(57)【要約】【課題】収差の最適な調整量を得てそれにしたがって収差を調整する技術を提供する。【解決手段】光学系の特性を調整するための光学要素を駆動する駆動機構と、前記光学系の収差のうち１次関数で表現可能な収差を第１許容値で正規化した１次評価量及び前記光学系の収差のうち２次関数で表現可能な収差を第２許容値で正規化した２次評価量を得る第１ブロックと、前記１次評価量の上限値をダミー変数とした線形計画法によって前記ダミー変数の最小値を得る第２ブロックと、前記第２ブロックで得られた前記ダミー変数の最小値に緩和量を加えた値を前記１次評価量の上限値として、前記２次評価量の重み付き総和が最小化されるように前記駆動機構による前記光学要素の調整量を得る第３ブロックとを備え、前記第３ブロックでは、逐次得られる前記調整量の下での前記２次評価量の重み付き総和に基づいて前記２次評価量に与える前記重み、及び前記緩和量を調整しながら、前記２次評価量の重み付き総和を最小化する。【選択図】図３
2005268451.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学系を通して基板にパターンを投影する露光装置であって、
前記光学系の特性を調整するための光学要素を駆動する駆動機構と、
前記光学系の収差のうち１次関数で表現可能な収差を第１許容値で正規化した１次評価量及び前記光学系の収差のうち２次関数で表現可能な収差を第２許容値で正規化した２次評価量を得る第１ブロックと、
前記１次評価量の上限値をダミー変数とした線形計画法によって前記ダミー変数の最小値を得る第２ブロックと、
前記第２ブロックで得られた前記ダミー変数の最小値に緩和量を加えた値を前記１次評価量の上限値として、前記２次評価量の重み付き総和が最小化されるように前記駆動機構による前記光学要素の調整量を得る第３ブロックと、
を備え、前記第３ブロックでは、逐次得られる前記調整量の下での前記２次評価量の重み付き総和に基づいて前記２次評価量に与える前記重み、及び前記緩和量を調整しながら、前記２次評価量の重み付き総和を最小化することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
光学系を通して基板にパターンを投影する露光装置であって、
前記光学系の特性を調整するための光学要素を駆動する駆動機構と、
前記光学系の収差のうち１次関数で表現可能な収差を許容値で正規化した１次評価量を得る第１ブロックと、
前記光学系の波面収差に関するZernike係数の絶対値の上限を第１ダミー変数で定義し、前記第１ダミー変数の１次関数で前記波面収差のＲＭＳを近似した１次評価量を得る第２ブロックと、
前記第１ブロック及び前記第２ブロックで得られる１次評価量の上限値を第２ダミー変数で定義し、線型計画法によって前記第２ダミー変数が最小化されるように前記駆動機構による前記光学要素の調整量を得る第３ブロックと、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項３】
光学系を通して基板にパターンを投影するように構成され、前記光学系の特性を調整するための光学要素を駆動する駆動機構を有する露光装置の調整方法であって、
前記光学系の収差のうち１次関数で表現可能な収差を第１許容値で正規化した１次評価量及び前記光学系の収差のうち２次関数で表現可能な収差を第２許容値で正規化した２次評価量を得る第１工程と、
前記１次評価量の上限値をダミー変数とした線形計画法によって前記ダミー変数の最小値を得る第２工程と、
前記第２工程で得られた前記ダミー変数の最小値に緩和量を加えた値を前記１次評価量の上限値として、前記２次評価量の重み付き総和が最小化されるように前記駆動機構による前記光学要素の調整量を得る第３工程と、
を含み、前記第３工程では、逐次得られる前記調整量の下での前記２次評価量の重み付き総和に基づいて前記２次評価量に与える前記重み、及び前記緩和量を調整しながら、前記２次評価量の重み付き総和を最小化することを特徴とする露光装置の調整方法。
【請求項４】
光学系を通して基板にパターンを投影するように構成され、前記光学系の特性を調整するための光学要素を駆動する駆動機構を有する露光装置の調整方法であって、
前記光学系の収差のうち１次関数で表現可能な収差を許容値で正規化した１次評価量を得る第１工程と、
前記光学系の波面収差に関するZernike係数の絶対値の上限を第１ダミー変数で定義し、前記第１ダミー変数の１次関数で前記波面収差のＲＭＳを近似した１次評価量を得る第２工程と、
