(57)【要約】【課題】加工が容易的であるとともに、優れる特性を生成できる、マイクロ・オプチカル・レンズの製造方法を提供する。【解決手段】基板と誘電体層とを備える基板体を提供するステップ（１）と、誘電体層にエッチング・マスクをカバーするステップ（２）と、誘電体層の表面に壁柱状構造を形成させるステップ（３）と、基板に高分子ポリマー・フィルムを形成させるステップ（４）と、高分子ポリマー・フィルムに対しマイクロ・オプチカル・レンズの体積を定義するステップ（５）と、高分子ポリマー・フィルムを前記の壁柱状構造の両側面部に付着させるステップ（６）と、前記壁柱状構造の上方の高分子ポリマー・フィルムの一部または全体を取り除くステップ（７）と、高分子ポリマー・フィルムを加熱して高分子ポリマー・フィルムの内方に平たい凸レンズを形成させるステップ（８）とを、備えている。【選択図】図２Ｈ
2005326685.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ・オプチカル・レンズの製造方法において、
少なくとも一枚の基板と、その基板に成長される、厚さが前記のマイクロ・オプチカル・レンズの高さより大きくなるように設定される誘電体層とを備える基板体を提供するステップ（１）と、
エッチング・エリアを定義するために、前記の誘電体層にエッチング・マスクをカバーし、且つそのエッチング・マスクの幅を前記のマイクロ・オプチカル・レンズの幅より大きくなるように設定するステップ（２）と、
前記のエッチング・エリアを下方へ第一の厚さをエッチング除去するとともに、第二の厚さを保留することによって前記誘電体層の表面に壁柱状構造を形成させるステップ（３）と、
前記壁柱状構造における基板に高分子ポリマー・フィルムを形成させるステップ（４）と、
前記の高分子ポリマー・フィルムに対し、マイクロ・オプチカル・レンズの体積を定義するステップ（５）と、
エッチング・プロセスを進むことによって前記の高分子ポリマー・フィルムの下方の接する誘電体層を取り除くことにより前記の高分子ポリマー・フィルムを前記の壁柱状構造の両側面部に付着させるようにしたステップ（６）と、
前記壁柱状構造の上方の高分子ポリマー・フィルムの一部または全体を取り除くことによって壁柱状構造の両側面部の高分子ポリマー・フィルムを完全に隔離させるようにしたステップ（７）と、
前記壁柱状構造の両側面部における付着される前記の高分子ポリマー・フィルムを高温によって加熱することにより前記の高分子ポリマー・フィルムの内方に平たい凸レンズを形成させ、複合材料からなるダブル凸マイクロ・レンズを形成し、またはさらに乾燥式のエッチング・プロセスによって前記のマイクロ・レンズを前記の壁柱状構造に転写することによって単一の材料からなるダブル凸マイクロ・レンズを形成させるようにしたステップ（８）とを、
備えていることを特徴とする、
マイクロ・オプチカル・レンズの製造方法。
【請求項２】
マイクロ・オプチカル・レンズの製造方法において、
少なくとも一枚の基板と、その基板の上に成長形成される、厚さが前記のマイクロ・オプチカル・レンズの高さより大きくなるように設定される誘電体層とからなる基板体を提供するステップ（１）と、
前記の誘電体層の上方に第一のエッチング・マスクをカバーすることによってエッチング・エリアを定義し、且つその第一のエッチング・マスクの幅を前記のマイクロ・オプチカル・レンズの幅より大きくなるように設定し、且つ第二のエッチング・マスクによってエレメント・フラット・テーブル・エリアを定義するとともに、そのフラット・テーブル・エリアの高さを前記のエッチング・エリアの高さの半分になるように設定するステップ（２）と、
前記のエッチング・エリアを下向けて第一の厚さを取り除くとともに、第二の厚さを保留することによって前記誘電体層の表面に壁柱状構造を形成させるようにしたステップ（３）と、
前記の壁柱状構造を有する基板に高分子ポリマー・フィルムを被覆するステップ（４）と、
前記の高分子ポリマー・フィルムに、マイクロ・オプチカル・レンズの体積を定義するステップ（５）と、
エッチングを実行することによって、前記高分子ポリマー・フィルムの下方の接する誘電体層を取り除くことによって、高分子ポリマー・フィルムを前記壁柱状構造の両側面部に懸垂付着させるようにした、ステップ（６）と、
前記の壁柱状構造の上方の高分子ポリマー・フィルムを一部または全体を取り除くことによって前記の壁柱状構造の両側面部における高分子ポリマー・フィルムをすべて隔離させるようにしたステップ（７）と、
前記の壁柱状構造の両側面部における分離懸垂される高分子ポリマー・フィルムに対し高温にて加熱することによって前記の高分子ポリマー・フィルムの内方に平たい凸レンズ状構造を形成させるステップ（８）と、
低い選択比のエッチング・プロセスによって前記の壁柱状構造の外側の高分子ポリマー・レンズの外形を前記誘電体壁柱状構造に転写することによって誘電体からなる平たい凸レンズ構造を形成させるステップ（９）と、
を少なくとも有することを特徴とする、
マイクロ・オプチカル・レンズの製造方法。
【請求項３】
マイクロ・オプチカル・レンズの製造方法において、
少なくとも一枚の基板と、前記の基板に成長される誘電体層とを有しつつ、前記の誘電体層の厚さを前記のマイクロ・オプチカル・レンズの高さより大きい仕様に設定されるようにしたステップ（１）と、
前記の誘電体層の上方にエッチング・マスクを取り付けてエッチング・エリアを定義するとともに、前記のエッチング・マスクの幅を前記のマイクロ・オプチカル・レンズの幅より大きくなるように設定するステップ（２）と、
前記エッチング・エリアを下向けて第一の厚さを取り除くとともに、第二の厚さを保留することによって、前記の誘電体層の表面に壁柱状構造を形成させながら、前記第一の厚さを形成しようとするレンズの高さと同じレベルに設定するステップ（３）と、
前記の壁柱状構造の両側面部にそれぞれ抗反射の誘電体層を形成させるステップ（４）と、
前記抗反射の誘電体層の壁柱状構造に高分子ポリマー・フィルムを被覆するステップ（５）と、
前記高分子ポリマー・フィルムにマイクロ・オプチカル・レンズの体積を定義するステップ（６）と、
エッチング加工を実行することによって、前記の高分子ポリマー・フィルムの下方の接する誘電体層を取り除くことによって前記高分子ポリマー・フィルムを前記ステップ（５）に形成される壁柱状構造の両側面部に懸垂付着させるステップ（７）と、
