(57)【要約】      （修正有）【課題】微細配線部品の合成樹脂製成形体であるパッケージ本体に、その成形によってスルーホールのための透孔を形成する金型のためのピンを容易に製造する方法を提供する。【解決手段】Ｎｉから成るスタンパ１０１に、軸直角断面が等脚台形の受け溝１０２を形成し、この受け溝に外径２０〜３０μｍφ、長さ１００μｍの直円柱状の棒状体１０７を載置し、その上から合成樹脂製フィルムを載せてプレス加工することで、フィルムから成る保持体１２１に棒状体１０７を保持する。次いでパルス状のフェムト秒レーザ光を照射して、保持体を部分的に除去しつつ、棒状体１０７を加工し、１辺が２０μｍの正方形断面を有する細長いピンを形成する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製棒状体の少なくとも一部分を、合成樹脂製保持体に保持し、
この棒状体は、径５〜３０μｍ、径に対する長さのアスペクト比３〜１０であり、
レーザ光を照射して、保持体を除去しつつ棒状体を加工することを特徴とするピンの製造方法。
【請求項２】
レーザ光は、フェムト秒のオーダだけ持続する間欠的なパルス状のフェムト秒レーザ光であることを特徴とする請求項１記載のピンの製造方法。
【請求項３】
棒状体は直円柱状であり、
保持体は、
棒状体をその棒状体の軸線を含む仮想平面よりも外方にわたって外周面を部分的に被覆し、前記外周面の頂部は、被覆部から露出している被覆部を有することを特徴とする請求項１または２記載のピン製造方法。
【請求項４】
保持体は、棒状体を前記被覆部に対応した受け溝を有する金属製スタンパを作成し、
受け溝に棒状体を載置し、
合成樹脂製板またはシートを、スタンパと棒状体との上に配置して、スタンパと前記板またはシートとが相互に近接する方向の押圧力を作用して、前記板またはシートを塑性変形加工して製造し、
塑性変形した前記板またはシートに、棒状体が保持されることを特徴とする請求項３記載のピンの製造方法。
【請求項５】
スタンパは、
フォトリソグラフィ法によって、フォトレジスト用基板上に前記受け溝に対応する凸部を有するフォトレジスト層を形成し、
フォトレジスト層から成る前記凸部と、露出したフォトレジスト用基板との上に、金属メッキを施して、前記受け溝が形成された金属メッキ層を形成し、
この形成された金属メッキ層を、フォトレジスト用基板から剥離して製造することを特徴とする請求項１〜４のうちの１つに記載のピンの製造方法。
【請求項６】
受け溝は、載置される棒状体の前記軸線に関して左右の各外周面を受ける外方に拡った受け面を有することを特徴とする請求項４または５記載のピンの製造方法。
【請求項７】
レーザ光による棒状体の加工後、棒状体を、その長手方向の途中で、予め定める長さに切断し、
切断された棒状体を保持している保持体の合成樹脂を、溶剤によって溶解して、切断された棒状体を得ることを特徴とする請求項１〜６のうちの１つに記載のピンの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７の１つによって製造された前記ピンを含む金型の金型キャビティに、合成樹脂を供給して成形体を成形して得ることを特徴とする成形体の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜７の１つによって製造された前記ピンは、レーザ光によって加工された軸部に連なって外方に拡った基端部を有し、
一表面に、深さ方向に一様な断面形状を有する取付孔が形成され、他表面に、厚み方向外方になるにつれて断面形状が大きくなるように拡大孔が、前記取付孔の底に連通して形成される基材を含み、
前記基端部が、前記拡大孔内で、前記取付孔の前記底付近に係止し、
前記ピンの基端部と、板体の拡大孔の内面とは、金属メッキによって固定されることを
特徴とする金型。
【請求項１０】
請求項８によって製造される成形体は、前記ピンによって成形された透孔または細長い溝を有し、
この透孔または細長い溝に配線導体が設けられてスルーホールまたは溝に埋め込まれた配線パターンが形成されることを特徴とする微細配線部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）およびマイクロマ
シン技術などのような微細加工技術の分野でピンを製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような微細なピンは、たとえば半導体チップを搭載した半導体装置のスルーホールを形成するために、合成樹脂製成形体に透孔を、トランスファ成形または射出成形などによって形成するために必要になる。先行技術では、金型の金型キャビティ内に、スルーホールのための細長い透孔を形成するために、金型には、ピンが立て付けられる。ピンの加工寸法は、ＮＣ（数値制御）においては、直径３００μｍφ程度が限界で、それ以下のサイズではピン先端部にテーパがついて丸まってしまい、精密な円柱形状や立方体形状のピンを加工するのは困難である。
【０００３】
直径３００μｍφ以下のピン加工のためには、ワイヤ放電加工があるが、これは、直径１００μｍφ以下での加工が困難となる。特に成形の際の圧力や熱に耐えられる材料であるタングステンＷを加工した場合、タングステンＷの物性、特に固さに負け、電圧上昇を伴い、加工負けして、ワイヤが切れてしまう。
【０００４】
或る提案された技術は、フェムト秒レーザによるレーザ加工である。ミクロン単位でＸ，Ｙ，Ｚ軸が移動するテーブルの定盤ステージに、金属加工材料を固定して、目的の加工品を得る。
【０００５】
ところが、加工する対象物が１０μｍオーダのマイクロ単位の材料となると、ステージの性能がよくても、材料をステージに固定する手法が問題となる。たとえば、直径１００μｍ以下の棒状金属材料から１０μｍ単位のものを加工するとなると、ハンドリングだけでも大変である。加工品を両面テープ等でステージ上に貼って加工した場合、加工品を剥離する際、１０μｍ単位の加工品が簡単に外圧によって変形してしまう。あるいはまた、両面テープの糊に加工品が覆われてしまい、糊を取り除こうとするが、加工品が微細なため、糊の中に加工品が取り込まれてしまい、糊が取れない。銀ペースト固定でも同様のことが起きる。
【０００６】
他の先行技術は、棒状金属材料をワークホルダと称することができる部材に在来の固定式治具で押さえる構成を有する。１０μｍφのオーダの径を有する微細な金属材料の場合、この押さえ治具のクリアランスが小さいので、加工中に材料から発生する加工ガスを除去するためにエアを吹き付ける必要があり、またステージを移動させるとき、ステージから加工材料が動いてしまい、芯出しや寸法精度を保つことができない。
【０００７】
しかも、加工品を取得できたとしても、ハンドリングには、要注意で、絶縁性、導電性どちらのピンセットを使っても静電気でピン単体がピンセットに飛ぶように引きつけられ、破損、変形する。ピンセットで取ることができても、ピンセットからピンが引き付けられ離れない。
