(57)【要約】【課題】ハロゲン化合物を含むクリーニングガスにプラズマを着火し、クリーニングを行う。【解決手段】プラズマ発生装置に希ガスとハロゲンガスの混合ガスを、所定のクリーニングプロセスで使われる所定の圧力よりも低い圧力で導入し、プラズマを着火する。さらにその後、前記混合ガスの圧力を前記所定の圧力まで増大する。【選択図】          図８
2005019853.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内部を、プラズマ励起されたクリーニングガスのラジカルにより、第１の圧力帯でクリーニングするプラズマクリーニング方法であって、
プラズマ発生装置に希釈ガスとクリーニングガスの混合ガスを、前記第１の圧力帯よりも低い第２の圧力帯で導入し、プラズマを着火する工程と、
前記処理容器内部の圧力を、前記第２の圧力帯から前記第１の圧力帯まで増大させる工程を含むことを特徴とするプラズマクリーニング方法。
【請求項２】
前記クリーニングガスはハロゲン化合物を含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマクリーニング方法。
【請求項３】
前記クリーニングガスはＮＦ３を含むことを特徴とする請求項１または２記載のプラズマクリーニング方法。
【請求項４】
前記クリーニングガスはＦ２を含むことを特徴とする請求項１または２記載のプラズマクリーニング方法。
【請求項５】
前記希釈ガスは、Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅのいずれかより選ばれることを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載のプラズマクリーニング方法。
【請求項６】
前記プラズマ発生装置は、トロイダル型プラズマ発生装置であることを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一項記載のプラズマクリーニング方法。
【請求項７】
前記プラズマ発生装置は、平行平板型プラズマ発生装置、誘導結合型プラズマ発生装置、ＥＣＲ型プラズマ発生装置、ヘリコン波型プラズマ発生装置、マイクロ波共振器型プラズマ発生装置のいずれかであることを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一項記載のプラズマクリーニング方法。
【請求項８】
処理容器中において被処理基板表面を、プラズマ励起されたエッチングのラジカルにより、第１の圧力帯でエッチングする基板処理方法であって、
プラズマ発生装置に希釈ガスとエッチングガスの混合ガスを、前記第１の圧力帯よりも低い第２の圧力帯で導入し、プラズマを着火する工程と、
前記処理容器内部の圧力を、前記第２の圧力帯から前記第１の圧力帯まで増大させる工程を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
前記エッチングガスはハロゲン化合物を含むことを特徴とする請求項８記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記エッチングガスはＮＦ３を含むことを特徴とする請求項８または９記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記エッチングガスはＦ２を含むことを特徴とする請求項８または９記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記希釈ガスは、Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅのいずれかより選ばれることを特徴とする請求項８〜１１のうち、いずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記プラズマ発生装置は、トロイダル型プラズマ発生装置であることを特徴とする請求項８〜１２のうち、いずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記プラズマ発生装置は、平行平板型プラズマ発生装置、誘導結合型プラズマ発生装置、ＥＣＲ型プラズマ発生装置、ヘリコン波型プラズマ発生装置、マイクロ波共振器型プラズマ発生装置のいずれかであることを特徴とする請求項８〜１２のうち、いずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項１５】
処理容器内部を、プラズマ励起されたクリーニングガスのラジカルにより、第１の流量帯でクリーニングするプラズマクリーニング方法であって、
プラズマ発生装置に希釈ガスとクリーニングガスの混合ガスを、前記第１の流量帯よりも低い第２の流量帯で導入し、プラズマを着火する工程と、
前記混合ガスの流量を、前記第２の流量帯から前記第１の流量帯まで増大させる工程を含むことを特徴とするプラズマクリーニング方法。
【請求項１６】
前記クリーニングガスはハロゲン化合物を含むことを特徴とする請求項１５記載のプラズマクリーニング方法。
【請求項１７】
前記クリーニングガスはＮＦ３を含むことを特徴とする請求項１５または１６記載のプラズマクリーニング方法。
【請求項１８】
前記クリーニングガスはＦ２を含むことを特徴とする請求項１５または１６記載のプラズマクリーニング方法。
【請求項１９】
前記希釈ガスは、Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅのいずれかより選ばれることを特徴とする請求項１５〜１８のうち、いずれか一項記載のプラズマクリーニング方法。
【請求項２０】
前記プラズマ発生装置は、トロイダル型プラズマ発生装置であることを特徴とする請求項１５〜１９のうち、いずれか一項記載のプラズマクリーニング方法。
【請求項２１】
前記プラズマ発生装置は、平行平板型プラズマ発生装置、誘導結合型プラズマ発生装置、ＥＣＲ型プラズマ発生装置、ヘリコン波型プラズマ発生装置、マイクロ波共振器型プラズマ発生装置のいずれかであることを特徴とする請求項１５〜１９のうち、いずれか一項記載のプラズマクリーニング方法。
【請求項２２】
処理容器中において被処理基板表面を、プラズマ励起されたエッチングのラジカルにより、第１の流量帯でエッチングする基板処理方法であって、
プラズマ発生装置に希釈ガスとエッチングガスの混合ガスを、前記第１の流量帯よりも低い第２の流量帯で導入し、プラズマを着火する工程と、