前記壁柱状構造の上方の高分子ポリマー・フィルムを一部または全体取り除くことによって前記の壁柱状構造の両側面部における高分子ポリマー・フィルムをすべて隔離するステップ（８）と、
前記の壁柱状構造の両側面部における分離懸垂される高分子ポリマー・フィルムに対し高温にて加熱することによってその高分子ポリマー・フィルム内に平たい凸レンズ構造を形成させることにより複合材質からなるダブル凸レンズを形成させるようにしたステップ（９）と、
を少なくとも有することを特徴とする、
マイクロ・オプチカル・レンズの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一種のマイクロ・オプチカル・レンズの製造方法に係わり、特に一般的な半導体製造プロセスによって作製されるマイクロ・オプチカル・レンズのものと、マイクロ・オプチカル・タイプ・システムや、マイクロ・フォトエレクトリック・システムなどの装置との整合のことに利するマイクと・レンズの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般の平面式のオプチカル・システムと同じように、光線の空間中におけるトランスミッションのことが、平面マイクロ・オプチカルの分野や、マイクロ・フォトエレクトリック・システムの分野などにおいても、同じように発散の課題や光軸のマッチングなどの多くの課題を有しており、また、オプチカル・エレメントの小型化のこともシステムの波長に近接するため、厳しい回折反応を生成する場合がある。マイクロ・フォトエレクトリック・システムによく使用される縁部発散式の半導体レーザ（Edge-Emitting-Laser-Diode）を例として説明する場合では、それは、図１に示すような活性区１１を有し、そのYZ軸の断面が狭い長尺状のホールが形成されており、そのことによって、大きいほうのZ方向遠方発散角を備えるようになり、空間中におけるトランスミッションに利しないとともに、その光波伝導（例えば光ファイバー）の間のカップリングの効率もかなり悪くなり、そのため、焦点合わせ機能や光形態転換機能（ビームの丸形化）などを有するオプチカル・エレメントを導入してその消耗を減少すべきものである。
【０００３】
”PLC Hybrid Integration Techology and its Application to Photonic Components"とIEEE Journal of Selected Topics In Quantum Electronics,vol.6,No.1,2000,pp.4-13において開示される光線信号受発信器のサブ・モジュールのものが、漸次的に変化する方式の光波伝導の技術によって光線ビームのモードを修正することによって、カップリングの効率を高度に向上する目的を図る。
【０００４】
しかしながら、前記の技術においては、細かくて複雑的な製造プロセスのこと、例えば、漸次改変式光波伝導エッチングやレーザ鏡面エッチングや二次結晶積み重ね技術などの多くのテクニックと密接的な関係を有し、また、この例においては、前記の漸次改変式の光波伝導のものは、直接に光線出射素子（半導体レーザ）の光線出力端に付加されるものであるので、素子の歩留まりの要求が厳しくなる課題を抱えているようになっており、また、米国特許第５，９６３，５７７号と第６，１６０，６７２号においては、平面フォトエレクトリック・システムの基板にオプチカル・エレメント（例えば、ボール形レンズやシリンダー形レンズなど）を導入するテクニックを提案することによって、カップリング効率を向上する目的を図るものである。しかしながら、このような方式に使用されるオプチカル・エレメントは、その仕様がすべて数百ミクロン以上にも達し、システム基板には、対応しあう仕様を有する収納槽を有させるべきであるので、システム基板の仕様を増加するとともに、製造することの複雑さを向上してしまうことを招く場合さえあり、また、オプチカル・エレメントに対しては固着用手段（例えば粘着剤）を使用することによってそのシステムの機械的特性を強化させる必要がある。
また、米国特許第５，４２０，７２２においては、一種のレーザ・モジュールを開示した。それは、マイクロ・レンズを光出力端に直立的に載置することによって光線のビームのモードを修正する目的を図り、しかしながら、この例においては、余分な固定用手段を使用しなければならなく、且つ単一のエレメントの応用の場合では、マイクロ・レンズが搭載される後にカットを実施する必要がある。
他に、米国特許第５，６４６，９２８に開示された光信号保存読み取り用のマイクロ・オプチカル書き込み及び読み取りヘッドに対し、半導体マイクロ・マシン・エレクトリックの製造プロセスを使用し、それぞれ珪素基板の表面に所要するオプチカル・エレメント、例えば、Fresnelレンズやビーム・スプリッタやレフレクターなどを形成させてから、それらのエレメントを立てさせて光軸が平行する基板を有するマイクロ・オプチカル・システムを形成し、且つその同時に必要なサポート手段を提供する。しかしながら、設立の場合の複雑化の課題を有するほか、そのマイクロ・システムの機械と熱的エネルギーに対する安定性のこともその主要な考量される点となっている。
【０００５】
また、米国特許第５，０７９，１３０号や第５，２２５，９３５号や第５，２８６，３３８号や第５，２９８，３６６号や第５，３２４，６２３号や６、２４９，０３４号などにおいては、すべて高温にてレジストを加熱することによってマイクロ・レンズを作製する方式とその引用される応用のものを開示しているが、それらのドキュメントに開示されるのは、すべて平面マイクロ・レンズ（光軸が垂直する基板のタイプ）のものしか開示されないため、直接に光軸が平行する基板の分野の平面マイクロ・オプチカル・システムやマイクロ・フォトエレクトリック・システムの分野に導入できなく、しかしながら、レジストの表面張力の原理を利用して作製される円滑のレンズの表面を有するものが、確実的にオプチカル・システムのカップリング効率を改善する用途に利用できることが明らかなことである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記に説明したように、従来技術には、確かに下記のような改善すべき点を有している。
（１）製造プロセスが複雑的である。
（２）大きいほうのオプチカル・エレメントを使用すべき、且つシステムの仕様を増大することによってカップリングの効率を向上できる目的を図れる。
（３）直接に光軸が平行する基板のタイプの平面マイクロ・オプチカル・システムやマイクロ・フォトエレクトリック・システムなどに応用できない。
