(57)【要約】  【課題】  半導体レーザ素子のグランドと外部基板のグランドとの間に発生する寄生インダクタンス成分を低減させ、１０Ｇｂ／ｓなどの高速伝送が要求される光伝送システムに適用することができ、光モジュールで発生する熱を効率良く外部基板に伝導することができる光モジュールなどを提供する。  【解決手段】  ステム１０３と、ステムに取り付けられたヒートシンク１０７と、ヒートシンクに接続され、配線パターン１０９を有するサブマウント１０２と、配線パターン上に配置され、サブマウントと接続された発光素子１００と、薄膜抵抗１０１と、駆動電流を供給するため配線パターンに接続されたリードピン１０４と、供給された駆動電流をグランドに落とすグランドピン１０５とを備え、グランドピンが外部基板２００のグランドと接続される光モジュールにおいて、グランドピンは外部基板のグランドと面接続される形状である。【選択図】  図１
2005142238.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステムと、前記ステムに導電的に取り付けられたヒートシンクと、前記ヒートシンクに導電的に接続され、誘電体材料からなる配線パターンを有するサブマウントと、前記サブマウント上の前記配線パターン上に配置され、前記サブマウントと導電的に接続された発光素子と、前記サブマウント上の前記配線パターン上に配置された薄膜抵抗と、前記ステムを貫通して固定され、前記薄膜抵抗を介して前記発光素子に駆動電流を供給するため前記配線パターンに導電的に接続されたリードピンと、前記ステムに導電的に接続され、前記リードピンから前記薄膜抵抗を介して前記発光素子に供給された前記駆動電流を前記サブマウント、前記ヒートシンク及び前記ステムを介してグランドに落とすグランドピンとを備え、前記グランドピンが、前記駆動電流を供給する駆動ＩＣを実装した外部基板のグランドと接続される光モジュールにおいて、
前記グランドピンは、前記外部基板のグランドと面接続される形状であることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記グランドピンは、金属ブロックであることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記金属ブロックの材質はコバールであることを特徴とする請求項２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記金属ブロックの材質は鉄であることを特徴とする請求項２に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記金属ブロックの材質は銅タングステンであることを特徴とする請求項２に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記金属ブロックの材質は銅であることを特徴とする請求項２に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記グランドピンは取り外し可能であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１つに記載の光モジュール。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の光モジュールと、
前記光モジュールを駆動する駆動ＩＣと、
前記光モジュール及び前記駆動ＩＣを制御する制御回路とを、
備える光送信装置。
【請求項９】
請求項８に記載の光送信装置と、
前記光送信装置から送信される光信号を伝搬させる光ファイバと、
前記光ファイバを伝搬してくる前記光信号を電気信号に変換し、前記変換された電気信号に基づいてデータ信号又はデータ信号とクロック信号とを再生し出力する光受信装置とを備え、
前記光送信装置と前記光受信装置とが前記光ファイバを介して接続された光伝送システム。
【請求項１０】
波長が異なる光信号を出力する複数の請求項８に記載の光送信装置と、
前記複数の光送信装置が出力する前記光信号を合波して出力する光合波素子とを、
備える光送信側装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の光送信側装置と、
前記光送信側装置から送信される光信号を伝搬させる光ファイバと、
前記光ファイバを伝搬してくる前記光信号を波長によって複数の前記光信号に分離し、出力する分波素子と、
前記分波素子によって出力される前記光信号を電気信号に変換し、前記変換された電気信号に基づいてデータ信号又はデータ信号とクロック信号とを再生し出力する複数の受信装置とを備え、
前記光送信側装置、前記分波素子及び前記光受信装置が前記光ファイバを介して接続された光伝送システム。
