(57)【要約】【課題】突起状電極を有する半導体装置を、異方性導電フィルムを介して回路基板に確実に熱圧着する半導体装置の接続方法を提供することを目的とする。【解決手段】表示ドライバ素子１の突起状電極であるバンプ３を異方性導電フィルム（ＡＣＦ）６へ押圧し、ＡＣＦ６をバンプ３のみに転写させ、表示ドライバ素子１を回路基板であるガラス２に載置し、表示ドライバ素子１を加圧および加熱してＡＣＦ６を硬化させることで熱圧着する半導体装置の接続方法である。【選択図】図１
2005129757.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
突起状電極であるバンプを形成した半導体装置を、導電粒子を含む異方性導電フィルムを介し、回路基板に形成した電極板へ接続させる接続方法であって、前記半導体装置の前記バンプを前記異方性導電フィルムへ押圧し、前記異方性導電フィルムを前記バンプのみに転写し、前記バンプと前記電極板が接続するよう前記半導体装置を前記回路基板に載置し、前記半導体装置を加圧および加熱して前記異方性導電フィルムを硬化させることを特徴とする半導体装置の接続方法。
【請求項２】
前記半導体装置を前記回路基板へ載置する前に、予め前記回路基板面に非導電性フィルムを転写し、前記バンプと前記電極板が接続するよう前記半導体装置を前記回路基板に載置し、前記半導体装置を加圧および加熱して非導電性フィルムおよび前記異方性導電フィルムを硬化させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の接続方法。
【請求項３】
前記半導体装置を前記回路基板へ載置し、前記半導体装置を加圧および加熱し、前記異方性導電フィルムを硬化させた後、前記半導体装置と前記回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入し、前記半導体装置と前記回路基板を加熱して前記樹脂を硬化させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の接続方法。
【請求項４】
前記半導体装置を前記回路基板へ載置した後に、前記半導体装置と前記回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入し、前記半導体装置を加圧および加熱して前記樹脂および前記異方性導電フィルムを硬化させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の接続方法。
【請求項５】
突起状電極であるバンプを形成した半導体装置を、導電粒子を含む異方性導電フィルムを介し、回路基板に形成した電極板へ圧着させる接続方法であって、前記回路基板に前記異方性導電フィルムを押圧し、前記電極板のみに前記異方性導電フィルムを転写し、前記半導体装置を前記回路基板に前記バンプと前記電極板が接続するよう載置し、前記半導体装置を加圧および加熱して異方性導電フィルムを硬化させることを特徴とする半導体装置の接続方法。
【請求項６】
前記半導体装置を前記回路基板へ載置し、前記半導体装置を加圧および加熱した後、前記半導体装置と前記回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入し、前記半導体装置と前記回路基板を加熱して前記樹脂を硬化させることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の接続方法。
【請求項７】
前記半導体装置を前記回路基板へ載置した後に、前記半導体装置と前記回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入し、前記半導体装置を加圧および加熱し、前記樹脂および前記異方性導電フィルムを硬化させることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の接続方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、突起状電極であるバンプを有する半導体装置を回路基板に形成された電極板に、異方性導電フィルムを介して接続させる半導体装置の接続方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体装置を異方性導電フィルム（以下、「ＡＣＦ」と称す。）を介して基板上に形成した電極に直接接続する接続方法が知られている。
【０００３】
ＡＣＦは、一般に、熱硬化性又は紫外線硬化性等といった特性を有する樹脂の内部に多数の導電粒子を分散させることによって形成される。
【０００４】
ＡＣＦを使用することで、半導体装置の接続処理を確実に行え製品の低コスト化を達成することができる。
【０００５】
