(57)【要約】【課題】  パターニング精度、スパッタ成膜分布及び／又はエッチング分布を向上させ、さらに、真空チャック又は静電チャックにおけるウエハの吸着不良を防止でき、歩留り改善を可能とする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  ウエハプロセスの途中で、ウエハ裏面をクリーニングするための裏面研磨を少なくとも１回行う。【選択図】  図１
2005353229.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハプロセスの途中で、ウエハ裏面をクリーニングするための裏面研磨を少なくとも１回行うことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記裏面研磨が、ウエハの裏面の平面精度を必要とする工程の直前に行われることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記ウエハの裏面の平面精度を必要とする工程が、レジストパターンを形成する際の露光工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記露光工程が、磁気抵抗効果素子のリード導体形成工程におけるレジストパターンを形成する際の露光工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記露光工程が、インダクティブ素子の磁極形成工程におけるレジストパターンを形成する際の露光工程を含むことを特徴とする請求項３又は４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記ウエハの裏面の平面精度を必要とする工程が、ドライエッチング工程を含むことを特徴とする請求項２から５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記ドライエッチング工程が、磁気抵抗効果素子のリード導体形成工程におけるドライエッチング工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記ドライエッチング工程が、インダクティブ素子の磁極形成工程におけるドライエッチング工程を含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記ウエハの裏面の平面精度を必要とする工程が、スパッタリング工程を含むことを特徴とする請求項２から８のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記ウエハの裏面の平面精度を必要とする工程が、めっき工程を含むことを特徴とする請求項２から９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記ウエハの裏面の平面精度を必要とする工程が、測定工程を含むことを特徴とする請求項２から１０のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記裏面研磨が、高平面精度の回転砥石を用いて行われることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記回転砥石が、高平面精度でありかつ多数のエッジを有するアルカンサス砥石であることを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記裏面研磨が、高平面精度の研磨シートを用いて行われることを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記裏面研磨が、ウエハ表面の外周部のみを研磨ステージに吸着固定した後、行われることを特徴とする請求項１から１４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記ウエハの固定が、ウエハ高さより低いガイドピン又は環状ガイド枠を用いウエハを研磨ステージに位置決めして行われることを特徴とする請求項１５に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッド用ウエハから薄膜磁気ヘッドを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜磁気ヘッドの製造技術とは異なる技術分野であるが、２枚のシリコンウエハを誘電体層を介在させて貼り合わせ、一方のシリコンウエハを規定の厚さまで薄くして半導体単結晶膜を形成する際に、シリコンウエハの裏面に付着した多結晶シリコンによりその周縁部が高くなって均一な研削ができなくなることを防止するための技術が存在する（例えば特許文献１）。
