(57)【要約】【課題】金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ材料の設置による放電開始電圧低下の効果が、長時間使用によりなくなってしまうこと。【解決手段】保護膜中に、金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ材料の層を斜めに積層することにより、長時間使用により保護膜表面が削れても、金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ材料が常に表出するので、放電開始電圧低下の効果を維持できる。【選択図】図１
2005135828.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対を成して平行に配設された第１と第２の電極と、前記第１、第２の電極上を覆う第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層上を覆う酸化マグネシウムを含む保護膜が形成された第１のパネルと、前記第１、第２の電極と交差するように配設された第３の電極と、前記第３の電極上を覆う第２の誘電体層と、前記第２の誘電体層上を被覆する蛍光体層が形成された第２のパネルとを互いに電極面が相対するように配置して備え、前記第１、第３の電極に印加する電圧を操作してアドレス放電して、セル点灯を行うか否かを制御し、セル点灯時には第１、第２の電極間に形成された放電空間内に放電を生じさせ、放電に伴って発生する紫外線を前記蛍光体層によって可視光に変換するプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記保護膜が、酸化マグネシウムの層と金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁体材料もしくは半導体材料からなる層の積層となっており、
前記の金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁体材料もしくは半導体材料からなる層が、誘電体層と保護膜層の界面に対して０．１度以上の角度をつけて形成され、
各放電セルの前記保護膜表面の一部に金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁体材料もしくは半導体材料からなる領域が少なくとも１箇所存在することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
対を成して平行に配設された第１と第２の電極と、前記第１、第２の電極上を覆う第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層上を覆う酸化マグネシウムを含む保護膜が形成された第１のパネルと、前記第１、第２の電極と交差するように配設された第３の電極と、前記第３の電極上を覆う第２の誘電体層と、前記第２の誘電体層上を被覆する蛍光体層が形成された第２のパネルとを互いに電極面が相対するように配置して備え、前記第１、第３の電極に印加する電圧を操作してアドレス放電して、セル点灯を行うか否かを制御し、セル点灯時には第１、第２の電極間に形成された放電空間内に放電を生じさせ、放電に伴って発生する紫外線を前記蛍光体層によって可視光に変換するプラズマディスプレイパネルにおいて、
各放電セルの前記保護膜が、酸化マグネシウムの層と金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁体材料もしくは半導体材料からなる層の積層となっており、
前記の金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁体材料もしくは半導体材料からなる層が、誘電体層と保護膜層の界面に対して０．０５度以上の角度をつけて形成され、
各放電セルの前記保護膜表面の一部に金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁体材料もしくは半導体材料からなる島状の領域が少なくとも１箇所表出し、存在することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記金属が５ｅＶ以下の仕事関数をもつものであることを特徴とする、
請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記金属がＦｅ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉのうちいずれかを含むことを特徴とする、
請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁体材料もしくは半導体材料からなる保護膜表面に表出した部分が第１の電極と第２の電極の間および電極の下に存在することを特徴する、
請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