【０００８】
前述のフェムト秒レーザを用いたピン加工の場合、このような従来の方法では、加工時の問題で、公差１μｍのものを加工することや、加工前後のハンドリングも難しい。そのため、フェムト秒レーザで１０μｍ単位の微細なピン加工ができても、後工程で苦労してしまう。そのため、いかに効率よく、加工して容易なハンドリングで取得できるかが課題となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、微細なピンを、容易に製造することができるようにしたピンの製造方法、このピンを金型のために用いる成形体の製造方法、このピンを用いる金型、ピンを金型として用いて製造された微細配線部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、金属製棒状体の少なくとも一部分を、合成樹脂製保持体に保持し、
この棒状体は、径５〜３０μｍ、径に対する長さのアスペクト比３〜１０であり、
レーザ光を照射して、保持体を除去しつつ棒状体を加工することを特徴とするピンの製造方法である。
【００１１】
また本発明は、レーザ光は、フェムト秒のオーダだけ持続する間欠的なパルス状のフェムト秒レーザ光であることを特徴とする。
【００１２】
また本発明は、棒状体は直円柱状であり、
保持体は、
棒状体をその棒状体の軸線を含む仮想平面よりも外方にわたって外周面を部分的に被覆し、前記外周面の頂部は、被覆部から露出している被覆部を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明に従えば、タングステンＷなどの金属製である棒状体１０７の少なくとも一部分を、合成樹脂製保持体１０１に保持し、たとえばフェムト秒（略称ＦＳ）レーザ光などのレーザ光を照射して棒状体を希望する寸法形状に加工し、この棒状体をレーザ光で加工する際、そのレーザ光が保持体１０１に照射されることによって、保持体が、その棒状体の加工のために照射された保持体の領域で、保持体が部分的に除去される。棒状体のレーザ光が照射されない部分は、保持体に保持されたままであり、これによって保持体を把んで取扱うことができ、１または複数の棒状体のハンドリングが容易となる。
【００１４】
保持体に保持された棒状体を、溶剤に浸漬するなどして保持体を溶解し、これによって棒状体を容易に得ることができる。こうして径５〜３０μｍ、たとえば１０〜２０μｍφであって、径に対する長さのアスペクト比３〜１０、たとえば５である棒状体を、容易に製造することができ、そのハンドリングが容易であり、生産性が向上される。
【００１５】
棒状体は、直円柱状であってもよく、レーザ光の照射によって加工されて、軸直角断面が矩形、たとえば正方形であって、その１辺がたとえば前述のように５〜３０μｍの軸部５２を形成することができ、この軸部の断面形状は、四角形のほか、六角形、およびそのほかの多角形などの形状であってもよい。前記径というのは、ピンの軸線に垂直な平面内における外形の最大長さを言い、あるいはまた正方形断面の１辺の長さであってもよい。
【００１６】
前記レーザ光は、ピンの切り出しのために、パルス状の高エネルギを有するいわゆるＦＳ（フェムト秒、Femto Second）レーザ光が、好ましく用いられる。このＦＳレーザ光は、フェムト秒（１０−１５ｓｅｃ．）のオーダだけ持続する間欠的なパルス状であり、これによってばりが生じることなく、細長いピンを、正確に切り出すことができ、好ましい。
【００１７】
本発明に従えば、棒状体は、保持体の被覆部１２３，１２４で、その棒状体の軸線を含む仮想平面よりも外方にわたって部分的に被覆し、その棒状体の外周面の頂部１２５は、被覆部から露出している。これによってレーザ光による棒状体の加工が容易であり、保持体のレーザ光による無駄な除去が不要となり、生産性が良好である。
【００１８】
こうして本発明では、たとえば直径２０μｍφまたは１辺が２０μｍ角の正方形などの多角形の断面形状を有し、長さが５０〜２００μｍ、たとえば長さ１００μｍのピンを、熱履歴を発生することなく、また、ばりが出ないようにして、容易に製造することができる。その結果、従来から困難であった電子回路基板、電子部品、半導体装置などの高アスペクト比のスルーホールを形成することができ、あるいはまたそれらの微細配線部品の壁面に形成された細長い溝を形成して配線導体を埋込む配線パターンを形成することもまた可能になる。
【００１９】
また本発明は、保持体は、棒状体を前記被覆部に対応した受け溝を有する金属製スタンパを作成し、
受け溝に棒状体を載置し、
合成樹脂製板またはシートを、スタンパと棒状体との上に配置して、スタンパと前記板またはシートとが相互に近接する方向の押圧力を作用して、前記板またはシートを塑性変形加工して製造し、
塑性変形した前記板またはシートに、棒状体が保持されることを特徴とする。
【００２０】
また本発明は、スタンパは、
フォトリソグラフィ法によって、フォトレジスト用基板上に前記受け溝に対応する凸部を有するフォトレジスト層を形成し、
フォトレジスト層から成る前記凸部と、露出したフォトレジスト用基板との上に、金属メッキを施して、前記受け溝が形成された金属メッキ層を形成し、
この形成された金属メッキ層を、フォトレジスト用基板から剥離して製造することを特徴とする。
【００２１】
また本発明は、受け溝は、載置される棒状体の前記軸線に関して左右の各外周面を受ける外方に拡った受け面を有することを特徴とする。
【００２２】
棒状体を保持するワークホルダとしての機能を果たす保持体１２１は、フォトリソグラフィ法などによって得られる金属製スタンパ１０１を用いてトランスファ成形または照射成形などの手法で得ることができる。こうして得られた金属製スタンパの受け溝１０２に棒状体１０７を載置して合成樹脂製前記板またはシート１１７を載せて加圧してプレス加工して塑性変形させる。これによって棒状体は塑性変形した前記板またはシートから成る保持体に保持され、棒状体と保持体との相互の変位が防がれる。したがってレーザ光の照射による棒状体の加工を、正確に行うことができる。
【００２３】
金属製スタンパに形成される受け溝は、たとえばその軸直角断面が等脚台形であってもよい。こうしてたとえば直円柱状である棒状体を、一対の外方に拡った受け面１０３，１０４で安定して受けることができるようになる。このことによってもまた、加工精度を高めることができる。
【００２４】
また、本発明では、ワークホルダとしての保持体１２１ごとに加工材料を運ぶことができる。その結果、今までオイルや溶剤に加工品を浸漬して運搬していたのに対して、本発明では、そのまま加工材料をワークホルダごと運搬が可能となり、後工程に持っていくことができるので、従来のように、ピンセットで触ったり、その際の衝撃で発生する材料の変形等がなくなる。
【００２５】
