(57)【要約】【課題】  パターニングされた第１の膜の上に導電膜が配置されてなる導電パターンを、より簡単な工程で形成できるようにする。【解決手段】  まず基板４０の上に、第１の膜４１を成膜し、続いて、この第１の膜４１の上に撥液膜４２をパターン形成する。次に、撥液膜４２の形成されない領域に触媒層４３を形成し、この触媒層４３に対して無電界メッキにより導電膜６０９を選択的に形成する。最後に、この導電膜６０９をマスクとして上記第１の膜４１をパターニングする。【選択図】    図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングされた第１の膜の上に第１の導電膜が配置されてなる導電性パターンの形成方法であって、
基板上に第１の膜を形成する工程と、
メッキにより上記第１の膜上の所定の領域に第１の導電膜を選択的に形成する工程と、
上記第１の導電膜をマスクとして上記第１の膜をパターニングする工程とを備えたことを特徴とする、パターンの形成方法。
【請求項２】
上記第１の導電膜の形成工程が、
上記第１の膜の上に撥液膜をパターン形成する工程と、
液相法を用いて上記撥液膜の形成領域以外の領域に触媒層を形成する工程と、
無電界メッキにより上記触媒層の上に上記第１の導電膜を形成する工程とを含むことを特徴とする、請求項１記載のパターンの形成方法。
【請求項３】
上記無電界メッキ工程の後に、電界メッキにより上記第１の導電膜の上に第２の導電膜を積層することを特徴とする、請求項２記載のパターンの形成方法。
【請求項４】
上記第１の導電膜の形成工程が、
上記第１の膜の上にシード層を形成する工程と、
上記シード層の上に撥液膜をパターン形成する工程と、
電界メッキにより上記シード層の上記撥液膜の非形成領域に上記第１の導電膜を形成する工程とを含むことを特徴とする、請求項１記載のパターンの形成方法。
【請求項５】
上記第１の膜の形成工程前に、上記基板上に第３の導電膜を形成する工程と、該第３の導電膜の所定の位置に導電ピラーを形成する工程とを備え、
上記第１の膜の形成工程では、上記導電ピラーを除いた上記第３の導電膜の表面に絶縁性の第１の膜を形成し、上記第１の導電膜の形成工程では、上記第１の膜及び導電ピラーを覆うように、上記導電ピラーの形成領域を含む領域に上記第１の導電膜を形成することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかの項に記載のパターンの形成方法。
【請求項６】
上記第１の膜のパターニング工程では、上記第１の導電膜の下部に位置する第１の膜を完全に除去することを特徴とする、請求項５記載のパターンの形成方法。
【請求項７】
基板上に導電パターンを形成する方法であって、
基板上にシード層を形成する工程と、
上記シード層の上に撥液膜をパターン形成する工程と、
電界メッキにより上記シード層の上記撥液膜の非形成領域に導電膜を形成する工程と、
上記導電膜をマスクとしたエッチングにより、上記導電膜の非形成領域におけるシード層を除去する工程とを備えたことを特徴とする、パターンの形成方法。
【請求項８】
バンク層によって区画された領域に画素電極と電気光学層とが順に積層され、上記電気光学層とバンク層とを覆うように対向電極が配置されてなる電気光学装置の製造方法であって、
上記バンク層が、請求項１〜６のいずれかの項に記載の方法により形成されたパターンを用いて形成されたことを特徴とする、電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
上記対向電極が透光性導電材料からなることを特徴とする、請求項８記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれかの項に記載の方法により形成されたパターンを用いてデバイスを製造することを特徴とする、デバイスの製造方法。
【請求項１１】
請求項８又は９記載の方法により製造された電気光学装置を備えたことを特徴とする、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、デバイスの製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、配線等のパターンを形成する場合には、まず、基板上に金属膜を形成し、この上にレジストを塗布した後、これを露光，現像によりパターニングする。そして、このレジストをマスクとして金属膜をエッチングし、レジストを剥離する（例えば特許文献１参照）。積層パターンを形成する場合には、これらの工程を各層毎に行なう必要がある。
