(57)【要約】【課題】光近接効果補正精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正の効率化を図る。【解決手段】設計パターンデータで特定されるマスクパターンを限定領域Ａ〜Ｃに分割し、参照データベースＲＢに登録されている補正結果を流用することにより、限定領域ＡについてのＯＰＣ付加パターンを生成し、限定領域ＢについてルールベースＯＰＣを適用することにより、限定領域ＢについてのＯＰＣ付加パターンを生成し、これら限定領域Ａ、ＢについてのＯＰＣ付加パターンおよび限定領域Ｃの元のマスクパターンを合成する。【選択図】      図１
2005049403.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクパターンの形成領域のうち一部の領域に限定して光近接効果補正が施されていることを特徴とする露光用マスク。
【請求項２】
マスクパターンのライン＆スペースが所定範囲の領域に限定して光近接効果補正が施されていることを特徴とする請求項１記載の露光用マスク。
【請求項３】
リソグラフィールールチェックに基づいて抽出されたルールに基づいて光近接効果補正が施されていることを特徴とする露光用マスク。
【請求項４】
プロセスモデルに基づいて抽出されたルールに基づいて光近接効果補正が施されていることを特徴とする露光用マスク。
【請求項５】
光近接効果補正が行われたマスクパターンを登録する参照データベースと、
マスクパターン生成領域から光近接効果補正を行わない領域を抽出する第１領域抽出手段と、
前記マスクパターン生成領域から前記参照データベースに登録された領域を抽出する第２領域抽出手段と、
前記参照データベースの参照結果に基づいて、前記第２領域抽出手段により抽出された領域についての光近接効果補正を行う第１光近接効果補正手段と、
前記第１領域抽出手段および前記第２領域抽出手段のいずれによっても抽出されない領域についての光近接効果補正を行う第２光近接効果補正手段と、
前記第１領域抽出手段により抽出された領域と、前記第１光近接効果補正手段により光近接効果補正が行われた領域と、前記第２光近接効果補正手段により光近接効果補正が行われた領域とを合成する合成手段とを備えることを特徴とする光近接効果補正装置。
【請求項６】
リソグラフィールールチェックに基づいて、リソグラフィー時のライン幅またはパターン間の間隔が規定範囲内に収まらない領域を抽出する領域抽出手段と、
前記領域抽出手段による領域抽出結果に基づいて、光近接効果補正を行うためのルールを設定するルール設定手段とを備えることを特徴とする光近接効果補正装置。
【請求項７】
プロセスモデルに基づいてレジストのライン幅の補正量を算出する補正量算出手段と、
前記補正量算出手段により算出された補正量に基づいて、所定範囲のライン＆スペースごとに補正量をルール化するルール化手段とを備えることを特徴とする光近接効果補正装置。
【請求項８】
リソグラフィールールチェックに基づいて、リソグラフィー時のライン幅またはパターン間の間隔が規定範囲内に収まらない領域を抽出する領域抽出手段と、
前記領域抽出手段により抽出された領域以外については補正を行わないようにすることにより、前記ルール化手段によりルール化されたルールを簡略化する簡略化手段をさらに備えることを特徴とする請求項７記載の光近接効果補正装置。
【請求項９】
マスクパターン生成領域から光近接効果補正を行わない第１領域を抽出するステップと、
以前に光近接効果補正されたパターンと同一のパターンを有する第２領域を前記マスクパターン生成領域から抽出するステップと、
以前に光近接効果補正されたパターンの補正結果に基づいて、前記第２領域についての光近接効果補正を行うステップと、
前記第１および第２領域以外の第３領域についての光近接効果補正を行うステップと、
光近接効果補正前の第１領域ならびに光近接効果補正後の第２および第３領域を合成するステップとを備えることを特徴とする光近接効果補正方法。
【請求項１０】
前記第３領域についての光近接効果補正を行うステップは、
前記第３領域について寸法制御不要な領域を除外するステップと、
プロセスモデルに基づいて所定範囲のライン＆スペースごとに補正量のルールを設定するステップと、
リソグラフィールールチェックに基づいて前記ルールを簡略化するステップと、
前記簡略化されたルールに基づいて、前記第３領域についての光近接効果補正を行うステップとを備えることを特徴とする請求項９記載の光近接効果補正方法。
【請求項１１】
半導体ウェハ上にフォトレジストを塗布する工程と、
マスクパターンの形成領域のうち一部の領域に限定して光近接効果補正が施された露光用マスクを介して前記フォトレジストを露光する工程と、
前記露光されたフォトレジストを現像する工程と、