【請求項１２】
請求項８に記載の光送信装置と、
光信号を電気信号に変換し、前記変換された電気信号に基づいてデータ信号又はデータ信号とクロック信号とを再生し出力する光受信装置と、
前記光送信装置から送信される前記光信号を伝搬するための光ファイバへ結合させ、前記光ファイバを伝搬してくる前記光信号を前記光受信装置へ結合させる光合分波素子とを、
備える一心双方向光伝送装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の２つの一心双方向光伝送装置を光ファイバを介して接続させ、相対向させた一心双方向光伝送システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通信機器や光ディスク機器などで用いられる光モジュールなどに関し、特にキャンパッケージ型（ステム型）と呼ばれる光モジュール、光モジュールを含む光送信装置、及び光送信装置を含む光伝送システム、光送信側装置、一心双方向光伝送装置及び一心双方向光伝送システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から光モジュールとして様々なものが開発されてきた。従来の光モジュールについて図７を用いて説明する。図７は従来の光モジュールの構成を示す図である。図７に示すように、光モジュールは、ステム７０３と、ステム７０３に導電的に取り付けられたブロック７０７と、ブロック７０７と導電的に接続されたサブマウント７０２と、サブマウント７０２上に配置された半導体レーザ素子７００及び薄膜抵抗体７０１と、半導体レーザ素子７００に対向するようにステム７０３に取り付けられ、半導体レーザ素子７００の出力をモニタリングして制御する受光素子７１０と、半導体レーザ素子７００へ高周波信号を入力するリードピン７０４と、リードピン７０４から入力された高周波信号をグランドに落とすグランドピン７０５と、受光素子７１０に制御信号を入力するリードピン７０６と、リードピン７０４、７０６をステム７０３から絶縁するガラス７０８とを備えている。さらに、サブマウント７０２上には薄膜抵抗体７０１及び半導体レーザ素子７００を配置したマイクロストリップライン７０９又はメタライズされた配線が形成されている。マイクロストリップライン７０９又はメタライズされた配線の一端にリードピン７０４を接続し、他端にグランドピン７０５を接続することにより、高周波信号の反射及び歪みがなくなり、かつ高速のレーザ光による光伝送を行うことができる。このような光モジュールが下記の特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２０００−３５３８４６号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に開示されている光モジュールを不図示の外部基板に搭載すると、光モジュール内の半導体レーザ素子７００のグランドと不図示の外部基板のグランドとの間に寄生インダクタンス成分が発生するため、１０Ｇｂ／ｓなどのより高速な伝送速度が要求される光伝送システムには適用することができないという問題があった。また、グランドピン７０５と不図示の外部基板との接続面積が小さいため、光モジュールで発生する熱を効率良く不図示の外部基板に伝導することができないという問題があった。
【０００４】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、光モジュール内の半導体レーザ素子のグランドと外部基板のグランドとの間に発生する寄生インダクタンス成分を低減させ、１０Ｇｂ／ｓなどのより高速な伝送速度が要求される光伝送システムに適用することができ、また光モジュールで発生する熱を効率良く外部基板に伝導することができる光モジュール、光送信装置、光伝送システム、光送信側装置、一心双方向光伝送装置及び一心双方向光伝送システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明によれば、ステムと、前記ステムに導電的に取り付けられたヒートシンクと、前記ヒートシンクに導電的に接続され、誘電体材料からなる配線パターンを有するサブマウントと、前記サブマウント上の前記配線パターン上に配置され、前記サブマウントと導電的に接続された発光素子と、前記サブマウント上の前記配線パターン上に配置された薄膜抵抗と、前記ステムを貫通して固定され、前記薄膜抵抗を介して前記発光素子に駆動電流を供給するため前記配線パターンに導電的に接続されたリードピンと、前記ステムに導電的に接続され、前記リードピンから前記薄膜抵抗を介して前記発光素子に供給された前記駆動電流を前記サブマウント、前記ヒートシンク及び前記ステムを介してグランドに落とすグランドピンとを備え、前記グランドピンが、前記駆動電流を供給する駆動ＩＣを実装した外部基板のグランドと接続される光モジュールにおいて、前記グランドピンは、前記外部基板のグランドと面接続される形状であることを特徴とする光モジュールが提供される。この構成により、光モジュール内の半導体レーザ素子のグランドと外部基板のグランドとの間に発生する寄生インダクタンス成分を低減させ、１０Ｇｂ／ｓなどのより高速な伝送速度が要求される光伝送システムに適用することができ、また光モジュールで発生する熱を効率良く外部基板に伝導することができる。