前記第１工程及び前記第２工程で得られる１次評価量の上限値を第２ダミー変数で定義し、線型計画法によって前記第２ダミー変数が最小化されるように前記駆動機構による前記光学要素の調整量を得る第３工程と、
を含むことを特徴とする露光装置の調整方法。
【請求項５】
デバイス製造方法であって、
感光剤が塗布された基板の前記感光剤に請求項１又は請求項２に記載の露光装置によって潜像パターンを形成する工程と、
前記潜像パターンを現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項６】
デバイス製造方法であって、
露光装置を請求項３又は請求項４に記載の調整方法にしたがって調整する工程と、
感光剤が塗布された基板の前記感光剤に前記露光装置によって潜像パターンを形成する工程と、
前記潜像パターンを現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、その調整方法及びデバイス製造方法に係り、光学系を通して基板にパターンを投影する露光装置、その調整方法及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
非特許文献１や特許文献１で述べられているように、半導体露光装置の投影光学系は、光学特性を計測する第１工程、計測によって得た光学特性に基づいて投影光学系の各種収差を良好に補正するための調整量を算出する第２工程、その調整量に従って実際に投影光学系を調整あるいは加工する第３工程を経て準備される。
【０００３】
また、補正対象となる収差の多くは各部の調整量に比例して変化し、その最大絶対値を最小化することが求められるため、各部の調整量は、線形計画法を応用した方法（特許文献２）によって決定されうる。
【特許文献１】特開平11-176744号公報
【特許文献２】特開2002-367886号公報
【非特許文献１】T.Yoshihara et al.,”Realization of very-small aberration projection lenses”,Proc. SPIE 2000, Vol.4000-52
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、重要な収差の１つである波面収差RMSの変化を各部の調整量の１次関数として表現できないために、特許文献２に開示された方法では、波面収差RMSを含んだ各種収差の最適な調整量を算出することができなかった。
【０００５】
本発明は、上記のような課題認識を基礎としてなされたものであり、収差の最適な調整量を得てそれにしたがって収差を調整する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の側面は、光学系を通して基板にパターンを投影する露光装置に係り、該露光装置は、前記光学系の特性を調整するための光学要素を駆動する駆動機構と、前記光学系の収差のうち１次関数で表現可能な収差を第１許容値で正規化した１次評価量及び前記光学系の収差のうち２次関数で表現可能な収差を第２許容値で正規化した２次評価量を得る第１ブロックと、前記１次評価量の上限値をダミー変数とした線形計画法によって前記ダミー変数の最小値を得る第２ブロックと、前記第２ブロックで得られた前記ダミー変数の最小値に緩和量を加えた値を前記１次評価量の上限値として、前記２次評価量の重み付き総和が最小化されるように前記駆動機構による前記光学要素の調整量を得る第３ブロックとを備え、前記第３ブロックでは、逐次得られる前記調整量の下での前記２次評価量の重み付き総和に基づいて前記２次評価量に与える前記重み、及び前記緩和量を調整しながら、前記２次評価量の重み付き総和を最小化する。
【０００７】
本発明の第２の側面は、光学系を通して基板にパターンを投影する露光装置に係り、該露光装置は、前記光学系の特性を調整するための光学要素を駆動する駆動機構と、前記光学系の収差のうち１次関数で表現可能な収差を許容値で正規化した１次評価量を得る第１ブロックと、前記光学系の波面収差に関するZernike係数の絶対値の上限を第１ダミー変数で定義し、前記第１ダミー変数の１次関数で前記波面収差のＲＭＳを近似した１次評価量を得る第２ブロックと、前記第１ブロック及び前記第２ブロックで得られる１次評価量の上限値を第２ダミー変数で定義し、線型計画法によって前記第２ダミー変数が最小化されるように前記駆動機構による前記光学要素の調整量を得る第３ブロックとを備える。
【０００８】
