(57)【要約】    【課題】  本発明は、複数の薄膜デバイス層が積層された構造を有する電気デバイスにおいて、信頼性の高い電気デバイス、電子機器及び電気デバイスの製造方法を提供することを目的としている。    【解決手段】  半導体装置が形成された複数の薄膜デバイス層を含む複数の薄膜層１６，２８，３６，４４が積層されており、少なくともいずれかの隣接する前記薄膜層１６，２８，３６，４４間に所定の熱伝導性を有する伝導層２４，３２，４０を備えていることを特徴とする電気デバイスにより、上記課題を解決する。伝導層２４，３２，４０を構成する材料としては、例えば金属、金属化合物、金属又は金属化合物を分散させた樹脂或いは導電性高分子が用いられる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置が形成された複数の薄膜デバイス層を含む複数の薄膜層が積層されており、少なくともいずれかの隣接する前記薄膜層間に所定の熱伝導性を有する伝導層を備えていることを特徴とする電気デバイス。
【請求項２】
前記伝導層を構成する材料が、金属、金属化合物、金属若しくは金属化合物を分散させた樹脂、又は導電性高分子である、請求項１に記載の電気デバイス。
【請求項３】
前記薄膜層がトランジスタを含み、
前記伝導層の前記トランジスタを構成するチャネル部に対応する領域と、
前記伝導層内に形成された、当該チャネル部に対応する領域から外方に熱を放出するための伝播領域と、が少なくとも熱伝導性材料で構成されている、請求項１に記載の電気デバイス。
【請求項４】
前記薄膜層がトランジスタを含み、
前記伝導層の前記トランジスタを構成するチャネル部に対応する領域と、前記伝導層内に形成された、当該チャネル部に対応する領域から外方に熱を放出するための伝播領域と、が高熱伝導性材料で構成され、前記チャネル部に対応する領域及び前記伝播領域以外の領域が絶縁性材料により構成されている、請求項１に記載の電気デバイス。
【請求項５】
前記薄膜層がトランジスタを含み、
前記伝導層の前記トランジスタを構成するチャネル部に対応する領域以外の領域では、熱伝導性材料が網目状に構成されている、請求項１に記載の電気デバイス。
【請求項６】
前記伝導層が放熱器に熱的に接続されている、請求項１乃至５のいずれかに記載の電気デバイス。
【請求項７】
前記伝導層が電気伝導性を有し、当該伝導層が電気的に接地されている、請求項１乃至５のいずれかに記載の電気デバイス。
【請求項８】
前記薄膜層を少なくとも４つ含み、当該各薄膜層間に介在する前記伝導層の厚さが、前記電気デバイスの厚み方向で外側に位置する伝導層よりも内側に位置する伝導層の方が厚く形成されている、請求項１乃至７のいずれかに記載の電気デバイス。
【請求項９】
前記薄膜層を少なくとも４つ含み、当該各薄膜層間に介在する前記伝導層の厚さが、前記電気デバイスの厚み方向で外側に位置する伝導層よりも内側に位置する伝導層の方が高熱伝導性材料で構成されている、請求項１乃至７のいずれかに記載の電気デバイス。
【請求項１０】
半導体装置が形成された複数の薄膜デバイス層を含む複数の薄膜層が積層されており、少なくともいずれかの隣接する前記薄膜層間に所定の導電性を有する電気伝導層を備え、各電気伝導層が電気的に接地されていることを特徴とする電気デバイス。
【請求項１１】
第１被転写層が形成された第１基板から、前記第１被転写層を転写体に剥離転写する第１工程と、
前記第１被転写層上に、導電材料から構成される伝導層を形成する第２工程と、
前記伝導層上に、さらに第２被転写層が形成された第２基板から、前記第２被転写層を剥離転写する第３工程と、
を含むことを特徴とする電気デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記導電材料が金属箔であり、前記第２工程が、接着層を介して前記金属箔を前記第１被転写層上に形成する工程である、請求項１１に記載の電気デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記導電材料が金属であり、前記第２工程が、前記第１被転写層上に金属層をスパッタにより形成する工程である、請求項１１に記載の電気デバイスの製造方法。
【請求項１４】
