(57)【要約】【課題】  マイクロ波を用いて、試料を効率よく、均一に加熱することができる加熱装置用試料台と加熱装置を提供する。【解決手段】  本発明の試マイクロ波加熱装置用試料台１７は、体積固有抵抗値が１０−１Ωｃｍ以上１０６Ωｃｍ以下、マイクロ波周波数帯域における複素誘電率が０．２以上、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックスで構成されていることを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波を用いて試料を加熱する加熱装置に用いる試料台であって、
体積固有抵抗値が１０−１Ωｃｍ以上かつ１０６Ωｃｍであり、かつ、マイクロ波周波数帯域における複素誘電率が０．２以上のセラミックスで構成されていることを特徴とするマイクロ波加熱装置用試料台。
【請求項２】
前記セラミックスの体積固有抵抗値が１０−１Ωｃｍ以上かつ１０４Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波加熱装置用試料台。
【請求項３】
前記セラミックスの熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする請求項１または２記載のマイクロ波加熱装置用試料台。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項記載の試料台と、該試料台を収容する容器と、該容器外に配置されたマイクロ波発振器と、該マイクロ波発振器にて発振されたマイクロ波を前記試料台の他の一主面に導く導波管とを備えていることを特徴とするマイクロ波加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の製造工程等で用いられるマイクロ波加熱装置用試料台及びこれを用いたマイクロ波加熱装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造工程において、酸化処理、不純物拡散処理、エピタキシャル成長、およびＣＶＤなどの工程で、半導体ウエハ（たとえばシリコンウエハ）等の板状試料の加熱処理が行われている。そして、これらの加熱処理においては、板状試料は、処理容器内の試料台上に載置・保持されて加熱されるが、従来より、板状試料の加熱手段として面状ヒータが用いられている。
【０００３】
ヒータ加熱方式は、板状試料用試料台の下方に、抵抗発熱性配線を内蔵した面状ヒータを設置し、この抵抗発熱性配線に通電することによって、板状試料用試料台を介して板状試料を所要の処理温度に上昇させる。面状ヒータと板状試料用試料台を一体化させたヒータ内蔵型試料台を使用することも知られている。
【０００４】
このようなヒータ加熱方式では、抵抗発熱性配線を内蔵した高価な面状ヒータを用いるため、コストアップの要因となる。さらに、面状ヒータの構造ないし構成に起因する面内温度勾配が発生し易く、その結果、加熱のために試料台に載置・保持された板状試料に温度ムラが生じて、製造プロセスにおける歩留の低下を招来している。
そこで、最近、面内温度勾配の発生がなく、歩留まりよく板状試料を加熱することができる加熱方式としてマイクロ波を利用する方法が検討されている。
【０００５】
例えば、マイクロ波周波数帯域における誘電正接が１０−２ 以上の窒化アルミニウム焼結体から成り、かつその窒化アルミニウム焼結体を構成する窒化アルミニウム粒子の平均粒径が２μｍ以上かつ８μｍ以下である板状試料用試料台、及びこの板状試料用試料台を反応容器内に配設したマイクロ波加熱装置がある（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−７５８７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のマイクロ波加熱装置、及び板状試料用試料台にあっては、板状試料を効率よく加熱できなかったり、板状試料を容器内でプラズマ処理する場合には、試料台を透過して反応容器内に漏洩したマイクロ波がプラズマの安定性に多大な影響を与え、ときにはプラズマが消失するため、板状試料にプラズマ処理ムラが生じ、製品の歩留まりが低下するという不都合があった。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、板状試料を効率よく、面内温度勾配が発生しないように加熱することができることは勿論のこと、マイクロ波が容器内に漏洩することがなく、信頼性の高いプラズマ処理が可能なマイクロ波加熱装置用試料台、及びこれを反応容器内に配設したマイクロ波加熱装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、マイクロ波の反応容器内での反射または漏洩と試料台を構成するセラミックスの体積固有抵抗値との間に相関関係が存在していることを知見し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
