(57)【要約】【課題】ＤＮＡやタンパク質を安定な化学結合により固定化することが可能であり、高い品質と性能を有し、しかも低廉で、固定化操作が簡易なＤＮＡアレイ用のチップ基板の提供。【解決手段 】（１）表面の分子構造が＝ＣＨＨである２Ｈダイヤモンド薄膜とそのＣＶＤによる量産；（２）上記２Ｈダイヤモンド薄膜の化学的修飾により得られる表面分子構造が−ＣＯＯＨであるカルボキシル化ダイヤモンド薄膜（チップ基板）とその製造；（３）該チップ基板上にアミノ基保有物質（核酸やタンパク質等）をアミド結合により固定化し得られるアミノ基保有物質チップとその作製；及び（４）上記アミド結合の触媒としてのカルバジイミドの使用。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタン（０．８％〜１．５％）と水素（１００％−上記メタン％）からなる混合ガス（容量％）を用いるＣＶＤにより合成される２Ｈダイヤモンド薄膜。
【請求項２】
上記２Ｈダイヤモンド薄膜を次の（１）〜（４）の順に処理する工程により製造されるカルボキシル化ダイヤモンド薄膜：（１）室温での強酸液との接触、又は還流による強酸液との接触；（２）洗浄；（３）強塩基液との接触；及び（４）洗浄。
【請求項３】
上記（１）の強酸液が、室温処理では重量比（濃硫酸：濃硝酸＝２〜６：１）からなる濃硫酸と濃硝酸との混合液、又は還流処理では重量比（濃硫酸：濃硝酸＝７〜１１：１）からなる濃硫酸と濃硝酸との混合液である；上記（２）及び（４）の洗浄の媒体が蒸留水である；及び上記（３）の強塩基液が０．０５〜０．３Ｍ水酸化ナトリウムである請求項２に記載のカルボキシル化ダイヤモンド薄膜。
【請求項４】
請求項２又は３に記載のカルボキシル化ダイヤモンド薄膜とアミノ基保有物質との間の化学結合にカルボジイミドを用いることにより作製されるアミノ基保有物質チップ。
【請求項５】
上記カルボジイミドが１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）−カルボジイミドである請求項４に記載のアミノ基保有物質チップ。
【請求項６】
前記アミノ基保有物質が核酸又はタンパク質である請求項４又は５に記載のアミノ基保有物質チップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ゲノム解析の分野で汎用されているマイクロアレイ、チップ等とこれ等の製造技術に関するものである。更に詳しくは、ＣＶＤ（化学蒸着）により金属基板上に合成された２Ｈダイヤモンド薄膜、次いで、その薄膜の表面をカルボキシル化することにより得られるカルボキシル化ダイヤモンド薄膜、及び該カルボキシル化薄膜をチップ基板として用い、その基板表面に核酸やタンパク質等のアミノ基保有物質を化学結合させ搭載することにより作製されるアミノ基保有物質チップ、たとえば、ＤＮＡチップ、タンパク質チップ、ゲノムチップ、バイオチップ、バイオセンサ、マイクロアレイ等々に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＤＮＡアレイ技術は、多種多様な遺伝子の能率的な大規模解析を可能にするため、ポストゲノムを担う有望技術であり（非特許文献１）、ＤＮＡだけではなくタンパク質や組織細胞等への適用範囲の拡大、更に、コスト低減、品質や精度の向上等々の側面から、その開発と改良が世界規模で活発に進められている。例えば、チップ基板に関し、従来のスライドグラス、シリコン基板、ナイロン膜等に比べ、熱伝導性や化学的安定性に優れたダイヤモンド薄膜が新たな基板として実用化されている。また、従来、スライドグラスやシリコン基板へのＤＮＡ、タンパク質等の固定化あるいは搭載では、ポリリシン等の高分子化合物を基板表面に塗布し、これにＤＮＡやタンパク質を機械的に貼付する手段が採用されていた。そのため、基板へのＤＮＡの密着性あるいは結合度が低く、洗浄、ＤＮＡ鎖の熱変性、プライマーのアニーリング等々の工程下で、基板からＤＮＡが剥離し易く、繰り返し使用が困難であった（非特許文献２）。
