(57)【要約】【課題】  配線パターン上に形成されるバンプ高さの均一化を図り、素子と配線パターンとの導通を確実に得ることができる配線基板の製造方法、配線基板、基板接合体及び電気光学装置を提供する。【解決手段】  配線５２の両端部に配置された面積の異なる電気素子接続領域に、面積が同等の複数の電極パッドを形成して、無電解メッキ法により各電極パッド上にバンプ１４ａ、５３を形成することを特徴とする。【選択図】      図１１
2005268500.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に導通された面積の異なる複数の電気素子接続領域に、面積が同等の複数の電極パッドを形成し、無電解メッキ法により前記各電極パッド上にバンプを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記各電極パッドの間は、断面積が同等の配線により導通されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
バンプが形成されてなる第１の電気素子接続領域と、パッドが形成され、前記第１の電気素子接続領域よりも広い第２の電気素子接続領域と、前記バンプと前記パッドとが相互に接続されてなる配線基板の製造方法であって、前記第２の電気素子接続領域に第１電極パッドを形成する工程と、前記第１電極パッドから所定間隔をあけて第２電極パッドを形成する工程と、無電解メッキ法により、前記第１電極パッド上に第１バンプを形成するとともに前記第２電極パッド上に第２バンプを形成する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法によって製造したことを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項４に記載の配線基板における他の前記電気素子接続領域より面積が小さい第１電気素子接続領域にスイッチング素子が接続されるとともに、他の前記電気素子接続領域より面積が大きい第２電気素子接続領域上に、導電材料を介して、発光素子基板が接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法、配線基板及び電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称する。）装置等の半導体応用装置においては、変形や落下による壊れ防止、低コスト化等の理由等により下地基板にプラスチック基板を使用することが望ましい場合がある。
【０００３】
しかし、パネル型の表示装置に使用される薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する。）は、高温プロセスの製造工程によって製造されるので、当該高温プロセスによる製造方法を用いてプラスチック基板上にＴＦＴを形成したり、また、有機ＥＬ素子等の回路素子を形成したりすると、基板の熱変形や回路素子の破壊、素子寿命の低下を招いてしまい、結果として所望の半導体応用装置を製造することはできなかった。
【０００４】
そこで、近年では、高温プロセスを含む従来の半導体製造技術を用いてＴＦＴを耐熱性の基礎基板上に形成した後に、当該基礎基板からＴＦＴが形成されている素子形成膜（層）を剥離し、これをプラスチック基板等の配線基板に貼り付けることによって半導体応用装置を製造する転写技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このような転写技術を用いることにより、プラスチック基板や有機ＥＬ素子等の回路素子等を高温プロセスに曝すことなく、基板の熱変形や回路素子の破壊を抑制し、好適な半導体応用装置を提供することが可能となる。
【０００５】
このような転写技術においては、配線基板の配線パターンとＴＦＴとを接続する方法として、配線パターン上に形成されたバンプと導電性粒子とを介して、配線パターンとＴＦＴを接合する方法が提案されている。
更に、上記のバンプを形成する方法としては、メッキ法やスタッド等の工法が挙げられるが、ミクロンオーダーの微小エリアへのバンプの形成、タクト短縮、及び高さ均一性が優れるという観点からメッキ法が採用されることが多い。更に、このメッキ法の中でも電解メッキ法と無電解メッキ法があるが、下地電極やフォトリソ工程が不要になり、低コスト化及びタクト短縮が可能な方法として、無電解メッキ法を採用することが好ましい。
