(57)【要約】【課題】金属表面上での分子間相互作用解析において障害となる非特異的な相互作用を排除、抑制するとともに分子間の特異的な相互作用を増強する方法の提供を目的とする。【解決手段】金属表面に固定化されたリガンドに対するターゲット分子の探索あるいは当該リガンドとターゲット分子との相互作用を解析する方法であって、リガンドの金属表面への固定化が親水性スペーサーを介して実施されることを特徴とする方法。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を解析する過程において、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことを特徴とする、リガンドおよび／または金属表面とターゲット分子以外の分子との非特異的な相互作用を抑制する方法。
【請求項２】
リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を解析する過程において、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことを特徴とする、リガンドとターゲット分子との特異的な相互作用を増強する方法。
【請求項３】
リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を解析する過程において、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことを特徴とする、リガンドおよび／または金属表面とターゲット分子以外の分子との非特異的な相互作用を抑制し、且つリガンドとターゲット分子との特異的な相互作用を増強する方法。
【請求項４】
リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を用いてターゲット分子を選別する過程において、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことを特徴とする、リガンドおよび／または金属表面とターゲット分子以外の分子との非特異的な相互作用を抑制する方法。
【請求項５】
リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を用いてターゲット分子を選別する過程において、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことを特徴とする、リガンドとターゲット分子との特異的な相互作用を増強する方法。
【請求項６】
リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を用いてターゲット分子を選別する過程において、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことを特徴とする、リガンドおよび／または金属表面とターゲット分子以外の分子との非特異的な相互作用を抑制し、且つリガンドとターゲット分子との特異的な相互作用を増強する方法。
【請求項７】
金属表面の疎水的性質を低減させる処理が、リガンドの金属表面への固定化の際にそれらの間に親水性スペーサーを導入することである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
親水性スペーサーが、金属表面およびリガンドと結合した状態で以下の特徴の少なくともいずれか１つを有するものである、請求項７記載の方法：
（１）水素結合アクセプター数が６以上である、
（２）水素結合ドナー数が５以上である、
（３）水素結合アクセプター数および水素結合ドナー数の総計が９以上である。
【請求項９】
さらに、親水性スペーサーがその分子中にカルボニル基を１以上有するものである、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
さらに、親水性スペーサーが水溶液中で電荷的に陽性あるいは陰性になる官能基を有さないことを特徴とする、請求項８または９記載の方法。
【請求項１１】
リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を解析する方法であって、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことにより、リガンドおよび／または金属表面とターゲット分子以外の分子との非特異的な相互作用を抑制することを特徴とする方法。
【請求項１２】
リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を解析する方法であって、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことにより、リガンドとターゲット分子との特異的な相互作用を増強することを特徴とする方法。
【請求項１３】
リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を解析する方法であって、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことにより、リガンドおよび／または金属表面とターゲット分子以外の分子との非特異的な相互作用を抑制し、且つリガンドとターゲット分子との特異的な相互作用を増強することを特徴とする方法。
【請求項１４】
リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を用いて、ターゲット分子を選別する方法であって、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことにより、リガンドおよび／または金属表面とターゲット分子以外の分子との非特異的な相互作用を抑制することを特徴とする方法。
【請求項１５】
リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を用いて、ターゲット分子を選別する方法であって、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことにより、リガンドとターゲット分子との特異的な相互作用を増強することを特徴とする方法。
【請求項１６】
リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を用いて、ターゲット分子を選別する方法であって、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことにより、リガンドおよび／または金属表面とターゲット分子以外の分子との非特異的な相互作用を抑制し、且つリガンドとターゲット分子との特異的な相互作用を増強することを特徴とする方法。
【請求項１７】
金属表面の疎水的性質を低減させる処理が、リガンドの金属表面への固定化の際にそれらの間に親水性スペーサーを導入することである、請求項１１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
親水性スペーサーが、金属表面およびリガンドと結合した状態で以下の特徴の少なくともいずれか１つを有するものである、請求項１７記載の方法：
（１）水素結合アクセプター数が６以上である、
（２）水素結合ドナー数が５以上である、
（３）水素結合アクセプター数および水素結合ドナー数の総計が９以上である。
【請求項１９】
さらに、親水性スペーサーがその分子中にカルボニル基を１以上有するものである、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
さらに、親水性スペーサーが水溶液中で電荷的に陽性あるいは陰性になる官能基を有さないことを特徴とする、請求項１８または１９記載の方法。
【請求項２１】
リガンドに対して特異的な相互作用を有するターゲット分子のスクリーニング方法であって、少なくとも以下の工程を含む方法：
（１）リガンドを金属表面に親水性スペーサーを介して固定化する工程、
（２）ターゲット分子を含むかまたは含まない試料を上記（１）で得られたリガンドが固定化された金属表面に接触させる工程、
（３）リガンドに特異的な相互作用を示したか、または示さなかった分子を同定し、解析する工程、および
（４）上記（３）で得られた解析結果に基づいて、リガンドに対して特異的な相互作用を有する分子をターゲット分子であると判断する工程。
【請求項２２】
親水性スペーサーが、金属表面およびリガンドと結合した状態で以下の特徴の少なくともいずれか１つを有するものである、請求項２１記載の方法：
（１）水素結合アクセプター数が６以上である、
（２）水素結合ドナー数が５以上である、
（３）水素結合アクセプター数および水素結合ドナー数の総計が９以上である。
【請求項２３】
さらに、親水性スペーサーがその分子中にカルボニル基を１以上有するものである、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
さらに、親水性スペーサーが水溶液中で電荷的に陽性あるいは陰性になる官能基を有さないことを特徴とする、請求項２２または２３記載の方法。
【請求項２５】
親水性スペーサーが以下の式（Ｉａ）〜（Ｉｅ）からなる群より選択されるいずれか１つの式で表される部分構造を少なくとも１つ有するものである、請求項７〜１０、１７〜２４のいずれか１項に記載の方法：
【化１】
2005049157.tif 000034
（式（Ｉａ）中、
Ａは適当な連結基であり、
Ｘ１〜Ｘ３はそれぞれ同一または異なって単結合あるいは炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基で置換されていてもよいメチレン基であり、
Ｒ１〜Ｒ７はそれぞれ同一または異なって水素原子、炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基、−ＣＨ２ＯＨあるいは水酸基であり、
ｍは０〜２の整数であり、ｍ’は０〜１０の整数であり、ｍ”は０〜２の整数であり、
Ｒ３〜Ｒ７が複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｘ３が複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよく；
式（Ｉｂ）中、
ｎおよびｎ’はそれぞれ同一または異なって１〜１０００の整数であり；
式（Ｉｃ）中、
ｐ、ｐ’およびｐ”はそれぞれ同一または異なって１〜１０００の整数であり；
式（Ｉｄ）中、
Ｘ４は単結合あるいは炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基で置換されていてもよいメチレン基であり、
Ｒ８〜Ｒ１０はそれぞれ同一または異なって水素原子、炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基、−ＣＨ２ＯＨあるいは水酸基であり、
ｑは１〜７の整数であり、
Ｒ８が複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｘ４が複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよく；
式（Ｉｅ）中、
Ｒ１１〜Ｒ１６はそれぞれ同一または異なって水素原子、炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基、−ＣＨ２ＯＨあるいは水酸基であり、
ｒは１〜１０の整数であり、ｒ’は１〜５０の整数であり、
Ｒ１１〜Ｒ１６がそれぞれ複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよい）。
【請求項２６】
親水性スペーサーが式（Ｉａ）〜（Ｉｅ）からなる群より選択されるいずれか１つの式で表される部分構造を２つ以上有するものである、請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
リガンドが固定化された固相担体であって、当該固相担体が金属であり、且つ該金属とリガンドとの間に親水性スペーサーが介在することを特徴とする、固相担体。
【請求項２８】
親水性スペーサーが式（Ｉａ）〜（Ｉｅ）からなる群より選択されるいずれか１つの式で表される部分構造を少なくとも１つ有するものである、請求項２７記載の固相担体：
【化２】
2005049157.tif 000035
（式（Ｉａ）中、
Ａは適当な連結基であり、
Ｘ１〜Ｘ３はそれぞれ同一または異なって単結合あるいは炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基で置換されていてもよいメチレン基であり、
Ｒ１〜Ｒ７はそれぞれ同一または異なって水素原子、炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基、−ＣＨ２ＯＨあるいは水酸基であり、
ｍは０〜２の整数であり、ｍ’は０〜１０の整数であり、ｍ”は０〜２の整数であり、
Ｒ３〜Ｒ７が複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｘ３が複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよく；
式（Ｉｂ）中、
ｎおよびｎ’はそれぞれ同一または異なって１〜１０００の整数であり；
式（Ｉｃ）中、
ｐ、ｐ’およびｐ”はそれぞれ同一または異なって１〜１０００の整数であり；
式（Ｉｄ）中、
Ｘ４は単結合あるいは炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基で置換されていてもよいメチレン基であり、
Ｒ８〜Ｒ１０はそれぞれ同一または異なって水素原子、炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基、−ＣＨ２ＯＨあるいは水酸基であり、
ｑは１〜７の整数であり、
Ｒ８が複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｘ４が複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよく；
式（Ｉｅ）中、
Ｒ１１〜Ｒ１６はそれぞれ同一または異なって水素原子、炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基、−ＣＨ２ＯＨあるいは水酸基であり、
ｒは１〜１０の整数であり、ｒ’は１〜５０の整数であり、
Ｒ１１〜Ｒ１６がそれぞれ複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよい）。
【請求項２９】
金属が金である、請求項２７または２８記載の固相担体。
【請求項３０】
リガンドと金属表面との間への親水性スペーサーの導入を確認するための方法であって、リガンドの金属表面への固定化の際にそれらの間に親水性スペーサーを導入する工程において、親水性スペーサーに由来する保護基が脱保護されることによって生じる脱離基を検出することを含む方法。
【請求項３１】
脱離基の検出が質量分析を用いて実施される、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
