(57)【要約】【課題】  薄膜トランジスタの半導体層に対する遮光性能を高めることで、光リーク電流の発生を抑制し、もってフリッカ等のない高品質な画像を表示する。【解決手段】  基板（１０）上に、半導体層（１ａ）を含むＴＦＴと、前記半導体層を上下それぞれから覆うように配置された上側遮光膜を兼ねるデータ線（６ａ）及び下側遮光膜を兼ねる走査線（１１ａ）と、前記データ線によりＴＦＴを介して画像信号が供給される画素電極（９ａ）と、前記半導体層及び前記データ線間に配置された上側絶縁膜（４１及び４２）と、前記半導体層及び前記走査線間に配置された下側絶縁膜（１２）とを備えてなり、図中の上側線分（Ｌ２）と下側線分（Ｌ１）とのなす角度が９８〜１３３〔°〕である。【選択図】      図５
2005049639.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、
前記走査線により走査信号が供給される半導体層を含む薄膜トランジスタと、
前記データ線により前記薄膜トランジスタを介して画像信号が供給される画素電極と、
前記半導体層の少なくともチャネル領域を上下それぞれから覆うように配置され、前記半導体層よりも広い幅を有する上側遮光膜及び下側遮光膜とを備えてなり、
前記半導体層の前記幅方向の基準端部及び前記上側遮光膜の前記幅方向の第１端部を結ぶ上側線分と、前記基準端部及び前記下側遮光膜の前記幅方向の第２端部を結ぶ下側線分とのなす角度が、９８〜１３３〔°〕であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記上側遮光膜は、前記半導体層の上で、それぞれが積層構造をなすように配置された第１、第２、…、第ｎの層別上側遮光膜からなり、
前記下側遮光膜は、前記半導体層の下で、それぞれが積層構造をなすように配置された第１、第２、…、第ｍの層別下側遮光膜からなり、
前記上側線分は、前記基準端部及び前記第１、第２、…、第ｎの層別上側遮光膜それぞれの前記幅方向の層別第１端部を結ぶ第１、第２、…、第ｎの層別上側線分のうち、最も当該半導体層に近い最近接上側線分を含み、
前記下側線分は、前記基準端部及び前記第１、第２、…、第ｍの層別下側遮光膜それぞれの前記幅方向の層別第２端部を結ぶ第１、第２、…、第ｍの層別下側線分のうち、最も当該半導体層に近い最近接下側線分を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記基準端部を通り前記基板に平行な水平線分と、前記上側線分又は前記下側線分とのなす角度が、６０〜７３〔°〕であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記基準端部を通り前記基板に平行な水平線分と前記上側線分とのなす角度は６０〜７３〔°〕であり、前記基準端部を通り前記基板に平行な水平線分と前記下側線分とのなす角度は３８〜６０〔°〕であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記半導体層の幅方向における基準中心は、前記上側遮光膜又は前記下側遮光膜の前記幅方向における第１中心又は第２中心からずれており、
前記基準端部としては、少なくとも、前記第１中心又は第２中心からみて前記基準中心が存在している方向の先にある当該半導体層の端部がとられることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
基板上に、
一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、
前記走査線により走査信号が供給される半導体層を含む薄膜トランジスタと、
前記データ線により前記薄膜トランジスタを介して画像信号が供給される画素電極と、
前記半導体層を上下それぞれから覆うように配置された上側遮光膜及び下側遮光膜と、
前記半導体層及び前記上側遮光膜間に配置された上側絶縁膜と、
前記半導体層及び前記下側遮光膜間に配置された下側絶縁膜とを備えてなり、
前記上側絶縁膜の厚さと前記下側絶縁膜の厚さとの合計が、９００〜２４００〔ｎｍ〕であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
前記上側遮光膜又は前記下側遮光膜の厚さは、６００〜１６００〔ｎｍ〕であることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記上側遮光膜の厚さは６００〜１６００〔ｎｍ〕であり、前記下側遮光膜の厚さは３００〜８００〔ｎｍ〕であることを特徴とする請求項６又は７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記下側遮光膜は、前記走査線を兼ねることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記上側遮光膜は、前記データ線を兼ねることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に接続されたコンデンサたる保持容量を更に備えてなり、
前記上側遮光膜は、前記保持容量の少なくとも一部を兼ねることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記上側遮光膜及び前記下側遮光膜は、遮光性材料からなることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば薄膜トランジスタ（以下、適宜「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）」という。）を備えたアクティブマトリクス駆動可能な液晶装置、電子ペーパなどの電気泳動装置、ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置、電子放出素子（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）を備えた装置等の電気光学装置の技術分野に関する。また、本発明は、このような電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野にも関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の電気光学装置では、各画素に設けられた画素スイッチング用のＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると、光による励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が変化する。特に、プロジェクタのライトバルブ用の電気光学装置の場合には、入射光の強度が高いため、ＴＦＴのチャネル領域やその周辺領域に対する入射光の遮光を行うことは重要となる。
【０００３】
そこで従来は、対向基板に設けられた各画素の開口領域を規定する遮光膜により、あるいはＴＦＴアレイ基板上においてＴＦＴの上を通過するとともにＡｌ（アルミニウム）等の金属膜からなるデータ線により、かかるチャネル領域やその周辺領域を遮光するように構成されている。さらに、ＴＦＴアレイ基板上のＴＦＴの下側に対向する位置にも、例えば高融点金属からなる遮光膜を設けることがある。このようにＴＦＴの下側にも遮光膜を設ければ、ＴＦＴアレイ基板側からの裏面反射光や、複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合に他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けてくる投射光等の戻り光が、当該電気光学装置のＴＦＴに入射するのを未然に防ぐことができる。このように、ＴＦＴを挟んで構成要素をもち、積層構造を有する電気光学装置は、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。
【０００４】
【特許文献１】特開平２００１−３３１１２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した各種遮光技術によれば、以下の問題点がある。すなわち、まず対向基板上やＴＦＴアレイ基板上に遮光膜を形成する技術によれば、遮光膜とチャネル領域との間は、３次元的に見て例えば液晶層、電極、層間絶縁膜等を介してかなり離間しており、両者間へ斜めに入射する光に対する遮光が十分ではない。特に、プロジェクタのライトバルブとして用いられる小型の電気光学装置においては、入射光は光源からの光をレンズで絞った光束であり、斜めに入射する成分を無視し得ない程度（例えば、基板に垂直な方向から１０度から１５度程度傾いた成分を１０％程度）含んでいるので、このような斜めの入射光（以下、単に「斜め光」ということがある。）に対する遮光が十分でないことは実践上問題となる。また、「斜め光」としては、前記のようにレンズで絞った光束が含まれる他、前記のＴＦＴ、データ線、遮光膜等々の表面、或いはこれらの間に配置される層間絶縁膜の表面に凸凹があったり、傾いていたり（即ち、斜面となっていたり）、あるいは表面荒れが存在したりする場合に、これらの部分を散乱、あるいは反射した光もまた含まれる。いずれにせよ、前述したような斜め光の存在は、十分な遮光を実現することを困難ならしめる。
【０００６】
特に、近年の表示画像の高品位化という一般的要請に沿うべく電気光学装置の高精細化あるいは画素ピッチの微細化を図るにつれて、更には、明るい画像を表示すべく入射光の光強度を高めるにつれて、上述した従来の各種遮光技術によれば、十分な遮光を施すのがより困難となり、ＴＦＴのトランジスタ特性の変化により、フリッカ等が生じて、表示画像の品位が低下してしまうという問題点がある。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、薄膜トランジスタの半導体層に対する遮光性能を高めることで、光リーク電流の発生を抑制し、もってフリッカ等のない高品質な画像を表示することの可能な電気光学装置を提供することを課題とする。また、本発明はそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することをも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板上に、一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、前記走査線により走査信号が供給される半導体層を含む薄膜トランジスタと、前記データ線により前記薄膜トランジスタを介して画像信号が供給される画素電極と、前記半導体層の少なくともチャネル領域を上下それぞれから覆うように配置され、前記半導体層よりも広い幅を有する上側遮光膜及び下側遮光膜とを備えてなり、前記半導体層の前記幅方向の基準端部及び前記上側遮光膜の前記幅方向の第１端部を結ぶ上側線分と、前記基準端部及び前記下側遮光膜の前記幅方向の第２端部を結ぶ下側線分とのなす角度が、９８〜１３３〔°〕である。
