(57)【要約】【課題】小型で、良好な出力特性を有し、さらに２次巻線の抵抗値が小さい電磁装置及び高電圧発生装置を提供する。【解決手段】電磁部材Ａの長手方向の面に対向した面を有する第２の磁気コア４を備える。第２の磁気コア４は、ギャップＧ１を介して２つに分割され、磁気コア１の長手方向の面に対向して一列に配置される。１次巻線２ａに電流を流したときに１次巻線２ａ並びに２次巻線２ｂの全てと鎖交する第１の磁束φ１と、全ての１次巻線２ａ並びに少なくとも１次巻線２ａと重なる一部の２次巻線２ｂと鎖交する第２の磁束φ２と、１次巻線２ａと重ならない一部の２次巻線２ｂと鎖交する第３の磁束φ３とが発生する。故に、大型化を抑制した上で従来と同等以上のパルス出力特性が得られ、且つ２次巻線の抵抗値が小さくなる。【選択図】        図１
2005019610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
棒状の第１の磁気コア、平角導線を第１の磁気コアに略当接して巻装した２次巻線、及び２次巻線の上に巻装した１次巻線からなる電磁部材と、前記電磁部材の長手方向の面に対向した面を有する第２の磁気コアと、２次巻線又は第２の磁気コアの少なくとも何れか一方を第１の磁気コアの長手方向に分割する１乃至複数のギャップ部を設けて１次巻線並びに２次巻線の全てと鎖交する第１の磁束と、全ての１次巻線並びに少なくとも１次巻線と重なる一部の２次巻線と鎖交する第２の磁束と、１次巻線と重ならない一部の２次巻線と鎖交する第３の磁束とを形成してなることを特徴とする電磁装置。
【請求項２】
第２の磁気コアを第１の磁気コアの長手方向に分割するコアギャップを前記ギャップ部としたことを特徴とする請求項１記載の電磁装置。
【請求項３】
１次巻線と重ならない２次巻線を第１の磁気コアの長手方向に分割するギャップを前記ギャップ部としたことを特徴とする請求項１又は２記載の電磁装置。
【請求項４】
請求項１又は２又は３に記載された電磁装置からなるパルストランスと、パルストランスの１次巻線に並列接続されたコンデンサと、コンデンサから１次巻線への放電経路を開閉するスイッチ要素と、少なくとも前記パルストランス、コンデンサ、スイッチ要素を収容する装置本体とを備え、この装置本体に放電ランプのランプ口金が電気的且つ機械的に接続されるソケット部を設け、このソケット部を介して前記パルストランスの２次巻線に発生する高電圧パルスをランプ口金に印加することを特徴とする高電圧発生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高輝度放電灯を瞬時に始動、再始動させるために高電圧パルスを発生する電磁装置及び高電圧発生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＨＩＤランプ（高輝度放電灯）を始動、点灯させるためにはイグナイタと呼ばれる高電圧を発生する始動装置（高電圧発生装置）が必要であり、高電圧発生装置には低電圧の入力をパルス状の高電圧出力に変換するパルストランスのような電磁装置が用いられている。
【０００３】
ところで、近年自動車用の前照灯（ヘッドライト）において、安全性及びエコロジーを重視する観点から従来のハロゲンランプよりも高輝度、低消費電力、長寿命であるＨＩＤランプのような高圧放電ランプが使用されるようになっており、高圧放電ランプの急速な普及に伴ってイグナイタの寸法的な制約（イグナイタのランプソケット内蔵化等）から極めて小型の電磁装置が要望されている。
【０００４】
