(57)【要約】【課題】  ウェハ上を移動するレジスト液吐出ノズルを用いて，レジスト液をウェハ面内において均一に塗布する。【解決手段】  レジスト液吐出ノズル２２の吐出孔２２ｃの内側面に熱電対３０を取り付け，レジスト液吐出ノズル２２から吐出される直前のレジスト液の温度を検出する。熱電対３０による温度の検出結果は，主制御部３２に出力する。当該温度が許容範囲を超えた場合には，主制御部３２は，当該温度に基づいて，最適なポンプ２５の供給圧を算出し，ポンプ制御部２６に設定されているポンプ２５の設定供給圧を当該算出された供給圧に変更する。こうすることによって，レジスト液吐出ノズル２２の移動によって吐出直前のレジスト液の温度が変動しレジスト液の粘度が変動した場合であっても，ウェハＷ上には常に一定量のレジスト液が吐出され，ウェハ面内において均等にレジスト液が塗布される。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に塗布液を塗布する塗布装置であって，
基板を保持する保持部材と，
前記保持部材に保持された基板上を基板の表面に沿って移動しながら，当該基板に対して塗布液を線状に吐出する塗布液吐出ノズルと，
前記塗布液吐出ノズルに対して所定の圧力で塗布液を圧送する圧送装置と，
前記塗布液吐出ノズル内における前記塗布液の温度を検出する温度検出部材と，
前記温度検出部材による検出された前記塗布液の温度に基づいて，前記圧送装置における塗布液の供給圧を調整する制御部と，を備えたことを特徴とする，塗布装置。
【請求項２】
前記塗布液吐出ノズルは，塗布液が吐出される先端部を有し，
前記温度検出部材は，前記先端部内の塗布液の流路に設けられていることを特徴とする，請求項１に記載の塗布装置
【請求項３】
前記塗布液吐出ノズルの先端部には，塗布液の吐出孔が形成されており，
前記温度検出部材は，前記吐出孔の内側面に取り付けられていることを特徴とする，請求項２に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記温度検出部材に接続された接続線は，前記塗布液吐出ノズルの外形を形成する壁部の内部を通っていることを特徴とする，請求項１，２又は３のいずれかに記載の塗布装置。
【請求項５】
処理室内において基板に塗布液を塗布する塗布装置であって，
前記処理室内において基板を保持する保持部材と，
前記保持部材に保持された基板上を基板の表面に沿って移動しながら，当該基板に対して塗布液を線状に吐出する塗布液吐出ノズルと，
前記処理室内の温度を検出する温度検出部材と，
前記温度検出部材による検出された前記処理室内の温度に基づいて，前記圧送装置における塗布液の供給圧を調整する制御部と，を備えたことを特徴とする，塗布装置。
【請求項６】
前記保持部材に保持された基板の表面上において塗布液吐出ノズルを一の水平方向に往復移動させ，さらに前記塗布液吐出ノズルと前記保持部材とを，前記一の水平方向に直角の他の水平方向に相対的に移動させる移動機構を備えたことを特徴とする，請求項１，２，３，４又は５のいずれかに記載の塗布装置。
【請求項７】
基板上において塗布液吐出ノズルを基板の表面に沿って移動させながら，前記塗布液吐出ノズルから前記基板に対して塗布液を線状に吐出することによって，基板に塗布液を塗布する塗布方法であって，
前記塗布液吐出ノズルから吐出される直前の塗布液の温度を測定し，
前記測定された塗布液の温度に基づいて，前記塗布液吐出ノズルに対して供給される塗布液の供給圧を調整することを特徴とする，塗布方法。
【請求項８】
処理室内において，塗布液吐出ノズルが基板上を基板の表面に沿って移動しながら前記基板に対して塗布液を線状に吐出することによって，基板に塗布液を塗布する塗布方法であって，
前記処理室内の温度を測定し，当該温度に基づいて，前記塗布液吐出ノズルに対して供給される塗布液の供給圧を調整することを特徴とする，塗布方法。
【請求項９】
前記塗布液吐出ノズルが塗布液を吐出しながら移動している際に，前記温度の測定を行い，
当該測定された温度が所定のしきい値を越えたときに，前記塗布液の供給圧を変更することを特徴とする，請求項７又は８のいずれかに記載の塗布方法。
【請求項１０】
塗布液を吐出した前記塗布液吐出ノズルを，基板の一端部側の外方から他端部側の外方までの間の一の水平方向に往復移動させ，さらに塗布液吐出ノズルと基板とを前記一の水平方向に直角の他の水平方向に間欠的に相対移動させることによって，基板の表面の全面に塗布液を塗布し，
前記塗布液の供給圧の調整は，前記塗布液吐出ノズルが前記基板の一端部側の外方から他端部側の外方まで移動する度に行われることを特徴とする，請求項９に記載の塗布方法。
【請求項１１】
