(57)【要約】      （修正有）【課題】ウエハ薄型加工において、ウエハの割れを確実に防止できる半導体基板、及び半導体基板の薄型加工方法を提供する。【解決手段】半導体基板１０面上に、半導体素子が形成された素子領域１１と、当該素子領域１１とは異なる基板外周領域１０ｂとを有し、当該基板外周領域１０ｂには、凹凸部１２が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板面上に、半導体素子が形成された素子領域と、当該素子領域とは異なる基板外周領域とを有し、当該基板外周領域には、凹凸部が形成されていることを特徴とする半導体基板。
【請求項２】
前記基板外周領域に隣接する側部に凹凸部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板。
【請求項３】
前記凹凸部は、ドライエッチング法を用いることによって形成されたものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体基板。
【請求項４】
前記凹凸部は、ウエットエッチング法を用いることによって形成されたものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体基板。
【請求項５】
前記凹凸部は、機械的に研削することによって形成されたものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体基板。
【請求項６】
前記凹凸部は、電解メッキ法を用いることによって形成されたものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体基板。
【請求項７】
前記凹凸部は、無電解メッキ法を用いることによって形成されたものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体基板。
【請求項８】
前記凹凸部は、樹脂材料又は金属材料のパターニングによって形成されたものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体基板。
【請求項９】
半導体基板を薄型加工する方法であって、
第１基板面上に半導体素子を有する素子領域を形成する工程と、
当該素子領域とは異なる基板外周領域に凹凸部を形成する工程と、
前記第１基板面を支持体に貼り合わせる工程と、
前記第１基板面とは反対側の第２基板面を研削する工程と、
を含むことを特徴とする半導体基板の薄型加工方法。
【請求項１０】
前記第１基板面を支持体に貼り合わせる工程は、接着層を介して前記第１基板面と前記支持体とを貼り合わせることを特徴とする請求項９に記載の半導体基板の薄型加工方法。
【請求項１１】
前記接着層は、液状であることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の半導体基板の薄型加工方法。
【請求項１２】
前記第１基板面とは反対側の第２基板面を研削する工程は、バックグラインドを用いることを特徴とする請求項９から請求項１１のいずれかに記載の半導体基板の薄型加工方法。
【請求項１３】
前記半導体基板の側部を研削することにより、当該半導体基板の直径を前記支持体の直径よりも小さくする工程を含むことを特徴とする請求項９から請求項１２のいずれかに記載の半導体基板の薄型加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、及び半導体基板の薄型加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（Personal data assistance）等の携帯性を有する電子機器、センサ、マイクロマシン、及びプリンタのヘッド等の機器は、小型・軽量化のため、内部に設けられる半導体チップ等の各種の電子部品の小型化が図られている。また、これらの電子部品は実装スペースが極めて制限されている。このため、例えば半導体チップのパッケージング方法においては、ＣＳＰ（Chip Scale Package）技術やＷ−ＣＳＰ（Wafer level Chip Scale Package）技術等を用いることにより、超小型パッケージングや高密度実装を達成することが検討されている。