保護基が９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基である、請求項３０記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固相担体を用いた分子間相互作用における基盤技術に関する。より詳しくは、解析を目的とする分子を金属表面に固定化し、当該金属表面上での分子間相互作用を利用し、当該相互作用を測定、解析することによって、解析を目的とする分子に特異的な相互作用を有する分子を選別、精製する、あるいは分子間の特異的な相互作用を解析する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、分子間相互作用を基盤とした手法を用い、ある特定の分子に特異的な相互作用を有する分子を探索する試み、あるいは分子間相互作用を詳細に検討する研究が盛んに行われている。これは具体的には、低分子−低分子、低分子−高分子、あるいは高分子−高分子の組み合わせのうちの片方の分子を固相担体に固定し、両分子間の相互作用を測定する研究、あるいはそれに基づいて目的とするターゲット分子（固相担体に固定化した分子に特異的な相互作用を有する分子）を精製する研究に代表される。分子間相互作用を基盤とした各種手法の例としては、後者の例としての１）アフィニティー樹脂を用いたターゲット研究、前者の例としての２）表面プラズモン共鳴（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｐｌａｓｍｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｓｅ：ＳＰＲ）を応用した方法が有名である。１）の例としては、１９８９年のシュライバー教授によるアフィニティー樹脂を用いた免疫抑制剤ＦＫ５０６の結合タンパク質ＦＫＢＰ（ＦＫ５０６  ｂｉｎｄｉｎｇ  ｐｒｏｔｅｉｎｓ）の発見（ＦＫ５０６の細胞内結合タンパク質としてのＦＫＢＰ１２の発見；例えば非特許文献１参照）、および引き続き行われたＦＫ５０６−ＦＫＢＰ複合体によるＦＫ５０６薬効メカニズムにおけるカルシニューリン阻害作用の発見（例えば非特許文献２参照）や、抗癌剤Ｔｒａｐｏｘｉｎのターゲットタンパク質としてのＨＤＡＣ（例えば非特許文献３参照）発見等が有名である。また２）の例としては、固相担体として金薄膜を利用し、化合物あるいはタンパク質等とそれと特異的に相互作用するタンパク質等との相互作用を詳細に検討できるＢＩＡＣＯＲＥ（商品名）が有名である。
【０００３】
しかし、これまでに上記手法において、１）アフィニティー樹脂を用いたターゲット探索においてはアフィニティー樹脂に結合したタンパク質をＳＤＳゲル等で解析する際に特異的タンパク質を覆い隠すような非特異的タンパク質が存在し、特異的タンパク質の検出が困難になる、あるいは２）ＢＩＡＣＯＲＥ等を用いた解析においては、大きな非特異的タンパク吸着に起因するピークの存在により特異的タンパク結合によるピーク判別が困難になる等、特異的な分子間相互作用に基づく選別、精製の障害となる非特異的な分子間相互作用の存在が問題となってきた。これらは、重要な基盤技術である固相担体、詳しくは固相担体の表面の性状が原因と経験上考えられてきたが、どのような性状が非特異的な相互作用の要因となっているのか、また当該非特異分子間相互作用を効率的に抑制する方法は明確に知られていないのが現状である。例えばＴｅｎｔａＧｅｌ（Ｆｌｕｋａ社、Ｃａｔ．  Ｎｏ＝８６３６４）等一部の樹脂はＰＥＧスペーサーを有する化学的・物理的に安定でかつアフィニティークロマト用樹脂としても使用されているが（例；Ｔｈｏｒｐｅ  ＤＳ，  Ｗａｌｌｅ  Ｓ．，  Ｃｏｍｂｉｎａｔｏｒｉａｌ  ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｄｅｆｉｎｅｓ  ｇｅｎｅｒａｌ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  ｌｉｎｋｅｒｓ  ｆｏｒ  ｔｈｅ  ｏｐｔｉｍａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｏｆ  ｐｅｐｔｉｄｅ  ｌｉｇａｎｄｓ  ｆｏｒ  ｂｉｎｄｉｎｇ  ｓｏｌｕｂｌｅ  ｐｒｏｔｅｉｎ  ｔａｒｇｅｔｓ  ｔｏ  ＴｅｎｔａＧｅｌ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｉｃ  ｂｅａｄｓ．，  Ｂｉｏｃｈｅｍ  Ｂｉｏｐｈｙｓ  Ｒｅｓ  Ｃｏｍｍｕｎ  ２０００  Ｍａｒ  １６；２６９（２）：５９１−５；非特許文献４参照）、非特異的な相互作用の抑制にどのような構造がどのように寄与しているのか等の基礎的な技術は知られないできているし、その非特異的な相互作用がどの程度抑制されているかあるいはアフィニティー樹脂として十分機能しているのかについての情報も充分でないのが現状である。そのようなＰＥＧスペーサーとしては上記したＴｅｎｔａＧｅｌやＡｒｇｏＧｅｌ（Ａｒｇｏｎａｕｔ社）が市販されている。これらの構造は下記の通りである。
【０００４】
【化３】
2005049157.tif 000002
【０００５】
また、親水的な性質を有する糖誘導体から構成される樹脂（例えば、アフィゲル（ＡｆｆｉＧｅｌ；Ｂｉｏ−Ｒａｄ社、Ｃａｔ．  Ｎｏ＝１５３−２４０１）やセファロース誘導体（ファルマシア社、ＥＣＨ  Ｓｅｐｈａｒｏｓｅ  ４Ｂ、Ｃａｔ．  Ｎｏ＝１７−０５７１−０１）等が知られている）は、非特異的な分子間相互作用は小さいものの、糖誘導体であるため物理的・化学的に不安定でありその使用は制限されるものであった。
【０００６】
上記分子間相互作用を基盤とした手法において、非特異的な相互作用を人為的に抑制することが可能となれば、得られた結果が特異的タンパク結合によるものかあるいは非特異的タンパク吸着によるものかの検定をする必要がなくなり、両者の区別が現実的に不可能であためによる研究の中断の機会が減少するばかりでなく、使用するタンパク質等の必要量も大幅に削減でき時間的側面、労力的側面においても大幅なコスト削減が可能となる等、これらの手法の適応は一段と増すと考えられる。
【０００７】
【非特許文献１】
「ネイチャー（Ｎａｔｕｒｅ）」，（英国），１９８９年１０月２６日，第３４１巻，ｐ．７５８−７６０
【非特許文献２】
「セル（Ｃｅｌｌ）」，（米国），１９９１年８月２３日，第６６巻，第４号，ｐ．８０７−８１５
【非特許文献３】
「サイエンス（Ｓｃｉｅｎｃｅ）」，（米国），１９９６年４月１９日，第２７２巻，ｐ．４０８−４１１
【非特許文献４】
「バイオケミカル  アンド  バイオフィジカル  リサーチ  コミュニケーションズ（Ｂｉｏｃｈｅｍｉｃａｌ  ａｎｄ  Ｂｉｏｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）」，（米国），２０００年３月１６日，第２６９巻，第２号，ｐ．５９１−５９５
【非特許文献５】
「アドバンスド  ドラッグ  デリバリー  レビューズ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｄｒｕｇ  Ｄｅｌｉｖｅｒｙ  Ｒｅｖｉｅｗｓ）」，（オランダ国），１９９７年，第２３巻，ｐ．３−２５
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、特に金属表面上での分子間相互作用解析において障害となる非特異的な相互作用を排除、抑制する方法の提供を目的とし、さらに当該方法を利用して、金属表面上に固定化されたリガンドと特異的な相互作用を有するターゲット分子を精製・解析する方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、これまでに、樹脂等の固相担体にリガンドを固定化する際に、親水性スペーサーを介在させることによって、固定化したリガンド分子および／または樹脂自身と、該リガンドに対して特異的でない分子との非特異的な相互作用を低減化させることができることを既に見出している（特願２００２−２２２２２６号公報）。しかしながらかかる方法は、主として分子間の非特異的な相互作用を抑制することによりＳ／Ｎ比を改善するという仕組みに基づくものであり、依然として分子間の特異的な相互作用そのものを増強させる方法が求められている。
本発明者らは、上記課題に鑑み、種々検討を行った結果、驚くべきことに、親水性スペーサーの固相担体への導入は、特に固相担体として金属を用いた場合に、非特異的な相互作用の抑制作用のみならず、特異的な相互作用の増強をももたらすことを見出し、より正確なリガンドのターゲットの探索やリガンドとターゲット分子との特異的な相互作用の解析等を行なうことに成功して本発明を完成するに至った。
【００１０】
即ち本発明は下記の通りである。
〔１〕リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を解析する過程において、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことを特徴とする、リガンドおよび／または金属表面とターゲット分子以外の分子との非特異的な相互作用を抑制する方法。
〔２〕リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を解析する過程において、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことを特徴とする、リガンドとターゲット分子との特異的な相互作用を増強する方法。
〔３〕リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を解析する過程において、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことを特徴とする、リガンドおよび／または金属表面とターゲット分子以外の分子との非特異的な相互作用を抑制し、且つリガンドとターゲット分子との特異的な相互作用を増強する方法。
〔４〕リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を用いてターゲット分子を選別する過程において、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことを特徴とする、リガンドおよび／または金属表面とターゲット分子以外の分子との非特異的な相互作用を抑制する方法。
〔５〕リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を用いてターゲット分子を選別する過程において、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことを特徴とする、リガンドとターゲット分子との特異的な相互作用を増強する方法。
〔６〕リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を用いてターゲット分子を選別する過程において、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことを特徴とする、リガンドおよび／または金属表面とターゲット分子以外の分子との非特異的な相互作用を抑制し、且つリガンドとターゲット分子との特異的な相互作用を増強する方法。
〔７〕金属表面の疎水的性質を低減させる処理が、リガンドの金属表面への固定化の際にそれらの間に親水性スペーサーを導入することである、上記〔１〕〜〔６〕のいずれか１項に記載の方法。
〔８〕親水性スペーサーが、金属表面およびリガンドと結合した状態で以下の特徴の少なくともいずれか１つを有するものである、上記〔７〕記載の方法：
（１）水素結合アクセプター数が６以上である、
（２）水素結合ドナー数が５以上である、
（３）水素結合アクセプター数および水素結合ドナー数の総計が９以上である。
〔９〕さらに、親水性スペーサーがその分子中にカルボニル基を１以上有するものである、上記〔８〕記載の方法。
〔１０〕さらに、親水性スペーサーが水溶液中で電荷的に陽性あるいは陰性になる官能基を有さないことを特徴とする、上記〔８〕または〔９〕記載の方法。
【００１１】
〔１１〕リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を解析する方法であって、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことにより、リガンドおよび／または金属表面とターゲット分子以外の分子との非特異的な相互作用を抑制することを特徴とする方法。
〔１２〕リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を解析する方法であって、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことにより、リガンドとターゲット分子との特異的な相互作用を増強することを特徴とする方法。
〔１３〕リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を解析する方法であって、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことにより、リガンドおよび／または金属表面とターゲット分子以外の分子との非特異的な相互作用を抑制し、且つリガンドとターゲット分子との特異的な相互作用を増強することを特徴とする方法。
〔１４〕リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を用いて、ターゲット分子を選別する方法であって、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことにより、リガンドおよび／または金属表面とターゲット分子以外の分子との非特異的な相互作用を抑制することを特徴とする方法。
〔１５〕リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を用いて、ターゲット分子を選別する方法であって、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことにより、リガンドとターゲット分子との特異的な相互作用を増強することを特徴とする方法。
〔１６〕リガンドを金属表面に固定化し、当該金属表面上での該リガンドとそのターゲット分子との間での特異的な相互作用を用いて、ターゲット分子を選別する方法であって、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行うことにより、リガンドおよび／または金属表面とターゲット分子以外の分子との非特異的な相互作用を抑制し、且つリガンドとターゲット分子との特異的な相互作用を増強することを特徴とする方法。
〔１７〕金属表面の疎水的性質を低減させる処理が、リガンドの金属表面への固定化の際にそれらの間に親水性スペーサーを導入することである、上記〔１１〕〜〔１６〕のいずれか１項に記載の方法。
〔１８〕親水性スペーサーが、金属表面およびリガンドと結合した状態で以下の特徴の少なくともいずれか１つを有するものである、上記〔１７〕記載の方法：
（１）水素結合アクセプター数が６以上である、
（２）水素結合ドナー数が５以上である、
（３）水素結合アクセプター数および水素結合ドナー数の総計が９以上である。
〔１９〕さらに、親水性スペーサーがその分子中にカルボニル基を１以上有するものである、上記〔１８〕記載の方法。
〔２０〕さらに、親水性スペーサーが水溶液中で電荷的に陽性あるいは陰性になる官能基を有さないことを特徴とする、上記〔１８〕または〔１９〕記載の方法。
