(57)【要約】【課題】  低酸化物を主成分とする追記型記録媒体の製造方法において、記録層を成膜する際のスパッタリングターゲットが酸素を含まず、成膜ガスに多量の酸素を導入して成膜を行う方法を用いた場合、成膜ガス中の酸素流量の変動によって、記録層の酸素組成比が変動しやすく、媒体の特性がばらつくという課題があった。【解決手段】  基板上に少なくとも記録層を有し、情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体において、記録層が酸化物Ａ−Ｏ、もしくはＡ−Ｏ−Ｍ（但し、ＡはＴｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗのうち少なくともいずれかを含む材料、Ｍは金属元素、半金属元素、半導体元素のうち少なくともいずれかを含む材料）を含み、記録層を作製する工程において用いるスパッタリングターゲットが少なくともＡ−Ｏと、Ａおよび／またはＭとを含むことにより、量産工程においても再現性、安定性よく記録層を作製することができる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも記録層を有し、情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体の製造方法であって、前記記録層が酸化物Ａ−Ｏ、もしくはＡ−Ｏ−Ｍ（但し、ＡはＴｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗのうち少なくともいずれかを含む材料、Ｍは金属元素、半金属元素、半導体元素のうち少なくともいずれかを含む材料）を含み、前記記録層を作製する工程において用いるスパッタリングターゲットが少なくとも前記Ａ−Ｏと、前記Ａおよび／または前記Ｍとを含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記記録層がＴｅ−Ｏ−Ｍを含み、前記スパッタリングターゲットが少なくともＴｅＯ2と前記材料Ｍとを含むことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記材料ＭがＰｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｉｎのうちの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記材料ＭがＰｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇのうちの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項３に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記スパッタリングターゲットが、材料Ｘを任意に含み、
（ＴｅＯ2）aＴｅbＭcＸd（ｍｏｌ％）と表され、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、５０≦ａ≦９５、５≦ｂ＋ｃ≦４０、
０≦ｄ≦２０、０≦ｂ、０＜ｃ
を満たすことを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記ａが、６０≦ａ≦９０の関係を満たすことを特徴とする請求項５に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記ｂおよびｃが０．５ｂ≦ｃ（但し、０＜ｂ）の関係を満たすことを特徴とする請求項５に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記材料Ｘが弗化物および／または酸化物を含むことを特徴とする請求項５または６に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項９】
記録層を作製する前記工程において用いる成膜ガスが、希ガスとＯ2とを少なくとも含み、希ガスの流量をｘ、Ｏ2ガスの流量をｙとするとき、０≦ｙ≦０．２ｘの関係を満たすことを特徴とする請求項１〜８いずれか記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記記録層に含まれる前記Ａ−Ｏが低酸化物（材料ＡとＯとの原子比は、化学量論組成よりも酸素が少ない組成範囲内にある）であり、前記スパッタリングターゲットが少なくとも、化学量論組成比の組成範囲にある酸化物Ａ−Ｏと、Ａとを含むことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
基板上に、少なくとも請求項１〜１０のいずれか記載の製造方法によって作製される記録層を有することを特徴とする情報記録媒体。
【請求項１２】
多層の情報層からなる情報記録媒体であって、少なくともいずれかの情報層が、請求項１〜１０のいずれか記載の製造方法によって作製される記録層を有することを特徴とする情報記録媒体。
【請求項１３】
前記記録層を作製する工程を２つ以上有し、これら前記工程のうちの少なくとも２つについて、用いる前記スパッタリングターゲットの組成が異なることを特徴とする請求項１〜１０いずれか記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
前記記録層を作製する工程のうちの少なくとも２つについて、用いる前記スパッタリングターゲット中に含まれる酸素の組成比が異なることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記記録層を作製する工程において、成膜レートが毎秒４．０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
記録層形成用のスパッタリングターゲットであって、少なくとも酸化物Ａ−Ｏと、Ａおよび／またはＭ(但しＡはＴｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Iｎ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗのうち少なくともいずれかを含む材料、Ｍは金属元素、半金属元素、半導体元素のうち少なくともいずれかを含む材料)とを含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項１７】
少なくともＴｅＯ2と前記材料Ｍとを含むことを特徴とする請求項１６に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項１８】
前記材料ＭがＰｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｉｎのうちの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１６または１７に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項１９】
材料Ｘを任意に含み、
（ＴｅＯ2）aＴｅbＭcＸd（ｍｏｌ％）と表され、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、５０≦ａ≦９５、５≦ｂ＋ｃ≦４０、
０≦ｄ≦２０、０≦ｂ、０＜ｃ
