(57)【要約】【課題】  輝度、鮮鋭性共に、良好である放射線画像変換パネルの製造方法及び放射線画像変換パネルの提供。【解決手段】  支持体上に蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、該蛍光体層を真空度１×１０-3Ｐａ〜１×１０-1Ｐａ、支持体温度４０℃〜１５０℃で気相堆積法（気相法ともいう）により支持体上に設けることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、該蛍光体層を真空度１×１０-3Ｐａ〜１×１０-1Ｐａ、支持体温度４０℃〜１５０℃で気相堆積法（気相法ともいう）により支持体上に設け、且つ、蛍光体層の表面の平均粗さＲａ値が、蛍光体層側の支持体の表面の平均粗さＲｂ値より小さくすることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
前記支持体が炭素繊維強化樹脂（ＣＦＲＰ）、炭素繊維強化樹脂（ＣＦＲＰ）上に熱硬化性樹脂膜を設けた樹脂又はアルミニウムから選ばれる少なくとも１種の支持体であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法から得られることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項４】
蛍光体層が含有する輝尽性蛍光体が下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする請求項３に記載の放射線画像変換パネル。
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′・ｂＭ3Ｘ″：ｅＡ
〔式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の三価金属原子であり、Ｘ、Ｘ′、Ｘ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。〕
【請求項５】
前記輝尽性蛍光体が下記一般式（２）で表されることを特徴とする請求項４に記載の放射線画像変換パネル。
一般式（２）
ＣｓＸ：ｙＡ
〔式中、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩを表し、Ａは、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｉｎ、Ｔｌ、ＧａまたはＣｅを表す。ｙは、１×１０-7〜１×１０-2までの数値を表す。〕
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は放射線画像（以下、単に放射線像ともいう）変換パネルの製造方法（以下、単に、製造方法ともいう）及び放射線画像変換パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、放射線画像を得るために、放射線照射によって得られた潜像をレーザー光等を使い光信号を取り出す方法がとられてきた。放射線を吸収してからある時間経過後に光信号を取り出すには、輝尽性蛍光体層（以下、単に蛍光体層ともいう）が必要で、その輝尽性蛍光体層を設けるには、従来塗布による方法があったが、塗布材料はバインダー等の発光に寄与しない成分を含むため、最近では蒸着等の気相堆積法が取られるようになってきた。
【０００３】
従来、放射線画像を得るために銀塩を使用した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方法が開発されている。
【０００４】
即ち、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収せしめ、しかる後この蛍光体をある種のエネルギーで励起してこの蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法が開示されている。
【０００５】
具体的な方法としては、支持体上に輝尽性蛍光体層を設けたパネルを用い、励起エネルギーとして可視光線及び赤外線の一方又は両方を用いる放射線像変換方法が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００６】
より高輝度、高感度の輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換方法として、例えば特開昭５９−７５２００号等に記載されているＢａＦＸ：Ｅｕ2+系（Ｘ：Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）蛍光体を用いた放射線像変換方法、同６１−７２０８７号等に記載されているようなアルカリハライド蛍光体を用いた放射線像変換方法、同６１−７３７８６号、同６１−７３７８７号等に記載のように、共賦活剤としてＴｌ+及びＣｅ3+、Ｓｍ3+、Ｅｕ3+、Ｙ3+、Ａｇ+、Ｍｇ2+、Ｐｂ2+、Ｉｎ3+の金属を含有するアルカリハライド蛍光体が開発されている。
【０００７】
更に、近年診断画像の解析においてより高鮮鋭性の放射線像変換パネルが要求されている鮮鋭性改善の為の手段として、例えば、特定の製造方法により製造される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされており、また、支持体として放射線透過率の異なる複数のシートを用いた放射線画像変換パネルも提案されているが、高感度で、耐刷性には優れているが鮮鋭性については未だ満足するものではなかった（例えば、特許文献２を参照）。
【０００８】
これらの試みの１つの方法として、例えば特開昭６１−１４２４９７号等に記載されている微細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍光体層を用いる方法がある。
【０００９】
