(57)【要約】【課題】マザーグラスの利用効率を高めるＭＭＧ方式の液晶セルの配置構造を提供する。【解決手段】円形電極構造を含む横電界型の液晶表示装置用液晶セルを、ＭＭＧ方式で配置する場合、相互に異なるサイズのセル領域を、配向方向とは関係なしに、マザーグラス内に配置することができる。円形電極構造は、全ての方向で、液晶の方向性が同じ電極構造であるので、配向方向を自由に設計できる。円形電極パターンを含む液晶セルを利用する場合、セル領域の配向方向とは関係なしに、マザーグラスの利用効率を高める配置構造で、多様に変更できて、製造費用の節減により生産収率を高めることができる。【選択図】    図７
2005173537.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ベース基板上に、長さの方向が第１方向である第１セル領域と、前記第１ベース基板のダミー領域を最小化できるように、長さの方向が第２方向である第２セル領域を定義する段階と；
前記第１ベース基板に定義された第１セル領域及び第２セル領域に、薄膜トランジスタ、円形の共通電極、円形の画素電極を含み、円形の横電界を発生するアレイ素子を形成する段階と；
前記アレイ素子が形成された第１ベース基板全面に、第１配向方向へと配向処理する段階と；
前記第１セル領域及び第２セル領域に対応する大きさのセル領域が定義された第２ベース基板上に、カラーフィルターを形成する段階と；
前記第１配向方向と逆方向へと、前記カラーフィルターが形成された第２ベース基板を、配向処理する段階を含む液晶表示装置用液晶セル製造工程。
【請求項２】
前記第１配向方向は、ゲート配線の方向に対して実質的に０o、４５o、９０o、１３５o、１８０o、２２５o、２７０o、３１５oのうちのいずれかである請求項１に記載の横電界型の液晶表。
【請求項３】
前記第１セル領域は、前記第２セル領域より大きい請求項１に記載の液晶セル製造工程。
【請求項４】
前記第１液晶セルの第１方向は、水平方向であって、前記第２液晶セルの第２方向は、垂直方向である請求項１に記載の液晶セル製造工程。
【請求項５】
前記第１液晶セルの第１方向と前記第２液晶セルの第２方向は、相互に平行である請求項１に記載の液晶セル製造工程。
【請求項６】
前記アレイ素子を形成する段階は、ゲート配線を水平方向に、データ配線を垂直方向に形成する工程及び共通配線を、ゲート配線と平行に形成する工程を含む請求項１に記載の液晶セル製造工程。
【請求項７】
前記ゲート配線とデータ配線は、相互に交差して、画素領域を定義する請求項６に記載の液晶セル製造工程。
【請求項８】
前記アレイ素子は、前記画素領域内に位置するように形成する請求項７に記載の液晶セル製造工程。
【請求項９】
前記共通電極は、円形の第１共通電極パターンと、円形の第２共通電極パターンを含み、前記各々の第１共通電極パターン及び第２共通電極パターンの、２分の１は、共通配線から、相互に逆方向へと分岐された形状に形成する請求項６に記載の液晶セル製造工程。
【請求項１０】
前記円形の第２共通電極パターンは、前記円形の第１共通電極パターンより小さく形成して、前記円形の第１共通電極パターンの内側に形成する請求項９に記載の液晶セル製造工程。
【請求項１１】
前記画素電極は、前記第１共通電極パターン及び第２共通電極パターン間に形成された円形の第１画素電極パターンを含み、前記第２共通電極パターンの内側に形成された円形の第２画素電極パターンを含む請求項１０に記載の液晶セル製造工程。
【請求項１２】
前記画素電極は、前記円形の第１画素電極パターン及び第２画素電極パターンを、相互に連結する連結配線を通じて薄膜トランジスタに連結されるように形成する請求項１１に記載の液晶セル製造工程。
【請求項１３】
第１ベース基板上に、長さの方向が第１方向である第１セル領域と、前記第１ベース基板のダミー領域を最小化できるように長さの方向が第２方向である第２セル領域とが形成され；
