(57)【要約】【課題】  半導体チップとインナーリードとをボンディングワイヤによって電気的に接続したものを、封止樹脂にて封止してなる半導体装置において、インナーリードにおけるワイヤボンディングを適切に行えるようにする。【解決手段】  半導体チップ１０とインナーリード２０とがボンディングワイヤ３０によって電気的に接続されたものが、封止樹脂４０にて封止されてなる半導体装置Ｓ１において、半導体チップ１０におけるワイヤボンディング面１１とインナーリード２０におけるワイヤボンディング面２１とが同一方向を向いており、インナーリード２０におけるワイヤボンディング面２１側には凸部２３が設けられ、凸部２３の先端面２３ａが封止樹脂４０から露出して実装用の端子部となっており、インナーリード２０におけるワイヤボンディング面２１とは反対側の面２２は、封止樹脂４０の内部にて平坦な面となっている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ（１０）とその周囲に設けられたインナーリード（２０）とがボンディングワイヤ（３０）によって電気的に接続され、
前記半導体チップ（１０）、前記インナーリード（２０）および前記ボンディングワイヤ（３０）が、封止樹脂（４０）にて包み込まれるように封止されてなる半導体装置において、
前記半導体チップ（１０）におけるワイヤボンディング面（１１）と前記インナーリード（２０）におけるワイヤボンディング面（２１）とが同一方向を向いており、
前記インナーリード（２０）におけるワイヤボンディング面（２１）側には、当該ワイヤボンディング面（２１）から突出する凸部（２３）が設けられており、
前記凸部（２３）の先端面（２３ａ）が前記封止樹脂（４０）から露出するとともに、実装用の端子部となっており、
前記インナーリード（２０）におけるワイヤボンディング面（２１）とは反対側の面（２２）は、前記封止樹脂（４０）の内部にて平坦な面となっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップ（１０）におけるワイヤボンディング面（１１）とは反対側の面（１２）には、放熱部材（５０、５５）が取り付けられており、前記放熱部材（５０、５５）は、前記封止樹脂（４０）から露出していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップ（１０）におけるワイヤボンディング面（１１）とは反対側の面（１２）は、前記封止樹脂（４０）から露出していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記インナーリード（２０）は複数本配列されており、
これら配列された複数本のインナーリード（２０）において、前記凸部（２３）は、前記インナーリード（２０）の１本おきに千鳥状に配置されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップとリードフレームとをボンディングワイヤによって電気的に接続したものを、封止樹脂にて封止してなる半導体装置、いわゆる樹脂封止型半導体装置に関し、特に、封止樹脂の外にリードが突出していないノンリードタイプのパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、樹脂封止型半導体装置は、半導体チップとその周囲に設けられたインナーリードとがボンディングワイヤによって電気的に接続され、半導体チップ、インナーリードおよびボンディングワイヤが、封止樹脂にて包み込まれるように封止されてなるＩＣパッケージである。ここで、インナーリードとは、リードフレームのうち樹脂中に位置する部位のことである。
【０００３】
近年、電子機器の小型化・高密度化のニーズに伴い、ＩＣパッケージの小型化が進んでいる。そこで、封止樹脂の外にリードが突出していないタイプ、つまりアウターリードを持たないノンリードタイプのパッケージとして、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）やＣＳＰ（チップサイズパッケージ）等の小型パッケージが開発されている。
【０００４】
しかし、この種の小型パッケージは、高価なインターポーザなどを利用したものであるため、一般的なリードフレームを用いたＳＯＰ（スモールアウトラインパッケージ）やＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）等のアウターリードを有するパッケージと比べて、コストが高くなるという問題が生じる。
【０００５】
また、このノンリードタイプの小型パッケージにおいては、放熱性を向上させるために、半導体チップをフェースダウンにてインターポーザに実装し、半導体チップにおける実装面とは反対側の面を封止樹脂から露出させるようにしている。
【０００６】
しかし、この場合、半導体チップのインターポーザへの接続において、はんだや金などを用いたフリップチップ接続を採用しているために、さらにコストが増大するだけでなく、耐久試験における信頼性の低下も問題となってくる。
