(57)【要約】【課題】梁部に対するピエゾ抵抗の位置合わせ精度が良く、微細化及び低コスト化が図れる加速度センサを提供する。【解決手段】シリコン基板２の裏面側に梁形成凹部７を形成し、梁形成凹部７によってシリコン基板２の表層側に薄肉部８を形成し、薄肉部８に表面側からピエゾ抵抗１０を形成すると共に薄肉部８の表面にピエゾ抵抗１０の位置を基準として梁支持用凸部１３及び錘支持用凸部１４を設け、梁支持用凸部１３に梁固定部５を、錘支持用凸部１４に錘部４をそれぞれ接合し、薄肉部８の内で梁支持用凸部１３によって囲まれる領域が実質的な梁部１２として形成された。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の裏面側に梁形成凹部を形成し、前記梁形成凹部によって前記シリコン基板の表層側に薄肉部を形成し、前記薄肉部に表面側からピエゾ抵抗を形成すると共に前記薄肉部の表面に前記ピエゾ抵抗の位置を基準として梁支持用凸部を設け、前記梁支持用凸部に梁固定部を接合したことを特徴とする加速度センサ。
【請求項２】
前記薄肉部の表面に前記ピエゾ抵抗の位置を基準として錘支持用凸部を設け、前記錘支持用凸部に錘部を接合したことを特徴とする請求項１の加速度センサ。
【請求項３】
シリコン基板の表層側にピエゾ抵抗を形成し、前記シリコン基板の表面に前記ピエゾ抵抗の位置を基準として錘支持用凸部及び梁支持用凸部を設け、次に、前記錘支持用凸部及び前記梁支持用凸部の表面に上部固定基板を接合し、次に、前記上部固定基板を前記錘支持用凸部に接合される錘部と前記梁支持用凸部に接合される梁固定部に分断し、次に、前記シリコン基板の裏面側に梁形成凹部を形成し、前記梁形成凹部によって前記シリコン基板の表層側に前記梁支持用凸部より少なくとも大きな薄肉部を形成したことを特徴とする加速度センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、梁部の撓み変形を利用して加速度を検出する加速度センサ及び加速度センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の加速度センサとしては、特許文献１等に開示されたものがあり、一般的な従来の加速度センサは、シリコン基板とこのシリコン基板に接合される固定基板とから形成されている。シリコン基板の表層側には、表面側からイオン注入技術等によってピエゾ抵抗等の半導体検出領域部が形成されている。シリコン基板の裏面側で、且つ、半導体検出領域部に対応する個所には、中心に錘部を残して梁形成凹部が形成され、この梁形成凹部によって表層側の半導体検出領域部に梁部が形成されていると共にその外周部には梁支持用凸部が形成されている。この梁支持用凸部の裏面に固定基板が接合され、この固定基板を介して加速度センサが所定の検出位置に設定される。
【０００３】
上記構成において、加速度センサに加速度が作用すると、この加速度によって錘部にその質量に応じた外力が作用し、この外力によって梁部が撓み変形し、このたわみ変形によって梁部の内部に圧縮力又は引っ張り力が発生する。すると、この内部応力に応じてピエゾ抵抗の抵抗値が変化し、この時間的変化量を算出することによって加速度センサが加速度値に応じた電気信号を出力するものである。
【０００４】
ところで、加速度センサは、梁部の撓み変形による内部応力値が特性を左右することから、梁部に対するピエゾ抵抗の位置が検出特性に大きな影響を与える。
従って、梁部に対するピエゾ抵抗の位置を一定の位置に形成する必要がある。
【０００５】
【特許文献１】
特開平２−１１６７５５号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の加速度センサでは、シリコン基板の表面側からピエゾ抵抗を形成し、シリコン基板の裏面側を加工して梁部を形成するため、梁部とピエゾ抵抗との位置合わせ精度に限界があり、梁部に対するピエゾ抵抗の位置を精度良く形成することができなかった。そのため、梁部とピエゾ抵抗との位置誤差を見込み、その位置誤差を吸収できるように各構成部の寸法を大きく設定していた。以上より、加速度センサを微細化できず、１枚のシリコンウエハより作成できる加速度センサの数が少なくコスト高になるという問題があった。
【０００７】
