(57)【要約】    【課題】  デバイスから発せられる熱を放出しやすいデバイスパッケージを実現する。    【解決手段】  伝導性基板２２は、デバイスパッケージの設置エリアＸを画定する底面と、少なくとも１個のデバイス２３の設置箇所２５を有する上面とを有する。伝導性基板２２上側には、伝導性基板２２の上面側に第１面２４ａを有する絶縁基板２４が形成される。絶縁基板２４は、絶縁基板２４の第２面２４ｂと少なくとも１個の設置箇所２５との間にアクセスするための少なくとも１個のアパーチャＡを有するとともに、少なくとも１個のアパーチャＡと絶縁基板２４の周囲に配置された１個または複数の接触箇所２７とを接続する１個または複数の信号経路２６を第２面２４ｂに有する。導電性タブ２８は、各々が１個または複数の接触箇所２７のうちの対応する１個と結合される。    【選択図】    図２
2005019985.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスパッケージであって、
デバイスパッケージの設置面積を画定する底面と、少なくとも１個の設置箇所を有する上面とを有する伝導性基板と、
前記伝導性基板の上面の上に第１面を有する絶縁基板であって、前記絶縁基板の第２面と前記少なくとも１個の設置箇所との間にアクセスするための少なくとも１個のアパーチャを有し、前記少なくとも１個のアパーチャと前記絶縁基板の周囲に配置された１個または複数の接触箇所とを接続する１個または複数の信号経路を前記第２面に有する、絶縁基板と、
一連の導電性タブであって、各々が１個または複数の接触箇所のうちの対応する１個に結合される導電性タブと、
を具備することを特徴とするデバイスパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路部品等のデバイスのパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
デバイスパッケージは、パッケージに収容されたデバイスから熱を吸収するヒートシンクとして機能し、回路基板またはその他のシステムとインターフェースする手段を提供する。ヒートシンクは、デバイスの動作温度を低下させ、一般に、信頼性を改善し、デバイスのＭＴＢＦ（平均故障間隔時間）を増加する。つまり、ＭＴＢＦは、一般に動作温度が低下するにつれて増加するからである。
【０００３】
図１に示す公知のデバイスパッケージ１０では、デバイス１２は、プラスチックの本体１６内に埋め込まれたヒートシンク１４上に実装される。プラスチックの本体１６は、デバイス１２をデバイスパッケージ１０の外部にある回路基板とインターフェースする導電性リード１８に対して構造的な支持を提供する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
プラスチックの本体１６は絶縁体なので、プラスチックの本体１６を介した熱の伝導は一般に非常に少ない。さらに、プラスチックの本体１６により、デバイスパッケージ１０の設置面積Ｘ１はヒートシンクの設置面積Ｘ２よりも大きくなり、その結果、デバイスパッケージはヒートシンクよりも大きくなる。したがって、このタイプのデバイスパッケージの場合、デバイスは、ヒートシンクがデバイスパッケージ全体の設置面積を占めていたならば得られるであろう動作温度の低下による利益を得ることはできない。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施態様により構成されたデバイスパッケージは、上面に少なくとも１つの設置箇所を有する伝導性基板と、伝導性基板の上面の上に第１面を有する絶縁基板とを有する。絶縁基板は、絶縁基板の、第１面と対向する第２面と、伝導性基板上の１つまたは複数の設置箇所との間にアクセス（出入り、接近、利用）するための少なくとも１個のアパーチャを有する。絶縁基板の第２面は、１個または複数のアパーチャを絶縁基板の周囲に配置された接触箇所に接続する１個または複数の信号経路を有する。導電性タブは、対応する接触箇所に結合される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