対を成して平行に配設された第１と第２の電極と、前記第１、第２の電極上を覆う第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層上を覆う酸化マグネシウムを含む保護膜が形成された第１のパネルと、前記第１、第２の電極と交差するように配設された第３の電極と、前記第３の電極上を覆う第２の誘電体層と、前記第２の誘電体層上を被覆する蛍光体層が形成された第２のパネルとを互いに電極面が相対するように配置して備え、前記第１、第３の電極に印加する電圧を操作してアドレス放電して、セル点灯を行うか否かを制御し、セル点灯時には第１、第２の電極間に形成された放電空間内に放電を生じさせ、放電に伴って発生する紫外線を前記蛍光体層によって可視光に変換するプラズマディスプレイパネルにおいて、
各放電セルの前記保護膜が、酸化マグネシウムの層と金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁体材料もしくは半導体材料からなる層の積層となっており、
前記の金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁体材料もしくは半導体材料からなる層の膜厚が０．５μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記保護膜表面の一部に表出した、島状の部分がバス電極の下に存在することを特徴とする、
請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
誘電体保護層をマスクごしにエッチングする工程と、金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁体材料もしくは半導体材料からなる材料を成膜する工程と、誘電体保護層を成膜する工程と、誘電体保護層を研磨する工程を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルに関し、特に誘電体層上を覆う主に酸化マグネシウムからなる保護膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネルは、ガス放電によって発生した紫外線によって蛍光体を励起発光させ、画像表示するディスプレイである。その放電の形成手法から交流（ＡＣ）型と直流（ＤＣ）型に分類することが出来るが、ＡＣ型は輝度、発光効率、寿命の点でＤＣ型より優れているため、このタイプが最も一般的である。
【０００３】
従来の一例として、ＡＣ型面放電プラズマディスプレイパネルの一部の斜視図を図７に示す。以下に、この構造及び動作について説明する。透明絶縁性基板（最も一般的にはガラス板が使用される）よりなる前面基板７１上に透明電極７２、８３（ＩＴＯやＳｎＯ２が使用される）が形成されており、この電極間での放電によって紫外線を発光する。ここでの透明電極７２は、セルのアドレス放電用の信号も入る電極（スキャン電極）である。この透明電極７２、８３はシート抵抗が高く、大型パネルにおいては全画素に十分な電力を供給することが出来ないため、透明電極７２、８３上に銀の厚膜やアルミニウム薄膜やクロム／銅／クロム（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）の積層薄膜によるバス電極８９が形成されている。このバス電極８９によって見かけ上、透明電極７２、８３のシート抵抗が下がる。これらの電極上に透明な誘電体層７３（低融点ガラスが使用される）および酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護膜７４が形成されている。誘電体層７３は、ＡＣ型プラズマディスプレイ特有の電流制限機能を有しており、ＤＣ型に比べて長寿命を可能とする要因となっている。
【０００４】
この前面基板７１に対して、もう一方の透明絶縁性基板である後面基板７５上には画像データを書き込むデータ電極７６、下地誘電体層７７、隔壁７８および各蛍光体層７９、８０、８１が形成されている。ここで、データ電極７６および隔壁７８は、透明電極７２、８３と互いに直交するよう配置されており、また２本の隔壁７８で囲まれた空間でもって放電セル８２を形成しており、放電セル８２内には放電ガスとしてネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスがおよそ６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）程度の圧力で充填されている。さらに隔壁７８は、隣接する放電セル８２間を仕切り、誤放電や光学的クロストークを防ぐ役割をしている。
【０００５】
この透明電極７２、８３間に、数十ｋＨｚ〜数百ｋＨｚのＡＣ電圧を印加して放電セル８２内に放電を発生させ、励起されたＸｅ原子からの紫外線によって各蛍光体層７９、８０、８１を励起し、可視光を発生させて表示動作を行う。
【０００６】
このようなプラズマディスプレイパネルは、例えば特許文献１などに開示されている。
【０００７】
