(57)【要約】【課題】ＳｉＨ４とＷＦ６を交互に供給する化学気相成長法でタングステンＷを成膜時に、ウエハべベル部および裏面に回りこんだＷ膜によるパーティクルの発生を防止する。【解決手段】下層配線に達する開口部を含む半導体基板１０２上へＴｉＮ／Ｔｉ密着層１０３をＣＶＤ法で堆積する。次に、ＷのＣＶＤ成長において、ＳｉＨ４とＷＦ６を交互に供給する化学気相成長法で第１のＷ膜１０４を成長後、第１にＷ膜上にＷＦ６の水素還元にて第２のＷ膜１０６を成膜し、開口部を埋め込む。次に、ベベル部および裏面に成長したＷ膜を硫酸過水で除去した後、ＣＭＰによって余剰のＷ／ＴｉＮ／Ｔｉ膜を除去し、Ｗプラグを形成する。【選択図】  図２
2005019592.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ上に堆積された絶縁膜中に形成されたホールに導電膜を埋め込む工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程は、
前記絶縁膜上に第１の還元ガスを供給し、その後金属を含むソースガスを供給して第１の導電膜を堆積する工程と、
前記金属を含むソースガスと第２の還元ガスを同時に供給し第２の導電膜を堆積する工程と、
前記ウェハの周辺部分における少なくとも前記第１の導電膜を除去する工程と、
前記ホールからはみ出した前記第１の導電膜と前記第２の導電膜を除去する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第１の還元ガスを供給し、その後金属を含むソースガスを供給して第１の導電膜を堆積する工程において、前記第１の還元ガスの供給と、前記金属を含むソースガスの供給を、少なくとも２回以上交互に繰り返すことにより第１の導電膜を形成する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
第１の導電膜および第２の導電膜がタングステンである請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第１の還元ガスはＳｉＨ４であり、第２の還元ガスはＨ２である請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
ウェハの周辺部分における少なくとも第１の導電膜を除去する工程は、前記ウェハの周辺部分において、少なくとも第１の導電膜がウェットエッチングにより除去される請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
第２の導電膜を堆積する工程と、第１の導電膜を除去する工程を、同一チャンバ内で行う請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ウェハの周辺部分は、ウェハの表面部分、側壁部分、裏面部分のいずれか１つが含まれている請求項１または請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
ウェハを搬入するウェハ搬入口と、前記ウェハの導電膜を研磨する研磨チャンバと、前記ウェハを搬出するウェハ搬出口とを備えた研磨装置を有する半導体装置の製造装置であって、
前記研磨チャンバへ搬入される前に前記ウエハの周辺部分における前記導電膜を除去するためのエッジ除去チャンバを有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項９】
前記エッジ除去チャンバは、ウェハを回転させながらウェハの周辺部分に、薬液を滴下する機構を備えている請求項８記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
ウェハを搬入するウェハ搬入口と、前記ウェハの導電膜を研磨する研磨チャンバと、前記ウェハを搬出するウェハ搬出口とを備えた研磨装置を有する半導体装置の製造装置であって、
前記研磨チャンバが、前記ウェハの周辺部分に薬液を滴下する機構を備えていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法およびその製造装置に関するものであり、特にタングステン電極を有する半導体装置の製造方法およびその製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、拡散層やゲート電極と上層の配線との接続には、タングステン（Ｗ）電極が使われている。  Ｗ膜の成膜方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）法がもっとも一般的である。図７および図８を用いて、このＷプラグの形成方法について説明する。