【０００９】
本発明の第１の電気光学装置によれば、走査信号に応じてスイッチング制御される薄膜トランジスタのＯＮ・ＯＦＦに応じて、画像信号がデータ線から画素電極へと供給され、また、供給が停止される。これにより、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能となる。
【００１０】
また、本発明によれば更に、薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域を上下それぞれから覆うように配置され、前記半導体層よりも広い幅を有する上側遮光膜及び下側遮光膜が備えられている。これにより、例えば当該電気光学装置が液晶プロジェクタのライトバルブとして用いられた場合に、該ライトバルブに入射される比較的強力な光が、前記半導体層、とりわけそのチャネル領域に入射することを未然に防止することができる。これにより、該半導体層内において、いわゆる光リーク電流を発生させることを未然に防止することができ、もって当該電気光学装置によって画像表示等を行う場合に、該画像上にフリッカ等を発生させることも未然に防止することができる。以上により、本発明によれば、画像の品質を向上させることができる。
【００１１】
そして、本発明によれば特に、前記の上側遮光膜及び下側遮光膜並びに半導体層が、特別な配置関係にある。即ち、上側遮光膜の幅方向の第１端部と半導体層の基準端部とを結ぶ上側線分と、下側遮光膜の幅方向の第２端部と半導体層の基準端部とを結ぶ下側線分とのなす角度が、９８〜１３３〔°〕とされているのである。これによると、半導体層は、その上側からは、上側遮光膜によって好適に覆われ、その下側からは、下側遮光膜によって好適に覆われることになる。
【００１２】
より詳しくは、前記角度が、小さければ小さい程、上側遮光膜及び下側遮光膜間の距離が狭まり、したがって、上側遮光膜及び半導体層間の距離（以下、便宜上「上側距離」という。）、並びに、下側遮光膜及び半導体層間の距離（以下、便宜上「下側距離」という。）は狭まってしまうことを意味するが、この狭まりの程度が、前記の角度にして９８〔°〕に満たないことになると、前記上側距離及び下側距離が狭まりすぎて、薄膜トランジスタの閾値電圧（ないしはスレッショルド電圧）を上昇させる等その特性に悪影響を与えるおそれが大きくなる。一方、前記角度が、大きければ大きい程、前記上側距離及び下側距離はより広まることになるが、この広まりの程度が、前記角度にして１３３〔°〕を越えることになると、光遮蔽効果が十分に得られない。というのも、発明が解決しようとする課題の項で述べたように、電気光学装置に光を入射する場合においては、一般に、斜めの入射光の存在が一定程度想定されるからである。前記上側距離及び下側距離があまりに広まりすぎると、斜め上方又は斜め下方から入射してくる光が、半導体層に容易に入射してしまうことになるのである。
【００１３】
以上のように、本発明によれば、上側遮光膜及び下側遮光膜を備えるとともに、これらと半導体層との配置関係が好適に設定されていることにより、当該半導体層、とりわけチャネル領域に光が入射するおそれは極めて低くされており、より高品質な画像を表示することが可能となっているのである。
【００１４】
なお、本発明にいう「上側遮光膜」及び「下側遮光膜」はそれぞれ、後述するように、前記データ線及び前記走査線を兼ねてもよいが（即ち、上側遮光膜であってデータ線である、あるいは下側遮光膜であって走査線である、というように両者の機能を兼ね備えている。）、上側遮光膜とデータ線とが別々の層として形成され、あるいは下側遮光膜と走査線とが別々の層として形成されていてもよい。
【００１５】
本発明の第１の電気光学装置の一態様では、前記上側遮光膜は、前記半導体層の上で、それぞれが積層構造をなすように配置された第１、第２、…、第ｎの層別上側遮光膜からなり、前記下側遮光膜は、前記半導体層の下で、それぞれが積層構造をなすように配置された第１、第２、…、第ｍの層別下側遮光膜からなり、前記上側線分は、前記基準端部及び前記第１、第２、…、第ｎの層別上側遮光膜それぞれの前記幅方向の層別第１端部を結ぶ第１、第２、…、第ｎの層別上側線分のうち、最も当該半導体層に近い最近接上側線分を含み、前記下側線分は、前記基準端部及び前記第１、第２、…、第ｍの層別下側遮光膜それぞれの前記幅方向の層別第２端部を結ぶ第１、第２、…、第ｍの層別下側線分のうち、最も当該半導体層に近い最近接下側線分を含む。
【００１６】
この態様によれば、まず、上側遮光膜及び下側遮光膜が、それぞれ、積層構造をなすように配置された、第１、第２、…、第ｎの層別上側遮光膜及び第１、第２、…、第ｍの層別下側遮光膜からなるから、半導体層に対して、光がより届き難い構造となることにより、該半導体層に対する光遮蔽をより確実に行うことができる。
【００１７】
また、本態様によれば、前記の上側線分が、前記した第１、第２、…、第ｎの層別上側遮光膜の各々について引かれた第１、第２、…、第ｎの層別上側線分のうち、最も半導体層に近い最近接上側線分を含み、下側線分も、前記と同様に、最近接下側線分を含む。ここで「最も近い」とは、より厳密には、半導体層の基準端部を通り前記基板に平行に引かれる水平線分に垂直な方向で見て最も近いということを意味し、したがって、「最近接上側線分」及び「最近接下側線分」とは、前記方向で見た前記水平線分との距離が、最も近いところに位置する層別上側線分及び層別下側線分を意味する。
【００１８】
このような最近接上側線分及び最近接下側線分が引かれる層別上側遮光膜及び層別下側遮光膜（ここでは、前者を第ａ（＝１，２，…ｏｒ  ｎ）の層別上側遮光膜、後者を第ｂ（＝１，２，…ｏｒ  ｍ）の層別下側遮光膜とする。）は、その他の層別上側遮光膜及び層別下側遮光膜（即ち、第ａ以外の層別上側遮光膜及び及び第ｂ以外の層別下側遮光膜）に比して、最も大きな幅を有するものであることがわかる。したがって、これら第ａの層別上側遮光膜及び第ｂの層別下側遮光膜は、半導体層に対する斜め光の入射を、最も効果的に遮ることが可能な遮光膜であるということができる。
【００１９】
そして、本態様では、かかる層別上側遮光膜及び層別下側遮光膜について設定される角度が、前述した範囲に関する制約、即ち９８〜１３３〔°〕に服することになるのである。よって、本態様によれば、斜め光の入射を最も効果的に遮ることが可能な第ａの層別上側遮光膜及び第ｂの層別下側遮光膜と半導体層との配置関係が好適に設定されていることにより、当該半導体層、とりわけチャネル領域に光が入射するおそれは前記にも比べて更に低くされており、より高品質な画像を表示することが可能となる。
【００２０】
本発明の第１の電気光学装置の他の態様では、前記基準端部を通り前記基板に平行な水平線分と前記上側線分又は前記下側線分とのなす角度が、６０〜７３〔°〕である。
【００２１】
この態様によれば、薄膜トランジスタの特性を良好に維持することができる。これは以下の事情による。即ち、例えば、上側遮光膜及び下側遮光膜は、それぞれ、上記のようにデータ線及び走査線を兼ね得るが、この場合、当該上側遮光膜及び下側遮光膜と半導体層との間隔があまりに狭まると、上側遮光膜或いは下側遮光膜における電位変動等に起因する電界効果により、薄膜トランジスタの特性が変動を受けるおそれ、より具体的には、該薄膜トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈをエンハンス側にシフトさせてしまうおそれがある。また、上側遮光膜又は下側遮光膜と半導体層との間隔があまりに狭まると、これらの間に配置される絶縁膜は薄くなることになり、したがって、その下層に構築された構成要素（例えば、半導体層等）の段差の影響を直接的に受けて、該絶縁膜の表面に比較的大きな段差を生じさせるおそれがある。このような大きな段差が生じると、例えば、当該絶縁膜上で実施されるパターニングにおいて、いわゆるエッチング残りを発生（例えば、段差の影となる部分に生じる）させるおそれが大きくなり、これによる当該電気光学装置の製造歩留まり低下も考えられることになる。
【００２２】
しかるに、本態様によれば、水平線分と上側線分又は下側線分とのなす角度が６０〜７３〔°〕と好適に設定されていることから、前記のような不具合を被る可能性を極めて低減することができる。
【００２３】
本発明の第１の電気光学装置の他の態様では、前記基準端部を通り前記基板に平行な水平線分と前記上側線分とのなす角度は６０〜７３〔°〕であり、前記基準端部を通り前記基板に平行な水平線分と前記下側線分とのなす角度は３８〜６０〔°〕である。
【００２４】
この態様によれば、水平線分と上側線分及び下側線分とのなす角度がともに好適な範囲に限定されることになるから、前述の態様に関して述べた、薄膜トランジスタの特性の良好な維持、あるいは製造歩留まりの維持等を、より確実に実現することができる。
【００２５】
本発明の第１の電気光学装置の他の態様では、前記半導体層の幅方向における基準中心は、前記上側遮光膜又は前記下側遮光膜の前記幅方向における第１中心又は第２中心からずれており、前記基準端部としては、少なくとも、前記第１中心又は第２中心からみて前記基準中心が存在している方向の先にある当該半導体層の端部がとられる。
【００２６】
この態様によれば、まず、半導体層の幅方向における基準中心が、上側遮光膜又は下側遮光膜（以下、説明の簡単のため、「上側遮光膜」についてのみ着目する。）の幅方向における第１中心からずれている。すなわち、当該幅方向に直交する方向から、半導体層と上側遮光膜とを臨む断面を考えると、この断面内で半導体層の端部が上側遮光膜の端部近くに位置する半面と、逆に遠くに位置する半面とを観察することができることになる。この場合、前記の斜め入射光の存在を想定すると、半導体層の端部と上側遮光膜の端部とが近い半面において、半導体層に、より光が入射しやすいということになる（なぜなら、もう一方の半面に比べて、より浅い入射角でも、当該斜め光は半導体層に入射し得るから。）。
【００２７】
しかるに、本態様によれば、前記基準端部として、前記第１中心からみて前記基準中心が存在している方向の先にある当該半導体層の端部がとられる。つまり、本発明にいう基準端部は、前記で言うところの、半導体層の端部と上側遮光膜の端部とがより近くに位置する半面においてとられ、したがって、前記角度の範囲設定は、当該半面において行われるということになる。これによると、当該半面内における半導体層と上側遮光膜との配置関係を好適に設定することができるから、前記のような、より浅い入射角の斜め光であっても、それが半導体層に入射することを、ほぼ確実に防止することができる。