即ち、本発明のマイクロ波加熱装置用試料台は、体積固有抵抗値が１０−１Ωｃｍ以上かつ１０６Ωｃｍ以下であり、かつ、マイクロ波周波数帯域における複素誘電率が０．２以上のセラミックス材で構成されていることを特徴としている。
ここに、複素誘電率とは、比誘電率と誘電正接の積であり、マイクロ波周波数帯域とは１０８Ｈｚ以上かつ１０１３Ｈｚ以下の電磁波を意味する。
【００１０】
このように構成されたマイクロ波加熱装置用試料台にあっては、試料台を形成しているセラミックス材料が１０−１Ωｃｍ以上かつ１０６Ωｃｍ以下の体積固有抵抗値であるため、試料台の表面（裏面）でのマイクロ波の反射が低減し、更に、試料台を透過するマイクロ波量も低減するため、板状試料を効率よく加熱することができ、しかもプラズマの安定性に影響を与えることがない。また、試料台を形成しているセラミックスの複素誘電率が０．２以上であるため、試料台に吸収されたマイクロ波のエネルギーが効率よく熱に変換され、試料台は面内温度勾配の発生もない。そのため、板状試料にプラズマ処理ムラが生じることもなく、製品の歩留まりが低下することもない。
【００１１】
前記セラミックスの体積固有抵抗値が１０−１Ωｃｍ以上かつ１０４Ωｃｍ以下であることを特徴とする。また、前記セラミックスの熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする。
【００１２】
本発明の請求項４に係るマイクロ波加熱装置は、一主面に板状試料を載置する試料台と、前記試料台を収容する容器と、前記容器外に配置されたマイクロ波発振器と、前記マイクロ波発振器で発振されたマイクロ波を前記試料台の他の一主面にマイクロ波透過窓を介して導く導波管とを備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のマイクロ波加熱装置用試料台によれば、試料台を形成しているセラミックスが１０−１Ωｃｍ以上かつ１０６Ωｃｍ以下の体積固有抵抗値を有しているため、マイクロ波の試料台表面（裏面）での反射が低減され、しかも、試料台を透過して容器内へ漏洩するマイクロ波も低減されるため、板状試料を効率よく加熱することができ、しかもプラズマの安定性に影響を与えることがない。
また、試料台を形成しているセラミックス材の複素誘電率が０．２以上であるため、試料台に吸収されたマイクロ波のエネルギーが効率よく熱に変換され、しかも、試料台を透過して容器内へ漏洩するマイクロ波も一層低減されるため、面内温度勾配の発生もない。そのため、板状試料にプラズマ処理ムラが生じることもなく、製品の歩留まりが低下することもない。
【００１４】
また、本発明のマイクロ波加熱装置によれば、該試料台を収容する容器と、該容器外に配置されたマイクロ波発振器と、該マイクロ波発振器にて発振されたマイクロ波を前記試料台の他の一主面に導く導波管と、マイクロ波を前記試料台の他の一主面に均一に放射するマイクロ波透過窓を備えているため試料を効率よく均一に加熱することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明のマイクロ波加熱装置用試料台及びマイクロ波加熱装置の一実施の形態について図面に基づいて説明する。
[マイクロ波加熱装置]
図１は、本発明の一実施形態のマイクロ波加熱装置を示す概略断面図である。
図１において、符号１１はアルミニウムまたはステンレススチールからなる容器器であり、この容器１１の底部１１ａ（または側部）には板状の高純度石英からなるマイクロ波照射窓１２が設けられ、この反応容器１１の側壁（側部）には、反応ガスを反応容器１１内に導入する反応ガス導入口１３及び反応ガスを反応容器１１外へ排出する反応ガス排出口１４が設けられている。
【００１６】
