(57)【要約】【課題】  大気への有害ガスを放出することのないプロセスシステムを提供すること。大気に有害ガスを放出することなくフッ素系ガスを処理することが可能な排ガス処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】チャンバー１と、チャンバー１内部にフッ素系ガスを導入するためのガス導入口５と、処理後のガスをチャンバー内部から排出するためのガス排出口４と、ガス排出口４の下流に設けられた内部にフラーレン７が充填されたカートリッジ６ａ，６ｂと、を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーと、チャンバー内部にフッ素系ガスを導入するためのガス導入口と、処理後のガスをチャンバー内部から排出するためのガス排出口と、該排出口の下流に設けられた内部にフラーレンが充填されたカートリッジと、を有することを特徴とするプロセスシステム。
【請求項２】
前記フッ素系ガスは、ＮＦ３であることを特徴とする請求項１記載のプロセスシステム。
【請求項３】
前記カートリッジの内部を加熱するための手段を設けたことを特徴とする請求項１又は２記載のプロセスシステム。
【請求項４】
前記カートリッジは着脱可能であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のプロセスシステム。
【請求項５】
前記カートリッジの内部表面にはクロム酸化物を主成分とする酸化不動態膜又はフッ化不動態膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のプロセスシステム。
【請求項６】
前記チャンバーは、プラズマエッチングあるいはプラズマＣＶＤチャンバーであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載のプロセスシステム。
【請求項７】
前記フラーレンは内包フラーレンであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載のプロセスシステム。
【請求項８】
前記内包フラーレンは金属原子内包フラーレンであることを特徴とする請求項７記載のプロセスシステム。
【請求項９】
ガス入口及びガス出口を有し、内部にフラーレンを充填したことを特徴とするフッ素系ガス処理用カートリッジ。
【請求項１０】
前記フッ素系ガスは、ＮＦ３であることを特徴とする請求項９記載のフッ素系ガス処理用カートリッジ。
【請求項１１】
前記カートリッジの内部表面にはクロム酸化物を主成分とする酸化不動態膜又はフッ化不動態膜が形成されていることを特徴とする請求項９又は１０記載のフッ素系ガス処理用カートリッジ。
【請求項１２】
フッ素系ガスをチャンバーに導入してプラズマを発生させることにより、プラズマエッチング又はプラズマクリーニングを行い、該チャンバーからの排ガスをフラーレンと反応させることを特徴とする排ガス処理方法。
【請求項１３】
前記フッ素系ガスは、ＮＦ３であることを特徴とする請求項１２記載の排ガス処理方法。
【請求項１４】
前記フラーレンを１００℃〜６００℃の温度に加熱することを特徴とする請求項１２又は１３記載の排ガス処理方法。
【請求項１５】
前記フラーレンを１００〜３００℃の温度に加熱することを特徴とする請求項１２又は１３記載の排ガス処理方法。
【請求項１６】
前記フラーレンをその昇華温度以上の温度に加熱することを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項記載の排ガス処理方法。
【請求項１７】
フッ化フラーレンをガラス内に混合してなることを特徴とするガラス。
【請求項１８】
前記フッ化フラーレンの割合は、全体の１０〜４０重量％であることを特徴とする請求項１７記載のガラス。
【請求項１９】
前記フッ化フラーレンは、フッ素系ガスをチャンバーに導入してプラズマを発生させることにより、プラズマエッチング又はプラズマクリーニングを行い、該チャンバーからの排ガスをフラーレンと反応させることにより得られたフッ化フラーレンであることを特徴とする請求項１７又は１８記載のガラス。
【請求項２０】