前記現像されたフォトレジストをマスクとして前記半導体ウェハのイオン注入処理またはエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
リソグラフィールールチェックに基づいて、リソグラフィー時のライン幅またはパターン間の間隔が規定範囲内に収まらない領域を抽出するステップと、
前記領域抽出結果に基づいて、光近接効果補正を行うためのルールを設定するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする光近接効果補正プログラム。
【請求項１３】
プロセスモデルに基づいてレジストのライン幅の補正量を算出するステップと、
前記算出された補正量に基づいて、所定範囲のライン＆スペースごとに補正量をルール化するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする光近接効果補正プログラム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は露光用マスク、光近接効果補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラムに関し、特に、光近接効果補正を行う領域の抽出方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
光近接効果補正方法では、シミュレーションベースＯＰＣと、ルールベースＯＰＣの２通りの方法が一般的に用いられている。
ここで、シミュレーションベースＯＰＣでは、マスクパターンの各辺を細分化して、光強度シミュレーションを行う。そして、マスクパターンの変形や寸法変動させた後の形状と、元のマスクパターンの形状との差分を抽出し、その抽出結果からマスクパターンの各辺のバイアス量が決定される。
【０００３】
このため、シミュレーションベースＯＰＣでは、マスクパターンの各辺の細分化を細かくすることで、光近接効果補正の精度を容易に向上させることができるが、精度を追求すると、処理時間およびデータ量が膨大になるという問題がある。
一方、ルールベースＯＰＣでは、マスクパターンの大きさや形状、隣接するマスクパターンとの近接状況などのマスクパターンの属性から、マスクパターンの各エッジに対するバイアス量が決定される。
【０００４】
このため、ルールベースＯＰＣでは、光強度シミュレーションを行うことなく、光近接効果補正を行うことができ、処理時間およびデータ量を少なくすることができるが、多様化するマスクパターンに対して光近接効果補正を精度よく行うためには、バイアス量を決定するマスクパターンの大きさや形状、周辺パターンとの位置関係などを詳細に設定する必要があり、アルゴリズムが複雑化するという問題がある。
【０００５】
また、例えば、特許文献１には、製品のマスク払い出しまでのＴＡＴを大幅に短縮するために、製品論理ごとにパターンが変化しないセルパターンに対して配置配線前にＯＰＣ処理を予め行い、このＯＰＣ処理済みセルパターンをデータベースに登録するとともに、これとは別に、製品論理の配線情報に従って生成された配線パターンに対してＯＰＣ処理を行い、このＯＰＣ処理済み配線パターンと、前記データベースに登録されたＯＰＣ処理済みセルパターンを配置した配置パターンとを合成してＯＰＣ処理済みチップパターンを生成する方法が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−５５４３１号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の光近接効果補正方法では、製品論理の配線情報に従って生成された配線パターン全体が光近接効果補正の対象となり、光近接効果補正を必ずしも行う必要のない領域も光近接効果補正の対象となるため、光近接効果補正処理に無駄な時間が費やされることが多かった。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、光近接効果補正精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正の効率化を図ることが可能な露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラムを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る露光用マスクによれば、マスクパターンの形成領域のうち一部の領域に限定して光近接効果補正が施されていることを特徴とする。
これにより、光近接効果補正を必ずしも行う必要のない領域を除外しつつ、光近接効果補正を行うことが可能となり、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、多様化するマスクパターンの光近接効果補正の効率化を図ることが可能となる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る露光用マスクによれば、マスクパターンのライン＆スペースが所定範囲の領域に限定して光近接効果補正が施されていることを特徴とする。
