(57)【要約】【課題】SiO膜、Si対してSiN膜を選択的に低温ウェットエッチングする方法を提供する。【解決手段】フッ化水素、エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒、必要に応じてさらに水を含む、SiN膜を選択的にエッチングするエッチング液。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化水素、エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒、必要に応じてさらに水を含む、SiN膜を選択的にエッチングするエッチング液。
【請求項２】
水の含有量がエッチング液の１０質量％以下である請求項１に記載のエッチング液
【請求項３】
実質的に水を含まない請求項１又は２に記載のエッチング液。
【請求項４】
エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒の含有量は、99.9〜60.0質量％、フッ化水素（ＨＦ）の含有量が0.1〜30質量％、水の含有量が１０質量％以下である請求項１〜３のいずれかに記載のエッチング液。
【請求項５】
エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒の含有量は、90〜70.0質量％、フッ化水素（ＨＦ）の含有量が10〜30質量％、水の含有量が１０質量％以下である請求項１〜３のいずれかに記載のエッチング液。
【請求項６】
エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒の含有量は、99.9〜90.0質量％、フッ化水素（ＨＦ）の含有量が0.1〜10質量％、水の含有量が3質量％以下である請求項１〜３のいずれかに記載のエッチング液。
【請求項７】
エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒が、グリコールジエーテル系溶媒である請求項１〜３のいずれかに記載のエッチング液。
【請求項８】
グリコールジエーテル系溶媒が、エチレングリコールジメチルエーテル（モノグライム）である請求項７に記載のエッチング液。
【請求項９】
グリコールジエーテル系溶媒が、トリエチレングリコールジメチルエーテル（トリグライム）である請求項７に記載のエッチング液。
【請求項１０】
グリコールジエーテル系溶媒が、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）である請求項７に記載のエッチング液。
【請求項１１】
グリコールジエーテル系溶媒が、ジエチレングリコールジエチルエーテルである請求項７に記載のエッチング液。
【請求項１２】
エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒が、パーフルオロエーテル系溶媒である請求項１〜３のいずれかに記載のエッチング液。
【請求項１３】
エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒が、C4F9OCH3及び／又はCF3CH2OCF2CHF2である請求項１〜３のいずれかに記載のエッチング液。
【請求項１４】
SiN膜とともにSiO膜を含む基板を、請求項１〜１３のいずれかに記載のエッチング液を用いて100℃以下の温度でエッチングすることを特徴とする、SiN膜を選択的にエッチングする方法。
【請求項１５】
前記基板が半導体基板又はガラス基板である請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
エッチング温度が２０〜５０℃である請求項１４又は１５に記載の方法。
【請求項１７】
エッチング温度が２０〜３０℃である請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Si基板、化合物半導体基板や、液晶表示用のガラス基板上に成膜されているSiN膜の選択的エッチング技術に関し、詳しくは、SiN膜とともにSiO膜を含む基板において、SiN膜を選択的にエッチングする技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の加工プロセスは、ある材料を他の材料に対して選択的に除去する工程を含んでいる。半導体デバイスにおいて、一般的に各種CVD法により成膜されたSiN膜、各種CVD法、熱酸化法で成膜されたSiO膜は絶縁膜として様々な用途に用いられている。この加工プロセスにおいて、SiN膜を選択的にエッチングすることが求められる場合がある。エッチング方法として、ウェットエッチングとドライエッチングがある。他の膜にダメージを与えずきれいに取り除くには、ウェットエッチング方法が用いられている。
