(57)【要約】      （修正有）【課題】１つの採取データを利用して、シミュレーション範囲のあらゆる始発と到達温度の条件の溶着面温度データを演算によって作り出す方法を提供する。【解決手段】ヒートシール操作における加熱体による加熱温度と圧着時間の適正設定を次の方法で行う（１）被加熱材料の小片に、実験室で微細センサーを溶着面に挿入して、溶着面温度測定法によりヒートシールの設定温度範囲の溶融温度の１０〜２０℃高い温度付近の加熱温度で溶着面温度の応答データ（標本データ）を採取する。（２）採取応答データをデジタル信号で保存し、そのデータをパーソナルコンピュータに移動する。（３）標本データから始発温度（ＴＬ１）到達温度（ＴＨ１）を読み取り（ＴＨ１−ＴＬ１＝ΔＴ１）、任意の始動温度（ＴＬｎ）と到達温度（ＴＨｎ）を決め、（ＴＨｎ−ＴＬｎ＝ΔＴｎ）として、標本データの個別データに［（ΔＴｎ／ΔＴ１）］乗じた後に［ＴＬｎ−ＴＬ１・（ΔＴｎ／ΔＴ１）］を加算して、シミュレーションデータ得る。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートシール操作における加熱体による加熱温度と圧着時間の適正設定を次の方法で行う
（１）ヒートシール加熱試験装置（例えば実用新案登録第３０５６１７２号のような）の加熱体の表面には、実際の設備に装着するテフロン（登録商標）シート等の表層材と同一の表層材を装着する（実際の装置で装着しない場合は何も付けない）
（２）被加熱材の小片（約２０ｍｍ×５０ｍｍ）の溶着面に微細センサー（１０〜４０μｍ）を挟み込む
（３）ヒートシール加熱試験装置の１対の加熱体を推定溶着温度より２０〜３０℃高い同一温度で調節を行う
（４）微細センサーを挟み込んだ被加熱材の小片を、センサーの先端がヒートシール加熱試験装置加熱体の中央付近に位置するようにして、０．１〜０．２ＭＰａの圧力で圧着する
（５）圧着時間は（４）の方法で溶着面温度応答を予備的に計測したデータに基づき、到達温度が０．１〜０．２℃のばらつきで、ほぼ一定になるまで行うこのデータを「標本データ」と呼ぶ（図２（ａ）参照）
（６）溶着面温度のデジタル化データは少なくとも１℃当たり３〜４ケの温度データを採取するように設定し、記憶装置の記憶容量は到達温度（ＴＨ１）が０．１〜０．２℃のばらつきで、ほぼ一定になるまでより大きい容量を用意する
（７）採取したデータを「プラスチックの熱溶着温度の測定方法」（特許第３３１８８６６号）を用いて熱変性を解析し、溶融開始温度（Ｔｍ）とその到達時間（ｔｍ）を検知する（図２（ｃ）参照）
（８）標本データの溶着面温度とその上昇開始時間（ｔ０）と到達時間（ｔｓ）を直線で結んだデータ表を比例計算で作成する
（９）（８）のデータ表から溶融開始時間（ｔｍ）に相当する温度（Ｔｍ２）を抽出し、溶融開始温度（Ｔｍ）との関係（Ｔｍ２−Ｔｍ＜２℃）又は（Ｔｍ２−Ｔｍ≧２℃）を判定する
（１０）（Ｔｍ２−Ｔｍ＜２℃）の場合は次の方法で標本データを演算処理をしてシミュレーションを行う（図２（ａ），（ｂ）参照）
１）被加熱材に微細センサーを挟み込んで加熱した溶着面温度の応答データから加熱開始以前の始動温度（ＴＬ１）と０．１〜０．２℃のばらつきで一定になった到達温度（ＴＨ１）を読み取り（ＴＨ１−ＴＬ１＝ΔＴ１）を得る
２）ヒートシール範囲の任意の始動温度（ＴＬｎ）と到達温度（ＴＨｎ）のシミュレーション条件を決め、（ＴＨｎ−ＴＬｎ＝ΔＴｎ）を得る