【０００３】
まず、図７および図８において、２０１は半導体基板、２０２は絶縁膜、２０３は密着層であるＴｉＮ／Ｔｉ膜、２０４はコンタクトホール、２０５は第１のＷ膜、２０６は第２のＷ膜、２０７はボイドを示している。ここで、図７（ａ）に示すように、半導体基板２０１の絶縁膜２０２上に、Ｗ膜の密着層として化学気相成長法でＴｉＮ／Ｔｉ膜２０３が形成されている。図７（ａ）のコンタクトホール２０４は、拡散層やゲート電極に接続されているが図示は省略している。
【０００４】
次に、図７（ｂ）に示すように、ＷＦ６ガスとＳｉＨ４ガスを用いて、第１のＷ膜２０５をたとえば２０ｎｍ程度の膜厚に成長させる。これは、密着層であるＴｉＮ表面に均一にＷ膜を成長させるためである。
【０００５】
その後、図８（ａ）に示すように、ＷＦ６ガスと水素ガスを供給し、水素還元により第２のＷ膜２０６を堆積する。
【０００６】
最後に、図８（ｂ）に示すように、化学機械研磨（ＣＭＰ）でコンタクトホール２０４外のＷ膜と密着層を除去し、Ｗ電極を形成する。
【０００７】
【特許文献】
特開平９−３６０５３号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、第１のＷ膜のＳｉＨ４還元成長によって形成する膜は、段差被覆性が悪くなる。それは、ＷＦ６とＳｉＨ４の反応性が高いため、ＷＦ６とＳｉＨ４が反応するとＷＦ６のＦはより速く抜け、Ｗ膜が速く堆積される。よって、Ｗ膜が堆積されやすい部分と堆積されにくい部分での差が大きくなる。具体的には、コンタクトホール２０４の外側表面のようなＷ膜が堆積されやすい部分は、コンタクトホール２０４内のようなＷ膜が堆積されにくい部分と比べてより速く膜が堆積される。
【０００９】
よって、Ｗ膜厚を形成した層全体で見ると、コンタクトホール２０４内に形成されたＷ膜の膜厚はコンタクトホール２０４外の膜厚と比べて薄くなり、段差によって被覆性が異なってしまうことが分かる。このコンタクトホール２０４の内と外での差が大きくなると、図８（ａ）に示すように、Ｗ成膜後にボイド２０７が形成されてしまう。
【００１０】
このように形成されたボイド２０７は、図８（ｂ）に示すように、ＣＭＰ後に表面に露出し、コンタクト不良の原因となる可能性がある。特に半導体装置の微細化が進み、コンタクトホール径が小さくなると、例えば０．２μｍ以下の開口径の微細ホールに対しては、問題が顕著になる。
【００１１】
上記の課題を解決するため、本発明はボイドの発生を防ぎ、かつ半導体基板周辺でのＷ膜の剥がれを抑制することができる半導体装置の製造方法およびその装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の半導体装置の製造方法は、ウェハ上に堆積された絶縁膜中に形成されたホールに導電膜を埋め込む工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程は、
前記絶縁膜上に第１の還元ガスを供給し、その後金属を含むソースガスを供給して第１の導電膜を堆積する工程と、
前記金属を含むソースガスと第２の還元ガスを同時に供給し第２の導電膜を堆積する工程と、
前記ウェハの周辺部分における少なくとも前記第１の導電膜を除去する工程と、
前記ホールからはみ出した前記第１の導電膜と前記第２の導電膜を除去する工程とを含むものである。
【００１３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法によれば、還元ガスにソースガスをずらせて供給することにより段差被覆性がよくなるのでボイドの発生を防ぐことができ、かつウェハの周辺部分の第１の導電膜の例えばＷ膜を除去するため、半導体基板周辺で例えばＷ膜の剥がれを抑制することができる。
【００１４】
請求項２記載の半導体装置の製造方法は、請求項１において、第１の還元ガスを供給し、その後金属を含むソースガスを供給して第１の導電膜を堆積する工程において、前記第１の還元ガスの供給と、前記金属を含むソースガスの供給を、少なくとも２回以上交互に繰り返すことにより第１の導電膜を形成するものである。
【００１５】
請求項２記載の半導体装置の製造方法によれば、より一層段差被覆性がよくなりボイドの発生を防ぐことができるほか、請求項１と同様な効果がある。
【００１６】
請求項３記載の半導体装置の製造方法は、請求項１において、第１の導電膜および第２の導電膜がタングステンである。