【０００３】
この特許文献１に開示されている公知技術では、シリコンウエハの裏面にあらかじめ酸化膜を堆積しておき、研磨や研削に先立ってこの酸化膜の一部を除去することにより裏面に回り込んで付着した多結晶シリコンを除去し裏面を平坦にしている。
【０００４】
半導体ウエハの裏面を処理する他の公知技術として、半導体ウエハの裏面を鏡面仕上げすることによってその裏面が傷付かず、従って削られることによる微細なパーティクルの発生を防止すること（特許文献２）、半導体装置を製造する場合に、表面にうねりが形成されてなるウエハ保持部でウエハ裏面を保持することにより、ウエハ裏面に付着又は発生する塵を低減すること（特許文献３）等が存在する。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−３２６６８５号公報
【特許文献２】特開平７−０５７９８０号公報
【特許文献３】特開平７−３０７３７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、磁気ディスクドライブ装置の小型化及び高精度化に伴い、薄膜磁気ヘッドのウエハプロセスにおいて、微細な精度の高いパターニングを行うことが要求されている。
【０００７】
本願発明者は、このような微細な高精度のパターニングを行ったり、ウエハ面内で均一な成膜及びエッチングを行うためには、パターニングやスパッタリング、エッチング及び／又はめっきプロセス中において、ウエハの裏面に再付着物や汚れが着くことに起因してウエハが傾いて設置されないことが非常に重要であることを見出した。
【０００８】
しかしながら、特許文献１〜３に記載されている従来技術は、いずれも半導体ウエハに関するものであり、さらに、ウエハプロセス内においてウエハ裏面を処理することについて何等示唆していない。
【０００９】
ウエハプロセス中の高精度処理が要求されるフォトプロセスにおいては、現像時にレジスト材料や現像液がウエハ裏面へ回り込んでそこに付着することによって、ステージ上でのウエハの不要な傾きが誘発される。ステージ上でウエハに傾きが生じると、アラインメント精度、露光時のフォーカスずれ及びショット内分布が悪化し、最終的なパターニング精度が悪くなること、及び真空チャック又は静電チャックによるウエハの吸着不良やガス漏れが生じることから歩留りが低下してしまう。
【００１０】
また、ウエハプロセス中のドライプロセスにおいては、スパッタ膜、エッチング成分がウエハ裏面へ回り込んでそこに付着する等によって、ステージ上でウエハが傾き、スパッタ成膜分布、エッチング分布の悪化が生じるのみならず、真空チャック又は静電チャックによるウエハの吸着不良やガス漏れ等を誘発され、これは歩留りを悪化させる要因となる。
【００１１】
さらに、ウエハプロセス中のめっきプロセス、測定プロセス及び搬送時においても、メッキ時の汚れ、ハンドリング時のゴミ、装置内搬送時のウエハ受け渡しに他の物質との接触することによるメタル等がウエハ裏面に付着することによって、同様の不都合が生じ、歩留りが低下してしまう。
【００１２】
従って本発明の目的は、パターニング精度、スパッタ成膜分布及び／又はエッチング分布を向上させ、歩留り改善を可能とする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、真空チャック又は静電チャックにおけるウエハの吸着不良を防止でき、歩留り改善を可能とする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明によれば、ウエハプロセスの途中で、ウエハ裏面をクリーニングするための裏面研磨を少なくとも１回行う薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１５】
