(57)【要約】【課題】  光学系ミラーへのレジスト脱ガス汚染を確実に防止する。【解決手段】  原版面に描かれたパターンを投影光学系７を介して基板であるウエハ８Ａに投影し、該投影光学系に対し原版７とウエハ８Ａのうちの少なくともウエハ８Ａをステージ８により相対的に移動させることにより、原版７のパターンをウエハ８Ａに繰り返し露光するために真空環境内に配置され、投影光学系７の露光光束周辺部、またはミラーＣとミラーＥ間の箇所に、電界トラップパネル２７とコールドトラップ手段であるクライオ冷凍機２３Ａ，２３F及びクライオ温調菅２３Ｂ，２３Gを設けた。【選択図】      図４-1
2005353986.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版面に描かれたパターンを投影光学系を介して基板に投影し、該投影光学系に対し原版と基板のうちの少なくとも基板をステージ装置により相対的に移動させることにより、原版のパターンを基板に繰り返し露光するために真空環境内に配置される露光装置において、該投影光学系あるいは露光光導入部の露光光束周辺部、光学素子間、光学素子光反射面近傍、及び透過面近傍のうちの少なくともいずれかの箇所に、電界トラップ手段とコールドトラップ手段の少なくともどちらかを設けたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記投影光学系の支持とコールドトラップ手段及び電界トラップ手段の少なくともどちらか一方の支持は分離別体構造で支持されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記コールドトラップ手段と前記電界トラップ手段のどちらかは、前記投影光学系と基板間、及び原版と前記投影光学系間の少なくともどちらかの該投影光学系近傍に配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記コールドトラップ手段と前記電界トラップ手段のどちらかは、露光光有効光束を避けて、投影光学系反射ミラーの切り欠き部内に配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項５】
基板に対して近接する位置に前記電界トラップ手段を設け、該電界トラップ手段に対して投影光学系反射ミラーから離間した位置に前記コールドトラップ手段を設けることを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項６】
基板に最近接した投影光学系反射ミラー近傍に前記電界トラップ手段を設け、基板から離間したその他の投影系反射ミラー近傍に前記コールドトラップ手段を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項７】
投影光学系反射ミラーの反射面近傍に前記電界トラップ手段を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項８】
前記電界トラップ手段に温調手段を設けることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の露光装置を用い、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程において用いられ、レチクルパターンをウエハなどの基板上に投影して転写する露光装置に関するものであり、その中でも、特にEUV光（Extreme Ultraviolet 極紫外光）である１３〜１４ｎｍ程度の波長の露光光を光源として使用し、真空内をミラー光学系より投影露光するEUV露光装置に適するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来例を図５及び図６に示す。
１０１は、励起レーザーであって、光源の発光点となる光源材料をガス化、液化、噴霧ガス化させたポイントに向けて照射し、光源材料原子をプラズマ励起することにより発光させる為の励起レーザーであり、ＹＡＧ固体レーザー等を用いている。
【０００３】
１０２は、光源発光部であり、その内部は真空に維持された構造を持つ。
ここで、１０２Aは光源Aであり、実際の露光光源の発光ポイントを示す。
【０００４】
１０３は、露光装置全体を格納する真空チャンバーであり、真空ポンプ１０４により真空状態を維持することを可能にする。
【０００５】
１０５は、光源発光部１０２からの露光光を導入成形する露光光導入部であり、１０５A〜１０５Dにて示すミラーA〜Dにより構成され、露光光を均質化かつ整形する。
【０００６】