これにより、アルゴリズムの複雑化を防止しつつ、光近接効果補正を必ずしも行う必要のない領域を除外することが可能となり、処理時間の短縮を可能としつつ、光近接効果補正された露光用マスクを作成することができる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る露光用マスクによれば、リソグラフィールールチェックに基づいて抽出されたルールに基づいて光近接効果補正が施されていることを特徴とする。
これにより、市販されているリソグラフィーシミュレータを用いることで、光近接効果補正の必要な領域を抽出することが可能となる。このため、光近接効果補正を必ずしも行う必要のない領域を容易に判別することが可能となり、処理時間の短縮を可能としつつ、光近接効果補正された露光用マスクを作成することができる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る露光用マスクによれば、プロセスモデルに基づいて抽出されたルールに基づいて光近接効果補正が施されていることを特徴とする。
これにより、様々のライン＆スペースについてのライン幅の補正量を自動的に算出することが可能となる。このため、ライン＆スペースについての補正量をルール化することが可能となり、処理時間の短縮を可能としつつ、光近接効果補正された露光用マスクを作成することができる。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、光近接効果補正が行われたマスクパターンを登録する参照データベースと、マスクパターン生成領域から光近接効果補正を行わない領域を抽出する第１領域抽出手段と、前記マスクパターン生成領域から前記参照データベースに登録された領域を抽出する第２領域抽出手段と、前記参照データベースの参照結果に基づいて、前記第２領域抽出手段により抽出された領域についての光近接効果補正を行う第１光近接効果補正手段と、前記第１領域抽出手段および前記第２領域抽出手段のいずれによっても抽出されない領域についての光近接効果補正を行う第２光近接効果補正手段と、前記第１領域抽出手段により抽出された領域と、前記第１光近接効果補正手段により光近接効果補正が行われた領域と、前記第２光近接効果補正手段により光近接効果補正が行われた領域とを合成する合成手段とを備えることを特徴とする。
【００１４】
これにより、光近接効果補正を必ずしも行う必要のない領域を除外して光近接効果補正を行うことが可能となるとともに、参照データベースを活用することで汎用性の低下を補完することが可能となり、マスクパターンの多様化に対応しつつ、マスクパターンの光近接効果補正の効率化を図ることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、リソグラフィールールチェックに基づいて、リソグラフィー時のライン幅またはパターン間の間隔が規定範囲内に収まらない領域を抽出する領域抽出手段と、前記領域抽出手段による領域抽出結果に基づいて、光近接効果補正を行うためのルールを設定するルール設定手段とを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、市販されているリソグラフィーシミュレータを用いることで、光近接効果補正の必要な領域を抽出することを可能として、光近接効果補正を行うためのルールを規定することが可能となる。このため、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正を行うためのルールを簡略化することが可能となり、処理時間の短縮を可能としつつ、光近接効果補正を精度よく行うことができる。
【００１６】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、プロセスモデルに基づいてレジストのライン幅の補正量を算出する補正量算出手段と、前記補正量算出手段により算出された補正量に基づいて、所定範囲のライン＆スペースごとに補正量をルール化するルール化手段とを備えることを特徴とする。
これにより、様々のライン＆スペースについてのライン幅の補正量を自動的に算出することが可能となる。このため、ライン＆スペースについての補正量を容易にルール化することが可能となり、アルゴリズムの複雑化を防止しつつ、光近接効果補正の処理時間の短縮することができる。