【００２８】
なお、上記では、半導体層の端部が上側遮光膜の端部近くに位置する半面において、本発明にいう「基準端部」がとられることについて説明したが、これに加えて、もう一方の半面、即ち半導体層の端部と上側遮光膜の端部とが遠くに位置する半面においても、本発明にいう「基準端部」がとられてよいことは当然である（すなわち、この場合、半導体層の幅方向の両端において、前述した角度条件が満たされることになる。）。本態様にいう「少なくとも」とは、このような意義を含んでいる。
【００２９】
また、上記では、上側遮光膜にのみ着目した説明を行ったが、下側遮光膜についても全く同じ議論が当てはまる。
【００３０】
本発明の第２の電気光学装置は、基板上に、一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、前記走査線により走査信号が供給される半導体層を含む薄膜トランジスタと、前記データ線により前記薄膜トランジスタを介して画像信号が供給される画素電極と、前記半導体層を上下それぞれから覆うように配置された上側遮光膜及び下側遮光膜と、前記半導体層及び前記上側遮光膜間に配置された上側絶縁膜と、前記半導体層及び前記下側遮光膜間に配置された下側絶縁膜とを備えてなり、前記上側絶縁膜の厚さと前記下側絶縁膜の厚さとの合計が、９００〜２４００〔ｎｍ〕である。
【００３１】
本発明の第２の電気光学装置によれば、前記の第１の電気光学装置と同様に、アクティブマトリクス駆動が可能であり、また、本発明によれば更に、上側遮光膜及び下側遮光膜を備えていることにより、半導体層内における光リーク電流発生の防止、画像品質の向上が可能である。
【００３２】
そして、本発明によれば特に、前記の上側遮光膜及び下側遮光膜並びに半導体層が、特別な配置関係にある。即ち、上側遮光膜及び半導体層間に配置された上側絶縁膜の厚さ及び下側遮光膜及び半導体層間に配置された下側絶縁膜の厚さの合計が、９００〜２４００〔ｎｍ〕とされている。これによると、半導体層は、その上側からは、上側遮光膜によって好適に覆われ、その下側からは、下側遮光膜によって好適に覆われることになる。
【００３３】
より詳しくは、前記厚さの合計が、小さければ小さい程、上側遮光膜及び下側遮光膜間の距離が狭まり、したがって、上側遮光膜及び半導体層間の距離（以下、便宜上「上側距離」という。）、並びに、下側遮光膜及び半導体層間の距離（以下、便宜上「下側距離」という。）は狭まってしまうことを意味するが、この狭まりの程度が、前記の厚さの合計にして９００〔ｎｍ〕に満たないことになると、前記上側距離及び下側距離が狭まりすぎて、薄膜トランジスタの閾値電圧（ないしはスレッショルド電圧）を上昇させる等その特性に悪影響を与えるおそれが大きくなる。一方、前記厚さの合計が、大きければ大きい程、前記上側距離及び下側距離はより広まることになるが、この広まりの程度が、前記厚さの合計にして２４００〔ｎｍ〕を越えることになると、光遮蔽効果が十分に得られない。というのも、発明が解決しようとする課題の項で述べたように、電気光学装置に光を入射する場合においては、一般に、斜めの入射光の存在が一定程度想定されるからである。前記上側距離及び下側距離があまりに広まりすぎると、斜め上方又は斜め下方から入射してくる光が、半導体層に容易に入射してしまうことになるのである。
【００３４】
以上のように、本発明によれば、上側遮光膜及び下側遮光膜を備えるとともに、上側絶縁膜及び下側絶縁膜の厚さが好適に調整されることで、上側遮光膜及び下側遮光膜と半導体層との配置関係が好適に設定されていることにより、当該半導体層、とりわけチャネル領域に光が入射するおそれは極めて低くされており、より高品質な画像を表示することが可能となっているのである。
【００３５】
なお、本発明にいう「上側遮光膜」及び「下側遮光膜」はそれぞれ、後述するように、前記データ線及び前記走査線を兼ねてもよいが（即ち、上側遮光膜であってデータ線である、あるいは下側遮光膜であって走査線である、というように両者の機能を兼ね備えている。）、上側遮光膜とデータ線とが別々の層として形成され、あるいは下側遮光膜と走査線とが別々の層として形成されていてもよい。
【００３６】
本発明の第２の電気光学装置の一態様では、前記上側遮光膜又は前記下側遮光膜の厚さは、６００〜１６００〔ｎｍ〕である。
【００３７】
この態様によれば、薄膜トランジスタの特性を良好に維持することができる。これは以下の事情による。即ち、例えば、上側遮光膜及び下側遮光膜は、それぞれ、上記のようにデータ線及び走査線を兼ね得るが、この場合、当該上側遮光膜及び下側遮光膜と半導体層との間隔があまりに狭まると、上側遮光膜或いは下側遮光膜における電位変動等に起因する電界効果により、薄膜トランジスタの特性が変動を受けるおそれ、より具体的には、該薄膜トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈをエンハンス側にシフトさせてしまうおそれがある。また、上側遮光膜又は下側遮光膜と半導体層との間隔があまりに狭まると、これらの間に配置される上側絶縁膜及び下側絶縁膜は薄くなることになり、したがって、その下層に構築された構成要素（例えば、半導体層等）の段差の影響を直接的に受けて、該絶縁膜の表面に比較的大きな段差を生じさせるおそれがある。このような大きな段差が生じると、例えば、当該絶縁膜上で実施されるパターニングにおいて、いわゆるエッチング残りを発生（例えば、段差の影となる部分に生じる）させるおそれが大きくなり、これによる当該電気光学装置の製造歩留まり低下も考えられることになる。
【００３８】
しかるに、本態様によれば、上側遮光膜又は下側遮光膜の厚さが６００〜１６００〔ｎｍ〕と好適に設定されていることから、前記のような不具合を被る可能性を極めて低減することができる。
【００３９】
本発明の第２の電気光学装置の他の態様では、前記上側遮光膜の厚さは６００〜１６００〔ｎｍ〕であり、前記下側遮光膜の厚さは３００〜８００〔ｎｍ〕である。
【００４０】
この態様によれば、上側遮光膜及び下側遮光膜の厚さがともに好適な範囲に限定されることになるから、前述の態様に関して述べた、薄膜トランジスタの特性の良好な維持、あるいは製造歩留まりの維持等を、より確実に実現することができる。
【００４１】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様では、前記下側遮光膜は、前記走査線を兼ねる。
【００４２】
この態様によれば、下側遮光膜が走査線を兼ねる、即ち、半導体層に対する光遮蔽を行う遮光膜としての機能と、薄膜トランジスタに走査信号を供給する機能とを兼ね備えた「配線膜」が一般に存在するということになる。これによれば、例えば下側遮光膜はそれ固有の膜で、走査線もまたそれ固有の膜で形成するなどという場合に比べて、当該電気光学装置の構造を簡略化することができる。
【００４３】
なお、下側遮光膜が、前記のように第１、第２、…、第ｍの層別下側遮光膜からなるときには、好適には例えば、そのうちの一つが、走査線を兼ねるという形態にすればよい。
【００４４】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様では、前記上側遮光膜は、前記データ線を兼ねる。
【００４５】
この態様によれば、上側遮光膜がデータ線を兼ねる、即ち、半導体層に対する光遮蔽を行う遮光膜としての機能と、薄膜トランジスタ、ひいては画素電極に画像信号を供給する機能とを兼ね備えた「配線膜」が一般に存在するということになる。これによれば、例えば上側遮光膜はそれ固有の膜で、データ線もまたそれ固有の膜で形成するなどという場合に比べて、当該電気光学装置の構造を簡略化することができる。
【００４６】
なお、上側遮光膜が、前記のように第１、第２、…、第ｎの層別上側遮光膜からなるときには、好適には例えば、そのうちの一つが、データ線を兼ねるという形態にすればよい。
【００４７】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様では、前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に接続されたコンデンサたる保持容量を更に備えてなり、前記上側遮光膜は、前記保持容量の少なくとも一部を兼ねる。
【００４８】
この態様によれば、上側遮光膜が保持容量の少なくとも一部を兼ねることにより、前記のデータ線の場合と同様の理屈から、当該電気光学装置の構造を簡略化することができる。なお、保持容量は、より詳しくは例えば、薄膜トランジスタ及び画素電極間と電気的に接続される画素電位側容量電極、これに対向配置される固定電位側容量電極、及び、これら両電極間に配置される誘電体膜からなる。この場合、上側遮光膜が、保持容量の「少なくとも一部」を兼ねるとは、例えば、上側遮光膜と画素電位側容量電極とが兼用とされている、上側遮光膜と固定電位側容量電極とが兼用とされている、又は上側遮光膜と画素電位側容量電極及び固定電位側容量電極とが兼用とされている、などという各場合を想定することができる。
【００４９】
なお、上側遮光膜が、前記のように第１、第２、…、第ｎの層別上側遮光膜からなるときには、好適には例えば、そのうちの一つが、保持容量の少なくとも一部を兼ねるという形態にすればよい。
【００５０】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様では、前記上側遮光膜及び前記下側遮光膜は、遮光性材料からなる。
【００５１】
この態様によれば、上側遮光膜及び下側遮光膜が、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも一つ、或いはＡｌ（アルミニウム）を含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料からなる。したがって、半導体層に対する光の入射を、より効果的に抑制することができる。
【００５２】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した本発明の第１又は第２の電気光学装置（但し、その各種態様を含む。）を具備してなる。
【００５３】
本発明の電子機器によれば、上述の本発明の電気光学装置を具備してなるので、フリッカ等のない極めて高品質な画像を表示することの可能な、投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００５４】
本発明のこのような作用及び他の利得は、次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５５】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００５６】
