(57)【要約】【課題】  ボイド率のさらなる低減を可能とするベアチップのマウント方法を提供すること。【解決手段】  端部にはんだ供給口１５が形成されたベアチップ保持治具１２を用いて、ベアチップ１１をはんだ供給口１５側が高くなるよう斜めに吸着保持した状態で、ベアチップ保持治具１２を基板１０上に載置することにより、基板１０とベアチップ１１との間に隙間を形成し、はんだ供給口１５から基板１０上にはんだを供給して基板１０上ではんだを溶融させ、その溶融はんだ１６を基板１０とベアチップ１１との隙間に侵入させる。そして、所定量のはんだを供給した後に、ベアチップ１１をベアチップ保持治具１２からリリースして、基板１０とベアチップ１１とをはんだ接合する。【選択図】            図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素還元ダイボンド法により基板上にベアチップをはんだ接合するベアチップのマウント方法において、
端部にはんだ供給口が形成されたベアチップ保持治具を用いて前記ベアチップを前記はんだ供給口側が高くなるよう斜めに吸着保持した状態で、前記ベアチップ保持治具を前記基板上に載置することにより、前記基板と前記ベアチップとの間に隙間を形成し、
前記はんだ供給口から前記基板上にはんだを供給して前記基板上であって前記隙間の側方ではんだを溶融させ、
前記基板上で溶融させたはんだを前記隙間に所定量侵入させた後に、前記ベアチップ保持治具から前記ベアチップをリリースして、前記基板と前記ベアチップとをはんだ接合することを特徴とするベアチップのマウント方法。
【請求項２】
請求項１に記載するベアチップのマウント方法において、
前記ベアチップ保持治具は、前記基板上に載置された状態で、前記基板と前記ベアチップとのなす角度が０度よりも大きく３０度よりも小さくなるように前記ベアチップを吸着保持することを特徴とするベアチップのマウント方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載するベアチップのマウント方法において、
前記はんだを斜め方向から前記基板上に供給することを特徴とするベアチップのマウント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上にベアチップをはんだ接合するベアチップのマウント方法に関する。さらに詳細には、水素還元ダイボンド法によりはんだ接合を行うベアチップのマウント方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えばパワートランジスタ等の電子部品の接合には、水素還元雰囲気中ではんだ付けを行う水素還元ダイボンド法が用いられている。この水素還元ダイボンド法は、図６に示すように、水素還元雰囲気中において、基板１００の表面の酸化物を除去し、その基板１００を加熱して、その加熱された基板１００上にはんだ１０６を供給する。そして、はんだ１０６が供給された所へ素子１０１をセットした後にスクラブ動作を行って基板１００と素子１０１とを接合する方法である。
【０００３】
ところが、上記した方法では、供給されるはんだ１０６の表面に形成されている酸化物を除去することができない。このため、スクラブ動作を行うことにより、酸化物を粉砕してボイドの発生を抑制している。しかしながら、スクラブ動作によっても酸化物を完全に除去することはできない。そのため、ある程度（５〜１０％程度）のボイドの発生を容認しなければならなかった。
【０００４】
ボイドが発生すると、接合の信頼性を著しく低下させるとともに、実使用時に電子部品から発生される熱の伝達が悪くなり、放熱不足となって電子部品の機能停止もしくは破損に至ってしまう。このため、ボイドの発生を防止することが非常に重要である。
【０００５】
そこで、水素還元ダイボンド法においてボイドの発生を防止するための方法が種々提案されている。そのうちの１つとして、例えば特開平６−２３５３４号公報に開示された方法がある。ここに開示された方法は、図７に示すように、基板１００と素子１０１との接合領域外にはんだ１０６を置き、溶融したはんだ１０６を毛細管現象により接合領域に侵入させてはんだ付けすることにより、はんだ接合部におけるボイドの発生を少なくするようにしている。なお、はんだ１０６の置き方として、図７（ａ）に示すように寝かした状態で置く場合と、図７（ｂ）に示すように治具１０７を用いて直立させた状態で置く場合が挙げられている。
【０００６】
