(57)【要約】【課題】  複数の物質に由来するスペクトル線を有する発光スペクトルを出力する群光源を提供する。【解決手段】  本発明の群光源では、ロッド状電極と、そのロッド状電極と対をなすリング状電極と、放電ガスとで構成される単位光源が複数配置されている。また、ロッド状電極群支持ブロックとリング状電極群支持ブロックを有している。ロッド状電極群支持ブロックには、ロッド状電極群が貫通し、その支持ブロックの一面にロッド状電極群の端部群が所定のパターンで露出し、その支持ブロックのその一面とその一面に露出しているロッド状電極群の端部群は同一平面に位置している。リング状電極群支持ブロックには、前記所定のパターンでリング状電極群が配置され、ロッド状電極群支持ブロックとリング状電極群支持ブロックが重ねあわされ、対をなす個々のロッド状電極の端部とリング状電極の間の空間に放電ガスが充填されている。【選択図】  図１
2005147888.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロッド状電極と、そのロッド状電極と対をなすリング状電極と、対をなすロッド状電極とリング状電極の間の空間を充填する放電ガスとで構成される単位光源が複数配置された群光源であり、
ロッド状電極群支持ブロックとリング状電極群支持ブロックを有しており、
ロッド状電極群支持ブロックには、ロッド状電極群が貫通しており、その支持ブロックの一面にロッド状電極群の端部群が所定のパターンで露出しており、その支持ブロックのその一面とその一面に露出しているロッド状電極群の端部群は同一平面に位置しており、
リング状電極群支持ブロックには、前記所定のパターンでリング状電極群が配置されており、
ロッド状電極群支持ブロックとリング状電極群支持ブロックが重ねあわされており、対をなす個々のロッド状電極の端部とリング状電極の間の空間に放電ガスが充填されていることを特徴とする群光源。
【請求項２】
ロッド状電極群支持ブロックとリング状電極群支持ブロックの間にスペーサ板が介在しており、そのスペーサ板は均質な厚みを有し、前記所定のパターンで開口群が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の群光源。
【請求項３】
リング状電極群支持ブロックの発光面側に、透明な密閉板が重ね合わされていることを特徴とする請求項１または２の群光源。
【請求項４】
前記リング状電極群支持ブロックに、リング状電極に接続する導体パターン群が形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の群光源。
【請求項５】
前記リング状電極群支持ブロックに、前記導体パターン群をオン・オフするスイッチング素子群が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の群光源。
【請求項６】
ロッド状電極群の端部群とリング状電極群の間の空間が連続しており、少なくとも１つのリング状電極が、他のリング状電極と異なる物質で形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の群光源。
【請求項７】
個々のロッド状電極の端部とリング状電極の間の空間が、隣接するロッド状電極の端部とリング状電極の間の空間から遮蔽されており、隣接する空間に異なる放電ガスが封止されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の群光源。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかの群光源と、分光分析手段を有し、
その群光源の発する光は被検査ガスに入射され、分光分析手段は被検査ガスを透過した群光源の発した光を分光分析し、各波長の強度変化から被検査ガスの成分分析をすることを特徴とする原子吸光分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、線上あるいは面上に配置された群光源に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガスの成分濃度を検査する方法として原子吸光分析が知られている。原子吸光分析は、被検査ガスに分析成分に対応した発光スペクトルを入射し、その透過光のスペクトル変化から分析成分の濃度を知るものである。その光源として、例えば特許文献１に開示されているホローカソードランプが用いられる。
【特許文献１】特開２０００−２４３３５４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
原子吸光分析では、分析成分に由来する発光スペクトルを出力する光源を用いる必要がある。特許文献１のランプでは、一つの物質に由来する発光スペクトルしか出力できないため、原子吸光分析の光源として用いる場合、分析できる成分は一種であり、複数の成分を検出するためには、複数のランプを準備する必要がある。
本発明は、複数の物質に由来する発光スペクトルを出力する光源を提供する。それにより、複数の成分を同時に原子吸光分析することを可能にする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明で創作した群光源は、単位光源が複数配置されて構成されており、その単位光源は、ロッド状電極と、そのロッド状電極と対をなすリング状電極と、対をなすロッド状電極とリング状電極の間の空間を充填する放電ガスとで構成されている。
本発明で創作した群光源は、ロッド状電極群支持ブロックとリング状電極群支持ブロックを有している。ロッド状電極群支持ブロックには、ロッド状電極群が貫通しており、その支持ブロックの一面にロッド状電極群の端部群が所定のパターンで露出している。ロッド状電極群の端部群が露出している支持ブロックの一面と、その一面に露出しているロッド状電極群の端部群は同一平面に位置している。リング状電極群支持ブロックには、前記所定のパターンでリング状電極群が配置されている。ロッド状電極群支持ブロックとリング状電極群支持ブロックが重ねあわされており、対をなす個々のロッド状電極の端部とリング状電極の間の空間に放電ガスが充填されている。
【０００５】
