(57)【要約】  【課題】  シリコン膜を形成するために使用される液体シリコン材料、特に高次シラン溶液について、成膜後に膜の特性や厚さが均一になる高次シラン溶液の製造方法を提供することを目的とする。  【解決手段】  光重合性を有するシラン化合物を含む溶液に紫外線照射を行なうことにより高次シランを含む溶液を得る高次シラン溶液の製造方法において、前記高次シランを含む溶液中の高次シランを均一に分散及び／又は溶解させる工程を更に備えた高次シラン溶液の製造方法により解決する。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
光重合性を有するシラン化合物を含む溶液に紫外線照射を行なうことにより高次シランを含む溶液を得る高次シラン溶液の製造方法において、
前記高次シランを含む溶液中の高次シランを均一に分散及び／又は溶解させる工程を備えた高次シラン溶液の製造方法。
【請求項２】
前記高次シランを含む溶液中の高次シランを均一に分散及び／又は溶解させる工程は、
超音波ホモジナイザー、超高速ホモジナイザー、ロールミルの少なくともいずれか１つを用いる請求項１記載の高次シラン溶液の製造方法。
【請求項３】
前記シラン化合物を含む溶液又は前記高次シランを含む溶液を、溶媒で希釈する工程を更に備えた請求項１又は２記載の高次シラン溶液の製造方法。
【請求項４】
前記シラン化合物を含む溶液を希釈する工程は、前記シラン化合物を１〜５０重
量％にするものである請求項１〜３のいずれか１項記載の高次シラン溶液の製造方法。
【請求項５】
前記紫外線照射と、前記高次シランを含む溶液中の高次シランを均一に分散及び／又は溶解させる工程とを同時に行なう請求項１〜４のいずれか１項記載の高次シラン溶液の製造方法。
【請求項６】
周期表の第３Ｂ族元素を含む物質又は周期表の第５Ｂ族元素を含む物質を前記シラン化合物を含む溶液又は前記高次シランを含む溶液に添加する工程を更に備えた請求項１〜５のいずれか１項記載の高次シラン溶液の製造方法。
【請求項７】
前記シラン化合物を含む溶液又は前記高次シランを含む溶液を加熱又は冷却する工程を更に備えた請求項１〜６のいずれか１項記載の高次シラン溶液の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項記載の製造方法により得られた高次シラン溶液を基板に塗布した後、熱処理及び／又は光処理を行うシリコン膜の形成方法。
【請求項９】
請求項８記載のシリコン膜の形成方法により得られたシリコン膜。
【請求項１０】
請求項９記載のシリコン膜を用いたＴＦＴ。
【請求項１１】
請求項１０記載のＴＦＴを用いた電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路、薄膜トランジスタ、光電変換装置、及び感光体用途等に応用されるシリコン膜を形成するために使用される高次シラン溶液の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
集積回路や薄膜トランジスタ等に応用されるシリコン薄膜（アモルファスシリコン膜やポリシリコン膜）のパターニングは、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の真空プロセスにより基板の全面にシリコン膜を形成した後、フォトリソグラフィーにより不要部分を除去するといったプロセスで行なわれるのが一般的である。しかし、この方法では、大掛かりな装置が必要である、原料の使用効率が悪い、原料が気体であるため扱いにくい、大量の廃棄物が発生する、等の問題を有していた。
【０００３】
このような従来方法に対して、近年、液体状のシラン化合物や高次シラン又はその溶液を基板に塗布し、加熱又は紫外線の照射によってシリコン膜を形成する方法が提案されている（例えば、特開２００３−１１５５３２号公報：特許文献１、特開２００３−１２４４８６号公報：特許文献２、特開２００３−１３３３０６号公報：特許文献３、特開２００３−１７１５５６号公報：特許文献４、特開２００３−３１３２９９号公報：特許文献５等）。この方法によれば、原料が液体であるため扱い易く、大型の装置を必要としないため、低コストでシリコン膜を作製することができる。
