(57)【要約】【課題】  周囲温度変動に起因した発光素子（ＬＤ）の出力光信号の光強度可変幅（消光比）の変動を抑制する。【解決手段】  温度変動対応型抵抗素子１０と抵抗体１１が直列接続されている直列回路１２と、温度変動対応型抵抗素子１４と抵抗体１５が並列接続されている並列回路１６とを直列に接続する。その直列回路１２と並列回路１６の接続部Ｘには周囲温度により定まる電圧値を持つ温度感知信号が発生する。その温度感知信号の電圧値に応じた電流を発光強度温度補償制御用の光強度可変幅安定化信号として発光強度制御部５に向けて出力する電圧制御型電流制御部１７を設ける。発光強度制御部５は、その光強度可変幅安定化信号を利用して、ＬＤの発光強度を制御するための発光素子駆動制御用電流を作り出して、ＬＤの発光強度可変幅の安定化を図る。【選択図】        図１
2005268622.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印加電流および周囲温度に応じて発光強度が変化する発光素子の発光強度を制御する発光強度制御部に接続し当該発光強度制御部に向けて、発光素子のオン信号用の発光強度とオフ信号用の発光強度との光強度可変幅の安定化を図るための発光強度温度補償制御用の光強度可変幅安定化信号を出力する発光強度温度補償回路であって、当該発光強度温度補償回路は、抵抗体と、周囲温度に応じて抵抗値が変化する温度変動対応型抵抗可変素子とが直列接続されている温度感知用直列回路と、別の抵抗体と温度変動対応型抵抗可変素子とが並列接続されている温度感知用並列回路とを有し、これら温度感知用直列回路と温度感知用並列回路は直列接続され、当該温度感知用直列回路と温度感知用並列回路との接続部に、周囲温度により定まる電圧値を持つ温度感知信号が発生する構成と成し、また、発光強度温度補償回路には、その温度感知信号の電圧値に応じた電流を出力する電圧制御型電流制御部が設けられ、この電圧制御型電流制御部の出力電流が発光強度温度補償制御用の光強度可変幅安定化信号として発光強度制御部に向けて出力される構成と成しており、その発光強度温度補償制御用の光強度可変幅安定化信号の電流値に応じた振幅の波形を持つ発光素子駆動制御用電流が発光強度制御部から発光素子に向けて出力されて、周囲温度の変動によらずに発光素子のオン信号用の発光強度とオフ信号用の発光強度との光強度可変幅の安定化が図られることを特徴とする発光素子の発光強度温度補償回路。
【請求項２】
電圧制御型電流制御部は、温度感知信号の電圧値に応じて内部抵抗値が変化して出力電流値が変化する構成を備えていることを特徴とする請求項１記載の発光素子の発光強度温度補償回路。
【請求項３】
電圧制御型電流制御部はトランジスタ素子により構成されており、当該トランジスタ素子に設けられている制御端子は、温度感知用直列回路と温度感知用並列回路の接続部に接続され、トランジスタ素子は、温度感知用直列回路と温度感知用並列回路の接続部に発生する温度感知信号の電圧値に基づいた非飽和領域での動作によって、発光強度温度補償制御用の光強度可変幅安定化信号を出力することを特徴とする請求項２記載の発光素子の発光強度温度補償回路。
【請求項４】
温度感知用直列回路と温度感知用並列回路の各温度変動対応型抵抗可変素子は、周囲温度が上昇するにつれて抵抗値が減少していく負の特性を持つサーミスタと、周囲温度が上昇するにつれて抵抗値が増加する正の特性を持つサーミスタとのうちの予め指定された一方側により構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２又は請求項３記載の発光素子の発光強度温度補償回路。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れか１つに記載の発光素子の発光強度温度補償回路と、この発光強度温度補償回路から出力された発光強度温度補償制御用の光強度可変幅安定化信号の電流値に応じた振幅の波形を持つ発光素子駆動制御用電流を発光素子に向けて出力して、周囲温度の変動によらずに発光素子のオン信号用の発光強度とオフ信号用の発光強度との光強度可変幅の安定化を図る発光強度制御部とが設けられていることを特徴とする発光素子駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば光通信用の装置等に利用される発光素子の発光強度温度補償回路およびそれを備えた発光素子駆動回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図６（ａ）には、発光素子であるレーザーダイオード（ＬＤ）に供給される電流と、ＬＤの発光強度との関係例を表すグラフが示されている。このグラフにも示されるように、ＬＤは、しきい値電流Ｉs以上の電流が供給されることによって発光し、そのＬＤの発光強度は供給電流量に応じたものとなる。