前記塗布液の供給圧の変更は，前記塗布液吐出ノズルが基板の表面上にないときに行うことを特徴とする，請求項１０に記載の塗布方法。
【請求項１２】
基板上において塗布液吐出ノズルを基板の表面に沿って一の水平方向に往復移動させながら，前記塗布液吐出ノズルから前記基板に対して塗布液を線状に吐出し，当該塗布液吐出ノズルと基板とを前記一の水平方向と直角の他の水平方向に間欠的に相対移動させていくことによって，基板の表面の全面に塗布液を塗布する塗布方法であって，
前記塗布液吐出ノズルから吐出される直前の塗布液の温度を測定し，
前記測定された塗布液の温度に基づいて，前記塗布液吐出ノズルと基板との間欠的な相対移動の移動距離を調整することを特徴とする，塗布方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基板に塗布液を塗布する塗布装置及び塗布方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては，ウェハ上に，レジスト膜を形成するためのレジスト液やＳＯＤ（Spin  on  Dielectric）膜を形成するＳＯＤ溶液等を塗布する塗布処理が行われている。
【０００３】
上記塗布処理には，例えば吐出ノズルからウェハ上にレジスト液を吐出した状態で，吐出ノズルをウェハの表面に沿って移動させてながら，当該ウェハ上にレジスト液を塗布する塗布方法が用いられる（例えば，特許文献１参照。）。この塗布方法によれば，回転された基板にレジスト液を吐出するいわゆるスピンコーティング方式に比べて，レジスト液がウェハから飛散して無駄になることがないので，レジスト液の少量化が図られる。
【０００４】
ところで，上述の塗布方法では，ウェハの表面に均一なレジスト膜を形成するために，吐出ノズルは，ウェハに対しウェハ面内において均一にレジスト液を供給する必要がある。このため，従来より，吐出ノズルにレジスト液を圧送するポンプの圧力を一定にし，吐出ノズルから吐出されるレジスト液の吐出量（吐出レート）を一定にすることによって，ウェハ面内におけるレジスト液の供給量の均一化を図っていた。
【０００５】
しかしながら，上記の場合，吐出ノズルが移動しながらレジスト液を吐出するので，例えば移動中に吐出ノズルに衝突する風などの影響により吐出ノズルが一時的に冷やされ，その吐出ノズル内を通過しているレジスト液の温度が変動することがあった。この温度変動は，吐出ノズル内を通過中のレジスト液の粘性を変動させ，たとえポンプの供給圧が一定であっても，吐出ノズルから吐出されるレジスト液の吐出量は一定にならなかった。この結果，ウェハ上には，実際レジスト液がウェハ面内において均等に塗布されていなかった。
【０００６】
また，上記塗布方法は，通常，吐出ノズルを備えた塗布装置の処理室内で行われるが，従来の処理室内では，積極的な温度調整が行われていなかったので，処理室内の温度は，例えば処理室周辺の外気の温度の影響により不規則に変動していた。そして，処理室内の温度が変動した際には，吐出ノズルからウェハ上に供給されたレジスト液の状態が変動し，例えば急激に乾燥が進んで，レジスト液の塗布量がウェハ面内において均一でなくなっていた。
【０００７】
特に，上述の塗布方法では，極めて薄いレジスト膜を形成するためにウェハ表面上には極少量のレジスト液が供給されるため，吐出ノズル自体の温度や処理室内の雰囲気温度の僅かな変動がウェハ面内のレジスト液の均一性に大きな影響を与えていた。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−７７３２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，レジスト液の吐出ノズルなどの塗布液吐出ノズルがウェハなどの基板に対して移動しながら塗布液を吐出する塗布装置において，基板面内において均一に塗布液を塗布できる塗布装置及び塗布方法を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために，本発明は，基板に塗布液を塗布する塗布装置であって，基板を保持する保持部材と，前記保持部材に保持された基板上を基板の表面に沿って移動しながら，当該基板に対して塗布液を線状に吐出する塗布液吐出ノズルと，前記塗布液吐出ノズルに対して所定の圧力で塗布液を圧送する圧送装置と，前記塗布液吐出ノズル内における前記塗布液の温度を検出する温度検出部材と，前記温度検出部材による検出された前記塗布液の温度に基づいて，前記圧送装置における塗布液の供給圧を調整する制御部と，を備えたことを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば，温度検出部材により塗布液吐出ノズルにおける塗布液の温度を検出し，当該塗布液の温度に基づいて，塗布液吐出ノズルに対する塗布液の供給圧を調整することができる。例えば，塗布液吐出ノズルにおける塗布液の温度が上昇し塗布液の粘性が低下して塗布液吐出ノズルからの吐出量が増大する場合には，塗布液吐出ノズルに対する塗布液の供給圧を小さくする。逆に塗布液の温度が低下し塗布液の粘性が上昇して塗布液吐出ノズルからの吐出量が減少する場合には，前記塗布液の供給圧を大きくする。こうすることによって，塗布液吐出ノズルから吐出される塗布液の吐出量を一定に維持することができる。つまり，吐出直前の塗布液の温度変動に応じて，塗布液の吐出量が一定になるように塗布液の供給圧を調整して，塗布液を基板面内において均一に塗布することができる。