３）標本データの個別データに［（ΔＴｎ／ΔＴ１）乗じた後に［ＴＬｎ−ＴＬ１・（ΔＴｎ／ΔＴ１）］を加算する
（１１）（Ｔｍ２−Ｔｍ≧２℃）の場合は次の方法で標本データの演算処理をしてシミュレーションを行う（図２（ｃ），（ｄ）参照）
１）標本データから溶融開始温度（Ｔｍ）とその到達時間（ｔｍ）を検知する
２）被加熱材に微細センサーを挟み込んで加熱した溶着面温度の応答データから加熱開始以前の始動温度（ＴＬ１）と０．１〜０．２℃のばらつきで一定になった到達温度（ＴＨ１）を読み取り（ＴＨ１−ＴＬ１＝ΔＴ１）を得る
３）ヒートシール範囲の任意の始動温度（ＴＬｎ）と到達温度（ＴＨｎ）のシミュレーション条件を決め、（ＴＨｎ−ＴＬｎ＝ΔＴｎ）を得る
４）ヒートシール範囲の任意の始動温度（ＴＬｎ）と到達温度（ＴＨｎ）のシミュレーション条件を決め、（ＴＨｎ−ＴＬｎ＝ΔＴｎ）を得る
５）標本データの個別データに［（ΔＴｎ／ΔＴ１）乗じた後に［ＴＬｎ−ＴＬ１・（ΔＴｎ／ΔＴ１）］を加算する
６）５）の演算結果から溶融開始温度（Ｔｍ）に相当するその到達時間（ｔ’ｍ）を読み出す
７）標本データの始動温度（ＴＬ１）と到達温度（Ｔｍ）のデータから始動温度（ＴＬｎ）と到達温度（Ｔｍ）へのシミュレーションを（Ｔｍ２−Ｔｍ＜２℃）の場合と同様に行う
８）７）のシミュレーションデータを（ｔｍ−ｔ０）／（ｔ’ｍ−ｔ０）の割合でデータ圧縮（間引き）をして、（ｔ０〜ｔ’ｍ）の実時間に変更する
この操作は溶融開始前の特性をシミュレーションしたものである
９）標本データの溶融開始温度（Ｔｍ）を始動温度と置き換えて溶融開始温度（Ｔｍ）と到達温度（ＴＨ１）データから溶融開始温度（Ｔｍ）を始動温度としたシミュレーションを（Ｔｍ２−Ｔｍ＜２℃）の場合と同様に行う
この操作は溶融開始後の特性をシミュレーションしたものである
１０）９）のシミュレーションデータを（ｔｓ−ｔ’ｍ）／（ｔｓ−ｔｍ）の割合でデータ伸長を行う（［ｔｍ〜ｔｓ］を［ｔ’ｍ〜ｔｓ］になるようにブランクを挿入する）
１１）このデータを８）のシミュレーション結果に連結できるように時間軸を実時間に変更し、連結する
（１２）得られた複数のシミュレーションデータを一覧表を作成しこれを１葉のグラフに集合する
（１３）データ一覧表とグラフを用いて、ヒートシール条件の選択を行う
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
シート状のプラスチック材料を加熱体の圧着加熱による溶着封緘や製袋に際してよく行われているヒートシール作業において、加熱温度（加熱体の温度調節設定値）と溶着面の応答データの関係を把握することは、実際の装置の運転速度を決定する上で重要である
被加熱材の熱特性を解析するために、その熱系統を電気回路に置き換えてシミュレーションする方法が工学的に行われている
しかし、熱系統からその応答係数を見つけ出すには高度の知識と技術を必要とする
発明者は、ヒートシールの温度領域において１つの加熱温度と溶着面温度の応答データを採取して、この応答データを使い、熱特性の基準となる応答係数データを使用することなく、ヒートシール温度領域の希望する始発と到達温度の温度応答データを容易にシミュレーションする方法を究明した
この発明は、加熱温度と溶着面温度応答の関係を簡単にシミュレーションし、ヒートシールの管理を容易にして、ヒートシール技法の現場への適用の簡易化と信頼性を向上し、作業と包装材料のロスの削減を達成する方法に関するものである
【０００２】
【従来の技術】
