(57)【要約】【課題】  有機電界発光表示装置を提供する。【解決手段】  有機電界発光表示装置は、画素駆動回路領域と開口領域とを有する絶縁基板を具備する。絶縁基板の画素駆動回路領域上にソース電極とドレーン電極を有する薄膜トランジスターが位置する。ソース電極とドレーン電極上にソース電極またはドレーン電極を露出させるビアホールを有するパッシベーション絶縁膜が位置する。ビアホールの底に露出されたソース電極またはドレーン電極に接する画素電極が位置するが、画素電極は、パッシベーション絶縁膜上へ延長される。画素電極が位置したビアホール内にビアホールを埋め、ビアホール周辺の画素電極を露出させる第１感光性有機絶縁膜パターンが位置する。露出された画素電極上に有機発光層が位置する。【選択図】            図２ｃ
2005157312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素駆動回路領域と開口領域とを有する基板と、
前記基板の画素駆動回路領域上に位置し、ソース電極とドレーン電極を有する薄膜トランジスターと、
前記ソース電極と前記ドレーン電極上に位置し、前記ソース電極または前記ドレーン電極を露出させるビアホールを有するパッシベーション絶縁膜と、
前記ビアホールの底に位置して前記露出されたソース電極または前記ドレーン電極に接して、前記パッシベーション絶縁膜上へ延長された画素電極と、
前記画素電極が位置したビアホール内に位置して前記ビアホールを埋め、前記ビアホール周辺の画素電極を露出させる第１感光性有機絶縁膜パターンと、
前記露出された画素電極上に位置する有機発光層とを含むことを特徴とする、有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記第１感光性有機絶縁膜パターンは、アクリル系樹脂またはポリイミドからなることを特徴とする、請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記パッシベーション絶縁膜は、シリコン窒化膜であることを特徴とする、請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記パッシベーション絶縁膜は、凹部を有し、
前記パッシベーション絶縁膜の凹部を埋める第２感光性有機絶縁膜パターンをさらに含むことを特徴とする、請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記第２感光性有機絶縁膜パターンは、アクリル系樹脂またはポリイミドからなることを特徴とする、請求項４記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記画素電極は、ＩＴＯまたはＩＺＯからなることを特徴とする、請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記画素電極は、テーパ形状のエッジを有することを特徴とする、請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記画素電極のテーパ形状のエッジにおいて、前記テーパの角度は、２０度以下であることを特徴とする、請求項７記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
画素駆動回路領域と開口領域とを有する基板を提供するが、前記基板は、上面と下面とを有し、
前記画素駆動回路領域の基板の上面の上にソース電極とドレーン電極を有する薄膜トランジスターを形成し、
前記ソース電極と前記ドレーン電極を含む基板の上面全体にわたりパッシベーション絶縁膜を形成し、
前記パッシベーション絶縁膜内に前記ソース電極または前記ドレーン電極を露出させるビアホールを形成し、
前記ビアホールの底に位置して前記露出されたソース電極または前記ドレーン電極に接し、前記パッシベーション絶縁膜上へ延長された画素電極を形成し、
前記画素電極を含む基板の上面全体にわたり感光性有機絶縁膜を形成し、
前記基板の下面で光を照射して前記感光性有機絶縁膜を白露光し、
前記露光された感光性有機絶縁膜を現像することによって、前記開口領域の画素電極を露出させ、
前記現像された感光性有機絶縁膜をエッチバックすることによって、前記ビアホールを埋める第１感光性有機絶縁膜パターンを形成するとともに、前記ビアホール周辺の画素電極を露出させ、
前記露出された画素電極上に有機発光層を形成することを含むことを特徴とする、有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記パッシベーション絶縁膜は、シリコン窒化膜で形成することを特徴とする、請求項９記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記パッシベーション絶縁膜は、凹部を有し、