〔画素部における構成〕
以下では、本発明の実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図１から図４を参照して説明する。ここに図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路であり、図２及び図３は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。なお、図２及び図３は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図２）と上層部分（図３）とを分かって図示している。また、図４は、図２及び図３を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。なお、図４においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００５７】
なお、以下では、まず、本実施形態に係る電気光学装置の基本的構成について予め説明した後、本実施形態において特徴的な構成等については、後に改めて（半導体層と遮光膜との配置関係）なる項目を立てて詳述することとする。
【００５８】
（画素部の回路構成）
図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５９】
また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００６０】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００６１】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に保持容量７０を付加する。この保持容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００６２】
〔画素部の具体的構成〕
以下では、上記データ線６ａ、走査線１１ａ及びゲート電極３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、具体的な構成について、図２乃至図４を参照して説明する。
【００６３】
まず、図３において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａが設けられている。データ線６ａは、後述するようにアルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線１１ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するゲート電極３ａにコンタクトホール１２ｃｖを介して電気的に接続されており、該ゲート電極３ａは該走査線１１ａに含まれる形となっている。すなわち、ゲート電極３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に、走査線１１ａに含まれるゲート電極３ａが対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。これによりＴＦＴ３０（ゲート電極を除く。）は、ゲート電極３ａと走査線１１ａとの間に存在するような形態となっている。
【００６４】
次に、電気光学装置は、図２及び図３のＡ−Ａ´線断面図たる図４に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。
【００６５】
ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図４に示すように、前記の画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００６６】
このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、後述のシール材５２（図１１及び図１２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。
【００６７】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図４に示すように、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、保持容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等を含む第５層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。なお、前述のうち第１層から第３層までが、下層部分として図２に図示されており、第４層から第６層までが上層部分として図３に図示されている。
【００６８】
（積層構造・第１層の構成―走査線等―）
まず、第１層には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる走査線１１ａが設けられている。この走査線１１ａは、平面的にみて、図２のＸ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、ストライプ状の走査線１１ａは、図２のＸ方向に沿うように延びる本線部と、データ線６ａ或いは容量配線４００が延在する図２のＹ方向に延びる突出部とを備えている。なお、隣接する走査線１１ａから延びる突出部は相互に接続されることはなく、したがって、該走査線１１ａは１本１本分断された形となっている。
【００６９】
（積層構造・第２層の構成―ＴＦＴ等―）
次に、第２層として、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、図４に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００７０】
また、本実施形態では、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、図２に示すように、各画素電極９ａのＸ方向に延びる一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているから、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜等からなる。
【００７１】
なお、上述のＴＦＴ３０は、好ましくは図４に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００７２】
（積層構造・第１層及び第２層間の構成―下地絶縁膜―）
以上説明した走査線１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００７３】
この下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇に、後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長の方向に沿った溝状のコンタクトホール１２ｃｖが掘られており、このコンタクトホール１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲート電極３ａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。また、このコンタクトホール１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａが形成されていることにより、該ゲート電極３ａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂ（前記の「下側に凹状に形成された部分」）が延設されるようになっている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａは、図２によく示されているように、平面的にみて側方から覆われるようになっており、少なくともこの部分からの光の入射が抑制されるようになっている。
【００７４】
また、この側壁部３ｂは、前記のコンタクトホール１２ｃｖを埋めるように形成されているとともに、その下端が前記の走査線１１ａと接するようにされている。ここで走査線１１ａは、上述のようにストライプ状に形成されていることから、ある行に存在するゲート電極３ａ及び走査線１１ａは、当該行に着目する限り、常に同電位となる。
【００７５】
（積層構造・第３層の構成―保持容量等―）
前述の第２層に続けて第３層には、保持容量７０が設けられている。保持容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この保持容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、本実施形態に係る保持容量７０は、図２の平面図を見るとわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため（換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため）、電気光学装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。
【００７６】
より詳細には、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、下部電極７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。また、この下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。ちなみに、ここにいう中継接続は、前記の中継電極７１９を介して行われている。
【００７７】
容量電極３００は、保持容量７０の固定電位側容量電極として機能する。本実施形態において、容量電極３００を固定電位とするためには、固定電位とされた容量配線４００（後述する。）と電気的接続が図られることによりなされている。また、容量電極３００は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。これにより、容量電極３００は、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。
【００７８】
誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。保持容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【００７９】
