(57)【要約】【課題】  入手可能な原料を用い、簡便で、かつ高収率が得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩の製造方法を提供する。【解決手段】  下記一般式（１）【化１】2005225843.tif 000013（式中、Ｒ１、Ｒ２は各々独立して炭素数１〜４のアルキル基又は−Ａ−ＯＨを表し、Ｒ１とＲ２が結合して環構造を形成していても良い。また、Ａは、アルキレン鎖、又はオキシアルキレン鎖を表す。）で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミン、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して２当量以上のハロゲン化アルキル、及び該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量以上の水素化アルカリ金属を、非プロトン性溶媒下で反応させる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
2005225843.tif 000008
（式中、Ｒ１、Ｒ２は各々独立して炭素数１〜４のアルキル基又は−Ａ−ＯＨを表し、Ｒ１とＲ２が結合して環構造を形成していても良い。また、Ａは、−｛Ｃ（Ｒａ）Ｈ｝ｌ−で示されるアルキレン鎖、又は−［｛Ｃ（Ｒｂ）Ｈ｝ｍ−Ｏ］ｎ−Ｃ（Ｒｃ）Ｈ−で示されるオキシアルキレン鎖を表し、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃは各々独立して水素原子、メチル基又はヒドロキシル基を表し、ｌ、ｍは１〜６の整数であり、ｎは１〜４の整数である。なお、アルキレン鎖中のＲａ、Ｒｂ、Ｒｃは結合する炭素原子毎に異なっていても良い。）
で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミン、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して２当量以上のハロゲン化アルキル、及び該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量以上の水素化アルカリ金属を、非プロトン性溶媒下で反応させることを特徴とするアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩の製造方法。
【請求項２】
下記一般式（１）
【化２】
2005225843.tif 000009
（式中、Ｒ１、Ｒ２は各々独立して炭素数１〜４のアルキル基又は−Ａ−ＯＨを表し、Ｒ１とＲ２が結合して環構造を形成していても良い。また、Ａは、−｛Ｃ（Ｒａ）Ｈ｝ｌ−で示されるアルキレン鎖、又は−［｛Ｃ（Ｒｂ）Ｈ｝ｍ−Ｏ］ｎ−Ｃ（Ｒｃ）Ｈ−で示されるオキシアルキレン鎖を表し、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃは各々独立して水素原子、メチル基又はヒドロキシル基を表し、ｌ、ｍは１〜６の整数であり、ｎは１〜４の整数である。なお、アルキレン鎖中のＲａ、Ｒｂ、Ｒｃは結合する炭素原子毎に異なっていても良い。）
で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミン、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して２当量以上の下記一般式（２）
Ｒ３Ｘ          （２）
（式中、Ｒ３は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）
で示されるハロゲン化アルキル、及び該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量以上の水素化アルカリ金属を、非プロトン性溶媒下で反応させることを特徴とする下記一般式（３）
【化３】
2005225843.tif 000010
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ａ、Ｘは上記と同じ定義である。）
で示されるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩の製造方法。
【請求項３】
非プロトン性溶媒下、上記一般式（１）で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミンに、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量以上の水素化アルカリ金属を反応させ、ヒドロキシ基をアルコラートに変換した後、その反応系内に、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して２当量以上の上記一般式（２）で示されるハロゲン化アルキルを添加し反応させることを特徴とする請求項２に記載のアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩の製造方法。
【請求項４】
非プロトン性溶媒下、下記一般式（１）
【化４】
2005225843.tif 000011
（式中、Ｒ１、Ｒ２は各々独立して炭素数１〜４のアルキル基又は−Ａ−ＯＨを表し、Ｒ１とＲ２が結合して環構造を形成していても良い。また、Ａは、−｛Ｃ（Ｒａ）Ｈ｝ｌ−で示されるアルキレン鎖、又は−［｛Ｃ（Ｒｂ）Ｈ｝ｍ−Ｏ］ｎ−Ｃ（Ｒｃ）Ｈ−で示されるオキシアルキレン鎖を表し、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃは各々独立して水素原子、メチル基又はヒドロキシル基を表し、ｌ、ｍは１〜６の整数であり、ｎは１〜４の整数である。なお、アルキレン鎖中のＲａ、Ｒｂ、Ｒｃは結合する炭素原子毎に異なっていても良い。）
で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミンに、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量以上の水素化アルカリ金属を反応させ、ヒドロキシ基をアルコラートに変換した後、その反応系内に、下記一般式（４）
Ｒ４Ｘ          （４）
（式中、Ｒ４は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）
で示されるハロゲン化アルキルを、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量添加し反応させ、その後、さらにその反応系内に、下記一般式（２）
Ｒ３Ｘ          （２）
（式中、Ｒ３は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）
で示されるハロゲン化アルキルを、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量以上添加し反応させることを特徴とする下記一般式（５）
【化５】
2005225843.tif 000012
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ａ、Ｘは上記と同じ定義である。）
