(57)【要約】【課題】電子線描画装置におけるパターンデータがフォトマスク上で正しく構成されているかを検証する手段を提供する。【解決手段】パターンデータはフォトマスクと一対一で対応した描画データのみならず、設計段階で用いられるような、半導体製品を作成に必要なすべての層（レイヤ）のデータを含んだ描画データ、ならびに一つの半導体製品のすべてのレイヤで共通して描画するデータを取り扱うことが可能なことを特徴とする。ユーザの操作によって、表示するレイヤを任意に変更できる。さらに、レイヤにかかわらずフォトマスク全体の描画イメージを表示させることもできる。【選択図】  図１
2005079114.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被露光体に対して電子線を用いて描画するための描画データを検図する電子線描画データの検図方法であって、
入力されたジョブデックデータに基づき、複数のレイヤのパターンに関する情報を含む描画パターンデータから必要とされるレイヤのデータを抽出して、指定されたレイヤの描画イメージとして表示することを特徴とする検図方法。
【請求項２】
前記複数のレイヤにおいて共通に用いられる共通パターンを有する描画パターンデータから前記共通パターンを読み出し、前記指定されたレイヤの描画イメージと合成して表示することを特徴とする請求項１記載の検図方法。
【請求項３】
前記共通パターンは、アライメントマークを含むことを特徴とする請求項２記載の検図方法。
【請求項４】
被露光体に対して電子線を用いて描画するための描画データを検図するための電子線描画データの検図装置であって、
入力されたジョブデックデータに基づき、複数のレイヤのパターンに関する情報を含む描画パターンデータから必要とされるレイヤのデータを抽出して、指定されたレイヤの描画イメージとして表示することを特徴とする検図装置。
【請求項５】
前記複数のレイヤにおいて共通に用いられる共通パターンを有する描画パターンデータから前記共通パターンを読み出し、前記指定されたレイヤの描画イメージと合成して表示することを特徴とする請求項４記載の検図装置。
【請求項６】
被露光体に対して電子線を用いて描画するための描画データを検図するための電子線描画データの検図プログラムであって、
入力されたジョブデックデータに基づき、複数のレイヤのパターンに関する情報を含む描画パターンデータから必要とされるレイヤのデータをコンピュータに抽出させ、指定されたレイヤの描画イメージとして表示させることを特徴とする検図プログラム。
【請求項７】
前記複数のレイヤにおいて共通に用いられる共通パターンを有する描画パターンデータから前記共通パターンをコンピュータに読み出させ、前記指定されたレイヤの描画イメージと合成して表示させることを特徴とする請求項６記載の検図プログラム。
【請求項８】
描画データに基づき、被露光体に対して電子線を用いて描画を実施可能とした電子線描画装置であって、
入力されたジョブデックデータに基づき、複数のレイヤのパターンに関する情報を含む描画パターンデータから必要とされるレイヤのデータを抽出し、指定されたレイヤの描画イメージとして表示する検証実行部を備えたことを特徴とする電子線描画装置。
【請求項９】
前記検証実行部は、前記複数のレイヤにおいて共通に用いられる共通パターンを有する描画パターンデータから前記共通パターンをコンピュータに読み出し、前記指定されたレイヤの描画イメージと合成して表示することを特徴とする請求項８記載の検図プログラム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子線描画データの検図方法、検図装置及び検図プログラム並びに電子線描画装置に関し、特に、複数のレイヤの情報を含んだ電子線描画データから指定されたレイヤのデータのみを抽出して図形表示可能とした電子線描画データの検図方法、検図装置及び検図プログラム並びに電子線描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路の性能の向上に伴い、そのパターンの微細化が急速に進められている。電子線（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ：ＥＢ）を用いた露光方式は、今後必要とされる長さ０．２５マイクロメータ以下の微細なパターンを形成できる点で重要な役割を有する。
【０００３】
図６は、半導体集積回路の製造工程の一部を表すフロー図である。すなわち、同図は、いわゆる「マスターレチクル」などの露光マスクＭを形成する工程を表す。
