(57)【要約】【課題】  保護モールドの内部応力によってデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に不具合が生じることを適切なかたちで防止することができる【解決手段】  この発明の機能デバイスに係るＦＰＤは、放射線感応性半導体膜１のうち絶縁基板２との付着力が特に弱い放射線感応性半導体膜１の外周縁部分は内部応力低減用フィラー添加の内部応力が小さい第１保護モールド６Ａが施されているので、放射線感応性半導体膜１のうち絶縁基板２との付着力が弱い部分に膜の剥離などの不具合が生じることを確実に防止できる。また、放射線感応性半導体膜１の内側部分は内部応力低減用フィラー非添加の内部応力が大きい第２保護モールド６Ｂが施されているので、放射線感応性半導体膜１の内側部分では第２保護モールド６Ｂによる保護機能が十分に発揮される。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイス機能用膜が基板の上に形成されているとともに、前記デバイス機能用膜の表側にモールド剤を固めて形成した保護モールドが施されているモールド付き機能デバイスにおいて、保護モールドのうち、内部応力が小さい方を第１保護モールドとするとともに、内部応力が大きい方を第２保護モールドとし、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分には第１保護モールドが施されているとともに、他の部分には第２保護モールドが施されていることを特徴とする保護モールド付き機能デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の保護モールド付き機能デバイスにおいて、前記第１保護モールドが、モールド剤全体を１００重量％として、内部応力低減用フィラーが１００重量％のうち２５重量％〜７０重量％の割合で添加されているモールド剤を固めることにより施されている保護モールド付き機能デバイス。
【請求項３】
請求項１または２に記載の保護モールド付き機能デバイスにおいて、保護モールド付き機能デバイスがフラットパネル型放射線検出器（ＦＰＤ）であって、デバイス機能用膜が放射線検出機能を発揮する保護モールド付き機能デバイス。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の保護モールド付き機能デバイスにおいて、保護モールドが放射線検出機能を発揮するデバイス機能用膜の表側を全面的に覆うかたちで施されていて、デバイス機能用膜の外周縁部分の保護モールドは内部応力低減用フィラー添加の前記第１保護モールドであり、デバイス機能用膜の内側部分の保護モールドは内部応力低減用フィラー非添加の前記第２保護モールドである保護モールド付き機能デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、デバイス機能用膜が基板の表面に形成されているとともに、前記デバイス機能用膜の表側にモールド剤を固めて形成した保護モールドが施されているフラットパネル型放射線検出器等のような保護モールド付き機能デバイスに係り、特に保護モールドの内部応力によってデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に不具合が生じることを防ぐための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、医用Ｘ線透視撮影装置によるＸ線撮影においてＸ線管（図示省略）から被検体（図示省略）にＸ線が照射されるのに伴って生じる被検体のＸ線透過像を検出するのに用いられるフラットパネル型放射線検出器（以下、適宜「ＦＰＤ」と記す）は、図９に示すように、放射線検出機能を発揮するデバイス機能用膜５１がガラス製等の基板５２の上に形成されているとともに、デバイス機能用膜５１の表側を全面的に覆うかたちでモールド剤を固めて形成した保護モールド５３が施されているモールド付き機能デバイスのひとつである。
【０００３】
入射Ｘ線が直に電気信号に変換される直接変換型のＦＰＤの場合、デバイス機能膜５１である（例えばアモルファスセレンのような）非晶質系の放射線感応性半導体膜にバイアス電圧印加用の共通電極が積層されていて、保護モールド５３は共通電極の上から施されている。保護モールド５３がないと、共通電極へのバイアス電圧印加に伴うコロナ放電の発生や、放射線感応性半導体膜の結晶化など検出特性の不安定化の原因となる現象が起こる。このような検出特性の不安定化を防止するために、絶縁樹脂を主材とするモールド剤でバイアス電圧印加用の共通電極ごと放射線感応性半導体膜の表側を全面的に覆うかたちで固めることによって保護モールド５３を施すのである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のＦＰＤの場合、保護モールド５３の内部応力によってデバイス機能用膜５１のうち基板５２との接着力の弱い部分に往々にして不具合が生じるという問題がある。
