(57)【要約】【課題】  ＥＬ素子へのダメージを防止するとともに、有機ＥＬ表示装置間の継ぎ目を目立たせずに、容易にタイリングすることができる有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法、大型有機エレクトロルミネッセンス表示装置および電子機器を提供する。【解決手段】  光を出射するエレクトロルミネッセンス素子３１を備えたエレクトロルミネッセンス基板４と、エレクトロルミネッセンス素子３１に供給する電流を制御する薄膜トランジスタ１９を備えた薄膜トランジスタ基板３と、を有し、エレクトロルミネッセンス基板４と薄膜トランジスタ基板３とを対向配置する有機エレクトロルミネッセンス表示装置１ａであって、エレクトロルミネッセンス基板４から薄膜トランジスタ基板３までの間に、薄膜トランジスタ１９を制御する第１制御手段１３が配置されていることを特徴とする。【選択図】  図３
2005142054.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を出射するエレクトロルミネッセンス素子を備えたエレクトロルミネッセンス基板と、前記エレクトロルミネッセンス素子に供給する電流を制御する薄膜トランジスタを備えた薄膜トランジスタ基板と、を有し、前記エレクトロルミネッセンス基板と前記薄膜トランジスタ基板とを対向配置する有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記エレクトロルミネッセンス基板から前記薄膜トランジスタ基板までの間に、前記薄膜トランジスタを制御する第１制御手段が配置されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
前記エレクトロルミネッセンス基板から前記薄膜トランジスタ基板までの間に、前記第１制御手段を制御する第２制御手段が配置されていることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
前記エレクトロルミネッセンス基板から前記薄膜トランジスタ基板までの間に、外部から前記エレクトロルミネッセンス素子の発光を制御する光信号を受信するフォトダイオードが配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置が複数配列されていることを特徴とする大型有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置が複数列配列され、
周囲が囲われた有機エレクトロルミネッセンス表示装置が、請求項１から請求項３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であることを特徴とする大型有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
光を出射するエレクトロルミネッセンス素子を備えたエレクトロルミネッセンス基板と、前記エレクトロルミネッセンス素子に供給する電流を制御する薄膜トランジスタを備えた薄膜トランジスタ基板と、を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
前記エレクトロルミネッセンス基板を製作する第１の工程と、
前記薄膜トランジスタと該薄膜トランジスタを制御する第１制御手段とを前記薄膜トランジスタ基板に形成する第２の工程と、
前記第１制御手段が前記エレクトロルミネッセンス基板と対向するように、前記薄膜トランジスタ基板と前記エレクトロルミネッセンス基板とを貼り合わせる第３の工程と、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の工程において、前記薄膜トランジスタ基板に前記第１制御手段を形成してから、前記薄膜トランジスタを前記薄膜トランジスタ基板に転写することを特徴とする請求項６記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１制御手段を制御する第２制御手段を、前記薄膜トランジスタ基板に形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項６または７に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記エレクトロルミネッセンス素子の発光を制御する光信号を受信するフォトダイオードを、前記薄膜トランジスタ基板に形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項６から８のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置、請求項４または請求項５に記載の大型有機エレクトロルミネッセンス表示装置、または請求項６から請求項９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法により製造された有機エレクトロルミネッセンス表示装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、大型有機エレクトロルミネッセンス表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と表記する）を用いた表示パネルは、有機ＥＬ素子を薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと表記する）により駆動することにより、高画質な表示を実現できるようになった。特に、有機ＥＬ素子を用いた表示パネルは、有機ＥＬ素子が固体素子であることから、液晶を用いた表示パネルと比較して表示パネルの端面封止が容易であり、複数の表示パネルを並列に配置して大型化（タイリング）するのに適している。