まず、ステップＳ１において半導体集積回路のレイアウトが設計され、レイアウトデータＬＤが生成される。次に、ステップＳ２においてレイアウトデータＬＤが変換され、電子線描画装置において用いられる描画データＤＤが生成される。この描画データＤＤが、電子線描画装置ＥＬに入力される。一方、例えば石英などの透光性基板上にクロム（Ｃｒ）などの遮光層が積層され、さらにその上にレジスト層が形成されたマスク素材が電子線描画装置に導入される。そして、描画データＤＤに基づいてマスク素材のレジスト層が電子線により露光される。その後、レジスト層を現像することによりその一部を選択的に除去してレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとしてクロムなどの遮光層を選択的にエッチング除去することにより、所定のパターンが形成されたマスクＭを形成することができる。
【０００４】
以上説明した一連のプロセスにおいて、電子線の描画データＤＤは、描画すべきパターン図形の集合である「パターンデータ」と、この「パターンデータ」のフォトマスク上での配置等の指示をする「ジョブデック（ｊｏｂｄｅｃｋ）」と呼ばれる制御データとから構成される。
【０００５】
半導体製品は複数の層の積み重ねによって製造される。この層のことを「レイヤ」と呼ぶ。それぞれの層をウェーハ上に形成し、これを積み重ねることによって半導体製品を製造する。各レイヤごとにフォトマスクが通常一枚ずつ必要である。そのフォトマスクのデータを確認・検証するための検図装置は、個々のフォトマスクに対応したデータを入力としていた。
【０００６】
図７は、従来のレイアウトデータＬＤと描画データＤＤとの関係を例示する模式図である。すなわち、レイアウトデータＬＤは、通常は一つの半導体製品の製造に必要な複数のレイヤの情報を有する。これがデータ変換（Ｓ２）されて、複数の描画データＤＤＡ、ＤＤＢ、ＤＤＣ・・が生成される。これら描画データのそれぞれは、単独の各レイヤに対応した情報を有する。
【０００７】
このようにレイアウトデータＬＤを変換することにより生成される描画データＤＤ（ＤＤＡ、ＤＤＢ、・・）の検証を行うために、「検図」と呼ばれるプロセスが有効である。すなわち、生成された描画データをディスプレイなどに表示させ、これがレイアウトデータと対応したものであるか否かを調べることが必要である。
【０００８】
このような検図装置として、描画データを入力し、これを機能ブロック毎に階層化して階層化データベースを作成する検図装置が開示されている（特許文献１）。この検図装置の場合、指定された機能ブロックに対応する露光データを階層化データベースから取り出して図形表示させる。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００２−７２４３８号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
レイアウトデータＬＤは、一つのファイルに、その半導体製品を構成するための複数のレイヤを含む。それに対して描画データＤＤは、個々のフォトマスクに対応するため、図７に例示した如く一つのファイルが一つのレイヤの情報のみを有することが原則であった。つまり、これら両者のデータ間の対応づけが複雑になりやすいという問題があった。
【００１１】
このような問題を解決するには、レイアウトデータと同等の構成のパターンデータをも描画データとして扱えるようにすることが望ましく、可変成形型描画装置を対象として開発が進められている。しかし、既存のフォトマスクデータ表示ソフトウェア等の周辺環境は、フォトマスク単位でデータを扱うことを前提としており、このような新規なデータ形式に対応していない。この事情は、前述した特許文献１に記載されている検図装置でも同様である。
【００１２】
一方、レイアウト設計段階で用いるデータ表示ツールは、個々の設計データのパターンを表示の対象にしており、レイヤ間のデータの検証は可能だが、複数のデータを配置するフォトマスク上でのイメージ表示は対象としていなかった。
【００１３】
加えて、設計データと同等の構造を持つパターンデータを描画データとして扱う場合には、フォトマスクの周辺パターンなど、すべてのレイヤで共通して用いるデータを別に持ち、ジョブデックに含まれるすべてのレイヤに共通して用いるパターンとして定義することが効率的である。
【００１４】