また本発明は、レーザ光による棒状体の加工後、棒状体を、その長手方向の途中で、予め定める長さに切断し、
切断された棒状体を保持している保持体の合成樹脂を、溶剤によって溶解して、切断さ
れた棒状体を得ることを特徴とする。
【００２６】
また本発明は、前述の方法によって製造された前記ピンを含む金型の金型キャビティに、合成樹脂を供給して成形体を成形して得ることを特徴とする成形体の製造方法である。
【００２７】
また本発明は、前述の方法によって製造された前記ピンは、レーザ光によって加工された軸部に連なって外方に拡った基端部を有し、
一表面に、深さ方向に一様な断面形状を有する取付孔が形成され、他表面に、厚み方向外方になるにつれて断面形状が大きくなるように拡大孔が、前記取付孔の底に連通して形成される基材を含み、
前記基端部が、前記拡大孔内で、前記取付孔の前記底付近に係止し、
前記ピンの基端部と、板体の拡大孔の内面とは、金属メッキによって固定されることを特徴とする金型である。
【００２８】
また本発明は、前述の方法によって製造される成形体は、前記ピンによって成形された透孔または細長い溝を有し、
この透孔または細長い溝に配線導体が設けられてスルーホールまたは溝に埋め込まれた配線パターンが形成されることを特徴とする微細配線部品である。
【００２９】
本発明に従えば、透孔または細長い有底溝に金属メッキによって導電材料を堆積、充填してスルーホールを形成する際、透孔内で導電材料が堆積しやすく、透孔の長尺方向両端部に連なる表面では、導電材料のメッキ層の堆積厚さが、薄いという特性がある。またこのメッキ層は、微細な溝内では、厚く堆積して形成され、その溝に連なる外表面上では、メッキ層が薄いという特性がある。本発明では、これらの透孔および溝以外の表面では、金属メッキの際に生じるメッキ層が薄いという特性を利用し、エッチングによって、このような不要な金属メッキ層を、容易に除去することができ、微細配線部品の製造を容易にすることができる。
【００３０】
半導体チップの面積がたとえば１ｍｍ２以上のサイズを載せる微細配線部品のパッケージは、成形によって製作される。従来のＣＣＤ（電荷蓄積素子）パッケージやＣ−ＭＯＳ（相補形金属酸化膜半導体）パッケージを作るのとほとんど同じ工法で、少なくともチップ面積１ｍｍ２の微細パッケージを成形できることが、可能となる。たとえば、パッケージＭＥＭＳなどにおいて、従来では後工程がパッケージＭＥＭＳのダウンサイジングに対応できなかったため、実装されるＭＥＭＳストラクチャは小さくすることができなかったが、本発明によって思いきったダウンサイジングが可能となる。
【００３１】
しかも成形体の構成が、配線となる溝やスルーホール、バンプなどが１回の成形で全て行われる。ＣＣＤやＣ−ＭＯＳのダウンサイジング、またはＭＥＭＳストラクチャをフリップチップ実装するパッケージでは、その成形体の構成が、配線となる溝やスルーホールが１回の成形で全て行われることが可能となり、従来の工法のように、レーザで孔を空けたり、セラミックパッケージのように１枚１枚を積み重ねて製作するといった工程が無くなる。
【００３２】
本発明に従えば、アスペクト比が比較的大きいスルーホールが設けられた成形品が実現される。したがってたとえば１〜５ｍｍ２程度の平面の面積を有する半導体チップによって実現される半導体素子、たとえば歪ゲージなどの圧力センサを搭載した半導体装置が、小形に実現されることができるとともに、その製造が容易であり、大量生産が容易になる。またこのようなスルーホールおよび配線導体が埋め込まれた溝には、大電流を流すことができるように断面形状を大きくすることも、容易に可能である。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、たとえば金型などの用途に好適な微細なピンを容易に製造することができ、生産性が高まる。また棒状体のレーザ光による加工時の芯出し、ハンドリングが、合成樹脂製保持体の把持、取扱いによって、容易になる。本発明によれば、微細なピンを保持する保持体は、成形用材料を用いてトランスファ成形または照射成形などの成形の手法で製造することができ、このことによっても生産性が向上される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
図１は、本発明の実施の一形態によって製造されるピン４７の斜視図である。このピン４７は、後述の図２８に示される基材４８とともに金型４４を構成する。ピン４７は基本的に、軸直角断面が正方形である軸部５２と、この軸部５２の軸線方向に連なる基端部４９を有する。基端部４９は、直円柱状である。軸部５２の１辺の長さＤ１は、たとえば５〜２０μｍ、または１０〜２０μｍである。基端部４９の直径Ｄ２は、２０〜３０μｍφであり、たとえば３０μｍφであってもよい。ピン４７の軸部５２の軸線方向に沿う長さＬ１は、１００μｍである。基端部４９の長さＬ２は、たとえば１０〜５０μｍであってもよく、２０〜３０μｍであってもよい。ピン４７は、たとえばタングステンＷなどの金属製である。図２〜図２０を参照して、ピン４７の製造方法を説明する。
【００３５】
図２は、スタンパ１０１の斜視図である。ピン４７を製造する第１ステップでは、たとえばＮｉなどの金属から成るスタンパ１０１を作成して準備する。このスタンパ１０１には、１または複数（たとえばこの実施の形態では複数）の受け溝１０２が形成される。受け溝は、直線状に細長く延び、たとえばその長さｅは３ｃｍ、隣接する受け溝１０２間のピッチｆは２ｃｍであってもよい。スタンパ１０１の全体の形状は、１辺６ｃｍの正方形であって偏平な板状である。
【００３６】
図３は、図２のスタンパ１０１に形成された受け溝１０２の断面図である。受け溝１０２の軸線に直角な断面は、等脚台形であって、一対の外方（図３の上方）に拡ったＶ字状の受け面１０３，１０４、および受け面１０３，１０４の下端部に連なる底面１０５を有する。スタンパ１０１の表面１０６から底面１０５までの深さＡは、たとえば１５μｍ、受け面１０３，１０４の外方端間の間隔Ｂは３０μｍであり、表面１０６に対する受け面１０２の内方の傾斜角度Ｃは４５度である。
【００３７】
図４は、ピン４７の製造のために用いられる棒状体１０７を示す斜視図である。棒状体１０７は、前述のようにタングステンＷから成り、直円柱状であり、直径Ｄ３は、基端部４９の外形Ｄ２と同一であり（Ｄ２＝Ｄ３）、たとえば本発明の実施の形態では、前述のように３０μｍであってもよい。この棒状体１０７の長さＬ３は、受け溝１０２の長さｅ以下の値であり（Ｌ３≦ｅ）、たとえばＬ３＝２．９５〜２．９８ｃｍである。
【００３８】
図５は、スタンパ１０１の複数の各受け溝１０２に棒状体１０７を嵌めて載置した状態を示す斜視図である。第２ステップでは、図５に示されるように、棒状体１０７が受け溝２に載置される。
【００３９】