図２は、本発明の実施態様により構成されたデバイスパッケージ２０を示す。デバイスパッケージ２０は、デバイス２３が伝導性基板２２の上面２２ａ上にある設置箇所２５に実装された時に、デバイス２３用のヒートシンクを形成する伝導性基板２２を備える。この実施例では、設置箇所２５は上面２２ａ内に陥凹しているが、別法によると、設置箇所２５は、伝導性基板２２の上面２２ａと同一平面であるか、または上面２２ａの上に突出する場合もある。こうした別法による構成の各々では、設置箇所２５は、それでもなお伝導性基板２２の上面２２ａ上にあるとみなすことができる。デバイスパッケージ２０（および図３に示すデバイスパッケージ３０）の場合、伝導性基板２２は、デバイスパッケージ２０、３０の設置面積Ｘを画定するヒートシンクを形成する。図示の実施例では、設置箇所２５は、デバイス２３が光デバイスである場合に、デバイス２３用の光反射体を形成する傾斜または湾曲壁部を任意に備え得る様子を示している。本明細書中において、「伝導性」の概念は「伝熱性」を含み、また、必要に応じて「導電性」を含みうるものとする。
【０００７】
絶縁基板２４は、絶縁基板２４の底面２４ａを伝導性基板２２の上面２２ａに近接させて、伝導性基板２２の上面２２ａ上に層状に配置される。絶縁基板２４は、通常、ポリマー系接着剤、無機系接着剤またははんだを使用して、上面２２ａ上に層状に配置される。しかし、伝導性基板２２の上面２２ａ上に蒸着するか、別の方法で形成するか、あるいは載置することによっても絶縁基板２４を形成することができる。
【０００８】
絶縁基板２４は、デバイス２３がデバイスパッケージ２０内に存在する場合、絶縁基板２４の上面２４ｂと、設置箇所２５に実装されたデバイス２３との間にアクセス（出入り、接近、利用）を可能とするためのアパーチャＡを有する。１個のアパーチャＡを示すが、絶縁基板２４は、別法によると、たとえば、複数の設置箇所２５が伝導性基板２２の上面２２ａ上にある場合、伝導性基板２２の上面２２ａに複数の設置箇所２５を収容するために、複数のアパーチャを有する。図示の実施例では、デバイス２３は設置箇所２５に配置され、ワイヤボンドがアパーチャＡを経て、デバイス２３をトレース、すなわち絶縁基板２４の上面２４ｂ上にある信号経路２６に結合する。
【０００９】
信号経路２６は、一般に、アパーチャＡの領域と、絶縁基板２４の外周部周囲に配置された対応する接触箇所２７との間に導電性結合を提供する。その結果、接触箇所２７は、接触箇所２７に結合される対応する導電性タブ２８を有する。図２に示す導電性タブ２８は、ガルウィング型である。これらの導電性タブ２８は、図示のようにはんだボール２９を使用して対応する接触箇所２７に結合するか、または導電性タブ２８は、導電性エポキシ樹脂、スポット溶接、はんだ、機械的固締具またはその他の導電性結合具を介して、対応する接触箇所２７に結合する。ガルウィング型の導電性タブ２８は、伝導性基板２２に対して十分に平行なリード２８ａを有し（図２に示す）、デバイスパッケージ２０を表面実装技術またはプロセスに適合する構成に形成することができる。表面実装技術またはプロセスに適合する構成では、ガルウィング型の導電性タブ２８のリード２８ａは、図２に示すようにデバイスパッケージ２０の設置面積Ｘから突出するか、またはリード２８ａは伝導性基板２２の下に折り畳まれる。別法によると、ガルウィング型の導電性タブ２８のリード２８ａは、伝導性基板２２の延在面に対して垂直になるようにして、デバイスパッケージ２０をスルーホール技術またはプロセスに適合する構成に形成することができる。
【００１０】
図３のデバイスパッケージ３０に示されている導電性タブ３２は、導電性エポキシ樹脂、スポット溶接、はんだ、機械的固締具またはその他の導電性結合具を介して、接触箇所２７に結合されるポストである。導電性タブ３２は、伝導性基板２２および絶縁基板２４を貫通して、デバイスパッケージ３０をスルーホール技術またはプロセスに適合する構成に形成する。
【００１１】
デバイスパッケージ２０、３０の１個または複数の接触箇所２７は、設置箇所２５に実装されるデバイス２３のタイプ、またはデバイスパッケージ２０、３０が内部に含まれるシステムの要件に応じて伝導性基板２２に任意に接地される。
【００１２】
一実施例では、設置箇所２５上に実装されたデバイス２３は、ＬＥＤ、光検出器またはレーザダイオードなどの光デバイスであり、任意に含まれる封止材料３４はデバイス２３を被覆する。封止材料をデバイスパッケージ２０、３０に含む場合、封止材料は、デバイス２３が送受信する信号を通過させるのに十分な透過性を有し、適切な電気的、光学的、熱的および／または機械的特性に基づいて選択することができる。
【００１３】
もう１つの実施例では、封止材料は、設置箇所２５およびデバイス２３を封止するか、さもなければ被覆する、絶縁基板２４の上面２４ｂに配置されるキャップである。キャップの特性および形状は、デバイスパッケージ２０、３０に含まれるデバイス２３に応じて選択する。デバイス２３が光デバイスである実施例では、キャップはレンズ形、矩形またはその他の適切な形状である。
