(57)【要約】【課題】発光素子と発行素子搭載用基板との電気的な接続の信頼性を高めるとともに、高輝度化を可能とする発光素子搭載用基板および発光装置を提供すること。【解決手段】発光素子搭載用基板４は、上面に発光素子５の搭載部１ａを有する絶縁基板１と、搭載部１ａおよびその近傍から絶縁基板１の下面にかけてそれぞれ形成された配線導体２とを具備する発光素子搭載用基板４において、配線導体２は、アルミニウムから成る導体層上の発光素子５の電極に電気的に接続される領域３に、チタンから成る密着金属層３ａと、白金またはニッケルから成る拡散防止層３ｂと、金から成る主導体層３ｃとが順次積層されている。【選択図】  図１
2005019687.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に発光素子の搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部およびその近傍から前記絶縁基板の下面にかけてそれぞれ形成された配線導体とを具備する発光素子搭載用基板において、前記配線導体は、アルミニウムから成る導体層上の前記発光素子の電極に電気的に接続される領域に、チタンから成る密着金属層と、白金またはニッケルから成る拡散防止層と、金から成る主導体層とが順次積層されていることを特徴とする発光素子搭載用基板。
【請求項２】
請求項１記載の発光素子搭載用基板と、前記搭載部に搭載されるとともに前記配線導体と電気的に接続された発光素子と、前記絶縁基板の上面に前記搭載部を囲繞するように取着された枠体と、該枠体の内部に搭載された前記発光素子を覆うように設けられた透明樹脂とを具備していることを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード等の発光素子が搭載される発光素子搭載用基板およびそれを用いた発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、高輝度で高出力の発光素子を実装した発光装置が開発され、種々の分野に利用されている。このような発光装置は小型、軽量、低消費電力などの特徴を生かして、例えば、光プリンタヘッドの光源，液晶バックライトの光源，各種インジケータの光源などに利用されている。
【０００３】
近年、この発光装置が照明用として使用されるようになり、輝度および放熱性の点でより高特性の発光装置が要求されるようになってきた。また、照明用に使用される場合、発光装置の長寿命化が特に重要な問題である。
【０００４】
従来の発光素子搭載用基板の断面図を図３に、従来の発光装置の断面図を図４に示す。これらの図において、１１は絶縁性および耐熱性に優れる、例えば、ＢＴ樹脂（ビスマレイミドトリアジン），ＰＢＴ樹脂（ポリブチレンテレフタレート樹脂），ガラスエポキシ樹脂，液晶ポリマー，セラミックスあるいはシリコン基板等から成る絶縁基板、１１ａは発光素子が搭載される搭載部、１２は配線導体、１４は発光素子搭載用基板、１５は発光素子、１６はボンディングワイヤ、１７はリフレクタと呼ばれる枠体、１８は発光素子１５を保護する透明樹脂、１９は発光装置である。
【０００５】
発光素子搭載用基板１４は、上面に発光素子１５の搭載部１１ａを有する絶縁基板１１と、この上面の搭載部１１ａおよびその近傍から絶縁基板１１の下面にかけて形成された配線導体１２とを具備し、搭載部１１ａには発光素子１５がＡｇペーストや樹脂から成る接着剤でダイボンドされたり、ＳＢＢ（Ｓｔｕｄ  Ｂｕｍｐ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）法等で実装される。また、発光素子１５の電極（図示せず）は、配線導体１２にＡｕ（金）から成るボンディングワイヤ１６を介して電気的に接続され、発光素子１５にはこれら配線導体１２とボンディングワイヤ１６とを介して、外部電気回路基板（図示せず）から電力や駆動電流が供給される。
【０００６】
なお、配線導体１２は、絶縁基板１１がセラミックスから成る場合、タングステンやモリブデン−マンガン等を含む導体ペーストを絶縁基板１１となるセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）に従来周知のスクリーン印刷法を用いて印刷し、これをグリーンシートと同時に焼成することにより絶縁基板１１の所定の箇所にメタライズ層を形成し、その上にめっき法によりＮｉめっき層やＡｕめっき層を施すことにより形成される。
