(57)【要約】【課題】  ピッチシミや点欠陥の発生が少ないデルタ配列フィルタに対応した配線パターンの形成方法、そのような形成方法で得られた配線パターンを備えた電気光学装置用基板、およびそのような電気光学装置用基板を利用した電気光学装置並びに電子機器を提供する。【解決手段】  画素電極において列方向で共用される導通ラインが、スイッチング素子を介して、複数画素に応じた各画素電極に対して電気接続されたデルタ配列フィルタに対応した配線パターンの形成方法等であって、スイッチング素子を形成する際の酸化用電極を、画素電極上に対応した位置であって、かつ、画素電極の行方向に実質的に沿って配置する工程と、酸化用電極に通電して、スイッチング素子における酸化膜を形成する工程と、酸化用電極を、エッチング処理する工程と、を含んで形成する。【選択図】  図８
2005121954.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極において列方向で共用される導通ラインが、スイッチング素子を介して、複数画素に応じた各画素電極に対して電気接続されたデルタ配列フィルタに対応した配線パターンの形成方法であって、
前記スイッチング素子を形成する際の酸化用電極を、前記画素電極上に対応した位置であって、かつ、当該画素電極の行方向に実質的に沿って配置する工程と、
前記酸化用電極に通電して、前記スイッチング素子における酸化膜を形成する工程と、
前記酸化用電極を、エッチング処理する工程と、
を含むことを特徴とする配線パターンの形成方法。
【請求項２】
前記スイッチング素子を二端子型非線形素子として形成することを特徴とする請求項１に記載の配線パターンの形成方法。
【請求項３】
前記導通ラインが、前記画素電極の周囲を取り囲むように、当該画素電極の行方向にも延設されており、当該行方向に延設された導通ラインと、前記酸化用電極とが、実質的に重ならないように配置することを特徴とする請求項１または２に記載の配線パターンの形成方法。
【請求項４】
前記酸化用電極を形成する際に、片側のみをエッチング処理して形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線パターンの形成方法。
【請求項５】
前記導通ラインを、列方向における画素電極の６行を１周期として形成する工程を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線パターンの形成方法。
【請求項６】
前記導通ラインを、前記画素電極の行方向に対し、２本の導通ラインとして、延設することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線パターンの形成方法。
【請求項７】
前記酸化用電極の線幅を、前記導通ラインの線幅よりも太くなるように形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線パターンの形成方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の配線パターンの形成方法により得られた配線パターンを備えることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項９】
請求項８に記載の配線パターンを備えた電気光学装置用基板を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置を含むことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デルタ配列フィルタに対応した配線パターンの形成方法、電気光学装置用基板、および電気光学装置、ならびに電子機器に関し、特に、いわゆるピッチシミの発生や点欠陥が少ないデルタ配列フィルタに対応した配線パターンの形成方法、それを備えた電気光学装置用基板、およびその電気光学装置用基板を利用した電気光学装置や電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、カラー液晶表示装置は、所定の配線パターンを備えた電気光学装置用基板と、カラーフィルタ等が形成された対向基板と、これら両基板との間に充填された液晶分子と、から構成されている。そして、かかる配線パターンにおいて、Ｒ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）を含む３原色の着色層に対応して形成された各画素電極は、スイッチング素子を介して走査線に電気接続されており、カラー液晶表示装置の高速応答や省電力化が図られている。
すなわち、かかるカラー液晶表示装置において、走査線を介して、ＴＦＤ素子に代表される薄膜ダイオード素子等のスイッチング素子に走査信号を印加すると、当該スイッチング素子が導通状態となり、さらに、データ線を介して画素電極に画像信号を印加すると、当該画素電極および対向電極の間の液晶分子に所定の電荷を蓄積することができる。したがって、電荷蓄積後、スイッチング素子をオフ状態としても、液晶分子の抵抗が十分に高ければ、電荷の蓄積が容易かつ長時間維持されるため、液晶分子の配向状態を、高速かつ省電力で制御することが可能となる。
この際、電荷の蓄積時間は、所定の短時間で済むため、各走査線およびデータ線を複数画素について共通化させるとともに、時分割して、各走査線およびデータ線を適宜選択して駆動するいわゆる時分割マルチプレックス駆動が可能となる。
【０００３】
ここで、このようなカラー液晶表示装置等のカラーフィルタにおける複数画素（ＲＧＢ）の配列として、図１〜図３に示される画素配列パターンが知られている。
例えば、図１に示される画素配列パターンは、ＲＧＢストライプ配列と呼ばれ、文字や直線などを表示するコンピュータ用ディスプレイに適している。しかしながら、他の画素配列と比較すると、実質的な解像度が低いという問題がある。
