(57)【要約】【課題】簡単な構成でありながら特定のワークを確実にピックアップすることができ、装置の小型化及び低コストを実現する半導体製造装置を提供する。【解決手段】複数のワークを各々吸着するための複数の吸引孔と、前記複数の吸引孔を１括して減圧する吸引手段と前記複数の吸引孔とを接続するエア流路とを有し、前記複数の吸引孔を介して前記複数のワークを所定の配列で吸着する載置部と、前記エア流路に設けられ、前記吸引手段と前記複数の吸引孔とを接続及び非接続の状態に独立して切り替え可能なＡＮＤ回路を使用した切り替え弁と、前記複数のワークのうち特定のワークの位置を表す座標情報に対応する前記特定のワークのエア流路に設けられた前記切り替え弁を制御する吸着制御機構とを有することを特徴とする半導体製造装置を提供する。【選択図】          図１
2005019909.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のワークを各々吸着するための複数の吸引孔と、前記複数の吸引孔を１括して減圧する吸引手段と前記複数の吸引孔とを接続するエア流路とを有し、前記複数の吸引孔を介して前記複数のワークを所定の配列で吸着する載置部と、
前記エア流路に設けられ、前記吸引手段と前記複数の吸引孔とを接続及び非接続の状態に独立して切り替え可能なＡＮＤ回路を使用した切り替え弁と、
前記複数のワークのうち特定のワークの位置を表す座標情報に対応する前記特定のワークのエア流路に設けられた前記切り替え弁を制御する吸着制御機構とを有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
複数のワークを各々吸着するための複数の吸引孔と、前記複数の吸引孔を１括して減圧する吸引手段と前記複数の吸引孔とを接続するエア流路とを有し、前記複数の吸引孔を介して前記複数のワークを所定の配列で吸着する載置部と、前記エア流路に設けられ、前記吸引手段と前記複数の吸引孔とを接続及び非接続の状態に独立して切り替え可能なＡＮＤ回路を使用した切り替え弁と、前記複数のワークのうち特定のワークの位置を表す座標情報に対応する前記特定のワークのエア流路に設けられた前記切り替え弁を制御する吸着制御機構とを有する半導体製造装置の前記載置部に前記所定の配列で吸着された前記複数のワークのうち特定のワークの吸着を制御する吸着制御方法であって、
前記所定の配列で吸着された前記複数のワークから前記特定のワークの位置を表す座標情報を取得するステップと、
前記取得ステップで取得した前記特定のワークの前記座標情報に基づいて、前記ＡＮＤ回路を使用した前記切り替え弁を介して前記特定のワークの吸着を維持する又は前記特定のワークの吸着を解除するステップとを有することを特徴とする吸着制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般には、半導体製造装置に係り、特に、個片化された複数のワークを吸引する機構を備えた半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の携帯電話などの電子機器の高性能化と普及に伴い、半導体製造装置は、かかる電子機器に使用される高品位な半導体装置（例えば、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）など）をますます効率的且つ高速で製造しなければならなくなってきている。
【０００３】
半導体製造プロセスの組立工程（後工程）では、ウェハ処理工程（前処理）が完了したワーク（例えば、ウェハやモールドした基板）を（チップなどの素子に相当する）多数の領域に区画するダイシングを施す。ダイシング後のマトリクス状に個片化されたワークは、インデックステーブルと呼ばれる台からテストシステムやトレイなど（以下、単にトレイとする。）に移される。この際、インデックステーブル上の隣り合うワークの間隔（即ち、個片化直後のワーク間隔）とトレイ内の隣り合うワークの間隔（即ち、ワークの収納間隔）は異なるため、個片化したワークを一括してトレイに移すことができず、１つずつトレイに移す必要がある。このため、例えば、ダイシングによって３００個に個片化されたワークをインデックステーブルから直接トレイに移していると非常に時間がかかり、その間、インデックステーブルを使用することができないためダイシングを行うことができない。
