(57)【要約】【課題】  信頼性及び実装性に優れた半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供することにある。【解決手段】  凹部１２を有するボンディングツール１０を、凹部１２内に半導体チップ２０が配置された状態で配線基板３０に向かって押し下げて、凹部１２の底面１４によって半導体チップ２０を押圧して半導体チップ２０と配線基板３０との間に設けられた樹脂４０を流動させて、凹部１２内における半導体チップ２０の側方空間に樹脂４０を充填させる。そして、樹脂４０を硬化させる。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部を有するボンディングツールを、前記凹部内に半導体チップが配置された状態で配線基板に向かって押し下げて、前記凹部の底面によって前記半導体チップを押圧して前記半導体チップと前記配線基板との間に設けられた樹脂を流動させて、前記凹部内における前記半導体チップの側方空間に前記樹脂を充填させること、及び、
前記樹脂を硬化させることを含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ボンディングツールの前記凹部の周囲の部分を、前記配線基板と非接触とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記ボンディングツールの前記凹部の前記底面には凸部が形成されてなり、
前記凸部の突出面によって前記半導体チップを押圧して、前記凹部内における前記半導体チップ及び前記凸部の側方空間に前記樹脂を充填させる半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂を流動させる工程を、前記樹脂を加熱しながら行う半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂は熱硬化性樹脂である半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップ及び前記樹脂と前記ボンディングツールとの間に、前記樹脂付着防止用のシートを介在させる半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂を硬化させる工程を、前記ボンディングツールを押し下げた状態で行う半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の方法によって製造された半導体装置。
【請求項９】
凹部を有するボンディングツールと、
前記ボンディングツールを上下させるアクチュエータと、
を含み、
前記凹部内に半導体チップが配置された状態で、前記アクチュエータによって前記ボンディングツールを配線基板に向かって押し下げて、前記凹部の底面によって前記半導体チップを押圧して前記半導体チップと前記配線基板との間に設けられた樹脂を流動させて、前記凹部内における前記半導体チップの側方空間に前記樹脂を充填させる半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造装置において、
前記アクチュエータは、前記ボンディングツールを、前記凹部の周囲の部分が前記配線基板と非接触となるように駆動する半導体装置の製造装置。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０記載の半導体装置の製造装置において、
前記ボンディングツールの前記凹部の前記底面には凸部が形成されてなり、
前記凸部の突出面によって前記半導体チップを押圧して、前記凹部内における前記半導体チップ及び前記凸部の側方空間に前記樹脂を充填させる半導体装置の製造装置。
【請求項１２】
請求項９から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置の製造装置において、
ヒーターをさらに含む半導体装置の製造装置。
【請求項１３】
請求項９から請求項１２のいずれかに記載の半導体装置の製造装置において、
前記半導体チップ及び前記樹脂と前記ボンディングツールとの間に介在する、前記樹脂付着防止用のシートをさらに含む半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板と半導体チップとを樹脂によって固着させることが知られている。そして、樹脂を半導体チップの側面に至るように形成すれば、半導体装置の信頼性を高めることができる。このとき、半導体チップの側面に配置された樹脂の大きさを制御することができれば、半導体装置を所定の大きさに形成することができ、実装性の高い半導体装置を製造することができる。
【０００３】
本発明の目的は、信頼性及び実装性の高い半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の製造装置を提供することにある。