図６は、図５に示されるように棒状体１０７が受け溝１０２に載置された状態を示す拡大断面図である。棒状体１０７は、前述のように直円柱状であり、その受け溝１０２内で、各受け面１０３，１０４に参照符１０８，１０９で示されるように線接触して受けられる。この状態で棒状体１０７の下部は、底面１０５から図６の上方に隙間を有し、こうして棒状体１０７は受け溝１０２に安定して受けられるが、この底面１０５との隙間は、なくてもよい。参照符１０８，１０９で示される接触位置は、スタンパ１０１の平坦な表面１０６よりも受け溝１０２の内方（図６の下方）に存在し、したがってこの表面１０６に臨んで受け面１０３，１０４と棒状体１０７の外周面との間には、空間１１１，１１２が
形成されることになる。
【００４０】
棒状体１０７の軸線１１３は、スタンパ１０１の厚み方向（図６の上下方向）で、表面１０６とほぼ同一位置にあってもよく、空間１１１，１１２は、棒状体１０７の外周面の前記表面１０６と同一位置１１４，１１５よりも受け溝１０２の内方（図６の下方）になるにつれて、軸線１１３寄りに近づき、これによって外周面１１４と接触位置１０８との間には、表面１０６に沿ってΔＥが存在することになり、このことは左右対称な位置１１５と接触位置１０９とに関しても同様である。底面１０５と表面１０６とは、平行である。
【００４１】
図７は、棒状体１０７を保持するためにフィルム１１７を塑性変形してプレス加工する状態を示す断面図である。このフィルムは、板またはシートと称することもでき、また本発明の考え方によれば、その厚みに対応して、板またはシートは、フィルムであってもよい。第３ステップでは、受け溝１０２に載置された棒状体１０７の図７における上方で、フィルム１１７を、この棒状体１０７およびスタンパ１０１の表面１０６よりも上方で、フィルム１１７を配置し、この状態で、スタンパ１０１を支持する支持部材１１８、およびフィルム１１７を支持するもう１つの支持部材１１９を、相互の近接方向にプレス加工装置によって近接変位する。こうしてスタンパ１０１とフィルム１１７とが相互に近接する方向の押圧力が作用され、フィルム１１７が塑性変形加工されて、保持体１２１（次の図８参照）が得られる。
【００４２】
図８は、保持体１２１が棒状体１０７を保持した状態を示す拡大断面図である。第４ステップでは、前述の図７に示されるフィルム１１７のプレス加工によって、フィルム１１７を構成する材料が、前述の空間１１１，１１２に入り込み、被覆部１２３，１２４が形成され、塑性変形したフィルム１１７から成る保持体１２１に棒状体１０７が保持されて固定され、上下逆にしても、また後述のＦＳレーザ光による加工時にも、保持体１２１から棒状体１０７が不所望に外れることは、ない。
【００４３】
フィルム１１７および保持体１２１を構成する合成樹脂は、本発明の実施の形態では、アペル（三井化学社製商品名）であって、環状オレフィンコポリマーが好ましく、透明性に優れ、高防湿性を有し、高耐熱性を有する。この合成樹脂材料は、ポリオレフィン樹脂と非晶性樹脂の性能を融合し、さらに耐熱性、流動性を自由に制御することができ、透光性であって透明であり、高防湿性、高耐熱性に優れたアペル（三井化学社製製品名）が好適する。この材料は、たとえばフィルム状またはシート状であり、フィルムであり、これによって平面度Ｒmax３μｍ以下であり、棒状体を保持する被覆部１２３，１２４の高さ
Ｈ１は、たとえば１０μｍのオーダで高精度で製造することができる。この材料は、前述のように防湿性に優れており、熱可塑性材料ＰＣ（ポリカーボネート）の吸水性０．２であるのに対して、本件材料は、０．０１以下である。フェムト秒レーザ光を用いる環境は常温だが、運搬や金型組立て場所は夏場に湿度が高い場合があり、ＰＣを用いて成形した場合、タングステンＷが、樹脂の吸湿によりワークホルダから外れるおそれがある。上述の材料を用いることによって、この問題が解決される。この材料はまた光透過率が良好であり、透明度が優れており、これによって保持体１２１に埋没しているタングステンＷもフェムト秒レーザで容易に探知でき、加工できることも特徴であるが、アペルの透過率はフェムト秒レーザの波長領域である７００〜８００ｎｍでは９０％以上なので、ＰＣの最大８８％よりも効率よく加工できる。保持体１２１のプレス加工時、温度１５０℃、押圧力１０ｋｇ／ｃｍ２である。フィルム１１７は、０．４ｍｍ厚、１辺４ｃｍの正方形の形状を有する板状体である。
【００４４】
図９は、保持体１２１に棒状体１０７が保持された状態を示す断面図である。第５ステップでは、図８に示される保持体１２１をスタンパ１０１から剥離して分離する。棒状体
１０７は、前述のフィルム１１７がプレス加工によって空間１１１，１１２に入り込んで形成された被覆部１２３，１２４によって保持される。これらの被覆部１２３，１２４は、棒状体１０７を、その棒状体１０７の軸線１１３を含むスタンパ１０１の表面１０６と同一の仮想平面よりも外方（図９の上方）にわたって棒状体１０７の外周面を部分的に被覆する。棒状体１０７の頂部１２５は、被覆部１２３，１２４から露出している。
【００４５】
図１０は、保持体１２１に保持されている棒状体１０７を、レーザ光１２７の照射によって加工する状態を示す断面図である。第６ステップでは、このようにレーザ光１２７を棒状体１０７に照射して棒状体１０７の希望する長さにわたって軸部５２（前述の図１参照）を形成するためにレーザ光１２７を照射し、このときレーザ光１２７によって保持体１２１が同時に除去される。レーザ光１２７は、フェムト秒レーザ光である。フェムト秒レーザ光の光軸１２８は、保持体１２１の表面１０６に垂直であり、この光軸１２８に関してレーザ光１２７の拡り角度θ１は、４５度であり、したがってレーザ光１２７の円錐状の頂角は９０度である。こうして棒状体１０７の軸部５２の表面１３１が、その棒状体１０７の軸線１１３に沿って長さＬ１以上の長さにわたって、加工される。保持体１２１は、ＸＹＺ直交座標系テーブルにおける水平なＸＹ平面内で移動する定盤ステージに着脱可能に取付けられ、鉛直なＺ軸は、光軸１２８と平行である。保持体１２１が着脱可能に取付けられたテーブルをＸＹ平面内で変位し、レーザ光１２７によって棒状体１０７を加工して、軸部５２の表面１３１を形成する。
【００４６】
図１１は、保持体１２１に保持された棒状体１０７をレーザ光１２７によって、前述の図１０の次に加工する状態を示す断面図である。保持体１２１の下面が固定された定盤ステージを、ＸＹＺ直交座標系のＸＹ平面に沿ってＸ軸方向に移動し、レーザ光１２７によって、軸部５２の表面１３２を加工する。このとき保持体１２１は、レーザ光１２７の照射によって除去される。こうして第６ステップでは、保持体１２１に保持された棒状体１０７がレーザ光１２７の照射によって、軸部５２のための直交する表面１３１，１３２が形成される。
【００４７】
図１２は、図１０および図１１に示される前述の第６ステップによって形成された棒状体１０７を簡略化して示す斜視図である。レーザ光１２７によって平坦な表面１３１，１３２が形成され、レーザ光１２７が照射されていない部分１３５，１３６は、保持体１２１の被覆部１２３，１２４によって被覆されたままの状態となっている。