ウエハプロセスの前又は後ではなく、ウエハプロセスの途中で裏面研磨を行い、ウエハ裏面をクリーニングしているため、フォトプロセスにおいてはパターニング精度の向上、ドライプロセスにおいてはスパッタ成膜分布の向上及びエッチング分布の向上を図ることができ、さらに、真空チャック又は静電チャックでのウエハ吸着不良を低減できる。従って、薄膜磁気ヘッド製造の歩留りが向上し、安定した量産を期待することができる。
【００１６】
裏面研磨が、ウエハの裏面の平面精度を必要とする工程の直前に行われることが好ましい。
【００１７】
ウエハの裏面の平面精度を必要とする工程が、レジストパターンを形成する際の露光工程を含むことが好ましい。この露光工程が、磁気抵抗効果（ＭＲ）素子のリード導体形成工程におけるレジストパターンを形成する際の露光工程や、インダクティブ素子の磁極形成工程におけるレジストパターンを形成する際の露光工程を含むことがより好ましい。
【００１８】
ウエハの裏面の平面精度を必要とする工程が、ドライエッチング工程を含むことも好ましい。このドライエッチング工程が、ＭＲ素子のリード導体形成工程におけるドライエッチング工程や、インダクティブ素子の磁極形成工程におけるドライエッチング工程を含むことがより好ましい。
【００１９】
ウエハの裏面の平面精度を必要とする工程が、スパッタリング工程を含むこと、めっき工程を含むこと、及び／又は測定工程を含むことも好ましい。
【００２０】
裏面研磨が、高平面精度の回転砥石を用いて行われることも好ましい。この回転砥石が、高平面精度でありかつ多数のエッジを有するアルカンサス砥石であることがより好ましい。
【００２１】
裏面研磨が、高平面精度の研磨シートを用いて行われることも好ましい。
【００２２】
裏面研磨が、ウエハ表面の外周部のみを研磨ステージに吸着固定した後、行われることが好ましい。
【００２３】
このウエハの固定が、ウエハ高さより低いガイドピン又は環状ガイド枠を用いウエハを研磨ステージに位置決めして行われることも好ましい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、フォトプロセスにおいてはパターニング精度の向上、ドライプロセスにおいてはスパッタ成膜分布の向上及びエッチング分布の向上を図ることができ、さらに、真空チャック又は静電チャックでのウエハ吸着不良を低減できる。従って、薄膜磁気ヘッド製造の歩留りが向上し、安定した量産を期待することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１は本発明の一実施形態として、薄膜磁気ヘッドのウエハプロセス中におけるフォトプロセスの流れを概略的に示すフロー図である。
【００２６】
このフォトプロセスにおいては、まず、ウエハ裏面の研磨を行い（ステップＳ１）、これ以前のプロセスや搬送時においてウエハの裏面に付着したコンタミ、汚れ、付着物等を除去してクリーニングする。
【００２７】
図２はウエハ裏面のこの研磨処理に用いる研磨装置の概略的な構成を示す側面図であり、図３はこの研磨装置のウエハ固定部の構成を示す（Ａ）平面図、（Ｂ）側面図である。
【００２８】
これらの図において、２０は研磨処理中は例えば２０ｒｐｍで軸回転するステージ、２１はステージ２０上にその裏面２１ｂが上になるように同軸に固定されたウエハ、２２はウエハ２１の表面２１ａの外周部を吸着して固定するための外周チャック、２２ａは外周チャック２２に設けられたバキューム穴、２３はウエハ２１の固定位置ずれを防止するためのウエハ高さより低い高さの環状ガイド枠、２５は研磨シート２５ａが先端に取付けられた第１の回転研磨ヘッド、２６はアルカンサス砥石２６ａが先端に取付けられた第２の回転研磨ヘッド、２７は溶液ディスペンサをそれぞれ示している。なお、環状ガイド枠２３の代わりに、ウエハ高さより低い高さの複数のガイドピン２４を用いても良い。
【００２９】
