(57)【要約】【課題】  本発明は、電子走行層を走行する電子の移動度の低下を防ぎ、ノーマリーオフの動作と高速動作が可能な高電子移動度トランジスタの実現を目的とする。【解決手段】窒化物系化合物半導体からなる電子走行層３と電子供給層４のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、前記電子走行層３は、少なくともｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層及び前記ｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層を含み、前記ｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層は、前記電子供給層４と前記ｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層により挟まれていることを特徴とする。【選択図】  図１
2005142250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物系化合物半導体からなる電子走行層と電子供給層のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、前記電子走行層は、少なくともｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層及び前記ｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層を含み、前記ｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層は、前記電子供給層と前記ｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層により挟まれていることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
【請求項２】
前記ｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層はアンドープであることを特徴とする請求項１記載の高電子移動度トランジスタ。
【請求項３】
前記ｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層の厚さが、１〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の高電子移動度トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高電子移動度トランジスタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮ，ＩｎＧａＮ，ＡｌＧａＮ，ＡｌＩｎＧａＮなどの窒化物系化合物半導体材料は、ＧａＡｓ系の材料に比べてそのバンドギャップエネルギーが大きく、しかも耐熱温度が高く高温動作に優れているので、これらの材料、とくにＧａＮを用いた高電子移動度トランジスタ（Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＥＭＴ）の開発研究が進められている。
【０００３】
窒化物系化合物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ構造の一例を図４に示す。この高電子移動度トランジスタ構造においては、例えばサファイア基板のような基板１の上に、ＧａＮから成るバッファ層２、アンドープＧａＮからなる電子走行層３、および前記電子走行層３に比べて薄いアンドープＡｌＧａＮからなる電子供給層４を順次積層して成る層構造（ヘテロ接合構造）が形成されている。そして、電子供給層４の上には、ソース電極Ｓ、ゲート電極Ｇ、ドレイン電極Ｄが平面配置されている（特許文献１の従来技術を参照）。
【０００４】
ここで、ゲート電極Ｇは、電子供給層４の上に直接形成されるが、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄは、電子供給層４の上に、ｎ型不純物であるＳｉが高濃度でドーピングされて成るｎ−ＡｌＧａＮのコンタクト層５を介して配置される。コンタクト層５を介在させる理由は、電極と電子供給層４の間のコンタクト抵抗を低くして動作時のオン抵抗を下げるためである。なお、このコンタクト抵抗は、コンタクト層５のバンドギャップエネルギーが小さい方が低くなるので、ｎ−ＡｌＧａＮのコンタクト層５の代わりによりバンドギャップエネルギーの小さいｎ−ＩｎＧａＮのコンタクト層５とする場合もある。
【０００５】
図４で示した高電子移動度トランジスタ構造の場合、アンドープＧａＮからなる電子走行層３のバンドギャップエネルギーはアンドープＡｌＧａＮからなる電子供給層４のバンドギャップエネルギーよりも小さい。そして、アンドープＧａＮは二元結晶であるが、アンドープＡｌＧａＮはＡｌＮとＧａＮの混晶になっている。そのため、電子走行層３と電子供給層４両層のヘテロ接合界面においては、結晶歪みに基づくピエゾ圧電効果でピエゾ電界が発生し、両者の接合界面の直下に２次元電子ガス層６が形成される。
【０００６】