（４）マイクロ・レンズとマイクロ・オプチカル・システムとが整合される場合に、大部分の場合では、固定またはサポートなどの用途の手段を導入使用する必要がある。
【０００７】
本発明は、マイクロ・オプチカル・システムの設立のことと、マイクロ・レンズの製造プロセスのこととを簡素化可能なマイクロ・オプチカル・レンズの製造方法を提供することをその主要な解決しようとする課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を図るために、本発明は、マイクロ・オプチカル・レンズとして直立式のレンズを使用し、その製造プロセスのことは、マイクロ・オプチカルまたはマイクロ・フォトエレクトリックのシステムの基板（例えば半導体基板やガラス基板など）に壁柱状構造を形成させ、且つその壁柱状構造の高さに対し、マイクロ・レンズを形成可能な高さを定義し、高分子ポリマー材料（例えばレジスト）によって被覆を実施してから、柱の底部の基板の側方向のエッチングを利用することによって高分子ポリマー・フィルムを前記壁柱状構造の両側に懸垂付着させ、隔離製造プロセスと適当に加熱処理することによって、前記の壁柱状構造の側面部の懸垂付着される高分子ポリマー・フィルムを表面張力によって内方へ集中させて平たい凸レンズ構造を形成させ、また、前記の壁柱状構造を結合することによって複合材質からなるマイクロ・レンズまたはエッチング製造プロセスによってその形状を壁柱状構造に転写させて単一材質のマイクロ・レンズを形成させてもよく、また、前記の壁柱状構造の両側のレジストの量をコントロールすることによって対称または不対称のマイクロ・レンズを形成させてもよい。
【０００９】
すなわち、本発明に係るマイクロ・オプチカル・レンズの製造方法は、少なくとも一枚の基板と、その基板に成長される、厚さが前記のマイクロ・オプチカル・レンズの高さより大きくなるように設定される誘電体層とを備える基板体を提供するステップ（１）と、エッチング・エリアを定義するために、前記の誘電体層にエッチング・マスクをカバーし、且つそのエッチング・マスクの幅を前記のマイクロ・オプチカル・レンズの幅より大きくなるように設定するステップ（２）と、前記のエッチング・エリアを下方へ第一の厚さをエッチング除去するとともに、第二の厚さを保留することによって前記誘電体層の表面に壁柱状構造を形成させるステップ（３）と、前記壁柱状構造における基板に高分子ポリマー・フィルムを形成させるステップ（４）と、前記の高分子ポリマー・フィルムに対し、マイクロ・オプチカル・レンズの体積を定義するステップ（５）と、エッチング・プロセスを進むことによって前記の高分子ポリマー・フィルムの下方の接する誘電体層を取り除くことにより前記の高分子ポリマー・フィルムを前記の壁柱状構造の両側面部に付着させるようにしたステップ（６）と、前記壁柱状構造の上方の高分子ポリマー・フィルムの一部または全体を取り除くことによって壁柱状構造の両側面部の高分子ポリマー・フィルムを完全に隔離させるようにしたステップ（７）と、前記壁柱状構造の両側面部における付着される前記の高分子ポリマー・フィルムを高温によって加熱することにより前記の高分子ポリマー・フィルムの内方に平たい凸レンズを形成させ、複合材料からなるダブル凸マイクロ・レンズを形成し、またはさらに乾燥式のエッチング・プロセスによって前記のマイクロ・レンズを前記の壁柱状構造に転写することによって単一の材料からなるダブル凸マイクロ・レンズを形成させるようにしたステップ（８）とを、備えていることを特徴とするものである。
また本発明に係るマイクロ・オプチカル・レンズの製造方法は、少なくとも一枚の基板と、その基板の上に成長形成される、厚さが前記のマイクロ・オプチカル・レンズの高さより大きくなるように設定される誘電体層とからなる基板体を提供するステップ（１）と、前記の誘電体層の上方に第一のエッチング・マスクをカバーすることによってエッチング・エリアを定義し、且つその第一のエッチング・マスクの幅を前記のマイクロ・オプチカル・レンズの幅より大きくなるように設定し、且つ第二のエッチング・マスクによってエレメント・フラット・テーブル・エリアを定義するとともに、そのフラット・テーブル・エリアの高さを前記のエッチング・エリアの高さの半分になるように設定するステップ（２）と、
前記のエッチング・エリアを下向けて第一の厚さを取り除くとともに、第二の厚さを保留することによって前記誘電体層の表面に壁柱状構造を形成させるようにしたステップ（３）と、前記の壁柱状構造を有する基板に高分子ポリマー・フィルムを被覆するステップ（４）と、前記の高分子ポリマー・フィルムに、マイクロ・オプチカル・レンズの体積を定義するステップ（５）と、エッチングを実行することによって、前記高分子ポリマー・フィルムの下方の接する誘電体層を取り除くことによって、高分子ポリマー・フィルムを前記壁柱状構造の両側面部に懸垂付着させるようにした、ステップ（６）と、前記の壁柱状構造の上方の高分子ポリマー・フィルムを一部または全体を取り除くことによって前記の壁柱状構造の両側面部における高分子ポリマー・フィルムをすべて隔離させるようにしたステップ（７）と、前記の壁柱状構造の両側面部における分離懸垂される高分子ポリマー・フィルムに対し高温にて加熱することによって前記の高分子ポリマー・フィルムの内方に平たい凸レンズ状構造を形成させるステップ（８）と、低い選択比のエッチング・プロセスによって前記の壁柱状構造の外側の高分子ポリマー・レンズの外形を前記誘電体壁柱状構造に転写することによって誘電体からなる平たい凸レンズ構造を形成させるステップ（９）と、を少なくとも有することを特徴とするものである。
