(57)【要約】【課題】  絶縁膜と導電体膜とのＣＭＰ研磨速度の差が小さな研磨液を提供し、その研磨液を用いてディッシングやエロージョンが少なく、製造工程を簡略にした半導体製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】  溶媒に、酸化セリウムからなる研磨粒子と、シリコン窒化膜の表面に皮膜を形成する第１のアミノ酸と、上記シリコン窒化膜の表面に皮膜を形成するとともに、被研磨物及び研磨時に用いられる研磨パッドの上記溶媒に対する濡れ性を改善する第２のアミノ酸と、導電性膜と反応する含窒素複素環化合物とを添加し、ｐＨを３ないし４に調整する。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶媒に、酸化セリウムからなる研磨粒子と、シリコン窒化膜の表面に皮膜を形成する第１のアミノ酸と、上記シリコン窒化膜の表面に皮膜を形成するとともに、被研磨物及び研磨時に用いられる研磨パッドの上記溶媒に対する濡れ性を改善する第２のアミノ酸と、導電性膜と反応する含窒素複素環化合物とを含有し、ｐＨを３ないし４に調整したことを特徴とする化学的機械的研磨用研磨液。
【請求項２】
上記第１のアミノ酸及び第２のアミノ酸の上記溶媒に対する含有量は、それぞれが０．１ｗｔ％以上であり、両者を合わせて１０ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１記載の化学的機械的研磨用研磨液。
【請求項３】
上記含窒素複素環化合物の上記溶媒に対する含有量は、０．１ｗｔ％以上、１．５ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１または２記載の化学的機械的研磨用研磨液。
【請求項４】
上記研磨粒子の粒子径は、５０ｎｍ以上、１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の化学的機械的研磨用研磨液。
【請求項５】
上記研磨粒子の上記溶媒に対する含有量は、０．０１ｗｔ％以上、５ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の化学的機械的研磨用研磨液。
【請求項６】
上記第１のアミノ酸がグルタミン酸であり、上記第２のアミノ酸がカプロラクタムであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の化学的機械的研磨用研磨液。
【請求項７】
半導体基板上にシリコン窒化膜で覆われた複数個のゲート電極を形成する工程、
上記複数個のゲート電極及び上記ゲート電極間のワードラインをシリコン酸化膜からなる絶縁膜中に埋め込んだ自己整合コンタクト構造を形成する工程、
上記絶縁膜に上記ワードラインを形成する全領域を含むホールまたは溝形状を形成する工程、
上記ホールまたは溝形状を含む上記自己整合コンタクト構造に導電性膜を堆積する工程、
請求項１ないし６のいずれかに記載の化学的機械的研磨用研磨液で化学的機械的研磨を行い、上記導電性膜及び絶縁膜を上記ゲート電極上部のシリコン窒化膜の表面のレベルまで除去する工程、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
半導体基板上にシリコン酸化膜からなる絶縁膜を堆積させる工程、
上記絶縁膜に複数個の溝またはコンタクトホールを形成する工程、
上記溝またはコンタクトホールを含む上記絶縁膜上に導電性膜を堆積させる工程、
請求項１ないし６のいずれかに記載の化学的機械的研磨用研磨液で化学的機械的研磨を行い、上記絶縁膜上の上記導電性膜を除去して上記溝またはコンタクトホールに上記導電性膜を埋め込んだ構造を形成する工程、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
半導体基板上にシリコン酸化膜からなる絶縁膜を堆積させる工程、
上記絶縁膜に上記半導体基板まで貫通する導電性膜形成領域を形成して複数個の絶縁膜分離領域を形成する工程、
上記導電性膜形成領域に上記シリコン基板面から上記絶縁膜分離領域の上面から突出するシリコンを選択エピタキシャル成長させる工程、
