(57)【要約】 【課題】  本発明が目的とする技術的課題は、良好な接触構造を有し、製造工程を簡単化できる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法の提供にある。【解決手段】  絶縁基板の上部に、ゲート電極を含むゲート線を形成する。次に、ゲート絶縁膜、半導体層及び抵抗性接触層を順次形成した後、導電膜を積層しパターニングして、ソース電極を有するデータ線及びドレーン電極を形成する。次に、データ線及びドレーン電極と半導体層を覆う第１保護膜を形成した後に、その上部に、ドレーン電極上部の第１保護膜を露出する開口部を有するカラーフィルターを形成する。酸素プラズマ処理して、データ線及びドレーン電極表面に酸化膜を形成し、次に、第２保護膜を積層し、第１保護膜と共にパターニングして、開口部の内側にドレーン電極を露出する接触孔を形成してから、保護膜の上部にIZOを積層し、パターニングして、ドレーン電極と連結される画素電極を形成する。【選択図】      図2
2005049877.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を有するゲート線を形成する段階、
前記基板上にゲート絶縁膜を積層する段階、
前記ゲート絶縁膜の上部に半導体層を形成する段階、
前記半導体層と接するソース電極及びドレーン電極と前記ソース電極を有するデータ線を形成する段階、
前記半導体層を覆う第１保護膜を形成する段階、
前記ドレーン電極の上部の前記第１保護膜を露出する開口部を有するカラーフィルターを形成する段階、
前記開口部を通じて露出された前記第１保護膜をエッチングして、ドレーン電極を露出する接触孔を形成する段階、
前記ゲート線と前記データ線で定義される画素領域に、接触孔を通じて前記ドレーン電極と連結される画素電極を形成する段階を含む、薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２】
前記第１保護膜は、窒化ケイ素または酸化ケイ素で形成される、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項３】
前記カラーフィルターを覆う第２保護膜を形成する段階をさらに含む、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項４】
前記接触孔の形成段階は、前記第１及び第２保護膜を共にエッチングして形成される、請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項５】
前記画素電極は、IZOまたはITOで形成される、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項６】
前記半導体層、前記抵抗性接触層、及び前記データ線と前記ドレーン電極は、一つの感光膜パターンを用いた写真エッチング工程により形成される、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項７】
絶縁基板、
前記絶縁基板上に形成され、ゲート電極を有するゲート線、
前記ゲート線を覆うゲート絶縁膜、
前記ゲート絶縁膜の上部に形成されている半導体層、
前記半導体層と接するソース電極を有するデータ線及び前記ゲート電極を中心に前記ソース電極と対向するドレーン電極、
前記半導体層を覆い、前記ドレーン電極を露出する接触孔を有する第１保護膜、
前記第１保護膜の上部に形成され、前記接触孔を通じて露出された上基ドレーン電極を露出する開口部を有するカラーフィルター、
前記カラーフィルターの上部に形成され、前記接触孔を通じて前記ドレーン電極と連結されている画素電極を含む、薄膜トランジスタ表示板。
【請求項８】
前記開口部及び前記接触孔の境界は、階段状に形成される、請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項９】
前記カラーフィルターと前記画素電極との間に形成されている第２保護膜をさらに含む、請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１０】
前記第２保護膜は、前記第１保護膜と前記接触孔とを共に有し、前記第１及び第２保護膜で前記接触孔の境界線が同一の線上に位置する、請求項９に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１１】
前記接触孔は、前記開口部の内側に位置する、請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１２】
前記画素電極は、IZOまたはITOからなる、請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１３】
前記半導体層は、前記データ線と前記ドレーン電極の下部までのびている、請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１４】
前記ソース電極と前記ドレーン電極との間を除く前記半導体層は、前記データ線と同一の平面パターンを有する、請求項１３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関し、詳細には、カラーフィルターを有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在最も広く使われている平板表示装置のうちの一つであって、電極が形成されている二枚の基板と、その間に挿入されている液晶層とからなり、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列させることによって透過する光の量を調節する表示装置である。
【０００３】
このような液晶表示装置は、画素電極と赤色（R）、緑色（G）、青色（B）のカラーフィルターが形成されている複数の画素を有し、配線を通じて印加される信号によって各画素が駆動されて表示動作が行われる。配線には、走査信号を伝達するゲート線（または走査信号線）、画像信号を伝達するデータ線（または画像信号線）があり、各画素は、一つのゲート線及び一つのデータ線と連結されている薄膜トランジスタが形成されており、これにより、画素に形成されている画素電極に伝達される画像信号が制御される。
【０００４】
一般に、薄膜トランジスタが形成されている表示板には、ゲート信号またはスキャニング信号を伝達するゲート線、画像信号またはデータ信号を伝達するデータ線、画像信号が伝達される画素電極、及びゲート信号を通じて各画素の画素電極に伝達される画像信号を制御する薄膜トランジスタなどが形成されており、薄膜トランジスタ表示板と対向する対向表示板には、様々な色の画像を実現するために、それぞれの画素に配置されている赤、緑、青のカラーフィルターが形成されている。