【０００７】
そこで、従来より一般に、次の図１１や図１２に示されるような樹脂封止型半導体装置としての小型パッケージが提案されている。
【０００８】
これら図１１、図１２のいずれのものも、アイランド５０に固定された半導体チップ１０とその周囲に設けられたインナーリード２０とがボンディングワイヤ３０によって電気的に接続されており、半導体チップ１０、インナーリード２０およびボンディングワイヤ３０が、封止樹脂４０にて包み込まれるように封止されてなる構成を有しているという点では共通である。
【０００９】
ここで、図１１においては、インナーリード２０を折り曲げ形状とすることにより、インナーリード２０の一部を封止樹脂４０から露出させている。そして、この露出しているインナーリード２０の部分が、本パッケージを実装基板に実装する際の端子部、すなわち実装用の端子部として構成されている。
【００１０】
また、このパッケージでは、半導体チップ１０は、実装基板上にフェースダウンの状態で実装され、この半導体チップ１０が搭載されているアイランド５０が封止樹脂４０の上面から露出するため、放熱性の点では特に問題はない。
【００１１】
一方、図１２においては、リードフレームのエッチング加工等によって、インナーリード２０におけるワイヤボンディング面とは反対側の面に凸部２３を形成し、この凸部２３の先端面２３ａを封止樹脂４０から露出させることで実装用の端子部を構成している（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−１８９４０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上記図１１、図１２に示される樹脂封止型半導体装置では、インナーリード２０におけるワイヤボンディング面とは反対側の面が、平坦な面ではなく、つまり、図１１では、段差を持った面となっており、図１２では、凸部２３を持った面となっている。
【００１３】
そして、図１１、図１２に示されるものでは、このようにワイヤボンディング面とは反対側の面が平坦でないインナーリード２０において、ワイヤボンディング面に対してワイヤボンディングを行う。
【００１４】
そのため、ワイヤボンディングの際にインナーリード２０を固定するための複雑な治具が必要となるだけではなく、インナーリード２０の固定が不十分となって、ワイヤボンディングの不良が発生することもある。
【００１５】
また、上記図１２に示されるものでは、半導体チップ１０におけるワイヤボンディング面とインナーリード２０におけるワイヤボンディング面とが互いに反対の方向を向いている。そのため、このものでは、上記図１１に示されるもののように、封止樹脂４０の上面からの放熱を行うことができない。
【００１６】
このことは、具体的に言うと、上記図１１に示されるパッケージでは、このパッケージを実装した状態では、封止樹脂４０の上面からアイランド５０が露出しているため、この露出部分にヒートシンクを取り付ける等により放熱性を向上させることができるが、上記図１２に示されるパッケージでは、そのようなことはできず、放熱性の点で劣るということである。
【００１７】
本発明は、上記問題に鑑み、半導体チップとインナーリードとをボンディングワイヤによって電気的に接続したものを、封止樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置において、インナーリードにおけるワイヤボンディングを適切に行えるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体チップ（１０）とその周囲に設けられたインナーリード（２０）とがボンディングワイヤ（３０）によって電気的に接続され、半導体チップ（１０）、インナーリード（２０）およびボンディングワイヤ（３０）が、封止樹脂（４０）にて包み込まれるように封止されてなる半導体装置において、次のような特徴点を有している。
【００１９】
・半導体チップ（１０）におけるワイヤボンディング面（１１）とインナーリード（２０）におけるワイヤボンディング面（２１）とが同一方向を向いていること。
【００２０】
・インナーリード（２０）におけるワイヤボンディング面（２１）側には、当該ワイヤボンディング面（２１）から突出する凸部（２３）が設けられており、凸部（２３）の先端面（２３ａ）が封止樹脂（４０）から露出するとともに、実装用の端子部となっていること。
【００２１】
・インナーリード（２０）におけるワイヤボンディング面（２１）とは反対側の面（２２）は、封止樹脂（４０）の内部にて平坦な面となっていること。本発明は、これらの点を特徴としている。
【００２２】
それによれば、インナーリード（２０）におけるワイヤボンディング面（２１）側に設けられている凸部（２３）の先端面（２３ａ）が封止樹脂（４０）から露出して実装用の端子部となっているため、本発明の半導体装置は、この凸部（２３）の先端面（２３ａ）を介して、実装基板に実装可能となる。