【００１２】
〔２１〕リガンドに対して特異的な相互作用を有するターゲット分子のスクリーニング方法であって、少なくとも以下の工程を含む方法：
（１）リガンドを金属表面に親水性スペーサーを介して固定化する工程、
（２）ターゲット分子を含むかまたは含まない試料を上記（１）で得られたリガンドが固定化された金属表面に接触させる工程、
（３）リガンドに特異的な相互作用を示したか、または示さなかった分子を同定し、解析する工程、および
（４）上記（３）で得られた解析結果に基づいて、リガンドに対して特異的な相互作用を有する分子をターゲット分子であると判断する工程。
〔２２〕親水性スペーサーが、金属表面およびリガンドと結合した状態で以下の特徴の少なくともいずれか１つを有するものである、上記〔２１〕記載の方法：
（１）水素結合アクセプター数が６以上である、
（２）水素結合ドナー数が５以上である、
（３）水素結合アクセプター数および水素結合ドナー数の総計が９以上である。
〔２３〕さらに、親水性スペーサーがその分子中にカルボニル基を１以上有するものである、上記〔２２〕記載の方法。
〔２４〕さらに、親水性スペーサーが水溶液中で電荷的に陽性あるいは陰性になる官能基を有さないことを特徴とする、上記〔２２〕または〔２３〕記載の方法。
〔２５〕親水性スペーサーが以下の式（Ｉａ）〜（Ｉｅ）からなる群より選択されるいずれか１つの式で表される部分構造を少なくとも１つ有するものである、上記〔７〕〜〔１０〕、〔１７〕〜〔２４〕のいずれか１項に記載の方法：
【００１３】
【化４】
2005049157.tif 000003
【００１４】
（式（Ｉａ）中、
Ａは適当な連結基であり、
Ｘ１〜Ｘ３はそれぞれ同一または異なって単結合あるいは炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基で置換されていてもよいメチレン基であり、
Ｒ１〜Ｒ７はそれぞれ同一または異なって水素原子、炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基、−ＣＨ２ＯＨあるいは水酸基であり、
ｍは０〜２の整数であり、ｍ’は０〜１０の整数であり、ｍ”は０〜２の整数であり、
Ｒ３〜Ｒ７が複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｘ３が複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよく；
式（Ｉｂ）中、
ｎおよびｎ’はそれぞれ同一または異なって１〜１０００の整数であり；
式（Ｉｃ）中、
ｐ、ｐ’およびｐ”はそれぞれ同一または異なって１〜１０００の整数であり；
式（Ｉｄ）中、
Ｘ４は単結合あるいは炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基で置換されていてもよいメチレン基であり、
Ｒ８〜Ｒ１０はそれぞれ同一または異なって水素原子、炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基、−ＣＨ２ＯＨあるいは水酸基であり、
ｑは１〜７の整数であり、
Ｒ８が複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｘ４が複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよく；
式（Ｉｅ）中、
Ｒ１１〜Ｒ１６はそれぞれ同一または異なって水素原子、炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基、−ＣＨ２ＯＨあるいは水酸基であり、
ｒは１〜１０の整数であり、ｒ’は１〜５０の整数であり、
Ｒ１１〜Ｒ１６がそれぞれ複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよい）。
〔２６〕親水性スペーサーが式（Ｉａ）〜（Ｉｅ）からなる群より選択されるいずれか１つの式で表される部分構造を２つ以上有するものである、上記〔２５〕記載の方法。
〔２７〕リガンドが固定化された固相担体であって、当該固相担体が金属であり、且つ該金属とリガンドとの間に親水性スペーサーが介在することを特徴とする、固相担体。
〔２８〕親水性スペーサーが上記式（Ｉａ）〜（Ｉｅ）からなる群より選択されるいずれか１つの式で表される部分構造を少なくとも１つ有するものである、上記〔２７〕記載の固相担体。
〔２９〕金属が金である、上記〔２７〕または〔２８〕記載の固相担体。
〔３０〕リガンドと金属表面との間への親水性スペーサーの導入を確認するための方法であって、リガンドの金属表面への固定化の際にそれらの間に親水性スペーサーを導入する工程において、親水性スペーサーに由来する保護基が脱保護されることによって生じる脱離基を検出することを含む方法。
【００１５】
〔３１〕脱離基の検出が質量分析を用いて実施される、上記〔３０〕記載の方法。
〔３２〕保護基が９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基である、上記〔３０〕記載の方法。
【００１６】
本発明は、特異的な分子間相互作用を解析し、それを利用する技術において問題視されてきた、非特異的な分子間相互作用（例えばタンパク質の固相担体への非特異的な吸着に代表される）が、固相担体における固相表面とタンパク質等の分子との疎水性相互作用によるものであるという知見に基づく。特に本発明においては、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を行なうことによって、当該金属表面への種々の分子の非特異的な吸着を抑制し、また、特異的な吸着量を向上させることをも可能とする方法を提供する。
【００１７】
本明細書中、疎水的な性質は、一般的に疎水性パラメーターによって表すことができるが、例えば分配係数、具体的にはＬＯＧＰによって表すことができる。ＬＯＧＰの算出には、簡便には、ＣＬＯＧＰ（化合物の疎水性パラメーターを計算機によって見積もるソフトによって得られる予測値；例えばＣｏｒｗｉｎ／Ｌｅｏ’ｓ  ｐｒｏｇｒａｍ  （ＣＬＯＧＰ，  Ｄａｙｌｉｇｈｔ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｃｏ．，  Ｌｔｄ．）を使用して計算できる）等が利用されるが、疎水性パラメーターはＣＬＯＧＰによって算出されるものに限定されるものではない。本発明では定性的に疎水性傾向が強まるにつれて、非特異的な相互作用が増加する。例えばＣＬＯＧＰについて言えば、ＣＬＯＧＰが大きい程、疎水性が高いことを意味し、ＣＬＯＧＰの増加は非特異的な相互作用（例えば金属表面へのタンパク質の非特異的な吸着）の増加と相関関係にある。ここで疎水性パラメーターの変更は、例えば金属表面上に固定化するリガンドを様々な値（例えばＣＬＯＧＰ）のものに変更することによって実施され得るし、また、金属表面とリガンドとの間に親水性のスペーサーを導入することによって、金属表面の疎水的な性質を緩和、低減することもできる。
【００１８】
当該スペーサーの導入は、ＣＬＯＧＰが大きいことが予測されるリガンドを金属表面に固定化する必要がある場合に好ましい態様であり、以下に分子間の非特異的な相互作用を抑制する手段として親水性スペーサーを用いた場合について詳述する。
【００１９】
本発明は、金属表面に固定化される分子（本明細書中、リガンドとも称する）と当該分子に対して特異的な相互作用を有する分子（本明細書中、ターゲット分子とも称する）との相互作用を解析する技術、かかる解析をもとにターゲット分子を同定、選別するという技術を提供する。本明細書中、リガンドならびにターゲット分子という用語は、互いに特異的な分子間相互作用を有する組み合わせを意図するものであって、当該組み合わせのうち、片方をリガンドとして固相に固定化すれば他方がターゲット分子となり、すなわちどちらを固相に固定化するかによって、それらの呼称は相互に変更され得る。リガンドに特異的な相互作用を有するターゲット分子は１種類とは限らず、また同様にターゲット分子に特異的な相互作用を有するリガンドも１種類とは限らない。本明細書ではリガンドならびにターゲット分子という用語は、ある特定の分子を指すものではなく特異的な相互作用を有する分子同士の各々を意図するものである。
【００２０】
「特異的な相互作用」とは、特定のリガンド（特定のターゲット分子）のみを特異的に認識して結合するような特性を発揮する作用であり、アゴニストあるいはアンタゴニストに対する特異的受容体、基質に対する酵素、そして例えばＦＫ５０６（リガンド）に対するＦＫ５０６結合タンパク質（ターゲット分子）や、ステロイドホルモンに対するステロイドホルモン受容体（例；ｄｅｘａｍｅｔｈａｓｏｎｅとｇｌｕｃｏｃｏｒｔｉｃｏｉｄ  ｒｅｃｅｐｔｏｒ）、抗がん剤ｔｒａｐｏｘｉｎに対するＨＤＡＣ等の関係が「特異的な相互作用」に該当する。一方、「非特異的な相互作用」とは、それによる結合の対象が広範にわたり且つ特定分子に限定されず、反応条件によって種々変化するような状況を生じる作用をいい、本発明においては、固相上のリガンドや固相担体自体の表面に、結合・吸着するような不特定の分子間の作用を意味する。「非特異的な相互作用」は、「特異的な相互作用」に基づくリガンドとターゲット分子との結合の障害となるか、あるいは混同されることにより「特異的な相互作用」による結合を見落としてしまう危険性がある。
【００２１】
本発明において「特異的な相互作用を解析する」とは、リガンドとターゲット分子との間の相互作用の特異性の程度を、相互作用情報として得ることであって、例えばＫｄ（解離速度定数）、Ｋａ（結合速度定数）等の数値として得ることができる。本発明において「選別」とは、上記相互作用情報に基づき、リガンドと特異的な相互作用を有するか否かを判定し、ターゲット分子を同定することを意図する。
【００２２】
本発明においては、金属表面の疎水的性質を低減させる処理を必須とする。かかる処理としては、例えば、金属表面へのリガンドの固定化の際にそれらの間に親水性スペーサーを導入する方法が挙げられる。親水性スペーサーを導入することにより金属表面の疎水的な性質が変化し、非特異的な相互作用を抑制することができ、加えて、特異的な相互作用を増強することができる。このような金属表面とリガンドとの間に導入された親水性スペーサーという金属表面の疎水的な性質を低減させる手段を用いることによって、リガンドに特異的な相互作用を有する分子（ターゲット分子）を同定、選別することおよび両者の相互作用を正確に測定することが可能となる。
【００２３】
本発明において用いられる固相担体としての金属は、通常当分野で利用される種々のものであり、具体的には金、銀、鉄、シリコン等である。これらは、いかなる形状のものであってもよく、また上記した金属の種類や、その後に実施するリガンドとターゲット分子との相互作用の解析、ターゲット分子の同定、選別の工程の為に行われる方法に応じて適宜決定される。例えば板状、薄膜状、糸状、コイル状等が挙げられるが、金属の薄膜であれば表面プラズモン共鳴によるＢＩＡＣＯＲＥ等の担体として好適に使用できる。
【００２４】
本発明において使用する金属は、上述の如く、その種類や形状に特に制限はないが、当然のことながら、リガンドが固定化されないような、あるいはリガンドが固定化されるもののターゲット分子との特異的な相互作用を発揮することができないような構造上の障害を有するものは、余分な工程を経る必要があって操作が煩雑になったり、あるいは使用に耐えなかったりする場合があるので、本発明を実施する上で好ましくない。
【００２５】
本発明において、「親水性スペーサー」とは、リガンドの金属表面への固定化の際に導入されて金属表面とリガンドとの間に介在する基となる物質であって、親水性である。親水性の程度については後述する。ここで「スペーサーが介在する」とは、該スペーサーが固相内の官能基からリガンド内の官能基までの間に存在することを意味する。該スペーサーは、その一端を固相内の官能基と結合し、他端をリガンド内の官能基と結合する。
また当該親水性スペーサーは、結果的に金属表面とリガンドとの間に介在する基として機能し得るものであれば２以上の化合物を順次、結合、重合させることによって得られるものであっても構わない。好ましくは単位化合物の重合反応によって得られる。２以上の化合物を結合あるいは重合させる過程は好ましくは金属表面上で行われる。金属表面と親水性スペーサーとの結合、親水性スペーサーとリガンドとの結合、ならびに親水性スペーサーを構成する各成分の結合や重合はアミド結合や、シッフ塩基、Ｃ−Ｃ結合、エステル結合、水素結合、疎水性相互作用等の共有結合あるいは非共有結合であり、いずれも当分野で公知の材料ならびに反応により形成される。
【００２６】
本発明において、金属表面の疎水的な性質を低減させる手段として当該金属表面とリガンドとの間に導入する親水性スペーサーとしては、金属表面の疎水的な性質を変化させ、非特異的な相互作用を排除するかあるいは抑制し、且つ、特異的な相互作用を増強するようなものであれば特に限定されないが、好ましくは金属表面およびリガンドと結合した状態（以下、この様な状態にある親水性スペーサーを便宜上「親水性スペーサー部分」と称する）で水素結合アクセプター（ＨＢＡ；ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｂｏｎｄ  ａｃｃｅｐｔｏｒ）数が６以上であるか、水素結合ドナー（ＨＢＤ；ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｂｏｎｄ  ｄｏｎｏｒ）数が５以上であるか、あるいは該スペーサー１分子あたりのＨＢＡ数およびＨＢＤ数の総計が９以上の化合物である。またこれらの条件を２つもしくは全て満たすような化合物であってもよい。特に好ましくはＨＢＡ数は７以上であり、ＨＢＤ数は６以上である。
【００２７】
ここで、水素結合アクセプター数（ＨＢＡ数）とは、含まれる窒素原子（Ｎ）と酸素原子（Ｏ）の総数であり、水素結合ドナー数（ＨＢＤ数）とは、含まれるＮＨとＯＨの総数である（例えば非特許文献５参照）。
【００２８】
金属表面にリガンドを固定化する際には通常、チオール化合物やジスルフィド化合物を金属表面に吸着させて自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ；ＳＡＭ）を形成させ、その末端でリガンドを固定化する方法が採用されている（Ｄｏｊｉｎ  Ｎｅｗｓ  Ｎｏ．９１  ｐ３  （１９９９）参照）。金属表面にＳＡＭを形成させＳＡＭ中の官能基を介してリガンドをその表面に固定化することによって、リガンドとターゲット分子との相互作用を、金修飾電極、表面プラズモン共鳴、水晶発振子マイクロバランス（ＱＣＭ；  Ｑｕａｒｔｚ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｂａｌａｎｃｅ）等によって検出することができる（具体的にはそれぞれ電流、反射角、振動数の変化によって検出する）。例えば固相担体である金属として金を用いる場合にはチオール化合物としてアルカンチオールが用いられる。