【０００３】
このようなＣＳＰ技術やＷ−ＣＳＰ技術を用いて半導体チップを製造する場合には、小型・軽量・薄型のパッケージを創出する為、半導体チップの厚みを７０μｍ程度まで薄くするのが一般的である。具体的には、ウエハに電子回路を形成した後に、接着剤等を介してウエハを支持体に固定し、ウエハの裏面（電子回路が形成されていない面）側から研削（バックグラインド）を行って、ウエハの薄板化を施している。
【０００４】
しかしながら、このようにウエハの薄型化を施す場合においては、ウエハ外周部を起点とする割れが発生しやすい。そこで、このような割れを防止するために、ウエハ端面を研削することによってウエハ外周部がエッジ形状になるのを防ぐ技術や、ウエハ端面を研削することによって複数の凸形状を形成してウエハ外周部がエッジ形状になるのを防ぐ技術が提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。
【特許文献１】特開２００３−５９８７８号公報
【特許文献２】特開平７−４５５６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記特許文献に記載された技術においては、ウエハの薄型加工を施した際の割れを抑制することが可能となっても、その効果が十分に発揮されないことが本発明者によって確認された。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、ウエハ薄型加工において、ウエハの割れを確実に防止できる半導体基板、及び半導体基板の薄型加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、ウエハの極薄加工を施す際に、研削部材とウエハと潤滑させると共に、両者を冷却させるための水を供給することによって、当該水がウエハと支持体の間に侵入し、ウエハの外周部が盛り上がって反りが生じ、研削部材とウエハとの間の接触圧力が研削面内において不均一になり、これによってウエハが割れてしまうことを見出した。
そこで、本発明者は、上記に基づいて以下の手段を有する本発明を想到した。
【０００７】
即ち、本発明の半導体基板は、第１基板面上に、半導体素子が形成された素子領域と、当該素子領域とは異なる基板外周領域とを有し、当該基板外周領域には、凹凸部が形成されていることを特徴としている。
このように、凹凸部が形成されることによって、基板外周領域の表面積や露出面積が、凹凸部が形成されていない場合と比較して大きくなる。そして、半導体基板の薄型加工を施す前に、当該半導体基板と支持体とを接着層を介して接着すると、当該接着層と基板外周領域との接着面積が大きくなり、接着層と半導体基板との密着性を向上させることができ、剥離を防止することができる。これによって、半導体基板の極薄加工を施す際に、研削部材と半導体基板の潤滑や冷却として機能する水が、半導体基板と支持体の間に侵入するのを防止することができる。従って、半導体基板の外周部が盛り上がることがないので、半導体基板の反りを防止し、半導体基板に対する研削部材の接触圧力を第２基板面内において均一にすることができる。即ち、半導体基板の割れを防止することができる。
このように半導体基板の割れを防止することが可能となることで、半導体基板の歩留まりが向上するので、半導体基板の製造コストを低減することができる。
【０００８】
また、前記半導体基板においては、前記基板外周領域に隣接する側部に凹凸部が形成されていることを特徴としている。
このようにすれば、基板外周領域の表面積や露出面積が大きくなるだけでなく、側部における表面積や露出面積が大きくなる。そして、半導体基板と支持体とを接着層によって接着すると、側部の凹凸部によって接着層が保持されるので、接着層と半導体基板とを更に密着させることができる。また、側部に接着層が保持されることで、半導体基板と支持体の間に水が更に侵入し難くなり、水に対するバリア効果を向上させることができる。
【０００９】
また、前記半導体基板においては、前記凹凸部は、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、機械的な研削による方法、電解メッキ法、無電解メッキ法、及び樹脂材料や金属材料のパターニングによって形成されたものである。