外周チャック２２は、ウエハ２１の表面２１ａの外周部、例えば外縁から５ｍｍ以下の周縁部、のみを吸着して固定するように構成されており、また、ステージ２０にはザグリが入っている。このため、裏面研磨時に、ウエハ２１の表面２１ａが他の部材に接触しダメージを受けるような不都合は生じない。
【００３０】
第１の回転研磨ヘッド２５及び第２の回転研磨ヘッド２６は、時計方向、反時計方向に回転可能であると共に、ステージ２０の回転に伴う連れ回り回転可能となっている。第１の回転研磨ヘッド２５の研磨シート２５ａは、例えば、ポリウレタンとポリエステル繊維とからなる研磨クロスである。第２の回転研磨ヘッド２６のアルカンサス砥石２６ａは、平面精度の良好なアルカンサス砥石の表面に直交方向又は他の任意方向の溝を設けるか、小さな溝無しアルカンサス砥石を複数個平面上に固着する等して、多数のエッジを形成したものである。例えば、高平面精度のアルカンサス砥石表面に、幅２．５ｍｍ、深さ２．０ｍｍの溝を５ｍｍピッチでクロスする方向に設ける。アルカンサス砥石の表面形状は、矩形、円形、三角形又は他の多角形であっても良い。溝の方向、従ってエッジの方向も任意である。
【００３１】
研磨方法としては、ステージ２０を回転させ、例えば、揺動ストローク２０ｍｍで揺動して連れ回りする第１の回転研磨ヘッド２５及び第２の回転研磨ヘッド２６を順次ウエハ２１の裏面に押し当てて研磨する。まず、第１の回転研磨ヘッド２５の研磨シート２５ａを荷重をかけながら押し当てて研磨後、第２の回転研磨ヘッド２６のアルカンサス砥石２６ａを同じく荷重をかけながら押し当てて仕上げ研磨する。ステージのみならず、研磨ヘッドも回転させることによって、除去効率が向上する。また、高い表面精度のアルカンサス砥石を用い、エッジで研磨しているので、ウエハ裏面に傷等が付かず、効率の良いクリーニング研磨を行うことができる。その結果、研磨処理時間が短くなり生産効率が向上する。
【００３２】
頑固な付着物がウエハ裏面についている場合等には、純水やこの付着物に対して溶解性を有する溶液を溶液ディスペンサ２７から、ウエハ表面２１ａに回り込まないように適量たらして研磨を行う。ただし、研磨の後、その溶液等は拭き取り除去する。
【００３３】
高平面精度のアルカンサス砥石に代えて、他の高平面精度の砥石、研磨シート又は研磨砥粒を使用し拭き取り乾燥するようにしても良い。
【００３４】
図１のフォトプロセスにおいて、次に、裏面研磨クリーニングしたウエハ２１をレジスト塗布装置に取付け、レジストをウエハ表面２１ａに塗布し（ステップＳ２）、ベーク処理及びクール処理を行う。
【００３５】
この場合、ウエハ裏面２１ｂがクリーニングされているので、レジスト塗布装置にウエハが傾くことなく正しい姿勢でかつ正しい位置に固定されるため、レジストを均一に塗布することができ、さらに、その際に真空チャックでのウエハ吸着不良を低減できる。従って、薄膜磁気ヘッド製造の歩留りが向上し、安定した量産を期待することができる。
【００３６】
このレジスト塗布が終了した後、上述のウエハ裏面研磨処理と同様に、ウエハの裏面研磨を行う（ステップＳ３）。これにより、レジスト塗布工程においてウエハの裏面２１ｂに回り込んだレジストや、搬送時の汚れ等の付着物が除去される。
【００３７】
次いで、ウエハ２１をステッパ即ち露光装置に取付けレジスト層の露光を行い（ステップＳ４）、さらに現像装置において現像を行う（ステップＳ５）。
【００３８】
露光処理直前にウエハ裏面がクリーニングされるので、露光装置にウエハが傾くことなく正しい姿勢でかつ正しい位置に固定される。このため、アラインメント精度、フォーカス精度、ショット内分布精度を正しく維持することが可能となってパターニング精度低下を防止でき、さらに、その際に真空チャックでのウエハ吸着不良を低減できる。従って、薄膜磁気ヘッド製造の歩留りが向上し、安定した量産を期待することができる。
【００３９】
この現像が終了した後、前述のウエハ裏面研磨処理と同様に、ウエハの裏面研磨を行う（ステップＳ６）ことにより、現像工程においてウエハの裏面に回り込んだ溶解したレジスト及び現像液等の汚れ、付着物を除去してクリーニングする。
【００４０】
次いで、他のプロセス、例えばドライプロセス、めっきプロセス、測定プロセス等へ進む（ステップＳ７）。
【００４１】