【０００６】
また、上記発明の光モジュールにおける前記グランドピンが金属ブロックであることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、光モジュールで発生する熱を効率良く外部基板に伝導することができる。
【０００７】
また、上記発明の光モジュールにおける前記金属ブロックの材質がコバールであることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、光モジュールで発生する熱を効率良く外部基板に伝導することができる。
【０００８】
また、上記発明の光モジュールにおける前記金属ブロックの材質が鉄であることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、光モジュールで発生する熱を効率良く外部基板に伝導することができる。
【０００９】
また、上記発明の光モジュールにおける前記金属ブロックの材質が銅タングステンであることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、光モジュールで発生する熱を効率良く外部基板に伝導することができる。
【００１０】
また、上記発明の光モジュールにおける前記金属ブロックの材質が銅であることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、光モジュールで発生する熱を効率良く外部基板に伝導することができる。
【００１１】
また、上記発明の光モジュールにおける前記グランドピンが取り外し可能であることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、製造やメンテナンスを容易にすることができる。
【００１２】
また、本発明によれば、請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の光モジュールと、前記光モジュールを駆動する駆動ＩＣと、前記光モジュール及び前記駆動ＩＣを制御する制御回路とを備える光送信装置が提供される。この構成により、光モジュール内の半導体レーザ素子のグランドと外部基板のグランドとの間に発生する寄生インダクタンス成分を低減させ、１０Ｇｂ／ｓなどのより高速な伝送速度が要求される光伝送システムに適用することができ、また光モジュールで発生する熱を効率良く外部基板に伝導することができる。
【００１３】
また、本発明によれば、請求項８に記載の光送信装置と、前記光送信装置から送信される光信号を伝搬させる光ファイバと、前記光ファイバを伝搬してくる前記光信号を電気信号に変換し、前記変換された電気信号に基づいてデータ信号又はデータ信号とクロック信号とを再生し出力する光受信装置とを備え、前記光送信装置と前記光受信装置とが前記光ファイバを介して接続された光伝送システムが提供される。この構成により、光モジュール内の半導体レーザ素子のグランドと外部基板のグランドとの間に発生する寄生インダクタンス成分を低減させ、１０Ｇｂ／ｓなどのより高速な光伝送をすることができる。
【００１４】
また、本発明によれば、波長が異なる光信号を出力する複数の請求項８に記載の光送信装置と、前記複数の光送信装置が出力する前記光信号を合波して出力する光合波素子とを備える光送信側装置が提供される。この構成により、光モジュール内の半導体レーザ素子のグランドと外部基板のグランドとの間に発生する寄生インダクタンス成分を低減させ、１０Ｇｂ／ｓなどのより高速な光伝送をすることができる。
【００１５】
また、本発明によれば、請求項１０に記載の光送信側装置と、前記光送信側装置から送信される光信号を伝搬させる光ファイバと、前記光ファイバを伝搬してくる前記光信号を波長によって複数の前記光信号に分離し、出力する分波素子と、前記分波素子によって出力される前記光信号を電気信号に変換し、前記変換された電気信号に基づいてデータ信号又はデータ信号とクロック信号とを再生し出力する複数の受信装置とを備え、前記光送信側装置、前記分波素子及び前記光受信装置が前記光ファイバを介して接続された光伝送システムが提供される。この構成により、光モジュール内の半導体レーザ素子のグランドと外部基板のグランドとの間に発生する寄生インダクタンス成分を低減させ、１０Ｇｂ／ｓなどのより高速な光伝送をすることができる。