【０００４】
そこで、個片化されたワークをインデックステーブルから直接トレイに移すのではなく、一旦、インデックステーブル上の隣り合うワークの間隔と同じ間隔で載置可能な中継治具に一括して移し、中継治具から個片化されたワークを１つずつトレイに移すことで、ワークをトレイに移している間もインデックステーブルを使用してダイシングが行えるようにしている。なお、ワークを移している時間よりもダイシングの時間の方が短いため、中継治具にはダイシング１回分のワークを載置する領域が複数設けられており、ある領域に載置された個片化したワークを１つずつトレイに移している間にインデックステーブルで個片化されたワークを中継治具のある領域と別の領域に順々に一括して移すことが可能となっている。
【０００５】
インデックステーブル上で個片化されたワークは、各ワークに対応して形成され内部が減圧された吸着孔を介して吸着されている。この際、各ワークに対応して形成された吸着孔は、一つの排気ポンプに接続しているためワークは一括してインデックステーブルに吸着されている。次に、内部が減圧された吸着ヘッドを全ての個片化されたワークに当接し、排気ポンプによるワークの吸着を解除した後、吸着ヘッドを上昇及び移動させることによって個片化されたワークをインデックステーブルから中継治具に一括して移動させる。
【０００６】
中継治具に一括して移動された個片化されたワークは、インデックステーブルと同様に、各ワークに対応して形成された吸着孔を介して吸着される。中継治具においても、各ワークに対応して形成された吸着孔は一つのポンプに接続しているためワークは一括して中継治具に吸着されている。
【０００７】
個片化されたワークを１つずつトレイに移す際には、吸着ヘッドを移動させるワークの上面に当接し、排気ポンプによるワークの吸着を解除した後、吸着ヘッドを上昇することによって１つのワークを中継治具からピックアップし、トレイに移す。なお、ピックアップ後は、排気ポンプによって残りのワークを吸着する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、個片化されたワークを１つずつトレイに移す際には、中継治具上の全てのワークの吸着が解除されているために、吸着ヘッドで１つのワークをピックアップする際に生じる振動などによって、他のワーク（即ち、ピックアップするワーク以外のワーク）を所定の位置からずらしてしまっていた。ワークが所定の位置からずれてしまうと、かかるワークのピックアップ時に吸着ヘッドが本来の位置においてピックアップしようとしてもワークがピックアップできなかったりピックアップが不十分となったりする場合があった。また、ワークが所定の位置からずれると、中継治具上の吸着孔の位置からもずれることになるためにピックアップ後の吸着も行えない場合があり、その結果、更なる位置ずれを招くこともある。
【０００９】
つまり、ワークのピックアップ時に他のワークの位置ずれを防止し、ワークを確実にピックアップためには、１つのワークのみの吸着を解除し、他のワークの吸着を維持する機構が必要となる。そこで、各吸着孔にバルブ又は排気ポンプを設け、吸着孔毎にワークの吸着を解除することも可能であるが、個片化されたワークに対応する数のバルブ又は排気ポンプが必要となり、装置の大型化及びコストの増加を招いてしまう。また、粘着テープを用いて１つのワークをピックアップする機構も提案されているが、装置構成が複雑になってしまう。
【００１０】
