(57)【要約】【課題】 洗浄液の使用量が少なく、基板にダメージを与えることもなく、基板表面の超微細回路に付着した微細なゴミを除去することができる基板洗浄技術を提供する。  【解決手段】 ウエハＷを垂直状態に保持してその一部、好適には、ウエハＷの半分より少し上までを処理液中に浸漬させ、ウエハWをその円周方向へ回転させて、ウエハWの被処理面を処理液中に順次浸漬して洗浄する。この際、処理液Ｌの下方から垂直上方へ向けて高周波を照射することにより、処理液Ｌの液面にキャビテーションによる気泡を多数発生させて、これら気泡が消滅する際に生ずる衝撃力により、ウエハＷの被処理面の洗浄作用を促進させる。【選択図】  図１
2005142309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄液を用いて薄板状の基板を洗浄処理する方法であって、
基板を垂直状態に保持したままその一部を処理液中に浸漬させるとともに、この基板をその円周方向へ回転させて、基板の被処理面を処理液中に順次浸漬して洗浄するようにした
ことを特徴とする基板の洗浄方法。
【請求項２】
前記基板を垂直状態に保持したままその半分より少し上までを前記処理液中に浸漬させる
ことを特徴とする請求項１に記載の基板の洗浄方法。
【請求項３】
前記基板の洗浄中において、基板を上下方向へ揺動させるようにした
ことを特徴とする請求項１または２に記載の基板の洗浄方法。
【請求項４】
前記基板の洗浄中において、前記洗浄液中から大気へ露出した前記基板の被処理面に、処理液を噴射させるようにした
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一つに記載の基板の洗浄方法。
【請求項５】
前記処理液の下方から垂直上方へ向けて高周波を照射することにより、前記処理液の液面にキャビテーションによる気泡を多数発生させて、これら気泡が消滅する際に生ずる衝撃力により、前記基板の被処理面の洗浄作用を促進させるようにした
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一つに記載の基板の洗浄方法。
【請求項６】
洗浄液を用いて薄板状の基板を洗浄処理する洗浄装置であって、
処理液を収容する処理槽と、
この処理槽内において、基板を垂直状態に保持してその円周方向へ回転させる基板保持回転手段とを備えてなり、
この基板保持回転手段により、前記基板がその一部を前記処理槽の処理液に浸漬された状態でその円周方向へ回転され、これにより基板の被処理面が前記処理液中に順次浸漬されて洗浄処理される構成とされている
ことを特徴とする基板の洗浄装置。
【請求項７】
前記処理槽内において、前記基板保持回転手段により、前記基板が垂直状態に保持されたままその半分より少し上までを前記処理液中に浸漬される構成とされている
ことを特徴とする請求項６に記載の基板の洗浄装置。
【請求項８】
前記基板を上下方向に揺動させる揺動手段を備え、
この揺動手段により、前記基板が上下方向へ揺動されながら、前記基板の洗浄処理が行われる構成とされる
ことを特徴とする請求項６または７に記載の基板の洗浄装置。
【請求項９】
前記揺動手段は、前記基板を保持回転する前記基板保持回転手段を上下に揺動させる構成を備えている
ことを特徴とする請求項８に記載の基板の洗浄装置。
【請求項１０】
前記基板保持回転手段は、前記基板の外径エッジの下部を下側から支持回転する回転ローラを備えるとともに、この回転ローラの外形輪郭形状が楕円形とされてなり、
前記回転ローラの回転により、前記基板がその円周方向に回転されながら上下に揺動されて、前記上下揺動手段としての機能を兼ね備えている
ことを特徴とする請求項８に記載の基板の洗浄装置。
【請求項１１】
前記処理槽の上部に、処理液を噴射供給する噴射ノズルが設けられ、
この噴射ノズルにより、処理液中から大気へ露出した前記基板の被処理面に処理液が噴射されながら、前記基板の洗浄処理が行われる構成とされている 
ことを特徴とする請求項６から１０のいずれか一つに記載の基板の洗浄装置。
【請求項１２】