【００１２】
前記塗布液吐出ノズルは，塗布液が吐出される先端部を有し，前記温度検出部材は，前記先端部内の塗布液の流路に設けられていてもよい。かかる場合，吐出直前の塗布液の温度を測定できるので，当該温度に基づく塗布液の供給圧の調整をより厳密に行い，基板面内における塗布液の均一性をさらに向上することができる。
【００１３】
前記塗布液吐出ノズルの先端部には，塗布液の吐出孔が形成されており，前記温度検出部材は，前記吐出孔の内周面に取り付けられていてもよい。
【００１４】
前記温度検出部材に接続された接続線は，前記塗布液吐出ノズルの外形を形成する壁部の内部を通っていてもよい。接続線が塗布液吐出ノズル内の塗布液の流路内を通るとき，接続線によって当該塗布液の流路内が汚染されることがある。また，接続線が塗布液吐出ノズルの外側を通るとき，接続線によって塗布液吐出ノズルの移動が妨げることがある。本発明によれば，接続線が壁部の内部を通るので，塗布液吐出ノズルの塗布液の流路内が汚染されることがなく，塗布液吐出ノズルの移動も妨げられることもない。なお，「接続線」には，例えば温度検出部材から信号を出力する信号線や温度検出部材に給電する給電線などが含まれる。
【００１５】
本発明によれば，処理室内において基板に塗布液を塗布する塗布装置であって，前記処理室内において基板を保持する保持部材と，前記保持部材に保持された基板上を基板の表面に沿って移動しながら，当該基板に対して塗布液を線状に吐出する塗布液吐出ノズルと，前記処理室内の温度を検出する温度検出部材と，前記温度検出部材による検出された前記処理室内の温度に基づいて，前記圧送装置における塗布液の供給圧を調整する制御部と，を備えたことを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば，処理室内の温度に基づいて塗布液吐出ノズルに対する塗布液の供給圧を調整することができる。例えば処理室内の温度が一時的に上昇し，例えば基板上に供給された塗布液が急速に蒸発するような場合には，塗布液吐出ノズルに対する塗布液の供給圧を大きくして，基板に対する塗布液の塗布量を増やす。逆に処理室内の温度が低下し，例えば基板上における塗布液の通常の蒸発が行われないような場合には，前記塗布液の供給圧を小さくし，基板に対する塗布量を減らす。こうすることによって，基板上における塗布液の塗布量を基板面内において均一に維持することができる。つまり，処理室内の温度変動に応じて，塗布液の供給圧を調整して，最終的に基板上に塗布される塗布液の量を基板面内において均一にすることができる。
【００１７】
上記塗布装置は，前記保持部材に保持された基板の表面上において塗布液吐出ノズルを一の水平方向に往復移動させ，さらに前記塗布液吐出ノズルと前記保持部材とを，前記一の水平方向に直角の他の水平方向に相対的に移動させる移動機構をさらに備えていてもよい。
【００１８】
本発明は，基板上において塗布液吐出ノズルを基板の表面に沿って移動させながら，前記塗布液吐出ノズルから前記基板に対して塗布液を線状に吐出することによって，基板に塗布液を塗布する塗布方法であって，前記塗布液吐出ノズルから吐出される直前の塗布液の温度を測定し，前記測定された塗布液の温度に基づいて，前記塗布液吐出ノズルに対して供給される塗布液の供給圧を調整することを特徴とする。なお，「塗布液吐出ノズルから吐出される直前」には，例えば外部の塗布液供給源から塗布液吐出ノズルに供給された塗布液が，塗布液吐出ノズル内を通っている時が含まれる。
【００１９】
本発明によれば，例えば塗布液吐出ノズルの移動に伴って，吐出直前の塗布液の温度が変動した場合に，塗布液の供給圧を変更して，塗布液吐出ノズルから吐出される塗布液の吐出量を一定に制御することができる。この結果，塗布液を基板面内において均一に塗布することができる。
【００２０】
本発明は，処理室内において，塗布液吐出ノズルが基板上を基板の表面に沿って移動しながら前記基板に対して塗布液を線状に吐出することによって，基板に塗布液を塗布する塗布方法であって，前記処理室内の温度を測定し，当該温度に基づいて，前記塗布液吐出ノズルに対して供給される塗布液の供給圧を調整することを特徴とする。
