(57)【要約】【課題】ボンディングワイヤ等の持つインダクタ成分によって利得制御の際に出力インピーダンスが変動することを解消して、マッチング変化と、無線部としての不安定性を解消する。【解決手段】半導体チップ上でグランドパッドを共通にせずに、グランドパッド１１０，１１３，１１５を独立に用意し、リードフレーム１１２と、ワイヤ１１１，１１４，１１６により接続する。前記ワイヤ１１１，１１４，１１６のワイヤ長を可能な限り短くすることにより、インダクタ成分の低減を実現し、信号の反射を低減し回路の安定動作を実現する。【選択図】図１
2005210473.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号入力端子と、前記信号入力端子に接続された利得制御回路と、前記利得制御回路から出力された信号を増幅する１つ以上の増幅器と、前記増幅器に接続された信号出力端子により構成され、前記利得制御回路と接地端子とを接続する導通材料、あるいは前記増幅器と接地端子とを接続する導通材料、あるいは前記増幅器を２つ以上用いる場合は各増幅器と接地端子とを接続する導通材料について、少なくとも１つ以上の導通材料のインダクタンスを低減した材料を用いたことを特徴とする高周波増幅回路。
【請求項２】
信号入力端子と、前記信号入力端子に接続された利得制御回路と、前記利得制御回路から出力された信号を増幅する第１の増幅器と、前記第１の増幅器から出力された信号を増幅する第２の増幅器と、前記第２の増幅器に接続された信号出力端子により構成され、前記第１の増幅器を接地する端子と前記第２の増幅器を接地する端子を分離したことを特徴とする高周波増幅回路。
【請求項３】
前記利得制御回路と接地端子とを接続する導通材料、あるいは前記増幅器と接地端子とを接続する導通材料、あるいは前記増幅器と接地端子とを接続する導通材料について、少なくとも１つ以上の導通材料のインダクタンスを低減した材料を用いたことを特徴とする請求項２記載の高周波増幅回路。
【請求項４】
前記導通材料として、ワイヤ長を短くしたことを特徴とする請求項１または３記載の高周波増幅回路。
【請求項５】
前記導通材料として、ワイヤを複数本以上用いることを特徴とする請求項１または３記載の高周波増幅回路。
【請求項６】
前記導通材料として、ビアホールを用いることを特徴とする請求項１または３記載の高周波増幅回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波回路部に設けられた高周波信号を増幅する高周波増幅回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図７は従来の携帯電話端末の無線部の構成を示すブロック図である。
【０００３】
図７において、移動体通信端末の無線部は、送信部２１３、受信部２１５、シンセサイザ部２１６、共用器部２１４で構成されている。
【０００４】
送信部２１３は、中間周波数の変調信号入力（中間周波数変調信号）を送信周波数に変換するアップコンバータ２０１と、送信波帯域の信号を抽出するためのバンドパスフィルタ２０２と、バンドパスフィルタ２０２の出力信号（１ｍＷ以下）を最大１０ｍＷ程度まで増幅する可変利得の高周波増幅回路２０３と、高周波増幅回路２０３から出力された高周波信号（１０ｍＷ以下）を最大１Ｗ程度まで増幅する固定利得の高出力高周波増幅回路２０４と、高出力高周波増幅回路２０４の出力を共用器部２１４へ供給するアイソレータ２０５とで構成されている。
【０００５】
受信部２１５は、共用器部２１４で受信された受信信号を増幅し、この受信信号とシンセサイザ部２１６から供給される局部発振信号とを混合するフロントエンドＩＣ２０８と、フロントエンドＩＣ２０８の出力信号から中間周波数信号を抽出するバンドパスフィルタ２０９とで構成されている。
【０００６】
シンセサイザ部２１６は、温度制御水晶発振器（ＴＣＸＯ）２１０と、フェーズロックドループ（ＰＬＬ）回路２１１と、電圧制御発振器（ＶＣＯ）２１２とで構成されている。
【０００７】
共用器部２１４は、アンテナ２０７とデュプレクサ（高周波スイッチ）２０６とで構成されている。
【０００８】
図８は図７の携帯電話端末の無線部における送信部２１３と共用器部２１４の具体的な構成図である。
【０００９】