前記混合ガスの流量を、前記第２の流量帯から前記第１の流量帯まで増大させる工程を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２３】
前記エッチングガスはハロゲン化合物を含むことを特徴とする請求項２２記載の基板処理方法。
【請求項２４】
前記エッチングガスはＮＦ３を含むことを特徴とする請求項２２または２３記載の基板処理方法。
【請求項２５】
前記エッチングガスはＦ２を含むことを特徴とする請求項２２または２３記載の基板処理方法。
【請求項２６】
前記希釈ガスは、Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅのいずれかより選ばれることを特徴とする請求項２２〜２５のうち、いずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項２７】
前記プラズマ発生装置は、トロイダル型プラズマ発生装置であることを特徴とする請求項２２〜２６のうち、いずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項２８】
前記プラズマ発生装置は、平行平板型プラズマ発生装置、誘導結合型プラズマ発生装置、ＥＣＲ型プラズマ発生装置、ヘリコン波型プラズマ発生装置、マイクロ波共振器型プラズマ発生装置のいずれかであることを特徴とする請求項２２〜２６のうち、いずれか一項記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に半導体装置の製造方法に係り、特にプラズマを使ったクリーニング方法および基板処理方法に関する。
【０００２】
プラズマ発生装置は半導体装置や液晶表示装置の製造において広く使われている。例えばプラズマ発生装置を使うことにより、半導体基板中に形成された不純物元素の濃度分布が変化しないような低温において成膜処理あるいはエッチング処理を実行することができる。またプラズマ発生装置は、基板処理を行った後、処理容器内部をクリーニングするのに使われている。
【０００３】
【従来の技術】
図１は、従来の典型的な枚葉式ＣＶＤ装置１０の構成を示す。
【０００４】
図１を参照するに枚葉式ＣＶＤ装置１０は、加熱機構（図示せず）を含み被処理基板１２Ａを保持するサセプタ１２を含み、真空ポンプ１３により遮断バルブ１３Ａおよびコンダクタンスバルブ１３Ｂを介して排気される処理容器１１を含み、前記処理容器１１中には、原料ガス供給系１５からラインＬ１およびバルブＶ１を介して原料ガスを供給されるシャワーヘッド１４が、前記サセプタ１２上の被処理基板１２Ａに対面するように設けられている。
【０００５】
前記原料供給系１５は原料ガス源１５Ａ〜１５Ｃを含み、前記原料ガス源１５Ａ中の原料ガスは前記ラインＬ１にバルブ１５ＶＡを介して、前記原料ガス源１５Ｂ中の原料ガスは前記ラインＬ１にバルブ１５ＶＢを介して、また前記原料ガス源１５Ｃ中の原料ガスは前記ラインＬ１にバルブ１５ＶＣを介して、供給される。
【０００６】
前記ラインＬ１を通して供給された原料ガスは前記処理容器１１中のプロセス空間に、前記シャワーヘッド１４を介して放出され、前記被処理基板１２Ａの表面における分解反応により、前記被処理基板１２の表面に所望の成膜が生じる。
【０００７】
図１の枚葉式ＣＶＤ装置１０では、前記処理容器１１には、図示を省略したゲートバルブ構造が前記被処理基板１２Ａの出し入れのために設けられており、前記ゲートバルブ構造は基板搬送室に結合されている。前記枚葉式ＣＶＤ装置１０は、前記基板搬送室に結合された他の処理装置と共に、枚葉式基板処理システムを構成する。
【０００８】
このような枚葉式処理システムを構成する枚葉式ＣＶＤ装置１０では、成膜処理の際に基板温度をサセプタ１２中に形成した加熱装置により制御しており、処理容器１０の壁面は、比較的低い、例えば室温〜１５０℃程度の温度に保持される（コールドウォール）。
【０００９】
このようなコールドウォール型のＣＶＤ装置では、被処理基板１２Ａ上への成膜時に処理容器１１の内壁面あるいはサセプタ側壁面への反応生成物の堆積が生じるのが避けられず、このため一又は複数の被処理基板の成膜処理が終了するごとに、前記処理容器１１内部にエッチング性のクリーニングガスを流し、堆積物を除去するクリーニング工程が行われる。
【００１０】
このため、図１のＣＶＤ装置では、前記処理容器１１の外部に、エッチングガス源１６Ａおよびプラズマガス（希釈ガス）源１６Ｂ、さらにリモートプラズマ源１６Ｃよりなるクリーニングモジュール１６を設け、前記リモートプラズマ源１６Ｃにより形成された反応性の高いエッチングガスをラインＬ２およびバルブ１６ＶＣを解して前記処理容器１１内部のプロセス空間へと供給するようにしている。このようにプラズマ源を処理容器１１の外部に設けることにより、高エネルギのプラズマによる処理容器１１内壁の損傷が回避され、安定なクリーニングを行うことが可能になる。またプラズマ中に形成されるイオンはリモートプラズマ源１６Ｃから処理容器１１へ輸送される途中に電子と再結合するため、図１の構成では反応を促進するラジカルのみが処理容器１１中に供給される。
【００１１】
なお図１において前記エッチングガス源１６ＡはＮＦ３などのフッ素系エッチングガスをクリーニングガスとして、前記リモートプラズマ源１６Ｃにバルブ１６ＶＡを介して供給し、また前記プラズマガス源１６ＢはＡｒなどの希ガスを前記リモートプラズマ源１６Ｃに、バルブ１６ＶＢを介して供給する。
【００１２】
なお、前記フッ素系クリーニングガスとしてはＮＦ３などハロゲン化合物が一般に使われるが、他にＣＨ３ＣＯＯＨなど、非ハロゲン化合物を使うことも可能である。また前記プラズマガス源１６Ｂからの希釈ガスとしてはＡｒ以外にＨｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅなどが使われることもあり、さらに前記希釈ガスとして、希ガス以外にＨ２Ｏ，Ｏ２，Ｈ２，Ｎ２，Ｃ２Ｆ６などを使うことも可能である。
【００１３】
このようなリモートプラズマ源１６Ｃとしては、従来、図２（Ａ）に示す誘導結合（ＩＣＰ）型プラズマ発生装置２０、図２（Ｂ）に示す電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）型プラズマ発生装置３０、図２（Ｃ）に示すヘリコン波励起型プラズマ発生装置４０、図２（Ｄ）に示すマイクロ波共振器型プラズマ発生装置５０、図２（Ｅ）に示すトロイダル型プラズマ発生装置６０などが知られている。また処理容器１１の内部に設けられるプラズマ源として、図３に示す平行平板（ＣＣＰ）型プラズマ発生装置７０が使われている。
