(57)【要約】【課題】放射線の投影ビームを供給する照射系と、自身上の前記放射線投影ビームのビーム路に配置すべき平坦な物品を支持し、支持面を提供するために突起形状を画定する複数の支持突起を備える物品支持体と、前記物品支持体から前記物品を解放する解放手段とを備えるリトグラフ装置を提供する。【解決手段】本発明によると、前記物品支持体は、解放中に前記複数突起の少なくとも境界部分を保護するよう、前記複数突起の境界付近に位置した少なくとも１つの保護部材を有する。【選択図】図４
2005079586.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影放射線ビームを供給する照射系と、平坦物品を支持するための物品支持体と、
該物品支持体から前記平坦物品を解放するための解放手段とを含み、
前記平坦物品は、前記物品支持体上で投影放射線ビームのビーム路に配置され、前記物品支持体は、支持平面を与えるための隆起輪郭を規定する複数の支持突起を有する構成のリトグラフ装置において、
前記物品支持体が、解放中に、前記複数の支持突起のうちの少なくとも境界部分を保護するように、前記複数の支持突起の境界近傍に位置する少なくとも１つの保護部材を有することを特徴とするリトグラフ装置。
【請求項２】
前記保護部材が、前記境界から離れた支持突起の支持面積よりも大きな支持面積を有する複数の支持突起から成る境界部分によって形成されている請求項１に記載されたリトグラフ装置。
【請求項３】
前記境界から離れる方向で見て、前記複数の支持突起の支持面積が、前記境界までの前記複数の支持突起の距離に従って次第に小さくなっている請求項２に記載されたリトグラフ装置。
【請求項４】
前記支持面積が、前記境界から離れた支持突起の支持面積の２〜５０倍である請求項２から請求項３までに記載されたリトグラフ装置。
【請求項５】
前記複数の支持突起の各々が、第一直径を有する基礎シリンダと、前記第一直径よりも小さいか、または、それと等しい第二直径を有する支持頂部シリンダとを含み、保護部材を形成する前記複数の支持突起の前記支持頂部シリンダは、前記境界から離れた支持突起の前記支持頂部シリンダよりも大きな直径を有する請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載されたリトグラフ装置。
【請求項６】
前記保護部材が、前記支持平面と前記保護部材との間に第一間隔を規定し、それによって、解放中にのみ、前記保護部材が前記物品と接触するようになっている請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載されたリトグラフ装置。
【請求項７】
前記保護部材が前記境界から離れる方向に延在している請求項６に記載されたリトグラフ装置。
【請求項８】
前記保護部材が帯材形状を有する請求項７に記載されたリトグラフ装置。
【請求項９】
前記複数の支持突起の各々が、第一直径を有する基礎シリンダと、前記第一直径よりも小さな第二直径の支持頂部シリンダとを含み、前記支持頂部シリンダが、前記第一間隔と等しい長さを有し、それによって、前記保護部材が前記支持突起の前記基礎シリンダによって形成されている請求項６から請求項８までのいずれか１項に記載されたリトグラフ装置。
【請求項１０】
前記物品支持体が、前記複数の支持突起に隣接する境界壁を有し、前記境界壁が、前記支持平面と前記境界壁との間に、漏れシールを作るための第二間隔を規定し、前記第二間隔が前記第一間隔よりも大きくなされている請求項６から請求項９までのいずれか１項に記載されたリトグラフ装置。
【請求項１１】
前記保護部材が前記境界壁を横切っている請求項１０に記載されたリトグラフ装置。
【請求項１２】
前記物品支持体の少なくとも一部が耐摩耗層で覆われている請求項１から請求項１１までのいずれか１項に記載されたリトグラフ装置。
【請求項１３】
前記耐摩耗層がＴｉＮ被覆である請求項１２に記載されたリトグラフ装置。
【請求項１４】
前記物品支持体が、パターン形成手段を支持する支持体であり、前記パターン形成手段は、投影ビームの横断面にパターンを与える働きをする請求項１から請求項１３までのいずれか１項に記載されたリトグラフ装置。
【請求項１５】