【特許文献１】特開２０００−１７４０３９号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、凹部を有するボンディングツールを、前記凹部内に半導体チップが配置された状態で配線基板に向かって押し下げて、前記凹部の底面によって前記半導体チップを押圧して前記半導体チップと前記配線基板との間に設けられた樹脂を流動させて、前記凹部内における前記半導体チップの側方空間に前記樹脂を充填させること、及び、
前記樹脂を硬化させることを含む。本発明によれば、半導体チップの側方に至るように樹脂部が形成される。そのため、配線基板と半導体チップとを強固に固着することができる。また、本発明によれば、ボンディングツールの凹部によって、樹脂部の形状を制御することができる。そのため、設計通りの大きさの半導体装置を製造することができる。すなわち、本発明によれば、信頼性及び実装性に優れた半導体装置を製造することができる。
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記ボンディングツールの前記凹部の周囲の部分を、前記配線基板と非接触としてもよい。これによれば、樹脂をボンディングツールの凹部外に排出させることができるため、樹脂を過剰に設けた場合であっても、設計通りの大きさの半導体装置を製造することができる。
（３）この半導体装置の製造方法において、
前記ボンディングツールの前記凹部の前記底面には凸部が形成されてなり、
前記凸部の突出面によって前記半導体チップを押圧して、前記凹部内における前記半導体チップ及び前記凸部の側方空間に前記樹脂を充填させてもよい。
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記樹脂を流動させる工程を、前記樹脂を加熱しながら行ってもよい。これによれば、樹脂をボンディングツールの凹部内に充填させやすくなるため、半導体装置の製造効率を高めることができる。
（５）この半導体装置の製造方法において、
前記樹脂は熱硬化性樹脂であってもよい。
（６）この半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップ及び前記樹脂と前記ボンディングツールとの間に、前記樹脂付着防止用のシートを介在させてもよい。これによれば、ボンディングツールに樹脂が付着することを防止することができるため、１つのボンディングツールを連続的に利用することができ、半導体装置の製造効率を高めることができる。
（７）この半導体装置の製造方法において、
前記樹脂を硬化させる工程を、前記ボンディングツールを押し下げた状態で行ってもよい。これによれば、樹脂部の外形を設計通りに形成することができるため、信頼性及び実装性に優れた半導体装置を製造することができる。
（８）本発明に係る半導体装置は、上記方法によって製造されてなる。
（９）本発明に係る半導体装置の製造装置は、凹部を有するボンディングツールと、
前記ボンディングツールを上下させるアクチュエータと、
を含み、
前記凹部内に半導体チップが配置された状態で、前記アクチュエータによって前記ボンディングツールを配線基板に向かって押し下げて、前記凹部の底面によって前記半導体チップを押圧して前記半導体チップと前記配線基板との間に設けられた樹脂を流動させて、前記凹部内における前記半導体チップの側方空間に前記樹脂を充填させる。本発明によれば、半導体チップの側方に至るように樹脂部を形成することができる。そのため、配線基板と半導体チップとを強固に固着させることができる。また、本発明によれば、ボンディングツールの凹部によって、樹脂部の形状を制御することができる。そのため、設計通りの大きさの半導体装置を製造することができる。すなわち、本発明によれば、信頼性及び実装性に優れた半導体装置を製造することができる。
（１０）この半導体装置の製造装置において、
前記アクチュエータは、前記ボンディングツールを、前記凹部の周囲の部分が前記配線基板と非接触となるように駆動してもよい。これによれば、樹脂をボンディングツールの凹部外に排出させることができるため、樹脂を過剰に設けた場合であっても、設計通りの大きさの半導体装置を製造することができる。
（１１）この半導体装置の製造装置において、
前記ボンディングツールの前記凹部の前記底面には凸部が形成されてなり、
前記凸部の突出面によって前記半導体チップを押圧して、前記凹部内における前記半導体チップ及び前記凸部の側方空間に前記樹脂を充填させてもよい。
（１２）この半導体装置の製造装置において、
ヒーターをさらに含んでもよい。
（１３）この半導体装置の製造装置において、
前記半導体チップ及び前記樹脂と前記ボンディングツールとの間に介在する、前記樹脂付着防止用のシートをさらに含んでもよい。これによれば、１つのボンディングツールを連続的に利用することができるため、半導体装置の製造効率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【０００６】
