(57)【要約】【課題】  実装基板母材上に複数配列したＳＡＷチップに対して金属膜を乾式メッキ法により成膜する際に、各ＳＡＷチップの裾部と基板面とのギャップ内に十分な量の金属を堆積させてギャップを塞ぐと同時に、ＳＡＷチップ間に位置するダイシングラインの交点に必要以上の金属膜が堆積することがないようにする。【解決手段】  乾式メッキ法による金属膜２０の成膜工程において、実装基板母材３０上の複数のＳＡＷチップ１５に対して、蒸着源４０から蒸発した金属原子を直進させて付着させる際の進入角度が、実装基板母材面上に搭載されたＳＡＷチップ間に存在する縦横のダイシングライン３１ｘ、３１ｙの交点、及びその近傍に付着する金属原子量がゼロ、或いは金属膜厚が１μｍ以下となるように設定されている。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板、該絶縁基板の下部に設けた表面実装用の外部電極、及び該外部電極と導通し且つ該絶縁基板の上部に設けた上部電極から成る実装基板と、該上部電極上に導体バンプを介してフリップチップ実装される接続パッド、及びＩＤＴ電極を夫々圧電基板の下面に備えた直方体状のＳＡＷチップと、該ＳＡＷチップ下面と前記実装基板上面との間に気密空間を形成するようにＳＡＷチップの下面を除いた外面からＳＡＷチップの裾部に相当する実装基板上面にかけて配置される金属膜と、を備えた表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法であって、
前記実装基板の集合体である実装基板母材上に縦横のダイシングラインを介して所定の縦横ピッチにて複数のＳＡＷチップを搭載した状態で、前記金属膜を乾式メッキ法にて成膜してから、ダイシングラインに沿って実装基板母材を切断する製造方法において、
前記乾式メッキ法による金属膜の成膜工程において、金属材料から放出される金属原子を実装基板母材上の複数のＳＡＷチップに対して付着させる際の進入角度が、実装基板母材面上に搭載されたＳＡＷチップ間に存在する縦横のダイシングラインの交点、及びその近傍に付着する金属原子量がゼロ、或いは金属膜厚が１μｍ以下となるように設定されていることを特徴とする表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記進入角度は、各実装基板母材面に対する傾斜角度αと、各ＳＡＷチップの対角線方向にほぼ沿った回転角度βと、から構成されており、
前記傾斜角度αは、次式で表され、
Ｈ／√｛（２・Ｌｘ＋Ｍ）＾２＋（２・Ｌｙ＋Ｍ）＾２｝＜ｔａｎα＜Ｈ／√｛（Ｌｘ＋Ｍ）＾２＋（Ｌｙ＋Ｍ）＾２｝
前記回転角度βは、次式で表される
ｔａｎβ＝（Ｌｙ＋Ｍ）／（Ｌｘ＋Ｍ）
（但し、Ｌｘ：基板マージン（ｘ方向）、Ｌｙ：基板マージン（ｙ方向）、Ｍ：基板ダイシングライン幅、Ｈ：基板上面を基準としたＳＡＷチップ実装高さ）
ことを特徴とする請求項１に記載の表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記乾式メッキ法による金属膜の成膜工程において、乾式メッキによる成膜中に、定期的に前記回転角度βを他の対角線方向に沿った角度だけ回転させた上で、各角度方向から成膜を行うことを特徴とする請求項２に記載の表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記ＳＡＷチップの対角線に沿った回転角度βは、±３°の範囲内で許容値を有していることを特徴とする請求項１乃至３に記載の表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記金属膜をアルミニウムにて構成した場合に、前記ダイシングラインの交点に堆積する金属膜厚を１μｍ以下、好ましくは０．８μｍ以下としたことを特徴とする請求項１、 ２、３又は４に記載の表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項６】
前記金属膜の外面を樹脂で封止したことを特徴とする請求項１、２、 ３、４又は５に記載の表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記実装基板母材は、複数のＳＡＷチップを縦横列に配置したＳＡＷチップ搭載領域の外側の基板面に位置するダイシングライン上、或いは該ダイシングラインの外側に、基板面への金属膜の付着を防止する遮蔽部材を備えていることを特徴とする請求項１乃至６に記載の表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記遮蔽部材は、実装基板母材に予め一体化されているか、或いは後付けされることを特徴とする請求項７に記載の表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の製造方法により製造したことを特徴とする表面実装型ＳＡＷデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波チップ（ＳＡＷチップ）を実装基板上にバンプを用いてフェイスダウン搭載してからＳＡＷチップを金属膜にて封止した構造の弾性表面波デバイス（ＳＡＷデバイス）をバッチ処理によって量産する際に発生する不具合を解決した表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法、及びその方法によって製造した表面実装型ＳＡＷデバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波デバイス（ＳＡＷデバイス）は、水晶、リチウムタンタレート等からなる圧電基板上に櫛歯状の電極指から成るＩＤＴ電極（インターディジタル・トランスジューサ）を配置した構成を備え、例えばＩＤＴ電極に高周波電界を印加することによって弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電作用によって高周波電界に変換することによってフィルタ特性を得るものである。
国際公開公報ＷＯ９７／０２５９６等には、図８に示した如き構造の表面実装型のＳＡＷデバイスが開示されている。このＳＡＷデバイス１０１は、絶縁基板１０３、該絶縁基板１０３の底部に設けた表面実装用の外部電極１０４、及び該絶縁基板の上面に設けた上部電極１０５とから成る実装基板１０２と、上部電極１０５上に導体バンプ１１０を介して電気的機械的に接続される接続パッド１１６、及びＩＤＴ電極１１７を下面に備えた圧電基板１１８から成るＳＡＷチップ１１５と、ＳＡＷチップ１１５の裾部全周に充填されて気密空間Ｓを形成する第１の封止樹脂１２０と、実装基板１０２上面、第１の封止樹脂１２０及びＳＡＷチップ１１５の外面に対して被覆一体化される第２の封止樹脂１２１と、を備えている。
ＳＡＷデバイス１０１は、通常、複数の実装基板１０２をシート状に連結した大面積の実装基板母材を用いたバッチ処理により量産され、実装基板母材上の各個片領域に対して、ＳＡＷチップ１１５のフリップチップ実装を行ってから、所定のマスクを用いたスクリーン印刷、或いはディスペンサによる塗布により第１の封止樹脂１２０の塗布が行われる。その後、溶融した第２の封止樹脂１２１をディスペンサにより実装基板上に充填する。
しかし、封止樹脂は有機物であるため吸湿し易く、吸湿した樹脂から気密空間Ｓ内に水分が侵入すると、ＩＤＴ電極１１７に結露することによってデバイス特性の劣化が促進される不具合がある。
また、ＳＡＷチップ１１５を構成する圧電基板１１８がリチウムタンタレートの様に焦電性を有している場合には、ＳＡＷデバイスに温度勾配がかかった際に、焦電効果によって電荷が圧電基板表面に出現し、その電荷によって封止樹脂の表面が帯電する。ＳＡＷデバイスが機器の回路基板上に搭載された状態で帯電すると、当該ＳＡＷデバイスの周辺に搭載されている他の電子部品に悪影響を及ぼす不具合が発生する。
このような不具合を解消するために、図９に示したようにＳＡＷチップ１１５の下面を除いた外面と、実装基板１０２の上面にかけて金属膜１２５を介在させた上で、封止樹脂１２１により封止することにより、気密空間の気密性、耐湿性、及び電磁シールド性の向上を図ると共に、絶縁基板が焦電性を有する場合に封止樹脂１２１が帯電することを防止するための工夫がなされている。
【０００３】
ところで、図１０（ａ）に示すように、実装基板母材１３０上に縦横方向に所定ピッチ離間した状態で搭載した複数のＳＡＷチップ１１５に対して、金属膜１２５を成膜する場合には、真空蒸着、イオンプレーディング、スパッタリング等の乾式メッキ法が用いられる。例えば、真空蒸着では、真空炉内において蒸着源を実装基板母材の部品搭載面と対向配置し、蒸着源から蒸発した金属原子が実装基板母材面と直交する経路を経てＳＡＷチップや母材面に付着するようにしている。このため、（ｂ）に示すように、目標膜厚に達する過程でＳＡＷチップ１１５の側面に堆積した金属膜１２５ａの下端部が庇となって、ＳＡＷチップ１１５の裾部の下方のギャップＧに金属膜が成膜されることを妨げる現象が発生する。つまり、従来のように実装基板母材面と直交する方向から金属原子を付着させると、金属膜による気密空間形成が不十分になりやすかった。例えば、ＳＡＷデバイス個片の縦横サイズ１．６０×２．００ｍｍ、ＳＡＷチップの縦横サイズ１．３２×１．７２ｍｍ、基板ダイシング幅０．１５ｍｍ、気密空間Ｓの高さ５０μｍとした場合に、このＳＡＷチップの裾部下方のギャップを完全に埋めるためには数十μｍ厚の成膜が必要とされる。
