(57)【要約】【課題】  電極パターン形成時の加工精度を向上することで、周波数精度を向上する弾性表面波チップの製造方法を提供する。またその製造方法により製造した弾性表面波チップおよび弾性表面波デバイスを提供する。【解決手段】  弾性表面波チップの製造方法は、圧電基板２４上に金属膜１８を形成し、弾性表面波伝搬領域となる金属膜１８上に絶縁膜２０を形成し、前記金属膜１８および前記絶縁膜２０をドライエッチングし、前記金属膜１８に起因するプラズマ発光強度に基づいてドライエッチングを終了し、ドライエッチングを止めた位置から弾性表面波伝搬領域となる圧電基板の表面までをウエットエッチングして電極パターンを形成する構成とした。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に金属膜を形成し、弾性表面波伝搬領域となる金属膜上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に形成したパターンのマスクを介して前記金属膜および前記絶縁膜をドライエッチングし、前記金属膜に起因するプラズマ発光強度の変化に基づいてドライエッチングを終了し、ドライエッチングを止めた位置から弾性表面波伝搬領域となる圧電基板の表面までをウエットエッチングして電極パターンを形成することを特徴とする弾性表面波チップの製造方法。
【請求項２】
前記ドライエッチングは、弾性表面波伝搬領域外に形成した金属膜を除去してプラズマ発光強度が低下したときに終了することを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波チップの製造方法。
【請求項３】
前記ドライエッチングは、弾性表面波伝搬領域に形成された金属膜のエッチング途中で終了することを特徴とする請求項１または２に記載の弾性表面波チップの製造方法。
【請求項４】
前記金属膜をアルミニウムまたはアルミニウム系合金により形成することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の弾性表面波チップの製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜は、前記金属膜を陽極酸化して形成する陽極酸化膜であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の弾性表面波チップの製造方法。
【請求項６】
前記絶縁膜は、シリコン系絶縁膜またはアルミニウム系絶縁膜を成膜して形成することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の弾性表面波チップの製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の弾性表面波チップの製造方法を用いて製造したことを特徴とする弾性表面波チップ。
【請求項８】
請求項７に記載の弾性表面波チップを有することを特徴とする弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は弾性表面波チップの製造方法およびその製造方法により製造した弾性表面波チップ並びに弾性表面波デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ：以下、ＳＡＷという）チップは圧電効果を有する単結晶材料からなる圧電基板の表面に、一対のすだれ状電極（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：以下、ＩＤＴという）を形成し、このＩＤＴの両端に反射器を形成したものが主な構成である。このＩＤＴや反射器はアルミニウム合金等により形成される場合や、アルミニウム合金等の上に酸化シリコン等の絶縁膜を成膜して形成される場合がある。
【０００３】
従来、このＳＡＷチップは圧電基板上に電極材料を成膜して、この電極材料上にフォトリソグラフィー技術によってレジストパターンを形成し、電極材料をウエットエッチングすることにより電極パターンを形成する方法をとっていた。ところで近年は、ＳＡＷチップの高周波化および高精度化が図られているために、反応性イオンエッチング等のドライエッチング技術を用いた微細加工技術が適用されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
