(57)【要約】【課題】  回路構成が簡単な発光制御信号発生回路を備えた有機電界発光表示装置及びその駆動方法を提供する。【解決手段】複数の発光制御信号のうち，一つを発生する第１信号発生手段と，前記第１信号発生手段の出力信号と外部制御信号により一つの制御信号を除外した複数の発光制御信号を発生する複数の第２信号発生手段を含む。第１信号発生手段は，シフトレジスタ５９−１１で構成される。複数の第２信号発生手段のうち，一つは外部制御信号ＯＣと第１信号発生手段の出力信号ｏｕｔ１〜ｏｕｔｍを２入力とするＮＡＮＤゲートで構成され，他の一つは前記外部制御信号ＯＣの反転信号と前記第１信号発生手段の出力信号ｏｕｔ１〜ｏｕｔｍを２入力とするＮＡＮＤゲートで構成される。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光制御信号により発光が制御される複数の発光素子を各々備える複数の画素を含む平板表示装置の発光制御信号発生回路において，
前記複数の発光制御信号のうち，一つを発生する第１信号発生手段と，
前記第１信号発生手段の出力信号と外部制御信号により，前記一つの発光制御信号を除外した複数の発光制御信号を発生する複数の第２信号発生手段とを含むことを特徴とする，発光制御信号発生回路。
【請求項２】
前記第１信号発生手段は，シフトレジスタで構成されることを特徴とする，請求項１に記載の発光制御信号発生回路。
【請求項３】
前記複数の第２信号発生手段のうち一つは，前記外部制御信号と，前記第１信号発生手段の出力信号とを２入力とするＮＡＮＤゲートで構成され，他の一つは前記外部制御信号の反転信号と，前記第１信号発生手段の出力信号とを２入力とするＮＡＮＤゲートで構成されることを特徴とする，請求項１に記載の発光制御信号発生回路。
【請求項４】
前記複数の第２信号発生手段のうち，他の一つは第１レベルの前記外部制御信号と，第２レベルの前記外部制御信号の反転信号とにより，前記第１信号発生手段の出力信号を発光制御信号として提供する第１伝達ゲートと，
前記第２レベルの前記外部制御信号と前記第１レベルの前記外部制御信号の反転信号とにより，前記発光制御信号を前記第２レベルとする第２伝達ゲートとを含むことを特徴とする，請求項１に記載の発光制御信号発生回路。
【請求項５】
前記複数の第２信号発生手段のうち，他の一つは，
前記第２レベルの前記外部制御信号と，前記第１レベルの前記外部制御信号の反転信号とにより，前記第１信号発生手段の出力信号を発光制御信号として提供する第３伝達ゲートと，
前記第１レベルの前記外部制御信号と前記第２レベルの前記外部制御信号の反転信号とにより，前記発光制御信号を前記第２レベルにする第４伝達ゲートとを含むことを特徴とする，請求項４に記載の発光制御信号発生回路。
【請求項６】
前記第１レベルは論理ハイレベルで，前記第２レベルは論理ローレベルであることを特徴とする，請求項４または請求項５に記載の発光制御信号発生回路。
【請求項７】
前記外部制御信号は，外部から提供される前記発光制御信号発生回路の出力を制御する出力コントロール信号であることを特徴とする，請求項１に記載の発光制御信号発生回路。
【請求項８】
前記複数の発光素子は，１フレームを構成する複数のサブフレームごとに各々順次的に駆動され，複数のサブフレームのうち，任意の１フレームではブラック状態となることを特徴とする，請求項１に記載の発光制御信号発生回路。
【請求項９】
前記複数の発光素子は，１フレームを構成する複数のサブフレームごとに各々順次駆動され，複数のサブフレームのうち，任意の１フレームでは前記複数の発光素子のうち，一つの発光素子がまた駆動されることを特徴とする，請求項１に記載の発光制御信号発生回路。
【請求項１０】
Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号により発光が制御されるＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を各々備える複数の画素を含む有機電界発光表示装置の発光制御信号発生回路において，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号のうち，Ｇ発光制御信号を発生するシフトレジスタと，
前記シフトレジスタの出力信号と外部制御信号を２入力として，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号のうち，Ｒ発光制御信号を発生する第１ＮＡＮＤゲートと，
前記外部制御信号を反転させるための反転ゲートと，
前記反転ゲートの出力信号と前記シフトレジスタの出力信号を２入力として，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号のうち，Ｂ発光制御信号を発生する第２ＮＡＮＤゲートとで構成されることを特徴とする，発光制御信号発生回路。
【請求項１１】
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子は，１フレームを構成する複数のサブフレームごとに，各々順次的に駆動され，複数のサブフレームのうち，任意の１フレームではブラック状態となったり，または前記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子のうち，一つがまた駆動されることを特徴とする，請求項１０に記載の発光制御信号発生回路。
【請求項１２】
Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号により発光が制御されるＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を各々備える複数の画素を含む有機電界発光表示装置の発光制御信号発生回路において，
外部制御信号を反転させるための反転ゲートと，
その出力信号を，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号のうち，Ｇ発光制御信号で発生するシフトレジスタと，
前記反転ゲートの出力信号と前記外部制御信号により，前記シフトレジスタの出力信号を，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号のうち，Ｒ発光制御信号として伝達する第１伝達ゲートと，
前記反転ゲートの出力信号と前記外部制御信号により，前記Ｒ発光制御信号を接地させるための第２伝達ゲートと，
前記反転ゲートの出力信号と前記外部制御信号により，前記シフトレジスタの出力信号を，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号のうち，Ｂ発光制御信号として伝達する第３伝達ゲートと，
前記反転ゲートの出力信号と前記外部制御信号により，前記Ｂ発光制御信号を接地させるための第４伝達ゲートとを備えることを特徴とする，発光制御信号発生回路。
【請求項１３】
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子は，１フレームを構成する複数のサブフレームごとに各々順次駆動され，複数のサブフレームのうち，任意の１フレームではブラック状態となったり，または前記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子のうち，一つの発光素子がまた駆動されることを特徴とする，請求項１２に記載の発光制御信号発生回路。
【請求項１４】
複数のゲートライン，複数のデータライン，複数の発光制御ライン及び複数の電源ラインと，前記複数のゲートライン，前記複数のデータライン，前記複数の発光制御ライン及び前記複数の電源ラインのうち，該当する一つのゲートライン，データライン，発光制御ライン及び電源ラインに各々連結する複数の画素を備える画素部と，
前記複数のゲートラインで複数のスキャン信号を提供するためのゲートライン駆動回路と，
前記複数のデータラインでＲ，Ｇ，Ｂデータ信号を順次的に提供するためのデータライン駆動回路と，
前記複数の発光制御ラインで複数の発光制御信号を提供するための発光制御信号発生回路とを含み，
各画素は，Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を備え，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子は，複数のサブフレームで構成される１フレーム内で各サブフレームごとに前記発光制御信号によって順次的に発光し，