本発明は前述した事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、梁部に対するピエゾ抵抗の位置合わせ精度が良く、微細化及び低コスト化が図れる加速度センサ及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、シリコン基板の裏面側に梁形成凹部を形成して表層側に薄肉部を形成し、薄肉部に表面側からピエゾ抵抗を形成すると共に薄肉部の表面にピエゾ抵抗の位置を基準として梁支持用凸部を設け、梁支持用凸部に梁固定部を接合したことを趣旨とする。
【０００９】
上記構成によれば、薄肉部の内で梁支持用凸部によって囲まれる領域が実質的な梁部とされ、実質的な梁部を決定する梁支持用凸部とピエゾ抵抗が共にシリコン基板の表面側から位置合わせして形成されるため、梁部に対するピエゾ抵抗の位置合わせ精度が向上する。従って、従来例のように梁部とピエゾ抵抗の大きな位置誤差を見込んだ設計をする必要がなく、加速度センサを微細化でき、１枚のシリコンウエハより作成できる圧力センサの数が多く低コスト化を図ることができる。
【００１０】
また、請求項２に記載の発明は、薄肉部の表面にピエゾ抵抗の位置を基準として錘支持用凸部を設け、錘支持用凸部に錘部を接合した構成としている。
【００１１】
上記構成によれば、梁支持用凸部と同様に錘支持用凸部もシリコン基板の表面側からピエゾ抵抗の位置を基準として形成されているため、梁部に対する錘部の位置合わせ精度が良く、加速度センサの検出特性の向上に寄与する。
【００１２】
さらに、請求項３に記載の発明は、シリコン基板の表層側にピエゾ抵抗を形成し、シリコン基板の表面にピエゾ抵抗の位置を基準として錘支持用凸部及び梁支持用凸部を設け、次に、錘支持用凸部及び梁支持用凸部の表面に上部固定基板を接合し、次に、上部固定基板を錘支持用凸部に接合される錘部と梁支持用凸部に接合される梁固定部に分断し、次に、シリコン基板の裏面側に梁形成凹部を形成して表層側に梁支持用凸部より少なくとも大きな薄肉部を形成している。
【００１３】
上記構成によれば、薄肉部の内で梁支持用凸部によって囲まれる領域が実質的な梁部とされ、実質的な梁部を決定する梁支持用凸部とピエゾ抵抗が共にシリコン基板の表面側から位置合わせして形成されるため、梁部に対するピエゾ抵抗の位置合わせ精度が向上する。従って、従来例のように梁部とピエゾ抵抗の大きな位置誤差を見込んだ設計をする必要がなく、加速度センサを微細化でき、１枚のシリコンウエハより作成できる圧力センサの数が多く低コスト化を図ることができる。また、上部固定基板を切断加工した後に、シリコン基板に梁形成用凹部を形成するため、上部固定基板の切断加工時の振動等によって梁部が破損する可能性がなく、製造歩留まりが良くなる。
【００１４】
更に、上部固定基板の一部を錘部として利用できるため、検出感度が向上する。また、梁支持用凸部と同様に錘支持用凸部もシリコン基板の表面側からピエゾ抵抗の位置を基準として形成されるため、梁部に対する錘部の位置合わせ精度が良く、加速度センサの検出特性の向上に寄与する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）以下、本発明を具現化した第１の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１６】
図１〜図１６は第１実施形態を示し、図１は加速度センサ１の断面図、図２は加速度センサ１の平面図、図３〜図１６は加速度センサ１の各製造過程をそれぞれ示す図である。
【００１７】
図１及び図２において、加速度センサ１は、シリコン単結晶等から形成されるシリコン基板２と、上部固定基板３（図１３〜図１５に示す）から分割されたガラス材の錘部４及び８個の梁固定部５とを有する。シリコン基板２の裏面側には、中心に補助錘部６を残して梁形成凹部７が形成され、この梁形成凹部７によって表層側に所定肉厚の薄肉部８が形成されている。薄肉部８及びその周辺にはｎ型半導体領域部９が形成されていると共に、ｎ型半導体領域部９内に表面側からピエゾ抵抗１０及び拡散層配線１１が形成されている。ピエゾ抵抗１０は、下記する梁部１２の位置に配置され、梁部１２の撓み変形による内部応力を受ける位置に設定されている。
【００１８】
シリコン基板２の薄肉部８の表面には、ピエゾ抵抗１０の位置を基準として梁支持用凸部１３及び錘支持用凸部１４がそれぞれ設けられている。梁支持用凸部１３は方形枠状を有し、その表面に８個の梁固定部５が等間隔で接合されている。錘支持用凸部１４は、梁支持用凸部１３の中心位置に配置され、その表面に錘部４が接合されている。
【００１９】
又、シリコン基板２の薄肉部８より外周位置には、複数のアルミ配線部３３が露出状態で配置されている。各アルミ配線部３３の下端は、拡散層配線１１等に接続されており、アルミ配線部３３によってピエゾ抵抗１０等への給電や信号授受ができるようになっている。