【０００５】
保護モールド５３の熱膨張係数は、放射線感応性半導体膜等のデバイス機能用膜５１やガラス製等の基板５２の熱膨張係数と相当に違うので、固まる時の収縮や温度変化等によって保護モールド５３に大きな内部応力が生じると同時に、保護モールド５３に生じた大きな内部応力がデバイス機能用膜５１のうち基板５２との接着力の弱い部分に加わって膜の剥離などの不具合を生じるのである。デバイス機能用膜５１の大面積化が進んでいる最近のＦＰＤでは、保護モールド５３の内部応力によるデバイス機能用膜５１の不具合がより生じ易くなっている。
【０００６】
保護モールドにフィラーを添加したモールド剤を用いて保護モールド全体の内部応力を緩和することはできるが、デバイス機能用膜５１のうち基板５２との接着力が弱い部分以外の部分に施された保護モールドが、フィラー添加で十分な保護機能を発揮できなくなるという別の問題を招来する。
【０００７】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、保護モールドの内部応力によってデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に不具合が生じることを適切なかたちで防止することができる保護モールド付き機能デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、デバイス機能用膜が基板の上に形成されているとともに、前記デバイス機能用膜の表側にモールド剤を固めて形成した保護モールドが施されているモールド付き機能デバイスにおいて、保護モールドのうち、内部応力が小さい方を第１保護モールドとするとともに、内部応力が大きい方を第２保護モールドとし、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分には第１保護モールドが施されているとともに、他の部分には第２保護モールドが施されていることを特徴とするものである。
【０００９】
［作用・効果］請求項1の発明の保護モールド付き機能デバイス（以下、適宜「機能デバイス」と略記）によれば、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に施されている第１保護モールドについては、他の部分に施されている第２保護モールドよりも内部応力が小さいので、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に保護モールドの内部応力によって剥離するなどの不具合が生じることを防ぐことができる。デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分以外の他の部分には、第１保護モールドよりも内部応力が大きい第２保護モールドが施されているので、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分以外の他の部分では保護モールドによる保護機能が十分に発揮される。
【００１０】
換言すれば、請求項１の発明の機能デバイスの場合、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分へは他の部分よりも内部応力が小さい第１保護モールドを選択的に施すことにより、保護モールドの内部応力によってデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に不具合が生じることを適切なかたちで防止できるのである。
【００１１】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の保護モールド付き機能デバイスにおいて、前記第１保護モールドが、モールド剤全体を１００重量％として、内部応力低減用フィラーが１００重量％のうち２５重量％〜７０重量％の割合で添加されているモールド剤を固めることにより施されているものである。
【００１２】