従って、本発明においては、金属表面とリガンドとの間に介在する基であっても、リガンドと金属表面とを結合させるのに最低限必要な連結部分（具体的には上記したチオール化合物やジスルフィド化合物に由来する部分）については本発明の親水性スペーサー部分には含めず、従って、それぞれＨＢＡ数やＨＢＤ数に含めない。また、リガンドと親水性スペーサーとの結合をより容易にする為にリガンドと親水性スペーサーとの間に任意の基を親水性スペーサーとの結合の前にあらかじめリガンドに結合あるいは導入することができるが、これらはリガンドに応じて適宜選択されるものであって、金属表面の疎水的な性質の緩和への寄与が少ないと考えられるので、当該基に含まれるＮやＯ、あるいはＮＨやＯＨも本発明におけるＨＢＤ数やＨＢＡ数には含めない。尚、リガンドと親水性スペーサーの間への任意の基の導入も上述したような種々の共有結合あるいは非共有結合が利用され、いずれも当分野で公知の材料ならびに反応により実施される。
【００２９】
本願発明の状況下ではＨＢＡ数が６以上（好ましくは７以上）、ＨＢＤ数が５以上（好ましくは６以上）、ＨＢＡ数とＨＢＤ数の総計が９以上、というこれらの条件を少なくとも１つ、好ましくは２つ以上満たさなければ、非特異的な相互作用を十分に抑制することができず、また、特異的な相互作用を十分に増強させることも困難である。従って、本願発明の親水性スペーサーにおいて「親水性」とは上記の性質を満たすことを意味する。本発明において親水性スペーサーのＨＢＤ数あるいはＨＢＡ数の上限としては、親水性であり且つ分子間の非特異的な相互作用を抑制することができるものであれば特に限定されるものではなく、適切に重合反応等を繰り返すことにより極めて高い親水性を有するスペーサーを得ることができる。また、該スペーサーはタンパク質等の高分子であってもよく、そういった観点から、いずれも５万程度の値を上限とする。
【００３０】
また、本発明においては、「親水性」の程度は上記定義を満たすものの、物理的・化学的に不安定な化合物、例えば糖誘導体やセファロース誘導体をその基本骨格とする親水性スペーサーは、その不安定さ故にリガンドの固定化、続く種々の処理に耐えられない場合があり使用するのに好ましくない。具体的には従来、金薄膜へのリガンド固定化の際に用いられるカルボキシメチルデキストランは本発明において使用する親水性スペーサーには含めない。
【００３１】
さらに本発明において使用する親水性スペーサーは、それ自体非特異的な相互作用（例えば該スペーサーへのタンパク質の吸着等）を生じるものでないことが好ましい。具体的には、該スペーサーが水溶液中で電荷的に陽性あるいは陰性になるような官能基を有さないことであり、当該官能基としてはアミノ基（ただし、該アミノ基に該アミノ基の塩基性を減弱させる官能基（例えばカルボニル基、スルホニル基）が結合している場合は除く）、カルボキシル基、硫酸基、硝酸基、ヒドロキサム酸基等が挙げられる。ここで水溶液中とは、具体的には、金属表面上でのリガンドとターゲット分子との相互作用を解析する過程、ターゲット分子を選別する過程、あるいはターゲット分子をスクリーニングする為に実施されるリガンドとターゲット分子との結合反応（特異相互作用反応）が行われる環境下であって、親水性スペーサーが電荷的に陽性あるいは陰性になるような官能基を有する場合にはイオン化するような条件下である。かかる条件は、例えば水溶液中、ｐＨ１〜１１、温度０〜１００℃であり、好ましくはｐＨ中性付近（ｐＨ６〜８）、約４℃〜約４０℃程度である。
【００３２】
さらに、本発明で使用する親水性スペーサーは、後述する好適な親水性スペーサーとして例示される各種の構造ないしは化合物から理解されるように、その分子内に１以上のカルボニル基を有していることが好ましい。
【００３３】
例えば、本発明で使用する親水性スペーサーは、下記式（Ｉａ）〜（Ｉｅ）からなる群より選択されるいずれか１つの式で表される部分構造を少なくとも１つ有する化合物である。
【００３４】
【化５】
2005049157.tif 000004
【００３５】
（式（Ｉａ）中、
Ａは適当な連結基であり、
Ｘ１〜Ｘ３はそれぞれ同一または異なって単結合あるいは炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基で置換されていてもよいメチレン基であり、
Ｒ１〜Ｒ７はそれぞれ同一または異なって水素原子、炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基、−ＣＨ２ＯＨあるいは水酸基であり、
ｍは０〜２の整数であり、ｍ’は０〜１０の整数であり、ｍ”は０〜２の整数であり、
Ｒ３〜Ｒ７が複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｘ３が複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよく；
式（Ｉｂ）中、
ｎおよびｎ’はそれぞれ同一または異なって１〜１０００の整数であり；
式（Ｉｃ）中、
ｐ、ｐ’およびｐ”はそれぞれ同一または異なって１〜１０００の整数であり；
式（Ｉｄ）中、
Ｘ４は単結合あるいは炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基で置換されていてもよいメチレン基であり、
Ｒ８〜Ｒ１０はそれぞれ同一または異なって水素原子、炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基、−ＣＨ２ＯＨあるいは水酸基であり、
ｑは１〜７の整数であり、
Ｒ８が複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｘ４が複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよく；
式（Ｉｅ）中、
Ｒ１１〜Ｒ１６はそれぞれ同一または異なって水素原子、炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基、−ＣＨ２ＯＨあるいは水酸基であり、
ｒは１〜１０の整数であり、ｒ’は１〜５０の整数であり、
Ｒ１１〜Ｒ１６がそれぞれ複数個存在する場合にはそれぞれ同一でも異なっていてもよい）
【００３６】
本明細書において各基の定義中、「適当な連結基」とは隣接する各々の部位を連結することができる基であれば特に限定されないが、具体的には以下の基が用いられる。
【００３７】
【化６】
2005049157.tif 000005
【００３８】
（式中、Ｒ１７は水素原子または炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基であり、Ｒ１８〜Ｒ２１はそれぞれ同一または異なって水素原子、炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基、−ＣＨ２ＯＨあるいは水酸基であり、Ｒ２２〜Ｒ２６はそれぞれ同一または異なって水素原子、炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基（該アルキル基は水酸基、カルボン酸基、アミノ基等の親水性置換基で置換されていてもよい）である）
【００３９】
本明細書において各基の定義中「炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基」としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。
本明細書において、「炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基で置換されていてもよいメチレン基」とは無置換のメチレン基ならびに上記した炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基で１または２置換されたメチレン基を意図する。
【００４０】
本発明の親水性スペーサーは、上記部分構造を２つ以上有していてもよく、その場合それらの部分構造は同一の式で表されるものであっても異なる式で表されるものであってもよい。
【００４１】
上記親水性スペーサーを少なくとも１種金属表面に固定化する。金属表面上のスペーサーの数は特に限定されず、リガンドの種類や量およびターゲット分子の種類や量、ならびに使用するスペーサーの種類や特性に応じて当業者は適宜設定することができるし、所望の分子間相互作用が検出できれば特に決める必要はない。通常、スペーサーは、固相担体として用いる金属ならびにリガンドに対して過剰量用いて固定化する。金属表面に結合しなかった親水性スペーサーは、洗浄等の処理により反応系から容易に排除できる。
【００４２】
本発明において金属表面に固定化するリガンドは特に限定されず、公知の化合物であっても今後開発される新規な化合物であってもよい。また、低分子化合物であっても高分子化合物であってもかまわない。ここで低分子化合物とは分子量１０００未満程度の化合物であって、例えば医薬品として通常使用し得る有機化合物およびその誘導体や無機化合物が挙げられ、有機合成法等を駆使して製造される化合物やその誘導体、天然由来の化合物やその誘導体、プロモーター等の小さな核酸分子や各種の金属等であり、望ましくは医薬品として使用し得る有機化合物およびその誘導体、核酸分子をいう。また、高分子化合物としては分子量１０００以上程度の化合物であって、タンパク質、ポリ核酸類、多糖類、およびこれらを組み合わせたものなどが挙げられ、望ましくはタンパク質である。これらの低分子化合物あるいは高分子化合物は、公知のものであれば商業的に入手可能であるか、各報告文献に従って採取、製造、精製等の工程を経て得ることができる。これらは、天然由来であっても、また遺伝子工学的に調製されるものであってもよく、また半合成等によって得ることもできる。
【００４３】
本発明では、上記リガンドを固定化した金属表面上で該リガンドとの特異的な相互作用に基づいてターゲット分子を選別する過程を要する。従ってターゲット分子は、リガンドと特異的に相互作用するものであれば特に限定されるものではなく、公知化合物である場合もあれば新規物質である場合も予想される。ターゲット分子としては低分子化合物であっても高分子化合物であってもかまわない。ターゲット分子が低分子化合物の場合には、低分子化合物であるリガンドとの低分子化合物と低分子化合物との特異的相互作用に基づき、あるいは高分子化合物であるリガンドとの高分子化合物と低分子化合物との特異的相互作用に基づき、ターゲット分子が選別され得る。またターゲット分子が高分子化合物の場合には、低分子化合物であるリガンドとの低分子化合物と高分子化合物との特異的相互作用に基づき、あるいは高分子化合物であるリガンドとの高分子化合物と高分子化合物との特異的相互作用に基づき、ターゲット分子が選別され得る。好ましいリガンドとターゲット分子の組み合わせは低分子化合物と高分子化合物、あるいは高分子化合物と高分子化合物という組み合わせである。
【００４４】
ターゲット分子との相互作用の解析、ならびにターゲット分子の選別は簡便には固相である金属表面上で行う。ターゲット分子として予め候補物質が予測される場合には、候補物質を単独で上記金属表面に固定化されたリガンドと接触させ両者の相互作用を測定し、候補物質がターゲット分子であるか否かを判断すればよいが、通常、複数の物質（高分子化合物および／または低分子化合物）を含む試料をリガンドと接触させ、複数の物質（高分子化合物および／または低分子化合物）の各々とリガンドとの相互作用の有無ならびにその相互作用の程度を測定することによりターゲット分子であるか否かを判断し、選別する。ここで複数の物質を含む試料としては、全て公知化合物から構成されるものであっても、一部新規な化合物を含むものであっても、さらには全て新規な化合物から構成されるものであってもよい。しかしながら、リガンドのターゲット分子の探索、あるいは昨今のプロテオーム解析の進歩によれば、全てその構造が公知な化合物の混合物であることが望ましい。全て公知な化合物から構成される試料としては、大腸菌等によって遺伝子工学的に調製されたタンパク質の混合物等であり、一部新規な化合物を含むものとしては、細胞や組織の抽出物（ライゼート；Ｌｙｓａｔｅ）であり、また全て新規な化合物から構成されるものとしては、まだその機能や構造が知られていない新規なタンパク質や新しく合成された化合物等の混合物が挙げられる。試料が混合物の場合、特に公知化合物を含む場合には、任意にこれらの化合物の試料中の含有量を所望の値に設定しておくこともできる。リガンドのターゲット分子の探索という見地にたてば、低分子化合物ならびに高分子化合物であるのが好ましく、ヒト等の動物体内でのターゲット分子の探索についていえば高分子化合物であることが好ましい。
【００４５】
本発明は、上記金属表面に固定化されたリガンドを用いて、当該リガンドに特異的な相互作用を有するターゲット分子をスクリーニングする方法を提供する。該スクリーニング方法は以下の工程を少なくとも含む。尚、本スクリーニング法における、リガンドおよびターゲット分子や金属（金属表面）、ならびに親水性スペーサーの各々の定義は上記した通りである。
（１）リガンドを金属表面に親水性スペーサーを介して固定化する工程。
当該工程は、リガンドと親水性スペーサーとの結合、親水性スペーサーと金属表面との結合からなる。リガンドに親水性スペーサーを結合させて、その後それらの複合体を金属表面に結合させてもよいし、金属表面に親水性スペーサーを結合させてからリガンドを結合させてもよく、リガンドが金属表面に固定化されたか否かは、リガンド、あるいはリガンドに予め結合・導入された任意の基に含まれるある特定の構造または置換基等に基づく反応等を利用して確認することができる。例えばリガンドあるいは親水性スペーサー中のアミノ基の保護基である９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基（Ｆｍｏｃ基）から脱保護反応時に生成する脱離基を検出・測定する方法等が利用できる。個々の結合は、通常当分野で実施される反応を利用して実施される。簡便且つ確実な手段としてアミド結合形成反応を利用する方法が挙げられる。本反応は、例えば「ペプチド合成の基礎と実験」（ＩＳＢＮ  ４−６２１−０２９６２−２、丸善、昭和６０年初版）に従って実施できる。各反応に用いられる試薬や溶媒については当分野で通常用いられるものが利用でき、採用する結合反応によって適宜選択される。
【００４６】
（２）ターゲット分子を含むかまたは含まない試料を上記（１）で得られたリガンドが固定化された金属に接触させる工程。
本工程において用いる試料は、上記同様、複数の物質を含むものである。その態様は特に限定されず、固相担体として使用する金属やその形状、後の工程（３）および（４）の同定方法あるいは解析方法にどのような原理や手段、方法を用いるかによって適宜変更し得る。例えばリガンドが固定化された金薄膜を用いてＢＩＡＣＯＲＥ（商品名）にて解析を行なう場合には、液状とするのが好ましい。ターゲット分子を含まない試料であれば、工程（３）でリガンドに特異的な相互作用を示さなかった分子（複数種存在する場合あり）の同定ならびに解析を行う。ターゲット分子を含む試料であれば、工程（３）でリガンドに特異的な相互作用を示したターゲット分子（複数種存在する場合あり）を同定、解析する。試料と金属表面とを接触させる方法は、試料内のターゲット分子が金属表面に固定化されたリガンドと結合することができれば特に限定されず、使用する金属の種類や形状、後の工程（３）および（４）の同定方法あるいは解析方法にどのような原理や手段、方法を用いるかによって適宜変更し得る。例えばリガンドが固定化された金薄膜を用いる場合には、液状にした試料中に当該金薄膜を浸す等の処理により実施される。
【００４７】
（３）リガンドに特異的な相互作用を示したか、または示さなかった分子を同定し、解析する工程。
