(57)【要約】【課題】  レーザによるトリミング溝に起因する絶縁不良を解消し、信頼性の高い電子部品の製造方法及び非可逆回路素子の製造方法を得る。【解決手段】  容量電極211，212を内蔵した積層基板210の表面に形成した電極215，216に、いま一つの積層基板220の表面に形成した電極225，226をはんだ付けする電子部品の製造方法。まず、容量電極211に対して積層基板210の表面からレーザトリミングを行う。次に、積層基板210の表面にレーザトリミングによって形成されたトリミング溝217を含めて樹脂膜235を形成すると共に、電極215，216に対応する位置にはんだペースト230を設ける。樹脂膜235が半硬化状態であると、はんだペースト230は樹脂膜235を通過して電極215，216に到達する。次に、積層基板210上に積層基板220を重ねた状態で、はんだペースト230を溶融かつ硬化させて電極215，225、216，226をはんだ付けする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する少なくとも一対の容量電極を内蔵した積層タイプの第１構成部品の表面に形成した接続用電極に、第２構成部品の表面に形成した接続用電極をはんだ付けする電子部品の製造方法において、
前記容量電極に対して第１構成部品の表面からレーザトリミングを行うトリミング工程と、
第１構成部品の表面にレーザトリミングによって形成されたトリミング溝を含めて樹脂膜を形成すると共に、第１構成部品の接続用電極に対応する位置にはんだペーストを設ける樹脂膜／はんだペースト塗布工程と、
第１構成部品上に第２構成部品を重ねた状態で、前記はんだペーストを溶融かつ硬化させて第１構成部品の接続用電極と第２構成部品の接続用電極とを接続するはんだ付け工程と、
を備えたことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記樹脂膜／はんだペースト塗布工程は、第１構成部品の表面にレーザトリミングによって形成されたトリミング溝を含めて半硬化状態の樹脂膜を形成し、該樹脂膜上であって第１構成部品の接続用電極に対応する位置にはんだペーストを塗布することを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂膜／はんだペースト塗布工程は、第１構成部品の接続用電極上にはんだペーストを塗布し、第１構成部品の表面にレーザトリミングによって形成されたトリミング溝を含めて樹脂膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記樹脂膜は、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂又は両者を混合した樹脂を使用することを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
対向する少なくとも一対の容量電極を内蔵した積層基板と、永久磁石と、該永久磁石により直流磁界が印加されるフェライト及び複数の中心電極からなる中心電極組立体とを備え、前記積層基板の表面に形成した接続用電極に前記中心電極組立体の表面に形成した接続用電極をはんだ付けする非可逆回路素子の製造方法において、
前記容量電極に対して積層基板の表面からレーザトリミングを行うトリミング工程と、
積層基板の表面にレーザトリミングによって形成されたトリミング溝を含めて樹脂膜を形成すると共に、積層基板の接続用電極に対応する位置にはんだペーストを設ける樹脂膜／はんだペースト塗布工程と、
積層基板上に中心電極組立体を重ねた状態で、前記はんだペーストを溶融かつ硬化させて積層基板の接続用電極と中心電極組立体の接続用電極とを接続するはんだ付け工程と、
を備えたことを特徴とする非可逆回路素子の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂膜／はんだペースト塗布工程は、積層基板の表面にレーザトリミングによって形成されたトリミング溝を含めて半硬化状態の樹脂膜を形成し、該樹脂膜上であって積層基板の接続用電極に対応する位置にはんだペーストを塗布することを特徴とする請求項５に記載の非可逆回路素子の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂膜／はんだペースト塗布工程は、積層基板の接続用電極上にはんだペーストを塗布し、積層基板の表面にレーザトリミングによって形成されたトリミング溝を含めて樹脂膜を形成することを特徴とする請求項５に記載の非可逆回路素子の製造方法。
【請求項８】
前記樹脂膜は、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂又は両者を混合した樹脂を使用することを特徴とする請求項５、請求項６又は請求項７に記載の非可逆回路素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、容量電極を内蔵した電子部品の製造方法及び非可逆回路素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、サーキュレータやアイソレータなどの非可逆回路素子は、予め定められた特定方向にのみ電力を伝送し、逆方向には伝送しない特性を有している。この特性を利用して、例えばアイソレータは、自動車電話、携帯電話等の移動体通信機器の送信回路部に使用されている。
