(57)【要約】【課題】  本発明は、載置台に載置された、オリエンテーションフラット部もしくはノッチ部を有する半導体基板の周縁部をクランプするクランプリングに関し、ウェハへの欠けやヒビの発生を防止する。【解決手段】  半導体基板の、少なくともオリエンテーションフラット部の端部もしくはノッチ部に対応する部分を除く部分に、その半導体基板の周縁に接触して載置台上での半導体基板の位置を調整する傾斜面２４を有し、かつ、少なくともオリエンテーションフラット部の端部もしくはノッチ部に対応する部分を含む部分に、その端部もしくはノッチ部との干渉を免れた形状の非干渉部を有する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
載置台に載置された、オリエンテーションフラット部もしくはノッチ部を有する半導体基板の周縁部をクランプするクランプリングであって、
前記半導体基板の、少なくともオリエンテーションフラット部の端部もしくはノッチ部に対応する部分を除く部分に、該半導体基板の周縁に接触して前記載置台上での該半導体基板の位置を調整する傾斜面を有し、かつ、少なくともオリエンテーションフラット部の端部もしくはノッチ部に対応する部分を含む部分に、該端部もしくはノッチ部との干渉を免れた形状の非干渉部を有することを特徴とするクランプリング。
【請求項２】
前記傾斜面と前記非干渉部とが接する境界部分の、該傾斜面に隣接する部分に、該傾斜面から該非干渉部に向かって前記半導体基板の周縁から徐々に離れる曲面を有することを特徴とする請求項１記載のクランプリング。
【請求項３】
前記非干渉部が、前記傾斜面に連続し、前記半導体基板の周縁から離れた状態で該周縁を覆う庇部を有することを特徴とする請求項１記載のクランプリング。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、載置台に載置された、オリエンテーションフラット部もしくはノッチ部を有する半導体基板の周縁部をクランプするクランプリングに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来よりウェハと呼ばれる半導体基板上に半導体集積回路（ＬＳＩ）を作り込むにあたり、例えばスパッタリング等の工程では、ウェハを載置台上に載置させその状態で今度はそのウェハの上から、そのウェハ周縁部を押えるクランプリングと呼ばれる治具が被せられ（クランプリングが静置していてウェハを載置した載置台が上昇する装置もある）、その状態でスパッタリングが行なわれる。
【０００３】
載置台に載置されたウェハはその載置台上に多少の位置ずれをもって載置されることもある。そこで、クランプリングに位置ずれのあったウェハの周縁に接する斜面が形成されていて、ウェハに位置ずれがあったときは、載置台に載置されたウェハにクランプリングが被せられる過程でそのウェハの周縁がその斜面に接し、そのウェハの載置位置が修正させるように構成されている（特許文献１参照）。
【０００４】
図５は、ウェハの平面図、図６は、従来のクランプリングの下面を示す図である。
【０００５】
載置台上のウェハにクランプリングが被せられると、そのクランプリングの、図６に示す下面がウェハに接触することになる。
【０００６】
図５に示すように、ウェハ１０は、ほぼ円形の薄板状のものであるが、その円形の一部分が直線的に切り取られた形状を有する。その切り取られた形状の部分は、一般的にオリエンテーションフラット（以下「オリフラ」と称する）１１と呼ばれている。
【０００７】
一方、図６に示すクランプリング２０は、その中央にウェハ１０とほぼ相似形であってウェハ１０よりも若干狭い表裏に貫通する開口２１が形成されており、その開口２１の全周を取り巻いて、ウェハ１０の周縁部を押える押え部２２が形成され、その押え部に隣接する位置に、ウェハの周縁を取り巻く庇２３が形成されている。
【０００８】
図７は、図６の円Ｒ１の部分の、矢印Ａ−Ａに沿う断面図である。
【０００９】
実際はウェハ１０の上からクランプリング２１が被せられるが、ここでは分かり易さのため天地を逆にし、ウェハ１０がクランプリングの上に乗せられているように示してある。また、以下では、文章も図５と一致させるため、「ウェハ１０の上からクランプリング２１を被せる」という表現に代えて、ウェハ１０をクランプリング２０に乗せる」という表現を用いることがある。
