(57)【要約】【課題】  新たな工程を付加することなく確実に配線電極間のマイグレーションを防止する。【解決手段】  互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも２本の配線電極２Ａ，２Ｂを有する配線パターン２が絶縁性の基板１上に形成されており、この２本の配線電極２Ａ，２Ｂのうち少なくとも高電位側の配線電極２Ａにマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれており、近接した配線電極２Ａと配線電極２Ｂとの間のマイグレーションを防止するために、２本の配線電極２Ａ，２Ｂの間に、マイグレーションが生じ易い金属元素が含まれない導電材料からなり、高電位側の配線電極２Ａと同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターン３が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも２本の配線電極を有する配線パターンが絶縁性の基板上に形成され、前記２本の配線電極のうち少なくとも高電位側の配線電極にマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている配線基板であって、
前記２本の配線電極の間に、前記マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなり、前記高電位側の配線電極と同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターンが形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記導電性パターンは、前記高電位側の配線電極に沿って形成され、該高電位側の配線電極に少なくとも１箇所で接続されていることを特徴とする請求項１に記載された配線基板。
【請求項３】
前記導電性パターンは、前記高電位側の配線電極に沿って独立して形成され、該高電位側の配線電極以上の電位状態になるように電圧印加がなされていることを特徴とする請求項１に記載された配線基板。
【請求項４】
前記高電位側の配線電極は、前記導電性パターンと同材料で形成された下地パターン上に前記金属元素が含まれている導電材料が被覆されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載された配線基板。
【請求項５】
前記金属元素は、銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），錫（Ｓｎ），鉛（Ｐｂ）のいずれかであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載された配線基板。
【請求項６】
前記金属元素が含まれている導電材料には銀パラジウム（ＡｇＰｄ）合金が含まれていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載された配線基板。
【請求項７】
互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも２本の配線電極を有する配線パターンが絶縁性の基板上に形成され、前記２本の配線電極のうち少なくとも高電位側の配線電極にマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている配線パターンの形成方法であって、
前記配線電極として前記マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなる下地パターンを形成すると共に、該下地パターンと同材料で、前記２本の配線電極間に、前記高電位側の配線電極と同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターンを形成する工程と、
前記下地パターン上を前記金属元素が含まれる導電材料によって選択的に被覆する工程とを有することを特徴とする配線パターンの形成方法。
【請求項８】
前記導電性パターンは、前記高電位側の配線電極に沿って形成され、前記高電位側の配線電極における下地パターンと少なくとも１箇所で接続されていることを特徴とする請求項７に記載された配線パターンの形成方法。
【請求項９】
前記導電性パターンと前記下地パターンとは、単一被膜に対して施される一工程のパターン形成工程によって同時に形成されることを特徴とする請求項７又は８に記載された配線パターンの形成方法。
【請求項１０】
第１電極と第２電極との間に有機発光機能層を含む有機材料層を挟持して基板上に複数の有機ＥＬ素子を形成し、前記第１電極から引き出された配線パターンと前記第２電極から引き出された配線パターンとを前記基板上に形成した有機ＥＬパネルであって、
前記配線パターンにおいて、互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも２本の配線電極が形成され、前記２本の配線電極のうち少なくとも高電位側の配線電極にはマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれており、
前記２本の配線電極の間に、前記マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなり、前記高電位側の配線電極と同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターンが形成されていることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項１１】
