(57)【要約】【課題】  端子電極の接合面に十分な数の導電性粒子を確保しつつ、端子電極の接合を行う。【解決手段】  突出電極５に突き刺さることが可能な突起部１５を有する導電性粒子１４が混入された封止樹脂１３を介して、突出電極５を端子電極１２に接合させることにより、半導体チップ１を配線基板１１上にフリップチップ実装する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
針状突起が設けられた骨格部と、
前記骨格部の表面を被覆する導電膜とを備えることを特徴とする導電性粒子。
【請求項２】
前記骨格部はテトラポット形状を有することを特徴とする請求項１記載の導電性粒子。
【請求項３】
前記骨格部は酸化亜鉛の針状単結晶体であることを特徴とする請求項２記載の導電性粒子。
【請求項４】
針状突起が設けられた導電性粒子と、
前記導電性粒子が混入された封止樹脂とを備えることを特徴とする封止剤。
【請求項５】
先鋭化された端部を有する導電性粒子と、
前記先鋭化された端部が一定の向きに揃うようにして、前記導電性粒子が配置された封止樹脂とを備えることを特徴とする封止剤。
【請求項６】
突出電極が形成された半導体チップと、
前記突出電極に突き刺された突起部が設けられた導電性粒子と、
前記導電性粒子を介して前記突出電極が接合された端子電極と、
前記端子電極が設けられた配線基板と、
前記導電性粒子が混入され、前記半導体チップを封止する封止樹脂とを備えることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項７】
突出電極が形成された半導体チップと、
前記突出電極に突き刺された端部が設けられた導電性粒子と、
前記導電性粒子を介して前記突出電極が接合された端子電極と、
前記端子電極が設けられた配線基板と、
前記導電性粒子の端部が一定の向きに揃うようにして前記導電性粒子が混入され、前記半導体チップを封止する封止樹脂とを備えることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項８】
突出電極が形成された半導体チップと、
前記突出電極に突き刺された突起部が設けられた導電性粒子と、
前記導電性粒子を介して前記突出電極が接合された端子電極と、
前記端子電極が設けられた配線基板と、
前記導電性粒子が混入され、前記半導体チップを封止する封止樹脂と、
前記配線基板を介して前記半導体チップに接続された電子部品とを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
突出電極が形成された半導体チップと、
前記突出電極に突き刺された端部が設けられた導電性粒子と、
前記導電性粒子を介して前記突出電極が接合された端子電極と、
前記端子電極が設けられた配線基板と、
前記導電性粒子の端部が一定の向きに揃うようにして前記導電性粒子が混入され、前記半導体チップを封止する封止樹脂と、
前記配線基板を介して前記半導体チップに接続された電子部品とを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
テトラポット状単結晶体の表面の活性化処理を行う工程と、
前記活性化処理されたテトラポット状単結晶体のメッキ処理を行う工程とを備えることを特徴とする導電性粒子の製造方法。
【請求項１１】
先端が先鋭化された凹部が設けられた型枠を金属膜に押し付ける工程と、
前記金属膜に前記型枠を押し付けながら前記金属膜のメッキ処理を行うことにより、先端が先鋭化された突起部を前記金属膜上に形成する工程と、
前記突起部が形成された金属膜を樹脂シートに埋め込む工程とを備えることを特徴とする封止剤の製造方法。
【請求項１２】
突起部を有する導電性粒子が混入された封止樹脂を配線基板上に配置する工程と、
突出電極が形成された半導体チップと前記配線基板との位置合わせを行う工程と、
前記突起部を前記突出電極に突き刺しながら、前記配線基板の端子電極に前記突出電極を接合させる工程とを備えることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項１３】
先鋭化された端部が一定の向きに揃うように配置された導電性粒子を有する封止樹脂を配線基板上に配置する工程と、
突出電極が形成された半導体チップと前記配線基板との位置合わせを行う工程と、
