(57)【要約】【課題】  ＯＨコートやアンモニア処理等の表面処理をされた半導体ナノ粒子の外的要因に対する耐久性を向上させる。【解決手段】  ＯＨコートやアンモニア処理等の表面処理をされ、高発光特性を持つ半導体ナノ粒子を、ヘキシルアミン、ドデシルアミン、トリオクチルメチルアンモニウム、トリドデシルメチルアンモニウム、およびそれに類似する有機物等により水層からヘキサン、トルエン等の有機溶媒中に移行させることによる前記有機物による被覆を行うことで、外的要因に対する耐久性を付与する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノ粒子の表面に電子供与性基が配列され、該電子供与性基を含む層の外殻に有機物層が形成されていることを特徴とするナノ粒子。
【請求項２】
前記電子供与性基が、−ＯＲ、−ＯＣＨ２Ｒ、−ＯＣＯＣＨ２Ｒ、−ＮＨＲ、−Ｎ(ＣＨ２Ｒ)２、−ＮＨＣＯＣＨ２Ｒ、−ＣＨ２Ｒ、−Ｃ６Ｈ４Ｒ［ここで、Ｒは水素、置換または無置換の炭化水素基から選ばれる］の少なくとも１種以上であることを特徴とする請求項１に記載のナノ粒子。
【請求項３】
前記電子供与性基が、水酸基であることを特徴とする請求項１に記載のナノ粒子。
【請求項４】
前記電子供与性基を含む層が、１層以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のナノ粒子。
【請求項５】
前記有機物層の全部又は一部、若しくは、前記電子供与性基を含む層及び前記有機物層の全部又は一部が、第１級アミン類（Ｒ１ＮＨ２）、第２級アミン類（Ｒ１Ｒ２ＮＨ）、第３級アミン類（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｎ）、第４級アンモニウム化合物類（Ｒ４Ｒ５Ｒ６Ｒ７Ｎ＋）［ここで、Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ水素、置換または無置換の炭化水素基から選ばれる］の少なくとも１種以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のナノ粒子。
【請求項６】
前記Ｒ１〜Ｒ７が、アミノ基又はアンモニウム基とは逆の末端に置換基を有することを特徴とする請求項５に記載のナノ粒子。
【請求項７】
前記第１級アミン類（Ｒ１ＮＨ２）が、炭素数４〜２０のアルキルアミンであり、前記第４級アンモニウム化合物類（Ｒ４Ｒ５Ｒ６Ｒ７Ｎ＋）が、二つ以上の炭素数４〜２０のアルキル鎖をもつ構造のアンモニウムであることを特徴とする請求項５又は６に記載のナノ粒子。
【請求項８】
前記有機物層が、重合又は縮重合反応を伴い形成されたものであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のナノ粒子。
【請求項９】
前記ナノ粒子の材質が、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＭｎＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＭｎＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＭｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＴｉＯ２、ＷＯ３、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＭｇＴｅ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、ＡｌＳ、Ｇｅ、Ｓｉから選択される１種以上の半導体ナノ粒子、又はこれら半導体材質がコア部とシェル部の複層構造を有する半導体ナノ粒子であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のナノ粒子。
【請求項１０】
前記ナノ粒子の粒径が、直径において１０％ｒｍｓ未満の偏差を示す単分散であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のナノ粒子。
【請求項１１】
前記ナノ粒子が、励起光を照射されたときに半値全幅（ＦＷＨＭ）で６０ｎｍ以下の狭いスペクトル範囲で光を放出することを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のナノ粒子。
【請求項１２】
ナノ粒子に１種以上の電子供与性基を与える表面処理材料を加え、ナノ粒子表面に電子供与性基を配列させる工程と、界面活性剤又は両親媒性有機化合物の存在下に該電子供与性基が配列したナノ粒子を水性溶媒中から油性溶媒中に移行させる工程とを含むことを特徴とする蛍光特性を有し、耐久性に優れたナノ粒子の製造方法。
【請求項１３】
ナノ粒子表面に電子供与性基を与える表面処理材料が、純金属および金属化合物、アンモニア、アミン類、アンモニウム類、ニトリル類、イソシアネート類から選択される含窒素化合物、又は、アルコール類、フェノール類、ケトン類、アルデヒド類、カルボン酸類、有機酸または無機酸のエステル類、エーテル類、酸アミド類、酸無水物類から選択される含酸素化合物の少なくとも１種以上であることを特徴とする請求項１２に記載のナノ粒子製造方法。
【請求項１４】
前記ナノ粒子表面に電子供与性基を配列させる工程をアルカリ性環境下とすることを特徴とする請求項１２又は１３に記載のナノ粒子の製造方法。
【請求項１５】
前記界面活性剤又は両親媒性有機化合物が、第１級アミン類（Ｒ１ＮＨ２）、第２級アミン類（Ｒ１Ｒ２ＮＨ）、第３級アミン類（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｎ）、第４級アンモニウム化合物類（Ｒ４Ｒ５Ｒ６Ｒ７Ｎ＋）［ここで、Ｒ１〜Ｒ７は水素、置換または無置換の炭化水素基から選ばれる］の少なくとも１種以上であることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれかに記載のナノ粒子の製造方法。
【請求項１６】
前記Ｒ１〜Ｒ７が、アミノ基又はアンモニウム基とは逆の末端に置換基を有することを特徴とする請求項１５に記載のナノ粒子の製造方法。
【請求項１７】
前記Ｒ１〜Ｒ７が、炭素数の大きな非水溶性の前記界面活性剤又は両親媒性有機化合物を用いることにより、電子供与性基が配列したナノ粒子を該界面活性剤又は両親媒性有機化合物中に濃縮することを特徴とする請求項１５又は１６に記載のナノ粒子の製造方法。
【請求項１８】
