(57)【要約】【目的】  使用時におけるマイグレーションパターンを起点にした破壊を抑制できるセラミックヒータ及びこのようなヒータを備える積層型ガスセンサ素子を提供すること。【構成】  セラミックヒータ１０１は、中央セラミック基板１０５と、その裏面１０５Ｃに形成された発熱パターン１１１と、表面１０５Ｂに形成されたマイグレーションパターン１２１とを有する。このうち、マイグレーションパターン１２１は、基端側に第１端部１２３を、第１端部１２３と先端との間に第２端部１２４を有し、第１端部１２３から先端側に延び、先端側を経由して基端側に戻り、第２端部１２４に繋がる。更に、第２端部１２４とマイグレリード部１２９ａとを結ぶバイパスリード部１２８をも有する。【選択図】        図２
2005135793.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面と第２主面を有し、先端から基端に向かって軸線方向に延びる板状の第１セラミック基板と、
前記第１主面に形成され、前記基端側に正電極部と負電極部とを有し、前記正電極部から前記先端側に延び、前記先端側を経由して前記基端側に戻り、前記負電極部に繋がる形状をなす発熱パターンと、
前記第２主面に形成され、前記基端側に第１端部を、前記第１端部と自身の先端との間に第２端部を有し、前記第１端部から前記先端側に延び、前記先端側を経由して前記基端側に戻り、前記第２端部に繋がる形状をなすマイグレーションパターンであって、通電時に前記正電極部よりも負電位とされるマイグレーションパターンと、
前記第２主面に積層され、前記マイグレーションパターンを覆う板状の第２セラミック基板と、
を備えるセラミックヒータであって、
前記マイグレーションパターンには、前記第２端部と、前記第１端部から前記先端側に向かって軸線方向に延びる部分とを結ぶバイパスリード部が形成されている
ことを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項２】
請求項１に記載のセラミックヒータであって、
前記第２端部と前記バイパスリード部は、いずれも前記第１セラミック基板の中央よりも前記先端側に形成されている
ことを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のセラミックヒータであって、
前記バイパスリード部は、前記第２端部から前記基端側に向かって延びて、前記第１端部から前記先端側に向かって軸線方向に延びる部分に接続されている
ことを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のセラミックヒータであって、
前記発熱パターンの負電極部と前記マイグレーションパターンの第１端部は、電気的に接続されている
ことを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のセラミックヒータと、
一対の電極層が形成された固体電解質層を少なくとも備え、前記セラミックヒータに積層されたガス検出素子と、
を備えることを特徴とする積層型ガスセンサ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックヒータ、及び、セラミックヒータを備えるガスセンサ素子に関し、特に、セラミック基板を介して発熱パターンとマイグレーションパターンが形成されたセラミックヒータ、及び、このようなセラミックヒータを備える積層型ガスセンサ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、セラミック基板を介して発熱パターンとマイグレーションパターンが形成されたセラミックヒータが知られている。例えば、図６にその構成を示すセラミックヒータ９０１が挙げられる。このセラミックヒータ９０１は、ヒータ表面９０１Ｂとヒータ裏面９０１Ｃを有する略矩形の板形状をなす。セラミックヒータ９０１は、３層のセラミック基板（ヒータ表面９０１Ｂ側から表面側セラミック基板９０３、中央セラミック基板９０５、裏面側セラミック基板９０７）が積層されている。
【０００３】
