(57)【要約】      （修正有）【課題】リソグラフィック装置、物品サポート部材及び物品サポート部材を製造する方法を提供すること。【解決手段】リソグラフィック装置は、投影放射ビームを提供するための照明システムと、投影放射ビームのビーム経路に配置すべき物品を物品サポート上で支持するための物品サポート部材と、投影の間、物品を物品サポートにクランプするためのクランプ圧力を提供するクランプとを有している。物品サポート部材は、クランプ圧力を局部的に調整するためにトリムされたセクションを備えている。【選択図】図３
2005328045.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを提供するようになされた照明システムと、
前記放射ビームのビーム経路に配置すべき物品を支持するようになされた物品サポート部材と、
前記物品を前記物品サポート部材にクランプするためのクランプ圧力を提供するようになされたクランプとを備えたリソグラフィック装置であって、前記物品サポート部材が、前記クランプ圧力を局部的に調整するようになされたトリム済みセクションを備えたリソグラフィック装置。
【請求項２】
前記トリム済みセクションが、前記物品を支持するように構成され、或いは前記物品と前記物品サポート部材の間に圧力ゾーンの境界を提供するように構成された少なくとも１つの突起を備えた、請求項１に記載のリソグラフィック装置。
【請求項３】
前記突起が、前記突起の上部表面まで展開した切欠き領域を備えた、請求項２に記載のリソグラフィック装置。
【請求項４】
前記トリム・セクションが、切断、フライス削り若しくはせん孔によって得られた彫刻済みセクションを備えた、請求項１に記載のリソグラフィック装置。
【請求項５】
前記クランプが、電極及び前記電極を覆っている誘電体層からなる静電クランプを備え、前記層の局部厚さを変更するために前記誘電体層がトリムされた、請求項１に記載のリソグラフィック装置。
【請求項６】
前記物品サポート部材が、前記ビームの断面にパターンを付与するように機能するパターン化デバイスを支持するようになされたサポートである、請求項１に記載のリソグラフィック装置。
【請求項７】
前記物品サポート部材が、パターン化されたビームによってその目標部分をパターン化すべき基板を支持するようになされた基板テーブルである、請求項１に記載のリソグラフィック装置。
【請求項８】
物品を支持するようになされた物品サポート部材であって、
前記物品を前記物品サポート部材にクランプするためのクランプ圧力を提供するようになされたクランプを備え、
前記物品サポート部材が、前記クランプ圧力を局部的に調整するようになされたトリム済みセクションを備えた物品サポート部材。
【請求項９】
前記トリム済みセクションが、トリム済み側壁を有する突起を備え、それにより前記突起が、非トリム突起に対して移動する幾何学中心を有する、請求項８に記載の物品サポート部材。
【請求項１０】
前記突起の上部表面が切欠き領域を備えた、請求項９に記載の物品サポート部材。
【請求項１１】
前記トリム済みセクションが、突起の側壁中の局部凹所である、請求項８に記載の物品サポート部材。
【請求項１２】
前記トリム済みセクションが、突起の頂部表面のへりに沿って展開したセクションである、請求項８に記載の物品サポート部材。
【請求項１３】
前記トリム済みセクションが、切断、フライス削り若しくはせん孔によって得られた彫刻済みセクションを備えた、請求項８に記載の物品サポート部材。
【請求項１４】
前記物品サポート部材が、ビームの断面にパターンを付与するように機能するパターン化デバイスを支持するようになされたサポートである、請求項８に記載の物品サポート部材。
【請求項１５】
前記物品サポート部材が、パターン化されたビームによってその目標部分をパターン化すべき基板を支持するようになされた基板テーブルである、請求項８に記載の物品サポート部材。
【請求項１６】
投影放射ビームのビーム経路に配置すべき物品を支持するようになされた、リソグラフィック装置内の物品サポート部材を製造する方法であって、
前記物品を前記物品サポート部材にクランプするためのクランプ圧力を提供するようになされたクランプを備えた前記物品サポート部材を提供するステップと、
前記物品サポート部材の平面度を評価するステップと、
前記クランプのクランプ圧力を局部的に調整するために前記物品サポート部材の少なくとも１つのセクションをトリムするステップとを含む方法。
【請求項１７】
