(57)【要約】【課題】  光ファイバ増幅装置の出力光レベルが一定になるように増幅用光ファイバへの励起光の強度を制御する際、制御手段に負荷をかけずに、最短時間で出力光レベルを監視し、フィードバック制御の周期を自動的に決定する。【解決手段】  増幅用光ファイバへの励起光の強度の設定値を設定後、光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの時間を予め計測して記憶し、励起光の強度を変更してから経過した時間を計測し、計測した時間が記憶した時間と一致した時点で、光ファイバ増幅装置の出力レベルが目標値に達しているか否かを判断し、目標値に達していない場合には、励起光の強度の設定値を再度設定する。複数の励起光の強度の設定値を設定する場合には、各々の励起光の強度の設定値を設定してから光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定する時刻のうち、遅くなる時刻において、いずれかの励起光の強度を再設定する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を入力する入力端子と、
該入力端子から入力された光信号を増幅する増幅用光ファイバと、
該増幅用光ファイバに励起光を注入する励起光注入手段と、
前記増幅用光ファイバによって増幅された光信号を出力する出力端子と、
前記増幅用光ファイバによって増幅された光信号を分岐させる分岐手段と、
該分岐手段によって分岐された光信号のレベルを監視する監視手段と、
該監視手段によって測定された光信号レベルに基づいて、前記励起光注入手段から前記増幅用光ファイバへ注入する励起光の強度を制御する制御手段と、
該制御手段が前記励起光の強度の設定値が設定されたことを認識する第１の認識手段と、
前記監視手段によって測定される光信号レベルの安定度を認識する第２の認識手段と、
前記第１の認識手段が前記励起光の強度の設定値の設定を認識した時刻から、前記第２の認識手段が前記光信号レベルが安定したことを認識した時刻までの時間を計測する計時手段と、
該計時手段によって計測された時間を記憶する記憶手段と、
前記制御手段による設定値の設定後、前記記憶手段に記憶された時間が経過した時点で、前記制御手段に前記励起光の強度を制御するための割り込み信号を発生させる割り込み信号発生手段とを備えることを特徴とする光ファイバ増幅装置。
【請求項２】
前記増幅用光ファイバは、エルビウムドープファイバであって、前記励起光注入手段は、該エルビウムドープファイバを前方または後方から励起する励起用レーザダイオードを含むことを特徴とする請求項１記載の光ファイバ増幅装置。
【請求項３】
増幅用光ファイバへ注入する励起光の強度の設定値を設定してから光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの時間を予め計測して記憶し、
前記励起光の強度を変更してから経過した時間を計測し、
該計測した時間が前記記憶した時間と一致した時点で、前記光ファイバ増幅装置の出力レベルが目標値に達しているか否かを判断し、目標値に達していない場合には、前記励起光の強度の設定値を再度設定することを特徴とする光ファイバ増幅装置の制御方法。
【請求項４】
前記励起光の強度の設定値を設定してから該光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの時間を計測するにあたって、該光ファイバ増幅装置の入力端子に外部光源を接続して一定の光を入力することを特徴とする請求項３に記載の光ファイバ増幅装置の制御方法。
【請求項５】
前記励起光は、増幅用光ファイバとしてのエルビウムドープファイバを前方または後方から励起する励起用レーザダイオードによる励起光であることを特徴とする請求項３または４記載の光ファイバ増幅装置の制御方法。
【請求項６】
光ファイバ増幅装置の第１の励起光の強度の設定値を設定してから該光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの第１の時間を予め計測して記憶し、