そこで、本発明は、簡単な構成でありながら特定のワークを確実にピックアップすることができ、装置の小型化及び低コストを実現する半導体製造装置を提供することを例示的目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての半導体製造装置は、複数のワークを各々吸着するための複数の吸引孔と、前記複数の吸引孔を１括して減圧する吸引手段と前記複数の吸引孔とを接続するエア流路とを有し、前記複数の吸引孔を介して前記複数のワークを所定の配列で吸着する載置部と、前記エア流路に設けられ、前記吸引手段と前記複数の吸引孔とを接続及び非接続の状態に独立して切り替え可能なＡＮＤ回路を使用した切り替え弁と、前記複数のワークのうち特定のワークの位置を表す座標情報に対応する前記特定のワークのエア流路に設けられた前記切り替え弁を制御する吸着制御機構とを有することを特徴とする。かかる半導体製造装置によれば、吸着制御機構がＡＮＤ回路を使用した切り替え弁を制御することによって、特定のワークのみの吸着を解除し、その他のワークの吸着を維持することができるので、ピックアップをする際のワークの位置ずれを防止して、その他のワークをピックアップする際に確実にピックアップすることが可能となる。また、吸引手段は一つであるので、吸引手段の設置スペースを最小限に抑えて装置の大型化を抑えると共に、コストの増加を防止することができる。
【００１２】
本発明の別の側面としての吸着制御方法は、複数のワークを各々吸着するための複数の吸引孔と、前記複数の吸引孔を１括して減圧する吸引手段と前記複数の吸引孔とを接続するエア流路とを有し、前記複数の吸引孔を介して前記複数のワークを所定の配列で吸着する載置部と、前記エア流路に設けられ、前記吸引手段と前記複数の吸引孔とを接続及び非接続の状態に独立して切り替え可能なＡＮＤ回路を使用した切り替え弁と、前記複数のワークのうち特定のワークの位置を表す座標情報に対応する前記特定のワークのエア流路に設けられた前記切り替え弁を制御する吸着制御機構とを有する半導体製造装置の前記載置部に前記所定の配列で吸着された前記複数のワークのうち特定のワークの吸着を制御する吸着制御方法であって、前記所定の配列で吸着された前記複数のワークから前記特定のワークの位置を表す座標情報を取得するステップと、前記取得ステップで取得した前記特定のワークの前記座標情報に基づいて、前記ＡＮＤ回路を使用した前記切り替え弁を介して前記特定のワークの吸着を維持する又は前記特定のワークの吸着を解除するステップとを有することを特徴とする。かかる吸着制御方法は、上述の半導体製造装置と同様の作用を奏する。
【００１３】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての半導体製造装置について説明する。なお、各図において同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１５】
半導体製造装置１は、ダイシングにより個片化され、所定の配列で配置された複数のワーク（本実施形態では半導体装置Ｗ）から特定のワークをピックアップするピックアップ機構を備えている。半導体製造装置１は、図１に示すように、吸着機構１００と、吸着制御機構２００と、吸着ヘッド３００とを有する。ここで、図１は、吸着制御機構２００が吸着を解除した半導体装置Ｗの表面に吸着ヘッド３００が当接している状態を示す半導体製造装置１００の要部断面図である。
【００１６】
半導体製造装置１は、例えば、ハンドラとして具体化される。ハンドラは、ダイシングにより個片化されたワークをトレイに収納する機能を有する。また、ハンドラは、組立工程（後工程）後に行われる検査工程で使用される場合もあり、組立完了した被測定用ワークを自動的にテストシステムに供給し、テスト結果に基づいて自動的に分類収納する機能を有する。
【００１７】