図５（ａ）に示したように、この高電子移動度トランジスタ構造において、電子供給層４は電子走行層３へ電子を供給する層として機能する。そして、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄを作動すると、電子走行層３に供給された電子は２次元電子ガス層６中で高速移動してドレイン電極Ｄへと走行していく。このとき、ゲート電極Ｇに電圧印加を行って、当該ゲート電極Ｇの直下に所望厚みの空乏層を発生させることにより、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間を走行する電子の制御を行なっている。
【０００７】
既に説明したように、電子走行層３と電子供給層４のヘテロ接合構造の接合界面の電子走行層３側においては、ピエゾ電界の作用により常時２次元電子ガス層６が形成される。そのため、このヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタは、ゲート電極Ｇに電圧を加えない状態では、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間に電流が流れ続けるいわゆるノーマリーオンの動作をする。
【０００８】
一方、図４の高電子移動度トランジスタ構造において、アンドープＧａＮからなる電子走行層３に代えてｐドープＧａＮからなる電子走行層３を用いた高電子移動度トランジスタ構造もある。
【０００９】
この高電子移動度トランジスタ構造によれば、図５（ｂ）に示したように、ｐドープＧａＮからなる電子走行層３中のｐ型不純物７によってピエゾ電界の作用により形成されようとする２次元電子ガス層６の電子を打ち消すことができる。これにより、このヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタは、ゲート電極Ｇに電圧を加えていない状態では、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間に電流が流れないノーマリーオフの動作を行なわせることができる。
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−１７９０８２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、ｐドープＧａＮからなる電子走行層３とアンドープＧａＮからなる電子供給層４のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタでは、ノーマリーオフの動作ができるものの、電子走行層３はｐドープ層でありゲート電極Ｇに加える電圧を大きくしなければ電子走行層３に空乏層が発生しない。そのため、ゲート電極Ｇに加える電圧を大きく変化させなければソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間を走行する電子の制御を行ないにくいという問題があった。また、電子走行層３の全体がｐドープ層であるので、電子走行層３を走行するキャリアとなる電子が発生しにくいので、大電流動作も困難であるという問題もあった。
【００１２】
そこで、本発明は、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間を走行する電子の制御が容易（すなわち、トランジスタの相互コンダクタンスｇmが高い。）、かつ大電流動作が可能なノーマリーオフの高電子移動度トランジスタの実現を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１に係る発明は、窒化物系化合物半導体からなる電子走行層と電子供給層のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、前記電子走行層は、少なくともｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層及び前記ｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層を含み、前記ｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層は、前記電子供給層と前記ｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層により挟まれていることを特徴とする。
【００１４】
請求項２に係る発明は、上記請求項１に係る発明において、前記ｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層はアンドープであることを特徴とする。
【００１５】
請求項３に係る発明は、上記請求項１又は請求項２に係る発明において、前記ｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層の厚さが、１〜２０ｎｍであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１に係る高電子移動度トランジスタでは、電子走行層は、少なくともｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層とともにそのｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層を含んでいる。そのため、電子走行層３を走行するキャリアとなる電子がそのバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層に強く閉じ込められるので、大電流動作ができると共に、走行する電子の制御を行ないやすい。