【００１４】
図２（Ａ）のＩＣＰ型プラズマ発生装置２０では、内部でプラズマが発生されるプラズマ容器２１の周囲に高周波コイル２２を巻回し、これを高周波電源２３により駆動することで、前記プラズマ容器内にプラズマを形成する。
【００１５】
さらに図２（Ｂ）のＥＣＲ型プラズマ発生装置３０では、内部でプラズマが発生されるプラズマ容器３１内部の空間に、前記プラズマ容器３１の周囲に磁石３２を配置することにより磁界を印加し、さらにこの状態で前記容器３１内部のガスにマイクロ波電源３３からマイクロ波を供給することにより、前記容器３１内部のガスに電子サイクロトロン共鳴を誘起する。
【００１６】
図２（Ｃ）のヘリコン波型プラズマ発生装置４０では、内部でプラズマが発生されるプラズマ容器４１に磁石４４が近接して設けられ、さらに前記プラズマ容器４１に近接してループアンテナ４２が設けられる。このループアンテナを高周波電源４３からの高周波電力で駆動し、前記プラズマ容器４１内にヘリコン波を伝播させることにより、高密度プラズマを形成する。
【００１７】
図２（Ｄ）のマイクロ波共振器型プラズマ発生装置５０では、内部でププラズマが形成されるプラズマ容器５１がマイクロ波共振器を形成し、このマイクロ波共振器にマイクロ波電源５２からのマイクロ波を電界により駆動することにより、プラズマを形成する。
【００１８】
図２（Ｅ）のトロイダル型プラズマ発生装置６０では、ガス入口６１Ａとガス出口６１Ｂとを設けられた循環的なガス通路６１が設けられており、前記ガス通路６１の外側には、高周波コイル６２が巻回されている。
【００１９】
そこで前記ガス入口６１Ａに導入されたＡｒなどの希ガスは、前記循環ガス通路６１中を周回するが、その際に前記高周波コイル６２をマイクロ波により駆動することにより、前記希ガス中にプラズマを誘起する。このようにして誘起されたプラズマが前記ガス通路６１中を高速で周回するにつれて前記ガス通路６１中には周回的な電流路が形成され、さらに前記高周波コイルが形成する磁力線がかかる電流路に一致した経路に絞り込まれる。このように磁力線がガス通路６１に沿って絞り込まれるとプラズマ中の電子やイオンが前記磁力線経路に一致する電流路に絞り込まれ、前記電流路中の電流密度がさらに増大するが、このような電流密度の増大は前記磁力線経路へのさらなる磁力線の絞込みを生じる。
【００２０】
図２（Ｅ）のトロイダル型のプラズマ発生装置６０では、このように高密度プラズマは前記循環ガス通路６１を画成する壁面から離れた位置に形成されるため、特に高エネルギに加速された電子による壁面のスパッタが少なく、汚染の少ないプラズマの形成が可能になる。またこのような汚染の少ないプラズマは安定に維持される。
【００２１】
さらに図３のＣＣＰ型プラズマ発生装置７０では、内部でプラズマが発生されるプラズマ容器７１内に一対の平行平板電極７１Ａ，７１Ｂを配置しており、これを高周波電源７２により駆動することで、前記電極間にプラズマを形成する。すなわち図２（Ｆ）のプラズマ発生装置７０はそれ自体がプラズマ処理装置を構成し、前記プラズマ容器７１が処理容器として使われる。この場合、前記下部電極７１Ｂがサセプタとなり、この上に被処理基板が載置される。
【００２２】
【特許文献１】米国特許６３７４８３１号公報
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来より半導体装置の製造工程においては様々なプラズマ発生装置が使われているが、特にプラズマクリーニング工程やプラズマエッチング工程では、反応性の高いＦ（フッ素）やＣｌ（塩素）など、ハロゲンを含む化合物がクリーニングガスあるいはエッチングガスとして使われ、従ってこれらのガスをプラズマ中に導入して励起する必要がある。その際、処理容器中に導入されるクリーニングガスあるいはエッチングガスの濃度ないし分圧が高ければ高いほど、効率的な処理が可能になる。
【００２４】
一方、このようなハロゲンは電気陰性度が大きく、従って、プラズマクリーニングガスあるいはプラズマエッチングガスとして使われるハロゲン化合物は、プラズマ励起が困難な、あるいはプラズマを励起および維持するのに高いパワーを必要とする一般的な特徴を有している。
【００２５】
特に図２（Ｅ）に示すトロイダル型のプラズマ発生装置では、ＮＦ３など、ハロゲンを含むガスをわずかでも導入するとプラズマの着火が生じなくなるため、プラズマ着火時には前記ガス通路７１中に導入されるクリーニングガスをパージし、前記ガス通路７１中に電離電圧の低いＡｒなどの希ガス１００％の雰囲気を形成していた。この場合、プラズマが着火した後、プラズマを維持しながらプラズマ発生装置に供給されるガスの組成を変化させ、所望の濃度までクリーニングガスの濃度を増大させていた。
【００２６】
しかし、このようにプラズマクリーニングプロセスあるいはプラズマエッチングプロセスにおいて、特に図１に示すような枚葉式の基板処理装置を使う場合には、枚葉処理に伴って頻繁にプラズマ着火を行う必要があり、そのたびに長時間パージを行うと、基板処理のスループットが低下する問題が生じていた。特に最近の超微細化半導体装置の製造工程では、１枚の基板を処理するたびに処理容器内部を初期化するためにプラズマクリーニング工程を行うのが望ましいが、このように基板を１枚処理するたびにプラズマクリーニング工程を行うと、基板１枚ごとに着火工程が必要になり、そのたびにパージを行った場合には基板処理スループットは著しく低下してしまう。
【００２７】
また従来、ハロゲン系クリーニングガスをプラズマ発生装置に供給した状態でプラズマを着火しようとすると、いずれの形式のプラズマ発生装置であっても、先に述べたようにプラズマ着火が困難になるため、高い駆動電圧を印加せざるを得ないが、このように高い駆動電圧を印加していると、プラズマが着火した瞬間にコイルや電極を含む駆動系のインピーダンスが大きく変化し、オーバーシュートした駆動電圧が前記駆動系や高周波電源を破損させる恐れがある。
【００２８】
そこで本発明は上記の問題点を解決した、新規で有用なプラズマクリーニング方法を提供することを概括的課題とする。
【００２９】
