(57)【要約】【課題】  液滴吐出方式を用いて、平面略ベタ状の薄膜パターンを高精度に且つ簡便に形成することができるパターン形成方法、回路基板および電子機器を提供する。【解決手段】  パターン形成領域と他の領域との境界の少なくとも一部に、液滴吐出方式を用いて液状体を液滴として塗布することで隔壁６０を設けることを特徴とする。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形成領域と他の領域との境界の少なくとも一部に、液滴吐出方式を用いて液滴を塗布することで隔壁を設けることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記境界の少なくとも一部に、複数の液滴について相互に間隔を持たせて前記液滴吐出方式により塗布する第１塗布と、
前記第１塗布の後、前記間隔に、液滴を前記液滴吐出方式により塗布する第２塗布とを少なくとも行うことにより、
ライン形状の前記隔壁を形成することを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記第１塗布で塗布された液滴の少なくとも表面が硬化した後に、前記第２塗布を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記第１塗布で塗布された液滴と、前記第２塗布で塗布された液滴とは、重なり部分を有することを特徴とする請求項２又は３に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記パターン形成領域には、薄膜が形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記平面略ベタ状の薄膜は、前記隔壁をなす液滴の少なくとも表面が硬化した後に、形成されることを特徴とする請求項５に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記境界は、前記パターン形成領域を含む被パターン形成面に設けられたスルーホールと該被パターン形成面との境界部位であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記パターン形成領域は、角部を有し、
前記境界の少なくとも一部は、前記角部であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記隔壁を設ける前に、該隔壁を設ける部位を含む領域について、撥液処理又は親液処理を施すことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記隔壁を設ける前に、該隔壁を設ける部位と該部位の近傍とについて、撥液処理を施すことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
前記パターン形成領域に薄膜を形成する前に、該パターン形成領域について、親液処理又は撥液処理を施すことを特徴とする請求項５から１０のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項１２】
前記パターン形成領域に薄膜を形成する前に、該パターン形成領域における前記境界近傍以外の領域について、親液処理を施すことを特徴とする請求項５から１０のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項１３】
前記パターン形成領域は、テープ形状基板からなるものであって該テープ形状基板の両端部位がそれぞれ巻き取られてなる基板に設けられることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項に記載のパターン形成方法を用いて形成されたパターンを有することを特徴とする回路基板。
【請求項１５】
請求項１から１３のいずれか一項に記載のパターン形成方法を用いて製造されたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法、回路基板および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子回路又は集積回路などに使われる配線又は絶縁膜などの製造には、例えば、リソグラフィー法が用いられている。リソグラフィー法は、真空装置などの大がかりな設備と複雑な工程を必要とする。また、リソグラフィー法は、材料使用効率も数％程度であり、その材料のほとんどを廃棄せざるを得ず、製造コストが高い。そこで、リソグラフィー法に代わるプロセスとして、機能性材料を含む液体をインクジェットにより基材に直接パターニングする方法（液滴吐出方式）が検討されている。例えば、導電性微粒子を分散させた液体を液滴吐出方式にて基板に直接パターン塗布し、その後熱処理およびレーザー照射を行って導電膜パターンに変換する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、従来においては、液滴吐出方式を用いて、配線密度の高い多層配線基板を比較的に容易に形成することを可能とする多層配線の形成方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】米国特許５１３２２４８号明細書
【特許文献２】特開２００３−３１８５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしならが、上記特許文献１に記載されているパターン形成方法および特許文献２に記載されている多層配線の形成方法では、平面略ベタ状の薄膜パターン形成領域に小径のスルーホール形成することが困難である。すなわち、平面略ベタ状の薄膜パターンを形成するためには薄膜パターン形成領域に液状体を塗布する必要がある。そして、先ず、薄膜パターン形成領域にスルーホール用の小径の穴を開け、次いで、その薄膜パターン形成領域に液状体を塗布すると、その穴の中にまで液状体が流れ込み、その穴を液状体で塞いでしまう。これにより、従来においては、平面略ベタ状の薄膜パターン内に、スルーホールを簡便に形成することができない。
【０００５】
また、平面略ベタ状の薄膜パターン形成領域に角部がある場合、薄膜パターン形成領域内に液状体を塗布しても、その角部にまで液状体を濡れ広げることは困難である。これにより、従来においては、微細な角部を有する平面略ベタ状の薄膜パターンを簡便に形成することができない。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、液滴吐出方式を用いて、簡便に所望形状の薄膜パターンを形成することができるパターン形成方法、回路基板および電子機器を提供することを目的とする。
また、本発明は、液滴吐出方式を用いて、平面略ベタ状の薄膜パターンを高精度に且つ簡便に形成することができるパターン形成方法、回路基板および電子機器を提供することを目的とする。
また、本発明は、液滴吐出方式を用いて、平面略ベタ状の薄膜パターン内にスルーホールを、高精度に且つ簡便に形成することができるパターン形成方法、回路基板および電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明のパターン形成方法は、パターン形成領域と他の領域との境界の少なくとも一部に、液滴吐出方式を用いて液状体を液滴として塗布することで隔壁を設けることを特徴とする。
