(57)【要約】【課題】  半導体装置の信頼性の向上を図る。【解決手段】  半導体チップと、前記半導体チップと接続するタブ１ｂと、タブ１ｂを支持する吊りリード１ｅと、前記半導体チップの周囲に配置された複数のリード１ａと、前記半導体チップとリード１ａとを接続するワイヤと、前記半導体チップを樹脂封止する封止体とからなり、各リード１ａの切断ライン１ｊに対応した位置に絶縁性樹脂ダム６が形成されたリードフレーム１を用いて組み立てられるものであり、樹脂封止後のリード切断時に、絶縁性樹脂ダム６が配置された位置で各リード１ａを切断することにより、封止用樹脂を切断せずに済むため、前記封止体にクラックが形成されることを防止でき、ＱＦＮの基板実装時に封止用樹脂が基板上に落下することを防止して信頼性の向上を図る。【選択図】      図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表面電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップを樹脂封止する封止体と、
前記半導体チップの周囲に配置され、前記封止体の実装面の周縁部に露出する外部接続面と前記封止体の内部に配置されるインナ部とをそれぞれに有しており、前記封止体の前記実装面から離れる方向にそれぞれ折り曲げられた複数のリードと、
前記半導体チップの前記表面電極とこれに対応する前記リードの前記インナ部とを電気的に接続する金属細線とを有し、
前記複数のリードの前記折り曲げられた曲げ部それぞれに凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数の表面電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップと接続するチップ搭載部と、
前記半導体チップを樹脂封止する封止体と、
前記半導体チップの周囲に配置され、前記封止体の実装面の周縁部に露出する外部接続面と前記封止体の内部に配置されるインナ部とをそれぞれに有しており、前記封止体の前記実装面から離れる方向にそれぞれ折り曲げられており、前記半導体チップ側の端部からそれぞれ外方に向けて放射状に配置された複数のリードと、
前記半導体チップの前記表面電極とこれに対応する前記リードの前記インナ部とを電気的に接続する金属細線とを有し、
前記チップ搭載部は２本の吊りリードによって支持されており、前記複数のリードの前
記折り曲げられた曲げ部それぞれに凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
複数の表面電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップを樹脂封止する封止体と、
前記半導体チップの周囲に配置され、前記封止体の実装面の周縁部に露出する外部接続面と前記封止体の内部に配置されるインナ部とをそれぞれに有しており、前記封止体の前記実装面から離れる方向にそれぞれ折り曲げられており、前記半導体チップ側の端部からそれぞれ外方に向けて放射状に配置された複数のリードと、
前記半導体チップの前記表面電極とこれに対応する前記リードの前記インナ部とを電気的に接続する金属細線とを有し、
前記複数のリードそれぞれの前記半導体チップ側の端部に幅広部が形成されており、前記複数のリードの前記折り曲げられた曲げ部それぞれに凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
チップ搭載部とその周囲に配置された複数のリードとを有するリードフレームを用いて組み立てられる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置の封止体の外形に応じて隣接する前記リード間に配置された絶縁性樹脂ダムを有する前記リードフレームを準備する工程と、
前記リードフレームの前記チップ搭載部に半導体チップを接続する工程と、
前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記リードとを金属細線によって電気的に接続する工程と、
前記絶縁性樹脂ダムによって前記リード間における封止用樹脂の流出を阻止して前記半導体チップと前記金属細線とを樹脂封止する工程と、
前記複数のリードを前記絶縁性樹脂ダムの位置またはそれより外側位置で切断する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
チップ搭載部とその周囲に配置された複数のリードとを有するリードフレームを用いて組み立てられる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置の封止体の外形に応じて隣接する前記リード間に配置された絶縁性樹脂ダムを有する前記リードフレームを準備する工程と、