【００２３】
また、本発明では、インナーリード（２０）におけるワイヤボンディング面（２１）とは反対側の面（２２）が平坦な面であるため、インナーリード（２０）にワイヤボンディングを行うときには、特別な治具を必要とせずにインナーリード（２０）を固定することができる。
【００２４】
よって、本発明によれば、半導体チップとインナーリードとをボンディングワイヤによって電気的に接続したものを、封止樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置において、インナーリードにおけるワイヤボンディングを適切に行うことができる。
【００２５】
また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置において、半導体チップ（１０）におけるワイヤボンディング面（１１）とは反対側の面（１２）には、放熱部材（５０、５５）が取り付けられており、放熱部材（５０、５５）は、封止樹脂（４０）から露出していることを特徴としている。
【００２６】
上記請求項１に記載の半導体装置では、半導体チップ（１０）におけるワイヤボンディング面（１１）とインナーリード（２０）におけるワイヤボンディング面（２１）とが同一方向を向いているため、半導体チップ（１０）におけるワイヤボンディング面（１１）とは反対側の面（１２）には、放熱部材（５０、５５）を取り付けることができる。
【００２７】
そして、この放熱部材（５０、５５）を封止樹脂（４０）から露出させることにより、本発明の半導体装置について実装を行った状態では、半導体チップ（１０）は実装基板に対してフェースダウンの状態となり、放熱部材（５０、５５）は封止樹脂（４０）の上面から露出した形とでき、この放熱部材（５０、５５）を介した放熱経路を設定することができる。
【００２８】
そのため、本発明によれば、インナーリードにおけるワイヤボンディングを適切に行えるとともに、放熱性を十分に確保することも可能になる。
【００２９】
また、請求項３に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置において、半導体チップ（１０）におけるワイヤボンディング面（１１）とは反対側の面（１２）は、封止樹脂（４０）から露出していることを特徴としている。
【００３０】
このように、半導体チップ（１０）におけるワイヤボンディング面（１１）とは反対側の面（１２）を、直接封止樹脂（４０）から露出させるようにしてもよい。それによっても、上記請求項２に記載の発明と同様の効果が得られる。
【００３１】
また、請求項４に記載の発明では、請求項１〜請求項３に記載の半導体装置において、インナーリード（２０）は複数本配列されており、これら配列された複数本のインナーリード（２０）において、凸部（２３）は、インナーリード（２０）の１本おきに千鳥状に配置されていることを特徴としている。
【００３２】
それによれば、インナーリード（２０）の配列ピッチを狭くすることが容易になり、配線の高密度化を適切に図ることができ、好ましい。
【００３３】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るために、図中、同一符号を付してある。
【００３５】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る樹脂封止型半導体装置としての半導体装置Ｓ１の概略断面構成を示す図であり、図２は、この半導体装置Ｓ１を図１中の下方から見たときの平面構成を示す図である。なお、図２では、封止樹脂４０を透過して封止樹脂４０の内部を表している。
【００３６】
半導体チップ１０は、たとえばシリコン半導体基板にトランジスタ等の素子を形成してなるＩＣチップである。半導体チップ１０の周囲には、複数本のインナーリード２０が放射状に配列された形で設けられている。
【００３７】
そして、半導体チップ１０と各インナーリード２０とは、Ａｕ（金）やＡｌ（アルミ）等からなるボンディングワイヤ３０により結線され、電気的に接続されている。
【００３８】
そして、半導体チップ１０、インナーリード２０およびボンディングワイヤ３０が、封止樹脂４０にて包み込まれるように封止されている。この封止樹脂４０は、一般のモールド材料、たとえばエポキシ樹脂等からなり、通常のトランスファモールド法により形成できるものである。
【００３９】
ここで、半導体チップ１０におけるワイヤボンディング面（図１中の下面）１１とインナーリード２０におけるワイヤボンディング面（図１中の下面）２１とは、同一方向を向いている。なお、ワイヤボンディング面とはボンディングワイヤ３０が接続される面のことである。
【００４０】
また、図１において、インナーリード２０におけるワイヤボンディング面２１側には、このワイヤボンディング面２１から突出する凸部２３が設けられており、この凸部２３の先端面２３ａは封止樹脂４０の下面から露出している。
【００４１】