［作用・効果］請求項２の発明の機能デバイスの場合、第１保護モールド用のモールド剤全体１００重量％のうち２５重量％〜７０重量％の割合で添加されている内部応力低減用フィラーがデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に施されている第１保護モールドの内部応力を十分に弱めるので、第１保護モールドの内部応力によってデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に不具合が生じることを確実に防止することができる。なお、フィラーの添加量が２５重量％未満では、保護モールドの内部応力を弱める機能を発揮し難くなる傾向が現れ、フィラーの添加量が７０重量％超過では、保護モールドが必要な保護機能を発揮し難くなる傾向が現れる。
【００１３】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の保護モールド付き機能デバイスにおいて、保護モールド付き機能デバイスがフラットパネル型放射線検出器（ＦＰＤ）であって、デバイス機能用膜が放射線検出機能を発揮するものである。
【００１４】
［作用・効果］請求項３の発明の機能デバイスの場合、フラットパネル型放射線検出器における放射線検出機能を発揮するデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に第１保護モールドの内部応力によってデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に不具合が生じることを防止することができる。
【００１５】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１から３のいずれかに記載の保護モールド付き機能デバイスにおいて、保護モールドが放射線検出機能を発揮するデバイス機能用膜の表側を全面的に覆うかたちで施されていて、デバイス機能用膜の外周縁部分の保護モールドは内部応力低減用フィラー添加の前記第１保護モールドであり、デバイス機能用膜の内側部分の保護モールドは内部応力低減用フィラー非添加の前記第２保護モールドであるものである。
【００１６】
［作用・効果］請求項４の発明の機能デバイスの場合、放射線検出機能を発揮するデバイス機能用膜が表側を全面的に覆うかたちで施されている保護モールドで保護されているのでデバイス機能用膜が信頼性・安定性に富む。
【００１７】
さらに、放射線検出機能を発揮するデバイス機能用膜のうち基板との付着力が特に弱いデバイス機能用膜の外周縁部分は内部応力低減用フィラー添加の第１保護モールドが施されているので、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に不具合が生じることを確実に防止できる。
【００１８】
また、デバイス機能用膜の内側部分は内部応力低減用フィラー非添加の第２保護モールドが施されているので、デバイス機能用膜の内側部分では第２保護モールドによる保護機能が十分に発揮されるのに加え、第２保護モールドはフィラー添加による透明性壊失を回避することができる。保護モールドは内部応力低減用フィラーの添加で透明性を壊失するが、フィラー非添加の保護モールドで透明性を確保すれば、保護モールドを透かして保護モールドの下の状態を目視観察でチェックすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
この発明の機能デバイスの場合、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に施されている第１保護モールドについては、他の部分に施されている第２保護モールドよりも内部応力が小さいので、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に保護モールドの内部応力によって剥離するなどの不具合が生じることを防ぐことができるのに加え、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分以外の他の部分には、第１保護モールドよりも内部応力が大きい第２保護モールドが施されているので、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分以外の他の部分では保護モールドによる保護機能が十分に発揮される。
【００２０】
よって、この発明の保護モールド付き機能デバイスによれば、保護モールドの内部応力によってデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に不具合が生じることを適切なかたちで防止することができる。
【実施例１】
【００２１】
