(57)【要約】【課題】柔軟かつ細かな分散補償を可変に行うことができるとともに、挿入損失が小さく使用帯域の透過特性に変化を与えることがない分散補償を可能に行うことができる可変分散補償器を提供すること。【解決手段】分散補償対象の光信号が、サーキュレータ３の入力ポートＰ１から入出力ポートＰ２、複数のエタロンを有するマルチキャビティエタロン５、入出力ポートおよびサーキュレータの出力ポートＰ３を介して形成された光路を経由し、ヒータ６による共振長の変化によって、マルチキャビティエタロン５の群遅延特性を変化させ、分散補償対象の光信号の分散特性を可変に補償する。【選択図】      図１
2005049532.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のエタロンを有するマルチキャビティエタロンと、
分散補償対象の光信号が入力される入力ポートと、前記マルチキャビティエタロンに対して分散補償対象の光信号の入出力を行う入出力ポートと、分散補償後の光信号を出力する出力ポートとを有するサーキュレータと、
前記複数のエタロンにおける共振長を変化させる共振長変化手段と、を備え、
前記分散補償対象の光信号が、前記入力ポート、前記入出力ポート、前記マルチキャビティエタロン、前記入出力ポート、および前記出力ポートを介して形成された光路を経由し、前記共振長変化手段による共振長の変化によって、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させ、前記分散補償対象の光信号の分散特性を可変に補償することを特徴とする可変分散補償器。
【請求項２】
複数のエタロンを有するマルチキャビティエタロンと、
分散補償対象の光信号が導波される第１光ファイバおよび前記マルチキャビティエタロンから反射した光信号が導波される第２光ファイバを備えるフェルールと、
前記フェルールと前記マルチキャビティエタロンとの間に配置され、前記第１光ファイバおよび第２光ファイバから入出射される光信号の光学的結合を行う結合レンズと、
前記複数のエタロンにおける共振長を変化させる共振長変化手段と、を備え、
前記分散補償対象の光信号が、前記第１光ファイバ、前記結合レンズ、前記マルチキャビティエタロン、前記結合レンズ、および前記第２光ファイバを介して形成された光路を経由し、前記共振長変化手段による共振長の変化によって、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させ、前記分散補償対象の光信号の分散特性を可変に補償することを特徴とする可変分散補償器。
【請求項３】
複数のエタロンを有するマルチキャビティエタロンと、
第１レンズを介して前記マルチキャビティエタロンに対して略対向配置され、前記マルチキャビティエタロンに分散補償対象の光信号を入力する光入力手段と、
第２レンズを介して前記マルチキャビティエタロンに対して略対向配置され、前記マルチキャビティエタロンから出力される分散補償後の光信号を受光して出力する光出力手段と、
前記複数のエタロンにおける共振長を変化させる共振長変化手段と、を備え、
前記分散補償対象の光信号が、前記光入力手段、前記第１レンズ、前記マルチキャビティエタロン、前記第２レンズ、および前記光出力手段を介して形成された光路を経由し、前記共振長変化手段による共振長の変化によって、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させ、前記分散補償対象の光信号の分散特性を可変に補償することを特徴とする可変分散補償器。
【請求項４】
前記マルチキャビティエタロンがオールパスフィルタ機能を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の可変分散補償器。
【請求項５】
前記マルチキャビティエタロンの一方の面は、９８％以上の反射率を有して前記光信号を反射し、
前記マルチキャビティエタロンの他方の面は、前記光信号が入出射される面であり、
前記マルチキャビティエタロンの他方の面への前記光信号の入射角度は４°以内であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の可変分散補償器。
【請求項６】
前記複数のエタロンの少なくとも１つは、前記分散補償対象の光信号の波長間隔と略同じ周波数周期間隔、前記分散補償対象の光信号の波長間隔の略整数倍の周波数周期間隔、あるいは、前記分散補償対象の光信号の波長間隔の１／Ｎ（Ｎは自然数）の周波数周期間隔を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の可変分散補償器。
【請求項７】
前記複数のエタロンは、それぞれ異なる温度特性を有する複数のエタロン板が積層されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の可変分散補償器。
【請求項８】
前記共振長変化手段は、
前記マルチキャビティエタロンに設けた電熱変換素子と、
前記電熱変換素子への通電量を制御する制御手段と、
を備え、前記電熱変換素子によって前記複数のエタロンにおけるそれぞれの共振長を個々に変化させ、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させることを特徴とする請求項７に記載の可変分散補償器。
【請求項９】
前記複数のエタロンは、隣接するエタロン間がエアギャップを介して平行に配置されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の可変分散補償器。
【請求項１０】
前記共振長変化手段は、
隣接するエタロン間を連結する複数の圧電素子と、
前記各圧電素子に印加される電圧を制御する制御手段と、
を備え、前記各圧電素子の物理的変化によって前記複数のエタロンにおけるそれぞれの共振長を変化させ、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させることを特徴とする請求項９に記載の可変分散補償器。
【請求項１１】
前記共振長変化手段は、
隣接するエタロン間に挿入された平行平板と、
前記各平行平板の傾斜量を制御する制御手段と、
を備え、前記複数の平行平板の傾斜によって前記複数のエタロンにおけるそれぞれの共振長を変化させ、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させることを特徴とする請求項９に記載の可変分散補償器。
【請求項１２】
前記共振長変化手段は、
前記エタロン板間に配置される複数の圧電素子と、