で示されるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩の製造方法。
【請求項５】
−２０℃〜４０℃の温度範囲で一般式（４）で示されるハロゲン化アルキルを反応させることを特徴とする請求項４に記載のアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩の製造方法。
【請求項６】
非プロトン性溶媒が、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル及び１，２−ジメトキシエタンからなる群より選ばれる溶媒であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の製造方法により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩中のアニオンを、ビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミド、パーフルオロアルキルスルホネート、パーフルオロアルキルカルボキシレート、トリス（パーフルオロアルキルスルホニル）カルボアニオン、ビス（パーフルオロアルキルカルボニル）イミド、（パーフルオロアルキルスルホニル）（パーフルオロアルキルカルボニル）イミド、ビス（フルオロスルホニル）イミド、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、及び過塩素酸アニオンから誘導される酸、並びにそれらのアルカリ金属塩からなる群より選ばれる１種又は２種以上により、該アニオンへ交換することを特徴とするアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の製造方法により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩中のアニオンを、その製造過程において副生するハロゲン化アルカリ金属の共存下、水又は水と混和する有機溶媒との混合物中において、ビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミド酸又はそのアルカリ金属塩を用いてアニオン交換することを特徴とするアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は請求項８に記載の製造方法により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩からなる電気化学デバイス用電解質。
【請求項１０】
請求項７又は請求項８に記載の製造方法により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩を含む電気化学デバイス用電解液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、アルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩の製造方法に関しては、これまで、ジアルキルアミンとアルコキシアルキルハライドとを反応させアルコキシアルキル基含有３級アミンとし、その後さらにハロゲン化アルキル等で４級アンモニウム塩とする方法（例えば、特許文献１参照）や、アルコキシアルキルアミンを還元メチル化することによってアルコキシ基含有３級アミンとし、その後同様の方法で４級化する方法（例えば、特許文献２参照）等が知られている。
【０００３】
【特許文献１】国際公開第０２／０７６９２４号パンフレット
【０００４】
【特許文献２】特開２０００−１５９７３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来、アルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩を１段階（１ポット）で合成することは、それらの原料入手の点で事実上困難であり、そのため、背景技術に示したような煩雑な経路を経ねばならなかった。
【０００６】
すなわち、特許文献１の方法においては、ジメチルアミン、ジエチルアミンのような低沸点材料を用いるためオートクレーブ等圧力容器の使用を必要とする。また、特許文献２の方法においても、オートクレーブ中で水素を使用する反応である等、設備面での制約もある。さらに、特許文献１においては、第一段階としてジアルキルアミンとアルコキシアルキルクロライドを反応させ３級アミンとするが、これは塩酸塩の状態で得られるため水酸化ナトリウム水溶液等により洗浄し塩酸を除去、目的物をジクロロメタン等で抽出する工程を要し、回収率の低下も招く。
【０００７】
本発明は上記の問題に対して鑑みられたものであり、入手可能な原料を用い、簡便で、高収率が得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは上記したような課題に対し鋭意検討を行った結果、下記一般式（１）で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミン、ハロゲン化アルキル、及び水素化アルカリ金属を原料とすることで、簡便に高収率でアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩を得る方法を見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
すなわち本発明は、以下に示すとおりの、アルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩の製造方法、並びに電気化学デバイス用電解質又は電解液である。
【００１０】
（１）下記一般式（１）
【００１１】
【化１】
2005225843.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２は各々独立して炭素数１〜４のアルキル基又は−Ａ−ＯＨを表し、Ｒ１とＲ２が結合して環構造を形成していても良い。また、Ａは、−｛Ｃ（Ｒａ）Ｈ｝ｌ−で示されるアルキレン鎖、又は−［｛Ｃ（Ｒｂ）Ｈ｝ｍ−Ｏ］ｎ−Ｃ（Ｒｃ）Ｈ−で示されるオキシアルキレン鎖を表し、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃは各々独立して水素原子、メチル基又はヒドロキシル基を表し、ｌ、ｍは１〜６の整数であり、ｎは１〜４の整数である。なお、アルキレン鎖中のＲａ、Ｒｂ、Ｒｃは結合する炭素原子毎に異なっていても良い。）
で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミン、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して２当量以上のハロゲン化アルキル、及び該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量以上の水素化アルカリ金属を、非プロトン性溶媒下で反応させることを特徴とするアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩の製造方法。
【００１２】
（２）下記一般式（１）