この発明の保護モールド付き機能デバイスの実施例について図面を参照しながら詳しく説明する。図１は実施例１に係るＦＰＤの断面図、図２は実施例１のＦＰＤの平面図である。
【００２２】
実施例１のＦＰＤは、例えばＸ線のような放射線が直に電気信号に変換される直接変換型であり、放射線検出機能を発揮するデバイス機能用膜として、例えば非晶質系の放射線感応性半導体膜１が厚み０．５ｍｍ〜２ｍｍ程度でガラス製等の絶縁基板２の上に形成されている。
【００２３】
絶縁基板２には信号読み出し用回路（図示省略）が形成されているのに加え、放射線の入射に伴って放射線感応性半導体膜１に生成されるキャリアを収集する多数の収集電極（図示省略）が表面に画素電極として２次元状マトリックス配列で形成されていて、収集電極形成面に放射線感応性半導体膜１が積層形成されている構成となっている。また、放射線感応性半導体膜１の上にはバイアス電圧印加用の共通電極３が積層形成されている。
【００２４】
放射線検出の際は、共通電極３にバイアス電圧を印加した状態で放射線が入射するのに伴って収集電極から信号読み出し用回路経由で放射線検出信号が出力される。そして、実施例１のＦＰＤから出力される放射線検出信号に基づいて放射線感応性半導体膜１に投影される放射線の２次元強度分布に対応する放射線画像（例えばＸ線透視画像）が作成できる。つまり、収集電極は放射線画像の各画素に対応する電極（画素電極）になっており、例えば縦１５３６×横１５３６の縦横マトリックス配列で形成されている。
【００２５】
非晶質系の放射線感応性半導体膜１は、例えば縦３０ｃｍ×横３０ｃｍ前後の面積がある例えばアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）の厚膜が適当なものとして挙げられる。バイアス電圧印加用の共通電極３は、放射線感応性半導体膜１とほぼ同程度の面積がある例えばアルミニウムなどの金属薄膜が適当なものとして挙げられる。
【００２６】
さらに、実施例１のＦＰＤの場合には、放射線感応性半導体膜１および共通電極３を取り囲むかたちでスペーサ用のフレームピース（枠材）４が絶縁基板２の周縁に沿って配設されていて、さらにフレームピース（枠材）４の上に蓋用ガラス板５が取り付けられている。
【００２７】
また、実施例１のＦＰＤでは、放射線感応性半導体膜１の表側を共通電極３ごと全面的に覆うかたちで保護モールド６が施されている。実施例１の場合、保護モールド６は、エポキシ樹脂を主材とするエポキシ系モールド剤を固めて形成したものである。この保護モールド６は、共通電極３へのバイアス電圧印加に伴うコロナ放電の発生や、放射線感応性半導体膜１の結晶化など検出特性の不安定化を引き起こす現象を阻止するなどの保護機能を発揮する。
【００２８】
そして、実施例１のＦＰＤの場合は、放射線感応性半導体膜１の外周縁部分の保護モールド６Ａは内部応力が小さく（以下、内部応力が小さいこの保護モールド６Ａを「第１保護モールド」と呼ぶ）、放射線感応性半導体膜１の内側部分の保護モールド６Ｂは第１保護モールド６Ｂよりも内部応力が大きい（以下、内部応力が大きいこの保護モールド６Ｂを「第２保護モールド」と呼ぶ）。
【００２９】
第１保護モールド６Ａは内部応力低減用フィラーが添加されているエポキシ系モールド剤を固めることにより施されている。内部応力低減用フィラーとしては、例えば有孔性石英フィラーなどが挙げられるが、第１保護モールド６Ａ用の内部応力低減用フィラーは特定のフィラーに限られるものではない。
【００３０】
この内部応力低減用フィラーは、モールド剤全体を１００重量％として１００重量％のうち２５重量％〜７０重量％の割合で添加されていることが望ましい。フィラーの添加量が２５重量％未満では、第１保護モールド６Ａの内部応力を弱める機能を発揮し難くなる傾向が現れ、フィラーの添加量が７０重量％超過では、保護モールドが必要な保護機能を発揮し難くなる傾向が現れる。内部応力低減用フィラーの添加割合は、モールド剤全体１００重量％のうち３０重量％〜６５重量％であることがより望ましい。フィラーの添加効果が適切なかたちで確実に発揮されるからである。
【００３１】
第２保護モールド６Ｂは内部応力低減用フィラー非添加のエポキシ系モールド剤を固めることにより施されている。フィラー非添加の第２保護モールド６Ｂは、内部応力は小さくならないが十分な保護機能を発揮できる。また、フィラー添加の第１保護モールド６Ａは白濁して透明性を壊失しているが、フィラー非添加の第２保護モールド６Ｂは透明性を保持している。
【００３２】
実施例１のＦＰＤの場合、以下に述べるように、保護モールド６は最初に第１保護モールド６Ａを形成し、次に第２保護モールド６Ｂを形成する２段階形成方式で施されている。
