(57)【要約】【課題】凹部を有する多層膜を容易かつ高い寸法精度で形成し得る成膜方法、かかる方法により成膜された膜、この膜を備える電子部品および電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の成膜方法は、基材５上に、凹部８１ａを有する第１の膜８１を形成する工程と、凹部８１ａ内に、第１の膜８１から突出し、幅に対して高さが高く、かつ、形成する多層膜８の合計の厚さより高さが高いバンク（突起物）７を形成する工程と、第１の膜８１上に、第２の膜８２および第３の膜８３を順次形成する工程と、バンク７を除去する工程とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、液状材料を用いて、多層膜を形成する成膜方法であって、
前記基材上に、凹部を有する第１の膜を形成する工程と、
次いで、前記凹部内に前記第１の膜から突出し、幅に対して高さが高く、かつ、形成する前記多層膜の合計の厚さより高さが高い突起物を形成する工程と、
その後、前記第１の膜上に、少なくとも１層の膜を形成する工程とを有することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記第１の膜上に形成される膜は、２層以上である請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記突起物の幅（平均）をＷ［μｍ］とし、前記突起物の高さ（平均）をＨ［μｍ］としたとき、Ｈ／Ｗが５〜５０なる関係を満足する請求項１または２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記突起物の幅Ｗは、０．０１〜２０μｍである請求項３に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記突起物の高さＨは、１〜１００μｍである請求項３または４に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記第１の膜の厚さ（平均）をＴ［μｍ］としたとき、Ｈ／Ｔが１０〜１０００なる関係を満足する請求項３ないし５のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項７】
前記第１の膜の厚さＴは、１０〜５００ｎｍである請求項６に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記突起物は、棒状または平板状をなしている請求項１ないし７のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項９】
前記突起物の高さ方向に対してほぼ垂直な方向での断面積は、１×１０−４〜１×１０３μｍ２である請求項８に記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記突起物を、液状のレジスト材料を用いて、フォトリソグラフィー法により形成する請求項１ないし９のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１１】
前記液状のレジスト材料は、その粘度（常温）が１００〜５００ｃｐｓである請求項１０に記載の成膜方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の成膜方法により成膜されたことを特徴とする膜。
【請求項１３】
請求項１２に記載の膜を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電子部品を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜方法、膜、電子部品および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、多層膜において、この多層膜を構成する各膜に連続する凹部を形成する場合、一般的には、例えば、特許文献１に記載のような方法が用いられる。
すなわち、この方法は、まず、多層膜上に所定形状の開口を有するマスクを形成し、次に、このマスクを用いてエッチングにより、前記開口より順に不要部分を除去して、凹部を形成する。
ところが、この方法では、エッチングの種類等によっては、形成する凹部の深さが深くなると、凹部の底部付近において、その内面がテーパ形状や、側方へ大きく拡大した形状（特許文献１の図１および図２参照。）となってしまい、寸法精度の高い凹部の形成が困難となる。
【０００３】
【特許文献１】特開平６−６９２３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、凹部を有する多層膜を容易かつ高い寸法精度で形成し得る成膜方法、かかる方法により成膜された膜、この膜を備える電子部品および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の成膜方法は、基材上に、液状材料を用いて、多層膜を形成する成膜方法であって、