【０００３】
上述した表示パネルのタイリングを行うときには、有機ＥＬ素子を駆動するＴＦＴを制御するドライバＩＣを実装する場所の確保が困難であった。例えば、表示パネルを縦２列×横２列にタイリングする場合には、表示パネルの外周に位置する端面に、水平、垂直方向のドライバＩＣを実装できた。しかしながら、表示パネルを縦３列×横３列以上にタイリングする場合、表示パネルの継ぎ目が見えないように、中央に配置された表示パネル周辺にドライバＩＣなどを実装することは極めて困難であった。
そこで、上述の問題点を解決するために、表示パネルの一方の基板をポリイミド基板とし、ポリイミド基板に多数のスルーホールを形成し、スルーホールを介してドライバＩＣとＴＦＴとを電気的に接続、実装する方式などが提案されてきた（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００２−２０７４３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機ＥＬ素子を用いる表示パネルは、有機ＥＬ素子が耐湿性に問題があるため気密性が求められる。上述した特許文献１においては、一方の基板にポリイミド基板を用いているが、ポリイミド基板ではガスバリヤー性が不十分の恐れがあり、有機ＥＬ素子がダメージを負う恐れがあった。
また、他方の基板にガラス基板など、ポリイミド基板と熱膨張率の異なる基板を用いていると、各基板の熱膨張率の違いにより表示パネルの気密性が損なわれ、有機ＥＬ素子がダメージを負う恐れがあった。
【０００５】
また、ガスバリヤー性のあるガラス基板を上記一方の基板に用いても、現在の技術では、ガラス基板に多数のスルーホールを形成するのは困難であり、その形成に長い時間が必要となるという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、ＥＬ素子へのダメージを防止するとともに、有機ＥＬ表示装置間の継ぎ目を目立たせずに、容易にタイリングすることができる有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法、大型有機エレクトロルミネッセンス表示装置および有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、光を出射するエレクトロルミネッセンス素子を備えたエレクトロルミネッセンス基板と、エレクトロルミネッセンス素子に供給する電流を制御する薄膜トランジスタを備えた薄膜トランジスタ基板と、を有し、エレクトロルミネッセンス基板と薄膜トランジスタ基板とを対向配置する有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、エレクトロルミネッセンス基板から薄膜トランジスタ基板までの間に、薄膜トランジスタを制御する第１制御手段が配置されていることを特徴とする。
【０００８】
すなわち、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、薄膜トランジスタを制御する第１制御手段を、エレクトロルミネッセンス基板から薄膜トランジスタ基板までの間に配置している。そのため、複数の薄膜トランジスタに入力する信号をまとめて第１制御手段に入力することができ、信号を入力する経路を少なくすることができる。その結果、信号を入力する経路から湿気を含んだ空気が侵入する恐れが少なくなり、エレクトロルミネッセンス素子がダメージを受けにくくすることができる。
また、第１制御手段をエレクトロルミネッセンス基板から薄膜トランジスタ基板までの間に配置しているため、第１制御手段を有機エレクトロルミネッセンス表示装置の周囲以外、例えば画像表示領域内にも配置できる。そのため、第１制御手段と薄膜トランジスタとの間の配線距離を短くすることができ、薄膜トランジスタへの信号伝達時間に起因する反応時間のズレを短くすることができる。
【０００９】
上記の構成を実現するために、より具体的には、エレクトロルミネッセンス基板から薄膜トランジスタ基板までの間に、第１制御手段を制御する第２制御手段が配置されていてもよい。
この構成によれば、第１制御手段を制御する第２制御手段を、エレクトロルミネッセンス基板から薄膜トランジスタ基板までの間に配置している。そのため、複数の第１制御手段に入力する信号をまとめて第２制御手段に入力することができ、信号を入力する経路をさらに少なくすることができる。その結果、湿気を含んだ空気が侵入する経路をさらに少なくでき、エレクトロルミネッセンス素子がダメージを受けにくくすることができる。
【００１０】
上記の構成を実現するために、より具体的には、エレクトロルミネッセンス基板から薄膜トランジスタ基板までの間に、外部からエレクトロルミネッセンス素子の発光を制御する光信号を受信するフォトダイオードが配置されていてもよい。
この構成によれば、エレクトロルミネッセンス素子の発光を制御する信号に光信号を用いて、その信号をフォトダイオードにより受信することにより、湿気を含んだ空気が侵入する経路をさらに少なくでき、エレクトロルミネッセンス素子がダメージを受けにくくすることができる。
また、エレクトロルミネッセンス素子の発光を制御する信号を伝える配線をなくすことができ、配線の取り回しを考慮する必要がなくなるため、複数の有機エレクトロルミネッセンス表示装置を配列するのが容易となる。
【００１１】
本発明の第１の大型有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、上記本発明に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置が複数配列されていることを特徴とする。