前記リードフレームの前記チップ搭載部に半導体チップを接続する工程と、
前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記リードとを金属細線によって電気的に接続する工程と、
前記絶縁性樹脂ダムによって前記リード間における封止用樹脂の流出を阻止して前記半導体チップと前記金属細線とを樹脂封止し、実装面の周縁部に前記複数のリードそれぞれの一部が露出するように前記封止体を形成する工程と、
前記複数のリードを前記絶縁性樹脂ダムの位置またはそれより外側位置で切断する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、特に、半導体装置における信頼性の向上に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の樹脂封止型半導体装置では、半導体素子が搭載された支持部が、インナーリード部より上方に位置するようにリードフレームがアップセット処理されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−７４４４０号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ノンリード型の半導体装置では、チップ搭載部であるタブを支持する吊りリードを４方向に配置すると、吊りリードの配置にスペースが必要となり、小型の半導体装置では、インナリードにおけるボンディングエリアの確保が困難となる。さらに、金属細線である金線を短くするためのインナリードの引き回し用のスペース確保も困難となる。また、ノンリード型の半導体装置ではその小型化に伴ってリードの外部接続面の長さも短くなり、さらに、封止用樹脂との接着面積も少なくなり、その結果、リード切断時および基板実装後の変形応力によってリードが剥離することが問題となる。あるいは、リードの金属細線との接合部の圧着剥がれが起こることが問題である。
【０００４】
また、ノンリード型の半導体装置では、封止体の実装面に露出するリードの外部接続面に封止用樹脂によるフラッシュバリが付着し、外部接続面の面積を減らして外部接続面と基板側の端子との接続性を低下させることが問題となる。
【０００５】
さらに、ノンリード型の半導体装置では、リード切断時に、封止用樹脂とリードとを同時に切断するため、リード間に配置された封止用樹脂にクラックが形成され、このクラックによりリード間の封止用樹脂が半導体装置の実装基板への実装時に基板上に落下し、実装信頼性を低下させることが問題となる。
【０００６】
本発明の目的は、信頼性の向上を図る半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００７】
また、本発明のその他の目的は、基板側の端子との接続性を向上させる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００８】
さらに、本発明のその他の目的は、実装信頼性の向上を図る半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１１】
すなわち、本発明は、複数の表面電極を有する半導体チップと、前記半導体チップを樹脂封止する封止体と、前記半導体チップの周囲に配置され、前記封止体の実装面の周縁部に露出する外部接続面と前記封止体の内部に配置されるインナ部とをそれぞれに有しており、前記封止体の前記実装面から離れる方向にそれぞれ折り曲げられた複数のリードと、前記半導体チップの前記表面電極とこれに対応する前記リードの前記インナ部とを電気的に接続する金属細線とを有し、前記複数のリードの前記折り曲げられた曲げ部それぞれに凹部が形成されているものである。
【００１２】
また、本発明は、半導体装置の封止体の外形に応じて隣接するリード間に配置された絶縁性樹脂ダムを有するリードフレームを準備する工程と、前記リードフレームの前記チップ搭載部に半導体チップを接続する工程と、前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記リードとを金属細線によって電気的に接続する工程と、前記絶縁性樹脂ダムによって前記リード間における封止用樹脂の流出を阻止して前記半導体チップと前記金属細線とを樹脂封止する工程と、前記複数のリードを前記絶縁性樹脂ダムの位置またはそれより外側位置で切断する工程とを有するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１４】
