(57)【要約】【課題】  絶縁樹脂により充填された貫通孔を覆う金属めっきを不要とし、微細な回路形成を可能とする回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】  めっきを施した内壁径ΦＩの貫通孔を有する内層板と、前記内層板の貫通孔の開口部に設けられた径ΦＬの内層導体層と、前記内層導体層表面に形成された絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に形成された前記貫通孔の直上に位置する開口径ΦＯの内層導体層に達する非貫通孔とを有する回路基板において、内壁径ΦＩの貫通孔と径ΦＬの内層導体層と開口径ΦＯの非貫通孔が、ΦＩ＜ΦＯ＜ΦＬとなる関係を持つ接続孔構造を１つ以上有する回路基板。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっきを施した内壁径ΦＩの貫通孔を有する内層板と、前記内層板の貫通孔の開口部に設けられた径ΦＬの内層導体層と、前記内層導体層表面に形成された絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に形成された前記貫通孔の直上に位置する開口径ΦＯの内層導体層に達する非貫通孔とを有する回路基板において、内壁径ΦＩの貫通孔と径ΦＬの内層導体層と開口径ΦＯの非貫通孔が、ΦＩ＜ΦＯ＜ΦＬとなる関係を持つ接続孔構造を１つ以上有する回路基板。
【請求項２】
めっきを施した内壁径ΦＩが、Φ０．００１〜０．０９ｍｍである請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
内層導体層の厚みが、１μｍ〜２０μｍである請求項１又は請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
めっきを施した内壁径ΦＩの貫通孔を有する内層板を準備する工程、前記内層板の貫通孔の開口部に径ΦＩより大きな径ΦＬの内層導体層を含む導体層を形成する工程、ΦＬの内層導体層を含む導体層表面に絶縁樹脂層を形成する工程、前記貫通孔の直上に径ΦＩより大きくかつ径ΦＬより小さな開口径ΦＯの内層導体層に達する非貫通孔を前記絶縁樹脂層に少なくとも１つ以上形成する工程を含む回路基板の製造方法。
【請求項５】
ΦＬの導体層を含む導体層表面に絶縁樹脂層を形成する工程が、貫通孔を絶縁樹脂で埋め込む工程を含む請求項４に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板及び回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化・高機能化の進展とともに、薄型化や高密度配線に対応したビルドアップ回路基板の開発が求められている。ビルドアップ回路基板は、層間接続が必要な回路層のみ、非貫通孔で接続することが可能なため、内層板の貫通孔のみで、回路基板全体を貫通する孔は、必ずしも必要とせず、回路基板の薄型化や小型化に適しており、近年開発が進められている。
【０００３】
そして、ビルドアップ回路基板において、貫通孔を有する内層板にビルドアップ層を形成する場合、非貫通孔は、配線の効率化及び高密度化の観点から、貫通孔の直上に形成することが多くなっている。３層以上の導体層を有するビルドアップ回路基板において、内層板の貫通孔の直上に外層の非貫通孔を形成する場合、無電解あるいは電解金属めっきを施した内層板の貫通孔を導電材で充填するか、もしくは導電材あるいは絶縁樹脂で貫通孔を充填後、貫通孔を覆うように金属めっきを施すことが必要である（例えば、特許文献１参照）。 