本発明によれば、液状体を液滴として吐出する液滴吐出方式を用いて隔壁を設ける。したがって、例えば、その隔壁が堤防となり、パターン形成領域に塗布された液状体がその領域から外に出ることを隔壁が防ぐことができる。そこで、本発明によれば、液状体などを用いた薄膜パターンを高精度な形状に形成することができる。また、本発明によれば、液滴吐出方式により、任意の形状の堤防を低コストでかつ精密に形成できるので、高精度な薄膜パターンを低コストで形成することができる。
【０００８】
また、本発明のパターン形成方法は、前記境界の少なくとも一部に、複数の液滴について相互に間隔を持たせて前記液滴吐出方式により塗布する第１塗布と、前記第１塗布の後、前記間隔に、液滴を前記液滴吐出方式により塗布する第２塗布とを少なくとも行うことにより、ライン形状の前記隔壁を形成することが好ましい。ここで、第２塗布をした後に各液滴間にさらに液滴を塗布する第３塗布、第４塗布…をしてもよい。
本発明によれば、フォトリソグラフィー法におけるマスクなどを用いることなく、直線又は曲線からなる任意のライン形状の隔壁を簡便に形成することができる。
【０００９】
また、本発明のパターン形成方法は、前記第１塗布で塗布された液滴がなす薄膜の少なくとも表面が硬化した後に、前記第２塗布を行うことが好ましい。また、本発明のパターン形成方法は、前記第１塗布で塗布された液滴がなす薄膜と、前記第２塗布で塗布された液滴がなす薄膜とが、重なり部分を有することが好ましい。
本発明によれば、第１塗布の液滴と第２塗布の液滴とが一部重なったとき、第２塗布の液滴が第１塗布の液滴に引き寄せられて、塗布位置がずれることなどを回避でき、高精度な形状の薄膜を形成することができる。また、本発明によれば、第１塗布の液滴による薄膜の上層に第２塗布の液滴による薄膜を形成することができ、容易に膜厚を大きくすることができ、隔壁を容易に高くすることができる。
【００１０】
また、本発明のパターン形成方法は、前記パターン形成領域に、平面略ベタ状の薄膜が形成されることが好ましい。また、本発明のパターン形成方法は、前記平面略ベタ状の薄膜が、前記隔壁をなす液滴の少なくとも表面が硬化した後に、形成されることが好ましい。
本発明によれば、例えば、パターン形成領域内に比較的大量の液状体を充填した場合でも、その大量の液状体がパターン形成領域から外に流出することを、隔壁によって防ぐことができる。したがって、本発明によれば、平面略ベタ状の薄膜パターンを高精度な形状に且つ低コストで形成することができる。
【００１１】
また、本発明のパターン形成方法は、前記境界が、前記パターン形成領域を含む被パターン形成面に設けられたスルーホールと該被パターン形成面との境界部位であることが好ましい。
本発明によれば、例えば、平面略ベタ状の薄膜パターンを貫通するスルーホールを形成しようとするときに、該薄膜パターンを形成するための液状体がそのスルーホール内に入って、そのスルーホールを埋めてしまうことを、隔壁によって回避することができる。したがって、本発明によれば、所望の薄膜パターンとその薄膜パターンを貫通するスルーホールとを簡便に且つ高精度に形成することができる。そこで、本発明によれば、微細な多層基板などを、高精度に且つ低コストで製造することができる。
【００１２】
また、本発明のパターン形成方法は、前記パターン形成領域が角部を有し、前記境界の少なくとも一部は前記角部であることが好ましい。
本発明によれば、角部に隔壁を配置しているので、パターン形成領域内に液状体を充填することで、簡便にその角部の頂点まで液状体を濡れ広がせることができる。一方、角部の境界に隔壁を設けない場合、パターン形成領域内に充填された液状体を角部の頂点にまで濡れ広がせることは困難である。本発明によれば、薄膜パターンの角部を、高精度に且つ低コストで製造することができる。
【００１３】
また、本発明のパターン形成方法は、前記隔壁を設ける前に、該隔壁を設ける部位を含む領域について、撥液処理又は親液処理を施すことが好ましい。
本発明によれば、隔壁を設ける部位および／又はその周辺について、撥液処理又は親液処理を施すことで、その隔壁を高精度に形成することができる。したがって、本発明によれば、より高精度な薄膜パターンを形成することができる。
【００１４】
また、本発明のパターン形成方法は、前記隔壁を設ける前に、該隔壁を設ける部位と該部位の近傍とについて、撥液処理を施すことが好ましい。
本発明によれば、隔壁を設ける部位に滴下された液滴が濡れ広がることを抑えることができる。そこで、本発明は、液滴吐出方式を用いて、高精度な隔壁を低コストで形成することができる。
【００１５】
また、本発明のパターン形成方法は、前記パターン形成領域に平面略ベタ状の薄膜を形成する前に、該パターン形成領域について親液処理又は撥液処理を施すことが好ましい。
本発明によれば、パターン形成領域の親液性又は撥液性を制御するので、パターン形成領域により高精度の薄膜パターンを形成することができる。
【００１６】
また、本発明のパターン形成方法は、前記パターン形成領域に平面略ベタ状の薄膜を形成する前に、該パターン形成領域における前記境界近傍以外の領域について親液処理を施すことが好ましい。
本発明によれば、パターン形成領域内の境界近傍以外については液状体が良好に濡れ広がり、境界近傍について液状体の濡れ広がりを抑える作用がはたらく。そこで、本発明は隔壁の高さを低減でき、パターン形成領域により高精度の薄膜パターンを形成することができる。
【００１７】
また、本発明のパターン形成方法は、前記パターン形成領域が、テープ形状基板からなるものであって該テープ形状基板の両端部位がそれぞれ巻き取られてなるリールツーリール基板に設けられることが好ましい。
本発明によれば、リールツーリール基板に、液滴吐出方式を用いて高精度に薄膜パターンを形成することができる。したがって、本発明は、高精度な薄膜パターンを備えた基板を、より低コストで大量に製造することができる。
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明の回路基板は、前記パターン形成方法を用いて形成されたパターンを有することを特徴とする。
本発明によれば、高精度に形成されたパターンからなる電子回路などを有する回路基板を、低コストで提供することができる。したがって、例えば、従来よりも高密度に集積化された電子回路基板を提供できる。また、本発明は、微細な多層基板を有する回路基板を高精度に且つ低コストで提供することができる。
【００１９】
上記目的を達成するために、本発明の電子機器は、前記パターン形成方法を用いて製造されることを特徴とする。
本発明によれば、薄膜パターンからなる配線又は電子回路などを有してなる基板を備える電子機器を低コストで提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態に係るパターン形成方法について図面を参照して説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るパターン形成方法を示す模式平面図である。図２は、図１（ｄ）の位置ＸＸ’についての断面図である。図３は、図１（ｄ）についての基板全体を示す図である。本実施形態の基板８０は、本発明に係る回路基板の一例である。本実施形態では、基板８０に一方面全体に平面略ベタ状の薄膜７０を設けるとともに、その薄膜７０を貫通するように、スルーホールを設ける場合を例に挙げて説明する。
