(57)【要約】      （修正有）【課題】切断面を損傷せずに個々の半導体装置に切り離すことができる基板フレームと、この基板フレームを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板フレームの隣接する配線基板領域１１の間に、この配線基板領域１１の辺の長さよりも長いスリット１５を、搬送方向に延在する両側の吊り基板領域１３にかかるように形成する。配線基板領域１１中央の搭載領域１１ａに、半導体チップを接着剤で接着し、この配線基板領域１１に形成されたパッド１ａと、半導体チップの対応するパッドとの間をワイヤで接続する。更に、半導体チップ等が搭載された配線基板領域１１内の封止領域１１ｂを、樹脂封止体で封止する。その後、配線基板領域１１とその両側の吊り基板領域１３との境界線を、回転鋸によってソーカットし、個々の半導体装置に分離する。【選択図】図１
2005079365.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが搭載された後で切断されて半導体装置の基板となる複数の配線基板領域が、搬送方向に延在する２つの吊り基板領域に挟まれて所定の間隔で一列に配置された基板フレームにおいて、
隣接する配線基板領域の間を隔て、かつ前記２つの吊り基板領域にまたがるスリットをルータ加工で形成したことを特徴とする基板フレーム。
【請求項２】
前記配線基板領域の端面は、前記スリットの辺に一致することを特徴とする請求項１記載の基板フレーム。
【請求項３】
半導体チップが搭載された後で切断されて半導体装置の基板となる複数の配線基板領域が、搬送方向に延在する２つの吊り基板領域に挟まれて所定の間隔で一列に配置された基板フレームにおいて、
前記配線基板領域の周囲の境界部分における配線パターンを除去したことを特徴とする基板フレーム。
【請求項４】
請求項１記載の基板フレームの配線基板領域に半導体チップを搭載し、前記配線基板領域内のパッドと前記半導体チップの対応するパッドとの間を接続し、この半導体チップを樹脂で封止した後、前記配線基板領域と前記吊り基板領域の境界をソーカットで切断して個々の半導体装置に切り離すこと特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の基板フレームの配線基板領域に半導体チップを搭載し、前記配線基板領域内のパッドと前記半導体チップの対応するパッドとの間を接続し、この半導体チップを樹脂で封止した後、前記配線基板領域の周囲の境界部分を金型を用いたパンチングで切断して個々の半導体装置に切り離すこと特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを搭載してこの半導体チップの電極を外部端子に接続するために用いる基板フレームと、この基板フレームを用いた半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図２（ａ）〜（ｃ）は、下記特許文献３に開示された従来の半導体装置の説明図であり、同図（ａ）は部分的に切り欠いて内部を示した斜視図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線に沿う部分の断面図、及び同図（ｃ）はこの半導体装置の製造に用いられる基板フレームの平面図である。
【０００３】
この半導体装置は、図２（ａ），（ｂ）に示すように、配線基板１の第１面に搭載された半導体チップ２を有している。半導体チップ２は、回路形成面を上にして、裏面がエポキシ樹脂等の導電性または絶縁性の接着剤３で配線基板１の第１面に接合されている。配線基板１の第１面には、図示しない配線とこの配線に接続された複数のパッド（接続電極）１ａが配置形成されている。第１面において、パッド１ａは露出されているが、配線やその他の領域は、ソルダーレジストによって被覆されている。
【０００４】
パッド１ａとこれに対応する半導体チップ２のパッド２ａとの間は、ワイヤ４によって電気的に接続されている。更に、配線基板１の第１面側の半導体チップ２、接着剤３及びワイヤ４は、エポキシ樹脂等の樹脂封止体５で被覆されている。
【０００５】