このような方法は、公知の方法であるので、基板外周領域や側部に容易に凹凸部を形成することができる。
ここで、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、及び機械的な研削による方法においては、基板外周領域や側部の表面を粗すことによって凹凸部を形成することができる。また、ドライエッチング法やウエットエッチング法は、プラズマ化したガスの作用やエッチング液に含まれる反応液の作用を利用するので、化学的作用を利用して微細な凹凸部を形成することができる。
【００１０】
また、電解メッキ法、無電解メッキ法、樹脂材料や金属材料のパターニングにおいては、付加的に樹脂や金属を形成することによって基板外周領域や側部に凹凸部を形成することができる。また、電解メッキ法、無電解メッキ法は、半導体基板をメッキ液に浸漬させるので、金属材料を部分的に堆積させて凹凸部を形成することができる。また、樹脂材料や金属材料のパターニングにおいては、感光性樹脂薄膜や金属薄膜を形成した後に当該薄膜を部分的に除去することで凹凸部を形成することができる。
【００１１】
また、本発明の半導体基板の薄型加工方法は、半導体基板を薄型加工する方法であって、第１基板面上に半導体素子を有する素子領域を形成する工程と、当該素子領域とは異なる基板外周領域に凹凸部を形成する工程と、前記第１基板面を支持体に貼り合わせる工程と、前記第１基板面とは反対側の第２基板面を研削する工程と、を含むことを特徴としている。
このように、凹凸部を形成する工程を施すことによって、基板外周領域の表面積や露出面積を、凹凸部を形成しない場合と比較して大きくすることができる。そして、第１基板面を支持体に貼り合わせる工程を施すことによって、半導体基板と支持体とが接着層によって接着されるので、当該接着層と基板外周領域との接着面積が大きくなり、接着層と半導体基板との密着性を向上させることができ、剥離を防止することができる。これによって、半導体基板の極薄加工を施す際に、研削部材と半導体基板の潤滑や冷却として機能する水が、半導体基板と支持体の間に侵入するのを防止することができる。そして、第２基板面を研削する工程を施すことによって、半導体基板の薄型加工を施すことができる。ここで、半導体基板と支持体の間に水が侵入することがないので、半導体基板の外周部が盛り上がることがない。これにより、半導体基板の反りを防止し、半導体基板に対する研削部材の接触圧力を第２基板面内において均一にすることができる。即ち、半導体基板の割れを防止することができる。
このように半導体基板の割れを防止することが可能となることで、半導体基板の歩留まりが向上するので、半導体基板の製造コストを低減することができる。
【００１２】
また、前記半導体基板の薄型加工方法においては、前記第１基板面を支持体に貼り合わせる工程は、接着層を介して前記第１基板面と前記支持体とを貼り合わせることを特徴としている。
このようにすれば、確実に支持体と半導体基板とを密着させることができる。また、当該接着層は、基板外周領域に形成された凹凸部によって保持され、当該基板外周領域との接触面積が大きいので、上記と同様の効果が得られる。
【００１３】
また、前記半導体基板の薄型加工方法においては、前記接着層は、液状であることを特徴としている。
このような液状の接着層を半導体基板と支持体との間に介することによって、半導体基板と支持体との間の全ての空間内に接着層が行き渡るので、接着面積が大きくなり、接着強度を向上させることができる。
【００１４】
また、前記半導体基板の薄型加工方法においては、前記第１基板面とは反対側の第２基板面を研削する工程は、バックグラインドを用いることを特徴としている。
このようにすれば、第２基板面がバックグラインドによって研削されるので、半導体基板の薄型加工を施すことができる。
【００１５】
また、前記半導体基板の薄型加工方法においては、前記半導体基板の側部を研削することにより、当該半導体基板の直径を前記支持体の直径よりも小さくする工程を含むことを特徴としている。