【特許文献１】特開２００３−１３３７２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ビルドアップ回路基板の内層板の貫通孔を導電材９で充填する場合、貫通孔を覆うように金属めっきを施すことが、必ずしも必要ではない（図２（ｂ）参照）。しかし、導電材は、導電粒子を含んでいるため、絶縁樹脂と比較し、ペースト状態で極めて粘度が高く、小径の貫通孔や高アスペクト比の貫通孔の充填は、困難である。また、貫通孔を導電材で充填できた場合においても、導電材は硬化した状態で、硬度が、絶縁樹脂と比較し、大きいため、貫通孔から突出した導電材が多い時は、研磨等で、完全に除去することは、内層板表面の銅層を深く削り取る恐れもあり、困難である。そして、研磨残りがあった場合などは、回路形成不良の原因ともなる。
【０００５】
非貫通孔を貫通孔の直上に形成する場合、ビルドアップ回路基板の内層板の貫通孔を絶縁樹脂８で充填した時、貫通孔を覆うように金属めっきを施すことが、接続信頼性の確保の点から必要である。特に、貫通孔の直径が、その直上に形成する非貫通孔の直径より、大きい場合は、必須である（図２（ａ）参照）。そして、内層の導体層の厚みは、一般的に、下地銅層、貫通孔の銅めっき、さらに貫通孔を覆う銅めっきの厚みが重なり、微細な回路を形成するには不利になる。
【０００６】
本発明は、絶縁樹脂により充填された貫通孔を覆う金属めっきを不要とし、微細な回路形成に可能とする回路基板及びその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、以下のことを特徴とする。
（１）めっきを施した内壁径ΦＩの貫通孔を有する内層板と、前記内層板の貫通孔の開口部に設けられた径ΦＬの内層導体層と、前記内層導体層表面に形成された絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に形成された前記貫通孔の直上に位置する開口径ΦＯの内層導体層に達する非貫通孔とを有する回路基板において、内壁径ΦＩの貫通孔と径ΦＬの内層導体層と開口径ΦＯの非貫通孔が、ΦＩ＜ΦＯ＜ΦＬとなる関係を持つ接続孔構造を１つ以上有する回路基板。
（２）めっきを施した内壁径ΦＩが、Φ０．００１〜０．０９ｍｍである（１）に記載の回路基板。
（３）内層導体層の厚みが、１μｍ〜２０μｍである（１）又は（２）に記載の回路基板。
（４）めっきを施した内壁径ΦＩの貫通孔を有する内層板を準備する工程、前記内層板の貫通孔の開口部に径ΦＩより大きな径ΦＬの導体層を形成する工程、ΦＬの導体層を含む導体層表面に絶縁樹脂層を形成する工程、前記貫通孔の直上に径ΦＩより大きくかつ径ΦＬより小さな開口径ΦＯの内層導体層に達する非貫通孔を前記絶縁樹脂層に少なくとも１つ以上形成する工程を含む回路基板の製造方法。
（５）ΦＬの導体層を含む導体層表面に絶縁樹脂層を形成する工程が、貫通孔を絶縁樹脂で埋め込む工程を含む（４）に記載の回路基板の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によって、微細な回路形成に対応する回路基板及びその製造方法を提供することができる。そして、開口径ΦＯの非貫通孔は、ΦＩ＜ΦＯ＜ΦＬとなる関係を有しているため、貫通孔の直上に非貫通孔を形成しても、絶縁樹脂により充填された貫通孔を覆う金属めっきは不要となり、それにより、内層導体層の厚みを２０μｍ以下にすることが、可能となり、よって、内層導体層においてライン／スペース＝４０／４０μｍレベル以下の微細配線の形成が効率良くできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明に示した回路基板において、内層板１８に形成された内壁径ΦＩ５の貫通孔２と、径ΦＬ６の内層導体層１と、絶縁樹脂層７に形成された開口径ΦＯ４の非貫通孔１４が、ΦＩ＜ΦＯ＜ΦＬとなる関係を持つ接続孔構造を１つ以上有している（図１の（ａ）参照）。尚、本発明の内壁径ΦＩ５の貫通孔２は、内層板１８に設けられており、貫通孔２は絶縁樹脂７により、通常充填されている。開口径ΦＯ４の非貫通孔１４は、ΦＩ＜ΦＯ＜ΦＬとなる関係を有しているため、貫通孔２の直上に非貫通孔１４を形成しても、絶縁樹脂７により充填された貫通孔２を覆う金属めっきは不要である。