(57)【要約】【課題】  半導体装置の生じる応力を緩和することによって、信頼性の向上を図ることである。【解決手段】  半導体装置は、集積回路１２及びそれに電気的に接続された電極１６を有する半導体チップ１０と、半導体チップ１０の第１の面１８に形成された下地用樹脂層２０と、電極１６から下地用樹脂層２０に延びる配線層２２と、配線層２２に電気的に接続された外部端子３０と、半導体チップ１０の第１の面１８とは反対の第２の面１９において、半導体チップ１０の周縁から間隔をあけた内側の領域に形成された樹脂層４０と、を含む。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路及びそれに電気的に接続された電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップの第１の面に形成された下地用樹脂層と、
前記電極から前記下地用樹脂層に延びる配線層と、
前記配線層に電気的に接続された外部端子と、
前記半導体チップの前記第１の面とは反対の第２の面において、前記半導体チップの周縁から間隔をあけた内側の領域に形成された樹脂層と、
を含む半導体装置。
【請求項２】
複数の集積回路を含む複数の半導体チップ用領域を有し、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板の第１の面に形成された下地用樹脂層と、
前記電極から前記下地用樹脂層に延びる配線層と、
前記配線層に電気的に接続された外部端子と、
前記半導体基板の前記第１の面とは反対の第２の面において、前記半導体チップ用領域の周縁から間隔をあけた内側の領域に形成された樹脂層と、
を含む半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置において、
前記第２の面側は、前記集積回路から電気的に遮断されてなる半導体装置。
【請求項４】
集積回路及びそれに電気的に接続された電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップの第１の面に形成された下地用樹脂層と、
前記電極から前記下地用樹脂層に延びる配線層と、
前記配線層に電気的に接続された外部端子と、
前記半導体チップの前記第１の面とは反対の第２の面に取り付けられた基材と、
前記基材の前記半導体チップとは反対の面において、前記基材の周縁から間隔をあけた内側の領域に形成された樹脂層と、
を含む半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
前記基材は、前記集積回路から電気的に遮断されてなる半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５記載の半導体装置において、
前記基材は、前記半導体チップと平面形状が同一である半導体装置。
【請求項７】
請求項４から請求項６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記基材は、半導体チップである半導体装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂層は、前記下地用樹脂層と同一材料からなる第１の層を含む半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置において、
前記第１の面上において前記配線層の一部を覆うように形成された被覆用樹脂層をさらに含み、
前記樹脂層は、前記被覆用樹脂層と同一材料からなる第２の層をさらに含む半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置において、
前記第１の面上において前記外部端子の下端部を補強して形成された補強用樹脂層をさらに含み、
前記樹脂層は、前記補強用樹脂層と同一材料からなる第３の層をさらに含む半導体装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の半導体装置が実装された回路基板。
【請求項１２】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項１３】
（ａ）複数の集積回路を含む複数の半導体チップ用領域を有するとともに前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板の、第１の面に下地用樹脂層を形成すること、
（ｂ）前記電極から前記下地用樹脂層に延びる配線層を形成すること、
（ｃ）前記半導体基板の前記第１の面とは反対の第２の面において、前記半導体チップ用領域の周縁から間隔をあけた内側の領域に樹脂層を形成すること、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
（ａ）複数の集積回路を含む複数の半導体チップ用領域を有するとともに前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板の、第１の面に下地用樹脂層を形成すること、