図１１及び図１２は、自動車用ヘッドライト向けのソケット内蔵型イグナイタ２０の回路図及び外観図を示している。イグナイタ２０の基本的な回路構成は、入力端子Ｔ１〜Ｔ３と、出力端子Ｔ４，Ｔ５と、入力端子Ｔ１（高電圧側）−入力端子Ｔ２（低電圧側）間に接続したコンデンサＣ１と、コンデンサＣ１に並列接続した放電ギャップＧＡＰ（スイッチ要素）とパルストランスＰＴの１次巻線２ａとの直列回路と、入力端子Ｔ１−出力端子Ｔ４（高電圧側）間に接続したパルストランスＰＴの２次巻線２ｂと、１次巻線２ａ、２次巻線２ｂが巻装した磁気コア１とから構成され、入力端子Ｔ３（低電圧側）−出力端子Ｔ５（低電圧側）間は短絡されている。高圧放電ランプＬａは出力端子Ｔ４−Ｔ５間に接続されており、点灯装置５０は入力端子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３に接続されている。
【０００５】
そして、高圧放電ランプＬａが点灯していない状態で点灯装置５０から入力端子Ｔ１，Ｔ２を介して電圧が供給されるとコンデンサＣ１が充電され、コンデンサＣ１の両端電圧が上昇して所定値に達したときに放電ギャップＧＡＰがオンすることでパルストランスＰＴの１次巻線２ａに放電ギャップＧＡＰを介してコンデンサＣ１の充電電荷が放電され、パルストランスＰＴの２次巻線２ｂにパルス状の高電圧が発生する。この高電圧パルスが出力端子Ｔ４，Ｔ５を介して高圧放電ランプＬａの両端に印加されて高圧放電ランプＬａを絶縁破壊に至らしめて始動するものである。
【０００６】
また、イグナイタ２０は、図１２に示すように高圧放電ランプＬａが着脱自在に装着されるソケットと一体に構成されており、内部にイグナイタ２０を配置した合成樹脂製のソケット本体２３を備えて、ソケット本体２３の前面には略円形のソケット開口部２４と、ソケット開口部２４の内側略中央に突出した略円筒形の筒部２５とが形成されており、この筒部２５の内側にランプ口金の中央電極部（図示せず）と接触導通するランプ口金電極端子Ｔ４（図１１参照）が収納されている。さらに、ランプ口金の外周面に設けられた外側電極部（図示せず）と接触導通する複数の外側電極Ｔ５（図１１参照）がソケット開口部２４の内側に取り付けられており、ランプ口金をソケット開口部２４に挿入すると、イグナイタ２０と高圧放電ランプＬａとが電気的且つ機械的に接続される。また、ソケット本体２３はしばしばノイズ抑制のために金属ケース（図示せず）で覆われる場合がある。
【０００７】
そして、上記部品以外に、保護用の抵抗、ツェナダイオード、ノイズフィルター用コンデンサ、チョークコイル等が用いられることもあり、これらのイグナイタ２０の部品をソケット本体２３内に収納し、且つソケットの一層の小型化、薄型化を実現するには、部品として大きな割合を占めるパルストランスＰＴ（電磁装置）の小型化が大きな条件となっていた。
【０００８】
ところで、特許文献１には、パルストランスＰＴのより小型化、薄型化を狙った提案がされている。特許文献１に記載されている従来例１は、図１３に示すように、ロッド型の磁気コア１に抵抗率（固有抵抗）が大きいＮｉ−Ｚｎフェライト材を用い、このコア１に直接、平角導線を一層にエッジワイズ巻して（厚みの薄い箔状の平角導線をその幅広の面が対向するように巻回する）２次巻線２ｂを形成したものである。平角導線のエッジワイズ巻による巻線占積率の向上に加えて、磁気コア１と２次巻線２ｂとの間にコイルボビン等の絶縁物が不要となって、より小型、薄型を追求したパルストランスＰＴとなっている。さらに、高耐圧被覆を有する１次巻線２ａを、２次巻線２ｂ上の低圧側に寄せて巻装しており、１次巻線２ａと２次巻線２ｂとの間の絶縁を確保している。また、図１４はこの従来例１のパルストランスＰＴを用いた自動車用ヘッドライト向けソケット内蔵型イグナイタの部品配置図を示しており、ソケット本体２３の内部にコンデンサＣ１、放電ギャップＧＡＰ、パルストランスＰＴが収納されて、その回路構成は図１１で示される。
【０００９】