さらに、前記金属層をパターニングする工程を含む、請求項１３に記載の電気デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の薄膜デバイス層が積層された構造を有する電気デバイスの製造技術に関し、詳しくは、信頼性の高い電気デバイス及び電気デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来において、３次元ＩＣ等の複数の薄膜デバイス層が積層された電気デバイスを製造する場合には、Ｓｉ基板上に電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）等の能動素子を含む薄膜デバイス層を形成し、次いで、この薄膜デバイス層上に２層目以降の薄膜デバイス層をＣＶＤ法等により直接形成していた。しかしながら、このような３次元デバイスの製造方法では、同一基板上に各層を順次重ねて形成するので、上層を形成する際、下層に悪影響を与えないように温度制限等の種々の制約を受ける場合がある。また、層ごとに異なる機能を有する薄膜デバイス層を積層する場合、各層ごとに適したデバイスパラメータ（例えば、ゲート線幅、ゲート絶縁膜の膜厚、デザインルール、製造時の温度等の製造条件）で形成するのは困難であった。
【０００３】
これに対し、例えば特開平１１−２５１５１７号公報（特許文献１）及び特開平１１−２５１５１８号公報（特許文献２）には、薄膜デバイス層を転写法により積層することにより、下層によって製造条件が制約されず、各層ごとに自由にデバイスパラメータを設定し得る３次元デバイスを製造する方法が記載されている。
【特許文献１】特開平１１−２５１５１７号公報
【特許文献２】特開平１１−２５１５１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、薄膜デバイス層は、厚さが例えば数μｍ程度と非常に薄いため、これを積層した場合には近接する薄膜デバイス層に含まれる能動素子同士が接近してしまう。能動素子としてＦＥＴを用いた場合には、ＦＥＴを構成するチャネル部から発生する熱の影響が他の薄膜デバイス層に含まれる能動素子にまで及んでしまい、動作が不安定となる等の虞があった。また、複数の薄膜デバイス層が積層されている場合、中央付近に位置する薄膜デバイス層に含まれる能動素子では放熱がし難く、加熱による劣化が生じる虞があった。
【０００５】
そこで、本発明は、複数の薄膜デバイス層が積層された構造を有する電気デバイスにおいて、信頼性の高い電気デバイス及び電気デバイスの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、半導体装置が形成された複数の薄膜デバイス層を含む複数の薄膜層が積層されており、少なくともいずれかの隣接する前記薄膜層間に所定の熱伝導性を有する伝導層を備えている電気デバイスを提供するものである。
【０００７】
本発明の構成によれば、薄膜デバイス層に近接する位置に熱伝導性を有する伝導層を備えることになるので、各薄膜デバイス層において生じた熱を当該伝導層を介して外方に放出することが可能となる。よって、熱による薄膜デバイスの劣化を回避することが可能となり、長寿命で信頼性の高い電気デバイスを提供し得る。
【０００８】
前記伝導層を構成する材料は、金属（例：銅、アルミニウム等）、金属化合物（例：酸化アルミニウム、酸化ケイ素等の金属酸化物、窒化ケイ素等の金属窒化物等）、例えば繊維状若しくは粒子状の金属又は金属化合物を分散させた樹脂（例：異方性導電接着剤等）、又は導電性高分子（例：ポリアセチレン等）が挙げられる。このような熱伝導性の良好な材料を用いることにより、薄膜デバイス層に生じた熱を外方に放出し得る。
【０００９】
前記伝導層の少なくとも前記薄膜デバイス層の発熱領域に対応する領域が熱伝導性材料で構成されていることが好ましい。これによれば、薄膜デバイス層で発生した熱を伝導層に伝播することにより、熱の拡散が可能となるからである。
【００１０】
また、前記薄膜層がトランジスタを含み、前記伝導層の前記トランジスタを構成するチャネル部に対応する領域と、前記伝導層内に形成された、当該チャネル部に対応する領域から外方に熱を放出するための伝播領域（経路）と、が少なくとも熱伝導性材料で構成されていることが好ましい。これによれば、発熱量の大きい電界効果トランジスタのチャネル部に対応する領域と当該領域から外方に熱を放出するための経路が熱伝導性を有する材料で構成されているので、効率的にチャネル部で生じた熱を外方に放出することが可能となる。
【００１１】
前記薄膜層がトランジスタを含み、前記伝導層の前記トランジスタを構成するチャネル部に対応する領域と、前記伝導層内に形成された、当該チャネル部に対応する領域から外方に熱を放出するための伝播領域と、が高熱伝導性材料で構成され、前記チャネル部に対応する領域及び前記伝播領域以外の領域が絶縁性材料により構成されていることが好ましい。これによれば、発熱量が多く、放熱が必要な領域のみを高熱伝導性材料で構成し、それ以外の領域を絶縁性材料で構成しているので、効率よく放熱することが可能であり、しかも、例えば、薄膜デバイス層内に形成された配線領域等に対応する領域では絶縁性材料を用いているので、配線領域等で寄生容量が発生するのを低減することが可能となる。