図８において、信号入力端子２５１には音声等が変調された中間周波数変調信号が入力される。アップコンバータ２５３は、信号入力端子２５１からの中間周波数変調信号と、発振器２５２からの局部発振信号とが入力され、中間周波数を送信周波数に変換する。具体的には、アップコンバータ２５３では、中間周波数の信号（中間周波数変調信号）と発振器２５２からの局部発振信号とをアップコンバータ２５３で混合することにより、中間周波数を送信周波数に変換する。
【００１０】
ここで、アップコンバータ２５３に入力される中間周波数変調信号の周波数をｆｉｆ、発振器２５２の局部発振周波数をｆｌｏ、送信信号の周波数をｆｃとすると、送信信号の周波数は、ｆｃ＝ｆｌｏ±ｆｉｆの関係になり、アップコンバータ２５３より周波数ｆｃとして出力され、バンドパスフィルタ２５４に入力される。バンドパスフィルタ２５４に入力された信号は、送信波帯域の信号のみ抽出されバンドパスフィルタ２５４から出力される。
【００１１】
高周波増幅回路２５５は、利得制御機能を内蔵し、バンドパスフィルタ２５４から出力された送信周波数の信号を最大１０ｍＷ程度まで増幅する。
【００１２】
さらに、高周波増幅回路２５５の出力信号は、高出力高周波増幅回路２５６により最大１Ｗ程度まで増幅される。高出力高周波増幅回路２５６の出力は、アイソレータ２５７からデュプレクサ２５８の端子２５８ａに入力される。
【００１３】
デュプレクサ２５８は、アイソレータ２５７から出力される送信信号をアンテナ２５９へ送り、アンテナ２５９で受信した受信信号を信号出力端子２６０へ送る機能を有する。具体的には、デュプレクサ２５８は、信号を端子２５８ａ→端子２５８ｂの方向は通過させ、端子２５８ａから端子２５８ｃへの信号は阻止し、端子２５８ｂ→端子２５８ｃの方向は通過させ、端子２５８ｂから端子２５８ａへの信号は阻止する機能を持つ。
【００１４】
次に、高周波増幅回路について説明する。
【００１５】
図９は図８に示す高周波増幅回路２５５の回路ブロックを示している。
【００１６】
高周波増幅回路２５５は、図９に示すように、信号入力端子２７１より入力された高周波信号がインピーダンス変換を行う整合回路２７２を介して利得制御回路２７３に入力され、利得制御回路２７３の出力信号は、増幅器２７４に入力され増幅される。増幅器２７４の出力信号は、インピーダンス変換を行う整合回路２７５を介して増幅器２７６に入力されて増幅される。増幅器２７６の出力信号は、インピーダンス変換を行う整合回路２７７を介して、信号出力端子２７８に送られる。
【００１７】
次に、高周波増幅回路２５５を用いた利得制御動作について説明する。
【００１８】
高周波増幅回路２５５の利得制御回路の減衰量は、制御端子２７９の電圧値の設定により制御される。また制御端子２７９の電圧の制御には、Ｄ／Ａコンバータが用いられ、制御部からの制御信号に応じて、制御端子の電圧の設定を行っている。
【００１９】
図１０は図９に示す高周波増幅回路２５５における制御電圧と出力電力の関係を示している。ただし、高周波増幅回路２５５への入力電力は一定にしている。
【００２０】
図１０によれば、図９に示す高周波増幅回路の出力電力は、制御電圧に変化に応じて変化していることが分る。高周波増幅回路２５５を図７に示した移動体通信端末の無線部の送信ブロックに用いることにより、移動体通信端末の送信電力の出力電力制御を実現することができる。
【００２１】
次に、移動体通信端末の高周波回路ブロックで使用される利得制御回路について説明する。
【００２２】
高周波回路ブロックで用いられる利得制御回路としては、電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴ）が用いられ、ＦＥＴを可変抵抗として用いることにより、利得制御回路を実現してきた。
【００２３】
従来の高周波増幅回路の回路ブロックを図１１に示す。
【００２４】
図１１に示すように、従来の高周波増幅回路は、信号入力端子３０１より入力された高周波信号がインピーダンス変換を行う整合回路３０２を介して利得制御回路３０３に入力され、利得制御回路３０３の出力信号は、増幅器３０４に入力され増幅される。増幅器３０４の出力信号は、インピーダンス変換を行う整合回路３０５を介して増幅器３０６に入力され増幅される。増幅器３０６の出力信号は、インピーダンス変換を行う整合回路３０７を介し、信号出力端子３０８に送られる。