前記Ｒ１〜Ｒ７が、炭素数の大きな非水溶性の前記界面活性剤又は両親媒性有機化合物を用いる際に、電子供与性基が配列したナノ粒子の水性溶媒中から油性溶媒中への移行を促進する移行促進剤として、極性溶媒の１種以上を加えることを特徴とする請求項１５〜１７のいずれかに記載のナノ粒子の製造方法。
【請求項１９】
前記第１級アミン類（Ｒ１ＮＨ２）が、炭素数４〜２０のアルキルアミン炭素数４〜２０のアルキルアミンであり、前記第４級アンモニウム化合物類（Ｒ４Ｒ５Ｒ６Ｒ７Ｎ＋）が、二つ以上の炭素数４〜２０のアルキル鎖をもつ構造のアンモニウムであることを特徴とする請求項１５〜１８のいずれかに記載のナノ粒子の製造方法。
【請求項２０】
前記有機物層が、重合又は縮重合反応を伴い形成されたものであることを特徴とする請求項１２〜１９のいずれかに記載のナノ粒子の製造方法。
【請求項２１】
前記ナノ粒子の材質が、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＭｎＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＭｎＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＭｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＴｉＯ２、ＷＯ３、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＭｇＴｅ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、ＡｌＳ、Ｇｅ、Ｓｉから選択される１種以上の半導体ナノ粒子、又はこれら半導体材質がコア部とシェル部の複層構造を有する半導体ナノ粒子であることを特徴とする請求項１２〜２０のいずれかに記載のナノ粒子の製造方法。
【請求項２２】
表面修飾し、精製を行ったナノ粒子を出発材料とすることを特徴とする請求項１２〜２１のいずれかに記載のナノ粒子の製造方法。
【請求項２３】
前記表面修飾がチオール化合物により行われることを特徴とする請求項２２に記載のナノ粒子の製造方法。
【請求項２４】
チオール基により修飾されたナノ粒子表面を、アルカリ環境中でチオール化合物をイオン化・遊離させ、次いで電子供与性基を与える表面処理材料を加えることで官能基の置換を行うことを特徴とする請求項２３に記載のナノ粒子製造方法。
【請求項２５】
請求項１〜１１のいずれかに記載のナノ粒子からなる蛍光試薬。
【請求項２６】
請求項１〜１１のいずれかに記載のナノ粒子からなる光デバイス。
【請求項２７】
請求項１〜１１のいずれかに記載のナノ粒子を含む無機材料、有機材料、又は有機無機複合材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノ粒子及びその製造方法に関する。特に、高発光特性を持続する耐久性に優れたナノ粒子及びその製造方法に関する。また、このナノ粒子からなる蛍光試薬及び光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ナノ粒子等のナノ粒子は、半値全幅（the full width at half maximum (ＦＷＨＭ)）の狭い強い蛍光を発することを特徴とし、様々な蛍光色の創製が可能であり、将来の応用用途が極めて多種に及ぶと考えられるため、従来から非常に注目を浴びている材料である。
【０００３】
粒径が１０ｎｍ以下の半導体ナノ粒子は、バルク半導体結晶と分子との遷移領域に位置することから、いずれとも異なった物理化学特性を示す。このような領域では、バルク半導体で見られたエネルギーバンドの縮退が解け軌道が離散化し、粒径によって禁制帯のエネルギーの幅が変化するという量子サイズ効果が発現する。この量子サイズ効果の発現により、粒径の増加あるいは減少することに伴ってナノ粒子における禁制帯のエネルギーの幅が、減少あるいは増大することになる。この禁制帯のエネルギー幅の変化は、粒子の蛍光特性に影響を与える。粒径が小さく禁制帯のエネルギー幅の大きいものは、より短波長側の蛍光波長を持ち、粒径が大きく禁制帯のエネルギー幅の小さいものは、より長波長側の蛍光波長を持つ。すなわち、半導体ナノ粒子は、粒径を制御することにより任意の蛍光色を創り出す事が可能な材料として注目されている。
【０００４】
ところで、半導体ナノ粒子を蛍光材料として利用するためには、粒径の制御を行う必要がある。また、その粒径を単分散化することができれば、半値全幅の狭いスペクトル形状を示す、好ましい蛍光特性をもった半導体ナノ粒子の調製が期待できる。
【０００５】
半導体ナノ粒子の製造方法は、粒子の調製と粒径の単分散化に大略される。粒子の調製は、Ｃｄ及びＸ（ＸはＳ、Ｓｅ、Ｔｅ）の前駆体を等モル量溶解することで簡単に調製することができる。これらは、ＣｄＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ等における製造についても同様である。ここで、調製された半導体ナノ粒子は、広い粒径分布を示しており、さらにこれらの粒径分布を単分散化する手法が試みられている。まず、化学的手法を用いて粒径分離を精密に行い、特定の粒子サイズのナノ粒子のみを分離・抽出することで単分散化する方法が挙げられ、これまでに、ナノ粒子の有する表面電荷が粒径によって変化することを利用した電気泳動分離法、粒径による保持時間の差を利用した排除クロマトグラフィー、粒子サイズの違いによる有機溶媒中への分散性の差を利用したサイズ選択沈殿法などが報告されている。
【０００６】
前記方法は、前駆体同士を混合させることにより調製した半導体ナノ粒子を、粒径ごとに分類する手法であるが、その一方で、粒子の調製と粒径の単分散化を同時に行う方法についても報告されている。この代表的なものとして、逆ミセル法が挙げられる。逆ミセル法は、スルホこはく酸ジイソオクチルナトリウム等の両親媒性分子と水をヘプタン等の有機溶媒中に混合し有機溶媒中に逆ミセルを形成させ、逆ミセル中の水相のみで前駆体同士の反応を行う方法である。逆ミセルの大きさは、前記両親媒性分子と水との量比で決定され、大きさを比較的均一に制御することができる。調製されるナノ粒子の大きさは、逆ミセルの大きさに依存するため、比較的粒径のそろった半導体ナノ粒子を調製することが可能となる。また、トリオクチルホスフィン（ＴＯＰ）やトリオクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）を用いてオストワルド熟成現象を利用することにより粒子の調製と粒径の単分散化を同時に行う方法も非特許文献１や特許文献１等において報告されている。しかし、前記報告による調製方法は、高い毒性を有する試薬を高温で合成することを特徴としており、安全性の観点から必ずしも優れているとはいえなかった。