上記構成の群光源では、ロッド状電極とリング状電極からなる電極対が、複数構成されている。電極対に所定の電圧を印加することにより、ロッド状電極とリング状電極間に放電が発生する。放電によって放電領域に存在する放電ガスは励起される。励起状された放電ガスは、その後、より安定な低いエネルギー準位へと遷移する。このとき、放電ガスは光を発生する。即ち、１つの電極対の放電領域で１つの光源が構成される。複数の電極対が配置されることによって群光源が構成される。
【０００６】
ロッド状電極群支持ブロックの一面に露出しているロッド状電極群の端部群と、その支持ブロックの露出面が同一平面に位置している構造は、極めて製作しやすい。例えば、平面研削することによって、ロッド状電極群の端部群と支持ブロックの露出面を同一平面に研削することができる。
リング状電極群支持ブロックを用意しておくと、ロッド状電極群支持ブロックとリング状電極群支持ブロックを重ねあわせることによって群光源の基本構造が完成する。本発明の群光源は、単純な構造であり、安価に製造することができる。
【０００７】
リング状電極群支持ブロックに、リング状電極群を所定距離だけ沈めて配置すれば、ロッド状電極群支持ブロックとリング状電極群支持ブロックを直接的に重ねあわせることによって、対をなすロッド状電極とリング状電極の間に距離を確保することができ、放電ガスの充填空間を確保することができる。しかしながら、リング状電極群を所定距離だけ沈めてリング状電極群支持ブロックに配置しなければならない。
ロッド状電極群支持ブロックとリング状電極群支持ブロックの間にスペーサ板が介在させる構造を採用すると、この問題が解決される。そのスペーサ板は均質な厚みを有し、ロッド状電極群やリング状電極群が配置されているのと同じパターンで開口群が設けられていればよい。
この構造によると、リング状電極群支持ブロックのロッド状電極群支持ブロックに重ねあわされる面にリング状電極群が露出していることが許される。所定距離だけ沈めて配置する必要がない。リング状電極群が配置されたリング状電極群支持ブロックを平面研削することによって、リング状電極群の露出面群と支持ブロックの露出面を同一平面に研削してもよい。
この場合、対をなすロッド状電極とリング状電極の間に、スペーサ板の厚みに相当する距離が確保され、その距離を簡単かつ正確に調整することができる。
【０００８】
リング状電極群支持ブロックを透明体で形成し、発光面側を閉じておけば、リング状電極群支持ブロック自体で放電ガスを封止することができる。これに対して、リング状電極群支持ブロックの発光面側に透明な密閉板が重ね合わされている構造を採用すると、リング状電極群支持ブロックを構成する材料の選択幅が広がり、かつ、リング状電極群を収容するための凹所群を貫通孔群で構成することができる。リング状電極群支持ブロックの構造が単純化され、より簡単に製造することが可能となる。
【０００９】
リング状電極群支持ブロックに、リング状電極に接続する導体パターン群を形成することができる。導体パターン群は、プリント基板の要領で作成することができるが、その作成方法には限定されない。
リング状電極群支持ブロックに導体パターン群を形成しておくと、配線作業が著しく簡単化される。また光源群の集積度をあげることもできる。
【００１０】
さらにリング状電極群支持ブロックに、前記導体パターン群をオン・オフするスイッチング素子群を形成することもできる。
スイッチング素子群によって、個々の電極対へ電圧を印加するか否かを制御することができ、発光パターンを制御することができる。１つのリング状電極に対して１つのスイッチング素子を設けてもよいし、複数のリング状電極に対して１つのスイッチング素子を設けてもよい。
リング状電極群支持ブロックを半導体基板で形成すると、既存の半導体製造設備を利用して、スイッチング素子群が作りこまれたリング状電極群支持ブロックを製造することができる。
【００１１】
ロッド状電極群の端部群とリング状電極群の間の空間が連続していてもよい。この場合には光源群が利用する放電ガスが共通化される。光源群の発光スペクトルは共通化される。共通の放電ガスを利用する場合でも、リング状電極を構成する材料を光源ごとに変えることで、光源ごとの発光スペクトルを変えることもできる。
【００１２】
個々のロッド状電極の端部とリング状電極の間の空間が、隣接するロッド状電極の端部とリング状電極の間の空間から遮蔽されており、隣接する空間に異なる放電ガスが封止されているようにしてもよい。
異なる放電ガスという場合、放電ガスの種類が相違することと、放電ガスの圧力が相違することの両方をいう。隣接する空間に異なる放電ガスが封止されていれば、光源毎に発光スペクトルを変化させることができる。
光源群の一部が連通して共通ガスが利用され、残りの光源が遮蔽されて異なる放電ガスが封止されているようにすることもできる。
【００１３】
リング状電極は、すべてのリング状電極が同一の物質でもよいが、少なくとも１つのリング状電極が他のリング状電極と異なる物質で形成されているようにしてもよい。リング状電極の物質を選択することにより、発光スペクトルを選択することができる。
【００１４】
本発明は、新規な原子吸光分析装置を提供する。その原子吸光分析装置は、上記の群光源と、分光分析手段を有している。その群光源の発光は被検査ガスに入射され、分光分析手段は被検査ガスを透過した群光源の発光を分光分析する。各波長の強度変化から被検査ガスの成分分析をする。
物質に光を入射すると、物質の吸収波長に一致する光はその物質によって吸収される。物質に応じてその吸収波長は特有のため、物質に既知のスペクトルの光を入射し、その透過光のスペクトルを観測することによって、強度の変化した波長からその物質を特定することができる。また、その変化量からその物質の濃度を知ることができる。これは、いわゆる原子吸光分析とよばれる分析方法である。
本発明の群光源は、複数の物質に由来する発光スペクトルを同時に出力することできる。この群光源を用いることにより、複数の物質に対して同時に分析を行うことができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、新規な構造の群光源を提供することができる。この群光源は、複数の物質に由来する発光スペクトルを同時に照射することができる。群光源は充分に小さくすることができ、種々の発光スペクトルの光を実質的に1本の光線にして物質を通過させられることから、同一位置に存在する複数のガスが混合した混合ガスを分析することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。最初に、以下に説明する実施例の主要な特徴を列記する。
