(57)【要約】 【課題】  発光効率を十分に向上させることが出来る平面表示パネルを提供する。【解決手段】  前面ガラス基板２１と背面ガラス基板２４が表示セルＣ１を介して対向され、前面ガラス基板２１の内面側に、陰極電極Ｅ１ｎとゲート電極Ｅ１ｇが絶縁体層２２を介して対向されることによって構成されたＭ１Ｍ型電子放出素子がマトリクス状に配置され、背面ガラス基板２４の内面側に、陽極電極Ｅ１ｐと、紫外線によって励起されて可視光を発生する蛍光体層２６が形成され、電子によって励起されて紫外線を発生する紫外線発生ガスが表示セルＣ１内に封入されている。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所要の空間を介して対向するように配置された一対の基板と、この一対の基板の間にマトリクス状に配置されて空間内に電子を放出する電子放出素子と、陽極電極と、紫外線によって励起されて可視光を発生する蛍光体層を備え、電子によって励起されて紫外線を発生する紫外線発生ガスが一対の基板間の空間内に封入されている表示パネルにおいて、
前記電子放出素子が、７ないし１２ｅＶの高エネルギ電子を放出する陰極電極とゲート電極が絶縁体を介して対向された電子放出素子によって構成されていることを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記電子放出素子が、一対の基板のうちパネルの表示面となる一方の基板の内面側に配置されている請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記一方の基板の内面側において、陰極電極が基板の一方の幅方向に延びるとともにこの一方の幅方向に対して直角な基板の他方の幅方向に並設され、ゲート電極が基板の他方の幅方向に延びるとともに一方の幅方向に並設され、陰極電極とゲート電極の間に絶縁体層が介在されていて、この陰極電極とゲート電極が絶縁体層を介して交差する部分にそれぞれ電子放出素子が構成される請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記陰極電極とゲート電極が交差する部分において陰極電極とゲート電極に挟まれている部分の絶縁体層の厚さが、この絶縁体層の他の部分の厚さよりも薄くなっている請求項３に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記陽極電極が、一対の基板のうちパネルの背面となる他方の基板の内面側に配置されている請求項１に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記蛍光体層が、一対の基板のうちパネルの背面となる他方の基板の内面側に配置されている請求項１に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記一対の基板の間に略格子形状の隔壁が形成され、この隔壁によって一対の基板間の空間が各電子放出素子に対向する部分毎に区画されて単位表示領域が形成され、この各単位表示領域内に赤，緑，青に色分けされた蛍光体層がそれぞれ形成されている請求項１に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記隔壁が、一対の基板のうちパネルの背面となる他方の基板上に形成され、一対の基板のうちパネルの表示面となる一方の基板の内面側の隔壁と対向する位置に、略格子形状に成形されるとともに一対の基板間の空間側に張り出す嵩上げ絶縁層が形成され、この嵩上げ絶縁層と隔壁が当接されることによって各単位表示領域間が閉じられている請求項７に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記一対の基板のうちパネルの背面となる他方の基板が金属製基板であり、この金属製基板が陽極電極を構成する請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記一対の基板の間に、略格子形状に成形されて一対の基板間の空間を各電子放出素子に対向する部分毎に区画する金属製隔壁が形成され、この金属製隔壁が金属製基板と一体成形されている請求項９に記載の表示パネル。
【請求項１１】
前記紫外線発生ガスが、キセノンガスまたはキセノンガスを含む混合ガスである請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１２】
