(57)【要約】【課題】上表面に形成されているマスクを有しているリソグラフィックレチクルと一緒に使用されるようになっているレチクルバリヤシステムであって、ＥＵＶ光の吸収のような不都合な作用が生じることなく、マスクに乗る汚染の数を低減する、極紫外線に使用されるマスクバリヤシステム。【解決手段】レチクルの上表面に固定されているマスクバリヤを有しており、該マスクバリヤはマスクを取り囲んでおりかつレチクルの上表面に対して相対的な高さを有しており、かつ該マスクバリヤがペリクルを使用せずともマスクから汚染をブロックする。【選択図】図２Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクを有しているリソグラフィックレチクルとともに使用されるようになっているレチクルバリヤシステムであって、マスクはレチクルの上表面に形成されているという形式のものにおいて、
該レチクルの上表面に固定されているマスクバリヤを有しており、ここで該マスクバリヤはマスクを取り囲んでおりかつ該レチクルの上表面に対して相対的な高さを有しており、かつ
該マスクバリヤがペリクルを使用せずともマスクから汚染をブロックする
レチクルバリヤシステム。
【請求項２】
フランジがレチクルの上表面に対して相対的な高さでマスクバリヤから延びている
請求項１記載のレチクルバリヤシステム。
【請求項３】
前記フランジはマスクから離れる方向にかつマスクの平面に対して実質的に平行に延びている
請求項２記載のレチクルバリヤシステム。
【請求項４】
前記フランジはマスクから離れる方向にかつマスクの平面に対して実質的に垂直である、レチクルバリヤシステムの垂直部分に対して相対的に測定されて９０°より大きな角度で延びている
請求項２記載のレチクルバリヤシステム。
【請求項５】
レチクルバリヤシステムはアルミニウムである
請求項１記載のレチクルバリヤシステム。
【請求項６】
レチクルバリヤシステムはセラミックである
請求項１記載のレチクルバリヤシステム。
【請求項７】
更に、
複数のコンタクトバリヤを有しており、該コンタクトバリヤはそれぞれレチクルの上表面に対して相対的である高さを有しており、ここで該複数のコンタクトバリヤの個々のコンタクトバリヤはレチクルの上表面にレチクル上のコンタクトスポットとマスクとの間に固定されている
請求項１記載のレチクルバリヤシステム。
【請求項８】
マスクを有しているリソグラフィックレチクルとともに使用されるようになっているレチクルバリヤシステムであって、マスクはレチクルの上表面に形成されているという形式のものにおいて、
それぞれがレチクルの上表面に対して相対的な高さを有している複数のコンタクトバリヤを有しており、ここで該複数のコンタクトバリヤの個々のコンタクトバリヤはレチクルの上表面にレチクル上のコンタクトスポットとマスクとの間に固定されている
レチクルバリヤシステム。
【請求項９】
フランジがコンタクトバリヤからレチクルの上表面に対して相対的な高さで延びている
請求項８記載のレチクルバリヤシステム。
【請求項１０】
前記フランジはコンタクトバリヤに相応するコンタクトスポットの方向においてかつ実質的にマスクの平面に対して平行にマスクから離れていく
請求項８記載のレチクルバリヤシステム。
【請求項１１】
前記フランジはコンタクトバリヤに相応するコンタクトスポットの方向においてかつ実質的にマスクの平面に対して垂直方向であるコンタクトバリヤの垂直部分に対して相対的に測定して９０°より大きな角度でマスクから離れるように延びている
請求項８記載のレチクルバリヤシステム。
【請求項１２】
前記複数のコンタクトバリヤのうち１つのコンタクトバリヤはアルミニウムである
請求項８記載のレチクルバリヤシステム。
【請求項１３】
前記複数のコンタクトバリヤのうち１つのコンタクトバリヤはセラミックである
請求項８記載のレチクルバリヤシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィーに関し、かつ一層特定すれば、リソグラフィーに使用されるレチクルバリヤシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィーは、基板の表面にフィーチャーを生成するために使用されるプロセスである。この種の基板は、フラットパネルディスプレイ、回路板、種々の集積回路、および類似のものの製造に使用されるものを含んでいることができる。例えば半導体ウェハは集積回路を作製するために基板として使用することができる。
