(57)【要約】【課題】  ライジングサン方式等の設計方式やフィルタの装着を行うことなく、マグネトロンのスプリアスを抑制する。【解決手段】  マグネトロン１のスプリアス抑制装置１８では、陽極円筒２と陽極ベイン４により構成される陽極空洞（共振器）６の内の１つである第一出力用陽極空洞６ａから出力部７ａを介して第一出力を取り出す。また、第一出力用陽極空洞６ａと対称位置にある陽極空洞である第二出力用陽極空洞６ｂから出力部７ｂを介して第二出力を取り出す。そして、合成器１２において、第一出力と、移相器１１で位相を反転した第二出力と、を合成して、マグネトロン１の出力信号とする。【選択図】      図１
2005353351.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極円筒と、当該陽極円筒の中央に配置されたカソードと、当該陽極円筒から当該カソード方向に放射状に設けられ、当該陽極円筒とともに複数の陽極空洞を構成する偶数個の陽極ベインと、から構成されるマグネトロンのスプリアス抑制方法において、
前記複数の陽極空洞のうちπモード及びπ−１モードのいずれかが位相が同じ及び逆の関係となる二つの陽極空洞から二つの出力を取り出し、
前記二つの出力がπモードでは同位相となり、且つ、π−１モードでは逆位相となるようにして、前記二つの出力を合成することを特徴とするマグネトロンのスプリアス抑制方法。
【請求項２】
前記二つの陽極空洞からの前記二つの出力は、前記複数の陽極空洞のうちの一つである第一出力用陽極空洞から第一出力と、前記第一出力用陽極空洞と対称位置にある第二出力用陽極空洞から第二出力であり、
前記二つの出力の合成は、前記第一出力と、位相を反転させた前記第二出力と、を合成することを特徴とする請求項１に記載のマグネトロンのスプリアス抑制方法。
【請求項３】
前記二つの陽極空洞からの前記二つの出力は、前記複数の陽極空洞のうちの一つである第一出力用陽極空洞から第一出力と、前記第一出力用陽極空洞と対称位置にある陽極空洞に隣接する陽極空洞のいずれか一方の第二出力用陽極空洞から第二出力であり、
前記二つの出力の合成は、前記第一出力と、前記第二出力と、を合成することを特徴とする請求項１に記載のマグネトロンのスプリアス抑制方法。
【請求項４】
陽極円筒と、当該陽極円筒の中央に配置されたカソードと、当該陽極円筒から当該カソード方向に放射状に設けられ、当該陽極円筒とともに複数の陽極空洞を構成する偶数個の陽極ベインと、から構成されるマグネトロンのスプリアス抑制装置において、
前記複数の陽極空洞のうちπモード及びπ−１モードのいずれかが位相が同じ及び逆の関係となる二つの陽極空洞から二つの出力を取り出す手段と、
前記二つの出力がπモードでは同位相となり、且つ、π−１モードでは逆位相となるようにして、前記二つの出力を合成する手段と、
を有することを特徴とするマグネトロンのスプリアス抑制装置。
【請求項５】
前記二つの陽極空洞からの前記二つの出力は、前記複数の陽極空洞のうちの一つである第一出力用陽極空洞から第一出力と、前記第一出力用陽極空洞と対称位置にある第二出力用陽極空洞から第二出力であり、
前記二つの出力の合成は、前記第一出力と、位相を反転させた前記第二出力と、を合成することを特徴とする請求項４に記載のマグネトロンのスプリアス抑制装置。
【請求項６】
前記二つの陽極空洞からの前記二つの出力は、前記複数の陽極空洞のうちの一つである第一出力用陽極空洞から第一出力と、前記第一出力用陽極空洞と対称位置にある陽極空洞に隣接する陽極空洞のいずれか一方の第二出力用陽極空洞から第二出力であり、
前記二つの出力の合成は、前記第一出力と、前記第二出力と、を合成することを特徴とする請求項４に記載のマグネトロンのスプリアス抑制装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネトロンのスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置に関し、特に、レーダ装置のマイクロ波共振器として用いられるマグネトロンのスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、レーダ装置において、マイクロ波共振器としてマグネトロンが多く使用されている。そして、このマグネトロン等のマイクロ波共振器は、近年、スプリアス放射の規制が厳しくなっており、スプリアス放射の抑制が求められている。即ち、通常用いられるストラップ型のマグネトロンの場合、正常な主発振モードであるπモード以外に多くの共振モードを有している。マグネトロンが放射するスプリアス成分で最大の共振モードは、π−１モードであり、特にこのπ−１モードの外部への漏洩を抑制する必要がある。
