(57)【要約】【課題】  微細、かつ、高精度で、バネ特性の良好なコンタクトプローブを提供する。また、実装の容易なコンタクトプローブを提供する。【解決手段】  本発明のコンタクトプローブは、検査用プローブカードに使用され、カンチレバ型バネ部とＵ字型バネ部とを備え、カンチレバ型バネ部の端部とＵ字型バネ部の腕部が互いに反対方向に配向していることを特徴とする。かかるコンタクトプローブは、Ｕ字型バネ部の腕部とカンチレバ型バネ部の端部が、プローブカード内の配線電極と被検査物の電極を電気的に導通し、Ｕ字型バネ部の一方の腕部により固定される態様が好ましい。【選択図】        図１
2005127952.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査用プローブカードのコンタクトプローブであって、
カンチレバ型バネ部とＵ字型バネ部とを備え、
カンチレバ型バネ部の端部とＵ字型バネ部の腕部が互いに反対方向に配向していることを特徴とするコンタクトプローブ。
【請求項２】
Ｕ字型バネ部の腕部とカンチレバ型バネ部の端部が、プローブカード内の配線電極と被検査物の電極を電気的に導通することを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。
【請求項３】
Ｕ字型バネ部の一方の腕部により固定される請求項１または２に記載のコンタクトプローブ。
【請求項４】
Ｕ字型バネ部のうち、固定される腕部が、カンチレバ型バネ部の延長上に配向することを特徴とする請求項３に記載のコンタクトプローブ。
【請求項５】
コンタクトプローブは、ニッケルまたはニッケル合金からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のコンタクトプローブ。
【請求項６】
コンタクトプローブは、貴金属または導電性ダイヤモンドライクカーボンまたはＣｒＮまたはＴｉＮのいずれかからなるコート層を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のコンタクトプローブ。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法であって、
金型により樹脂型を形成する工程と、
前記樹脂型に金属材料からなる層を電鋳により形成する工程と
を含むことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法であって、
Ｘ線リソグラフィにより樹脂型を形成する工程と、
前記樹脂型に金属材料からなる層を電鋳により形成する工程と
を含むことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれかに記載のコンタクトプローブを実装した垂直型プローブカード。
【請求項１０】
コンタクトプローブのＵ字型バネ部の両方の腕部を、プローブカードの基板の穴に挿入し、一方の腕部を固定することにより、コンタクトプローブを実装した請求項９に記載のプローブカード。
【請求項１１】
コンタクトプローブのカンチレバ型バネ部の端部が、プローブカード内の配線電極と電気的に導通することを特徴とする請求項９または１０に記載のプローブカード。
【請求項１２】
請求項９に記載のプローブカードを用いる半導体または液晶の検査方法。
【請求項１３】
請求項９に記載のプローブカードを備える検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ＩＣチップまたは液晶デバイスなどの電子部品の電極に接触させて、電気的な試験を行なうためのコンタクトプローブに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩのような高密度で高速の電子部品を検査するために、多数のコンタクトプローブを有するプローブカードが使用される。検査に際しては、コンタクトプローブを電子部品の電極に押し付けて、コンタクトプローブを介して電子部品の各種のデータが収集される。したがって、検査対象である電子部品の電極との確実な接触が得られるとともに、電極に損傷を与えないようにするため、コンタクトプローブにはバネ機能が必要である。