また本発明に係るマイクロ・オプチカル・レンズの製造方法は、少なくとも一枚の基板と、前記の基板に成長される誘電体層とを有しつつ、前記の誘電体層の厚さを前記のマイクロ・オプチカル・レンズの高さより大きい仕様に設定されるようにしたステップ（１）と、前記の誘電体層の上方にエッチング・マスクを取り付けてエッチング・エリアを定義するとともに、前記のエッチング・マスクの幅を前記のマイクロ・オプチカル・レンズの幅より大きくなるように設定するステップ（２）と、前記エッチング・エリアを下向けて第一の厚さを取り除くとともに、第二の厚さを保留することによって、前記の誘電体層の表面に壁柱状構造を形成させながら、前記第一の厚さを形成しようとするレンズの高さと同じレベルに設定するステップ（３）と、前記の壁柱状構造の両側面部にそれぞれ抗反射の誘電体層を形成させるステップ（４）と、前記抗反射の誘電体層の壁柱状構造に高分子ポリマー・フィルムを被覆するステップ（５）と、前記高分子ポリマー・フィルムにマイクロ・オプチカル・レンズの体積を定義するステップ（６）と、エッチング加工を実行することによって、前記の高分子ポリマー・フィルムの下方の接する誘電体層を取り除くことによって前記高分子ポリマー・フィルムを前記ステップ（５）に形成される壁柱状構造の両側面部に懸垂付着させるステップ（７）と、前記壁柱状構造の上方の高分子ポリマー・フィルムを一部または全体取り除くことによって前記の壁柱状構造の両側面部における高分子ポリマー・フィルムをすべて隔離するステップ（８）と、前記の壁柱状構造の両側面部における分離懸垂される高分子ポリマー・フィルムに対し高温にて加熱することによってその高分子ポリマー・フィルム内に平たい凸レンズ構造を形成させることにより複合材質からなるダブル凸レンズを形成させるようにしたステップ（９）と、を少なくとも有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、壁柱状構造の高さによってマイクロ・レンズの仕様を定義し、且つ高分子ポリマー・フィルムの体積によってマイクロ・レンズの湾曲率の半径とその厚さを定義し、言い換えれば、本発明は、公知の半導体製造プロセスを利用して精確的に直立式のマイクロ・レンズの形成する位置と仕様と光軸の高さをコントロールし、マイクロ・オプチカルまたはマイクロ・フォトエレクトリック・システムの体積化の場合の応用においては、多くのセットのレンズ同士の一緒に成形させる機能と、光軸の自動的にマッチングする機能などを提供でき、また、半導体材質の柱状構造を形成させることによる場合では、同時に所定の波長以下の波長の段のものに対しろ過の効果を実現できるので、ろ波レンズを形成させることができる。
本発明のマイクロ・オプチカル・レンズについては、一般の半導体製造プロセスによって作製することができる。
簡素化されたマイクロ・レンズとマイクロ・オプチカル・システムの整合方法を提供できる。
製造過程中に柔軟的にその操作条件を制御することによってそれぞれ異なる形状と機能を有するマイクロ・レンズを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明は、一種のマイクロ・オプチカル・レンズの製造方法を提案し、マイクロ・オプチカルまたはマイクロ・フォトエレクトリック・システムを体積化する製品を提供でき、さらに明確的に言うと、このマイクロ・オプチカル・レンズの製造方法は、一般的な半導体製造プロセスを利用し、選出される基板（例えば、半導体基板やガラス基板など）に、壁柱状構造を形成させることと、高分子ポリマー材料（例えばレジスト）をその両側にフィルムを形成させつつ懸垂付着させることと、熱処理を実行することによって高分子ポリマー・フィルムを表面張力によって内方へ集中させることにより平たい凸レンズを形成させることと、エッチング・プロセスを利用して高分子ポリマー・レンズを前記の壁柱状構造に転写することと、前記の壁柱状構造の両側の高分子ポリマー・フィルムの体積をコントロールすることによって対称または不対称のマイクロ・オプチカル・レンズを形成させることなどのことを包含している。
【００１２】
以下において、三つの実施の形態を利用して本発明のマイクロ・オプチカル・レンズの製造プロセス及びその製造方法を詳しく説明する。
それらの実施の形態においては、特定のレジストと特定の材質の基板と壁柱状構造を例として説明するが、本発明の実質的なコンセプトが他の材料の組み合わせるものにも利用できることが言うまでもないことである。その第一の実施の形態においては、製作されるマイクロ・レンズとしてダブル凸レンズを例として挙げて説明し、それは、使用するニーズに応じて簡単な複合材料（レジストと二酸化珪素の組み合わせ）からなる対称/不対称のダブル凸レンズを作製し、または、エッチング・プロセスによって安定性が高いほうの単一材質（二酸化珪素）からなる対称/不対称のダブル凸レンズを作製する。また、第二の実施の形態においては、前記の第一の実施の形態を土台としてフォトエレクトリック・エレメント・フラット・テーブルに対し前置きの平たい凸レンズを搭載させ、そのフラット・テーブルがレンズの中心部とほぼ同じ高さのレベルに設定され、そのことによって受動マッチングするメカニズムを提供し、この実施の形態は、本発明がマイクロ・オプチカルまたはマイクロ・フォトエレクトリックのシステムの骨組みとすることができる。また、第三の実施の形態においては、その作製されるマイクロ・レンズが複合材料からなるダブル凸レンズを使用でき、その壁柱状構造は半導体材質（InP）などを好適に使用でき、その両側面部にはそれぞれレジストからなる平たい凸レンズが懸垂付着され、そのレジスト・レンズと半導体壁柱状構造のインターフェースとして誘電体層を利用して抗反射手段を提供でき、この実施の形態においては、複合レンズとして半導体壁柱状構造を使用することによって光線ろ過の効果を達成できる。
【００１３】
図２Ａないし２Ｉは、第一の実施の形態のダブル凸レンズのそれぞれの作製プロセスにおけるそれぞれの段階の構造を示す断面図である。
【００１４】
図２Ａと図２Ｂに示すのは、エッチングの方式によって珪素基板２０に、二酸化珪素からなる壁柱状構造２１１を形成する状態を示すフローチャートであり、その方法は、まず、珪素基板２０において、快速化学気相沈積法によって所定の厚さ（ほぼ３０ないし６０ミクロン）の二酸化珪素２１を形成させ、且つ前記の厚さのことを作製しようとするマイクロ・レンズの高さ（ほぼ２５ないし５５ミクロン）より高くならせるように設定する必要があり、また、前記の二酸化珪素の屈折率がほぼ１．４５−１．４７ぐらいに設定される。柱状構造を定義及び形成させるために、前記の二酸化珪素にはエッチング・マスク２２をカバーすることによって柱状構造の幅を定義する必要があり、ほぼ５０００Åのクロム膜またはニッケル・クロム膜を採用する場合では、最も優れるエッチング・マスクとしての効果を発揮でき、また、誘導カップリング・プラズマ・レスポンス・イオン・エッチング（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ−ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ，ＩＣＰ−ＲＩＥ）を使用することによって、二酸化珪素を高速度にてエッチングする場合では、１００以上のエッチング選択比に達させることができる。