このマイクロ波照射窓１２の上面に直接もしくは石英製スペーサーを介して、体積固有抵抗値が１０−１Ωｃｍ以上かつ１０６Ωｃｍ以下で、好ましくは１０−１Ωｃｍ以上１０４Ωｃｍ以下であり、かつ、マイクロ波周波数帯域における複素誘電率が０．２以上、好ましくは０．５以上のセラミックスで構成され、直径３２０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円板からなる試料台１２が電気的に絶縁される状態で載置され、この試料台１７の上面（一主面）１７ａに半導体ウエハＷが載置されて加熱される。この半導体ウエハＷとしては、例えば、シリコン（Ｓｉ）ウエハ、ＧａＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ等が好適に用いられる。
【００１７】
また、容器１１の底部１１ａのマイクロ波照射窓１２の外側には、例えば、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を、マイクロ波照射窓１２を介して試料台１７の下面（他の一主面）に照射するマイクロ波発生器２１が設けられており、マイクロ波照射窓１２の下面にはマイクロ波を均一に照射して試料台１７を均熱化するためのスロットアンテナ（孔付金属板）１６が配設され、このスロットアンテナ（孔付金属板）１６とマイクロ波発振器２１との間にはマイクロ波を矩形から円形に変換して円板状試料台に均一にマイクロ波を照射するための変換器１６が配設されている。
一方、試料台１７には、光センサ２２が設けられ、この光センサ２２は光温度計２３を介してマイクロ波発生器２１に電気的に接続されている。
【００１８】
また、容器１１の頂部には、従来公知の、マイクロ波を利用したプラズマ発生装置３０が設けられている。即ち、容器１１の頂部１１ｂの高純度石英製マイクロ波照射窓３１の外側には、マイクロ波を利用したプラズマ発生装置３０が設けられ、このプラズマ発生装置３０は、例えば、２．４５ＧＨｚのマイクロ波をマイクロ波照射窓３１を介して容器１１内に照射するマイクロ波発生器３２が設けられており、マイクロ波照射窓３１の上面にはマイクロ波を均一に照射するためのアンテナ部材３３が配設されている。このアンテナ部材３３は、スロットアンテナ（孔付金属板）３４と誘電体板３５から構成されている。
【００１９】
このように構成されたマイクロ波加熱装置１０にあっては、板状試料Ｗを載置する試料台１７が、体積固有抵抗値が１０−１Ωｃｍ以上かつ１０６Ωｃｍ以下で、好ましくは１０−１Ωｃｍ以上かつ１０４Ωｃｍ以下であり、かつ、マイクロ波周波数帯域における複素誘電率が０．２以上、好ましくは０．５以上のセラミックスにより構成されているため、マイクロ波がプラズマの安定性に影響を与えることがなく、面内温度勾配の発生もなく、もって、不均一なプラズマ処理による加工ムラが板状試料に生じることがなく、製品の歩留まりが低下することがないマイクロ波加熱装置１０を提供することができる。
【００２０】
[マイクロ波加熱装置用試料台]
マイクロ波加熱装置用試料台１７は、体積固有抵抗値が１０−１Ωｃｍ以上かつ１０６Ωｃｍで、好ましくは１０−１Ωｃｍ以上かつ１０４Ωｃｍ以下であり、かつ、マイクロ波周波数帯域における複素誘電率が０．２以上、好ましくは０．５以上のセラミックス焼結体で構成され、直径３２０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円板である。
【００２１】
前記マイクロ波加熱装置用試料台１２を構成するセラミックス焼結体の体積固有抵抗値が１０−１Ωｃｍを下回るとマイクロ波の反射率が大きくなって試料台の載置面１２ａに載置される板状試料を効率よく加熱することができず、一方、１０６Ωｃｍを上回るとマイクロ波の透過率が大きくなるので、マイクロ波が試料台１２を透過して漏洩してプラズマの安定性に影響を与える。
また、試料台１２を形成しているセラミックスの複素誘電率が０．２以上であるため、マイクロ波が効率よく熱に変換される。前記セラミックスの熱伝導率は５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。
【００２２】
前記マイクロ波加熱装置用試料台１２の構造ないし形状は、その使用態様に応じて選択され、また、その大きさないし寸法も適宜設定される。つまり、セラミックス焼結体の形状、直径、厚さなどは、半導体の製造工程等での使用態様、使用条件などに対応して決められる。