前記圧電素子に印加される電圧を制御する制御手段と、
を備え、前記各圧電素子の物理的変化によって前記複数のエタロンにおけるそれぞれの共振長を変化させ、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させることを特徴とする請求項９に記載の可変分散補償器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、群遅延の波長分散特性を可変に補償することができる可変分散補償器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のインターネットの普及によって、光通信システムには、大容量化と高速化とが求められており、大容量化と高速化とは波長多重による波長多重通信方式によって実現されている。一方、通信速度は、現在１０Ｇｎｐｓが達成されているが、次世代の光通信システムでは、４０Ｇｂｐｓの実現に向けて開発が進捗している。
【０００３】
通信速度が４０Ｇｂｐｓになると、光ファイバ中を伝搬する際の光の分散を無視することができず、この分散によって信号間干渉が発生し、誤りの増加を招来することになる。ここで、従来、群遅延の分散特性を補償するため、ファイバ型の固定分散補償器が用いられていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
このファイバ型の固定分散補償器では、図１８に示す分散特性を有する分散補償ファイバ（ＤＣＦ）１０２や分散シフトファイバ（ＤＳＦ）１０３が、シングルモードファイバ（ＳＭＦ）１０１間に挿入され、ＳＭＦ１０１で生じたあるいは生じる分散を補償するようにしていた。
【０００５】
一方、近年、多重反射（ＶＩＰＡ：Ｖｉｒｔｕａｌｌｙ  Ｉｍａｇｅｄ  Ｐｈａｓｅｄ  Ａｒｒａｙ）板を用いた可変分散補償器が提案されている。この可変分散補償器は、ＶＩＰＡ板による干渉効果を利用し、波長による物理的な光路差を利用して分散補償を行おうとするものである。
【０００６】
図１９は、ＶＩＰＡ板を用いた可変分散補償器の構成を示す図である。図１９において、分散補償すべき光信号は光サーキュレータ１１０を介して集光レンズ系１１１に入射され、ＶＩＰＡ板１１２に入力される。光信号は、ＶＩＰＡ板１１２で多重反射をするが、波長毎の反射方向が異なるようにＶＩＰＡ板１１２から出射される。出射された光信号は、反射ミラー１１３によって反射され、再度ＶＩＰＡ板１１２に入射するが、ＶＩＰＡ板１１２では、反射された光信号の入射位置によって多重反射回数が異なり、これによって波長毎の光路差が異なるようにして集光レンズ系に戻すようにしている。この結果、反射ミラー１１３の反射特性を変化させることによって所望の群遅延特性を得ることができるようにしている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平８−２０４２５８号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したファイバ型の固定分散補償器では、最適な分散量を得るために、大きさの違う複数の分散補償器を用意し、その都度、接続し直す必要があると共に、細かな分散補償ができないという問題点があった。
【０００９】
一方、ＶＩＰＡ板を用いた可変分散補償器は、構成部品が多く、構造が複雑である上に、挿入損失が大きく、しかも使用帯域内での波長毎の透過特性の大きさが異なるという問題点があった。
【００１０】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、柔軟かつ細かな分散補償を可変に行うことができるとともに、挿入損失が小さく使用帯域の透過特性に変化を与えることがない分散補償を可能に行うことができる可変分散補償器を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１に係る可変分散補償器は、複数のエタロンを有するマルチキャビティエタロンと、分散補償対象の光信号が入力される入力ポートと、前記マルチキャビティエタロンに対して分散補償対象の光信号の入出力を行う入出力ポートと、分散補償後の光信号を出力する出力ポートとを有するサーキュレータと、前記複数のエタロンにおける共振長を変化させる共振長変化手段とを備え、前記分散補償対象の光信号が、前記入力ポート、前記入出力ポート、前記マルチキャビティエタロン、前記入出力ポート、および前記出力ポートを介して形成された光路を経由し、前記共振長変化手段による共振長の変化によって、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させ、前記分散補償対象の光信号の分散特性を可変に補償することを特徴とする。
【００１２】
請求項１の発明によれば、複数のエタロンを有するマルチキャビティエタロンと、分散補償対象の光信号が入力される入力ポートと、前記マルチキャビティエタロンに対して分散補償対象の光信号の入出力を行う入出力ポートと、分散補償後の光信号を出力する出力ポートとを有するサーキュレータとを設け、共振長変化手段が、前記複数のエタロンにおける共振長を変化させ、前記分散補償対象の光信号が、前記入力ポート、前記入出力ポート、前記マルチキャビティエタロン、前記入出力ポート、および前記出力ポートを介して形成された光路を経由し、前記共振長変化手段による共振長の変化によって、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させることで、前記分散補償対象の光信号の分散特性を可変に補償するようにしている。
【００１３】
また、請求項２に係る可変分散補償器は、複数のエタロンを有するマルチキャビティエタロンと、分散補償対象の光信号が導波される第１光ファイバおよび前記マルチキャビティエタロンから反射した光信号が導波される第２光ファイバを備えるフェルールと、前記フェルールと前記マルチキャビティエタロンとの間に配置され、前記第１光ファイバおよび第２光ファイバから入出射される光信号の光学的結合を行う結合レンズと、前記複数のエタロンにおける共振長を変化させる共振長変化手段とを備え、前記分散補償対象の光信号が、前記第１光ファイバ、前記結合レンズ、前記マルチキャビティエタロン、前記結合レンズ、および前記第２光ファイバを介して形成された光路を経由し、前記共振長変化手段による共振長の変化によって、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させ、前記分散補償対象の光信号の分散特性を可変に補償することを特徴とする。
【００１４】
