(57)【要約】【課題】  トレンチの深さを深くしてもオープン不良の発生を防止できるトレンチキャパシタを備えた半導体装置を実現すること。【解決手段】  トレンチキャパシタは、第１のトレンチ側面６、第１のトレンチ側面６よりも深い領域に設けられ、かつ、第１のトレンチ側面６と連通する第２のトレンチ側面７および第２のトレンチ側面７よりも深い領域に設けられ、かつ、第２のトレンチ側面７と連通する第３のトレンチ側面８を含むトレンチ側面によって規定されるトレンチ５を含み、第１および第２のトレンチ側面６，７によって規定される部分のトレンチ５が深さ方向に先細りとなり、かつ、第１のトレンチ側面６が第２のトレンチ側面７よりも緩やかなテーパ角を有する。【選択図】      図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板内に設けられたトレンチキャパシタとを具備してなる半導体装置であって、前記トレンチキャパシタは、第１のトレンチ側面、該第１のトレンチ側面よりも深い領域に設けられ、かつ、前記第１のトレンチ側面と連通する第２のトレンチ側面、および前記第２のトレンチ側面よりも深い領域に設けられ、かつ、前記第２のトレンチ側面と連通する第３のトレンチ側面を含むトレンチ側面によって規定されるトレンチを含み、前記第１および第２のトレンチ側面によって規定される部分の前記トレンチは深さ方向に先細りとなり、かつ、前記第１のトレンチ側面は前記第２のトレンチ側面よりも緩やかなテーパー角を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１のトレンチ側面のテーパー角は８９．５°以上、前記第１のトレンチ側面で規定される部分の前記トレンチの深さは０．４μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２のトレンチ側面のテーパー角は８９．２°以下、前記第２のトレンチ側面で規定される部分の前記トレンチの深さは０．５μｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第３のトレンチ側面で規定される部分の前記トレンチの深さは、前記第１および第２のトレンチ側面で規定される部分の前記トレンチの深さよりも深いことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第３のトレンチ側面は、垂直もしくはオーバーハング形状を有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記トレンチの開口面から、前記第１のトレンチ側面を越えて、前記第２のトレンチ側面の途中までまたがるトレンチ側面上に設けられた絶縁膜と、該トレンチ側面で規定される部分の前記トレンチ内を前記絶縁膜を介して埋め込む導電膜とをさらに備えていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板内にトレンチキャパシタを形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法であって、
前記トレンチキャパシタを形成する工程は、第１のトレンチ側面、該第１のトレンチ側面よりも深い領域に設けられ、かつ、前記第１のトレンチ側面と連通する第２のトレンチ側面、および前記第２のトレンチ側面よりも深い領域に設けられ、かつ、前記第２のトレンチ側面と連通する第３のトレンチ側面を含むトレンチ側面によって規定されるトレンチを形成する工程を含み、
かつ、前記第１および第２のトレンチ側面によって規定される部分の前記トレンチが深さ方向に先細りとなり、かつ、前記第１のトレンチ側面が前記第２のトレンチ側面よりも緩やかなテーパ角を有するように、前記トレンチを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１および第２のトレンチ側面を形成する工程は、ＨＢｒとＮＦ3 とＯ2 の混合ガス、ＨＢｒとＳＦ6 とＯ2 の混合ガス、またはＨＢｒとＣｌ2 とＯ2 の混合ガスを用いて、前記半導体基板の表面をエッチングする工程を有し、かつ、前記第１および第２のトレンチ側面を形成する工程で、エッチング条件を変えることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１および第２のトレンチ側面を形成する工程において、前記第２のトレンチ側面の形成時の圧力を前記第１のトレンチ側面の形成時の圧力よりも高くする、前記第２のトレンチ側面７の形成時の総流量を前記第１のトレンチ側面の形成時の総流量よりも少なくする、または前記第２のトレンチ側面の形成時の前記混合ガス中のＯ／Ｆ比を、前記第１のトレンチ側面の形成時のＯ／Ｆ比よりも大きくすることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法