例えば、液晶パネルにＩＣチップを接続する方法が特許文献１に記載されている。
【０００６】
その接続方法は、以下のとおりである。
【０００７】
導電性およびゴム弾性を有する導電粒子を含んだＡＣＦを、ガラス面上に形成された透明電極（Indium Tin Oxide、インジウム錫酸化物、以下ＩＴＯと称す。）へ転写する。転写されたＡＣＦは、ＩＴＯの上面およびＩＴＯが形成されていないガラス面上に均一な層を形成する。そして、突起状電極であるバンプを有するＩＣチップを所定のＩＴＯとバンプが接続するよう載置し、ＩＣチップを加圧、加熱することで、ＡＣＦが硬化し、ＩＣチップのバンプと液晶パネルのＩＴＯが熱圧着する。
【特許文献１】特開昭６２−２４４１４２号公報（第２−４頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の半導体装置の接続方法においては、予め回路基板上にＡＣＦによる層を形成し、半導体装置の突起状電極であるバンプを回路基板上に形成した電極にＡＣＦを介して載置し加熱および加圧を行う。そのため、バンプの圧力により、ＡＣＦに含まれる導電粒子がＡＣＦを形成する樹脂内を流動し、バンプと接続する電極板との間から、隣接するバンプの間に流れ込むことがある。半導体装置のバンプは多ピン化に伴い、隣接するバンプの間隔が狭くなってきており、高機能、高密度を実現した半導体装置では、バンプの間隔も１５μｍ程度しかない。従って、導電粒子の直径が３〜５μｍであるため、ＡＣＦに含まれる導電粒子が、バンプ間に３個〜５個直列に並ぶと、隣接するバンプを短絡させるという問題が生じる。
【０００９】
隣接するバンプが短絡すると、半導体装置は正常に動作しないため不良品と判断される。不良と判断された半導体装置を交換するには、硬化したＡＣＦにより回路基板に接続されている半導体装置を回路基板から離反させ、回路基板に貼りついた状態で残ったＡＣＦを取り除く等のリペア作業に多大な工数を要する。
【００１０】
そこで本発明においては、突起状電極を有する半導体装置を、異方性導電フィルムを介して回路基板に確実に熱圧着する半導体装置の接続方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この課題を解決するために本発明は、半導体装置の突起状電極を異方性導電フィルムへ押圧し、異方性導電フィルムをバンプのみに転写させ、半導体装置を回路基板に載置し、半導体装置を加圧および加熱して異方性導電フィルムを硬化させることで熱圧着する半導体装置の接続方法である。
【００１２】
これにより、バンプ以外に異方性導電フィルムが転写されていないため、半導体装置と回路基板を接続する際に、異方性導電フィルムに含まれる導電粒子が広がらず、バンプ間の短絡を防止できる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、以下の効果を奏することができる。
（１）請求項１に記載の発明によれば、ＡＣＦをバンプのみに転写させるので、接続する際に、導電粒子が隣接するバンプの間に直列に並び短絡することがないため、確実な半導体装置と回路基板との接続が図れ、隣接するバンプ間の短絡による半導体装置の動作不良を防止できる。
（２）請求項２に記載の発明によれば、非導電性フィルム（以下、ＮＣＦと称す。）を予め回路基板に転写しておくことにより、半導体装置と回路基板の密着度を高め、半導体装置への応力に対しての耐久度を増加させることができる。
（３）請求項３に記載の発明によれば、ＡＣＦをバンプのみに転写させた半導体装置を回路基板に載置した後に、半導体装置と回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入することにより、半導体装置と回路基板の密着度を高め、半導体装置への応力に対しての耐久度を増加させることができる。
（４）請求項４に記載の発明によれば、ＡＣＦをバンプのみに転写させた半導体装置を回路基板に載置した後に、半導体装置と回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入することにより、ＡＣＦと樹脂を同時に加熱することができるので、１回の加熱工程とすることができる。よって、製造工程の簡略化が図れる。また、半導体装置と回路基板の間に樹脂を硬化させることにより、半導体装置と回路基板の密着度を高め、半導体装置への応力に対しての耐久度を増加させることができる。
（５）請求項５に記載の発明によれば、回路基板に形成した電極板のみにＡＣＦを転写するので、接続する際に、導電粒子が隣接するバンプの間に直列に並び短絡することがないため、確実な半導体装置と回路基板との接続が図れ、隣接するバンプ間の短絡による半導体装置の動作不良を防止できる。