【０００７】
ところで、上記方法とは別の方法として、光化学反応を利用したサイズ選択光エッチング（size-selective photoetching）法が挙げられる。この方法は、調製された広い粒径分布をもつ半導体ナノ粒子溶液を、金属カルコゲナイド半導体が溶存酸素下で光照射により酸化溶解することを利用し、粒径の単分散化を行う方法である。例えば、ＣｄＳナノ粒子を溶存酸素下で光励起を行った場合、励起電子は酸素を還元する還元反応を進行させ、正孔はＣｄＳナノ粒子自身を溶解する酸化反応を進行させる。この光触媒反応は、半導体ナノ粒子が励起される間進行する。すなわち、励起されたすべての半導体ナノ粒子の溶解反応は、照射光の最短波長のエネルギーに応じた禁制帯幅を持つ粒径において終了する。つまり、広い粒径分布を有する半導体ナノ粒子に、その吸収端の波長よりも短い波長の光を照射することで、粒径の大きな半導体ナノ粒子のみを選択的に光励起し溶解させ、より小さな半導体ナノ粒子へと粒径をそろえていく方法である。この方法は、照射光波長を選択することのみで、任意の粒径において単分散化したナノ粒子を、常温で比較的安全に調製することができる方法である。さらに、光照射時に単色光を用いることで、より精密に単分散化を行うことも可能である。
【０００８】
一方、サイズ選択光エッチング法により単分散化を行った半導体ナノ粒子の品質には、大きなばらつきが生じることが発明者らの研究の中で明らかになった。そのばらつきは、半導体ナノ粒子の表面改質を行った場合に顕著に現れることもわかった。発明者らは、鋭意研究を進めた結果、そのばらつきの原因として、サイズ選択光エッチング時のｐＨ値が大きく関与していることを見出した。即ち、サイズ選択光エッチング反応時のｐＨ値を制御することで再現性の高い粒子の調製を行うことも可能である。
【０００９】
これらの調製方法によって、得られた半導体ナノ粒子の粒径分布は、光照射前は標準偏差において平均粒径の１５％以上にまで及ぶが、光照射後は、照射光波長を４７６.５ｎｍとした場合、標準偏差（ｒｍｓ）が平均粒径の約６％と非常に狭い粒径分布を持つようになる。
【００１０】
しかしながら、これらの方法により調製された半導体ナノ粒子の蛍光特性は、顕著なピークを持たないなだらかな蛍光スペクトルを示す。さらに、前記蛍光スペクトルは、半導体ナノ粒子が発光するべき蛍光の理論値と異なる波長においてピークを示す。すなわち、前記半導体ナノ粒子は、半導体ナノ粒子内部が示すバンドギャップ蛍光のほかに、半導体ナノ粒子内部のエネルギーレベルの禁制帯内に存在するエネルギーレベルから発すると見られる全く別の蛍光を発する。この蛍光を発するエネルギーレベルは、主に半導体ナノ粒子の表面サイトに存在すると考えられている。本来、半導体ナノ粒子の粒径制御による蛍光特性の変化は、バンドギャップ蛍光に現れるため、粒径分布の狭い半導体ナノ粒子の性質を阻害する現象となり、解決すべき課題とされてきた。
【００１１】
前記課題の代表的な解決方法として、核となる半導体材料に対し、前記半導体材料よりもより広いバンドギャップを持つ半導体材料、無機材料及び有機材料により被覆することにより複層化し、これらの蛍光を抑制する方法が試されている。
【００１２】
まず、無機材料の被覆の方法として代表的なものとして、下記非特許文献４に記載の、ＣｄＳｅナノ粒子に対しＣｄＳをコーティングしたもの、非特許文献５に記載の、ＣｄＳナノ粒子に対しＺｎＳをコーティングしたもの、非特許文献６に記載の、ＣｄＳｅナノ粒子に対しＺｎＳをコーティングしたもの等が挙げられる。また、非特許文献１や特許文献１に記載の、ＣｄＳｅナノ粒子に対しＺｎＳをコーティングしたものについては、オストワルド熟成現象を利用し、配位溶媒中にて行う製法を採用することで十分な蛍光特性をもつ半導体ナノ粒子を得ることに成功している。
【００１３】
以上にあげた複層化半導体ナノ粒子は、半導体ナノ粒子の持つバンドギャップよりも大きいバンドギャップを持った材料でありかつ半導体ナノ粒子の禁制帯内にバンドギャップが存在しない物質で被覆することで、半導体ナノ粒子表面の欠陥サイトを抑制し、半導体ナノ粒子本来の蛍光特性を得ようとするものである。
【００１４】
さらに、水溶液中における表面処理の方法として、下記非特許文献７には、アルカリ水溶液中における半導体ナノ粒子の蛍光特性の向上が報告されている。前記報告を基に、様々な実験や報告がなされているが、いずれも明確なメカニズムの解明にまではいたっていない(非特許文献８、非特許文献９等)。また、アルカリ溶液中におけるいずれの半導体ナノ粒子も、再現性に乏しく、再現条件を特定できていない。さらに、どの実験及び報告においても、最終的な物質としての単離には成功していなかった。
【００１５】
一方、有機物により被覆する方法として、配位溶媒中においてオストワルド熟成現象を利用した合成方法が挙げられる。被覆材料として、ＴＯＰＯ（トリオクチルホスフィン）やＨＤＡ（ヘキサデシルアミン）等を用い、高発光特性の半導体ナノ粒子を得る方法が報告されている(非特許文献１等)。ただし、最終的に得られる半導体ナノ粒子は、水溶性でない。
【００１６】
以上のような方法により得られた半導体ナノ粒子は、ある程度欠陥サイトを抑制することができ、半導体ナノ粒子の本来の特性をある程度持っている。しかし、以上のような半導体ナノ粒子を調製するためには、高度な技術が必要であり、さらに品質の高いものを調製するためには、様々な設備が必要であり、さらに試薬等のコスト面、あるいは高温における反応等の安全面の観点から工業的な量産等を行ううえでの重大な欠点を持っていた。
【００１７】
前記課題を解決することを含め、発明者らはこれらとは異なる方法について鋭意研究を進めてきた。単層半導体ナノ粒子の欠陥蛍光の原因として、半導体ナノ粒子の表面状態が影響していると考えられることを前記に示した。この考えに基づき、発明者らは、半導体ナノ粒子の表面状態による影響の検討を続けてきた。発明者らは、これらの欠点の解決策として、前記アルカリ溶液中における半導体ナノ粒子の発光特性が非常に良好である点に注目し、研究を行った。その結果、アルカリ溶液中において表面処理を行った半導体ナノ粒子のみを単離・精製することに成功し、さらにこれらを水溶化する方法を見出した。具体的には、半導体ナノ粒子に１種以上の電子供与性基を与える表面処理材料を加え、半導体ナノ粒子コア表面に電子供与性基を配列させることで高発光特性を引き出し、前記表面材料の種類によっては、水溶化を図ることができる方法である。
【００１８】
ただし、前記方法により調製された高発光特性を持った半導体ナノ粒子は、ｐＨ変化等のような外的要因による影響を受けやすかった。
