(57)【要約】【課題】  光ファイバとなるガラス母材への不純物の拡散を極力抑え、伝送損失が低減された光ファイバを効率良く得る。【解決手段】  ダミーロッド２に多孔質ガラス母材４ａを形成して、多孔質ガラス母材４ａを加熱し透明化処理を行う。ダミーロッド２の表面から０．５〜３ｍｍの深さの部分の層に含まれるＯＨ基を１５０ｐｐｍ以下とする。ダミーロッド２の表面から０．５〜３ｍｍの深さの部分の層に含まれる遷移金属元素を３０ｐｐｍ以下とする。ダミーロッド２の表面を予め無水プロセス加熱源を用いて清浄化する。多孔質ガラス母材４ａの透明化処理を、ダミーロッド２側が最後になるように行う。多孔質ガラス母材４ａの透明化処理において、雰囲気ガスをダミーロッド２の遠い側から供給し、ダミーロッド２に近い側から排気する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダミーロッドに多孔質ガラス層を形成して、前記多孔質ガラス層を加熱して透明化処理を行うガラス母材の製造方法であって、
前記ダミーロッドの表面から０．５〜３ｍｍの深さの部分の層は、ＯＨ基が１５０ｐｐｍ以下であり、かつ添加材の総量が０．１重量％以下であることを特徴とするガラス母材の製造方法。
【請求項２】
ガラスロッドの先端にダミーロッドを接続した出発ロッド上に多孔質ガラス層を形成して、前記多孔質ガラス層を加熱して透明化処理を行うガラス母材の製造方法であって、
前記ダミーロッドの表面から０．５〜３ｍｍの深さの部分の層は、ＯＨ基が１５０ｐｐｍ以下であることを特徴とするガラス母材の製造方法。
【請求項３】
前記ダミーロッドの表面から０．５〜３ｍｍの深さの部分の層に含まれる遷移金属元素が３０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のガラス母材の製造方法。
【請求項４】
予め無水プロセス加熱源を用いて、前記ダミーロッドの表面を加熱して、不純物を減少させることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス母材の製造方法。
【請求項５】
前記ダミーロッドは、合成石英製であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のガラス母材の製造方法。
【請求項６】
前記多孔質ガラス層の透明化処理を、前記ダミーロッド側が最後に加熱されるように行うことを特徴とする請求項１，３〜５のいずれか１項に記載のガラス母材の製造方法。
【請求項７】
前記多孔質ガラス層の透明化処理において、雰囲気ガスを前記ダミーロッドの遠い側から供給し、前記ダミーロッドに近い側から排気することを特徴とする請求項１，３〜６のいずれか１項に記載のガラス母材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダミーロッドに燃焼用ガス及びガラス原料用ガスを吹き付けてガラス微粒子を堆積させ、その後、加熱してガラス化するガラス母材の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、コアとクラッドよりなる光ファイバは、光ファイバ用の多孔質ガラス層を加熱して透明化させてガラス母材とした後、線引きして製造される。多孔質ガラス層を製造する方法としては、例えばＶＡＤ法（Vapor phase Axial Deposition；気相軸付法）が挙げられる。このＶＡＤ法は、バーナから、燃焼用ガス及びガラス原料用ガスを吹き出し、燃焼用ガスの燃焼により生じる酸水素火炎中においてガラス原料を加水分解させて、ダミーロッドにガラス微粒子を堆積させるものである。
【０００３】