（ｂ）前記電極から前記下地用樹脂層に延びる配線層を形成すること、
（ｃ）複数の半導体チップが得られるように、前記半導体基板を切断すること、
（ｄ）基材の一方の面において、前記基材の周縁から間隔をあけた内側の領域に樹脂層を形成すること、
（ｆ）前記基材の他方の面を前記第１の面とは反対の第２の面に対向させて、前記基材を前記半導体チップに取り付けること、
を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＳＰ（Chip Size/Scale Package）の一形態として、半導体ウエハ状態で半導体装置のパッケージングを行うＷＣＳＰ（Wafer Level CSP）が知られている。ＷＣＳＰでは、半導体基板の一方の面に樹脂層、配線層及び外部端子などが設けられる。このように半導体基板に樹脂層を形成する形態では、樹脂の硬化収縮に起因して応力が生じる。この応力が十分に緩和できないと、半導体基板の反り、樹脂層の剥離、外部端子の破壊又は配線層の断線などが生じ、半導体装置の信頼性が損なわれることがある。
【０００３】
本発明の目的は、半導体装置に生じる応力を緩和することによって、信頼性の向上を図ることにある。
【特許文献１】国際公開第ＷＯ９８／２５２９７号パンフレット
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置は、
集積回路及びそれに電気的に接続された電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップの第１の面に形成された下地用樹脂層と、
前記電極から前記下地用樹脂層に延びる配線層と、
前記配線層に電気的に接続された外部端子と、
前記半導体チップの前記第１の面とは反対の第２の面において、前記半導体チップの周縁から間隔をあけた内側の領域に形成された樹脂層と、
を含む。本発明によれば、半導体チップには第１及び第２の面に樹脂が設けられているので、樹脂の硬化収縮に起因する応力が半導体チップの両面に生じるようになっている。すなわち、第１の面側から生じる応力を、第２の面側から生じる応力によって相殺することができ、全体として、半導体装置に生じる応力を緩和することができる。したがって、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
（２）本発明に係る半導体装置は、
複数の集積回路を含む複数の半導体チップ用領域を有し、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板の第１の面に形成された下地用樹脂層と、
前記電極から前記下地用樹脂層に延びる配線層と、
前記配線層に電気的に接続された外部端子と、
前記半導体基板の前記第１の面とは反対の第２の面において、前記半導体チップ用領域の周縁から間隔をあけた内側の領域に形成された樹脂層と、
を含む。本発明によれば、半導体基板には第１及び第２の面に樹脂が設けられているので、樹脂の硬化収縮に起因する応力が半導体基板の両面に生じるようになっている。すなわち、第１の面側から生じる応力を、第２の面側から生じる応力によって相殺することができ、全体として、半導体装置に生じる応力を緩和することができる。したがって、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
（３）この半導体装置において、
前記第２の面側は、前記集積回路から電気的に遮断されていてもよい。
（４）本発明に係る半導体装置は、
集積回路及びそれに電気的に接続された電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップの第１の面に形成された下地用樹脂層と、
前記電極から前記下地用樹脂層に延びる配線層と、
前記配線層に電気的に接続された外部端子と、
前記半導体チップの前記第１の面とは反対の第２の面に取り付けられた基材と、
前記基材の前記半導体チップとは反対の面において、前記基材の周縁から間隔をあけた内側の領域に形成された樹脂層と、
を含む。本発明によれば、基材の半導体チップとは反対の面において樹脂が設けられているので、樹脂の硬化収縮に起因する応力が半導体装置の両面に生じるようになっている。すなわち、半導体チップの第１の面側から生じる応力を、基材側から生じる応力によって相殺することができ、全体として、半導体装置に生じる応力を緩和することができる。したがって、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
（５）この半導体装置において、
前記基材は、前記集積回路から電気的に遮断されていてもよい。
（６）この半導体装置において、
前記基材は、前記半導体チップと平面形状が同一であってもよい。
（７）この半導体装置において、
前記基材は、半導体チップであってもよい。
（８）この半導体装置において、
前記樹脂層は、前記下地用樹脂層と同一材料からなる第１の層を含んでもよい。
