(57)【要約】【課題】  半導体装置の製造ラインにおけるＴＡＴの短縮化を図る。【解決手段】  ダイボンディング、キュアベーク、ワイヤボンディング、樹脂モールディングおよびモールドベークの各工程における単体処理装置をコンパクトな領域に配置し、前記複数の処理を１人または少ない数の作業者によって受け持ち、これらの工程のうち限られた複数の工程において、予め管理されたロット単位（６０ＬＦ）の被処理物に対し、これより少ない単位（１０ＬＦ）で処理を行い、かつこれらの同一ロットの少量単位の被処理物をキュアベーク工程やワイヤボンディング工程では複数の単体処理装置で同時並行処理するとともに、複数の工程に跨がって同一ロットの少量単位の被処理物を同時並行処理することにより、ＴＡＴの短縮化を図る。【選択図】      図５
2005129553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイボンディング工程とワイヤボンディング工程と樹脂モールディング工程とを含む複数の工程を有する半導体装置の製造方法であって、同じロットの別々の被処理物を前記複数の工程のうちの少なくとも２つの工程で同時に処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記複数の工程は、前記ダイボンディング工程で用いられたダイボンド材を硬化させるキュアベーク工程と、前記樹脂モールディング工程で用いられた封止用樹脂を硬化させるモールドベーク工程と、ダムバーを切断するダムカット工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記樹脂モールディング工程で、樹脂モールディング後に前記ダムバーを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
ダイボンディング工程とワイヤボンディング工程と樹脂モールディング工程とを含む複数の工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記複数の工程には、管理されたロット単位より少ない処理単位ごとに被処理物を処理する工程が含まれており、前記管理されたロットと同じロットの別々の前記被処理物を前記複数の工程のうちの少なくとも２つの工程で同時に処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、前記複数の工程は、前記ダイボンディング工程で用いられたダイボンド材を硬化させるキュアベーク工程と、前記樹脂モールディング工程で用いられた封止用樹脂を硬化させるモールドベーク工程と、ダムバーを切断するダムカット工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、前記樹脂モールディング工程で、樹脂モールディング後に前記ダムバーを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ダイボンディング工程とワイヤボンディング工程と樹脂モールディング工程とを含む複数の工程を有する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記ダイボンディング工程において、管理されたロット単位ごとに被処理物に対してダイボンディングを行う工程と、
（ｂ）ダイボンディング済みの前記被処理物を前記管理されたロット単位より少ない処理単位ごとにダイボンディング処理部から取り出し、前記少ない処理単位ごとに前記被処理物に対して前記ワイヤボンディング工程でワイヤボンディングを行う工程と、
（ｃ）ワイヤボンディング済みの前記被処理物を前記少ない処理単位ごとにワイヤボンディング処理部から取り出し、前記少ない処理単位ごとに前記被処理物に対して前記樹脂モールディング工程で樹脂モールディングを行う工程と、
（ｄ）樹脂モールディング済みの前記被処理物を前記管理されたロット単位ごとにモールディング処理部から取り出し、前記管理されたロット単位ごとに次工程に搬送する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記管理されたロットと同じロットの別々の前記被処理物を前記複数の工程のうち少なくとも２つの工程で同時に処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