該光ファイバ増幅装置の第２の励起光の強度の設定値を設定してから該光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの第２の時間を予め計測して記憶し、
前記第１及び第２の励起光の強度の設定値を設定した時刻と、前記記憶した第１及び第２の時間から算出される該光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定する時刻のうち、遅くなる時刻において、該光ファイバ増幅装置の出力レベルが目標値に達しているか否かを判断し、目標値に達していない場合には、前記第１または／及び第２の励起光の強度の設定値を再度設定することを特徴とする光ファイバ増幅装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバ増幅装置及びその制御方法に関し、特に、エルビウムドープファイバ等の増幅用光ファイバへ注入される励起光の強度を制御して光ファイバ増幅装置の出力光のレベルが一定になるように制御する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光ファイバ増幅装置は、例えば、図２に示すように、光信号を入力する入力端子２０２と、入力端子２０２から入力した光信号を増幅するエルビウムドープファイバ（ＥＤＦ）２０４と、ＥＤＦ２０４に前方から励起光を入力する励起用レーザダイオード（以下、「励起レーザ（ＬＤ）」と略称する）２０８と、励起レーザ２０８からの励起光をＥＤＦ２０４に注入するためのカプラ２０３と、励起レーザ２０８に励起光の出力レベルを設定するＤ／Ａ２０９と、ＥＤＦ２０４に後方から励起光を入力する励起レーザ２１０と、励起レーザ２１０からの励起光をＥＤＦ２０４に注入するためのカプラ２０５と、励起レーザ２１０に励起光の出力レベルを設定するＤ／Ａ２１１と、増幅された出力光信号を分岐するカプラ２０６と、カプラ２０６にて分岐された出力光を監視する受光素子（ＰＤ）２１２と、受光素子２１２で受光した出力信号をデジタル変換するＡ／Ｄ２１３と、出力光信号を出力する出力端子２０７と、前方及び後方励起レーザの出力レベルの設定、及び出力光のレベルモニタ制御を行うＣＰＵ２１４とを備える。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、上記従来の光ファイバ増幅装置２０１においては、出力光レベルを監視する受光素子２１２からのモニタ値を読み込み、出力光のレベルが一定になるように、前方励起レーザまたは後方励起レーザに制御値を設定し、出力光レベルモニタの値が変化してから出力光のレベルが安定するまでフィードバック制御のための出力光を監視せず、出力光のレベルが安定するまでの最も遅い時間の周期で主力光を監視し、フィードバック制御を行っていた。そのため、ＥＤＦ２０４の種類や励起レーザ２０８、２１０の種類によってフィードバック制御の周期を制御ファームウエアの変更によって決定する必要があり、ＣＰＵ２１４への負荷が大きくなるとともに、制御に時間がかかるという問題があった。
【０００４】
そこで、本発明は、上記従来の光ファイバ増幅装置における問題点に鑑みてなされたものであって、出力光のレベルが一定になるようにＥＤＦに励起光の強度を制御する光ファイバ増幅装置において、ＣＰＵに負荷をかけることなく、最短時間で出力光のレベルを監視し、フィードバック制御の周期を自動的に決定することのできる光ファイバ増幅装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明は、光ファイバ増幅装置であって、光信号を入力する入力端子と、該入力端子から入力された光信号を増幅する増幅用光ファイバと、該増幅用光ファイバに励起光を注入する励起光注入手段と、前記増幅用光ファイバによって増幅された光信号を出力する出力端子と、前記増幅用光ファイバによって増幅された光信号を分岐させる分岐手段と、該分岐手段によって分岐された光信号のレベルを監視する監視手段と、該監視手段によって測定された光信号レベルに基