(57)【要約】【課題】高速転送が可能な水平レジスタの転送電極を精度良好に加工形成可能で、これにより画素サイズの縮小化および固体撮像装置の小型化が可能な固体撮像装置を提供する。【解決手段】マトリックス状に配置された受光部２と、受光部２脇に配置された複数の垂直レジスタ３と、垂直レジスタ３の最終段に接続された水平レジスタ１０とを備えている。水平レジスタ１０は、２相駆動される２層構造の転送電極１２ａ，１２ｂを備えており、さらに電荷転送方向ｈにポテンシャルが深くなるように、各転送電極１２ａ，１２ｂのそれぞれの下方にｎ型拡散層１４ａとｐ型拡散層１４ｂと配置してなるからなるチャネル領域１４を備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックス状に配置された受光部と、当該受光部脇に配置された複数の垂直レジスタと、当該垂直レジスタの最終段に接続された水平レジスタとを備えた固体撮像装置において、
前記水平レジスタは、
２相駆動される２層構造の転送電極と、
電荷転送方向にポテンシャルが深くなるように前記各転送電極の下方に配置された２段階の拡散層からなるチャネル領域とを備えている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
請求項１記載の固体撮像装置において、
前記各垂直レジスタに対して前記転送電極が２枚配置されている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
マトリックス状に配置された受光部と、当該受光部脇に配置された複数の垂直レジスタと、当該垂直レジスタの最終段に接続された水平レジスタとを備えた固体撮像装置において、
前記水平レジスタは、
電荷転送方向に前後して設けられた２枚の転送電極組と１枚の転送電極とを、当該転送方向に交互に配置して２相駆動される２層構造の転送電極と、
前記２枚の転送電極組のうちの電荷転送方向の後段に配置された転送電極の下方におけるポテンシャルが前段に配置された転送電極の下方におけるポテンシャルよりも浅くなるように前記各転送電極の下方に配置された２段階の拡散層からなるチャネル領域とを備えている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項４】
請求項３記載の固体撮像装置において、
前記各垂直レジスタに対して前記転送電極が３枚配置されている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体撮像装置に関し、特には２層構造の転送電極を備えたＣＣＤ型の固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４には、受光部に配置されたフォトダイオードで光電変換された信号電荷をＣＣＤで転送するＣＣＤ型の固体撮像装置の構成を示す平面図（１）、およびそのＡ−Ａ’断面図（２）、およびポテンシャル図（３）を示す。これらの図に示すように、固体撮像装置の基板１上の撮像領域には、フォトダイオードが設けられた受光部２がマトリックス状に配列され、この受光部２に沿って垂直レジスタ３が配置され、さらにこの垂直レジスタ３を構成する転送電極４の最終段に接続させて水平レジスタ５が設けられている。
【０００３】
このような固体撮像装置の水平レジスタ５は、２層構造の転送電極６ａ，６ｂを有し、これらの転送電極６ａ，６ｂ下方のチャネル領域７には、第１層目の転送電極６ａの下方にｎ型拡散層７ａを設け、第２層目の転送電極６ｂの下方にｎ型拡散層７ａに加えて、ｐ型拡散層７ｂを設けている。そして、電荷転送方向ｈにポテンシャルが深くなるように、隣り合わせて配置された２枚の転送電極６ａ，６ｂを１組として２相駆動（Ｈφ１，Ｈφ２）させることにより、高速転送および高転送効率を実現している。この様な構成の水平レジスタ５部分は、基板１の表面をゲート絶縁膜１ａで覆ってｎ型拡散層７ａを形成し、さらに第１層目の転送電極７ａを形成した後、この水平転送電極７ａをマスクに用いた不純物導入によってｎ型核酸層７ａの表面層にｐ型拡散層７ｂを設ける。これにより、転送電極６ａ，６ｂに対して自己整合的にｎ型拡散層７ａとｐ型拡散層７ｂとを設け、合わせずれによるポテンシャルのバリアやトラップを減らすように作製されている。