一方、配線基板１の裏面である第２面にも、図示しない配線と、この配線に接続された複数のパッドが配置形成されている。これらのパッドは露出されているが、配線やその他の領域は、第１面と同様にソルダーレジストによって被覆されている。そして、第２面のパッドには、外部接続端子となる半田ボール６が接合されている。なお、図示していないが、配線基板１の第１面と第２面の配線間は、所定の箇所に設けられたスルーホールを介して電気的に接続されている。
【０００６】
この半導体装置は、概略次のような工程で製造される。
まず、図２（ｃ）に示すような基板フレーム１０を準備する。この基板フレーム１０は、絶縁基体の両面に銅箔が貼り付けられた両面基板に、それぞれが配線基板１となる複数の配線基板領域１１を所定の間隔で１列に連続して形成したものである。各配線基板領域１１には、両面基板をエッチングして配線基板１の第１面と第２面のパッドを含む配線パターンが形成され、これらの第１面と第２面の配線パターン間を接続するためのスルーホールが所定の箇所に設けられている。スルーホール内部には配線パターン間を接続するために、パッドの表面にはワイヤ４や半田ボール６との接合性を高めるために、ＮｉＡｕ電解めっきが施されている。そして、配線パターンとその他の領域には、パッドを除いて、ソルダーレジストが塗布されている。
【０００７】
更に、基板フレーム１０の隣接する配線基板領域１１の境界には、この配線基板領域１１の辺の長さよりも短いスリット１２が設けられている。また、配線基板領域１１とこの配線基板領域１１の外側の吊り基板領域（いわゆる、耳の部分）１３との境界にも、この配線基板領域１１の辺の長さよりも短いスリット１４が設けられている。即ち、配線基板領域１１は、４隅で吊り基板領域１３に接続されるようになっている。なお、これらのスリット１２，１４は、ルータ加工によって形成されている。
【０００８】
このような基板フレーム１０における配線基板領域１１の中央の搭載領域１１ａに、半導体チップ２を接着剤３で接着する。次に、配線基板領域１１に形成されたパッド１ａと、半導体チップ２の対応するパッド２ａとの間を、ワイヤ４で接続する。更に、半導体チップ２、接着剤３及びワイヤ４が接続された配線基板領域１１内の封止領域１１ｂを、樹脂封止体５で封止する。また、配線基板領域１１の第２面のパッドに、外部接続端子となる半田ボール６を接合する。その後、配線基板領域１１の４隅の、吊り基板領域１３に接続された箇所を、金型を使用したパンチングによって切断し、個々の半導体装置に分離する。
【特許文献１】特開平７−１３５２８１号公報
【特許文献２】特開平１０−２０９３６１号公報
【特許文献３】特開平１１−８７３８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来の半導体装置では次のような課題があった。
即ち、基板フレーム１０の配線基板領域１１と吊り基板領域１３の間には、配線パターンの表面に電気めっきを行うための銅箔によるリードパターンが形成されている。このため、パンチングで配線基板領域１１の４隅を切断して個々の半導体装置に分離するときに、切断面が損傷して信頼性に問題が生ずるおそれがあった。また、パンチグンによらず、回転鋸によって４隅をソーカットする方法もあるが、ソーカットでは縦方向と横方向に切る必要があり、特に大型のＢＧＡでは生産効率が悪くなるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、半導体チップが搭載された後で切断されて半導体装置の基板となる複数の配線基板領域が、搬送方向に延在する２つの吊り基板領域に挟まれて所定の間隔で一列に配置された基板フレームにおいて、隣接する配線基板領域の間を隔て、かつ前記２つの吊り基板領域にまたがるスリットをルータ加工で形成する。或いは、基板フレームにおける配線基板領域の周囲の境界部分における配線パターンを除去する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の基板フレームは、隣接する配線基板領域の間に、２つの吊り基板領域にまたがるスリットをルータ加工で形成しているので、これらの配線基板領域に半導体チップを搭載して樹脂封止した後で、配線基板領域と吊り基板領域の境界をソーカットで切断することにより、切断面を損傷せずに個々の半導体装置に切り離すことができる。また、配線基板領域の境界部分における配線パターンを予め除去した場合には、金型によるパンチングを使用しても、切断面を損傷せずに個々の半導体装置に切り離すことができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
