(57)【要約】【課題】  共振器の合成インピーダンスの低下を可能にし、所要のデバイスへの適用を可能にしたＭＥＭＳ共振器を提供する。【解決手段】  同一基板２２上に形成されたビーム構造を有する複数のＭＥＭＳ共振器素子２３1〜２３3が電気的に並列接続されて成る。【選択図】        図１ 
2005142852.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上に形成されたビーム構造を有する複数のＭＥＭＳ共振器素子が電気的に並列接続されて成る
ことを特徴とするＭＥＭＳ共振器。
【請求項２】
前記複数のＭＥＭＳ共振器素子は、
同一平面上に配置した入力電極及び出力電極と、前記入力電極と出力電極に対して空間を挟んで配置した振動板となるビームとを備えた複数のＭＥＭＳ共振器素子を有し、該複数のＭＥＭＳ共振器素子が同一基板上に並列に配置されて成る
ことを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳ共振器。
【請求項３】
前記複数のＭＥＭＳ共振器素子は、
同一平面上に配置した入力電極及び出力電極と、前記入力電極と出力電極に対して空間を挟んで並列状に配置した複数の振動板となるビームとを備えた複数ビーム型ＭＥＭＳ共振器素子から成る
ことを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳ共振器。
【請求項４】
前記複数のＭＥＭＳ共振器素子は、
同一平面上に配置した入力電極及び出力電極と、前記入力電極と出力電極に対して空間を挟んで並列状に配置した複数の振動板となるビームとを備えた複数の複数ビーム型ＭＥＭＳ共振器素子を有し、該複数の複数ビーム型ＭＥＭＳ共振器素子が同一基板上に並列に配置されて成る
ことを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳ共振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ共振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、マイクロマシン（ＭＥＭＳ：Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ、超小型電気的・機械的複合体）素子、及びＭＥＭＳ素子を組み込んだ小型機器が、注目されている。ＭＥＭＳ素子の基本的な特徴は、機械的構造として構成されている駆動体が素子の一部に組み込まれていることであって、駆動体の駆動は、電極間のクーロン力などを応用して電気的に行われる。
【０００３】
半導体プロセスによるマイクロマニシング技術を用いて形成された微小振動素子は、デバイスの占有面積が小さいこと、高いＱ値を実現できること、他の半導体デバイスとの集積が可能なこと、という特長により、無線通信デバイスの中でも中間周波数（ＩＦ）フィルタ、高周波（ＲＦ）フィルタとしての利用がミシガン大学を始めとする研究機関から提案されている（非特許文献１参照）。
【０００４】
図９は、非特許文献１に記載された高周波フィルタを構成する振動子、即ちＭＥＭＳ型の共振器の概略を示す。この共振器１は、半導体基板２上に絶縁膜３を介して例えば多結晶シリコンによる入力側配線層４と出力電極５が形成され、この出力電極５に対向して空間６を挟んで例えば多結晶シリコンによる振動可能なビーム、所謂ビーム型の振動電極７が形成されて成る。振動電極７は、両端のアンカー部（支持部）８[８Ａ、８Ｂ]にて支持されるように、出力電極５をブリッジ状に跨いで入力側配線層４に接続される。振動電極７は入力電極となる。入力側配線４の端部には、例えば金（Ａｕ）膜９が形成される。この共振器１では、入力側配線４の金（Ａｕ）膜９より入力端子ｔ１、出力電極５より出力端子ｔ２が導出される。
【０００５】