前記基材上に、凹部を有する第１の膜を形成する工程と、
次いで、前記凹部内に前記第１の膜から突出し、幅に対して高さが高く、かつ、形成する前記多層膜の合計の厚さより高さが高い突起物を形成する工程と、
その後、前記第１の膜上に、少なくとも１層の膜を形成する工程とを有することを特徴とする。
これにより、凹部を有する多層膜を容易かつ高い寸法精度で形成することができる。
【０００６】
本発明の成膜方法では、前記第１の膜上に形成される膜は、２層以上であることが好ましい。
本発明は、かかる多層膜の成膜への適用に適する。
本発明の成膜方法では、前記突起物の幅（平均）をＷ［μｍ］とし、前記突起物の高さ（平均）をＨ［μｍ］としたとき、Ｈ／Ｗが５〜５０なる関係を満足することが好ましい。
本発明は、かかる形状の突起物を用いた多層膜の成膜への適用に適する。
【０００７】
本発明の成膜方法では、前記突起物の幅Ｗは、０．０１〜２０μｍであることが好ましい。
本発明は、かかる微細な形状の突起物を用いた多層膜の成膜への適用に適する。
本発明の成膜方法では、前記突起物の高さＨは、１〜１００μｍであることが好ましい。
本発明は、かかる微細な形状の突起物を用いた多層膜の成膜への適用に適する。
【０００８】
本発明の成膜方法では、前記第１の膜の厚さ（平均）をＴ［μｍ］としたとき、Ｈ／Ｔが１０〜１０００なる関係を満足することが好ましい。
これにより、突起物形成工程や、多層膜形成工程における突起物の転倒をより確実に防止することができる。
本発明の成膜方法では、前記第１の膜の厚さＴは、１０〜５００ｎｍであることが好ましい。
これにより、突起物の転倒防止効果がより顕著に発揮される。
【０００９】
本発明の成膜方法では、前記突起物は、棒状または平板状をなしていることが好ましい。
本発明は、かかる形状の突起物を用いた多層膜の成膜への適用に適する。
本発明の成膜方法では、前記突起物の高さ方向に対してほぼ垂直な方向での断面積は、１×１０−４〜１×１０３μｍ２であることが好ましい。
本発明は、かかる細長い形状の突起物を用いた多層膜の成膜への適用に適する。
【００１０】
本発明の成膜方法では、前記突起物を、液状のレジスト材料を用いて、フォトリソグラフィー法により形成することが好ましい。
フォトリソグラフィー法によれば、大掛かりな設備を必要とせず、微細な形状の突起物を容易かつ確実に形成することができる。
本発明の成膜方法では、前記液状のレジスト材料は、その粘度（常温）が１００〜５００ｃｐｓであることが好ましい。
これにより、比較的高さの高い突起物を容易かつ確実に形成することができる。
【００１１】
本発明の膜は、本発明の成膜方法により成膜されたことを特徴とする。
これにより、高い寸法精度の凹部を有する多層膜が得られる。
本発明の電子部品は、本発明の膜を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子部品が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子部品を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の成膜方法、膜、電子部品および電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１は、本発明の成膜方法の好適な実施形態を示す断面図である。
本発明の成膜方法は、基材５上に、液状材料を用いて、多層膜（本実施形態では、３層膜）８を形成する方法である。
以下、この多層膜８を、単に「膜８」と言う。
【００１３】
図１に示す成膜方法は、基材５上に、凹部８１ａを有する第１の膜８１を形成する工程と、凹部８１ａ内に、第１の膜８１から突出するバンク（突起物）７を形成する工程と、このバンク７を用いて、第１の膜８１上に、少なくとも１層の膜（本実施形態では、第２の膜８２および第３の膜８３）を順次形成する工程と、バンク７を除去する工程とを有する。以下、各工程について順次説明する。
【００１４】
［第１の膜形成工程］
まず、基材５を用意する。この基材５は、いかなる材料で構成されたものであってもよいが、例えば、石英ガラス、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、各種低誘電率材料（いわゆる、ｌｏｗ−Ｋ材）等の各種絶縁材料（誘電体）や、シリコン（例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコン等）、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ等の導電性材料で構成されたものを用いることができる。
また、基材５は、膜８を形成した後、除去（分離）されるものであってもよく、膜８と一体的に使用されるものであってもよい。
【００１５】