【００１７】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、リソグラフィールールチェックに基づいて、リソグラフィー時のライン幅またはパターン間の間隔が規定範囲内に収まらない領域を抽出する領域抽出手段と、前記領域抽出手段により抽出された領域以外については補正を行わないようにすることにより、前記ルール化手段によりルール化されたルールを簡略化する簡略化手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１８】
これにより、市販されているリソグラフィーシミュレータを用いることで、様々のライン＆スペースから光近接効果補正が必ずしも必要のないライン＆スペースを除外することが可能となる。このため、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、プロセスモデルに基づいてルール化されたルールを簡略化することが可能となり、処理時間の短縮を可能としつつ、光近接効果補正を精度よく行うことができる。
【００１９】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正方法によれば、マスクパターン生成領域から光近接効果補正を行わない第１領域を抽出するステップと、以前に光近接効果補正されたパターンと同一のパターンを有する第２領域を前記マスクパターン生成領域から抽出するステップと、以前に光近接効果補正されたパターンの補正結果に基づいて、前記第２領域についての光近接効果補正を行うステップと、前記第１および第２領域以外の第３領域についての光近接効果補正を行うステップと、光近接効果補正前の第１領域ならびに光近接効果補正後の第２および第３領域を合成するステップとを備えることを特徴とする。
【００２０】
これにより、光近接効果補正を必ずしも行う必要のない領域を除外して光近接効果補正を行うことが可能となるとともに、以前に光近接効果補正されたパターンと同一のパターンを有する領域については、以前に光近接効果補正されたパターンの補正結果を流用することが可能となる。このため、新たに光近接効果補正することが必要な領域を限定することが可能となり、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、マスクパターンの光近接効果補正の効率化を図ることが可能となる。
【００２１】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正方法によれば、前記第３領域についての光近接効果補正を行うステップは、前記第３領域について寸法制御不要な領域を除外するステップと、プロセスモデルに基づいて所定範囲のライン＆スペースごとに補正量のルールを設定するステップと、リソグラフィールールチェックに基づいて前記ルールを簡略化するステップと、前記簡略化されたルールに基づいて、前記第３領域についての光近接効果補正を行うステップとを備えることを特徴とする。
【００２２】
これにより、簡略化されたルールに基づいて、光近接効果補正を必ずしも行う必要のない領域を除外しながら、光近接効果補正を行うことが可能となり、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正の処理時間を短縮することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェハ上にフォトレジストを塗布する工程と、マスクパターンの形成領域のうち一部の領域に限定して光近接効果補正が施された露光用マスクを介して前記フォトレジストを露光する工程と、前記露光されたフォトレジストを現像する工程と、前記現像されたフォトレジストをマスクとして前記半導体ウェハのイオン注入処理またはエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
【００２３】
これにより、光近接効果補正を必ずしも行う必要のない領域を除外して光近接効果補正が行われた露光マスクを用いて、フォトリソグラフィーを行うことが可能となり、露光用マスクの作成時間の短縮化を図りつつ、露光マスクで規定されたパターンに忠実にイオン注入処理またはエッチング処理を行うことが可能となる。
【００２４】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正プログラムによれば、リソグラフィールールチェックに基づいて、リソグラフィー時のライン幅またはパターン間の間隔が規定範囲内に収まらない領域を抽出するステップと、前記領域抽出結果に基づいて、光近接効果補正を行うためのルールを設定するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００２５】