【００１９】
半導体ナノ粒子の性質は、現在用いられている有機色素等の試薬よりも耐久性が高く、ほとんど褪色しない。さらに、その粒径を変化させることで様々な半値全幅の狭いスペクトルを示す試薬を同一の材料で創製することができ、光デバイス等における応用のみならず、生体高分子検出及びバイオイメージングなどにおいても利用することが可能であり、その応用例は極めて広い。このことから、半導体ナノ粒子は近年注目を集めており、これらの実用化は、近年の研究者たちの課題とされている。
【００２０】
【非特許文献１】Ｊ.Ｐｈｙｓ.Ｃｈｅｍ.Ｂ.101:9463(1997)
【非特許文献２】Ｊ.Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ.Ｓｏｃ.145:1964(1998)
【非特許文献３】Ｊ.Ｐｙｓ.Ｃｈｅｍ.Ｂ.105:6838(2001)
【非特許文献４】Ｊ.Ｐｈｙｓ.Ｃｈｅｍ.100:8927(1996)
【非特許文献５】Ｊ.Ｐｙｓ.Ｃｈｅｍ.92:6320(1988)
【非特許文献６】Ｊ.Ａｍ.Ｃｈｅｍ.Ｓｏｃ.112:1327(1990)
【非特許文献７】Ｊ.Ａｍ.Ｃｈｅｍ.Ｓｏｃ.109:5655(1987)
【非特許文献８】Ｊ.Ｐｙｓ.Ｃｈｅｍ.100:13226(1996)
【非特許文献９】Ｊ.Ａｍ.Ｃｈｅｍ.Ｓｏｃ.122:12142(2000)
【特許文献１】特表２００１−５２３７５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
発明者らは、半導体ナノ粒子の表面改質技術としてＯＨコートやアンモニア処理等の表面処理を発明した。しかし、ＯＨコートやアンモニア処理等の表面処理をされた半導体ナノ粒子は、ｐＨを主とする外的要因に対する耐久性が充分ではないことが問題となっており、前記問題を解決することが課題となっていた。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
発明者らは、前記外的要因から半導体ナノ粒子を保護するため、得られたナノ粒子を有機物で被覆する方法について試みた。すなわち、水溶液中で調製された高発光特性を持った半導体ナノ粒子を、特定の官能基を持つ有機物中に取り込むことにより、外的要因の影響を大幅に低減させ、耐久性の付与を図るものである。このとき、有機物に被覆された半導体ナノ粒子については、水溶液中における状態と同等の環境が保たれるようにすることで、高発光特性を維持することを可能とする。
【００２３】
即ち、第１に本発明は、耐久性に優れたナノ粒子の発明であり、ナノ粒子の表面に電子供与性基が配列され、該電子供与性基の層の外殻に有機基が結合していることを特徴とする。図１に、本発明の耐久性に優れた半導体ナノ粒子の概念図を示す。
【００２４】
電子供与性基としては、−ＯＲ、−ＯＣＨ２Ｒ、−ＯＣＯＣＨ２Ｒ、−ＮＨＲ、−Ｎ(ＣＨ２Ｒ)２、−ＮＨＣＯＣＨ２Ｒ、−ＣＨ２Ｒ、−Ｃ６Ｈ４Ｒ［ここで、Ｒは水素、置換または無置換の炭化水素基から選ばれる］の少なくとも１種以上が好ましく例示される。特に、電子供与性基として、水酸基が好ましい。また、これらの電子供与性基を含む層については、単層の場合だけではなく、複層となることもある。
【００２５】
電子供与性基を含むの層の外殻となる有機基としては、第１級アミン類（Ｒ１ＮＨ２）、第２級アミン類（Ｒ１Ｒ２ＮＨ）、第３級アミン類（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｎ）、第４級アンモニウム化合物類（Ｒ４Ｒ５Ｒ６Ｒ７Ｎ＋）［ここで、Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ水素、置換または無置換の炭化水素基から選ばれる］の少なくとも１種以上が好ましく例示される。特に、第１級アミン類（Ｒ１ＮＨ２）として、炭素数４〜２０のアルキルアミンが好ましく、第４級アンモニウム化合物類（Ｒ４Ｒ５Ｒ６Ｒ７Ｎ＋）として、二つ以上の炭素数４〜２０のアルキル鎖をもつ構造であれば尚好ましい。又、有機基が、重合性不飽和結合等を有するモノマーを重合させたものである場合には、半導体ナノ粒子の耐久性がより向上するのでより好ましい。なお、Ｒ１〜Ｒ７において、炭化水素基が置換される場合の置換基としては、特に制限されない。具体的には、カルボキシル基、水酸基、メルカプト基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２、スルホン酸基、リン酸基、スクシンイミジル基、マレイミド基、ビニル基、エポキシ基等の官能基が好ましく例示される。又、これらの官能基を生成することのできる結合基を有する置換基、例えば、エステル基、エーテル基、チオエステル基、チオエーテル基、スルフィド基、アミド基等も好ましく例示される。更に、これらの置換基の誘導体も含まれる。
【００２６】
本発明において半導体ナノ粒子の材質としては特に制限されない。具体的には、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＭｎＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＭｎＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＭｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＴｉＯ２、ＷＯ３、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＭｇＴｅ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、ＡｌＳ、Ｇｅ、Ｓｉから選択される１種以上、又はこれら半導体材質がコア部とシェル部の複層構造を有する半導体ナノ粒子が好ましく例示される。また、以上において半導体ナノ粒子を例にして説明したが、半導体ナノ粒子以外のサイズ選択光エッチング法が適用可能なナノ粒子、例えばＡｇ、Ａｕのような金属ナノ粒子や単結晶炭素（ダイヤモンド）ナノ粒子に対して、サイズ選択光エッチング法を適用する際にも本発明は有効である。
【００２７】
本発明の耐久性に優れたナノ粒子は粒径が単分散であり、その粒径は、直径において１０％ｒｍｓ未満の偏差を示すものである。
【００２８】
又、本発明の耐久性に優れたナノ粒子は発光特性、特に蛍光特性に優れており、励起光を照射されたときに半値全幅（ＦＷＨＭ）で６０ｎｍ以下の狭いスペクトル範囲で光を放出する。
【００２９】