ここで、多孔質ガラス母材を加熱して焼結し、ガラス化する工程において、多孔質ガラスプリフォームを吊す治具に白金を使用することにより、治具からの不純物の汚染を抑える技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、堆積させるガラス微粒子と同組成あるいは同じ線膨張係数のガラス棒を用いることにより、多孔質ガラスプリフォームの焼結時に、コア部分の脱落やクラックの発生を抑制する技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平６−２９８５４０号公報
【特許文献２】特開２０００−７３８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、低伝送損失の光ファイバを製造するためには、光の伝播するコアの純度を高くすることが重要である。特に、近年では、ＯＨ基による伝送損失の影響の大きい波長１.３８μｍにおける伝送損失を低く抑えることが望まれている。
ここで、ガラス母材の製造に用いられるダミーロッドは、光ファイバとなる部分ではないため、生産コスト低減のために、例えば、天然石英などの低コストな材質のものが用いられている。
しかしながら、ダミーロッドとして低コストな材質のものを用いると、多孔質ガラス層のガラス化時に、石英の吸収損失を増大させる重金属やＯＨ基を含む化合物などの不純物がダミーロッドからガラス母材へ拡散し、光ファイバとした際に、ダミーロッド近傍におけるコアの伝送損失が高くなり、製品として用いることができなくなり、歩留まりが低下する要因となっていた。
【０００６】
この発明は、光ファイバとなるガラス母材への不純物の拡散を極力抑え、伝送損失が低減された光ファイバを効率良く得ることが可能なガラス母材の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係るガラス母材の製造方法は、ダミーロッドに多孔質ガラス層を形成して、前記多孔質ガラス層を加熱して透明化処理を行うガラス母材の製造方法であって、
前記ダミーロッドの表面から０．５〜３ｍｍの深さの部分の層は、ＯＨ基が１５０ｐｐｍ以下であり、かつ添加材の総量が０．１重量％以下であることを特徴としている。
【０００８】
また、本発明に係る製造方法は、ガラスロッドの先端にダミーロッドを接続した出発ロッド上に多孔質ガラス層を形成して、前記多孔質ガラス層を加熱して透明化処理を行うガラス母材の製造方法であって、前記ダミーロッドの表面から０．５〜３ｍｍの深さの部分の層は、ＯＨ基が１５０ｐｐｍ以下であることを特徴としている。
【０００９】
本発明に係る製造方法は、前記ダミーロッドの表面から０．５〜３ｍｍの深さの部分の層に含まれる遷移金属元素が３０ｐｐｍ以下であることが好ましい。
本発明に係る製造方法は、予め無水プロセス加熱源を用いて、前記ダミーロッドの表面を加熱して、不純物を減少させることが好ましい。
本発明に係る製造方法は、前記ダミーロッドは、合成石英製であることが好ましい。
【００１０】
本発明に係る製造方法は、前記多孔質ガラス層の透明化処理を、前記ダミーロッド側が最後になるように行うことが好ましい。
本発明に係る製造方法は、前記多孔質ガラス層の透明化処理において、雰囲気ガスを前記ダミーロッドの遠い側から供給し、前記ダミーロッドに近い側から排気することが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のガラス母材の製造方法によれば、ダミーロッドの表面から０．５〜３ｍｍの深さの部分に含まれるＯＨ基を１５０ｐｐｍ以下とすることにより、ダミーロッドに形成された多孔質ガラス層を加熱して透明化処理を行ってガラス母材を製造する際に、ダミーロッドからガラス母材へのＯＨ基の拡散を極力抑えることができる。つまり、線引きして光ファイバとした際に、伝送損失が低減された光ファイバを効率良く得ることが可能なガラス母材を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明に係る製造方法の実施形態について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係る製造方法の実施形態を説明する概略構成図である。なお、本実施形態例では、多孔質ガラス層を形成する方法として、ＶＡＤ法を例にとって説明する。