【００１３】
【化２】
2005225843.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２は各々独立して炭素数１〜４のアルキル基又は−Ａ−ＯＨを表し、Ｒ１とＲ２が結合して環構造を形成していても良い。また、Ａは、−｛Ｃ（Ｒａ）Ｈ｝ｌ−で示されるアルキレン鎖、又は−［｛Ｃ（Ｒｂ）Ｈ｝ｍ−Ｏ］ｎ−Ｃ（Ｒｃ）Ｈ−で示されるオキシアルキレン鎖を表し、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃは各々独立して水素原子、メチル基又はヒドロキシル基を表し、ｌ、ｍは１〜６の整数であり、ｎは１〜４の整数である。なお、アルキレン鎖中のＲａ、Ｒｂ、Ｒｃは結合する炭素原子毎に異なっていても良い。）
で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミン、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して２当量以上の下記一般式（２）
Ｒ３Ｘ          （２）
（式中、Ｒ３は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）
で示されるハロゲン化アルキル、及び該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量以上の水素化アルカリ金属を、非プロトン性溶媒下で反応させることを特徴とする下記一般式（３）
【００１４】
【化３】
2005225843.tif 000004
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ａ、Ｘは上記と同じ定義である。）
で示されるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩の製造方法。
【００１５】
（３）非プロトン性溶媒下、上記一般式（１）で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミンに、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量以上の水素化アルカリ金属を反応させ、ヒドロキシ基をアルコラートに変換した後、その反応系内に、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して２当量以上の上記一般式（２）で示されるハロゲン化アルキルを添加し反応させることを特徴とする上記（２）に記載のアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩の製造方法。
【００１６】
（４）非プロトン性溶媒下、下記一般式（１）
【００１７】
【化４】
2005225843.tif 000005
（式中、Ｒ１、Ｒ２は各々独立して炭素数１〜４のアルキル基又は−Ａ−ＯＨを表し、Ｒ１とＲ２が結合して環構造を形成していても良い。また、Ａは、−｛Ｃ（Ｒａ）Ｈ｝ｌ−で示されるアルキレン鎖、又は−［｛Ｃ（Ｒｂ）Ｈ｝ｍ−Ｏ］ｎ−Ｃ（Ｒｃ）Ｈ−で示されるオキシアルキレン鎖を表し、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃは各々独立して水素原子、メチル基又はヒドロキシル基を表し、ｌ、ｍは１〜６の整数であり、ｎは１〜４の整数である。なお、アルキレン鎖中のＲａ、Ｒｂ、Ｒｃは結合する炭素原子毎に異なっていても良い。）
で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミンに、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量以上の水素化アルカリ金属を反応させ、ヒドロキシ基をアルコラートに変換した後、その反応系内に、下記一般式（４）
Ｒ４Ｘ          （４）
（式中、Ｒ４は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）
で示されるハロゲン化アルキルを、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量添加し反応させ、その後、さらにその反応系内に、下記一般式（２）
Ｒ３Ｘ          （２）
（式中、Ｒ３は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）
で示されるハロゲン化アルキルを、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量以上添加し反応させることを特徴とする下記一般式（５）
【００１８】
【化５】
2005225843.tif 000006
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ａ、Ｘは上記と同じ定義である。）
で示されるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩の製造方法。
【００１９】
（５）−２０℃〜４０℃の温度範囲で一般式（４）で示されるハロゲン化アルキルを反応させることを特徴とする上記（４）に記載のアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩の製造方法。
【００２０】
（６）非プロトン性溶媒が、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル及び１，２−ジメトキシエタンからなる群より選ばれる溶媒であることを特徴とする上記（１）乃至（５）のいずれかに記載のアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩の製造方法。
【００２１】
（７）上記（１）乃至（６）のいずれかに記載の製造方法により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩中のアニオンを、ビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミド、パーフルオロアルキルスルホネート、パーフルオロアルキルカルボキシレート、トリス（パーフルオロアルキルスルホニル）カルボアニオン、ビス（パーフルオロアルキルカルボニル）イミド、（パーフルオロアルキルスルホニル）（パーフルオロアルキルカルボニル）イミド、ビス（フルオロスルホニル）イミド、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、及び過塩素酸アニオンから誘導される酸、並びにそれらのアルカリ金属塩からなる群より選ばれる１種又は２種以上により、該アニオンへ交換することを特徴とするアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩の製造方法。
【００２２】