１０６は、レチクルステージであり、このレチクルステージ１０６上の可動部には、露光パターンの反射原版である原版１０６Aが搭載されている。
【０００７】
１０７は、原版１０６Aから反射した露光パターンを縮小投影する、縮小投影ミラー光学系であり、当該露光パターンが１０７A〜１０７Eにて示すミラーＡ〜Ｅに順次投影反射し最終的に規定の縮小倍率比で縮小投影される。
【０００８】
１０８は、ウエハステージであり、原版１０６Aにより反射縮小投影されたパターンを露光するＳｉ基板であるウエハ１０８Ａを、所定の露光位置に位置決めする為に、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向移動、Ｘ，Ｙ軸回りのチルト、Ｚ軸回りの回転方向の６軸駆動可能に位置決め制御される。
【０００９】
１０９は、レチクルステージ支持体であり、レチクルステージ１０６を装置設置床に対して支持する。
【００１０】
１１０は、投影系本体であり、縮小投影ミラー光学系１０７を装置設置床に対して支持する。
【００１１】
１１１は、ウエハステージ支持体であり、ウエハステージ１０８を装置設置床に対して支持する。
【００１２】
以上のレチクルステージ支持体１０９と投影系本体１１０とウエハステージ支持体１１１により分離独立して支持された、レチクルステージ１０６と縮小投影ミラー光学系１０７間、及び縮小投影ミラー光学系１０７とウエハステージ１０８間は、相対位置を位置計測し所定の相対位置に連続して維持制御する手段（不図示）が設けられている。
【００１３】
また、レチクルステージ支持体１０９と投影系本体１１０とウエハステージ支持体１１１には、装置設置床からの振動を絶縁するマウント（不図示）が設けられている。
【００１４】
１１２は、装置外部から一旦装置内部に原版１０６Aであるレチクルを保管するレチクルストッカーであり、保管容器に密閉状態で異なるパターン及び異なる露光条件に合わせたレチクルが保管されている。
【００１５】
１１３は、前記レチクルストッカー１１２から使用するレチクルを選択して搬送するレチクルチェンジャーである。
【００１６】
１１４は、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向移動及びＺ軸周りに回転可能な回転ハンドを備えて成るレチクルアライメントユニットであり、前記レチクルチェンジャー１１３から原版１０６Aを受け取り、レチクルステージ１０６の端部に設けられた、レチクルアライメントスコープ１１５部分に１８０度回転搬送し、縮小投影ミラー光学系１０７基準に設けられたアライメントマーク１１５Ａに対して原版１０６Ａ上をＸ，Ｙ，Ｚ軸回転方向に微動してアライメントする。
【００１７】
アライメントを終了した原版１０６Ａは、レチクルステージ１０６上にチャッキングされる。
【００１８】
１１６は、装置外部から一旦装置内部にウエハ１０８Aを保管するウエハストッカーであり、保管容器に複数枚のウエハが保管されている。
【００１９】
１１７は、ウエハ搬送ロボットであり、前記ウエアストッカー１１６から露光処理するウエハ１０８Ａを選定し、ウエハメカプリアライメント温調機１１８に運ぶ。
【００２０】
ウエハメカプリアライメント温調機１１８では、ウエハの回転方向の送り込み粗調整を行うと同時に、ウエハ温度を露光装置内部温調温度に合わせ込む。
【００２１】
１１９は、ウエハ送り込みハンドであり、ウエハメカプリアライメント温調機１１８にてアライメントと温調されたウエハ１０８Ａをウエハステージ１０８に送り込む。
【００２２】
１２０、及び１２１は、ゲートバルブであり、装置外部からレチクル及びウエハを挿入するゲート開閉機構を備えている。
【００２３】
１２２も同じくゲートバルブであり、装置内部でウエハストッカー１１６及びウエハメカプリアライメント温調機１１８の空間と露光空間を隔壁で分離し、ウエハ１０８Ａを搬送搬出するときのみ開閉する。
【００２４】
このように、装置内部は、隔壁で分離することにより、ウエハ１０８Ａの装置外部との搬送搬出の際に、一旦大気開放される容積を最小限にして、速やかに真空平行状態にすることを可能にしている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
このような、従来の構成の露光装置では、図６に示す様に、ウエハ１０８Ａ上に塗布されたレジストから露光中に発生するレジスト脱ガス１０８Bが真空内雰囲気を汚し、縮小投影ミラー光学系１０７、即ち１０７A．〜１０７Eにて示すミラーＡ〜Ｅの表面に付着し、反射面汚染物質付着１０７Fを引き起こすことにより、反射面の波面収差を悪化させたり反射率低下を引き起こし、極めて厳しいミラー面収差及び形状精度及び反射率が要求さ