（９）この半導体装置において、
前記第１の面上において前記配線層の一部を覆うように形成された被覆用樹脂層をさらに含み、
前記樹脂層は、前記被覆用樹脂層と同一材料からなる第２の層をさらに含んでもよい。
（１０）この半導体装置において、
前記第１の面上において前記外部端子の下端部を補強して形成された補強用樹脂層をさらに含み、
前記樹脂層は、前記補強用樹脂層と同一材料からなる第３の層をさらに含んでもよい。
（１１）本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が実装されている。
（１２）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
（１３）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
（ａ）複数の集積回路を含む複数の半導体チップ用領域を有するとともに前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板の、第１の面に下地用樹脂層を形成すること、
（ｂ）前記電極から前記下地用樹脂層に延びる配線層を形成すること、
（ｃ）前記半導体基板の前記第１の面とは反対の第２の面において、前記半導体チップ用領域の周縁から間隔をあけた内側の領域に樹脂層を形成すること、
を含む。本発明によれば、半導体基板の第１及び第２の面に樹脂を設けるので、樹脂の硬化収縮に起因する応力を半導体基板の両面に生じさせるようにすることができる。すなわち、第１の面側から生じる応力を、第２の面側から生じる応力によって相殺することができ、全体として、半導体装置に生じる応力を緩和することができる。したがって、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
（１４）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
（ａ）複数の集積回路を含む複数の半導体チップ用領域を有するとともに前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板の、第１の面に下地用樹脂層を形成すること、
（ｂ）前記電極から前記下地用樹脂層に延びる配線層を形成すること、
（ｃ）複数の半導体チップが得られるように、前記半導体基板を切断すること、
（ｄ）基材の一方の面において、前記基材の周縁から間隔をあけた内側の領域に樹脂層を形成すること、
（ｆ）前記基材の他方の面を前記第１の面とは反対の第２の面に対向させて、前記基材を前記半導体チップに取り付けること、
を含む。本発明によれば、樹脂層が形成された基材を、樹脂層が半導体チップとは反対側に設けられるように半導体チップに取り付けるので、樹脂の硬化収縮に起因する応力を半導体装置の両面に生じさせるようにすることができる。すなわち、半導体チップの第１の面側から生じる応力を、基材側から生じる応力によって相殺することができ、全体として、半導体装置に生じる応力を緩和することができる。したがって、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００６】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の平面図であり、図２は、図１のII−II線断面図である。図３及び図４は、本実施の形態の変形例を示す図である。半導体装置１は、半導体チップ１０と、下地用樹脂層２０と、配線層２２と、外部端子３０と、樹脂層４０と、を含む。
【０００７】
半導体チップ（集積回路チップ）１０には集積回路１２が形成されている。半導体チップ１０には集積回路１２を覆うパッシベーション膜（例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ）１４が形成されている。パッシベーション膜１４を複数層で形成してもよい。半導体チップ１０には電極（例えばアルミパッド）１６が形成されている。電極１６は、集積回路１２に電気的に接続されている。集積回路１２に電気的に接続された配線の一部が電極１６であってもよい。電極１６は、半導体チップ１０の第１の面１８に形成されている。複数の電極１６が集積回路１２の領域の周囲（例えば半導体チップの端部）に配列されていてもよい。パッシベーション膜１４は、電極１６の少なくとも中央部を避けて形成されている。
【０００８】
下地用樹脂層２０は、半導体チップ１０の第１の面１８（詳しくはパッシベーション膜１４上）に形成されている。下地用樹脂層２０は、半導体チップ１０の周縁から間隔をあけた内側の領域に形成されていてもよい。下地用樹脂層２０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂で形成してもよい。下地用樹脂層２０は、１層で形成してもよいし、複数層で形成してもよい。下地用樹脂層２０の側面は傾斜していてもよい。
【０００９】