【０００４】
また、特開２００１−１７９１６７号公報には、液体状のシラン化合物や高次シラン又はその溶液をインクジェットなどの手法により直接パターニングしてシリコン膜を作製することができるようになり、これによってフォトリソグラフィーによる工数、材料の無駄を省くことができる旨が開示されている（特許文献６）。
【０００５】
しかしながら、これらの方法では、液体状のシラン化合物や高次シランの分散が不均一であったり、シラン化合物や高次シランの溶媒に対する溶解が不十分である為に、高次シラン等の一部が凝集してクラスターを形成する場合がある。このような状態で高次シラン等を基板に塗布すると、成膜後の膜の特性や厚さが均一にならないという問題を有していた。
【特許文献１】特開２００３−１１５５３２号公報
【特許文献２】特開２００３−１２４４８６号公報
【特許文献３】特開２００３−１３３３０６号公報
【特許文献４】特開２００３−１７１５５６号公報
【特許文献５】特開２００３−３１３２９９号公報
【特許文献６】特開２００１−１７９１６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は、シリコン膜を形成するために使用される液体シリコン材料、特に高次シラン溶液について、成膜後の膜の特性や厚さが均一になる高次シラン溶液の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、鋭意研究した結果、高次シラン溶液中の高次シランを均一に分散及び／又は溶解させることにより、上記課題が解決されるとの知見を得た。本発明はその知見に基づきなされたものであり、光重合性を有するシラン化合物を含む溶液に紫外線（以下、「ＵＶ」という）照射を行なうことにより高次シランを含む溶液を得る高次シラン溶液の製造方法において、前記高次シランを含む溶液中の高次シランを均一に分散及び／又は溶解させる工程を更に備えた高次シラン溶液の製造方法を提供するものである。これにより、液体状の高次シラン又は溶媒に溶解した高次シランを含む溶液であって、その溶液中の高次シランが分子レベルで均一に分散及び／又は溶解してなる高次シラン溶液を得ることができる。
【０００８】
本発明の好適な態様は以下のとおりである。前記シラン化合物を含む溶液又は前記高次シランを含む溶液を溶媒で希釈する工程を更に備えることが好ましい。
【０００９】
前記シラン化合物を含む溶液を希釈する工程は、前記シラン化合物を１〜５０重量％にするものであることが好ましい。
【００１０】
前記ＵＶ照射と、前記高次シランを含む溶液中の高次シランを均一に分散及び／又は溶解させる工程とを同時に行なうことが好ましい。
【００１１】
周期表の第３Ｂ族元素を含む物質又は周期表の第５Ｂ族元素を含む物質を前記シラン化合物を含む溶液又は前記高次シランを含む溶液に添加する工程を更に備えることができる。
【００１２】
前記シラン化合物を含む溶液又は前記高次シランを含む溶液を加熱又は冷却する工程を更に備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、高次シラン溶液中の高次シランが分子レベルで均一に分散及び／又は溶解してなるため、高性能かつ均一性の高いシリコン膜を形成することができる高次シラン溶液を得ることができ、かかる高次シラン溶液を用いてシリコン膜を形成することにより、高性能かつ均一性の高いシリコン膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る高次シラン溶液の製造方法を、その好ましい実施形態に基づいて詳細に説明する。本発明は、光重合性を有するシラン化合物を含む溶液にＵＶ照射を行なうことにより高次シランを含む溶液を得る高次シラン溶液の製造方法において、前記高次シラン溶液中の高次シランを均一に分散及び／又は溶解させる工程を更に備えたことを特徴とする。
【００１５】