前記発光制御信号発生回路は，前記複数の発光制御信号のうち，一つを発生する第１信号発生手段と，前記第１信号発生手段の出力信号と外部制御信号により，前記一つの発光制御信号を除外した複数の発光制御信号を発生する複数の第２信号発生手段とを含むことを特徴とする，有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記第１信号発生手段は，シフトレジスタで構成されることを特徴とする，請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記複数の第２信号発生手段のうち，一つは前記外部制御信号と，前記第１信号発生手段の出力信号とを２入力として論理ＮＡＮＤするＮＡＮＤゲートで構成され，
他の一つは，前記外部制御信号の反転信号と，前記第１信号発生手段の出力信号とを２入力とする論理ＮＡＮＤゲートで構成されることを特徴とする，請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記複数の第２信号発生手段のうち，一つは，
第１レベルの前記外部制御信号と，第２レベルの前記外部制御信号の反転信号により，前記第１信号発生手段の出力信号を発光制御信号として提供する第１伝達ゲートと，
前記第２レベルの前記外部制御信号と，前記第１レベルの前記外部制御信号の反転信号により，前記発光制御信号を前記第２レベルとする第２伝達ゲートを備え，
前記複数の第２信号発生手段のうち，他の一つは，
前記第２レベルの前記外部制御信号と，前記第１レベルの前記外部制御信号の反転信号により，前記第１信号発生手段の出力信号を発光制御信号として提供する第３伝達ゲートと，
前記第１レベルの前記外部制御信号と，前記第２レベルの前記外部制御信号の反転信号により，前記発光制御信号を前記第２レベルとする第４伝達ゲートとを含むことを特徴にする，請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１８】
前記第１レベルは論理ハイレベルで，前記第２レベルは論理ローレベルであり，前記外部制御信号は，外部から提供される前記発光制御信号発生回路の出力を制御する出力コントロール信号であることを特徴とする，請求項１７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１９】
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子は，１フレームを構成する複数のサブフレームごとに各々順次的に駆動され，複数のサブフレームのうち，任意の１フレームではブラック状態となったり，または前記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子のうち一つの発光素子がまた駆動されることを特徴とする，請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２０】
前記各画素は，データ信号をスイッチングするための一つまたはそれ以上のスイッチングトランジスタと，
前記データ信号に相応する駆動電流を前記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子で提供するための一つまたはそれ以上の駆動トランジスタと，
前記データ信号を保存するためのキャパシタをさらに含み，
前記各画素は，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子の駆動を順次制御するための順次制御手段をさらに含むことを特徴とする，請求項１７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２１】
前記順次制御手段は各々ゲートに該当する発光制御信号が各々印加され，ソースが前記駆動手段に共通連結し，ドレーンが前記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子に各々連結する第１〜第３Ｐ型薄膜トランジスタで構成されることを特徴とする，請求項２０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２２】
前記順次制御手段は，各々ゲートに該当する発光制御信号が各々印加され，ソースが前記駆動手段に共通連結し，ドレーンが前記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子に各々連結する第１Ｎ型薄膜トランジスタ，第１Ｐ型薄膜トランジスタ及び第２Ｎ型薄膜トランジスタで構成されることを特徴とする，請求項２０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２３】
複数のゲートライン，複数のデータライン，複数の発光制御ライン及び複数の電源ラインと，前記複数のゲートライン，前記複数のデータライン，前記複数の発光制御ライン及び前記複数の電源ラインのうち，該当する一つのゲートライン，データライン，発光制御ライン及び電源ラインに各々連結する複数の画素を備える画素部と，
前記複数のゲートラインで複数のスキャン信号を提供するためのゲートライン駆動回路と，
前記複数のデータラインでＲ，Ｇ，Ｂデータ信号を順次的に提供するためのデータライン駆動回路と，
前記複数の発光制御ラインで複数の発光制御信号を提供するための発光制御信号発生回路とを含み，
各画素は，Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を備え，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子は，複数のサブフレームで構成される１フレーム内で各サブフレームごとに前記発光制御信号によって順次的に発光し，
前記発光制御信号発生回路は，
Ｇ発光制御信号を発生するシフトレジスタと，
前記シフトレジスタの出力信号と外部制御信号を２入力としてＲ発光制御信号を発生する第１ＮＡＮＤゲートと，
前記外部制御信号を反転させるための反転ゲートと，
前記反転ゲートの出力信号と前記シフトレジスタの出力信号を２入力としてＢ発光制御信号を発生する第２ＮＡＮＤゲートで構成されることを特徴とする，有機電界発光表示装置。
【請求項２４】
複数のゲートライン，複数のデータライン，複数の発光制御ライン及び複数の電源ラインと，前記複数のゲートライン，前記複数のデータライン，前記複数の発光制御ライン及び前記複数の電源ラインの中，該当する一つのゲートライン，データライン，発光制御ライン及び電源ラインに各々連結する複数の画素を備える画素部と，
前記複数のゲートラインで複数のスキャン信号を提供するためのゲートライン駆動回路と，
前記複数のデータラインでＲ，Ｇ，Ｂデータ信号を順次的に提供するためのデータライン駆動回路と，
前記複数の発光制御ラインで複数の発光制御信号を提供するための発光制御信号発生回路とを含み，
各画素は，Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を備え，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子は，複数のサブフレームで構成される１フレーム内で各サブフレームごとに前記発光制御信号により順次的に発光し，
前記発光制御信号発生回路は，
外部制御信号を反転させるための反転ゲートと，
その出力信号をＧ発光制御信号で発生するシフトレジスタと，
前記反転ゲートの出力信号と前記外部制御信号により前記シフトレジスタの出力信号をＲ発光制御信号として伝達する第１伝達ゲートと，
前記反転ゲートの出力信号と前記外部制御信号により前記Ｒ発光制御信号を接地させるための第２伝達ゲートと，
前記反転ゲートの出力信号と前記外部制御信号により前記シフトレジスタの出力信号をＢ発光制御信号として伝達する第３伝達ゲートと，
前記反転ゲートの出力信号と前記外部制御信号により前記Ｂ発光制御信号を接地させるための第４伝達ゲートとを備えることを特徴とする，有機電界発光表示装置。
【請求項２５】
Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号により発光が制御されるＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を各々備える複数の画素を含む有機電界発光表示装置において，
１フレームを構成する複数のサブフレームのうち，一つのサブフレームでＧ発光制御信号を発生してＧ発光素子を発光させ，
一つのサブフレームで前記Ｇ発光制御信号を用いてＲ発光制御信号を発生してＲ発光素子を発光させ，
一つのサブフレームで前記Ｇ発光制御信号を用いてＢ発光制御信号を発生してＢ発光素子を発光させ，
残りの一つのサブフレームをブラック状態にすることを含む，有機電界発光表示装置の駆動方法。
【請求項２６】
Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号により発光が制御されるＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を各々備える複数の画素を含む有機電界発光表示装置において，
１フレームを構成する複数のサブフレームのうち，一つのサブフレームでＧ発光制御信号を発生してＧ発光素子を発光させ，
一つのサブフレームで前記Ｇ発光制御信号を用いてＲ発光制御信号を発生してＲ発光素子を発光させ，
一つのサブフレームで前記Ｇ発光制御信号を用いてＢ発光制御信号を発生してＢ発光素子を発光させ，
残りの一つのサブフレームで前記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光素子のうち，一つをさらに発光させることを含む，有機電界発光表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，有機電界発光表示装置に関し，より具体的には発光制御信号発生回路の回路構成を単純化した有機電界発光表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近，軽量，薄型などの特性を持つことから，液晶表示装置（ＬＣＤ）や有機電界発光表示装置（ＯＬＥＤ）などが携帯用情報機器に多く使われている。有機電界発光表示装置は，液晶表示装置に比べて，輝度特性及び視野角特性が優秀で次世代平板表示装置として注目されている。
【０００３】
通常，アクティブマトリックス有機電界発光表示装置は，一画素がＲ，Ｇ，Ｂ単位画素で構成され，各Ｒ，Ｇ，Ｂ単位画素は，ＥＬ素子を備える。各ＥＬ素子は，アノード電極とカソード電極との間に各Ｒ，Ｇ，Ｂ有機発光層が介在されて，アノード電極とカソード電極に印加される電圧によりＲ，Ｇ，Ｂ有機発光層から光が発光する。
【０００４】
図１は，従来のアクティブマトリックス有機電界発光表示装置の構成を示すものである。
【０００５】
図１に示したように，従来のアクティブマトリックス有機電界発光表示装置１０は，画素部１００，ゲートライン駆動回路１１０，データライン駆動回路１２０及び発光制御信号発生回路１９０を備える。上記画素部１００は，上記ゲートライン駆動回路１１０からスキャン信号Ｓ１〜Ｓｍが提供される複数のゲートライン１１１〜１１ｍと，上記データライン駆動回路１２０からデータ信号ＤＲ１，ＤＧ１，ＤＢ１〜ＤＲｎ，ＤＧｎ，ＤＢｎを提供するための複数のデータライン１２１〜１２ｎとを備える。また，上記画素部１００は，上記発光制御信号発生回路１９０から発生される発光制御信号を提供するための複数の発光制御ライン１９１〜１９ｍと，電源電圧ＶＤＤ１〜ＶＤＤｎを提供する複数の電源ライン１３１〜１３ｎとを備える。
【０００６】
上記画素部１００は，複数のゲートライン１１１〜１１ｍ，複数のデータライン１２１〜１２ｎ，複数の発光制御ライン１９１〜１９ｍ及び複数の電源ライン１３１〜１３ｎに連結する複数の画素Ｐ１１〜Ｐｍｎがマトリックス形態で配列される。各画素Ｐ１１〜Ｐｍｎは，３個の単位画素，すなわちＲ，Ｇ，Ｂ単位画素ＰＲ１１，ＰＧ１１，ＰＢ１１〜ＰＲｍｎ，ＰＧｍｎ，ＰＢｍｎで構成され，複数のゲートライン，データライン及び電源供給ラインのうち，該当する一つのゲートライン，データライン及び電源供給ラインに各々連結する。
【０００７】
例えば，画素Ｐ１１は，Ｒ単位画素ＰＲ１１，Ｇ単位画素ＰＧ１１，Ｂ単位画素ＰＢ１１を備え，複数のゲートライン１１１〜１１ｍのうち，第１スキャン信号Ｓ１を提供する第１ゲートライン１１１，複数のデータライン１２１〜１２ｎのうち，第１データライン１２１，複数の電源ライン１９１〜１９ｍのうち，第１発光制御ライン１９１，複数の電源ライン１３１〜１３ｎのうち，第１電源ライン１３１に連結する。
【０００８】
すなわち，画素Ｐ１１のうち，Ｒ単位画素ＰＲ１１は，第１ゲートライン１１１と，第１データライン１２１のうち，Ｒデータ信号ＤＲ１が提供されるＲデータライン１２１Ｒと，第１電源ライン１３１のうち，Ｒ電源ライン１３１Ｒに連結する。また，画素Ｐ１１のうち，Ｇ単位画素ＰＧ１１は，第１ゲートライン１１１と，第１データライン１２１のうち，Ｇデータ信号ＤＧ１が提供されるＧデータライン１２１Ｇと，第１電源ライン１３１のうち，Ｇ電源ライン１３１Ｇに連結する。また，画素Ｐ１１のうち，Ｂ単位画素ＰＢ１１は，第１ゲートライン１１１と，第１データライン１２１のうち，Ｂデータ信号ＤＢ１が提供されるＢデータライン１２１Ｂと，第１電源ライン１３１のうち，Ｂ電源ライン１３１Ｂに連結する。
【０００９】
上述した発光制御信号発生回路は，特許文献１に開示されたように，画素Ｐ１１〜ＰｍｎのＲ，Ｇ，ＢサブピクセルＰＲ１１〜ＰＲｍｎ，ＰＧ１１〜ＰＧｍｎ，ＰＢ１１〜ＰＢｍｎにそれぞれのＲ，Ｇ，Ｂ発光制御信号を提供するための３個のＲ，Ｇ，Ｂ発光制御信号発生手段を備える。各Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号発生手段は，各々シフトレジスタで構成されるので，素子数が多く，回路面積が増大し，また不良発生率が増加して収率が低下される問題点があった。
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−６００７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，本発明の目的は，高精細に適した有機電界発光表示装置及びその駆動方法を提供することにある。
【００１２】
また，本発明の他の目的は，回路構成が簡単な発光制御信号発生回路を備えた有機電界発光表示装置及びその駆動方法を提供することにある。
【００１３】
また，本発明のもう一つの目的は，ＥＬ素子を介して流れる電流を調節して，寿命を延長させることができる有機電界発光表示装置及びその駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，本発明は，複数の発光制御信号により発光が制御される複数の発光素子を各々備える複数の画素を含む平板表示装置の発光制御信号発生回路において，上記複数の発光制御信号のうち，一つを発生する第１信号発生手段と，上記第１信号発生手段の出力信号と外部制御信号により，上記一つの制御信号を除外した複数の発光制御信号を発生する複数の第２信号発生手段とを含む発光制御信号発生回路が提供される。
【００１５】
上記第１信号発生手段は，シフトレジスタで構成してもよい。前記複数の第２信号発生手段のうち，一つは前記外部制御信号と前記第１信号発生手段の出力信号を２入力とするＮＡＮＤゲートで構成してもよいし，他の一つは，前記外部制御信号の反転信号と前記第１信号発生手段の出力信号を２入力とするＮＡＮＤゲートで構成してもよい。
【００１６】
上記複数の第２信号発生手段のうち，一つは第１レベルの外部制御信号と第２レベルの上記外部反転制御信号の反転信号により上記第１信号発生手段の出力信号を発光制御信号として提供する第１伝達ゲートと，上記第２レベルの外部制御信号と第１レベルの上記外部反転制御信号の反転信号により上記発光制御信号を第２レベルで作る第２伝達ゲートから構成してもよい。また，他の一つは，第２レベルの上記外部制御信号と上記第１レベルの前記外部反転制御信号の反転信号により上記第１信号発生手段の出力信号を発光制御信号として提供する第３伝達ゲートと，上記第１レベルの外部制御信号と上記第２レベルの外部反転制御信号の反転信号により前記発光制御信号を第２レベルで作る第４伝達ゲートから構成してもよい。
【００１７】
前記複数の発光素子は，１フレームを構成する複数のサブフレームごとに各々順次的に駆動されて，複数のサブフレームのうち，任意の１フレームではブラック状態となったり，または上記複数の発光素子のうち，任意の一つの発光素子がまた駆動されてもよい。
【００１８】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号により発光が制御されるＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を各々備える複数の画素を含む有機電界発光表示装置の発光制御信号発生回路において，上記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号のうち，Ｇ発光制御信号を発生するシフトレジスタと，上記シフトレジスタの出力信号と外部制御信号を２入力として，上記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号のうち，Ｒ発光制御信号を発生する第１ＮＡＮＤゲートと，上記外部制御信号を反転させるための反転ゲートと，前記反転ゲートの出力信号と前記シフトレジスタの出力信号を２入力として，上記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号のうち，Ｂ発光制御信号を発生する第２ＮＡＮＤゲートとで構成される発光制御信号発生回路が提供される。