【０００５】
このような液晶表示装置では、開口率を確保するのが重要な課題であるが、二つの表示板におけるミスアラインを最少に抑えるために、赤、緑、青のカラーフィルターを薄膜トランジスタ表示板に形成する技術が開発されている。
【０００６】
しかしながら、カラーフィルターを薄膜トランジスタ表示板に形成するためには、画素電極の下部に配置しなければならないが、画素電極と薄膜トランジスタのドレーン電極を連結するためにカラーフィルターに接触孔を形成する時に、接触孔の構造が弱いものに形成される。これによって接触孔で断線が生じたり、接触孔の接触抵抗が増加する問題点が発生する。このような問題点を解決するためには、マスクを用いた写真エッチング工程を追加して行う事もできるが、製造工程が複雑になり、製造コストが上がる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が目的とする技術的課題は、良好な接触構造を有し、製造工程を簡単化できる薄膜トランジスタ表示板、及びその製造方法の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法では、カラーフィルターを形成する時に、信号線の接触部上部の絶縁膜を露出する開口部を形成し、カラーフィルターを形成した後、絶縁膜をパターニングして開口部の内側に接触部を露出する接触孔を形成する。
【０００９】
詳細には、本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法では、基板上にゲート電極を有するゲート線を形成し、ゲート線を覆うゲート絶縁膜を積層する。次に、ゲート絶縁膜の上部に半導体層を形成し、半導体層と接するソース電極及びドレーン電極とソース電極を有するデータ線を形成した後、半導体層を覆う第１保護膜を形成し、ドレーン電極の上部の第１保護膜を露出する開口部を有するカラーフィルターを形成する。次に、開口部を通じて露出された第１保護膜をエッチングし、ドレーン電極を露出する第１接触孔を形成した後、ゲート線とデータ線で定義される画素領域に、第１接触孔を通じてドレーン電極と連結される画素電極を形成する。
【００１０】
第１保護膜は、窒化ケイ素または酸化ケイ素で形成されるのが好ましく、カラーフィルターを覆う第２保護膜を形成する段階をさらに含むことができる。
【００１１】
接触孔は、第１及び第２保護膜を共にエッチングして形成され、画素電極はIZOまたはITOで形成されるのが好ましい。
【００１２】
半導体層、抵抗性接触層、及びデータ線とドレーン電極は、一つの感光膜パターンを利用した写真エッチング工程で形成できる。
【００１３】
このような本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板には、絶縁基板上にゲート電極を有するゲート線が形成されており、ゲート線を覆うゲート絶縁膜の上部には半導体層が形成されている。その上部には、半導体層と接するソース電極を有するデータ線及びゲート電極を中心にソース電極と対向するドレーン電極が形成されており、その上部には、半導体層を覆い、ドレーン電極を露出する接触孔を有する第１保護膜が形成されている。第１保護膜の上部には、接触孔を通じて露出されたドレーン電極を露出する開口部を有するカラーフィルターが形成されており、カラーフィルターの上部には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。
【００１４】
カラーフィルターと画素電極との間に形成されている第２保護膜をさらに含むことができ、第２保護膜は、第１保護膜と接触孔とを共に有し、第１及び第２保護膜で接触孔境界線は同一の線上に位置する。
【００１５】
接触孔は、開口部の内側に位置し、画素電極はIZOまたはITOで形成されるのが好ましい。
【００１６】
半導体層は、データ線とドレーン電極の下部までに延長されることができ、ソース電極とドレーン電極との間を除く半導体層は、データ線と同一の平面パターンを有することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の製造方法によれば、赤、緑、青のカラーフィルターを形成する際に、信号線の接触部の上部に開口部を形成した後、開口部に露出された絶縁膜をパターニングして、信号線を露出する接触孔を形成することによって、接触孔の側壁をテーパ構造で良好に形成できる。これにより、接触部で断線が生じたり、接触孔の接触抵抗が増加されるのを防止し、製造工程を簡単化し、製造コストを最小に節減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
添付した図面を参考にして本発明の実施例について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は、様々な変形された形態に実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
【００１９】
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な図面符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００２０】
以下、本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の製造方法について図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】
まず、図１及び図２を参照して本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の構造について詳細に説明する。
【００２２】
図１は本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図であり、図２は図１の薄膜トランジスタ表示板のII-II´線による断面図である。
【００２３】
絶縁基板１１０上に、ゲート信号を伝達する複数のゲート線１２１が形成されている。ゲート線１２１は主に横方向にのびており、各ゲート線１２１の一部は複数のゲート電極１２４をなす。また、各ゲート線の他の一部は、下方に突出して複数の拡張部１２７を構成する。
【００２４】
ゲート線１２１は、物理的な性質が異なる二つの膜、即ち、下部膜２１１とその上の上部膜２１２とを含む。上部膜２１２は、ゲート信号の遅延や電圧降下を減らせるように、低い比抵抗（resistivity）の金属、例えば、アルミニウム（Al）やアルミニウム合金などアルミニウム系列の金属からなる。これとは異なって、下部膜２１１は、他の物質、特にIZO（indium zinc oxide）またはITO（indium tin oxide）との物理的、化学的、電気的な接触特性の優れた物質、例えばモリブデン（Mo）、モリブデン合金（例:モリブデン-タングステン（MoW）合金）、クロム（Cr）などから形成される。下部膜と上部膜の組み合わせの例としては、クロム/アルミニウム-ネオジム（Nd）合金が挙げられる。図１で、ゲート電極１２４の下部膜と上部膜は、各々図面符号２４１、２４２を、拡張部１２７の下部膜と上部膜は、各々図面符号２７１、２７２を付している。