【０００７】
また、絶縁基板１１がＢＴ樹脂，ＰＢＴ樹脂，ガラスエポキシ樹脂あるいは液晶ポリマー樹脂等の有機樹脂から成る場合、配線導体１２は、銅貼りガラスエポキシあるいは銅箔を圧着したＢＴ樹脂の銅をケミカルエッチングして所望のパターンに形成し、この銅から成るパターンを有機樹脂に接着剤で貼り合わせることにより形成される。
【０００８】
さらに、携帯電話機やＰＨＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｈａｎｄｙｐｈｏｎｅ  Ｓｙｓｔｅｍ），ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等の小型機器における液晶表示器等のバックライト用途に使用される発光素子搭載用基板１４においては、その小型化に伴い、微細化・高精度化に適した薄膜形成技術によって形成された薄膜金属から成る配線導体１２が使用されるようになってきている。配線導体１２が、例えば薄膜形成技術によって形成された薄膜金属から成る場合、配線導体１２としては高輝度化の観点から、光の反射率の高い銀白色系金属であるＡｌ（アルミニウム）等が好適に使用されている。
【０００９】
そして、絶縁基板１１に発光素子１５を実装した後、発光素子１５は、これを保護するための透明樹脂１８により覆われる。この透明樹脂１８は、側壁１７の内側に熱硬化性のエポキシ樹脂等を充填し、これを加熱硬化することにより形成される。なお、透明樹脂１８は、発光素子１５を発光素子搭載用基板１４に強固に密着させる働きも有する。
【００１０】
このような発光装置１９は、外部電気回路基板から供給される駆動電流によって発光素子１５を発光させ、可視光を発光することにより、各種インジケータ，光センサ，ディスプレイ，ホトカプラ，バックライト，光プリンタヘッド用に用いられる。なお、発光装置１９においては、絶縁基板１１の表面や配線導体１２の表面で可視光を反射させることにより発光素子１５より発光した光をできるだけ有効に利用して高輝度化、高出力化、小型化を行なう工夫が図られている。
【００１１】
【特許文献１】
特開平９−２９３９０４号公報
【００１２】
【特許文献２】
特開平１１−３５４８４８号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の発光素子搭載用基板１４では、配線導体１２がＡｌから成る場合、発光素子１５の電極と配線導体１２とはＡｕから成るボンディングワイヤ１６等の電気的接続部材を介して電気的に接続されるが、配線導体１２のＡｌとボンディングワイヤ１６のＡｕとが金属間化合物を生成し、パープルブレイク現象を引き起こす場合がある。パープルブレイク現象とは、ＡｌとＡｕが反応してＡｕＡｌ２（紫色の化合物）を生じ、コンタクト抵抗が大きくなって破壊してしまう現象をいう。その結果、発光素子１５と発光素子搭載用基板１４との電気的な接続の信頼性が低下してしまうという問題点があった。
【００１４】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、発光素子と発光素子搭載用基板との電気的な接続の信頼性を高めるとともに、高輝度化を可能とする発光素子搭載用基板および発光装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の発光素子搭載用基板は、上面に発光素子の搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部およびその近傍から前記絶縁基板の下面にかけてそれぞれ形成された配線導体とを具備する発光素子搭載用基板において、前記配線導体は、アルミニウムから成る導体層上の前記発光素子の電極に電気的に接続される領域に、チタンから成る密着金属層と、白金またはニッケルから成る拡散防止層と、金から成る主導体層とが順次積層されていることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の発光素子搭載用基板によれば、配線導体は、アルミニウム（Ａｌ）から成る導体層上の発光素子の電極に電気的に接続される領域に、チタン（Ｔｉ）から成る密着金属層と、白金（Ｐｔ）またはニッケル（Ｎｉ）から成る拡散防止層と、金（Ａｕ）から成る主導体層とが順次積層されていることから、アルミニウムから成る配線導体が、金から成るボンディングワイヤ等に拡散するのを有効に防止することができるので、発光素子と発光素子搭載用基板との電気的な接続の信頼性の高い発光素子搭載用基板を提供することができる。