すなわち、本発明の第１の大型有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置が、第１制御手段などをエレクトロルミネッセンス基板から薄膜トランジスタ基板までの間に配置しているため、第１制御手段が邪魔することなく、複数の有機エレクトロルミネッセンス表示装置を隙間なく配置することができる。そのため、複数の有機エレクトロルミネッセンス表示装置間の継ぎ目を目立たせることなく、容易にタイリングすることができる。
【００１２】
本発明の第２の大型有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置が複数列配列され、周囲が囲われた有機エレクトロルミネッセンス表示装置が、上記本発明に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であることを特徴とする。
すなわち、本発明の第２の大型有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、周囲が有機エレクトロルミネッセンス表示装置に囲われ、隙間なく配列することが困難な配置位置に上記本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置を配置している。そのため、画像の表示領域内に位置する有機エレクトロルミネッセンス表示装置間の継ぎ目を目立たなくすることができる。
【００１３】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、光を出射するエレクトロルミネッセンス素子を備えたエレクトロルミネッセンス基板と、エレクトロルミネッセンス素子に供給する電流を制御する薄膜トランジスタを備えた薄膜トランジスタ基板と、を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、エレクトロルミネッセンス基板を製作する第１の工程と、薄膜トランジスタと薄膜トランジスタを制御する第１制御手段とを薄膜トランジスタ基板に形成する第２の工程と、第１制御手段がエレクトロルミネッセンス基板と対向するように、薄膜トランジスタ基板とエレクトロルミネッセンス基板とを貼り合わせる第３の工程と、を有することを特徴とする。
【００１４】
すなわち、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法では、第２の工程において、薄膜トランジスタと薄膜トランジスタを制御する第１制御手段とを薄膜トランジスタ基板に形成し、第３の工程において、第１制御手段がエレクトロルミネッセンス基板と対向するように、薄膜トランジスタ基板とエレクトロルミネッセンス基板とを貼り合わせている。そのため、エレクトロルミネッセンス素子を制御する信号をまとめて有機エレクトロルミネッセンス表示装置内の第１制御手段に入力し、そこから薄膜トランジスタに分配することができる。つまり、有機エレクトロルミネッセンス表示装置内への信号の入力経路を少なくすることができ、そこから湿気を含んだ空気が侵入する恐れを少なくすることができるため、エレクトロルミネッセンス素子がダメージを受けにくくすることができる。
【００１５】
上記の構成を実現するために、より具体的には、第２の工程において、薄膜トランジスタ基板に第１制御手段を形成してから、薄膜トランジスタを薄膜トランジスタ基板に転写してもよい。
この構成によれば、別工程において薄膜トランジスタを予め形成し、形成された薄膜トランジスタを第１制御手段が形成された薄膜トランジスタ基板に転写、実装している。そのため、第１制御手段を薄膜トランジスタ基板内、つまり薄膜トランジスタの実装面よりも下層に形成することができる。
【００１６】
上記の構成を実現するために、より具体的には、第１制御手段を制御する第２制御手段を、薄膜トランジスタ基板に形成する工程をさらに有してもよい。
この構成によれば、薄膜トランジスタ基板に、第１制御手段を制御する第２制御手段を形成しているため、第１制御手段に入力される信号をまとめて第２制御手段に入力し、そこから第１制御手段に分配することができる。つまり、信号を入力する経路をさらに少なくすることができるため、湿気を含んだ空気が侵入する経路をさらに少なくでき、エレクトロルミネッセンス素子がダメージを受けにくくすることができる。
【００１７】
上記の構成を実現するために、より具体的には、エレクトロルミネッセンス素子の発光を制御する光信号を受信するフォトダイオードを、薄膜トランジスタ基板に形成する工程をさらに有してもよい。
この構成によれば、薄膜トランジスタ基板に、エレクトロルミネッセンス素子の発光を制御する光信号を受信するフォトダイオードを形成しているため、湿気を含んだ空気が侵入する経路を形成することなく信号を入力させることができる。そのため、エレクトロルミネッセンス素子が、さらにダメージを受けにくくすることができる。
【００１８】
本発明の電子機器は、上記本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置、または上記本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法により製造された有機エレクトロルミネッセンス表示装置を用いたことを特徴とする。
【００１９】
すなわち、本発明の電子機器は、上記本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置、または上記本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法により製造された有機エレクトロルミネッセンス表示装置を表示装置として用いているため、ＥＬ素子へのダメージを防止するとともに、有機ＥＬ表示装置間の継ぎ目を目立たせずに、容易にタイリングすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と表記する）、大型有機ＥＬ表示装置、および有機ＥＬ表示装置の製造方法について、図１から図６を参照して説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２１】