前記トリムするステップが反復して実施される、請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィック装置、物品サポート部材及びデバイスを製造するための方法に関する。より詳細には、本発明の一実施例は、投影放射ビームを提供するための照明システムと、投影放射ビームのビーム経路に配置すべき物品を物品サポート上で支持するための物品サポート部材と、投影の間、物品を物品サポートにクランプするためのクランプ圧力を提供するクランプとを有するリソグラフィック装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィック装置は、基板の目標部分に所望のパターンを適用するマシンである。リソグラフィック装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。この場合、マスクなどのパターン化デバイス或いはパターン化構造を使用して、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンが生成され、このパターンが、放射線感応材料（レジスト）の層を有する基板（たとえばシリコン・ウェハ）上の目標部分（たとえば１つ又は複数のダイ部分からなる）に画像化される。通常、１枚の基板には、順次露光される目標部分に隣接する回路網が含まれている。知られているリソグラフィック装置には、パターン全体を１回で目標部分に露光することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるステッパと、パターンを投影ビームで所与の方向（「走査」方向）に走査し、且つ、基板をこの方向に平行に、或いは非平行に同期走査することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるスキャナがある。
【０００３】
リソグラフィック・システムにおいては、ウェハ・テーブル若しくはレチクル・サポートなどの物品サポートの設計は、なくてはならないプロセスである。従来、物品サポートは、基板の平面度を改善するために配列された突起を備えている。欧州特許出願第ＥＰ０９４７８８４号に、基板の平面度を改善するための突起が配列された基板ホルダを真空クランプ・ウェハ・サポート・テーブル内に有するリソグラフィック装置が記述されている。これらの突起は、一般径が０．５ｍｍであり、互いに概ね３ｍｍの間隔を隔てて配置されており、それにより基板を支持する支持部材のベッドを形成している。静電クランプの場合、突起の高さは、通常、１μｍ〜１５μｍの範囲である。真空クランプの場合、これらの突起の高さは、通常、１００μｍである。突起と突起の間の空間が比較的広いため、汚染が存在し得るとしても、これらの突起と突起の間に存在することになり、したがって基板を局部的に持ち上げることがないため、一般的には基板の平面度に影響する障害物が形成されることはない。
【０００４】
本出願のコンテキストにおいては、前記「物品」は、上で言及したウェハ、レチクル、マスク或いは基板のいずれかを意味しており、より詳細には、リソグラフィック投影技法を使用したデバイス製造の一環として処理される基板、マスク検査若しくは浄化装置などのマスク処理装置、又はマスク製造装置内のリソグラフィック投影マスク或いはマスク・ブランク、若しくは放射システムの光路中でクランプされる他の任意の物品又は光エレメントのいずれかを意味している。
【０００５】
上に挙げた特許出願から、これらの突起の設計に際しては、ウェハに印加される圧力に影響し、延いてはウェハの垂直方向の位置及び平面度に影響する設計パラメータの選択には十分に慎重でなければならないことが分かる。ＥＰ１２４１７０６などの他の公報は、基板がウェハ・サポート・テーブルに静電的にクランプされる静電ウェハ・サポート・テーブルに関している。知られている静電クランプは、通常、突起と突起の間に形成される空間を充填するために使用される充填ガスを使用するようになされた構造、突起を支持するための基底層を形成しているベース・プレート、及び基板ホルダによってクランプされる基板背面を備えている。このような充填ガスは、基板から基板ホルダへの熱伝達機能を強化している。この充填ガスが漏れないよう、概ね基板の輪郭に沿った輪郭を有する壁が存在しており、基板と基板ホルダが接触すると、ガスの流出を制限する拘束環境を提供している。また、静電クランプ構成、特に、照射すべき基板の背面に充填ガスを拘束するためのハード・リムが存在している静電クランプ構成の場合、突起構成の境界の縁の近傍で支持が終端しているため、とりわけ突起構成の境界の近傍でウェハが不均一に支持される傾向があることが分かっている。この不均一な支持により、オーバハングの程度に応じて縁の近傍でウェハが上に持ち上げられ、或いは下に向かって「たわみ」、許容不可能な画像品質をもたらす原因になっている。したがって、この場合も、設計パラメータによって、物品サポートによって支持すべき物品の水平度の量を実質的に変化させることができる。
【０００６】
しかしながら、設計選択は、製造公差によって制限されている。製造公差は、特定の物品サポート設計の仕様、詳細には、真空シールの位置、バール（ｂｕｒｌ）の位置、剛性及び誘電体の厚さに関する仕様に合致する上で問題であることが分かっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、上で言及した問題が軽減され、且つ、便利な方法でこれらの設計仕様に合致する物品サポートが提供されることが望ましい。また、このような物品サポートを提供するための方法が提供されることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、特許請求の範囲の各請求項に記載の特徴を有するリソグラフィック装置が提供される。本発明によるリソグラフィック装置を提供することによって設計フィーチャがトリムされ、それにより設計誤差及び製造誤差を修正することができ、或いは設計フィーチャを配置する感度を高くすることができる。