複数のリードの曲げ部それぞれに凹部が形成されていることにより、樹脂封止時に封止用樹脂を凹部で塞き止めることができ、リードの外部接続面に封止用樹脂が付着してフラッシュバリが形成されることを防止できる。その結果、半導体装置の基板実装時の基板側の端子とリードとの接続性の向上を図って信頼性を向上させることができる。
【００１５】
また、リード間に絶縁性ダムが配置されたリードフレームを準備し、樹脂封止後のリード切断時に、複数のリードを絶縁性樹脂ダムの位置またはそれより外側位置で切断することにより、封止用樹脂を切断せずに済むため、封止用樹脂にクラックが形成されることを防止できる。その結果、封止用樹脂が半導体装置の実装基板への実装時に基板上に落下することを防止でき、半導体装置の実装信頼性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１７】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００１８】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２０】
（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す平面図、図２は図１に示す半導体装置の構造の一例を示す側面図、図３は図１に示す半導体装置の構造の一例を示す底面図、図４は図１に示す半導体装置の構造の一例を示す部分拡大斜視図、図５は図１に示す半導体装置の構造の一例を示す断面図、図６は図５に示すＡ部の構造を拡大して示す部分拡大断面図、図７は図１に示す半導体装置の内部構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図８は図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの構造の一例を示す部分平面図、図９は図８に示すＢ部の構造を拡大して示す部分拡大平面図、図１０は本発明の実施の形態における変形例の半導体装置の構造を示す平面図、図１１は図１０に示す変形例の半導体装置の構造を示す部分拡大斜視図、図１２は図１０に示す変形例の半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの主要部の構造を示す部分拡大平面図、図１３は本発明の実施の形態における他の変形例の半導体装置の構造を示す平面図、図１４は図１３に示す他の変形例の半導体装置の構造を示す部分拡大斜視図である。
【００２１】
図１〜図４に示す本実施の形態の半導体装置は、図８に示すリードフレーム１を用いて組み立てられるモールドタイプの小形半導体パッケージであり、さらに、封止体３の裏面である実装面３ａの周縁部に複数のリード１ａの外部接続面１ｄを露出させて配置したノンリード型のものでもあり、前記半導体装置の一例として、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) ５を取り上げて説明する。
【００２２】
したがって、ＱＦＮ５の各リード１ａは、封止体３に埋め込まれたインナリードと、封止体３の実装面３ａの周縁部に露出するアウタリードとの両者の機能を兼ねている。
【００２３】
本実施の形態のＱＦＮ５の詳細構成について説明すると、図５、図６に示すように、主面２ｂに複数の表面電極であるパッド２ａが形成された半導体チップ２と、半導体チップ２と接続するチップ支持面１ｃを備えたチップ搭載部であるタブ１ｂと、タブ１ｂを支持し、かつ相互に対向する方向に延在する２本の吊りリード１ｅと、半導体チップ２の周囲に配置されており、かつ封止体３の実装面３ａの周縁部に露出する外部接続面１ｄと封止体３の内部に配置されるインナ部１ｇとをそれぞれに有する複数のリード１ａと、半導体チップ２のパッド２ａとこれに対応するリード１ａのインナ部１ｇとを電気的に接続するワイヤ（金属細線）４と、半導体チップ２および複数のワイヤ４を樹脂封止する封止体３とからなる。
【００２４】
さらに、複数のリード１ａそれぞれは、封止体３の実装面３ａから離れる方向に折り曲げられており、かつ半導体チップ２側の端部から外方に向けて放射状に配置されている。すなわち、各リード１ａは、上方に向けて曲げ成形されており、さらにタブ１ｂとほぼ同じ高さの位置に半導体チップ２側の端部が配置されるようにも曲げ成形されている。つまり、各リード１ａは２箇所で曲げ成形されている。
【００２５】
なお、各リード１ａや吊りリード１ｅおよびタブ１ｂは、例えば、銅合金や鉄合金などの金属の薄板から形成されている。さらに、ワイヤ４は、例えば、金線である。また、封止体３を形成する封止用樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂などである。半導体チップ２は、例えば、シリコンなどによって形成され、半導体チップ２の裏面２ｃがタブ１ｂのチップ支持面１ｃに銀ペーストなどのダイボンド材によって固定されている。