【特許文献１】特開２００１−１２９７９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、上記方法は工程数が多く、特に積層パターンを形成する場合にはその形成工程に長時間を要することとなる。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、より簡単な工程で積層パターンを形成可能なパターンの形成方法、及びこの方法を用いた電気光学装置の製造方法、デバイスの製造方法、並びに上記電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記の課題を解決するため、本発明のパターンの形成方法は、パターニングされた第１の膜の上に第１の導電膜が配置されてなる導電性パターンの形成方法であって、基板上に第１の膜を形成する工程と、メッキにより上記第１の膜上の所定の領域に第１の導電膜を選択的に形成する工程と、上記第１の導電膜をマスクとして上記第１の膜をパターニングする工程とを備えたことを特徴とする。
【０００５】
第１の導電膜の形成工程の具体的な形態としては以下のものを採用することができる。
（１）上記第１の導電膜の形成工程を、上記第１の膜の上に撥液膜をパターン形成する工程と、液相法を用いて上記撥液膜の形成領域以外の領域に触媒層を形成する工程と、無電界メッキにより上記触媒層の上に上記第１の導電膜を形成する工程とを含む工程により行なう。
なお、この場合には、上記無電界メッキ工程の後に、電界メッキにより上記第１の導電膜の上に第２の導電膜を積層することで、バイメタル構造等を形成することもできる。
（２）上記第１の導電膜の形成工程を、上記第１の膜の上にシード層を形成する工程と、上記シード層の上に撥液膜をパターン形成する工程と、電界メッキにより上記シード層の上記撥液膜の非形成領域に上記第１の導電膜を形成する工程とを含む工程により行なう。
【０００６】
本方法は、各層毎にパターニングを繰り返す従来の方法において、下層側の膜（第１の膜）をパターニングするためのレジストマスクの形成工程を第１の導電膜の形成工程に置き換えたものとなっている。すなわち、第１の導電膜を第１の膜のパターニング用マスクとして兼用している。このため、従来の方法であれば、マスクとして用いたレジストを剥離する工程が必要となるが、本方法ではこれを導電膜としてそのまま利用するため、この剥離工程は不要となる。また、本方法では撥液膜を利用して基板上にメッキの起点となる領域（シード層の露出される領域や触媒層の形成される領域）をパターン形成しているため、第１の導電膜を所定の領域にのみ選択的に形成することができる。このため、少なくとも第１の導電膜の形成工程では従来のようなレジストの形成工程，レジストの露光，現像工程，機能性材料のエッチング工程，レジスト剥離工程が不要となる。したがって、本方法によれば、従来の方法に比べて工程時間を大幅に短縮することができる。
また、本方法では第１の導電膜をメッキにより形成するため、金，銀，銅等の導電性の高い金属膜を形成することができる。特に銅を用いた場合には、エッチングによるパターニングが困難なことから、本方法を用いる効果は大きい。
【０００７】
また、本方法では下地膜（第１の膜）の上に形成された第１の導電膜をマスクとして当該下地膜をパターニングするため、下地の形状をある程度自由に設計することができる。つまり、従来のように下地膜をパターニングした後、この上に第１の導電膜をパターン形成する方法では、第１の導電膜のパターン幅は必然的に下地膜のパターン幅よりも狭くなるが、本方法では例えばオーバーエッチング等を利用することで、下地膜のパターン幅を第１の膜のパターン幅よりも狭くしたり、第１の導電膜の下部の下地膜を完全に除去したりすることができる。このため、下地の影響の少ないデバイスを形成することができる。例えば本方法を用いて多層配線を形成する場合には、配線層間に配置された下地膜の影響、即ち、配線層間の寄生容量による信号遅延等の影響を小さくすることができる。
【０００８】
このような多層配線を形成するための具体的な方法としては、上記第１の膜の形成工程前に、上記基板上に第３の導電膜を形成する工程と、該第３の導電膜の所定の位置に導電ピラーを形成する工程とが設けられ、上記第１の膜の形成工程において、上記導電ピラーを除いた上記導電膜の表面に絶縁性の第１の膜を形成し、上記第１の導電膜の形成工程において、上記第１の膜及び導電ピラーを覆うように、上記導電ピラーの形成領域を含む領域に上記第１の導電膜を形成する方法を用いることができる。