【００１７】
また、本発明の発光装置は、上記構成の発光素子搭載用基板と、前記搭載部に搭載されるとともに前記配線導体と電気的に接続された発光素子と、前記絶縁基板の上面に前記搭載部を囲繞するように取着された枠体と、該枠体の内部に搭載された前記発光素子を覆うように設けられた透明樹脂とを具備していることを特徴とするものである。
【００１８】
本発明の発光装置によれば、上記本発明の発光素子搭載用基板の搭載部に発光素子が搭載されるとともに、この発光素子の電極と配線導体とが電気的に接続されることから、アルミニウムから成る配線導体が形成された発光素子搭載用基板が発光素子から発光された光を効率よく反射することができるとともに、発光素子と発光素子搭載用基板とがボンディングワイヤ等を介して強固に接続されるので、高輝度化、高信頼性を有する発光装置を提供することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
次に本発明の発光素子搭載用基板および発光装置を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の発光素子搭載用基板の実施の形態の一例の断面図であり、図２は本発明の発光装置の実施の形態の一例の断面図である。
【００２０】
これらの図において、１は絶縁基板、１ａは発光素子の搭載部、２は配線導体、３は配線導体２上の発光素子５の電極に電気的に接続される領域、３ａは密着金属層、３ｂは拡散防止層、３ｃは主導体層であり、主にこれらで本発明の発光素子搭載用基板４が構成される。また、５は発光素子、６は電気的接続部材であるボンディングワイヤ、７は枠体、８は透明樹脂であり、主に発光素子搭載用基板４と、発光素子５と、枠体７と透明樹脂８とで本発明の発光装置９が構成される。
【００２１】
絶縁基板１は、発光素子５の支持基板としての機能を有し、その大きさが２ｍｍ×１ｍｍ×０．３ｍｍ程度の直方体状であり、その上面には発光素子５を搭載する搭載部１ａを有している。このような絶縁基板１は、ＢＴ樹脂（ビスマレイミドトリアジン）やＰＢＴ樹脂（ポリブチレンテレフタレート樹脂），ガラスエポキシ樹脂，液晶ポリマー等の有機樹脂や、酸化アルミニウム（アルミナ：Ａｌ２Ｏ３）質焼結体，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体，窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）質焼結体，ガラスセラミックス焼結体等のセラミックスあるいはシリコン基板等の絶縁材料から成り、絶縁基板１が例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、先ずアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリカ（ＳｉＯ２），カルシア（ＣａＯ），マグネシア（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状と成し、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等によりシート状に成形してセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）を得る。その後、グリーンシートを所定形状に打ち抜き加工するとともに必要に応じて複数枚積層し、これを約１６００℃の温度で焼成することにより製作される。
【００２２】
なお、絶縁基板１の材料として、特に酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体を用いた場合には、これらの材料の熱伝導率が４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上と高いため、発光素子５が駆動時に熱を発しても、その熱は絶縁基板１を介して良好に伝達されて装置外に放熱される。そのため、発光素子５の放熱性が向上し、発光素子５を長期にわたり正常かつ安定的に作動させることも可能となる。