前記紫外線発生ガスが水銀を含んでいる請求項１１に記載の表示パネル。
【請求項１３】
前記紫外線発生ガスがネオンを含んでいる請求項１１に記載の表示パネル。
【請求項１４】
前記電子放出素子から放出される電子が、８．５ｅＶにピークを有するエネルギ分布を有している請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１５】
前記陽極電極が、一対の基板のうちパネルの表示面となる一方の基板の内面側に配置されている請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１６】
前記陽極電極が、陰極電極を被覆する絶縁体層の背面側にゲート電極と平行に延びるように形成されている請求項１５に記載の表示パネル。
【請求項１７】
前記基板の一方の幅方向に延びる陰極電極のゲート電極と対向する部分の幅が、陰極電極の他の部分よりも基板の他方の幅方向に拡大されている請求項３に記載の表示パネル。
【請求項１８】
前記陽極電極が陰極電極を被覆する絶縁体層の背面側にゲート電極と平行に延びるように形成され、この陽極電極と、陰極電極のゲート電極に対向する部分よりも幅が狭い他の部分が絶縁体層を介して交差している請求項１７に記載の表示パネル。
【請求項１９】
前記陽極電極の陰極電極と絶縁体層を介して交差する部分の陰極電極が延びる方向と平行な方向の幅が、陽極電極の他の部分よりも小さくなっている請求項１８に記載の表示パネル。
【請求項２０】
前記陰極電極が、基板の一方の幅方向に延びるバス電極部と、このバス電極部の所要の位置においてバス電極部から基板の他方の幅方向に突出する突出電極部とを有し、この陰極電極の突出電極部が絶縁体層を介してゲート電極に対向されている請求項３に記載の表示パネル。
【請求項２１】
前記ゲート電極が、基板の他方の幅方向に延びるバス電極部と、このバス電極部の所要の位置においてバス電極部から基板の一方の幅方向に突出する突出電極部とを有し、このゲート電極の突出電極部が絶縁体層を介して陰極電極に対向されている請求項３に記載の表示パネル。
【請求項２２】
前記陽極電極が、基板の他方の幅方向に延びるバス電極部と、このバス電極部の所要の位置においてバス電極部から基板の他方の幅方向に対して直角な一方の幅方向に突出する突出電極部とを有している請求項１に記載の表示パネル。
【請求項２３】
前記ゲート電極が保護層によって被覆されている請求項３に記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、平面型表示パネルの構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面型の表示パネルには、従来、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）およびフィールド・エミッション・ディスプレイ（ＦＥＤ）などがある。
【０００３】
カラー表示のＰＤＰは、図１に示されるように、前面ガラス基板１の背面側に、行電極対（Ｘ，Ｙ）と、この行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層２と、この誘電体層２を被覆する保護層３が設けられ、前面ガラス基板１と放電空間を介して対向する背面ガラス基板４の内面側に、行電極対（Ｘ，Ｙ）に対して直交するとともに行電極対（Ｘ，Ｙ）と交差する部分の放電空間内にマトリクス状に放電セルＣを形成する列電極Ｄと、この列電極Ｄを被覆する列電極保護層５と、この列電極保護層５上に形成されて放電空間を放電セルＣ毎に区画する隔壁６と、各放電セルＣ毎に赤，緑，青に色分けされた蛍光体層７が設けられ、放電空間内にキセノン（Ｘｅ）を含む放電ガスが封入された構造を備えている。
【０００４】
このＰＤＰは、行電極対（Ｘ，Ｙ）の放電ギャップｇを介して互いに対向する透明電極ＸａとＹａ間で発生される放電（サステイン放電）によって放電ガス中のキセノン（Ｘｅ）から真空紫外線を発生させ、この真空紫外線によって蛍光体層を励起して、それぞれ赤，緑，青の各色の可視光を発生させることによりパネル面に映像信号に対応した画像を形成する。
【０００５】
ＦＥＤは、図２に示されるように、前面ガラス基板１０の背面に、陽極電極Ｅｐと透明な蛍光体層１１が形成され、背面ガラス基板１２の内面上に、陰極電極Ｅｎとこの陰極電極Ｅｎを被覆する絶縁層１３とこの絶縁層１３上に形成されたゲート電極Ｅｇが形成され、前面ガラス基板１０と背面ガラス基板１２の間の真空空間が隔壁１４によって画素毎に仕切られた構造を備えている。
