(57)【要約】【課題】  本発明は、ショットキーダイオードの構造とその製法に関するものであり、ショットキー障壁が高く、加工容易で密着性の良い電極膜を得るものである。【解決手段】  アルミニウム層７とｎ型のシリコン層１とからなるショットーキーダイオードにおいて、前記ｎ型のシリコン層１に白金若しくは金又はこれらの混合物である重金属を拡散させた後に、前記ｎ型のシリコン層１表面に前記アルミニウム層７を堆積することを特徴とするショットキーダイオードとその製造方法である。【選択図】  図２
2005079233.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1の金属層と第1導電型の第1の半導体層とからなるショットーキーダイオードにおいて、前記第1の金属層はアルミニウムであり、前記第1の半導体層には白金若しくは金又はこれらの混合物である重金属が含まれているショットキーダイオード。
【請求項２】
前記重金属は７６０℃から９６０℃の温度範囲における熱処理工程により、前記第１の半導体層に拡散されたものであること特徴とする請求項１記載のショットキーダイオード。
【請求項３】
前記第1導電型の第1の半導体層はｎ型のシリコン層であることを特徴とする請求項１乃至請求項２記載のショットキーダイオード。
【請求項４】
前記第1導電型の第1の半導体層は高濃度の第１導電型の第２の半導体層の上に堆積され、且つ、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層の間には前記第１の半導体層の濃度より大きく前記第２の半導体層の濃度より小さい濃度を有する第１導電型の第３の半導体層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３記載のショットキーダイオード。
【請求項５】
アルミニウムとｎ型のシリコン層とからなるショットーキーダイオードにおいて、前記ｎ型のシリコン層に白金若しくは金又はこれらの混合物である重金属を拡散させた後に、前記ｎ型のシリコン層表面に前記アルミニウムを堆積することを特徴とするショットキーダイオードの製造方法。
【請求項６】
前記拡散は７６０℃から９６０℃の温度範囲における熱処理工程により行われることを特徴とする請求項５記載のショットキーダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ショットキー障壁を有するショットキーダイオードの構造とその製法に関するものであり、特に高いショットキー障壁を得るものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の５Ｖ出力のスイッチング電源装置では、順電圧が低く、高速スイッチングができる４０から６０Ｖ耐圧のショットキーダイオードが用いられていた。また、１２Ｖ出力以上の高電圧出力のスイッチング電源装置など高耐圧の高速ダイオードが必要とされる用途においては、ライフタイム制御を行って逆回復時間を短くしたｐｎ接合ダイオード即ちＦＲＤ（Ｆａｓｔ  Ｒｅｃｏｖｅｒｙ  Ｄｉｏｄｅ）が主に用いられてきた。
【０００３】
ショットキーダイオードはショットキー障壁を利用したダイオードであるため、ｐｎ接合を用いたＦＲＤに比較し、基本的に、低い順電圧であって短い逆回復時間が得られるという特徴がある。しかし、逆電流が大きいため、逆損失が大きくなり易く、比較的、低出力電圧のスイッチング電源に使われてきた。近年、低い順電圧、短い逆回復時間に注目し、耐圧１５０Ｖ以上の比較的高耐圧の分野でもショットキーダイオードを利用しようという動きがある。
【０００４】
図４は従来のショットーダイオードの構造を説明するための図である(特許文献１参照。)。ｎ＋型の第２の半導体層２の上にエピタキシャル法によってｎ型の第１の半導体層１を形成されており、このｎ型の第１の半導体層１の表面に第１の電極膜７が形成されている。第１の電極膜７はｎ型の第１の半導体層１との界面においてショットキー障壁を形成している。裏面であるｎ＋型の第２の半導体層２の表面にはカソード電極となる第２の電極層８が形成されている。カソード電極と第２の電極層８はオーミック接合を形成している。
【０００５】