【００１２】
前記薄膜層がトランジスタを含み、前記伝導層の前記トランジスタを構成するチャネル部に対応する領域以外の領域では、熱伝導性材料が網目状に構成されていることが好ましい。これによれば、発熱量が多く、放熱が必要な領域では緊密な層を形成し、それ以外の領域では網目状に構成しているので、発熱量の多い領域では効率よく放熱することが可能であり、しかも、例えば、薄膜デバイス層内に形成された配線領域等に対応する領域で、伝導層が網目状に構成されるので、配線領域等で寄生容量が発生するのを低減することが可能となる。
【００１３】
前記伝導層が放熱器に熱的に接続されていることが好ましい。これによれば、より効率よく放熱することが可能となる。
前記伝導層が電気伝導性を有し、当該伝導層が電気的に接地されていることが好ましい。これによれば、例えば、薄膜デバイス層に形成された配線間に生じる電磁波干渉を防止し得る。
【００１４】
前記薄膜層を少なくとも４つ含み、当該各薄膜層間に介在する前記伝導層の厚さが、前記電気デバイスの厚み方向で外側に位置する伝導層よりも内側に位置する伝導層の方が厚く形成されていることが好ましい。これによれば、より熱の籠もり易い内側の伝導層が外側に位置する伝導層より厚く形成することにより、電気デバイスの内側に籠った熱も効率的に放出することが可能となる。
【００１５】
前記薄膜層を少なくとも４つ含み、当該各薄膜層間に介在する前記伝導層の厚さが、前記電気デバイスの厚み方向で外側に位置する伝導層よりも内側に位置する伝導層の方が高熱伝導性材料で構成されていることが好ましい。これによれば、より熱の籠もり易い内側の伝導層を外側に位置する伝導層よりも熱伝導性の良好な材料で構成しているので、電気デバイスの内側に籠った熱を効率的に放出することが可能となる。
【００１６】
本発明の他の態様は、半導体装置が形成された複数の薄膜デバイス層を含む複数の薄膜層が積層されており、少なくともいずれかの隣接する前記薄膜層間に所定の導電性を有する電気伝導層を備え、各電気伝導層が電気的に接地されている電気デバイスを提供するものである。これによれば、例えば、薄膜デバイス層に形成された配線間に生じる電磁波干渉を防止することが可能となり、長寿命で信頼性の高い電子機器を提供することが可能となる。このような電気伝導層は、例えば、金属、金属酸化物等の導電材料から構成される。
【００１７】
本発明の他の態様は、第１被転写層が形成された第１基板から、前記第１被転写層を転写体に剥離転写する第１工程と、前記第１被転写層上に、導電材料から構成される伝導層を形成する第２工程と、前記伝導層上に、さらに第２被転写層が形成された第２基板から、前記第２被転写層を剥離転写する第３工程と、を含む、電気デバイスの製造方法を提供するものである。これによれば、剥離転写方法を利用しているので、容易に伝導層を介した薄膜積層デバイスとしての電気デバイスを形成することが可能となる。
【００１８】
前記導電材料が金属箔であり、前記第２工程が、接着層を介して前記金属箔を前記第１被転写層上に形成する工程であってもよい。また、前記導電材料が金属であり、前記第２工程が、前記第１被転写層上に金属層をスパッタにより形成する工程であってもよい。これによれば、容易に伝導層を形成することが可能となる。
【００１９】
さらに、前記金属層をパターニングする工程を含むことが好ましい。これによれば、容易に不要な部位の金属層を除くことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、各図を参照して本発明の実施形態について説明する。  
【００２１】
（第一の実施形態）
図１は、本実施形態の電気デバイスの一例を説明するための図である。図２は、図１における破線で囲まれた部分の部分拡大図である。
図１に示すように、本実施形態の電気デバイスは、複数の薄膜層としての薄膜デバイス層１６，２８，３６，４４の間に伝導層２４，３２，４０が介在した構造を有する。
【００２２】