また、仮にＳＡＷチップ裾部と基板との間のギャップＧを金属膜によって埋めることができたとしても、従来の蒸着方法ではＳＡＷチップ間に位置する実装基板母材面、即ちダイシングソーによるダイシングラインＬにも大きな膜厚の金属膜が堆積している状態となるため、ダイシングにより個片に分割した際の切断面に金属膜からなるバリが発生し易い。特に、縦横のダイシングラインＬの交点付近には切断によるバリが顕著に発生し、ひげ状の金属片が発生すると、このＳＡＷデバイスを回路基板上に実装したときに配線間や電極間の短絡をもたらす原因となる。また、金属片が離脱して浮遊した場合には回路基板上で各種のトラブルをもたらす原因となる。
【特許文献１】国際公開公報ＷＯ９７／０２５９６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、表面実装用の実装基板上の上部電極上にバンプを介してＳＡＷチップをフェイスダウン状態で搭載し、ＳＡＷチップ下面と実装基板上面との間の空間を気密化しながらＳＡＷチップ外面を金属膜にて気密封止した構造のＳＡＷデバイスにおいて、実装基板母材上に複数配列したＳＡＷチップに対して金属膜を乾式メッキ法により成膜する際に、各ＳＡＷチップの裾部と基板面とのギャップ内に十分な量の金属を堆積させてギャップを塞ぐと同時に、ＳＡＷチップ間に位置するダイシングライン、特にダイシングラインの交点に必要以上の金属膜が堆積することがないようにした表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法、及びＳＡＷデバイスを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明は次の如き手段を備える。
請求項１の発明に係る表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法は、絶縁基板、該絶縁基板の下部に設けた表面実装用の外部電極、及び該外部電極と導通し且つ該絶縁基板の上部に設けた上部電極から成る実装基板と、該上部電極上に導体バンプを介してフリップチップ実装される接続パッド、及びＩＤＴ電極を夫々圧電基板の下面に備えた直方体状のＳＡＷチップと、該ＳＡＷチップ下面と前記実装基板上面との間に気密空間を形成するようにＳＡＷチップの下面を除いた外面からＳＡＷチップの裾部に相当する実装基板上面にかけて配置される金属膜と、を備えた表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法であって、前記実装基板の集合体である実装基板母材上に縦横のダイシングラインを介して所定の縦横ピッチにて複数のＳＡＷチップを搭載した状態で、前記金属膜を乾式メッキ法にて成膜してから、ダイシングラインに沿って実装基板母材を切断する製造方法において、前記乾式メッキ法による金属膜の成膜工程において、金属材料から放出される金属原子を実装基板母材上の複数のＳＡＷチップに対して付着させる際の進入角度が、実装基板母材面上に搭載されたＳＡＷチップ間に存在する縦横のダイシングラインの交点、及びその近傍に付着する金属原子量がゼロ、或いは金属膜厚が１μｍ以下となるように設定されていることを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１において、前記進入角度は、各実装基板母材面に対する傾斜角度αと、各ＳＡＷチップの対角線方向にほぼ沿った回転角度βと、から構成されており、前記傾斜角度αは、次式で表され、
Ｈ／√｛（２・Ｌｘ＋Ｍ）＾２＋（２・Ｌｙ＋Ｍ）＾２｝＜ｔａｎα＜Ｈ／√｛（Ｌｘ＋Ｍ）＾２＋（Ｌｙ＋Ｍ）＾２｝
前記回転角度βは、次式で表される
ｔａｎβ＝（Ｌｙ＋Ｍ）／（Ｌｘ＋Ｍ）
（但し、Ｌｘ：基板マージン（ｘ方向）、Ｌｙ：基板マージン（ｙ方向）、Ｍ：基板ダイシングライン幅、Ｈ：基板上面を基準としたＳＡＷチップ実装高さ）ことを特徴とする。
【０００６】
請求項３の発明は、請求項２において、前記乾式メッキ法による金属膜の成膜工程において、乾式メッキによる成膜中に、定期的に前記回転角度βを他の対角線方向に沿った角度だけ回転させた上で、各角度方向から成膜を行うことを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項１乃至３において、前記ＳＡＷチップの対角線に沿った回転角度βは、±３°の範囲内で許容値を有していることを特徴とする。
請求項５の発明は、請求項１、２、３又は４において、前記金属膜をアルミニウムにて構成した場合に、前記ダイシングラインの交点に堆積する金属膜厚を１μｍ以下、好ましくは０．８μｍ以下としたことを特徴とする。