【００１９】
上記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子は，１フレームを構成する複数のサブフレームごとに，各々順次的に駆動され，複数のサブフレームのうち，任意の１フレームではブラック状態としたり，または上記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子のうち，一つがまた駆動されるようにしてもよい。
【００２０】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号により発光が制御されるＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を各々備える複数の画素を含む有機電界発光表示装置の発光制御信号発生回路において，外部制御信号を反転させるための反転ゲートと，その出力信号をＧ発光制御信号で発生するシフトレジスタと，上記反転ゲートの出力信号と上記外部制御信号により前記シフトレジスタの出力信号を上記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号のうち，Ｒ発光制御信号として伝達する第１伝達ゲートと，上記反転ゲートの出力信号と上記外部制御信号により上記Ｒ発光制御信号を接地させるための第２伝達ゲートと，上記反転ゲートの出力信号と上記外部制御信号により上記シフトレジスタの出力信号を上記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号のうち，Ｂ発光制御信号として伝達する第３伝達ゲートと，上記反転ゲートの出力信号と上記外部制御信号により上記Ｂ発光制御信号を接地させるための第４伝達ゲートとを備える発光制御信号発生回路が提供される。
【００２１】
上記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子は，１フレームを構成する複数のサブフレームごとに各々順次駆動され，複数のサブフレームのうち，任意の１フレームではブラック状態としたり，または前記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子のうち，一つの発光素子がまた駆動されるようにしてもよい。
【００２２】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，複数のゲートライン，複数のデータライン，複数の発光制御ライン及び複数の電源ラインと，上記複数のゲートライン，データライン，発光制御ライン及び電源ラインのうち，該当する一つのゲートライン，データライン，発光制御ライン及び電源ラインに各々連結する複数の画素を備える画素部と，上記複数のゲートラインに複数のスキャン信号を提供するためのゲートライン駆動回路と，前記複数のデータラインでＲ，Ｇ，Ｂデータ信号を順次的に提供するためのデータライン駆動回路と，上記複数の発光制御ラインで複数の発光制御信号を提供するための発光制御信号発生回路とを含み，各画素はＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を備え，上記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子は，複数のサブフレームで構成される１フレーム内で各サブフレームごとに上記発光制御信号によって順次的に発光し，上記発光制御信号発生回路は，上記複数の発光制御信号のうち，一つを発生する第１信号発生手段と，前記第１信号発生手段の出力信号と外部制御信号により前記一つの制御信号を除外した複数の発光制御信号を発生する複数の第２信号発生手段を含む有機電界発光表示装置が提供される。
【００２３】
各画素は，データ信号をスイッチングするための一つまたはそれ以上のスイッチングトランジスタと，上記データ信号に相応する駆動電流を上記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子で提供するための一つまたはそれ以上の駆動トランジスタと，上記データ信号を保存するためのキャパシタをさらに含み，各画素は，上記複数の発光素子の駆動を順次制御するための順次制御手段をから構成してもよい。
【００２４】
上記順次制御手段は，各々ゲートに該当する発光制御信号が各々印加され，ソースが上記駆動手段に共通連結し，ドレーンが上記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子に各々連結する第１〜第３Ｐ型薄膜トランジスタで構成される。上記順次制御手段は，各々ゲートに該当する発光制御信号が各々印加され，ソースが上記駆動手段に共通連結し，ドレーンが上記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子に各々連結する第１Ｎ型薄膜トランジスタ，第１Ｐ型薄膜トランジスタ及び第２Ｎ型薄膜トランジスタで構成してもよい。
【００２５】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，複数のゲートライン，複数のデータライン，複数の発光制御ライン及び複数の電源ラインと，上記複数のゲートライン，データライン，発光制御ライン及び電源ラインの中，該当する一つのゲートライン，データライン，発光制御ライン及び電源ラインに各々連結する複数の画素を備える画素部と，上記複数のゲートラインで複数のスキャン信号を提供するためのゲートライン駆動回路と，前記複数のデータラインでＲ，Ｇ，Ｂデータ信号を順次的に提供するためのデータライン駆動回路と，前記複数の発光制御ラインで複数の発光制御信号を提供するための発光制御信号発生回路とを含み，各画素は，Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を備え，上記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子は，複数のサブフレームで構成される１フレーム内で各サブフレームごとに前記発光制御信号によって順次的に発光し，上記発光制御信号発生回路は，Ｇ発光制御信号を発生するシフトレジスタと，前記シフトレジスタの出力信号と外部制御信号を２入力としてＲ発光制御信号を発生する第１ＮＡＮＤゲートと，外部制御信号を反転させるための反転ゲートと，反転ゲートの出力信号とシフトレジスタの出力信号を２入力としてＢ発光制御信号を発生する第２ＮＡＮＤゲートで構成される有機電界発光表示装置が提供される。
【００２６】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，複数のゲートライン，複数のデータライン，複数の発光制御ライン及び複数の電源ラインと，上記複数のゲートライン，データライン，発光制御ライン及び電源ラインの中，該当する一つのゲートライン，データライン，発光制御ライン及び電源ラインに各々連結する複数の画素を備える画素部と，上記複数のゲートラインに複数のスキャン信号を提供するためのゲートライン駆動回路と，上記複数のデータラインにＲ，Ｇ，Ｂデータ信号を順次的に提供するためのデータライン駆動回路と，上記複数の発光制御ラインで複数の発光制御信号を提供するための発光制御信号発生回路とを含み，各画素は，Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を備え，上記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子は，複数のサブフレームで構成される１フレーム内で各サブフレームごとに上記発光制御信号によって順次的に発光し，上記発光制御信号発生回路は，上記外部制御信号を反転させるための反転ゲートと，その出力信号をＧ発光制御信号で発生するシフトレジスタと，前記反転ゲートの出力信号と前記外部制御信号により前記シフトレジスタの出力信号をＲ発光制御信号として伝達する第１伝達ゲートと，前記反転ゲートの出力信号と前記外部制御信号により前記Ｒ発光制御信号を接地させるための第２伝達ゲートと，前記反転ゲートの出力信号と前記外部制御信号により前記シフトレジスタの出力信号をＢ発光制御信号として伝達する第３伝達ゲートと，前記反転ゲートの出力信号と前記外部制御信号により前記Ｂ発光制御信号を接地させるための第４伝達ゲートを備える有機電界発光表示装置が提供される。