また、図２に示される画素配列パターンは、ＲＧＧＢモザイク配列と呼ばれ、視感度の高いＧの画素数をより多く有することを特徴としている。そのため、かかるＲＧＧＢモザイク配列は、一般に、解像度が高いと言われているものの、主観的評価においては、必ずしも解像度評価が高くないという問題がある。また、かかるＲＧＧＢモザイク配列では、相対的に、ＢおよびＲの画素数が少ないために、視認距離が短い場合に、表示される画像において、ざらつき感が目立つという欠点もある。
さらに、図３に示される画素配列パターンは、図２に示されるＲＧＧＢモザイク配列の変形例であって、ＲＧＢモザイク配列と呼ばれるものである。かかるＲＧＢモザイク配列においては、寄生容量との関係で、右上がりの斜線と、左上がりの斜線との間で、画像表示品位の差が生じるため、表示される画像全体に斜線状のノイズが現れやすく、特に、画素数が少ない場合に、それが顕著に現れるという問題がある。
【０００４】
そこで、図４に示されるＲＧＢデルタ配列と呼ばれる画素配列パターンを用いた液晶装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
かかるＲＧＢデルタ配列においては、ＲＧＢ画素に応じた各画素電極２３４が、各行毎に、概ね半ピッチずつシフトして配列されていることを特徴としている。したがって、水平解像度が、ＲＧＢモザイク配列の場合の約１．５倍であって、カラー液晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置等において、高精細化および高画質化を図る際に適した画素配列パターンであるとされている。
また、かかるＲＧＢデルタ配列と呼ばれる画素配列パターンを用いた液晶表示装置として、図５に示すように、画素電極２３４において、Ｙ方向（列方向）で共用される導通ライン２１Ｘが、ＲＧＢ画素に応じた各画素電極２３４にわたり、かつ、各画素電極２３４に対して略同一方向の側から結び付き、ＡＢＣＤの４行を１周期として形成した液晶表示装置も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−１９４６８１号  （特許請求の範囲、図１）
【特許文献２】特開２０００−１９４０１７号  （特許請求の範囲、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図４および図５に示されるＲＧＢデルタ配列に対応した、ピッチの狭い導通ライン２１Ｘを含む配線パターンを用いてカラー液晶表示装置等を構成し、時分割マルチプレックス駆動を実施した場合に、複数の画素間において濃度差が生じ、ピッチシミが発生したり、点欠陥が発生したりするという問題が見られた。より具体的に言えば、ピッチシミは、行方向（横方向）の画素間において発生するスイッチング素子の動作不良に起因した濃度むらであって、所定の画素ごとに定期的に発生することから、全体としてしみ模様に認識される表示不良現象である。また、点欠陥は、画素の一部が白ぬけし、点状に表示されない表示不良現象である。
そこで、本発明の発明者は、かかる問題を鋭意検討した結果、横方向のピッチシミや点欠陥の発生に関して、スイッチング素子を形成する際の酸化用電極の形成位置等が主に影響していることを見出し、かかる酸化用電極の形成位置および形成パターンを考慮するだけで、形成する配線パターンの形態を変えることなくカラー液晶表示装置等を構成した場合のピッチシミや点欠陥の発生を著しく低減できることを見出した。
すなわち、高精細化されたカラー液晶表示装置等において、時分割マルチプレックス駆動を実施した場合であっても、上述したピッチシミや点欠陥の発生が少ないデルタ配列フィルタに対応した配線パターンの形成方法、それを備えた電気光学装置用基板、およびそのような電気光学装置用基板を利用した電気光学装置や電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、画素電極において列方向で共用される導通ライン（データ線）が、スイッチング素子を介して、複数画素に応じた各画素電極に対して電気接続されたデルタ配列フィルタに対応した配線パターンの形成方法であって、
スイッチング素子を形成する際の酸化用電極を、画素電極上に対応した位置であって、かつ、画素電極の行方向に実質的に沿って配置する工程と、
酸化用電極に通電して、スイッチング素子における酸化膜を形成する工程と、
酸化用電極を、エッチング処理する工程と、
を含む配線パターンの形成方法が提供され、上述した問題を解決することができる。
【０００７】
また、本発明の配線パターンの形成方法を実施するにあたり、スイッチング素子を二端子型非線形素子、例えば、ＴＦＤ素子として形成することが好ましい。
【０００８】
また、本発明の配線パターンの形成方法を実施するにあたり、導通ラインが、画素電極の周囲を取り囲むように、当該画素電極の行方向にも延設されており、当該行方向に延設された導通ラインと、酸化用電極とを、実質的に重ならないように配置することが好ましい。
【０００９】
また、本発明の配線パターンの形成方法を実施するにあたり、酸化用電極を形成する際に、片側のみをエッチング処理して形成することが好ましい。
【００１０】
また、本発明の配線パターンの形成方法を実施するにあたり、導通ラインを、列方向における画素電極の６行を１周期として形成することが好ましい。
【００１１】
また、本発明の配線パターンの形成方法を実施するにあたり、導通ラインを、画素電極の行方向に対し、２本の導通ラインとして、延設することが好ましい。
【００１２】
また、本発明の配線パターンの形成方法を実施するにあたり、酸化用電極の線幅を、導通ラインの線幅よりも太く形成することが好ましい。
【００１３】
また、本発明の別の態様は、上述したいずれかの配線パターン配線パターンの形成方法により得られたデルタ配列フィルタに対応した配線パターンを備えた電気光学装置用基板である。
【００１４】
また、本発明のさらに別の態様は、デルタ配列フィルタに対応した配線パターンを備えた電気光学装置用基板を含む電気光学装置、あるいはかかる電気光学装置を含む電子機器である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を適宜参照して、本発明の配線パターンの形成方法、それを備えた電気光学装置用基板、電気光学装置、および、電子機器に関する実施形態について具体的に説明する。ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
