(57)【要約】【課題】電子部品と配線基板とからなる電子機器の電気的特性を検査する際に、この配線基板とプローブ針との接触性を向上できるようにした電子機器の検査方法、及び配線基板並びに電子機器を提供する。【解決手段】半導体素子７０が取り付けられる配線基板５０であって、ガラスエポキシ基板１０と、このガラスエポキシ基板１０を貫くように当該ガラスエポキシ基板１０に設けられたスルーホール１５と、このスルーホール１５の内壁からガラスエポキシ基板１０上にかけて設けられた配線パターン２０とを備え、スルーホール１５は、ガラスエポキシ基板１０の表面１２にある開口端から裏面１４にある開口端にかけて直径が次第に増大するような円錐状となっている。電気的特性の検査時に、プローブピン４００とスルーホール１５とを係わり合わせることができ、配線基板５０とプローブピンとの位置関係の相対的なずれを抑制することができる。【選択図】  図１
2005049126.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板を貫くように当該基板に設けられたスルーホールと、前記スルーホールの内壁から前記基板上にかけて設けられた配線パターンとからなり、前記スルーホールは前記基板の前記一方の面にある開口端から当該基板の他方の面にある開口端にかけて径が次第に増大するような錐状となっている配線基板と、
前記配線パターンと接続するように前記基板上に取り付けられた電子部品と、を備えた電子機器の電気特性を検査する際に、
前記他方の面にある前記開口端から前記スルーホール内にプローブ針の先端部を入れて、当該プローブ針の先端部と該スルーホールの内壁に設けられた前記配線パターンとを接触させることを特徴とする電子機器の検査方法。
【請求項２】
基板と、前記基板の内部に底面を有するように当該基板に設けられたスルーホールと、前記スルーホールの内壁から前記基板上にかけて設けられた配線パターンとからなり、前記スルーホールは前記底面から前記基板の表面にある開口端にかけて径が次第に増大するような錐状となっている配線基板と、
前記配線パターンと接続するように前記基板上に取り付けられた電子部品と、を備えた電子機器の電気特性を検査する際に、
前記開口端から前記スルーホール内にプローブ針の先端部を入れて、当該プローブ針の先端部と該スルーホールの内壁に設けられた前記配線パターンとを接触させることを特徴とする電子機器の検査方法。
【請求項３】
電子部品が取り付けられる配線基板であって、
基板と、
前記基板を貫くように当該基板に設けられたスルーホールと、
前記スルーホールの内壁から前記基板上にかけて設けられた配線パターンとを備え、
前記スルーホールは、前記基板の前記一方の面にある開口端から当該基板の他方の面にある開口端にかけて径が次第に増大するような錐状となっていることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
電子部品が取り付けられる配線基板であって、
基板と、
前記基板の内部に底面を有するように当該基板に設けられたスルーホールと、
前記スルーホールの内壁から前記基板上にかけて設けられた配線パターンとを備え、
前記スルーホールは、前記底面から前記基板の表面にある開口端にかけて径が次第に増大するような錐状となっていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項３又は請求項４の何れか一方に記載の配線基板と、
前記配線パターンと接続するように前記基板上に取り付けられた電子部品と、を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器の検査方法、及び配線基板並びに電子機器に関し、特に、配線基板のスルーホールにプローブ針の先端部を入れて、この配線基板と電子部品とからなる電子機器の電気的特性を検査する技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体素子等の電子部品を実装するための基板として、ガラスエポキシ等からなる配線基板が用いられている。この種の配線基板は廉価であり、また加工性も高いので、汎用の電子機器に広く組み込まれている。