【００２５】
ここで、従来の高周波増幅回路においては、チップ面積およびワイヤ本数を低減するために、利得制御回路３０３、および両増幅器３０４，３０６の接地パッドを半導体チップ上で共通としていた。
【００２６】
この種の利得制御回路としては、例えば特許文献１に記載されている構成のものがある。図１２に特許文献１に記載された従来の利得制御回路を示す。
【００２７】
図１２において、１は第１のＦＥＴ、２は第２のＦＥＴ、３は第３のＦＥＴ、４ａは第１のＦＥＴ１に直列に接続された第１の抵抗、４ｂは第２のＦＥＴ２に直列に接続された第２の抵抗、４ｃは第３のＦＥＴ３に並列に接続された第３の抵抗、５は接地、７ａは第１の直列回路、７ｂは第２の直列回路である。
【００２８】
図１２の利得制御回路における動作について説明する。ＦＥＴのゲート端子に印加する電圧を制御することでＦＥＴをオン状態とオフ状態に切り換えることができ、ＦＥＴのオン状態ではＦＥＴは低インピーダンス状態となり信号はＦＥＴを通過し、ＦＥＴがオフ状態ではＦＥＴは高インピーダンス状態となり信号成分を遮断する。
【００２９】
したがって、第１のＦＥＴ１および第２のＦＥＴ２をオフ状態にし、第３のＦＥＴ３をオン状態とすると、利得制御回路の等価回路は、第１のＦＥＴ１および第２のＦＥＴ２が入力端６ａと出力端６ｂに対して開放端とみなせ、第３のＦＥＴ３が十分に小さい抵抗成分とすれば、図１３（ａ）の等価回路とみなすことができ、この状態では通過回路として作用する。
【００３０】
次に、第１のＦＥＴ１および第２のＦＥＴ２をオン状態にし、第３のＦＥＴ３をオフ状態とすると、利得制御回路の等価回路は、第１のＦＥＴ１および第２のＦＥＴ２が抵抗成分であり、第３のＦＥＴ３が高インピーダンスで開放状態だとすれば、図１３（ｂ）のような、第１の抵抗４ａ、第２の抵抗４ｂ、第３の抵抗４ｃによるπ型減衰器となる。
【００３１】
このような回路構成により利得制御回路を実現してきた。
【００３２】
また、これらの高周波増幅回路は、一般的に半導体チップをリードフレームにダイスボンドし、チップとリードフレームをワイヤボンディングすることで個々のＩＣを実現してきた。
【特許文献１】特開平９−１３５１０２号公報（第５頁、図１、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３３】
図７に示すような従来の携帯電話端末の無線部において、高周波増幅回路２０３の出力は高出力高周波増幅回路２０４に直接入力されることがある。この場合、高周波増幅回路２０３において図１０のような利得制御を行うとき、高周波増幅回路２０３の出力インピーダンスが利得制御により変化すると、高出力高周波増幅回路２０４とのマッチングが変わってしまう。このマッチングの変化は、無線部としての不安定性を生み出す。その要因として以下の原因が考えられる。
【００３４】
第１の原因は、ボンディングワイヤの持つインダクタ成分により、高周波的な反射が起こり、インピーダンスの変化をもたらすことである。この理由は、従来の高周波増幅回路の製造方法において、半導体チップとリードフレームの接地部の接続にワイヤボンディングを用いていたからである。高周波信号においてはワイヤがインダクタ成分を持ち、一般的な直径約２０μｍ、長さ１ｍｍの金ワイヤを用いて接続して接続する場合、インダクタ成分は約１ｎＨである。このインダクタ成分が増幅回路および利得制御回路の接地部に存在することにより、高周波信号の反射をもたらし、インピーダンスの変化をもたらしていた。
【００３５】
第２の原因は、半導体チップにおけるレイアウトあるいはピン数による自由度の規制である。増幅器を多段接続して用いる場合においては、パッケージのピン数などの制約から共通の接地端子を用い、かつ半導体チップの接地部とリードフレームの接地部の接続をワイヤボンディングにより接続するため、チップの外周部分にグランドパッドを設ける必要性があったからである。
【００３６】
本発明の目的は、前記従来の課題を解決し、ボンディングワイヤ等の持つインダクタ成分によって利得制御の際に出力インピーダンスが変動することを解消して、マッチング変化と、無線部としての不安定性を解消した高周波増幅回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３７】