（形態１）  群光源は、アノードロッド（陽極）とカソードチップ（陰極）からなる電極対を９対有している。この９対の電極対は、３行×３列でマトリクス配置されている。
（形態２）  ９つのカソードチップは、構成する物質をそれぞれに対して選択することができる。
（形態３）  電極対の放電領域に封止するガスの種別やその圧力は、９つの電極対に対してそれぞれ独立して設定することができる。
（形態４）  群光源は、最大で９つの物質に由来するスペクトルを有する光を発することができる。群光源を原子吸光分析の光源に用いることにより、最大で同時に９種類の物質に対して原子吸光分析を行うことができる。
（形態５）  群光源は、スイッチング素子群を有している。スイッチング素子群は、１対の電極対に対して１つのスイッチング素子を有している。スイッチング素子のオン・オフによって、電極対への電圧の印加が切換えられる。
【実施例】
【００１７】
（実施例１）
以下、本発明を具現化した実施例１の群光源１を図面を参照して説明する。図１は、実施例１の群光源１の断面を示している。
群光源１は、３行×３列のマトリクス状に配置されているアノードロッド３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈ、３ｉと、それらのアノードロッド群３ａ〜３ｉを収容しているシリコンブロック５を有している。図１に示すように、アノードロッド群３ａ〜３ｉは、シリコンブロック５に３×３のマトリクス状に形成された貫通孔に収容されている。アノードロッド群３ａ〜３ｉは導電性の材料で構成され、細線状形状をしている。シリコンブロック５はシリコン酸化物（ＳｉＯ２）で構成されており、絶縁性である。図１に示すように、アノードロッド群３ａ、３ｂ、３ｃは同一断面上に配置されている。アノードロッド群３ｄ、３ｅ、３ｆは所定距離だけ奥の断面上に配置されている。アノードロッド群３ｇ、３ｈ、３ｉは所定距離だけさらに奥の断面上に配置されている。アノードロッド群３ａ、３ｂ、３ｃが配置されている断面と、アノードロッド群３ｄ、３ｅ、３ｆが配置されている断面と、アノードロッド群３ｇ、３ｈ、３ｉが配置されている断面は、互いに平行で等間隔に位置している。９つのアノードロッド群３ａ〜３ｉは、シリコンブロック５の表面５ａにおいて３行×３列のマトリクス状に配置されている。アノードロッド群３ａ〜３ｉの上側端面とシリコンブロック５の表面５ａは、同一平面上に揃っている。
シリコンブロック５がアノードロッド群３ａ〜３ｉを収容している貫通孔は、例えば異方性エッチング等によって形成することができる。アノードロッド群３ａ〜３ｉの上側端面がシリコンブロック５の表面５ａからわずかに突出するようにシリコンブロック５の貫通孔にアノードロッド群３ａ〜３ｉを収容し、その後に表面５ａを平面研削する。平面研削することによって、簡単に、アノードロッド群３ａ〜３ｉの上側端面とシリコンブロック５の表面５ａを同一平面に仕上げることができる。
【００１８】
群光源１は、リング状電極（カソードチップ）７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅ、７ｆ、７ｇ、７ｈ、７ｉと、それらカソードチップ７ａ〜７ｉを収容しているカソード収容板９を有している。図１に示すように、カソードチップ群７ａ〜７ｉは、カソード収容板９に形成された貫通孔に収容されている。カソードチップ群７ａ〜７ｉは、それぞれが内孔８ａ〜８ｉを有するリング形状をしている。カソードチップ群７ａ〜７ｉは導電性の材料で構成されている。各カソードチップ７ａ〜７ｉは、互いに異なる物質で形成されている。例えば、カソードチップ７ａは銅で形成し、カソードチップ７ｂはニッケルで形成し、カソードチップ７ｃは鉄で形成し、カソードチップ７ｄはマグネシウムで形成し、カソードチップ７ｅアルミニウムで形成し、カソードチップ７ｆはマグネシウムで形成し、カソードチップ７ｇはアンチモンで形成し、カソードチップ７ｈはチタンで形成し、カソードチップ７ｉはスズで形成することができる。あるいは、カソードチップ７ａ〜７ｉは合金で形成してもよい。
カソード収容板９は、絶縁性材料で構成されている。カソードチップ群７ａ〜７ｉは、図２に示すように、カソード収容板９に３行×３列のマトリクス状に配置されている。カソードチップ群７ａ〜７ｉの配置パターンは、アノードロッド群３ａ〜３ｉの配置パターンと等しい。カソードチップ群７ａ〜７ｉの下側端面とカソード収容板９の裏面９ａは、同一平面上に揃っている。
カソード収容板９がカソードチップ群７ａ〜７ｉを収容している貫通孔は、例えば異方性エッチング等によって形成することができる。カソードチップ群７ａ〜７ｉの下側端面がカソード収容板９の裏面９ａからわずかに突出するようにカソード収容板９の貫通孔にカソードチップ群７ａ〜７ｉを収容し、その後に裏面９ａを平面研削する。平面研削することによって、簡単に、カソードチップ群７ａ〜７ｉの下側端面とカソード収容板９の裏面９ａを同一平面に仕上げることができる。
図１に示すように、対となるアノードロッド３ａとカソードチップ７ａは略同軸上に位置している。同様に、各アノードロッド３ｂ〜３ｉと各カソードチップ７ｂ〜７ｉは略同軸上に位置しており、略同軸上に位置する各アノードロッド３ａ〜３ｉと各カソードチップ７ａ〜７ｉが１対の電極対を構成している。即ち、群光源１においては、９対の電極対が３行×３列のマトリクス状に配置されていることとなる。
【００１９】
群光源１は、スペーサ１１を有している。スペーサ１１は絶縁性材料から構成されており、均質な厚みを有する。スペーサ１１は、シリコンブロック５とカソード収容板９の間隙に介在している。スペーサ１１の厚みによって、アノードロッド群３ａ〜３ｉとカソードチップ群７ａ〜７ｉ間に所定の距離が確保される。スペーサ１１の厚みを変化させることで、アノードロッド群３ａ〜３ｉとカソードチップ群７ａ〜７ｉの距離を変化させることができる。後述するように、アノードロッド群３ａ〜３ｉとカソードチップ群７ａ〜７ｉの間隙で放電が行われる。アノードロッド群３ａ〜３ｉとカソードチップ群７ａ〜７ｉの距離は、その放電に対して好適な距離に設定されており、それに基づいてスペーサ１１の厚みが設定されている。ここでは、スペーサ１１の厚みは略０．１ｍｍである。