【００２３】
前記の特性を備えたセラミックス焼結体としては、炭化珪素（ＳｉＣ）を主成分とする焼結体や、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とする焼結体を例示することができる。
前記の炭化珪素（ＳｉＣ）を主成分とする焼結体は、具体的には炭化珪素（ＳｉＣ）粉末に必要に応じて窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の添加剤を適当量添加して成形・焼成した炭化珪素（ＳｉＣ）焼結体である。前記の添加剤の添加量は内割で通常、０．１〜１０質量％程度である。
【００２４】
前記炭化ケイ素（ＳｉＣ）を主成分とする焼結体としては、なかでも、次のいずれかの製造方法により得られた炭化ケイ素（ＳｉＣ）焼結体が、１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有し、半導体ウエハ等の板状試料への汚染物となる不純物を含有していないので好ましい。
【００２５】
このようにして形成されたマイクロ波加熱装置用試料台は、試料Ｗを効率よく、面内温度勾配が発生しないように加熱することができ、また、マイクロ波が容器内に漏洩することも無く、信頼性の高いプラズマ処理を実施することができる。
【００２６】
次に、マイクロ波加熱装置用試料台の製造方法について説明する。
[製造方法１]
非酸化性雰囲気のプラズマ中に、シラン化合物、またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧（１．０１３×１０５Ｐａ）未満から０．１Ｔｏｒｒ（１３．３３Ｐａ）の範囲で制御しつつ気相反応させることにより、平均粒子径が０．１μｍ以下の炭化珪素（ＳｉＣ）粉末を合成する。その後、この炭化珪素（ＳｉＣ）粉末を成形・焼成して炭化珪素（ＳｉＣ）焼結体とする（特開平４−２６６２号公報）か、または、この炭化珪素（ＳｉＣ）粉末に前記添加剤を所定量添加した混合粉末を成形・焼成し炭化珪素（ＳｉＣ）基焼結体とする。
【００２７】
このようにして製造された炭化珪素（ＳｉＣ）焼結体または炭化珪素（ＳｉＣ）基焼結体の体積固有抵抗値及び複素誘電率は、前記炭化珪素（ＳｉＣ）粉末の粒径や前記添加剤の添加量等の製造条件に依存するため、製造に際しては、体積固有抵抗値が１０−１Ωｃｍ以上１０６Ωｃｍ以下であり、かつ、マイクロ波周波数帯域における複素誘電率が０．２以上の特性が得られるような製造条件を事前に予備実験的に確認しておくことが好ましい。
【００２８】
[製造方法２]
平均粒子径が０．１μｍ以上かつ１０μｍ以下の第１の炭化珪素粉末と、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧（１．０１３×１０５Ｐａ）未満から０．１Ｔｏｒｒ（１３．３３Ｐａ）の範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された平均粒子径が０．１μｍ以下の第２の炭化珪素粉末とを混合し、この混合粉末を成形・焼成して炭化珪素（ＳｉＣ）焼結体とする（特開平２−２０４３６３号公報）か、または、この混合粉末に前記添加剤を所定量添加した混合粉末を成形・焼成し炭化珪素（ＳｉＣ）基焼結体とする。
【００２９】
このようにして製造された炭化珪素（ＳｉＣ）焼結体または炭化珪素（ＳｉＣ）基焼結体の体積固有抵抗値及び複素誘電率は、前記２種類の炭化珪素（ＳｉＣ）粉末の粒径、結晶系、前記添加剤の添加量等の製造条件に依存するので、製造に際しては、体積固有抵抗値が１０−１Ωｃｍ以上かつ１０６Ωｃｍ以下であり、かつ、マイクロ波周波数帯域における複素誘電率が０．２以上の特性が得られるように製造条件を事前に予備実験的に確認しておくのが好ましい。
【００３０】
また、前記の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とする焼結体は、具体的には窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末に必要に応じて窒化イットリウム（ＹＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、窒化バナジウム（ＶＮ）等の金属窒化物を添加剤として適当量添加して成形・焼成した窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基焼結体である。前記の添加剤の添加量は内割で通常、０．１質量％から１０質量％程度であり、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）等の焼結助剤を添加してもよい。