シート状のプラスチックを使用して容器の封緘をしたり、シート状の材料を重ね合わせて袋状にする包装資材の生産過程では、発熱体の加熱圧着によって行われている
この工程における加熱条件は加熱体の加熱温度と圧着時間の組み合わせによって行われている
運転速度を優先させる場合には、まず運転速度から決まる圧着時間を優先的に決めて、この時間での適正加熱温度を選択している
被加熱材の熱特性から加熱温度に制限を加えたい場合は、加熱温度を優先的に決めて、この加熱温度での適正圧着時間を選択し、運転速度に反映させている
この条件設定には、実機を使い加熱体の温度を順次変更して、それぞれの加熱温度毎に運転速度を変更して、ヒートシールを行い、作られた大量の被加熱材を［ＪＩＳ  Ｚ  ０２３８］の方法での引っ張り試験や剥離面の観察によって、加熱温度と圧着時間の評価表を作り適正条件の範囲決定が行われていた
この方法は大量の資材と手間、設備の休止を要し、コストがかかる方法である
又、人の観察判断が入るので、信頼性は高いものではない
最近になって、溶着面温度が直接測定できる方法が開発され、適正加熱温度と加熱体の温度設定の関係が明確になって（第８回日本包装学会年次大会研究発表会要旨集Ｐ．１６〜等）加熱体の表面温度（加熱温度とは必ずしも一致しない）と溶着面温度の応答関係で加熱条件が選択できるようになり、ヒートシール条件の設定は合理的になってきた
この場合でも加熱体の調節温度値を変更して、何種類かの表面温度の応答データを採取する必要がある
又常温以外の始発温度を選択しようとすると被加熱材を予め選択した温度に保温してから加熱操作を行う必要がある
そのためにヒートシールのシミュレーション曲線を作成しようすると多くの手間を必要としている
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来のヒートシールの加熱・圧着条件の決定には次のような課題がある
（１）実際の設備を使い、運転速度と加熱体の調節温度をシミュレーション範囲に全般にわたって変化させたヒートシールの実施が必要
（２）実際の設備の生産休止による生産ロスの発生
（３）大量のテスト資材の消費
（４）テスト運転とテスト結果評価の人手の負担
（５）観察評価が入るので信頼性に課題が残る
【０００４】
最近開発された（第８回日本包装学会年次大会研究発表会要旨集Ｐ．１６〜等）加熱体の表面温度と溶着面温度の関係からヒートシール条件をシミュレーションする方法は加熱温度と溶着面温度の関係を明確にしたが、この方法でも必要な加熱温度のヒートシール試験がそれぞれ必要である
ヒートシールの始発温度の条件設定は従来のように被加熱材を事前に保温処理する必要がある
【０００５】
本発明は、加熱体の表面温度と被加熱材の溶着面温度の関係の試験室でのデータ採取において、ヒートシール条件のシミュレーション範囲の１つの採取データを利用して、シミュレーション範囲のあらゆる始発と到達温度の条件の溶着面温度データを演算によって作り出す方法を見いだした
【０００６】
【課題を解決する手段】
ヒートシール操作における加熱体による加熱温度と圧着時間の適正設定を次の方法で行う
（１）ヒートシール加熱試験装置（例えば実用新案登録第３０５６１７２号のような）の加熱体の表面には、実際の設備に装着するテフロン（登録商標）シート等の表層材と同一の表層材を装着する（実際の装置で装着しない場合は何も付けない）
（２）被加熱材の小片（約２０ｍｍ×５０ｍｍ）の溶着面に微細センサー（１０〜４０μｍ）を挟み込む
