(57)【要約】【課題】  配線層の裏面を確実に保護しつつ、配線層のエッチング加工を行う。【解決手段】  開口部４を塞ぐようにして、絶縁性基板３の裏面全体に保護フィルム６を貼り合わせた後、導電膜１のエッチング加工を行うことにより、インナーリードリード７ａが開口部４に配置された配線パターン７ｂを絶縁性基板３上に形成し、保護フィルム６を引き剥がすことにより、絶縁性基板３の裏面から保護フィルム６を除去する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層に開口部を形成する工程と、
前記開口部が形成された絶縁層上に導電層を形成する工程と、
前記絶縁層の裏面に保護フィルムを貼り付ける工程と、
前記導電層上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記導電層のエッチング加工を行うことにより、前記開口部にインナーリードが配置された配線パターンを前記絶縁層上に形成する工程と、
前記配線パターンの形成後に前記絶縁層の裏面から前記保護フィルムを剥がす工程と、
前記レジストパターンを剥がす工程とを備えることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
絶縁層に開口部を形成する工程と、
前記開口部が形成された絶縁層上に導電層を形成する工程と、
前記絶縁層の裏面に保護フィルムを貼り付ける工程と、
前記導電層上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記導電層のエッチング加工を行うことにより、前記開口部上に配置された配線パターンを前記絶縁層上に形成する工程と、
前記配線パターンの形成後に前記絶縁層の裏面から前記保護フィルムを剥がす工程とを備えることを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路基板の製造方法に関し、特に、配線のエッチング加工時における裏面の保護方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のフレキシブルプリント基板の製造方法では、基材のプレス加工により基材に開口部を形成し、開口部が形成された基材にＣｕ箔を貼り合わせる。そして、Ｃｕ箔の表面にレジストパターンを形成してから、裏面保護材を基材の裏面に塗布し、レジストパターンをマスクとして、Ｃｕ箔のエッチングを行うことにより、基材上に配線パターンを形成する。そして、剥離液を用いてレジストパターン、及び裏面保護材を溶かし除去することが行われている。
【０００３】
また、特許文献１には、基板の裏面側に保護フィルムを貼着・押圧して粘着材をスルーホール内に充填してから、樹脂封止工程に移行することにより、樹脂封止の際にスルーホール内に樹脂が流れ込むことを防止する方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−４４３３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のフレキシブルプリント基板の製造方法では、基材の裏面全体に裏面保護材を塗布する際には、刷毛、またはロールなどを使用するが、裏面保護材の粘度が高いなどの理由から均一に塗布することが困難であった。このため裏面保護材との間に隙間が発生し易く、隙間となった箇所は配線パターンのエッチング加工時に、エッチング液が侵入し、パターン欠陥を引き起こすという問題があった。特に、開口径が小さい場合には裏面保護材が開口部に入り難いため、開口部の保護が不十分になり易く、パターン欠陥が発生し易かった。
【０００５】
また、基材の裏面に塗布された裏面保護材を除去するには、剥離液を用いて裏面保護材を溶かす必要がある。このため、基材の裏面に塗布された裏面保護材を完全に除去することが難しく、剥離残りが発生するという問題があった。
また、特許文献１に開示された方法では、樹脂封止の際に基板の裏面側に保護フィルムが貼着されるため、配線パターンのエッチング加工時に、配線パターンの裏側を保護することができないという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、配線層の裏面を確実に保護しつつ、配線層のエッチング加工を行い、確実に裏面保護材を除去することが可能な回路基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る回路基板の製造方法によれば、絶縁層に開口部を形成する工程と、前記開口部が形成された絶縁層上に導電層を形成する工程と、前記絶縁層の裏面に保護フィルムを貼り付ける工程と、前記導電層上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記導電層のエッチング加工を行うことにより、前記開口部にインナーリードが配置された配線パターンを前記絶縁層上に形成する工程と、前記配線パターンの形成後に前記絶縁層の裏面から前記保護フィルムを剥がす工程と、レジストパターンを除去する工程を備えることを特徴とする。
【０００８】
これにより、開口部が形成された絶縁層の裏面に保護フィルムを貼り付けることにより、開口部が形成された絶縁層の裏面全体を均一に保護しつつ、導電層のエッチング加工を行うことが可能となる。このため、導電層のエッチング加工時に、開口部を介して導電層の裏側にエッチング液が侵入することを防止することが可能となり、パターン欠陥を低減させることができる。
【０００９】