【００２１】
先ず、図１（ａ）に示すように、基板８０のパターン形成領域において、スルーホールをなすこととなる孔５０を形成する。このパターン形成領域は、後の工程において、全体的に平面略ベタ状の薄膜が作成される領域である。次いで、パターン形成領域における孔５０の周囲に、一定間隔で複数の液滴６１として滴下して塗布する（第１塗布）。この液滴６１の塗布は、液滴吐出装置のインクジェットノズルから液状体を液滴として吐出する液滴吐出方式を用いる。
【００２２】
次いで、図１（ｂ）に示すように、基板８０上の各液滴６１の間それぞれに、液滴６２を液滴吐出方式で塗布する（第２塗布）。
次いで、図１（ｃ）に示すように、基板８０上の液滴６１と液滴６２との間それぞれに、液滴６３を液滴吐出方式で塗布する（第３塗布）。そして、液滴６１，６２，６３を硬化させる。これにより、基板８０上の孔５０の周囲に、リング形状の隔壁６０が形成される。換言すれば、基板８０上のパターン形成領域と他の領域（孔５０）との境界に、隔壁６０が形成される。
【００２３】
次いで、図１（ｄ）および図２に示すように、基板８０上のパターン形成領域の全体に平面略ベタ状の薄膜７０を形成する。この薄膜７０と隔壁６０との間には、一定の間隔ｄがあることが好ましい。
【００２４】
これらにより、本実施形態によれば、液滴吐出方式を用いて隔壁６０を設けることができる。したがって、隔壁６０が堤防となり、パターン形成領域に塗布された液状体がその領域から孔５０に侵入することを防ぐことができる。そこで、本実施形態によれば、平面略ベタ状の薄膜が作成されるパターン形成領域にスルーホールを配置する場合に、そのスルーホールが平面略ベタ状の薄膜を形成するための液状体で埋まってしまうことを回避することができる。
そして、例えば、平面略ベタ状の薄膜７０を絶縁層として、孔５０でスルーホールを形成して、図２などに示す基板８０を複数枚積層することで、多層基板（本発明に係る回路基板の一つ）を構成することができる。したがって、本実施形態によれば、微細な多層基板を有する回路基板を高精度に且つ低コストで提供することができる。
【００２５】
また、本実施形態においては、液滴６１および／又は液滴６２と液滴６３とが重なり部分を有することが好ましい。このようにすると、隙間のない堤防をなす隔壁６０を形成することができる。このように重なり部分を持たせた場合、第１塗布および第２塗布で塗布された液滴６１，６２の少なくとも表面が硬化した後に、第３塗布で液滴６３を塗布することが好ましい。このようにすると、第３塗布の液滴６３が第１又は第２塗布の硬化していない液滴６１，６２に引き寄せられて、塗布位置がずれることなどを回避でき、高精度な形状の薄膜を形成することができる。また、第１および第２塗布の液滴６１，６２による薄膜の上層に第３塗布の液滴６３による薄膜を形成することができ、容易に膜厚を大きくすることができ、隔壁６０を容易に高くすることができる。なお、第１から第３塗布による薄膜の上層に第４以降の塗布による薄膜を設けることで、隔壁６０を高くすることができる。
【００２６】
また、本実施形態において、隔壁６０を設ける前、すなわち液滴６１の滴下前に、その隔壁６０を設ける部位を含む領域について、撥液処理又は親液処理を施すこととしてもよい。すなわち、基板８０上における孔５０の周囲について撥液処理又は親液処理を施す。例えば液滴６１の滴下前に、孔５０の周囲について撥液処理を施す。このようにすれば、隔壁６０を設ける部位に滴下された液滴６１，６２，６３が濡れ広がることを抑えることができる。したがって、液滴吐出方式を用いて、高精度に隔壁６０を形成することができる。
【００２７】
また、本実施形態において、パターン形成領域に平面略ベタ状の薄膜７０を形成する前に、そのパターン形成領域について親液処理又は撥液処理を施すことが好ましい。例えば、パターン形成領域に薄膜７０を形成する前に、そのパターン形成領域における孔５０の近傍以外の領域について親液処理を施す。このようにすると、パターン形成領域の全体について液状体が良好に濡れ広がり、膜厚が均一の良好な平面略ベタ状の薄膜７０を形成することができる。したがって、本実施形態は、隔壁６０の高さを低減しながら、より高精度に薄膜パターンを形成することができる。
【００２８】
図４は、本実施形態の変形例を示す平面図である。図４に示す変形例では、図１の薄膜７０に対応する薄膜７１と隔壁６０との間に間隔を設けない配置としている。すなわち、平面略ベタ状の薄膜７１が隔壁６０の側面に到るまで形成している。その他は、図１から図３に示すパターン形成方法と同一である。
【００２９】
（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態に係るパターン形成方法を示す模式平面図である。本実施形態では、パターン形成領域が角部を有し、その角部の外縁に隔壁６０’を設ける。隔壁６０’は、第１実施形態の隔壁６０に相当するものであり、その製法も隔壁６０と同じである。
【００３０】
本実施形態によれば、パターン形成領域の角部に隔壁６０’を配置しているので、パターン形成領域内に液状体を充填することで、簡便にその角部の頂点まで液状体を濡れ広がせることができる。したがって、本実施形態によれば、角部を有する平面略ベタ状の薄膜７２を、高精度に且つ低コストで製造することができる。
【００３１】
（液滴吐出装置）
図６は、上記実施形態のパターン形成方法で用いられる液滴吐出装置の一例を示す斜視図である。本液滴吐出装置２０はテープ形状基板１１に液滴を吐出するものである。テープ形状基板１１は、上記実施形態の基板８０の一例であり、そのテープ形状の両端部位がそれぞれ巻き取られてリールツーリール基板をなすものである。
【００３２】
液滴吐出装置２０は、インクジェットヘッド群（吐出ヘッド）１と、インクジェットヘッド群１をＸ方向に駆動するためのＸ方向ガイド軸（ガイド）２と、Ｘ方向ガイド軸２を回転させるＸ方向駆動モータ３とを備えている。また、液滴吐出装置２０は、テープ形状基板１１を載置するための載置台４と、載置台４をＹ方向に駆動するためのＹ方向ガイド軸５と、Ｙ方向ガイド軸５を回転させるＹ方向駆動モータ６とを備えている。また、液滴吐出装置２０は、Ｘ方向ガイド軸２とＹ方向ガイド軸５とが、各々所定の位置に固定される基台７を備え、その基台７の下部に制御装置８を備えている。さらに、液滴吐出装置２０は、クリーニング機構部１４およびヒータ１５とを備えている。
【００３３】
ここで、Ｘ方向ガイド軸２、Ｘ方向駆動モータ３、Ｙ方向ガイド軸５、Ｙ方向駆動モータ６および載置台４は、その載置台４にアライメントされたテープ形状基板１１に対して、インクジェットヘッド群１を相対的に移動させるヘッド移動機構を構成している。またＸ方向ガイド軸２は、インクジェットヘッド群１からの液滴吐出動作時に、テープ形状基板１１の長手方向（Ｙ方向）に対してほぼ直角に交わる方向（Ｘ方向）にインクジェットヘッド群１を移動させるガイドである。
【００３４】