前記処理槽の下部に、高周波を照射する超音波振動子が設けられ、
この超音波振動子により、前記処理液の下方から垂直上方へ向けて高周波が照射されて、前記処理液の液面にキャビテーションによる気泡が多数発生し、これら気泡が消滅する際に生ずる衝撃力により、前記基板の被処理面の洗浄作用が促進される構成とされている
ことを特徴とする請求項６から１１のいずれか一つに記載の基板の洗浄装置。
【請求項１３】
洗浄液を用いて薄板状の基板を洗浄処理する洗浄システムであって、
処理液を収容する処理槽が複数台並列に設置されるとともに、これら洗浄装置に基板を順次搬送投入する搬送ロボットを備えてなり、
前記処理槽内において、基板を垂直状態に保持してその円周方向へ回転させる基板保持回転手段を備え、
この基板保持回転手段により、前記基板がその一部を前記処理槽の処理液に浸漬された状態でその円周方向へ回転され、これにより基板の被処理面が前記処理液中に順次浸漬されて洗浄処理される構成とされている
ことを特徴とする基板の洗浄システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は基板の洗浄方法、洗浄装置および洗浄システムに関し、さらに詳細には、洗浄液を用いて薄板状の半導体基板（以下ウエハと称する）を洗浄処理する基板洗浄技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の基板洗浄技術、例えば洗浄液を用いてウエハを一枚ずつ洗浄処理する枚葉式基板洗浄技術としては、例えば、特許文献１や特許文献２に示すようなスピン洗浄装置がある。
【０００３】
特許文献１に記載のスピン洗浄装置は、水平状態のウエハをスピンチャックでチャッキングして水平方向に回転させるとともに、ウエハ上部に設置された洗浄液供給ノズルからウエハ表面に洗浄液を供給してウエハを洗浄するものである。
【０００４】
また、特許文献２に記載の浸漬式洗浄装置は、ウエハが垂直状態に保持された洗浄槽内に洗浄液を供給してウエハを完全に洗浄液中に浸漬し、洗浄槽の上部から洗浄液をオーバーフローさせるとともに、洗浄槽下部から超音波を照射して洗浄液を振動させ、振動のエネルギーを利用してウエハを洗浄するものである。
【０００５】
ところで、近年のウエハは、その外径寸法が年々拡大されてきており、現在のウエハの主流はその外径が３００ｍｍに達している。一方、このウエハの表面に描かれる回路は逆に年々微細化されてきている。
【０００６】
このような状況下、上記従来の洗浄装置のいずれにおいても、ウエハの大径化に伴って洗浄液の使用量の増加によるランニングコストの上昇が問題となってきている。
【０００７】
また、ウエハ表面の回路の微細化に伴って、これら超微細回路に付着した０．０５ミクロン程度以下のゴミを除去するには、高周波を洗浄液に照射して発振させ、そのエネルギーでもってウエハを洗浄することが有効であることが判明しているところ、前者のスピン洗浄装置においては、物理的に超音波振動子を設置できないし、一方、後者の浸漬式洗浄装置においては、ウエハの外径が大きいため、洗浄液中に浸漬されたウエハの上部まで高周波エネルギーを加えるには超音波振動子に付加する電流を大きくしなければならず、そのためウエハの一部にダメージを与える危険がある。
【０００８】
これらの問題は、ウエハを複数枚まとめて洗浄処理するバッチ式基板洗浄においても共通するものである。
【特許文献１】特開平１０−５６６８号公報
【特許文献２】特許２９８４００７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はかかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、その主たる目的は、洗浄液を用いたウエハ洗浄において、ウエハの大径化にもかかわらず、洗浄液の使用量が少なく、ランニングコストを低く抑えることができるウエハ洗浄技術を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、高周波エネルギーを効率的に利用することにより、ウエハにダメージを与えることなく、ウエハ表面の超微細回路に付着した微細なゴミを除去することができるウエハ洗浄技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この目的を達成するため、本発明のウエハの洗浄方法は、洗浄液を用いて薄板状のウエハを洗浄処理する方法であって、ウエハを垂直状態に保持したままその一部を処理液中に浸漬させるとともに、このウエハをその円周方向へ回転させて、ウエハの被処理面を処理液中に順次浸漬して洗浄するようにしたことを特徴とする。