また、絶縁層の裏面から保護フィルムを引き剥がすことで、絶縁層の裏面から保護フィルムを除去することができる。このため、絶縁層の裏面から保護フィルムを除去するために、剥離液を用いて保護フィルムを溶解させる必要がなくなり、絶縁層の裏面から保護フィルムを完全に除去することを可能として、保護フィルムの剥離残りをなくすことができる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る回路基板の製造方法によれば、絶縁層に開口部を形成する工程と、前記開口部が形成された絶縁層上に導電層を形成する工程と、前記絶縁層の裏面に保護フィルムを貼り付ける工程と、前記導電層上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記導電層のエッチング加工を行うことにより、前記開口部上に配置された配線パターンを前記絶縁層上に形成する工程と、前記配線パターンの形成後に前記絶縁層の裏面から前記保護フィルムを剥がす工程と、レジストパターンを除去する工程を備えることを特徴とする。
【００１１】
これにより、開口部が形成された絶縁層の裏面に保護フィルムを貼り付けることにより、開口部が形成された絶縁層の裏面全体を均一に保護することが可能となる。このため、保護フィルムと絶縁層との間に隙間が発生することを防止することが可能となり、開口部の径が小さい場合においても、開口部を介して導電層の裏側にエッチング液が侵入することを防止することを可能として、パターン欠陥を低減させることができる。
【００１２】
また、絶縁層の裏面から保護フィルムを引き剥がすことで、絶縁層の裏面から保護フィルムを除去することができる。このため、絶縁層の裏面から保護フィルムを除去するために、剥離液を用いて保護フィルムを溶解させる必要がなくなり、絶縁層の裏面から保護フィルムを完全に除去することを可能として、保護フィルムの剥離残りをなくすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態に係る半導体モジュールおよびその製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法を示す断面図である。
図１（ａ）において、例えば、プレス加工、レーザ加工またはフォトエッチングなどの方法を用いることにより、絶縁性基板３に開口部４を形成する。そして、接着層２を介して導電膜１を絶縁性基板３に貼り合わせる。なお、絶縁性基板３としては、例えば、テープ基板またはフィルム基板などを用いることができ、絶縁性基板３の材質としては、例えば、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ガラスエポキシ樹脂、ＢＴレジン、アラミドとエポキシのコンポジットまたはセラミックなどを用いることができる。また、導電膜１としては、Ｃｕ箔またはＡｌ箔などの金属箔を用いることができる。
【００１４】
次に、図１（ｂ）に示すように、開口部４を塞ぐようにして、絶縁性基板３の裏面全体に保護フィルム６を貼り合わせる。ここで、絶縁性基板３の裏面全体に保護フィルム６を貼り合わせる場合、保護フィルム６の表面に接着層５を形成し、接着層５を用いて保護フィルム６を導電膜１、および絶縁性基板３に接着させることができる。
次に、図１（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、導電膜１にレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクとして、導電膜１のエッチングを行うことにより、インナーリードリード７ａが開口部４に配置された配線パターン７ｂを絶縁性基板３上に形成する。
【００１５】
ここで、開口部４が形成された絶縁性基板３の裏面に保護フィルム６を貼り付けることで、開口部４が形成された絶縁性基板３の裏面全体を均一に保護しつつ、導電膜１のエッチング加工を行うことが可能となる。このため、導電膜１のエッチング加工時に、開口部４を介して導電膜１の裏側にエッチング液が侵入することを防止することが可能となり、パターン欠陥を低減させることができる。
【００１６】
次に、図１（ｄ）に示すように、導電膜１に形成されたレジストパターンを除去した後、保護フィルム６を引き剥がすことにより、絶縁性基板３の裏面から保護フィルム６を除去する。
ここで、絶縁性基板３の裏面から保護フィルム６を引き剥がすことにより、絶縁性基板３の裏面から保護フィルム６を除去するために、剥離液を用いて保護フィルム６を溶解させる必要がなくなる。このため、絶縁性基板３の裏面から保護フィルム６を完全に除去することが可能となり、保護フィルム６の剥離残りをなくすことができる。
【００１７】
上述した実施形態では、絶縁性基板３上に導電膜１を貼り合わせてから、絶縁性基板３の裏面に保護フィルム６を貼り合わせる方法について説明したが、絶縁性基板３の裏面に保護フィルム６を貼り合わせてから、絶縁性基板３上に導電膜１を貼り合わせるようにしてもよい。また、導電膜１および保護フィルム６を絶縁性基板３の両面にそれぞれ同時に貼り合わせるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法を示す断面図。
【符号の説明】
【００１９】
１、１１  導電膜、２、１２、５、１５  接着層、３、１３  絶縁性基板、４、１４  開口部、６、１６  保護フィルム、７ａ  インナーリードリード、７ｂ、１７  配線パターン、８、１８  半導体チップ、９、１９、２０  突出電極、
【図１】
2005129839.tif 000003