(57)【要約】【課題】複雑でしかも繊細な工程を実行する必要が無く、簡素な工程にて製造することができ、また、電極や蛍光体領域に損傷が発生し難く、高い信頼性及び高輝度を有する表示用パネルを提供する。【解決手段】表示用パネル（アノードパネルＡＰ）は、基板２０上に形成された複数の蛍光体領域２３と、電極（アノード電極２４）とを備え、電子線源から放出された電子が蛍光体領域２３に衝突することによって蛍光体領域２３が発光し、所望の画像を得るための表示用パネルであって、該電極（アノード電極２４）は、蛍光体領域２３が形成されていない基板２０の部分に形成され、且つ、蛍光体領域２３が形成されている基板２０の部分２０Ａには形成されていない。【選択図】  図１
2005142003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された複数の蛍光体領域と、電極とを備え、電子線源から放出された電子が蛍光体領域に衝突することによって蛍光体領域が発光し、所望の画像を得るための表示用パネルであって、
該電極は、蛍光体領域が形成されていない基板の部分に形成され、且つ、蛍光体領域が形成されている基板の部分には形成されていないことを特徴とする表示用パネル。
【請求項２】
少なくとも蛍光体領域の上には蛍光体保護膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示用パネル。
【請求項３】
蛍光体保護膜は、透明な材料から成ることを特徴とする請求項２に記載の表示用パネル。
【請求項４】
蛍光体保護膜の厚さは、１×１０-8ｍ乃至１×１０-7ｍであることを特徴とする請求項２に記載の表示用パネル。
【請求項５】
蛍光体保護膜は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化珪素、及び、インジウム−錫酸化物から成る群から選択された少なくとも１種類の材料から構成されていることを特徴とする請求項２に記載の表示用パネル。
【請求項６】
電極は複数の電極ユニットから構成されており、
電極ユニットと電極ユニットとは抵抗体層によって電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の表示用パネル。
【請求項７】
少なくとも蛍光体領域の上には蛍光体保護膜が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の表示用パネル。
【請求項８】
蛍光体保護膜の抵抗値は、抵抗体層の抵抗値以上であることを特徴とする請求項７に記載の表示用パネル。
【請求項９】
蛍光体保護膜は、透明な材料から成ることを特徴とする請求項７に記載の表示用パネル。
【請求項１０】
蛍光体保護膜の厚さは、１×１０-8ｍ乃至１×１０-7ｍであることを特徴とする請求項７に記載の表示用パネル。
【請求項１１】
蛍光体保護膜は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、及び、酸化珪素から成る群から選択された少なくとも１種類の材料から構成されていることを特徴とする請求項７に記載の表示用パネル。
【請求項１２】
表示用パネルは冷陰極電界電子放出表示装置のアノードパネルを構成し、
電極は該アノードパネルにおけるアノード電極を構成することを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の表示用パネル。
【請求項１３】
（Ａ）支持体上に形成された電子線源を備えたカソードパネル、並びに、
（Ｂ）基板上に形成された複数の蛍光体領域と、電極とを備え、該電子線源から放出された電子が蛍光体領域に衝突することによって蛍光体領域が発光し、所望の画像を得るための表示用パネル、
が真空層を介してそれらの周縁部で接合された表示装置であって、
該電極は、蛍光体領域が形成されていない基板の部分に形成され、且つ、蛍光体領域が形成されている基板の部分には形成されていないことを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
少なくとも蛍光体領域の上には蛍光体保護膜が形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
蛍光体保護膜は、透明な材料から成ることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
蛍光体保護膜の厚さは、１×１０-8ｍ乃至１×１０-7ｍであることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１７】
蛍光体保護膜は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化珪素、及び、インジウム−錫酸化物から成る群から選択された少なくとも１種類の材料から構成されていることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１８】
電極は複数の電極ユニットから構成されており、
電極ユニットと電極ユニットとは抵抗体層によって電気的に接続されていることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１９】
少なくとも蛍光体領域の上には蛍光体保護膜が形成されていることを特徴とする請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
蛍光体保護膜の抵抗値は、抵抗体層の抵抗値以上であることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
蛍光体保護膜は、透明な材料から成ることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２２】
蛍光体保護膜の厚さは、１×１０-8ｍ乃至１×１０-7ｍであることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２３】
蛍光体保護膜は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、及び、酸化珪素から成る群から選択された少なくとも１種類の材料から構成されていることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２４】
表示装置は冷陰極電界電子放出表示装置を構成し、
表示用パネルは冷陰極電界電子放出表示装置のアノードパネルを構成し、
電極は該アノードパネルにおけるアノード電極を構成し、
電子線源は冷陰極電界電子放出素子から構成されていることを特徴とする請求項１３乃至請求項２３のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示用パネル及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
テレビジョン受像機や情報端末機器に用いられる表示装置の分野では、従来主流の陰極線管（ＣＲＴ）から、薄型化、軽量化、大画面化、高精細化の要求に応え得る平面型（フラットパネル型）の表示装置への移行が検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）、冷陰極電界電子放出表示装置（ＦＥＤ：フィールドエミッションディスプレイ）を例示することができる。このなかでも、液晶表示装置は情報端末機器用の表示装置として広く普及しているが、据置き型のテレビジョン受像機に適用するには、高輝度化や大型化に未だ課題を残している。これに対して、冷陰極電界電子放出表示装置は、熱的励起によらず、量子トンネル効果に基づき固体から真空中に電子を放出することが可能な冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と呼ぶ場合がある）を利用しており、高輝度及び低消費電力の点から注目を集めている。
【０００３】
電界放出素子を備えた従来の冷陰極電界電子放出表示装置の一例の模式的な一部端面図を、図１７に示す。また、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するカソードパネルＣＰの模式的な部分的斜視図を、図２に示す。
【０００４】
図１７に示した電界放出素子は、円錐形の電子放出部を有する、所謂スピント（Ｓｐｉｎｄｔ）型電界放出素子と呼ばれるタイプの電界放出素子である。この電界放出素子は、支持体１０上に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、第２開口部１４Ｂの底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５から構成されている。一般に、カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極の射影像が互いに直交する方向に各々ストライプ状に形成されており、これらの両電極の射影像が重複する領域（１サブピクセル分の領域に相当する。この領域を、以下、重複領域あるいは電子放出領域と呼ぶ）に、通常、複数の電界放出素子が設けられている。更に、かかる電子放出領域が、カソードパネルＣＰの有効領域（実際の表示部分として機能する領域）内に、通常、２次元マトリックス状に配列されている。
【０００５】
一方、アノードパネルＡＰは、基板２０と、基板２０上に形成され、所定のパターンを有する蛍光体領域２３と、その上に形成されたアノード電極１２４から構成されている。アノード電極１２４は、有効領域を覆う１枚のシート状の形状を有し、例えばアルミニウム薄膜から構成されている。
【０００６】
１サブピクセルは、カソードパネル側のカソード電極１１とゲート電極１３との重複領域に設けられた電界放出素子の一群と、これらの電界放出素子の一群に対面したアノードパネル側の蛍光体領域２３とによって構成されている。有効領域には、３つのサブピクセルが纏まって構成されたピクセル（画素）が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。尚、蛍光体領域２３と蛍光体領域２３との間の基板２０上にはブラックマトリックス２１が形成されている。また、ブラックマトリックス２１の上には隔壁２２が形成されている。
【０００７】
アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを、電子放出領域と蛍光体領域２３とが対向するように配置し、周縁部において枠体２５を介して接合することによって、冷陰極電界電子放出表示装置を作製することができる。有効領域を包囲した無効領域には真空排気用の貫通孔（図示せず）が設けられており、この貫通孔には真空排気後に封じ切られたチップ管（図示せず）が接続されている。即ち、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２５とによって囲まれた空間は真空となっている。
【０００８】
カソード電極１１には相対的に負電圧がカソード電極制御回路３１から印加され、ゲート電極１３には相対的に正電圧がゲート電極制御回路３２から印加され、アノード電極１２４にはゲート電極１３よりも更に高い正電圧がアノード電極制御回路３３から印加される。かかる冷陰極電界電子放出表示装置において表示を行う場合、例えば、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１から走査信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２からビデオ信号を入力する。カソード電極１１とゲート電極１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５から電子が放出され、この電子がアノード電極１２４に引き付けられ、アノード電極１２４を通過して蛍光体領域２３に衝突する。その結果、蛍光体領域２３が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この冷陰極電界電子放出表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極１３に印加される電圧、及びカソード電極１１を通じて電子放出部１５に印加される電圧によって制御される。
【０００９】
ところで、このような冷陰極電界電子放出表示装置においては、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間の距離は高々１ｍｍ乃至２ｍｍ程度しかなく、電界放出素子とアノード電極１２４との間で異常放電（真空アーク放電）が発生し易い。異常放電が発生すると、表示品質が著しく損なわれるだけでなく、電界放出素子やアノード電極１２４に損傷が発生する虞がある。
【００１０】
本出願人は、特開２００１−２４３８９３において、アノード電極が複数のアノード電極ユニットから構成された表示用パネルを提案している。アノード電極を複数のアノード電極ユニットに分割することによって、アノードパネルＡＰを構成する部材とカソードパネルＣＰを構成する部材（より具体的には、例えば、アノード電極ユニットとゲート電極）とによって形成される一種のコンデンサの静電容量を低減することが可能となり、電界放出素子とアノード電極ユニットとの間で異常放電（真空アーク放電）が発生し難くなる。
【００１１】