また、別の方法として、特開平９−５１０４９号公報に開示された方法がある。この方法は、図８に示すように、接合する一方の部品１１０に突起１１５を設け、その突起１１５で他方の部品１１１を支持して、部品１１０と部品１１１との間に隙間を形成し、その隙間の側方からはんだ１０６を供給して、溶融したはんだ１０６ａを毛細管現象により隙間に侵入させてはんだ付けすることにより、はんだ接合部におけるボイドの発生を少なくするようにしている。そして、突起１１５によって支持されている部品１１１の中央部を加圧して撓ませることにより、はんだ供給部の毛細管現象を助けるようにしている。
【０００７】
さらに、別の方法として、特開平８−２８８３１９号公報に開示された方法もある。この方法は、図９に示すように、素子１２１をコレット１２２にて吸着することにより、基板１２０と素子１２１との間に隙間を形成し、コレット１２２の側壁に形成されている開口に接続した注入管１２８から溶融はんだ１０６ａを流し込むようになっている。そして、基板１２０と素子１２１との隙間内に存在するエアーを、注入管１２８から流し込む溶融はんだ１０６ａによって、コレット１２２の側壁に開口したエアーベント１２９から押し出すことにより、ボイドの発生を防止している。
【０００８】
しかしながら、特開平６−２３５３４号公報に開示された方法では、素子１０１の下面に溶融したはんだ１０６が侵入しにくいという問題があった。なぜなら、基板１００と素子１０１とが接している、つまり基板１００と素子１０１との間に隙間がないため、溶融したはんだ１０６の浸透性が悪く毛細管現象が起こりにくいからである。
【０００９】
これに対し、特開平９−５１０４９号公報に開示された方法では、部品１１０に突起を設けて、部品１１０と部品１１１との間に隙間を形成しているため、溶融はんだ１０６ａが侵入しにくいという問題は解消されている。ところが、部品１１０に突起１１５を設定する必要があり、部品１１０の形状が複雑になってしまう。このため、製品のコストアップを招来するという問題がある。また、はんだには熱応力を緩和する働きがあるが、部品１１０と突起１１５とが接触しているため、はんだによる熱応力緩和の作用が生じないという問題がある。さらに、はんだ供給部の毛細管現象を助けるために部品１１１の中央部を撓ませているが、突起１１５に支持される部品１１１がベアチップなどの脆いものであると割れてしまうという問題がある。
【００１０】
ここで、熱応力を緩和するために、突起１１５を樹脂で形成すると、樹脂の熱伝導性が悪いため、部品１１０の放熱性を悪化させる。つまり、ボイドが発生した場合と同様の状態となる。さらに、部品１１０を撓ませるために、突起１１５が２個以上必要であるから樹脂の面積が増加し、ますます放熱性が悪化するという問題がある。
【００１１】
また、特開平８−２８８３１９号公報に開示された方法でも、基板１２０と素子１２１との間に隙間が形成されるので、溶融はんだ１０６ａが基板１２０と素子１２１との間に侵入しにくいという問題は解消されている。ところが、この方法では、供給する溶融はんだ１０６ａに含まれる酸化物も一緒に基板１２０と素子１２１との隙間に流れ込む。このため、流し込む溶融はんだ１０６ａに含まれる酸化物が原因でボイドが発生するという問題がある。
【００１２】
そこで、本出願人は上記した問題点を解決すべく、特願２００２−２４８１０６号にて、ボイドの発生を防止するとともにベアチップ（素子）下面へ確実にはんだを供給し、また、ベアチップ側面へのはんだ付着を防止することができるベアチップのマウント方法を提案した。
【００１３】
【特許文献１】特開平６−２３５３４号公報（第２〜３頁、第１図）
【特許文献２】特開平９−５１０４９号公報（第２頁、第１図）
【特許文献３】特開平８−２８８３１９号公報（第２〜３頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、本出願人が特願２００２−２４８１０６号で提案したベアチップのマウント方法でも、ボイド率を十分に低減することができなかった。これは、はんだが基板と素子との間に浸透する際に発生する下向きの力（素子を基板側に引き寄せようとする力）が作用するからである。すなわち、図１０に示すように、素子１０１と基板１００との間に対するはんだ１０６ａの浸透に伴い、素子１０１に対して下向きの力が発生すると、素子１０１が急激に下降したり、ばたついてしまい、素子１０１と基板１００との間に隙間がなくなってしまう。そうすると、はんだ１０６ａの流れが乱れてしまい、図１１に示すようにボイドが発生するのである。
【００１５】