このうち中央セラミック基板９０５の裏面９０５Ｃ（中央セラミック基板９０５と裏面側セラミック基板９０７の層間）には、主としてＰｔからなる発熱パターン９１１が形成されている。この発熱パターン９１１は、中央セラミック基板９０５の基端側（図中右側）に形成された一対の正電極部９１３及び負電極部９１４を有し、正電極部９１３から中央セラミック基板９０５の先端側（図中左側）に向かって軸線方向に延び、先端側を経由して基端側に戻り、負電極部９１４に繋がる形状（パターン形状）をなしており、通電時に発熱する。なお、発熱パターン９１１は、先端側に配置される蛇行状の発熱部９１５と、発熱部９１５の両基端から軸線方向に沿って延びる一対のリード部９２８ａ，９２８ｂとを有し、発熱部９１５の急速昇温を実現するために、発熱部９１５の線幅をリード部９２８ａ，９２８ｂの線幅よりも細くして単位長さ当たりの抵抗値が小さくなるように形成されている。
【０００４】
一方、中央セラミック基板９０５の表面９０５Ｂ（表面側セラミック基板９０３と中央セラミック基板９０５の層間）には、主としてＰｔからなるマイグレーションパターン９２１が形成されている。このマイグレーションパターン９２１を図７にも示す。マイグレーションパターン９２１は、発熱パターン９１１とおよそ対向する形で形成されている。具体的には、マイグレーションパターン９２１は、中央セラミック基板９０５の基端側（図６中右側、図７中下側）に形成された第１端部９２３と、中央セラミック基板９０５の先端と第１端部９２３の間に形成された第２端部９２４とを有し、第１端部９２３から中央セラミック基板９０５の先端側に軸線方向に向かって延び、先端側を経由して基端側に戻り、第２端部９２４に繋がる形状をなしている。なお、マイグレーションパターン９２１は、上述したように発熱パターン９１１とおよそ対向する形で形成されており、発熱部９１５と対向するマイグレ先端部９２５と、リード部９２８ａ，９２８ｂと対向しつつマイグレ先端部９２５よりも線幅の太い一対のマイグレリード部９２９ａ，９２９ｂとを有する。
また、この中央セラミック基板９０５の表面９０５Ｂには、中央セラミック基板９０５の基端側に形成された第３端部９２６と、この第３端部９２６から中央セラミック基板９０５の先端側に延びるリード部９２７が形成されている。
【０００５】
発熱パターン９１１の負電極部９１４とマイグレーションパターン９２１の第１端部９２３は、中央セラミック基板９０５を貫通して形成された第１スルーホール導体９３１を介して電気的に接続されている。従って、マイグレーションパターン９２１は、通電時に発熱パターン９１１の負電極部９１４と同電位になる。
また、発熱パターン９１１の正電極部９１３と第３端部９２６も、中央セラミック基板９０５を貫通して形成された第２スルーホール導体９３２を介して電気的に接続されている。従って、第３端部９２６及びリード部９２７は、通電時に発熱パターン９１１の正電極部９１３と同電位になる。
【０００６】
表面側セラミック基板９０３と中央セラミック基板９０５の層間には、図６に示すように、マイグレーションパターン９２１の第１端部９２３に電気的に接続し、セラミックヒータ９０１の基端から外部に延びる負電極外部端子９４１と、第３端部９２６に電気的に接続し、セラミックヒータ９０１の基端から外部に延びる正電極外部端子９４２が設けられている。
【０００７】
ところで、一般に、セラミックヒータ９０１は、その通電時に、発熱パターン９１１中のイオン化しやすい成分が直流電界及び高熱により低電位方向へ移動して局部的に高濃度となり、また、移動したイオン化成分が低電位側の低温部で移動困難となり酸化物や炭化物として蓄積しやすい。その結果、発熱パターン９１１に断線を引き起こす恐れがある。
しかし、上記のセラミックヒータ９０１には、発熱パターン９１１が形成された中央セラミック基板９０５の反対面（表面９０５Ｂ）にこれとほぼ同形状のマイグレーションパターン９２１が形成されているため、発熱パターン９１１中に存在するイオン化しやすい成分の低電位側への移動が抑制され、発熱パターン９１１の断線を効果的に防止できる。
なお、このようなマイグレーションパターン９２１の技術に関連する文献として、例えば、特許文献１が挙げられる。
【０００８】
【特許文献１】特公平５−３６９１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
発熱パターン９１１及びマイグレーションパターン９２１は、セラミック基板９０３，９０５，９０７と同時焼成するなどして形成されることから、多孔質の構造をなす。このため、水分がセラミックヒータ９０１の端部からマイグレーションパターン９２１自身の内部に侵入することがある。このような水分は、ヒータを通電したときに、先端付近で加熱され一部が水蒸気となる。そうすると、その圧力によって、マイグレーションパターン９２１中の水分がセラミックヒータ９０１の基端側に押し出される。このとき、マイグレ先端部９２５の両基端の一方と繋がると共に、第１端部９２３に繋がるマイグレリード部９２９ａにおいては、マイグレ先端部９２５から押し出された水分が第１端部９２３から外部へ放出されることになる。