この共振器１は、振動電極７と接地間にＤＣバイアス電圧Ｖ１が印加された状態で、入力端子ｔ１を通じて振動電極７に高周波信号Ｓ１が供給される。即ち、入力端子ｔ１からＤＣバイアス電圧Ｖ１と高周波信号Ｓ１が入力されると、長さＬで決まる固有振動数を有する振動電極７が、出力電極５と振動電極７間に生じる静電力で振動する。この振動によって、出力電極５と振動電極７との間の容量の時間変化とＤＣバイアス電圧に応じた高周波信号が出力電極５（従って、出力端子ｔ２）から出力される。攻守はフィルタでは振動電極７の固有振動数（共振周波数）に対応した信号が出力される。
【非特許文献１】Ｊ．Ｒ．Ｃｌａｒｋ,  Ｗ．−Ｔ．Ｈｓｕ，ａｎｄＣ．Ｔ．−Ｃ．Ｎｇｕｙｅｎ，“Ｈｉｇｈ−ＱＶＨＦ  ｍｉｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｃｏｎｔｏｕｒ−ｍｏｄｅ  ｄｉｓｋ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ，”Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｇｅｓｔ，ＩＥＥＥ  Ｉｎｔ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  Ｍｅｅｔｉｎｇ，Ｓａｎ  Ｆｒａｎｃｉｓｃｏ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ，］Ｄｅｃ．１１−１３，２０００，ｐｐ．３９９−４０２．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、これまでに提案され、検証された微小振動子の共振周波数は、最高でも２００ＭＨｚを超えず、従来の表面弾性波（ＳＡＷ）あるいは薄膜弾性波（ＦＢＡＲ）によるＧＨｚ領域のフィルタに対して、微小振動子の特性である高いＱ値をＧＨｚ帯周波数領域で提供することができていない。
【０００７】
現在のところ、一般的に高い周波数領域では出力信号としての共振ピークが小さくなる傾向があり、良好なフィルタ特性を得るためには、共振ピークのＳＮ比を向上する必要がある。ミシガン大学の文献に係るディスク型の振動子によれば、出力信号のノイズ成分は、入力電極なる振動電極７と出力電極５間に構成される寄生容量Ｃ０を直接透過する信号によっている。一方においてディスク型の振動子で、十分な出力信号を得るには、３０Ｖを超えるＤＣバイアス電圧が必要であるために、実用的な振動電極構造としては両持ち梁を用いたビーム型の構造であることが望ましい。
【０００８】
ノイズ成分を低減化する方法として、ＤＣバイアス電圧を印加する振動電極を入力電極と出力電極間に配置する構成が考えられる。図７及び図８は、上記のノイズ成分の低減方法をビーム型構造の共振器に対して適用した先行技術を示す。この共振器１１は、例えば半導体基板１２上に絶縁膜１３を介して入力電極１４及び出力電極１５が形成され、この入力電極１４及び出力電極１５に対向して空間１６を挟んで振動板となる電極、いわゆるビーム型の振動電極１７が形成されて成る。振動電極１７は、入出力電極１４，１５をブリッジ状に跨ぎ、入出力電極１４，１５の外側に配置した配線層１８に接続されるように、両端を支持部（いわゆるアンカー部）１９[１９Ａ、１９Ｂ]で一体に支持される。入力電極１４、出力電極１５、配線層１８は、同じ導電材料で形成され、例えば多結晶シリコン膜、アルミニウム膜などの金属膜等にて形成される。振動電極１７は、例えば多結晶シリコン膜、アルミニウム膜などの金属膜等にて形成される。
【０００９】
入力電極１４には入力端子ｔ１が導出され、入力端子ｔ１を通じて高周波信号Ｓ２が入力される。出力電極１５には出力端子ｔ２が導出され、出力端子ｔ２から目的周波数の高周波信号が出力される。振動電極１７には所要のＤＣバイアス電圧Ｖ２が印加される。
【００１０】