【００１６】
また、本発明によれば、請求項８に記載の光送信装置と、光信号を電気信号に変換し、前記変換された電気信号に基づいてデータ信号又はデータ信号とクロック信号とを再生し出力する光受信装置と、前記光送信装置から送信される前記光信号を伝搬するための光ファイバへ結合させ、前記光ファイバを伝搬してくる前記光信号を前記光受信装置へ結合させる光合分波素子とを備える一心双方向光伝送装置が提供される。この構成により、光モジュール内の半導体レーザ素子のグランドと外部基板のグランドとの間に発生する寄生インダクタンス成分を低減させ、１０Ｇｂ／ｓなどのより高速な光伝送をすることができる。
【００１７】
また、本発明によれば、請求項１２に記載の２つの一心双方向光伝送装置を光ファイバを介して接続させ、相対向させた一心双方向光伝送システムが提供される。この構成により、光モジュール内の半導体レーザ素子のグランドと外部基板のグランドとの間に発生する寄生インダクタンス成分を低減させ、１０Ｇｂ／ｓなどのより高速な光伝送をすることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の光モジュール、光送信装置、光伝送システム、光送信側装置、一心双方向光伝送装置及び一心双方向光伝送システムは、上記構成を有し、光モジュール内の半導体レーザ素子のグランドと外部基板のグランドとの間に発生する寄生インダクタンス成分を低減させ、１０Ｇｂ／ｓなどのより高速な伝送速度が要求される光伝送システムに適用することができ、また光モジュールで発生する熱を効率良く外部基板に伝導することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
＜第１の実施の形態＞
以下、本発明の第１の実施の形態に係る光モジュール、光送信装置、光伝送システム、光送信側装置、一心双方向光伝送装置及び一心双方向光伝送システムについて図１から図５を用いて説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光モジュールの構成を示す図である。図２は、本発明の第１の実施の形態に係る光伝送システムの構成を示す図である。図３は、本発明の第１の実施の形態におけるグランドピン及び従来のグランドピンの周波数特性を示す図である。図４は、本発明の第１の実施の形態に係る光送信側装置を含む光伝送システムの構成を示す図である。図５は、本発明の第１の実施の形態に係る一心双方向光伝送装置を含む一心双方向光伝送システムの構成を示す図である。
【００２０】
まず、本発明の第１の実施の形態に係る光伝送システムについて図２を用いて説明する。図２に示すように、光伝送システム２０６は、光送信装置２０３、伝送用光ファイバ２０４、光受信装置２０５から構成されている。光送信装置２０３は、外部基板２００、駆動ＩＣ２０１、光モジュール２０２から構成されている。外部基板２００に搭載された駆動ＩＣ２０１は、光モジュール２０２へ電気信号を送出する。光モジュール２０２は、駆動ＩＣ２０１から送出された電気信号により変調された光信号を生成し、伝送用光ファイバ２０４へ送出する。伝送用光ファイバ２０４内を伝搬する光信号は、光受信装置２０５へ入力される。光受信装置２０５は、入力された光信号を電気信号に変換した後、電気信号を識別し、データ信号又はデータ信号とクロック信号とを再生し出力する。
【００２１】
次に、光モジュール２０２の構成について図１を用いて説明する。光モジュール２０２は、ステム１０３、ステム１０３に導電的に取り付けられたブロック１０７、ブロック１０７に導電的に取り付けられたサブマウント１０２、サブマウント１０２上に取り付けられたマイクロストリップライン１０９、マイクロストリップライン１０９上に配置された半導体レーザ素子１００及び薄膜抵抗体１０１、電気信号を入力するためのリードピン１０４、不図示の受光素子に制御信号を入力するためのリードピン１０６、リードピン１０４及び１０６をステム１０３から絶縁させ、固定させるガラス１０８、リードピン１０４から入力された電気信号をグランドに落とすグランドピン１０５から構成されている。サブマウント１０２は、窒化アルミニウムなどにより構成され、５Ω程度の半導体レーザ素子１００で発生する熱をブロック１０７へ放熱するものである。リードピン１０４へ入力された電気信号は、マイクロストリップライン１０９を介して薄膜抵抗体１０１を通じて半導体レーザ素子１００へ伝わる。半導体レーザ素子１００へ伝達された電気信号は、半導体レーザ素子１００がサブマウント１０２の側面を介してブロック１０７に導電的に接続され、ブロック１０７がステム１０３及びグランドピン１０５と導通している構成のためグランドに落とされる。