【特許文献１】特開２００１−２４３８９３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、アノード電極は、従来、以下の工程に基づき作製される。即ち、先ず、基板２０上に、ブラックマトリックス２１及び隔壁２２を形成し、隔壁２２の間に位置する基板２０の部分に蛍光体領域２３を形成する。次いで、全面に高分子材料から成る中間膜を形成した後、中間膜上に導電材料層を形成し、次いで、中間膜を焼成して除去する。こうして、有効領域を覆う１枚のシート状の形状を有し、導電材料層から成るアノード電極１２４を得ることができる。また、複数のアノード電極ユニットから構成されたアノード電極を形成するためには、次いで、導電材料層上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィ技術に基づきレジスト層をパターニングし、係るパターニングされたレジスト層をエッチング用マスクとして隔壁２２の上の導電材料層の部分をウエットエッチングし、次いで、レジスト層を除去する。こうして、複数のアノード電極ユニットから構成されたアノード電極を得ることができる。尚、中間膜を形成しないと、蛍光体領域上のアノード電極あるいはアノード電極ユニットに、蛍光体領域の表面形状に起因した凹凸が形成される結果、蛍光体領域から射出された光が蛍光体領域上のアノード電極あるいはアノード電極ユニットによって乱反射され、冷陰極電界電子放出表示装置において高輝度を達成することができなくなる。一方、中間膜を形成した場合、蛍光体領域上のアノード電極あるいはアノード電極ユニットが平滑となる結果、蛍光体領域から射出された光が蛍光体領域上のアノード電極あるいはアノード電極ユニットによって基板の方向に反射され、冷陰極電界電子放出表示装置において高輝度を達成することが可能となる。
【００１３】
アノード電極や複数のアノード電極ユニットを得るためには、中間膜の形成、中間膜上での導電材料層の形成、中間膜の焼成といった、複雑で、しかも、繊細な工程を実行する必要がある。然るに、このような工程においては導電材料層に損傷が発生し易いし、アノードパネルの製造コストの低減を図ることが困難である。また、複数のアノード電極ユニットを得るためには、レジスト層を形成する過程においてレジスト層を乾燥する必要があるが、この乾燥工程において導電材料層や蛍光体領域に剥離が生じる場合があるし、酸を用いて導電材料層をウエットエッチングするとき、蛍光体領域を構成する蛍光体粒子に損傷が発生し易い。加えて、レジスト層を除去したときにレジスト層残渣が存在すると、後の冷陰極電界電子放出表示装置組立工程における熱処理工程において、係るレジスト層残渣からガスが放出される虞がある。
【００１４】
従って、本発明の目的は、複雑でしかも繊細な工程を実行する必要が無く、簡素な工程にて製造することができ、また、電極や蛍光体領域に損傷が発生し難く、高い信頼性及び高輝度を有する表示用パネル及び表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の目的を達成するための本発明の表示用パネルは、
基板上に形成された複数の蛍光体領域と、電極とを備え、電子線源から放出された電子が蛍光体領域に衝突することによって蛍光体領域が発光し、所望の画像を得るための表示用パネルであって、
該電極は、蛍光体領域が形成されていない基板の部分に形成され、且つ、蛍光体領域が形成されている基板の部分には形成されていないことを特徴とする。
【００１６】
上記の目的を達成するための本発明の表示装置は、
（Ａ）支持体上に形成された電子線源を備えたカソードパネル、並びに、
（Ｂ）基板上に形成された複数の蛍光体領域と、電極とを備え、該電子線源から放出された電子が蛍光体領域に衝突することによって蛍光体領域が発光し、所望の画像を得るための表示用パネル、
が真空層を介してそれらの周縁部で接合された表示装置であって、
該電極は、蛍光体領域が形成されていない基板の部分に形成され、且つ、蛍光体領域が形成されている基板の部分には形成されていないことを特徴とする。
【００１７】
本発明の表示用パネルあるいは表示装置（以下、これらを総称して、単に、本発明と呼ぶ場合がある）においては、表示装置の作動に基づき表示装置の内部で発生するイオン等から蛍光体領域を保護するために、また、蛍光体領域からのガスの発生を抑制したり、蛍光体領域の剥離を防止するために、少なくとも蛍光体領域の上に蛍光体保護膜が形成されている構成とすることが望ましい。蛍光体保護膜は電極上に延在していてもよい。蛍光体領域は、通常、多数の蛍光体粒子の集合から構成されている。従って、蛍光体領域の表面には凹凸が存在する。それ故、蛍光体領域の上に蛍光体保護膜を形成する場合、蛍光体保護膜の一部が蛍光体領域の一部から浮いた状態になる場合もあるし、蛍光体保護膜の一部が蛍光体領域上で不連続状態となる（蛍光体保護膜の一部に一種の切れ目が入った状態となる）場合もあるが、これらの形態は、「蛍光体領域の上に蛍光体保護膜が形成されている」構成に包含される。以下の説明においても同様である。蛍光体保護膜は透明な材料から成ることが好ましい。蛍光体保護膜を不透明な材料から構成した場合、蛍光体領域の発光色に影響を与える虞がある。ここで「透明な材料」とは、可視光領域において光透過率が出来る限り１００％に近い材料であることを意味する。蛍光体保護膜の厚さ（蛍光体領域上における蛍光体保護膜の平均厚さ）は、１×１０-8ｍ乃至１×１０-7ｍ、好ましくは、１×１０-8ｍ乃至５×１０-8ｍであることが望ましい。また、蛍光体保護膜は、窒化アルミニウム（ＡｌＮx）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化珪素（ＳｉＯx）、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）、及び、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料から構成されていることが好ましく、中でも、窒化アルミニウム（ＡｌＮx）から構成されていることが一層好ましい。蛍光体保護膜の形成方法として、真空蒸着法やスパッタリング法といった各種の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）や各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）を挙げることができる。
【００１８】
本発明において、電極は、全体として１つの電極から構成されていてもよいし、複数の電極ユニットから構成されていてもよい。後者の場合、電極ユニットと電極ユニットとは抵抗体層によって電気的に接続されている必要がある。抵抗体層を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料；ＳｉＮ系材料；酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン等の高融点金属酸化物；アモルファスシリコン等の半導体材料を挙げることができる。抵抗体層のシート抵抗値として、１×１０-1Ω／□乃至１×１０10Ω／□、好ましくは１×１０3Ω／□乃至１×１０8Ω／□を例示することができる。電極ユニットの数（Ｎ）は２以上であればよく、例えば、直線状に配列された蛍光体領域の列の総数をｎ列としたとき、Ｎ＝ｎとし、あるいは、ｎ＝α・Ｎ（αは２以上の整数であり、好ましくは１０≦α≦１００、一層好ましくは２０≦α≦５０）としてもよいし、一定の間隔をもって配設されるスペース（後述する）の数に１を加えた数とすることができるし、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数と一致した数、あるいは、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数の整数分の一とすることもできる。また、各電極ユニットの大きさは、電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。
【００１９】
尚、表示装置がカラー表示の場合、直線状に配列された蛍光体領域の１列は、全てが赤色発光蛍光体領域で占められた列、緑色発光蛍光体領域で占められた列、及び、青色発光蛍光体領域で占められた列から構成されていてもよいし、赤色発光蛍光体領域、緑色発光蛍光体領域、及び、青色発光蛍光体領域が順に配置された列から構成されていてもよい。ここで、蛍光体領域とは、表示用パネル上において１つの輝点を生成する蛍光体領域であると定義する。また、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体領域、１つの緑色発光蛍光体領域、及び、１つの青色発光蛍光体領域の集合から構成され、１サブピクセルは、１つの蛍光体領域（１つの赤色発光蛍光体領域、あるいは、１つの緑色発光蛍光体領域、あるいは、１つの青色発光蛍光体領域）から構成される。更には、電極ユニットにおける１サブピクセルに相当する大きさとは、１つの蛍光体領域を囲む電極ユニットの大きさを意味する。
【００２０】
そして、電極を複数の電極ユニットから構成する場合にも、表示装置の内部で発生するイオン等から蛍光体領域を保護するために、また、蛍光体領域からのガスの発生を抑制したり、蛍光体領域の剥離を防止するために、少なくとも蛍光体領域の上に蛍光体保護膜が形成されている構成とすることが望ましい。蛍光体保護膜は、電極及び抵抗体層上に延在していてもよい。ここで、蛍光体保護膜の抵抗値は、抵抗体層の抵抗値以上、好ましくは抵抗体層の抵抗値の１０倍以上であることが望ましい。蛍光体保護膜は透明な材料から成ることが好ましい。蛍光体保護膜を不透明な材料から構成した場合、蛍光体領域の発光色に影響を与える虞がある。蛍光体保護膜の厚さ（蛍光体領域上における蛍光体保護膜の平均厚さ）は１×１０-8ｍ乃至１×１０-7ｍ、好ましくは、１×１０-8ｍ乃至５×１０-8ｍであることが望ましい。また、蛍光体保護膜は、窒化アルミニウム（ＡｌＮx）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、及び、酸化珪素（ＳｉＯx）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料から構成されていることが好ましく、中でも、窒化アルミニウム（ＡｌＮx）から構成されていることが一層好ましい。あるいは又、蛍光体保護膜のシート抵抗値は、例えば、１×１０6Ω／□以上、好ましくは１×１０8Ω／□以上であることが好ましい。
【００２１】
抵抗体層を構成する材料と、蛍光体保護膜を構成する材料との組合せとして、例えば、抵抗体層を構成する材料として例示したシリコンカーバイド（ＳｉＣ）、ＳｉＣＮ、ＳｉＮ系材料、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン、アモルファスシリコンといった９種類の材料と、蛍光体保護膜を構成する材料として例示した窒化アルミニウム（ＡｌＮx）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化珪素（ＳｉＯx）、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）といった４種類の材料の組合せ（合計、９×４＝３６通りの組合せ）を挙げることができる。
【００２２】
以上の各種の好ましい形態を含む本発明の表示用パネルにあっては、表示用パネルは冷陰極電界電子放出表示装置のアノードパネルを構成し、電極はアノードパネルにおけるアノード電極を構成する形態とすることができる。また、以上の各種の好ましい形態を含む本発明の表示装置にあっては、表示装置は冷陰極電界電子放出表示装置を構成し、表示用パネルは冷陰極電界電子放出表示装置のアノードパネルを構成し、電極はアノードパネルにおけるアノード電極を構成し、電子線源は冷陰極電界電子放出素子から構成されている形態とすることができる。
【００２３】
電極あるいは電極ユニットは、導電材料層を用いて基板上に形成すればよい。導電材料層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種のＰＶＤ法；各種のＣＶＤ法；スクリーン印刷法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。即ち、導電材料から成る導電材料層を基板上に形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、この導電材料層をパターニングして電極あるいは電極ユニットを形成することができる。あるいは又、電極あるいは電極ユニットのパターンを有するマスクやスクリーンを介して導電材料をＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づく形成により、電極あるいは電極ユニットを得ることもできる。尚、抵抗体層も同様の方法で形成することができる。即ち、抵抗体材料から抵抗体層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきこの抵抗体層をパターニングしてもよいし、あるいは、抵抗体層のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料をＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づく形成により、抵抗体層を得ることができる。尚、限定するものではないが、電極あるいは電極ユニットや抵抗体層の形成は、蛍光体領域の形成に先立ち、行うことが好ましい。基板上における電極あるいは電極ユニットの平均厚さ（後述するように隔壁を設ける場合、隔壁の頂面上における電極あるいは電極ユニットの平均厚さ）として、３×１０-8ｍ（３０ｎｍ）乃至１．５×１０-7ｍ（１５０ｎｍ）、好ましくは５×１０-8ｍ（５０ｎｍ）乃至１×１０-7ｍ（１００ｎｍ）を例示することができる。