近年、ＨＩＤランプを用いた自動車用ヘッドライトは、環境負荷を軽減するという立場から、無水銀化が進みつつある。ここで、無水銀のＨＩＤランプは従来の水銀入りランプよりも低ランプ電圧、高ランプ電流となるランプ特性を有しており、例えば、図１１に示した回路構成のイグナイタではパルストランスＰＴの２次巻線２ｂにランプ電流が流れるので、従来の２倍程度のランプ電流が流れた場合、２次巻線２ｂの抵抗成分による温度上昇、効率低下を引き起こすため、より低い巻線抵抗値を有するパルストランスＰＴが要望されていた。
【００１０】
ここで、図１３に構造を示す平角導線を用いた従来のパルストランスＰＴの場合、２次巻線２ｂの抵抗値を低下させるために２次巻線２ｂの平角導線の断面積を増加させる方法として、平角導線の厚みを厚くする方法と、巾を広げる方法とが考えられる。平角導線の厚みを厚くする場合は、パルストランスＰＴが長手方向に非常に長くなることを意味しており、例えば、２次巻線２ｂの抵抗値を１／３程度にしようとすると、パルストランスＰＴの長さが２倍以上となり、図１４に示すソケット本体２３の内部に入らなくなる。
【００１１】
また、平角導線の巾を広げる場合は、平角導線の曲率の限界（平角導線がコアに巻装されたときに内周に対する外周の伸び率が大きくなり過ぎると、外周部の絶縁皮膜が劣化し、絶縁性能が低下する）から、平角導線の巾を広くすることは実質不可能である。このように従来例１においては、ソケットに入る小型のイグナイタで、無水銀のＨＩＤランプに対応できるように巻線の低抵抗値化を図ることは困難であった。
【００１２】
次にパルストランスＰＴの巻線抵抗値を下げる他の方法として、磁気コアを閉磁路構成とし、磁気コアの結合を向上させて漏れ磁束を抑制することにより、巻線の巻き数を減少させて巻線抵抗値を下げる方法があり、特許文献２に示される図１５（ａ），（ｂ），（ｃ），図１６（ａ），（ｂ）の構成を従来例２として示す。図１５（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ従来例２によるパルストランスの一実施の形態を示す平面図、正面図、側面図である。また、図１６（ａ）はこのパルストランスの縦断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。
【００１３】
図１５（ａ），（ｂ），（ｃ），図１６（ａ），（ｂ）において高電圧パルスを出力する２次巻線２ｂは平角導線を断面が略長円形の筒状をなすように巻かれている。２次巻線２ｂを覆って取付けられている絶縁カバー３０は樹脂製で、断面形状が略長円形の筒状を成している。絶縁カバー３０の両端には２次巻線２ｂの端子台３１ａ、３１ｂが一体に形成され、これらの端子台３１ａ，３１ｂには２次巻線２ｂの両端を接続する端子３２，３３が固定される。
【００１４】
２次巻線２ｂの外周には平角導線でなる１次巻線２ａが、絶縁上の安全性の向上を図るため、絶縁カバー３０の巻芯方向の中央より端部側に巻装される。すなわち、２次巻線２ｂの１次巻線２ａ側が２次巻線２ｂの低圧側となる。
【００１５】
筒状の絶縁カバー３０の外周には、１次巻線２ａの巻き位置および端末引き出しのための位置決め用ガイド３４を突出して一体に設けている。
【００１６】
図１６（ａ）において、磁気コア１は２次巻線２ｂとして巻かれたコイルに挿入された棒状コアである。磁気コア１は、断面形状が２次巻線２ｂのコイルの内周形状よりわずかに小さい略長円形をなす。磁気コア１として高抵抗のフェライトコアを用いることにより、２次巻線２ｂとの間に絶縁物を介せずに直接組み込むことができる。
【００１７】
コの字状の磁気コア４’は、磁気コア１の長手方向の面に対向した面４ａ’と、磁気コア１の長手方向の両端面に各々対向した面４ｂ’，４ｃ’とを有するコの字形状であり、面４ｂ’，４ｃ’で棒状の磁気コア１の両端から磁気コア１を挟むように絶縁材３５を介して取り付けられて閉磁路の磁気回路を構成している。