【００２６】
本実施の形態のＱＦＮ５では、タブ１ｂは、図７に示すように、２本の吊りリード１ｅによって支持されている。すなわち、ＱＦＮ５の小型化に対応して、リード１ａのインナ部１ｇにおけるボンディング面１ｆの面積を確保するために、１組（２本）の吊りリード１ｅを略四角形のタブ１ｂの一方の対角線上のみに配置し、これによって各リード１ａの引き回し用の領域を広げ、さらに、各リード１ａをそれらの半導体チップ２側の端部が吊りリード１ｅとほぼ同じ高さになるように曲げ成形するとともに、各リード１ａが外方に向けて放射状に延在するように配置している。
【００２７】
これにより、半導体チップ２近傍において各リード１ａのインナ部１ｇを配置することができるとともに、それぞれのリード１ａの端部に幅広部１ｉを形成することができ、その幅広部１ｉにワイヤ４を接続することが可能になる。その結果、ＱＦＮ５の小型化を実現している。
【００２８】
つまり、本実施の形態のＱＦＮ５によれば、タブ１ｂを支持する吊りリード１ｅを２本とし、複数のリード１ａそれぞれが、封止体３の実装面３ａから離れる方向に折り曲げられているとともに半導体チップ２側の端部から外方に向けて放射状に配置されていることにより、リード１ａの引き回しスペースを確保することができ、リード１ａそれぞれの半導体チップ２側の端部に幅広部１ｉを形成してボンディングエリアを確保することができる。
【００２９】
さらにリード１ａそれぞれが上方に折り曲げられているため、封止用樹脂との接着面積が増え、かつリード１ａのインナ部１ｇが封止用樹脂内に埋め込まれるため、リード１ａが封止用樹脂から剥離することを防止できる。さらに、リード１ａのワイヤ４との接合部にリード剥離による応力が掛かることを防止できるため、前記接合部の圧着剥がれを防止できる。その結果、ＱＦＮ５の信頼性の向上を図ることができる。
【００３０】
また、リード１ａそれぞれが上方に折り曲げられているため、各リード１ａのインナ部１ｇの長さが長くなり、これによって、水分が浸入しにくくなる。その結果、耐湿信頼性の向上を図ることができる。
【００３１】
さらに、各リード１ａの半導体チップ２側の端部が、半導体チップ２の近傍に配置されるため、ワイヤ４の長さを短くすることができ、その結果、電気特性の向上を図ることができるとともに、樹脂封止時のワイヤ流れを低減することができる。
【００３２】
また、複数のリード１ａそれぞれの折り曲げられた箇所のうち、外部接続面１ｄにかかる曲げ部１ｈには、図６に示すように、窪んだ箇所である凹部１ｋが形成されている。
【００３３】
この凹部１ｋは、樹脂封止時の封止用樹脂のリード１ａの外部接続面１ｄへの周り込みを塞き止めるものであり、これにより、リード１ａの外部接続面１ｄにフラッシュバリが形成されることを防止できる。なお、凹部１ｋは、リードフレーム１の製造時に形成されるものであり、例えば、Ｖ溝加工によって形成されたものであってもよいし、あるいはハーフエッチング加工などによって形成されたものであってもよい。
【００３４】
また、本実施の形態のＱＦＮ５には、図１および図４に示すように、封止体３の側面に露出したリード１ａの端部間に絶縁性樹脂ダム６が配置されている。この絶縁性樹脂ダム６は、比較的柔らかい絶縁性の樹脂材料によって形成され、ＳｉＯ２  を含まない材料によって形成されていることが好ましい。なお、絶縁性樹脂ダム６は、樹脂封止時の封止用樹脂の流出を阻止するものであり、ＱＦＮ５の組み立てにおいてリードフレーム１を準備した段階で既にリードフレーム１の各リード１ａの切断ライン１ｊに対応して設けられており、樹脂封止後のリード切断時に、この絶縁性樹脂ダム６が配置された位置、または、この絶縁性樹脂ダム６より外側の位置を切断する。
【００３５】
これによって、リード切断時に封止用樹脂を切断せずに済むため、封止用樹脂（封止体３）にクラックが形成されることを防止できる。その結果、封止用樹脂がＱＦＮ５の実装基板への実装時に基板上に落下することを防止できる。
【００３６】
次に、本実施の形態によるＱＦＮ５（半導体装置）の製造方法について説明する。
【００３７】
まず、図８に示すように、チップ搭載部であるタブ１ｂと、タブ１ｂを支持する２本の吊りリード１ｅと、タブ１ｂの周囲に配置された複数のリード１ａとを有し、組み立てられるＱＦＮ５の封止体３の外形位置に応じて隣接するリード１ａ間に絶縁性樹脂ダム６がリング状に配置されたリードフレーム１を準備する。
【００３８】