【０００３】
電子部品の高集積化および高速化が進行する中、電子部品の電極に対応して形成されるコンタクトプローブも集積化が進行している。このため、従来のプローブカードでは、２０〜８０ピン／枚のコンタクトプローブが形成されていたが、最近では、６００〜８００ピン／枚、ピンピッチ４０μｍのプローブカードが主流になっており、２５００ピン／枚のカードも登場している。
【０００４】
また、電子部品の高集積化および高速化に伴い、電極の間隔が益々狭くなる傾向にあるため、従来の水平接触型のプローブカードでは、接触に際して、コンタクトプローブが横から滑り、オーバードライブして、隣接する電極を傷つけるトラブルが発生しやすい。かかる欠点を解決するため、コンタクトプローブが垂直に電極と接触する垂直接触型のプローブカードが開発されている。このプローブカードは、プローブカードのピン数が多く、コンタクトエリアが広くなっても、コンタクトプローブの針立てが容易であるという利点を有する。
【０００５】
垂直接触型のプローブカードの例を図３に示す。図３（ａ）に示すプローブカードは、タングステン製のコンタクトプローブ３１を有し、コンタクトプローブ３１は、検査装置側のプリント基板３２に、３１ｃでハンダ付けされ、固定されている。また、コンタクトプローブ３１は、２枚のガイド板３３の間に曲線部３１ａを有し、ガイド板３３を遊貫し、検査対象３４側に突き出している。このプローブカードを、液晶基板などの検査対象３４に対して矢印の方向に垂直に圧接すると、コンタクトプローブ３１の先端３１ｂが、検査対象３４の電極３５と接触し、曲線部３１ａがバネとして機能し、電気的に導通する。図３（ｂ）に示す垂直接触型のプローブカードは、コンタクトプローブ３１を備え、検査対象３４に対して矢印の方向に垂直に圧接すると、コンタクトプローブ３１の先端３１ｂが、検査対象３４の電極３５と接触し、検査することができる。
【０００６】
また、電子部品の微細化および高集積化に対応できる垂直型のプローブカードとして、シリコンプローブが開発されている。シリコンプローブは、ＶＬＳ（Vapor Liquid Solid）成長技術により形成したシリコンウィスカをコンタクトプローブとして用いるプローブカードである。ＶＬＳ成長とは、シリコン単結晶上に、金とシリコンの合金融液を作り、気相の四塩化珪素と水素を加え、気流界面反応により合金融液内にシリコンを取り入れ、融液と基板の界面に過剰のシリコンを析出させ、単結晶のシリコンウィスカを基板上に形成する。このようにして形成されたシリコンプローブは、ピンピッチ３０μｍ程度の狭ピッチ化による多ピン化が可能であるとされている。
【０００７】
なお、以上本発明についての従来技術を、出願人の知得した一般的な技術情報に基いて説明したが、出願人の記憶する範囲において、出願前までに先行技術文献情報として開示すべき情報を出願人は有していない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図３（ａ）に示す垂直型のプローブカードは、コンタクトプローブが、タングステン線の機械加工により作成されるため、全長のバラツキが大きく、測定時に大きくストロークさせる必要がある。したがって、針圧のバラツキが大きく、最大針圧が大きくなるという欠点がある。また、コンタクトプローブの曲げ加工、ハンダ付けおよび配線などの作業は、μｍ単位の精度が要求されるため、作業性が悪く、作業コストが高い。
【０００９】
また、図３（ｂ）に示す垂直型のプローブカードは、コンタクトプローブがストローク方向に固定されておらず、プローブカード内で遊びがあるため、電気的な導通を得るまでの予備ストロークが長く、測定時のストローク管理が難しいという欠点がある。また、図３（ａ）に示すプローブカードと同様に、精密な組み立て作業が必要なため、アセンブルコストが高い。一方、シリコンプローブは、コンタクトプローブが、シリコン基板上に一括製作されるため、コンタクトプローブの交換が不可能であるという欠点がある。また、シリコン製のコンタクトプローブの坐屈変形により、接触荷重が極めて小さく、金以外の材質への電気的コンタクト性が悪い。
