(57)【要約】      （修正有）【課題】第１ボンディングパッド形成領域への応力緩和層材料の侵入を防止して多機能かつ信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】応力緩和層５を有するＣＳＰタイプの半導体装置において、第１ボンディングパッド２形成領域と第２ボンディングパッド８配列領域との間に、第１絶縁膜４の一部を除去することにより形成され、かつ第２ボンディングパッド配列領域を取り囲むように配列された凹溝１２を形成する。凹溝１２内に第２ボンディングパッド配列領域より流出した応力緩和層材料Ｂを溜めることができ、第１ボンディングパッド形成領域への応力緩和層材料Ｂの侵入を防止することができる。【選択図】図２
2005268604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路形成面の外周部に沿って配列された複数個の第１ボンディングパッドと、当該第１ボンディングパッドを除く前記回路形成面上に形成された絶縁膜と、当該絶縁膜上の第２ボンディングパッド配列領域に形成された応力緩和層と、前記絶縁膜上及び前記応力緩和層上に形成され、一端が前記第１ボンディングパッドに接続された再配線と、当該再配線の他端に形成され、前記応力緩和層上に配置された複数個のバンプ電極接続用の第２ボンディングパッドとを有する半導体装置において、
第２ボンディングパッド配列領域の外周に、前記絶縁膜の一部を除去することにより形成された凹溝を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記凹溝が、前記第２ボンディングパッド配列領域を取り囲むように配列されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記凹溝が、前記第１ボンディングパッドを取り囲むように配列されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
複数本の前記凹溝を有し、これら複数本の凹溝が前記第２ボンディングパッド配列領域の周囲に同心に配列されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記凹溝が連続形状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記凹溝が不連続形状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
所要の半導体回路及び第１ボンディングパッドが形成された半導体ウエハを形成する工程と、当該半導体ウエハの回路形成面上に感光性樹脂層を均一に塗布する工程と、当該感光性樹脂層の感光処理と現像処理とをこの順に行って所要の絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に応力緩和層を印刷形成する工程と、前記絶縁膜上及び前記応力緩和層上に第２ボンディングパッドを含む再配線を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法において、
前記感光性樹脂層の感光処理と現像処理とをこの順に行って所要の絶縁膜を形成する工程で、前記第２ボンディングパッド配列領域の外周に相当する部分に所要の凹溝を形成し、
前記応力緩和層を印刷形成する工程で、前記第２ボンディングパッド配列領域に相当する開口部が形成されたメタルマスクを前記絶縁膜上に重ねて、前記絶縁膜上に応力緩和層をスクリーン印刷することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路形成面上に再配線が施されたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）タイプの半導体装置とその製造方法とに係り、特に、バンプ電極の下層に形成される応力緩和層の形成精度の改善手段に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気機器の小型軽量化、高速化及び高機能化の要求に対処するため、電気機器に実装する半導体装置に対しても小型軽量化、高集積化及び実装の容易化の要求が益々高まっている。
【０００３】