【００１２】
好適な実施態様として、上記ウエハを垂直状態に保持したままその半分より少し上までを前記処理液中に浸漬させるようにする。また、上記ウエハの洗浄中において、ウエハを上下方向へ揺動させるようにしたり、あるいは、上記洗浄液中から大気へ露出した上記ウエハの被処理面に、処理液を噴射させるようにする。
【００１３】
また、上記処理液の下方から垂直上方へ向けて高周波を照射することにより、上記処理液の液面にキャビテーションによる気泡を多数発生させて、これら気泡が消滅する際に生ずる衝撃力により、上記ウエハの被処理面の洗浄作用を促進させるようにする。
【００１４】
本発明のウエハの洗浄装置は、洗浄液を用いて薄板状のウエハを洗浄処理する洗浄装置であって、処理液を収容する処理槽と、この処理槽内において、ウエハを垂直状態に保持してその円周方向へ回転させる基板保持回転手段とを備えてなり、この基板保持回転手段により、上記ウエハがその一部を前記処理槽の処理液に浸漬された状態でその円周方向へ回転され、これによりウエハの被処理面が上記処理液中に順次浸漬されて洗浄処理される構成とされていることを特徴とする。
【００１５】
好適な実施態様として、上記処理槽内において、上記基板保持回転手段により、上記ウエハが垂直状態に保持されたままその半分より少し上までを上記処理液中に浸漬される構成とされる。また、望ましくは、上記ウエハを上下方向に揺動させる揺動手段を備え、この揺動手段により、前記ウエハが上下方向へ揺動されながら、前記ウエハの洗浄処理が行われる構成とされる。
【００１６】
上記揺動手段は、上記ウエハを保持回転する上記基板保持回転手段を上下に揺動させる構成を備えるほか、上記基板保持回転手段が、上記ウエハの外径エッジの下部を下側から支持回転する回転ローラを備えるとともに、この回転ローラの外形輪郭形状が楕円形とされてなり、上記回転ローラの回転により、上記ウエハがその円周方向に回転されながら上下に揺動されて、上記上下揺動手段としての機能を兼ね備える。
【００１７】
また、好適には、上記処理槽の上部に、処理液を噴射供給する噴射ノズルが設けられ、この噴射ノズルにより、処理液中から大気へ露出した上記ウエハの被処理面に処理液が噴射されながら、前記ウエハの洗浄処理が行われる構成とされる。
【００１８】
さらに、好適には、上記処理槽の下部に、高周波を照射する超音波振動子が設けられ、この超音波振動子により、上記処理液の下方から垂直上方へ向けて高周波が照射されて、上記処理液の液面にキャビテーションによる気泡が多数発生し、これら気泡が消滅する際に生ずる衝撃力により、上記ウエハの被処理面の洗浄作用が促進される構成とされる。
【００１９】
本発明の基板の洗浄システムは、洗浄液を用いて薄板状のウエハを洗浄処理する洗浄システムであって、上記処理槽が複数台並列に設置されるとともに、これら洗浄装置にウエハを順次搬送投入する搬送ロボットを備えてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ウエハを垂直状態に保持したままその一部、好適には、ウエハの半分より少し上までを処理液中に浸漬させるとともに、このウエハをその円周方向へ回転させて、ウエハの被処理面を処理液中に順次浸漬して洗浄するようにしたから、ウエハの大径化にもかかわらず、洗浄液の使用量が少なく、ランニングコストを低く抑えることができる。
【００２１】