スペーサ１１には、孔１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ、１１ｇ、１１ｈ、１１ｉが形成されている。それら孔１１ａ〜１１ｉの配置パターンは、アノードロッド群３ａ〜３ｉやカソードチップ群７ａ〜７ｉと略同一である。従って、対をなす各アノードロッド３ａ〜３ｉと各カソードチップ７ａ〜７ｉは、各孔１１ａ〜１１ｉによって連通されている。また、孔１１ａ〜１１ｉの形状を変化させることによって、各アノードロッド３ａ〜３ｉと各カソードチップ７ａ〜７ｉの間の空間形状を変化させることができる。
【００２０】
群光源１は、密閉板１５を有している。密閉板１５は、群光源１の発光スペクトルに対して透明な物質から形成されている。例えば、発光スペクトルが真空紫外線のような極めて短い波長のスペクトル線を有する場合は、フッ化マグネシウムを用いることができる。また、発光スペクトルが可視光線以上の波長の場合は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）を用いることができる。また、発光スペクトルが赤外線以上の波長の場合は、シリコンを用いることができる。密閉板１５は、カソード収容板９に取付枠１６を介して取付けられ、外気と遮断されたガスチャンバー１９を形成している。密閉板１５と取付枠１６の接合部や、取付枠１６とカソード収容板９の接合部はシール処理が行われている。それにより、ガスチャンバー１９の気密性が確保されている。
密閉板１５には、レンズ部１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、１７ｅ、１７ｆ、１７ｇ、１７ｈ、１７ｉが設けられている。レンズ部１７ａ〜１７ｉは３行×３列のマトリクス状に配置されており、その配置パターンはアノードロッド群３ａ〜３ｉやカソードチップ群７ａ〜７ｉと同様である。即ち、各レンズ部１７ａ〜１７ｉは、各アノードロッド３ａ〜３ｉと各カソードチップ７ａ〜７ｉからなる各電極対と略同軸上に位置している。
【００２１】
ガスチャンバー１９内には、放電ガス２１が封止されている。放電ガス２１には、例えばヘリウムやネオンやアルゴンやクリプトン等の希ガスを用いることができる。放電ガスは、単一の種類のガスでもよいし、複数種を混合したガスでもよい。即ち、例えばヘリウムとネオンの混合ガスを用いることもできる。放電ガス２１の圧力は１ａｔｍ未満である。
群光源１は、導体板２３を有している。図１に示すように導体板２３はシリコンブロック５の裏面に接合されている。導体板２３とアノードロッド群３ａ〜３ｉは電気的に接続されている。
群光源１は、制御部３０を有している。制御部３０はカソード収容板９上に設けられている。制御部３０には外部から直流電源が接続される。制御部３０を介して、導体板２３には直流電源の正電位が印加され、各カソードリング７ａ〜７ｉには直流電源の負電位が印加される。このとき、カソード収容板９には制御部３０と各カソードリング７ａ〜７ｉを電気的に接続する導体パターン群を形成してもよい。
【００２２】
アノードロッド群３ａ〜３ｉとカソードチップ群７ａ〜７ｉに電源電圧が印加されると、アノードロッド群３ａ〜３ｉとカソードチップ群７ａ〜７ｉの間で放電が発生する。
ここで、この放電の発生に必要な電源電圧は、アノードロッド群３ａ〜３ｉとカソードチップ群７ａ〜７ｉの距離ｄと放電ガス２１の圧力Ｐによって変化する。詳しくは、距離ｄと圧力Ｐの積Ｐ・ｄによって変化する。圧力Ｐの単位を［ａｔｍ］とし、距離ｄの単位を［ｍｍ］とすると、０．０５≦Ｐ・ｄ≦０．３であるとき、比較的に低い電源電圧であっても放電が発生する。群光源１では、スペーサ１１の厚みが０．１ｍｍであることから、アノードロッド群３ａ〜３ｉとカソードチップ群７ａ〜７ｉの距離ｄは０．１ｍｍである。従って、放電ガス２１の圧力が０．５ａｔｍ〜３．０ａｔｍであれば、比較的に低い電源電圧で放電を発生させることができる。貫通孔を有するホローカソード７ａ〜７ｉを利用すると、放電のしやすさは貫通孔の口径にも依存する。貫通孔の口径が小さいほど、高い圧力の気体中で放電を維持することができるようになる。貫通孔の口径を０．３ｍｍ以下にすると、常圧の気体中でも放電を維持することが可能となる。
【００２３】
この放電によって、放電領域に存在している放電ガス２１は励起される。励起されたガスが遷移時に発生する光のスペクトルは、そのガス種に固有なものである。放電領域には放電ガス２１と共に、ガス化したカソードチップ７ａ〜７ｉの物質が存在している。従って、放電によってガス化したカソードチップ７ａ〜７ｉに由来するガスも励起され、その後の遷移時に光を発生する。その発光スペクトルは、そのカソードチップ７ａ〜７ｉの物質に由来する。放電領域に存在するカソードチップ７ａ〜７ｉの蒸気量は、放電ガス２１の圧力に依存する。
放電ガス２１の圧力を１ａｔｍ未満とすると、カソードチップ７ａ〜７ｉのガス化が促進され、カソードチップ７ａ〜７ｉの構成物質に由来するスペクトル成分が強くなる。一方、放電ガス２１の粒子量は少なくなるため、放電ガス２１に由来するスペクトル成分は弱くなる。放電ガス２１の圧力を１ａｔｍ未満とすると、各カソードチップ７ａ〜７ｉを構成する物質に由来する発光スペクトルを得ることができる。例えば、カソードチップ７ａが銅で形成されている場合、波長５１１ｎｍと波長５７８ｎｍに強い発振線が現れる。
図２は、カソードチップ７ａ〜７ｉが銅であるとき、横軸に放電ガス２１の圧力Ｐをとり縦軸に銅に由来する輝線スペクトルの強度Ｓを示している。なお図２は、放電ガス２１がアルゴンガスの場合である。図２に示すように、充電ガス２１の圧力を低下させるほど、カソードチップ７ａ〜７ｉに由来する発光スペクトルを強く得ることができる。特に放電ガス２１の圧力が略１．０ａｔｍ以下になると、銅に由来する輝線スペクトルＳの強度が急激に増加する。
【００２４】