【００１０】
しかしながら、マイグレ先端部９２５の両基端の他方と繋がると共に、第２端部９２４に繋がるマイグレリード部９２９ｂにおいては、マイグレ先端部９２５から押し出された水分が、第２端部９２４がリード部９２７と繋がっていないために外部へ逃げることができず、第２端部９２４付近に溜まる。そして、このような水分が加熱されて水蒸気となると、第２端部９２４付近の圧力が上がって第２端部９２４付近が破裂し、ひいては、セラミックヒータ９０１の亀裂（破壊）を招く。
【００１１】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、使用時におけるマイグレーションパターンを起点にした破壊を抑制できるセラミックヒータ及びこのようなセラミックヒータを備える積層型ガスセンサ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
その解決手段は、第１主面と第２主面を有し、先端から基端に向かって軸線方向に延びる板状の第１セラミック基板と、前記第１主面に形成され、前記基端側に正電極部と負電極部とを有し、前記正電極部から前記先端側に延び、前記先端側を経由して前記基端側に戻り、前記負電極部に繋がる形状をなす発熱パターンと、前記第２主面に形成され、前記基端側に第１端部を、前記第１端部と自身の先端との間に第２端部を有し、前記第１端部から前記先端側に延び、前記先端側を経由して前記基端側に戻り、前記第２端部に繋がる形状をなすマイグレーションパターンであって、通電時に前記正電極部よりも負電位とされるマイグレーションパターンと、前記第２主面に積層され、前記マイグレーションパターンを覆う板状の第２セラミック基板と、を備えるセラミックヒータであって、前記マイグレーションパターンには、前記第２端部と、前記第１端部から前記先端側に向かって軸線方向に延びる部分とを結ぶバイパスリード部が形成されていることを特徴とするセラミックヒータである。
【００１３】
本発明のセラミックヒータは、発熱パターンの他に、発熱パターンの断線を防止するためのマイグレーションパターンを有する。このうち、マイグレーションパターンは、従来技術で例示したものと同様に、第１端部と第２端部とこれらを繋ぐ部分を有するが、これらの他に、第２端部と、第１端部から先端側に軸線方向に向かって延びる部分とを結ぶバイパスリード部をも有する。
従来技術のマイグレーションパターンでは、前述したように、第２端部がセラミック基板に被覆されると共に第２主面上の途中で途切れるように位置するため、先端側から第２端部に延びる部分に押し出された水分が外部へ逃げられず、それが加熱されて水蒸気となって第２端部付近が破裂し、セラミックヒータの亀裂（破壊）を招く。
しかし、本発明では、マイグレーションパターンの一部として、第２端部と、第１端部と先端側を繋ぐ部分とを結ぶバイパスリード部が形成されているので、マイグレーションパターンに水分が侵入したとしても、先端側から第２端部に延びる部分に侵入した水分は、第２端部からバイパスリード部を通じて、第１端部と先端側を繋ぐ部分に戻り、さらに、第１端部から外部へ放出される。従って、マイグレーションパターン内に侵入した水分は、全て放出される。このため、マイグレーションパターン内に侵入した水分が原因となる使用時の第２端部付近の破裂を防止し、セラミックヒータの破壊を防止できる。
【００１４】
さらに、上記のセラミックヒータであって、前記第２端部と前記バイパスリード部は、いずれも前記第１セラミック基板の中央よりも前記先端側に形成されていることを特徴とするセラミックヒータとすると良い。
【００１５】
本発明によれば、第２端部と、先端側から第２端部に移動してきた水分を第１端部側に逃がすバイパスリード部が、セラミック基板の中央よりも先端側に形成されている。このように第２端部とバイパスリード部をセラミック基板の先端側に設けることにより、バイパスリード部を用いる場合でも、マイグレーションパターンを形成する電極材料の使用量を低減することができ、安価でかつ信頼性の高いセラミックヒータを得ることができる。
【００１６】
さらに、上記のいずれかに記載のセラミックヒータであって、前記バイパスリード部は、前記第２端部から前記基端側に向かって延びて、前記第１端部から前記先端側に向かって軸線方向に延びる部分に接続されていることを特徴とするセラミックヒータとすると良い。