【０００９】
本明細書においては、リソグラフィック装置のとりわけＩＣの製造における使用が参照されているが、本明細書において説明するリソグラフィック装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有していることを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェハ」或いは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」或いは「目標部分」という用語の同義語と見なすことができることは当業者には理解されよう。本明細書において参照されている基板は、たとえばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、且つ、露光済みレジストを現像するツール）、度量衡学ツール若しくは検査ツール中で、露光前若しくは露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、たとえば多層ＩＣを生成するために複数回に渡って処理することができるため、本明細書に使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
【００１０】
本明細書に使用されている「放射」及び「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射（たとえば、波長が３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍの放射）、極紫外（ＥＵＶ）放射（たとえば、波長の範囲が５〜２０ｎｍの放射）、及びイオン・ビーム或いは電子ビームなどの粒子線を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。
【００１１】
本明細書に使用されている「パターン化デバイス」或いは「パターン化構造」という用語は、投影ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板の目標部分にパターンを生成するために使用することができるデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。また、投影ビームに付与されるパターンは、基板の目標部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。通常、投影ビームに付与されるパターンは、目標部分に生成されるデバイス、たとえば集積回路中の特定の機能層に対応している。
【００１２】
パターン化デバイス或いはパターン化構造は、透過型であっても或いは反射型であっても良い。パターン化デバイス或いはパターン化構造の実施例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ及びプログラム可能ＬＣＤパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、交番移相及び減衰移相などのマスク・タイプ、及び様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。プログラム可能ミラー・アレイの実施例には、マトリックスに配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう、個々に傾斜させることができるため、この方法によって反射ビームがパターン化される。パターン化デバイス或いはパターン化構造のいずれの実施例においても、支持構造は、たとえば、必要に応じて固定若しくは移動可能にすることができ、且つ、たとえば投影システムに対してパターン化デバイス或いはパターン化構造を確実に所望の位置に配置することができるフレーム若しくはテーブルである。本明細書における「レチクル」或いは「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターン化デバイス」或いは「パターン化構造」という用語の同義語と見なすことができる。
【００１３】
本明細書に使用されている「投影システム」という用語には、たとえば使用する露光放射に適した、或いは液浸液の使用若しくは真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系及びカタディオプトリック光学系を始めとする様々なタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。
【００１４】
また、照明システムには、投影放射ビームを導き、整形し、或いは制御するための屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント及びカタディオプトリック光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントが包含されており、このようなコンポーネントについても、以下、集合的若しくは個々に「レンズ」と呼ぶ。