成膜後の膜の特性や厚さが均一にならない原因として、高次シランが溶液中でクラスターを形成したり、シラン化合物や高次シランが溶媒中に十分溶解していないことが挙げられる。従って、前記高次シラン溶液中の高次シランを均一に分散及び／又は溶解させる工程は、溶液中で生じたクラスターを破砕・分散させるか、シラン化合物又は高次シランを溶媒中に十分溶解させるための手段が用いられる。
【００１６】
具体的には、例えば、集中的に強力な超音波エネルギーを溶液中に発生させ、クラスターの分散、破砕を行う超音波ホモジナイザー、固定外刃と回転内刃からなるジェネレーター（シャフトの先端部）を備え、液中で内刃が高速回転すると、ジェネレーター内の液が遠心力で外刃に開けられた窓から激しく噴射すると同時に、ジェネレーター内に試料と共に液が入り込み、内刃の先端で粗破、内刃から外刃の窓を通って放出される際に内刃と外刃の間でクラスターの分散、微砕を行う超高速ホモジナイザー、セラミックなどの硬質のボールを溶液中に入れて高速で回転させることによって、クラスターを破砕するボールミル、ベッセル（容器）の中へビーズ（メディア）を充填しておき、中央の回転軸を回転させることによりビーズに動きを与え、そこに原料を送り込み、ビーズで摺りつぶすことにより粉砕、分散を行うビーズミル、回転数、回転方向が異なる三本のロール（主に金属製）を組み合わせ、この三本のロールの間に溶液を通し、回転差による剪断応力を利用して、クラスターなどの固形分を溶液に分散させるロールミル等を使用することができる。
【００１７】
なお、高次シラン溶液中の高次シランを均一に分散及び／又は溶解させる工程は、ＵＶの照射と同時に行なうこともできる。これにより、工程数を省略することができ、時間の短縮にもなる。
【００１８】
また、本発明の好ましい態様として、前記シラン化合物溶液又は前記高次シラン溶液を溶媒で希釈する工程を更に備えることができる。特に、希釈は、ＵＶ照射を行なう前に、シラン化合物を含む溶液に対して行なうことが好ましい。シラン化合物を溶媒で希釈してからＵＶ照射を行なうことが好ましい理由は、シラン化合物が高濃度に存在している状態でＵＶ照射を行なうよりもクラスターを形成する割合が減り、その後の分散及び／又は溶解作業が容易となるからである。
【００１９】
シラン化合物を含む溶液を希釈する場合は、クラスターの形成をより効果的に防止する観点から、シラン化合物の溶質濃度を１〜５０重量％にすることが好ましく、より好ましくは５〜２０重量％、である。高次シランを含む溶液を希釈する場合は、高次シランの溶質濃度を１〜５０重量％にすることが好ましく、より好ましくは５〜２０重量％である。
【００２０】
希釈に使用される溶媒としては、ＵＶ照射による溶媒自体の分解を防止する観点及びシラン化合物の光重合が阻害されることを防止する観点から、ＵＶの吸収度が低いものが好ましい。具体的には、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、シクロペンタン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の芳香族化合物が好ましい。直鎖のアルカンはシラン化合物及び高次シランの溶解度が低い為に好ましくない。また、上記の溶媒のうち、シクロへキサン、シクロペンタン、シクロヘプタン、シクロオクタンは、シラン化合物及び高次シランの溶解性が良好であるという特性に加えて、ＵＶの透過性が非常に優れており、シラン化合物を効率よく光重合させることができるためより好ましい。
【００２１】
液状体からシリコン膜を形成する場合、その最大のメリットとしてインクジェット法等の液滴吐出法を用いたパターニング法が採用できる点が挙げられるが、この液滴吐出法によるパターニングにおいて、溶液の粘度および表面張力が溶媒によって容易にコントロール可能であることが、非常に有利な点として作用する。
【００２２】
周期表の第３Ｂ族元素を含む物質又は周期表の第５Ｂ族元素を含む物質（以下、「ドーパント源」という）を前記シラン化合物を含む溶液又は前記高次シランを含む溶液に添加する工程を更に備えることができる。ドーパント源としては、高次シラン溶液を基板に塗布した後、熱処理、光処理等により活性化してｎ型またはｐ型のドープシリコン膜を形成し得るリン、ホウ素、砒素、黄燐、デカボランや特開２０００−３１０６６号公報に挙げられているような物質が例示される。