かかる理由から、チップ基板へのＤＮＡやタンパク質の固定あるいは結合の安定化を図るため、最近、ダイヤモンド薄膜へのＤＮＡ固定に化学結合を用いる技術が開発されている。例えば、ダイヤモンド薄膜の表面末端が水酸基であるか、又は炭化水素基に結合させたカルボキシル基であるチップ基板（特許文献１）、上記末端がカルボキシル基にハロゲン化結合させたモノヌクレオシドであるチップ基板（特許文献２）等が知られている。
【特許文献１】ＷＯ００／２２１０８
【特許文献２】特開２００２−１９５９９６
【非特許文献１】”Molecular Cloning”(A LABORATORY MANUAL), 第3版, pp.A10.1〜A10.19, N. Irwinら著, Cold Spring Harbor Laboratory Press 2001年発行。
【非特許文献２】Journal of Biotechnology, 94, pp.15〜23, 2002。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来のＤＮＡチップ基板、例えば、前述した特許文献１及び２に記載のダイヤモンド薄膜は、その製造工程が煩雑であり、製品完成までに数日を要するため、製造コストが高く、最終製品は高価である。その上、かかる基板を購入しても、これを用いるＤＮＡチップの作製には熟練を要するため、その利用と取扱いは、必ずしも容易ではない。そのため、目的チップの作製ではユーザーが行うべき初期段階をメーカーに注文依頼し、その結果、更に費用がかさむという実情にある。そして、かかる現実が、ＤＮＡチップ普及の障害になっていると言っても過言ではない。従って、低廉で、取扱いが簡便かつ容易なチップ基板の開発とその実用化並びに普及は、ポストゲノムの科学や技術の展開の渦中にある今日とって、急務の課題である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この発明の目的は、上述した課題を解決するため、次の（１）〜（４）に記載の条件を満たすチップ基板の提供にある：（１）厳しい物理化学的な使用条件に耐える「品質の保証」；（２）化学結合によるＤＮＡやタンパク質等の安定な固定化が可能な「性能及び信頼性の確保」；（３）その取扱いと目的チップの作製が簡便かつ容易であり、常套常用を可能にする「簡易な使用手順」；及び（４）短時間で能率的かつ劇薬物を用いない安全な工程下での低コスト生産による「低廉な価格」。本発明が提供する「２Ｈダイヤモンド薄膜」、「カルボキシル化ダイヤモンド薄膜」及び「アミノ基保有物質チップ」は、正に上記（１）〜（４）の条件を満たすものである。以下、先ずこの発明に係る上記の用語を定義づけ、次いで、課題解決の手段につき詳述する。
【０００５】
（用語の定義）
「２Ｈダイヤモンド薄膜」：この薄膜表面は、ダイヤモンド結晶の劈開（１００）面からなり、該表面を構成するダイヤモンド炭素原子（＊Ｃ）の各々に２個の水素原子Ｈが化学結合した状態（＊Ｃ＝ＨＨ）にある。即ち、２Ｈダイヤモンド薄膜とは、その表面の分子構造が「＊Ｃ＝ＨＨ」であるダイヤモンド薄膜を意味する。尚、本発明によれば、多様なダイヤモンド表面分子構造の中から選択的かつ優先的に、この２Ｈダイヤモンド薄膜が、合成かつ量産される。かかる合成・量産は、原料ガスとして後述する特定組成のメタンと水素の混合ガスを用い、チタン、ステンレス等の金属基板（金属薄板）上でＣＶＤ（化学蒸着）により行われる。
「カルボキシル化ダイヤモンド薄膜」：このカルボキシル化薄膜の表面は、上述した２Ｈダイヤモンド薄膜の表面構造（＊Ｃ＝ＨＨ）が、後述される一連の化学的処理、即ち、強酸処理によるケトン基（＊Ｃ＝Ｏ）の形成を経て、強塩基処理によりカルボキシル基（＊ＣＯＯＨ）に変換された状態にある。即ち、ダイヤモンド表面を構成する炭素原子（＊Ｃ）そのものがカルボキシル基に変換された表面分子構造「＊ＣＯＯＨ」のダイヤモンド薄膜を意味する。尚、本明細書では、この薄膜を「チップ基板」と記載することがある。