また、特開昭６１−１４２５００号に記載のように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショック処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６２−３９７３７号に記載されている支持体上に形成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ擬柱状とした放射線像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６２−１１０２００号に記載に記載されているように、支持体上に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設ける方法等も提案されている。
【００１０】
更に、気相堆積法によって支持体上に、支持体の方線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルが記載されている。（例えば、特許文献３を参照）
これらの輝尽性蛍光体層の形状をコントロールする方法は、いずれも輝尽性蛍光体層を柱状とすることで、輝尽励起光又は輝尽発光の横方向への拡散を抑える（クラック（柱状結晶）界面において反射を繰り返しながら支持体面まで到達する）ことができるため、輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させることができるという特徴がある。
【００１１】
最近、ＣｓＢｒなどのハロゲン化アルカリを母体にＥｕを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換パネルが提案され、特にＥｕを賦活剤とすることで従来不可能であったＸ線変換効率の向上が可能になると期待された。
【００１２】
しかし、輝尽性蛍光体層側の基板の表面エネルギー、硬度によっては、蒸着初期での蛍光体結晶の成長がううまくいかないことがあった。
【００１３】
また、初期結晶成長がうまくいったとしても、中期以降結晶成長が結晶成長時の基準条件（蒸着時チャンバー内真空度、基板温度）によっては結晶成長がうまく行かないことがあった。その結果できあがった輝尽性蛍光体の特性、即ち、輝度、鮮鋭性共に、満足いくものではなかった。
【００１４】
従って、市場から要求される輝度、鮮鋭性共に改良された放射線像変換パネル及びその製造方法が求められていた。
【特許文献１】米国特許第３，８５９，５２７号明細書
【特許文献２】特開平３−１２３８９９号公報
【特許文献３】特開２００２−７２３８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の目的は、輝度、鮮鋭性共に、良好である放射線画像変換パネルの製造方法及び放射線画像変換パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の上記目的は以下の構成により達成される。
【００１７】
（請求項１）
支持体上に蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、該蛍光体層を真空度１×１０-3Ｐａ〜１×１０-1Ｐａ、支持体温度４０℃〜１５０℃で気相堆積法（気相法ともいう）により支持体上に設け、且つ、蛍光体層の表面の平均粗さＲａ値が、蛍光体層側の支持体の表面の平均粗さＲｂ値より小さくすることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【００１８】
（請求項２）
前記支持体が炭素繊維強化樹脂（ＣＦＲＰ）、炭素繊維強化樹脂（ＣＦＲＰ）上に熱硬化性樹脂膜を設けた樹脂又はアルミニウムから選ばれる少なくとも１種の支持体であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【００１９】
（請求項３）
請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法から得られることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【００２０】
（請求項４）
蛍光体層が含有する輝尽性蛍光体が下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする請求項３に記載の放射線画像変換パネル。
【００２１】
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′・ｂＭ3Ｘ″：ｅＡ
〔式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の三価金属原子であり、Ｘ、Ｘ′、Ｘ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。〕
（請求項５）
前記輝尽性蛍光体が下記一般式（２）で表されることを特徴とする請求項４に記載の放射線画像変換パネル。
【００２２】
一般式（２）
ＣｓＸ：ｙＡ
〔式中、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩを表し、Ａは、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｉｎ、Ｔｌ、ＧａまたはＣｅを表す。ｙは、１×１０-7〜１×１０-2までの数値を表す。〕
【発明の効果】
【００２３】
本発明による放射線画像変換パネルの製造方法及び放射線画像変換パネルは、輝度、鮮鋭性共、優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を更に詳細に説明する。
【００２５】
即ち、本発明者らは、種々検討した結果、輝尽性蛍光体層を気相法、特に蒸着により支持体上に形成させるためには高温に耐えうる耐熱性支持体を用いる必要があり、また放射線画像変換パネルを使用した診断時に放射線を放射線変換パネルの支持体側から照射して使えるシステムにするには、支持体は放射線吸収量の少ないものにする必要があることを見いだした。