かかる工程は、固相担体として使用する金属の種類や形状、リガンドの種類等によって適宜変更し得るが、通常当分野で実施されている低分子化合物あるいは高分子化合物を同定する為の各種方法により行う。また、今後開発されるであろう方法によっても実施可能であろう。例えばその表面にリガンドが固定化された金属として、リガンドが固定化された金薄膜を用いた場合〔工程（１）〕、続く試料の添加により〔工程（２）〕、リガンドにターゲット分子を結合させる。結合したターゲット分子を緩衝液の極性を変える、あるいは過剰のリガンドをさらに加える等の処理によってリガンドから解離させ、その後同定したり、あるいは金属表面上のリガンドと結合した状態でそのまま界面活性剤等によって抽出して同定したりすることもできる。同定方法としては具体的には電気泳動法、免疫学的反応を用いたイムノブロッティングや免疫沈降法、クロマトグラフィー、マススペクトラム、アミノ酸シーケンス、ＮＭＲ（低分子のときに特に）、表面プラズモン共鳴を利用した反応等の公知の手法により、またこれらの方法を組み合わせて実施する。リガンドに結合しない分子を同定する工程も上記リガンドに結合する分子を同定する方法に準じて行うことができるが、カラムの素通り画分に含まれる分子を同定の対象とするので、同定工程に入る前に予め濃縮や粗精製等の処理を行うことが好ましい。得られたデータならびに既存の報告をもとに各分子を同定し、リガンドのターゲット分子であるか否かを判断する。
また、本工程は自動化されていてもよい。例えば２次元電気泳動で得られた種々の分子のデータを直接読み取り、既存のデータベースに基づいて分子の同定を行うことも可能である。
【００４８】
以下に本発明において使用する親水性スペーサーの一般的製法について記載するが、記載される以外の通常当分野で実施される方法、あるいはそれらの方法を組み合わせた方法によっても製造し得ることは当業者には明らかである。
【００４９】
尚、本明細書で使用する略語は下記表１の通りである。
【００５０】
【表１】
2005049157.tif 000006
【００５１】
製法１：一般式（Ｉａ）で表される部分構造を有する親水性スペーサーの製造方法（１）
（ｍ＝１，ｍ’＝２，ｍ”＝１）
【００５２】
【化７】
2005049157.tif 000007
【００５３】
【化８】
2005049157.tif 000008
【００５４】
式中、Ｗ１〜Ｗ４は水酸基の保護基であり、Ｚ１はカルボキシル基の保護基であり、Ｙ１はアミノ基の保護基である。Ｘ３’はＸ３と同義であり、またＸ３”もＸ３と同義である。Ｒ５’はＲ５と同義であり、またＲ５”もＲ５と同義である。またそれ以外の各記号の定義は上述の通りである。
【００５５】
水酸基の保護基としては、当分野で通常用いられている任意の各基が用いられるが、具体的には、ｔｅｒｔ−ブチル基等のアルキル基；アセチル基、プロピオニル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等のアシル基；メトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル基；ベンジル基、ナフチルメチル基等のアリールメチル基；トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基等のシリル基；エトキシメチル基、メトキシメチル基等の低級アルコキシメチル基などが例示され、好ましくは、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、メトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられる。カルボキシル基の保護基としては、当分野で通常用いられている任意の各基が用いられるが、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、アリル基等の炭素数１〜６の直鎖状もしくは分枝状の低級アルキル基；ベンジル基等のアラルキル基；ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基等のシリル基などが例示され、好ましくは、アリル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ベンジル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基が挙げられる。アミノ基の保護基としては、当分野で通常用いられている任意の各基が用いられるが、具体的には、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基等の低級アルコキシカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル基；ベンジル基等のアラルキル基；ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、メタンスルホニル基等の置換スルホニル基などが例示され、好ましくは、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基が挙げられる。
【００５６】
アミノ基の保護および脱保護、カルボキシル基の保護および脱保護、および水酸基の脱保護は使用する保護基に応じて適宜公知の方法および試薬によって実施される。また、化合物中に複数の「アミノ基の保護基」、「カルボキシル基の保護基」および／または「水酸基の保護基」が存在する場合には、それぞれ同一のものであっても異なっていてもよく、保護の必要な部位に応じて適宜選択される。
【００５７】
化合物（ａ−４）および化合物（ａ−２）をアミド化によって脱水縮合する反応は、通常、等量のアミノ体とカルボン酸の存在下、１．１当量程度のＮ−エチル−Ｎ’−ジメチルアミノカルボジイミド、Ｎ−ヒドロキシ−ベンゾトリアゾール等の縮合剤を用いて、ＤＭＦや塩化メチレン等の溶媒中で、室温下１時間から１０時間程度反応させることによって行なわれる。
【００５８】
製法２：一般式（Ｉａ）で表される部分構造を有する親水性スペーサーの製造方法（２）
（ｍ＝２，ｍ’＝０，ｍ”＝２）
【００５９】
【化９】
2005049157.tif 000009
【００６０】
【化１０】
2005049157.tif 000010
【００６１】
式中、Ｙ２はアミノ基の保護基である。Ｒ３’はＲ３と同義であり、またＲ３”もＲ３と同義である。Ｒ４’はＲ４と同義であり、またＲ４”もＲ４と同義である。Ｒ６’はＲ６と同義であり、またＲ６”もＲ６と同義である。Ｒ７’はＲ７と同義であり、またＲ７”もＲ７と同義である。それ以外の各記号の定義は上述の通りである。アミノ基の保護基としては、上記したものと同様のものが例示される。アミノ基の脱保護は使用する保護基によって適宜公知の方法および試薬によって実施される。
【００６２】
化合物（ａ−９）および化合物（ａ−１０）をアミド化によって脱水縮合する反応は、通常、等量のアミノ体とカルボン酸の存在下、１．１当量程度のＮ−エチル−Ｎ’−ジメチルアミノカルボジイミド、およびＮ−ヒドロキシ−ベンゾトリアゾール等の縮合剤を用いて、ＤＭＦや塩化メチレン等の溶媒中で、室温下１時間から１０時間程度反応させることによって行なわれる。
【００６３】
製法３：一般式（Ｉａ）で表される部分構造を有する親水性スペーサーの製造方法（３）
（ｍ＝１，ｍ’＝０，ｍ”＝０）
【００６４】
【化１１】
2005049157.tif 000011
【００６５】
【化１２】
2005049157.tif 000012
【００６６】
式中、Ｙ３はアミノ基の保護基であり、それ以外の各記号の定義は上述の通りである。アミノ基の保護基としては、上記したものと同様のものが例示される。
【００６７】
化合物（ａ−１４）および化合物（ａ−１５）をアミド化によって脱水縮合する反応は、通常、等量のアミノ体とカルボン酸の存在下、１．１当量程度のＮ−エチル−Ｎ’−ジメチルアミノカルボジイミド、およびＮ−ヒドロキシ−ベンゾトリアゾール等の縮合剤を用いて、ＤＭＦや塩化メチレン等の溶媒中で、室温下１時間から１０時間程度反応させることによって行なわれる。
【００６８】
製法４：一般式（Ｉｂ）で表される部分構造を有する親水性スペーサーの製造方法
（ｎ−１＝ｎ’−１＝ｎ２）
【００６９】
【化１３】
2005049157.tif 000013
【００７０】
式中、Ｗ５〜Ｗ７は水酸基の保護基であり、Ｈａｌはハロゲン原子（塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子）を表し、それ以外の各記号の定義は上述の通りである。水酸基の保護基としては、上記したものと同様のものが例示される。尚ｎ２は、ｎ−１あるいはｎ’−１である（ｎ、ｎ’は上述のとおり）。
水酸基の保護、脱保護は使用する保護基によって適宜公知の方法および試薬によって実施される。
【００７１】
化合物（ｂ−４）の化合物（ｂ−５）へのハロゲン置換反応は、通常、１当量のアルコール体に２〜３当量の四臭化炭素、および１〜２当量のトリフェニルフォスフィンを塩化メチレン等の溶媒中で、０℃〜室温で、１時間から数時間反応させることによって行なわれる。
【００７２】
化合物（ｂ−６）と化合物（ｂ−２）との脱水縮合反応は、通常、１当量のアルコール体と１当量のトリブチルフォスフィンをトルエン溶媒中室温で１時間程度反応を行い、ここに１当量のフェノール体および１，１’−アゾビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）等の縮合剤を加え、０〜５０℃で数時間から終夜、反応させることによって行なわれる。
【００７３】
化合物（ｂ−８）と化合物（ｂ−５）との縮合反応は、通常、０〜１０℃において、１当量のフェノール体と約１０倍当量の過剰の水素化ナトリウムのような強塩基をＴＨＦ等の溶媒中で、１０〜６０分程度反応させ、そこに２当量程度のハロゲン体を加え、室温下１〜１０時間程度反応させることによって行なわれる。
【００７４】
【化１４】
2005049157.tif 000014
【００７５】
式中、Ａｌｋは炭素数１〜３の直鎖状または分枝状のアルキル基（上述と同義）、Ｙ４はアミノ基の保護基であり、それ以外の各記号の定義は上述の通りである。水酸基の保護基およびアミノ基の保護基としては、上記したものと同様のものが例示される。
水酸基あるいはアミノ基の脱保護、もしくはカルボキシル基の脱保護は使用する保護基によって適宜公知の方法および試薬によって実施される。
【００７６】
化合物（ｂ−１０）の化合物（ｂ−１１）へのアルコキシカルボニル化は、通常、０〜１０℃において、１当量のアルコール体と３〜５倍当量程度の過剰の水素化ナトリウムのような強塩基をＴＨＦ等の溶媒中で、１０〜６０分程度反応させ、そこに３〜５倍当量程度の過剰のハロゲン体（ブロモ酢酸−ｔｅｒｔ−ブチルエステル）を加え、室温下１〜１０時間程度反応させることによって行なわれる。
【００７７】
化合物（ｂ−１２）の化合物（ｂ−１３）へのアジド化は、通常、１当量のアルコール体と１．５当量程度のｐ−トルエンスルフォニルクロライドおよび０．２当量程度の４−ジメチルアミノピリジンのような塩基をピリジン等の溶媒中で、３０〜５０℃で、数時間反応させることによって得られるＯ−トシル体を単離し、それに約１０倍当量程度の過剰のアジ化ナトリウムを加え、ＤＭＦ等の溶媒中で、５０〜９０℃で数時間反応させることにより行なわれる。
【００７８】
化合物（ｂ−１３）の化合物（ｂ−１４）へのアミノ化は、通常、１当量のアジド体を、０．１当量程度の水酸化パラジウムのような触媒を用いてメタノール等の溶媒存在下、１〜数気圧の水素存在下、室温で数時間反応させることによって得られる。
【００７９】
製法５：一般式（Ｉｃ）で表される部分構造を有する親水性スペーサーの製造方法
各構造式中、特定の基、特定の化合物を記載する場合があるが、それらは一例であって、特にこれらに限定されるものではない。同等の働きを有するものであれば適宜変更し得る。
【００８０】
【化１５】
2005049157.tif 000015
【００８１】
【化１６】
2005049157.tif 000016
【００８２】
式中、各記号の定義は上述の通りである。式中の水酸基の保護基、アミノ基の保護基、カルボキシル基の保護基はその一例を示したものであって、それ以外にも通常当分野で用いられる任意の各基が用いられる。具体的には上記したものと同様なものが例示される。アミノ基の保護、カルボキシル基の脱保護、および水酸基の保護ならびに脱保護の方法は、本明細書に記載する以外にも、使用する保護基に応じて適宜公知の方法および試薬によって実施され得ることは当業者には明らかであろう。
【００８３】
化合物（ｃ−１）の化合物（ｃ−２）への水酸基の保護は、例えば保護基としてＴＢＳを使用する場合には、通常、１当量のフェノール体、３当量程度の塩基（例えばイミダゾール）および２当量程度のシリルクロライドを、ＤＭＦ等の溶媒中で、室温で１０時間程度反応させることによって行なわれる。
【００８４】
化合物（ｃ−２）と化合物（ｃ−４）との脱水縮合反応は、通常、１当量のアルコール体と１当量のトリブチルフォスフィンとをトルエン溶媒中室温で１時間程度反応を行い、ここに１．３当量のフェノール体および１．３当量の１，１’−アゾビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）等の縮合剤を加え、室温で数時間から終夜反応させることによって行なわれる。
【００８５】
化合物（ｃ−７）の化合物（ｃ−８）への水酸基の脱保護は、通常、１当量のフェノール保護体（例えばシリル保護体）、１．２当量程度のテトラブチルアンモニウムフルオライドをＴＨＦ等の溶媒中で、室温で１時間程度反応させることによって行う。
【００８６】
化合物（ｃ−８）と化合物（ｃ−６）との縮合反応は、通常、室温で１当量のフェノール体と約５．２当量の過剰の水素化ナトリウムのような強塩基をＴＨＦやＤＭＦ等の溶媒中で、１０〜６０分程度反応させ、そこに４当量程度のハロゲン化物（例えばアルキルブロマイド）を加え、室温で約４時間程度反応させることによって行われる。この縮合反応によって化合物（ｃ−９）が得られる。
【００８７】
化合物（ｃ−９）の化合物（ｃ−１０）への水酸基の脱保護は、通常、１当量のフェノール保護体（例えばトリチル保護体）を、ＴＦＡを含む塩化メチレン等の溶媒中で、室温で約１時間程度反応させることによって行なわれる。
【００８８】
化合物（ｃ−１０）の化合物（ｃ−１１）への水酸基の保護は、例えば保護基としてｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基を使用する場合には、通常、１当量のアルコール体、約４当量の水素化ナトリウム等の強塩基、約４当量のブロモ酢酸ｔｅｒｔ−ブチルエステルを、ＴＨＦやＤＭＦ等の溶媒中で、室温で約４時間程度反応させることによって行われる。
【００８９】
化合物（ｃ−１１）の化合物（ｃ−１２）への水酸基の脱保護は、通常、１当量のフェノール保護体（例えばベンジル保護体）、触媒量の水酸化パラジウムを、水素ガス雰囲気下、メタノール等の溶媒中で、室温で約６時間程度反応させることによって行なわれる。
【００９０】
化合物（ｃ−１２）の化合物（ｃ−１３）への水酸基の保護は、例えば保護基としてＴｓを使用する場合には、通常、１当量のアルコール体、触媒量のＤＭＡＰ等の塩基、約６当量のトシルクロライドを、ピリジン等の溶媒中で、室温〜４０℃で約２時間程度反応させることによって行われる。
【００９１】