クロム膜の定義とその形成のこととについては、一般のマイクロ・イメージの製造プロセスに金属切り裂くことや金属エッチングなどの製造プロセスを合せることによって達成できるものであり、その幅（ほぼ３０ないし７０ミクロン）は発明されるマイクロ・レンズの厚さ（ほぼ２０ないし６０ミクロン）より大きく設定される。この実施の形態においては、前記の二酸化珪素の柱状構造のエッチングについては、Ｃ4Ｆ8／Ｏ2の気体による組成を採用し、そのエッチングの速度がほぼ０．３ｍ／ｍｉｎにも達し、そのエッチングの深さが２５ないし５５ミクロンに設定され、その値が形成されるマイクロ・レンズの高さに対応するように設定されている。前記の壁柱状構造が形成されてから、高分子ポリマー材料の薄膜形成被覆を実行でき、本実施の形態においては、Ｍｉｃｒｏ  Ｒｅｓｉｓｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ会社の出品するｍａ−Ｐシリーズのレジストを採用し、旋回塗布方法によってテスト・ピースの表面に塗布する。図２Ｃは、レジスト塗布後のレジストの断面２３を示す断面図であり、マイクロ・イメージ製造プロセスによって、マイクロ・レンズの所要するレジストの体積を定義し、レジスト２３の現像後に、図２Ｄの符号２３１に示す様態になる。この場合では、レジストに対し高温（摂氏１２０度以上）にてベーキングをし、そのため、レジストが表面張力の影響によって相互に直交する付着面同士（二酸化珪素壁柱状構造の上面部と側面部と底面部）を図２Ｅに示す断面２３２のように形成する。レジストをレンズの形式に形成しようとする場合では、単一の付着面だけ使用しなければならなく、そのため、ダブル凸レンズが要するのは壁柱状構造の側面部を求めるものである。そのレジストに壁柱構造の上面部と底面部を離脱させるために、それぞれ乾燥式のエッチング・プロセスと濡れ式のエッチング・プロセスを使用すべきである。まず、濡れ式のエッチング・プロセスによってレジスタ２３１の下方の二酸化珪素に対し幅方向のエッチングを実行し、本実施の形態においては、希釈されたHF水溶液（例えば１HF:10H2O）、または酸化層緩衝エッチャント（ＢＯＥ）を選択使用することによって、レジストと二酸化珪素との壁柱状構造の底面部における付着のことを隔離する目的を図る。この幅方向のエッチング後に、二酸化珪素からなる壁柱状構造は図２Ｆにおける符号２１２に示すようになっている。レジストがエッチングされる場合に、前記の底部に壁柱状構造の側面部より離脱現象が生じることを防止するために、そのエッチング加工の前に、適当な温度（ほぼ摂氏１００度ぐらい）によってベーキングすると、レジストと壁柱状構造の側面部との付着性を向上でき、全体の珪素ウェハにおけるマイクロ・レンズの作製の均一性を改善できる。その後、乾燥式のエッチング加工によって壁柱状構造の上方のレジスト（上部レジスト）をエッチングして取り除く。本実施の形態においては、０２活性イオンエッチング（ＲＩＥ）方法によって前記の上部レジストを取り除き、そのレジストが旋回塗布可能によって実施されるものであるので、その柱状構造の上方（特にエッジ部分近傍の部分）のレジストが他の平面におけるレジストよりかなり薄くなっているので、そのエッチング加工後に、図２Ｇに示すようになり、この場合では、レジストが柱状構造の両側に仕切られるので、符号２３３と２３４の示すような様子になる。このステップにおいては、柱状構造の上方のレジストの取り除きのことの他の役割として左右両側のレジストを隔離することであり、そのことによって高温ベーキング加工の際の両側のレジスト同士が不均一になったりコントロールしがたくなったりする課題を解消する。そのため、上部のレジストの取り除くことが前記のような隔離する効果を達成できればよく、例えば、エッジ部のレジストをすべて削除できればよく、その上部全体のレジストをすべて取り除く必要はない。他に、前記の上部のレジストも図２Ｄに示すようにマイクロ・イメージ加工プロセスを実行する際に、露光を実行するか、長い間の現像時間をかかって取り除いてもよい。
【００１５】
前記の製造プロセスを経過後に、レジストが壁柱状構造の両側だけに懸垂付着され、且つそれぞれ個別的に成形され、マイクロ・レンズを作製するための基礎構造となっている。この構造に対し、窒素の存在する環境下で、摂氏１５０度の１０分間のベーキングを実行し、それらの両側におけるレジストが表面張力の影響により内方へ集中して平たい凸レンズ状の物品を形成し、例えば、図２Ｈにおける符号２３５，２３６に示すようである。前記の条件下で獲得した両側のレジストの平たい凸レンズの高さが２５−５５ミクロンになり、且つ厚さが１０−３０ミクロンとなり、且つ湾曲率半径がほぼ１２−４０ミクロンになり、これらのレジストの平たいマイクロ・レンズの高さと、厚さと、それらの湾曲率半径のことなどは、レジストの体積を制御することによってマイクロ・オプチカルやマイクロ・フォトエレクトリック・システムの要する値になることができる。そのため、マイクロ・イメージ製造プロセスによって両側のレジストの体積を制御することによって、対称または不対称の複合式のダブル凸マイクロ・レンズを形成することができる。
【００１６】
本実施の形態においては、ma-Pシリーズのレジスト（マイクロ・レジスト・テクノロジ−会社出品）が採用され、その屈折率がほぼ１．５−１．６であり、それと二酸化珪素の屈折率の１．４５−１．４７の場合との差が１０％以下にしか有しないため、その反射消耗がほぼ−２６ｄBであり、そのため、直接に複合材料からなるダブル凸マイクロ・レンズとして使用できる。他に、ma-Pシリーズのレジストがプラス・タイプのレジストに属し、長期間に受光されると、酸化されてしまう虞があり、そのため、マイナス・タイプの例えば、ma-Nシリーズ（マイクロ・レジスト・テクノロジ−会社出品）のレジストやBPR-100（Shiplay会社出品）などを採用するほうが好ましくなる。また、さらに熱的安定性（例えば後段の高温加工プロセスなど）と耐気候性のことを考量する場合では、幅方向のエッチング能力（高い方向相等性など）と低いエッチング選択比を有する乾燥式のエッチングを利用してレジスト・レンズの外形を二酸化珪素柱状構造に転写すると、図２Ｉに示す二酸化珪素の単一材料からなるダブル凸レンズ２１３（既にクロム膜を取り除いた）を形成できる。この乾燥式のエッチング加工は、低いの、またはゼロになるエミッティング・フリケンシー・バイアスの環境中でCF4/O2の気体組成を採用することによって、レジストと二酸化珪素のエッチングの主要なメカニズムを化学分解のことにならせ、物理的なスパッタリングのことや化学沈積などのことにならせないようにし、且つ化学乾燥式のエッチング設備（CDE,Chemical Dry/Downstream Etcher）を使用する。また、CF4/O2の組成比例によってエッチング選択比を調整する場合では、マイクロ・レンズの湾曲率の半径の他の自由度へ改変する経路を提供することができる。