請求項１ないし６のいずれかに記載の化学的機械的研磨用研磨液で化学的機械的研磨を行い、上記絶縁膜分離領域の上面と上記エピタキシャル成長させたシリコンとの段差を平坦化する工程、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）の研磨液、及びその研磨液を用いた半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高集積化にともない、配線幅及び配線間隔の微細化が進み、絶縁膜にコンタクトホールを形成するための写真工程における整合余裕度を増すため、自己整合コンタクト（ＳＡＣ）構造が用いられるようになった。
【０００３】
ＳＡＣ構造を形成するプロセスにおいては、ゲート電極上のシリコン窒化膜からなるハードマスクと、シリコン窒化膜からなるサイドウォールとを覆うシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜上にレジストを塗布し、写真製版によってレジストパターンをワードラインパターン間の所定領域に形成して層間絶縁膜を異方性エッチングして層間絶縁膜を貫通して、ゲート電極上部にいたるホールを形成する。この際、ホール径の大きいものとホール径の小さいものとがある。
【０００４】
ホールを形成した後、さらに、ホール内を埋めるように導電体膜を成膜し、導電体膜を等方性エッチングによって層間絶縁膜上面よりリセスさせ、層間絶縁膜と導電成膜との段差を平坦化するためにＣＭＰを行う。
【０００５】
また、電極間における配線または接続配線を形成する場合は、層間絶縁膜に配線溝またはコンタクトホールを形成し、配線溝またはコンタクトホールに導電体膜を埋込み、導電体膜をＣＭＰによって平坦化する。
【０００６】
また、リバーストレンチ工程においては、シリコン基板上にシリコン酸化膜からなる絶縁膜を形成し、絶縁膜上に写真製版によってレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてエッチングし、絶縁膜にシリコン基板まで貫通する領域を形成し、この領域にシリコン基板面からシリコンを選択エピタキシャル成長させた後、選択エピタキシャル成長させたシリコンをＣＭＰによって平坦化する。
【０００７】
ＣＭＰによる平坦化においては、絶縁酸化膜と金属膜等の導電性膜とのエッチング速度及び研磨速度の違いにより、ディッシングやエロージョンが問題となり、この問題を解決するために、例えば、絶縁酸化膜に埋込み配線を形成するための研磨液が種々提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−１３３６２１号公報（第３−５頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記のように、ＳＡＣ構造を形成するプロセスにおいては、ホール径の大きいものとホール径の小さいものとがあり、小さいホール径のエッチングエネルギーは大きいホール径のエッチングエネルギーに比べて大きくなるため、小さいホール径ではゲート電極の絶縁酸化膜膜であるハードマスク及びサイドウォールがエッチングされてしまうという問題があった。
【００１０】
また、ホールの形成、導電膜の形成、導電膜のリセス工程というように多くの工程を必要とするという問題があった。
【００１１】
また、電極間の配線または接続配線の形成においては、層間絶縁膜（絶縁酸化膜）と導電体膜とのＣＭＰ研磨速度が異なるため、それぞれの膜を同時に研磨できないという問題や、ディッシングやエロージョンが配線あるいは接続配線のパターンに依存して大きく変化し、配線高さが変化して抵抗値がばらつく、あるいは下地の溝段差に依存して導電体膜が残り、配線間がショートするといった問題があった。
【００１２】
また、リバーストレンチ工程においては、絶縁酸化膜と導電体であるシリコンとのＣＭＰ研磨速度が異なるために、ディッシングやエロージョンが導電体のパターンに依存して大きく変化し、絶縁酸化膜の高さがばらつくという問題があった。
【００１３】