本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、レイアウトデータと同様に複数のレイヤの情報をもつ描画データとレイヤにかかわらず共通して用いられるパターンデータ、並びにそれらを配列したジョブデックファイルを読み込み、画面などにフォトマスクのイメージ画像を出力し、検図作業などを実施可能とした検図方法、検図装置及び検図プログラム並びに電子線描画装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明によれば、被露光体に対して電子線を用いて描画するための描画データを検図する電子線描画データの検図方法であって、入力されたジョブデックデータに基づき、複数のレイヤのパターンに関する情報を含む描画パターンデータから必要とされるレイヤのデータを抽出して、指定されたレイヤの描画イメージとして表示することを特徴とする検図方法が提供される。  また、本発明によれば、被露光体に対して電子線を用いて描画するための描画データを検図するための電子線描画データの検図装置であって、入力されたジョブデックデータに基づき、複数のレイヤのパターンに関する情報を含む描画パターンデータから必要とされるレイヤのデータを抽出して、指定されたレイヤの描画イメージとして表示することを特徴とする検図装置が提供される。
【００１６】
また、本発明によれば、被露光体に対して電子線を用いて描画するための描画データを検図するための電子線描画データの検図プログラムであって、入力されたジョブデックデータに基づき、複数のレイヤのパターンに関する情報を含む描画パターンデータから必要とされるレイヤのデータをコンピュータに抽出させ、指定されたレイヤの描画イメージとして表示させることを特徴とする検図プログラムが提供される。
【００１７】
また、本発明によれば、描画データに基づき、被露光体に対して電子線を用いて描画を実施可能とした電子線描画装置であって、入力されたジョブデックデータに基づき、複数のレイヤのパターンに関する情報を含む描画パターンデータから必要とされるレイヤのデータを抽出し、指定されたレイヤの描画イメージとして表示する検証実行部を備えたことを特徴とする電子線描画装置が提供される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明の実施の形態にかかる電子線描画データの検図装置を表すブロック図である。
【００２０】
本発明の検図装置１００は、複数レイヤの情報を含んだ描画パターンデータ２０１〜２０３から、検図装置１００の対するユーザの操作によって指定されたレイヤのデータを抽出し、ジョブデックデータ２０５中で指定された位置に図形表示させる。また、ユーザの操作によって、表示するレイヤを任意に変更できる。さらに、レイヤにかかわらず、目的の半導体製品に共通して用いられるデータを描画パターンデータ２０４から読み出して、ジョブデックデータ２０５中で指定された位置に、個別レイヤのデータと併せて図形表示させることによって、フォトマスク全体の描画イメージを表示させることもできる。
【００２１】
すなわち、本実施形態においては、検図装置１００に対して、描画データとして、複数の描画パターンデータ２０１〜２０４とジョブデックデータ２０５が供給される。これらのデータのうち、描画パターンデータ２０１〜２０３のそれぞれは、複数のフォトマスクのデータを含んでいる。
【００２２】
一方、描画パターンデータ２０４は、複数のフォトマスクに共通して用いられるデータのみを有する。つまり、ジョブデックデータ２０５に記述されているフォトマスクの全てに共通しているデータのみを有する。共通なデータとしては、例えば、各マスクに共通のアライメントマークや、バーコードなどを挙げることができる。一方、ジョブデックデータ２０５は、一連のフォトマスク上でのパターン配置などを記述したファイルである。
【００２３】
描画パターンデータ２０１〜２０４とジョブデックデータ２０５とによって、目的の半導体製品を製造するために必要な全てのレイヤのマスクに関する情報が与えられる。なお、検図装置に与えられる描画データ２０１〜２０３は、仮に一つのレイヤのみのデータであってもよい。
【００２４】
図２は、本実施形態において扱う描画データの特徴を説明するための模式図である。すなわち、同図は、デバイス（半導体装置）の設計から、電子線描画装置によるマスクの製造までの工程を段階的に表した概念図である。
【００２５】
デバイスメーカにおいては、製造すべきデバイスの各レイヤのパターンに関する設計データＬＤ１と、マスクのレイアウトに関する情報ＬＤ２とが生成され、これらが例えば、マスクメーカに対して供給される。
【００２６】