【０００４】
ところで、近年、固体撮像装置の小型化および多画素化の要求にともない、画素サイズの微細化が進展している。ところが、上述した構成の水平レジスタ５においては、転送される信号電荷を水平レジスタ５内で混合させないためには、1画素ａ当たり４枚の転送電極６ａ，６ｂが必要となる。そのために、画素サイズが２．４μｍを下回る場合、転送電極６ａ，６ｂのゲート長が多単純計算でも０．６５μｍ以下となる。このため、第１層目の転送電極６ａを形成した後に、第２層目の転送電極６ｂを加工する際は、第１層目の転送電極６ａとの重なり分を確保すると、平坦化されていない段差のある部分を０．３５μｍ以下のスペース幅でパターニングする必要がある。したがって、第２層目の転送電極６ｂに対しては事実上加工マージンがなく、電極間ショートの原因となっている。これは、さらなる画素サイズの縮小化を妨げる要因ともなっている。
【０００５】
そこで、垂直レジスタと水平レジスタとの接続部における隣り合う接続箇所の中心点間の距離を、隣り合うラインの垂直レジスタの中心点間の距離よりも長くする構成が提案されている。これにより、画素サイズの微細化が進んだ場合であっても、水平レジスタを構成する転送電極のゲート長を維持することを可能とし、第２層目の転送電極の加工が容易になる（下記特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開平８−３３５６８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した構成の固体撮像装置においては、垂直レジスタと水平レジスタとの接続部において隣り合う接続箇所の中心点間の距離を長くすることにより、接続部および水平レジスタの専有面積が拡大され、固体撮像装置の小型化を妨げる要因となる。
【０００８】
そこで本発明は、固体撮像装置の小型化を妨げることなく、高速転送が可能な水平レジスタの転送電極を精度良好に加工形成可能で、これにより画素サイズの縮小化および固体撮像装置の小型化が可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的を達成するための本発明の固体撮像装置は、マトリックス状に配置された受光部と、当該受光部脇に配置された複数の垂直レジスタと、当該垂直レジスタの最終段に接続された水平レジスタとを備えた固体撮像装置において、水平レジスタが次のように構成されていることを特徴としている。すなわち、第１の固体撮像装置における水平レジスタは、２相駆動される２層構造の転送電極を備えており、さらに電荷転送方向にポテンシャルが深くなるように前記各転送電極の下方に配置された２段階の拡散層からなるチャネル領域を備えている。
【００１０】
このような第１の固体撮像装置では、１層目の転送電極に印加するパルスＨφ１をＨｉｇｈ（Ｈ）レベル、２層目の転送電極に印加するパルスＨφ２をＬｏｗ（Ｌ）レベルとした場合、第２層目の転送電極からその前段に配置された第１層目の転送電極にかけの下方に位置するチャネル領域のポテンシャルが、電荷転送方向ｈに向かって４段階で深くなる。そして、次のサイクルでは、パルスＨφ１とパルスＨφ２とのレベルば入れ替わることで、第１層目の転送電極からその前段に配置された第２層目の転送電極にかけの下方に位置するチャネル領域のポテンシャルが、電荷転送方向ｈに向かって４段階で深くなる。これにより、ポテンシャルが深い領域、すなわち信号電荷が蓄積される領域が、電荷転送方向ｈに向かって移動して信号電荷が転送されることになる。
【００１１】
このため、第１の固体撮像装置においては、各垂直レジスタに対して、水平レジスタを構成する転送電極が２枚配置されていれば、各垂直レジスタから転送された信号電荷を、水平レジスタにおいて混合させることなく転送することができる。したがって、各垂直レジスタに対して水平レジスタを構成する転送電極が４枚必要であった従来の固体撮像装置（図４参照）と比較し、垂直レジスタ１ラインに対する水平レジスタの転送電極枚数が半分に削減されることになる。