前記第１ベース基板に定義された第１セル領域及び第２セル領域に形成された、薄膜トランジスタ、円形の共通電極、円形の画素電極を含み、円形の横電界を発生するアレイ素子と；
前記第１セル領域及び第２セル領域に対応する大きさのセル領域が定義された第２ベース基板と；
前記第２ベース基板上に形成されたカラーフィルターを含む横電界型の液晶表示装置。
【請求項１４】
長さの方向が前記第１方向となるように並んで配置されている複数の第１セル領域等と、長さの方向が前記第２方向となるように並んで配置されている複数の第２セル領域等をさらに含む請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第１セル領域は、前記第２セル領域より大きい請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記共通電極は、円形の第１共通電極パターンと、円形の第２共通電極パターンを含み、前記各々の第１共通電極パターン及び第２共通電極パターンの、２分の１は、共通配線から、相互に逆方向へと分岐された形状である請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記円形の第２共通電極パターンは、前記円形の第１共通電極パターンより小さくて、前記円形の第１共通電極パターンの内側に位置する請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記画素電極は、前記第１共通電極パターン及び第２共通電極パターン間に形成された円形の第１画素電極パターンと、前記第２共通電極パターンの内側に形成された円形の第２画素電極パターンを含む請求項１７に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記画素電極は、前記円形の第１画素電極パターン及び第２画素電極パターンを、相互に連結する連結配線を通じて薄膜トランジスタに連結される請求項１８に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の液晶セル製造工程に係り、特に、横電界型の液晶表示装置の液晶セル製造工程に関する。本発明はまた、横電界型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、液晶表示装置は、消費電力が低く、携帯性の容易な技術集約的で、付加価値の高い次世代の先端表示装置素子として脚光を浴びている。 液晶表示装置は、透明電極が形成された２つの基板間に液晶を注入し、上部基板及び下部基板の外部に、上部偏光板及び下部偏光板を位置させて形成し、液晶分子の異方性によって光の偏光特性を変化させ、映像効果を得る非発光素子である。
現在、各画素を開閉するスイッチング素子である薄膜トランジスタを画素ごとに配置した能動行列（アクティブ・マトリックス）方式の液晶表示装置が、解像度及び動映像の表現能力が優れているために、平板ＴＶシステムまたは携帯コンピュータ用の高情報量モニターのような応用分野に幅広く利用されている。
【０００３】
図１は、一般的な液晶表示装置の一部領域の立体図である。
図示したように、相互に一定間隔離隔して上部基板１０及び下部基板３０が向かい合って位置しており、この上部基板１０及び下部基板３０間には、液晶層５０が介在している。
【０００４】
前記下部基板３０の上部には、複数のゲート配線３２等及びデータ配線３４等が相互に交差しており、このゲート配線３２及びデータ配線３４が交差する地点に、薄膜トランジスタＴが形成されている。ゲート配線３２及びデータ配線３４が交差する領域によって定義される画素領域Ｐには、薄膜トランジスタＴに連結された画素電極４６が形成されている。
【０００５】