（有機ＥＬ装置）
図１は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の全体構成を示す平面図である。図２は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の分解斜視図である。図３は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の要部断面図である。なお、図１および図２において繰り返し構造を有する部分は、その一部を代表して表し、他の部分は省略している。
有機ＥＬ表示装置（大型エレクトロルミネッセンス表示装置）１は、図１に示すように、より小型の有機ＥＬ表示装置（エレクトロルミネッセンス表示装置）１ａが縦２列×横２列のマトリクス状に配置されて形成されているものである。なお、有機ＥＬ表示装置１ａの配列パターンは縦２列×横２列のマトリクス状の配列でもよいが、他にも縦３列×横３列の配列や、縦３列×横４列の配列など、さまざまな配列パターンであってもよい。
有機ＥＬ表示装置１ａは、図２および図３に示すように、少なくとも基板接合体２を具備した構成となっている。基板接合体２は、ＴＦＴ基板（薄膜トランジスタ基板）３と、有機ＥＬ基板（エレクトロルミネッセンス基板）４とを、後述の基板間導通部３４を介して貼り合わせて接合された構成となっている。
【００２２】
ＴＦＴ基板３は、光透過性を有する配線基板１０と、第２層間絶縁層１１ｂと、第１層間絶縁層１１ａと、が順に積層されて概略構成されている。
配線基板１０の上面には、第２配線１２が形成され、第２配線１２の上にドライバＩＣ（第１制御手段）１３、制御用ＬＳＩ（第２制御手段）１４およびフォトダイオードアレイ（フォトダイオード）１５、が配置されている。第２層間絶縁層１１ｂは、これらドライバＩＣ１３を覆うように形成されている。また、配線基板１０の下面（ドライバＩＣ１３などが配置された面の反対側の面）であって、配線基板１０を介してフォトダイオードアレイ１５に対向する位置には、クロックパルスやＲＧＢの画像信号を送信する面発光レーザアレイ１６が配置されている。
制御用ＬＳＩ１４には、第２配線１２を介してフォトダイオードアレイ１５が電気的に接続されているとともに、有機ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）３１に電流を供給する電源供給部１７が接続されている。フォトダイオードアレイ１５は、４つのフォトダイオードから形成されており、それぞれクロックパルスの光信号、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各画像信号の受信を行っている。フォトダイオードアレイ１５に入力された信号は、制御用ＬＳＩ１４に入力され、それぞれ該当するドライバＩＣ１３に向けて分配されて出力される。
なお、フォトダイオードアレイ１５は、４つのフォトダイオードから形成されていてもよいが、１つのフォトダイオードから形成されていてもよく、その数を特に限定するものではない。
【００２３】
第２層間絶縁層１１ｂの上面には、ゲート配線やソース配線などを形成する第１配線１８が形成されている。第１層間絶縁層１１ａは、第１配線１８を覆うように形成されている。第１層間絶縁層１１ａの上面には、有機ＥＬ素子３１を駆動させるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１９と、基板間接続電極２０と、が形成されている。ＴＦＴ１９と第１配線１８とは、ＴＦＴ接続部２１を介して電気的に接続され、基板間接続電極２０と第１配線１８とは、電極接続部２２を介して電気的に接続されている。ＴＦＴ接続部２１は、ＴＦＴの端子パターンに応じて形成されるものであり、無電解メッキ処理によって形成されたバンプと、そのバンプ上に塗布形成される導電性ペーストとからなる。導電性ペーストとは、例えば、異方性導電粒子（ＡＣＰ）を含むものである。また、第１配線１８と第２配線１２とは配線接続部２３により電気的に接続されている。
【００２４】
有機ＥＬ装置１ａの表示領域は、縦２列×横２列の表示領域Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４に分割されており、各表示領域Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４につき２つのドライバＩＣ１３が配置されている。各ドライバＩＣ１３は、それぞれゲート配線である第１配線１８とソース配線である第１配線１８と電気的に接続されており、ＴＦＴ１９を制御することにより有機ＥＬ素子３１の発光を制御している。なお、ドライバＩＣ１３は、第２配線１２により制御用ＬＳＩ１４を電気的に接続されており、第２配線１２を介して、制御用ＬＳＩ１４からＴＦＴ１９の制御信号が入力されている。
【００２５】
有機ＥＬ基板４は、図３に示すように、発光光が透過する透明基板３０と、有機ＥＬ素子３１と、絶縁膜３２と、陰極３３とによって構成されている。
ここで、有機ＥＬ素子３１は、ＩＴＯ等の透明金属からなる陽極と、正孔注入／輸送層と、有機ＥＬ素子とを有しており、陽極で発生した正孔と陰極で発生した電子が有機ＥＬ素子で結合することで、発光するようになっている。なお、このような有機ＥＬ素子の詳細な構造は、公知技術が採用される。また、有機ＥＬ素子３１と陰極３３との間に電子注入／輸送層を形成してもよい。