群光源１では、各カソードチップ７ａ〜７ｉの物質が互いに異なるため、光源毎に異なる発光スペクトルが出力される。即ち、９種類の物質に由来するピークを有する発光スペクトルを出力することができる。
なお、上記では９つの光源を有する群光源１を説明したが、光源の数はこれに限定されない。上述の技術を用いれば、さらに光源を増加させた群光源についても容易に具現化することができる。
【００２５】
（実施例２）本発明を具現化した実施例２の群光源を図面を参照して説明する。実施例２の群光源６１の構成は、実施例１の群光源１の構成と一部が同一である。従って、以下では主に変更点について説明し、群光源１と同一の部位については同一の符号を付して重複説明は避けることとする。
図３は、群光源６１を示している。群光源６１は、アノードロッド群３ａ〜３ｉと、それらのアノードロッド群３ａ〜３ｉを収容しているシリコンブロック５を有している。図３に示すように、アノードロッド群３ａ〜３ｉは、シリコンブロック５に３行×３列のマトリクス状に形成された貫通孔に収容されている。
群光源６１は、カソードチップ７ａ〜７ｉ群と、それらのカソードチップ群７ａ〜７ｉを収容している厚型カソード収容板６３を有している。図３に示すように、カソードチップ群７ａ〜７ｉは、厚型カソード収容板６３に形成された貫通孔に収容されている。カソードチップ群７ａ〜７ｉは、厚型カソード収容板６３に３行×３列でマトリクス配置されている。カソードチップ群７ａ〜７ｉの配置パターンはアノードロッド群３ａ〜３ｉの配置パターンと等しい。カソードチップ群７ａ〜７ｉの下側端面と厚型カソード収容板６３の裏面６３ａは、同一平面上に揃っている。厚型カソード収容板６３は、実施例１のカソード収容板１と同様にして製作することができる。
群光源１と同様に、対となる各アノードロッド３ａ〜３ｉと各カソードチップ７ａ〜７ｉは略同軸上に位置し、略同軸上に位置する各アノードロッド３ａ〜３ｉと各カソードチップ７ａ〜７ｉが１対の電極対を構成している。群光源６１においても、９対の電極対が３行×３列でマトリクス配置されていることとなる。
群光源６１は、スペーサ１１を有している。スペーサ１１は、シリコンブロック５と厚型カソード収容板６３の間隙に介在している。
スペーサ１１には、９箇所の孔１１ａ〜１１ｉが形成されている。孔１１ａ〜１１ｉの配置パターンは、アノードロッド群３ａ〜３ｉやカソードチップ群７ａ〜７ｉと略同一である。
群光源６１は、導体板２３を有している。導体板２３とアノードロッド群３ａ〜３ｉは電気的に接続されている。
【００２６】
群光源６１は、密閉板１５を有している。密閉板１５は厚型カソード収容板６３に取付けられ、外気と遮断されたガスチャンバー６５ａ、６５ｂ、６５ｃ、６５ｄ、６５ｅ、６５ｆ、６５ｇ、６５ｈ、６５ｉを形成している。図３に示すように、群光源６１では、電極対毎にガスチャンバー６５ａ〜６５ｉが独立している。密閉板１５と厚型カソード収容板６３の接合部はシール処理が行われている。それにより、ガスチャンバー６５ａ〜６５ｉは外気および他のガスチャンバー６５ａ〜６５ｉに対して気密性が確保されている。
各ガスチャンバー６５ａ〜６５ｉ内には、それそれ放電ガス６７ａ、６７ｂ、６７ｃ、６７ｄ、６７ｅ、６７ｆ、６７ｇ、６７ｈ、６７ｉが封止されている。各放電ガス６７ａ〜６７ｉは、種別や圧力がそれぞれ独立して設定されている。群光源６１では、電極対毎にガスチャンバー６５ａ〜６５ｉが独立しているため、各ガスチャンバー６５ａ〜６５ｉに対して放電ガス６７ａ〜６７ｉの種別や圧力を独立して設定することができる。
群光源６１は、制御部３０を有している。制御部３０は厚型カソード収容板６３上に設けられている。
群光源６１の電気構成は群光源１と同様である。即ち、制御部３０には外部から直流電源が接続される。制御部３０を介して、導体板２３には直流電源の正電位が印加され、各カソードリング７ａ〜７ｉには直流電源の負電位が印加される。
群光源６１は上記の構成から、群光源１と同様に、各アノードロッド３ａ〜３ｉと各カソードチップ７ａ〜７ｉからなる９対の電極対を有し、９つの光源を有することとなる。
【００２７】
先に説明したように、励起された粒子が遷移時に発生する光のスペクトルは、その粒子の種別に固有なものである。従って、放電領域に封止するガスの種別によって、発生する光のスペクトルは変化する。例えば、放電ガス２１にヘリウムとネオンの混合ガスを用いた場合、波長略６３３ｎｍに強い発振線が現れる。また、放電ガス２１にアルゴンガスを用いた場合では、波長４８８ｎｍと波長５１５ｎｍに強い発振線が現れる。このように、放電ガス２１の種別を変更することによって、発光スペクトルを変更することができる。
群光源６１では、電極対毎にガスチャンバー６５ａ〜６５ｉが独立しているため、放電ガス６７ａ〜６７ｉの種別をそれぞれ独立して選択することができる。電極対毎に放電ガス６７ａ〜６７ｉの種別を選択することによって、電極対毎に発生する光のスペクトルを選択できる。
あるいは、放電ガス６７ａ〜６７ｉにおいて、種別のみでなく封止する圧力を変化させてもよい。先に説明したように、放電ガス６７ａ〜６７ｉの圧力を低くすると、カソードチップ群７ａ〜７ｉの物質に由来する発光スペクトルを得ることができる。ガスチャンバー６５ａ〜６５ｉにおいて放電ガス６７ａ〜６７ｉの圧力を選択的に低く設定すれば、そのガスチャンバー６５ａ〜６５ｉにおいてのみカソードチップ７ａ〜７ｉの物質に由来する光を発生させることができる。
【００２８】
群光源６１は、アノードロッド群３ａ〜３ｉとカソードチップ群７ａ〜７ｉの電極対からなる９つの光源を有し、光源毎に異なる発光スペクトルが出力される。即ち、９種類の物質に由来するピークを有する発光スペクトルを出力することができる。このとき、カソードチップ７ａ〜７ｉの物質を選択し、また放電ガス６７ａ〜６７ｉの種別や圧力を選択することによって、光源毎に所望する発光スペクトルを得ることもできる。本実施例の群光源６１は、群光源１よりも光源毎に発光スペクトルを変化させられる自由度が高い。
【００２９】
（実施例３）本発明を具現化した実施例３の群光源を図面を参照して説明する。実施例３の群光源１０１の構成は、実施例１の群光源１の構成と一部が同一である。従って、以下では主に変更点について説明し、群光源１と同一の部位については同一の符号を付して重複説明は避けることとする。