この方法では、上記第１の膜のパターニング工程において、上記機能膜の下部に位置する第１の膜を完全に除去することが好ましい。このようにして形成された配線は空中配線と呼ばれ、配線層間の寄生容量の小さい高性能な多層配線となる。
【０００９】
また、本発明のパターンの形成方法は、基板上に導電パターンを形成する方法であって、基板上にシード層を形成する工程と、上記シード層の上に撥液膜をパターン形成する工程と、電界メッキにより上記シード層の上記撥液膜の非形成領域に導電膜を形成する工程と、上記導電膜をマスクとしたエッチングにより、上記導電膜の非形成領域におけるシード層を除去する工程とを備えたことを特徴とする。
この方法でも、レジストを用いることなく導電性の高い金属膜をパターン形成することができる。
【００１０】
また、本発明のデバイスの製造方法は、上述の方法により形成されたパターンを用いてデバイスを製造することを特徴とする。ここで形成されるパターンとしては、デバイスを駆動するための各種配線パターンや電極パターン等がある。本方法によれば、製造工程が簡素化されるため、デバイスのコストを下げることができる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、バンク層によって区画された領域に画素電極と電気光学層（無機発光層，有機発光層，液晶層，電気泳動層等）とが順に積層され、上記電気光学層とバンク層とを覆うように対向電極が配置されてなる電気光学装置の製造方法であって、上記バンク層が上述の方法により形成されたパターンを用いて形成されたことを特徴とする。
【００１２】
この電気光学装置の製造方法によれば、製造工程が簡素化されるため、デバイスのコストを下げることができる。また、この方法では、第１の導電膜がバンク層の上面に上記陰極のバンク層側の面と接する形で形成されるため、この第１の導電膜が補助電極として機能し、パネル中央部の電圧降下が防止される。特に上記対向電極がＩＴＯ等の透光性導電材料からなる場合には、パネルを大型化した場合にパネル中央部の電圧降下が顕著となることから、本方法を採用する効果は大きい。
【００１３】
また、本発明の電子機器は上述の方法により製造された電気光学装置を備えたことを特徴とする、これにより、高性能な電気光学装置を備えた電子機器を安価に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（第１実施形態）
まず、図１〜図３を参照しながら、本発明のパターン形成方法の一例としての多層配線の形成方法について説明する。本実施形態は、本発明のパターンの形成方法を、２層の配線層を基板上に積層形成する工程に対して適用した例を示している。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００１５】
本実施形態では、まず図１（ａ）に示すように、絶縁膜が形成された半導体基板や、ガラスやプラスチック等からなる絶縁基板等からなる基板１０の表面に、公知の方法を用いて配線層（導電膜）１１を形成する。
【００１６】
次に、図１（ｂ）に示すように、この配線層（下層側の配線層）１１上の所定の位置に、配線層間を接続するためのコンタクトプラグとなる導電ピラー１２を形成する。この導電ピラー１２は、例えば金属等の導電材料をスパッタやＣＶＤ等により基板全面に成膜し、これをフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより形成することができる。或いは、分散媒中にピラー形成材料が分散された液体材料をインクジェットヘッド等の液滴吐出手段を介して基板上の所定の位置に選択的に配置し、これを乾燥，焼結することにより形成してもよい。この場合、液体材料を上記所定の位置に確実に配置するために、液体材料の配置工程前に、導電ピラー１２の形成される領域以外の領域を予め撥液化しておくことが好ましい。このためには、まず、配線層１１の表面に撥液膜を形成する。そして、マスクを介して基板に紫外線を照射し、ピラー１２の形成予定位置に配置された撥液膜を分解，除去する。これにより、基板上に撥液膜のある領域とない領域が形成され、撥液膜のある領域は相対的に撥液性を示し、撥液膜のない領域は相対的に親液性を示すこととなる。そして、この親液性を示す領域に上述の液体材料を供給し、これを熱処理して導電ピラー１２を形成する。この後、基板全体に紫外線を照射して残りの撥液膜を分解，除去する。
