(57)【要約】【課題】  半田が充填される中継基板用部材の貫通孔の間隔が微小であっても導電パターンを形成することができる中継基板用部材の製造方法を提供すること。【解決手段】  絶縁性材料からなる基材２の表面にＣＶＤ法や、ＰＶＤ法、スパッタリングなどの蒸着法によって導電性被膜を形成する。この導電性被膜にエキシマレーザー装置によりエキシマレーザーを照射して導電パターンを形成した。これにより、中継基板用部材の貫通孔の間隔が微小であっても、導電パターンを形成することができる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が装着されるマザー回路基板と電子部品との間に介在し、絶縁性材料からなる基材に半田ペーストが充填される孔と導電パターンとが形成された中継基板用部材の製造方法において、上記基材表面に導電性被膜を形成する工程と、半田ペーストが充填される孔を形成する工程と、上記導電性被膜に光を照射して上記導電パターンを形成する工程とを有することを特徴とする中継基板用部材の製造方法。
【請求項２】
請求項１の中継基板用部材の製造方法において、上記導電性被膜の導電パターンが形成される以外の部分に光を選択的に照射して、上記導電性被膜を部分的に除去することを特徴とする中継基板用部材の製造方法。
【請求項３】
請求項２の中継基板用部材の製造方法において、光を部分的に遮蔽するアパーチャーを通過した光を上記導電性被膜に照射することで、該パターンを形成しようとする部分以外に光を選択的に照射することを特徴とする中継基板用部材の製造方法。
【請求項４】
請求項１、２または３の中継基板の製造方法において、上記導電パターンが回路修正用配線パターンであることを特徴とする中継基板用部材の製造方法。
【請求項５】
請求項１、２、３または４の中継基板用部材の製造方法において、上記導電パターンが上記孔に充填された半田ペーストを加熱溶融させる加熱用配線パターンであることを特徴とする中継基板用部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性材料からなる基材の表面に導電パターンが形成された中継基板用部材の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、微小電極アレイを備えるＢＧＡ(Ball Grid Array)、ＬＧＡ(Land Grid Array)、ＣＳＰ(Chip Size Package)などの電子部品をＰＷＢ(Printed Wiring Board)等のマザー基板に半田付けによって実装されている。
【０００３】
このような微小電極アレイを備える電子部品をマザー基板に実装する工程においては、半田ペースト印刷法が用いられる。この半田ペースト印刷法は、例えば、マザー基板に密着せしめた中継基板の各貫通孔に半田ペーストを充填した後、電子部品をマウントする。これら半田ペーストを熱風照射などによって加熱溶融させることで電子部品をマザー基板に実装している。
【０００４】
ところが、上記のように熱風によって半田を加熱溶融させるため、熱効率が悪く、半田が溶融するころには電子部品が高温となり、破損するおそれがあった。そこで、特許文献１や特許文献２には、上記中継基板に導電パターンを形成し、この導電パターンに電流を流すことで半田の加熱溶融を効率よく行うものが記載されている。特許文献１はニッケル−クロム合金などの金属の導線を用いて上記導電パターンを形成している。また、特許文献２では、タングステンペーストなどの電熱体ペーストを用いて上記導電パターンを形成している。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−８７９０６号公報