【００１７】
請求項２に係る高電子移動度トランジスタでは、ｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層はアンドープであるためその層を走行するキャリアとなる電子は走行中に散乱されにくいので上記請求項１に係る発明の効果が一層高まる。
【００１８】
請求項３に係る高電子移動度トランジスタでは、ｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層の厚さが、１〜２０ｎｍと最適化されている。そのため、電子が効率的にバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層に閉じ込められるので、大電流動作と走行する電子の制御を一層行ないやすい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に係る高電子移動度トランジスタの一実施形態の断面図である。
例えばサファイア基板のような基板１の上にバッファ層２が形成され、電子走行層３とその電子走行層３に比べて薄い電子供給層４を順次積層したヘテロ接合構造がバッファ層２上に形成されている。そして、ソース電極Ｓ、ゲート電極Ｇ、ドレイン電極Ｄが平面配置されている。
【００２０】
ここで、バッファ層２、電子走行層３、電子供給層４は窒化物系化合物半導体から構成され、電子供給層４を構成する窒化物系化合物半導体のバンドギャップエネルギーは、電子供走行層３を構成する窒化物系化合物半導体のバンドギャップエネルギーよりも大きい。
【００２１】
また、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄはコンタクト抵抗を低くして動作時のオン抵抗を下げて大電流動作を実現させるため、電子供給層４の表面のうち、これらの電極を形成する領域に例えばｎ型不純物がドーピングされて成る窒化物系化合物半導体のコンタクト層５を形成してある。
【００２２】
本発明の実施の形態では、電子走行層３は、少なくともｐ型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体（ｐドープ層９）からなる層とともにそのｐドープ層９よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層（小バンドギャップ層８）を含んでおり、小バンドギャップ層８は、電子供給層４とｐドープ層９により挟まれている
【００２３】
図１で示した高電子移動度トランジスタ構造の場合、電子供給層４のバンドギャップエネルギーは電子走行層３のバンドギャップエネルギーよりも大きい。すなわち、電子走行層３と電子供給層４からなるヘテロ構造を構成する窒化物系化合物半導体の組成がそれぞれ異なるので、電子走行層３と電子供給層４両層のヘテロ接合界面においては、結晶歪みに基づくピエゾ圧電効果でピエゾ電界が発生し、両者の接合界面の直下に２次元電子ガス層が形成されようとする。
【００２４】
しかしながら、電子走行層３に含まれているｐドープ層９におけるエネルギーダイアグラムの伝導帯はエネルギー状態がフェルミレベルより上になるので、ｐドープ層９には電子が存在しない。そのため、図３に示したように、電子走行層３と電子供給層４のヘテロ接合界面には、電子が存在しない状態になる。
【００２５】
以上の構成からなる高電子移動度トランジスタにおいて、ゲート電極Ｇに電圧印加を行なわない状態では図３に示したように、電子走行層３と電子供給層４のヘテロ接合界面には電子が存在しない。そのため、この状態ではソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間では電流が流れない。
【００２６】
一方、ゲート電極Ｇに電圧印加を行なうと、電子走行層３と電子供給層４のヘテロ接合界面には電子が発生するので、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄを作動させるとソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間に電流が流れる。以上のように、本発明の実施の形態にかかる高電子移動度トランジスタでは、ゲート電極Ｇに電圧を加えていない状態では、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間に電流が流れないノーマリーオフの動作を行なわせることができる。
【００２７】
動作時において、小バンドギャップ層８においてキャリアとなる電子が走行する。ここで、小バンドギャップ層８のバンドギャップエネルギーはｐドープ層９のバンドギャップエネルギーよりも小さいので、電子は小バンドギャップ層８に強く閉じ込められる。そのため、電子走行層３にｐドープ層９を含むために電子走行層３を走行するキャリアとなる電子が発生しにくいが、一旦電子が発生するとその電子は小バンドギャップ層８に閉じ込められる。そのため、電子はｐドープ層９へあふれにくいため大電流動作ができる。また、電子は強い電界が加わるゲート電極Ｇ直下の小バンドギャップ層８を走行するので電子の制御を行ないやすい。