半導体装置Ｗは、例えば、ＣＳＰとして具体化され、基板としてのリードフレームＲ内でダイシング工程を経て個片化された樹脂封止部である。もっとも、本発明は、半導体装置Ｗが樹脂封止されているかどうかを限定するものではない。リードフレームＲ上には、図６に示すように、複数の樹脂封止部ＰＭＰを有し、１つの樹脂封止部ＰＭＰは、切断ライン又は切断溝ＳＬによって所定の配列に規定された複数の半導体装置Ｗを有する。なお、樹脂封止部ＰＭＰは、実際には、半導体装置Ｗの他に製品として不要な端材部分を有するが、説明を簡略化するために省略している。本実施形態では、リードフレームＲは矩形形状を有し、個片化された半導体装置Ｗはマトリクス状に配置されているが、これに限定されるものではない。例えば、円形形状を有するウェハからダイシング工程によって個片化されたチップ（半導体装置）にも本発明を適用することができる。ここで、図６は、ダイシング工程を経て個片化された半導体装置Ｗを示す平面図である。
【００１８】
吸着機構１００は、ダイシング工程を経て個片化された複数の半導体装置Ｗを吸着して所定の配列で固定及び位置決めする機能を有し、図２に示すように、載置部１１０と、吸引孔１２０と、配管１３０と、吸引手段１４０とを有する。ここで、図２は、図１に示す半導体製造装置１において、半導体装置Ｗをマトリクス状に配置した吸着機構１００及び吸着制御機構２００を示す概略図であって、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のα−α’断面図である。
【００１９】
載置部１１０は、例えば、治具として具体化され、後述する吸引孔１２０を介して複数の半導体装置Ｗを所定の配列で載置する。載置部１１０は、板状部材で、１回のダイシング工程によって個片化される半導体装置Ｗを載置できる領域１１２を有する。本実施形態では、載置部１１０が有する領域１１２は１つであるが、載置部１１０に複数の領域１１２を設けてもよい。これにより、載置部１１０の領域１１２からトレイ等の収納位置に半導体装置Ｗを１つずつ搬送している間にダイシングが施され個片化された半導体装置を順々に他の領域に載置することができる。換言すれば、載置部１１０に複数の領域１１２を設けることで、載置部１１０から半導体装置Ｗを１つずつ搬送している間もダイシング工程を行うことが可能となる。
【００２０】
載置部１１０は、交換可能であり、半導体装置Ｗの品種（数量及び形状）により適宜交換することができる。例えば、１回のダイシング工程から３００個の半導体装置Ｗが個片化される場合は、３００個の半導体装置Ｗを載置することができる載置部１１０（詳細には、後述する領域１１２に３００個の吸引孔１２０を有する載置部１１０）を用いる。
【００２１】
領域１１２は、ダイシング工程を経て個片化された半導体装置Ｗをそのままの配列状態で載置する。領域１１２は、切断された複数の半導体装置Ｗを吸着するための吸引孔１２０が半導体装置Ｗに対応して多数形成されている。本実施形態では、ダイシング工程において、矩形形状を有するリードフレームＲをマトリクス状に切断することで複数の半導体装置Ｗを形成しているため、領域１１２は、矩形形状を有しているが、矩形形状に限定されないことは言うまでもない。
【００２２】
吸引孔１２０は、載置部１１０の領域１１２に複数の半導体装置Ｗに対応するように所定の配列（本実施形態ではマトリクス状）で複数形成される。複数の吸引孔１２０は、後述する吸引手段１４０に配管１３０及び吸着制御機構２００を介して接続される。吸引孔１２０と吸引手段１４０との接続は、吸着制御機構２００によって制御される。吸引孔１２０と吸引手段１４０が接続されると、吸引孔１２０は減圧状態に維持されて半導体装置Ｗを各々吸着する。吸引孔１２０と吸引手段１４０の接続が遮断されると、吸引孔１２０は大気状態に戻されて半導体装置Ｗは載置部１１０からピックアップ可能となる。
【００２３】
吸引孔１２０の形状及び大きさは、半導体装置Ｗが載置部１１０上でずれない程度の吸着力を与えるように設定される。十分な吸着力がなくてピックアップの際に生じる振動などによって半導体装置Ｗがずれると、後述する吸着ヘッド３００が本来の位置においてピックアップできなかったりピックアップが不十分となったりするなどの問題を招くからである。