【００２４】
電極（アノード電極）を構成する導電材料として、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。尚、抵抗体層を形成する場合、抵抗体層の抵抗値を変化させない導電材料から電極（アノード電極）を構成することが好ましく、例えば、抵抗体層をシリコンカーバイド（ＳｉＣ）から構成した場合、電極（アノード電極）をモリブデン（Ｍｏ）から構成することが好ましい。
【００２５】
表示用パネルには、蛍光体領域から反跳した電子、あるいは、蛍光体領域から放出された二次電子が他の蛍光体領域に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止するための隔壁が、複数、設けられている構成とすることもできる。
【００２６】
隔壁の平面形状として、格子形状（井桁形状）、即ち、１サブピクセルに相当する、例えば平面形状が略矩形（ドット状）の蛍光体領域の四方を取り囲む形状を挙げることができ、あるいは、略矩形あるいはストライプ状の蛍光体領域の対向する二辺と平行に延びる帯状形状あるいはストライプ形状を挙げることができる。隔壁を格子形状とする場合、１つの蛍光体領域の領域の四方を連続的に取り囲む形状としてもよいし、不連続に取り囲む形状としてもよい。隔壁を帯状形状あるいはストライプ形状とする場合、連続した形状としてもよいし、不連続な形状としてもよい。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁の頂面の平坦化を図ってもよい。
【００２７】
ところで、電極は、蛍光体領域が形成されていない基板の部分に形成され、且つ、蛍光体領域が形成されている基板の部分には形成されていない。ここで、隔壁が設けられていない場合、電極は、蛍光体領域を取り囲むように基板上に形成されていることが好ましい。一方、１つの蛍光体領域全体を取り囲むように隔壁が設けられている場合、電極は、隔壁上に形成され、且つ、蛍光体領域が形成されている基板の部分には形成されていない構成とすることが好ましい。また、例えば蛍光体領域の対向する２辺に沿って隔壁が設けられている場合、電極は、隔壁上に形成され、しかも、蛍光体領域に沿って蛍光体領域が形成されていない基板の部分に形成され、且つ、蛍光体領域が形成されている基板の部分には形成されていない構成とすることが好ましい。ここで、電極が隔壁上に形成されているとは、電極が隔壁の頂面に形成され、あるいは又、電極が隔壁の頂面及び隔壁の側面上部に形成され、あるいは又、電極が隔壁の頂面及び隔壁の側面に形成されている形態を包含する。尚、電極を複数の電極ユニットから構成する場合には、電極ユニットの境界（あるいは、電極ユニットと電極ユニットの境界）は、隔壁の頂面に位置することが好ましく、抵抗体層は、少なくとも隔壁の頂面上の電極ユニットの上に、電極ユニットの境界を跨ぐように形成されていることが望ましい。即ち、抵抗体層が隔壁の頂面上の電極ユニットの上に形成され、あるいは又、抵抗体層が隔壁の頂面及び隔壁の側面上部に位置する電極ユニットの上に形成され、あるいは又、抵抗体層が隔壁の頂面及び隔壁の側面に位置する電極ユニットの上に形成されている形態を挙げることができる。場合によっては、また、抵抗体層を構成する材料が蛍光体領域から射出される光に対して透明であるならば、抵抗体層を基板と蛍光体領域との間に延在するように形成してもよい。尚、限定するものではないが、電極あるいは電極ユニットや抵抗体層の形成は、隔壁の形成後であって、蛍光体領域の形成に先立ち、行うことが好ましい。電極あるいは電極ユニットの形成方法、あるいは又、抵抗体層の形成方法として、上述した形成方法に加え、隔壁の形状にも依存するが、斜め真空蒸着法を採用することもできる。即ち、斜め真空蒸着法によって、隔壁の頂面及び隔壁の側面（あるいは側面上部）にのみ、電極や抵抗体層を形成することができる。
【００２８】
隔壁の形成方法として、スクリーン印刷法、ドライフィルム法、感光法、サンドブラスト形成法を例示することができる。ここで、スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に対応するスクリーンの部分に開口が形成されており、スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口を通過させ、基板上に隔壁形成用材料層を形成した後、かかる隔壁形成用材料層を焼成する方法である。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口に隔壁形成用の材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口に埋め込まれた隔壁形成用の材料が残り、隔壁となる。感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用材料層を形成し、露光及び現像によってこの隔壁形成用材料層をパターニングした後、焼成を行う方法である。サンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やロールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用いて隔壁形成用材料層を基板上に形成し、乾燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。
【００２９】
蛍光体領域は、単色の蛍光体粒子から構成されていても、３原色の蛍光体粒子から構成されていてもよい。また、蛍光体領域の配列様式は、ドット状であっても、ストライプ状であってもよい。尚、ドット状やストライプ状の配列様式においては、隣り合う蛍光体領域の間の隙間がコントラスト向上を目的とした光吸収層（ブラックマトリックス）で埋め込まれていてもよい。
【００３０】
蛍光体領域は、発光性結晶粒子（例えば、粒径５〜１０ｎｍ程度の蛍光体粒子）から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物（赤色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体領域を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（緑色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体領域を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物（青色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体領域を形成する方法にて形成することができる。基板上における蛍光体領域の平均厚さは、限定するものではないが、３μｍ乃至２０μｍ、好ましくは５μｍ乃至１０μｍであることが望ましい。
【００３１】
発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料としては、従来公知の蛍光体材料の中から適宜選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。赤色発光蛍光体領域を構成する蛍光体材料として、（Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ）、（Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ）、（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｅｕ）、（Ｙ2ＳｉＯ5：Ｅｕ）、（Ｚｎ3（ＰＯ4）2：Ｍｎ）を例示することができるが、中でも、（Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ）、（Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ）を用いることが好ましい。また、緑色発光蛍光体領域を構成する蛍光体材料として、（ＺｎＳｉＯ2：Ｍｎ）、（Ｓｒ4Ｓｉ3Ｏ8Ｃｌ4：Ｅｕ）、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ）、［（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ］、（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｔｂ）、（Ｙ2ＳｉＯ5：Ｔｂ）、［Ｙ3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｔｂ］、（ＺｎＢａＯ4：Ｍｎ）、（ＧｂＢＯ3：Ｔｂ）、（Ｓｒ6ＳｉＯ3Ｃｌ3：Ｅｕ）、（ＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｍｎ）、（ＳｃＢＯ3：Ｔｂ）、（Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ）、（ＺｎＯ：Ｚｎ）、（Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ）、（ＺｎＧａ2Ｏ4：Ｍｎ）を例示することができるが、中でも、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ）、［（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ］、（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｔｂ）、［Ｙ3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｔｂ］、（Ｙ2ＳｉＯ5：Ｔｂ）を用いることが好ましい。更には、青色発光蛍光体領域を構成する蛍光体材料として、（Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ）、（ＣａＷＯ4：Ｐｂ）、ＣａＷＯ4、ＹＰ0.85Ｖ0.15Ｏ4、（ＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｅｕ）、（Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｅｕ）、（Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｓｎ）、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ａｇ）、ＺｎＭｇＯ、ＺｎＧａＯ4を例示することができるが、中でも、（ＺｎＳ：Ａｇ）、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ）を用いることが好ましい。
【００３２】
蛍光体領域からの光を吸収する光吸収層が隔壁と基板との間に形成されていることが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光吸収層は、所謂ブラックマトリックスとして機能する。光吸収層を構成する材料として、蛍光体領域からの光を９９％以上吸収する材料を選択することが好ましい。このような材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。尚、酸化クロム／クロム積層膜においては、クロム膜が基板と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せに、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。
【００３３】
本発明の表示装置によって冷陰極電界電子放出表示装置を構成する場合、冷陰極電界電子放出表示装置における冷陰極電界電子放出素子（電子線源を構成する。以下、電界放出素子と称する）は、より具体的には、例えば、
（Ａ）支持体上に形成され、第１の方向に延びるカソード電極、
（Ｂ）支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
（Ｃ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるゲート電極、
（Ｄ）ゲート電極及び絶縁層に形成された開口部、並びに、
（Ｅ）開口部の底部に露出した電子放出部、
から構成されている。
【００３４】
電界放出素子の型式は、特に限定されず、スピント型電界放出素子、エッジ型電界放出素子、平面型電界放出素子、扁平型電界放出素子、クラウン型電界放出素子のいずれであってもよい。尚、カソード電極及びゲート電極はストライプ形状を有し、カソード電極の射影像とゲート電極の射影像とは直交することが、即ち、第１の方向と第２の方向とは直交することが、冷陰極電界電子放出表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。
【００３５】