前記端部を前記突出電極に突き刺しながら、前記配線基板の端子電極に前記突出電極を接合させる工程とを備えることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は導電性粒子、封止剤、半導体モジュール、電子機器、導電性粒子の製造方法、封止剤の製造方法および半導体モジュールの製造方法に関し、特に、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）接合またはＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）接合に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の突出電極の形成方法では、無電解Ｎｉメッキを用いて電極パッド上に突出電極を形成する方法がある。また、例えば、特許文献１には、突出電極を必要とするＡｌ電極上にのみ突出電極を容易に形成するために、レーザ照射による局部加熱により突出電極を形成する方法が開示されている。
【特許文献１】特開平１０−２５６２５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の突出電極の製造方法では、電極パッド上で突出電極の形成が均一に行われるため、突出電極の表面が平坦になる。このため、導電性粒子を介して突出電極を接合させる場合、突出電極の表面から導電性粒子が流出し、端子電極の接合面に十分な数の導電性粒子を確保することが困難となって、端子電極の接合を安定して行うことができないという問題があった。特に、突出電極が電極パッドから食み出したマッシュルームバンプでは、表面が丸みを帯びているので導電性粒子が滑って逃げ易く、端子電極の接合面に十分な数の導電性粒子を確保することがより一層困難になるという問題があった。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、端子電極の接合面に十分な数の導電性粒子を確保しつつ、端子電極の接合を行うことが可能な導電性粒子、封止剤、半導体モジュール、電子機器、導電性粒子の製造方法、封止剤の製造方法および半導体モジュールの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る導電性粒子によれば、針状突起が設けられた骨格部と、前記骨格部の表面を被覆する導電膜とを備えることを特徴とする。
これにより、導電性粒子に針状突起を設けることが可能となり、導電性粒子を突出電極に突き刺しながら、突出電極の接合を行うことが可能となる。このため、突出電極の表面が丸みを帯びている場合においても、突出電極の表面から導電性粒子が滑り出ることを抑制することが可能となり、突出電極の接合面に十分な数の導電性粒子を確保することを可能として、突出電極の接合を安定して行うことができる。
【０００６】
また、本発明の一態様に係る導電性粒子によれば、前記骨格部はテトラポット形状を有することを特徴とする。
これにより、導電性粒子の中心から４方向に均等に針状突起を伸ばすことが可能となり、導電性粒子がどのような向きに転がった場合においても、針状突起が直立した状態を維持することが可能となる。このため、導電性粒子を封止樹脂に単に混入することにより、導電性粒子が突出電極に突き刺ささることを可能として、突出電極の表面から導電性粒子が滑り出ることを抑制することが可能となり、突出電極の接合面に十分な数の導電性粒子を確保することを可能として、突出電極の接合を安定して行うことができる。
【０００７】
また、本発明の一態様に係る導電性粒子によれば、前記骨格部は酸化亜鉛の針状単結晶体であることを特徴とする。
これにより、簡易な製造方法を用いることで、テトラポット形状を有する骨格部を形成することが可能となり、突出電極に容易に突き刺ささることが可能な導電性粒子を安定して作製することができる。
【０００８】
また、本発明の一態様に係る封止剤によれば、針状突起が設けられた導電性粒子と、前記導電性粒子が混入された封止樹脂とを備えることを特徴とする。
これにより、突出電極下に封止樹脂を介在させることで、導電性粒子の針状突起を突出電極に突き刺しながら、突出電極の接合を行うことが可能となる。このため、突出電極の表面が丸みを帯びている場合においても、突出電極の表面から導電性粒子が滑り出ることを抑制することが可能となり、突出電極の接合面に十分な数の導電性粒子を確保することを可能として、突出電極の接合を安定して行うことができる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る封止剤によれば、先鋭化された端部を有する導電性粒子と、前記先鋭化された端部が一定の向きに揃うようにして、前記導電性粒子が配置された封止樹脂とを備えることを特徴とする。