【０００３】
これまで、SiN膜をウェットエッチングする方法は、一般的に、熱燐酸を用いていた（特許文献１、２）。SiN膜を100Å/minエッチング速度でかつ、SiN膜、SiO膜のエッチング速度選択比は、100：１と高選択にエッチングすることが可能である。しかし、熱燐酸では、温度140℃〜180℃の高温での処理が必要である。100℃以下の低温では、SiN膜はほとんどエッチングされない。また、P（燐）がクリーンルーム雰囲気を汚染する怖れがあり、代替プロセスが望まれている。
【０００４】
また、エチレングリコール、グリセロール、ジエチレングリコールジメチルエーテルのいずれか一つと希フッ酸の混合液を用いることでSiN膜を除去する方法が知られている（特許文献３）。この混合液を用いると低温（100℃以下）でエッチングが可能である。しかし、特許文献３で用いられているエチレングリコール、水は、後述の比較例に示されるようにエッチング選択比は非常に低く、高選択エッチング液としては適用されていない（特許文献４）。
【０００５】
上記に示すとおり、従来の熱燐酸を用いたSiN膜を選択的にエッチングする方法として、熱燐酸では、高温（140℃〜180℃）で処理する必要がある、そのため、枚葉式での処理装置での適用は不可能であった。また、P（燐）がクリーンルーム雰囲気を汚染する怖れが高く、代替プロセスが望まれている。また、エチレングリコール、グリセロール、ジエチレングリコールジメチルエーテルのいずれか一つと希フッ酸の混合液を用いた低温でのSiN膜をエッチングする方法では、エッチング速度選択比が十分ではない。
【特許文献１】特開平９−４５６６０号公報
【特許文献２】特開２００２−２４６３７８号公報
【特許文献３】米国特許４２６９６５４
【特許文献４】米国特許３６０７４８０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、低温（100℃以下）でエッチングが実現でき、SiO膜をエッチングしないでSiN膜をエッチングする“SiN膜を高選択エッチング薬液”及び、"SiN膜を高選択エッチングする方法"を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板上に成膜されているSiN膜を、フッ化水素とエーテル系溶媒、さらに必要に応じて水を含む混合液を用いて、100℃以下の低温でSiN膜を、SiO膜、Si膜或いはSi基板、特にSiO膜に対して選択的にエッチングできることを特徴とする。
【０００８】
本発明は、具体的には以下のエッチング液及びエッチング方法を提供するものである。
１．  フッ化水素、エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒、必要に応じてさらに水を含む、SiN膜を選択的にエッチングするエッチング液。
２．  水の含有量がエッチング液の１０質量％以下である項１に記載のエッチング液
３．  実質的に水を含まない項１又は２に記載のエッチング液。
４．  エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒の含有量は、99.9〜60.0質量％、フッ化水素（ＨＦ）の含有量が0.1〜30質量％、水の含有量が１０質量％以下である項１〜３のいずれかに記載のエッチング液。
５．  エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒の含有量は、90〜70.0質量％、フッ化水素（ＨＦ）の含有量が10〜30質量％、水の含有量が１０質量％以下である項１〜３のいずれかに記載のエッチング液。
６．  エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒の含有量は、99.9〜90.0質量％、フッ化水素（ＨＦ）の含有量が0.1〜10質量％、水の含有量が3質量％以下である項１〜３のいずれかに記載のエッチング液。
７．  エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒が、グリコールジエーテル系溶媒である項１〜３のいずれかに記載のエッチング液。
８．  グリコールジエーテル系溶媒が、エチレングリコールジメチルエーテル（モノグライム）である項７に記載のエッチング液。
９．  グリコールジエーテル系溶媒が、トリエチレングリコールジメチルエーテル（トリグライム）である項７に記載のエッチング液。
１０．  グリコールジエーテル系溶媒が、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）である項７に記載のエッチング液。