この発明は、上記のような問題を解決するものであり、絶縁酸化膜膜と導電体膜とのＣＭＰ研磨速度の差が小さな研磨液を提供し、その研磨液を用いてディッシングやエロージョンが少なく、製造工程を簡略にした半導体製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る化学的機械的研磨用研磨液は、溶媒に、酸化セリウムからなる研磨粒子と、シリコン窒化膜の表面に皮膜を形成する第１のアミノ酸と、上記シリコン窒化膜の表面に皮膜を形成するとともに、被研磨物及び研磨時に用いられる研磨パッドの上記溶媒に対する濡れ性を改善する第２のアミノ酸と、導電性膜と反応する含窒素複素環化合物とを含有し、ｐＨを３ないし４に調整したものである。
【００１５】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上にシリコン窒化膜で覆われた複数個のゲート電極を形成する工程、
上記複数個のゲート電極及び上記ゲート電極間のワードラインをシリコン酸化膜からなる絶縁膜中に埋め込んだ自己整合コンタクト構造を形成する工程、
上記絶縁膜に上記ワードラインを形成する全領域を含むホールまたは溝形状を形成する工程、
上記ホールまたは溝形状を含む上記自己整合コンタクト構造に導電性膜を堆積する工程、
本発明に係る化学的機械的研磨用研磨液で化学的機械的研磨を行い、上記導電性膜及び絶縁膜を上記ゲート電極上部のシリコン窒化膜の表面のレベルまで除去する工程、
を備えたものである。
【００１６】
また、半導体基板上にシリコン酸化膜からなる絶縁膜を堆積させる工程、
上記絶縁膜に複数個の溝またはコンタクトホールを形成する工程、
上記溝またはコンタクトホールを含む上記絶縁膜上に導電性膜を堆積させる工程、
本発明に係る化学的機械的研磨用研磨液で化学的機械的研磨用研磨液で化学的機械的研磨を行い、上記絶縁膜上の上記導電性膜を除去して上記溝またはコンタクトホールに上記導電性膜を埋め込んだ構造を形成する工程、
を備えたものである。
【００１７】
また、半導体基板上にシリコン酸化膜からなる絶縁膜を堆積させる工程、
上記絶縁膜に上記半導体基板まで貫通する導電性膜形成領域を形成して複数個の絶縁膜分離領域を形成する工程、
上記導電性膜形成領域に上記シリコン基板面から上記絶縁膜分離領域の上面から突出するシリコンを選択エピタキシャル成長させる工程、
本発明に係る化学的機械的研磨用研磨液で化学的機械的研磨を行い、上記絶縁膜分離領域の上面と上記エピタキシャル成長させたシリコンとの段差を平坦化する工程、
を備えたものである。
【発明の効果】
【００１８】
上記本発明に係る化学的機械的研磨用研磨液によれば、ディッシング及びエロージョンが低減される。
【００１９】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、ディッシング及びエロージョンが低減されるとともに、製造工程が簡略化される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、図面に基づき、この発明の実施の形態を説明する。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１における自己整合コンタクト（ＳＡＣ）構造の製造プロセスを示す断面図である。
【００２１】
図１（ａ）までの図示していない工程について説明する。
まず、シリコン基板１に多結晶シリコン膜とバリアメタル膜とタングステン（Ｗ）膜を順に成膜して、Ｗ膜上にシリコン窒化膜を成膜する。
【００２２】
次に、シリコン窒化膜上にレジストを塗布し、写真製版でレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてシリコン窒化膜をエッチングしてシリコン窒化膜からなるハードマスク５ｃを形成する。
【００２３】
次に、ハードマスク５ｃをマスクとしたドライエッチングにより、多結晶シリコン膜、バリアメタル膜及びＷ膜をパターニングして、多結晶シリコン膜２、バリアメタル膜３及びＷ膜４からなるゲート電極８を形成する。
【００２４】