化合物（ｃ−１３）の化合物（ｃ−１４）へのアジド化は、１当量のトシル体、約１５当量のアジ化ナトリウムを、ＤＭＦ等の溶媒中で、約６０℃、約２時間程度反応させることによって行われる。
【００９２】
化合物（ｃ−１４）の化合物（ｃ−１５）へのアミノ化および、化合物（ｃ−１６）へのアミノ基の保護基の導入は、通常、１当量のフェノール保護体（ベンジル保護体）、触媒量の水酸化パラジウムを水素ガス雰囲気下、メタノール等の溶媒中で、室温で約１時間程度反応させることによって得られるアミン体（ｃ−１５）に、約０．８４当量の炭酸９−フルオレニルメチルスクシンイミジル、約１．５当量のトリエチルアミンのような塩基を加え、ＴＨＦ等の溶媒中で、室温で約１時間程度反応させることによって行われる。
【００９３】
化合物（ｃ−１６）の化合物（ｃ−１７）へのカルボキシル基の脱保護は、通常、１当量のフェノール保護体（例えばｔ−ブチル保護体）をＴＦＡを含む水溶液中で、室温、約１０時間程度反応させることによって行われる。
【００９４】
製法６：一般式（Ｉｄ）で表される部分構造を有する親水性スペーサーの製造方法
（Ｒ１０＝Ｒ９＝水素原子，Ｒ８＝水素原子，Ｘ４＝単結合）
各構造式中、特定の基、特定の化合物を記載する場合があるが、それらは一例であって、特にそれらに限定されるものではない。同等の働きを有するものであれば適宜変更し得る。
【００９５】
【化１７】
2005049157.tif 000017
【００９６】
式中Ｗ８は水酸基の保護基であり、他の記号の定義は上述の通りである。水酸基の保護基としては上記したものと同様なものが例示される。水酸基の脱保護は使用する保護基に応じて適宜公知の方法および試薬によって実施される。
【００９７】
化合物（ｄ−４）から（ｄ−５）へのカルボキシル化は、通常、１当量のアルコール体を、１０当量の過ヨウ素酸ナトリウム、０．４当量程度の塩化ルテニウム水和物（ＩＩＩ）のような酸化剤を水、アセトニトリル、ジクロロメタン等の溶媒存在下、室温で数時間反応させることによって得られる。
【００９８】
製法７：一般式（Ｉｅ）で表される部分構造を有する親水性スペーサーの製造方法（１）
各構造式中、特定の基、特定の化合物を記載する場合があるが、それらは一例であって、特に限定されるものではない。同等の働きを有するものであれば適宜変更し得る。
【００９９】
【化１８】
2005049157.tif 000018
【０１００】
水酸基の保護基、アミノ基の保護基としては上記したものと同様なものが例示される。水酸基の脱保護は使用する保護基によって適宜公知の方法および試薬によって実施される。
【０１０１】
化合物（ｅ−２）の化合物（ｅ−３）へのカルボニル基の還元反応は１．２当量程度のＮａＢＨ４のような還元剤をメタノール等の溶媒中で反応させ、引き続きアジド基の還元反応（アミノ化）は、通常、１当量のアジド体を、０．１当量程度の水酸化パラジウムのような触媒をメタノール等の溶媒存在下、１〜数気圧の水素存在下、室温で数時間反応させることによって得られる。
【０１０２】
化合物（ｅ−３）の化合物（ｅ−４）への水酸基の脱保護は１Ｎ水酸化ナトリウム等のアルカリをジオキサン、水等の混合溶媒中で反応させ、引き続きアミノ基の保護は（ｃ−１５）から（ｃ−１６）と同様な反応により行うことが出来る。
化合物（ｅ−４）の化合物（ｅ−５）への水酸基の保護は２０当量程度のＴＢＤＭＳＯＴｆを２，６−Ｌｕｔｉｄｉｎｅ等の存在下反応させることにより行うことが出来る。
【０１０３】
化合物（ｅ−５）の化合物（ｅ−６）への水酸基の脱保護は１０％ギ酸／ジクロロメタンと反応させ、引き続きアルコールの酸化は化合物（ｄ−４）から化合物（ｄ−５）への反応と同様によって行うことが出来る。
【０１０４】
製法８：一般式（Ｉｅ）で表される部分構造を有する親水性スペーサーの製造方法（２）
（Ｒ１３〜Ｒ１６＝Ｈ，Ｒ１１＝Ｈ，Ｒ１２＝Ｈ，ｒ＝１）
【０１０５】
【化１９】
2005049157.tif 000019
【０１０６】
式中、各記号の定義は上述の通りである。式中の水酸基の保護基、アミノ基の保護基、カルボキシル基の保護基はその一例を示したものであって、それ以外にも通常当分野で用いられる任意の各基が用いられる。具体的には上記したものと同様なものが例示される。アミノ基の保護、カルボキシル基の脱保護、および水酸基の保護の方法は、本明細書に記載する以外にも、使用する保護基に応じて適宜公知の方法および試薬によって実施され得ることは当業者には明らかであろう。
化合物（ｅ−８）から化合物（ｅ−９）へのアジド化は、１当量の化合物（ｅ−８）、触媒量のＤＭＡＰ等の塩基、約１０当量のトシルクロライドを、塩化メチレンなどの溶媒中で、室温〜４０℃で約２時間〜終夜反応させることによって化合物（ｅ−８）のトシル誘導体を得、得られたトシル誘導体１当量に対して約１５当量のアジ化ナトリウムを、ＤＭＳＯ等の溶媒中で、約６０〜７０℃で約５時間程度反応させることによって行われる。
化合物（ｅ−９）をアミノ化することによって、また、続いて当該アミノ基を保護することによって、式（Ｉｅ）で表される部分構造を有する化合物が得られる。
通常、１当量の化合物（ｅ−９）、触媒量の水酸化パラジウムを水素雰囲気下、メタノールやエタノールなどの溶媒中で、室温で約１〜２時間程度反応させることによってアミン体を得る。アミノ基の保護基を導入する場合には、得られたアミン体を常法に従い、例えば炭酸９−フルオレニルメチルスクシンイミジル等を用いて、トリエチルアミンのような塩基の存在下、ＴＨＦ等の溶媒中で反応させる。
【０１０７】
本発明においては、親水性スペーサーとして上記した各化合物に加え、それらを重合して得られる重合体もまた親水性スペーサーとして利用できる。かかる重合には、当分野で通常実施されている種々の方法を採用できる。
具体的には上記した各化合物を用いてアミド化、Ｎ−置換アミド化、シッフ塩基形成（シッフ塩基形成後、該当箇所を還元反応に付すこともできる）、エステル化、アミンあるいは水酸基によるエポキシ開裂反応等の化学反応に付すことによって実施する。当該重合反応は、もとになるモノマー成分がフリーな状態でも行うことができるが、後の精製工程が容易になるという点から、好ましくはもとになるモノマー成分を金属表面に固定化し、次いで金属表面上で重合反応を行う。これらの反応に使用する試薬や反応条件は通常当分野で実施されている方法に準じる。
【０１０８】
【実施例】
以下、製造例ならびに実施例、実験例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例により何ら限定されるものではない。
【０１０９】
製造例１：１７−アリル−１４−（ｔｅｒｔ−ブチル−ジメチル−シラニルオキシ）−１−ヒドロキシ−１２−｛２−［４−（７−（ｔｅｒｔ−ブチル−ジメチル−シラニルオキシ−カルボニル）ヘプタノイル−オキシ）−３−メトキシ−シクロヘキシル］−１−メチル−ビニル｝−２３，２５−ジメトキシ−１３，１９，２１，２７−テトラメチル−１１，２８−ジオキサ−４−アザ−トリシクロ［２２．３．１．０４，９］オクタコス−１８−エン−２，３，１０，１６−テトラオンの合成
【０１１０】
【化２０】
2005049157.tif 000020
【０１１１】
１７−アリル−１４−（ｔｅｒｔ−ブチル−ジメチル−シラニルオキシ）−１−ヒドロキシ−１２−［２−（４−ヒドロキシ−３−メトキシ−シクロヘキシル）−１−メチル−ビニル］−２３，２５−ジメトキシ−１３，１９，２１，２７−テトラメチル−１１，２８−ジオキサ−４−アザ−トリシクロ［２２．３．１．０４，９］オクタコス−１８−エン−２，３，１０，１６−テトラオン（ＦＫ５０６；１３８ｍｇ，０．１５ｍｍｏｌ）、Ｏ−モノ（ｔｅｒｔ−ブチル−ジメチル−シラニル）オクタン二酸（８６．７ｍｇ，０．２１８ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ；１６．５ｍｇ，０．０９８ｍｍｏｌ）、１−［３−（ジメチルアミノ）プロピル］−３−エチルカルボジイミド塩酸塩（ＥＤＣ・ＨＣｌ；６９．１ｍｇ，０．２６１ｍｍｏｌ）および塩化メチレン（ＣＨ２Ｃｌ２；１ｍｌ）の混合物を室温で１．５時間撹拌した。反応物を酢酸エチル−水混合液に注ぎ、抽出した。得られた有機相を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ４）で乾燥した。ＭｇＳＯ４を濾別後、減圧濃縮した。こうして得られた残渣をシリカゲルカラムで精製し（２０％ＡｃＯＥｔ（ｎ−ヘキサン中）で溶出）、目的とする１７−アリル−１４−（ｔｅｒｔ−ブチル−ジメチル−シラニルオキシ）−１−ヒドロキシ−１２−｛２−［４−（７−（ｔｅｒｔ−ブチル−ジメチル−シラニルオキシ−カルボニル）ヘプタノイル−オキシ）−３−メトキシ−シクロヘキシル］−１−メチル−ビニル｝−２３，２５−ジメトキシ−１３，１９，２１，２７−テトラメチル−１１，２８−ジオキサ−４−アザ−トリシクロ［２２．３．１．０４，９］オクタコス−１８−エン−２，３，１０，１６−テトラオン（４４ｍｇ，２４．６％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）  δ：−０．１−０．１  （１２Ｈ，  ｍ），  ０．７−２．６  （４７Ｈ，  ｍ），  ０．８５  ａｎｄ  ０．８６（１８Ｈ，  ｓ），  １．５０  （３Ｈ，  ｓ），  １．６３  （３Ｈ，  ｓ），  ２．７５  （１Ｈ，  ｍ），  ３．３１  （３Ｈ，  ｓ），  ３．３５  （３Ｈ，  ｓ），  ３．３９  （３Ｈ，  ｓ），  ４．０５  （１Ｈ，  ｍ），  ３．０−４．４  （６Ｈ），  ４．５−５．８  （９Ｈ，  ｍ）．
【０１１２】
製造例２：１７−アリル−１，１４−ジヒドロキシ−１２−｛２−［４−（７−カルボキシ−ヘプタノイル−オキシ）−３−メトキシ−シクロヘキシル］−１−メチル−ビニル｝−２３，２５−ジメトキシ−１３，１９，２１，２７−テトラメチル−１１，２８−ジオキサ−４−アザ−トリシクロ［２２．３．１．０４，９］オクタコス−１８−エン−２，３，１０，１６−テトラオンの合成
【０１１３】
【化２１】
2005049157.tif 000021
【０１１４】
製造例１で調製した１７−アリル−１４−（ｔｅｒｔ−ブチル−ジメチル−シラニルオキシ）−１−ヒドロキシ−１２−｛２−［４−（７−（ｔｅｒｔ−ブチル−ジメチル−シラニルオキシ−カルボニル）ヘプタノイル−オキシ）−３−メトキシ−シクロヘキシル］−１−メチル−ビニル｝−２３，２５−ジメトキシ−１３，１９，２１，２７−テトラメチル−１１，２８−ジオキサ−４−アザ−トリシクロ［２２．３．１．０４，９］オクタコス−１８−エン−２，３，１０，１６−テトラオン（４４ｍｇ，０．０３７ｍｍｏｌ）とアセトニトリル（０．８８ｍｌ）の混合物に４６−４８％のフッ化水素（ＨＦ）水（０．１２ｍｌ）を静かに加え室温にて終夜撹拌した。反応物を酢酸エチル−水混合液に注ぎ、抽出した。得られた有機相を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ４）で乾燥した。ＭｇＳＯ４を濾別後、減圧下濃縮した。こうして得られた残渣をシリカゲルカラムで精製し（５％メタノール（クロロホルム中））、目的とする１７−アリル−１，１４−ジヒドロキシ−１２−｛２−［４−（７−カルボキシ−ヘプタノイル−オキシ）−３−メトキシ−シクロヘキシル］−１−メチル−ビニル｝−２３，２５−ジメトキシ−１３，１９，２１，２７−テトラメチル−１１，２８−ジオキサ−４−アザ−トリシクロ［２２．３．１．０４，９］オクタコス−１８−エン−２，３，１０，１６−テトラオン（１４．２ｍｇ，４０％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）  δ：  ０．７−２．６  （４７Ｈ，  ｍ），  １．５０  （３Ｈ，  ｓ），  １．６３  （３Ｈ，  ｓ），  ２．７５
（１Ｈ，  ｍ），  ３．３１  （３Ｈ，  ｓ），  ３．３５  （３Ｈ，  ｓ），  ３．３９  （３Ｈ，  ｓ），  ４．０５  （１Ｈ，  ｍ），  ３．０−４．４  （６Ｈ），  ４．５−５．８  （１１Ｈ，  ｍ）．
ＭＳ（ｍ／ｚ）：  ９６０（Ｍ＋）
【０１１５】
製造例３：親水性スペーサー分子の合成（１−１）
２−（２−｛２−［２−（２−トリチルオキシ−エトキシ）−エトキシ］−エトキシ｝−エトキシ）エタノールの合成
【０１１６】
【化２２】
2005049157.tif 000022
【０１１７】
ペンタエチレングリコール（化合物１；１０ｇ，４２．０ｍｍｏｌ）をピリジン（１００ｍｌ）に溶解し、トリフェニルメチルクロライド（１１．６ｇ，４１．６ｍｍｏｌ）及び４−ジメチルアミノピリジン（０．９ｇ，７．４ｍｍｏｌ）を室温で加えた後、３５℃で終夜攪拌した。これを減圧濃縮して得られた残渣をクロロホルムに溶解し、有機相を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、及び飽和食塩水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。固形物を綿ろ過にて除去し、クロロホルムで洗浄し、ろ液と洗液を合わせて減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（関東化学  ６０Ｎ；６００ｍｌ）に供し、溶出液（６０：１  クロロホルム（ＣＨＣｌ３）−メタノール（ＭｅＯＨ）にて目的の２−（２−｛２−［２−（２−トリチルオキシ−エトキシ）−エトキシ］−エトキシ｝−エトキシ）エタノール（化合物２；１０．４ｇ，５１．２％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ：  ２．５３  （１Ｈ，  ｔ），  ３．１６  （２Ｈ，  ｔ），  ３．４９−３．６３  （１８Ｈ，  ｍ），  ７．１４−７．４１  （１５Ｈ，  ｍ）．
【０１１８】
製造例４：親水性スペーサー分子の合成（１−２）
［２−（２−｛２−［２−（２−トリチルオキシ−エトキシ）−エトキシ］−エトキシ｝−エトキシ）−エトキシ］酢酸の合成
【０１１９】
【化２３】
2005049157.tif 000023
【０１２０】
製造例３で得られた化合物２（１０．２ｇ，２１．２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ；２００ｍｌ）及びＤＭＦ（５０ｍｌ）の混合溶媒に溶解し、０℃にて水素化ナトリウム（３．１ｇ；油性，６０ｗｔ％）を少しずつ加えた後、室温で３０分間攪拌した。これを０℃に冷却した後、ブロモ酢酸（６．５ｇ，４６．８ｍｍｏｌ）を少しずつ加え、室温で３０分間攪拌した。その後更に水素化ナトリウム（１１．６ｇ；油性，６０ｗｔ％）を室温で少しずつ加えて室温で１時間攪拌した。反応液を０℃に冷却し、水（２５ｍｌ）を徐々に加えた後、反応液の量が約１００ｍｌになるまで減圧濃縮した。これに酢酸エチル（２００ｍｌ）及び、飽和食塩水（１００ｍｌ）を加え、攪拌しながら２Ｍ硫酸水素カリウム水溶液を加え、ｐＨを６に調製した。有機相を抽出し、３０℃にて減圧濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（関東化学  ６０Ｎ；４００ｍｌ）に供し、溶出液（８５：１５  ＣＨＣｌ３−ＭｅＯＨ）にて目的の［２−（２−｛２−［２−（２−トリチルオキシ−エトキシ）−エトキシ］−エトキシ｝−エトキシ）−エトキシ］酢酸（化合物３）の粗精製物（１２．４ｇ）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）  δ：  ３．３４  （２Ｈ，  ｔ），  ３．７６−３．８４  （２０Ｈ，  ｍ），  ４．１３  （２Ｈ，  ｓ），  ７．３０−７．８３  （１５Ｈ，  ｍ）．
