(57)【要約】      （修正有）【課題】フィードバック現象及び発振現象を防止した、ハイブリッドマイクロ波回路デバイスを提供する。【解決手段】ハイブリッドマイクロ波回路ＣＨＨを収容するように、少なくとも２つの空洞Ｃ１，Ｃ６を一緒になって画定する外部周囲壁ＭＰおよび少なくとも１つの内部壁ＭＩが設けられた基部Ｓと、基部Ｓと同じ材料から作られたカバーＣとを備える。カバーＣは、周囲壁ＭＰの縁部に固定される内部面を有して、空洞Ｃ１，Ｃ６のハーメチックシールをもたらし、周囲壁ＭＰとの電気接触を確立する。カバーＣは、その内部面に固定され、内部壁ＭＩの縁部との電気接触を確立するようになされた、変形可能な弾性の接触部材ＥＣを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイブリッドマイクロ波回路を収容するようになされた、少なくとも２つの空洞を、一緒になって画定する、外部周辺壁および少なくとも１つの内部壁が設けられた基部と、前記基部と同じ材料で作られ、前記周囲壁の縁部に固定される内部面を有するようになされ、前記空洞にハーメチックシールをもたらし、前記周囲壁との電気接触を確立するカバーとからなり、前記カバーは、その内部面に固定され、前記内部壁の前記縁部と電気的接触を確立するようになされた、変形可能な弾性の接触手段を備える、ハイブリッドマイクロ波回路デバイス。
【請求項２】
前記基部が、複数の内部壁を備え、前記接触手段が、各内部壁それぞれの縁部と電気接触を確立するようになされた請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記周囲壁および前記内部壁が、前記基部から突き出る請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記接触手段が、少なくとも１つの取付け部材であって、前記カバーの前記内部面に固定され、変形可能な弾性の第２部分によって延ばされる第１部分を備える取付け部材の形態をとる請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記第１部分が、細長い片の形態をとり、前記第２部分が、少なくとも２つの変形可能な弾性のブレードを備える請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記少なくとも２つのブレードが、前記ハイブリッドマイクロ波回路の周波数動作帯域に応じて選択された間隔を置いて配置される請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
各ブレードそれぞれが、前記内部壁の縁部と接触するようになされた底部を有するカップを画定するように適合された末端部分を有する請求項５に記載のデバイス。
【請求項８】
前記接触手段が、前記カバーの前記内部面に固定される請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
各内部壁が、前記周囲壁よりも低く、前記カバーの前記内部面が、前記空洞に面する少なくとも１の区域で、実質的に平面である請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
各内部壁それぞれの高さが、前記周囲壁の高さと実質的に等しく、前記カバーが、前記接触手段を受け取るようになされた少なくとも１つのハウジングを画定するように適合された請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記接触手段が、少なくとも１つの取付け部材であって、前記カバーの前記内部面に固定され、変形可能な弾性の第２部分によって延ばされる第１部分を備える取付け部材の形態をとり、前記カバーが、同じ数のハウジングおよび接触手段を備える請求項４および１０の組み合わせに記載のデバイス。
【請求項１２】
少なくとも、Ｋ帯域として知られている周波数帯域までの周波数帯域での請求項１に記載のデバイスの使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２００３年７月１８日に提出されたフランス特許出願第０３０８７７３号に基づくものであるが、その全体を参照することにより、その開示内容を本明細書に組み込み、またその優先権を本明細書で主張する。
【０００２】
本発明は、ハイブリッドマイクロ波回路を組み込むデバイスの分野に関する。
【背景技術】
【０００３】