【００２５】
下部膜２１１、２４１、２７１と上部膜２１２、２４２、２７２の側面は、各々傾斜しており、その傾斜角は基板１１０の表面に対して約３０-８０度である。
【００２６】
ゲート線１２１上には、窒化ケイ素（SiNx）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００２７】
ゲート絶縁膜１４０の上部には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはa-Siと略称する）などからなる複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は、主に図１中縦方向にのびており、ここから複数の突出部１５４がゲート電極１２４に向けてのびてている。また、線状半導体１５１は、ゲート線１２１と出会う地点の付近で幅が大きくなり、ゲート線１２１の広い面積を覆っている。
【００２８】
半導体１５１の上部には、シリサイドまたはn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質で作られた複数の線状抵抗性接触部材１６１及び島状抵抗性接触部材１６５が形成されている。線状接触部材１６１は、複数の突出部１６３を有しており、この突出部１６３と島状接触部材１６５は対をなして、半導体１５１の突出部１５４上に位置する。
【００２９】
半導体１５１と抵抗性接触部材１６１、１６５の側面も傾斜しており、傾斜角は３０-８０度である。
【００３０】
抵抗接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、各々複数のデータ線１７１と複数のドレーン電極１７５及び複数の維持蓄電器用導電体１７７が形成されている。
【００３１】
データ線１７１は、主に縦方向にのびてゲート線１２１と交差してデータ電圧を伝達する。各データ線１７１からドレーン電極１７５に向けてのびた複数の枝がソース電極１７３をなす。一対のソース電極１７３とドレーン電極１７５は、互いに分離され、ゲート電極１２３に対して互いに反対側に位置する。ゲート電極１２３、ソース電極１７３、及びドレーン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３とドレーン電極１７５との間の突出部１５４に形成されている。
【００３２】
維持蓄電器用導電体１７７は、ゲート線１２１の拡張部１２７と重なっている。
【００３３】
データ線１７１、ドレーン電極１７５、及び維持蓄電器用導電体１７７は、ゲート線１２１と同様に、アルミニウム、モリブデン（Mo）、クロム、もしくはこれらの合金からなる単一膜、またはこのような単一膜を含む二重膜、または三重膜の構造であることができる。二重膜構造の場合、アルミニウム系列の導電膜はモリブデン系列の導電膜の下部に位置するのが好ましく、三重膜構造の場合、中間層に位置するのが好ましい。
【００３４】
データ線１７１、ドレーン電極１７５、及び維持蓄電器用導電体１７７もゲート線１２１と同様に、その側面が約３０-８０度傾斜されている。
【００３５】
抵抗性接触部材１６１、１６５は、その下部の半導体１５１とその上部のデータ線１７１及びドレーン電極１７５の間のみに存在し、接触抵抗を低くする役割をする。線状半導体１５１は、ソース電極１７３とドレーン電極１７５との間をはじめとして、データ線１７１及びドレーン電極１７５で遮られず露出された部分を有し、殆どの所で線状半導体１５１の幅がデータ線１７１の幅よりも小さいが、上述のように、ゲート線１２１とぶつかる部分で幅が大きくなり、ゲート線１２１とデータ線１７１との間の絶縁を強化する。
【００３６】
データ線１７１、ドレーン電極１７５、及び維持蓄電器用導電体１７７と露出された半導体１５１部分の上には、窒化ケイ素または酸化ケイ素からなる第１保護膜８０１が形成されている。
【００３７】
第１保護膜８０１の上部には、ストライプ状を有し、ドレーン電極１７５及び維持蓄電器用導電体１７７の上部にテーパ構造の開口部２３５、２３７を有する、赤、緑、青のカラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bが、画素に順に配列されている。カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bそれぞれの周縁は、データ線１７１の上部で互いに重なっているが、周縁部は、後続膜のステップカバレージ（step coverage）特性を良好なものに誘導したり、表示板の平坦化を図ることによって液晶のミスアラインを防止できるように、他の部分より薄い厚さやテーパ構造を有することができ、互いに重なる幅がデータ線１７１を完全に覆うようにデータ線１７１の幅よりも広く形成できる。
【００３８】
ここで、隣接するカラーフィルターの二つの周縁部が重畳している部分では、２種類の色が互いに重畳しているので、ブラック状態でこの部分からの光漏れを適切に遮断することができ、光遮断膜としての機能をするという長所がある。それで、白黒対比比を向上させることができる。したがって、本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板では、ゲート線１２１及びデータ線１７１とカラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bの重畳部分が、画素の間から漏れる光を遮断し、ブラックマトリックスの機能に代わる。
【００３９】
カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bが形成されている第１保護膜８０１の上部には、平坦化特性の優れて感光性を有する有機物質、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法によって形成される、a-Si:C:O、a-Si:O:Fなどの低誘電率絶縁物質などからなる第２保護膜８０２が形成されている。
【００４０】
第２保護膜８０２には、第１保護膜８０１とドレーン電極１７５、維持蓄電器用導電体１７７、及びデータ線１７１の端部１７９を各々露出する複数の接触孔１８５、１８７、１８２が形成されている。この時、接触孔１８５、１８７、１８２の側壁は、テーパ構造を有し、第１及び第２保護膜８０１、８０２の境界線は、同一の線上に位置する。
【００４１】