【００２６】
さらに、ＴＦＴ基板３と有機ＥＬ基板４との間には、基板間接続電極２０と陰極３３とを導通接続する基板間導通部３４と、ＴＦＴ基板３と有機ＥＬ基板４との外周を封止する封止部（図示せず）とが設けられ、そして、ＴＦＴ基板３と有機ＥＬ基板４との間の空間には不活性ガス３５が充填されている。
基板間導通部３４は、銀ペーストであって、後述するようにＴＦＴ基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合わせることによって潰れて変形するものである。なお、基板間導通部３４は、銀材料に導電性かつ可塑性の材料であれば、必ずしもペースト状である必要はなく、導電性材料も好適なものを採用することができる。
【００２７】
不活性ガス３５は、公知のガスが採用され、本実施の形態では窒素（Ｎ２）ガスを採用する。他のガスとしてはＡｒ等の希ガスが好ましく、また、不活性の性質を有していれば、混合ガスであってもよい。この不活性ガス３５は、後述するＴＦＴ基板３と有機ＥＬ基板４との貼り合わせ工程の前後において封入されるものである。
なお、ＴＦＴ基板３と有機ＥＬ基板４との間に充填する物質として、必ずしも気体を限定する必要はなく、不活性な液体を用いてもよい。
【００２８】
封止部は、封止樹脂などの接着剤を用いて構成された部位であり、ＴＦＴ基板３および有機ＥＬ基板４の周辺に設けられ、ＴＦＴ基板３および有機ＥＬ基板４を接着するとともに、ＴＦＴ基板３および有機ＥＬ基板４の間を密封する役割を果たすものである。
なお、封止部は、封止樹脂を用いて構成してもよいが、いわゆる缶封止によって構成してもよく、その他、有機ＥＬ素子３１の劣化を招く物質が侵入しないような構成であれば、好適に採用することができる。また、ＴＦＴ基板３と有機ＥＬ基板４との間に、有機ＥＬ素子３１を劣化させる水分を吸収する吸湿剤を設けてもよい。
【００２９】
上記の構成によれば、ＴＦＴ１９を制御するドライバＩＣ１３および制御用ＬＳＩ１４を、ＴＦＴ基板３内に配置しているため、複数のＴＦＴ１９に入力する信号をまとめて制御用ＬＳＩ１４に入力することにより、上記信号を有機ＥＬ表示装置１ａ内に入力する経路を少なくすることができる。そのため、上記信号を入力する経路から湿気を含んだ空気が侵入する恐れが少なくなり、有機ＥＬ素子３１がダメージを受けにくくすることができる。
さらに、上記信号に光信号を用い、その信号をフォトダイオードアレイ１５により受信することにより、湿気を含んだ空気が侵入する経路をさらに少なくでき、有機ＥＬ素子３１がダメージを受けにくくすることができる。
【００３０】
また、ドライバＩＣ１３をＴＦＴ基板３内に配置しているため、ドライバＩＣ１３を有機ＥＬ表示装置１ａの画像表示領域内にも配置できる。そのため、ドライバＩＣ１３とＴＦＴ１９との間の配線距離を短くすることができ、ＴＦＴ１９への信号伝達時間に起因する反応時間のズレを短くすることができる。さらに、配線抵抗を小さくできることから、有機ＥＬ表示装置１および１ａの消費電力を抑えることができる。
【００３１】
また、ドライバＩＣ１３が、ＴＦＴ基板３内に配置しているため、ドライバＩＣ１３が邪魔することなく、複数の有機ＥＬ表示装置１ａを隙間なく配置することができる。そのため、複数の有機ＥＬ表示装置１ａの継ぎ目を目立たせることなく、容易にタイリングすることができる。
さらに、上記信号の入力にフォトダイオードアレイ１５を用いることで、上記信号を伝える配線をなくすことができる。そのため、配線の取り回しを考慮する必要がなくなり、複数の有機ＥＬ表示装置１ａを配列するのが容易となる。
【００３２】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、図１に示す有機ＥＬ装置１ａの製造方法について図４から図６を参照して説明する。
有機ＥＬ装置１ａの製造工程は、有機ＥＬ基製造工程（第１の工程）、ＴＦＴ基板製造工程（第２の工程）、ＴＦＴ基板および有機ＥＬ基板の貼り合わせ工程（第３の工程）、から概略構成されており、各工程を上述した順に行っている。なお、有機ＥＬ装置１ａの製造工程は、各工程を上述の順に行ってもよいが、各工程の順を適宜変更してもよいし、後述する各工程内の手順を適宜変更してもよい。
本実施の形態においては、ＳＵＦＴＬＡ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｒｅｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｂｙ Ｌａｓｅｒ Ａｂｌａｔｉｏｎ）（登録商標）の技術を用いてＴＦＴなどの転写を行っている。なお、ＴＦＴなどの転写に用いる技術として、他の公知の技術を採用してもよい。
【００３３】
（有機ＥＬ基板製造工程）
有機ＥＬ基板製造工程では、透明基板３０上に、有機ＥＬ素子３１と、絶縁膜３２と、陰極３３とを順に形成している。有機ＥＬ素子３１、絶縁膜３２、陰極３３は、従来公知の材料を用いて、公知の技術を用いて形成されるものであり、ここではその詳細な説明を省略する。
なお、有機ＥＬ基板製造工程は、後述するＴＦＴ基板製造工程を別個の工程であり、ＴＦＴ基板製造工程と平行して行うこともできる。
【００３４】
（ＴＦＴ基板製造工程）
ＴＦＴ基板製造工程は、ＴＦＴ製造工程と、ドライバＩＣ実装工程と、ＴＦＴ転写工程とから構成されている。以下これらの工程について説明する。
なお、ＴＦＴ製造工程はドライバＩＣ実装工程と別個の工程であるので、ドライバＩＣ実装工程と平行して行うこともできる。
【００３５】
（ＴＦＴ製造工程）
まず、図４（ａ）を参照し、基礎基板（形成基板）４０上にＴＦＴ１９を形成する工程について説明する。