【特許文献２】特許第３０３８６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、近年電子部品の小型化が進むなかで、電子部品の電極間の間隔が狭くなってきた。これにともない半田が充填される中継基板の貫通孔の間隔も微小となり、上記金属の導線や電熱体ペーストで貫通孔の回りに導電パターンを形成することが困難となるのという問題が生じていた。
【０００７】
本発明は、上記問題に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、半田が充填される中継基板用部材の貫通孔の間隔が微小であっても導電パターンを形成することができる中継基板用部材の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、電子部品が装着されるマザー回路基板と電子部品との間に介在し、絶縁性材料からなる基材に半田ペーストが充填される孔と導電パターンとが形成された中継基板用部材の製造方法において、上記基材表面に導電性被膜を形成する工程と、半田ペーストが充填される孔を形成する工程と、上記導電性被膜に光を照射して上記導電パターンを形成する工程とを有することを特徴とするものである。
また、請求項２の発明は、請求項１の中継基板用部材の製造方法において、上記導電性被膜の導電パターンが形成される以外の部分に光を選択的に照射して、上記導電性被膜を部分的に除去することを特徴とするものである。
また、請求項３の発明は、請求項２の中継基板用部材の製造方法において、光を部分的に遮蔽するアパーチャーを通過した光を上記導電性被膜に照射することで、該パターンを形成しようとする部分以外に光を選択的に照射することを特徴とするものである。
また、請求項４の発明は、請求項１、２または３の中継基板の製造方法において、上記導電パターンが回路修正用配線パターンであることを特徴とするものである。
また、請求項５の発明は、請求項１、２、３または４の中継基板用部材の製造方法において、上記導電パターンが上記孔に充填された半田ペーストを加熱溶融させる加熱用配線パターンであることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１乃至５の発明によれば、絶縁性材料からなる基材の表面に導電性被膜を形成し、導電性被膜に光を照射して導電パターンを形成した。これにより、中継基板用部材の貫通孔の間隔が微小であっても、精度よく導電パターンを形成することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
【００１１】
［実施例１］
まず、実施例１について説明する。図１は、ベアチップ１０、ＱＦＰ１１、ＢＧＡ１２などの電子部品が実装されたマザー基板９を示している。図２に示すように、実施例１の中継基板１は、マザー基板９とＢＧＡ１２との間に配置されている。この中継基板１は、例えばポリアミドフィルムなどの絶縁性材料の基板２を有しており、この表面には電熱部材としての導電性被膜の加熱用配線パターン３が形成されている。また、この中継基板１は、ＢＧＡなどの電子部品のバンプ電極が貫通するための貫通孔４が所定のピッチで形成されている。図２に示すように、貫通孔４には半田が充填されており、これによりＢＧＡのバンプ電極１２ａとマザー基板のパッド９ａとが接続固定されている。また、図３に示すように、貫通孔４の周囲に導電性被膜を形成しないようにしたり、貫通孔の内周面を絶縁性部材で覆ったりなどして加熱用配線パターンと半田とが導通するのを防止する。また、中継基板１の端部には、加熱用配線パターン３に電圧を印加するための端子５が設けられている。また、半田が充填される貫通孔４付近以外の部分の導電性被膜は、レーザーによるエッチング加工によって除去されるのが好ましい。これにより、電流が貫通孔周りに効率よく流れ、加熱が効率よく行われる。
【００１２】
以下に中継基板１を用いたＢＧＡなどの電子部品の取り付け方法について説明する。はんだペースト印刷工程、マウント工程、リフロー工程及び硬化工程という順で作業を進める。
【００１３】