【００１２】
また、本発明の第２の固体撮像装置における水平レジスタは、電荷転送方向に前後して設けられた２枚の転送電極組と１枚の転送電極とを、当該転送方向に交互に配置して２相駆動される２層構造の転送電極を備えている。そしてさらに、２枚の転送電極組のうちの電荷転送方向の後段に配置された転送電極の下方におけるポテンシャルが、前段に配置された転送電極の下方におけるポテンシャルよりも浅くなるように、各転送電極の下方に配置された２段階の拡散層からなるチャネル領域を備えている。
【００１３】
このような第２の固体撮像装置では、１枚の転送電極に印加されるパルスＨφ１をＨｉｇｈ（Ｈ）レベル、２枚で１組の転送電極に印加されるパルスＨφ２をＬｏｗ（Ｌ）レベルとした場合、１組の転送電極１２ａ，１２ｂからその前段に配置された１枚の転送電極にかけの下方に位置するチャネル領域のポテンシャルが、電荷転送方向に向かって３段階で深くなる。そして、次のサイクルでは、パルスＨφ１とパルスＨφ２のレベルが入れ替わることで、１枚の転送電極からその前段に配置された２枚で１組の転送電極にかけの下方に位置するチャネル領域のポテンシャルが、電荷転送方向に向かって３段階で深くなる。これにより、ポテンシャルが深い領域、すなわち信号電荷が蓄積される領域が、電荷転送方向ｈに向かって移動して信号電荷が転送されることになる。
【００１４】
このため、第２の固体撮像装置においては、各垂直レジスタに対して、水平レジスタを構成する転送電極が３枚配置されていれば、各垂直レジスタから転送された信号電荷を、水平レジスタにおいて混合させることなく転送することができる。したがって、各垂直レジスタに対して水平レジスタを構成する転送電極が４枚必要であった従来の固体撮像装置（図４参照）と比較し、垂直レジスタ１ラインに対する水平レジスタの転送電極枚数が３／４に削減されることになる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明構成の固体撮像装置によれば、垂直レジスタ１ラインに対する水平レジスタの転送電極枚数を削減することが可能であるため、転送電極が２層構造で構成される２相駆動の水平レジスタにおいて、第２層目の転送電極を精度良好に加工形成することが可能になる。またこの結果、画素サイズの縮小化および固体撮像装置の小型化が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の固体撮像装置の各実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、図４を用いて説明した従来の固体撮像装置と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を行う。
【００１７】
＜第１実施形態＞
図１には、第１実施形態の固体撮像装置の構成を示す平面図（１）、およびそのＡ−Ａ’断面図（２）、およびポテンシャル図（３）を示す。これらの図に示す固体撮像装置は、受光部に配置されたフォトダイオードで光電変換された信号電荷をＣＣＤで転送するＣＣＤ型の固体撮像装置である。これらの図に示す第１実施形態の固体撮像装置と、図４を用いて説明した従来の固体撮像装置との異なるところは、垂直レジスタ３の最終段に接続して設けられた水平レジスタ１０の構成にあり、他の構成は同様であることとする。
【００１８】
すなわち、これらの図に示すように、固体撮像装置の基板１上の撮像領域には、フォトダイオードが設けられた受光部２がマトリックス状に配列され、この受光部２に沿って垂直レジスタ３が配置され、さらにこの垂直レジスタ３を構成する転送電極４の最終段に接続させて、本第１実施形態に特有の水平レジスタ１０が設けられている。
【００１９】
この水平レジスタ１０は、高速転送を実現するために２相駆動（Ｈφ１，Ｈφ２）される２層構造の転送電極１２ａ，１２ｂを備えている。そして、これらの各転送電極１２ａ，１２ｂ下方のチャネル領域１４には、電荷転送方向ｈに沿ってｎ型拡散層１４ａとｐ型拡散層１４ｂとが交互に配置されている。