【請求項１０】
前記トレンチキャパシタを形成する工程は、
前記トレンチ内を第１の導電膜で埋め込む工程と、
前記トレンチの開口面から、前記第１のトレンチ側面を越えて、前記第２のトレンチ側面の途中までまたがる領域内の前記第１の導電膜を除去する工程と、
前記第１の導電膜を除去して生じた前記トレンチの開口部の側面上に絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の導電膜を除去して生じた前記トレンチの開口部内を前記絶縁膜を介して第２の導電膜で埋め込む工程と
を有することを特徴する請求項７ないし９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トレンチキャパシタを備えた半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図９−図１２は、従来のトレンチキャパシタの製造プロセスを示す断面図である。まず、図９に示すように、シリコン基板７１上にシリコン酸化膜７２、シリコン窒化膜７３、シリコン酸化膜７４が順次形成される。
【０００３】
次に、図１０に示すように、フォトリソグラフィプロセスおよびドライエッチングプロセスを用いて、シリコン酸化膜７２、シリコン窒化膜７３およびシリコン酸化膜７４が加工され、トレンチパターン７２−７４が形成される。その後、トレンチパターン７２−７４をマスクにして、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）プロセスにより、シリコン基板７１がエッチングされ、第１のトレンチ側面７５および第２のトレンチ側面７６で規定されるトレンチ７７が形成される。
【０００４】
第１のトレンチ側面７５のテーパー角Ａ１は８８．９°、第１のトレンチ側面７５で規定される部分のトレンチ７７の深さは１．３μｍである。第２のトレンチ側面７６は垂直もしくオーバーハング形状を有する。第２のトレンチ側面７６で規定される部分のトレンチ７７の深さは、第１のトレンチ側面７５で規定される部分のトレンチ７７の深さよりも深い。
【０００５】
以下、第１のトレンチ側面７５で規定される部分のトレンチ７７を第１のトレンチ、第２のトレンチ側面７６で規定される部分のトレンチ７７を第２のトレンチという。
【０００６】
次に、図１１に示すように、周知の方法によりキャパシタ電極としての不純物拡散領域７８が、第２のトレンチの周囲のシリコン基板７１内に形成され、その後、シリコン酸化膜７４がウエットプロセスにより除去される。次に、トレンチ７７の側面表面にキャパシタ絶縁膜７９が熱酸化プロセスにより形成され、その後、トレンチ７７内が埋め込まれるように第１のアモルファスシリコン膜８０が堆積され、続いて、トレンチ７７の開口面から下に１．１μｍ程度までの領域内の第１のアモルファスシリコン膜８０およびキャパシタ絶縁膜７９がＲＩＥプロセスにより除去される。
【０００７】
次に、図１２に示すように、第１のアモルファスシリコン膜８０およびキャパシタ絶縁膜７９が除去された生じたトレンチ７７の内面（側面および底面）上にシリコン酸化膜８１が堆積され、その後、第１のトレンチの底面上のシリコン酸化膜８１がＲＩＥプロセスにより除去され、そして、トレンチ７７内が第２のアモルファスシリコン膜８２により埋め込まれて、トレンチキャパシタが得られる。
【０００８】
しかしながら、上述した従来のトレンチキャパシタプロセスには以下のような問題がある。半導体素子の微細化に伴い、第１のトレンチの口径が小さくなるため、第２のトレンチの深さを深くすることが困難になる。その結果、必要な電荷量を確保できる程度の深さのトレンチ７７を有するトレンチキャパシタの実現が困難になる。
【０００９】
第２のトレンチの深さを深くする方法の一つとして、第１のトレンチのテーパー角Ａ１を大きくすることが考えられる（例えば特許文献１）。テーパー角Ａ１を大きくすると、図１３に示すように、第１のトレンチ内の第１のアモルファスシリコン膜８０中にボイド８３が生じる。そのため、図１１の工程後の第１のアモルファスシリコン膜８０の表面には、図１４に示すように、Ｖ字形状の溝８４が生じる。
【００１０】
このようなＶ字形状の溝８４が生じると、図１２の工程で、第１のトレンチ底面上のシリコン酸化膜８１がＲＩＥプロセスにより除去されず、Ｖ字形状の溝８４内にシリコン酸化膜８１が残る。その結果、図１５に示すように、第１のアモルファスシリコン膜８０と第２のアモルファスシリコン膜８２との間にシリコン酸化膜８１が残存し、オープン不良が生じる。