本発明の第３の側面は、光学系を通して基板にパターンを投影するように構成され、前記光学系の特性を調整するための光学要素を駆動する駆動機構を有する露光装置の調整方法に係り、該調整方法は、前記光学系の収差のうち１次関数で表現可能な収差を第１許容値で正規化した１次評価量及び前記光学系の収差のうち２次関数で表現可能な収差を第２許容値で正規化した２次評価量を得る第１工程と、前記１次評価量の上限値をダミー変数とした線形計画法によって前記ダミー変数の最小値を得る第２工程と、前記第２工程で得られた前記ダミー変数の最小値に緩和量を加えた値を前記１次評価量の上限値として、前記２次評価量の重み付き総和が最小化されるように前記駆動機構による前記光学要素の調整量を得る第３工程とを含み、前記第３工程では、逐次得られる前記調整量の下での前記２次評価量の重み付き総和に基づいて前記２次評価量に与える前記重み、及び前記緩和量を調整しながら、前記２次評価量の重み付き総和を最小化する。
【０００９】
本発明の第４の側面は、光学系を通して基板にパターンを投影するように構成され、前記光学系の特性を調整するための光学要素を駆動する駆動機構を有する露光装置の調整方法に係り、該調整方法は、前記光学系の収差のうち１次関数で表現可能な収差を許容値で正規化した１次評価量を得る第１工程と、前記光学系の波面収差に関するZernike係数の絶対値の上限を第１ダミー変数で定義し、前記第１ダミー変数の１次関数で前記波面収差のＲＭＳを近似した１次評価量を得る第２工程と、前記第１工程及び前記第２工程で得られる１次評価量の上限値を第２ダミー変数で定義し、線型計画法によって前記第２ダミー変数が最小化されるように前記駆動機構による前記光学要素の調整量を得る第３工程とを含む。
【００１０】
本発明の第５の側面は、デバイス製造方法に係り、感光剤が塗布された基板の前記感光剤に上記の第１又は第２の側面に係る記載の露光装置によって潜像パターンを形成する工程と、前記潜像パターンを現像する工程とを含む。
【００１１】
本発明の第６の側面は、デバイス製造方法に係り、露光装置を上記の第３又は第４の側面に係る調整方法にしたがって調整する工程と、感光剤が塗布された基板の前記感光剤に前記露光装置によって潜像パターンを形成する工程と、
前記潜像パターンを現像する工程とを含む。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、収差の最適な調整量を得てそれにしたがって収差を調整することができる。より具体的には、本発明によれば、例えば、１次関数で表現できない収差についての光学系の特性の調整のための調整量を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１４】
図１は、本発明の好適な実施形態の露光装置の構成例を概略的に示す図である。露光装置１００は、レチクル１を保持するレチクルステージ１０、ウエハ２を保持するウエハステージ、レチクル１のパターンをウエハ２に投影する投影光学系３、ウエハステージ４の位置を計測するためのレーザ干渉計５、６、７、投影光学系３を含む光学系の特性を調整する調整装置を含む制御装置１１を備えている。
【００１５】
投影光学系３は、複数の光学要素で構成されており、それらのうち一部の光学要素は、調整機構によりその姿勢を調整可能に構成されている。また、レチクルステージ１０は、レチクル１の姿勢を調整可能に構成されている。
【００１６】
図２は、位置調整が可能なレチクル１、光学要素８、９の可動方向を模式的に示す図である。なお、光学要素８、９は、投影光学系３の構成要素である。レチクル１は、制御装置１１による制御の下でレチクルステージ（レチクル駆動機構）１０によって６自由度方向に位置調整される。光学要素８、９は、制御装置１１による制御の下で、それぞれ駆動機構８ａ、９ａによって６自由度方向に位置調整される。
【００１７】
制御装置１１による制御の下での投影光学系３の調整においては、まず、投影光学系３の波面収差（光学特性）をPMI等で計測し、その波面収差をZernike関数で展開し、各像高毎のZernike係数を求める。以下に挙げる実施形態は、このような方法で各像高毎のZernike係数を求めることができる。
【００１８】
以下、投影光学系３の波面収差等の収差の調整方法として２つの方法を説明する。
【００１９】
図３は、第１実施形態における投影光学系３の自動調整を説明する図である。自動調整は、制御装置１１によって制御される。ブロック１０１は、投影光学系３の波面収差を計測する処理を実行する。ブロック１０２は、Ｈ箇所の像高毎にその波面収差をＪ個のZernike直交関数で展開し、各々のZernike係数Zjhを求める。
【００２０】