その後、図１２に示すように、はんだ１０６ａの供給に伴い素子１０１は押し上げられ、素子保持治具にしっかりと保持される。しかしながら、一度発生したボイドははんだ内に残留してしまう。その結果、図１３に示すように、ボイドが発生した状態のままで、はんだ付けが終了するので、ボイド率を十分に低減することができなかったのである。
【００１６】
そこで、本発明は上記した問題点を解決するためになされたものであり、ボイド率のさらなる低減を可能とするベアチップのマウント方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するためになされた本発明に係るベアチップのマウント方法は、水素還元ダイボンド法により基板上にベアチップをはんだ接合するベアチップのマウント方法において、端部にはんだ供給口が形成されたベアチップ保持治具を用いて前記ベアチップを前記はんだ供給口側が高くなるよう斜めに吸着保持した状態で、前記ベアチップ保持治具を前記基板上に載置することにより、前記基板と前記ベアチップとの間に隙間を形成し、前記はんだ供給口から前記基板上にはんだを供給して前記基板上であって前記隙間の側方ではんだを溶融させ、前記基板上で溶融させたはんだを前記隙間に所定量侵入させた後に、前記ベアチップ保持治具から前記ベアチップをリリースして、前記基板と前記ベアチップとをはんだ接合することを特徴とする。
【００１８】
このベアチップのマウント方法では、まず、端部にはんだ供給口が形成されたベアチップ保持治具によって、ベアチップが吸着保持される。そして、その状態でベアチップ保持治具が基板上に載置される。これにより、ベアチップと基板との間に確実に隙間が形成される。そして、基板とベアチップとの間に形成された隙間の側方であって、かつベアチップ保持治具に形成されたはんだ供給口から、基板上にはんだを供給して基板上ではんだを溶融させる。基板上で溶融したはんだには、元々、はんだに形成されていた酸化物も含まれているが、酸化物は比重差によりはんだ供給口の上方に浮かんでくる。つまり、ベアチップ保持治具内には未酸化の溶融はんだのみが供給される。
【００１９】
そして、はんだが供給され続けると溶融はんだの量が増えていき、基板上に溶融はんだが広がりベアチップ下面に到達する。そうすると、毛細管現象とはんだの濡れ作用により、未酸化状態の溶融はんだが基板とベアチップとの間の隙間に侵入していく。このとき、ベアチップに対して下向きの力が発生する。
【００２０】
ここで、ベアチップは、ベアチップ保持治具によってはんだ供給口側が高くなるよう斜めに吸着保持されている。このため、溶融はんだは、基板とベアチップとの間を進行するとともに、ベアチップをベアチップ保持治具に押し付ける。なぜなら、溶融はんだに作用している力の分力が、ベアチップ面の垂直方向（ベアチップをベアチップ保持治具に押し付ける方向）に作用するからである。そして、このベアチップをベアチップ保持治具に押し付ける力は、溶融はんだが基板とベアチップとの間の隙間に侵入する際にベアチップに作用する下向きの力よりも大きい。
【００２１】
したがって、基板とベアチップとの間の隙間に溶融はんだを供給した際、ベアチップが急激に下降したり、ばたついてしまうことを防止することができる。このため、はんだの流れが乱れることなく、未酸化状態の溶融はんだが基板とベアチップとの間の隙間全体に広がる。その後、ベアチップがベアチップ保持治具からリリースされ、ベアチップと基板とがはんだ接合される。なお、はんだ供給口の上方に浮かんでいた酸化物は、基板とベアチップとの隙間の側方で基板上に残留する。
【００２２】
本発明に係るベアチップのマウント方法においては、前記ベアチップ保持治具は、前記基板上に載置された状態で、前記基板と前記ベアチップとのなす角度が０度より大きく３０度より小さくなるように前記ベアチップを吸着保持することが望ましい。
【００２３】
基板とベアチップとのなす角度が０度であると、基板とベアチップとの間の隙間に溶融はんだを供給した際に、ベアチップをベアチップ保持治具に押し付ける力が発生しない。一方、基板とベアチップとのなす角度が３０度よりも大きくなると、はんだの供給が追いつかずにベアチップ下面に空気が入り込んでしまい、ボイドが発生するおそれがある。このため、基板とベアチップとのなす角度は、０度より大きく３０度より小さくするのがよい。そして好ましくは、基板とベアチップとのなす角度は、５〜１０度の範囲内とするのがよい。
【００２４】
また、本発明に係るベアチップのマウント方法においては、前記はんだを斜め方向から前記基板上に供給することが望ましい。
【００２５】