【０００３】
そして、この種の非可逆回路素子としては、例えば、特許文献１に、容量電極を内蔵した積層基板と中心電極組立体とをはんだ付けによって接続したものが開示されている。特許文献１に記載されている積層基板は、整合用コンデンサの容量を調整するため、積層基板の表面からレーザビームを照射してトリミングを行うようにしている。しかしながら、このトリミング方法によると以下の問題点が発生する。
【０００４】
即ち、図１４に積層基板３００の概略構成を示す。この積層基板３００は誘電体セラミック積層体に一対の容量電極３１１，３１２を内蔵し、積層基板３００の表面からレーザビームを照射することにより容量電極３１１がトリミングされている。符号３１５はトリミング溝を示している。
【０００５】
基本的な問題点は、積層基板３００上に形成した接続用電極（図示せず）に中心電極組立体の接続用電極をはんだ付けすると、はんだや導電性不純物がトリミング溝３１５に侵入してはんだ付け部分と容量電極とが短絡するおそれを有することである。
【０００６】
また、電子部品の小型化・薄型化あるいは高容量化に伴って、容量電極３１１，３１２の間隔が狭まり、レーザトリミングの深さをコントロールすることが困難になり、上層の容量電極３１１だけではなく、下層の容量電極３１２もトリミングされてしまう（図１４（Ｂ），（Ｃ）参照）。この場合、図１４（Ｃ）に示すように、上層の容量電極３１１から電極成分であるＡｇがトリミング溝３１５に沿ってひげ状に延在し、このひげ延び３１１ａがマイグレーションなどによって下層の容量電極３１２と接触することによって絶縁破壊が生じる。このような絶縁破壊が生じると、積層基板３００そのものばかりか、非可逆回路素子も不良品となってしまう。
【特許文献１】特開２００３−３０９４０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明の目的は、レーザによるトリミング溝に起因する絶縁不良を解消し、信頼性の高い電子部品の製造方法及び非可逆回路素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、第１の発明は、
（ａ）対向する少なくとも一対の容量電極を内蔵した積層タイプの第１構成部品の表面に形成した接続用電極に、第２構成部品の表面に形成した接続用電極をはんだ付けする電子部品の製造方法において、
（ｂ）前記容量電極に対して第１構成部品の表面からレーザトリミングを行うトリミング工程と、
（ｃ）第１構成部品の表面にレーザトリミングによって形成されたトリミング溝を含めて樹脂膜を形成すると共に、第１構成部品の接続用電極に対応する位置にはんだペーストを設ける樹脂膜／はんだペースト塗布工程と、
（ｄ）第１構成部品上に第２構成部品を重ねた状態で、前記はんだペーストを溶融かつ硬化させて第１構成部品の接続用電極と第２構成部品の接続用電極とを接続するはんだ付け工程と、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
また、第２の発明は、
（ｅ）対向する少なくとも一対の容量電極を内蔵した積層基板と、永久磁石と、該永久磁石により直流磁界が印加されるフェライト及び複数の中心電極からなる中心電極組立体とを備え、前記積層基板の表面に形成した接続用電極に前記中心電極組立体の表面に形成した接続用電極をはんだ付けする非可逆回路素子の製造方法において、
（ｆ）前記容量電極に対して積層基板の表面からレーザトリミングを行うトリミング工程と、
（ｇ）積層基板の表面にレーザトリミングによって形成されたトリミング溝を含めて樹脂膜を形成すると共に、積層基板の接続用電極に対応する位置にはんだペーストを設ける樹脂膜／はんだペースト塗布工程と、
（ｈ）積層基板上に中心電極組立体を重ねた状態で、前記はんだペーストを溶融かつ硬化させて積層基板の接続用電極と中心電極組立体の接続用電極とを接続するはんだ付け工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
第１及び第２の発明に係る電子部品の製造方法及び非可逆回路素子の製造方法にあっては、レーザトリミングによるトリミング溝が下層の容量電極に達したとしても、該トリミング溝は樹脂膜によって充填／封止されるため、はんだや導電性不純物がトリミング溝に侵入することはなく、はんだ付け部分と容量電極とが短絡するおそれが解消され、信頼性が向上する。
【００１１】
また、前述の如く、トリミング溝が前記樹脂膜の充填で封止されることから、トリミング時にトリミグ溝に沿って発生するひげ延び部分のマイグレーションが抑制され、上層及び下層の容量電極間に絶縁破壊を生じることもなく、信頼性が向上する。
【００１２】
第１及び第２の発明に係る製造方法において、樹脂膜／はんだペースト塗布工程は、第１構成部品又は積層基板の表面にレーザトリミングによって形成されたトリミング溝を含めて半硬化状態の樹脂膜を形成し、該樹脂膜上であって第１構成部品又は積層基板の接続用電極に対応する位置にはんだペーストを塗布してもよい。
【００１３】
半硬化の状態、即ち、熱硬化性樹脂であれば溶剤成分を乾燥させた状態に維持して、半硬化状態の樹脂膜上にはんだペーストを塗布すれば、はんだ中のフラックスが接した部分の樹脂を再度溶融させ、はんだペーストは該樹脂を通過して接続用電極に到達する。その後、第１構成部品又は積層基板上に第２構成部品又は中心電極組立体を重ねた状態で、例えば、リフローを通過させることで、はんだペーストを溶融させかつ硬化させると、第１構成部品又は積層基板の接続用電極と第２構成部品又は中心電極組立体の接続用電極とがはんだ付けされる。
