(57)【要約】【課題】高周波ノイズを抑制し、基準電圧発生回路の出力電圧および電源電圧の安定を図ることができる半導体集積装置の提供。【解決手段】この半導体集積装置１は基準電圧発生回路４１と、この基準電圧発生回路の出力に接続されるボンディングパッド３１と、このボンディングパッド３１にボンディングワイヤ２１を介して接続されるリード１１と、このリード１１にボンディングワイヤ２３を介して接続されるボンディングパッド３３と、このボンディングパッド３３に接続される高周波ノイズを発生する回路４３と、を備える。【選択図】  図１
2005019482.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準電圧発生回路と、
この基準電圧発生回路の出力に接続される第１のボンディングパッドと、
この第１のボンディングパッドに第１のボンディングワイヤを介して接続されるリードと、
このリードに第２のボンディングワイヤを介して接続される第２のボンディングパッドと、
この第２のボンディングパッドに接続される高周波ノイズを発生する回路と、を備える半導体集積装置。
【請求項２】
前記高周波ノイズを発生する回路は、デジタル回路であることを特徴とする請求項１記載の半導体集積装置。
【請求項３】
前記高周波ノイズを発生する回路は、アナログ回路であることを特徴とする請求項１記載の半導体集積装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基準電圧発生回路と高周波ノイズを発生する回路とを備える半導体集積装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積装置には、内部回路に安定した動作をさせることや低消費電力化を図ることなどのために基準電圧発生回路を内蔵し、この基準電圧発生回路からその他の内部回路に基準電圧を供給するものが多く存在する。そして、基準電圧発生回路の基準電圧を外部へ出力する外部端子を設けるものも存在する。この場合、外部端子に容量の大きなコンデンサを接続し、基準電圧発生回路では吸収し難い高周波ノイズを吸収するようにしている。なお、一般的には、基準電圧発生回路は、その構成要素であるオペアンプ等が低速度の信号には反応するので、低周波ノイズはよく吸収することができる。
【０００３】
このような半導体集積装置における基準電圧発生回路周辺の構成を、図３に示す。半導体集積装置１０１は、その内部に、半導体チップ１０２、半導体チップ１０２に向かう側と反対側の端部が外部端子となるリード１１１、１１２、これらリード１１１、１１２と半導体チップ１０２とを接続するボンディングワイヤ１２１、１２２を含んでいる。半導体チップ１０２は、基準電圧発生回路１４１、アナログ回路１４２、デジタル回路１４３、ボンディングパッド１３１、１３２を含んでいる。そして、基準電圧発生回路１４１とアナログ回路１４２、デジタル回路１４３、ボンディングパッド１３１とを、アナログ回路１４２とボンディングパッド１３２とを、それぞれ半導体チップ１０２上で形成されたメタル配線にて電気的に接続している。また、リード１１１の半導体チップ１０２側の端部とボンディングパッド１３１とを、リード１１２の半導体チップ１０２側の端部とボンディングパッド１３２とを、それぞれボンディングワイヤ１２１、１２２にて電気的に接続している。高周波ノイズを吸収するための外付けのコンデンサ１１０は、一方のリード１１１に接続している。
【０００４】
したがって、基準電圧発生回路１４１の出力は、アナログ回路１４２とデジタル回路１４３に供給され、さらに、ボンディングパッド１３１、ボンディングワイヤ１２１を介してリード１１１に供給される。アナログ回路１４２の入出力は、ボンディングパッド１３２、ボンディングワイヤ１２２を介してリード１１２にて行われる。
【０００５】
これにより、デジタル回路１４３において高周波ノイズが発生した場合、そのノイズは、ボンディングパッド１３１、ボンディングワイヤ１２１、リード１１１を通って、外付けのコンデンサ１１０で吸収されることが期待されているのである。
【０００６】