【０００３】
リソグラフィーの期間、基板上に所望のパターンを伝えるためにレチクルが使用される。レチクルは使用されるリソグラフィック波長を透過する材料、例えは可視光の場合にはガラスから形成されている。レチクルはその上にプリントされるイメージを有している。レチクルのサイズはそれが使用される固有のシステムに対して選択される。例えば、６インチ×６インチでかつ１／４インチ厚のレチクルを使用することができる。リソグラフィーの間、ウェハステージに配置されているウェハは、レチクルにプリントされたイメージに相応してウェハの表面に投影されるイメージにさらされる。
【０００４】
投影されたイメージが層の特性、例えばウェハの表面にデポジットされたホトレジストに変化を引き起こす。これらの変化は露光の期間にウェハに投影されたフィーチャーに相応している。露光に続いて、層をエッチングしてパターン化された層が生成されるようにすることができる。
【０００５】
パターンは露光の期間にウェハに投影されるこれらのフィーチャーに相応している。それからこのパターン化された層は、導電層、半導体層または絶縁層のような、ウェハ内の下方に位置するストラクチャ層の露光された部分を除去するために使用される。それからこのプロセスが、ウェハの表面に所望のフィーチャーが形成されるまで、他のステップと一緒に繰り返される。
【０００６】
上の説明から明らかであるように、リソグラフィーを通して生成されるフィーチャーの精確なロケーションおよびサイズは、ウェハ上に投影されるイメージの精度および正確さに直接関連している。
【０００７】
サブ１００ｎｍリソグラフィー位置精度の厳格さはリソグラフィーツールのみならず、レチクルにも要求される。レチクルにくっつく空中のパーチクルおよびダストがウェハに欠陥を引き起こす可能性がある。レチクル平面における小さなイメージ歪またはずれがクリチカルなディメンジョンに不都合に作用しかつオーバレイエラーを引き起こす可能性がある。従来の解決法は、パーチクルを保護するためにレチクルに対するペリクルとして永続的に固定される透明な材料の薄片を使用することである。
【０００８】
このペリクルはリソグラフィープロセスのすべてのステージの間、同じ場所に留まる。ペリクルはウェハに投影されるイメージの精度を維持する際に二重の役目を果たしている。まず、ペリクルはレチクルが微粒の汚染物と直接接触することがないようにする。レチクルに付いているパーチクルはイメージの歪および／または欠陥を引き起こす可能性がある。それ故に、パーチクルがレチクルにくっつくのを許すことは回避されなければならない。レチクルからのパーチクルの除去はレチクルにダメージを引き起こす可能性がある。というのは、このような除去にはレチクルとの直接的なコンタクトが含まれていることがあるからである。ペリクルが使用されるとき、パーチクルはレチクルよりむしろペリクルに定着することになる。従って、クリーンにされなければならないのはペリクルである。レチクルはクリーニングの期間にはペリクルそれ自体により保護されているので、レチクルではなくてペリクルをクリーニングする場合レチクルの完全さを脅かすおそれはずっと小さい。
【０００９】
ペリクルによって実現される第２の役目はペリクルのスタンドオフに関連している。露光の期間、集束面はレチクルにプリントされるイメージのロケーションに相応している。ペリクルを含んでいることによって、システム内の何らかのパーチクルがレチクルというよりむしろペリクルに付着することになる。ペリクルの高さ、ひいてはペリクルの表面とレチクルのパターン化された表面との間の距離のために、この種のパーチクルは集束面には存在してないことになる。ペリクルはパーチクルを集束面の外部に持ち上げるので、基板上に投影されるイメージがこの種のパーチクルを含んでいるという確率は著しく低減される。
【００１０】
上に述べたこの解決法は数多くの従来のリソグラフィー処理技術においてよく動作している。材料は透明なペリクルおよびレチクルを作製するために使用可能であるので、この種のシステムの使用は、例えば、光がレチクルおよびペリクルの両方を通過しなければならないシステムに好適である。
【００１１】
