(57)【要約】【課題】  半導体チップの実装が確実で、実装の信頼性の高い電子回路ユニット、及びその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の電子回路ユニットにおいて、回路基板１の上面１ａには半導体チップ８のバンプ９が圧着される電極５が設けられ、回路基板１の下面１ｂには、チップ部品１０が半田付けされるランド部７のみが設けられたため、半導体チップの実装工程時、ソルダレジスト膜の存在しない回路基板１の下面１ｂ側の絶縁板３が支持治具１１によって支持できて、回路基板１に傾きが生ぜず、従って、半導体チップ８の実装が確実となって、実装の信頼性の高いものが得られる。【選択図】        図２
2005210068.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の絶縁シートが積層されて形成された回路基板と、この回路基板の一面側に設けられた配線パターンの電極に、バンプが付着されて接続された半導体チップと、前記回路基板の他面側に設けられたランド部に半田付けされたチップ部品とを備え、前記回路基板は、一面側に前記電極が設けられ、他面側に導電部が設けられた配線基板と、前記導電部を覆った状態で、前記配線基板の前記他面側に積層された絶縁板とで形成され、前記回路基板の前記他面側である前記絶縁板の露出表面には、ソルダレジスト膜が存在しない状態で、前記導電部に接続導体を介して接続された前記ランド部が設けられたことを特徴とする電子回路ユニット。
【請求項２】
前記配線基板の前記他面側には、導電パターンが設けられ、前記導電部が前記導電パターンの一部で形成されたことを特徴とする請求項１記載の電子回路ユニット。
【請求項３】
前記回路基板を形成する前記配線基板と前記絶縁板は、低温焼成のセラミック材によって形成されたことを特徴とする請求項１、又は２記載の電子回路ユニット。
【請求項４】
前記配線基板の一面側に設けられた前記配線パターンの前記電極のそれぞれは、同一面積で形成されると共に、それぞれの前記電極には、前記半導体チップを接続するための前記バンプが付着されたことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の電子回路ユニット。
【請求項５】
一面側に設けられた配線パターンの電極、及び他面側に設けられた導電部を有する配線基板と、前記導電部を覆った状態で、前記配線基板の前記他面側に積層された絶縁板とで形成された回路基板を有すると共に、前記絶縁板の露出表面には、ソルダレジスト膜が存在しない状態で、前記導電部に接続導体を介して接続されたランド部が設けられた構成を有し、前記回路基板は、前記ランド部を有する前記絶縁板の露出表面側が支持治具上に載置され、この状態で、半導体チップに設けられたバンプが前記電極に付着された後、チップ部品が前記ランド部に半田付けされたことを特徴とする電子回路ユニットの製造方法。
【請求項６】
前記回路基板を形成する前記配線基板と前記絶縁板は、低温焼成のセラミック材によって形成されたことを特徴とする請求項５記載の電子回路ユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は近距離無線機器等に使用して好適な電子回路ユニット、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子回路ユニット、及びその製造方法の図面を説明すると、図８は従来の電子回路ユニットの要部断面図、図９は従来の電子回路ユニットの製造方法を示す説明図である。
【０００３】
次に、従来の電子回路ユニットの構成を図８，図９に基づいて説明すると、複数枚の絶縁シートが積層されて形成された回路基板５１の表面と裏面には、配線パターン５２が設けられると共に、この配線パターン５２上には、ソルダレジスト膜５３が形成されて、ソルダレジスト膜５３から露出した電極５２ａやランド部５２ｂが形成されている。
【０００４】
このソルダレジスト膜５３によって、電極５２ａやランド部５２ｂの領域が形成されると共に、露出した電極５２ａやランド部５２ｂ以外の配線パターン５２が埃等から保護されるようになり、また、ソルダレジスト膜５３は、液状の絶縁材の印刷や塗布によって形成されるため、その膜厚が一定とならず、バラツキのある膜状態で形成される。
【０００５】
そして、回路基板５１の表面においては、半導体チップ５４に設けられたバンプ５５が電極５２ａに圧着されて、半導体チップ５４が回路基板５１に搭載されると共に、チップ部品５６がランド部５２ｂに半田付けされ、また、回路基板５１の裏面においては、チップ部品５７がランド部５２ｂに半田付けされて、所望の電気回路が形成され、従来の電子回路ユニットが形成されている。（例えば、特許文献１参照）