図４（ａ）から（ｃ）は、それぞれ中継基板１を用いたＢＧＡ１２の取り付け方法における作業フローの一部を示す断面図である。マザー基板９の部品取付け領域に中継基板１００を密着させる。そして、この中継基板１の各貫通孔４に、スキージ等によって半田ペースト８を充填する（充填工程）。次いで、図４（ｂ）に示すように、ＢＧＡ１２の各ボール電極１２ａの先端をそれぞれ対応する貫通孔４に挿入するように、ＢＧＡ１２をス中継基板１上にマウントする（載置工程）。そして、中継基板１の端子５に電圧を印加して半田ペーストを加熱溶融する。（溶融工程）。更に、溶融せしめたはんだ８を冷却によって硬化させてマザー基板９の各パッド９ａと、ＢＧＡ１２のボール電極１２ａとをはんだ接続する（硬化工程）。これにより図４に示すようにＢＧＡ１２をマザー基板９に実装することができる。
【００１４】
また、マザー基板９を周知の品質試験法によって試験した結果、動作不良等を生じてＢＧＡ１２の交換やＢＧＡ回りの配線の設計変更が必要となった場合は、再び中継基板１の端子５に電圧を印加して半田ペーストを加熱溶融させて、ＢＧＡ１２をマザー基板９から容易に取り外すことができる。
【００１５】
このように、導電性被膜を電熱部材として利用することで、端子５に電圧を印加するだけで半田の溶融が行われる。よって、リフロー炉などを用いなくても容易に半田を溶融することができるのでＢＧＡ１２の取り付け、取り外し工程が簡素化できる。
【００１６】
また、加熱用配線パターン３を図５に示すような加熱用配線パターン３ａとしてもよい。このように貫通孔４の周りのみに加熱用配線パターンを配置することで、電流が貫通孔周りに効率よく流れ、加熱が効率よく行われる。
【００１７】
次に、上記中継基板１に図３のような加熱用配線パターン３を形成する方法について説明する。まず、基材１ａ上に形成しようとする加熱用配線パターン３以外の部分にエキシマレーザーを照射しエッチング加工を行う。上記基材１ａは、絶縁性材料の基板表面に導電性被膜が形成されている。導電性被膜としては、ＩＴＯ膜、ＳｂドープＳｎＯ２膜、ＡｌドープＺｎＯ膜などが挙げられる。上記導電性被膜は、種々の方法で基板２に被覆させるが、とくにＣＶＤ法や、ＰＶＤ法、スパッタリングなどの蒸着法による被覆が好ましい。
【００１８】
図６にエキシマレーザー装置を示す。図６に示すエキシマレーザー装置は、ワーク載置台２０、Ｘ−Ｙテーブル２１、Ｘ−Ｙテーブル駆動系２２、駆動モータ２３、モータ駆動回路２４等を備えている。また、レーザー駆動回路２５、エキシマレーザー２６、反射鏡２７、アパーチャー２８、集光レンズ２９、アッテネータ３０などを備えている。
【００１９】
同図において、絶縁性部材と導電膜からなる基材１ａは、略水平なワーク載置面２０ａを有するワーク載置台２０上に載置される。ワーク載置台２０は、そのワーク載置面２０ａを、図中左右方向であるＸ方向と、図中奥行き方向であるＹ方向とに移動させることができるＸ−Ｙテーブル２１上に配設されている。
【００２０】
Ｘ−Ｙテーブル２１は、図示しないボール軸やリニアモータなどで構成されたＸ−Ｙテーブル駆動系２２を介して、サーボモータ（ステッピングモータでもよい）からなる駆動モータ２３によってＸ−Ｙ方向に駆動される。この駆動モータ２３はモータ駆動回路２４によって駆動制御され、更にこのモータ駆動回路２４は図示しないメイン制御装置によって制御されている。
【００２１】
また、Ｘ−Ｙテーブル２１は、吸引装置を介して基材１ａを載置している。この吸引装置は、図示しない吸引機と、これに吸引せしめられる吸引室と、これの上壁に形成された無数の吸引孔とを有しており、その上壁の上に基材１ａを載せている。そして、吸引機での吸引によって負圧となる吸引室から、無数の吸引孔を通して基材２を吸引する。この吸引により、フィルム状の基材１ａが平面性を保って吸引室状に吸引固定される。
【００２２】