【００２７】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号により発光が制御されるＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を各々備える複数の画素を含む有機電界発光表示装置において，１フレームを構成する複数のサブフレームのうち，一つのサブフレームでＧ発光制御信号を発生してＧ発光素子を発光させ，一つのサブフレームで上記Ｇ発光制御信号を用いてＲ発光制御信号を発生してＲ発光素子を発光させ，一つのサブフレームで上記Ｇ発光制御信号を用いてＢ発光制御信号を発生してＢ発光素子を発光させ，残りの一つのサブフレームでブラック状態にする有機電界発光表示装置の駆動方法が提供される。
【００２８】
また，本発明は，Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号により発光が制御されるＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を各々備える複数の画素を含む有機電界発光表示装置において，１フレームを構成する複数のサブフレームのうち，一つのサブフレームでＧ発光制御信号を発生してＧ発光素子を発光させ，一つのサブフレームで前記Ｇ発光制御信号を用いてＲ発光制御信号を発生してＲ発光素子を発光させ，一つのサブフレームで前記Ｇ発光制御信号を用いてＢ発光制御信号を発生してＢ発光素子を発光させ，残りの一つのサブフレームで前記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光素子のうち，一つをさらに発光させる有機電界発光表示装置の駆動方法が提供される。
【発明の効果】
【００２９】
以上説明したように，本発明によれば，発光制御信号発生回路を一つのシフトレジスタと複数の論理ゲートを組み合わせて構成することによって，回路構成を単純化して回路面積を減少させることができる。また，発光制御信号のデューティー比を調節してフリッカーを減少させて，ホワイトバランスを調整することができる。
【００３０】
また，Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子が駆動薄膜トランジスタとスイッチング薄膜トランジスタを共有して時分割的に駆動されるので，高精細化が可能で，素子及び配線数を減少させて開口率及び収率を向上させることができる。また，ＲＣ遅延及び電圧降下（ＩＲ  ｄｒｏｐ）を減少させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３２】
図２は，本発明の実施形態に係る順次駆動方式の有機電界発光表示装置のブロック構成図を示すものである。
【００３３】
図２を参照すれば，有機電界発光表示装置５０は，画素部５００，ゲートライン駆動回路５１０，データライン駆動回路５２０及び発光制御信号発生回路５９０を備える。ゲートライン駆動回路５１０は，画素部５００のゲートラインにスキャン信号Ｓ１〜Ｓｍを１フレーム間順次発生する。データライン駆動回路５２０は，画素部５００のデータラインでＲ，Ｇ，Ｂデータ信号Ｄ１〜Ｄｎを１フレーム間スキャン信号が印加される度に，順次提供する。発光制御信号発生回路５９０は，画素部５００の発光制御ライン５９１〜５９ｍでＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子の発光を制御するための発光制御信号ＥＣ＿Ｒ，Ｇ，Ｂ１〜ＥＣ＿Ｒ，Ｇ，Ｂｍを１フレーム間スキャン信号が印加される度に順次発生する。
【００３４】
図３は，本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置における，画素部のブロック構成図を示すものである。
【００３５】
図３を参照すれば，上記画素部５００は，上記ゲートライン駆動回路５１０からスキャン信号Ｓ１〜Ｓｍが各々提供される複数のゲートライン５１１〜５１ｍと，上記データライン駆動回路５２０からデータ信号Ｄ１〜Ｄｎが各々提供される複数のデータライン５２１〜５２ｎと，上記発光制御信号発生回路５９０から発光制御信号ＥＣ＿Ｒ，Ｇ，Ｂ１〜ＥＣ＿Ｒ，Ｇ，Ｂｍが各々提供される複数の発光制御ライン５９１〜５９ｍ及び電源電圧ＶＤＤ１〜ＶＤＤｎを提供する複数の電源ライン５３１〜５３ｎとを備える。
【００３６】
前記画素部５００は，複数のゲートライン５１１〜５１ｍ，複数のデータライン５２１〜５２ｎ，複数の発光制御ライン５９１〜５９ｍ及び複数の電源ライン５３１〜５３ｎに連結し，マトリックス形態で配列される複数の画素Ｐ１１〜Ｐｍｎをさらに含む。複数の画素Ｐ１１〜Ｐｍｎは，各々，複数のゲートライン５１１〜５１ｍのうち，該当する一つのゲートライン，複数のデータライン５２１〜５２ｎのうち，該当する一つのデータライン，複数の発光制御ライン５９１〜５９ｍのうち，該当する一つの発光制御ライン，複数の電源ライン５３１〜５３ｎのうち，該当する一つの電源ラインに連結する。
【００３７】
例えば，画素Ｐ１１は，複数のゲートライン５１１〜５１ｍのうち，第１スキャン信号Ｓ１を提供する第１ゲートライン５１１と，複数のデータライン５２１〜５２ｎのうち，第１データ信号Ｄ１を提供する第１データライン５２１と，複数の発光制御ライン５９１〜５９ｍのうち，第１発光制御信号ＥＣ＿Ｒ，Ｇ，Ｂ１を提供する第１発光制御ライン５９１と，複数の電源ライン５３１〜５３ｎのうち，第１電源ライン５３１とに連結する。
【００３８】
図４は，本発明の第１実施形態に係る順次駆動方式の有機電界発光表示装置において，一画素に対するピクセル回路を示すものである。また，図４は，複数の画素のうち，一画素Ｐ１１に限定して示すものである。
【００３９】
図４を参照すれば，画素Ｐ１１は，一つのゲートライン５１１と，データライン５２１と，３個の発光制御ライン５９１ｒ，５９１ｇ，５９１ｂと，電源供給ライン５３１と，表示手段であるＲ，Ｇ，Ｂ色を発光するＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ，ＥＬ１＿Ｇ，ＥＬ１＿Ｂとを備える。
【００４０】
また，画素Ｐ１１は，上記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ，ＥＬ１＿Ｇ，ＥＬ１＿Ｂを，時分割的に順次的に駆動するための能動素子を備える。上記能動素子は，スキャン信号Ｓ１が印加される度に，Ｒ，Ｇ，Ｂデータ信号Ｄ１ＤＲ１，ＤＧ１，ＤＢ１に相応する駆動電流をＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ，ＥＬ１＿Ｇ，ＥＬ１＿Ｂに提供するための駆動手段５４０と，発光制御信号ＥＣ＿Ｒ１，ＥＣ＿Ｇ１，ＥＣ＿Ｂ１により駆動手段５４０からＲ，Ｇ，Ｂデータ信号ＤＲ１，ＤＧ１，ＤＢ１に相応する駆動電流が順次的に上記Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ，ＥＬ１＿Ｇ，ＥＬ１＿Ｂで提供されるように制御する順次制御手段５５０とを備える。
【００４１】
上記駆動手段５４０は，ゲートにゲートライン５１１からスキャン信号Ｓ１が提供されて，ソースにデータライン５２１からＲ，Ｇ，Ｂデータ信号ＤＲ１，ＤＧ１，ＤＢ１が順次的に提供されるスイッチングトランジスタＭ５１と，上記スイッチングトランジスタＭ５１のドレーンにゲートが連結してソースに電源電圧ライン５３１から電源電圧ＶＤＤ１が提供され，ドレーンが前記順次制御手段５５０に連結する駆動トランジスタＭ５２と，前記駆動トランジスタＭ５２のゲートとソースとの間に連結したキャパシタＣ５１とで構成される。
【００４２】
上記順次制御手段５５０は，駆動手段５４０の駆動トランジスタＭ５２のドレーンと表示手段であるＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ，ＥＬ１＿Ｇ，ＥＬ１＿Ｂのアノード間に連結し，発光制御信号ＥＣ＿Ｒ，ＥＣ＿Ｇ，ＥＣ＿ＢによりＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ，ＥＬ１＿Ｇ，ＥＬ１＿Ｂの駆動を順次的に制御する。
【００４３】
また，上記順次制御手段５５０は，駆動手段５４０とＲ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ間に連結し，ゲートに印加される第１発光制御信号ＥＣ＿Ｒにより，駆動トランジスタＭ５２からＲデータ信号に相応する駆動電流を，Ｒ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒに提供するためのＰ型第１薄膜トランジスタＭ５５＿Ｒを備える。