また圧電基板の表面に達する前までをドライエッチングし、ドライエッチングを止めた位置から圧電基板の表面までをウエットエッチングする加工方法もある（特許文献２および特許文献３を参照）。
【特許文献１】特開２００２−３３６３３号公報
【特許文献２】特開昭６２−７１３１７号公報
【特許文献３】特開平１０−１３５７５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ドライエッチング技術を用いて電極パターンを形成する場合、電極材料を確実に除去するために、圧電基板の表面をエッチングすることになり、また圧電基板の表面がエッチングプラズマに曝されて結晶状態がかわりアモルファスになる。このため弾性表面波の伝搬に影響を与え、特にＱ値の劣化とともに、共振周波数のバラツキをもたらす問題点がある。また圧電基板と電極材料の界面や、電極材料と電極材料上に成膜された絶縁膜の界面に残留した塩素等のエッチングガスによるコロージョンの発生のために、ＳＡＷチップの信頼性が低下する問題点がある。
【０００６】
図８にドライエッチング時のプラズマ発光強度の説明図を示す。図８は金属膜から離脱したアルミニウムの発光強度と時間の関係を表している。そして金属膜のエッチングが終了すると発光強度が低下することを表している。また図９にＳＡＷチップにおけるウエハー間の周波数分布の説明図を示す。図９は、まず一枚のウエハーから製造した各ＳＡＷチップにおける共振周波数を測定し、この共振周波数を平均してウエハーの平均共振周波数を算出し、そして複数のウエハーにおいて平均共振周波数を算出し、これらの分布を調べたものである。ドライエッチングとウエットエッチングの両プロセスを適用して電極パターンを形成する場合、ドライエッチングは一般的に定常的なエッチングレートから換算した時間エッチングにより行われる。ところでドライエッチングは、エッチング装置の状態、例えば装置に供給されるガス流量、ガス比、ガス圧力や、装置がプラズマによって加熱されているか否か等によりエッチングレートが大きく変わる。このため一定時間経過後にドライエッチングを終了すると、金属膜がドライエッチングされる厚さ変動、すなわちドライエッチング後の金属膜の残膜厚が大きく変動する問題点がある。
【０００７】
そして、この後のウエットエッチングでは、前述の金属膜の残膜厚分をエッチングされると同時に、金属膜の側壁もエッチングされる。ドライエッチングではウエハー毎に金属膜の残膜厚のバラツキがあるので、前記残膜厚によってウエットエッチングされる時間も異なる。このため金属膜の側壁をエッチングする時間も異なるので、電極パターンの幅にもバラツキを生じる。ところで電極パターンの幅が変わることによって共振周波数に変動を生じる。このため図９に示すように、得られる周波数特性はウエットエッチングの横方向の加工バラツキ等により、ウエハーレベルで大きく変動する問題点がある。
【０００８】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、電極パターンの加工精度を高めて、一定した周波数特性を得る弾性表面波チップの製造方法およびその製造方法により製造した弾性表面波チップを提供することを目的とする。
また本発明は、弾性表面波チップを用いた弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明に係る弾性表面波チップの製造方法は、圧電基板上に金属膜を形成し、弾性表面波伝搬領域となる金属膜上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に形成したパターンのマスクを介して前記金属膜および前記絶縁膜をドライエッチングし、前記金属膜に起因するプラズマ発光強度の変化に基づいてドライエッチングを終了し、ドライエッチングを止めた位置から弾性表面波伝搬領域となる圧電基板の表面までをウエットエッチングして電極パターンを形成することを特徴としている。