これにより、光近接効果補正プログラムをコンピュータに実行させることで、必要な領域に限定して光近接効果補正を行うためのルールを規定することが可能となり、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正の効率化を図ることができる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正プログラムによれば、プロセスモデルに基づいてレジストのライン幅の補正量を算出するステップと、前記算出された補正量に基づいて、所定範囲のライン＆スペースごとに補正量をルール化するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００２６】
これにより、光近接効果補正プログラムをコンピュータに実行させることで、ライン＆スペースについての補正量を容易にルール化することが可能となり、アルゴリズムの複雑化を防止しつつ、光近接効果補正の処理時間の短縮することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る光近接効果補正方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る光近接効果補正方法を示すブロック図である。
【００２８】
図１において、参照データベースＲＢには、以前に光近接効果補正されたパターンおよびそのパターンの補正結果が登録されている。そして、マスクパターンを生成するための設計パターンデータが入力されると（Ｋ１）、参照データベースＲＢを参照することにより、設計パターンデータで特定されるマスクパターンを限定領域Ａ〜Ｃに分割する（Ｋ２〜Ｋ４）。なお、設計パターンデータで特定されるマスクパターンを限定領域Ａ〜Ｃに分割する場合、例えば、ＤＲＣ（デザインルールチェック）機能を用いることができる。
【００２９】
ここで、限定領域Ａは、参照データベースＲＢに登録されているマスクパターンを含む領域を示す。なお、限定領域Ａのマスクパターンとしては、例えば、メモリセルやゲートアレーなどのレイアウトパターンを挙げることができる。限定領域Ｃは、光近接効果補正を行わない領域を示す。なお、限定領域Ｃのマスクパターンとしては、例えば、電源ラインや配線などの寸法精度の緩いパターンを挙げることができる。限定領域Ｂは、限定領域Ａ、Ｃを除いた領域を示す。
【００３０】
そして、設計パターンデータで特定されるマスクパターンから限定領域Ａが抽出されると、参照データベースＲＢに登録されている補正結果を流用することにより、限定領域ＡについてのＯＰＣ付加パターンを生成する（Ｋ５）。
また、設計パターンデータで特定されるマスクパターンから限定領域Ｂが抽出されると、限定領域ＢについてルールベースＯＰＣを適用することにより、限定領域ＢについてのＯＰＣ付加パターンを生成する（Ｋ６）。
【００３１】
なお、限定領域ＢについてのＯＰＣ付加パターンを生成する場合、限定領域Ｂについてのマスクパターンを処理対象パーツに分割することができ、処理対象パーツとしては、例えば、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域を挙げることができる。
なお、ラインエンド領域はマスクパターンの端部に相当し、コーナー領域はマスクパターンのコーナー部（インコーナおよびアウトコーナーを含む。）に相当し、ライン＆スペース領域はラインエンド領域およびコーナー領域を除いた残りの領域に相当する。また、ライン＆スペース領域には、アイソレーションライン（単独の線状パターン）を含ませることができる。
【００３２】
そして、マスクパターンのライン＆スペース領域、ラインエンド領域、アウトコーナー領域およびインコーナ領域に対し、バイアス、ハンマーヘッド、ポジセリフおよびネガセリフをそれぞれ付加することにより、限定領域ＢについてのＯＰＣ付加パターンを生成することができる。
そして、限定領域ＢについてのＯＰＣ付加パターンが生成されると、限定領域Ｂの元のマスクパターンおよびＯＰＣ付加パターンを参照データベースＲＢに登録することができる。
【００３３】
また、限定領域Ａ、ＢについてのＯＰＣ付加パターンがそれぞれ生成されると、これら限定領域Ａ、ＢについてのＯＰＣ付加パターンおよび限定領域Ｃの元のマスクパターンを合成することにより、合成パターンを生成する（Ｋ７）。
これにより、光近接効果補正を必ずしも行う必要のない限定領域Ｃを除外して光近接効果補正を行うことが可能となるとともに、以前に光近接効果補正されたパターンと同一のパターンを有する限定領域Ａについては、以前に光近接効果補正されたパターンの補正結果を流用することが可能となり、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、マスクパターンの光近接効果補正の効率化を図ることが可能となる。
【００３４】
図２は、図１の限定領域Ａ〜Ｃの抽出方法の具体例を示す平面図である。
図２において、露光マスク１には、例えば、ＣＰＵレイアウトパターン領域２、ドライバレイアウトパターン領域３、デコーダレイアウトパターン領域４、Ｉ／Ｏレイアウトパターン領域５、メモリレイアウトパターン領域６およびロジックレイアウトパターン領域７が配置されるものとする。