前記２本の配線電極は、一方が前記第１電極から引き出された配線パターンの一つであり、他方が前記第２電極から引き出された配線パターンの一つであることを特徴とする請求項１０に記載された有機ＥＬパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、配線パターンの形成方法、有機ＥＬパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器或いは電子部品の小型化及び高性能化の要求に応じるために配線の高密度化，低抵抗化が進められているが、これに合わせてマイグレーション（migration）による性能低下や故障の問題が顕在化してきた。ここでいうマイグレーションとは、配線電極を形成する金属が隣接する配線電極間に形成される電界によって絶縁基板の表面又は内部を経時的に移行する現象をいい、各種の条件にもよるが、通常は配線電極間が高電界である（配線電極間の電位差が大きく、配線電極間の距離が短い）程発生し易く、また、配線電極を低抵抗にするために銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），錫（Ｓｎ），鉛（Ｐｂ）等の金属またはこれらの金属を含む合金を電極材料として用いる場合に発生し易くなる。したがって、配線の高密度化と低抵抗化（高性能化）を進める際に、マイグレーションの防止は避けて通れない重要な課題になっている。
【０００３】
そして、高精細な画像表示を目標に開発が進められているディスプレイ装置にあっては、各画素を駆動するために引き出された配線電極が高密度化の傾向にあり、特に、駆動電流の大小によって発光特性が変化してしまい表示性能に大きな影響を与えてしまう有機ＥＬパネルにおいては、配線電極の低抵抗化の要求が高くなっている。したがって、高精細且つ高画質の有機ＥＬパネルを形成するには、マイグレーションを生じ易い低抵抗の材料を用いて、高密度に配線電極を形成する必要があり、前述したマイグレーションの防止は重要な課題になっている。
【０００４】
マイグレーションの防止策としては各種の提案が為されている。例えば下記特許文献１，２においては、配線基板の上面に、銀、アルミニウム或いはこれらの金属の合金を含む複数個の配線導体を間に１０μｍ〜１００μｍの間隔を空けて並設すると共に、これら配線導体をエポキシ樹脂を主成分とする保護層で共通に被覆し、この保護層の中に０．５μｍ〜５．０μｍの特定樹脂フィラーを特定配分で含有させることが開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２３７５２３号公報
【０００６】
【特許文献２】特開２００１−３３９１４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述した従来技術によると、配線電極を保護層で覆うものであるから、保護層を形成する工程が新たに付加されることになり、生産性の面で問題がある。また、保護層内で特定樹脂フィラーを特定配分で含有させる必要があるので、保護層の形成自体が煩雑であると同時にコスト高になってしまうという問題がある。
【０００８】
更には、保護層によって配線電極間のマイグレーションを防止するには、各配線電極の側面を含む全体を完全に保護層で覆わなければならないが、現実的には高密度化された配線を保護層によって完全に覆うことは困難であり、これを実現しようとすると、保護層形成時における樹脂の粘性等の物理的性質を適正に調整することが必要になるなどの煩雑さが加わることになる。また、配線間隔が１０μｍより更に小さい超高密度配線を対象とする場合には、その困難さが更に増すことになるので、保護層によるマイグレーション防止策は有効な対策にならないという問題がある。
【０００９】
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、保護層を形成する新たな工程を付加することなく確実に配線電極間のマイグレーションを防止すること、また、配線間隔が更に近接した場合にも効果的にマイグレーションを防止できること、更にはマイグレーションの防止によって有機ＥＬパネル等のディスプレイ装置の高性能化を達成できること等が本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的を達成するために、本発明による配線基板、配線パターンの形成方法、有機ＥＬパネルは、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
【００１１】
［請求項１］互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも２本の配線電極を有する配線パターンが絶縁性の基板上に形成され、前記２本の配線電極のうち少なくとも高電位側の配線電極にマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている配線基板であって、前記２本の配線電極の間に、前記マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなり、前記高電位側の配線電極と同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターンが形成されていることを特徴とする配線基板。
【００１２】
［請求項７］互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも２本の配線電極を有する配線パターンが絶縁性の基板上に形成され、前記２本の配線電極のうち少なくとも高電位側の配線電極にマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている配線パターンの形成方法であって、前記配線電極として前記マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなる下地パターンを形成すると共に、該下地パターンと同材料で、前記２本の配線電極間に、前記高電位側の配線電極と同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターンを形成する工程と、前記下地パターン上を前記金属元素が含まれる導電材料によって選択的に被覆する工程とを有することを特徴とする配線パターンの形成方法。