【００１５】
リソグラフィック装置は、場合によっては２つ（二重ステージ）以上の基板テーブル（及び／又は複数のマスク・テーブル）を有するタイプの装置であり、このような「多重ステージ」マシンの場合、追加テーブルを並列に使用することができ、或いは１つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用している間、１つ又は複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。
【００１６】
また、リソグラフィック装置は、基板が比較的屈折率の大きい液体中、たとえば水中に浸され、それにより投影システムの最終エレメントと基板の間の空間が充填されるタイプの装置であっても良い。また、リソグラフィック装置内の他の空間、たとえばマスクと投影システムの最初のエレメントの間に液浸液を充填することも可能である。液浸技法は、当分野においては、投影システムの開口数を大きくすることで良く知られている。
【００１７】
以下、本発明の実施例について、単なる実施例に過ぎないが、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は、対応する部品を表している。
【実施例】
【００１８】
図１は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィック装置を略図で示したものである。この装置は、投影放射ビームＰＢ（たとえばＵＶ放射若しくはＥＵＶ放射）を提供するための照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターン化デバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持するようになされた、アイテムＰＬに対してパターン化デバイスを正確に位置決めするようになされた第１のポジショナＰＭに接続された第１の支持構造（たとえばマスク・テーブル）ＭＴと、基板（たとえばレジスト被覆ウェハ）Ｗを保持するようになされた、アイテムＰＬに対して基板を正確に位置決めするようになされた第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（たとえばウェハ・テーブル）ＷＴと、パターン化デバイスＭＡによって投影ビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（たとえば１つ又は複数のダイからなる）に画像化するようになされた投影システム（たとえば反射型投影レンズ）ＰＬとを備えている。
【００１９】
図に示すように、このリソグラフィック装置は、反射型（たとえば反射型マスク若しくは上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイを使用した）タイプの装置である。別法としては、このリソグラフィック装置は、透過型（たとえば透過型マスクを使用した）タイプの装置であっても良い。
【００２０】
イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取っている。放射源がたとえばプラズマ放電源である場合、放射源及びリソグラフィック装置は、個別の構成要素にすることができる。その場合、放射源は、リソグラフィック装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、通常、たとえば適切な集光ミラー及び／又はスペクトル純度フィルタを備えた放射コレクタを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ引き渡される。それ以外のたとえば放射源が水銀灯などの場合、放射源はリソグラフィック装置の一構成要素である。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、放射システムと呼ぶことができる。
【００２１】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するようになされたアジャスタを備えることができる。通常、イルミネータのひとみ平面内における強度分布の少なくとも外部及び／又は内部ラジアル・エクステント（一般に、それぞれσ−外部及びσ−内部と呼ばれている）は調整が可能である。イルミネータは、投影ビームＰＢと呼んでいる、所望する一様な強度分布をその断面に有する調節済み放射ビームを提供している。
【００２２】