【００３５】
この場合、デコーダレイアウトパターン領域４およびＩ／Ｏレイアウトパターン領域５はデザインルールが緩いとすると、デコーダレイアウトパターン領域４およびＩ／Ｏレイアウトパターン領域５は限定領域Ｃと判定することができる。また、ドライバレイアウトパターン領域３およびメモリレイアウトパターン領域６は使用済みであるとすると、ドライバレイアウトパターン領域３およびメモリレイアウトパターン領域６は限定領域Ａと判定することができる。また、ＣＰＵレイアウトパターン領域２およびロジックレイアウトパターン領域７はデザインルールが厳しく、かつ未使用であるとすると、ＣＰＵレイアウトパターン領域２およびロジックレイアウトパターン領域７は限定領域Ｂと判定することができる。
【００３６】
この結果、デコーダレイアウトパターン領域４およびＩ／Ｏレイアウトパターン領域５については、光近接効果補正を行う必要がなくなるとともに、ドライバレイアウトパターン領域３およびメモリレイアウトパターン領域６については、以前の補正結果を流用することが可能となる
このため、ＣＰＵレイアウトパターン領域２およびロジックレイアウトパターン領域７についてのみルールベースによる光近接効果補正を行うことが可能となり、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正にかかる処理時間を短縮することが可能となる。
【００３７】
ここで、ルールベースＯＰＣを適用することにより、限定領域ＢについてのＯＰＣ付加パターンを生成する場合、プロセスモデルおよびリソグラフィールールチェック（ＬＲＣ）に基づいて、ＯＰＣ付加パターンを生成するためのルールを簡素化することができる。
図３は、本発明の第２実施形態に係る光近接効果補正時のルールの簡素化方法を示すフローチャートである。
【００３８】
図３において、プロセスモデルに基づいて光近接効果補正を行うためのルールを抽出する（ステップＳ１）。ここで、プロセスモデルでは、１次元（または２次元）の寸法データが与えられると、光強度・レジストモデルに基づいてライン幅の補正量を自動的に算出することができる。なお、光強度・レジストモデルのパラメータとしては、例えば、露光器のＮＡ、露光器のσ、レジストの拡散定数、焦点深度、カーネル（光強度分布）の積算などを設定することができる。
【００３９】
ここで、光強度・レジストモデルに基づいて連続的なライン幅の補正量が算出されると、ライン＆スペースを所定範囲ごとに区分し、区分されたライン＆スペースごとに補正量を設定することができる。
次に、寸法制御必要な項目を列挙し、ＯＰＣ付加する領域を抜粋する（ステップＳ２）。ここで、寸法制御必要な項目としては、例えば、アクティブ領域のゲート幅やゲート長などを挙げることができ、寸法制御不要な項目としては、例えば、コンタクト領域などを挙げることができる。
【００４０】
次に、光近接効果補正前のマスクパターンをリソグラフィールールチェックにかけることにより、光近接効果補正の必要な領域を抽出し、光近接効果補正を行うためのルールを簡略化する（ステップＳ３）。すなわち、光近接効果補正前のマスクパターンに対してリソグラフィールールチェックを行うことにより、リソグラフィー時にレジストパターンが抜けなくなる部分や、レジストパターンが規定値以下に細ったり、レジストパターンが規定値を越えて太ったりする部分を抽出することができる。そして、光近接効果補正の必要な領域が抽出されると、これ以外の領域については光近接効果補正が行われないようにすることにより、光近接効果補正を行うためのルールを簡略化することができる。
【００４１】
図４は、本発明の第３実施形態に係る光近接効果補正時のルールの簡素化方法の具体例を示す図である。
図４において、大きさや形状、周辺パターンとの位置関係などの異なる様々のマスクパターンＰ１、Ｐ２、・・・について、プロセスモデルに基づくシミュレーションを行うことにより連続的なライン幅の補正量を算出する。そして、連続的なライン幅の補正量が算出されると、マスクパターンＰ１、Ｐ２、・・・のパターン幅Ｌおよびパターン間隔Ｓを所定範囲ごとに区分する。そして、区分されたパターン幅Ｌおよびパターン間隔Ｓごとに補正量を設定することにより、光近接効果補正を行うためのルール抽出を行う。
【００４２】
例えば、マスクパターンＰ１について、例えば、Ｌ＜０．１８μｍかつＳ＜０．２５μｍの範囲内では補正量を−１０ｎｍ、０．１８≦Ｌ＜０．２５μｍかつＳ＜０．２５μｍの範囲内では補正量を−２０ｎｍ、０．２５≦Ｌ＜０．３５μｍかつＳ＜０．２５μｍの範囲内では補正量を−２０ｎｍ、０．３５μｍ＜ＬかつＳ＜０．２５μｍの範囲内では補正量を−２０ｎｍとすることができる。
【００４３】
次に、マスクパターンＰ１、Ｐ２、・・・をリソグラフィールールチェックにかけることにより、光近接効果補正の必要な領域を抽出し、これ以外の領域については光近接効果補正が行われないようにすることにより、光近接効果補正を行うためのルールを簡略化する。