【００２０】
上記構成において、加速度センサ１は各梁固定部５を介して固定され、薄肉部８は梁支持用凸部１３によって固定される。従って、薄肉部８の内で梁支持用凸部１３によって囲まれた領域Ｅが実質的な梁部１２とされる。そして、加速度センサ１に加速度が作用すると、この加速度によって錘部４及び補助錘部６のトータル質量に応じた外力が作用し、この外力によって梁部１２が撓み変形し、この撓み変形によって梁部１２の内部に圧縮力又は引っ張り力が発生する。すると、この内部応力に応じてピエゾ抵抗１０の抵抗値が変化し、加速度センサ１から加速度値に応じた電気信号が出力される。
【００２１】
次に、加速度センサ１の製造手順を説明する。図３（ａ）、（ｂ）に示すように、先ず、シリコン基板２の表面及び裏面の両方にシリコン酸化膜２０，２１をそれぞれ形成する。次に、表面側のシリコン酸化膜２０の表面に表面保護膜２２を、裏面側のシリコン酸化膜２１の裏面に裏面保護膜２３をそれぞれ形成する。
なお、表面２２及び裏面保護膜２３は例えばシリコン窒化膜である。
【００２２】
次に、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、裏面保護膜２３の一部をパターニングして保護膜開口２３ａを形成する。この保護膜開口２３ａは、後工程で形成される裏面開口３６（図１５（ａ）に示す）の位置となるものであり、保護膜開口２３ａの形状は、その中心に中心残存膜部２３ｂを残した方形状を有している。
保護膜開口２３ａのパターニング工程は、フォトレジスト塗布、露光・現像、エッチング、フォトレジスト除去の各工程からなり、以降のパターニング工程も同様である。又、表面保護膜２２も、その一部のみを残してパターニングし、シリコン基板２の表面側に位置合わせマーク部（図示せず）を形成する。この位置合わせマーク部（図示せず）の位置は、保護膜開口２３ａ、ひいては裏面開口３６（図１５（ａ）に示す）の位置を基準にして設定されている。
【００２３】
次に、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、シリコン基板２の表面側より表層側に、位置合わせマーク部（図示せず）を基準にして後の工程で薄肉部８となる領域を特定し、この領域を中心としてｎ型半導体領域部９を形成する。
【００２４】
尚、図５（ｂ）は、表面側のシリコン酸化膜２０を除去した平面図である。
【００２５】
次に、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、シリコン基板２の表面側より表層側に、位置合わせマーク部（図示せず）を基準にしてｎ型半導体領域部９の領域にピエゾ抵抗１０、拡散層配線１１を形成する。ピエゾ抵抗１０及び拡散層配線１１はイオン注入等で形成する。ピエゾ抵抗１０及び拡散層配線１１は、同時に形成しても別々に形成してもよく、又、同一濃度のｐ型半導体層とすることができるので、一層として形成できる。
【００２６】
尚、図６（ｂ）は、表面側のシリコン酸化膜２０を除去した平面図である。
【００２７】
次に、図７に示すように、シリコン基板２の表面側のシリコン酸化膜２０上に接合領域用酸化膜２５を形成し、更に、接合領域用酸化膜２５をパターニングする。接合領域用酸化膜２５は、酸化法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等で形成する。
【００２８】
これらパターニングは、位置合わせマーク部（図示せず）を基準として所定位置に行われ、パターニングされなかったシリコン酸化膜２０及び接合領域用酸化膜２５によって梁支持ベース突起２６及び錘支持ベース突起２７を形成する。これら梁支持ベース突起２６及び錘支持ベース突起２７は、結果的に位置合わせマーク部（図示せず）を基準にして形成される。
【００２９】
尚、以降の工程図面では、シリコン酸化膜２０及び接合領域用酸化膜２５の符号を付さずに梁支持ベース突起２６及び錘支持ベース突起２７の符号のみを図面明確化のため付すことにする。
【００３０】
次に、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、シリコン基板２の表面側にシリコン酸化膜２８を形成する。シリコン酸化膜２８は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等で形成する。
【００３１】