ショットキー障壁の周辺はｐ型のガードリング領域５で保護されている。第１の電極膜７はｐ型のガードリング領域５と電気的に接続している。ｐ型のガードリング領域５の外側の接合は絶縁膜６に覆われ保護されている。第１の電極はショットキー接合側から周辺に向かって、絶縁膜６の上を、ｐ型のガードリング領域５の外側の接合を超す位置まで延在している。即ち、オーバレイ構造を形成している。  
【０００６】
ｐ型のガードリング領域５の内側のｎ型の第１の半導体層１の表面にはｐ型の半導体領域４が点在している。実用時に印加される逆電圧より低い電圧において、隣合うｐ型の半導体領域４から横方向に広がる空乏層により隣合うｐ型の半導体領域４間がすべて空乏層によって埋められ、ショットキー障壁からカソード電極である第２の電極層８に至る通路をふさぐため、ショットキー障壁から流れ出る逆電流を抑制し、ショットキー接合部の耐圧低下も回避するものである。
【０００７】
ショットキーダイオードは一般に少数キャリアの注入が少ないため、低耐圧のショットキーダイオードで用いられている図４のｐ型の半導体領域４がない構造では、順電圧が非常に高くなってしまう。しかしながら、図４の構造のショットキーダイオードでは、ｐ型の半導体領域４から少量の少数キャリアの注入があるため、ｎ型の第１の半導体層１の抵抗分が伝導度変調されて小さくなり、順電圧がｐｎ接合ダイオードより小さくしかも逆回復特性がよいというという特徴がある（非特許文献１参照。）。
【０００８】
高耐圧ショットキーダイオードになると、漏れ電流により大きな損失が発生する。特に接合温度が上がったときに問題となる。このため、高耐圧ショットキーダイオードの実用化のためには高いショットキー障壁を形成できる金属が必要となる。ショットキー障壁高さとしては０．８０から０．９０ｅＶが望ましい。
【０００９】
障壁高さは、一般的に半導体と金属の組合わせで決まってしまう。ｎ型シリコンを考えると、このような金属として、白金、白金シリサイドや金が考えられる。これらの金属は、通常、絶縁膜６として利用される酸化けい素と密着が悪く、また化学的加工が困難であるり実用的でない。アルミニウムは密着も加工性もよいがｎ型シリコン半導体に対してはショットキー障壁高さが０．７８ｅＶとやや低く、高耐圧ショットキーダイオードとして良好な特性が得られなかった。
【００１０】
半導体と金属単体の組合わせで決まってしまう障壁高さでなく、金属などを組み合わせて合金とすることにより、必要な障壁高さを得ようとする試みもある（特許文献２参照。）。
【００１１】
本来ショットキー障壁を形成する第１の電極膜７の上に別の金属膜を形成し、熱処理により、別の金属を含む第１の電極膜７によりあるいは、これにシリコン半導体と反応させシリサイドとして望まれるショットキー障壁を得ようとする方法も試みられている(特許文献３参照。)。
【００１２】
更に、第１の電極膜７によるショットキー障壁を格子状に作り、その間を別の金属で埋めて、異なるショットキー障壁のダイオードを並列に作り、見かけ上、望まれるショットキー障壁を得ようとする試みもある（特許文献４参照。）。
【００１３】
これらの方法によっても、適切なショットキー障壁高さが得られ、しかも、酸化けい素に密着がよく、製造しやすいショットキー障壁形成用の合金や製法は見つかっていない。
【００１４】
高耐圧ショットキーダイオードの漏れ電流により大きな損失が発生するのを防ぐために、ショットキー障壁を高くするとショットキー障壁から少数キャリアの注入がある(特許文献５参照。)。従って、高耐圧ショットキーダイオードではｐ型の半導体領域４、ショットキー障壁、ｐ型のガードリング領域５から少数キャリアの注入があることになる。
【００１５】
この少数キャリアを適量注入させることによりｎ型の第１の半導体層１を伝導度変調させ、シリーズ抵抗分を下げることもできる。注入が多いと逆回復特性が悪くなる。
【００１６】
高耐圧ショットキーダイオードになると低耐圧ショットキーダイオードに比較し、ｎ型の第１の半導体層１を厚くする必要がある。上記の少数キャリアの蓄積量はｎ型の第１の半導体層１の厚さに比例する。ショットキーダイオードを高耐圧化すると、逆回復時間が急に長くなる。このままでは、スイッチング損失が大きく、高周波整流用途には使用できない。高周波用途に使うためには、ｐ型の半導体領域４の面積、ショットキー障壁高さの制御だけでは足りず、キャリアのライフタイムを小さくする制御も必要となる。