これにより、突出電極下に封止樹脂を介在させることで、導電性粒子の端部を突出電極に突き刺しながら、突出電極の接合を行うことが可能となる。このため、突出電極の表面が丸みを帯びている場合においても、突出電極の表面から導電性粒子が滑り出ることを抑制することが可能となり、突出電極の接合面に十分な数の導電性粒子を確保することを可能として、突出電極の接合を安定して行うことができる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、突出電極が形成された半導体チップと、前記突出電極に突き刺された突起部が設けられた導電性粒子と、前記導電性粒子を介して前記突出電極が接合された端子電極と、前記端子電極が設けられた配線基板と、前記導電性粒子が混入され、前記半導体チップを封止する封止樹脂とを備えることを特徴とする。
【００１１】
これにより、突出電極の表面から導電性粒子が滑り出ることを抑制しつつ、突出電極を端子電極に接合することが可能となる。このため、突出電極の接合面に十分な数の導電性粒子を確保することが可能となり、突出電極の接合信頼性を向上させることができる。
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、突出電極が形成された半導体チップと、前記突出電極に突き刺された端部が設けられた導電性粒子と、前記導電性粒子を介して前記突出電極が接合された端子電極と、前記端子電極が設けられた配線基板と、前記導電性粒子の端部が一定の向きに揃うようにして前記導電性粒子が混入され、前記半導体チップを封止する封止樹脂とを備えることを特徴とする。
【００１２】
これにより、突出電極の表面から導電性粒子が滑り出ることを抑制しつつ、突出電極を端子電極に接合することが可能となる。このため、突出電極の接合面に十分な数の導電性粒子を確保することが可能となり、突出電極の接合信頼性を向上させることができる。
また、本発明の一態様に係る電子機器によれば、突出電極が形成された半導体チップと、前記突出電極に突き刺された突起部が設けられた導電性粒子と、前記導電性粒子を介して前記突出電極が接合された端子電極と、前記端子電極が設けられた配線基板と、前記導電性粒子が混入され、前記半導体チップを封止する封止樹脂と、前記配線基板を介して前記半導体チップに接続された電子部品とを備えることを特徴とする。
【００１３】
これにより、突出電極の表面から導電性粒子が滑り出ることを抑制しつつ、突出電極を端子電極に接合することが可能となり、突出電極の接合面に十分な数の導電性粒子を確保することが可能となる。このため、実装面積の増大を抑制しつつ、突出電極の接合信頼性を向上させることが可能となり、電子機器の小型・軽量化を可能としつつ、電子機器の信頼性を向上させることができる。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る電子機器によれば、突出電極が形成された半導体チップと、前記突出電極に突き刺された端部が設けられた導電性粒子と、前記導電性粒子を介して前記突出電極が接合された端子電極と、前記端子電極が設けられた配線基板と、前記導電性粒子の端部が一定の向きに揃うようにして前記導電性粒子が混入され、前記半導体チップを封止する封止樹脂と、前記配線基板を介して前記半導体チップに接続された電子部品とを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、突出電極の表面から導電性粒子が滑り出ることを抑制しつつ、突出電極を端子電極に接合することが可能となり、突出電極の接合面に十分な数の導電性粒子を確保することが可能となる。このため、実装面積の増大を抑制しつつ、突出電極の接合信頼性を向上させることが可能となり、電子機器の小型・軽量化を可能としつつ、電子機器の信頼性を向上させることができる。
【００１６】
また、本発明の一態様に係る導電性粒子の製造方法によれば、テトラポット状単結晶体の表面の活性化処理を行う工程と、前記活性化処理されたテトラポット状単結晶体のメッキ処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