【００１３】
［請求項１０］第１電極と第２電極との間に有機発光機能層を含む有機材料層を挟持して基板上に複数の有機ＥＬ素子を形成し、前記第１電極から引き出された配線パターンと前記第２電極から引き出された配線パターンとを前記基板上に形成した有機ＥＬパネルであって、前記配線パターンにおいて、互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも２本の配線電極が形成され、前記２本の配線電極のうち少なくとも高電位側の配線電極にはマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれており、前記２本の配線電極の間に、前記マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなり、前記高電位側の配線電極と同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターンが形成されていることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１及び図３の（ａ）は本発明の一実施形態に係る配線基板の要部構成を示す説明図であり、これらの図の（ｂ）はその電位状態を示す線図である。本実施形態の配線基板としては、互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも２本の配線電極２Ａ，２Ｂを有する配線パターン２が絶縁性の基板１上に形成されており、この２本の配線電極２Ａ，２Ｂのうち少なくとも高電位側の配線電極２Ａにマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれていることが前提になる。
【００１５】
そして、本発明の実施形態では、近接した配線電極２Ａと配線電極２Ｂとの間のマイグレーションを防止するために、２本の配線電極２Ａ，２Ｂの間に、マイグレーションが生じ易い金属元素が含まれない導電材料からなり、高電位側の配線電極２Ａと同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターン３が形成されている。
【００１６】
これによると、高電位側の配線電極２Ａの周囲に生じるマイグレーションを生じ易い金属元素の金属イオン（図では銀イオンＡｇ＋を示している。）が、電位差のある配線電極２Ａ，２Ｂ間に形成される電界勾配ａの上に乗らない状況を形成できる。これによって、金属イオンの移行を防ぎ、マイグレーションの発生を根本的に防止することができる。
【００１７】
なお、ここでいう電位状態とは、配線電極２Ａ，２Ｂ或いは導電性パターン３に印加される定常的な電圧による電位状態を指すだけでなく、これらに印加される電圧の時間的な平均によって表される相対的な電位状態を指すものとする。したがって、各配線電極２Ａ，２Ｂへ各種の信号が供給された場合に瞬間的に前述した電位状態の関係が崩れるものであっても、時間的な平均によって前述した電位状態の関係が保たれるものであれば本発明の実施形態に成りうる。
【００１８】
これに対して、図２は、このような導電性パターン３を形成していない配線基板の例を示している。この場合には、多少配線電極２Ａ，２Ｂ間の間隔を空けたとしても、配線電極２Ａの周囲に生じる金属イオンが配線電極２Ａ，２Ｂ間に形成される電界勾配ａの上に乗ってしまうことになり、この電界勾配ａによって経時的に金属イオンの移動が生じ、その後、移動した金属イオンが析出して両電極間を導通することになる。このように本発明の実施形態に係る前提の状態で前述した導電性パターン３を形成しない場合には、多少配線電極の間隔を拡げたとしても、時間の問題でマイグレーションによる電極間の短絡不具合が起こることになる。
【００１９】
図１及び図３の実施形態を個々に詳しく説明すると、図１の実施形態では、導電性パターン３は、高電位側の配線電極２Ａに沿って形成され、この配線電極２Ａに少なくとも１箇所、好ましくは複数箇所で接続されている。図示では２箇所で接続している状態が示されているが、これに限らず２箇所以上で接続しても良い。また接続箇所は配線電極の端部付近や中間付近等で接続していればよい。特に配線電極の幅に対して配線方向に長い電極の場合には、端部付近と中間付近で複数の接続箇所を作ることで以下に示す作用を効果的に得ることができる。
【００２０】
この実施形態の作用を説明すると、配線電極２Ａに沿って形成された導電性パターン３が配線電極２Ａに少なくとも１箇所で接続されることによって、導電性パターン３と配線電極２Ａは常に同電位になるので、配線電極２Ａから導電性パターン３が形成された箇所間に電位がフラットな状態が形成されることになる。これによって、配線電極２Ａの周辺に生じた金属イオンが電界勾配ａに乗ることがなく、配線電極２Ａから配線電極２Ｂに向かう金属イオンの移行を防止することができる。
【００２１】
図３の実施形態では、導電性パターン３は、高電位側の配線電極２Ａに沿って独立して形成され、この配線電極２Ａより高い電位状態になるように電圧Ｖ０が印加されている。
【００２２】
この実施形態によると、電圧Ｖ０が印加された導電性パターン３の存在によって、配線電極２Ａから導電性パターン３が形成された箇所間に配線電極Ｂに向かう勾配とは逆勾配の電界勾配ｂが形成されることになる。これによって、配線電極２Ａの周辺に生じた金属イオンは寧ろ配線電極２Ａ側に戻されることになり、この金属イオンが電界勾配ａに乗ることはなく、配線電極２Ａから配線電極２Ｂに向かう金属イオンの移行を防止することができる。