図面には詳しく示してないが、薄膜トランジスタＴは、ゲート電圧を受けるゲート電極、データ電圧を受けるソース電極及びドレイン電極、ゲート電圧とデータ電圧の差により電圧のオン/オフを調節するチャンネルとで構成される。上部基板１０の下部には、カラーフィルター層１２、共通電極１６が、順に形成されている。
【０００６】
前記カラーフィルター層１２は、特定な波長帯の光だけを透過させるカラーフィルターと、カラーフィルターの境界部に位置して、液晶の配列が制御されない領域上の光を遮断するブラックマトリックスとで構成される。 また、上部基板１０及び下部基板３０の各外部面には、偏光軸と平行な光だけを透過させる上部偏光板５２及び下部偏光板５４が位置して、下部偏光板５４の下部には、別途の光源であるバックライトが配置されている。
【０００７】
このような液晶表示装置は、液晶セル製造工程によって製作される。
前記液晶セル製造工程は、スイッチング素子及び画素電極を形成するアレイ基板の製造工程と、カラーフィルター及び共通電極を形成するカラーフィルター基板の製造工程を行った基板を利用して、両基板間に液晶を介在させる工程を含む。
【０００８】
前記液晶セル製造工程は、アレイ工程やカラーフィルター工程に比べて、相対的に繰り返される工程がほとんどない。全体の工程は、液晶分子の配向のための配向膜の形成工程、セルギャップの形成工程、セルカッティング工程、液晶注入工程とに分離することができて、このような液晶セル製造工程により液晶表示装置を構成する基本部品である液晶パネルが製作される。
【０００９】
図２は、従来の液晶セル製造工程用マザーグラス内のセルの配置構造を概略的に示した平面図である。
図示したように、マザーグラス６０を備えており、マザーグラス６０内には、アレイ素子６２が形成されたセル領域ＩＩａが定義されている。セル領域ＩＩａが、後半切断工程を行ってセルを構成する。
【００１０】
図面には詳しく示してないが、前記セル領域ＩＩａは、中央部を構成する第１領域６２と、第１領域の枠部を構成する第２領域６４を含む。そして、セル領域ＩＩａを除いた領域は、セル切断工程を行った後には、捨てられるダミー領域ＩＩｂに当たる。
前述したマザーグラスは、複数のセル領域等が定義されるガラス基板または、プラスチック基板で構成されたベース基板に当たる。
【００１１】
液晶表示装置は、多様なディスプレー素子に適用されており、基板のサイズも多様に適用されているので、基板のサイズ別のマザーグラスを製作することは困難である。このために、場合によっては、マザーグラス内のダミー領域の増大により材料費用の損失が発生する問題があった。
【００１２】
このような問題を解決するために、最近では、マザーグラスのダミー領域の活用度を高めるために、１つのマザーグラス内に、ビッグサイズのセルと、スモールサイズのセルを、複数個配置するＭＭＧ(Multi-Model on Glass)方式が提案されている。
図３は、従来のＴＮ(Twisted Nematic)モード液晶表示装置用液晶セル基板のＭＭＧ方式の配置構造の図であって、１つのマザーグラス６４内には、第１サイズの複数の第１セル領域ＩＩＩａ等と、第１サイズより小さい第２サイズの複数の第２セル領域ＩＩＩｂ等が、相互に離隔して配置されている。
前記第１セル領域ＩＩＩａ、第２セル領域ＩＩＩｂの配置構造は、マザーグラス６４の利用効率を広める構造から選択される。
【００１３】
ＴＮモードでは、液晶の初期配向を誘導するため、一定方向へと配向処理することによって、上部基板及び下部基板の配向方向が、相互に直交するように位置することを特徴として、偏光板の偏光の特性を考えて、図面上に示した矢印の方向のような対角線方向へと直交する第１配向方向ｒ１、第２配向方向ｒ２を有する。
図面には詳しく示してないが、実質的に、４５oにラビングされる第１配向方向ｒ１は、液晶パネル用上部基板の配向方向、１３５oにラビングされる第２配向方向ｒ２は、液晶パネル用下部基板の配向方向に当たる。