ダイボンディング工程とワイヤボンディング工程と樹脂モールディング工程とを含む複数の工程を有する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）ダイボンディング工程において、管理されたロット単位ごとに被処理物に対してダイボンディングを行う工程と、
（ｂ）ダイボンディング済みの前記被処理物を前記管理されたロット単位より少ない処理単位ごとにダイボンディング処理部から取り出し、前記ダイボンディング工程で用いられたダイボンド材を硬化させるキュアベーク工程において、前記少ない処理単位ごとに前記被処理物に対して前記キュアベークを行う工程と、
（ｃ）キュアベーク済みの前記被処理物を前記少ない処理単位ごとにキュアベーク処理部から取り出し、前記少ない処理単位ごとに前記被処理物に対してワイヤボンディング工程でワイヤボンディングを行う工程と、
（ｄ）ワイヤボンディング済みの前記被処理物を前記少ない処理単位ごとにワイヤボンディング処理部から取り出し、前記少ない処理単位ごとに前記被処理物に対して樹脂モールディング工程で樹脂モールディングを行う工程と、
（ｅ）樹脂モールディング済みの前記被処理物を前記管理されたロット単位ごとにモールディング処理部から取り出し、前記樹脂モールディング工程で用いられた封止用樹脂を硬化させるモールドベーク工程において、前記管理されたロット単位ごとに前記被処理物に対して前記モールドベークを行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記管理されたロットと同じロットの別々の前記被処理物を前記複数の工程のうち少なくとも２つの工程で同時に処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
（ａ）被処理物に対してダイボンディングを行う工程と、
（ｂ）ダイボンディング済みの前記被処理物に対して、前記ダイボンディングで用いられたダイボンド材を硬化させるキュアベークを行う工程と、
（ｃ）キュアベーク済みの前記被処理物に対してワイヤボンディングを行う工程と、
（ｄ）ワイヤボンディング済みの前記被処理物に対して樹脂モールディングを行う工程と、
（ｅ）樹脂モールディング済みの前記被処理物に対して、前記樹脂モールディングで用いられた封止用樹脂を硬化させるモールドベークを行う工程とを有し、
前記（ａ）〜（ｅ）の処理を１人の作業者によって行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
被処理物に対してダイボンディングを行うダイボンディング処理部と、
前記被処理物に対して前記ダイボンディングで用いられたダイボンド材を硬化させる複数のキュアベーク処理部と、
前記被処理物に対してワイヤボンディングを行うワイヤボンディング処理部と、
前記被処理物に対して樹脂モールディングを行うモールディング処理部とを有し、
ダイボンディング済みの同じロットの別々の前記被処理物を前記複数のキュアベーク処理部で同時に処理し得ることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１３】
被処理物に対してダイボンディングを行うダイボンディング処理部と、
前記被処理物に対してワイヤボンディングを行うワイヤボンディング処理部と、
前記被処理物に対して樹脂モールディングを行うモールディング処理部と、
前記被処理物に対して前記樹脂モールディングで用いられた封止用樹脂を硬化させる複数のモールドベーク処理部とを有し、
樹脂モールディング済みの同じロットの別々の前記被処理物を前記複数のモールドベーク処理部で同時に処理し得ることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体製造装置において、ダイボンディング済みの前記被処理物に対して前記ダイボンディングで用いられたダイボンド材を硬化させる複数のキュアベーク処理部を有しており、前記ダイボンディング済みの同じロットの別々の前記被処理物を前記複数のキュアベーク処理部で同時に処理し得ることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体製造装置において、全ての前記処理部における処理を１人の作業者によって行うことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１６】
請求項１４記載の半導体製造装置において、全ての前記処理部は、同一のフロアに配置されていることを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造技術に関し、特に、ＴＡＴ（Turn Around Time) の短縮化に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