この種の配線基板は、その製造過程で、あたかも切手のように一つづりとなった配線基板（以下で、シート配線基板という）に金型を用いた打ち抜き加工が施されることによって、１個１個に分離されることが多い（例えば、特許文献１参照。）。また、このように、シート配線基板に打ち抜き加工を施して配線基板を１個１個に分離する場合には、この分離される配線基板への半導体素子の実装と、この実装された半導体素子の電気的特性の検査（即ち、半導体素子と配線基板とからなる半導体装置のプローブ検査）は、打ち抜き加工の前に行うことが普通である。
【０００３】
図７は、この種の半導体装置３００のプローブ検査工程を示す断面図である。図７において、半導体装置３００は、配線基板３１０と、この配線基板３１０の表（おもて）面３０７に取り付けられた半導体素子３２０と、この半導体素子３２０を覆うように配線基板３１０の表面３０７に設けられたモールド樹脂３３０と、から構成されている。
【０００４】
これらの中で、配線基板３１０は、ガラスエポキシからなる基板（以下で、ガラスエポキシ基板という）３０１と、このガラスエポキシ基板３０１に設けられたスルーホール３０２と、このスルーホール３０２を通ってガラスエポキシ基板３０１の表面３０７から裏面３０８にかけて設けられた配線パターン３０３と、この配線パターン３０３の一部分を覆うようにガラスエポキシ基板３０１の裏面３０８に設けられたランド３０９と、から構成されている
図７に示すように、この半導体装置３００をプローブ検査する場合には、シート配線基板から配線基板３１０を分離する前に、この配線基板３１０のランド３０９上にプローブ針（以下で、プローブピンという）４００を配置する。そして、このプローブピン４００の先端をランド３０９上に接触させて、この半導体装置３００をプローブ検査する。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−３３４９５３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来例に係る半導体装置３００のプローブ検査では、プローブピン４００の先端をランド３０９上に接触させて、その電気的特性を検査していた。
しかしながら、プローブピン４００の先端部を押圧力を持ってランド３０９上に接触させると、この押圧力でプローブピンが弾性変形し、その復元力によって半導体装置３００の固定が必ずしも強固でないことから、配線基板３１０が横方向に動いてしまい、プローブピン４００に対してランド３０９が横ずれしてしまうという問題があった。
【０００７】
プローブピン４００とランド３０９との位置関係が相対的にずれしてしまうと、プローブピン４００と配線基板３１０間の導通がとれなくなり、半導体装置３００のプローブ検査を正しく実行できないおそれがあった。
そこで、この発明はこのような問題を解決したものであって、電子部品と配線基板とからなる電子機器の電気的特性を検査する際に、この配線基板とプローブ針との接触性を向上できるようにした電子機器の検査方法、及び配線基板並びに電子機器の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明に係る第１の電子機器の検査方法は、基板と、前記基板を貫くように当該基板に設けられたスルーホールと、前記スルーホールの内壁から前記基板上にかけて設けられた配線パターンとからなり、前記スルーホールは前記基板の前記一方の面にある開口端から当該基板の他方の面にある開口端にかけて径が次第に増大するような錐状となっている配線基板と、前記配線パターンと接続するように前記基板上に取り付けられた電子部品と、を備えた電子機器の電気特性を検査する際に、前記他方の面にある前記開口端から前記スルーホール内にプローブ針の先端部を入れて、当該プローブ針の先端部と該スルーホールの内壁に設けられた前記配線パターンとを接触させることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明に係る第２の電子機器の検査方法は、基板と、前記基板の内部に底面を有するように当該基板に設けられたスルーホールと、前記スルーホールの内壁から前記基板上にかけて設けられた配線パターンとからなり、前記スルーホールは前記底面から前記基板の表面にある開口端にかけて径が次第に増大するような錐状となっている配線基板と、前記配線パターンと接続するように前記基板上に取り付けられた電子部品と、を備えた電子機器の電気特性を検査する際に、前記開口端から前記スルーホール内にプローブ針の先端部を入れて、当該プローブ針の先端部と該スルーホールの内壁に設けられた前記配線パターンとを接触させることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明に係る第１、第２の電子機器の検査方法によれば、プローブ針とスルーホールとを係わり合わせることができる。