また、上記処理液の下方から垂直上方へ向けて高周波（超音波）を照射することにより、高周波（超音波）エネルギーの最も高い上記処理液の液面にキャビテーションによる気泡を多数発生させて、これら気泡が消滅する際に生ずる衝撃力により、上記ウエハの被処理面の洗浄作用を促進させるようにすることで、ウエハ表面に描かれた微細回路のトレンチ内のゴミをも除去することができるとともに、超音波振動子に加える電流を低く抑えることができ、ウエハへのダメージをなくすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００２３】
実施形態１
本発明に係る基板の洗浄装置が図１〜図３に示されている。この基板の洗浄装置１は、具体的には洗浄液を用いてウエハを一枚づつ洗浄処理する枚葉式基板洗浄装置であって、処理液Ｌを収容する処理槽２と、この処理槽２内で、一枚の円板状のウエハＷを保持して回転させる基板保持回転手段３と、ウエハＷを上下方向に揺動させる上下揺動手段４と、上記処理槽２の下部に取り付けられた超音波振動子５と、上記処理槽２の上部に設けられた噴射ノズル６、６とを主要部として備えてなり、上記ウエハＷが処理液Ｌに垂直状態でかつその一部が浸漬されるように構成されている。
【００２４】
処理槽２は、詳細には図示しないが、その下部から導入された処理液Ｌがオーバーフローする構造形態とされており、具体的には、処理液Ｌに浸漬されたウエハＷの真ん中つまり回転中心から少し上側あたりからオーバーフローして、ウエハＷの下半分より少し上までが処理液Ｌ中に浸漬洗浄される構成とされている。
【００２５】
基板保持回転手段３は、一枚のウエハＷの被処理面を垂直状態に保持して、その一部つまり上記のごとく下半分より少し上までを処理液Ｌ中に浸漬させるとともに、ウエハＷをその円周方向へ回転させるものである。図示の実施形態の基板保持回転手段３は、ウエハＷの外径エッジＷａの下部２個所を支持するとともに、ウエハＷに円周方向の回転力を与える一対の回転ローラ７、７と、ウエハＷの外径エッジＷａの上部一箇所を係脱可能に回転支持するサポートローラ８とを備えてなる。これらローラ７、８の外周には、上記ウエハＷの外径エッジＷａを係合保持する保持溝７ａ、８ａが全周にわたって設けられている。
【００２６】
回転ローラ７、７は、図２に示すように、処理槽２の側壁２ａを貫通して図示しない駆動モータにより回転される回転軸９、９に取り付けられている。
【００２７】
サポートローラ８は、揺動アーム１０に固定された支持ピン１１に回転自在に取り付けられ、この揺動アーム１０は、図２に示すように、処理槽２の側壁２ａを貫通して図示しない弾発付勢力を伴う回動機構により回動される揺動軸１２に固定されている。
【００２８】
基板保持回転手段３は、前記上下揺動手段４としての機能を兼ね備えている。すなわち、一対の回転ローラ７、７は、その外形輪郭形状が図１および図３に示すような楕円形とされている。具体的には、回転ローラ７、７の保持溝７ａ、７ａの溝底の描く輪郭形状が図１および図３に示す楕円形と相似の楕円形とされており、両回転ローラ７、７が回転すると、その保持溝７ａ、７ａに沿って支持回転されるウエハＷも溝底の楕円輪郭形状の動きに追従して動くから、ウエハＷは円周方向に回転されながら上下に揺動されることになる。
【００２９】
その際、両回転ローラ７、７の回転動作の位相が合っていれば、ウエハＷは平行に上下動され、逆に位相がずれていれば、ウエハＷは左右に揺動しながら上下動される。図示の実施形態においては、図１および図２に示すように、両回転ローラ７、７の回転動作の位相は９０度ずれて設定されており、ウエハＷは左右に揺動しながら上下動されることになる。
【００３０】
上記のようにウエハＷが上下左右に揺動される際には、サポートローラ８がこのウエハＷの動作に追従して従動され、ウエハＷ上部の外径エッジＷａを上側から常時安定して係合支持し続ける。
【００３１】
超音波振動子５は、処理液ＬによるウエハＷの被処理面の洗浄作用を促進するためのもので、処理槽２の下面に設けられている。具体的には、超音波振動子５は、その一部が処理槽２内の処理液Ｌに接液する状態で、処理槽２下面に取り付けられるとともに、図示しない発振器に電気的に接続されている。
【００３２】