ブロック１０３は、投影光学系３の光学設計値から収差量を計算し、Ｈ箇所の像高毎にコマ収差、像面湾曲、非点収差、歪曲収差、テレセン度等、投影光学系３を評価するためのＮ種の主な収差量を求める。ブロック１０４は、ブロック１０１〜１０３で得た情報を蓄積する。収差量は、図５に示すように、波長を単位とした値として各像高毎に示されうる。
【００２１】
ブロック１０５は、Ｋ個の調整量によって投影光学系３の各収差をバランスよく最適化するために、各収差量を許容値で除して正規化する。ここでは、正規化された収差量を評価量と呼ぶことにする。
【００２２】
ここで、以下で使用する添え字h，i，j，kを数式(1)〜数式(4)で定義する。
【００２３】
h=1,…,H      数式(1)
i=1,…,N      数式(2)
j=1,…,J      数式(3)
k=1,…,K      数式(4)
ブロック１０６は、ブロック１０５で得た評価量のうち、Zernike係数の１次関数で表されたもの（これを1次評価量と呼ぶことにする）を得る。ブロック１０７は、ブロック１０５で得た評価量のうち2次関数で表した波面収差RMS平方（これを２次評価量と呼ぶことにする）を得る。
【００２４】
こうすると、いずれの収差も評価量が１以下で許可、１を超えると不許可となるため、複数の収差をバランスよく最小化することが可能となる。
【００２５】
図６は、図５に示した収差(1)と収差(2)の評価量を示したものである。ここで、数式(5)に示すように、1次評価量yihはZernike係数の線形和で表現することができる。また、各部（例えば、光学要素８、９、レチクルステージ１０）の調整量を変化させたとき、像高毎のZernike係数zjhも、数式(6)で示すように、各部調整量xkの線形和で表すことができる。
【００２６】
【数１】
2005268451.tif 000003
【００２７】
数式(5)と数式(6)から、数式(7)が導かれる。
【００２８】
【数２】
2005268451.tif 000004
【００２９】
ただし、
【００３０】
【数３】
2005268451.tif 000005
【００３１】
ここで、
Yi： i番目の収差の許容値
yih：像高hにおけるi番目の収差の評価量
y0ih：像高hにおけるi番目の収差の評価量初期値
zjh：像高hにおけるj番目のZernike係数
z0jh：像高hにおけるj番目のZernike係数初期値
xk：k番目の調整量
aij：i番目の収差に対するZernike係数zjhの影響度
bjhk：Zernike係数zjhに対する各部調整量xkの影響度
cihk：像性能評価量yihに対する各部調整量xkの影響度
ブロック１０８は、１次評価量に特許文献２（特開2002-367886号公報）で提案されたダミー変数を用いた線形計画法を適用して、１次評価量のみ最小化する。ここで、ブロック１０９では、1次評価量の上限値であるダミー変数tを最小化する。
【００３２】
具体的には、数式(10)〜数式(13)で示される線形計画法を用いて、各収差をバランス良く最適化するための各部（例えば、光学要素８、９、レチクルステージ１０）の調整量xkと、最小化されたダミー変数tを算出する。
【００３３】
【数４】
2005268451.tif 000006
【００３４】
一方、数式(14)で示すように、２次評価量rms2を重みwhの付いた像高毎の波面収差RMS平方の和で表す。
【００３５】
【数５】
2005268451.tif 000007
【００３６】
ここで、
RMS2：波面収差RMS平方の許容値
rms2：波面収差RMSの2次評価量
αjh： rms2に対する像高hでのZernike係数zjhの影響度
ところで、２次評価量は，ダミー変数ｔよりも大きくないとは限らないので、別途、2次評価量も含めた収差の最小化が必要になる。
【００３７】
ブロック１１０は、１次評価量と２次評価量がバランスよく最小化されていることを判断するために、許容誤差eの値を定める。これは１次評価量と２次評価量との差の許容値である。
【００３８】
ブロック１１１は、緩和量dの初期値を零とし、ブロック１１２は、１次評価量の最大値をダミー変数ｔと緩和量ｄの和として2次計画法を実施する。このとき、最小化する目的関数は2次評価量である。
【００３９】
次に、数式(15)に示す２次評価量を目的関数とし、最小化したダミー変数tと緩和量dの和t+dを閾値として、数式(16)〜数式(18)の制約条件式を持つ２次計画法を適用する。そして、ブロック１１３において、２次計画法で求めた各部調整量xkの下での２次評価量（複数点の像高における波面収差RMS）を比較し、重みwhを調整して像高間の波面収差RMSのバランスをとる。
【００４０】