【００４８】
図１３は、保持体１２１によって棒状体１０７が保持されている状態で、図１０および図１１の第６ステップの後、上下を反転させた状態を示す断面図である。第７ステップでは、前述の第６ステップの次に、保持体１２１を上下反転し、保持体１２１がレーザ光１２７のレーザ源に対向させる。第７ステップは、このような棒状体１０７を保持体１２１とともに上下反転する。
【００４９】
図１４は、図１３のように反転された棒状体１０７および保持体１２１に、前述と同様なレーザ光１２７を照射する状態を示す断面図である。第８ステップでは、反転された棒状体１０７にレーザ光１２７を照射し、これによって軸部５２のための表面１２３が加工される。このレーザ光１２７は、表面１３３の加工時、保持体１２１をも除去する。
【００５０】
図１５は、棒状体１０７の軸部５２の表面１３４を形成する状態を示す断面図である。こうして図１４および図１５に示される第８ステップでは、棒状体１０７および保持体１２１が前述の図９〜図１１の状態から第７ステップで反転された後、レーザ光１２７による相互に直交する表面１３３，１３４が棒状体１０７の軸線１１３に沿って前述の長さＬ１（図１、図１２参照）以上の長さにわたって、形成される。
【００５１】
図１６は、棒状体１０７が保持体１２１によって保持された状態でレーザ光１２７が照射されて前述の図６〜図８が実行され、軸直角断面が正方形である軸部５２が形成された状態を示す断面図である。軸部５２は、レーザ光１２７によって加工された４つの表面１３１，１３４を有し、その軸直角断面が正方形である。
【００５２】
図１７は、第８ステップの実行後に得られた棒状体１０７の軸直角断面図である。軸部５２の軸線は、棒状体１０７の軸線１１３に一致している。
【００５３】
図１８は、前述の図１６に示される棒状体１０７が保持体１２１に保持された状態を示す平面図である。各棒状体１０７の軸部５２の形成のために前述のようにレーザ光１２７が照射されることによって、保持体１２１は、そのレーザ光１２７によって除去されて貫通孔１３７または凹所が形成される。
【００５４】
第９ステップでは、図１８の参照符１３８，１３９で棒状体１０７とともに保持体２１１を、たとえばレーザ光１２７を用いて切断する。切断位置１３８は、軸部５２の遊端面を形成する。切断位置１３９は、軸部５２に連なる基端部４９の遊端面を形成する。したがって基端部４９は、保持体１２１の一部分で保持されたままである。これによって微細なピン４７の取扱いがきわめて容易になる。
【００５５】
図１９は、図１８に示される第９ステップで得られたピン４７が保持体１２１の一部分１４０によって保持された部材１４１から、ピン４７を得るための第１０ステップを示す断面図である。この第１０ステップでは、容器１４２には、溶剤１４３が貯留され、この容器１４２内の溶剤１４３に、前記部材１４１が浸漬される。溶剤１４３は、部材１４０の保持体１２１の一部分１４０を構成する合成樹脂を溶解する。これによって複数の各ピン４７を容易に得ることができる。溶剤１４３は、たとえば芳香族系溶剤であってもよく、たとえばアセトン、ガソリンなどであってもよい。その後、溶剤１４３内からピン４７を取出して、完成品が得られる。
【００５６】
図２０は、レーザ光１２７の強度の時間変化を示すオシロスコープによって得られた波形を示す写真である。フェムト秒のオーダでパルス状のレーザ光１２７が、間欠的に複数回発生される。このレーザ光１２７のパルスの回数を計数することによって、棒状体１０７、さらには保持体１２１の加工される量が決定される。各レーザ光１２７のパルス状持続期間は、たとえば図２０のように１５０フェムト秒であってもよい。
【００５７】
こうして本発明の実施の形態では、プレス加工で成形したワークホルダというアプリケーションの保持体１２１に材料である棒状体１０７を挟み固定することで、レーザ加工中でも材料の撓み、曲り、捩れなどの不所望な変形、変位が矯正されることによって、最終的には加工時のピンの位置精度を気にせず、微細加工の部分を作業者がハンドリングしなくても、ホルダである前記一部分１４０を持てば、その中に微細ピン加工品４７が完成しており、運搬が容易であることを可能とする。こうして得られるピン４７は、後述のように金型の一部分として用いることができるが、本発明によって製造されるピンは、金型だけでなく、そのほかの広範囲の技術分野において、使用することができる。フィルム１１７および保持体１２１を構成する合成樹脂は、前述の環状オレフィンコポリマーだけでなく、そのほかの種類の合成樹脂、たとえば耐熱ポリ塩化ビニル、およびそのほかの種類の合成樹脂材料が用いられてもよい。棒状体１０７およびピン４７を構成する金属材料は、タングステンＷだけでなく、そのほかの種類の金属が用いられてもよい。
【００５８】
図２１は、ピン４７を用いて成形されたパッケージ本体２２を含む圧力検出装置２１の断面図である。パッケージ本体２２には、配線導体から成るスルーホール２３が形成され、このスルーホール２３の図２１における下端部にはバンプ２４が形成され、こうしてパ
ッケージ２５が形成される。このパッケージ２５には、保持部材２６に固定された圧力センサである半導体素子２７が収納される。半導体素子２７は、半導体チップから成り、その平面の面積は、たとえば１〜５ｍｍ２であってもよい。半導体素子２７は、たとえば歪ゲージなどであってもよく、ＭＥＭＳストラクチャと呼ばれるチップでもよい。パッケージ本体２２には、基台２８が固定され、この基台２８には、筒体２９が固定される。基台２８および筒体２９に同軸に形成された通路３１には、半導体素子２７が臨み、この通路３１には、検出されるべき圧力が作用する。半導体素子２７に関して通路３１とは反対側でパッケージ本体２２には、常温で大気圧の密閉空間３２が形成され、半導体素子２７の検出されるべき圧力による微小な変形が許容される。
【００５９】
図２２は、パッケージ２５ならびに保持部材２６および半導体素子２７を分解して示す断面図である。図２３は、保持部材２６および半導体素子２７を示す斜視図である。半導体素子２７が予め固定された保持部材２６は、パッケージ本体２２に形成された凹所３５に嵌め込まれ、半導体素子２７は取付面３６上に配置され、これによって半導体素子２７の接続端子３３は、スルーホール２３の図２２における上端部に電気的に接続される接続端子３７に、たとえば導電性ペーストなどを介して電気的に接続される。すなわち接続端子３７には、半導体素子２７の接続端子３３との接続のために、たとえばビットペーストを予め塗布し、その後、接続するようにしてもよい。保持部材２６には、前記通路３１に連通する通路３８が形成される。
【００６０】
図２４は、パッケージ２５の平面図である。スルーホール２３の端部４１は、配線パターン４２を介して、前述の接続端子３７に連なる。接続端子３７を含む配線パターン４２は、スルーホール２３と同時に、金属メッキによって形成される。