【００１８】
なお、絶縁カバー３０と磁気コア１との間は接着剤（図示なし）により固定され、さらに一般的には、１次巻線２ａの端末や２次巻線２ｂの端子３２，３３以外の部分は樹脂（図示なし）によりモールドされる。
【００１９】
【特許文献１】
特開２００２−９３６３５号公報（第５頁、図１８）
【特許文献２】
特開２０００−３６４１６号公報（第３〜４頁、図２）
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
ところが上記従来例２では、磁気コア１，４’の結合を向上させて漏れ磁束を抑制することができ、同程度のパルス電圧ピーク値を得るのに２次巻線２ｂの巻数を低減できるという利点があるが、コの字状の磁気コア４’が追加されたことで電磁装置（パルストランス）が大型化するという問題や、磁気コア１，４’の結合が向上した分、パルス電圧の立ち上がりが急峻となりパルス巾が小さくなるという問題がある。高圧放電ランプＬａを始動、再始動させるのに必要な高電圧パルスはピーク値のみでなく、パルス巾も含めたパルスエネルギで決まるので、従来例２のような構成では結果的に同等の出力パルスエネルギを維持して２次巻線２ｂの巻数を低減することは困難である。
【００２１】
本発明は上記事情に鑑みて為されたものであり、その目的は、小型で、良好な出力特性を有し、さらに２次巻線の抵抗値が小さい電磁装置及び高電圧発生装置を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、上記目的を達成するために、棒状の第１の磁気コア、平角導線を第１の磁気コアに略当接して巻装した２次巻線、及び２次巻線の上に巻装した１次巻線からなる電磁部材と、前記電磁部材の長手方向の面に対向した面を有する第２の磁気コアと、２次巻線又は第２の磁気コアの少なくとも何れか一方を第１の磁気コアの長手方向に分割する１乃至複数のギャップ部を設けて１次巻線並びに２次巻線の全てと鎖交する第１の磁束と、全ての１次巻線並びに少なくとも１次巻線と重なる一部の２次巻線と鎖交する第２の磁束と、１次巻線と重ならない一部の２次巻線と鎖交する第３の磁束とを形成してなることを特徴とする。
【００２３】
この発明によれば、第１の磁束と第２の磁束が、電磁装置の等価回路における理想トランスの結合比（結合定数）を増大することでパルス電圧のピーク値の上昇と、負荷である高圧放電灯の絶縁破壊直後の電流を増大させて立ち消えを起こし難くすることができ、また、第３の磁束は、等価回路において限流要素となる２次側漏れインダクタンスの値を増大させることでパルス電流を減少させてパルス電圧の立ち上がりを緩やかにし、パルス巾を大きくすることができるから、大型化を抑制した上で従来と同等以上のパルス出力特性を有し、且つ２次巻線の抵抗値が小さくなる電磁装置が提供できる。
【００２４】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、第２の磁気コアを第１の磁気コアの長手方向に分割するコアギャップを前記ギャップ部としたことを特徴とする。
【００２５】
請求項３の発明は、請求項１又は２の発明において、１次巻線と重ならない２次巻線を第１の磁気コアの長手方向に分割するギャップを前記ギャップ部としたことを特徴とする。
【００２６】
請求項４の発明は、上記目的を達成するために、請求項１又は２又は３に記載された電磁装置からなるパルストランスと、パルストランスの１次巻線に並列接続されたコンデンサと、コンデンサから１次巻線への放電経路を開閉するスイッチ要素と、少なくとも前記パルストランス、コンデンサ、スイッチ要素を収容する装置本体とを備え、この装置本体に放電ランプのランプ口金が電気的且つ機械的に接続されるソケット部を設け、このソケット部を介して前記パルストランスの２次巻線に発生する高電圧パルスをランプ口金に印加することを特徴とする。