例えば、マスクパターンＰ１について、例えば、Ｌ＜０．１８μｍかつＳ＜０．２５μｍの範囲内の部分についてのみ、パターンの変動量が規定範囲内に収まらなかったものとすると、Ｌ＜０．１８μｍかつＳ＜０．２５μｍの範囲内の部分についてのみ補正量を−１０ｎｍとし、それ以外の部分については補正量を０ｎｍとすることにより、光近接効果補正を行うためのルールを簡略化することができる。
【００４４】
これにより、様々のマスクパターンＰ１、Ｐ２、・・・についての補正量を容易にルール化することが可能となるとともに、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正を行うためのルールを簡略化することが可能となり、アルゴリズムの複雑化を防止しつつ、光近接効果補正の処理時間の短縮することができる。
【００４５】
図５は、本発明の第４実施形態に係る光近接効果補正時のルールの簡素化方法の具体例を示す平面図である。
図５（ａ）において、光近接効果補正前のマスクパターンＰ１１〜Ｐ１４が与えられたものとする。そして、コンタクト領域に対応するマスクパターンＰ１４については、光近接効果補正を行わないものとすると、マスクパターンＰ１４については光近接効果補正の対象から除外する。
【００４６】
次に、図５（ｂ）に示すように、図５（ａ）のマスクパターンＰ１１〜Ｐ１４をリソグラフィールールチェックにかけることにより、マスクパターンＰ１１〜Ｐ１４に基づいて生成されたリソグラフィー後のＬＲＣパターンＰ１１´〜Ｐ１４´を再現させる。
ここで、図５（ｃ）に示すように、例えば、マスクパターンＰ１２の幅Ｗ１に対応するレジストパターンの幅の許容範囲が０．１５〜０．２０μｍに設定され、リソグラフィールールチェック後のＬＲＣパターンＰ１２´の幅Ｗ２が０．１３μｍとなったものとすると、リソグラフィールールチェックにてフラグ領域Ｆ１を抽出することができる。
【００４７】
また、例えば、マスクパターンＰ１２とマスクパターンＰ１３との間の間隔Ｄ１に対応するレジストパターンの間隔の許容範囲が１００ｎｍ以上に設定され、リソグラフィールールチェック後のＬＲＣパターンＰ１２´とＬＲＣパターンＰ１３´との間の間隔Ｄ２が１００ｎｍに満たないものとすると、リソグラフィールールチェックにてフラグ領域Ｆ２を抽出することができる。
【００４８】
そして、リソグラフィールールチェックにてフラグ領域Ｆ１、Ｆ２が抽出されると、フラグ領域Ｆ１、Ｆ２でそれぞれ特定された部分を光近接効果補正の対象とし、それ以外の部分を光近接効果補正の対象から除外することにより、光近接効果補正を行うためのルールを簡略化することができる。
そして、リソグラフィールールチェックにてフラグ領域Ｆ１、Ｆ２が抽出されると、フラグ領域Ｆ１、Ｆ２でそれぞれ特定された部分にハンマーヘッドＨおよびバイアスＢＳをそれぞれ付加することにより、マスクパターンＰ１１〜Ｐ１４についての光近接効果補正を行うことができる。
【００４９】
これにより、市販されているリソグラフィーシミュレータを用いることで、光近接効果補正の必要な領域を抽出することを可能として、光近接効果補正を行うためのルールを簡略化することが可能となる。このため、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正を行うためのルールを簡略化することが可能となり、処理時間の短縮を可能としつつ、光近接効果補正を精度よく行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る光近接効果補正方法を示すブロック図。
【図２】図１の限定領域Ａ〜Ｃの抽出方法の具体例を示す平面図。
【図３】第２実施形態に係る光近接効果補正方法を示すフローチャート。
【図４】第３実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図。
【図５】第４実施形態に係る光近接効果補正方法を示す平面図。
【符号の説明】
１  露光マスク、２  ＣＰＵレイアウトパターン領域、３  ドライバレイアウトパターン領域、４  デコーダレイアウトパターン領域、５  Ｉ／Ｏレイアウトパターン領域、６  メモリレイアウトパターン領域、７  ロジックレイアウトパターン領域、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ１１〜Ｐ１４  マスクパターン、Ｐ１１´〜Ｐ１４´  ＬＲＣパターン、Ｆ１、Ｆ２  フラグ領域、Ｈ  ハンマーヘッド、ＢＳ  バイアス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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