（６）請求項６に記載の発明によれば、半導体装置を回路基板に載置し、半導体回路を加圧、加熱した後、半導体装置と回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入することにより、半導体装置と回路基板の密着度を高め、半導体装置への応力に対しての耐久度を増加させることができる。
（７）請求項７に記載の発明によれば、半導体装置をＡＣＦを電極板に転写した回路基板に載置した後に、半導体装置と回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入することにより、ＡＣＦと樹脂を同時に加熱することができるので、１回の加熱工程とすることができる。よって、製造工程の簡略化が図れる。また、半導体装置と回路基板の間に樹脂を硬化させることにより、半導体装置と回路基板の密着度を高め、半導体装置への応力に対しての耐久度を増加させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本願の請求項１に記載の発明は、突起状電極であるバンプを形成した半導体装置を、導電粒子を含む異方性導電フィルムを介し、回路基板に形成した電極板へ接続させる接続方法であって、前記半導体装置の前記バンプを前記異方性導電フィルムへ押圧し、前記異方性導電フィルムを前記バンプのみに転写し、前記バンプと前記電極板が接続するよう前記半導体装置を前記回路基板に載置し、前記半導体装置を加圧および加熱して前記異方性導電フィルムを硬化させることを特徴とする半導体装置の接続方法としたものであり、これにより、バンプ以外に異方性導電フィルムが転写されていないため、半導体装置と回路基板を接続する際に、異方性導電フィルムに含まれる電導粒子が広がらない。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、前記半導体装置を前記回路基板へ載置する前に、予め前記回路基板面に非導電性フィルムを転写し、前記バンプと前記電極板が接続するよう前記半導体装置を前記回路基板に載置し、前記半導体装置を加圧および加熱して非導電性フィルムおよび前記異方性導電フィルムを硬化させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の接続方法としたものであり、予め非電導性フィルムを回路基板に転写することにより、半導体装置と回路基板との密着度を高めることができる。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、前記半導体装置を前記回路基板へ載置し、前記半導体装置を加圧および加熱し、前記異方性導電フィルムを硬化させた後、前記半導体装置と前記回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入し、前記半導体装置と前記回路基板を加熱して前記樹脂を硬化させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の接続方法としたものであり、半導体装置と回路基板を接続した後に、熱硬化性樹脂を隙間に充填することにより、半導体装置と回路基板の密着度を高めることができる。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、前記半導体装置を前記回路基板へ載置した後に、前記半導体装置と前記回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入し、前記半導体装置を加圧および加熱して前記樹脂および前記異方性導電フィルムを硬化させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の接続方法としたものであり、バンプに転写した異方性導電フィルムと半導体装置と回路基板の間に注入した樹脂を同時に加熱することができる。また半導体装置と回路基板の間に注入した樹脂により半導体装置と回路基板の密着度を高めることができる。
【００１８】
請求項５に記載の発明は、突起状電極であるバンプを形成した半導体装置を、導電粒子を含む異方性導電フィルムを介し、回路基板に形成した電極板へ圧着させる接続方法であって、前記回路基板に前記異方性導電フィルムを押圧し、前記電極板のみに前記異方性導電フィルムを転写し、前記半導体装置を前記回路基板に前記バンプと前記電極板が接続するよう載置し、前記半導体装置を加圧および加熱して異方性導電フィルムを硬化させることを特徴とする半導体装置の接続方法としたものであり、これにより、電極板以外に異方性導電フィルムが転写されていないため、半導体装置と回路基板を接続する際に、異方性導電フィルムに含まれる導電粒子が広がらない。
【００１９】