【００１７】
従来のショットーダイオードの構造において少数キャリアが注入された場合、逆電圧により急激に少数キャリアが引き抜かれるため、逆回復波形がハードで、実用時ノイズを発生しやすい。逆回復波形がソフトになるような対策が必要である。
【００１８】
以上述べたように従来のショットーダイオードの構造、製法においては、加工容易でショットキー障壁が高く絶縁膜に対して密着のよい金属がないこと、複雑な工程のライフタイム制御を必要とすること、逆回復波形がハードであるという問題点があった。
【００１９】
【特許文献１】特開平５−２１８３８９号公報
【特許文献２】特開２００１−０２４２０３号公報
【特許文献３】特開２０００−１９６１０８号公報
【特許文献４】特開２０００−０２２１７８号公報
【特許文献５】特開昭５８−１４８４６９号公報
【非特許文献１】B. Jayant Baliga and Hsueh-Rong Chang, IEDM'87, pp.658-661(1987)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明は、高耐圧ショットキーダイオードに関し、上記問題点を解決するためになされたもので、アルミニウム電極膜と重金属拡散を組合わせ、加工容易でショットキー障壁が高く絶縁膜に密着のよい電極を得ることを目的とする。更に、ｎ＋型の第２の半導体層２とｎ型の第１の半導体層１の間に適切な濃度の第３の半導体層を設けることによりソフトな逆回復特性を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記の課題を解決するための手段として、請求項１記載の発明は、第1の金属層と第1導電型の第1の半導体層とからなるショットーキーダイオードにおいて、前記第1の金属層はアルミニウムであり、前記第1の半導体層には白金若しくは金又はこれらの混合物である重金属が含まれているショットキーダイオードである。
請求項２記載の発明は前記重金属は７６０℃から９６０℃の温度範囲における熱処理工程により、前記第１の半導体層に拡散されたものであること特徴とする請求項１記載のショットキーダイオードである。
請求項３記載の発明は前記第1導電型の第1の半導体層はｎ型のシリコン層であることを特徴とする請求項１乃至請求項２記載のショトキーダイオードである。
請求項４記載の発明は前記第1導電型の第1の半導体層は高濃度の第１導電型の第２の半導体層の上に堆積され、且つ、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層の間には前記第１の半導体層の濃度より大きく前記第２の半導体層の濃度より小さい濃度を有する第１導電型の第３の半導体層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３記載のショットキーダイオードである。
請求項５記載の発明はアルミニウムとｎ型のシリコン層とからなるショットーキーダイオードにおいて、前記ｎ型のシリコン層に白金若しくは金又はこれらの混合物である重金属を拡散させた後に、前記ｎ型のシリコン層表面に前記アルミニウムを堆積することを特徴とするショットキーダイオードの製造方法である。
請求項６記載の発明は前記拡散は７６０℃から９６０℃の温度範囲における熱処理工程により行われることを特徴とする請求項５記載のショットキーダイオードの製造方法である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は、高耐圧ショットーダイオードに関し、アルミニウム電極膜と重金属拡散を組合わせるということにより、加工容易でショットキー障壁が高く絶縁膜に密着のよい電極が得られるという効果を有する。また更に、ｎ＋型の第２の半導体層２とｎ型の第１の半導体層１の間に適切な濃度の第３の半導体層を設けることによりソフトな逆回復特性が得られるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明は、特に高耐圧ショットキーダイオードに関し、アルミニウム電極膜と重金属拡散を組合わせるところに特徴がある。また更に、ｎ＋型の第２の半導体層２とｎ型の第１の半導体層１の間に適切な濃度の第３の半導体層を設けるところに特徴がある。
