(57)【要約】【課題】  処理液を安定に塗布することができる共に小型化された基板処理装置及び処理液を安定に塗布することができる基板処理方法を提供する。【解決手段】  垂直搬送ユニット７とレジスト塗布処理ユニットＣＴとが間隔ｈをおいて配置されている。このため、垂直搬送ユニット７の振動によりガラス基板Ｇへのレジストの塗布処理が不安定となることを防止することができる。また、垂直搬送ユニット７の周囲にレジスト塗布処理ユニットＣＴ及び減圧乾燥ユニット５３ｂ、５５ｂが配設されている。このため、垂直搬送ユニット７、減圧乾燥ユニット５３ｂ、５５ｂ及びレジスト塗布処理ユニットＣＴが一方向に並設されることことを回避して、塗布現像処理装置１の小型化を図ることができる。【選択図】  図４
2005142372.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を搬送するための搬送部と、
前記搬送部の周囲であって該搬送部の第１の側に所定の間隔をおいて配置され、前記基板に処理液を塗布する塗布処理部と、
前記搬送部の周囲であって前記第１の側とは異なる第２の側に隣接して配置され、前記基板に塗布された処理液を減圧下で乾燥する第１の減圧乾燥処理部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記第１の減圧乾燥処理部上に配置され、前記基板を載置するための第１の載置部と、
前記搬送部を前記第１の減圧乾燥処理部とで挟むように配置され、前記基板に塗布された処理液を減圧下で乾燥する第２の減圧乾燥処理部と、
前記第２の減圧乾燥処理部上に配置され、前記基板を載置するための第２の載置部と
を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記第１及び第２の減圧乾燥処理部の少なくとも一方は、該第１及び第２の減圧乾燥処理部の内外へ前記基板を搬入出するときに開閉されるゲートバルブを前記搬送部側に有している
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記搬送部と前記塗布処理部とを載置するための基台が分離されている
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記第１の減圧乾燥処理部は、前記搬送部と前記塗布処理部とが配列される配列方向にスライドするスライドカバー、又は、回動可能な開閉カバーを上部に有している
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記搬送部と前記第１の減圧乾燥処理部とに隣接して配置され、前記基板を洗浄乾燥する洗浄乾燥処理部
を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
基板に処理液を塗布する塗布処理部と、
前記塗布処理部に所定の間隔をおいて配置され、前記基板を前記塗布処理部に搬送可能な第１の搬送部と、
前記基板に熱処理する熱処理部と、
前記熱処理部に隣接して配置され、前記基板を該熱処理部に搬送可能な第２の搬送部と、
前記第１の搬送部と前記第２の搬送部との間に配置され、前記基板に塗布された処理液を減圧下で乾燥する減圧乾燥処理部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
基板を搬送するための搬送部と、前記基板に処理液を塗布する塗布処理部とを具備する基板処理装置の基板処理方法であって、
前記搬送部の駆動を停止又は搬送速度を低下させる工程と、
前記搬送部の駆動を停止又は搬送速度を低下させる工程の後に、前記塗布処理部により前記基板に前記処理液を塗布する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
基板を搬送するための搬送部と、前記基板に処理液を塗布する塗布処理部とを具備する基板処理装置の基板処理方法であって、
前記塗布処理部の駆動を停止する工程と、
前記塗布処理部の駆動を停止する工程の後に、前記搬送部の駆動を開始する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示デバイス等に使用されるガラス基板を処理する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等の製造においては、ＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
【０００３】
従来から、ガラス基板に対して一連の処理を施すための複数の処理部を有する装置が用いられている。この装置は、例えば、ガラス基板を搬送するために、装置の長手方向に移動可能な移動（搬送）部材を備えている。この移動部材の移動方向（装置の長手方向）に交差する方向の両側に、複数の液処理ユニットや熱処理ユニットが配設されている。液処理ユニットは、プロセスフローを意識してガラス基板にレジスト液を塗布するレジスト塗布処理ユニット、ガラス基板に塗布されたレジストを減圧下で乾燥するための減圧乾燥ユニット、及び、塗布されたレジストのエッジを除去するためのエッジリムーバなどが装置の長手方向に一列に配列されて構成されている（例えば、特許文献１参照）。  
【特許文献１】特開２００２−３３４９１８号公報（段落[００２１]、[００２３]、図１、図２）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の技術では、装置が移動部材を備えており、レジスト塗布時に、例えば、移動部材がレジスト塗布処理ユニット付近を移動することがあるため、レジストの塗布処理が移動部材による振動の影響を受けやすい。このため、例えば、塗布済みのレジスト中に気泡が入り込んだり、レジストの膜厚が不均一となるなどレジスト塗布処理が不安定になる、という問題がある。
【０００５】
また、特許文献１の技術では、装置が移動部材を案内する搬送軸やレジスト塗布処理ユニット、減圧乾燥ユニット及びエッジリムーバなどが装置の長手方向に一列に配列されているため、装置の全長が大きくなる、という問題がある。
【０００６】
上記事情に鑑み、本発明は、処理液を安定に塗布することができる共に小型化された基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【０００７】
本発明の別の目的は、熱的な影響を与えずに処理液を塗布することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、基板を搬送するための搬送部と、前記搬送部の周囲であって該搬送部の第１の側に所定の間隔をおいて配置され、前記基板に処理液を塗布する塗布処理部と、前記搬送部の周囲であって前記第１の側とは異なる第２の側に隣接して配置され、前記基板に塗布された処理液を減圧下で乾燥する第１の減圧乾燥処理部とを具備する。
【０００９】
このような構成によれば、搬送部と塗布処理部とが所定間隔をおいて配置されているため、搬送部の振動により基板への処理液の塗布処理が不安定となることを抑制することができる。これにより、例えば処理液中に気泡が入り込んだり、塗布膜の膜厚が不均一となることを防止することができる。また、搬送部の周りに塗布処理部及び第１の減圧乾燥処理部が配設されているため、搬送部、第１の減圧乾燥処理部及び塗布処理部が一方向に配列されることを回避して基板処理装置の小型化を図ることができる。本発明において、塗布処理部と搬送部との間隔である「所定の間隔」は、第１の減圧乾燥処理部と搬送部とが「隣接」して配置されるときの当該第１の減圧乾燥処理部と搬送部との間隔より広いものとする。以下、「所定の間隔」と「隣接」とを比較して用いる場合は、以上と同様の趣旨とする。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記第１の減圧乾燥処理部上に配置され、前記基板を載置するための第１の載置部と、前記搬送部を前記第１の減圧乾燥処理部とで挟むように配置され、前記基板に塗布された処理液を減圧下で乾燥する第２の減圧乾燥処理部と、前記第２の減圧乾燥処理部上に配置され、前記基板を載置するための第２の載置部とを更に具備することを特徴とする。このため、搬送部が第１及び第２の減圧乾燥処理部及び第１及び第２の載置部を利用することができるので、処理の効率化を図ることができる。また、第１、第２の減圧乾燥処理部の上に、それぞれ第１、第２の載置部が配置されている。このため、基板処理装置の省スペース化を図ることができる。