【００１４】
あるいは、樹脂膜／はんだペースト塗布工程は、第１構成部品又は積層基板の接続用電極上にはんだペーストを塗布し、第１構成部品又は積層基板の表面にレーザトリミングによって形成されたトリミング溝を含めて樹脂膜を形成してもよい。この場合は、はんだペーストを直接に接続用電極上に塗布し、その後、樹脂膜を形成して樹脂でトリミング溝を封止することになる。
【００１５】
また、前記樹脂膜は、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂又は両者を混合した樹脂を使用することができ、好ましくは、熱硬化型エポキシ樹脂と熱硬化型フェノール樹脂を混合させたものを使用すればよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明に係る電子部品の製造方法及び非可逆回路素子の製造方法の実施例について添付の図面を参照して説明する。
【００１７】
（第１実施例、図１参照）
本第１実施例は、図１（Ｄ）に示すように、コンデンサ素子Ｃを内蔵した積層基板（第１構成部品）２１０と、インダクタンス素子Ｌを内蔵した積層基板（第２構成部品）２２０とからなるＬＣ複合電子部品２００の製造方法である。
【００１８】
積層基板２１０は、誘電体セラミック積層体に一対のコンデンサ電極２１１，２１２を内蔵したもので、積層基板２１０の表面に形成された接続用電極２１５，２１６は図示しないビアホールを介してコンデンサ電極２１１，２１２と電気的に接続されている。コンデンサ電極２１１，２１２は、通常、Ａｇが用いられるが、Ａｕなど他の導電性金属を用いてもよい。
【００１９】
いま一つの積層基板２２０は絶縁体セラミック積層体にインダクタンス素子Ｌを内蔵したもので、積層基板２２０の表面に形成された接続用電極２２５，２２６は図示しないビアホールを介してインダクタンス素子Ｌと電気的に接続されている。
【００２０】
前記接続用電極２１５，２２５、２１６，２２６はそれぞれはんだ２３０によって電気的に接続されている。また、積層基板２１０，２２０の間には樹脂膜２３５が形成されており、この樹脂膜２３５はコンデンサ電極２１１に対するトリミング溝２１７にも充填されている。
【００２１】
トリミング溝２１７は、コンデンサ電極２１１，２１２の容量を調整するために、積層基板２１０の表面にレーザビームを照射してトリミングを行った跡であり、上層のコンデンサ電極２１１をカットするのみならず下層のコンデンサ電極２１２にまで達している。
【００２２】
ここで、前記ＬＣ複合電子部品２００の製造方法について説明する。なお、各積層基板２１０，２２０を作製する工程は周知であるため、それ以後の工程について説明する。
【００２３】
まず、コンデンサ電極２１１に対して積層基板２１０の表面からレーザトリミングを行う。このレーザトリミングは、図１４を参照して説明したとおりであり、トリミング溝２１７は上層のコンデンサ電極２１１をカットするのみならず下層のコンデンサ電極２１２にまで達する。
【００２４】
次に、図１（Ａ）に示すように、積層基板２１０の表面にトリミング溝２１７を含めて熱可塑性樹脂を塗布して樹脂膜２３５を形成する。これにてトリミング溝２１７が樹脂にて封止される。この熱可塑性樹脂を仮硬化（半硬化）させ、仮硬化状態にある樹脂膜２３５上であって接続用電極２１５，２１６に対応する位置にはんだペースト２３０を塗布する。
【００２５】
樹脂膜２３５の塗布は、スクリーン印刷法あるいはディスペンサ塗布法によって行われる。熱硬化性樹脂としては、熱硬化型エポキシ樹脂と熱硬化型フェノール樹脂を混合させたものが好適に使用可能である。但し、この材料に限定するものではない。仮硬化とは、熱可塑性樹脂の溶剤成分を乾燥させた半硬化状態を意味する。例えば、前記混合樹脂であれば、１００〜１５０℃で３〜１０分加熱することにより半硬化状態が得られる。
【００２６】
半硬化状態にある樹脂膜２３５上に塗布されたはんだペースト２３０は、はんだ中のフラックスが接した部分の樹脂を再度溶融させ、該樹脂を通過して接続用電極２１５，２１６に到達する（図１（Ｂ）参照）。
【００２７】
また、図１（Ｂ）に示したものと同等の積層基板２１０を得るのに、図１（Ａ’）に示すように、まず、積層基板２１０の接続用電極２１５，２１６上にはんだペースト２３０を塗布し、その後、積層基板２１０の表面にトリミング溝２１７を含めて樹脂膜２３５を形成してもよい。この場合は、はんだペースト２３０を直接に接続用電極２１５，２１６上に塗布し、その後、樹脂膜２３５を形成して樹脂でトリミング溝２１７を封止することになる。
【００２８】
次に、図１（Ｃ）に示すように、積層基板２１０上に積層基板２２０を重ね合わせ、例えば、リフロー炉を通過させることではんだペースト２３０を溶融させ、その後硬化させることにより、接続用電極２１５，２２５、２１６，２２６を電気的に接続する。
【００２９】
本第１実施例においては、レーザトリミングによるトリミング溝２１７が下層のコンデンサ電極２１２に達していたとしても、該トリミング溝２１７は樹脂膜２３５によって充填／封止されるため、はんだや導電性不純物がトリミング溝２１７に侵入することはなく、はんだ付け部分とコンデンサ電極２１１，２１２とが短絡するおそれが解消され、信頼性が向上する。