すなわち、図９の拡大図に示すように、樹脂封止後にリード切断を行う際の切断ライン１ｊに対応した位置に絶縁性樹脂ダム６が設けられたリードフレーム１を準備する。なお、絶縁性樹脂ダム６は、銅（Ｃｕ）などの金属と一緒に切断し易い柔らかな材料で、かつＳｉＯ２  を含まない材料によって形成されていることが好ましい。
【００３９】
また、リードフレーム１のタブ１ｂは、タブ上げ加工が施されており、さらに各リード１ａは、タブ１ｂに近づく方向に曲げ成形されており、かつタブ１ｂとほぼ同じ高さの位置にタブ１ｂ側の端部が配置されるようにも曲げ成形されている。つまり、各リード１ａは２箇所で曲げ成形されている。なお、各リード１ａそれぞれの折り曲げられた箇所のうち、外部接続面１ｄにかかる曲げ部１ｈには、凹部１ｋが形成されている。
【００４０】
また、複数のリード１ａそれぞれは、タブ１ｂ側の端部から外方に向けて放射状に配置されている。さらに、それぞれのリード１ａのタブ１ｂ側の端部には、図７に示すように、幅広部１ｉが形成されている。
【００４１】
なお、リードフレーム１は、例えば、銅（Ｃｕ）などによって形成された薄板材であり、その厚さは、例えば、0.１５〜0.２ｍｍ程度であるが、前記材料や前記厚さなどは、これらに限定されるものではない。また、リードフレーム１の枠部１ｍには、位置決めなどに用いられる貫通孔１ｎが形成されている。
【００４２】
その後、内部に半導体集積回路が組み込まれ、かつ主面２ｂに複数の表面電極であるパッド２ａが形成された半導体チップ２を準備し、この半導体チップ２の裏面２ｃとリードフレーム１のタブ１ｂのチップ支持面１ｃとを接続するダイボンディングを行う。
【００４３】
その際、リードフレーム１のタブ１ｂにダイボンド材（例えば、銀ペーストや樹脂ペーストなど）を介して主面２ｂを上方に向けて半導体チップ２を固定する。
【００４４】
続いて、図６および図７に示すように、半導体チップ２のパッド２ａとこれに対応するリード１ａのボンディング面１ｆの幅広部１ｉとをボンディング用のワイヤ４によってワイヤボンディングして接続する。
【００４５】
その後、樹脂封止を行う。すなわち、半導体チップ２および複数のワイヤ４を樹脂封止してリードフレーム１のチップ支持面１ｃ側に封止体３を形成する。
【００４６】
その際、モールド金型のキャビティから各リード１ａ間に流出する封止用樹脂を絶縁性樹脂ダム６によって阻止する（塞き止める）。さらに、複数のリード１ａの曲げ部１ｈには凹部１ｋが形成されているため、封止用樹脂をこの凹部１ｋで塞き止めることができる。
【００４７】
その結果、各リード１ａの外部接続面１ｄに封止用樹脂が回り込んで付着してフラッシュバリが形成されることを防止でき、したがって、ＱＦＮ５の基板実装時の基板側の端子とリード１ａとの接続性の向上を図ることができる。
【００４８】
なお、実装面３ａの周縁部に複数のリード１ａの各外部接続面１ｄが露出するように封止体３を形成する。
【００４９】
その後、封止体３から突出する各リード１ａおよびタブ吊りリード１ｅをリードフレーム１から切断分離するリード切断（個片化）を行う。
【００５０】
その際、図９に示す絶縁性樹脂ダム６上の切断ライン１ｊにおいて、複数のリード１ａおよび吊りリード１ｅをリードフレーム１から切断する。すなわち、各リード１ａ、吊りリード１ｅおよび絶縁性樹脂ダム６を切断する。
【００５１】
これにより、硬度の高いフィラーが含まれた封止用樹脂を切断せずに済むため、封止用樹脂にクラックが形成されることを防止できる。その結果、封止用樹脂がＱＦＮ５の実装基板への実装時に基板上に落下することを防止でき、ＱＦＮ５の実装信頼性の向上を図ることができる。
【００５２】
リード切断により、図１〜図４に示すＱＦＮ５の組み立て完了となる。
【００５３】
次に、本実施の形態の変形例のＱＦＮ５について説明する。
【００５４】
図１０および図１１に示す変形例は、図１２に示すように、絶縁性樹脂ダム６を形成する位置を各リード１ａの切断ライン１ｊより僅かに内側にした場合であり、したがって、リード切断時には、絶縁性樹脂ダム６の位置より僅かに外側を切断するため、各リード１ａのみの切断となり、絶縁性樹脂ダム６も切断せずに済む。
【００５５】
これにより、図１〜図４に示すＱＦＮ５と同様の効果が得られるとともに、加えて絶縁性樹脂ダム６にバリが形成されることも防止できるため、ＱＦＮ５の実装信頼性をさらに向上させることができる。
【００５６】
また、図１３および図１４に示す他の変形例は、各リード１ａの封止体３からの突出部分においてリード１ａ間に封止体３を配置しないようにした場合であり、したがって、図１４に示すように、ＱＦＮ５の表側の外観のリード１ａ間には封止体３は現れない構造となり、リード１ａ間には絶縁性樹脂ダム６のみが配置されている。
【００５７】