【００４４】
また，上記順次制御手段５５０は，駆動手段５４０とＧ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｇ間に連結し，ゲートに印加される第２発光制御信号ＥＣ＿Ｇにより，駆動トランジスタＭ５２からＧデータ信号に相応する駆動電流を，Ｇ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｇに提供するためのＰ型第２薄膜トランジスタＭ５５＿Ｇをさらに備える。
【００４５】
また，上記順次制御手段５５０は，駆動手段５４０とＢ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｂ間に連結し，ゲートに印加される第３発光制御信号ＥＣ＿Ｂにより，駆動トランジスタＭ５２からＢデータ信号に相応する駆動電流を，Ｂ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｂに提供するためのＰ型第３薄膜トランジスタＭ５５＿Ｂを備える。
【００４６】
上記のような構成を有するピクセル回路は，３個のＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ，ＥＬ１＿Ｇ，ＥＬ１＿Ｂが一つの駆動手段５４０を共有するので，１フレーム間，３個のＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ，ＥＬ１＿Ｇ，ＥＬ１＿Ｂが駆動されて画素Ｐ１１が所定の色を表示するためには，Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ，ＥＬ１＿Ｇ，ＥＬ１＿Ｂが順次駆動されなければならない。すなわち，１フレームを３個のサブフレームに分割して，各サブフレームごとにＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ，ＥＬ１＿Ｇ，ＥＬ１＿Ｂを順次発光させるためのＲ，Ｇ，Ｂ発光制御信号を，順次制御手段５５０で発生する。したがって，１フレーム間，Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ，ＥＬ１＿Ｇ，ＥＬ１＿Ｂが時分割的に順次駆動されて画素Ｐ１１が所定の色を具現する。
【００４７】
図５は，本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の発光制御信号発生回路の回路構成図を示すものである。
【００４８】
図５を参照すれば，第１実施形態に係る発光制御信号発生回路は，Ｇ＿ＥＬ素子の発光を制御するための発光制御信号ＥＣ＿Ｇ１−ＥＣ＿Ｇｍを発生するシフトレジスタ５９−１１と，上記レジスタ５９−１１の出力信号ｏｕｔ１〜ｏｕｔｍと出力コントロール信号ＯＣを２入力としてＲ＿ＥＬ素子の発光を制御するための発光制御信号ＥＣ＿Ｒ１〜ＥＣ＿Ｒｍを発生する第１ＮＡＮＤゲート５９−１３と，前記出力コントロール信号ＯＣを反転させるためのインバータ５９−１２と，前記インバータ５９−１２の出力と前記シフトレジスタ５９−１１の出力信号ｏｕｔ１〜ｏｕｔｍを２入力としてＢ＿ＥＬ素子の発光を制御するための発光制御信号ＥＣ＿Ｂ１〜ＥＣ＿Ｂｍを発生する第２ＮＡＮＤゲート５９−１４とで構成される。
【００４９】
上記シフトレジスタ５９−１１には，図６に示したように，Ｇ発光素子を制御するためのＧ発光制御信号ＥＣ＿Ｇ１〜ＥＣ＿Ｇｍのようなデューティー比を有する波形が入力信号として提供され，上記シフトレジスタ５９−１１は，上記入力信号を所定時間遅延させて，上記Ｇ発光制御信号ＥＣ＿Ｇ１〜ＥＣ＿Ｇｍを発生する。
【００５０】
上記のような構成の発光制御信号発生回路を備えた本発明の有機電界発光表示装置の駆動方法を，図６を参照して説明すれば，次の通りである。
【００５１】
本実施形態では，１フレームが４サブフレームに分割され，各サブフレーム間，各ゲートラインにゲートライン駆動回路５１０からスキャン信号が各々印加され，１フレーム間２ｍ個のスキャン信号が印加される。第１サブフレーム１ＳＦ間第１ゲートライン５１１にスキャン信号Ｓ１が印加されれば，スイッチングトランジスタＭ５１がターンオンされて，データライン５２１からＲデータ信号ＤＲ１が駆動トランジスタＭ５２に提供される。
【００５２】
このとき，発光制御信号発生回路５９０では，Ｇ発光制御信号ＥＣ＿Ｇ１と出力コントロール信号ＯＣを２入力とするＮＡＮＤゲート５９−１３からＲ発光制御信号ＥＣ＿Ｒ１が発生される。したがって，発光制御ライン５９１ｒを介して，第１ゲートライン５１１に連結した画素Ｐ１１〜Ｐ１ｎのＲ＿ＥＬ素子ＥＬ＿Ｒを制御するための発光制御信号ＥＣ＿Ｒ１が順次制御手段５５０に印加されれば，薄膜トランジスタＭ５５＿Ｒがターンオンされて，Ｒデータ信号ＤＲ１〜ＤＲｎに相応する駆動電流がＲ＿ＥＬ素子で提供されて駆動される。
【００５３】
第１フレーム１Ｆの第２サブフレーム２ＳＦ間，第１ゲートライン５１１に２番目スキャン信号Ｓ１が印加されれば，データライン５２１〜５２ｎでＧデータ信号ＤＧ１〜ＤＧｎが駆動トランジスタＭ５２に提供される。この際，発光制御信号発生回路５９０では，シフトレジスタ５９−１１から発光制御ライン５９１ｇを介してＧ発光制御信号ＥＣ＿Ｇ１が発生する。
【００５４】
したがって，第１ゲートライン５１１に連結した画素Ｐ１１〜Ｐ１ｎのＧ＿ＥＬ素子ＥＬ＿Ｇを制御する発光制御信号ＥＣ＿Ｇ１が順次制御手段５５０に印加されれば，薄膜トランジスタＭ５５＿Ｇがターンオンされて，Ｇデータ信号ＤＧ１〜ＤＧｎに相応する駆動電流がＧ＿ＥＬ素子で提供されて駆動される。
【００５５】
第１フレーム１Ｆの第３サブフレーム３ＳＦ間，第１ゲートライン５１１に３番目スキャン信号Ｓ１が印加されれば，データライン５２１〜５２ｎでＢデータ信号ＤＢ１〜ＤＢｎが駆動トランジスタＭ５２に提供される。このとき，発光制御信号発生回路５９０では上記シフトレジスタ５９−１１の出力信号ｏｕｔ１と出力コントロール信号ＯＣを２入力とするＮＡＮＤゲート５９−１４を介して，発光制御ライン５９１ｂでＢ発光制御信号ＥＣ＿Ｂ１が発生する。
【００５６】
したがって，第１ゲートライン５１１に連結した画素Ｐ１１〜Ｐ１ｎのＢ＿ＥＬ素子ＥＬ＿Ｂを制御する発光制御信号ＥＣ＿Ｂ１が順次制御手段５５０に印加されれば，薄膜トランジスタＭ５５＿ＢがターンオンされてＢデータ信号ＤＢ１〜ＤＢｎに相応する駆動電流がＢ＿ＥＬ素子で提供されて駆動される。
【００５７】
１フレームの第４サブフレーム４ＳＦで，順次制御手段５５０から発生される発光制御信号ＥＣ＿Ｒ１，ＥＣ＿Ｂ１により，Ｒ及びＢ＿ＥＬ素子はオフされて，Ｇ＿ＥＬ素子にはブラックデータに相応する駆動電流が流れるようにして，第４サブフレームでは，ブラックが表示されるようにする。
【００５８】
上記のような動作を反復して１フレームの各サブフレームごとに，第ｍゲートライン５１ｍにスキャン信号が印加されれば，データライン５２１〜５２ｎで，Ｒ，Ｇ，Ｂデータ信号ＤＲ１−ＤＲｎ，ＤＧ１−ＤＧｎ，ＤＢ１−ＤＢｎが順次印加され，発光制御信号発生回路５９０から発光制御ライン５９１ａ，５９１ｂ，５９１ｃを介して第ｍゲートライン５１ｍに連結した画素Ｐｍ１〜ＰｍｎのＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を順次制御するための発光制御信号ＥＣ＿Ｒｍ，ＥＣ＿Ｇｍ，ＥＣ＿Ｂｍが順次制御手段５５０で順次発生される。これに伴い，薄膜トランジスタＭ５５＿Ｒ，Ｍ５５＿Ｇ，Ｍ５５＿Ｂが順次ターンオンされて，Ｒ，Ｇ，Ｂデータ信号ＤＲ１〜ＤＲｎ，ＤＧ１〜ＤＧｎ，ＤＢ１〜ＤＢｎに相応する駆動電流がＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子で順次提供されて駆動される。
【００５９】
このように，本発明では，１フレームは４サブフレームに分割され，発光制御信号発生回路５９０から発生される発光制御信号により，３サブフレーム間Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を順次制御し，第４サブフレームではブラック状態でなるようにＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を制御する。
【００６０】