【００２３】
ドーパント源の添加時期については特に制限はなく、例えば、シラン化合物を含む溶液を調製する際に添加しても、高次シラン溶液を均一に分散及び／又は溶解させる際に添加してもよい。また、ドーパント源の添加量は、最終的に必要なシリコン膜中のドーパント濃度に応じて適宜決定すればよい。
【００２４】
本発明の好ましい態様によれば、シラン化合物を含む溶液又は高次シランを含む溶液を加熱又は冷却する工程を更に備えることができる。溶液を加熱する目的は、ＵＶによるシラン化合物の反応性を向上させたり、溶媒へのシラン化合物又は高次シランの溶解度を向上させるためであり、これにより均一性の高い塗布材料を調製することができる。また、溶液を冷却する目的は、ＵＶによる反応性を低下させるためであり、極度に反応性の高いシラン化合物が重合しすぎて溶媒中から析出する事を防ぐ事ができる。このように、用いる溶媒、シラン化合物に応じて温度コントロールを行う事によって、最適な塗布液の調製を行う事ができる。
【００２５】
上記の方法で製造された高次シラン溶液は、その溶液中で高次シランが分子レベルで均一に分散されているか、その溶液中に十分溶解しているため、例えば基板に塗布した際に非常に均一に基板上に塗布する事ができ、これを焼成すれば均一性の高いシリコン膜を形成することができる。
【００２６】
また、上記の高次シランは、光重合性を有するシラン化合物の溶液にＵＶが照射されて該シラン化合物が光重合することにより形成されたもので、その分子量が従来のシリコン作製方法で用いられているシラン化合物（例えば、Ｓｉ6Ｈ14であれば分子量は１８２）に比しても比較にならない程大きなもの（１８００程度までの分子量のものが確認されている）である。このような巨大な分子量を持つ高次シランはその沸点が分解点よりも高く、蒸発してなくなる前に膜を形成することができるため、従来のシリコン膜作製法よりも効果的にシリコン膜の形成を行うことができる。なお、実際にこのような高次シランを加熱すると、沸点に達する以前に分解してしまうため、分解点より高い沸点は実験的に決めることはできない。しかし、ここでは蒸気圧の温度依存性や、理論計算によって求めた理論値としての常圧での沸点を意味している。
【００２７】
また、このような高次シランを含有した高次シラン溶液を用いれば、この高次シランの沸点が分解点より高いという性質から、従来のように蒸発してしまう前に急いで高温で加熱するといった必要がない。つまり、昇温速度を穏やかにしたり、減圧しながら比較的低温で加熱するといったプロセスが可能となる。このことは、シリコン膜を形成する場合のシリコン同士の結合スピードを制御できるだけでなく、シリコン膜を形成するほど高温ではないが溶媒の沸点よりは高い温度を維持するといった方法によって、シリコン中からシリコン膜の特性劣化の原因となる溶媒を従来の方法よりも効率良く減らすことが可能となることを意味する。
【００２８】
光重合して形成する高次シランとしては、前述したようにその沸点がその分解点よりも高いことが好ましい。このような沸点が分解点よりも高い高次シランは、前駆体であるシラン化合物として後述の好ましいシラン化合物を選定したり、照射するＵＶとして後述の好ましい波長のＵＶ、および照射時間、照射方法、照射エネルギー、および用いる溶媒およびＵＶ照射後の精製方法を選定すること等により、容易に得ることができる。
【００２９】
また、この高次シランについては、その分子量分布を、ＵＶの照射時間や照射量、照射方法によってコントロールすることができる。さらに、この高次シランは、シラン化合物へのＵＶ照射後に、一般的な重合体の精製法であるＧＰＣなどを用いて分離精製することで、任意の分子量の高次シランを取り出すことができる。また、分子量の異なる高次シランの間での溶解度の差を利用して精製を行うこともできる。また、分子量の異なる高次シランの間での、常圧または減圧下での沸点の差を利用して分留による精製を行うこともできる。このようにして、高次シラン溶液中の高次シランの分子量のコントロールを行うことで、より特性バラツキが抑えられた良質のシリコン膜を得ることができるようになる。