特に、前面パネル８５の誘電体層７３を覆う保護膜７４は、誘電体層７３を放電時のイオン衝撃から保護するために形成されているものであるが、放電空間に接した陰極電極材料としても機能していることから、その膜質が放電特性に大きな影響を与える。酸化マグネシウムは２次電子放出係数の大きな材料であるため、これを用いることにより放電開始電圧が低減されることおよびスパッタ耐性が高いことにより、保護膜７４としてこの材料が選定されている。その酸化マグネシウム保護膜材料は通常、真空蒸着法により０．５〜１μｍ程度の膜厚に成膜されている。
【特許文献１】特開平９−９２１３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述の通り、酸化マグネシウム保護膜は、低電圧動作を実現するためにも用いられているが、液晶表示装置などに比較して動作電圧は非常に高い。そのため、駆動回路集積回路には高耐圧トランジスタが必要となり、これがプラズマディスプレイのコストを引き上げる要因の１つになっている。また、“黒ノイズ”と呼称される表示の乱れが生じるという問題がある。黒ノイズは、点灯すべきセル（選択セル）が点灯しない現象であり、画面のうちの点灯領域と非点灯領域との境界で生じ易い。１つの行又は１つの列における複数の選択セルの全てが点灯しないというものではなく、発生部位が点在することから、黒ノイズの原因はアドレス放電が生じないか、又は生じても強度が足りないという現象から生じていると考えられる。この原因としては、酸化マグネシウムから放出される電子と関係が深いことがわかっている。
【０００９】
また、たとえば、図８に示すように、動作電圧を低減するため、および非点灯セルを低減するために保護膜７４（酸化マグネシウム）上に島状の金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ材料の領域８７を形成する方法を用い、長時間放電を継続した場合、島状の金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ材料の領域８７が、イオン衝撃によりなくなってしまい、長時間使用後には効果がなくなるという課題がある（図９（ｂ））。
【００１０】
本発明は、酸化マグネシウム保護膜の放電開始電圧を低減し、かつ点灯すべきセルが点灯しない黒ノイズの発生率を低減する効果を長時間使用後にも継続させる方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、
対を成して平行に配設された第１と第２の電極と、前記第１、第２の電極上を覆う第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層上を覆う酸化マグネシウムからなる保護膜とが形成された第１のパネルと、前記第１、第２の電極と交差するように配設された第３の電極と、前記第３の電極上を覆う第２の誘電体層と、前記第２の誘電体層上を被覆する蛍光体層とが形成された第２のパネルと、を備え、前記第１、第３の電極に印加する電圧を操作してアドレス放電して、本放電を行うか否かを制御し、セル点灯時には第１、第２の電極間に形成された放電空間内に放電を生じさせ、放電に伴って発生する紫外線を前記蛍光体層によって可視光に変換するプラズマディスプレイパネルにおいて、
各放電セルの前記保護膜が、酸化マグネシウムの層と金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁体材料もしくは半導体材料からなる層の積層となっており、
前記の金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁体材料もしくは半導体材料からなる層が、誘電体層と保護膜層の界面に対して、０．１度以上の角度をつけて形成され、
各放電セルの前記保護膜表面の一部に金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁体材料もしくは半導体材料からなる領域が少なくとも１箇所存在することを特徴とするプラズマディスプレイパネルにおいて解決できる。
【００１２】
また、対を成して平行に配設された第１と第２の電極と、前記第１、第２の電極上を覆う第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層上を覆う酸化マグネシウムからなる保護膜とが形成された第１のパネルと、前記第１、第２の電極と交差するように配設された第３の電極と、前記第３の電極上を覆う第２の誘電体層と、前記第２の誘電体層上を被覆する蛍光体層とが形成された第２のパネルと、を備え、前記第１、第３の電極に印加する電圧を操作してアドレス放電して、本放電を行うか否かを制御し、セル点灯時には第１、第２の電極間に形成された放電空間内に放電を生じさせ、放電に伴って発生する紫外線を前記蛍光体層によって可視光に変換するプラズマディスプレイパネルにおいて、
各放電セルの前記保護膜が、酸化マグネシウムの層と金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁体材料もしくは半導体材料からなる層の積層となっており、
前記の金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁体材料もしくは半導体材料からなる層が、誘電体層と保護膜層の界面に対して０．０５度以上の角度をつけて形成され、