前記現像された感光性有機絶縁膜をエッチバックする場合において、
前記第１感光性有機絶縁膜パターンを形成するとともに前記パッシベーション絶縁膜の凹部を埋める第２感光性有機絶縁膜パターンを形成することをさらに含むことを特徴とする、請求項９記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記画素電極は、ＩＴＯまたはＩＺＯで形成することを特徴とする、請求項９記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記画素電極は、テーパ形状のエッジを有するように形成することを特徴とする、請求項９記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記画素電極をテーパ形状のエッジを有するように形成する場合において、前記テーパの角度は、２０度以下となるように形成することを特徴とする、請求項１３記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記感光性有機絶縁膜は、アクリル系樹脂またはポリイミドで形成することを特徴とする、請求項９記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記感光性有機絶縁膜は、スピンコーティングを使用して形成することを特徴とする、請求項９記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記エッチバックはアッシングを使用して行うことを特徴とする、請求項９記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置及びその製造方法に関し、特に、アクティブマトリックス有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、有機電界発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙ）は、蛍光性有機化合物を電気的に励起させて発光させる自発光型表示装置であって、マトリックス形態で配置されたＮ×Ｍ個の画素等を駆動する方式によってパッシブマトリックス（ｐａｓｓｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ）方式とアクティブマトリックス（ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ）方式に分けられるが、前記アクティブマトリックス方式の有機電界発光表示装置は、前記パッシブマトリックス方式に比べて電力消耗が少なくて大面積の具現化に適合し、高解像度を有するという長所がある。
【０００３】
図１は、従来のアクティブマトリックス有機電界発光表示装置及びその製造方法を説明するための断面図である。
【０００４】
図１を参照すれば、絶縁基板１００上にバッファー層１０５を形成する。前記絶縁基板１００のバッファー層１０５上に通常の方法により活性層１１０、ゲート絶縁膜１２０ゲート１３０、層間絶縁膜１４０及びソース電極１４５ｂとドレーン電極１４５ａを形成する。前記ソース電極１４５ｂとドレーン電極１４５ａは、前記層間絶縁膜１４０内に形成されたコンタクトホール１４１により前記活性層１１０と接する。前記活性層１１０、前記ゲート絶縁膜１２０、前記ゲート１３０及び前記ソース電極１４５ｂとドレーン電極１４５ａは、薄膜トランジスターを形成する。前記薄膜トランジスターを含む基板全面にわたりパッシベーション絶縁膜１５０を形成し、前記パッシベーション絶縁膜１５０内に前記ソース電極１４５ｂまたはドレーン電極１４５ａを露出させるビアホール１５５を形成する。前記パッシベーション絶縁膜１５０は、無機膜で平坦化特性が不良で前記パッシベーション絶縁膜１５０下部パターン等、特に、前記コンタクトホール１４１のトポロジー（ｔｏｐｏｌｏｇｙ）に起因する凹部を有する。
【０００５】
次に、前記ビアホール１５５内に露出されたソース電極１４５ｂまたはドレーン電極１４５ａに接する画素電極１７０を形成する。この際、前記画素電極１７０は、前記ビアホール１５５の底及び側壁に沿って形成されるので、前記ビアホール１５５内で屈曲を有する形態で形成される。次に、前記ビアホール１５５内の屈曲した画素電極１７０を覆う画素定義膜１７５を形成するが、前記画素定義膜１７５は、前記ビアホール１５５と互いに離隔した位置で前記画素電極１７０を露出させる開口部１７８を有するように形成する。次に、前記開口部１７８内に露出された画素電極１７０上に有機発光層１８０を形成し、前記有機発光層１８０上に対向電極（ｏｐｐｏｓｉｔｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ；１９０）を形成する。前記画素電極１７０、前記有機発光層１８０及び前記対向電極１９０は、有機電界発光ダイオードを形成し、前記有機電界発光ダイオードは、前記ビアホール１５５を介して前記薄膜トランジスターに連結することによって、前記薄膜トランジスターにより駆動される。