請求項２の発明によれば、複数のエタロンを有するマルチキャビティエタロンと、分散補償対象の光信号が導波される第１光ファイバおよび前記マルチキャビティエタロンから反射した光信号が導波される第２光ファイバを備えるフェルールと、前記フェルールと前記マルチキャビティエタロンとの間に配置され、前記第１光ファイバおよび第２光ファイバから入出射される光信号の光学的結合を行う結合レンズとを設け、共振長変化手段が、前記複数のエタロンにおける共振長を変化させ、前記分散補償対象の光信号が、前記第１光ファイバ、前記結合レンズ、前記マルチキャビティエタロン、前記結合レンズ、および前記第２光ファイバを介して形成された光路を経由し、前記共振長変化手段による共振長の変化によって、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させることで、前記分散補償対象の光信号の分散特性を可変に補償するようにしている。
【００１５】
また、請求項３に係る可変分散補償器は、複数のエタロンを有するマルチキャビティエタロンと、第１レンズを介して前記マルチキャビティエタロンに対して略対向配置され、前記マルチキャビティエタロンに分散補償対象の光信号を入力する光入力手段と、第２レンズを介して前記マルチキャビティエタロンに対して略対向配置され、前記マルチキャビティエタロンから出力される分散補償後の光信号を受光して出力する光出力手段と、前記複数のエタロンにおける共振長を変化させる共振長変化手段とを備え、前記分散補償対象の光信号が、前記光入力手段、前記第１レンズ、前記マルチキャビティエタロン、前記第２レンズ、および前記光出力手段を介して形成された光路を経由し、前記共振長変化手段による共振長の変化によって、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させ、前記分散補償対象の光信号の分散特性を可変に補償することを特徴とする。
【００１６】
請求項３の発明によれば、複数のエタロンを有するマルチキャビティエタロンと、前記マルチキャビティエタロンに対して第１レンズを介して略対向配置され、前記マルチキャビティエタロンに分散補償対象の光信号を入力する光入力手段とを設け、前記マルチキャビティエタロンに対して第２レンズを介して略対向配置される光出力手段が、前記マルチキャビティエタロンから出力される分散補償後の光信号を受光して出力させ、前記分散補償対象の光信号が、前記光入力手段、前記第１レンズ、前記マルチキャビティエタロン、前記第２レンズ、および前記光出力手段を介して形成された光路を経由し、前記共振長変化手段による共振長の変化によって、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させることによって、前記分散補償対象の光信号の分散特性を可変に補償するようにしている。
【００１７】
また、請求項４に係る可変分散補償器は、上記の発明において、前記マルチキャビティエタロンがオールパスフィルタ機能を有することを特徴とする。
【００１８】
請求項４の発明によれば、マルチキャビティエタロンをオールパスフィルタ機能を有するエタロンによって実現している。
【００１９】
請求項５に係る可変分散補償器は、上記の発明において、前記マルチキャビティエタロンの一方の面は、９８％以上の反射率を有して前記光信号を反射し、前記マルチキャビティエタロンの他方の面は、前記光信号が入出射される面であり、前記マルチキャビティエタロンの他方の面への前記光信号の入射角度は４°以内であることを特徴とする。
【００２０】
請求項５の発明によれば、前記マルチキャビティエタロンの他方の面への光信号の入射角度は４°以内に抑えられ、前記マルチキャビティエタロンの他方の面に対して入射した光信号は、前記マルチキャビティエタロンの一方の面において９８％以上の反射率で反射して他方の面から出射され、これによって光信号に群遅延特性を付与している。
【００２１】
請求項６に係る可変分散補償器は、上記の発明において、前記分散補償対象の光信号の波長間隔と略同じ周波数周期間隔、前記分散補償対象の光信号の波長間隔の略整数倍の周波数周期間隔、あるいは、前記分散補償対象の光信号の波長間隔の１／Ｎ（Ｎは自然数）の周波数周期間隔を有することを特徴とする。
【００２２】
請求項６の発明によれば、複数の波長において一括して分散を可変し、補償するようにしている。
【００２３】
請求項７に係る可変分散補償器は、上記の発明において、前記複数のエタロンは、それぞれ異なる温度特性を有する複数のエタロン板が積層されていることを特徴とする。
【００２４】
請求項７の発明によれば、複数のエタロン板の共振長を温度変化によって実現するようにしている。
【００２５】
請求項８に係る可変分散補償器は、上記の発明において、前記共振長変化手段は、前記マルチキャビティエタロンに設けた電熱変換素子と、前記電熱変換素子への通電量を制御する制御手段とを備え、前記電熱変換素子によって前記複数のエタロンにおけるそれぞれの共振長を個々に変化させ、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させることを特徴とする。
【００２６】
請求項８の発明によれば、共振長変化手段の制御手段が、電熱変換素子の温度を制御して、複数のエタロンにおけるそれぞれの共振長を個々に変化させ、マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させるようにしている。
【００２７】
請求項９に係る可変分散補償器は、上記の発明において、前記複数のエタロンは、隣接するエタロン間がエアギャップを介して平行に配置されていることを特徴とする。
【００２８】
請求項９の発明によれば、エアギャップによってキャビティが形成されるようにしている。
【００２９】
請求項１０に係る可変分散補償器は、上記の発明において、前記共振長変化手段は、隣接するエタロン間を連結する複数の圧電素子と、前記各圧電素子に印加される電圧を制御する制御手段とを備え、前記各圧電素子の物理的変化によって前記複数のエタロンにおけるそれぞれの共振長を変化させ、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させることを特徴とする。
【００３０】
請求項１０の発明によれば、共振長変化手段の制御手段が、各圧電素子に印加される電圧を制御し、複数のエタロンにおけるそれぞれの共振長を個々に変化させ、マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させるようにしている。
【００３１】