【００２０】
各転送電極１２ａ，１２ｂは、第１層目の転送電極１２ａが同一レベル、また第２層目の転送電極１２ｂが同一レベルで２相駆動される。
【００２１】
そして、ｎ型拡散層１４ａとｐ型拡散層１４ｂとは、各転送電極１２ａ，１２ｂの下方において、電荷転送方向ｈにポテンシャルが深くなるように配置されていることとする。このため、各転送電極１２ａ，１２ｂの下方には、電荷転送方向ｈの前半にｎ型拡散層１４ａが配置され、電荷転送方向ｈの後半にｐ型拡散層１４ｂが配置されることになる。このｐ型拡散層１４ｂは、電荷転送方向ｈの後ろ側に配置されている転送電極１２ａ，１２ｂの寸前まで、すなわち転送電極１２ａ，１２ｂを分離している絶縁膜（図示省略）の下方にまで延設されていることが好ましく、これによってポテンシャルに信号電荷が溜まって排出されることのない窪みが生じることのないようにする。
【００２２】
尚、ｐ型拡散層１４ｂは、ｎ型拡散層１４ａと比較してｎ型不純物が低濃度の領域であれば良く、ｎ-拡散層であっても良い。また、ｎ型拡散層１４ａとｐ型拡散層１４ｂとは、ゲート絶縁膜１ａで覆われた基板１の表面層に設けられることとし、図示したように、ｎ型拡散層１４ａの表面層にｐ型拡散層１４ｂが配置された構成であっても良い。
【００２３】
また、以上のような構成の水平レジスタ１０は、各垂直レジスタ３のラインに対応させて２枚の転送電極１２ａ，１２ｂを配置した構成となっている。
【００２４】
以上のような構成の水平レジスタ１０を備えた固体撮像装置は、次のように駆動される。すなわち、１層目の転送電極１２ａに印加するパルスＨφ１をＨｉｇｈ（Ｈ）レベル、２層目の転送電極１２ｂに印加するパルスＨφ２をＬｏｗ（Ｌ）レベルとする。これにより、第２層目の転送電極１２ｂからその前段に配置された第１層目の転送電極１２ａにかけの下方に位置するチャネル領域１４のポテンシャルが、電荷転送方向ｈに向かって４段階で深くなる。そして、ポテンシャルが深い領域に信号電荷が蓄積される。そして、次のサイクルでは、１層目の転送電極１２ａに印加するパルスＨφ１がＬｏｗ（Ｌ）レベル、２層目の転送電極１２ｂに印加するパルスＨφ２がＨｉｇｈ（Ｈ）レベルとなる。これにより、第１層目の転送電極１２ａからその前段に配置された第２層目の転送電極１２ｂにかけの下方に位置するチャネル領域１４のポテンシャルが、電荷転送方向ｈに向かって４段階で深くなる。つまり、ポテンシャルが深い領域、すなわち信号電荷が蓄積される領域が、電荷転送方向ｈに向かって移動して信号電荷が転送される。
【００２５】
このため、このような水平レジスタ１０においては、各垂直レジスタ３に対して、水平レジスタ１０を構成する転送電極１２ａ，１２ｂが２枚配置されていれば、各垂直レジスタ３から転送された信号電荷を、水平レジスタ１０において混合させることなく転送することができる。
【００２６】
したがって、各垂直レジスタ３に対して水平レジスタ１０を構成する転送電極が４枚必要であった従来の固体撮像装置（図４参照）と比較し、１ラインの垂直レジスタ３に対する水平レジスタ１０の転送電極枚数を半分に削減することが可能になる。そして、転送電極１２ａ，１２ｂが２層構造で構成される２相駆動の水平レジスタ１０において、第２層目の転送電極１２ｂを精度良好に加工形成することが可能になる。またこの結果、画素サイズの縮小化および固体撮像装置の小型化が可能になる。
【００２７】
そして、転送電極１２ａ，１２ｂの加工マージンが同じであれば、従来構成と比較して画素サイズが１／２世代まで、本構成を適用可能である。また、２相駆動であるため、周辺の駆動回路等を変更する必要もない。
【００２８】
次に、以上のような構成の水平レジスタ１０部分の製造手順を図２に基づいて説明する。
【００２９】
先ず、図２（１）に示すように、単結晶シリコンからなる基板１の表面をゲート絶縁膜１ａで覆った後、基板１の表面層にｎ型拡散層１４ａを形成するためのｎ型不純物ｎのイオン注入を行う。尚、ここでの図示は省略したが、基板１は、ｎ型の単結晶シリコンからなりその表面層にはｐウェル領域が設けられており、上述したｎ型拡散層１４ａは、ｐウェル領域より表面層に形成されることとする。