次に、基材５上に、第１の膜８１形成用のバンク６を形成する（図１（ａ）参照。）。このバンク６の形成には、例えば、フォトリソグラフィー法、電解めっき、浸漬めっき、無電解めっき等の湿式めっき法、真空蒸着、スパッタリング、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、イオンプレーティング等の気相成膜法（乾式めっき法）等により形成することができる。
これらの中でも、バンク６の形成には、フォトリソグラフィー法を用いるのが好ましい。フォトリソグラフィー法によれば、大掛かりな設備を必要とせず、微細な形状のバンク６を容易かつ確実に形成することができる。
【００１６】
次に、基材５上に、第１の膜８１形成用の液状材料（以下、「第１の液状材料」と言う。）を供給した後、この第１の液状材料を薄膜化（固化）させる。これにより、基材５上のバンク６が形成された部分以外の部分に、第１の膜８１を形成する（図１（ｂ）参照。）。
第１の液状材料は、少なくとも、形成すべき第１の膜８１の構成材料またはその前駆体（以下、これらを総称して「第１の膜の構成材料」とも言う。）を含む溶液または分散液を用いることができる。
【００１７】
この溶液または分散液の調製に用いる液体としては、例えば、水、メタノール、エタノール、ｎ−またはｉ−プロパノール、ｎ−、ｓ−またはｔ−ブタノールのような単価アルコール類、エチレングリコール、トリメチレングリコールのようなグリコール類（多価アルコール類）、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、アセチルアセトン、イソホロンのようなケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルのようなエステル類、メトキシエタノール、エトキシエタノールのようなエーテルアルコール類、ジオキサン、テトラヒドロフランのようなエーテル類、酸アミド類、芳香族炭化水素類等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１８】
また、第１の液状材料における第１の膜の構成材料の含有量（濃度）は、第１の膜の構成材料等によっても若干異なり、特に限定されないが、１〜４０ｗｔ％程度であるのが好ましく、１０〜３０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
さらに、第１の液状材料の粘度（常温）は、１〜２０ｃｐｓ程度であるのが好ましく、５〜１５ｃｐｓ程度であるのがより好ましい。これにより、第１の液状材料の基材５上への供給をより容易に行うことができる。
【００１９】
第１の液状材料の基材５上への供給方法としては、例えば、ディップコート法、スピンコート法、スリットコート法、キャップコート法、ディスペンサー法、スプレーコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いるのが好適である。塗布法によれば、容易かつ確実に、第１の液状材料を基材５上へ供給することができる。
また、第１の液状材料の薄膜化は、例えば、第１の液状材料が供給された基材５を常温・常圧下に放置する方法、減圧（真空）下に置く方法、基材５上の第１の液状材料に熱処理を施す方法、または、これらのうちの任意の２以上の方法を組み合わせて行うことができる。
【００２０】
基材５上の第１の液状材料に熱処理を施す方法を用いる場合、その加熱の温度（加熱温度）は、第１の液状材料の組成等によっても若干異なり、特に限定されないが、２５〜９００℃程度であるのが好ましく、６０〜５００℃程度であるのがより好ましい。
また、加熱の時間（加熱時間）も、特に限定されず、加熱温度を前記範囲とする場合には、１〜９０分程度であるのが好ましく、２〜６０分程度であるのがより好ましい。
また、加熱の雰囲気は、酸化性雰囲気、還元性雰囲気、不活性雰囲気、真空または減圧状態等、いかなる雰囲気であってもよい。
【００２１】
なお、前記熱処理は、異なる条件で、２回以上に分けて行うものであってもよい。例えば、第１の液状材料中に含まれる液体（溶媒または分散媒）の除去を主目的とする、比較的低温（例えば、２５〜１５０℃程度）での第１の熱処理を行い、その後、非酸化性雰囲気下（不活性雰囲気下）で、焼結を主目的とする、比較的高温（例えば、２００〜５００℃程度）での第２の熱処理を行ってもよい。このように、複数回の熱処理を行うことにより、高温度での熱処理が必要な膜の形成においても、高温によるバンク６の形状変化に伴う第１の膜８１の変形を抑えることができるという効果が得られる。
【００２２】
次に、バンク６を除去する。これにより、第１の膜８１に凹部８１ａが形成される（図１（ｃ）参照。）。
このバンク６の除去は、バンク６の種類に応じて適宜選択すればよく、例えば、酸素プラズマやオゾンによる大気圧下または減圧下でのアッシング、紫外線の照射、Ｎｅ−Ｈｅレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、ルビーレーザー、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ４レーザー、エキシマレーザー等の各種レーザーの照射、バンク６を溶解または分解し得る溶剤との接触（例えば浸漬）等により行うことができる。