【００２６】
且つ、蛍光体層を平滑に設けるためにはＣＦＲＰ板、ＣＦＲＰ板に耐熱性樹脂膜を設けたもの、またＸ線の吸収は若干あるが、平滑度が良好なアルミニウム板を用いて放射線画像変換パネルの画像特性をより改良できることも見いだした。
【００２７】
これら支持体の厚みとして好ましいのは２５０μｍ〜４０００μｍであるが、剛性の観点からさらに好ましいのは１０００μｍ〜４０００μｍである。
【００２８】
また、支持体の表面の平均粗さＲｂより蛍光体層表面の粗さＲａを小さくなるようにするには、蛍光体層を真空度１×１０-3Ｐａ〜１×１０-1Ｐａ、支持体温度４０℃〜１５０℃で気相法により支持体上に形成製造することにより達成できる。
【００２９】
支持体（基板）としては、前述した、炭素繊維強化樹脂（ＣＦＲＰ）、炭素繊維強化樹脂（ＣＦＲＰ）上に熱硬化性樹脂膜を設けた樹脂、アルミニウム板の以外に、例えば、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス、結晶化ガラスなどの板ガラス、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、フッソ樹脂フィルム、アクリルフィルム、ポリカーボネートフィルム、シンジオタクティックポリスチレン（ＳＰＳ）フィルム等のプラスチックフィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート等を単独、併用して用いても良い。
【００３０】
次に、本発明に好ましく用いられる下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体について説明する。
【００３１】
前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体において、Ｍ1は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ等の各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子を表し、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、更に好ましくはＣｓ原子である。
【００３２】
Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。
【００３３】
Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。
【００３４】
ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子である。
【００３５】
輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲンで原子を表すが、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が好ましい。
【００３６】
中でも、本発明においては前記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体が更に好ましい。
【００３７】
前記一般式（２）において、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩを表し、Ａは、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｉｎ、Ｔｌ、ＧａまたはＣｅを表す。ｙは、１×１０-7〜１×１０-2までの数値を表す。
【００３８】
前記輝尽性蛍光体は、例えば以下に述べる製造方法により製造される。
【００３９】
まず蛍光体原料として、以下の組成となるように炭酸塩に酸（ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＨＦ）を加え混合攪拌した後、中和点にて濾過を行い得られた後、ろ液の水分を蒸発気化させて以下の結晶を作製する。
【００４０】
前記蛍光体原料としては、
（ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種の化合物が用いられる。
【００４１】
（ｂ）ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、ＳｒＦ2、ＳｒＣＩ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ2、ＢａＦ2、ＢａＣｌ2、ＢａＢｒ2、ＢａＢｒ2・２Ｈ2Ｏ、ＢａＩ2、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＣｄＦ2、ＣｄＣｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、ＣｕＣｌ2、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2及びＮｉＩ2の化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物が用いられる。
【００４２】
（ｃ）前記一般式（１）において、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇ等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。
【００４３】
（ｄ）賦活剤Ａは、例えばＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子が用いられる。
【００４４】
一般式（１）で表される化合物において、ａは０≦ａ＜０．５、好ましくは０≦ａ＜０．０１、ｂは０≦ｂ＜０．５、好ましくは０≦ｂ≦０．０１、ｅは０＜ｅ≦０．２、好ましくは０＜ｅ≦０．１である。
【００４５】
上記の数値範囲の混合組成になるように前記（ａ）〜（ｄ）の蛍光体原料を秤量し、純水にて溶解する。