ここで、この半導体装置Ｓ１は、図１における封止樹脂４０の下面を、図示しない実装基板に対向させた状態で当該実装基板上に実装される。
【００４２】
そして、この封止樹脂４０から露出する凸部２３の先端面２３ａは、この半導体装置Ｓ１における実装用の端子部となっており、この端子部２３ａにおいて、はんだや導電性接着剤を介して上記実装基板上に実装されるようになっている。
【００４３】
また、インナーリード２０におけるワイヤボンディング面２１とは反対側の面（図１中の上面）２２は、封止樹脂４０の内部にて平坦な面となっている。
【００４４】
また、半導体チップ１０におけるワイヤボンディング面１１とは反対側の面（図１中の上面）１２には、導電性接着剤やはんだ等を介して、アイランド５０が取り付けられている。
【００４５】
このアイランド５０は、もともとはリードフレーム単体の状態では、図２に示される吊りリード６０を介してリードフレームの枠部に連結されて、インナーリード２０とともにリードフレームを構成しているものである。
【００４６】
このアイランド５０およびインナーリード２０は、リードフレームの一部であり、このリードフレームはＣｕ（銅）や４２アロイ等の導電性金属材料等からなるものである。
【００４７】
そして、図１において、アイランド５０における半導体チップ１０の搭載面とは反対側の面（図１中の上面）は、封止樹脂４０の上面から露出している。それによって、半導体チップ１０からの熱は、アイランド５０から放熱可能となっている。つまり、アイランド５０は放熱部材として構成されている。
【００４８】
また、図２に示されるように、半導体チップ１０の周囲に放射状に配列されている複数本のインナーリード２０においては、凸部２３は、インナーリード２０の１本おきに千鳥状に配置されている。
【００４９】
ここで、ボンディングワイヤ３０は、インナーリード２０のワイヤボンディング面２１において、凸部２３を回避するように、インナーリード２０における凸部２３よりも半導体チップ１０寄りの部位に結線されている。
【００５０】
また、半導体チップ１０とインナーリード２０とのワイヤボンディングは、図１に示される上下関係とは反対の位置関係、すなわち、半導体チップ１０およびインナーリード２０のワイヤボンディング面１１および２１を上に向けて行われる。
【００５１】
このワイヤボンディング時の位置関係において、ボンディングワイヤ３０のループ高さは、凸部２３の高さよりも低くなっている。それにより、図１に示されるように、ボンディングワイヤ３０が、封止樹脂４０の下面から露出しないで封止樹脂４０内にとどめられている。
【００５２】
このことは、ワイヤボンディング時の位置関係において、アイランド５０に接着された状態における半導体チップ１０のワイヤボンディング面１１が、インナーリード２０のワイヤボンディング面２１よりも低くなっていることによって、適切に実現することができる。
【００５３】
次に、上記半導体装置Ｓ１の製造方法について説明する。
【００５４】
インナーリード２０、吊りリード６０、アイランド５０などが形成されたリードフレームを用意する。このリードフレームにおいては、インナーリード２０とアイランド５０とが段差を持つようにダウンセット（ディプレス）が設けてある。
【００５５】
このダウンセットにより、ワイヤボンディング時において、アイランド５０に接着された状態における半導体チップ１０のワイヤボンディング面１１を、インナーリード２０のワイヤボンディング面２１よりも低くすることができる。なお、このダウンセットは、従来から行われている技術である。
【００５６】
また、インナーリード２０の部分には、上記凸部２３が形成されているが、この凸部２３は、通常のリードフレームをエッチングする際に用いられるエッチング技術を用いて容易に形成することができる。つまり、本実施形態に用いられるリードフレームは、１枚の金属板から作製することができる。
【００５７】
そして、用意されたリードフレームにおいて、アイランド５０に半導体チップ１０を搭載して固定し、ワイヤボンディングを行うことにより、半導体チップ１０のワイヤボンディング面１１とインナーリード２０のワイヤボンディング面２１とをボンディングワイヤ３０により結線する。
【００５８】
なお、このワイヤボンディング時においては、インナーリード２０におけるワイヤボンディング面２１とは反対側の面２２を、治具上に搭載し、インナーリード２０を治具に固定してワイヤボンディングを行う。
【００５９】
その後、トランスファモールド法により、封止樹脂４０のモールド成形を行い、封止樹脂４０から突出している部分のリードフレームをカットするなどにより、上記半導体装置Ｓ１ができあがる。
【００６０】
ところで、本実施形態によれば、半導体チップ１０とその周囲に設けられたインナーリード２０とがボンディングワイヤ３０によって電気的に接続されたものが、封止樹脂４０にて包み込まれるように封止されてなる半導体装置Ｓ１において、次のような特徴点を有する半導体装置Ｓ１が提供される。
【００６１】