図４は本発明の他の実施形態として、薄膜磁気ヘッドのウエハプロセス中におけるドライプロセスの流れを概略的に示すフロー図である。
【００４２】
このドライプロセスにおいては、まず、ウエハ裏面の研磨を行い（ステップＳ１１）、これ以前のプロセスや搬送時においてウエハの裏面に付着したコンタミ、汚れ、付着物等を除去してクリーニングする。
【００４３】
この研磨処理の内容は、前述したウエハ裏面研磨処理と同様である。
【００４４】
次いで、ウエハ２１をスパッタ装置に取付けてスパッタリングを行うか、ドライエッチング装置に取付けてドライエッチングを行う（ステップＳ１２）。なお、ドライエッチング処理とは、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）や、イオンミリング等の処理を含んでいる。
【００４５】
スパッタリング又はドライエッチング処理直前にウエハ裏面がクリーニングされるので、これら装置にウエハが傾くことなく正しい姿勢でかつ正しい位置に固定される。このため、スパッタ成膜分布又はドライエッチング分布の悪化を防止でき、さらに、その際に静電チャックでのウエハ吸着不良を低減できる。従って、薄膜磁気ヘッド製造の歩留りが向上し、安定した量産を期待することができる。
【００４６】
このスパッタリング又はドライエッチングが終了した後、前述のウエハ裏面研磨処理と同様に、ウエハの裏面研磨を行う（ステップＳ１３）ことにより、これら工程においてウエハの裏面に回り込んだスパッタ膜や又はエッチング再付着物等の汚れ、付着物を除去してクリーニングする。
【００４７】
次いで、他のプロセス、例えばフォトプロセス、めっきプロセス、測定プロセス等へ進む（ステップＳ１４）。
【００４８】
図５は本発明のさらに他の実施形態として、薄膜磁気ヘッドのウエハプロセス中におけるめっきプロセスの流れを概略的に示すフロー図である。
【００４９】
このめっきプロセスにおいては、まず、ウエハ裏面の研磨を行い（ステップＳ２１）、これ以前のプロセスや搬送時においてウエハの裏面に付着したコンタミ、汚れ、付着物等を除去してクリーニングする。
【００５０】
この研磨処理の内容は、前述したウエハ裏面研磨処理と同様である。
【００５１】
次いで、ウエハ２１をめっき装置に取付けてめっきを行う（ステップＳ２２）。
【００５２】
めっき処理直前にウエハ裏面がクリーニングされるので、めっき装置にウエハが傾くことなく正しい姿勢でかつ正しい位置に固定される。めっき処理においては、ウエハ自体が電極として作用することから、ウエハの傾きなどが除去されることにより、めっき成膜分布の悪化を防止できる。さらに、その際に真空チャックでのウエハ吸着不良を低減できる。従って、薄膜磁気ヘッド製造の歩留りが向上し、安定した量産を期待することができる。
【００５３】
このめっき処理が終了した後、前述のウエハ裏面研磨処理と同様に、ウエハの裏面研磨を行う（ステップＳ２３）ことにより、この工程においてウエハの裏面に回り込んだめっき液等の汚れ、付着物を除去してクリーニングする。
【００５４】
次いで、他のプロセス、例えばドライプロセス、フォトプロセス、測定プロセス等へ進む（ステップＳ２４）。
【００５５】
図６は本発明のまたさらに他の実施形態として、薄膜磁気ヘッドのウエハプロセス中における測定プロセスの流れを概略的に示すフロー図である。
【００５６】
この測定プロセスにおいては、まず、ウエハ裏面の研磨を行い（ステップＳ３１）、これ以前のプロセスや搬送時においてウエハの裏面に付着したコンタミ、汚れ、付着物等を除去してクリーニングする。
【００５７】
この研磨処理の内容は、前述したウエハ裏面研磨処理と同様である。
【００５８】
次いで、ウエハ２１を測定装置に取付けて測定を行う（ステップＳ３２）。
【００５９】
測定処理直前にウエハ裏面がクリーニングされるので、測定装置にウエハが傾くことなく正しい姿勢でかつ正しい位置に固定される。このため、精度の高い測定を行うことができ、さらに、その際に真空チャックでのウエハ吸着不良を低減できる。従って、薄膜磁気ヘッド製造の歩留りが向上し、安定した量産を期待することができる。
【００６０】
次いで、他のプロセス、例えばドライプロセス、フォトプロセス、めっきプロセス等へ進む（ステップＳ３３）。