【００４６】
この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合しても良い。
【００４７】
次に、得られた水溶液のｐＨ値Ｃを０＜Ｃ＜７に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
【００４８】
次に、得られた原料混合物を石英ルツボ或いはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。焼成温度は５００〜１０００℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、０．５〜６時間が好ましい。
【００４９】
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気或いは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
【００５０】
尚、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光輝度を更に高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気もしくは中性雰囲気のままで冷却してもよい。また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。
【００５１】
また、本発明の輝尽性蛍光体層は気相成長法によって形成される。
【００５２】
輝尽性蛍光体の気相成長法としては蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、その他を用いることができる。
【００５３】
本発明においては、例えば、以下の方法が挙げられる。
【００５４】
第１の方法の蒸着法は、まず、支持体を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とする。
【００５５】
次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。
【００５６】
この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
【００５７】
また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
【００５８】
蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の放射線像変換パネルが製造される。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を設ける手順をとってもよい。
【００５９】
さらに、前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被蒸着体（支持体、保護層又は中間層）を冷却あるいは加熱してもよい。
【００６０】
また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。また、前記蒸着法においては必要に応じてＯ2、Ｈ2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行ってもよい。
【００６１】
第２の方法としてのスパッタリング法は、蒸着法と同様、保護層又は中間層を有する支持体をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して１．３３３×１０-1Ｐａ程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、前記支持体上に輝尽性蛍光体層を所望の厚さに成長させる。
【００６２】
前記スパッタリング工程では蒸着法と同様に各種の応用処理を用いることができる。
【００６３】
第３の方法としてＣＶＤ法があり、又、第４の方法としてイオンプレーティング法がある。
【００６４】
また、前記気相成長における輝尽性蛍光体層の成長速度は０．０５μｍ／分〜３００μｍ／分であることが好ましい。成長速度が０．０５μｍ／分未満の場合には本発明の放射線像変換パネルの生産性が悪く好ましくない。また成長速度が３００μｍ／分を越える場合には成長速度のコントロールがむずかしく好ましくない。
【００６５】
放射線像変換パネルを、前記の真空蒸着法、スパッタリング法などにより得る場合には、結着剤が存在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大でき、感度、解像力の上で好ましい放射線像変換パネルが得られ好ましい。
【００６６】
前記輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から５０μｍ〜１ｍｍであり、好ましくは５０〜５００μｍであり、更に好ましくは１００〜５００μｍであり、特に好ましくは、１５０〜４００μｍである。
【００６７】
上記の気相成長法による輝尽性蛍光体層の作製にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温度は、４０℃以上に設定することが好ましく、更に好ましくは、４０〜８０℃である。
【００６８】
この様にして支持体上に形成した輝尽性蛍光体層は、結着剤を含有していないので、指向性に優れており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルより層厚を厚くすることができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱が減少することで像の鮮鋭性が向上する。
【００６９】
また、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となるほか、高光吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい、これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。