この場合、リード切断時には、絶縁性樹脂ダム６の位置より確実に外側を切断するため、各リード１ａのみの切断となり、絶縁性樹脂ダム６も切断せずに済む。加えて、切断後に封止体３の露出面積が少なくなるため、封止体３の脱落などの要因も低減できる。したがって、図１〜図４や、図１０および図１１に示すＱＦＮ５と同様の効果が得られるとともに、ＱＦＮ５の実装信頼性をさらに向上させることができる。
【００５８】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００５９】
例えば、前記実施の形態では、タブ１ｂを支持する吊りリード１ｅが２本の場合を説明したが、吊りリード１ｅの本数は１本でもよく、または３本以上であってもよい。
【００６０】
また、前記実施の形態では、各リード１ａの半導体チップ２側の端部に幅広部１ｉが形成されている場合を説明したが、幅広部１ｉは必ずしも形成されていなくてもよい。
【００６１】
さらに、前記実施の形態では、リードフレーム１を用いて製造される半導体装置がＱＦＮ５の場合について説明したが、前記半導体装置は、切断ライン１ｊもしくはその内側に絶縁性樹脂ダム６が設けられたリードフレーム１を用いて組み立てられるものであれば、ＱＦＮ５以外の他の半導体装置、例えば、ＱＦＰ（Quad Flat Package)などであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、電子装置および半導体製造技術に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の構造の一例を示す側面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の構造の一例を示す底面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の構造の一例を示す部分拡大斜視図である。
【図５】図１に示す半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図６】図５に示すＡ部の構造を拡大して示す部分拡大断面図である。
【図７】図１に示す半導体装置の内部構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。
【図８】図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの構造の一例を示す部分平面図である。
【図９】図８に示すＢ部の構造を拡大して示す部分拡大平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態における変形例の半導体装置の構造を示す平面図である。
【図１１】図１０に示す変形例の半導体装置の構造を示す部分拡大斜視図である。
【図１２】図１０に示す変形例の半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの主要部の構造を示す部分拡大平面図である。
【図１３】本発明の実施の形態における他の変形例の半導体装置の構造を示す平面図である。
【図１４】図１３に示す他の変形例の半導体装置の構造を示す部分拡大斜視図である。
【符号の説明】
【００６４】
１  リードフレーム
１ａ  リード
１ｂ  タブ（チップ搭載部）
１ｃ  チップ支持面
１ｄ  外部接続面（一部）
１ｅ  吊りリード
１ｆ  ボンディング面
１ｇ  インナ部
１ｈ  曲げ部
１ｉ  幅広部
１ｊ  切断ライン
１ｋ  凹部
１ｍ  枠部
１ｎ  貫通孔
２  半導体チップ
２ａ  パッド（表面電極）
２ｂ  主面
２ｃ  裏面
３  封止体
３ａ  実装面
４  ワイヤ（金属細線）
５  ＱＦＮ（半導体装置）
６  絶縁性樹脂ダム
【図１】
2005135938.tif 000003
【図２】
2005135938.tif 000004
【図３】
2005135938.tif 000005
【図４】
2005135938.tif 000006
【図５】
2005135938.tif 000007
【図６】
2005135938.tif 000008
【図７】
2005135938.tif 000009
【図８】
2005135938.tif 000010
【図９】
2005135938.tif 000011
【図１０】
2005135938.tif 000012
【図１１】
2005135938.tif 000013
【図１２】
2005135938.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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