【特許文献１】特開２００３−０３１７７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１８は、上記の転写技術によってＴＦＴが転写される有機ＥＬ駆動用の配線基板の平面図である。図１８に示すように、この配線基板１０１は、ＴＦＴの転写位置に複数のバンプ１０２を有しており、これらバンプ１０２に導電性粒子を介してＴＦＴを加熱加圧することにより、ＴＦＴが電気的に接続される。
また、この配線基板１０１は、ＲＧＢの各色の表示に対応した有機ＥＬ接続用パッド１０３を有しており、これら接続用パッド１０３に有機ＥＬディスプレイからなる発光素子基板の接続端子が接合される。これら有機ＥＬ接続用パッド１０３は、所定のバンプ１０２に配線１０４を介してそれぞれ導通されており、バンプ１０２に接続されたＴＦＴから発光素子基板に駆動電流が供給される。
【０００７】
ここで、ＴＦＴが接続されるバンプ１０２は、大きさ２４×１５μｍに形成され、５バンプ×２列に配置されている。これに対して、有機ＥＬ接続用パッド１０３は、１００×１００μｍに形成されて、面積が大きくなっている。
例えば、無電解メッキを行う場合、３０×３０μｍ程度の微細なバンプは安定剤の影響により大きさごとにメッキ速度が異なり、一般的に、面積が小さいほどメッキ速度は小さくなる。そのため、大きな有機ＥＬ接続用パッド１０３はメッキ速度が速く、それにつながるバンプ１０２は、電位の影響を受けてメッキ析出量が不安定となり、通常、析出速度が遅くなる。
このため、これら有機ＥＬ接続用パッド１０３が配線１０４を介して接続されたバンプ１０２の高さは、図１９に示すように、他のバンプ１０２と比較して低くなる。これにより、各バンプ１０２の高さは大きくばらついてしまう。
【０００８】
ところで、配線基板１０１上のバンプ１０２とＴＦＴとの間は、ＡＣＰにより接続される。このＡＣＰ中に含まれる導電性粒子の直径は約３μｍである。これに対して、ＴＦＴと配線基板１０１とが良好な導通を確保するため、バンプ１０２に許される高さバラツキは、導電性粒子の弾性変形量や基板反りなどから差し引きすると、９チップ（９０バンプ）あたり±０.１５μｍ以下である。このことから、バンプ高さの均一化は大きな問題であり、そのバラツキの低減が課題となっている。
【０００９】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたもので、配線パターン上に形成されるバンプ高さの均一化を図り、素子と配線パターンとの導通を確実に得ることができる配線基板の製造方法、配線基板及び電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の配線基板の製造方法は、相互に導通された面積の異なる複数の電気素子接続領域に、面積が同等の複数の電極パッドを形成し、無電解メッキ法により前記各電極パッド上にバンプを形成することを特徴としている。
このようにすれば、面積の異なる電気素子接続領域に、面積が同等の複数の電極パッドを形成したことにより、無電解メッキ法により各電極パッド上にバンプを形成する際に、各バンプにおけるメッキ析出量の安定化を図ることができ、各電気素子接続領域におけるバンプの高さバラツキを低減することができる。
【００１１】
また、前記配線基板の製造方法において、前記各電極パッドの間は、断面積が同等の配線により導通されていることを特徴としている。
このようにすれば、各バンプにおけるメッキ析出量を均一化させることが可能になり、バンプの高さバラツキをさらに良好に低減することができる。
【００１２】
また、本発明の配線基板の製造方法は、バンプが形成されてなる第１の電気素子接続領域と、パッドが形成され、前記第１の電気素子接続領域よりも広い第２の電気素子接続領域と、前記バンプと前記パッドとが相互に接続されてなる配線基板の製造方法であって、前記第２の電気素子接続領域に第１電極パッドを形成する工程と、前記第１電極パッドから所定間隔をあけて第２電極パッドを形成する工程と、無電解メッキ法により、前記第１電極パッド上に第１バンプを形成するとともに前記第２電極パッド上に第２バンプを形成する工程と、を有することを特徴としている。
このようにすれば、無電解メッキ法により第１電極パッド上に第１バンプを形成するとともに第２電極パッド上に第２バンプを形成してから、第１の電気素子接続領域における第１バンプと第２バンプとを連結させるので、連結前において第１の電気素子接続領域の電極パッド上にバンプを高さバラツキなく形成することができる。
【００１３】
さらに、本発明の配線基板は、上記の配線基板の製造方法によって製造したことを特徴としている。