更には、電界放出素子には収束電極が備えられていてもよい。即ち、ゲート電極及び絶縁層上には更に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層上に収束電極が設けられている電界放出素子、あるいは又、ゲート電極の上方に収束電極が設けられている電界放出素子とすることもできる。ここで、収束電極とは、開口部から放出され電極（アノード電極）へ向かう放出電子の軌道を収束させ、以て、輝度の向上や隣接画素間の光学的クロストークの防止を可能とするための電極である。電極（アノード電極）とカソード電極との間の電位差が数キロボルトのオーダーであって、アノード電極とカソード電極との間の距離が比較的長い、所謂高電圧タイプの冷陰極電界電子放出表示装置において、収束電極は特に有効である。収束電極には、収束電極制御回路から相対的な負電圧が印加される。収束電極は、必ずしも各電界放出素子毎に設けられている必要はなく、例えば、電界放出素子の所定の配列方向に沿って延在させることにより、複数の電界放出素子に共通の収束効果を及ぼすこともできる。
【００３６】
冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、カソード電極及びゲート電極に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、表示用パネル（アノードパネル）に設けられた電極（アノード電極）によって表示用パネル（アノードパネル）へと引き付けられ、蛍光体領域に衝突する。そして、蛍光体領域への電子の衝突の結果、蛍光体領域が発光し、画像として認識することができる。カソード電極の射影像とゲート電極の射影像とが重複する領域（重複領域）に設けられ、あるいは、位置する１又は複数の電子放出部によって、電子放出領域が構成される。
【００３７】
支持体や基板として、ガラス基板、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）を例示することができる。
【００３８】
カソード電極、ゲート電極、収束電極の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。また、これらの電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えばストライプ状のこれらの電極を形成することが可能である。
【００３９】
電界放出素子を構成する絶縁層や層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。絶縁層や層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
【００４０】
カソード電極と電子放出部との間に高抵抗膜を設けてもよい。高抵抗膜を設けることによって、冷陰極電界電子放出素子の動作安定化、電子放出特性の均一化を図ることができる。高抵抗膜を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料；ＳｉＮ系材料；アモルファスシリコン等の半導体材料；酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物を例示することができる。高抵抗膜の形成方法として、スパッタリング法や、ＣＶＤ法やスクリーン印刷法を例示することができる。抵抗値は、概ね１×１０5〜１×１０7Ω、好ましくは数ＭΩとすればよい。
【００４１】
ゲート電極や絶縁層に設けられた開口部の平面形状（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。開口部の形成は、例えば、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、ゲート電極に開口部を直接形成することもできる。絶縁層や層間絶縁層における開口部の形成も、例えば、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。
【００４２】
冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、アノードパネルとカソードパネルとによって挟まれた空間が真空状態となっているが故に、アノードパネルとカソードパネルとの間にスペーサを配しておかないと、大気圧によって冷陰極電界電子放出表示装置が損傷を受けてしまう虞がある。係るスペーサは、例えばセラミックスから構成することができる。スペーサをセラミックスから構成する場合、セラミックスとして、ムライトやアルミナ、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミックス材料、これらに、酸化チタンや酸化クロム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを添加したもの等を例示することができる。この場合、所謂グリーンシートを成形して、グリーンシートを焼成し、かかるグリーンシート焼成品を切断することによってスペーサを製造することができる。また、スペーサの表面に、金属や合金から成る導電材料層を形成し、あるいは又、高抵抗層を形成し、あるいは又、二次電子放出係数の低い材料から成る薄層を形成してもよい。スペーサは、例えば、隔壁と隔壁との間に挟み込んで固定すればよく、あるいは又、例えば、アノードパネルにスペーサ保持部を形成し、スペーサ保持部とスペーサ保持部との間に挟み込んで固定すればよい。
【００４３】
カソードパネルとアノードパネルとを周縁部において接合する場合、接合は接着層を用いて行ってもよいし、あるいは、ガラスやセラミックス等の絶縁剛性材料から成る枠体と接着層とを併用して行ってもよい。枠体と接着層とを併用する場合には、枠体の高さを適宜選択することにより、接着層のみを使用する場合に比べ、カソードパネルとアノードパネルとの間の対向距離をより長く設定することが可能である。尚、接着層の構成材料としては、フリットガラスが一般的であるが、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。かかる低融点金属材料としては、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ80Ａｇ20（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ95Ｃｕ5（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ97.5Ａｇ2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ94.5Ａｇ5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ97.5Ａｇ1.5Ｓｎ1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ95Ａｌ5（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ5Ｐｂ95（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ2Ｐｂ98（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ88Ｇａ12（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。
【００４４】
基板と支持体と枠体の三者を接合する場合、三者同時接合を行ってもよいし、あるいは、第１段階で基板又は支持体のいずれか一方と枠体とを先に接合し、第２段階で基板又は支持体の他方と枠体とを接合してもよい。三者同時接合や第２段階における接合を高真空雰囲気中で行えば、基板と支持体と枠体と接着層とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、基板と支持体と枠体と接着層とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。
【００４５】
接合後に排気を行う場合、排気は、基板及び／又は支持体に予め接続されたチップ管を通じて行うことができる。チップ管は、典型的にはガラス管を用いて構成され、基板及び／又は支持体の無効領域（即ち、表示部分として機能する有効領域以外の領域）に設けられた貫通孔の周囲に、フリットガラス又は上述の低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られる。尚、封じ切りを行う前に、冷陰極電界電子放出表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。
【００４６】
冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極はカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極はゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。アノード電極制御回路の出力電圧ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１０キロボルトとすることができる。あるいは又、アノードパネルとカソードパネルとの間の距離をｄ（但し、０．５ｍｍ≦ｄ≦１０ｍｍ）としたとき、ＶA／ｄ（単位：キロボルト／ｍｍ）の値は、０．５以上２０以下、好ましくは１以上１０以下、一層好ましくは５以上１０以下を満足することが望ましい。
【００４７】
カソード電極に印加する電圧ＶC及びゲート電極に印加する電圧ＶGに関しては、階調制御方式として電圧変調方式を採用した場合、
（１）カソード電極に印加する電圧ＶCを一定とし、ゲート電極に印加する電圧ＶGを変化させる方式
（２）カソード電極に印加する電圧ＶCを変化させ、ゲート電極に印加する電圧ＶGを一定とする方式
（３）カソード電極に印加する電圧ＶCを変化させ、且つ、ゲート電極に印加する電圧ＶGも変化させる方式がある。
【発明の効果】
【００４８】
本発明の表示用パネルあるいは表示装置において、電極は、蛍光体領域が形成されていない基板の部分に形成され、且つ、蛍光体領域が形成されている基板の部分には形成されていない。即ち、本発明の表示用パネルあるいは表示装置においては、電極を蛍光体領域上に形成する必要が無いが故に、従来の技術と異なり、中間膜の形成、中間膜上での導電材料層の形成、中間膜の焼成といった、複雑で、しかも、繊細な工程を実行する必要が無い。それ故、電極や電極ユニットに損傷が発生することを防止できるし、表示用パネルや表示装置の製造コストの低減を図ることができる。また、複数の電極ユニットを得るためにレジスト層を形成する場合、複数の電極ユニットを形成した後に基板上に蛍光体領域を形成すれば、レジスト層の乾燥工程において蛍光体領域に剥離が生じるといった現象が発生することはないし、例えば酸を用いて導電材料層をウエットエッチングしたときでも、蛍光体領域を構成する蛍光体粒子に損傷が発生することもない。レジスト層を除去したときに蛍光体領域が存在しないが故に、確実にレジスト層の除去が可能となり、後の表示装置組立工程における熱処理工程において、レジスト層残渣からガスが放出されるといったことも無くなる。
【００４９】
また、表示用パネルにおいて電極の占める面積を減少させることができるが故に、表示装置のカソードパネルにおける電子線源と表示用パネルにおける電極とによって形成される一種のコンデンサの静電容量を低減することが可能となり、表示用パネルとカソードパネルとの間で異常放電（真空アーク放電）が発生し難くなる。電極を複数の電極ユニットから構成し、電極ユニットと電極ユニットとを抵抗体層によって電気的に接続すれば、表示装置のカソードパネルにおける電子線源と表示用パネルにおける電極（電極ユニット）とによって形成される一種のコンデンサの静電容量を一層低減することが可能となり、表示用パネルとカソードパネルとの間で異常放電（真空アーク放電）が一層発生し難くなる。
【００５０】
ところで、電極は蛍光体領域を囲むように形成されている。電子線源から放出された電子は、表示用パネルに設けられた電極によって生成された電場（電界）により、表示用パネルに向かって引き付けられる。一般に、電子線源から蛍光体領域に向かって放出された電子は低速である。一方、表示用パネルに近づいた電子は、表示用パネルに設けられた電極によって生成された電場（電界）によって加速され、高速となる。その結果、電子は、電極に向かうよりは蛍光体領域に向かい、電子は蛍光体領域に衝突する結果、蛍光体領域が発光し、所望の画像を得ることができる。
【００５１】
従来の技術においては、蛍光体領域上にアノード電極が存在し、蛍光体領域から射出された光が蛍光体領域上のアノード電極あるいはアノード電極ユニットによって基板の方向に反射され、冷陰極電界電子放出表示装置において高輝度が達成されている。本発明においては、蛍光体領域における蛍光体粒子の量（基板上における蛍光体領域の厚さ）を適切に決定することで、蛍光体領域上に電極が存在しなくとも、高輝度を有する表示用パネルあるいは表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５２】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
【実施例１】
【００５３】
実施例１は、本発明の表示用パネル及び表示装置に関する。より具体的には、実施例１の表示装置は冷陰極電界電子放出表示装置を構成し、表示用パネルは冷陰極電界電子放出表示装置のアノードパネルを構成し、電極はアノードパネルにおけるアノード電極を構成し、電子線源は冷陰極電界電子放出素子から構成されている。尚、以下の説明においては、冷陰極電界電子放出表示装置を単に表示装置と呼び、表示用パネルをアノードパネルと呼び、電極をアノード電極と呼び、電子線源を冷陰極電界電子放出素子（電界放出素子）と呼ぶ場合がある。