【００２２】
グランドピン１０５とリードピン１０４及び１０６との間には外部基板２００が挟まれており、外部基板２００上の高周波パターン１１０とリードピン１０４とが、また外部基板２００の不図示のグランドとグランドピン１０５とがそれぞれ接続されている。グランドピン１０５の形状は、リードピン１０４及び１０６のような円筒状ではなく直方体である。通常のキャンパッケージにおけるグランドピン１０５の形状は、リードピン１０４、１０６のような直径０．４ｍｍ程度の円筒状であり、このようなキャンパッケージと外部基板２００とを接続させる場合、グランドの接続は円筒状のグランドピンのみで接続されることになる。この場合、キャンパッケージと外部基板２００との間に寄生インダクタンス成分が発生してしまい、この寄生インダクタンス成分の影響により高周波特性は劣化する。しかし、キャンパッケージのグランドピンを図２に示すグランドピン１０５のような形状にすれば、グランドピン１０５と外部基板２００のグランドとを面接続させることができる。これにより、寄生インダクタンス成分を低減させることができ、高周波特性の劣化を防ぐことができる。
【００２３】
ここで、グランドピンの形状が異なる場合の周波数特性を示す図３から分かるように、グランドピン１０５が直径０．４ｍｍの円筒状の場合、周波数帯域が８ＧＨｚ、インダクタンス成分が約１．５ｎＨであるのに対して、グランドピン１０５が幅４．４ｍｍの直方体の場合、周波数帯域が１０．１ＧＨｚ、インダクタンス成分が約０．４５ｎＨとなる。なお、インダクタンス成分の値は専用の解析シミュレータによって得られたものである。このときの半導体レーザ素子１００の抵抗成分は５Ω、容量は０．４ｐＦである。これにより、グランドピン１０５の形状を円筒状から直方体にすることにより、外部基板２００のグランドと面接続させることができるため、キャンパッケージのグランドと外部基板２００のグランドとの間の寄生インダクタンス成分を低減させることができることが分かる。そして、高周波特性の劣化を防ぐことができ、１０Ｇｂ／ｓという高速な伝送速度が要求される光伝送システムに適用することができる。また、光モジュールで発生する熱を効率良く外部基板２００に伝導させることができる。
【００２４】
次に、上述した光モジュールを含む光送信側装置及び光送信側装置を含む光伝送システムについて図４を用いて説明する。図４に示すように、光伝送システム４０３は、光送信側装置４０２、伝送用光ファイバ２０４、光分波素子４０１、光受信装置２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃから構成されている。光送信側装置４０２は、駆動ＩＣ２０１ａ、２０１ｂ、２０１ｃをそれぞれ搭載した外部基板２００ａ、２００ｂ、２００ｃと、光モジュール２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃと、光合波素子４００とから構成されている。光合波素子４００は、光モジュール２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃからそれぞれ出力される光信号を１本の伝送用光ファイバ２０４で伝送できるように合波し、合波した光信号を伝送用光ファイバ２０４へ送出する。伝送用光ファイバ２０４内を伝搬する光信号は、光分波素子４０１を介して光受信装置２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃへそれぞれ入力される。このとき、光モジュール２０２ａから出力された光信号は光受信装置２０５ａに、光モジュール２０２ｂから出力された光信号は光受信装置２０５ｂに、光モジュール２０２ｃから出力された光信号は光受信装置２０５ｃにそれぞれ入力される。
【００２５】
次に、図４で説明した光伝送システム４０３を相対向させた一心双方向光伝送システム５０３について図５を用いて説明する。一心双方向光伝送システム５０３は、一心双方向光伝送装置５０２、５０４と、伝送用光ファイバ２０４とから構成されている。一心双方向光伝送装置５０２は、図２で説明した光送信装置２０３と同様の構成の光送信装置２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃと、光受信装置２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃと、光合分波素子５００とから構成されている。一心双方向光伝送装置５０４に関しても一心双方向光伝送装置５０２と同様の構成であるため説明を省略する。
【００２６】