このようにすれば、高さバラツキのないバンプを有する配線基板とすることができる。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置は、上記配線基板における他の前記電気素子接続領域より面積が小さい第１電気素子接続領域にスイッチング素子が接続されるとともに、他の前記電気素子接続領域より面積が大きい第２電気素子接続領域上に、導電材料を介して、発光素子基板が接続されていることを特徴としている。
このようにすると、面積の小さい導通領域にスイッチング素子が接続され、また、面積の大きい導通領域に導電材料を介して発光素子基板が確実に接続された電気光学装置とすることができる。
また、面積の異なる導通領域にて面積が同等の複数の電極パッドを形成したことにより、各導通領域におけるバンプの高さバラツキが低減されているので、スイッチング素子との確実な導通状態を得ることができ、接続時におけるオープン不良をなくすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の配線基板の製造方法、配線基板、基板接合体及び電気光学装置について、図１から図１３を参照して説明する。
ここで、図１は基板接合体及び電気光学装置の概略構成を示す断面図、図２から図９は基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図、図１０は本発明の配線基板を示す断面図、図１１は配線基板を示す平面図、図１２及び図１３は配線基板の要部を示す平面図である。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１６】
（電気光学装置及び基板接合体）
図１に示すように、電気光学装置１は、少なくとも基板接合体２を具備した構成となっている。当該基板接合体２は、配線基板３と、有機ＥＬ基板４とを後述の貼り合わせ及び転写工程によって接合された構成となっている。
配線基板３は、多層基板１０と、多層基板１０に形成された所定形状の配線パターン１１と、配線パターン１１に接続された回路部１２と、有機ＥＬ素子２４を駆動させるＴＦＴ（スイッチング素子）１３と、ＴＦＴ１３と配線パターン１１とを接合するＴＦＴ接続部１４と、有機ＥＬ素子２４と配線パターン１１とを接合する有機ＥＬ接続部１５とによって構成されている。
ここで、ＴＦＴ接続部１４は、ＴＦＴの端子パターンに応じて形成されるものであり、後述する無電解メッキ処理によって形成されたバンプ１４ａと、バンプ１４ａ上に塗布形成される導電ペースト１４ｂとから構成される。導電ペースト１４ｂは、異方性導電性粒子（ＡＣＰ）を含むものである。また、有機ＥＬ接続部１５には複数の小パッドが形成され、各小パッド上にバンプ５３が形成され、各バンプ５３上には導電材料３１が塗布されている。
【００１７】
有機ＥＬ基板（発光素子基板）４は、発光光が透過する透明基板２０と、発光光を散乱発光させる光散乱部２１と、ＩＴＯ等の透明金属からなる陽極２２と、正孔注入／輸送層２３と、有機ＥＬ素子２４と、陰極（カソード）２５と、カソードセパレータ２６とによって構成されている。ここで、陽極２２と、正孔注入／輸送層２３と、有機ＥＬ素子２４と、陰極２５は、有機ＥＬ素子２４に対して正孔及び電子を供給して発光させる、所謂発光機能素子（発光素子）である。なお、このような発光機能素子の詳細な構造は、公知技術が採用される。また、有機ＥＬ素子２４と陰極２５との間に電子注入／輸送層を形成してもよい。
更に、配線基板３と有機ＥＬ基板４との間には、封止ペースト３０が充填されていると共に、有機ＥＬ接続部１５と陰極２５との間は導電材料３１により電気的に導通されている。
なお、本実施形態においては、発光素子基板として有機ＥＬ基板を採用した場合について説明するが、これに限定することなく、ＬＥＤ等の固体発光素子を有する発光素子基板を採用してもよい。
【００１８】
（電気光学装置及び基板接合体の製造方法）
次に、図１に示す電気光学装置１及び基板接合体２の製造方法について図２から図９を参照して説明する。
【００１９】
（基礎基板の製造方法）
まず、図２を参照し、ＴＦＴ１３を配線基板３に貼り合わせ及び転写させる前工程として、基礎基板４０上にＴＦＴを形成する工程について説明する。
なお、ＴＦＴ１３の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略し、基礎基板４０と剥離層４１について詳述する。
基礎基板４０は、電気光学装置１の構成要素ではなく、ＴＦＴ製造工程と、貼り合わせ及び転写工程にのみに用いられる部材である。具体的には、１０００℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板が好ましい。また、石英ガラスの他、ソーダガラス、コーニング７０５９、日本電気ガラスＯＡ−２等の耐熱性ガラス等が使用可能である。