【００１６】
[第１の実施形態]
第１の実施形態は、図６〜図８に例示するように、画素電極２０において列方向で共用される導通ライン（データ線）２１が、スイッチング素子３１（３１ａ、３１ｂ）を介して、複数画素に対応した各画素電極２０に対して電気接続されたデルタ配列フィルタ１８に対応した配線パターン１００の形成方法である。
そして、スイッチング素子３１を形成する際の酸化用電極２９を、画素電極２０上に対応した位置であって、かつ、画素電極２０の行方向に実質的に沿って配置する工程と、
酸化用電極２９に通電して、スイッチング素子３１における酸化膜２３を形成する工程と、
酸化用電極２９を、エッチング処理する工程と、
を含む配線パターン１００の形成方法である。
以下、デルタ配列フィルタに対応した配線パターンの形成方法について、スイッチング素子として、ＴＦＤ素子を備えた配線パターンを例にとって説明する。
なお、スイッチング素子として、ＴＦＤ素子を採用することにより、画素面積を比較的大きくできるとともに、形成の際の歩留まりを高めることができる。
【００１７】
（１）素子第１電極の形成
図６（ａ）〜図７（ｂ）に示すように、電気光学装置用基板におけるガラス基板２７上に、パターン化された第１の金属膜２４を形成する工程である。
この第１の金属膜２４は、タンタルやタンタル合金等を材料として構成されており、例えば、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法と、エッチング法等とを組み合わせて形成することができる。
まず、図６（ａ）に示すように、ガラス基板２７上に、全面的にタンタル等の第１の金属膜材料２４´をスパッタリング法等により積層し、図６（ｂ）に示すように、その上からレジスト材料２５を全面的に塗布する。次いで、図６（ｃ）に示すように、開口部２６ｂを有するフォトマスク２６を介して、例えば、開口部２６ｂに対応した位置のみに光を照射し、パターン露光した後、図６（ｄ）に示すように現像して、マスクの開口部２６ｂに対応した箇所のみにレジスト２５´を残す。
次いで、図７（ａ）に示すように、エッチング法により、レジスト２５´に被覆されていない箇所の第１の金属膜材料２４´を除去した後、さらに図７（ｂ）に示すように、レジスト２５´を除去して、パターン化された第１の金属膜２４を形成する。
【００１８】
なお、エッチングガスとしてＳＦ6等を用い、酸化用電極２９となる第１の金属膜材料２４´の片側のみをドライエッチングして第１の金属膜２４を形成できるように、第１の金属膜材料２４´を塗布することにより、データ線２１との交点が少なく済むために、電気光学装置等を構成した場合の点欠陥の発生を著しく低下させることができる。
また、第１の金属膜２４の厚さはＴＦＤ素子の用途等に対応して、適宜変更することができるが、通常、２０〜５００ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
さらに、図示しないが、第１の金属膜２４の形成前に、第２の電気光学装置用基板１４のガラス基板２７上に、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等からなる絶縁膜を形成することも好ましい。この理由は、第２の電気光学装置用基板１４のガラス基板２７と、第１の金属膜２４との間に、このように絶縁膜を形成することにより、ガラス基板２７に対する第１の金属膜２４の密着力を著しく向上させることができるとともに、ガラス基板２７から第１の金属膜２４への不純物の拡散を効率的に抑制することができるためである。
【００１９】
次いで、図７（ｃ）に示すように、第１の金属膜２４の表面を陽極酸化法によって酸化させることにより、酸化膜２３を形成することが好ましい。より具体的には、第１の金属膜２４が形成されたガラス基板２７を、クエン酸溶液等の電解液中に浸漬した後、かかる電解液と、第１の金属膜２４との間に所定電圧を印加して、第１の金属膜２４の表面を酸化させることが好ましい。
なお、陽極酸化法によって形成する酸化膜２３の厚さは、ＴＦＤ素子の用途等に対応して適宜変更することができるが、通常、１０〜５０ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
【００２０】
ここで、陽極酸化法により酸化膜２３を形成するにあたり、図８（ａ）に示すように、酸化用電極２９を、将来的に形成する画素電極（図示せず）上に対応した位置であって、かつ、画素電極の行方向に実質的に配置することを特徴とする。すなわち、図８（ｂ）に示すように、酸化用電極２９をエッチング等により除去し、さらに、図８（ｃ）に示すように、画素電極２０を形成した場合に、酸化用電極２９の形成位置と、画素電極２０の形成位置とが重なることが好ましい。
この理由は、酸化用電極２９をこのように配置することにより、一つの画素における酸化用電極のパターンや存在面積が等しくなり、その結果、陽極酸化法により均一な特性を示す酸化膜２３を形成することができるためである。また、酸化用電極２９をこのように配置することにより、その後形成する導通ライン２１との接触箇所の数が減少し、その結果、点欠陥の発生が特に低下するためである。さらには、通常、導通ライン２１の列方向からエッチング液を吹き付けて、当該導通ライン２１を形成することから、酸化用電極２９を所定位置に形成することにより、導通ライン２１を形成する際に、酸化用電極２９が損傷することも有効に防止することができるためである。
また、酸化用電極の線幅を、将来的に形成する導通ラインの線幅よりも太く形成することが好ましい。
この理由は、このように酸化用電極を介して陽極酸化させることにより、スイッチング素子における酸化膜を形成する際の特性のばらつきを、さらに小さくすることができるためである。
【００２１】