そして、開口径ΦＯ４の非貫通孔１４が、内壁径ΦＩ５の貫通孔２より小さければ、貫通孔２の直上に非貫通孔を形成するには、必然的に絶縁樹脂７により充填された貫通孔を覆う金属めっきが必要なり、内層導体層が厚くなり、微細配線の形成が、不利になる。また、径ΦＬ６の内層導体層１が、開口径ΦＯ４の非貫通孔１４より、大きいため、接続面積を十分確保することが、可能となる。それに対し、径ΦＬ６の内層導体層１が、開口径ΦＯ４の非貫通孔１４より小さいと、接続面積を十分確保することができず、また非貫通孔１４の穴あけ時の位置ずれが発生した場合は、接続不良が発生する可能性もある。
【００１０】
前記貫通孔と前記内層導体層と前記非貫通孔の各径が、ΦＩ＜ΦＯ＜ΦＬとなる関係を有していればよく、前記関係を維持しているかぎり、前記貫通孔と前記内層導体層と前記非貫通孔の各径の範囲は、特に制限されるものではない。しかし、回路形成時や非貫通孔形成時の位置合わせや、回路基板の薄型化や配線の高密度化の観点から、前記非貫通孔の開口径ΦＯは、前記貫通孔の内壁径ΦＩより、Φ０．０５〜０．２０ｍｍ大きく、また、前記内層導体層の径ΦＬは、前記非貫通孔の開口径ΦＯより、Φ０．０５〜０．２０ｍｍ大きいことが、好ましい。これにより、内層導体層と非貫通孔の間で、十分な接続面積が確保でき、接続信頼性の高い回路基板を得ることができる。
【００１１】
本発明に示した回路基板において、めっきを施した貫通孔の内壁径ΦＩは、Φ０．００１〜０．０９ｍｍが好ましく、Φ０．０１〜０．０４ｍｍがより好ましい。Φ０．００１ｍｍ未満では、貫通孔の穴あけは、困難であり、また、貫通孔内部が、めっき液に十分浸漬されないため、めっきを施すことも困難である。また、貫通孔の内壁径をΦ０．００１ｍｍ未満にするには、めっきを厚く施す必要があり、内層導体層の微細配線形成が困難となる。またΦ０．０９ｍｍを超すと、内層導体層の径と非貫通孔の開口径が、必然的に大きくなり、回路基板の薄型化や高密度配線を行う上で不利である。なお、めっきを施した貫通孔が形成された内層導体層を有する基板の厚みは、貫通孔穴あけ及びめっきの観点から、０．０１〜０．３０ｍｍが好ましく、０．０３〜０．１ｍｍがより好ましい。
【００１２】
貫通孔の開口部に設けられた内層導体層の径ΦＬは、Φ０．１１ｍｍ〜０．６５ｍｍが好ましく、Φ０．２ｍｍ〜０．５０ｍｍがより好ましく、Φ０．２５ｍｍ〜０．３５ｍｍがさらに好ましい。Φ０．１１ｍｍ未満では、Φ０．０９ｍｍの貫通孔を形成した場合、裕度が、片側０．０１ｍｍ未満であり、回路形成時の位置合わせが、困難であり、またΦ０．６５ｍｍを超すと、回路基板の薄型化や高密度配線を行う上で不利である。
【００１３】
貫通孔の直上に位置する非貫通孔の開口径ΦＯは、絶縁樹脂除去性の観点からΦ０．０８〜０．２５ｍｍが好ましく、Φ０．０８〜０．１５ｍｍが特に好ましい。Φ０．２５ｍｍを超すと、回路基板の薄型化や高密度配線を行う上で不利である。なお、非貫通孔は、複数の絶縁樹脂層にまたがって、形成されていてもかまわない（図１の（ｂ）参照）。
【００１４】
本発明に示した回路基板において、内層導体層の厚みは１〜２０μｍが好ましく、５〜１５μｍがより好ましい。２０μｍを超すと、サブトラクティブ法で内層導体層を形成した場合、サイドエッチにより、微細な配線が形成困難となり、またアディティブ法等で内層導体層を形成した場合、めっきレジストに一部被さるようにめっきが析出するため、やはり微細な配線の形成が困難となる。
【００１５】
本発明に示した回路基板の製造方法において、めっきを施した内壁径ΦＩの貫通孔を有する内層板を準備する工程で、貫通孔の穴あけ加工は、ドリル、炭酸ガスレーザー、ＵＶレーザー、エキシマレーザーよる方法を用いることができるが、ドリルによる加工が好ましい。さらに、穴あけ後のめっきは、銅、錫、はんだ、ニッケル、金等が挙げられるが、経済性及び加工性の点から、銅めっきが好ましく、電解銅めっきがより好ましい。なお内層板の厚みは、貫通孔穴あけ及びめっきの観点から、０．０１〜０．３０ｍｍが好ましく、０．０３〜０．１ｍｍがより好ましい。