（３）ヒートシール加熱試験装置の１対の加熱体を推定溶着温度より２０〜３０℃高い同一温度で調節を行う
（４）微細センサーを挟み込んだ被加熱材の小片を、センサーの先端がヒートシール加熱試験装置加熱体の中央付近に位置するようにして、０．１〜０．２ＭＰａの圧力で圧着する
（５）圧着時間は（４）の方法で溶着面温度応答を予備的に計測したデータに基づき、到達温度が０．１〜０．２℃のばらつきで、ほぼ一定になるまで行うこのデータを「標本データ」と呼ぶ（図２（ａ）参照）
（６）溶着面温度のデジタル化データは少なくとも１℃当たり３〜４ケの温度データを採取するように設定し、記憶装置の記憶容量は到達温度（ＴＨ１）が０．１〜０．２℃のばらつきで、ほぼ一定になるまでより大きい容量を用意する
（７）採取したデータを「プラスチックの熱溶着温度の測定方法」（特許第３３１８８６６号）を用いて熱変性を解析し、溶融開始温度（Ｔｍ）とその到達時間（ｔｍ）を検知する（図２（ｃ）参照）
（８）標本データの溶着面温度とその上昇開始時間（ｔ０）と到達時間（ｔｓ）を直線で結んだデータ表を比例計算で作成する
（９）（８）のデータ表から溶融開始時間（ｔｍ）に相当する温度（Ｔｍ２）を抽出し、溶融開始温度（Ｔｍ）との関係（Ｔｍ２−Ｔｍ＜２℃）又は（Ｔｍ２−Ｔｍ≧２℃）を判定する
【０００７】
（１０）（Ｔｍ２−Ｔｍ＜２℃）の場合は次の方法で標本データを演算処理をしてシミュレーションを行う（図２（ａ），（ｂ）参照）
１）被加熱材に微細センサーを挟み込んで加熱した溶着面温度の応答データから加熱開始以前の始動温度（ＴＬ１）と０．１〜０．２℃のばらつきで一定になった到達温度（ＴＨ１）を読み取り（ＴＨ１−ＴＬ１＝ΔＴ１）を得る
２）ヒートシール範囲の任意の始動温度（ＴＬｎ）と到達温度（ＴＨｎ）のシミュレーション条件を決め、（ＴＨｎ−ＴＬｎ＝ΔＴｎ）を得る
３）標本データの個別データに［（ΔＴｎ／ΔＴ１）乗じた後に［ＴＬｎ−ＴＬ１・（ΔＴｎ／ΔＴ１）］を加算する
【０００９】
（１１）（Ｔｍ２−Ｔｍ≧２℃）の場合は次の方法で標本データの演算処理をしてシミュレーションを行う（図２（ｃ），（ｄ）参照）
１）標本データから溶融開始温度（Ｔｍ）とその到達時間（ｔｍ）を検知する
２）被加熱材に微細センサーを挟み込んで加熱した溶着面温度の応答データから加熱開始以前の始動温度（ＴＬ１）と０．１〜０．２℃のばらつきで一定になった到達温度（ＴＨ１）を読み取り（ＴＨ１−ＴＬ１＝ΔＴ１）を得る
３）ヒートシール範囲の任意の始動温度（ＴＬｎ）と到達温度（ＴＨｎ）のシミュレーション条件を決め、（ＴＨｎ−ＴＬｎ＝ΔＴｎ）を得る
４）ヒートシール範囲の任意の始動温度（ＴＬｎ）と到達温度（ＴＨｎ）のシミュレーション条件を決め、（ＴＨｎ−ＴＬｎ＝ΔＴｎ）を得る
５）標本データの個別データに［（ΔＴｎ／ΔＴ１）乗じた後に［ＴＬｎ−ＴＬ１・（ΔＴｎ／ΔＴ１）］を加算する
６）５）の演算結果から溶融開始温度（Ｔｍ）に相当するその到達時間（ｔ’ｍ）を読み出す
７）標本データの始動温度（ＴＬ１）と到達温度（Ｔｍ）のデータから始動温度（ＴＬｎ）と到達温度（Ｔｍ）へのシミュレーションを（Ｔｍ２−Ｔｍ＜２℃）の場合と同様に行う
８）７）のシミュレーションデータを（ｔｍ−ｔ０）／（ｔ’ｍ−ｔ０）の割合でデータ圧縮（間引き）をして、（ｔ０〜ｔ’ｍ）の実時間に変更する
この操作は溶融開始前の特性をシミュレーションしたものである