従来より、これらの各要求に対応可能な半導体装置として、図１０に示すように、回路形成面１の外周部に沿って配列された第１ボンディングパッド（アルミパッド）２と、回路形成面１を保護するために第１ボンディングパッド２の形成領域を除く回路形成面１上に形成されたパッシベーション膜３と、当該パッシベーション膜３上に積層された第１絶縁膜４と、当該第１絶縁膜４上のバンプ電極配列領域に形成された応力緩和層５と、第１絶縁膜４上及び応力緩和層５上に形成され一端が第１ボンディングパッド２に接続された再配線６と、当該再配線６を保護するために第１絶縁膜４上及び応力緩和層５上に形成された第２絶縁膜７と、再配線６の他端に形成された第２ボンディングパッド８に設定されたバンプ電極９とを備えたＣＳＰと呼ばれる半導体装置が提案されている（特許文献１参照。）。
【０００４】
このＣＳＰタイプの半導体装置は、バンプ電極９を回路形成面１のほぼ全面に配置することができるので、外周部に配列された第１ボンディングパッド２上に直接バンプ電極９を形成する場合に比べて各バンプ電極９間の距離を大きくすることができ、半導体装置の多端子化ひいては高機能化と電気機器に対する実装の容易化とを図ることができる。また、このＣＳＰタイプの半導体装置は、半導体素子を樹脂封止しないので、半導体装置の小型軽量化を図ることができる。さらに、このＣＳＰタイプの半導体装置は、バンプ電極９の下層に応力緩和層５を設けたので、バンプ電極９を介して半導体装置を配線基板上に実装した場合、半導体装置と配線基板との熱膨張係数差に起因するひずみがバンプ電極９と配線基板との間及びバンプ電極９と第２ボンディングパッド８との間に作用しにくく、各部の接続信頼性を高めることができて、半導体装置の耐久性の向上を図ることができる。
【０００５】
この種の半導体装置における応力緩和層５の形成は、ウエハプロセスにおいて、スクリーン印刷法、即ち、第１絶縁膜４上に応力緩和層形成用の開口部を有する平板状のメタルマスクを位置決めして配置する工程、メタルマスク上に応力緩和層材料をポッティングし、ポッティングされた当該応力緩和層材料をスキージで展伸してメタルマスクの開口部内に充填する工程、第１絶縁膜４上からメタルマスクを引き上げる工程及び第１絶縁膜４上に形成された応力緩和層５を乾燥する工程を経て行われる。
【特許文献１】特開平１１−１９１５７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、図１１に示すように、応力緩和層形成用のメタルマスク２１としては、応力緩和層５の平面形状に対応する開口部２２を有する平板状のものが用いられるので、応力緩和層材料をスキージで展伸したときに、半導体ウエハとメタルマスク２１との間に生じる微小な隙間ｄに応力緩和層材料Ｂが毛細管現象によって侵入し、その結果、図１１に示すように、半導体ウエハＡに形成された第１ボンディングパッド２が応力緩和層材料Ｂによって覆われ、その後の配線工程において良好な配線を行うことが困難になったり、或いは不可能になるという不都合が生じやすい。かかる不都合は、バンプ電極９の多端子化を図るために応力緩和層５の形成面積を拡大し、応力緩和層５の外周縁が第１ボンディングパッド２に接近するほど顕著になる。
【０００７】
本発明は、かかる従来技術の不備を解決するためになされたものであり、その目的は、第１ボンディングパッド形成領域への応力緩和層材料の侵入を防止でき、多機能かつ信頼性の高い半導体装置を提供すること、及び多機能かつ信頼性の高い半導体装置を容易に作成可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、前記の課題を解決するため、半導体装置に関しては、回路形成面の外周部に沿って配列された複数個の第１ボンディングパッドと、当該第１ボンディングパッドを除く前記回路形成面上に形成された絶縁膜と、当該絶縁膜上の第２ボンディングパッド配列領域に形成された応力緩和層と、前記絶縁膜上及び前記応力緩和層上に形成され、一端が前記第１ボンディングパッドに接続された再配線と、当該再配線の他端に形成され、前記応力緩和層上に配置された複数個のバンプ電極接続用の第２ボンディングパッドとを有する半導体装置において、第２ボンディングパッド配列領域の外周に、前記絶縁膜の一部を除去することにより形成された凹溝を有するという構成にした。
【０００９】