前記物品支持体が、基板の目標部分にパターン化されたビームによってパターン付与すべき基板を保持する基板テーブルである請求項１から請求項１３までのいずれか１項に記載されたリトグラフ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リトグラフ装置およびデバイス製造方法に関するものである。とりわけ、本発明は、放射線投影ビームを与える照射系と、平坦物品を支持するための物品支持体と、該物品支持体から平坦物品を解放するための解放手段とを含むリトグラフ装置であって、前記平坦物品は、前記物品支持体上で投影放射線ビームのビーム路に配置され、前記物品支持体は、支持平面を与えるための隆起輪郭を規定する複数の支持突起を有する前記リトグラフ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
リトグラフ装置は、基板の目標部分に所望のパターンを付与する機械である。リトグラフ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。この場合、マスクなどのパターン形成手段は、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを作るために使用でき、このパターンは、放射線感光材料（レジスト）から成る層を有する基板（例えば、シリコンウェハ）上の目標部分（例えば、１つまたは幾つかのダイの一部を含む）に投与可能である。一般的に、単一基板は、順次照射される、互いに隣り合って網目状に配列された目標部分を含む。既知のリトグラフ装置は、全パターンを目標部分に１回の作動で投与することによって各目標部分の照射が行なわれる、所謂ステッパーと、所定方向（走査方向）において、投影ビームによるパターンの走査で各目標部分の照射が行なわれ、この間、前記方向と平行または逆平行に、同期的に基板の走査が行なわれる、所謂スキャナーとを含む。
【０００３】
従来のリトグラフ投影装置では、フォトリトグラフの処理工程で、ウェハまたはレチクルなどの物品が、締め付け力によって物品支持体上に締着される。この締め付け力としては、真空圧力から、静電力、分子間結合力または単なる重力まである。物品支持体は、ウェハまたはレチクルを保持する一様で平坦な表面を作る複数の突起から成る形態で平面を規定する。これらの突起の高さにおける僅かな変動は、画像の解像に有害である。何故なら、理想的な平面の配向から物品が僅かにずれると、ウェハが回転し、この回転によって、重ね合わせエラーが生じる可能性があるからである。また、このように物品支持体の高さが変動すると、物品支持体によって支持された物品の高さが変動する可能性がある。リトグラフ処理工程中での、斯かる高さ変動は、投影系の限定された焦点距離のために、画像解像度に影響を及ぼすだろう。したがって、理想的に平坦な物品支持体を用意することが非常に重要である。
【０００４】
欧州特許出願ＥＰ−０９４７８８４に、基板の平坦さを改善するために突起が配列された基板ホルダを有するリトグラフ装置について記載されている。これらの突起は、０．５ｍｍという普通の直径を有し、相互間距離が概ね３ｍｍであり、それによって、基板を支持する支持部材のベッド（床）を作っている。突起間の相対的に大きなスペースのために、存在する可能性のある汚染物質が基板の平坦さに対して障害を形成しない。汚染物質が突起間にあって、基板を局所的に持ち上げないからである。
【０００５】
本願明細書では、前記「物品」とは、先に言及したウェハ、レチクル、マスクまたは基板のいずれかであり、さらに具体的に云えば、リトグラフ投影技術を用いる製造デバイスで処理される基板、または
リトグラフ投影装置、マスク処理装置（例：マスク検査装置、マスク・クリーニング装置等）またはマスク製造装置におけるリトグラフ投影マスクまたはマスク半加工品、または、放射線システムの光路中に締着される、その他の物品または光学要素等を指す。
【０００６】
この締着力は、物品を物品支持体から解放する時に問題を生じる可能性のあることが、本願発明者の関心事になった。
【０００７】
前記物品を前記物品支持体から解放する一般的方法では、物品と係合して、物品支持体から物品を係合解除する解放力を与える排出ピン機構（ｅピン）によって加えられる解放力を段階的に増大させる。この段階的増大中に物品内に蓄積するエネルギーは、その後に物品支持体表面から物品表面を解放することにより、変位量に変換される。しかし、この蓄積エネルギーは、物品または物品支持体への損傷を惹起することもある。