図３に示すのは、本実施の形態の形成される直立式の二酸化珪素ダブル凸マイクロ・レンズの構成を示す斜視図であり、図１に示す幅方向の部材がZ方向においては、収縮とフォーカスすることがどの効果を有する。
【００１７】
図４Ａないし図４Ｆは、第二の実施の形態が開示されており、そのものには、素子フラット・テーブルと前置きの平たい凸マイクロ・レンズを備えるマイクロ・フォトエレクトリック・フラット・テーブルとを有する物品のそれぞれの製造段階の構成を示す断面図である。
【００１８】
図４Ｂは、エッチング方式を利用することによって珪素基板４０において二酸化珪素からなる壁柱状構造４１１と二酸化珪素素子フラット・テーブル４１２を形成する場合を示す説明図である。まず、珪素基板４０において、快速プラズマ増益化学気相沈積法（Plasma-Enhaced Chemical Vapor Deposition,PECVD）によって所定の厚さ（ほぼ６０ミクロン）の二酸化珪素４１（図４A）を形成するものであり、その厚さが搭載しようとするマイクロ・レンズの高さ（ほぼ５０ミクロン）より大きくなるように設定する必要があり、また、二酸化珪素の屈折率がほぼ１．４５−１．４７である。その二酸化珪素に対してまずエッチング・カバー４２１によって壁柱状構造の幅を定義し、ICP-RIEによって二酸化珪素をエッチングしてほぼレンズの半分ぐらいの深さ（ほぼ２５ミクロン）に達させると、第二のエッチング・カバー４２２を覆い、素子フラット・テーブルの大きさを定義し、それから、ICP-RIEによって二酸化珪素をエッチングし続け、そのトータルのエッチング深さが、形成しようとするレンズの高さ（ほぼ５０ミクロン）に相当するようになるまでエッチングを持続的に実施する。そのエッチング・カバー４２１，４２２としてすべて５０００Åぐらいのクロム薄膜（またはニッケル・クロム薄膜）を使用し、そのことによって優れるエッチング効果を獲得できる。そのICP-RIEによって高速にて二酸化珪素をエッチング加工する場合では、１００以上のエッチング選択比に達させることができる。また、クロム薄膜カバーの定義と形成のことについては、一般のマイクロ・イメージの製造プロセスに、勤続切り裂き法や金属エッチング法などの方法によって達成できる。この実施の形態においては、二酸化珪素の壁柱状構造と素子のフラット・テーブルのエッチングについては、C4F8/O2の気体組成を採用でき、また、エッチング速度が０．３m/minに達することができる。
【００１９】
また、壁柱状構造４１１と４１２の形成後に、高分子ポリマー材料の薄膜形成のための被覆加工を実行する。本実施の形態においては、例えば、マイクロ・レジスト・テクノロジー会社出品のma-Pシリーズのレジストを使用し、且つ旋回塗布の方式によってテスト・ピースの表面に実施する。図４Ｂは、レジスト塗布後のレジストの分布の様子を示す断面４３を示している。前記のマイクロ・イメージの製造プロセスによってマイクロ・レンズの所要するレジストの体積を定義し、そのレジスト４３の現像後に、図４Cにおける符号４３１，４２に示す様子となる。また、レジストを表面張力によってレンズになるように成形させるために、そのものには、単一の付着平面を具させるべきであり、この平たい凸マイクロ・レンズの要するものは、壁柱状構造の側面部だけである。前記のマイクロ・イメージの製造プロセスが既に柱状構造の上部の付着レジストを取り除く目的を図ることができるので、その後では、濡れ式のエッチング加工によってレジスト４３１の下方の二酸化珪素の幅方向のエッチングを実施できるようになっている。本実施の形態においては、希釈されたHF水溶液（例えば、１HF:10H2O）またはBOEによってレジストと二酸化珪素の壁柱状構造の底面部における付着を隔離する効果を達成し、幅方向のエッチング加工後の二酸化珪素からなる壁柱状構造は図４Dにおける符号４１２に示すようになる。レジストがエッチング加工の途中で、その底部においては、壁柱状構造の側面より離脱される現象を生じさせないために、そのエッチング加工の前に、高温にて（ほぼ摂氏１００度）ベーキング加工を実行すると、レジストと壁柱状構造の側面部との付着力を向上できるので、珪素ウェハ全体におけるマイクロ・レンズの作成することの均一性を向上できる。
【００２０】
前記の製造プロセスの経過後に、前記の柱状構造の右側においては、レジスト薄膜４３２が懸垂形成され、且つその左側には素子フラット・テーブルなどを包含する他の構造がすべてレジスト４３２に包まれ、その左右両側のレジスト同士に相互に隔離される状態を形成させる。前記の構成を有する構造物を摂氏１２０度によって１０分間ぐらいベーキングを実行すると、その右側におけるレジスト４３１が表面張力の影響によって内方へ集中してレンズのような形態を形成し、図４Ｅの符号４３３に示すようになる。また、左側のレジスト４３４は、その付着面が依然としてその左側の構造を囲っており、且つ最小の表面積によってアピールしている。前記のそれぞれの条件によって形成される右側レジストのレンズの高さがほぼ５０ミクロンになりつつ、その厚さが１３ミクロンになり、且つその湾曲率の半径がほぼ３０ミクロンになる。このレジストからなるレンズの高さと厚さとその湾曲率の半径については、右側のレジストの体積をコントロールすることによってそのマイクロ・フォトエレクトリック・システムの所要する値に達させることができる。
【００２１】
それから、高い方向相等性と低いエッチング・レシオの乾燥式のエッチング加工によって、右側のレジストからなる平たい凸レンズの外形を二酸化珪素の壁柱状構造に転写し、図４Fに示すような二酸化珪素の単一材質の平たい凸レンズ４１３（既にクロム薄膜を取り除いた）を形成し、また、その右側の素子のフラット・テーブル４１２がレジストに包まれたため、ほぼそのままの様子を保持されており、この乾燥式のエッチング加工は、低いほうの、またはゼロになるエミッティング・フリケンシー・バイアスの環境の中で、CF4/O2の気体組成を採用することによって、レジストと二酸化珪素のエッチングの主要なメカニズムとして化学分解を使用し、物理的な衝突の方法や化学沈積などの方法を採用しないままで、例えば化学乾燥式のエッチング設備（CDE,Chemical Dry/Downsteram Etcher）を利用してその目的を達成するものである。また、CF4/O2の組成比例を調整することによってそのエッチング選択比を変更する場合では、そのレンズの湾曲率の半径の他の自由度を提供することができる。