これにより、簡易な製造方法を用いることで、中心から４方向に均等に針状突起が伸びた導電性粒子を作製することが可能となる。このため、導電性粒子を封止樹脂に単に混入することで、導電性粒子を突出電極に突き刺しながら、突出電極の接合を行うことが可能となり、突出電極の接合面に十分な数の導電性粒子を確保することを可能として、突出電極の接合信頼性を向上させることができる。
【００１７】
また、本発明の一態様に係る封止剤の製造方法によれば、先端が先鋭化された凹部が設けられた型枠を金属膜に押し付ける工程と、前記金属膜に前記型枠を押し付けながら前記金属膜のメッキ処理を行うことにより、先端が先鋭化された突起部を前記金属膜上に形成する工程と、前記突起部が形成された金属膜を樹脂シートに埋め込む工程とを備えることを特徴とする。
【００１８】
これにより、導電性粒子の端部を突出電極に安定して突き刺さすことが可能な封止剤を作製することができ、突出電極の接合面に十分な数の導電性粒子を確保することを可能として、突出電極の接合信頼性を向上させることができる。
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールの製造方法によれば、突起部を有する導電性粒子が混入された封止樹脂を配線基板上に配置する工程と、突出電極が形成された半導体チップと前記配線基板との位置合わせを行う工程と、前記突起部を前記突出電極に突き刺しながら、前記配線基板の端子電極に前記突出電極を接合させる工程とを備えることを特徴とする。
【００１９】
これにより、半導体チップと配線基板との間に封止樹脂を介在させることで、突出電極の表面から導電性粒子が滑り出ることを抑制しつつ、突出電極を端子電極に接合することが可能となるとともに、半導体チップを封止することが可能となる。このため、実装工程の煩雑化を抑制しつつ、突出電極の接合面に十分な数の導電性粒子を確保することが可能となり、突出電極の接合信頼性を向上させることができる。
【００２０】
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールの製造方法によれば、先鋭化された端部が一定の向きに揃うように配置された導電性粒子を有する封止樹脂を配線基板上に配置する工程と、突出電極が形成された半導体チップと前記配線基板との位置合わせを行う工程と、前記端部を前記突出電極に突き刺しながら、前記配線基板の端子電極に前記突出電極を接合させる工程とを備えることを特徴とする。
【００２１】
これにより、半導体チップと配線基板との間に封止樹脂を介在させることで、突出電極の表面から導電性粒子が滑り出ることを抑制しつつ、突出電極を端子電極に接合することが可能となるとともに、半導体チップを封止することが可能となる。このため、実装工程の煩雑化を抑制しつつ、突出電極の接合面に十分な数の導電性粒子を確保することが可能となり、突出電極の接合信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態に係る半導体モジュールおよびその製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す断面図である。
図１（ａ）において、半導体チップ１には電極パッド２が設けられ、電極パッド２が設けられた半導体チップ１の表面は保護膜３で被覆されている。そして、保護膜３には、電極パッド２の表面を露出させる開口部４が設けられている。そして、開口部４を介して露出された電極パッド２上には、突出電極５が形成されている。なお、突出電極５としては、例えば、Ｎｉバンプ、Ａｕバンプ、半田材などで被覆されたＣｕバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができ、突出電極５の形成方法としては、例えば、電解メッキまたは無電解メッキを用いることができる。
【００２３】
そして、導電性粒子１４が混入された封止樹脂１３を、端子電極１２が形成された配線基板１１上に配置する。なお、封止樹脂１３としては、例えば、エポキシ樹脂などを用いることができ、導電性粒子１４が混入された封止樹脂１３はペースト状またはフィルム状のいずれでもよい。ここで、導電性粒子１４には、突出電極５に突き刺さることが可能な突起部１５が設けられている。そして、突出電極５と端子電極１２とが対向して配置されるように、半導体チップ１と配線基板１１とを位置合わせする。
【００２４】