このような超音波振動子５の配置構成は、本発明者の種々の試験研究による技術的発見に基づいている。すなわち、本発明者は、上記発振器により発振された超音波振動子５から高周波（好適には１ＭＨｚ〜４ＭＨｚの超音波）が発せられるところ、この発せられた高周波は、図３に示すように、処理槽２の底部から垂直状態にあるウエハＷと平行に上方へ向けて直進した後、処理液Ｌの液面Ｘつまり処理液と大気との境界面において反射することになるが、このときの高周波エネルギーは上記境界面Ｘ付近が一番高くなっていることを発見した。
【００３３】
そして、この高周波エネルギーが境界面X近辺においてキャビテーションによる気泡を多数発生させ、これらの気泡が破裂消滅する際に生ずる衝撃力により、ウエハＷの被処理面の処理液Ｌによる洗浄作用が促進される。
【００３４】
噴射ノズル６、６は、図２に示すように、処理槽２の上部において、ウエハＷの表面側および裏面側にそれぞれ斜め下向き状態で対向設置されている。
【００３５】
そして、処理液Ｌによる洗浄中において、これら噴射ノズル６、６から処理液Ｌ中から大気へ露出したウエハＷの被処理面に常時処理液が噴射されて、シャワリングが行われる。これにより、ウエハＷの処理液Ｌ中から露出した被処理面が大気に曝されて乾くのを防止され、処理液Ｌによる浸漬洗浄処理が効率的に行われる。
【００３６】
次に、上述したように構成された本発明の洗浄装置１を用いてウエハＷを洗浄処理する工程について詳述する。
【００３７】
(1)  ローダ部において、キャリアカセットから突き上げられた一枚のウエハＷが搬送ロボットでチャッキングされて搬送され、処理液Ｌが収容された処理槽２の上部に運ばれる（図示省略）。
【００３８】
(2)  サポートローラ８が図１の反時計方向に待機位置（図１および図３の二点鎖線位置）まで回動されており、この待機中の処理槽２の処理液Ｌ内に、ウエハＷは、その外径エッジＷａの下部が各々回転ローラ７、７の保持溝７ａ、７ａに接触するまで投入下降される。
【００３９】
(3)  サポートローラ８が図１の時計方向に回動されて、ウエハＷの外径エッジＷａの上部を係合支持する。ウエハＷは、この垂直支持状態において、その一部つまり真ん中（回転中心）より少し上までの被処理面が処理液Ｌに浸漬されている。
【００４０】
(4)  図示しない駆動モータにより回転軸９、９が回転されて、回転ローラ７、７が回転し、これにより、ウエハＷは、その円周方向へ回転されながら上下左右に揺動されて、ウエハWの被処理面が処理液Ｌ中に順次浸漬されて洗浄される。
【００４１】
この場合、処理槽の下部から処理液Ｌが注入され続けており、処理液Ｌは、ウエハＷの真ん中より少し上からオーバーフローされるとともに、噴射ノズル６、６から同じ種類の処理液たとえばアルカリ溶液がウエハＷの被処理面の露出部（液面Ｘより上側部分）に向けて噴射される。
【００４２】
(5)  また、超音波振動子５により高周波（超音波）が発信されて、処理液Ｌ中を上方へ向けて照射されると、この高周波は垂直状態にあるウエハＷと平行に垂直上方へ直進して、液面（処理液と大気との境界面）Xにおいて反射する。その際の高周波エネルギーは、上述したように境界面X付近が一番高く、境界面X近辺においてキャビテーションによる気泡を多数発生させ、これらの気泡が破裂消滅する際に生ずる衝撃力により、ウエハＷの被処理面の洗浄作用が促進される。
【００４３】
(6)  ウエハＷが洗浄レシピに沿った適宜の時間だけ洗浄されると、処理槽２の下部から処理液Ｌが急速に排出されるとともに、噴射ノズル６、６からの処理液の噴射が停止される。
【００４４】
(7)  処理液（アルカリ溶液）Ｌが排出されると、処理槽２の下部より純水が注入されてオーバーフローされるとともに、噴射ノズル６、６から純水が噴射され、ウエハＷの被処理面が適宜の時間リンスされた後、処理槽２下部から純水が急速に排出される。
【００４５】
(8)  処理槽２の下部より、次の処理液Ｌたとえば酸溶液が注入されてウエハＷの真ん中より少し上まで満たされる。
【００４６】
(9)  この処理液Ｌ（酸溶液）を用いて処理工程(4)〜(7)と同様の処理工程が行われる。
【００４７】