【０１２１】
製造例５：親水性スペーサー分子の合成（１−３）
［２−（２−｛２−［２−（２−トリチルオキシ−エトキシ）−エトキシ］−エトキシ｝−エトキシ）−エトキシ］酢酸  ベンジルエステルの合成
【０１２２】
【化２４】
2005049157.tif 000024
【０１２３】
製造例４で得られた化合物３の粗精製物（１２．４ｇ）を塩化メチレン（１００ｍｌ）に溶解し、４−ジメチルアミノピリジン（０．２９ｇ，２．４ｍｍｏｌ）、ベンジルアルコール（３．１ｍｌ，３０．０ｍｍｏｌ）を加えた。これを０℃に冷却し、水溶性カルボジイミド（Ｎ−エチル−Ｎ’−（３’−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド；ＷＳＣ；４．５ｇ，２３．５ｍｍｏｌ）を加え、室温にて終夜攪拌した。反応液をクロロホルムで抽出し、有機相を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、及び飽和食塩水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。固形物を綿ろ過にて除去し、クロロホルムで洗浄し、ろ液と洗液を合わせて減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（関東化学  ６０Ｎ；６００ｍｌ）に供し、溶出液（１：１  酢酸エチル−ヘキサン）にて目的の［２−（２−｛２−［２−（２−トリチルオキシ−エトキシ）−エトキシ］−エトキシ｝−エトキシ）−エトキシ］酢酸  ベンジルエステル（化合物４；１２．０ｇ，９０．１％，２ｓｔｅｐｓ）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）  δ：  ３．１６  （２Ｈ，  ｔ），  ３．５５−３．６５  （２０Ｈ，  ｍ），  ４．１１  （２Ｈ，  ｓ），  ５．１１  （２Ｈ，  ｓ），  ７．１５−７．４０  （２０Ｈ，  ｍ）．
【０１２４】
製造例６：親水性スペーサー分子の合成（１−４）
［２−（２−｛２−［２−（２−ヒドロキシ−エトキシ）−エトキシ］−エトキシ｝−エトキシ）−エトキシ］酢酸  ベンジルエステルの合成
【０１２５】
【化２５】
2005049157.tif 000025
【０１２６】
製造例５で得られた化合物４（１２．０ｇ）を５％トリフルオロ酢酸塩化メチレン溶液（１５０ｍｌ）に溶解し、０℃にて水（１０ｍｌ）を加えて、０℃にて２０分間攪拌した。反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液に注いで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。固形物を綿ろ過にて除去し、クロロホルムで洗浄し、ろ液と洗液を合わせて減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（関東化学  ６０Ｎ；４００ｍｌ）に供し、溶出液（１０００：１５ＣＨＣｌ３−ＭｅＯＨ）にて目的の［２−（２−｛２−［２−（２−ヒドロキシ−エトキシ）−エトキシ］−エトキシ｝−エトキシ）−エトキシ］酢酸  ベンジルエステル（化合物５；７．０ｇ，９５％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）  δ：  ２．８０  （１Ｈ，  ｔ），  ３．６２−３．７６  （２０Ｈ，  ｍ），  ４．２２  （２Ｈ，  ｓ），  ５．２０  （２Ｈ，  ｓ），  ７．３６−７．４１  （５Ｈ，  ｍ）．
【０１２７】
製造例７：親水性スペーサー分子の合成（１−５）
［２−（２−｛２−［２−（２−アジド−エトキシ）−エトキシ］−エトキシ｝−エトキシ）−エトキシ］酢酸  ベンジルエステルの合成
【０１２８】
【化２６】
2005049157.tif 000026
【０１２９】
製造例６で得られた化合物５（７．０ｇ，１８．１ｍｍｏｌ）及び４−ジメチルアミノピリジン（０．４ｇ，３．３ｍｍｏｌ）をピリジン（４５ｍｌ）に溶解し、０℃に冷却した。これにｐ−トルエンスルホニルクロライド（５．２ｇ，２７．２ｍｍｏｌ）を加えて室温で終夜攪拌し、更にｐ−トルエンスルホニルクロライド（３．１ｇ，１６．２ｍｍｏｌ）及び４−ジメチルアミノピリジン（１２０ｍｇ，０．９８ｍｍｏｌ）を加えて３０℃で２時間攪拌した。反応液を０℃に冷却し、水（３ｍｌ）を加えて減圧濃縮し、得られた残渣を酢酸エチルに溶解し、有機相を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、及び飽和食塩水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。固形物を綿ろ過にて除去し、酢酸エチルで洗浄し、ろ液と洗液を合わせて減圧濃縮した。得られた残渣をＤＭＦ（５０ｍｌ）に溶解し、アジ化ナトリウム（１１．８ｇ，０．１８ｍｏｌ）を加えて６０℃で１時間攪拌した。反応液を酢酸エチルで抽出し、有機相を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、及び飽和食塩水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。固形物を綿ろ過にて除去し、酢酸エチルで洗浄し、ろ液と洗液を合わせて減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（関東化学  ６０Ｎ；２５０ｍｌ）に供し、溶出液（３：１  酢酸エチル−ヘキサン）にて目的の［２−（２−｛２−［２−（２−アジド−エトキシ）−エトキシ］−エトキシ｝−エトキシ）−エトキシ］酢酸  ベンジルエステル（化合物６；３．３ｇ，４４．３％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）  δ：  ３．３１  （２Ｈ，  ｔ），  ３．５４−３．８７  （２０Ｈ，  ｍ），  ４．１３  （２Ｈ，  ｓ），  ５．１２  （２Ｈ，  ｓ），  ７．２０−７．３０  （５Ｈ，  ｍ）．
【０１３０】
製造例８：親水性スペーサー分子の合成（１−６）
［２−（２−｛２−［２−（２−アミノ−エトキシ）−エトキシ］−エトキシ｝−エトキシ）−エトキシ］酢酸の合成
【０１３１】
【化２７】
2005049157.tif 000027
【０１３２】
製造例７で得られた化合物６（１．９４ｇ，４．７２ｍｍｏｌ）をメタノール（５０ｍｌ）に溶解し、１０％Ｐｄ−Ｃ（５００ｍｇ）を加えて、室温で２．５時間接触水素添加を行った。固形物をセライトろ過にて除去し、メタノールで洗浄し、ろ液と洗液を合わせて減圧濃縮して目的の［２−（２−｛２−［２−（２−アミノ−エトキシ）−エトキシ］−エトキシ｝−エトキシ）−エトキシ］酢酸（化合物７；１．４ｇ，定量的）を得た。
ＭＳ  （ｍ／ｚ）  ：  ２９６  （Ｍ＋）
【０１３３】
製造例９：親水性スペーサー分子の合成（１−７）
｛２−［２−（２−｛２−［２−（９Ｈ−フルオレン−９−イル−メトキシカルボニルアミノ）−エトキシ］−エトキシ｝−エトキシ）−エトキシ］−エトキシ｝酢酸の合成
【０１３４】
【化２８】
2005049157.tif 000028
【０１３５】
製造例８で得られた化合物７（１．２５ｇ，４．２３ｍｍｏｌ）を１０％炭酸ナトリウム水溶液（１４ｍｌ）に溶解し、ジメトキシエタン（１４ｍｌ）に懸濁した９−フルオレニルメチルスクシンイミジルカルボネート（２．１５ｇ，６．３７ｍｍｏｌ）を室温で滴下した後、室温で終夜攪拌した。固形物をセライトにてろ別後、クロロホルムで洗浄した。ろ液と洗液を合わせてクロロホルムで抽出し、有機相を２Ｍ硫酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。固形物を綿ろ過にて除去し、クロロホルムで洗浄し、ろ液と洗液を合わせて減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（関東化学  ６０Ｎ；１５０ｍｌ）に供し、溶出液（１０００：７  ＣＨＣｌ３−ＭｅＯＨ）にて目的の｛２−［２−（２−｛２−［２−（９Ｈ−フルオレン−９−イル−メトキシカルボニルアミノ）−エトキシ］−エトキシ｝−エトキシ）−エトキシ］−エトキシ｝酢酸（化合物８；１．３８ｇ，６３．０％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ：  ３．３４  （２Ｈ，  ｔ），  ３．５０−３．７１  （１８Ｈ，  ｍ），  ４．０５  （２Ｈ，  ｓ），  ４．１２  （１Ｈ，  ｔ），  ４．３３  （２Ｈ，  ｄ），  ５．５７  （１Ｈ，  ｓ），  ７．２２−７．９５  （８Ｈ，  ｍ）．
【０１３６】
製造例１０：親水性スペーサー付金膜の合成：ヘキサエチレングリコール誘導体付金膜（高純度化学研究所社；純金、純度９９．９％ｕｐ、形状１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．０１ｍｍ（ｔ））の合成
【０１３７】
【化２９】
2005049157.tif 000029
【０１３８】
Ｐｉｒａｎｈａ溶液（３０％過酸化水素：濃硫酸＝１：４混合溶液）に数時間浸した金膜（約１ｃｍ２）をミリＱ水（ミリポアの純水製造装置でろ過した水）、エタノールで洗浄した。これを（６−メルカプト−ヘキシル）−カルバミン酸  ９Ｈ−フルオレン−９−イル−メチル  エステルの１．５ｍＭエタノール溶液（０．５ｍｌ）に終夜浸して、金薄膜上にＳＡＭを形成させた。反応終了後、金膜をエタノール、アセトニトリルで十分に洗浄した後、製造例１２に記載の方法により金膜上にアミンが約２５０ｐｍｏｌ存在することを確認した。
この金膜をアセトニトリルで十分に洗浄した後、アセトニトリル（０．２５ｍｌ）に溶解した｛２−［２−（２−｛２−［２−（９Ｈ−フルオレン−９−イル−メトキシカルボニルアミノ）−エトキシ］−エトキシ｝−エトキシ）−エトキシ］−エトキシ｝酢酸（製造例９で得られた化合物８；１２．５ｍｇ，０．０２４ｍｍｏｌ）を加え、更にアセトニトリル（０．２５ｍｌ）に溶解したベンゾトリアゾール−１−イル−オキシ−トリス−ピロリジノ−ホスホニウム  ヘキサフルオロホスフェート（ＰｙＢＯＰ；１３ｍｇ，０．０２５ｍｍｏｌ）、及びＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（８．９μｌ，０．５０ｍｍｏｌ）を加え、室温で終夜振とうした。反応液を除き、金膜をアセトニトリルで洗浄後、同様の条件で終夜反応を行った。反応終了後、金膜をアセトニトリルで十分に洗浄した後、アセトニトリル（０．２５ｍｌ）に溶解した酢酸（０．３μｌ，０．００５ｍｍｏｌ）を加え、更にアセトニトリル（０．２５ｍｌ）に溶解したベンゾトリアゾール−１−イル−オキシ−トリス−ピロリジノ−ホスホニウム  ヘキサフルオロホスフェート（ＰｙＢＯＰ；２．６ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）、及びＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（１．７μｌ，０．０１０ｍｍｏｌ）を加え、室温で５時間振とうした。金膜をアセトニトリルで十分に洗浄した後、製造例１２に記載の方法により縮合率を定量した（約９０％）。かくして親水性スペーサーとしてのヘキサエチレングリコール誘導体が、ＳＡＭ由来のアルカンチオールを介して結合している金膜を得た（ヘキサエチレングリコール誘導体付き金膜）。
【０１３９】
製造例１１：ＦＫ５０６誘導体結合型親水性スペーサー付金膜の合成
（金膜＋（ＰＥＧ）１−ＦＫ５０６）
【０１４０】
【化３０】
2005049157.tif 000030
【０１４１】
製造例１０で得られたヘキサエチレングリコール誘導体付金膜を用い、製造例２で調製した１７−アリル−１，１４−ジヒドロキシ−１２−｛２−［４−（７−カルボキシ−ヘプタノイル−オキシ）−３−メトキシ−シクロヘキシル］−１−メチル−ビニル｝−２３，２５−ジメトキシ−１３，１９，２１，２７−テトラメチル−１１，２８−ジオキサ−４−アザ−トリシクロ［２２．３．１．０４，９］オクタコス−１８−エン−２，３，１０，１６−テトラオン（４．８ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）、ＥＤＣ・ＨＣｌ（１．０ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＯＢｔ；０．７ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）およびジメチルホルムアミド（ＤＭＦ；０．５ｍｌ）の混合物とともに室温で終夜撹拌した。反応終了後、金膜をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）で十分に洗浄し、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（０．２５ｍｌ）に溶解した酢酸（０．３μｌ，０．００５ｍｍｏｌ）、ＥＤＣ・ＨＣｌ（１．０ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＯＢｔ；０．７ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）を溶解したジメチルホルムアミド（ＤＭＦ；０．５ｍｌ）の混合物に浸し、室温で終夜撹拌した。金膜をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、アセトニトリルで十分に洗浄し、親水性スペーサーを有するＦＫ５０６結合型金膜〔金膜＋（ＰＥＧ）１−ＦＫ５０６〕を合成した。
金膜とＦＫ５０６の間に介在する親水性スペーサー部分のＨＢＡ数は７、ＨＢＤ数は１である。但しＳＡＭ由来のアルカンチオール部分とＦＫ５０６にあらかじめ導入された基に由来する分は数に入れない。
【０１４２】
製造例１２：フルオレン誘導体の定量による低分子の金薄膜上への固定化量の定量
製造例１０において、終夜金薄膜を浸した（６−メルカプト−ヘキシル）−カルバミン酸  ９Ｈ−フルオレン−９−イル−メチル  エステルの１．５ｍＭエタノール溶液を除き、金膜をエタノール、アセトニトリルで十分に洗浄した後、金薄膜を１ｍＬの２０％のピペリジンを含むアセトニトリル溶液に浸し、３０分間振とうした。このアセトニトリル溶液を回収し、さらに１ｍｌのアセトニトリルで金薄膜を洗浄した。回収したアセトニトリル溶液と金薄膜の洗浄に用いたアセトニトリル溶液を合わせ、減圧濃縮した。更に５０℃にて１時間真空乾燥を行った。室温まで放冷した後、１００μＬのアセトニトリルで容器内に付着したフルオレン誘導体を溶解し、更に１００μＬのミリＱ水を注いだ。この溶液をろ過した後、ＬＣ／ＭＳにて脱保護反応によりＦｍｏｃ基から生成したフルオレン誘導体の質量分析を行い、得られたピーク（Ｍ＋１；２６４）エリアからフルオレン誘導体の定量を行った。脱保護により生成したアミノ基に、製造例９で得られたＦｍｏｃ基をもつ親水性スペーサーを縮合後、同様に２０％ピペリジンによる脱保護、生成したフルオレン誘導体の質量分析を行い、金薄膜上への親水性スペーサーの結合量を求めた。