ここで、半導体基板の直径が、支持体の直径よりも大きい場合には、半導体基板の端面が張り出して自由端となるので、半導体基板が支持体から剥離しやすくなり、支持体と半導体基板との密着性が低下することとなる。また、半導体基板の直径と支持体の直径とが同等である場合には、少しでも位置ずれが生じるだけで、半導体基板の端面が張り出して自由端となるので、上記同様に密着性が低下することとなる。従って、半導体基板の直径を支持体の直径よりも小さくすることにより、半導体基板が支持体上に収まることとなり、半導体基板を支持体上に安定して支持することができ、半導体基板の剥離を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明の半導体基板、及び半導体基板の薄型加工方法について、実施するための最良の形態を説明する。
なお、以下に参照する図においては、各種部材や各種層膜を認識可能とするために、縮尺を異ならせて図示している。
【００１７】
（半導体基板）
図１は、本発明の半導体基板の一例を模式的に示す図であり、図１（ａ）は半導体基板の平面図、図１（ｂ）は半導体基板の断面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）に示す符号Ａを拡大視した拡大図である。
【００１８】
図１に示すように、半導体基板１０の表面（第１基板面）１０ａには、集積回路等の半導体素子が形成された素子領域１１が設けられている。そして、表面１０ａ上において、素子領域１１を除いた半導体基板１０の外周（基板外周領域）１０ｂには、凹凸部１２が形成されている。
半導体基板１０は、例えばＳｉ（シリコン）からなる基板、即ち、シリコンウエハである。そのサイズは、８インチ〜１２インチ程度となっている。
素子領域１１においては、半導体チップ毎に、トランジスタ、メモリ素子、その他の電子素子並びに電気配線等からなる電子回路が形成されている。
外周１０ｂに形成された凹凸部１２は、後に詳述するように各種方法によって形成されたものである。また、当該凹凸部１２は、外周１０ｂの地肌に微細な凹部を設けて相対的に凹凸形状としたもの、又は外周１０ｂの樹脂材料や金属材料等からなる微細な凸部を設けて相対的に凹凸形状としたものである。
また、半導体基板１０の裏面（第２基板面）１０ｃは、後述するように薄型加工によって研削される面であり、当該裏面１０ｃには、集積回路等の半導体素子は形成されていない。
なお、図１（ａ）に示す半導体基板１０は円形であるが、実際には円形の外周の一部には切り欠き部分、即ち、オリフラが形成されている。
【００１９】
（半導体基板の薄型加工方法の第１実施形態）
次に、半導体基板の薄型加工方法の第１実施形態として、図１に示す半導体基板１０を薄型加工する方法について説明する。
図２（ａ）〜（ｄ）は、半導体基板１０を薄型加工するための工程図であって、図１（ｂ）に示す半導体基板１０の符号Ａの部分を拡大したものである。なお、図２（ｃ）は、図２（ｂ）に示す半導体基板１０を反転して支持体に接着させた図を示している。
【００２０】
まず、図２（ａ）に示すように、半導体基板１０の表面１０ａに素子領域１１を形成する。ここで、素子領域１１は、外周１０ｂを除く部分に形成される。素子領域１１は、上記のようにトランジスタ、メモリ素子、その他の電子素子並びに電気配線等からなる電子回路であり、これらは公知のフォトリソグラフィ工程、酸化工程、成膜工程、不純物注入工程、エッチング工程等によって形成される。
【００２１】
次に、図２（ｂ）に示すように、外周１０ｂに凹凸部１２を形成する。
当該凹凸部１２の形成方法としては、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、機械的研削による方法、電解メッキ法、無電解メッキ法、樹脂材料や金属材料のパターニング、が挙げられる。ここで、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、機械的研削による方法は、半導体基板１０の外周１０ｂの表面を粗すことによって凹凸部１２を形成するものであり、換言すれば、微細な凹部を形成し、相対的に凹凸形状を形成するものである。また、電解メッキ法、無電解メッキ法、樹脂材料や金属材料のパターニングは、半導体基板１０の外周１０ｂの表面に金属や樹脂からなる微細な凸部を形成することによって凹凸部１２を形成するものであり、換言すれば、微細な凸部を形成し、相対的に凹凸形状を形成するものである。次に、各方法について詳述する。
【００２２】