【０００３】
例えば、図６（ａ）に示されるような電流−発光特性を持つＬＤが組み込まれている光トランシーバー等の光通信用の装置では、例えば、図６（ｂ）の実線に示されるような波形を持つ電流ＵAをＬＤに供給することによって、ＬＤの発光をオン・オフさせて、図６（ｃ）の実線に示されるような光通信用の光信号ＳAを作り出している。つまり、電流ＵAは、ベース電流ＩbAを中心とした振幅Ｈの波形を持つ電流である。ＬＤに供給される電流ＵAの電流値が図６（ａ）、（ｂ）に示すＩonであるときには、ＬＤは発光強度Ｐonでもって発光して光信号のオン信号を出力し、電流ＵAの電流値がＩoffであるときには、ＬＤは発光を停止して（つまり、発光強度０となって）光信号のオフ信号を出力する。このように、ＬＤへの電流ＵAの供給によって、発光オン・オフによる光信号がＬＤから出力される。
【０００４】
また、図６（ｂ）の点線に示されるような波形を持つ電流ＵBをＬＤに供給することによって、ＬＤの発光強度が変化して、図６（ｃ）の点線に示されるような光通信用の光信号ＳBを作り出す場合もある。つまり、電流ＵBは、ベース電流ＩbBを中心とした振幅Ｈの波形を持つ電流である。ＬＤに供給される電流ＵBの電流値が図６（ａ）、（ｂ）に示すＩupであるときには、ＬＤは発光強度Ｐupでもって発光して光信号のオン信号を出力し、電流ＵBの電流値がＩdownである場合には、ＬＤは発光強度Ｐupよりも弱い発光強度Ｐdownでもって発光して光信号のオフ信号を出力する。このように、ＬＤへの電流ＵBの供給によって、ＬＤから発光強弱変動による光信号を出力する場合もある。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１１１１２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ＬＤは、電流−発光特性が周囲温度によって変化するという温度特性を持っている。すなわち、ＬＤの電流−発光特性は、周囲温度が高くなるにつれて、例えば図７（ａ）のグラフ中の実線Ｔ１に示されるような状態から実線Ｔ２に示されるような状態に変化するというように、周囲温度が高くなるにつれて、発光を開始するときのしきい値電流値Ｉsが高くなり、また、電流の変化分に対する発光強度の変化分（つまり、実線Ｔ１，Ｔ２の傾き（以下、スロープ効率という））が変化する。
【０００７】
ＬＤはそのような温度特性を持つために、周囲温度の変動を考慮せずにＬＤの駆動制御を行うと、次に示すような不都合が生じる。例えば、ＬＤの周囲温度がＴ１であり、ＬＤの電流−発光特性が図７（ａ）の実線Ｔ１に示されるような状態であるときに、図７（ｂ）の実線ＵBに示されるような波形の電流をＬＤに供給すると、ＬＤは、図７（ｃ）の実線ＳBで示されるような、発光強度Ｐupと発光強度Ｐdownとの光強度可変幅をもって発光が強弱変動する光信号を発する。しかしながら、ＬＤの周囲温度がＴ２に上昇して、ＬＤの電流−発光特性が図７（ａ）の実線Ｔ２に示されるような状態に変化したのにも拘わらず、周囲温度がＴ１であるときと同様の電流ＵBをＬＤに供給したとする。この場合には、周囲温度がＴ２であるときのＬＤのしきい値電流Ｉs'は電流ＵBの電流値よりも大きな値であることから、ＬＤは、電流ＵBが供給されても発光しない。このため、ＬＤから光信号が出力されないという問題が発生する。
【０００８】
このような問題を防止するための手段としては、次に示されるようなものが提案されている。例えば、図５の実線により表されるブロック図に示されるように、ＬＤ１の発光状態をモニタするためのフォトダイオード（ＰＤ）２を設ける。ＰＤ２は、受光量に応じた電流を出力するものである。