【００３０】
高次シランは、その分子量が大きくなればなるほど沸点が高くなり、また溶媒に対する溶解度も減少していく。このため、ＵＶの照射条件によっては光重合後の高次シランが溶媒に溶解しきれずに析出することがあるので、その場合にはマイクロフィルターなどを用いたろ過などによって不溶成分を除去し、高次シランを精製することができる。
【００３１】
ＵＶの照射時間は、所望の分子量分布の高次シランが得られる点で、０．１秒〜１２０分、特に１〜３０分であるのが好ましい。
【００３２】
前記高次シランの前駆体となるシラン化合物としては、ＵＶの照射により重合し得るという光重合性を有する限り特に制限されず、例えば、一般式ＳｉnＸm（ここで、ｎは３以上の、またｍは４以上のそれぞれ独立な整数を示し、Ｘは水素原子及び／又はハロゲン原子等の置換基を示す。）で表されるシラン化合物等が挙げられる。
【００３３】
このようなシラン化合物としては、一般式ＳｉnＸ2n（式中、ｎは３以上の整数を示し、Ｘは水素原子及び／又はハロゲン原子を示す。）で表される環状のシラン化合物や、一般式ＳｉnＸ2n-2（式中、ｎは４以上の整数を示し、Ｘは水素原子及び／又はハロゲン原子を示す。）で表される環状構造を２個以上有するシラン化合物の他、分子内に少なくとも一つの環状構造を有する水素化珪素及びそのハロゲン置換体等、本発明に係るマイクロ波照射による重合プロセスを適用し得るシラン化合物の全てが挙げられる。
【００３４】
具体的には、１個の環状構造を有するものとして、シクロトリシラン、シクロテトラシラン、シクロペンタシラン、シクロヘキサシラン、シクロヘプタシラン等が挙げられ、２個の環状構造を有するものとして、１、１’−ビシクロブタシラン、１、１’−ビシクロペンタシラン、１、１’−ビシクロヘキサシラン、１、１’−ビシクロヘプタシラン、１、１’−シクロブタシリルシクロペンタシラン、１、１’−シクロブタシリルシクロヘキサシラン、１、１’−シクロブタシリルシクロヘプタシラン、１、１’−シクロペンタシリルシクロヘキサシラン、１、１’−シクロペンタシリルシクロヘプタシラン、１、１’−シクロヘキサシリルシクロヘプタシラン、スピロ［２．２］ペンタシラン、スピロ［３．３］ヘプタタシラン、スピロ［４．４］ノナシラン、スピロ［４．５］デカシラン、スピロ［４．６］ウンデカシラン、スピロ［５．５］ウンデカシラン、スピロ［５．６］ウンデカシラン、スピロ［６．６］トリデカシラン等が挙げられ、その他にこれらの骨格の水素原子を部分的にＳｉＨ3基やハロゲン原子に置換したケイ素化合物を挙げることができる。これらは２種以上を混合して使用することもできる。
【００３５】
これら化合物のうち、分子内の最低一箇所に環状構造を有するシラン化合物は光に対する反応性が極度に高く、マイクロ波照射による重合が効率よく行えるという点から、これを原料として用いるのが好ましい。その中でも、シクロテトラシラン、シクロペンタシラン、シクロヘキサシラン、シクロヘプタシラン等のＳｉnＸ2n（式中、ｎは３以上の整数を示し、Ｘは水素原子及び／又はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等のハロゲン原子を示す。）で表されるシラン化合物は、以上の理由に加えて合成、精製が容易である利点を有するため特に好ましい。
【００３６】
上記のシラン化合物を含む溶液に用いられる溶媒としては、シラン化合物を溶解し、シラン化合物が光重合されたことにより形成された高次シランを溶解し、かつ該シラン化合物又は高次シランと反応しないものが好ましい。この溶媒は、通常、室温での蒸気圧が１×１０-3〜２×１０2Ｔｏｒｒのものが用いられる。蒸気圧が２×１０2Ｔｏｒｒより高いものでは、コーティングで塗膜を形成する場合に溶媒が先に蒸発してしまい、良好な塗膜を形成することが困難になるからである。一方、蒸気圧が１×１０-3Ｔｏｒｒより低いものでは、同様にコーティングで塗膜を形成する場合に乾燥が遅くなり、高次シランのコーティング膜中に溶媒が残留し易くなって、良質のシリコン膜が得られ難くなるからである。
【００３７】
