(57)【要約】【課題】  小型の高周波線路の製造に適用できるめっき方法と、そのメッキ方法により作製された小型化が可能でかつ伝送損失の小さい高周波線路を提供する。【解決手段】  充填材を含む第１の樹脂からなる第１部と第１部とは異なる材料からなる第２部とを有してなる複合部材にめっきをする方法であって、充填材を溶解しかつ第２部の表面状態を実質的に変化させることのない表面処理液で複合部材を処理する前処理工程と、前処理工程で処理した複合材料を無電界めっきするめっき工程とを含み、第１部に選択的にめっき膜を形成する。【選択図】図１Ａ
2005210672.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
充填材を含む第１の樹脂からなる第１部と上記第１の樹脂とは異なる材料からなる第２部とを有してなる複合部材にめっきをする方法であって、
上記充填材を溶解しかつ上記第２部の表面状態を実質的に変化させることのない表面処理液で上記複合部材を処理する前処理工程と、
上記前処理工程で処理した上記複合材料を無電界めっきするめっき工程とを含み、
上記第１部に選択的にめっき膜を形成することを特徴とするめっき方法。
【請求項２】
上記第１部を射出成形により作製するために、
上記第２部を金型の空洞内に設置する配置工程と、
上記第１の樹脂を上記空洞内に射出して第１部を成形することを含む請求項１記載のめっき方法。
【請求項３】
上記第１部は溝を有しており、上記金型には上記溝に対応する凸部が形成されており、
上記配置工程において、上記凸部の上面に接するように上記第２部を設置する請求項２記載のめっき方法。
【請求項４】
上記配置工程において、上記第２部の材料と溶剤とを含む塗料を上記金型の上記凸部に塗布し、上記溶剤を除去することにより、上記第２部を金型の空洞内に設置する請求項２又は３記載のめっき方法。
【請求項５】
上記第２部は樹脂の注入路を有しており、その注入路を介して上記第１の樹脂を空洞内に射出する請求項２又は３記載のめっき方法。
【請求項６】
上記複合部材を作製するために、
上記第１の樹脂を射出成形することにより、表面に溝が形成されるように上記第１部を成形する成形工程と、
上記溝の底部に上記第１の樹脂とは異なる第２の樹脂を注入することにより、第２部を形成する注入工程とを含み、
上記成形工程において、上記溝の底部に貫通孔が形成されるように成形し、上記注入工程において、上記貫通孔を介して上記第２の樹脂を注入することにより上記第２部を形成する請求項１記載のめっき方法。
【請求項７】
上記めっき工程後に、上記第２部を除去する工程を含む請求項６記載のめっき方法。
【請求項８】
等間隔に形成された二つの溝と、その二つの溝の間に形成されたリッジの上面及び側面に形成された中心導体と、少なくとも上記二つの溝の外側の側面にそれぞれ形成された接地導体とを有してなる高周波線路であって、
上記中心導体と接地導体は、充填材を含む第１の樹脂の表面を上記充填材を溶解する表面処理液による処理で粗化した上に形成されており、上記溝の底面は上記表面処理液による処理によって表面状態が実質的に変化しない部材の表面からなることを特徴とする高周波線路。
【請求項９】
溝を有する基板に形成された高周波伝送線路であって、該高周波伝送線路は基板上面から上記溝の側面に連続して形成された信号線導体を含んでおり、上記信号線導体の上記側面に形成された端部は上記溝の溝底面から離れて位置し、上記溝内部において上記信号線導体の上記端部と上記溝底面の間の空間に電磁界が分布するようにしたことを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項１０】
上記溝は互いに平行な第１と第２の溝を含み、
上記信号線導体は、上記第１と第２の溝の間に形成されたリッジの上面と、該上面に連続する上記第１の溝の内側側面及び上記リッジの上面に連続する上記第２の溝の内側側面に連続して形成されており、上記内側側面に形成された信号線導体の端部はそれぞれ上記第１の溝の溝底面及び上記第２の溝の溝底面から離れて位置する請求項９記載の高周波伝送線路。
【請求項１１】
上記第１の溝の外側側面とその外側側面に沿った上記基板の上面に第１の接地導体が連続して形成され、上記第２の溝の外側側面とその外側側面に沿った上記基板の上面に第２の接地導体が連続して形成されており、上記第１と第２の溝の外側側面に形成された第１の接地導体と第２の接地導体の端部はそれぞれ上記第１の溝の溝底面及び上記第２の溝の溝底面から離れて位置する請求項１０記載の高周波伝送線路。
【請求項１２】
上記第１の溝は、上記第２の溝の両側に形成されており、上記信号線導体が上記第１と第２の溝の間に形成された２つのリッジにそれぞれ形成されて互いに電磁結合する請求項１０記載の高周波伝送線路。
【請求項１３】
上記第１の溝の外側側面とその外側側面に沿った上記基板の上面に連続した接地導体が、上記互いに電磁結合する上記２つの信号線導体の外側に形成され、上記各接地導体の上記第１の溝の外側側面に形成された端部はそれぞれ上記第１の溝の溝底面から離れて位置する請求項１２記載の高周波伝送線路。
【請求項１４】
上記第２の溝は、２カ所で分岐されておりその分岐された後の２つの第２の溝のうちの一方の第２の溝は上記２つの第１の溝のうちの一方の第１の溝と平行であり、他方の第２の溝は他方の第１の溝と平行である請求項１２記載の高周波伝送線路。
【請求項１５】
上記第１の溝の外側側面とその外側側面に沿った上記基板の上面に連続した接地導体が、上記互いに電磁結合する上記２つの信号線導体の外側に形成され、上記各接地導体の上記第１の溝の外側側面に形成された端はそれぞれ上記第１の溝の溝底面から離れて位置し、
上記分岐された後の２つの第２の溝の外側側面と、その２つの第２の溝の間に位置する上記基板の上面とに連続した接地導体が形成され、その接地導体の上記第２の溝の外側側面に形成された端部が上記第２の溝の溝底面から離れて位置する請求項１４記載の高周波伝送線路。
【請求項１６】
上記リッジの少なくとも一部における上面の高さが、上記基板の上面の高さと異なる請求項９〜１５のうちのいずれか１つに記載の高周波伝送線路。
【請求項１７】
上記リッジの上面の高さを信号伝送方向に対して変化させた請求項１６に記載の高周波伝送線路。
【請求項１８】
上記信号線導体は第１と第２の信号線導体を含み、上記第１の信号線導体は上記溝の一方の側面とその側面に沿った基板の上面に連続して形成され、上記第２の信号線導体は上記溝の他方の側面とその側面に沿った基板の上面に連続して形成されており、上記一方の側面に形成された上記第１の信号線導体の端部は上記溝の溝底面から離れて位置し、上記他方の側面に形成された上記第２の信号線導体の端部は上記溝の溝底面から離れて位置する請求項９記載の高周波伝送線路。
【請求項１９】
上記溝は上記基板の２つの面に渡って形成され上記高周波伝送線路が上記２つの面に連続して形成されている請求項９〜１８のうちのいずれか１つに記載の高周波伝送線路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき方法、特に高周波線路の製造に適しためっき方法と高周波線路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の高周波線路では、例えば、特許文献１の請求項２３、段落（００６３）〜（００６５）及び特許文献１の図２１等に示されているように、次の手順で作製される。