（８）上記（１）乃至（７）のいずれかに記載の製造方法により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩中のアニオンを、その製造過程において副生するハロゲン化アルカリ金属の共存下、水又は水と混和する有機溶媒との混合物中において、ビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミド酸又はそのアルカリ金属塩を用いてアニオン交換することを特徴とするアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩の製造方法。
【００２３】
（９）上記（７）又は（８）に記載の製造方法により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩からなる電気化学デバイス用電解質。
【００２４】
（１０）上記（７）又は（８）に記載の製造方法により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩を含む電気化学デバイス用電解液。
【００２５】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００２６】
本発明のアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩の製造方法は、上記一般式（１）で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミン、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して２当量以上のハロゲン化アルキル、及び該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量以上の水素化アルカリ金属を、非プロトン性溶媒下で反応させることを特徴とする。
【００２７】
本発明の製造方法において、上記一般式（１）で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミンとしては、特に限定するものではないが、具体的には、２−ジメチルアミノ−１−エタノール、２−ジエチルアミノ−１−エタノール、３−ジメチルアミノ−１−プロパノール、３−ジエチルアミノ−１−プロパノール、１−ジメチルアミノ−２−プロパノール、４−ジメチルアミノ−１−ブタノール、６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノール、３−メチル−５−ジメチルアミノ−１−ペンタノール、２−（２’−ジメチルアミノエトキシ）エタノール、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピロリジン、４−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン、１−メチル−３−ヒドロキシピペリジン、３−ヒドロキシキヌクリジン等のヒドロキシル基を１分子中１個持つものの他、３−ジメチルアミノ−１，２−プロパンジオール、ジ（２−ヒドロキシエチル）メチルアミン等１分子中にヒドロキシル基を２個以上含むもの等が例示される。
【００２８】
本発明の製造方法において、ハロゲン化アルキルとしては、特に限定するものではないが、例えば、ヨードメタン、ブロモメタン、クロロメタン、ヨードエタン、ブロモエタン、クロロエタン、１−ヨードプロパン、１−ブロモプロパン、１−クロロプロパン、２−ヨードプロパン、２−ブロモプロパン、２−クロロプロパン、１−ヨードブタン、１−ブロモブタン、１−クロロブタン等が挙げられる。
【００２９】
本発明の製造方法において、水素化アルカリ金属としては、特に限定するものではないが、例えば、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化リチウム等が好適なものとして挙げられる。
【００３０】
本発明の製造方法において、非プロトン性溶媒としては、特に限定するものではないが、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（エチレングリコールジメチルエーテル）、１，２−ジエトキシエタン（エチレングリコールジエチルエーテル）、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒、γ−ブチロラクトン等のラクトン系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、等を挙げることができ、これらを単独の他、２種以上混合して用いても良い。それらの中でも、生成するアルコキシ基含有４級アンモニウムハロゲン塩が溶解しないエーテル系溶媒が好ましく、さらに好ましくはテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン等が挙げられる。また、溶媒の使用量については特に限定するものではないが、例えば、エーテル系溶媒においては、反応熱の発生、生成塩スラリーの攪拌、生産性等の観点から、ヒドロキシアルキル基含有３級アミンの重量に対して、２〜２０倍にすることが好ましい。
【００３１】
本発明の上記一般式（３）で示されるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩の製造方法においては、上記一般式（１）で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミン、ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対し２当量以上のハロゲン化アルキル、及びヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量以上の水素化アルカリ金属を、同時に仕込み、常圧下、非プロトン性溶媒下で反応させることによって、目的のアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩を得ることができるが、以下に示す方法により調製することがより好ましい。すなわち、まず、非プロトン性溶媒下、通常−２０〜１００℃の温度で、発生する水素を反応系外に除外しながら、上記一般式（１）で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミンに、ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量以上の水素化アルカリ金属を反応させ、ヒドロキシ基をアルコラートに変換した後、その反応系内に、ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して２当量以上の上記一般式（２）で示されるハロゲン化アルキルを添加し、通常−２０〜１２０℃の温度で反応させることによって、Ｎ−アルキル４級化及びアルコキシ化を同時に行うことにより、上記一般式（３）で示されるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩を得ることができる。
【００３２】
本発明の上記一般式（３）で示されるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩の製造方法において、非プロトン系溶媒にエーテル系溶媒を用いた場合には、生成した４級ハロゲン塩はスラリー状態で析出するか、又は場合によって下層に相分離するため、ろ過、エバポレート、又は分液により、溶媒、その他原料等との分離を容易に行うことが可能である。ただし、副生するハロゲン化アルカリ金属も同時に析出するため、これを分離する場合には、一旦ジクロロメタン等の溶媒に４級ハロゲン塩を溶解し、水洗、又はろ過することにより副生したハロゲン化アルカリ金属を除去することができる。