ブロック１１７は、最小化された2次評価量の値がt+d+eよりも大きいときは、1次評価量の最大値に比べて2次評価量が大きいから、ブロック１１５に緩和量dを増加させてブロック112による２次計画法の実施を繰り返させる。逆に、ブロック１１６は、最小化された２次評価量の値がt+d-eよりも小さいときは、1次評価量の最大値に比べて２次評価量が小さすぎるから、ブロック１１４に緩和量dを減少させてブロック112による2次計画法の実施を繰り返させる。
【００４１】
このとき、whとdの値には、山登り法や遺伝的アルゴリズムなどの探索的アルゴリズムによって、適当な正の実数を与える。
【００４２】
このようにして、1次評価量と2次評価量との差がeよりも小さくなったら演算を終了し、得られた解に従って各部（例えば、光学要素８、９、レチクルステージ１０）の調整を行う。
【００４３】
【数６】
2005268451.tif 000008
【００４４】
ここで、
wh：重み
d：緩和量
なお、H=1、つまり最小化すべき波面収差RMSが１つのときは、緩和量dだけを探索することになるので、その探索は容易である。逆に、Hが大きい場合は探索に時間を費やす可能性が高くなる。
【００４５】
このようにして、各部（光学要素８、９、レチクルステージ１０）の調整量xkの解が得られたら、これに従って各部を駆動することにより投影光学系３の調整が行われる。
【００４６】
図４は、第２実施形態における投影光学系３の自動調整を説明する図である。自動調整は、制御装置１１によって制御される。ブロック１０１は、投影光学系３の波面収差を計測する処理を実行する。ブロック１０２は、Ｈ箇所の像高毎にその波面収差をJ個のZernike直交関数で展開し、各々のZernike係数zjhを求める。
【００４７】
ブロック１０３は、投影光学系３の光学設計値から収差量を計算し、H箇所の像高毎にコマ収差、像面湾曲、非点収差、歪曲収差、テレセン度等、投影光学系３を評価するためのＮ種の主な収差量を求める。ブロック１０４は、ブロック１０１〜１０３で得た情報を蓄積する。
【００４８】
ブロック１０５は、Ｋ個の調整量によって投影光学系３の各収差をバランスよく最適化するために、各収差量を許容値で除して正規化して評価量（正規化された収差量）を得る。ブロック１０６は、ブロック１０５で得た評価量から１次評価量を得る。以上の構成及び手順は、第１実施形態と同様である。
【００４９】
第２実施形態では、ブロック１１６が、数式(19)のように、像高ｈにおけるZernike係数の絶対値の上限をダミー変数sjhで定義する。
【００５０】
【数７】
2005268451.tif 000009
【００５１】
そして、ブロック１１７は、数式(20)のように、波面収差RMSをその許容値で除して近似したものの上限を、ダミー変数sjhの1次関数で表し、これをRMS近似評価量とする。
【００５２】
【数８】
2005268451.tif 000010
【００５３】
RMS近似評価量は、ダミー変数sjhの1次関数であるから、他の１次評価量（それらの上限値はダミー変数tで規定される）と同様に扱うことができる。そのため、数式(21)〜数式(28)に示されように、ダミー変数sjhの１次関数（１次評価量）を含め、全ての1次評価量の上限値をダミー変数tで規定した線形計画法だけで、波面収差RMSも含めた全ての収差をバランス良く最適化することができる。
ブロック１０８は、数式(21)〜数式(28)に従って、ダミー変数tを用いた線型計画法を実施する。
【００５４】
【数９】
2005268451.tif 000011
【００５５】
このようにして、各部（光学要素８、９、レチクルステージ１０）の調整量xkの解が得られたら、これに従って各部を駆動することにより投影光学系３の調整が行われる。
以下、ダミー変数を用いた線型計画法について説明する。数式（２９）は、調整前の誤差ｅi、調整後の誤差ｅi'、調整感度ａij、調整量ｘjの関係を示す。
【００５６】
【数１０】
2005268451.tif 000012
【００５７】
線形計画問題は、数式（３０）の目的関数と数式（３１）の条件式によって表される。
【００５８】
【数１１】
2005268451.tif 000013
【００５９】
これらのうち、目的関数は、制御変数の１次式で定義された関数で、最小化あるいは最大化したい関数である。また、条件式も制御変数の１次関数で表された等式、あるいは不等式である。一部の線形計画問題のソルバーでは、非負の制御変数しか扱えない場合がある。しかし、この非負条件については、数式（32）式で示す変数の置き換えによって、非負条件を満足しない実際の制御変数ｘj を非負条件を満たす２つの変数ｘj'、ｘj''で表すことができるため、線形計画法の適用を妨げるものとはならない。