【００１４】
すなわち、ＴＮモードの場合、配向方向により視野角の特性が決まるので、マザーグラスに構成されるセル領域等は、同じラビング工程により 配向方向が決まる工程上の特性により、同じ方向(長さの方向または、幅の方向)へとラビング処理される。
【００１５】
従来のＴＮモードの場合、相互に異なるサイズのセル領域を、同じマザーグラスに内に配置することによって、配向方向を考えて、セル領域等の長さの方向(または、幅の方向)を同じ方向へと一致させなければならないので、マザーグラスの利用効率に限界があった。
【００１６】
以下、横電界により液晶を駆動させる方式の横電界型の液晶表示装置での液晶セル基板の構成に関して説明して、予め、横電界型の液晶表示装置の駆動原理を、図を参照して説明する。
一般的な液晶表示装置は、共通電極と画素電極間の上下方向つまり表示装置の厚さ方向の電場により液晶を駆動する方式であって、透過率と開口率の面では、優れているが、視野角の特性に限界があるので、これを改善するために、水平電場により液晶を駆動させ、広視野角の特性のある横電界型の液晶表示装置が提案されている。
【００１７】
図４は、一般的な横電界型の液晶表示装置を断面を示した断面図である。
図示したように、第１基板７０、第２基板８０が、相互に向かい合った状態で、離隔して配置されており、第１基板７０、第２基板８０には、液晶層９０が介在している構造で、前記第１基板７０上には、共通電極７２及び画素電極７４が、相互に離隔して形成されている。
【００１８】
電圧が印加されると、前記共通電極７２及び画素電極７４間には、横電界(Ｅ;
in-plane field)が形成されて、このような横電界Ｅにより液晶層９０の液晶分子９２が、基板と平行な方向へと配列されるので、視野角が広くなる特徴がある。
例えば、前記横電界型の液晶表示装置を正面から見た場合、上/下/左/右に、視野角は約８０−８５oである。
【００１９】
以下、前記横電界型の液晶表示装置用共通電極及び画素電極の一般的なパターン構造と、前記パターン構造による配向方向を説明する。
【００２０】
図５Ａ、図５Ｂは、一般的な横電界型の液晶表示装置の平面図であって、図５Ａはストライプパターン構造、図５Ｂはジグザグパターン構造の横電界電極(共通電極、画素電極)である。これらの電極構造を中心に簡単に説明する。
【００２１】
図示したように、第１方向へとゲート配線ＧＬが形成されており、第１方向と交差する第２方向へとデータ配線ＤＬが形成されていて、前記第１方向へとゲート配線ＧＬと離隔するように共通配線ＣＬが形成されており、ゲート配線ＧＬとデータ配線ＤＬの交差地点に、薄膜トランジスタＴが形成された構造を、共通的に含む。
【００２２】
図５Ａでは、前記共通配線ＣＬから第２方向へと、複数の共通電極９４等が分岐されており、前記薄膜トランジスタＴに連結され、共通電極９４と、交互するように第２方向へと複数の画素電極９６等が形成されている。
【００２３】
図５Ｂでは、前記共通電極９７と画素電極９８の配置構造が、図５Ａの配置構造と類似するが、前記共通電極９７と画素電極９８が、ジグザグパターン構造で構成されている。
【００２４】
図５Ａ、図５Ｂの前記共通電極９４、９７と画素電極９６、９８間の離隔区間は、横電界により液晶が駆動される実質的な開口領域ＡＡを定義する。説明の便宜上、共通電極９４、９７及び画素電極９６、９８を、横電界電極と称する。
前記図５Ａでは、電圧印加時、横電界に対応するように液晶分子の配列を速やかに誘導するために、配向方向ＲＤを横電界電極と、一定角度傾いた方向へと形成する。そして、図５Ｂでは、横電界電極Ｅ自体が一定角度曲がったジグザグ構造なので、データ配線ＤＬの方向のように、第２方向と平行なラビング方向ＲＤを有する。
【００２５】