れる投影光学系ミラーの精度を補償出来なくなる。
【００２６】
これらは、総じて露光装置の露光精度及びスループット等の基本性能の劣化につながる。
本発明は、光学系ミラーへのレジスト脱ガス汚染を確実に防止することができる露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
上記目的を達成するために、本発明は、原版面に描かれたパターンを投影光学系を介して基板に投影し、該投影光学系に対し原版と基板のうちの少なくとも基板をステージ装置により相対的に移動させることにより、原版のパターンを基板に繰り返し露光するために真空環境内に配置される露光装置において、該投影光学系あるいは露光光導入部の露光光束周辺部、光学素子間、光学素子光反射面近傍、及び透過面近傍のうちの少なくともいずれかの箇所に、電界トラップ手段とコールドトラップ手段の少なくともどちらかを設けたことを特徴とする。
【００２８】
前記投影光学系の支持とコールドトラップ手段及び電界トラップ手段の少なくともどちらか一方の支持とは分離別体構造で支持されていることが好ましく、前記コールドトラップ手段と前記電界トラップ手段のどちらかは、投影光学系と基板間、及び原版と投影光学系間の少なくともどちらかの該投影光学系近傍に配置されることが好ましく、前記コールドトラップ手段と前記電界トラップ手段のどちらかは、露光光有効光束を避けて、投影光学系反射ミラーの切り欠き部内に配置されることを特徴としてもよい。
また、本発明は、基板に対して近接する位置に前記電界トラップ手段を設け、該電界トラップ手段に対して投影光学系反射ミラーから離間した位置に前記コールドトラップ手段を設けることを特徴としてもよく、基板に最近接した投影光学系反射ミラー近傍に前記電界トラップ手段を設け、基板から離間したその他の投影系反射ミラー近傍に前記コールドトラップ手段を設けたことを特徴としてもよい。
【００２９】
また、本発明は、投影光学系反射ミラーの反射面近傍に前記電界トラップ手段を設けたことを特徴としてもよく、前記電界トラップ手段に温調手段を設けることを特徴としてもよい。
【００３０】
本発明に係るデバイス製造方法は、上記いずれかの露光装置を用い、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とする。例えば、本発明では、基板と投影系ミラー間、あるいは露光光導入部と原版間の、反射ミラー近傍に電界トラップパネル及び極低温パネルを設けてレジストガスをトラップする。電界を形成する手段として、電極パネルあるいは電極網を設けることにより、脱ガスの電界吸着捕獲する。
【００３１】
さらに、電界トラップに対して、基板から離間した位置あるいは反射面から離間した位置に極低温の冷媒を循環させたコイルを配置することで、基板上に塗布されたレジストから発生するガスを吸着捕獲し、該ガスが真空内雰囲気を汚し、縮小投影ミラー光学系表面に付着することを防ぐ。
【００３２】
電界トラップ手段を反射ミラーに近接した位置に設けることにより、反射ミラーへの温度外乱無くレジストガスのトラップを可能にする。また、反射ミラー及び電界トラップから離間した位置にコールドトラップ手段を設けることにより、電界トラップで捕獲し切れなかったレジストガスをトラップする。
また、前記コールドトラップパネルからの極低温外乱が、反射ミラーへ入るのを防ぐ目的で、電界トラップパネルを温調手段にする。
【００３３】
以上により、本発明は投影光学系ミラーの精度を維持し露光精度及びスループット等の基本性能を維持することを可能にする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明では、脱ガス吸着捕獲を実現することにより、ミラー面の反射面汚染物質付着を防ぎ、反射面の波面収差悪化と反射率低下を防止し、ミラー面収差及び形状精度及び反射率が要求される投影光学系ミラーの精度を補償することが可能になる。
結果として、露光装置の露光精度及びスループット等の基本性能の向上を図る効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
本発明を実施するための最良の形態について、以下に、原版がレチクルまたはマスクであり、基板がウエハである場合の実施例を挙げて、図面を参照しながら詳細に説明する。図１〜図５及び図７に、本発明の実施例を示す。
【実施例１】
【００３６】
以下に、図1及び図２を参照しながら本発明の実施例１を説明する。
１は、励起レーザーであって、光源の発光点となる光源材料をガス化、液化、噴霧ガス化させたポイントに向けて照射し、光源材料原子をプラズマ励起することにより発光させる為の励起レーザーであり、YAG固体レーザー等を用いる。