本実施形態において、この誘電体膜７５は、図４に示すように、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂというように二層構造を有するものとなっている。上層の窒化シリコン膜７５ｂは画素電位側容量電極の下部電極７１より少し大きなサイズにパターニングされ、遮光領域（非開口領域）内で収まるように形成されている。
【００８０】
なお、本実施形態では、誘電体膜７５は、二層構造を有するものとなっているが、場合によっては、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というような三層構造や、あるいはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。むろん単層構造としてもよい。
【００８１】
（積層構造、第２層及び第３層間の構成―第１層間絶縁膜―）
以上説明したＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、保持容量７０の下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００８２】
そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと保持容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。さらに、この第１層間絶縁膜４１には、保持容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が、後記第２層間絶縁膜を貫通しつつ開孔されている。
【００８３】
（積層構造・第４層の構成―データ線等―）
前述の第３層に続けて第４層には、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、図４に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図４における符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図４における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層(図４における符号４０１参照)の三層構造を有する膜として形成されている。窒化シリコン膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。
【００８４】
また、この第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図３に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。例えば図３中最左方に位置するデータ線６ａに着目すると、その直右方に略四辺形状を有する容量配線用中継層６ａ１、更にその右方に容量配線用中継層６ａ１よりも若干大きめの面積をもつ略四辺形状を有する第２中継電極６ａ２が形成されている。
【００８５】
ちなみに、これら容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２は、データ線６ａと同一膜として形成されていることから、下層より順に、アルミニウムからなる層、窒化チタンからなる層、プラズマ窒化膜からなる層の三層構造を有する。
【００８６】
（積層構造・第３層及び第４層間の構成―第２層間絶縁膜―）
以上説明した保持容量７０の上、かつ、データ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ，ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第２層間絶縁膜４２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、前記のコンタクトホール８１が開孔されているとともに、前記容量配線用中継層６ａ１と保持容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、前記のコンタクトホール８８２が形成されている。
【００８７】
（積層構造・第５層の構成―容量配線等―）
前述の第４層に続けて第５層には、容量配線４００が形成されている。この容量配線４００は、平面的にみると、図３に示すように、図中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに延在するように、格子状に形成されている。該容量配線４００のうち図中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、且つ、該データ線６ａよりも幅広に形成されている。また、図中Ｘ方向に延在する部分については、後述の第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部を有している。
【００８８】
さらには、図３中、ＸＹ方向それぞれに延在する容量配線４００の交差部分の隅部においては、該隅部を埋めるようにして、略三角形状の部分が設けられている。容量配線４００に、この略三角形状の部分が設けられていることにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。すなわち、半導体層１ａに対して、斜め上から進入しようとする光は、この三角形状の部分で反射又は吸収されることになり半導体層１ａには至らないことになる。したがって、光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。この容量配線４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。
【００８９】
また、第４層には、このような容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８０４及び８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。なお、これら容量配線４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【００９０】
他方、上述の容量配線４００及び第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。
【００９１】
（積層構造・第４層及び第５層間の構成―第３層間絶縁膜―）
以上説明した前述のデータ線６ａの上、かつ、容量配線４００の下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくは、ＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法で形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、前記の容量配線４００と容量配線用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００９２】
（積層構造・第６層並びに第５層及び第６層間の構成―画素電極等―）
最後に、第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び前記の第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、このコンタクトホール８９及び第３中継層４０２並びに前述したコンタクトホール８０４、第２中継層６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９、コンタクトホール８８１、下部電極７１及びコンタクトホール８３を介して、電気的に接続されることとなる。
【００９３】
（半導体層と遮光膜との配置関係―１）
以上述べたような構成を備える電気光学装置において、本実施形態においては特に、走査線１１ａ、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａ、及び、これら走査線１１ａ及び半導体層１ａ間に配置される下地絶縁膜１２、更には、後述する第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２及びデータ線６ａからなる構成に関して（とりわけ半導体層１ａを中心として、その下側に配置される走査線１１ａ及びその上側に配置されるデータ線６ａと該半導体層１ａとの配置関係に関して）、特徴がある。以下では、図５ないし図７等を参照して、これについて詳述する。なお、図５は、図２及び図３を重ね合わせた場合のＢ−Ｂ´断面図である。この図５においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、図６は、前記の第１層間絶縁膜４１の厚さと第２層間絶縁膜４２の厚さを合計した厚さ（横軸）と、画像上で観察されるフリッカの程度（左縦軸）及びＴＦＴ３０の閾値電圧（スレッショルド電圧）（右縦軸）との関係を表すグラフであり、図７は、前記の下地絶縁膜１２の厚さ（横軸）と、画像上で観察されるフリッカの程度（左縦軸）及びＴＦＴ３０の閾値電圧（スレッショルド電圧）（右縦軸）との関係を表すグラフである。
【００９４】
まず、図５は、図２及び図３のＢ−Ｂ´断面図であり、当該断面の構造は、前記において順番に説明した図４と同様な構造が反映されている。すなわち、図５においては、ＴＦＴアレイ基板１０の側から順に、走査線１１ａ、下地絶縁膜１２、半導体層１ａを含むＴＦＴ３０、第１層間絶縁膜４１、保持容量７０、第２層間絶縁膜４２及びデータ線６ａなどという積層構造が構築されている。このうち走査線１１ａは、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したものからなり、遮光性能を有する。また、走査線１１ａは、既に述べたように、図２のＹ方向に延びる突出部を備えている（図５においては、当該突出部の断面が図示されていることになる。）。これにより、図５の矢印ＬＤに示すように、この走査線１１ａは、半導体層１ａに対して図中下側から入射しようとする光に対して、遮光膜として機能する。
【００９５】
他方、データ線６ａは、既に述べたように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図５における符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図５における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層(図５における符号４０１参照)の三層構造を有する膜として形成されている。このうち特に、アルミニウムは光反射能に優れた材料であり、窒化チタンからなる膜は、光吸収能に優れた材料である。これにより、図５の矢印ＬＵに示すように、このデータ線６ａは、半導体層１ａに対して図中上側から入射しようとする光に対して、遮光膜として機能する。