【０００６】
このＦＥＤは、各画素毎の真空空間において、陽極電極Ｅｐと陰極電極Ｅｎ間に駆動電圧が印加されて電界が形成され、陰極電極Ｅｎから陽極電極Ｅｐの方向に流れる電子線を発生させ、この電子線をゲート電極Ｅｇによって加速して蛍光体層１１に衝突させることにより蛍光体層１１から可視光を発生させて、パネル面に画像を形成する。
【０００７】
上記のような構成のＰＤＰは、発光効率を高めるために例えば２００〜３００Ｖの駆動電圧を必要とし、このために、一般的に高価な高電圧駆動用半導体素子の使用が必要になるなど、製造コストが高くなるという問題を有している。
【０００８】
また、ＦＥＤも、その駆動のために高電圧が必要であり、表示デバイスの駆動回路が複雑で高コストになるとともに、高速電子線によってパネル内の残留不純ガスが電離され、そのイオン衝撃によって電子線を発生させるためのマイクロチップ・アレイが損耗するため、寿命が短いという問題を有している。
【０００９】
このようなＰＤＰおよびＦＥＤの構造上の問題点を解決するために、従来、背面基板側に、熱または電界によって電子を放出する電子放出源が設けられ、前面基板側に、電子放出源から放出された電子線を加速する陽極電極とこの陽極電極を被覆するように形成された蛍光体層が設けられており、前面基板と背面基板の間の空間にキセノンガスが封入されている平面表示パネルが提案されている（例えば特許文献１参照）。
【００１０】
この従来の平面表示パネルは、背面基板側の電子放出源から放出された電子を陽極電極の電圧によって加速し、この加速電子によって前面基板と背面基板間の空間内のキセノンを直接励起して紫外線を放出させ、この紫外線によって前面基板に形成された蛍光体を励起することにより可視光を発生させて、画像の形成を行うようになっている。
【００１１】
しかしながら、この従来の平面表示パネルは、以下のような問題点を有している。
【００１２】
すなわち、上記従来の平面表示パネルでは、電子放出源から放出された電子の陽極電圧による加速がキセノンガスが充填されている空間中において行われるために、電子が真空空間において加速される場合と異なり、加速された電子が空間内のキセノンと非弾性衝突してエネルギを失い、その後に陽極電圧によって再度加速されるという現象が繰り返される。
【００１３】
この電子とキセノンとの非弾性衝突には、規則性はなく、電子がキセノンと非弾性衝突して速度エネルギを失ってから陽極電圧によって再度加速されるまでの時間や移動距離は一定ではないために、電子の速度エネルギ分布が広くなり、電子を効率よくキセノンに衝突させて真空紫外線を発生させることが難しいという問題がある。
【００１４】
さらに、電子とキセノンとの非弾性衝突は、空間内のキセノンガスのガス圧が高くなるほど煩雑に行われ、このため、このキセノンガスのガス圧が高い状態において電子を加速するのに高い陽極電圧が必要となるが、陽極電圧を高く設定すると、キセノンをイオン化するためのエネルギ以上のエネルギを有する電子が現れてしまい、キセノンがイオンされることによってキセノンの励起効率が低下してしまうという問題が発生する。
【００１５】
さらに、陽極電圧が高く設定されると、電子放出源と陽極電極間で放電が持続的に発生されるようになったり、電子がキセノンとの弾性衝突によって電子放出源側に押し戻される後方散乱現象が発生するという問題が発生する。
【００１６】
従って、上記従来の平面表示パネルでは、前面基板と背面基板間の空間に封入されるキセノンガスのガス圧を高めることが出来ず、電子の速度エネルギ分布が広がるのを防止することが出来ないため、発光効率を十分に向上させることが出来ないという問題を有している。
【００１７】
【特許文献１】特開２００１−６５６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
この発明は、上記のような従来の平面表示パネルが有している問題点を解決することをその解決課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