【００５４】
実施例１の表示装置の模式的な一部端面図を図１に示し、カソードパネルＣＰの模式的な部分的斜視図を図２に示す。更には、また、蛍光体領域等の配列を、模式的な部分的平面図として、図３〜図８に例示する。尚、アノードパネルＡＰの模式的な一部端面図における蛍光体領域等の配列を、図４あるいは図６に示す構成としている。また、図３〜図８においては、電極（アノード電極）の図示を省略している。
【００５５】
実施例１の表示装置は、カソードパネルＣＰ及び表示用パネル（アノードパネルＡＰ）が真空層を介してそれらの周縁部で接合された表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）である。ここで、カソードパネルＣＰは、支持体１０上に形成された電子線源（電界放出素子）を備えている。一方、表示用パネル（アノードパネルＡＰ）は、基板２０上に形成された複数の蛍光体領域２３と、電極（アノード電極２４）とを備えており、電子線源（電界放出素子）から放出された電子が蛍光体領域２３に衝突することによって蛍光体領域２３が発光し、所望の画像を得ることができる。即ち、実施例１の表示装置は、カソード電極１１、ゲート電極１３及び電子放出部１５から構成された電界放出素子を複数備えたカソードパネルＣＰと、アノードパネルＡＰとが、それらの周縁部で接合されて成る。
【００５６】
表示用パネル（アノードパネルＡＰ）にあっては、蛍光体領域２３と蛍光体領域２３との間の基板２０上にブラックマトリックス２１が形成されている。また、ブラックマトリックス２１の上には隔壁２２が形成されている。アノードパネルＡＰにおける隔壁２２、スペーサ２６及び蛍光体領域２３の配置例を、図３〜図８の配置図に模式的に示す。隔壁２２の平面形状としては、格子形状（井桁形状）、即ち、１サブピクセルに相当する、例えば平面形状が略矩形の蛍光体領域２３の四方を取り囲む形状（図３、図４、図５、図６参照）、あるいは、略矩形の（あるいはストライプ状の）蛍光体領域２３の対向する二辺と平行に延びる帯状形状（ストライプ形状）を挙げることができる（図７及び図８参照）。尚、図７に示す蛍光体領域２３にあっては、蛍光体領域２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂを、図７の上下方向に延びるストライプ状とすることもできる。
【００５７】
そして、電極（アノード電極２４）は、有効領域（実際の表示部分として機能する領域）内において、蛍光体領域２３が形成されていない基板２０の部分に形成され（より具体的には、基板２０上に形成された隔壁２２の頂面及び側面に形成され、更には、蛍光体領域２３が形成されていない基板２０の部分に形成され）、且つ、蛍光体領域２３が形成されている基板２０の部分２０Ａには形成されていない。
【００５８】
図１に示した電界放出素子は、円錐形の電子放出部を有する、所謂スピント（Ｓｐｉｎｄｔ）型電界放出素子と呼ばれるタイプの電界放出素子である。この電界放出素子は、支持体１０上に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、第２開口部１４Ｂの底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５から構成されている。一般に、カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極の射影像が互いに直交する方向に各々ストライプ状に形成されており、これらの両電極の射影像が重複する領域（１サブピクセル分の領域に相当し、重複領域あるいは電子放出領域である）に、通常、複数の電界放出素子が設けられている。更に、かかる電子放出領域が、カソードパネルＣＰの有効領域（実際の表示部分として機能する領域）内に、通常、２次元マトリックス状に配列されている。
【００５９】
１サブピクセルは、カソードパネル側のカソード電極１１とゲート電極１３との重複領域に設けられた電界放出素子の一群と、これらの電界放出素子の一群に対面したアノードパネル側の蛍光体領域２３（１つの赤色発光蛍光体領域、１つの緑色発光蛍光体領域、あるいは、１つの青色発光蛍光体領域）とによって構成されている。有効領域には、３つのサブピクセルが纏まって構成されたピクセル（画素）が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。また、１画素（１ピクセル）は３つのサブピクセルから構成され、各サブピクセルは、１つの赤色発光蛍光体領域、１つの緑色発光蛍光体領域、あるいは、１つの青色発光蛍光体領域を備えている。
【００６０】
アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを、電子放出領域と蛍光体領域２３とが対向するように配置し、周縁部において枠体２５を介して接合することによって、表示装置を作製することができる。有効領域を包囲した無効領域には真空排気用の貫通孔（図示せず）が設けられており、この貫通孔には真空排気後に封じ切られたチップ管（図示せず）が接続されている。即ち、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２５とによって囲まれた空間は真空となっており、係る空間が真空層を構成している。従って、アノードパネルＡＰ及びカソードパネルＣＰには大気によって圧力が加わる。この圧力によって表示装置が破損しないように、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間にはスペーサ２６が配置されている。尚、図１においては、スペーサの図示を省略した。隔壁２２の一部は、スペーサ２６を保持するためのスペーサ保持部としても機能する。
【００６１】
カソード電極１１には相対的に負電圧がカソード電極制御回路３１から印加され、ゲート電極１３には相対的に正電圧がゲート電極制御回路３２から印加され、アノード電極２４にはゲート電極１３よりも更に高い正電圧がアノード電極制御回路３３から印加される。かかる表示装置において表示を行う場合、例えば、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１から走査信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２からビデオ信号を入力する。あるいは、これとは逆に、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１からビデオ信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２から走査信号を入力してもよい。カソード電極１１とゲート電極１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５から電子が放出され、この電子がアノード電極２４によって形成された電場に基づきアノードパネルＡＰへと引き付けられ、蛍光体領域２３に衝突する。その結果、蛍光体領域２３が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極１３に印加される電圧、及びカソード電極１１を通じて電子放出部１５に印加される電圧によって制御される。
【００６２】
実施例１においては、アノード電極制御回路の出力電圧ＶAを７キロボルトとし、アノードパネルとカソードパネルとの間の距離ｄを１ｍｍとしたので、ＶA／ｄ＝７（単位：キロボルト／ｍｍ）である。
【００６３】
以下、基板等の模式的な一部端面図である図９の（Ａ）〜（Ｄ）を参照して、表示用パネル（アノードパネルＡＰ）及び表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）の製造方法を説明する。
【００６４】
［工程−１００］
先ず、ガラス基板から成る基板２０上に隔壁２２を形成した（図９の（Ａ）参照）。隔壁２２の平面形状は格子形状（井桁形状）である。具体的には、感光性ポリイミド樹脂層を基板２０の全面に形成した後、かかる感光性ポリイミド樹脂層を露光、現像することによって、格子形状（井桁形状）の隔壁２２（例えば図４を参照）を得ることができる。あるいは又、酸化コバルト等の金属酸化物により黒色に着色した鉛ガラス層を形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術によって鉛ガラス層を選択的に加工することにより、隔壁を形成することができる。あるいは又、低融点ガラスペーストをスクリーン印刷法にて基板２０上に印刷し、次いで、かかる低融点ガラスペーストを焼成することによって隔壁を形成してもよい。１サブピクセルにおける隔壁２２の高さを、約５０μｍとした。隔壁の一部は、スペーサ２６を保持するためのスペーサ保持部としても機能する。尚、隔壁２２の形成前に、隔壁２２を形成すべき基板２０の部分の表面にブラックマトリックス２１（図９には図示せず）を形成することが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。
【００６５】
［工程−１１０］
次に、電極（アノード電極２４）を、蛍光体領域２３を形成しない基板２０の部分に形成した。但し、蛍光体領域２３を形成すべき基板２０の部分２０Ａには形成しない。具体的には、隔壁２２によって囲まれた基板２０の部分２０Ａに電極（アノード電極２４）が形成されないように、斜め真空蒸着法に基づき、モリブデン（Ｍｏ）から成る導電材料層から構成された電極（アノード電極２４）を、基板２０上に形成された隔壁２２の頂面及び側面に形成した（図９の（Ｂ）参照）。隔壁２２の頂面上における電極（アノード電極２４）の平均厚さを０．１μｍとした。
【００６６】
［工程−１２０］
次いで、赤色発光蛍光体領域２３Ｒを形成するために、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）樹脂と水に赤色発光蛍光体粒子を分散させ、更に、重クロム酸アンモニウムを添加した赤色発光蛍光体スラリーを全面に塗布した後、かかる赤色発光蛍光体スラリーを乾燥した。その後、基板２０の裏面側（隔壁等が形成されていない基板２０の面の側）から赤色発光蛍光体領域２３Ｒを形成すべき赤色発光蛍光体スラリーの部分に紫外線を照射し、赤色発光蛍光体スラリーを露光した。赤色発光蛍光体スラリーは基板２０の裏面側から徐々に硬化した。形成される赤色発光蛍光体領域２３Ｒの厚さは、赤色発光蛍光体スラリーに対する紫外線の照射量により決定される。ここでは、例えば、赤色発光蛍光体スラリーに対する紫外線の照射時間を調整して、赤色発光蛍光体領域２３Ｒの平均厚さを約１０μｍとした。その後、赤色発光蛍光体スラリーを現像することによって、所定の隔壁２２の間（隔壁２２によって囲まれた基板２０の部分２０Ａ）に赤色発光蛍光体領域２３Ｒを形成することができた（図９の（Ｃ）参照）。以下、緑色発光蛍光体スラリーに対して同様の処理を行うことによって緑色発光蛍光体領域２３Ｇを形成し、更に、青色発光蛍光体スラリーに対して同様の処理を行うことによって青色発光蛍光体領域２３Ｂを形成した（図９の（Ｄ）参照）。緑色発光蛍光体領域２３Ｇ、青色発光蛍光体領域２３Ｂの平均厚さも約１０μｍとした。尚、蛍光体領域２３の表面は、微視的には、複数の蛍光体粒子により凹凸となっている。蛍光体領域の形成方法は、以上に説明した方法に限定されず、赤色発光蛍光体スラリー、緑色発光蛍光体スラリー、青色発光蛍光体スラリーを順次塗布した後、各蛍光体スラリーを順次露光、現像して、各蛍光体領域を形成してもよいし、スクリーン印刷法等により各蛍光体領域を形成してもよい。
【００６７】
［工程−１３０］
電界放出素子が形成されたカソードパネルＣＰを準備した。そして、表示装置の組み立てを行った。具体的には、例えば、アノードパネルＡＰの有効領域に設けられたスペーサ保持部にスペーサ２６を取り付け、蛍光体領域２３と電界放出素子とが対向するようにアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを配置し、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰ（より具体的には、基板２０と支持体１０）とを、セラミックスやガラスから作製された枠体２５を介して、周縁部において接合した。接合に際しては、枠体２５とアノードパネルＡＰとの接合部位、及び、枠体２５とカソードパネルＣＰとの接合部位にフリットガラスを塗布し、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２５とを貼り合わせ、予備焼成にてフリットガラスを乾燥した後、約４５０゜Ｃで１０〜３０分の本焼成を行った。その後、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２５とフリットガラス（図示せず）とによって囲まれた空間を貫通孔（図示せず）及びチップ管（図示せず）を通じて排気し、空間の圧力が１０-4Ｐａ程度に達した時点でチップ管を加熱溶融により封じ切った。このようにして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２５とに囲まれた空間を真空にすることができる。あるいは又、例えば、枠体２５とアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの貼り合わせを高真空雰囲気中で行ってもよい。あるいは又、表示装置の構造に依っては、枠体無しで、接着層のみによってアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを貼り合わせてもよい。その後、必要な外部回路との配線接続を行い、表示装置を完成させた。