このように，１フレーム間各サブフレームでスキャン信号Ｓ１〜Ｓｍが印加される度に，各データラインにＲデータ信号ＤＲ１〜ＤＲｎ，Ｇデータ信号ＤＧ１〜ＤＧｎ，Ｂデータ信号ＤＢ１〜ＤＢｎが順次的に印加されて，画素Ｐ１１〜ＰｍｎのＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子ＥＬ＿Ｒ，ＥＬ＿Ｇ，ＥＬ＿Ｂを時分割的に順次駆動する。このとき，Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子が順次的に駆動されるが，Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子が順次駆動される時間が非常に早いので，ユーザは，Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子が同時に駆動されるものと認識し，画像が正常に表示されているように認識するのである。
【００６１】
したがって，本発明のピクセル回路は，画素Ｐ１１のＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ，ＥＬ１＿Ｇ，ＥＬ１＿Ｂが一つの駆動手段５４０を共有するので，回路構成を単純化することができる。また，一つのシフトレジスタとして３個のＲ，Ｇ，Ｂ発光制御信号を発生することによって，回路面積が減少する。
【００６２】
上記出力コントロール信号ＯＣは，外部から前記発光制御信号発生回路に提供される信号であって，上記発光制御信号発生回路からＲ，Ｇ，Ｂ発光制御信号が出力されるのをコントロールするための信号である。
【００６３】
本実施形態の有機電界発光表示装置の一駆動方法は，図６に示されたように，１フレームを４個のサブフレームに分割し，３個のサブフレーム各々で，前記発光制御信号発生回路５９０で発生されるＲ，Ｇ，Ｂ発光制御信号により，Ｒ，Ｇ，Ｂ発光素子を順次駆動して，残りのサブフレームでは上記発光制御信号発生回路５９０で発生されるＲ，Ｇ，Ｂ発光制御信号によりＲ及びＢ＿ＥＬ素子を非発光状態にして，Ｇ＿ＥＬ素子がブラック状態となるようにする。
【００６４】
本実施形態の有機電界発光表示装置の他の駆動方法は，図７に示されたように，１フレームを４個のサブフレームに分割し，３個のサブフレーム各々で，Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号が発光制御信号発生回路５９０から順次発生されて，Ｒ，Ｇ，Ｂ発光素子を順次駆動し，残りのサブフレームでは上記発光制御信号発生回路５９０がＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子のうちの一つ，例えばＧ＿ＥＬ素子をまた駆動させることもできる。したがって，Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子のうち，相対的に駆動電流が大きいＥＬ素子，例えばＧ＿ＥＬ素子を第２サブフレームと第４サブフレームで，１／２駆動電流にして二度駆動させることによって，一つのサブフレームでＧ＿ＥＬ素子に流れる電流量が減少する。したがって，消費電力を減少させて，有機電解発光表示装置の寿命を延長させることができる。
【００６５】
図８は，本発明の第２実施形態に係る順次駆動方式の有機電界発光表示装置において，一画素に対するピクセル回路を示すものである。図８は，複数の画素の中一画素Ｐ１１に限定して示すものである。
【００６６】
図８を参照すれば，本発明の第２実施形態に係るピクセル回路の構成は，図４の第１実施形態に係るピクセル回路とほとんど同一である。ただし，順次制御手段５５０は，駆動手段５４０とＲ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ間に連結し，ゲートに印加される第１発光制御信号ＥＣ＿Ｒにより，駆動トランジスタＭ５２からＲデータ信号に相応する駆動電流をＲ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒに提供するためのＮ型第１薄膜トランジスタＭ５５＿Ｒと，駆動手段５４０とＧ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｇ間に連結し，ゲートに印加される第２発光制御信号ＥＣ＿Ｇにより駆動トランジスタＭ５２からＧデータ信号に相応する駆動電流をＧ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｇに提供するためのＰ型第２薄膜トランジスタＭ５５＿Ｇと，駆動手段５４０とＢ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｂ間に連結され，ゲートに印加される第３発光制御信号ＥＣ＿Ｂにより駆動トランジスタＭ５２からＢデータ信号に相応する駆動電流をＢ＿ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｂに提供するためのＮ型第３薄膜トランジスタＭ５５＿Ｂとを備える。
【００６７】
図９は，本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の発光制御信号発生回路の回路構成図を示すものである。
【００６８】
図９を参照すれば，第２実施形態に係る発光制御信号発生回路は，Ｇ＿ＥＬ素子の発光を制御するための発光制御信号ＥＣ＿Ｇ１〜ＥＣ＿Ｇｍを発生するためのシフトレジスタ５９−２１と，上記出力コントロール信号ＯＣを反転させるための反転ゲート５９−２２とを備える。
【００６９】
また，発光制御信号発生回路５９０は，上記反転ゲート５９−２２の出力信号と上記外部制御信号により上記シフトレジスタ５９−２１の出力信号をＲ発光制御信号ＥＣ＿Ｒ１〜ＥＣ＿Ｒｍとして伝達する第１伝達ゲート５９−２４と，上記反転ゲート５９−２２の出力信号と前記出力コントロール信号ＯＣにより上記Ｒ発光制御信号ＥＣ＿Ｒ１〜ＥＣ＿Ｒｍを接地電圧Ｖｓｓに接地させるための第２伝達ゲート５９−２３とをさらに備える。
【００７０】
また，発光制御信号発生回路５９０は，上記反転ゲート５９−２２の出力信号と上記出力コントロール信号ＯＣにより上記シフトレジスタ５９−２１の出力信号をＢ発光制御信号ＥＣ＿Ｂ１〜ＥＣ＿Ｂｍとして伝達する第３伝達ゲート５９−２６と，上記反転ゲート５９−２２の出力信号と上記出力コントロール信号ＯＣにより上記Ｂ発光制御信号ＥＣ＿Ｂ１〜ＥＣ＿Ｂｍを接地させるための第４伝達ゲート５９−２７とをさらに備える。
【００７１】
上記シフトレジスタ５９−２１には，図９に示されたようなＧ発光素子を制御するためのＧ発光制御信号ＥＣ＿Ｇ１〜ＥＣ＿Ｇｍと同じデューティー比を有する波形の入力信号が提供され，上記シフトレジスタ５９−２１は，上記入力信号を所定時間遅延させて上記Ｇ発光制御信号ＥＣ＿Ｇ１−ＥＣ＿Ｇｍを発生する。また，上記接地電圧Ｖｓｓは，別途に提供されることもでき，シフトレジスタ５９−２１または反転ゲート５９−２２に使われた接地電圧でもある。
【００７２】
本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の発光制御回路は，該当するＥＬ素子が非発光状態である場合，該当するＥＬ素子の発光制御信号を接地レベルで作ったが，図４のピクセル回路のように順次制御手段を全てＰ型薄膜トランジスタで形成する場合には，非発光状態のＥＬ素子の発光制御信号を電源電圧（ＶＤＤ）レベルで作ることもできる。
【００７３】
上記のような構成の発光制御信号発生回路を備えた本発明の有機電界発光表示装置の駆動方法を，図１０を参照して説明すれば，次の通りである。
【００７４】
本実施形態では，１フレームが４サブフレームに分割され，各サブフレーム間各ゲートラインにゲートライン駆動回路５１０からスキャン信号が各々印加されて，１フレーム間２ｍ個のスキャン信号が印加される。第１サブフレーム間，第１ゲートライン５１１にスキャン信号Ｓ１が印加されれば，スイッチングトランジスタＭ５１がターンオンされて，データライン５２１からＲデータ信号ＤＲ１が駆動トランジスタＭ５２に提供される。
【００７５】
このとき，発光制御信号発生回路５９０では，出力コントロール信号ＯＣと反転ゲート５９−２２を介して反転された出力コントロール信号ＯＣを制御信号にする伝達ゲート５９−２４を介して，Ｒ発光制御信号ＥＣ＿Ｒ１が発生される。したがって，発光制御ライン５９１ｒを介して第１ゲートライン５１１に連結した画素Ｐ１１〜Ｐ１ｎのＲ＿ＥＬ素子ＥＬ＿Ｒを制御するための発光制御信号ＥＣ＿Ｒ１が，順次制御手段５５０に印加されれば，薄膜トランジスタＭ５５＿ＲがターンオンされてＲデータ信号ＤＲ１〜ＤＲｎに相応する駆動電流がＲ＿ＥＬ素子で提供されて駆動される。この際，伝達ゲート５９−２７を介して接地電圧Ｖｓｓが，Ｂ発光制御信号ＥＣ＿Ｂ１〜ＥＣ＿Ｂｍとして提供されるので，Ｂ＿ＥＬ素子は駆動されない。
【００７６】