・半導体チップ１０におけるワイヤボンディング面１１とインナーリード２０におけるワイヤボンディング面２１とが同一方向を向いていること。
【００６２】
・インナーリード２０におけるワイヤボンディング面２１側には、当該ワイヤボンディング面２１から突出する凸部２３が設けられており、凸部２３の先端面２３ａが封止樹脂４０から露出するとともに、実装用の端子部となっていること。
【００６３】
・インナーリード２０におけるワイヤボンディング面２１とは反対側の面２２は、封止樹脂４０の内部にて平坦な面となっていること。
【００６４】
それによれば、インナーリード２０におけるワイヤボンディング面２１側に設けられている凸部２３の先端面２３ａが封止樹脂４０から露出して実装用の端子部となっているため、本実施形態の半導体装置Ｓ１は、この凸部２３の先端面２３ａを介して、実装基板に実装可能となっている。
【００６５】
また、本実施形態では、インナーリード２０におけるワイヤボンディング面２１とは反対側の面２２が平坦な面であるため、インナーリード２０にワイヤボンディングを行うときには、特別な治具を必要とせずにインナーリード２０を固定することができる。そのため、ワイヤボンディングが安定する。
【００６６】
よって、本実施形態によれば、半導体チップ１０とインナーリード２０とをボンディングワイヤ３０によって電気的に接続したものを、封止樹脂４０にて封止してなる樹脂封止型半導体装置Ｓ１において、インナーリード２０におけるワイヤボンディングを適切に行うことができる。
【００６７】
さらに、本実施形態では、半導体チップ１０におけるワイヤボンディング面１１とは反対側の面１２には、放熱部材としてのアイランド５０が取り付けられており、このアイランド５０が封止樹脂４０から露出している。
【００６８】
本実施形態の半導体装置Ｓ１では、半導体チップ１０におけるワイヤボンディング面１１とインナーリード２０におけるワイヤボンディング面２１とが同一方向を向いているため、半導体チップ１０におけるワイヤボンディング面１１とは反対側の面１２に、放熱部材としてのアイランド５０を取り付けることができる。
【００６９】
そして、このアイランド５０を封止樹脂４０から露出させることにより、本半導体装置Ｓ１について実装を行った状態（つまり、上記図１に基づく上下関係の状態）では、半導体チップ１０は実装基板に対してフェースダウンの状態となり、アイランド５０は封止樹脂４０の上面から露出した形とすることができ、このアイランド５０を介した放熱経路が設定される。
【００７０】
そのため、本実施形態によれば、インナーリード２０におけるワイヤボンディングを適切に行えるとともに、放熱性を十分に確保することも可能になる。
【００７１】
さらに、本実施形態では、上記図２に示されるように、インナーリード２０は複数本配列されており、これら配列された複数本のインナーリード２０において、凸部２３は、インナーリード２０の１本おきに千鳥状に配置されている。
【００７２】
それによれば、隣り合うインナーリード２０間において、凸部２３が干渉することが無くなるため、インナーリード２０の配列ピッチを狭くすることが容易になる。その結果、配線の高密度化を適切に図ることができ、好ましい。
【００７３】
（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態に係る樹脂封止型半導体装置としての半導体装置Ｓ２の概略断面構成を示す図である。
【００７４】
本実施形態では、図３に示されるように、半導体チップ１０におけるワイヤボンディング面１１とは反対側の面１２を、直接封止樹脂４０から露出させている。それによっても、上記したアイランド５０を介して放熱する構成と同様に、放熱性を十分に確保できるという効果が得られる。
【００７５】
（第３実施形態）
図４は、本発明の第３実施形態に係る樹脂封止型半導体装置としての半導体装置Ｓ３の概略断面構成を示す図であり、図５は、この半導体装置Ｓ３を図４中の下方から見たときの平面構成を示す図である。なお、図５では、封止樹脂４０を透過して封止樹脂４０の内部を表している。
【００７６】
本実施形態では、インナーリード２０の凸部２３に、ボンディングワイヤ３０が入り込むことのできる溝２３ｂを設けたものである。
【００７７】
そして、この溝２３ｂが形成されているインナーリード２０においては、この溝２３ｂにボンディングワイヤ３０を通すことにより、インナーリード２０におけるボンディングワイヤ３０との結線部を、凸部２３よりも外側の部位とすることができている。
【００７８】
このようにすることにより、インナーリード２０において凸部２３よりも半導体チップ１０寄りの方向にワイヤ結線用の部分を設けることが不要となる。そのため、その分インナーリード２０を短くすることができ、その結果、半導体装置Ｓ３の体格を小型化できるため、好ましい。
【００７９】
（第４実施形態）
図６は、本発明の第４実施形態に係る樹脂封止型半導体装置としての半導体装置Ｓ４の概略断面構成を示す図であり、図７は、この半導体装置Ｓ４を図６中の下方から見たときの平面構成を示す図である。なお、図７では、封止樹脂４０を透過して封止樹脂４０の内部を表している。