【００７０】
高反射率の物質とは、輝尽励起光（５００〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反射率の高い物質のことをいい、例えば、アルミニウム、マグネシウム、銀、インジウム、その他の金属等、白色顔料及び緑色〜赤色領域の色材を用いることができる。白色顔料は輝尽発光も反射することができる。
【００７１】
白色顔料としては、例えば、ＴｉＯ2（アナターゼ型、ルチル型）、ＭｇＯ、ＰｂＣＯ3・Ｐｂ（ＯＨ）2、ＢａＳＯ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ（II）ＦＸ（但し、Ｍ（II）はＢａ、Ｓｒ及びＣａの各原子から選ばれるの少なくとも一種の原子であり、ＸはＣｌ原子又はＢｒ原子である。）、ＣａＣＯ3、ＺｎＯ、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、リトポン（ＢａＳＯ4・ＺｎＳ）、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸塩、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウムなどがあげられる。
【００７２】
これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線像変換パネルの感度を顕著に向上させることができる。
【００７３】
また、高光吸収率の物質としては、例えば、カーボンブラック、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄など及び青の色材が用いられる。このうちカーボンブラックは輝尽発光も吸収する。
【００７４】
また、色材は、有機又は無機系色材のいずれでもよい。
【００７５】
有機系色材としては、例えば、ザボンファーストブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷化学製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント製）、キトンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカチロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルーＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライオノイルブルーＳＬ（東洋インク製）等が用いられる。
【００７６】
また、カラーインデクスＮｏ．２４４１１、２３１６０、７４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２３１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５７６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４２５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金属錯塩色材もあげられる。
【００７７】
無機系色材としては群青、例えば、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ2−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系等の無機顔料があげられる。
【００７８】
また、本発明の輝尽性蛍光体層は保護層を有していても良い。
【００７９】
保護層は保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手段を取ってもよい。
【００８０】
保護層の材料としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層としてもちいることもできる。
【００８１】
また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3等の無機物質を積層して形成してもよい。
【００８２】
これらの保護層の層厚は０．１〜２０００μｍが好ましい。
【００８３】
図１は本発明の放射線画像変換パネルの基本的な構成の一例を示す概略図である。所定の大きさに断裁された、支持体上に輝尽性蛍光体層が設けられている蛍光体への水分の進入をより確実に低減するためには、基板上に蒸着された輝尽性蛍光体層の上から。保護フィルムを貼り付けることで、蛍光体の外周部からの水分進入も阻止できる。
【００８４】
図１において、１１は輝尽性蛍光体層（気相堆積型）を表し、１２は基板（支持体）、１３は耐熱性樹脂層、１４は防湿性保護フィルムである。本発明においては。耐熱性樹脂層はあっても無くても良い。
【００８５】
本発明の封止構造は後述する実施例記載の積層保護フィルムＡ（熱融着なし）を２枚用いて袋状にして、輝尽性蛍光体板を減圧しながら包み、蛍光体層面側の蛍光体周縁より外側にある領域で基板と保護フィルムを熱融着性シートを用いて融着し、その後裏面の保護フィルムを除去して封止する構造である。
【００８６】
ここでいう熱融着性フィルムとは、一般に使用されるインパルスシーラーで融着可能な樹脂フィルムのことで、例えばエチレン酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）やポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム等が挙げられるが、本発明はこれらに限られるものではない。
【００８７】
