(57)【要約】【課題】常時自励発振させても電力損失を減少させることができるようにした電源回路に関する。【解決手段】自励発振し、制御トランジスタ６およびコントロール回路１８にてバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５を制御する回路において、その自励発振部のトランジスタに電流増幅率が高いバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５を用いることで起動抵抗８を十分大きくすることが出来、供給される電流を一般のバイポーラトランジスタに較べ小さく出来る。【選択図】    図１
2005210807.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電圧を発生する直流電源と、
高電流増幅率を有するバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ、前記バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタが起動できるに必要な最小の起動電流を供給する高抵抗値の起動抵抗、前記バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタを制御する制御トランジスタと前記バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタが接続された入力巻線および出力電圧を取出す出力巻線および検出巻線を有するトランスとよりなる自励式発振器と、
前記出力電圧にて動作し、前記バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタを制御するコントロール回路とを備え、
前記バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタを前記直流電源から起動抵抗を介して供給される最小の起動電流でＯＮし自励発振動作させ、トランスより出力電圧を取出すようにするようにしたことを特徴とする自励式発振器を用いた電源回路。
【請求項２】
商業電源からの交流電圧を整流して直流電圧を得る直流電源と、
コレクタ領域を構成する一導電型の半導体層、前記半導体層表面から形成された複数のトレンチ、前記トレンチの内壁には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜を覆うように前記トレンチ内を充填する逆導電型の固定電位絶縁電極、前記トレンチ間に位置し、前記固定電位絶縁電極と同電位に保たれる一導電型のエミッタ領域、前記エミッタ領域と離間され、少なくとも前記絶縁膜とその一部を隣接するように配置されるベース領域と、前記固定電位絶縁電極間に位置し、少なくとも前記エミッタ領域の下方に位置するチャネル領域とを具備した高電流増幅率およそ１０００を有するバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタと、前記直流電源およびバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタのベース間に接続され、前記バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタが起動できるに必要な最小の起動電流を供給する高抵抗値の起動抵抗と、前記起動抵抗に接続されたコンデンサと、前記コンデンサが充電されたときＯＮ可能にされ前記バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタを制御する制御トランジスタと、前記バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタが接続された入力巻線、出力電圧を取出す出力巻線および検出巻線を有するトランスとよりなる自励式発振器と、
前記出力電圧にて動作されコントロール電圧を発生し制御トランジスタを制御するコントロール回路とを備え、
前記バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタを前記直流電源から起動抵抗を介して供給される最小の起動電流でＯＮさせ、ベース巻線に生じる電圧にてＯＮ／ＯＦＦ制御させることにより自励発振させるようにしたことを特徴とする自励式発振器を用いた電源回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は起動抵抗で消費される消費電力を低減した自励式発振器を用いた電源回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の二次電池を有する電子機器に充電するために用いられるチャージャーは構成が簡単なため、自励式発振器を用いた電源回路が多く用いられている。
【０００３】
図６は従来の自励式発振器を用いた電源回路を示す回路図である。図６において、起動抵抗Ｒｓを介してスイッチング・トランジスタＴｒのベースに電流が流れると、スイッチング・トランジスタＴｒは導通状態となる。この結果、トランスＮの一次巻線ＮＰに電圧が加わり、同時にベース駆動巻線ＮＢにも電圧が発生する。発生された電圧はスイッチング・トランジスタＴｒをさらに導通させる方向に動作して正帰還の電圧となり、スイッチング・トランジスタＴｒは急速にＯＮしてトランスＮの一次巻線ＮＰにはＶ１−ＶＣＥの電圧が加わる。