ドライエッチング法を用いる場合には、半導体基板１０をチャンバ内に配置させた状態で、チャンバ内に反応性ガスのプラズマを生成することによって行われる。ここで、半導体基板１０の外周１０ｂは露出状態となっており、素子領域１１には樹脂膜等のマスクが形成されている。また、反応性ガスの種類としては、シリコンをエッチングするのに好適なガス、例えば、ＳＦ６やＣＦ４等のフッ素系ガスが用いられる。このようなドライエッチング法を用いることにより、露出状態の外周１０ｂの表面が粗されて、凹凸部１２が形成される。
【００２３】
ウエットエッチング法を用いる場合には、半導体基板１０をエッチング液に所定時間だけ含浸させることによって行われる。ここで、上記のように半導体基板１０の外周部１０ｂのみが露出状態となっている。また、エッチング液としては、シリコンをエッチングするのに好適な反応液、例えば、フッ酸等が用いられる。このようなウエットエッチング法を用いることにより、露出状態の外周１０ｂの表面が粗されて、凹凸部１２が形成される。
【００２４】
機械的研削を用いる場合には、半導体基板１０の外周１０ｂに研削部材を当接させた状態で、半導体基板１０の周縁方向に研削部材と半導体基板１０とを相対移動させることによって行われる。ここで、研削部材の歯形状は、凹凸部１２が所望の形状となるように適宜選択される。なお、このような研削を行う際には、素子領域１１を保護するために当該領域１１にマスキングを施しておくことが好ましい。このような機械的に研削を行うことにより、露出状態の外周１０ｂの表面が粗されて、凹凸部１２が形成される。
【００２５】
電解メッキ法を用いる場合には、メッキ液内に半導体基板１０を含浸させ、半導体基板１０に接続された端子と、メッキ液槽内に設けられた電極との間に電圧を供給することにより行われる。ここで、外周１０ｂに予めシード層を形成しておく必要があり、メッキは、シード層が形成された部分のみに形成される。また、素子領域１１には、半導体素子等が形成されていることから、メッキ液と接触しないように、マスキングを施しておくことが好ましい。このような電解メッキ法を用いる場合では、メッキ液に含まれる金属イオンがシード層に引き寄せられ、堆積することにより、外周１０ｂに部分的に凸部が設けられ、相対的な凹凸形状が形成される。
【００２６】
無電解メッキ法を用いる場合には、外周１０ｂの表面に対して無電解メッキ液に対する感受性化を施した後に、無電解メッキ液に半導体基板１０を含浸させることにより、行われる。このような無電解メッキ法においても素子領域１１にマスキングを施しておくことが好ましい。このような無電解メッキ法を用いる場合では、感受性化が施された外周１０ｂに対して部分的に凸部が設けられ、相対的な凹凸形状が形成される。
【００２７】
樹脂材料や金属材料のパターニングを用いる場合には、公知のフォトリソグラフィ技術が用いられる。例えば、樹脂材料をパターニングするには、外周１０ｂに樹脂膜を一様に形成した後に、当該樹脂膜上にフォトレジストを塗布形成し、露光・現像によって形成されたフォトレジストの穴部から樹脂膜を除去することで、樹脂材料のパターニングが施される。樹脂材料に代えて金属材料を用いても同様にパターニングを行うことが可能となる。更に、樹脂材料として、感光性樹脂材料を採用すれば、当該樹脂材料自体にパターニングを行うことが可能となり、工程の簡素化を達成できるので好ましい。このように、パターニングを用いる場合では、外周１０ｂに対して部分的に凸部が設けられ、相対的な凹凸形状が形成される。
【００２８】
次に、図２（ｃ）に示すように、半導体基板１０を反転させた後に、ステージ（支持体）２０と半導体基板１０とを貼り合わせる。
ここで、ステージ２０は、ガラス基板、金属基板、樹脂基板等からなるものであり、半導体基板１０に曲げが生じないように高精度な平坦面２０ａを有している。そして、当該平坦面２０ａと素子領域１１とが対向するように半導体基板１０がステージ２０に貼り合わされる。また、半導体基板１０とステージ２０との間には、接着層１５が設けられている。当該接着層１５は、接着剤、接着テープ、接着シートが採用される。また、当該接着層１５は、液状体であることが好ましく、この場合にはステージ２０と半導体基板１０とを貼り合わせることにより、表面１０ａ内の全面に液状の接着層１５が濡れ広がるので、気泡が入り難く、ステージ２０に対して平坦に半導体基板１０を接着することが可能となる。また、液状の接着層１５を用いることにより、半導体基板１０とステージ２０との間の全ての空間内に接着層が行き渡るので、接着面積が大きくなり、接着強度を向上させることが可能となる。