ＶＡＤ法によって多孔質ガラス層を製造するには、図に示すように、容器１内にてシード棒３の下端に、連結部材３ａを介してダミーロッド２を連結させて垂直に配置する。そして、このダミーロッド２を軸回転させながら引き上げ、ダミーロッド２の下端部分にガラス微粒子を堆積させて多孔質ガラス層４を形成して、多孔質ガラス層４を有する多孔質ガラス母材４ａを形成する。
【００１３】
ダミーロッド２に多孔質ガラス層４を形成する際、コア用バーナ５及びクラッド用バーナ６をダミーロッド２に対して下方から斜め上方へ向けて固定配置し、コア用バーナ５及びクラッド用バーナ６からガラス微粒子をダミーロッド２に吹き付けて堆積させ、光ファイバのコアとなる部分と、クラッドの一部（第１クラッド）となる部分とを同時合成する。
コア用バーナ５には、ガラス原料用ガスである四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）及び四塩化ゲルマニウム（ＧｅＣｌ４）とともに燃焼用ガスである水素（Ｈ２）及び酸素（Ｏ２）が供給される。また、クラッド用バーナ６には、ガラス原料用ガスである四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）とともに燃焼用ガスである水素（Ｈ２）及び酸素（Ｏ２）が供給される。
そして、これらコア用バーナ５及びクラッド用バーナ６は、それぞれのバーナの先端部から燃焼用ガス及びガラス原料用ガスを吹き出し、燃焼用ガスの燃焼により生じる酸水素火炎中においてガラス原料を加水分解して、ダミーロッド２にガラス微粒子を付着させ堆積させる。
【００１４】
ダミーロッド２は、その表面から０．５〜３ｍｍの深さの部分の層（以下、この部分を「表層部分」と称する。）のＯＨ基の含有量（重量濃度）が１５０ｐｐｍ以下の石英棒を使用する。このようなダミーロッド２としては、天然石英でも合成石英でもよく、市販品を使用することもできる。
ダミーロッド２の表層部分に含まれるＯＨ基を１５０ｐｐｍ以下とすることにより、多孔質ガラス母材４ａを加熱、透明化処理して、ガラス母材を製造する（後述する）際に、ダミーロッド２からガラス母材へのＯＨ基の拡散を極力抑えることができる
【００１５】
なお、表面から０．５ｍｍ未満の深さの部分については、ＯＨ基の含有量は特に限定されない。この表面から０．５ｍｍ未満の深さの部分は、外気からＯＨ基が侵入しやすい部分であるが、後述する表面研磨等の手段により容易に除去できるためである。また、表面から３ｍｍ以上の深さの部分のＯＨ基含有量については、特に限定されず、ダミーロッド２の表層部分のＯＨ基含有量と同じであっても異なっていてもよい。
【００１６】
ダミーロッド２の表層部分におけるＯＨ基の含有量は、０〜３０ｐｐｍとするのが好ましく、さらに０〜１０ｐｐｍとするのが好ましい。なお、ダミーロッド２のＯＨ基の含有量は、例えばダミーロッド２の赤外線吸収スペクトルを測定することにより得られる。
このように、ＯＨ基の含有量が少ないダミーロッド２を使用することによって、後述する透明化処理を行う際にダミーロッド２からガラス母材へＯＨ基が混入することを抑制できる。
【００１７】
また、ダミーロッド２の表層部分に含まれる添加材の総量は、０．１重量％以下である。勿論、表層部分に限定されず、ダミーロッド２全体に含まれる添加材の総量が、０．１重量％以下であっても良い。