【００１０】
本発明の課題は、微細、かつ、高精度で、バネ特性の良好なコンタクトプローブを提供することにある。また、実装の容易なコンタクトプローブを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のコンタクトプローブは、検査用プローブカードのコンタクトプローブであって、
カンチレバ型バネ部とＵ字型バネ部とを備え、
カンチレバ型バネ部の端部とＵ字型バネ部の腕部が互いに反対方向に配向していることを特徴とする。
【００１２】
かかるコンタクトプローブは、Ｕ字型バネ部の腕部とカンチレバ型バネ部の端部が、プローブカード内の配線電極と被検査物の電極を電気的に導通するものが好ましい。
【００１３】
また、Ｕ字型バネ部の一方の腕部により固定される態様が好ましく、Ｕ字型バネ部のうち、固定される腕部が、カンチレバ型バネ部の延長上に配向する態様がより好ましい。また、コンタクトプローブは、ニッケルまたはニッケル合金からなり、貴金属または導電性ダイヤモンドライクカーボンまたはＣｒＮまたはＴｉＮのいずれかからなるコート層を有するものが好ましい。
【００１４】
本発明ののコンタクトプローブの製造方法は、
金型により樹脂型を形成する工程と、
樹脂型に金属材料からなる層を電鋳により形成する工程と
を含むことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明のコンタクトプローブの製造方法の別の態様は、
Ｘ線リソグラフィにより樹脂型を形成する工程と、
樹脂型に金属材料からなる層を電鋳により形成する工程と
を含むことを特徴とする。
【００１６】
本発明のプローブカードは、かかるコンタクトプローブを実装した垂直型プローブカードであり、コンタクトプローブのＵ字型バネ部の両方の腕部を、プローブカードの基板の穴に挿入し、一方の腕部を固定することにより、コンタクトプローブを実装する態様が好ましい。また、コンタクトプローブのカンチレバ型バネ部の端部が、プローブカード内の配線電極と電気的に導通する態様が好適である。本発明の検査装置は、かかるプローブカードを備えることを特徴とし、半導体または液晶の検査に有用である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、電子部品の高集積化および高速化に対応することができ、実装の容易なコンタクトプローブを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（コンタクトプローブ）
本発明のコンタクトプローブは、カンチレバ型バネ部とＵ字型バネ部とを備え、カンチレバ型バネ部の端部とＵ字型バネ部の腕部が互いに反対方向に配向していることを特徴とする。本発明のコンタクトプローブは、プローブカード内の配線電極に接続するバネ電極と、被検査物の電極に接続するバネ電極の双方を有し、部品点数が少ないため、組み立ておよび交換が容易で、アセンブルコストが低い。また、カンチレバ型バネ部の端部とＵ字型バネ部の腕部とが互いに反対方向に配向し、カンチレバ型バネ部を押さえ込む構造で使用することができるから、Ｕ字型バネ部の先端がデバイスとコンタクトして押されても、コンタクトプローブ全体は移動しにくく、バネとして正確に機能させることができる。したがって、Ｕ字型バネ部の一方の腕部とカンチレバ型バネ部の端部が、プローブカード内の配線電極と被検査物の電極を電気的に導通する態様が好ましい。
【００１９】