【００３０】
また、前述の如く、トリミング溝２１７が樹脂膜２３５の充填で封止されることから、トリミング時にトリミング溝２１７に沿って発生するひげ延び部分のマイグレーションが抑制され、上層及び下層のコンデンサ電極２１１，２１２間に絶縁破壊を生じることもなく、信頼性が向上する。
【００３１】
なお、樹脂膜２３５は、前述した熱硬化性樹脂に代えて、ＵＶ硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂とＵＶ硬化性樹脂を混合した樹脂を使用してもよい。ＵＶ硬化性樹脂として、例えば、アクリレート樹脂を使用する場合には、積算光量１０００ｍＪ／ｃｍ2以下の条件で仮硬化させることができる。
【００３２】
（第２実施例、図２〜図１２参照）
本第２実施例は、非可逆回路素子の製造方法であり、非可逆回路素子１を分解した状態を図２に示す。
【００３３】
この非可逆回路素子１は、集中定数型アイソレータとして構成され、図２に示すように、概略、金属製上側ケース４と金属製下側ケース８とからなる金属ケースと、永久磁石９と、フェライト２０と中心電極２１，２２，２３とからなる中心電極組立体１３と、積層基板３０を備えている。
【００３４】
金属製上側ケース４は略箱形状であり、上部４ａ及び四つの側部４ｂからなる。金属製下側ケース８は、左右の側部８ｂと底部８ａからなる。金属製上側ケース４及び金属製下側ケース８は磁気回路を形成するため、例えば、軟鉄などの強磁性体からなる材料で形成され、その表面にＡｇやＣｕがめっきされる。
【００３５】
中心電極組立体１３は、矩形状のマイクロ波フェライト２０の上面に三つの中心電極２１，２２，２３を、絶縁層（図示せず）を介在させて略１２０度ごとに交差するように配置している。ここでは、中心電極２１，２２，２３は二つのラインで構成した。中心電極２１，２２，２３は銅箔を用いてフェライト２０に巻きつけてもよいし、フェライト２０上あるいは内部に銀ペーストを印刷して形成してもよい。但し、印刷したほうが中心電極２１，２２，２３の位置精度が高いので、積層基板３０との接続が安定する。特に、微小な中心電極用接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３（後述）で接続する場合には、中心電極２１，２２，２３を印刷にて形成した方が信頼性、作業性がよい。
【００３６】
積層基板３０は、図３に示すように、中心電極用接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３やグランド用接続電極３１やビアホール１８を設けた誘電体シート４１と、ホット側コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａや回路用電極１７や抵抗体７５などを表面に設けた誘電体シート４２と、ホット側コンデンサ電極７１ｂ，７２ｂ，７３ｂを表面に設けた誘電体シート４４と、グランド電極７４をそれぞれ表面に設けた誘電体シート４３，４５などにて構成されている。また、誘電体シート４５の裏面にも下側ケース８とはんだ付けするためのグランド電極が形成されている。
【００３７】
電極Ｐ１〜Ｐ３，１７，３１，７１ａ〜７３ａ，７１ｂ〜７３ｂ，７４は、パターン印刷等の方法により誘電体シート４１〜４５に形成されている。電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３等の材料としては、抵抗率が低く、誘電体シート４１〜４５と同時焼成可能なＡｇ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｄなどが用いられる。外部に現われてはんだ付けされる電極にはめっきが施されていることが好ましい。具体的には、電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３及び以下に説明する電極１４，１５，１６の表面には、Ｎｉめっきを下地としてＡｕめっきが施されている。Ｎｉめっきは、これらの電極のＡｇとＡｕめっきの固着強度を強くする。Ａｕめっきは、はんだ濡れ性をよくすると共に、導電率が高いのでアイソレータ１を低損失にできる。
【００３８】
電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３等の厚みは２〜２０μｍ程度である。誘電体シート４１〜４５の材料は、Ａｌ2Ｏ3を主成分とし、ＳｉＯ2、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＰｂＯ、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、ＭｇＯ，ＢａＯ，ＣｅＯ2，Ｂ2Ｏ3のうちの１種類あるいは複数種類を副成分として含む低温焼結誘電体材料である。誘電体シート４１〜４５のシート厚みは１０〜２００μｍ程度である。
【００３９】
抵抗体７５は、パターン印刷等の方法により誘電体シート４２の表面に形成されている。抵抗体７５の材料としては、サーメット、ルテニウムなどが使用される。抵抗体７５は単独で終端抵抗Ｒを構成する。なお、終端抵抗Ｒは省略してもよく、この場合にはサーキュレータが構成される。
【００４０】
ビアホール１８は、誘電体シート４１，４２，４３にレーザ加工やパンチング加工などにより、予めビアホール用孔を形成した後、そのビアホール用孔に導電ペーストを充填することにより形成される。