本発明において、「添加材」は、意図的に添加したか否かを問わず、ダミーロッド２が合成石英である場合には、例えば、フッ素、塩素、窒素等のダミーロッド２の合成中に添加される添加物や混入物等であり、ダミーロッド２が天然石英である場合には、例えば、石英に天然に含まれる不純物等である。これらの物質は、伝送損失に対する影響が少ないと考えられる物質であり、添加材には「遷移金属元素」等の伝送損失増加となる原因物質を含まない。
【００１８】
また、ダミーロッド２は、表層部分に含まれる遷移金属元素が３０ｐｐｍ以下であることが好ましく、さらに０〜５ｐｐｍであるのが好ましい。ダミーロッド２の表層部分に含まれる遷移金属元素を３０ｐｐｍ以下とすることにより、ダミーロッド２から遷移金属元素の拡散も極力抑えることができ、これにより、さらに伝送損失が低減された光ファイバを効率良く得ることが可能なガラス母材を製造することができる。
さらに、ダミーロッド２は、表層部分に含まれる軽金属元素が５０ｐｐｍ以下とすることが好ましく、さらに２０ｐｐｍ以下とするのが好ましい。
なお、ダミーロッド２に含まれる軽金属元素及び遷移金属元素の含有量については、例えばダミーロッド２を元素分析することにより測定することができる。
【００１９】
また、ダミーロッド２は、その表面を予め研磨して清浄化しておくことが好ましい。この表面研磨の方法を図２に示す。図２に示すように、ダミーロッド２（図１）となるダミー材２ａの両端を一対のチャック１１ａにより把持し、さらにチャック１１ａを一対の支持部１１に支持させた状態にして、ダミー材２ａを軸線を中心として回転させ、その下方に設置したバーナ１２からダミー材２ａに向けて火炎を放射する。そして、バーナ１２を長手方向に沿って移動させながら、バーナ１２からの火炎によってダミー材２ａを火炎研磨する。
このようにダミー材２ａを火炎研磨することにより、ダミー材２ａの表面（表面から約０．５ｍｍの部分を含む。）の不純物を減少させて、清浄化を行うことができる。このように火炎研磨したダミー材２ａを適当な長さに切断してダミーロッド２として用いることができる。
【００２０】
この火炎研磨に用いる加熱源であるバーナ１２としては、レーザ、プラズマ火炎バーナ等の無水プロセス加熱源を使用するのが好ましい。このような加熱源を用いると、火炎中に空気が混入しないため、ダミー材２ａ表面で火炎研磨によるＯＨ基の生成が起こりにくい。よって、遷移金属元素等の不純物を除去できるとともに、火炎研磨時におけるダミー材２ａへのＯＨ基の生成を防止でき、ダミー材２ａを高純度に維持することができる。
【００２１】
上記のようにして、ダミーロッド２にガラス微粒子を堆積させて多孔質ガラス母材４ａを形成したら、この多孔質ガラス母材４ａを加熱して透明化処理を行い、ガラス母材を形成する。図３に多孔質ガラス母材４ａからガラス母材４ｂを形成する方法を示す。
図３に示すように、まず、ダミーロッド２を連結棒２３に連結して、多孔質ガラス母材４ａを抵抗ヒータ２１を用いた加熱炉２２内に吊下げる。加熱炉２２内には、例えば塩素を有する脱水ガスを含む雰囲気ガスを供給する。
この雰囲気ガス中において、多孔質ガラス母材４ａをゆっくりと下方へ移動させながら約１２００℃で加熱し、多孔質ガラス母材４ａを脱水するとともにＯＨ基を除去する。その後、多孔質ガラス母材４ａを約１５５０℃で加熱し、多孔質ガラス母材４ａを透明化処理して光ファイバのコアとなる部分と第１クラッドとなる部分とを有するガラス母材４ｂとする。
【００２２】