図１〜図６は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、凹部１２を有するボンディングツール１０を、凹部１２内に半導体チップ２０が配置された状態で配線基板３０に向かって押し下げて、凹部１２の底面１４によって半導体チップ２０を押圧して半導体チップ２０と配線基板３０との間に設けられた樹脂４０を流動させて、凹部１２内における半導体チップ２０の側方空間に樹脂４０を充填させることを含む（図４参照）。以下、この工程について説明する。
【０００７】
本工程は、配線基板３０を用意することを含んでいてもよい（図１参照）。配線基板３０の材料は特に限定されるものではなく、有機系（例えばエポキシ基板）、無機系（例えばセラミック基板、ガラス基板）、又は、それらの複合構造（例えばガラスエポキシ基板）からなるものであってもよい。配線基板３０は、リジッド基板であってもよく、このとき、配線基板３０をインターポーザと称してもよい。あるいは、配線基板３０は、ポリエステル基板やポリイミド基板などのフレキシブル基板であってもよい。また、配線基板３０は、COF（Chip On Film）用の基板であってもよい。配線基板３０は、単一の層からなる単層基板であってもよく、積層された複数の層を有する積層基板であってもよい。そして、配線基板３０の形状や厚みについても、特に限定されるものではない。
【０００８】
配線基板３０は、配線パターン３２を有する（図１参照）。配線パターン３２は、銅（Ｃｕ）、クローム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成してもよい。配線パターン３２は、配線基板３０の一方の面と他方の面とを電気的に接続するように形成されていてもよい。例えば、図１に示すように、配線パターン３２は、パッド３３，３５を有していてもよい。このとき、パッド３３は配線基板３０の一方の面に設けられたパッドであり、パッド３５は配線基板３０の他の面に設けられたパッドである。そして、パッド３３とパッド３５とを電気的に接続することで、配線基板３０の両面の電気的な接続を図ってもよい。なお、このとき、パッド３３，３５を含めて配線パターン３２と称してもよい。配線基板３０として積層基板を用意した場合、配線パターン３２は、各層間に設けられていてもよい。なお、配線パターン３２の形成方法は特に限定されない。例えば、スパッタリング等によって配線パターン３２を形成してもよいし、無電解メッキで配線パターン３２を形成するアディティブ法を適用してもよい。配線パターン３２は、ハンダ、スズ、金、ニッケル等でメッキされていてもよい。
【０００９】
本工程は、配線基板３０に樹脂４０を設けることを含んでもよい（図１参照）。樹脂４０は、フィルム状で設けてもよく、ペースト状で設けてもよい。また、樹脂４０の材料は特に限定されるものではない。図１に示すように、樹脂４０として、導電粒子４２を含有する異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を利用してもよい。ただし、これとは別に、導電粒子を含有する異方性導電ペースト（ＡＣＰ）や、導電粒子を含有しない樹脂（ＮＣＦ又はＮＣＰ）を利用してもよい（図示せず）。
【００１０】
本工程は、配線基板３０に半導体チップ２０を搭載することを含んでもよい（図１参照）。このとき、半導体チップ２０は、樹脂４０の上から搭載してもよい。半導体チップ２０は電極２２を有する。電極２２は、半導体チップ２０の内部と電気的に接続されていてもよい。半導体チップ２０は、トランジスタやメモリ素子等からなる集積回路２４を有していてもよく、電極２２は、集積回路２４と電気的に接続されていてもよい。半導体チップ２０は、図１に示すように、電極２２が配線基板３０（パッド３３）と対向するように搭載してもよい。
【００１１】
本工程は、図２に示すように、凹部１２を有するボンディングツール１０を用意することを含んでもよい。本工程は、図３に示すように、ボンディングツール１０を、凹部１２内に半導体チップ２０が配置されるように位置合わせをすることを含んでもよい。そして、ボンディングツール１０を、凹部１２内に半導体チップ２０が配置された状態で配線基板３０に向かって押し下げる。そして、ボンディングツール１０の凹部１２の底面１４によって半導体チップ２０を押圧して半導体チップ２０と配線基板３０との間に設けられた樹脂４０を流動させる。そして、図４に示すように、凹部１２内における半導体チップ２０の側方空間に樹脂４０を充填させる。詳しくは、樹脂４０は、半導体チップ２０によって押圧されて外方向に拡がるが、ボンディングツール１０の凹部１２によってその拡がりが制限され、凹部１２内に充填される。これにより、樹脂４０は、凹部１２内における半導体チップ２０の側方空間に充填される。アクチュエータ５０によって、ボンディングツール１０を駆動してもよい。
【００１２】
本工程は、樹脂４０を加熱しながら行ってもよい。一般的に、樹脂は温度を上げると流動性が高まる。そのため、本工程を、樹脂４０を加熱しながら行えば、樹脂４０は流動しやすくなり、凹部１２内における半導体チップ２０の側方空間に樹脂４０を充填させることが容易となる。これにより、半導体装置の製造効率を高めることができる。ヒーターによって、樹脂４０を加熱してもよい。図３及び図４に示すように、ヒーター５２によってボンディングツール１０を加熱して、間接的に樹脂４０を加熱してもよい。ただし、これとは別に、直接樹脂４０を加熱してもよい。