【００４１】
コンデンサ電極７１ａ，７１ｂ、７２ａ，７２ｂ、７３ａ，７３ｂはそれぞれ、誘電体シート４２，４３，４４を間に挟んでグランド電極７４に対向して整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を構成する。これら整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３や終端抵抗Ｒは、電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，１７，３１やビアホール１８と共に、積層基板３０の内部に電気回路を構成する。
【００４２】
以上の誘電体シート４１〜４５は積層され、さらに、予め表面に電極が形成されていないダミー用誘電体シート４７が複数枚その下に積層された後、一体的に焼成され、図２に示すような積層基板３０とされる。
【００４３】
積層基板３０の両端部には、それぞれ入力端子電極１４、出力端子電極１５及びグランド端子電極１６が設けられる。入力端子電極１４はコンデンサ電極７１ａ，７１ｂに電気的に接続され、出力端子電極１５はコンデンサ電極７２ａ，７２ｂに電気的に接続されている。グランド端子電極１６はそれぞれ、回路用電極１７やグランド電極７４に電気的に接続されている。これらの端子電極１４，１５，１６は、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等の導電ペーストを塗布後、焼付けたり、乾式めっきしたりすることによって形成される。また、各シートの側面にビアホールを形成することにより電極１４，１５，１６としてもよい。
【００４４】
なお、この積層基板３０は通常マザーボード状態で作製され（図７、図８参照）、このマザーボード１００に所定ピッチで形成されたハーフカット溝１０１に沿って折ることにより、マザーボード１００から所望サイズの積層基板３０を得る。あるいは、マザーボード１００をダイサーやレーザなどで切断することにより、マザーボード１００から所望サイズの積層基板３０を切り出してもよい。
【００４５】
こうして得られた積層基板３０は、内部に整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３及び終端抵抗Ｒを有している。整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３のトリミングは、整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３と中心電極２１，２２，２３とを接続する前に行われる。また、必要に応じて終端抵抗Ｒのトリミングも行われる。
【００４６】
つまり、積層基板３０は、単体の状態で、内部（２層目）のコンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａを表層の誘電体と共にレーザにてトリミングされる。トリミングには、例えば、ＹＡＧの基本波、２倍波、３倍波のレーザが用いられる。レーザを用いるのは、早くかつ精度のよい加工が得られるからである。なお、トリミングは、マザーボード状態の積層基板３０に対して効率よく行ってもよい。
【００４７】
ここで、レーザトリミングについて説明する。レーザトリミングはコンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａに対して行われ、図５に示すマスク５０が用いられる。このマスク５０は、積層基板３０の表面に設けられている中心電極用接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と端子電極３１を覆って他の部分を開口部５１としたものである。マスク５０を図５に示す状態で積層基板３０の表面に載せ、開口部５１からレーザを照射してコンデンサ容量のトリミングを行う。トリミング跡をトリミング溝８０，８１として示す。
【００４８】
レーザトリミングにおいては、トリミング（レーザの走査）開始から徐々にトリミング深さが深くなっていくため、電極を完全に切断するためには、トリミング開始位置を電極の端部から若干離れた位置に設定する必要がある。具体的には、電極の端部から５０μｍ離れた位置が好ましい。なお、この数値は、レーザの走査速度、誘電体シートや電極の厚みなどに応じて異なる。
【００４９】
レーザトリミングの条件は以下のとおりであり、（）内は本発明者らが行った実験での具体的数値である。
【００５０】
レーザ：レーザダイオードを光源とするＹＡＧレーザの２倍波
出力：１．５〜２．５Ｗ（２．０Ｗ）
発振周波数：２〜４ＫＨｚ（３ＫＨｚ）
走査速度：３０〜６０ｍｍ／ｓ（５０ｍｍ／ｓ）
走査回数：４〜１０回（７回）
マスクと電極との距離：（０．１ｍｍ）
走査開始位置：電極端部から（５０μｍ）離れた位置
【００５１】
本第２実施例においては、電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，３１を覆うマスク５０を使用してレーザトリミングを行うため、レーザの照射によって発生する飛散物がこれらの電極に付着することがなく、中心電極２１，２２，２３とのはんだ付け不良が生じる不具合が解消される。
【００５２】