【０００６】
このような構成を有する従来の電子回路ユニットの製造方法を図９に基づいて説明すると、先ず、回路基板５１の両面にソルダレジスト膜５３を形成したものを用意し、次に、図９に示すように、支持治具６１上には、回路基板５１の裏面側のソルダレジスト膜５３を載置する。
【０００７】
この時、回路基板５１の裏面側に設けられたソルダレジスト膜５３の厚膜には、バラツキがあるため、図９に示すように、回路基板５１が支持治具６１の表面に対して傾いた状態で、回路基板５１が支持された状態となる。
【０００８】
次に、吸着と加圧を行う装着治具６２によって、半導体チップ５４が電極５２ａ上に搬送された後、バンプ５５が加熱されながら装着治具６２によって電極５２ａに加圧されると、バンプ５５が電極５２ａに圧着され、しかる後、装着治具６２を元の位置に復帰させる。
【０００９】
また、バンプ５５の電極５２ａへの圧着は、回路基板５１が傾いた状態で行われるため、一部のバンプ５５は、電極５２ａへの圧着の不十分なものが存在して、半導体チップ５４の実装が不十分となり、実装性が悪くなる。
【００１０】
そして、半導体チップ５４が実装された後、先ず、ランド部５２ｂ上に設けられたクリーム半田によって、チップ部品５６がランド部５２ｂに半田付けされ、しかる後、ランド部５２ｂ上に設けられたクリーム半田によって、チップ部品５７がランド部５２ｂに半田付けされると、その製造が完了する。
【００１１】
即ち、従来の電子回路ユニット、及びその製造方法は、回路基板５１の裏面側にソルダレジスト膜５３が存在するため、半導体チップ５４の実装工程時、ソルダレジスト膜５３の膜厚のバラツキによって、回路基板５１に傾きが生じて、半導体チップ５４の実装が不十分となり、実装性が悪くなる。
【００１２】
【特許文献１】特開２０００−３０７２１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従来の電子回路ユニット、及びその製造方法は、回路基板５１の裏面側にソルダレジスト膜５３が存在するため、半導体チップ５４の実装工程時、ソルダレジスト膜５３の膜厚のバラツキによって、回路基板５１に傾きが生じて、半導体チップ５４の実装が不十分となり、実装性が悪くなるという問題がある。
【００１４】
そこで、本発明は半導体チップの実装が確実で、実装の信頼性の高い電子回路ユニット、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、複数枚の絶縁シートが積層されて形成された回路基板と、この回路基板の一面側に設けられた配線パターンの電極に、バンプが付着されて接続された半導体チップと、前記回路基板の他面側に設けられたランド部に半田付けされたチップ部品とを備え、前記回路基板は、一面側に前記電極が設けられ、他面側に導電部が設けられた配線基板と、前記導電部を覆った状態で、前記配線基板の前記他面側に積層された絶縁板とで形成され、前記回路基板の前記他面側である前記絶縁板の露出表面には、ソルダレジスト膜が存在しない状態で、前記導電部に接続導体を介して接続された前記ランド部が設けられた構成とした。
【００１６】
また、第２の解決手段として、前記配線基板の前記他面側には、導電パターンが設けられ、前記導電部が前記導電パターンの一部で形成された構成とした。
また、第３の解決手段として、前記回路基板を形成する前記配線基板と前記絶縁板は、低温焼成のセラミック材によって形成された構成とした。
【００１７】
また、第４の解決手段として、前記配線基板の一面側に設けられた前記配線パターンの前記電極のそれぞれは、同一面積で形成されると共に、それぞれの前記電極には、前記半導体チップを接続するための前記バンプが付着された構成とした。
【００１８】
また、第５の解決手段として、一面側に設けられた配線パターンの電極、及び他面側に設けられた導電部を有する配線基板と、前記導電部を覆った状態で、前記配線基板の前記他面側に積層された絶縁板とで形成された回路基板を有すると共に、前記絶縁板の露出表面には、ソルダレジスト膜が存在しない状態で、前記導電部に接続導体を介して接続されたランド部が設けられた構成を有し、前記回路基板は、前記ランド部を有する前記絶縁板の露出表面側が支持治具上に載置され、この状態で、半導体チップに設けられたバンプが前記電極に付着された後、チップ部品が前記ランド部に半田付けされた製造方法とした。
【００１９】