【００９６】
このように、本実施形態に係る走査線１１ａ及びデータ線６ａは、本発明にいう「上側遮光膜」及び「下側遮光膜」の一例に該当することになる。
【００９７】
そして、本実施形態においては特に、半導体層１ａと走査線１１ａ及びデータ線６ａとは、次のような特別な配置関係にある。すなわち、図５において、半導体層１ａと走査線１１ａとの間に配置されている下地絶縁膜１２の厚さＤＳ、半導体層１ａとデータ線６ａとの間に配置されている第１層間絶縁膜４１の厚さＤＮ及び第２層間絶縁膜４２の厚さＤＭの合計（＝ＤＳ＋ＤＮ＋ＤＭ）が、９００〜２４００〔ｎｍ〕とされている。このうち第１層間絶縁膜４１の厚さＤＮ及び第２層間絶縁膜４２の厚さＤＭの合計については、６００〜１６００〔ｎｍ〕とされていると好ましい。なお、上記からわかるように、本実施形態にいう下地絶縁膜１２は、本発明にいう「下側絶縁膜」の一例に該当し、本実施形態にいう第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２は、併せて、本発明にいう「上側絶縁膜」の一例に該当する。
【００９８】
このような厚さＤＳ、ＤＮ及びＤＭの範囲設定は、次のような意義を有している。まず、図６には、「上側遮光膜」たる第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２それぞれの厚さＤＮ及びＤＭの合計（以下、単に「厚さＤ」という。）の変化に対して、画像上に現れるフリッカの程度（図中曲線“ＦＵ”参照）、及び、ＴＦＴ３０のスレッショルド電圧（図中曲線“ＶＵ”参照）がどのように変化するかが示されている。なお、図６において、下地絶縁膜１２の厚さＤＳは一定にされている。
【００９９】
これによると、第１に、厚さＤが大きくなればなる程、画像上に現れるフリッカの程度は小さくなっていくことがわかる。より詳細には、厚さＤが小さい方から１６００〔ｎｍ〕に至るまでは、フリッカは直線的に減少し（即ち、画質は直線的に向上し）、厚さＤが１６００〔ｎｍ〕以後は、フリッカの減少が足踏みしていることがわかる。なお、図６においては、フリッカの現れる程度をデシベルで定量的に表している。この定量測定された結果であるデシベル値と観察者が受ける印象との間には、概ね次のような関係がある。即ち、第１に、デシベル値が−２０〔ｄＢ〕以上である場合には、チューニングしても画像上のちらつきを収めるのが困難なレベル、第２に、デシベル値が−２０〜−３０〔ｄＢ〕である場合には、チューニングにより画像上のちらつきを相当程度抑制できるレベル、第３に、デシベル値が−３０〔ｄＢ〕以下である場合には、画像上のちらつきが殆ど見られないレベル、というようである（後述する図７及び図８においても同じ。）。
【０１００】
このような曲線ＦＵが描かれるのは、第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２の厚さＤが大きくなり、したがって、半導体層１ａとデータ線６ａとの間が広まっていくと、半導体層１ａに対する斜め光の入射量が増大することによる。ただし、半導体層１ａの幅（図中左右方向の長さ。以下同じ。）とデータ線６ａの幅とが一定であれば、ある一定の厚さＤを越えた範囲においては、データ線６ａが斜め光の入射を防止する役割は殆ど期待できなくなり、したがって、当該範囲におけるＤがいくら大きくなろうとも、フリッカの程度に影響が及ぶことはなくなることになる。そして、図６からわかるように、本実施形態における前記一定の厚さＤが、１６００〔ｎｍ〕ということになる。
【０１０１】
このことは、図５に示すように、半導体層１ａの端部とデータ線６ａの端部との間に引いた第２線分Ｌ２と、前記半導体層１ａの端部を通りＴＦＴアレイ基板１０に平行に引いた水平線分ＬＨとのなす角度φ〔ｄｅｇ〕の変化（図中曲線“ＡＵ”参照）からも確認することができる。即ち、この角度φは、図６に示すように、厚さＤが大きくなるに応じて大きくなるが、厚さＤが１６００〔ｎｍ〕以降の値をとるところでは、殆どφ≒９０〔°〕となって変化がなくなることがわかる。これは、図５からもわかるように、厚さＤが大きくなればなる程、前記第２線分Ｌ２が、同図中垂直方向に立ってくるようになるからである。そして、そのような状態においては、もはやデータ線６ａは斜め光の入射を防止するのには、殆ど役に立たなくなる。
【０１０２】
以上述べたようなことから、第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２の厚さＤの上限としては、１６００〔ｎｍ〕程度が好ましいことがわかる。
【０１０３】
他方、第２に、厚さＤが小さくなればなる程、ＴＦＴ３０のスレッショルド電圧は上昇していくことがわかる。より詳細には、厚さＤが大きい方から４００〔ｎｍ〕に至るまでは、スレッショルド電圧は次第に上昇し、厚さＤが４００〔ｎｍ〕に到達した後は、急激に上昇していることがわかる。
【０１０４】
このような曲線ＶＵが描かれるのは、第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２の厚さＤが小さくなり、したがって、半導体層１ａとデータ線６ａとの間が狭まってしまうと、データ線６ａの電位変動に起因する電界効果が生じることによる。そして、厚さＤが４００〔ｎｍ〕を越えて小さくなると、その電界効果が著しくなる結果、スレッショルド電圧が急激に上昇することになる。
【０１０５】
このようなことから、第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２の厚さＤの下限としては、４００〔ｎｍ〕、より好ましくは更に安全サイドを見て、６００〔ｎｍ〕程度が好ましいことがわかる。
【０１０６】
以上により、本実施形態において、厚さＤは、前述の理由に基づく好適な厚さ６００〜１６００〔ｎｍ〕の範囲内にあるように、より具体的且つ好ましく１２００〔ｎｍ〕程度に調整されるのが好ましい。
【０１０７】
なお、この場合において、第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２それぞれの厚さＤＮ及びＤＭがとるべき値は一義的には定まらないが、本発明においては、この点に関して特に拘泥されない。なぜなら、上に述べたように、半導体層１ａに対する光入射を防止するには、該半導体層１ａと上側遮光膜たるデータ線６ａとの配置関係が第一に重要だからである。しかしながら、だからといって、例えば、第１層間絶縁膜４１を相対的に極端に薄くし（例えば、５〔ｎｍ〕等）、第２層間絶縁膜４２を相対的に極端に厚くする（例えば、１５９５〔ｎｍ〕等）などということは、絶縁膜に期待されるその他の機能、例えば所定の絶縁機能の獲得や、厚膜化に応じて発生するおそれのある膜内応力の増加（膜内応力が増大するとクラックを生じさせるおそれがある。）、あるいは薄膜化に応じて発生するおそれのある急峻な段差形成（例えば、第１層間絶縁膜４１が薄すぎると、半導体層１ａの高さに起因した急峻な段差が、該第１層間絶縁膜４１の表面に形成されることで、この上に保持容量７０をパターニングにて形成する場合、前記段差の影となる部分などにエッチング残りを発生させるおそれがある）等を回避する観点から、好ましくない。したがって、本実施形態においては、これらの事項を鑑み、且つ、６００〜１６００〔ｎｍ〕を満たす範囲で、第１層間絶縁膜４１の厚さＤＮ及び第２層間絶縁膜４２の厚さＤＭをそれぞれ決定するようにするのが好ましい。
【０１０８】
さて一方、図７には、「下側絶縁膜」たる下地絶縁膜１２の厚さＤＳの変化に対して、画像上に現れるフリッカの程度（図中曲線“ＦＢ”参照）、及び、ＴＦＴ３０のスレッショルド電圧（図中曲線“ＶＢ”参照）がどのように変化するかが示されている。なお、図７において、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２の厚さＤは一定にされている。
【０１０９】
これによると、前記の図６とほぼ同様なことがいえる。すなわち、第１に、厚さＤＳが大きくなればなる程、画像上に現れるフリッカの程度は小さくなっていくことがわかる。より詳細には、厚さＤＳが小さい方から８００〔ｎｍ〕に至るまでは、フリッカは直線的に減少し（即ち、画質は直線的に向上し）、厚さＤＳが８００〔ｎｍ〕以後は、フリッカの減少が足踏みしていることがわかる。他方、第２に、厚さＤＳが小さくなればなる程、ＴＦＴ３０のスレッショルド電圧は上昇していくことがわかる。より詳細には、厚さＤＳが大きい方から３００〔ｎｍ〕に至るまでは、スレッショルド電圧は次第に上昇し、厚さＤＳが３００〔ｎｍ〕に到達した後は、急激に上昇していることがわかる。これらの曲線ＦＢ及びＶＢが描かれる理由は、図６における曲線ＦＵ及びＶＵが描かれるそれと同じである。
【０１１０】
このようなことから、下地絶縁膜１２の厚さＤＳの上限としては８００〔ｎｍ〕程度、下限としては３００〔ｎｍ〕程度が好ましいことがわかる（３００〔ｎｍ〕≦ＤＳ≦８００〔ｎｍ〕）。
【０１１１】
以上によると結局、厚さＤとしては、６００〔ｎｍ〕≦ＤＳ≦１６００〔ｎｍ〕が、厚さＤＳとしては、３００〔ｎｍ〕≦ＤＳ≦８００〔ｎｍ〕がそれぞれ満たされることが好ましいということになる。そして、このことから、両者の最小値及び最大値を足し合わせれば、下地絶縁膜１２、第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２の各厚さＤＳ、ＤＮ及びＤＭの合計は、９００〔ｎｍ〕≦ＤＳ≦２４００〔ｎｍ〕を満たすことが好ましいということになる。
【０１１２】
以上説明したように、本実施形態において、下地絶縁膜１２、第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２の各厚さＤＳ、ＤＮ及びＤＭが好適な範囲内に調整されており、したがって、半導体層１ａ及びデータ線６ａ、並びに、半導体層１ａ及び走査線１１ａのそれぞれの配置関係は好適に設定されることになるから、半導体層１ａに、光の入射、とりわけ斜め光の入射が行われることを未然に防止することができ、もってフリッカのない高品質な画像を表示することができることになるのである。
【０１１３】
（半導体層と遮光膜との配置関係―２）
上に述べたように、下地絶縁膜１２、第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２の各厚さＤＳ、ＤＮ及びＤＭを好適な範囲内に収めることで、本実施形態に係る電気光学装置では、半導体層１ａにおける光リーク電流の発生を抑制し、より高品質な画像を表示することが可能となるが、本実施形態意では更に、前記の厚さに関する規定のほか、以下に記すような「角度」を用いた規定方法により、半導体層１ａ及び遮光膜間の配置関係を規定することができる。以下では、これを前述までに参照した各図等を参照して説明することとする。