図２に示すように、薄膜デバイス層４４は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６０を含んでいる。薄膜トランジスタ６０は、例えば、ポリシリコン層にｎ型またはｐ型不純物を導入して形成されたソース層（ｎ+またはｐ+層）６１及びドレイン層（ｎ+またはｐ+層）６２と、チャネル層６３と、ゲート絶縁膜６４と、ゲート電極６５と、層間絶縁膜６６と、電極６７，６８と保護膜６９とから構成されている。保護膜６９は、例えばシリコン酸化膜で構成されており、接続端子７０は、保護膜６９に形成されたコンタクトホールを介して電極６８に電気的に接続している。電極６７，６８及び接続端子７０は、例えばアルミニウムから構成される。なお、薄膜デバイス層１６，２８，３６においても同様である。本実施形態では、伝導層４０は、図２に示すように、少なくともチャネル層６３に対応する領域７１及び図示しない領域７１から電気デバイスの外方に至る熱を放出するための経路が熱伝導性の高い材料（高熱伝導性材料）で構成され、それ以外の領域７２が絶縁性材料で構成されている。
【００２３】
高熱伝導性材料の好適な例としては、銅、アルミニウム等の金属が挙げられる。また、絶縁性材料としては、酸化ケイ素等の金属酸化物、窒化ケイ素等の金属窒化物、高分子等が挙げられる。
【００２４】
伝導層２４，３２，４０の厚さは、特に限定するものではないが、例えば０．１μｍ程度以上であると、十分な熱遮断効果が得られるので好ましい。また、熱遮断効果の観点からは伝導層２４，３２，４０の厚さは厚いほうがよいが、形成される電気デバイスが大型化してしまうので、熱遮断効果と電気デバイスの小型化の観点から適宜適当な厚さを選択する。
【００２５】
なお、上記例では、図２に示したように、伝導層４０を高熱伝導性材料と絶縁性材料から構成した例について説明したが、これに限定されず、伝導層４０は、発熱量の多いチャネル部６３に対応する領域７１を熱伝導性材料で緊密な膜として形成し、それ以外の領域を熱伝導性材料で網目状に形成してもよい。また、各薄膜デバイス層間の電気的接続部を除き、薄膜デバイス層の略全面を熱伝導性の高い導電性材料で覆ってもよい。
【００２６】
また、上記例においては、被転写層としてＴＦＴを含む薄膜デバイスを用いた場合について説明したが、これに限定されず、薄膜ダイオード、光電変換素子、スイッチング素子等を含むものを用いることができる。
被転写層の具体例としては、ＤＲＡＭ（ダイナミックＲＡＭ）、ＳＲＡＭ（スタティックＲＡＭ）、Ｅ2ＰＲＯＭ、ＲＯＭ等のメモリやメモリセルアレイ、ＣＰＵ等のロジック回路、光センサ、磁気センサ等のセンサ等が挙げられる。
【００２７】
次に、本実施形態に係る電気デバイスの製造方法の一例について、図３乃至図５を参照しながら説明する。図３乃至図５は、本実施形態に係る電気デバイスの製造方法の一例を説明するための図である。
図３（Ａ）に示すように、基板１０の一方の面に分離層１２及び必要に応じて中間層を介して第１被転写層１６を形成する。
【００２８】
まず、基板１０上に分離層１２を形成する。
基板１０は、例えば、後の工程で照射される照射光２３を透過し得る透光性を有する材料から構成されることが好ましい。また、基板１０は、分離層１２及び第１被転写層１６を形成する際の最高温度をTmaxとしたときに、歪点がTmax以上の材料で構成されていることが好ましい。
【００２９】
分離層１２は、照射される光（例：照射光２３）を吸収し、その層内および／または界面において剥離（以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う）を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、光の照射により、分離層１２を構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離および／または界面剥離に至るものがよい。
【００３０】
さらに、光の照射により、分離層１２から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。すなわち、分離層１２に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、分離層１２が光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。
【００３１】
このような分離層１２としては、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が挙げられる。また、分離層１２は多層膜から構成されていてもよい。多層膜は、例えばアモルファスシリコン膜とその上に形成されたＡｌ等の金属膜とからなるものとすることができる。その他、上記性状を有するセラミックス，金属，有機高分子材料などを用いることも可能である。