【００３７】
２は、光源発光部であって、内部は真空に維持された構造を持つ。この光源発光部２の内部構造は図２に示す。
ここで、２Aは光源Aであり、実際の露光光源の発光ポイントを示す。
【００３８】
３は、露光装置全体を格納する真空チャンバーであり、真空ポンプ４により真空状態を維持することが可能である。
【００３９】
５は、光源発光部２からの露光光を導入成形する露光光導入部であり、５A〜５Dにて示すミラーA〜Dにより構成され、露光光を均質化かつ整形する。
【００４０】
６は、レチクルステージであり、このレチクルステージ６上の可動部には、露光パターンの反射原版である原版６Aが搭載されている。
【００４１】
７は、原版６Aから反射した露光パターンを縮小投影する、縮小投影ミラー光学系であり、露光パターンは７A〜７Eにて示すミラーＡ〜Ｅに順次投影反射し最終的に規定の縮小倍率比で縮小投影される。
【００４２】
８は、ウエハステージであり、原版６Aにより反射縮小投影されたパターンを露光するＳｉ基板であるウエハ８Aを、所定の露光位置に位置決めする為に、X，Y，Z方向の移動、X，Y軸回りのチルト、Z軸回りの回転方向の６軸駆動可能に位置決め制御される。
【００４３】
９は、レチクルステージ支持体であり、レチクルステージ６を装置設置床に対して支持する。
【００４４】
１０は、投影系本体であり、縮小投影ミラー光学系７を装置設置床に対して支持する。
【００４５】
１１は、ウエハステージ支持体であり、ウエハステージ８を装置設置床に対して支持する。
【００４６】
以上のレチクルステージ支持体９と投影系本体１０とウエハステージ支持体１１により分離独立して支持された、レチクルステージ６と縮小投影ミラー光学系７間、及び縮小投影ミラー光学系７とウエハステージ８間は、相対位置を位置計測し所定の相対位置に連続して維持制御する手段（不図示）が設けられている。
【００４７】
また、レチクルステージ支持体９と投影系本体１０とウエハステージ支持体１１には、装置設置床からの振動を絶縁するマウント（不図示）が設けられている。
【００４８】
１２は、装置外部から一旦装置内部に原版６A（レチクル）を保管するレチクルストッカーであり、保管容器に密閉状態で異なるパターン及び異なる露光条件に合わせたレチクルが保管されている。
【００４９】
１３は、前記レチクルストッカー１２から使用するレチクルを選択して搬送するレチクルチェンジャーである。
【００５０】
１４は、X，Y，Z方向の移動及びＺ軸周りに回転可能な回転ハンドを備えて成るレチクルアライメントユニットであり、前記レチクルチェンジャー１３から、原版６Aを受け取り、レチクルステージ６の端部に設けられた、レチクルアライメントスコープ１５の部分に１８０度回転搬送し、縮小投影ミラー光学系７基準に設けられたアライメントマーク１５Ａに対して原版６Ａ上をＸ，Ｙ，Ｚ軸回転方向に微動してアライメントする。
アライメントを終了した原版６Ａは、レチクルステージ６上にチャッキングされる。
【００５１】
１６は、装置外部から一旦装置内部にウエハ８Aを保管するウエハストッカーであり、保管容器に複数枚のウエハが保管されている。
【００５２】
１７は、ウエハ搬送ロボットであり、前記ウエアストッカー１６から露光処理するウエハ８Ａを選定し、ウエハメカプリアライメント温調機１８に運ぶ。
【００５３】
ウエハメカプリアライメント温調機１８では、ウエハの回転方向の送り込み粗調整を行うと同時に、ウエハ温度を露光装置内部温調温度に合わせ込む。
【００５４】
１９は、ウエハ送り込みハンドであり、ウエハメカプリアライメント温調機１８にてアライメントと温調されたウエハ８Ａを、ウエハステージ８に送り込む。
【００５５】
２０及び２１は、ゲートバルブであり、装置外部からレチクル及びウエハを挿入するゲート開閉機構を備える。
【００５６】
２２も、同じくゲートバルブであり、装置内部でウエハストッカー１６びウエハメカプリアライメント温調機１８の空間と露光空間を隔壁で分離し、ウエハ８Ａを搬送搬出するときのみ開閉する。
【００５７】
このように、この露光装置は、内部を隔壁で分離することにより、ウエハ８Ａの装置外部との搬送搬出の際に、一旦大気開放される容積を最小限にして、真空チャンバー３内を速やかに真空平衡状態にすることを可能にしている。
【００５８】
以上の構成の露光装置で、本実施例では、上記ミラー表面へのガスの付着の問題を解決する為に、ウエハ上のレジストから発生するガスの除去手段の実施例を示す。
【００５９】
図２に除去手段の実施例を示す。ここで、真空チャンバー３内に構成されているウエハ