【００１７】
次に、図１（ｃ）に示すように、導電ピラー１２の周囲、即ち、導電ピラー１２を除いた基板の全面に下地膜（第１の膜）１３を形成する。この下地膜１３は、ポリイミド等の絶縁材料をスピンコート等の方法を用いて塗布し、これを熱処理することにより形成することができる。或いは、ポリイミドの代わりにＳＯＧ等の液体絶縁材料を基板全面に塗布し、これを焼成してもよい。この際、導電ピラー１２の上部に上記絶縁材料が付着するのを防ぐために、当該絶縁材料を塗布する前に、予め導電ピラー１２に撥液処理を施しておくことが望ましい。
【００１８】
次に、図１（ｄ）に示すように、下地膜１３及び導電ピラー１２を覆うように基板全面にフルオロアルキルシラン（ＦＡＳ）等からなる撥液膜１４を形成する。続いて、マスクを介して基板に紫外線を照射し、図２（ａ）に示すように、導電ピラー１２の形成領域を含む領域（即ち、上層側の配線層の形成予定領域）の撥液膜１４を分解，除去する。これにより、撥液膜１４の設けられた領域は相対的に撥液性を示し、撥液膜１４の除去された領域は相対的に親液性を示すこととなる。
【００１９】
次に、図２（ｂ）に示すように、液相法を用いて親液性の領域（即ち、撥液膜１４の除去された領域）に触媒層１５を形成する。この触媒層１５は後述の無電界メッキ工程における触媒として機能するものである。ここで、液相法とは基板上に液体材料を配置させる方法であり、この方法としては例えばスピンコート法，スリットコート法，ディップコート法，スプレーコート法，印刷法，液滴吐出法等がある。本工程では、触媒材料を含む液体材料、例えばパラジウムのコロイド溶液を上記親液性の領域に塗布し、これを乾燥させることで触媒層１５を形成する。この際、基板には前述のように撥液膜１４がパターン形成されているため、上記液体材料を配線層の形成予定領域に対して確実に配置することができる。
【００２０】
次に、図２（ｃ）に示すように、無電界メッキにより、金，銀，銅等の導電性の高い金属膜（第１の導電膜）１６を触媒層１５の形成された領域に選択的に形成する。この工程により、導電ピラー１２を介して下層側の配線層１１と導通する配線層が形成される。なお、金属膜１６と導電ピラー１２との間には触媒層１５が配置されているが、この触媒層１５は極めて薄い膜であるため、配線層間の導電性に影響を与えることはない。
【００２１】
次に、基板全体に紫外線を照射して残りの撥液膜１４を分解，除去し、続いて図２（ｄ）に示すように、金属膜１６をマスクとして下地膜１３をエッチング等によりパターニングする。この際、オーバーエッチング等を利用することで、図３（ｃ）に示すように、金属膜１６の下部の下地膜１３を完全に除去してもよいし、図３（ａ），図３（ｂ）に示すように、その全部又は一部を残すようにしてもよい。図３（ｂ），図３（ｃ）のように配線層である金属膜１６の下部の下地膜１３を除去した場合、配線層間に配置される下地の影響、例えば配線層間の寄生容量による信号遅延等の影響を小さくすることができる。特に図３（ｃ）のように金属膜下部の下地膜１３を完全に除去したものでは、この下地の影響を最も小さくすることができる。このようにして形成された多層配線は空中配線と呼ばれ、配線層間の寄生容量の小さい高性能な多層配線となる。
【００２２】
このように本実施形態のパターンの形成方法は、各層毎にパターニングを繰り返す従来の方法において、下層側の膜（下地膜）１３をパターニングするためのレジストマスクの形成工程を金属膜１６の形成工程に置き換えたものとなっている。すなわち、金属膜１６を下地膜１３のパターニング用マスクとして兼用している。このため、従来の方法であれば、マスクとして用いたレジストを剥離する工程が必要となるが、本方法ではこれを配線層としてそのまま利用するため、この剥離工程は不要となる。また、本方法では撥液膜１４を利用して基板上にメッキの起点となる層（触媒層）をパターン形成しているため、金属膜１６を所定の領域にのみ選択的に形成することができる。このため、少なくとも金属膜１６の形成工程では従来のようなレジストの形成工程，レジストの露光，現像工程，機能性材料のエッチング工程，レジスト剥離工程が不要となる。したがって、本方法によれば、従来の方法に比べて工程時間を大幅に短縮することができる。
また、本方法では金属膜１６をメッキにより形成するため、金，銀，銅等の導電性の高い金属膜を形成することができる。特に銅を用いた場合には、エッチングによるパターニングが困難なことから、本方法を用いる効果は大きい。