なお、上記の説明は、デジタル回路１４３が、アナログ回路１４２とは別のアナログ回路であって、高周波ノイズを発生するものに置き換わった場合でも同様に成り立つ。アナログ回路の種類によっては、高周波を含めてノイズを発生するものも存在し、ノイズに弱いアナログ回路とともに半導体チップ上に搭載される場合もある。
【０００７】
【特許文献１】特開平８−２７４２６１号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ボンディングワイヤのインピーダンスは１０ｍΩ以上であり、長さにもよるが、通常、１００ｍΩ程度と、大きいものである。したがって、高周波ノイズの程度によっては、前述した従来の高周波ノイズを吸収するべく外付けのコンデンサ１１０を用いたものであっても、高周波ノイズが吸収される前に、基準電圧発生回路１４１の出力にメタル配線でつながるアナログ回路１４２に伝わる場合がある。そして、アナログ回路１４２がノイズに弱い場合は、その誤動作または精度悪化をもたらすおそれがある。また、吸収されていない高周波ノイズは、基準電圧発生回路１４１の電源にも伝わり、半導体チップ全体にも影響するおそれがあるのである。
【０００９】
そこで、本発明の目的は基準電圧発生回路およびノイズに弱いアナログ回路に伝わる高周波ノイズを抑制し、基準電圧発生回路の出力電圧および電源電圧の安定を図ることができる半導体集積装置の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、請求項１に係わる半導体集積装置は、基準電圧発生回路と、この基準電圧発生回路の出力に接続される第１のボンディングパッドと、この第１のボンディングパッドに第１のボンディングワイヤを介して接続されるリードと、このリードに第２のボンディングワイヤを介して接続される第２のボンディングパッドと、この第２のボンディングパッドに接続される高周波ノイズを発生する回路と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
この半導体集積装置では、高周波ノイズを発生する回路から第２のボンディングパッド、第２のボンディングワイヤを通って伝わる高周波ノイズは、第１のボンディングワイヤ、第１のボンディングパッドを通って基準電圧発生回路に伝わる前に、リードに外付けされるコンデンサによって吸収される。これによって、基準電圧発生回路の電源電圧の安定が達成できる。
【００１２】
また、基準電圧発生回路の出力に、ノイズに弱いアナログ回路をメタル配線で接続し、これに高周波ノイズが伝わる前に、外付けコンデンサによって吸収させることもできる。これによって、ノイズに弱いアナログ回路の誤動作または精度悪化を防止することができる。
【００１３】
請求項２に係わる半導体集積装置は、請求項１記載の半導体集積装置において、前記高周波ノイズを発生する回路は、デジタル回路であることを特徴とする。
【００１４】
この半導体集積装置は、デジタル回路が高周波ノイズを発生し易いので、特に基準電圧発生回路の電源電圧の安定およびノイズに弱いアナログ回路の誤動作または精度悪化を防止するのに有効である。
【００１５】
請求項３に係わる半導体集積装置は、請求項１記載の半導体集積装置において、前記高周波ノイズを発生する回路は、アナログ回路であることを特徴とする。
【００１６】
この半導体集積装置は、アナログ回路も高周波ノイズの発生源となる場合に有効である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施形態である半導体集積装置の構成を示す図である。この半導体集積装置１は、その内部に、半導体チップ２、半導体チップ２に向かう側と反対側の端部が外部端子となるリード１１、１２、これらリード１１、１２の半導体チップ２側の端部と半導体チップ２とを接続するボンディングワイヤ２１、２２、２３を含んでいる。半導体チップ２は、基準電圧発生回路４１、ノイズに弱いアナログ回路４２、高周波ノイズを発生するデジタル回路４３、ボンディングパッド３１、３２、３３を含んでいる。そして、基準電圧発生回路４１とアナログ回路４２、ボンディングパッド３１とを、アナログ回路４２とボンディングパッド３２とを、デジタル回路４３とボンディングパッド３３とを、それぞれ半導体チップ２上で形成されたメタル配線にて電気的に接続している。また、リード１１の半導体チップ２側の端部とボンディングパッド３１とをボンディングワイヤ２１にて、リード１２の半導体チップ２側の端部とボンディングパッド３２とをボンディングワイヤ２２にて、それぞれ電気的に接続している。そして、リード１１の半導体チップ２側の端部は、ボンディングワイヤ２１との接続点の近くにおいて、さらにボンディングワイヤ２３と接続されている。ボンディングワイヤ２３の他端はボンディングパッド３３に接続される。半導体集積装置１の外部端子となるリード１１には高周波ノイズを吸収するための外付けのコンデンサ１０が接続される。