【００１１】
本発明の一の形態によれば、前記第１及び第２の減圧乾燥処理部の少なくとも一方は、該第１及び第２の減圧乾燥処理部の内外へ前記基板を搬入出するときに開閉されるゲートバルブを前記搬送部側に有していることを特徴とする。これにより、例えば従来の減圧乾燥処理部の蓋部材が上下動する構造を採用することが不要となるので、第１及び第２の減圧乾燥処理部の上にそれぞれ第１及び第２の載置部を容易に積層することができる。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記搬送部と前記塗布処理部とを載置するための基台が分離されていることを特徴とする。このため、搬送部の振動により塗布処理が不安定になることをより確実に抑制することができる。
【００１３】
本発明の一の形態によれば、前記第１の減圧乾燥処理部は、前記搬送部と前記塗布処理部とが配列される配列方向にスライドするスライドカバー、又は、回動可能な開閉カバーを上部に有していることを特徴とする。これにより、例えば、第１の減圧乾燥処理部の上記配列方向の側に形成されたスペースを利用してスライドカバーを配列方向にスライドさせたり、開閉カバーを回動させたりすることができるので、第１の減圧乾燥処理部内を容易に確認したりメンテナンスしたりすることができる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記搬送部と前記第１の減圧乾燥処理部とに隣接して配置され、前記基板を洗浄乾燥する洗浄乾燥処理部を更に具備することを特徴とする。
【００１５】
本発明の他の観点に係る基板処理装置は、基板に処理液を塗布する塗布処理部と、前記塗布処理部に所定の間隔をおいて配置され、前記基板を前記塗布処理部に搬送可能な第１の搬送部と、前記基板に熱処理する熱処理部と、前記熱処理部に隣接して配置され、前記基板を該熱処理部に搬送可能な第２の搬送部と、前記第１の搬送部と前記第２の搬送部との間に配置され、前記基板に塗布された処理液を減圧下で乾燥する減圧乾燥処理部とを具備する。
【００１６】
このような構成によれば、第１の搬送部と塗布処理部とが所定間隔をおいて配置されているため、第１の搬送部の振動により基板への処理液の塗布処理が不安定となることを抑制することができる。また、第１の搬送部と第２の搬送部との間に減圧乾燥処理部が配置され、つまり、第１の搬送部と第２の搬送部とが減圧乾燥処理部の大きさ分程度の間隔をあけて配置されることになる。したがって、第１の搬送部に所定の間隔をおいて配置された塗布処理部と、第２の搬送部に隣接して配置された熱処理部との距離をあけることができる。これにより、熱処理部が塗布処理部に熱的な影響を与えることを防止することができ、好適な環境で塗布処理することができる。
【００１７】
本発明に係る基板処理方法は、基板を搬送するための搬送部と、前記基板に塗布された処理液を減圧下で乾燥する第１の減圧乾燥処理部とを具備する基板処理装置の基板処理方法であって、前記搬送部を停止又は搬送速度を低下させる工程と、前記搬送部を停止又は搬送速度を低下させる工程の後に、前記塗布処理部により前記基板に前記処理液を塗布する工程とを具備する。
【００１８】
これにより、搬送部の振動が抑制された状態で、塗布処理部により基板に処理液を塗布することができる。
【００１９】
本発明の他の観点に係る基板処理方法は、基板を搬送するための搬送部と、前記基板に塗布された処理液を減圧下で乾燥する第１の減圧乾燥処理部とを具備する基板処理装置の基板処理方法であって、前記塗布処理部の駆動を停止する工程と、前記塗布処理部の駆動を停止する工程の後に、前記搬送部の駆動を開始する工程とを具備する。
【００２０】
これにより、塗布処理部の処理に対する搬送部、第１の減圧乾燥処理部の振動の影響をなくすことができる。
【発明の効果】
【００２１】
以上説明したように、本発明によれば、処理液を安定に塗布することができる共に基板処理装置を小型化することができる。また、熱的な影響を与えずに好適な環境で処理液を塗布することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００２３】
[第１実施形態]
図１は本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布現像処理装置を示す平面図であり、図２はその正面図、また図３はその背面図である。
【００２４】
この塗布現像処理装置１は、複数のガラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション２と、ガラス基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部３と、露光装置３２との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェース部４とを備えており、処理部３の両端にそれぞれカセットステーション２及びインターフェース部４が配置されている。
【００２５】
カセットステーション２は、カセットＣと処理部３との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション２においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部３との間でガラス基板Ｇの搬送が行われる。
【００２６】
処理部３には、Ｘ方向に沿ってガラス基板Ｇにレジストの塗布、乾燥処理を施すレジスト塗布処理ブロック１５を含む各処理ユニットが並設された上流部３ｂ及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）を含む各処理ユニットが並設された下流部３ｃとが設けられている。
【００２７】
上流部３ｂにおいて、カセットステーション２側端部には、カセットステーション２側から、ガラス基板Ｇ上の有機物を除去するためのエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９と、ガラス基板Ｇにスクラビングブラシで洗浄処理を施すスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０とが設けられている。
【００２８】
スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０の隣には、ガラス基板Ｇに対して熱的処理を行うユニットが多段に積み上げられた熱処理系ブロック２４が配置されている。熱処理系ブロック２４の隣り（図１の上側）には、ガラス基板Ｇを搬送するための図示を省略した搬送アームを有する垂直搬送ユニット（Ｓ／Ａ）５が配置されている。垂直搬送ユニット５の搬送アームは、後述するように、Ｘ、Ｙ及びＺ方向に移動可能とされ、かつθ方向に回動可能とされている。すなわち、垂直搬送ユニット５の搬送アームが熱処理系ブロック２４における各熱処理系ブロックにアクセスしてガラス基板Ｇの搬送が行われるようになっている。なお、垂直搬送ユニット６、７、８についても垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００２９】