【００２８】
小バンドギャップ層８はアンドープであることがより望ましい。すなわち、その小バンドギャップ層８はアンドープであればそこを走行するキャリアとなる電子は散乱がされにくいので上記効果が一層高まる。かかる効果を期待するためには、アンドープ層のキャリア濃度が１×１０13ｃｍ-3〜１×１０17ｃｍ-3であることが望ましい。
【００２９】
なお、上記小バンドギャップ層８の厚さは１〜２０ｎｍ程度とするのが望ましい。小バンドギャップ層８の厚さが厚すぎると、ｐドープ層９が電子走行層３と電子供給層４両層のヘテロ接合界面から離れることになるので、ヘテロ接合界面の直下に形成されようとする２次元電子ガス層を打ち消すことができなくなるのでノーマリーオフの特性を維持できず、また、薄すぎると小バンドギャップ層８に閉じ込められた電子があふれやすくなるので、大電流動作と走行する電子の制御が困難になるためである。
【実施例１】
【００３０】
次のようにして、図１で示した窒化物系化合物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ（Ａ）を製造した。
まず、サファイア基板１の上に、アンモニア（１２Ｌ／ｍｉｎ）、ＴＭＧａ（１００ｃｍ3／ｍｉｎ）を用い、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により真空度を１００ｈＰａ、成長温度１１００℃で厚み５０ｎｍのＧａＮ層（バッファ層２）を成膜し、更にその上に、ＴＭＧａ（１００ｃｍ3／ｍｉｎ）、とアンモニア（１２Ｌ／ｍｉｎ）、ｐ型不純物としてのシクロペンタジエニルマグネシウム（２０ｃｍ3／ｍｉｎ）を用い、成長温度１０５０℃で厚み４００ｎｍのｐドープＧａＮ層（キャリア濃度は１×１０18  ／ｃｍ3）（ｐドープ層９）を成膜し、ＴＭＩｎ（５０ｃｍ3／ｍｉｎ）、ＴＭＧａ（１００ｃｍ3／ｍｉｎ）、とアンモニア（１２Ｌ／ｍｉｎ）を用い、厚み５ｎｍのアンドープＩｎＧａＮ層（キャリア濃度は１×１０16  ／ｃｍ3）（小バンドギャップ層８）を成膜した。そして、更にその上に、ＴＭＡｌ（５０ｃｍ3／ｍｉｎ）ＴＭＧａ（１００ｃｍ3／ｍｉｎ）、アンモニア（１２Ｌ／ｍｉｎ）を用い、成長温度１０５０℃で厚み３０ｎｍのアンドープＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層（キャリア濃度は１×１０16  ／ｃｍ3）（電子供給層４）を成膜して図２で示した層構造Ａ0のエピタキシャル成長をした。
【００３１】
図２で示した層構造Ａ0において、小バンドギャップ層８とｐドープ層９は電子走行層３を構成する。電子走行層３を構成する窒化物系化合物半導体であるＩｎＧａＮ、ＧａＮのバンドギャップエネルギーは電子供給層４を構成するＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎのバンドギャップエネルギーよりも小さい。また、小バンドギャップ層８を構成するＩｎＧａＮのバンドギャップエネルギーはｐドープ層９を構成するＧａＮのバンドギャップエネルギー（３．３ｅＶ）よりも小さい（図３参照）。
【００３２】
層構造Ａ0のエピタキシャル成長が終了した後、Ａ0の全面にＳｉＯ2膜を形成し、図１の高電子移動度トランジスタ（Ａ）において、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄが形成される領域に相当する部分のＳｉＯ2膜を除去する。そして、再びＭＯＣＶＤ法により、ＴＭＡｌ（５０ｃｍ3／ｍｉｎ）、ＴＭＧａ（１００ｃｍ3／ｍｉｎ）、アンモニア（１２Ｌ／ｍｉｎ）、ｎ型不純物としてのＳｉＨ4（１０ｃｍ3／ｍｉｎ）を用い、成長温度１０５０℃でＳｉが高濃度でドーピングされて成るｎ−ＡｌＧａＮのコンタクト層５を選択成長により形成した。
【００３３】
コンタクト層５を形成後、残りのＳｉＯ2膜を除去し、常法により、コンタクト層５上にソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ（Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ，厚さは１００ｎｍ／１００ｎｍ／２００ｎｍ）、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄの間にゲート電極Ｇ（Ｔｉ／Ａｕ，厚さは１００ｎｍ／２００ｎｍ）を形成することにより、図１で示した高電子移動度トランジスタ（Ａ）が得られる。
【００３４】
完成した高電子移動度トランジスタ（Ａ）を実際に動作させるとノーマリーオフの動作が確認された。なお、図５（ｂ）に示したエネルギーダイアグラムを示すヘテロ構造を有する従来の高電子移動度トランジスタでは、ノーマリーオフの動作はするものの、ソース電極Ｓ−ドレイン電極Ｄ間には５００Ａ／ｃｍ2以上の電流密度の電流を流すことはできなかった。しかし、本実施例の係る高電子移動度トランジスタ（Ａ）では、１０００Ａ／ｃｍ2以上の電流密度の電流を流すことができ大電流動作も確認された。さらに、図５（ｂ）に示したエネルギーダイアグラムを示すヘテロ構造を有する従来の高電子移動度トランジスタの相互コンダクタンスｇmの値が１０ｍＳ／ｍｍであったのに対し、本実施例の係る高電子移動度トランジスタ（Ａ）では相互コンダクタンスｇmの値が１５０ｍＳ／ｍｍであり、ゲート電極Ｇに加える変化に対応してソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間を走行する電子が容易に制御されることが確認された。