【００１３】
本工程では、図３及び図４に示すように、半導体チップ２０及び樹脂４０とボンディングツール１０との間に、シート５４を介在させてもよい。シート５４は、樹脂４０の付着を防止する機能を有する。シート５４により、ボンディングツール１０に樹脂４０が付着することを防止することができる。そのため、１つのボンディングツール１０によって連続的に半導体装置を製造することができ、半導体装置の製造効率を高めることができる。なお、シート５４として、例えばテフロン（登録商標）により形成されたシートを利用してもよい。
【００１４】
本工程では、図３及び図４に示すように、半導体チップ２０のボンディングツール１０と対向する面の全面を、凹部１２の底面１４（あるいはシート５４）と接触させてもよい。これにより、樹脂４０が半導体チップ２０の上面に付着することを防止することができる。そのため、配線装置の高さを制御することができ、また、外観不良をなくすることができる。
【００１５】
本工程では、図４に示すように、ボンディングツール１０の凹部１２の周囲の部分１３を、配線基板３０と非接触としてもよい。これによると、樹脂４０を過剰に設けた場合であっても、樹脂４０を、ボンディングツール１０の凹部１２外に排出させることができる。そのため、樹脂４０の量を厳密に制御する必要がなくなるため、効率よく半導体装置を製造することができる。
【００１６】
なお、本工程では、半導体チップ２０の電極２２と配線パターン３２（パッド３３）とを対向させて電気的に接続してもよい（図４参照）。このとき、電極２２とパッド３３との間に導電粒子４２を介在させて、両者を電気的に接続してもよい。また、図３及び図４に示すように、配線基板３０を支持台５６にセットした状態で、本工程を行ってもよい。
【００１７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、樹脂４０を硬化させることを含む。図５に示すように、樹脂４０を硬化させて樹脂部４１を形成してもよい。樹脂部４１によって、配線基板３０と半導体チップ２０とを固着させることができる。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、図４に示すように、樹脂部４１は、半導体チップ２０とオーバーラップする第１の部分４４と、半導体チップ２０の周囲に配置された第２の部分４６とを有する形状となる。これにより、配線基板３０と半導体チップ２０とを強固に固着させることができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。樹脂４０を硬化させる工程は、ボンディングツール１０を押し下げた状態で行ってもよい（図４参照）。これにより、樹脂部４１を、ボンディングツール１０の凹部１２に沿った形状とすることができる。すなわち、ボンディングツール１０の凹部１２の形状を決めることによって、樹脂部４１を設計通りの形状に形成することができる。そのため、配線基板３０と半導体チップ２０との接合強度を維持することができ、かつ、最も小さい外形をなす樹脂部４１を形成することができる。すなわち、信頼性及び実装性に優れた半導体装置を製造することができる。なお、樹脂４０を硬化させる方法は特に限られず、樹脂４０の特性に合わせた方法を選択してもよい。例えば、樹脂４０は熱硬化性樹脂であってもよく、このとき、樹脂４０を加熱処理して硬化させてもよい。なお、先に説明したように、一般的に樹脂は加熱すると流動性が高くなる。そのため、樹脂４０として熱硬化性樹脂を利用した場合、半導体チップ２０を押圧する工程から樹脂４０を加熱すれば、ボンディングツール１０の凹部１２内に樹脂４０を充填しやすくなるだけでなく、その後、容易に樹脂４０を硬化させることができるため、効率よく半導体装置を製造することができる。
【００１８】
最後に、パッド３５に外部端子３７を設ける工程や検査工程、あるいは配線基板３０を切り分ける工程などを経て、半導体装置を製造してもよい。なお、図６には、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置１を示す。また、図７には、半導体装置１が実装された配線基板１０００を示す。そして、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置を有する電子機器として、図８にノート型パーソナルコンピュータ２０００を、図９に携帯電話を、それぞれ示す。
【００１９】