各処理装置の配置をジョブショップ形式とするとともに、各処理装置間の搬送および処理をタクト制御で行い、さらに、各処理装置間の搬送を自在に行えるようなライン構成となっている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−１８１１８４号公報（図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体装置の製造ラインの形式には、主に、工程ごとに同一種類の単体製造装置（処理部）を複数台設置して、高い稼働率を生み出す生産方式のジョブショップ形式と、異なった複数の一連の工程を順次連結した一貫機の中で、各工程の処理を連続して行うフロー生産方式のフローショップ形式の２種類がある。
【０００４】
すなわち、従来の半導体装置の製造ラインでは、ジョブショップ形式で工程ごとに専用の単体製造装置を配置して処理を行うか、または、単体製造装置を自動機構で繋ぎ込み、製品（被処理物）滞留を削減することでＴＡＴの短縮化を図っている。
【０００５】
しかし、各工程では一定量の処理前製品が溜まってから着工し、一定量の処理済み製品が溜まったら次工程に搬送するというように、まとめ着工、まとめ搬送を行っている。
【０００６】
その結果、１つの工程で着工開始までに待ち（製品の停滞）が発生し、次の工程に搬送され、さらに着工されるまでの間にも待ちの状態になるため、製品はいたるところで停滞することになる。このような生産方法では、製品が完成するまでの工程時間が長くかかるという問題が起こる。
【０００７】
また、行き過ぎた繋ぎ込みによる一貫機などの自動化には多額の設備投資が必要となり、コストの増加を招くとともに、製造ラインとして製品の品種変動などに対するフレキシビリティ（適応性）が損なわれることが問題となる。
【０００８】
本発明の目的は、ＴＡＴの短縮化を図る半導体装置の製造方法およびそれに用いられる半導体製造装置を提供することにある。
【０００９】
また、本発明のその他の目的は、スペース生産性の向上を図る半導体装置の製造方法およびそれに用いられる半導体製造装置を提供することにある。
【００１０】
さらに、本発明のその他の目的は、製品変動に対する適応性の向上を図る半導体装置の製造方法およびそれに用いられる半導体製造装置を提供することにある。
【００１１】
また、本発明のその他の目的は、製造コストの低減化を図る半導体装置の製造方法およびそれに用いられる半導体製造装置を提供することにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１４】
すなわち、本発明は、ダイボンディング工程とワイヤボンディング工程と樹脂モールディング工程とを含む複数の工程を有するものであり、同じロットの別々の被処理物を前記複数の工程のうちの少なくとも２つの工程で同時に処理するものである。
【００１５】
また、本発明は、被処理物に対してダイボンディングを行うダイボンディング処理部と、前記被処理物に対して前記ダイボンディングで用いられたダイボンド材を硬化させる複数のキュアベーク処理部と、前記被処理物に対してワイヤボンディングを行うワイヤボンディング処理部と、前記被処理物に対して樹脂モールディングを行うモールディング処理部とを有し、ダイボンディング済みの同じロットの別々の前記被処理物を前記複数のキュアベーク処理部で同時に処理し得るものである。
【発明の効果】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１７】
ダイボンディングと、キュアベークと、ワイヤボンディングと、樹脂モールディングと、モールドベークの各処理を行う処理部を有する「セル思考」のコンパクトラインとすることにより、構成する各処理部の適正効率と作業者の最大効率を引き出し、処理部間での製品（被処理物）の滞留を最小限にすることができる。