(10)  サポートローラ８が再び図１の反時計方向に待機位置（図１および図２の二点鎖線位置）まで回動されて、ウエハＷの外径エッジＷａの上部位置から離間する。
【００４８】
(11)  ウエハＷが搬送ロボットでチャッキングされて、処理槽２の上部から図示しない乾燥装置に移送される。
【００４９】
(12)  乾燥装置で乾燥されたウエハＷは、アンローダ部に運ばれ、キャリアカセットに収納される。
【００５０】
実施形態2
本実施形態は図４に示されており、実施形態１の洗浄装置１が複数個並列に設置されて、スループットを向上させた洗浄システムである。
【００５１】
この洗浄システムは、具体的には、専用の処理液でウエハＷを洗浄処理可能な複数台（図示の場合は６台）の洗浄装置（単機能洗浄装置）１Ａ〜１Ｆと、乾燥装置Ｋとが配列されてなり、ローダ部Ｇでキャリアカセットから搬送ロボット（図示省略）に移し替えられたウエハＷは、この搬送ロボットにより、上記各単機能洗浄装置１Ａ〜１Ｆに順次搬送投入されて、洗浄処理される。
【００５２】
具体的には、
(1)  ローダ部から洗浄装置１Ａに投入して洗浄されるまでは、実施形態１の処理工程(1)〜(7)と同様の処理工程が実施される。この時の処理液は、第１の処理液であるアルカリ溶液（たとえばＡＰＭ）が用いられる。
【００５３】
(2)  洗浄装置１Ａから洗浄装置１ＢにウエハＷが移載され、実施形態１の処理工程(7)と同様に、第２の処理液である純水にてリンスされる。
【００５４】
(3)  洗浄装置１Ｂから洗浄装置１ＣにウエハＷが移載され、第３の処理液であるアルカリ溶液（たとえばＡＰＭ）を用いて、実施形態１の処理工程(4)〜(7)と同様の処理工程にて洗浄処理される。
【００５５】
(4)  洗浄装置１Ｃから洗浄装置１ＤにウエハＷが移載され、処理工程(2)と同様に、第４の処理液である純水にてリンスされる。
【００５６】
(5)  洗浄装置１Ｄから洗浄装置１ＥにウエハＷが移載され、第５の処理液である酸溶液（たとえばＨＰＭ）を用いて、実施形態１の処理工程(4)〜(7)と同様の処理工程にて洗浄処理される。
【００５７】
なお、酸溶液としてＨＦを用いる場合には、ウエハＷ表面に酸化膜が発生しないようにするため、図４に示すように、ウエハＷ全体をＨＦ溶液に浸漬させて処理することが望ましい。
【００５８】
(6)  洗浄装置１Ｅから洗浄装置１ＦにウエハＷが移載され、処理工程(2)と同様に、第６の処理液である純水にて最終リンスされる。
【００５９】
(7)  最後に洗浄装置１Ｆから乾燥装置ＫにウエハＷが移載され、乾燥処理される。具体的には、垂直に把持されたウエハＷが高速でスピンされて液切りされるとともに、噴射ノズルからＮ２ガスがウエハＷに向かって噴射されて乾燥される。
【００６０】
(8)  アンローダ部Ｈにおいて、ウエハＷが順次上記キャリアカセットに再び収納されて次工程へ搬出される。
【００６１】
実施形態３
本実施形態は図５に示されるように、本発明をバッチ式の洗浄装置に応用したものである。この洗浄装置１００は、基本的には実施形態１に示す枚葉式基板洗浄装置１を複数枚（本実施形態においては、１０枚）のウエハを一括して洗浄処理できるように拡大構成したもので、処理液Ｌを収容する処理槽２０と、この処理槽２０内で、複数のウエハW，W，…を保持して回転させる基板保持回転手段３０と、ウエハＷ，Ｗ，…を保持して上下方向に揺動させる上下揺動手段４０と、上記処理槽２０の上部に設けられた噴射ノズル６，６，…とを主要部として備えてなり、上記ウエハＷ，Ｗ，…が処理液Ｌに垂直状態でかつその一部が浸漬されるように構成されている。
【００６２】
処理槽２０は、詳細には図示しないが、実施形態１の処理槽２と同様に、その下部から導入された処理液Ｌがオーバーフローする構造形態とされており、具体的には、処理液Ｌに浸漬されたウエハＷ，Ｗ，…の真ん中つまり回転中心から少し上側あたりからオーバーフローして、ウエハＷ，Ｗ，…の下半分より少し上までが処理液Ｌ中に浸漬洗浄される構成とされている。
【００６３】