【００２４】
配管１３０は、例えば、チューブ等で構成され、吸引孔１２０と一対一で対応するように、吸引孔１２０の数と同数設けられ、吸引孔１２０と１つの吸引手段１４０とを接続する機能を有する。
【００２５】
吸引手段１４０は、例えば、吸引ポンプ又は排気ポンプとして具体化され、配管１３０を介して吸引孔１２０を減圧して半導体装置Ｗを吸着可能にする機能を有する。吸引手段１４０は、配管１３０と一対一で対応した複数の吸引孔１２０を一括して減圧するが、後述する吸着制御機構２００により特定の吸引孔１２０の吸着を解除することができるため１つだけ設ければよい。なお、吸引手段１４０には、当業界で周知のいかなる構成をも適用することができるので、ここでは詳しい説明は省略する。
【００２６】
吸着制御機構２００は、特定の半導体装置Ｗの位置を表す座標情報に対応する特定の半導体装置Ｗを吸着する吸引孔１２０と吸引手段１４０との配管１３０を遮断する機能を有し、バルブプレート２１０と、切り替え弁２２０とを有する。換言すれば、吸着機構２００は、後述する切り替え弁２２０を制御することで、特定の半導体装置Ｗの吸着の解除及び維持を制御する。
【００２７】
バルブプレート２１０は、図３に示すように、矩形形状の板状部材であり、第１のバルブ２２２と、第２のバルブ２２４と、エア流路２１２と、切り替え弁２２０とを有する。バルブプレート２１０は、載置部１１０に形成された複数の吸引孔１２０と吸引手段１４０との接続を中継する。ここで、図３は、図２に示すバルブプレート２１０が規定する位置座標を示す平面図である。
【００２８】
エア流路２１２は、載置部１１０に形成された吸引孔１２０の数と同数、若しくは、それより多く設けられ、バルブプレート２１０上にマトリクス状に形成される。このため、バルブプレート２１０上に多数のエア流路２１２を設けることができれば、載置部１１０は、エア流路２１２の数の範囲内で自由に交換可能となる。エア流路２１２は、載置部１１０側の一端２１２ａが配管１３０に接続し、他端２１２ｂが吸引手段１４０に接続している。なお、半導体装置Ｗがマトリクス状以外の配列の場合であっても、吸引孔１２０とエア流路２１２とを一対一で対応させることで、半導体装置Ｗの位置及び吸引孔１２０の位置は１つに決定される。
【００２９】
図３を参照するに、エア流路２１２は、本実施形態では、１４４個に個片化された半導体装置Ｗを吸着するために載置部２１０に形成された１４４個の吸引孔１２０に対応して、１４４個のエア流路２１２が形成されており、それぞれのエア流路２１２の位置は、Ｘ方向の位置（Ｘ座標）Ａ乃至Ｒ、及び、Ｙ方向の位置（Ｙ座標）１乃至８で定義される。例えば、図３において斜線で記載されているエア流路２１２は、位置座標（Ｈ、１）で表される。
【００３０】
切り替え弁２２０は、エア流路２１２に対応して吸着制御機構２００に設けられ、吸引孔１２０と吸引手段１４０とを接続状態及び非接続状態に独立して切り替える機能を有する。即ち、切り替え弁２２０は、半導体装置Ｗの吸着及び吸着解除を各々の吸引孔１２０に対して行うことができる。切り替え弁２２０は、本実施形態では、ＡＮＤ信号により動作する小型弁として具体化される。
【００３１】
第１のバルブ２２２は、エア流路２１２のＸ方向の位置を規定し、Ｘ方向のＡＮＤ信号を制御する。本実施形態では、Ｘ方向に１８個のエア流路２１２が配置されているため、１８個の第１のバルブ２２２Ａ乃至２２２Ｒが設けられ、例えば、第１のバルブ２２２Ｈは、Ｘ方向の位置がＨのエア流路２１２のＡＮＤ信号を制御する。具体的には、第１のバルブ２２２Ｈが開口するとＸ方向の位置がＨの１列のエア流路２１２にＡＮＤ信号としてのエア信号が送られる。
【００３２】
第２のバルブ２２４は、エア流路２１２のＹ方向の位置を規定し、Ｙ方向のＡＮＤ信号を制御する。本実施形態では、Ｙ方向に８個の貫通孔２１２が配置されているため、８個の第２のバルブ２２４１乃至２２４８が設けられ、例えば、第２のバルブ２２４１は、Ｙ方向の位置が１のエア流路２１２のＡＮＤ信号を制御する。具体的には、第１のバルブ２２４１が開口するとＹ方向の位置が１の１行のエア流路２１２にＡＮＤ信号としてのエア信号が送られる。