よって、図１１に示すように、画素電極２０において列方向で共用される導通ライン２１を、デルタ配列フィルタに対応した配線パターン１００として将来的に形成した場合、ＴＦＤ素子（図示せず）が安定して画素電極２０を動作させることができる。したがって、電気光学装置等におけるピッチシミの発生や点欠陥の発生を抑制することができる。
さらに、かかる導通ライン２１を、図１１に示すようなパターンとして将来的に形成することにより、隣接する導通ラインや、隣接する画素電極などの電位遷移による影響が低下するので、各画素電極における寄生容量を等しくすることもできる。
なお、導通ライン２１を含む配線パターン１００の詳細については、第２の実施形態において、詳細に説明する。
【００２２】
次いで、図９（ａ）に示すように、酸化膜２３が表面に形成された第１の金属膜２４につき、例えば、フォトリソグラフィ法やエッチング技術を用いてパターニングし、その一部を素子第１電極２４とすることが好ましい。
ここで、素子第１電極２４を形成するにあたり、第２の電気光学装置用基板１４における素子第１電極２４のいずれかの端部と、第１の電気光学装置用基板１２における第１の透明電極としての走査線１９とを鉛直方向に透視した場合に、それぞれが重ならないように配置することが好ましい。すなわち、第１の電気光学装置用基板１２における走査線１９については、通常どおり形成し、第２の電気光学装置用基板１４における素子第１電極２４の形成位置を考慮することが好ましい。
この理由は、図１０（ａ）に概略断面図を示すように、第１の電気光学装置用基板１２における走査線１９と、第２の電気光学装置用基板１４における素子第１電極２４の端部との間の距離をできるだけ離すことができるためである。したがって、第１の電気光学装置用基板１２と、第２の電気光学装置用基板１４とが、近接して対向配置された場合であっても、走査線１９と、素子第１電極２４との間で、リーク電流の発生を有効に防いで、優れた電気絶縁性を示すことができる。
【００２３】
（２）素子第２電極の形成
次いで、素子第１電極（第１の金属膜）２４上に、図９（ｂ）に示すように、第２の金属膜３０を積層し、二つの素子第２電極３０ａ、３０ｂを形成する。すなわち、スパッタリング法等により、素子第１電極２４上に、第２の金属膜材料３０´、例えば、クロム、アルミニウム、チタン、モリブデン等を、通常、５０〜３００ｎｍの厚さに全面的に形成した後、それをフォトリソグラフィ法やエッチング技術を用いて、パターニングすることにより、第２の金属膜３０が離間されて、二つのＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂが、対向した形で形成される。
【００２４】
ここで、図１０（ａ）および（ｂ）に示すように、第１のＴＦＤ素子３１ａにおいては、データ線（導通ライン）２１と、素子第２電極３０ａとが電気接続され、素子第２電極３０ａと、酸化膜２３と、素子第１電極（第１の金属膜）２４とからなる構成、すなわち、金属と、絶縁体と、金属とのサンドイッチ構造を採るため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を有することになる。一方、第２のＴＦＤ素子３１ｂは、画素電極２０と、素子第１電極（第１の金属膜）２４とが電気接続され、素子第１電極（第１の金属膜）２４と、酸化膜２３と、素子第２電極３０ｂとの構成となっており、第１のＴＦＤ素子３１ａとは、反対のダイオードスイッチング特性を有することになる。
したがって、第１のＴＦＤ素子３１ａおよび第２のＴＦＤ素子３１ｂは、２つのダイオードを互いに逆向きに直列接続した形となっているため、１つのＴＦＤ素子を用いた場合と比較して、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化されることになる。すなわち、液晶分子等の劣化を防止するために交流駆動を実施した場合にも、ダイオード特性を発揮することができ、さらには、画像表示におけるフリッカー対策のために、隣接する行の極性を反転する際にも、ダイオード特性を発揮することができる。
なお、データ線（導通ライン）２１についても、第２の金属膜材料３０´と同一材料、例えば、クロムから構成することにより、第２の金属膜３０と同時に形成することができる。
【００２５】
（３）画素電極の形成
次いで、スパッタリング法等により、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物等）等の透明導電体材料からなる導電層を全面的に形成した後、フォトリソグラフィ法やエッチング技術を用いてパターニングすることにより、図９（ｃ）に示すように、第２の透明電極としての画素電極２０を形成することが好ましい。
なお、この画素電極２０の厚さを、通常、３０〜２００ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
【００２６】
上述したこのようなプロセスにより、図１０（ａ）〜（ｂ）に示すように、第２の電気光学装置用基板１４上に、第１のＴＦＤ素子３１ａと、第２のＴＦＤ素子３１ｂとが対向するように形成され、画素電極２０とともに、データ線２１を含む配線パターン１００が、デルタ配列フィルタ１８に対応した形態で形成されることになる。
したがって、図４およびその拡大図である図１１に示すように、データ線２１に接続される画素電極２０の周辺は、データ線２１自身により囲まれるので、両側において、スペースＳ１をたもって隣接するデータ線２１による容量的な結合の影響が排除されることになる。すなわち、自身のデータ線２１と、それに対応した画素電極２０との間の結合だけが問題となる。よって、図１１に示すように、Ｌ１〜Ｌ６行に位置する画素電極における寄生容量は互いに均等になるため、表示画像の均一化を図ることが可能となる。
そして、後述するように、このようにして形成された第１のＴＦＤ素子３１ａと、第２のＴＦＤ素子３１ｂとを含む配線パターン１００を備えた電気光学装置用基板を用いて液晶表示装置等を構成した場合、第１のＴＦＤ素子３１ａおよび第２のＴＦＤ素子３１ｂの動作不良を生じることが少ないことから、ピッチシミの発生や点欠陥の発生を有効に防止することができる。