この基礎基板の厚さには、大きな制限要素はないが、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることがより好ましい。基礎基板の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基台の透過率が低い場合に照射光の減衰を招くからである。ただし、基台の照射光の透過率が高い場合には、前記上限値を超えてその厚みを厚くすることができる。
【００２０】
剥離層４１は、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）が生ずる材料からなる。即ち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層４１に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層４１が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
【００２１】
剥離層４１の組成としては、例えば、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）が採用され、また、当該非晶質シリコン中に水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層４１に内圧が発生し、これが剥離を促進するので好ましい。この場合の水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０ａｔ％であることが更に好ましい。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。この他の剥離層材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
【００２２】
剥離層４１の厚さとしては、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍ程度であるのが更に好ましい。剥離層４１の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じるからであり、剥離層４１の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層４１の残渣を除去するのに時間を要したりする。
【００２３】
剥離層４１の形成方法は、均一な厚みで剥離層４１を形成可能な方法であればよく、剥離層４１の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・ブロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等が適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
【００２４】
特に剥離層４１の組成が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また、剥離層４１をゾル−ゲル（sol-gel）法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
【００２５】
（配線基板の製造方法）
次に、図２に示した基礎基板４０の製造工程と並行して、図３に示す配線基板３の製造
工程（配線基板の製造方法）が行われる。
ここで、図１０を参照して、図３に示す配線基板の製造工程を詳細に説明する。なお、図１０は配線基板３を詳述するための断面拡大図である。
【００２６】
図１０に示すように、まず、ガラス基板１０ａの表面に酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）１０ｂをＣＶＤ（化学的気相成長）法を用いて形成する。当該酸化シリコン膜１０ｂの膜厚は２００ｎｍ程度であることが好ましい。
次に、酸化シリコン膜１０ｂ上に第１の配線パターン１１ａを形成する。当該第１の配線パターン１１ａは、積層構造であることが好ましく、本実施形態では、チタニウム、アルミ銅合金、及び窒化チタニウムからなる３層構造（Ｔｉ／Ａｌ・Ｃｕ／ＴｉＮ）を採用している。また、各層膜の膜厚はそれぞれ２０ｎｍ、３００ｎｍ、１００ｎｍ程度であることが好ましい。
次に、第１の配線パターン１１ａ上に樹脂絶縁膜１０ｃを形成する。当該樹脂絶縁膜１０ｃは、アクリル樹脂によって形成されることが好ましく、その膜厚は２６００ｎｍ程度であることが好ましい。