【０００３】
そこで、ライジングサン方式等の設計方式によりスプリアスを生じにくくしたマグネトロンをレーダ装置に用いる技術がある。また、スプリアス成分のπ−１モードを通過しないような各種フィルタ（帯域通過フィルタ、帯域阻止フィルタ等）をレーダ装置に設けることによりスプリアスを抑制する技術がある（特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３５３９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、レーダ装置にライジングサン方式等の設計方式によりスプリアスを生じにくくしたマグネトロンを用いた従来の技術は、周波数の調整が困難であるという問題がある。
【０００６】
一方、レーダ装置に各種フィルタを設けることによりスプリアスを抑制した従来の技術は、レーダ装置内にフィルタを取り付ける必要があることから、小型で軽量に設計することが要求されているレーダ装置においては、配置が困難であるという問題がある。また、当該フィルタは、πモードを通過させつつπ−１モードのスプリアス成分を通過させる必要があるため、加工精度を高くする必要があり、コストが高くなるという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、ライジングサン方式等の設計方式やフィルタの装着を行うことなくスプリアスを抑制することができるマグネトロンのスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段及び効果】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係るマグネトロンのスプリアス抑制方法は、陽極円筒と、当該陽極円筒の中央に配置されたカソードと、当該陽極円筒から当該カソード方向に放射状に設けられ、当該陽極円筒とともに複数の陽極空洞を構成する偶数個の陽極ベインと、から構成されるマグネトロンのスプリアス抑制方法において、前記複数の陽極空洞のうちπモード及びπ−１モードのいずれかが位相が同じ及び逆の関係となる二つの陽極空洞から二つの出力を取り出し、前記二つの出力がπモードでは同位相となり、且つ、π−１モードでは逆位相となるようにして、前記二つの出力を合成することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係るマグネトロンのスプリアス抑制装置は、陽極円筒と、当該陽極円筒の中央に配置されたカソードと、当該陽極円筒から当該カソード方向に放射状に設けられ、当該陽極円筒とともに複数の陽極空洞を構成する偶数個の陽極ベインと、から構成されるマグネトロンのスプリアス抑制装置において、前記複数の陽極空洞のうちπモード及びπ−１モードのいずれかが位相が同じ及び逆の関係となる二つの陽極空洞から二つの出力を取り出す手段と、前記二つの出力がπモードでは同位相となり、且つ、π−１モードでは逆位相となるようにして、前記二つの出力を合成する手段と、を有することを特徴とする。
【００１０】
これによると、πモードとπ−１モードでの共振では、二つの出力が逆位相か同位相のいずれかで共振しており、πモードでは二つの出力を同位相として合成しており出力が足し算になるが、π−１モードでは二つの出力を逆位相として合成しており出力が引き算になるため、π−１モードの出力を抑圧して、スプリアスを抑制することができる。
【００１１】
また、前記二つの陽極空洞からの前記二つの出力は、前記複数の陽極空洞のうちの一つである第一出力用陽極空洞から第一出力と、前記第一出力用陽極空洞と対称位置にある第二出力用陽極空洞から第二出力であり、前記二つの出力の合成は、前記第一出力と、位相を反転させた前記第二出力と、を合成してよい。
【００１２】
これによると、πモードでの共振では第二出力は第一出力と逆位相で共振し、π−１モードでの共振では第二出力は第一出力と同位相で共振しており、第一出力と位相を反転させた第二出力とを合成することにより、πモードでは第一出力と第二出力の合成は足し算になるが、π−１モードでは第一出力と第二出力の合成が引き算になるため、π−１モードの出力を抑圧して、スプリアスを抑制することができる。