このように、第２ボンディングパッド配列領域の外周に凹溝を設けると、応力緩和層の形成時に、半導体ウエハとメタルマスクとの間に生じる微小な隙間に侵入した応力緩和層材料を凹溝内に溜めることができるので、第１ボンディングパッドの形成部への応力緩和層材料の侵入を防止することができ、その後の配線工程における配線不良を防止することができる。よって、応力緩和層の形成領域を拡大することができてバンプ電極の多端子化が可能になり、半導体装置の多機能化を図ることができると共に、第１ボンディングパッドに対する再配線の接続信頼性を高めることができて高機能ＣＳＰタイプ半導体装置の信頼性を高めることができる。また、絶縁膜の一部を除去することにより所要の凹溝を形成すると、凹溝を形成するための特別な膜の成膜や加工が不要であるので、多機能にして信頼性の高い半導体装置を安価かつ容易に製造することができる。
【００１０】
また、本発明は、前記構成の半導体装置において、前記凹溝が、前記第２ボンディングパッド配列領域を取り囲むように配列されているという構成にした。
【００１１】
このように、凹溝を第２ボンディングパッド配列領域を取り囲むように配列すると、当該凹溝の形成部より外周への応力緩和層材料の侵入を防止することができるので、凹溝の形状を単純化することができ、その形成を容易化することができる。
【００１２】
また、本発明は、前記構成の半導体装置において、前記凹溝が、前記第１ボンディングパッドを取り囲むように配列されているという構成にした。
【００１３】
このように、凹溝を第１ボンディングパッドを取り囲むように配列すると、個々の第１ボンディングパッドの形成部への応力緩和層材料の侵入を防止することができるので、応力緩和層材料の侵入に伴う不都合の発生を確実に防止することができる。
【００１４】
また、本発明は、前記構成の半導体装置において、複数本の前記凹溝を有し、これら複数本の凹溝が前記第２ボンディングパッド配列領域の周囲に同心に配列されているという構成にした。
【００１５】
このように、複数本の凹溝を第２ボンディングパッド配列領域の周囲に同心に配列すると、応力緩和層の外周端から第１ボンディングパッドの形成領域に至る応力緩和層材料の流出経路を実質的に長くすることができるので、第１ボンディングパッドの形成領域への応力緩和層材料の流入をより有効に防止することができ、応力緩和層形成領域の拡大による半導体装置のより一層の多機能化を図ることができる。
【００１６】
また、本発明は、前記構成の半導体装置において、前記凹溝が連続形状に形成されているという構成にした。
【００１７】
半導体装置には、第１ボンディングパッドの配列が異なる種々のものがあり、凹溝の形状は、各半導体装置における第１ボンディングパッドの配列に応じて適宜変更することができる。そして、回路形成面の外周部に沿って第１ボンディングパッドがほぼ均等に配列された半導体装置については、第２ボンディングパッド配列領域の周囲に連続した形状の凹溝を形成することによって、全ての第１ボンディングパッドについての接続不良を防止することができる。
【００１８】
また、本発明は、前記構成の半導体装置において、前記凹溝が不連続形状に形成されているという構成にした。
【００１９】
回路形成面の外周部に第１ボンディングパッドの非形成領域を有する半導体装置については、当該非形成領域と対向する部分の凹溝の形成を省略することができ、凹溝を不連続な形状に形成することもできる。このように、凹溝を不連続な形状に形成すると、回路形成面に対する絶縁膜の密着強度の低下を抑制することができるので、絶縁膜ひいては半導体装置の耐久性を高めることができる。
【００２０】
一方、本発明は、前記の課題を解決するため、半導体装置の製造方法に関しては、所要の半導体回路及び第１ボンディングパッドが形成された半導体ウエハを形成する工程と、当該半導体ウエハの回路形成面上に感光性樹脂層を均一に塗布する工程と、当該感光性樹脂層の感光処理と現像処理とをこの順に行って所要の絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に応力緩和層を印刷形成する工程と、前記絶縁膜上及び前記応力緩和層上に第２ボンディングパッドを含む再配線を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記感光性樹脂層の感光処理と現像処理とをこの順に行って所要の絶縁膜を形成する工程で、前記第２ボンディングパッド配列領域の外周に相当する部分に所要の凹溝を形成し、前記応力緩和層を印刷形成する工程で、前記第２ボンディングパッド配列領域に相当する開口部が形成されたメタルマスクを前記絶縁膜上に重ねて、前記絶縁膜上に応力緩和層をスクリーン印刷するという構成にした。