【００２７】
次に、樹脂絶縁膜１０ｃ上に第２の配線パターン１１ｂを形成する。当該第２の配線パターン１１ｂは、積層構造であることが好ましく、本実施形態では、チタニウム、窒化チタニウム、アルミ銅合金（銅含有量２％）、及び窒化チタニウムからなる４層構造（Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ・２％Ｃｕ／Ｈ−ＴｉＮ）を採用している。また、各層膜の膜厚はそれぞれ２０ｎｍ、５０ｎｍ、１６００ｎｍ、５０ｎｍ程度であることが好ましい。
次に、第２の配線パターン１１ｂ上に樹脂絶縁膜１０ｃを形成する。当該樹脂絶縁膜１０ｃは、先に記載した材料及び膜厚によって形成される。
【００２８】
次に、樹脂絶縁膜１０ｃ上に第３の配線パターン１１ｃを形成する。当該第３の配線パターン１１ｃは、積層構造であることが好ましく、本実施形態では、チタニウム、窒化チタニウム、及びアルミ銅合金からなる３層構造（Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ・Ｃｕ）を採用している。また、各層膜の膜厚はそれぞれ２０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であることが好ましい。
次に、第３の配線パターン１１ｃ上に樹脂絶縁膜１０ｃを形成する。当該樹脂絶縁膜１０ｃは、先に記載した材料及び膜厚によって形成される。
【００２９】
このようにガラス基板１０ａ上に、酸化シリコン膜１０ｂと、３層の樹脂絶縁膜１０ｃと、３層の配線パターン１１ａ、１１ｂ、１１ｃとが積層されることにより、図１に示す多層基板１０が形成される。
更に、３層目に形成された樹脂絶縁膜１０ｃの一部を除去することにより、第３の配線パターン１１ｃが露出状態となり、当該露出部分は後の工程でメッキを形成するためのＡｌパッドからなる電極パッド１７となる。この電極パッド１７は、ＴＦＴの転写位置に集合配置されている。
なお、本実施形態においては、３層構造の配線パターンを用いたが、２層構造であってもよい。
【００３０】
（バンプ構成）
配線基板３は、ＴＦＴの転写位置に複数の電極パッド１７を有しており、各電極パッドの表面に、図１１に示すようにバンプ１４ａが形成されている。これらバンプ１４ａに導電性粒子を介してＴＦＴ１３を加熱加圧することにより、ＴＦＴ１３が電気的に接続される。すなわち、各電極パッドの形成領域は、ＴＦＴ素子との接続領域を構成している。
また、この配線基板３は、ＲＧＢの各色の表示に対応した有機ＥＬ接続部１５を有しており、これら有機ＥＬ接続部１５に有機ＥＬ素子２４の接続端子が接合される。すなわち、有機ＥＬ接続部１５の形成領域は、有機ＥＬ素子との接続領域を構成している。これら有機ＥＬ接続部１５は、所定のバンプ１４ａに配線５２を介して導通されており、バンプ１４ａに接続されたＴＦＴ１３から有機ＥＬ素子２４に駆動電流が供給されるようになっている。
【００３１】
ここで、ＴＦＴ１３が接続されるバンプ１４ａは、図１２に示すように、例えば１チップあたり５バンプ×２列配置の１０バンプとされている。また、バンプ１４ａの大きさは、例えば１０〜５０×１０〜５０μｍとされている。
【００３２】
一方、有機ＥＬ接続部１５は、５０〜１００×５０〜１００μｍの大きさとされているが、図１３に示すように、その内部は、表面の絶縁膜をパターニングすることにより、バンプ１４ａが形成される電極パッド１７の大きさと同じ面積の１０〜５０×１０〜５０μｍの複数の小パッドに細分化されている。そして、各小パッドの表面に微細なバンプ５３が形成されている。なお、各バンプ５３はマトリクス状に配置され、各バンプ５３間のスペースは１０〜５０μｍとされている。なお、各バンプ５３の配置は、マトリクス状に限らず、その後に形成するＡｇペーストなどの導電性材料と確実な導通が確保できれば、マトリクス状以外の配置でも良い。
【００３３】
（バンプの形成方法）
本実施形態のバンプの形成方法においては、以下に詳述する無電解メッキ処理法を用いて、各電極パッド上にバンプ１４ａ，５３を形成している。
まず、電極パッドの表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために処理液に浸漬する。本実施形態では、フッ酸が０．０１％〜０．１％、及び硫酸が０．０１％〜０．１％含有した水溶液中に１分〜５分間含浸する。あるいは０．１％〜１０％の水酸化ナトリウム等のアルカリベースの水溶液に１分〜１０分浸漬してもよい。
【００３４】