本発明のより具体的な課題は、低電圧においてプラズマを着火でき、もって高電圧による電源やコイル、電極などの損傷を回避できるプラズマクリーニング方法を提供することにある。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題を、
請求項１に記載したように、
処理容器内部を、プラズマ励起されたクリーニングガスのラジカルにより、第１の圧力帯でクリーニングするプラズマクリーニング方法であって、
プラズマ発生装置に希釈ガスとクリーニングガスの混合ガスを、前記第１の圧力帯よりも低い第２の圧力帯で導入し、プラズマを着火する工程と、
前記処理容器内部の圧力を、前記第２の圧力帯から前記第１の圧力帯まで増大させる工程を含むことを特徴とするプラズマクリーニング方法により、
請求項２に記載したように、
前記クリーニングガスはハロゲン化合物を含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマクリーニング方法により、
請求項３に記載したように、
前記クリーニングガスはＮＦ３を含むことを特徴とする請求項１または２記載のプラズマクリーニング方法により、
請求項４に記載したように、
前記クリーニングガスはＦ２を含むことを特徴とする請求項１または２記載のプラズマクリーニング方法により、
請求項５に記載したように、
前記希釈ガスは、Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅのいずれかより選ばれることを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載のプラズマクリーニング方法により、
請求項６に記載したように、
前記プラズマ発生装置は、トロイダル型プラズマ発生装置であることを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一項記載のプラズマクリーニング方法により、
請求項７に記載したように、
前記プラズマ発生装置は、平行平板型プラズマ発生装置、誘導結合型プラズマ発生装置、ＥＣＲ型プラズマ発生装置、ヘリコン波型プラズマ発生装置、マイクロ波共振器型プラズマ発生装置のいずれかであることを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一項記載のプラズマクリーニング方法により、
請求項８に記載したように、
処理容器中において被処理基板表面を、プラズマ励起されたエッチングのラジカルにより、第１の圧力帯でエッチングする基板処理方法であって、
プラズマ発生装置に希釈ガスとエッチングガスの混合ガスを、前記第１の圧力帯よりも低い第２の圧力帯で導入し、プラズマを着火する工程と、
前記処理容器内部の圧力を、前記第２の圧力帯から前記第１の圧力帯まで増大させる工程を含むことを特徴とする基板処理方法により、
請求項９に記載したように、
前記エッチングガスはハロゲン化合物を含むことを特徴とする請求項８記載の基板処理方法により、
請求項１０に記載したように、
前記エッチングガスはＮＦ３を含むことを特徴とする請求項８または９記載の基板処理方法により、
請求項１１に記載したように、
前記エッチングガスはＦ２を含むことを特徴とする請求項８または９記載の基板処理方法により、
請求項１２に記載したように、
前記希釈ガスは、Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅのいずれかより選ばれることを特徴とする請求項８〜１１のうち、いずれか一項記載の基板処理方法により、
請求項１３に記載したように、
前記プラズマ発生装置は、トロイダル型プラズマ発生装置であることを特徴とする請求項８〜１２のうち、いずれか一項記載の基板処理方法により、
請求項１４に記載したように、
前記プラズマ発生装置は、平行平板型プラズマ発生装置、誘導結合型プラズマ発生装置、ＥＣＲ型プラズマ発生装置、ヘリコン波型プラズマ発生装置、マイクロ波共振器型プラズマ発生装置のいずれかであることを特徴とする請求項８〜１２のうち、いずれか一項記載の基板処理方法により、
請求項１５に記載したように、
処理容器内部を、プラズマ励起されたクリーニングガスのラジカルにより、第１の圧力帯でクリーニングするプラズマクリーニング方法であって、
プラズマ発生装置に希釈ガスとクリーニングガスの混合ガスを、前記第１の流量帯よりも低い第２の流量帯で導入し、プラズマを着火する工程と、
前記混合ガスの流量を、前記第２の流量帯から前記第１の流量帯まで増大させる工程を含むことを特徴とするプラズマクリーニング方法により、
請求項１６に記載したように、
前記クリーニングガスはハロゲン化合物を含むことを特徴とする請求項１５記載のプラズマクリーニング方法により、
請求項１７に記載したように、
前記クリーニングガスはＮＦ３を含むことを特徴とする請求項１５または１６記載のプラズマクリーニング方法により、
請求項１８に記載したように、
前記クリーニングガスはＦ２を含むことを特徴とする請求項１５または１６記載のプラズマクリーニング方法により、
請求項１９に記載したように、
前記希釈ガスは、Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅのいずれかより選ばれることを特徴とする請求項１５〜１８のうち、いずれか一項記載のプラズマクリーニング方法により、
請求項２０に記載したように、
前記プラズマ発生装置は、トロイダル型プラズマ発生装置であることを特徴とする請求項１５〜１９のうち、いずれか一項記載のプラズマクリーニング方法により、
請求項２１に記載したように、
前記プラズマ発生装置は、平行平板型プラズマ発生装置、誘導結合型プラズマ発生装置、ＥＣＲ型プラズマ発生装置、ヘリコン波型プラズマ発生装置、マイクロ波共振器型プラズマ発生装置のいずれかであることを特徴とする請求項１５〜１９のうち、いずれか一項記載のプラズマクリーニング方法により、
請求項２２に記載したように、
処理容器中において被処理基板表面を、プラズマ励起されたエッチングのラジカルにより、第１の流量帯でエッチングする基板処理方法であって、
プラズマ発生装置に希釈ガスとエッチングガスの混合ガスを、前記第１の流量帯よりも低い第２の流量帯で導入し、プラズマを着火する工程と、
前記混合ガスの流量を、前記第２の流量帯から前記第１の流量帯まで増大させる工程を含むことを特徴とする基板処理方法により、
請求項２３に記載したように、
前記エッチングガスはハロゲン化合物を含むことを特徴とする請求項２２記載の基板処理方法により、
請求項２４に記載したように、