請求項１１に係る可変分散補償器は、上記の発明において、前記共振長変化手段は、隣接するエタロン間に挿入された平行平板と、前記各平行平板の傾斜量を制御する制御手段とを備え、前記複数の平行平板の傾斜によって前記複数のエタロンにおけるそれぞれの共振長を変化させ、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させることを特徴とする。
【００３２】
請求項１１の発明によれば、共振長変化手段の制御手段が、各平行平板の傾斜量を制御し、複数のエタロンにおけるそれぞれの共振長を変化させ、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させるようにしている。
【００３３】
請求項１２に係る可変分散補償器は、上記の発明において、前記共振長変化手段は、前記エタロン板間に配置される複数の圧電素子と、前記圧電素子に印加される電圧を制御する制御手段とを備え、前記各圧電素子の物理的変化によって前記複数のエタロンにおけるそれぞれの共振長を変化させ、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させることを特徴とする。
【００３４】
請求項１２の発明によれば、共振長変化手段の制御手段が、圧電素子に印加される電圧を制御し、複数のエタロンにおけるそれぞれの共振長を変化させ、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させるようにしている。
【００３５】
本明細書において、電熱変換素子は、電気エネルギーを熱エネルギーに変換しうる素子をいうものとする。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照して、この発明に係る可変分散補償器の好適な実施の形態について説明する。
【００３７】
（実施の形態１）
まず、この発明の可変分散補償器に係る実施の形態１について説明する。図１は、この発明の実施の形態１である可変分散補償器の構成を示す図である。図１において、可変分散補償器１は、光サーキュレータ３と、マルチキャビティエタロン５と、マルチキャビティエタロン５に設けたヒータ６と、ヒータ６に電力を供給する電源７と、ヒータ６に供給する電力の大きさを制御する温度制御部８とを有している。
【００３８】
図１において、入力端子Ｔ１から光ファイバ２に入力された光信号は、サーキュレータ３のポートＰ１に入力され、ポートＰ２から光路４を介してマルチキャビティエタロン５に出力される。マルチキャビティエタロン５において分散量が変更された光信号は、再び光路４を介してポートＰ２に戻り、ポートＰ３および光ファイバ９を介して出力端子Ｔ２に出力される。
【００３９】
ここで、マルチキャビティエタロン５は、２枚の平行平板のエタロン基板５ａ，５ｄを有し、エタロン基板５ａは、部分反射膜５ｂ，５ｃによって、エタロン基板５ｄは、部分反射膜５ｃと全反射膜５ｇによって、それぞれ両面が被覆されている。全反射膜５ｇのエネルギー反射率は１００％であり、部分反射膜５ｂ，５ｃのエネルギー反射率Ｒ１，Ｒ２は、それぞれ異なり、０．数％〜十数％程度である。このとき、２枚のエタロン基板５ａ，５ｄの少なくとも一方は、分散補償対象の光信号の波長間隔と略同じか略整数倍か、あるいは、１／自然数の周波数周期間隔を有するものとする。
【００４０】
光信号は、図２に示すように、部分反射膜５ｂ側からマルチキャビティエタロン５に垂直に入射し、部分反射膜５ｂと部分反射膜５ｃとの間、部分反射膜５ｃと全反射膜５ｇとの間における複雑な多重反射によって全てが入力側に戻される。このため、マルチキャビティエタロン５に入射した光信号は、それぞれのエタロン基板５ａ，５ｄの共振長（光学厚み）によって決まる所定波長間隔の周期的なピークを有する光として出力されると共に、共振長（光学厚み）によって決定される波長周期に対して周期的な位相遅延、即ち、波長に対する群遅延特性が与えられる。換言すれば、マルチキャビティエタロン５は、光信号を全て反射させ、位相のみを変化させるオールパスフィルタとしての機能を有する。但し、マルチキャビティエタロン５においては、複数のエタロンが相互に干渉することから、複雑な多重反射が生じ、共振長（光学厚み）と分散とが非線形な関係を呈する。
【００４１】
ここで、キャビティ数ｎのマルチキャビティエタロンに関し、入射面側から反射面側に至る各反射面の反射率をそれぞれｒ１，ｒ２，………，ｒｎ＋１とし、共振長（光学厚み）をｄ１，ｄ２，………，ｄｎとすると、入射光の波長をλとして、反射光の伝達関数Ｈｒ（λ）は、次式（１）で示される。
Ｈｒ（λ）＝−Ｂｎ（λ）／Ａｎ（λ）                                                                （１）
式（１）においてＡｎ（λ），Ｂｎ（λ）は、次式（２）で表される。
【数１】
2005049532.tif 000003
また、ｚは、ｊを虚数単位として次式（３）で表される。
ｚ＝ｅｘｐ（ｊ・２πｄ／λ）                                  （３）
伝達関数Ｈｒ（λ）においては、絶対値の二乗がエネルギー反射率、複素平面上における偏角が位相応答、位相応答の周波数微分の符号を逆にしたものが群遅延特性、群遅延特性をさらに波長で微分したものが波長分散特性である。
【００４２】
一方、エタロンにおける周波数周期間隔ＦＳＲ（Ｆｒｅｅ  Ｓｐｅｃｔｒａｌ  Ｒａｎｇｅ）と共振長（光学厚み）との関係は、ｃを光の速度として次式（４）で示される。実施の形態１の可変分散補償器１では、マルチキャビティエタロンにおける各キャビティの共振長ｄを式（４）のＦＳＲによって決まる計算値の近傍の値に設定した。
ｄ＝ｃ／（２×ＦＳＲ）                                      （４）
【００４３】
この実施の形態１では、マルチキャビティエタロン５のキャビティ数を２、光信号の中心波長λ０を１５５０ｎｍとし、波長λ０を中心として±０．１２ｎｍを使用波長帯域と設定した場合に、この使用波長帯域内で−５０〜＋５０ｐｓ／ｎｍの分散特性を有し、周波数周期間隔ＦＳＲが１００ＧＨｚとなる可変分散補償器を実現する。このような特性を有する可変分散補償器に関する、伝達関数Ｈｒ（λ）に基づく波長分散（ｐｓ／ｎｍ）と共振長ｄ（×λｎｍ）に関する計算結果を図３に示す。図３の（ａ）はエタロン基板５ａの計算結果であり、図３の（ｂ）はエタロン基板５ｄの計算結果である。
【００４４】