づいて、前記励起光注入手段から前記増幅用光ファイバへ注入する励起光の強度を制御する制御手段と、該制御手段が前記励起光の強度の設定値が設定されたことを認識する第１の認識手段と、前記監視手段によって測定される光信号レベルの安定度を認識する第２の認識手段と、前記第１の認識手段が前記励起光の強度の設定値の設定を認識した時刻から、前記第２の認識手段が前記光信号レベルが安定したことを認識した時刻までの時間を計測する計時手段と、該計時手段によって計測された時間を記憶する記憶手段と、前記制御手段による設定値の設定後、前記記憶手段に記憶された時間が経過した時点で、前記制御手段に前記励起光の強度を制御するための割り込み信号を発生させる割り込み信号発生手段とを備えることを特徴とする。
【０００６】
そして、本発明によれば、制御手段によって増幅用光ファイバへ注入する励起光の強度の設定値を設定してから光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの時間を、第１の認識手段、第２の認識手段、計時手段、及び記憶手段によって予め計測して記憶し、計時手段によって前記励起光の強度を変更してから経過した時間を計測し、計測した時間が記憶手段に記憶した時間と一致した時点で、制御手段によって光ファイバ増幅装置の出力レベルが目標値に達しているか否かを判断し、目標値に達していない場合には、前記励起光の強度の設定値を再度設定することができるため、制御手段が励起光の強度の設定値を設定してから監視手段によって増幅された光信号レベルの測定までのフィードバック制御の制御周期を最短とすることができ、制御手段の負荷を軽減することができる。
【０００７】
上記光ファイバ増幅装置において、前記増幅用光ファイバをエルビウムドープファイバとし、前記励起光注入手段を、該エルビウムドープファイバを前方または後方から励起する励起用レーザダイオードを含むように構成することができる。
【０００８】
また、本発明は、光ファイバ増幅装置の制御方法であって、増幅用光ファイバへ注入する励起光の強度の設定値を設定してから光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの時間を予め計測して記憶し、前記励起光の強度を変更してから経過した時間を計測し、該計測した時間が前記記憶した時間と一致した時点で、前記光ファイバ増幅装置の出力レベルが目標値に達しているか否かを判断し、目標値に達していない場合には、前記励起光の強度の設定値を再度設定することを特徴とする。これによって、励起光の強度の設定値を設定してから増幅された光信号レベルの測定までのフィードバック制御の制御周期を最短とすることができ、制御手段の負荷を軽減することができる。
【０００９】
上記光ファイバ増幅装置の制御方法において、前記励起光の強度の設定値を設定してから光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの時間を計測するにあたって、該光ファイバ増幅装置の入力端子に外部光源を接続して一定の光を入力することができる。
【００１０】
また、上記光ファイバ増幅装置の制御方法において、前記励起光を、増幅用光ファイバとしてのエルビウムドープファイバを前方または後方から励起する励起用レーザダイオードによる励起光とすることができる。
【００１１】
さらに、本発明は、光ファイバ増幅装置の制御方法であって、第１の励起光の強度の設定値を設定してから該光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの第１の時間を予め計測して記憶し、増幅用光ファイバへ注入する第２の励起光の強度の設定値を設定してから該光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまでの第２の時間を予め計測して記憶し、前記第１及び第２の励起光の強度の設定値を設定した時刻と、前記記憶した第１及び第２の時間から算出される該光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定する時刻のうち、遅くなる時刻において、該光ファイバ増幅装置の出力レベルが目標値に達しているか否かを判断し、目標値に達していない場合には、前記第１または／及び第２の励起光の強度の設定値を再度設定することを特徴とする。