【００２９】
また、当該接着層１５は、熱反応性樹脂や紫外線反応樹脂であることが好ましい。従って、接着層１５を介して半導体基板１０とステージ２０とを固定した後に、接着層１５を加熱したり、紫外線を照射したりすることで、半導体基板１０とステージ２０とを確実に接着させることが可能となる。
【００３０】
次に、図２（ｄ）に示すように、半導体基板１０の裏面１０ｃ側からバックグラインドを施し、半導体基板１０に薄型加工を施す。具体的には、研削部材を裏面１０ｃに当接させ、当該研削部材と半導体基板１０とを相対移動させながら、裏面１０ｃを研削する。ここで、研削部材と半導体基板１０を冷却すると共に、両者を潤滑させるための水を供給しながらバックグラインドが行われる。これにより、図２（ｄ）の点線に示す部分が除去されて、薄型基板３０が形成される。更に、このように形成された薄型基板３０に対してスピンエッチングやドライエッチングを施すことで、薄型加工の仕上げが施される。
【００３１】
上述したように、本実施形態においては、半導体基板１０の外周１０ｂに凹凸部が形成されているので、外周１０ｂの表面積や露出面積が、凹凸部１２が形成されていない場合と比較して大きくなる。そして、半導体基板１０の薄型加工を施す前に、当該半導体基板１０とステージ２０とを接着層１５を介して接着すると、当該接着層１５と外周１０ｂとの接着面積が大きくなり、接着層１５と半導体基板１０との密着性を向上させることができ、剥離を防止することができる。これによって、半導体基板１０の極薄加工を施す際に、研削部材と半導体基板１０の潤滑や冷却として機能する水が、半導体基板１０とステージ２０の間に侵入するのを防止することができる。従って、半導体基板１０の外周部が盛り上がることがないので、半導体基板１０の反りを防止し、半導体基板１０に対する研削部材の接触圧力を裏面１０ｃの面内において均一にすることができる。即ち、半導体基板１０の割れを防止することができる。このように半導体基板１０の割れを防止することが可能となることで、半導体基板１０の歩留まりが向上するので、半導体基板１０の製造コストを低減することができる。
また、凹凸部１２は、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、機械的な研削による方法、電解メッキ法、無電解メッキ法、及び樹脂材料や金属材料のパターニングによって形成されたものであるので、外周１０ｂに容易に凹凸部１２を形成することができる。
【００３２】
（半導体基板の薄型加工方法の第２実施形態）
次に、図３及び図４を参照して、半導体基板の薄型加工方法の第２実施形態について説明する。図３（ａ）〜（ｃ）は、半導体基板を薄型加工する際の工程図であり、図４は図３に示す工程で用いられる研削部材を示す図である。
なお、本実施形態においては、先述の実施形態と同一構成に同一符号を付して説明を簡略化している。また、先述の実施形態と同一工程においては、同一図面を引用して、説明を簡略化している。
【００３３】
まず、図２（ａ）に示したように、素子領域１１が形成された半導体基板１０を用意する。次に、図３（ａ）に示すように、半導体基板１０の外周１０ｂと、側部１０ｄに凹凸部１２を形成する。当該凹凸部１２を形成するには、先述の実施形態と同様の方法が用いられる。例えば、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、電解メッキ法、無電解メッキ法を用いる場合には、外周１０ｂだけでなく、側部１０ｄも含めて露出させておき、当該露出された外周１０ｂ及び側部１０ｄに凹凸部１２が形成される。
【００３４】
また、機械的に研削を行って凹凸部１２を形成する場合には、図４に示すような研削部材が用いられる。このような研削部材５０は、半導体基板１０の外周１０ｂと側部１０ｄを同時に研削するために湾曲した歯５０ａを有している。このような研削部材５０を半導体基板１０の外周１０ｂと側部１０ｄに当接させて研削を行うことで、当該外周１０ｂ及び側部１０ｄに凹凸部１２が形成される。