第２に本発明は、蛍光特性を有し耐久性に優れた粒子の製造方法の発明であり、半導体ナノ粒子に１種以上の電子供与性基を与える表面処理材料を加え、半導体ナノ粒子表面に電子供与性基を配列させる工程と、該電子供与性基が配列した半導体ナノ粒子を水性溶媒中に溶解する工程と、界面活性剤や両親媒性有機化合物等の存在下に該電子供与性基が配列した半導体ナノ粒子を水性溶媒中から油性溶媒中に移行させる工程とを含むことを特徴とする。
【００３０】
半導体ナノ粒子表面に電子供与性基を与える表面処理材料としては、純金属、金属化合物、アンモニア、アミン類、アンモニウム類、ニトリル類、イソシアネート類から選択される含窒素化合物、又は、アルコール類、フェノール類、ケトン類、アルデヒド類、カルボン酸類、有機酸または無機酸のエステル類、エーテル類、酸アミド類、酸無水物類から選択される含酸素化合物の少なくとも１種以上が好ましく例示される。
【００３１】
本発明では、半導体ナノ粒子表面に電子供与性基を配列させる工程をアルカリ性環境下とすることが好ましい。特に、半導体ナノ粒子表面に電子供与性基を配列させる工程が、半導体ナノ粒子をアルカリ性環境下に活性水素含有化合物と反応させることが好ましい。より具体的には、アルカリ性環境下が、ＣｄＳを用いた場合、ｐＨ９〜１１であることが好ましい。
【００３２】
本発明の半導体ナノ粒子の製造方法では、電子供与性基が水酸基であり、半導体ナノ粒子表面に電子供与性基を与える電子供与性基を含む層が、金属水酸化物であることが好ましい。
【００３３】
界面活性剤や両親媒性有機化合物等としては、第１級アミン類（Ｒ１ＮＨ２）、第２級アミン類（Ｒ１Ｒ２ＮＨ）、第３級アミン類（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｎ）、第４級アンモニウム化合物類（Ｒ４Ｒ５Ｒ６Ｒ７Ｎ＋）［ここで、Ｒは水素、置換または無置換の炭化水素基から選ばれる］の少なくとも１種以上が好ましく例示される。特に、第１級アミン類（Ｒ１ＮＨ２）と第４級アンモニウム化合物類（Ｒ４Ｒ５Ｒ６Ｒ７Ｎ＋）が好ましく例示される。第一級アミン類においては、炭素数４以上のアルキルアミンであることが好ましい。また、第４級アンモニウム化合物類においては、二つ以上の炭素数４〜２０のアルキル鎖をもつ構造であることが好ましい。なお、前記化合物においては、これら界面活性剤や両親媒性有機化合物等の分子設計を行うことで、表面修飾材料を任意に設定することができるようになる。例えば、Ｒ１〜Ｒ７に、アミノ基又はアンモニウム基とは逆の末端に置換基を有することが出来る。この置換基により、ナノ粒子の物性を所望のものに変化させたり、この置換基を用いて更に化学的変性を行うことが可能となる。
【００３４】
又、本発明では、Ｒ１〜Ｒ７として、炭素数の大きな非水溶性の前記界面活性剤又は両親媒性有機化合物を用いることにより、電子供与性基が配列したナノ粒子を該界面活性剤又は両親媒性有機化合物中に濃縮することが可能となる。半導体ナノ粒子溶液を濃縮することによって、以後の後処理や化学的変性を効果的に行うことが可能となる他、取扱い上も都合がよい。
【００３５】
Ｒ１〜Ｒ７として、炭素数の大きな非水溶性の界面活性剤又は両親媒性有機化合物を用いる際に、電子供与性基が配列したナノ粒子の水性溶媒中から油性溶媒中への移行を促進する移行促進剤として極性溶媒を用いることが効果的である。極性溶媒としては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等のアルコール類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒から選択される極性溶媒の１種以上を加えることが好ましい。例えば、炭素数の大きな非水溶性の界面活性剤又は両親媒性有機化合物としてドデシルアミンを用いた場合、ドデシルアミンは非水溶性であるため、メタノールを添加すると水性溶媒中から有機相への移行が促進される。
【００３６】
さらに、本発明において、有機物層が、重合性不飽和結合等を有するモノマーあるいはポリマーを重合させたものであると、半導体ナノ粒子の耐久性をより向上させるので好ましい。
【００３７】
又、本発明において、表面修飾し、精製を行ったナノ粒子を出発材料とすることが好ましい。特に、表面修飾がチオール化合物により行われることが好ましい。
【００３８】
又、本発明において、チオール基により修飾されたナノ粒子表面を、アルカリ環境中でチオール化合物をイオン化・遊離させ、次いで電子供与性基を与える表面処理材料を加えることで官能基の置換を行うことが好ましい。
【００３９】
第３に、本発明は蛍光特性を有し、耐久性に優れたナノ粒子からなる蛍光試薬である。
第４に、本発明は蛍光特性を有し、耐久性に優れたナノ粒子からなる光デバイスである。
【００４０】
第５に、本発明は蛍光特性を有し、耐久性に優れたナノ粒子を含む無機材料、有機材料、又は有機無機複合材料である。
【発明の効果】
【００４１】
本発明により、ＯＨコートやアンモニア処理等の表面処理をされたナノ粒子を有機溶媒中にて高発光特性を維持することができる。これらは、前記ナノ粒子に有機物による被覆を行うことで外的要因に対する耐久性を付与する場合に特に有効となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下に、本発明による半導体ナノ粒子の製造方法について例示する。なお、ここではサイズ選択光エッチング法を用いた場合の例示を行うが、最終的なものとして、安定化又は修飾された半導体ナノ粒子が得られれば、どのような形態でもかまわない。
【００４３】
半導体ナノ粒子の調製方法
半導体ナノ粒子は、その体積に対する表面積の割合が極めて大きく、非常に凝集しやすい状態にある。したがって半導体ナノ粒子を安定に存在させるためには、粒子同士の衝突・融合を防ぐための施策が必要になる。これまでに様々な方法が考案されており、大別すると、固体マトリクス及び高分子マトリクス中への取り込みによる半導体ナノ粒子同士の物理的隔離と、粒子表面の金属イオンサイトをこれと高い作形成能を有する低分子有機物で化学修飾することによる粒子表面の不活性化になる。本方法では、後者の考えに基づき、ヘキサメタリン酸を安定化剤として用いる。
【００４４】
ヘキサメタリン酸ナトリウム（０．１ｍｍｏｌ）と過塩素酸カドミウム（０．２ｍｍｏｌ）の水溶液を１０００ｍｌ作成し、さらにリン酸水素二ナトリウム（１．０ｍｍｏｌ）を加える。その後、溶液中を窒素ガスでバブリングを行い、硫化水素ガス（０．２ｍｍｏｌ）を激しく攪拌させながら溶液中に注入し、しばらく攪拌を行う。このとき、溶液の色は、光学的に透明な無色から光学的に透明な黄色へ変化する。
【００４５】