インクジェットヘッド群１は、例えば導電性微粒子を含有する分散液（液状体）をノズル（吐出口）から吐出して所定間隔でテープ形状基板１１に付与する複数のインクジェットヘッドを備えている。そして、これら複数のインクジェットヘッド各々は、制御装置８から出力される吐出電圧に応じて個別に分散液を吐出できるようになっている。インクジェットヘッド群１はＸ方向ガイド軸２に固定され、Ｘ方向ガイド軸２には、Ｘ方向駆動モータ３が接続されている。Ｘ方向駆動モータ３は、ステッピングモータ等であり、制御装置８からＸ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｘ方向ガイド軸２を回転させるようになっている。そして、Ｘ方向ガイド軸２が回転させられると、インクジェットヘッド群１が基台７に対してＸ軸方向に移動するようになっている。
【００３５】
ここで、インクジェットヘッド群１を構成する複数のインクジェットヘッドの詳細について説明する。図７は、インクジェットヘッド３０を示す図であり、図７（ａ）は要部斜視図であり、図７（ｂ）は要部断面図である。図８はインクジェットヘッド３０の底面図である。
インクジェットヘッド３０は、図７（ａ）に示すように例えばステンレス製のノズルプレート３２と振動板３３とを備え、両者を仕切部材（リザーバプレート）３４を介して接合したものである。ノズルプレート３２と振動板３３との間には、仕切部材３４によって複数の空間３５と液溜まり３６とが形成されている。各空間３５と液溜まり３６の内部は液状体で満たされており、各空間３５と液溜まり３６とは供給口３７を介して連通したものとなっている。また、ノズルプレート３２には、空間３５から液状体を噴射するためのノズル孔３８が縦横に整列させられた状態で複数形成されている。一方、振動板３３には、液溜まり３６に液状体を供給するための孔３９が形成されている。
【００３６】
また、振動板３３の空間１５に対向する面と反対側の面上には、図７（ｂ）に示すように圧電素子（ピエゾ素子）４０が接合されている。この圧電素子４０は、一対の電極４１の間に位置し、通電するとこれが外側に突出するようにして撓曲するよう構成されたものである。そして、このような構成のもとに圧電素子４０が接合されている振動板３３は、圧電素子４０と一体になって同時に外側へ撓曲するようになっており、これによって空間３５の容積が増大するようになっている。したがって、空間３５内に増大した容積分に相当する液状体が、液溜まり３６から供給口３７を介して流入する。また、このような状態から圧電素子４０への通電を解除すると、圧電素子４０と振動板３３はともに元の形状に戻る。したがって、空間３５も元の容積に戻ることから、空間３５内部の液状体の圧力が上昇し、ノズル孔３８から基板に向けて液状体の液滴４２が吐出される。
【００３７】
なお、このような構成からなるインクジェットヘッド３０は、その底面形状が略矩形状のもので、図８に示すようにノズルＮ（ノズル孔３８）が縦に等間隔で整列した状態で矩形状に配置されたものである。そして、本例では、その縦方向、すなわち長辺方向に配置されたノズルの列における、各ノズルのうちの１個置きに配置されたノズルを主ノズル（第１のノズル）Ｎａとし、これら主ノズルＮａ間に配置されたノズルを副ノズル（第２のノズル）Ｎｂとしている。
【００３８】
これら各ノズルＮ（ノズルＮａ、Ｎｂ）には、それぞれに独立して圧電素子４０が設けられていることにより、その吐出動作がそれぞれ独立してなされるようになっている。すなわち、このような圧電素子４０に送る電気信号としての吐出波形を制御することにより、各ノズルＮからの液滴の吐出量を調整し、変化させることができるようになっているのである。ここで、このような吐出波形の制御は制御装置８によってなされるようになっており、このような構成のもとに、制御装置８は各ノズルＮからの液滴吐出量を変化させる吐出量調整手段としても機能するようになっている。
なお、インクジェットヘッド３０の方式としては、前記の圧電素子４０を用いたピエゾジェットタイプ以外に限定されることなく、例えばサーマル方式を採用することもでき、その場合には印可時間を変化させることなどにより、液滴吐出量を変化させることができる。
【００３９】
図６に戻り、載置台４は、この液滴吐出装置２０によって分散液を塗布されるテープ形状基板１１を載置させるもので、このテープ形状基板１１を基準位置に固定する機構（アライメント機構）を備えている。載置台４はＹ方向ガイド軸５に固定され、Ｙ方向ガイド軸５には、Ｙ方向駆動モータ６、１６が接続されている。Ｙ方向駆動モータ６、１６は、ステッピングモータ等であり、制御装置８からＹ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｙ方向ガイド軸５を回転させるようになっている。そして、Ｙ方向ガイド軸５が回転させられると、載置台４が基台７に対してＹ軸方向に移動するようになっている。
【００４０】
液滴吐出装置２０は、インクジェットヘッド群１をクリーニングするクリーニング機構部１４を備えている。クリーニング機構部１４は、Ｙ方向の駆動モータ１６によってＹ方向ガイド軸５に沿って移動するようになっている。クリーニング機構部１４の移動も、制御装置８によって制御されている。
【００４１】
次に、液滴吐出装置２０のフラッシングエリア１２ａ，１２ｂについて説明する。液滴吐出装置２０の載置台４には、２つのフラッシングエリア１２ａ，１２ｂが設けられている。フラッシングエリア１２ａ，１２ｂは、テープ形状基板１１の短手方向（Ｘ方向）の両側に配置された領域であって、Ｘ方向ガイド軸２によってインクジェットヘッド群１が移動してくることが可能な領域ある。すなわち、テープ形状基板１１における１つの回路基板に相当する領域である所望領域の両側に、フラッシングエリア１２ａ，１２ｂが配置されている。そして、フラッシングエリア１２ａ，１２ｂはインクジェットヘッド群１から分散液（液状体）が捨て打ちされる領域である。このようにフラッシングエリア１２ａ，１２ｂを配置することで、Ｘ方向ガイド軸２に沿って、インクジェットヘッド群１を迅速にどちらかのフラッシングエリア１２ａ，１２ｂへ移動させることができる。例えば、インクジェットヘッド群１がフラッシングエリア１２ｂの近傍でフラッシングしたい状態となった場合、インクジェットヘッド群１を比較的遠いフラッシングエリア１２ａに移動させることなく、比較的近いフラッシングエリア１２ｂに移動させて、迅速にフラッシングさせることができる。
【００４２】
ヒータ１５は、ここではランプアニールによりテープ形状基板１１を熱処理（乾燥処理又は焼成処理）する手段である。すなわち、ヒータ１５は、テープ形状基板１１上に吐出された液状体の蒸発・乾燥を行うとともに導電膜に変換するための熱処理を行うことができる。このヒータ１５の電源の投入および遮断も制御装置８によって制御されるようになっている。
【００４３】
本実施形態の液滴吐出装置２０において、所定の配線形成領域に分散液を吐出するためには、制御装置８から所定の駆動パルス信号をＸ方向駆動モータ３および／又はＹ方向駆動モータ６とに供給し、インクジェットヘッド群１および／又は載置台４を移動させることにより、インクジェットヘッド群１とテープ形状基板１１（載置台４）とを相対移動させる。そして、この相対移動の間にインクジェットヘッド群１における所定のインクジェットヘッド３０に制御装置８から吐出電圧を供給し、当該インクジェットヘッド３０から分散液を吐出させる。
【００４４】