本発明のコンタクトプローブの典型的な例を図１および図２に示す。図１は平面図であり、図２は斜視図である。このコンタクトプローブは、図１に示すとおり、カンチレバ型バネ部１１とＵ字型バネ部１２とを備え、カンチレバ型バネ部１１の端部１１ａと、Ｕ字型バネ部１２の腕部１２ｂ，１２ｃは、互いに反対方向に配向する。本発明のコンタクトプローブは、Ｕ字型バネ部の一方の腕部、たとえば、腕部１２ｃをプローブカードのベース基板に固定し、Ｕ字型バネ部の他方の腕部、たとえば、腕部１２ｂとカンチレバ型バネ部１１により、プローブカード内の配線電極と被検査物の電極に、適度な付勢力を持って接続することができる。本発明においては、Ｕ字型バネを採用するため、他のバネに比べて、ストロークおよび接触荷重を大きくすることができる。具体的には、Ｕ字型バネ部のストロークは、２００μｍ以上とすることが可能である。カンチレバ型バネ部のストロークは、１５０μｍ程度である。また、Ｕ字型バネ部の一方の腕部が固定され、遊びがないため、導通するまでの予備ストロークが不要である。
【００２０】
コンタクトプローブの材質は、靭性などのバネ特性に優れ、硬度が高い点で、さらには、後述するＬＩＧＡ（Lithographie Galvanoformung Abformung）法による製造に適している点で、ニッケル、またはニッケルマンガンなどのニッケル合金が好ましい。コンタクトプローブは、ウェハバーンインテストにも使用され、耐熱性が要求されるため、耐熱性に優れるニッケルマンガン合金が、コンタクトプローブ用の材料として好適である。また、コンタクトプローブのバネ強度および弾性限界を高める点で、ニッケルの結晶粒は５０ｎｍ以下が好ましい。コンタクトプローブの表面には、電気的な接触性および耐腐食性を高める点で、金、ロジウムまたはパラジウムなどの貴金属のコート層を設ける態様が好ましい。また、コンタクトプローブの表面に、導電性ダイヤモンドライクカーボンまたはＣｒＮまたはＴｉＮのいずれかからなるコート層を形成すると、耐摩耗性を向上させることができる。
【００２１】
（コンタクトプローブの製造方法）
本発明のコンタクトプローブの製造方法は、Ｘ線リソグラフィにより樹脂型を形成する工程と、樹脂型に金属材料からなる層を電鋳により形成する工程とを含むことを特徴とする。機械加工では、±１０μｍの精度しか得られないが、本発明の方法によれば、±１μｍの高精度のコンタクトプローブを再現性よく製造することができる。このため、バネ特性を均一に保つことができ、全長のバラツキを減らすことができるから、先端位置のバラツキを吸収するための不要ストロークをなくすことができる。また、微細構造体を一体形成することができ、部品点数を減らし、部品コストおよび組立てコストを低減することができる。図１に示す例では、長さ（Ｌ）３ｍｍ、幅（Ｗ）０．８５ｍｍ、厚さ０．０５ｍｍであるが、図１に示す例の１／４〜１／３の微細なコンタクトプローブも、本発明の方法により再現性よく製造することができる。
【００２２】
本発明の製造方法においては、高いアスペクト比を有するコンタクトプローブが得られる点で、ＵＶ（波長２００ｎｍ）より短波長であるＸ線（波長０．４ｎｍ）を使用するが、Ｘ線の中でも指向性の高いシンクロトロン放射のＸ線（以下、「ＳＲ光」という。）を使用する態様が好ましい。ＳＲ光を用いるＬＩＧＡ法は、ディープなリソグラフィが可能であり、厚さ数１００μｍのコンタクトプローブをμｍオーダの高精度で大量に製造することができる。また、高いアスペクト比が得られるため、接触強度を高く、接触信頼性が大きい。
【００２３】
本発明の製造方法は、図４（ａ）に示すように、導電性基板４１上に樹脂層４２を形成する。導電性基板として、たとえば、銅、ニッケル、ステンレス鋼などからなる金属製基板を使用することができる。また、チタン、クロムなどの金属材料をスパッタリングしたシリコン基板などを用いることもできる。樹脂層には、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）などのポリメタクリル酸エステルを主成分とする樹脂材料、または、Ｘ線に感受性を有する化学増幅型樹脂材料などを用いる。樹脂層の厚さは、形成しようとするコンタクトプローブの厚さに合せて任意に設定することができ、たとえば、４０μｍ〜５００ｍｍとすることができる。
【００２４】