特許文献１では、まず、一次成型として、信号ラインとなる凸部を形成するために、一対の溝を成形したプラスチックパッケージをめっき可能樹脂でインジェクション成型する。次に成形したプラスチックパッケージに、めっきを施すための前処理を行った後、二次成形として、プラスチックパッケージの溝部に低誘電率樹脂を一次成形時の上面より低く成形する。ここで、特許文献１において、二次成形樹脂を一次成形時の上面より低く成形するのは、一次成型時の上面に二次成形時の樹脂がはみ出さないようにするためである。そして、めっき前処理を行った部分に無電界めっきによってめっきを施す。このようにして、一対の溝に挟まれた部分を信号ラインとし、それ以外の部分でめっきを施された部分がグランドラインとする高周波線路が作製される。
【０００３】
しかしながら、従来の高周波線路の作製方法では、線路面側から二次成型の樹脂を充填しているため、プラスチックパッケージの溝部に対応する金型に樹脂の流路および注入口を設ける必要があり、溝幅を狭くできないという問題があった。
【０００４】
また、高周波伝送線路としては、例えば、図２４Ａに示すような従来のコプレーナ線路がある。
従来コプレーナ線路では、誘電体または半導体基板４０１上に信号線導体４０２及び接地導体４０３ａ、４０３ｂを形成し、高周波信号の伝送を行う。図２４Ａの従来のコプレーナ線路では、信号線導体４０２と接地導体４０３ａ、４０３ｂの間隔領域に電磁界が集中する構造であるため、信号線導体４０２と接地導体４０３ａ、４０３ｂ各々の端部に、導体を流れる電流が集中し、この結果、導体損失による伝送損失が増大するという問題があった。
【０００５】
また、従来のコプレーナ線路は、基板４０１内部に電磁界が入り込む構造であるため、基板４０１の誘電体損失による伝送損失が生じるという問題もあった。
【０００６】
上記問題の内、誘電体損失による伝送損失を低減させた技術として、例えば、非特許文献１記載の改良されたコプレーナ線路がある（その断面を図２４Ｂに示す）。この改良されたコプレーナ線路は、従来のコプレーナ線路と同様に、基板４０１上に信号線導体４０２及び接地導体４０３ａ、４０３ｂを形成し、信号線導体４０２と接地導体４０３ａの間、及び信号線導体４０２と接地導体４０３ｂの間の誘電体に溝４０４ａ、４０４ｂを設ける構造を有している。
【０００７】
この図２４Ｂの構造により、従来のコプレーナ線路で基板４０１内部に入り込んでいた電磁界の一部分が、溝４０４ａ、４０４ｂ内に分布するため、従来のコプレーナ線路で生じていた基板４０１の誘電体損失による伝送損失を軽減する効果がある。しかしながら、この構造では、上述の従来のコプレーナ線路で問題となっていた、導体端部に電流が集中することによる導体損失は低減することができない。
【０００８】
一方、導体端部の電流の集中を緩和する高周波伝送線路構造として、例えば、特許文献１に掲載された高周波伝送線路がある（その断面を図２４Ｃに示す）。
【０００９】
この図２４Ｃの高周波伝送線路は、一対の溝３０４ａ、３０４ｂを持つめっき可能な誘電体基板３０１と、溝内部に設けられためっき不可能な誘電体３０５ａ、３０５ｂにより基板を構成し、めっきにより基板３０１の上面と溝側面の一部に信号線導体３０２及び接地導体３０３ａ、３０３ｂを形成することで得られる。
【００１０】
このようにして得られた図２４Ｃに示す高周波伝送線路は、溝側面の一部に導体を形成することで、信号線導体と接地導体が対向する面積を大きくすることができるため、従来のコプレーナ線路で問題となっていた導体端での電流の集中を緩和することができ、結果、導体損失を低減することができる。
【００１１】
しかしながら、図２４Ｃに示す高周波伝送線路では、溝底面に誘電体３０５ａ、３０５ｂが残留するため、この誘電体内部に電磁界が入り込むことにより誘電体損失による伝送損失を低減することができないという問題がある。
【特許文献１】特開平２００１−１８９５１５号公報特開
【非特許文献１】K.J.Herrick, et al, ”Si-Micromachined Coplanar Waveguides for Use in High-Frequency Circuits” ,IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol.46, No.6, June ,pp762-768(1998)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
以上のように、従来の高周波線路の製造方法では、高周波線路の幅を狭くすることが出来ないという問題があった。
また、従来の高周波伝送線路では、導体損失及び誘電体損失による伝送損失の低減には限界があった。
【００１３】
そこで、本発明は、小型の高周波線路の製造に適用できるめっき方法と、そのメッキ方法により作製された小型化が可能な高周波線路を提供することを第１の目的とする。
【００１４】
また、導体損失及び誘電体損失の両方を低減することが可能な伝送特性に優れた低損失な高周波伝送線路の提供を第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
そこで、本発明に係るめっき方法は、充填材を含む第１の樹脂からなる第１部と上記第１部とは異なる材料からなる第２部とを有してなる複合部材にめっきをする方法であって、上記充填材を溶解しかつ上記第２部の表面状態を実質的に変化させることのない表面処理液で上記複合部材を処理する前処理工程と、上記前処理工程で処理した上記複合材料を無電界めっきするめっき工程とを含み、上記第１部に選択的にめっき膜を形成することを特徴とする。
尚、本明細書では、第１部とは異なる材料には、第１の樹脂において充填材を含んでいないだけのものも含まれる。
【発明の効果】
【００１６】
このように構成された本発明に係るめっき方法によれば、複合部品を作製した後に、上記第１部を選択的に表面処理して、その表面処理した第１部に選択的にめっきを施しているので、従来技術におけるような問題はなく、微細なパターンであっても選択的にめっきが可能になる。
したがって、本発明に係るめっき方法を高周波線路の製造方法に適用することにより、幅の狭い高周波線路を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る実施の形態について説明する。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る高周波線路の構造を示す図であり、図１Ａは斜視図、図１Ｂは図１ＡにおけるＡ−Ａ’線についての断面図、図１Ｃは図１ＡにおけるＢ−Ｂ’線についての断面図である。
図１の高周波線路は、基板１ａ、基板１ｂ、基板１ａと同一の材料の凸部２ａからなる複合部材１と、凸部２ａの表面に形成された中心導体と基板１ａの表面の一部に中心導体２と平行に形成された接地導体３ａ，３ｂとによって構成され、中心導体２、接地導体３ａ，３ｂ及び中心導体２の周辺部により高周波信号を伝送する伝送路が構成される。
ここで、図１の高周波線路において、基板１ａと凸部２ａは、めっきの前処理液によって溶解可能な充填材を含むめっき可能樹脂（第１の樹脂）からなり、基板１ｂは基板１ａに含まれる充填材を溶解する前処理液にさらされても表面状態が実質的に変化することのない材料からなっていて、中心導体２、接地導体３ａ，３ｂを形成するための選択的なめっき膜の形成を可能としている。