基板保持回転手段３０は、１０枚のウエハＷ，Ｗ，…の被処理面を垂直状態に保持して、その一部つまり上記のごとく下半分より少し上までを処理液Ｌ中に浸漬させるとともに、ウエハＷ，Ｗ，…をその円周方向へ回転させるものである。図示の実施形態の基板保持回転手段３０は、実施形態１で用いられたのと同様の一対の回転ローラ７、７とサポートローラ８とのセットがウエハ１０枚分合計１０セット備えられている。
【００６４】
一対の回転ローラ列７、７，７、７，…は、図５に示すように、処理槽２０の左右の側壁２０ａ、２０ａを貫通して図示しない駆動モータにより回転される回転軸９０、９０に取り付けられている。
【００６５】
また、基板保持回転手段３０は、上記上下揺動手段４０としての機能を兼備することは実施形態１と同様である。
【００６６】
サポートローラ列８，８，…は、左右一対の揺動アーム１０、１０に固定された支持ピン１１０に回転自在に取り付けられ、この揺動アーム１０、１０は、図５に示すように、処理槽２０の側壁２０ａ，２０ａを貫通して図示しない弾発付勢力を伴う回動機構により回動される揺動軸１２、１２に固定されている。
【００６７】
超音波振動子５０は、１０枚のウエハＷ，Ｗ，…に高周波エネルギーが照射される平面寸法を備えてなり、その一部が処理槽２０内の処理液Ｌに接液する状態で、処理槽２０下面に取り付けられるとともに、図示しない発振器に電気的に接続されている。
【００６８】
その他の構成およびウエハＷの洗浄処理工程は、扱うウエハ枚数が違うだけで、実施形態１と同様の形態とされるため説明を省略する。
【００６９】
なお、上述した実施形態１〜３はあくまでも本発明の好適な実施態様を示すものであって、本発明はこれに限定されることなくその範囲内で種々の設計変更が可能である。
【００７０】
例えば、本実施形態１〜３に係る基板の洗浄装置では、ウエハＷの外径エッジＷａの上部を支持するサポートローラ８を１カ所に設けているが、これを２カ所設けるようにしても良い。
【００７１】
また、図示の実施形態においては、回転ローラ７、７の形状を楕円形にして、基板保持回転手段３，３０としての機能と上下揺動手段４，４０としての機能を兼ねさせているが、回転ローラ７、７の形状を真円にして基板保持回転手段３，３０とし、この基板保持回転手段３，３０を上下に揺動する機構（上下揺動手段）４，４０を別に設けても良い。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明は、半導体基板、マスク基板等の被処理基板を枚葉式またはバッチ式で洗浄処理するのに利用できる。また、半導体基板のＣＭＰ処理後のスラリー除去や、有機系レジスト剥離にも応用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明に係る実施形態１である枚葉式の基板の洗浄装置を示す正面図である。
【図２】同基板の洗浄装置の右側面図である。
【図３】同基板の洗浄装置における高周波の伝播状態を示す説明図である。
【図４】本発明に係る実施形態２である基板の洗浄システムを示す概略説明図である。
【図５】本発明に係る実施形態３であるバッチ式の基板の洗浄装置を示す概略説明図である。
【符号の説明】
【００７４】
１，１００      洗浄装置
１Ａ〜１Ｆ      単機能洗浄装置
２，２０        処理槽
３，３０        基板保持回転手段
４，４０        上下揺動手段
５，５０        超音波振動子
６              噴射ノズル
７              回転ローラ（楕円ローラ）
８              サポートローラ
９，９０        回転軸
１０            揺動アーム
１１，１１０    支持ピン
１２            揺動軸
Ｗ             ウエハ（半導体基板）
Ｌ             処理液
Ｘ             処理液の液面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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