【００３３】
本発明の上記一般式（３）で示されるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩の製造方法において、上記一般式（１）で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対する上記一般式（２）で示されるハロゲン化アルキルのモル比（［上記一般式（２）で示されるハロゲン化アルキル］／［上記一般式（１）で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミン］）は、２以上であれば良く、特に限定するものではないが、例えば、ヒドロキシアルキル基含有３級アミンが１分子中に１個のヒドロキシル基を有する場合は２〜３の範囲が、また、１分子中に２個のヒドロキシル基を有する場合は３〜４の範囲が好適なモル比として挙げられる。
【００３４】
本発明の製造方法においては、非プロトン性溶媒下、上記一般式（１）で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミンに、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量以上の水素化アルカリ金属を反応させ、ヒドロキシ基をアルコラートに変換した後、その反応系内に、上記一般式（４）で示される、Ｒ４に相当するハロゲン化アルキルを、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量添加し、通常−２０〜４０℃の低温条件下で反応させることでアルコラート部位を優先的に反応させ、その後、さらにその反応系内に、上記一般式（２）で示される、Ｒ３に相当するハロゲン化アルキルを、該ヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対して当量以上添加することでＮ−アルキル４級化を行うことができる。このようにすることにより、上記一般式（５）で示されるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩を製造することが可能である。
【００３５】
本発明の製造方法において、上記一般式（１）で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミンに対する水素化アルカリ金属のモル比（［水素化アルカリ金属］／［上記一般式（１）で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミン］）は、１以上であれば良く、特に限定するものではないが、例えば、上記一般式（１）で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミンが１分子中に１個のヒドロキシ基を有する場合は１〜１．５の範囲が、また、１分子中に２個のヒドロキシル基を有する場合は２〜２．５の範囲が好適なモル比として挙げられる。
【００３６】
本発明の製造方法により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩は、適宜アニオン交換を行うことにより、例えば、電気化学デバイス用の電解質又は電解液として有用な塩を製造することができる。
【００３７】
本発明において、電気化学デバイス用途として有用なアニオン種としては、特に限定するものではないが、一般的には、ビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミド、パーフルオロアルキルスルホネート、パーフルオロアルキルカルボキシレート、トリス（パーフルオロアルキルスルホニル）カルボアニオン、ビス（パーフルオロアルキルカルボニル）イミド、（パーフルオロアルキルスルホニル）（パーフルオロアルキルカルボニル）イミド、ビス（フルオロスルホニル）イミド、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、過塩素酸アニオン等が知られている。
【００３８】
本発明の製造方法により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩中のアニオンを上記アニオンへ変換する方法としては、特に限定するものではないが、例えば、当該アルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩と、ビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミド、パーフルオロアルキルスルホネート、パーフルオロアルキルカルボキシレート、トリス（パーフルオロアルキルスルホニル）カルボアニオン、ビス（パーフルオロアルキルカルボニル）イミド、（パーフルオロアルキルスルホニル）（パーフルオロアルキルカルボニル）イミド、ビス（フルオロスルホニル）イミド、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、及び過塩素酸アニオンから誘導される酸、並びにそのアルカリ金属塩からなる群より選ばれる１種又は２種以上とを、好ましくはモル比＝１の条件で、水又は水と混和する有機溶媒との混合物中で溶解、混合することによって行うことができる。
【００３９】
上記方法は、ビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミド等、アニオン交換により生成する塩が疎水性を示すものに対して特に有効である。ビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミドアニオンは電気化学的性質に特に優れ、生成塩は他のアニオンに比べ低融点化し常温溶融塩となりやすく、また熱的にも安定である等の特徴を有している。
【００４０】
本発明において、アルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩中のアニオンをビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミドに変換した場合には、生成するアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム・ビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミドが疎水性を示し、水とは相分離するため、容易に塩交換することができる。すなわち、本発明の製造方法により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩中のアニオンを、その製造過程において副生するハロゲン化アルカリ金属の共存下、水又は水と混和する有機溶媒との混合物中において、ビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミド酸又はそのアルカリ金属塩を用いてアニオン交換することにより、残留する副生塩の除去が可能となり、さらに水洗操作等を行うことにより、残留副生塩をほぼ完全に除去することができる。