しかしペリクルを使用する手法は、極紫外線（extremeultraviolet＝ＥＵＶ）アプリケーションの使用に申し分なく適しているとは言えない。現在、ペリクルを作成するために使用することができる、ＥＵＶに対して十分透明である材料が存在していない。ＥＵＶリソグラフィーにおいて、ＥＵＶはレチクルを通過しないが、レチクルのイメージ側にされる。この技術は反射性リソグラフィーとして公知である。ペリクルが反射性リソグラフィープロセスにおいて使用されるべきであるならば、ＥＵＶは必然的にペリクルを２回通過することになり、一回はレチクルに向かう途中、それからレチクルで反射されて後再び。従って、ペリクルと関連した光損失の量はＥＵＶ処理技術よりゆうに２倍にはなる。
【００１２】
ペリクルが存在しない場合、汚染はマスクの表面に乗りかつＥＵＶアプリケーションにおいて生成されるウェハの品質を下げることになる。マスクに乗っかる可能性のある汚れの数を低減するために数多くの技術を使用することができる。特に、マスク周辺のクリーンな環境を保証するために著しい注意が払われなければならない。例えば、クリーンルーム環境および真空内の動作に加えて、マスク上の屑の定着を最小限にするためにレチクルを典型的にはマスクサイドに移動させるというような、汚染を最小限する別のステップが行われる。
【００１３】
そうしなければ、マスクに付着する可能性がある空中および室内真空汚染が存在している。特に、リソグラフィックデバイス内の搬送および位置決めのためにレチクルをホールドするために使用されるレチクル上のコンタクトスポットがマスク上に乗る可能性がある小さな汚染または屑を発生する。１つのタイプのコンタクトスポットは、レチクルを移動または位置決めするために、ロボットのアーム・エンド・エフェクターまたは類似のものによって物理的にタッチされる、レチクル上のいずれかの領域である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
要求されるのは、ＥＵＶ光の吸収のような不都合な作用効果を生じることなく、マスクに乗る汚染の数を低減する、極紫外線に使用されるマスクバリヤシステムである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この課題は本発明によれば、請求項１に記載の通り、マスクを有しているリソグラフィックレチクルとともに使用されるようになっているレチクルバリヤシステムであって、マスクはレチクルの上表面に形成されているという形式のものにおいて、該レチクルの上表面に固定されているマスクバリヤを有しており、ここで該マスクバリヤはマスクを取り囲んでおりかつ該レチクルの上表面に対して相対的な高さを有しており、かつ該マスクバリヤがペリクルを使用せずともマスクから汚染をブロックする、または請求項８に記載のように、マスクを有しているリソグラフィックレチクルとともに使用されるようになっているレチクルバリヤシステムであって、マスクはレチクルの上表面に形成されているという形式のものにおいて、それぞれがレチクルの上表面に対して相対的な高さを有している複数のコンタクトバリヤを有しており、ここで該複数のコンタクトバリヤの個々のコンタクトバリヤはレチクルの上表面にレチクル上のコンタクトスポットとマスクとの間に固定されていることによって解決される。
【発明の効果】
【００１６】
レチクルバリヤシステムの使用との関連において沢山の利点がある。まず、レチクルバリヤシステムはマスクの表面に乗っかる汚染の数を著しく低減し、かつそれ故にＥＵＶリソグラフィックシステムにおいて作製されるウェハの品質を大幅に高めることができる。第２に、ペリクルとは異なって、レチクルバリヤシステムはＥＵＶリソグラフィックシステムに使用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明は、極紫外線光を使用してリソグラフィックシステム内で汚染がマスクに乗っかるのを防止するレチクルバリヤシステムに向けられている。特に、１つのマスクバリヤとコンタクトバリヤセットとから成るレチクルバリヤシステムが設けられている。マスクバリヤがレチクルに形成されているマスクを取り囲んであおり、一方コンタクトバリヤはマスクとレチクル上のコンタクトスポットとの間に固定されている。バリヤはマスクに対して相対的な高さを有しており、かつ種々異なったジオメトリーが設定されている。まとめて、マスクおよびコンタクトバリヤが、ペリクルを使用せずにマスク表面に乗っかる汚染の数を低減する。択一的な実施形態において、レチクルバリヤシステムは１つのマスクバリヤだけを含んでいる。類似に、別の択一的な実施形態において、レチクルバリヤシステムはコンタクトスポットの周りのバリヤだけを含んでいる。