そして、プローブ針を接触させてそのプローブ針が弾性変形し、配線基板が横方向に移動したとしても、プローブ針の先端部はその横方向の動きに連動して動くことから、配線基板とプローブ針との位置関係の相対的なずれを抑制することができる。これにより、配線基板とプローブ針との接触性を向上させることができる。
【００１１】
本発明に係る第１の配線基板は、電子部品が取り付けられる配線基板であって、基板と、前記基板を貫くように当該基板に設けられたスルーホールと、前記スルーホールの内壁から前記基板上にかけて設けられた配線パターンとを備え、前記スルーホールは、前記基板の前記一方の面にある開口端から当該基板の他方の面にある開口端にかけて径が次第に増大するような錐状となっていることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明に係る第２の配線基板は、電子部品が取り付けられる配線基板であって、基板と、前記基板の内部に底面を有するように当該基板に設けられたスルーホールと、前記スルーホールの内壁から前記基板上にかけて設けられた配線パターンとを備え、前記スルーホールは、前記底面から前記基板の表面にある開口端にかけて径が次第に増大するような錐状となっていることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明に係る第１、第２の配線基板によれば、この配線基板に取り付けられる電子部品の電気的特性をプローブ針を用いて検査する際に、このプローブ針の先端部をスルーホール内に入れて、プローブ針とスルーホールとを係わり合わせることができる。これにより、配線基板とプローブ針との位置関係の相対的なずれを抑制することができ、配線基板とプローブ針との接触性を向上させることができる。
【００１４】
本発明に係る電子機器は、上述した第１の配線基板、又は上述した第２の配線基板の何れか一方と、前記配線パターンと接続するように前記基板上に取り付けられた電子部品と、を備えたことを特徴とするものである。
本発明に係る電子機器によれば、この電子機器の電気的特性をプローブ針を用いて検査する際に、このプローブ針の先端部をスルーホール内に入れて、プローブ針とスルーホールとを係わり合わせることができる。これにより、配線基板とプローブ針との位置関係の相対的なずれを抑制することができ、プローブ針と配線基板との接触性を向上させることできる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る電子機器の検査方法、及び配線基板並びに電子機器について説明する。
図１は本発明の実施形態に係る半導体装置１００の構成例を示す断面図である。この実施形態では、まず始めに、半導体装置１００及び配線基板５０の構成例について説明する。次に、配線基板５０及び半導体装置１００の製造方法について説明する。その後、この半導体装置１００のプローブ検査方法について説明する。
【００１６】
図１に示すように、半導体装置１００は、配線基板５０と、この配線基板５０の表（おもて）面１２上に取り付けられた半導体素子７０と、この半導体素子７０を覆うように配線基板５０の表面１２上に設けられたモールド樹脂８０と、から構成されている。
これらの中で、配線基板５０は、ガラスエポキシ基板１０と、このガラスエポキシ基板１０に設けられたスルーホール１５と、配線パターン２０と、ランド３０等、から構成されている。
【００１７】
配線パターン２０は、ガラスエポキシ基板１０の表面１２上と、スルーホール１５の内壁と、ガラスエポキシ基板１０の裏面１４上とに連続して形成されている。この配線パターン２０は、その一端が半導体素子７０のパッド電極（図示せず）に接続し、他端がランド３０に接続している。この配線パターン２０は、例えば銅等からなるものである。また、ランド３０は、配線パターン２０の一部分を覆うようにして、ガラスエポキシ基板１０の裏面１４上に設けられている。このランド３０は、例えばハンダ等からなるものであり、その表面が平坦になっている。