一心双方向光伝送システム５０３は、１本の伝送用光ファイバ２０４を介して、光送信装置２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃから送出された複数の光信号と、光送信装置２０３ｄ、２０３ｅ、２０３ｆから送出された複数の光信号とを双方向に伝送させるものである。光合分波素子５００は、光モジュール２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃからそれぞれ出力される光信号を１本の伝送用光ファイバ２０４で伝送できるように合波し、合波した光信号を伝送用光ファイバ２０４へ送出し、また光モジュール２０２ｄ、２０２ｅ、２０２ｆからそれぞれ出力され、伝送用光ファイバ２０４内を伝搬してくる光信号を光受信装置２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃにそれぞれ分波し、出力する。光合分波素子５０１も光合分波素子５００と同様の構成であるため説明を省略する。
【００２７】
図４及び図５で説明した光伝送システム４０３及び一心双方向光伝送システム５０３の光モジュール２０２ａ〜２０２ｆに対しても、上述したような直方体の形状にしたグランドピン１０５を適用することにより、光モジュール２０２ａ〜２０２ｆで発生する熱を効率良く外部基板２００に伝導することができる。
【００２８】
＜第２の実施の形態＞
以下に、本発明の第２の実施の形態に係る光モジュールについて図６を用いて説明する。図６に示すように、光モジュールは、ステム６０３、ステム６０３に導電的に接続されたブロック６０７、ブロック６０７に取り付けられたサブマウント６０２、サブマウント６０２上に取り付けられたマイクロストリップライン６０９、マイクロストリップライン６０９上に配置された半導体レーザ素子６００及び薄膜抵抗体６０１、電気信号を入力するためのリードピン６０４、不図示の受光素子に制御信号を入力するためのリードピン６０６、リードピン６０４及び６０６をステム６０３から絶縁させ、固定させるガラス６０８、リードピン６０４から入力された電気信号をグランドに落とすグランドピン６０５、グランドピン６０５に差し込み、光モジュールで発生する熱を効率良く外部基板６１３に伝導することができるグランドブロック６１２、グランドブロック６１２を差し込む際の目安となるガイド６１１から構成されている。
【００２９】
サブマウント６０２は、窒化アルミニウムなどにより構成され、５Ω程度の半導体レーザ素子６００で発生する熱をブロック６０７へ放熱するものである。リードピン６０４へ入力された電気信号は、マイクロストリップライン６０９を介して薄膜抵抗体６０１を通じて半導体レーザ素子６００へ伝わる。半導体レーザ素子６００へ伝達された電気信号は、半導体レーザ素子６００がサブマウント６０２の側面を介してブロック６０７に導電的に接続され、ブロック６０７がステム６０３及びグランドピン６０５と導通している構成のためグランドに落とされる。グランドピン６０５に向かって矢印の方向に差し込まれ、材質がコバールである直方体のグランドブロック６１２とリードピン６０４、６０６との間には外部基板６１３が挟まれ、固定される。また、グランドピン６０５のステム６０３側の端にはガイド６１１が設けられており、グランドブロック６１２をグランドピン６０５に差し込む際の目安としての役割をしている。
【００３０】
外部基板６１３上の高周波パターン６１０とリードピン６０４とが、また外部基板６１３の不図示のグランドとグランドブロック６１２とがそれぞれ接続されている。通常のキャンパッケージにおけるグランドピン６０５の形状は、リードピン６０４、６０６のような直径０．４ｍｍ程度の円筒状であり、このようなキャンパッケージと外部基板６１３とを接続させる場合、グランドの接続は円筒状のグランドピンのみで接続されることになる。この場合、キャンパッケージと外部基板６１３との間に寄生インダクタンス成分が発生してしまい、この寄生インダクタンス成分の影響により高周波特性は劣化する。しかし、キャンパッケージのグランドピン６０５にグランドブロック６１２を差し込み、直方体のような形状にすれば、外部基板６１３の不図示のグランドと面接続させることができる。これにより、寄生インダクタンス成分を低減させることができ、高周波特性の劣化を防ぐことができる。グランドピンの形状が異なる場合の周波数特性に関しては、図３で説明したとおりであるため説明は省略する。
【００３１】