【００２３】
また、本方法では下地膜上に形成された金属膜１６をマスクとして当該下地膜１３をパターニングするため、下地の形状をある程度自由に設計することができる。つまり、従来のように下地膜１３をパターニングした後、この上に機能膜１４ａをパターン形成する方法では、機能膜１４ａのパターン幅は必然的に下地膜１３のパターン幅よりも狭くなるが、本方法では例えばオーバーエッチング等を利用することで、下地膜１３のパターン幅を機能膜１４ａのパターン幅よりも狭くしたり、機能膜１４ａの下部の下地膜１３を完全に除去したりすることができる。このため、下地の影響の少ないデバイスを形成することができる。
【００２４】
（第２実施形態）
次に、図４を参照しながら、配線形成方法の他の形態について説明する。本実施形態は、本発明のパターンの形成方法を１層の配線層を形成する工程に対して適用した例を示している。
【００２５】
本実施形態では、まず図４（ａ）に示すように、基板２０の表面にシード層２１を形成し、続いて図４（ｂ）に示すように、シード層２１の表面にＦＡＳ等からなる撥液膜２２を形成する。
次に、マスクを介して基板に紫外線を照射し、図４（ｃ）に示すように、配線層の形成予定領域に位置する撥液膜２２を分解，除去する。これにより、撥液膜２２の設けられた領域は相対的に撥液性を示し、撥液膜２２の除去された領域は相対的に親液性を示すこととなる。
【００２６】
次に、図４（ｄ）に示すように、電界メッキによりシード層２１の上に金，銀，銅等の導電性の高い金属膜（第１の導電膜）２３を形成する。本工程では、配線層の非形成領域には撥液膜２２が設けられているため、金属膜２３はシード層２１の露出された領域（即ち、配線層の形成予定領域）にのみ選択的に形成される。
次に、基板全体に紫外線を照射して残りの撥液膜２２を分解，除去し、続いて図４（ｅ）に示すように、金属膜２３をマスクとしたエッチングにより、金属膜２３の非形成領域におけるシード層２１を除去する。
このように本実施形態でも、レジストを用いることなく、より簡単な方法で導電パターンを形成することができる。
【００２７】
（第３実施形態）
次に、図５，図６を参照しながら、本発明のパターン形成方法の一例としてのＭＥＭＳ（バイメタル）スイッチの形成方法について説明する。
【００２８】
本実施形態では、まず図５（ａ）に示すように、基板３０上の所定の位置にピラー３２をパターン形成する。このピラー３２はフォトリソグラフィ技術を用いて形成してもよいし、液滴吐出法により基板上の所定の位置にピラー形成材料を含む液体材料を配置し、これを熱処理することにより形成してもよい。
【００２９】
次に、図５（ｂ）に示すように、ピラー３２の周囲、即ち、ピラー３２を除いた基板の全面に下地膜（第１の膜）３１を形成する。この下地膜３１は、ポリイミド等の絶縁材料をスピンコート等の方法を用いて塗布し、これを熱処理することにより形成することができる。或いは、ポリイミドの代わりにＳＯＧ等の液体絶縁材料を基板全面に塗布し、これを焼成してもよい。
次に、図５（ｃ）に示すように、下地膜３１及びピラー３２を覆うように基板全面にＦＡＳ等からなる撥液膜３３を形成し、続いて、マスクを介して基板に紫外線を照射し、ピラー３２の形成領域を含む領域に位置する撥液膜３３を分解，除去する。これにより、撥液膜３３の設けられた領域は相対的に撥液性を示し、撥液膜３３の除去された領域は相対的に親液性を示すこととなる。
【００３０】
次に、図５（ｄ）に示すように、液相法を用いて親液性の領域（即ち、撥液膜３３の除去された領域）に触媒層３４を形成する。具体的には、触媒層３４はパラジウムのコロイド溶液を塗布，乾燥することにより形成される。
【００３１】
次に、図６（ａ）に示すように、無電界メッキにより、金，銀，銅等の導電性の高い金属膜（第１の導電膜）３５を触媒層３４の形成された領域に選択的に形成する。続いて、図６（ｂ）に示すように、電界メッキにより、金属膜３５の上に、この金属膜３５と熱膨張率の異なる金属膜（第２の導電膜）３６を形成する。このように熱膨張率の異なる２種類の金属膜を積層したものはバイメタルと呼ばれる。このバイメタルは温度変化により熱膨張率の小さい金属の方に曲がる性質があるため、この性質を利用して温度センサや温度スイッチ等を作ることができる。
【００３２】
次に、基板全体に紫外線を照射して残りの撥液膜１４を分解，除去し、続いて図６（ｃ）に示すように、金属膜３５，３６をマスクとして下地膜３１をエッチング等によりパターニングする。この際、オーバーエッチング等を利用して、金属膜下部の下地膜を十分に除去する。