図４は、群光源１０１を示している。群光源１０１は、アノードロッド群３ａ〜３ｉと、それらのアノードロッド群３ａ〜３ｉを収容しているシリコンブロック５を有している。図３に示すように、アノードロッド群３ａ〜３ｉは、シリコンブロック５に３行×３列のマトリクス状に形成された貫通孔に収容されている。
群光源１０１は、導体板２３を有している。導体板２３とアノードロッド群３ａ〜３ｉは電気的に接続されている。
【００３０】
群光源１０１は、カソードチップ７ａ〜７ｉ群と、それらのカソードチップ群７ａ〜７ｉを収容しているカソード収容ブロック１０３を有している。シリコンブロック５とカソード収容ブロック１０３は積み重ねられている。
カソード収容ブロック１０３は、群光源が出力する発光スペクトルに対して透明な物質で形成されている。例えば、発光スペクトルが真空紫外線のような極めて短い波長のスペクトル線を有する場合は、フッ化マグネシウムを用いることができる。また、発光スペクトルが可視光線以上の波長の場合は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）を用いることができる。また、発光スペクトルが赤外線以上の波長の場合は、シリコンを用いることができる。
カソード収容ブロック１０３には、凹部１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ、１０３ｄ、１０３ｅ、１０３ｆ、１０３ｇ、１０３ｈ、１０３ｉが形成されている。凹部１０３ａ〜１０３ｉは３行×３列のマトリクス状に位置しており、その配置パターンはアノードロッド群３ａ〜３ｉと同様である。即ち、図４に示すように、各凹部１０３ａ〜１０３ｉは、各アノードロッド３ａ〜３ｉと略同軸上に位置している。カソードチップ７ａ〜７ｉ群は、各凹部１０３ａ〜１０３ｉに収容されている。従って、カソードチップ７ａ〜７ｉ群は、３行×３列のマトリクス状に配置され、カソードチップ群７ａ〜７ｉの配置パターンはアノードロッド群３ａ〜３ｉの配置パターンと等しい。凹部１０３ａ〜１０３ｉはすべて同一の深さに形成させており、すべてのカソードチップ７ａ〜７ｉ群は、カソード収容ブロック１０３の面１０３ｓから同じ深さに収容されている。
群光源１０１においても、群光源１と同様に、対となる各アノードロッド３ａ〜３ｉと各カソードチップ７ａ〜７ｉは略同軸上に位置し、略同軸上に位置する各アノードロッド３ａ〜３ｉと各カソードチップ７ａ〜７ｉが１対の電極対を構成している。群光源１０１においても、９対の電極対が３行×３列でマトリクス配置されていることとなる。また、各電極対において、各アノードロッド３ａ〜３ｉと各カソードチップ７ａ〜７ｉの距離はすべて等しい。
【００３１】
カソード収容ブロック１０３の図４中の上面１０３ｒには、レンズ部１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ、１０７ｄ、１０７ｅ、１０７ｆ、１０７ｇ、１０７ｈ、１０７ｉが形成されている。レンズ部１０７ａ〜１０７ｉは３行×３列のマトリクス状に配置されており、その配置パターンはアノードロッド群３ａ〜３ｉやカソードチップ群７ａ〜７ｉと同様である。即ち、各レンズ部１０７ａ〜１０７ｉは、各アノードロッド３ａ〜３ｉと各カソードチップ７ａ〜７ｉからなる各電極対と略同軸上に位置している。レンズ部１０７ａ〜１０７ｉは、カソード収容ブロック１０３と一体に形成してもよいし、カソード収容ブロック１０３に付加的に設けてもよい。後者の場合、例えば透明樹脂等で面１０３ｒ上にレンズ形状を形成して固化させてもよい。
各凹部１０３ａ〜１０３ｉには、放電ガス１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄ、１１５ｅ、１１５ｆ、１１５ｇ、１１５ｈ、１１５ｉが封止されている。群光源１０１は、群光源６１と同様に放電ガス１１５ａ〜１１５ｉの種別や圧力を独立して設定することができる。
【００３２】
群光源１０１の電気構成を説明する。カソード収容ブロック１０３の面１０３ｓには、導体パターン１０９ａ、１０９ｂ、１０９ｃ、１０９ｄ、１０９ｅ、１０９ｆ、１０９ｇ、１０９ｈ、１０９ｉが形成されている。また、制御部１１１と電極パッド１１３を備えている。
導体パターン１０９ａは、カソードチップ７ａと制御部１１１とを電気的に接続している。同様に、各導体パターン１０９ｂ〜１０９ｉは、各カソードチップ７ｂ〜７ｉと制御部１１１を電気的に接続している。導体パターン１０９ａ〜１０９ｉ同士は電気的に絶縁されている。導体パターン１０９ａ〜１０９ｉは、例えば導電ペーストを塗布してもよいし、あるいは金属めっき等によって形成してもよい。
電極パッド１１３は制御部１１１と導通している。電極パッド１１３には、外部から直流電源が接続される。制御部３０を介して、導体板２３には直流電源の正電位が印加され、各カソードリング７ａ〜７ｉには直流電源の負電位が印加される。
【００３３】
群光源１０１は上記の構成から、各アノードロッド３ａ〜３ｉと各カソードチップ７ａ〜７ｉからなる９対の電極対を有し、９つの光源を有することとなる。発光した光はカソード収容ブロック１０３を透過して外部に照射される。また、群光源６１と同様に各電極間毎に放電ガスの種別や圧力を設定することができる。そのため、光源毎に発光色を変化させられる自由度が高い。
群光源１０１は、群光源１や群光源６１と比較して、カソード収容ブロック１０３に特徴がある。そのカソード収容ブロック１０３の形態によって、スペーサや密閉板が不要である。それにより、構成を簡略化することができる。
【００３４】
（実施例４）  本発明を具現化した実施例４の原子吸光分析装置１２１（以下、分析装置１２１と略す）を説明する。分析装置１２１は、実施例１の群光源１を光源として利用する装置であって、被検査ガスに含まれる成分濃度を原子吸光分析する装置である。
図５は、分析装置１２１を示している。ガス検査装置１２１は、群光源１を有している。群光源１は、先に説明したように、９種類の物質に由来するピークを有する発光スペクトル１２９を出力する。