請求項６の発明は、請求項１、２、３、４、又５において、前記金属膜の外面を樹脂で封止したことを特徴とする。
請求項７の発明は、請求項１乃至６において、前記実装基板母材は、複数のＳＡＷチップを縦横列に配置したＳＡＷチップ搭載領域の外側の基板面に位置するダイシングライン上、或いは該ダイシングラインの外側に、基板面への金属膜の付着を防止する遮蔽部材を備えていることを特徴とする。
請求項８の発明は、請求項７において、前記遮蔽部材は、実装基板母材に予め一体化されているか、後付けされることを特徴とする。
請求項９の発明は、請求項１乃至６の何れか一項に記載の製造方法により製造したことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
請求項１の発明によれば、実装基板母材上に搭載するＳＡＷチップの配列精度を適切に設定することにより、既存の乾式メッキ設備を用いながらも、実装基板母材の角度を所定に維持した状態でのメッキを行うだけで、各ＳＡＷチップの裾部と基板との間のギャップ内に対する金属の充填を十分に行いながらも、ＳＡＷチップ間の位置するダイシングラインの交点に対する過剰な金属膜の成膜を防止することができる。このため、ダイシングラインに沿って切断した時に交点に金属膜のバリが発生することがなくなり、バリから発生するひげ状の金属片に起因した各種の不具合を未然に防止できる。
請求項２の発明によれば、乾式メッキにおけるメッキ源から直線的に飛翔する金属原子が実装基板母材面に進入する角度を、傾斜角度α、回転角度βの２つの値によって規制することにより、ＳＡＷチップ裾部直下のギャップ内を金属膜により封止しつつ、ダイシングラインの交点への堆積を防止できる。
請求項３の発明では、複数のＳＡＷチップの一方の対角線にほぼ沿った進入角度にてメッキを行った後で、順次他のほぼに沿った進入角度からのメッキを行うためには、単に実装基板を面回転させればよく、面回転の角度さえ正確に制御すれば、全てのＳＡＷチップの裾部直下のギャップを金属膜にて歩留まり良く埋めることができると共に、ダイシングラインの交点への堆積を防止、低減できる。
請求項４の発明は、ＳＡＷチップの対角線に沿った方向からメッキを行う場合に、その角度は±３°の範囲でばらつきが許容されることを意味している。
請求項５の発明では、アルミニウムを用いたメッキを行う場合に、ダイシングライン交点にバリが発生しないようにするための最適条件を示している。請求項１等からも明らかなように本発明の金属膜の材料はアルミニウムに限られない。
請求項６の発明は、ＳＡＷチップを実装基板上に支持するための保持力として、バンプと金属膜のみで不十分な場合に、封止樹脂を使用することを意味している。
【０００８】
次に、ＳＡＷチップの谷間に位置する基板面にあるダイシングライン（目視可能なラインが実際に形成されているとは限らず、仮想のラインである）の交点のみを金属膜の付着から保護するだけでは、最外周縁に位置するＳＡＷチップよりも外側に位置するダイシングラインの交点を金属膜の付着から保護することは出来ない。かといって、その部分にはＳＡＷチップが存在しない。そこで、請求項７、８の発明では、実装基板母材と一体、或いは後付けされる遮蔽部材を用いて最外周縁に位置する交点への金属付着を防止するようにしている。遮蔽部材としては、実装基板母材と一体の枠体、ダミーチップ、実装基板母材のチャック部材、シート、印刷物質等を例示できる。
請求項９の発明によれば、請求項１乃至６の何れか一項に記載の製造方法により製造した圧電発振器も本発明の範囲に含まれるものである。
ＳＡＷチップを構成する圧電基板としては、水晶、リチウムタンタレート等、種々の圧電材料を使用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明を図面に示した実施の形態により詳細に説明する。
図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態に係る製造方法によって製造せんとする表面実装型弾性表面波デバイス（以下、ＳＡＷデバイス、という）の外観斜視図、及び未分割状態にあるＳＡＷデバイスの縦断面図である。