エキシマレーザー２６は、所定の周波数（通常、２００Ｈｚ）の駆動トリガに基づいてレーザーを駆動するためのレーザー駆動回路２５により、その周波数に基づく加工周波数のレーザービームを発生する。発せられたレーザービームは、アッテネータ３０によってビームエネルギー密度が基材２の加工に適した値に調整される。そして、基材２の加工面に対して略垂直に入射するように、反射鏡２７によってその光路が適宜変更された後、アパーチャー２８の開口を透過する。更に、集光レンズ２９によって基材２の加工面におけるビーム径が所定の寸法になるように集光せしめられた後、Ｘ−Ｙテーブル２１によってＸ−Ｙ方向におけるビーム照射位置が調整された基材２に到達して、これを加工する。
【００２３】
同図において、基材２は、略水平なワーク載置面２０ａを有するワーク載置台２０上に載置される。ワーク載置台２０は、そのワーク載置面２０ａを、図中左右方向であるＸ方向と、図中奥行き方向であるＹ方向とに移動させることができるＸ−Ｙテーブル１２上に配設されている。
【００２４】
図７は、ワーク載置台上と、これの上にセットされた基材２とを示す拡大断面図である。基材２のレーザー照射面を図中鉛直方向上側に向けた状態で、ワーク載置台２０のワーク載置面２０ａ上に載置される。このワーク載置面２０ａは、ワーク載置台２０の上面に設けられたガラス板２０ｂの表面になっている。ワーク載置台２０は、このガラス板２０ｂの他、これの下方に設けられた吸引室２０ｃ、これの底面に固定されたレーザー吸収板２０ｄ、吸引室２０ｃ内の空気を吸引して吸引室２０ｃ内を負圧にする図示しない吸引機などを備えている。ガラス板２０ｂ上に載置された基材２がガラス板２０ｂに設けられた複数の吸引孔２０ｅを通して吸引されることで、ガラス板２０ｂに向けて吸引固定される。
【００２５】
このようにして基材２を吸引固定した作業者は、基準位置合わせ操作を行う。具体的には、エキシマレーザー装置に設けられた図示しない基準位置合わせ用の顕微装置の視野に、先に基材２に付しておいた基準マークが入るように、その顕微装置を除きながら上記Ｘ−Ｙテーブル２１手動操作する。そして、基準マークが視野に入ったら、視野内のＸ−Ｙ座標におけるマーク中心位置を読み取って、その座標を基準位置として、エキシマレーザー装置のメイン制御部に記憶させる。メイン制御部は、この基準位置を基準として、Ｘ−Ｙテーブル２１を移動制御しながら、基材１ａに対してレーザーを照射するよう制御する。
【００２６】
基準位置合わせ操作を終えたら、エキシマレーザー装置のメイン制御に予め記憶させておいた加熱用配線パターンデータに基づいて、エキシマレーザーを照射する。このとき、照射時間及び強度は、基材１ａの全厚を貫通しないように調整されたレーザーショットとしている。このように、調整されたレーザーショットと、Ｘ−Ｙ方向への移動とが連続的に行われて、基材１ａの加熱パターンが形成される部分以外の箇所にエキシマレーザーが照射される。これにより、基板２表面に導電性被膜の加熱用配線パターンが形成される。
【００２７】
かかるレーザー照射を終えると、作業者は上述の吸引機を停止させてから基材１ａを載置台２０から取り出す。そして、上述した操作と同様の操作によって基準位置合わせを行う。
【００２８】
２回目の基準位置合わせ操作を終えたら、今度は、エキシマレーザー装置のメイン制御に予め記憶させておいた穿孔パターンデータに基づいて、エキシマレーザー加工による穿孔加工を行わせる。このとき、エキシマレーザーの強度は、上記基材１ａの加熱パターンに照射する強度の５倍に設定している。これにより、レーザーショットと、Ｘ−Ｙ方向への移動とが連続的に行われて、基材１ａに複数の貫通孔４がアブレーション加工される。この際、基材２を透過したエキシマレーザー光を、ガラス板２０ｂに透過させた後、更にその下に到達させることになるが、これは吸引室２０ｃの底面に設けられたレーザー吸収版２０ｄに吸収される。よって、ワーク載置台２０がエキシマレーザー光によって加工されてしまうといった事態が起こらない。