【００２１】
本発明によれば，処理室内の温度が変動した場合に，それに基づいて塗布液吐出ノズルに対する塗布液の供給圧を変更して，最終的に基板上の塗布される塗布液の量を基板面内において均一にすることができる。
【００２２】
前記塗布液吐出ノズルが塗布液を吐出しながら移動している際に，前記温度の測定を行い，当該測定された温度が所定のしきい値を越えたときに，前記塗布液の供給圧を変更するようにしてもよい。かかる場合，塗布液の吐出中に必要に応じて塗布液の供給圧の変更して，塗布液を基板面内において均一に塗布することができる。
【００２３】
塗布液を吐出した前記塗布液吐出ノズルを，基板の一端部側の外方から他端部側の外方までの間で一の水平方向に往復移動させ，さらに塗布液吐出ノズルと基板とを前記一の水平方向に直角の他の水平方向に間欠的に相対移動させることによって，基板の表面の全面に塗布液を塗布し，前記塗布液の供給圧の調整は，前記塗布液吐出ノズルが前記基板の一端部側の外方から他端部側の外方まで移動する度に行われてもよい。また，前記塗布液の供給圧の変更は，前記塗布液吐出ノズルが基板の表面上にないときに行うようにしてもよい。かかる場合，塗布液吐出ノズルが基板の表面上を移動しているときに塗布液の供給圧が変更されることがないので，例えば供給圧の変更時に塗布液の吐出量が一時的に不安定になっても，当該吐出量の不安定な塗布液が基板に供給されることはない。
【００２４】
本発明は，基板上において塗布液吐出ノズルを基板の表面に沿って一の水平方向に往復移動させながら，前記塗布液吐出ノズルから前記基板に対して塗布液を線状に吐出し，当該塗布液吐出ノズルと基板とを前記一の水平方向と直角の他の水平方向に間欠的に相対移動させていくことによって，基板の表面の全面に塗布液を塗布する塗布方法であって，前記塗布液吐出ノズルから吐出される直前の塗布液の温度を測定し，前記測定された塗布液の温度に基づいて，前記塗布液吐出ノズルと基板との間欠的な相対移動の移動距離を調整することを特徴とする。
【００２５】
本発明によれば，例えば塗布液吐出ノズルの移動に伴って，吐出直前の塗布液の温度が変動した場合に，塗布液吐出ノズルと基板との間欠的な移動距離を調整する。これにより，例えば塗布液の温度が上昇して塗布液吐出ノズルからの吐出量が増大した場合には，前記他の水平方向の塗布液吐出ノズルと基板との移動距離を大きくして，基板上に供給された線状の塗布液の間隔を広くする。逆に塗布液の温度が低下して吐出量が減少した場合には，前記他の水平方向の移動距離を小さくして基板上の塗布液の間隔を狭くする。こうすることによって，基板上に供給される塗布液の量が基板面内において均等になり，塗布液の基板面内の均一性が向上する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば，塗布液吐出ノズルから吐出される塗布液が基板面内において均一に塗布されるので，基板上に均一な塗布膜が形成され，その結果，基板処理の歩留まりの向上が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる塗布装置１の構成の概略を示す縦断面の説明図であり，図２は，塗布装置１の横断面の説明図である。
【００２８】
塗布装置１は，例えば図１に示すように上面が開口した筐体２を有する。筐体２の中央部には，ウェハＷを保持する保持部材としてのチャック３が設けられている。例えばチャック３の上面は，水平に形成されており，当該上面には，例えばウェハＷを吸着するための図示しない吸引口が設けられている。これの吸引口からの吸引より，チャック３上にウェハＷを吸着保持できる。チャック３には，ウェハＷを上下動するための昇降機構（図示せず）や，ウェハＷの位置合わせを行うための回転機構（図示せず）が設けられている。
【００２９】
チャック３は，例えばＸ―Ｙステージ４に取り付けられており，Ｘ方向（図２の左右方向），Ｙ方向（図２の上下方向）に移動できる。例えばＸ―Ｙステージ４は，Ｘ方向に沿って形成された第１のレール５と，Ｙ方向に沿って形成された第２のレール６を備え，例えば図１に示すステージ駆動部７によってチャック３を第１のレール５及び第２のレール６に沿って移動させることができる。これにより，チャック３は，例えば筐体２のＸ方向負方向（図２の左方向）側に設けられたウェハの搬入出口８からウェハＷを受け取り，当該ウェハＷを筐体２の中央部まで移動させることができる。また，チャック３は，ウェハＷをＹ方向に沿って筐体２の一端部付近から他端部付近まで移動させることができる。なお，ステージ駆動部７の動作は，チャック制御部９で制御されており，チャック制御部９は，予め設定されている移動位置，移動速度及び移動タイミングに従ってチャック３を例えば間欠的に所定距離（ステップ的に）移動させることができる。