【００２３】
前述した各実施形態において、少なくとも高電位側の配線電極２Ａは、マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれていることが前提になるが、その金属元素が含まれる状態はどのような状態であっても良い。例えば、配線電極２Ａ全体にその金属元素が含まれる状態であっても良いし、或いは、下地パターンを形成してその上に前述の金属元素が含まれている導電材料が被覆されている状態であっても良い。後者の場合には、下地パターンを導電性パターン３と同材料で形成することで、下地パターンと導電性パターン３を同工程で形成することが可能になり、これによると既存配線パターンの形成に特に工程を付加することなく導電性パターン３を形成することができる。
【００２４】
前述したマイグレーションを生じ易い金属元素としては、前述した銀（Ａｇ）の他に、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）等を挙げることができる。前述した実施形態においては、これらのいずれかを選択して採用することができる。特に、低抵抗の配線電極を形成するためにしばしば用いられている銀パラジウム（ＡｇＰｄ）合金を、前述の金属元素が含まれている実用的な導電材料として挙げることができる。
【００２５】
次に、このような実施形態に係る配線基板上に形成される配線パターンの形成方法の一例を説明する。図４は、その各工程を示す説明図であるが、図１の実施形態におけるＸ−Ｘ断面図に対応した図を示している。
【００２６】
この実施形態では、互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも２本の配線電極２Ａ，２Ｂを有する配線パターン２が絶縁性の基板１上に形成され、２本の配線電極２Ａ，２Ｂのうち少なくとも高電位側の配線電極２Ａにマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている配線パターンを形成する方法が前提になっている。そして、配線電極２Ａとしてマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなる下地パターン２ａ１を形成すると共に、下地パターン２ａ１と同材料で、２本の配線電極２Ａ，２Ｂ間に、配線電極２Ａと同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターン３を形成する工程（同図（ａ）及び同図（ｂ）参照）と、下地パターン２ａ１上を前記金属元素が含まれる導電材料によって選択的に被覆する工程（同図（ｃ）参照）とを有するものである。
【００２７】
各工程に沿って更に詳しく説明する。先ず、図４（ａ）に示すように基板１上に導電性材料からなる単一被膜２ａが形成される。この被膜２ａは、マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電材料からなるものであって、材料に応じて蒸着，スパッタリング等の各種成膜技術によって成膜される。
【００２８】
次に、同図（ｂ）に示すように、被膜２ａに対して配線電極２Ａ，２Ｂを含む配線パターン２及び導電性パターン３に応じたパターン形成がなされる。この工程としては、周知のフォトリソグラフィーを用いた微細パターン形成工程を採用することができる。また、比較的間隔が広いパターンを形成する場合には、必要なパターンを有するマスクを介した成膜によって、同図（ａ）の工程を省いたパターン形成を行うこともできる。このような工程によると、下地パターン２ａ１、導電性パターン３、配線電極２Ｂの配線パターンを単一の工程で同時に形成することができる。なお、図１の実施形態に対応する場合には、導電性パターン３は、配線電極２Ａに沿って形成され、配線電極２Ａにおける下地パターン２ａ１と少なくとも１箇所、好ましくは複数箇所で接続されたパターンに形成されることになる。
【００２９】
その後は、同図（ｃ）に示すように、下地パターン２ａ１上にマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれる導電材料を選択的に被覆して被覆層２ａ２を形成する。この被覆層２ａ２によって、配線電極２Ａ或いはその他の配線パターン２を低抵抗の配線にすることができる。
【００３０】
このような実施形態の形成方法によると、マイグレーションを防止するために形成される導電性パターン３を、他の配線パターンを形成する工程の中に含めて同工程で形成することができるので、別工程が付加されること無く、マイグレーション防止を図った配線基板を形成することができる。また、従前から下地パターン２ａ１上に被覆層２ａ２を形成して低抵抗の配線パターンを形成していた場合には、配線パターンにおける材料や基本的な構造を変えることなく、パターン形成の設計を若干変更するだけで、マイグレーション防止に有効な導電性パターン３を形成することができる。したがって、格別なコストアップ無しに有効なマイグレーション対策が実行可能である。
【実施例】
【００３１】
以下に、本発明の実施例として、前述した実施形態に係る配線基板又は配線パターンの形成方法が適用される有機ＥＬパネルについて説明する。しかしながら、本発明の実施形態に係る配線基板又は配線パターンの形成方法は、以下の説明に限定されるものではなく、他の配線電極部分、或いは他の電子機器や電子部品にも適用可能であることは言うまでもない。
【００３２】
図５及び図６は、本発明の実施例に係る有機ＥＬパネルを説明する説明図（断面図）である。図５は図６におけるＸ２−Ｘ２断面図を示しており、図６は図５におけるＸ１−Ｘ１断面図を示している。
【００３３】
