(57)【要約】【課題】全体面積を拡大することなく高周波帯域で十分なノイズ除去効果が得られるプリント回路基板を提供すること。【解決手段】本発明のプリント回路基板は、絶縁性基板表面上にフェライト層が設けられた上で金属材料によって電子配線がパターニングされて成り、フェライト層は長軸ａが０．０１〜５０μｍの範囲、短軸ｂが０．０１〜１μｍの範囲の柱状結晶から成り、且つ柱状結晶の長軸ａ及び短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００の範囲にあるもので、周波数（ＧＨｚ）に対する透磁率μ（実数部μ′の特性がＣ１，虚数部μ″の特性がＣ２）の測定結果からは、フェライト層を持たない比較例に係る透磁率μ（実数部μ′の特性がＣ３，虚数部μ″の特性がＣ４）と比べ、実数部μ′が高周波帯域側にあり、虚数部μ″が数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの範囲で高い値を示し、高周波帯域で良好なノイズ吸収効果を示すことが判る。【選択図】図５
2005129766.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板表面上に金属材料によって電子配線がパターニングされて成るプリント回路基板において、前記絶縁性基板表面上には予めフェライト層が設けられた上で前記金属材料によって前記電子配線がパターニングされており、更に、前記フェライト層は、長軸ａが０．０１〜５０μｍの範囲、短軸ｂが０．０１〜１μｍの範囲の柱状結晶から成り、且つ該柱状結晶における該長軸ａ及び該短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００の範囲にあることを特徴とするプリント回路基板。
【請求項２】
請求項１記載のプリント回路基板において、前記フェライト層は、任意の形状でパターニングされていることを特徴とするプリント回路基板。
【請求項３】
請求項１又は２記載のプリント回路基板において、前記絶縁性基板は、樹脂製，ガラスエポキシ製，有機化合物製の何れか一つであることを特徴とするプリント回路基板。
【請求項４】
絶縁性基板表面上に金属材料により電子配線をパターニングする配線工程を含むプリント回路基板の製造方法において、前記絶縁性基板表面上に前記電子配線をパターニングするに先立って、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を前記絶縁性基板表面上に接触させる液接触工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を前記絶縁性基板表面上に接触させて前記反応液を接触させた該絶縁性基板表面上でフェライトメッキ法によりフェライト薄膜を形成する膜形成工程と、前記反応液及び前記酸化液のうちから前記フェライト薄膜の形成に寄与しない残分を前記絶縁性基板表面上から除去する除去工程とを含み、更に、前記液接触工程，前記膜形成工程，及び前記膜形成工程を繰り返すことにより、前記絶縁性基板表面上に長軸ａが０．０１〜５０μｍの範囲、短軸ｂが０．０１〜１μｍの範囲の柱状結晶から成り、且つ該柱状結晶における該長軸ａ及び該短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００の範囲にある前記フェライト薄膜の積層によるフェライト層を形成するフェライト層形成工程を経て該フェライト層上に前記配線工程により前記電子配線をパターニングしてプリント回路基板を作製することを特徴とするプリント回路基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載のプリント回路基板の製造方法において、前記フェライトメッキ法は、前記絶縁性基板表面上でフェライト結晶化反応を生じさせるものであることを特徴とするプリント回路基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５又は６記載のプリント回路基板の製造方法において、前記フェライト層形成工程では、前記絶縁性基板表面上に前記フェライト層を任意の形状でパターニングすることを特徴とするプリント回路基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載のプリント回路基板の製造方法において、前記フェライト層形成工程では、前記フェライト層が形成される箇所を局部的に加熱することを特徴とするプリント回路基板の製造方法。
【請求項８】