配線層２２は、電極１６に電気的に接続され、電極１６から下地用樹脂層２０に延びるように形成されている。配線層２２はランド２４を有していてもよく、ランド２４が下地用樹脂層２０上に形成されていてもよい。配線層２２は、例えば、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のうちのいずれか１つ又は複数を積層することで形成してもよい。半導体チップ１０の第１の面１８に配線層２２が形成されていてもよい。半導体チップ１０の端部に複数の電極１６が形成される場合、配線層２２は半導体チップ１０の端部から中央部に向けて延びる。
【００１０】
図２に示す例では、半導体装置１は、被覆用樹脂層２６をさらに含む。被覆用樹脂層２６は、半導体チップ１０の第１の面１８上に形成され、配線層２２の一部を覆うように形成されている。配線層２２は、ランド２４の少なくとも一部（例えば中央部）を避けて形成され、配線層２２の残りの部分を覆っていてもよい。例えば、被覆用樹脂層２６の貫通穴２８がランド２４の中央部にオーバーラップしており、ランド２４の中央部が露出していてもよい。被覆用樹脂層２６は、下地用樹脂層２０よりも広い範囲に形成されていてもよい。被覆用樹脂層２６は、半導体チップ１０の周縁から間隔をあけた内側の領域に形成されていてもよい。被覆用樹脂層２６はソルダレジストであってもよい。
【００１１】
外部端子３０は、配線層２２に電気的に接続されている。ランド２４（例えば中央部）に外部端子３０が形成されていてもよい。外部端子３０は、被覆用樹脂層２６の貫通穴２８に設けられる。複数の外部端子３０が半導体チップ１０の中央部に複数行複数列に配列されている。こうすることでピッチ変換を行うことができる。外部端子３０をろう材（soft solder／hard solder）から形成してもよい。外部端子３０と半導体チップ１０との間に下地用樹脂層２０が形成されているので、外部端子３０に加えられる応力を下地用樹脂層２０によって緩和することができる。
【００１２】
図２に示す例では、半導体装置１は、補強用樹脂層３２をさらに含む。補強用樹脂層３２は、外部端子３０の下端部（根本部）を補強するものであり、外部端子３０の上端部を除く部分に接触して設けられる。外部端子３０の少なくとも上端部は、補強用樹脂層３２から露出している。補強用樹脂層３２は、被覆用樹脂層２６よりも広い範囲に形成されていてもよい。補強用樹脂層３２は、半導体チップ１０の周縁から間隔をあけた内側の領域に形成されていてもよい。変形例として、補強用樹脂層３２は外部端子３０の周囲のみに形成されていてもよい。補強用樹脂層３２は、下地用樹脂層２０と同一材料から形成してもよい。補強用樹脂層３２によって、外部端子３０と配線層２２との接続状態を補強することができ、外部端子３０に加えられる応力を緩和することができる。
【００１３】
本実施の形態では、半導体チップ１０の第２の面（第１の面１８とは反対の面）１９に樹脂層４０が形成されている。樹脂層４０は、半導体チップ１０の周縁から間隔をあけた内側の領域に形成されている。すなわち、半導体チップ１０の端部には、半導体部分が露出している。図１に示すように、半導体チップ１０の全周に、樹脂層４０が形成されていないスペースが設けられていてもよい。半導体チップ１０の周縁よりもわずかに小さい範囲に樹脂層４０が設けられていてもよい。樹脂層４０は、集積回路１２の領域よりも広い範囲に形成されていてもよいし、下地用樹脂層２０よりも広い範囲に形成されていてもよい。あるいは、樹脂層４０は、下地用樹脂層２０よりも狭い範囲（下地用樹脂層２０の内側）又は同じ範囲に形成されていてもよい。樹脂層４０の全部又は一部をポリイミド樹脂から形成してもよい。
【００１４】
これによれば、半導体チップ１０には第１及び第２の面１８，１９に樹脂が設けられているので、樹脂の硬化収縮に起因する応力が半導体チップ１０の両面に生じるようになっている。すなわち、第１の面１８側から生じる応力を、第２の面１９側から生じる応力によって相殺することができ、全体として、半導体装置に生じる応力を緩和することができる。したがって、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。また、半導体チップ１０の第２の面１９には樹脂層４０が形成されていないスペースがあるので、樹脂層４０を損傷させずに半導体チップ１０を取り扱うこと（例えばステージへの搬送又は取り付け）が可能になる。また、樹脂層４０が遮光性を有する場合には、集積回路１２に照射される光を遮蔽して半導体装置の誤作動を少なくすることができ、このことからも半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
【００１５】
樹脂層４０の材質又は体積（面積及び厚み）は自由に決めることができる。第１の面１８側から生じる応力と、ほぼ同じ大きさの応力を、第２の面１９側から生じさせるような材質又は体積であれば、半導体装置に生じる応力を可能な限り緩和することができるので好ましい。樹脂層４０は、図２に示すように複数層で形成してもよいし、１層で形成してもよい。