【００１０】
ウェハ１０をクランプリング２０に乗せると、そのウェハ１０はクランプリング２０の開口２１に配置され、そのウェハ１０の周縁部１２のみが、クランプリング２０の開口２１の全周を取り巻く押え部２２の上に乗せられる。また、その押え部２２に隣接して、そのクランプリング２０に乗せられたウェハ１０の周縁１３を覆う庇部２３が設けられており、この庇２３は、ウェハ１０が配置された内部を外部から隔離して、外部に浮遊している塵埃等が内部に入り込むのを防ぐ役割を担っている。また、この庇部２３の、押え部２２側には傾斜面２４が形成されており、クランプリング２０に乗せる前のウェハ１０に多少の位置ずれがあった場合には、そのウェハ１０をクランプリング２０に乗せる際にそのウェハ１０の周縁１３がその傾斜面２４に接触しその位置が修正されながら押え部２２に導びかれる。ウェハ１０は、これによりクランプリング２０上の正しい位置に乗せられ、その結果、載置台上の正しい位置に乗せられることになる。
【特許文献１】特開２００３−１９７７１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
図５に示すように、ウェハ１０にはオリフラ１１が形成されており、そのオリフラ１１の端部１１ａ、すなわち、オリフラ１１と、周縁１３が円形の部分との境界部分がクランプリング２０の傾斜面２４に接する方向に位置ずれがあるウェハ１０がクランプリング２０に乗せられるとそのオリフラ１１の端部１１ａが傾斜面２４に接し、その端部１１ａは他の部分と比べかなり尖っているため、その傾斜面２４に接触した際にその端部１１ａが欠けたりヒビが入る場合がある。
【００１２】
ウェハ１０は、結晶構造が揃っているため、一旦そのような欠けやヒビが形成されるとその後のＬＳＩ製造の工程でウェハ１０が割れてしまう事態が生じることがある。ウェハ１０に割れが生じると、製品への歩留まりが低下し、またその割れに伴って設備のメンテナンス作業が必要となり、操業度も低下する。
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑み、上記のような欠けやヒビが発生しにくいクランプリングを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成する本発明のクランプリングは載置台に載置された、オリエンテーションフラット部もしくはノッチ部を有する半導体基板の周縁部をクランプするクランプリングであって、半導体基板の、少なくともオリエンテーションフラット部の端部もしくはノッチ部に対応する部分を除く部分に、その半導体基板の周縁に接触して載置台上での半導体基板の位置を調整する傾斜面を有し、かつ、少なくともオリエンテーションフラット部の端部もしくはノッチ部に対応する部分を含む部分に、その端部もしくはノッチ部との干渉を免れた形状の非干渉部を有することを特徴とする。
【００１５】
ここで、「オリエンテーションフラット部もしくはノッチ部」と表現したのは、ウェハ１２には、オリフラを有するウェハのみでなく、そのオリフラに代わりノッチを有するウェハも存在するからである。ノッチを有するウェハについては後述する。
【００１６】
本発明のクランプリングは、上記の非干渉部を設けたため、ウェハ１０のオリフラの端部あるいはノッチ部がクランプリングの傾斜面２４に当たることが回避され、したがってその端部あるいはノッチ部に欠けやヒビが入ることが防止され、後工程でウェハが割れるという事態の発生を防止することができる。
【００１７】
ここで、本発明のクランプリングにおいて、上記傾斜面と上記非干渉部とが接する境界部分の、傾斜面に隣接する部分に、傾斜面から非干渉部に向かって半導体基板の周縁から徐々に離れる曲面を有することが好ましい。
【００１８】
上記傾斜面と上記非干渉部との境界部分に急激な形状変化があると、クランプリングにウェハを乗せた際に、今度はそのウェハのその境界部分に接した部分に欠けやヒビが入るおそれがある。そこで、その境界部分を上記の曲面とすることで、ウェハの、その境界部分に接する部分の損傷を避けることができる。
【００１９】