本発明の保護層に好ましく用いられるフィルムとして、前記融着フィルムを使用する場合は、必要とされる防湿性にあわせて融着フィルムを複数枚積層することにより最適な防湿性とすることができる。この場合の積層方法としては、一般に知られているどのような方法でもかまわないが、望ましくは、ドライラミネート方式が作業性の面で優れている。
【００８８】
これら前記保護層を有する蛍光体層とは反対側になる外側の表面はマット化されており、該保護層の表面粗さの平均傾斜角Δａが０．０１〜０．１であることが放射線画像変換パネルにおいては、更に好ましい。
【００８９】
ここでいう表面粗さの平均傾斜角Δａとは、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１（１９９８）による算術平均傾斜角Δａのことである。
【００９０】
また保護層のフィルムの表面の表面粗さの平均傾斜角Δａを大きくするためには、保護層のフィルム表面にシリカ等の無機物を分散したフッ素系樹脂含有樹脂組成物層液を塗設する方法や、前記フィルムを複数枚積層する方法において、最表面の樹脂フィルム種を選択する方法等があるが、本発明はこれに限られるものではない。
【００９１】
各種表面形状の樹脂フィルムは広く市場に出回っており、必要とされる平均傾斜角Δａを有するフィルムを選択することは容易である。
【００９２】
ポリプロピレンフィルムやポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレートフィルム等のフィルムは、強さの面で保護フィルムとして優れた物性を有するにも関わらず、屈折率が大であるために、保護フィルム内部に入射した励起光の一部がフィルムの上下の界面で繰り返し反射して、走査された場所から離れた場所まで伝搬し、輝尽発光を放出させ鮮鋭性が低下する。また、保護フィルムの上下の界面で蛍光体層表面と反対方向に反射された励起光も光検出装置間や周辺部材で再反射して、走査された場所からさらに遠く離れた場所の輝尽性蛍光体層を励起させ輝尽発光を放出させるため、これによりさらに鮮鋭性が低下する。励起光は赤から赤外の長波長のコヒーレントな光であるために、積極的に散乱光や反射光を吸収しない限り、保護フィルム内部や読み取り装置内部の空間で吸収される量は少なく、離れた場所まで伝搬し鮮鋭性を悪化する。
【００９３】
このため、この散乱光や反射光を抑制する効果があると推測される励起光吸収層を設けることが好ましい。
【００９４】
励起光吸収層とは、励起光を選択的に吸収する着色剤を含有する層のことであって、後述する様に、これらの層が、前記保護フィルムの一方の面に塗設されてあってもよいし、両面に塗設されてあってもよいし、或いは保護フィルム自体が着色され励起光吸収層となっていてもよい。
【００９５】
また、本発明によりポリプロピレンフィルムやポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレートフィルム等のフィルムを保護層の構成要素として使用した場合も、被写体の放射線画像以外の濃淡すなわち画像ムラや、保護フィルムの製造工程中に起因すると思われる線状のノイズ等が減少する。
【００９６】
この効果は平均傾斜角Δａが０．０１以上であることによって顕著となる。
【００９７】
この値付近の傾斜角Δａで、保護層（保護フィルム）界面での励起光の全反射が防止されると推測されるが、励起光吸収層が保護フィルムに備わっていない場合はこの効果は小さいことから、上記効果は励起光吸収層の散乱防止効果と、表面粗さの平均傾斜角Δａの全反射防止の相乗効果であると推測される。
【００９８】
本発明により、保護層材料として求められる耐水性や防湿性、耐溶剤性を損なうことなく、耐熱性の高い保護フィルムを、画質を劣化させることなく必要な厚みで使用できるようになるため、長期にわたる耐熱性に優れた放射線画像変換パネルの実現が可能となった。
【００９９】
保護フィルムに樹脂フィルムを使用する場合、必要とされる耐傷性や防湿性にあわせて、樹脂フィルムや樹脂フィルムに金属酸化物などを蒸着した蒸着フィルムを複数枚積層した構成とすることができる。
【０１００】
また、上記のようにフィルムを複数枚積層する場合、さらに積層された樹脂フィルム間に励起光吸収層を設けることによって、励起光吸収層が物理的な衝撃や化学的な変質から保護され、安定したプレート性能が長期間維持できより好ましい。励起光吸収層は複数箇所に設けてもよいし、樹脂フィルムを積層するための接着層に着色剤を含有させ励起光吸収層としてもよい。
【０１０１】
保護フィルムの表面形状は、使用する樹脂フィルムを選択することや、樹脂フィルム表面に無機物等を含んだ塗膜を塗設することで容易に調整できる。また、この塗膜を着色し、励起光吸収層とすることも可能である。さらに近年では任意の表面形状の樹脂フィルムは容易に入手可能である。
【０１０２】
前述のように、励起光吸収層放射線画像変換パネルの保護フィルムを着色し、散乱光や反射光を抑制し、鮮鋭性を向上させる方法については、特公昭５９−２３４００号に、放射線画像変換パネルを構成する支持体、下引層、蛍光体層、中間層、保護層の各層が着色された場合の種々の実施形態の一例として記載されている。
【０１０３】
本発明において放射線画像変換パネルの保護層に好ましく使用される着色剤としては、該放射線画像変換パネルの励起光を吸収する特性を有する色剤が好ましく用いられる。
【０１０４】
好ましくは、保護フィルムの励起光波長における光透過率が、該励起光吸収層を有しないことだけが異なる該保護フィルムの光透過率の９８％〜５０％（例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ））となるように励起光吸収層を設けることである。光透過率が９８％を超えると本発明の効果は小さく、５０％未満では放射線画像変換パネルの輝度が急激に低下してくる。
【０１０５】
いかなる着色剤を用いるかは放射線画像変換パネルに用いる輝尽性蛍光体の種類によって決まるが、放射線画像変換パネル用の輝尽性蛍光体としては、通常、波長が４００〜９００ｎｍの範囲にある励起光によって３００〜５００ｎｍの波長範囲の輝尽発光を示す蛍光体が用いられる。このため、着色剤としては通常、青色〜緑色の有機系もしくは無機系の着色剤が用いられる。