【００１７】
セラミックヒータは、発熱パターンが正電極部から先端側に延び、先端側を経由して負電極部に繋がる形状をなすことから、先端側が加熱されやすく、マイグレーションパターン内に侵入した水分も、先端側から水蒸気となる傾向がある。従って、マイグレーションパターン内に侵入した水分は、先端側から基端側に向けて移動する。このような現象を踏まえ、本発明では、バイパスリード部が第２端部から基端側に向けて形成されているため、マイグレーションパターン内に侵入した水分は、第２端部からバイパスリード部を通じて第１端部へ逃げやすい。従って、第２端部付近の破裂をより効果的に防止できる。
【００１８】
さらに、上記のいずれかに記載のセラミックヒータであって、前記発熱パターンの負電極部と前記マイグレーションパターンの第１端部は、電気的に接続されていることを特徴とするセラミックヒータとすると良い。
【００１９】
本発明によれば、発熱パターンの負電極部とマイグレーションパターンの第１端部が電気的に接続されている。このように両者を接続することで、マイグレーションパターンを、発熱パターンの正電極部よりも、容易に負電位とすることができる。
【００２０】
また、他の解決手段は、上記のいずれかに記載のセラミックヒータと、一対の電極層が形成された固体電解質層を少なくとも備え、前記セラミックヒータに積層されたガス検出素子と、を備えることを特徴とする積層型ガスセンサ素子である。
【００２１】
本発明の積層型ガスセンサ素子は、上記のセラミックヒータを備えるため、マイグレーションパターン内に侵入した水分が原因となる第２端部付近の破裂を防止し、セラミックヒータの破壊を防止できる。従って、信頼性の高い積層型ガスセンサ素子とすることができる。
なお、積層型ガスセンサ素子は、上記の要件を満たすものであれば、いかなる種類のものでもよく、例えば、酸素センサ素子や全領域空燃比センサ素子、ＮＯｘセンサ素子などが挙げられる。また、積層型セラミック素子は、セラミックヒータとガス検出素子とを焼成一体化して得たものでも、貼り合わせ層（例えばセメント）を介して焼成後のセラミックヒータ及びガス検出素子を貼り合わせて得たものでもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。
本実施形態のセラミックヒータ１０１の斜視図を図１に、また、セラミックヒータ１０１の構成を図２に示す。この軸線方向に延びるセラミックヒータ１０１は、積層型のＮＯｘセンサ素子に利用されるものである。セラミックヒータ１０１は、ヒータ表面１０１Ｂとヒータ裏面１０１Ｃを有する約４５ｍｍ（軸線方向の長さ）×約３．６ｍｍ（幅）×約１．２ｍｍ（厚さ）の略矩形の板形状をなす。セラミックヒータ１０１は、３層のセラミック基板、即ち、ヒータ表面１０１Ｂ側から、表面側セラミック基板１０３（第２セラミック基板）、中央セラミック基板１０５（第１セラミック基板）、及び、裏面側セラミック基板１０７が積層されている。これらのセラミック基板１０３，１０５，１０７は、主としてアルミナからなる。
【００２３】
このうち中央セラミック基板１０５の裏面１０５Ｃ（第１主面）、即ち、中央セラミック基板１０５と裏面側セラミック基板１０７の層間には、主としてＰｔからなる多孔質状の発熱パターン１１１が形成されている。この発熱パターン１１１は、中央セラミック基板１０５の基端側（図２中右側）に形成された一対の正電極部１１３及び負電極部１１４を有し、正電極部１１３から中央セラミック基板１０５の先端側（図２中左側）に向かって軸線方向に延び、先端側を経由して基端側に戻り、負電極部１１４に繋がる形状（パターン形状）をなしており、通電により発熱する。なお、発熱パターン１１１は、先端側に配置される蛇行状の発熱部１１５と、発熱部１１５の両基端から軸線方向に沿って延びる一対のリード部１１６ａ，１１６ｂとを有し、発熱部１１５の急速昇温を図るべく発熱部１１５の線幅をリード部１１６ａ，１１６ｂの線幅よりも細くして単位長さ当たりの抵抗値が小さくなるように形成されている。
【００２４】