はんだを斜め方向から供給することにより、はんだを供給する力の水平方向分力によって、溶融はんだに作用する進行方向への力を大きくなる。これにより、溶融はんだがベアチップをベアチップ保持治具に押し付ける力が大きくなる。したがって、基板とベアチップとの間の隙間に溶融はんだを供給する際に、ベアチップが急激に下降したり、ばたついてしまうことをより確実に防止することができる。よって、ボイドの発生を防止することができる。
【００２６】
ここで、はんだを斜め方向から供給する場合、はんだと基板とのなす角度を小さくした方が、溶融はんだを進行方向へ押す力は大きくなる。その一方、はんだと基板とのなす角度を小さくしていくと、溶融はんだの表面に存在する酸化物も基板とベアチップとの隙間に侵入しやすくなる。したがって、基板とベアチップとの隙間に溶融はんだの表面に存在する酸化物が侵入しない角度範囲内において、はんだの供給角度を決定すればよい。具体的に、はんだと基板とのなす角度、つまりはんだの供給角度は、１５〜７５度の範囲内、好ましくは３０〜６０度の範囲内で決定すればよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係るベアチップのマウント方法によれば、ベアチップを斜めに吸着保持することにより、基板とベアチップとの間に溶融はんだを供給する際に、ベアチップをベアチップ保持治具に押し付ける力を作用させることができる。これにより、ベアチップが急激に下降したり、ばたついてしまうことを確実に防止することができる。したがって、ボイド率のさらなる低減を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明のベアチップのマウント方法を具体化した最も好適な実施の形態について、図面に基づき詳細に説明する。本実施の形態は、電子部品製造装置のボンディング工程に本発明を適用したものである。そこで、実施の形態に係るボンディング工程を実施するための電子部品製造装置の概略構成を図１に示す。図１は、電子部品製造装置の概略を示す平面図である。
【００２９】
この電子部品製造装置には、基板置き場２０から基板１０を搬送するための基板搬送ロボット２１と、ベアチップ置き場２２からベアチップ１１を搬送するためのベアチップ搬送ロボット２３と、水素還元雰囲気を作り出すための水素還元チャンバ２４と、基板１０にベアチップ１１をはんだ接合するためのボンディングヘッド２５と、基板１０にベアチップ１１がマウントされた完成品を完成品置き場２６へ搬送するための完成品搬送ロボット２７とが備わっている。そして、この電子部品製造装置では、ボンディングヘッド２５から棒状のはんだが供給されて、水素還元チャンバ２４内において基板１０にベアチップ１１がはんだ接合され、完成品である電子部品が製造されるようになっている。
【００３０】
そして、ボンディングヘッド２５には、ベアチップ１１を吸着保持するためのベアチップ保持治具１２が備わっている。このベアチップ保持治具１２は、図２に示すように、その下面が開放された箱体形状をなすものである。なお、図２は、ボンディング工程の一過程を示す図であり、ベアチップを吸着したベアチップ保持治具を基板上に載置した状態を示す。
【００３１】
ベアチップ保持治具１２には、ベアチップ１１を真空吸着するための真空吸着用流路１３およびチャンバ１４が形成されている。チャンバ１４は、ベアチップ１１に対する真空吸着を安定させるために設けられている。そして、真空吸着用流路１３（チャンバ１４）は、図示しない真空ポンプ（吸引源）に接続されている。
【００３２】
また、ベアチップ保持治具１２の端部に、はんだ供給口１５が形成されている。はんだ供給口１５は、ベアチップ保持治具１２を基板１０上に載置した状態で、基板１０と約６０度をなすように形成されている。これにより、はんだを斜め方向から基板１０上に供給することができるようになっている。具体的には、はんだ供給口１５に図示しない棒状のはんだを供給して基板１０上で溶融させる。
【００３３】
さらに、ベアチップ保持治具１２の開放部の上面（ベアチップ１１を吸着する面）は、ベアチップ保持治具１２を基板１０上に載置した状態で、基板１０に対して角度θをなすように斜めになっている。これにより、ベアチップ保持治具１２は、ベアチップ１１をはんだ供給口１５側が高くなるよう斜めに吸着保持することができるようになっている。
【００３４】
次に、上記の構成を有する電子部品製造装置におけるボンディング工程について、図２〜図５を参照しながら詳細に説明する。図３は、基板とベアチップとの間にはんだが供給され始めた状態を示す。図４は、基板とベアチップとの間へのはんだ供給がさらに進んだ状態を示す。図５は、基板とベアチップとの間へのはんだ供給が終了してベアチップがベアチップ保持治具からリリースされた状態を示す。