また、シラン化合物を含む溶液に用いられる溶媒としては、その常圧での沸点が室温以上であり、シラン化合物又は高次シランの分解点である２５０℃〜３００℃よりも低いものを用いることが好ましい。シラン化合物又は高次シランの分解点よりも低い溶媒を用いることにより、塗布後、加熱によってシラン化合物又は高次シランを分解することなく溶媒のみを選択的に除去することができるため、シリコン膜に溶媒が残留するのを防止することができ、より良質の膜を得ることができるからである。
【００３８】
また、シラン化合物を含む溶液に用いられる溶媒としては、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、ジシクロペンタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、デュレン、インデン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、スクワランなどの炭化水素系溶媒の他、ジプロピルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系溶媒、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドなどの極性溶媒が挙げられる。
【００３９】
また、本発明の高次シラン溶液の製造方法により得られる高次シランは、その粘度が通常１〜１００ｍＰａ・ｓの範囲に調整可能となるが、塗布装置や目的の塗布膜厚に応じて、その粘度を適宜選択することができる。粘度が１ｍＰａ・ｓより小さくなるとコーティングが困難になり、１００ｍＰａ・ｓを超えると均一な塗布膜を得ることが困難になる。
【００４０】
なお、前記高次シラン溶液には、目的の機能を損なわない範囲で必要に応じてフッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節材を微量添加することができる。このノニオン系表面張力調節材は、溶液の塗布対象物への濡れ性を良好化し、塗布した膜のレベルリング性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生などの防止に役立つものである。
[シリコン膜の形成方法]
また、本発明は、上記高次シラン溶液の製造方法により得られた高次シラン溶液を基板に塗布した後、熱処理及び／又は光処理を行うシリコン膜の形成方法を提供するものである。本発明のシリコン膜の形成方法は、前述した高次シラン溶液を基盤に塗布することを特徴とし、それ以外の点については、例えば、特開２００３−３１３２９９号公報に記載されたシリコン膜の形成方法を適用することができる。
【実施例１】
【００４１】
シクロペンタシラン１ｍｌをシクロヘキサン１０ｍｌで希釈した。この溶液を超音波ホモジナイザーを用いて、液温１３±２℃、１０ｋＨｚ、１００Ｗの条件で１１０分間撹拌しながら、高圧水銀ランプのＵＶ光を５分間照射した。ＵＶ光の照射を終了した後、８０℃に溶液を加熱しながら、超音波ホモジナイザーを用いて更に１時間撹拌し、高次シランのクラスターを減少させた。
【００４２】
得られた高次シラン溶液を１μｍ孔のＰＰフィルターでろ過した後、ガラス基板上に５ｍｌ滴下し、１０００ｒｐｍで１０秒回転させることにより塗膜した。次に、この基板を４００℃で３０分間焼成することにより、厚さ６０ｎｍのアモルファスシリコン膜を得た。得られたアモルファスシリコン膜の表面粗さを測定したところ、Ｒａ＝１．４ｎｍだった。
【００４３】
一方、シクロペンタシラン１ｍｌをシクロヘキサン１０ｍｌで希釈し、高圧水銀ランプのＵＶ光を５分間照射しただけの塗布液を用いて上記条件と同様に塗布、焼成し、厚さ６０ｎｍのアモルファスシリコン膜を得た。しかしながら、この膜の表面粗さを測定したところ、Ｒａ＝５ｎｍであった。
【００４４】
また、本発明で得られたシリコン膜をＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の一部として用いることができる。さらに、液晶表示装置、有機ＥＬ装置などの電気光学装置の駆動回路として、そのＴＦＴを用いることもできる。