この工程においては、図４（ａ）に示すように、まず基礎基板４０の上に剥離層４１を形成し、剥離層４１の上に複数のＴＦＴ１９を配列させて形成している。ＴＦＴ１９は、後の工程で所定のＴＦＴ１９を選択しやすいように、所定の間隔を開けて配列されている。
なお、ＴＦＴ１９の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略し、基礎基板４０と剥離層４１について詳述する。
基礎基板４０は、本工程においてＴＦＴ１９を形成するのに用いる部材であり、有機ＥＬ装置１の構成要素ではない。具体的には、１０００℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板が好ましいが、石英ガラスの他、ソーダガラス、コーニング７０５９、日本電気ガラスＯＡ−２等の耐熱性ガラス等も使用可能である。
【００３６】
剥離層４１は、レーザ光等の照射光により剥離層４１内またはその界面において剥離（「層内剥離」または「界面剥離」と表記する）が生ずるものである。剥離層４１の組成は、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）であり、この非晶質シリコン中に水素（Ｈ）が含有されている。水素が含有されていると、レーザ光の照射により、水素（気体）が発生することにより剥離層２に内圧が発生し、これにより層内剥離または界面剥離が促進される。水素の含有量は２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２ａｔ％〜２０ａｔ％であることがさらに好ましい。
なお、剥離層４１は、その作用が、レーザ光などの照射光により層内剥離または界面剥離を起こすものなので、上述した組成以外にも、光エネルギーによりアブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ）等を生じさせて、層内剥離または界面剥離を起こす材料でもよいし、光エネルギーにより含有成分を気化させて発生した気体により剥離を起こさせるものでもよいし、組成する材料自身が気化し、発生した気体により層内剥離または界面剥離を起こさせる材料でもよい。
例えば、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
【００３７】
剥離層４１の形成方法としては、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法を用いることができる。
なお、剥離層４１を他の材料から形成する場合には、均一な厚みで剥離層４１を形成可能な方法であればよく、剥離層４１の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等を用いることができる。さらに、これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。また、剥離層４１をゾル−ゲル（ｓｏｌ−ｇｅｌ）法によりセラミックを用いて成膜する場合や、有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
【００３８】
（ドライバＩＣ実装工程）
次に、図４（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）を参照し、配線基板１０上にドライバＩＣ１３、制御用ＬＳＩ１４およびフォトダイオードアレイ１５を形成する工程について説明する。
配線基板１０上には、図４（ｂ）に示すように、第２配線１２を形成した後に、ドライバＩＣ１３、制御用ＬＳＩ１４およびフォトダイオードアレイ１５を形成し、その後第２層間絶縁層１１ｂを形成する。
配線基板１０には、ドリルなどにより貫通孔を形成し、貫通孔に電源供給部１７が形成されている。第２配線１２は、電源供給部１７と制御用ＬＳＩ１４とが電気的に接続するように配線されている。
【００３９】
第２配線１２の形成方法としては、フォトリソグラフィ法等の公知技術が採用される。また、金属微粒子を溶剤に分散させた分散液を液滴吐出法（インクジェット法）を用いて配線基板１０上に形成してもよい。このような第２配線１２を構成する材料としては、低抵抗材料を採用するのが好ましく、ＡｌやＡｌ合金（Ａｌ・Ｃｕ合金等）を用いることが好ましい。
第２配線１２の上には、図４（ｃ）に示すように、ドライバＩＣ１３、制御用ＬＳＩ１４およびフォトダイオードアレイ１５が実装される。その後、ドライバＩＣ１３、制御用ＬＳＩ１４およびフォトダイオードアレイ１５を研削して、その厚みを略５０μｍとする。ドライバＩＣ１３、制御用ＬＳＩ１４およびフォトダイオードアレイ１５を研削することにより、その実装スペース、特に厚み方向のスペースを小さくすることができ、有機ＥＬ表示装置１の薄型化、小型化を図ることができる。
ドライバＩＣ１３などの実装後には、配線基板１０上の全面にアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などからなる第２層間絶縁層１１ｂを形成する。第２層間絶縁層１１ｂは、図４（ｄ）に示すように、平坦化型５０によりスタンピングされて、樹脂が硬化される。平坦化型５０には、凸部５１が形成されており、この凸部５１により、第２層間絶縁層１１ｂにはスルーホールが形成される。スルーホールは、第２層間絶縁層１１ｂを貫通し、その底面には第２配線１２が露出している。また、平坦化型５０の第２層間絶縁層１１ｂと対向する面は、高い平坦性を有するように形成されているため、スタンピングされた第２層間絶縁層１１ｂの上面も高い平坦性を有する。
なお、第２層間絶縁層１１ｂをスピンコート法等の液相法を用いることにより高精度な平坦性が得られた層間絶縁膜を形成し、マスクを介した露光やフォトリソグラフィ法によって第２層間絶縁層１１ｂにスルーホールを形成する。
【００４０】
（ＴＦＴ転写工程）