この計算においては、部分反射膜５ｂ，５ｃの各エネルギー反射率Ｒ１，Ｒ２を、光信号の入射側からそれぞれＲ１＝０．３１８％，Ｒ２＝１４．８％とし、各キャビティの共振長（光学厚み）は、分散特性が式（１），（２）に示した分散特性との間における二乗誤差が最小となるように非線形フィッティングによって求めた。したがって、図３より、エタロン基板５ａ，５ｄの共振長（光学厚み）ｄ１，ｄ２は、分散特性が０ｐｓ／ｎｍのとき、それぞれｄ１＝９６７．７８λ０、ｄ２＝９６７．５５λ０となる。また、分散特性が＋５０ｐｓ／ｎｍのときには、それぞれｄ１＝９６７．７２λ０、ｄ２＝９６７．６７λ０となる。分散特性が−５０ｐｓ／ｎｍのときには、それぞれｄ１＝９６７．７９λ０、ｄ２＝９６７．３３λ０となる。このように、マルチキャビティエタロン５においては、各キャビティの共振長ｄは、分散量によって連続した値となる。
【００４５】
したがって、可変分散補償器１は、マルチキャビティエタロン５における各キャビティの共振長ｄを変化させることによって、分散を連続させて可変することができる。このとき、各キャビティの共振長ｄを個別に変化させるには、マルチキャビティエタロン５のエタロン基板５ａ，５ｄを、それぞれ温度特性の異なる素材で構成し、ヒータ６に供給する電力の大きさを調整することで発熱量を制御すればよい。この場合、温度変化に伴う線膨張係数に基づく波長シフトの変化量が、それぞれ約−１０ｐｍ／Ｋおよび約＋２７ｐｓ／Ｋのエタロン基板５ａ，５ｄを用意すれば、２０Ｋ程度の温度範囲で図３に近い特性を実現することができる。なお、複数のエタロン基板によるマルチキャビティエタロンの構成は、オプティカルコンタクト等によって実現できる。
【００４６】
ここで、図４は、分散が＋５０ｐｓ／ｎｍ，＋２０ｐｓ／ｎｍ，０ｐｓ／ｎｍ，−２０ｐｓ／ｎｍ，−５０ｐｓ／ｎｍとなるように、各パラメータを設定して式（１）から求めた各分散毎における波長（ｎｍ）と群遅延特性（ｐｓ）との関係を示す。図５は、図４に示す使用波長帯域を中心として示す拡大図である。図５において、線Ｌ（＋５０），Ｌ（＋２０），Ｌ（０），Ｌ（−２０），Ｌ（−５０）は、分散がそれぞれ＋５０ｐｓ／ｎｍ，＋２０ｐｓ／ｎｍ，０ｐｓ／ｎｍ，−２０ｐｓ／ｎｍ，−５０ｐｓ／ｎｍの場合を示す。これらの線Ｌ（＋５０）〜Ｌ（−５０）は、波長に対して、ほぼ直線的な群遅延変化を示しているが、やや揺らいだ線となっている。
【００４７】
なお、マルチキャビティエタロン５は、サーキュレータ３などの部品によって相互干渉しないように結合される。また、マルチキャビティエタロン５は、２つのキャビティ、すなわち、２枚のエタロン基板５ａ，５ｄを用いているが、３つ以上のキャビティを用いてもよい。ただし、キャビティの数が少ないと、使用波長帯域における群遅延特性に一定のスロープ、すなわち分散を持たせようとしても、式（１）の伝達関数Ｈｒ（λ）に高次の項が残る。このため、群遅延特性は、使用波長帯域にリップルが生じ、一定のスロープを有する直線ではなく、うねった形になってしまう。このうねりは、光信号の伝送特性に悪影響を与え、分散補償が難しくなるため、極力抑えることが好ましい。一方、マルチキャビティエタロン５は、キャビティの数が多くなるほど、制御が難しくなる。しかし、マルチキャビティエタロン５は、キャビティ数を増すことで、実現できる分散量は変わらないが、うねりのないように、高次の項が少なくなるような設計が可能となる。
【００４８】
さらに、実施の形態１の可変分散補償器１は、マルチキャビティエタロン５の全反射膜５ｇにヒータ６を設けたが、これに限らず、たとえばペルチェ素子を用いるようにしてもよい。また、可変分散補償器１は、オールパスフィルタとしての機能を有するマルチキャビティエタロン５を用いて分散を補償するようにしているので、減衰が少ない可変分散補償器を実現することができる。
【００４９】
また、上述したマルチキャビティエタロン５に入射される光信号は、部分反射膜５ｂに垂直に入射されるものとしたが、数度程度の入射角であれば、オールパスフィルタとしての機能をほぼ発揮するので実用に値する。ただし、この場合、入射角に対応した光学厚みに設定する必要がある。
【００５０】
（実施の形態２）
つぎに、この発明の実施の形態２について説明する。上述した実施の形態１では、光サーキュレータ３を介してマルチキャビティエタロン５に光信号が入出射されるようにしていたが、この実施の形態２では、光サーキュレータ３を用いずに群遅延補償できるようにしている。
【００５１】
図６は、この発明の実施の形態２である可変分散補償器の構成を示す図である。図６において、この可変分散補償器１０は、実施の形態１に示したマルチキャビティエタロン５を有し、入力端子Ｔ１とフェルール１１との間は、光ファイバ２で接続され、フェルール１１と出力端子Ｔ２との間は、光ファイバ９で接続されている。また、フェルール１１とマルチキャビティエタロン５との間にはレンズ１２が配置されている。
【００５２】
レンズ１２は、たとえば焦点距離が１．８〜４．０ｍｍ程度、好ましくは３．０ｍｍの非球面レンズである。フェルール１１は、２本の光ファイバ２，９が取り付けられた２芯フェルールである。フェルール１１は、合成樹脂、ガラスあるいはジルコニアなどの材質によって形成される。ここで、光ファイバ２，９は、それぞれマルチキャビティエタロン５への入射角が０度に近づくように、１２７μｍのピッチで配置される。
【００５３】
フェルール１１は、図７に示すように円柱形の本体に長手方向に形成された２つのファイバ孔１１ａ，１１ｂを有する。フェルール１１は、レンズ１２側に配置される面において、光ファイバ２，９からの光信号が入射され、出射されるようになっていればよく、他方の面（光ファイバ２，９側）は、光ファイバ２，９を挿入するためのガイド孔などが形成されていてもよい。
【００５４】
なお、マルチキャビティエタロン５にはペルチェ素子１３が設けられ、このペルチェ素子１３は、温度制御部８による制御のもとに電源７が制御され、ペルチェ素子１３への通電方向および通電量が制御される。これによって、マルチキャビティエタロン５の群遅延特性が可変制御される。
【００５５】
ここで、入力端子Ｔ１から入射された光信号は、光ファイバ２を伝送されてレンズ１２に入射され、レンズ１２は、この信号光を集光してマルチキャビティエタロン５に入射する。レンズ１２は、マルチキャビティエタロン５から反射した光信号を再びレンズ１２で集光して光ファイバ９に入射し、出力端子Ｔ２から出射する。
【００５６】