【００３２】
分離層１２の形成方法は、特に限定されず、膜組成や膜厚等の諸条件に応じて適宜選択される。たとえば、ＣＶＤ、スパッタリング等の各種気相成膜法、各種メッキ法、スピンコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェットコーティング法、粉末ジェット法等が挙げられ、これらのうちの２以上を組み合わせて形成することもできる。
次に、分離層１２上に第１被転写層としての薄膜デバイス層（例：薄膜トランジスタを含む層）１６を形成する。また、この際必要に応じて、外部との電気的接続に必要な接続端子、配線等を形成する（図２参照）。
【００３３】
なお、図３（Ａ）には示されないが、分離層１２及び第１被転写層１６の性状に応じて、両者の密着性の向上、第１被転写層としての薄膜デバイス層１６の保護等を目的とした中間層を基板１０と分離層１２の間に設けても良い。また、中間層は、例えば製造時または使用時において第１被転写層を物理的または化学的に保護する保護層、絶縁層、第１被転写層へのまたは第１被転写層からの成分の移行（マイグレーション）を阻止するバリア層、反射層としての機能のうち少なくとも一つを発揮するものであってもよい。
【００３４】
次に、図３（Ｂ）に示すように、薄膜デバイス層１６上に接着層１８を介して転写先となる転写体２０を接合する。
本発明で用いられる、転写体２０は、基板であっても、シート又はフィルムであってもよい。転写体２０を構成する材料も特に限定されず、例えば、樹脂であってもガラス材料であってもよい。
【００３５】
接着層１８を構成する接着剤としては永久接着剤が用いられ、その好適な例としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、光硬化型接着剤（例：紫外線硬化型接着剤）、嫌気硬化型接着剤等が挙げられる。接着剤の組成は、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系のいずれであってもよい。
【００３６】
次に、図３（Ｃ）及び図３（Ｄ）に示すように、基板１０の裏面１１側から分離層１２に光２３を照射することにより、基板１０を第１被転写層１６から分離する。この照射光２３は、基板１０を透過して分離層１２に照射される。これにより、分離層１２に層内剥離及び／又は界面剥離が生じる。分離層１２の層内剥離及び／又は界面剥離が生じる原理は、分離層１２の構成材料にアブレーションが生じること、また、分離層１２に含まれるガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものであると推定される。
【００３７】
ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（分離層１２の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、分離層１２の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、前記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。
【００３８】
照射光２３の光源としては、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線等のいかなるものであってもよい。このような中でも、アブレーションを生じさせ易いという観点から、レーザ光が好適に用いられる。レーザ光の種類は、気体レーザ、固体レーザ（半導体レーザ）等のいずれでもよく、中でも、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ2レーザ、ＣＯレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が好ましく、さらにエキシマレーザが好ましい。
【００３９】
次に、図３（Ｄ）に示すように、基板１０と転写体２０を分離する。例えば基板１０と転写体２０に、双方を離間させる方向に力を加えることによって、基板１０を転写体２０から取り外す。前記光照射によって、第１被転写層１６と基板１０とを接合する強度は弱まっているため、容易に剥離転写がなされる。これにより、図３（Ｅ）に示すような第１被転写層１６が転写された転写体２０が得られる。
【００４０】