【００２１】
このように、半導体ウエハに対する絶縁膜の形成工程において、第２ボンディングパッド配列領域の外周に相当する部分に凹溝を絶縁膜に形成すると、応力緩和層の形成工程において、半導体ウエハとメタルマスクとの間に生じる微小な隙間に応力緩和層材料が侵入したとしても、その侵入した応力緩和層材料を凹溝内に溜めることができ、第１ボンディングパッド形成部への応力緩和層材料の侵入を防止することができるので、その後の配線工程における配線不良を防止することができる。よって、応力緩和層の形成領域を拡大することができてバンプ電極の多端子化が可能になり、半導体装置の多機能化を図ることができると共に、第１ボンディングパッドに対する再配線の接続信頼性を高めることができて高機能ＣＳＰタイプ半導体装置の信頼性を高めることができる。また、絶縁膜の一部を除去することにより所要の凹溝を形成すると、凹溝を形成するための特別な膜の成膜や加工が不要であるので、多機能にして信頼性の高い半導体装置を安価かつ容易に製造することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の半導体装置は、第２ボンディングパッド配列領域の外周に凹溝を設けたので、第１ボンディングパッド形成領域への応力緩和層材料の侵入を防止することができ、その後の配線工程における配線不良を防止することができて、半導体装置の多機能化と信頼性の向上とを図ることができる。
【００２３】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウエハに対する絶縁膜の形成工程において、絶縁膜の第２ボンディングパッド配列領域の外周に相当する部分に凹溝を形成するので、応力緩和層の形成工程において第１ボンディングパッド形成領域への応力緩和層材料の侵入を防止することができ、その後の配線工程における配線不良を防止することができて、多機能にして信頼性の高い半導体装置を安価かつ容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明に係る半導体装置の実施形態を図１乃至図３に基づいて説明する。図１は実施形態例に係る半導体装置のバンプ電極側から見た要部平面図、図２は図１のＡ−Ａ部断面図、図３は実施形態例に係る半導体装置の凹溝の配列例を示す平面図である。
【００２５】
実施形態例に係る半導体装置も、基本的な構成については図１０に示した従来例に係る半導体装置と同じであり、図１及び図２に示すように、回路形成面１の外周部に沿って配列された第１ボンディングパッド（アルミパッド）２と、回路形成面１を保護するために第１ボンディングパッド２の形成部を除く回路形成面１上に形成されたパッシベーション膜３と、当該パッシベーション膜３上に積層された第１絶縁膜４と、当該第１絶縁膜４のバンプ電極配列領域に形成された応力緩和層５と、第１絶縁膜４上及び応力緩和層５上に形成され一端が第１ボンディングパッド２に接続された再配線６と、当該再配線６を保護するために第１絶縁膜４上及び応力緩和層５上に形成された第２絶縁膜７と、再配線６の他端に形成された第２ボンディングパッド８に設定されたバンプ電極９とから構成されている。
【００２６】
実施形態例に係る半導体装置と従来例に係る半導体装置との相違は、図１及び図３に示すように、実施形態例に係る半導体装置においては、第２ボンディングパッド配列領域１１の外周に、第１絶縁膜４の一部を除去することにより形成される凹溝１２が形成されている点にある。
【００２７】
前記凹溝１２の本数、幅及び周回形状については、必要に応じて任意に設計することができる。即ち、例えば図１及び図３（ａ）に示すように、一定の幅を有する連続形状の凹溝１２を１本のみ第２ボンディングパッド配列領域１１を取り囲むように形成することもできるし、図３（ｂ）に示すように、一定の幅を有する連続形状の凹溝１２を第２ボンディングパッド配列領域１１の周囲に複数本同心に配列することもできる。また、図３（ｃ）に示すように、凹溝１２を必要な部位のみに不連続形状に形成することもできる。さらに、図３（ｄ），（ｅ）に示すように、凹溝１２を個々の第１ボンディングパッド２の周囲を取り囲むようにすることもできる。
【００２８】