前記エッチングガスはＮＦ３を含むことを特徴とする請求項２２または２３記載の基板処理方法により、
請求項２５に記載したように、
前記エッチングガスはＦ２を含むことを特徴とする請求項２２または２３記載の基板処理方法により、
請求項２６に記載したように、
前記希釈ガスは、Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅのいずれかより選ばれることを特徴とする請求項２２〜２５のうち、いずれか一項記載の基板処理方法により、
請求項２７に記載したように、
前記プラズマ発生装置は、トロイダル型プラズマ発生装置であることを特徴とする請求項２２〜２６のうち、いずれか一項記載の基板処理方法により、
請求項２８に記載したように、
前記プラズマ発生装置は、平行平板型プラズマ発生装置、誘導結合型プラズマ発生装置、ＥＣＲ型プラズマ発生装置、ヘリコン波型プラズマ発生装置、マイクロ波共振器型プラズマ発生装置のいずれかであることを特徴とする請求項２２〜２６のうち、いずれか一項記載の基板処理方法により、解決する。
【００３１】
本発明によれば、プラズマ着火工程を通常のプロセス圧よりも低い圧力下で実行することにより、プラズマ着火を低い電圧で行うことが可能になる。これに伴い、プラズマが着火した瞬間にインピーダンス変化が生じても、プラズマ発生装置を破損させるような大きな印加電圧のオーバーシュートの発生が回避される。
【００３２】
【発明の実施の形態】
このように従来のプラズマ発生装置では、プラズマの着火の際、ハロゲン化合物を含むクリーニングガスあるいはエッチングガスを供給するとプラズマ着火が困難になり、あるいはプラズマ着火に高い電圧を印加する必要があるなどの問題が生じていた。
【００３３】
これに対し本発明の発明者は、減圧環境下においては電子の平均自由工程が長くなることに着目し、通常のクリーニングやエッチングに使われるよりも低圧の減圧環境下において高周波電界を印加した場合、電子が電界により大きく加速される結果、大きなエネルギを獲得するであろうこと、およびこのように電子が大きなエネルギを有する場合、Ａｒガス中にＮＦ３など、電気陰性度の高いハロゲン化合物を含むガスが添加されていても、低い駆動電圧でプラズマが着火する可能性があることを着想するに至った。
【００３４】
そこで本発明の発明者は、本発明の基礎となる研究において、図２（Ｅ）に示すトロイダル型のプラズマ発生装置６０（ＡＳＴＲＯＮｉ，ＭＫＳ製、米国特許第６１５０６２８号公報）を使い、このガス通路６１中にＡｒ／ＮＦ３混合ガスを供給し、前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガス中におけるＮＦ３濃度を様々に変化させ、さらに全圧力を様々に変化させながらプラズマ着火条件を探索する実験を行った。図４は、かかる探索の結果を示す。
【００３５】
図４を参照するに、●はプラズマ着火が生じなかった点を示しており、前記ＮＦ３濃度が２．５％以上では、実験したいずれの圧力においてもプラズマ着火は生じなかったが、ＮＦ３濃度を１．７％とした場合、図中に○で示すように、全圧を６９Ｐａ（５２０ｍＴｏｒｒ）まで低減した場合にプラズマ着火が生じることを見出した。ただし図３の実験では、前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガスの全流量を５００ＳＣＣＭとしており、１．７ｋＷの高周波電力を印加している。
【００３６】
そこで、図２（Ｅ）のトロイダル型プラズマ発生装置６０について、このようにして発見された着火点を出発点として、前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガスの全圧力、流量および前記混合ガス中におけるＮＦ３濃度を様々に変化させてプラズマ着火点を探索したところ、図５に示すような結果を得た。ただし図５の実験では、周波数が４００ｋＨｚの高周波を、１５００Ｗのパワーで供給している。
【００３７】
図５を参照するに、縦軸は前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガス中におけるＮＦ３の濃度（＝ＮＦ３／（Ａｒ＋ＮＦ３））を、横軸は前記ガス通路２１中の全圧を示しており、影を付した範囲がプラズマの着火が可能であった条件を示している。
【００３８】
すなわち前記ガス通路２１中の全圧が減少するにつれてプラズマ着火が可能なＮＦ３濃度範囲が増大し、また前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガスの全流量が減少するにつれてプラズマ着火が可能なＮＦ３濃度範囲が増大するのがわかる。
【００３９】
一方、前記ガス通路２１中の全圧が低くなりすぎると、加速された電子がＡｒ原子あるいはＮＦ３分子に衝突する確率が低減し、プラズマの着火は困難になる。
【００４０】
図５より、プラズマ着火時における前記ガス通路６１中の全圧を６６．５Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）以下、好ましくは６．６５Ｐａ（０．０５Ｔｏｒｒ）以下に減少させることにより、ＮＦ３を５％以上含むＡｒ／ＮＦ３混合ガス中においてプラズマ着火が可能であり、特にＡｒ／ＮＦ３混合ガス中におけるＮＦ３の濃度が４５％に達しても、プラズマ着火が可能な場合があることがわかる。
【００４１】
また図５は、プラズマ着火時に前記トロイダル型プラズマ発生装置に供給されるＡｒ／ＮＦ３混合ガスの流量を低減させることにより、プラズマ着火が生じるＮＦ３濃度範囲が増大する傾向を示している。例えば前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガスのガス流量が８０ＳＣＣＭの場合、プラズマ着火は生じるが、プラズマ着火が生じるＮＦ３濃度範囲あるいは圧力範囲は限られているのに対し、前記ガス流量を２０ＳＣＣＭ，５ＳＣＣＭ，３ＳＣＣＭと減少させるにつれて、プラズマ着火が生じるＮＦ３濃度範囲および圧力範囲は拡大するのがわかる。なお、プラズマ着火は前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガスのガス流量が１００ＳＣＣＭ以下であれば、前記混合ガスが５％程度のＮＦ３を含んでいても、生じることが確認されている。
【００４２】
同様な関係は、Ａｒ／Ｆ２混合ガスを使った場合にも確認されている。
【００４３】