つぎに、樹脂材料４２上にマスク４３を配置し、マスク４３を介してＸ線４４を照射する。Ｘ線としては、ＳＲ光が好ましい。マスク４３は、コンタクトのパターンに応じて形成したＸ線吸収層４３ａと、透光性基材４３ｂとからなる。透光性基材４３ｂには、窒化シリコン、シリコン、ダイヤモンド、チタンなどを用いる。また、Ｘ線吸収層４３ａには、金、タングステン、タンタルなどの重金属またはその化合物などを用いる。Ｘ線４４の照射により、樹脂層４２のうち、樹脂層４２ａは露光され変質するが、樹脂層４２ｂはＸ線吸収層４３ａにより露光されない。このため、現像により、Ｘ線４４により変質した部分のみが除去され、図４（ｂ）に示すような樹脂型４２ｂが得られる。
【００２５】
つぎに、電鋳を行ない、図４（ｃ）に示すように、樹脂型４２ｂに金属材料４５を堆積する。電鋳とは、金属イオン溶液を用いて導電性基板上に金属材料からなる層を形成することをいう。導電性基板４１をめっき電極として電鋳を行なうことにより、樹脂型４２ｂに金属材料４５を堆積することができる。樹脂型４２ｂの空孔部が埋まる程度に金属材料４５を堆積する場合、堆積した金属材料層から、最終的に本発明のコンタクトプローブを得ることができる。また、樹脂型４２ｂの高さを超え、樹脂型４２ｂ上にも金属材料を堆積すると、樹脂型４２ｂおよび基板４１を除去することにより、空孔部を有する金属微細構造体が得られ、得られた構造体を金型として、後述する金型を利用する本発明のコンタクトプローブの製造方法において有効に使用することができる。
【００２６】
電鋳後、研磨または研削により所定の厚さに揃えると、図４（ｄ）に示すような構造体が得られる。その後、図４（ｅ）に示すように、ウエットエッチングまたはプラズマエッチングにより樹脂型４２ｂを除去する。つづいて、酸もしくはアルカリによりウエットエッチングし、または機械加工により導電性基板４１を除去すると、図４（ｆ）に示すような本発明のコンタクトプローブを得ることができる。得られたコンタクトプローブには、必要に応じて、厚さ０．０５μｍ〜１μｍの金などからなるコート層を施すことができる。
【００２７】
本発明のコンタクトプローブの製造方法の他の態様は、金型により樹脂型を形成する工程と、樹脂型に金属材料からなる層を電鋳により形成する工程とを含むことを特徴とする。かかる方法によっても、Ｘ線リソグラフィにより樹脂型を形成する前述の製造方法と同様に、高精度で、均一なバネ特性を有する信頼性の高いコンタクトプローブを低コストで製造することができる。また、同一の金型を用いて、コンタクトプローブの大量生産が可能である。
【００２８】
かかる製造方法は、図５（ａ）に示すとおり、凸部を有する金型５２を用いて、プレスまたは射出成型などのモールドにより、図５（ｂ）に示すような凹状の樹脂型５３を形成する。樹脂としては、ポリメタクリル酸メチルなどのアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリオキシメチレンなどのポリアセタール樹脂などの熱可塑性樹脂を用いる。金型５２は、本発明のコンタクトと同様の金属微小構造体であるため、Ｘ線リソグラフィ法と電鋳を組み合せた上述の方法により製造することが好ましい。
【００２９】
つぎに、樹脂型５３の上下を反転した後、図５（ｃ）に示すように、導電性基板５１に貼り付ける。続いて、図５（ｄ）に示すように、樹脂型５３を研磨し、樹脂型５３ａを形成する。その後は前述と同様に、電鋳により樹脂型５３ａに金属材料５５を堆積し（図５（ｅ））、厚さを調整した後（図５（ｆ））、樹脂型５３ａを除去し（図５（ｇ））、導電性基板５１を除去すると、図５（ｈ）に示すような本発明のコンタクトプローブが得られる。
【００３０】
（コンタクトプローブの実装）
本発明のプローブカードは、かかるコンタクトプローブを実装した垂直接触型プローブカードであることを特徴とする。コンタクトプローブの実装例を図６に示す。図６（ａ）は、コンタクトプローブ６２をプローブカードのベース基板６５に実装する方法を示す平面図であり、図６（ｂ）は、コンタクトプローブ６２を実装したプローブカードの断面図である。まず、図６（ａ）に示すように、コンタクトプローブ６２のＵ字型バネ部の腕部６２ｂ，６２ｃを、矢印に示すように、ベース基板６５に形成された２つの穴に挿入する。