を満たすことを特徴とする請求項１７または１８に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項２０】
前記ｂおよびｃが０．５ｂ≦ｃ（但し、０＜ｂ）の関係を満たすことを特徴とする請求項１９に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項２１】
前記材料Ｘが弗化物および／または酸化物を含むことを特徴とする請求項１９または２０に記載のスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度、高速度での情報の記録再生が可能な光学情報記録媒体とその製造方法、およびスパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
大容量、かつ高速度で情報の記録再生が可能な媒体として、光磁気記録媒体や相変化型記録媒体等の情報記録媒体が知られている。これらは、記録材料にレーザー光を局所的に照射した際に生じる熱によって、記録材料が光学的に区別可能な異なる状態へ変化することを情報記録の際に利用したものである。これらの光学情報記録媒体の他に、メモリカードのように電気的に情報を記録する情報記録媒体も知られている。これらの情報記録媒体は、必要に応じてランダムアクセスが可能であり、かつ可搬性にも優れるという大きな利点を有しているため、近年ますますその重要性が高まっている。例えばコンピュータを通じた個人データや映像情報等の記録、保存や、医療分野、学術分野、或いは家庭用ビデオテープレコーダーの置き換え等、様々な分野での需要が高まっている。現在、これらの情報記録媒体について、アプリケーションの高性能化や画像情報の高性能化に伴い、さらに大容量化、高密度化、高速化を達成することが求められている。
【０００３】
従来から提案されている媒体の種類としては、多数回の書き換えが可能な書き換え型媒体や、１回のみ書き込み可能ないわゆるライトワンス型媒体が挙げられる。ライトワンス型媒体は一般に、書き換え型媒体と比較して層数を少なくできる場合が多いため、製造が容易であり低コストの媒体が可能である。また、書き換えできないために、ユーザーが破壊されたくないデータを書きこむために好都合であり、保存寿命が長く信頼性の高いライトワンス型媒体は、アーカイバル用途として大きい需要があると予想される。このため、高密度の書き換え型媒体の普及に伴って、高密度のライトワンス型媒体の需要もますます高まってくるものと考えられる。
【０００４】
従来、ライトワンス型の記録材料として、いくつかの酸化物材料が提案されている。例えば、ＧｅＯ2、ＴｅＯ2、ＳｉＯ2、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｎＯ2等の酸化物母材中にＴｅ粒子を分散させた記録材料は、高感度で大きな信号振幅が得られることが開示されている（特許文献１参照）。例えば、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄを主成分とする記録材料は大きい信号振幅が得られ、信頼性も非常に高いことが知られている（非特許文献１参照）。これらＴｅ−Ｏ−Ｍ（但しＭは金属元素、半金属元素、半導体元素のうち少なくともいずれかを含む材料）系記録材料の記録メカニズムは次のように考えられる。成膜後でのＴｅ−Ｏ−Ｍ膜は、ＴｅＯ2の中にＴｅ−Ｍ、或いはＴｅ、或いはＭが微粒子として一様に分散している複合材料である。レーザー光の照射後は、溶融されてＴｅやＴｅ−ＭやＭがより大きな結晶粒子となって析出するため、光学状態が変化し、その差が信号として検出できる。また、Ｔｅ−Ｏ−Ｍを主成分とする材料は低酸化物であるため、膜の透過率を大きくとることが容易に可能であり、多層の情報層を有する多層光学情報媒体に適用することができるという利点がある（非特許文献２参照）。
【特許文献１】特開昭５８−５４３３８号公報
【非特許文献１】T. Ohta, K. Kotera, K. Kimura, N. Akahira and M. Takenaga, “New write-once media based on Te-TeO2 for optical disks”, Proc. of SPIE, Vol.695 (1986), pp.2-9
【非特許文献２】K. Nishiuchi, H. Kitaura, N. Yamada and N. Akahira, “Dual-Layer Optical Disk with Te-O-Pd Phase- Change Film”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998), pp.2163-2167
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
追記型の酸化物系記録材料を作製する際、一般的に用いられているのは、成膜ガスに酸素を導入して成膜を行う、いわゆる反応性成膜と呼ばれる方法である。この方法によれば、膜質の良好な酸化物が容易に得られ、また成膜ガス中の酸素濃度を変えることによって容易に異なる組成の酸化物が作製できるという利点がある。しかし、媒体を量産する工程においてこの反応性成膜を行う場合は下記のような課題がある。量産工程においては、タクトを速くとるためにターゲットと基板間の距離が非常に近い配置をとることが多く、成膜レートも非常に速い。このような場合、成膜ガス中に酸素を多く導入して反応性成膜を行うと、酸素流量の変動がおきやすく、成膜された記録膜中に含まれる酸素の組成比が変動しやすいことから、作成した媒体の特性がばらつくという問題が生じる。
【０００６】
本発明は上記課題を解決し、量産工程においても、安定性、及び再現性よく酸化物系記録材料が作製できるための情報記録媒体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決する手段として、本発明では、基板上に酸化物Ａ−Ｏ、もしくはＡ−Ｏ−Ｍ（但し、ＡはＴｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗのうち少なくともいずれかを含む材料、Ｍは金属元素、半金属元素、半導体元素のうち少なくともいずれかを含む材料）を含む記録層を少なくとも有し、情報の記録及び再生を可能とする情報記録媒体を製造する際の記録層を作製する工程において、用いるスパッタリングターゲットが少なくともＡ−Ｏと、Ａおよび／またはＭとを含むことを特徴とする。さらに、記録層がＴｅ−Ｏ−Ｍを含み、スパッタリングターゲットが少なくともＴｅＯ2とＭとを含むことを特徴とする。これにより、量産工程においても再現性の良好な酸化物薄膜を安定して作製することが可能になる。
【０００８】
ここで、材料ＭはＰｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｉｎのうちの少なくともいずれかを含む。特にＰｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇのうちの少なくともいずれかを含むことが、高速度での記録が可能な情報記録媒体が得られるという点で好ましい。
【０００９】