【００１８】
具体的には、複合部材１において、凸部２ａは高周波信号を伝送させる方向に形成されており、その両側には、溝４ａ，４ｂが形成されている。言い換えれば、溝４ａ，４ｂが形成されることによって、凸部２ａが形成されており、本実施の形態１では、基板１aの上面と凸部２aの上面は同一平面上に位置している。また、複合部材１の上面において、溝４ａ，４ｂの底面のみに基板１ｂの表面が露出されており他の部分は基板１ａの表面が露出されている。
【００１９】
そして、凸部２ａの上面と両側面にめっき膜からなる中心導体２が形成され、凸部２ａの両側面に形成されためっき膜に対向する溝４ａ，４ｂの側面にそれぞれ接地導体３ａ，３ｂが形成される。尚、実施の形態１の高周波線路では、接地導体３ａ，３ｂは、溝４ａ，４ｂの側面から基板１ａの上面の一部（溝４ａ，４ｂに沿った部分）に延在するように連続して形成されている。
【００２０】
以下、図２Ａ，Ｂを参照しながら、実施の形態１の高周波線路の製造方法について説明する。
＜基板１ｂの作製＞
まず、図２Ａに示す基板１ｂを作製する。この基板１ｂには、複合部材１の基板１ａと凸部２ａの部分を成形するための樹脂注入用の注入溝５と貫通孔６が設けられている。また、この基板１ｂは、上述したように、基板１ａに含まれる充填材を溶解する前処理液にさらされても表面状態が実質的に変化することのない材料からなっている。具体的な材料としては、基板１ａに含まれる充填材を含まない樹脂、セラミック等が挙げられ、接地導体と中心導体間の絶縁性確保のため、体積抵抗率は１０５Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。また、本発明においては、表面を絶縁処理（例えば、塗装や酸化処理等による絶縁層の形成など）した金属等の導電性を有する材料を用いて基板１ｂを作製することもできる。基板１ｂの作製方法としては、射出成形、圧縮成形、機械加工等が挙げられる。
【００２１】
＜基板１ａの部分と凸部２ａの部分の成形＞
次に複合部材１の形状に等しい空洞を有する射出成形用の金型内に、基板１ｂをセットし、射出成形機により基板１ｂの注入溝５と貫通孔６とを介して金型内に樹脂を注入する（図２Ｂ）。射出成形用の金型は、複合部材１の溝４ａ，４ｂに対応する互いに平行なリッジ形状の凸部を２つ有しており（金型の２つの凸部の間の凹部が複合部材１の凸部２ａに対応）、基板１ｂの上面が２つの凸部の上面に接するように基板１ｂは金型内にセットされる。
以上のように金型内に基板１ｂをセットして、金型内に樹脂を注入すると、図１Ａ等に示す基板１ａと基板１ｂの一体化物である複合部材１が作製される。
【００２２】
以上説明した実施の形態１では、基板１ｂの注入溝５と貫通孔６とを介して金型内に樹脂を注入するようにしているので、金型（特にゲート部分）の制約を受けることなく幅の狭い高周波線路を形成することができる。
すなわち、金型の基板１ａの上面及び／又は凸部２ａの上面に対応する位置にゲートを設けると、（１）金型から複合部材を離型した時にゲート痕が残り、後加工による表面平滑化工程が必要になることや、（２）ゲート形状（例えば、ゲートの径）による制約があるために凸部２aの幅を狭くすることができない。しかしながら、本実施の形態１のように、基板１ｂに設けた注入溝５および貫通孔６を経由して凸部に注入すると、金型のゲート形状による制約を受けることなく、所望の凸部幅に設定できる。
尚、基板１ｂを樹脂で構成する場合、基板１ａを成形するための樹脂を注入する際の金型温度は、基板１ｂの変形を低減するために、基板１ｂの材料の熱変形温度以下、好ましくはガラス転移温度以下でかつ基板１ａの形成用樹脂の溶融温度とすることが好ましい。
【００２３】
＜めっき工程＞
次に、複合部材１の表面のうち、基板１ｂが露出された溝４ａ，４ｂの底面と、基板１ａの表面の中心導体２と接地導体３ａ，３ｂを形成すべき部分を除いて、公知のマスキング方法によりマスクを形成して（めっきレジストＲ１により覆う）、充填材を溶解するめっき前処理液により複合部材１の表面を処理する。これにより、基板１ａの表面のうちのめっきレジストＲ１で覆われていない表面に露出されていた充填材１００がめっき前処理液により溶解され、その跡に窪み１０１が形成されて表面粗化される（図３）。この状態で無電界銅めっき等の無電界めっき処理をすることにより、表面が粗化された基板１ａの表面に接地導体３ａ、３ｂと中心導体２が形成される。
【００２４】
以上の実施の形態１のめっき工程では、溝４ａ，４ｂの底面に露出されている表面は、基板１ｂの表面であり、充填材１００を溶解するめっき前処理液により表面粗化されないことから、溝４ａ，４ｂの底面をめっきレジストで覆う必要はない。したがって、本実施の形態１では、マスクの形成工程における制約を受けることなく、溝幅を狭く設定できる。
【００２５】
以上の実施の形態１の高周波線路の製造方法では、基板１ａの成形時に基板１ｂの注入溝５と貫通孔６を介して成形樹脂を注入するようにし、かつめっき工程において溝４ａ，４ｂの底面をめっきレジストで覆うために溝幅を大きくする必要がないので、線幅の狭い高周波線路の製造が可能になる。
【００２６】
以上説明した実施の形態１の高周波線路では、複合部材１の上面側において、溝４ａ，４ｂの底面のみに基板１ｂの表面を露出させているが、本発明はこれに限られるものではなく、中心導体２と接地導体３ａ，３ｂを形成すべき部分のみに、めっきの可能な基板１ａの表面を露出させ、中心導体２と接地導体３ａ，３ｂが形成されない部分には基板１ｂの表面が露出されるようにしてもよい。このようにすると、めっき工程におけるマスキング処理が省略でき、製造工程を簡略化できる。
【００２７】
実施の形態２．
図４Ａ，Ｂは、本発明の実施の形態２に係る高周波線路の構造を示す図であり、図４Ａは斜視図であり、図４Ｂは図４ＡにおけるＤ−Ｄ’線についての断面図である。図４Ａ，Ｂに示すように、本実施の形態２の高周波線路は、実施の形態１の高周波線路において、基板１ｂに代えて溝４ａ、４ｂの底部にのみ表面が露出されるようにめっき不可能（充填材を溶解するめっき前処理液にさらされても表面形状が変化しない）な絶縁部材７を配置した以外は、実施の形態１と同様に構成される。
すなわち、実施の形態２の高周波線路において、溝４ａ、４ｂの底部にのみ表面が露出されるように絶縁部材７が基板１ａの内部に埋め込まれている。
【００２８】
以下、図５Ａ，Ｂを参照しながら、本発明に係る実施の形態２の高周波線路の製造工程について説明する。図５Ａは、基板１ａの外形形状を画する金型のキャビティ８を示している。まず、このキャビティ８において、基板１ａの溝４ａ、４ｂの底部に相当する箇所に、めっき不可能な絶縁部材７を設置する（図５Ｂ）。具体的には、例えば、実施例２に示すように、基板１ａの溝４ａ、４ｂの底部に対応する金型の凸部の上面に、例えばめっき不可能な樹脂からなる絶縁部材を含む塗料を塗布して乾燥させる。絶縁部材７の材料としては、基板１ａに接地導体および中心導体を形成するための表面粗化処理およびめっき処理で用いる溶剤に対する耐性を有していればよいが、絶縁部材７を形成するための作業性に優れるエポキシ樹脂やフッ素樹脂等を含む塗料を用いることが好ましい。
【００２９】