【００３０】
次に、図２（２）に示すように、リソグラフィー法により、基板１上にゲート絶縁膜１ａを介してレジストパターン１７を形成する。そして、このレジストパターン１７をマスクに用いたイオン注入により、基板１の表面層にｐ型拡散層１４ｂを形成するためのｐ型不純物ｐを導入する。イオン注入後には、レジストパターン１７を除去する。
【００３１】
その後、図２（３）に示すように、ゲート絶縁膜１ａ上に第１層目の転送電極１２ａを形成する。この場合、先ず電極材料層（例えばポリシリコン）を成膜し、リソグラフィー法によって形成したレジストパターンをマスクに用いたエッチングによって電極材料層をパターニングすることで、転送電極１２ａを形成する。この転送電極１２ａは、１つ置きに配置されるｐ型拡散層１４ｂ上に設けられ、かつ電荷転送方向に対して転送電極１２ａの後ろ側半分の下方にｐ型拡散層１４ｂが配置されるようにパターン形成される。その後、マスクに用いたレジストパターンを除去し、転送電極１２ａを熱酸化処理することにより、ここでの図示を省略した酸化膜からなる絶縁膜によって第１層目の転送電極１２ａを覆う。
【００３２】
次いで、図２（４）に示すように、第１層目の転送電極１２ａの間に、絶縁膜（図示省略）を介して第２層目の転送電極１２ｂを形成する。この場合、第１層目の転送電極１２ａの形成と同様に電極材料層の成膜とパターニングを行う。そして、１つ置きに配置されるｐ型拡散層１４ｂ上に、電荷転送方向に対して転送電極１２ａの後ろ側半分の下方にｐ型拡散層１４ｂが配置されるように第２層目の転送電極１２ｂを形成する。
【００３３】
以上の後、ここでの図示は省略したが、転送電極１２ａ，１２ｂを層間絶縁膜で覆った後、この層間絶縁膜に各転送電極１２ａ，１２ｂに接続されたコンタクトおよび配線を形成し、各転送電極１２ａ，１２ｂの２相駆動を可能にする。以上により、図１を用いて説明した構成の水平レジスタ１０が得られる。
【００３４】
＜第２実施形態＞
図３には、第２実施形態の固体撮像装置の構成を示す平面図（１）、およびそのＡ−Ａ’断面図（２）、およびポテンシャル図（３）を示す。これらの図に示す固体撮像装置は、受光部に配置されたフォトダイオードで光電変換された信号電荷をＣＣＤで転送するＣＣＤ型の固体撮像装置である。これらの図に示す第２実施形態の固体撮像装置と、図１を用いて説明した第１実施形態の固体撮像装置との異なるところは、垂直レジスタ３の最終段に接続して設けられた水平レジスタ２０の構成にあり、他の構成は同様であることとする。
【００３５】
すなわち、第２実施形態の固体撮像装置における水平レジスタ２０は、高速転送を実現するために２相駆動（Ｈφ１，Ｈφ２）される２層構造の転送電極２２ａ，２２ｂを備えている。そして、これらの各転送電極２２ａ，２２ｂ下方のチャネル領域２４には、電荷転送方向ｈに沿ってｎ型拡散層２４ａとｐ型拡散層２４ｂとが交互に配置されている。
【００３６】
各転送電極２２ａ，２２ｂは、電荷転送方向ｈに前後して設けられた２枚で１組の転送電極２２ａ，２２ｂと、その前後に配置された１枚の転送電極２２ａ（２２ｂ）とを電荷転送方向ｈに交互に配置して２相駆動される。
【００３７】
そして、ｎ型拡散層２４ａとｐ型拡散層２４ｂとは、上述した２枚で１組の転送電極２２ａ，２２ｂのうち、電荷転送方向ｈの後段に配置された転送電極の下方におけるポテンシャルが前段に配置された転送電極の下方におけるポテンシャルよりも浅くなるように、各転送電極２２ａ，２２ｂの下方に配置されていることとする。このため、上述した２枚で１組の転送電極２２ａ，２２ｂのうち、電荷転送方向ｈの後段に配置された転送電極２２ａ（２２ｂ）の下方にｐ型拡散層２４ｂが配置され、それ以外の転送電極２２ａ，２２ｂの下方にｎ型拡散層２４ａが配置されることになる。このｐ型拡散層２４ｂは、電荷転送方向ｈの後ろ側に配置されている転送電極２２ａ，２２ｂの寸前まで、すなわち転送電極２２ａ，２２ｂを分離している絶縁膜（図示省略）の下方にまで延設されていることが好ましく、これによってポテンシャルに信号電荷が溜まって排出されることのない窪みが生じることのないようにする。