図６は、図２（Ｅ）のトロイダル型プラズマ発生装置６０にＡｒ／Ｆ２混合ガスを供給した場合のプラズマ着火可能領域を示している。ただし図６では前記Ａｒ／Ｆ２混合ガスの全ガス流量を１００ＳＣＣＭに設定し、周波数が４００ｋＨｚの高周波プラズマを１３００Ｗのパワーで供給している。
【００４４】
図６を参照するに、全ガス流量を１００ＳＣＣＭに設定した場合、プラズマはＦ２ガスを添加しない場合には６．６５〜７９．８Ｐａ（０．０５〜０．６Ｔｏｒｒ）の圧力範囲において着火するのに対し、前記Ａｒ／Ｆ２混合ガスがＦ２を５％含む場合には、プラズマが着火する圧力範囲は、６．６５〜６６．５Ｐａ（０．０５〜０．５Ｔｏｒｒ）まで減少するのがわかる。
【００４５】
前記Ａｒ／Ｆ２混合ガス中のＦ２濃度をさらに増大させた場合、プラズマが着火可能な圧力範囲はさらに減少するが、約４５％のＦ２濃度までは約１６．０Ｐａ（０．１２Ｔｏｒｒ）の圧力においてプラズマが着火可能であることがわかる。
【００４６】
図７は、図４，５の結果に対応した、図２（Ｅ）のトロイダル型プラズマ発生装置６０におけるプラズマ着火電圧と全圧との関係を示す。
【００４７】
図７を参照するに、図示の例は前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガス中にＮＦ３が５％含まれている場合についてのものであるが、プラズマ着火電圧は全圧の減少およびこれに伴う電子の平均自由工程の増大に伴って低下し、図４の○で示した着火点に略対応する圧力において最小になる。これよりも圧力が低下すると電子と原子あるいはガス分子との衝突確率が減少する結果、プラズマ着火電圧は急激に上昇する。
【００４８】
図７の関係からは、前記混合ガスの全圧が非常に高い場合あるいは非常に低い場合であっても、前記混合ガスに対して図７の曲線を超える十分な電圧を与えればプラズマを着火することが可能であることがわかるが、このような高い電圧を印加した場合、先にも説明したように、プラズマ着火の瞬間に系のインピーダンスが急減し、これに伴う大きな電圧オーバーシュートが高周波電源やコイル、電極などを破損させる恐れがある。
【００４９】
図７の関係、すなわちプラズマ着火電圧は低圧側において減少し、ある最小値に対応する圧力を過ぎると急増する傾向は、トロイダル型のプラズマ発生装置に限らず、図２（Ａ）〜（Ｅ）あるいは図３に示すプラズマ発生装置２０〜７０において、希ガスの種類およびハロゲン含有エッチングガスあるいはクリーニングガスの種類によらず普遍的に成立する傾向であると考えられる。
【００５０】
そこで本発明は、ハロゲン化合物を含むガスを使って処理容器内部をプラズマクリーニングする際に、あるいはハロゲン化合物を含むガスを使って被処理基板表面をプラズマエッチングする際に、希ガスと前記ハロゲン化合物を含むガスの混合ガスに、図７に示す着火電圧が最小となる条件あるいはその近傍の条件を使ってプラズマを着火する。本発明ではプラズマの着火が低電圧で生じるため、プラズマ発生装置の電極やコイルに高電圧が印加されることがなく、プラズマ着火に伴って瞬間的に大きなインピーダンスが変化が生じても、高周波電源や電極、コイルなどが破損することがない。
【００５１】
一方、先にも説明したように、プラズマクリーニングあるいはプラズマエッチングでは、ＮＦ３やＦ２などクリーニング／エッチングガスの濃度あるいは分圧は高ければ高いほど、プロセスの効率が向上する。勿論、図５あるいは図６の着火領域内においてもプラズマが着火すれば、プラズマ中に前記クリーニング／エッチングガスが含まれるため、クリーニング工程やエッチング工程は開始されるが、クリーニング／エッチングガスの濃度が不十分であるため、十分な効率は達成できない。
【００５２】
そこで、本発明では、以下の実施例に説明するように、プラズマが着火した後、前記希ガスとクリーニング／エッチングガスの混合ガスの全圧を、所望のプロセス圧まで徐々に増大させる。
【００５３】
図８は、上記の結果に基づいた本発明の一実施例によるクリーニングあるいはエッチングプロセスで使われるガスおよびＲＦパワーの供給シーケンスを示す。
【００５４】
図８を参照するに、本実施例においては最初に少量のＡｒガスおよびＮＦ３ガスを図２（Ａ）〜（Ｅ）あるいは図３のいずれかのプラズマ発生装置に供給し、図７の最小着火電圧に略対応した全圧Ｐ１下においてＲＦパワーを供給し、プラズマを着火させる。
【００５５】
プラズマが着火した後、前記ＡｒガスおよびＮＦ３ガスの流量は徐々に増大され、所定のプロセス圧Ｐ２に達したところで所望のクリーニングあるいはエッチングプロセスを実行した後、ＲＦパワーを遮断する。
【００５６】
図９は、プラズマ発生装置として図２（Ｅ）のトロイダル型装置６０を、図１のＣＶＤ装置１０においてリモートプラズマ源１６Ｃとして使った場合について、図８の圧力Ｐ１から圧力Ｐ２まで、前記プラズマ発生装置６０に供給されるＡｒ／ＮＦ３混合ガスの流量と図１のＣＶＤ装置１０におけるコンダクタンスバルブ１３Ｂとを制御して、前記ガス通路６１中の全圧、従って前記処理容器１１中の内圧を変化させた例を示す。
【００５７】
図９の例では、図８の圧力Ｐ１に対応する着火ポイント（１）から実際のクリーニングプロセスが行われる図８の圧力Ｐ２に対応するプロセスポイント（２）まで、前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガスの全圧および流量を様々な経路で変化されており、ポイント（１）からポイント（２）までプラズマが維持されるかどうかが検証されている。ただしこの実験では図１のＣＶＤ装置１０において前記バルブ１６Ｖｃは全開されており、前記リモートプラズマ源１６Ｃとして使われる図２（Ｅ）のトロイダル型プラズマ発生装置６０のガス通路６１における圧力と前記処理容器１１内部に圧力は実質的に等しくなっている。
【００５８】
図９の実験では、着火ポイント（１）における全圧Ｐ１を約１１Ｐａ（０．０８Ｔｏｒｒ）に、また前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガスの全流量を３ＳＣＣＭに設定し、プロセスポイント（２）における全圧Ｐ２を１３３０Ｐａ（１０Ｔｏｒｒ）に、また前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガスの全流量を３ＳＬＭに設定している。
【００５９】