次に、絶縁部材７を設置したキャビティ８にめっき可能な樹脂を射出成形機より注入して基板１ａを成形し、溝４ａ、４ｂの底部のみに絶縁部材７の表面が露出された複合部材を作製する。
そして、実施の形態１と同様にして公知のマスキング処理、表面粗化処理およびめっき処理により接地導体３ａ、３ｂと中心導体２を形成し、高周波線路を作製する。
【００３０】
このような高周波線路の作製方法によれば、実施の形態１と同様、高周波線路の幅を狭くすることができる。さらに、実施の形態２の製造方法によれば、比較的構造の簡単な絶縁体７を作製するだけで、基板１ｂを別に作製する必要がなく、高周波回路の生産性を向上せることができる。
【００３１】
実施の形態３．
図６Ａ〜Ｃは本発明に係る実施の形態３の高周波線路の構造を示す図である。図６Ａは斜視図であり、図６Ｂは図６ＡにおけるＥ−Ｅ’線についての断面図、図６Ｃは図６ＡにおけるＦ−Ｆ’線についての断面図である。
【００３２】
この実施の形態３の高周波線路は、製造過程において、めっき不可能な材料からなる実施の形態１における基板１ｂに相当する部材、又は実施の形態２における絶縁体７に相当する部材（めっき不可能な樹脂である除去可能な注入樹脂１０）を用いて選択的にめっきをするようにし、めっき後にその注入樹脂１０を除去することにより製造されている。
図６Ａ〜Ｃにおいて、高周波信号を伝送させる線路は、実施の形態１及び２と同様に、基板１ａ上にめっき処理により形成された接地導体３ａ、３ｂとその間の中心導体２とその周辺部によって構成される。また、図６において、貫通孔９は、注入樹脂１０を注入するための貫通孔である。
【００３３】
以下、図７Ａ〜Ｅ及び図８Ａ〜Ｅを参照しながら、実施の形態３の高周波線路の製造方法について説明する。
図７Ａ〜Ｅ及び図８Ａ〜Ｅは、本発明の実施の形態３による高周波線路の製造工程の流れを示す図であり、図７Ａ〜Ｅは、図６のＥ−Ｅ’線における断面について製造工程の流れを示し、図８Ａ〜Ｅは、図６のＦ−Ｆ’線における断面について製造工程の流れを示したものである。
本製造方法では、まず、溝４ａ、４ｂおよび貫通孔９を有する基板１ａをめっき可能な樹脂（充填材を含む樹脂）を用い、射出成形により作製する（図７Ａ、図８Ａ）。
【００３４】
次に、めっきの表面処理液によって表面状態が実質的に変化しないめっき不可能な樹脂でかつ所定の溶剤により除去可能な樹脂（以下、注入樹脂１０とする）を、高周波線路が形成される上面とは反対側の裏面から貫通孔９を通して注入する（図７Ｂ、図８Ｂ）。ここで、溝４ａ、４ｂに充填する注入樹脂１０は、溝４ａ、４ｂに上面から深さｈの部分まで注入される。尚、この深さｈは、溝内で接地導体３ａ、３ｂと中心導体２とが対向する部分であり、高周波信号の伝送特性に影響を与えるものであることから、要求される高周波信号に対する伝送特性を考慮して設定される。
【００３５】
次に、図７Ｃ、図８Ｃに示すように、溝４ａ，４ｂの部分を除く基板１ａの表面であって、めっき処理の不要な部分を樹脂マスキング１０ａで覆う。尚、この注入樹脂１０を注入する工程と、樹脂マスク１０ａで覆う工程は、同一樹脂を用いて金型内で一括して同時に行ってもよい。
そして、表面粗化処理およびめっき処理により、図７Ｄ、図８Ｄに示すように接地導体３ａ、３ｂと中心導体２を形成して、樹脂マスク１０ａを除去する。
最後に、注入樹脂１０を溶剤で除去する。
尚、注入樹脂１０と樹脂マスク１０ａとを同一材料を用いて形成した場合には、それらの樹脂は、一の工程で除去することができる。
以上の工程により、実施の形態３の高周波線路は作製される。
【００３６】
以上の実施の形態３の高周波線路の製造方法によれば、溝４ａ，４ｂの底面及びその近傍にめっきが形成されないようにするための注入樹脂１０を、溝の底面に貫通するように形成された貫通孔９を介して注入するようにしているので、実施の形態１及び２と同様、高周波線路の幅を狭くすることができる。また、実施の形態３の製造方法によれば、実施の形態１のように基板１ｂを別に作製する必要がなく、高周波回路の生産性を向上せることができる。さらに、めっき不可能な樹脂を除去できるため、高周波線路の軽量化が可能になる。
【００３７】
またさらに、以上のように作製された実施の形態３の高周波伝送線路は、注入樹脂１０をめっき処理後に除去することから、溝側面に形成された信号線導体と接地導体が溝底面と接触しない構造とでき、以下のような特徴を有する。
【００３８】
すなわち、実施の形態３の高周波伝送線路は、図６Ａ〜図６Ｃに示すように、基板１ａと、基板１ａに設けた溝４ａ、４ｂと、二つの溝に挟まれる凸部の上面および側面にめっき処理により形成される中心導体（信号線導体）２と、信号線導体２を形成した溝側面と対向する溝側面および基板１ａ上面に連続して形成した接地導体３ａ、３ｂにより構成されるが、溝側面に形成される信号線導体２と接地導体３ａ，３ｂの各端部は溝底面まで達しないように（溝底面から離れて）形成されている。
尚、本実施の形態３では、溝４ａ、４ｂの断面形状は長方形としているが、溝の形状はこれに限られるものではない。また、図６Ａ等では、溝側面の一部に形成された信号線導体と接地導体の深さ方向への距離を同一としているが、これに限られるものではない。
【００３９】
このように溝側面に形成された信号線導体と接地導体が溝底面と接触しない構造とした実施の形態３の高周波伝送線路では、従来例に比較して伝送損失を低減することができる。
すなわち、図２４Ｃに示すような従来の高周波伝送線路では、信号線導体と接地導体が溝内部で対向するため、この対向する面内に電磁界が集中し、信号の伝送が行われるが、対向する面の端部にあたる溝内に形成した信号線導体及び接地導体の最下部では、溝の深さ方向に電磁界の漏れ出しを生じる。このため、信号線導体及び接地導体の最下部が、溝底部に残留する誘電体と接触している従来の高周波伝送線路では、同誘電体の誘電体損失による伝送損失が生じる。
【００４０】
これに対して、図６Ａ等に示す本実施の形態３の高周波伝送線路では、注入樹脂１０をめっき処理後に除去し、溝側面に形成された信号線導体及び接地導体が溝底面と接触しないようにしているため、従来の高周波伝送線路で生じていた誘電体損失による伝送損失を低減することができる。
【００４１】
図１７は、図６Ａの構造の高周波伝送線路において、注入樹脂１０を除去することなく溝底部に残留させたもの（比較例）と、注入樹脂１０を除去したもの（実施の形態３の構造）について、それぞれの１ｍｍあたりの通過損失を数値解析した計算例である。図１７において、実線は注入樹脂１０を除去した高周波伝送線路における通過損失を示し、点線は注入樹脂１０が残留した状態の高周波伝送線路における通過損失を示す。また、注入樹脂１０の材料定数は、誘電率を３．９、誘電正接を０．０３とした。
【００４２】
図１７のグラフから、信号線導体及び接地導体の最下部を溝底部まで達しないようにした本実施の形態３の線路構造は、通過損失を低減させる効果があることがわかる。
すなわち、溝の側面に形成された信号線導体及び接地導体が溝底面と接触しないような構成としたので、溝底部の誘電体中に漏れ込む（分布する）電磁界を減少させる効果があり、この誘電体の誘電体損失を低減させる効果がある。
一般的に、数十ギガヘルツ（ＧＨｚ）以上の周波数帯域では、導体損失に比べ誘電体損失が支配的となるため、本実施の形態３の線路構造は、高い周波数における通過損失を低減させる構造として特に有効である。