一般に、物品支持体から物品を解放することにより、突起の不均一な負荷分布が生じ、特に、境界近傍の支持突起は非常に不均一な負荷を被り、物品がわずかに回転すること、および、物品と支持突起との間の滑りによって、支持突起が摩耗し、結果として、開放作業中に生じる、支持突起の高さと形状の僅かな変動によって、物品支持体の完全な水準平面を失うことになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、ウェハホルダから最後に物品を解放する時に、物品支持体（特に、前記支持平面を規定する支持突起）にとって、解放エネルギーが有害ではないフォトリトグラフ機械を提供することによって、前記問題を克服することを目的とする。。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的は、請求項１の前段部分に記載されたリトグラフ装置によって達成される。このリトグラフ装置では、前記物品支持体が、解放中に、前記複数の支持突起のうちの少なくとも境界部分を保護するように、前記複数の支持突起の境界近傍に位置する少なくとも１つの保護部材を有する。この方法で、ウェハホルダの、平坦度が致命的ではない帯域によってエネルギーが吸収される。したがって、フォトリトグラフ処理工程で、支持体の平面を規定する突起について、平坦度を維持できる。
【００１０】
好適実施形態では、前記保護部材が、前記境界から離れた支持突起の支持面積よりも大きな支持面積を有する複数の支持突起から成る境界部分によって形成されている。支持面積が大きいため、前記境界に近い支持面積部分の僅かな摩耗は、影響が比較的小さく、大部分の突起が標準支持面積を有する支持面積部分に影響を与えない。
【００１１】
前記複数の支持突起の支持面積は、前記境界から離れる方向で見た時に、前記境界に対する前記支持突起の距離とともに次第に減少することが好ましい。この方法で、支持面積の増大は、支持突起に対する均一負荷分布という要請を犠牲にしているので、負荷分布は、境界から離れた支持突起に向かって、可及的に連続的になされる。
【００１２】
また、前記支持面積は、前記境界から離れた位置にある支持突起の支持面積の２〜５０倍であってよい。
【００１３】
比較的容易に製造可能な実施形態では、前記複数の支持突起の各々が、第一直径を有する基礎シリンダと、前記第一直径よりも小さいか、または、それと等しい第二直径を有する支持頂部シリンダとを含み、保護部材を形成する前記複数の支持突起の支持頂部シリンダは、前記境界から離れた位置にある支持突起の支持頂部シリンダよりも大きな直径を有する。
【００１４】
好適には、前記保護部材が、前記支持平面と前記保護部材との間に第一間隔を規定し、それによって、解放中にのみ、前記保護部材が前記物品と接触するようになされる。この間隔は、０．５〜２．５ｕｍの範囲であってよく、好適には１ｕｍである。このことの重要な利点は、負荷分布が保護部材の存在の影響を受けないことであり、さらに、解放中に、物品がほんの僅かでも傾斜すると、保護部材と接触し、それによって、突起の支持面積が無傷で維持される。物品支持体の通常の支持状態に影響を与えない優れた設計の保護部材を提供するために、好適には、保護部材が前記境界から離れる方向に延在し、さらに好適には、保護部材が境界から離れる方向に延在する帯材形状を有する。一実施形態では、複数の支持突起の各々が、第一直径を有する基礎シリンダと、前記第一直径よりも小さな第二直径の支持頂部シリンダとを含み、支持頂部シリンダが、前記第一間隔と等しい長さを有し、それによって、保護部材が支持突起の基礎シリンダによって形成されている。
【００１５】
また、物品支持体は、複数の支持突起に隣接する境界壁を有することができ、その境界壁が、漏れシールを提供するために前記支持平面と前記境界壁との間に第二間隔を与える。この第二間隔は第一間隔よりも大きい。このような、所謂、「漏れ」シール構成については、先に触れた欧州特許出願に記載されている。保護部材は、前記境界壁を横切ってもよい。特に、保護部材は、例えば前記境界に沿って、３つ又は１０の突起ごとに、選択箇所でのみ前記境界壁を横切ってもよいので、このような横断は、漏れシール特性に悪影響を及ぼさない。
【００１６】
本明細書では、ＩＣの製造におけるリトグラフ装置の使用について特に言及することになるだろうが、本明細書で説明するリトグラフ装置は、その他の用途（例えば、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造）を有することを銘記すべきである。かかる別の用途に関する文脈では、本明細書にで用いた用語「ウェハ」または「ダイ」は、それぞれ、「基板」または「目標部分」という一般的な用語と同義であると考えてよいことは、当業者に明らかであろう。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（典型的には、レジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する手段）、または、計測または検査手段で処理可能である。本明細書の開示は、適宜、前記基板処理手段およびその他の基板処理手段に適用可能である。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを製造するために、複数回処理することができ、したがって、本明細書で用いる基板という用語は、既に処理済みの複数層を含む基板をも指す。