【００３３】
ここで、図３において半導体装置Ｗが全て（即ち、１４４個）載置部１１０に形成された吸引孔１２０に吸着されていると仮定し、１つの半導体装置Ｗのみの吸着を解除する場合の例を説明する。例えば、位置座標（Ｈ、１）のエア流路２１２に対応する吸引孔１２０が吸着している半導体装置Ｗをピックアップするためには、第１のバルブ２２２Ｈ及び第２のバルブ２２４１を開口する。すると、第１のバルブ２２２ＨからはＸ方向の位置がＨの１列のエア流路２１２にエア信号が送られ、第２のバルブ２２４１からはＹ方向の位置が１の１行のエア流路２１２にエア信号が送られ、Ｈの１列と１の行の交わる位置座標（Ｈ、１）を有するエア流路２１２に対応する配管１３０が遮断される。従って、位置座標（Ｈ、１）の吸引孔１２０と吸引手段１４０とが非接続状態となり、位置座標（Ｈ、１）の吸引孔１２０の吸着が解除され、半導体装置Ｗをピックアップすることが可能となる。このとき、位置座標（Ｈ、１）以外の吸引孔１２０の吸着は解除されない。これは、切り替え弁２２０がＡＮＤ信号により動作する小型弁であるため、Ｘ方向及びＹ方向のエア信号を受けなければ配管１３０を遮断しないからである。つまり、Ｘ方向のエア信号だけを受けただけのエア流路２１２（例えば、位置座標（Ｈ、２乃至８）のエア流路２１２）又はＹ方向のエア信号だけを受けただけのエア流路２１２（例えば、位置座標（Ａ乃至Ｇ及びＩ乃至Ｒ、１）のエア流路２１２）では、切り替え弁２２０は配管１３０を遮断しない。なお、吸着を解除する半導体装置Ｗの数は１つでなくてもよく、例えば、一列８個の吸着する場合は、Ｙ座標１から８にエア信号を送り、Ｘ座標Ｈにエア信号を送ればよく、任意の一列又は一行の半導体装置Ｗの吸着を解除することも可能である。
【００３４】
以下、図４を参照して、第１のバルブ２２２及び第２のバルブ２２４からのエア信号により、切り替え弁２２０がエア流路２１２を遮断する原理について説明する。図４は、図３に示す切り替え弁２２０がエア流路２１２を遮断する概念を示す要部断面図である。まず、第１のバルブ２２２及び第２のバルブ２２４からのエア信号を受けていない状態では、図４（ａ）に示すように、エア流路２１２は遮断されておらず、吸引孔１２０と吸引手段１４０は接続しているため半導体装置Ｗは載置部１１０に吸着されている。そして、第１のバルブ２２２（又は第２のバルブ２２４）からエア信号が送られると、図４（ｂ）に示すように、エア流路２１２上に設けられた遮断部材２２８が押し上げられるが、吸引孔１２０と吸引手段１４０の接続は遮断されていないため半導体装置Ｗは載置部１１０に吸着されている。次いで、第２のバルブ２２４（又は第１のバルブ２２２）からエア信号が送られると、図４（ｃ）に示すように、エア流路２１２上に設けられた遮断部材２２８は更に押し上げられ、吸引孔１２０と吸引手段１４０の接続を遮断する。従って、吸引孔１２０による半導体装置Ｗの吸着が解除され、図４（ｄ）に示すように、半導体装置Ｗのピックアップが可能となる。
【００３５】
吸着制御機構２００によれば、特定の半導体装置Ｗのみの吸着を解除し、その他の半導体装置Ｗの吸着を維持することができる。例えば、ピックアップする半導体装置Ｗのみの吸着を解除し、ピックアップをしない半導体装置Ｗの吸着を維持することで、ピックアップをする際のピックアップをしない半導体装置Ｗの位置ずれを防止することができる。従って、半導体装置Ｗは、常に本来の位置にあるため確実にピックアップをすることが可能となる。また、吸引孔１２０毎に吸着の維持及び解除を制御することができるため、吸引孔１２０毎に吸引手段１４０やバルブを設置する必要がなく、設置スペースを最小限に抑えて装置の大型化を抑えると共に、コストの増加を防止することができる。
【００３６】