１１．  グリコールジエーテル系溶媒が、ジエチレングリコールジエチルエーテルである項７に記載のエッチング液。
１２．  エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒が、パーフルオロエーテル系溶媒である項１〜３のいずれかに記載のエッチング液。
１３．  エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒が、C4F9OCH3及び／又はCF3CH2OCF2CHF2である項１〜３のいずれかに記載のエッチング液。
１４．  SiN膜とともにSiO膜を含む基板を、項１〜１３のいずれかに記載のエッチング液を用いて100℃以下の温度でエッチングすることを特徴とする、SiN膜を選択的にエッチングする方法。
１５．  前記基板が半導体基板又はガラス基板である項１４に記載の方法。
１６．  エッチング温度が２０〜５０℃である項１４又は１５に記載の方法。
１７．  エッチング温度が２０〜３０℃である項１６に記載の方法。
以下、本発明をより詳細に説明する。
【０００９】
本明細書において、「エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒」を単にエーテル系溶媒と記載することがある。
【００１０】
上記のエーテル系溶媒としては、エチレングリコールジメチルエーテル（モノグライム）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）、トリエチレングリコールジメチルエーテル（トリグライム）、１，２−ジエトキシエタン、１，２−ジプロポキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。特に、下記式（１）または（２）
Rm-O-(C2H4-O)n-Rl  （１）
または
Rm-O-(C3H6-O)n-Rl  （２）
(式中、Ｒm、Ｒlは同一又は異なって炭素数１〜４の直鎖又は分枝を有する低級アルキル基を示す、ｎは０〜４の整数を示す。)
で表されるエーテル系溶媒が挙げられる。Ｒm、Ｒlとしては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルが挙げられ、好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、より好ましくはメチルまたはエチル、特にメチルが挙げられる。ｎは、０〜４の整数、好ましくは１〜３の整数である。
【００１１】
エーテル系溶媒としては、（モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）エチレングリコールジメチルエーテル、（モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）エチレングリコールジエチルエーテル、（モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）エチレングリコールジｎ−プロピルエーテル、（モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）エチレングリコールジイソプロピルエーテル、（モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）エチレングリコールジｎ−ブチルエーテル、（モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）エチレングリコールジイソブチルエーテル、（モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）エチレングリコールジｓｅｃ−ブチルエーテル、（モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）エチレングリコールジｔｅｒｔ−ブチルエーテルなどのエチレングリコールエーテル系溶媒、（モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）プロピレングリコールジメチルエーテル、（モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）プロピレングリコールジエチルエーテル、（モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）プロピレングリコールジｎ−プロピルエーテル、（モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）プロピレングリコールジイソプロピルエーテル、（モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