記録層を作製する工程において用いるスパッタリングターゲットは、（ＴｅＯ2）aＴｅbＭcＸdと表される材料を用いることが好ましい。但しここでａ、ｂ、ｃ、ｄは、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、０≦ｂ、０＜ｃ、０≦ｄであり、５０≦ａ≦９５、５≦ｂ＋ｃ≦４０、０≦ｄ≦２０の範囲を満たすことが好ましい。さらに、６０≦ａ≦９０を満たすことが好ましい。また、ｂ、ｃが０．５ｂ≦ｃ（０＜ｂ）の関係を満たすことが好ましい。これにより、より信号品質の良好な情報記録媒体を得ることができる。
【００１０】
また、材料Ｘは弗化物および／または酸化物を含むことが好ましい。これにより、信号品質が良好な情報記録媒体を容易に得ることができる。
記録層を作製する工程において用いる成膜ガスは、希ガスとＯ2とを少なくとも含み、希ガスの流量をｘ、Ｏ2ガスの流量をｙとするとき、０≦ｙ≦０．２ｘの関係を満たすことが好ましい。
【００１１】
また、記録層に含まれるＡ−Ｏが低酸化物（材料ＡとＯとの原子比は、化学量論組成よりも酸素が少ない組成範囲内にある）であり、スパッタリングターゲットが少なくとも、化学量論組成比の組成範囲にある酸化物Ａ−Ｏと、Ａとを含むこととする。これにより、量産工程においても安定して再現性の良好な酸化物薄膜を作製することが可能になる。
【００１２】
また、上記に述べた製造方法を用いて作製された情報記録媒体は、量産工程においても、媒体によるばらつきが少なく、安定した特性の媒体を供給することができる。特に、多層の情報層からなる情報記録媒体を製造する際に、少なくともいずれかの情報層が、上記に述べた製造方法によって作製される記録層を有することがさらに好ましい。多層の情報層からなる情報記録媒体を製造する場合、情報層の作製ばらつきを抑える必要が特に生じるが、本発明を用いることにより、成膜ばらつきの少ない情報記録媒体が得られるため、採用することが好ましい。
【００１３】
また、多層の情報層を作製する際、情報層の記録層を作製する工程のうちの少なくとも２つについて、用いるスパッタリングターゲットの組成が異なることが好ましい。特に、用いるスパッタリングターゲット中に含まれる酸素の組成比が異なることがさらに好ましい。これにより、多層の情報層を有する情報記録媒体において各情報層の記録特性のバランスをとることが容易に可能となる。
【００１４】
また、記録層を作製する工程において、成膜レートが毎秒４．０ｎｍ以上であることが好ましい。例えば、３０ｎｍの記録層を２つの成膜室で成膜する場合、１室あたり１５ｎｍで成膜すればよいので、成膜レートが毎秒４．０ｎｍ以上であれば、各室３．７５秒以下で成膜できる。よって、排気時間などを含めても、５秒以下のタクトで量産することが可能となる。このように成膜速度が非常に速いとき、本発明による成膜の安定性向上効果をより顕著に得ることができる。成膜レートが速いほどより短い時間で大量の媒体を生産することが可能であるため、本発明において採用することが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
以上で述べたように、本発明においては、低酸化物からなる追記型記録層を含む情報記録媒体を製造する際の歩留まりが向上し、生産性が向上するため、安価で大容量の情報記録媒体を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施の形態を、以下に説明する。本発明によって製造される光学情報記録媒体は、記録層が酸化物を含む追記型の記録材料からなる。中でも、酸化物の化学量論組成よりも酸素が少ない、いわゆる低酸化物を含む材料を記録層の材料として用いる。
本発明のスパッタリングターゲットは、Ａ−Ｏと、Ａおよび／またはＭを含む。これを用いると、Ａ−ＯもしくはＡ−Ｏ−Ｍを含む記録層を形成することができる。これまでは、Ａまたは、ＡとＭを含むスパッタリングターゲットに多量の酸素を導入して、Ａ−ＯもしくはＡ−Ｏ−Ｍを含む記録層を形成してきたが、本スパッタリングターゲットを用いることにより、希ガスのみもしくは、希ガスと微量の酸素導入で同様の記録層が形成できる。また、高速成膜において、情報記録媒体の、例えば反射率の個体ばらつきや、ジッタの媒体面内ばらつきを小さく抑えることができる。より高速な成膜を行い、ばらつきをより小さくするように、本スパッタリングターゲットは、密度（粉末の充填率を示し、全く隙間無く粉末が充填されている状態を１００％と定義する)が高いことが好ましい。好ましくは８０％以上で、より好ましくは９０％以上である。
【００１７】
次に、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法の一例を説明する。
例えば、Ａ−ＯとＡを含むスパッタリングターゲットの製造方法について説明する。所定の粒径を有する高純度な材料Ａ−Ｏの粉末および材料Ａの粉末を準備し、これらを所定の混合比になるように秤量して混合し、ホットプレス装置に入れる。ホットプレス装置を必要に応じて真空にし、所定の高い圧力と高い温度の条件下で、所定時間保持して、混合粉末を焼結させる。混合を十分に行うことにより、スパッタリングターゲットの面内・厚み方向の組成が均一になる。また、圧力、温度および時間の条件を最適化することにより、充填性が向上し、高密度なスパッタリングターゲットを製造することが可能になる。このようにして、Ａ−ＯとＡを所定の組成比で含むスパッタリングターゲットが完成する。焼結後、必要に応じてＩｎ等の半田を用いて、例えば表面が平滑な銅板に接着してもよい。こうすることにより、スパッタリング装置に取り付けてスパッタリングすることができる。
【００１８】
同様に、Ａ−ＯとＡおよびＭを含むスパッタリングターゲットは、所定の粒径を有する高純度な材料Ａ−Ｏの粉末、材料Ａの粉末および材料Ｍの粉末を準備して、上記の方法でスパッタリングターゲットを製造することができる。あるいは、所定の粒径を有する高純度な材料Ａ−Ｏの粉末および材料Ａ−Ｍの粉末を準備してもよいし、所定の粒径を有する高純度な材料Ａ−Ｏの粉末、材料Ａの粉末および材料Ａ−Ｍの粉末を準備してもよいし、所定の粒径を有する高純度な材料Ａ−Ｏの粉末、材料Ｍの粉末および材料Ａ−Ｍの粉末を準備してもよいし、所定の粒径を有する高純度な材料Ａ−Ｏの粉末、材料Ａの粉末、材料Ｍの粉末および材料Ａ−Ｍの粉末を準備してもよく、いずれの粉末の組み合わせでも、上記の方法でスパッタリングターゲットを製造することもできる。
【００１９】
同様に、Ａ−ＯとＭを含むスパッタリングターゲットは、所定の粒径を有する高純度な材料Ａ−Ｏの粉末および材料Ｍの粉末を準備して、上記の方法でスパッタリングターゲットを製造することができる。
本発明の酸化物系記録材料として、低酸化物であるＡ−Ｏ（但しＡはＴｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗのうち少なくともいずれかを含む材料、材料Ａと酸素との原子比は化学量論組成より酸素が少ない組成範囲内にある）を用いる。このとき、記録層を成膜する工程においては、スパッタリングターゲットとして化学量論組成比の組成範囲にある低酸化物Ａ−Ｏと、Ａとを含むこととする。具体的には、例えば記録材料としてＳｂ−Ｏを用いる場合、スパッタリングターゲットとしてＳｂ2Ｏ3とＳｂとを含む材料を用いる。ターゲットは、Ｓｂ2Ｏ3の粉末と、Ｓｂの粉末とを所定の混合比で混合したものを少なくとも含む材料を、焼結することにより作製することができる。このスパッタリングターゲットを用いて製造された記録層は、Ｓｂ2Ｏ3よりも酸素組成比が少ない組成とすることができる。また、スパッタリングターゲット中のＳｂ2Ｏ3とＳｂの比を変えることにより、製造された記録層の膜組成を変化させることができる。