９）標本データの溶融開始温度（Ｔｍ）を始動温度と置き換えて溶融開始温度（Ｔｍ）と到達温度（ＴＨ１）データから溶融開始温度（Ｔｍ）を始動温度としたシミュレーションを（Ｔｍ２−Ｔｍ＜２℃）の場合と同様に行う
この操作は溶融開始後の特性をシミュレーションしたものである
１０）９）のシミュレーションデータを（ｔｓ−ｔ’ｍ）／（ｔｓ−ｔｍ）の割合でデータ伸長を行う（［ｔｍ−ｔｓ］を［ｔ’ｍ−ｔｓ］になるようにブランクを挿入する）
１１）このデータを８）のシミュレーション結果に連結できるように時間軸を実時間に変更し、連結する
【００１０】
（１２）得られた複数のシミュレーションデータを一覧表を作成しこれを１葉のグラフに集合する
（１３）データ一覧表とグラフを用いて、ヒートシール条件の選択を行う
【００１１】
【発明の実施の形態】
実験室に用意された溶着面温度（８）を計測する加熱試験装置（例えば実用新案登録第３０５６１７２号のような）の一部の概要を図１に示した。
加熱試験装置の加熱体（５，５’）には、シミュレーション対象の現場の装置に装着するのと同じテフロン（登録商標）シート（３，３’）を装着する
現場の装置で不使用の場合にはテフロン（登録商標）シート（３，３’）は装着しない
【００１１】
加熱体（５，５’）調節温度は同一とし、シミュレーション範囲の中央付近の温度に設定する（温度調節装置は図示していない）
被加熱材のヒートシーラント（１，１’）を内側にして、１０〜４０μｍの微細な温度センサー（４）を挟んだまま、加熱体（５，５’）を作動させて、被加熱材の基材（２，２’）側から圧着加熱する
圧着時間は予備的測定によって適正時間を予め決定する
温度センサー（４）の温度信号はデジタル記録計（６）につながれていて、温度センサー（４）の温度信号をデジタル値に変換して保存する
０．１〜０．２℃のばらつきになるまでの圧着時間で得られた温度センサー（４）の定常値は加熱体（５，５’）の表面温度（７，７’）と一致する
【００１２】
このようにして、被加熱材のヒートシーラント（１，１’）と被加熱材の基材（２，２’）の総合熱伝達特性を含んだデータはデジタル記録計（６）に電子ファイルとして取得する
溶着面温度（８）のデジタル化データは少なくとも１℃当たり３〜４ケの温度データを採取するように設定し、記憶装置は到達温度が０．１〜０．２℃のばらつきでほぼ一定になるまでのデータが記憶できる記憶容量を用意する
電子ファイルのデータをパーソナルコンピュータ（９）に移して演算処理を行う
【００１３】
パーソナルコンピュータ（９）で行うデータ処理の仕方を図２で説明する
採取したデータを「プラスチックの熱溶着温度の測定方法」（特許第３３１８８６６号）を用いて熱変性を解析し、溶融開始温度（Ｔｍ）とその到達時間（ｔｍ）を検知する［図２（ｃ）参照］
標本データの溶着面温度（８）の上昇開始時間（ｔ０），始動温度（ＴＬ１）のと到達時間（ｔｓ），到達温度（ＴＨ１）を直線で結んだデータ表を作成するデータ線は図２（ｃ）にモデル曲線として示した
【００１４】
このデータ表から溶融開始時間（ｔｍ）に相当する温度（Ｔｍ２）を抽出し、溶融開始温度（Ｔｍ）との関係（Ｔｍ２−Ｔｍ＜２℃）又は（Ｔｍ２−Ｔｍ≧２℃）を判定する
【００１５】
（Ｔｍ２−Ｔｍ＜２℃）の場合、この熱系は線形として扱えるので加熱温度に関係なく始動温度（ＴＬ１）から到達温度（ＴＨ１）に至る応答時間は同じで傾斜のみが変化する特性をもっている
【００１６】
この判定はヒートシーラント（１，１’）の被加熱材の全体の厚みに占める割合を検証している