このＳＡＷデバイス１は、セラミック、ガラスエポキシ等から成る絶縁基板３、絶縁基板３の底部（下部）に設けた表面実装用の外部電極４、及び、絶縁基板３の上面（上部）に設けられ且つ接続導体６を介して外部電極４と導通した上部電極５、から成る実装基板２と、上部電極５と導体バンプ１０を介して電気的機械的に接続される接続パッド１６、及びＩＤＴ電極１７を夫々圧電基板１８の下面に備えたＳＡＷチップ１５と、ＳＡＷチップ１５の上面及び側面に被覆されると共にＳＡＷチップの裾部全周と実装基板上面との間のギャップに充填されてこれを塞ぐことによりＳＡＷチップ１５下面と実装基板上面との間に弾性表面波伝搬用の気密空間Ｓを形成するアルミニウム等の金属膜２０と、金属膜２０とＳＡＷチップ１５の外面（側面及び上面）、更にはＳＡＷチップ間に露出する基板面に対して被覆される封止樹脂２１と、金属膜２０による封止によってＳＡＷチップ１５下面と実装基板上面との間に形成される弾性表面波伝搬用の前記気密空間Ｓと、を備えている。
なお、このＳＡＷデバイス１を量産する際には、実装基板２をシート状に一体化した構成を備えた大面積の実装基板母材３０を用いる。
後述する本発明の製造方法によった場合、図１（ｂ）に示すように、ＳＡＷチップの裾部と基板上面との間のギャップ内に十分な量の金属膜を堆積させて該ギャップを封止することができる一方で、実装基板母材３０上のダイシングライン３１ｘ、３１ｙの幅に相当する領域には金属膜２０が僅か（膜厚１μｍ以下）しか付着しないため、ダイシングライン３１ｘ、３１ｙに沿ってダイシングした場合であっても、ダイシングラインの交点及びその周辺にバリが形成されることが無くなる。
即ち、本発明者による研究によれば、アルミニウムからなる金属膜の厚さが２０μｍ程度の場合には切断時にダイシングラインの交点に多量のバリが発生し、金属膜厚が薄くなればなるほど、交点及びその近傍でのバリの発生量が低減し、金属膜厚が１μｍ以下（好ましくは、０．８μｍ以下）の場合にはほとんどバリが発生しないことが判った。
ただ、バリを発生させないための最適な金属膜厚は、使用する金属材料によって一定ではないと考えられる。
【００１０】
次に、本発明の表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法について説明する。
まず、図２は乾式メッキ法の一例としての真空蒸着法によって実装基板母材上のＳＡＷチップ上に金属膜を一括して成膜する金属膜形成工程を実施するための装置構成を示す図であり、具体的には真空炉内における蒸着源と実装基板母材との位置関係を示す略図である。
金属膜形成工程の前段階では、実装基板２の集合体である実装基板母材３０上の各実装基板領域上に導体バンプを介してＳＡＷチップ１５をフリップチップ実装する工程が実施される。即ち、実装基板母材３０上に想定される縦横のダイシングライン３１ｘ、３１ｙを介して所定の縦横ピッチにて複数のＳＡＷチップを搭載する。
金属膜形成工程では、ＳＡＷチップ１５の下面と実装基板上面との間に気密空間Ｓを形成するように、ＳＡＷチップの下面を除いた外面からＳＡＷチップの裾部の下方に位置する実装基板上面にかけて金属膜を成膜する作業が実施される。
この金属膜形成工程の後には、必要に応じて封止樹脂の塗布工程が実施された後で、ダイシングラインに沿って実装基板母材を切断する工程が実施される。
金属膜形成工程で使用する蒸着装置においては、図２に示すように蒸着源４０の位置を固定し、蒸着源４０から直進してくる蒸発金属原子の進入経路Ｃに実装基板母材３０が配置される。本発明においては、実装基板母材面に対する蒸発金属原子の入射角度が直交、或いは０度とならないように実装基板母材を所定の角度だけ傾けて支持する。即ち、乾式メッキ法による金属膜の成膜工程において、実装基板母材上の複数のＳＡＷチップに対して、蒸着源から蒸発した金属原子を直進させて付着させる際の進入角度は、金属がアルミニウムの場合、実装基板母材面上に搭載されたＳＡＷチップ間に存在する縦横のダイシングライン３１ｘ、３１ｙの交点、及びその近傍に付着する金属原子量がゼロ、或いは金属膜厚が１μｍ以下となるように設定されている。
【００１１】
更に具体的にはこの進入角度は、各実装基板母材面に対する傾斜角度αと、各ＳＡＷチップのほぼ対角線方向に沿った回転角度βと、から構成されている。傾斜角度αは、実装基板母材面と、蒸発金属原子の進入経路Ｃとのなす角度であり、図２に示すように実装基板母材３０を端面側から見た場合における基板面と進入経路Ｃとのなす角度である。また、回転角度βは、実装基板母材上に搭載された各ＳＡＷチップに対する蒸発金属原子の進入角度であり、図２に示すように実装基板母材をＳＡＷチップ搭載面側から見た場合における実装基板母材の中心線ＣＬと、蒸発金属原子の進入経路Ｃとのなす角度である。本発明では、対角線方向に隣接し合う各ＳＡＷチップの対向し合う２つの角隅部を結ぶ一つの直線が進入経路Ｃとなるように回転角度βを定めればよいこととなる。つまり、進入経路Ｃは、直方体であるＳＡＷチップの一つの対角線と合致する方向に延びる必要はない。