ここで、上記のように加熱して透明化処理する際には、ダミーロッド２側が最後に加熱されるように行うことが望ましい。すなわち、抵抗ヒータ２１による加熱を、多孔質ガラス母材４ｂの下端側から上端側（すなわち、ダミーロッド２と反対側からダミーロッド２側）へ向かって行うことが望ましい。この方向で透明化処理を行うと、ダミーロッド２付近のガラス微粒子は、多孔質ガラス母材４ｂの透明化処理の終了間際に加熱されるので、ダミーロッド２からの遷移金属元素やＯＨ基等の不純物の拡散を抑えることができる。また、ダミーロッド２に僅かに含まれる不純物が多孔質ガラス母材４ａ（特にコア部分）に混入した場合にも、ガラス母材４ｂの下端側に向かって不純物が拡散することを防止できる。
【００２３】
また、雰囲気ガスは、加熱炉２２の下方（すなわち、ダミーロッド２から遠い側）から供給し、加熱炉２２の上方（すなわち、ダミーロッド２に近い側）から排気することが好ましい。このような方向で雰囲気ガスを供給することにより、多孔質ガラス母材４ａを加熱した際、ガラス母材４ｂ中にＯＨ基が拡散することを防止できる。
【００２４】
透明化処理を行ったガラス母材４ｂをさらに延伸して、細長いガラスロッドを形成する（図示せず）。延伸したガラスロッドを数本のガラスロッドに切断し、各ガラスロッドの外周にさらに多孔質ガラス層を堆積させて、光ファイバとしての特性を満足するために必要な厚みのクラッド（第２クラッド）となる部分を形成する。この工程をジャケット付けという。
【００２５】
図４（Ａ）は、ジャケット付け工程の一例を示している。図４（Ａ）に示すように、ガラス母材４ｂ（図３）から製造したガラスロッド４ｃの先端にダミーロッド２ｂを接続し、ガラスロッド４ｃの他方端には別のダミーロッド２ｃを接続した出発ロッド４２を用意し、この出発ロッド４２を連結棒２５に連結して垂直に配置する。バーナ２４を反応容器２６の下方でかつ斜め上方へ向けて設置し、バーナ２４により出発ロッド４２上端側から徐々に多孔質ガラス層４１を堆積させる。このようにして、第２クラッドとなる部分を有する多孔質ガラス母材４ｄを形成する。
【００２６】
第２クラッドとなる部分を合成する方法としては、図５に示す多層付け法でもよい。図５に示す方法では、出発ロッド４２の長手方向に対してバーナ２４を略垂直に配置する。出発ロッド４２の長手方向へバーナ２４を相対的に往復移動させて、出発ロッド４２の外周に多孔質ガラス層４１を多層に付着させ、第２クラッドとなる部分を有する多孔質ガラス母材４ｄを形成する。
【００２７】
なお、図４及び図５に示す方法において用いられるダミーロッド２ｂ，２ｃは、上記で説明したダミーロッド２ａ（図１）と同様に、ダミーロッド２ｂ，２ｃの表面から０．５〜３ｍｍの深さの部分の層（表層部分）は、ＯＨ基が１５０ｐｐｍ以下である。ダミーロッド２ｂ，２ｃの表層部分に含まれるＯＨ基を１５０ｐｐｍ以下とすることにより、後述する多孔質ガラス母材４ｄの焼結時において、ダミーロッド２ｂ，２ｃからＯＨ基を有する化合物がガラス母材に拡散するのを抑制できる。
【００２８】
上記のようにしてジャケット付けを行った後、再び、図６に示すように、加熱炉２２において第２クラッドとなる部分を有する多孔質ガラス母材４ｄを加熱、透明化処理することにより、光ファイバとした際にコアとなる部分及びクラッドとなる部分を有するガラス母材４ｅとする。
なお、この透明化処理の場合も、多孔質ガラス母材４ｄの下端側から上端側に向かって抵抗ヒータ２１によって加熱することが望ましい。また、雰囲気ガスは、加熱炉２２の下方から供給し、加熱炉２２の上方から排気することが望ましい。
さらに、このように透明化処理したガラス母材４ｅを延伸して引き伸ばし、これを線引炉にて線引きすることにより、コアとクラッドを有する光ファイバを製造することができる。
【００２９】