これによって、複数の励起光を用いる場合、及び増幅用光ファイバを多段構成にした場合等において、複数の励起光の強度の設定値を設定してから光ファイバ増幅装置の出力レベルが安定するまで最も長くかかる時間で計時して励起光の強度の設定値を再設定するため、制御周期を最短にすることができ、制御手段の負荷を軽減することができる。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように、本発明によれば、出力光のレベルが一定になるようにＥＤＦ等の増幅用光ファイバへの励起光の強度を制御する光ファイバ増幅装置において、ＣＰＵ等の制御手段に負荷をかけることなく、最短時間で出力光のレベルを監視し、フィードバック制御の周期を自動的に決定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は、本発明にかかる光ファイバ増幅装置の一実施の形態を示し、この光ファイバ増幅装置１０１は、光信号を入力する入力端子１０２と、入力端子１０２から入力した光信号を増幅する増幅用光ファイバとしてのエルビウムドープファイバ（ＥＤＦ）１０４と、ＥＤＦ１０４に前方から励起光を入力する励起レーザ（励起光注入手段）１０８と、励起レーザ１０８からの励起光をＥＤＦ１０４に注入するためのカプラ（分岐手段）１０３と、励起レーザ１０８に励起光の出力レベルを設定するＤ／Ａ１０９と、ＥＤＦ１０４に後方から励起光を入力する励起レーザ１１０と、励起レーザ１１０からの励起光をＥＤＦ１０４に注入するためのカプラ１０５と、励起レーザ１１０に励起光の出力レベルを設定するＤ／Ａ１１１と、増幅された出力光信号を分岐するカプラ１０６と、カプラ１０６にて分岐された出力光を監視する受光素子１１２と、受光素子１１２で受光された出力信号をデジタル変換するＡ／Ｄ１１３と、出力光信号を出力する出力端子１０７と、前方及び後方励起レーザの出力レベル設定、及び出力光のレベルモニタ制御を行うＣＰＵ１１４とを備える。
【００１４】
この光ファイバ増幅装置１０１には、さらに、ＣＰＵ１１４から前方励起レーザ１０８に設定するＤ／Ａ１０９と、後方励起レーザ１１０に設定するＤ／Ａ１１１とに設定を書き込んだことを認識する手段（第１の認識手段）と、出力光のレベル監視用受光素子１１２の受光レベルをデジタルデータ化したＡ／Ｄ１１３の出力情報の安定度を認識する手段（第２の認識手段）と、Ｄ／Ａ１０９またはＤ／Ａ１１１にＣＰＵ１１４からの書き込みをトリガとして一定時間のカウント動作を行う手段（計時手段）と、カウント値を記憶しておく不揮発性メモリ（記憶手段）と、一定時間終了時にＣＰＵ１１４に対して割り込み信号を発生させる手段とを有する制御部１１５を備える。
【００１５】
次に、上記構成を有する光ファイバ増幅装置の動作について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】
図１において、光ファイバ増幅装置１０１は、実動作の前段階の動作として、入力端子１０２に外部光源を接続し、一定の光を入力する。ＣＰＵ１１４は、前方励起レーザ１０８のＤ／Ａ１０９に規定の設定値を書き込む。制御部１１５は、ＣＰＵ１１４からＤ／Ａ１０９に対して設定値が書き込まれたことを認識し、内部のカウンタをスタートさせる。制御部１１５は、Ａ／Ｄ１１３のデータが変化してから安定するまで監視する手段を有し、Ａ／Ｄ１１３のデータが安定するまでカウンタ動作を続ける。
【００１７】
制御部１１５がＡ／Ｄ１１３のデータが安定化したことを認識すると、カウント動作を停止し、カウント結果を制御部１１５内の不揮発性メモリに書き込む。同様に、Ｄ／Ａ１１１側のカウント動作を行い、カウント結果を制御部１１５内の不揮発性メモリに書き込む。
【００１８】