【００２３】
例えば、バンク６がフォトリソグラフィー法により形成されたもの、すなわち、レジスト材料で構成されたものである場合、バンク６の除去は、これを溶解または分解し得る溶剤と接触させることにより行うのが好適である。かかる方法によれば、大掛かりな設備を必要とせず、容易にバンク６を除去することができる。
なお、凹部８１ａを有する第１の膜８１の形成方法は、上述したものに限定されず、例えば、第１の膜８１を基材５上に均一に形成した後、凹部８１ａを形成する方法を用いることもできる。
この場合、凹部８１ａは、例えば、レーザー加工等により形成することができる。
【００２４】
［バンク形成工程］
次に、凹部８１ａ内に、第２の膜８２および第３の膜８３形成用のバンク７を形成する。このバンク７は、第１の膜８１から突出し、幅に対して高さが高く、かつ、形成する膜８の合計の厚さより高さが高くなるように形成される（図１（ｄ）参照。）。
ここで、このような形状のバンク７を第１の膜８１ａ内に形成することなく、基材５上に直接形成し、このバンク７を用いて膜８を形成（各膜８１〜８３を順次形成）しようとすると、例えば、バンク７の形成工程や、各膜８１〜８３の形成工程等において、バンク７が転倒し易くなり、膜８を精度よく成膜できない。
【００２５】
これに対して、本発明では、凹部８１ａ内にバンク７を形成することにより、バンク７の基材５側の端部が第１の膜８１に固定され、バンク７の転倒を確実に防止し得る。この結果、膜８を寸法精度よく成膜すること、換言すれば、膜８に寸法制度の高い凹部（スルーホール）８ａを形成することができる。
このバンク７は、前述したバンク６と同様にして形成することができ、また、前述したのと同様の理由から、特に、フォトリソグラフィー法を用いて形成するのが好ましい。
【００２６】
フォトリソグラフィー法を用いる場合、バンク７は、ネガ型またはポジ型のレジスト材料のいずれを用いて形成するようにしてもよい。
また、レジスト材料として液状のものを用いる場合、この液状のレジスト材料（バンク７形成用の液状材料）は、その粘度（常温）が１００〜５００ｃｐｓ程度であるのが好ましく、２００〜４００ｃｐｓ程度であるのがより好ましい。これにより、比較的高さの高いバンク７を容易かつ確実に形成することができる。かかる液状のレジスト材料としては、例えば、東京応化工業社製の「レジストＯＭＲ  ８３−３００ＣＰ」等の市販品を用いることができる。
【００２７】
さて、本発明の成膜方法は、各種条件（寸法、形状）を有するバンク７を用いて行う成膜に適用可能であるが、次のような条件（寸法、形状）のバンク（バンクピラー）７を用いて行う成膜に、好適に適用される。
すなわち、バンク７は、その幅（平均）をＷ［μｍ］とし、その高さ（平均）をＨ［μｍ］としたとき、Ｈ／Ｗが５〜５０なる関係を満足するものが好ましく、１０〜３５なる関係を満足するものがより好ましい。このように、幅に対して高さが高いバンク７は、転倒し易くなる傾向にあるが、本発明によれば、このような形状のバンク７であっても、その転倒を確実に防止しつつ、膜８の成膜を行うことができる。
【００２８】
バンク７の幅Ｗおよび高さＨの具体的な数値は、それぞれ、特に限定されないが、膜８が後述するような電子部品を構成するものである場合、その幅Ｗは、好ましくは０．０１〜２０μｍ程度、より好ましくは０．１〜１０μｍ程度とされ、一方、その高さＨは、好ましくは１〜１００μｍ程度、より好ましくは１０〜５０μｍ程度とされる。本発明によれば、このような微細な形状のバンク７を用いた成膜が可能である。また、本発明によれば、バンク７として微細な形状ものを用いることができるので、膜８に形成される凹部８ａの配設密度の増大や、凹部８ａの微細化を図ることができる。
一方、バンク７は、その形状が棒状または平板状であるものが好ましい。棒状または平板状のバンク７は、特に転倒し易い形状であるが、本発明によれば、このような形状のバンク７であっても、その転倒を確実に防止しつつ、膜８の成膜を行うことができる。
【００２９】
この場合、バンク７の横断面積（高さ方向に対してほぼ垂直な方向での断面積）は、特に限定されないが、膜８が後述するような電子部品を構成するものである場合、１×１０−４〜１×１０３μｍ２程度であるのが好ましく、１×１０−３〜１×１０２μｍ２程度であるのがより好ましい。本発明によれば、このような非常に細長い形状のバンク７を用いた成膜が可能である。また、本発明によれば、バンク７として非常に細長い（背の高い）形状ものを用いることができるので、膜８に形成される凹部８ａの配設密度のさらなる増大や、凹部８ａのさらなる微細化を図ることができる。
また、第１の膜８１の厚さ（平均）をＴ［μｍ］としたとき、第１の膜８１の厚さＴは、バンク７の高さＨとの関係で、Ｈ／Ｔが１０〜１０００なる関係を満足するのが好ましく、１００〜５００なる関係を満足するのがより好ましい。第１の膜８１の厚さＴをこのような範囲に設定することにより、バンク７の転倒をより確実に防止することができる。