この発明（請求項１に記載の発明）による表示パネルは、上記目的を達成するために、所要の空間を介して対向するように配置された一対の基板と、この一対の基板の間にマトリクス状に配置されて空間内に電子を放出する電子放出素子と、陽極電極と、紫外線によって励起されて可視光を発生する蛍光体層を備え、電子によって励起されて紫外線を発生する紫外線発生ガスが一対の基板間の空間内に封入されている表示パネルにおいて、前記電子放出素子が、７ないし１２ｅＶの高エネルギ電子を放出する陰極電極とゲート電極が絶縁体を介して対向された電子放出素子によって構成されていることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
この発明は、前面ガラス基板の内面側に行方向に延び列方向に並設された複数の陰極電極が形成され、この陰極電極が絶縁体層によって被覆され、この絶縁体層の背面側に列方向に延び行方向に並設された複数のゲート電極が形成され、陽極電極が前面ガラス基板の内面側または背面ガラス基板２４に形成されていて、陰極電極とゲート電極が絶縁体層を介して交差する部分にそれぞれＭ１Ｍ型電子放出素子が構成されてパネル面にマトリクス状に配置され、背面ガラス基板側に陽極電極と蛍光体層が形成され、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間の空間内に紫外線発生ガスが封入されている表示パネルを、その最良の実施形態としている。
【００２１】
この実施形態における表示パネルは、前面ガラス基板側に形成された陰極電極とゲート電極に選択的に駆動電圧が印加され、この駆動電圧が印加された陰極電極とゲート電極が交差する部分に電界が発生して、陽極電極により、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間の空間内に電子が放出される。
【００２２】
このＭＩＭ型電子放出素子から放出された電子は、空間内の紫外線発生ガスを直接励起して真空紫外線を発生させ、この真空紫外線によって蛍光体層が励起されて可視光が発生されることにより、画像形成が行われる。
【００２３】
このＭＩＭ型電子放出素子は、以上のように、絶縁体層を介して対向される陰極電極とゲート電極との間に駆動電圧が印加されることによって、放出される電子をほとんど散乱されることなく素子の内部において加速するので、高い速度エネルギを有しているとともにエネルギ分布が広がることのない電子を放出することが出来る。
【００２４】
従って、この表示パネルは、効率よくキセノンから真空紫外線を発生させて、発光効率を向上させることが出来るとともに、紫外線発生ガスのガス圧を高めることが可能になり、イオン・スパッタの低減や不純ガスの影響を低減したり、放出電子が紫外線発生ガスを励起することなく陽極電極に到達してしまうのを防止して、表示パネルの寿命と発光効率の向上を図ることが出来るようになる。
【実施例１】
【００２５】
図３ないし５は、この発明による表示パネルの実施形態における第１実施例を示しており、図３はこの第１実施例における表示パネルの構成を模式的に示す正面図、図４は図３のIV−IV線における断面図、図５は図３のＶ−Ｖ線における断面図である。
【００２６】
この図３ないし５に示される表示パネル２０は、表示面である前面ガラス基板２１の背面に、行方向（図３において左右方向）に延びる帯状の透明な陰極電極Ｅ１ｎが、所定の間隔を開けて列方向（図３において上下方向）に等間隔に並設されている。
【００２７】
この陰極電極Ｅ１ｎは、例えば、Ｃｒ，Ａｌ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，ＩＴＯ，ＳｎＯ２，ＺｎＯ等によって形成される。
【００２８】
前面ガラス基板２１の背面には、さらに、絶縁層２２が形成されて、この絶縁体層２２により、陰極電極Ｅ１ｎが被覆されている。
【００２９】
この絶縁体層２２は、例えば、Ｓｉ，ＳｉＯｘ等で形成される。
【００３０】
絶縁体層２２の背面側には、列方向に延びる帯状の透明なゲート電極Ｅ１ｇが、所定の間隔を開けて行方向に等間隔に並設されている。
【００３１】
このゲート電極Ｅ１ｇは、例えば、Ｗ，Ｃ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｃ，ＩＴＯ，ＳｎＯ２，ＺｎＯ等によって形成される。
【００３２】
そして、絶縁体層２２の背面側に、それぞれ隣接する陰極電極Ｅ１ｎの間の中央位置に対向する部分において行方向に延びる横嵩上げ部２３Ａと、それぞれ隣接するゲート電極Ｅ１ｇの間の中央位置に対向する部分において列方向に延びる縦嵩上げ部２３Ｂとによって格子状に成形された嵩上げ絶縁体層２３が形成されている。