【００４１】
本発明において、ビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミドから誘導される酸又はそのアルカリ金属塩としては特に限定するものではないが、例えば、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド酸、又はそのリチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド酸、又はそのリチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩等が挙げられる。
【００４２】
本発明において、ビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミド以外の、生成塩が水溶性を示すアニオンへ変換する場合には、例えば、水又は水と混和する有機溶媒との混合物中に、本発明の製造方法により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩を溶解し、酸化銀等でハロゲンイオンを水に不溶なハロゲン化銀に変換し、分離した後、テトラフルオロホウ酸等を添加することにより目的のアニオンに変換することができる。また、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート等については、これらの銀塩を使用することにより、直接アルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩との塩交換、ハロゲン化銀副生塩の分離を容易に行うことができる。
【００４３】
本発明において、パーフルオロアルキルスルホネート酸又はそのアルカリ金属塩としては特に限定するものではないが、例えば、トリフルオロメタンスルホン酸、又はそのリチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、ペンタフルオロエタンスルホン酸、又はそのリチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩等が挙げられる。
【００４４】
本発明において、上記アニオン交換により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩は、電気二重層キャパシタ、二次電池、燃料電池、色素増感太陽電池等の電気化学デバイスにおいて、電解質や電解液として使用することができる。また、電解液用途では上記アニオン交換により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩単独の他、有機溶媒に溶解した状態で使用することも可能である。
【００４５】
本発明において、電解液を構成する溶媒としては、上記アニオン交換により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩を溶解することができ、二次電池、電気二重層キャパシタ等の電気化学デバイスの作動電圧範囲で安定なものであればよく、特に限定するものではないが、一般的には、電解質を良く溶解し、誘電率が高く、低粘度であり、さらには高沸点の溶媒が好適である。具体的には、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチレングリコール、プロピレングリコール、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、スルホラン等が挙げられる。これらの溶媒は単独で使用しても良いし、また２種以上混合して使用しても良い。
【００４６】
これらアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩には、室温領域において液状となる、いわゆる常温溶融塩となっているものが含まれており、溶媒と混合することなしに電気化学デバイスの電解質又は電解液として優れた性質を示す他、他の電解質又は電解液用溶媒と混合した場合においても任意の割合に混合させることができる。
【００４７】
本発明において、上記アニオン交換により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩を電解質又は電解液として使用する場合、上記アニオン交換により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩以外の電解質塩を併用しても良い。このような塩としては、二次電池、電気二重層キャパシタ、燃料電池、色素増感太陽電池等の電気化学デバイスに使用できるものであれば、特に限定されるものではない。
【００４８】
さらに、上記アニオン交換によって得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩のうち、常温付近で液状となるものについては、極性が高く、有機系化合物、高分子化合物等多数の物質を溶解することから、有機合成用の反応溶媒、抽出、分離溶媒として有用である。適用反応としては、例えば、オレフィンの重合・二量化、水素化、酸化、芳香族のアルキル化、メタセシス反応、カルボニル化反応、ヘック反応、ヒドロホルミル化、不均化、フリーデルクラフト反応、ディールスアルダー反応、テロメリゼーション、Ｗｉｔｔｉｇ反応、バイリス・ヒルマン反応といった反応が挙げられる。
【発明の効果】
【００４９】
本発明の製造方法によれば、上記一般式（１）で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミンを原料に、Ｎ−アルキル化とアルコキシ化を同時に行うことにより、アルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩を簡便で、かつ高収率で得ることができる。
【００５０】
また、本発明の製造方法によれば、上記一般式（１）で示されるヒドロキシアルキル基含有３級アミンを原料に、まずアルコキシ化、次にＮ−アルキル化を行うことにより、異なる置換基を有するアルコキシアルキル基含有４級アンモニウムハロゲン塩を簡便で、かつ高収率で得ることができる。
【００５１】
さらに、本発明のアニオン交換により得られるアルコキシアルキル基含有４級アンモニウム塩は電気化学デバイスの電解質又は電解液として、さらには有機合成用の反応溶媒、抽出、分離溶媒として有用であり、本発明は工業上極めて有意義である。
【実施例】
【００５２】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００５３】
［実施例１］  （メトキシエチル）ジエチルメチルアンモニウム・ヨーダイドの製造  