「アミノ基保有物質」：アミノ基（−ＮＨ２）が分子構造の一部分を占める物質であり、例えば、ＤＮＡ、ＲＮＡ、アデニン、グアニン、シトシン、タンパク質、アミノ酸等を上げることができる。更に、低分子、高分子、公知、将来発見あるいは合成される物質を問わず、アミノ基を分子構造の一部に保有する全ての物質を意味する。
「アミノ基保有物質チップ」：カルボキシル化ダイヤモンド薄膜（チップ基板）のカルボキシル基に、アミノ基保有物質のアミノ基をアミド結合（−ＣＯ−ＮＨ−）させることにより、アミノ基保有物質を固定化した状態のチップを意味する。本発明では、このアミド結合反応の触媒として、カルボジイミドを用いる。
【０００６】
この発明は、上記課題を解決するため、数年にわたる勤勉な試行、及び錯誤の反復の結果、完成されたものであり、次の驚くべき発見に基づいている：（１）メタンと水素との混合ガスを用いるＣＤＶにより金属基板上にダイヤモンド薄膜を合成する方法において、上記混合ガス中のメタンガス量を０．８〜１．５容量％に調整すると、２Ｈダイヤモンド薄膜が選択的あるいは優先的に合成・量産される；（２）２Ｈダイヤモンド薄膜は、常用の強酸と強塩基とをそれぞれ用いる特定の処理条件下で、迅速かつ容易にカルボキシル化ダイヤモンド薄膜に変換される；及び（３）カルボキシル化ダイヤモンド薄膜は、カルボジイミドを共存させると、その触媒作用により、アミノ基との間で迅速にアミド結合する。換言すれば、この発明に係るチップ基板（カルボキシル化ダイヤモンド薄膜）を用いることにより、簡便かつ容易に、該基板とアミノ基保有物質との間のアミド結合による安定な固定化チップ、例えば、ＤＮＡチップやタンパク質チップ等々を作製できる。
【０００７】
本発明によれば、次のＡ〜Ｈが提供される：
［Ａ］メタン（０．８％〜１．５％）と水素（１００％−上記メタン％）からなる混合ガス（上記％は容量％である）を用いることを特徴とするＣＶＤにより合成される２Ｈダイヤモンド薄膜。
［Ｂ］上記の２Ｈダイヤモンド薄膜を次の（１）〜（４）の順序で処理することを特徴とする工程により製造されるカルボキシル化ダイヤモンド薄膜：（１）室温での強酸液との接触、又は還流による強酸液との接触；（２）洗浄；（３）強塩基液との接触；及び（４）洗浄。
［Ｃ］上記（１）の強酸液が、室温処理では重量比（濃硫酸：濃硝酸＝２〜６：１）からなる濃硫酸と濃硝酸との混合液、又は還流による処理では重量比（濃硫酸：濃硝酸＝７〜１１：１）からなる濃硫酸と濃硝酸との混合液である；上記（２）及び（４）の洗浄の媒体が蒸留水である；及び上記（３）の強塩基液が０．０５〜０．３Ｍ水酸化ナトリウムである上記Ｂに記載のカルボキシル化ダイヤモンド薄膜。
［Ｄ］前記Ｂ又はＣのカルボキシル化ダイヤモンド薄膜とアミノ基保有物質との間の化学結合の誘導ないしは触媒にカルボジイミドを用いることにより作製されるアミノ基保有物質チップ。
［Ｅ］上記カルボジイミドが１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）−カルボジイミドであるＤに記載のアミノ基保有物質チップ。
［Ｆ］前記アミノ基保有物質が核酸又はタンパク質であるＤ又はＥに記載のアミノ基保有物質チップ。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ＤＮＡやタンパク質等を化学結合により、チップ基板上に安定した形で迅速かつ容易に固定化・搭載することができる。即ち、この発明に係るチップ基板は、従来品に比べ、品質、性能及び信頼性がいずれも優れて高い。その上、使用には簡便であり、また、アミノ基保有物質チップの作製は容易である。従って、この発明は、ＤＮＡアレイやマイクロチップの普及あるいは常用化に貢献し、ポストゲノム時代の今日におけるゲノム解析、臨床検査、環境分析、食品検査、バイオチップ、バイオセンサ等々、極めて広範囲の試験・研究・開発に多大の進歩をもたらす。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