その結果、工程時間の大幅な短縮すなわちＴＡＴの短縮化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１９】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２０】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態の半導体製造装置の構造の一例を示す斜視図、図２は図１に示す半導体製造装置のフロアレイアウトの一例を示す構成図、図３は図１に示す半導体製造装置の基本概念を示す構成図、図４は図１に示す半導体製造装置のレイアウトの一例を示す平面図、図５は本発明の実施の形態の半導体製造装置に拡散ロット流動方式を組み入れた構成の一例を示す構成ブロック図、図６は本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法の工完短縮の一例を示すタイムチャート図、図７は本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法によって得られる効果の一例を示す効果概要図、図８は本発明の半導体製造装置によって組み立てられた半導体装置の一例であるＱＦＮの構造を示す斜視図、図９は図８に示すＱＦＮの構造の一例を示す断面図、図１０は本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法で用いられるリードフレームの構造の一例を示す部分平面図、図１１は図２に示す半導体製造装置のフロアレイアウトに対する比較例のフロアレイアウトを示す構成図、図１２は図３に示す構成図に対する比較例を示す構成図である。
【００２３】
本実施の形態は、半導体装置の組み立てラインについて説明するものであり、前記組み立てラインは、「セル思考」を導入したものである。すなわち、１人の作業者で半導体装置の組み立てを完結させる考え方を導入してＴＡＴ（Turn Around Time) の短縮化を図る組み立てラインである。
【００２４】
なお、本実施の形態では、組み立てられる半導体装置の一例として、図８および図９に示すＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) ５を取り上げて説明する。
【００２５】
ＱＦＮ５は、ノンリードタイプの小型の半導体パッケージであり、図１０に示すリードフレーム（被処理物）２を用いて組み立てられる。その構成は、図９に示すように、半導体チップ１の周囲に配置された複数のリード２ａのそれぞれの一部が封止体３の裏面３ａの周縁部に露出しており、この露出した面が外部接続端子面（アウタリード）となる。一方、前記外部接続端子面と反対側の面には、金属細線である金線などのワイヤ４が接続されている。すなわち、半導体チップ１の表面電極であるパッド１ａとこれに対応するリード２ａとがワイヤ４によって電気的に接続されている。
【００２６】
さらに、各リード２ａの前記外部接続端子面には、半田実装用の半田メッキ６の薄膜が形成されている。
【００２７】
また、半導体チップ１は、チップ搭載部であるタブ２ｂに搭載されており、半導体チップ１の裏面１ｃとタブ２ｂとがダイボンド材１７を介して接続されている。さらに、半導体チップ１の主面１ｂには、その周縁部に複数の表面電極であるパッド１ａが形成されている。各パッド１ａとそれぞれに接続される複数のワイヤ４や半導体チップ１は、封止体３によって樹脂封止されている。
【００２８】
また、図１０に示すリードフレーム２は、銅板などの金属の薄板状の部材であり、半導体チップ１が搭載されるタブ２ｂと、タブ２ｂを支持する吊りリード２ｃと、タブ２ｂの周囲に配置された複数のリード２ａと、樹脂モールディングの際に封止用樹脂の流出を阻止するダムバー２ｄなどからなる。
【００２９】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造ラインに導入される「セル思考」について説明する。
【００３０】
図３は、本実施の形態の「セル思考」について説明するものであり、図１２は、その比較例について説明するものである。
【００３１】
例えば、４種類の処理Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを行う際に、図１２に示す比較例（従来方法）では、各処理ごとに別々の作業者７を配置する必要があり、それぞれの作業者７は、各処理において複数台の処理装置８を受け持つことになる。
【００３２】
この場合、各工程間において「仕掛り（仕掛かり状態の被処理物）」が発生し、これが製品停滞に至り、工程時間の短縮化に対して大きな障害となっている。
【００３３】
これに比較して、図３に示す本実施の形態の「セル思考」の方法は、製品別の最小必要設備を１人の作業者７の処理可能範囲で処理順（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）に配置したものであり、ライン構成をコンパクト化したものである。例えば、４種類の処理Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄに対して、処理ごとに処理装置８を各１台ずつ配置し、このＡ〜Ｄの４台の処理装置８を１人の作業者７で受け持つ。その際、各処理装置８間の搬送は、作業者７自身によって行う。この方法では、１人の作業者７がＡ〜Ｄの処理を繋ぐため、工程間仕掛りは大幅に低減し、工程時間の大幅な短縮化を図ることができる。