記録層を作製する方法としては、上記スパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法を用いて成膜を行うことが望ましい。スパッタリング法を用いた場合、多層膜を積層するための量産用の成膜装置が既に市場に提供されており、比較的容易に良好な膜質の薄膜が得られるという利点がある。
【００２０】
記録層としては、上記Ｓｂ−Ｏの他の材料を用いてもよい。例えば記録層材料としてＳｎ―Ｏを用いる場合、記録層を作製する工程において、スパッタリングターゲットにＳｎＯ2とＳｎとを少なくとも含む材料を用いる。この場合も、上記と同様に、量産工程において優れた再現性と安定性を得ることが可能となる。別の例としては、記録層材料としてＩｎ―Ｏを用いる場合、記録層を作製する工程において、スパッタリングターゲットにＩｎ2Ｏ3とＩｎとを少なくとも含む材料を用いる。或いは、記録層材料としてＺｎ―Ｏを用いる場合、記録層を作製する工程において、スパッタリングターゲットにＺｎＯとＺｎとを少なくとも含む材料を用いる。
【００２１】
或いは、別の記録層材料の例としてＭｏ―Ｏを用いることもできる。この場合、スパッタリングターゲットとしてＭｏＯ3とＭｏとを含む材料を用いる。或いは、ＭｏＯ2とＭｏとを含む材料としてもよい。Ｍｏの酸化物は、ＭｏＯ2とＭｏＯ3の間の組成で異なる価数をもつ多くの種類の酸化物が存在するため、これらの酸化物とＭｏとを少なくとも含む材料を用いてもよく、記録信号の振幅や信頼性が良好に得られる組成を選べばよい。
【００２２】
また、記録層材料としてＷ―Ｏを用いる場合もＭｏ−Ｏと同様に、スパッタリングターゲットとしてＷＯ3−Ｗを含む材料、或いはＷＯ2−Ｗを含む材料を用いる。この場合も、ＷＯ2とＷＯ3の間の組成で多くの種類の価数をとりうるため、これらの酸化物とＷとを少なくとも含む材料を用いてもよい。
【００２３】
或いは、酸化物系記録材料としてＴｅ−Ｏ系を用いることもできる。この場合、記録層を成膜する工程においては、スパッタリングターゲットとしてＴｅＯ2とＴｅとを少なくとも含む材料を用いる。この材料をベースとして材料Ｍを混合させたＴｅ−Ｏ−Ｍ系記録材料は、さらに高速度での書き込みが可能な材料であるため、記録材料として用いることが特に好ましい。このＴｅ−Ｏ−Ｍ系材料を作製する際は、スパッタリングターゲットとして、ＴｅＯ2とＭとを少なくとも含む材料を用いる。
【００２４】
特に、その組成比が（ＴｅＯ2）aＴｅbＭcＸdで表されるターゲットを用いることが好ましい。ここで、ａ、ｂ、ｃ、ｄは、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、０≦ｂ、０＜ｃ、０≦ｄを満たす数であり、特に
５０≦ａ≦９５、５≦ｂ＋ｃ≦４０、０≦ｄ≦２０の範囲を満たすことが好ましい。さらに、ｂ、ｃが０．５ｂ≦ｃ（０＜ｂ）の関係を満たすことが好ましい。下記にその根拠を、それぞれの材料が果たす役割とともに述べる。
【００２５】
まず、ＴｅＯ2は、成膜直後で母材を成す材料であり、その含有量によって作製された記録層の熱伝導率や信号振幅が異なるため、その組成比を最適に選ぶ必要がある。具体的には、組成比ａが５０≦ａ≦９５の範囲を満たすことが好ましい。ａが５０ｍｏｌ％より少ないと、作製された記録層の熱伝導率が上がり、信号の記録を行う際に記録層の膜面内での熱拡散が生じてしまい、その結果、信号のジッタ値が悪化してしまう。逆に、ａが９５ｍｏｌ％より多い場合、作製された記録層は化学量論組成の酸化物組成に近づくため、記録層での光吸収の低下による記録感度の悪化や、信号振幅の低下が生じてしまう。ＴｅＯ2の組成比ａは、６０≦ａ≦９０の範囲を満たすことがさらに好ましい。
【００２６】
次に材料Ｍは、Ｔｅの結晶化を促進させるために添加するものであり、Ｔｅと結合を作りうる元素を含む材料であればこの効果を得ることができる。Ｔｅの結晶は、共有結合によってＴｅ原子がらせん状に連なった鎖状構造同士が、弱いファンデルワールス力によってお互いに結びつき合っている構造をもっている。Ｔｅを溶融するには弱いファンデルワールス結合を断ち切ればよいため、Ｔｅの融点は約４５２℃と比較的低い。しかしこのとき、らせん状に連なった構造が残っているため結晶化速度は遅い。これに対して、Ｔｅと架橋構造をつくりうる材料を添加し、前述の鎖状構造がほとんど現れない構造とすることにより、結晶化速度を速めることができる。
【００２７】
材料Ｍの具体例としては、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ等の元素、或いはこれらの混合物が挙げられる。これらの材料は、例えばＢｌｕ−ｒａｙ仕様の１倍速記録(データ転送レート：３６Ｍｂｐｓ)が可能である。特に、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｉｎのうちの少なくとも１つを含む材料を用いた場合、上記の架橋構造をより効果的に作ることができるため、より速い結晶化速度を容易に得ることができる。これらの材料は、２倍速記録(７２Ｍｂｐｓ)も可能である。中でも特に、Ａｕ、Ｐｄ等の貴金属を使用した場合、特に容易に早い結晶化速度を得ることができ、４倍速(１４４Ｍｂｐｓ)以上の記録も可能である。
【００２８】
上記の材料Ｍの役割を考慮し、材料Ｍの混合比率ｃは、Ｔｅの組成比ｂに対して、０．５ｂ≦ｃ（０＜ｂ）を満たすことが好ましい。０．５ｂ＞ｃの場合は、上記の結晶化速度向上効果を効果的に得ることが困難となるためである。
上記のように、材料ＭとＴｅは、成膜直後に形成される複合相のうち分散相をなすものである。このため、これらの組成比の和ｂ＋ｃは、５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下であることが望ましい。ｂ＋ｃが５ｍｏｌ％よりも小さい場合、分散相が少ないために記録感度の低下や、記録後での信号振幅の低下が生じやすいという欠点がある。また、ｂ＋ｃが４０ｍｏｌ％よりも多い場合、分散相が多く、マトリクス相であるＴｅＯ2が比較的少なくなるため、成膜直後での記録膜の熱伝導率が高くなりやすい。これは、誘電体であるＴｅＯ2に比べて、金属や半導体からなるＴｅ、Ｍの方が熱伝導率が高いことによると考えている。この場合、信号の記録を行った際に、記録膜の膜面内での熱拡散が生じやすくなり、マーク間の熱干渉が生じやすくなるため、信号の良好なジッタ値が得られにくくなるという欠点がある。
【００２９】
次に、スパッタリングターゲットと記録層の組成の関係について述べる。例えば、スパッタリングターゲットに（ＴｅＯ2）87Ｔｅ5Ｐｄ8（ｍｏｌ％）（＝Ｔｅ34Ｏ63Ｐｄ3（ａｔ％））を用いて、Ａｒガスを１２ｓｃｃｍと酸素ガスを１．０ｓｃｃｍの一定の流量で供給し、ガスの全圧を０．１３Ｐａとし、高周波電源を用いて８００Ｗのパワーを投入して記録層を成膜した場合、記録層の組成を分析した結果、Ｔｅ35Ｏ62Ｐｄ3（ａｔ％）であった。酸素がやや減少しているが、スパッタリングターゲットの組成と近い組成が得られることがわかった。
【００３０】