【０００６】
このような有機電界発光表示装置の製造方法において、前記画素定義膜１７５は、前記有機発光層１８０が前記ビアホール１５０内の前記屈曲した画素電極１７０上に位置するのを防ぐことにより、前記有機発光層１８０の屈曲による劣化を防げる。また、前記下部パターン等、特に、前記コンタクトホール１４１上部のトポロジーを緩和させることによって、前記有機発光層１８０が前記コンタクトホール１４１上部からの屈曲や、切れによる劣化を防げる。
【０００７】
一方、前記画素定義膜１７５は、一般に、平坦化特性が良好な感光性有機絶縁膜を使用して形成するが、前記感光性有機絶縁膜は、感光剤を含んでいる。有機電界発光表示装置の駆動において、前記感光剤は、アウトガス形態として出て来て前記画素定義膜１７５に接している前記有機発光層１８０の劣化を誘発する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明がなそうとする技術的課題は、上述のような従来技術の問題点を解決するためのもので、感光性有機絶縁膜からのアウトガスによる有機発光層の劣化を最小化するとともに、前記有機発光層の屈曲による劣化を防止できる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記技術的課題をなすために、本発明は、有機電界発光表示装置を提供する。前記有機電界発光表示装置は、画素駆動回路領域と開口領域とを有する基板を具備する。前記基板の画素駆動回路領域上にソース電極とドレーン電極を有する薄膜トランジスターが位置する。前記ソース電極と前記ドレーン電極上に前記ソース電極または前記ドレーン電極を露出させるビアホールを有するパッシベーション絶縁膜が位置する。前記ビアホールの底に前記露出されたソース電極または前記ドレーン電極に接する画素電極が位置するが、前記画素電極は、前記パッシベーション絶縁膜上へ延長される。前記画素電極が位置したビアホール内に前記ビアホールを埋め、前記ビアホール周辺の画素電極を露出させる第１感光性有機絶縁膜パターンが位置する。前記露出された画素電極上に有機発光層が位置する。
【００１０】
望ましくは、前記第１感光性有機絶縁膜パターンはアクリル系樹脂またはポリイミドからなる。
【００１１】
望ましくは、前記パッシベーション絶縁膜はシリコン窒化膜である。前記パッシベーション絶縁膜が凹部を有する場合、前記有機電界発光表示装置は、前記パッシベーション絶縁膜の凹部を埋める第２感光性有機絶縁膜パターンをさらに含むことが望ましい。望ましくは、前記第２感光性有機絶縁膜パターンは、アクリル系樹脂またはポリイミドからなる。
【００１２】
望ましくは、前記画素電極はＩＴＯまたはＩＺＯからなる。また、望ましくは、前記画素電極はテーパ形状のエッジを有する。より望ましくは、前記画素電極のテーパ形状のエッジにおいて、前記テーパの角度は２０度以下である。
【００１３】
前記技術的課題をなすために、本発明は、有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。前記製造方法は、画素駆動回路領域と開口領域とを有し、上面と下面とを有する基板を提供することを含む。前記画素駆動回路領域の基板の上面の上にソース電極とドレーン電極を有する薄膜トランジスターを形成する。前記ソース電極と前記ドレーン電極を含む基板の上面全体にわたりパッシベーション絶縁膜を形成する。前記パッシベーション絶縁膜内に前記ソース電極または前記ドレーン電極を露出させるビアホールを形成する。前記ビアホールの底に位置して前記露出されたソース電極または前記ドレーン電極に接し、前記パッシベーション絶縁膜上へ延長された画素電極を形成する。前記画素電極を含む基板の上面の全体にわたり感光性有機絶縁膜を形成する。前記基板の下面で光を照射して前記感光性有機絶縁膜を白露光する。前記露光された感光性有機絶縁膜を現像することによって、前記開口領域の画素電極を露出させる。前記現像された感光性有機絶縁膜をエッチバックすることによって、前記ビアホールを埋める第１感光性有機絶縁膜パターンを形成するとともに、前記ビアホール周辺の画素電極を露出させる。前記露出された画素電極上に有機発光層を形成する。