図６は、一般的な横電界型の液晶表示装置用液晶セル基板の配置構造の図であって、横電界電極のパターン構造によりラビング方向が決まる構造の液晶表示装置用液晶セル構造に関する。
【００２６】
前述した図５Ａ及び図５Ｂのように、ストライプパターンで横電界を構成する場合、ラビング方向は、横電界電極と一定角度傾いた方向ＲＤ１、ＲＤ２になるように形成する。また、上部基板及び下部基板のラビング方向ＲＤ１、ＲＤ２は、相互に逆方向である。
【００２７】
前述した図５Ｂに示したジグザグパターンの場合、図６で示したように、ラビング方向ＲＤ’１、ＲＤ’２は、９０o−２７０o方向であって、同じく、上部基板の及び下部基板のラビング方向ＲＤ’１、ＲＤ’２は、相互に逆方向である。
【００２８】
図６に示したように、マザーガラス９９上には、相互に異なるサイズのセル領域ＶＩａ、ＶＩｂを構成することができる。例えば、３０"ＶＩａと１５"ＶＩｂの大きさのセルを、マザーグラス９９に構成する。この時、前記ラビング方向ＲＤは同じなので、前記セル領域ＶＩａ、ＶＩｂの長幅Ｗ１、Ｗ２等は、相互に同じ方向である横に、整列される。すなわち、前記セル領域ＶＩａ、ＶＩｂ等の横軸Ｗ１、Ｗ２は、相互に同じように水平方向を向かなければならない。もし、１５"セル領域ＶＩｂの長軸Ｗ２が、３０"セル領域ＶＩａの長軸Ｗ１と直交するように、縦に置かれると、マザーガラス９９に加えるラビング方向ＲＤは、図５Ａ及び図５Ｂに示したのと異なるように、横電界電極に直交する方向となり、その１５"セル領域ＶＩｂは、使用できなくなる。すなわち、従来の配置に、制約を与えている。
【００２９】
また、３０"(inch)セル領域４つ、１５"セル領域３つだけが、マザーガラス９９に配置される。従って、３つの１５"セル領域が占める領域は、１８"セル領域を、縦に配置できる領域と対応するとすれば、それだけのマザーガラスの利用効率に限界を生じることになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３０】
このような問題を解決するために、本発明では、マザーグラスの利用効率を高めるＭＭＧ方式の液晶セルの配置構造を提供することを目的とする。
このために、本発明では、配向方向により基板の配置構造が制約を受けない電極構造である横電界型の液晶表示装置用液晶セルの配置構造を提供する。
すなわち、本発明では、横電界電極を円形に形成して、液晶の方向性が、全ての方向で同様に、配向方向に関係なしに基板を自由に配置することによって、ＭＭＧ方式により液晶セルを配置する場合にも、マザーグラスの利用効率を高める。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
前述した目的を達成するために、本発明の第1の特徴では、第１ベース基板上に、長さの方向が第１方向である第１セル領域と、長さの方向が第２方向であって、前記第１ベース基板のダミー領域を最小化できるように、第２セル領域を定義する段階と；前記第１ベース基板に定義された第１セル領域及び第２セル領域に、薄膜トランジスタ、円形の共通電極、円形の画素電極を含み、円形の横電界を発生するアレイ素子を形成する段階と；前記アレイ素子が形成された第１ベース基板全面に、第１配向方向へと配向処理する段階と；前記第１セル領域及び第２セル領域に対応する大きさのセル領域が定義された第２ベース基板上に、カラーフィルターを形成する段階と；前記第１配向方向と逆方向へと、前記カラーフィルターが形成された第２ベース基板を、配向処理する段階を含む液晶表示装置用液晶セル製造工程を提供する。
【００３２】
前記第1の特徴において、前記第１配向方向は、水平方向に対して実質的に０o、４５o、９０o、１３５o、１８０o、２２５o、２７０o、３１５oのうちのいずれかである。
【００３３】
前記第１セル領域は、前記第２セル領域より大きい。