本実施形態の液滴吐出装置２０において、インクジェットヘッド群１の各インクジェットヘッド３０からの液滴の吐出量は、制御装置８から供給される吐出電圧の大きさによって調整できる。また、テープ形状基板１１に吐出される液滴のピッチは、インクジェットヘッド群１とテープ形状基板１１（載置台４）との相対移動速度およびインクジェットヘッド群１からの吐出周波数（吐出電圧供給の周波数）によって決定される。
【００４５】
本実施形態の液滴吐出装置２０によれば、Ｘ方向ガイド軸２又はＹ方向ガイド軸５に沿ってインクジェットヘッド群１を移動させることで、テープ形状基板１１の所望領域における任意の位置に液滴を着弾させてパターンを形成することができる。すなわち、液滴吐出装置２０は、図１に示す隔壁６０を形成できるとともに、平面略ベタ状の薄膜７０を形成することもできる。そして、１つの所望領域について隔壁６０および薄膜７０を形成した後に、テープ形状基板１１を長手方向（Ｙ方向）にずらすことにより、極めて簡便に他の所望領域について隔壁６０および薄膜７０を形成することができる。そこで、本実施形態は、テープ形状基板１１の各所望領域（各回路基板領域）について、簡便に且つ迅速に、スルーホールなどを有するパターンを精密に形成することができ、多層配線を有する電子回路などについて、効率よく大量に製造することができる。
【００４６】
（多層配線基板の製造方法）
次に、上記実施形態のパターン形成方法を用いて、多層配線基板を形成する方法に付いて説明する。本実施形態ではリールツーリール基板をなすテープ形状基板１１に、導電膜からなる配線層と絶縁層とスルーホールとを有する多層配線基板の製造方法を、一例として挙げて説明する。
【００４７】
図９は本実施形態に係る多層配線基板の製造方法の概要を示す模式図である。本製造方法が適用されるシステムは、テープ形状基板１１が巻かれている第１リール１０１と、第１リール１０１から引き出されたテープ形状基板１１を巻き取る第２リール１０２と、テープ形状基板１１に液滴を吐出する液滴吐出装置２０とを少なくとも有して構成される。
【００４８】
テープ形状基板１１は、例えば帯形状のフレキシブル基板が適用され、ポリイミドなどを基材として構成される。テープ形状基板１１の形状の具体例としては、幅１０５ｍｍ、長さ２００ｍとする。そして、テープ形状基板１１は、その帯形状の両端部位がそれぞれ第１リール１０１と第２リール１０２とに巻き取られてなる「リールツーリール基板」を構成している。すなわち、第１リール１０１から引き出されたテープ形状基板１１は、第２リール１０２に巻き取られ、長手方向に連続的に走行する。この連続的に走行されるテープ形状基板１１に、液滴吐出装置２０が液状体を液滴として吐出してパターン（隔壁６０および薄膜７０）を形成する。
【００４９】
また、本製造方法は、１本のテープ形状基板１１からなるリールツーリール基板に対して、複数の工程をそれぞれ実行する複数の装置を有している。複数の工程としては、例えば洗浄工程Ｓ１、表面処理工程Ｓ２、第１液滴吐出工程Ｓ３、第１硬化工程Ｓ４、第２液滴吐出工程Ｓ５、第２硬化工程Ｓ６および焼成工程Ｓ７が挙げられる。これらの工程により、テープ形状基板１１に配線層および絶縁層などを形成することができる。また、テープ形状基板１１の所望位置には予め孔５０（図１参照）が形成されているものとする。
【００５０】
また、本製造方法では、テープ形状基板１１を長手方向について所定長さに分割して大量の基板形成領域（基板８０に相当）を設定する。そして、テープ形状基板１１を各工程の各装置へ連続的に移動させて、テープ形状基板１１の各基板形成領域に配線層および絶縁層（例えば薄膜７０に相当）などを連続的に形成する。すなわち、複数の工程Ｓ１〜Ｓ７は、流れ作業として実行され、それぞれ同時に、又は時間的に重複して、複数の装置で実行される。
【００５１】
次に、リールツーリール基板であるテープ形状基板１１に対して行われる上記複数の工程について、具体的に説明する。
先ず、第１リール１０１から引き出されたテープ形状基板１１の所望領域は、洗浄工程Ｓ１が実施される（ステップＳ１）。
洗浄工程Ｓ１の具体例としては、テープ形状基板１１に対してのＵＶ（紫外線）照射が挙げられる。また、水などの溶媒でテープ形状基板１１を洗浄してもよい、超音波を用いて洗浄してもよい。また、常圧又は真空中でテープ形状基板１１にプラズマを照射することで洗浄してもよい。
【００５２】
次いで、洗浄工程Ｓ１が実施されたテープ形状基板１１の所望領域に、親液性又は撥液性を与える表面処理工程Ｓ２が実施される（ステップＳ２）。
表面処理工程Ｓ２の具体例について説明する。ステップＳ３の第１液滴吐出工程Ｓ３でテープ形状基板１１に導電性微粒子を含有した液体による導電膜の配線を形成するためには、導電性微粒子を含有した液体に対するテープ形状基板１１の所望領域の表面の濡れ性を制御することが好ましい。以下に、所望の接触角を得るための表面処理方法について説明する。
【００５３】
本実施形態では、導電性微粒子を含有した液体に対する所定の接触角が所望の値となるように、まず、テープ形状基板１１の表面に撥液化処理を施し、更に、その後に撥液状態を緩和させるような親液化処理を施す二段階の表面処理を実施する。
まず、テープ形状基板（基板）１１の表面に撥液化処理を施す方法について説明する。
撥液化処理の方法の一つとしては、基板の表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する方法が挙げられる。基板表面を処理するための有機分子膜は、一端側に基板に結合可能な官能基を有し、他端側に基板の表面を撥液性等に改質する（表面エネルギーを制御する）官能基を有すると共に、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖を備えており、基板に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成するものである。
【００５４】
自己組織化膜とは、基板など下地層等構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、該直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。即ち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性等を付与することができる。
【００５５】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いた場合には、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
【００５６】
自己組織化膜を形成する化合物としては、例えば、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下、「ＦＡＳ」と表記する）を挙げることができる。使用に際しては、一つの化合物を単独で用いるのも好ましいが、２種以上の化合物を組合せて使用しても、本発明の所期の目的を損なわなければ制限されない。また、本実施形態においては、前記の自己組織化膜を形成する化合物として、前記ＦＡＳを用いるのが、基板との密着性および良好な撥液性を付与する上で好ましい。
【００５７】
ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ（４−ｎ）で表される。ここで、ｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子等の加水分解基である。また、Ｒはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）ｙの（ここで、ｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでも良いし、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板（ガラス、シリコン）等の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ３）等のフルオロ基を有するため、基板等の下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
【００５８】
有機分子膜などからなる自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板とを同一の密閉容器中に入れておき、室温の場合は２〜３日程度の間放置すると基板上に形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板上に形成される。以上に述べたのは、気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜は形成可能である。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板を浸積し、洗浄、乾燥することで基板上に自己組織化膜が得られる。
なお、自己組織化膜を形成する前に、ステップＳ１の洗浄工程Ｓ１で基板表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりして、前処理を施すことが望ましい。
【００５９】
撥液化処理の他の方法として、常圧でプラズマ照射する方法が挙げられる。プラズマ処理に用いるガス種は、基板の表面材質等を考慮して種々選択できる。例えば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等のフルオロカーボン系ガスを処理ガスとして使用できる。この場合、基板の表面に、撥液性のフッ化重合膜を形成することができる。
【００６０】
撥液化処理は、所望の撥液性を有するフィルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルム等を基板表面に貼着することによっても行うことができる。なお、ポリイミドフィルムをそのままテープ形状基板１１として用いてもよい。
【００６１】
次に、親液化処理を施す方法について説明する。
上記の撥液化処理が終了した段階の基板表面は、通常所望の撥液性よりも高い撥液性を有するので、親液化処理により撥液性を緩和する。
親液化処理としては、１７０〜４００ｎｍの紫外光を照射する方法が挙げられる。これにより、一旦形成した撥液性の膜を、部分的に、しかも全体としては均一に破壊して、撥液性を緩和することができる。
この場合、撥液性の緩和の程度は紫外光の照射時間で調整できるが、紫外光の強度、波長、熱処理（加熱）との組み合わせ等によって調整することもできる。
【００６２】
親液化処理の他の方法としては、酸素を反応ガスとするプラズマ処理が挙げられる。これにより、一旦形成した撥液性の膜を、部分的に、しかも全体としては均一に変質させて撥液性を緩和することができる。
【００６３】
親液化処理のさらに他の方法としては、基板をオゾン雰囲気に曝す処理が挙げられる。これにより、一旦形成した撥液性の膜を、部分的に、しかも全体としては均一に変質させて、撥液性を緩和することができる。この場合、撥液性の緩和の程度は、照射出力、距離、時間等によって調整することができる。
【００６４】
次いで、表面処理工程Ｓ２が実施されたテープ形状基板１１の所望領域に、導電性微粒子を含有した液体を吐出して塗布する配線材塗布工程をなす第１液滴吐出工程Ｓ３が行われる（ステップＳ３）。
【００６５】
この第１液滴吐出工程Ｓ３における液滴吐出は、図６に示す液滴吐出装置２０によって行われる。テープ形状基板１１に配線を形成する場合、この第１液滴吐出工程で吐出する液状体は導電性微粒子（パターン形成成分）を含有する液状体である。導電性微粒子を含有する液状体としては、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液を用いる。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
【００６６】
導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては、例えば立体障害や静電反発を誘発するようなポリマーが挙げられる。また、導電性微粒子の粒径は５ｎｍ以上、０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、ノズルの目詰まりが起こりやすく、インクジェット法による吐出が困難になるからである。また５ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となるからである。
【００６７】
導電性微粒子を含有する液体の分散媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上、２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上、２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発してしまい、良好な膜を形成することが困難となるためである。
また、分散媒の蒸気圧は、０．００１ｍｍＨｇ以上、５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上、６６５０Ｐａ以下）であることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、インクジェット法（液滴吐出法）で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こり易く、安定な吐出が困難となるためである。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒の場合、乾燥が遅くなり膜中に分散媒が残留しやすくなり、後工程の熱および／又は光処理後に良質の導電膜が得られにくい。
【００６８】
使用する分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されないが、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、又はエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、更にプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を挙げることができる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また、インクジェット法への適用のし易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、更に好ましい分散媒としては水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独でも、あるいは２種以上の混合物としても使用できる。