【特許文献１】米国特許４，７８４，７２０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述の如く、従来の深いトレンチを有するトレンチキャパシタの製造プロセスでは、テーパー形状の第１のトレンチとその下の垂直もしくはオーバーハング形状の第２のトレンチとの間にシリコン酸化膜が残存し、オープン不良が生じるという問題があった。
【００１２】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、トレンチの深さを深くしても、オープン不良の発生を防止できるトレンチキャパシタを備えた半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１４】
すなわち、上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板内に設けられたトレンチキャパシタとを具備してなる半導体装置であって、前記トレンチキャパシタは、第１のトレンチ側面、該第１のトレンチ側面よりも深い領域に設けられ、かつ、前記第１のトレンチ側面と連通する第２のトレンチ側面、および前記第２のトレンチ側面よりも深い領域に設けられ、かつ、前記第２のトレンチ側面と連通する第３のトレンチ側面を含むトレンチ側面によって規定されるトレンチを含み、前記第１および第２のトレンチ側面によって規定される部分の前記トレンチは深さ方向に先細りとなり、かつ、前記第１のトレンチ側面は前記第２のトレンチ側面よりも緩やかなテーパー角を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板を用意する工程と、前記半導体基板内にトレンチキャパシタを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記トレンチキャパシタを形成する工程は、第１のトレンチ側面、該第１のトレンチ側面よりも深い領域に設けられ、かつ、前記第１のトレンチ側面と連通する第２のトレンチ側面、および前記第２のトレンチ側面よりも深い領域に設けられ、かつ、前記第２のトレンチ側面と連通する第３のトレンチ側面を含むトレンチ側面によって規定されるトレンチを形成する工程を含み、かつ、前記第１および第２のトレンチ側面によって規定される部分の前記トレンチが深さ方向に先細りとなり、かつ、前記第１のトレンチ側面が前記第２のトレンチ側面よりも緩やかなテーパー角を有するように、前記トレンチを形成することを特徴とする。
【００１６】
本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明らかになるであろう。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、トレンチの深さを深くしても、オープン不良の発生を防止できるトレンチキャパシタを備えた半導体装置およびその製造方法を実現できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００１９】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００２０】
図１−図８は、本発明の一実施形態に係るトレンチキャパシタを備えた半導体装置の製造プロセスを示す断面図である。上記トレンチキャパシタは、例えばＤＲＡＭのメモリセルを構成するものである。
【００２１】
まず、図１に示すように、シリコン基板１上にシリコン酸化膜(SiO2 膜)２、シリコン窒化膜(Si3 N4 膜)３、シリコン酸化膜(SiO2 膜)４が順次形成される。シリコン酸化膜２は例えば熱酸化法により形成される。シリコン酸化膜２の膜厚は例えば６ｎｍである。シリコン窒化膜３およびシリコン酸化膜４は例えばＣＶＤプロセスにより形成される。シリコン窒化膜３の膜厚は例えば２２０ｎｍ、シリコン酸化膜４の膜厚は例えば１．４μｍである。
【００２２】
次に、図２に示すように、フォトリソグラフィプロセスおよびドライエッチングプロセスを用いて、シリコン酸化膜２、シリコン窒化膜３およびシリコン酸化膜４が加工され、トレンチパターン２−４が形成される。このとき、トレンチ形成領域のシリコン基板１の表面が露出される。
【００２３】
次に、図３に示すように、トレンチパターン２−４をマスクにして、ＲＩＥプロセスにより、シリコン基板１がエッチングされ、トレンチ側面のテーパー角が２段階に変化する順テーパー形状を有するトレンチ５が形成される。
【００２４】