【００１６】
図２に示す例では、樹脂層４０は、下地用樹脂層２０と同一材料からなる第１の層４２と、被覆用樹脂層２６と同一材料からなる第２の層４４と、補強用樹脂層３２と同一材料からなる第３の層４６と、を含む。第１の層４２が形成される範囲は、下地用樹脂層２０が形成される範囲と同一であってもよい。第２の層４４が形成される範囲は、被覆用樹脂層２６が形成される範囲と同一であってもよい。第３の層４６が形成される範囲は、補強用樹脂層３２と同一であってもよい。第３の層４６は、第１及び第２の層４２，４４の全体を覆っていてもよい。第２の層４４は、第１の層４２の全体を覆っていてもよい。
【００１７】
変形例として、図３に示す例では、樹脂層５０は、下地用樹脂層２０と同一材料からなる第１の層４２と、被覆用樹脂層２６と同一材料からなる第２の層４４と、を含む。他の変形例として、図４に示す例では、樹脂層５０は、下地用樹脂層２０と同一材料からなる層であってもよい。それらの詳細は、上述した内容を適用することができる。
【００１８】
図２に示すように、半導体チップ１０の第２の面１９側は、集積回路１２から電気的に遮断されていてもよい。すなわち、半導体チップ１０の第２の面１９側には、集積回路１２に電気的に接続されている部材（例えば電極、配線層又は外部端子）が形成されていなくてもよい。図２に示す例では、樹脂層４０上には、集積回路１２に電気的に接続されている部材が形成されていない。
【００１９】
本実施の形態に係る半導体装置は上述のように構成されており、次にその製造方法について説明する。
【００２０】
図５に示すように、半導体基板（例えば半導体ウエハ）６０を用意する。半導体基板６０は複数の半導体チップ用領域６２を有し、それぞれの半導体チップ用領域６２に対して、下地用樹脂層２０、配線層２２、被覆用樹脂層２６、外部端子３０及び補強用樹脂層３２を形成する。それぞれの半導体チップ用領域６２には集積回路１２が形成されている。半導体基板６０が切断（ダイシング）されると、半導体チップ用領域６２は半導体チップ１０となる。切断工程では、切断ツール（例えばブレード）６４を使用して、半導体チップ用領域６２の周縁に沿って、半導体基板６０を切断する。
【００２１】
下地用樹脂層２０、配線層２２、被覆用樹脂層２６、外部端子３０及び補強用樹脂層３２の全部を形成した後（第１の面１８側のパッケージング終了後）に、樹脂層４０を形成してもよい。樹脂層４０は、ゲル状（又は液状）の樹脂前駆体をパターニングして設け、その樹脂前駆体を硬化させることによって形成してもよい。樹脂前駆体のパターニングは、フォトリソグラフィ技術を適用してもよいし、液滴吐出法（例えばインクジェット法又はポッティング法）を適用してもよい。あるいは、所定形状の樹脂フィルムを貼り付け、溶融及び硬化させることによって樹脂層４０を形成してもよい。樹脂層４０の位置決めを正確に行うために、位置決めマーク（図示しない）を形成してもよい。位置決めマークは、印字又は凹部で形成してもよい。
【００２２】
樹脂層４０は、切断工程前の半導体基板６０に形成してもよいし、あるいは、切断工程後の半導体チップ１０に形成してもよい。変形例として、少なくとも外部端子３０の形成工程前に、樹脂層４０の形成工程（樹脂の硬化を含む）を行ってもよい。これによれば、樹脂を加熱硬化させる場合、その熱によって外部端子３０が溶融するのを防ぐことができる。すなわち、樹脂層４０の加熱温度が、外部端子３０の加熱温度よりも高い場合に効果的である。
【００２３】
本実施の形態の変形例として、半導体装置３は、複数の半導体チップ用領域６２を有する半導体基板（例えば半導体ウエハ）６０と、下地用樹脂層２０と、配線層２２と、外部端子３０と、樹脂層４０と、を含む（図５参照）。詳しくは、半導体チップ１０を半導体チップ用領域６２に代えて、上述した内容を適用することができる。隣同士の半導体チップ用領域６２の間には、樹脂層４０が形成されていないスペースが設けられる。こうすることで、切断工程において、樹脂層４０を避けて切断することができるので、樹脂層４０の剥離を防止することができるとともに、半導体チップ１０のクラックの発生を防止することができる。したがって、信頼性の高い半導体装置を容易に得ることができる。切断工程を行うことによって、半導体装置３から複数の半導体装置１を得ることができる。
【００２４】
（第２の実施の形態）
図６は本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を説明する図であり、図７はその製造方法を説明する図である。本実施の形態において、半導体装置５は、半導体チップ（第１の半導体チップ）１０に取り付けられた基材７０を含み、基材７０の半導体チップ１０とは反対の面に樹脂層５０が形成されている。半導体チップ１０と基材７０の間に接着材料７２が介在し、これによって両者が接着固定されていてもよい。
【００２５】
基材７０は電気的絶縁性を有する。基材７０は、半導体チップ１０と形状（平面形状及び厚みの両方が同一）が同一であってもよいし、平面形状のみ同一であってもよい。基材７０は半導体チップ（第２の半導体チップ）であってもよい。