【００６９】
上記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は、１質量％以上、８０質量％以下であり、所望の導電膜の膜厚に応じて調整することができる。８０質量％を超えると凝集をおこしやすくなり、均一な膜が得にくい。
【００７０】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は、０．０２Ｎ／ｍ以上、０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲に入ることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じ易くなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量、吐出タイミングの制御が困難になるためである。
【００７１】
表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を不当に低下させない範囲で、フッ素系、シリコン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加することができる。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を良好化し、膜のレベリング性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生などの防止に役立つものである。上記分散液は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでいても差し支えない。
【００７２】
上記分散液の粘度は、１ｍＰａ・ｓ以上、５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法にて吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には、ノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また、粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるためである。
【００７３】
本実施形態では、上記分散液の液滴をインクジェットヘッドから吐出して基板上の配線を形成すべき場所に滴下する。このとき、液だまり（バルジ）が生じないように、続けて吐出する液滴の重なり程度を制御する必要がある。また、一回目の吐出では複数の液滴を互いに接しないように離間して吐出し、２回目以降の吐出によって、その間を埋めていくような吐出方法を採用することもできる。
【００７４】
次いで、第１液滴吐出工程Ｓ３が実施されたテープ形状基板１１の所望領域について、第１硬化工程が行われる（ステップＳ４）。
第１硬化工程Ｓ４は、第１液滴吐出工程Ｓ３でテープ形状基板１１に塗布された導電性材料を含む液状体を硬化させる配線材硬化工程をなすものである。上記ステップＳ３とステップＳ４と（ステップＳ２を含めてもよい）を繰り返し実施することにより、膜厚を増大することができ、所望形状で且つ所望膜厚の配線などを簡便に形成することができる。
【００７５】
第１硬化工程Ｓ４の具体例としては、例えばテープ形状基板１１を加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上、５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では、１００Ｗ以上、１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【００７６】
次いで、第１硬化工程Ｓ４が実施されたテープ形状基板１１の所望領域に、絶縁材塗布工程をなす第２液滴吐出工程Ｓ５が実施される（ステップＳ５）。
この第２液滴吐出工程Ｓ５における液滴吐出も、図６に示す液滴吐出装置２０によって行われる。ただし、第１液滴吐出工程Ｓ３で用いられる液滴吐出装置２０と第２液滴吐出工程Ｓ５で用いられる液滴吐出装置２０とは、別の装置であることが好ましい。別の装置とすることにより、第１液滴吐出工程Ｓ３と第２液滴吐出工程Ｓ５とを同時に実施することができ、製造の迅速化および液滴吐出装置の稼働率の向上化を図ることができる。
【００７７】
第２液滴吐出工程Ｓ５は、第１液滴吐出工程Ｓ３および第１硬化工程Ｓ４で形成されたテープ形状基板１１の配線層の上層に、液滴吐出装置により絶縁性の液状体を塗布する工程である。すなわち、第２液滴吐出工程Ｓ５では、図１に示すように、先ず孔５０も周囲に隔壁６０を形成し、次いで、パターン形成領域の全体に平面略ベタ状で絶縁性の薄膜７０を形成する。これにより、薄膜７０からなる絶縁層を貫通するスルーホールを精密に設けることができる。そして、この工程により、第１液滴吐出工程Ｓ３および第１硬化工程Ｓ４で形成された配線パターンが絶縁膜で覆われることとなる。この第２液滴吐出工程Ｓ５を行う前に、上記ステップＳ２の表面処理工程Ｓ２に相当する表面処理をすることが好ましい。すなわち、テープ形状基板１１の所定領域全体について親液化処理をすることが好ましい。
【００７８】
次いで、第２液滴吐出工程Ｓ５が実施されたテープ形状基板１１の所望領域について、第２硬化工程Ｓ６が行われる（ステップＳ６）。
第２硬化工程Ｓ６は、第２液滴吐出工程Ｓ５でテープ形状基板１１に塗布された絶縁性の液状体を硬化させる絶縁材硬化工程をなすものである。上記ステップＳ５とステップＳ６と（表面処理工程を含めてもよい）を繰り返し実施することにより、膜厚を増大することができ、スルーホールを有するとともに、所望形状で且つ所望膜厚の絶縁層などを簡便に形成することができる。第２硬化工程Ｓ６の具体例は、上記第１硬化工程Ｓ４の具体例と同様のものを適用することができる。
【００７９】
上記ステップＳ２〜Ｓ６は、第１配線層を形成する第１配線層形成工程Ａをなす。この第１配線層形成工程Ａの後に、さらに上記ステップＳ２〜Ｓ６を実施することにより、第１配線層の上層に、スルーホールを備えた第２配線層を形成することができる。この第２配線層を形成する工程を第２配線層形成工程Ｂとする。この第２配線層形成工程Ｂの後に、さらに上記ステップＳ２〜Ｓ６を実施することにより、第２配線層の上層に、スルーホールを備えた第３配線層を形成することができる。この第３配線層を形成する工程を第３配線層形成工程Ｃとする。このように、上記ステップＳ２〜Ｓ６を繰り返すことにより、テープ形状基板１１に、スルーホールを備えた多層配線を簡便に且つ良好に形成することができる。
【００８０】
次いで、上記ステップＳ２〜Ｓ６からなる第１配線層、第２配線層および第３配線層が形成された後に、そのテープ形状基板１１の所望領域について焼成する焼成工程Ｓ７が行われる（ステップＳ７）。