この場合、前記ドライエッチングは、弾性表面波伝搬領域外に形成した金属膜を除去してプラズマ発光強度が低下したときに終了することが好ましい。ドライエッチングを行う毎にプラズマ発光強度を観測し、金属膜に起因するプラズマ発光強度が低下したときにドライエッチングを終了するので、ドライエッチング装置の状態に関係なく、常に同程度の金属膜をエッチングすることができる。そして常に同程度の膜厚が残る金属膜をウエットエッチングするので、エッチング時間にバラツキが生じることない。そして得られる弾性表面波（ＳＡＷ）チップの電極パターンの幅にバラツキが生じることがない。よって電極パターンの加工精度を高くできるので、ＳＡＷチップの周波数精度を向上することができる。
【００１０】
また前記ドライエッチングは、弾性表面波伝搬領域に形成された金属膜のエッチング途中で終了することを特徴としている。これにより弾性表面波伝搬領域がエッチングプラズマに曝されることがないので、圧電基板の表面の結晶構造が変化し、Ｑ値が低下することがない。よって高精度のＳＡＷチップを製造することができる。
【００１１】
また前記金属膜をアルミニウムまたはアルミニウム系合金により形成することを特徴としている。これにより、ドライエッチングおよびウエットエッチングの両プロセスにおいて、高精度に電極パターンを加工できる。またアルミニウムまたはアルミニウム系合金を用いることにより、金属膜上に陽極酸化膜を形成することができる。
【００１２】
また前記絶縁膜は、前記金属膜を陽極酸化して形成する陽極酸化膜であることを特徴としている。これにより電極パターン上に導電性の異物が落下しても、電極パターン同士が短絡することがない。また陽極酸化膜と金属膜の界面は連続しているので、エッチングガスが界面に侵入し、残留することがないのでコロージョンが発生しない。よって信頼性の高いＳＡＷチップを製造できる。
【００１３】
また前記絶縁膜は、シリコン系絶縁膜またはアルミニウム系絶縁膜を成膜して形成することを特徴としている。これにより電極パターン上に導電性の異物が落下しても、電極パターン同士が短絡することがない。よって信頼性の高いＳＡＷチップを製造できる。
【００１４】
また本発明に係る弾性表面波チップは、上述した製造方法を用いて製造したことを特徴としている。これにより、上述した特徴を有するＳＡＷチップを得ることができる。
また本発明に係る弾性表面波デバイスは、上述した弾性表面波チップを有することを特徴としている。これにより上述した特徴を有するＳＡＷチップを、ＳＡＷ振動子、ＳＡＷ発振器またはＳＡＷフィルタ等のＳＡＷデバイスに用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明に係る弾性表面波チップの製造方法およびその製造方法により製造した弾性表面波チップ並びに弾性表面波デバイスの好ましい実施の形態を説明する。図１に本実施形態に係る電極パターンの断面図を示す。図１（ａ）はすだれ状電極や反射器の断面図であり、図１（ｂ）はパッドの断面図である。また図２に弾性表面波チップの平面図を示す。弾性表面波（ＳＡＷ）チップ１０は、圧電効果を生じる材料からなる圧電基板２４の表面上に、すだれ状電極１２（ＩＤＴ１２）、反射器１４およびパッド１６からなる電極パターンが形成された構成である。
【００１６】
ＩＤＴ１２は複数の電極指を有し、ＩＤＴ１２同士が電極指を交互に噛み合わせて配置されている。この噛み合わせ方向におけるＩＤＴ１２の両側に反射器１４が形成されている。またＩＤＴ１２および反射器１４と、圧電基板２４の側辺との間にはパッド１６が形成され、パッド１６とＩＤＴ１２が導通接続されている。このパッド１６はワイヤボンディングが施されるとき、またはフリップチップボンディングされるときの電極となる。
【００１７】
そしてＩＤＴ１２、反射器１４およびパッド１６はアルミニウムやアルミニウム合金等の金属膜１８から形成される。なおアルミニウム合金は、例えばアルミニウムと銅の合金や、アルミニウムとシリコンの合金等である。さらにＩＤＴ１２および反射器１４となる金属膜１８上には絶縁膜２０が形成されている。絶縁膜２０は、前記金属膜１８の表面を陽極酸化して形成された陽極酸化膜や、前記金属膜１８上に酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸化アルミニウム等の絶縁材料を成膜して形成されたシリコン系絶縁膜やアルミニウム絶縁膜である。