図３（ａ）に示すように連続形状の凹溝１２を形成すると、第１ボンディングパッド形成領域１０の全周にわたって応力緩和層材料の侵入を防止することができるので、第１ボンディングパッド形成領域１０に第１ボンディングパッド２がほぼ等分に配列されている半導体装置について再配線６の接続不良を防止することができる。また、図３（ｃ）に示すように不連続形状の凹溝１２を形成した場合にも、回路形成面１における第１ボンディングパッド２の非形成領域と凹溝１２の非形成部とを合致させることにより、第１ボンディングパッド２への応力緩和層材料の侵入を防止することができるので、再配線６の接続不良を防止することができる。また、凹溝１２を不連続な形状に形成すると、回路形成面１に対する第１絶縁膜４の密着強度の低下を抑制することができるので、第１絶縁膜４ひいては半導体装置の耐久性を高めることができる。加えて、図３（ｂ）に示すように複数本の凹溝１２を第２ボンディングパッド配列領域１１の周囲に同心に配列すると、応力緩和層５の外周端から第１ボンディングパッド形成領域１０に至る応力緩和層材料の流出経路を実質的に長くすることができるので、第１ボンディングパッド形成領域１０への応力緩和層材料の流入をより有効に防止することができ、応力緩和層形成領域の拡大による半導体装置のより一層の多機能化を図ることができる。さらに、図３（ｄ），（ｅ）に示すように凹溝１２を個々の第１ボンディングパッド２を取り囲むように配列すると、個々の第１ボンディングパッド２の形成部への応力緩和層材料の侵入を防止することができるので、応力緩和層材料の侵入に伴う不都合の発生を確実に防止することができる。
【００２９】
回路形成面１には、第１ボンディングパッド２及び所要の半導体素子群よりなる図示しない半導体回路並びにパッシベーション膜３が定法にしたがってウエハプロセスで形成される。
【００３０】
第１絶縁膜４は、感光性ポリイミド樹脂などの感光性樹脂材料をもって均一な厚さに形成されており、図２に示すように、第１ボンディングパッド２の中央領域及びスクライブライン並びに凹溝１２の形成部を除くパッシベーション膜３上に形成される。このように、第１ボンディングパッド２の開口端を第１絶縁膜４で覆うことにより、再配線６と半導体回路の導通及び電気的干渉を防止することができる。なお、前記パッシベーション膜３が再配線６と半導体回路の導通及び電気的干渉を十分に防止できる場合には、パッシベーション膜３を第１絶縁膜とすることができ、前記パッシベーション膜３に前記凹溝１２が形成される。その場合、前記パッシベーション膜３にドライエッチングや化学的エッチング等により凹溝１２を形成する。
【００３１】
応力緩和層５は、第１絶縁膜４よりも軟質の樹脂をスクリーン印刷することによって、第１ボンディングパッド形成領域１０よりも内周の第１絶縁膜４上に形成される。応力緩和層材料としては、半導体装置と配線基板との熱膨張係数差に起因するひずみを吸収する必要があることから、膜物性として、弾性率が０．５〜１ＧＰａで、線熱膨張係数が２００ｐｐｍ／℃以下のものを用いることが特に望ましい。なお、本例においては、応力緩和層５の外周部分に、図２に示すように、メタルマスク引き上げ後の応力緩和層材料の粘性流動により傾斜部５ａが形成されている。
【００３２】
第２ボンディングパッド８を含む再配線６は、銅めっきなどの導体によって形成され、図２に示すように、第１絶縁膜４上及び応力緩和層５上に配列される。再配線６は、一端が第１ボンディングパッド２に接続され、他端の第２ボンディングパッド８が応力緩和層５上に所要の配列で形成される。
【００３３】
第２絶縁膜７は、応力緩和層５よりも硬質の感光性ポリイミド樹脂などの感光性樹脂材料をもって構成され、図２に示すように、第２ボンディングパッド８の中央領域を除く第１絶縁膜４上及び応力緩和層５上に形成される。この第２絶縁膜７も、前記第１絶縁膜４と同様の方法で形成される。
【００３４】
バンプ電極９は、ハンダをボール状に成形してなるハンダボール、樹脂ボールの表面にハンダをコーティングしてなるコーティングハンダボール、その他のボール状導電材料をもって形成され、応力緩和層５上に配列された各第２ボンディングパッド８上に搭載される。
【００３５】
なお、上例においては、第１絶縁膜４及び第２絶縁膜７を感光性樹脂材料をもって構成したが、本発明の要旨はこれに限定されるものではなく、非感光性の樹脂材料に感光性樹脂材料をパターニングし、非感光性の樹脂材料にボンディングパッド２，８を形成することもできる。
【００３６】