【００１６】
前記内層板の貫通孔の開口部に内壁径ΦＩより大きな径ΦＬの内層導体層を形成する工程おいて、径ΦＬの内層導体層は、内層板の他の導体層と同時に形成される。導体層の形成は、サブトラクティブ法を用いても良いし、アディティブ法を用いても良い。また、形成される導体層の厚みは２０μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がより好ましい。２０μｍ以下の導体層の形成するには、内層板に厚さ５μｍ以下の下地銅箔を用い、さらに１５μｍ以下の銅めっきを行うのが好ましい。
【００１７】
前記内層板の導体層表面に絶縁樹脂層を形成する工程において、絶縁樹脂は熱硬化性樹脂又は熱可塑性を用いることが好ましい。熱硬化性樹脂としては例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、マレイミド樹脂、イソシアネート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ビニル樹脂、などが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。熱硬化性樹脂は、１種類のものを単独で用いても良いし、２種類以上を混合して用いても良い。熱可塑性樹脂としては例えば、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル、変性ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリブタジエン、ポリイミドなどが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。熱可塑性樹脂は、１種類のものを単独で用いても良いし、２種類以上を混合して用いても良い。また、無機充填剤を含んでいても良い。
【００１８】
絶縁樹脂層を形成する場合、市販のプリプレグ、樹脂ワニスあるいは、樹脂フィルムなどを用いることができる。市販のプリプレグとしては、ＧＥＡ−６７９ＦＺＰＥ（日立化成工業株式会社製、商品名）などが、挙げられる。銅箔と前記内層板の間にプリプレグ等を介し、プレスなどにより、前記内層板の導体層表面に、絶縁樹脂層を形成する際、めっきを行った貫通孔を、プリプレグ等の絶縁樹脂により、同時に充填することが、好ましい。また、プレス以外でも、内層板に樹脂ワニスを塗布し、同様に、導体層表面に、絶縁樹脂層を形成し、かつ貫通孔を、絶縁樹脂により充填してもかまわない。
【００１９】
また、予め、めっきを行った貫通孔を、穴埋め用絶縁樹脂などにより、充填しておいてもかまわない。穴埋め用絶縁樹脂は、市販品が使用可能である。この場合、内層板に導体層を形成する前、貫通孔のめっき後、穴埋め用絶縁樹脂などにより、充填する。そして、その後回路導体層を形成、さらにその表面に絶縁樹脂層を形成する。
【００２０】
本発明におけるめっきを施した内層板の貫通孔内は、絶縁樹脂によって貫通孔の容積の５０％以上充填されているのが好ましく、孔の容積の８０％以上充填されているのがより好ましく、孔の容積の１００％充填されているのが特に好ましい。
【００２１】
本発明に示した回路基板の製造方法において、前記貫通孔の直上に内壁径ΦＩより大きくかつ径ΦＬより小さな開口径ΦＯの非貫通孔を前記絶縁樹脂層に少なくとも１つ以上形成する工程で、絶縁樹脂層に形成する非貫通孔は、炭酸ガスレーザー、ＵＶレーザー、エキシマレーザー等により形成可能であるが、炭酸ガスレーザーが好ましい。絶縁樹脂層表面に銅箔が存在する場合は、銅箔にコンフォーマルマスクを形成し、レーザ穴あけを行ってもかまわない。また、存在する銅箔が、厚み５μｍ以下であれば、コンフォーマルマスクを形成せず、ダイレクトに、レーザ穴あけも可能である。また、レーザ穴あけあるいは、穴あけ樹脂の残りの除去工程により、貫通孔に充填された絶縁樹脂が、内層導体層表面より、わずかに凹状になったとしても、回路基板の接続信頼性など、特に問題はない。