前記第１液晶セルの第１方向は、水平方向であって、前記第２液晶セルの第２方向は、垂直方向である。あるいは、前記第１液晶セルの第１方向と前記第２液晶セルの第２方向は、相互に平行である。
【００３４】
前記アレイ素子を形成する段階は、ゲート配線を水平方向に、データ配線を垂直方向に形成する工程及び共通配線を、ゲート配線と平行に形成する工程を含む。
前記ゲート配線とデータ配線は、相互に交差して、画素領域を定義する。
前記アレイ素子は、前記画素領域内に位置するように形成する。
前記共通電極は、円形の第１共通電極パターンと、円形の第２共通電極パターンを含み、前記各々の第１共通電極パターン及び第２共通電極パターンの、２分の１は、共通配線から、相互に逆方向へと分岐された形状に形成する。
【００３５】
前記円形の第２共通電極パターンは、前記円形の第１共通電極パターンより小さく形成して、前記円形の第１共通電極パターンの内側に形成する。
前記画素電極は、前記第１共通電極パターン及び第２共通電極パターン間に形成された円形の第１画素電極パターンを含み、前記第２共通電極パターンの内側に形成された円形の第２画素電極パターンを含む。また、前記画素電極は、前記円形の第１画素電極パターン及び第２画素電極パターンを、相互に連結する連結配線を通じて薄膜トランジスタに連結されるように形成する。
【００３６】
本発明の第２の特徴は、第１ベース基板上に、長さの方向が第１方向である第１セル領域と、前記第１ベース基板のダミー領域を最小化できるように形成された第２セル領域と；前記第１ベース基板に定義された第１セル領域及び第２セル領域に、薄膜トランジスタ、円形の共通電極、円形の画素電極を含み、円形の横電界を発生するアレイ素子と；前記第１セル領域及び第２セル領域に対応する大きさのセル領域が定義された第２ベース基板と；前記第２ベース基板上に形成されたカラーフィルターを含む横電界型の液晶表示装置を提供する。
【００３７】
前記第２の特徴において、前記液晶表示装置は、長さの方向が前記第１方向と、並んで配置されている複数の第１セル領域等と、長さの方向が前記第２方向と、並んで配置されている複数の第２セル領域等をさらに含む。
【００３８】
前記第１セル領域の第１セル領域は、前記第２セル領域の第２セル領域より大きい。
【００３９】
前記共通電極は、円形の第１共通電極パターンと、円形の第２共通電極パターンを含み、前記各々の第１共通電極パターン及び第２共通電極パターンの、２分の１は、共通配線から、相互に逆方向へと分岐された形状に形成する。
【００４０】
前記円形の第２共通電極パターンは、前記円形の第１共通電極パターンより小さく、前記円形の第１共通電極パターンの内側に位置する。
【００４１】
前記画素電極は、前記第１共通電極パターン及び第２共通電極パターン間に形成された円形の第１画素電極パターンと、前記第２共通電極パターンの内側に形成された円形の第２画素電極パターンを含む。また、前記画素電極は、前記円形の第１画素電極パターン及び第２画素電極パターンを、相互に連結する連結配線を通じて薄膜トランジスタに連結されるように形成する。
【００４２】
以下、本発明による好ましい実施態様を、図面を参照して詳しく説明する。
【発明の効果】
【００４３】
本発明では、マザーグラスの利用効率を高めるＭＭＧ方式の液晶セルの配置構造を提供するために、全ての方向で液晶の方向性が、同じ円形の電極構造を採択して、液晶表示装置用液晶セルをＭＭＧ方式で配置する。
円形の電極構造のパターン構造と関係なしに、配向方向が自由に設計できる。従って、相互に異なるサイズの複数のセル領域を、配向方向とは関係なしに、マザーグラスの利用効率を高める配置に、多様に変更できる。このような構成は、製造費用の節減により生産収率を高めることができる。
【実施例１】
【００４４】
図７は、本発明の実施例１によるＭＭＧ方式を利用した液晶セル基板の配置構造で、円形の電極構造の横電界型の液晶表示装置用液晶セルの配置構造の図であって、図８は、前記図７の液晶セルに形成される円形の電極構造の横電界型の液晶表示装置の一画素領域の拡大平面図である。