【００３０】
第１の膜８１の厚さＴの具体的な値は、特に限定されないが、バンク７の寸法（サイズ）を前記範囲とする場合には、１０〜５００ｎｍ程度であるのが好ましく、８０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。これにより、バンク７の転倒防止効果がより顕著に発揮される。
また、このようなバンク７の表面の少なくとも一部には、撥液処理（特に、撥水処理、疎水化処理）を施すのが好ましい。これにより、形成される膜８が、バンク７との境界部においてメニスカス形状となるのを効果的に防止することができる。
この撥液処理としては、例えば、撥液性材料（撥水性材料）で構成された表面層の形成、バンク７の表面の粗面化処理（ラフネス加工）等が挙げられる。
【００３１】
表面層を形成する場合、その構成材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体等の含フッ素系樹脂、含フッ素系界面活性剤（炭化水素系界面活性剤の疎水基の水素原子をフッ素原子で全部あるいは一部置換したもの）等の含フッ素化合物、アルキル系シランカップリング剤（一般式：Ｙ−ＳｉＸ３［Ｙ：有機官能基全般、特にアルキル基ＣＨ３−（ＣＨ２）ｎ−、Ｘ：加水分解性基（−ＯＲ、−Ｃｌ、−ＮＲ２等）］、含フッ素シランカップリング剤（シランカップリング剤を形成する有機官能基の水素原子をフッ素原子で全部あるいは一部置換したもの。）等のシリコン系化合物等を用いることができる。
これらの中でも、表面層の構成材料としては、含フッ素化合物、シリコン系化合物が好ましい。表面層が含フッ素化合物および／またはシリコン系化合物を含む材料で構成されたものであると、形成される膜８がメニスカス形状となるのをより効果的に防止することができるとともに、バンク７の安定性が特に優れたものとなる。
【００３２】
表面層の形成方法は、特に限定されないが、例えば、真空蒸着、スパッタリング、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、イオンプレーティング等の気相成膜法（乾式めっき法）、表面層の構成材料に対応する前駆体（モノマー、ダイマー、トリマー、オリゴマー、プレポリマー等）をバンク７上で重合反応（特に、プラズマ重合）させる方法等が挙げられる。かかる方法を用いることにより、バンク７と表面層との密着性が特に優れたものとなり、バンク７の信頼性が向上する。
【００３３】
また、プラズマ重合を用いる場合、より詳しくは、以下のような方法により、表面層を形成することができる。すなわち、四フッ化炭素等のフッ素原子を含むガスを大気圧プラズマにより分解して活性なフッ素原子（フッ素単原子）やフッ素イオン（以下、これらを総称して「活性フッ素」とも言う。）を発生させ、この活性フッ素に、バンク７を曝すことによりバンク７上に表面層を形成することができる。
【００３４】
［第２の膜および第３の膜形成工程］
次に、第１の膜８１上に、第２の膜８２および第３の膜８３を順次形成（成膜）する。これにより、第１の膜８１、第２の膜８２および第３の膜８３が積層された膜（本発明の膜）８が得られる（図１（ｅ）参照。）。
第２の膜８２および第３の膜８３は、それぞれ、前記第１の膜８１と同様にして形成することができる。
【００３５】
すなわち、第２の膜８２および第３の膜８３は、第１の膜８１上に、第２の膜８２形成用の液状材料（以下、「第２の液状材料」と言う。）を供給した後、この第２の液状材料を薄膜化（固化）させ、次いで、この第２の膜８２上に、第３の膜８３形成用の液状材料（以下、「第３の液状材料」と言う。）を供給した後、この第３の液状材料を薄膜化（固化）させることにより形成することができる。
第２の液状材料および第３の液状材料の条件（溶媒または分散媒の種類、構成材料の含有量、粘度等）、第１の膜８１上への供給方法、薄膜化の方法およびその条件等は、前記第１の液状材料と同様とすることができる。
【００３６】
［バンク除去工程］
次に、バンク７を除去する。これにより、膜８には、第１の膜８１、第２の膜８２および第３の膜８３に連続する凹部（スルーホール）８ａが形成される。（図１（ｆ）参照。）。
このバンク７は、前述したバンク６と同様にして除去することができ、また、前述したのと同様の理由から、特に、バンク７を溶解または分解し得る溶剤と接触させることにより行うのが好ましい。
【００３７】
なお、本工程は、必要に応じて省略することもできる。すなわち、バンク７は、除去することなく、膜８と一体的に使用されるものであってもよい。
また、本実施形態では、第１の膜８１上に形成される膜が、第２の膜８２と第３の膜８３との２層である場合を代表に説明したが、本発明では、第１の膜８１上に形成（成膜）される膜は、１層であってもよく、３層以上であってもよい。なお、前述したような本発明の効果は、第１の膜８１上に２層以上の膜を形成する場合に、特に顕著に発揮される。
【００３８】