この時、既にヘキサメタリン酸により安定化された半導体ナノ粒子が溶液中に存在しているが、前記半導体ナノ粒子は、広い粒径分布を持ち、その標準偏差は平均粒径の15％以上にまでにおよぶ。また、この状態における半導体ナノ粒子の全体的な蛍光強度は、非常に弱い。
【００４６】
ここで、サイズ選択光エッチング法について述べる。半導体ナノ粒子の物理化学特性は、量子サイズ効果により粒径に依存して現れる。したがって、この状態では物性が平均化されてしまい、半導体ナノ粒子の特性を十分に発揮することができない。このため、調製直後の広い粒径分布を有する半導体ナノ粒子から、化学的手法を用いて粒径分離を精密に行い、特定の粒子サイズの半導体ナノ粒子のみを分離・抽出することで単分散化する必要がある。以上の作業を行う方法のひとつとして、サイズ選択光エッチング法が挙げられる。サイズ選択光エッチング法は、半導体ナノ粒子が量子サイズ効果により粒径減少に伴ってエネルギーギャップが増大すること、及び金属カルコゲナイド半導体が溶存酸素下で光照射により酸化溶解することを利用しており、広い粒径分布を有する半導体ナノ粒子に、その吸収端の波長よりも短い波長の単色光を照射することで、粒径の大きな半導体ナノ粒子のみを選択的に光励起し溶解させ、より小さな半導体ナノ粒子へと粒径をそろえていく方法である。
【００４７】
まず、前記のように得られたヘキサメタリン酸により安定化された広い粒径分布を持つ半導体ナノ粒子溶液に、窒素ガスでバブリングを行い、さらに１０分間酸素によるバブリングを行う。その後、メチルビオロゲンを溶液中に５０μｍｏｌ/Ｌになるように加え、攪拌を行いながらレーザーを当てる。本発明における単色光照射は、半導体ナノ粒子を光溶解させるためのものであり、単色光の波長は、約４６０ｎｍとした。この単色光の波長を変化させることにより、半導体ナノ粒子の蛍光スペクトルにおけるピーク時の蛍光波長を制御することが可能となる。
【００４８】
ここで得られた半導体ナノ粒子は、波長４７６.５ｎｍの波長の光を照射した場合、平均粒径３.２ｎｍ、標準偏差０.１９ｎｍであり、標準偏差が平均粒径の約6％と非常に狭い粒径分布を示す。すなわち、極めて単分散に近い半導体ナノ粒子溶液を得ることができる。
【００４９】
この過程において、溶液中の半導体ナノ粒子は単分散化し、照射した単色光及び半導体ナノ粒子の粒径に応じた半値全幅の狭いスペクトルを示すバンドギャップ蛍光を持つようになる。一方で、主に半導体ナノ粒子表面のエネルギーレベルに起因すると見られる欠陥蛍光は、バンドギャップ蛍光強度よりも比較的強い強度で発現する。本来、このような欠陥蛍光は、半導体ナノ粒子の持つ性質の阻害要因として問題とされる。したがって、これらの欠陥蛍光を抑制する必要がある。
【００５０】
半導体ナノ粒子表面の修飾および精製方法
前記方法により得られたヘキサメタリン酸により安定化された単分散半導体ナノ粒子を精製するために、５０μｌのメルカプトプロピオン酸(ＭＰＡ)を加え数時間撹拌させることにより表面修飾を行った。さらに、前記溶液を限外ろ過し、水溶液中のメチルビオロゲン、ヘキサメタリン酸、未反応チオール化合物、光エッチングの際に溶解したイオン等を取り除き、純粋なチオール化合物による安定化半導体ナノ粒子溶液を得た。得られた前記チオール化合物による表面修飾半導体ナノ粒子１Ｌを、限外ろ過にて最終的に１０ｍｌになるまで濃縮し、さらに純水による洗浄作業を行った。
【００５１】
半導体ナノ粒子の表面処理方法
前記方法により得られた精製済みチオール修飾ナノ粒子を用いて、表面処理を行った。以下に表面処理の実施例を示す。
【実施例】
【００５２】
［実施例１−１］
（水酸化ナトリウムによる表面処理）
本実施例では、水酸化ナトリウムを用いた表面処理方法について例示する。
前記のようにして得た精製済みチオール修飾ナノ粒子水溶液に、0.1M NaOH-HCl ph 11 aq.を用いて吸光度が0.5となるように希釈し、数日〜数週間放置することにより表面処理を行い、高発光特性を持った半導体ナノ粒子溶液を得た。得られた溶液は光学的に透明な黄色であり、優れた発光特性を持っている。
【００５３】
［実施例１−２］
（アンモニアによる表面処理）
本実施例では、アンモニア水を用いた表面処理方法について例示する。
前記のようにして得た精製済みチオール修飾ナノ粒子水溶液に、0.1M NH３ aq.を用いて吸光度が0.5となるように希釈し、数日〜数週間放置することにより表面処理を行い、高発光特性を持った半導体ナノ粒子溶液を得た。得られた溶液は光学的に透明な黄色であり、優れた発光特性を持っている。
【００５４】
半導体ナノ粒子の表面被覆方法
［実施例２−１］
（ＮａＯＨ処理／ヘキシルアミン／トルエン）
前記実施例１−１のように調製された半導体ナノ粒子水溶液に、トルエンと該トルエン量に対し１０％になるようにヘキシルアミンを加えた混合溶液を、前記水溶液と等量となるように加えた上で、しばらく激しく攪拌を行った。その結果、光学的に透明な黄色い部分は、水―トルエン界面に黄色い粉末状のものが観察される段階を経て、水相から有機相へ移行することが確認できた。その後、遠心分離を行った上で、水相と有機相を分離した。回収した前記有機相は、移行前の前記水溶液量と同量となるまでトルエンを加えて希釈した。なお、トルエン相へ移行した半導体ナノ粒子は、なお高発光特性を維持する。
【００５５】
得られた半導体ナノ粒子の構造の模式図を図２に示す。又、本実施例における前記移行前後を比較した半導体ナノ粒子の吸収スペクトルを図３に、蛍光スペクトルを図４に付す。
【００５６】
［実施例２−２］
（ＮａＯＨ処理／ヘキシルアミン／ヘキサン）
前記実施例１−１のように調製された半導体ナノ粒子水溶液に、ヘキサンと該ヘキサン量に対し１０％になるようにヘキシルアミンを加えた混合溶液を、前記水溶液と等量となるように加えた上で、しばらく激しく攪拌を行った。その結果、光学的に透明な黄色い部分は、水―ヘキサン界面に黄色い粉末状のものが観察される段階を経て、水相から有機相へ移行することが確認できた。その後、遠心分離を行った上で、水相と有機相を分離した。回収した前記有機相は、移行前の前記水溶液量と同量となるまでヘキサンを加えて希釈した。なお、ヘキサン相へ移行した半導体ナノ粒子は、なお高発光特性を維持する。
【００５７】
得られた半導体ナノ粒子の構造の模式図を図２に示す。又、本実施例における前記移行前後を比較した半導体ナノ粒子の吸収スペクトルを図５に、蛍光スペクトルを図６に付す。
【００５８】
［実施例２−３］
（ＮＨ３処理／ヘキシルアミン／トルエン）