【００２２】
光線出射素子を本実施の形態における素子フラット・テーブルに置くと、例えば、結晶被覆結合技術を使用することによってモードを修正する目的と、光線ビームを丸形化させる目的を図れる。また、受光素子を本実施の形態における素子フラット・テーブルに配置すると、光線を収縮することか、入射光線ビームをフォーカスさせることなどの目的を図ることができ、それらの両方とも、カップリング効率を向上できる効果を達成できる。
【００２３】
また、図５Ａないし図５Ｈは、本発明の他の実施の形態示す説明図であり、それらは、複合材料からなるダブル凸マイクロ・レンズのそれぞれの製造段階の構造を示す断面図である。
【００２４】
図５Ａと図５Ｂに示すのは、エッチング・カバー５１を定義するとともに、熟知される半導体エッチング・プロセスを利用して半導体基板５０に、壁柱状構造５２を形成させつつ、熟知の誘電体メッキ膜とエッチング・プロセスを壁柱構造５２の両側面部に抗反射の誘電体層５３をメッキ付着させる。本実施の形態においては、半導体基板５０としてN型InP基板を利用し、その上に、プラズマ増益化学気相フロー（PECVD）やマイクロ・イメージ（Photolithographyとも称す）技術や活性イオン・エッチング（RIE）などの製造プロセスを利用して０．２ミクロンの厚さと３０ミクロンの幅を有する酸化ケイ素（SiOx）のエッチング・カバー５１を定義し、１HCl：３H3PO4のエッチング溶液を採用することによってInP濡れ式のエッチング・プロセスを実行し、そのエッチングの速度が一分間に付き１ミクロンのように設定し、その形成されるInPの壁柱状構造５２の高さがほぼ８０ミクロン（形成されたマイクロ・レンズの高さに対応する）になり、その上部の幅が２５ミクロンに設定され、この壁柱状構造はウェハに平行するサブ平面の方向に定義され、即ち、「ｘ、ｙ、ｚ」＝「１，１，０」の方向に定義され、壁柱状構造の両側面にはプラズマ増益化学気相フロー（PECVD）と活性イオン・エッチング（RIE）の製造プロセスによってほぼ０．１８ミクロンの窒化珪素（SiNx）の抗反射層５３を形成し、その屈折率がほぼ２．０になる。この壁柱状構造の形成後に、高分子ポリマー材料による薄膜成形被覆を実行し、本実施の形態においては、マイクロ・レジスト・テクノロジー会社出品のma-Pシリーズ・レジストを採用するとともに、旋回塗布の方式によってテスト・ピースの表面に実施する。図５Cは、レジスト塗布後のレジストの分布の様子５４を示す断面図である。マイクロ・イメージ製造プロセスによってマイクロ・レンズの所要するレジストの体積を定義するとともに、長い現像時間をかかって、壁柱状構造の上方の薄いレジストを取り除くことによって壁柱状構造の両側のレジストを隔離する。現像終了後に、レジスト断面が図５Ｄにおける符号５４１，５４２に示すようになる。前記のレジストの底面部をInP基板より離脱させるために、レジストを壁柱状構造５２の両側面部に懸垂付着し、本実施の形態においては、１HCl：３H3PO4のエッチング溶液を採用してInP基板の濡れ式のエッチング製造プロセスを実行し、そのエッチングの過程中においては、エッチング溶液が下向けてInP基板をエッチングし続くとともに、幅方向のエッチングをも実行し、そのため、レジストの底面部をInP基板より離脱させることができる。この濡れ式のエッチング・プロセスの後で、壁柱状構造が下向けて４０ミクロン延伸し、この場合では、レジスト５４１，５４２が図５Ｅに示すように、壁柱状構造５２１の両側面部に懸垂付着される。そのエッチングの前に適当に高温にて（ほぼ摂氏１００度）ベーキングする場合では、レジストと壁柱状構造の側面部の付着性を向上でき、凹みや剥離などの現象を減少することによって、全体のInP基板におけるマイクロ・レンズの成形の均一性を改善できる。他に、注意すべきことは、二回のInPの濡れ式のエッチングの経過後に、全部でほぼ１２０ミクロンのInP基板の表面の厚さを取り除き、もし、そのInP基板の背面部���エッチング保護手段を実施する場合、例えば、PECVD成長のSiOxまたはSiNxを実施し、同様にInPの基板の背面にもほぼ１２０ミクロンの厚さを取り除き、基板５０１の機械強度を影響することがある。
【００２５】
前記のエッチング・プロセスの後では、レジストが既に壁柱状構造の両側面部に懸垂付着され、且つそれぞれが独立的になり、マイクロ・レンズの基礎構造を作製するためのものになる。この構造を、窒素の環境の中では、摂氏１５０度の１０分間のベーキングを実行すると、その両側のレジストが表面張力の影響によって内方へ集中して平たい凸レンズ状態になり、図５Ｆの５４３，５４４に示すようになる。また、注意すべきことは、この実施の形態においては、濡れ式の製造プロセスを使用し、レジストが熱エネルギーの影響を受けて気泡を生成することを防止するために、その熱エネルギーの施される前に、まず、サンプルに対し乾燥処理を実施し、例えば、常温の乾燥窒素の環境の中に配置し、そのことによって、サンプル構造における水分を取り除く。本実施の形態においては、獲得された両側のレジストからなる平たい凸マイクロ・レンズの高さがほぼ８０ミクロン、その厚さが１５ミクロン、その湾曲率の半径がほぼ６０ミクロンになる。その両側のレジストの体積をコントロールすることによって、マイクロ・オプチカル/マイクロ・フォトエレクトリック・システムのニーズに対応でき、図５Gに示す符号５４５，５４６の構成される不対称の複合のダブル凸マイクロ・レンズと図５Hに示す符号５４７からなる複合式の平たい凸マイクロ・レンズにようになる。
【００２６】