以上の実施の形態３では、より好ましい形態として、信号線導体及び接地導体の両方の最下部を溝底部まで達しないようにしたが、本発明では、信号線導体及び接地導体のうちのいずれか一方の最下部（好ましくは、信号線導体の最下部）を溝底部まで達しないようにした場合でも伝送損失低減効果が得られる。
【００４３】
また、この実施の形態３の高周波伝送線路の作製方法では、溝底面及びその近傍にめっきが形成されないようにするための注入樹脂１０を、溝の底面に貫通するように形成された貫通孔９を介して溝底部側より注入するため、溝上面から注入していた従来の作製方法で問題となっていた注入口の大きさの制限が無くなり、溝幅を狭くすることができる。この結果、高周波伝送線路の小形化が可能とであり、かつ通過損失を低減できる。
【００４４】
以上説明したように、本発明に係る実施の形態１〜３の各形態はいずれも、樹脂成形（例えば、射出成形）方法との関連において、充填材を含む樹脂と、その充填材を溶解することができるめっき前処理液と、そのめっき前処理液によって表面状態が実質的に変化しない材料を組み合わせて小型の高周波線路を実現したものである。
そこで、以下に本発明に用いることができる、充填材及びその充填材を溶解することができるめっき前処理液の具体例を以下の表１に掲げておく。
尚、本発明は、以下の表１に示す材料に限定されるものではない。
【００４５】
表１
2005210672.tif 000003
【００４６】
実施の形態１〜３では、例えば、表１に示す特定の溶液に溶解可能な充填材を含む樹脂を基板１ａを構成するための樹脂として用いた例について説明した。
しかしながら、本発明において基板１ａの材料として用いられる樹脂はこれに限られるものではなく、例えば、アクリロ二トリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ）樹脂のように、無機物からなる充填材を含まない樹脂であっても、特定の溶液（例えば、ＡＢＳ樹脂に対するクロム酸と硫酸の混合溶液）によって、めっき前処理液により表面に現れた溶解可能な部位（本明細書において充填材に含まれる）が溶解することによって表面粗化が可能な樹脂を用いてもよい。
【００４７】
実施の形態４．
以上の実施形態１〜３は、不平衡伝送線路において伝送損失を低減するようにしたものであるが、実施の形態１〜３の製造方法及び構造は、平衡線路において適用することができ、同様に伝送損失を低減することができる。
以下、平衡線路において同様に伝送損失を低減することが可能な実施の形態４について説明する。図１８は、本発明に係る実施の形態４の高周波伝送線路の断面を示すものである。
【００４８】
図１８の高周波伝送線路は、基板１ａと、基板１ａに設けた溝４ａと、溝の一方の側面およびこの側面に連続する基板１ａの上面に形成された第一の信号線導体２ｂと、第一の信号線導体２ｂを形成した溝側面と対向する溝側面およびこの側面に連続する基板１ａの上面に形成された第二の信号線導体２ｃにより構成され、溝側面に形成される信号線導体がそれぞれ溝底面まで達しないように（接触しないように）構成される。
【００４９】
以上のように構成された実施の形態４の高周波伝送線路は、平衡線路であるが、実施の形態３と同様に、溝側面に形成された信号線導体が溝底面と接触しないようにしているため、従来の高周波伝送線路に比較して誘電体損失による伝送損失を低減することができる。
尚、本実施の形態４の高周波伝送線路は、例えば、実施の形態３で説明した方法により作成できる。
【００５０】
実施の形態５．
本発明に係る実施の形態５は、本発明（実施の形態３）に係る高周波伝送線路を複数本用い互いに結合させて構成した方向性結合器であり、図１９Ａは、実施の形態５の方向性結合器の上面図であり、図１９Ｂは、図１９ＡにおけるＲ−Ｒ’線についての断面図であり、図１９Ｃは、図１９ＡにおけるＳ−Ｓ’線についての断面図である。
【００５１】
具体的には、実施の形態５の方向性結合器は、図１９Ａ等に示すように、基板１ａと、基板１ａに設けた溝４ａ、４ｂ、４ｃと、溝に挟まれる凸部の上面及び側面の一部に形成された信号線導体２ｄ、２ｅと、信号線導体と溝内部で対向する側面の一部及びこの側面と接する基板１ａの上面の一部に形成した接地導体３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄによって構成される。また、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４はそれぞれ各入力ポートを示し、各接地導体を同電位に保つ目的でエアブリッジ１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄが設けられている。
【００５２】
このように構成された実施の形態５の方向性結合器では、ポートＰ１から入力した電力がポートＰ２及びポートＰ３から出力され、理想的にはポートＰ４から出力される電力が零になるように設計される。また、結合線路部分（信号線導体２ｄ、２ｅの互いに平行な部分）の長さは、使用する周波数に対する波長の４分の１になるように設計される。ポートＰ２及びポートＰ３から出力される電力の比は、結合線路の断面形状から決まる結合度によって決定される。
【００５３】
以上のように構成された実施の形態５の方向性結合器は、実施の形態３及び実施の形態４で述べたような伝送損失の低減に効果が得られるとともに、基板内部に入り込む電磁界が極めて少なくできるため、結合線路断面における電磁界分布により定義される２つのモード（偶モードと奇モード）間の伝搬速度の差異を小さくすることができる。このため、極めて方向性に優れた（ポートＰ４から出力される電力を極めて小さくすることが可能な）方向性結合器の提供が可能になる。
【００５４】
これに対して、従来のコプレーナ線路では、導体パターンを形成する基板内部の誘電率と、基板上の空気の誘電率が異なるため、結合線路断面で定義される偶モードと奇モードに対する実効誘電率が異なり、２つのモード間で伝搬速度の差異が生じる。この伝搬速度の差異により、方向性結合器の方向性が劣化し、ポートＰ４から出力される電力が実施の形態５の方向性結合器に比較して大きくなる。
【００５５】
また、ポートＰ２及びポートＰ３から出力される電力の比を決定する結合度は、信号線導体２ｄ及び２ｅが対向する面積に比例して大きくなるため、図１９Ａ等に示す本実施の形態５の方向性結合器は、信号線導体２ｂ及び２ｃが溝内部で対向し、対向面積を広く取れるため、同寸法の従来のコプレーナ線路に比べ、高い結合度を得ることができる。
【００５６】
実施の形態６．
図２０Ａ〜図２０Ｃは、本発明に係る実施の形態６の高周波伝送線路の断面を示す断面図である。
【００５７】
図２０Ａに示す実施の形態６の高周波伝送線路は、まず基板１ａを、基板１ａに設けた溝４ａ、４ｂに挟まれる凸部の上面の高さを、凸部以外の上面の高さよりも低く成型し、その後、実施の形態３で述べた方法と同様に信号線導体２及び接地導体３ａ、３ｂを形成することによって作製される。
【００５８】
図２０Ｂは、図２０Ａの高周波伝送線路においてさらに、基板１ａの上面に金属平板１１を設け、２つの接地導体３ａ、３ｂを電気的に接続した高周波伝送線路の断面図を示す図である。
【００５９】
