(57)【要約】【課題】  透過度が高い発光装置を提供する。【解決手段】  基板２１と、基板２１の上表面に形成されるｎ型半導体層２２とＰ型半導体層２３の接合体構造と、ｎ型半導体層２２に形成されるｎ電極２４とを備える。Ｐ型半導体層２３の上には多数個の点状２５ａまたは網状２５ｂまたはハチの巣状２５ｃなどのいずれか一つの形態から構成されるオーム接触分布層２５と、前記オーム接触分布層２５に被せる透明導電層２６とを有する。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
基板の上表面に形成されるｎ型半導体層とＰ型半導体層との接合体構造と、
ｎ型半導体層に形成されるｎ電極とを備え、
前記Ｐ型半導体層の上には、多数個の点状または網状またはハチの巣状のいずれか一つの形態から構成されるオーム接触分布層と、
前記オーム接触分布層に被せる透明導電層とを有することを特徴とする透明導電層を有する発光装置。
【請求項２】
オーム接触分布層は、Ｐｂ、Ａｇ、ＰｂＡｇ合金、Ｒｈ、ＮｉＡｕ合金、ＮｉＯのいずれか一つの材料から構成されることを特徴とする請求項１に記載の透明導電層を有する発光装置。
【請求項３】
透明導電層は、ＩＴＯまたはＺｎＯ材料のいずれか一つから構成される請求項１に記載の透明導電層を有する発光装置。
【請求項４】
Ｐ型半導体層の一部分の上には、Ｐ電極が形成されることを特徴とする請求項１に記載の透明導電層を有する発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
点状、網状またはハチの巣状などのいずれか一つの状態から構成されるオーム接触分布層を有し、かつ点状または網状などのオーム接触分布層の上にＴＴＯまたはＺｎＯから構成される透明導電層を有する発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮなどのＧａＮ系III−Ｖ族化合物半導体は、青色発光ダイオードを形成する主要な材料である。発光装置は基板の上にｎ型ＧａＮ系化合物半導体層及びＰ型半導体層の接合体構造を有する。現今、Ｐ−ｎ接合型ＧａＮ系III−Ｖ族化合物半導体の発光装置は、製造上の制限があり、かつ化合物半導体層の最上層にＰ型化合物半導体層を有し、通常透明なサファイア基板（Sapphire Substrate）を発光装置の基板として使用するものである。しかし、サファイアは非絶縁性的なものであるため、Ｐ電極とｎ電極は別々のＰ型半導体層とｎ型半導体層に接続するように形成しなければならない。
【０００３】
図１と図２に示すように、特許文献１に開示されている日亜化学社の発光装置１０の構成は、基板１１にｎ型半導体層１２と、Ｐ型半導体層１３と、ｎ型半導体層１２に接続する第一電極１４と、Ｐ型半導体層１３に接続する第二電極１５を形成し、かつ第二電極１５を形成し、そのうちの第二電極１５がＮｉまたはＮｉＡｕの金属材料から構成され、Ｐ型半導体層１３と共にオーム接触を形成するものである。
【０００４】
【特許文献１】特許公告第４０３９４５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上述のオーム電極を有する発光装置１０は、オーム接触を達成するＮｉＡｕ二重金属でＰ型半導体層の電極を構成し、ほぼＰ型層の全面に被せることが可能であるが、このような装置は信頼度が低く、かつ半透明導電層であるため、透過度が５０％から８０％にしか達せず、発光輝度に影響を与える。従って上述の問題を改善することが本発明の課題である。
【０００６】
本発明の主な目的は、周知の発光装置の透過度が低いという欠点を改善することである。
本発明のもう一つの目的は、特殊な形体でオーム接触分布層を構成し、透明導電層を加え、両者の相互補助を達成することで、発光装置の導電度及び透過度を高めることである。
本発明のさらにもう一つの目的は、Indium Tin Oxide（ＩＴＯ） またはＺｎＯがＰ型半導体層の上に成長し透明導電層が形成されることで、透過度が９０％以上に達することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の目的を達成するために、本発明による透明導電層を有する発光装置は、基板と、基板の上表面に形成されるｎ型半導体層とＰ型半導体層の接合体構造と、ｎ型半導体層に形成されるｎ電極とを備え、その特徴はＰ型半導体層の上には多数個の点状または網状またはハチの巣状などのいずれか一つの形態から構成されるオーム接触分布層と、前記オーム接触分布層に被せる透明導電層とを有することである。