【００３３】
一方、前面ガラス基板２１と空間を介して平行に対向される背面ガラス基板２４には、その表示面側の全面に、陽極電極Ｅ１ｐが形成されている。
【００３４】
この陽極電極Ｅ１ｐ上には、嵩上げ絶縁体層２３の横嵩上げ部２３Ａに対向する位置において行方向に延びる横壁部２５Ａと、縦嵩上げ部２３Ｂに対向する位置において列方向に延びる縦壁部２５Ｂとによって略格子形状に成形された隔壁２５が形成されており、前面ガラス基板２１と背面ガラス基板２４の間の空間が、陰極電極Ｅ１ｎとゲート電極Ｅ１ｇが交差する部分に対向する部分毎に区画されて、それぞれ表示セルＣ１が形成されている。
【００３５】
そして、隔壁２５の横壁部２５Ａおよび縦壁部２５Ｂ間に、陽極電極Ｅ１ｐの表面と横壁部２５Ａおよび縦壁部２５Ｂの側面の五つの面を覆うように表示セルＣ１毎に赤，緑，青に色分けされた蛍光体層２６が、それぞれ形成されている。
【００３６】
各表示セルＣ１には、この表示セルＣ１内が真空にされた後、紫外線発生ガスが封入されている。
【００３７】
この紫外線発生ガスには、例えば、キセノン（Ｘｅ）が１００パーセントのガスや、キセノン（Ｘｅ）と水銀（Ｈｇ）またはネオン（Ｎｅ）等の混合ガス等が使用される。
【００３８】
なお、上記の構成において、紫外線発生ガスがイオン化した場合のために、ゲート電極Ｅ１ｇを、例えば、ＭｇＯ，ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，Ｃｓ２Ｏ，Ｃｓ２ＣＯ３，Ｇｄ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＤＬＣ等によって形成される薄い保護層によって被覆するようにしても良い。
【００３９】
上記表示パネル２０は、前面ガラス基板２１側において、互いに交差する方向に形成された陰極電極Ｅ１ｎとゲート電極Ｅ１ｇが絶縁体層２２を挟んで対向する部分（エミッション・サイト）Ｍ１に、それぞれＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）型電子放出素子が構成されて、このＭＩＭ型電子放出素子がパネルにマトリクス状に配置されるとともに、各ＭＩＭ型電子放出素子に対して赤，緑，青に色分けされた蛍光体層２６がそれぞれ形成されている表示セルＣ１が対向している構成になっている。
【００４０】
この表示パネル２０は、陰極電極Ｅ１ｎとゲート電極Ｅ１ｇに選択的に駆動電圧が印加され、この駆動電圧が印加された陰極電極Ｅ１ｎとゲート電極Ｅ１ｇが交差する部分に電界が発生して、背面ガラス基板２４側の陽極電極Ｅ１ｐに向けて表示セルＣ１内に電子が放出される。
【００４１】
このＭＩＭ型電子放出素子から放出された電子は、表示セルＣ１内に封入されている紫外線発生ガス中のキセノンを直接励起して真空紫外線を発生させ、この真空紫外線によって各表示セルＣ１内の蛍光体層２６が励起されて、それぞれ赤，緑，青の可視光が発生される。
【００４２】
以上のようにして、蛍光体層２６から発生される赤，緑，青の可視光の組み合わせによって、映像信号に対応した画像がパネル面に形成される。
【００４３】
この画像形成時に、ＭＩＭ型電子放出素子は、絶縁体層２２を介して対向される陰極電極Ｅ１ｎとゲート電極Ｅ１ｇとの間に駆動電圧が印加されることによって、放出される電子をほとんど散乱されることなく素子の内部において加速させるので、例えば７〜１２ｅＶの高い速度エネルギ（印加電圧から仕事関数を減算した付近の値）を有しているとともにエネルギ分布が広がることのない電子を放出することが出来る。
【００４４】
従って、このＭＩＭ型電子放出素子からキセノンの紫外線発光エネルギ（約８．５ｅＶ）にピークを有する電子を放出させるようにすれば、効率よくキセノンを直接励起して真空紫外線を発生させることが出来るようになる。
【００４５】
さらに、ＭＩＭ型電子放出素子から放出される電子は、高い速度エネルギを有しており、直進性が良好であるため、紫外線発生ガス中のキセノンとの弾性衝突によってゲート電極Ｅ１ｇ側に押し戻されるいわゆる後方散乱現象が発生し難く、これによって、表示セルＣ１内の紫外線発生ガスのガス圧を高めることが可能になる。
【００４６】
そして、この表示セルＣ１内の紫外線発生ガスのガス圧を高めることによって、イオン・スパッタの低減や不純ガスの影響を低減したり、ＭＩＭ型電子放出素子からの放出電子が紫外線発生ガス中のキセノンと衝突することなく陽極電極Ｅ１ｐに到達してしまうのを防止できるようになるなどによって、表示パネル２０の寿命と発光効率の向上を図ることが出来るようになる。