【００１７】
請求項３記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１と同様な効果がある。
【００１８】
請求項４記載の半導体装置の製造方法は、請求項１において、第１の還元ガスはＳｉＨ４であり、第２の還元ガスはＨ２である。
【００１９】
請求項４記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１と同様な効果がある。
【００２０】
請求項５記載の半導体装置の製造方法は、請求項１において、ウェハの周辺部分における少なくとも第１の導電膜を除去する工程は、前記ウェハの周辺部分において、少なくとも第１の導電膜がウェットエッチングにより除去されるものである。
【００２１】
請求項５記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１と同様な効果がある。
【００２２】
請求項６記載の半導体装置の製造方法は、請求項１において、第２の導電膜を堆積する工程と、第１の導電膜を除去する工程を、同一チャンバ内で行うものである。
【００２３】
請求項６記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１と同様な効果がある。
【００２４】
請求項７記載の半導体装置の製造方法は、請求項１または請求項５において、ウェハの周辺部分が、ウェハの表面部分、側壁部分、裏面部分のいずれか１つが含まれているものである。
【００２５】
請求項７記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１または請求項５と同様な効果がある。
【００２６】
請求項８記載の半導体装置の製造装置は、ウェハを搬入するウェハ搬入口と、前記ウェハの導電膜を研磨する研磨チャンバと、前記ウェハを搬出するウェハ搬出口とを備えた研磨装置を有する半導体装置の製造装置であって、
前記研磨チャンバへ搬入される前に前記ウエハの周辺部分における前記導電膜を除去するためのエッジ除去チャンバを有することを特徴とするものである。
【００２７】
請求項８記載の半導体装置の製造装置によれば、半導体基板周辺に堆積された例えばＷ膜によるＣＭＰ時のスクラッチを防止できるため、高歩留まりを有するＷ電極を形成することができる。
【００２８】
請求項９記載の半導体装置の製造装置は、請求項８において、前記エッジ除去チャンバは、ウェハを回転させながらウェハの周辺部分に、薬液を滴下する機構を備えているものである。
【００２９】
請求項９記載の半導体装置の製造装置によれば、請求項８と同様な効果がある。
【００３０】
請求項１０記載の半導体装置の製造装置は、ウェハを搬入するウェハ搬入口と、前記ウェハの導電膜を研磨する研磨チャンバと、前記ウェハを搬出するウェハ搬出口とを備えた研磨装置を有する半導体装置の製造装置であって、
前記研磨チャンバが、前記ウェハの周辺部分に薬液を滴下する機構を備えていることを特徴とするものである。
【００３１】
請求項１０記載の半導体装置の製造装置によれば、請求項８と同様な効果がある。
【００３２】
【発明の実施形態】
（発明の原理）
まず、本発明の原理について、図面を参照しながら説明する。
【００３３】
Ｗ膜を堆積する原料ガスとして、ＷＦ６とＳｉＨ４を用いると、先にも述べたように段差被覆性が悪いため、コンタクトホール内にボイドが発生する場合がある。そこで、Ｗ膜の原料ガスとしてＷＦ６とＨ２を用いる場合を検討する。
【００３４】
ＷＦ６とＨ２ガスは、ＷＦ６とＳｉＨ４と比較すると反応性が低くなるため、段差形状によって膜の堆積スピードは影響されにくい。しかし、ＷＦ６とＨ２の反応性が低い分、下地となる膜の状態によって、堆積されやすい部分と堆積されにくい部分が発生する。つまり、コンタクトホールの内側に堆積されるか、外側に堆積されるかではなく、ＴｉＮ／Ｔｉ膜の表面状態によって、堆積される膜の状態に差が発生し、堆積膜の均一性を充分得ることが困難である。
【００３５】
そこで、図６（ａ）に示すように還元ガス（ＳｉＨ４）と金属を含むソースガス（ＷＦ６）を交互に流すことにより、密着層上にカバレジ、つまり段差被覆性の良い第１のＷ膜を成長させることが出来る。この方法は、密着層表面に還元ガス（ＳｉＨ４）を十分に吸着させた後、ソースガス（ＷＦ６）を十分に供給しソースガスを還元する。これを図６に示すように、一定のサイクルで、好ましくは２回以上繰り返すことにより、Ｗ膜を成長させる方法である。成膜される膜厚は、後で供給される還元ガスの吸着量で決まるため、被堆積面全体でほぼ同時に成膜が始まり、形成される膜厚はほぼ一定となる。その結果、１００％に近い値の段差被覆率を得ることが出来る。その後、従来と同様にＷＦ６とＨ２を供給する水素還元によって第二のＷ膜を成長させ、コンタクトホールを埋め込む。第１のＷ膜がほぼ１００％のカバレッジを有するので図８のようなボイドは形成されない。