ゲート線１２１の端部は、データ線の端部１７９と接触部を有することができ、このような実施例では、ゲート絶縁膜１４０と共にゲート線１２１の端部を露出する複数の接触孔が形成されている。しかしながら、本実施例のように、ゲート線１２１の端部が接触部を有しない場合には、基板１１０の上部に、ゲート駆動回路（図示せず）が形成され、ゲート線の端部は、ゲート駆動回路の出力端に連結されている。
【００４２】
一方、カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bもドレーン電極１７５及び維持蓄電器用導電体１７７を露出する開口部２３５、２３７を有するが、図示しているように、カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bも開口部２３５、２３７は、第１及び第２保護膜８０１、８０２の接触孔１８５、１８７よりも大きいが、そうでないこともあり、その場合には階段状の側壁に形成される。
【００４３】
図示されているように、接触孔１８５、１８７、１８２は、ドレーン電極１７５、維持蓄電器用導電体１７７及びデータ線１７１の端部１７９の上部膜７５２、７７２、７９２を露出するが、上部膜７５２、７７２、７９２が除去され、下部膜７５１、７７１、７９１を露出することもでき、さらに、接触孔１８５、１８７、１８２が下部膜７５１、７７１、７９１の端部の境界線のうちの一部を露出した状態を見せることもできる。特に、後に形成されるITOまたはIZOの導電膜と接触特性を確保するためには、接触孔１８５、１８７、１８３からアルミニウム系列の導電膜が除去されることが好ましい。
【００４４】
第２保護膜８０２上には、IZOまたはITOからなる複数の画素電極１９０及び複数のデータ接触補助部材８２が形成されている。勿論、ゲート線１２１の端部が接触部を有する実施例では、第２保護膜８０２の上部に第２保護膜８０２及びゲート絶縁膜１４０に形成された接触部を通じてゲート線の端部に連結されたゲート接触補助部材が形成されているのが好ましい。
【００４５】
画素電極１９０は、接触孔１８５、１８７を通じてドレーン電極１７５及び維持蓄電器用導電体１７７と各々物理的、電気的に連結され、ドレーン電極１７５からデータ電圧の印加を受けて、導電体１７７にデータ電圧を伝達する。
【００４６】
図２によれば、データ電圧が印加された画素電極１９０は、共通電圧の印加を受ける対向表示板（図示せず）の共通電極（図示せず）と共に電場を生成することによって、液晶表示装置用二つの表示板間の液晶層（図示せず）の液晶分子を再配列する。
【００４７】
また、前述したように、画素電極１９０と共通電極は、蓄電器（以下、液晶蓄電器という）を構成し、薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持しているが、電圧維持能力を強化するために液晶蓄電器と並列に連結された他の蓄電器を設ける。これを維持蓄電器という。維持蓄電器は、画素電極１９０及びこれと隣接するゲート線１２１（これを前段ゲート線という）の重畳などで作られ、維持蓄電器の静電容量、即ち、保持容量を増やすために、ゲート線１２１を拡張した拡張部１２７を設けて重畳面積を広くする一方、画素電極１９０と連結され拡張部１２７と重なる維持蓄電器用導電体１７７を保護膜１８０下に設けて、二つの間の距離を短くする。
【００４８】
さらに、画素電極１９０は、隣接するゲート線１２１及びデータ線１７１と重畳されて開口率を向上しているが、重ならないこともある。
【００４９】
接触補助部材８２は、接触孔１８２を通じてデータ線の端部１７９と連結される。接触補助部材８２は、データ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する役割をするもので、これらの適用は必須ではなく選択的である。
【００５０】
本発明の他の実施例によれば、画素電極１９０の材料として透明な導電性ポリマーなどを使用し、反射型（reflective）液晶表示装置の場合には、不透明な反射性金属を用いても良い。この時、接触補助部材８２は、画素電極１９０と他の物質、特にIZOまたはITOで形成することもできる。
【００５１】
以下、図１及び図２に示した液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施例により製造する方法について、図３a乃至図７b、図１及び図２を参考にして詳細に説明する。
【００５２】
図３a、図４a、図５a、図６a及び図７aは、図１及び図２に示した薄膜トランジスタ表示板の本発明の一実施例に基づいた中間工程における薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、その工程順で示したものである。図３b、図４b、図５b、図６b及び図７bは、各々図３a、図４a、図５a、図６a及び図７aに示した薄膜トランジスタ表示板のIIIＢ-IIIＢ´線、IVＢ-IVＢ´線、VＢ-VＢ´線、VIＢ-VIＢ´線及びVIIＢ-VIIＢ’をよる断面図である。
【００５３】
まず、透明なガラスなどで形成される絶縁基板１１０上に、二つの層の金属膜、即ち、下部金属膜と上部金属膜をスパッタリング（sputtering）法などにより順次積層する。下部金属膜は、IZOまたはITOとの接触特性の優れた金属、例えば、モリブデン、モリブデン合金、またはクロムなどからなる５００Å程度の厚さを有するのが好ましい。上部金属膜は、アルミニウム系列金属からなり、２，５００Å程度の厚さを有するのが好ましい。
【００５４】
次に、図３a及び図３bに示したように、感光膜パターンを利用した写真エッチング工程で、上部金属膜と下部金属膜を順次パターニングして、複数のゲート電極１２４と複数の拡張部１２７を含むゲート線１２１を形成する。
【００５５】
前記写真エッチング工程で、上部膜２１２、２７２、２４２及び下部膜２１１、２４１、２７１のパターニングは、互いに異なるエッチング条件で実施することができるが、例えば、これらがアルミニウム系列及びモリブデン系列の場合には、これらに対し全て側面傾斜を与えながらエッチング処理を施すことができる、アルミニウムエッチング液のCH３COOH（８-１５％）/HNO３（５-８％）/H３PO４（５０-６０％）/H２O（その他）を用いた湿式エッチング法を利用できる。
【００５６】
図４a及び図４bに示したように、ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層、不純物非晶質シリコン層の３層膜を連続積層し、不純物非晶質シリコン層と真性非晶質シリコン層を写真エッチングして、複数の線状不純物半導体１６４と複数の突出部１５４を各々含む線状真性半導体１５１を形成する。ゲート絶縁膜１４０の材料としては、窒化ケイ素が好適であり、積層温度は２５０〜５００℃、厚さは２，０００〜５，０００Å程度であるのが好ましい。
【００５７】