【実施例１】
【００２４】
図１は本発明の実施例１の構造を説明するための図である。図４に示した従来のショットキーダイオードと同様な構造であるが、各半導体層はシリコン層であり、少なくともｎ型の第１の半導体層１に重金属の白金が拡散され、また、第１の電極膜７におけるショットキー障壁を形成する部分の第１の金属層はアルミニュウムである。以下、図1を参照して、実施例1の構造について説明する。
【００２５】
ｎ＋型の第２の半導体層２の上にエピタキシャル法によってｎ型の第１の半導体層１が形成されている。ｎ＋型の第２の半導体層２とｎ型の第１の半導体層１に重金属である白金の深い準位が存在する。このｎ型の第１の半導体層１の表面に第１の電極膜７の第１の金属層としてアルミニウムが形成されている。第１の電極膜７のアルミニウムはｎ型の第１の半導体層１との界面においてショットキー障壁を形成している。裏面であるｎ＋型の第２の半導体層２の表面にはカソード電極となるチタン-ニッケル−銀の第２の電極膜８が形成されている。ｎ＋型の第２の半導体層２に接するチタン層はオーミック接合を形成している。
【００２６】
ショットキー障壁の周辺はｐ型のガードリング領域５で保護されている。ｐ型のガードリング領域５の内側におけるｎ型の第１の半導体層１の表面には、ｐ型の半導体領域４が点在している。第１の電極膜７はｐ型のガードリング領域５と電気的に接続している。ｐ型のガードリング領域５の外側の接合は絶縁膜６に覆われている。第１の電極膜７はショットキー接合側から周辺に向かって、絶縁膜６の上を、ｐ型のガードリング領域５の外側の接合を超す位置まで延在している。即ち、安定して高耐圧が得られ、信頼性を確保できるようにオーバレイ構造を形成している。  
【００２７】
図２の（ａ）は本発明の実施例1の製造工程である。（ｂ）：従来のショットキーダイオードの製造工程である。以下、図2に基づいて本発明の実施例１の製造工程を説明する。
【００２８】
最初に、比抵抗０．００１から０．００３Ω−ｃｍで厚さ３００μｍのｎ＋型の第２の半導体層２の上にエピタキシャル法によって不純物濃度８Ｅ１４ａｔｏｍ／ｃｍ3で厚さ３０μｍのｎ型の第１の半導体層１を形成し半導体基板とする。
【００２９】
次に、１１００℃の酸化雰囲気中において熱処理をすることにより、半導体基板の表面に酸化膜を形成する。
【００３０】
次に、写真処理とフッ酸系のエッチング液により、ｐ型の半導体領域４とｐ型のガードリング領域５を形成する部分に対応するこの酸化膜を除去しｐ型拡散用の窓開けを行う。この酸化膜をマスクに、窓開けによって露出したｎ型の第１の半導体層１の表面にホウ素をイオン注入し、酸化性の雰囲気における熱処理によりホウ素をｎ型の第１の半導体層１内に拡散する。
【００３１】
ｐ型の半導体領域４とｐ型のガードリング領域５におけるｐ型の領域の表面濃度は５Ｅ１８ａｔｏｍ／ｃｍ３であり、拡散深さは３μｍである。窓開けされたｎ型の第１の半導体層１の表面は拡散時の酸化性雰囲気により再度酸化膜が形成される。
【００３２】
次に、半導体基板の表面をレジストで被覆し、裏面、ｎ＋型の第２の半導体層２表面に残った酸化膜を除去し、裏面より白金を導入するために白金拡散源を塗布する。白金拡散源は、けい素化合物及び添加剤（拡散用白金不純物、ガラス質形成剤、有機バインダー）をアルコールを主成分とした有機溶剤に溶かしたけい素酸化膜系被覆形成用塗布液である。塗布した後、乾燥させて有機溶剤を蒸発させる。その後９００℃、１時間の熱処理を行い、半導体基板内に白金を拡散させる。裏面には、けい素化合物による酸化膜が形成される。
【００３３】
次に、表側、ｎ型の第１の半導体層１側の面にレジストを塗布し、写真処理とフッ酸系のエッチングにより、ｐ型のガードリング領域５の外側接合付近を除く、ｐ型のガードリング領域５内側の酸化膜を除去し、酸化膜の窓開けを行い、ｐ型の半導体領域４、ｐ型のガードリング領域５とｎ型の第１の半導体層１の表面を露出させる。
【００３４】
残った酸化膜は、保護膜として働く絶縁膜６となる。また、半導体基板の裏面は、レジストによって被覆されていないため、フッ酸系エッチングにより、白金を導入する際裏面に形成された酸化膜も除去される。
【００３５】