【００６１】
図２５は、パッケージ２５の構成を簡略化して示す斜視図である。スルーホール２３の端部に連なるバンプ２４は、たとえば直径５０μｍ、深さ１０μｍであってもよい。スルーホール２３は、たとえば直径にＤ１＝２０μｍ、長さＬ１＝１００μｍであって、直径Ｄ１に対する長さＬ１のアスペクト比Ａ（＝Ｌ１／Ｄ１）＝５であってもよい。このスルーホール２３の径は、５〜３０μｍであり、アスペクト比３〜１０であってもよい。バンプ２４は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）の機能を有する。スルーホール２３は、６個設け
られる。スルーホール、バンプは、エキシマレーザ、ＵＶ（紫外線）−ＹＡＧレーザを用いず、微細加工されたニッケルピン４７を用いて成形によって得られるたとえば直径２０μｍ、アスペクト５のスルーホールや直径５０μｍ深さ１０μｍのバンプを持つ。ＭＥＭＳストラクチャをフリップチップ実装できるパッケージが容易に作れるようになる。その結果、ＭＥＭＳ全体のコスト中半分を占めるパッケージの工程が、少なくともワイヤボンダからフリップチップ実装に変わることで、大幅なコストダウンが期待できる。
【００６２】
スルーホールの前後はたとえば直径５０μｍ、深さ１０μｍのバンプを持つパッケージができ、従来のようにパッケージを作った後に、配線をフォトリソグラフィ法等で作る必要がなくなる。溝の深さを大きくとれるスタンパを用い、アスペクト２の溝深さを持たせることで、配線抵抗である特性インピーダンスを下げ、高周波対応の配線を持ったパッケージが実現される。先行技術のパッケージはＯＮＯＦＦ動作程度にしか使われなかったパッケージの配線信号が、高周波対応になったことで、チップテスター用途で開発が急がれているマイクロマシンリレーなどの高周波対応が必要とされるＭＥＭＳストラクチャ用のパッケージとしても使われることが可能となる。
【００６３】
図２６は、パッケージ２５と保持部材２６と半導体素子２７との構成を示す断面図である。前述のように保持部材２６に固定された半導体素子２７は、パッケージ２５の取付面３７に、保持部材２６の凹所３５への嵌め込みによって、固定されて搭載される。
【００６４】
図２７は、図２６に示されるパッケージ２５に、筒体２９の基端部が固定された基台８を固定する工程を示す断面図である。基台２８の図２７における下面は、パッケージ本体２２の上端部に固定され、保持部材２６は基台２８にも固定される。こうして半導体素子２７は、通路３１，３８に臨む。本発明の実施の他の形態では、半導体素子２７が図２７の保持部材２６の下面に固定され、この保持部材２６の上面が基台２８の下面に固定され、こうして保持部材２６、半導体素子２７、基台２８および筒体２９が一体的に組立てられ、この組立てられた基台２８の下面が、パッケージ本体２２の上端部に固定され、これによって保持部材２６および半導体素子２７が凹所３５に嵌め込まれて、構成されるようにしてもよい。
【００６５】
図２８は、パッケージ用金型４４を示す断面図である。この金型４４は、パッケージ本体２２にスルーホール２３のための透孔４５（後述の図４０および図４１参照）とバンプ２４のための凹所４６を形成するために用いられる。金型４４は基本的に、ピン４７と基材４８とを有し、このピン４７の基端部４９は、基材４８に立設して固定される。基材４８は、平坦面５０と、この平坦面５０から隆起部５１が隆起して形成される。隆起部５１は、短い円柱状である。この隆起部５１には、後述の中空直円柱状の取付孔５３と、この取付孔５３の底に連通する中空円錐台状の拡大孔５４とが同軸に形成される。ピン４７の基端部４９は、拡大孔５４の小径側の端部内で、したがって取付孔５３の底付近に配置され、金属メッキによるメッキ金属５５によって固定される。ピン４７および基材４８、さらにはメッキ金属５５は、たとえばＮｉなどの金属から成る。
【００６６】
図２９〜図３８を参照して、金型４４の製造方法を説明する。金型４４の製造のために、先ず第１のステップでは、前述のピン４７が準備される。
【００６７】
図２９は、第２ステップにおいて準備される基材４８の斜視図である。基材４８は、前述のように平坦面５０から隆起した隆起部５１を有する。
【００６８】
図３０は、図２９に示される基材４８の製造方法を示す断面図である。まず図３０（１）において、フォトマスク１１２を準備し、図３０（２）において平面度および平行度のよいガラス基板１１０の上にフォトレジスト１１１を塗布した後、微細な隆起部５１のパターンが描写されたフォトマスク１１２をガラス基板１１０の上方に配置して、ＵＶ（紫外線）ランプ１１３を用いて露光する。そうすると、フォトレジスト１１１の紫外線照射部分１１１ａが硬化して、パターンが焼き付けられる。
【００６９】
次にフォトレジスト１１１を現像すると、図３０（３）に示すように、紫外線照射部分１１１ａが除去され、パターンに対応した部分が残る。次に図３０（４）において、現像された表面にスパッタまたは無電解メッキ等によってＮｉメッキ膜１１４を形成し、図３０（５）のように厚くし、その後、次に図３０（６）に示すように、Ｎｉメッキ膜１１４をガラス基板１１０から剥離し、残存したフォトレジスト１１１を除去することで、パターンに応じた凸凹形状を有するＮｉメッキ膜１１４が得られ、このＮｉメッキ膜１１４を金型取付用に外観加工を施すと、基材４８となるスタンパが得られる。
【００７０】
図３１は、図３０に示される製造方法によって得られたスタンパを用い、その隆起部５１に取付孔５３および拡大孔５４を形成する第３ステップを示す簡略化した斜視図である。前述の図３０に示される製造方法によって得られた図２９の基材４８に、レーザ源６８からＦＳレーザ光６９を照射し、前述の取付孔５３および拡大孔５４を形成する。このレーザ光６９は、前述のレーザ光１２７と同様であってもよい。この第３ステップはさらに詳細に、図３２〜図３４に示される。
【００７１】
図３２は、前述の図２９に示される基材４８の隆起部５１付近の拡大断面図である。図
３２に示されるように、ＦＳレーザ光６９によって取付孔５３を形成する。この取付孔５３は、ピン４７の径Ｄ１とほぼ等しいか、わずかに大きい内径を有し、基端部４９が挿通することができない内径Ｄ１に選ばれる。取付孔５３は、底７１を有する。
【００７２】
図３３は、図３２に示される取付孔５３が形成された基材４８を、その隆起部５１とは反対側の面から大径孔７２と小径孔７３とを形成する構成を説明するための断面図である。これらの大径孔７２と小径孔７３とは、取付孔５３と同一の直線上に各軸線をそれぞれ有する。大径孔７２および小径孔７３は、ＦＳレーザ光６９によって中空円柱状に形成される。
【００７３】