このように本実施形態でも、レジスト等を用いることなく、より簡単な方法で導電パターンを形成することができる。
【００３３】
（第４実施形態）
次に、図７，図８を参照しながら、本発明のデバイス、特に電気光学装置の一例であるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置について説明する。
図７において、有機ＥＬ表示装置６０１には、ＴＦＴ等の回路部が形成された基板６０２の上に各画素を区画するためのバンク層６１４が格子状に配置され、このバンク層６１４によって区画されたそれぞれの領域（画素領域）に有機ＥＬ素子６０３が設けられている。
【００３４】
有機ＥＬ素子６０３は、陽極（画素電極）６０４と陰極（対向電極）６０７との間に発光材料を含む電気光学層を挟持した構成を有する。この電気光学層は、例えば正孔注入／輸送層６０５と、有機ＥＬ材料を含む発光層（ＥＬ層）６０６とが下層側から順に積層された構成をなす。
【００３５】
正孔注入／輸送層６０５の形成材料としては、ポリチオフェン、ポリスチレンスルホン酸、ポリピロール、ポリアニリン及びこの誘導体などの高分子材料を挙げることができる。発光層６０６の形成材料（発光材料）としては、高分子発光体や低分子の有機発光色素、すなわち各種の蛍光物質や燐光物質などの発光物質が使用可能である。発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン又はポリフルオレン構造を含むものなどが特に好ましい。なお、発光層６０６には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の３色の発光層が用意されており、各色の有機ＥＬ素子を基板上に並置することでフルカラー表示を可能としている。なお、本例では電気光学層を上記２層の積層構造としたが、発光層６０６の上には必要に応じて電子輸送層や電子注入層等を設けることもできる。
【００３６】
陽極６０４及び陰極６０７はＩＴＯその他の導電材料からなる。例えば発光層６０６から発した光を陽極側から取り出すボトムエミッション型の構造では、陽極６０４にはＩＴＯ等の透光性導電材料が用いられ、陰極６０７にはＡｌやＡｇ等の高反射率の金属材料が用いられる。逆に、発光光を陰極側から取り出すトップエミッション型の構造では、陰極６０７にＩＴＯ等の透光性導電材料が用いられ、陽極６０４にはＡｌやＡｇ等の高反射率の金属材料が用いられる。なお、陰極６０７はバンク層６１４及び電気光学層の露出面を覆うように配置されており、各画素に共通の共通電極として機能する。
【００３７】
このように構成された基板６０２の上には有機ＥＬ素子６０３を封止するための封止基板６１２が取り付けられている。この封止基板６１２としては、例えばガラス基板を用いるが、透明でガスバリア性に優れていれば例えば、プラスチック、プラスチックのラミネートフィルム、ラミネート成型基板等のガラス基板以外の部材、またはガラスのラミネートフィルム等を用いてもよい。
【００３８】
ところで、本実施形態のバンク層６１４は、有機バンク６０８と、ＡｌやＡｇ等からなる導電膜６０９とが基板６０２側から順に積層された構造をなしている。すなわち、バンク層６１４の配置された非画素領域には、陰極６０７の下層側（バンク層側）に低抵抗の導電膜６０９が格子状に接触配置されている。この導電膜６０９は補助電極として機能し、これにより、例えばパネルを大型化した場合におけるパネル中央部の電圧降下を防止できるようになっている。
【００３９】
このバンク層６１４は図８に示すような方法により形成される。なお、図８では、基板６０２及びこの上に形成されたＴＦＴ等の回路部を回路基板４０として図示している。
本実施形態では、まず、図８（ａ）に示すように、基板全面に下地膜としてアクリル等のバンク形成材料（第１の膜）４１を成膜する。
次に、図８（ｂ）に示すように、バンク形成材料４１の表面にＦＡＳ等からなる撥液膜４２を形成し、続いて、マスクを介して基板に紫外線を照射することで、バンク層の形成予定領域に位置する撥液膜４２を分解，除去する。これにより、撥液膜４２の設けられた領域は相対的に撥液性を示し、撥液膜４２の除去された領域は相対的に親液性を示すこととなる。
【００４０】
次に、図８（ｃ）に示すように、液相法を用いて親液性の領域（即ち、撥液膜４２の除去された領域）に触媒層４３を形成する。具体的には、触媒層４３はパラジウムのコロイド溶液を塗布，乾燥することにより形成される。