次に、表側にショットキー障壁を形成するために第１の電極膜７として、蒸着法により、第１の金属層としてアルミニウムを堆積する。引き続き、ニッケル、銀を堆積する。ニッケルは半田接続のための金属であり、銀はニッケルに対する酸化防止のための金属である。良好なしかも安定した障壁高さが得られるように４５０℃、３０分の熱処理を行う。更に、写真、エッチング工程を用いて表面周辺の金属を除去し第１の電極膜７をパターン形成する。
【００３６】
次に、裏面に第２の電極膜８、即ち、カソード電極として、チタン、ニッケル、銀からなる金属を蒸着法により堆積する。チタンはオーミック形成のための金属であり、ニッケルは半田接続のための金属であり、銀はニッケルに対する酸化防止のための金属である。
【００３７】
以上の工程で、耐圧３００Ｖのショットキーダイオードが得られた。ショットキ障壁高さは０．８３ｅＶであった。順電圧は順電流５Ａ（２００Ａ／ｃｍ２）において１．１Ｖであり、逆回復時間は順電流と逆回復電流の比、ＩＦ／ＩＲ＝０．５／１．０Ａの測定条件で、１５ｎＳであった。逆電流は接合部温度１５０℃、逆電圧３００Ｖの印加において、１ｍＡであった。これに対し、白金拡散のない、従来のショットキーダイオードでは、ショットキー障壁高さは０．７８ｅＶであった。順電圧は順電流５Ａにおいて０．９Ｖであり、逆回復時間はＩＦ／ＩＲ＝０．５／１．０Ａの測定条件で、２００ｎＳであった。逆電流は接合部温度１５０℃、逆電圧３００Ｖの印加において、４ｍＡであった。
【００３８】
８００℃から９５０℃の温度における白金拡散においてアルミニウムによるショットキー障壁高さは、従来の実施例による０．７８ｅＶより０．８２から０．８４ｅＶになった。また７６０から９６０℃の温度における白金拡散においても０．８０ｅＶ以上の障壁高さが得られた。金又は白金と金の混合物の拡散であっても、アルミニウムによる障壁高さはほぼ同じ障壁高さが得られている。
【００３９】
従来のショットキーダイオードの製法で、ショットキー障壁形成用の金属として白金や金を使ってもショットキー障壁が高くなるので、逆電流は小さくなり、高耐圧ショットキーとして良好な特性が得られる。しかし、これらの電極と絶縁膜６との密着性が悪い。また、ライフタイムが長いため、逆回復時間が２００ｎＳ以上と長い値となってしまう。
【００４０】
本実施例では、第１の電極膜７における半導体また絶縁膜６と接触する部分の金属、即ち、第１の金属層としてアルミニウムを用いることで、絶縁物との密着がよく、加工しやすく、しかもアルミニウムと白金拡散による効果により高耐圧ショットキーダイオードに適切な障壁高さが得られた。逆電流が小さく、更に白金拡散による深い不純物の効果により、非常に小さい逆回復時間が得られた。これにより、従来のショトキーダイオードや重金属拡散のｐｎ接合ダイオードでは得られにくい順電圧が小さくソフトリカバリー特性のダイオードを得ることができた。
【実施例２】
【００４１】
図３は本発明の実施例２の構造を説明するための図である。図１に示した本発明の実施例１の構造と比較すると、実施例２は、ｎ＋型の第２の半導体層２とｎ型の第１の半導体層１の間にエピタキシャル法によってｎ型の第３の半導体層３が設けられている点に特徴がある。
【００４２】
製造工程において、最初に、比抵抗０．００１から０．００３Ω−ｃｍで厚さ３００μｍのｎ＋型の第２の半導体層２上にエピタキシャル法によってよって濃度２Ｅ１５で厚さ２０μｍのｎ型の第３の半導体層３を堆積し、更にその上に、濃度２Ｅ１４で厚さ１０μｍのｎ型の第１の半導体層１を形成し半導体基板とする。製造方法も第３の半導体層３を堆積する以外は、実施例１と同様である。
【００４３】
以上の工程で、耐圧３００Ｖのショットキーダイオードが得られた。ショットキ障壁高さは０．８３ｅＶであった。順電圧は順電流５Ａ（２００Ａ／ｃｍ２）において１．１Ｖであり、逆回復時間はＩＦ／ＩＲ＝０．５／１．０Ａの測定条件で、１５ｎＳであった。逆電流は接合部温度１５０℃、逆電圧３００Ｖの印加において、１ｍＡであった。これらの値は実施例１とほぼ同じである。ただし、逆回復波形が、実施例１に比較し、更に、ソフト波形となった。
【００４４】
次に、逆回復動作について説明する。第１の電極膜７、即ち、アノード電極に正電圧を印加すると、アノード電極から、第２の電極膜８、即ち、カソード電極に電流が流れる。この時、高耐圧のショットキーダイオードにおいては、低耐圧ショットキーダイオードと異なり、ショットキー接合から半導体中に少数キャリアが注入される。次に、第１の電極膜７、即ち、アノード電極を接地し、第２の電極膜８、即ち、カソード電極に電圧をかけるこの蓄積キャリアが掃き出されてくる。