【０００９】
発光素子駆動回路３は、例えば図７（ｂ）に示されるような発光素子駆動制御用電流ＵBをＬＤ１に向けて出力して、ＬＤ１の発光動作を制御してＬＤから光信号を出力させるものであり、当該発光素子駆動回路３は、発光強度制御部５と、ベース電流制御部６とを有して構成されている。
【００１０】
ベース電流制御部６は、ＰＤ２から出力された電流をＬＤ１の発光状態の情報として取り込み、当該ＰＤ２の出力電流を利用して、ＬＤ１から出力される光信号の発光強度の変動を抑制すべく、ＬＤ１に供給される発光素子駆動制御用電流ＵBのベース電流ＩbBを制御する構成を備えており、当該ベース電流制御部６は、ベース電流ＩbBを制御するためのベース電流制御用信号を発光強度制御部５に向けて出力する構成を有している。このような構成を有する回路としては、ＡＰＣ（Auto-Power-Control）と呼ばれる回路があり、多く使用されている。
【００１１】
発光強度制御部５は、外部から加えられる送信用電気信号と、ベース電流制御部６のベース電流制御用信号とに基づいて、ＬＤ１を制御するための発光素子駆動制御用電流ＵBを作り出し当該発光素子駆動制御用電流ＵBをＬＤ１に向けて出力する。
【００１２】
このような構成を備えることによって、発光強度制御部５からＬＤ１に向けて出力される発光素子駆動制御用電流ＵBのベース電流が周囲温度変動に応じて可変するので、ＬＤ１の周囲温度が変動してもＬＤ１から光信号を出力させることができる。しかしながら、ＬＤ１は、周囲温度が変動すると、発光を開始するときのしきい値電流Ｉsが変動するだけでなく、スロープ効率も変動するので、例えば、ＬＤ１の周囲温度がＴ１からＴ２に変動したときに、その周囲温度変動に応じて発光素子駆動制御用電流ＵBのベース電流を可変しただけでは、次に示すような問題が生じる。
【００１３】
つまり、ＬＤ１の周囲温度がＴ１であるときに、発光素子駆動回路３からＬＤ１に向けて図７（ｂ）に示されるような発光素子駆動制御用電流ＵB（つまり、ベース電流ＩbBを中心にして振幅Ｈでもって電流値が変化する電流）が出力されている場合には、その発光素子駆動制御用電流ＵBによって、ＬＤ１から図７（ｃ）の実線に示されるような光信号ＳBが出力される。その光信号ＳBは、発光素子駆動制御用電流ＵBおよび図７（ａ）の電流−発光特性Ｔ１により定まるオン信号用の発光強度Ｐupとオフ信号用の発光強度Ｐdownとの光強度可変幅（消光比）を持つ光信号である。
【００１４】
これに対して、例えば、ＬＤ１の周囲温度がＴ２に上昇したときに、ベース電流制御部６の制御動作によって、発光素子駆動制御用電流ＵBのベース電流が例えば図７（ｂ）に示される電流値ＩbB'に上昇しても、図７（ｂ）の点線に示されるように、発光素子駆動制御用電流ＵB''の波形の振幅が周囲温度Ｔ１のときと同じ振幅Ｈのままであると、当該発光素子駆動制御用電流ＵB''および図７（ａ）の電流−発光特性Ｔ２により定まるＬＤ１の出力光信号は、図７（ｃ）の点線に示されるように、周囲温度がＴ１であるときのＬＤ１の出力光信号ＳBよりも、光信号波形の振幅（光強度可変幅（消光比））が狭くなってしまう。
【００１５】
ＬＤ１から出力される光信号は、周囲温度が変動しても、オン信号用の発光強度Ｐonおよびオフ信号用の発光強度Ｐoffが変動しないこと、換言すれば、光強度可変幅（消光比）が変動しないことが望ましい。このため、発光強度制御部５からＬＤ１に向けて出力される発光素子駆動制御用電流ＵBは、周囲温度変動に応じて、ベース電流値ＩbBを可変するだけでなく、その電流波形の振幅をも可変することが要求される。例えば、周囲温度がＴ２であるときのＬＤ１の出力光信号も、周囲温度がＴ１であるときのＬＤ１の出力光信号と同じ光強度可変幅となるためには、図７（ａ）の電流−発光特性Ｔ２によれば、電流値ＩbB'のベース電流を中心とした電流値Ｉ'onと電流値Ｉ'offとの可変幅（振幅）Ｈ'を持つ波形の発光素子駆動制御用電流ＵB'をＬＤ１に供給する必要がある。
【００１６】
周囲温度変動に応じて発光素子駆動制御用電流ＵBの波形振幅を可変する手法として、例えば、サーミスタを利用するものが提案されている（例えば特許文献１参照）。サーミスタは、図８のグラフに示されるように周囲温度に応じて抵抗値が可変するものであり、その提案の手法では、１つのサーミスタから出力される電流に応じて、発光素子駆動制御用電流ＵBの波形振幅を可変している。