即ち、マスク５０を使用することなくトリミングを行うと、図６（Ａ）に斜線で示すように、電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，３１に飛散物が付着する。しかし、マスク５０を使用することにより、図６（Ｂ）に斜線で示すように、電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，３１に飛散物が付着することはない。
【００５３】
なお、飛散物は積層基板３０の表面であってマスク５０の開口部５１に相当する部分には付着する（図６（Ｂ）の斜線参照）。しかし、電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，３１には全く付着しないので、該付着物を洗浄やエアーの吹付けによって積層基板３０の表面から除去しなくても、信頼性が劣化するおそれはない。
【００５４】
前記マスク５０の材質としては、ステンレス、黄銅、銅、鉄等を使用することができる。また、後述するように樹脂であってもよい。特に、ステンレス製のマスク５０は耐摩耗性に優れており、酸化や錆の問題がなく、メンテナンスが容易である。
【００５５】
また、本第２実施例では、トリミング用コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａを積層基板３０の内部に設けているため、トリミング可能なコンデンサ電極領域が大きくなり、静電容量調整範囲が拡がり、積層基板３０の良品率を向上することができる。
【００５６】
本第２実施例において、積層基板３０が前記第１実施例の積層基板２１０に相当し、中心電極組立体１３が積層基板２２０に相当する。そして、積層基板３０の表面には前記トリミング溝８０を含めて図１に示した樹脂膜２３５が形成されると共に、接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，３１上に図１に示したはんだペースト２３０が塗布される。ここでも、図１（Ａ），（Ｂ）に示した工程、または、図１（Ａ’）に示した工程のいずれかを採用することができる。この積層基板２１０上に中心電極組立体１３を重ねた状態で、はんだペースト２３０を溶融かつ硬化させて接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，３１と中心電極組立体１３の接続用電極とをはんだ付けする。このような接続方法は前記第１実施例と同様であり、その作用効果も第１実施例で説明したとおりである。
【００５７】
なお、中心電極２１，２２，２３と接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，３１とのはんだ付けは、マザーボード状態の積層基板３０に対して効率よく行ってもよい。
【００５８】
さらに、本第２実施例では、接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，３１相互間の距離を長くできるので、中心電極組立体１３のサイズを大きくできる。従って、中心電極２１，２２，２３が形成するインダクタンスが大きくなるため、アイソレータ１の通過帯域幅を広くでき、電気特性を向上させることができる。
【００５９】
また、最も外側の層に位置するコンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａをトリミング用コンデンサ電極としているので、トリミング時に除去する誘電体層の厚みを最小限にできる。さらに、トリミングの障害となる電極が少なくなるので（本第２実施例の場合は接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，３１のみ）、トリミング可能なコンデンサ電極領域が広くなり、静電容量調整範囲を広くできる。
【００６０】
さらに、トリミング用コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａを矩形にすることにより、電極幅を一定にしているので、トリミング溝８０の位置と得られる静電容量の値との間に略比例関係が成立し、静電容量の調整作業が容易になる。
【００６１】
また、トリミング用コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａは、誘電体シート４１〜４５の積み重ね方向において、中心電極用接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３にのみ重なっている。これにより、トリミングの妨げとなる他の電極が、トリミング用コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａと重ならないようにすることができる。また、トリミング用コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａがグランド用接続電極３１と重なると、その部分で静電容量を形成するので、トリミング精度が悪くなるという不具合もある。
【００６２】
さらに、図４において、積層基板３０は、一方の側に整合用コンデンサＣ３のホット側コンデンサ電極７３ａ，７３ｂを設け、他方の側の右端に整合用コンデンサＣ１のホット側コンデンサ電極７１ａ，７１ｂを設け、他方の側の左端に整合用コンデンサＣ２のホット側コンデンサ電極７２ａ，７２ｂを設けている。言い換えると、終端抵抗側整合用コンデンサＣ３のホット側コンデンサ電極７３ａ，７３ｂは、積層基板３０の終端抵抗Ｒが配置されている側に配置され、入力側整合用コンデンサＣ１のホット側コンデンサ電極７１ａ，７１ｂは、積層基板３０の入力側に配置され、出力側整合用コンデンサＣ２のホット側コンデンサ電極７２ａ，７２ｂは、積層基板３０の出力側に配置されることになる。これにより、トリミングの調整が容易で、かつ、積層基板３０の面積を有効利用した整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を得ることができる。