投影ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されている、マスクＭＡの形で示されているパターン化デバイスに入射する。マスクＭＡで反射した投影ビームＰＢは、投影ビームを基板Ｗの目標部分Ｃに集束させるレンズＰＬを通過する。基板テーブルＷＴは、第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（たとえば干渉デバイス）を使用して正確に移動させることができ、それによりたとえば異なる目標部分Ｃを投影ビームＰＢの光路内に位置決めすることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び位置センサＩＦ１を使用して、たとえばマスク・ライブラリから機械的に検索した後、若しくは走査中に、マスクＭＡを投影ビームＰＢの光路に対して正確に位置決めすることができる。通常、対物テーブルＭＴ及びＷＴの移動は、ポジショナＰＭ及びＰＷの一部を形成している長ストローク・モジュール（粗位置決め）及び短ストローク・モジュール（精密位置決め）を使用して実現されているが、ステッパ（スキャナではなく）の場合、マスク・テーブルＭＴは、短ストローク・アクチュエータのみに接続することができ、或いは固定することも可能である。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置合せマークＭ１、Ｍ２及び基板位置合せマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。
【００２３】
図に示す装置は、以下に示す好ましいモードで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターン全体が目標部分Ｃに１回の照射で投影される（即ち単一静止露光）。次に、基板テーブルＷＴがＸ及び／又はＹ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Ｃのサイズが制限される。
２．走査モードでは、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが同期走査される（即ち単一動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＬの倍率（縮小率）及び画像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅（非走査方向の）が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ（走査方向の）が左右される。
３．その他のモードでは、プログラム可能パターン化デバイスを保持するためにマスク・テーブルＭＴが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、基板テーブルＷＴが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルＷＴが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
【００２４】
上で説明した使用モードの組合せ及び／又はその変形形態若しくは全く異なる使用モードを使用することも可能である。
【００２５】
図２は、物品サポート１を示したものである。この実施例では、物品サポート１はウェハを支持するためのものであり、簡潔にウェハ・サポート・テーブル若しくはウェハ・テーブルと呼ぶ。このウェハ・サポート・テーブル若しくはウェハ・テーブルの形態は概ね円形であり、ウェハ・サポート・テーブルに広く使用されている形態であるが、この物品サポートは、他の形状、詳細には正方形の形状にすることも可能である。ウェハ・サポート・テーブル１は、ウェハ（図２には示されていない）を支持するための平らなサポートを提供するために寸法化された複数の突起２を備えている。分かり易くするために、いくつかの突起２のみが参照されている。突起２は支持領域３を画定している。前記支持領域３の境界は、周囲の壁４によって形成されている。この周囲の壁４は、充填ガス（図示せず）の流出を拘束し、或いは制限するためのシールを形成することができる。分割線Ｘ−Ｘは、以下で図３を参照して説明する本発明を明示した断面図を示したものである。点線で示すボックスは、トリム済みセクション５を示したもので、図３の側面図及び図４の上面図は、これをさらに詳細に示したものである。
【００２６】
図３は、図２の線Ｘ−Ｘに沿った側面図を示したものである。図３には、クランプ圧力を局部的に調整するためのトリミング６が示されている。トリミング６は、突起２の中に示されている。図４は、このような突起の上面図を示したもので、トリミング６を示している。図３には、さらに静電クランプ７が示されているが、本発明は、真空圧力によって基板８（ウェハ若しくはレチクル）がクランプされ、したがって静電クランプのない真空クランプにも適用することができることは言うまでもないことである。静電クランプ７は、突起２を備えたウェハ・サポート構造と一体にすることができる誘電体層９で覆われている。この誘電体層９には、誘電体層９の頂部セクションを切り欠くことによってさらにトリミング６が施されている。
【００２７】
トリムされた突起即ちバール２’を参照すると、その剛性は、部分的にバールの半径に依存している。バールの接触表面に負荷が集中し、接触半径に比例して剛性が失われる。
ｋ＝０．５Ｄ＊Ｅ＝３５ｅ６Ｎ／ｍ
【００２８】