【００３０】
筐体２には，筐体２の上面を覆う天板２０が設けられている。この天板２０によって筐体２内に処理室Ｓが形成されている。天板２０の中央部付近には，Ｘ方向に沿って長いスリット２１が形成されている。このスリット２１内には，塗布液吐出ノズルとしてのレジスト液吐出ノズル２２が配置されている。
【００３１】
レジスト液吐出ノズル２２は，例えば図３に示すように略筒状の本体部２２ａを備え，その下部に先細の先端部２２ｂを備えている。例えば先端部２２ｂの下端部には，吐出されるレジスト液の太さを規定する吐出孔２２ｃが形成されている。吐出孔２２ｃは，例えば直径が３０μｍ〜２００μｍ程度に形成されている。例えば本体部２２ａの上面には，例えばレジスト液の供給源２３に連通する供給管２４が接続されている。供給管２４には，圧送装置としてのポンプ２５が設けられている。ポンプ２５によって供給源２３のレジスト液を供給管２４を通じてレジスト液吐出ノズル２２に供給し，レジスト液吐出ノズル２２に供給されたレジスト液は，本体部２２ａ，先端部２２ｂを通じて吐出孔２２ｃから下方に向けて吐出される。なお，吐出孔２２ｃは，レジスト液吐出ノズル２２に複数形成されていてもよい。
【００３２】
例えばポンプ２５の動作は，ポンプ制御部２６によって制御されている。ポンプ制御部２６には，ポンプ２５の供給圧が設定されており，ポンプ２５は，この設定供給圧に従ってレジスト液吐出ノズル２２に対しレジスト液を圧送できる。
【００３３】
例えばレジスト液吐出ノズル２２の吐出孔２２ｃの内周面には，温度検出部材としての熱電対３０が取り付けられている。この熱電対３０によって，レジスト液吐出ノズル２２から吐出される直前及び吐出中のレジスト液の温度を検出できる。熱電対３０は，例えば接続線３１によって制御部としての主制御部３２に接続されている。接続線３１は，例えばレジスト液吐出ノズル２２の先端部２２ｂ，本体部２２ａの壁部２２ｄ内を通って，例えば本体部２２ａの上部から出て，そこから主制御部３２に接続されている。この接続線３１により，熱電対３０による検出結果は，主制御部３２に出力できる。
【００３４】
主制御部３２は，熱電対３０から出力されるレジスト液吐出ノズル２２内のレジスト液の温度を監視し，例えば所定の許容範囲（しきい値）を外れる温度が検出された場合に，当該検出された温度に基づいてポンプ制御部２６に対し設定供給圧の変更命令を出力できる。この際，主制御部３２は，例えば検出された温度結果からそのレジスト液の粘度を算出し，当該レジスト液の粘度に基づいて，レジスト液吐出ノズル２２から所望の吐出量のレジスト液が吐出されるような，最適なポンプ２５の供給圧を算出できる。主制御部３２は，その算出された最適の供給圧をポンプ制御部２６に出力し，ポンプ制御部２６に設定されているポンプ２５の設定供給圧を変更できる。ポンプ制御部２６は，当該変更された設定供給圧に従ってポンプ２５を稼動できる。なお，レジスト液の温度に基づく粘度の算出，粘度に基づく最適供給圧の算出は，予め実験により取得しておいた相関データや論理式を用いて行われる。
【００３５】
レジスト液吐出ノズル２２は，例えば図１に示すようにホルダ４０によって，スライダ４１に取り付けられ，スライダ４１は，駆動ベルト４２に固定されている。駆動ベルト４２は，例えばＸ方向に沿って延伸し，筐体２のＸ方向の両側壁に設けられた駆動プーリ４３と従動プーリ４４との間に掛けられている。駆動ベルト４２は，駆動プーリ４３の駆動源４５によって駆動できる。この駆動ベルト４２の駆動により，レジスト液吐出ノズル２２は，スリット２１内をＸ方向に往復移動できる。したがって，レジスト液吐出ノズル２２は，Ｘ−Ｙステージ４によってスリット２１の下方をＹ方向に間欠的に移動するウェハＷに対し，Ｘ方向に往復移動しながらレジスト液を吐出することができる。なお，レジスト液吐出ノズル２２の移動速度等の動作は，駆動源４５に動作命令を出力する図示しない制御装置によって制御されている。
【００３６】
図１に示すように，チャック３に保持されたウェハＷと天板２０との間であって，スリット２１に対向する位置には，レジスト液吐出ノズル２２からウェハＷの端部付近に吐出されたレジスト液を受け止める一対のマスク部材５０，５１が配置されている。マスク部材５０，５１は，例えば平板状に形成され，その表面には，受け止めたレジスト液を排出する図示しないドレイン管が接続されている。例えばマスク部材５０は，筐体２のＸ方向正方向側の側壁に取り付けられた支持部材５２によって支持され，例えばシリンダやモータ等のマスク駆動部５３によってＸ方向に沿って移動できる。マスク部材５１は，筐体２のＸ方向負方向側の側壁に取り付けられた支持部材５４によって支持され，マスク駆動部５５によってＸ方向に沿って移動できる。かかる構成から，両マスク部材５０，５１間の距離を調節して，マスク部材５０，５１を，スリット２１の下方を通過するウェハＷの両端部付近に位置させることができる。そして，レジスト液吐出ノズル２２から吐出されるレジスト液がウェハＷの外縁部に塗布されて，例えば当該レジスト液がウェハＷの裏面に回り込んだり，ウェハＷから垂れ落ちることを防止できる。