次に、図５a及び図５bに示したように、二つの層の金属膜、即ち、下部金属膜と上部金属膜をスパッタリング法などにより順次積層する。下部金属膜は、IZOまたはITOとの接触特性の優れた金属、例えば、モリブデン、モリブデン合金、またはクロムなどからなる、５００Å程度の厚さを有するのが好ましい。上部金属膜は、アルミニウム系列金属からなる、２，５００Å程度の厚さを有するのが好ましい。感光膜パターンを利用した写真エッチング工程で、上部金属膜と下部金属膜を順次パターニングして、複数のソース電極１７３を有する複数のデータ線１７１、複数のドレーン電極１７５、及び複数の維持蓄電器用導電体１７７を形成する。
【００５８】
次に、データ線１７１及びドレーン電極１７５の上部の感光膜を除去したり、そのままにした状態で、データ線１７１、ドレーン電極１７５、及び維持蓄電器用導電体１７７で覆われず露出された不純物半導体１６４部分を除去することによって、複数の突出部１６３を各々含む複数の線状抵抗性接触部材１６１と複数の島状抵抗性接触部材１６５を完成する一方、その下の真性半導体１５１部分を露出させる。次に、真性半導体１５１部分の表面を安定化するために、酸素プラズマ処理を引き続き実施するのが好ましい。
【００５９】
次に、絶縁基板１１０の上部に、窒化ケイ素を積層して第１保護膜８０１を形成し、その上にネガティブ型の赤色、緑色、青色の顔料のうちの一つを含むカラーフィルター用感光膜を塗布した後、マスクを用いてカラーフィルター用感光膜を露光及び現像し、次いで、他の二つの顔料を含むカラーフィルター用感光膜に対しても順次塗布し、露光及び現像して、図６a及び図６bのように、赤、緑、青のカラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bを順に形成する。この時、赤、緑、青のカラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bは、ドレーン電極１７５及び維持蓄電器用導電体１７７の上部の第１保護膜８０１を露出する開口部２３５、２３７を有するように形成する。
【００６０】
次に、図７a及び図７bのように、第２保護膜８０２を積層し、写真エッチング工程で、第１保護膜８０１及びゲート絶縁膜１４０と共に乾式エッチング工程によりパターニングして複数の接触孔１８５、１８７、１８２を形成する。接触孔１８２、１８５、１８７は、ドレーン電極１７５、維持蓄電器用導電体１７７、及びデータ線１７１の端部１７９を露出するが、接触孔１８５、１８７は、開口部２３５、２３７を通じて露出された第１保護膜８０１を第２保護膜８０２と共にエッチングして形成される。これで、接触孔１８５、１８７で、第１保護膜８０１と第２保護膜８０２の境界線は同一の線上に位置する。したがって、本発明の実施例で、赤、緑、青のカラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bを形成する時に、開口部２３５、２３７を形成した後、ドレーン電極１７５及び維持蓄電器用導電体１７７を露出する接触孔１８５、１８７を、開口部２３５、２３７を通じて露出された第１保護膜８０１をエッチングして形成することによって、接触孔１８５、１８７の側壁をテーパ状に良好なものに形成できる。後に形成される画素電極１９０が接触部で断線することを防止でき、接触部の接触抵抗を最少に抑えることができる。また、別途の写真エッチング工程を追加しなくてすむので、製造工程を簡単化し、製造コストを最小に節減できる。
【００６１】
この時、アルミニウム系列の導電膜が上部膜に露出される実施例では、接触孔１８２、１８５、１８７を通じて露出された上部膜を除去する工程を追加することができる。
【００６２】
次に、図１及び図２に示したように、IZOまたはITO膜をスパッタリング法により積層し写真エッチングして、複数の画素電極１９０と複数の接触補助部材８２を形成する。この時、IZOまたはITOのスパッタリング温度は２５０℃以下であるのが、接触抵抗を最少に抑えるために好ましい。
【００６３】
前記の実施例では、半導体層とデータ線を互いに異なるマスクを用いた写真エッチング工程で形成する製造方法に本発明の実施例を適用して説明したが、本発明による他の製造方法は、製造コストを最少化するために、半導体層とデータ線を一つの感光膜パターンを利用した写真エッチング工程で形成する液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の製造方法にも、同様に適用することができる。これについて図面を参照して詳細に説明する。
【００６４】
まず、図８乃至図１０を参照して、本発明の他の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の単位画素構造について詳細に説明する。
【００６５】
図８は本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。図９及び図８は各々図８に示した薄膜トランジスタ表示板のIX-IX´線及びX-X´線による断面図である。
【００６６】
図８乃至図１０のように、本実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の層状構造は、ほとんど図１及び図２に示した液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の層状構造と同じである。即ち、基板１１０上に、複数のゲート電極１２４を含む複数のゲート線１２１が形成されており、その上に、ゲート絶縁膜１４０、複数の突出部１５４を含む複数の線状半導体１５１、複数の突出部１６３を各々含む複数の線状抵抗性接触部材１６１、及び複数の島状抵抗性接触部材１６５が順次形成されている。抵抗性接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のソース電極１５３を含む複数のデータ線１７１、複数のドレーン電極１７５が形成され、その上に保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０の上部には、赤、緑、青のカラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bが順に形成されており、保護膜１８０及び/またはゲート絶縁膜１４０には、複数の接触孔１８２、１８５、１８７が形成され、保護膜１８０上には、複数の画素電極１９０と複数の接触補助部材８２とが形成されている。
【００６７】
しかし、図１及び図２に示した薄膜トランジスタ表示板と異なり、本実施例による薄膜トランジスタ表示板では、ゲート線１２１に拡張部を設ける代わりに、ゲート線１２１と同一の層にゲート線１２１と電気的に分離され、維持電極１３５を有する複数の維持電極線１３１を設け、ドレーン電極１７５と重畳させて維持蓄電器を形成する。維持電極線１３１は、共通電圧などの予め決められた電圧の印加を外部から受け、画素電極１９０とゲート線１２１の重畳で発生する保持容量が十分な場合、維持電極線１３１は省略することができ、画素の開口率を極大化するために画素領域の周縁に配置することもできる。