また、第６の解決手段として、前記回路基板を形成する前記配線基板と前記絶縁板は、低温焼成のセラミック材によって形成された製造方法とした。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の電子回路ユニットは、複数枚の絶縁シートが積層されて形成された回路基板と、この回路基板の一面側に設けられた配線パターンの電極に、バンプが付着されて接続された半導体チップと、回路基板の他面側に設けられたランド部に半田付けされたチップ部品とを備え、回路基板は、一面側に電極が設けられ、他面側に導電部が設けられた配線基板と、導電部を覆った状態で、配線基板の他面側に積層された絶縁板とで形成され、回路基板の他面側である絶縁板の露出表面には、ソルダレジスト膜が存在しない状態で、導電部に接続導体を介して接続されたランド部が設けられた構成とした。
このように、回路基板の他面側である絶縁板の露出表面には、ソルダレジスト膜が存在しない状態で、チップ部品を接続するランド部が設けられたため、半導体チップの実装工程時、ソルダレジスト膜の存在しない絶縁板が支持治具によって支持できて、回路基板に傾きが生ぜず、従って、半導体チップの実装が確実となって、実装の信頼性の高いものが得られる。
【００２１】
また、配線基板の他面側には、導電パターンが設けられ、導電部が導電パターンの一部で形成されたため、回路基板における配線パターの引き回しが容易であると共に、この導電パターンが絶縁板によって埃等から確実に保護できて、信頼性の高い回路基板が得られる。
【００２２】
また、回路基板を形成する配線基板と絶縁板は、低温焼成のセラミック材によって形成されたため、回路基板の厚みの精度が高く、且つ、両面の平行度の高い回路基板が得られる。
【００２３】
また、配線基板の一面側に設けられた配線パターンの電極のそれぞれは、同一面積で形成されると共に、それぞれの電極には、半導体チップを接続するための前記バンプが付着されたため、電極の面積を同一にすることによって、半田等からなるバンプの高さを等しくできて、半導体チップの実装信頼性を高めることができる。
【００２４】
また、一面側に設けられた配線パターンの電極、及び他面側に設けられた導電部を有する配線基板と、導電部を覆った状態で、配線基板の他面側に積層された絶縁板とで形成された回路基板を有すると共に、絶縁板の露出表面には、ソルダレジスト膜が存在しない状態で、導電部に接続導体を介して接続されたランド部が設けられた構成を有し、回路基板は、ランド部を有する絶縁板の露出表面側が支持治具上に載置され、この状態で、半導体チップに設けられたバンプが電極に付着された後、チップ部品がランド部に半田付けされた製造方法とした。
このように、回路基板の他面側である絶縁板の露出表面には、ソルダレジスト膜が存在しない状態で、チップ部品が接続されるランド部が設けられたため、半導体チップの実装工程時、ソルダレジスト膜の存在しない絶縁板が支持治具によって支持されて、支持治具の表面に対して回路基板の傾きが生ぜず、従って、半導体チップの実装が確実となって、実装の信頼性の高いものが得られる。
【００２５】
また、回路基板を形成する配線基板と絶縁板は、低温焼成のセラミック材によって形成されたため、回路基板の厚みの精度が高く、且つ、両面の平行度の高い回路基板が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の電子回路ユニット、及びその製造方法の図面を説明すると、図１は本発明の電子回路ユニットの正面図、図２は本発明の電子回路ユニットの要部断面図、図３は本発明の電子回路ユニットに係る回路基板の平面図、図４は本発明の電子回路ユニットに係る回路基板の下面図である。
【００２７】
また、図５は本発明の電子回路ユニットに係り、回路基板を形成する配線基板の下面図、図６は本発明の電子回路ユニットの製造方法に係り、第１工程を示す説明図、図７は本発明の電子回路ユニットの製造方法に係り、第２工程を示す説明図である。
【００２８】
次に、本発明の電子回路ユニットの構成を図１〜図７に基づいて説明すると、回路基板１は、低温焼成のセラミック材（ＬＴＣＣ）や樹脂材からなる複数の絶縁シートが積層されて形成され、上部側に配置された配線基板２と、この配線基板２の下部側に積層された絶縁板３とで形成されている。
また、回路基板１が低温焼成のセラミック材で形成されるものにあっては、グリーンシートが加圧、焼成されて形成されるため、精度の良い回路基板１が得られる。
【００２９】
この回路基板１の一面（表面）１ａ側（配線基板２の上面側）には、配線パターン４と、この配線パターン２に接続された面積の等しい複数の電極５が設けられると共に、ここでは図示しないが、ソルダレジスト膜によって、電極５の露出領域が形成されると共に、配線パターン４が埃等から保護されている。
【００３０】