【００２９】
これにより、基材１ａに貫通孔４が形成され、図３に示すような中継基板１とすることができる。
【００３０】
上述の実施形態ではＸ−Ｙテーブル２１の移動を制御することで加熱用配線パターンとする以外の部分にレーザーを照射しているが、これに限られない。例えば、図５に示すような複雑な加熱用配線パターン３ａを基材１ａに形成する場合、Ｘ−Ｙテーブル２１の移動制御では、所望の加熱用配線パターンを形成するのが難しい。このような複雑な加熱用配線パターン３ａを形成する場合は、アパーチャー２８に基材１ａに形成しようとする加熱用配線パターン以外の部分を貫通孔とする。すると、アパーチャー２８の貫通孔に対応する部分のみ基材１ａにレーザーが照射される。その結果、基材１ａ上の加熱用配線パターンを形成する以外の部分の導電性被膜が除去される。これにより、複雑な加熱用配線パターン３ａであっても精度よく作ることができる。
また、例えば、基材２上の加熱用配線パターンを形成したい部分にレーザー光があたらないようにマスキングをすることで、レーザー光を一括照射して加熱パターンを形成することも可能である。
また、上述の実施形態では、基材２の表面をエッチング加工をして加熱用配線パターンを形成したのち、貫通孔を形成しているが、この順番は逆でもよい。
また、本実施形態では、エキシマレーザーを用いているが、ＹＡＧレーザーを用いて加熱用配線パターンおよび貫通孔を形成しても良い。
【００３１】
［実施例２］
次に、実施例２の中継基板について説明する。この実施例２は、図８に示すように、導電性被膜のパターンを回路修正用の配線パターン（以下、回路用配線パターンとする）１０３として用いたものである。マザー基板９を周知の品質試験法によって試験した結果、動作不良等を生じてＢＧＡ１２回りの配線の設計変更が必要となった場合は、実施例２の中継基板１００をリペア基板として用いる。具体的には、中継基板１００に所望の回路用配線パターン１０３を形成し、図９に示すようにマザー基板９とＢＧＡ１２との間に中継基板１００を配置する。
【００３２】
図８は、実施例２の中継基板１００の概略構成図である。図８には、ポリイミドフィルムなどの絶縁性部材からなる基板１０２と、この表面に形成されたＩＴＯなどの導電性被膜からなる回路用配線パターン１０３とかなっている。また、この中継基板１００は、ＢＧＡなどの電子部品のバンプ電極が貫通するための貫通孔１０４が所定のピッチで形成されている。図８に示すように、一方の貫通孔１０４から他方の貫通孔１０４に配線される回路用配線パターン１０３が形成されており、これによりＢＧＡの電極間にジャンパー線を形成することができる。
【００３３】
以下に、実施例２の中継基板１００の取り付け作業について説明する。この中継基板の取り付け作業は、実装済みのＢＧＡ１２の取外し工程、はんだペースト印刷工程、マウント工程、リフロー工程及び硬化工程という順で作業を進める。なお、取外し工程とはんだペースト印刷工程との順序を逆にして実施してもよい。
【００３４】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、上記取外し工程の作業フローを説明するための断面図である。
図１０（ａ）において、アレイ状に配設された複数のパッド９ａを有するマザー基板９上には、ＢＧＡ１２のパッケージ下面にアレイ状に配設された複数のバンプ電極であるボール電極１２ａが固定されている。マザー基板９とＢＧＡ１２は、各パッド９ａと各ボール電極１２ａとがそれぞれはんだ８を介して個別にはんだ接続されることにより、電気的及び機械的に接続されている。このように接続されたＢＧＡ１２をマザー基板９から取り外すためには、まず、はんだ８を溶融させてはんだ接続を解除しなければならない。そこで、取外し工程では、まず、図示しない熱風ノズルから熱風を吹き付けるなどしてはんだ８を加熱して溶融せしめる。そして、図１０（ｂ）に示すように、図示しない搬送部材である真空ピンセットで吸い付けるなどしてＢＧＡ１２をマザー基板９から取り外す。取外し後には、マザー基板９上に残留するはんだ８をはんだゴテで溶融させながらソルダーウイックに吸い取らせるなどして、マザー基板９からきれいに除去する。