２Ｈダイヤモンド薄膜の合成：この薄膜は、公知の多様なダイヤモンド気相合成法により合成することができる。これには、例えば、フィラメント法、直流プラズマＣＶＤ、マイクロ波プラズマＣＶＤ等を上げることができる。但し、原料ガス組成と合成条件とを設定する必要がある。例えば、マイクロ波プラズマＣＶＤを用いる場合には、メタンと水素との混合ガスを用いることができる。混合ガスの組成（体積％）は、メタン量は（０．８％〜１．５％）、水素量は（１００％−上記メタン％）が望ましい。ダイヤモンド薄膜を形成させる金属基板としては、強酸や強塩基による処理に耐える、低廉な金属、例えば、ステンレス、チタン、堅牢な合金等の使用が好ましい。
【００１０】
マイクロ波プラズマＣＶＤ装置と操作：図１に該ＣＶＤ装置を示す。この装置は、真空容器からなるプロセスチャンバー１を有し、該チャンバー１にはガス供給口２及び３と排気口４が設けられている。ガス供給口２から水素ガス、ガス供給口３からメタンガスが供給され、チャンバー内で所定の割合のプロセスガスが供給される。排気口４は真空排気装置（図示省略）に接続されている。プラズマを発生させる電源７が接続されている。プラズマ状態を観察する石英ガラス窓８が設けられ、基板温度を測定するために放射温度計９が設けられている。基板５として、例えば純チタン材を用いる場合、その薄板はＳｉＣパウダー紙で#150〜#1500まで研磨し、アセトンで洗浄の後、0.3μｍのアルミナパウダーで鏡面状に仕上げ加工し、次いで、結晶成長の開始点となる傷つけのため、ダイヤモンドパウダーを用いる超音波処理する。超音波処理済みの基板５をセットした後、これにプロセスガスとして水素とメタンとの混合ガスを導入すると、基板５上に、ダイヤモンド薄膜が成膜される。尚、基板５をセット後のＣＶＤ運転条件を次に例示する：先ず、プロセスチャンバー内が７．７ｋＰａ以下になるまで真空排気し、基板の温度を８８０℃〜９１０℃まで昇温させ、次に、周波数が２．４０〜２．５０ＧＨｚ、出力が２５０Ｗ〜３００Ｗのマイクロ波を照射してプロセスガスと反応させプラズマボールを作ると、基板５をセット後、４〜１２時間の範囲内で２Ｈダイヤモンド薄膜が成膜される。本発明者らは、上記の運転条件で、例えば、メタン１％と水素９９％との混合ガスを用いると、５ｍｍ角で厚さ５μｍの２Ｈダイヤモンド薄膜の成膜は、１２時間以内に完了することを確認している。
【００１１】
カルボキシル化ダイヤモンド薄膜の製造：上記２Ｈダイヤモンド薄膜につき、強酸液による処理、洗浄、強塩基液による処理、及び洗浄をこの順序で行うことによりカルボキシル化ダイヤモンド薄膜を製造する。
【００１２】
強酸処理には、濃硫酸、濃硝酸、及びこれ等の混合液を用いることができる。この発明によれば、濃硫酸と濃硝酸との混合液の使用が望ましい。例えば、室温で数時間〜１日の処理を行う場合には重量比（濃硫酸：濃硝酸＝７〜１１：１）の混合液の使用が、また、加温約１００℃による約３０分以内の還流による処理には重量比（濃硫酸：濃硝酸＝２〜６：１）混合液の使用がそれぞれ望まれる。
【００１３】
強塩基処理には、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液、水酸化カルシウム溶液、水酸化バリウム、及びこれ等の混合液を用いることができる。この発明によれば、加温約８０〜９０℃での約２〜５時間処理には約０．０５Ｍ〜約０．３Ｍ水酸化ナトリウムの使用が望ましい。強酸及び強塩基よる処理後の洗浄には、蒸留水、純水、脱イオン水等を用いることができるが、本発明では蒸留水の使用が望ましい。尚、強酸液及び強塩基液による処理は、２Ｈダイヤモンド薄膜（例えば直径２０ｍｍ、厚さ２ｍｍのチタン基板上のダイヤモンド薄膜）をその５〜１０倍（容量）の処理液に浸漬の後、その処理液を攪拌するか振動させることにより、ダイヤモンド薄膜が常に新鮮な処理液に接触した状態に保ち化学反応を進行させる。
【００１４】