【００２３】
また、絶縁基板１は、その搭載部１ａおよびその近傍から絶縁基板１の下面にかけて、それぞれ幅が１００〜２００μｍ程度、厚みが１〜５μｍ程度のアルミニウム（Ａｌ）から成る配線導体２が被着形成されている。また、図１および図２には、絶縁基板１の上面から側面を経て下面にかけて形成された配線導体２を形成した場合の例を示している。この他にも、例示はしていないが、上面および下面に形成された配線導体２同士を絶縁基板１の内部に形成した貫通導体を介して電気的に接続してもよい。
【００２４】
配線導体２はＡｌ（アルミニウム）から成り、絶縁基板１にスパッタリング法、真空蒸着法等の薄膜形成技術を用いて被着される。その後、フォトリソグラフィ法を用いて所望の配線パターンに形成されることにより、微細かつ高精度な配線導体２が形成される。配線導体２を構成するＡｌは、ほぼ全ての波長領域の可視光に対して高い反射率を有するため、発光装置９の高輝度化を実現する上で、特に重要である。
【００２５】
配線導体２は、絶縁基板１に搭載される発光素子５の電極（図示せず）と外部電気回路基板の配線導体層（図示せず）とを電気的に接続する機能を有し、その搭載部１ａ側の領域３には発光素子５の電極がボンディングワイヤ６等の電気的接続部材を介して電気的に接続され、下面側の端部には外部電気回路基板の配線導体層が低融点ろう材を介して電気的に接続される。
【００２６】
なお、ここでいう低融点ろう材とは、融点が３００℃以下のろう材を意味し、例えば、Ｓｎ（錫）３７質量％−Ｐｂ（鉛）６３質量％（融点１８３℃）やＡｕ（金）８０質量％−Ｓｎ（錫）２０質量％（融点２８０℃），Ａｕ（金）１０質量％−Ｓｎ（錫）９０質量％（融点２１７℃），Ｓｎ（錫）９６．５質量％−Ａｇ（銀）３．５質量％（融点２１７℃），Ｓｎ（錫）９９．３質量％−Ｃｕ（銅）０．７質量％（融点２２８℃），Ｓｎ（錫）９９質量％−Ｃｕ（銅）０．７質量％−Ａｇ（銀）０．３質量％（融点２２８℃）等のろう材が例示される。
【００２７】
本発明の発光素子搭載用基板４においては、領域３は、チタン（Ｔｉ）から成る密着層３ａ、白金（Ｐｔ）またはニッケル（Ｎｉ）から成る拡散防止層３ｂおよび金（Ａｕ）から成る主導体層３ｃが順次積層されて形成される。
【００２８】
Ｔｉから成る密着金属層３ａはＡｌから成る配線導体２に強固に密着する作用をなす。そして拡散防止層３ｂは、発光素子５の電極と領域３をＡｕから成るボンディングワイヤ６等を介して電気的に接続する際、拡散防止層３ｂがバリア層となり、Ａｌから成る配線導体２と、Ａｕから成るボンディングワイヤ６等の電気的接続部材とで、金属間化合物を生成することを妨げる作用をなす。その結果、領域３においてパープルブレイク現象を引き起こすことなく、電気的な接続の信頼性が高い発光素子搭載用基板４とすることができる。
【００２９】
なお、密着金属層３ａはＴｉから成り、Ａｌから成る配線導体２と熱膨張係数が近似していることから、配線導体２と領域３との密着性を良好なものとすることができる。また、拡散防止層３ｂはＡｌから成る配線導体２とＡｕから成る電気的接続部材とが金属間化合物を生成するのを有効に防止するバリア層としての役目を果たす。さらに主導体層３ｃはＡｕから成り、Ａｕは低抵抗材料であるとともに酸化し難い物質であることから、発光素子５との電気的接続を長期にわたり安定して実現することができる。
【００３０】
このような領域３は、真空蒸着法やスパッタリング法，フォトリソグラフィ法，電解めっき法，無電解めっき法等の従来周知の薄膜形成技術を用いることにより形成される。例えば真空蒸着法を用いて形成する場合には、絶縁基板１を真空蒸着装置の成膜室内に設置して、成膜室内の蒸着源に配線導体２の密着金属層３ａ、拡散防止層３ｂ、主導体層３ｃと成る金属片を配置し、その後、成膜室内を真空状態（１０−２Ｐａ以下の圧力）にするとともに、蒸着源に配置された金属片を密着金属層３ａ，拡散防止層３ｂ，主導体層３ｃの順に順次加熱して蒸発させ、この蒸発した金属片の分子を絶縁基板１に被着させることにより、領域３と成る薄膜金属の層を形成する。そして、薄膜金属層が形成された絶縁基板１にフォトリソグラフィ法を用いて領域３のパターンと成るレジストパターンを形成した後、エッチングによって余分な薄膜金属層を除去することにより、領域３が形成される。