このＭＥＭＳ共振器１１では、入力電極１４に高周波信号Ｓ２が入力されると、ＤＣバイアス電圧Ｖ２が印可された振動電極１７と入力電極１４間に生じる静電力で振動電極１７が共振し、出力電極１５から目的周波数の高周波信号が出力される。このＭＥＭＳ共振器素子１１によれば、入出力電極１４及び１５の対抗面積が小さく且つ入出力電極１４及び１５間の間隔を大きくとれるので、入出力電極間の寄生容量Ｃ０が小さくなる。従って、入出力電極１４間の寄生容量Ｃ０を直接透過する信号、つまりノイズ成分が小さくなり、出力信号のＳＮ比を向上させることができる。
【００１１】
しかしながら、上述の図９や図７に示すようなビーム構造を持つＭＥＭＳ共振器１，１１において問題となるのが、インピーダンスが高いことである。一般的な数μｍ〜数十μｍサイズの共振器におけるインピーダンスは、数十ＫΩ〜数百ＫΩに達するため、システムのインピーダンスとして５０Ωが基本である高周波（ＲＦ）デバイスへの適用は、困難であった。
【００１２】
本発明は、上述の点に鑑み、共振器の合成インピーダンスの低下を可能にし、所要のデバイスへの適用を可能にしたＭＥＭＳ共振器を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係るＭＥＭＳ共振器は、ビーム構造を有する複数のＭＥＭＳ共振器素子を電気的に並列接続して構成する。
【００１４】
複数のＭＥＭＳ共振器素子は、同一平面上に配置した入力電極及び出力電極と、入力電極と出力電極に対して空間を挟んで配置した振動板となるビームとを備えた複数のＭＥＭＳ共振器素子を有し、この複数のＭＥＭＳ共振器素子を同一基板上に並列に配置して構成することができる。
複数のＭＥＭＳ共振器素子は、同一平面上に配置した入力電極及び出力電極と、入力電極と出力電極に対して空間を挟んで並列状に配置した複数の振動板となるビームとを備えた複数ビーム型のＭＥＭＳ共振器阻止により構成することができる。
複数のＭＥＭＳ共振器素子は、同一平面上に配置した入力電極及び出力電極と、入力電極と出力電極に対して空間を挟んで並列状に配置した複数の振動板となるビームとを備えた複数の複数ビーム型ＭＥＭＳ共振器素子を有し、この複数の複数ビーム型ＭＥＭＳ共振器素子を同一基板上に並列に配置して構成することができる。
【００１５】
本発明のＭＥＭＳ共振器では、複数のＭＥＭＳ共振器素子を電気的に並列接続した構成とするので、合成イピーダンスが低下し、任意の合成インピーダンスに調整することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るＭＥＭＳ共振器によれば、共振器の合成インピーダンスが低下し、所要のインピーダンスを有するデバイスに適用することができる。例えば、５０Ω系の高周波（ＲＦ）デバイスとして利用可能となる。また、並列化する共振器の個数の調整により、任意の合成インピーダンスの共振器の作製が可能となる。
【００１７】
同一基板上に複数のＭＥＭＳ共振器素子を並列に配置して複数のＭＥＭＳ共振器素子を構成するときは、複数のＭＥＭＳ共振器素子の数により、合成インピーダンスを調整することができ、しかも1デバイスのコンパクトなＭＥＭＳ共振器を製作することができる。
【００１８】
共通の入出力電極に対して並列状に複数のビームを配置してなる複数ビーム型のＭＥＭＳ共振器素子を構成するときは、電極面積、即ちビーム面積が大きな１つの共振器とみなすことができる。このビームの数により合成インピーダンスを調整することができ、よりコンパクト化された１デバイスのＭＥＭＳ共振器を製作することができる。
【００１９】
同一基板上に複数の複数ビーム型のＭＥＭＳ共振器素子を並列に配置して複数のＭＥＭＳ共振器素子を構成するときは、合成インピーダンスをさらに低下させることができ、更にコンパクト化された1デバイスのＭＥＭＳ共振器を製作することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００２１】