【００６３】
また、一般に、移動体通信機器に使用されるアイソレータは、入出力側整合用コンデンサＣ１，Ｃ２の静電容量と比較して、抵抗側整合用コンデンサＣ３の静電容量が大きくなることが多い。従って、抵抗側整合用コンデンサＣ３の静電容量を確保するため、整合用コンデンサＣ３のホット側コンデンサ電極７３ａ，７３ｂの面積が、整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３のトータルのホット側コンデンサ電極の面積の１／３以上になるように設定することが好ましい。
【００６４】
また、積層基板３０には終端抵抗Ｒも内蔵されており、整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３と同様に終端抵抗Ｒも、表層の誘電体と共にトリミングすることにより、抵抗値を調整することができる。抵抗体７５は１箇所でも幅が細くなると抵抗値が上がるので、幅方向の途中まで削る。終端抵抗Ｒは積層基板３０に内蔵されているため、電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３等の表面にＮｉめっきやＡｕめっきを施す際に、抵抗体７５の表面にＮｉめっき等が施される心配がなく、終端抵抗Ｒの抵抗値が下がることはない。図５に示すように、本第２実施例では、トリミング用コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａをそれぞれ分断する３本のトリミング溝８０と、抵抗体７５に切れ込みを入れる１本のトリミング溝８１とを積層基板３０に形成している。
【００６５】
以上の構成部品は以下のようにして組み立てられる。即ち、図２に示すように、永久磁石９は金属製上側ケース４の天井に接着剤によって固定される。積層基板３０上には、中心電極組立体１３が、中心電極組立体１３の中心電極２１，２２，２３の各々の一端が積層基板３０の表面に形成された中心電極用接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３に、図１に示した方法ではんだ付けされ、かつ、中心電極２１，２２，２３の各々の他端がグランド用接続電極３１にはんだ付けされることにより、実装される。接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，３１は狭面積であるため、はんだ溶融時のセルフアライメント効果により、中心電極組立体１３を位置決めすることができる。
【００６６】
積層基板３０は金属製下側ケース８の底部８ａ上に載置され、シート４７の裏面に設けた電極がはんだによって底部８ａと接続固定されることにより、グランド端子電極１６が底部８ａに電気的に接続される。これにより、アースを十分にとることができるので、アイソレータ１の電気特性を向上させることができる。
【００６７】
そして、金属製下側ケース８の側部８ｂと金属製上側ケース４の側部４ｂをはんだ等で接合することにより金属ケースとなり、ヨークとしても機能する。つまり、この金属ケースは、永久磁石９と中心電極組立体１３と積層基板３０を囲む磁路を形成する。また、永久磁石９はフェライト２０に直流磁界を印加する。
【００６８】
図９はアイソレータ１の電気等価回路図である。整合用コンデンサＣ３と終端抵抗Ｒは、中心電極用接続電極Ｐ３とグランド端子電極１６の間に並列接続されている。
【００６９】
（トリミングの他の例、図１０〜図１２参照）
図１０は、コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａに対してレーザトリミングを行う際に、コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３の容量を測定するためのプローブ５８を設けたマスク５５を使用する方法を示している。なお、積層基板３０の構成は前記第２実施例と同様であり、図１０において付されている符号は第２実施例と同じ部材を示し、重複する説明は省略する。
【００７０】
マスク５５は、前記第２実施例で示したマスク５０と同様に、積層基板３０の電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，３１を覆って他の部分を開口部５６としたもので、開口部５６からレーザを照射してコンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａ及び終端抵抗Ｒを必要に応じてトリミングする。プローブ５８は電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，３１に対応する位置（図１１参照）に形成した孔５７からマスク５５の下面に突出可能に取り付けられている。各々のプローブ５８の形状は図１２に示すとおりであり、図示しないスプリング機構によって保持筒５９から出し入れ可能とされている。
【００７１】