【００３６】
しかしながら、上記したＷ成膜方法では、半導体基板の周辺、側面、裏面へＷ膜が成長してしまい、後工程などでそのＷ膜が剥がれる不具合が発生する場合がある。以下、その原因を図面を参照しながら説明する。
【００３７】
ここで図６（ｂ）は、成膜装置の全体の断面図である。３０１はチャンバ、３０２はクランプリング、３０３はステージ、３０４は半導体基板、３０５はシャワーヘッドである。ここで、一般にＷ成長時には、半導体基板の周辺、側面、裏面などにガスが回りこんでＷが成長しないように、図６（ｃ）に示すように、クランプリング３０２を設けたり、そのクランプリング３０２の裏面からＡｒあるいは水素などのガスを供給したりして、ガスの回り込みを抑制する。
【００３８】
しかし、本発明のように還元ガス（ＳｉＨ４）とソースガス（ＷＦ６）を交互に供給する成膜方法では、半導体基板表面に十分にガスが吸着するまでガスを供給するため、半導体基板の周辺や側面や裏面にガスが回りこむことを完全には抑制できない。
【００３９】
従って、半導体基板の周辺、側面、裏面にＷ膜が成長してしまう。ここで、その周辺、側面、裏面の少なくともいずれか１つに形成された膜は、その後のＣＭＰ工程においては除去できないため、その後の工程で剥がれが発生し、パーティクルとなる可能性がある。また、ＣＭＰ中にも膜剥がれが発生し、スクラッチが誘発され、配線の歩留まりを低下させる恐れがある。
【００４０】
また、ウェハの端部においてＷ膜が成長するのを抑制するために、過剰に裏面から不活性ガスであるＡｒガスを供給すると、本来成膜されるべき部分においても成膜されないという不具合が発生する。
【００４１】
従って、本発明は上記問題点に鑑み、第１のＷ膜の堆積を、ガスを交互に供給して行う場合においても、ウェハの側壁部分等に堆積した膜が剥がれて、ＣＭＰ時等に欠陥を発生させるのを防ぐ必要がある。
【００４２】
以下その方法およびその装置について、図面を参照しながら説明する。なお、本発明の実施形態では、本発明の効果が最も現れるタングステン（Ｗ）である場合を例に挙げて説明する。
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施の形態における半導体装置の製造方法について、図１および図２を参照しながら説明する。
【００４３】
図１は、本発明の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。図１および図２において、１０１はステージ、１０２は半導体基板、１０３はＴｉＮ／Ｔｉ密着層、１０４は第１のＷ膜、１０５はリングシールド（シャドーリング）、１０６は第２のＷ膜、１０７は硫酸と過酸化水素水混合液の噴射ノズルである。
【００４４】
図１（ａ）は、Ｗ−ＣＶＤ装置の半導体基板１０２のエッジ部分の拡大図であり、ＴｉＮ／Ｔｉ密着層１０３上に第１のＷ膜１０４を、還元ガス（ＳｉＨ４）とソースガス（ＷＦ６）を交互に繰り返し供給し化学気相成長法により成膜している。半導体基板１０２上の絶縁膜には、拡散層やゲート電極などに達するコンタクトホールが形成されているが、図示は省略している。このときの第１のＷ膜１０４の成膜条件は、ガス流量は数ｓｃｃｍ〜数十ｓｃｃｍで、温度は２００度〜４００度程度、膜厚は数ｎｍ〜数十ｎｍである。このとき、第１のＷ膜１０４は回り込みの性能が良いため、リングシールド１０５の下にも膜が成長している。
【００４５】
次に、図１（ｂ）に示すように、ＷＦ６ガスの水素還元でコンタクトホールを完全に埋め込むために、第２のＷ膜１０６（（コンタクトホールは図示せず）  を堆積する。通常、この第２のＷ膜１０６の膜厚は、最も大きいコンタクトホールの直径程度以上である。たとえば、最大のコンタクトホールが０．２μｍであれば、０．２μｍ以上で通常は、０．３μｍ〜０．５μｍである。
【００４６】