【００１８】
別の実施例、特徴、および発明の利点、並びに本発明の種々の実施例の構成および動作は添付図面を参照して以下に詳細に説明される。
【実施例】
【００１９】
次に本発明を図示の実施例に付き図面を用いて詳細に説明する。
【００２０】
図１Ａはペリクルを備えたマスクを有しているリソグラフィックレチクルの概略を示している。この種の配置構成は一般に、極紫外線（extreme ultraviolet＝ＥＵＶ）を使用しているアプリケーションとは異なっているリソグラフィックアプリケーションに使用されるものである。このシステムはレチクル１１０、マスク１２０、コンタクトスポット１３０のようなコンタクトスポットおよびペリクルフレーム１４０を含んでいる。更に、図１Ａで説明したシステムの断面図である図１Ｂに図示されているように、システムはペリクル１５０も含んでいる。上述したように、ペリクル１５０は汚染がマスク１２０の表面に乗るのを防いでいる。ペリクル１５０はペリクルフレーム１４０の全域にわたって延在している透明な膜である。上述したように、ＥＵＶリソグラフィーに使用されるならば、ペリクル１５０はＥＵＶ光の著しい吸収を引き起こしかつシステムパフォーマンスを低下させることになる。
【００２１】
図２Ａには、本発明の実施例による、マスクバリヤを備えているマスクを有しているリソグラフィックレチクルの概略が示されている。このシステムはレチクル２１０、マスク２２０、コンタクトスポット２３０のようなコンタクトスポットおよびマスクバリヤ２４０を含んでいる。図２Ｂは、図２Ａで説明したシステムの横断面図である。図２ＡのシステムはＥＵＶリソグラフィーシステムに使用することができる。図１Ａのシステムとは異なって、ペリクルフレーム１４０およびペリクル１５０は図２Ａのシステムには含まれていない。従って、いずれかの形のマスク保護なしだと、汚染がマスクの表面に至る遮るもののないパスを有することになる。この問題に対処するために、マスクバリヤ２４０がマスク２２０を取り囲みかつマスク表面に乗るおそれがある汚染の量を低減する。マスクバリヤ２４０はこの目標を、例えばコンタクトスポットに発生源があるかもしれない数多くの汚染の道筋をブロックすることによって達成する。
【００２２】
マスクバリヤ２４０は典型的には２ないし１０ｍｍの高さおよび数ミリメートルの幅にわたって延在していていることができる。マスクバリヤ２４０の固有の寸法は設計事項で、固有のアプリケーション、レチクルエリア内のクリアランスおよび環境コンパチビリティによって影響されることになる。
【００２３】
図２Ａにおいて、マスクバリヤ２４０は、アルミニウム、セラミック、ガラスまたは極紫外線にさらされても品質を落とすことがない、リソグラフィーシステムに適しているその他の材料から形成することができる。マスクバリヤ２４０は、リソグラフィックシステムに使用される両面テープを備えているレチクル表面に固定されるようにすることができる。テープは、マスクバリヤ２４０のエッジを越えてテープが拡がらないように、マスクバリヤ２４０の底面に位置決めされるべきである。
【００２４】
マスクバリヤ２４０の使用は、汚染物がマスクの表面に乗るのを防止するために、ペリクルの使用のような、従来の手段とは異なって行われるものである。レチクルのエリアにおけるＥＵＶリソグラフィックシステム内の汚染特性の検査によれば、汚染物は典型的には低いエネルギーを有しかつしばしば、レチクルを動かしかつ位置保持するために使用される、レチクル上のコンタクトスポットに発生源を有していることが多いことが示されている。マスクバリヤ２４０との衝突に基づいて、汚染の低いエネルギーが生じると、汚染はマスクバリヤ２４０にまたはマスクバリヤ２４０のベースに落ち着くことになる、更に、いくつかの汚染は、汚染をマスクバリヤ２４０に持っていく軌道でコンタクトスポットまたはレチクル上のその他のポイントから離れていく方向に移動するが、数多くの汚染は軌道を維持するエネルギーを持ち合わせずかつもう一度マスクバリヤ２４０によってブロックされることになる。こうして、マスクバリヤ２４０はすべてではないが、数多くの汚染がマスク２２０の表面に乗るのを防ぐようにする。にも拘わらず、マスクバリヤ２４０はマスクに乗っかる最高の確率を有している軌道を持つパーチクルをブロックするのに役立つものである。
【００２５】