吸着ヘッド３００は、半導体装置Ｗに吸着し、載置部１１０からピックアップしてトレイ等の収納位置やテスト位置などの所定の位置まで半導体装置Ｗを搬送し、且つ、所定の位置に半導体装置Ｗを載置する機能を有する。吸着ヘッド３００は、図１に示すように、略円筒形状を有するヘッド部３１０を有し、ヘッド部３１０には、略円筒形状を有してその長手方向に延びる中空部としての吸引孔３２０が形成され、ヘッド部３１０の先端は半導体装置Ｗを吸着する吸着面３４０として機能する。
【００３７】
吸引孔３２０は、図示しない吸引ポンプ（又は排気ポンプ）とバルブに直接又は管などを介して接続されている。バルブの開閉は半導体製造装置１の図示しない制御部によって制御される。バルブが開口すると吸引ポンプと吸引孔３２０が連通する。これによって、吸引孔３２０は減圧状態に維持されて吸着面３４０が半導体装置Ｗの上面を吸着する。バルブが閉口すると吸引ポンプと吸引孔３２０の連通が解除される。これによって、吸引孔３２０は大気状態に戻されて半導体装置Ｗは吸着面３４０から分離する。また、吸着ヘッド３００は、図示しない駆動機構によって、２次元的に移動可能に設けられる。この結果、吸着ヘッド３００は、載置部１１０上の半導体装置Ｗに近接及び離間するように移動することができると共に、吸着面３４０が吸引孔３２０を介して半導体装置Ｗの上面を吸着及び分離することができる。なお、吸着ヘッド３００は、複数のヘッド部３１０を有する一括吸着ヘッドとして構成してもよく、例えば、マトリクス状に配置された半導体装置Ｗのうち一列（又は一行）を一括して吸着してもよい。但し、載置部１１０からトレイ等の収納位置では隣り合う半導体装置Ｗの間隔が異なるため、半導体装置Ｗを一括吸収した後、各ヘッド部３１０の間隔を変更する機構が必要となる。
【００３８】
以下、図５を参照して、半導体製造装置１が半導体装置Ｗをピックアップする動作について説明する。図５は、半導体製造装置１のピックアップ動作の一部である半導体装置Ｗの吸着制御を説明するためのフローチャートである。
【００３９】
まず、図５を参照するに、図示しないインデックステーブルでダイシング工程を経て、マトリクス状に個片化された樹脂封止部である半導体装置Ｗは、一括して吸着ヘッドに吸着される（ステップ１００２）。ダイシングが施された半導体装置Ｗは、一括して吸着され載置部１１０に移されるため、インデックステーブルでは続けて次の半導体装置Ｗのダイシングを行うことができる。
【００４０】
次に、吸着ヘッドに一括して吸着された半導体装置Ｗを所定の配列（マトリクス状）で載置部１１０（の領域１１２）の上に載置し、その後、吸引手段１４０により配管１３０を介して吸引孔１２０を真空吸引状態として半導体装置Ｗを載置部１１０に吸着する（ステップ１００４）。載置部１１０における半導体装置Ｗの位置決めは、図示しないカメラ及びその他の当業界で周知のアライメント機構を利用して、吸引孔１２０の上にくるように行われる。
【００４１】
次に、制御装置からのピックアップ命令もしくはオペレーターの入力によってピックアップしたい半導体装置Ｗの位置を表す位置座標を取得する（ステップ１００６）。半導体装置Ｗの位置を表す位置情報は、吸引孔１２０に割り当てられたエア流路２１２のＸＹ座標から求まる。例えば、予めエア流路２１２のＸＹ座標と半導体装置Ｗの座標情報を対応させたテーブル等を用いればよい。
【００４２】
次に、ステップ１００６で取得したピックアップしたい半導体装置Ｗの位置座標を基に、吸着制御機構２００によって、ピックアップしたい半導体装置Ｗの吸着を解除する（ステップ１００８）。詳細には、ピックアップしたい半導体装置Ｗの位置座標からＸ方向及びＹ方向の座標成分を抽出し、第１のバルブ２２２及び第２のバルブ２２４からエア信号を切り替え弁２２０に送る。そして、両方（Ｘ方向及びＹ方向）のエア信号に対応する位置座標を有する切り替え弁２２０が設けられているエア流路２１２を遮断することで、ピックアップしたい半導体装置Ｗの吸着を解除する。この際、ピックアップしない半導体装置Ｗの吸着は維持されている。