この段階では、トレンチ５は、第１のトレンチ側面６と第２のトレンチ側面７とで規定される。図３に示すように、第１のトレンチ側面６のテーパー角をＡ１、第１のトレンチ側面６で規定される部分のトレンチ５の深さをＤ１、第２のトレンチ側面７のテーパー角をＡ２（＜Ａ１）、第２のトレンチ側面７で規定される部分のトレンチ５の深さをＤ２と表記する。
【００２５】
このようなトレンチ５は、第１のトレンチ側面６を形成する時のエッチング条件と、第２のトレンチ側面７を形成する時のエッチング条件とを変えることで実現できる。
【００２６】
例えば、第２のトレンチ側面７の形成時の圧力を第１のトレンチ側面６の形成時の圧力よりも高くする、または第２のトレンチ側面７の形成時の総流量を第１のトレンチ側面６の形成時の総流量よりも少なくすることなどがあげられる。また、エッチングガスとして、Ｏ(酸素)とＦ(フッ素)を含む混合ガスを使用した場合、第２のトレンチ側面７の形成時のＯ／Ｆ比を、第１のトレンチ側面６の形成時のＯ／Ｆ比よりも大きくすることがあげられる。
【００２７】
具体的には、エッチングガスがＨＢｒ／ＮＦ3 ／Ｏ2 の混合ガスの場合、第１のトレンチ側面６は、１２５ｍＴ、ＨＢｒ／ＮＦ3 ／Ｏ2 ＝２３０／３５／１２
７００Ｗｈ／４５０Ｗｌ、２７ｓｅｃ．のエッチング条件で形成され、第２のトレンチ側面７は、１２５ｍＴ、ＨＢｒ／ＮＦ3 ／Ｏ2 ＝２３０／３５／２０、７００Ｗｈ／４５０Ｗｌ、３６ｓｅｃ．のエッチング条件で形成される。
【００２８】
また、エッチングガスがＨＢｒ／ＳＦ6 ／Ｏ2 の混合ガスの場合、第１のトレンチ側面６は、１２５ｍＴ、ＨＢｒ／ＳＦ6 ／Ｏ2 ＝２３０／１５／１２、７００Ｗｈ／４５０Ｗｌ、２７ｓｅｃ．のエッチング条件で形成され、第２のトレンチ側面７は、１２５ｍＴ、ＨＢｒ／ＳＦ6 ／Ｏ2 ＝２３０／１５／２０、７００Ｗｈ／４５０Ｗｌ、３６ｓｅｃ．のエッチング条件で形成される。
【００２９】
また、エッチングガスが、ＨＢｒ／Ｃｌ2 ／Ｏ2 の混合ガスの場合、第１のトレンチ側面６は、１２５ｍＴ、ＨＢｒ／Ｃｌ2 ／Ｏ2 ＝２３０／３５／３、７００Ｗｈ／４５０Ｗｌ、２７ｓｅｃ．のエッチング条件で形成され、第２のトレンチ側面７は、１２５ｍＴ、ＨＢｒ／Ｃｌ2 ／Ｏ2 ＝２３０／３５／５、７００Ｗｈ／４５０Ｗｌ、３６ｓｅｃ．のエッチング条件で形成される。
【００３０】
テーパー角Ａ１は８９．５°以上、深さＤ１は０．４μｍ以上とする。その理由は、第一のトレンチのテーパー角を立て、第二のトレンチのテーパー角を従来通りとしているため第一のトレンチのテーパー角、深さがこの値より小さい値であると第一のトレンチのテーパー角を立てた部分のメリットが小さくトレンチ深さを深くできないためである。
【００３１】
テーパー角Ａ２は８９．２°以下、深さＤ２は０．５μｍ以上とする。その理由は、第一のトレンチ部分の埋め込み性悪化起因によるＶ字を改善するために第二のトレンチにおいて埋め込み性が良好な部分がこの値以上ない場合、Ｖ字を改善することができなくなりデバイス上の不良が発生するためである。
【００３２】
次に、図４に示すように、トレンチパターン２−４をマスクにしてシリコン基板１がさらにエッチングされ、トレンチ５の底（底面）がさらに深くなる。このときのエッチングで形成された第３のトレンチ側面８は垂直もしくはオーバーハング形状を有する。第３のトレンチ側面８で規定される部分のトレンチ５の深さＤ３は、第１および第２のトレンチ側面６，７で規定される部分のトレンチ５の深さ（Ｄ１＋Ｄ２）よりも深い。
【００３３】
次に、図５に示すように、周知の方法により、第１のキャパシタ電極としての不純物拡散領域９が、第３のトレンチ側面の周囲のシリコン基板１内に形成される。Ｄ１＋Ｄ２が１．４μｍの場合、トレンチ５の開口面から２．０μｍ下の第３のトレンチ側面８の周辺に不純物拡散領域９が形成される。
【００３４】
次に、図５に示すように、シリコン酸化膜４が除去され、その後、トレンチ５の内面表面にキャパシタ絶縁膜１０が形成され、続いて、トレンチ５内に第２のキャパシタ電極としてのドーパントを含む第１のアモルファスシリコン膜１１が埋め込まれる。
【００３５】
このとき、第１のトレンチ側面６で規定される部分のトレンチ５内の第１のアモルファスシリコン膜１１内にはシーム１２が生じる。シーム１２は、第２のトレンチ側面７で規定される部分のトレンチ５内には生じない。その理由は、上記のようにＡ１，Ｄ１，Ａ２，Ｄ２が選ばれているからである。
【００３６】
次に、図６および図７に示すように、トレンチ５の開口面から、第１のトレンチ側面６を越えて、第２のトレンチ側面７の途中までまたがる領域内の第１のアモルファスシリコン膜１１およびキャパシタ絶縁膜１０が除去される。
【００３７】