【００３４】
図２は、前記「セル思考」を導入した半導体装置（ＱＦＮ５）の製造ラインにおける各工程のフロアレイアウトの一例を示すものであり、図１１は、その比較例（従来）のフロアレイアウトを示すものである。
【００３５】
図１１に示す比較例（従来）のフロアレイアウトでは、ダイシングＡ、ダイボンディングＢ、ワイヤボンディングＣ、モールドＤ、ダムカットＥの各工程を各１５００ｍ2 （Ｘ＝２０ｍ、Ｙ＝７５ｍ）程度の広さの１階フロアと２階フロアとに分けて配置しており、その際の製品（被処理物）の流れる距離である製品動線距離は、例えば、２８５ｍ程度である。
【００３６】
これに対して、「セル思考」を導入した図２に示す本実施の形態の半導体装置の製造ラインでは、１階フロアのみ（同一フロア）に全工程を集約することができる。すなわち、樹脂モールディングとダムカットを一貫処理とし、ダイシングＡ、ダイボンディングＢ、ワイヤボンディングＣ、モールド・ダムカット一貫Ｄを１階フロアのみに集約することができ、各処理装置８を５００〜１０００ｍ2 程度の領域に配置することができる。この場合の製品（被処理物）の流れる距離である製品動線距離は、例えば、５５ｍ程度であり、図１１の比較例に比べて製品動線距離を２３０ｍ短縮することができる。
【００３７】
さらに、図２に示す本実施の形態の半導体装置の製造ラインでは、１階フロアのみの使用となるため、２階フロアを他の目的で使用することも可能になり、スペースの有効活用を図ることができる。
【００３８】
次に、図４は、「セル思考」を導入した本実施の形態のＱＦＮ５の製造ライン（半導体製造装置）の具体的内容を示すものである。なお、図４では、４人の作業者７を配置し、それぞれの作業者７が「セル思考」を導入した１つの製造ラインを受け持って作業を行う場合を図示しており、そのうち、１人の作業者７に対応した作業分のＱＦＮ５の製造ライン（半導体製造装置）の具体的構造を図１に示す。
【００３９】
ＱＦＮ５の製造ライン（半導体製造装置）の具体的構造について、図１および図４を用いて、１人の作業者分をその代表として説明する。
【００４０】
まず、ダイシング側から順に、１台のダイボンダ（ダイボンディング処理部）９と、２台のミニベーク炉（キュアベーク処理部）１０と、８台のワイヤボンダ（ワイヤボンディング処理部）１３とが配置され、また、ダイボンダ９と対向してカウンタ１１とテーブル１２が配置されている。
【００４１】
さらに、パスボックス１５を介してモールド側に向かって、１台のモールド・ダムカット一貫機（モールディング処理部）１４と１台のマルチベーク炉（モールドベーク処理部）１６が配置されており、これが１人の作業者７が作業を行う半導体製造装置である。
【００４２】
ダイボンダ９は、リードフレーム２などの被処理物に対してダイボンディングを行うものである。すなわち、ＱＦＮ５の製造工程では、半導体チップ１をリードフレーム２のタブ２ｂにダイボンド材１７を用いて接続する。また、ミニベーク炉１０は、ダイボンディング済みのリードフレーム２に対して、前記ダイボンディングで用いられたダイボンド材１７を硬化させるものである。ワイヤボンダ１３は、ダイボンド材１７のベーク済みのリードフレーム２に対してワイヤボンディングを行うものである。すなわち、ワイヤボンダ１３では、半導体チップ１のパッド１ａとこれに対応するリード２ａとを金線などのワイヤ４によって電気的に接続する。
【００４３】
また、モールド・ダムカット一貫機１４は、ワイヤボンディング済みのリードフレーム２に対して封止用樹脂を用いて樹脂モールディングを行うとともに、前記樹脂モールディング後にダムバー２ｄを切断する。すなわち、樹脂モールディング工程で、樹脂モールディング後にダムバー２ｄの切断まで行ってしまうものである。したがって、本実施の形態のモールド・ダムカット一貫機１４は、樹脂モールディングが行われるモールディング部１４ａと、ダムバー２ｄの切断が行われる先切りユニット部１４ｂとを有している。
【００４４】
また、マルチベーク炉１６は、樹脂モールディング済みのリードフレーム２に対して、前記樹脂モールディングで用いられた封止用樹脂を硬化させるものである。
【００４５】