【００３１】
また、フォトリソグラフィ法の一つであるリフトオフ法を用いる場合、領域３の反転パターンと成るマスキング膜をフォトレジスト等で形成し、薄膜金属を被着させ、その後、マスキング膜を除去して領域３を形成してもよい。
【００３２】
なお、密着金属層３ａの厚みは０．１〜０．５μｍが好ましい。０．１μｍ未満では配線導体２に強固に密着させることが困難となる傾向があり、０．５μｍを超えると、成膜時の内部応力によって配線導体２から剥離し易くなる傾向がある。
【００３３】
また、拡散防止層３ｂの厚みは０．１〜０．５μｍが好ましい。０．１μｍ未満では密着金属層３ａに強固に密着させることが困難となるとともに、拡散防止効果が小さくなる傾向があり、０．５μｍを超えると、成膜時の内部応力によって密着金属層３ａから剥離し易くなる傾向がある。
【００３４】
さらに、主導体層３ｃの厚みは０．５〜２μｍが好ましい。０．５μｍ未満では主導体層３ｃの電気抵抗が大きくなる傾向があるとともに、ワイヤボンディング６の密着性が十分でなくなる傾向があり、２μｍを超えると、成膜時の内部応力によって剥離が生じ易くなる傾向がある。また、Ａｕは貴金属で高価であることから、低コスト化の点でなるべく薄く形成することが好ましい。
【００３５】
次に、本発明の発光装置９について説明する。本発明の発光装置９は、上述の発光素子搭載用基板４の搭載部１ａに発光素子５を搭載し、この発光素子５の電極と領域３とを電気的に接続し、さらに絶縁基板１の上面に枠体７を発光素子５が搭載された搭載部１ａを囲繞するように取着させ、その後、枠体７の内部に搭載された発光素子５を透明樹脂８で覆うことにより製作される。
【００３６】
発光素子５としては、例えばＧａＮ系などの青色ＬＥＤ素子やＧａＡｓ系，ＡｌＧａＡｓ系，ＡｌＧａＩＰ系，ＩｎＰ系などの赤色ＬＥＤ素子や緑色ＬＥＤ素子等が用いられる。また、発光素子５は、発光素子搭載用基板４の搭載部１ａにＡｇペーストやカーボンペースト，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）ペースト等の導電性粉末が混合されたペーストが塗布された上に載置された後、ペーストを加熱硬化させることにより、あるいはＳＢＢ（Ｓｔｕｄ  Ｂｕｍｐ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）法等による金属バンプ等を用いて固定される。
【００３７】
また、発光素子搭載用基板４の搭載部１ａを有する面には、搭載部１ａを取囲んで枠体７が取着されており、これが後述する透明樹脂８を保持する枠体７となる。このような枠体７は、エポキシ樹脂，アクリル樹脂，イミド樹脂等の熱硬化性樹脂や酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料，アルミニウム等の金属材料を用いて形成される。なお、枠体７が熱硬化性樹脂から成る場合は、発光素子搭載用基板４にシリコン系やエポキシ系等の樹脂接着剤を介して接合され、セラミック材料および金属材料から成る場合は、シリコン系やエポキシ系等の樹脂接着剤あるいは、枠体７の絶縁基板１との接合部にＡｕ等の金属層を設けてＡｇ−Ｃｕろう等の金属ろう材やＰｂ−Ｓｎ合金，Ａｕ−Ｓｎ合金，Ａｕ−Ｓｉ合金等の低融点ろう材を介して、接合される。
【００３８】
また、枠体７は、湿度や熱，紫外線等に対する高い耐候性を有するとともに、発光素子５が発光する光に対して高い光反射率を有することが望ましい。このため、枠体７を熱硬化性樹脂等の有機樹脂やセラミックス等で形成する場合、その内周面全体に金属膜を被着させて、光反射率を高めることが好ましい。
【００３９】
また、枠体７の内周面は、発光素子５が発した光が放射される上方に向かって外側に広がる傾斜面とすることが好ましい。さらに、枠体７の内周面は、この内周面と絶縁基板１の上面とのなす角度が３５〜６０°の傾斜面であることが好ましい。枠体７の内周面と絶縁基板１の上面とのなす角度が３５°未満になると、発光素子５の発光した光の放射角度が２０°以上に広がり、分散する光の量が多くなり、発光装置９を前面から見たときの光の輝度が低下する。一方、角度が６０°を超えると、発光装置９の光が外部で短い距離で焦点を結び拡散していく光が多くなるので、発光装置９を前面から見たときの光の輝度が低下する。