【００１４】
望ましくは、前記パッシベーション絶縁膜は、シリコン窒化膜で形成する。前記パッシベーション絶縁膜が凹部を有する場合、前記現像された感光性有機絶縁膜をエッチバックする場合において、前記第１感光性有機絶縁膜パターンを形成するとともに、前記パッシベーション絶縁膜の凹部を埋める第２感光性有機絶縁膜パターンをさらに形成することが望ましい。
【００１５】
望ましくは、前記画素電極はＩＴＯまたはＩＺＯで形成する。また、望ましくは、前記画素電極はテーパ形状のエッジを有するように形成する。より望ましくは、前記画素電極をテーパ形状のエッジを有するように形成する場合において、前記テーパの角度は、２０度以下となるように形成する。
【００１６】
望ましくは、前記感光性有機絶縁膜は、アクリル系樹脂またはポリイミドで形成する。また、望ましくは、前記感光性有機絶縁膜は、スピンコーティングを使用して形成する。
【００１７】
前記エッチバックは、アッシングを使用して行うことが望ましい。
【発明の効果】
【００１８】
上述のように本発明によれば、感光性有機絶縁膜から出てくるアウトガスの影響による有機発光層の劣化を最小化するとともに、前記有機発光層及び対向電極の屈曲による劣化を防げる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明をより具体的に説明するために、本発明に係る好適な実施形態を添付の図面を参照してより詳細に説明する。しかし、本発明は、ここで説明される実施形態に限定されずに、他の形態で具体化することもできる。むしろ、ここで紹介される実施形態は、開示された内容が徹底的に完全になるように、そして当業者に本発明の思想を十分に伝えることができるようにするために、提供されるものである。図面等において、層が他の層または基板“上”にあると言及される場合、それは他の層または基板上に直接形成されることができたり、またはそれらの間に第３の層を介在させたりすることもできる。明細書全体にわたり同じ参照番号等は、同じ構成要素を表す。
【００２０】
図２ａないし図２ｃは、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置及びその製造方法を説明するための断面図等である。前記有機電界発光表示装置は、少なくとも一つの単位画素を有するが、前記断面図等は、前記有機電界発光表示装置の単位画素に限定して示す断面図等である。
【００２１】
図２ａを参照すれば、開口領域ａ及び画素駆動回路領域ｂを有し、また、上面と下面とを有する絶縁基板３００を提供する。前記絶縁基板３００は、透明な基板でガラスまたはプラスチックからなる。前記提供されていた絶縁基板３００の上面の上にバッファー層３０５を形成する。前記バッファー層３０５は、前記基板３００から流出される不純物から後続する工程で形成される薄膜トランジスターを保護するための層であって、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらが積層された二重層で形成できる。
【００２２】
次に、前記バッファー層３０５が形成された絶縁基板３００の前記画素駆動回路領域ｂ上に活性層３１０を形成する。前記活性層３１０は、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンで形成できるが、望ましくは、多結晶シリコンで形成する。前記活性層３１０を含む基板上面全体にわたりゲート絶縁膜３２０を形成し、前記ゲート絶縁膜３２０上に前記活性層３１０の所定領域に対応されるゲート３３０を形成する。前記ゲート３３０をマスクとして前記活性層３１０に不純物を注入することによって、前記活性層にソース領域３１５ｂとドレーン領域３１５ａを形成するとともに、前記ソース領域３１５ｂと前記ドレーン領域等３１５ａ間に介在されたチャンネル領域３１８を定義する。前記ゲート３３０を含む基板上面全体にわたり層間絶縁膜３４０を形成する。前記層間絶縁膜３４０は、シリコン酸化膜で形成できる。次に、前記層間絶縁膜３４０内に前記ソース領域３１５ｂと前記ドレーン領域３１５ａを各々露出させるコンタクトホール等３４１を形成する。前記コンタクトホール等３４１内に露出された前記ソース領域３１５ｂと前記ドレーン領域３１５ａ及び前記層間絶縁膜３４０上に金属膜を積層してこれをパターニングすることによって、ソース電極３４５ｂとドレーン電極等３４５ａを形成する。前記活性層３１０、前記ゲート３３０、前記ソース電極３４５ｂ及び前記ドレーン電極等３４５ａは、薄膜トランジスターを構成する。
【００２３】