図３４は、図３３によって形成された大径孔７２および小径孔７３を、ＦＳレーザ光６９によってさらに加工し、中空円錐台状の拡大孔５４を形成した状態を示す断面図である。ＦＳレーザ光６９の焦点距離のずれによって大径孔７２と小径孔７３とを含む拡大孔５４が形成される。この拡大孔５４の小径の先端部は、取付孔５３の底７１に連なり、こうして取付孔５３と拡大孔５４とは、共通な一直線上に軸線を有して連なる。取付孔５３および拡大孔５４の各内面には、銅などの金属スパッタによって、金属メッキのための下地処理を行う。
【００７４】
図３５は、ピン４７の先端部を拡大孔５４から挿入してそのピン４７の基端部４９を、拡大孔５４内で取付孔５３の底７１付近に配置する第４ステップを示す断面図である。ピン４７の軸線は、隆起部５１の表面に垂直に保持される。
【００７５】
図３６は、ピン４７の基端部４９が、拡大孔５４内で、取付孔５３の底７１付近に係止した第４ステップの状態で、この基端部４９と拡大孔５４の内面とを、金属メッキを施してメッキ金属７５で固定する第５ステップを示す断面図である。
【００７６】
下地処理された取付孔５３および拡大孔５４の各内面とともに、ピン４７の基端部４９には、無電解銅メッキを施し、その後、電解メッキを行って、メッキ金属７５である銅を、これらの取付孔５３および拡大孔５４内に充填し、ピン４７を隆起部５１に固定する。
【００７７】
図３７は、前述の第５ステップの金属メッキによってピン４７が隆起部５１に立設されて固定された状態を示す断面図である。メッキ金属７５は、拡大孔５４から図３７の下方に部分的に突出している。基材４８の表面にも薄い金属メッキ層７６，７７が形成される。
【００７８】
図３８は、図３７に示されるメッキ金属７５の余分な部分と薄いメッキ層７６，７７を除去する第６ステップを示す断面図である。薄いメッキ層７６，７７は、たとえば塩化第２鉄などを用いたエッチングによって容易に除去することができる。またメッキ金属７５の拡大孔５４から部分的に突出した余分なメッキ金属は、たとえば研磨などによって除去することができる。こうして金型４４が完成する。
【００７９】
図３９〜図４１は、前述の図３８において完成されたパッケージ用金型４４を用いてパッケージ本体２２をトランスファ成形する方法を説明する。図３９は、金型４４を含むトランスファ成形用の全体の金型装置８１を示す断面図である。パッケージ用金型４４は、たとえばＮｉなどから成る補強部材８２によって基材が保持される。パッケージ用金型４４とともに用いられるもう１つの金型８３は、前述の金型４４とともに金型キャビティ８４を形成する。
【００８０】
金型８３は、パッケージ本体２２の取付面３６を形成する金型面８６および密閉空間３２のための金型凸部８７などを有する。金型面８６には、図２４に示される配線パターン
４２を形成するための微細な凸部８７が固定される。スタンパ８８は、前述の図３０と同様にして、接続端子３７を備える配線パターン４２に対応した凸部がフォトリソグラフィおよび金属メッキの手法で製造されてもよい。
【００８１】
図４０は、図３９に示される金型装置８１を用いてトランスファ成形する状態を示す断面図である。金型キャビティ８４内には、熱硬化性合成樹脂が成形材料として供給される。熱硬化性合成樹脂に代えて、熱可塑性合成樹脂であってもよい。金型キャビティ８４に充填される成形材料は、たとえば三井化学製商品名エポックスＲであり、１５０℃、成形時間４分で成形処理することができる。
【００８２】
図４１は、成形後のパッケージ本体２２を示す断面図である。パッケージ本体２２には、１回のトランスファ成形によって、スルーホール２３のための透孔４５、バンプ２４のための凹所４６および接続端子３７を含む配線パターン４２がメッキ金属の埋込みによって形成されるためのスタンパ８８を用いた微細な配線パターン用溝が、一挙に形成される。配線パターン４２の溝の幅は、たとえば１０μｍであり、深く形成してアスペクト比をたとえば２またはそれ以上に形成することができる。これによって配線抵抗である特性インピーダンスを小さくし、高周波対応配線を形成することができる。こうしてパッケージ本体２２に微細配線パターンを形成した成形品であるパッケージを、大量に製造することができる。配線パターン４２の幅は、３０μｍ未満である。
【００８３】
本発明では、配線パターン４２のための溝は、成形によってパッケージ本体２２に形成されるので、たとえばＹＡＧレーザによる加工を施す必要がなく、配線パターン用溝の形成が容易であり、またスルーホール２３のための透孔４５とスタンパ８８による配線パターン４２のための溝との誤差によるずれは、前述の単一回の成形でパッケージ本体２２を製造するので、小さくすることができ、高精度のパッケージ本体２２を製造することができ、スルーホール２３と配線パターン４２との接続部分の交差は、問題にならない。溝には、微細な配線パターンと凹凸が逆のパターンを備えた、スタンパを用いて成形される絶縁基板の表面にたとえば１０μｍ幅の微細な配線パターンを形成させる。スルーホールの接続配線を微細化できることが可能となる。スルーホールからの直接配線として、他の基板への微細配線接続が可能となる。
【００８４】
スタンパ８８による配線パターン４２は、微細配線幅であっても、アスペクト比を大きくすることができ、こうしてスルーホール２３および配線パターン４２に、大電流を流すことが可能である。
【００８５】
スタンパ８８に関して、微細な配線パターンと凹凸が逆のパターンを備えたスタンパを用いて、絶縁基板の少なくとも表面にある樹脂に前記微細な配線パターンを転写させることにより、溝幅が３０μｍ以下の溝を含む微細な配線パターンを表面に形成する。この工法を用いることで、パッケージ表面に微細パターンを持った成形品が容易に大量に製作することが可能となる。
【００８６】
スタンパ表面上に加工したピン４７を取付け、この上に成形することで、成形品にスルーホールを構築することが可能となり、従来からレーザ加工に頼らざらなかったスルーホールが、容易に形成可能となる。
【００８７】
配線パターン４２の溝を深く形成し、微細配線幅でもアスペクトが高く作れる工法を用いており、パッケージ表面の配線パターンに大電流を流すことが可能であり、断線しにくい。本件発明者の実験によれば、高周波測定では、幅１０μｍアスペクト２以上の１ｃｍの配線ポテンシャルにおいて、２１ＧＨｚの高周波を流した結果、シュミレーション値１２ｄＢに対し、８ｄＢと４ｄＢ近いロス低減を実証している。
【００８８】
図４２〜図４５は、前述の図４１に示されるパッケージ本体２２に金属メッキを施す工程を説明する。図４２は、パッケージ本体２２の透孔４５を含む全ての表面に無電解銅メッキ処理を施した状態を示す断面図である。無電解銅メッキ処理によって、パッケージ本体２２の全表面に薄い金属メッキ層９１が形成される。
【００８９】
図４３は、図４２に示される金属メッキ層９１を有するパッケージ本体２２の前記金属メッキ層９１を選択的に除去した状態を示す断面図である。パッケージ本体２２の透孔４５およびバンプに対応した凹所４６および配線パターン４２における金属メッキ層９１を残し、そのほかの必要のない部分を、エッチングなどの手法で除去する。