前記実施例１−２のように調製された半導体ナノ粒子水溶液に、トルエンと該トルエン量に対し１０％になるようにヘキシルアミンを加えた混合溶液を、前記溶液と等量となるように加えた上で、しばらく激しく攪拌を行った。その結果、光学的に透明な黄色い部分は、水―ヘキサン界面に黄色い粉末状のものが精製される段階を経て、水相から有機相へ移行することが確認できた。その後、遠心分離を行った上で、水相と有機相を分離した。回収した前記有機相は、移行前の前記水溶液量と同量となるまでトルエンを加えて希釈した。なお、トルエン相へ移行した半導体ナノ粒子は、なお高発光特性を維持する。
【００５９】
得られた半導体ナノ粒子の構造の模式図を図２に示す。又、本実施例における前記移行前と移行後を比較した半導体ナノ粒子の吸収スペクトルを図７に、蛍光スペクトルを図８に付す。
【００６０】
［実施例２−４］
（ＮＨ３処理／ヘキシルアミン／ヘキサン）
前記実施例１−２のように調製された半導体ナノ粒子水溶液に、ヘキサンと該ヘキサン量に対し１０％になるようにヘキシルアミンを加えた混合溶液を、前記溶液と等量となるように加えた上で、しばらく激しく攪拌を行った。その結果、光学的に透明な黄色い部分は、水―ヘキサン界面に黄色い粉末状のものが精製される段階を経て、水相から有機相へ移行することが確認できた。その後、遠心分離を行った上で、水相と有機相を分離した。回収した前記有機相は、移行前の前記水溶液量と同量となるまでヘキサンを加えて希釈した。なお、ヘキサン相へ移行した半導体ナノ粒子は、なお高発光特性を維持する。
【００６１】
得られた半導体ナノ粒子の構造の模式図を図２に示す。又、本実施例における前記移行前と移行後を比較した半導体ナノ粒子の吸収スペクトルを図９に、蛍光スペクトルを図１０に付す。
【００６２】
［実施例２−５］
（ＮＨ３処理／ドデシルアミン／トルエン）
前記実施例１−２のように調製された半導体ナノ粒子水溶液に、トルエンと該トルエン量に対し10％となるようにドデシルアミンを加えた混合溶液を、前記水溶液の10分の１量加えた上で、さらにメタノールを前記水溶液と等量となるように加え、しばらく激しく攪拌を行った。その結果、光学的に透明な黄色い部分は、水相から有機相へ移行することが確認できた。
【００６３】
なお、本実施例では、ドデシルアミンを加えた混合溶液量は、前記水溶液の10分の１量であるため、ドデシルアミンを加えた混合溶液中の半導体ナノ粒子は水溶液の時に比べて１０倍に濃縮されたことに成る。半導体ナノ粒子溶液を濃縮することによって、以後の後処理や化学的変性を効果的に行うことが可能となる他、取扱い上も都合がよい。又、ドデシルアミンは非水溶性であるため、メタノールが水性溶媒中から有機相への移行が促進された。
【００６４】
その後、遠心分離を行った上で、水相と有機相を分離した。回収した前記有機相は、移行前の前記水溶液と同様の吸光度となるまでトルエンを加えて希釈した。なお、トルエン相へ移行した半導体ナノ粒子は、なお高発光特性を維持する。
【００６５】
得られた半導体ナノ粒子の構造の模式図を図１１に示す。又、本実施例における前記移行前後を比較した半導体ナノ粒子の吸収スペクトルを図１２に、蛍光スペクトルを図１３に付す。
【００６６】
［実施例２−６］
（ＮＨ３／ドデシルアミン／ヘキサン）
前記実施例１−２のように調製された半導体ナノ粒子水溶液に、ヘキサンと該ヘキサン量に対し10％となるようにドデシルアミンを加えた混合溶液を、前記水溶液の10分の１量加えた上で、さらにメタノールを前記水溶液と等量となるように加え、しばらく激しく攪拌を行った。その結果、光学的に透明な黄色い部分は、水相から有機相へ移行することが確認できた。その後、遠心分離を行った上で、水相と有機相を分離した。回収した前記有機相は、移行前の前記水溶液と同様の吸光度となるまでヘキサンを加えて希釈した。なお、ヘキサン相へ移行した半導体ナノ粒子は、なお高発光特性を維持する。
【００６７】
得られた半導体ナノ粒子の構造の模式図を図１１に示す。又、本実施例における前記移行前後を比較した半導体ナノ粒子の吸収スペクトルを図１４に、蛍光スペクトルを図１５に付す。
【００６８】
［実施例２−７］
（ＮａＯＨ処理／トリオクチルメチルアンモニウム／トルエン）
前記実施例１−１のように調製された半導体ナノ粒子水溶液に、トルエンと該トルエンに対し１μl／mlとなるように塩化86％トリオクチルメチルアンモニウム−クロロホルム溶液を加えた混合溶液を、前記水溶液の10分の１量加えた上で、しばらく激しく攪拌を行った。その結果、光学的に透明な黄色い部分は、水相から有機相へ移行することが確認できた。その後、遠心分離を行った上で、水相と有機相を分離した。回収した前記有機相は、移行前の前記水溶液と同様の吸光度となるまでトルエンを加えて希釈した。なお、トルエン相へ移行した半導体ナノ粒子は、なお高発光特性を維持する。
【００６９】
得られた半導体ナノ粒子の構造の模式図を図１６に示す。又、本実施例における前記移行前後を比較した半導体ナノ粒子の吸収スペクトルを図１７に、蛍光スペクトルを図１８に付す。
【００７０】
［実施例２−８］
（ＮａＯＨ処理／トリオクチルメチルアンモニウム／ヘキサン）
前記実施例１−１のように調製された半導体ナノ粒子水溶液に、ヘキサンと該ヘキサンに対し１μl／mlとなるように塩化86％トリオクチルメチルアンモニウム−クロロホルム溶液を加えた混合溶液を、前記水溶液の10分の１量加えた上で、しばらく激しく攪拌を行った。その結果、光学的に透明な黄色い部分は、水相から有機相へ移行することが確認できた。その後、遠心分離を行った上で、水相と有機相を分離した。回収した前記有機相は、移行前の前記水溶液と同様の吸光度となるまでヘキサンを加えて希釈した。なお、ヘキサン相へ移行した半導体ナノ粒子は、なお高発光特性を維持する。
【００７１】
得られた半導体ナノ粒子の構造の模式図を図１６に示す。又、本実施例における前記移行前後を比較した半導体ナノ粒子の吸収スペクトルを図１９に、蛍光スペクトルを図２０に付す。
【００７２】
［実施例２−９］
（ＮＨ３処理／トリオクチルメチルアンモニウム／トルエン）
前記実施例１−２のように調製された半導体ナノ粒子水溶液に、トルエンと該トルエンに対し１μl／mlとなるように86％塩化トリオクチルメチルアンモニウム−クロロホルム溶液を加えた混合溶液を、前記水溶液の10分の１量加えた上で、しばらく激しく攪拌を行った。その結果、光学的に透明な黄色い部分は、水相から有機相へ移行することが確認できた。その後、遠心分離を行った上で、水相と有機相を分離した。回収した前記有機相は、移行前の前記水溶液と同様の吸光度となるまでトルエンを加えて希釈した。なお、トルエン相へ移行した半導体ナノ粒子は、なお高発光特性を維持する。
【００７３】
得られた半導体ナノ粒子の構造の模式図を図１６に示す。又、本実施例における前記移行前後を比較した半導体ナノ粒子の吸収スペクトルを図２１に、蛍光スペクトルを図２２に付す。
