(57)【要約】【課題】この発明は処理液によって基板を全体にわたり均一に処理することができるようにした処理装置を提供することにある。【解決手段】  基板を処理液によって処理する処理装置において、  上記基板を所定方向に搬送する搬送ローラ６と、この搬送ローラによって搬送される上記基板の上方に配置され基板の幅方向ほぼ全長にわたって上記処理液を供給するスリット状のノズル１８を有するノズル体１２と、上記搬送ローラによって搬送される上記基板の搬送方向の前端部と後端部とに上記ノズル体から処理液を供給するとき、上記前端部と後端部を除く他の部分に処理液を供給するときに比べて上記基板の搬送速度を遅くする制御装置１１とを具備する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって搬送される上記基板の上方に配置され基板の幅方向ほぼ全長にわたって上記処理液を供給するスリット状のノズルを有するノズル体と、
上記搬送手段によって搬送される上記基板の搬送方向の前端部と後端部とに上記ノズル体から処理液を供給するとき、上記前端部と後端部を除く他の部分に処理液を供給するときに比べて上記基板の搬送速度を遅くする制御手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２】
上記ノズル体には、上記基板の後端部に処理液を供給し終えたときに上記ノズル内に残留する処理液を吸引してそのノズルから処理液が滴下するのを防止する吸引部が設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項３】
基板を処理液によって処理する処理方法において、
上記基板を所定方向に搬送する工程と、
搬送される基板の幅方向全長にわたって上記処理液を供給する工程と、
上記基板の搬送方向前端部と後端部とに上記処理液を供給するときに、上記前端部と後端部とを除く他の部分に処理液を供給するときよりも上記基板の搬送速度を減速させる工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は基板に処理液を供給して処理する処理装置及び処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に用いられるガラス製の基板には回路パターンが形成される。基板に回路パターンを形成するにはリソグラフィープロセスが採用される。リソグラフィープロセスは周知のように上記基板にレジストを塗布し、このレジストに回路パターンが形成されたマスクを介して光を照射する。
【０００３】
つぎに、レジストの光が照射されない部分或いは光が照射された部分を除去し、基板のレジストが除去された部分をエッチングし、エッチング後にレジストを除去するなどの一連の工程を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パターンを形成する。
【０００４】
このようなリソグラフィープロセスにおいては、上記基板に現像液、エッチング液或いはエッチング後にレジストを除去する剥離液などの処理液によって基板を処理する工程があり、さらに処理液による処理後に洗浄液によって洗浄する工程などがあり、洗浄後には基板に付着残留した洗浄液を除去する乾燥工程が必要となる。
【０００５】
基板に対して現像液、エッチング液或いは剥離液などの処理液による処理を行なう場合、上記基板を処理液に漬けて処理するディップ方式と、基板の板面に処理液を盛るように供給して処理するパドル方式とが知られている。
【０００６】
パドル方式の場合、基板を搬送しながら処理することができ、しかも基板には必要量の処理液を供給すればよいため、ディップ方式に比べて生産性や経済性が高いという利点を有し、その利点に着目されてパドル方式が採用されることが多くなってきている。
【０００７】
従来、パドル方式によって基板を処理液で処理する場合、基板を搬送ローラによって処理チャンバ内に搬入する。基板が処理チャンバ内に搬送されると、所定の搬送速度で搬送される基板に対して処理チャンバ内に設けられた塗布ノズルによって基板の上面に処理液が供給される。それによって、基板の上面には処理液が層状に盛られる。その状態で、所定時間放置すれば、上記基板の板面が処理液によって処理されることになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、処理チャンバ内に搬入された基板に対して塗布ノズルから処理液を供給する際、基板の搬送方向の前端部と後端部では、処理液が基板のエッジで跳ねるということがあり、とくに処理効率を高めるために基板の搬送速度を速くすると、その傾向が顕著になる。そのため、跳ねた処理液が基板に再付着すると、その付着した箇所は他の箇所に比べて基板の処理が進行し易くなり、その結果、基板を全体にわたって均一に処理することができないということが生じる。