次に、図１（ｂ）に示すように、導電性粒子１４を介して突出電極５を端子電極１２に接合させることにより、半導体チップ１を配線基板１１上にフリップチップ実装する。なお、突出電極５を端子電極１２に接合させる場合、ＡＣＰ接合またはＡＣＦ接合を用いることができる。
これにより、導電性粒子１４の突起部１５を突出電極５に突き刺しながら、突出電極５の接合を行うことが可能となる。このため、突出電極５の表面が丸みを帯びている場合においても、突出電極５の表面から導電性粒子１４が滑り出ることを抑制することが可能となり、突出電極５の接合面に十分な数の導電性粒子１４を確保することを可能として、突出電極５の接合を安定して行うことができる。
【００２５】
ここで、突起部１５を有する導電性粒子１４としては、中心から４方向に枝が伸びたテトラポット構造を用いることができ、テトラポット構造を有する材料としては、例えば、ＺｎＯ結晶を挙げることができる。
これにより、導電性粒子１４がどのような向きに転がった場合においても、突起部１５が直立した状態を維持することが可能となる。このため、導電性粒子１４を封止樹脂１３に単に混入することにより、導電性粒子１４の突起部１５が突出電極５に効率よく突き刺ささることを可能として、突出電極５の表面から導電性粒子１４が滑り出ることを抑制することが可能となり、突出電極５の接合面に十分な数の導電性粒子を確保することを可能として、突出電極５の接合を安定して行うことができる。
【００２６】
なお、配線基板１１としては、例えば、両面基板、多層配線基板、ビルドアップ基板、テープ基板またはフィルム基板などを用いることができ、配線基板１１の材質としては、例えば、ポリイミド樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ＢＴレジン、アラミドとエポキシのコンポジットまたはセラミックなどを用いることができる。
図２は、本発明の第２実施形態に係る導電性粒子の製造方法を示す斜視図である。
【００２７】
図２（ａ）において、テトラポット型ＺｎＯ結晶２１を作製する。ここで、テトラポット型ＺｎＯ結晶２１を作製する場合、例えば、金属亜鉛を特殊雰囲気中で酸化熱処理する方法を用いることができる。あるいは、特殊雰囲気中でＺｎＯセラミックスの通電加熱を行うことにより、ウイスカー（針状結晶）を成長させることができる。
次に、図２（ｂ）に示すように、テトラポット型ＺｎＯ結晶２１の酸処理などを行うことにより、テトラポット型ＺｎＯ結晶２１の表面を活性化する。そして、例えば、活性化されたテトラポット型ＺｎＯ結晶２１に無電解Ｎｉメッキを施すことにより、テトラポット型導電性粒子２２を形成する。
【００２８】
これにより、簡易な製造方法を用いることで、テトラポット型導電性粒子２２を形成することが可能となる。このため、テトラポット型導電性粒子２２を封止樹脂に単に混入することで、テトラポット型導電性粒子２２を突出電極に突き刺しながら、突出電極の接合を行うことが可能となり、突出電極の接合面に十分な数のテトラポット型導電性粒子２２を確保することを可能として、突出電極の接合信頼性を向上させることができる。
【００２９】
図３は、本発明の第３実施形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す断面図である。
図３（ａ）において、半導体チップ３１には電極パッド３２が設けられ、電極パッド３２が設けられた半導体チップ３１の表面は保護膜３３で被覆されている。そして、保護膜３３には、電極パッド３２の表面を露出させる開口部３４が設けられている。そして、開口部３４を介して露出された電極パッド３２上には、突出電極３５が形成されている。
【００３０】
そして、導電性粒子４４が配置された封止樹脂４３を、端子電極４２が形成された配線基板４１上に配置する。ここで、導電性粒子４４には先鋭化された端部が設けられている。そして、先鋭化された端部が直立するようにして、導電性粒子４４が封止樹脂４３に配置されている。なお、先鋭化された端部としては、例えば、鋭角状、枝状、針状などのいずれの形状でもよい。そして、突出電極３５と端子電極４２とが対向して配置されるように、半導体チップ３１と配線基板４１とを位置合わせする。
【００３１】
次に、図３（ｂ）に示すように、導電性粒子４４を介して突出電極３５を端子電極４２に接合させることにより、半導体チップ３１を配線基板４１上にフリップチップ実装する。