垂直搬送ユニット５の隣には、ガラス基板Ｇに対して熱的処理を行うユニットが多段に積み上げられた熱処理系ブロック２５が配置されている。
【００３０】
垂直搬送ユニット５の隣には、ガラス基板Ｇにレジストの塗布、乾燥処理を施すレジスト塗布処理ブロック１５が配置されている。レジスト塗布処理ブロック１５は、ガラス基板Ｇにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）と、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）などにガラス基板Ｇを搬送する垂直搬送ユニット７と、垂直搬送ユニット７のＸ方向両側に配設されたＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５３、５５とで構成されている。ＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５３、５５では、ガラス基板Ｇに塗布されたレジストの乾燥処理などが行われる。
【００３１】
レジスト塗布処理ブロック１５の隣には、垂直搬送ユニット８が設けられ、そのＹ方向隣（図１の下側）には、多段構成の熱処理系ブロック２６が配置されている。
【００３２】
図２に示すように、熱処理系ブロック２４には、ガラス基板Ｇにレジスト塗布前の加熱処理を施すベーキングユニット（ＢＡＫＥ）が２段、ＨＭＤＳガスにより疎水化処理を施すアドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。熱処理系ブロック２５は、ガラス基板Ｇに冷却処理を施すクーリングユニット（ＣＯＬ）が２段、アドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されて構成されている。熱処理系ブロック２６には、ガラス基板Ｇにレジスト塗布後の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）が３段積層されている。
【００３３】
下流部３ｃにおいては、図３に示すように、インターフェース部４側端部に、熱処理系ブロック２９が設けられており、これには、クーリングユニット（ＣＯＬ）、露光後現像処理前の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００３４】
熱処理系ブロック２９に隣接して現像処理を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）がＸ方向に延設されている。この現像処理ユニット（ＤＥＶ）の隣には、ｉ線処理ユニット（ｉ―ＵＶ）３３が設けられている。ｉ線処理ユニット（ｉ―ＵＶ）３３に隣接して熱処理系ブロック２８及び２７が配置されている。熱処理系ブロック２８と２７との間には、両ブロック２８及び２７における各熱処理系ブロックにアクセス可能な垂直搬送ユニット６が設けられている。
【００３５】
熱処理系ブロック２８には、クーリングユニット（ＣＯＬ）、ガラス基板Ｇに現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。熱処理系ブロック２７も同様に、クーリングユニット（ＣＯＬ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００３６】
インターフェース部４には、正面側にタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２が設けられ、タイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２の隣り（図１の上側）には、エクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５が設けられている。インターフェース部４の背面側には、バッファカセット３４が配置されている。エクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５とバッファカセット３４とのＸ方向の隣には、タイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２に隣接して配置され、露光装置３２との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行うインターフェースユニット（Ｉ／Ｆ）が配置されている。このインターフェースユニット（Ｉ／Ｆ）も上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００３７】
以上のように構成された塗布現像処理装置１の処理工程について説明する。先ずカセットＣ内のガラス基板Ｇを処理部３における上流部３ｂに搬送する。上流部３ｂでは、エキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９において表面改質・有機物除去処理を行い、次にスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０においてガラス基板Ｇを略水平に搬送しながら洗浄処理及び乾燥処理を行う。続いて熱処理系ブロック２４の最下段部で垂直搬送ユニット５の搬送アームによりガラス基板Ｇを取り出し、同熱処理系ブロック２４のベーキングユニット（ＢＡＫＥ）にて加熱処理、アドヒージョンユニット（ＡＤ）にて、ガラス基板Ｇとレジスト膜との密着性を高めるため、ガラス基板ＧにＨＭＤＳガスを噴霧する処理を行う。この後、ガラス基板Ｇを垂直搬送ユニット５の搬送アームにより熱処理系ブロック２５に搬送し、熱処理系ブロック２５のクーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却処理を行う。
【００３８】
次に、ガラス基板Ｇを垂直搬送ユニット５の搬送アームによりレジスト塗布処理ブロック１５に渡し、レジスト塗布処理ブロック１５において後述するレジストの塗布、乾燥処理を行う。
【００３９】
次に、レジストが塗布、乾燥されたガラス基板Ｇを垂直搬送ユニット８の搬送アームにより受け取り熱処理系ブロック２６に渡す。熱処理系ブロック２６におけるプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）にて加熱処理を行った後、垂直搬送ユニット８により熱処理系ブロック２９に基板を渡し、その熱処理系ブロック２９におけるクーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理を行う。続いて垂直搬送ユニット８によりガラス基板Ｇをエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５に搬送し、エクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５で冷却処理するとともに、インターフェースユニット（Ｉ／Ｆ）により露光装置３２に搬送し、露光装置３２にて露光処理する。
【００４０】
次に、ガラス基板Ｇをインターフェースユニット（Ｉ／Ｆ）及び垂直搬送ユニット８の搬送アームを介して熱処理系ブロック２９のポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）に搬送し、ここで加熱処理を行った後、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理を行う。そしてガラス基板Ｇを現像処理ユニット（ＤＥＶ）においてガラス基板Ｇを略水平に搬送しながら現像処理、リンス処理及び乾燥処理を行う。