次に、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、シリコン基板２の表面側に陽極接合用多結晶シリコン膜２９を形成する。シリコン基板２の裏面側にも陽極接合用多結晶シリコン膜３０が形成される。この表面側の陽極接合用多結晶シリコン膜２９をパターニングして、後工程で形成される薄肉部８より外側位置に開口部２９ａを形成する。次に、シリコン基板２の表面側に層間絶縁膜３１を形成する。
【００３２】
次に、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、後工程で形成される薄肉部８より外側位置の層間絶縁膜３１及びシリコン酸化膜２８の個所に複数のコンタクト孔３２を形成する。この各コンタクト孔３２の内部及びその周囲の層間絶縁膜３１上にスパッタリング法等でアルミ膜を形成し、このアルミ膜を所定形状にパターニングして複数のアルミ配線部３３を形成する。
【００３３】
次に、図１１に示すように、層間絶縁膜３１で、且つ、後工程で形成される薄肉部８の範囲にパターニング工程によって開口部３１ａを形成する。
【００３４】
次に、図１２に示すように、シリコン基板２の表面側に表面保護膜３４を形成し、その後に、表面保護膜３４で、且つ、後工程で形成される薄肉部８の範囲にパターニング工程によって陽極接合用開口３４ａを、各アルミ配線部３３の個所にパターニング工程によって配線部用開口３４ｂを形成する。陽極接合用開口３４ａによって陽極接合用多結晶シリコン膜２９が露出される。そして、梁支持ベース突起２６及び錘支持ベース突起２７に対応する陽極接合用多結晶シリコン膜２９の個所が突出され、この突出によって梁支持用凸部１３及び錘支持用凸部１４が形成される。又、配線部用開口３４ｂによってアルミ配線部３３が露出される。ただし、各アルミ配線部の突出部３３ａ（図１０（ｂ）に示す）は表面保護膜３４によって覆い、汚染、導電性異物による短絡、傷などから保護される。
【００３５】
一方、図１３及び図１４に示すように、上部固定基板３は、その裏面側に格子状の切り込み溝３５が予め形成され、この切り込み溝３５によって裏面側が９区分に区画されている。切り込み溝３５は、ダイシング、エッチング等の加工により形成される。
【００３６】
そして、図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、上部固定基板３の裏面側をシリコン基板２の表面側に突き合わせ、上部固定基板３の中央区画エリアと錘支持用凸部１４とを、上部固定基板３の外周区画エリアと梁支持用凸部１３とを陽極接合する。
【００３７】
次に、シリコン基板２の裏面の保護膜開口２３ａ内に形成されたシリコン酸化膜２１及び陽極接合用多結晶シリコン膜３０の個所をパターニングして裏面開口３６を形成する。又、上記パターニングによって中心残存膜部２３ｂの位置には錘形成残存部３７が形成される。
【００３８】
尚、以降の工程図面では、保護膜開口２３ａ及び中心残存膜部２３ｂの符号を付さずに裏面開口３６及び錘形成残存部３７の符号のみを図面明確化のため付すことにする。
【００３９】
次に、図１６（ａ）、（ｂ）に示すように、上部固定基板３を切り込み溝３５に沿ってダイシング加工等によって切断し、上部固定基板３を中央位置に配置される錘部４とその周辺位置に配置される８個の梁固定部５に分断する。
【００４０】
次に、図１及び図２に示すように、シリコン基板２の裏面側に、裏面開口３６の範囲を異方性エッチング法等によって削成して梁形成凹部７を形成し、梁形成凹部７の中央個所の錘形成残存部３７によって補助錘部６が形成される。又、梁形成凹部７によってシリコン基板２の表層側には肉厚の薄い薄肉部８が形成される。裏面開口３６に基づいて形成される梁形成凹部７の底面の寸法、つまり、薄肉部８の裏面の寸法は、方形枠状の梁支持用凸部１３の範囲よりも少なくとも大きく設定される。換言すれば、このような寸法関係になるように裏面開口３６の寸法が設定されている。
【００４１】
以上、第１実施形態の加速度センサ１及びその製造方法では、薄肉部８の内で梁支持用凸部１３によって囲まれる領域Ｅが実質的な梁部１２とされ、実質的な梁部１２を決定する梁支持用凸部１３とピエゾ抵抗１０が共にシリコン基板２の表面側から位置合わせして形成されるため、梁部１２に対するピエゾ抵抗１０の位置合わせ精度が向上する。従って、従来例のように梁部１２とピエゾ抵抗１０の大きな位置誤差を見込んだ設計をする必要がなく、加速度センサ１を微細化でき、１枚のシリコンウエハより作成できる加速度センサ１の数が多く低コスト化を図ることができる。また、上記加速度センサ１の製造方法では、上部固定基板３を切断加工した後に、シリコン基板２に梁形成凹部７を形成するため、上部固定基板３の切断加工時の振動等によって梁部１２が破損する可能性がなく、製造歩留まりが良くなる。