またそのうちのオーム接触分布層は、Ｐｂ、Ａｇ、ＰｂＡｇ合金、Ｒｈ、ＮｉＡｕ合金、ＮｉＯなどのいずれか一つの材料から構成される。
また透明導電層は、ＩＴＯまたはＺｎＯ材料のいずれか一つから構成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図３と図４に示すように、本発明の一実施例による発光装置２０は、下記のものを備える。
基板２１はサファイアなどの材質から構成される。
基板２１の上表面に形成されるｎ型ＧａＮ系III−Ｖ族化合物半導体２２は、その厚さが０．５μｍから１０μｍであり、かつｎ型半導体層２２の表面は、厚さが０．０１μｍから５μｍのＰ型半導体層２３から形成される。
Ｐ型半導体層２３とｎ型半導体層２２の表面層は部分的に腐食、除去され、ｎ型半導体層２２の表面は部分的に露出され、かつ露出された面にｎ電極２４が形成される。
【０００９】
Ｐ型半導体層２３の表面にはＰｂ、Ａｇ、ＰｂＡｇ合金、Ｒｈ、ＮｉＡｕ合金、ＮｉＯなどのいずれか一つの材料から構成されるオーム接触分布層２５を有し、かつオーム接触分布層２５は周知の方法のようにＮｉＡｕ二重金属をＰ型半導体層の全面に被せる半透明導電層ではなく、多数個の多数個の点状２５ａ、または図５に示すような網状２５ｂ、または図６に示すようなハチの巣状２５ｃなどのいずれか一つの形態から構成される。高い効率を図るために、Ｐ層の電流分布（Current Spreading）が重要な要素となる。通常発光装置の上に形成されるオーム接触（Ohmic Contact）は配線に使用されるため、電流が上から下へ流れ、Ｐ型半導体層を通って活性層に至ると光が発生する。しかしＰ型層の電気抵抗が非常に高い場合、電流が均質に分布することなく、大部分の電流が電極に集中し、そこで発生する光が金属に接触され、遮蔽され、上へ発光することができないため、殆ど基板に吸収されてしまう。
【００１０】
従って、本発明の実施例は、発光装置２０の電流分布の問題を解決するために、点状２５ａまたは網状２５ｂまたはハチの巣状２５ｃなどの形態から構成されるオーム接触分布層２５を使用することで、電流の分布を増進する。しかし、この構成だけで発光効率を十分に上げることができないために、本実施例はさらに前述のオーム接触分布層２５に透明導電層２６を被せることで、電流を均質に分布させる。そのうちの透明導電層２６はIndium Tin Oxide（ＩＴＯ） またはZnic Oxide（ＺｎＯ）材料のいずれか一つから構成され、かつスパッタリング（Sputtering）または蒸着（Evaporation）などの方法でＰ型半導体層２３の上に積層され、またＰ型半導体層２３の上の一部分にはＰ電極２７が形成される。そしてＩＴＯまたはＺｎＯの薄膜は導電性が高く、透過度が９０％以上を超えるものであるが、ＩＴＯ及びＺｎＯはＰ型半導体層２３との電気的接触を生じがたいといっても、点状２５ａまたは網状２５ｂまたはハチの巣状２５ｃなどの形態から構成されるオーム接触分布層２５の補助により、導電度及び透過度が前述の日亜化学社により掲示された全面的に被せるタイプの半透明導電層より実質効果を増進することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】周知の発光装置を示す平面図である。
【図２】図１の２−２線に沿う断面図である。
【図３】本発明の一実施例による発光装置を示す平面図である。
【図４】図３の４−４線に沿う断面図である。
【図５】本発明の他の実施例による発光装置を示す平面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施例による発光装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００１２】
２０  発光装置、２１  基板、２２  ｎ型半導体層、２３  Ｐ型半導体層、２４  ｎ電極、２５  オーム接触分布層、２５ａ  点状、２５ｂ  網状、２５ｃ  ハチの巣状、２６  透明導電層、２７  Ｐ電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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