図において、有機ＥＬパネル１０の基本構成は、第１電極２１と第２電極２２との間に有機発光機能層を含む有機材料層２３を挟持して基板１１上に複数の有機ＥＬ素子２０を形成したものである。図示の例では、基板１１上にシリコン被覆層１１ａを形成しており、その上に形成される第１電極２１をＩＴＯ等の透明電極からなる陽極に設定し、第２電極２２をＡｌ等の金属材料からなる陰極に設定して、基板１１側から光を取り出すボトムエミッション方式を構成している。また、有機材料層２３としては、正孔輸送層２３Ａ，発光層２３Ｂ，電子輸送層２３Ｃの３層構造の例を示している。そして、基板１１と封止部材３０とを接着層３１を介して貼り合わせることによって基板１１上に封止空間３０Ｓを形成し、封止空間３０Ｓ内に有機ＥＬ素子２０からなる表示部を形成している。
【００３４】
有機ＥＬ素子２０からなる表示部は、図示の例では、第１電極２１を絶縁層２４で区画すると共に、第２電極２２を陰極隔壁２５によって絶縁区画しており、区画された第１電極２１の下に各有機ＥＬ素子２０による単位表示領域（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）を形成している。また、封止空間３０Ｓを形成する封止部材３０の内面には乾燥手段３２が取り付けられて、湿気による有機ＥＬ素子２０の劣化を防止している。
【００３５】
そして、図５は陰極となる第２電極２２の引出配線部を示している。第２電極２２の引出配線部には、第１電極２１と同材料，同工程で形成される下地パターン１２ａ１が第１電極２１とは絶縁層２４で絶縁された状態でパターン形成されている。この下地パターン１２ａ１の引出部分には、配線の低抵抗化を図るために、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）合金等を含む低抵抗の導電材料（マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている導電材料）からなる被覆層１２ａ２が形成されており、更にその上に必要に応じてＩＺＯ等の保護被膜１２ａ３が形成されて、下地パターン１２ａ１，被覆層１２ａ２，保護被膜１２ａ３によって配線電極１２ａが形成されている。そして、その封止空間３０Ｓ内端部に第２電極２２の端部２２ａが接続されている。
【００３６】
一方、図６は陽極となる第１電極２１の引出配線部を示している。第１電極２１の引出配線部では、第１電極２１を延出して封止空間外に引き出すことによって配線電極１２ｂを形成している。
【００３７】
図７は、このような有機ＥＬパネル１０の配線電極の配線パターンを示す説明図（平面図）である。陽極を形成する第１電極２１，陰極を形成する第２電極２２のそれぞれから引き出された配線電極１２ｂ，１２ａは、そのまま延出すると互いに直交する方向に引き出されることになるが、図示のように、一方を屈曲させて有機ＥＬパネル１０の同一辺側に全ての配線電極１２ａ，１２ｂを向けるように配線パターンを設計するケースが多くなっている（図において、Ｐが陽極側の配線パターン領域、Ｎ１，Ｎ２が陰極側の配線パターン領域）。このような配線パターンを形成することで、フレキシブル回路基板等の回路基板と接続する接続領域４０を一箇所に形成することが可能になり、一回の接続工程（一般には、異方性導電膜を介した熱圧着工程等によってなされる）で陽極側と陰極側の接続を同時に行うことができるようになる。また、接続される回路基板の形態自体も一つの基板で形成できるようになる。
【００３８】
しかしながら、このような配線パターンを形成することによって、図示のＡ１部及びＡ２部の中央部分で、陽極側の配線電極と陰極側の配線電極が互いに近接配置されることになる。ここで陰極側の配線電極は、表示部の駆動上、殆どの時間が逆バイアス電圧の印加状態にあり、各配線の走査時のみ接地電位側に電位を落とすことがなされるので、時間平均でみると陽極側よりは相対的に高い電位状態になっている。一方、陽極側の配線電極は、常時は接地電位側に電位状態が落とされており、信号印加時のみ高電位側に電圧印加がなされるので、時間平均でみると陰極側よりは相対的に低い電位状態になっている。
【００３９】
また、高電位側の配線電極になる陰極側の配線電極には、前述したように銀パラジウム（ＡｇＰｄ）合金等を含む低抵抗の導電材料（マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている導電材料）からなる被覆層１２ａ２が形成されているので、図８（Ａ１部拡大図）に示すように、有機ＥＬパネル１０の基板１１上のＡ１，Ａ２部の中央部では、互いに近接し互いに異なる電位状態となる２本の配線電極１２Ａ，１２Ｂが絶縁性の基板１１上に形成され、高電位側の配線電極１２Ａにマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている配線基板（本発明の前提構成）が形成されていることになる。
【００４０】
そして、本発明の実施例に係る有機ＥＬパネル１０においては、図８に示すように、２本の配線電極１２Ａ，１２Ｂ間に、マイグレーションを生じ易い金属が含まれない導電性材料からなり、高電位側の配線電極１２Ａと同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターン１３を形成している。
【００４１】
導電性パターン１３の詳細については、図示の実施例では前述した図１或いは図４の実施形態を適用したものであり、配線電極１２Ａに沿って形成されたパターン部分１３ａと配線電極１２Ａの下地パターン１２ａ１との接続を図るパターン部分１３ｂとからなるものである。導電性パターン１３の形成は図４に示したように、配線電極１２Ａの下地パターン１２ａ１と同材料，同工程で形成することができる。ここでは、導電性パターン１３として図１に示した実施形態を適用したが、図３に示した実施形態を同様に適用することもできる。