本例の半導体装置は、第２ボンディングパッド配列領域１１の外周に凹溝１２を設けたので、応力緩和層５の形成時に、半導体ウエハとメタルマスクとの間に生じる微小な隙間に侵入した応力緩和層材料を凹溝１２内に溜めることができ、第１ボンディングパッド２の形成部への応力緩和層材料の侵入を防止することができて、その後の配線工程における配線不良を防止することができる。よって、応力緩和層５の形成領域を拡大することができてバンプ電極の多端子化が可能になり、半導体装置の多機能化を図ることができると共に、第１ボンディングパッド２に対する再配線６の接続信頼性を高めることができて高機能ＣＳＰタイプ半導体装置の信頼性を高めることができる。また、第１絶縁膜４の一部を除去することにより所要の凹溝１２を形成するので、凹溝１２を形成するための特別な膜の成膜や加工が不要であり、多機能にして信頼性の高い半導体装置を安価かつ容易に製造することができる。
【００３７】
以下、本発明に係る半導体装置製造方法の一例を図４乃至図９に基づいて説明する。図４は図１乃至図３に例示した半導体装置の製造方法を示すフロー図、図５は第１絶縁膜４の形成工程を示すフロー図、図６は応力緩和層の形成工程を示すフロー図、図７は再配線の形成工程を示すフロー図、図８は応力緩和層形成用マスクの一部平面図、図９は応力緩和層の印刷状態を示す断面図である。
【００３８】
図４に示すように、図１乃至図３に例示した半導体装置は、ウエハプロセスにて所要の半導体回路と第１ボンディングパッド２とパッシベーション膜３とが形成された半導体ウエハの回路形成面１上に凹溝１２を有する第１絶縁膜４を形成する工程（手順Ｓ１）、第１絶縁膜４上に応力緩和層５を形成する工程（手順Ｓ２）、第１絶縁膜４及び応力緩和層５上に第２ボンディングパッド８を含む再配線６を形成する工程（手順Ｓ３）、再配線６、第１絶縁膜４及び応力緩和層５の外面に第２絶縁膜７を形成する工程（手順Ｓ４）、第２ボンディングパッド８上にバンプ電極９を設定する工程（手順Ｓ５）、及び半導体ウエハをダイシングして半導体装置の個片を取り出す工程（手順Ｓ６）を経て製造される。
【００３９】
第１絶縁膜４を形成する工程（手順Ｓ１）は、図５に示すように、半導体ウエハのパッシベーション膜３上に感光性ポリイミド樹脂などの感光性樹脂材料よりなる樹脂層を均一な厚さに塗布する工程（手順Ｓ１１）、樹脂層上に所要の透光部が形成された露光用マスクを位置決めして配置する工程（手順Ｓ１２）、露光用マスクを介して第１ボンディングパッド２の中央部及びスクライブライン並びに凹溝１２の形成部を除く樹脂層に樹脂硬化光を照射する工程（手順Ｓ１３）、露光後の樹脂層を現像処理する工程（手順Ｓ１４）を含んで構成される。
【００４０】
前記第１絶縁膜４上に応力緩和層５を形成する工程（手順Ｓ２）は、図６に示すように、第１絶縁膜４上に応力緩和層形成用マスクを位置決めして配置する工程（手順Ｓ２１）、メタルマスク上に応力緩和層材料をポッティングし、ポッティングされた当該応力緩和層材料をスキージで展伸して、メタルマスクに開設された開口部内に充填する工程（手順Ｓ２２）、第１絶縁膜４上からメタルマスクを引き上げる工程（手順Ｓ２３）、及び第１絶縁膜４上に形成された応力緩和層４を乾燥する工程（手順Ｓ２４）を含んで構成される。
【００４１】
図８に示すように、本実施形態に係る応力緩和層形成用マスク２１は、平面形状が正方形の応力緩和層５を形成するためのものであって、ステンレスやニッケルなどの金属板に正方形の開口部２２を半導体ウエハＡにおける半導体回路の配列に合わせて、縦方向及び横方向に等ピッチで開設してなる。もちろん、マスク２１の開口形状は正方形に限定されるものではなく、半導体装置のチップサイズや第２ボンディングパッド８の配置状態などに応じて適宜の形状とすることができる。各開口部２２の幅Ｗ１は、図９に示すように、凹溝１２の内幅（凹溝１２が複数本ある場合には、最内周の凹溝の内幅）Ｗ２よりも小さく形成される。
【００４２】
凹溝１２の内側に応力緩和層形成用マスク２１の内端を位置合わせして応力緩和層５のスクリーン印刷を行うと、図９に示すように、半導体ウエハＡと応力緩和層形成用マスク２１との間に生じる微小な隙間ｄに毛細管現象により応力緩和層材料Ｂが侵入したとしても、侵入した応力緩和層材料Ｂを凹溝１２内に溜めることができ、第１ボンディングパッド形成領域１０への応力緩和層材料Ｂの侵入を防止することができるので、その後の配線工程における配線不良を防止することができる。よって、応力緩和層５の形成領域ひいては第２ボンディングパッド配列領域１１を拡大することができるので、バンプ電極９の多端子化が可能となり半導体装置の多機能化を図ることができると共に、第１ボンディングパッド２に対する再配線の接続信頼性を高めることができて高機能ＣＳＰタイプ半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００４３】