【００７４】
［実施例２−１０］
（ＮＨ３処理／トリオクチルメチルアンモニウム／ヘキサン）
前記実施例１−２のように調製された半導体ナノ粒子水溶液に、ヘキサンと該ヘキサンに対し１μl／mlとなるように86％塩化トリオクチルメチルアンモニウム−クロロホルム溶液を加えた混合溶液を、前記水溶液の10分の１量加えた上で、しばらく激しく攪拌を行った。その結果、光学的に透明な黄色い部分は、水相から有機相へ移行することが確認できた。その後、遠心分離を行った上で、水相と有機相を分離した。回収した前記有機相は、移行前の前記水溶液と同様の吸光度となるまでヘキサンを加えて希釈した。なお、ヘキサン相へ移行した半導体ナノ粒子は、なお高発光特性を維持する。
【００７５】
得られた半導体ナノ粒子の構造の模式図を図１６に示す。又、本実施例における前記移行前後を比較した半導体ナノ粒子の吸収スペクトルを図２３に、蛍光スペクトルを図２４に付す。
【００７６】
［実施例２−１１］
（ＮＨ３処理／トリドデシルメチルアンモニウム／トルエン）
前記実施例１−２のように調製された半導体ナノ粒子水溶液に、トルエンと該トルエンに対し１mg／mlとなるように塩化トリドデシルメチルアンモニウムを加えた混合溶液を、前記水溶液の10分の１量加えた上で、しばらく激しく攪拌を行った。その結果、光学的に透明な黄色い部分は、水相から有機相へ移行することが確認できた。その後、遠心分離を行った上で、水相と有機相を分離した。回収した前記有機相は、移行前の前記水溶液と同様の吸光度となるまでトルエンを加えて希釈した。なお、トルエン相へ移行した半導体ナノ粒子は、なお高発光特性を維持する。
【００７７】
得られた半導体ナノ粒子の構造の模式図を図２５に示す。又、本実施例における前記移行前後を比較した半導体ナノ粒子の吸収スペクトルを図２６に、蛍光スペクトルを図２７に付す。
【００７８】
［実施例２−１２］
（ＮＨ３処理／トリドデシルメチルアンモニウム／ヘキサン）
前記実施例１−２のように調製された半導体ナノ粒子水溶液に、ヘキサンと該ヘキサンに対し１mg／mlとなるように塩化トリドデシルメチルアンモニウムを加えた混合溶液を、前記水溶液の10分の１量加えた上で、しばらく激しく攪拌を行った。その結果、光学的に透明な黄色い部分は、水相から有機相へ移行することが確認できた。その後、遠心分離を行った上で、水相と有機相を分離した。回収した前記有機相は、移行前の前記水溶液と同様の吸光度となるまでヘキサンを加えて希釈した。なお、ヘキサン相へ移行した半導体ナノ粒子は、なお高発光特性を維持する。
【００７９】
得られた半導体ナノ粒子の構造の模式図を図２５に示す。又、本実施例における前記移行前後を比較した半導体ナノ粒子の吸収スペクトルを図２８に、蛍光スペクトルを図２９に付す。
なお、上記一連の過程において沈殿等が生じた場合は、超音波洗浄器等を利用するとよい。
【００８０】
以上のように、ＯＨコートやアンモニア処理等の表面処理をされた半導体ナノ粒子を、蛍光特性を特に変化させることなく、有機物により被覆することに成功した。さらに、前記被覆後の半導体ナノ粒子は、蛍光特性を長期間にわたって維持していることも確認した。本方法は、半導体ナノ粒子をポリマーに代表される有機物により被覆し、外的要因に対する耐久性を付与する場合に用いることができる。本発明による製法により、水酸化カドミウムと同等の表面状態となったＣｄＳナノ粒子を有機物によりさらに被覆されている構造であることが考えられる（図２）。
【００８１】
ところで、安定化材とする物質は幅広く存在することが考えられ、本方法による物質は、上記例示に限定されない。また、本実施例で用いた有機物の種類、溶媒の種類、有機物の濃度についても、上記例示に限定されない。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明の耐久性に優れた半導体ナノ粒子は、その蛍光特性を利用して、蛍光試薬や光デバイス等として用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の耐久性に優れた半導体ナノ粒子の概念図を示す。
【図２】本発明の耐久性に優れた半導体ナノ粒子の具体例を示す。
【図３】実施例２−１における水層から有機層への移行前後の吸収スペクトル
【図４】実施例２−１における水層から有機層への移行前後の蛍光スペクトル
【図５】実施例２−２における水層から有機層への移行前後の吸収スペクトル
【図６】実施例２−２における水層から有機層への移行前後の蛍光スペクトル
【図７】実施例２−３における水層から有機層への移行前後の吸収スペクトル
【図８】実施例２−３における水層から有機層への移行前後の蛍光スペクトル
【図９】実施例２−４における水層から有機層への移行前後の吸収スペクトル
【図１０】実施例２−４における水層から有機層への移行前後の蛍光スペクトル
【図１１】本発明の耐久性に優れた半導体ナノ粒子の具体例を示す。
【図１２】実施例２−５における水層から有機層への移行前後の吸収スペクトル
【図１３】実施例２−５における水層から有機層への移行前後の蛍光スペクトル
【図１４】実施例２−６における水層から有機層への移行前後の吸収スペクトル
【図１５】実施例２−６における水層から有機層への移行前後の蛍光スペクトル
【図１６】本発明の耐久性に優れた半導体ナノ粒子の具体例を示す。
【図１７】実施例２−７における水層から有機層への移行前後の吸収スペクトル
【図１８】実施例２−７における水層から有機層への移行前後の蛍光スペクトル
【図１９】実施例２−８における水層から有機層への移行前後の吸収スペクトル
【図２０】実施例２−８における水層から有機層への移行前後の蛍光スペクトル
【図２１】実施例２−９における水層から有機層への移行前後の吸収スペクトル
【図２２】実施例２−９における水層から有機層への移行前後の蛍光スペクトル
【図２３】実施例２−１０における水層から有機層への移行前後の吸収スペクトル
【図２４】実施例２−１０における水層から有機層への移行前後の蛍光スペクトル
【図２５】本発明の耐久性に優れた半導体ナノ粒子の具体例を示す。
【図２６】実施例２−１１における水層から有機層への移行前後の吸収スペクトル
【図２７】実施例２−１１における水層から有機層への移行前後の蛍光スペクトル
【図２８】実施例２−１２における水層から有機層への移行前後の吸収スペクトル
【図２９】実施例２−１２における水層から有機層への移行前後の蛍光スペクトル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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