これにより、封止樹脂４３を介して突出電極３５を端子電極４２に接合させることにより、導電性粒子４４を突出電極３５に突き刺すことが可能となる。このため、突出電極３５の表面から導電性粒子４４が滑り出ることを抑制しつつ、突出電極３５を端子電極２に接合することが可能となり、突出電極３５の接合面に十分な数の導電性粒子を確保することを可能として、突出電極３５の接合信頼性を向上させることができる。
【００３２】
図４は、本発明の第４実施形態に係る封止剤の製造方法を示す断面図である。
図４（ａ）において、型枠５１には、先端が先鋭化された凹部５３が設けられている。そして、導電膜５５が形成された樹脂層５４を型枠５１、５２間に配置する。なお、型枠５１、５２の材質としては、例えば、ガラスまたは樹脂を用いることができる。あるいは、凹部５３の表面に剥離剤が塗布された金型を用いるようにしてもよい。
【００３３】
次に、図４（ｂ）に示すように、導電膜５５が形成された樹脂層５４を型枠５１、５２で挟み込みながら、導電膜５５の電解メッキを行うことにより、凹部５３の形状に対応した導電性突起５６を導電膜５５の片面に形成する。そして、導電性突起５６が導電膜５５の片面に形成されると、型枠５１、５２を除去するとともに、樹脂層５４を導電膜５５から剥離する。
【００３４】
次に、図４（ｃ）に示すように、導電性突起５６ａ、５６ｂがそれぞれ形成された１対の導電膜５５ａ、５５ｂが得られると、導電膜５５ａ、５５ｂの裏面を互いに貼り合わせる。
次に、図４（ｃ）に示すように、互いに貼り合わされた導電膜５５ａ、５５ｂを樹脂シート５７ａ、５７ｂで上下から挟み込むことにより、導電性突起５６ａ、５６ｂを樹脂シート５７ａ、５７ｂ内に埋め込む。
【００３５】
これにより、先鋭化された端部が一定の向きに揃うようにして、導電性突起５６ａ、５６ｂが配置された封止樹脂を作製することが可能となる。このため、導電性突起５６ａ、５６ｂを突出電極に安定して突き刺さすことが可能となり、突出電極の接合面に十分な数の導電性突起５６ａ、５６ｂを確保することを可能として、突出電極の接合信頼性を向上させることができる。
【００３６】
なお、先鋭化された端部の向きを揃えながら導電性粒子を封止樹脂に埋め込む場合、導電性粒子として、針状の磁性体を用いるようにしてもよい。そして、一定の方向に磁界をかけながら磁性体を封止樹脂に埋め込むことにより、封止樹脂に埋め込まれた導電性粒子の向きを揃えるようにしてもよい。
また、上述した半導体モジュールは、例えば、液晶表示装置、携帯電話、携帯情報端末、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ＭＤ（Ｍｉｎｉ  Ｄｉｓｃ）プレーヤ、ＩＣカード、ＩＣタグなどの電子機器に適用することができ、電子機器の小型・軽量化を可能としつつ、電子機器の信頼性を向上させることができる。
【００３７】
また、上述した実施形態では、半導体チップの実装方法を例にとって説明したが、本発明は、必ずしも半導体チップの実装方法に限定されることなく、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ）素子などのセラミック素子、光変調器や光スイッチなどの光学素子、磁気センサやバイオセンサなどの各種センサ類などの実装方法に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す断面図。
【図２】本発明の第２実施形態に係る導電性粒子の製造方法を示す斜視図。
【図３】本発明の第３実施形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す断面図。
【図４】本発明の第４実施形態に係る封止剤の製造方法を示す断面図。
【符号の説明】
【００３９】
１、３１  半導体チップ、２、３２  電極パッド、３、３３  保護膜、４、３４  開口部、５、３５  突出電極、１１、４１  配線基板、１２、４２  端子電極、１３、４３  封止樹脂、１４、４４  導電性粒子、１５  突起部、２１  テトラポット型ＺｎＯ結晶、２２  テトラポット型導電性粒子、５１、５２  型枠、５３  凹部、５４  樹脂層、５５、５５ａ、５５ｂ  導電膜、５６、５６ａ、５６ｂ  導電性突起、５７ａ、５７ｂ  樹脂シート
【図１】
2005079498.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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