次に、図２（ａ）に示すように、Ｗ−ＣＶＤ装置から取り出した後に、半導体基板１０２を矢印のように回転させながら、たとえば硫酸と過酸化水素水の混合液をウェハ周辺部分に噴射することにより、ウェハ周辺部分にあるＷ膜をウエットエッチングにより除去する。本実施の形態では、密着層としてＴｉＮ／Ｔｉ膜１０３を用いているので、硫酸と過酸化水素水の混合液をもちいてエッチングを行うと、密着層も除去されるが、この領域は回路を形成する形成する領域上ではないので、製品設計上特に問題とはならない。
【００４７】
その後、図２（ｂ）に示すように、第１のＷ膜１０４、第２のＷ膜１０６が密着性よく、かつ膜表面にスクラッチのないＷ膜が形成される。続いて、コンタクトホールからはみ出したＷ膜をＣＭＰにより除去し、Ｗプラグを完成する。
【００４８】
本実施形態では、半導体基板の表面周辺、側面、裏面の成長したＷ膜を、ウエットエッチングによって除去するので、後工程でのパーティクルとなったり、ＣＭＰ工程ではスクラッチの原因となったりすることはない。
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施の形態について、図３および図４を用いて説明する。図３および図４は、本発明の第２の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。第１の実施の形態とは第１のＷ膜の周辺部分の除去方法が異なる。
【００４９】
図３（ａ）は、Ｗ−ＣＶＤ装置の半導体基板１０２のエッジ部分の拡大図であり、ＴｉＮ／Ｔｉ密着層１０３上に第１のＷ膜１０４を、還元ガス（ＳｉＨ４）とソースガス（ＷＦ６）を交互に繰り返し供給することにより成膜している。半導体基板１０２上の絶縁膜には、拡散層やゲート電極などに達するコンタクトホールが形成されているが、図示は省略している。このときの第１のＷ膜１０４の成膜条件は、ガス流量は数ｓｃｃｍ〜数十ｓｃｃｍで、温度は２００度〜４００度程度、膜厚は数ｎｍ〜数十ｎｍである。このとき、第１のＷ膜１０４は回り込みの性能が良いため、リングシールド１０５の下にも膜が成長している。
【００５０】
次に、図３（ｂ）に示すようにＷＦ６ガスの水素還元でコンタクトホールを完全に埋め込むために、第２のＷ膜１０６（（コンタクトホールは図示せず）を堆積する。通常、この第２のＷ膜１０６の膜厚は、最も大きいコンタクトホールの直径程度以上である。たとえば、最大のコンタクトホールが０．２μｍであれば、０．２μｍ以上で通常は、０．３μｍ〜０．５μｍである。
【００５１】
次に、図４（ａ）に示すように、第２のＷ膜１０６堆積後、チャンバから取り出さず同一チャンバ内で、引き続き、Ｗ膜１０４、１０６をエッチングできるガスを導入し、プラズマ１０８を印加してドライエッチングを用いて半導体基板全面にエッチバックを施す。このとき、半導体基板１０２の表面周辺、側面、裏面にもガスが回りこむように、シールドリング１０５と半導体基板１０２間の距離を、Ｗ堆積時よりも大きくしたほうが良い。また、エッチングガスは、たとえばＳＦ６やＣＦ４など、Ｗ膜をエッチングできるガスであれば何でも良い。さらにエッチング膜厚は、ウェハ面内での堆積膜の膜厚ばらつきを考慮すると、第１のＷ膜１０４の膜厚の１．５倍程度が好ましい。この膜厚であれば、たとえ堆積膜厚に面内ばらつきがあったとしても、図４（ｂ）のように第１のＷ膜１０４が残ることなく除去出来るとともに、第２のＷ膜１０６の膜減りを抑制することが出来る。具体的には、第１のＷ膜１０４の膜厚を例えば２０ｎｍとすると、エッチング膜厚は３０ｎｍとなる。このエッチングによって表面周辺、側面、裏面のＷ膜は完全に除去されるが、第二のＷ膜は０．３μｍ以上あるのでコンタクトホールの埋め込み形状には影響せず、所望のＷプラグを形成することが出来る。
【００５２】
このように、半導体基板の表面周辺、側面、裏面に成長したＷ膜を、ＣＭＰ工程の前に除去することが出来るため、ＣＭＰ工程以外の後工程でパーティクルが発生したり、ＣＭＰ工程でスクラッチの原因となったりする現象を抑制することが出来る。
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施の形態について、図５を用いて説明する。図５は、本発明の半導体製造装置における化学機械研磨装置を説明する平面図である。図５において、５００はウエハローダのウェハ搬入口、５０１はウェハ搬出口、５０２はウエハエッジ部の導電膜を除去するエッジ除去チャンバ、５０３はＣＭＰチャンバ、５０４はＣＭＰ後の水洗・乾燥チャンバ、５０５はウエハ、５０６はウェハを載せるステージ、５０７は薬液ノズル、５０８は洗浄ノズル、５０９は廃液ラインである。
【００５３】