請求項６に記載の発明は、前記半導体装置を前記回路基板へ載置し、前記半導体装置を加圧および加熱した後、前記半導体装置と前記回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入し、前記半導体装置と前記回路基板を加熱して前記樹脂を硬化させることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の接続方法としたものであり、半導体装置と回路基板を結合した後に、熱硬化性樹脂を隙間に充填することにより、半導体装置と回路基板の密着度を高めることができる。
【００２０】
請求項７に記載の発明は、前記半導体装置を前記回路基板へ載置した後に、前記半導体装置と前記回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入し、前記半導体装置を加圧および加熱し、前記樹脂および前記異方性導電フィルムを硬化させることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の接続方法としたものであり、回路基板に形成した電極に転写した異方性導電フィルムと半導体装置と回路基板の間に注入した樹脂を同時に加熱することができる。また半導体装置と回路基板の間に注入した樹脂により半導体装置と回路基板の密着度を高めることができる。
【００２１】
以下に、本発明の一実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２２】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の接続方法を示す図である。
【００２３】
半導体装置の一例である、液晶パネルに表示する表示ドライバ素子１を、液晶パネルの回路基板を構成するガラス２に接続する構成を説明する。
【００２４】
液晶ドライバ素子１は、突起状電極であるバンプ３を有している。バンプ３の表面はＡｕで形成され、隣接するバンプとの間隔は１５μｍである。
【００２５】
ガラス２は、電極板であるＩＴＯ４が形成されている。
【００２６】
接続部材５は、ＡＣＦ６とベースフィルム７から構成される。
【００２７】
また、ＡＣＦ６は、熱硬化性樹脂から形成され、厚みは１５〜２０μｍある。ＡＣＦ６は、導電性を有する導電粒子８を含んでおり、この導電粒子８は、粒径がそろった球形をしており、金メッキしたポリマー等であれば、粒径が３〜５μｍある。
【００２８】
次に、図１に基づいて、表示ドライバ素子１をガラス２に接続する方法を説明する。
【００２９】
まず、接続部材５のＡＣＦ６側へ表示ドライバ素子１のバンプ３を押圧する（同図（ａ））。
【００３０】
次に、バンプ３をＡＣＦ６へ押圧することで、ＡＣＦ６はベースフィルム７から剥がれるように、バンプ３の底面に転写しＡＣＦ接続材９が形成される（同図（ｂ））。
【００３１】
そして、ＡＣＦ接続材９がバンプ３に転写した表示ドライバ素子１をガラス２に形成された所定のＩＴＯ４へ載置する（同図（ｃ））。
【００３２】
最後に、表示ドライバ素子１を上面からヒータブロック等（図示せず）で加圧、加熱する。
【００３３】
表示ドライバ素子１を加圧することで、ＡＣＦ接続材９は、バンプ３の底面とＩＴＯ４に挟まれ変形し押圧とともにバンプ３の外周方向へ広がる。
【００３４】
バンプ３の底面とＩＴＯ４に挟まれたＡＣＦ接続材９は、そのままバンプ３の底面とＩＴＯ４に挟まれた状態となり、挟まれたＡＣＦ接続材９に含まれる導電粒子８は、バンプ３の底面とＩＴＯ４を導通する。
【００３５】
余分なＡＣＦ接続材９を形成する樹脂はバンプ３を覆うように広がり、隣接するバンプ３の間にＡＣＦ接続材９の樹脂が付着することがない。
【００３６】
また、表示ドライバ素子１を加熱することで、ＡＣＦ接続材９が硬化し、バンプ３とＩＴＯ４の接続が強固なものとなり、表示ドライバ素子１がガラス２に固定し接続する（同図（ｄ））。
【００３７】
（実施の形態２）
図２は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の接続方法を示す図である。
【００３８】
なお、図２においては、表示ドライバ素子１、ガラス２、バンプ３、ＩＴＯ４、ＡＣＦ接続材９は図１と同様のものであるため、同符号を付して説明は省略する。
【００３９】
本発明の実施の形態２に係る半導体装置の接続方法は、アンダーフィル材として非導電性フィルム（以下、ＮＣＦと称す。）を使用するものであり、実施の形態１にてバンプの底面にＡＣＦを転写させた表示ドライバ素子を、予めＮＣＦを転写したガラス上面に載置し接続する方法である。
【００４０】
以下、図２に基づいて接続方法を説明する。
【００４１】
ＮＣＦ１０は、非導電性であり、熱硬化性樹脂にて形成されている。
【００４２】