前記目的を達成するため、本発明の高周波増幅回路は、信号入力端子と、前記信号入力端子に接続された利得制御回路と、前記利得制御回路から出力された信号を増幅する１つ以上の増幅器と、前記増幅器に接続された信号出力端子により構成され、前記利得制御回路と接地端子とを接続する導通材料、あるいは前記増幅器と接地端子とを接続する導通材料、あるいは前記増幅器を２つ以上用いる場合は各増幅器と接地端子とを接続する導通材料について、少なくとも１つ以上の導通材料のインダクタンスを低減した材料を用いたことを特徴とする。
【００３８】
また、本発明の高周波増幅回路は、信号入力端子と、前記信号入力端子に接続された利得制御回路と、前記利得制御回路から出力された信号を増幅する第１の増幅器と、前記第１の増幅器から出力された信号を増幅する第２の増幅器と、前記第２の増幅器に接続された信号出力端子により構成され、前記第１の増幅器を接地する端子と前記第２の増幅器を接地する端子を分離したことを特徴とし、また前記利得制御回路と接地端子とを接続する導通材料、あるいは前記増幅器と接地端子とを接続する導通材料、あるいは前記増幅器と接地端子とを接続する導通材料について、少なくとも１つ以上の導通材料のインダクタンスを低減した材料を用いたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３９】
本発明の高周波増幅回路によれば、利得を変化させたときのインピーダンスが変化せず、無線ブロックとして回路を安定化させることができ、また、回路レイアウトの自由度が高い構成にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００４１】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１である高周波増幅回路の構成を示すブロック図である。図１の高周波増幅回路は、図７に示した従来の携帯電話端末の送信部のブロック図における高周波増幅回路２０３に対応している。すなわち、本発明の実施の形態の携帯電話端末では、図７に示した従来の携帯電話端末の送信部において、高周波増幅回路２０３に代えて図１の高周波増幅回路を用いている。
【００４２】
図１において、１０１は信号入力端子、１０２は信号入力端子１０１に接続された整合回路、１０３は整合回路１０２に接続された利得制御回路、１０４は利得制御回路１０３に接続された増幅器、１０５は増幅器１０４に接続された整合回路、１０６は整合回路１０５に接続された増幅器、１０７は増幅器１０６と信号出力端子１０８とを接続する整合回路、１０９は接地端子、１１０は利得制御回路１０３に接続されたグランドパッド、１１２は接地端子１０９に接続されたリードフレーム、１１１はグランドパッド１１０とリードフレーム１１２とを接続するワイヤ、１１３は増幅器１０４に接続されたグランドパッド、１１４はグランドパッド１１３とリードフレーム１１２とを接続するワイヤ、１１５は増幅器１０６に接続されたグランドパッド、１１６はグランドパッド１１５とリードフレーム１１２とを接続するワイヤである。
【００４３】
そして、図１において、信号入力端子１０１より入力された高周波信号が、インピーダンス変換を行う整合回路１０２を介して利得制御回路１０３に入力され、利得制御回路１０３の出力信号は増幅器１０４に入力される。増幅器１０４の出力信号は、インピーダンス変換を行う整合回路１０５を介して増幅器１０６に入力されて増幅される。増幅器１０６の出力信号は、インピーダンス変換を行う整合回路１０７を介し、信号出力端子１０８に送られる。
【００４４】
次に、図１の高周波増幅回路を用いた動作について説明する。図１の高周波増幅回路における利得制御回路１０３の構成例を図３に示す。
【００４５】
利得制御回路１０３は、図３において、信号入力端子１４１（利得制御回路１０３の入力端子に相当する）と、信号出力端子１４２（利得制御回路１０３の出力端子に相当する）と、信号入力端子１４１と信号出力端子１４２とを接続する可変抵抗１４４と、信号入力端子１４１と接地端子１４３とを接続する可変抵抗１４５により構成される。
【００４６】
利得の制御は、ＦＥＴを用いた可変抵抗１４４，１４５を用いて、所定の制御電圧を印加することによって行う。
【００４７】