一方、中央セラミック基板１０５の表面１０５Ｂ（第２主面）、即ち、表面側セラミック基板１０３と中央セラミック基板１０５の層間には、主としてＰｔからなる多孔質状のマイグレーションパターン１２１が形成されている。このマイグレーションパターン１２１を図３にも示す。マイグレーションパターン１２１は、発熱パターン１１１とおよそ対向する形で形成されている。具体的には、マイグレーションパターン１２１は、中央セラミック基板１０５の基端側（図２中右側、図３中下側）に形成された第１端部１２３と、中央セラミック基板１０５の先端と第１端部１２３との間（具体的には軸線方向の中央より先端側の位置）に形成された第２端部１２４とを有し、第１端部１２３から中央セラミック基板１０５の先端側に軸線方向に向かって延び、先端側を経由して基端側に戻り、第２端部１２４に繋がる形状をなしている。なお、マイグレーションパターン１２１は、上述したように発熱パターン１１１とおよそ対向する形で形成されており、発熱部１１５と対向するマイグレ先端部１２５と、リード部１１６ａ，１１６ｂと対向しつつマイグレ先端部１２５よりも線幅の太い一対のマイグレリード部１２９ａ，１２９ｂとを有する。
【００２５】
ところで、本実施形態では、第２端部１２４から延び、第１端部１２４から先端側に延びるマイグレリード部１２９ａに接続するバイパスリード部１２８を有する。このバイパスリード部１２８は、中央セラミック基板１０５の軸線方向の中央より先端側に形成され、第２端部１２４から基端側に向かって延びている。
また、中央セラミック基板１０５の表面１０５Ｂには、中央セラミック基板１０５の基端側に形成された第３端部１２６と、この第３端部１２６から中央セラミック基板１０５の先端側に向かって延びるリード部１２７が形成されている。なお、このリード部１２７と上述した第２端部１２４とは、電気的に非接続の状態で形成されている。
【００２６】
発熱パターン１１１の負電極部１１４とマイグレーションパターン１２１の第１端部１２３は、中央セラミック基板１０５を貫通して形成された第１スルーホール導体１３１を介して電気的に接続されている。従って、マイグレーションパターン１２１は、バイパスリード部１２８も含め、通電時に発熱パターン１１１の負電極部１１４と同電位になる。
また、発熱パターン１１１の正電極部１１３と第３端部１２６も、中央セラミック基板１０５を貫通して形成された第２スルーホール導体１３２を介して電気的に接続されている。従って、第３端部１２６及びリード部１２７は、通電時に発熱パターン１１１の正電極部１１３と同電位になる。
【００２７】
また、表面側セラミック基板１０３と中央セラミック基板１０５の層間には、図１及び図２に示すように、マイグレーションパターン１２１の第１端部１２３に電気的に接続し、セラミックヒータ１０１の基端から外部に延びる負電極外部端子１４１と、第３端部１２６に電気的に接続し、セラミックヒータ１０１の基端から外部に延びる正電極外部端子１４２が設けられている。
【００２８】
このようなセラミックヒータ１０１は、マイグレーションパターン１２１に、第２端部１２４と、第１端部１２３から先端側に延びるマイグレリード部１２９ａとを結ぶバイパスリード部１２８を有するので、正電極外部端子１４１、負電極外部端子１４２間に電圧を印加してヒータ先端部が加熱されたとき、第１端部１２３を介して多孔質状のマイグレーションパターン１２１自身内に侵入した水分は、マイグレ先端部１２５からマイグレリード部１２９ｂ、第２端部１２４、バイパスリード部１２８を通じてマイグレリード部１２９ａに戻り、さらに、第１端部１２３から外部へ放出される。従って、マイグレーションパターン１２１内に侵入した水分が原因となる第２端部１２４付近の破裂を防止し、セラミックヒータ１０１の破壊を防止できる。
【００２９】
また、本実施形態では、バイパスリード部１２８が第２端部１２４から基端側に向けて形成されているため、マイグレーションパターン１２１内に侵入した水分は、第２端部１２４からバイパスリード部１２８を通じてマイグレリード部１２９ａそして第１端部１２３へ逃げやすい。従って、第２端部１２４付近の破裂をより効果的に防止できる。
また、本実施形態では、発熱パターン１１１の負電極部１１４とマイグレーションパターン１２１の第１端部１２３が電気的に接続しているので、マイグレーションパターン１２１を、発熱パターン１１１の正電極部１１３よりも、容易に負電位とすることができる。
なお、このセラミックヒータ１０１は、セラミックヒータの公知の製造方法に基づいて製造することができる。
【００３０】
次いで、上記セラミックヒータ１０１を有するＮＯｘセンサ素子２０１について説明する。本実施形態のＮＯｘガスセンサ素子２０１の模式的な斜視図を図４に、また、ＮＯｘガスセンサ素子２０１の先端付近の部分拡大断面図を図５に示す。このＮＯｘガスセンサ素子２０１は、積層型のセンサ素子であり、略直方体形状をなす。ＮＯｘガスセンサ素子２０１は、上述したセラミックヒータ１０１と、このヒータ裏面１０１Ｃに接合された板状のガス検出素子２１１とを備える。
【００３１】