前記フラーレンは、Ｃ６０であることを特徴とする請求項１８又は１９記載のガラス。
【請求項２１】
請求項１７乃至２０のいずれか１項記載のガラスをフロントウィンドウのガラス、サイドウィンドウのガラス、又はリアウィンドウのガラスとして用いたことを特徴とする自動車。
【請求項２２】
ワイパーを有していないことを特徴とする請求項２１記載の自動車。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラーレンを用いたプロセスシステム、排ガス処理方法及びガラスに関する。
【背景技術】
【０００２】
【特許文献１】特公平２−３０７３１号公報
【特許文献２】特開平８−２４８２０３号公報
【非特許文献１】エドワード・バルーディ著［ＮＩＴＲＯＧＥＮＴＲＩＦＬＵＯＲＩＤＥ：  ＩＴＳ  ＣＨＥＭＮＩＳＴＲＹ，  ＴＯＸＩＴＹ，  ＡＮＤ  ＳＡＦＥ  ＨＡＮＤＬＩＮＧ］（ナバル・サーフェス・ウエポンズ・センター（バージニア州、米国、）１９７６年１１月１２日発行、１〜２３頁）
【０００３】
（１）フッ素系ガスの処理
現在、フッ素系ガスは、半導体などの成膜装置において、ドライエッチングガスあるいはクリーニングガスとして用いられていることは特許文献１に次のように記載されている通りである。
【０００４】
『最近、ＬＳＩ素子は年々高集積化され、製造プロセスの精密化と新技術の導入が進み、新しい半導体用ガスの利用の重要性が強調されている。半導体用のドライエッチングガス、あるいはクリーニングガスとして有望なひとつの特別なガスはＮＦ３である。例えば、ＮＦ３放電中でイオン化した反応性ガスがシリコンをエッチングすると、反応生成物は揮発性物質となるので、従来のフロロカーポンプラズマ中でのエッチングに較べ、Ｃ或はＳによるウエハ表面の反応残渣汚染がない。又反応残渣がないためエッチング速度が遠くなる。一般に上に挙げた利点が、ドライエッチングガスあるいはクリーニングガスとして、ＮＦ３が有望視されている理由である。・・・
上記ＮＦ３は、常温では非常に安定で、不燃性のガスであるが、許容濃度ｌ０ｐｐｍの毒性ガスであるため、その毒性ガス対策が急がれていた。しかしながら、ＮＦ３は水、アルカリ、酸水溶液と反応しないため、これらの水溶液では処理できず、大量の窒素、空気で稀釈排出されているのが実情である。一方、稀釈排出されたＮＦ３は、自然界では分解されないことが証明されており、生物に対する悪影響が懸念されている。』
【０００５】
上記問題を解決すべく、特許文献１では次のような技術を提供している。
『三フッ化窒素ガスＮＦ３を含有する排ガスを活性炭、木炭等の炭素塊と毒素のないＣＦ４ガスとＮ２ガスに変えることを特徴とする三フッ化窒素ガスの処理方法。』である。
この技術においては、次の反応によりＮＦ３がＣＦ４とＮ２ガスに変換される。
４ＮＦ３＋３Ｃ→３ＣＦ４＋２Ｎ２
このときの反応温度は３００〜６００℃とされる。
【０００６】
また、非特許文献１においては次のように述べられている。
『Ｖ．Ｂ．木炭又は金属との反応による処理  ＮＦ３の木炭との反応は下記した反応式で示される。
４／３ＮＦ３＋Ｃ＝２／３Ｎ２＋ＣＦ４、
ΔＨ＝１３５．７Ｋｃａｌ／ｍｏｌ（５３８．４ＢＴＵ／ｍｏｌ）
この反応を経由するＮＦ３の処理は高い発熱反応を伴うが、熱伝達率の優れた流動床を使うことによって実現できる。しかしながら、このＮＦ３と炭素との反応の重大な問題は極めて毒性の危険な中間物Ｎ２Ｆ４の生成である。ＧｏｕｌｄとＳｍｉｔｈは流動木炭床において、４００℃でＮＦ３の７５％がＮ２Ｆ４に変換したと報告している。温度を５００から６００℃に昇温することにより反応を、よりＮ２形成の方にシフトさせることができる・・・』
【０００７】
しかし、上記技術においては、危険な中間物Ｎ２Ｆ４の生成を防止するためには、厳密な温度管理あるいはガス濃度の管理を必要とするという問題点を有している。
また、毒素のないＣＦ４ガスとＮ２に変換したとしても、ＣＦ４ガスをそのまま大気に放出するわけには行かず、その処理装置を必要とするという問題点を有している。
【０００８】
（２）撥水性ガラス
一方、ガラス板などの部材表面を撥水性にするための技術としては、部材表面にフッ化カーボン（ＣＦ）ｎを微粒子状に付着させる技術が提案されている（特許文献２）。この技術においては、１３６°の接触角が得られたとされている。