この時に、設計データＬＤ１はデータ変換（Ｓ２１）されて、描画パターンデータＤＤ１が生成される。この描画パターンデータＤＤ１が、図１に表した描画パターンデータ２０１〜２０４に対応する。データ変換（Ｓ２１）においては、サイジング、ＯＰＣ（ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）、重なり除去、台形分割などの処理が適宜実行され、デバイスの設計パターンが描画パターンに変換される。このようにして得られる描画パターンデータＤＤ１のフォーマットを工夫することにより、たとえは、サイズがコンパクトであり、マルチプラットフォームに対応可能などの各種のメリットを得ることができる。このような外部フォーマットは、例えばレイアウトライブラリ保存用に用いたり、他のコンピュータやＣＡＤ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ  ａｉｄｅｄ  ｄｅｓｉｇｎ）システムとのデータのインタフェースとして使用したり、電子線描画装置へのインタフェースとして使用することもできる。そして、このようなフォーマットを利用することで、マスク作成工程でのデータの中間処理を簡略化し、マスク製造のＴＡＴ（ｔｕｒｎ  ａｒｏｕｎｄ  ｔｉｍｅ）を短縮することができる。
【００２７】
一方、レイアウト情報ＬＤ２もデータ変換（Ｓ２２）されて、特定の外部フォーマットファイルＦ１が生成される。このようにして得られた外部フォーマットファイルＦ１は、チップの配置やタイトルの配置など、マスクのレイアウト情報を記述する。
【００２８】
そして、この外部フォーマットファイルＦ１は、パラメータファイルＦ２と合成されて、ジョブデックデータＤＤ２が生成される。ここで、パラメータファイルＦ２は、使用する電子線描画装置に適した露光条件などのパラメータが記載されたファイルである。
【００２９】
このようにして得られた描画パターンデータＤＤ１と、ジョブデックデータＤＤ２が電子線描画装置ＥＬに与えられ、それぞれ、その内部においてデータ変換（Ｓ３１、Ｓ３２）されて、電子線による描画が実施される。ここで、描画パターンデータＤＤ１がデータ変換（Ｓ３１）される際には、台形分割、セル展開、フィールド分割、ソーティングなどの処理が適宜実行される。ただし、台形分割については、データ変換（Ｓ２１）において既に実行されている場合には、データ変換（Ｓ３１）においては、実行されない場合が多い。
一方、データ変換（Ｓ３２）においては、フォーマット変換や描画装置に適合させた座標系変換などの処理が実行される。これらの変換データに基づき、電子線描画装置ＥＬにおいて描画が実行される。
【００３０】
以上説明したようなデータの流れの中にあって、描画パターンデータＤＤ１とジョブデックデータＤＤ２は、それぞれ図１に例示したようなデータ構成を有する。すなわち、描画パターンデータ２０１〜２０３は、そのデータの構成は前述したように設計データＬＤ１と同様のものであるが、電子線描画装置ＥＬでの処理負荷やデータ容量の削減を考慮して、データ変換Ｓ２１によりデータの構造や書式が適宜変更されたものであることが望ましい。
【００３１】
描画パターンデータ２０１〜２０４（ＤＤ１）のフォトマスク上での配置情報は、ジョブデックデータ２０５（ＤＤ２）によって定義される。すなわち、一つのジョブデックファイル中で複数のフォトマスクの配置情報が定義される。
【００３２】
これらのデータは、検図装置の描画パターン入力部１０６に入力される。
描画パターン処理部１０７は、ジョブデックデータ２０５に記述されたジョブデックを解釈し、ジョブデック中で指定されたパターンデータから必要なレイヤに含まれる情報を抽出し、必要に応じてパターン反転などの処理を行い、ジョブデックで指定された配置情報に従って、内部データベース１０８に格納する。つまり、入力された描画データは、複数のフォトマスクイメージの形で内部データベース１０８に格納される。
【００３３】
描画パターン表示部１０９は、ユーザの指定したレイヤに対応するフォトマスクのイメージを内部データベースから取り出して画面１１０に図形表示する。画面１１０への出力の場合、特定の操作によってフォトマスク中の特定の箇所だけを表示させることも当然可能であり、既存の検図装置と同等の機能を有する。
【００３４】
なお、一般に「ジョブデックデータ」は、配置情報のほかに、電子線描画装置ＥＬでの露光条件などの各種処理のパラメータも含む。ただし、それらのパラメータは、描画パターンの検図装置の機能には関係ない。そこで、本発明において取り扱うジョブデックデータ２０５は、これら露光条件などの処理パラメータを含まず、配置情報だけを含んだデータとしてもよい。
【００３５】
図３は、本実施形態の検図装置において実行される処理を例示するフローチャートである。
すなわち、まずステップＳ１０２において、ユーザが指定したデバイス（半導体装置）に対応してジョブデック名が指定される。