【００２７】
なお、図１２に示す酸化用電極２９の配線パターンは、将来的に形成する列方向のデータ線２１に沿った箇所に、酸化用電極２９を一部設けた例であるが、エッチング処理の際の、データ線２１のスリット切れを防止するのに効果的である。すなわち、データ線２１をエッチング処理する際に、行方向（横方向）からエッチング液を吹き付けることが多いが、その場合、酸化用電極２９の一部がデータ線２１に沿って設けてあることにより、その部分の酸化用電極２９を残した場合はもちろんのこと、削除してしまう場合であっても、データ線２１の過度のエッチングを防止することができる。
一方、図１３に示す酸化用電極２９´の配線パターンは、将来的に形成する画素電極（図示せず）上に対応した位置ではなく、１つの酸化用電極２９´の配線パターンが、複数のデータ線にまたがって配置されているために、ピッチしみが発生しやすい配線パターンであって、本発明の比較例に該当する例である。
【００２８】
また、図１４に示す酸化用電極２９´の配線パターンは、将来的に形成する画素電極（図示せず）上に対応した位置には配置してあるものの、画素電極の行方向に実質的に沿って配置しておらず、さらには、将来的にデータ線２１´を形成した場合に、交点が多いために、データ線２１´のエッチング時に損傷しやすい配線パターンであって、本発明の比較例に該当する例である。
さらに、図１５および図１６に示す酸化用電極２９´の配線パターンは、それぞれ将来的に形成する画素電極（図示せず）上に対応した位置には配置してあるものの、画素電極の行方向に実質的に沿って配置しておらず、さらには、将来的にデータ線２１´を形成した場合に、交点が多いために、点欠陥の発生が多くて、本発明の比較例に該当する例である。
【００２９】
[第２の実施形態]
第２の実施形態は、図１０（ａ）〜（ｂ）に示すように、第１実施形態の配線パターンの形成方法により得られた配線パターン１００を、ガラスやプラスチックなどから構成される基板２７上に備えた電気光学装置用基板１４の一例である。
すなわち、第２の実施形態は、基板２７上に、第１のＴＦＤ素子３１ａと、第２のＴＦＤ素子３１ｂとが対向するように形成され、図１１に示すように、画素電極２０とともに、データ線２１を含む配線パターン１００が、デルタ配列フィルタ１８に対応した形態で形成された電気光学装置用基板１４である。
なお、図１０（ａ）〜（ｂ）に示す第１のＴＦＤ素子３１ａと、第２のＴＦＤ素子３１ｂの構成や動作等については、第１実施形態において既に説明したので、ここでの詳細な説明は省略するものとし、配線パターン１００と、各色に対応した画素電極２０との関係を中心に説明する。
【００３０】
まず、図１１を参照して、この電気光学装置用基板１４におけるデータ線２１や結合線２１１を含む配線パターン１００と、各色に対応した画素電極２０との関係を示す。かかる配線パターン１００の一部としてのデータ線２１は、ＲＧＢの３色に対応する各画素電極２０に共用されている一方、各画素電極２０は、すべて右側に配線されたデータ線２１にのみ、結合線２１１を介して容量的に結合している。より具体的には、データ線２１は、図１１においてＬ１行に位置するＲの画素電極２０からＬ３行に位置するＢの画素電極まで、列方向に沿って下左方向に進んだ後、Ｌ６行に位置するＧの画素電極まで、列方向に沿って下右方向に進んでいる。すなわち、データ線２１は、このようにＬ１〜Ｌ６行にわたる、列方向の６個の画素電極を１周期とする折返しパターンにて延在しており、マクロ的にみて、一列として各画素電極において共用されている。
したがって、時分割マルチプレックス駆動をした場合、以下のような効果を発揮することができる。
【００３１】
すなわち、ある行、例えばＬ１行が選択されて、あるデータ線２１にデータ信号が供給された後に、次のＬ２行が選択された場合において、そのデータ信号の極性が同じであれば、そのデータ線２１に接続されたＬ２行の画素についての電位遷移量は、そのデータ線に接続されたＬ１行の画素からみて小さいため、そのＬ１行の画素の濃度変動が比較的小さくなる。一方、同じ場合において、そのデータ信号の極性が反転していれば、そのデータ線２１に接続されたＬ２行の画素についての電位遷移量は、そのデータ線２１に接続されたＬ１行の画素からみて大きいため、そのＬ１行の画素における表示上の濃度変動が比較的大きくなる。
したがって、ある画素について見れば、自己の画素のために供給されたデータ信号を書き込んだ後に、次行の画素のために供給されたデータ信号の極性が同一であれば、濃度変動が小さくなる一方、データ信号の極性が反転していれば、濃度変動が大きくなることを意味する。
【００３２】
よって、本発明の場合、Ｌ１〜Ｌ６行にわたって、データ信号の極性の同一性が比較的保持されるため、画素間における表示上の濃度変動が小さくなって、ピッチムラの発生を抑制することができる。
なお、隣接する画素同士で容量結合している場合について説明したが、実際には、画素電極と、その画素電極に接続されないデータ線であって、当該画素電極に沿って配置されたデータ線との間においても容量結合が発生する場合があるが、本発明の場合、データ信号の極性の同一性が比較的保持されるため、表示上の濃度変動が小さくなって、同様に、ピッチムラの発生を抑制することができる。
【００３３】
また、この電気光学装置用基板１４の例では、列方向の６行周期でのデータ線による共用としてあるが、このように６行周期とすることにより、カラー表示が、通常、ＲＧＢの３原色で行われることとの関係上、６行が３の倍数に該当するため、導通ラインが左右に位置ずれすることを少なくすることができる。
ただし、列方向の２行周期でのデータ線による共用でっても、ＴＦＤ素子が動作不良を生じることが少ないことから、ピッチシミの発生や点欠陥の発生を有効に防止することができる。
【００３４】