材料Ｘは、成膜した記録層の熱伝導率を下げ、良好な信号品質を得ることを主な目的として添加する材料であるが、場合によっては必須の材料ではない。材料としては、弗化物、炭化物、窒化物、Ｔｅ−Ｏ以外の酸化物のいずれかを少なくとも含む材料を用いる。特に、Ｌａ−Ｆ、Ｍｇ−Ｆ、Ｃａ−Ｆ等の弗化物や、Ｓｉ−Ｏ、Ｃｒ−Ｏ、Ｇｅ−Ｏ等の酸化物を用いた場合、成膜した記録層の熱伝導率を下げる効果が高く、良好な信号品質が得られることがわかっている。材料Ｘは、成膜直後の記録層の熱伝導率を制御するために混合する材料であるため、信号の記録には寄与しない。このため、材料Ｘの組成比ｄは、０ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。材料Ｘの組成比が２０ｍｏｌ%より多い場合、記録前後の光学特性の変化量がやや低減してしまうためである。材料Ｘを混合せずとも、成膜後の記録層の熱伝導率が十分低い場合は、材料Ｘを添加する必要はない。
【００３１】
上記で述べた全ての種類の記録層を製造する工程において、成膜ガスとしてＡｒ、Ｘｅ等の希ガスを用いることができる。また、成膜ガスとして希ガスと微量の酸素との混合ガスを用いることも可能である。成膜ガス中に微量の酸素ガスを導入して成膜を行うと、作製された記録層中の酸素組成比をより精密に制御することが可能になる場合がある。このような場合は、記録層を成膜する工程において、希ガスと微量の酸素を成膜ガスとして用いることが好ましい。微量に導入する酸素量の目安としては、記録層を成膜する工程において用いる成膜ガス中の希ガスの流量をｘ（ｓｃｃｍ）、Ｏ2ガスの流量をｙ（ｓｃｃｍ）とするとき、０≦ｙ≦０．２ｘの関係を満たすことが好ましい。このような方法で低酸化物記録材料を作製した場合、いわゆる反応性スパッタリング（酸素を含まないターゲットを使用し、成膜ガス中に酸素を多量に導入したガス雰囲気中で成膜を行うスパッタリング）を行う場合に比べて、作製した記録層の組成や膜厚の再現性、安定性を良好に保つことが可能になる。特に、量産工程において、タクトを速くするために基板とターゲット間の距離が非常に近く、成膜レートの速い条件で成膜を行う際は、反応性スパッタリング法を用いると非常に多量の酸素を成膜ガス中に混合しなければならない。この場合、導入される酸素流量の変動がおきやすくなり、作製された記録層の膜厚や組成比が変動しやすくなってしまう。これに対して、本発明によるスパッタリングターゲットを用いて、成膜ガスに希ガス、或いは希ガスに微量の酸素のみを混合させたガスを用いることによって、常にほぼ一定の組成比、膜厚を有する記録層の作製が可能となる。これにより、非常にタクトの速い量産工程において、記録層の成膜の歩留まりが向上し、より低コストの記録媒体を得ることができる。本発明は、量産工程等の、より成膜レートの速い条件下で酸化物系記録層を作製する際に用いることによって、より顕著な効果を発揮することができる。
【００３２】
ここでまず、本発明における製造方法によって製造された情報記録媒体の層構成の例について述べる。図１にその層構成の一例を示す。図１の例においては、基板５上にレーザー光７の入射側から順に保護層１、記録層２、保護層３、反射層４が形成されている。保護層１の表面には、光透明層６が形成されている。
【００３３】
基板５及び光透明層６は、情報記録媒体を傷や酸化から保護する役割を担う保護材であり、例えばポリカーボネート、ポリメチルメタクレート、ポリオレフィン系樹脂等の各種の樹脂、またはガラス等の材料を用いる。光透明層６は、レーザー光を通過させて記録再生を行うため、レーザー光に対して透明な材料、或いは光吸収が生じたとしても無視できる程度に小さい（例えば１０％以下等）材料を使用する。光透明層６、或いは基板５の少なくともいずれか一方には、レーザー光線を導くための案内溝或いはピットが、情報層の位置する側に形成されていることが好ましい。
【００３４】
保護層１、及び保護層３は、記録材料の保護と情報層での効果的な光吸収を可能にするといった光学特性の調節とを主な目的として設けられるものである。材料として例えば、ＺｎＳ等の硫化物、Ｓｉ-Ｏ、Ａｌ-Ｏ、Ｔｉ-Ｏ、Ｔａ-Ｏ、Ｚｒ-Ｏ、Ｃｒ-Ｏ等の酸化物、Ｇｅ-Ｎ、Ｃｒ-Ｎ、Ｓｉ-Ｎ、Ａｌ-Ｎ、Ｎｂ-Ｎ、Ｍｏ-Ｎ、Ｔｉ-Ｎ、Ｚｒ-Ｎ等の窒化物、Ｇｅ-Ｃ、Ｃｒ-Ｃ、Ｓｉ-Ｃ、Ａｌ-Ｃ、Ｔｉ-Ｃ、Ｚｒ-Ｃ、Ｔａ-Ｃ等の炭化物、Ｓｉ-Ｆ、Ａｌ-Ｆ、Ｍｇ-Ｆ、Ｃａ-Ｆ、Ｌａ-Ｆ等の弗化物、その他の誘電体、或いはこれらの適当な組み合わせ（例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2等）など、上記目的が達成可能な材料を用いる。
【００３５】
反射層４は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属、或いは適宜選択された金属の合金より形成する。反射層４は、放熱効果や記録層での効果的な光吸収等の光学的効果を得るために設ける。
記録層２は、既に述べたように、その主成分が低酸化物である追記型の記録材料からなる。上記製造方法によって作製されることにより、製造のばらつきが少なく、層を作製する歩留まりを高く得ることができる。記録層２の膜厚は、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましい。膜厚が３ｎｍ未満の場合、記録材料が層状になりにくく、良好な信号を得ることが困難となるためである。また膜厚が５０ｎｍより大きい場合は、記録層面内での熱拡散が大きくなりやすく、良好な信号品質を得ることが困難となるためである。
【００３６】
次に、図２に本発明によって製造された情報記録媒体の別の層構成例を示す。図２においては、基板１１上にレーザー光７の入射側から順に、第１の情報層８、中間層９，第２の情報層１０が設けられている。この情報記録媒体では、一方向からのレーザー光７の入射によって第１の情報層８、第２の情報層１０両方への記録、再生を可能とするため、第１の情報層８は光透過性である必要がある。第２の情報層１０は、第１の情報層８を透過した光で記録を行うため、記録感度を高く設計することが好ましい。なお、第１の情報層８は、レーザー光７の入射側から順に、保護層１０１，記録層１０２，保護層１０３及び反射層１０４から構成されている。保護層１０１の表面には、光透明層１２が形成されている。第２の情報層１０は、レーザー光７の入射側から順に保護層２０１，記録層２０２，保護層２０３及び反射層２０４から構成されている。
【００３７】
中間層９は、第１の情報層８と第２の情報層１０とを光学的に分離するために設ける層であり、紫外線硬化樹脂等のレーザー光に対して透明な材料からなる。その膜厚は、各情報層を分離可能な程度に厚く、かつ２つの情報層が対物レンズの集光可能な範囲内となるような膜厚とすればよい。
【００３８】
図２の例についても、記録層１０２の膜厚は全て３ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。この理由は、図１に示した例で説明したと同様の理由に加えて、第１の情報層を形成する場合、記録層が５０ｎｍより厚いと透過率を十分大きくとることがやや困難になってくるためである。
【００３９】
また、図２では第１の情報層８が反射層を有する構成を示したが、第１の情報層８が反射層を有さない構成や、保護層１０３を２層とする構成等、様々な構成の媒体について、本発明を適用することができる。