【００１４】
もう１つの実施例では、デバイス２３は、１個または複数の設置箇所２５に実装される光デバイスのアレイまたはクラスタである。その他の実施例では、デバイス２３および／または任意に含まれる封止材料３４は、１個または複数のＬＥＤ、および白色発光体を形成するのに適する無機および／または有機蛍光染料などの波長変換材料を含む。
【００１５】
本発明の実施態様について詳細に説明したが、当業者には、添付の請求の範囲に記載される本発明の範囲を逸脱せずに、様々な変更および修整をこれらの実施態様に加えることができることは明白である。
【００１６】
なお、本発明は例として次の態様を含む。（  ）内の数字は添付図面の参照符号に対応する。
［１］  デバイスパッケージであって、
デバイスパッケージの設置面積を画定する底面と、少なくとも１個の設置箇所を有する上面とを有する伝導性基板と、
前記伝導性基板の上面の上に第１面を有する絶縁基板であって、前記絶縁基板の第２面と少なくとも１個の設置箇所との間にアクセスするための少なくとも１個のアパーチャを有し、前記少なくとも１個のアパーチャと前記絶縁基板の周囲に配置された１個または複数の接触箇所とを接続する１個または複数の信号経路を前記第２面に有する、絶縁基板と、
一連の導電性タブであって、各々が１個または複数の接触箇所のうちの対応する１個に結合される導電性タブと、
を具備することを特徴とするデバイスパッケージ。
［２］  前記少なくとも１個の設置箇所に実装された少なくとも１個の光デバイスをさらに具備することを特徴とする、上記［１］に記載のデバイスパッケージ。
［３］  前記少なくとも１個の光デバイスが、ＬＥＤ、光検出器およびレーザダイオードの少なくとも１個を備えることを特徴とする、上記［２］に記載のデバイスパッケージ。
［４］  前記絶縁基板の第２面上の少なくとも１個のアパーチャを被覆する封止材料をさらに含むことを特徴とする、上記［３］に記載のデバイスパッケージ。
［５］  前記導電性タブが、前記伝導性基板の外周部周囲に配置されたガルウィング状のものであることを特徴とする、上記［１］に記載のデバイスパッケージ。
［６］  前記導電性タブが、前記伝導性基板の外周部周囲に配置されたガルィング状のものであることを特徴とする、上記［２］に記載のデバイスパッケージ。
［７］  前記導電性タブが、前記伝導性基板の外周部周囲に配置されたガルウィング状のものであることを特徴とする、上記［３］に記載のデバイスパッケージ。
［８］  前記導電性タブが、前記伝導性基板の外周部周囲に配置されたガルウィング状のものであることを特徴とする、上記［４］に記載のデバイスパッケージ。
［９］  前記導電性タブが、前記伝導性基板を貫通するポストであることを特徴とする、上記［１］に記載のデバイスパッケージ。
［１０］  前記導電性タブが、前記伝導性基板を貫通するポストであることを特徴とする、上記［２］にデバイスパッケージ。
［１１］  前記導電性タブが、前記伝導性基板を貫通するポストであることを特徴とする、上記［３］に記載のデバイスパッケージ。
［１２］  前記導電性タブが、前記伝導性基板を貫通するポストであることを特徴とする、上記［４］に記載のデバイスパッケージ。
［１３］  前記１個または複数の導電性タブのうちの１個または複数が、前記伝導性基板に接地されることを特徴とする、上記［１］に記載のデバイスパッケージ。
［１４］  前記１個または複数の導電性タブののうちの１個または複数が、前記伝導性基板に接地されることを特徴とする、上記［２］に記載のデバイスパッケージ。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】従来の技術に係るデバイスパッケージを示す図である。
【図２】本発明の実施態様により構成されるデバイスパッケージを示す図である。
【図３】本発明の実施態様により構成されるデバイスパッケージを示す図である。
【符号の説明】
【００１８】
１０、２０、３０  デバイスパッケージ
１２  デバイス
１４  ヒートシンク
１６  プラスチックの本体
１８  導電性リード
２２  伝導性基板
２２ａ  上面
２３  デバイス
２４  絶縁基板
２４ａ  底面
２４ｂ  上面
２５  設置箇所
２６  信号経路
２７  接触箇所
２８ａ  リード
２８  導電性タブ
２９  はんだボール
３２  導電性タブ
３４  封止材料
Ａ  アパーチャ
Ｘ  設置面積
Ｘ１  設置面積
Ｘ２  設置面積
【図１】
2005019985.tif 000003
【図２】
2005019985.tif 000004
【図３】
2005019985.tif 000005