次に、ゲート電極８を覆うようにシリコン窒化膜を堆積させ、異方性ドライエッチングを行ってシリコン窒化膜からなるサイドウォール５ｂを形成する。
【００２５】
次に、サイドウォール５ｂを形成したゲート電極８を覆うようにシリコン窒化膜からなる絶縁膜５ａを堆積させ、ハードマスク５ｃの膜厚と絶縁膜５ａの膜厚とを合わせた膜厚を１００〜２００ｎｍとする。
【００２６】
次に、シリコン基板１上にシリコン酸化膜からなる絶縁膜６を堆積することにより、図１（ａ）に示した構造が得られる。
【００２７】
次に、図１（ａ）に示したように、ワードラインを形成する全領域を含むように開口部を有するレジストパターン７を形成し、次に、レジストパターン７をマスクとして絶縁膜６及び絶縁膜５ａを異方性エッチングして、図１（ｂ）に示したように、シリコン基板１上面まで貫通するコンタクトバーあるいはコンタクトラインを形成する。
【００２８】
このように、コンタクトバーあるいはコンタクトラインを形成する異方性エッチングを行うことによってエッチングエネルギーを分散させ、各ゲート電極８部及びその間でエッチングエネルギーを均一にすることによって、ハードマスク５ｃ及びサイドウォール５ｂがエッチングされないようにすることができる。
【００２９】
次に、図１（ｃ）に示したように、バーあるいはライン構造のコンタクト形成領域９に導電性膜１０を堆積する。
【００３０】
次に、図１（ｄ）に示したように、ＣＭＰで研磨して、ゲート電極８上部のハードマスク５ｃの上面まで、導電性膜１０及び絶縁膜６を除去する。
【００３１】
ハードマスク５ｃの上面で研磨を止める手段としては、ハードマスク５ｃが露出することによって研磨抵抗が変わることを利用し、図２に示したように、研磨装置のモータトルク電流値によりエンドポイント検出を行い、自動停止させる。
【００３２】
ＣＭＰに用いる研磨液は、純水等の溶媒に粒子形が５０ｎｍ以上、１．０μｍ以下の酸化セリウム等からなる研磨粒子を０．０１〜５．０ｗｔ％添加し、分散させている。また、第１のアミノ酸として、例えば、グルタミン酸を０．１ｗｔ％以上添加し、第２のアミノ酸として、例えば、カプロラクタムを０．１ｗｔ％以上添加し、第１のアミノ酸と第２のアミノ酸の合計が１０ｗｔ％以下となるようにしている。また、含窒素複素環化合物として、例えば、ピペラゾジリン０．１ｗｔ％以上、１．５ｗｔ％以下添加し、ｐＨを３〜４に調整している。
【００３３】
第１のアミノ酸として、グルタミン酸の他に酸性アミノ酸で鎖式化合物を用いることができ、第２のアミノ酸として、カプロラクタムの他にアミノ酸化合物を用いることができる。
【００３４】
この研磨液を用いることによって、ポリシリコン、ドープドポリシリコン等からなる導電性膜１０と、ＨＤＰ膜、ＢＰＳＧ膜等からなる絶縁膜６とを同時に研磨して、導電性膜１０及び絶縁膜６それぞれを低ディッシングに研磨することができる。
【００３５】
図３は、研磨液中のアミノ酸濃度と研磨速度との関係を示す図であり、純水に平均粒径が０．１μｍの酸化セリウムを０．１ｗｔ％添加して分散させ、グルタミン酸及びアミノカプロン酸を同量添加し、ピペラゾジリン０．５ｗｔ％添加し、ｐＨを３〜４に調整した場合を示している。
【００３６】
第１のアミノ酸及び第２のアミノ酸は、研磨粒子の分散性を高め、図３に示したように、０．１ｗｔ％以上、１０ｗｔ％以下の範囲で研磨時にシリコン窒化膜ハードマスク５ｃの研磨速度を小さくする。
【００３７】
図４は、研磨液中の含窒素複素環化合物濃度と研磨速度との関係を示す図であり、純水に平均粒径が０．１μｍの酸化セリウムを０．１ｗｔ％添加して分散させ、グルタミン酸及びカプロラクタムを１ｗｔ％ずつ添加し、ピペラゾジリンを添加し、ｐＨを３〜４に調整した場合を示している。
【００３８】
図４に示したように、含窒素複素環化合物は、０．１ｗｔ％以上、１．５ｗｔ％以下の範囲で導電性膜１０の研磨速度を改善する。
【００３９】
また、酸化セリウムの研磨粒子の粒子径は、５０ｎｍより小さい場合は十分な研磨速度が得られず、１．０μｍを越えるとマイクロスクラッチが多発するので、５０ｎｍ以上、１．０μｍとしている。
【００４０】