なお、図３（Ｄ）においては、分離層１２が基板１０側に付着する場合を示したが、分離層１２内又は分離層１２と基板１０との間で剥離が生じる場合もある。この場合には、第１被転写層１６に分離層１２が付着して残るが、この第１被転写層１６に付着した分離層１２は、洗浄、エッチング、アッシング等により除去することが可能である。
【００４１】
次に、図４（Ａ）に示すように、第１被転写層１６上に接着層２２を介して伝導層としての金属層２４を形成する。
具体的には、例えば、接着層２２としては接着層１８に用いたのと同様の接着剤を用い、塗布等により形成することができる。その後、接着層１８上にアルミニウム又は銅等から構成される金属箔を貼り付ける。この際、金属箔は、所望のパターンに予め形成されていてもよい。
【００４２】
次に、図４（Ｂ）に示すように、図３（Ａ）の工程と同様の工程により第２被転写層２８が分離層１２を介して形成された基板１０を準備し、金属層２４上に接着層２６を介して接合する。接着層２６としては、接着層１８と同様の接着剤が用いられる。その後、図４（Ｃ）に示すように、基板１０の裏面側１１から照射光２３により照射することで、基板１０を第２被転写層２８から分離する。これにより、図４（Ｄ）のような積層構造を有する電気デバイスが製造される。
【００４３】
その後、図４（Ａ）乃至図４（Ｃ）の工程を繰り返すことにより、図５に示すような薄膜デバイス層１６，２８，３６，４４及び伝導層としての金属層２４，３２，４０が順次積層された電気デバイスを形成することができる。
【００４４】
本実施形態によれば、薄膜デバイス層間１６，２８，３６，４４に熱伝導性を有する伝導層２４，３２，４０を備えているので、各薄膜デバイスにおいて生じた熱を当該伝導層を介して外方に放出することが可能となる。よって、熱による薄膜デバイスの劣化を回避することが可能であり、長寿命化で信頼性の高い電気デバイスを提供し得る。
【００４５】
また、本実施形態の電気デバイスでは、例えば伝導層４０のチャネル層６３に対応する領域７１を熱伝導性の高い材料で構成し、それ以外の領域７２を絶縁性材料により構成している。したがって、発熱量の大きい領域（チャネル層６３に対応する領域７１）での熱放出効率を高めつつ、それ以外の領域７２が絶縁性材料により構成されているので、例えば薄膜デバイス層に形成される回路部と伝導層４０により生じる寄生容量を低減させることが可能となる。
【００４６】
また、本実施形態の電気デバイスの製造方法によれば、剥離転写方法を利用しているので、容易に伝導層２４，３２，４０を介した薄膜デバイスを積層することが可能となる。また、伝導層２４，３２，４０を構成する材料として、金属箔を用いているので貼り付け工程のみで容易に形成することが可能となる。
【００４７】
なお、上記例においては、薄膜デバイス層を４層積層した電気デバイスを例に採り説明したが、これに限定されず、薄膜デバイス層は、２層又は３層積層したものであっても、５層以上積層したものであってもよい。  
【００４８】
（変形例１）
上記例においては、伝導層２４，３２，４０は、金属箔を接着することにより形成したが、これに限らず、アルミニウム、銅等の金属をスパッタ又は蒸着することにより形成してもよい。具体的には、図３（Ｅ）の工程後に、アルミニウム、銅等の金属を直接被転写層１６上にスパッタ又は蒸着し、伝導層２４を形成する。その後、図４（Ｂ）の工程と同様にして接着層２６を介して基板１０に形成された第２被転写層２８を接合する。この工程を繰り返すことにより、図６に示すような電気デバイスを形成し得る。また、伝導層２４形成後に、エッチング処理等を行うことにより所望のパターンに伝導層２４をパターン形成してもよい。
【００４９】
これによれば、伝導層２４，３２，４０をスパッタ又は蒸着により直接被転写層１６上に形成するので、間に接着層が介在しないため、より効率よく伝導層２４，３２，４０まで熱を伝播することが可能となる。  
【００５０】
（変形例２）
上記実施形態において、伝導層２４，３２，４０の厚みは、ほぼ同等の厚みに形成した例を採り説明した。本例では、伝導層２４，３２，４０の厚みを層ごとに変えることにより、熱の籠りやすい位置とそうでない位置で熱の放出効率を調整する例について説明する。
【００５１】
図７は、異なる厚みの伝導層を備えた電気デバイスの一例を示す図である。図７に示すように、伝導層２４，３２，４０の厚みを、電気デバイスの外側に位置する層（伝導層２４，４０）よりも内側に位置する層（伝導層３２）の厚みを厚く形成する。このように熱が籠りやすい内側の伝導層３２の厚みを、他の伝導層２４，４０の厚みよりも厚く形成することにより、熱の放出効率をより向上させることが可能となる。本例によれば、各伝導層の厚みを変えるだけで各層の熱の放出効率を変えることができるので利便性がよい。