【００９０】
図４４は、スルーホール２３、バンプ２４および配線パターン４２がパッケージ本体２２に形成されたパッケージ２５を示す断面図である。前述の図４３に示される選択的な金属メッキ層９１を有するパッケージ本体２２の電解メッキを施す。こうしてスルーホール２３のための透孔４５、バンプ４４のための凹所４６および配線パターン４２のための溝が、銅であるメッキ金属によって充填される。
【００９１】
図４５は、図４４における金型２５の取付面３６付近の拡大断面図である。配線パターン用溝９３内には、メッキ金属が充填されて、接続端子３７を含む配線パターン４２がスルーホール２３と電気的に接続された状態でスルーホール２３の形成と同時に、形成される。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の実施の一形態によって製造されるピン４７の斜視図である。
【図２】スタンパ１０１の斜視図である。
【図３】図２のスタンパ１０１に形成された受け溝１０２の断面図である。
【図４】ピン４７の製造のために用いられる棒状体１０７を示す斜視図である。
【図５】スタンパ１０１の複数の各受け溝１０２に棒状体１０７を嵌めて載置した状態を示す斜視図である。
【図６】棒状体１０７が受け溝１０２に載置された状態を示す拡大断面図である。
【図７】棒状体１０７を保持するためにフィルム１１７を塑性変形してプレス加工する状態を示す断面図である。
【図８】保持体１２１が棒状体１０７を保持した状態を示す拡大断面図である。
【図９】保持体１２１に棒状体１０７が保持された状態を示す断面図である。
【図１０】保持体１２１に保持されている棒状体１０７を、レーザ光１２７の照射によって加工する状態を示す断面図である。
【図１１】保持体１２１に保持された棒状体１０７をレーザ光１２７によって、前述の図１０の次に加工する状態を示す断面図である。
【図１２】図１０および図１１に示される前述の第６ステップによって形成された棒状体１０７を簡略化して示す斜視図である。
【図１３】保持体１２１によって棒状体１０７が保持されている状態で、図１０および図１１の第６ステップの後、上下を反転させた状態を示す断面図である。
【図１４】反転された棒状体１０７および保持体１２１に、レーザ光１２７を照射し、軸部５２のための表面１２３を加工する断面図である。
【図１５】棒状体１０７の軸部５２の表面１２４を形成する状態を示す断面図である。
【図１６】棒状体１０７が保持体１２１によって保持された状態でレーザ光１２７が照射されて軸直角断面が正方形である軸部５２が形成された状態を示す断面図である。
【図１７】第８ステップの実行後に得られた棒状体１０７の軸直角断面図である。
【図１８】棒状体１０７が保持体１２１に保持された状態を示す平面図である。
【図１９】図１７に示される第９ステップで得られたピン４７が保持体１２１の一部分によって保持された部材１３９から、ピン４７を得るための第１０ステップを説明するための断面図である。
【図２０】レーザ光１２７の強度の時間変化を示すオシロスコープによって得られた波形を示す写真である。
【図２１】ピン４７を備える金型４４を用いて成形されたパッケージ本体２２を備える圧力検出装置２１の断面図である。
【図２２】パッケージ２５ならびに保持部材２６および半導体素子２７を分解して示す断面図である。
【図２３】保持部材２６および半導体素子２７を示す斜視図である。
【図２４】パッケージ２５の平面図である。
【図２５】パッケージ２５の構成を簡略化して示す斜視図である。
【図２６】パッケージ２５と保持部材２６と半導体素子２７との構成を示す断面図である。
【図２７】図２６に示されるパッケージ２５に、筒体２９の基端部が固定された基台８を固定する工程を示す断面図である。
【図２８】パッケージ用金型４４を示す断面図である。
【図２９】第２ステップにおいて準備される基材４８の斜視図である。
【図３０】図２９に示される基材４８の製造方法を示す断面図である。
【図３１】図３０に示される製造方法によって得られたスタンパを用い、その隆起部５１に取付孔５３および拡大孔５４を形成する第３ステップを示す簡略化した斜視図である。
【図３２】図２９に示される基材４８の隆起部５１付近の拡大断面図である。
【図３３】図３２に示される取付孔５３が形成された基材４８を、その隆起部５１とは反対側の面から大径孔７２と小径孔７３とを形成する構成を説明するための断面図である。
【図３４】図３３によって形成された大径孔７２および小径孔７３を、ＦＳレーザ光６９によってさらに加工し、中空円錐台状の拡大孔５４を形成した状態を示す断面図である。
【図３５】ピン４７の先端部を拡大孔５４から挿入してそのピン４７の基端部４９を、拡大孔５４内で取付孔５３の底７１付近に配置する第４ステップを示す断面図である。
【図３６】ピン４７の基端部４９が、拡大孔５４内で、取付孔５３の底７１付近に係止した第４ステップの状態で、この基端部４９と拡大孔５４の内面とを、金属メッキを施してメッキ金属７５で固定する第５ステップを示す断面図である。
【図３７】第５ステップの金属メッキによってピン４７が隆起部５１に立設されて固定された状態を示す断面図である。
【図３８】図３７に示されるメッキ金属７５の余分な部分と薄いメッキ層７６，７７を除去する第６ステップを示す断面図である。
【図３９】金型４４を含むトランスファ成形用の全体の金型装置８１を示す断面図である。
【図４０】図３９に示される金型装置８１を用いてトランスファ成形する状態を示す断面図である。
【図４１】成形後のパッケージ本体２２を示す断面図である。
【図４２】パッケージ本体２２の透孔４５を含む全ての表面に無電解銅メッキ処理を施した状態を示す断面図である。
【図４３】図４２に示される金属メッキ層９１を有するパッケージ本体２２の前記金属メッキ層９１を選択的に除去した状態を示す断面図である。
【図４４】スルーホール２３、バンプ２４および配線パターン４２がパッケージ本体２２に形成されたパッケージ２５を示す断面図である。
【図４５】図４４における金型２５の取付面３６付近の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００９３】
４７  ピン
４９  基端部
５２  軸部
１０１  スタンパ
１０２  受け溝
１０３，１０４  受け面
１０５  底面
１０６  表面
１０７  棒状体
１１３  軸線
１１７  フィルム
１２１  保持体
１２３，１２４  被覆部
１２５  頂部
１２７  レーザ光
１３１〜１３４  表面
１３８，１３９  切断位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図２０】
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