図３Ａには、本発明の実施例によるコンタクトバリヤを備えたマスクを有しているリソグラフィックレチクルが略示されている。このシステムは次のものを含んでいる：レチクル３１０、マスク３２０、コンタクトスポット３３０のようなコンタクトスポット、コンタクトバリヤ３５０のようなコンタクトバリヤ。図３Ｂには図３Ａに示されているシステムの横断面が示されている。図２Ａおよび図３Ａに示されるシステム間の差異はバリヤのロケーションおよび数である。図２Ａにおいてマスクバリヤ２４０はマスクの周りの単一バリヤを形成している。一方図３Ａにおいて、コンタクトバリヤ３５０のようなコンタクトバリヤのセットがレチクルバリヤシステムを形成している。図２Ａのシステムと類似して、このレチクルバリヤシステムはＥＵＶリソグラフィックシステムに使用されることができる。図３Ａのシナリオでは、ペリクルはなくかつマスクバリヤはない。ここではコンタクトバリヤ３５０のようなコンタクトバリヤのセットが使用されている。コンタクトバリヤ３５０のようなコンタクトバリヤはマスク３２０と、コンタクトスポット３３０のような相応のコンタクトスポットとの間に固定されている。マスクバリヤ２４０の場合のように、コンタクトバリヤが数多くの汚染の軌道をブロックする。特に、コンタクトバリヤ３５０のようなコンタクトバリヤが、コンタクトスポット３３０のようなコンタクトスポットから発する汚染をブロックする。上述したように、汚染の大多数はコンタクトスポットから発するものである。それ故に、コンタクトバリヤのアレイは択一的な手段、および時々は、マスクの表面に乗る汚染の数を低減するためにマスクバリヤより一層効果的な手段を提供することができる。
【００２６】
コンタクトバリヤ３５０のようなコンタクトバリヤは典型的には、２ないし１０ｍｍの高さおよび数ミリメートルの幅を持っていることができる。コンタクトバリヤ３５０の固有の寸法は、固有のアプリケーションおよびレチクル内のクリアランスによって影響されることになる設計事項である。
【００２７】
コンタクトバリヤ３５０のようなコンタクトバリヤは、アルミニウム、セラミック、ガラスまたは極紫外線にさらされても品質を落とすことがない、リソグラフィックシステムに適しているその他の材料から成っていることができる。択一的に、ＥＵＶに対する露光が最小限になるようにコンタクトバリヤを構成することによって広範囲の材料を使用することができる。コンタクトバリヤ３５０はリソグラフィックシステムに使用される両面テープでレチクル表面に固定することができる。テープは、テープがコンタクトバリヤ３５０のエッジを越えて延在することがないように、コンタクトバリヤ３５０のようなコンタクトバリヤの下表面に配置されるべきである。バリヤを固定するための別の手法は当該技術分野のものには当然分かるはずである。マスクバリヤ２４０の場合のように、コンタクトバリヤ３５０のようなコンタクトバリヤ刃マスクの表面に乗る汚染の数を著しく低減することができる。
【００２８】
図４Ａには、本発明の実施例による、マスクおよびコンタクトバリヤを備えたマスクを有しているリソグラフィックレチクルの概略が示されている。このシステムは次のものを含んでいる：レチクル４１０、マスク４２０、コンタクトスポット４３０のようなコンタクトスポット、マスクバリヤ４４０およびコンタクトバリヤ４５０のようなコンタクトバリヤ。図４Ｂには図４Ａで示されているシステムの断面が略示されている。図４Ａ内で使用されるレチクルバリヤシステムは図２Ａで示されているマスクバリヤを図３Ａに示されているコンタクトバリヤと組み合わせる。マスクバリヤ４４０の物理的な特性および説明は、マスクバリヤ２４０に対するものと同じである。同様に、コンタクトバリヤ４５０の物理的な特性および説明は、コンタクトバリヤ３５０に対するものと同じである。マスクバリヤおよびコンタクトバリヤが組み合わされて成る、図４Ａに示されているレチクルバリヤシステムは、図２Ａおよび図３Ａに示されているレチクルバリヤシステム以上に、マスクに乗る汚染の数を相当低減するものである。
【００２９】