アミノ基保有物質チップの作製：アミノ基保有物質である核酸やタンパク質等のアミノ基と、この発明に係るカルボキシル化ダイヤモンド薄膜のカルボキシル基との間で化学結合（アミド結合）させることにより、アミノ基保有物質チップを作製する。上記のアミド結合反応の触媒として、公知のカルボジイミド、例えば、１−エチル−３−（３−ジエチルアミノプロピル）−カルボジイミド（ＥＤＣ）、１−シクロヘキシル−３−（２−モルホリノエチル）カルボジイミド等を用いることができる。ＥＤＣの場合、例えば、濃度０．０５〜０．３Ｍでアミド結合が促進される。更に、かかるＥＤＣの触媒機能の補助剤として、Ｎ−ハイドロキシサクシンイミド（ＮＨＳ）を用いることができる。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。但し、この発明は、以下の実施例だけに、限定される分けではない。
【実施例１】
【００１５】
２Ｈダイヤモンド薄膜を成膜：プロセスチャンバー内を７．７ｋＰａ以下までに真空排気し、基板の温度を８９０℃まで昇温させた。次に、周波数が２．４５ＧＨｚ、出力が２８０Ｗのマイクロ波を照射してプロセスガスをプラズマ化した後、成膜時間を１２時間、メタン濃度は１％、水素ガス濃度は９９％とし、純チタン基板上にダイヤモンド薄膜を成膜した。ダイヤモンド薄膜の表面性状の走査型電子顕微（ＳＥＭ）イメージ図を図２に示す。図２に示すレーザーラマン分光光度スペクトルから、合成された物質がダイヤモンドであることが確認された。また、上記ＳＥＭイメージ、後述の実施例２で示すＦＴ−ＩＲによるＣ−Ｈ伸縮振動ピークの存在、及びＸ線回折の結果の整合性に基づき、合成されたダイヤモンドは２Ｈダイヤモンド薄膜であると判断された。
【実施例２】
【００１６】
カルボキシル化ダイヤモンド薄膜の調製（室温処理例１）：実施例１で作製のダイヤモンド(5ｍｍ角)を、硫酸と硝酸を９：１に混合した溶液(10ml)に入れて24時間、室温で反応させてダイヤモンド表面を酸化(ケトン化)した。次に20mlの水酸化ナトリウム(90℃)の中で2時間の化学処理することによりダイヤモンド表面をカルボキル化した。その後、室温にてダイヤモンド表面を蒸留水で洗浄し、カルボキシル化ダイヤモンド薄膜（チップ基板）を得た。上記の化学処理を施した各段階のダイヤモンド表面をフーリエ変換赤外分光法（ＦＴ−ＩＲ）により分析した結果を図３に示す。図３（ａ）は化学処理によるダイヤモンド表面の官能基の変化を示す。図３（ｂ）は、実施例２の化学反応によりダイヤモンド表面にエステル基とカルボキル基が形成されたことを示す伸縮振動のピークを示す。図３（ｃ）は、ダイヤモンド表面に存在したＣ−Ｈの伸縮振動のピークが実施例２の化学反応により消失することを示す。
【実施例３】
【００１７】
カルボキシル化ダイヤモンド薄膜の調製（還流処理例１）：実施例１で作製したダイヤモンド(5ｍｍ角)を硫酸と硝酸を３：１に混合した溶液(10ml)の中に入れ、還流しながら30分間の反応させた。これにより、ダイヤモンド表面を酸化(ケトン)し、次に20mlの水酸化ナトリウム(90℃)、あるいは20mlの塩酸(90℃) の中で2時間の化学処理することによりダイヤモンド表面をカルボキル化した。その後、室温にてダイヤモンド表面を蒸留水で洗浄し、カルボキシル化ダイヤモンド薄膜（チップ基板）を得た。上記の化学処理を施した各段階のダイヤモンド表面をFT-IRにより分析した結果を図４に示す。図４（ａ）は化学処理によるダイヤモンド表面の官能基の変化を示す。図４（ｂ）は、実施例３の化学反応によりダイヤモンド表面にエステル基とカルボキル基が形成されたことを示す伸縮振動のピークを示す。図４（ｃ）は、ダイヤモンド表面に存在したＣ−Ｈの伸縮振動のピークが実施例３の化学反応により消失することを示す。
【実施例４】
【００１８】