【００２７】
この発明によれば、電磁装置の大型化を抑制した上で従来と同等以上のパルス出力特性を有し、且つ２次巻線の抵抗値が小さくなる高電圧発生装置が提供できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
本実施形態の電磁装置（パルストランスＰＴ）は、図１に示すように棒状の磁気コア１（第１の磁気コア）、平角導線を磁気コア１に略当接して一層にエッジワイズ巻で巻装した２次巻線２ｂ、及び高耐圧被覆を有して２次巻線２ｂの上に巻装した１次巻線２ａからなる電磁部材Ａと、フェライトによって平板状に形成され、磁気コア１の長手方向（軸方向）の面（周面）に対向して一列に配置される一対の磁気コア４（第２の磁気コア）４ａ，４ｂとを備える。１次巻線２ａは、２次巻線２ｂ上の低圧側に寄せて巻装されており、１次巻線２ａと２次巻線２ｂとの間の絶縁を確保して、従来例１と同様の絶縁性能を有している。そして、磁気コア１として高抵抗のフェライトコアを用いることにより、２次巻線２ｂとの間に絶縁物を介せずに直接組み込むことができる。さらに、一方の磁気コア４ｂが１ｍｍ程度のギャップを介して概ね１次巻線２ａに対向する位置に配置され、他方の磁気コア４ａが同じく１ｍｍ程度のギャップを介して概ね２次巻線２ｂの高圧側の出力端Ｔ２を含む２次巻線２ｂのみに対向する位置に配置されている。
【００２９】
次に、本実施形態のパルストランスＰＴと、図３に示すような従来例２の構造を有するパルストランスＰＴ’との出力特性を比較した実験結果について説明する。この実験では、本実施形態のパルストランスＰＴ及び従来例２の構造を有するパルストランスＰＴ’として、磁気コア１を直径７ｍｍ，長さ３０ｍｍのＮｉ−Ｚｎフェライトとし、１次巻線２ａの巻数（１次巻数）Ｎ１は４ターン、２次巻線２ｂの巻数（２次巻数）Ｎ２は１８０ターンとし、平角導線は厚み１２０μｍ，巾１．５ｍｍとしたものを用いた。なお、このときの２次巻線２ｂの抵抗値は０．５Ω程度であった。また、従来例２の構造を有するパルストランスＰＴ’では、磁気コア４’を直径７ｍｍ相当のコア断面を有するＮｉ−Ｚｎフェライトからなるコの字状とし、磁気コア１の端面と、磁気コア１の長手方向の両端面に各々対向した磁気コア２の面４ｂ’，４ｃ’との間のギャップが各々１．５ｍｍずつのものを用いた。一方、本実施形態のパルストランスＰＴでは、磁気コア４ａ，４ｂをそれぞれ磁気コア１の断面積のおよそ半分の断面積を有し１０ｍｍ×１５ｍｍ×２ｍｍ寸法の矩形平板状に形成されたＮｉ−Ｚｎフィライトとし、磁気コア１との対向距離（ギャップ）を５ｍｍとり、２つの磁気コア４ａ，４ｂを１ｍｍのギャップ（ギャップ部）Ｇ１を設けて一列に配置したものを用いた。
【００３０】
まず、パルストランスＰＴ，ＰＴ’の１次巻線２ａへの入力電圧を８００Ｖとしたとき、従来例２における２次巻線２ｂでのパルス出力電圧特性は、パルスピーク電圧Ｖｏｐが３５ＫＶ程度、パルスの立ち上がりが３５０ｋＶ／μｓで半値巾τが１５０ｎｓ程度であった。
【００３１】
これに対して、本実施形態においては、パルスピーク電圧Ｖｏｐが３２ＫＶ程度、パルスの立ち上がりが２００ｋＶ／μｓで半値巾τが１８０ｎｓ程度となり、パルスピーク電圧Ｖｏｐは従来例２と比べて若干低いが高圧放電ランプＬａを絶縁破壊させるには充分値であり、且つパルスの立ち上がり及び半値巾τについては、従来例２と比べて立ち上がりが緩やかで半値巾τも大きくなっており、高圧放電ランプＬａを始動及び再始動させるのに充分なパルスエネルギを持つことが確認された。
【００３２】