図２Ａ、図３Ａおよび図４Ａに示されているレチクルバリヤシステムは種々のジオメトリーを有していることができる。更に、レチクルバリヤシステムはレチクルに対称的に配置される必要はないが、パーチクル汚染を最小限にするいずれかの仕方でレチクルに分配されるようにすることができる。図５Ａ、図５Ｂおよび図５Ｃにはマスクまたはコンタクトバリヤに対する３つの異なった形が示されている。これらの形はすべての形を包括しているのではなく、可能な形態を例示しているにすぎない。ここの思想に基づいて、当業者で有ればその他の形を見つけることができるだろう。図５Ａは本発明の実施例のマスクまたはコンタクトバリヤの断面を略示している。図５Ａにおいて、マスクまたはコンタクトバリヤ５０５はレチクル５１０に固定されている。この実施例において、マスクまたはコンタクトバリヤ５０５は、レチクル５１０に対して実質的に垂直に延在している矩形の横断面を形成している。
【００３０】
図５Ｂにおいては、マスクまたはコンタクトバリヤ５１５はレチクル５２０に固定されている。この実施例において、マスクまたはコンタクトバリヤ５１５は、マスクまたはコンタクトバリヤ５１５からレチクル５２０の平面に対して実質的に平行である方向に延在しているフランジを持って、レチクル５２０に対して相対的である高さを有している。この形がマスクバリヤのために使用されるとき、フランジは典型的にはマスクから離れるように延在することになる。同様に、この形がコンタクトバリヤのために使用されるとき、フランジは典型的にはマスクから離れかつコンタクトスポットに向かって延在することになる。
【００３１】
図５Ｃにおいて、マスクまたはコンタクトバリヤ５２５はレチクル５３０に固定されている。この実施例において、マスクまたはコンタクトバリヤ５２５は、マスクまたはコンタクトバリヤ５２５の垂直方向の部分に対して相対的に測定して９０°より大きい角度でマスクまたはコンタクトバリヤから延びているフランジを持って、レチクル５３０に対して相対的である高さを有している。この形がマスクバリヤのために使用されるとき、フランジは典型的にはマスクから離れる方向に延在することになる。この形がコンタクトバリヤのために使用されるとき同様に、フランジは典型的にはマスクから離れかつコンタクトスポットに向かって延在することになる。
【００３２】
本発明の実施例を説明してきた。本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。これらの例はここでは例示の目的で示されたものであって、それに制限されるものではない。択一的なもの（ここに説明してきたものと等価なもの、拡張したもの、変形したもの、導き出されるものなども含まれている）は、ここに含まれている思想に基づいている当業者であれば自明に分かることである。このような択一的なものも本発明の範囲および精神内に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１Ａ】ペリクルを備えたマスクを有しているリソグラフィックレチクルの概略図
【図１Ｂ】図１Ａの横断面略図
【図２Ａ】本発明の実施例による、マスクバリヤを備えているマスクを有しているリソグラフィックレチクルの概略図
【図２Ｂ】図２Ａの横断面略図
【図３Ａ】本発明の実施例による、コンタクトバリヤを備えたマスクを有しているリソグラフィックシステムの概略図
【図３Ｂ】図３Ａの横断面略図
【図４Ａ】本発明の実施例による、マスクおよびコンタクトバリヤを備えたマスクを有しているリソグラフィックシステムの概略図
【図４Ｂ】図４Ａの横断面略図
【図５Ａ】本発明の実施例による、マスクまたはコンタクトバリヤの横断面略図
【図５Ｂ】本発明の実施例による、直角のフランジを有するマスクまたはコンタクトバリヤの横断面略図
【図５Ｃ】本発明の実施例による、傾斜付けられたフランジを有するマスクまたはコンタクトバリヤの横断面略図
【符号の説明】
【００３４】
２１０，３１０，４１０，５１０，５２０，５３０  レチクル
２２０，３２０，４２０  マスク
２３０，３３０  コンタクトスポット
２４０，４４０  マスクバリヤ
３５０，４５０  コンタクトバリヤ
５０５，５１５，５２５  マスクまたはコンタクトバリヤ
【図１Ａ】
2005049879.tif 000003
【図１Ｂ】
2005049879.tif 000004
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2005049879.tif 000008
【図４Ａ】
2005049879.tif 000009
【図４Ｂ】
2005049879.tif 000010
【図５Ａ】
2005049879.tif 000011
【図５Ｂ】
2005049879.tif 000012
【図５Ｃ】
2005049879.tif 000013