【０１０６】
青色〜緑色の有機系着色剤の例としては、ザボンファーストブルー３Ｇ（ヘキスト社製）、エストロールブリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学社製）、スミアクリルブルーＦ−ＧＳＬ（住友化学社製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナル・アニリン社製）、スピリットブルー（保土谷化学社製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント社製）、キトンブルーＡ（チバ・ガイギー社製）、アイゼンカチロンブルーＧＬＨ（保土谷化学社製）、レイクブルーＡ、Ｆ、Ｈ（協和産業社製）、ローダリンブルー６ＧＸ（協和産業社製）、ブリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業社製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学社製）、シアニンブルーＢＮＲＳ（東洋インキ社製）、ライオノルブルーＳＬ（東洋インキ社製）が挙げられる。青色〜緑色の無機系着色剤の例としては、群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ2−ＺｎＯ−ＣｏＯ−ＮｉＯ系顔料が挙げられるがこれらに限られるものではない。
【０１０７】
（蛍光体層）
次いで、前記保護フィルムにより被覆することにより放射線画像変換パネルを構成する前記蛍光体について説明する。
【０１０８】
本発明において好ましい、これらの輝尽性蛍光体を用いて得られる柱状結晶、即ち各々の結晶がある間隙をおいて柱状に成長している結晶は、前記、特開平２−５８０００号に記載された方法により得ることができる。
【０１０９】
即ち、基板上に輝尽性蛍光体の蒸気又は該原料を供給し、蒸着等の気相成長（堆積）させる方法によって独立した細長い柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を得ることができる。
【０１１０】
例えば、蒸着時の輝尽性蛍光体の蒸気流を基板に垂直な方向に対し０〜５度の範囲で入射させることにより、基板面に対してほぼ垂直柱状の結晶を得ることが出来る。
【０１１１】
これらの場合において、基板と坩堝との最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて通常１０ｃｍ〜６０ｃｍに設置するのが適当である。
【０１１２】
蒸発源となる輝尽性蛍光体は、均一に溶解させるか、プレス、ホットプレスによって成形して坩堝に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うことが好ましい。蒸発源から輝尽性蛍光体を蒸発させる方法は通常電子銃により発した電子ビームの走査により行われるが、これ以外の方法にて蒸発させることもできる。
【０１１３】
また、蒸発源は必ずしも輝尽性蛍光体である必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであってもよい。
【０１１４】
また、賦活剤は母体（ｂａｓｉｃ  ｓｕｂｓｔａｎｃｅ）に対して賦活剤（ａｃｔｉｂａｔｏｒ）を混合したものを蒸着してもよいし、母体のみを蒸着した後、あとから賦活剤をドープしてもよい。例えば、母体をＣｓＢｒとした場合、ＣｓＢｒのみを蒸着した後、例えば賦活剤であるＩｎをドープしてもよい。即ち、結晶が独立しているため、膜が厚くとも充分にドープ可能であるし、結晶成長が起こりにくいので、変調伝達関数（ＭＴＦ）は低下しないからである。
【０１１５】
ドーピングは形成された蛍光体の母体層中にドーピング剤（賦活剤）を熱拡散、イオン注入法によって行うことが出来る。
【０１１６】
図２は本発明に用いられる気相堆積（蒸着）装置の一例及び該気相堆積装置を用いて基板（支持体）１２上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成される様子を示す図である。１１は形成される輝尽性蛍光体柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を模式的に表している。輝尽性蛍光体の蒸気流Ｖの基板面の方線方向（Ｐ）に対する入射角度をθ２とすると、形成される柱状結晶の基板面の法線方向（Ｐ）に対する角度はθ１で表される。入射角度θ２に依存して一定の角度θ１で柱状結晶が形成される。形成された柱状結晶の角度は、輝尽性蛍光体材料によってそれぞれ異なり、例えば、アルカリハライド系蛍光体のうち、本発明において特に好ましいＣｓＢｒ系蛍光体の場合には、例えば、蒸着時の輝尽性蛍光体の蒸気流を基板に垂直な方向に対し０〜５度の範囲で入射させる（即ちθ２が０〜５度）ことにより、基板面に対してほぼ垂直柱状（θ１がほぼ０度）の結晶を得ることが出来る。
【０１１７】
この様にして基板上に形成した輝尽性蛍光体層１１は、結着剤を含有していないので、指向性に優れており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルより層厚を厚くすることができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱が減少することで像の鮮鋭性が向上する。
【０１１８】
本発明の封止構造は後述する実施例記載の積層保護フィルムＡ（熱融着なし）を２枚用いて袋状にして、輝尽性蛍光体板を減圧しながら包み、蛍光体層面側の蛍光体周縁より外側にある領域で基板と保護フィルムを熱融着性シートを用いて融着し、その後裏面の保護フィルムを除去して封止する構造であり、本発明の放射線画像変換パネルを作製する。
【０１１９】