【実施例】
【００３１】
以下、マイクロ波加熱装置用試料台１７の作製方法について実施例、比較例を掲げで詳細に説明する。
[実施例１]
平均粒子径０．７μｍ、比表面積１３ｍ２／ｇのα型炭化珪素粉末（第１の炭化珪素粉末）に、四塩化珪素とエチレンとを原料としてプラズマＣＶＤ法により気相合成して得た平均粒子粒０．０１μｍ、比表面積１５０ｍ２／ｇの非晶質炭化珪素超微粉末（第２の炭化珪素粉末）を内割で３０質量％添加し、これをメタノール中にて分散せしめ、さらに遊星ミルにて１０時間混合した。
【００３２】
次いで、通常の一軸成型機を用いて円板状に成形した。次いで、この成形体をホットプレス装置にて真空中にて１４００℃まで加熱し、その後アルゴン雰囲気下で押圧力４００ｋｇｆ／ｃｍ２、焼成温度２３００℃の条件で３０分間焼成した。得られた炭化珪素（ＳｉＣ）焼結体に機械加工を施して、直径３２０ｍｍ、厚さ５ｍｍの炭化珪素焼結体の試料台を得た。
この試料台１７の体積固有抵抗値を４端子法、複素誘電率及びマイクロ波透過率をネットワークアナライザー法、熱伝導率をレーザーフラッシュ法によりそれぞれ測定し、その結果を表１に示した。
【００３３】
[実施例２]
平均粒子径０．７μｍ、比表面積１３ｍ２／ｇのα型炭化珪素粉末（第１の炭化珪素粉末）に、四塩化珪素とエチレンとを原料としてプラズマＣＶＤ法により気相合成して得た平均粒子粒０．０１μｍ、比表面積１５０ｍ２／ｇの非晶質炭化珪素超微粉末（第２の炭化珪素粉末）を内割で２９質量％、さらに、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を内割で１質量％それぞれ添加した混合粉末を原料粉末として用いた他は、実施例１に準じて炭化珪素焼結体製の試料台１７とした。
この試料台の体積固有抵抗値、複素誘電率、熱伝導率、マイクロ波透過率をそれぞれ実施例１に準じて測定し、その結果を表１に示した。
【００３４】
[実施例３]
平均粒子径０．７μｍ、比表面積１３ｍ２／ｇのα型炭化珪素粉末（第１の炭化珪素粉末）に、四塩化珪素とエチレンとを原料としてプラズマＣＶＤ法により気相合成して得た平均粒子粒０．０１μｍ、比表面積１５０ｍ２／ｇの非晶質炭化珪素超微粉末（第２の炭化珪素粉末）を内割で２７質量％、さらに、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を内割で３質量％それぞれ添加した混合粉末を原料粉末として用いた他は、実施例１に準じて炭化珪素焼結体製の試料台１７とした。
この試料台１７の体積固有抵抗値、複素誘電率、熱伝導率、マイクロ波透過率をそれぞれ実施例１に準じて測定し、その結果を表１に示した。
【００３５】
[実施例４]
平均粒径０．６μｍの窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末に、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）粉末を内割で４質量％、窒化イットリウム（ＹＮ）粉末を内割で１質量％それぞれ添加し、これをメタノール中にて分散せしめ、さらに遊星ミルにて１０時間混合した。次いで、通常の一軸プレス機により円板状に成形し、この成形体をホットプレス装置にて押圧力４００ｋｇｆ／ｃｍ２のアルゴン雰囲気中、１８００℃の温度で２時間焼成した。
得られた焼結体に機械加工を施して、直径３２０ｍｍ、厚み５ｍｍの窒化アルミニウム焼結体の試料台１７を得た。
前記の試料台１７の体積固有抵抗値、複素誘電率、熱伝導率、マイクロ波透過率をそれぞれ実施例１に準じて測定し、その結果を表１に示した。
【００３６】
[比較例１]
第２の炭化珪素粉末の配合量を２０質量％、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を窒化ホウ素（ＢＮ）に変え、その配合量を１０質量％とした他は実施例３に準じて炭化珪素焼結体製の試料台１７とした。前記の試料台１７の体積固有抵抗値、複素誘電率、熱伝導率、マイクロ波透過率をそれぞれ実施例１に準じて測定し、その結果を表１に示した。