）プロピレングリコールジｎ−ブチルエーテル、（モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）プロピレングリコールジイソブチルエーテル、（モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）プロピレングリコールジｓｅｃ−ブチルエーテル、（モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）プロピレングリコールジｔｅｒｔ−ブチルエーテルなどのプロピレングリコールエーテル系溶媒、或いは、エチレングリコール／プロピレングリコール共重合体のジ低級アルキルエーテルが挙げられる。
【００１２】
フッ素化エーテル系溶媒は、上記エーテル系溶媒において、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された溶媒を意味し、フッ素原子はアルキレングリコール部分とアルキルエーテル部分のいずれにおいて導入されていてもよい。好ましいフッ素化エーテル系溶媒は、一般式（１ｆ）または（２ｆ）：
Rｆm-O-(C2Hm1Fm2-O)n1-Rｆl  （１ｆ）
または
Rｆm-O-(C3Hm3Fm4-O)n1-Rｆl  （２ｆ）
(式中、Ｒｆm、Ｒｆlは同一又は異なって炭素数１〜４の直鎖又は分枝を有するフッ素原子で置換されていてもよい低級アルキル基を示す、ｎ１は０〜４の整数を示す。ｍ１＋ｍ２＝４、ｍ３＋ｍ４＝６，m1、ｍ２、ｍ３およびｍ４は各々０又は正の整数を示す。但し、一般式（１ｆ）において、ｍ２＝０のとき、ＲｆmとＲｆlの少なくとも一方はフッ素原子を含み、一般式（２ｆ）において、ｍ４＝０のとき、ＲｆmとＲｆlの少なくとも一方はフッ素原子を含む。)
で表されるフッ素化エーテル系溶媒が挙げられる。Ｒｆm、Ｒｆlとしては、ＣpＨqＦr（ｐは１〜４の整数、ｑ＋ｒ＝２ｐ＋１，ｑおよびｒは０又は正の整数を示す）で表される直鎖又は分枝を有するフッ素原子で置換されていてもよい低級アルキル基を示し、好ましくはトリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルなどのパーフルオロアルキル基を示す。
ｎ１は、０〜４の整数、好ましくは０〜３の整数である。
ｎ２は、０〜４の整数、好ましくは０〜３の整数である。
【００１３】
好ましいフッ素化エーテル系溶媒は、毒性が低い  C4F9OCH3(商品名“HE-7100”3M製)や、CF3CH2OCF2CHF2（商品名“HFE-347pc-f”ダイキン工業製）等が挙げられる。
【００１４】
特に、高選択エッチング液の構成成分であるエーテル系溶媒として、エチレングリコールジメチルエーテル（モノグライム）を用いるのが最も好ましい。また、トリエチレングリコールジメチルエーテル（トリグライム）等の高分子のエーテル系溶媒は、引火点が高い（100℃以上）ため、安全性の観点から好ましい溶媒である。
【００１５】
これまでに、有機溶媒とフッ化水素酸との混合液を用いた選択的にSiN膜をエッチングする方法が報告されている（特許文献３）。この有機溶媒は、水酸基がついている溶媒が特徴である。一方、本発明で用いる原料の有機溶媒は、酸素原子が全てエーテル化され、アルコール性又はフェノール性水酸基が無いエーテル系溶媒／フッ素化エーテル系溶媒であることを特徴している点で異なる。本願明細書の比較例で示されるように、水酸基の存在は、SiN膜の選択性を低下させる欠点がある。
【００１６】
上記のフッ素化エーテル系溶媒におけるフッ素化されていてもよいアルキル基（Rｆm、Rｆl）は、パーフルオロアルキル基でも良い。パーフルオロアルキル基とエーテル結合を含む有機溶媒は、アルキレングリコール部分のフッ素化の有無にかかわらず引火性がないことより、安全性の観点から好ましい。
【００１７】
エッチング液は、上記に挙げるエーテル系溶媒類が混合された溶媒と、フッ化水素（ＨＦ）、もしくは希フッ酸との混合液でもよい。フッ素化エーテル系溶媒を、組成に水を含むフッ化水素酸と混合する場合、水との相溶性の観点から他のエーテル系溶媒と混合して用いるのが好ましい。
【００１８】
本発明のエッチング液のエーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒の含有量は、通常99.9〜60.0質量％、好ましくは99.9〜70.0質量％、より好ましくは99.9〜80.0質量％である。
【００１９】
混合液に含まれるフッ化水素（ＨＦ）の濃度は、SiN膜を高速エッチングさせる場合は、高濃度（例えば10〜30質量％、より好ましくは10〜20質量％）が好ましい。また、高選択性を求める場合は、低濃度（例えば0.1〜10質量％、より好ましくは0.1〜5質量％）が好ましい。