一般に、図６Ａ、図１９Ａ、図２０Ａに示すような、２つの接地導体と、この２つの接地導体に挟まれる少なくとも一つの信号線導体により構成される高周波伝送線路では、例えば、図２０Ｃの上面図に示すように高周波信号の伝送方向がある角度をもって曲がる場合、２つの接地導体３ａ、３ｂに経路差が生じ、接地導体間に電位差が生じる。この結果、信号線とは無関係に接地導体間を伝搬する不要モードの発生が起こり、伝送特性が劣化するという問題がある。
【００６０】
これを避けるためには、２つの接地導体を電気的に接続する必要がある。しかしながら、従来のコプレーナ線路では、信号線導体と接地導体が同一平面上にあるため、信号線導体と電気的に接続せずに２つの接地導体を接続するエアブリッジが採用されている。
【００６１】
しかしながら、本実施の形態６の図２０Ａに示す断面構造のように、信号線導体２の上面を２つの接地導体３ａ、３ｂの上面に比べ低く作製することにより、図２０Ｂに示すように、接地導体３ａ、３ｂ上に金属平板１１を接続することで、信号線導体２と電気的に接続せずに、接地導体３ａ、３ｂを容易に電気的に接続することができ、エアブリッジの作製に係る手間とコストが不要となる。
【００６２】
以上のように、信号線導体上面と接地導体上面の高さが異なる図２０Ａに示す高周波伝送線路では、従来のコプレーナ線路で必要であったエアブリッジを金属平板で代替が可能となり、製造プロセスの簡略化が可能となり、線路構造の安定性、信頼性の向上が得られる。
【００６３】
また、信号線導体上面の高さを接地導体上面の高さに比べ低くすることにより、線路断面内に分布する電磁界が、基板内部に閉じ込められるため、放射による損失の少ない伝送線路が得られる。
【００６４】
実施の形態７．
図２１Ａは、本発明に係る実施の形態７の高周波伝送線路の上面図であり、図２１Ｂは、図２１ＡにおけるＴ−Ｔ’線についての断面図であり、図２１Ｃは、図２１ＡにおけるＵ−Ｕ’線についての断面図である。
【００６５】
図２１Ａに示す実施の形態７の高周波伝送線路は、基板１ａに設けた溝４ａ、４ｂと基板上面及び側面の一部に形成した信号線導体２と接地導体３ａ、３ｂにより構成され、図２１Ｂに示すように、信号線導体２の上面の高さが場所によって異なるような構造を有している。
【００６６】
このように信号線導体２の上面の高さを場所によって変化させることにより、溝幅が一定の場合、溝内部で信号線導体２と接地導体３の対向面積が異なり、結果として、線路の特性インピーダンスが異なる。
【００６７】
異なる特性インピーダンス値Ｚ１、Ｚ２を持つ高周波伝送線路同士を接続すると、インピーダンス不整合が起こり、入力信号の伝送特性が劣化する。一般に、このような特性インピーダンスの異なる高周波伝送線路同士を接続する場合には、特性インピーダンスＺ１、Ｚ２の線路の間に、特性インピーダンスの値がＺ１とＺ２の相乗平均であり、線路長が使用する周波数に対する波長の４分の１になるような伝送線路を設けることにより、インピーダンスの整合を取る。
【００６８】
図２１Ａに示す実施の形態７のような高周波伝送線路では、溝４ａ、４ｂにより挟まれる凸部の高さを場所により変化させているため、基板１ａの形状によりインピーダンスを変化させることができ、上記のようなインピーダンスの異なる線路同士の整合が可能となり、伝送特性に優れる高周波伝送線路が得られる。
【００６９】
実施の形態８．
図２２Ａは、本発明に係る実施の形態８の高周波伝送線路の構造を示す斜視図である。
図２２Ｂは、図２２ＡにおけるＮ−Ｎ’線についての断面、図２２Ｃは、図２２ＡにおけるＯ−Ｏ’線についての断面、図２２Ｄは、図２２ＡにおけるＰ−Ｐ’線についての断面、図２２Ｅは、図２２ＡにおけるＱ−Ｑ’線についての断面をそれぞれ示す断面図である。また、図２３は図２２Ａ等で示した高周波伝送線路を用いて構成したアンテナ装置である。
【００７０】
図２２Ａの高周波伝送線路は、まず基板１ａを、基板１ａのある一つの面１ｓ１とこの面１ｓ１の一辺で直交するもう一つの面１ｓ２に連続した溝４ａ、４ｂが形成されるように作製し、その後、その溝に実施の形態３で述べた方法と同様にして信号線導体２及び接地導体３ａ、３ｂを形成することによって作製される。
【００７１】
このように作製された高周波伝送線路は、基板１ａ上のある面１ｓ１と、この面と異なる面１ｓ２とに形成された高周波線路を接続することが可能となる。なお、図２２Ａ等において、面１ｓ１と面１ｓ２の成す角度は９０度としたが、本発明はこれに限られるものではなく、面の成す角度は鋭角であってもよいし、鈍角であってもよい。また、本実施の形態では、接続する面を２つとしているが、これに限られるものではない。
【００７２】
図２２Ａ等で示す高周波伝送線路では、溝４ａ、４ｂが複数の面において連続に作製することができるため、連続性の高い高周波伝送線路の接続が可能となり、従来の高周波伝送線路の接続の際に問題となる不連続性による入力信号の反射を低減できるとともに、実施の形態３で述べたように、低損失な伝送線路の構成が可能である。以上のように、図２２Ａ等で示す高周波伝送線路では、伝送特性に優れる高周波伝送線路の接続構造が実現できる。
【００７３】
図２３は、基板１ａ上の異なる面間を接続した一例であり、図２２Ａ等で示した高周波伝送線路を用いて構成したアンテナ装置である。具体的には、図２３のアンテナ装置は、送受信モジュール１２を基板１ａのある面１ｓ２に実装し、この面と異なる面１ｓ１にアンテナ素子１３を設け、送受信モジュールとアンテナ素子を図２２Ａ等で示した高周波線路により立体的に配線したものである。
【００７４】
一般に、アンテナ素子と送受信モジュールを異なる面に配置することにより、アンテナ装置の占有面積を小さくすることができるが、異なる面同士の接続において、接続する高周波伝送線路の不連続性により入力信号の反射が大きくなるという問題があった。しかしながら、図２２Ａ等で示す高周波伝送線路は、上述のように連続性を保持した構造のため、異なる面間の接続を、低損失でかつ入力信号に対する反射を小さくできるので、アンテナ装置の高性能化が図られる。
【００７５】
以上の実施の形態３〜８の高周波伝送線路は、樹脂成形によって作製される基板１ａを用いた例により説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、実施の形態３〜８の高周波伝送線路の構造は種々の誘電体基板又は半導体基板を用いた高周波伝送線路に適用でき、同様の作用効果が得られる。
【実施例】
【００７６】
実施例１．
実施の形態１に従って、縦断面がＬ字型の複合部材を用いて構成した実施例１の高周波線路を作製した。図９Ａは実施例１の高周波線路の上面図であり、図９Ｂは、実施例１の高周波線路の上面図であり、図９Ｃは図９ＡにおけるＧ−Ｇ線についての断面図である。また、図１０は、図９ＡにおけるＧ−Ｇ線についての断面図の拡大図であり、図１１は、図９ＡにおけるＨ−Ｈ線についての断面図の拡大図である。
【００７７】
実施例１では、まず、水酸化カリウム水溶液に溶解される充填材を含まない樹脂を用い、図９Ａ〜Ｃに示す高周波信号を伝送する伝送路に沿った形状の基板１ｂを機械加工にて作製する。この基板１ｂは、幅０．６２ｍｍ、厚さ０．５２ｍｍの断面形状となるように加工され、基板１ｂの裏面には基板１ａを形成するための樹脂を注入する幅０．５５ｍｍ、深さ０．３ｍｍの注入溝５とその溝と連続した長さ０．５５ｍｍ、幅０．１２ｍｍの貫通孔６（図２Ａ参照）が、約０．５ｍｍピッチで形成される。
【００７８】