【００３５】
図１１（ａ）乃至図１１（ｂ）は、はんだペースト印刷工程の準備段階の作業フローを説明するための断面図である。符号１２は新品のＢＧＡを示し、この新品のＢＧＡはパッケージ下面にそれぞれボール電極１２ａを備えている。半田ペースト印刷工程では、このような新品のＢＧＡ１２を、まず、その下面が上側を向くように位置決め冶具１４上にセットする。そして、図１１（ｂ）に示すように、ＢＧＡ１２の上に中継基板１００を置き、各貫通孔１０４と通してＢＧＡ１２の各ボール電極１２ａを目視しながら、各ボール電極１２ａを各貫通孔１０４の直下に位置させるように中継基板１００をスライド移動させて位置合わせを行う。
【００３６】
図１２は、上記はんだペースト印刷工程の作業フローを説明するための断面図である。
上述のように位置合わせを行ったら、次に、図１２に示すように、中継基板１００の版面にペースト状のはんだを載せた後、スキージ１６でその版面に刷り付けてはんだ８を各貫通孔４内に充填する。そして、各貫通孔４内のはんだ８を各ボール電極１２ａ上に印刷する。
【００３７】
上記のようにはんだペースト印刷工程を終えた後には、位置合わせ装置などを用いて、マザー基板９の各パッド９ａ上にＢＧＡ１２の各ボール電極１２ａを位置合わせして、ＢＧＡ１２をマザー基板９上にマウントする（マウント工程）。そして、このマザー基板９をリフロー炉に入れたり、マザー基板９とＢＧＡ１２との間に熱風ノズルから熱風を吹き付けたりするなどして、ボール電極１２ａに印刷されたはんだ８を溶融せしめる（溶融工程）。更に、溶融せしめたはんだ８を冷却によって硬化させてマザー基板９の各パッド９ａと、ＢＧＡ１２のボール電極１２ａとをはんだ接続する（硬化工程）。これにより図３に示すようにマザー基板９とＢＧＡ１２との間に中継基板１００を配置することができ、ＢＧＡ１２の電極間にジャンパー線を形成することができる。
【００３８】
上記中継基板１に図９のような回路用配線パターン１０３を形成する方法は、実施例１の加熱用配線パターン３を形成する方法と同一の方法で作成する。
【００３９】
［実施例３］
次に、実施例３について説明する。実施例３の中継基板は、絶縁基板の表面に回路用配線パターンと加熱用配線パターンの両方を配したものである。以下に実施例３について説明する。実施例３の中継基板２００は、図１３に示すように、ポリアミドフィルムなどの絶縁性部材からなる基板２０１表面に回路用配線パターン２０３と、加熱用配線パターン２０６を有している。上記回路用配線パターン２０３と加熱用配線パターン２０６は、同じ導電性被膜からなっている。この導電性被膜は、回路用配線パターン２０３となる箇所と加熱用配線パターン２０６となる箇所で厚みを異ならせて、抵抗値を異ならせている。例えば、ＳｎＯ２を上記導電性被膜とした場合は、加熱用配線パターン２０６となる箇所の厚みを回路用配線パターン２０３となる箇所に比べて薄くして、加熱用配線パターン２０６となる箇所の抵抗値を上げる。また、実施例３の中継基板２００には、実施例１同様の貫通孔２０４が形成されており、基板の端部には実施例２同様端子２０５が設けられている。
【００４０】
次に、実施例３の中継基板の回路用配線パターンおよび加熱用配線パターンの形成方法を説明する。実施例１同様、基材上に形成しようとする回路用配線パターン以外の部分および加熱用配線パターンとなる箇所にエキシマレーザーを照射しエッチング加工を行う。
【００４１】