以上、説明したように、本実施形態に係るガラス母材の製造方法によれば、ダミーロッド２，２ｂ，２ｃの表層部分に含まれるＯＨ基を１５０ｐｐｍ以下とするので、ダミーロッド２，２ｂ，２ｃを用いて多孔質ガラス母材を形成してガラス母材４ｂを製造する際に、ダミーロッド２，２ｂ，２ｃからガラス母材へのＯＨ基の拡散を極力抑えることができる。つまり、ガラス母材を線引きして光ファイバとした際に、伝送損失が低減された光ファイバを効率良く得ることが可能なガラス母材を製造することができる。
【００３０】
なお、ダミーロッド２（図１）としては、例えば、天然石英からなるガラスロッドの表面におけるＯＨ基及び遷移金属元素を除去して用いても良いが、光ファイバとして用いられないガラス母材の一部分を、新たなガラス母材の製造時のダミーロッド２として再利用しても良い。
ダミーロッド２として再利用できるガラス母材の一部分としては、例えば、図４（Ａ）で点線で囲まれた多孔質ガラス母材４ｄの上端部１６を、透明化処理して延伸したもの等を利用できる。多孔質ガラス母材４ｄの上端部１６は、図４（Ｂ）の拡大図に示すように、ダミーロッド２の外周に堆積した多孔質ガラス層４１の上端部分と、ダミーロッド２ｂに連結しているガラスロッド４ｃの上端部分とから構成され、通常光ファイバ製品として用いられない部分である。多孔質ガラス母材４ｄを延伸した後、図４（Ｃ）のように細長くなった上端部１６ａをガラス母材から切り出し、さらに適宜サイズ加工する等してダミーロッド２として用いることができる。
【００３１】
ガラス母材として合成された合成石英は、高純度であり、含有するＯＨ基及び遷移金属元素の含有量（重量濃度）も極めて低いので、このように光ファイバの製造後に不要となったガラス母材の端部を用いることにより、新たに製造するガラス母材への不純物の拡散を抑えることができ、しかも、不要部分として処分されていたガラス母材の端部の再利用を図ることができる。これにより、品質向上とともに経済的にも有利である。
【００３２】
また、上記実施形態においては、ファイバのコアとなる部分及びクラッドとなる部分の一部を同時合成して多孔質ガラス母材４ａを形成する例（図１）について説明したが、本発明の製造方法はこれに限定されない。すなわち、本発明の製造方法は、コアとなる部分のみを有する多孔質ガラス母材を形成した後、加熱・透明化処理して延伸し、クラッドとなる部分のジャケット付けを一度に行う形態であってもよい。
【実施例】
【００３３】
下記の実施例１、２及び比較例の条件にてガラス母材を製造し、それぞれのガラス母材から光ファイバを線引きして伝送損失を測定した。
（実施例１）
不純物の含有量が軽金属元素１５ｐｐｍ、遷移金属元素２.８ｐｐｍ、ＯＨ基１０ｐｐｍの石英棒（ＧＥ社製）をダミーロッドとして用い、このダミーロッドを予め酸水素火炎を用いて火炎研磨して清浄化した。なお、実施例１で用いたダミーロッドに含まれる添加材の総量は０．１重量％以下であった。
このダミーロッドに、ＶＡＤ法によりコアとクラッドとなる部分のガラス微粒子を同時に堆積させ、多孔質ガラス母材を形成した。その後、加熱炉にて約１２００℃で脱水、ＯＨ基の除去をし、約１５５０℃で加熱し透明化処理を行った。このようにして得られたガラス母材を延伸してジャケット付けを行い、さらにその外周にクラッドとなる部分を合成し、再び加熱炉で透明化処理を行った。
【００３４】
（実施例２）
ダミーロッドとして、ガラス母材の上端部の不要部分（図４（Ａ）に示す点線で囲まれた部分）を棒状に形成したものを再利用した。このダミーロッドは、市販の石英棒の表面に合成石英が形成されたものであり、表面部分の不純物の含有量は、軽金属元素０ｐｐｍ、遷移金属元素０.１ｐｐｍ以下、ＯＨ基１ｐｐｍ以下であった。このダミーロッドを予めレーザによって火炎研磨して清浄化した。なお、実施例２で用いたダミーロッドに含まれる添加材の総量は０．１重量％以下であった。