また、各膜８１〜８３の構成材料としては、それぞれ、例えば、各種有機材料、各種無機材料を用いることができるが、各種無機材料を用いるのが好ましい。この場合、前述したように、バンク６およびバンク７を、レジスト材料（有機材料）で構成することにより、バンク６およびバンク７を除去する際に、各膜８１〜８３にダメージを与えることなく、これらの除去を確実に行うことができる。
【００３９】
＜電子部品＞
このような膜８は、例えば、半導体部品、スイッチング素子（薄膜トランジスタ）、多層配線基板、表示パネル、発光素子等の各種電子部品に適用することができる。
図２は、本発明の電子部品を適用した多層積層基板の構成を示す縦断面図である。なお、以下では、図２中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
【００４０】
図２に示す多層配線基板１００は、基板１１０と、基板１１０上に順次設けられた配線層１２０、絶縁層１３０、配線層１４０、絶縁層１５０とを有している。
また、配線層１２０、１４０および絶縁層１３０、１５０には、これらを貫通して、スルーホール１６０が形成されている。
このスルーホール１６０の内面および縁部には、導電層１７０が形成され、この導電層１７０を介して、配線層１２０、１４０が、互いに電気的に接続されている。
また、各配線層１２０、１４０は、それぞれ、導電層１７０を介して外部に接続可能となっている。これらの配線層１２０、１４０は、それぞれ、所定のパターンに形成されている。
【００４１】
基板１１０の構成材料としては、Ｓｉ等の半導体材料が好適に用いられる。
配線層１２０、１４０および導電層１７０の構成材料としては、それぞれ、各種金属材料が好適に用いられる、
また、絶縁層１３０、１５０の構成材料としては、それぞれ、ＳｉＯ２等の無機絶縁材料が好適に用いられる。
【００４２】
このような多層配線基板１００は、本発明の成膜方法を用いて、例えば、次のように製造することができる。
すなわち、まず、基板１１０を用意し、配線層１２０を形成する（図１（ａ）〜（ｃ）に相当）。
次に、この配線層１２０に形成された凹部内に、バンクを形成する（図１（ｄ）に相当）。
【００４３】
次に、配線層１２０上に、絶縁層１３０、配線層１４０および絶縁層１５０を順次形成する（図１（ｅ）に相当）。
次に、バンクを除去する（図１（ｆ）に相当）。これにより、スルーホール１６０が形成される。
次に、スルーホール１６０の内面および縁部に導電層１７０を形成する。これは、例えば、無電解メッキ法を用いることにより好適に行うことができる。
以上の工程を経て、多層配線基板１００が得られる。
【００４４】
＜電子機器＞
本発明の電子部品は、各種電子機器に用いることができる。
図３は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
図４は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
【００４５】
図５は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００４６】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【００４７】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００４８】
なお、本発明の電子機器は、図３のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図４の携帯電話機、図５のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
以上、本発明の成膜方法、膜、電子部品および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の成膜方法の好適な実施形態を示す断面図である。。
【図２】本発明の電子部品を適用した多層積層基板の構成を示す縦断面図である。
【図３】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図４】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５０】
５……基材  ６……バンク  ７……バンク  ８……膜（多層膜）  ８ａ……凹部  ８１……第１の膜  ８１ａ……凹部  ８２……第２の膜  ８３……第３の膜  １００……多層配線基板  １１０……基板  １２０、１４０……配線層  １３０、１５０……絶縁層  １６０……スルーホール  １７０……導電層  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥回路基板  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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