この進入角度について更に詳細に説明すると、図３（ａ）は実装基板母材上にＳＡＷチップを組み付けた状態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）の要部拡大図、（ｃ）はその要部拡大正面断面図（Ａ−Ａ断面図）である。
本実施形態においては、実装基板母材上の各ＳＡＷチップは直方体であるため、その平面形状は矩形である。そして、この例では、平面方向から見た場合の各ＳＡＷチップ１５の各対角線が夫々一本の直線上に沿うように各ＳＡＷチップが縦横に所定のピッチにて離間配置されているが、必ずしもこのように配列する必要はない。各ＳＡＷチップ間には所定幅Ｍ（ダイシングソーの刃幅に相当する）を有したダイシングライン３１ｘ、３１ｙが位置している。各ダイシングライン３１ｘ、３１ｙにて包囲される矩形の基板部分は実装基板２に相当し、個々の実装基板２の領域内の中心部にＳＡＷチップ１５が搭載されている。実装基板２の端縁とＳＡＷチップ１５の端縁との間の距離は夫々Ｌｘ、Ｌｙであり、対角線方向に隣接し合う２つのＳＡＷチップ１５の対向する角隅部間の距離をＬ１とし、対角線方向に隣接し合う２つの実装基板２の一方の角隅部Ｍ１と他方の実装基板２上のＳＡＷチップ１５の角隅部１５ａを基板上に垂下させた点３０ｂとの間の距離をＬ２とする。
【００１２】
実装基板母材面上に搭載されたＳＡＷチップ間に存在する縦横のダイシングライン３１ｘ、３１ｙの交点、及びその近傍に付着する金属原子量がゼロ、或いは金属膜厚が１μｍ以下となるよう進入角度を設定するためには、傾斜角度α、及び回転角度βを夫々次の式に基づいて決定する。
まず、傾斜角度αは、次式（１）で表され、
Ｈ／√｛（２・Ｌｘ＋Ｍ）＾２＋（２・Ｌｙ＋Ｍ）＾２｝＜ｔａｎα＜Ｈ／√｛（Ｌｘ＋Ｍ）＾２＋（Ｌｙ＋Ｍ）＾２｝・・・（１）
また、回転角度βは、次式（２）で表される。
ｔａｎβ＝（Ｌｙ＋Ｍ）／（Ｌｘ＋Ｍ）・・・（２）
（但し、Ｌｘ：基板マージン（ｘ方向）、Ｌｙ：基板マージン（ｙ方向）、Ｍ：基板ダイシングライン幅、Ｈ：基板上面を基準としたＳＡＷチップ実装高さ）
【００１３】
まず、傾斜角度αについて図３（ｃ）に基づいて説明すると、傾斜角度αは、蒸着源４０からの金属原子の進入経路Ｃ１が一方のＳＡＷチップの一つの上角隅部１５ａを経由して基板面に達した場合に、該進入経路Ｃ１と基板面とのなす角度である。つまり、傾斜角度αは、入射側に位置する一方のＳＡＷチップを利用して基板面に金属原子が到達しない陰の領域を形成しつつ、反対側に位置する他方のＳＡＷチップの裾部直下のギャップ内には十分な量の金属原子を堆積させることを可能とするための角度である。
第１の傾斜角度α１は、進入経路Ｃ１が他方のＳＡＷチップの裾部１５ｂを基板面まで垂下させた位置３０ａに達した場合に、当該位置３０ａにおいて進入経路Ｃ１が基板面となす角度である。また、第２の傾斜角度α２は、一方のＳＡＷチップの上角隅部１５ａを経由して基板面に入射する他の進入経路Ｃ２がダイシングライン３１ｘ、３１ｙの一端縁（他方のＳＡＷチップ側端縁）Ｍ１に達した場合に、一端縁Ｍ１において進入経路Ｃ２が基板面となす角度である。
つまり、ダイシングラインの交差点に過剰な金属膜が形成されないための最適な傾斜角度αの範囲は、進入経路Ｃ１が基板面となす角度α１と、進入経路Ｃ２が基板面となす角度α２の範囲に限られる。
つまり、ダイシングラインに過剰な金属膜が成膜されず、且つＳＡＷチップ裾部直下のギャップ内に十分な量の金属膜を堆積させ得る最適な傾斜角度αの値は、各傾斜角度α１、α２との関係では次のように表される。
ｔａｎα１≦ｔａｎα≦ｔａｎα２
この場合、各傾斜角度α１、α２は、ＳＡＷチップの実装高さＨと、チップ間幅Ｌ１と、位置３０ｂと一端縁Ｍ１との間の距離Ｌ２との関係では、夫々次式により表される。
ｔａｎα１＝Ｈ／Ｌ１、ｔａｎα２＝Ｈ／Ｌ２
このような傾斜角度による金属原子の照射を反対側（図３（ｃ）の右方、進入経路Ｃ１’、Ｃ２’）、その他の方向からも同様に行うことにより、対角線方向に隣接し合う２つのＳＡＷチップに対する金属成膜が満遍なく行われることとなる。
次に、回転角度βについて図３（ｂ）に基づいて説明すると、回転角度βは、実装基板母材を平面方向から見た場合に、蒸着源４０からの金属原子の進入経路Ｃ３が各ＳＡＷチップ１５（或いは、実装基板母材３０の中心線ＣＬ）との間で形成する角度である。この例では、回転角度β１は、対角線方向に隣接する２つのＳＡＷチップの対向し合う角隅部間を結ぶ直線に、進入経路Ｃ３がほぼ沿っている場合に、進入経路Ｃ３とｘ方向へ延びるＳＡＷチップ端縁１５ｃ（実装基板母材の中心線ＣＬと平行な端縁）との間に形成される角度である。
【００１４】
そして、最適の回転角度βと、回転角度β１とは、次の如き関係にある。
ｔａｎ（β１―３°）≦ｔａｎβ≦ｔａｎ（β１＋３°）