各放電セルの前記保護膜表面の一部に金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁体材料もしくは半導体材料からなる島状の領域が少なくとも１箇所表出し、存在することを特徴とするプラズマディスプレイパネルにおいて解決できる。
【発明の効果】
【００１３】
従来のものに比べて、金属または酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ材料を保護膜上に設置することにより、放電開始電圧を２０％程度低減でき、かつ壁電荷の保持力については従来のものと遜色なく、黒ノイズにおいても従来に比べて生じにくい良好なプラズマディスプレイを実現できる。また、斜め積層構成の本発明によって、前記の効果を劣化試験後においても維持することが可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面に則して詳細に説明する。
【００１５】
（実施の形態１）
図１（ａ）には本発明の面放電プラズマディスプレイパネルの１セルの断面図を示す。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示した断面図の保護膜４を拡大した図である。
【００１６】
このプラズマディスプレイパネルは、表示面である前面ガラス基板１上にＩＴＯまたは酸化スズ（ＳｎＯ２）などの透明導電性材料からなる表示電極であるスキャン電極２とサステイン電極１３、および銀（Ａｇ）厚膜（厚み：２〜１０μｍ）、アルミニウム（Ａｌ）薄膜（厚み：０．１〜１μｍ）またはクロム／銅／クロム（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）積層薄膜（厚み：０．１〜１μｍ）で構成したバス電極１９を順次積層し、さらに酸化鉛（ＰｂＯ）または酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）または酸化燐（ＰＯ４）を主成分とする低融点ガラス（厚み：２０〜５０μｍ）からなる誘電体層３をスクリーン印刷によって形成し、さらにその上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護膜４を形成している。
【００１７】
一方、背面ガラス基板５上には銀（Ａｇ）厚膜（厚み：２〜１０μｍ）、アルミニウム（Ａｌ）薄膜（厚み：０．１〜１μｍ）またはクロム／銅／クロム（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）積層薄膜（厚み：０．１〜１μｍ）からなるアドレス電極６、カラー表示のための３色（赤：Ｒ、緑：Ｇ、青：Ｂ）に対応する隔壁８を順次積層して設けている。隔壁８によって設けられた放電空間１２が紙面奥行き方向にライン状にＲ、Ｇ、Ｂの３種類に対応するよう形成されている。
【００１８】
さらに、本発明では図１（ｂ）に示したように、主にＭｇＯにより構成される保護膜４中に金属層１７を斜めに積層した構成を形成する。用いる金属は、仕事関数が５ｅＶ以下でかつ耐スパッタ性に優れたものが望ましく、例えばＦｅ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉなどが好ましい。
【００１９】
斜め積層構造の製造方法を図２、図３に示す。図２、図３には、前面パネル１５における２個のセルの断面を図示している。上記の工程において、前面パネル１５の誘電体層３をスクリーン印刷によって形成した後、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護膜４を真空蒸着法により０．３〜１μｍ形成する。酸化マグネシウム膜の成膜は、真空蒸着法に限らず、スパッタ法や塗布後焼成する方法でもよい（図２（ａ））。ＭｇＯ保護膜４上のマスク１１を移動させながら、マスク１１ごしにサンドブラストを行い、エッチングする（図２（ｂ）、（ｃ））。エッチングはサンドブラストに限らず、ドライ系のエッチングであればよい。この時のマスク１１の開口面積と移動速度により、斜めエッチングの傾きを決めることができる。次に、金属（例えば、Ａｌ）を蒸着する。金属層１７の厚さは０．５〜１０μｍが好ましい（図３（ａ））。金属層１７の形成方法は、蒸着法に限らずスパッタ法や塗布後焼成する方法でもよい。さらに、その上にＭｇＯを成膜する。このＭｇＯ保護膜４ａの膜厚は、エッチング時の最大深さより厚いことが好ましい（図３（ｂ））。次に、ＭｇＯ保護膜４ａの表面を研磨し、平坦面を形成する（図３（ｃ））。
【００２０】
金属層１７の表出部分の幅と膜厚は以下の関係になっている。
【００２１】
Ａ＝ｔ／ｓｉｎθ  （Ａ：表出幅、ｔ：膜厚）
金属層１７の厚さは、表出部分をスキャン電極２と平行に形成する場合は、表出部分がサステイン電極１３とスキャン電極２の電極間および電極下に存在していて、面積が１／２以下であることが好ましいので、例えば両電極外の間隔７００μｍに対して、半分以上はＭｇＯが表出している必要があり、表出幅を７００／２μｍ以下にする必要がある。
【００２２】
現実的な膜厚で上記の関係を満たすために、金属膜１７の角度θは０．１度以上必要である。表出幅および膜厚は、サステイン電極１３、スキャン電極２の両外端の間隔によって、好ましい値は変化する。