すなわち、本実施形態においては、図１（ｂ）に示すように１次巻線２ａに電流を流したときに、磁気コア１の一端から出て磁気コア４ａ，４ｂを通過した後に他端に戻ることで１次巻線２ａ並びに２次巻線２ｂの全てと鎖交する第１の磁束φ１と、磁気コア４ｂの一端から出て磁気コア１を通過した後にギャップＧ１を介して他端に戻ることで全ての１次巻線２ａ並びに少なくとも１次巻線２ａと重なる一部の２次巻線２ｂと鎖交する第２の磁束φ２と、磁気コア４ａの一端から出てギャップＧ１を介して磁気コア１を通過した後に他端に戻ることで１次巻線２ａと重ならない一部の２次巻線２ｂと鎖交する第３の磁束φ３とが発生することになる。ここで、本実施形態のパルストランスＰＴの出力時における等価回路は、図２に示すように理想トランスＴａの２次側に２次側漏れインダクタンスＬ２ｐと２次側浮遊容量Ｃｐが直列に接続された回路で表される。第１の磁束φ１と第２の磁束φ２は、等価回路における理想トランスＴａの結合比（結合定数）を増大することでパルス電圧のピーク値の上昇と、高圧放電ランプＬａの絶縁破壊直後の電流を増大させて立ち消えを起こし難くすることができる。また、第３の磁束φ３は、等価回路において限流要素となる２次側漏れインダクタンスＬ２ｐの値を増大させることでパルス電流を減少させてパルス電圧の立ち上がりを緩やかにし、パルス巾（半値巾τ）を大きくすることができる。
【００３３】
一方、従来例２の構造を有するパルストランスＰＴ’では、図３に示すように１次巻線２ａに流れる電流で生じた磁束φ’は磁気コア１，４’を通って１次巻線２ａ及び２次巻線２ｂの全てと鎖交し、本実施形態のように２次巻線２ｂの一部のみと鎖交する第３の磁束φ３が生じない。このため、等価回路における２次側漏れインダクタンスＬ２ｐの値が小さく、パルス電圧の立ち上がりが急峻になるとともにパルス巾が小さくなったものと考えられる。
【００３４】
上述のように本実施形態では、２次巻線２ｂの抵抗値を０．５Ω程度と非常に小さくしてもパルスピーク電圧Ｖｏｐ及びパルス巾を大きくしてパルス出力特性を高くすることができる。また、磁気コア４ａ，４ｂを薄い板状に形成しているから、従来例２におけるコの字状の磁気コア４’に比べて小さいコア形状、つまり、より小さいトランスサイズで高い出力特性が得られる。したがって、本実施形態のパルストランスＰＴは、大型化を抑制した上で従来と同等以上のパルス出力特性を有し、且つ２次巻線２ｂの抵抗値が小さくなるものである。
【００３５】
ところで、２次巻線２ｂの絶縁を補償するため、図４に示すように電磁部材Ａのみを合成樹脂の成型品３でモールドするようにしても構わない。この場合、第２の磁気コア４ａ，４ｂは成型品３の外側に配置されるが、成型品３が膨張や収縮してもストレスを受け難く、従来例２よりも厚みを薄くすることが可能である。なぜなら、従来例２のようなコの字状の磁気コア４’では、図１５に示すように棒状の第１の磁気コア１が絶縁材３５を介して第２の磁気コア４’で挟まれた構造のため、第１の磁気コア１の長手方向に沿った絶縁材３５の膨張、収縮のストレスが第２の磁気コア４’にかかって割れやすく、厚みを厚くしなければならなかったからである。
【００３６】
なお、本実施形態では第２の磁気コア４をギャップＧ１を介して２つに分割しているが、磁気コア４の形状や分割数、並びにギャップＧ１の数はこれらに限定されるものではない。例えば、図５に示すように第２の磁気コア４を２つのギャップＧ１，Ｇ２によって３つの磁気コア４ａ，４ｂ，４ｃに分割すれば、２次巻線２ｂの一部のみに鎖交する第３の磁束φ３がさらに増えてパルス巾をより大きくすることができるという利点がある。
【００３７】
（実施形態２）
実施形態１では第２の磁気コア４にギャップＧ１を設けて２つの磁気コア４ａ，４ｂに分割しているが、本実施形態の電磁装置（パルストランスＰＴ）は、２次巻線２ｂにギャップＧ２を設けて分割している点に特徴がある。但し、実施形態１と共通の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３８】