また、第２実施形態の配線パターンを備えた電気光学装置用基板では、画素電極に沿って配置されたデータ線に対する当該画素電極の寄生容量が行毎に変動するという問題が生じやすい。すなわち、図８（ｃ）に示すように、対向するデータ線が、「コの字」状に周囲を囲む場合には、その寄生容量が大きくなる一方、直線状のデータ線だけが隣接する場合には、その寄生容量が小さくなる。そして、図示しないものの、対向するデータ線が「Ｌ」の字状に囲む場合には、その寄生容量は中間的な値となる。
特に、スイッチング素子として、ＴＦＤ素子に代表される薄膜ダイオードなどの二端子型非線形素子を用いる場合に、この寄生容量の問題が顕著となる。この理由は、ＴＦＴに代表される三端子型非線形素子では、画素電極の寄生容量を無視できる程度に十分な保持容量を、液晶層と並列に形成することが比較的容易であるのに対し、二端子型非線形素子では、そのような保持容量を形成するのが困難であるため、各画素電極における寄生容量の差が直接的に、画質の不均一となって現れる場合があるためである。
【００３５】
そこで、図８（ｃ）に示すように、共用される画素電極２０の周辺を、データ線２１に対して、行方向、すなわち、図面上、横方向に接続された別のデータ線２１ａによって囲むとともに、画素電極２０に対して、二つのＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂを介して、データ線２１を接続してあることが好ましい。
なお、データ線２１と、その横方向に接続された別のデータ線２１ａとは、データ線の配置方向、すなわち、図面上、縦方向のデータ線と、横方向のデータ線とで区別することができる。
【００３６】
さらに、第２実施形態の配線パターンを備えた電気光学装置用基板では、短絡や開口率の問題点を容易に解決できることを説明する。
すなわち、図８（ｃ）は、その１画素分のレイアウトを示す平面図であるが、列方向において、互いに隣接する画素電極２０の間には、データ線を１本配線することが好ましい。この理由は、データ線が実質的に１本配線されるだけなので、パターニング工程での短絡の可能性が低下する一方、画素間隔が維持された状態で画素電極２０の面積を拡大するので、結果として、開口率を高めることができる。
【００３７】
また、上下方向にそれぞれ位置する２本のデータ線については、図８（ｃ）に示すように、一部の領域を削除することが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、画素電極２３４を囲むラインの太さの影響を排除して、行毎の寄生容量の違いを補償するためである。すなわち、電気光学装置用基板が、このような構成の配線パターンを備えることにより、各行に位置する画素電極２０は、等しく同じ太さのラインで三辺を囲まれるとともに、残り一辺のみが隣接するデータ線と容量的に結合することより、寄生容量が互いに均等になる。
【００３８】
[第３実施形態]
第３実施形態は、第２実施形態の電気光学装置用基板を備えた電気光学装置の一例である。以下、図１７および図１８に例示される液晶表示装置２００を例にとって、電気光学装置を説明する。図１７は、対向する第１の電気光学装置用基板（カラーフィルタ基板）１２および第２の電気光学装置用基板（対向基板）１４を含む、電子光学装置としての液晶表示装置２００の斜視図を示しており、図１８は、図１７に示される液晶表示装置２００の断面概略図を示している。
【００３９】
すなわち、第１の電気光学装置用基板２２９は、基板としての第１のガラス基板１３と、着色層１６を含むカラーフィルタと、第１の透明電極（走査線）１９と、を主として備えている。また、第２の電気光学装置用基板１４は、第２のガラス基板２７と、外部端子としての電気配線２１´と、第２の透明電極（データ線）２１と、を主として備えており、かつ、第２の電気光学装置用基板１４は、第２実施形態の所定の配線パターン１００を備えている。
【００４０】
１．液晶パネルの基本構造
まず、図１７および図１８を参照して、本発明の第１実施形態の電気光学装置用基板を用いた電気光学装置の基本構造、すなわち、セル構造や配線、あるいは位相差板および偏光板について具体的に説明する。また、図１７および図１８に示される電気光学装置用基板を含む液晶パネル２００は、二端子型非線形素子としてのＴＦＤ素子３１を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネル２００であって、図示しないもののバックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを、必要に応じて、適宜取付けることが好ましい。
【００４１】
（１）セル構造
図１７および図１８に示すように、液晶パネル２００は、上側に配置されたガラス板や合成樹脂板等からなる透明な第１のガラス基板１３を基体とする第１の電気光学装置用基板（カラーフィルタ基板）１２と、これに対向配置されて、下側に配置された第２のガラス基板２７を基体とする第２の電気光学装置用基板（対向基板）１４とが、接着剤等のシール材２３０を介して貼り合わせられて構成されている。そして、カラーフィルタ基板１２と、対向基板１４とが形成する空間であって、シール材２３０の内側部分に対して、開口部２３０ａを介して液晶材料を注入した後、封止材２３１にて封止されてなるセル構造を備えていることが好ましい。
なお、液晶材料の種類に関して、電圧非印加状態で白表示を示すいわゆるノーマリーホワイトモードに適した液晶材料であることが好ましいが、電圧非印加状態で黒表示となるノーマリーブラックモードに適した液晶材料であっても良い。
【００４２】
（２）配線パターン
図１７および図１８に示すように、カラーフィルタ基板１２においては、第１のガラス基板１３の内面上に、ストライプ状に配置した第１の透明電極（走査線）１９を形成するとともに、対向基板１４における第２のガラス基板２７の内面上にも、ストライプ状列からなる第２の透明電極（データ線）２１を、スイッチング素子を備えて形成することが好ましい。
そして、第１の透明電極１９と、第２の透明電極２１とは、鉛直方向に透視した場合に、マトリクスを構成し、相互に直交しているため、その交差領域が多数の画素２７１を構成し、これら多数の画素２７１のデルタ配列が、全体として液晶表示領域Ａを構成することになる。