【００１８】
したがって、基準電圧発生回路４１の出力はアナログ回路４２に供給され、かつ、ボンディングパッド３１、ボンディングワイヤ２１を介してリード１１に供給される。そして、リード１１から外付けのコンデンサ１０に供給されるとともに、ボンディングワイヤ２３、ボンディングパッド３３を介してデジタル回路４３に供給される。アナログ回路４２の入出力は、ボンディングパッド３２、ボンディングワイヤ２２を介してリード１２にて行われる。
【００１９】
これにより、デジタル回路４３において高周波ノイズが発生した場合、そのノイズは、ボンディングパッド３３、ボンディングワイヤ２３を通って、リード１１に伝わる。そして、ボンディングワイヤ２１、ボンディングパッド３１を通って基準電圧発生回路４１およびアナログ回路４２に伝わる前に、外付けのコンデンサ１０で吸収される。何故ならば、ボンディングワイヤのインピーダンスは、前述のとおり、１０ｍΩ以上であり、長さにもよるが、通常、１００ｍΩ程度と、大きいものであるが、リードのインピーダンスは、通常、２ｍΩ以下であるから、ボンディングワイヤ２１により高周波ノイズの伝達が抑制されるのに比べ、リードから外付けのコンデンサ１０への伝達はそれ程抑制されないからである。
【００２０】
こうして、高周波ノイズは、基準電圧発生回路４１の電源にまで伝わることもなく、また、アナログ回路４２にまで伝わることもないので、基準電圧発生回路４１の電源電圧の安定およびアナログ回路４２の誤動作または精度悪化の防止を図ることができる。
【００２１】
なお、デジタル回路４３が、アナログ回路４２とは別のアナログ回路であって、高周波ノイズを発生するものに置き換わった場合でも同様に適用でき、上記と同様の半導体集積装置を得ることができる。
【００２２】
図２は本発明の第２の実施形態である半導体集積装置の構成を示す図である。この半導体集積装置５は、半導体チップ６において、第１の実施形態の半導体集積装置のアナログ回路４２およびこれに付随するものを備えておらず、その他は実質的に同様の構成要素を備えている。
【００２３】
この半導体集積装置５は、基準電圧発生回路４１の電源電圧の安定を特に図る場合の構成である。デジタル回路４３が、アナログ回路に置き換わっても、同様に適用できる。
【００２４】
以上の実施形態は本発明を説明する一例であり、半導体チップが複数のアナログ回路やデジタル回路を備える場合にも適用できることは勿論である。
【００２５】
【発明の効果】
上述のように、高周波ノイズを基準電圧発生回路に伝わるまでに、ボンディングワイヤにより抑制されするので、基準電圧発生回路の出力電圧および電源電圧の安定を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係わる半導体集積装置の一部を示す平面概略図。
【図２】本発明の第２の実施形態に係わる半導体集積装置の一部を示す平面概略図。
【図３】従来における半導体集積装置の一部を示す平面概略図。
【符号の説明】
１、５            半導体集積装置
２、６            半導体チップ
１０              外付けコンデンサ
１１、１２        リード
２１、２２、２３  ボンディングワイヤ
３１、３２、３３  ボンディングパッド
４１              基準電圧発生回路
４２              ノイズに弱いアナログ回路
４３              デジタル回路
【図１】
2005019482.tif 000003
【図２】
2005019482.tif 000004
【図３】
2005019482.tif 000005