また、第１絶縁膜４及び応力緩和層５上に第２ボンディングパッド８を含む再配線６を形成する工程（手順Ｓ３）は、図７に示すように、フォトリソグラフィ法、即ち、第１絶縁膜４及び応力緩和層５上にクロム及び銅などを一様にスパッタリングして給電膜を形成する工程（手順Ｓ３１）、当該給電膜上にフォトレジスト層を均一な厚さに形成する工程（手順Ｓ３２）、フォトレジスト層を第２ボンディングパッド８を含む再配線６の形状に露光する工程（手順Ｓ３３）、現像処理によって再配線６の形状に対応する給電膜を露出させる工程（手順Ｓ３４）、露出させた給電膜に銅めっきやニッケルめっきなどを施して第２ボンディングパッド８を含む再配線６を形成する工程（手順Ｓ３５）、残存したフォトレジスト層を除去し、再配線６の形状以外に対応する給電層を露出させる工程（手順Ｓ３６）、及び露出された給電層を化学エッチングによって除去する工程（手順Ｓ３７）を含んで構成される。
【００４４】
本例の半導体装置製造方法は、ウエハ段階で半導体ウエハＡの回路形成面１に第２ボンディングパッド形成領域１１を取り囲む凹溝１２を形成するので、応力緩和層５の形成時に、半導体ウエハＡの回路形成面１と応力緩和層形成用マスク２１との間に生じる微小な隙間ｄに応力緩和層材料Ｂが侵入したとしても、その侵入した応力緩和層材料Ｂを凹溝１２内に溜めることができ、第１ボンディングパッド形成領域１０への応力緩和層材料Ｂの侵入を防止することができて、その後の配線工程における配線不良を防止することができる。よって、バンプ電極９の多端子化が可能で半導体装置の多機能化を図ることができると共に、第１ボンディングパッド２に対する再配線６の接続信頼性を高めることができて高機能ＣＳＰタイプ半導体装置の信頼性を高めることができる。もちろん、図３に示した他の形状の凹溝１２についても同様の方法で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】実施形態例に係る半導体装置のバンプ電極側から見た要部平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ部断面図である。
【図３】実施形態例に係る半導体装置の凹溝の配列例を示す平面図である。
【図４】実施形態例に係る半導体装置製造方法を示すフロー図である。
【図５】第１絶縁膜４の形成工程を示すフロー図である。
【図６】応力緩和層の形成工程を示すフロー図である。
【図７】再配線の形成工程を示すフロー図である。
【図８】応力緩和層形成用マスクの一部平面図である。
【図９】応力緩和層の印刷状態を示す断面図である。
【図１０】従来例に係る半導体装置の斜視断面図である。
【図１１】従来例に係る半導体装置の不都合を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１    回路形成面
２    第１ボンディングパッド
３    パッシベーション膜
４    第１絶縁膜
５    応力緩和層
５ａ    傾斜部
６    再配線
７    第２絶縁膜
８    第２ボンディングパッド
９    バンプ電極
１０    第１ボンディングパッド形成領域
１１    第２ボンディングパッド形成領域
１２    凹溝
Ａ    シリコンウエハ
Ｂ    応力緩和層材料
【図１】
2005268604.tif 000003
【図２】
2005268604.tif 000004
【図３】
2005268604.tif 000005
【図４】
2005268604.tif 000006
【図５】
2005268604.tif 000007
【図６】
2005268604.tif 000008
【図７】
2005268604.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005268604.tif 000011
【図１０】
2005268604.tif 000012
【図１１】
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