この実施の形態２では、図８に示したように、出射用のファイバ孔１１ｂがフェルール１１の中心に位置し、入射用のファイバ孔１１ａがファイバ孔１１ｂからオフセット量ｗ分、ずれている。但し、フェルール１１は、図９に示すように、フェルール１１の断面の中心から対称に同量のオフセットを持たせ、ファイバ孔１１ａ，１１ｂ間がオフセット量ｗ分、離隔させるようにしてもよい。あるいは、図１０に示すフェルール１１のように、各ファイバ孔１１ａ，１１ｂをそれぞれ断面の中心から非対称にオフセット量ｗ１，ｗ２分ずらし、結果的にファイバ孔１１ａ，１１ｂ間がオフセット量ｗをもつようにしてもよい。
【００５７】
また、マルチキャビティエタロン５は、２つのキャビティ、すなわち、２枚のエタロン基板５ａ，５ｄを用いているが、３つ以上のキャビティを用いてもよい。
【００５８】
この実施の形態２の可変分散補償器１０によれば、光サーキュレータ３を用いずに可変分散補償することができ、分散補償対象の光信号が減衰しないので、低損失の可変分散補償器を実現できる。
【００５９】
（実施の形態３）
つぎに、この発明の実施の形態３について説明する。上述した実施の形態２では、フェルール１１に設けた光ファイバ２，９からマルチキャビティエタロン５に光信号が入出射されるようにして光サーキュレータ３を使用しないようにしたが、この実施の形態３では、光サーキュレータ３を用いず、マルチキャビティエタロン５によって直接、群遅延補償できるようにしている。
【００６０】
図１１は、この発明の実施の形態３である可変分散補償器の構成を示す図である。図１１において、この可変分散補償器２０は、実施の形態２におけるマルチキャビティエタロン５に設けたペルチェ素子１３、このペルチェ素子１３に電流を通電する電源７、およびペルチェ素子１３に対する電流量と通電方向とを制御する温度制御部８を有する。
【００６１】
図１１において、光ファイバ２１から入力された光信号は、光入力部２２からレンズ２３を介してマルチキャビティエタロン５に対して入射角θをもって入射される。この入射角θは、４°以内に収めるようにするとよい。実施の形態１でも述べたように、このマルチキャビティエタロン５をオールパスフィルタとして機能させるためには、光信号をマルチキャビティエタロン５に対して垂直に入射させる必要があるが、マルチキャビティエタロン５への入射角θを０°から４°以内に若干ずらしている。この結果、マルチキャビティエタロン５は完全なオールパスフィルタとして機能しないが、オールパスフィルタとほぼ同様な機能をもつことになる。また、この場合、光信号は、マルチキャビティエタロン５に対して斜めに入射されるため、実施の形態１におけるエタロン板５ａ，５ｄの光学厚みによる干渉と同じ効果を得るためには、入射角θに応じてエタロン板５ａ，５ｄの物理的厚みを大きくする必要がある。
【００６２】
このような構成において、光信号は、レンズ２３を介してマルチキャビティエタロン５に入射され、マルチキャビティエタロン５による群遅延特性による群遅延が与えられ、この群遅延が与えられた光信号は、レンズ２４を介して光出力部２５から光ファイバ２６に出力される。
【００６３】
この実施の形態３では、マルチキャビティエタロン５に対して光信号が斜めに入出力されるため、光出力がやや減衰するものの、光サーキュレータ３を用いていないため、全体的な光出力の減衰が少なくて済むとともに、簡易な構成で実現できる。
【００６４】
（実施の形態４）
つぎに、この発明の実施の形態４について説明する。上述した実施の形態１〜３のマルチキャビティエタロン５ではいずれも２枚のエタロン板５ａ，５ｄを用いていたが、この実施の形態４では、温度特性の異なる３枚のエタロン板５ａ，５ｄ，５ｆを用いている。
【００６５】
図１２は、この発明の実施の形態４である可変分散補償器に用いられるマルチキャビティエタロン５の構成を示す図である。図１２に示したマルチキャビティエタロン５は、エタロン板５ｄと全反射膜５ｇとの間に部分反射膜５ｅとエタロン板５ｆを配置することで、オールパスフィルタとしての機能を発揮しつつ、使用波長帯域における群遅延特性に一定のスロープ、すなわち分散を持たせようとしている。
【００６６】
マルチキャビティエタロン５は、３枚のエタロン板５ａ，５ｄ，５ｆにおける温度特性が異なる。このため、マルチキャビティエタロン５は、ペルチェ素子１３による温度制御によって３枚のエタロン板５ａ，５ｄ，５ｆの共振長（光学厚み）を個々に変化させることで、分散を連続させて可変することができる。したがって、この発明の実施の形態４である可変分散補償器は、式（１）の伝達関数Ｈｒ（λ）に高次の項が残らず、使用波長帯域における群遅延特性に一定のスロープ、すなわち分散を持った、分散補償特性に優れたものとなる。
【００６７】
（実施の形態５）
つぎに、この発明の実施の形態５について説明する。上述した実施の形態１〜４ではいずれもヒータ６やペルチェ素子１３を用いてマルチキャビティエタロン５におけるエタロン板５ａ，５ｄの共振長（光学厚み）を調整するようにしていたが、この実施の形態５では、ピエゾ素子を用いて共振長（光学厚み）を調整するようにしている。
【００６８】
図１３は、この発明の実施の形態５である可変分散補償器に用いられるマルチキャビティエタロン３０の構成を示す図である。マルチキャビティエタロン３０は、図１４に示すように、エタロン板５ａ，５ｄ，５ｆに代えて空気層であるエアギャップＧを用いて光信号の多重反射を行うようにしている。このマルチキャビティエタロン３０は、４枚の基板３１〜３４と３つのピエゾ素子３５〜３７を有している。基板３１〜３３は、光信号入射側に反射防止膜３１ａ〜３３ａが、光信号出射側に部分反射膜３１ｂ〜３３ｂが、それぞれ設けられ、基板３４は、光信号入射側に全反射膜３４ａが設けられている。そして、基板３１〜３３は、それぞれ隣接する他の基板との間にエアギャップＧを介してピエゾ素子３５〜３７によって基板３４と連結されている。したがって、マルチキャビティエタロン３０は、これらの部分反射膜３１ｂ〜３３ｂ、エアギャップＧおよび全反射膜３４ａによってマルチキャビティエタロン５と同様に、オールパスフィルタとしての機能を発揮することになる。
【００６９】
ここで、反射防止膜３１ａ〜３３ａは、部分反射膜３１ｂ〜３３ｂや全反射膜３４ａとの多重反射による干渉を防止するためにコーティングされる。各ピエゾ素子３５〜３７は、電圧付加部３８を介して電圧制御部３９と接続され、電圧制御部３９の制御のもとに、電圧付加部３８は各ピエゾ素子３５〜３７に電圧を印加する。各ピエゾ素子３５〜３７は、印加された電圧に応じ、圧電効果によって光信号の入出射方向、すなわち矢印Ａ方向に変位する。この結果、マルチキャビティエタロン３０を用いた実施の形態５である可変分散補償器は、基板３１〜３３が全反射膜３４ａを設けた基板３４に対して矢印Ａ方向に移動し、エアギャップＧの間隔を変化させることで、共振長（光学厚み）を調整し、図４に示すような群遅延特性が設定される。