例えば、アノードロッド３ａとカソードリング７ａからなる電極対からは、カソードリング７ａの物質に由来する発光スペクトルが出力される。図５のａは、カソードリング７ａの物質に由来する発光スペクトルを示している。この発光スペクトルでは、波長λ１に特徴的なピークが現れる。同様に、アノードロッド３ｂとカソードリング７ｂからなる電極対からは、カソードリング７ｂの物質に由来する発光スペクトルを示している。この発光スペクトルでは、波長λ２に特徴的なピークが現れる。同様に、各アノードロッド３ｃ〜３ｉと各カソードリング７ｃ〜７ｉからなる各電極対からは、各カソードリング７ｃ〜７ｉの物質に由来する発光スペクトルが出力される。それらの発光スペクトルでは、それぞれ波長λ３〜λ９に特徴的なピークが現れる（一部図示省略）。
従って、群光源１から出力される光のスペクトルには、図５のＸに示すように波長λ１〜λ９に特徴的なピークが現れる。即ち、群光源１が出力する発光スペクトルには、各カソードリング７ａ〜７ｉを形成する９種類の物質に由来するピークが含まれている。
群光源１から出力された光１２９は、被検査ガス１２７に入射される。群光源１は充分に小さく、波長λ１〜λ９の９本の光は実質的に１本の光１２９となって、被検査ガス１２７を通過する。被検査ガス１２７は、分析装置１２１で成分分析が行われるガスである。
【００３５】
分析装置１２１は、回折板１２３とＣＣＤ１２５を有している。ＣＣＤ１２５は、ＣＣＤ素子が線上に並んだラインＣＣＤである。群光源１から出力された光１２９は被検出ガス１２７を透過した後、回折板１２３で分光される。その分光された光１３３は、ＣＣＤ１２５によって受光される。従って、ＣＣＤ１２５は被検査ガス１２７を透過した光を波長毎に受光することとなり、ＣＣＤ１２５の出力からその光の波長毎の強度を検出することができる。
図５のＹは、ＣＣＤ１２５の出力から検出された発光スペクトルの一例を示している。図中Ｙでは、図中Ｘと比較して、波長λ９の強度がＳ１からＳ２に減少していることが確認される。ピーク値Ｓ１は、群光源１から出力される光１２９における波長λ９の強度である。波長λ９の強度が減少していることから、被検査ガス１２７には波長λ９を吸光する成分が含まれていることとなる。波長λ９はカソードリング９ｉの物質に由来するスペクトル線であることから、被検査ガス１２７にはカソードリング９ｉの物質が含まれていることになる。また、波長λ９の強度の減少度合いから、被検査ガス１２７に含まれているカソードリング９ｉの物質の濃度を知ることができる。
上記では、波長λ９の場合を説明したが、波長λ１〜波長λ８についても同様である。ＣＣＤ１２５の出力から、それぞれの波長λ１〜λ８のピーク値の変化を知ることができる。それぞれの波長λ１〜λ８は、カソードリング３ａ〜３ｈの物質に対応しており、波長λ１〜λ８の強度変化から、被検査ガス１２７に含まれるカソードリング３ａ〜３ｈの物質の濃度を知ることができる。
分析装置１２１では、９種類の物質に由来するスペクトル線を同時に出力する群光源１を用いることにより、被検査ガス１２７の成分濃度の分析を９種類の物質に対して同時に行うことができる。また、群光源１の光は充分に小さいため、９種類の物質に由来するスペクトル線は、ほぼ１本の光線で発せられる。それにより、同一位置のガスに対して９種類の物質の分析を行うことができる。このとき、群光源１のカソードリング７ａ〜７ｉの物質を選択することによって、様々な物質に対して濃度分析を行うことができる。
分析装置１２１では、群光源１に替えて群光源６１を用いてもよいし、群光源１０１を用いてもよい。例えば群光源６１では、電極対毎の発光スペクトルを放電ガス６５ａ〜６５ｉの種別を選択して変更することもできる。放電ガス６５ａ〜６５ｉに由来する発光スペクトルを用いることによって、被検査ガス１２７に含まれる放電ガス６５ａ〜６５ｉと同質の物質を分析をすることができる。即ち、金属物質だけでなく、様々な気体物質等の成分分析を、同時に複数種に対して行うことができる。
【００３６】
（実施例５）
実施例５は、群光源１を表示装置として用いる例である。この実施例は、群光源１の制御部３０が以下の構成を有することにより、群光源１の各光源を選択的に発光させることを可能にするものである。
【００３７】
図６に示すように、制御部３０は、電源コネクタ３１、分岐回路３３、スイッチング素子群３５、スイッチング制御部３７、信号コネクタ３９を有している。また、スイッチング素子群３５とスイッチング制御部３７を接続するスイッチング信号線４９を有している。
また、カソード収容板９には、導体パターン群４７ａ〜４７ｉが形成されている。導体パターン４７ａは、カソードチップ７ａとスイッチング素子群３５を電気的に接続している。同様に、各導体パターン４７ｂ〜４７ｉは、各カソードチップ７ｂ〜７ｉとスイッチング素子群３５を電気的に接続している。導体パターン４７ａ〜４７ｉ同士は電気的に絶縁されている。
【００３８】
図７は、電源コネクタ３１、分岐回路３３、スイッチング素子群３５の回路構成を示している。電源コネクタ３１は、直流電源２の正極が接続される正極端子３１Ｘと直流電源２の負極が接続される負極端子３１Ｙを有している。
分岐回路３３は、負極出力端子４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄ、４３ｅ、４３ｆ、４３ｇ、４３ｈ、４３ｉと、正極出力端子４４を有している。図３に示すように、分岐回路３３は、電源コネクタ３１の負極端子３１Ｙと分岐回路３３の負極出力端子４３ａ〜４３ｉを接続する分岐線３３Ｙを有している。また、分岐回路３３は、電源コネクタ３１の正極端子３１Ｘと分岐回路３３の正極出力端子４４を接続する接続線３３Ｘを有している。
スイッチング素子群３５は、入力端子４５ａ、４５ｂ、４５ｃ、４５ｄ、４５ｅ、４５ｆ、４５ｇ、４５ｈ、４５ｉと、出力端子４６ａ、４６ｂ、４６ｃ、４６ｄ、４６ｅ、４６ｆ、４６ｇ、４６ｈ、４６ｉを有している。また、スイッチング素子群３５は、スイッチング素子４８ａ、４８ｂ、４８ｃ、４８ｄ、４８ｅ、４８ｆ、４８ｇ、４８ｈ、４８ｉを有している。入力端子４５ａと出力端子４６ａは、スイッチング素子４８ａを介して電気的に接続されている。同様に、各入力端子４５ｂ〜４５ｉと各出力端子４６ｂ〜４６ｉは、各スイッチング素子４８ｂ〜４８ｉを介して電気的に接続されている。スイッチング素子４８ａ〜４８ｉは電気信号によってスイッチングされる素子である。スイッチング素子４８ａ〜４８ｉを選択的にスイッチングすることによって、入力端子４５ａ〜４５ｉと出力端子４６ａ〜４６ｉの各対を選択的に導通することができる。スイッチング素子４８ａ〜４８ｉは、スイッチング信号線４９によってスイッチング制御部３７と接続されている。