【０００９】
この発明は、基板の搬送方向前端部と後端部とで処理液が跳ねるのを防止するようにして、基板を全体にわたって均一に処理することができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明は、基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を所定方向に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって搬送される上記基板の上方に配置され基板の幅方向ほぼ全長にわたって上記処理液を供給するスリット状のノズルを有するノズル体と、
上記搬送手段によって搬送される上記基板の搬送方向の前端部と後端部とに上記ノズル体から処理液を供給するとき、上記前端部と後端部を除く他の部分に処理液を供給するときに比べて上記基板の搬送速度を遅くする制御手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
【００１１】
上記ノズル体には、上記基板の後端部に処理液を供給し終えたときに上記ノズル内に残留する処理液を吸引してそのノズルから処理液が滴下するのを防止する吸引部が設けられていることが好ましい。
【００１２】
この発明は、基板を処理液によって処理する処理方法において、
上記基板を所定方向に搬送する工程と、
搬送される基板の幅方向全長にわたって上記処理液を供給する工程と、
上記基板の搬送方向前端部と後端部とに上記処理液を供給するときに、上記前端部と後端部とを除く他の部分に処理液を供給するときよりも上記基板の搬送速度を減速させる工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
【発明の効果】
【００１３】
この発明によれば、基板の搬送方向前端部と後端部とに処理液を供給するとき、他の部分に処理液を供給するときよりも基板の搬送速度を遅くするため、基板の前端部と後端部とのエッジで処理液が跳ね難くなるから、基板の全体にわたって処理液による処理を均一に行なうことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、この発明の一実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１５】
図1はこの発明の処理装置を示し、この処理装置は基板Ｗを処理液としての現像液によって処理するためのものである。この処理装置は本体１を備えている。この本体１内は仕切り板２によって処理チャンバ３ａと洗浄・乾燥チャンバ３ｂとに区画されている。
【００１６】
本体１の一端面には搬入口４ａが形成され、他端面には搬出口４ｂ形成されている。また、仕切り板２には連通口４ｃが上記搬入口４ａ及び搬出口４ｂと同じレベルで形成されている。搬入口４ａ，搬出口４及び連通口４ｃはそれぞれシャッタ５によって開閉されるようになっている。
【００１７】
各チャンバ３ａ，３ｂ内にはそれぞれ複数の搬送ローラ６が所定間隔で軸線を平行にし、かつ同じレベルで配設されている。各チャンバ３ａ，３ｂに設けられた複数の搬送ローラ６は、それぞれ第１、第２の駆動源７，８によって別々に回転駆動されるようになっている。各駆動源７，８は制御装置１１によって駆動が制御される。つまり、それぞれのチャンバ３ａ，３ｂでの搬送ローラ６による基板Ｗの搬送速度を制御できるようになっている。
【００１８】
なお、搬入口４ａの上流側及び搬出口４ｂの下流側にも、それぞれ複数の搬送ローラ（図示せず）が設けられており、それらの搬送ローラによって未処理の基板Ｗを処理チャンバ３ａに搬入し、洗浄・乾燥チャンバ３ｂで処理された基板Ｗを搬出するようになっている。
【００１９】
上記処理チャンバ３ａの搬入口４ａ側には、搬送ローラ６によって搬送される基板Ｗの上方にノズル体１２が設けられている。このノズル体１２は基板Ｗの幅寸法よりもわずかに大きな幅寸法を有し、その長手方向を基板Ｗの搬送方向に交差させて配置されている。