【００１７】
しかしながら、ＬＤ１のスロープ効率は、図９のグラフに示されるように、周囲温度の変化分に対するスロープ効率の変化分（周囲温度変動によるスロープ効率の変化率）が一定ではなく、例えば図９に示される温度Ｋ（例えば約５０℃）付近の温度よりも高温側では、それよりも低温側に比べて、周囲温度変動によるスロープ効率の変化率が大きくなる。このために、図８に示されるように温度変動に対して単調に抵抗値が変動するサーミスタを唯１つ利用しただけでは、次に示されるような問題が生じる。
【００１８】
例えば、低温側領域での周囲温度変動によるスロープ効率の変化率に対応できるようなサーミスタを選択すると、低温側領域内で周囲温度が変動している場合には、そのサーミスタによって、ＬＤから出力される光信号の光強度可変幅の安定化を図ることはできる。しかし、周囲温度が高温側になると、周囲温度変動によるスロープ効率の変化率は、サーミスタの周囲温度変動による抵抗値の変化率よりも大きくなって当該サーミスタの抵抗値の変化率と異なるものとなる。このために、高温側では、ＬＤから出力される光信号の光強度可変幅の安定化を図ることができなくなるという問題が発生する。
【００１９】
このように、サーミスタを唯１つだけ利用しただけでは、低温側から高温側にかけての広い温度範囲に対して、ＬＤから出力される光信号の光強度可変幅の安定化を図ることが難しいという問題が生じる。
【００２０】
本発明は上記課題を解決するために成されたものであり、その目的は、広い温度範囲において発光素子の出力光信号の光強度可変幅（消光比）の変動を抑制して光信号の安定化を図ることができる発光素子の発光強度温度補償回路およびそれを備えた発光素子駆動回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記目的を達成するために、この発明は次に示す構成をもって前記課題を解決するための手段としている。すなわち、この発明における発光素子の発光強度温度補償回路は、印加電流および周囲温度に応じて発光強度が変化する発光素子の発光強度を制御する発光強度制御部に接続し当該発光強度制御部に向けて、発光素子のオン信号用の発光強度とオフ信号用の発光強度との光強度可変幅の安定化を図るための発光強度温度補償制御用の光強度可変幅安定化信号を出力する発光強度温度補償回路であって、当該発光強度温度補償回路は、抵抗体と、周囲温度に応じて抵抗値が変化する温度変動対応型抵抗可変素子とが直列接続されている温度感知用直列回路と、別の抵抗体と温度変動対応型抵抗可変素子とが並列接続されている温度感知用並列回路とを有し、これら温度感知用直列回路と温度感知用並列回路は直列接続され、当該温度感知用直列回路と温度感知用並列回路との接続部に、周囲温度により定まる電圧値を持つ温度感知信号が発生する構成と成し、また、発光強度温度補償回路には、その温度感知信号の電圧値に応じた電流を出力する電圧制御型電流制御部が設けられ、この電圧制御型電流制御部の出力電流が発光強度温度補償制御用の光強度可変幅安定化信号として発光強度制御部に向けて出力される構成と成しており、その発光強度温度補償制御用の光強度可変幅安定化信号の電流値に応じた振幅の波形を持つ発光素子駆動制御用電流が発光強度制御部から発光素子に向けて出力されて、周囲温度の変動によらずに発光素子のオン信号用の発光強度とオフ信号用の発光強度との光強度可変幅の安定化が図られることを特徴としている。
【００２２】
また、この発明の発光素子駆動回路は、この発明において特有な構成を持つ発光素子の発光強度温度補償回路と、この発光強度温度補償回路から出力された発光強度温度補償制御用の光強度可変幅安定化信号の電流値に応じた振幅の波形を持つ発光素子駆動制御用電流を発光素子に向けて出力して、周囲温度の変動によらずに発光素子のオン信号用の発光強度とオフ信号用の発光強度との光強度可変幅の安定化を図る発光強度制御部とが設けられていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２３】