搬送方向に延在する２つの吊り基板領域に挟まれて、所定の間隔で一列に配置された複数の配線基板領域を有する基板フレームにおいて、隣接する配線基板領域の間を、２つの吊り基板領域にまたがるようにルータ加工で形成したスリットで分離する。
【実施例１】
【００１３】
図１は、本発明の実施例１を示す基板フレームの平面図である。
この基板フレーム１０Ａは、図２（ａ），（ｂ）に示す半導体装置を製造するときに、図２（ｃ）の基板フレーム１０に代えて用いられるものである。図１において、図２（ｃ）中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【００１４】
この基板フレーム１０Ａは、図２（ｃ）の基板フレーム１０と同様に、絶縁基体の両面に銅箔が貼り付けられた両面基板に、それぞれが配線基板１となる複数の配線基板領域１１を所定の間隔で１列に連続して形成したものである。各配線基板領域１１には、両面基板をエッチングして配線基板１の第１面と第２面のパッド１ａ，１ｂを含む配線パターンが形成され、これらの第１面と第２面の配線パターン間を接続するためのスルーホールが所定の箇所に設けられている。スルーホール内部には配線パターン間を接続するためのめっきが施され、またパッド１ａ，１ｂの表面にはワイヤや半田ボールとの接合性を高めるために、ニッケル−金による電解めっきが施されている。そして、パッド１ａ，１ｂを除いて、配線パターンとその他の領域には、ソルダーレジストが塗布されている。
【００１５】
一方、基板フレーム１０Ａの隣接する配線基板領域１１の間には、この配線基板領域１１の辺の長さよりも長いスリット１５が、配線基板領域１１の外側で、搬送方向に延在する吊り基板領域１３にかかるように形成されている。そして、スリット１５によって、隣接する配線基板領域１１が隔離されるようになっている。なお、このスリット１５は、ルータ加工によって形成されている。
【００１６】
この基板フレーム１０Ａを用いた半導体装置の製造方法について説明する。
まず、基板フレーム１０Ａにおける配線基板領域１１の中央の搭載領域１１ａに、半導体チップ２を絶縁性の接着剤３で接着する。
【００１７】
次に、配線基板領域１１に形成されたパッド１ａと、半導体チップ２の対応するパッド２ａとの間を、ボンディング用のワイヤ４で接続する。
【００１８】
更に、半導体チップ２、接着剤３及びワイヤ４が接続された配線基板領域１１内の封止領域１１ｂを、樹脂封止体５で封止する。
【００１９】
また、配線基板領域１１の第２面のパッド１ｂに、外部接続端子となる半田ボール６を接合する。
【００２０】
その後、配線基板領域１１とその両側の吊り基板領域１３との境界線を、回転鋸によってソーカットし、個々の半導体装置に分離する。
【００２１】
以上のように、この実施例１の基板フレーム１０Ａは、スリット１５によって隣接する配線基板領域１１の境界線が完全に切断されている。これにより、配線基板領域１１とその両側の吊り基板領域１３との境界線を、１方向にソーカットするだけで、切断面を損傷せずに個々の半導体装置に分離することができるという利点がある。
【実施例２】
【００２２】
図３（ａ），（ｂ）は、本発明の実施例２を示す基板フレームの構成図であり、同図（ａ）は平面図、及び同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う部分の断面図である。
【００２３】
この基板フレーム１０Ｂは、図２（ａ），（ｂ）に示す半導体装置を製造するときに、図２（ｃ）の基板フレーム１０に代えて用いられるものである。図３において、図２（ｃ）中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【００２４】
この基板フレーム１０Ｂは、図２（ｃ）の基板フレーム１０と同様に、絶縁基体１０ａの両面に銅箔１０ｂが貼り付けられた両面基板に、それぞれが配線基板１となる複数の配線基板領域１１を所定の間隔で１列に連続して形成したものである。各配線基板領域１１には、両面基板の銅箔１０ｂをエッチングして配線基板１の第１面と第２面のパッド１ａ，１ｂを含む配線パターンが形成され、これらの第１面と第２面の配線パターン間を接続するためのスルーホールが所定の箇所に設けられている。このスルーホール内部には、配線パターン間を電気的に接続するためのめっきが施されている。またパッド１ａ，１ｂを除いて、配線パターンとその他の領域には、ソルダーレジスト１０ｃが塗布され、パッド１ａ，１ｂの表面には、ワイヤや半田ボールとの接合性を高めるために、ニッケル−金による電解めっきが施されている。