また、本発明のクランプリングにおいて、上記非干渉部が、傾斜面に連続し、半導体基板の周縁から離れた状態でその周縁を覆う庇部を有することが好ましい。
【００２０】
庇部は、上述のように斜面を形成する役割りのほか外部に浮遊する塵埃等が内部に入るのを防ぐ役割を持っている。上記の非干渉部は、庇部そのものを切除することであってもウェハとの干渉を避けるという点では目的を達成するものの、これでは塵埃の進入を防ぐという役割りも失なわれてしまう結果となる。そこで、上記のようにウェハの周縁から離れた位置ででその周縁を覆う庇部を設けると、ウェハとの干渉を避けるとともに塵埃の進入を防ぐことができる。
【発明の効果】
【００２１】
以上説明したように、本発明によれば、ウェハに欠けやヒビが入るのを避けつつウェハを載置台に正確に乗せることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００２３】
図１は、本発明の一実施形態としてのクランプリングの下面を示す図、図２は、図１に示す円Ｒ１の部分の断面図である。
【００２４】
ここでは従来例を説明した図５〜図７上の構成要素と同一の構成要素には図５〜図７に付した符号と同一の符号を付して示し、相違点のみについて説明する。
【００２５】
図１に示すクランプリング２０の場合、領域Ｄの範囲に亘って図６、図７の従来例において形成されていた傾斜面２４が切り取られてほぼ垂直な壁２５が形成された非干渉部２６が設けられている。ここで、垂直な壁２５の位置は、搬送機構がウェハ１０を載置台上に載せる際の位置ばらつきの範囲内で、オリフラ１１（図５参照）の端部１１ａに接する（干渉する）ことがないように設定されている。また、領域Ｄ以外の範囲には傾斜面２４が設けられており、ウェハ１０をクランプリング２４に乗せた際の位置決めはその傾斜面２４によって行なわれるため、ウェハ１０、クランプリング２０上の正確な位置に乗せるという点については従来と全く変わりなく行なわれる。
【００２６】
図３は、図１に示す円Ｒ２の部分の拡大図である。
【００２７】
傾斜面２４が形成された部分とその傾斜面が切除された形状を有する非干渉部２６との間に角部があると、ウェハ１０の、その角部に当たった部分に欠けやヒビが入るおそれがある。そこで、本実施形態では、傾斜面２４から非干渉部２６に向かってウェハの周縁から徐々に離れる曲面２７を設けている。こうすることにより、ウェハ１０がこの部分に当たってもウェハ１０に欠けやヒビの入るおそれが十分に低減される。また、その非干渉部においても庇部２３は連続して形成されており、外部に浮遊する塵埃等の内部への進入防止が図られている。
【００２８】
図４は、ノッチを有するウェハの平面図である。
【００２９】
これまで説明してきたウェハ１０は、図５に示すようなオリフラ１１が形成されたウェハであるが、ウェハには、オリフラに代わり、この図４に示すようなノッチ１４が形成されたウェハも存在する。このようなノッチ１４が形成されたウェハを乗せるクランプリングの場合は、そのノッチ１４が対向する部分に非干渉部を設けることにより、そのノッチ１４の部分の欠けやヒビが防止される。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態としてのクランプリングの下面を示す図である。
【図２】図１に示す円Ｒ１の部分の断面図である。
【図３】図１に示す円Ｒ２の部分の拡大図である。
【図４】ノッチを有するウェハの平面図である。
【図５】ウェハの平面図である。
【図６】従来のクランプリングの下面を示す図である。
【図７】図６の円Ｒ１の部分の、矢印Ａ−Ａに沿う断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０    ウェハ
１１    オリエンテーションフラット
１１ａ    端部
１２    周縁部
１３    周縁
１４    ノッチ
２０    クランプリング
２１    開口
２２    押え部
２３    庇部
２４    傾斜面
２５    垂直な壁
２６    非干渉部
２７    曲面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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