これらの厚みは用いる支持体の材質等によって異なるが、一般的には８０μｍ〜５０００μｍであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは２５０μｍ〜４５００μｍである。更には１０００〜４０００μｍである。
【実施例】
【０１２０】
以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明の実施態様これらに限定されものではない。
【０１２１】
実施例１
《放射線画像変換パネル１の作製》
以下に記載の方法に従って、蒸着型蛍光体層を有する放射線画像変換パネル１を作製した。
【０１２２】
（輝尽性蛍光体層の作製）
厚さ２ｍｍ厚、５００ｍｍ角サイズの炭素繊維強化樹脂板（東邦テナックス製ＣＦＲＰ＃１６７Ａ，含侵樹脂硬化エポキシ樹脂）を公知の蒸着装置の真空チャンバー中に入れ、真空チャンバー中にアルゴンガスを導入し、真空度を０．１Ｐａとした後、ＣｓＢｒ：０．００１Ｅｕを有するアルカリハライド蛍光体をルツボに入れ、基板温度を８０℃とし、基板と蒸着源の距離を６０ｃｍで、アルミニウム製のスリットを用い、基板と平行な方向に基板を搬送しながら蒸着を行って、３００μｍ厚の柱状構造を有する蛍光体板を形成した。基板表面平均粗さと蛍光体層表面平均粗さは表１の通りであった。
【０１２３】
（防湿性封止フィルムの作製）
下記構成で表されるアルミナ蒸着ポリエチレンテレフタレート樹脂層を含む積層保護フィルムＡを作製した。
積層保護フィルムＡ：ＶＭＰＥＴ１２／／／ＶＭＰＥＴ１２／／／ＰＥＴ
積層保護フィルムＡにおいて、ＶＭＰＥＴは、アルミナ蒸着したポリエチレンテレフタレート（市販品：東洋メタライジング社製）を表し、ＰＥＴはポリエチレンテレフタレートを表す。又、上記「／／／」は、ドライラミネーション接着層における２液反応型のウレタン系接着剤層の厚みが３．０μｍであることを表し、各樹脂フィルムの後に表示した数字は、各フィルムの膜厚（μｍ）を表す。
【０１２４】
上記の保護フィルムを２枚使って袋状にして、輝尽性蛍光体板を減圧しながら包み、蛍光体面側の蛍光体周縁より外側にある領域で、基板と保護フィルムを融着を使って融着し、裏面の保護フィルムは除去して放射線画像変換パネル１を作製した。
【０１２５】
得られたパネルの特性評価を行った。
【０１２６】
実施例２
基板として上記炭素繊維強化樹脂板にフッソ樹脂液（ダイキン（株）  製ＴＣ−７１０５ＧＮ）をスプレーコーターにて塗布し、８０℃，３０分、１４０℃，９０分と２段階に乾燥後、２０μｍ厚のフッソ樹脂膜を設けたものを使い、実施例１と同様に蒸着し、封止を行って、放射線画像変換パネル２を作製した。
【０１２７】
基板表面平均粗さと蛍光体層表面平均粗さの測定、得られた放射線画像変換パネル２の特性評価を行った。
【０１２８】
実施例３
基板として０．５ｍｍ厚、５００ｍｍ角サイズのアルミニウム（住友軽金属（株）製Ａ１１００ＸＬ）を使い、実施例１と同様に蒸着し、封止を行って、放射線画像変換パネル３を作製した。
【０１２９】
基板表面平均粗さと蛍光体層表面平均粗さの測定、得られた放射線画像変換パネル３の特性評価を行った。
【０１３０】
比較例１
真空度１Ｐａ、基板温度を１６０℃にした以外は、実施例２と同様にして放射線画像変換パネル４を作製した。
【０１３１】
基板表面平均粗さと蛍光体層表面平均粗さの測定、得られた放射線画像変換パネル４の特性評価を行った。
【０１３２】
比較例２
真空度１Ｐａ、基板温度を１６０℃にした以外は、実施例３と同様にして放射線画像変換パネル４を作製した。
【０１３３】
基板表面平均粗さと蛍光体層表面平均粗さの測定、得られた放射線画像変換パネル５の特性評価を行った。
【０１３４】
（表面粗さの測定）
平均表面粗さＲａ、Ｒｂ、最大表面粗さＲｚ・Ｄの値の算出は、東京精密社製、表面粗さ計（サーフコム１５００Ａ）を使い、垂直倍率１０Ｋ、水平倍率ＡＵＴＯ、測定長１５ｍｍ、移動速度０．３ｍｍ／ｓ、うねりのカットオフ２．５ｍｍの条件でＮ＝３で測定、算出した。
【０１３５】
（放射線画像変換パネル１〜５の特性評価）
感度と鮮鋭度、両方とも値が大きい方が良い。
【０１３６】
イ）感度の評価
感度の測定は放射線画像変換パネルに管電圧８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＡｓで爆射線源とプレート間距離２ｍで照射した後、Ｒｅｇｉｕｓ３５０にプレートを設置して読みとった。得られたフォトマルからの電気信号を元に評価を行った。表中の感度は蛍光体面全体の平均値であり、試料６の感度を１とした場合の相対感度である。
【０１３７】
ロ）鮮鋭度の評価
鮮鋭度は、変調伝達関数（ＭＴＦ）を求めて評価した。
【０１３８】
ＭＴＦは、放射線像変換パネル試料にＣＴＦチャートを貼付した後、放射線像変換パネル試料に８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＲ（被写体までの距離：１．５ｍ）照射した後、１００μｍφの直径の半導体レーザ（６８０ｎｍ：パネル上でのパワー４０ｍＷ）を用いてＣＴＦチャート像を走査読み取りして求めた。表の値は、２．０ｌｐ／ｍｍのＭＴＦ値を示した。値が大きいほど鮮鋭度がよい。
【０１３９】
以上の結果を以下に示す。
【０１４０】
【表１】
2005300165.tif 000002
【０１４１】
表１から明らかなように本発明の放射線画像変換パネルは、発光輝度（感度）、鮮鋭性共に優れていることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【０１４２】
【図１】本発明の放射線画像変換パネルの基本的な構成の一例を示す概略図である。
【図２】本発明に用いられる気相堆積（蒸着）装置の一例を示す図である。
【符号の説明】
【０１４３】
１１  輝尽性蛍光体層
１２  基板（支持体）
１３  耐熱性樹脂層
１４  防湿性保護フィルム
【図１】
2005300165.tif 000003
【図２】
2005300165.tif 000004