【００４７】
以上のように、上記表示パネル２０によれば、ＭＩＭ型電子放出素子から放出される電子は、陽極電極Ｅ１ｐによる加速や表示セルＣ１内の紫外線発生ガスのガス圧に影響を受けることなく紫外線発生ガスを励起して真空紫外線を発生させることが出来、これによって、真空紫外線の発生効率すなわち蛍光体層２６の発光効率を向上させて、高輝度の画像を形成することが出来るようになる。
【００４８】
そして、従来の表示パネルは、前面基板側に蛍光体層が形成された透過型構造であるために蛍光体層を厚くすることが出来ず紫外線発生ガスから発生する真空紫外線の利用率を上げることが出来なかったが、上記表示パネル２０は、蛍光体層２６が背面ガラス基板２４側に形成された反射型構造であるために、蛍光体層２６の膜厚を厚くして真空紫外線の利用率を向上させることにより、その発光効率を向上させることが出来るようになる。
【００４９】
さらに、上記表示パネル２０は、各表示セルＣ１が格子形状の隔壁２５によって区画されていることによって、蛍光体層２６の赤，緑，青の色の混色を防止することが出来るとともに、隣接する表示セルＣ１への光漏れが防止出来るので、画像の水平方向および垂直方向の解像度が向上される。
【００５０】
そしてさらに、蛍光体層２６が隔壁２５の側壁面を覆うように形成されることによってこの蛍光体の塗布面積が拡大されて、高輝度の発光を行うことが出来るようになる。
【００５１】
なお、上記の実施例において、エミッション・サイトＭ１の部分の絶縁体層２２の厚さを、絶縁体層２２の他の部分の厚さよりも薄くなるように形成してもよく、これによって、エミッション・サイトＭ１のみから電子が放出されるようにすることが出来る。
【００５２】
なお、上記の実施例においては、電子放出素子としてＭＩＭ型電子放出素子が用いられているが、このＭＩＭ型電子放出素子の代わりに、陰極電極上にＳｉなどの半導体層とＳｉＯ２などの絶縁体層，ゲート電極が順次積層されたＳＩＭ（Silicon Insulator Metal) 型電子放出素子や、陰極電極上にＳｉなどの半導体が埋め込まれたＳｉＯ２などの絶縁体層とゲート電極が順次積層されたＢＳＤ(Balistic electron Surface-emitting Device) 型電子放出素子，基板の同じ側の面上に絶縁体層を介して対向する陰極電極とゲート電極が設けられたＳＥＤ型電子放出素子，ゲート電極と陽極が兼用された構造の電子放出素子などの他の７〜１２ｅＶの高エネルギ電子を放出する電子放出素子を用いるようにしても良い。
【実施例２】
【００５３】
図６は、この発明による表示パネルの実施形態における第２実施例を示す断面図である。
【００５４】
なお、この図６は、表示パネルを図５と同じ方向に断面した図である。
【００５５】
この第２実施例における表示パネル３０は、第１実施例の背面ガラス基板２４の代わりに、金属製の背面基板３４が前面ガラス基板２１に対向するように配置されており、この金属製背面基板３４が陽極電極Ｅ２ｐとして機能する。
【００５６】
他の構成は、前述した第１実施例の表示パネル２０と同様であり、同一の構成部分については第１実施例の場合と同一の符号が付されている。
【００５７】
この表示パネル３０は、第１実施例の表示パネル２０と同様の作用効果に加えて、金属製背面基板３４が陽極電極を兼ねていることによって、製造工程において陽極電極の形成工程を省くことが出来るとともに、表示パネルの構成を簡易にすることが出来る。
【００５８】
なお、上記の実施例において、隔壁も、金属製背面基板３４と一体的に成形された金属製隔壁によって構成するようにしても良い。
【実施例３】
【００５９】
図７および８は、この発明による表示パネルの実施形態における第３実施例を示しており、図７はこの第３実施例における表示パネルの構成を模式的に示す正面図、図８は図７のVIII−VIII線における断面図である。
【００６０】
この図７および８に示される表示パネル４０は、前述した第１実施例の表示パネル２０の陽極電極Ｅ１ｐが背面ガラス基板２４上に形成されていたのに対し、陽極電極Ｅ３ｐが前面ガラス基板２１側に形成された構成を備えている。
【００６１】
すなわち、表示面である前面ガラス基板２１の背面に、行方向に延びる帯状の透明な陰極電極Ｅ３ｎが、所定の間隔を開けて列方向に等間隔に並設されており、さらに、この前面ガラス基板２１の背面に絶縁層２２が形成されて、この絶縁体層２２により、陰極電極Ｅ３ｎが被覆されている。