【００６１】
図７は本発明を具体的に適用した一例として、薄膜磁気ヘッドのウエハプロセスの一部を説明するフロー図であり、図８は図７の第１のリード導体の形成工程における層構造を概略的に示す断面図であり、図９は図７の書込み磁極の形成工程における層構造を概略的に示す断面図である。
【００６２】
まず、Ａｌ−ＴｉＣ等によるウエハ基板８０上にＡｌ２Ｏ３等をスパッタリングで成膜して絶縁層８１を形成し、その上に下部シールド層８２を成膜する（ステップＳ７１）。下部シールド層８２上にＡｌ２Ｏ３等をスパッタリングで成膜して平坦化し、下部シールドギャップ層８３を形成する（ステップＳ７２）。
【００６３】
次いで、その上にスピンバルブＭＲ多層膜８４を成膜し（ステップＳ７３）、さらにハードマグ層を形成し（ステップＳ７４）、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁層をリフィルする（ステップＳ７５）。
【００６４】
その後、この上に第１のリード導体を形成する（ステップＳ７６）。以下、この第１のリード導体を形成する工程について詳細に説明する。
【００６５】
まず、スピンバルブＭＲ多層膜８４、ハードマグ層及び絶縁層上にＣｕ及びＡｕをスパッタリングして第１のリード導体膜８５を成膜する（ステップＳ７６１）。図８（Ａ）にはこの状態の層構造が示されている。
【００６６】
次いで、リード幅を決めるためのフォトプロセスを行う（ステップＳ７６２）。まず、ウエハ裏面の研磨を行って裏面のクリーニングを行った後、図８（Ｂ）に示すように第１のリード導体膜８５上にレジスト膜８６を塗布する。次いで、図８（Ｃ）に示すように、ウエハ裏面の研磨を行って裏面のクリーニングを行った後、そのウエハを露光装置に取付けて露光を行い、さらに現像装置により現像を行って、図８（Ｄ）に示すようなレジストパターン８６′を得る。
【００６７】
次いで、図８（Ｅ）に示すように、その上からＴａをスパッタリングして、Ｔａ層８７を成膜する（ステップＳ７６３）。
【００６８】
次いで、図８（Ｆ）に示すように、リフトオフによりレジストパターン８６′を除去してＴａマスク８７′を形成する（ステップＳ７６４）。
【００６９】
このリフトオフ工程の後、ウエハ裏面の研磨を行って裏面のクリーニングを行う。
【００７０】
その後、ＲＩＥを行って第１のリード導体膜８５をパターニングし、リード幅を形成してＭＲトラック幅（ＭＲＴ）を決定する（ステップＳ７６５）。
【００７１】
次いで、第２のリード導体を形成し（ステップＳ７７）、Ａｌ２Ｏ３等をスパッタリングで成膜して上部シールドギャップ層８８を形成し（ステップＳ７８）、その上に上部シールド層８９を成膜する（ステップＳ７９）。
【００７２】
次いで、その上にＡｌ２Ｏ３等をスパッタリングで成膜して絶縁層９０を形成し（ステップＳ８０）、その上に下部ヨーク層９１となる磁性層を成膜する（ステップＳ８１）。
【００７３】
次いで、その上に飽和磁束密度（Ｂｓ）の高い磁性層９２を成膜し（ステップＳ８２）、さらにその上にＡｌ２Ｏ３等をスパッタリングで書込みギャップ層９３を成膜する（ステップＳ８３）。
【００７４】
次いで、その上に第１のコイル導体層を形成し（ステップＳ８４）、さらにレジスト材料等によってコイル絶縁層を形成する（ステップＳ８５）。
【００７５】
その後、この上に書込み磁極の形成を行う（ステップＳ８６）。以下、この書込み磁極を形成する工程について詳細に説明する。
【００７６】
最初に、書込み磁極のフレームフォトプロセスを行う（ステップＳ８６１）。まず、ウエハ裏面の研磨を行って裏面のクリーニングを行った後、図９（Ａ）に示すように書込みギャップ層９３上にレジスト膜９４を塗布する。次いで、図９（Ｂ）に示すように、ウエハ裏面の研磨を行って裏面のクリーニングを行った後、そのウエハを露光装置に取付けて露光を行い、さらに現像装置により現像を行って、図９（Ｃ）に示すようなレジストパターン９４′を得る。
【００７７】
次いで、図９（Ｄ）に示すように、レジストパターン９４′をフレームマスクとして用いて上部磁極９５をめっき形成した後、このレジストパターン９４′を剥離する（ステップＳ８６２）。
【００７８】