以上に説明した半導体装置の製造工程を、凹部１２を有するボンディングツール１０を含む半導体装置の製造装置を利用して行ってもよい。半導体装置の製造装置は、ボンディングツール１０の上下移動を行うアクチュエータ５０を含む。アクチュエータ５０は、ボンディングツール１０を、凹部１２の周囲の部分１３が配線基板３０と非接触となるように駆動してもよい。半導体装置の製造装置は、ヒーター５２をさらに含んでいてもよい。ヒーター５２によって、樹脂４０を加熱してもよい。ヒーター５２は、樹脂４０を直接加熱してもよいが、例えばボンディングツール１０を加熱することで、間接的に樹脂４０を加熱してもよい（図３及び図４参照）。半導体装置の製造装置は、シート５４をさらに含んでいてもよい。シート５４は、半導体チップ２０及び樹脂４０とボンディングツール１０との間に介在する。シート５４は、樹脂４０の付着を防止する機能を有する。そして、半導体装置の製造装置は、支持台５６をさらに含んでいてもよい。かかる半導体装置の製造装置を利用することで、信頼性及び実装性に優れた半導体装置を、効率よく製造することができる。
【００２０】
なお、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、これに限られるものではなく、種々の変形例が可能である。例えば、図１０に示すように、半導体装置の製造方法は、ボンディングツール６０を用意することを含んでもよい。ボンディングツール６０は、凹部６２を有する。ボンディングツール６０の凹部６２の底面には凸部６４が形成されてなる。そして、半導体装置の製造方法は、凹部６２内に半導体チップ２０が配置された状態でボンディングツール６０を押し下げて、凸部６４の突出面６５によって半導体チップ２０を押圧することを含む。そして、図１１に示すように、凹部６２内における半導体チップ２０及び凸部６４の側方空間に樹脂４０を充填させる。半導体装置の製造方法は、図１２に示すように、樹脂４０を硬化させて樹脂部７０を形成することを含む。本変形例に係る半導体装置の製造方法によれば、樹脂部７０は、半導体チップ２０における配線基板３０と対向する面とは反対側の面よりも高い位置に至るように形成される。そのため、半導体チップ２０上に接着剤を設ける場合等に、その液だれを防止することができる。すなわち、積層構造に適した半導体装置を製造することができる。例えば、図１３に示すように、半導体チップ２０上に半導体チップ２１を搭載して、積層型の半導体装置を製造してもよい。なお、図１１に示すように、突出面６５は、半導体チップ２０の平面形状よりも小さくてもよい。これによれば、図１２に示すように、樹脂部７０は、半導体チップ２０における配線基板３０と対向する面とは反対側の面の周縁部に至るように形成される。そのため、半導体チップ２０と配線基板３０とを、より強固に接合させることができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。ただし、これとは別に、突出面は、半導体チップ２０の平面形状よりも大きくてもよい（図示せず）。
【００２１】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２】図２は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】図３は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】図４は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】図６は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】図７は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図である。
【図８】図８は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図９】図９は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１１】図１１は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１３】図１３は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００２３】
１０  ボンディングツール、  １２  凹部、  １３  凹部の周囲の部分、  １４  底面、  ２０  半導体チップ、  ３０  配線基板、  ４０  樹脂、  ４１  樹脂部、  ５０  アクチュエータ、  ５２  ヒーター、  ５４  シート、  ５６  支持台、  ６０  ボンディングツール、  ６２  凹部、  ６４  凸部、  ６５  突出部、  ７０  樹脂部
【図１】
2005129847.tif 000003
【図２】
2005129847.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005129847.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2005129847.tif 000009
【図８】
2005129847.tif 000010
【図９】
2005129847.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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