【００６２】
絶縁体層２２の背面側には、列方向に延びる帯状の透明なゲート電極Ｅ３ｇが、所定の間隔を開けて行方向に等間隔に並設されている。
【００６３】
そしてさらに、絶縁体層２２の背面側には、各ゲート電極Ｅ３ｇに対してそれぞれ所要の間隔を開けて平行に列方向に延びる帯状の透明な陽極電極Ｅ３ｐが、行方向に等間隔に並設されている。
【００６４】
他の部分の構成は、背面ガラス基板２４側に陽極電極が形成されていない点を除いて、第１実施例の表示パネル２０とほぼ同様であり、表示パネル２０と同一の構成部分については、同一の符号が付されている。
【００６５】
この表示パネル３０は、第１実施例の表示パネル２０と同様の作用効果に加えて、陽極電極Ｅ３ｐが陰極電極Ｅ１ｎおよびゲート電極Ｅ３ｇとともに前面ガラス基板２１側に形成されていることによって、各電極間の相対位置の位置決めが容易になる。
【００６６】
なお、この実施例において、背面基板を金属製の背面基板としてもよく、また、隔壁も背面基板と一体成形された金属製隔壁としても良い。
【実施例４】
【００６７】
図９は、この発明による表示パネルの実施形態における第４実施例の表示パネルの構成を模式的に示す正面図である。
【００６８】
この図９に示される表示パネル５０は、前述した第３実施例の表示パネル３０と同様に、陽極電極が陰極電極およびゲート電極とともに前面ガラス基板側に形成された構成を備えているが、陰極電極Ｅ４ｎは、そのゲート電極Ｅ４ｇと対向する部分Ｅ４ｎａの列方向の幅が他の帯状部分Ｅ４ｎｂよりも大きくなるように形成されていて、この幅広の部分Ｅ４ｎａにおいてエミッション・サイトＭ３が形成されるようになっている。
【００６９】
さらに、ゲート電極Ｅ４ｇと所要の間隔を開けて平行に形成された陽極電極Ｅ４ｐは、その陰極電極Ｅ４ｎの幅の狭い帯状部分Ｅ４ｎｂと対向する部分Ｅ４ｐａが、この陽極電極Ｅ４ｐの他の帯状部分Ｅ４ｐｂよりも行方向の幅が小さくなるように形成されている。
【００７０】
他の部分の構成は、第１実施例の表示パネル２０と同様であり、同一の構成部分については同一の符号が付されている。
【００７１】
この実施例における表示パネル５０は、第１実施例の表示パネル２０と同様の作用効果に加えて、陰極電極Ｅ４ｎが、その幅広の部分Ｅ４ｎａにおいてゲート電極Ｅ４ｇと対向されてエミッション・サイトＭ３が形成されているので、そのエミッション・サイトＭ３の面積が拡大されている分だけ陰極電極Ｅ４ｎとゲート電極Ｅ４ｇ間に形成される電界が大きくなって、放出される電子が増加されることにより、発光効率が向上される。
【００７２】
また、陰極電極Ｅ４ｎと陽極電極Ｅ４ｐとは、互いの幅が狭くなっている部分同士（陰極電極Ｅ４ｎの帯状部分Ｅ４ｎｂと陽極電極Ｅ４ｐの幅狭の部分Ｅ４ｐａ）が対向されることによって、その対向面積が減少され、これによって、エミッション・サイトＭ３以外の部分で電界が形成されるのが抑制される。
【００７３】
なお、上記の実施例において、エミッション・サイトＭ３の部分の絶縁体層の厚さを、絶縁体層の他の部分の厚さよりも薄くなるように形成してもよく、これによって、エミッション・サイトＭ３のみから電子が放出されるようにすることが出来る。
【実施例５】
【００７４】
図１０は、この発明による表示パネルの実施形態における第５実施例の表示パネルの構成を模式的に示す正面図である。
【００７５】
この図１０に示される表示パネル６０は、前述した第３実施例の表示パネル３０と同様に、陽極電極が陰極電極およびゲート電極とともに前面ガラス基板側に形成された構成を備えているが、この陽極電極および陰極電極，ゲート電極が、それぞれ帯状に延びるバス電極部とこのバス電極部からそれぞれ表示セルＣごとに突出する透明な突出電極部とから構成されている。
【００７６】
すなわち、陰極電極Ｅ５ｎは、それぞれ隔壁２５の横壁部２５Ａの内側（図１０において下方側）の部分に対向する位置において行方向に延びる帯状の陰極バス電極部Ｅ５ｎａと、この陰極バス電極部Ｅ５ｎａから表示セルＣ３毎に表示セルＣ３のほぼ中央部分に対向する位置に張り出すようにそれぞれ形成された透明な幅広の陰極突出電極部Ｅ５ｎｂとによって構成されている。
【００７７】