【００３５】
次に、図３（ｂ）に示すように、半導体基板１０を反転させた後に、接着層１５を介してステージ２０と半導体基板１０とを貼り合わせる。ここで、液状の接着層１５を用いることが好ましい。液状の接着層１５を用いることにより、側部１０ｄまで接着層１５が濡れ広がることとなる。
【００３６】
次に、図３（ｃ）に示すように、半導体基板１０の裏面１０ｃ側からバックグラインドを施し、半導体基板１０に薄型加工を施す。当該工程においては、研削部材と半導体基板１０を冷却すると共に、両者を潤滑させるための水を供給しながらバックグラインドが行われる。これにより、図３（ｃ）の点線に示す部分が除去されて、薄型基板３０が形成される。更に、このように形成された薄型基板３０に対してスピンエッチングやドライエッチングを施すことで、薄型加工の仕上げが施される。
【００３７】
上述したように、本実施形態においては、外周１０ｂに隣接する側部１０ｄに凹凸部１２が形成されているので、外周１０ｂの表面積や露出面積が大きくなるだけでなく、側部１０ｄにおける表面積や露出面積が大きくなる。そして、半導体基板１０とステージ２０とを接着層１５によって接着すると、側部１０ｄの凹凸部１２によって接着層１５が保持されるので、接着層１５と半導体基板１０とを更に密着させることができる。また、側部１０ｄに接着層１５が保持されることで、半導体基板１０とステージ２０の間に水が更に侵入し難くなり、水に対するバリア効果を向上させることができる。
【００３８】
（半導体基板の薄型加工方法の第３実施形態）
次に、図５を参照して、半導体基板の薄型加工方法の第３実施形態について説明する。図５（ａ）〜（ｃ）は、半導体基板を薄型加工する際の工程図である。
なお、本実施形態においては、先述の実施形態と同一構成に同一符号を付して説明を簡略化している。また、先述の実施形態と同一工程においては、同一図面を引用して、説明を簡略化している。
【００３９】
まず、図２（ａ）に示したように、素子領域１１が形成された半導体基板１０を用意する。次に、図５（ａ）に示すように、半導体基板１０の外周１０ｂに凹凸部１２を形成する。当該凹凸部１２を形成するには、先述の実施形態と同様の方法が用いられる。例えば、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、電解メッキ法、無電解メッキ法を用いる場合には、外周１０ｂだけでなく、側部１０ｄも含めて露出させておき、当該露出された外周１０ｂ及び側部１０ｄに凹凸部１２が形成される。
【００４０】
更に、本実施形態においては、半導体基板１０の側部１０ｄを研削することにより、元々の半導体基板１０の直径を小さくして、直径Ｄの半導体基板１０を形成している。このように側部１０ｄを研削する方法としては、研削部材を側部１０ｄに当接させて機械的に研削することが好ましい。また、半導体基板１０の直径Ｄはステージ２０の直径Ｄ１よりも小さくなっている。
【００４１】
次に、図５（ｂ）に示すように、半導体基板１０を反転させた後に、接着層１５を介してステージ２０と半導体基板１０とを貼り合わせる。ここで、液状の接着層１５を用いることが好ましい。液状の接着層１５を用いることにより、側部１０ｄ’まで接着層１５が濡れ広がることとなる。また、上記のように側部１０ｄが研削されることによって直径が小さくなっている半導体基板１０と、ステージ２０の直径とを比較すると、Ｄ１＞Ｄとなっており、半導体基板１０の直径Ｄがステージ２０の直径よりも小さくなっている。これにより、ステージ２０上に半導体基板１０が安定して支持される。
【００４２】
次に、図５（ｃ）に示すように、半導体基板１０の裏面１０ｃ側からバックグラインドを施し、半導体基板１０に薄型加工を施す。当該工程においては、研削部材と半導体基板１０を冷却すると共に、両者を潤滑させるための水を供給しながらバックグラインドが行われる。これにより、図５（ｃ）の点線に示す部分が除去されて、薄型基板３０が形成される。更に、このように形成された薄型基板３０に対してスピンエッチングやドライエッチングを施すことで、薄型加工の仕上げが施される。
【００４３】