実際にはヒートシーラント（１，１’）が３０μｍを超すと（Ｔｍ２−Ｔｍ≧２℃）の関係が顕著に現れる
【００１７】
（Ｔｍ２−Ｔｍ＜２℃）の場合は次の方法で標本データの演算処理をしてシミュレーションを行う［図２（ａ），（ｂ）参照］
１）被加熱材に微細センサーを挟み込んで加熱した溶着面温度（８）の応答データか    ら加熱開始以前の始動温度（ＴＬ１）と０．１〜０．２℃のばらつきで一定に    なった到達温度（ＴＨ１）を読み取り（ＴＨ１−ＴＬ１＝ΔＴ１）を得る
２）ヒートシール範囲の任意の始動温度（ＴＬｎ）と到達温度（ＴＨｎ）のシミュレーション条件を決め、（ＴＨｎ−ＴＬｎ＝ΔＴｎ）を得る
３）標本データの個別データに［（ΔＴｎ／ΔＴ１）乗じた後に［ＴＬｎ−ＴＬ１・（ΔＴｎ／ΔＴ１）］を加算する
【００１８】
（Ｔｍ２−Ｔｍ≧２℃）の場合は次の方法で標本データの演算処理をしてシミュレーションを行う［図２（ｃ），（ｄ）参照］
１）標本データから溶融開始温度（Ｔｍ）とその到達時間（ｔｍ）を検知する
２）被加熱材に微細センサーを挟み込んで加熱した溶着面温度（８）の応答データか    ら加熱開始以前の始動温度（ＴＬ１）と０．１〜０．２℃のばらつきで一定に    なった到達温度（ＴＨ１）を読み取り（ＴＨ１−ＴＬ１＝ΔＴ１）を得る
３）ヒートシール範囲の任意の始動温度（ＴＬｎ）と到達温度（ＴＨｎ）のシミュレーション条件を決め、（ＴＨｎ−ＴＬｎ＝ΔＴｎ）を得る
４）標本データの個別データに［（ΔＴｎ／ΔＴ１）乗じた後に［ＴＬｎ−ＴＬ１・（ΔＴｎ／ΔＴ１）］を加算する
５）４）の演算結果から溶融開始温度（Ｔｍ）に相当するその到達時間（ｔ’ｍ）を読み出す
６）標本データの始動温度（ＴＬ１）と到達温度（Ｔｍ）のデータから始動温度（ＴＬｎ）と到達温度（Ｔｍ）へのシミュレーションを（Ｔｍ２−Ｔｍ＜２℃）の場合と同様に行う
７）６）のシミュレーションデータを（ｔｍ−ｔ０）／（ｔ’ｍ−ｔ０）の割合でデータ圧縮（間引き）をして、（ｔ０〜ｔｍ）の実時間に変更する
この操作は溶融開始前の特性をシミュレーションしたものである
８）標本データの溶融開始温度（Ｔｍ）を始動温度と置き換えて溶融開始温度（Ｔｍ）と到達温度（ＴＨ１）データから溶融開始温度（Ｔｍ）を始動温度としたシミュレーションを（Ｔｍ２−Ｔｍ＜２℃）の場合と同様に行う
この操作は溶融開始後の特性をシミュレーションしたものである
９）８）のシミュレーションデータを（ｔｓ−ｔ’ｍ）／（ｔｓ−ｔｍ）の割合でデータ伸長（［ｔｍ〜ｔｓ］を［ｔ’ｍ〜ｔｓ］になるようにブランクを挿入する）
１０）このデータを７）のシミュレーション結果に連結できるように時間軸を実時間に変更し、連結する
【００１９】
同様な方法で得られた複数のシミュレーションデータを一覧表を作成しこれを１葉のグラフに集合する
データ一覧表とグラフを用いて、ヒートシール条件の選択を行う
以上の一連の操作は複雑であるが定型的であるから、実際にはパーソナルコンピュータ（９）に一連の操作をプログラムして、デジタル記録計（６）に格納したデータを通信回線を通して自動取り込みをする
そして、所望のシミュレーション条件をキー設定できるようにしておいて、それを作動させて簡単にシミュレーション結果を得る
【００２０】
【実施例】
本発明の（Ｔｍ２−Ｔｍ＜２℃）の実施事例をを図３に示した
被加熱材として、［ＯＰＰ１３μｍ／ＰＥ１０μｍ／ＶＭＰＥＴ９μｍ／ＰＥ１０μｍ／ＣＰＰ１８μｍ］を使用して、「発明の実施の形態」で説明した方法によって、テフロン（登録商標）シートを装着せず、被加熱材始発温度２７．９℃、到達温度１１９℃（ａ）と１４９℃（ｂ）の２つの標本データを採取した。