【００１７】
本明細書で用いる「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外（ＵＶ）放射線（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）および極超紫外（ＥＵＶ）放射線（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射線を網羅するものである。
【００１８】
本明細書で用いる用語「パターン形成手段」は、放射線ビームの横断面にパターンを付与して、基板の目標部分にパターンを作り出すために使用可能な手段を指すものとして、広義に解釈すべきである。投影ビームに付与されるパターンは、基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応しないかもしれないことに留意すべきである。一般に、投影ビームに付与されるパターンは、集積回路などの目標部分に作り出されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００１９】
パターン形成手段は透過性または反射性でよい。パターン形成手段の例として、マスク、プログラム可能なミラーアレイ、および、プログラム可能なＬＣＤパネルを挙げることができる。マスクは、リトグラフにおいて周知であり、各種ハイブリッドマスク・タイプのみならず、バイナリ（２元）マスク、レベンソンマスク、交互位相シフトマスク等のマスク・タイプを含む。プログラム可能なミラーアレイの一例は、小ミラーから成るマトリックス配列を用いる。各ミラーは、異なる方向で入射する放射線ビームを反射するように個々に傾斜可能である。このようにして反射したビームはパターン化されている。パターン形成手段の各例では、支持構造はフレームまたはテーブルでよく、これは、必要に応じて、固定式であっても、可動式であってもよく、また、例えば、投影系などに対してパターン形成手段が所望位置にあることを保証することができる。本明細書で使用する用語「レチクル」または「マスク」は、更に一般的な用語である「パターン形成手段」と同義であると考えてよい。
【００２０】
本明細書で用いる用語「投影系」は、例えば使用する露光放射線、または浸漬流体の使用や真空の使用などのその他の要因に合わせて、適宜、屈折光学システム、反射光学システム、および反射屈折光学システムを含む各種投影系を網羅するものとして広義に解釈すべきである。本明細書で、「レンズ」という用語を使用した場合には、これは、更に一般的な用語である「投影系」と同義であると考えてよい。
【００２１】
照射系は、放射線の投影ビームを方向づけ、成形または制御するための、屈折、反射および反射屈折光学部品を含む各種光学部品をも網羅し、かかる部品は、以下、集合的に、または、単独で、「レンズ」と称することもできる。
【００２２】
リトグラフ装置は、２つ（２段）またはそれ以上の基板テーブル（および／または、２つまたはそれ以上のマスクテーブル）を有する種類のものであってよい。このような「多段」機械では、追加のテーブルを並列して使用してよく、または、１つ以上の他のテーブルを露光用として使用している間に準備段階を１つ以上のテーブルで実行可能である。
【００２３】
リトグラフ装置は、投影系の最終部品と基板との間の空間を満たすように、水等の比較的高い屈折率を有する液体に基板を浸漬する種類のものでもよい。浸漬液は、例えば、マスクと投影系の最終部品との間など、リトグラフ装置のその他の空間に用いてもよい。浸漬技術は、投影系の開口数を増大させるため、当技術分野で周知である。
【００２４】
添付の模式図を見ながら、単なる例示として、本発明の具体例について説明する。図中、対応する符号は対応する部品を示す。
【実施例】
【００２５】
図１は、本発明の具体例に係わるリトグラフ装置を模式的に示す。このリトグラフ装置は、
放射線投影ビームＰＢ（例えば、ＵＶまたはＥＵＶ放射線）を供給する照射系（照射装置）ＩＬと、