【００２３】
なお、表出部分をスキャン電極２と垂直に形成してもよい。
【００２４】
次に、本実施の形態１における保護膜４の形状と光電子分光データを図４に示す。
【００２５】
図４（ｃ）において、「Ａｌ＿ｌｉｎｅ」は本実施の形態１における金属層１７を積層したＭｇＯ保護膜４のリファレンスデータである。「ＭｇＯのみ」はＡｌのないＭｇＯ保護膜のみのリファレンスデータである。このデータから明らかなように、「Ａｌ＿ｌｉｎｅ」のデータは、Ａｌよりなる金属層１７が線状の比較的狭い領域であるにもかかわらず、電子放出がＡｌの仕事関数である４．２ｅＶで立ち上がっている。一方、「ＭｇＯのみ」のデータにおける電子放出の立ち上がりは５．０ｅＶ程度であり、真空準位から測ったＭｇＯ膜のフェルミレベル（エネルギー）までのエネルギーに相当する。
【００２６】
このように、Ａｌを局所的に配置した場合、電子放出エネルギーがＭｇＯ保護膜のみより低くなっており、２次電子放出量の多い保護膜になっていることがわかる。また、保護膜には、画素のＯＮ、ＯＦＦを決めるために壁電荷を保持する特性が求められる。Ａｌの面積がＭｇＯの表出部分と比べて広くない場合、十分壁電荷を保持する特性を示す。つまり、ＭｇＯ保護膜４上に局部的に設けた金属層１７を配置すると壁電荷を充分保持でき、かつ２次電子放出量の多い保護膜となってプラズマディスプレイにとって好ましいものとなるのである。
【００２７】
金属層１７の設置場所は、サステイン電極１３とスキャン電極２の電極下あるいは電極間，またはその両方が好ましい。発明に用いる金属層１７は、ＭｇＯ膜の電子放出の立ち上がりのエネルギーより小さい仕事関数を持ちかつ耐スパッタ性に優れたものが好ましく、仕事関数が５ｅＶ以下のＦｅ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉなどが望ましい。
【００２８】
実際のプラズマディスプレイの長時間使用を想定して、周波数を通常の５倍として５００時間連続点灯する試験を行った。劣化試験の前後において、大きな特性変動がないことが求められる。図９に示すように、従来のＭｇＯ保護膜７４上に島状の金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いエネルギーを持つ材料の領域８７を局所的に配置する構造では、劣化試験後、島状の金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いエネルギーを持つ材料の領域８７がスパッタされてなくなってしまう。つまり、劣化試験後の電子放出特性は、ＭｇＯ膜のみの場合と同じになり、初期に比べて大幅に低下する。一方、本発明のように斜め積層構造を用いることにより、劣化試験中にＭｇＯ保護膜４表面および金属層１７がスパッタされても、常にほぼ同面積の金属部分が表出しており、劣化試験後も特性変動が起こらない（図５（ａ）、（ｂ））。
【００２９】
このように、本発明の実施の形態１を用いれば、ＭｇＯ膜のみの構造と比べて放電開始電圧を２０％程度低減でき、かつ壁電荷の保持力については従来のものと遜色なく、黒ノイズにおいても従来に比べて生じにくい良好なプラズマディスプレイを実現できる。
【００３０】
（実施の形態２）
実施の形態１と同様にして、前面ガラス基板１上にスキャン電極２、サステイン電極１３およびバス電極１９を形成する。その上に誘電体層３を形成し、酸化マグネシウムからなる保護膜４を形成する。背面ガラス基板５側も実施の形態１と同様の工程により、同様の構造を形成する。さらに本発明では、図１（ｂ）に示したように、主にＭｇＯにより構成される保護膜４中に金属層１７を斜めに積層した構成とする。
【００３１】
斜め積層構造の製造方法については実施の形態１と同じなので省略する。なお、実施の形態１と異なる点は、マスク１１を移動方向と垂直方向においてスキャン電極２、サステイン電極１３の外側間隔より短い開口部をもつものとしたことである。上記の製造方法を用いて形成した保護膜４を図６に示す。
【００３２】
用いる金属は、仕事関数が５ｅＶ以下でかつ耐スパッタ性に優れたものが望ましく、例えばＦｅ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉなどが好ましい。また、ＭｇＯのフェルミエネルギーよりも高いフェルミエネルギーをもつ絶縁物もしくは半導体でも本発明の構成を実現できる。
【００３３】
光電子分光データは実施の形態１と変化がなく、図４（ｃ）となった。本実施の形態２における制限された幅での積層構造をとることによって、金属層１７の膜厚と角度の設計の自由度が増す。例えば、実施の形態１では０．１度以上の角度が要求されたが、本発明では０．０５度以上でよい。また、表出部分の配置に関しても、さらに詳細に設計することが可能となり、金属層１７の表出部分を光の透過しないバス電極１９の下に設置することにより、さらに光の取り出し効率が向上し、輝度が向上した。
【００３４】
また、長時間使用に伴い、表出部分が積層の深い部分に移動するが、表出部分がバス電極１９の下をバス電極１９と平行に移動するよう設計しておくと、劣化試験後も輝度が低下しない。