本実施形態における電磁部材Ａは、図６に示すように第１の磁気コア１の長手方向中央部に平角導線が巻装されないギャップＧ２が設けてあり、このギャップＧ２から低電圧側の２次巻線２ｂ１上に１次巻線２ａが巻装されている。その代わり、第２の磁気コア４はギャップを設けずに第１の磁気コア１の長手寸法とほぼ同じ寸法の矩形板状に形成されている。
【００３９】
図６に示すように本実施形態においても実施形態１と同様に、１次巻線２ａに電流を流したときに、磁気コア１の一端から出て磁気コア４を通過した後に他端に戻ることで１次巻線２ａ並びに２次巻線２ｂ１，２ｂ２の全てと鎖交する第１の磁束φ１と、磁気コア１の中央部（ギャップＧ２に対応する部位）から出て磁気コア４を通過した後に他端に戻ることで全ての１次巻線２ａ並びに２次巻線２ｂ２と鎖交する第２の磁束φ２と、磁気コア１の一端から出て磁気コア４を通過した後にギャップＧ２を介して中央部に戻ることで高圧側の２次巻線２ｂ２と鎖交する第３の磁束φ３とが発生することになる。よって、本実施形態のパルストランスＰＴも実施形態１と同様に、大型化を抑制した上で従来と同等以上のパルス出力特性を有し、且つ２次巻線２ｂの抵抗値が小さくなるものである。
【００４０】
なお、図７に示すように２次巻線２ｂ１，２ｂ２の間に設けたギャップＧ２に絶縁性を有する合成樹脂成型品からなるスペーサＳを配設すれば、２次巻線２ｂ１，２ｂ２の位置ずれが抑制でき、特性のばらつきを抑えることができるという利点がある。
【００４１】
あるいは、図８に示すように磁気コア１の中央部にフランジ１ａを突設し、このフランジ１ａを挟んで低圧側と高圧側にそれぞれ２次巻線２ｂ１，２ｂ２を巻装することにより、２つの２次巻線２ｂ１，２ｂ２の間のギャップＧ２をフランジ１ａで埋めるようにしても構わない。このような構成とすれば、実施形態１や２に対して第２及び第３の磁束φ２，φ３を増大させることができ、パルス出力特性をさらに向上することができる。また、２次巻線２ｂ１，２ｂ２の位置ずれが抑制でき、特性のばらつきを抑えることができるとともに、スペーサＳのような別部材が不要であるから組立作業が簡単であるという利点もある。
【００４２】
（実施形態３）
図９及び図１０は、実施形態１の図４に示すパルストランスＰＴ（電磁装置）を用いた自動車用ヘッドライト向けソケット内蔵型イグナイタ（高電圧発生装置）の部品配置図を示しており、ソケット本体（装置本体）２３の内部にコンデンサＣ１、放電ギャップＧＡＰ、パルストランスＰＴが収納されて、その外形及び回路構成は従来例同様に図１１及び図１２で示される。
【００４３】
本実施形態では、パルストランスＰＴの一端側に、１次巻線２ａの高圧側端末に接続した端子Ｔ１０、１次巻線２ａの低圧側端末に接続した端子Ｔ１１、２次巻線２ｂの低圧側端末に接続した端子Ｔ１２を備え、パルストランスＰＴの他端側には、２次巻線２ｂの高圧側端末Ｔ２に接続したランプ口金電極端子Ｔ４を備えている。端子Ｔ１０〜Ｔ１２はソケット本体２３の内部でコンデンサＣ１や放電ギャップＧＡＰに接続され、ランプ口金電極端子Ｔ４はソケットに装着された高圧放電ランプＬａのランプ口金と接続されるものである。
【００４４】
したがって、配線は端子間で行うことができるので、高電圧発生装置の配線、組み立てが容易となり、さらにはコンデンサＣ１，放電ギャップＧＡＰ，パルストランスＰＴ間の絶縁を考慮した実装も容易となる。
【００４５】