【００３８】
尚、第１実施形態と同様に、ｐ型拡散層２４ｂは、ｎ型拡散層２４ａと比較してｎ型不純物が低濃度の領域であれば良く、ｎ-拡散層であっても良く、ｎ型拡散層２４ａとｐ型拡散層２４ｂとは、ゲート絶縁膜１ａで覆われた基板１の表面層に設けられていれば図示したように、ｎ型拡散層２４ａの表面層にｐ型拡散層２４ｂが配置された構成であっても良い。
【００３９】
また、以上のような構成の水平レジスタ２０は、各垂直レジスタ３のラインに対応させて３枚の転送電極２２ａ，２２ｂを配置した構成となっている。
【００４０】
以上のような構成の水平レジスタ２０を備えた固体撮像装置は、次のように駆動される。すなわち、１枚の転送電極２２ａ（２２ｂ）に印加されるパルスＨφ１をＨｉｇｈ（Ｈ）レベル、２枚で１組の転送電極２２ａ，２２ｂに印加されるパルスＨφ２をＬｏｗ（Ｌ）レベルとする。これにより、パルスＨφ２が印加されている１組の転送電極１２ａ，１２ｂからその前段に配置された１枚の転送電極１２ａ（１２ｂ）にかけの下方に位置するチャネル領域１４のポテンシャルが、電荷転送方向ｈに向かって３段階で深くなる。そして、ポテンシャルが深い領域に信号電荷が蓄積される。そして、次のサイクルでは、１枚の転送電極２２ａ（２２ｂ）に印加されるパルスＨφ１がＬｏｗ（Ｌ）レベル、２枚で１組の転送電極２２ａ，２２ｂに印加されるパルスＨφ２がＨｉｇｈ（Ｈ）レベルとなる。これにより、１枚の転送電極２２ａ（２２ｂ）からその前段に配置された２枚で１組の転送電極１２ａ（１２ｂ）にかけの下方に位置するチャネル領域１４のポテンシャルが、電荷転送方向ｈに向かって３段階で深くなる。つまり、ポテンシャルが深い領域、すなわち信号電荷が蓄積される領域が、電荷転送方向ｈに向かって移動して信号電荷が転送される。
【００４１】
このため、このような水平レジスタ２０においては、各垂直レジスタ３に対して、水平レジスタ２０を構成する転送電極２２ａ，２２ｂが３枚配置されていれば、各垂直レジスタ３から転送された信号電荷を、水平レジスタ２０において混合させることなく転送することができる。
【００４２】
したがって、各垂直レジスタ３に対して水平レジスタ２０を構成する転送電極が４枚必要であった従来の固体撮像装置（図４参照）と比較し、１ラインの垂直レジスタ３に対する水平レジスタ１０の転送電極枚数を３／４に削減することが可能になる。そして、第１実施形態と同様に、転送電極２２ａ，２２ｂが２層構造で構成される２相駆動の水平レジスタ２０において、第２層目の転送電極２２ｂを精度良好に加工形成することが可能になる。またこの結果、画素サイズの縮小化および固体撮像装置の小型化が可能になる。
【００４３】
また、以上のような構成の水平レジスタ２０部分の製造手順は、図２を用いて説明した第１実施形態の水平レジスタ１０の製造手順と同様であり、レジストパターンをマスクに用いてｎ型拡散層２４ａとｐ型拡散層２４ｂとを形成した後に、転送電極２２ａ，２２ｂを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】第１実施形態の固体撮像装置の構成を示す図である。
【図２】第１実施形態の固体撮像装置における水平レジスタの製造手順を示す断面工程図である。
【図３】第２実施形態の固体撮像装置の構成を示す図である。
【図４】従来の固体撮像装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
２…受光部、３…垂直レジスタ、１０，２０…水平レジスタ、１２ａ，１２ｂ，２２ａ，２２ｂ…転送電極、１４，２４…チャネル領域、１４ａ，２４ａ…ｎ型拡散層、１４ｂ，２４ｂ…ｐ型拡散層
【図１】
2005353632.tif 000003
【図２】
2005353632.tif 000004
【図３】
2005353632.tif 000005
【図４】
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