上式で、Ｄはバールの直径であり、Ｅは弾性係数である。バールの直径を１０％だけトリミングすることにより、さらに１０％のたわみ接続が導入される（１Ｎバール負荷当たり３ｎｍ）。０．５Ｎバール負荷の場合、バールの直径が１０％小さくなる毎にウェハが１．５ｎｍ降下する。（複数の）バールを局部的にトリミングすることにより、局部ひずみ、詳細には望ましくないウェハ８の上昇を小さくすることができることが分かっている。このようなトリミングは、いずれも、特定の構成の突起がウェハの面積全体に渡って不均一な負荷をもたらしていると思われる設計欠陥を修正する場合と同様、（複数の）支持突起が必要な平面度レベルに合致していない製造欠陥の修正に適用することができることは明らかであろう。このような不均一性は、選択された特定のバール幾何学の固有アスペクトに起因するものであり、或いはバールの境界付近の境界縁効果等に起因するものである。
【００２９】
次に誘電体層９を参照すると、誘電体層９の厚さを局部的にトリミングすることにより、静電クランプ７の容量特性が変化する。静電クランプ７によってウェハの表面８に印加される圧力は、電極７とウェハの表面８の間の距離及びそれらの間の空間の有効誘電率によって決まる。電極とウェハの間の誘電体の表面をトリミングすることにより、総有効誘電率が小さくなり、したがってクランプによってウェハに印加される圧力が小さくなり、延いてはトリムされた面積の上方でウェハが持ち上がる。したがってピッチで部分的にトリミングすることにより、本発明による方法の感度が高くなり、ウェハのうねりが改善される。小さいピッチを維持することにより、うねりを１ｎｍ未満に維持することができ、或いはウェハの厚さに応じて他の任意の所望のレベルに維持することができる。
【００３０】
最後に周囲の壁４を参照すると、真空シールの上方のウェハの平面度は、真空シールとバールの間の距離によって決まる。したがって、周囲の壁４の位置は、真空シールの設計に大きく影響する。図３及び４に示すトリミング６を適用することにより、通常の製造方法では達成不可能な精度を達成することができ、或いは設計誤差を修正することができる。また、前記トリミングを適用することにより、真空シール全体の圧力降下が線形になる。バールの外縁の周りのウェハに印加されるモーメントを大まかに計算すると、有効圧力端は、シールの上方の、内部（高圧）シール縁からシール幅の１／３の部分に存在している。したがって、シール全体を移動させることにより、事実上、有効圧力ポイントによって圧力端が同じ距離だけ移動する。外縁を移動させると、除去された外縁部分の長さの１／３だけ有効圧力端のみが移動する。内縁を移動させると、除去された内縁部分の長さの２／３だけ有効圧力端のみが移動する。
【００３１】
したがって、トリミングによって設計誤差を修正することができ、また、縁全体を移動させる代わりに１つの縁をトリミングすることにより、有効圧力端の配置がより正確になる。シール若しくは突起をトリミングすることにより、事実上、有効力の中心を物品サポートの表面上で移動させ、ウェハの平面度特性を変化させることができることが例証されている。真空シール４の縁全体をトリムし、それにより真空シール４の縁全体に沿って展開させることができるが、特定の間隔でいくつかの縁部分のみを除去することによって部分的にトリムすることも可能である。図４は、この原理を示したものである。このような局部トリミングにより、本発明による方法の感度がさらに高くなる。間隔がたとえば１０ｍｍの場合、１ｍｍ幅の部分をシールから除去することにより、本発明による方法の感度が１０倍高くなる。
【００３２】
以上、本発明の特定の実施例について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。図２には、単一のトリム済みセクションが示され、また、図３及び図４には、いずれも、支持突起２’、誘電体層９及び周囲の壁４に適用されたトリミングが示されているが、必要に応じて、特許請求の範囲を逸脱することなく、これらの任意のアイテムに対して選択的にトリミングを適用することができる。以上の説明は、本発明の制限を意図したものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィック装置を示す図である。
【図２】本発明による物品サポートの一実施例を示す図である。
【図３】図２の線Ｘ−Ｘに沿った略側面図である。
【図４】図３に示すトリム済みセクションの略上面図である。
【符号の説明】
【００３４】
Ｃ  基板の目標部分
ＩＦ１、ＩＦ２  位置センサ
ＩＬ  照明システム（イルミネータ）
Ｍ１、Ｍ２  マスク位置合せマーク
ＭＡ  パターン化デバイス（マスク）
ＭＴ  第１の支持構造（マスク・テーブル）
Ｐ１、Ｐ２  基板位置合せマーク
ＰＢ  投影放射ビーム（投影ビーム）
ＰＬ  投影システム（レンズ）
ＰＭ  第１のポジショナ
ＰＷ  第２のポジショナ
ＳＯ  放射源
Ｗ、８  基板（ウェハ、ウェハの表面）
ＷＴ  基板テーブル
１  物品サポート（ウェハ・サポート・テーブル）
２、２’  突起（バール）
３  支持領域
４  周囲の壁（真空シール）
５  トリム済みセクション
６  トリミング
７  静電クランプ（電極）
９  誘電体層
【図１】
2005328045.tif 000003
【図２】
2005328045.tif 000004
【図３】
2005328045.tif 000005
【図４】
2005328045.tif 000006
【外国語明細書】
2005328045000001.pdf