【００４２】
更に、上部固定基板３の一部を錘部４として利用できるため、検出感度が向上する。
【００４３】
上記第１実施形態では、薄肉部８の表面にピエゾ抵抗１０の位置を基準として錘支持用凸部１４を設け、錘支持用凸部１４に錘部４を接合したので、梁支持用凸部１３と同様に錘支持用凸部１４もシリコン基板２の表面側からピエゾ抵抗１０の位置を基準として形成するため、梁部１２に対する錘部４の位置合わせ精度が良く、加速度センサ１の検出特性の向上に寄与する。
【００４４】
上記第１実施形態では、シリコン基板２の裏面側に補助錘部６を設けたので、錘トータルの重量をその分重くでき、検出感度を向上させることができる。
【００４５】
この第１実施形態では、裏面開口３６に基づいて形成される梁形成凹部７の底面の寸法、つまり、薄肉部８の裏面側の寸法は、梁支持用凸部１３のスペースよりも少なくとも大きくなるよう設定されている。実質的な梁部１２の寸法は、梁支持用凸部１３と薄肉部８との小さい方の寸法で決定されるため、薄肉部８の底面を常に梁支持用凸部１３より大きく設定することによって梁部１２の有効寸法を梁支持用凸部１３の寸法で一義的に決定できる。従って、常に検出特性が同じ加速度センサ１を製造できる。
【００４６】
（第２の実施形態）以下、本発明を具現化した第２の実施形態について図面を参照して説明する。
【００４７】
図１７（ａ）、（ｂ）は第２実施形態を示し、図１７（ａ）は上部固定基板４０の裏面図、図１７（ｂ）は図１７（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００４８】
図１７（ａ）、（ｂ）において、上部固定基板４０はガラス材にて形成され、その裏面側には方形枠状の切り込み溝４１が形成されている。切り込み溝４１は、エッチング、ブラスト等の加工により形成される。
【００４９】
この上部固定基板４０は、上記第１実施形態と同一構成のシリコン基板の表面側に陽極接合され、陽極接合後に切り込み溝４１に沿って上部固定基板４０を切断する。これにより上部固定基板４０を、中央位置に配置される錘部とその全周囲に配置される枠形状の梁固定部とに分断する。
【００５０】
他の構成及び製造手順は、前記第１実施形態と同様である。
【００５１】
この第２実施形態によれば、シリコン基板の梁支持用凸部がその全周囲に亘って隙間なく梁固定部で固定されるので、梁部をより強固に固定できるため、検出精度が向上する。
【００５２】
尚、この発明は、次のような別の実施形態に具現化することができる。以下の別の実施形態において上記実施形態と同様な作用及び効果を得ることができる。
【００５３】
（１）上記第１及び第２実施形態において、上部固定基板３をガラス材にて形成する構成とした。これに対し、上部固定基板３をシリコン材にて形成しても良い。このような構成とすることにより、シリコン基板２と上部固定基板３とを、酸素雰囲気中で熱処理することによって直接接合できる。シリコン材は、ガラス材に比べて切断が容易であるため、切断時の加工性が良いという効果が得られる。
【００５４】
（２）上記第１実施形態において、シリコン基板２の裏面側に補助錘部６を設ける構成とした。これに対し、シリコン基板２の裏面側に補助錘部６を設けないような構成にしても良い。又、補助錘部６のみの重量で所望の検出感度が得られる場合には、補助錘部６のみを錘部として形成しても良い。
【００５５】
更に、上記実施形態から把握し得る請求項以外の技術思想について、以下にその効果と共に記載する。
【００５６】
（イ）請求項１または請求項２の速度センサにおいて、前記梁支持用凸部が梁部の全周に亘って形成され、且つ、前記梁固定部が前記梁支持用凸部の全周に亘って接合されたことを特徴とする加速度センサ。
【００５７】
この構成によれば、梁部が全周に亘って梁固定部で支持されるため、梁部の固定が安定し、加速度センサの精度が向上する。
【００５８】
（ロ）請求項１または請求項２の速度センサにおいて、シリコン基板に補助錘部を設けたことを特徴とする加速度センサ。
【００５９】
（ハ）請求項１または請求項２の速度センサにおいて、上部固定基板がガラス材にて形成され、上部固定基板とシリコン基板とが陽極接合されたことを特徴とする加速度センサ。
【００６０】
この構成によれば、陽極接合の際にガラス材が流動することから、接合面に多少の凹凸（数ｎｍ程度）があっても隙間なく接合できる。