【００４２】
このような本発明の実施例に係る有機ＥＬパネル１０によると、陰極側から引き出された配線電極１２Ａと陽極側から引き出された配線電極１２Ｂが近接配置され、陰極側の配線電極１２Ａの低抵抗化を図るためにマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれる導電材料を用いたとしても、配線電極１２Ａの周囲に生じた金属イオン（銀イオンＡｇ＋）が配線電極１２Ｂに向かう電界勾配の上に乗ることがないので、金属イオンが配線電極１２Ｂ側へ移行することを防止することができる。これによって、マイグレーションによる陰陽極間の短絡或いは配線電極を流れる電流の変動等の不具合を未然に回避することができる。
【００４３】
以下、本発明の実施例に係る有機ＥＬパネル１０の各構成要素について、更に具体的な構成を示す。
【００４４】
ａ．基板；
有機ＥＬパネル１０の基板１１としては、透明性を有する平板状、フィルム状のものが好ましく、材質としてはガラス又はプラスチック等を用いることができる。
【００４５】
ｂ．電極；
前述の実施例では、第１電極２１を陽極、第２電極２２を陰極として、第１電極２１側から正孔輸送層２３Ａ，発光層２３Ｂ，電子輸送層２３Ｃを積層させているが、本質的には、第１電極２１，第２電極２２のどちらを陰極又は陽極に設定しても構わない。電極材料としては、陽極は陰極より仕事関数の高い材料で構成され、クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），ニッケル（Ｎｉ），白金（Ｐｔ）等の金属膜やＩＴＯ，ＩＺＯ等の酸化金属膜等の透明導電膜が用いられる。逆に陰極は陽極より仕事関数の低い材料で構成され、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ）等の金属膜、ドープされたポリアニリンやドープされたポリフェニレンビニレン等の非晶質半導体、Ｃｒ２Ｏ３，ＮｉＯ，Ｍｎ２Ｏ５等の酸化物を使用できる。また、第１電極２１，第２電極２２ともに透明な材料により構成した場合には、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設けた構成にする。
【００４６】
ｃ．有機材料層；
有機材料層２３は、前述した実施例のように、正孔輸送層２３Ａ，発光層２３Ｂ，電子輸送層２３Ｃの組み合わせが一般的であるが、正孔輸送層２３Ａ，発光層２３Ｂ，電子輸送層２３Ｃはそれぞれ１層だけでなく複数層積層して設けても良く、正孔輸送層２３Ａ，電子輸送層１２３Ｃについてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略しても構わない。また、正孔注入層，電子注入層等の有機材料層を用途に応じて挿入することも可能である。正孔輸送層２３Ａ，発光層２３Ｂ，電子輸送層２３Ｃは従来の使用されている材料（高分子材料、低分子材料を問わない）を適宜選択可能である。
【００４７】
また、発光層２３Ｂを形成する発光材料としては、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）を呈するもの、三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（りん光）を呈するもののいずれであっても構わない。
【００４８】
ｄ．封止部材；
有機ＥＬパネル１０において、有機ＥＬ素子２０を気密に封止するための封止部材３０としては、金属製，ガラス製，プラスチック製等による板状部材又は容器状部材を用いることができる。ガラス製の封止基板にプレス成形，エッチング，ブラスト処理等の加工によって封止用凹部（一段掘り込み、二段掘り込みを問わない）を形成したものを用いることもできるし、或いは平板ガラスを使用してガラス（プラスチックでも良い）製のスペーサにより基板１１との間に封止空間３０Ｓを形成することもできる。
【００４９】
ｅ．接着層；
有機ＥＬパネル１０における接着層３１を形成する接着剤は、熱硬化型，化学硬化型（２液混合），光（紫外線）硬化型等を使用することができ、材料としてアクリル樹脂，エポキシ樹脂，ポリエステル，ポリオレフィン等を用いることができる。特には、加熱処理を要さず即硬化性の高い紫外線硬化型のエポキシ樹脂製接着剤の使用が好ましい。
【００５０】
ｆ．乾燥手段；
乾燥手段３２は、ゼオライト，シリカゲル，カーボン，カーボンナノチューブ等の物理的乾燥剤、アルカリ金属酸化物，金属ハロゲン化物，過酸化塩素等の化学的乾燥剤、有機金属錯体をトルエン，キシレン，脂肪族有機溶剤等の石油系溶媒に溶解した乾燥剤、乾燥剤粒子を透明性を有するポリエチレン，ポリイソプレン，ポリビニルシンナエート等のバインダに分散させた乾燥剤により形成することができる。
【００５１】
ｇ．有機ＥＬ表示パネルの各種方式等；
本発明の実施例となる有機ＥＬパネルとしては、本発明の要旨を逸脱しない範囲で各種の設計変更が可能である。例えば、有機ＥＬ素子の発光形態は、前述した実施例のように基板１１側から光を取り出すボトムエミッション方式でも、基板１１とは逆側から光を取り出すトップエミッション方式でも構わない。また、本発明の実施例に係る有機ＥＬパネル１０は単色表示であっても複数色表示であっても良く、複数色表示を実現するためには、塗り分け方式を含むことは勿論のこと、白色や青色等の単色の発光機能層にカラーフィルタや蛍光材料による色変換層を組み合わせた方式（ＣＦ方式、ＣＣＭ方式）、単色の発光機能層の発光エリアに電磁波を照射する等して複数発光を実現する方式（フォトブリーチング方式）、２色以上の単位表示領域を縦に積層し一つの単位表示領域を形成した方式（ＳＯＬＥＤ(transparent Stacked OLED)方式）等を採用することができる。
【００５２】
本発明の各実施形態又は実施例の特徴をまとめると以下の通りである（以下の符号は、図１〜図８の各図に対応している。）。