ハイブリッドマイクロ波回路の進歩は絶え間なく拡大しており、フィードバック現象および／または発振現象を防止するために、回路は、マイクロ波周波数において隔離された空洞の中に設置しなければならない。したがって、回路が設置されるデバイス（またはモジュール）は、ハイブリッドマイクロ波回路を収容することの可能な、少なくとも２つの空洞を、一緒になって画定する、外部周辺壁および少なくとも１つの内部壁が設けられた基部と、その空洞を密閉し、壁と電気接地を確立するように、壁の縁部に固定されるようになされたカバーとを備える。
【０００４】
ハイブリッド回路の全体を密閉するために、カバーは、しばしば、ナール付け器具を用いた電気溶接、またはレーザ溶接によって、基部の外部壁に溶接される。
【０００５】
内部壁に関する限り、クロージャに固有の、ナール付け器具によるタック溶接の技法は、異なった空洞同士の間に、マイクロ波周波数でのハーメチックシールをもたらす。
【０００６】
内部壁は、その位置のために、ブラインドで溶接される。さらに、溶接には、第１に、溶接ビードのセンタリングを可能にするのに充分な、第２に、溶接部の導電性ボールの空洞内への、したがってハイブリッド回路への突出を防止するのに充分な壁の厚さが必要となる。この追加の壁の厚さは、ハイブリッドデバイスで必要となる縮小化および重量削減に調和させることが困難である。さらに、この追加の壁の厚さは、異なった空洞内に設置されたマイクロ波サブアセンブリ同士の接続部の長さを増大させ、そのために、マイクロ波用途で必要とされる電気的性能が損なわれる。
【０００７】
この問題を解決する試みとして、マイクロ波環境と適合する導電性の接着剤を使用して、カバーを、単一または複数の内部壁に固定することが提案されている。しかし、このタイプの接着剤は、機械的に脆弱であり、真空によって、また温度サイクリングによってハイブリッドデバイスに掛けられる応力に適合しない。
【０００８】
空洞内に吸収材料を置くことも提案されている。しかしこれは、問題に対する部分的な解決法に過ぎず、ハイブリッド回路のむき出しの電子ダイ一部の信頼性を損なう可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来技術の解決法には、全て満足のいくものがなく、したがって、本発明の目的は、この状況を改善することを目的とした、代替的な解決方法を提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この目的のために、本発明は、ハイブリッドマイクロ波回路を収容することが可能な、少なくとも２つの空洞を、一緒になって画定する、外部周辺壁および少なくとも１つの内部壁が設けられた基部と、その基部と同じ材料で作られ、周囲壁の縁部に固定される内部面を有するようになされて、空洞にハーメチックシールをもたらし、周囲壁との電気接触を確立するカバーとからなり、前記カバーは、その内部面に固定され、内部壁の縁部と電気的接触を確立するようになされた、変形可能な弾性の接触手段を備える、ハイブリッドマイクロ波回路デバイスを提案する。
【００１１】
本発明のデバイスは、他の特徴、特に以下の特徴を、別個に、または組み合わせて有することができる：
複数の内部壁を備えた基部；この場合、接触手段は、各内部壁それぞれの縁部との電気接触を確立するようになされる；
基部から突き出た、周囲壁、および単数ないし複数の内部壁；
少なくとも１つの取付け部材の形態をとる接触手段であって、例えばカバーの内側面に溶接され、カバーの内部面に固定され、変形可能な弾性の第２部分によって延ばされる第１部分を備える接触手段；例えば、第１部分は、細長い片の形態をとり、第２部分は、ハイブリッドマイクロ波回路の周波数動作帯域に応じて選択された間隔を置いて配置された、少なくとも２つの変形可能な弾性のブレードを備える；
各ブレードはそれぞれ、内部壁の縁部と接触するようになされた底部を有するカップを画定するように適合された末端部分を有する；
各内部壁は、周囲壁よりも低くあることができる；この場合、カバーの内部面は、空洞に面する少なくとも１つの区域で実質的に平面である；別法として、各内部壁それぞれの高さを、周囲壁の高さと実質的に等しくすることもでる；この場合、カバーは、接触手段を受け取るようになされた少なくとも１つのハウジングを画定するように適合される；この場合、カバーは、同じ数のハウジングおよび接触手段を備えることができる。
【００１２】