【００２１】
本発明の方法によって１１９℃（ａ）を元に始発温度２７．９℃到達温度１４９℃をシミュレーションした結果を（ｃ）に示した
シミュレーションに使用した１１９℃の標本データ（ａ）とシミュレーションした１４９℃（ｃ）は当該被加熱材の適正ヒートシール範囲の下限と上限に相当するが１１９℃（ａ）の標本データを元に１４９℃をシミュレーションした結果（ｃ）は標本データの１４９℃（ｂ）とよく一致していて本発明の有用性を証明することができる
【００２２】
同様な方法で１０℃−１３０℃（ｄ），２０℃−１４０℃（ｅ）の任意のシミュレーション結果例を併記した
【００２３】
本発明の（Ｔｍ２−Ｔｍ≧２℃）の実施事例を図４に示した
この事例はヒートシーラント（１，１’）が７０μｍある材料である
熱変性層が大きいと標本データに溶融や熱変性による非線形要因が大きく含まれるケースである
テフロン（登録商標）シートを装着しない場合でシミュレーションした
【００２４】
溶融開始温度は１６０℃の標本データ（ｆ）から「プラスチックの熱溶着温度の測定方法」（特許第３３１８８６６号）で溶融開始温度（Ｔｍ）１３９℃、溶融開始時間（ｔｍ）０．５７秒を得た
この標本データを元に１８０℃のシミュレーション結果（ｈ）を示した
１８０℃の標本データ（ｇ）とよく一致していて本発明の有用性を証明することができる
【００２５】
【発明の効果】
従来は被加熱材料の温度条件を実験室において再現して、溶着面温度を実測したデータをもとにヒートシール条件の決定、選択を行っていた
常温付近の条件設定は容易であったが、常温より高温側あるいは低温側の再現にはに設備と準備の手間がかかっていた
【００２６】
本発明はこれらの課題を１ケの採取データ（標本データ）を元に容易に、廉価にシミュレーションすることを可能にした
【図面の簡単な説明】
【図１】溶着面温度の標本データの採取方法の概説である
【図２】本発明を説明するための標本データとモデル曲線の説明である
【図３】標本データを元にした溶着面温度応答のシミュレーション結果（１）である
【図４】標本データを元にした溶着面温度応答のシミュレーション結果（２）である
【符号の説明】
１，１’  ；被加熱材のヒートシーラント
２，２’  ；被加熱材の基材
３，３’  ；テフロン（登録商標）シート
４        ；溶着面温度センサー
５，５’  ；加熱体
６        ；デジタル記録計
７，７’  ；加熱体の表面温度
８        ；溶着面温度
９        ；パーソナルコンピュータ
ａ；到達温度１１９℃、始発温度２７．９℃の標本データグラフ
ｂ；到達温度１４９℃、始発温度２７．９℃の標本データグラフ
ｃ；１１９℃の標本データから１４９℃をシミュレーションしたグラフ
ｄ；１１９℃の標本データから１０−１３０℃をシミュレーションしたグラフ
ｅ；１１９℃の標本データから２０−１４０℃をシミュレーションしたグラフ
ｆ；１６０℃の標本データ
ｇ；１８０℃の標本データ
ｈ；１６０℃の標本データから１８０℃をシミュレーションしたグラフ
【図１】
2005007845.tif 000003
【図２】
2005007845.tif 000004
【図３】
2005007845.tif 000005
【図４】
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