【００４１】
次に、ガラス基板Ｇをｉ線処理ユニット（ｉ―ＵＶ）３３でｉ線処理を施し、熱処理系ブロック２８における最下段から垂直搬送ユニット６の搬送アーム６ａにより受け取り、熱処理系ブロック２８又は２７におけるポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）にて加熱処理を行い、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理を行う。そしてガラス基板Ｇを搬送機構１０に受け渡しカセットＣに収容する。
【００４２】
図４はレジスト塗布処理ブロック１５の平面図、図５は正面図である。なお、図５において、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）は図示を省略した。
【００４３】
図４に示すように、レジスト塗布処理ブロック１５は、垂直搬送ユニット７を備えている。垂直搬送ユニット７は、垂直搬送ユニット７を載置するための基台６５Ａ上に載置されている。基台６５Ａには、例えば、コンクリートが用いられている。垂直搬送ユニット７のＸ方向の一側に隣接して、ガラス基板Ｇに塗布されたレジストを乾燥するためのＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５３が、基台６５Ａ上に載置されている。垂直搬送ユニット７をＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５３とで挟むように、ＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５３と同じ構成のＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５５が基台６５Ａ上に載置されている。
【００４４】
垂直搬送ユニット７のＹ方向の一側には、垂直搬送ユニット７から所定間隔ｈをおいてガラス基板Ｇにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）が配置されている。レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）は、基台６５Ａとは異なる基台６５Ｂ上に載置されている。基台６５Ｂには、例えば、コンクリートが用いられている。この間隔ｈは、垂直搬送ユニット７の作動時に生ずる振動がレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に伝わらない間隔に設定されている。例えば、間隔ｈは、５（ｃｍ）とされている。このように、垂直搬送ユニット７の周囲には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）、ＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５３、５５が配設されている。
【００４５】
図５に示すように、ＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５３、５５は、ガラス基板Ｇに塗布されたレジストを減圧下で乾燥させる減圧乾燥ユニット５３ｂ、５５ｂを有している。減圧乾燥ユニット５３ｂ、５５ｂは、柱状土台５３ｈを介して基台６５Ａ上に載置されている。レジストの減圧乾燥処理は減圧乾燥ユニット５３ｂ、５５ｂ内で行われる。なお、減圧乾燥ユニット５３ｂ、５５ｂには、図示を省略した真空ポンプが接続されており、この真空ポンプにより減圧乾燥ユニット５３ｂ、５５ｂ内が減圧される。
【００４６】
減圧乾燥ユニット５３ｂ、５５ｂ上には、例えば、レジスト塗布処理中にガラス基板Ｇが載置されるエクステンション５３ａ、５５ａが配設されている。
【００４７】
図６は垂直搬送ユニット７とＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５５とを示す断面図である。減圧乾燥ユニット５５ｂの垂直搬送ユニット７側の側壁には、ガラス基板Ｇを搬入出するときに、上下動可能なゲートバルブ５５ｃが設けられている。ゲートバルブ５５ｃを閉じることで、減圧乾燥ユニット５５ｂ内の密閉状態が確保される。減圧乾燥ユニット５５ｂは、ガラス基板Ｇを載置するための保持台５５ｅ、搬送アーム７ａに載置されたガラス基板Ｇを保持台５５ｅに受け渡すためのピン５５ｐ、減圧乾燥ユニット５５ｂの内圧を測定するための内圧計、ガラス基板Ｇに塗布されたレジストを乾燥させるためのヒータなどを有している。保持台５５ｅの矢印方向の上下駆動は、例えばエアシリンダ５５ｓにより行われる。エクステンション５５ａは、減圧乾燥ユニット５５ｂと同様に構成されている。すなわち、載置台５５ｕにガラス基板Ｇを受け渡すために、シリンダ５５ｘの駆動によりピン５５ｖが上下動可能に構成されている。
【００４８】
垂直搬送ユニット７（または５、６、８）は、垂直搬送ユニット７の中央に配置された柱状の垂直搬送軸に沿って上下動可能な昇降台７ｂを有している。この昇降台７ｂは、垂直搬送軸の周りに回転可能に構成されている。この昇降台７ｂには、ガラス基板Ｇを載置した状態で水平移動可能な搬送アーム７ａが設けられている。搬送アーム７ａに載置されたガラス基板Ｇは、搬送アーム７ａによりＸ方向に搬送され、減圧乾燥ユニット５５ｂ内に搬入される。図示を省略した制御部により、ピン５５ｐの上下動、減圧乾燥ユニット５５ｂ内の圧力、ゲートバルブ５５ｃの開閉動作が制御されている。搬送アーム７ａの上下動、水平動は、図示を省略したモータにより行われている。なお、減圧乾燥ユニット５３ｂについても同様に構成されている。
【００４９】
図７に示すように、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）は、基板Ｇを収容するカップＣＰ、レジストを塗布するための長尺状のスリットノズル２０２を収容する保持体２０１やスリットノズル２０２を駆動するためのモータ２０３などを有している。モータ２０３の駆動によりスリットノズル２０２は、ガイドレール２０４に沿って、Ｘ方向に移動可能とされている。レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）は、Ｘ方向、すなわち、レジストの塗布方向に長い形状を有している。スリットノズル２０２により、ガラス基板Ｇ上の所定範囲にレジストが塗布されるように設定されている。このため、ガラス基板Ｇの周縁部に塗布されたレジストを除去するエッジリムーバ（ＥＲ）は設けられていない。
【００５０】
図８に示すように、熱処理系ブロック２４は、例えば、２段のベーキングユニット（ＢＡＫＥ）２４ａ、２４ｂがＸ方向にスライド可能に構成されている（図１参照）。例えば、ベーキングユニット（ＢＡＫＥ）２４ａ、２４ｂ内のメンテナンス時に、ベーキングユニット（ＢＡＫＥ）２４ａ、２４ｂをＸ方向にスライドすることができるように構成されている。
【００５１】
次に、レジストの塗布処理手順について図９を参照しながら説明する。
【００５２】
まず、図１に示す垂直搬送ユニット５の搬送アーム５ａによりエクステンション５３ａの載置台５３ｕにガラス基板Ｇを載置する。次いで、このガラス基板Ｇを、垂直搬送ユニット７の搬送アーム７ａにより受取り、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）内に搬送する（ステップ１）。
【００５３】
続いて、垂直搬送ユニット７、エクステンション５３ａ及び減圧乾燥ユニット５３ｂの駆動を停止又は搬送速度を低下させる（ステップ２）。
【００５４】