このように、ダイボンダ９からマルチベーク炉１６までの各処理部によって構成される半導体製造装置が、１人の作業者分の各処理部として同一のフロアに配置され、図４では、この１人の作業者分に相当する半導体製造ラインが４つ形成されており、全て同一のフロアに配置されている。
【００４６】
なお、１人の作業者７が受け持つ半導体製造装置において、各工程ごとの単体処理装置の配置台数は、それぞれの単体処理装置の処理能力のバランスを考慮し、各工程間で製品（被処理物）の滞留が発生しないように台数を配分する。その際、作業者７の作業能力も加味して配分する。
【００４７】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法における同一ロットの製品流動（拡散ロット流動ともいう）について説明する。
【００４８】
図５は、図１や図４に示す半導体製造装置を組み込んだ半導体製造ラインにおいて、各工程ごとの製品（被処理物）の流す単位（量）を説明するものである。
【００４９】
まず、ウェハマウンタ、ダイサー、ダイボンダ９までは、従来と同様に、例えば、チップ１９２００ケ／２４０ＬＦ（フレーム）で被処理物を流し、順次所定の処理を行う。その際、チップ１９２００ケ／２４０ＬＦ単位で被処理物の管理を行う。
【００５０】
その後、ダイボンダ９の搬出口からは、ダイボンディング処理済みのリードフレーム２を１０ＬＦ／１ラック単位で順次取り出し、１０ＬＦ／１ラック単位で順次次工程に送る。例えば、キュアベーク工程では、１つのミニベーク炉１０に（１０ＬＦ／１ラック）×２ラックを搬入し、４台それぞれの炉において３０分間隔で１２０分キュアを行ってそれぞれのダイボンド材１７を硬化させる（マルチキュアベーク）。
【００５１】
その後、キュアベークが終了したリードフレーム２を１０ＬＦ／１ラック単位の状態で次工程のワイヤボンダ１３に順次送り、ワイヤボンダ１３でワイヤボンディングを行う。ワイヤボンダ１３は８台設置されており、最大８台同時に着工する。ワイヤボンダ１３では１０ＬＦ／１ラック単位で１５分間隔×８台の処理となる。
【００５２】
その後、ワイヤボンディング処理を終えたリードフレーム２を１０ＬＦ／１ラック単位で順次次工程の樹脂モールディング工程に送る。樹脂モールディング工程では、例えば、モールド・ダムカット一貫機１４を用いて樹脂モールディングとダムバーカットとを一貫処理で行う。１０ＬＦ／１ラック単位で１５分間隔の処理となる。
【００５３】
樹脂モールディング工程を終えたリードフレーム２は、モールド・ダムカット一貫機１４から組み立てロット単位、例えば、チップ４８００ケ／６０ＬＦ単位で取り出す。
【００５４】
その後、樹脂モールディングを終えた被処理物をチップ４８００ケ／６０ＬＦ単位で次工程であるモールドベーク工程に送る。モールドベーク工程では、マルチベーク炉１６でそれぞれの被処理物をチップ４８００ケ／６０ＬＦ単位で処理する。例えば、１２０分間隔×３炉で３６０分ベークを行って封止体３（封止用樹脂）を硬化させる（マルチモールドベーク）。
【００５５】
その後、無人搬送、冷却、ウォタージェット、メッキ処理およびマーク・切断工程に順次被処理物を流してＱＦＮ５の組み立てを完了する。
【００５６】
すなわち、本実施の形態の同一ロットの製品流動では、所定範囲の工程において、管理されたロット単位より小さな処理単位で処理を順次行っている。例えば、図５に示す同一ロットの製品流動では、ダイボンダ９の搬出口からキュアベーク、ワイヤボンディング、樹脂モールディング処理までを管理された拡散ロット単位（２４０ＬＦ）より遥かに少ない処理単位（１０ＬＦ）で処理し、モールド・ダムカット一貫機１４の搬出口から元の拡散ロット単位（組み立てロット単位６０ＦＬ×４）に戻して次工程に搬送する処理を行っている。
【００５７】
その際、キュアベーク、ワイヤボンディングおよび樹脂モールディングにおける少ない処理単位（１０ＬＦ）での処理については、被処理物の番号・来歴管理などは行わず、元の拡散ロット単位での管理状態で処理を進行する。
【００５８】
したがって、本実施の形態の同一ロットの製品流動では、同じロットの別々の被処理物を複数の工程で同時に処理することになる。つまり、所定の限られた複数の工程内ではロット管理を行わず、来歴などが予め管理されたロット単位より少ない処理単位で被処理物を処理し、単体処理装置から早く被処理物を搬出して次工程の単体処理装置に搬入し、この処理サイクルを繰り返すことにより、単体処理装置に処理能力差のある工程間での製品（被処理物）の滞留を極力低減して半導体装置の組み立てのＴＡＴの向上を図る製品流動方法である。
【００５９】