【０００９】
しかし、特許文献２記載技術においては、微粒子の粒径を揃えることは困難である。また、膜状にすると光が透過しなくなるため島状に形成せざるを得ず、実際上の接触角は１２０°程度が限度である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、大気への有害ガスを放出することのないプロセスシステムを提供することを目的とする。
【００１１】
本発明は、フッ素系ガスの処理を有効に行うことが可能であり、上記プロセスシステムに用いられるカートリッジを提供することを目的とする。
【００１２】
本発明は、大気に有害ガスを放出することなくフッ素系ガスを処理することが可能な排ガス処理方法を提供することを目的とする。
【００１３】
本発明は、接触角度が従来よりもはるかに高いガラスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明のプロセスシステムは、チャンバーと、チャンバー内部にフッ素系ガスを導入するためのガス導入口と、処理後のガスをチャンバー内部から排出するためのガス排出口と、該排出口の下流に設けられた内部にフラーレンが充填されたカートリッジと、を有することを特徴とするプロセスシステムである。
【００１５】
本発明のフッ素系ガス処理用カートリッジは、ガス入口及びガス出口を有し、内部にフラーレンを充填したことを特徴とする。
【００１６】
本発明の排ガス処理方法は、フッ素系ガスをチャンバーに導入してプラズマを発生させることにより、プラズマエッチング又はプラズマクリーニングを行い、該チャンバーからの排ガスをフラーレンと反応させることを特徴とする。
【００１７】
本発明のガラスは、フッ化フラーレンをガラス内に混合してなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、フッ素系ガスの処理を有効に行うことができ、大気への有害ガスの放出を防止することが可能となる。
【００１９】
本発明によれば、撥水性に極めて優れたガラスを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１に本発明の実施の形態に係るプロセスシステムを示す。
本形態においては、チャンバー１と、チャンバー１内部にフッ素系ガスを導入するためのガス導入口５と、処理後のガスをチャンバー内部から排出するためのガス排出口４と、ガス排出口４の下流に設けられた内部にフラーレン７が充填されたカートリッジ６ａ，６ｂと、を有する。
【００２１】
本形態に係るプロセスシステムをより詳細に説明する。
本形態においては、チャンバー１内にターゲット２と基板３とが設けてある。ターゲット２と基板３とは対向して配置されている。また、それぞれ電極により保持されており、電極は例えば高周波電源（図示せず）に接続されている。
また、チャンバー内部は減圧状態とするための真空排気ポンプが設けられている（図示せず）。
ガス導入口５には、Ａｒガス源とＮＦ３ガス源とがバルブＶ１、Ｖ２、Ｖ３を介して接続してある。また、プロセスガス源にバルブＶ７を介して接続してある。
【００２２】
ガス排出口４の下流には、カートリッジ６ａ，６ｂが設けてある。カートリッジ６ａ，６ｂの内部にはフラーレンが充填されている。なお、図１では二つのカートリッジを並列的に設けてある。２つ以上の複数個を並列的に設けてもよい。１つでもよい。また、ガス排出口４とカートリッジ６ａ，６ｂをつなぐライン（具体的には配管）からカートリッジ６ａ，６ｂを着脱自在に設けることが好ましい。複数個のカートリッジを設けておくことにより、一つのカートリッジの充填物の交換時においても連続的な処理が可能となる。
【００２３】
カートリッジ６ａ，６ｂ内にはフラーレン７が充填してある。フラーレンとしては、Ｃｎ（ｎ＝５０〜９０）が好ましい。また、内包フラーレンが好ましく、特に、金属内包フラーレンが好ましい。
【００２４】
なお、ガス排出口４とカートリッジ６ａ，６ｂとの間には、プロセスガスを排出するためのプロセスガス排気ライン９を、バルブＶ４を介して設けてある。プロセスガス排気ライン９は、ＣＶＤなどのプロセスガスとしてフラーレンでは処理できない種類のガスを用いた場合に、そのガスを処理装置に送るためのラインである。