また、図１９に、二種類のドライバＩＣ５５、５６、５７およびＴＦＤ素子３１を用いたアクティブマトリクス配線の具体的な配線パターンを示す。すなわち、上下方向に対向する基板において、それぞれＹ方向（列方向）に延在する複数のデータ配線２１と、Ｘ方向（行方向）に延在する複数の走査線１９と、が配置されており、各データ配線２１および走査線１９の交差部分において、各画素５０が構成されている。また、各画素５０において、画素電極を含む液晶表示要素５１と、ＴＦＤ素子３１とが直列接続されており、二つの第１および第２のＹドライバＩＣ５５、５６と、一つのＸドライバＩＣ５７により駆動されている。
【００４３】
また、図１８に示すように、第２のガラス基板２７は、第１のガラス基板１３の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部１４Ｔを有しており、この基板張出部１４Ｔ上には、データ線２１に連なる電気配線２１´および、独立して形成された複数の配線パターンからなる入力端子部２１９が形成されていることが好ましい。
また、基板張出部１４Ｔ上には、これらデータ線２１や電気配線２１´および入力端子部２１９に対して電気接続され、駆動できるように、液晶駆動回路等を内蔵した半導体ＩＣ２６１が実装されていることが好ましい。
さらに、基板張出部１４Ｔの端部には、入力端子部２１９の一部に対して電気接続されるように、フレキシブル配線基板１１０が実装されていることが好ましい。
【００４４】
（３）位相差板および偏光板
図１７および図１８に示される液晶パネル２００において、鮮明な画像表示が認識できるように、カラーフィルタ基板１２および対向基板１４の所定位置に、位相差板（１／４波長板）２５０および偏光板２５１がそれぞれ配置されていることが好ましい。
【００４５】
２．カラーフィルタ基板（第１の電気光学装置用基板）
カラーフィルタ基板１２は、図１８に示すように、基本的に、ガラス基板１３と、着色層１６と、反射層２２６と、平坦化層２１５と、第１の透明電極１９と、配向膜２１７と、から構成してあることが好ましい。
すなわち、カラーフィルタ基板１２において、画素毎に、遮光層２１４を含む３種類の着色層１６が形成され、その上をアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明樹脂からなる平坦化層（表面保護層、オーバーコート層）２１５により、被覆してあることが好ましい。したがって、この着色層１６と、遮光層２１４と、平坦化層２１５とによってカラーフィルタが形成されることになる。
なお、図１８に示す例では、着色層１６が第１のガラス基板１３上に設けてあるが、かかる着色層１６を、対向基板１４における第２のガラス基板２７上に設けることも好ましい。
【００４６】
また、図１８に示す着色層１６は、既に説明したように、デルタ配列を採用しており、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈している。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
また、通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって不要部分を除去することによって、所定のデルタ配列パターンを有する着色層を形成することが好ましい。
【００４７】
また、図１８に示すように、平坦化層２１５の上に、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる第１の透明電極（走査線）１９を形成することが好ましい。かかる第１の透明電極１９は、並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。
また、アクティブマトリクス配線においては、かかる第１の透明電極１９が、走査線を構成することになる。
【００４８】
さらに、また、図１８に示すように、第１の透明電極１９上には、ポリイミド樹脂等からなる配向膜２１７が形成されていることが好ましい。
この理由は、このように配向膜２１７を設けることにより、カラーフィルタ基板１２を液晶表示装置等に使用した場合に、電気光学材料（液晶材料）の配向駆動を電圧印加によって容易に実施することができるためである。
【００４９】
３．対向基板（第２の電気光学装置用基板）
また、図１８に示すように、カラーフィルタ基板１２と対向するもう一方の対向基板（第２の電気光学装置用基板）１４は、ガラス等からなる第２のガラス基板２７上に、データ線２１と、二端子型非線形素子および画素電極（図示せず）と、配向膜２１７と、を順次積層させたものであることが好ましい。すなわち、第２の電気光学装置用基板１４には、上述したように、配線パターン１００の一部として、二端子型非線形素子および画素電極を含む所定のデータ線（信号線）２１を設けることが好ましい。
なお、スイッチング素子としては、上述したように、二端子型非線形素子としてのＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂを使用することが好ましいが、図２０にその配線例を示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子のような三端子型非線形素子を使用することもできる。
【００５０】
[第４実施形態]
第４実施形態は、第３実施形態の電気光学装置を用いた電子機器である。
【００５１】
（１）電子機器の概要
図２１は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機器は、液晶パネル２００と、これを制御するための制御手段１２００とを有している。また、液晶パネル２００を、パネル構造体２００Ａと、半導体ＩＣ等で構成される駆動回路２００Ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段１２００は、表示情報出力源１２１０と、表示処理回路１２２０と、電源回路１２３０と、タイミングジェネレータ１２４０とを有することが好ましい。