【００３３】
先ず、図４（ａ）に示すように、保護モールド６が全く形成されていない状態で絶縁基板２が完全に水平な状態となるようにセットする。
【００３４】
一方、図２および図３に示すように、蓋用ガラス板５は４つ角が切り欠かれていて、フレームピース４の角が一部露出している処にフレームピース４の内外に通じる４つのホール７Ａ〜７Ｄが開設されている。
【００３５】
そこで、次に、図３の左側へ矢印で示すように、４つのホール７Ａ〜７Ｄのうちのモールド剤注入用のホール７Ａからフィラー添加のエポキシ系モールド剤を注入し固める（硬化させる）ことにより、図４（ｂ）に示すように第１保護モールド６Ａを形成する。なお、残りの３個のホール７Ｂ〜７Ｄは、エポキシ系モールド剤注入の際に空気抜きの役割をする。
【００３６】
続いて、図３の右側へ矢印で示すように、モールド剤注入用のホール７Ｄからフィラー非添加のエポキシ系モールド剤を注入し固める（硬化させる）ことにより、図４（ｃ）に示すように第２保護モールド６Ｂを形成する。なお、残りの２個のホール７Ｂ，７Ｃは、エポキシ系モールド剤注入の際に空気抜きの役割をする。
【００３７】
以上に述べた構成を有する実施例１のＦＰＤの場合、放射線検出機能を発揮する放射線感応性半導体膜１が表側を全面的に覆うかたちで施されている保護モールド６によって保護されているので放射線感応性半導体膜１が信頼性・安定性に富む。
【００３８】
さらに、放射線感応性半導体膜１のうち絶縁基板２との付着力が特に弱い放射線感応性半導体膜１の外周縁部分は内部応力低減用フィラー添加の第１保護モールド６Ａが施されているので、放射線感応性半導体膜１のうち絶縁基板２との付着力が弱い部分に膜の剥離などの不具合が生じることを防止できる。
【００３９】
また、放射線感応性半導体膜１の内側部分は内部応力低減用フィラー非添加の第２保護モールド６Ｂが施されているので、放射線感応性半導体膜１の内側部分では第２保護モールド６Ｂによる保護機能が十分に発揮されるのに加え、第２保護モールド６Ｂは透明性の保持により、第２保護モールド６Ｂを透かして第２保護モールド６Ｂの下の放射線検出面の状態を目視観察でチェックすることができる。
【００４０】
よって、実施例１のＦＰＤによれば、第１保護モールド６Ａの内部応力で放射線感応性半導体膜１のうち絶縁基板２との付着力が弱い部分に不具合が生じることを適切なかたちで防止することができる。
【実施例２】
【００４１】
次に実施例２のＦＰＤを図面を参照しながら説明する。図５は実施例２に係るＦＰＤの断面図である。実施例２に係るＦＰＤは、図５に示すように、第１保護モールド６Ａと第２保護モールド６Ｂの間にガラス製の仕切りプレート８が水平に配設されている他は、実施例１のＦＰＤと同様のものであるので、相違する点のみを説明し、共通する点の説明は省略することとする。
【００４２】
実施例２のＦＰＤの場合も、保護モールド６の形成は以下のように２段階形成方式で施されている。
【００４３】
先ず、図６（ａ）に示すように、実施例２のＦＰＤの場合、フレームピース４の内側下部が段部４ａとなっていて、フレームピース４の内側下部が段部４ａと放射線感応性半導体膜１ないし共通電極３との間に仕切りプレート８を渡すかたちで固定し、水平にセットする。なお、仕切りプレート８の固定は接着剤を使って行われる。
【００４４】
そして、図６（ｂ）に示すように、仕切りプレート８の下側の空間にフィラー添加のエポキシ系モールド剤を注入し固める（硬化させる）ことにより第１保護モールド６Ａを形成する。
【００４５】
続いて、図６（ｃ）に示すように、仕切りプレート８の上側の空間にフィラー非添加のエポキシ系モールド剤を注入し固める（硬化させる）ことにより第２保護モールド６Ｂを形成する。
【００４６】
実施例２のＦＰＤの場合、絶縁基板２が正確に水平でなくともモールド剤を確実に注入できるのに加え、第１保護モールド６Ａ用のエポキシ系モールド剤の硬化が終わる前に第２保護モールド６Ｂ用のモールド剤を注入することができるので、第１保護モールド６の形成時間が短くてすむ。
【００４７】
なお、実施例２のＦＰＤの場合、第２保護モールド６Ｂを先に形成し次に第１保護モールド６Ａを形成するようにしてもよい。
【実施例３】
【００４８】
次に実施例３のＦＰＤを図面を参照しながら説明する。図７は実施例３に係るＦＰＤの断面図である。実施例３に係るＦＰＤは、図７に示すように、第１保護モールド６Ａと第２保護モールド６Ｂとの間にガラス製の仕切りプレート９が垂直に配設されている他は、実施例１のＦＰＤと同様のものであるので、相違する点のみを説明し、共通する点の説明は省略することとする。