【０１１４】
まず、図５において、既に述べたように、半導体層１ａの端部とデータ線６ａの端部との間に第２線分Ｌ２を引くとともに、同じ半導体層１ａの端部と走査線１１ａの端部との間に第１線分Ｌ１を引き、且つ、前記半導体層１ａの端部を通りＴＦＴアレイ基板１０に平行な水平線分ＬＨとを引いた場合に形成される、第２線分Ｌ２及び水平線分ＬＨのなす角度を“φ”とし、第１線分Ｌ１及び水平線分ＬＨのなす角度を“θ”とする。
【０１１５】
そして、これらの角度θ及びφを用いて、次のような制約、即ち、角度θと角度φとの合計を９８〜１３３〔°〕とし、このうち角度φについては６０〜７３〔°〕とする制約を、角度θについては３８〜６０〔°〕とする制約を、それぞれ設けることで、半導体層１ａと走査線１１ａ及びデータ線６ａとの配置関係を規定する。
【０１１６】
このような角度θ及び角度φの範囲設定の意義は、基本的に、前述の各厚さＤＳ、ＤＮ及びＤＭの範囲設定のそれに同じである。すなわち、前記のように角度θ及びφを適当な範囲内に設定し、あるいは角度θ及びφを加えた角度を適当な範囲内に設定することによれば、当該範囲の大きい側は、半導体層１ａと、データ線６ａあるいは走査線１１ａとの距離を一定程度以上には離さないという意図をもち、したがって、該大きい側を画する値は、斜め光の入射を十分に防止するという意義を有することになる。一方、当該範囲の小さい側は、半導体層１ａと、データ線６ａあるいは走査線１１ａとの距離を一定程度以上に近づけさせないという意図の下設定され、したがって、該小さい側を画する値は、半導体層１ａと、データ線６ａあるいは走査線１１ａとの間に電界効果の発生を防止し、もってＴＦＴ３０のスレッショルド電圧の上昇を防止するという意義を有することになる。
【０１１７】
これに関連して、図８（ａ）及び（ｂ）には、角度θ及びφの値の変化に応じた、画像上に現れるフリッカの程度を表すグラフを示している。このグラフに示すように、角度φについては７３〔°〕以下となるあたりで、フリッカが−２０〔ｄＢ〕程度となり（図８（ａ）中曲線ＦＡＵ参照）、角度θについては６０〔°〕以下となるあたりで、フリッカが−２０〔ｄＢ〕程度となる（図８（ｂ）中曲線ＦＡＢ参照）。角度θ及びφの上限は、このような理由に基づき定まる。一方、角度θ及びφのいずれについても、値が小さくなればなる程、フリッカの程度は向上するが、一定の値を超えると、前記のように、半導体層１ａとデータ線６ａあるいは走査線１１ａとの間で電界効果が発生し、ＴＦＴ３０のスレッショルド電圧を上昇させてしまうことになる。この一定の値とは、グラフから、角度φにつき６０〔°〕（図８（ａ）中曲線ＶＡＵ参照）、角度θにつき３８〔°〕（図８（ａ）中曲線ＶＡＢ参照）であることがわかる。角度θ及びφの下限は、このような理由に基づき定まる。
【０１１８】
以上のことから、角度θ及びφに関する制約を守ると、前記の厚さＤＳ、ＤＮ及びＤＭに関する制約を守るのと略同様な作用効果が得られることになるのは明白である。
【０１１９】
ちなみに、上記のような角度による範囲設定を行う立場をとる場合では特に、例えば図９に示すように、半導体層１ａの同図左右方向の中心１ａＣが、データ線６ａ及び走査線１１ａの同方向における中心６ａＣ及び１１ａＣからずれている場合においても、半導体層１ａに対する光の入射を防止するという効果を同様に導くことができる。
【０１２０】
すなわち、まず、このような場合においては、半導体層１ａの端部がデータ線６ａあるいは走査線１１ａの端部近くに位置する半面（同図中、左半面）と、逆に遠くに位置する半面（同図中、右半面）とを観察することができることになる。この場合、斜め入射光の存在を想定すると、図から明らかなように、半導体層１ａの端部とデータ線６ａあるいは走査線１１ａの端部とが近い半面において、半導体層１ａに、より光が入射しやすいということになる。そして、このような場合においては、図５に示したような下地絶縁膜１２、第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２の各厚さＤＳ、ＤＮ及びＤＭを規定しても、半導体層１ａとデータ線６ａ及び走査線１１ａとの配置関係を好適に規定することには必ずしもならないことになる。
【０１２１】
しかるに、このような場合においても、図７における角度θ及びφに対応する角度を決定する上で必要となる半導体層１ａの端部として、前記の中心６ａＣ及び中心１１ａＣからみて該半導体層１ａの中心１ａＣが存在している方向の先にある当該半導体層１ａの端部をとるようにすればよい（図９の第１線分Ｌ１´及び第２線分Ｌ２´参照）。このことは即ち、半導体層１ａの端部がデータ線６ａあるいは走査線１１ａの端部近くに位置する半面において観念される角度θ１及びφ１について、前記のように、６０〔°〕≦φ１≦７３〔°〕、３８〔°〕≦θ１≦６０〔°〕、９８〔°〕≦θ１＋φ１≦１３３〔°〕なる各条件が満たされることを意味する。したがって、当該半面において、半導体層１ａに斜め光が入射することは未然に防止されることになるのである。なお、これに併せて、前記とは反対側の半面における角度θ１´及びφ１´についても、前記の各条件が満たされてよいことは言うまでもない。
【０１２２】
なお、前記の図５では、ＴＦＴ３０の図中上側において特に、データ線６ａが遮光膜として機能しうるほか、容量配線４００がアルミニウムからなる層及び窒化チタンからなる層からなることから、該容量配線４００もまた遮光膜として機能し、更には、保持容量７０のうち例えば前記容量電極３００がＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなることから、該保持容量７０もまた遮光膜として機能しうることになる。即ち、図５では、ＴＦＴ３０の上側に、図中下から順に、保持容量７０、データ線６ａ及び容量配線４００という三層構造の遮光膜が形成されているとみることができる。
【０１２３】
ここで、前記の角度φは、データ線６ａと半導体層１ａとの間で定義される角度とされているが、それは、データ線６ａと半導体層１ａとの間で引かれる前記第２線分Ｌ２が、容量配線４００又は保持容量７０と半導体層１ａとの間で第２線分Ｌ２と同様に引かれる図示しない線分（即ち、容量配線４００の端部又は保持容量７０の端部と第２線分Ｌ２及び水平線分ＬＨの交点との間に引かれる線分）からみて、半導体層１ａに最も近い、言い換えると、該第２線分Ｌ２が水平線分ＬＨに最も近い線分であるからである。すなわち、かかる第２線分Ｌ２が引かれるデータ線６ａは、図から明らかなように、容量配線４００及び保持容量７０に比べてより幅広であり、したがって、該データ線６ａは、容量配線４００及び保持容量７０に比べて、半導体層１ａに対する斜め光の遮光をよりよく実現することができる遮光膜であると考えられるが、このようなデータ線６ａにつき定義された前記の角度“φ”について、前述したような角度範囲の制約を課すことによれば、より確実に斜め光の遮光を実現することができることになる。したがって、以上のように、複数の遮光膜が積層構造をなして配置されている場合には、前記のような考慮を働かして前記角度範囲の制約を課すべき角度の設定を行うことが好ましいということがいえる（なお、ここで述べたことは、後に参照する図１０（保持容量７０と半導体層１ａとの間で引かれる線分につき角度ψが定義されている図面。）においても、全く同様にあてはまる。）。
【０１２４】
（半導体層と遮光膜との配置関係―３）
なお、上記実施形態においては、下地絶縁膜１２、第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２の各厚さＤＳ、ＤＮ及びＤＭに関する条件と、角度θ及びφに関する条件とについて別々に説明したが、これら両者の条件を同時に満たす電気光学装置を構成することが好ましいことは言うまでもない。
【０１２５】
また、上記実施形態における説明においては、厚さＤＳ、ＤＮ及びＤＭに関する条件、即ち９００〔ｎｍ〕≦ＤＳ＋ＤＮ＋ＤＭ≦２４００〔ｎｍ〕なる条件（以下、説明の便宜上、「総厚条件」と呼ぶ。）と、「上側絶縁膜」の厚さＤＮ＋ＤＭに関する条件、即ち６００〔ｎｍ〕≦ＤＮ＋ＤＭ≦１６００〔ｎｍ〕なる条件、更には、「下側絶縁膜」の厚さＤＳに関する条件、即ち３００〔ｎｍ〕≦ＤＳ≦８００〔ｎｍ〕なる条件（以下、説明の便宜上、これら二つの条件を「各厚条件」と呼ぶ。）とについて、各厚条件の根拠から総厚条件の根拠を説明するようなかたちになっていたが、本発明は、このような各条件の捉え方に強制されない。例えば、前記の総厚条件及び各厚条件のうち、総厚条件の方を優先的に考えることも可能である。ここで「優先的」に考えるというのは、厚さＤＳ、ＤＮ及びＤＭが、当該総厚条件を満たすことが何にも増して最優先に考えられるべきであり、それが満たされる限りは、各厚さＤＳ、ＤＮ及びＤＭが基本的にはどのような値をとってもよいことを意味する（場合によっては、各厚条件については満たされない場合もありうる。）。
【０１２６】
これは、まず第１に、各厚さＤＳ、ＤＮ及びＤＭを一体的に捉えた総厚条件についても、前記の図８及び図９を参照して説明したのと同様に、厚すぎれば光遮蔽効果が十分には得られず、薄すぎれば電界効果が生じうるということが定性的に説明し得るからである。したがって、最初に考えるべきは総厚条件である、としても何ら問題はない。また、第２に、例えば、ＤＳ＋ＤＮ＋ＤＭ＝２０００〔ｎｍ〕とするとき、ＤＮ＋ＤＭ＝１５００〔ｎｍ〕でＤＳ＝５００〔ｎｍ〕である場合も、ＤＮ＋ＤＭ＝１０００〔ｎｍ〕でＤＳ＝１０００〔ｎｍ〕である場合にも、図８及び図９からわかるように、総合的に得られるフリッカ減少の程度は、同じになる。すなわち、図８及び図９において、フリッカの減少の程度を表す曲線ＦＵ及びＦＢは、ともに直線的に減少すること、具体的には、本願発明者らの研究によると、厚さＤＳ、ＤＮ又はＤＭが２００〔ｎｍ〕程度減少するのに応じて、フリッカは概ね１〔ｄＢ〕程度減少することが確認されている。したがって、総厚条件さえ満たされていれば、下地絶縁膜１２、第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２の各厚さＤＳ、ＤＮ及びＤＭがどのようであっても、基本的には、前述した作用効果が得られるのである。以上により、総厚条件を優先的に考えることが可能ということがいえる。
【０１２７】