次に、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）を参照し、配線基板１０上にＴＦＴ１９を形成する工程について説明する。
この工程においては、配線基板１０の第２層間絶縁層１１ｂ上には、第１配線１８を形成した後に第１層間絶縁層１１ａが形成され、その後ＴＦＴ１９および基板間接続電極２０を形成する。
第２層間絶縁層１１ｂのスルーホールには、図５（ａ）に示すように、第２配線１２と第１配線１８とを接続する配線接続部２３が形成され、第１配線１８と第２配線１２とが電気的に接続される。その後、第１配線１８を第２層間絶縁層１１ｂ上に形成する。第１配線１８の形成方法としては、第２配線１２と同様に、フォトリソグラフィ法等が採用される。また、金属微粒子の分散液を液滴吐出法（インクジェット法）を用いて第２層間絶縁層１１ｂ上に形成してもよい。第１配線１８を構成する材料としては、低抵抗材料を採用するのが好ましく、ＡｌやＡｌ合金（Ａｌ・Ｃｕ合金等）を用いることが好ましい。
【００４１】
第２配線１２の形成後には、図５（ｂ）に示すように、第２層間絶縁層１１ｂ上の全面にアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などからなる第１層間絶縁層１１ａを形成する。第１層間絶縁層１１ａはスピンコート法等の液相法を用いることにより高精度な平坦性が得られた層間絶縁膜として形成することができる。さらに、マスクを介した露光やフォトリソグラフィ法によって第１層間絶縁層１１ａにＴＦＴ接続部２１および電極接続部２２を形成するための開口部を形成する。
【００４２】
次に、無電解メッキ法を用いて第１配線１８とＴＦＴ１９とを電気的に接続するＴＦＴ接続部２１を形成する。ＴＦＴ接続部２１は、いわゆるバンプである。
無電解メッキ法を用いた場合には、Ｎｉ−ＡｕバンプがＴＦＴ接続部２１として形成される。また、Ｎｉ−Ａｕバンプ上に、半田やＰｂフリー半田を、例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系等の半田をスクリーン印刷やディッピング等で形成してバンプとしてもよい。
【００４３】
次に、基板間接続電極２０を、公知の成膜方法を用いて形成する。例えば、気相法を用いる場合には、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等、半導体製造工程で用いられる種種の方法が挙げられる。
また、液相法を用いて基板間接続電極２０を形成してもよい。この場合、金属微粒子と溶媒とを混合させた分散液を材料液体として採用する。具体的な液相法としては、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレー法、ロールコート法、カーテンコート法、印刷法、液滴吐出法等が挙げられる。
【００４４】
次に、図５（ｂ）に示すように、上記の配線基板３と基礎基板４０とを貼り合わせて、ＴＦＴ１９を配線基板１０に転写する。
まず、ＴＦＴ１３とＴＦＴ接続部１４との間に異方性導電粒子（ＡＣＰ）を含有する導電性ペーストを塗布し、基礎基板４０と配線基板３とを貼り合わせる。
そして、導電性ペーストが塗布された部分のみを局所的に、かつ、基礎基板４０の裏面側（ＴＦＴ非形成面）から、レーザ光ＬＡを照射する。すると、剥離層４１の原子や分子の結合が弱まり、また、剥離層４１内の水素が分子化し、結晶の結合から分離され、即ち、ＴＦＴ１９と基礎基板４０との結合力が完全になくなり、レーザ光ＬＡが照射された部分のＴＦＴを容易に取り外すことが可能となる。
次に、図５（ｃ）に示すように、基礎基板４０と配線基板３とを引き離すことにより、基礎基板４０上からＴＦＴ１９が除去されるとともに、ＴＦＴ１９が配線基板３に転写される。なお、ＴＦＴ１９の端子は、ＴＦＴ接続部２１および導電性ペーストを介して、第１配線１８に接続されている。
【００４５】
（ＴＦＴ基板および有機ＥＬ基板の貼り合わせ工程）
次に、図６（ａ）、（ｂ）を参照し、上述のＴＦＴ基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合わせて、最終的に有機ＥＬ装置１ａを形成する工程について説明する。
まず、図６（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板３上に、基板間接続電極２０と有機ＥＬ素子３１とを電気的に接続する基板間導通部３４を形成する。基板間導通部３４は基板間接続電極２０上に形成される銀ペーストであり、基板間導通部３４の形成方法は、スクリーン印刷法等の公知の方法が用いられる。
【００４６】
そして、図６（ｂ）に示すように、有機ＥＬ基板４に対向する位置に上述の配線基板３を配置し、配線基板３および有機ＥＬ基板４を貼り合わせて押圧する。すると、基板間導通部３４の上面が陰極３３と接触し、基板間導通部３４が陰極３３に押し潰され、基板間接続電極２０と陰極３３とが基板間導通部３４を介して導通される。その結果、有機ＥＬ素子３１とＴＦＴ１９とが基板間導通部３４などを介して電気的に接続される。
【００４７】
この状態で、不活性ガス３５を配線基板３と有機ＥＬ基板４との間に封入し、図６（ｂ）に示すように、配線基板３および有機ＥＬ基板４の周囲を封止することで有機ＥＬ装置１ａが完成となる。
なお、不活性ガス３５の封入方法及び基板の封止方法としては、配線基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合せた後に不活性ガス３５を封入し、封止する方法と、不活性ガス雰囲気のチャンバ内において配線基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合せて、封止する方法とがある。
【００４８】