次に、水酸化ナトリウムベースでｐＨが９〜１３のアルカリ性水溶液を２０℃〜６０℃に加温した中に１秒〜５分間浸漬し、表面の酸化膜を除去する。あるいは５％〜３０％硝酸をベースとしたｐＨ１〜３の酸性水溶液を２０℃〜６０℃に加温した中に１秒〜５分間浸漬してもよい。
次に、ＺｎＯを含有したｐＨ１１〜１３のジンケート液中に１秒〜２分間浸漬し、電極パッド表面をＺｎに置換する。その後、５％〜３０％の硝酸水溶液に１秒〜６０秒浸漬し、Ｚｎを剥離する。そして、再度ジンケート浴中に１秒〜２分浸漬し、緻密なＺｎ粒子をＡｌ表面に析出させる。その後、無電解Ｎｉメッキ浴に浸漬し、Ｎｉメッキを形成する。
メッキ高さは２μｍ〜１０μｍ程度析出させる。メッキ浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であり、ｐＨ４〜５、浴温８０℃〜９５℃である。
【００３５】
このような工程においては、次亜リン酸浴を行うので、リン（Ｐ）が共析する。最後に置換Ａｕメッキ浴中に浸漬し、Ｎｉ表面をＡｕにする。Ａｕは０．０５μｍ〜０．３μｍ程度に形成する。Ａｕ浴はシアンフリータイプを用い、ｐＨ６〜８、浴温５０℃〜８０℃で、１分〜３０分間の浸漬を行う。必要があれば、さらに化学還元Ａｕメッキ浴中に浸漬し、Ａｕを厚く形成する。Ａｕは０．３μｍ〜２．０μｍ程度に形成する。Ａｕ浴はシアンフリータイプを用い、ｐＨ６〜８、浴温５０℃〜８０℃で、３０分〜３時間の浸漬を行う。このようにして電極パッド上にＮｉ−Ａｕバンプを形成する。
【００３６】
なお、各化学処理の間には、水洗処理を行う。水洗槽はオーバーフロー構造あるいはＱＤＲ機構を有しており、最下面からＮ２バブリングを行う。バブリング方法は、テフロン（登録商標）のチューブ等に穴を開け、Ｎ２を出す方法や、焼結体等を通じてＮ２を出す。以上の工程により、短時間で十分効果のあるリンスを行うことができる。
【００３７】
ところで、無電解メッキを行う場合、３０×３０μｍ程度の微細なバンプは安定剤の影響により大きさごとにメッキ速度が異なり、一般的に、面積が小さいほどメッキ速度は小さくなる。そのため、大きな有機ＥＬ接続部１５に大きなバンプを形成する場合にはメッキ速度が速くなり、それにつながるバンプ１４ａは電位の影響を受けてメッキ析出量が不安定となる。その結果、バンプ１４ａの高さがばらつくことになる。
しかしながら、本実施形態では、有機ＥＬ接続部１５の内部を、電極パッド１７と面積が同等の複数の小パッドに細分化する。そして、各小パッドにバンプ１４ａと面積が同等のバンプ５３を形成する構成とした。これにより、有機ＥＬ接続部１５の内部の各バンプ５３が別個のバンプとみなせるので、バンプ１４ａとメッキ速度が同等になり、バンプ１４ａのメッキ析出が安定する。したがって、バンプ１４ａの高さを均一化することができる。
このような一連の処理を行うことにより、図２に示す配線基板３の製造方法が終了となる。
【００３８】
（ＴＦＴの転写工程）
次に、図４から図６を参照して、上記の配線基板３と基礎基板４０とを貼り合わせて、ＴＦＴ（第１電気素子）１３を配線基板３に転写する方法について説明する。
ここで、転写工程としては公知の技術が採用されるが、本実施形態では特にＳＵＦＴＬＡ（Surface Free Technology by Laser Ablation）（登録商標）を用いて行われる。
【００３９】
図４に示すように、基礎基板４０を反転し、また、ＴＦＴ１３とバンプ１４ａとの間に異方性導電性粒子（ＡＣＰ）を含有する導電ペースト１４ｂを塗布し、基礎基板４０と配線基板３とを貼り合わせる。
【００４０】
次に、図５に示すように、導電ペースト１４ｂが塗布された部分のみを局所的に、かつ、基礎基板４０の裏面側（ＴＦＴ非形成面）から、レーザ光ＬＡを照射する。すると、剥離層４１の原子や分子の結合が弱まり、また、剥離層４１内の水素が分子化し、結晶の結合から分離され、即ち、ＴＦＴ１３と基礎基板４０との結合力が完全になくなり、レーザ光ＬＡが照射された部分のＴＦＴ１３を容易に取り外すことが可能となる。
【００４１】
次に、図６に示すように、基礎基板４０と配線基板３とを引き離すことにより、基礎基板４０上からＴＦＴ１３が除去されると共に、当該ＴＦＴ１３が配線基板３に転写される。なお、ＴＦＴ１３の端子は、上記のバンプ１４ａ及び導電ペースト１４ｂを介して、配線パターン１１に接続されている。
【００４２】
（有機ＥＬ基板の貼り合わせ工程）
次に、図７から図９を参照して、上記の配線基板３と有機ＥＬ基板（第２電気素子）４とを貼り合わせて、最終的に図１に示す電気光学装置１を形成する工程について説明する。