このトリミング例では、レーザトリミングを行う前に、積層基板３０のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３の初期容量を測定する。即ち、積層基板３０を固定してマスク５５を降下させて積層基板３０上に載せ、プローブ５８を下降させてその先端を電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，３１に接触させ、コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３の容量を測定する。
【００７２】
次に、プローブ５８を上昇させて電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，３１から離間させ、測定された初期容量に基づいて決定されたトリミング位置にレーザを照射し、コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａをトリミングする。その後、プローブ５８を再度下降させてトリミングされたコンデンサ容量を測定する。
【００７３】
以上の工程（初期容量測定、レーザトリミング、トリミング後の容量測定）は自動機を用いて短時間で行われ、これにて、非可逆回路素子の低価格化が達成される。勿論、マスク５５を用いてレーザトリミングを行う作用効果は前記第２実施例と同様である。
【００７４】
ところで、プローブによってコンデンサ容量を測定する場合、マスク５５は樹脂製であることが好ましい。容量測定時にグランド電流が流れないので、測定誤差の小さい安定した容量の測定が可能となり、周波数特性のばらつきの小さい非可逆性回路素子が得られる。また、樹脂は加工性、寸法安定性に優れており、薄肉微細加工が可能であり、小型化した非可逆回路素子の多層基板の製造に最適である。この意味で前記第２実施例に示したマスク５０も樹脂製としてもよい。
【００７５】
（通信装置、図１３）
ここで、前記非可逆回路素子を用いた通信装置として、携帯電話を例にして説明する。図１３は携帯電話３２０のＲＦ部分の電気回路を示し、３２２はアンテナ素子、３２３はデュプレクサ、３３１は送信側アイソレータ、３３２は送信側増幅器、３３３は送信側段間用帯域通過フィルタ、３３４は送信側ミキサ、３３５は受信側増幅器、３３６は受信側段間用帯域通過フィルタ、３３７は受信側ミキサ、３３８は電圧制御発振器（ＶＣＯ）、３３９はローカル用帯域通過フィルタである。
【００７６】
ここに、送信側アイソレータ３３１として、前記第２実施例として示した非可逆回路素子１（集中定数型アイソレータ）を使用することができる。これらのアイソレータを実装することにより、電気的特性の向上した、かつ、信頼性の高い携帯電話を実現することができる。
【００７７】
（他の実施例）
なお、本発明に係る製造方法は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【００７８】
例えば、積層基板の内部に形成されるコンデンサは、整合用コンデンサに限るものではなく、低域通過フィルタやトラップ回路などを構成するためのコンデンサであってもよい。また、本発明に係る非可逆回路素子は、アイソレータ以外に、サーキュレータやカップラー内蔵の非可逆回路素子などであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明に係る製造方法の第１実施例を示す説明図である。
【図２】本発明に係る製造方法で得られた非可逆回路素子を示す分解斜視図である。
【図３】図２に示した積層基板の分解斜視図である。
【図４】前記積層基板に形成された各種電極を示す平面図である。
【図５】前記積層基板にマスクを載せてせレーザトリミングを行った状態を示す平面図である。
【図６】（Ａ）はマスクを用いずにレーザトリミングを行った場合の飛散物の付着状況を示す平面図、（Ｂ）はマスクを用いてレーザトリミングを行った場合の飛散物の付着状況を示す平面図である。
【図７】積層基板のマザーボード状態を示す平面図である。
【図８】図７に示した積層基板上に部品を搭載した状態を示す平面図である。
【図９】図２に示した非可逆回路素子の電気等価回路図である。
【図１０】プローブを取り付けたマスクと積層基板を示す斜視図である。
【図１１】図１０に示したマスクの裏面図である。
【図１２】図１０に示したプローブの立面図である。
【図１３】前記非可逆回路素子を備えた通信装置の電気回路ブロック図である。
【図１４】レーザトリミングされた従来の積層基板を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はＢ−Ｂ断面図、（Ｃ）はＣ−Ｃ断面図である。
【符号の説明】
【００８０】
１…非可逆回路素子（集中定数型アイソレータ）
９…永久磁石
１３…中心電極組立体
２０…フェライト
２１〜２３…中心電極
３０…積層基板
７１ａ〜７３ａ，７１ｂ〜７３ｂ…コンデンサ電極
８０，８１…トリミング溝
Ｐ１〜Ｐ３，３１…接続電極
２１０…積層基板（第１構成部品）
２１１，２１２…コンデンサ電極
２１５，２１６…接続用電極
２１７…トリミング溝
２２０…積層基板（第２構成部品）
２２５，２２６…接続用電極
２３５…樹脂膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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