【００１８】
なお陽極酸化によって形成される陽極酸化膜の膜厚は、陽極酸化をするときの電圧に依存し、高い精度で制御することができる。また陽極酸化は、金属膜１８表面において酸素と金属イオンが結合して酸化が進行されるので、金属膜１８と陽極酸化膜の界面の原子は互いに結合し、界面が連続的になっている。
【００１９】
このようなＳＡＷチップ１０のＩＤＴ１２にパッド１６を介して電気信号を印加すると、圧電基板２４の圧電効果によって電極指間に周期的なひずみを生じて弾性表面波が励起され、電極指の噛み合わせ方向に沿って伝搬される。伝搬された弾性表面波は反射器１４で反射される。このため弾性表面波はＩＤＴ１２を介して反射器１４の間で伝搬されるので、ＩＤＴ１２および反射器１４が形成された部分の圧電基板２４が弾性表面波伝搬領域となる。
【００２０】
次に、ＳＡＷチップ１０の製造方法について説明する。まずＳＡＷチップ１０の製造に用いられるドライエッチング装置について説明する。図３にドライエッチング装置の説明図を示す。ドライエッチング装置３０は、主にドライエッチングを行うチャンバ３２と、チャンバ３２内で生成されるプラズマの発光スペクトルを観測するプラズマ発光スペクトルモニタ３４を設けた構成である。チャンバ３２内の下部には板状の下部電極３６が設けられ、この下部電極３６上にドライエッチングされる圧電ウエハー５０が載置される。また上部に板状の上部電極３８が設けられている。これら下部電極３６と上部電極３８は高周波電源（不図示）に接続され、容量結合型としてプラズマを生成する。またチャンバ３２に塩素や塩化ホウ素等のエッチングガスを供給するガス供給部４０が接続されている。さらにチャンバ３２の側面に、プラズマの光を受光する受光部４２が設けられている。この受光部４２に増幅処理部４４と表示部４６が直列に接続されている。そして受光部４２、増幅処理部４４および表示部４６によりプラズマ発光スペクトルモニタ３４が構成され、このプラズマ発光スペクトルモニタ３４は、受光部４２で受光した光を増幅処理部４４に出力し、増幅処理部４４で光を増幅するとともにスペクトル解析を行って、解析結果を表示部４６に出力し、表示部４６においてスペクトルを表示する構成である。このプラズマ発光スペクトルモニタ３４はエッチング終点検出に用いられる。
【００２１】
次に、第１の製造方法について説明する。図４に第１の製造方法の説明図を示す。図４において、右側に示す図は圧電ウエハー５０上に形成されるＳＡＷチップの平面図であり、中央に示す図はＹ−Ｙ’線における断面図、左側に示す図はＸ−Ｘ’線における断面図である。また図５にドライエッチング時のプラズマ発光強度の説明図を示す。まず圧電ウエハー５０の表面全体に、スパッタ法や蒸着法等の成膜法を用いてアルミニウムまたはアルミニウム合金等の金属膜１８を成膜する（Ｓ１１０）。この金属膜１８上にフォトレジストを塗布し、露光および現像して、ＳＡＷチップ１０の弾性表面波伝搬面となる部分以外に第１のレジストマスク５２を形成する（Ｓ１２０）。そして弾性表面波伝搬面となる部分の金属膜１８の表面を陽極酸化して陽極酸化膜２２を形成する（Ｓ１３０）。
【００２２】
次に、第１のレジストマスク５２を剥離した後に、金属膜１８および陽極酸化膜２２上にフォトレジストを塗布し、露光および現像して、電極パターンが形成される位置に第２のレジストマスク５４を形成する（Ｓ１４０）。そして電極パターン以外の部分をドライエッチングして、弾性表面波伝搬領域以外に形成された金属膜１８を除去するとともに、弾性表面波伝搬領域に形成された陽極酸化膜２２と金属膜１８の上側を除去する（Ｓ１５０）。
【００２３】