ステージ８と、縮小投影ミラー光学系７は、ウエハ８Aからの直接のレジスト脱ガス８Bの移動がないよう略遮蔽された構造をとる。但し、縮小投影ミラー光学７内部の真空を維持する為の必要な開口部は設けてある。また、露光光の通過する部分は開口を設けている。
【００６０】
ここで、本実施例では、クライオ冷凍機２３により、極低温（＜100K）に維持された極低温のクライオパネル２３Ａが、縮小投影ミラー光学系７内の露光光透過用の開口部の直近内部に設けられており、レジスト脱ガス８Bの移動を極低温パネルにより吸着捕獲することにより、レジスト脱ガス８Bが、縮小投影ミラー光学系７に流入することを防ぐ。
【００６１】
また、クライオ冷凍機２４により、極低温（＜100K）に維持された極低温のクライオパネル２４Ａが、縮小投影ミラー光学系７内の原版（レチクル）６A側の露光光透過用の開口部の直近内部に設けられており、レチクルステージ６の空間からの脱ガス（図中↓）の移動を極低温パネルにより吸着捕獲することにより、脱ガスが、縮小投影ミラー光学系７に流入することを防ぐ。
【実施例２】
【００６２】
本発明の実施例２に係る露光装置を、図３に示す。
ここで、、縮小投影ミラー光学７は、投影系本体１０により床に対して除振保持されている。また、クライオ冷凍機２３及びクライオ冷凍機２４は、冷凍機の熱交換動作時の振動が大きい為、それぞれ支持台２５及び支持台２６にて分離保持されることにより、投影系本体１０へのクライオ冷凍機からの振動を遮断することが出来るため、縮小投影ミラー光学系７への振動伝達及び歪みの発生を抑えることができ、露光精度の悪化を防ぐことができる。
【実施例３】
【００６３】
本発明の実施例３に係る投影光学系を図４−1に示す。
本実施例は、実施例１に対して、さらに脱ガスの吸着捕獲効果を高める目的で、電界トラップ手段を設ける方法の一例である。
【００６４】
この投影光学系は、ミラーＥ寄りの位置にクライオ冷凍機２３Ａ及びクライオ温調菅２３Ｂを設け、ミラーＣ寄りの位置にクライオ冷凍機２３F及びクライオ温調菅２３Gを設けるとともに、ミラーＣとミラーＥ間のレジスト脱ガストラップ２３Cに近接して電界トラップパネル２７を設けてある。そして、この投影光学系は、電界印加ライン２８にて電位を与えることにより、電界トラップパネル２７に電界が発生する。ここに、イオン化ガス８Cの成分がトラップされることにより、極低温トラップと並行して、さらにレジスト脱ガスの吸着捕獲性能を上げることが可能になる。
【００６５】
ミラーＣの近傍には断熱温調板２３Jが配置され、ミラーＥの近傍には断熱温調板２３Dが配置され、それぞれ断熱温調冷媒２３K，２３Dが供給される。２３Hは、ミラーＤとミラーＥ間のレジスト脱ガストラップパネルである。
【実施例４】
【００６６】
本発明の実施例４に係る投影光学系を図４−2に示す。図４−2において、図４−1に記載した要素と同一の要素には同一符号を付してその説明を省略する。
本実施例は、実施例３に対して、電界トラップ手段とコールドトラップ手段を分離して設ける方法の一例である。その際、図４−2に示すように、ウエハ面に近接した位置に電界トラップ手段を配置し、電界トラップ手段で捕獲出来なかったレジスト脱ガス成分に関しては、コールドトラップ手段を用いて捕獲する。
ここで、電界印加ライン２８により電位を与えることにより、電界トラップパネル２７に電界が発生する。
ここに、イオン化ガス８Cの成分がトラップされることにより、極低温トラップと並行して、さらにレジスト脱ガスの吸着捕獲性能を上げることが可能になる。
【実施例５】
【００６７】
本発明の実施例５に係る投影光学系を図４−3に示す。図４−3において、図４−1に記載した要素と同一の要素には同一符号を付してその説明を省略する。
本実施例は、実施例３に対して、電界トラップ手段とコールドトラップ手段を分離して設ける方法の一例である。その際、図４−3に示すように、反射ミラー面に近接した位置に電界トラップ手段を配置し、反射ミラーから離間した位置で電界トラップ手段で捕獲出来なかったレジスト脱ガス成分に関しては、コールドトラップ手段を用いて捕獲することも可能である。この構成にすることにより、反射ミラーに近接して面する位置に、反射ミラーに対して熱的外乱の少ない電界トラップを設けることにより、反射面への歪みの影響を無くすことが可能になる。
ここで、電界印加ライン２８により電位を与えることにより、電界トラップパネル２７に電界が発生する。
ここに、イオン化ガス８Cの成分がトラップされることにより、極低温トラップと並行して、さらにレジスト脱ガスの吸着捕獲性能を上げることが可能になる。
【００６８】