【００３５】
まず、ベアチップ搬送ロボット２３によって、ベアチップ１１がベアチップ置き場２２から水素還元チャンバ２４内に搬送される。ベアチップ１１が水素還元チャンバ２４内に搬送されると、ベアチップ１１は、ボンディングヘッド２５に備わるベアチップ保持治具１２に真空吸着される。また、基板搬送ロボット２１によって、基板１０が基板置き場２０から水素還元チャンバ２４内に搬送される。そして、搬送されてきた基板１０上に、ベアチップ１１を真空吸着したベアチップ保持治具１２が載置される（図２）。これにより、ベアチップ１１は、基板１０との間に隙間を保つとともに、基板１０に対し角度θをなした状態で斜めに保持される。
【００３６】
ここで、ベアチップの保持角度θは、０度より大きく３０度より小さい範囲に設定すればよい。ベアチップの保持角度θが０度であると、基板１０とベアチップ１１との間の隙間に溶融はんだを供給した際に、ベアチップ１１をベアチップ保持治具１２に押し付ける力が発生しない。一方、ベアチップの保持角度θが３０度よりも大きくなると、はんだの供給が追いつかずにベアチップ１１の下面に空気が入り込んでしまい、ボイドが発生するおそれがあるからである。そして好ましくは、ベアチップの保持角度θは、５〜１０度の範囲内とするのがよい。
【００３７】
続いて、ボンディングヘッド２５から図示しない棒状のはんだが基板１０上に供給されると、棒状のはんだが基板１０上で溶融する。これにより、図３に示すように、はんだ供給口１５から溶融はんだ１６が供給される。このとき、はんだに形成されている酸化物１７も溶融するが、溶融はんだ１６と酸化物１７との比重差により、酸化物１７は溶融はんだ１６の表面に浮かんでくる。つまり、酸化物１７は、はんだ供給口１５の上方に留まり、未酸化状態の溶融はんだ１６がはんだ供給口１５からベアチップ１１の下面に供給される。
【００３８】
そして、溶融はんだ１６の量が増加していき、溶融はんだ１６がベアチップ１１の下面に接触すると、図４に示すように、溶融はんだ１６が毛細管現象およびはんだ濡れ作用によって、基板１０とベアチップ１１との隙間に浸透していく。このとき、ベアチップ１１に対して下向きの力が発生する。しかしながら、ベアチップ１１は基板１０に対して角度θをなすように斜めに保持されている。このため、溶融はんだ１６は、基板１０とベアチップ１１との間を進行するとともに、ベアチップ１１をベアチップ保持治具１２に押し付ける。なぜなら、溶融はんだ１６に作用している力の分力が、ベアチップ１１下面の垂直方向（ベアチップ１１をベアチップ保持治具１２に押し付ける方向）に作用するからである。
【００３９】
また、はんだ供給口１５を基板１０に対して斜めに形成し、はんだを斜め方向から基板１０上に供給しているので、はんだを供給する力の水平方向分力によって溶融はんだ１６の進行方向へ作用する力を大きくなっている。これにより、溶融はんだ１６がベアチップ１１をベアチップ保持治具１２に押し付ける力がより大きくなる。
【００４０】
ここで、はんだを斜め方向から供給する場合、はんだ（はんだ供給口１５）と基板１０とのなす角度を小さくした方が、溶融はんだ１６を進行方向へ押す力は大きくなる。その一方、はんだ（はんだ供給口１５）と基板１０とのなす角度を小さくしていくと、溶融はんだ１６の表面に存在する酸化物１７も基板１０とベアチップ１１との隙間に侵入しやすくなる。したがって、基板１０とベアチップ１１との隙間に溶融はんだ１６の表面に存在する酸化物１７が侵入しない角度範囲内において、はんだの供給角度（はんだ供給口１５の角度）を決定すればよい。具体的に、はんだ（はんだ供給口１５）と基板とのなす角度、つまりはんだの供給角度（基板１０とはんだ供給口１５とがなす角度）は、１５〜７５度の範囲内、好ましくは３０〜６０度の範囲内で決定すればよい。
【００４１】
したがって、基板１０とベアチップ１１との間の隙間に溶融はんだ１６を供給した際、ベアチップ１１が急激に下降したり、ばたついてしまうことを確実に防止することができる。このため、溶融はんだ１６は、流れが乱れることなく、基板１０とベアチップ１１との間の隙間全体に広がっていく。よって、基板１０とベアチップ１１との隙間に溶融はんだ１６が浸透していく際に、ボイドが発生することを確実に防止することができる。なお、はんだ濡れ性を良くするために、基板１０の表面にはニッケルメッキを施し、ベアチップ１１のはんだ付着面には金メッキあるいはニッケルメッキを施していることが望ましい。