このうちガス検出素子２１１は、ジルコニア固体電解質層を複数積層して形成されるものであり、特開２０００−２５８３８８号などに開示される従来公知の構造及び測定原理を有し、窒素酸化物（ＮＯｘ）濃度を検出するものである。
即ち、図５に示すように、ガス検出素子２１１は、被測定ガスとしての自動車の排ガスが、第１拡散通路２１３、第１室２１５、及び、第２拡散通路２１７を順次経由して第２室２１９へ至るように、ジルコニアシート２２１，２２３，２２５とアルミナ絶縁層２２７，２２９とを交互に積層して構成されている。これらの積層によって構成されるガス検出素子２１１の隣接位置（図中上方）には、このガス検出素子２１１を加熱して活性化させるため、上述したセラミックヒータ１０１が配設されている。
【００３２】
セラミックヒータ１０１に最も近接して配置された図中上方のジルコニアシート２２１の両面には、このジルコニアシート２２１に第１酸素イオンポンプセル２３１を構成すべく、多孔質電極２３１ａ，２３１ｂが設けられている。第１拡散通路２１３、第１室２１５及びアルミナ絶縁層２２７を挟んで図中上方のジルコニアシート２２１に積層された図中中央のジルコニアシート２２３には、第２拡散通路２１７が形成され、その第２拡散通路２１７近傍のジルコニアシート２２３の両面には、酸素濃度測定セル２３３を構成すべく、多孔質電極２３３ａ，２３３ｂが設けられている。更に、第２室２１９及びアルミナ絶縁層２２９を挟んで図中中央のジルコニアシート２２３に積層された図中下方のジルコニアシート２２５には、第２室２１９との対向面及びアルミナ絶縁層２２９との対向面に、第２酸素イオンポンプセル２３５を構成すべく、多孔質電極２３５ａ，２３５ｂが設けられている。なお、第１拡散通路２１３及び第２拡散通路２１７は、拡散抵抗を有する拡散抵抗部を意味する。
【００３３】
このＮＯｘガスセンサ素子２０１も、ガスセンサ素子の公知の製造方法に基づいて製造することができる。本実施形態では、セラミックヒータ１０１とガス検出素子２１１を別々に製造（焼成）した後、貼り合わせ層（セメント）を介して両者を接合している。
【００３４】
このようなＮＯｘガスセンサ素子２０１は、前述のセラミックヒータ１０１を備えるため、そのマイグレーションパターン１２１内に侵入した水分が原因となる第２端部１２４付近の破裂を防止し、セラミックヒータ１０１の破壊を防止できる。従って、信頼性の高いガスセンサ素子２０１とすることができる。
【００３５】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態のＮＯｘガスセンサ素子２０１では、セラミックヒータ１０１とガス検出素子２１１を別々に製造（焼成）した後に両者を接合してるが、セラミックヒータ１０１とガス検出素子２１１を同時焼成することにより製造しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】実施形態に係るセラミックヒータの斜視図である。
【図２】実施形態に係るセラミックヒータの構成を示す説明図である。
【図３】実施形態に係るセラミックヒータのうちマイグレーションパターンを示す説明図である。
【図４】実施形態に係るＮＯｘガスセンサ素子の斜視図である。
【図５】実施形態に係るＮＯｘガスセンサ素子の先端付近の部分拡大断面図である。
【図６】従来技術に係るセラミックヒータの構成を示す説明図である。
【図７】従来技術に係るセラミックヒータのうちマイグレーションパターンを示す説明図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０１  セラミックヒータ
１０３  表面側セラミック基板（第２セラミック基板）
１０５  中央セラミック基板（第１セラミック基板）
１０５Ｂ  （中央セラミック基板の）表面（第２主面）
１０５Ｃ  （中央セラミック基板の）裏面（第１主面）
１０７  裏面側セラミック基板
１１１  発熱パターン
１１３  （発熱パターンの）正電極部
１１４  （発熱パターンの）負電極部
１２１  マイグレーションパターン
１２３  （マイグレーションパターンの）第１端部
１２４  （マイグレーションパターンの）第２端部
１２８  （マイグレーションパターンの）バイパスリード部
２０１  ガスセンサ素子
２１１  ガス検出素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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