【００１３】
また、前記二つの陽極空洞からの前記二つの出力は、前記複数の陽極空洞のうちの一つである第一出力用陽極空洞から第一出力と、前記第一出力用陽極空洞と対称位置にある陽極空洞に隣接する陽極空洞のいずれか一方の第二出力用陽極空洞から第二出力であり、前記二つの出力の合成は、前記第一出力と、前記第二出力と、を合成してよい。
【００１４】
これによると、πモードでの共振では第二出力は第一出力と同位相で共振し、π−１モードでの共振では第二出力は第一出力と逆位相で共振しており、第一出力と第二出力とを合成することにより、πモードでは第一出力と第二出力の合成は足し算になるが、π−１モードでは第一出力と第二出力の合成が引き算になるため、π−１モードの出力を抑圧して、スプリアスを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照しつつ、本発明に係るマグネトロンのスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を実施するための最良の形態について、具体的な一例に即して説明する。
【００１６】
まず、第一の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンについて、図１に基づいて説明する。図１は、第一の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンの内部構造を示す図である。
【００１７】
図１に示すように、マグネトロン１は、陽極円筒２と、陽極円筒２の中央に配置されたカソード３と、陽極円筒２からカソード３方向に放射状に設けられ、円周方向に１０°の等間隔で配置された１８個の陽極ベイン４と、ストラップ５を有する。また、マグネトロン１では、陽極円筒２と陽極ベイン４により、共振器である１８個の陽極空洞６が構成される。
【００１８】
そして、マグネトロン１の１８個の陽極空洞６の内の１つが第一出力用陽極空洞６ａであり、出力部７ａを通して図示しない導波管と接続されており、アンテナリード８ａを介して電波を第一出力として取り出す。また、マグネトロン１の１８個の陽極空洞６の内の第一出力用陽極空洞６ａと対称位置にある陽極空洞が第二出力用陽極空洞６ｂであり、出力部７ｂを通して図示しない導波管と接続されており、アンテナリード８ｂを介して電波を第二出力として取り出す。
【００１９】
そして、第一の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンを用いたレーダ装置の一例について、図２に基づいて説明する。図２は、第一の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンを用いたレーダ装置の送受信部を示すブロック図である。
【００２０】
図２に示すように、レーダ装置１０は、発振器としてのマグネトロン１と、移相器１１と、合成器１２と、サーキュレータ１３と、アンテナ１４と、リミッタ１５と、ダウンコンバータ（Ｄ／Ｃ）１６と、変調器１７と、から構成される。尚、マグネトロン１のスプリアス抑制装置１８は、マグネトロン１の出力部７ａ及び７ｂと、移相器１１と、合成器１２とから構成される。
【００２１】
移相器１１は、第二出力用陽極空洞６ｂからの第二出力の位相を反転させて、合成器１２に入力する。合成器１２は、例えば、導波管の合成器であり、第一出力用陽極空洞６ａからの第一出力と、移相器１１において位相が反転された第二出力用陽極空洞６ｂからの第二出力と、を合成して、マグネトロン１からの送信信号としてサーキュレータ１３に入力する。
【００２２】
サーキュレータ１３は、合成器１２から入力されたマグネトロン１からの送信信号をアンテナ１４側に伝搬し、アンテナ１４から受信信号をリミッタ１５に伝搬する。アンテナ１４は、電波の送波及び受波を行う。リミッタ１５は、送信信号の後段への伝搬を阻止する。ダウンコンバータ１６は、受信信号を中間周波信号ＩＦへ変換する。
【００２３】
変調器１７は、マグネトロン１の陰極であるカソード３に接続されており、トリガ信号を入力して、マグネトロン１に対して入力パルスを与える。これによりマグネトロン１は、パルス状電波を出力する。
【００２４】