ｘｊ＝ｘｊ’−ｘｊ”         数式(32)
また、実際は制御量が一定の範囲内であることが要求される場合があるが、この条件は数式（３１）に示される条件式で表現することができる。
【００６０】
ダミー変数を用いた線形計画法では、ｅi'，（ｉ＝１，・・・ ，ｎ）の最大絶対値を最小化するために、｜ｅi'｜≦ｔ，（ｉ＝１，・・・，ｎ）となるダミー変数ｔを導入し、このｔを最小化する線形計画問題へ定式化する。つまり、数式（３３）式に示すように，制御変数ｔを最小化する目的関数を設定し、このダミー変数ｔが誤差およびその符号を反転させた値の限界値になるように数式（３４）、（３５）式の条件式を設定した線形計画問題とする。この問題を解くことで、調整後残差の最大絶対値を最小化することができる。
【００６１】
【数１２】
2005268451.tif 000014
【００６２】
ダミー変数を用いた線形計画法による最大絶対値最小化は、第１〜第５工程を含みうる。第１工程では、評価項（各点の調整後誤差絶対値：｜ｅi'｜）よりも等しいか大きいことを条件とするダミー変数ｔを不等式で定義する。第２工程では、制御変数の範囲を不等式で表現する（数式（３０）、（３１）参照）。第３工程では、非負条件に合うように変数を変換する（数式（３２）参照）。第４工程では、線形計画モデルの定式化を行い、第５工程では、線形計画法による制御変数の最適解算出を行う（数式（３３）〜（３５）参照）。
定式化された問題には、必ず解が存在するため、かかる計算方法によれば、誤差の最大絶対値を厳密に最小化する制御変数ｘj を求めることができる。また、本実施形態が対象とする露光装置では、制御変数の数は多くなく、通常の線形計画問題ソルバーでさえ、短時間で計算が終了する。従って、リアルタイムに調整する場合は、安定した高いスループットを維持できる点で有効である。
【００６３】
次に上記の露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図７は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ1（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ2（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。一方、ステップ3（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ6（検査）ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ7）する。
【００６４】
図８は、上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。ステップ11（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ13（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16（露光）では上記の露光装置によって回路パターンをウエハ上の感光剤に転写して潜像パターンを形成する。この露光に先立って、露光装置の光学特性は、上記の調整方法にしたがって調整される。ステップ17（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ18（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の好適な実施形態の露光装置の構成例を概略的に示す図である。
【図２】位置調整が可能なレチクル及び光学要素の可動方向を模式的に示す図である。
【図３】第１実施形態における投影光学系の自動調整（そのための構成又は手順）を説明する図である。
【図４】第２実施形態における投影光学系の自動調整（そのための構成又は手順）を説明する図である。
【図５】各収差を像高毎に示した例を提供する図である。
【図６】各収差を正規化した評価量を像高毎に示した例を提供する図である。
【図７】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【図８】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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