この構成で、前記コールドトラップパネルからの極低温外乱が、反射ミラーへ入るのを防ぐ目的で、図中電界トラップパネルを温調手段にする（不図示）ことにより、反射ミラーへのコールドトラップパネルからの極低温外乱印加を防ぐ。
【実施例６】
【００６９】
次に、本発明の実施例６として、上記露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図７は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
【００７０】
上記ステップ４のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに転写する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の実施例１に係る露光装置全体を示す立面図である。
【図２】本発明の実施例１に係る露光装置の主要部を示す立面図である。
【図３】本発明の実施例２に係る露光装置全体を示す図である。
【図４−１】本発明の実施例３に係る投影光学系を示す構成図である。
【図４−２】本発明の実施例４に係る投影光学系を示す構成図である。
【図４−３】本発明の実施例５に係る投影光学系を示す構成図である。
【図５】従来例に係る露光装置全体を示す図である。
【図６】従来例に係る投影光学系を示す構成図である。
【図７】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【符号の説明】
【００７２】
１：励起レーザー、
２：光源発光部、
２A：光源A、
３：真空チャンバー、
４：空ポンプ、
５：露光光導入部、
５A：ミラーA、
５B：ミラーB、
５C：ミラーC、
５D：ミラーD、
５Ｅ：ミラー鏡筒、
５Ｆ：ミラー支持体、
６：レチクルステージ、
６A：原版、
７：縮小投影ミラー光学系、
７A：ミラーA、
７B：ミラーB、
７C：ミラーC、
７D：ミラーD、
７E：ミラーE、
８：ウエハステージ、
８A：ウエハ、
８B：レジスト脱ガス、
８C：イオン化ガス、
９：レチクルステージ支持体、
１０：投影系本体、
１１：ウエハステージ支持体、
１２：レチクルストッカー、
１３：レチクルチェンジャー、
１４：レチクルアライメントユニット、
１５：レチクルアライメントスコープ、
１６：ウエハストッカー、
１７：ウエハ搬送ロボット、
１８：ウエハメカプリアライメント温調機、
１９：ウエハ送り込みハンド、
２０：ゲートバルブ、
２１：ゲートバルブ、
２２：ゲートバルブ、２
２３：クライオ冷凍機、
２３A：クライオパネル、
２３B：クライオ温調菅、
２３C：レジスト脱ガストラップパネル、
２３D：断熱温調板、
２３E：断熱温調冷媒、
２３F：クライオ冷凍機、
２３G：クライオ温調菅、
２３H：レジスト脱ガストラップパネル、
２３J：断熱温調板、
２３K：断熱温調冷媒、
２４：クライオ冷凍機、
２４A：クライオパネル、
２５：支持台、
２６：支持台、
２７：電界トラップパネル、
２８：電界印加ライン。
（従来例） 
１０１：励起レーザー、
１０２：光源発光部、
１０２A：光源A、
１０３：真空チャンバー、
１０４：真空ポンプ、
１０５：露光光導入部、
１０５A：ミラーA、
１０５B：ミラーB、
１０５C：ミラーC、
１０５D：ミラーD、
１０６：レチクルステージ、
１０６A：原版、
１０７：縮小投影ミラー光学系、
１０７A：ミラーA、
１０７B：ミラーB、
１０７C：ミラーC、
１０７D：ミラーD、
１０７E：ミラーE、
１０８：ウエハステージ、
１０８A：ウエハ、
１０８B：レジスト脱ガス、
１０９：レチクルステージ支持体、
１１０：投影系本体、
１１１：ウエハステージ支持体、
１１２：レチクルストッカー、
１１３：レチクルチェンジャー、
１１４：レチクルアライメントユニット、
１１５：レチクルアライメントスコープ、
１１６：ウエハストッカー、
１１７：ウエハ搬送ロボット、
１１８：ウエハメカプリアライメント温調機、
１１９：ウエハ送り込みハンド、
１２０：ゲートバルブ、
１２１：ゲートバルブ、
１２２：ゲートバルブ。
【図４−１】
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【図４−２】
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【図４−３】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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