第１フレーム１Ｆの第２サブフレーム２ＳＦ間，第１ゲートライン５１１に２番目スキャン信号Ｓ１が印加されれば，データライン５２１〜５２ｎでＧデータ信号ＤＧ１〜ＤＧｎが駆動トランジスタＭ５２に提供される。このとき，発光制御信号発生回路５９０では，シフトレジスタ５９−２１から発光制御ライン５９１ｇを介して，Ｇ発光制御信号ＥＣ＿Ｇ１が発生する。
【００７７】
したがって，第１ゲートライン５１１に連結した画素Ｐ１１〜Ｐ１ｎのＧ＿ＥＬ素子ＥＬ＿Ｇを制御するための発光制御信号ＥＣ＿Ｇ１が順次制御手段５５０に印加されれば，薄膜トランジスタＭ５５＿ＧがターンオンされてＧデータ信号ＤＧ１−ＤＧｎに相応する駆動電流がＧ＿ＥＬ素子で提供されて駆動される。
【００７８】
第１フレーム１Ｆの第３サブフレーム３ＳＦ間，第１ゲートライン５１１に３番目スキャン信号Ｓ１が印加されれば，データライン５２１〜５２ｎでＢデータ信号ＤＢ１〜ＤＢｎが駆動トランジスタＭ５２に提供される。このとき，発光制御信号発生回路５９０では，出力コントロール信号ＯＣとインバータ５９−２２を介して反転された出力コントロール信号ＯＣにより，伝達ゲート５９−２６を介して発光制御ライン５９１ｂでＢ発光制御信号ＥＣ＿Ｂ１を発生する。このとき，伝達ゲート５９−２３を介して接地電圧ＶｓｓがＲ発光制御信号ＥＣ＿Ｒ１〜ＥＣ＿Ｒｍとして提供されるので，Ｒ＿ＥＬ素子は駆動されない。
【００７９】
したがって，第１ゲートライン５１１に連結した画素Ｐ１１〜Ｐ１ｎのＢ＿ＥＬ素子ＥＬ＿Ｂを制御するための発光制御信号ＥＣ＿Ｂ１が順次制御手段５５０に印加されれば，薄膜トランジスタＭ５５＿Ｂがターンオンされて，Ｂデータ信号ＤＢ１〜ＤＢｎに相応する駆動電流がＢ＿ＥＬ素子で提供されて駆動される。
【００８０】
１フレームの第４サブフレーム４ＳＦで，順次制御手段５５０から発生される発光制御信号ＥＣ＿Ｒ１，ＥＣ＿Ｂ１によりＲ及びＢ＿ＥＬ素子はオフされ，Ｇ＿ＥＬ素子にはブラックデータに相応する駆動電流が流れるようにして，第４サブフレームではブラックが表示されるようにする。
【００８１】
上記のような動作を反復して，１フレームの各サブフレームごとに第ｍゲートライン５１ｍにスキャン信号が印加されれば，データライン５２１〜５２ｎで，Ｒ，Ｇ，Ｂデータ信号ＤＲ１〜ＤＲｎ，ＤＧ１〜ＤＧｎ，ＤＢ１〜ＤＢｎが順次印加され，発光制御信号発生回路５９０から発光制御ライン５９１ａ，５９１ｂ，５９１ｃを介して，第ｍゲートライン５１ｍに連結した画素Ｐｍ１〜ＰｍｎのＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を順次制御するための発光制御信号ＥＣ＿Ｒｍ，ＥＣ＿Ｇｍ，ＥＣ＿Ｂｍが順次制御手段５５０で順次発生される。これに伴い，薄膜トランジスタＭ５５＿Ｒ，Ｍ５５＿Ｇ，Ｍ５５＿Ｂが順次ターンオンされて，Ｒ，Ｇ，Ｂデータ信号ＤＲ１〜ＤＲｎ，ＤＧ１〜ＤＧｎ，ＤＢ１〜ＤＢｎに相応する駆動電流が，Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子で順次提供されて駆動される。
【００８２】
このように，１フレーム間各サブフレームでスキャン信号Ｓ１〜Ｓｍが印加される度に，各データラインにＲデータ信号ＤＲ１〜ＤＲｎ，Ｇデータ信号ＤＧ１〜ＤＧｎ，Ｂデータ信号ＤＢ１〜ＤＢｎが順次的に印加されて，画素Ｐ１１〜ＰｍｎのＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子ＥＬ＿Ｒ，ＥＬ＿Ｇ，ＥＬ＿Ｂを時分割的に順次駆動する。
【００８３】
上記出力コントロール信号ＯＣは，外部から上記発光制御信号発生回路に提供される信号であって，上記発光制御信号発生回路からＲ，Ｇ，Ｂ発光制御信号が出力されるのをコントロールするための信号である。
【００８４】
本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の駆動方法は，図１０に示されたように，１フレームを４個のサブフレームに分割し，３個のサブフレーム各々で発光制御信号発生回路５９０からＲ，Ｇ，Ｂ発光制御信号が順次発生されてＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を順次駆動し，残りのサブフレームでは前記発光制御信号発生回路５９０から発生されるＲ，Ｇ，Ｂ発光制御信号によりブラック状態となるようにＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を駆動する。
【００８５】
本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置のもう一つの駆動方法は，図７に示されたように，１フレームを４個のサブフレームに分割し，３個のサブフレーム各々で発光制御信号発生回路５９０からＲ，Ｇ，Ｂ発光制御信号が順次発生されて，Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を順次駆動し，残りのサブフレームでは前記発光制御信号発生回路５９０によりＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子の中，Ｇ＿ＥＬ素子をまた駆動するようにすることもできる。
【００８６】
本発明の有機電界発光表示装置の駆動方法は，Ｒ，Ｇ，Ｂ発光制御信号が５０％のデューティー比を有するように制御してフリッカーを減少させることができ，またはＲ，Ｇ，Ｂ発光制御信号を任意に調整してホワイトバランスを調整することもできる。
【００８７】
本発明の発光制御信号発生回路は，Ｒ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子が各サブフレームごとに順次駆動される有機電界発光表示装置に適用して説明したが，複数の発光制御信号を用いてＲ，Ｇ，Ｂ＿ＥＬ素子を駆動する有機電界発光表示装置には全て適用可能である。
【００８８】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
本発明は，有機電界発光表示装置に適用可能であり，特に発光制御信号発生回路の回路構成を単純化した有機電界発光表示装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】従来の有機電界発光表示装置の構成図である。
【図２】本発明の第１および第２実施形態に係る有機電界発光表示装置のブロック構成図である。
【図３】本発明の第１および第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の画素部の構成図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置のピクセル回路図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の発光制御信号発生回路の回路図である。
【図６】図５の発光制御信号発生回路を用いた有機電界発光表示装置の動作波形図である。
【図７】図５の発光制御信号発生回路を用いた有機電界発光表示装置のもう一つの動作波形図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置のピクセル回路図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の発光制御信号発生回路の回路図である。
【図１０】図９の発光制御信号発生回路を用いた有機電界発光表示装置の動作波形図である。
【符号の説明】
【００９１】
５００    画素部
５１１〜５１ｍ    ゲートライン
５１０    ゲートライン駆動回路
５２０    データライン駆動回路
５９０    発光制御信号発生回路
Ｐ１１〜Ｐｍｎ    画素
Ｍ５１    スイッチングトランジスタ
Ｍ５２    駆動トランジスタ
Ｃ５１    キャパシタ
Ｍ５５＿Ｒ    第１薄膜トランジスタ
Ｍ５５＿Ｇ    第２薄膜トランジスタ
Ｍ５５＿Ｂ    第３薄膜トランジスタ
ＥＬ１＿Ｒ    Ｒ＿ＥＬ素子
ＥＬ１＿Ｇ    Ｇ＿ＥＬ素子
ＥＬ１＿Ｂ    Ｂ＿ＥＬ素子
５９−１１    シフトレジスタ
５９−１２    インバータ
５９−１３    ＮＡＮＤゲート
５９−１４    ＮＡＮＤゲート
５９−２１    シフトレジスタ
５９−２２    インバータ
５９−２３    伝達ゲート
５９−２４    伝達ゲート
５９−２６    伝達ゲート
５９−２７    伝達ゲート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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