【００７０】
この実施の形態５では、ヒータ６やペルチェ素子１３に代えてピエゾ素子３５〜３７を用いて多重反射の間隔、すなわち共振長（光学厚み）を変化させるようにしているので、群遅延特性の設定時に、加熱に伴う他の光学素子への影響をなくすことができる。
【００７１】
ここで、マルチキャビティエタロン３０は、ピエゾ素子３５〜３７のいずれか１つを使用することなく、基板３１〜３３のいずれか１つを省略すれば、キャビティ数を２つにすることができ、制御が容易になる。
【００７２】
（実施の形態６）
つぎに、この発明の実施の形態６について説明する。上述した実施の形態５ではピエゾ素子３５〜３７を用いてマルチキャビティエタロン３０における共振長（光学厚み）を調整するようにしていたが、この実施の形態６では、温度特性の異なるスペーサを用いて共振長（光学厚み）を調整するようにしている。
【００７３】
図１５は、この発明の実施の形態６である可変分散補償器に用いられるマルチキャビティエタロン４０の構成を示す図である。マルチキャビティエタロン４０は、図１５に示すように、４枚の基板３１〜３４のそれぞれの間に線膨張係数等の温度特性が異なるスペーサ４１〜４３を配置してエアギャップＧが形成されている。基板３１〜３３は、光信号入射側に反射防止膜３１ａ〜３３ａが、光信号出射側に部分反射膜３１ｂ〜３３ｂが、それぞれ設けられ、基板３４は、光信号入射側に全反射膜３４ａが設けられている。そして、基板３１〜３３は、それぞれ隣接する他の基板との間にエアギャップＧを介してピエゾ素子３５〜３７によって基板３４と連結されている。したがって、マルチキャビティエタロン４０は、これらの部分反射膜３１ｂ〜３３ｂ、エアギャップＧおよび全反射膜３４ａによってマルチキャビティエタロン５と同様に、オールパスフィルタとしての機能を発揮することになる。
【００７４】
スペーサ４１〜４３は、下部にヒータ６が設けられ、ヒータ６による加熱によって基板３１〜３４を光信号の入出射方向に変位させる。ヒータ６は、電源７を介して温度制御部８と接続され、電源７から供給される電力の大きさが温度制御部８によって制御されている。この結果、マルチキャビティエタロン４０を用いた実施の形態６である可変分散補償器は、基板３１〜３３が全反射膜３４ａを設けた基板３４に対して矢印Ａ方向に移動し、エアギャップＧの間隔を変化させることで、共振長（光学厚み）を調整し、図４に示すような群遅延特性が設定される。
【００７５】
この実施の形態６では、スペーサ４１〜４３をヒータ６で加熱することで多重反射の間隔、すなわち共振長（光学厚み）を変化させるようにしているので、群遅延特性の設定、言い換えると、分散の補償を一括して行うことができる。
【００７６】
ここで、マルチキャビティエタロン４０は、スペーサ４１〜４３のいずれか１つを使用することなく、基板３１〜３３のいずれか１つを省略すれば、キャビティ数を２つにすることができ、制御が容易になる。
【００７７】
（実施の形態７）
つぎに、この発明の実施の形態７について説明する。上述した実施の形態１〜６では、いずれも電源を用い、ヒータ６、ペルチェ素子１３あるいはピエゾ素子３５〜３７に通電し続けることによってマルチキャビティエタロンの光学厚みを設定するようにしていたが、この実施の形態７では光学厚みを機械的に設定するようにしている。
【００７８】
図１６は、この発明の実施の形態７である可変分散補償器に用いられるエタロンの構成を示す図である。図１７は、マルチキャビティエタロン５０の動作に伴う共振長の変化を示す図である。図１６に示したマルチキャビティエタロン５０は、実施の形態６に示したマルチキャビティエタロン４０と同じである。ただし、マルチキャビティエタロン５０は、スペーサ４１〜４３を取り除き、エアギャップＧ間にソリッドエタロンである平行平板５１〜５３が挿入され、この平行平板５１〜５３を回転駆動する回転駆動部５４および回転駆動部５４の制御を行う回転制御部５５を有している。平行平板５１〜５３の両面には、部分反射膜３１ｂ〜３３ｂや全反射膜３４ａとの多重反射による干渉を防止するために、反射防止処理が施されている。マルチキャビティエタロン５０は、平行平板５１〜５３の光学厚みを考慮して、各エアギャップＧの物理的厚みが決定され、各エアギャップＧにそれぞれ平行平板５１〜５３が固定配置される。
【００７９】
ここで、平行平板５１〜５３は、矢印Ｂ方向に回動可能である。マルチキャビティエタロン５０は、図１７に示すように、各平行平板５１〜５３の傾斜量によって光信号の入出射方向に対する光路長が変化し、部分反射膜３１ｂ〜３３ｂや全反射膜３４ａの間の光学厚みが変化する。これによって、実施の形態７である可変分散補償器では、マルチキャビティエタロン５０に関して所望の群遅延特性を設定して、分散を可変に補償することができるようになる。
【００８０】
この実施の形態７では、ヒータ６、ペルチェ素子１３あるいはピエゾ素子３５〜３７のように電流あるいは電圧を常時印加する必要がなく、一度、光学厚みを設定した後は、大きな経時変化を伴わずに、設定した光学厚みを安定して維持することができる。また、マルチキャビティエタロン５０は、例えば、基板３１および平行平板５１を削除し、回転駆動部５４によって平行平板５２，５３を駆動するようにすれば、キャビティの数を２つにすることができる。
【００８１】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１の発明によれば、複数のエタロンを有するマルチキャビティエタロンと、前記マルチキャビティエタロンに対して分散補償対象の光信号を入出力する入出力ポートと、分散補償対象の光信号が入力される入力ポートと、分散補償後の光信号が出力される出力ポートとを有するサーキュレータと、前記複数のエタロンにおける共振長を変化させる共振長変化手段とを備え、前記分散補償対象の光信号が、前記入力ポート、前記入出力ポート、前記マルチキャビティエタロン、前記入出力ポート、および前記出力ポートを介して形成された光路を経由し、前記共振長変化手段による共振長の変化によって、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させ、前記分散補償対象の光信号の分散特性を可変に補償するようにしたので、柔軟かつ細かな分散補償を可変に行うことができるとともに、挿入損失が小さく使用帯域の透過特性に変化を与えることがない分散補償を可能に行うことができる可変分散補償器を提供することができるという効果を奏する。
【００８２】