この発明によれば、温度変動対応型抵抗可変素子と抵抗体が直列接続されている温度感知用直列回路と、別の温度変動対応型抵抗可変素子と抵抗体が並列接続されている温度感知用並列回路とが直列に接続されている。この温度感知用直列回路と温度感知用並列回路との接続部に発生する電圧は、周囲温度によって変化する温度特性を有するものである。
【００２４】
温度感知用直列回路と温度感知用並列回路の各温度変動対応型抵抗可変素子と抵抗体とをそれぞれ構成する温度変動対応型抵抗可変素子と抵抗体の組み合わせを可変することによって、温度感知用直列回路と温度感知用並列回路の接続部に発生する電圧の温度特性を様々に可変調整することが可能である。このことから、例えば発光素子のスロープ効率の温度特性と同様な傾向を持つように、その接続部の電圧の温度特性を可変調整することができる。
【００２５】
この発明では、発光素子のスロープ効率の温度特性と同様な温度特性を持つように調整された温度感知用直列回路と温度感知用並列回路の接続部の電圧を温度感知信号として利用して、電圧制御型電流制御部から発光素子に向けて、発光素子のオン信号用の発光強度とオフ信号用の発光強度との光強度可変幅の安定化を図るための発光強度温度補償制御用の光強度可変幅安定化信号を出力させる構成とした。
【００２６】
このような構成によって、この発明では、例えば低温から常温を介し約８０℃程度の高温までというような広範囲の温度範囲内において、周囲温度変動による発光素子のスロープ効率の変動に追従して温度感知信号の電圧値が変動し、これにより、発光強度温度補償制御用の光強度可変幅安定化信号をスロープ効率の変動に応じて可変することができるので、広い温度範囲に渡って、発光素子から出力される光信号の光強度可変幅（消光比）を安定化させることができる。
【００２７】
また、電圧制御型電流制御部が、温度感知信号の電圧値に応じて内部抵抗値が変化して出力電流が変化する構成であるものにあっては、その電圧制御型電流制御部は、例えば可変抵抗体等を利用した簡単な構成の回路により、構成することができるので、発光素子の発光強度温度補償回路および発光素子駆動回路の回路構成の簡略化を図ることができる。また、電圧制御型電流制御部がトランジスタ素子により構成されているものにあっては、１つのトランジスタ素子だけで電圧制御型電流制御部を構築することができるので、より一層、発光強度温度補償回路および発光素子駆動回路の回路構成の簡略化を図ることができる。これにより、部品コストを抑えることができるので、発光素子の発光強度温度補償回路および発光素子駆動回路の低コスト化を図ることができる。
【００２８】
さらに、温度感知用直列回路と温度感知用並列回路の各温度変動対応型抵抗可変素子が負の特性を持つサーミスタ、あるいは、正の特性を持つサーミスタとのうちの予め指定された一方側により構成されている構成を備えることによっても、発光素子の発光強度温度補償回路および発光素子駆動回路の回路構成を簡略化できて、低コスト化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下に、この発明に係る実施形態例を図面に基づいて説明する。
【００３０】
この実施形態例の発光素子駆動回路は、図５の実線により示される発光強度制御部５とベース電流制御部６を有すると共に、点線により示される発光強度温度補償回路７を有して構成されている。
【００３１】
ベース電流制御部６は、前述したように、ＰＤ２から出力される電流（つまり、ＬＤ１の発光状態のモニタ電流）に基づいて、発光強度制御部５から発光素子（この実施形態例では、レーザダイオード（ＬＤ））１に向けて出力される発光素子駆動制御用電流のベース電流を周囲温度に応じて制御する構成を備えている。当該ベース電流制御部６の回路構成には様々な回路構成があり、ここでは、その何れの構成をも採用してよく、その説明は省略する。
【００３２】
発光強度温度補償回路７は、この実施形態例において最も特徴的なものであり、当該発光強度温度補償回路７は、ＬＤ１の周囲温度の変動によらずに、ＬＤ１のオン信号用の発光強度Ｐupとオフ信号用の発光強度Ｐoffとの光強度可変幅（消光比）の安定化を図るためのものである。この発光強度温度補償回路７の具体的な回路構成例が図１に示されている。