攪拌機、冷却管、滴下ロート、温度計、並びに固形物の投入が可能な投入口を附した２００ｍｌフラスコに、２−ジエチルアミノエタノール１１．７ｇ（１００ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン１００ｍｌを仕込み、攪拌下、水素化ナトリウム（６０％、油性）４．２ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を少量ずつ添加し、ヒドロキシル基のナトリウムアルコラート化を行った。反応により水素が発生、発熱するので、水冷により温度を４０℃以下に保ちながら行った。水素化ナトリウム添加終了後、投入口を閉め、２５〜４０℃の間で３０分間攪拌を行った後、続いて、ヨードメタン３１．２ｇ（２２０ｍｍｏｌ）を滴下ロートより６０分にわたり滴下した。アルコラート化反応時と同様水冷により温度を４０℃以下に保ちながら行い、滴下終了後４０℃で６時間反応を行った。生成した（メトキシエチル）ジエチルメチルアンモニウム・ヨーダイド、及び副生するヨウ化ナトリウムは析出し、反応の進行に伴い反応液のスラリー粘度は高まった。その後、エバポレーターにより溶媒等を除去、得られるスラリーをジエチルエーテルで洗浄し、さらに、ろ過、８０℃で減圧乾燥を行い、副生塩であるヨウ化ナトリウムとともに４２．１ｇの塩（副生塩を含め理論収量の９９．１％を回収）を得た。なお、取得物の１Ｈ−ＮＭＲ解析を行い（図１参照）、Ｎ−メチル化及びメトキシ化率はともに１００％であることを確認した。
【００５４】
［実施例２］  （メトキシエチル）ジエチルメチルアンモニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（化合物Ａ）の製造  
実施例１で得られた（メトキシエチル）ジエチルメチルアンモニウム・ヨーダイド２５．４ｇ（６０ｍｍｏｌに相当）をこれと等重量の水に溶解し、攪拌下、等モル量のリチウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１７．２ｇを含む５０％水溶液を滴下した。滴下後さらに３０分間激しく攪拌、熟成を行い、その後静置し、水相と有機相（目的物）に２相分離させた。さらに有機相を有機相と同体積の水で３回水洗を行い、その後含まれる水分を１００℃、減圧下乾燥を行うことにより除去、室温（２５℃）で液状の（メトキシエチル）ジエチルメチルアンモニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド２１．６ｇ（収率８４．５％）を得た。
【００５５】
［実施例３］  （６−メトキシヘキシル）トリメチルアンモニウム・ヨーダイドの製造  
実施例１において、２−ジエチルアミノエタノールを６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノール１４．５ｇ（１００ｍｍｏｌ）に変更した以外は同様にして、副生塩を含んだ状態の（６−メトキシヘキシル）トリメチルアンモニウム・ヨーダイドを４３．８ｇ（副生塩を含んだ理論収率９７．１％）得た。次いで、これを水５０．０ｇに溶解し、同体積量のジクロロメタンで抽出操作を行い、目的物をジクロロメタン（有機）相に移行させ、水相の副生塩と分離した。有機相からジクロロメタンを除去、減圧乾燥を行い、副生塩を含まない（６−メトキシヘキシル）トリメチルアンモニウム・ヨーダイドを２５．２ｇ（収率８３．７％）得た。なお、１Ｈ−ＮＭＲ解析を行い（図２参照）、Ｎ−メチル化、メトキシ化率とも１００％であることを確認した。
【００５６】
［実施例４］  （６−メトキシヘキシル）トリメチルアンモニウム・テトラフルオロボレート（化合物Ｂ）の製造  
実施例３で得られた（６−メトキシヘキシル）トリメチルアンモニウム・ヨーダイド１８．１ｇ（６０ｍｍｏｌ）を水１００ｍｌに溶解し、酸化銀７．４３ｇを加え、２時間攪拌した。生成した沈殿物をろ過により除去した後、攪拌下、４２％テトラフルオロホウ酸を（６−メトキシヘキシル）トリメチルアンモニウム・ヨーダイドと等モル量になるように滴下、反応混合液がｐＨ４〜５となることを確認した。この液から水をエバポレーターにより留去し、さらに減圧下１００℃で乾燥を行うことにより、室温（２５℃）で液状の（６−メトキシヘキシル）トリメチルアンモニウム・テトラフルオロボレート１５．３ｇ（収率９８．２％）を得た。
【００５７】
［実施例５］  ｛（２−メトキシエトキシ）エチル｝トリメチルアンモニウム・ヨーダイドの製造  
実施例１において、２−ジエチルアミノエタノールを２−（２’−ジメチルアミノエトキシ）エタノール１３．３ｇ（１００ｍｍｏｌ）に変更した以外は同様の方法により、｛（２−メトキシエトキシ）エチル｝トリメチルアンモニウム・ヨーダイド４２．３ｇ（副生塩を含めた理論収率９９．５％）を得た。
【００５８】
［実施例６］  ｛（２−メトキシエトキシ）エチル｝トリメチルアンモニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（化合物Ｃ）の製造  
実施例５で得られた副生塩を含む｛（２−メトキシエトキシ）エチル｝トリメチルアンモニウム・ヨーダイド２５．５ｇ（６０ｍｍｏｌに相当）を用いた以外は実施例２と同様の方法で行い、室温（２５℃）で液状の｛（２−メトキシエトキシ）エチル｝トリメチルアンモニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド２０．４ｇ（収率７９．６％）を得た。
【００５９】
［実施例７］  （メトキシエチル）メチルピロリジニウム・ヨーダイドの製造  
実施例１において、２−ジエチルアミノエタノールを１−（２−ヒドロキシエチル）ピロリジン１１．５ｇ（１００ｍｍｏｌ）に変更した以外は同様の方法により、（メトキシエチル）メチルピロリジニウム４２．１ｇ（副生塩を含めた理論収率１００．０％）を得た。
【００６０】
［実施例８］  （メトキシエチル）メチルピロリジニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（化合物Ｄ）の製造  
実施例７で得られた副生塩を含む（メトキシエチル）メチルピロリジニウム・ヨーダイド２５．３ｇ（６０ｍｍｏｌに相当）を用いた以外は実施例２と同様の方法で行い、室温（２５℃）で液状の（メトキシエチル）メチルピロリジニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド２１．２ｇ（収率８３．５％）を得た。
【００６１】
［実施例９］  （エトキシエチル）エチルジメチルアンモニウム・ヨーダイドの製造  
実施例１と同様の装置を用い、２−ジメチルアミノエタノール８．９ｇ（１００ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン１００ｍｌを仕込み、攪拌下、水素化ナトリウム（６０％、油性）４．４ｇ（１１０ｍｍｏｌ）を少量ずつ添加し、添加終了後は４０℃に保ち、ヒドロキシル基のナトリウムアルコラート化を行った。続いて、滴下ロートよりヨードエタン３９．０ｇ（２５０ｍｍｏｌ）を反応温度が３５〜４５℃になるような状態で４０分にわたり滴下し、滴下終了後４０℃で３時間、次いで６０℃で１２時間反応させた。反応後、エバポレートにより溶媒等を除去、スラリーを得、これをジエチルエーテルで洗浄し、ろ過、乾燥を行い、副生塩であるヨウ化ナトリウムを含む（エトキシエチル）エチルジメチルアンモニウム・ヨーダイド３９．９ｇ（副生塩を含めた理論収率の９４．３％を回収）を得た。なお、取得物の１Ｈ−ＮＭＲ解析を行ったところ（図３参照）、Ｎ−エチル化は１００％、エトキシ化率は９４％であった。
【００６２】
［実施例１０］  （エトキシエチル）エチルジメチルアンモニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（化合物Ｅ）の製造  