【００２５】
次に図１に示すシステムの操作について説明する。
プラズマエッチングやプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）プロセスを行った後、反応副生成物がチャンバー１の内壁に付着・堆積した場合にチャンバー１の内壁のクリーニングを行う。
【００２６】
フッ素系ガスをガス導入口５からチャンバー１内に導入し、プラズマを発生させる。フッ素系ガスとしては三フッ化窒素（ＮＦ３）が好ましい。ＮＦ３は、結合エネルギーが２．８３ｅＶであり、ＳＦ６やＣＦ４に比べてより多くのラジカルを生成でき、チャンバー内壁のクリーニングに適しているとともにプラズマエッチングに適している。
【００２７】
フッ素系ガスとして六フッ化硫黄（ＳＦ６）を用いた場合においても良好なクリーニング効果あるいはプラズマエッチング効果が得られる。従って、六フッ化硫黄を用いることも好ましい。ただ、例えば半導体素子の製造においては、Ｓは不純物となる。従って、Ｓの存在を嫌う場合には、ＮＦ３を用いることが好ましい。
【００２８】
また、プラズマエッチングを行う場合にもＮＦ３をチャンバー１内に導入してプラズマを発生させ、基板上の膜（例えばＳｉＯ２）のエッチングを行う。
【００２９】
より高いクリーニング効果、プラズマエッチング効果を達成するためには次の条件が好ましい。
ガス圧力：５０ｍＴｏｒｒ〜５００ｍＴｏｒｒ（６．７Ｐａ〜６７Ｐａ）
ガス流量：１０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍ
入力電力：１００Ｗ〜５００Ｗ
かかる条件でプラズマを立てるとＮＦ３はより多くのフッ素原子活性種を生成する。フッ素原子活性種は化学的に極めて活性であるため、チャンバー内壁に付着した膜を容易にエッチングしてクリーニングが達成される。
【００３０】
ＮＦ３の一部又は全部はクリーニングに関与するが、関与しなかったガス及び生成ガスはカートリッジに排気される。
すなわち、クリーニングあるいはプラズマエッチングを行った後のガスはカートリッジ６ａ，６ｂに送られる。カートリッジ６ａ，６ｂ内にはフラーレンが充填されている。
【００３１】
ＮＦ３はフラーレンと反応して、ＣｎＦｍ（ｎ＝５０〜９０、ｍ＜ｎ）と窒素を生成する。ＣｎＦｍは気体ではなく固体である。この点が、特許文献１、非特許文献１記載技術とは大きく異なる。すなわち、上記文献においては、良好な条件においても毒性がないとされるＣＦ４を発生する。条件が良好でない場合は毒性が強いＮ２Ｆ２を発生する。いずれにしろ、窒素以外の気体の発生を伴う。毒性のあるＮ２Ｆ２はそのまま大気に放出するわけにはいかない。毒性が無いとされるＣＦ４であっても、温暖化防止という観点からそのまま大気に放出することは好ましくない。従って、ＣＦ４の場合であっても燃焼と水洗による除外処理を行う必要がある。しかるに、本発明においては、窒素以外の気体の生成は伴わない。従って、上記の文献記載技術が有する問題は生じない。
【００３２】
なお、未反応のＮＦ３もわずかにカートリッジのガス出口から排出される可能性もあるが、カートリッジを直列に多段に接続することによりその量を０近くに減少させることができる。
【００３３】
カートリッジの内面には、クロムを主成分とする酸化クロム不動態膜、あるいはフッ化不動態膜を形成しておくことが好ましい。フラーレン（特に金属内包フラーレン）は水分と接触すると水酸基（−OH基）により修飾される。水酸基を有するフラーレンは安定である。カートリッジの内面が大気に晒されたときにはその内面に水分が付着する。付着した水分は表面に強固に付着し脱離が困難である。のみならず、プロセス中に徐々脱離してカートリッジ内を汚染する。そこで、カートリッジの内面に上記不動態膜を形成しておく。上記不動態膜の表面には水分が付着しにくく。また、付着したとしても容易に脱離させることができる。例えば、１００℃に加熱しつつ高純度（不純物濃度が１０ｐｐｂ以下、より好ましくは１ｐｐｂ以下）の不活性ガス（例えばＡｒガス）で内部をパージすれば、付着している水分を容易に脱離させることができる。内表面から水分を脱離させた後にフラーレンをカートリッジ内に充填すればよい。