図１４（ａ）から（ｃ）は、基材上に形成しようとする回路用配線パターン以外の部分および加熱用配線パターンとなる箇所にエキシマレーザーを照射しエッチング加工を行う工程図である。まず、図１４の（ａ）に示すような、基板２０１上に被覆された導電性被膜２０７を、図７に示すエキシマレーザー装置によって基材２０８上に形成しようとする回路用配線パターンの周囲をエッチング加工して導電性被膜を除去する。また、同様に、貫通孔回りおよび半田の溶融に関係のない部分の導電性被膜もエッチング加工により除去する。これにより、図１４（ｂ）に示すように、回路用配線パターン２０３となる導電性被膜と加熱用配線パターンとなる導電性被膜２０６ａとを絶縁することができる。次に、エキシマレーザーの強度を下げて、加熱用配線パターンとなる導電性被膜２０６ａにハーフエッチング加工を行う。これにより、図１４（ｃ）に示すように、回路用配線パターン２０３の導電性被膜の膜厚と、加熱用配線パターン２０６の導電性被膜の膜厚とを異ならせることができる。その結果、回路用配線パターン２０３となる部分の抵抗値は低く、加熱用配線パターン２０６となる部分の抵抗値を高くすることができる。よって、回路用配線パターン２０３の部分は電流が流れやすくすることができ、また、加熱用配線パターン２０６となる部分ですばやく基板を加熱することができる。
【００４２】
このように、実施例３の中継基板２００においては、導電性被膜部分の一部が加熱用配線パターン２０６となっている。よって、この中継基板２００をＢＧＡとマザー基板との間に配置して中継基板２００の貫通孔２０４に充填された半田を溶融する際は、端子２０５に電圧を印加するだけでよい。その結果、実施例２の中継基板にくらべ、取り付け作業を容易にすることができる。
【００４３】
[実施例４]
次に、実施例４について説明する。実施例４の中継基板は、図１５に示すように、絶縁性基板３０１上に導電性被膜を積層して、一方を加熱用の導電性被膜３０６とし、一方を回路用の導電性被膜３０３としたものである。加熱用の導電性膜３０６は、抵抗値の高いＳｎＯ２膜とし、回路用の導電性被膜３０３は、抵抗値の低いＩＴＯ膜とする。加熱用の導電性被膜３０６と回路用導電性被膜３０３の間には、絶縁性の物質３１０を挟んで、加熱用の導電性被膜３０６と回路用導電性被膜３０３とを絶縁している。
【００４４】
この場合、図１６（ａ）に示すように、まず絶縁性の基板３０１上に蒸着法等の公知の方法によりＳｎＯ２膜３０６ａを形成する。次にレーザー加工装置でＳｎＯ２膜３０６ａを加熱用配線パターンにパターニングするとともに貫通孔３０４を形成する。その後ＳｎＯ２膜の表面および貫通孔の内壁面を絶縁性部材でコーテイングする（図１６（ｂ））。これにより、ＳｎＯ２膜が半田や回路用配線パターンと接触して、配線がショートすることが防止される。次に、図１６（ｃ）に示すようにＩＴＯ膜３０３ａを公知の方法によりＳｎＯ２膜上に形成する。そして、レーザー加工装置でＩＴＯ膜３０３ａを回路用配線パターンにパターニングして、図１５に示す中継基板３００となる。これにより、絶縁性基板上に加熱用配線パターン３０６と回路用配線パターン３０３が形成された中継基板３００とすることができる。
【００４５】
ＩＴＯ膜の回路用配線パターン３０３は、回路の設計変更が生じた時点で作成してもよい。すなわち、使用初期時においては、図１６（ｂ）に示すような加熱用配線パターン３０６のみが形成された中継基板を用い、回路の設計変更が生じた時点で上記ＩＴＯ膜の形成を行い、回路用配線パターン３０３を形成する。また、ＩＴＯ膜の回路用配線パターン３０３を複数積層することもできる。この場合は、上記方法でＩＴＯ膜の第１の回路用配線パターン３０３を形成した後、このＩＴＯ膜の第１の回路用配線パターン３０３を絶縁性部材でコーティングする。このコーティングされた第１の配線パターン３０３上にＩＴＯ膜を再び形成して、レーザーにて第２の回路用配線パターンにパターニングする。このように、回路用配線パターンを積層することで、配線がクロスするような複雑な配線パターンでも形成することができる。
【００４６】
［実施例５］