【００３７】
図２に示すように筐体２の側壁に取り付けられた搬入出口８には，シャッタ６０が設けられており，外気が搬入出口８から処理室Ｓ内に流入するのを防止できる。図１に示すように筐体２の下面には，排気管６１が接続されており，処理室Ｓ内の雰囲気を必要に応じて排気できる。
【００３８】
次に，以上のように構成された塗布装置１で行われる塗布処理について説明する。先ず，ウェハＷは，塗布装置１内に搬入出口８を通じて搬入され，チャック３に吸着保持される。続いてチャック３がＸ方向正方向側に移動して，図２に示すようにウェハＷが筐体２の中央部まで移動される。
【００３９】
次に，チャック３がＹ方向正方向に移動し，例えばウェハＷのＹ方向正方向側の端部がスリット２１の下方に位置される。そして，スリット２１内のレジスト液吐出ノズル２２がＸ方向に沿って往復移動を開始し，レジスト液吐出ノズル２２からレジスト液が吐出され始める。このとき，レジスト液は，ポンプ２５によってレジスト液吐出ノズル２２内に所定の供給圧で供給され，当該レジスト液吐出ノズル２２の吐出孔２２ｃから吐出される。
【００４０】
レジスト液吐出ノズル２２の往復移動とレジスト液の吐出が開始されると，例えば図４に示すようにウェハＷは，Ｙ方向正方向側に間欠的に所定距離ずつ移動していく。つまり，例えばレジスト液吐出ノズル２２がウェハＷのＸ方向負方向側の端部の外方からウェハＷ上を通ってウェハＷのＸ方向正方向側の端部の外方まで移動し，ウェハＷの表面上にレジスト液が直線状に供給されると，ウェハＷがＹ方向正方向側に所定距離移動され，レジスト液の塗布位置がずらされる。そして，レジスト液吐出ノズル２２は，先程と逆のＸ方向負方向側に向かって移動し，ウェハＷの表面上にレジスト液が直線状に供給される。そして，レジスト液吐出ノズル２２が，再びウェハＷのＸ方向負方向側の外方に到達すると，ウェハＷがまたＹ方向正方向側に所定距離移動され，レジスト液の塗布位置がずらされる。この動作を繰り返すことによって，レジスト液がウェハＷの表面に平行線状に塗られていき，最終的にはウェハＷの表面の全面にレジスト液が塗布される。
【００４１】
ウェハＷにレジスト液が塗布されている間，マスク部材５０，５１は，常にウェハＷのＸ方向の両端部上に位置するように適宜移動される。これにより，ウェハＷの外方からレジスト液が落下することが防止される。
【００４２】
図５は，ウェハＷにレジスト液が塗布されている際に行われるポンプ２５の供給圧を調整するプロセスのフローを示す。レジスト液吐出ノズル２２がレジスト液を吐出しながら，ウェハＷ上を往復移動している間は，熱電対３０によって，吐出孔２２ｃを通過するレジスト液の温度が検出されている。主制御部３２は，熱電対３０による温度の検出結果を常時監視している。レジスト液の塗布中に，レジスト液の温度が許容範囲，例えばレジスト液の設定温である２３℃の±２℃の範囲から外れた場合には，主制御部３２では，その際のレジスト液の温度から，レジスト液の粘度を算出し，当該粘度に基づいて，所望の吐出量を得るためのポンプ２５の設定供給圧が算出される。この際，例えばレジスト液の温度が低下すると，粘度が増大し，吐出量が減少するため，算出される供給圧が高くなる。逆にレジスト液の温度が上昇すると，粘度が低下し，吐出量が増大するため，算出される供給圧が低くなる。こうして，適正な供給圧が算出されると，主制御部３２からポンプ制御部２６にその新しい供給圧が出力され，ポンプ制御部２６では，その新しい供給圧に設定供給圧が変更される。そしてポンプ２５からは，修正後の供給圧でレジスト液の供給が行われる。かかるポンプ２５の供給圧の調整を繰り返し行うことによって，レジスト液吐出ノズル２２から吐出されるレジスト液の吐出量は，常に一定に維持され，ウェハＷ上には，レジスト液が均等に塗布される。
【００４３】
以上の実施の形態によれば，レジスト液吐出ノズル２２に熱電対３０を設け，レジスト液吐出ノズル２２から吐出される直前のレジスト液の温度を検出し，当該温度に基づいてレジスト液吐出ノズル２２へのレジスト液の供給圧を調整した。そのため，レジスト液吐出ノズル２２の移動や停止に伴ってレジスト液吐出ノズル２２におけるレジスト液の温度が変動し，当該レジスト液の粘性が変動した場合であっても，レジスト液吐出ノズル２２から吐出されるレジスト液の吐出量を一定に維持することができる。この結果，ウェハ面内には，レジスト液が均等に供給され，ウェハＷ上に一定の膜厚のレジスト膜が形成される。