次に、図８（ｄ）に示すように、無電界メッキにより、金，銀，銅等の導電性の高い金属膜（第１の導電膜）を触媒層４３の形成された領域に選択的に形成する。これにより、バンク層上面の導電膜６０９が形成される。
次に、基板全体に紫外線を照射して残りの撥液膜４２を分解，除去し、続いて図８（ｅ）に示すように、この導電膜６０９をマスクとしてエッチング等により下地のバンク形成材料４１をパターニングする。これにより、導電膜６０９の下部に有機バンク６０８がパターン形成される。
そして、このように形成されたバンク層間の領域、即ち、バンク層６１４によって区画された領域に、液滴吐出法等の方法で上述の正孔注入／輸送層６０５や発光層６０６等が順に積層形成される。
【００４１】
このように本実施形態では、陰極６０７の下部に補助電極としての導電膜６０９が形成されているため、パネルを大型化した場合であってもパネル中央部での電圧降下を防ぐことができる。特に陰極６０７がＩＴＯ等の透光性導電材料からなる場合（即ち、トップエミッション構造を採用した場合）には、パネルを大型化した場合にこのような電圧降下が顕著となることから、本構成を採用する効果は大きい。
また、本実施形態ではバンク層６１４を本発明のパターンの形成方法を用いてより簡単に形成できるため、このような高品質なデバイスを安価に提供することができる。
【００４２】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
例えば、上述の実施形態では、本発明のパターンの形成方法を多層配線の形成方法や、有機ＥＬ表示装置のバンク層の形成方法に適用した例を示したが、この他にも例えばＴＦＴ等の半導体素子の形成工程に対して本方法を適用することも可能である。また、上記パターンの形成されるデバイスとしてはこのような有機ＥＬ表示装置に限らず、液晶装置や電気泳動装置等の電気光学装置や、その他種々の電子デバイスに対して本発明のパターン形成方法を適用することも可能である。
【００４３】
（電子機器）
次に、上記ＥＬ装置を備えた電子機器の適用例について説明する。図９は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図９において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の電子デバイス（例えば有機ＥＬ表示装置や液晶装置等）を用いた表示部を示している。図９に示す電子機器は上記実施の形態の電子デバイスを備えているので、高品質な電子機器を安価に提供することができる。
なお、電子機器としては、上述の携帯電話の他に、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、電子ペーパー、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本発明の電子デバイスは、こうした電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１実施形態に係るパターン形成方法の一例を示す工程図。
【図２】図１に続く工程図。
【図３】下地のパターン形状のバリエーションを示す図。
【図４】本発明の第２実施形態に係るパターン形成方法の一例を示す工程図。
【図５】本発明の第３実施形態に係るパターン形成方法の一例を示す工程図。
【図６】図５に続く工程図。
【図７】本発明の電気光学装置の一例としての有機ＥＬ表示装置の断面模式図。
【図８】同、有機ＥＬ表示装置のバンク形成方法を示す工程図。
【図９】本発明の電子機器の一例を示す斜視図。
【符号の説明】
【００４５】
１０，２０，３０，４０・・・基板、１１・・・配線層（導電膜）、１２・・・導電ピラー、１３，３１，４１・・・下地膜（第１の膜）、１４，２２，３３，４２・・・撥液膜、１５，３４，４３・・・触媒層、２１・・・シード層、１６，２３，３５，３６，６０９・・・金属膜（導電膜）、６０１・・・有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）、６０４・・・陽極（画素電極）、６０７・・・陰極（対向電極）、６１４・・・バンク層、１０００・・・携帯電話（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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