【０００４】
この場合二次巻線ＮＳの電圧は整流器Ｄに対して逆方向に加わるので、トランスＮの二次巻線ＮＳには電流が流れない。スイッチング・トランジスタＴｒの電流が増大して、ベース電流がスイッチング・トランジスタＴｒの飽和を保持することが不可能となると、スイッチング・トランジスタＴｒは飽和から外れ、コレクタ・エミッタ電圧ＶＣＥが増大する。
【０００５】
ＶＣＥが増加したことによって、トランスＮの一次巻線ＮＰの電圧が下がると、ベース巻線ＮＢの電圧も下がり、さらにＶＣＥが増加する。この変化は正帰還されるので、スイッチング・トランジスタＴｒは急速にＯＦＦする。
【０００６】
スイッチング・トランジスタＴｒがＯＦＦした瞬間は、磁界の方向も大きさも同一に保持されるので、一次巻線ＮＰに流れた電流と同一のアンペア・ターンを保持するように、二次巻線ＮＳにも巻始めから巻終わりの方向の電流が流れ、ダイオードＤを導通する。それによりダイオードＤに流れる電流は低下しながら、トランスＮのインダクタンスに蓄積されていたエネルギを出力側へ供給する。
【０００７】
トランスＮに蓄積されていたエネルギが全て出力側へ移されるとダイオードＤの電流はゼロになり、ダイオードＤはＯＦＦされる。この瞬間、トランスＮのそれぞれの巻線に電圧はゼロとなるが、起動抵抗Ｒｓを流れる電流の一部がスイッチング・トランジスタＴｒのベースに加わり、スイッチング・トランジスタＴｒが導通してコレクタ電流が流れる。この状態が正帰還されると、スイッチングトランジスタＴｒは再びＯＮ状態になり、かかる動作を繰り返し発振が継続する。
【特許文献１】特開昭５７−１３９６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
二次電池を有する電子機器のチャージャーに用いられる電源回路は、チャージするとき以外でも商業電源に接続されているので、自励式発振器を用いた電源回路では、スイッチング・トランジスタＴｒに常時起動電流が流れている。ところで、従来スイッチング・トランジスタＴｒはバイポーラトランジスタが用いられているが、バイポーラトランジスタは低電流増幅率（ｈＦＥ）のため、起動させるのに比較的大きなベース電流を必要とする。それ故にチャージしていないアイドリング状態でも、起動抵抗を介して大きな起動電流が流れ、起動用抵抗において熱損失を生じ無駄な電力を消費する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は自励式発振器を用いた電源回路において、高電流増幅率（高ｈＦＥ）を有するバイポーラ・ノーマルオフ型のスイッチング・トランジスタを用いることにより、アイドリング時の電力損失を減少させることができるようにしたもので、
商業電源を整流して直流電圧が得られる直流電源と、高電流増幅率を有するバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ、前記バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタが起動できるに必要な最小の起動電流を供給する高抵抗値の起動抵抗、前記バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタを制御する制御トランジスタと前記バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタが接続された入力巻線および出力電圧を取出す出力巻線および検出巻線を有するトランスとよりなる自励式発振器と、前記出力電圧にて動作し、前記バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタを制御するコントロール回路とを備え、前記バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタを前記直流電源から起動抵抗を介して供給される最小の起動電流でＯＮし自励発振動作させ、トランスより出力電圧を取出すようにするようにした自励式発振器を用いた電源回路を提供する。
【００１０】
本発明は商業電源を整流して直流電圧が得られる直流電源と、コレクタ領域を構成する一導電型の半導体層、前記半導体層表面から形成された複数のトレンチ、前記トレンチの内壁には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜を覆うように前記トレンチ内を充填する逆導電型の固定電位絶縁電極、前記トレンチ間に位置し、前記固定電位絶縁電極と同電位に保たれる一導電型のエミッタ領域、前記エミッタ領域と離間され、少なくとも前記絶縁膜とその一部を隣接するように配置されるベース領域と、前記固定電位絶縁電極間に位置し、少なくとも前記エミッタ領域の下方に位置するチャネル領域とを具備した高電流増幅率を有するバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタと、前記直流電源およびバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタのベース間に接続され、前記バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタが起動できるに必要な最小の起動電流を供給するに高抵抗値の起動抵抗と、前記起動抵抗に接続されたコンデンサと、前記コンデンサが充電されることによりＯＮし前記バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタを制御する制御トランジスタと、前記スイッチングトランジスタが接続され入力巻線と、出力電圧を取出す出力巻線および検出巻線を有するトランスとよりなる自励式発振器と、前記出力電圧にて動作されコントロール電圧を発生し制御トランジスタを制御するコントロール回路とを備え、前記バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタを直流電源から起動抵抗を介して供給される最小の起動電流で制御トランジスタをＯＮさせ、ベース巻線に生じる電圧にてＯＮ／ＯＦＦ制御させることにより自励発振させるようにした自励式発振器を用いた電源回路を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
以上に説明したように本発明の自励式発振器を用いた電源回路は、自励式発振器に高電流増幅率のバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタを用いたので、起動電流が小さくできる。従って二次電池を有する電子機器のチャージャーに用いた場合に、チャージしていないときのアイドリング電流が低く抑えられ、不必要な消費電力の低減が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の自励式発振器を用いた電源回路の実施形態を図１から図５を参照して説明する。
【００１３】
図１は本発明よる自励式発振器を用いた電源回路の回路図である。
【００１４】
直流電源１は商業電源２および商業電源２よりの交流電圧を整流する整流回路３よりなる。自励発振回路４はバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５、トランス７、起動抵抗８等から構成される。バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５のベースとエミッタ間には、コンデンサ１２、抵抗１３、トランス７のベース巻線Ｍ３が接続されている。
【００１５】
制御トランジスタ６のコレクタはバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５のベースとコンデンサ１２との接続点に接続されている。また制御トランジスタ６のエミッタとアース間にはサーミスター１４が接続されている。
【００１６】
バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５はベースが高抵抗値の起動抵抗８を介して直流電源１に接続され、コレクタがトランス７の入力巻線Ｍ１を介して直流電源１に接続されている。制御トランジスタ６はコレクタが起動抵抗８を介して直流電源１に接続されている。また制御トランジスタ６のベースは抵抗１０を介してバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５のエミッタに接続されるとともに、抵抗１１を介してトランス７のベース巻線Ｍ３に接続されている。
【００１７】
トランス７の出力巻線Ｍ２には平滑用のコンデンサ１５とインダクタンス１６およびバリスター１７が接続されている。出力巻線Ｍ２の出力の一部は分割用の抵抗１９、２０および抵抗２１に加わり、電圧、電流を検出しコントロール回路１８に加えられる。コントロール回路１８は過電圧または過電流が加えられることにより信号を発生する。発生された信号はホトカプラ２２の発光ダイオード２３を発光させる。発光ダイオード２３で発光された光線はホトトランジスタ２４に加わり、ホトトランジスタ２４をＯＮさせるので、ベース巻線Ｍ３に発生したベース電圧が制御トランジスタ６のベースに加えられ、バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５の動作を制御する。
【００１８】
図２は本発明に用いたバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５の構造を示す斜視図である。
【００１９】
図２に示す如く、Ｎ＋型の半導体基板３１上にはＮ−型のエピタキシャル層３２が堆積されている。等間隔をなして互いに平行になるような複数のトレンチ３７が、このエピタキシャル層３２の表面から形成されている。そして、基板３１はコレクタ取り出し領域として用いられており、エピタキシャル層３２は、主に、コレクタ領域３３として用いられる。また、トレンチ３７はエピタキシャル層３２表面に対して側壁がほぼ垂直にエッチングされ、その内壁には絶縁膜３６が形成されている。更に、トレンチ３７には、Ｐ型不純物が注入された、例えば、多結晶シリコンが堆積されている。そして、トレンチ３７内の多結晶シリコンは、半導体主表面で、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を介してエミッタ領域３４と電気的に接続されている。そのことで、トレンチ３７内のＰ型の多結晶シリコンは、エミッタ電極Ｅと同電位からなる固定電位絶縁電極３５として用いられる。一方、複数のトレンチ３７間に位置するエピタキシャル層３２はチャネル領域３８として用いられる。