【００６８】
保護膜１８０は、図２とは異なり、第１保護膜のみからなり、ゲート線１２１は、端部１２９に接触部を有している。保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０は、ゲート線１２１の端部１２９を露出する接触孔１８１を有し、画素電極１９０と同一な層には、接触孔１２９を通じてゲート線１２１の端部１２９と連結されたゲート接触補助部材８１が形成されている。
【００６９】
半導体１５１は、薄膜トランジスタが位置する突出部１５４を除けば、データ線１７１、ドレーン電極１７５、及びその下部の抵抗性接触部材１６１、１６５と実質的に同一の平面形態を有している。具体的に、線状半導体１５１は、データ線１７１及びドレーン電極１７５とその下部の抵抗性接触部材１６１、１６５の下に存在する部分以外にも、ソース電極１７３とドレーン電極１７５との間にこれらで遮られず露出された部分を有している。
【００７０】
また、データ線１７１とドレーン電極１７５は、クロム（Cr）、モリブデン（Mo）、モリブデン合金（例：モリブデン-タングステン（MoW）合金）からなる下部膜７１１、７５１、アルミニウムまたはアルミニウム合金（例：アルミニウム-ネオジム（Nd））からなる上部膜７１２、７５２を含む。図９及び図１０で、ソース電極１７３及びデータ線の端部１７９の下部膜と上部膜は、各々図面符号７３１、７３２、７９１、７９２を付している。
【００７１】
以下、図８乃至図１０の構造を有する液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施例に基づいて製造する方法について、図１１乃至図１８b、図８乃至図１０を参照して詳細に説明する。
【００７２】
図１１は本発明の第２実施例に基づいて製造する第１段階における薄膜トランジスタ表示板の配置図である。図１２a及び１２bは各々図１１のXIIＡ-XIIＡ´線及びXIIＢ-XIIＢ´線による断面図である。図１３a及び１３bは各々図１１のXIIＡ-XIIＡ´線及びXIIＢ-XIIＢ´線による断面図であり、図１２a及び図１２bに続く工程を示す。図１４a及び１４bは各々図１１のXIIＡ-XIIＡ´線及びXIIＢ-XIIＢ´線による断面図であり、図１３a及び図１３bに続く工程を示す。図１５は図１４a及び図１４bに続く工程における薄膜トランジスタ表示板の配置図である。図１６a及び１６bは各々図１５のXVIＡ-XVIＡ´線及びXVIＢ-XVIＢ´線による断面図である。図１７は図１６a及び図１６bに続く工程における薄膜トランジスタ表示板の配置図である。図１８a及び１８bは各々図１７のXVIIIＡ-XVIIIＡ´線及びXVIIIＢ-XVIIIＢ´線による断面図である。図１９は図１８a及び図１８bに続く工程における薄膜トランジスタ表示板の配置図である。図２０a及び２０bは各々図１９のXXＡ-XXＡ´線及びXXＢ-XXＢ´線による断面図である。
【００７３】
まず、図１１、図１２a及び図１２bに示したように、絶縁基板１１０上に、導電膜を積層し、写真エッチング工程でパターニングして、複数のゲート線１２３を各々含む複数のゲート線１２１及び維持電極１３５を含む複数の維持電極線１３１を形成する。
【００７４】
図１３a及び１３bに示したように、ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層１５０、不純物非晶質シリコン層１６０を化学気相蒸着法を用いて各々約１，５００Å乃至約５，０００Å、約５００Å乃至約２，０００Å、約３００Å乃至約６００Åの厚さに連続蒸着する。次に、下部膜７０１と上部膜７０２をスパッタリング法などにより連続積層して導電体層１７０を形成した後、その上に、感光膜を１μm乃至２μmの厚さに塗布した後、光マスク（図示せず）を通じて感光膜に光を照射し、現像する。
【００７５】
現象された感光膜の膜厚は位置によって異なるが、感光膜は膜厚が次第に薄くなる第１部分乃至第３部分からなる。領域（A）（以下、配線領域という）に位置する第１部分と、領域（C）（以下、チャンネル領域という）に位置した第２部分は、各々図面符号５２、５４を付しており、領域（B）（以下、その他の領域という）に位置する第３部分に対する図面符号は付していない。これは、第３部分が厚さが０であり、下の導電体層１７０が露出されているためである。第１部分５２と第２部分５４の膜厚の比率は、後続工程の工程条件によって異ならせるが、第２部分５４の膜厚を第１部分５２の膜厚の１/２以下とするのが好ましい。例えば、４，０００Å以下であるのがよい。
【００７６】
このように、位置によって感光膜の膜厚を異ならせるには種々な方法があり、露光マスクに透明領域（transparent area）と遮光領域（lightblocking area）だけでなく、半透明領域（translucent area）も設けるのがその例である。半透明領域には、スリット（slit）パターン、格子パターン（lattice pattern）、または透過率が中間であるか、厚さが中間である薄膜が具備される。スリットパターンを用いる時には、スリットの幅やスリット間の間隔が写真工程に利用する露光器の分解能（resolution）より小さいのが好ましい。他の例としては、リフローが可能な感光膜を用いる方法がある。即ち、透明領域と遮光領域だけを持った通常のマスクに、リフロー可能な感光膜パターンを形成し、リフローさせて、感光膜が残留しない領域に流すことによって薄い部分を形成する。
【００７７】
適切な工程条件を与えれば、感光膜５２、５４の膜厚の差によって、下部層を選択的にエッチングすることができる。一連のエッチング段階を通じて、図１５、１６a及び１６bに示したような、複数のソース電極１７３を各々含む複数のデータ線１７１、複数のドレーン電極１７５を形成し、複数の突出部１６３を各々含む複数の線状抵抗性接触部材１６１及び複数の島状抵抗性接触部材１６５、そして複数の突出部１５４を含む複数の線状半導体１５１を形成する。
【００７８】
説明の便宜上、配線領域（A）に位置する導電体層１７０、不純物非晶質シリコン層１６０、真性非晶質シリコン層１５０の部分を第１部分とし、チャンネル領域（C）に位置した導電体層１７０、不純物非晶質シリコン層１６０、真性非晶質シリコン層１５０の部分を第２部分とし、その他の領域（B）に位置した導電体層１７０、不純物非晶質シリコン層１６０、真性非晶質シリコン層１５０の部分を第３部分とする。
【００７９】
このような構造を形成する順序の一例は次の通りである。
（１）その他の領域（B）に位置する導電体層１７０、不純物非晶質シリコン層１６０及び非晶質シリコン層１５０の第３部分除去、