このとき、図６に示すように、第１のトレンチ側面６で規定される部分のトレンチ５内の第１のアモルファスシリコン膜１１のエッチング工程中には、第１のアモルファスシリコン膜１１の表面には、Ｖ字形状の溝１３が生じる。
【００３８】
しかし、第２のトレンチ側面７で規定される部分のトレンチ５内の第１のアモルファスシリコン膜１１のエッチング工程中においては、第１のアモルファスシリコン膜１１の表面が平坦化され、Ｖ字形状の溝１３は消滅する。
【００３９】
次に、図８に示すように、第１のアモルファスシリコン膜１１およびキャパシタ絶縁膜１０が除去されて生じたトレンチ５の開口部の側面および底面上にシリコン酸化膜等の絶縁膜１４が形成され、その後、トレンチ５の開口部の底面上の絶縁膜１４がＲＩＥプロセスにより除去され、そして、トレンチ５内の開口部内が絶縁膜１４を介してドーパントを含む第２のアモルファスシリコン膜１５により埋め込まれる。
【００４０】
このとき、第１のアモルファスシリコン膜１１の表面には、Ｖ字形状の溝がないので、第１のアモルファスシリコン膜１１と第２のアモルファスシリコン膜１５２との界面に絶縁膜１４は残らない。したがって、オープン不良は生じない。
【００４１】
以上の工程を経て、第１のトレンチ側面６、第１のトレンチ側面６よりも深い領域に設けられ、かつ、第１のトレンチ側面６と連通する第２のトレンチ側面７および第２のトレンチ側面７よりも深い領域に設けられ、かつ、第２のトレンチ側面７と連通する第３のトレンチ側面８を含むトレンチ側面によって規定されるトレンチ５を含み、第１および第２のトレンチ側面６，７によって規定される部分のトレンチ５が深さ方向に先細りとなり、かつ、第１のトレンチ側面６が第２のトレンチ側面７よりも緩やかなテーパ角を有するトレンチキャパシタが得られる。なお、第１および第２のアモルファスシリコン膜１１，１５は、周知の後工程の熱処理により、多結晶シリコン膜となる。
【００４２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、半導体基板として、シリコン基板を使用した場合について説明したが、ＳＯＩ基板、歪みシリコン領域を含む基板、シリコンゲルマニウム領域を含む基板などの半導体基板を使用することが可能である。
【００４３】
さらに、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００４４】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態に係るトレンチキャパシタを備えた半導体装置の製造プロセスを示す断面図。
【図２】図１に続く同実施形態に係るトレンチキャパシタを備えた半導体装置の製造プロセスを示す断面図。
【図３】図２に続く同実施形態に係るトレンチキャパシタを備えた半導体装置の製造プロセスを示す断面図。
【図４】図３に続く同実施形態に係るトレンチキャパシタを備えた半導体装置の製造プロセスを示す断面図。
【図５】図４に続く同実施形態に係るトレンチキャパシタを備えた半導体装置の製造プロセスを示す断面図。
【図６】図５に続く同実施形態に係るトレンチキャパシタを備えた半導体装置の製造プロセスを示す断面図。
【図７】図６に続く同実施形態に係るトレンチキャパシタを備えた半導体装置の製造プロセスを示す断面図。
【図８】図７に続く同実施形態に係るトレンチキャパシタを備えた半導体装置の製造プロセスを示す断面図。
【図９】従来のトレンチキャパシタの製造プロセスを示す断面図。
【図１０】図９に続く従来のトレンチキャパシタの製造プロセスを示す断面図。
【図１１】図１０に続く従来のトレンチキャパシタの製造プロセスを示す断面図。
【図１２】図１１に続く従来のトレンチキャパシタの製造プロセスを示す断面図。
【図１３】従来の他のトレンチキャパシタの製造プロセスを示す断面図。
【図１４】図１３に続く従来の他のトレンチキャパシタの製造プロセスを示す断面図。
【図１５】図１４に続く従来の他のトレンチキャパシタの製造プロセスを示す断面図。
【符号の説明】
【００４６】
１…シリコン基板、２…シリコン酸化膜、３…シリコン窒化膜、４…シリコン酸化膜、５…トレンチ、６…第１のトレンチ側面、７…第２のトレンチ側面、８…第３のトレンチ側面、９…不純物拡散領域、１０…キャパシタ絶縁膜、１１…ドーパントを含む第１のアモルファスシリコン膜（第１の導電膜）、１２…シーム、１３…Ｖ字形状の溝、１４…絶縁膜、１５…ドーパントを含む第２のアモルファスシリコン膜（第２の導電膜）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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