すると、ステップＳ１０４において、指定されたジョブデックデータ２０５が検図装置１００に読み込まれる。そして、ステップＳ１０６において、そのジョブデックに対応した描画パターンデータ２０１〜２０３が読み込まれる。これらは、描画パターンデータ処理部１０７において処理され、内部データベース１０８に格納される。
【００３６】
その後、ステップＳ１１０において、ジョブデック中の全てのデータを読み込んだか否かが判断される。読み込まれていない場合（ステップＳ１１０：ｎｏ）は、ステップＳ１０６に戻り、描画データ２０１〜２０４の読み込みから、データ処理、格納（ステップＳ１０８）までを繰り返す。
【００３７】
ジョブデック中の全てのデータを読み込んだ場合（ステップＳ１１０：ｙｅｓ）は、ステップＳ１１２に進み、表示すべきレイヤの指定をユーザから受ける。レイヤが指定されると、ステップＳ１１４に進み、内部データベース１０８の中から、指定されたレイヤに対応するデータを抽出する。さらに、ステップＳ１１６において、共通して用いる描画パターンデータ２０４と合成する。
【００３８】
そしてステップＳ１１８において、画面１１０に指定されたレイヤのマスクパターンが表示される。
【００３９】
以上説明した本実施形態の構成によれば、設計からマスク製造までの工程をシームレスに行うことを目的に複数のレイヤを含むパターンデータ、また複数のレイヤに共通して用いられるパターンデータを含むジョブデックを入力した場合でも、個々のフォトマスクの内容を画面に表示し簡便なデータ検証が行うことが可能となる。
【００４０】
図４は、本発明の実施の形態にかかる検図装置の外観を例示する模式図である。この検図装置８０の本体は、ＣＰＵ（ｃｅｎｔｒａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｕｎｉｔ）とメモリを内蔵した計算手段と、ディスプレイなどの表示手段と、を適宜備えている。さらに、ハードディスク磁気記録再生装置などの記録再生手段を適宜内蔵する。
【００４１】
また、磁気記録媒体や光磁気記録媒体などの磁気記録媒体８３を駆動する記録再生装置８１や、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ  ｄｉｓｃ）あるいはＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  ｄｉｓｃ）などの光ディスク８４を駆動する光ディスクドライブ８２などを適宜備える。
【００４２】
記録再生装置８１に対しては磁気記録媒体８３を、また光ディスクドライブ８２に対しては光ディスク８４をその挿入口から挿入し、所定の読み出し操作を行うことにより、これらの記録媒体に格納されたプログラムやデータをシステム内に入力しインストールすることができる。
【００４３】
また、所定のドライブ装置を接続することにより、例えばメモリ装置としてのＲＯＭ８５や、磁気テープ８６を用いることもできる。
またさらに、電話回線やＬＡＮ（ｌｏｃａｌ  ａｒｅａ  ｎｅｔｗｏｒｋ）などの有線あるいは無線による伝送媒体８７を介して、プログラムやデータを適宜ダウンロード可能としてもよい。
【００４４】
本具体例の検図装置によれば、図１乃至図３に関して前述した描画データＤＤの検図を確実且つ容易に実行することができる。例えば、前述した検図プロセスを実行させるための回路がハードウエアとして実現されていてもよく、または、プログラムすなわちＣＰＵに、本発明の検図方法の一連のステップを実行させるソフトウエアとして実現されていてもよい。
【００４５】
また、検図の対象とすべき描画データＤＤは、磁気記録媒体８３、光ディスク８４、ＲＯＭ８５、磁気テープ８６、伝送媒体８７などを介して外部から入力可能としてもよく、または、検図装置８０の内部でレイアウトデータＬＤを変換することにより図１及び図２に関して前述したようなデータ構造を有する描画データＤＤを生成するようにしてもよい。この場合には、検図装置８０が描画データの生成装置としても機能することとなる。
【００４６】
図５は、本発明の実施の形態にかかる電子線描画装置のブロック図である。すなわち、電子線描画装置は、電子銃２、絞り３、電子レンズ４、ブランカ５、偏光器８、を介して電子線１をマスク基板１５に照射し露光を実施する。コンピュータ１１は位置制御系１２に目標位置信号を送り、モータ制御系１３を介してサーボモータ１４を制御し移動台１６を移動する。また、位置制御系１２はレーザ干渉計１７が計測する移動台１６の位置信号をコンピュータ１１からの目標位置信号と比較し、移動台１６を所定精度で停止させる。記移動台１６の停止位置精度は、例えば約０．００５μｍである。
【００４７】