【００１８】
さらに、スルーホール１５は、ガラスエポキシ基板１０の表面１２から裏面１４にかけて設けられた貫通孔である。ガラスエポキシ基板１０の表面１２にあるスルーホール１５の開口端と、裏面１４側にあるスルーホール１５の開口端の平面視での形状は、その両方とも略円形である。
また、図１に示すように、このスルーホール１５は、ガラスエポキシ基板１０の表面１２にある開口端から裏面１４にある開口端にかけて、その直径が次第に増大するような円錐状となっている。図１において、表面１２側のスルーホール１５の開口端の直径は例えば２００［μｍ］程度であり、裏面１４側のスルーホール１５の開口端の直径は例えば７００［μｍ］程度である。
【００１９】
図２は、シート配線基板６０の構成例を示す平面図である。半導体素子７０を配線基板５０に取り付けるときには、この配線基板５０は複数個つながりあってシート配線基板６０を構成している。そして、配線基板５０同士が架橋部６５を介してつながりあった状態で（即ち、個片化される前のシート配線基板６０の形態で）、個々の配線基板５０上に半導体素子７０をそれぞれ取り付けて半導体装置１００を完成させる。この半導体装置１００の完成後に、当該半導体装置１００のプローブ検査を行う。
【００２０】
図１、及び以下で説明する図３（Ａ）〜図６では、このようなシート配線基板６０を図示しないが、配線基板５０はそれぞれ隣あう配線基板同士とつながりあって、シート配線基板を構成しているものとする。なお、図２のＡ−Ａ´断面が図１に示した半導体装置１００の断面図に対応している。
図３（Ａ）〜図４（Ｃ）は、配線基板５０の製造方法を示す工程図である。次に、上述した配線基板５０の製造方法について説明する。
【００２１】
図３（Ａ）において、まず始めに、個片化される前の（即ち、シート状の）ガラスエポキシ基板１０を用意する。次に、図３（Ｂ）に示すように、ガラスエポキシ基板１０のスルーホール形成領域を例えば裏面１４側から金型４１０で打ち抜く。ここで、金型４１０の平面視での断面形状を略円形とすることで、ガラスエポキシ基板１０の裏面１４側から表面１２側にかけて直径が略均一な、円筒状のスルーホール１５´を形成する。
【００２２】
次に、図３（Ｃ）に示すように、ガラスエポキシ基板１０の裏面１２側にあるスルーホール１５の開口端に回転するドリル４２０の先端部４２２を押し入れて、この裏面１２側の開口端付近のスルーホールの内壁を削る。これにより、円筒状のスルーホールを、ガラスエポキシ基板１０の表面１２にあるの開口端から裏面１４にある開口端にかけてその直径が次第に増大するような円錐状のスルーホール１５に整形する。ここで、スルーホール１５の内壁のテーパ角度（即ち、円錐の勾配角度）は、ドリル４２０の先端部４２２の形状に依存するので、所望のテーパ角度に合わせて、ドリルの種類を選択する。
【００２３】
次に、図４（Ａ）に示すように、この円錐状のスルーホール１５を形成したガラスエポキシ基板１０の表面１２上及び裏面１４上、並びに、スルーホール１５の内壁に銅薄膜１９を形成する。この銅薄膜１９の形成は、例えば、無電界メッキ及び電界メッキにより行う。
そして、この銅薄膜１９をフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いてパターニングし、図４（Ｂ）に示すように、配線パターン２０を形成する。その後、図４（Ｃ）に示すように、この配線パターン２０の一部分を覆うようにしてガラスエポキシ基板１０の裏面１４にハンダ等からなるランド３０を形成する。このようにして、配線基板５０を完成させる。
【００２４】
さらに、この配線基板５０の完成後に、半導体素子７０（図１参照）のパッド電極と、配線パターン２０とが電気的に接続するように、配線基板５０の表面１４上に半導体素子７０を取り付ける。そして、この半導体素子７０を覆うように配線基板５０の表面１４上にモールド樹脂８０（図１参照）を成型する。このようにして、半導体装置１００を完成させる。
【００２５】