【００２０】
図２は本実施の形態では、ベース領域３９はエミッタ領域３４と離間され、エピタキシャル層３２に一定の間隔を置いて複数設けられている。そして、図示の如く、エミッタ領域３４は、ベース領域３９の長手方向、つまり、Ｙ軸方向に延在し、１つのセルを形成する２本のベース領域３９間に形成されている。そして、本実施の形態では、エミッタ領域３４は、Ｙ軸方向にベース領域３９とほぼ平行に位置し、それぞれのベース領域３９から等距離に配置される。一方、固定電位絶縁電極３５を形成するトレンチ３７は、エミッタ領域３４及びベース領域３９と直交する方向に、つまり、Ｘ軸方向に延在している。
【００２１】
次に、図３を参照として本発明のバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタの断面構造およびその動作について説明する。図３（Ａ）は図２横方向の断面図であり、図３（Ｂ）は図２の縦方向の断面図である。
【００２２】
図３（Ａ）に示す如く、エピタキシャル層３２に関し、主に、エミッタ領域３４の下方に位置し、トレンチ３７に挟まれた領域がチャネル領域３８であり、矢印Ｈ１をチャネル厚み、矢印Ｌ１をチャネル長とする。つまり、チャネル厚みＨ１とは、チャネル領域３８において対向する絶縁膜３６間の間隔であり、チャネル長Ｌ１とは、トレンチ３７の側壁に沿って、エミッタ領域３４底面から固定電位絶縁電極３５の底面までの距離をいう。また、コレクタ取り出し領域として用いるＮ＋型の基板１の裏面には、例えば、Ａｕ層４０がオーミックコンタクトしており、このＡｕ層４０を介してコレクタ電極Ｃが形成されている。
【００２３】
一方、図３（Ａ）では図示していないが、エピタキシャル層３２表面には絶縁層としてのシリコン酸化膜４２（図３（Ｂ）参照）が形成されている。そして、このシリコン酸化膜４２に設けられたコンタクト領域４３（図３（Ｂ）参照）を介して、Ａｌ層４１がエミッタ領域３４にオーミックコンタクトしている。また、Ａｌ層４１はコンタクト領域４３を介して、固定電位絶縁電極３５にもオーミックコンタクトしている。この構造により、上述の如く、固定電位絶縁電極３５は接地状態となり、エミッタ領域３４と固定電位絶縁電極３５とは同電位に保たれる。また、実質、エミッタ領域３４の下方に位置するチャネル領域３８も固定電位絶縁電極３５と同電位に保たれる。尚、本実施の形態のバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタでは、チャネル領域３８に形成される空乏層により主電流のＯＮ、遮断を制御するので、その条件を満たしていれば単位セルを構成する固定電位絶縁電極３５の形状、エミッタ領域３４の形状などは任意である。
【００２４】
図３（Ｂ）に示す如く、ベース領域３９上面を含めエピタキシャル層３２表面にはシリコン酸化膜４２が堆積されている。そして、ベース領域３９上面には、シリコン酸化膜４２に設けられたコンタクト領域４４を介して、例えば、Ａｌから成るベース電極Ｂが形成されている。
【００２５】
前述したバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５は、チャネル領域３８に擬似的なＰ型領域を形成することで、初めから遮断状態（ＯＦＦ動作状態）となっている。また、バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタがＯＦＦ動作時では、コレクタ電極Ｃには正の電圧が印加され、エミッタ電極Ｅが接地され、ベース電極Ｂが接地状態であるか、又は、ベース電極Ｂに負の電位が印加されている。このとき、擬似的なＰ型領域であるチャネル領域３８とＮ型領域であるコレクタ領域３３との境界面には、逆バイアスが印加されることで紙面下方向に空乏層が形成される。そして、この空乏層の形成状態はバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタの耐圧特性を左右する。
【００２６】
バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５をターン・ＯＮするためには、ベース電極Ｂに接地状態から正の電圧を印加する。このとき、ベース領域３９からは自由キャリア（正孔）が導入されるが、上述の如く、自由キャリア（正孔）はイオン化アクセプタにひかれて絶縁膜３６界面に流れ込む。そして、チャネル領域３８の絶縁膜３６界面に自由キャリア（正孔）が充填されることで、Ｐ＋型のポリシリコン領域内のイオン化アクセプタと自由キャリア（正孔）のみで対となり電界を形成する。そのことで、チャネル領域３８での絶縁膜３６と最も遠い領域、つまり、チャネル領域３８中央領域から、自由キャリア（電子）が存在するようになり、中性領域が出現する。その結果、チャネル領域３８の空乏層が減退し、中央領域からチャネルが開き、エミッタ領域３４からコレクタ領域３３へ自由キャリア（電子）が移動し、主電流が流れる。
【００２７】