バンプ３の底面にＡＣＦ接続材９を転写させた表示ドライバ素子１を、ガラス２に転写させたＮＣＦ１０の上面からＩＴＯ４へ載置する（同図（ａ））。
【００４３】
表示ドライバ素子１を上面からヒータブロック等（図示せず）で加圧、加熱する。表示ドライバ素子１を加圧すると、ＡＣＦ接続材９は、バンプ３の底面とＩＴＯ４に挟まれ変形し、押圧とともにバンプ３の外周方向へ広がる。
【００４４】
バンプ３の底面とＩＴＯ４に挟まれたＡＣＦ接続材９は、そのままバンプ３の底面とＩＴＯ４に挟まれ、挟まれたＡＣＦ接続材９に含まれる導電粒子８は、バンプ３の底面とＩＴＯ４を導通する。
【００４５】
ＮＣＦ１０は、表示ドライバ素子１とガラス２の隙間を充填し密着する。
【００４６】
表示ドライバ素子１を加熱することで、ＡＣＦ接続材９およびＮＣＦ１０が硬化し、バンプ３とＩＴＯ４の接続が強固なものとなり、表示ドライバ素子１がガラス２に固定し接続する（同図（ｂ））。
【００４７】
（実施の形態３）
図３は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置の接続方法を示す図である。
【００４８】
なお、図３においては、表示ドライバ素子１、ガラス２、バンプ３、ＩＴＯ４、ＡＣＦ接続材９は図１と同様のものであるため、同符号を付して説明は省略する。
【００４９】
本発明の実施の形態３に係る半導体装置の接続方法は、アンダーフィル材として熱硬化性の樹脂を使用するものであり、実施の形態１にてバンプの底面にＡＣＦを転写させた表示ドライバ素子を、ガラス上面へ載置し、加圧および加熱した後、熱硬化性樹脂をガラスと表示ドライバ素子との間に充填し接続する方法である。
【００５０】
以下、図３に基づいて接続方法を説明する。
【００５１】
樹脂１１は、非導電性であり、熱硬化する特性を有している。
【００５２】
バンプ３の底面にＡＣＦ接続材９を転写させ表示ドライバ素子１を、ガラス２の所定のＩＴＯ４へ載置する（同図（ａ））。
【００５３】
表示ドライバ素子１を上面からヒータブロック等（図示せず）で加圧する。
【００５４】
表示ドライバ素子１を加圧すると、ＡＣＦ接続材９は、バンプ３の底面とＩＴＯ４に挟まれ変形し圧力とともにバンプ３の外周方向へ広がる。
【００５５】
バンプ３の底面とＩＴＯ４に挟まれたＡＣＦ接続材９は、そのままバンプ３の底面とＩＴＯ４に挟まれ、挟まれたＡＣＦ接続材９に含まれる導電粒子８は、バンプ３の底面とＩＴＯ４を導通する。
【００５６】
表示ドライバ素子１を加熱することで、ＡＣＦ接続材９が硬化し、バンプ３とＩＴＯ４の接続が強固なものとなり、表示ドライバ素子１がガラス２に固定し接続する（同図（ｂ））。
【００５７】
次に、樹脂１１を表示ドライバ素子１とガラス２の隙間に充填する。最後に、表示ドライバ素子１およびガラス２を硬化炉へ入れ加熱することで、樹脂１１が硬化し、バンプ３とＩＴＯ４の接続が強固なものとなり、表示ドライバ素子１がガラス２に固定し接続する（同図（ｃ））。
【００５８】
以上説明したように、本発明の実施の形態３に係る半導体装置の接続方法は、表示ドライバ素子１をガラス２へ載置し、表示ドライバ素子１を加圧および加熱した後、表示ドライバ素子１とガラス２の間に熱硬化性の樹脂１１を注入し、表示ドライバ素子１とガラス２を加熱して樹脂１１を硬化させる方法である。別な接続方法として、表示ドライバ素子１をガラス２へ載置した状態で、表示ドライバ素子１とガラス２の間に熱硬化性の樹脂１１を注入し、表示ドライバ素子１とガラス２を加熱して樹脂１１を硬化させても、表示ドライバ素子１とガラス２の接続が可能である。そうすることで、ＡＣＦ接合部材９と樹脂１１との加熱による硬化を、１度で完了できるので、製造工程の簡略化が図れる。
【００５９】
（実施の形態４）
図４は、本発明の実施の形態４に係る半導体装置の接続方法を示す図である。
【００６０】
なお、図４においては、表示ドライバ素子１、ガラス２、バンプ３、ＩＴＯ４、接続部材５は図１と同様のものであるため、同符号を付して説明は省略する。
【００６１】
実施の形態１ではＡＣＦをバンプに転写させて接続する方法であるが、本発明の実施の形態４は、ＡＣＦをガラス上面に転写させて接続する方法である。
【００６２】
以下、図４に基づいて説明する。
【００６３】
まず、ガラス２のＩＴＯ４に、接続部材５のＡＣＦ６側、つまり接着面を向けて載せ、ベースフィルム７を押圧する（同図（ａ））。
【００６４】
ベースフィルム７を剥がすと、ＡＣＦ６がＩＴＯ４の上面の部分のみ転写して残り、ＡＣＦ接続材１２が形成される（同図（ｂ））。
【００６５】
ＡＣＦ接続材１２が転写したＩＴＯ４に表示ドライバ素子１を所定の位置に載置する（同図（ｃ））。
【００６６】
表示ドライバ素子１を上面からヒータブロック等（図示せず）で加圧および加熱する。
【００６７】