上記の製造方法によって製造された有機ＥＬ装置１ａは、有機ＥＬ基板４における配線基板３側から、順に陰極３３、有機ＥＬ素子、正孔注入／輸送層、陽極が配置された、透明基板３０側から発光光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ装置となる。
【００４９】
上述したように、ＴＦＴ基板製造工程において、ＴＦＴ１９と、ドライバＩＣ１３と、制御用ＬＳＩ１４とをＴＦＴ基板３に形成し、ＴＦＴ基板および有機ＥＬ基板の貼り合わせ工程において、ドライバＩＣ１３および制御用ＬＳＩ１４が有機ＥＬ基板４と対向するように、ＴＦＴ基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合わせている。
そのため、有機ＥＬ素子３１を制御する信号をまとめて有機ＥＬ表示装置１ａ内の制御用ＬＳＩ１４に入力し、そこからドライバＩＣ１３を介してＴＦＴ１９に分配することができる。つまり、有機ＥＬ表示装置１ａ内への信号の入力経路を少なくすることができ、そこから湿気を含んだ空気が侵入する恐れを少なくすることができるため、有機ＥＬ素子３１がダメージを受けにくくすることができる。
【００５０】
（電子機器）
次に、上述の有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器の例について説明する。図７は上述した実施形態に係る表示装置を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータ（情報処理装置）の構成を示す斜視図である。同図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、上述した有機ＥＬ表示装置を表示装置１１０６として備えた表示装置ユニットとから構成されている。このため、良好な発光特性を有する表示部を備えた電子機器を提供することができる。
【００５１】
なお、上述した例に加えて、他の例として、携帯電話、腕時計型電子機器、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、電子ペーパー、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本発明の電気光学装置は、こうした電子機器の表示部としても適用できる。
【００５２】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記の実施の形態においては、この発明を有機ＥＬ表示装置に適応して説明したが、この発明は有機ＥＬ表示装置に限られることなく、反射型の液晶表示装置など、その他各種の表示装置に適応できるものである。
また、上記の実施の形態においては、制御用ＬＳＩ１４をＴＦＴ基板３内に実装する構成に適応して説明したが、この制御用ＬＳＩ１４もＴＦＴ基板３内に実装する構成に限られることなく、制御用ＬＳＩ１４を有機ＥＬ表示装置１の外部に配置する構成など、その他各種の構成に適応することができるものである。
また、上記の実施の形態においては、外部からの信号の入力を面発光レーザアレイ１６を用いたものに適応して説明したが、この面発光レーザを用いたものに限られることなく、光ファイバを用いて入力するもの等、その他各種の入力形式に適応することができるものである。
また、上記の実施の形態においては、有機ＥＬ素子３１を発光させる電流の供給に配線基板１０に貫通孔を形成して設けた電源供給部１７を用いる構成に適応して説明したが、この電源供給部１７を用いる構成の他に、誘導コイルを用いて有機ＥＬ素子３１に電流を供給する構成に適応して説明してもよい。この構成によれば、配線基板１０に貫通孔を形成しなくてもよいため、有機ＥＬ素子３１がダメージを受ける可能性がさらに低くなる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明による有機ＥＬ装置の一実施形態を示す平面図である。
【図２】同、有機ＥＬ装置の部分分解斜視図である。
【図３】同、有機ＥＬ装置の要部断面図である。
【図４】同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図である。
【図５】同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図である。
【図６】同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図である。
【図７】本発明による電子機器の一実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・有機ＥＬ表示装置（大型エレクトロルミネッセンス表示装置）、  １ａ・・・有機ＥＬ表示装置（エレクトロルミネッセンス表示装置）、  ３・・・ＴＦＴ基板（薄膜トランジスタ基板）、  ４・・・有機ＥＬ基板（エレクトロルミネッセンス基板）、  １３・・・ドライバＩＣ（第１制御手段）、  １４・・・制御用ＬＳＩ（第２制御手段）、  １５・・・フォトダイオードアレイ（フォトダイオード）、  １９・・・ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）  ３１・・・有機ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）
【図１】
2005142054.tif 000003
【図２】
2005142054.tif 000004
【図３】
2005142054.tif 000005
【図４】
2005142054.tif 000006
【図５】
2005142054.tif 000007
【図６】
2005142054.tif 000008
【図７】
2005142054.tif 000009