【００６８】
［比較例１］
以下に説明する方法によって、比較例１の表示用パネル（アノードパネル）を作製した。尚、比較例１の表示用パネル（アノードパネル）の製造方法は、中間膜を形成しないことを除き、従来の冷陰極電界電子放出表示装置におけるアノードパネルの製造方法と同じである。
【００６９】
［工程−１００Ａ］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様に、ガラス基板から成る基板２０上に隔壁２２を形成した。
【００７０】
［工程−１１０Ａ］
次に、赤色発光蛍光体領域２３Ｒを形成するために、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）樹脂と水に赤色発光蛍光体粒子を分散させ、更に、重クロム酸アンモニウムを添加した赤色発光蛍光体スラリーを全面に塗布した後、かかる赤色発光蛍光体スラリーを乾燥した。その後、基板２０の裏面側から赤色発光蛍光体領域２３Ｒを形成すべき赤色発光蛍光体スラリーの部分に紫外線を照射し、赤色発光蛍光体スラリーを露光した。赤色発光蛍光体スラリーは基板２０の裏面側から徐々に硬化した。形成される赤色発光蛍光体領域２３Ｒの厚さは、赤色発光蛍光体スラリーに対する紫外線の照射量により決定される。ここでは、赤色発光蛍光体スラリーに対する紫外線の照射時間を調整して、赤色発光蛍光体領域２３Ｒの平均厚さを約１０μｍとした。その後、赤色発光蛍光体スラリーを現像することによって、所定の隔壁２２の間に赤色発光蛍光体領域２３Ｒを形成した。以下、緑色発光蛍光体スラリーに対して同様の処理を行うことによって緑色発光蛍光体領域２３Ｇを形成し、更に、青色発光蛍光体スラリーに対して同様の処理を行うことによって青色発光蛍光体領域２３Ｂを形成した。緑色発光蛍光体領域２３Ｇ、青色発光蛍光体領域２３Ｂの平均厚さも約１０μｍとした。
【００７１】
［工程−１２０Ａ］
その後、隔壁２２及び蛍光体領域２３が形成された基板２０の全面に、アルミニウム（Ａｌ）から成るアノード電極１２４を真空蒸着法にて形成した。アノード電極１２４の平均厚さを５３ｎｍとした。
【００７２】
［比較例２］
以下に説明する方法によって、比較例２の表示用パネルを作製した。尚、比較例２の表示用パネル（アノードパネル）の製造方法は、従来の冷陰極電界電子放出表示装置におけるアノードパネルの製造方法と同じである。
【００７３】
［工程−１００Ｂ］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様に、ガラス基板から成る基板２０上に隔壁２２を形成した。
【００７４】
［工程−１１０Ｂ］
次に、比較例１の［工程−１１０Ａ］と同様にして、赤色発光蛍光体領域２３Ｒ、緑色発光蛍光体領域２３Ｇ、青色発光蛍光体領域２３Ｂを形成した。尚、蛍光体領域２３の厚さを約６．５μｍとした。
【００７５】
［工程−１２０Ｂ］
その後、全面にスクリーン印刷法に基づき中間膜を形成した。中間膜を構成する樹脂（ラッカー）は、広義のワニスの一種で、セルロース誘導体、一般にニトロセルロースを主成分とした配合物を低級脂肪酸エステルのような揮発性溶剤に溶かしたもの、あるいは、他の合成高分子を用いたウレタンラッカー、アクリルラッカーから構成されている。次に、中間膜を乾燥させた。乾燥後の中間膜の平均厚さを０．１μｍとした。
【００７６】
［工程−１３０Ｂ］
その後、中間膜上に導電材料層を形成した。具体的には、真空蒸着法により、中間膜を覆うように、アルミニウム（Ａｌ）から成る導電材料層を形成した。導電材料層の平均厚さを５３ｎｍとした。
【００７７】
［工程−１４０Ｂ］
次いで、４００゜Ｃ程度で中間膜を焼成した。この焼成処理により中間膜が燃焼して焼失し、導電材料層から成るアノード電極１２４が蛍光体領域２３上及び隔壁２２上に残された。尚、中間膜の燃焼により生じたガスは、例えば、導電材料層のうち、隔壁２２の形状に沿って折れ曲がっている領域に生じる微細な孔を通じて外部に排出される。
【００７８】
こうして得られた実施例１の表示用パネル（アノードパネルＡＰ）、比較例１、比較例２の表示用パネル（アノードパネルＡＰ）における緑色発光蛍光体領域２３Ｇの輝度測定を行った結果を、以下の表１に示す。尚、表１の値は、比較例２の輝度測定結果を「１」としたときの相対値である。
【００７９】
［表１］
実施例１    １．０５
実施例２    ０．９８
比較例１    ０．３８
比較例２    １．００
【００８０】
表１からも明らかなように、実施例１の表示用パネルの輝度測定結果は、従来の冷陰極電界電子放出表示装置におけるアノードパネル（比較例２）の輝度測定結果とほぼ同じである。尚、比較例１において得られた輝度測定結果は、実施例１の約１／３の値となっていた。これは、電子の一部がアノード電極によって吸収され、しかも、蛍光体領域上に形成されたアノード電極に凹凸が存在するが故に蛍光体領域からの光がアノード電極で乱反射されたためである。
【００８１】
以下、スピント型電界放出素子の製造方法を、カソードパネルを構成する支持体１０等の模式的な一部端面図である図１０の（Ａ）、（Ｂ）及び図１１の（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。
【００８２】
尚、このスピント型電界放出素子は、基本的には、円錐形の電子放出部１５を金属材料の垂直蒸着により形成する方法によって得ることができる。即ち、ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａに対して蒸着粒子は垂直に入射するが、第１開口部１４Ａの開口端付近に形成されるオーバーハング状の堆積物による遮蔽効果を利用して、第２開口部１４Ｂの底部に到達する蒸着粒子の量を漸減させ、円錐形の堆積物である電子放出部１５を自己整合的に形成する。ここでは、不要なオーバーハング状の堆積物の除去を容易とするために、ゲート電極１３及び絶縁層１２上に剥離層１６を予め形成しておく方法について説明する。尚、電界放出素子の製造方法を説明するための図面においては、１つの電子放出部のみを図示した。
【００８３】
［工程−Ａ０］
先ず、例えばガラス基板から成る支持体１０の上に、例えばポリシリコンから成るカソード電極用導電材料層をプラズマＣＶＤ法にて成膜した後、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づきカソード電極用導電材料層をパターニングして、ストライプ状のカソード電極１１を形成する。その後、全面にＳｉＯ2から成る絶縁層１２をＣＶＤ法にて形成する。
【００８４】
［工程−Ａ１］
次に、絶縁層１２上に、ゲート電極用導電材料層（例えば、ＴｉＮ層）をスパッタリング法にて成膜し、次いで、ゲート電極用導電材料層をリソグラフィ技術及びドライエッチング技術にてパターニングすることによって、ストライプ状のゲート電極１３を得ることができる。ストライプ状のカソード電極１１は、図面の紙面左右方向に延び、ストライプ状のゲート電極１３は、図面の紙面垂直方向に延びている。
【００８５】
尚、ゲート電極１３を、真空蒸着法等のＰＶＤ法、ＣＶＤ法、電気メッキ法や無電解メッキ法といったメッキ法、スクリーン印刷法、レーザアブレーション法、ゾル−ゲル法、リフトオフ法等の公知の薄膜形成と、必要に応じてエッチング技術との組合せによって形成してもよい。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えばストライプ状のゲート電極を形成することが可能である。
【００８６】
［工程−Ａ２］
その後、再びレジスト層を形成し、エッチングによってゲート電極１３に第１開口部１４Ａを形成し、更に、絶縁層に第２開口部１４Ｂを形成し、第２開口部１４Ｂの底部にカソード電極１１を露出させた後、レジスト層を除去する。こうして、図１０の（Ａ）に示す構造を得ることができる。
【００８７】
［工程−Ａ３］
次に、支持体１０を回転させながらゲート電極１３上を含む絶縁層１２上にニッケル（Ｎｉ）を斜め真空蒸着することにより、剥離層１６を形成する（図１０の（Ｂ）参照）。このとき、支持体１０の法線に対する蒸着粒子の入射角を十分に大きく選択することにより（例えば、入射角６５度〜８５度）、第２開口部１４Ｂの底部にニッケルを殆ど堆積させることなく、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上に剥離層１６を形成することができる。剥離層１６は、第１開口部１４Ａの開口端から庇状に張り出しており、これによって第１開口部１４Ａが実質的に縮径される。
【００８８】
［工程−Ａ４］
次に、全面に例えば導電材料としてモリブデン（Ｍｏ）を垂直蒸着する（入射角３度〜１０度）。このとき、図１１の（Ａ）に示すように、剥離層１６上でオーバーハング形状を有する導電材料層１７が成長するに伴い、第１開口部１４Ａの実質的な直径が次第に縮小されるので、第２開口部１４Ｂの底部において堆積に寄与する蒸着粒子は、次第に第１開口部１４Ａの中央付近を通過するものに限られるようになる。その結果、第２開口部１４Ｂの底部には円錐形の堆積物が形成され、この円錐形の堆積物が電子放出部１５となる。
【００８９】
［工程−Ａ５］
その後、図１１の（Ｂ）に示すように、リフトオフ法にて剥離層１６をゲート電極１３及び絶縁層１２の表面から剥離し、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上方の導電材料層１７を選択的に除去する。次いで、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂの側壁面を等方的なエッチングによって後退させることが、ゲート電極１３の開口端部を露出させるといった観点から、好ましい。尚、等方的なエッチングは、ケミカルドライエッチングのようにラジカルを主エッチング種として利用するドライエッチング、あるいはエッチング液を利用するウェットエッチングにより行うことができる。エッチング液としては、例えば４９％フッ酸水溶液と純水の１：１００（容積比）混合液を用いることができる。こうして、複数のスピント型電界放出素子が形成されたカソードパネルを得ることができる。
【実施例２】
【００９０】
実施例２の表示用パネル（アノードパネル）及び表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）は、実施例１の表示用パネル（アノードパネル）及び表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）の変形である。
【００９１】
実施例２の表示装置の模式的な一部端面図を図１２に示すように、実施例２の表示装置においては、表示装置の作動に基づき表示装置の内部で発生するイオン等から蛍光体領域を保護するために、また、蛍光体領域からのガスの発生を抑制したり、蛍光体領域の剥離を防止するために、少なくとも蛍光体領域２３の上に（実施例２においては、より具体的には、蛍光体領域２３の上だけでなく、電極であるアノード電極２４上にも）、蛍光体保護膜２７が形成されている。蛍光体保護膜２７は、透明な材料、具体的には、窒化アルミニウム（ＡｌＮx）から成る。ここで、蛍光体領域２３上における蛍光体保護膜２７の平均厚さを、５０ｎｍとした。
【００９２】
窒化アルミニウム（ＡｌＮx）から成る蛍光体保護膜２７は、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程に引き続き、スパッタリング法にて全面に窒化アルミニウム層を形成することで、得ることができる。
【００９３】
この点を除き、実施例２の表示用パネル（アノードパネル）及び表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）は、実施例１の表示用パネル（アノードパネル）及び表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【００９４】
こうして得られた実施例２の表示用パネル（アノードパネルＡＰ）における緑色発光蛍光体領域２３Ｇの輝度測定を行った結果を表１に示す。実施例２の表示用パネル（アノードパネルＡＰ）の輝度は、実施例１の表示用パネル（アノードパネルＡＰ）の輝度とほぼ同じ値であった。
【実施例３】
【００９５】
実施例３の表示用パネル（アノードパネル）及び表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）も、実施例１の表示用パネル（アノードパネル）及び表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）の変形である。
【００９６】
実施例３の表示装置の模式的な一部端面図を図１３に示すように、実施例３の表示装置においては、電極（アノード電極）は複数の電極ユニット（アノード電極ユニット２４Ａ）から構成されており、アノード電極ユニット２４Ａとアノード電極ユニット２４とは、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）から成る抵抗体層２８によって電気的に接続されている。実施例３においては、アノード電極ユニット２４Ａの数をサブピクセルの数と一致した数としたが、これに限定するものではない。
【００９７】