同様にして、複数のコンタクトプローブをベース基板の穴に挿入した後、図６（ｂ）に示すように、Ｕ字型バネ部の一方の腕部、たとえば、腕部６２ｃを固定板６７により固定する。つづいて、ベース基板６５と配線基板６３を、たとえば、インサート板６６を介してネジ止めなどにより接合すると、本発明のプローブカードが得られる。このプローブカードを、図６（ｂ）の矢印に示すように、被検査体である電子機器などの基板６４に押し当てることにより、基板６４上の電極６４ａと、コンタクトプローブ６２とが接続し、プローブカードと被検査体との電気的導通が得られる。したがって、被検査体の情報が、電極６４ａ、コンタクトプローブ６２、電極６３ａ、配線６３ｂを介して、検査装置に伝達される。かかるプローブカードを備える検査装置により、高集積化および高速化の進む半導体および液晶の検査を低コストで行なうことができる。
【００３１】
図６に例示する実装方法は、コンタクトプローブのＵ字型バネ部の２本の腕部を、２つの穴に差し込み、片方のバネ部を固定するだけの簡単な方法であり、組み立てが容易で、アセンブルコストが低く、また機械化も可能な方法である点で好ましい。さらに、コンタクトプローブの交換が容易であり、コンタクトプローブはきちんと固定されており、遊びがないため、予備ストロークが不要である。インサート板６６を介して、ベース基板６５と配線基板６３を接合すると、機械的強度が増すので好ましい。また、Ｕ字型バネ部のうち、固定される腕部が、カンチレバ型バネ部の延長上に配向する態様が、カンチレバ型バネ部とＵ字型バネ部のバネ特性を十分に利用することができる。図６（ｂ）には、コンタクトプローブ６２のカンチレバ型バネ部が、検査装置側の配線基板６３に突き出している例を示す。一方、コンタクトプローブ６２のＵ字型バネ部が、配線基板６３に突き出している態様とすることもできるが、ストロークと接触荷重の大きいＵ字型バネ部が検査対象側に向いている点で、図６（ｂ）に示す前者の態様が好ましい。
【００３２】
ベース基板６５には、ポリイミド系樹脂、セラミックスまたはシリコンなどを使用することができる。ポリイミド系樹脂またはセラミックスを使用する場合、ベース基板の穴開けは、レーザ加工またはドリル加工により行なうことができる。シリコンを使用する場合には、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより、穴開け加工をすることができるが、特に、プラズマガス中でのドライエッチング（ＩＣＰ）が好ましい。ベース基板６５には、１つのコンタクトプローブについて２つの穴を開け、穴の位置は検査対象６４の電極６４ａの位置に対応している。
【００３３】
上述の例では、コンタクトプローブ６２は、固定板６７を介して、ネジ止めなどによりベース基板６５に固定している。このように、固定板によるほか、接着剤により固定することもできるが、固定板により固定する方が、コンタクトプローブの交換が容易である点で好ましい。図６（ｂ）に示す例では、コンタクトプローブ６２を固定板６７で一旦固定した後、ベース基板６５と配線基板６３を接合しているが、固定板６７を使用することなく、ベース基板６５と配線基板６３に挟み、押し付けることにより、コンタクトプローブ６２を固定してもよい。また、コンタクトプローブ６２と配線基板６３との間に、ピッチを広げるために、トランスフォーマを設けてもよく、トラスフォーマには、配線を内蔵した多層セラミックス基板または多層樹脂基板などを使用することができる。
【００３４】
実施例１
まず、図４（ａ）に示すように、導電性基板４１上に樹脂層４２を形成した。導電性基板としては、チタンをスパッタリングしたシリコン基板を用いた。樹脂層を形成する材料は、メタクリル酸メチルとメタクリル酸との共重合体を用い、樹脂層の厚さは７０μｍとした。
【００３５】
つぎに、樹脂層４２上にマスク４３を配置し、マスク４３を介してＸ線４４を照射した。Ｘ線としては、ＳＲ装置（ＮＩＪＩ−ＩＩＩ）によるＳＲ光を照射した。マスク４３は、コンタクトのパターンからなるＸ線吸収層４３ａを有するものを使用し、マスク４３を構成する透光性基材４３ｂは窒化シリコンからなり、Ｘ線吸収層４３ａは窒化タングステンからなるものを用いた。