【００２５】
一方、基板フレーム１０Ｂの隣接する配線基板領域１１の間には、加工時のストレスを緩和するためのスリット１７が、ルータ加工によって形成されている。更に、各配線基板領域１１の周囲には、吊り基板領域１３との境界線に沿って、所定の幅で銅箔１０ｂとソルダーレジスト１０ｃが除去された溝１８が形成されている。
【００２６】
次に、基板フレーム１０Ｂとこれを用いた半導体装置の製造方法について説明する。
（１）  絶縁基体１０ａの両面に銅箔１０ｂが貼り付けられた両面基板を用意し、その両面の銅箔１０ｃをホトリソグラフィ技術を用いてエッチングし、所定の間隔で配置された複数の配線基板領域１１の配線パターンを形成する。なお、この配線パターンには、パッド１ａ，１ｂのほか、電気めっき用のリードパターンも含まれる。
【００２７】
（２）  配線基板１の両面の配線パターン間を接続するためのスルーホールを空け、このスルーホール内部にめっきを施す。また、吊り基板領域１３に搬送位置決め用の穴１６を空ける。更に、配線基板１の両面のパッド１ａ，１ｂと各配線基板領域１１の周囲の溝１８となる箇所以外の箇所に、ソルダーレジスト１０ｃを塗布し、このパッド１ａ，１ｂの表面にニッケル−金による電解めっきを施す。
【００２８】
（３）  各配線基板領域１１の境界の溝１８となる箇所以外をエッチングマスクで覆い、この溝１８となる箇所の配線パターン（即ち、電解めっきのためのリードパターンの一部）をエッチングで除去する。
【００２９】
（４）  エッチングマスクを除去し、ルータ加工によって配線基板領域１１の間にスリット１７を形成する。これにより、図３のフレーム基板１０Ｂが完成する。
【００３０】
（５）  基板フレーム１０Ｂにおける配線基板領域１１の中央の搭載領域１１ａに、半導体チップ２を接着剤３で接着し、この配線基板領域１１に形成されたパッド１ａと、半導体チップ２の対応するパッド２ａとの間を、ワイヤ４で接続する。
【００３１】
（６）半導体チップ２、接着剤３及びワイヤ４が接続された配線基板領域１１内の封止領域１１ｂを、樹脂封止体５で封止する。また、配線基板領域１１の第２面のパッド１ｂに、外部接続端子となる半田ボール６を接合する。
【００３２】
（７）  配線基板領域１１の周囲に形成された溝１８を、金型を使用したパンチングによって切断し、個々の半導体装置に分離する。
【００３３】
以上のように、この実施例２の基板フレーム１０Ｂは、配線基板領域１１の境界線に、配線パターンを予め除去した溝１８を設けているので、この溝１８に沿ってパンチングすることにより、切断面を損傷せずに個々の半導体装置に分離することができるという利点がある。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明の活用例として、例えば次のようなものがある。
（ａ）  基板フレーム１０Ａ，１０Ｂは両面基板に限定されず、３層以上の配線層を有する多層基板にも適用できる。
【００３５】
（ｂ）  配線基板１と半導体チップ２の接続は、ワイヤボンディングに限定されず、例えばフリップチップ接続でも良い。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施例１を示す基板フレームの平面図である。
【図２】従来の半導体装置の説明図である。
【図３】本発明の実施例２を示す基板フレームの構成図である。
【符号の説明】
【００３７】
１    配線基板
１ａ，２ａ    パッド
２    半導体チップ
３    接着剤
４    ワイヤ
５    樹脂封止体
６    半田ボール
１０Ａ，１０Ｂ    基板フレーム
１１    配線基板領域
１３    吊り基板領域
１５，１７    スリット
１８    溝
【図１】
2005079365.tif 000003
【図２】
2005079365.tif 000004
【図３】
2005079365.tif 000005