図７に示すように、有機ＥＬ基板４は、透明基板２０上に、順に陽極２２と、正孔注入／輸送層２３と、有機ＥＬ素子２４と、陰極２５が形成された構造となっている。また、陰極２５は、カソードセパレータ２６が形成された状態で成膜されるので、陰極２５は隣接する陰極と分離されている。
図８に示すように、配線基板３の有機ＥＬ接続部１５上にはバンプ５３が形成され、そのバンプ５３上には導電材料３１が塗布されている。ここでは、導電材料３１として銀ペーストを使用している。
【００４３】
図９に示すように、有機ＥＬ基板４を反転し、陰極２５が導電材料３１と接触するように、有機ＥＬ基板４と配線基板３とが貼り合わされる。更に、両基板間の空間に封止ペースト３０が封入され、更に、両基板の周辺を封止剤３２によって封止することにより、電気光学装置１が完成となる。
この電気光学装置１は、有機ＥＬ基板４における配線基板３側から、順に陰極２５、有機ＥＬ素子２４、正孔注入／輸送層２３、陽極２２が配置された、陽極２２側から発光光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ装置となる。
【００４４】
なお、有機ＥＬ接続部１５上には、銀ペーストの代わりに、印刷法により半田や鉛フリー半田（例えばSn-Ag-Cu系など）を塗布してもよい。本実施形態では、有機ＥＬ接続部１５上にバンプ５３を形成するので、半田との濡れ性を確保することができる。そして半田は、銀ペーストに比べて、有機ＥＬ基板４における陰極２５との密着性に優れている。したがって、基板接合体における電気的接続の信頼性を向上させることができる。
【００４５】
（バンプ高さの確認、導通確認）
このような電気光学装置及び基板接合体の製造方法のうち、バンプ形成工程においてバンプ１４ａの高さの均一性を確認したところ、有機ＥＬ接続部１５を、電極パッド１７と面積が同等の複数の小パッドに細分化し、これら小パッドにてバンプ５３を形成することで、配線５２によって有機ＥＬ接続部１５に接続されているバンプ１４ａの高さのバラツキが殆ど無かった。実際にＴＦＴ１３とバンプ１４ａとを接合すると、良好な導通が確認された。
【００４６】
上述したように、本実施形態においては、バンプ１４ａが形成される電極パッド１７に対して面積の大きい有機ＥＬ接続部１５に、電極パッド１７と面積が同等の複数の電極パッドを形成して、無電解メッキ法により各電極パッド上にバンプ１４ａ、５３を形成することにより、メッキ析出量の安定化を図ることができ、バンプ１４ａの高さバラツキを低減することができる。
これにより、ＴＦＴ１３と配線パターン１１との確実な導通状態を得ることができ、接続時におけるオープン不良をなくすことができる。
【００４７】
また、面積の小さいバンプ１４ａにＴＦＴ１３が確実に接続され、面積の大きい有機ＥＬ接続部１５上に導電材料を介して有機ＥＬ素子２４の接続端子が接続された、基板接合体及び電気光学装置を得ることができる。
【００４８】
（配線基板の第２実施形態）
次に、配線基板３の第２実施形態について説明する。
なお、上述の実施形態と同一部材には同一符号を付し、説明を省略する。
本実施形態では、図１４に示すように、有機ＥＬ接続部１５に、複数の電極パッド５４をそれぞれ独立に形成している。そして、これら電極パッド５４の間が、断面積が同等の配線５５によって接続されている。
【００４９】
そして、この実施形態の場合も、バンプ１４ａが形成される電極パッド１７に対して面積の大きい有機ＥＬ接続部１５に、電極パッド１７と面積が同等の複数の電極パッド５４を形成して、無電解メッキ法により各電極パッド１７、５４上にバンプを形成することにより、メッキ析出量の安定化を図ることができ、バンプ１４ａの高さバラツキを低減することができる。これにより、ＴＦＴ１３と配線パターン１１との確実な導通状態を得ることができ、接続時におけるオープン不良をなくすことができる。
【００５０】
（配線基板の第３実施形態）
次に、配線基板３の第３実施形態につき、図１５を用いて説明する。第３実施形態の配線基板は、第１の電気素子接続領域（１４）と、前記第１の電気素子接続領域（１４）よりも広い第２の電気素子接続領域（１５）とを備え、前記第１の電気素子接続領域（１４）と前記第２の電気素子接続領域（１５）とが相互に導通されてなる配線基板の製造方法であって、前記第１の電気素子接続領域（１４）に形成された電極パッド（１７）と面積が同等の第１電極パッド（５６）を前記第２の電気素子接続領域（１５）の内部または近傍に形成する工程と、前記第１電極パッド（５６）から所定間隔をあけて前記第２の電気素子接続領域（１５）の内部に第２電極パッド（５７）を形成する工程と、無電解メッキ法により、前記第１電極パッド（５６）上に第１バンプ（１５ｂ）を形成するとともに、前記第２電極パッド（５７）上に第２バンプ（１５ａ）を形成し、前記第１バンプ（１５ｂ）と前記第２バンプ（１５ａ）とを連結させる工程と、を有するものである。なお、上述の実施形態と同一部材には同一符号を付し、説明を省略する。