このめっき工程の後、ウエハ裏面の研磨を行って裏面のクリーニングを行う。
【００７９】
その後、図９（Ｅ）に示すように、上部磁極９５をマスクとし、ＲＩＥを行って書込みギャップ９３′を形成する（ステップＳ８６３）。
【００８０】
次いで、図９（Ｆ）に示すように、高飽和磁束密度磁性層９２及び下部ヨーク層９１のトリミングを行って、下部磁極９２′及び下部ヨーク９１′を成形する（ステップＳ８６４）。
【００８１】
次いで、第２のコイル導体層を形成し（ステップＳ８８）、さらにレジスト材料等によってコイル絶縁層を形成する（ステップＳ８９）。
【００８２】
その後、上部ヨーク層の形成（ステップＳ９０）、バンプの形成（ステップＳ９１）、オーバーコート層の形成（ステップＳ９２）、及びオーバーコート層からのバンプ出し研磨（ステップＳ９３）等を順次行ってウエハプロセスを終了する。
【００８３】
以上述べたように、薄膜磁気ヘッドのウエハプロセスのこの具体的例では、寸法精度が厳しいリード幅を決めるためのフォトプロセスにおける露光工程の直前及びＲＩＥの直前、書込み磁極のフォトプロセスにおける露光工程の直前及びＲＩＥの直前にウエハ裏面研磨クリーニングを行っているため、ウエハを各装置に精度良く装着することができる。従って、パターニング精度の向上及びエッチング分布の向上を図ることができ、さらに、静電チャックでのウエハ吸着不良を低減できるので、薄膜磁気ヘッド製造の歩留りが向上し、安定した量産を期待することができる。
【００８４】
なお、その他のフォトプロセスにおける露光工程の直前にもウエハ裏面研磨クリーニングを行うことが望ましい。
【００８５】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の一実施形態として、薄膜磁気ヘッドのウエハプロセス中におけるフォトプロセスの流れを概略的に示すフロー図である。
【図２】ウエハ裏面の研磨処理に用いる研磨装置の概略的な構成を示す側面図である。
【図３】図２の研磨装置のウエハ固定部の構成を示す平面図及び側面図である。
【図４】本発明の他の実施形態として、薄膜磁気ヘッドのウエハプロセス中におけるドライプロセスの流れを概略的に示すフロー図である。
【図５】本発明のさらに他の実施形態として、薄膜磁気ヘッドのウエハプロセス中におけるめっきプロセスの流れを概略的に示すフロー図である。
【図６】本発明のまたさらに他の実施形態として、薄膜磁気ヘッドのウエハプロセス中における測定プロセスの流れを概略的に示すフロー図である。
【図７】本発明を具体的に適用した一例として、薄膜磁気ヘッドのウエハプロセスの一部を説明するフロー図である。
【図８】図７の第１のリード導体の形成工程における層構造を概略的に示す断面図である。
【図９】図７の書込み磁極の形成工程における層構造を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００８７】
２０  ステージ
２１  ウエハ
２１ａ  ウエハ表面
２１ｂ  ウエハ裏面
２２  外周チャック
２２ａ  バキューム穴
２３  環状ガイド枠
２４  ガイドピン
２５  第１の回転ヘッド
２５ａ  研磨シート
２６  第２の回転ヘッド
２６ａ  アルカンサス砥石
２７  溶液ディスペンサ
８０  ウエハ基板
８１、９０  絶縁層
８２  下部シールド層
８３  下部シールドギャップ層
８４  スピンバルブＭＲ多層膜８４
８５  第１のリード導体膜
８６、９４  レジスト膜
８６′、９４′  レジストパターン
８７  Ｔａ層
８７′Ｔａマスク
８８  上部シールドギャップ層
８９  上部シールド層
９１  下部ヨーク層
９１′  下部ヨーク
９２  高飽和磁束密度磁性層
９２′  下部磁極
９３  書込みギャップ層
９３′  書込みギャップ
９５  上部磁極
【図１】
2005353229.tif 000003
【図２】
2005353229.tif 000004
【図３】
2005353229.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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