また、ソケット本体２３の前面には略円形のソケット開口部２４と、ソケット開口部２４の内側略中央に突出した略円筒形の筒部２５とが形成されており（図１０参照）、この筒部２５の内側にランプ口金の中央電極部（図示せず）と接触導通するランプ口金電極端子Ｔ４が収納されている。さらに、ランプ口金の外周面に設けられた外側電極部（図示せず）と接触導通する複数の外側電極Ｔ５がソケット開口部２４の内側に取り付けられており、ランプ口金をソケット開口部２４に挿入すると、高電圧発生装置と高圧放電ランプとが電気的且つ機械的に接続される。
【００４６】
なお、ソケット本体２３はノイズ抑制のために金属製のケース３０で覆われるが、本実施形態の電磁装置（パルストランスＰＴ）の場合、第２の磁気コア４ａ，４ｂの影響による漏れ磁束がソケット本体２３の外に漏れるのをケース３０で抑制することができ、パルス出力特性の劣化が防止できるという利点がある。
【００４７】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、第１の磁束と第２の磁束が、電磁装置の等価回路における理想トランスの結合比（結合定数）を増大することでパルス電圧のピーク値の上昇と、負荷である高圧放電灯の絶縁破壊直後の電流を増大させて立ち消えを起こし難くすることができ、また、第３の磁束は、等価回路において限流要素となる２次側漏れインダクタンスの値を増大させることでパルス電流を減少させてパルス電圧の立ち上がりを緩やかにし、パルス巾を大きくすることができるから、大型化を抑制した上で従来と同等以上のパルス出力特性を有し、且つ２次巻線の抵抗値が小さくなる電磁装置が提供できる。
【００４８】
また請求項４の発明によれば、電磁装置の大型化を抑制した上で従来と同等以上のパルス出力特性を有し、且つ２次巻線の抵抗値が小さくなる高電圧発生装置が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１の電磁装置を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は断面図である。
【図２】同上の等価回路を示す回路図である。
【図３】従来例２の構造を有する電磁装置の断面図である。
【図４】同上の他の構成を示す断面図である。
【図５】同上のさらに他の構成を示す断面図である。
【図６】実施形態２の電磁装置を示す断面図である。
【図７】同上の他の構成を示す断面図である。
【図８】同上のさらに他の構成を示す断面図である。
【図９】実施形態３のソケット内蔵型イグナイタの部品配置を示す図である。
【図１０】同上の部品配置を示す図である。
【図１１】ソケット内蔵型イグナイタの回路図である。
【図１２】ソケット内蔵型イグナイタの外観図である。
【図１３】同上の構造を示す図である。
【図１４】従来例１のソケット内蔵型イグナイタの部品配置を示す図である。
【図１５】（ａ），（ｂ），（ｃ）は従来例２を示す平面図、正面図、側面図である。
【図１６】（ａ），（ｂ）は同上の縦断面図、及びＥ−Ｅ断面図である。
【符号の説明】
ＰＴ  パルストランス
Ａ  電磁部材
１  第１の磁気コア
２ａ  １次巻線
２ｂ  ２次巻線
４ａ，４ｂ  第２の磁気コア
Ｇ１  ギャップ
φ１  第１の磁束
φ２  第２の磁束
φ３  第３の磁束
【図１】
2005019610.tif 000003
【図２】
2005019610.tif 000004
【図３】
2005019610.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005019610.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005019610.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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