【００４０】
また、枠体７で囲まれた内部に搭載された発光素子５は、透明樹脂８によって覆われる。透明樹脂８は、絶縁基板１に発光素子５を実装した後、これを保護するための機能を有する。このような透明樹脂８は、熱硬化性のエポキシ樹脂，不飽和ポリエステル樹脂，シリコン樹脂，ユリア樹脂，メラミン樹脂等から成り、発光素子５を実装後、枠体７で囲まれた内部にディスペンサ等により注入され、しかる後、加熱されることにより硬化する。なお、透明樹脂８は、発光素子５を発光素子搭載用基板４に強固に密着させる働きも有する。
【００４１】
かくして、本発明の発光装置９によれば、上記本発明の発光素子搭載用基板４の搭載部１ａに発光素子５を搭載し、この発光素子５の電極と配線導体２の搭載部１ａ側の領域３とを電気的に接続して成ることから、領域３以外の配線導体２は光の反射率の高いアルミニウムが用いられ、領域３はアルミニウムから成る配線導体２が金から成る電気的接続部材に拡散するのを有効に防止することができるので、高輝度化を可能にするとともに、発光素子５と発光素子搭載用基板４との電気的な接続の信頼性が極めて高い高性能の発光装置９とすることができる。
【００４２】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行なうことは何等差し支えない。例えば、上記実施の形態の例では電気的接続部材をボンディングワイヤ６としているが、発光素子５の電極が発光素子５の下面に形成されたものを用い、バンプを介して領域３に接続される場合においても、本発明が有効となるのは言うまでもない。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の発光素子搭載用基板によれば、上面に発光素子の搭載部を有する絶縁基板と、搭載部およびその近傍から絶縁基板の下面にかけてそれぞれ形成された配線導体とを具備する発光素子搭載用基板において、配線導体は、アルミニウムから成る導体層上の発光素子の電極に電気的に接続される領域に、チタンから成る密着金属層と、白金またはニッケルから成る拡散防止層と、金から成る主導体層とが順次積層されていることから、アルミニウムから成る配線導体が発光素子の光を効率よく反射できることとなって高輝度化を可能にするとともに、発光素子の電極に電気的に接続される領域に、密着金属層と各参謀思想と主導体層とが順次席奏されているので、配線導体のアルミニウムが電気的接続部材の金へ拡散するのを有効に防止することができるので、発光素子と発光素子搭載用基板との電気的接続の信頼性が極めて高いものとなる。
【００４４】
また、本発明の発光装置によれば、上記構成の発光素子搭載用基板と、搭載部に搭載されるとともに配線導体と電気的に接続された発光素子と、絶縁基板の上面に搭載部を囲繞するように取着された枠体と、枠体の内部に搭載された発光素子を覆うように設けられた透明樹脂とを具備していることから、発光素子と発光素子搭載用基板とが電気的接続部材との電気的な接続の信頼性が極めて高いとともに、アルミニウムから成る配線導体が形成された発光素子搭載用基板が、発光素子から発光された光を効率よく反射するので高輝度化を可能にする発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の発光素子搭載用基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１の発光装置の断面図である。
【図３】従来の発光素子搭載用基板の例を示す断面図である。
【図４】図３の発光装置の断面図である。
【符号の説明】
１：絶縁基板
１ａ：搭載部
２：配線導体
３：領域
３ａ：密着金属層
３ｂ：拡散防止層
３ｃ：主導体層
４：発光素子搭載用基板
５：発光素子
６：ボンディングワイヤ
７：枠体
８：透明樹脂
９：発光装置
【図１】
2005019687.tif 000003
【図２】
2005019687.tif 000004
【図３】
2005019687.tif 000005
【図４】
2005019687.tif 000006