なお、前記所定の限られた複数の工程は、図５に示すキュアベーク、ワイヤボンディングおよび樹脂モールディングに限られるものではなく、状況に応じて何れの範囲の工程であってもよいことは言うまでもない。さらに、来歴などが予め管理された前記ロット単位やそれより少ない処理単位についても、前記２４０ＬＦや前記１０ＬＦなどに限定されるものではなく、種々変更可能なものである。
【００６０】
次に、図６は、従来の半導体装置の製造ラインＡと、本実施の形態の「セル思考」を導入した半導体装置の製造ライン（フラグシップライン）Ｂと、本実施の形態の「セル思考」および同一ロットの製品流動方法を導入した半導体装置の製造ライン（フラグシップライン）Ｃとで、それぞれの場合のタイムチャートにより、従来の製造ラインＡに対する本実施の形態の半導体装置の製造ラインＢと、本実施の形態の半導体装置の製造ラインＣの工完圧縮（短縮）の度合いを図示したものである。
【００６１】
図６に示すように、従来の製造ラインＡは、フロー処理における６０ＬＦ（フレーム）流動の場合であり、各工程後に網掛け部分である製品流動の停滞１８が発生している。これに対して、本実施の形態の「セル思考」を導入した半導体装置の製造ラインＢでは、さらに樹脂モールディング工程でダムカットを一貫処理で行うことも加えて、製造ラインＡと同じ６０ＬＦ（フレーム）流動であっても、モールドベークを除いて各工程後の停滞１８を無くすことができ、工完圧縮（短縮）を図ることができる。その結果、ＴＡＴの短縮化を図ることができる。
【００６２】
すなわち、構成する各処理部の適正効率と作業者７の最大効率を引き出して本実施の形態の「セル思考」を導入したコンパクトな製造ラインＢを実現することにより、ダイボンディング、キュアベーク、ワイヤボンディング、樹脂モールディングおよびモールドベークの各処理を１人の作業者７によって行うことが可能になる。
【００６３】
その結果、各処理部間での製品（被処理物）の流動の停滞１８を最小限にすることができる。つまり、「セル思考」としてラインの各処理部間を連動させ、そこに被処理物を流動させるため、各工程間での製品の停滞１８をゼロに近づけることができる。
【００６４】
また、工程集約や単体処理装置の省ピッチレイアウトなど各処理部を近接して配置して一貫ライン化し、これにより、製造ライン全体のコンパクト化を実現するため、スペース生産性の向上を図ることができる。
【００６５】
さらに、「セル思考」のコンパクトラインであるため、半導体装置の品種交換時などには容易に素早くラインを対応させることができる。その結果、製品変動に対する適応性の向上を図ることができる。
【００６６】
また、樹脂モールディング処理部にダムカット処理部を組み込んだ一貫機であるモールド・ダムカット一貫機１４を配置することにより、ダムカット工程を除去することができ、工程時間の短縮化を図るとともに、設備への投資を抑制して半導体装置の製造コストの低減化を図ることができる。さらに、モールド・ダムカット一貫機１４を配置することにより、スペースを効率良く使用でき、これによってもスペース生産性の向上を図ることができる。
【００６７】
また、本実施の形態の「セル思考」および同一ロットの製品流動方法を導入した半導体装置の製造ラインＣでは、図１や図４に示す「セル思考」を導入したラインにおいて、幾つかの複数の工程で、例えば、予め管理されたロット単位６０ＬＦ（フレーム）の被処理物に対し、これより少ない１０ＬＦ（フレーム）などの少量単位で処理（小ロット処理）を行い、さらに、これらの同一ロットの少量単位の被処理物をキュアベーク工程やワイヤボンディング工程では複数の単体処理装置で同時並行処理（小ロット連続処理）する。また、複数の工程に跨がって同じく同時並行処理する。
【００６８】
なお、少量単位で処理を行う工程の前後の工程では、予め管理されたロット単位でそれぞれ処理を行う。
【００６９】
このように本実施の形態の半導体装置の製造ラインＣでは、「セル思考」の設備配置に加えて同一ロットの少量単位の製品流動を実施することにより、複数の工程に跨がって同一ロットの製品（被処理物）を処理することが可能になるため、製造ラインＢに比較してもさらに工完圧縮（短縮）を図ることができ、その結果、さらにＴＡＴの短縮化を図ることができる。また、従来の製造ラインＡに比較して、大幅な工完圧縮（短縮）を図ることができる。
【００７０】
図７は、本実施の形態のＱＦＮ５の製造ラインによって得られる効果を、従来の半導体製造ラインと比較したものであり、本実施の形態の製造ラインでは、ＴＡＴ短縮のための設備投資は僅かに発生するものの、それ以外の全ての項目で大きな効果を得ることができる。