【００５１】
本実施形態においても、ＴＦＴ１３を接続するバンプ１４ａは、１チップあたり１０バンプとし、バンプ１４ａの配置、大きさは、第１実施形態と同様である。
有機ＥＬ接続部１５の内部には、特に微細な電極パッドは形成せず、有機ＥＬ接続部１５と配線５２とを一部分切断した構造とし、有機ＥＬ接続部１５側の配線５２の先端の絶縁膜を開口して電極パッド５６とする。開口の大きさは、電極パッド１７と同等とする。この電極パッド（第１電極パッド）５６と有機ＥＬ接続用パッド（第２電極パッド）５７との間のスペースは、メッキ析出高さの約１〜２倍確保する。
【００５２】
この状態で、第１実施形態と同様に無電解メッキを施すべく、メッキ浴に浸漬し、メッキ金属を析出させる。
このようにすると、バンプ形成初期段階にて、図１６に示すように、配線５２の先端の電極パッド５６上にもメッキが析出するが、有機ＥＬ接続部１５上のメッキとは未接続の状態とされている。この状態では、有機ＥＬ接続部１５は配線５２に接続されていないため、配線５２の電極パッド５６と反対側の端部にて、バンプ１４ａが安定して析出され、１０バンプ分の高さ精度が大幅に向上する。
【００５３】
やがて、配線５２の先端の電極パッド５６上のメッキ及び有機ＥＬ接続部１５上のメッキが大きくなり、バンプ１４ａが所定の膜厚に形成される段階にて、図１７に示すように、配線５２の電極パッド５６上のバンプ１５ｂと、有機ＥＬ接続部１５上のバンプ１５ａとが接触し、導通確保が可能となる。
そして、形成した１０個のバンプ１４ａの高さ均一性を確認した結果、これらバンプ１４ａの高さバラツキがほとんどなかった。実際にＴＦＴ１３とバンプ１４ａとを接合すると、良好な導通が確認された。
そして、この実施形態によれば、無電解メッキ法により電極パッド１７上にバンプ１４ａを形成するとともに有機ＥＬ接続部１５上にバンプ１５ａを形成してから配線５２の一方端部におけるバンプ（第１バンプ）１５ｂと有機ＥＬ接続部１５のバンプ（第２バンプ）１５ａとを連結させるので、連結前に電極パッド１７におけるバンプ１４ａを高さバラツキなく形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の基板接合体及び電気光学装置の概略構成を示す断面図。
【図２】本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図。
【図３】本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図。
【図４】本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図。
【図５】本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図。
【図６】本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図。
【図７】本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図。
【図８】本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図。
【図９】本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図。
【図１０】本発明の配線基板を示す断面図。
【図１１】本発明の配線基板を示す平面図。
【図１２】本発明の配線基板の要部を示す平面図。
【図１３】本発明の配線基板の要部を示す平面図。
【図１４】本発明の第２実施形態の配線基板の要部を示す平面図。
【図１５】本発明の第３実施形態の配線基板の要部を示す平面図。
【図１６】本発明の第３実施形態の配線基板の要部を示す平面図。
【図１７】本発明の第３実施形態の配線基板の要部を示す平面図。
【図１８】従来技術の配線基板を示す断面図。
【図１９】従来技術のバンプの配置を説明するための説明図。
【符号の説明】
【００５５】
３…配線基板  １４ａ…バンプ  １５…有機ＥＬ接続部  ５２…配線  ５３…バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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