図９を参照するに、経路Ａでは前記着火ポイント（１）から前記約１１Ｐａ（０．０８Ｔｏｒｒ）の圧力を維持したままガス流量を増加させ、ポイント（４）に到達する。すなわちポイント（１）からポイント（４）までは、図１のＣＶＤ装置１０において前記処理容器１１中の圧力が、前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガスの流量が増大しても一定に維持されるように、排気系のコンダクタンスバルブ１３Ｂを徐々に開いており、前記ポイント（４）においては前記コンダクタンスバルブ１３Ｂは全開状態になっている。このように、前記ポイント（４）は前記コンダクタンスバルブ１３Ｂおよびこれに協働する真空ポンプ１３の能力により決定される。
【００６０】
この状態で前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガスの流量を前記プロセスポイント（２）に対応した所定のプロセス流量まで徐々に増大させると前記処理容器１１内部の圧力、従って前記ガス通路２１中の全圧は増大し、ポイント（５）に到達する。この時点から前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガス流量を一定に保持したまま、前記コンダクタンスバルブ１３Ｂを徐々に閉じることにより、前記処理容器１１内部の圧力、従って前記ガス通路２１中の圧力は前記プロセスポイント（２）まで徐々に増大する。
【００６１】
一方図９の経路Ｂでは、前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガス流量を一定に保持したまま前記コンダクタンスバルブ１３Ｂを徐々に閉じることにより前記処理容器１１内部の圧力、従って前記ガス通路２１中の全圧は徐々に増大し、全閉状態において前記ポイント（６）に到達する。すなわち前記ポイント（６）は前記コンダクタンスバルブ１３Ｂの全閉状態におけるガスリーク量および真空ポンプ１３の能力により決定される。
【００６２】
前記経路Ｂでは前記ポイント（６）から、前記コンダクタンスバルブ１３Ｂを全閉状態に保持したまま前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガスの流量を増大させることにより、前記処理容器１１内部の圧力、従って前記ガス通路２１中の全圧は徐々に増大し、前記プロセスポイント（２）のプロセス圧に対応したポイント（７）に到達する。さらに前記ポイント（７）からＡｒ／ＮＦ３混合ガスの流量を前記プロセスポイント（２）まで徐々に増大させる。その際、前記コンダクタンスバルブ１３Ｂを徐々に閉じることにより、前記処理容器１１内部の圧力、従って前記ガス通路２１中の全圧を前記プロセス圧に維持する。
【００６３】
さらに図９の経路Ｃでは、前記着火ポイント（１）でプラズマを着火させた後、前記コンダクタンスバルブ１３Ｂの開度を保持したまま前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガスの流量を所定のプロセス流量に対応したポイント（３）まで増加させ、さらにその後前記コンダクタンスバルブ１３Ｂを徐々に絞ることにより、前記プロセスポイント（２）まで前記処理容器１１内部の圧力、従って前記ガス通路２１中の全圧を増大させる。
【００６４】
このように、前記着火ポイント（１）からプロセスポイント（２）まで様々な経路でガス流量および全圧を変化する実験を行った結果、図９中、前記ポイント（１）〜（７）で囲まれた領域においては、前記全圧およびガス流量を変化させても、いったん着火されたプラズマは消滅することがないのが確認されている。
【００６５】
なお、先にも説明したように、ポイント（４）およびポイント（６）、従ってポイント（４）からポイント（５）までの経路、およびポイント（６）からポイント（７）までの経路は、使われるＣＶＤ装置のコンダクタンスバルブ１３Ｂの設計および真空ポンプ１３の能力により決定されるもので、前記コンダクタンスバルブ１３Ｂの最大コンダクタンスを増大させ、あるいは真空ポンプ１３の能力を増大させると前記ポイント（４）からポイント（５）への経路は大流量側にシフトする。また前記コンダクタンスバルブ１３Ｂの最小コンダクタンスを減少させ、あるいは真空ポンプ１３の能力を低下させると前記ポイント（６）からポイント（７）への経路は高圧側にシフトする。
【００６６】
また前記プロセスポイント（２）は、効率よくプラズマクリーニングが実行できる既知の条件のいずれかに設定することが可能である。
【００６７】
すなわち、前記プロセスポイント（２）において、例えば前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガス中のＮＦ３濃度を８０％まで増大させることにより、熱酸化膜に対して毎分２０００ｎｍのクリーニング速度を実現することが可能である。この場合には、前記着火ポイント（１）からプロセスポイント（２）までの間に前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガス中におけるＮＦ３濃度を変化させる必要がある。このような場合であっても、いったんプラズマが着火するとプラズマは維持されることが確認されている。
【００６８】
このようにしてプロセスポイント（２）に到達した後は、通常のクリーニング工程を行うことが可能である。なお、図１のＣＶＤ装置１０ではクリーニングは、前記リモートプラズマ源１６Ｃとして使われるトロイダル型のプラズマ発生装置２０においてプラズマ着火が生じた時点から開始されていることに注意すべきである。
【００６９】
図９において着火ポイント（１）からプロセスポイント（２）へ移行する場合に、前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガス中のＡｒガスとＮＦ３ガスの混合比は固定しても変化させてもよい。その際、本発明ではプラズマ着火が生じた直後からクリーニングが開始されているため、前記Ａｒ／ＮＦ３混合ガス中のＮＦ３濃度を着火ポイント（１）からプロセスポイント（２）へ移行する間に増加させるのみならず、必要に応じて低減させることも可能である。
【００７０】
また、図１のＣＶＤ装置１０において、前記トロイダル型プラズマ発生装置２０をリモートプラズマ源１６Ｃとして使い、前記処理容器１１中において熱酸化膜やＣＶＤ酸化膜など絶縁膜のプラズマエッチング、あるいはＷ膜やＴｉ膜などの金属膜のプラズマエッチング、さらにはＴｉＮ膜など導電性窒化膜のプラズマエッチングやポリシリコン膜のプラズマエッチングを行うことができる。