以上に情報層が２層の場合の情報記録媒体について説明したが、これに限定されず、ｍ層
（ｍは２以上の整数）積層した構成であってもよい。以下に、４つの情報層が設けられた情報記録媒体の例について、図４を参照して説明する。
【００４０】
図４には４つの情報層が積層された情報記録媒体の断面図が示されている。この情報記録媒体は、基板１１と光透明層１２との間に、レーザー光入射側から順に第１の情報層１００、第２の情報層２００、第３の情報層３００および第４の情報層４００が設けられて形成されている。各情報層間には中間層９が配置されている。
【００４１】
図４に示す構成例では、第１の情報層１００は、レーザー光入射側から順に、保護層１０１、記録層１０２および保護層１０３が形成され、第２の情報層２００は、順に、保護層２０１、記録層２０２および保護層２０３が形成され、第３の情報層３００は、順に、保護層３０１、記録層３０２、保護層３０３および反射層３０４が形成され、第４の情報層４００は、順に、保護層４０１、記録層４０２、保護層４０３および反射層４０４が形成されている。
【００４２】
記録層１０２、２０２、３０２、４０２の少なくともいずれか１つが、Ａ−ＯもしくはＡ−Ｏ−Ｍを含んでもよく、少なくともＡ−Ｏと、Ａおよび／またはＭとを含むスパッタリングターゲットを用いて形成することができる。４つの情報層を含む場合、第１の情報層１００、第２の情報層２００および第３の情報層３００はより高い透過率を確保する必要があるため、記録層１０２、２０２および３０２は、膜厚を１５ｎｍ以下と薄くすることが好ましい。そのような媒体においても、高速成膜によりタクトを短縮する場合に、本発明の非反応性成膜を行うと、薄い記録層も均質に形成することが可能で、個体間の性能ばらつきや、媒体面内の性能ばらつきが極めて小さくなる。
【００４３】
次に本発明における情報記録媒体の製造方法を、以下に図面を用いて説明する。図３に、本発明における情報記録媒体の製造装置の一例を示す。図３は、本発明における製造装置を垂直方向上から下に向けて見たときの概略図を示している。図３において、成膜室２１〜２６、及びメインチャンバー１５は、排気口を通して真空ポンプを接続してあり、高真空に保つことができるようになっている。また、成膜室２１〜２６にはガス供給口を接続し、一定流量の希ガス、窒素、酸素、またはこれらの混合ガスを供給することができるようになっており、成膜中は各室に適した成膜ガスを供給して成膜を行う。図中１３は成膜前の基板であり、ロードロック室１６に投入した後、成膜室２１から順に成膜室２６までの各成膜室中へ投入されるように制御されており、最後に再びロードロック室１６から全ての層を作製した後の成膜後ディスク１４を得ることができる。図中３１〜３６は成膜室２１〜２６にそれぞれ配置されたスパッタリングターゲットであり、陰極に接続されている。陰極は、スイッチを通して直流電源または高周波電源に接続されている。また、成膜室２１〜２６及びメインチャンバー１５を接地することにより、これらの成膜室２１〜２６、メインチャンバー１５、及び基板１３は陽極に保たれている。図３では成膜室が６室である製造装置の例を示したが、成膜室の数は所望の情報記録媒体が製造可能な室数であればよく、例えば４室や８室、或いは１３室備える装置を用いてもよい。一般に、成膜室の数が増えるほど製造装置の費用が増加するが、その分、より多層の構成からなる情報記録媒体の製造が可能となる。また、膜厚の厚い層を成膜する必要がある情報記録媒体であっても、この層を２室以上の成膜室に分けて成膜を行うことにより、短いタクトでの製造が可能となるという利点もある。このため、作製したい情報記録媒体の層数や各層の膜厚に合わせて、適した成膜室数を有する製造装置を選べばよい。
【００４４】
例えば図１で示した層構成を持つ媒体を製造する場合、一例として、成膜室２２で反射層４を、成膜室２３で保護層３を、成膜室２４で記録層２を、成膜室２５で保護層１を成膜することが可能である。このとき、成膜室２４におけるスパッタリングターゲット３４は、既述の記録層成膜用ターゲットを用いる必要がある。或いは、図１に示す媒体を製造する際の別の例として、成膜室２１、及び成膜室２２で反射層４を、成膜室２３で保護層３を、成膜室２４、及び成膜室２５で記録層２を、成膜室２６で保護層１を成膜することも可能である。この例の場合、反射層４、及び記録層２が、比較的厚い場合や、或いは成膜レートの遅い場合であっても、保護層１、３を成膜する時間と同程度の成膜時間のみで成膜を完了することが可能になる。もちろん、保護層１或いは３の膜厚が同様に厚い場合、或いは成膜レートが遅い場合は、保護層１或いは３を成膜するために成膜室を２室使用しても構わない。
【実施例１】
【００４５】
以下、本発明の実施例１について具体的に説明する。ここでは図３に示す製造装置を用いて、酸素組成比を分析するための薄膜試料片を作製した。試料片の構成としては、Ｓｉ基板上にＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層が３０ｎｍずつ１０層連続して成膜されている。試料片の製造方法について述べる。まず、図３の製造装置において、成膜室２４、２５にスパッタリングターゲット３４、３５として直径２０ｃｍの（ＴｅＯ2）87Ｔｅ5Ｐｄ8（ｍｏｌ％）を取り付けた。試料片に用いた基板は、１２ｍｍ×１８ｍｍで厚さ１ｍｍのＳｉである。このＳｉ基板を成膜冶具に固定し、ロードロック室１６に取り付けた。成膜室２１、２２、２３を通過して、成膜室２４にて成膜を開始する。記録層を成膜する際は、Ａｒガスを１２ｓｃｃｍと酸素ガスを１．０ｓｃｃｍの一定の流量で供給し、ガスの全圧を０．１３Ｐａとし、高周波電源を用いて８００Ｗのパワーを投入して行った。このときの成膜レートは５．５ｎｍ／秒であった。成膜室２４で１５ｎｍ成膜した後、成膜室２５に移動し、成膜室２４と同様の条件でさらに１５ｎｍ積層した。これで２室使って３０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層がＳｉ基板上に形成された。成膜後、Ｓｉ基板を成膜室２６を通過してロードロック室１６に送った。これを非反応性記録層（１）−１とする。この試料片をロードロック室から取り出さずに、同様に成膜室２１、２２、２３を通過して、再び成膜室２４、２５でＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層を非反応性記録層（１）−１上に３０ｎｍ積層する。同様にこれを非反応性記録層（１）−２とする。このようにして、成膜室２４、２５でＴｅ−Ｏ−Ｐｄを３０ｎｍ積層する実験を１０回繰り返し、非反応性記録層（１）−１〜１０まで積層した試料片をロードロック室１６から取り出す。
【００４６】
比較例として、成膜室２４、２５にスパッタリングターゲット３４、３５としてＴｅ85Ｐｄ15（ａｔ％）を取り付け、成膜ガスとして１２ｓｃｃｍのＡｒガスと３６ｓｃｃｍの酸素ガスを用いて、反応性成膜を行った。上記と同様にして３０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層をＳｉ基板上にｌ０層積層し、反応性記録層（０）−１〜１０を形成した。
【００４７】