【００３３】
すなわち、図１に示される発光強度温度補償回路７は、温度変動対応型抵抗素子１０と抵抗体１１が直列接続されている温度感知用直列回路１２と、温度変動対応型抵抗素子１４と抵抗体１５が並列接続されている温度感知用並列回路１６と、電圧制御型電流制御部１７とを有して構成されている。
【００３４】
温度感知用直列回路１２と温度感知用並列回路１６の各温度変動対応型抵抗素子１０，１４は、周囲温度に応じて抵抗値が変化する温度特性を備えているものである。この実施形態例では、温度変動対応型抵抗素子１０，１４は、周囲温度が上昇するにつれて抵抗値が減少していく負の特性を持つサーミスタ、あるいは、周囲温度が上昇するにつれて抵抗値が増加する正の特性を持つサーミスタ（例えば、ポジスタ（R））により構成されている。
【００３５】
温度感知用直列回路１２と温度感知用並列回路１６は直列に接続され、当該回路１２，１６の直列接続回路には基準電源Ｅが並列接続されている。この実施形態例では、電圧制御型電流制御部１７は、トランジスタ素子であるＭＯＳＦＥＴ１８により構成されており、このＭＯＳＦＥＴ１８のゲート端子（制御端子）は、温度感知用直列回路１２と温度感知用並列回路１６との接続部Ｘに接続されている。また、ＭＯＳＦＥＴ１８のドレイン端子とソース端子は、それぞれ、予め定められた発光強度制御部５の端子に接続されている。この実施形態例では、ＭＯＳＦＥＴ１８を非飽和領域で動作させる構成と成しており、接続部Ｘ側からＭＯＳＦＥＴ１８のゲート端子（制御端子）に加えられる電圧の大きさに応じてＭＯＳＦＥＴ１８の内部抵抗値が変化して、ＭＯＳＦＥＴ１８のドレイン−ソース間の電流Ｉdsが可変する構成となっている。
【００３６】
この実施形態例では、温度感知用直列回路１２と温度感知用並列回路１６は、それぞれ、温度変動対応型抵抗素子１０，１４を有しているために、温度感知用直列回路１２と温度感知用並列回路１６の接続部Ｘに発生する電圧は、周囲温度に応じて変化するもの（換言すれば周囲温度により定まる電圧値を持つもの）となる。例えば、図２のグラフには、接続部Ｘに発生する電圧の温度特性の一例が示されている。この図２では、接続部Ｘの電圧の温度特性を、基準電源Ｅの電圧ＶEに対する接続部Ｘの電圧ＶXの比（ＶX／ＶE）を利用して表している。この接続部Ｘの電圧の温度特性は次に示す条件の下で得られたものである。つまり、抵抗体１１として抵抗値１００Ωの抵抗体を用い、抵抗体１５として抵抗値１KΩの抵抗体を用いた。また、温度変動対応型抵抗素子１０として、周囲温度が２５℃であるときの抵抗値が４０Ωであり、Ｂ定数（周囲温度の変化分に対する抵抗値の変化分を表した定数）が3250である負の特性を持つサーミスタを用いた。さらに、温度変動対応型抵抗素子１４として、周囲温度が２５℃であるときの抵抗値が３KΩであり、Ｂ定数が4100である負の特性のサーミスタを用いた。
【００３７】
図２に示されるように、接続部Ｘの電圧は周囲温度の変動に応じて変化し、例えば、抵抗体１１，１５を、別の抵抗値を持つ抵抗体に換えたり、温度変動対応型抵抗素子１０，１４を別の温度変動対応型抵抗素子に換えるというように、温度変動対応型抵抗素子１０，１４と抵抗体１１，１５をそれぞれ構成する素子（部品）の組み合わせを可変することによって、接続部Ｘの電圧の温度特性の、例えば図２に示される曲線の凸部の位置や、曲線の傾きを可変することができて、接続部Ｘの電圧の温度特性を様々に変化させることができる。
【００３８】
この実施形態例では、その接続部Ｘの電圧の温度特性が、ＬＤ１のスロープ効率の温度特性と同様な傾向となるように、温度変動対応型抵抗素子１０，１４を構成するサーミスタや、抵抗体１１，１５を構成する抵抗体がそれぞれ設定されている。なお、接続部Ｘの電圧の温度特性をＬＤ１のスロープ効率の温度特性と全く同一の傾向にすることは難しいので、例えば、予め定めた温度範囲内において、接続部Ｘの電圧の温度特性が、ＬＤ１のスロープ効率の温度特性と同様な傾向となるように、温度変動対応型抵抗素子１０，１４を構成するサーミスタや、抵抗体１１，１５を構成する抵抗体を、それぞれ設定してもよい。
【００３９】