次いで、図７に示すモータ２０３を駆動しスリットノズル２０２をガラス基板Ｇ上で移動させ、ガラス基板Ｇに向けてレジストを塗布し、塗布終了後にモータ２０３を停止する（ステップ３）。
【００５５】
モータ２０３を停止後、垂直搬送ユニット７の駆動を開始又は搬送速度を速め（ステップ４）、レジストが塗布されたガラス基板Ｇを搬送アーム７ａで受取る。
【００５６】
次に、図６に示す減圧乾燥ユニット５５ｂのゲートバルブ５５ｃを開放し、レジストが塗布されたガラス基板Ｇを搬送アーム７ａにより減圧乾燥ユニット５５ｂ内に搬送し、保持台５５ｅ上に載置する。搬送アーム７ａを減圧乾燥ユニット５５ｂ外に引き戻した後、ゲートバルブ５５ｃを閉じ減圧乾燥ユニット５５ｂ内を密閉状態とする。
【００５７】
続いて、真空ポンプを駆動させて減圧乾燥ユニット５５ｂ内を所定圧力になるまで減圧し、ヒータを加熱し減圧下でガラス基板Ｇに塗布されたレジストを乾燥する。
【００５８】
減圧乾燥処理が施されたガラス基板Ｇを搬送アーム７ａにより減圧乾燥ユニット５５ｂから受け取り、エクステンション５５ａに載置する。
【００５９】
エクステンション５５ａに載置されたガラス基板Ｇを垂直搬送ユニット８の搬送アームにより更に下流の処理部に搬送する。
【００６０】
なお、本実施形態では、一旦エクステンション５３ａにガラス基板Ｇを載置した後、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）でレジストを塗布し、減圧乾燥ユニット５５ｂ内で減圧乾燥処理する例を示したが、例えば、一枚目のガラス基板Ｇを減圧乾燥ユニット５５ｂで処理中に、２枚目のガラス基板Ｇをレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）や減圧乾燥ユニット５３ｂで処理することで、処理時間を短縮することができる。
【００６１】
このように本実施形態によれば、垂直搬送ユニット７とレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）とが間隔ｈをおいて配置されている。このため、垂直搬送ユニット７の振動により、例えば、塗布済みのレジスト中に気泡が入り込んだり、レジストの膜厚が不均一となることを防止することができる。また、垂直搬送ユニット７の周囲にレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）及び減圧乾燥ユニット５３ｂ、５５ｂが配設されている。このため、垂直搬送ユニット７、減圧乾燥ユニット５３ｂ、５５ｂ及びレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）が一方向に並設されることことを回避して、塗布現像処理装置１の小型化を図ることができる。
【００６２】
本実施形態の塗布現像処理装置１では、減圧乾燥ユニット５５ｂ上にエクステンション５５ａが配置され、垂直搬送ユニット７をＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５３とで挟むように、ＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５５が載置されている。このため、垂直搬送ユニット７がそれぞれ２個の減圧乾燥ユニット５３ｂ、５５ｂ及びエクステンション５３ａ、５５ａを利用することができるで、レジスト塗布、乾燥処理の効率化を図ることができる。また、エクステンション５３ａと減圧乾燥ユニット５３ｂ、エクステンション５５ａと減圧乾燥ユニット５５ｂをそれぞれ積層することで、塗布現像処理装置１の省スペース化を図ることができる。
【００６３】
本実施形態の塗布現像処理装置１では、減圧乾燥ユニット５５ｂが、減圧乾燥ユニット５５ｂ内外へのガラス基板Ｇの搬入出時に開閉されるゲートバルブ５５ｃを垂直搬送ユニット７側に有している。これにより、例えば、従来のように蓋部材が上下動する構造を採用することが不要となるので、減圧乾燥ユニット５５ｂの上にエクステンション５５ａを容易に積層することができる。
【００６４】
本実施形態の塗布現像処理装置１では、垂直搬送ユニット７とレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）とが、それぞれ基台６５Ａ、６５Ｂ上に載置されている。すなわち、垂直搬送ユニット７とレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）とを載置するための載置台が分離されている。このため、垂直搬送ユニット７の振動がレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に伝わることをより確実に防止することができる。
【００６５】
本実施形態の塗布現像処理装置１では、ガラス基板Ｇを搬送する垂直搬送ユニット７の駆動を停止又は搬送速度を低下した後、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）によりガラス基板Ｇにレジスト液を塗布する。これにより、垂直搬送ユニット７の駆動による振動がない又は抑制された状態で、ガラス基板Ｇにレジスト液を塗布することができる。また、ガラス基板Ｇにレジスト液を塗布するレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）のモータ２０３、減圧乾燥ユニット５３ｂ、５５ｂの駆動を停止した後、ガラス基板Ｇを搬送する垂直搬送ユニット７を駆動を開始する。これにより、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に対する垂直搬送ユニット７、減圧乾燥ユニット５３ｂ、５５ｂの振動の影響をなくすことができる。
【００６６】
本実施形態の塗布現像処理装置１では、例えば、垂直搬送ユニット７と垂直搬送ユニット５（または８）とが減圧乾燥ユニット５５（または５３）に大きさ分程度の間隔をあけて配置されている。したがって、垂直搬送ユニット７に所定の間隔ｈをおいて配置されたレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）と、垂直搬送ユニット５（または８）に隣接して配置された熱処理系ブロック２６（または２４）との距離をあけることができる。これにより、熱処理系ブロック２６（または２４）がレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に熱的な影響を与えることを防止することができ、好適な環境で塗布処理することができる。
【００６７】
[第２実施形態]
次に本発明の第２の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態においては、第１の実施形態と同一の部材などには同一の符号を符しその説明を省略し、異なる箇所を中心に説明する。
【００６８】
図１０に示すように、本実施形態の塗布現像処理装置１Ａは、カセットステーション２と、ガラス基板Ｇにレジスト塗布を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部３とを備えている。
【００６９】