【００３６】
Ｘ線４４の照射後、メチルイソブチルケトンにより現像し、Ｘ線４４により変質した部分を除去すると、図４（ｂ）に示すような樹脂型４２ｂが得られた。つぎに、電鋳を行ない、樹脂型４２ｂの空孔部に金属材料４５を堆積した（図４（ｃ））。金属材料としてはニッケルを用いた。
【００３７】
電鋳後、研磨して表面の凹凸を除去するとともに、コンタクトプローブの厚さを５０μｍに整え（図４（ｄ））、酸素プラズマにより樹脂型４２ｂを除去し（図４（ｅ））、続いてＮａＯＨ水溶液によりウエットエッチングし、導電性基板４１を除去すると、図４（ｆ）に示すような、コンタクトプローブが得た。得られたコンタクトプローブの平面図を図１に示す。また、斜視図を図２に示す。図１に示すとおり、得られたコンタクトプローブは、カンチレバ型バネ部とＵ字型バネ部とを備え、カンチレバ型バネ部の端部とＵ字型バネ部の腕部は互いに反対方向に配向していた。
【００３８】
つづいて、図６（ａ）に示すように、検査する半導体（ＬＳＩ）の電極の位置に対応して貫通孔を形成したベース基板６５にコンタクトプローブ６２を実装した。実装は、図６（ｂ）に示すとおり、コンタクトプローブ６２のＵ字型バネ部の腕６２ｃ、６２ｂを、ベース基板６５の穴に挿入した後、固定板６７をネジ止めし、腕６２ｃを固定した。続いて、配線基板６３を、インサート板６６を介して、ベース基板６５に取り付け、ネジ止めした。ベース基板６５は、材質がポリイミド樹脂であり、厚さが１．２ｍｍのものを用いた。得られたプローブカードは、コンタクトプローブ６２のカンチレバ型バネ部の先端が、配線基板６３上の電極６３ａに接触し、また、ベース基板６２の検査対象側の表面から、コンタクトプローブのＵ字型バネ部６２ｂが０．５ｍｍ突出していた。
【００３９】
このプローブカードを、図６（ｂ）の矢印に示すように、被検査体である電子機器などの基板６４に押し当てることにより、コンタクトプローブ６２のＵ字型バネ部の腕部とカンチレバ型バネ部の端部が、プローブカード内の配線電極６３ａと被検査体の電極６４ａを電気的に導通した。これにより、被検査体の情報が、電極６４ａ、コンタクトプローブ６２、電極６３ａ、配線６３ｂを介して、プローブカードに伝達することができ、かかるプローブカードを備える検査装置により、高集積化および高速化の進む半導体および液晶の検査を低コストで行なうことができた。
【００４０】
図６に例示する実装方法は、コンタクトプローブのＵ字型バネ部を２つの穴に差し込み、片方のバネ部を固定するだけの簡単な方法であり、組み立てが容易で、アセンブルコストが低く、また機械化も可能な方法であった。さらに、コンタクトプローブの交換が容易であり、コンタクトプローブはきちんと固定されており、遊びがないため、予備ストロークが不要であった。
【００４１】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
電子部品の高集積化および高速化に対応することのできるコンタクトプローブ、そのコンタクトプローブを備えるプローブカード、およびそのプローブカードを備える検査装置を安価に提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明のコンタクトプローブの平面図である。
【図２】本発明のコンタクトプローブの斜視図である。
【図３】従来の垂直接触型プローブカードの断面図である。
【図４】本発明のコンタクトプローブの製造方法を示す工程図である。
【図５】本発明のコンタクトプローブの製造方法を示す工程図である。
【図６】本発明のコンタクトプローブの実装例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００４４】
１１  カンチレバ型バネ部、１２  Ｕ字型バネ部、４２ｂ  樹脂型、４４  Ｘ線、４５  金属材料、５２  金型。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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