上述したように、本実施形態においては、半導体基板１０の側部１０ｄを研削することにより、当該半導体基板１０の直径Ｄをステージ２０の直径Ｄ１よりも小さくしているので、半導体基板１０がステージ２０上に収まることとなり、半導体基板１０をステージ２０上に安定して支持することができる。具体的に説明すると、半導体基板１０の直径Ｄが、ステージ２０の直径Ｄ１よりも大きい場合には、半導体基板１０の側部（端面）１０ｄが張り出して自由端となるので、半導体基板１０がステージ２０から剥離しやすくなり、ステージ２０と半導体基板１０との密着性が低下することとなる。また、半導体基板１０の直径Ｄとステージ２０の直径Ｄ１とが同等である場合には、少しでも位置ずれが生じるだけで、半導体基板１０の側部１０ｄが張り出して自由端となるので、上記同様に密着性が低下することとなる。従って、半導体基板１０の直径Ｄをステージ２０の直径Ｄ１よりも小さくすることにより、半導体基板１０の側部１０ｄ’がステージ２０上に収まり、自由端とならないので、半導体基板１０の剥離を防止することができる。
【００４４】
（半導体基板の薄型加工方法の第４実施形態）
次に、図６を参照して、半導体基板の薄型加工方法の第４実施形態について説明する。図６（ａ）〜（ｃ）は、半導体基板を薄型加工する際の工程図である。
なお、本実施形態においては、先述の実施形態と同一構成に同一符号を付して説明を簡略化している。また、先述の実施形態と同一工程においては、同一図面を引用して、説明を簡略化している。
【００４５】
まず、図２（ａ）に示したように、素子領域１１が形成された半導体基板１０を用意する。次に、図６（ａ）に示すように、半導体基板１０の外周１０ｂと、側部１０ｄに凹凸部１２を形成する。具体的には、ドライエッチング法やウエットエッチング法を用いずに、電解メッキ法や無電解メッキ法、又は樹脂材料や金属材料をパターニングすることで凹凸部１２を形成する。このような各メッキ法やパターニングによる方法は、エッチング法を用いる場合と異なっており、外周１０ｂの表面に凸部を設けることで、相対的に凹凸形状を形成している。
【００４６】
次に、図６（ｂ）に示すように、半導体基板１０を反転させた後に、接着層１５を介してステージ２０と半導体基板１０とを貼り合わせる。ここで、液状の接着層１５を用いることが好ましい。液状の接着層１５を用いることにより、側部１０ｄまで接着層１５が濡れ広がることとなる。
【００４７】
次に、図６（ｃ）に示すように、半導体基板１０の裏面１０ｃ側からバックグラインドを施し、半導体基板１０に薄型加工を施す。当該工程においては、研削部材と半導体基板１０を冷却すると共に、両者を潤滑させるための水を供給しながらバックグラインドが行われる。これにより、図６（ｃ）の点線に示す部分が除去されて、薄型基板３０が形成される。更に、このように形成された薄型基板３０に対してスピンエッチングやドライエッチングを施すことで、薄型加工の仕上げが施される。
【００４８】
上述したように、本実施形態においては、外周１０ｂに凹凸部１２が形成されているので、外周１０ｂの表面積や露出面積が大きくなる。そして、半導体基板１０とステージ２０とを接着層１５によって接着すると、接着強度が向上し、半導体基板１０とステージ２０の間に水が更に侵入し難くなり、半導体基板１０の剥離や割れを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の半導体基板を示す図。
【図２】本発明の半導体基板の薄型加工方法の第１実施形態を説明するための工程図。
【図３】本発明の半導体基板の薄型加工方法の第２実施形態を説明するための工程図。
【図４】本発明の半導体基板の薄型加工方法の第２実施形態で用いる研削部材の図。
【図５】本発明の半導体基板の薄型加工方法の第３実施形態を説明するための工程図。
【図６】本発明の半導体基板の薄型加工方法の第４実施形態を説明するための工程図。
【符号の説明】
【００５０】
１０  半導体基板、１０ａ  表面（第１基板面）、１０ｂ  外周（基板外周領域）、１０ｃ  裏面（第２基板面）、１０ｄ  側部、１１  素子領域、１２  凹凸部、１５  接着層、２０  ステージ（支持体）、Ｄ  半導体基板の直径、Ｄ１  ステージの直径（支持体の直径）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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