カセットステーション２の隣りには、ガラス基板Ｇの向きを変えたりするための回転機構部７０が配置されている。回転機構部７０は、ベーキングユニットが２段積層され更に下層にガラス基板Ｇを搬送するための回転機構を有する図示を省略した載置台が配置されて構成されている。回転機構部７０のＹ方向の隣りには、第１実施形態の垂直搬送ユニット５と同様に構成された垂直搬送ユニット７６が配置されている。更に、垂直搬送ユニット７６の隣には、回転機構部７０と同じ構成の回転機構部７３が配置されている。回転機構部７０の隣には、エキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９、スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０がＸ方向に並設されている。スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０の隣には、熱処理系ブロック１２４が配置されている。熱処理系ブロック１２４は、クーリングユニット、デハイドレスアドヒージョンユニット（ＡＰ）が２段下から順に積層されて構成されている。デハイドレスアドヒージョンユニット（ＡＰ）は、アドヒージョンユニット（ＡＤ）とほぼ同じ構造を有しており、基板Ｇを加熱するための加熱板を有し、基板Ｇの乾燥処理と疎水化処理とを行う。
【００７０】
垂直搬送ユニット７６及び回転機構部７３の隣には、レジストをガラス基板Ｇに塗布、乾燥するためのレジスト塗布処理ブロック１５が配置されている。レジスト塗布処理ブロック１５の更に隣には、垂直搬送ユニット５が配置されている。垂直搬送ユニット５の隣には、熱処理系ブロック１７２が配置されている。熱処理系ブロック１７２は、クーリングユニットが２段、デハイドレスアドヒージョンユニット（ＡＰ）が２段下から順に積層されて構成されている。
【００７１】
レジスト塗布処理ブロック１５は、垂直搬送ユニット７６に隣接して配置されたＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５５を備えている。ＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５５の隣には、垂直搬送ユニット７が配置されている。更に垂直搬送ユニット７の隣には、ＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５３が配置されている。垂直搬送ユニット７のＹ方向の隣には、スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０が、垂直搬送ユニット７及びＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５３に隣接して配置されている。レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）は、垂直搬送ユニット７からＹ方向に間隔ｈをおいて配置されている。この間隔ｈは、垂直搬送ユニット７の駆動時に生ずる振動が、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に伝わらないように設定されている。
【００７２】
第１実施形態と同様にエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９でガラス基板Ｇ上の有機物を除去し、スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０でガラス基板Ｇにスクラビングブラシで洗浄処理を施す。次いで、熱処理系ブロック１２４で熱処理が施す。このガラス基板Ｇを垂直搬送ユニット５の搬送アームによりＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５３のエクステンション５３ａに搬送する。このガラス基板Ｇを垂直搬送ユニット７の搬送アームによりレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に搬送する。レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）内でレジスト塗布処理を行う。レジストが塗布されたガラス基板Ｇを垂直搬送ユニット７の搬送アームにより受け取り、減圧乾燥ユニット５３ｂに搬送する。減圧乾燥ユニット５５ｂ内でガラス基板Ｇに塗布されたレジストに減圧乾燥処理を施す。そして、垂直搬送ユニット７の搬送アームによりエクステンション５５ａにガラス基板Ｇを配置する。レジストの塗布、減圧乾燥処理が施されたガラス基板Ｇは、例えば、垂直搬送ユニット７６、回転機構部７３を介してカセットステーション２に搬送される。
【００７３】
このように本実施形態によれば、垂直搬送ユニット７のＹ方向の隣には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）が、垂直搬送ユニット７から間隔ｈをおいて配置されている。このため、垂直搬送ユニット７の振動によりガラス基板Ｇへのレジストの塗布処理が不安定となることを防止することができる。
【００７４】
[第３実施形態]
次に本発明の第３の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００７５】
図１１は第３実施形態に係る塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。図１１に示すように、本実施形態の塗布現像処理装置１Ｂは、第１実施形態のレジスト塗布処理ブロック１５に代えてレジスト塗布処理ブロック１５Ｂを備えている。レジスト塗布処理ブロック１５Ｂは、第１実施形態のＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５３の位置に、ＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５３に代えてレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）が配置されている。このとき、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）の塗布方向がＹ方向となるように、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）が配置されている。第１実施形態のレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）の位置に、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に代えて減圧乾燥ブロック５３ｄが配置されている。減圧乾燥ブロック５３ｄは、第１実施形態の減圧乾燥ユニット５３ｂがＺ方向に２段に積層されて構成されている。レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）は、垂直搬送ユニット５、７からそれぞれ間隔ｈをおいて配置されている。この間隔ｈは、垂直搬送ユニット５、７の駆動時に生ずる振動が、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に伝わらないように設定されている。
【００７６】
垂直搬送ユニット５の搬送アームによりガラス基板Ｇをレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に搬送する。レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）内で第１実施形態と同様にレジスト塗布処理を行う。レジストが塗布されたガラス基板Ｇを垂直搬送ユニット７の搬送アームにより受け取り、減圧乾燥ブロック５３ｄにおいてその上段又は下段の減圧乾燥ユニット５３ｂに搬送する。減圧乾燥ユニット内で第１実施形態と同様に減圧下でガラス基板Ｇに塗布されたレジストに乾燥処理を施す。そして、垂直搬送ユニット７の搬送アームによりエクステンションを有するＥＸＴ積層ユニット１５５にガラス基板Ｇを配置する。
【００７７】