次に、この半導体装置１００のプローブ検査方法について説明する。図１に示すように、半導体装置１００のプローブ検査工程では、プローブピン４００をガラスエポキシ基板１０の裏面１４側に配置する。そして、このプローブピン４００の先端部を裏面１４側からスルーホール１５内に入れて、プローブピン４００の先端部をスルーホール１５の内壁に設けられた配線パターン２０と接触させる。
【００２６】
ここで、スルーホール１５は、ガラスエポキシ基板１０の表面１２にある開口端から裏面１４にある開口端にかけて、その直径が次第に増大するような円錐状となっている。また、このスルーホール１５の裏面１４側の開口端の直径は、プローブピン４００の直径（即ち、長手方向と垂直に交わる断面での幅）よりも大きい。
【００２７】
このような形状によれば、ガラスエポキシ基板１０の裏面１４側からスルーホール１５内にプローブピン４００の先端部を深く入れることができ、プローブピン４００とスルーホール１５とを係わり合わせることができる。そして、プローブピン４００を配線パターン２０に接触させて、このプローブピン４００が弾性変形し、その復元力によって配線基板５０が横方向に移動したとしても、プローブピン４００の先端部はその横方向の動きに連動して動くことから、プローブピン４００と配線基板５０との位置関係の相対的なずれを抑制することができる。
【００２８】
例えば、配線基板５０の位置の固定が甘く（即ち、シート配線基板６０の位置の固定が甘く）、プローブピン４００から配線基板５０に働く押圧力で、この配線基板５０が動いてしまうような場合でも、スルーホール１５内に深く入れたプローブピン４００で配線基板５０を止めることができ、配線基板５０の動きを抑制することができる。これにより、プローブピン４００に対する配線基板５０の位置ずれを抑えることができる。
【００２９】
また、逆に、プローブピン４００の固定が甘く、上記の押圧力の反作用で、プローブピン４００が動いてしまうような場合でも、スルーホール１５の内壁でプローブピン４００を止めることができ、このプローブピン４００の動きを抑制することができる。
このように、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１００によれば、この半導体装置１００をプローブピン４００を用いてプローブ検査する際に、プローブピン４００とスルーホール１５とを係わり合わせることができ、配線基板５０とプローブピン４００との位置関係の相対的なずれを抑制することができる。これにより、プローブピン４００と配線基板５０との接触性を向上させることができ、プローブピン４００と配線パターン２０との間の導通不良の低減に寄与することができる。
【００３０】
また、従来方式の半導体装置３００と比べて、ランド３０にプローブピン４００を当てる必要がないので、ランド３０を小さく形成することができる。これにより、配線パターン２０の短縮が可能であり、配線基板５０の小型化にも寄与することができる。
この第１実施形態では、ガラスエポキシ基板１０が本発明の基板に対応し、スルーホール１５が本発明のスルーホールに対応している。また、配線パターン２０が本発明の配線パターンに対応し、配線基板５０が本発明の配線基板に対応している。さらに、ガラスエポキシ基板１０の表面１２が本発明の基板の一方の面に対応し、裏面１４が本発明の他方の面に対応している。また、半導体素子７０が本発明の電子部品に対応し、半導体装置１００が本発明の電子機器に対応している。さらに、プローブピン４００が本発明のプローブ針に対応している。
【００３１】
なお、この第１実施形態において、配線基板５０のプローブピン４００と接触させる側（この例では、裏面１４側）のスルーホール１５の開口端の直径を、プローブピン４００の直径よりも十分に大きくなるように規定することが好ましい。裏面１４側のスルーホール１５の開口端の直径をこのように規定することで、プローブピン４００を裏面１４側からスルーホール１５内に容易に入れることができ、配線基板５０とプローブピン４００との位置合わせのマージンを高く維持することができる。
【００３２】
また、この第１実施形態では、配線基板５０のスルーホール形成領域に金型４１０を用いて打ち抜き加工を施して円筒状のスルーホール１５´を形成し、その後、この円筒状のスルーホール１５´をドリル４２０を用いて整形することによって、円錐状のスルーホール１５を形成する場合について説明した。しかしながら、スルーホール１５の形成方法は、これに限られることは無い。例えば、ドリル４２０だけを用いて、円錐状のスルーホール１５を形成することも可能である。以下で、配線基板５０のその他の製造方法の一例について説明する。