これにより、形状が円筒状のグランドピン６０５に、材質がコバールである直方体のグランドブロック６１２を差し込むことにより、外部基板６１３の不図示のグランドと面接続させることができ、キャンパッケージのグランドと外部基板６１３のグランドとの間の寄生インダクタンス成分を低減させることができる。そして、高周波特性の劣化を防ぐことができ、１０Ｇｂ／ｓという高速な伝送速度が要求される光伝送システムに適用することができる。また、光モジュールで発生する熱を効率良く外部基板６１３に伝導することができる。なお、グランドブロック６１２に、鉄、銅タングステン、銅などの材質を用いてもよい。材質が鉄のグランドブロック６１２は、コバールのものに比べ約４．５倍の効率で、光モジュールで発生する熱を外部基板６１３へ伝導することができる。さらに銅タングステンのグランドブロック６１２は、鉄のものに比べ約２．６倍の効率で、光モジュールで発生する熱を外部基板６１３へ伝導することができる。さらに銅のグランドブロック６１２は、銅タングステンのものに比べ約２．０倍の効率で、光モジュールで発生する熱を外部基板６１３へ伝導することができる。
【００３２】
なお、第２の実施の形態に係る光モジュールを第１の実施の形態に係る光モジュールに代えて、図２、４、５に示す光送信装置、光伝送システム、光送信側装置、一心双方向光伝送装置、一心双方向光伝送システムに適用しても実施可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明に係る光モジュール、光送信装置、光伝送システム、光送信側装置、一心双方向光伝送装置及び一心双方向光伝送システムは、光モジュール内の半導体レーザ素子のグランドと外部基板のグランドとの間に発生する寄生インダクタンス成分を低減させ、１０Ｇｂ／ｓなどのより高速な伝送速度が要求される光伝送システムに適用することができ、また光モジュールで発生する熱を効率良く外部基板に伝導することができるため、通信機器や光ディスク機器などで用いられる光モジュール、光送信装置、光伝送システム、光送信側装置、一心双方向光伝送装置及び一心双方向光伝送システムなどに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光モジュールの構成を示す図
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る光伝送システムの構成を示す図
【図３】本発明の第１の実施の形態におけるグランドピン及び従来のグランドピンの周波数特性を示す図
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る光送信側装置を含む光伝送システムの構成を示す図
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る一心双方向光伝送装置を含む一心双方向光伝送システムの構成を示す図
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る光モジュールの構成を示す図
【図７】従来の光モジュールの構成を示す図
【符号の説明】
【００３５】
１００、６００、７００  半導体レーザ素子（発光素子）
１０１、６０１、７０１  薄膜抵抗体（薄膜抵抗）
１０２、６０２、７０２  サブマウント
１０３、６０３、７０３  ステム
１０４、１０６、６０４、６０６、７０４、７０６  リードピン
１０５、６０５、７０５  グランドピン
１０７、６０７、７０７  ブロック（ヒートシンク）
１０８、６０８、７０８  ガラス
１０９、６０９、７０９  マイクロストリップライン（配線パターン）
１１０、６１０  高周波パターン
２００、２００ａ、２００ｂ、２００ｃ、２００ｄ、２００ｅ、２００ｆ、６１３  外部基板
２０１、２０１ａ、２０１ｂ、２０１ｃ、２０１ｄ、２０１ｅ、２０１ｆ、６１４  駆動ＩＣ
２０２、２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ、２０２ｅ、２０２ｆ  光モジュール
２０３、２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃ、２０３ｄ、２０３ｅ、２０３ｆ  光送信装置
２０４  伝送用光ファイバ
２０５、２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃ、２０５ｄ、２０５ｅ、２０５ｆ  光受信装置
２０６、４０３  光伝送システム
４００  光合波素子
４０１  光分波素子
４０２  光送信側装置
５００、５０１  光合分波素子
５０２、５０４  一心双方向光伝送装置
５０３  一心双方向光伝送システム
６１１  ガイド
６１２  グランドブロック
７１０  受光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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