【００２０】
本発明のエッチング液において、水は任意成分であり含まれていてもよいが、全く含まれていなくてもよい。水の含有量は、通常10質量％以下、好ましくは5質量％以下、より好ましくは3質量％以下、さらに好ましくは2質量％、さらにより好ましくは１質量％以下、最も好ましくは0.5質量％以下である。また、水の含有量は、０質量％であってもよい。
【００２１】
エッチング液に含まれる水分濃度は、SiN膜を高選択エッチングする場合は、水分濃度が少ないことが好ましく、全く水分がないことがより好ましい。また、水分濃度が増えると、SiN膜とSiO膜のエッチング速度が速くなり、水分濃度が増えすぎるとSiO膜のエッチング速度が、SiN膜のエッチング速度より速くなることがある。よって、水分濃度の調整によって、選択性を調整することが可能である。
【００２２】
エッチング温度を上げるとエッチング速度が増加する。また、SiN膜のエッチング選択性も良くなる傾向を示す。よって、エッチング速度、SiO膜に対するSiN膜の選択エッチング性を高くするためには、エッチング温度を上げることが好ましい。一方、温度が高すぎると枚葉式の処理が困難になり、ＨＦのガスが放出される不具合がある。求めるエッチング速度比、エッチング速度は、温度で調整が可能である。好ましいエッチング温度は、１００℃以下、好ましくは２０〜８０℃、より好ましくは２０〜５０℃、さらに好ましくは２０〜３０℃である。
【００２３】
既存の枚葉式装置では、高温の薬液を安定してウェハー表面に均一に供給することは難しく、１００℃を超える温度で処理することは実質的に不可能である。よって、１００℃以下が好ましい。また、バッチ式、枚葉式とも、温度が室温に近い温度であるほど、薬液の昇温時間の短縮ができ、温度制御、管理が容易である。
【００２４】
また、エッチング処理時間は、通常０.０５〜５分間、好ましくは０.１〜２分間である。本発明のエッチング処理方法は、処理対象の基板にエッチング液を塗布、噴霧する方法、エッチング液に基板を浸漬する方法などが挙げられる。
【００２５】
（膜について）
前記述べられるSiN膜は、プラズマ、熱、光、レーザ、イオンビームの各種CVD法で成膜することができる。多く用いられる方法は、プラズマCVD法、熱CVD法の低圧CVD（LP-CVD）法である。
【００２６】
前記で述べられるSiO膜は、Si基板、Si膜を熱酸化させた熱酸化法のSiO2膜、プラズマ、熱、光、レーザ、イオンビームの各種CVD法で作成するSiO膜、硝酸、硫酸等で化学反応させたケミカルSiO膜、Si基板、Si膜の自然酸化膜、TEOS膜を包含する。該SiO膜には、ボロン（B）、燐（P）、ヒ素(As)を含むBPSG、BSG、AsSGの不純物をドープした膜は含まれない。
【００２７】
本発明のエッチング液は、LP-CVD法のSiN膜と熱酸化法のSiO膜のエッチング選択比｛（SiN膜のエッチング速度）／（SiO膜のエッチング速度）｝が通常１．３以上、好ましくは１．５以上、より好ましくは２．０以上、さらに好ましくは２．５以上、特に３以上である。
【００２８】
本発明のエッチング液は、SiN膜をSiO膜に対し選択的にエッチングするだけでなく、Si膜或いはSi基板に対しても、選択的にエッチングする。本発明のエッチング液のSi膜或いはSi基板に対する選択性は、以下の通りである。
【００２９】
SiN膜とSi膜のエッチング選択比｛（SiN膜のエッチング速度）／（Si膜のエッチング速度）｝が通常10以上、好ましくは１００以上、より好ましくは、Si膜が全くエッチングされないことが好ましい。
【００３０】
SiN膜とSi基板のエッチング選択比｛（ＳｉＮ膜のエッチング速度）／（Ｓｉ基板のエッチングレート）｝が通常１０以上、好ましくは１００以上、より好ましくは、Si基板が全くエッチングされないことが好ましい。
（基板について）
本発明において、SiN膜、SiO膜は、半導体基板、液晶表示用などのディスプレイ用ガラス基板、Si基板、SiC基板、GaAs、InP、GaP等の化合物半導体基板などが挙げられる。
（エッチング液の作成方法）
上記のフッ化水素とエーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒からなる無水のエッチング液を作成する方法は。上記のエーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒に、フッ化水素ガスを吸収させる方法と、フッ化水素を２０℃以下に維持して、液で混合する方法がある。どちらの方法でもよい。含水エッチング液は、フッ化水素酸とエーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒を混合してエッチング液としてもよく、前記で作成したフッ化水素とエーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒の混合液に、水を添加しても良い。一般的には、フッ化水素酸とエーテル系溶媒を混ぜて本発明のエッチング液を作成する。