次に、光ファイバ増幅装置１０１の実動作について説明する。ＣＰＵ１１４は、出力光監視用受光素子１１２にて受信した出力光レベルをＡ／Ｄ１１３にてデジタル処理したデータを読み出す。読み出された出力光レベルが予め設定された値になるように、前方励起レーザ１０８のＤ／Ａ１０９または後方励起レーザ１１０のＤ／Ａ１１１に設定を行う。ここで、前方励起レーザ側のＤ／Ａ１０９に設定値を書き込んだ場合には、制御部１１５は、書き込みと同時にカウンタをスタートさせる。カウンタの値が不揮発性メモリに書き込まれた前方励起レーザ側のカウント値と一致すると、カウンタ値をクリアし、ＣＰＵ１１４に対して割り込み信号を発生させる。
【００１９】
ＣＰＵ１１４は、割り込み信号を受けると、出力光監視用受光素子１１２にて受信された出力光レベルをＡ／Ｄ１１３にてデジタル処理されたデータを読み出し、出力光レベルが設定された値になっているか否かを確認し、設定値に達していない場合には、次の設定制御を行う。ＣＰＵ１１４は、Ｄ／Ａ１０９に対して設定が行われなかった場合には、常に最短の周期で出力光を監視する。
【００２０】
次に、制御部１１５の動作について、図３を参照しならがら詳細に説明する。尚、同図では、制御対象のＤ／Ａの数を任意の整数ｎとしている。この実施の形態では、ｎ＝２として説明する。
【００２１】
制御部３０１は、制御対象であるＤ／Ａへの書込みパルスをトリガとしてカウンタ３０３を動作させる。先に説明した実動作の前段階では、１番目のＤ／Ａに対する書込みパルスを認識し、カウンタ３０３のカウントを動作させる。安定度検出部３０２は、Ａ／Ｄ読込みデータをカウント動作と同期して監視し、Ａ／Ｄの読み値の変化量がある一定の値以下になった場合に安定したと認識する。安定度検出部３０２がＡ／Ｄ値のデータ安定を検出すると、カウンタ３０３に対して安定検出信号を送り、カウンタ３０３は、カウント動作を停止すると同時に、不揮発性メモリ３０４に１番目のＤ／Ａのカウント値として書き込みを行う。同様に、２番目のＤ／Ａに対しても、カウント、安定度の検出を実施し、不揮発性メモリ３０４に書込みを行う。
【００２２】
次に、実動作時では、１番目のＤ／Ａまたは２番目のＤ／Ａに書込みが行われると、カウンタ３０３は、カウント動作を開始する。以下、１番目のＤ／Ａに対して書込みを行った場合について説明する。ＣＰＵ３０５が、１番目のＤ／Ａに対して書込みを行うと、１番目のＤ／Ａへの書込みパルスをトリガとして、カウンタ３０３はカウント動作を開始する。カウンタ３０３は、１番目のＤ／Ａのカウント値を不揮発性メモリ３０４から読み出し、現在実行中のカウント値が不揮発性メモリ３０４から読み出したカウント値に達すると、割込み信号をＣＰＵ３０５に対して発出する。
【００２３】
ここで、カウンタ３０３及び安定検出部３０２へは、ＣＰＵ３０５から現在の動作が実動作であるのか実動作前状態であるのかを識別するための信号が出力され、実動作時の安定検出回路停止、実動作前状態での割込み信号発出停止を行う。
【００２４】
次に、本発明にかかる光ファイバ増幅装置のもう一つの実施の形態について、図４を参照しながら説明する。尚、本実施の形態は、ＥＤＦの多段接続、及びＶＯＡ（Variable Optical Attenuator）による制御機能を追加した構成になっている。
【００２５】
この光ファイバ増幅装置４０１は、光信号を入力する入力端子４０２と、入力端子４０２から入力した光信号を増幅する第１段目のエルビウムドープファイバ（ＥＤＦ）４０４と、１段目のＥＤＦ４０４に前方から励起光を入力する励起レーザ４１２と、励起レーザ４１２からの励起光を１段目のＥＤＦ４０４に注入するためのカプラ４０３と、励起レーザ４１２に励起光の出力レベルを設定するＤ／Ａ４１３と、１段目のＥＤＦ４０４に後方から励起光を入力する励起レーザ４１４と、励起レーザ４１４からの励起光を１段目のＥＤＦ４０４に注入するためのカプラ４０５と、励起レーザ４１４に励起光の出力レベルを設定するＤ／Ａ４１５と、利得平坦度制御用のＶＯＡ４０６と、ＶＯＡ４０６を制御するためのＤ／Ａ４１６と、第２段目のエルビウムドープファイバ４０８と、２段目のＥＤＦ４０８に前方から励起光を入力する励起レーザ４１７と