【００２０】
図２に示すように、上記ノズル体１２は２枚の板材１４，１５を対向させてなる。これら２枚の板材１４，１５の対向面間には導入路１６が形成されている。この導入路１６の上部には処理液としての現像液を供給する供給管１７が接続口体１７ａを介して続され、下部は導入路１６に比べて狭い対向間隔で形成されたスリット状のノズル１８の一端が連通している。このノズル１８の他端はノズル体１２の下端面に開口している。したがって、上記供給管１７から導入路１６に供給された現像液は上記ノズル１８の先端からカーテン状に流出して基板Ｗの上面に供給される。
【００２１】
一対の板材１４，１５は上端部が長手方向に所定間隔で設けられた複数の連結ねじ２１（１つのみ図示）によって連結固定され、下端部は同じく長手方向に所定間隔で設けられた複数の調整ねじ２２（１つのみ図示）が設けられている。各調整ねじ２２を捩じ込む方向に回転させると、上記ノズル１８の間隔を広くすることができ、緩める方向に回転させると、上記ノズル１８の間隔を狭くすることができる
つまり、調整ねじ２２によってノズル体１２の長手方向に沿うノズル１８の間隔が一定になるよう調整することができる。それによって、ノズル１８の長手方向全長から現像液をほぼ均一に流出させることができるようになっている。
【００２２】
ノズル体１２の先端部には、一端をノズル１８に連通させた複数の吸引孔２３（１つのみ図示）が長手方向に所定間隔で形成されている。各吸引孔２３の他端には吸引管２４が接続されている。この吸引管２４には吸引ポンプ２９が開閉制御弁（図示せず）を介して接続されている。開閉制御弁は上記制御装置１１によって開閉が制御される。つまり、基板Ｗに対する現像液の供給を停止したとき、上記開閉弁が開放される。それによって、吸引孔２３を介してノズル１８に吸引力が作用して、ノズル１８に残留する現像液が吸引され、滴下するのが阻止される。
【００２３】
なお、処理チャンバ３ａ内には、ノズル体１２の近傍で基板Ｗの搬送方向上流側に、基板Ｗが搬入口４ａから搬入されてノズル体１２の上流側の所定の位置に到達したことを検知する第１のセンサ２５が設けられている。また、ノズル体１２の近傍で基板Ｗの搬送方向下流側には上記第１のセンサ２５と基板Ｗの搬送方向に沿って所定間隔で第２のセンサ２６が設けられている。
【００２４】
基板Ｗの先端が処理チャンバ３ａ内の所定の位置まで搬送されてきたことが上記第１のセンサ２５によって検出されると、この検出信号によって現像液の供給が開始されるとともに、処理チャンバ１内における基板Ｗの搬送速度が後述するように減速制御される。
【００２５】
基板Ｗが減速された状態で所定距離搬送され、その先端が第２のセンサ２６によって検出されると、その検出信号で基板Ｗの搬送速度が加速される。つぎに、第１のセンサ２５の下方を基板Ｗの後端が通過したことが検出されると、基板の搬送速度が再び減速される。そして、第１のセンサ２５が基板Ｗの後端を検出して所定時間経過し、その後端がノズル体１２の下方を通過した時点で、上記ノズル体１２への現像液の供給を停止する。このとき、上述したように開閉制御弁が開放され、吸引ポンプ２９の吸引力がノズル１８に作用するから、ノズル１８から現像液が処理チャンバ３ａ内に滴下するのが防止される。
【００２６】
その後、基板Ｗが図１に鎖線で示す位置まで搬送されると、第１の駆動源７による基板Ｗの搬送が停止され、上面に現像液が層状に供給された状態で処理チャンバ３内で所定時間待機させられる。なお、基板Ｗの搬送の停止は、ノズル体１２からの現像液の供給が停止されて所定時間経過した後に、制御装置１１から第１の駆動源７に停止信号が出力されることで行なわれる。なお、上記停止信号は第２のセンサ２６の検出信号に基いて出力するようにしてもよい。
【００２７】
基板Ｗは、所定時間待機した後、速度Ｖ１  で洗浄・乾燥チャンバ３ｂに搬送される。洗浄・乾燥チャンバ３ｂには基板Ｗの洗浄液をシャワー状に供給する洗浄ノズル２７及び洗浄液によって洗浄された基板Ｗに圧縮気体を供給して基板Ｗに付着した洗浄液を除去するエアーナイフ２８が基板Ｗの搬送方向に沿って順次配置されている。
【００２８】