図７に示したように、マザーグラス１１０内に、第１サイズの複数の第１セル領域ＶＩＩａと、前記第１サイズより小さい第２サイズの第２セル領域ＶＩＩｂが、複数定義されている。
【００４５】
図面には詳しく示してないが、前記第１セル領域ＶＩＩａ、第２セル領域ＶＩＩｂ内には、横電界電極のパターン構造とは関係なしに、配向方向を自由に設計できる円形の電極構造の液晶表示素子を含むので、マザーグラスの利用効率を最大化する範囲内で、前記第１セル領域ＶＩＩａ、第２セル領域ＶＩＩｂの配置構造を、多様化することができる。
すなわち、本実施例では、マザーグラス１１０内に構成される第１セル領域ＶＩＩａ、第２セル領域ＶＩＩｂの配置方向を、横軸の方向が、相互に同じ方向へと対応する必要がないので、前記図６と同じサイズのマザーグラス１１０内に、４つの３０"セル領域を横に配置して、３つの１８"セル領域を縦に配置する方法により、セル領域ＶＩＩａ、ＶＩＩｂを配置することができる。すなわち、マザーグラス１１０内のダミー領域の最小化により利用効率を高める。
【００４６】
本実施例では、上部の配向方向ＲＤＩ及び下部の配向方向ＲＤＩＩを、特定の方向に限定せず、いずれか一方向へと配向処理することを特徴として、特に、最適の条件の配向方向は、視野角が上下/左右に対称となるゲート配線１１２の方向基準０o、４５o、９０o、１３５o、１８０o、２２５o、２７０o、３１５oに配向処理されることを特徴として、両配向方向は、相互に対応する逆方向である。
【００４７】
図面には詳しく提示していないが、前述した上部の配向方向ＲＤＩ及び下部の配向方向ＲＤＩＩは、２枚のマザーグラスの対向面で、相互に対応するように逆方向の配向方向を意味する。
前述した１つのセル領域(ＶＩＩａまたは、ＶＩＩｂ)は、液晶セル製造工程後、１つの液晶パネルを構成する領域に当たる。
【００４８】
以下、前述した円形の電極構造の横電界型の液晶表示装置を、図８を参照して具体的に説明する。
【００４９】
図８に示したように、第１方向へとゲート配線１１２が形成されており、第１方向と交差する第２方向へとデータ配線１２８が形成されていて、前記第１方向へとゲート配線１１２と、離隔するように共通配線１１４が形成されており、前記ゲート配線１１２及びデータ配線１２８の交差領域は、画素領域Ｐで定義される。
【００５０】
前記共通配線１１４では、画素領域Ｐ別に、リング状構造の共通電極１２０が形成されており、共通電極１２０と一定間隔離隔され、前記薄膜トランジスタＴに連結されるリング状構造の画素電極１３８が形成されている。
【００５１】
前記共通電極１２０及び画素電極１３８の離隔区間は、開口領域ＡＡで定義され、前記開口領域ＡＡは、共通電極１２０及び画素電極１３８の円形パターン構造によりリング状である。
より具体的に説明すると、前記共通電極１２０は、画素領域Ｐ別に、最外廓部に位置する第１共通電極パターン１２０ａと、前記第１共通電極パターン１２０ａの内部に位置する第２共通電極パターン１２０ｂとで構成される。
【００５２】
また、前記画素電極１３８は、第１共通電極パターン１２０ａ、第２共通電極パターン１２０ｂの間区間に位置する第１画素電極パターン１３８ａと、前記第２共通電極パターン１２０ｂの内部に位置する第２画素電極パターン１３８ｂとで構成される。前記画素電極１３８は、引出配線１４０を通じて薄膜トランジスタＴに連結される。
【００５３】
前記共通電極１２０及び画素電極１３８は、円形電極(ＣＥ)を構成する。
【００５４】
前記円形電極が有する開口領域ＡＡでの液晶の方向性は、全ての方向で同じなので、視野角が向上でき、このような駆動の特性により配向方向が特定の方向に限定されない。
【００５５】