本発明は、限定するわけではないが、特に、少なくとも周波数のＫ帯域で動作するハイブリッド回路に対してうまく適合される。
【００１３】
この文脈において、Ｋ帯域とは、実質的に［１３．７ＧＨｚ、１５．６ＧＨｚ］内の受信周波数と、実質的に［１０．７ＧＨｚ、１２．８ＧＨｚ］の範囲の送信周波数とを含むＫｕ帯域だけでなく、実質的に［２７．５ＧＨｚ、３０ＧＨｚ］内の受信周波数と、実質的に［１８．２ＧＨｚ、２０．２ＧＨｚ］の範囲の送信周波数とを含むＫａ帯域をも指すものである。
【００１４】
このデバイスの動作は、例えば、変形可能な部分を構成するブレード（またはフィンガ）同士の間隔に応じて、Ｋ帯域よりも上の周波数に拡大することができる。
【００１５】
本発明の他の特徴および利点が、以下の詳しい記述および添付図面を検討することによって、明らかになろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
添付図面は、本発明の説明の一部を構成し、必要に応じて、本発明の定義付けに寄与する。
【００１７】
本発明は、マルチチップモジュール（ＭＣＭ）として知られるハイブリッドマイクロ波回路を提案するものである。
【００１８】
本発明による、ハイブリッドデバイス（またはハイブリッドモジュール）の第１実施形態を、まず図１から３を参照して説明する。
【００１９】
デバイスＤは、第１に金属製またはセラミック製の基部Ｓを備え（図１参照）、それには、閉じられてエンクロージャを画定する外部周囲壁ＭＰと、その周囲壁ＭＰに取り付けられ、エンクロージャを少なくとも２つの空洞Ｃｉに分割する少なくとも１つの内部壁ＭＩとが設けられる。ここでｉは、６に等しいが、２以上の任意の値をとることができる。言い換えると、図１に示す実施形態では、周囲壁ＭＰおよび内部壁ＭＩは一緒に、６つの空洞Ｃ１からＣ６を画定し、その中には、ハイブリッドサブアセンブリＳＥＨが、従来通り設置され、それぞれが、少なくとも１つのハイブリッドマイクロ波回路ＣＨＨを備える。ここで示す通り、ある種のハイブリッドサブアセンブリＳＥＨは、内部壁ＭＩを通過する接続部ＣＸによって、一緒に結合することができる。さらに、ハイブリッドサブアセンブリＳＥＨは、ハイブリッドデバイスＤを諸機器に接続させる外部の接続末端部ＣＥ１およびＣＥ２に接続される。
【００２０】
周囲壁ＭＰおよび内部壁ＭＩは、基部Ｓから突き出る。この種の構成は、特に、金属、一般にＫｏｖａｒ（登録商標）プレートを加工することによって、または壁を、多層セラミック製ないし他のタイプのセラミック製の支持体にロウ付けすることによって、または空洞Ｃｉを作り出す他の任意の手段によって得ることができる。
【００２１】
空洞Ｃｉのマイクロ波遮蔽（または隔離）を可能にするために、ハイブリッドデバイスＤは、金属、一般にＫｏｖａｒ（登録商標）カバーＣを備え（図２参照）、それは、その内部面ＦＩを、周囲壁ＭＰの縁部Ｅ１に固定させるようになされている。その固定は、例えば、ナール付け器具Ｍを用いた電気溶接によって行われる。この技法は、エンクロージャをマイクロ波周波数において密閉し、カバーＣと周辺壁ＭＰの間で電気接地を確立する。
【００２２】
カバーＣの内部面ＦＩは、変形可能な弾性の（したがって柔軟性のある）接触手段ＥＣを備えて、エンクロージャの空洞Ｃｉをマイクロ波周波数において密閉し、カバーＣと内部壁ＭＩの間で電気接地を確立する。
【００２３】
より詳しくは、図２に示す通り、接触手段ＥＣは、カバーＣの内部面ＦＩに、カバーＣと各内部壁ＭＩそれぞれの弾性電気接地接続を確立するように選択された位置で、取り付けられることが好ましい。
【００２４】
接触手段ＥＣは、例えば金−スズ（Ａｕ−Ｓｎ）のハンダ付け、またはスポット電気溶接によって、カバーＣに固定される。
【００２５】
接触手段ＥＣは、少なくとも１つの取付け部材であって、カバーＣの内部面ＦＩに固定され、変形可能な弾性の第２部分Ｐ２によって延ばされる第１部分Ｐ１を有する部材の形態をとることが好ましい。この取付け部材は、例えば銅ベリリウムなどの、導電性材料から製作される。
【００２６】
カバーＣは、このタイプの取付け部材ＥＣを１つ、または複数備えて、空洞Ｃｉの一部または全てに対するマイクロ波遮蔽をもたらすことができる。
【００２７】
図３に示す通り、取付け部材ＥＣの第１部分Ｐ１は、例えば単純な四角形の細長い片の形態をとり、この細長い片を延ばす第２部分Ｐ２は、例えば、少なくとも２つの変形可能な弾性のブレード（またはフィンガ）Ｌｊの形態をとる。ここでｊは１１に等しいが、２以上の任意の値をとることができる。