【０１４３】
参考例１：ＦＫ５０６誘導体結合型（アルカンチオール直付き／親水性スペーサーなし）金膜の合成
製造例１０記載の方法により、金膜を（６−メルカプト−ヘキシル）−カルバミン酸  ９Ｈ−フルオレン−９−イル−メチル  エステルで処理することによって、金膜上にアルカンチオールを固定化した後、製造例１１記載に準じた方法により、１７−アリル−１，１４−ジヒドロキシ−１２−｛２−［４−（７−カルボキシ−ヘプタノイル−オキシ）−３−メトキシ−シクロヘキシル］−１−メチル−ビニル｝−２３，２５−ジメトキシ−１３，１９，２１，２７−テトラメチル−１１，２８−ジオキサ−４−アザ−トリシクロ［２２．３．１．０４，９］オクタコス−１８−エン−２，３，１０，１６−テトラオンを導入した。
【０１４４】
参考例２：ＦＫ５０６誘導体結合型デキストラン付金膜の合成
（金膜＋デキストラン−ＦＫ５０６）
【０１４５】
【化３１】
2005049157.tif 000031
【０１４６】
Ｐｉｒａｎｈａ溶液（３０％過酸化水素：濃硫酸＝１：４混合溶液）に数時間浸した金膜（高純度化学研究所社；純金、純度９９．９％ｕｐ、形状１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．０１ｍｍ（厚））（約１ｃｍ２）をミリＱ水、エタノールで洗浄した。ついで、この金膜を用いて文献記載（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，  Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，  １５２６−１５２８，  １９９０）の方法により、カルボキシメチルデキストラン（ＣＭ−Ｄｅｘｔｒａｎ）付金膜を作成した。得られたカルボキシメチルデキストラン付金膜を用いて、製造例２で調製した１７−アリル−１，１４−ジヒドロキシ−１２−｛２−［４−（７−カルボキシ−ヘプタノイル−オキシ）−３−メトキシ−シクロヘキシル］−１−メチル−ビニル｝−２３，２５−ジメトキシ−１３，１９，２１，２７−テトラメチル−１１，２８−ジオキサ−４−アザ−トリシクロ［２２．３．１．０４，９］オクタコス−１８−エン−２，３，１０，１６−テトラオン（９．６ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）、ＥＤＣ・ＨＣｌ（１．９２ｍｇ，０．０１ｍｏｌ）、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＯＢｔ；１．３３ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（３．０３ｍｇ、０．０３ｍｏｌ）およびミリＱ水（１ｍｌ）の混合物とともに室温で終夜撹拌した。反応終了後、金膜をミリＱ水で十分に洗浄し、酢酸（０．５７μｌ，０．０１ｍｍｏｌ）、ＥＤＣ・ＨＣｌ（１．９２ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＯＢｔ；１．３３ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）を溶解したミリＱ水（１ｍｌ）の混合物に浸し、室温で終夜撹拌した。金膜をミリＱ水で十分に洗浄し、デキストランを有するＦＫ５０６結合型金膜〔金膜＋デキストラン−ＦＫ５０６〕を合成した。
【０１４７】
製造例１３：親水性スペーサー付ＢＩＡＣＯＲＥセンサーチップの合成：ヘキサエチレングリコール誘導体付センサーチップ（ＢＩＡＣＯＲＥ社；ＳＩＡ  センサーチップ）の合成
【０１４８】
【化３２】
2005049157.tif 000032
【０１４９】
Ｐｉｒａｎｈａ溶液（３０％過酸化水素：濃硫酸＝１：４混合溶液）に数時間浸したセンサーチップ（ＢＩＡＣＯＲＥ社；ＳＩＡ  センサーチップ）をミリＱ水、エタノールで洗浄した。これを（６−メルカプト−ヘキシル）−カルバミン酸  ９Ｈ−フルオレン−９−イル−メチル  エステルの１．５ｍＭエタノール溶液（０．５ｍＬ）に終夜浸して、センサーチップ上の金表面にＳＡＭを形成させた。反応終了後、センサーチップをエタノール、アセトニトリルで十分に洗浄した後、ピペリジン／アセトニトリル（１／４）の混合溶液（１ｍｌ）を加えて室温で３０分間振とうした。アセトニトリルで十分洗浄した後、アセトニトリル（０．２５ｍｌ）に溶解した｛２−［２−（２−｛２−［２−（９Ｈ−フルオレン−９−イル−メトキシカルボニルアミノ）−エトキシ］−エトキシ｝−エトキシ）−エトキシ］−エトキシ｝酢酸（製造例９で得られた化合物８；１２．５ｍｇ，０．０２４ｍｍｏｌ）を加え、更にアセトニトリル（０．２５ｍｌ）に溶解したベンゾトリアゾール−１−イル−オキシ−トリス−ピロリジノ−ホスホニウム  ヘキサフルオロホスフェート（ＰｙＢＯＰ；１３ｍｇ，０．０２５ｍｍｏｌ）、及びＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（８．９μｌ，０．５０ｍｍｏｌ）を加え、室温で終夜振とうした。反応液を除き、センサーチップをアセトニトリルで洗浄後、同様の条件で終夜反応を行った。反応終了後、センサーチップをアセトニトリルで十分に洗浄した後、アセトニトリル（０．２５ｍｌ）に溶解した酢酸（０．３μｌ，０．００５ｍｍｏｌ）、更にアセトニトリル（０．２５ｍｌ）に溶解したベンゾトリアゾール−１−イル−オキシ−トリス−ピロリジノ−ホスホニウムヘキサフルオロホスフェート（ＰｙＢＯＰ；２．６ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）、及びＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（１．７μｌ，０．０１０ｍｍｏｌ）の混合溶液に浸し、室温で５時間振とうした。センサーチップをアセトニトリルで十分に洗浄した後、上述のようにピペリジン／アセトニトリル（１／４）の混合溶液（１ｍｌ）で処理し、親水性スペーサー付ＢＩＡＣＯＲＥセンサーチップを調製した。
【０１５０】
製造例１４：ＦＫ５０６誘導体結合型親水性スペーサー付センサーチップの合成（センサーチップ＋（ＰＥＧ）１−ＦＫ５０６）
【０１５１】
【化３３】
2005049157.tif 000033
【０１５２】
製造例１３で得られたヘキサエチレングリコール誘導体付センサーチップを用い、製造例２で調製した１７−アリル−１，１４−ジヒドロキシ−１２−｛２−［４−（７−カルボキシ−ヘプタノイル−オキシ）−３−メトキシ−シクロヘキシル］−１−メチル−ビニル｝−２３，２５−ジメトキシ−１３，１９，２１，２７−テトラメチル−１１，２８−ジオキサ−４−アザ−トリシクロ［２２．３．１．０４，９］オクタコス−１８−エン−２，３，１０，１６−テトラオン（４．８ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）、ＥＤＣ・ＨＣｌ（１．０ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＯＢｔ；０．７ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）およびジメチルホルムアミド（ＤＭＦ；０．５ｍｌ）の混合物を室温で終夜撹拌した。反応終了後、センサーチップをジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）で十分に洗浄し、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（０．２５ｍｌ）に溶解した酢酸（０．３μｌ，０．００５ｍｍｏｌ）、ＥＤＣ・ＨＣｌ（１．０ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＯＢｔ；０．７ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）を溶解したジメチルホルムアミド（ＤＭＦ；０．５ｍｌ）の混合物に浸し、室温で終夜撹拌した。センサーチップをジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、アセトニトリルで十分に洗浄し、親水性スペーサーを有するＦＫ５０６結合型センサーチップ〔センサーチップ＋（ＰＥＧ）１−ＦＫ５０６〕を合成した。金表面を有するセンサーチップとＦＫ５０６の間に介在する親水性スペーサー部分のＨＢＡ数は７、ＨＢＤ数は１である。但しＳＡＭ由来のアルカンチオール部分とＦＫ５０６にあらかじめ導入された基に由来する分は数に入れない。
【０１５３】
参考例３：ＦＫ５０６誘導体結合型（アルカンチオール直付き／親水性スペーサーなし）センサーチップの合成
製造例１０記載の方法により、センサーチップを（６−メルカプト−ヘキシル）−カルバミン酸  ９Ｈ−フルオレン−９−イル−メチル  エステルで処理することによって、センサーチップ上にアルカンチオールを固定化した後、製造例１１記載に準じた方法により、１７−アリル−１，１４−ジヒドロキシ−１２−｛２−［４−（７−カルボキシ−ヘプタノイル−オキシ）−３−メトキシ−シクロヘキシル］−１−メチル−ビニル｝−２３，２５−ジメトキシ−１３，１９，２１，２７−テトラメチル−１１，２８−ジオキサ−４−アザ−トリシクロ［２２．３．１．０４，９］オクタコス−１８−エン−２，３，１０，１６−テトラオンを導入した。
【０１５４】
実施例１
（１）ライゼート（ｌｙｓａｔｅ）の調製
ラットの脳（２．２ｇ）を混合液Ａ（０．２５Ｍシュクロース，２５ｍＭ  Ｔｒｉｓバッファー（ｐＨ７．４），２２ｍｌ）に混ぜ、ホモジネートを作成後、９５００ｒｐｍで１０分間遠心分離した。遠心分離上清を取り、５００００ｒｐｍでさらに３０分間遠心分離した。こうして得られた上清をライゼートとして使用した。なお、実験はすべて４℃あるいは氷上で行った。
（２）結合実験
上記したＦＫ５０６を結合した各種金膜（ＦＫ５０６結合金膜）を用いて以下の手順でライゼートとの結合実験を行った。なお、ライゼートは混合液Ａで１／２に希釈して使用した。ＦＫ５０６を結合した各種金膜はそれぞれ１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．０１ｍｍ（ｔ）１枚を使用した。
尚、ＦＫ５０６を結合した金膜としては、ヘキサエチレングリコール誘導体の導入された製造例１１のＦＫ５０６誘導体結合型親水性スペーサー付金膜を用いた。また、比較例として参考例１のＦＫ５０６付金膜（親水性スペーサーなし）あるいは参考例２のＦＫ５０６付金膜（デキストランスペーサー）を用いた。
ＦＫ５０６結合金膜とライゼート（１ｍｌ）を４℃で終夜、静かに振とうした。その後、上清を除き、残ったＦＫ５０６結合金膜を混合液Ａで３回十分に洗浄して各ＦＫ５０６結合金膜を十分に洗浄した。
こうして得られたＦＫ５０６結合金膜に２５μｌのＳＤＳ−ＰＡＧＥ用ｌｏａｄｉｎｇ  ｂｕｆｆｅｒ（ｎａｋａｌａｉ  ｃａｔ．  ＮＯ＝３０５６６−２２、電気泳動用ｓａｍｐｌｅ  ｂｕｆｆｅｒ  ｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｗｉｔｈ  ２−ＭＥ（２−ｍｅｒｃａｐｔｏｅｔｈａｎｏｌ）  （２ｘ）  ｆｏｒ  ＳＤＳ  ＰＡＧＥ）を加え、ピペッティングした。こうして得られたサンプル液を市販のＳＤＳゲル（ＢｉｏＲａｄ  ｒｅａｄｙＧｅｌ  Ｊ，１５％ＳＤＳ，ｃａｔ．ＮＯ＝１６１−Ｊ３４１）で分離し、そのＳＤＳゲルを解析した（図１）。結果、図１レーン４に示す親水性スペーサーを導入したものではレーン３の親水性スペーサー無しのものに比べ、非特異的な相互作用に基づくと思われるバンドの濃さの減少あるいは消失が認められ、且つ特異的な相互作用に基づくと思われるバンド（ＦＫＢＰ１２）の濃さの増強が認められた。かかる結果は、親水性スペーサーの導入により非特異的な相互作用が抑制され、且つ特異的な相互作用が増強されていることを示している。
【０１５５】
実施例２
（１）ライゼート（Ｌｙｓａｔｅ）の調製
実施例１に準ずる。
（２）結合実験
上記したＦＫ５０６を結合した各種センサーチップを用いて以下の手順でライゼートとの結合実験を行った。なお、ライゼートは混合液Ａで１／２に希釈して使用した。ＦＫ５０６を結合した各種センサーチップはそれぞれ１枚を使用した。
尚、ＦＫ５０６を結合したセンサーチップとしては、ヘキサエチレングリコール誘導体の導入された製造例１４のＦＫ５０６誘導体結合型親水性スペーサー付センサーチップを用いた。また、比較例として参考例３のＦＫ５０６結合型センサーチップを用いた。
ＦＫ５０６結合型センサーチップとライゼート（１ｍｌ）を４℃で終夜、静かに振とうした。その後、上清を除き、残ったＦＫ５０６結合型センサーチップを混合液Ａで３回十分に洗浄してＦＫ５０６結合型センサーチップ表面を十分に洗浄した。
こうして得られたＦＫ５０６結合型センサーチップの金表面へ２５μｌのＳＤＳ−ＰＡＧＥ用ｌｏａｄｉｎｇ  ｂｕｆｆｅｒ（ｎａｋａｌａｉ  ｃａｔ．ＮＯ＝３０５６６−２２、電気泳動用ｓａｍｐｌｅ  ｂｕｆｆｅｒ  ｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｗｉｔｈ  ２−ＭＥ（２−ｍｅｒｃａｐｔｏｅｔｈａｎｏｌ）  （２ｘ）  ｆｏｒ  ＳＤＳ  ＰＡＧＥ）を加え、ピペッティングした。こうして得られたサンプル液を市販のＳＤＳゲル（ＢｉｏＲａｄ  ｒｅａｄｙＧｅｌ  Ｊ，１５％ＳＤＳ，ｃａｔ．ＮＯ＝１６１−Ｊ３４１）で分離し、そのＳＤＳゲルを解析した。結果、親水性スペーサーを導入したものに非特異的な相互作用に基づくと思われるバンドの濃さの減少あるいは消失が認められ、且つ特異的な相互作用に基づくと思われるバンド（具体的にはＦＫＢＰ１２に相当するバンド）の濃さの増強が認められた。かかる結果は、親水性スペーサーの導入により非特異的な相互作用が抑制され、且つ特異的な相互作用が増強されていることを示している。
【０１５６】
【発明の効果】
固相担体としての金属の表面へのリガンドの固定化の際に、金属表面と検討対象のリガンドとの間に親水性のスペーサーを導入することにより、金属表面の疎水的な性質を低減し、分子間の非特異的な相互作用を抑制することが出来る。また同時に分子間の特異的な相互作用を増強することが出来る。
低分子−低分子、低分子−高分子、高分子−高分子の相互作用を測定、あるいは相互作用をベースとして目的とするターゲットを精製する研究において、本願発明の技術により非特異的な相互作用を人為的に抑制し、且つ特異的な相互作用を増強することが可能である。すなわち、本技術は低分子−高分子、低分子−低分子、高分子−高分子相互作用を片方の分子を固相担体に固定し、相互作用を測定、あるいは相互作用をベースとして目的とするターゲットを精製する研究を容易にするものである。これらの成果は生命科学全般、特に創薬研究、ポストゲノム研究、プロテオミクス、ケミカルジェノミクス、ケミカルプロテオミクス等に広く応用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】金膜表面（リガンド）への非特異的結合タンパク質の吸着ならびに特異的タンパク質の結合について、親水性スペーサーを介してリガンドを金膜表面に固定化した場合（製造例１１）と、親水性スペーサー無しにリガンドを金膜表面に固定化した場合（参考例１）とを比較した結果を表す電気泳動写真である。
【図１】
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