つまり、自由キャリア（正孔）は、トレンチ３７壁面を通路として瞬時に行き渡り、固定電位絶縁電極３５からチャネル領域３８へと広がる空乏層は後退し、チャネルが開くのである。更に、ベース電極Ｂが所定値以上の電圧が印加されると、ベース領域３９とチャネル領域３８ならびにコレクタ領域３３の形成するＰＮ接合が順バイアスとなる。そして、自由キャリア（正孔）がチャネル領域３８ならびにコレクタ領域３３に直接注入される。その結果、チャネル領域３８ならびにコレクタ領域３３に自由キャリア（正孔）が多く分布することで伝導度変調が起こり、主電流は低いＯＮ抵抗で流れるようになる。
【００２８】
バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５のＯＮ動作からＯＦＦ動作へと転じる状態について説明する。半導体素子をターン・オフするためには、ベース電極Ｂの電位を接地状態（０Ｖ）、もしくは負電位にする。すると伝導度変調によりコレクタ領域３３およびチャネル領域３８に大量に存在していた自由キャリア（正孔）は消滅するか、もしくはベース領域３９を通路として素子外に排除される。そのことで、再びチャネル領域３８は空乏層で満たされ、再び擬似的なＰ型領域となり、耐圧を維持し、主電流は止まる。
【００２９】
図４において、曲線Ｘ１はバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５のコレクタ電流ＩＣに対する電流増幅率（ｈＦＥ）を示すもので、曲線Ｙ１は通常のバイポーラ型トランジスタのコレクタ電流ＩＣに対する電流増幅率（ｈＦＥ）を示すものである。このように、バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５のコレクタ電流ＩＣが低いときのｈＦＥが通常のバイポーラ型トランジスタに比して十分大きいことを示している。
【００３０】
また図５において、曲線Ｘ２はバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５のコレクタ電流ＩＣに対するＶＣＥ（ｓａｔ）、曲線Ｙ２は通常のバイポーラ型トランジスタのコレクタ電流ＩＣに対するＶＣＥ（ｓａｔ）である。このように、バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５は低ＶＣＥ（ｓａｔ）である。
【００３１】
上述した図１の回路において、起動抵抗８の抵抗値を大きくし、バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５は高ｈＥＦで、低ＶＣＥ（ｓａｔ）であるので、バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５に起動できるに最小な起動電流を供給するようにし、消費される電力を通常のバイポーラ型トランジスタより小さくなるようにしている。若しバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５の代わりに通常のバイポーラ型トランジスタを用いた場合はｈＦＥが小さいので、大きな起動電流を流す必要がある。そのため起動抵抗８をバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタの１／４以下と小さくし、起動抵抗８に流れる起動電流を大きくする必要があるので、消費される電力も大きくなる。
【００３２】
本発明の自励式発振器を用いた電源回路は上述の構成をなしている。
直流電源１において商業電源２から商業電圧が加えられると、整流回路３で整流され直流電圧を発生し、最初制御トランジスタ６がＯＦＦしているため、起動抵抗８を介してバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５のベースに起動電流が加えられる。起動電流がバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５のベースに流れると、バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５は導通状態となる。この結果、トランス７の入力巻線Ｍ１に電圧が加わり、同時にベース巻線Ｍ３にも電圧が発生する。発生された電圧はバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５をさらに導通させる方向に動作して正帰還の電圧となり、バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５は急速にＯＮしてトランス７の入力巻線Ｍ１には電圧が加わる。  この場合に出力巻線Ｍ２の電圧は整流器Ｄに対して逆方向に加わるので、トランス７の出力巻線Ｍ２には電流が流れない。
【００３３】
バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５がＯＦＦした瞬間は、磁界の方向も大きさも同一に保持されるので、一次巻線ＮＰに流れた電流と同一のアンペア・ターンを保持するように、出力巻線Ｍ２にも巻始めから巻終わりの方向の電流が流れ、ダイオードＤを導通する。それによりダイオードＤに流れる電流は低下しながら、トランス７のインダクタンスに蓄積されていたエネルギを出力端子Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２へ供給する。
【００３４】