【００４４】
熱電対３０がレジスト液吐出ノズル２２の吐出孔２２ｃの内側面に取り付けられたので，レジスト液吐出ノズル２２から吐出される直前のレジスト液の温度を適切に検出することができる。それ故，レジスト液の温度に基づくポンプ供給圧の調整をより正確に行うことができる。
【００４５】
熱電対３０の接続線３１がレジスト液吐出ノズル２２の壁部２２ｄの内部を通るように配置されたので，例えば接続線３１をレジスト液吐出ノズル２２の流路内に配置した場合に比べてレジスト液吐出ノズル２２内の汚染が抑制される。また，接続線３１をレジスト液吐出ノズル２２の外側に配置した場合に比べてレジスト液吐出ノズル２２の移動が円滑に行われる。
【００４６】
以上の実施の形態では，上述したように熱電対３０をレジスト液吐出ノズル２２の吐出孔２２ｃに取り付けていたが，熱電対３０の取り付け位置は，それに限られず，レジスト液吐出ノズル２２内のレジスト液の流路の他の位置であってもよい。例えば図６に示すようにレジスト液吐出ノズル２２の先端部２２ａの内壁面に取り付けられていてもよい。かかる場合であっても，吐出直前のレジスト液の温度を適切に検出できる。
【００４７】
上記実施の形態で記載したポンプ２５の供給圧の調整は，前記レジスト液吐出ノズル２２がウェハＷの一端部側の外方から他端部側の外方まで移動する度に行われてもよい。例えば，レジスト液吐出ノズル２２がウェハＷの表面上を移動し，ウェハＷの端部の外方まで到達したときに，この移動時において熱電対３０によるレジスト液の検出温度が許容範囲であったか否かが判断される。そして，レジスト液の温度が許容範囲であった場合には，ポンプ２５の供給圧は変更されず，次のレジスト液吐出ノズル２２の移動時には，レジスト液のレジスト液吐出ノズル２２からの吐出は，同じ供給圧で行われる。レジスト液の温度が許容範囲を超えていた場合には，ポンプ２５の供給圧が変更され，次のレジスト液吐出ノズル２２の移動時のレジスト液の吐出は，変更後の供給圧で行われる。このように，ポンプ２５の供給圧の調整を，レジスト液吐出ノズル２２の一回の移動毎に行うことによって，例えばレジスト液の供給圧が変更されるタイミングを揃えることができる。また，短い周期で供給圧の調整が行われるので，均一にレジスト液を塗布することができる。なお，このポンプ２５の供給圧の調整は，レジスト液吐出ノズル２２が所定の複数回往復する毎に行われるようにしてもよい。
【００４８】
前記例において，ポンプ２５の供給圧の変更は，レジスト液吐出ノズル２２がウェハＷの表面上に無いときに行うようにしてもよい。例えばポンプ２５の供給圧の変更は，レジスト液吐出ノズル２２ウェハＷの端部の外方にあり，レジスト液吐出ノズル２２の折り返しのときに行われる。こうすることによって，レジスト液吐出ノズル２２がウェハＷの表面にレジスト液を吐出しているときに，供給圧が変更されることがない。それ故，例えば仮に供給圧の変更時にレジスト液の吐出量が一瞬不安定になっても，その吐出量のレジスト液がウェハＷ上に供給されることはない。
【００４９】
以上の実施の形態では，検出したレジスト液の温度に基づいてポンプ２５の供給圧を調整していたが，検出した温度に基づいて，上述したウェハＷのＹ方向正方向側への間欠的な移動の距離を調整してもよい。かかる場合，例えば熱電対３０によって許容範囲外のレジスト液の温度が検出されると，その温度情報が，例えば主制御部３２に出力される。主制御部３２では，例えば当該レジスト液の温度においてレジスト液吐出ノズル２２から実際に吐出されるレジスト液の吐出量（吐出レート）が算出され，当該算出された吐出量に基づいて，ウェハ面内の単位面積当たりのレジスト液の塗布量が一定になるような，最適なウェハＷのＹ方向正方向側への移動距離が算出される。そして，次のウェハＷのＹ方向正方向側への間欠的な移動はその算出された移動距離で行われる。かかる場合，レジスト液の温度に基づいてウェハＷの送り距離を調整することによって，最終的にウェハ面内に均一にレジスト液を塗布できる。なお，この例におけるウェハＷの移動距離の調整は，所定回数の移動を一単位として行ってもよい。また，この例のようにウェハＷのＹ方向への間欠的な移動の距離を調整する代わりに，レジスト液吐出ノズル２２のＸ方向への移動速度を変更してもよい。さらに，ウェハのＹ方向への間欠的な移動の距離と，レジスト液吐出ノズル２２のＸ方向への移動速度を両方変更してもよい。
【００５０】