実施の形態１の高周波増幅回路は、図１に示すように、半導体チップ上でグランドパッドを共通にせずに、グランドパッド１１０，１１３，１１５を独立に用意し、リードフレーム１１２と、ワイヤ１１１，１１４，１１６により接続する。ここで、それぞれのワイヤ長を可能な限り短くすることによりインダクタ成分の低減を実現し、信号の反射を低減し回路の安定動作を実現している。
【００４８】
実施の形態１による回路の安定化の状態を図４（ａ）に示す。利得を制御した際の、出力端からみた高周波増幅回路の出力インピーダンスは、従来例と比較し変動量が小さくなっている。これは利得を変化させたときのインピーダンスが変化せず、無線ブロックとして回路が安定であることを示している。
【００４９】
以上のような回路構成を用いることによって、ワイヤのインダクタ成分による高周波信号の反射による回り込みをなくすことができる。なお、ワイヤ１１１，１１４，１１６のワイヤを複数本にすること、あるいは半導体チップを貫通して裏面のリードフレームと接続するビアホールを用いることによっても、インダクタ成分を低減することができ、さらに反射量を低減でき、安定性を得ることができる。
【００５０】
なお、このときのリードフレームの一例を図５に示す。図５において、１５１は半導体チップである。また、リードフレーム１５２は前記リードフレーム１１２に相当する。
【００５１】
（実施の形態２）
図２は本発明の実施の形態２である高周波増幅回路の構成を示すブロック図である。図２の高周波増幅回路は、図７に示した従来の携帯電話端末の送信部のブロック図における高周波増幅回路２０３に対応している。すなわち、本発明の実施の形態の携帯電話端末では、図７に示した従来の携帯電話端末の送信部において、高周波増幅回路２０３に代えて図２の高周波増幅回路を用いている。
【００５２】
図２において、１２１は信号入力端子、１２２は信号入力端子１２１に接続された整合回路、１２３は整合回路１２２に接続された利得制御回路、１２４は利得制御回路１２３に接続された増幅器、１２５は増幅器１２４に接続された整合回路、１２６は整合回路１２５に接続された増幅器、１２７は増幅器１２６および信号出力端子１２８とを接続する整合回路１２７、１２９と１３０は接地端子、１３１は利得制御回路１２３に接続されたグランドパッド、１３２はグランドパッド１３１とリードフレーム１３３とを接続するワイヤ、１３４は増幅器１２４に接続されたグランドパッド、１３５はグランドパッド１３４とリードフレーム１３３とを接続するワイヤ、１３６は増幅器１２６に接続されたグランドパッド、１３７はグランドパッド１３６とリードフレーム１３８とを接続するワイヤ、１３８は接地端子１３０に接続されたリードフレームである。
【００５３】
そして、図２において、信号入力端子１２１より入力された高周波信号が、インピーダンス変換を行う整合回路１２２を介して利得制御回路１２３に入力され、利得制御回路１２３の出力信号は増幅器１２４に入力される。増幅器１２４の出力信号は、インピーダンス変換を行う整合回路１２５を介して、増幅器１２６に入力され増幅される。増幅器１２６の出力信号は、インピーダンス変換を行う整合回路１２７を介し、信号出力端子１２８に送られる。
【００５４】
次に、図２の高周波増幅回路を用いた動作について説明する。図２の高周波増幅回路における利得制御回路１２３の構成例は、実施の形態１と同様に図３に示すものである。
【００５５】
利得制御回路１２３は、図３において、信号入力端子１４１（利得制御回路１０３の入力端子に相当する）と信号出力端子１４２（利得制御回路１０３の出力端子に相当する）と、信号入力端子１４１と信号出力端子１４２とを接続する可変抵抗１４４と、信号入力端子１４１と接地端子１４３とを接続する可変抵抗１４５で構成される。
【００５６】
利得の制御は、ＦＥＴを用いた可変抵抗１４４，１４５を用いて、所定の制御電圧を印可することによって行う。
【００５７】
実施の形態２の高周波増幅回路は、図２に示すように、半導体チップ上でグランドパッドを共通にせずに、グランドパッド１３１，１３４，１３６を独立に用意し、接地端子１２９，１３０とワイヤ１３２，１３５，１３７により接続する。この際、第２の増幅器１２６の接地は、他の接地端子１２９とは異なる独立した接地端子１３０を用いることにより、インダクタ成分による反射波の回り込みを完全になくしている。また、それぞれのワイヤ長を可能な限り短くすることによりインダクタ成分の低減を実現し、信号の反射を低減し回路の安定動作を実現している。