【００６１】
（ニ）請求項１または請求項２の速度センサにおいて、上部固定基板がシリコン材にて形成され、上部固定基板とシリコン基板とが直接接合されたことを特徴とする加速度センサ。
【００６２】
この構成によれば、ガラス材である場合に比べて切断が容易であるため、切断時の加工性が良い。
【００６３】
（ホ）請求項３に記載の加速度センサの製造方法において、上部固定基板としてガラス基板を使用し、ガラス基板と前記錘支持用凸部及び前記梁支持用凸部との間は、陽極接合によって接合したことを特徴とする加速度センサの製造方法。
【００６４】
この構成によれば、陽極接合の際にガラス材が流動することから、接合面に多少の凹凸（数ｎｍ程度）があっても隙間なく接合できる。
【００６５】
（ヘ）請求項３に記載の加速度センサの製造方法において、上部固定基板としてシリコン基板を使用し、シリコン基板と前記錘支持用凸部及び前記梁支持用凸部との間は、直接接合によって接合したことを特徴とする加速度センサの製造方法。
【００６６】
この構成によれば、ガラス材である場合に比べて切断が容易であるため、切断時の加工性が良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態を示し、加速度センサの断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態を示し、加速度センサの平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態を示し、（ａ）はシリコン基板に表裏面にシリコン酸化膜及び保護膜を形成した状態を示す断面図、（ｂ）はその表面図である。
【図４】本発明の第１実施形態を示し、（ａ）はシリコン基板の表裏面にパターニング工程を施した状態を示す断面図、（ｂ）はその裏面図である。
【図５】本発明の第１実施形態を示し、（ａ）はｎ型半導体領域部を形成した断面図、（ｂ）はその状態であって、シリコン酸化膜を除去した平面図である。
【図６】本発明の第１実施形態を示し、（ａ）はピエゾ抵抗等を形成した断面図、（ｂ）はその状態であって、シリコン酸化膜を除去した平面図である。である。
【図７】本発明の第１実施形態を示し、（ａ）は梁支持用突起及び錘支持用突起を形成した状態を示す断面図、（ｂ）はその平面図である。
【図８】本発明の第１実施形態を示し、（ａ）はシリコン基板の表面側にシリコン酸化膜を形成した状態を示す断面図、（ｂ）はその平面図である。
【図９】本発明の第１実施形態を示し、（ａ）はシリコン基板の表面側に層間絶縁膜を形成した状態を示す断面図、（ｂ）はその平面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態を示し、（ａ）はアルミ配線部を形成した状態を示す断面図、（ｂ）はその平面図である。
【図１１】本発明の第１実施形態を示し、層間絶縁膜にパターニング工程を施した状態を示す断面図である。
【図１２】本発明の第１実施形態を示し、（ａ）はシリコン基板の表面側に表面保護膜を形成し、且つ、表面保護膜にパターニング工程を施した状態を示す断面図、（ｂ）はその平面図である。
【図１３】本発明の第１実施形態を示し、上部固定基板の斜視図である。
【図１４】本発明の第１実施形態を示し、上部固定基板の断面図である。
【図１５】本発明の第１実施形態を示し、（ａ）は上部固定基板をシリコン基板の表面に陽極接合した状態を示す断面図、（ｂ）はその平面図である。
【図１６】本発明の第１実施形態を示し、（ａ）は上部固定基板を切り込み溝に沿って分断した状態を示す断面図、（ｂ）はその平面図である。
【図１７】本発明の第２実施形態を示し、（ａ）は上部固定基板の裏面図、（ｂ）は図１７（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【符号の説明】
１  加速度センサ
２  シリコン基板
３  上部固定基板
４  錘部
５  梁固定部
７  梁形成凹部
８  薄肉部
１０  ピエゾ抵抗
１２  梁部
１３  梁支持用凸部
１４  錘支持用凸部
【図１】
2005061840.tif 000003
【図２】
2005061840.tif 000004
【図３】
2005061840.tif 000005
【図４】
2005061840.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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