請求項２の発明によれば、複数のエタロンを有するマルチキャビティエタロンと、分散補償対象の光信号が導波される第１光ファイバおよび前記マルチキャビティエタロンから反射した光信号が導波される第２光ファイバを備えるフェルールと、前記フェルールと前記マルチキャビティエタロンとの間に配置され、前記第１光ファイバおよび第２光ファイバから入出射される光信号の光学的結合を行う結合レンズと、前記複数のエタロンにおける共振長を変化させる共振長変化手段とを備え、前記分散補償対象の光信号が、前記第１光ファイバ、前記結合レンズ、前記マルチキャビティエタロン、前記結合レンズ、および前記第２光ファイバを介して形成された光路を経由し、前記共振長変化手段による共振長の変化によって、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させ、前記分散補償対象の光信号の分散特性を可変に補償するようにしたので、柔軟かつ細かな分散補償を可変に行うことができるとともに、挿入損失が小さく使用帯域の透過特性に変化を与えることがない分散補償を可能に行うことができる可変分散補償器を提供することができるうえ、光サーキュレータを用いないので、さらに低損失の可変分散補償器を実現できるという効果を奏する。
【００８３】
請求項３の発明によれば、複数のエタロンを有するマルチキャビティエタロンと、前記マルチキャビティエタロンに対して第１レンズを介して略対向配置され、前記マルチキャビティエタロンに分散補償対象の光信号を入力する光入力手段と、前記マルチキャビティエタロンに対して第２レンズを介して略対向配置され、前記マルチキャビティエタロンから出力される分散補償後の光信号を受光して出力する光出力手段と、前記複数のエタロンにおける共振長を変化させる共振長変化手段とを備え、前記分散補償対象の光信号が、前記光入力手段、前記第１レンズ、前記マルチキャビティエタロン、前記第２レンズ、および前記光出力手段を介して形成された光路を経由し、前記共振長変化手段による共振長の変化によって、前記マルチキャビティエタロンの群遅延特性を変化させ、前記分散補償対象の光信号の分散特性を可変に補償するようにしたので、柔軟かつ細かな分散補償を可変に行うことができるとともに、挿入損失が小さく使用帯域の透過特性に変化を与えることがない分散補償を可能に行うことができる可変分散補償器を提供することができるうえ、光出力がやや減衰するものの、光サーキュレータを用いていない分、全体的な光出力の減衰が少なくて済むとともに、簡易な構成で可変分散補償器を実現できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１である可変分散補償器の構成を示す図である。
【図２】図１に示すマルチキャビティエタロンの動作を示す図である。
【図３】図１に示したマルチキャビティエタロンにおいて、伝達関数から算出した各エタロンの分散と共振長との関係を示す図である。
【図４】図１に示したマルチキャビティエタロンの群遅延特性を分散量毎に算出した図である。
【図５】図４に示した使用波長帯域における可変群遅延特性の拡大図である。
【図６】この発明の実施の形態２である可変分散補償器の構成を示す図である。
【図７】図６に示したフェルールの構成を示す斜視図である。
【図８】図６に示したフェルールの一対のファイバ孔の位置関係を示す正面図である。
【図９】図６に示したフェルールの一対のファイバ孔の位置関係の第１変形例を示す正面図である。
【図１０】図６に示したフェルールの一対のファイバ孔の位置関係の第２変形例を示す正面図である。
【図１１】この発明の実施の形態３である可変分散補償器の構成を示す図である。
【図１２】この発明の実施の形態４である可変分散補償器に用いられるマルチキャビティエタロンの構成を示す図である。
【図１３】この発明の実施の形態５である可変分散補償器に用いられるマルチキャビティエタロンの構成を示す図である。
【図１４】図１３に示すマルチキャビティエタロンの動作を示す図である。
【図１５】この発明の実施の形態６である可変分散補償器に用いられるマルチキャビティエタロンの構成を示す図である。
【図１６】この発明の実施の形態７である可変分散補償器に用いられるマルチキャビティエタロンの構成を示す図である。
【図１７】図１６のマルチキャビティエタロンの動作に伴う共振長の変化を示す図である。
【図１８】従来の固定型の分散補償器に用いられるファイバの群遅延特性を示す図である。
【図１９】従来のＶＩＰＡ板を用いた可変分散補償器の構成を示す図である。
【符号の説明】
１  可変分散補償器
２，９  光ファイバ
３  光サーキュレータ
４  光路
５  マルチキャビティエタロン
５ａ，５ｄ，５ｆ  エタロン基板
５ｂ，５ｃ，５ｅ  部分反射膜
５ｇ  全反射膜
６  ヒータ
７  電源
８  温度制御部
１０  可変分散補償器
１１  フェルール
１２  レンズ
１３  ペルチェ素子
２１，２６  光ファイバ
２２  光入力部
２３，２４  レンズ
２５  光出力部
３０  マルチキャビティエタロン
３１〜３４  基板
３１ａ〜３３ａ  反射防止膜
３１ｂ〜３３ｂ  部分反射膜
３４ａ  全反射膜
３５〜３７  ピエゾ素子
３８  電圧付加部
３９  電圧制御部
４０  マルチキャビティエタロン
４１〜４３  スペーサ
５０  マルチキャビティエタロン
５１〜５３  平行平板
５４  回転駆動部
５５  回転制御部
Ｇ  エアギャップ
Ｌ（＋５０），Ｌ（＋２０），Ｌ（０），Ｌ（−２０），Ｌ（−５０）    線
Ｐ１〜Ｐ３    ポート
Ｔ１    入力端子
Ｔ２    出力端子
【図１】
2005049532.tif 000004
【図２】
2005049532.tif 000005
【図３】
2005049532.tif 000006
【図４】
2005049532.tif 000007
【図５】
2005049532.tif 000008
【図６】
2005049532.tif 000009
【図７】
2005049532.tif 000010
【図８】
2005049532.tif 000011
【図９】
2005049532.tif 000012
【図１０】
2005049532.tif 000013
【図１１】
2005049532.tif 000014
【図１２】
2005049532.tif 000015
【図１３】
2005049532.tif 000016
【図１４】
2005049532.tif 000017
【図１５】
2005049532.tif 000018
【図１６】
2005049532.tif 000019
【図１７】
2005049532.tif 000020
【図１８】
2005049532.tif 000021
【図１９】
2005049532.tif 000022