ところで、金属膜１８と陽極酸化膜２２のエッチングレートが異なるので、金属膜１８が陽極酸化膜２２よりも早くエッチングされる。このため、弾性表面波伝搬領域以外に形成された金属膜１８のエッチングが終わっても、弾性表面波伝搬領域に形成された金属膜１８のエッチングが終わっていない。このとき、プラズマ発光スペクトルモニタ３４により、エッチングされて金属膜１８から離脱したアルミニウムの発光スペクトル（波長：３９６ｎｍ）を観測すると、弾性表面波伝搬領域以外に形成された金属膜１８のエッチングが終わるとアルミニウムの発光強度が低下する。この発光強度の低下を検出したときがドライエッチングを終了する、第１の終点となる（図５参照）。このとき発光強度が低下した後にオーバーエッチすると確実に金属膜１８が除去されるので、オーバーエッチした後を第１の終点としてもよい。
【００２４】
なお、この後さらにドライエッチングを続けると弾性表面波伝搬領域に形成された金属膜１８が除去され、アルミニウムの発光は観測されなくなる。このときが第２の終点となる（図５参照）。よって、ドライエッチング時にプラズマ発光スペクトルモニタ３４でアルミニウムの発光強度を観測し、この発光強度が低下（第１の終点を検出）したときにドライエチングを終了すると、弾性表面波伝搬領域以外の金属膜１８が除去され、弾性表面波伝搬領域の金属膜１８の上側が除去された状態となる。
【００２５】
また圧電ウエハー５０上に形成され、表面に露出する金属膜１８の領域、すなわち弾性表面波伝搬面以外の部分が大きくなればなる程、第１の終点におけるアルミニウムの発光強度の変化量が大きくなり、第２の終点における発光強度の変化量が小さくなる。また圧電ウエハー５０上に形成される電極パターンの数が多くなればなる程、第１の終点におけるアルミニウムの発光強度の変化量が小さくなり、第２の終点における発光強度の変化量が大きくなる。
【００２６】
また陽極酸化膜２２の膜厚を変えることにより、弾性表面波伝搬面における金属膜１８のエッチングされる厚さと、弾性表面波伝搬面以外における金属膜１８のエッチングされる厚さを変えることができる。このため陽極酸化膜２２の膜厚を厚くすると、弾性表面波伝搬面における金属膜１８の厚さと弾性表面波伝搬面以外における金属膜１８の厚さの差分が大きくなる。
またドライエッチングを行うときのプラズマの生成方法は、誘導結合型や電子サイクロトロン共鳴法等を用いてもよい。
【００２７】
次に、第１の終点を検出してドライエッチングを終了した後、リン酸系等のエッチング溶液に圧電ウエハー５０を浸漬し、ドライエッチングを終了した位置から圧電ウエハー５０の表面までをウエットエッチングして、弾性表面波伝搬領域に形成された金属膜１８を除去する（Ｓ１６０）。なおエッチング溶液は、金属膜１８をエッチングするが、圧電ウエハー５０をエッチングしない選択的なものであれば、リン酸系のエッチング溶液に限定されることはない。この後、第２のレジストマスク５４を剥離すると、圧電ウエハー５０上に複数の電極パターンが形成される（Ｓ１７０）。そして最後に、圧電ウエハー５０をダイシングして各ＳＡＷチップ１０が製造される（Ｓ１８０）。
【００２８】
このような製造方法では、弾性表面波伝搬領域以外の圧電ウエハー５０の表面がエッチングプラズマに曝されるので、圧電ウエハー５０の表面がアモルファスになるが、弾性表面波伝搬領域の圧電ウエハー５０表面はエッチングプラズマに曝されないので結晶構造を保ったままとなる。
【００２９】
次に、第２の製造方法について説明する。図６に第２の製造方法の説明図を示す。図６において、右側に示す図は圧電ウエハー５０上に形成されるＳＡＷチップの平面図であり、中央に示す図はＹ−Ｙ’線における断面図、左側に示す図はＸ−Ｘ’線における断面図である。まず圧電ウエハー５０の表面全体にスパッタ法や蒸着法等の成膜法を用いてアルミニウムまたはアルミニウム合金等の金属膜１８を成膜する（Ｓ２１０）。この金属膜１８の表面全体に、スパッタ法、蒸着法または気相成長法等の成膜法を用いて酸化シリコン等の絶縁膜２０を成膜する（Ｓ２２０）。この絶縁膜２０上にフォトレジストを塗布し、露光および現像して、ＳＡＷチップ１０の弾性表面波伝搬面となる部分に第１のレジストマスク５２を形成する（Ｓ２３０）。そして弾性表面波伝搬領域以外に形成された絶縁膜２０をドライエッチングまたはウエットエッチングにより除去して、金属膜１８を露出させる（Ｓ２４０）。