パターン形成手段（例えば、マスク）ＭＡを保持し、かつ、物品ＰＬに対して正確にパターン形成手段の位置決めを行う第一位置決め手段ＰＭに連結された第一物品支持体または支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えば、レジスト塗布したウェハ）Ｗを保持し、かつ、物品ＰＬに対して正確に基板の位置決めを行うために第二位置決め手段ＰＷに連結された第二物品支持体または基板テーブル（例えば、ウェハテーブル）ＷＴと、
パターン形成手段ＭＡによって投影ビームＰＢに付与されたパターンを、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つまたはそれ以上のダイを含む）に画像形成するための投影系（例えば、反射投影レンズ）ＰＬとを含む。
【００２６】
ここで示すとおり、本リトグラフ装置は反射形式（例えば、反射マスクまたは前記形式のプログラム可能なミラーアレイを用いたもの）である。代替的に、本リトグラフ装置は透過形式（例えば、透過マスクを用いたもの）であってもよい。
【００２７】
照射装置ＩＬは、放射線源ＳＯから放射線ビームを受ける。放射線源とリトグラフ装置は、例えば、放射線源がプラズマ放電源である場合、別体であってよい。このような場合、放射線源は、リトグラフ装置の一部を形成するものとは見なされず、放射線ビームは、通常、例えば適切なコレクト・ミラー（collecting mirrors）および／またはスペクトル純度フィルタを含む放射線コレクターの助けにより、放射線源ＳＯから照射装置ＩＬに通過する。その他の場合、放射線源は、例えば、それが水銀ランプの場合、リトグラフ装置の一体部品であってよい。放射線源ＳＯと照射装置ＩＬを、放射線系と称してもよい。
【００２８】
照射装置は、ビームの角度強度分布を調節するための調節手段を含む。一般に、照射装置の瞳孔面における角度強度分布の、少なくとも、外側および／または内側半径方向広がり（一般に、それぞれ、外側σおよび内側σと呼ばれる）を調節可能である。照射装置は、そのビーム横断面に亘って所望の均一性と強度分布を有する調整された放射線ビーム（投影ビームＰＢと称する）を供給する。
【００２９】
投影ビームＰＢは、マスクテーブルＭＴ上に保持されたマスクＭＡに入射する。投影ビームＰＢは、マスクＭＡで反射され、基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームの焦点を合わせるレンズＰＬを通過する。第二位置決め手段ＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計装置）の助けにより、基板テーブルＷＴは、例えばビームＰＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるために、正確に移動可能である。同様に、第一位置決め手段ＰＭと位置センサＩＦ１は、例えばマスク・ライブラリからの機械検索後、または、走査中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために使用可能である。一般に、目的物テーブルＭＴおよびＷＴの運動は、長ストローク・モジュール（粗位置決め）および短ストローク・モジュール（微小位置決め）を用いて行われ、これらモジュールは、位置決め手段ＰＭおよびＰＷの一部を形成する。しかしながら、ステッパーの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは短ストローク・アクチュエータのみに連結されるか、または、固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスク位置合わせマークＭ１、Ｍ２、および、基板位置合わせマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせできる。
【００３０】
ここで説明したリトグラフ装置は、以下の好適モードで使用可能である。
１．ステップ・モードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、実質的に静止状態に維持され、その間に投影ビームに付与されたパターン全体が１回の動作（すなわち、１回の静止露光）で目標部分Ｃに投影される。次に、基板テーブルＷＴが、ｘ方向および／またはｙ方向に動かされ、異なる目標部分Ｃの露光を行なうことができる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の静止露光で画像形成される目標部分Ｃのサイズを制限する。