【００８０】
本実施形態では、インナーリード２０の凸部２３をインナーリード２０の幅方向の一部分に設けることにより、上記実施形態に比べて凸部２３の幅を小さくしている。
【００８１】
それにより、凸部２３を超えて、ボンディングワイヤ３０を通すことが可能となり、図６、図７に示されるように、インナーリード２０におけるボンディングワイヤ３０との結線部を、凸部２３よりも外側の部位とすることができている。
【００８２】
このようにすることにより、上記第３実施形態と同様に、インナーリード２０において凸部２３よりも半導体チップ１０寄りの方向にワイヤ結線用の部分を設けることが不要となる。そのため、その分インナーリード２０を短くすることができ、その結果、半導体装置Ｓ３の体格を小型化できるため、好ましい。
【００８３】
また、本実施形態では、上記実施形態に比べて、凸部２３の幅を小さくできることから、インナーリード２０の配列ピッチをよりいっそう狭くすることができるため、配線の高密度化を適切に図るという点では、好ましい。
【００８４】
（第５実施形態）
図８は、本発明の第５実施形態に係る樹脂封止型半導体装置としての半導体装置Ｓ５の概略断面構成を示す図であり、図９は、図８に示される半導体装置Ｓ５を実装基板２００上に実装した状態にて示す概略断面図である。
【００８５】
本実施形態の半導体装置Ｓ５では、インナーリード２０における外周側に位置する凸部２３を、その先端部２３ａだけでなく、外周側の側面２３ｃまでも封止樹脂４０から露出させている。
【００８６】
それによれば、図９に示されるように、この半導体装置Ｓ５を実装基板２００上にはんだ３００を介して実装した場合、はんだ３００が、凸部２３の側面２３ｃまでも回り込むようにできるため、はんだ付けが容易になるとともに、その接続信頼性も向上することになる。
【００８７】
（第６実施形態）
図１０は、本発明の第６実施形態に係る樹脂封止型半導体装置としての半導体装置Ｓ６の概略断面構成を示す図である。
【００８８】
本実施形態の半導体装置Ｓ６では、上記実施形態におけるアイランド５０に代えてヒートシンク５５を採用したものである。つまり、放熱部材としては、インナーリード２０と同一材質であるアイランド以外にも、ヒートシンク５５を採用できる。
【００８９】
ヒートシンク５５は、通常のヒートシンクと同様のものを採用することができ、たとえば銅やモリブデン等の放熱性に優れた材料からなるものである。そして、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９０】
この場合、ヒートシンク５５とリードフレームとをかしめや接着等により固定した後、これに半導体チップ１０を搭載し、後は、上記第１実施形態と同様、ワイヤボンディング、モールド成形等を行うことにより、本実施形態の半導体装置Ｓ６を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略断面構成を示す図である。
【図２】図１に示される半導体装置を図１中の下方から見たときの平面構成を示す図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の概略断面構成を示す図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る半導体装置の概略断面構成を示す図である。
【図５】図４に示される半導体装置を図４中の下方から見たときの平面構成を示す図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係る半導体装置の概略断面構成を示す図である。
【図７】図６に示される半導体装置を図６中の下方から見たときの平面構成を示す図である。
【図８】本発明の第５実施形態に係る半導体装置の概略断面構成を示す図である。
【図９】図８に示される半導体装置を実装基板上に実装した状態にて示す概略断面図である。
【図１０】本発明の第６実施形態に係る半導体装置の概略断面構成を示す図である。
【図１１】従来の樹脂封止型半導体装置としての小型パッケージの概略断面図である。
【図１２】従来の樹脂封止型半導体装置としてのもう一つの小型パッケージの概略断面図である。
【符号の説明】
【００９２】
１０…半導体チップ、
１１…半導体チップにおけるワイヤボンディング面、
１２…半導体チップにおけるワイヤボンディング面とは反対側の面、
２０…インナーリード、
２１…インナーリードにおけるワイヤボンディング面、
２２…インナーリードにおけるワイヤボンディング面とは反対側の面、
２３…凸部、２３ａ…凸部の先端面、３０…ボンディングワイヤ、
４０…封止樹脂、５０…放熱部材としてのアイランド、
５５…放熱部材としてのヒートシンク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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