図１は、本発明に係るＭＥＭＳ共振器の一実施の形態を示す。本実施の形態に係るＭＥＭＳ共振器２１は、共通の基板２２上にビーム構造を有する複数、本例では３つのＭＥＭＳ共振器素子２３[２３1、２３2、２３3]を並列的に配置し、これら複数のＭＥＭＳ共振器素子２３[２３1、２３2、２３3]を電気的に並列接続して構成される。即ち、各ＭＥＭＳ共振器素子２３1、２３2、２３3は、図１及び図２Ａ，Ｂに示すように、それぞれ基板２２の同一平面上に入力電極２４及び出力電極２５を夫々３つに分岐して形成し、分岐された各対をなす入出力電極２４1、２５1、入出力２４2、２５2、入出力電極２４3、２５3に対向して夫々空間２６を挟んで各独立した振動板となるビーム、いわゆるビーム型の振動電極２７を形成して構成される。各ＭＥＭＳ共振器素子２３1〜２３3は、同一基板２２上に並列して配置されると共に、入力電極２４1〜２４3が共通に接続され、出力電極２５1〜２５3が共通接続されていることから、並列接続され形となる。本実施の形態では、この複数のＭＥＭＳ共振器素子２３1、２３2、２３3の各入力電極２４を共通に接続し、各出力電極２５を共通に接続して１つのデバイスとしてＭＥＭＳ共振器２１が構成される。
【００２２】
各振動電極２７は、入出力電極２４，２５をブリッジ状に跨ぎ、入出力電極２４，２５の外側に配置した配線層２８に接続されるように、両端を支持部（いわゆるアンカー部）２９[２９Ａ、２９Ｂ]で一体に支持される。振動電極２７は両持ち梁構造となる。
基板２２は、例えばシリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素(ＧａＡｓ)などの半導体基板版上に絶縁膜を形成した基盤、石英基板やガラス基板のような絶縁性基板等が用いられる。本例ではシリコン基板上にシリコン窒化膜を形成した基板が用いられる。入力電極２４、出力電極２５、配線層２８は、同じ導電材料で形成することができ、例えば多結晶シリコン膜、アルミニウム（Ａｌ）などの金属膜、さらには半導体基板に不純物を導入して形成した不純物半導体層、等にて形成することができる。振動電極２７は、例えば多結晶シリコン膜、アルミニウム（Ａｌ）などの金属膜にて形成することができる。
【００２３】
共通接続された入力電極２４には所要の周波数信号、例えば高周波信号が入力され、共通接続された出力電極２５から目的周波数の信号、例えば高周波信号が出力される。各振動電極２７には所要のＤＣバイアス電圧が印加される。
【００２４】
このＭＥＭＳ共振器２１の動作は次の通りである。各振動電極２７に所要のＤＣバイアス電圧が印加される。入力電極２４に例えば高周波信号は入力されると、振動電極２７と入力電極２４間に生じる静電力で、２次の振動モードで振動電極２７が共振する。この振動電極２７の共振で出力電極２５から目的周波数の高周波信号が出力される。他の周波数の信号が入射されたときは、振動電極２７が共振せず、出力電極２５からは信号が出力されない。
【００２５】
本実施の形態に係るＭＥＭＳ共振器２１によれば、複数のＭＥＭＳ共振器素子２３[２３1、２３2、２３3]を並列に配置し、各入力電極２４及び各出力電極２５をそれぞれ共通接続して、ＭＥＭＳ共振器素子２３1、２３2、２３3を並列接続することにより、ＭＥＭＳ共振器２１の合成インピーダンスを低下させることができる。即ち、このときの合成インピーダンスＺａは、次のようになる。
１/Ｚａ＝（１/Ｚ1）＋（１/Ｚ2）＋（１/Ｚ3）
Ｚ１＝Ｚ２＝Ｚ３とすれば、
Ｚa＝（１/３）Ｚ１となる。
即ち、各ＭＥＭＳ共振器素子２３1、２３2、２３3を同じパターンで形成し、それぞれのインピーダンスＺ１、Ｚ２、Ｚ３の値を同じにすれば、合成インピーダンスＺaはインピーダンスＺ１の３分の１になる。従って、ＭＥＭＳ共振器素子を３つ以上配置して並列接続すれば、適用すべき電子機器に適合する合成インピーダンスを有したＭＥＭＳ共振器２１が得られる。
【００２６】