、励起レーザ４１７からの励起光を２段目のＥＤＦ４０８に注入するためのカプラ４０７と、励起レーザ４１７に励起光の出力レベルを設定するＤ／Ａ４１８と、２段目のＥＤＦ４０８に後方から励起光を入力する励起レーザ４１９と、励起レーザ４１９からの励起光を２段目のＥＤＦ４０８に注入するためのカプラ４０９と、励起レーザ４１９に励起光の出力レベルを設定するＤ／Ａ４２０と、増幅された出力光信号を分岐するカプラ４１０と、カプラ４１０にて分岐された出力光を監視する受光素子４２１と、受光素子４２１で受光された出力信号をデジタル変換するＡ／Ｄ４２２と、出力光信号を出力する出力端子４１１と、１段目のＥＤＦ４０４の前方及び後方励起レーザの出力レベルの設定、２段目のＥＤＦ４０８の前方及び後方励起レーザの出力レベルの設定、ＶＯＡ４０６の設定、及び出力光のレベルモニタ制御を行うＣＰＵ４２４と、ＣＰＵ４２４から励起レーザに設定するＤ／Ａに設定を書き込んだことを認識する手段と、出力光のレベル監視用受光素子４２１の受光レベルをデジタルデータ化したＡ／Ｄ４２２の出力情報を読み取り、安定度を認識する手段と、励起レーザのＤ／ＡまたはＶＯＡのＤ／ＡにＣＰＵ４２４からの書き込みをトリガとして一定時間のカウント動作を行う手段と、カウント値を記憶しておく不揮発性メモリと、一定時間終了時にＣＰＵ４２４に対して割り込み信号を発生させる手段を有する制御部４２３を有する。
【００２６】
次に、上記構成を有する光ファイバ増幅装置４０１の動作について説明する。光ファイバ増幅装置４０１は、前述と同様に、実動作の前段階の動作として、入力端子４０２に外部光源を接続して一定の光を入力する。ＣＰＵ４２４は、励起レーザ４１２のＤ／Ａ４１３に設定値を書き込む。制御部４２３は、ＣＰＵ４２４からＤ／Ａ４１３に対しての書込みを認識すると、カウンタを動作させる。制御部４２３は、Ａ／Ｄ４２２のデータが変化してから安定するまで監視する手段を有し、安定するまでカウンタの動作を続ける。制御部４２３がＡ／Ｄ４２２のデータが安定化したことを認識すると、カウント動作を停止し、カウント結果を制御部４２３内の不揮発性メモリに書き込む。同様に、Ｄ／Ａ４１５、Ｄ／Ａ４１６、Ｄ／Ａ４１８、Ｄ／Ａ４２０を順に制御し、カウント動作を行い、カウント結果を制御部４２３内の不揮発性メモリに書き込む。
【００２７】
次に、光ファイバ増幅装置４０１の実動作では、ＣＰＵ４２４は、出力光監視用受光素子４２１にて受信された出力光レベルをＡ／Ｄ４２２にてデジタル処理されたデータを読み出す。ＣＰＵ４２４は、制御方針に従って、読み出された出力光レベルが予め設定された値になるように、１段目のＥＤＦ４０４の前方励起レーザ４１２のＤ／Ａ４１３または後方励起レーザ４１４のＤ／Ａ４１５への設定、あるいは、２段目のＥＤＦ４０８の前方励起レーザ４１７のＤ／Ａ４１８または後方励起レーザ４１９のＤ／Ａ４２０への設定、あるいは、ＶＯＡ４０６の制御値の設定を実施する。一例として、１段目のＥＤＦ４０４の前方励起レーザのＤ／Ａ４１３に設定値が書き込まれた場合には、制御部４２３は、Ｄ／Ａ４１３への書き込み信号をトリガとしてカウンタを動作させる。カウンタの値が不揮発性メモリに書き込まれた前方励起レーザ側のカウント値と一致すると、カウンタ値をクリアし、ＣＰＵ４２４に対して割り込み信号を発生させる。ＣＰＵ４２４は、割り込み信号を受けると、出力光監視用受光素子４２１にて受信された出力光レベルをＡ／Ｄ４２２にてデジタル処理したデータを読み出し、出力光レベルが設定された値になっているか否かを確認し、設定値に達していない場合には、次の設定制御を行う。ＣＰＵ４２３は、Ｄ／Ａに対して設定が行われなかった場合には、常に最短の周期で出力光の監視する。
【００２８】