つまり、各ＳＡＷチップの対角線に対して、±３°程度のばらつきの範囲内であれば、ダイシングライン同志の交点、及びその近傍に対する金属付着量を規定以下（アルミニウムの場合１μｍ以下）に抑えることが可能となる。
この場合、最適の回転角度βは、ｙ方向へ延びるダイシングライン３１ｙの一端縁Ｍ２と、該一端縁Ｍ２とは反対側に位置するＳＡＷチップの端縁１５ｄとの間の距離Ｂ１と、ｘ方向へ延びるダイシングライン３１ｘの一端縁Ｍ３と、該一端縁Ｍ３と反対側に位置するＳＡＷチップ端縁１５ｃとの間の距離Ｂ２との関係では、次式により表される。
ｔａｎβ１＝Ｂ２／Ｂ１
このように傾斜角度αと回転角度βを適切に設定することにより、蒸着源から照射される金属原子がＳＡＷチップ間のダイシングライン、特にダイシングラインの交点に到達しないように陰を形成することができる。つまり、金属膜を形成したくない基板の特定個所が陰内に納まるように進入経路Ｃの進入角度を設定し、且つ各ＳＡＷチップの裾部直下のギャップ内には十分な金属量が堆積するようにしている。
【００１５】
なお、図３（ｂ）に示した進入経路Ｃ３からの蒸着を行うことにより十分な量の成膜が行われた場合には、次に、実装基板母材３０を図２に矢印Ｄで示した方向（逆方向でもよい）へ回動させることにより、他の対角線方向Ｃ４、Ｃ５或いはＣ６から、同様の手順にて（±３°の許容範囲あり）順次続けて成膜を行う。このようにして各対角線方向に角度変更した状態で各方向から蒸着を行うことにより、各ＳＡＷチップの裾部全周の直下に位置するギャップ部を含む、ＳＡＷチップの全面（下面を除く）に対する成膜が可能となる。また、ＳＡＷチップ間のダイシングライン、特に交点、及びその近傍にはダイシング時にバリが発生する原因となる程度の厚さの金属膜を形成しないことができる。
例えば、図４（ａ）のようにＣ３方向から蒸着を行った場合には、ＳＡＷチップの陰となって蒸着されにくい領域Ｅ１が形成され、続いて図４（ｂ）のようにＣ５方向から蒸着を行った場合には、ＳＡＷチップの陰となって蒸着されにくい領域Ｅ２が形成される。
これを図５、図６に示した具体例に基づいて更に説明する。
【００１６】
図５（ａ）は実装基板母材上に縦横に配列したＳＡＷチップ１５に対する金属膜の蒸着範囲を示す要部平面図、（ｂ）はＳＡＷチップの要部の正面拡大図である。
この例では、幅０．１５ｍｍのダイシングライン３１ｘ、３１ｙを挟んで、縦１．６ｍｍ、横２．０ｍｍの長方形状の実装基板２が縦横方向に連続して配列されており、各実装基板２の上面中央には縦１．３２ｍｍ、横１．７２ｍｍのＳＡＷチップ１５が搭載されている。ＳＡＷチップ１５の基板上における実装高さＨは４００μｍである。
図５（ｂ）の例では、蒸着源から蒸発した金属原子の進入角度は、傾斜角度αが３８°であり、回転角度βが４５°となっている。このため、各ダイシングライン３１ｘ、３１ｙに沿った領域、及びダイシングライン同志の交点、及びその近傍に付着堆積する金属膜２０（斜線にて図示）は図示のようになる。つまり、入射側に位置するＳＡＷチップが陰を形成することにより、ダイシングライン同志の交点、及びその近傍Ｅは矩形状に金属膜が付着しないか、或いは１μｍ以下の厚みで薄く付着した状態となる。
また、図５（ｃ）に示すようにダイシングライン幅を含む基板上に所定深さの溝３０Ａを形成しておくことにより、傾斜角度αを４５°程度に大きくしたとしても、図５（ａ）に示した傾斜角度αが３８°の場合と同様の範囲で、金属膜が付着しない領域Ｅを確保することができる。
【００１７】
次に、図６（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は図５（ａ）と同様のＳＡＷチップ配列を備えた実装基板母材３０に対して、傾斜角度αを３８°に保った状態で、回転角度βだけを４１°、４９°に設定して蒸着を実施した場合の説明図である。
図６（ｂ）及び（ｃ）のように回転角度βが４５°からプラス、或いはマイナス方向へ４°ずつずれている場合には、金属膜が付着しない領域Ｅが扁平な矩形状となる。この程度の非付着領域Ｅであっても切断時におけるバリは解消できるが、図５の場合よりはバリが発生する可能性が増える。従って、回転角度βのずれの許容範囲は±３°程度である。
上記実施形態では、ダイシングラインを挟んで縦横方向に配列されたチップ間の基板面、特にダイシングラインの交点周辺に対する金属膜の付着量を制御する方法について説明したが、蒸着源からの蒸着金属の進入経路の手前側に位置するＳＡＷチップを用いて金属膜が付着しない陰を形成するように構成した場合には、ＳＡＷチップ列の外周縁に沿った位置にあるダイシングライン、及びその交点には金属膜が付着してしまい、切断時にバリが発生することとなる。
【００１８】