【００４５】
エピタキシャル法によってよって堆積された層（実施例２では第２の半導体層２、第３の半導体層３）の濃度が低すぎて逆電圧によってこれらの層全体に空乏層が広がると、逆電圧による電界によって、蓄積キャリアが急激に吸い出され、全部のキャリアが吸い出された後は、急激に逆回復電流が零になるため、ハードな逆回復波形となる。空乏層の広がりより、エピタキシャル法によって堆積された層が十分広くなっていると逆回復波形の逆回復終了近くの時点もこの十分広くなっているところに蓄積キャリアがまだ残っている。このため、逆回復がほぼ終わっている状態にありながらも、このキャリアが少しづつ、空乏層の所まで、拡散によって流れてくることによりソフト波形になりうる。ただし、十分な効果を得るためにはエピタキシャル層をかなり厚くする必要があり、順電圧や、逆回復時間に悪い影響を与える。
【００４６】
ｎ＋型の第２の半導体層２の上にエピタキシャル法によってｎ型の第３の半導体層３を堆積し、更にその上にｎ型の第１の半導体層１を形成し半導体基板とする実施例２について考えてみる。逆回復時において、ｎ型の第２の半導体層２は低濃度であるため、逆電圧により空乏層はこの層全体に広がり、この部分における蓄積キャリアは非常に早く吸い出される。ただし、ｎ型の第３の半導体層３は濃度が高く設定してあるので、空乏層はこの層の一部にしか広がらず、残りの部分には蓄積キャリアが残されている。このキャリアが、拡散によって少しづつ流れ出してくるのでソフトな逆回復波形になる。
【００４７】
本発明の高耐圧ショットキーダイオードは一般に注入キャリアの量が少なく、逆回復時間が短いので、ハードな回復波形となりやすい。実施例２のような対策をとることが望ましい。ｎ＋型の第２の半導体層２の上にエピタキシャル法によって堆積されるｎ型の第３の半導体層３の濃度と厚さは本実施例にかぎられるわけではなく、実使用時の逆電圧で、ｎ型の第３の半導体層３に空乏層が広がりきらない濃度と厚さの組合わせであれば本発明の技術的範囲に入る。
【００４８】
本発明の絶縁膜６は熱酸化膜の例を説明したが、化学蒸着（ＣＶＤ法）によるものであってもよいし、保護膜として効果のあるリンやボロンを含む酸化膜（ＰＳＧ、ＢＳＧ）とこれらを含まない酸化膜との組み合わせであってもよい。さらに、酸化膜を窒化膜など保護膜としての性格と金属膜との密着のよい性質を持ちあわせたものの組み合わせであってもよい。
【００４９】
実施例では、第１の電極膜７はアルミニウム、ニッケル、銀の半田接続を前提とした電極システムを用いたが、アルミボンディングを前提として第１の金属層であるアルミニウムを厚くした電極であってもよい。他の電極システムであっても、半導体と接しショットキー障壁を作る第１の金属部分がアルミニウムであれば本発明の技術的範囲に入る。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、高耐圧のショットキーダイオードに適用できる。これらのダイオードは高周波スイッチング電源などに応用され、電源の効率向上に役立つ。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施例１の構造を説明するための図である。
【図２】（ａ）：本発明の実施例1の製造工程である。              （ｂ）：従来のショットキーダイオードの製造工程である。
【図３】本発明の実施例2の構造を説明するための図である。
【図４】従来のショットーダイオードの構造を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５２】
１：ｎ型の第1の半導体層
２：ｎ＋型の第２の半導体層
３：ｎ型の第３の半導体層
４：ｐ型の半導体領域
５：ｐ型のガードリング領域
６：絶縁膜
７：第1の電極膜
８：第2の電極膜
【図１】
2005079233.tif 000003
【図２】
2005079233.tif 000004
【図３】
2005079233.tif 000005
【図４】
2005079233.tif 000006