カルボキシル化ダイヤモンド薄膜の調製（室温処理例２）：実施例１で作成したダイヤモンド(5ｍｍ角)を、硫酸と硝酸を９：１に混合した溶液(10ml)に入れて24時間、室温で反応させてダイヤモンド表面を酸化(ケトン化)した。次に20mlの水酸化ナトリウム(90℃)の中で2時間の化学処理し、その後、室温でダイヤモンド表面を蒸留水で洗浄することにより、カルボキシル化ダイヤモンド薄膜（チップ基板）を得た。この薄膜表面を二次イオン質量分析法（Ｍｉｎｉ ＳＩＭＳ）により分析した結果を図５に示す。図５は、化学処理によるダイヤモンド表面の酸化（該表面の炭水化物の物理的剥離によらない化学的減少）を示唆する。
【実施例５】
【００１９】
カルボキシル化ダイヤモンド薄膜の調製（還流処理例２）：実施例１で作成したダイヤモンド(5ｍｍ角)を硫酸と硝酸を３：１に混合した溶液(10ml)の中に入れ、還流しながら30分間、反応させた。これにより、ダイヤモンド表面を酸化(ケトン化)し、次に20mlの水酸化ナトリウム(90℃)の中で2時間の化学処理することによりダイヤモンド表面をカルボキル化した。その後、室温でダイヤモンド表面を蒸留水で洗浄することにより、カルボキシル化ダイヤモンド薄膜（チップ基板）を得た。この薄膜表面を前記ＳＩＭＳにより分析した結果を図６に示す。図６は、化学処理によるダイヤモンド表面の酸化（該表面の炭水化物の物理的剥離によらない化学的減少）を示唆する。
【実施例６】
【００２０】
アミノ基保有物質（酵素L-Lysine α-oxidase）固定チップの作製：実施例２で作製したカルボキシル化ダイヤモンド薄膜（チップ基板）を用い、このチップ基板と酵素L-Lysine α-oxidaseとを、５０℃の０．１Ｍカルボジイミド水溶液中で一晩反応させ、上記酵素がチップ基板上に化学結合（アミド結合）により固定化されたチップ（酵素チップ）を作製した。
【実施例７】
【００２１】
酵素チップの確認：実例例６で得た酵素チップにおける酵素固定を確認するため、この酵素チップを１００ｍＭのL-Lysine、１ＭのＰＫＢバッファー（ｐＨ＝７．４）、Ｃａｔａｌａｓｅおよび水の混合液に入れた。また、酵素L-Lysine α-oxidaseを１００ｍＭのL-Lysine、１ＭのＰＫＢバッファー（ｐＨ＝７．４）、Ｃａｔａｌａｓｅおよび水の混合液に入れた。さらに、１００ｍＭのL-Lysine、１ＭのＰＫＢバッファー（ｐＨ＝７．４）および水の混合液を準備した。この３種類の水溶液を３７℃で一晩放置した後にTLC(Thin-layer chromatography)によって確認した。図７は、TLCの結果を示す。＃１から＃３までは酵素固定したダイヤモンドのＴＬＣ図、＃４は酵素のみのＴＬＣ図、＃５は酵素のないＴＬＣ図である。これから＃１から＃３のＴＬＣ図は＃４のＴＬＣ図と一致したことにより、実例例６で得た酵素チップには、酵素L-Lysine α-oxidaseが固定化されている判断された。
【産業上の利用可能性】
【００２２】
この発明に係るチップ基板、その製造と用途は、生物工学の材料と試験試薬の製造業・販売業だけではなく、ゲノム解析、臨床検査、環境分析、食品検査、バイオチップ等を用いる食糧、医療、医薬品、畜産等々の試験・研究・開発に広く寄与する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実験装置の概要図である。
【図２】（a）ＳＥＭ写真；（ｂ）レーザーラマン分光分析スペクトル図である。
【図３】室温で化学処理したダイヤモンド表面のＦＴ−ＩＲスペクトル図である。
【図４】還流による化学処理したダイヤモンド表面のＦＴ−ＩＲスペクトル図である。
【図５】室温での化学処理前後のＳＩＭＳ分析結果である。
【図６】還流による化学処理前後のＳＩＭＳ分析結果である。
【図７】酵素固定したダイヤモンドのＴＬＣ図である。
【符号の説明】
【００２４】
１  チャンバー
２  水素ガス供給口
３  メタンガス供給口
４  真空排気口
５  基板
６  マイクロ波導波管
７  マイクロ波電源
８  天窓
９  赤外線温度計
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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