２．走査モードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期して走査され、その間に、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される（１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度と方向は、投影系の拡大（縮小）および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の動的露光における目標部分の（非走査方向での）幅を制限し、走査動作の長さが、目標部分の（走査方向での）高さを決定する。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴが、実質的に静止状態に維持されて、プログラム可能なパターン形成手段を保持し、基板テーブルＷＴが動かされるか、または、走査される間に、投影ビームに付予されたパターンが目標部分Ｃに投影される。このモードでは、一般に、パルス放射線源が用いられ、基板テーブルＷＴの動作ごとに、または、走査中の連続する放射線パルスの間に、必要に応じてプログラム可能なパターン形成手段が更新される。この動作モードは、前記種類のプログラム可能なミラーアレイ等のプログラム可能なパターン形成手段を用いるマスクなしリトグラフに容易に適用できる。
【００３１】
前記使用モードの組合せ、および／または、変形、または全く異なる使用モードをも用いることができる。
【００３２】
図２は、本発明による物品支持体１の一区画の模式的平面図である。図では、複数の突起２が示されており、突起２は、概ね同心円上に配向されている。より分かりやすくするために、図では幾つかの突起２のみに指示符号が付与されている。包囲壁３は、先に言及した欧州特許出願ＥＰ０９４７８８４中で詳しく説明されているように、漏れシールをなすように寸法づけされている。つまり、壁３は、突起構造部分を囲んで概ね円形をなし、漏れシールなすように、支持平面と壁３との間に１〜５ｕｍの範囲（好ましくは、３ｕｍ）の間隔を与える均一な高さを有する。このような漏れシールは、被照射体であるウェハなどの物品が真空圧によって物品支持体に保持される構成において、優先的である。僅かな「漏れ」を許容することにより、境界に近い真空が、物品に適切な負荷を与える傾向となり、ウェハまたはレチクルである物品の平坦さの改善により、画像形成特性が良好になる。
【００３３】
突起２は、第一直径の基礎シリンダ４と、前記第一直径よりも小さな、または、それと等しい第二直径の支持頂部シリンダ５とによって形成される。図では、一例として、基礎シリンダ４の直径が０．５ｍｍであり、頂部シリンダ５は０．１５ｍｍの直径および３ｕｍの長さを有し、漏れシールによって与えられる間隔とほぼ等しい。突起２は、物品支持体上で支持される物品（図示せず）の支持平面を与えるため、隆起輪郭を規定する。このような支持平面は平坦であり、１００ｎｍ未満、好ましくは、１０ｎｍ未満の高さ変動を規定する。
【００３４】
図２の実施形態で示すように、境界壁３に近い突起の頂部シリンダ５’は保護部材をなす。その直径が、境界から離れた突起の頂部シリンダ５よりも大きいからである。したがって、境界壁３に近い突起は、頑丈な形状であり、物品支持体の中心側に配置された直径の小さな突起の場合とは違って、解放中の摩耗が突起に影響を与えない。特に、ウェハを解放する毎の摩耗量が本発明の具体例における設計による外部突起に及ぼす影響は、大幅に低下する。境界壁３に近い突起の支持面積は大きく、境界壁３から遠い側の支持突起の支持面積に対して２〜５０倍、好ましくは１０倍だからである。
【００３５】
図２の配置構成では、境界壁３から遠い突起５”および５'''の漸進的直径変化が示されている。境界壁３から離れる方向で見ると、突起２の頂部シリンダ５’、５”、５'''によって形成される支持面積が、境界壁３からの距離とともに徐々に小さくなっている。実例では、距離に伴うこのような直径の減少は、８列の連続する突起２によって形成され、例えば境界壁３から第一列目は、基礎シリンダの直径と等しい頂部シリンダ直径を有し、その後の更に内側の列にある頂部シリンダの直径が、０．５〜０．１５ｍｍだけ段階的に減少し、それによって、バール当たりの表面積が列毎に直線的に減少する。図２に示す例は、比較的容易に製造可能である。何故なら、摩耗に対する保護を与えるが、その設計は、２つの異なる高さ、つまり、第一高さの境界壁３および基礎シリンダ４の高さ、および、好ましくは前記第一高さとは３ｕｍ異なる第二高さの頂部シリンダ５の高さしか有しないからである。