上記のように温度変動対応型抵抗素子１０，１４を構成するサーミスタや、抵抗体１１，１５を構成する抵抗体をそれぞれ設定することによって、周囲温度変動によるＬＤ１のスロープ効率の変動に追従して接続部Ｘの電圧が同様に変動する構成となっている。
【００４０】
この実施形態例では、接続部Ｘの電圧が温度感知信号として電圧制御型電流制御部１７のＭＯＳＦＥＴ１８のゲート端子に加えられる。ＭＯＳＦＥＴ１８がＮチャネルのＭＯＳＦＥＴである場合には、ＭＯＳＦＥＴ１８は、非飽和領域において、ゲート端子の電圧が低くなるに従って内部抵抗値が大きくなるので、ＭＯＳＦＥＴ１８のドレイン−ソース間の電流Ｉdsは、周囲温度変動による温度検知信号の電圧値の増減変動に応じて同様に増減変動する。例えば、接続部ＸからＭＯＳＦＥＴ１８のゲート端子に加えられる温度感知信号の電圧値が図２に示されるような温度特性を有する場合には、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１８のドレイン−ソース間電流Ｉdsの温度特性は、図３のグラフに示されるような傾向となる。
【００４１】
この実施形態例では、そのＭＯＳＦＥＴ１８のドレイン−ソース間電流Ｉdsが、発光強度温度補償制御用の光強度可変幅安定化信号として発光強度制御部５に向けて出力される。
【００４２】
発光強度制御部５は、その光強度可変幅安定化信号に基づいて、ＬＤ１の光信号の光強度可変幅が予め定めた設定値に安定化するように発光素子駆動制御用電流ＵBの振幅Ｈを制御すると共に、ベース電流制御部６から加えられた情報に基づいて発光素子駆動制御用電流ＵBのベース電流ＩbBを制御して、送信用電気信号に応じた発光素子駆動制御用電流ＵBを作り出す。つまり、その発光素子駆動制御用電流ＵBは、ベース電流制御部６の情報により定まるベース電流ＩbBを中心にして光強度可変幅安定化信号の電流値に応じた振幅でもって電流値が変化する電流となる。この発光素子駆動制御用電流ＵBが発光強度制御部５からＬＤ１に向けて出力されることによって、ＬＤ１は、例えば予め定められた広い温度範囲内（例えば、０℃〜８０℃程度の温度範囲内）において、周囲温度の変動に関係なく、安定した光信号を出力することが可能となる。
【００４３】
なお、この発明はこの実施形態例の形態に限定されるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例えば、この実施形態例では、温度感知用直列回路１２と温度感知用並列回路１６の直列接続回路は、温度感知用並列回路１６が基準電源１６の負極側に接続されるように、基準電源Ｅと並列接続されていたが、例えば、図４（ａ）に示されるように、温度感知用直列回路１２と温度感知用並列回路１６の直列接続回路は、温度感知用直列回路１２が基準電源１６の負極側に接続されるように、基準電源Ｅと並列接続される構成としてもよい。この場合には、温度感知用直列回路１２と温度感知用並列回路１６の接続部Ｘの電圧は、例えば、図４（ｂ）に示されるような温度特性を持つこととなる。つまり、この図４（ｂ）に示される接続部Ｘの電圧は、図１の回路における接続部Ｘの電圧の温度特性と増減の傾向が逆向きである温度特性を有する。
【００４４】
このような接続部Ｘの電圧を温度感知信号として、ＮチャネルのＭＯＳＦＥＴ１８のゲート端子に加える構成とすると、前述したように、そのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１８のドレイン−ソース間電流Ｉdsの温度特性の傾向は、温度感知信号の電圧値の温度特性と同様な傾向となる。このため、周囲温度変動によるドレイン−ソース間電流Ｉdsの増減方向は、周囲温度変動によるスロープ効率の増減方向と逆向きになるが、その周囲温度変動によるドレイン−ソース間電流Ｉdsの変動を利用して、スロープ効率の変動を検知することが可能であるので、図４（ａ）に示す回路構成であっても、ＮチャネルのＭＯＳＦＥＴ１８のドレイン−ソース間電流Ｉdsを発光強度温度補償制御用の光強度可変幅安定化信号として発光強度制御部５に向けて出力することができる。
【００４５】