以上の実施の形態では，レジスト液吐出ノズル２２におけるレジスト液の温度に基づいてポンプ２５の供給圧を調整していたが，処理室Ｓ内の温度に基づいてポンプ２５の供給圧を調整してもよい。図７は，かかる一例を示すものであり，例えば筐体２の内側壁に，処理室Ｓ内の温度を検出する温度検出部材７０が取り付けられる。温度検出部材７０の検出結果は，例えば主制御部３２に出力できる。
【００５１】
主制御部３２は，温度検出部材７０から出力される処理室Ｓ内の温度を監視し，例えば所定の許容範囲（しきい値），例えば２３℃±２℃を外れる温度が検出された場合に，当該検出された温度に基づいてポンプ制御部２６に対し設定供給圧の変更命令を出力できる。主制御部３２は，例えば検出された温度結果から，その温度下でレジスト液がウェハＷ上に供給された際の塗布状態を予測し，その予測に基づいて，ウェハ面内のレジスト液の塗布量が一定になるような，最適なポンプ２５の供給圧を算出できる。主制御部３２は，その算出された最適の供給圧をポンプ制御部２６に出力し，ポンプ制御部２６における設定供給圧を変更できる。ポンプ制御部２６は，当該変更された設定供給圧に従ってポンプ２５を稼動できる。なお，各温度におけるレジスト液の塗布状態や，その時の最適供給圧などは，予め実験により取得しておいたデータなどを用いて導出される。
【００５２】
そして，例えばレジスト液吐出ノズル２２がＸ方向に往復移動しウェハＷにレジスト液が塗布されている最中に，例えば処理室Ｓ内の温度が上昇して許容範囲を外れた場合には，例えばレジスト液の蒸発量が増してウェハＷ上に塗布されたレジスト液の液量が通常状態よりも減少するので，例えば通常よりも高い最適な供給圧にポンプ２５の設定供給圧が変更される。また，処理室Ｓ内の温度が下降して許容範囲を外れた場合には，例えばレジスト液の蒸発量が減ってウェハＷ上のレジスト液の液量が通常状態よりも増えるので，例えば通常よりも低い最適な供給圧にポンプ２５の設定供給圧が変更される。こうすることによって，最終的に，ウェハＷ上には，レジスト液がウェハ面内において均一に塗布される。
【００５３】
なお，この例において，処理室Ｓ内の温度に基づいて，レジスト液塗布時のウェハＷのＹ方向への間欠的な移動の距離やレジスト液吐出ノズル２２のＸ方向への移動速度を変更してもよい。また，温度検出部材７０は，処理室Ｓ内の複数箇所に設けてもよい。さらに，温度検出部材７０は，ウェハＷにより近い例えばチャック３やマスク部材５０，５１，天板２０に取り付けてもよい。
【００５４】
以上の実施の形態は，本発明の一例を示すものであり，本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。上記実施の形態では，レジスト液がウェハＷの表面に対し矩形波形状に塗布されていたが，本発明は，例えばレジスト液がウェハＷの表面に対して渦巻き状に塗布される際にも適用できる。また，本発明は，それ以外の他の経路を通ってレジスト液が塗布される際にも適用できる。さらに，本発明は，レジスト液以外の他の塗布液，例えばＳＯＤ，ＳＯＧ（Spin  on  Glass）膜等を形成するための塗布液をウェハＷに塗布する塗布装置にも適用できる。また，以上で説明した実施の形態では，塗布液をウェハＷに塗布していたが，本発明は，ウェハ以外の例えばＬＣＤ，フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板に対する塗布装置にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は，塗布液吐出ノズルが移動しながら，基板に塗布液を塗布する塗布装置において，基板面内において均等に塗布液を塗布する際に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】塗布装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図２】塗布装置の構成の概略を示す横断面の説明図である。
【図３】レジスト液吐出ノズルの構成を模式的に示す説明図である。
【図４】レジスト液吐出ノズルがウェハにレジスト液を吐出している状態を示す説明図である。
【図５】ポンプの供給圧を調整する際のプロセスのフロー図である。
【図６】熱電対を先端部内に設けた場合のレジスト液吐出ノズルの構成を示す説明図である。
【図７】温度検出部材を備えた塗布装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【符号の説明】
【００５７】
１    塗布装置
３    チャック
２２  レジスト液吐出ノズル
３０  熱電対
２５  ポンプ
２６  ポンプ制御部
３２  主制御部
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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