また、酸化セリウムの研磨粒子の濃度は、０．１ｗｔ％より少ない場合は十分な研磨速度が得られず、５．０ｗｔ％を越えると研磨粒子の凝集によるスクラッチが顕著になるので、０．１ｗｔ％以上、５．０ｗｔ％以下としている。
【００４１】
研磨条件は、研磨機が片面化学的機械的研磨用装置（荏原社製  型名：ＥＰＯ２２２Ｄ）、研磨パッドが発泡ポリウレタン製の積層研磨パッド（ロデールニッタ製  型名：ＩＣ１０００／Ｓｕｂａ４００）、研磨液供給量が２００ｃｃ／ｍｉｎ、研磨加圧力が３５０ｈＰａ、定盤回転数が３０ｒｐｍ、キャリア回転数が３１ｒｐｍである。
【００４２】
この研磨条件で、検出時間１５０ｓｅｃの５０％過研磨で、終点時間を２２０ｓｅｃとした研磨によってシリコン基板１上の不要な絶縁膜６及び導電性膜１０を除去することができた。また、ディッシングについても、サイドウォール５ｂ及びハードマスク５ｃを含むゲート電極８部間の幅６０ｎｍ、コンタクトバーあるいはコンタクトラインの占有率が３３％の場合に、０〜３ｎｍであった。
比較のために、同研磨条件で、従来の研磨液を用いた場合には、ディッシングは２５ｎｍであった。
【００４３】
以上のように、本実施の形態の研磨液を用いることによって、ディッシングを抑制できる。
【００４４】
この特性は、第１のアミノ酸は、研磨粒子の分散性を高め、研磨時にハードマスク５ｃの表面に高緻密性の表面保護膜を形成して、シリコン窒化膜の研磨速度を小さくし、第２のアミノ酸は、研磨粒子の分散性を高め、また、ハードマスク５ｃの表面に形成された表面保護膜の緻密性を高め、かつ、被研磨物及び研磨時に用いる研磨パッド表面の研磨液に対する濡れ性を高め、含窒素複素環化合物は、導電性膜１０と反応して研磨速度を改善し、第２のアミノ酸の濡れ性改善と相俟って、絶縁膜６の研磨速度を絶縁膜６の研磨速度に近くするためであると推察される。
【００４５】
また、本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、ワードラインを形成する全領域を含むコンタクトバーあるいはコンタクトラインを形成し、このコンタクトバーあるいはコンタクトラインに導電性膜１０を堆積し、ハードマスク５ｃ上面まで導電性膜１０をＣＭＰによって平坦化することによって、ワードライン形成工程を簡略化することができる。
【００４６】
実施の形態２．
図５は、本発明の実施の形態２における電極間の配線または接続配線を形成する製造プロセスを示す断面図である。
【００４７】
図５（ａ）に示したように、シリコン基板１上のＨＤＰ、あるいはＢＰ−ＴＥＯＳ等からなる厚さ５００ｎｍ程度の絶縁膜６に形成されたコンタクトホールまたは配線形成領域１１に導電性膜１０を堆積させる。
【００４８】
次に、図５（ｂ）に示したように、絶縁膜６上の導電性膜１０を、ＣＭＰによって研磨して除去する。
【００４９】
研磨液は、上記実施の形態１と同一のものを用い、研磨条件は、上記実施の形態１と同様であり、研磨機が片面化学的機械的研磨用装置（荏原社製  型名：ＥＰＯ２２２Ｄ）、研磨パッドが発泡ポリウレタン製の積層研磨パッド（ロデールニッタ製  型名：ＩＣ１０００／Ｓｕｂａ４００）、研磨液供給量が２００ｃｃ／ｍｉｎ、研磨加圧力が３５０ｈＰａ、定盤回転数が３０ｒｐｍ、キャリア回転数が３１ｒｐｍである。
【００５０】
この研磨条件で、モータトルク電流方式の終点検出装置を用いて、検出時間１８ｓｅｃの３０％過研磨で、終点時間を２４ｓｅｃとした研磨によって絶縁膜６上の導電性膜１０を除去することができた。また、ディッシングやエロージョンは、コンタクトホールまたは配線溝９の形状がトップ径または幅で６０ｎｍ程度であり、サイドウォール５ｂ及びハードマスク５ｃを含むゲート電極８部間の幅６０ｎｍ、コンタクトホールまたは配線溝９の占有率が３０％の場合に、５〜２０ｎｍであった。
比較のために、同研磨条件で、従来の研磨液を用いた場合には、ディッシング及びエロージョンは６０〜９０ｎｍであった。
【００５１】
本実施の形態においては、導電性膜１０とともに絶縁膜６も研磨し、下地の段差の表面形状の依存性を緩和して平坦化することによって、低ディッシングや低エロージョンが得られたものである。
【００５２】