ここで、第一の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンにおける共振モードについて、図３及び図４に基づいて説明する。図３は、πモードでのマグネトロン内部の高周波電界を示す図である。図４は、πモードでのマグネトロン内部の高周波電界を示す図である。尚、図３及び図４では、図１に示すマグネトロン１の構造を一部省略し簡略化して記載している。
【００２５】
図３及び図４に示すように、自転車のスポーク状の電子群９が、πモードでは９本作られるのに対し、π−１モードでは８本作られる。
図３に示すように、πモードでは、陽極空洞６にそれぞれ同一の周波数で位相の異なる高周波電界が加わり、隣り合う二つの陽極空洞６間の位相が１８０度である。従って、ある時刻で、第一出力用陽極空洞６ａの電気力線の向きが減速電界の場合、その両隣の陽極空洞の電気力線の向きは加速電界となり、更にその外側の陽極空洞の電気力線の向きは減速電界となる。そして、第一出力用陽極空洞６ａの対称位置にある第二出力用陽極空洞６ｂの電気力線の向きは、加速電界となる。即ち、第一出力用陽極空洞６ａと第二出力用陽極空洞６ｂは逆位相で共振する。
一方、図４に示すように、π−１モードでは、πモードのように陽極空洞６にそれぞれ同一の周波数で位相の異なる高周波電界が加わらず、隣り合う二つの陽極空洞６間の位相が１８０度とならない。従って、ある時刻で、第一出力用陽極空洞６ａの電気力線の向きが減速電界の場合、第一出力用陽極空洞６ａの対称位置にある第二出力用陽極空洞６ｂの電気力線の向きは、減速電界となる。即ち、第一出力用陽極空洞６ａと第二出力用陽極空洞６ｂは同位相で共振する。
【００２６】
従って、移相器１１において第二出力用陽極空洞６ｂからの第二出力の位相を反転させることにより、πモードでは第一出力用陽極空洞６ａからの第一出力が同位相となり、π−１モードでは第一出力用陽極空洞６ａからの第一出力が逆位相となる。そして、合成器１２において、位相を反転させた第二出力と第一出力とを合成することにより、πモードでは同位相の足し算となり、π−１モードでは逆位相の引き算となり、π−１モードの出力を抑圧することができる。
【００２７】
このように、第一の実施形態に係るマグネトロン１のスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置１８によれば、πモードでの共振では第二出力用陽極空洞６ｂからの第二出力は第一出力用陽極空洞６ａからの第一出力と逆位相で共振し、π−１モードでの共振では第二出力用陽極空洞６ｂからの第二出力は第一出力用陽極空洞６ａからの第一出力と同位相で共振している。
従って、合成器１２において、第一出力と、移相器１１で位相を反転させた第二出力とを合成することにより、πモードでは第一出力と第二出力の合成は足し算になるが、π−１モードでは第一出力と第二出力の合成が引き算になるため、π−１モードの出力を抑圧して、スプリアスを抑制することができる。
【００２８】
次に、第二の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンについて、図５に基づいて説明する。図５は、第二の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンの内部構造を示す図である。尚、第一の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンと同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００２９】
図５に示すように、マグネトロン１０１は、陽極円筒２と、陽極円筒２の中央に配置されたカソード３と、陽極円筒２からカソード３方向に放射状に設けられ、円周方向に１０°の等間隔で配置された１８個の陽極ベイン４と、ストラップ５を有する。また、マグネトロン１０１では、陽極円筒２と陽極ベイン４により、共振器である１８個の陽極空洞６が構成される。
【００３０】
そして、マグネトロン１０１の１８個の陽極空洞６の内の１つが第一出力用陽極空洞６ａであり、出力部７ａを通して図示しない導波管と接続されており、アンテナリード８ａを介して電波を第一出力として取り出す。また、マグネトロン１０１の１８個の陽極空洞６の内の第一出力用陽極空洞６ａと対称位置にある陽極空洞の隣にある陽極空洞が第二出力用陽極空洞６ｃであり、出力部７ｃを通して図示しない導波管と接続されており、アンテナリード８ｃを介して電波を第二出力として取り出す。尚、第二出力用陽極空洞６ｃは、第一出力用陽極空洞６ａと対称位置にある陽極空洞６に隣接する陽極空洞６のいずれか一方であればよく、図５に示す陽極空洞６に限定するものではない。