つぎに、上記構成の処理装置によって基板Ｗを現像処理する場合について説明する。未処理の基板Ｗが処理チャンバ３ａに図３にＶ１  で示す速度で搬入され、所定の位置に到達すると、その基板Ｗの先端が第１のセンサ２５によって検出される。その検出信号によって、ノズル体１２に現像液が供給されると同時に、制御装置１１は第１の駆動源７を制御し、基板Ｗの搬送速度をＶ１  で示す速度からＶ２  で示す速度に減速する。それによって、速度Ｖ２  で搬送される基板Ｗの先端部にノズル体１２のスリット状のノズル１８から現像液が供給される。
【００２９】
基板Ｗの先端部に現像液が供給される際、基板Ｗの搬送速度をＶ２  に減速することで、基板Ｗの先端のエッジになどに衝突した現像液が強く跳ね返るのが防止されるから、基板Ｗの他の部分に再付着するのが防止される。そのため、現像液の跳ね返りによって基板Ｗに対する現像作用が不均一になるのが防止される。
【００３０】
上記基板Ｗの先端部への現像液の供給が終了した時点、つまり第２のセンサ２６が基板Ｗの先端を検出すると、その検出信号によって第１の駆動源７が基板Ｗの搬送速度を図３にＶ１  で示す速度に加速する。
【００３１】
加速された基板Ｗが搬送され、その後端が第１のセンサ２５によって検出されると、その検出信号によって基板Ｗの搬送速度が再びＶ２  に減速される。つまり、第１のセンサ２５によって基板Ｗの後端が検出された時点では基板Ｗの後端部に現像液が供給されていない状態であるから、基板Ｗの後端部には基板Ｗが減速された状態で現像液が供給されることになる。
【００３２】
したがって、基板Ｗの後端部に供給される現像液が後端のエッジなどで跳ねて基板Ｗの他の部分に付着することがないから、そのことによって基板Ｗの先端部と同様、基板Ｗに対する現像作用が不均一になるのが防止される。
【００３３】
基板Ｗの先端部と後端部とを除く部分、つまり中途部に対して現像液を供給する場合には、基板Ｗの搬送速度をＶ１  に加速しているから、基板Ｗを終始搬送速度Ｖ２  で搬送しながら現像液を供給する場合に比べ、基板Ｗ全体に現像液を供給する時間を短縮することができる。
【００３４】
基板Ｗを速度Ｖ２  で搬送しながら後端部へ現像液を供給し、第１のセンサ２５が基板Ｗの後端を検出してその後端がノズル体１２の下方を通過する時点で、ノズル体１２への現像液の供給が停止するとともに、ノズル１８に吸引力が作用し、現像液がノズル１８から基板Ｗ以外の箇所に滴下するのが防止される。
【００３５】
また、基板Ｗ波所定位置まで搬送され、処理チャンバ３ａ内の図１に鎖線で示す位置で所定時間放置される。それによって、基板Ｗの上面全体に現像液による現像作用が進行する。
【００３６】
所定時間経過後、第１の駆動源７と第２の駆動源８とが作動して基板Ｗを処理チャンバ３ａから洗浄・乾燥チャンバ３ｂへ速度Ｖ１  で搬送する。この洗浄・嵌挿チャンバ３ｂでは、基板Ｗに洗浄液が供給され、基板Ｗの現像液が洗浄除去され、ついでエアーナイフ２８から圧縮空気が供給されることで、基板Ｗの板面に付着した洗浄液が除去される。そして、基板Ｗは搬出口４ｂから搬出されることになる。
【００３７】
このように、ノズル体１２によって基板Ｗに現像液を供給する際、基板Ｗの搬送方向先端部と後端部に現像液を供給するとき、その先端部と後端部とを除く中途部に現像液を供給するときよりも基板Ｗの搬送速度を遅くした。そのため、基板Ｗの先端や後端のエッジで現像液が強く跳ね返り、その現像液が基板Ｗの他の部分に再付着するのを防止できるから、現像液の跳ね返りにより、基板Ｗの現像処理が不均一になるのを防止することができる。
【００３８】
この発明は上記一実施の形態に限定されるものでなく、たとえば処理液としては現像液に限られず、エッチング液や剥離液などであっても、この発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】この発明の一実施の形態を示す処理装置の概略的構成図。
【図２】ノズル体の拡大断面図。
【図３】基板に対する現像液の供給位置との搬送速度との関係を示す説明図。
【符号の説明】
【００４０】
６…搬送ローラ（搬送手段）、７…第１の駆動源、８…第２の駆動源、１１…制御装置（制御手段）、１２…ノズル体、１８…ノズル、２３…吸引孔、２５…第１のセンサ（制御手段）、２６…第２のセンサ（制御手段）。
【図１】
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【図２】
2005177565.tif 000004
【図３】
2005177565.tif 000005