非反応性記録層（１）−１〜１０、反応性記録層（０）−１〜１０は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）により、各々のＴｅと酸素とＰｄの２次イオンの強度を測定し、濃度換算した。濃度を比較した酸素組成比を表１に示す。組成比は、始めに成膜した（１）−１および（０）−１を１００．０とした。
【００４８】
【表１】
2005135568.tif 000003
【００４９】
表１に示すように、非反応性記録層（１）−１〜１０は、酸素組成比のばらつきが±０．１％内であるのに対し、反応性記録層（０）−１〜１０は、−１．６％／＋３．５％のばらつきが生じた。
反応性記録層を成膜する場合、酸素を３６ｓｃｃｍ供給するために、最大流量５０ｓｃｃｍのマスフローメーターを使用した。用いたマスフローメーターの流量制御の精度は最大流量の±２％であるため、この例の場合、絶対値で±１ｓｃｃｍの流量のゆらぎが生じてしまう。このため、酸素供給の流量のばらつきに対応して、酸素とＴｅの反応度にも差が生じ、作製した記録層中の酸素組成比にもばらつきが生じてしまう、と考えられる。
【００５０】
一方、非反応性記録層を成膜する場合、酸素ガスを１ｓｃｃｍ供給するために、最大流量３ｓｃｃｍのマスフローメーターを使用した。この場合も、マスフローメーターの流量制御の精度は±２％であったため、酸素流量のゆらぎは絶対値で±０．０６ｓｃｃｍである。つまり、最大の変動量をとっても、酸素ガスの流量は、０．９４ｓｃｃｍから１．０６ｓｃｃｍの範囲に収めることが可能である。また、反応性成膜でなく、スパッタリングターゲットに酸素が含まれているため、不要な酸素が記録層中に取り込まれるという現象が生じにくい。
【００５１】
このように、ＴｅＯ2と、Ｔｅと、Ｐｄを含む（ＴｅＯ2）87Ｔｅ5Ｐｄ8（ｍｏｌ％）スパッタリングターゲットを用いて非反応性成膜でＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層を作製すると、従来の反応性成膜と比較して、組成比のばらつきが飛躍的に改善され、安定に量産できることが明らかになった。
【実施例２】
【００５２】
（１）本発明の実施例
以下、本発明の実施例２について具体的に説明する。ここでは図３に示す製造装置を用いて、図１に示した層構成を有する情報記録媒体を作製した例について述べる。ここでは一例として、図１において、基板５として厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのディスク状ポリカーボネート樹脂、保護層１、３としてＺｎＳにＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％含む混合物、記録層２としてＴｅ−Ｏ−Ｐｄを主成分とする材料、反射層４としてＡｌ98Ｃｒ2合金を用いた。光透明層６としては、厚さ０．１ｍｍのディスク状ポリカーボネート樹脂をＵＶ樹脂により貼り合わせたものを用いた。各層の膜厚は、保護層１、３をそれぞれ１０ｎｍ、１７ｎｍ、記録層２を３０ｎｍ、反射層４を４０ｎｍとした。
【００５３】
図３の製造装置において、反射層４を成膜室２１で、保護層１、３をそれぞれ成膜室２３、２６で、記録層２を成膜室２４と成膜室２５の２室で、それぞれ成膜を行った。成膜の際は、スパッタリングターゲット３２にＡｌ98Ｃｒ2、スパッタリングターゲット３３、及び３６の両方にＺｎＳにＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％含む混合物、スパッタリングターゲット３４、３５の両方に（ＴｅＯ2）87Ｔｅ5Ｐｄ8（ｍｏｌ％）を用いた。スパッタリングターゲットは直径２０ｃｍの大きさのものを使用した。保護層１、３を成膜する際は、Ａｒに酸素を２．０％混合したガスを１２ｓｃｃｍの一定の流量を保って供給してガスの全圧を０．１３Ｐａとし、陰極に高周波電源を用いて２．０ｋＷのパワーを投入して成膜を行った。反射層４を成膜する際は、Ａｒガスを２０ｓｃｃｍの一定の流量で供給し、ガスの全圧を０．２Ｐａとし、直流電源を用いて５ｋＷのパワーを投入して行った。記録層２を成膜する際は、Ａｒガスを１２ｓｃｃｍと酸素ガスを１．０ｓｃｃｍの一定の流量で供給し、ガスの全圧を０．１３Ｐａとし、高周波電源を用いて８００Ｗのパワーを投入して行った。スパッタガス中の希ガスとしては、Ａｒ以外にもＫｒ等のスパッタの可能なガスが用いられる。このときの記録層２の成膜レートは、５．５ｎｍ／秒の速さが得られた。記録層２は３０ｎｍを成膜室２４と成膜室２５の２室で成膜するため、各室約２．７秒で成膜することが可能となる。以上の本発明による方法で成膜された媒体を媒体（１）とする。
【００５４】
（２）比較例
比較例として、記録層２を成膜する工程、即ち成膜室２４、及び成膜室２５について、ターゲット３４及び３５をともにＴｅ85Ｐｄ15、成膜ガスとしてＡｒを１２ｓｃｃｍ、酸素を３６ｓｃｃｍ用いて反応性成膜を行う以外は全て上記と同じ条件として媒体を製造した。この媒体を媒体（０）とする。
【００５５】
本実施例では、媒体（１）および媒体（０）を連続して量産試作した際の反射率のばらつきを評価した。量産試作は同じ条件で５００枚製造し（１−１〜５００、０−１〜５００）、５０枚毎に抜き取って１１枚の媒体の反射率を測定した。さらに、成膜レートに対するばらつきを比較するため、記録層２を成膜するパワーを３００Ｗ（成膜レート２ｎｍ／ｓ）、６００Ｗ（同４ｎｍ／ｓ）、１ｋＷ（同７ｎｍ／ｓ）と変えた条件でも媒体を量産試作した。実施例としてスパッタリングターゲットに（ＴｅＯ2）87Ｔｅ5Ｐｄ8（ｍｏ１％）を用いて量産した媒体の番号を、３００Ｗパワーが媒体（１１−１〜５００）、６００Ｗパワーが媒体（２１−１〜５００）、１ｋＷパワーが媒体（３１−１〜５００）とした。また、比較例としてスパッタリングターゲットにＴｅ85Ｐｄ15（ａｔ％）を用いて量産した媒体の番号を、３００Ｗパワーが媒体（１０−１〜５００）、６００Ｗパワーが媒体（２０−１〜５００）、１ｋＷパワーが媒体（３０−１〜５００）とした。比較例の反応性成膜の場合、成膜パワーが低いと反応が進みやすいので、各々の成膜パワーに対して、酸素流量を１３．５ｓｃｃｍ、２７ｓｃｃｍ、４５ｓｃｃｍと最適化して成膜した。
【００５６】
ここで、反射率の評価条件について説明する。
記録再生評価には、レーザー光源と対物レンズを搭載した光ヘッドと、レーザー光を照射する位置を所定の位置へと導くための駆動装置、トラック方向および膜面に垂直な方向の位置を制御するためのトラッキング制御装置およびフォーカシング制御装置と、レーザーパワーを変調するためのレーザー駆動装置、情報記録媒体を回転させるための回転制御装置とを備えた、一般的な評価装置を用いた。
【００５７】
反射率の評価は、レーザー波長４０５ｎｍ、対物レンズの開口数が０．８５の光学系を用い、１倍速（４．９２ｍ／ｓ）で媒体を回転させた。媒体の半径４０ｍｍの位置で、０．３５ｍＷの再生パワーをグルーブ部に照射して、グルーブ部から反射してくる光量を検出して測定した。但し、グルーブ部とは、基板５に形成された凸凹状のトラックのうち、レーザー光に近い側のトラックと定義する。表２に反射率測定結果を示す。反射率の設計目標値は１８．５％であった。但し、ばらつき＝（最大値−最小値）／最小値、と定義する。ばらつきは６％以内が好ましく、３％以内がより好ましい。
【００５８】
【表２】
2005135568.tif 000004
【００５９】