図３は、本発明に係るＭＥＭＳ共振器の他の実施の形態を示す。本実施の形態に係るＭＥＭＳ共振器３１は、基板２２上に入力電極２４及び出力電極２５を形成し、入力電極２４及び出力電極２５に対向して空間を挟んで各独立した複数、本例では３つの振動電極２７[２７1，２７2、２７3]を並列状に形成して構成される。即ち、３つの振動電極２７[２７1，２７2、２７3]は、入出力電極２４，２５の長手方向に沿って平行に配列される。本実施の形態のＭＥＭＳ共振器素子は、共通する入出力電極２４，２５に対してビーム構造の振動電極２７が複数設けられた構成から、複数ビーム型のＭＥＭＳ共振器素子と称する。
【００２７】
この場合、振動電極２７1、入力電極２４及び出力電極２５によりＭＥＭＳ共振器素子２３１が構成される。振動電極２７2、入力電極２４及び出力電極２５によりＭＥＭＳ共振器素子２３2が構成される。振動電極２７3、入力電極２４及び出力電極２５によりＭＥＭＳ共振器素子２３3が構成される。従って、本実施の形態のＭＥＭＳ共振器３１は、ＭＥＭＳ共振器素子２３が直線状に配置された形となる。
その他の構成は、図１及び図２で説明したと同様であるので、重複説明を省略する。
【００２８】
本実施の形態に係るＭＥＭＳ共振器３１によれば、各振動電極２７1、２７2、２７3を
で構成されるＭＥＭＳ共振器素子２３1、２３2，２３3が並列接続された形になる。このＭＥＭＳ共振器３１は、あたかも各振動電極２７1、２７2，２７3の加算により振動電極面積を大きくした１つの共振器とみなすことができる。これにより、ＭＥＭＳ共振器２１の合成インピーダンスを低下させることができる。即ち、このときの合成インピーダンスＺａは、次のようになる。
１/Ｚｂ＝（１/Ｚ1）＋（１/Ｚ2）＋（１/Ｚ3）
Ｚ１＝Ｚ２＝Ｚ３とすれば、
Ｚｂ＝（１/３）Ｚ１となる。
このように、各ＭＥＭＳ共振器素子２３1、２３2、２３3を同じパターンで形成し、それぞれのインピーダンスＺ１、Ｚ２、Ｚ３の値を同じにすれば、合成インピーダンスＺｂはインピーダンスＺ１の３分の１になる。従って、振動電極２７を３つ以上配置すれば、適用すべき電子機器に適合する合成インピーダンスを有したＭＥＭＳ共振器２１が得られる。このＭＥＭＳ共振器３１では、図１のものに比べて更にコンパクト化される。
【００２９】
図４は、本発明に係るＭＥＭＳ共振器の更に他の実施の形態を示す。本実施の形態は図１と図３のＭＥＭＳ共振器を組み合わせた構成である。
本実施の形態に係るＭＥＭＳ共振器４１は、共通の基板２２上に複数、本例では３つの複数ビーム型のＭＥＭＳ共振器素子３１[３１1、３１2、３１3]を並列的に配置し、これら複数の複数ビーム型ＭＥＭＳ共振器素子３１[３１1、３１2、３１3]を電気的に並列接続して構成される。
【００３０】
即ち、入力電極２４が３つに分岐され、出力電極２５が３つに分岐される。複数ビーム型ＭＥＭＳ共振器素子３１1は、分岐された１つ目の対の入出力電極２４1，２５1に対向して空間を挟んで各独立した複数、本例では３つの振動電極２７[２７1、２７2、２７3]を並列状に形成して構成される。複数ビーム型ＭＥＭＳ共振器素子３１2は、分岐された２つ目の対の入出力電極２４2，２５2に対向して空間を挟んで各独立した複数、本例では３つの振動電極２７[２７4、２７5、２７6]を並列状に形成して構成される。複数ビーム型ＭＥＭＳ共振器素子３１3は、分岐された３つ目の対の入出力電極２４3，２５3に対向して空間を挟んで各独立した複数、本例では３つの振動電極２７[２７7、２７8、２７9]を並列状に形成して構成される。
【００３１】
この場合、複数ビーム型ＭＥＭＳ共振器素子３１1では、振動電極２７1、入力電極２４1及び出力電極２５1によりＭＥＭＳ共振器素子２３1が構成され、振動電極２７2、入力電極２４1及び出力電極２５1によりＭＥＭＳ共振器素子２３2が構成され、振動電極２７3、入力電極２４1及び出力電極２５1によりＭＥＭＳ共振器素子２３3が構成される。