このダミーロッドに、ＶＡＤ法によりコアとクラッドとなる部分のガラス微粒子堆積体を同時に形成し、その後、加熱炉にて約１２００℃にて脱水、ＯＨ基の除去をし、約１５５０℃で透明化処理した。このようにして得られたガラス母材を延伸し、さらにその外周にクラッドとなる部分を合成し、再び加熱炉で透明化処理を行った。
【００３５】
（比較例１）
不純物の含有量が遷移金属元素４０ｐｐｍ、ＯＨ基２００ｐｐｍの市販の石英棒をダミーロッドとして用い、このダミーロッドを予め酸水素火炎によって火炎研磨して清浄化した。このダミーロッドに、ＶＡＤ法によりコアとクラッドとなる部分のガラス微粒子堆積体を同時に形成し、その後、加熱炉にて約１２００℃にて脱水、ＯＨ基の除去をし、約１５５０℃で透明化処理する。このようにして得られたガラス母材を延伸し、さらにその外周にクラッドとなる部分を合成し、再び加熱炉で透明化処理を行った。
【００３６】
上記実施例１、実施例２及び比較例１にて得られたガラス母材を、それぞれ線引きして光ファイバとし、損失波長特性測定装置（ＰＫ社製）でその光ファイバの伝送損失を測定した。なお、伝送損失の測定波長としては、遷移金属元素の含有により伝送損失の影響を受けやすい波長１.３０μｍ及びＯＨ基の含有により伝送損失の影響を受けやすい波長１.３８μｍとした。その結果を図７〜９のグラフに示す。図７〜９において、縦軸は測定した伝送損失量を示し、横軸はダミーロッド側の端部を基準としたファイバ長を示している。
【００３７】
（実施例１の結果）
図７（ａ）、（ｂ）に示すように、実施例１では、いずれの波長においても、ダミーロッドから約３００ｋｍ程度離れた箇所から、低い伝送損失（波長１．３０μｍでは約０．３５ｄＢ／ｋｍ以下、波長１．３８μｍでは約０．３０ｄＢ／ｋｍ以下。実施例２及び比較例１でも同様。）の光ファイバが得られた。
（実施例２の結果）
図８（ａ）、（ｂ）に示すように、実施例２では、いずれの波長においても、ダミーロッドから約７０ｋｍ程度離れた箇所から、低い伝送損失の光ファイバが得られた。
（比較例の結果）
図９（ａ）、（ｂ）に示すように、比較例では、いずれの波長においても、ダミーロッドから約４５０ｋｍ程度まで離れないと低い伝送損失の光ファイバが得られなかった。
【００３８】
このように、比較例では、線引きした光ファイバのかなりの部分にて伝送損失が高く、製品として使用することができず、歩留まりが低下してしまうのに対して、実施例１、２では、伝送損失が極力低減され、歩留まりの低下を抑制できることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明のガラス母材の製造方法を説明する概略構成図である。
【図２】ダミーロッドへの火炎研磨を説明する概略側面図及び断面図である。
【図３】多孔質ガラス層を加熱・透明化処理してガラス母材を製造する方法を説明する概略構成図である。
【図４】ＶＡＤ法によりジャケット付けを行う方法を説明する概略構成図である。
【図５】多層付け法によりジャケット付けを行う方法を説明する概略構成図である。
【図６】多孔質ガラス層を加熱・透明化処理してガラス母材を製造する方法を説明する概略構成図である。
【図７】ガラス母材の製造方法の実施例１の結果を説明するグラフ図である。
【図８】ガラス母材の製造方法の実施例２の結果を示すグラフ図である。
【図９】ガラス母材の製造方法の比較例１の結果を示すグラフ図である。
【符号の説明】
【００４０】
２，２ｂ，２ｃ  ダミーロッド
４，４１  多孔質ガラス層
４ｂ  ガラス母材
４ｃ  ガラスロッド
４２  出発ロッド
１２  バーナ（無水プロセス加熱源）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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