【００５３】
一つには、互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも２本の配線電極２Ａ，２Ｂ（１２Ａ，１２Ｂ）を有する配線パターンが絶縁性の基板１（１１）上に形成され、前記２本の配線電極のうち少なくとも高電位側の配線電極２Ａ（１２Ａ）にマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている配線基板を前提として、２本の配線電極２Ａ，２Ｂ（１２Ａ，１２Ｂ）の間に、マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなり、高電位側の配線電極２Ａ（１２Ａ）と同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターン３（１３）が形成されていることを特徴としている。
【００５４】
これによると、マイグレーションを生じ易い金属元素を含む導電材料は一般に低抵抗であるから、高電位側の配線電極２Ａ（１２Ａ）の抵抗を下げて配線の導電性を向上させることができ、また、導電性パターン３（１３）の存在によってマイグレーションを防止することができるので、異なる電位状態となる２本の配線電極２Ａ，２Ｂ間を近接配置して配線パターンの高密度化を図った場合にも短絡等の不具合を回避することができる。
【００５５】
また一つには、前述した配線基板において、導電性パターン３（１３）は、高電位側の配線電極２Ａ（１２Ａ）に沿って形成され、配線電極２Ａ（１２Ａ）に少なくとも１箇所、好ましくは複数箇所で接続されていることを特徴とする。これによると、導電性パターン３と高電位側の配線電極２Ａとを接続することによって同電位にすることができ、これにより高電位側の配線電極２Ａの近くで低電位側に向けた電界勾配を作らないので、マイグレーションの発生を防止することができる。また、配線電極２Ａ（１２Ａ）と複数箇所で接続することで、配線電極２Ａ（１２Ａ）の全域でマイグレーションの発生を防止することができ、長尺な配線電極２Ａ（１２Ａ）に対しても、確実に導電性パターン３（１３）の電位を配線電極２Ａと同電位にすることができる。また、導電性パターン３（１３）を配線電極２Ａと一箇所のみで接続した場合には、終端がフリーなパターンになってノイズを拾ったり、或いは逆に不要輻射が増大する可能性があるが、複数箇所の接続によってこのような不具合が生じない。
【００５６】
また一つには、前述した配線基板において、導電性パターン３（１３Ａ）は、高電位側の配線電極２Ａ（１２Ａ）に沿って独立して形成され、この配線電極以上の電位状態になるように電圧印加がなされていることを特徴とする。これによると、配線電極２Ａ（１２Ａ）から導電性パターン３に至る電界勾配を、配線電極２Ａ（１２Ａ）の周囲に生じる金属イオンが配線電極２Ａ側に戻る勾配にすることができ、マイグレーションの発生を確実に防止することが可能になる。
【００５７】
また一つには、前述した配線基板において、高電位側の配線電極２Ａ（１２Ａ）は、導電性パターン３（１３）と同材料で形成された下地パターン２ａ１（１２ａ１）上に前記金属元素が含まれている導電材料が被覆されていることを特徴とする。これによると、導電性パターン３（１３）の形成を下地パターン２ａ１（１２ａ１）と同工程で形成することができるようになるので、従前から下地パターン２ａ１（１２ａ１）と被覆層２ａ２（１２ａ２）とによって配線電極２Ａ（１２Ａ）を形成していた場合には、特に工程を追加することなくマイグレーション防止策となる導電性パターン３（１３）を形成することができる。
【００５８】
また一つには、前述した配線基板において、前記金属元素は、銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），錫（Ｓｎ），鉛（Ｐｂ）のいずれかであることを特徴とする。これらの金属元素を含む導電材料はいずれも低抵抗であるので、この導電性材料を用いることで配線電極の導電性能を向上させることができる。
【００５９】
また一つには、前述した配線基板において、前記金属元素が含まれている導電材料には銀パラジウム（ＡｇＰｄ）合金が含まれていることを特徴とする。これによると、一般に低抵抗配線材料として良く用いられている銀パラジウム（ＡｇＰｄ）合金に対しても有効なマイグレーション対策を施すことができる。
【００６０】
また一つには、互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも２本の配線電極２Ａ，２Ｂ（１２Ａ，１２Ｂ）を有する配線パターンが絶縁性の基板１（１１）上に形成され、２本の配線電極２Ａ，２Ｂ（１２Ａ，１２Ｂ）のうち少なくとも高電位側の配線電極２Ａ（１２Ａ）にマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている配線パターンの形成方法を前提として、配線電極２Ａ（１２Ａ）としてマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなる下地パターン２ａ１（１２ａ１）を形成すると共に、下地パターン２ａ１（１２ａ１）と同材料で、２本の配線電極２Ａ，２Ｂ（１２Ａ，１２Ｂ）間に、高電位側の配線電極２Ａ（１２Ａ）と同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターン３（１３）を形成する工程と、下地パターン２ａ１（１２ａ１）上を前記金属元素が含まれる導電材料によって選択的に被覆する工程とを有することを特徴とする。
【００６１】
これによると前述したマイグレーション防止策を施した配線基板を形成するに際して、配線電極２Ａ（１２Ａ）の下地パターン２ａ１（１２ａ１）と同材料で導電性パターン３（１３）を形成できるので、下地パターン２ａ１（１２ａ１）を有する配線電極２Ａ（１２Ａ）を備えた従前の配線パターンに対して別途材料を用意することなく導電性パターン３（１３）を形成することができる。