また、表示情報出力源１２１０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１２４０によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１２２０に供給するように構成されていることが好ましい。
また、表示情報処理回路１２２０は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２００Ｂへ供給することが好ましい。さらに、駆動回路２００Ｂは、走査線駆動回路、データ線駆動回路および検査回路を含むことが好ましい。また、電源回路１２３０は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
【００５２】
（２）電子機器
本発明に係る電気光学装置としての液晶表示装置を適用可能な電子機器としては、パーソナルコンピュータや、携帯電話機のほかにも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器などが挙げられる。
さらに、本発明の電気光学装置および電子機器は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
また、電子機器に適用される電気光学装置としての液晶表示装置は、いわゆるＣＯＧタイプの実装構造であってもよく、さらには、液晶表示装置にフレキシブル配線基板やＴＡＢ基板を接続するように構成されたものであっても構わない。
また、電子機器に適用される電気光学装置として、液晶表示装置に適用した場合について説明したが、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置  （Field Emission Display 及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター、デジタルマイクロミラーデバイス(ＤＭＤ)を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
以上、説明したように、本発明の配線パターンの形成方法等によれば、酸化用電極を画素電極上の所定位置に形成した上で、酸化用電極に通電して、スイッチング素子における酸化膜を形成することにより、ＲＧＢデルタ配列フィルタに対応した所定の配線パターンを備えた電気光学装置用基板が得られ、それを用いた電気光学装置や電子機器において、カラー画像表示の際のピッチシミ（横ピッチシミ）や点欠陥の発生を著しく低下できるようになった。
よって、本発明の配線パターンの形成方法等は、高精細化・高画質化されたデルタ配列フィルタを備えたカラー液晶表示装置等に適した電気光学装置用基板の製造において、好適に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】ＲＧＢストライプ配列を説明するために供する図である。
【図２】ＲＧＧＢストライプ配列を説明するために供する図である。
【図３】ＲＧＢモザイク配列を説明するために供する図である。
【図４】ＲＧＢデルタ配列と、導通ラインとの関係を説明するために供する図である。
【図５】従来のＲＧＢデルタ配列を説明するために供する図である。
【図６】第１実施形態に係る配線パターンの製造方法を説明するために供する図である（その１）。
【図７】第１実施形態に係る配線パターンの製造方法を説明するために供する図である（その２）。
【図８】第１実施形態に係る配線パターンの製造方法における酸化用電極の配置パターンを説明するために供する図である。
【図９】第１実施形態に係る配線パターンの製造方法を説明するために供する図である（その３）。
【図１０】ＴＦＤ素子を説明するために供する図である。
【図１１】ＲＧＢデルタ配列と、導通ラインとの関係を説明するために供する拡大図である。
【図１２】第１実施形態に係る配線パターンの製造方法における酸化用電極の別の配置パターンを説明するために供する図である。
【図１３】比較例に該当する配線パターンの製造方法における酸化用電極の配置パターンを説明するために供する図である（その１）。
【図１４】比較例に該当する別の配線パターンの製造方法における酸化用電極の配置パターンを説明するために供する図である（その２）。
【図１５】比較例に該当する別の配線パターンの製造方法における酸化用電極の配置パターンを説明するために供する図である（その３）。
【図１６】比較例に該当する別の配線パターンの製造方法における酸化用電極の配置パターンを説明するために供する図である（その４）。
【図１７】第３実施形態に係る電気光学装置（液晶装置）を説明するために供する斜視図である。
【図１８】第３実施形態に係る電気光学装置（液晶装置）を説明するために供する概略断面図である。
【図１９】ＴＦＤ素子における回路例を説明するために供する概略図である。
【図２０】ＴＦＴ素子における回路例を説明するために供する概略図である。
【図２１】電子機器の実施形態における構成ブロックを示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００５５】
１２：カラーフィルタ基板（第１の電気光学装置用基板）、１３：第１のガラス基板、１４：対向基板（第２の電気光学装置用基板）、１６：着色層、１９：走査線（第１の透明電極）、１８：デルタ配列フィルタ、２０：画素電極、２１：データ線（第２の透明電極）、２３：酸化膜、２４：素子第１電極（第１の金属膜）、２７：第２のガラス基板、２９：酸化用電極、３０：第２の金属膜、３０ａ、３０ｂ：素子第２電極、３０´：第２の金属膜材料、３１（３１ａ、３１ｂ）：ＴＦＤ素子、１００：配線パターン、２００：液晶パネル、２１４：遮光層、２２６：反射層、２３０：シール材、２１５：平坦化層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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