次に、前記ソース電極３４５ｂと前記ドレーン電極３４５ａが形成された基板上にパッシベーション絶縁膜３５０を形成する。前記パッシベーション絶縁膜３５０は、無機膜で形成することが望ましい。より望ましくは、前記パッシベーション絶縁膜３５０は、シリコン窒化膜で形成する。前記パッシベーション絶縁膜３５０は、前記パッシベーション絶縁膜３５０下部の薄膜トランジスターを保護するだけでなく、前記活性層３１０が多結晶シリコンで形成された場合、前記多結晶シリコンの結晶粒子境界にある不完全結合（ｄａｎｇｌｉｎｇ  ｂｏｎｄ）をパッシベーション（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ）する役割をする。このようなパッシベーション絶縁膜３５０は、平坦化特性が不良で前記パッシベーション絶縁膜３５０の下部パターン、特に、前記コンタクトホール３４１のトポロジーに起因する凹部３５０ａを有するようになる。
【００２４】
次に、前記パッシベーション絶縁膜３５０内に前記ソース電極３４５ｂまたは前記ドレーン電極３４５ａを露出させるビアホール３６５を形成する。前記ビアホール３６５が形成されたパッシベーション絶縁膜３５０上に透明伝導性膜を積層し、これをパターニングする。これによって、前記ビアホール３６５の底に位置して前記露出されたソース電極３４５ｂに接し、前記パッシベーション絶縁膜３５０上へ延長された画素電極３７０を形成する。前記積層された透明伝導性膜をパターニングする場合において、前記画素電極３７０は、テーパしたエッジ３７０ａを有するように形成することが望ましい。より望ましくは、前記テーパの角度は、２０度以下である。前記透明伝導性膜、すなわち、画素電極３７０は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍｔ  ｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）を使用して形成することが望ましい。
【００２５】
次に、前記画素電極３７０を含む基板上面全体にわたり感光性有機絶縁膜３７５を形成するが、前記画素電極３７０が位置したビアホール３６５を十分に埋めることができる程度の厚さで形成する。前記感光性有機絶縁膜３７５は、陽性型（ｐｏｓｉｔｉｖｅ  ｔｙｐｅ）で光に露出されれば現像液に溶ける物質に変化される特性を有する。また、前記感光性有機絶縁膜３７５は、平坦化特性が優秀で前記パッシベーション絶縁膜３５０が有しているトポロジーを緩和させて平坦な表面を形成できる。前記感光性有機絶縁膜３７５は、アクリル系樹脂またはポーリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）で形成することが望ましい。また、前記感光性有機絶縁膜３７５を前記基板上に形成することは、スピンコーティングを使用して行うことが望ましい。
【００２６】
次に、前記感光性有機絶縁膜３７５が形成された基板の下面で光を照射し、前記感光性有機絶縁膜３７５を白露光する。この際、前記基板３００の開口領域Ａ上には、前記緩衝層３０５、前記ゲート絶縁膜３２０、前記層間絶縁膜３４０及び前記パッシベーション絶縁膜３５０が順次に積層され、前記基板下面から入射される光を透過させることができる。したがって、前記開口領域Ａの前記パッシベーション絶縁膜３５０上に形成された前記感光性有機絶縁膜３７５は、前記光に露出される。一方、前記基板の画素駆動回路領域Ｂ上には、前記活性層３１０、前記ゲート３３０、ゲート配線（不図示）、前記ソース電極３４５ｂ、ドレーン電極３４５ａ、データ配線（不図示）及び電源電圧配線（不図示）が位置するが、前記活性層３１０は、シリコンで形成され、前記ゲート３３０、前記ソース電極、ドレーン電極３４５及び前記配線等は、金属で形成されるので、光を透過させられない。したがって、前記画素駆動回路領域Ｂの前記パッシベーション絶縁膜３５０上に形成された前記感光性有機絶縁膜３７５は、前記基板３００下面から入射される光に露出されない。結果的に、前記感光性有機絶縁膜３７５が前記光に露出された部分、すなわち、前記開口領域Ａ上の部分は、現像液に溶けることができる物質に変化する反面、前記画素駆動回路領域Ｂ上の前記感光性有機絶縁膜３７５は、そのようにしない。
【００２７】
図２ｂを参照すれば、前記感光性有機絶縁膜３７５を、現像液を使用して現像する。この際、前記開口領域Ａ上の前記感光性有機絶縁膜３７５は、前記現像液により溶けて除去されることによって、前記開口領域Ａ上の前記画素電極３７０を露出させる。一方、前記ビアホール３６５上部を含む画素駆動回路領域Ｂ上には、現像された感光性有機絶縁膜３７６が位置する。
【００２８】