【００３０】
次に、第１のレジストマスク５２を剥離した後に、ＳＡＷチップ１０の電極パターンが形成される位置に第２のレジストマスク５４を形成する（Ｓ２５０）。そして電極パターン以外の部分をドライエッチングして、弾性表面波伝搬領域以外に形成された金属膜１８を除去するとともに、弾性表面波伝搬領域に形成された絶縁膜２０と金属膜１８の上側を除去する（Ｓ２６０）。このＳ２６０のドライエッチング工程は、第１の製造方法におけるＳ１５０のドライエッチング工程と同様に行えばよい。
【００３１】
次に、ドライエッチングを終了した位置から圧電ウエハー５０の表面までをウエットエッチングして、弾性表面波伝搬領域に形成された金属膜１８を除去する（Ｓ２７０）。このＳ２７０のウエットエッチング工程は、第１の製造方法におけるＳ１６０のウエットエッチング工程と同様に行えばよい。この後、第２のレジストマスク５４を剥離すると、圧電ウエハー５０上に複数の電極パターンが形成される（Ｓ２８０）。そして最後に、圧電ウエハー５０をダイシングして各ＳＡＷチップ１０が製造される（Ｓ２９０）。
【００３２】
次に、上述のように製造したＳＡＷチップ１０の、ウエハー間の周波数分布を調べた。これは、まず一枚のウエハーから製造した各ＳＡＷチップ１０の共振周波数を測定し、この共振周波数を平均してウエハーの平均共振周波数を算出している。そして複数のウエハーにおいて平均共振周波数を算出し、これらの分布を調べたものである。図７にウエハー間の周波数分布の説明図を示す。図７の縦軸は平均共振周波数を示し、横軸は度数を示している。図７より、周波数分布は、ある平均共振周波数を最大として狭い範囲に分布していることがわかる。これにより、本実施形態に係る製造方法を用いて製造したＳＡＷチップ１０は、異なるウエハーから製造されたものであっても、共振周波数にほとんどバラツキが生じず、高精度で製造されていることがわかる。
【００３３】
そして、本実施の形態に係るＳＡＷチップ１０をパッケージに実装すればＳＡＷ共振子となり、ＳＡＷチップ１０と発振回路をパッケージに実装すればＳＡＷ発振器となる。また本実施の形態に係るＳＡＷチップ１０をＳＡＷフィルタとすることもできる。このようにしてＳＡＷデバイスが形成される。
【００３４】
このようなＳＡＷチップ１０の電極パターンは、弾性表面波伝搬領域内には金属膜１８と絶縁膜２０が形成され、弾性表面波伝搬領域外には金属膜１８のみが形成された構成である。この電極パターンの形成時において、ドライエッチングを行うと、先に弾性表面波伝搬領域外の金属膜１８が除去され、弾性表面波伝搬領域の金属膜１８の下部が残った状態となる。このときプラズマ発光スペクトルモニタ３４において、金属膜１８を構成するアルミニウムの発光強度を観測すると、発光強度の低下を観測することができる。そして発光強度の低下を観測したときをエッチング終点検出ポイントとすると、エッチング条件、すなわちドライエッチング装置の状態が変わっても弾性表面波領域における金属膜１８を常に同程度残すことができる。また発光強度の低下を観測した後、オーバーエッチすることで、弾性表面波伝搬領域外の金属膜１８にエッチング残渣が生じることがない。
【００３５】
そして、常に同程度の膜厚が残る金属膜１８をウエットエッチングするので、エッチング時間にバラツキが生じることがない。ところで、ウエットエッチングは等方性エッチングのため、金属膜１８をエッチングするとともに電極パターンもエッチングする。このため従来技術に係る製造方法のように弾性表面波伝搬領域に残る金属膜１８の膜厚にバラツキがあると、ウエハー毎に電極パターンのエッチング量が変わるので共振周波数にバラツキが生じることになる。しかし本実施形態に係る製造方法では、ドライエッチング時のエッチング量にバラツキが生じていないので、ウエットエッチングでは常に同程度のエッチング量となり、共振周波数にバラツキを生じることがない。よって、常に同程度の共振周波数を有するＳＡＷチップ１０を製造することができる。
【００３６】