表２に示すように、実施例は記録層２の成膜レート２〜７ｎｍ／ｓまで、反射率のばらつきが３％以内と良好であった。高速成膜でも安定に量産できることがわかった。これに対し、比較例は低レートの２ｎｍ／ｓでも３％を越えていた。４ｎｍ／ｓ以上ではばらつきが６％を大幅に上回り、成膜レートが大きくなるほどばらつきが大きくなることがわかった。
【００６０】
このように、ＴｅＯ2と、Ｔｅと、Ｐｄを含む（ＴｅＯ2）87Ｔｅ5Ｐｄ8（ｍｏ１％）スパッタリングターゲットを用いて非反応性成膜でＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層を作製すると、従来の反応性成膜と比較して、特に成膜レートが速い条件で、反射率のばらつきが飛躍的に改善され、安定に量産できることが明らかになった。
（実施例３）
以下、本発明の実施例３について具体的に説明する．
実施例３では、実施例２で量産した媒体を抜き取って、反射率、Ｃ／Ｎ、ジッタ値を媒体の内周、中周、外周で評価し、面内の分布を調べた。
【００６１】
ここで、Ｃ／Ｎ、ジッタ値の評価条件について説明する。記録再生装置は、実施例２で使用したものを用いた。光学系は、レーザー波長４０５ｎｍ、対物レンズの開口数０．８５で、媒体の線速度は９．８４ｍ／ｓ（２倍速）である。信号の変調方式には１−７ＰＰ変調を用いた。密度は２５ＧＢ容量相当である。Ｃ／Ｎ評価においては、２Ｔの単一信号（マーク長０．１４９μｍ）を個々の媒体に最適なレーザーパワーでグルーブ部に記録した。測定にはスペクトラムアナライザーを使用した。また、ジッタ値は、２Ｔから８Ｔのランダム信号をグルーブ部に記録し、タイムインターバルアナライザーを用いて測定した。ジッタは、ＬＥＱ（リミット・イコライザー）ジッタで、前端間ジッタと後端間ジッタを測定し、それを平均した。ＬＥＱジッタ値は規格値である６．５％以下を満足することが好ましい。内周評価は半径２３ｍｍの位置で、中周評価は半径４０ｍｍの位置で、外周評価は半径５８ｍｍの位置で行った。
【００６２】
抜き取った媒体は、中周反射率が１８．５％である媒体を選んだ。実施例において１１−２００、２１−１５０、１−１５０および３１−２００、比較例において１０−２５０、２０−１５０、０−３００および３０−５０がそれに相当する。表３に面内分布の結果を示す。ばらつきの定義は実施例２と同様である。
【００６３】
【表３】
2005135568.tif 000005
【００６４】
表３に示すように、実施例は比較例と比べて、内周、中周、外周にわたって反射率、Ｃ／Ｎ共にばらつきが小さい。ＬＥＱジッタは値そのものが小さいため、ばらつきの値が大きくなってしまう。ＬＥＱジッタについては、内周、中周、外周にわたって、規格値の６．５％以下を満足すればよい。比較例は、成膜レートが速くなるほど、反射率、Ｃ／Ｎ、ＬＥＱジッタ共に、ばらつきが大きくなる。特に、外周の特性が劣る。これは、反応性成膜の高速成膜では、内周から外周にわたって均質な記録層が形成されないためと考えられる。
【００６５】
このように、ＴｅＯ2と、Ｔｅと、Ｐｄを含む（ＴｅＯ2）87Ｔｅ5Ｐｄ8（ｍｏ１％）スパッタリングターゲットを用いて非反応性成膜でＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録層を作製すると、従来の反応性成膜と比較して、特に成膜レートが速い条件で、媒体面内の反射率、Ｃ／Ｎ、ジッタ値のばらつきが飛躍的に改善され、安定に量産できることが明らかになった。
【００６６】
これにより、反応性成膜を用いて記録層の作製を行うのでなく、スパッタリングターゲットに酸化物を含ませて成膜ガスには酸素を微量のみ混合させて記録層の作製を行うことにより、媒体を量産した際の特性のばらつきが少なく、かつ記録層を反応性成膜した媒体と同様の良好な信号記録特性を有する媒体を量産することが可能になる。
【００６７】
なお、本発明の実施例におけるスパッタリングターゲット３４、３５の組成としては、(ＴｅＯ2)60Ｔｅ15Ｐｄ25（ｍｏ１％）、(ＴｅＯ2)70Ｔｅ14Ｐｄ16（ｍｏ１％）、(ＴｅＯ2)78Ｔｅ11Ｐｄ11（ｍｏ１％）、(ＴｅＯ2)90Ｔｅ2Ｐｄ8（ｍｏ１％）、(ＴｅＯ2)95Ｐｄ5（ｍｏ１％）、(ＴｅＯ2)80Ｔｅ5Ｐｄ10（ＳｉＯ2)5（ｍｏ１％）、(ＴｅＯ2)75Ｔｅ5Ｐｄ10（ＳｉＯ2)10（ｍｏ１％）、を用いても、同様に成膜の安定性が向上する効果が得られた。
【００６８】
また、(ＴｅＯ2)-Ｔｅ-Ｐｄ以外のターゲット組成として、(ＴｅＯ2)50Ｔｅ20Ｐｄ8Ｓｂ12(ＬａＦ3)10（ｍｏ１％）、(ＴｅＯ2)80Ｔｅ5Ａｕ10(ＬａＦ3)5（ｍｏ１％）、(ＴｅＯ2)75Ｔｅ5Ａｕ10(ＬａＦ3)10（ｍｏ１％）、(ＴｅＯ2)65Ｔｅ5Ａｕ10(ＬａＦ3)20（ｍｏ１％）、を用いても、同様に成膜の安定性が向上する効果が得られた。
【００６９】
また、図４に示す４つの情報層を有する４層媒体で、ＴｅＯ2と、Ｔｅと、Ｐｄを含む（ＴｅＯ2）87Ｔｅ5Ｐｄ8（ｍｏ１％）スパッタリングターゲットを用いて非反応性成膜で、８ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄの記録層１０２および、１０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄの記録層２０２、８ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄの記録層３０２、２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄの記録層４０２、を作製すると、従来の反応性成膜と比較して、媒体面内における性能のばらつきが飛躍的に改善されることが確かめられた。特に、記録層の膜厚の薄い、第１の情報層１００、第２の情報層２００および第３の情報層３００の性能ばらつきが激減し、優れた４層媒体が得られた。
【００７０】
前記実施形態は本発明の説明の便宜のために用いたものであり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】実施の形態に係る製造方法で作製された媒体の層構成の一例を示す図。
【図２】実施の形態に係る製造方法で作製された媒体の層構成の別の一例を示す図。
【図３】実施の形態に係る製造装置の一例を示す図。
【図４】実施の形態に係る製造方法で作製された媒体の層構成の別の一例を示す図。
【符号の説明】
【００７２】
１、３  保護層
２  記録層
４  反射層
５  基板
６  光透明層
７  レーザー光
１０１、１０３、２０１、２０３、３０１，３０３，４０１，４０３  保護層
１０２、２０２、３０２、４０２  記録層
１０４、２０４、３０４，４０４  反射層
８、１００  第１の情報層
９  中間層
１０、２００  第２の情報層
３００  第３の情報層
４００  第４の情報層
１１  基板
１２  光透明層
１３  基板
１４  成膜後ディスク
１５  メインチャンバー
１６  ロードロック室
２１、２２、２３、２４、２５、２６  成膜室
３１、３２、３３、３４、３５、３６  スパッタリングターゲット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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