さらに、上記実施形態においては、データ線６ａが、本発明にいう「上側遮光膜」に該当し、第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２が、本発明にいう「上側絶縁膜」に該当するという形態について説明したが、本発明は、このような形態に限られない。例えば、図１０に示すように、データ線６ａの下層に位置する保持容量７０の幅が、該データ線６ａの幅よりも大きい場合には、実質的に、当該保持容量７０が、本発明にいう「上側遮光膜」に該当すると考えることができる（但し、この場合でも、データ線６ａは、依然「遮光膜」としての機能を果たし得る。）。すると、これに従って、この場合には、第１層間絶縁膜４１のみが、本発明にいう「上側絶縁膜」に該当すると考えることができることになる。そして、このような場合においては、当該保持容量７０及び半導体層１ａ並びに第１層間絶縁膜４１との関係において、前記で説明した厚さに関する制約（図中符号ＤＮにつき、９００〔ｎｍ〕≦ＤＮ≦２４００〔ｎｍ〕）、あるいは角度に関する制約（図中符号ψにつき、６０〔°〕≦ψ≦７３〔°〕、或いは９８〔°〕≦ψ＋θ≦１３３〔°〕）などを考えることになる（図中厚さＤＳ及び角度θについては上と異ならない。）。
【０１２８】
（半導体層と遮光膜との配置関係―４）
さて、前記の実施形態に係る作用効果をより効果的に享受するためには、以下に記す更に詳細な条件を満たすことが好ましい。即ち、本発明においては、前記のように、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２の厚さＤＳ、ＤＮ及びＤＭに関して前記所定の各条件を満たし、或いは角度θ及びφに関して前記所定の各条件の満たせば、上記実施形態にいう半導体層１ａと走査線１１ａ及びデータ線６ａとが適正な配置関係をとり、該半導体層１ａに対する光、とりわけ斜め光の入射を未然に防止することができる。しかしながら、これに加えて、前記のような配置関係を満たすためには、半導体層１ａ、走査線１１ａ及びデータ線６ａ等のパターンの大きさ等についても具体的に定まっている方が好ましい。以下では、その一例として、半導体層１ａ、データ線６ａ及び走査線１１ａが採るべき好適な幅について、既に参照した図７を参照しながら示す。
【０１２９】
半導体層１ａの幅Ｗ（１ａ）は、０．５〜０．８〔μｍ〕とすると好ましい。このような範囲が好ましいのは、この幅Ｗ（１ａ）が０．８〔μｍ〕を越えると、電流ＯＦＦ値が大きくなり、ＴＦＴ３０がよりリーキーな特性に、即ち光リーク電流がより流れやすい状況になってしまい、他方、幅Ｗ（１ａ）が０．５〔μｍ〕を下回ると、電流ＯＮ値が小さくなってしまうからである。
【０１３０】
走査線１１ａの幅Ｗ（１１ａ）は、１．４〜２．０〔μｍ〕とすると好ましい。このような範囲が好ましいのは、この幅Ｗ（１１ａ）が２．０〔μｍ〕を越えると、開口率を低下させてしまうことになり、他方、１．４〔μｍ〕を下回ると、十分な遮光性が得られないからである。
【０１３１】
データ線６ａの幅Ｗ（６ａ）は、１．５〜２．５〔μｍ〕とすると好ましい。このような範囲が好ましいのは、この幅Ｗ（６ａ）が２．５〔μｍ〕を越えると、開口率を低下させてしまうことになり、他方、１．５〔μｍ〕を下回ると、十分な遮光性が得られず、また、ＴＦＴ３０との間で電気的接続を図るためのコンタクトホールの形成に不安が生じるからである。
【０１３２】
ちなみに、これらの条件を満たす半導体層１ａ、走査線１１ａ及びデータ線６ａは、前記の図５のような視点からみた幅方向（同図で左右方向の長さ方向）の中心が、すべて一致するように（即ち、図９のようではないように）配置されていることが好ましい。そして、このような場合において、前記で説明した下地絶縁膜１２、第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２の各厚さＤＳ、ＤＮ及びＤＭに関する条件を満たせば、半導体層１ａに対する光遮蔽効果を非常に効果的に享受することができることになる。
【０１３３】
また、半導体層１ａ、走査線１１ａ及びデータ線６ａの各幅Ｗ（１ａ）、Ｗ（１１ａ）及びＷ（６ａ）が、前述した好適な範囲内に収まった場合に、下地絶縁膜１２、第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２の各厚さＤＳ、ＤＮ及びＤＭが採るべき最も好適な値の一例は、４００〔ｎｍ〕、６００〔ｎｍ〕及び６００〔ｎｍ〕（即ち、下側絶縁膜の厚さが４００〔ｎｍ〕、上側絶縁膜の厚さが１２００〔ｎｍ〕）である。
【０１３４】
〔電気光学装置の全体構成〕
以下では、前記の電気光学装置に係る実施形態の全体構成について、図１１及び図１２を参照して説明する。ここに、図１１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図１２は、図１１のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【０１３５】
図１１及び図１２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【０１３６】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【０１３７】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。この額縁遮光膜５３より以遠の周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には特に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【０１３８】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【０１３９】
図１２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【０１４０】
なお、図１１及び図１２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【０１４１】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１３は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１４２】
図１３において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。これらライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂには、前述した電気光学装置（図１乃至図５参照）が用いられている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１４３】
かかる投射型カラー表示装置では、例えば、ライトバルブ１００Ｂには、ランプユニット１１０２から発せられリレーレンズ系１１２１により絞られた光が入射されるようになっているため、多くの斜め成分の光が混じっていることになる。したがって、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ、とりわけチャネル領域１ａ´（図２参照）には、この斜め光が入射する可能性が高く、スクリーン１１２０上にフリッカを含む画像を表示させやすい状況にある。つまり、このような投射型カラー表示装置においては、前述したような懸念がより深刻になると考えられるのである。
【０１４４】
しかるに、本実施形態においては、前述した構成となる電気光学装置が前記のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして使用されている。これにより、これらライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂそれぞれの中のＴＦＴ３０の半導体層１ａには斜め光が入射し難いようになっており、その結果、前述したような画像上のフリッカは生じにくくなっている。
【０１４５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１４６】
【図１】電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、下層部分（図４における符号７０（保持容量）までの下層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図３】データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、上層部分（図４における符号７０（保持容量）を越えて上層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図４】図２及び図３を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。
【図５】図２及び図３を重ね合わせた場合のＢ−Ｂ´断面図である。
【図６】第１層間絶縁膜の厚さと第２層間絶縁膜４２の厚さを合計した厚さ（横軸）と、画像上で観察されるフリッカの程度（左縦軸）及びＴＦＴ３０の閾値電圧（スレッショルド電圧）（右縦軸）との関係を表すグラフである。
【図７】下地絶縁膜の厚さ（横軸）と、画像上で観察されるフリッカの程度（左縦軸）及びＴＦＴ３０の閾値電圧（スレッショルド電圧）（右縦軸）との関係を表すグラフである。
【図８】図７に示す角度θ及びφの値の変化に応じた、画像上に現れるフリッカの程度を表すグラフを示しており、（ａ）は角度θについて、（ｂ）は角度φについて示している。
【図９】図７と同趣旨の図であって、半導体層の図中左右方向の中心が、データ線及び走査線の同方向における中心及びからずれている場合を示すものである。
【図１０】図７と同趣旨の図であって、データ線の下層に位置する保持容量の幅が、該データ線の幅よりも大きい場合を示すものである。
【図１１】ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。
【図１２】図１１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図１３】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
【０１４７】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、６ａ…データ線、３０…ＴＦＴ、１ａ…半導体層、９ａ…画素電極、７０…保持容量
１２…下地絶縁膜、４１…第１層間絶縁膜、４２…第２層間絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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