【００３３】
図５（Ａ）〜（Ｃ）は、配線基板５０のその他の製造方法の一例を示す工程図である。図５（Ａ）に示すように、まず始めに、個片化される前のガラスエポキシ基板１０の表面１２上と、裏面１４上にそれぞれ銅箔１８を形成する。次に、図５（Ｂ）に示すように、ガラスエポキシ基板１０の裏面１４側において、スルーホール形成領域の銅箔１８上に回転するドリル４２０を押し当てて、スルーホール１５を形成する。ここでも、スルーホール１５の内壁のテーパ角度（即ち、円錐の勾配角度）は、ドリル４２０の先端部４２２の形状に依存するので、所望のテーパ角度に合わせて、ドリルの種類を選択する。
【００３４】
次に、この配線基板５０に銅の無電界メッキ及び電界メッキを施して、図５（Ｃ）に示すように、スルーホール１５の内壁に銅薄膜１９を形成する。この後の工程は、図４（Ｂ）及び（Ｃ）で説明した配線基板の形成方法と同様である。
即ち、銅箔１８をフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いてパターニングし、図４（Ｂ）に示したように、配線パターン２０を形成する。そして、図４（Ｃ）に示すように、この配線パターン２０の一部分を覆うようにしてガラスエポキシ基板１０の裏面１４上にランド３０を形成する。このようにして、配線基板５０を完成させる。
【００３５】
（２）第２実施形態
上述の第１実施形態では、ガラスエポキシ基板１０の表面１２と裏面１４とに配線パターン２０を有する配線基板２０を、本発明の配線基板の一例として挙げた。そして、この配線基板２０のスルーホール１５の形状が、表面１２側の開口端から裏面１４側の開口端にかけてその直径が次第に増大するような円錐状となっていることについて説明した。
【００３６】
しかしながら、本発明の配線基板は、これに限られることはなく、例えば、ガラスエポキシ基板の厚さ方向に対して配線パターンが三層以上積層されてなる、いわゆる積層配線基板（以下で、積層基板という）でも良い。このような積層基板では、多くのスルーホールが積層基板を貫通しないで、積層基板の層間に設けられた配線パターンを底面とするようにして設けられている。
【００３７】
図６は本発明の第２実施形態に係る半導体装置２００の構成例を示す断面図である。この半導体装置２００において、第１実施形態で説明した半導体装置１００と異なる点は、配線基板の構成と、この配線基板に設けられたスルーホールが当該配線基板を貫通していない点だけである。半導体装置２００の他の構成点は、半導体装置１００と同じである。従って、図６において、図１と対応する部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００３８】
図２に示すように、半導体装置２００は、積層基板１５０と、この積層基板１５０に取り付けられた半導体素子７０と、モールド樹脂８０等から構成されている。
これらの中で、積層基板１５０は、ガラスエポキシ基板１１０と、このガラスエポキシ基板１０に設けられたスルーホール１１５、１１６と、配線パターンと、ランド３０等、から構成されている。ガラスエポキシ基板１１０は、上層部位１１０ａと、下層部位１１０ｂとが張り合わされたような形状となっている。
【００３９】
配線パターンは上層の配線パターン１２０ａと、中層の配線パターン１２０ｂと、下層の配線パターン１２０ｃとから構成されている。図６に示すように、配線パターン１２０ａはガラスエポキシ基板１１０の表面１１２上に形成されている。また、配線パターン１２０ｃはガラスエポキシ基板１１０の裏面１１４上に形成されている。さらに、配線パターン１２０ｂは、ガラスエポキシ基板１１０の上層部位１１０ａと、下層部位１１０ｂとの間に形成されている。
【００４０】
さらに、図６に示すように、スルーホール１１５はガラスエポキシ基板１１０の上層部位１１０ａに設けられている。このスルーホール１１５は配線パターン１２０ｂを底面とすると共に、ガラスエポキシ基板１１０の表面１１２側に開口端を有している。また、このスルーホール１１５は、底面から開口端にかけて直径が略均一な円筒状となっている。
【００４１】