（２）チャンネル領域に位置する感光膜の第２部分５４除去、
（３）チャンネル領域（C）に位置する導電体層１７０及び不純物非晶質シリコン層１６０の第２部分除去、そして
（４）配線領域（A）に位置する感光膜の第１部分５２除去。
【００８０】
このような順序の他の例は次の通りである。
（１）その他の領域（B）に位置する導電体層１７０の第３部分除去、
（２）チャンネル領域（C）に位置する感光膜の第２部分５４除去、
（３）その他の領域（B）に位置する不純物非晶質シリコン層１６０及び非晶質シリコン層１５０の第３部分除去、
（４）チャンネル領域（C）に位置する導電体層１７０の第２部分除去、
（５）配線領域（A）に位置する感光膜の第１部分５２除去、そして
（６）チャンネル領域（C）に位置する不純物非晶質シリコン層１６０の第２部分除去。
【００８１】
ここでは第１の例について説明する。
【００８２】
まず、図１４a及び１４bに示したように、その他の領域（B）に露出されている導電体層１７０の上部膜７０２及び下部膜７０１を湿式または乾式エッチング処理にて除去し、下部の不純物非晶質シリコン層１６０第３部分を露出させる。アルミニウム系列の導電膜は、主に湿式エッチング処理を施し、モリブデン系列の導電膜は、湿式及び乾式エッチング処理を選択でき、上部膜７０２及び下部膜７０１の二重膜は、一つの湿式エッチング条件でパターニングすることもできる。
【００８３】
図面符号１７４は、データ線１７１とドレーン電極１７５がまだ分離されない状態の導電体である。乾式エッチング処理を施す場合、感光膜５２、５４の上部がある程度の厚さに削られる事もある。
【００８４】
次に、その他の領域（B）に位置する不純物非晶質シリコン層１６０及びその下部の真性非晶質シリコン層１５０の第３部分を除去するとともに、チャンネル領域（C）の感光膜の第２部分５４を除去して、下の導電体１７４の第２部分を露出させる。感光膜の第２部分５４の除去は、不純物非晶質シリコン層１６０及び真性非晶質シリコン層１５０の第３部分の除去と同時に、あるいは別々に行う。チャンネル領域（C）に残されている第２部分５４の残留物はアッシング処理して除去する。
【００８５】
この段階で、線状真性半導体１５１が完成する。そして、図面符号１６４は、線状抵抗性接触部材１６１と島状抵抗性接触部材１６５がまだ分離されない状態の線状の不純物非晶質シリコン層１６０を指しており、以下、これを（線状の）不純物半導体という。
【００８６】
ここで、導電体層１７０の下部膜７０１を乾式エッチング処理にてパターニングする場合、その下部の不純物非晶質シリコン層１６０と真性非晶質シリコン層１５０を連続して乾式エッチング処理を施すことによって、製造工程を簡単化でき、この時、同一のエッチングチャンバーで３層７０１、１６０、１５０に対する乾式エッチングを連続して施すインシチュー（in-situ）法により処理することも、そうでないこともできる。
【００８７】
次に、図１５、図１６a及び１６bに示したように、チャンネル領域（C）に位置した導電体１７４及び線状の不純物半導体１６４の第２部分をエッチング処理にて除去する。そして、残されている感光膜の第１部分５２も除去する。
【００８８】
この時、図１６bに示したように、チャンネル領域（C）に位置する線状真性半導体１５１の突出部１５４上の部分が除去され厚さが薄くなることもあり、感光膜の第１部分５２もこの時にある程度の厚さがエッチングされる。
【００８９】
このようにすれば、導電体１７４の各々が一つのデータ線１７１と複数のドレーン電極１７５に分離されて完成し、不純物半導体１６４の各々が一つの線状抵抗性接触部材１６１と複数の島状抵抗性接触部材１６５に分かれて完成する。
【００９０】
次に、図１７、図１８a及び図１８bのように、第１実施例と同様に、基板１１０の上部に、窒化ケイ素または酸化ケイ素を積層し、保護膜１８０を形成した後に、カラーフィルター用感光膜を順次塗布して露光及び現像して、維持電極１３５と重畳するドレーン電極１７５を露出する開口部２３５を有する赤、緑、青のカラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bを順に形成する。
【００９１】
図１９、図２０a及び図２０bに示したように、基板１１０の上部に、感光膜ＰＲを形成し、これをエッチングマスクとして保護膜１８０をゲート絶縁膜１４０と共にエッチングして、複数の接触孔１８１、１８５、１８２を形成する。勿論、本実施例でも第１実施例のように、赤、緑、青のカラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bの上部に第２保護膜を形成した後、接触孔１８１、１８５、１８２を形成することもできる。
【００９２】
最後に、図８乃至図１０に示したように、５００Å乃至１，５００Åの厚さのIZOまたはITO層をスパッタリング法で蒸着し写真エッチングして、複数の画素電極１９０及び複数の接触補助部材８１、８２を形成する。IZO層を使用するときのエッチングは、（HNO３/（NH４）２Ce（NO３）６/H２O）などクロム用エッチング液を用いる湿式エッチング処理を施すのが好ましいが、このエッチング液は、アルミニウムを腐蝕させないので、データ線１７１、ドレーン電極１７５、ゲート線１２１においてアルミニウム導電膜が腐食されないように防止できる。
【００９３】
本実施例では、第１実施例による効果とともに、データ線１７１及びドレーン電極１７５と、その下部の抵抗性接触部材１６１、１６５及び半導体１５１を一つの写真工程で形成するので、製造工程を短縮できる。
【００９４】
図２１は本発明の第３実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図である。図２２は図２１の薄膜トランジスタ表示板のXXII-XXII´線による断面図である。
【００９５】
図２１及び図２２のように、ほとんどの構造は図１及び図２と同一である。
【００９６】
ところで、図１及び図２とは異なり、第２実施例のように、ゲート線１２１に拡張部を設ける代わりに、ゲート線１２１と同一の層にゲート線１２１と電気的に分離され、ゲート線１２１と平行に複数の維持電極線１３１が形成されている。
【００９７】
また、保護膜１８０は、第２実施例のように、第１保護膜のみで形成され、ドレーン電極１７５を露出する接触孔１８５及び開口部２３５の側壁は階段状となっており、画素電極１９０はこれら１８５、２３５を通じてドレーン電極１７５と連結されている。
【００９８】
以上で、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定さず、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図である。
【図２】図１の薄膜トランジスタ表示板のII-II´線による断面図である。
