提供される段階別断面図である。
【図３Ｇ】図１の線Ｉ−Ｉ'に沿って取った複合センサの製造工程の説明に提供される段階別断面図である。
【図３Ｈ】図１の線Ｉ−Ｉ'に沿って取った複合センサの製造工程の説明に提供される段階別断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１００  シリコンウェーハ
１１０  シリコン酸化膜
１２０  圧力センサ
１２１  ピエゾ抵抗
１２３  ワイヤー
１２５  電極
１３０  温度センサ
１３１  抵抗
１３３  パッド
１６０  真空室
２００  ガラス基板
【図１】
2005351901.tif 000003
【図２】
2005351901.tif 000004
【図３Ａ】
2005351901.tif 000005
【図３Ｂ】
2005351901.tif 000006
【図３Ｃ】
2005351901.tif 000007
【図３Ｄ】
2005351901.tif 000008
【図３Ｅ】
2005351901.tif 000009
【図３Ｆ】
2005351901.tif 000010
【図３Ｇ】
2005351901.tif 000011
【図３Ｈ】
2005351901.tif 000012