【００３１】
（その他の成分について）
エッチング液は、フッ化水素、もしくはフッ化水素酸と、エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒を含む混合液であるが、他の界面活性剤、キレート剤、防食剤を混ぜてもよい。しかし、その他の成分の配合量は10質量％未満に抑えることが好ましい。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、半導体基板、ガラス基板などの基板上に、SiO膜上に成膜されているSiN膜を１００℃以下の低温でかつ選択的にエッチングすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明を実施例及び比較例を用いてより詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例１〜４，比較例１〜２
Si基板上に低圧（LP-）CVD法で成膜された2000ÅのSiN膜と、Si基板上に熱酸化法で形成された2000ÅのSiO膜を用いて、本発明のエッチング方法により、エッチング試験を実施した。エッチング前後の膜厚差、エッチング時間よりエッチング速度を求め、エッチング速度比（選択性）を導いた。膜厚測定はエリプソメトリー法を用いた。条件は、各種のエーテル系溶媒、フッ化水素濃度、水濃度を変化させた。
【００３４】
表1は、フッ化水素とエーテル系溶媒からなる本発明のエッチング液と、特許文献３に記載された水酸基がついた溶媒とフッ化水素で構成された混合液のエッチング速度を示している。同一フッ化水素濃度（mass％）、同一温度条件での、エッチング特性を示している。表１に示すように、水酸基の数が2→1→0に（エチレングリコール→エチレングリコールモノブチルエーテル→エチレングリコールジメチルエーテル/比較例２→比較例１→実施例４）なるに従い、エッチング速度選択性が高くなっていることが示されており、エーテル系溶媒とHFの混合液が、これまで文献で報告されている有機溶媒とフッ化水素の混合液よりも優位性があることを示している。
【００３５】
【表１】
2005268605.tif 000002
【００３６】
試験例１
表２に、フッ化水素とエチレングリコールジメチルエーテルからなる溶媒における水分濃度に対する、LP-CVD法のSiN膜と熱酸化法のSiO膜のエッチング速度と選択性を示す。水分濃度が増えると、SiN膜とSiO膜のエッチング速度は速くなる傾向を示し、SiN膜の選択エッチング性が下がる傾向を示している。
【００３７】
よって、フッ化水素は、フッ化水素に水が含まれた希フッ酸を用いても良いが、水が含まれていない無水フッ化水素のみを用いることが、希フッ酸よりも高選択エッチングが可能である。
【００３８】
また、薬液中の水分濃度を増やしたことによるエッチング速度増加作用は、SiO膜の方がSiN膜よりも大きい。よって、水分濃度の調整によって、SiO膜とSiNを等速エッチングすることも可能である。
【００３９】
表２は、60℃でフッ化水素とエチレングリコールジメチルエーテルの混合液における水濃度対するLP-CVD法のSiN膜、熱酸化法のSiOのエッチング速度、速度選択比依存性を示す。
【００４０】
【表２】
2005268605.tif 000003
【００４１】
試験例２
（フッ化水素濃度について）
混合液に含まれるフッ化水素の濃度を変化させたときのエッチング速度とエッチング速度比を表３に示す。高速エッチングを求める場合は、高濃度が好ましい。また、高選択性を求める場合は、低濃度が好ましい。
【００４２】
【表３】
2005268605.tif 000004
【００４３】
（エッチング温度について）
表３にエッチング温度に対するエッチング速度、エッチング速度選択比の依存性について示す。フッ化水素とエチレングリコールジメチルエーテルの混合液は、温度があがると、SiN膜とSiO膜のエッチング速度が速くなる。エッチング速度比は高くなる傾向を示す。よって、エッチング温度によって、エッチング速度、選択性を調整することが可能である。フッ化水素とエチレングリコールジメチルエーテルの混合液においては、温度80℃、フッ化水素濃度10mass％においては、SiN膜のエッチング速度は、71Å/minが得られ、選択性は、23が得られている。従来のエッチング液より、SiN膜を高い選択比でエッチングすることが可能であることが明らかになった。