ゲート電極Ｅ５ｇは、それぞれ隔壁２５の縦壁部２５Ｂの内側（図１０において左方側）の部分に対向する位置において列方向に延びる帯状のゲート・バス電極部Ｅ５ｇａと、このゲート・バス電極部Ｅ５ｇａから、表示セルＣ３毎に、表示セルＣ３のほぼ中央の陰極電極Ｅ５ｎの陰極突出電極部Ｅ５ｎｂに対向する位置に張り出すようにそれぞれ形成された透明な幅広のゲート突出電極部Ｅ５ｇｂとによって構成されている。
【００７８】
さらに、陽極電極Ｅ５ｐは、それぞれ隔壁２５のゲート・バス電極部Ｅ５ｇａが形成されている側と反対側の縦壁部２５Ｂの内側（図１０において右方側）の部分に対向する位置において列方向に延びる帯状の陽極バス電極部Ｅ５ｐａと、この陽極バス電極部Ｅ５ｐａから表示セルＣ３毎に表示セルＣ３の中央部分側で、陰極電極Ｅ５ｎの陰極バス電極部Ｅ５ｎａおよび陰極突出電極部Ｅ５ｎｂ，ゲート電極Ｅ５ｇのゲート・バス電極部Ｅ５ｇａ，ゲート突出電極部Ｅ５ｇｂと重ならない位置に張り出すようにそれぞれ形成された透明な幅広の陽極突出電極部Ｅ５ｇｂとによって構成されている。
【００７９】
他の部分の構成は、第１実施例の表示パネル２０と同様であり、同一の構成部分については同一の符号が付されている。
【００８０】
この実施例における表示パネル６０は、第１実施例の表示パネル２０と同様の作用効果に加えて、それぞれの電極が、帯状に延びるバス電極部とこのバス電極部からそれぞれ表示セルＣ３ごとに突出する透明な突出電極部とから構成され、表示セルＣ３に対向する部分において、幅広の陰極突出電極部Ｅ５ｎｂとゲート突出電極部Ｅ５ｇｂとが対向されてエミッション・サイトＭ４が形成されているので、そのエミッション・サイトＭ４の面積が拡大され、その間に形成される電界が大きくなって、放出される電子が増加されることにより、発光効率が向上される。
【００８１】
また、陰極電極Ｅ５ｎと陽極電極Ｅ５ｐとは、それぞれの幅狭の陰極バス電極部Ｅ５ｎａと陽極バス電極部Ｅ５ｐａ同士が対向されることによって、その対向面積が減少され、これによって、エミッション・サイトＭ４以外の部分で電界が形成されるのが抑制される。
【００８２】
なお、上記の実施例において、エミッション・サイトＭ４の部分の絶縁体層の厚さを、絶縁体層の他の部分の厚さよりも薄くなるように形成してもよく、これによって、エミッション・サイトＭ４のみから電子が放出されるようにすることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】従来のＰＤＰの構成を示す断面図である。
【図２】従来のＦＥＤの構成を示す断面図である。
【図３】この発明の実施形態における第１実施例を示す正面図である。
【図４】図３のIV−IV線における断面図である、
【図５】図３のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図６】この発明の実施形態における第２実施例を示す断面図である。
【図７】この発明の実施形態における第３実施例を示す正面図である。
【図８】図７のVIII−VIII線における断面図である、
【図９】この発明の実施形態における第４実施例を示す正面図である。
【図１０】この発明の実施形態における第５実施例を示す正面図である。
【符号の説明】
【００８４】
２０，３０，４０，５０，６０            …表示パネル
２１        …前面ガラス基板（一方の基板）
２２        …絶縁体層
２３        …嵩上げ絶縁体層
２４        …背面ガラス基板（他方の基板）
２５        …隔壁
２６        …蛍光体層
３４        …金属製背面基板
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３  …表示セル（単位表示領域）
Ｅ１ｎ，Ｅ３ｎ，Ｅ４ｎ，Ｅ５ｎ          …陰極電極
Ｅ４ｎａ    …幅広の部分  
Ｅ４ｎｂ    …帯状部分
Ｅ５ｎａ    …陰極バス電極部
Ｅ５ｎｂ    …陰極突出電極部
Ｅ１ｇ，Ｅ３ｇ，Ｅ４ｇ，Ｅ５ｇ          …ゲート電極
Ｅ５ｇａ    …ゲート・バス電極部
Ｅ５ｇｂ    …ゲート突出電極部
Ｅ１ｐ，Ｅ２ｐ，Ｅ３ｐ，Ｅ４ｐ，Ｅ５ｐ  …ゲート電極
Ｅ４ｐａ    …幅狭の部分  
Ｅ４ｐｂ    …帯状部分
Ｅ５ｐａ    …陽極バス電極部
Ｅ５ｐｂ    …陽極突出電極部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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