【００７１】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００７２】
例えば、前記実施の形態では、「セル思考」の製造ラインとして、作業者７が１人で全ての処理を行う場合を説明したが、作業者７の数については複数であってもよい。
【００７３】
すなわち、前記実施の形態の「セル思考」の製造ラインは、単体処理装置の処理能力と作業者７の作業能力に応じて、単体処理装置の配分および能力バランスを考慮してなるべく少ない数の作業者７で製造ラインを受け持つことを可能にするものであり、好ましくは１人で全ての処理を受け持つことであるが、複数の作業者７で受け持ってもよい。
【００７４】
また、前記実施の形態では、半導体装置の一例として、ＱＦＮ５を取り上げて説明したが、前記半導体装置は、前記実施の形態の半導体装置の製造方法を用いて組み立てられるものであれば、ＱＦＮ５に限定されるものではなく、その他の何れの半導体装置であってもよい。
【００７５】
また、前記実施の形態では、半導体製造装置を構成するモールディング処理部として、樹脂モールディングを行うモールディング部１４ａとダムバーカットを行う先切りユニット部１４ｂとを有するモールド・ダムカット一貫機１４を配置する場合を説明したが、モールディング部１４ａと先切りユニット部１４ｂを分けて別々の単体処理装置としてもよい。
【００７６】
すなわち、樹脂モールディング工程では、樹脂モールディング用の単体処理装置によって樹脂モールディングのみを行い、外装めっき後のマーク・切断工程で切断用の単体処理装置を用いてダムバーカットを行ってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明は、電子装置の製造および半導体製造技術に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の実施の形態の半導体製造装置の構造の一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す半導体製造装置におけるフロアレイアウトの一例を示す構成図である。
【図３】図１に示す半導体製造装置の基本概念を示す構成図である。
【図４】図１に示す半導体製造装置のレイアウトの一例を示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態の半導体製造装置に拡散ロット流動方式を組み入れた構成の一例を示す構成ブロック図である。
【図６】本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法の工完短縮の一例を示すタイムチャート図である。
【図７】本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法によって得られる効果の一例を示す効果概要図である。
【図８】本発明の半導体製造装置によって組み立てられた半導体装置の一例であるＱＦＮの構造を示す斜視図である。
【図９】図８に示すＱＦＮの構造の一例を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法で用いられるリードフレームの構造の一例を示す部分平面図である。
【図１１】図２に示す半導体製造装置のフロアレイアウトに対する比較例のフロアレイアウトを示す構成図である。
【図１２】図３に示す構成図に対する比較例を示す構成図である。
【符号の説明】
【００７９】
１  半導体チップ
１ａ  パッド
１ｂ  主面
１ｃ  裏面
２  リードフレーム（被処理物）
２ａ  リード
２ｂ  タブ
２ｃ  吊りリード
２ｄ  ダムバー
３  封止体
３ａ  裏面
４  ワイヤ
５  ＱＦＮ（半導体装置）
６  半田メッキ
７  作業者
８  処理装置
９  ダイボンダ（ダイボンディング処理部）
１０  ミニベーク炉（キュアベーク処理部）
１１  カウンタ
１２  テーブル
１３  ワイヤボンダ（ワイヤボンディング処理部）
１４  モールド・ダムカット一貫機（モールディング処理部）
１４ａ  モールディング部
１４ｂ  先切りユニット部
１５  パスボックス
１６  マルチベーク炉（モールドベーク処理部）
１７  ダイボンド材
１８  停滞
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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