【００３５】
また、完成した高電子移動度トランジスタ（Ａ）の電子走行層３の電子移動度をＶａｎ  Ｄｅｒ  Ｐａｕｗ法により測定したところ、１０００ｃｍ2Ｖ-1ｓ-1であり、図５（ｂ）に示したエネルギーダイアグラムを示すヘテロ構造を有する従来の高電子移動度トランジスタの電子走行層３の電子移動度が５００ｃｍ2Ｖ-1ｓ-1であったのに比較すると移動度の向上もみられた。なお、アンドープＩｎＧａＮ層からなる小バンドギャップ層８に代えて、ｐ型不純物がドーピングされたＩｎＧａＮ層（キャリア濃度は１×１０18  ／ｃｍ3）を用いた場合では、若干の電子移動度の低下が見られたが、上記大電流動作とソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間を走行する電子の制御も容易性は依然として変わらなかった。
【実施例２】
【００３６】
実施例１では、図１で示した窒化物系化合物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ（Ａ）において、基板１としてサファイア基板を用いていたが、本実施例ではシリコン基板を用いている。本実施例の高電子移動度トランジスタは、基板１がシリコン基板である点以外は、図１に示した実施例１に係る高電子移動度トランジスタと同じである。
成長装置はＭＯＣＶＤ装置を用い、基板はフッ酸等で化学エッチングを加えたシリコン基板１を用いた。
【００３７】
まず、図２で示した層構造Ａ0を作成するため、シリコン基板１をＭＯＣＶＤ装置内に導入し、ターボポンプでＭＯＣＶＤ装置内の真空度を１×１０-6ｈＰａ以下になるまで真空引きした後、真空度を１００ｈＰａとし基板を８００℃に昇温した。温度が安定したところで、基板１を９００ｒｐｍで回転させ、原料となるトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を５８μｍｏｌ／ｍｉｎ、アンモニアを１２Ｌ／ｍｉｎの流量で基板１の表面に導入しＧａＮから成るバッファ２の成長を行った。成長時間は４ｍｉｎでバッファ層２の膜厚は５０ｎｍ程度である。
【００３８】
次に、実施例１と同様にして、ｐドープ層９と小バンドギャップ層８からなる電子走行層３、電子供給層４を成膜して図２で示した層構造Ａ0のエピタキシャル成長をした（各層の半導体の材料は、実施例1と同様である。）。そして、実施例１と同様の工程を経ることにより、図１で示した高電子移動度トランジスタ（Ａ）が得られた。作成した高電子移動度トランジスタ（Ａ）は、ノーマリーオフの特性、１０００Ａ／ｃｍ2以上の電流密度の電流を流すことができる大電流動作、相互コンダクタンスｇmの値が１５０ｍＳ／ｍｍを示すソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間を走行する電子の制御の容易性が確認された。
【００３９】
上記実施例の高電子移動度トランジスタ（Ａ）では、基板１としてサファイア基板、シリコン基板を用いていたが、ＧａＡｓ基板等であってもよく、それらの基板上に成長されるバッファ層２の厚さは、４０〜７０ｎｍ程度であれば電子走行層３、電子供給層４の結晶性を維持することができる。また、成長装置はＭＯＣＶＤ装置の代わりにＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）装置を用いても良い。さらに、小バンドギャップ層８に２次元電子ガス濃度よりも少ないｐ型不純物が添加された場合にもノーマリオフ動作は可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明に係る高電子移動度トランジスタの一形態（Ａ）を示す断面図である。
【図２】本発明に係る高電子移動度トランジスタを製造中の層構造Ａ0の断面図である。
【図３】本発明に係る高電子移動度トランジスタの電子走行層と電子供給層のヘテロ接合構造部分のエネルギーダイアグラムを示すものである。
【図４】従来技術に係る高電子移動度トランジスタを示す断面図である。
【図５】従来技術に係る高電子移動度トランジスタの電子走行層と電子供給層のヘテロ接合構造部分のエネルギーダイアグラムを示すもので、（ａ）は電子走行層にアンドープの窒化物系化合物半導体を用いたもので、（ｂ）は電子走行層にｐドープの窒化物系化合物半導体を用いたものである。
【符号の説明】
【００４１】
１  基板
２  バッファ層
３  電子走行層
４  電子供給層
５  コンタクト層
６  ２次元電子ガス層
７  ｐ型不純物
８  小バンドギャップ層
９  ｐドープ層
【図１】
2005142250.tif 000003
【図２】
2005142250.tif 000004
【図３】
2005142250.tif 000005
【図４】
2005142250.tif 000006
【図５】
2005142250.tif 000007