また、回路基板１の内層、即ち、配線基板２と絶縁板３の合わせ目である配線基板２の下面２ｂには、図５に示すように、導電パターン６が形成されると共に、この導電パターン６の一部で形成される導体部６ａが設けられ、この導電パターン６と導体部６ａは、絶縁板３によって覆われた状態となっている。
そして、この導電パターン６と導電部６ａは、上面１ａに設けられた配線パターン４と適宜箇所で接続された構成となっている。
【００３１】
更に、回路基板１の他面（下面）１ｂ側（絶縁板３の下面側）には、ランド部７のみが設けられ、このランド部７は、導電部６ａと接続導体（スルーホール）１３を介して接続されている。
即ち、回路基板１の下面で１ｂである絶縁板３の下面の露出表面は、ソルダレジスト膜が存在しない状態で、ランド部７が設けられた状態となっている。
【００３２】
フリップチップ等からなる半導体チップ８は、本体部８ａと、この本体部８ａの下面に設けられた複数の電極部８ｂとで形成され、この電極部８ｂには、外表面に半田膜を形成したボール等からなるバンプ９が圧着等によって付着されている。
そして、回路基板１の表面１ａにおいては、半導体チップ８に設けられたバンプ９が電極５に圧着（付着）されて、半導体チップ８が回路基板１に搭載されている。
【００３３】
チップ部品１０は、コンデンサや抵抗等のチップ部品で形成され、回路基板１の下面１ｂにおいては、チップ部品１０がランド部７に半田付けされて、チップ部品１０が回路基板１に搭載されている。
なお、ここでは図示しないが、回路基板１の表面１ａには、コンデンサ等のチップ部品が配線パターン４に半田付される等して、所望の電気回路が形成され、本発明の電子回路ユニットが形成されている。
【００３４】
次に、このような構成を有する本発明の電子回路ユニットの製造方法を図６，図７に基づいて説明すると、先ず、配線基板２と絶縁板３が積層された回路基板１を用意し、図６に示すように、支持治具１１上には、回路基板１の下面１ｂ側のランド部７を載置する。
【００３５】
この時、回路基板１の下面１ｂ側には、ソルダレジスト膜が存在せず、従って、精度の高いランド部７が支持治具１１の表面に位置した状態となるので、回路基板１が支持治具１１の表面に対して平行な状態で、回路基板１が支持された状態となる。
【００３６】
次に、図６に示すように、吸着と加圧を行う装着治具１２によって、半導体チップ８が電極５上に搬送された後、図７に示すように、装着治具１２を下方に移動させて、バンプ９を電極５上に押し付ける。
そして、バンプ９が加熱されながら装着治具１２によって電極５に加圧されると、バンプ９が電極５に圧着（付着）され、しかる後、装着治具１２を元の位置に復帰させる。
【００３７】
次に、半導体チップ８の実装が完了した後、ランド部７上に設けられたクリーム半田によって、チップ部品１０がランド部７に半田付けされると、その製造が完了する。
【００３８】
即ち、本発明の電子回路ユニット、及びその製造方法において、回路基板１の他面１ｂ側である絶縁板３の露出表面には、ソルダレジスト膜が存在しない状態で、チップ部品１０を接続するランド部７が設けられたため、半導体チップ８の実装工程時、ソルダレジスト膜の存在しない絶縁板３が支持治具１１によって支持できて、回路基板１に傾きが生ぜず、従って、半導体チップ８の実装が確実となって、実装の信頼性の高いものが得られる。  
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の電子回路ユニットの正面図。
【図２】本発明の電子回路ユニットの要部断面図。
【図３】本発明の電子回路ユニットに係る回路基板の平面図。
【図４】本発明の電子回路ユニットに係る回路基板の下面図。
【図５】本発明の電子回路ユニットに係り、回路基板を形成する配線基板の下面図。
【図６】本発明の電子回路ユニットの製造方法に係り、第１工程を示す説明図。
【図７】本発明の電子回路ユニットの製造方法に係り、第２工程を示す説明図。
【図８】従来の電子回路ユニットの要部断面図。
【図９】従来の電子回路ユニットの製造方法を示す説明図。
【符号の説明】
【００４０】
１：回路基板
１ａ：一面（上面）
１ｂ：他面（下面）
２：配線基板
２ｂ：下面
３：絶縁板
４：配線パターン
５：電極
６：導電パターン
６ａ：導体部
７：ランド部
８：半導体チップ
８ａ：本体部
８ｂ：電極部
９：バンプ
１０：チップ部品
１１：支持治具
１２：装着治具
１３：接続導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005210068.tif 000009
【図８】
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【図９】
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