【００３４】
チャンバーからの排ガスを処理する際に、カートリッジ内部のフラーレンを加熱することが、より効率よくフラーレンをフッ化フラーレンとする上から好ましい。加熱温度は１００℃〜６００℃が好ましい。１００℃以上の場合、フッ化フラーレンの生成量が著しく増加する。一方、６００℃を超えると、フラーレンの昇華が一気に起こり、突沸に似た状態が生じてしまうことがある。そのため６００℃以下が好ましい。よりフッ化フラーレンへの変化効率をあげるためには、１５０以上が好ましい。また、低温処理が可能となるという点からは、１５０℃〜３００℃がより好ましい。
【００３５】
なお、フラーレンの昇華温度は、減圧下では、通常、４００℃以上である。ただ、圧力、酸素の有無、内包の有無によって大きく変化する。具体的には、対象とするフラーレンを予め実験などを行い調べておけばよい。加熱温度によっては、フラーレンはカートリッジ内において昇華する。昇華状態において、チャンバーからのガスと反応させてもよい。昇華状態とした場合には、気相反応となるため、フッ化フラーレンの生成がより容易となる。すなわち、ＮＦ３の除外がより有効に行われる。なお、昇華状態とした場合には、フラーレンはカートリッジから流出するが、カートリッジの下流にフラーレンを捕捉する手段を設けておけば大気の汚染を防止することができる。捕捉手段は単なる容器であってもよい。容器を例えば常温に保持しておけば昇華したフラーレン（あるいはフッ化フラーレン）はすぐに固相に戻り、容器内に堆積する。
【００３６】
カートリッジの内部に充填するフラーレンは、空フラーレン（内部に原子を内包しないフラーレン）でもよいが、内部に原子を内包した内包フラーレンがより好ましい。特に、Ｌｉ、Ｋ、Ｎａなどの金属原子を内包した内包フラーレンが好ましい。金属内包フラーレンの場合、チャンバーからのガスの除害効果が空フラーレンの場合に比べて一層高くなる。
【００３７】
また、フラーレンとしては、Ｃｎにおいて、Ｃ６０が最も好ましい。Ｃ６０は対称性が良好であり、後述するガラスに添加した場合であっても最も良好な撥水性を示す。
【００３８】
カートリッジによる除害処理終了後においては、カートリッジ内には、生成したフッ化フラーレンが存在する。本発明者は、このフッ化フラーレンの有効活用を考えた。フッ化フラーレンをガラスに混合することにより撥水性に優れたガラスが得られることを見出した。ガラスの原料を溶融し、得られた溶湯内に、カートリッジから取り出したフッ化フラーレンを添加すれば本発明に係るガラスを容易に製造することができる。その際、フッ化フラーレンは、着脱可能なカートリッジ内に収納されているため、カートリッジを取り外して、ガラス工場に持っていけばよい。
【００３９】
フッ化フラーレンの添加量は、ガラス全体に対して５〜４０重量％が好ましい。５重量％以上とすることにより撥水性はより一層向上する。ただ、４０重量％を超えると、フッ化フラーレンが凝集を起こしやすくなり、ガラス内に凝集状態で分散してしまう。かかる観点から、１０〜３０重量％がより好ましく、１５〜２５重量％がさらに好ましい。
【００４０】
本発明のガラスは、１３０〜１４０°の接触角を有している。用途としては、例えば、各種窓ガラスがあげられる。家屋用の窓ガラス、自動車用の窓ガラスに好適に用いることができる。窓ガラスの汚れは、雨滴がガラス表面に付着し、雨滴乾燥後、雨滴が含むごみが残存することによって生ずる。雨滴によってもたらされた汚れは表面への付着量が強いため、自動車のフロントガラスにおいては、洗浄水を吹き付けた後にワイパーで機械的に除去する。しかるに、撥水性が優れている場合には、雨滴の付着を防止することができるため、かかる原因による汚れを防止することができる。窓ガラスは、雨滴以外にも、風などによってもたらされるごみによっても汚れる。かかるごみは撥水性の低下をもたらし、雨滴付着の原因となる。ただ、風によってもたらされた汚れは、雨滴によってもたらされた汚れとは異なり、表面への付着力は弱い。従って、ガラス表面にきれいな風を吹き付ければ容易に除去することができる。あるいは、ウオッシャーを設けておき、水圧を持たせて表面の汚れを除去すればよい。このようにすれば、ワイパーを設ける必要がなくなる。