実施例３において、電極ユニット（アノード電極ユニット２４Ａ）は、隔壁２２の頂面及び隔壁２２の側面に形成されており、アノード電極ユニット２４Ａの境界は隔壁２２の頂面に位置する。また、抵抗体層２８は、少なくとも隔壁２２の頂面上のアノード電極ユニット２４Ａの上に（より具体的には、隔壁２２の頂面及び隔壁２２の側面に位置するアノード電極ユニット２４Ａの上に）形成されている。ここで、隔壁２２の頂面上における電極ユニット（アノード電極ユニット２４Ａ）の平均厚さを０．１μｍとし、隔壁２２の頂面上における抵抗体層２８の平均厚さを０．２μｍとした。抵抗体層２８のシート抵抗値は、１×１０6Ω／□である。
【００９８】
実施例３の表示用パネル（アノードパネルＡＰ）は、以下の方法で作製することができる。即ち、実施例１の［工程−１００］、［工程−１１０］と同様の工程を実行した後、全面に（より具体的には、モリブデンから成る導電材料層上に）レジスト層を形成し、フォトリソグラフィ技術に基づき係るレジスト層をパターニングする。次いで、パターニングされたレジスト層をエッチング用マスクとしたウエットエッチング法にてモリブデンから成る導電材料層をパターニングし、その後、レジスト層を除去する。こうして、アノード電極ユニット２４Ａを得ることができる。その後、ＳｉＣから成る抵抗体層２８を、斜め真空蒸着法に基づき、隔壁２２の頂面及び隔壁２２の側面に位置するアノード電極ユニット２４Ａの上に形成する。次いで、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程を実行することで、表示用パネル（アノードパネルＡＰ）を得ることができ、更には、実施例１の［工程−１３０］と同様の工程を実行することで、表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）を得ることができる。
【００９９】
以上の点を除き、実施例３の表示用パネル（アノードパネル）及び表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）は、実施例１の表示用パネル（アノードパネル）及び表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例４】
【０１００】
実施例４の表示用パネル（アノードパネル）及び表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）は、実施例３の表示用パネル（アノードパネル）及び表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）の変形であり、実施例３と実施例２の組合せに関する。
【０１０１】
実施例４の表示装置の模式的な一部端面図を図１４に示すように、実施例４の表示装置においては、表示装置の作動に基づき表示装置の内部で発生するイオン等から蛍光体領域を保護するために、また、蛍光体領域からのガスの発生を抑制したり、蛍光体領域の剥離を防止するために、少なくとも蛍光体領域２３の上に（実施例４においては、より具体的には、蛍光体領域２３の上だけでなく、電極であるアノード電極２４及び抵抗体層２８上にも）、蛍光体保護膜２７が形成されている。蛍光体保護膜２７は、透明な材料、具体的には、窒化アルミニウム（ＡｌＮx）から成る。ここで、蛍光体領域２３上における蛍光体保護膜２７の平均厚さを、５０ｎｍとした。
【０１０２】
窒化アルミニウム（ＡｌＮx）から成る蛍光体保護膜２７は、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程に引き続き、スパッタリング法にて全面に窒化アルミニウム層を形成することで、得ることができる。
【０１０３】
この点を除き、実施例４の表示用パネル（アノードパネル）及び表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）は、実施例３の表示用パネル（アノードパネル）及び表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【０１０４】
以上、本発明を、実施例に基づき説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例にて説明した表示用パネル（アノードパネル）やカソードパネル、表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）や電界放出素子の構成、構造は例示であり、適宜変更することができるし、アノードパネルやカソードパネル、表示装置や電界放出素子の製造方法も例示であり、適宜変更することができる。更には、アノードパネルやカソードパネルの製造において使用した各種材料も例示であり、適宜変更することができる。表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説明したが、単色表示とすることもできる。
【０１０５】
電界放出素子においては、専ら１つの開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、１つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に１つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、絶縁層にかかる複数の第１開口部に連通した複数の第２開口部を設け、１又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。
【０１０６】
電界放出素子において、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上に更に層間絶縁層４２を設け、層間絶縁層４２上に収束電極４３を設けてもよい。このような構造を有する電界放出素子の模式的な一部端面図を図１５に示す。層間絶縁層４２には、第１開口部１４Ａに連通した第３開口部４４が設けられている。収束電極４３の形成は、例えば、［工程−Ａ２］において、絶縁層１２上にストライプ状のゲート電極１３を形成した後、層間絶縁層４２を形成し、次いで、層間絶縁層４２上にパターニングされた収束電極４３を形成した後、収束電極４３、層間絶縁層４２に第３開口部４４を設け、更に、ゲート電極１３に第１開口部１４Ａを設ければよい。尚、収束電極のパターニングに依存して、１又は複数の電子放出部、あるいは、１又は複数の画素に対応する収束電極ユニットが集合した形式の収束電極とすることもでき、あるいは又、有効領域を１枚のシート状の導電材料で被覆した形式の収束電極とすることもできる。尚、図１５においては、スピント型電界放出素子を図示したが、その他の電界放出素子とすることもできることは云うまでもない。
【０１０７】
ゲート電極を、有効領域を１枚のシート状の導電材料（開口部を有する）で被覆した形式のゲート電極とすることもできる。この場合には、かかるゲート電極に正の電圧を印加する。そして、各画素を構成するカソード電極とカソード電極制御回路との間に、例えば、ＴＦＴから成るスイッチング素子を設け、かかるスイッチング素子の作動によって、各画素を構成する電子放出部への印加状態を制御し、画素の発光状態を制御する。
【０１０８】
あるいは又、カソード電極を、有効領域を１枚のシート状の導電材料で被覆した形式のカソード電極とすることもできる。この場合には、かかるカソード電極に電圧を印加する。そして、各画素を構成する電子放出部とゲート電極制御回路との間に、例えば、ＴＦＴから成るスイッチング素子を設け、かかるスイッチング素子の作動によって、各画素を構成するゲート電極への印加状態を制御し、画素の発光状態を制御する。
【０１０９】
冷陰極電界電子放出表示装置は、カソード電極、ゲート電極及びアノード電極から構成された所謂３電極型に限定されず、カソード電極及びアノード電極から構成された所謂２電極型とすることもできる。実施例３にて説明したアノードパネルの構成をこのような構造の表示装置に適用した例の模式的な一部断面図を図１６に示す。尚、図１６においては、ブラックマトリックス等の図示を省略している。尚、隔壁は形成されていないが、形成してもよい。この表示装置における電界放出素子は、支持体１０上に設けられたカソード電極１１と、カソード電極１１上に形成されたカーボン・ナノチューブ１９から構成された電子放出部１５Ａから成る。カーボン・ナノチューブ１９はマトリックス１８によってカソード電極１１の表面に固定されている。電子放出部の構造はカーボン・ナノチューブに限定されない。
【０１１０】
アノードパネルＡＰを構成するアノード電極は、複数のストライプ状のアノード電極ユニット２４Ｂから構成されている。但し、隣接するストライプ状のアノード電極ユニット２４Ｂの間は導通していない。また、ストライプ状のアノード電極ユニット２４Ｂにおいて、蛍光体領域２３が形成された基板２０の部分には、アノード電極ユニット２４Ｂを構成する導電材料層は形成されていない。言い換えれば、ストライプ状のアノード電極ユニット２４Ｂにおいて、蛍光体領域２３が島状に形成されている。ストライプ状のカソード電極１１の射影像とストライプ状のアノード電極ユニット２４Ｂの射影像とは直交する。具体的には、カソード電極１１は図面の紙面垂直方向に延び、ストライプ状のアノード電極ユニット２４Ｂは図面の紙面左右方向に延びている。この表示装置におけるカソードパネルＣＰにおいては、上述のような電界放出素子の複数から構成された電子放出領域が有効領域に２次元マトリックス状に多数形成されている。
【０１１１】
この表示装置においては、アノード電極ユニット２４Ｂによって形成された電界に基づき、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５Ａから電子が放出され、この電子がアノードパネルＡＰに引き付けられ、蛍光体領域２３に衝突する。即ち、アノード電極ユニット２４Ｂの射影像とカソード電極１１の射影像とが重複する領域（アノード電極／カソード電極重複領域）に位置する電子放出部１５Ａから電子が放出される、所謂単純マトリクス方式により、表示装置の駆動が行われる。具体的には、カソード電極制御回路３１からカソード電極１１に相対的に負の電圧を印加し、アノード電極制御回路３３からアノード電極ユニット２４Ｂに相対的に正の電圧を印加する。その結果、列選択されたカソード電極１１と行選択されたアノード電極ユニット２４Ｂ（あるいは、行選択されたカソード電極１１と列選択されたアノード電極ユニット２４Ｂ）とのアノード電極／カソード電極重複領域に位置する電子放出部１５Ａを構成するカーボン・ナノチューブ１９から選択的に真空空間中へ電子が放出され、この電子がアノードパネルＡＰに引き付けられてアノードパネルＡＰを構成する蛍光体領域２３に衝突し、蛍光体領域２３を励起、発光させる。
【０１１２】
尚、ストライプ状のアノード電極ユニット２４Ｂを更に細かいアノード電極ユニットに分割し、各アノード電極ユニットを抵抗体層で接続してもよい。即ち、実施例４で説明した表示用パネル（アノードパネルＡＰ）を適用することもできる。
【０１１３】
本発明における冷陰極電界電子放出表示装置において、電界放出素子は如何なる形態の電界放出素子とすることもでき、例えば、実施例にて説明したように、電界放出素子を、
（１）円錐形の電子放出部が開口部の底部に位置するカソード電極上に設けられたスピント型電界放出素子
とするだけでなく、電界放出素子を、
（２）略平面状の電子放出部が開口部の底部に位置するカソード電極上に設けられた扁平型電界放出素子
（３）王冠状の電子放出部が開口部の底部に位置するカソード電極上に設けられ、電子放出部の王冠状の部分から電子を放出するクラウン型電界放出素子
（４）平坦なカソード電極の表面から電子を放出する平面型電界放出素子
（５）凹凸が形成されたカソード電極の表面の多数の凸部から電子を放出するクレータ型電界放出素子
（６）カソード電極のエッジ部から電子を放出するエッジ型電界放出素子
とすることもできる。
【０１１４】
電界放出素子として、上述の各種の形式の他に、表面伝導型電子放出素子と通称される素子も知られており、本発明における冷陰極電界電子放出表示装置に適用することができる。表面伝導型電子放出素子においては、例えばガラスから成る基板上に酸化錫（ＳｎＯ2）、金（Ａｕ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）／酸化錫（ＳｎＯ2）、カーボン、酸化パラジウム（ＰｄＯ）等の材料から成り、微小面積を有する薄膜がマトリクス状に形成され、各薄膜は２つの薄膜片から成り、一方の薄膜片に行方向配線、他方の薄膜片に列方向配線が接続されている。一方の薄膜片と他方の薄膜片との間には数ｎｍのギャップが設けられている。行方向配線と列方向配線とによって選択された薄膜においては、ギャップを介して薄膜から電子が放出される。
【０１１５】
スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、実施例にて説明したモリブデン以外にも、タングステン、タングステン合金、モリブデン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、真空蒸着法の他、例えばスパッタリング法やＣＶＤ法によっても形成することができる。
【０１１６】
扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。電界放出素子におけるカソード電極を構成する代表的な材料として、タングステン（Φ＝４．５５ｅＶ）、ニオブ（Φ＝４．０２〜４．８７ｅＶ）、モリブデン（Φ＝４．５３〜４．９５ｅＶ）、アルミニウム（Φ＝４．２８ｅＶ）、銅（Φ＝４．６ｅＶ）、タンタル（Φ＝４．３ｅＶ）、クロム（Φ＝４．５ｅＶ）、シリコン（Φ＝４．９ｅＶ）を例示することができる。電子放出部は、これらの材料よりも小さな仕事関数Φを有していることが好ましく、その値は概ね３ｅＶ以下であることが好ましい。かかる材料として、炭素（Φ＜１ｅＶ）、セシウム（Φ＝２．１４ｅＶ）、ＬａＢ6（Φ＝２．６６〜２．７６ｅＶ）、ＢａＯ（Φ＝１．６〜２．７ｅＶ）、ＳｒＯ（Φ＝１．２５〜１．６ｅＶ）、Ｙ2Ｏ3（Φ＝２．０ｅＶ）、ＣａＯ（Φ＝１．６〜１．８６ｅＶ）、ＢａＳ（Φ＝２．０５ｅＶ）、ＴｉＮ（Φ＝２．９２ｅＶ）、ＺｒＮ（Φ＝２．９２ｅＶ）を例示することができる。仕事関数Φが２ｅＶ以下である材料から電子放出部を構成することが、一層好ましい。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
【０１１７】
あるいは又、扁平型電界放出素子において、電子放出部を構成する材料として、かかる材料の２次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２次電子利得δよりも大きくなるような材料から適宜選択してもよい。即ち、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属；シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）等の半導体；炭素やダイヤモンド等の無機単体；及び酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、フッ化バリウム（ＢａＦ2）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）等の化合物の中から、適宜選択することができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
【０１１８】
扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチューブ構造体、ＺｎＯウィスカー、ＭｇＯウィスカー、ＳｎＯ2ウィスカー、ＭｎＯウィスカー、Ｙ2Ｏ3ウィスカー、ＮｉＯウィスカー、ＩＴＯウィスカー、Ｉｎ2Ｏ3ウィスカー、Ａｌ2Ｏ3ウィスカーを挙げることができる。電子放出部をこれらから構成する場合、５×１０7Ｖ／ｍ以下の電界強度にて、冷陰極電界電子放出表示装置に必要な放出電子電流密度を得ることができる。また、ダイヤモンドは電気抵抗体であるため、各電子放出部から得られる放出電子電流を均一化することができ、よって、冷陰極電界電子放出表示装置に組み込まれた場合の輝度ばらつきの抑制が可能となる。更に、これらの材料は、冷陰極電界電子放出表示装置内の残留ガスのイオンによるスパッタ作用に対して極めて高い耐性を有するので、電界放出素子の長寿命化を図ることができる。
【０１１９】
カーボン・ナノチューブ構造体として、具体的には、カーボン・ナノチューブ及び／又はグラファイト・ナノファイバーを挙げることができる。より具体的には、カーボン・ナノチューブから電子放出部を構成してもよいし、グラファイト・ナノファイバーから電子放出部を構成してもよいし、カーボン・ナノチューブとグラファイト・ナノファイバーの混合物から電子放出部を構成してもよい。カーボン・ナノチューブやグラファイト・ナノファイバーは、巨視的には、粉末状であってもよいし、薄膜状であってもよいし、場合によっては、カーボン・ナノチューブ構造体は円錐状の形状を有していてもよい。カーボン・ナノチューブやグラファイト・ナノファイバーは、周知のアーク放電法やレーザアブレーション法といったＰＶＤ法、プラズマＣＶＤ法やレーザＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、気相合成法、気相成長法といった各種のＣＶＤ法によって製造、形成することができる。
【０１２０】
扁平型電界放出素子を、カーボン・ナノチューブ構造体や上記の各種ウィスカー（以下、これらを総称して、カーボン・ナノチューブ構造体等と呼ぶ）をバインダー材料に分散させたものをカソード電極の所望の領域に例えば塗布した後、バインダー材料の焼成あるいは硬化を行う方法（より具体的には、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等の有機系バインダー材料や水ガラス等の無機系バインダー材料にカーボン・ナノチューブ構造体等を分散したものを、カソード電極の所望の領域に例えば塗布した後、溶媒の除去、バインダー材料の焼成・硬化を行う方法）によって製造することもできる。尚、このような方法を、カーボン・ナノチューブ構造体等の第１の形成方法と呼ぶ。塗布方法として、スクリーン印刷法を例示することができる。
【０１２１】
あるいは又、扁平型電界放出素子を、カーボン・ナノチューブ構造体等が分散された金属化合物溶液をカソード電極上に塗布した後、金属化合物を焼成する方法によって製造することもでき、これによって、金属化合物を構成する金属原子を含むマトリックスにてカーボン・ナノチューブ構造体等がカソード電極表面に固定される。尚、このような方法を、カーボン・ナノチューブ構造体等の第２の形成方法と呼ぶ。マトリックスは、導電性を有する金属酸化物から成ることが好ましく、より具体的には、酸化錫、酸化インジウム、酸化インジウム−錫、酸化亜鉛、酸化アンチモン、又は、酸化アンチモン−錫から構成することが好ましい。焼成後、各カーボン・ナノチューブ構造体等の一部分がマトリックスに埋め込まれている状態を得ることもできるし、各カーボン・ナノチューブ構造体等の全体がマトリックスに埋め込まれている状態を得ることもできる。マトリックスの体積抵抗率は、１×１０-9Ω・ｍ乃至５×１０-6Ω・ｍであることが望ましい。
【０１２２】
金属化合物溶液を構成する金属化合物として、例えば、有機金属化合物、有機酸金属化合物、又は、金属塩（例えば、塩化物、硝酸塩、酢酸塩）を挙げることができる。有機酸金属化合物から構成された金属化合物溶液として、具体的には、有機錫化合物、有機インジウム化合物、有機亜鉛化合物、有機アンチモン化合物を酸（例えば、塩酸、硝酸、あるいは硫酸）に溶解し、これを有機溶媒（例えば、トルエン、酢酸ブチル、イソプロピルアルコール）で希釈したものを挙げることができる。また、有機金属化合物から構成された金属化合物溶液として、具体的には、有機錫化合物、有機インジウム化合物、有機亜鉛化合物、有機アンチモン化合物を有機溶媒（例えば、トルエン、酢酸ブチル、イソプロピルアルコール）に溶解したものを例示することができる。金属化合物溶液を１００重量部としたとき、カーボン・ナノチューブ構造体等が０．００１〜２０重量部、金属化合物が０．１〜１０重量部、含まれた組成とすることが好ましい。金属化合物溶液には、分散剤や界面活性剤が含まれていてもよい。また、マトリックスの厚さを増加させるといった観点から、金属化合物溶液に、例えばカーボンブラック等の添加物を添加してもよい。また、場合によっては、有機溶媒の代わりに水を溶媒として用いることもできる。
【０１２３】
カーボン・ナノチューブ構造体等が分散された金属化合物溶液をカソード電極上に塗布する方法として、スプレー法、スピンコーティング法、ディッピング法、ダイクォーター法、スクリーン印刷法を例示することができるが、中でもスプレー法を採用することが塗布の容易性といった観点から好ましい。
【０１２４】
カーボン・ナノチューブ構造体等が分散された金属化合物溶液をカソード電極上に塗布した後、金属化合物溶液を乾燥させて金属化合物層を形成し、次いで、カソード電極上の金属化合物層の不要部分を除去した後、金属化合物を焼成してもよいし、金属化合物を焼成した後、カソード電極上の不要部分を除去してもよいし、カソード電極の所望の領域上にのみ金属化合物溶液を塗布してもよい。
【０１２５】
金属化合物の焼成温度は、例えば、金属塩が酸化されて導電性を有する金属酸化物となるような温度、あるいは又、有機金属化合物や有機酸金属化合物が分解して、有機金属化合物や有機酸金属化合物を構成する金属原子を含むマトリックス（例えば、導電性を有する金属酸化物）が形成できる温度であればよく、例えば、３００゜Ｃ以上とすることが好ましい。焼成温度の上限は、電界放出素子あるいはカソードパネルの構成要素に熱的な損傷等が発生しない温度とすればよい。
【０１２６】
カーボン・ナノチューブ構造体等の第１の形成方法あるいは第２の形成方法にあっては、電子放出部の形成後、電子放出部の表面の一種の活性化処理（洗浄処理）を行うことが、電子放出部からの電子の放出効率の一層の向上といった観点から好ましい。このような処理として、水素ガス、アンモニアガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、ネオンガス、メタンガス、エチレンガス、アセチレンガス、窒素ガス等のガス雰囲気中でのプラズマ処理を挙げることができる。
【０１２７】
カーボン・ナノチューブ構造体等の第１の形成方法あるいは第２の形成方法にあっては、電子放出部は、開口部の底部に位置するカソード電極の部分の表面に形成されていればよく、開口部の底部に位置するカソード電極の部分から開口部の底部以外のカソード電極の部分の表面に延在するように形成されていてもよい。また、電子放出部は、開口部の底部に位置するカソード電極の部分の表面の全面に形成されていても、部分的に形成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】図１は、実施例１の表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）の模式的な一部端面図である。
【図２】図２は、冷陰極電界電子放出表示装置のカソードパネルの模式的な部分的斜視図である。
【図３】図３は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図４】図４は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図５】図５は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図６】図６は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図７】図７は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図８】図８は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図９】図９の（Ａ）〜（Ｄ）は、表示用パネル（冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネル）の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。
【図１０】図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、スピント型冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１１】図１１の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１０の（Ｂ）に引き続き、スピント型冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１２】図１２は、実施例２の表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）の模式的な一部端面図である。
【図１３】図１３は、実施例３の表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）の模式的な一部端面図である。
【図１４】図１４は、実施例４の表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）の模式的な一部端面図である。
【図１５】図１５は、収束電極を有するスピント型冷陰極電界電子放出素子の模式的な一部端面図である。
【図１６】図１６は、所謂２電極型の冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部断面図である。
【図１７】図１７は、従来の冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部端面図である。
【符号の説明】
【０１２９】
ＡＰ・・・アノードパネル、ＣＰ・・・カソードパネル、１０・・・支持体、１１・・・カソード電極、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲート電極、１４，１４Ａ，１４Ｂ，４４・・・開口部、１５，１５Ａ・・・電子放出部、１６・・・剥離層、１７・・・導電材料層、１８・・・マトリックス、１９・・・カーボン・ナノチューブ、２０・・・基板、２１・・・ブラックマトリックス、２２・・・隔壁、２３，２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ・・・蛍光体領域、２４・・・電極（アノード電極）、２４Ａ・・・電極ユニット（アノード電極ユニット）、２５・・・枠体、２６・・・スペーサ、２７・・・蛍光体保護膜、２８・・・抵抗体層、３１・・・カソード電極制御回路、３２・・・ゲート電極制御回路、３３・・・アノード電極制御回路、４２・・・層間絶縁層、４３・・・収束電極
【図１】
2005142003.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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