分岐回路３３の負極出力端子４３ａとスイッチング素子群３５の入力端子４５ａは電気的に接続されている。同様にして、分岐回路３３の各負極出力端子４３ｂ〜４３ｉとスイッチング素子群３５の各入力端子４５ｂ〜４５ｉは、電気的に接続されている。また、スイッチング素子群３５の出力端子４６ａとカソードチップ７ａは、導体パターン４７ａによって電気的に接続されている。同様にして、スイッチング素子群３５の各出力端子４６ｂ〜４６ｉと各カソードチップ７ｂ〜７ｉは、各導体パターン４７ｂ〜４７ｉによって電気的に接続されている。
また、分岐回路３３の正極出力端子４４と導体板２３は電気的に接続されている。導体板２３とアノードロッド３ａ〜３ｉは電気的に接続されているため、アノードロッド群３ａ〜３ｉは分岐回路３３の正極出力端子４４と電気的に接続される。
【００３９】
上記の構成により、電源コネクタ３１に直流電源２を接続すると、直流電源２７の正極とアノードロッド群３ａ〜３ｉは電気的に接続される。また、直流電源２の負極とカソードチップ７ａ〜７ｉはスイッチング素子４８ａ〜４８ｉを介して電気的に接続される。各カソードチップ７ａ〜７ｉに対して各スイッチング素子４８ａ〜４８ｉが設けられているため、スイッチング素子４８ａ〜４８ｉを選択的にスイッチングすることによって、カソードチップ７ａ〜７ｉを選択して直流電源２の負極と接続することができる。それにより、各アノードロッド３ａ〜３ｉと各カソードチップ７ａ〜７ｉからなる９対の電極対に対して選択的に直流電圧を印加することができる。
【００４０】
スイッチング制御部３７は、スイッチング素子群３５にスイッチング指令を与える。群光源１では、信号コネクタ３９からスイッチング制御部３７に表示信号が入力される。表示信号とは、群光源１に表示させる内容を教示する信号である。
スイッチング制御部３７はその表示信号を処理して、スイッチング素子群３５に指令するスイッチングパターンを決定する。このとき、例えばスイッチング制御部３７に、表示信号に対応するスイッチングパターンを予め教示しておいてもよい。スイッチング制御部３７は、その決定したスイッチングパターンに基づいてスイッチング指令を出力する。このスイッチング指令は、各スイッチング素子４８ａ〜４８ｉに対して選択的にスイッチング信号を入力するものである。スイッチング素子群３５のスイッチング素子４８ａ〜４８ｉには、スイッチング信号線４９を介してそれぞれ独立的にスイッチング信号が入力される。
スイッチング制御部３７のスイッチング指令によって、スイッチング素子群３５のスイッチング素子４８ａ〜４８ｉは選択的にスイッチングされる。それにより、各アノードロッド３ａ〜３ｉと各カソードチップ７ａ〜７ｉからなる９対の電極対に対して選択的に直流電源２の電源電圧が印加される。
【００４１】
群光源１の制御部３０が上記の構成であれば、９つの光源は制御部３０によって選択的に発光させられる。発光パターンは、制御部３０に入力された表示信号に基づくものである。即ち、群光源１は入力された表示信号を可視化して表示することが可能となる。
この制御部３０の構成は、群光源６１や群光源１０１にも有効である。
【００４２】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
例えば、電圧変換手段や電流調整手段を付加して、電極対に印加する電圧や電流値を自在に変化させる形態としてもよい。
例えば、複数種の導体から構成される合金製カソードリングを利用してもよい。
アノードロッドとカソードリングからなる電極対の数は、実施例に記載の形態に限定されない。さらに多数の電極対を構成してもよい。
アノードロッドとカソードリングからなる電極対の配置パターンは、実施例に記載の形態に限定されない。アノードロッドとカソードリングからなる電極対を曲面上に配置してもよい。
例えば、放電ガスを循環装置等を用いて外部と循環させてもよい。そのとき、放電ガスを冷却してもよい。
複数の電極対を近接させて配置し、複数の電極対からなる１つの画素を有する表示装置を具現化することもできる。このとき、発光色が互いに異なる複数の電極対によって１つの画素を構成し、それぞれの電極に印加する電流や電圧を増減調整してもよい。それによって各電極対毎に発光強度を変化させれば、自然色を再現できる画素を実現することもできる。
【００４３】
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数の目的を同時に達成するものであり、そのうちの１つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】実施例１の群光源１を示す図。
【図２】放電ガスの圧力とカソードチップに由来する輝線強度の関係を示す図。
【図３】実施例２の群光源６１を示す図。表示装置１の回路構成を説明する図。
【図４】実施例３の群光源１０１を示す図。
【図５】実施例４の原子吸光分析装置１２１を説明する図。
【図６】実施例５における制御部３０の構成を示す図。
【図７】実施例５における電気回路構成を示す図。
【符号の説明】
【００４５】
１・・実施例１の表示装置
３ａ〜３ｉ・・アノードロッド
７ａ〜７ｉ・・カソードチップ
５・・シリコンブロック
９・・カソード収容板
１１・・スペーサ
１５・・密閉板
３５・・スイッチング素子群
３７・・スイッチング制御部
６１・・実施例２の表示装置
１０１・・実施例３の表示装置
１２１・・原子吸光分析装置
１２３・・回折板
１２５・・ＣＣＤ
【図１】
2005147888.tif 000003
【図２】
2005147888.tif 000004
【図３】
2005147888.tif 000005
【図４】
2005147888.tif 000006
【図５】
2005147888.tif 000007
【図６】
2005147888.tif 000008
【図７】
2005147888.tif 000009