【００２２】
本発明における内層板の貫通孔の直上に位置する開口径ΦＯの非貫通孔は、ΦＩ＜ΦＯ＜ΦＬとなる関係を有していればよく、前記関係を維持しているかぎり、非貫通孔の径の範囲は、特に制限されるものでない。また、複数の絶縁樹脂層にまたがって、形成してもかまわない（図１の（ｂ）参照）。なお、回路基板の薄型化及び高密度配線の観点から、めっきを施した貫通孔の内壁径ΦＩは、Φ０．００１〜０．０９ｍｍが好ましく、Φ０．０１〜０．０４ｍｍがより好ましい。また、非貫通孔の開口径ΦＯは、Φ０．０８〜０．２５ｍｍが好ましく、Φ０．０８〜０．１５ｍｍが特に好ましい。
【実施例１】
【００２３】
以下、実施例により本発明を説明する（図３参照）。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【００２４】
厚さ３μｍの銅箔を張り合わせた絶縁樹脂層公称厚さ０．０６ｍｍのガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）にドリル加工にてΦ０．０５ｍｍの貫通孔を形成し、１０μｍの電解銅めっきを施してめっき導体層を形成し、内壁径ΦＩ５の０．０３ｍｍの貫通孔２を形成した。さらに、エッチングレジスト用ドライフィルムＮＩＴ２１５（ニチゴー・モートン株式会社製、商品名）をラミネータで仮圧着し、ネガ型マスクを張り合わせて紫外線で露光して両面に回路を焼付け、１％炭酸ナトリウム水溶液で現像してエッチングレジストを形成し、エッチングレジストのない銅部分を塩化第二鉄水溶液で除去し、３％水酸化ナトリウム水溶液でエッチングレジストを剥離除去して両面に、ライン／スペース＝４０／４０μｍの配線（導体層）を形成して、内層板１８となる第１の回路基板１０とした。その際、前記貫通孔２にΦＬ６の０．３０ｍｍのランド（内層導体層）１を形成した（図３（ａ））。
【００２５】
第１の回路基板１０の導体層を粗化処理し、第１の回路基板１０の両面に対し、ガラス布にエポキシ樹脂を含浸させた公称厚さ０．０４ｍｍのプリプレグＧＥＡ−６７９ＦＺＰＥ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、３５μｍキャリア銅箔付３μｍ銅箔ＭＴ３５Ｓ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）を真空プレスにて圧力２４．５×１０5Ｐａ（２５ｋｇｆ／ｃｍ２）、温度１７５℃、保持時間１．５ｈｒの条件で積層し、絶縁樹脂層７を形成した。その際、前記貫通孔２をプリプレグＧＥＡ−６７９ＦＺＰＥの樹脂樹脂７により充填した。さらに、キャリア銅箔を剥離して、３μｍ銅箔１７を残し、第２の回路基板１１とした（図３（ｂ））。
【００２６】
第２の回路基板１１の両面にドライフィルムＮＩＴ２２５（ニチゴー・モートン株式会社製、商品名）をラミネータで仮圧着し、ネガ型マスクを張り合わせて紫外線で露光して両面に回路を焼付け、１％炭酸ナトリウム水溶液で現像してエッチングレジストを形成し、エッチングレジストのない銅部分を塩化第二鉄水溶液で除去し、３％水酸化ナトリウム水溶液でエッチングレジストを剥離除去して、第１の回路基板１０の貫通孔２上の非貫通孔設置箇所にレーザー照射用マスクとなるΦ０．１５ｍｍのコンフォーマルマスク１２及びレーザー位置認識用のパターンを形成し、第３の回路基板１３とした（図３（ｃ））。
【００２７】
第３の回路基板１３の両面に炭酸ガスレーザー加工機ＬＣ−１Ｃ／２１（日立ビアメカニクス株式会社製、商品名）により、ビーム照射径Φ０．３ｍｍ、周波数５００Ｈｚ、パルス幅２０μｓ、４ショットの条件で１穴ずつ加工し、第３の回路基板１３の貫通孔２上にΦＯ４の０．１５ｍｍの非貫通孔１４を形成し、第４の回路基板１５とした（図３（ｄ））。