本実施の形態においては、採用されるma-Pシリーズのレジスト（マイクロ・レジスト・テクノロジー会社出品）は、その屈折率がほぼ１．５−１．６になり、二酸化珪素の屈折率１．４５−１．４７との差が１０％以下にあり、その反射消耗量がほぼ−２６ｄBになり、そのため、直接に複合材料からなるダブル凸/平たい凸マイクロ・レンズとして使用できる。これらの複合材料からなるマイクロ・レンズの中の半導体の壁柱状構造は、入射された光波に対しろ過効果を生成でき、例えば、本実施の形態におけるInP壁柱状構造がほぼ０．９ミクロン以下の波段をろ過除去でき、実際的に使用される場合には、短い波長の励起発光光源をろ過除去できる。しかしながら、強調したいものは、そのma-Pシリーズのレジストがプラスのレジストに属し、長期間に受光されると、酸化されてしまう恐れがあり、そのため、マイナス・タイプのレジスト、例えば、ma-Nシリーズ（マイクロ・レジスト・テクノロジー会社出品）またはBPR-100(Shipley Co.,Ltd.)を使用する場合では、そのマイクロ・レンズの安定さを向上できる。
【００２７】
前記に詳細に説明したのは、本発明のある実施可能な実施例に過ぎなく、それらの実施例は本発明の主張範囲を狭義的に局限するものではなく、本発明の技術的要旨に基づいて実施されるすべての相同の効果を有する他の改造や変更や一部転用などのものがすべて本発明の主張範囲内に納入されるべきことが言うまでもないことである。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】縁部発射式の半導体レーザ素子の構成を示す説明図である。
【図２Ａ】第一の実施の形態のそれぞれの製造段階のことを示す説明図である。
【図２Ｂ】第一の実施の形態のそれぞれの製造段階のことを示す説明図である。
【図２Ｃ】第一の実施の形態のそれぞれの製造段階のことを示す説明図である。
【図２Ｄ】第一の実施の形態のそれぞれの製造段階のことを示す説明図である。
【図２Ｅ】第一の実施の形態のそれぞれの製造段階のことを示す説明図である。
【図２Ｆ】第一の実施の形態のそれぞれの製造段階のことを示す説明図である。
【図２Ｇ】第一の実施の形態のそれぞれの製造段階のことを示す説明図である。
【図２Ｈ】第一の実施の形態のそれぞれの製造段階のことを示す説明図である。
【図２Ｉ】第一の実施の形態のそれぞれの製造段階のことを示す説明図である。
【図３】第一の実施の形態の直立式のマイクロ・レンズの構成を開示するための斜視図である。
【図４Ａ】第二の実施の形態の製造段階を示す説明図である。
【図４Ｂ】第二の実施の形態の製造段階を示す説明図である。
【図４Ｃ】第二の実施の形態の製造段階を示す説明図である。
【図４Ｄ】第二の実施の形態の製造段階を示す説明図である。
【図４Ｅ】第二の実施の形態の製造段階を示す説明図である。
【図４Ｆ】第二の実施の形態の製造段階を示す説明図である。
【図５Ａ】第三の実施の形態の製造段階を示す説明図である。
【図５Ｂ】第三の実施の形態の製造段階を示す説明図である。
【図５Ｃ】第三の実施の形態の製造段階を示す説明図である。
【図５Ｄ】第三の実施の形態の製造段階を示す説明図である。
【図５Ｅ】第三の実施の形態の製造段階を示す説明図である。
【図５Ｆ】第三の実施の形態の製造段階を示す説明図である。
【図５Ｇ】第三の実施の形態の製造段階を示す説明図である。
【図５Ｈ】第三の実施の形態の製造段階を示す説明図である。
【符号の説明】
【００２９】
１１    活性エリア
２０    珪素基板
２１    二酸化珪素
２２    エッチング・マスク
２３    レジスト
３０    珪素基板
３１    直立式の二酸化珪素ダブル凸マイクロ・レンズ
４０    珪素基板
４１    二酸化珪素
４３    レジスト
５０    基板
５１    エッチング・マスク
５２    壁柱状構造
５３    抗反射誘電体層
５４    レジストの分布の様子の断面
２１１  二酸化珪素壁柱状構造
２１２  幅方向エッチング後の二酸化珪素壁柱状構造
２１３  単一材質からなるダブル凸レンズ
２３１  現像後のレジスト
２３２  表面張力の影響を受けて付着面を形成する場合の断面
２３３  柱状構造の右側に隔離されるレジスト
２３４  柱状構造の左側に隔離されるレジスト
２３５  右側のレジストが表面張力の影響によって内方へ集中して平たい凸レンズ構造
２３６  左側のレジストが表面張力の影響によって内方へ集中して平たい凸レンズ構造
４１１  二酸化珪素壁柱状構造
４１２  二酸化珪素素子フラット・テーブル
４１３  二酸化珪素単一材質からなる平たい凸レンズ
４２１  エッチング・マスク
４２２  第二のエッチング・マスク
４３１  現像後のレジスト
４３２  現像後のレジスト
４３３  右側レジストが内方へ集中して形成されるレンズ  
４３４  左側レジストが内方へ集中して形成されるレンズ
５０１  基板
５４１  現像後の右側のレジストの断面
５４２  現像後の左側のレジストの断面
５４３  右側のレジストが内方へ集中して平たい凸レンズを形成する様子
５４４  左側のレジストが内方へ集中して平たい凸レンズを形成する様子
５４５  不対称複合式のダブル凸マイクロ・レンズの右側
５４６  不対称複合式のダブル凸マイクロ・レンズの左側
５４７  複合式の平たい凸マイクロ・レンズ
【図１】
2005326685.tif 000003
【図２Ａ】
2005326685.tif 000004
【図２Ｂ】
2005326685.tif 000005
【図２Ｃ】
2005326685.tif 000006
【図２Ｄ】
2005326685.tif 000007
【図２Ｅ】
2005326685.tif 000008
【図２Ｆ】
2005326685.tif 000009
【図２Ｇ】
2005326685.tif 000010
【図２Ｈ】
2005326685.tif 000011
【図２Ｉ】
2005326685.tif 000012
【図３】
2005326685.tif 000013
【図４Ａ】
2005326685.tif 000014
【図４Ｂ】
2005326685.tif 000015
【図４Ｃ】
2005326685.tif 000016
【図４Ｄ】
2005326685.tif 000017
【図４Ｅ】
2005326685.tif 000018
【図４Ｆ】
2005326685.tif 000019
【図５Ａ】
2005326685.tif 000020
【図５Ｂ】
2005326685.tif 000021
【図５Ｃ】
2005326685.tif 000022
【図５Ｄ】
2005326685.tif 000023
【図５Ｅ】
2005326685.tif 000024
【図５Ｆ】
2005326685.tif 000025
【図５Ｇ】
2005326685.tif 000026
【図５Ｈ】
2005326685.tif 000027