別の動作時の一例として、１回の制御周期内で複数の制御デバイスに対して制御をかけた場合の動作について説明する。ここで、１回の制御周期内で１段目のＥＤＦ４０４の前方励起レーザ４１２のＤ／Ａ４１３とＶＯＡ４０６のＤ／Ａ４１６に設定値が書き込まれた場合には、制御部４２３は、最初に書き込まれたデバイスのＤ／Ａへの書き込み信号をトリガとしてカウンタをスタートさせる。最初に書き込まれたデバイスが１段目のＥＤＦ４０４の前方励起レーザ４１２のＤ／Ａ４１３の場合には、Ｄ／Ａ４１３への書き込み信号をトリガにカウンタをスタートさせる。カウンタの値が不揮発性メモリに書き込まれた１段目のＥＤＦ４０４の前方励起レーザ側のカウント値と一致する前に、別のデバイスＶＯＡ４１６のＤ／Ａ４１６の書き込み信号を検出した場合には、制御部４２３では、Ｄ／Ａ４１６への書き込みから再カウントさせ、不揮発性メモリ内のＶＯＡ４０６のカウント値に達するまでの時間と、現在のカウント動作を継続し、１段目の不揮発性メモリ内のＥＤＦ４０４の前方励起レーザ４１２のＤ／Ａ４１３のカウント値と一致するまでの時間を比較し、長い方の時間のカウント制御に切り替える。カウント値が不揮発性メモリ内のカウント値と一致すると、制御部４２３からＣＰＵ４２４へ割込み信号を発生させる。
【００２９】
図５に、上記カウント動作からＣＰＵ割り込み発生までの概略図を示す。複数制御時の実動作（１）では、最初のデバイスに対する書き込みからカウンタをスタートさせ、不揮発性メモリ内のカウント値と一致するまでの時間と、次のデバイスに対する書き込みからカウンタをスタートさせて不揮発性メモリ内のカウント値と一致するまでの時間を比較する。ここでは、最初のデバイスに対する書き込みからのカウント時間の方が長いため、最初のデバイスに対しての書き込みからのカウント値が不揮発性メモリ内のカウント値と一致した条件でＣＰＵに対する割り込みが発生する。
【００３０】
複数制御時の実動作（２）の場合では、最初のデバイスに対する書き込みからのカウント時間よりも、次のデバイスに対する書き込みからのカウント時間の方が長いため、２番目のデバイスに対しての書き込みからのカウント値が不揮発性メモリ内のカウント値と一致した条件でＣＰＵに対する割り込みを発生する。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明にかかる光ファイバ増幅装置の一実施の形態を示すブロック図である。
【図２】従来の光ファイバ増幅装置の一例を示すブロック図である。
【図３】本発明にかかる光ファイバ増幅装置の制御部のブロック図である。
【図４】本発明にかかる光ファイバ増幅装置のもう一つの実施の形態を示すブロック図である。
【図５】本発明にかかる光ファイバ増幅装置の動作説明図である。
【符号の説明】
【００３２】
１０１  光ファイバ増幅装置
１０２  入力端子
１０３  カプラ
１０４  ＥＤＦ
１０５  カプラ
１０６  カプラ
１０７  出力端子
１０８  励起レーザ
１０９  Ｄ／Ａ
１１０  励起レーザ
１１１  Ｄ／Ａ
１１２  受光素子
１１３  Ａ／Ｄ
１１４  ＣＰＵ
１１５  制御部
２０１  光ファイバ増幅装置
２０２  入力端子
２０３  カプラ
２０４  ＥＤＦ
２０５  カプラ
２０６  カプラ
２０７  出力端子
２０８  励起レーザ
２０９  Ｄ／Ａ
２１０  励起レーザ
２１１  Ｄ／Ａ
２１２  受光素子
２１３  Ａ／Ｄ
２１４  ＣＰＵ
３０１  制御部
３０２  安定度検出部
３０３  カウンタ
３０４  不揮発性メモリ
３０５  ＣＰＵ
４０１  光ファイバ増幅装置
４０２  入力端子
４０３  カプラ
４０４  ＥＤＦ
４０５  カプラ
４０６  ＶＯＡ
４０７  カプラ
４０８  ＥＤＦ
４０９  カプラ
４１０  カプラ
４１１  出力端子
４１２  励起レーザ
４１３  Ｄ／Ａ
４１４  励起レーザ
４１５  Ｄ／Ａ
４１６  Ｄ／Ａ
４１７  励起レーザ
４１８  Ｄ／Ａ
４１９  励起レーザ
４２０  Ｄ／Ａ
４２１  受光素子
４２２  Ａ／Ｄ
４２３  制御部
４２４  ＣＰＵ
【図１】
2005123229.tif 000003
【図２】
2005123229.tif 000004
【図３】
2005123229.tif 000005
【図４】
2005123229.tif 000006
【図５】
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