マスク基板１５の描画にあたっては、コンピュータ１１は偏向制御系７に制御信号を送り、偏向制御系７は偏向器８に電子線１の位置情報を送り、また、電子線１のオン（ＯＮ）オフ（ＯＦＦ）信号をブランキング制御系６に伝達する。ブランカー５はこれらオン（ＯＮ）オフ（ＯＦＦ）信号に応じて電子線１をオン（ＯＮ）オフ（ＯＦＦ）制御する。すなわち、偏向器８により電子線１をマスク基板１５の所定位置に位置決めし、ブランカー５をオフ（ＯＦＦ）にして偏向器８に描画信号を送り描画を開始する。
本発明によれば、このような電子線描画装置において、コンピュータ１１の前段あるいはコンピュータ１１の一部として、検図実行部２０が設けられている。描画データＤＤは、検図実行部２０に入力され、図１乃至図３に関して前述したように独特のデータ構造を有する描画データから所定のレイヤに対応するマスクパターンを表示することができる。
【００４８】
このようにして検図した結果、描画データＤＤに異常が発見された場合には、描画を実行せずにアラームなどを表示するようにしてもよい。または、検図によって異常が発見された場合に、コンピュータ１１によって、描画データを修復し、しかる後に電子線露光を実行するようにしてもよい。
【００４９】
本具体例によれば、描画データの異常などに起因する間違った描画処理を未然に防止し、電子線描画工程の歩留まりやスループットを向上させることができる電子線描画装置を提供できる。
【００５０】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００５１】
例えば、本発明は、マスクの製造のみに限定されるものではなく、半導体集積回路のウェーハ上にレジストを形成した被処理体に電子線描画を行うこともできる。
【００５２】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての検図方法、検図装置、検図プログラム及び電子線描画装置は本発明の範囲に包含される。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、設計からマスク製造までの工程をシームレスに行うことを目的に複数のレイヤを含むパターンデータ、また複数のレイヤに共通して用いられるパターンデータを含むジョブデックを入力した場合でも、個々のフォトマスクの内容を画面に表示し簡便なデータ検証が行うことが可能となる。
【００５４】
その結果として、半導体集積回路などの先端デバイスの高性能化と開発効率の向上と低コスト化を促進でき産業上のメリットは多大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる電子線描画データの検図装置を表すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態において扱う描画データの特徴を説明するための模式図である。
【図３】本発明の実施形態の検図装置において実行される処理を例示するフローチャートである。
【図４】本発明の実施の形態にかかる検図装置の外観を例示する模式図である。
【図５】本発明の実施の形態にかかる電子線描画装置のブロック図である。
【図６】半導体集積回路の製造工程の一部を表すフロー図である。
【図７】従来のレイアウトデータＬＤと描画データＤＤとの関係を例示する模式図である。
【符号の説明】
１  電子線
２  電子銃
３  絞り
４  電子レンズ
５  ブランカ
６  ブランキング制御系
７  偏向制御系
８  偏向器
１１  コンピュータ
１２  位置制御系
１３  モータ制御系
１４  サーボモータ
１５  マスク基板
１６  移動台
１７  レーザ干渉計
２０  描画データ検証部
８０  検図装置
８１  記録再生装置
８２  光ディスクドライブ
８３  磁気記録媒体
８４  光ディスク
８６  磁気テープ
８７  伝送媒体
１００  検図装置
１０６  描画パターン入力部
１０７  描画パターンデータ処理部
１０８  内部データベース
１０９  描画パターン表示部
１１０  画面
２０１〜２０４  描画パターンデータ
２０５  ジョブデックデータ
２０５  描画パターンデータ
ＤＤ、ＤＤＡ、ＤＤＢ、ＤＤＣ  描画データ
ＤＤ１  描画パターンデータ
ＤＤ２  ジョブデックデータ
ＥＬ  電子線描画装置
ＬＤ  レイアウトデータ
Ｍ  マスク
【図１】
2005079114.tif 000003
【図２】
2005079114.tif 000004
【図３】
2005079114.tif 000005
【図４】
2005079114.tif 000006
【図５】
2005079114.tif 000007
【図６】
2005079114.tif 000008
【図７】
2005079114.tif 000009