【００４３】
次に、図示しない吸着ヘッド３００の駆動機構を駆動して、吸着ヘッド３００をピックアップしたい半導体装置Ｗの上に移動させた後、吸着ヘッド３００を下降して、その吸着面３４０を半導体装置Ｗに当接させる（ステップ１０１０）。この状態では、吸引孔３２０は大気圧に維持されているため、吸着面３４０は半導体装置Ｗの上面を吸着しない。
【００４４】
次に、図示しないバルブを開口して吸着ヘッド３００の吸引孔３２０を真空吸着状態として半導体装置Ｗの上面を吸着し、図示しない吸着ヘッド３００の駆動機構を駆動して、吸着ヘッド３００を上昇させ、ピックアップしたい半導体装置Ｗをピックアップする（ステップ１０１２）。このとき、ピックアップしない半導体装置Ｗの吸着は維持されているため、振動などによる位置ずれを生じることはない。
【００４５】
吸着ヘッド３００は、その後、ピックアップした半導体装置Ｗを所定の位置まで搬送し、目的位置で、吸着ヘッド３００に接続された図示しないバルブを閉口する。この結果、吸着孔３４０の内部圧力を大気圧に開放して吸着面３３０による吸着力を解除し、半導体装置Ｗを目的位置に載置することができる。
【００４６】
次いで、ステップ１００６から同一の処理を繰り返し、再び、ピックアップしたい半導体装置Ｗを載置部１１０からピックアップする。このとき、半導体装置Ｗは位置ずれを生じることなく本来の位置にあるため、ピックアップしたい半導体装置Ｗを確実にピックアップすることができる。
【００４７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、吸着制御機構は、位置座標に対応する半導体装置の吸着を解除するのではなく、位置座標に対応する半導体装置の吸着を維持し、その他の半導体装置の吸着を解除するように構成することも可能である。また、切り替え弁２２０のエア信号は加圧エアでも吸引エアでも制御可能である。
【００４８】
【発明の効果】
本発明によれば、簡単な構成でありながら特定のワークを確実にピックアップすることができ、装置の小型化及び低コストを実現する半導体製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一側面としての半導体製造装置の要部断面図である。
【図２】図１に示す半導体製造装置において、半導体装置をマトリクス状に配置した吸着機構及び吸着制御機構を示す平面図、及び、断面図である。
【図３】図２に示すバルブプレートが規定する位置座標を示す平面図である。
【図４】図３に示す切り替え弁が経路を遮断する概念を示す要部断面図である。
【図５】図１に示す半導体装置のピックアップ動作の一部である半導体装置の吸着制御を説明するためのフローチャートである。
【図６】ダイシング工程を経て個片化された半導体装置を示す平面図である。
【符号の説明】
１                  半導体製造装置
１００              吸着機構
１１０              載置部
１２０              吸引孔
１３０              配管
１４０              吸引手段
２００              吸着制御機構
２１０              バルブプレート
２１２              エア流路
２２０              切り替え弁
２２２              第１のバルブ
２２４              第２のバルブ
３００              吸着ヘッド
３１０              ヘッド部
３２０              吸引孔
３４０              吸着面
Ｗ                  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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