【００７１】
さらに本実施例においては図１のＣＶＤ装置１０において、図１０に示すように前記ＮＦ３ガス源１６Ａに能力の異なる複数の質量流量コントローラ１６ａ，１６ｂを設け、これらをバルブにより切り替えて使うことも可能である。図１０では、同様に、Ａｒガス源１６Ｂにも、能力の異なる複数の質量流量コントローラ１６ｃ，１６ｄが設けられており、これらがバルブにより切り替えて使われる。
【００７２】
そこで、例えば図９の着火ポイント（１）から最初に質量流量コントローラ１６ａによりＡｒ／ＮＦ３混合ガス流量が経路Ｃに沿って増大しており、前記経路Ｃ上のポイント（８）において質量流量コントローラ１６ａからより大容量の質量流量コントローラ１６ｂに切り替える場合を考えると、前記質量流量コントローラの切り替えに伴って一時的に流量および全圧がポイント（９）まで低下する場合があるが、より大容量の質量流量コントローラ１６ｂを駆動することにより、経路Ｃ上のポイント（１０）に戻ることができる。その際、本実施例によれば、前記ポイント（９）が図９中に示したプラズマ維持領域内位置している限り、ポイント（１）で着火したプラズマが消滅することはない。
【００７３】
さらに前記復帰後のポイント（１０）は前記経路Ｃ上に限定されるものではなく、前記ポイント（８）よりも流量が大きい範囲内で前記プラズマ維持領域内の任意の点に選ぶことができる。
【００７４】
以上本発明を、トロイダル型プラズマ発生装置にＡｒ／ＮＦ３混合ガスあるいはＡｒ／Ｆ２混合ガスを供給してプラズマを形成する場合を例に説明したが、本発明においてプラズマ発生装置はトロイダル型プラズマ発生装置に限定されるものではなく、本発明は図２（Ａ）〜（Ｅ）あるいは図３に示した他のプラズマ発生装置においても適用可能である。また本発明において、プラズマ形成のために供給される希釈ガスはＡｒに限定されるものではなく、本発明はＨｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅなどの希ガス、あるいはＨ２Ｏ，Ｏ２，Ｈ２，Ｎ２，Ｃ２Ｆ６などを使った場合でも成立する。さらに本発明で使われるクリーニング／エッチングガスはＮＦ３あるいはＦ２に限定されるものではなく、他のハロゲン化合物ガス、さらにはＣＨ３ＣＯＯＨなど、ＣＨ３ＣＯＯ基を含む化合物を使うことも可能である。
【００７５】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【００７６】
【発明の効果】
本発明によれば、プラズマ着火時にガス圧を低減させることにより、ハロゲン化合物を含んだガスであっても低い電圧でプラズマ着火をすることが可能になる。これにより、これにより、プラズマ着火の瞬間の大きなインピーダンス変化に起因して生じる大きな電圧オーバーシュートの発生、およびこれによる駆動電源あるいは電極、コイルなどの破損が回避される。本発明では、このようにしてプラズマが着火した後、プラズマを維持したまま、所定のプロセス条件までガス圧を増大させることにより、所望のクリーニングプロセスあるいはエッチングプロセスを効率よく実行することが可能になる。
【００７７】
本発明によれば、ハロゲン化合物を含んだガスに対してプラズマが着火されるため、特に枚葉処理工程のように、プラズマを頻繁に断続する工程の場合、プラズマを着火するたびにハロゲン化合物を含むガスをパージする必要がなくなり、クリーニングあるいは基板処理のスループットが大きく向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】リモートプラズマ発生装置を備えた従来のＣＶＤ装置の構成を示す図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）は、様々なリモートプラズマ源の例を示す図である。
【図３】基板処理装置の処理容器中に組み込まれる平行平板型プラズマ源の例を示す図である。
【図４】本発明におけるプラズマ着火条件の探索例を示す図である。
【図５】本発明において発見された、ＮＦ３ガスを含むプラズマの着火領域を示す図である。
【図６】本発明において発見された、Ｆ２ガスを含むプラズマの着火領域を示す図である。
【図７】本発明の原理を示す図である。
【図８】本発明によるプラズマクリーニングプロセスを示す図である。
【図９】図８における着火工程からクリーニング工程までの移行経路の例を示す図である。
【図１０】本発明のプラズマクリーニングプロセスで使われる、ガス源における質量流量制御装置の切り替え構成を示す図である。
【符号の説明】
１０  ＣＶＤ装置
１１  処理容器
１２  サセプタ
１３  真空ポンプ
１３Ａ  遮断バルブ
１３Ｂ  コンダクタンスバルブ
１４  シャワーヘッド
１５  原料ガス供給系
１５Ａ〜１５Ｃ  原料ガス源
１５ＶＡ〜１５ＶＣ  バルブ
１６  クリーニングモジュール
１６Ａ  クリーニングガス源
１６Ｂ  Ａｒガス源
１６ａ〜１６ｄ  質量流量コントローラ
１６Ｃ  リモートプラズマ源
１６ＶＡ〜１６ＶＣ  バルブ
２０  ＩＣＰ型プラズマ発生装置
２１  プラズマ容器
２２  コイル
２３  高周波電源
３０  ＥＣＲ型プラズマ発生装置
３１  プラズマ容器
３２  磁石
３３  マイクロ波電源
４０  ヘリコン波型プラズマ発生装置
４１  プラズマ容器
４２  ループアンテナ
４３  高周波電源
４４  磁石
５０  マイクロ波共振器型プラズマ発生装置
５１  マイクロ波共振器
５２  マイクロ波電源
６０  トロイダル型プラズマ発生装置
６１  ガス通路
６１Ａ  ガス入口
６１Ｂ  ガス出口
６２  高周波コイル
７０  平行平板型プラズマ発生装置
７１  プラズマ容器
７１Ａ，７１Ｂ  電極
７２  高周波電源
Ｌ１  原料ガスライン
Ｌ２  クリーニングガスライン
【図１】
2005019853.tif 000003
【図２】
2005019853.tif 000004
【図３】
2005019853.tif 000005
【図４】
2005019853.tif 000006
【図５】
2005019853.tif 000007
【図６】
2005019853.tif 000008
【図７】
2005019853.tif 000009
【図８】
2005019853.tif 000010
【図９】
2005019853.tif 000011
【図１０】
2005019853.tif 000012