次に、図７（ａ）及び（ｂ）は、本発明の変形実施形態であり、実装基板母材３０上のＳＡＷチップ搭載領域の外周縁に沿って、ＳＡＷチップの実装高さＨと同等の高さを有した遮蔽部材としての枠体５０を突設した構成を備えている。この枠体５０はＳＡＷチップ搭載領域の外周縁全周に亘って配置されており、最外周に位置する各ＳＡＷチップとの間の間隔Ｌｘ’、Ｌｙ’が各ＳＡＷチップ間の間隔Ｌｘ、Ｌｙと同等となるように設定されている。
このように構成することにより、上記実施形態において説明した最適な進入角度から蒸着金属を実装基板母材上のＳＡＷチップ群に一括して付着させる際に、ＳＡＷチップ群の最外周縁に沿って形成されたダイシングラインの交点に対しても金属の付着量を減少させることが可能となる。
この枠体５０は、セラミック或いはガラスエポキシからなる実装基板母材３０を製造する際に一括して製造しても良いし、或いは実装基板母材自体はフラットな板状にすると共に、別体の枠体、或いはダミーチップを固定するようにしてもよい。或いは、真空炉内で実装基板母材３０の外周を保持するチャック用の治具を枠体として兼用することにより、この治具からなる枠体によって陰を形成するようにしてもよい。
なお、枠体５０に代えて、最外周縁に位置するダイシングラインに沿って、或いはダイシングラインの交点を中心とした領域に、薄く細長いシート等からなる遮蔽部材を添設したり、或いは交点を含む基板面を隠蔽する物質（遮蔽部材）を印刷することによって、当該シート、印刷物質のマスクによって隠蔽された基板面に金属が付着することが完全に防止される。
この観点からすれば、ＳＡＷチップ間のダイシングライン、交点を予めシート、印刷物質等からなる遮蔽部材によって隠蔽しておき、その状態で斜め方向から蒸着を行うようにすれば、蒸着金属の進入角度を厳密に規制しなくても、交点周辺への金属膜の堆積を防止することができる。ＳＡＷチップの裾部直下のギャップを金属膜によって封鎖するためには斜め方向からの蒸着は必要である。
なお、この場合には、精度の高い微細寸法の開口を備えた網目状のマスクを用いる必要がある。
なお、本発明の製造方法において使用する乾式メッキ法としては、蒸着以外にもイオンプレーディング、スパッタリング等を用いることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態に係る製造方法によって製造せんとする表面実装型弾性表面波デバイスの外観斜視図、及び未分割状態にあるＳＡＷデバイスの縦断面図。
【図２】乾式メッキ法の一例としての真空蒸着法によって実装基板母材上のＳＡＷチップ上に金属膜を一括して成膜する金属膜形成工程を実施するための装置構成を示す図。
【図３】（ａ）は実装基板母材上にＳＡＷチップを組み付けた状態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）の要部拡大図、（ｃ）はその要部拡大正面断面図（Ａ−Ａ断面図）。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は蒸着方向の違いによる金属膜の付着状態を示す図。
【図５】（ａ）は実装基板母材上に縦横に配列したＳＡＷチップ１５に対する金属膜の蒸着範囲を示す要部平面図、（ｂ）及び（ｃ）はＳＡＷチップの要部の正面拡大図。
【図６】（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は図５（ａ）と同様のＳＡＷチップ配列を備えた実装基板母材に対して、傾斜角度αを３８°に保った状態で、回転角度βだけを４１°、４９°に設定して蒸着を実施した場合の説明図。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の変形実施形態の説明図。
【図８】従来の表面実装型ＳＡＷデバイスの断面図。
【図９】他の従来例の構成を示す断面図。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は従来のＳＡＷデバイスを製造する際に使用する実装基板母材の平面図、及びＳＡＷチップの断面図。
【符号の説明】
【００２０】
１  ＳＡＷデバイス、２  実装基板、３  絶縁基板、４  外部電極、５  上部電極、６  接続導体、１０  導体バンプ、１５  ＳＡＷチップ、１６  接続パッド、１７  ＩＤＴ電極、Ｓ  気密空間、２０  金属膜、２１  封止樹脂、３０  実装基板母材、３１ｘ、３１ｙ  ダイシングライン、４０  蒸着源、５０  遮蔽部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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