図２ｃを参照すれば、前記現像された感光性有機絶縁膜３７６を前記パッシベーション絶縁膜３５０が露出されるまでエッチバック（ｅｔｃｈｂａｃｋ）する。前記エッチバックによリ前記現像された感光性有機絶縁膜３７６は、その上部から非等方性蝕刻されて前記ビアホール３６５周辺の前記画素電極３７０及び前記画素駆動回路領域Ｂの前記パッシベーション絶縁膜３５０を露出させる。これと同時に前記画素電極３７０が位置した前記ビアホール３６５を埋め、前記ビアホール周辺の画素電極を露出させる第１感光性有機絶縁膜パターン３７７ａ及び前記パッシベーション絶縁膜３５０の凹部３５０ａを埋める第２感光性有機絶縁膜パターン３７７ｂを形成する。結果的に、前記ビアホール３６５上部のみだけでなく、前記パッシベーション絶縁膜３５０上部も平坦化できる。
【００２９】
前記エッチバック（ｅｔｃｈｂａｃｋ）は、アッシングを使用して行うことができる。前記アッシングに使われる気体は、酸素（Ｏ２）、アルゴン（Ａｒ）、四フッ化炭素（ＣＦ４）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）等を含む。前記アッシング過程において、前記アッシング気体に露出された前記第１及び第２感光性有機絶縁膜パターン３７７ａ、３７７ｂの上部は、硬化されてアウトガシング（ｏｕｔ  ｇａｓｉｎｇ）が減少できる。
【００３０】
次に、前記第１及び第２感光性有機絶縁膜パターン３７７ａ、３７７ｂを含む基板上面全体にわたり有機発光層３８０を形成する。これによって、前記有機発光層３８０は、前記露出された前記画素電極３７０上に形成されるが、前記画素電極３７０のエッジ３７０ａ上にも形成される。上述のように、前記画素電極３７０をテーパしたエッジ３７０ａを有するように形成することによって、前記画素電極３７０のエッジ３７０ａ部位からバイアス集中によって前記有機発光層３８０が劣化する現像を抑制できる。一方、前記有機発光層３８０は、フルカラー有機電界発光表示装置を具現するためには、各単位画素別にパターニングされて形成することができる。前記有機発光層３８０をパターニングするときには、レーザー熱転写法、シャドウマスクを使用した真空蒸着等を使用して具現することができる。次に、前記有機発光層３８０上に対向電極３９０を形成する。前記対向電極３９０は、前記基板上面全体にわたり形成される。前記画素電極３７０、前記有機発光層３８０及び前記対向電極３９０は、有機電界発光ダイオードを形成し、前記有機電界発光ダイオードは、前記ビアホール３６５を介して前記薄膜トランジスターに連結することによって、前記薄膜トランジスターにより駆動される。
【００３１】
上述のように、前記感光性有機絶縁膜パターン３７７ａ、３７７ｂが占める面積を最小化するとともに、前記感光性有機絶縁膜パターン３７７ａ、３７７ｂを使用して前記ビアホール３６５上部のみだけでなく、前記パッシベーション絶縁膜３５０上部を平坦化させることができる。これは、感光性有機絶縁膜から出てくるアウトガスの影響による前記有機発光層３８０の劣化を抑制するとともに、前記有機発光層３８０及び前記対向電極３９０の屈曲による劣化を防げるからである。また、前記感光性有機絶縁膜３７７を露光するときには、前記基板の下面で光を調べるが、前記画素駆動回路領域Ｂ上の前記活性層３１０及び前記金属配線等をマスクとすることによって、マスクを利用して前記基板上面で露光を行うことに比べて、マスクの節減をなすことができる。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明は有機発光層の製造に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】従来のアクティブマトリックス有機電界発光表示装置及びその製造方法を説明するための断面図である。
【図２ａ】本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置及びその製造方法を説明するための断面図である。
【図２ｂ】本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置及びその製造方法を説明するための断面図である。
【図２ｃ】本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置及びその製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
３００    絶縁基板、
３６５    ビアホール、
３７０    画素電極、
３７７ａ    第１感光性有機絶縁膜パターン、
３７７ｂ    第２感光性有機絶縁膜パターン。
【図１】
2005157312.tif 000003
【図２ａ】
2005157312.tif 000004
【図２ｂ】
2005157312.tif 000005
【図２ｃ】
2005157312.tif 000006