【００４１】
なお、本発明のガラスは、自動車のフロントウィンドウのガラス以外のサイドウィンドウのガラス、リアウィンドウのガラスにも用いることができる。
【実施例１】
【００４２】
ウエハ基板をチャンバー内に配置し、ＰＥＣＶＤによる成膜を行った。基板をチャンバーから取り出した後チャンバー内部のクリーニングを次の条件で行った。
ガス：ＮＦ３
ガス圧力：１００ｍＴｏｒｒ
ガス流量：５０ｓｃｃｍ
入力電力：３００Ｗ
周波数：１３．５ＭＨｚ
【００４３】
一方、カートリッジ内部には、Ｎａを内包したフラーレン（Ｎａ＠Ｃ６０）を充填した。カートリッジの内面にはフッ化不動態膜を形成した。フラーレン充填前にカートリッジを１００℃以上の温度に加熱するとともに不純物（水分、酸素）濃度が１０ｐｐｂ以下の不活性ガスでパージした。これにより内面に付着した不純物を除去した。
【００４４】
チャンバー内にＮＦ３ガスを導入して上記プラズマ条件にてプラズマを発生させて１時間クリーニングを行った。
その際、カートリッジは３００℃に加熱しておいた。
カートリッジの下流において、ＮＦ３とＮ２Ｃ２の濃度を測定したところ、Ｎ２Ｃ２は０であり、ＮＦ３は１ｐｐｍ以下であった。
【００４５】
カートリッジを取り外し、カートリッジ内のフラーレンからフッ化フラーレンを分離した。
分離したフッ化フラーレンを溶融ガラスに添加して板ガラスを作成した。フッ化フラーレンの濃度は、３５重量％とした。ガラス表面の水に対する接触角を測定したところ、１４０°あった。
【実施例２】
【００４６】
本例では、カートリッジの加熱温度を５０℃〜６５０℃の範囲で変化させた。Ｎ２Ｃ２はいずれも０であった。ＮＦ３の濃度を測定した結果を示す。なお、３００℃の場合を１として相対値で示す。本例ではフラーレンの昇華温度は４２０℃であった。
５０℃        ５    ｐｐｍ
１００℃        １．５ｐｐｍ
１５０℃        １．５ｐｐｍ
２００℃        １．２ｐｐｍ
２５０℃        １    ｐｐｍ
３００℃        １    ｐｐｍ
３５０℃        ０．８ｐｐｍ
４００℃        ０．８ｐｐｍ
４５０℃        ０．６ｐｐｍ
５００℃        ０．６ｐｐｍ
５５０℃        ０．６ｐｐｍ
６００℃        ０．６ｐｐｍ
６５０℃        （フラーレンが突沸的に昇華）
【実施例３】
【００４７】
本例では、フラーレンとして空フラーレンを用いた。他の点は実施例１と同様とした。
本例では、ＮＦ３濃度は実施例１の場合の１．４倍であった。
【実施例４】
【００４８】
本例では、カートリッジとして、内面を電解研磨したままのものを使用した。他の点は実施例１と同様とした。
本例では、ＮＦ３濃度は実施例１の場合の１．４倍であった
【実施例５】
【００４９】
本例では、ガラスへのフラーレンの添加量を変化させた。
接触角の測定を行った。
３重量％      １２５°
５重量％      １３４°
１０重量％      １３６°
１５重量％      １３６°  
２０重量％      １３８°
２５重量％      １３９°
３０重量％      １４０°
３５重量％      １４１°
４０重量％      １４１°
４５重量％      １３０°
【実施例６】
【００５０】
本例では、フラーレンとしてＮａ＠Ｃ８０を用いた。他の点は実施例１と同様とした。
本例では、接触角は、Ｎａ＠Ｃ５０よりも約９０％ほど小さかった。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施の形態に係るプロセスシステムの概念図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  チャンバー
２  ターゲット
３  基板
４  ガス排出口
５  ガス導入口
６ａ，６ｂ  カートリッジ
７  フラーレン
９  プロセスガス排気ライン
【図１】
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