表示ドライバ素子１を加圧することで、ＡＣＦ接続材１２は、バンプ３の底面とＩＴＯ４に挟まれ変形し圧力とともにバンプ３の外周方向へ広がる。
【００６８】
バンプ３の底面とＩＴＯ４に挟まれたＡＣＦ接続材１２は、そのままバンプ３の底面とＩＴＯ４に挟まれた状態となり、挟まれたＡＣＦ接続材１２に含まれる導電粒子８は、バンプ３の底面とＩＴＯ４を導通する。
【００６９】
余分なＡＣＦ接続材１２を形成する樹脂が、バンプ３を覆うように広がり、隣接するバンプ３の間にＡＣＦ接続材１２が付着することがない。
【００７０】
また、表示ドライバ素子１を加熱することで、ＡＣＦ接続材１２が硬化し、バンプ３とＩＴＯ４の接続が強固なものとなり、表示ドライバ素子１がガラス２に固定し接続する（同図（ｄ））。
【００７１】
（実施の形態５）
図５は、本発明の実施の形態５に係る半導体装置の接続方法を示す図である。
【００７２】
なお、図５においては、表示ドライバ素子１、ガラス２、バンプ３、ＩＴＯ４は図１と同様のものであるため、同符号を付して説明は省略する。
【００７３】
本発明の実施の形態５に係る半導体装置の接続方法は、アンダーフィル材として熱硬化性の樹脂を使用するものであり、実施の形態４にてＡＣＦをＩＴＯ上面に転写させ、表示ドライバ素子を載置し、加圧および加熱した後、非導電性の熱硬化性樹脂をドライバ素子とガラスの隙間に充填する接続方法である。
【００７４】
以下、図５に基づいて説明する。
【００７５】
樹脂１３は、非導電性であり、熱硬化する特性を有している。
【００７６】
まず、ＩＴＯ４の上面にＡＣＦ接続材１２を転写させ表示ドライバ素子１を、所定の位置へ載置する（同図（ａ））。
【００７７】
次に、表示ドライバ素子１を上面からヒータブロック等（図示せず）で、まず加圧する。
【００７８】
表示ドライバ素子１を加圧すると、ＡＣＦ接続材１２は、バンプ３の底面とＩＴＯ４に挟まれ変形し圧力とともにバンプ３の外周方向へ広がる。
【００７９】
バンプ３の底面とＩＴＯ４に挟まれたＡＣＦ接続材１２は、そのままバンプ３の底面とＩＴＯ４に挟まれ、挟まれたＡＣＦ接続材１２に含まれる導電粒子８は、バンプ３の底面とＩＴＯ４を導通する。
【００８０】
表示ドライバ素子１を加熱することで、ＡＣＦ接続材１２が硬化し、バンプ３とＩＴＯ４の接続が強固なものとなり、表示ドライバ素子１がガラス２に固定し接続する。
【００８１】
そして、樹脂１３を表示ドライバ素子１とガラス２の隙間に充填する。
【００８２】
最後に、表示ドライバ素子１およびガラス２を硬化炉へ入れ加熱することで、樹脂１３が硬化し、バンプ３とＩＴＯ４の接続が強固なものとなり、表示ドライバ素子１がガラス２に固定し接続する（同図（ｂ））。
【００８３】
以上説明したように、本発明の実施の形態５に係る半導体装置の接続方法は、表示ドライバ素子１をガラス２へ載置し、表示ドライバ素子１を加圧および加熱した後、表示ドライバ素子１とガラス２の間に熱硬化性の樹脂１３を注入し、表示ドライバ素子１とガラス２を加熱して樹脂１３を硬化させる方法である。別な接続方法として、表示ドライバ素子１をガラス２へ載置した状態で、表示ドライバ素子１とガラス２の間に熱硬化性の樹脂１３を注入し、表示ドライバ素子１とガラス２を加熱して樹脂１３を硬化させても、表示ドライバ素子１とガラス２の接続が可能である。そうすることで、ＡＣＦ接続材１２と樹脂１１との加熱による硬化を、１度で完了できるので、製造工程の簡略化が図れる。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
半導体装置の突起状電極を異方性導電フィルムへ押圧し、異方性導電フィルムをバンプのみに転写させることによって確実な半導体装置と回路基板との接続が必要な用途にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の接続方法を示す図
【図２】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の接続方法を示す図
【図３】本発明の実施の形態３に係る半導体装置の接続方法を示す図
【図４】本発明の実施の形態４に係る半導体装置の接続方法を示す図
【図５】本発明の実施の形態５に係る半導体装置の接続方法を示す図
【符号の説明】
【００８６】
１  表示ドライバ素子
２  ガラス
３  バンプ
４  ＩＴＯ
５  接続部材
６  ＡＣＦ
７  ベースフィルム
８  導電粒子
９、１２  ＡＣＦ接続材
１０  ＮＣＦ
１１、１３  樹脂
【図１】
2005129757.tif 000003
【図２】
2005129757.tif 000004
【図３】
2005129757.tif 000005
【図４】
2005129757.tif 000006
【図５】
2005129757.tif 000007