【００２６】
樹脂層５０は、基材７０の周縁から間隔をあけた内側の領域に形成されている。すなわち、基材７０の端部には樹脂層５０が形成されていない。基材７０の全周に、樹脂層５０が形成されていないスペースが設けられていてもよい。基材７０の周縁よりもわずかに小さい範囲に樹脂層５０が設けられていてもよい。図６に示す例では、樹脂層５０は上述の第１及び第２の層４２，４４を含むが、これとは別に第１の層４２のみから構成されていてもよいし（図４参照）、第１から第３の層４２，４４，４６から構成されていてもよい（図２参照）。その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００２７】
基材７０は、半導体チップ１０の集積回路１２から電気的に遮断されている。すなわち、基材７０には、集積回路１２に電気的に接続されている部材（例えば配線パターン）が形成されていなくてもよい。
【００２８】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップ１０（又は半導体基板の半導体チップ用領域（図５参照））に基材７０を取り付ける。下地用樹脂層２０、配線層２２、被覆用樹脂層２６、外部端子３０及び補強用樹脂層３２の全部を形成した後（第１の面１８側のパッケージング終了後）に、基材７０を取り付けてもよい。基材７０には、その一方の面にあらかじめ樹脂層５０を形成しておき、樹脂層５０の形成面とは反対の面を半導体チップ１０（又は半導体チップ用領域）に対向させる。樹脂層５０の形成方法は、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。接着材料７２によって半導体チップ１０と基材７０の固定を行う場合には、接着材料７２を基材７０に設けてもよいし、半導体チップ１０に設けてもよい。接着材料７２はゲル状（又は液状）の接着剤であってもよいし、固形の接着フィルムであってもよい。
【００２９】
本実施の形態によれば、樹脂層５０が形成された基材７０を、半導体チップ１０（又は半導体基板）とは別個に用意し、その後に半導体チップ１０（又は半導体チップ用領域）に基材７０を取り付けるので、製造プロセスの容易化を図り、半導体装置の信頼性をさらに向上させることができる。
【００３０】
図８は、本発明の実施の形態に係る回路基板を示す図であり、回路基板１０００には上述の半導体装置１が実装されている。本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器として、図９にはノート型パーソナルコンピュータ２０００が示され、図１０には携帯電話３０００が示されている。
【００３１】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の平面図である。
【図２】図２は図１のII−II線断面図である。
【図３】図３は本発明の第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置を示す図である。
【図４】図４は本発明の第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置を示す図である。
【図５】図５は本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図６】図６は本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図７】図７は本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図８】図８は本発明の実施の形態に係る回路基板を示す図である。
【図９】図９は本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１０】図１０は本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
【００３３】
１０…半導体チップ  １２…集積回路  １４…パッシベーション膜  １６…電極
２０…下地用樹脂層  ２２…配線層  ２４…ランド  ２６…被覆用樹脂層
２８…貫通穴  ３０…外部端子  ３２…補強用樹脂層  ４０…樹脂層  ５０…樹脂層
６０…半導体基板  ６２…半導体チップ用領域  ７０…基材  ７２…接着材料
【図１】
2005210012.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2005210012.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005210012.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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