前記図７に示したようにＭＭＧ方式の液晶セル基板構造の適用時、ダミー領域を最小化する方法として、基板の配置構造を多様に変更することができるので、マザーグラスの基板効果を高めて、設計時、自由度が増加する。
また、グラスの利用効率を極大化して、製造費用を節減し、生産収率が高まる。
【実施例２】
【００５６】
図９は、本発明の実施例２による横電界型の液晶表示装置用液晶セル製造工程の工程フローチャートである。
【００５７】
ＳＴ１は、第１マザーグラス、第２マザーグラス内に、第１サイズであって、第１方向が長さの方向である第１セル領域と、第１サイズより小さいサイズであり、前記第１方向または第１方向と交差する第２方向のうち、マザーグラスのダミー領域を最小化する方向を長さの方向とする第２セル領域を、各々定義する段階である。
【００５８】
本実施例は、前記第１マザーグラス内に形成される第１セル領域、第２セル領域が、液晶セル製造工程を行い、アレイパネルを構成する場合のものであって、実質的に、アレイパネルには、外部回路に連結されるパット領域が含まれるので、第１マザーグラスに形成される第１セル領域、第２セル領域は、前記第２マザーグラスに形成される第１セル領域、第２セル領域より大きいサイズの場合もある。ところが、前記第１セル領域、第２セル領域間の配置構造は、同じく適用される。
【００５９】
ＳＴ２は、前記第１マザーグラス内に構成された第１セル領域、第２セル領域に、横電界を発生する電極が、円形構造になるようにアレイ素子を各々形成する段階である。
【００６０】
前記円形電極は、横電界により液晶分子を駆動させる開口領域を円形構造に形成するので、全ての方向で液晶の方向性は同じである。
また、ＳＴ２段階では、第２マザーグラス内に、第１マザーグラスの第１セル領域、第２セル領域に対応するカラーフィルター素子を形成する。
【００６１】
ＳＴ３は、前記各々の素子が形成された第１マザーグラス、第２マザーグラス面を配向処理する段階である。前記円形電極の場合、配向方向を特定の方向に限定せず、特定の方向への制限なしに、何れかの方向に配向処理を行う。前記第１マザーグラス、第２マザーグラスの配向方向は、相互に対向する逆方向へと配向処理されることが大事である。
【００６２】
そして、前記配向段階の後であるＳＴ４段階では、合着、液晶注入、切断工程等を行い、液晶パネルを形成して、液晶パネルの外面に、偏光板を付着して、液晶表示装置が完成される。
【００６３】
本発明の前記実施例等に限らず、本発明の趣旨に反しない範囲内で、多様に変更して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】一般的な液晶表示装置の一部領域の立体図である。
【図２】従来の液晶セル製造工程用マザーグラス内のセルの配置構造を概略的に示した平面図である。
【図３】従来のＴＮモード液晶表示装置用液晶セル基板のＭＭＧ方式の配置構造の図である。
【図４】一般的な横電界型の液晶表示装置の断面を示した断面図である。
【図５】図５Ａ及び５Ｂは、一般的な横電界型の液晶表示装置の平面図である。
【図６】一般的な横電界型の液晶表示装置用液晶セル基板の配置構造の図である。
【図７】本発明の実施例１による円形の電極構造の横電界型の液晶表示装置用液晶セル製造工程での、ＭＭＧ方式を利用した液晶セル基板の配置構造の図である。
【図８】前記図７の液晶セルに形成される円形の電極構造の横電界型の液晶表示装置の一画素領域の拡大平面図である。
【図９】本発明の実施例２による横電界型の液晶表示装置の液晶セル製造工程の工程フローチャートである。
【符号の説明】
【００６５】
１１０    マザーグラス
ＶＩＩａ    第１セル領域
ＶＩＩｂ    第２セル領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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