この焼成工程Ｓ７は、第１液滴吐出工程Ｓ３で塗布されその後に乾燥処理された配線層と、第２液滴吐出工程Ｓ５で塗布されてその後に乾燥処理された絶縁層とを、一緒に焼成する工程である。焼成工程Ｓ７により、テープ形状基板１１の配線層における配線パターンの微粒子間の電気的接触が確保されその配線パターンは導電膜に変換される。また、焼成工程Ｓ７により、テープ形状基板１１の絶縁層における絶縁性が向上する。
【００８１】
焼成工程Ｓ７は、通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。焼成工程Ｓ７での処理温度は、第１液滴吐出工程Ｓ３又は第２液滴吐出工程Ｓ５で塗布される液状体に含まれる分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。例えば、焼成工程Ｓ７として、テープ形状基板１１の所望領域を１５０℃で焼成する。
【００８２】
このような焼成処理は、通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上、５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では、１００Ｗ以上、１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【００８３】
これらにより、本実施形態によれば、リールツーリール基板をなすテープ形状基板１１に液滴吐出方式を用いて、スルーホールを有する多層配線を形成するので、精密でコンパクトな電子回路基板などについて、効率よく大量に製造することができる。すなわち、本実施形態によれば、製品時においては大量の板形状基板とされる１本のテープ形状基板１１の所望領域を、液滴吐出装置２０の所望位置にアライメントすることで、その所望領域に所望の配線パターンを形成することができる。そこで、１つの所望領域について液滴吐出装置２０でパターン形成した後に、テープ形状基板１１を液滴吐出装置に対してずらすことにより、極めて簡便にテープ形状基板１１の他の所望領域について配線パターンを形成することができる。これらにより、本実施形態は、リールツーリール基板をなすテープ形状基板１１の各所望領域（各回路基板領域）について、簡便に且つ迅速に精密な配線パターンを形成でき、配線基板などについて、精密に且つ効率よく大量に製造することができる。
【００８４】
また、本実施形態によれば、リールツーリール基板をなすテープ形状基板１１が第１リール１０１から巻き出されてから第２リール１０２に巻き取られるまでに、液滴塗布工程を含む複数の工程を実行する。これにより、洗浄工程Ｓ１を実行する装置から次の表面処理工程Ｓ２を実行する装置へ、また次の工程を実行する装置へ、テープ形状基板１１の一端側を第２リール１０２で巻き取るだけで、そのテープ形状基板１１を移動させることができる。したがって、本実施形態によれば、テープ形状基板１１を各工程の各装置へ移動させる搬送機構およびアライメント機構を簡略化することができ、製造装置の設置スペースを低減でき、大量生産などにおける製造コストを低減することができる。
【００８５】
また、本実施形態のパターン形成システムおよびパターン形成方法では、前記複数の工程における各工程の所要時間がほぼ同一であることが好ましい。このようにすると、各工程を並列に同期させて実行することができ、より迅速な製造ができるとともに、各工程の各装置の利用効率をより高めることができる。ここで、各工程の所要時間を一致させるために、各工程で用いられる装置（例えば液滴吐出装置２０）の数又は性能を調整してもよい。例えば、第２液滴吐出工程Ｓ５が第１液滴吐出工程Ｓ３よりも長時間となる場合、第１液滴吐出工程Ｓ３では１台の液滴吐出装置２０を用い、第２液滴吐出工程Ｓ５では２台の液滴吐出装置２０を用いることとしてもよい。
【００８６】
（電子機器）
次に上記実施形態のパターン形成方法を用いて製造された電子機器について説明する。
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、符号６００は上記実施形態のパターン形成方法を用いて多層配線が形成された携帯電話本体を示し、符号６０１は電気光学装置からなる表示部を示している。図１０（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０２は電気光学装置からなる表示部、符号７０３は上記実施形態のパターン形成方法を用いて多層配線が形成された情報処理装置本体を示している。図１０（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）において、符号８００は上記実施形態のパターン形成方法を用いて多層配線が形成された時計本体を示し、符号８０１は電気光学装置からなる表示部を示している。
【００８７】
図１０に示す電子機器は、上記実施形態のパターン形成方法を用いて形成された多層配線を備えているので、低コストで高品質にかつ大量に製造することができる。
【００８８】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。例えば、上記実施形態では多層配線の製造に用いるパターン形成方法について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各種の集積回路又は有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置、液晶装置などの各種電気光学装置の製造に本発明を適用でき、カラーフィルタなどの製造に本発明を適用することもできる。すなわち、本発明に係るパターン形成方法による薄膜パターンは配線パターンに限定されるものではなく、画素、電極、各種半導体素子などを、本発明に係るパターン形成方法を用いて形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るパターン形成方法を示す模式平面図である。
【図２】図１（ｄ）の位置ＸＸ’についての断面図である。
【図３】図１（ｄ）についての基板全体を示す図である。
【図４】第１実施形態の変形例を示す平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係るパターン形成方法を示す模式平面図である。
【図６】本発明の実施形態で用いられる液滴吐出装置の一例を示す斜視図である。
【図７】同上の液滴吐出装置のインクジェットヘッドを示す図である。
【図８】同上のインクジェットヘッドの底面図である。
【図９】本実施形態に係る多層配線基板の製造方法の概要を示す模式図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９０】
１…インクジェットヘッド群（吐出ヘッド）、２…Ｘ方向ガイド軸（ガイド）、４…載置台、５…Ｙ方向ガイド軸、１１…テープ形状基板、１２ａ，１２ｂ…フラッシングエリア、２０…液滴吐出装置、５０…孔、６０，６０’…隔壁、６１，６２，６３…液滴、７０，７１，７２…薄膜、８０…基板、１０１…第１リール、１０２…第２リール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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