【００２８】
第４の回路基板１５に電解銅めっきを施して表面導体層を形成し、次いでエッチングレジスト用ドライフィルムＮＩＴ２１５（ニチゴー・モートン株式会社製、商品名）をラミネータで仮圧着し、ネガ型マスクを張り合わせて紫外線で露光して両面に回路を焼付け、１％炭酸ナトリウム水溶液で現像してエッチングレジストを形成し、エッチングレジストのない銅部分を塩化第二鉄水溶液で除去し、３％水酸化ナトリウム水溶液でエッチングレジストを剥離除去して配線（導体層）３を形成し、第５の回路基板１６とした（図３（ｅ））。
【００２９】
作製した内層板である第１の回路基板１０のライン／スペース＝４０／４０μｍの配線の形成性を、評価した結果、断線、短絡等の不良はなく、またライン幅も４０±５μｍ以内であった。また、回路基板の断面を観察し、貫通孔の絶縁樹脂の充填性を調べた結果、全数充填しているのを確認した。
【００３０】
（比較例１）
厚さ３μｍの銅箔を張り合わせた絶縁樹脂層公称厚さ０．０６ｍｍのガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）にドリル加工にてΦ０．２５ｍｍの貫通孔を形成し、１０μｍの電解銅めっきを施してめっき導体層を形成し、Φ０．２３ｍｍの貫通孔を形成した。貫通孔を、穴埋めインクＳＥＲ−４９０ＢＮＨ（山栄化学株式会社製、商品名）で充填し、さらに１０μｍの電解銅めっきを施して、めっき導体層をさらに形成した。さらに、エッチングレジスト用ドライフィルムＮＩＴ２１５（ニチゴー・モートン株式会社製、商品名）をラミネータで仮圧着し、ネガ型マスクを張り合わせて紫外線で露光して両面に回路を焼付け、１％炭酸ナトリウム水溶液で現像してエッチングレジストを形成し、エッチングレジストのない銅部分を塩化第二鉄水溶液で除去し、３％水酸化ナトリウム水溶液でエッチングレジストを剥離除去して両面に、ライン／スペース＝４０／４０μｍの配線を形成して、第１の回路基板とした。その際、前記貫通孔にΦ０．４０ｍｍのランド（導体層）を形成した。
【００３１】
以下、実施例１と同様に回路基板を作製した。作製した内層板である第１の回路基板のライン／スペース＝４０／４０μｍの配線の形成性を、評価した結果、断線、短絡等の不良が一部発生し、またライン幅も４０±１０μｍ以内であった。
【００３２】
以上、実施例１に示したとおり、貫通孔もΦ０．０９ｍｍ以下と小さく、非貫通孔が回路基板の高密度化を損なわない程度にこれより大きいため、貫通孔の絶縁樹脂に対するめっきが不要であり、よって内層板の導体層が薄く、微細配線が形成可能であった。また、貫通孔の絶縁樹脂の充填も、内層板の導体層表面の絶縁樹脂層の形成と同時であり、充填性も良く、回路基板の作製が効率よく行える。それに対し、比較例１は、貫通孔も大きく、貫通孔の絶縁樹脂の充填後のめっきが必要なため、内層板の導体層が厚くなり、微細配線の形成が困難であった。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の回路基板の接続孔構造の断面図である。
【図２】従来の回路基板の断面図である。
【図３】本発明の実施例の製造工程における回路基板の断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１・・・内層導体層
２・・・貫通孔
３・・・導体層
４・・・非貫通孔の開口径ΦＯ
５・・・貫通孔の内壁径ΦＩ
６・・・内層導体層の径ΦＬ
７・・・絶縁樹脂（絶縁樹脂層）
８・・・穴埋め用絶縁樹脂
９・・・導電材
１０・・・第１の回路基板
１１・・・第２の回路基板
１２・・・コンフォーマルマスク
１３・・・第３の回路基板
１４・・・非貫通孔
１５・・・第４の回路基板
１６・・・第５の回路基板
１７・・・銅箔
１８・・・内層板
【図１】
2005123400.tif 000003
【図２】
2005123400.tif 000004
【図３】
2005123400.tif 000005