次に、射出成形機にセットされた、複合部材の形状に対応した形状のキャビティを有する金型内に基板１ｂを設置し、基板１ｂの裏面から注入溝５と貫通孔６を介して、水酸化カリウム水溶液に溶解するピロリン酸化カルシウムを含む樹脂を注入する。これにより、めっき可能な樹脂からなる基板１ａとめっきができない樹脂からなる基板１ｂとが一体化されてなる複合部材が作製される。
【００７９】
次に基板１ａの表面であってめっき処理による導体形成が不要な部分をマスキングし、その後、水酸化カリウム水溶液によるエッチング処理で表面を粗化し、めっき処理を施すことにより、厚さ０．０１ｍｍのめっき膜を形成する。
これにより、基板１ａの表面が露出された部分が選択的に表面粗化されて、その粗化された部分に選択的にめっき膜が形成される。
以上のようにして、図９Ａ，Ｂに示すパターンのめっき膜からなる中心導体２と接地導体３ａ、３ｂとを含む実施例１の高周波線路を作製した。
【００８０】
実施例１として作製した高周波線路の各部（図９Ａ〜Ｂ，図１０及び図１１において符号を付して示す部分）の大きさを表２に示す。
表２に示すように、以上の実施例１によれば、極めて微細なパターンにより構成された高周波線路が形成できる。
【００８１】
表２．
2005210672.tif 000004
【００８２】
実施例２．
実施の形態２に従って、図１２Ａ〜Ｃに示す実施例２の高周波線路を作製した。実施例２の高周波線路は、実施例１と同様、縦断面がＬ字型の複合部材を用いて構成されている。
ここで、図１２Ａは実施例１の高周波線路の上面図であり、図１２Ｂは、実施例１の高周波線路の側面図であり、図１２Ｃは図１２ＡにおけるＩ−Ｉ’線についての断面図である。また、図１３は、図１２ＡにおけるＩ−Ｉ’線についての断面図の拡大図である。
【００８３】
本実施例２では、まず、水酸化カリウム水溶液に溶解しない充填材を含まないアセトンに溶解する樹脂をアセトンに溶解させた溶液を作製する。
次に、射出成形機にセットされた、又はされるべき、複合部材の形状に対応した形状のキャビティを有する金型内の、溝４ａ，４ｂの底部に対応する位置に、上記作製した溶液を塗布し、アセトンを揮発させる。
そして、アセトンを揮発させた金型内に、水酸化カリウム水溶液に溶解するピロリン酸カルシウムを含む樹脂を射出注入する。これにより、めっき可能な樹脂からなる基板１ａの溝４ａ，４ｂの底部のみにめっきができない樹脂からなる絶縁部７の表面が露出された複合部材が作製される。
【００８４】
次に基板１ａの表面であってめっき処理による導体形成が不要な部分をマスキングし、その後、水酸化カリウム水溶液によるエッチング処理で表面を粗化し、めっき処理を施すことにより、厚さ０．０１ｍｍのめっき膜を形成する。
これにより、基板１ａの表面が露出された部分が選択的に表面粗化されて、その粗化された部分に選択的にめっき膜が形成される。
以上のようにして、図１２Ａ，Ｂに示すパターンのめっき膜からなる中心導体２と接地導体３ａ、３ｂとを含む実施例２の高周波線路を作製した。
【００８５】
実施例２として作製した高周波線路の各部（図１２Ａ〜Ｃ，図１３において符号を付して示す部分）の大きさを表３に示す。
表３に示すように、以上の実施例２によれば、極めて微細なパターンにより構成された高周波線路が形成できる。
【００８６】
表３．
2005210672.tif 000005
【００８７】
実施例３．
実施例３では、実施の形態３に従って、図１４に示す高周波線路を作製する。実施例３では、水酸化カリウム水溶液に溶解するピロリン酸カルシウムを含む樹脂を用い、射出成形機で図１４Ａ〜Ｃに示す基板１ａを作製する。
次に基板１ａの表面全体を水酸化カリウム水溶液によるエッチング処理することにより、基板１ａの表面全体を粗化する。
そして、基板１ａ上でめっき処理による導体形成が不要な部分を樹脂で被覆できる金型に基板１ａを設置し、基板１ａの裏面側から水に溶ける樹脂を、溝４ａ，４ｂの途中まで注入すると同時に、基板１ａの表面のうちの導体形成が不要な部分を被覆する。次に、めっき処理で厚さ０．０１ｍｍの中心導体２および接地導体３ａ、３ｂを形成した後、被覆した樹脂を水で溶解除去し、実施例３の高周波線路を作製した。
【００８８】
実施例３として作製した高周波線路の各部（図１４Ａ〜Ｃ，図１５において符号を付して示す部分）の大きさを表４に示す。
表４に示すように、以上の実施例３によれば、極めて微細なパターンにより構成された高周波線路が形成できる。
【００８９】
表４．
2005210672.tif 000006
【００９０】
比較例．
図１６に示すように、従来の作製法と同様に、溝底部に線路面から（上面側から）めっき不可能な樹脂を注入する方法で高周波線路を作製した。具体的には、水酸化カリウム水溶液に溶解するピロリン酸カルシウムを含む樹脂を用い、射出成形機で図１６に示す基板２０１ａを作製した。
尚、比較例における各部の寸法は、表５に示すように設定した。
【００９１】
表５．
2005210672.tif 000007
【００９２】
次に、めっき不可能な樹脂として水酸化カリウム水溶液に溶解するピロリン酸カルシウムを含まない樹脂を用い、その樹脂を線路面側から直径０．０５ｍｍのゲート２０２を経由して溝底部に注入したところ、めっきの不要な溝底面全てをめっき不可能な樹脂で被覆することが困難であり、高周波線路を作製することはできなかった。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
以上の高周波線路の製造方法は、例えば、高周波用半導体やＩＣのパッケージの製造等に適用でき、小型で高性能（高周波伝送特性に優れた）なパッケージを製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１Ａ】本発明に係る実施の形態１の高周波線路の構造を示す斜視図である。
【図１Ｂ】図１ＡにおけるＡ−Ａ’線についての断面図である。
【図１Ｃ】図１ＡにおけるＢ−Ｂ’線についての断面図である。
【図２Ａ】実施の形態１の高周波線路における基板１ｂの構造を示す斜視図である。
【図２Ｂ】実施の形態１の高周波線路における基板１ａと基板１ｂからなる複合部材の構造を示す斜視図である。
【図３】実施の形態１の高周波線路の製造過程におけるめっき前処理後の基板１ａと基板１ｂの断面を模式的に示す図である。
【図４Ａ】本発明に係る実施の形態２の高周波線路の構造を示す斜視図である。
【図４Ｂ】図４ＡにおけるＤ−Ｄ’線についての断面図である。
【図５Ａ】実施の形態２の高周波線路を製造するための金型キャビティ８を示す斜視図である。
【図５Ｂ】図５Ａに示す金型キャビティー内の基板１ａの溝４ａ、４ｂの底部に相当する箇所にめっきができない絶縁部材７を設置した状態を示す斜視図である。
【図６Ａ】本発明に係る実施の形態３の高周波線路の構造を示す斜視図である。
【図６Ｂ】図６ＡにおけるＥ−Ｅ’線についての断面図である。
【図６Ｃ】図６ＡにおけるＦ−Ｆ’線についての断面図である。
【図７Ａ】実施の形態３の高周波線路の製造工程において、基板１ａを射出成形により作製した後のＥ−Ｅ’線についての断面図である。
【図７Ｂ】実施の形態３の高周波線路の製造工程において、めっき不可能な樹脂を上面とは反対側の裏面から貫通孔９を通して注入した後のＥ−Ｅ’線についての断面図である。
【図７Ｃ】実施の形態３の高周波線路の製造工程において、基板１ａの表面のめっき処理の不要な部分を樹脂マスキングした後のＥ−Ｅ’線についての断面図である。