複数ビーム型ＭＥＭＳ共振器素子３１2では、振動電極２７4、入力電極２４2及び出力電極２５2によりＭＥＭＳ共振器素子２３4が構成され、振動電極２７5、入力電極２４2及び出力電極２５2によりＭＥＭＳ共振器素子２３5が構成され、振動電極２７6、入力電極２４2及び出力電極２５2によりＭＥＭＳ共振器素子２３6が構成される。
複数ビーム型ＭＥＭＳ共振器素子３１3では、振動電極２７7、入力電極２４3及び出力電極２５3によりＭＥＭＳ共振器素子２３7が構成され、振動電極２７8、入力電極２４3及び出力電極２５3によりＭＥＭＳ共振器素子２３8が構成され、振動電極２７9、入力電極２４3及び出力電極２５3によりＭＥＭＳ共振器素子２３9が構成され。
その他の構成は、図１、図３で説明したと同様であるので、重複説明を省略する。
【００３２】
本実施の形態に係るＭＥＭＳ共振器４１によれば、複数のＭＥＭＳ共振器素子２３を直列状に配置した形の、複数の複数ビーム型ＭＥＭＳ共振器素子３１1、３１2、３１3を並列に配置した構成とすることにより、並列接続されたＭＥＭＳ共振器素子の数が多くなり、ＭＥＭＳ共振器４１の合成インピーダンスをより低減することができる。即ち、このときの合成インピーダンスＺｃは、次のようになる。
１/Ｚｃ＝  （１/Ｚ1）＋（１/Ｚ2）＋（１/Ｚ3）
＋（１/Ｚ4）＋（１/Ｚ5）＋（１/Ｚ6）
＋（１/Ｚ7）＋（１/Ｚ8）＋（１/Ｚ9）
Ｚ１＝Ｚ２＝Ｚ３＝Ｚ4＝Ｚ5＝Ｚ6＝Ｚ7＝Ｚ8＝Ｚ9とすれば、
Ｚｃ＝（１/９）Ｚ１となる。
【００３３】
このように、各複数ビーム型のＭＥＭＳ共振器素子３１1、３１2、３１3を同じパターンで形成し、それぞれのインピーダンスＺ1〜Ｚ9の値を同じにすれば、合成インピーダンスＺｃはインピーダンスＺ１の９分の１になる。従って、各複数ビーム型ＭＥＭＳ共振器素子３１の振動電極２７を３つ以上配置し、且つ複数ＭＥＭＳ共振器素子３１を３つ以上配置すれば、適用すべき電子機器に適合する合成インピーダンスを有したＭＥＭＳ共振器２１が得られる。このＭＥＭＳ共振器４１では、図１、図３ものに比べて更にコンパクト化される。
【００３４】
次に、図５及び図６を用いて本実施の形態のＭＥＭＳ共振器の製造方法を説明する。なお、図では要部のＭＥＭＳ共振器素子の断面構造を示す。
本実施の形態においては、先ず、図５Ａに示すように、シリコン基板５１の上面に所要の膜厚の絶縁膜５２を形成した基盤２２を用意する。本例ではシリコン基板５１上に膜厚1μｍのシリコン窒化（ＳｉＮ）膜５２を形成して基板２２を形成する。
【００３５】
次に、図５Ｂに示すように、基板２２の絶縁膜５２上に下部電極、即ち入出力電極となる所要の膜厚の導電性膜５３を形成する。本例ではシリコン窒化膜５２上に膜厚０．５μｍの多結晶シリコン膜５３を蒸着により形成する。
次いで、図５Ｃに示すように、多結晶シリコン膜５３を選択エッチングによりパターニングして下部電極となる入力電極２４及び出力電極２５と、配線層２８とを形成する。この入出力電極２４，２５及び配線層２８のパターンは、前述の図１、図３、図４に対応したパターンに形成される。
【００３６】
次に、図５Ｄに示すように、入出力電極２４，２５及び配線層２８の上面を含む基板２２の全面に所要の膜厚の犠牲層５４を形成する。本例では犠牲層となる膜厚０．５μｍのシリコン酸化（ＳｉＯ２）膜５４を蒸着により形成する。
次に、図５Ｅに示すように、犠牲層５４を平坦化処理して、入出力電極２４，２５上の犠牲層５４の膜厚を所要の膜厚に設定する。この犠牲層５４の膜厚は前述の振動電極２７と入出力電極２４，２５との間の空間２６の高さ相当する。本例ではＣＭＰ(化学機械研磨)法を用いて犠牲層のシリコン酸化膜５４を平坦化し、入出力電極２４，２５の上に膜厚０．１μｍのシリコン酸化膜５４が残るようにする。
【００３７】
次に、図６Ｆに示すように、犠牲層５４の一部を選択エッチングして配線層２８の一部が露出するコンタクト孔５５を形成する。