また、このような特性は、研磨液中の第２のアミノ酸による濡れ性の改善及び含窒素複素環化合物の導電性膜１０への反応によって導電性膜１０の研磨速度が改善され、絶縁膜６の研磨速度に近くなったためと推察される。
【００５３】
実施の形態３．
図６は、本発明の実施の形態３におけるリバーストレンチの製造工程を示す断面図である。
【００５４】
図６（ａ）に示したように、シリコン基板１上に堆積されたＨＤＰ、あるいはＢＰ−ＴＥＯＳ等からなる厚さ３００〜４００ｎｍ程度の絶縁膜をパターニングして絶縁酸化膜分離領域１２及び導電性膜形成領域１３を形成する。
【００５５】
次に、図６（ｂ）に示したように、導電性膜形成領域１３にシリコンエピタキシャル膜を選択成長させ、シリコンエピタキシャル膜からなる導電性膜１４を絶縁酸化膜分離領域１２の上面から５００〜６００ｎｍ突き出すように形成する。
【００５６】
次に、絶縁酸化膜分離領域１２間の導電性膜形成領域１３に埋め込んだ導電性膜１４と絶縁酸化膜分離領域１２との段差をＣＭＰによって平坦化する。
【００５７】
研磨液は、上記実施の形態１と同一のものを用い、研磨条件は、上記実施の形態１と同様であり、研磨機が片面化学的機械的研磨用装置（荏原社製  型名：ＥＰＯ２２２Ｄ）、研磨パッドが発泡ポリウレタン製の積層研磨パッド（ロデールニッタ製  型名：ＩＣ１０００／Ｓｕｂａ４００）、研磨液供給量が２００ｃｃ／ｍｉｎ、研磨加圧力が３５０ｈＰａ、定盤回転数が３０ｒｐｍ、キャリア回転数が３１ｒｐｍである。
【００５８】
この研磨条件で、モータトルク電流方式の終点検出装置を用いて、検出時間１３０ｓｅｃの３０％過研磨で、終点時間を１７５ｓｅｃとした研磨によってシリコン酸化膜からなる絶縁酸化膜分離領域９と導電性膜１０との段差を平坦化することができた。また、ディッシングやエロージョンは、導電性膜形成領域１１が２０〜８０％程度の場合に、５０〜８０ｎｍであった。
比較のために、同研磨条件で、従来の研磨液を用いた場合には、ディッシング及びエロージョンは１００〜１５０ｎｍであった。
【００５９】
このように、本実施の形態において、ディッシング及びエロージョンが低減されたのは、研磨液中の第２のアミノ酸による濡れ性の改善及び含窒素複素環化合物の導電性膜１４への反応によって導電性膜１４の研磨速度が改善され、絶縁膜６の研磨速度に近くなったためと推察される。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施の形態１における自己整合コンタクト（ＳＡＣ）構造の製造プロセスを示す断面図である。
【図２】研磨装置のエンドポイント検出器におけるモータトルク電流値変化を示す図である。
【図３】研磨液中のアミノ酸濃度と研磨速度との関係を示す図である。
【図４】研磨液中の含窒素複素環化合物濃度と研磨速度との関係を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態２における電極間の配線または接続配線を形成する製造プロセスを示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態３におけるリバーストレンチの製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  シリコン基板、２  多結晶シリコン膜、３  バリアメタル、４  Ｗ膜、
５ａ  絶縁膜（シリコン窒化膜）、５ｂ  サイドウォール（シリコン窒化膜）、
５ｃ  ハードマスク（シリコン窒化膜）、６  絶縁膜（シリコン酸化膜）、
７  レジストパターン、８  ゲート電極、
９  バーあるいはライン構造のコンタクト形成領域、１０  導電性膜、
１１  配線形成領域、１２  絶縁酸化膜分離領域、１３  導電性膜形成領域、
１４  導電性膜（シリコンエピタキシャル膜）。
【図１】
2005129813.tif 000002
【図２】
2005129813.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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