【図７Ｄ】実施の形態３の高周波線路の製造工程において、接地導体３ａ、３ｂと中心導体２を形成して、樹脂マスク１０ａを除去した後のＥ−Ｅ’線についての断面図である。
【図７Ｅ】実施の形態３の高周波線路の製造工程において、接地導体３ａ、３ｂと中心導体２を形成して、注入樹脂１０を除去した後のＥ−Ｅ’線についての断面図である。
【図８Ａ】実施の形態３の高周波線路の製造工程において、基板１ａを射出成形により作製した後のＦ−Ｆ’線についての断面図である。
【図８Ｂ】実施の形態３の高周波線路の製造工程において、めっき不可能な樹脂を上面とは反対側の裏面から貫通孔９を通して注入した後のＦ−Ｆ’線についての断面図である。
【図８Ｃ】実施の形態３の高周波線路の製造工程において、基板１ａの表面のめっき処理の不要な部分を樹脂マスキングした後のＦ−Ｆ’線についての断面図である。
【図８Ｄ】実施の形態３の高周波線路の製造工程において、接地導体３ａ、３ｂと中心導体２を形成して、樹脂マスク１０ａを除去した後のＦ−Ｆ’線についての断面図である。
【図８Ｅ】実施の形態３の高周波線路の製造工程において、接地導体３ａ、３ｂと中心導体２を形成して、注入樹脂１０を除去した後のＦ−Ｆ’線についての断面図である。
【図９Ａ】実施例１の高周波線路の上面図である。
【図９Ｂ】実施例１の高周波線路の側面図である。
【図９Ｃ】図９ＡにおけるＧ−Ｇ線についての断面図である。
【図１０】図９ＡにおけるＧ−Ｇ線についての断面図の拡大図である。
【図１１】図９ＡにおけるＨ−Ｈ線についての断面図の拡大図である。
【図１２Ａ】実施例２の高周波線路の上面図である。
【図１２Ｂ】実施例２の高周波線路の側面図である。
【図１２Ｃ】図１２ＡにおけるＩ−Ｉ’線についての断面図である。
【図１３】図１２ＡにおけるＩ−Ｉ’線についての断面図の拡大図である。
【図１４Ａ】実施例３の高周波線路の上面図である。
【図１４Ｂ】実施例３の高周波線路の側面図である。
【図１４Ｃ】図１４ＡにおけるＫ−Ｋ’線についての断面図である。
【図１５Ａ】図１４ＡにおけるＪ−Ｊ’線についての断面図の拡大図である。
【図１５Ｂ】図１４ＡにおけるＫ−Ｋ’線についての断面図の拡大図である。
【図１６】比較例の高周波線路の断面図である。
【図１７】実施の形態３の高周波伝送線路において、注入樹脂を除去した場合と除去しない場合の通過損失を比較したグラフである。
【図１８】本発明に係る実施の形態４の高周波伝送線路の構造を示す断面図である。
【図１９Ａ】本発明に係る実施の形態５の高周波伝送線路（方向性結合器）の構造を示す上面図である。
【図１９Ｂ】図１９ＡにおけるＲ−Ｒ’線についての断面図である。
【図１９Ｃ】図１９ＡにおけるＳ−Ｓ’線についての断面図である。
【図２０Ａ】本発明に係る実施の形態６の高周波伝送線路の構造を示す断面図である。
【図２０Ｂ】図２０Ａの高周波伝送線路においてさらに、基板１ａの上面に金属平板１１を設けたときの断面図を示す図である。
【図２０Ｃ】図２０Ａの高周波伝送線路における角度をもって曲がった部分を模式的に示す上面図である。
【図２１Ａ】本発明に係る実施の形態７の高周波伝送線路の上面図である。
【図２１Ｂ】図２１ＡにおけるＴ−Ｔ’線についての断面図である。
【図２１Ｃ】図２１ＡにおけるＵ−Ｕ’線についての断面図である。
【図２２Ａ】本発明に係る実施の形態８の高周波伝送線路の構造を示す斜視図である。
【図２２Ｂ】図２２ＡにおけるＮ−Ｎ’線についての断面図である。
【図２２Ｃ】図２２ＡにおけるＯ−Ｏ’線についての断面図である。
【図２２Ｄ】図２２ＡにおけるＰ−Ｐ’線についての断面である。
【図２２Ｅ】図２２ＡにおけるＱ−Ｑ’線についての断面図である。
【図２３】図２２に示した高周波伝送線路を用いて構成したアンテナ装置を示す斜視図である。
【図２４Ａ】従来の高周波伝送線路の構造を示す断面図である。
【図２４Ｂ】従来の高周波伝送線路の構造（図２４Ａとは異なる例）を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９５】
１  複合部材、
１ａ，１ｂ  基板、
２  中心導体（信号線導体）、
２ａ  凸部、
２ｂ、２ｃ  信号線導体、
３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ  接地導体、
４ａ，４ｂ，４ｃ  溝、
５  注入溝、
６，９  貫通孔、
Ｒ１  めっきレジスト、
１００  充填材、
１０１  窪み、
７  絶縁部材、
８  キャビティ、
１０  除去可能な注入樹脂、
９  貫通孔、
１０ａ  樹脂マスク、
１１  金属平板、
１２  送受信モジュール、
１３  アンテナ素子、
１４  エアブリッジ。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
2005210672.tif 000009
【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
2005210672.tif 000014
【図４Ｂ】
2005210672.tif 000015
【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
2005210672.tif 000020
【図７Ａ】
2005210672.tif 000021
【図７Ｂ】
2005210672.tif 000022
【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
2005210672.tif 000024
【図７Ｅ】
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【図８Ａ】
2005210672.tif 000026
【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図９Ａ】
2005210672.tif 000031
【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
2005210672.tif 000037
【図１２Ｃ】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
2005210672.tif 000049
【図１９Ｃ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２０Ｃ】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２１Ｃ】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２２Ｃ】
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【図２２Ｄ】
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【図２２Ｅ】
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【図２３】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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