【００５８】
実施の形態２による回路の安定化の状態を図４（ｂ）に示す。利得を制御した際の出力端からみた高周波増幅回路の出力インピーダンスは、従来例と比較し変動量が小さくなっている。これは、利得を変化させたときの回路が安定であることを示している。
【００５９】
以上のような回路構成を用いることによって、高周波増幅回路を安定化することができる。また、実施の形態２においては、回路のレイアウトの自由度を得ることができる。
【００６０】
さらに、ワイヤのインダクタ成分による高周波信号の反射による回り込みをなくすことができる。なお、増幅器１２６の接地端子１３０を他の接地端子１２９と分離することにより、高周波信号の反射による回り込みを完全になくすことができる。また、ワイヤ１３２，１３５，１３７のワイヤを複数本にすること、あるいは半導体チップを貫通して裏面のリードフレームと接続するビアホールを用いることにより、インダクタ成分を低減することができ、さらに反射量を低減でき安定性を得ることができる。
【００６１】
なお、このときのリードフレームの一例を図６に示す。図６において、１６１は半導体チップである。また、リードフレーム１６２は前記リードフレーム１３３に相当し、リードフレーム１６３は前記リードフレーム１３８に相当する。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、移動体通信端末の送信部の高周波回路部に設けられた高周波信号を増幅する高周波増幅回路および、それを用いた移動体通信端末に適用され、特に、制御電圧により高周波増幅回路の出力電力制御を行う高周波増幅回路に用いて有効である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施の形態１の構成を示すブロック図
【図２】本発明の実施の形態２の構成を示すブロック図
【図３】本実施の形態の利得制御回路の一例を示すブロック図
【図４】本実施の形態の効果を示すスミスチャートであり、（ａ）は実施の形態１に係り、（ｂ）は実施の形態２に係り、利得制御を行った際のインピーダンスの変動を示す図
【図５】実施の形態１において用いたリードフレームを示す図
【図６】実施の形態２において用いたリードフレームを示す図
【図７】従来の携帯電話端末の無線部の構成を示すブロック図
【図８】従来の携帯電話端末の無線送信部の構成を示すブロック図
【図９】従来の高周波増幅回路の構成を示すブロック図
【図１０】従来の高周波増幅回路における利得制御回路の状態を示すグラフ
【図１１】従来の高周波増幅回路の構成を示すブロック図
【図１２】従来の利得制御回路の回路図
【図１３】従来の利得制御回路の回路図
【符号の説明】
【００６４】
１０１，１２１，１４１  信号入力端子
１０２，１０５，１０７，１２２，１２５，１２７  整合回路
１０３，１２３  利得制御回路
１０４，１０６，１２４，１２６  増幅器
１０８，１２８，１４２  信号出力端子
１０９，１２９，１３０，１４３  接地端子
１１０，１１３，１１５，１３１，１３４，１３６  グランドパッド
１１１，１１４，１１６，１３２，１３５，１３７  ワイヤ
１１２，１３３，１３８，１５２，１６２，１６３  リードフレーム
１４４，１４５  可変抵抗
１５１，１６１  半導体チップ
【図１】
2005210473.tif 000003
【図２】
2005210473.tif 000004
【図３】
2005210473.tif 000005
【図４】
2005210473.tif 000006
【図５】
2005210473.tif 000007
【図６】
2005210473.tif 000008
【図７】
2005210473.tif 000009
【図８】
2005210473.tif 000010
【図９】
2005210473.tif 000011
【図１０】
2005210473.tif 000012
【図１１】
2005210473.tif 000013
【図１２】
2005210473.tif 000014
【図１３】
2005210473.tif 000015