次に、図６Ｇに示すように、犠牲層５４上に振動電極、即ちビームとなる所要の膜厚の導電性膜５６を形成する。このとき、導電性膜５６の一部はコンタクト孔５５を通じて配層２８に接続される。本例ではビームとなる膜厚０．５μｍの多結晶シリコン膜５６を蒸着により形成する。
なお、前述の多結晶シリコン膜５３，５６、シリコン酸化膜５４は、化学蒸着法であるＣＶＤ(化学気相成長)法で形成することができるが、物理蒸着法で形成することも可能である。
【００３８】
次に、図６Ｈに示すように、導電性膜である多結晶シリコン膜５６をパターニングして振動電極となるビーム２７を形成する。このビーム２７のパターンは、前述の図１、図３、図４の対応したパターンに形成される。
【００３９】
次に、図６Ｉに示すように、犠牲層５４を選択的に除去する。本例では犠牲層であるシリコン酸化膜５４をフッ酸により除去する。これにより、入力電極２４及び出力電極２５に対して所要の空間２６を挟んでビーム、従って振動電極２７が配置された、図１、図３又は図４に示すＭＥＭＳ共振器２１，３１又は４１を得る。
【００４０】
上述の本実施の形態に係るＭＥＭＳ共振器２１、３１、４１によれば、いずれも共振器の合成インピーダンスが低下し、所要のインピーダンスを有するデバイスに適用することができる。例えば、５０Ω系の高周波（ＲＦ）デバイスとして利用可能となる。また、並列化する共振器の個数の調整により、任意の合成インピーダンスの共振器の作製が可能となる。
【００４１】
ＭＥＭＳ共振器２１によれば、複数のＭＥＭＳ共振器素子の数により、合成インピーダンスを調整することができ、且つコンパクト化されたＭＥＭＳ共振器を製作することができる。
【００４２】
ＭＥＭＳ共振器３１によれば、電極面積、即ち振動電極面積が大きな１つの共振器とみなすことができる。この振動電極の数により合成インピーダンスを調整することができ、よりコンパクト化されたＭＥＭＳ共振器を製作することができる。
【００４３】
ＭＥＭＳ共振器４１によれば、複数ビーム型のＭＥＭＳ共振器素子の数、複数ビーム型のＭＥＭＳ共振器素子内の振動電極の数により及びにより合成インピーダンスをさらに低下させることができ、更にコンパクト化されたＭＥＭＳ共振器を製作することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明に係るＭＥＭＳ共振器の一実施の形態を示す構成図である。
【図２】Ａ  図１の要部のＭＥＭＳ共振器素子の断面図である。            Ｂ  図１の要部のＭＥＭＳ共振器素子の平面図である。
【図３】本発明に係るＭＥＭＳ共振器の他の実施の形態を示す構成図である。
【図４】本発明に係るＭＥＭＳ共振器のさらに他の実施の形態を示す構成図である。
【図５】Ａ〜Ｅ  本発明に係るＭＥＭＳ共振器の製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１）である。
【図６】Ｆ〜Ｉ  本発明に係るＭＥＭＳ共振器の製造方法の一実施の形態を示す製造  工程図（その２）である。
【図７】先行技術に係るＭＥＭＳ共振器の例を示す断面図である。
【図８】先行技術に係るＭＥＭＳ共振器の例を示す平面図である。
【図９】従来のＭＥＭＳ共振器の断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
２１、３１，４１・・ＭＥＭＳ共振器、２２・・基板、２３[２３1〜２３9]・・ＭＥＭＳ共振器素子、２４[２４１〜２４3]・・入力電極、２５[２５１〜２５3]・・出力電極、２６・・空間、２７[２７1〜２７9]・・ビーム（振動電極）、２８・・配線層、２９Ａ，２９Ｂ・・支持部
【図１】
2005142852.tif 000003
【図２】
2005142852.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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