また弾性表面波伝搬面に形成される電極パターンの構成を、金属膜１８と、この金属膜１８の表面を陽極酸化した陽極酸化膜２２とすると、金属膜１８と陽極酸化膜２２の界面は連続しているので、この界面に塩素等のエッチングガスが侵入して、残留することがない。このため電極パターンにコロージョンが発生することがないので、信頼性の高いＳＡＷチップ１０を製造することができる。
【００３７】
また弾性表面波伝搬面上の電極パターンをエッチングするときは、電極パターンの途中までをドライエッチングし、ドライエッチングを止めた位置から圧電基板２４の表面までをウエットエッチングする構成なので、弾性表面波伝搬面がエッチングプラズマに曝されることがない。このためＳＡＷチップ１０のＱ値が劣化することがない。また圧電基板２４と電極パターンの界面にエッチングガスが侵入し、残留することがないのでコロージョンが発生することがない。よって高精度で、信頼性の高いＳＡＷチップ１０を製造することができる。
【００３８】
また弾性表面波伝搬面に形成される電極パターンの表面には絶縁膜２０が形成されているので、電極パターン上に導電性の異物が付着しても電極パターンが短絡することがない。よって信頼性の高いＳＡＷチップ１０を製造することができる。
【００３９】
なお本実施形態では、弾性表面波伝搬領域の金属膜１８上に絶縁膜２０を形成して、弾性表面波伝搬領域外の金属膜１８との間でエッチングに差ができる構成としているが、ウエハー上に金属膜１８を成膜している途中で、ウエハー周縁部を覆うマスクを被せ、ウエハー中央部と周縁部で金属膜１８に段差を設ける構成としてもよい。この構成とすると、ドライエッチングを行うときは先に周縁部の金属膜１８が除去されるので、このときを第１の終点とすることができる。このため本実施形態のように、金属膜１８上に絶縁膜２０を形成する必要がない。
【００４０】
また成膜途中でマスクを被せる代わりに、ウエハー周縁部の金属膜１８をエッチングして段差を設ける構成としてもよい。
また本実施形態ではＩＤＴ１２の両端に反射器１４を設けた構成としているが、反射器を設けない構成としてもよい。この場合、電極パターンはＩＤＴとパッドから構成される。
【００４１】
なお本実施形態に係るＳＡＷチップ１０における弾性表面波伝搬面以外の圧電基板表面はアモルファス構造であり、弾性表面波伝搬面は圧電基板の結晶構造を保った状態である。これは透過電子顕微鏡で結晶構造を観察することにより確認することができる。また本実施形態に係るＳＡＷチップ１０における電極パターンの外観は、弾性表面波伝搬面内と弾性表面波伝搬面以外、すなわちＩＤＴおよび反射器とパッドとで異なる。これは走査電子顕微鏡等で外観を観察することで確認することができる。このためＳＡＷチップを観察することにより、本実施形態に係るＳＡＷチップ１０の製造方法で製造したＳＡＷチップであるか否かを確認することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本実施形態の係る電極パターンの断面図である。
【図２】本実施形態に係る弾性表面波チップの平面図である。
【図３】ドライエッチング装置の説明図である。
【図４】弾性表面波チップの第１製造方法の説明図である。
【図５】本実施形態に係り、ドライエッチング時のプラズマ発光強度の説明図である。
【図６】弾性表面波チップの第２製造方法の説明図である。
【図７】本実施形態に係る弾性表面波チップにおけるウエハー間の周波数分布の説明図である。
【図８】従来技術に係り、ドライエッチング時のプラズマ発光強度の説明図である。
【図９】従来技術に係る弾性表面波チップにおけるウエハー間の周波数分布の説明図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０………弾性表面波（ＳＡＷ）チップ、１２………すだれ状電極（ＩＤＴ）、１４………反射器、１６………パッド、１８………金属膜、２０………絶縁膜、２４………圧電基板、３０………ドライエッチング装置、３２………チャンバ、３４………プラズマ発光スペクトルモニタ。
【図１】
2005142911.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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