図５（ａ）に示すように、本発明のＣＭＰ装置は、従来のＣＭＰチャンバ５０３とＣＭＰ後の洗浄・乾燥チャンバ５０４に加え、ＣＭＰ前にウエハ５０５のエッジ部のみを薬液でウエットエッチングする機構を備えたエッジ除去チャンバ５０２を有している。
【００５４】
図５（ｂ）に示すように、エッジ除去チャンバ５０２は、半導体基板であるウェハ５０３のエッジ部にのみ薬液が噴射できるような薬液ノズル５０７と、その後純水で洗浄できるような洗浄ノズル５０８、ウエハ５０５を回転させる機構を有したステージ５０６で構成されている。ウェハ５０５を回転させながらウェハ５０５の周辺の導電膜を除去できる薬液を薬液ノズル５０７より滴下する。
【００５５】
このＣＭＰ装置によって、ＣＭＰ前に半導体基板周辺を、たとえば硫酸と過酸化水素水の混合液でウエットエッチングすることにより、半導体基板周辺に堆積されたＷ膜をあらかじめ除去することができるため、ＣＭＰ時にそのＷ膜によるスクラッチの発生を防止でき、歩留まりを向上させることができる。また、半導体基板の回転数や薬液の流量を調整することより、半導体基板の側面や裏面のＷ膜を除去することも可能である。
【００５６】
本発明を用いると、剥がれやすい半導体基板周辺の膜をＣＭＰ前にあらかじめ除去するので、ＣＭＰ時あるいはＣＭＰ後の膜剥がれによる歩留まりの低下をなくす事ができ、ＣＭＰ装置内で連続的に半導体基板周辺のＷ膜除去を行うので、別装置による半導体基板周辺のＷ膜除去よりも処理能力の点で優れている。
【００５７】
なお、本発明において、エッジ除去チャンバ５０２と洗浄・乾燥チャンバ５０４は別々になっているが、同一チャンバ内でＣＭＰエッジ除去とＣＭＰ後の洗浄・乾燥を行ってもよい。また、Ｗ膜を例に説明しているが、カバレジの良いＣＶＤ法で他の金属膜を成長させ、その後ＣＭＰにより余剰の金属膜を除去し、電極や配線を形成するプロセスにおいても有効であることはいうまでもない。
【００５８】
【発明の効果】
請求項１記載の半導体装置の製造方法によれば、還元ガスにソースガスをずらせて供給することにより段差被覆性がよくなるのでボイドの発生を防ぐことができ、かつウェハの周辺部分の第１の導電膜の例えばＷ膜を除去するため、半導体基板周辺で例えばＷ膜の剥がれを抑制することができる。
【００５９】
請求項２記載の半導体装置の製造方法によれば、より一層段差被覆性がよくなりボイドの発生を防ぐことができるほか、請求項１と同様な効果がある。
【００６０】
請求項８記載の半導体装置の製造装置によれば、半導体基板周辺に堆積された例えばＷ膜によるＣＭＰ時のスクラッチを防止できるため、高歩留まりを有するＷ電極を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体装置の製造工程断面図である。
【図２】図１に続く製造工程断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態における半導体装置の製造工程断面図である。
【図４】図３に続く製造工程断面図である。
【図５】（ａ）は本発明の第３の実施の形態におけるＣＭＰ装置の概略図、（ｂ）はそのエッジ除去チャンバの概略断面図である。
【図６】（ａ）は本発明原理の半導体装置のガス供給パターン図、（ｂ）は成膜装置の全体の断面図、（ｃ）はガスの回り込みの抑制の構成を説明する説明図である。
【図７】従来の半導体装置の製造工程断面図である。
【図８】図７に続く製造工程断面図である。
【符号の説明】
１０１  ステージ
１０２  半導体基板
１０３  ＴｉＮ／Ｔｉ密着層
１０４  第１のＷ膜
１０５  リングシールド
１０６  第２のＷ膜
１０７  硫酸と過酸化水素水混合液の噴射ノズル
２０１  半導体基板
２０２  絶縁膜
２０３  ＴｉＮ／Ｔｉ膜
２０４  コンタクトホール
２０５  第１のＷ膜
２０６  第２のＷ膜
２０７  ボイド
５００  ウエハローダのウェハ搬入口
５０１  ウェハ搬出口
５０２  エッジ除去チャンバ
５０３  ＣＭＰチャンバ
５０４  ＣＭＰ後の水洗・乾燥チャンバ
５０５  ウエハ
５０６  ステージ
５０７  薬液ノズル
５０８  洗浄ノズル
５０９  廃液ライン
【図１】
2005019592.tif 000003
【図２】
2005019592.tif 000004
【図３】
2005019592.tif 000005
【図４】
2005019592.tif 000006
【図５】
2005019592.tif 000007
【図６】
2005019592.tif 000008
【図７】
2005019592.tif 000009
【図８】
2005019592.tif 000010