【００２８】
ブレードＬｊは、弾性度が高く、大きな機械的変形に耐える能力を有するので、特に有利である。したがって、それらは、困難な動作条件の下にあっても、充分な電気接地を提供することができる。
【００２９】
隣接するブレードＬｊ同士の間隔は、ハイブリッドマイクロ波回路ＣＨＨの周波数動作帯域に応じて選択される。空洞Ｃｉ同士を、効果的に相互に隔離しなければならない場合、この間隔がマイクロ波を遮断することが必須である。
【００３０】
したがって、本発明のハイブリッドデバイスＤは、少なくともＫ（ＫｕプラスＫａ）帯域まで使用することができる。
【００３１】
図２で示す通り、各ブレードＬｊそれぞれは、細長い片Ｐ１を、特に、内部壁ＭＩの高さ、およびカバーＣの形状に応じて選択された角度で延ばす。さらに、細長い片Ｐ１の向こうの各ブレードＬｊそれぞれの末端部分ＰＴは、底部が、該当する内部壁ＭＩの縁部Ｅ２と接触する種類のカップを画定するように適合されることが好ましい。これによって、ブレードＬｊと内部壁ＭＩの間の接触が作り出され、それによって、ブレードＬｊと内部壁ＭＩが相対的な動きをする間、磨耗の危険が最小限度に抑えられる。
【００３２】
図２に示す実施形態では、内部壁ＭＩは、周囲壁ＭＰよりも低く、カバーＣの内部面ＦＩは、少なくともＣｉに面する区域では、実質的に平面である。しかし、それは別なふうであることもできる。
【００３３】
本発明は、内部壁ＭＩの高さが、周囲壁ＭＰの高さと実質的に等しい、従来型の基部Ｓにも等しく適用することができる。その場合、図４に示す通り、カバーＣを、接触手段ＥＣを受け取るようになされた少なくとも１つのハウジングＬＥを画定するように適合しなければならない。
【００３４】
接触手段が、図３に示すタイプの複数の取付け部材ＥＣの形態をとる時、カバーＣは、全ての取付け部材ＥＣを受け取る単一のハウジングＬＥを備えることも、少なくとも１つの取付け部材をそれぞれが受け取る複数のハウジングＬＥを備えることもできる。
【００３５】
単数または複数のハウジングＬＥは、カバーＣを画定する金属製プレートを化学的に加工することによって、または他の任意の適切な手段によって得ることができる。
【００３６】
接触手段ＥＣから、その弾性によってカバーＣに及ぼされる反作用があるので、固定の段階を通じて、カバーＣを、周囲壁ＭＰの縁部Ｅ１に対して強く押し付けて保持することが好ましい。
【００３７】
本発明は、一例として以上に述べたハイブリッド回路の実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲の記載内の、当業者が想起する可能性のある全ての変形形態を網羅するものである。
【００３８】
このように、第１部分および第２部分の形態をとる、弾性の変形可能な接触手段であって、後者部分がブレード（またはフィンガ）を構成する接触手段を、以上に記述してある。しかし、弾性および可変形性を有して、カバーと内部壁の電気接触を可能にしながら、空洞にマイクロ波遮蔽をもたらすならば、他の任意の構成の接触手段も想起することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明のハイブリッドデバイスの基部の一例を、平面で図式的に示す図である。
【図２】本発明のハイブリッドデバイスの第１の実施形態を、断面で図式的に示す図である。
【図３】本発明のハイブリッドデバイスの接触部材の一実施形態を、平面で図式的に示す図である。
【図４】本発明のハイブリッドデバイスの第２実施形態を、断面で図式的に示す図である。
【符号の説明】
【００４０】
Ｄ  ハイブリッドデバイス
ＳＥＨ  ハイブリッドサブアセンブリ
ＣＨＨ  ハイブリッドマイクロ波回路
Ｓ  基部
Ｃ１〜Ｃ６  空洞
ＭＰ  周囲壁
ＭＩ  内部壁
Ｅ１  周囲壁の縁部
Ｅ２  内部壁の縁部
ＣＸ  接続部
ＣＥ１、ＣＥ２  外部の接続末端部
Ｃ  カバー
ＦＩ  カバーＣの内部面
ＥＣ  取付け部材（接触手段）
Ｐ１  取付け部材ＥＣの第１部分
Ｐ２  取付け部材ＥＣの第２部分
Ｌｊ  第１部分の向こうのブレード（またはフィンガ）
ＰＴ  ブレードの末端部分
Ｍ  ナール付け器具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【外国語明細書】
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