【００３１】
そして、第二の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンを用いたレーダ装置の一例について、図６に基づいて説明する。図６は、第二の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンを用いたレーダ装置の送受信部を示すブロック図である。尚、第一の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンを用いたレーダ装置と同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００３２】
図６に示すように、レーダ装置１１０は、発振器としてのマグネトロン１０１と、合成器１１２と、サーキュレータ１３と、アンテナ１４と、リミッタ１５と、ダウンコンバータ１６と、変調器１７と、から構成される。尚、マグネトロン１のスプリアス抑制装置１１８は、マグネトロン１０１の出力部７ａ及び７ｃと、合成器１１２とから構成される。
【００３３】
合成器１１２は、例えば、導波管の合成器であり、第一出力用陽極空洞６ａからの第一出力と、第二出力用陽極空洞６ｃからの第二出力と、を合成して、マグネトロン１０１からの送信信号としてサーキュレータ１３に入力する。
【００３４】
ここで、第二の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンにおける共振モードについて、図７及び図８に基づいて説明する。図７は、πモードでのマグネトロン内部の高周波電界を示す図である。図８は、πモードでのマグネトロン内部の高周波電界を示す図である。尚、図７及び図８では、図５に示すマグネトロン１の構造を一部省略し簡略化して記載している。
【００３５】
図７及び図８に示すように、自転車のスポーク状の電子群９が、πモードでは９本作られるのに対し、π−１モードでは８本作られる。
図７に示すように、πモードでは、陽極空洞６にそれぞれ同一の周波数で位相の異なる高周波電界が加わり、隣り合う二つの陽極空洞６間の位相が１８０度である。従って、ある時刻で、第一出力用陽極空洞６ａの電気力線の向きが減速電界の場合、その両隣の陽極空洞の電気力線の向きは加速電界となり、更にその外側の陽極空洞の電気力線の向きは減速電界となる。そして、第一出力用陽極空洞６ａの対称位置にある陽極空洞の隣の第二出力用陽極空洞６ｃの電気力線の向きは、減速電界となる。即ち、第一出力用陽極空洞６ａと第二出力用陽極空洞６ｂは同位相で共振する。
一方、図８に示すように、π−１モードでは、πモードのように陽極空洞６にそれぞれ同一の周波数で位相の異なる高周波電界が加わらず、隣り合う二つの陽極空洞６間の位相が１８０度とならない。従って、ある時刻で、第一出力用陽極空洞６ａの電気力線の向きが減速電界の場合、第一出力用陽極空洞６ａの対称位置にある陽極空洞の隣の第二出力用陽極空洞６ｃの電気力線の向きは、加速電界となる。即ち、第一出力用陽極空洞６ａと第二出力用陽極空洞６ｂは逆位相で共振する。
【００３６】
従って、合成器１２において、第一出力用陽極空洞６ａからの第一出力と第二出力用陽極空洞６ｃからの第二出力とを合成することにより、πモードでは同位相の足し算となり、π−１モードでは逆位相の引き算となり、π−１モードの出力を抑圧することができる。
【００３７】
このように、第二の実施形態に係るマグネトロン１０１のスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置１１８によれば、πモードでの共振では第二出力用陽極空洞６ｃからの第二出力は第一出力用陽極空洞６ａからの第一出力と同位相で共振し、π−１モードでの共振では第二出力用陽極空洞６ｃからの第二出力は第一出力用陽極空洞６ａからの第一出力と逆位相で共振している。
従って、合成器１２において、第一出力と第二出力とを合成することにより、πモードでは第一出力と第二出力の合成は足し算になるが、π−１モードでは第一出力と第二出力の合成が引き算になるため、π−１モードの出力を抑圧して、スプリアスを抑制することができる。
【００３８】