トランス７に蓄積されていたエネルギが全て出力側へ移されるとダイオードＤの電流はゼロになり、ダイオードＤはＯＦＦされる。この瞬間、トランス７のそれぞれの巻線に電圧はゼロとなるが、起動抵抗８を流れる電流の一部がバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５のベースに加わり、バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５が導通してコレクタ電流が流れる。この状態が正帰還されると、バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５は再びＯＮ状態になり、かかる動作を繰り返し発振が継続し、トランス７の出力巻線Ｍ２に出力電圧を発生し、出力端子Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２から二次電池を有する電子機器に充電される。
【００３５】
前述したように、バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５は高ｈＦＥであるので、ベースに加えられる起動電流が小さくとも、バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５はＯＮする。
【００３６】
出力の一部は分割用の抵抗１９、２０および抵抗２１に加わり、出力の電圧、電流を検出しコントロール回路１８に加えられる。コントロール回路１８は過電圧または過電流が加えられることによりパルス信号を発生する。パルス信号はホトカプラ２２の発光ダイオード２３を発光させる。発光ダイオード２３で発光された光線はホトトランジスタ２４に加わり、ホトトランジスタ２４がＯＮさせるので、ベース巻線Ｍ３に発生したベース電圧が制御トランジスタ６のベースに加えられ、バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５の動作を制御する。
【００３７】
ベースに電圧が加えられると制御トランジスタ６をＯＮする。制御トランジスタ６がＯＮすると、ベース電位が低下することによりバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５はＯＦＦされ、出力巻線Ｍ２に発生した過電圧または過電流を減少させ一定の出力電圧を出力端子Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２へ供給する。
バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５がＯＦＦされると、エミッタ−コレクタ間に３００Ｖ〜４００Ｖの高電圧が加わるが、バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ５は高耐圧であるので、破壊されることがない。
【００３８】
本発明に用いられた自励式発振器４は商業電源が加えられている限り出力端子Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２に二次電池を有する電子機器の負荷が接続されていないときにも発振している。従って起動抵抗８に常時起動電流が流れ電力損失を生じる。しかし本発明では起動抵抗８を大きくしているので、消費電力は小さくできる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の自励式発振器を用いた電源回路の回路図である。
【図２】本発明の自励式発振器を用いた電源回路に使用したバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタの構造を示す斜視図である。
【図３】本発明の自励式発振器を用いた電源回路に使用したバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタの断面構造およびその動作についての説明で、図３（Ａ）は図２の横方向の断面図であり、図３（Ｂ）は図２の縦方向の断面図である。
【図４】本発明の自励式発振器を用いた電源回路に使用したバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタのコレクタ電流に対する電流増幅率を示す特性図である。
【図５】本発明の自励式発振器を用いた電源回路に使用したバイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタのコレクタ電流に対するコレクタエミッタ飽和電圧を示す特性図である。
【図６】従来の電源回路のブロック図である。
【符号の説明】
【００４０】
１      直流電源回路
４      自励発振回路
５      バイポーラ・ノーマリオフ型トランジスタ
６      制御トランジスタ
７      トランス
８      起動抵抗
１８    コントロール回路
３１    基板
３３    コレクタ領域
３４    エミッタ領域
３９    ベース領域
【図１】
2005210807.tif 000003
【図２】
2005210807.tif 000004
【図３】
2005210807.tif 000005
【図４】
2005210807.tif 000006
【図５】
2005210807.tif 000007
【図６】
2005210807.tif 000008