これに対して、スルーホール１１６はガラスエポキシ基板１１０の下層部位１１０ｂに設けられている。このスルーホール１１６は配線パターン１２０ｂを底面とすると共に、ガラスエポキシ基板１１０の裏面１１４側に開口端を有している。そして、このスルーホール１１６は、底面から開口端にかけて直径が次第に増大するような円錐状となっており、この開口端の直径はプローブピン４００の直径よりも大きい。
【００４２】
このような形状によれば、第１実施形態で説明した半導体装置１００と同様に、半導体装置２００のプローブ検査時に、プローブピン４００とスルーホール１１６とを係わり合わせることができる。そして、プローブピン４００を配線パターン１２０ｃに接触させて、このプローブピン４００が弾性変形し、その復元力によって積層基板１５０が横方向に移動したとしても、プローブピン４００の先端部はその横方向の動きに連動して動くことから、プローブピン４００と積層基板１５０との位置関係の相対的なずれを抑制することができる。
【００４３】
このように本発明の第２実施形態に係る半導体装置２００によれば、この半導体装置２００をプローブピン４００を用いてプローブ検査する際に、プローブピン４００とスルーホール１１６とを係わり合わせることができ、積層基板１５０とプローブピン４００との位置関係の相対的なずれを抑制することができる。これにより、プローブピン４００と積層基板１５０との接触性を向上させることができ、プローブピン４００と配線パターン１２０ｃとの間の導通不良の低減に寄与することができる。
【００４４】
この第２実施形態では、ガラスエポキシ基板１１０が本発明の基板に対応し、積層基板１５０が本発明の配線基板に対応している。また、配線パターン１２０ｃが本発明の配線パターンに対応し、スルーホール１１６が本発明のスルーホールに対応している。さらに、半導体装置２００が本発明の電子機器に対応している。
【００４５】
なお、上述した第１、第２実施形態では、（積層）配線基板の裏面側で、配線パターンとプローブピン４００とのコンタクトを得る場合について説明したが、配線パターンとプローブピン４００とのコンタクトは、（積層）配線基板の裏面側に限らず、その表（おもて）面側で得ても良い。
この場合には、例えば、図１において、スルーホール１５を、ガラスエポキシ基板１０の裏面１４にある開口端から表面１２にある開口端にかけて直径が次第に増大するような円錐状に成形する。または、図６において、スルーホール１１５を、その底面からガラスエポキシ基板１１０の表面１１２にある開口端にかけて直径が次第に増大するような円錐状に成形する。
【００４６】
このようにスルーホール１５、１１５を成形することで、配線パターンとプローブピン４００とのコンタクトを（積層）配線基板の表面側で得る場合でも、（積層）配線基板とプローブピン４００との位置関係の相対的なずれを抑制することができ、プローブピン４００と（積層）配線基板との接触性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置１００の構成例を示す図。
【図２】シート配線基板６０の構成例を示す図。
【図３】配線基板５０の製造方法（その１）を示す図。
【図４】配線基板５０の製造方法（その２）を示す図。
【図５】配線基板５０のその他の製造方法を示す図。
【図６】第２実施形態に係る半導体装置１００の構成例を示す図。
【図７】従来例に係る半導体装置３００の構成例を示す図。
【符号の説明】
１０、１１０  ガラスエポキシ基板、１２  表面、１４  裏面、１５、１１５、１１６  スルーホール、１８  銅箔、１９  銅薄膜、２０、１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ  配線パターン、３０  ランド、５０、１５０  配線基板、６０  シート配線基板、６５  架橋部、７０  半導体素子、８０  モールド樹脂、１００、２００  半導体装置、１１０ａ  上層部位、１１０ｂ  下層部位、４００  プローブピン、４１０  金型、４２０  ドリル、４２２  先端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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