【００６２】
また一つには、前述した配線パターンの形成方法において、前記導電性パターン３（１３）は、高電位側の配線電極２Ａ（１２Ａ）に沿って形成され、配線電極２Ａ（１２Ａ）における下地パターン２ａ１（１２ａ１）と少なくとも１箇所、好ましくは複数箇所で接続されていることを特徴とする。これによると、前述した配線パターンの形成方法において、導電性パターン３と高電位側の配線電極２Ａとを接続することによって同電位にすることができ、これにより高電位側の配線電極２Ａの近くで低電位側に向けた電界勾配を作らないので、マイグレーションの発生を防止することができる。また、配線電極２Ａ（１２Ａ）と複数箇所で接続することで、配線電極２Ａ（１２Ａ）の全域でマイグレーションの発生を防止することができ、長尺な配線電極２Ａ（１２Ａ）に対しても、確実に導電性パターン３（１３）の電位を配線電極２Ａと同電位にすることができる。これによって、前述した導電性パターン３（１３）のマイグレーション防止効果を確実に得ることができる。また、導電性パターン３（１３）を配線電極２Ａ（１２Ａ）と一箇所のみで接続した場合には、終端がフリーなパターンになってノイズを拾ったり、或いは逆に不要輻射が増大する可能性があるが、複数箇所の接続によってこのような不具合が生じない。
【００６３】
また一つには、前述した配線パターンの形成方法において、導電性パターン３（１３）と下地パターン２ａ１（１２ａ１）とは、単一被膜に対して施される一工程のパターン形成工程によって同時に形成されることを特徴とする。これによると、導電性パターン３（１３）の形成に別途工程を追加する必要がないので従前の工程に対して生産性に影響なくマイグレーション防止を図った配線パターンを形成することができる。
【００６４】
また一つには、第１電極２１と第２電極２２との間に有機発光機能層を含む有機材料層２３を挟持して基板１１上に複数の有機ＥＬ素子２０を形成し、第１電極２１から引き出された配線パターン１２ｂと第２電極２２から引き出された配線パターン１２ａとを基板１１上に形成した有機ＥＬパネル１０を前提として、これらの配線パターン１２ａ，１２ｂにおいて、互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも２本の配線電極１２Ａ，１２Ｂが形成され、２本の配線電極１２Ａ，１２Ｂのうち少なくとも高電位側の配線電極１２Ａにはマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれており、２本の配線電極１２Ａ，１２Ｂの間に、マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなり、高電位側の配線電極１２Ａと同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターン１３が形成されていることを特徴とする。
【００６５】
これによると、前述したマイグレーション対策を施した配線基板を備えた有機ＥＬパネルを得ることができるので、引出配線電極間の高密度化が可能なると共に、マイグレーションを生じ易いが低抵抗の導電材料を引出配線電極に用いることで、引出配線電極の延長化が可能であると共に、表示部への電流供給を安定化させることもでき、有機ＥＬパネル１０の高精細化，高画質化を達成することができる。
【００６６】
また、前述した有機ＥＬパネル１０において、２本の配線電極１２Ａ，１２Ｂは、一方が第１電極２１から引き出された配線パターンの一つであり、他方が第２電極２２から引き出された配線パターンの一つであることを特徴とする。これによると、陰極側から引き出された引出配線電極と陽極側から引き出された引出配線電極が近接配置される配線パターンを形成した場合にもマイグレーションによる不具合を回避できるので、引出配線電極における配線パターンの設計を集約化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の実施形態に係る配線基板の要部構成及び電位状態を示す説明図である。
【図２】導電パターンを形成しない配線基板の例を示す説明図である。
【図３】本発明の実施形態に係る配線基板の要部構成及び電位状態を示す説明図である。
【図４】本発明の実施形態に係る配線パターンの形成方法の一例を示す説明図である。
【図５】本発明の実施例に係る有機ＥＬパネルを説明する説明図である（図６におけるＸ２−Ｘ２断面図）。
【図６】本発明の実施例に係る有機ＥＬパネルを説明する説明図である（図５におけるＸ１−Ｘ１断面図を示している。）。
【図７】本発明の実施例に係る有機ＥＬパネルの配線電極の配線パターンを示す説明図（平面図）。
【図８】図７におけるＡ１部拡大図である。
【符号の説明】
【００６８】
１，１１  基板
２  配線パターン
２Ａ，２Ｂ，１２Ａ，１２Ｂ，１２ａ，１２ｂ  配線電極
２ａ１，１２ａ１  下地パターン
２ａ２，１２ａ２  被覆層
３  導電性パターン
１０  有機ＥＬパネル
２０  有機ＥＬ素子
２１  第１電極
２２  第２電極
２３  有機材料層
２４  絶縁層
２５  陰極隔壁
３０  封止部材    ３０Ｓ  封止空間
３１  接着層
３２  乾燥剤
【図１】
2005123419.tif 000003
【図２】
2005123419.tif 000004
【図３】
2005123419.tif 000005
【図４】
2005123419.tif 000006
【図５】
2005123419.tif 000007
【図６】
2005123419.tif 000008
【図７】
2005123419.tif 000009
【図８】
2005123419.tif 000010