【００３６】
図３は、図２に関して検討したような前記第一高さと第二高さの間に、別の高さを加えた例を示す。ここで、基礎シリンダ４と頂部シリンダ５の直径は、構造全体を通じて比較的一定に維持されるが、頂部シリンダの高さは、境界のすぐ近傍にある突起２’で変化し、図３の例では、これも境界壁３によって形成される。約３ｕｍという「通常」の高さの代わりに、境界突起２’の基礎シリンダ４’は、支持平面内にある支持面積を有するが、基礎シリンダは、基礎シリンダ４’と支持平面との間に約０．５〜２．５ｕｍ、好ましくは１ｕｍの小さな間隔しか規定しない。この方法で、基礎シリンダ４’は、解放中にのみ物品と接触する保護部材を形成する。したがって、負荷分布は、基礎シリンダ４’によって形成された保護部材の存在による影響を受けず、解放中に物品が僅かでも傾斜すると、基礎シリンダ４’が接触し、したがって突起２の頂部シリンダ５’の支持面積はそのままで維持される。このような傾斜は、物品表面の回転に関して表すことができ、これは２〜３ｍｒａｄ程度の最大値になる可能性がある。
【００３７】
図４は、境界突起の一部にのみ、図３について説明したような保護接触領域を設けた構造を示す。図では、突起３つごとに保護領域４’を有し、これは壁３を通して物品の縁に向かって延在し、これは境界壁３を概ね越えて半径方向に延在する。延在した保護領域４’は、壁３を十分に越えて延在する半径方向の帯材形状に形成されており、例えば、物品が物品支持体上に支持された状態で物品の縁が存在する長さまで延在する。
【００３８】
図５は、本発明の別実施例を示し、保護部材が、既存の突起および壁構造とは離れた接触領域６で形成される。この実例は、図４の例よりも容易に製造可能である。特に、接触領域６は、図３、及び図４の保護部材４’とほぼ同じ高さに位置する領域によって形成される。つまり、この接触領域６も、前記接触領域６と支持面との間に好ましくは１ｕｍの小間隔を提供し、したがって接触領域６は、解放中でのみ物品と接触する。図５では、接触領域６は、包囲壁３の外側領域に設計される。通常は、この領域に物品の縁が存在し、したがって解放すると、物品の縁が、突起２に摩耗または損傷を与えずに、接触領域６上に支持されて、突起２を保護する。
【００３９】
図６は、図５におけるＩ−Ｉ線に沿う横断面図である。ここでは、本発明の一具体例により、突起２、基礎シリンダ４および保護部材４’の高さの変動をどのように配置するかが明らかになる。保護部材４’は、包囲壁から離れた（通常は３〜５μ）基礎シリンダ４によって規定される間隔８と同様に大きな間隔７を規定してよいが、この間隔７は、好ましくはこれよりも小さく、１μｍ以内であることが好ましく、したがって、解放の際に、物品は即座に保護部材と接触し、それによって物品と頂部シリンダ５との間の摩耗力が低下する。包囲壁によって規定される間隔８’は、通常、基礎シリンダ４によって規定される間隔程度である。さらに、物品支持体は、２μｍ程度、少なくとも好ましくは１．７μｍよりも大きなＴｉＮ層などの耐摩耗層９で覆い、さらに突起要素、特に頂部シリンダ５を保護することができる。この例では、各突起が覆われているが、ＴｉＮ層は、特定の部分に、特に頂部シリンダ５等の摩耗に最も敏感な部分に限定してもよい。この例では、包囲壁は、シリンダ５の上縁によって規定される支持平面よりも、通常、３〜５μ低い間隔も規定する。
【００４０】
以上、本発明の特別な具体例について説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実施できる。すなわち、実施例は本発明の範囲を制限することを意図しない。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一具体例に係わるリトグラフ装置を示す。
【図２】本発明による物品支持体の第一例としての区画の模式的平面図。
【図３】本発明による物品支持体の第二例としての区画の模式的平面図。
【図４】本発明による物品支持体の第三例としての模式的平面図。
【図５】本発明による物品支持体の第四例としての模式的平面図。
【図６】図５におけるＩ−Ｉ線に沿う横断面図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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