【図３ａ】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板を製造する中間工程における薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図３ｂ】図３aの薄膜トランジスタ表示板のIIIＢ-IIIＢ´線による断面図である。
【図４ａ】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板を製造する中間工程における薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図４ｂ】図４aの薄膜トランジスタ表示板のIVＢ-IVＢ´線による断面図であり、図３bに続く工程を示す。
【図５ａ】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板を製造する中間工程における薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図５ｂ】図５aのVＢ-VＢ´線による断面図であり、図４bに続く工程を示す。
【図６ａ】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板を製造する中間工程における薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図６ｂ】図６aのVIＢ-VIＢ´線による断面図であり、図５bに続く工程を示す。
【図７ａ】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板を製造する中間工程における薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図７ｂ】図７aのVIIＢ-VIIＢ´線による断面図であり、図６bに続く工程を示す。
【図８】本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図９】図８に示した薄膜トランジスタ表示板のIX-IX´線及びX-X´線による断面図である。
【図１０】図８に示した薄膜トランジスタ表示板のIX-IX´線及びX-X´線による断面図である。
【図１１】本発明の第２実施例に基づいて製造する第１段階における薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図１２ａ】図１１のXIIＡ-XIIＡ´線による断面図である。
【図１２ｂ】図１１のXIIＢ-XIIＢ´線による断面図である。
【図１３ａ】図１１のXIIＡ-XIIＡ´線による断面図であり、図１２a及び図１２bに続く工程を示す。
【図１３ｂ】図１１のXIIＢ-XIIＢ´線による断面図であり、図１２a及び図１２bに続く工程を示す。
【図１４ａ】図１１のXIIＡ-XIIＡ´線による断面図であり、図１３a及び図１３bに続く工程を示す。
【図１４ｂ】図１１のXIIＢ-XIIＢ´線による断面図であり、図１３a及び図１３bに続く工程を示す。
【図１５】図１４a及び図１４bに続く工程における薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図１６ａ】図１５のXVIＡ-XVIＡ´線による断面図である。
【図１６ｂ】図１５のXVIＢ-XVIＢ´線による断面図である。
【図１７】図１６a及び図１６bに続く工程における薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図１８ａ】図１７のXVIIIＡ-XVIIIＡ´線による断面図である。
【図１８ｂ】図１７のXVIIIＢ-XVIIIＢ´線による断面図である。
【図１９】図１８a及び図１８bに続く工程における薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図２０ａ】図１９のXXＡ-XXＡ´線による断面図である。
【図２０ｂ】図１９のXXＢ-XXＢ´線による断面図である。
【図２１】本発明の第３実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図２２】図２１の薄膜トランジスタ表示板のXXII-XXII´線による断面図である。
【符号の説明】
【０１００】
１１０  絶縁基板
１２１  ゲート線
１２４  ゲート電極
１４０  ゲート絶縁膜
１５１  半導体
１６１、１６５  抵抗性接触部材
１７１  データ線
１７３  ソース電極
１７５  ドレーン電極
１８０  保護膜
１８５、１８７、１８２  接触孔
１９０  画素電極
２３０R、２３０G、２３０B  カラーフィルター
２３５、２３７  開口部
【図１】
2005049877.tif 000003
【図２】
2005049877.tif 000004
【図３ａ】
2005049877.tif 000005
【図３ｂ】
2005049877.tif 000006
【図４ａ】
2005049877.tif 000007
【図４ｂ】
2005049877.tif 000008
【図５ａ】
2005049877.tif 000009
【図５ｂ】
2005049877.tif 000010
【図６ａ】
2005049877.tif 000011
【図６ｂ】
2005049877.tif 000012
【図７ａ】
2005049877.tif 000013
【図７ｂ】
2005049877.tif 000014
【図８】
2005049877.tif 000015
【図９】
2005049877.tif 000016
【図１０】
2005049877.tif 000017
【図１１】
2005049877.tif 000018
【図１２ａ】
2005049877.tif 000019
【図１２ｂ】
2005049877.tif 000020
【図１３ａ】
2005049877.tif 000021
【図１３ｂ】
2005049877.tif 000022
【図１４ａ】
2005049877.tif 000023
【図１４ｂ】
2005049877.tif 000024
【図１５】
2005049877.tif 000025
【図１６ａ】
2005049877.tif 000026
【図１６ｂ】
2005049877.tif 000027
【図１７】
2005049877.tif 000028
【図１８ａ】
2005049877.tif 000029
【図１８ｂ】
2005049877.tif 000030
【図１９】
2005049877.tif 000031
【図２０ａ】
2005049877.tif 000032
【図２０ｂ】
2005049877.tif 000033
【図２１】
2005049877.tif 000034
【図２２】
2005049877.tif 000035