次に、実施例５の中継基板について説明する。図１７に示すように実施例５の中継基板は、絶縁性部材の両面に導電性被膜を形成し、一方の導電性被膜に加熱用配線パターン４０６を形成し、他方の導電性被膜を回路用配線パターン４０３としたものである。加熱用配線パターン４０６を形成する導電性被膜はＳｎＯ２膜とし、回路用配線パターン４０３を形成する導電性被膜はＩＴＯ膜とし、それぞれ導電性被膜をレーザーのエッチング加工によってパターニングする。これにより、リペア基板に複雑な配線パターンが形成できるとともに、効率のよいリペア基板の加熱を行うことができる。
【００４７】
以上、本実施形態によれば、絶縁性材料からなる基材の表面に導電性被膜を形成し、導電性被膜に光を照射して導電パターンを形成した。これにより、中継基板用部材の貫通孔の間隔が微小であっても、導電パターンを形成することができる。
また、アパーチャー２８に基材２に形成しようとする導電パターン以外の部分を貫通孔として、アパーチャー２８の貫通孔に対応する部分のみレーザーが照射されるようにしている。その結果、基材２上の配線パターンを形成する以外の部分の導電性被膜が除去される。これにより、複雑な導電パターンでも精度よく作ることができる。
従来、品質確認試験等により電子部品付近の回路の問題があった場合、マザー基板等に新たな配線パターンの回路を形成し対応していた。しかしながら、電子部品の電極間の間隔が狭くなった結果、マザー基板に新たな配線パターン回路を形成することが困難という問題も生じていた。しかし、中継基板上の導電パターンを回路用配線パターンとして用いることで、回路の設計変更などで電子部品の微小な電極間にジャンパー線を設ける必要が生じても容易に形成することができる。
また、導電パターンを中継基板の貫通孔に充填された半田の加熱溶融用に用いることで、効率よく半田を加熱溶融することができる。これにより、電子部品に過剰な熱が加わることが無くなり、電子部品が熱によって壊れることがなくなる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】マザー基板を示す斜視図。
【図２】マザー基板とＢＧＡとの間に装着した実施例１の中継基板の断面図。
【図３】実施例１の中継基板の概略構成図。
【図４】（ａ）から（ｃ）は、それぞれ実施例１の半田ペースト印刷工程の作業フローの一部を示す図。
【図５】実施例１の中継基板の変形例を示した概略構成図。
【図６】エキシマレーザー装置を示す概略構成図。
【図７】同エキシマレーザー装置のワーク載置台に載置される基材を示す拡大断面図。
【図８】マザー基板とＢＧＡとの間に装着した実施例２の中継基板の断面図。
【図９】実施例２の中継基板の概略構成図。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は、取外し工程の作業フローを示す断面図。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれリペアにおける半田ペースト印刷工程の作業フローの前半部分を示す説明図。
【図１２】同半田ペースト印刷工程の作業フローの後半部分を示す説明図。
【図１３】実施例３の中継基板の概略構成図。
【図１４】（ａ）から（ｃ）は、実施例３の中継基板の製作工程図。
【図１５】実施例４の中継基板の断面図。
【図１６】（ａ）から（ｃ）は、実施例４の中継基板の製作工程図。
【図１７】実施例５の中継基板の断面図。
【符号の説明】
【００４９】
３、２０６、３０６、４０６    加熱用配線パターン
４、１０４、２０４、３０４、４０４    貫通孔
８    はんだ
９    マザー基板
１２    ＢＧＡ
２８    アパーチャー
１０３、２０３、３０３、４０３    回路用配線パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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