また、電圧制御型電流制御部１７をＰチャネルのＭＯＳＦＥＴにより構成してもよい。ＰチャネルのＭＯＳＦＥＴは、非飽和領域において、ゲート端子の電圧が低くなるに従って内部抵抗値が小さくなるので、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのドレイン−ソース間電流Ｉdsの温度特性は、ゲート端子に加えられる温度感知信号の温度特性と逆向きになる。このため、図４（ａ）に示される電圧制御型電流制御部１７をＰチャネルのＭＯＳＦＥＴにより構成した場合には、発光強度温度補償回路７から発光強度制御部５に出力される電流の温度特性は、図１に示される発光強度温度補償回路７から発光強度制御部５に向けて出力される光強度可変幅安定化信号の温度特性と同様な傾向となる。よって、前記同様に、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのドレイン−ソース間電流Ｉdsを利用した発光強度制御部５の制御動作によって、ＬＤ１から出力される光信号の光強度可変幅の安定化を図ることができる。
【００４６】
さらに、この実施形態例では、電圧制御型電流制御部１７はトランジスタ素子であるＭＯＳＦＥＴにより構成されていたが、例えば、電圧制御型電流制御部１７は、温度感知用直列回路１２と温度感知用並列回路１６の接続部Ｘから出力される温度感知信号の電圧値に応じて、電圧制御型電流制御部１７の抵抗値が変化して電圧制御型電流制御部１７から出力される電流値が変化する回路構成（例えば可変抵抗体を有する構成）を持つ回路により構成してもよい。また、電圧制御型電流制御部１７は、例えば、次に示すような動作を行う演算回路により構成されていてもよい。例えば、接続部Ｘから出力される温度感知信号の電圧値と、当該電圧値が接続部Ｘから出力される温度条件であるときにＬＤ１から出力される光信号の光強度可変幅の安定化を図るべく電圧制御型電流制御部１７から発光強度制御部５に向けて出力する電流値との関係データが予めシミュレーション等により求められて発光強度温度補償回路７に与えられており、電圧制御型電流制御部１７を構成する演算回路は、接続部Ｘから当該演算回路に加えられた温度感知信号の電圧値をその関係データに照合する。そして、当該演算回路は、その関係データから、温度感知信号の電圧値に対応する電流値を検出し、この検出した電流値を持つ光強度可変幅安定化信号を発光強度制御部５に向けて出力する。このような制御動作を行う演算回路によって、電圧制御型電流制御部１７を構成してもよい。
【００４７】
さらに、この実施形態例では、ＬＤ１の発光の強度を強弱変動させることによって光信号を作り出していたが、もちろん、ＬＤ１の発光をオン・オフさせることによって光信号を作り出す構成である場合にも、この実施形態例と同様の構成を備えることによって、ＬＤ１から出力される光信号の安定化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に係る発光素子の発光強度温度補償回路の一実施形態例を説明するための回路図である。
【図２】図１の回路を構成する温度感知用直列回路と温度感知用並列回路との接続部に発生する電圧の温度特性の一例を表したグラフである。
【図３】温度感知用直列回路と温度感知用並列回路との接続部から出力された電圧に基づいて動作するＭＯＳＦＥＴのドレイン−ソース間電流Ｉdsの温度特性の一例を表したグラフである。
【図４】その他の実施形態例を説明するための図である。
【図５】本発明に係る発光素子駆動回路の一回路構成例を説明するためのブロック構成図である。
【図６】発光素子であるＬＤの発光動作を説明するための図である。
【図７】周囲温度の変動が発光素子の発光動作に与える悪影響を説明するための図である。
【図８】負の特性を持つサーミスタの温度特性を表したグラフである。
【図９】発光素子のスロープ効率の温度特性を説明するためのグラフである。
【符号の説明】
【００４９】
１  ＬＤ
２  ＰＤ
３  発光素子駆動回路
５  発光強度制御部
７  発光強度温度補償回路
１０，１４  温度変動対応型抵抗素子
１１，１５  抵抗体
１２  温度感知用直列回路
１６  温度感知用並列回路
１７  電圧制御型電流制御部
１８  ＭＯＳＦＥＴ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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