このように本実施形態によれば、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）は、垂直搬送ユニット５、７からそれぞれ間隔ｈをおいて配置されている。このため、垂直搬送ユニット５、７の振動によりガラス基板Ｇへのレジストの塗布処理が不安定となることを防止することができる。なお、本実施形態では、減圧乾燥ユニット５３ｂが２段に積層されている例を示した。しかし、垂直搬送ユニット７の周りに減圧乾燥ユニット５３ｂを１つ配置するようにしてもよい。このようにすることで、低コスト化及び省スペース化を図ることができる。
【００７８】
[第４実施形態]
次に本発明の第４の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００７９】
図１２は第４実施形態に係る塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。図１２に示すように、本実施形態の塗布現像処理装置１Ｃでは、垂直搬送ユニット５の隣に、ガラス基板Ｇを搬送するためのスライダー（図１３に示すスライダー２５ｄ）を有するスライダー搬送ユニット２５ｃが配置されている。スライダー搬送ユニット２５ｃの隣には、塗布現像処理ブロック１５Ｃが配置されている。また、熱処理系ブロック２７とカセットステーション２との間には、ガラス基板Ｇを搬送するための搬送部８０が配置されている。
【００８０】
塗布現像処理ブロック１５Ｃは、スライダー搬送ユニット２５ｃに隣接して配置されたレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）、垂直搬送ユニット７及びＶＤ積層ユニット５５ｆを有している。ＶＤ積層ユニット５５ｆは、減圧乾燥ユニット５３ｂが２段積層されて構成されている。垂直搬送ユニット７のＹ方向隣りには、熱処理系ブロック２６が配置されている。熱処理系ブロック２６は、ガラス基板Ｇに冷却処理を施すクーリングユニット（ＣＯＬ）が２段、アドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されて構成されている。熱処理系ブロック２６とＶＤ積層ユニット５５ｆとに隣接して垂直搬送ユニット８が配置されている。
【００８１】
図１３に示すように、スライダー搬送ユニット２５ｃは、Ｘ方向にスライドしてガラス基板Ｇを搬送するためのスライダー２５ｄを有している。スライダー２５ｄは、例えば、図示を省略したモータに接続されており、このモータの駆動によりスライド可能に構成されている。スライダー２５ｄの上方には、２段のクーリングユニット（ＣＯＬ）、アドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。
【００８２】
次に本実施形態の塗布現像処理装置１Ｃの動作について異なる箇所を中心に説明する。垂直搬送ユニット５の搬送アーム５ａに受取られたガラス基板Ｇを、スライダー搬送ユニット２５ｃのスライダー２５ｄによりレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に搬送する。以下のステップについては第３実施形態とほぼ同様である。
【００８３】
このように本実施形態によれば、スライダー２５ｄによりガラス基板Ｇをレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に搬送することができる。
【００８４】
本発明は以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００８５】
上記第１及び第２の実施形態では、垂直搬送ユニット７の隣にＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５３が配置され、垂直搬送ユニット７をＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５３で挟むようにＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５５が配置されている例を示した。
【００８６】
しかしながら、この配置に限定されるものではなく、例えば、図１４に示すように、Ｘ方向一側に減圧乾燥ユニット５３ｂを１段配置し、Ｘ方向他側に下方から減圧乾燥ユニット５５ｂ、エクステンション５５ａ、更にエクステンション５５ｄを載置するように構成してもよい。このとき、図１５に示すように、垂直搬送ユニット７とレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）とが配列された配列方向（Ｙ方向）にスライド可能なスライドカバー５３ｃ、又は、図１６に示すように、減圧乾燥ユニット５３ｂの上部に設けられた回動軸の周りに矢印方向に回動可能な開閉カバー５３ｇを、減圧乾燥ユニット５３ｂの上部に設けるようにしてもよい。これにより、例えば、作業員が図１５に示すスペースＳ１などに入り込み、図１５に示す配列（矢印）方向にスライドカバー５３ｃをスライドさせたり、図１６に示す矢印方向に開閉カバー５３ｇを開閉（回動）して、減圧乾燥ユニット５３ｂ内を容易に確認したりメンテナンスしたりすることができる。
【００８７】
上記第１、第３及び第４の実施形態では、熱処理系ブロック２７、２８が垂直搬送ユニット６を介してＸ方向に直線状に配列される例を示した（図１参照）。これに対して、図１７に示すように、エキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９とスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０との間に、熱処理系ブロック２７を配置し、熱処理系ブロック２７、２８及び垂直搬送ユニット６がＹ方向に一列に配列されるようにしてもよい。このような構成では、熱処理系ブロック２７のメンテナンス性を向上させることができる。熱処理系ブロック２８とカセットステーション２の間に、処理済のガラス基板Ｇを検査するための検査部（ＩＮＳ）２８Ａを配置してもよい。検査部（ＩＮＳ）２８ＡのＸ方向の長さは、図１に示す垂直搬送ユニット６と熱処理系ブロック２７のＸ方向の長さの合計に等しくなるように設定することができる。エクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５は、回転機構を有している。この回転機構は、例えば、図示を省略した温調板を回転させることで、基板Ｇを９０度回転させることができるように構成されている。これにより、例えばインターフェースユニット（Ｉ／Ｆ）が基板を基板の長辺と平行に搬送することができる。
【００８８】
このようにすれば、エキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９とスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０との間に、熱処理系ブロック２７が配置されるため、塗布現像処理装置の長手方向の長さが熱処理系ブロック２７の１個分大きくなる。しかしながら、検査部２８Ａを装置内に組み込むことができる。すなわち、塗布現像処理装置の長手方向の長さを必要以上に長くすることなく、検査部２８Ａを装置内に組み込むことができる。従って、装置の大型化を抑えつつ処理済のガラス基板Ｇを装置内で検査することができる。
【００８９】
検査部（ＩＮＳ）２８Ａにおいて、処理済のガラス基板Ｇは、Ｘ方向に平流し搬送され、例えば、パターンの線幅、高さ等の検査が行われる。なお、熱処理系ブロック２５は、クーリングユニット（ＣＯＬ）が２段順に積層されて構成されるようにしてもよい。また、熱処理系ブロック２６には、クーリングユニット（ＣＯＬ）が１段、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されるようにしてもよい。