以上、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいてさまざまな変更が可能なものである。
【００３９】
上述の第一の実施の形態及び第二の実施の形態では、マグネトロン１、１０１は、円周方向に１０°の等間隔で配置された１８個の陽極ベイン４により１８個の陽極空洞６が構成されるがそれに限らない。必ずしも１８個である必要はなく、複数（但し、偶数個）の陽極ベインにより陽極空洞が構成されていれば良い。
【００４０】
上述の第一の実施の形態では、マグネトロン１の第二出力用陽極空洞６ｂからの第二出力について、出力部７ｂからまず導波管に変換した後に、マグネトロン１外の移相器１１において位相を反転させているが、それに限らない。例えば、マグネトロン１内の出力部７ｂにおいて位相を反転させても良い。
【００４１】
上述の第二の実施の形態では、マグネトロン１０１の第一出力用陽極空洞６ａからの第一出力と第二出力用陽極空洞６ｃからの第二出力とを、それぞれ出力部７ａ，７ｃからまず導波管に変換した後に、合成器１２において合成しているが、それに限らない。例えば、マグネトロン１０１外にキャビティを用意して、第一出力用陽極空洞６ａからの第一出力と第二出力用陽極空洞６ｃからの第二出力をキャビティに注入するようにしても良い。
【００４２】
更に、上述の第一の実施の形態及び第二の実施の形態では、合成器１２、１１２は、マグネトロン１、１０１外の回路に設けられているが、それに限らない。例えば、マグネトロン１内に合成器１２、１１２を設けても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】第一の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンの内部構造を示す図である。
【図２】第一の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンを用いたレーダ装置の送受信部を示すブロック図である。
【図３】第一の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンにおける共振モード（πモード）でのマグネトロン内部の高周波電界を示す図である。
【図４】第一の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンにおける共振モード（π−１モード）でのマグネトロン内部の高周波電界を示す図である。
【図５】第二の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンの内部構造を示す図である。
【図６】第二の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンを用いたレーダ装置の送受信部を示すブロック図である。
【図７】第二の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンにおける共振モード（πモード）でのマグネトロン内部の高周波電界を示す図である。
【図８】第二の実施の形態に係るスプリアス抑制方法及びスプリアス抑制装置を適用するマグネトロンにおける共振モード（π−１モード）でのマグネトロン内部の高周波電界を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１      マグネトロン
２      陽極円筒
３      カソード
４      陽極ベイン
６      陽極空洞
６ａ    第一出力用陽極空洞
６ｂ    第二出力用陽極空洞
６ｃ    第二出力用陽極空洞
７ａ    出力部
７ｂ    出力部
７ｃ    出力部
１０    レーダ装置
１１    移相器
１２    合成器
１８    スプリアス抑制装置
１０１  マグネトロン
１１０  レーダ装置
１１２  合成器
１１８  スプリアス抑制装置
【図１】
2005353351.tif 000003
【図２】
2005353351.tif 000004
【図３】
2005353351.tif 000005
【図４】
2005353351.tif 000006
【図５】
2005353351.tif 000007
【図６】
2005353351.tif 000008
【図７】
2005353351.tif 000009
【図８】
2005353351.tif 000010