実施例９で得られた副生塩を含む（エトキシエチル）エチルジメチルアンモニウム・ヨーダイド２５．４ｇ（６０ｍｍｏｌに相当）を用いた以外は実施例２と同様の方法で行い、室温（２５℃）で液状の（エトキシエチル）エチルジメチルアンモニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド２０．０ｇ（収率７８．２％）を得た。なお、生成物の４級アンモニウムカチオンのエトキシ化率は、１Ｈ−ＮＭＲで確認したところ、９７％であり、実施例１０の操作で未反応物の一部は除かれた。
【００６３】
［実施例１１］  （エトキシエチル）トリメチルアンモニウム・ヨーダイドの製造  
実施例９と同様に２−ジメチルアミノエタノール８．９ｇ（１００ｍｍｏｌ）のナトリウムアルコラート化を行い、続いて、滴下ロートよりヨードエタン１５．６ｇ（１００ｍｍｏｌ）を反応液が４０℃以下に保ちながら３０分で滴下し、滴下終了後４０℃で３時間反応した。その後、ヨウ化メチル１５．６ｇ（１１０ｍｍｏｌ）を反応液が４０℃以下に保たれるような状態で滴下し、その後３０℃で１５時間反応を行った。反応後、実施例９と同様に処理を行い、副生塩であるヨウ化ナトリウムを含む（エトキシエチル）トリメチルアンモニウム・ヨーダイドを主成分とする４級アンモニウム塩４０．９ｇを得た。１Ｈ−ＮＭＲ解析により、この生成物には主成分である（エトキシエチル）トリメチルアンモニウムの他、（メトキシエチル）トリメチルアンモニウム、（メトキシエチル）エチルジメチルアンモニウム、（エトキシエチル）エチルジメチルアンモニウムが含まれており（組成比は算出困難）、Ｎ−アルキル化及びアルコキシ化率は１００％であった。
【００６４】
［実施例１２］  （エトキシエチル）トリメチルアンモニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（化合物Ｆ）の製造  
実施例１１で得られた副生塩を含む（エトキシエチル）トリメチルアンモニウム・ヨーダイド２４．５ｇ（６０ｍｍｏｌに相当）を用いた以外は実施例２と同様の方法で行い、室温（２５℃）で液状の（エトキシエチル）トリメチルアンモニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１８．３ｇ（収率７４．２％）を得た。
【００６５】
［実施例１３］  ジ（メトキシエチル）ジメチルアンモニウム・ヨーダイドの製造  
実施例１と同様の装置の付いた５００ｍｌフラスコを用い、Ｎ−メチルジエタノールアミン９．５ｇ（８０ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン２５０ｍｌを仕込み、実施例１と同様の方法により水素化ナトリウム（６０％、油性）７．２ｇ（１８０ｍｍｏｌ）を少量ずつ添加し、添加終了後、２５〜４０℃で、３０分間熟成、ヒドロキシル基のナトリウムアルコラート化を行った。続いて、滴下ロートよりヨードメタン３９．８ｇ（２８０ｍｍｏｌ）を反応温度が４０℃になるような状態で１時間にわたり滴下し、滴下終了後４０℃で６時間反応させた。反応後、エバポレートにより溶媒等を除去、スラリーを得、これをジエチルエーテルで洗浄し、ろ過、乾燥を行い、副生塩であるヨウ化ナトリウムを含むジ（メトキシエチル）ジメチルアンモニウム・ヨーダイド４７．１ｇ（副生塩を含めた理論収率の９９．２％を回収）を得た。１Ｈ−ＮＭＲ解析により、Ｎ−メチル化率、メトキシ化率ともに１００％であることを確認した。
【００６６】
［実施例１４］  ジ（メトキシエチル）ジメチルアンモニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（化合物Ｇ）の製造  
実施例１３で得られた副生塩を含むジ（メトキシエチル）ジメチルアンモニウム・ヨーダイド２８．０ｇ（６０ｍｍｏｌに相当）を用いた以外は実施例２と同様の方法で行い、室温（２５℃）で液状のジ（メトキシエチル）ジメチルアンモニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド２１．９ｇ（収率８２．６％）を得た。
【００６７】
［比較例１］  （メトキシエチル）ジエチルメチルアンモニウム・ヨーダイドの製造（実施例１との比較）  
ジエチルアミン５８．６ｇ（０．８０ｍｏｌ）と２−メトキシエチルクロライド（０．７０ｍｏｌ）６６．２ｇとを２００ｍｌのオートクレーブ中に入れ、１２０℃で６時間反応させた。反応液を室温付近まで冷却した後、析出した結晶を含む反応液に３０％水酸化ナトリウム１００ｇを加え、２層に分かれた有機層を分取した。水層側にも生成物が多く含まれるため、ジクロロメタン１００ｍｌを加え抽出した。有前記機層とジクロロメタン抽出溶液をまとめ、ジクロロメタン、過剰のジエチルアミンの除去を常圧蒸留で行った。５７．１ｇが残留（収率６２．３％）し、残留分については１Ｈ−ＮＭＲより２−メトキシエチルジエチルアミンであることを確認した。
【００６８】
実施例１と同様の装置を用い、得られた２−メトキシエチルジエチルアミン１３．１ｇ（１００ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン１００ｍｌを仕込み、攪拌下、反応液が２５〜３５℃の状態でヨードメタン１５．６（１１０ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下した。滴下終了後、４０℃で６時間反応を行った。その後、溶媒を減圧除去し、得られる結晶をジエチルエーテルで洗浄し、さらに、ろ過、８０℃で減圧乾燥を行い、（メトキシエチル）ジエチルメチルアンモニウム・ヨーダイド２５．９ｇ（収率９４．９％）を得た。
【００６９】
このように、実施例に比べ従来技術は煩雑な操作を要し、収率も低下する。
【００７０】
［実施例１５］  電気化学デバイスへの応用例  
実施例で得られた化合物Ａ〜Ｇはいずれも常温溶融塩であり、それら塩の電気伝導率、及び、飽和カロメル（ＳＣＥ）電極を参照電極として用いた場合の酸化還元電位を測定した結果を表１に示す。
【００７１】
【表１】
2005225843.tif 000007
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】実施例１で得られた（メトキシエチル）ジエチルメチルアンモニウム・ヨーダイドの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図２】実施例３で得られた（６−メトキシヘキシル）トリメチルアンモニウム・ヨーダイドの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図３】実施例９で得られた（エトキシエチル）エチルジメチルアンモニウム・ヨーダイドの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図１】
2005225843.tif 000014
【図２】
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【図３】
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