【００３７】
[比較例２]
第１の炭化珪素粉末として平均粒径０．４μｍ、比表面積１３ｍ２／ｇのβ型炭化珪素粉末を用いた他は実施例１に準じて炭化珪素焼結体製の試料台１７とした。前記の試料台１７の体積固有抵抗値、複素誘電率、熱伝導率、マイクロ波透過率をそれぞれ測定し、その結果を表１に示した。
【００３８】
[比較例３]
窒化イットリウム（ＹＮ）を添加せず、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）の添加率を５質量％とした他は実施例４に準じて窒化アルミニウム焼結体製の試料台１７を得た。
前記の試料台１７の体積固有抵抗値、複素誘電率、熱伝導率、マイクロ波透過率をそれぞれ実施例１に準じて測定し、その結果を表１に示した。
【００３９】
【表１】
2005268625.tif 000003
【００４０】
次いで、上記７種類の試料台１７を用いて、図１に概略構成を断面的に示すマイクロ波加熱装置１０を構成した。
上記マイクロ波加熱装置１０の載置面に直径３００ｍｍのシリコンウエハを載置・保持し、容器１１内を酸素雰囲気（６Pa）とした後、試料台１７の裏面にマイクロ波発振器２１で発振されたマイクロ波（周波数；２．４５ＧＨｚ）を表１に示す出力で１０分間照射して、シリコンウエハを加熱して、シリコンウエハの均熱性、マイクロ波の漏洩をそれぞれ測定した。結果を表１に示した。測定方法、及びマイクロ波漏洩の評価基準は次のとおりである。
○  ：  漏洩が認められない（１ｍW／ｃｍ２以下）
×  ：  漏洩が認められる（１ｍW／ｃｍ２超）
【００４１】
（シリコンウエハの均熱性）
耐熱性黒体塗料を塗布した直径３００ｍｍのシリコンウエハを使用し、その上面をサーモビュワー（放射温度計）にて測定した。
（マイクロ波の漏洩）
容器１１内の試料台１７上部にマイクロ波測定プローブを挿入し、マイクロ波の漏洩を検出器（マイクロ波リークディテクター）により測定した。
【００４２】
また、別途、上記マイクロ波加熱装置１０の載置面に直径３００ｍｍのシリコンウエハを載置・保持し、容器１１内を酸素雰囲気（６Ｐａ）に調整した後マイクロ波発生器３２で発生したマイクロ波を使用して酸素プラズマを生成させつつ、試料台１７の裏面にマイクロ波発振器２１で発振されたマイクロ波（周波数；２．４５ＧＨｚ）を表１に示す出力で照射してシリコンウエハを加熱しながら、酸素プラズマの安定性を評価した。結果を表１に示した。評価基準は次のとおりである。
○  ：  プラズマ安定
×  ：  プラズマ消失
【００４３】
表１の評価結果から、実施例１〜４のマイクロ波加熱装置用試料台１７及びマイクロ波加熱装置１０にあっては、板状試料Ｗを均一に効率よく加熱することができ、しかもプラズマの安定性に影響を与えることがない。一方、比較例１から比較例３のマイクロ波加熱装置用試料台１７及びマイクロ波加熱装置１０にあっては、１．５ｋＷの最大出力でマイクロ波を試料台１７に照射しても４５０℃まで加熱することができず、均熱性も悪く、しかもプラズマの安定性が充分でない。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明のマイクロ波加熱装置用試料台は、半導体製造工程におけるシリコン（Ｓｉ）ウエハや、ＧａＡｓ等の半導体ウエハの加熱は勿論のこと、例えば、セラミックス材料やガラス等、他の工業材料の均一加熱にも適用することができ、その工業上の利用効果は極めて大である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態のマイクロ波加熱装置を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  加熱装置
１１  容器
１１ａ  容器底部
１１ｂ  容器頂部
１２  マイクロ波照射窓
１３  反応ガス導入口
１４  反応ガス排出口
１７  試料台
１７ａ  試料台の上面
１６  マイクロ波変換器
２１  マイクロ波発生器
２２  光センサ
２３  光温度計
３０  プラズマ発生装置
３１  マイクロ波照射窓
３２  マイクロ波発生装置
３３  アンテナ部材
３４  スロットアンテナ（孔付金属板）
３５  誘電体板
【図１】
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