【００９０】
図１８は、図１７に示す塗布現像処理装置の変形例を模式的に示す正面図である。この変形例の塗布現像処理装置については、図１７に示す塗布現像処理装置と異なる箇所を中心に説明する。
【００９１】
図１８に示すように、エキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９と検査部（ＩＮＳ）との間で垂直搬送ユニット６に隣接するように熱処理系ブロック２７を配置する。これにより、塗布現像処理装置の全長を短縮して省スペース化を図ることができる。
【００９２】
エキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９と検査部（ＩＮＳ）との間には、基板Ｇを載置するための載置台を回転させる回転機構（図示せず）を有するシャトル１８Ａが、Ｘ方向に移動可能に設けられている。また、垂直搬送ユニット５と垂直搬送ユニット６との間には、この間をＸ方向に移動可能な基板載置台を有するシャトル１８Ｂが設けられている。これにより、シャトル１８Ａ、１８Ｂによって基板ＧをＸ方向に搬送することができる。また、シャトル１８Ａ、１８Ｂ、垂直搬送ユニット５、６などを用いることにより、全処理を行わずに、例えば、洗浄処理だけ、レジスト塗布処理だけ、現像処理だけを行うために、塗布現像処理装置を利用することができる。熱処理系ブロック２７、垂直搬送ユニット６、ＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５５、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）及び後述するバッファエクステンションクーリングユニット（ＢＵＦ／ＥＸＴＣＯＬ）１３５では、基板の短辺に沿う方向に基板の受け渡しが行われる（他のユニットでは、基板の長辺に沿う方向に基板の受け渡しが行われる。）。このため、例えば、シャトル１８Ａから熱処理系ブロック２７に基板を搬送するときには、基板の搬送方向の関係で、シャトル１８Ａで基板を９０度回転しなければならない。この塗布現像処理装置では、シャトル１８Ａに設けられた回転機構により基板載置台を９０度回転させて基板を回転させることができる。従って、例えば、カセットステーション２と垂直搬送ユニット６との間で基板Ｇの受け渡しが可能となる。
【００９３】
図１７で示すＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５３の位置に、図１８に示すように熱処理系ブロック２５が配置されている。この場合には、ＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット５３を１つにすることができるので、低コスト化を図ることができる。
【００９４】
図１７に示すエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５に代えて、エクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）上にバッファカセットが積層されたバッファエクステンションクーリングユニット（ＢＵＦ／ＥＸＴＣＯＬ）１３５が配置されている。バッファカセットを積層することで空いたスペースには、基板Ｇを基板Ｇの長辺に沿って搬送することが可能な、例えばローラ搬送等による第１の平流し搬送部（ＣＯＮＶ）１３４が設けられている。これにより、装置を大型化することなく、装置内に第１の平流し搬送部（ＣＯＮＶ）１３４を設けることができる。
【００９５】
この第１の平流し搬送部（ＣＯＮＶ）１３４と露光装置３２との間には、インターフェースユニット（Ｉ／Ｆ）に隣接して第２の平流し搬送部（ＣＯＮＶ）１３６が配置されている。第２の平流し搬送部（ＣＯＮＶ）１３６は、基板Ｇを９０度回転させるための図示しない回転機構を備えている。これにより、インターフェースユニット（Ｉ／Ｆ）により基板Ｇを第２の平流し搬送部（ＣＯＮＶ）１３６に搬送し、第２の平流し搬送部（ＣＯＮＶ）で基板を９０度回転させた後、第２、第１の平流し搬送部（ＣＯＮＶ）により基板Ｇの長辺をＸ方向にして搬送することができる。第１、第２の平流し搬送部（ＣＯＮＶ）を利用することで、垂直搬送ユニット８の工程数を減少させることができる。
【００９６】
なお、第１、第２の実施形態では、垂直搬送ユニット７の周りに、減圧乾燥ユニット５３ｂ、５５ｂが配設されている例を示した。しかし、いずれか一方を設けるようにしてもよい。このようにすることで、低コスト化及び省スペース化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す塗布現像処理装置の正面図である。
【図３】図１に示す塗布現像処理装置の背面図である。
【図４】レジスト塗布処理ブロックの平面図である。
【図５】レジスト塗布処理ブロックの正面図である。
【図６】垂直搬送ユニットとＥＸＴ／ＶＤ積層ユニットとを示す断面図である。
【図７】レジスト塗布処理ユニットの平面図である。
【図８】塗布現像処理装置の熱処理系ブロックの正面図である。
【図９】塗布現像処理装置を用いたレジストの塗布処理手順を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図１２】本発明の第４実施形態に係る塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図１３】第４実施形態に係る塗布現像処理装置の熱処理系ブロックの正面図である。
【図１４】レジスト塗布処理ブロックの変形例を模式的に示す正面図である。
【図１５】減圧乾燥ユニットのスライドカバーの開放状態を示す平面図である。
【図１６】減圧乾燥ユニットの開閉カバーの開放状態を示す側面図である。
【図１７】本発明の塗布現像処理装置の変形例を模式的に示す正面図である。
【図１８】図１７に示す塗布現像処理装置の変形例を模式的に示す正面図である。
【符号の説明】
【００９８】
Ｇ…ガラス基板
ＣＴ…レジスト塗布処理ユニット
ｈ…間隔
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ…塗布現像処理装置
７…垂直搬送ユニット
７ａ…アーム
１５、１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ…レジスト塗布処理ブロック
２０…スクラバ洗浄処理ユニット
２５ｄ…スライダー
５３、５５…ＥＸＴ／ＶＤ積層ユニット
５３ａ、５５ａ…エクステンション
５３ｂ、５５ｂ…減圧乾燥ユニット
５３ｃ…スライドカバー
５３ｇ…開閉カバー
５５ｃ…ゲートバルブ
６５Ａ、６５Ｂ…基台
【図１】
2005142372.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005142372.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005142372.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2005142372.tif 000012
【図１１】
2005142372.tif 000013
【図１２】
2005142372.tif 000014
【図１３】
2005142372.tif 000015
【図１４】
2005142372.tif 000016
【図１５】
2005142372.tif 000017
【図１６】
2005142372.tif 000018
【図１７】
2005142372.tif 000019
【図１８】
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