【００５２】
（変形例３）
本例では、伝導層２４，３２，４０の厚みを変える代わりに、伝導層２４，３２，４０を構成する材料を変えることにより、各層における熱の放出効率を調整した例について説明する。
【００５３】
図８は、異なる材料により構成された伝導層を備えた電気デバイスの一例を示す図である。図８に示すように、伝導層２４，３２，４０の材料を、電気デバイスの厚み方向における外側に位置する層（伝導層２４，４０）よりも内側に位置する層（伝導層３２）の材料をより熱伝導性の高いものとする。これにより、熱の籠りやすい内側に位置する伝導層３２の熱の放出効率をより一層向上させることが可能となる。より具体的には、例えば、熱伝導度の高い銅を中央に位置する伝導層３２の構成材料として用い、それよりも熱伝導度の低いＡｌや金属酸化物等を外側の伝導層２４、４０の構成材料として用いることができる。これにより、熱の籠りやすい電気デバイスの内側に位置する伝導層３２の熱の放出効率を向上させることができるので、効率よく熱の放出が可能となる。
なお、変形例２及び変形例３を組合わせて、電気デバイスを構成してもよい。  
【００５４】
（第二の実施形態）
図９は、他の態様に係る電気デバイスの一例を説明するための図である。図９に示すように、伝導層２４，３２，４０を金属等の導電材料で構成し、伝導層２４，３２，４０を接地することにより、各薄膜デバイス層１６，２８，３６，４４間で生じる電磁波による干渉を遮蔽することが可能となる。これにより、より信頼性の高い電気デバイスを得ることが可能となる。  
【００５５】
（第三の実施形態）
図１０は、他の態様に係る電気デバイスの一例を説明するための図である。図１０に示すように、例えば、電子デバイスの両面に放熱器５０を設置し、各伝導層２４，３２，４０を介して放出された熱を放熱器５０に伝播することにより、より効率的に放熱効果を向上させることが可能となる。
【００５６】
放熱器５０は、図示しない冷却媒体（冷却用液体）で冷却されるよう構成されていてもよい。放熱器５０を構成する材料は、特に限定するものではないが、熱伝導率、加工性、信頼性の観点から、アルミニウムまたはアルミニウム合金によって形成されることが好ましい。これらは比較的熱伝導率が高く（２００Ｗ／ｍＫ前後）、加工も容易であり、また、塑性変形しやすいので、載置部にかかる応力を緩和することが可能となるので、信頼性の高い電気デバイスを提供することができる。
【００５７】
上記方法により製造された電気デバイスは、例えばメモリＩＣ（メモリ装置）、システムＩＣ（システムＬＳＩ）等に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】図１は、本実施形態の電気デバイスの一例を説明するための図である。
【図２】図２は、図１における一点鎖線で囲まれた部分の部分拡大図である。
【図３】図３は、本実施形態に係る電気デバイスの製造方法の一例を説明するための図である。
【図４】図４は、本実施形態に係る電気デバイスの製造方法の一例を説明するための図である。
【図５】図５は、本実施形態に係る電気デバイスの製造方法の一例を説明するための図である。
【図６】図６は、本実施形態の電気デバイスの変形例を示す図である。
【図７】図７は、異なる厚みの伝導層を備えた電気デバイスの一例を示す図である。
【図８】図８は、異なる材料により構成された伝導層を備えた電気デバイスの一例を示す図である。
【図９】図９は、他の態様に係る電気デバイスの一例を説明するための図である。
【図１０】図１０は、他の態様に係る電気デバイスの一例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０・・・基板、１１・・・裏面、１２・・・分離層、１６，２８，３６，４４・・・第１、第２、第３、第４薄膜デバイス層（被転写層）、１８・・・接着層、２０・・・転写体、２２・・・接着層、２３・・・照射光、２４，３２，４０・・・伝導層、２６・・・接着層、５０・・・放熱器、６０・・・薄膜トランジスタ、６３・・・チャネル部、６４・・・ゲート絶縁膜、６５・・・ゲート電極、６６・・・層間絶縁膜、６７，６８・・・電極、６９・・・保護膜、７０・・・接続端子、７１・・・領域、７２・・・領域
【図１】
2005268513.tif 000003
【図２】
2005268513.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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