【００４９】
実施例３のＦＰＤの場合も、やはり保護モールド６の形成は以下のように２段階形成方式で施されている。
【００５０】
先ず、図８（ａ）に示すように、蓋用ガラス板５を取り付けない状態で、仕切りプレート９を垂直状態で下端側を接着剤で放射線感応性半導体膜１ないし共通電極３の外周縁付近に固定し、水平にセットする。仕切りプレート９の固定は接着剤を使って行われる。
【００５１】
そして、図８（ｂ）に示すように、仕切りプレート９の外側の空間にフィラー添加のエポキシ系モールド剤を注入し固める（硬化させる）ことにより第１保護モールド６Ａを形成する。
【００５２】
続いて、図８（ｃ）に示すように、仕切りプレート９の内側の空間にフィラー非添加のエポキシ系モールド剤を注入し固める（硬化させる）ことにより第２保護モールド６Ｂを形成する。
【００５３】
そして、最後に蓋用ガラス板５を取り付け、図７に示すようにＦＰＤを完成する。
【００５４】
実施例３のＦＰＤの場合、やはり絶縁基板２が正確に水平でなくともモールド剤を確実に注入できるのに加え、第１保護モールド６Ａ用のエポキシ系モールド剤の硬化が終わる前に第２保護モールド６Ｂ用のモールド剤を注入することができるので、第２保護モールド６の形成時間が短くてすむ。
【００５５】
なお、実施例３のＦＰＤでも、第２保護モールド６Ｂを先に形成し次に第１保護モールド６Ａを形成するようにしてもよい。また、実施例３のＦＰＤの場合、実施例１と同様にモールド剤注入用のホールをフレームピース４に設けておき、先に蓋用ガラス板５を取り付けてから、モールド剤注入用のホールからモールド剤を注入するようにしてもよい。
【００５６】
この発明は、上記の実施例に限られるものではなく、以下のように変形実施することも可能である。
【００５７】
（１）実施例１〜３のＦＰＤは、内部応力が小さい第１保護モールド６Ａがフィラー添加のモールド剤を固めて形成されたものであったが、第１保護モールドをフィラー非添加でも柔らかくて内部応力が小さいシリコン樹脂製のものとした構成であってもよい。
【００５８】
（２）実施例１〜３の場合、保護モールド６がエポキシ系モールド剤を用いて形成されていたが、保護モールド６はエポキシ系モールド剤を用いて形成されたものに限られるものではない。
【００５９】
（３）実施例１〜３のＦＰＤは直接変換タイプの検出器であったが、この発明は、放射線をいったん光に変えた後で電気信号に変える間接変換タイプのＦＰＤにも適用することができる。
【００６０】
（４）実施例１〜３の場合、機能デバイスがＦＰＤであったが、この発明は、ＦＰＤ以外の保護モールド付き機能デバイスにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】実施例１のＦＰＤを示す断面図である。
【図２】実施例１のＦＰＤを示す平面図である。
【図３】実施例１のＦＰＤにおけるモールド剤注入用のホールを示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は実施例１のＦＰＤの保護モールド形成プロセスを示す断面図である。
【図５】実施例２のＦＰＤを示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は実施例２のＦＰＤの保護モールド形成プロセスを示す断面図である。
【図７】実施例３のＦＰＤを示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は実施例３のＦＰＤの保護モールド形成プロセスを示す断面図である。
【図９】従来のＦＰＤを示す断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  …  放射線感応性半導体膜（デバイス機能用膜）
２  …  絶縁基板（基板）
６  …  保護モールド
６Ａ…  第１保護モールド
６Ｂ…  第２保護モールド
【図１】
2005123446.tif 000003
【図２】
2005123446.tif 000004
【図３】
2005123446.tif 000005
【図４】
2005123446.tif 000006
【図５】
2005123446.tif 000007
【図６】
2005123446.tif 000008
【図７】
2005123446.tif 000009
【図８】
2005123446.tif 000010
【図９】
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