【００４２】
そして、所定量のはんだが供給されると、図５に示すように、ベアチップ１１がベアチップ保持治具１２からリリースされ、ベアチップ１１と基板１０とがはんだ接合される。このときのはんだ厚さは、供給するはんだの量によって管理される。また、はんだ供給口１５の上方に浮かんでいた酸化物１７は、基板１０とベアチップ１１との隙間の側方で基板１０上に残留する。つまり、基板１０とベアチップ１１との隙間には、未酸化状態の溶融はんだ１６のみが供給される。したがって、酸化物の混入によるボイドの発生も確実に防止することができる。なお、基板１０上に残留した酸化物１７は、はんだ接合が終了した後に除去される。
【００４３】
このようにしてはんだ接合を行った場合のボイド率を調べたところ、特願２００２−２４８１０６号で提案した方法に比べ、３５％程度のボイド率の低減が図られていた。また、ボイド率のばらつきも小さくなっていた。
【００４４】
以上、詳細に説明したように本実施の形態に係るボンディング工程によれば、端部にはんだ供給口１５が形成されたベアチップ保持治具１２を用いてベアチップ１１をはんだ供給口１５側が高くなるよう斜めに吸着保持した状態で、ベアチップ保持治具１２を基板１０上に載置することにより、基板１０とベアチップ１１との間に隙間を形成し、はんだ供給口１５から基板１０上にはんだを供給して基板１０上ではんだを溶融させ、その溶融はんだ１６を基板１０とベアチップ１１との間に隙間に侵入させるので、溶融はんだ１６を基板１０とベアチップ１２との間を進行させるとともに、ベアチップ１１をベアチップ保持治具１２に押し付けることができる。これにより、基板１０とベアチップ１１との間の隙間に溶融はんだ１６を供給した際、ベアチップ１１が急激に下降したり、ばたついてしまうことを防止することができる。このため、溶融はんだ１６の流れが乱れないので、ボイドの発生が防止され、さらなるボイド率の低減を図ることができる。
【００４５】
なお、上記した実施の形態は単なる例示にすぎず、本発明を何ら限定するものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】電子部品製造装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】ベアチップをベアチップ保持治具に吸着保持した状態でベアチップ保持治具を基板上に載置した状態を示す図である。
【図３】基板とベアチップとの間に溶融はんだが供給され始めた状態を示す図である。
【図４】基板とベアチップとの間への溶融はんだの供給がさらに進んだ状態を示す図である。
【図５】基板とベアチップとの間への溶融はんだの供給が終了してベアチップがベアチップ保持治具からリリースされた状態を示す図である。
【図６】従来の水素還元ダイボンド法の原理を説明するための図である。
【図７】従来の水素還元ダイボンド法によるはんだ付け方法を説明するための図であり、（ａ）ははんだを寝かした状態で供給する場合を示し、（ｂ）ははんだを立てた状態で供給する場合を示している。
【図８】従来の水素還元ダイボンド法による、別のはんだ付け方法を説明するための図である。
【図９】従来の水素還元ダイボンド法による、さらに別のはんだ付け方法を説明するための図である。
【図１０】基板とベアチップとの間にはんだが浸透したときのベアチップの状態を示す図である。
【図１１】ベアチップ下におけるはんだの流れを示す図である。
【図１２】基板とベアチップとの間にはんだが供給されたときのベアチップの状態を示す図である。
【図１３】ベアチップ下におけるはんだの流れを示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０  基板
１１  ベアチップ
１２  ベアチップ保持治具
１３  真空吸着用流路
１４  チャンバ
１５  はんだ供給口
１６  溶融はんだ
１７  酸化物
【図１】
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【図２】
2005079241.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005079241.tif 000009
【図８】
2005079241.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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