【００３５】
また、２本の両バス電極１９の下に金属層１７の部分が表出するよう積層構造を設計しておくと、電子放出が偏らず更に安定した放電が実現できる。
【００３６】
また、実施の形態１と同様に、劣化試験の前後において大きな特性変動がないことが求められる。図９に示すように、従来のＭｇＯ保護膜７４上に島状の金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いエネルギーを持つ材料の領域８７を局所的に配置する構造では、劣化試験後、島状の金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いエネルギーを持つ材料の領域８７がスパッタされてなくなってしまう。つまり、劣化試験後の電子放出特性は、ＭｇＯ膜のみの場合と同じになり、初期に比べて大幅に低下する。一方、本発明のように斜め積層構造を用いることにより、劣化試験中にＭｇＯ保護膜４表面および金属層１７がスパッタされても、常にほぼ同面積の金属部分が表出しており、劣化試験後も特性変動が起こらない。
【００３７】
このように、本発明の実施の形態２を用いれば、ＭｇＯ膜のみの構造と比べて放電開始電圧を２０％程度低減でき、かつ壁電荷の保持力については従来のものと遜色なく、黒ノイズにおいても従来に比べて生じにくい良好なプラズマディスプレイを実現できる。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明の保護膜および製造方法は、プラズマディスプレイパネルとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】（ａ）本発明のプラズマディスプレイパネルの構成を模式的に示す断面図（ｂ）本発明のプラズマディスプレイパネルの保護膜部分を拡大した断面図（ｃ）本発明のプラズマディスプレイパネルの保護膜部分を背面板側から見た図
【図２】（ａ）本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法における保護膜成膜時の前面パネルの断面図（ｂ）本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法におけるマスクごしサンドブラスト時の前面パネルの断面図（ｃ）本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法におけるサンドブラスト後の前面パネルの断面図
【図３】（ａ）本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法における金属層成膜時の前面パネルの断面図（ｂ）本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法における保護膜成膜時の前面パネルの断面図（ｃ）本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法における保護膜表面研磨後の前面パネルの断面図
【図４】本発明の保護膜の基本構成図と光電子分光データを示した図
【図５】（ａ）本実施の形態１に記載した本発明のプラズマディスプレイパネルの保護膜の劣化試験前の状態を示す図（ｂ）本実施の形態１に記載した本発明のプラズマディスプレイパネルの保護膜の劣化試験後の状態を示す図
【図６】（ａ）本実施の形態２に記載の本発明のプラズマディスプレイパネルの保護膜部分を拡大した断面図（ｂ）本実施の形態２に記載の本発明のプラズマディスプレイパネルの保護膜部分を背面板側から見た図
【図７】従来のプラズマディスプレイパネルの構成を模式的に示す斜視図
【図８】プラズマディスプレイパネルの１セル構成の一例を模式的に示す断面図
【図９】（ａ）プラズマディスプレイパネルの保護膜の劣化試験前の状態を示す図（ｂ）プラズマディスプレイパネルの保護膜の劣化試験後の状態を示す図
【符号の説明】
【００４０】
１    前面ガラス基板
２    スキャン電極
３    誘電体層
４    保護膜
５    背面ガラス基板
６    アドレス電極
７    誘電体層
８    隔壁
９    蛍光体層
１１    マスク
１２    放電空間
１３    サステイン電極
１５    前面パネル
１６    背面パネル
１７    金属層
１９    バス電極
７１    前面基板
７２    透明電極（スキャン電極）
７３    誘電体層
７４    保護膜
７５    後面基板
７６    データ電極
７７    下地誘電体層
７８    隔壁
７９    蛍光体層Ｒ
８０    蛍光体層Ｇ
８１    蛍光体層Ｂ
８２    放電セル
８３    透明電極（サステイン電極）
８５    前面パネル
８６    背面パネル
８７    島状の金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ材料の領域
８９    バス電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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