請求項４〜７の何れか一つに記載のプリント回路基板の製造方法において、前記液接触工程では、予め前記絶縁性基板表面上に水酸基を付与していることを特徴とするプリント回路基板の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載のプリント回路基板の製造方法において、前記水酸基は、プラズマ処理によって前記絶縁性基板表面上に付与されたことを特徴とするプリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として高周波帯域における不要な電磁干渉によって生じる電磁ノイズ障害を抑制するためのフェライト膜を備えて成るプリント回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種電子機器のデジタル化や高周波化に伴い、電子機器から放射されるノイズやこうしたノイズによって電子機器内で生じる誤動作等が問題になっている。
【０００３】
そこで、このような信号に混在するノイズを除去するため、ケーブル等の分野では、例えば基板上にノイズ除去のためのノイズ対策部品として、インピーダンス素子やローパスフィルタを搭載した構成のもの（特許文献１参照）が知られている。
【特許文献１】特開昭５６−１０７４８０号公報（第１図及びその説明部分）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した特許文献１に係る基板に搭載される構成のノイズ対策部品（インピーダンス素子，ローパスフィルタ等）の場合、基板側においてはノイズ対策部品の搭載分だけ全体面積を拡大する必要があるが、こうした構成であれば昨今の小型化や軽量化が要求されるプリント回路基板にとっては障害となるばかりでなく、コスト高も招くという問題があり、昨今のプリント回路基板への適用が困難であるという問題がある。
【０００５】
本発明は、このような問題点を解決すべくなされたもので、その技術的課題は、全体面積を拡大することなく高周波帯域で十分なノイズ除去効果が得られるプリント回路基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、絶縁性基板表面上に金属材料によって電子配線がパターニングされて成るプリント回路基板において、絶縁性基板表面上には予めフェライト層が設けられた上で金属材料によって電子配線がパターニングされており、更に、フェライト層は、長軸ａが０．０１〜５０μｍの範囲、短軸ｂが０．０１〜１μｍの範囲の柱状結晶から成り、且つ該柱状結晶における該長軸ａ及び該短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００の範囲にあるプリント回路基板が得られる。
【０００７】
又、本発明によれば、上記プリント回路基板において、フェライト層は、任意の形状でパターニングされているプリント回路基板が得られる。
【０００８】
更に、本発明によれば、上記何れかのプリント回路基板において、絶縁性基板は、樹脂製，ガラスエポキシ製，有機化合物製の何れか一つであるプリント回路基板が得られる。
【０００９】
一方、本発明によれば、絶縁性基板表面上に金属材料により電子配線をパターニングする配線工程を含むプリント回路基板の製造方法において、絶縁性基板表面上に電子配線をパターニングするに先立って、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を絶縁性基板表面上に接触させる液接触工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を絶縁性基板表面上に接触させて反応液を接触させた該絶縁性基板表面上でフェライトメッキ法によりフェライト薄膜を形成する膜形成工程と、反応液及び酸化液のうちからフェライト薄膜の形成に寄与しない残分を絶縁性基板表面上から除去する除去工程とを含み、更に、液接触工程，膜形成工程，及び膜形成工程を繰り返すことにより、絶縁性基板表面上に長軸ａが０．０１〜５０μｍの範囲、短軸ｂが０．０１〜１μｍの範囲の柱状結晶から成り、且つ該柱状結晶における該長軸ａ及び該短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００の範囲にあるフェライト薄膜の積層によるフェライト層を形成するフェライト層形成工程を経て該フェライト層上に配線工程により電子配線をパターニングしてプリント回路基板を作製するプリント回路基板の製造方法が得られる。
【００１０】
又、本発明によれば、上記プリント回路基板の製造方法において、フェライトメッキ法は、絶縁性基板表面上でフェライト結晶化反応を生じさせるものであるプリント回路基板の製造方法が得られる。
【００１１】
更に、本発明によれば、上記何れかのプリント回路基板の製造方法において、フェライト層形成工程では、絶縁性基板表面上にフェライト層を任意の形状でパターニングするプリント回路基板の製造方法が得られる。
【００１２】
加えて、本発明によれば、上記プリント回路基板の製造方法において、フェライト層形成工程では、フェライト層が形成される箇所を局部的に加熱するプリント回路基板の製造方法が得られる。
【００１３】
他方、本発明によれば、上記何れか一つのプリント回路基板の製造方法において、液接触工程では、予め絶縁性基板表面上に水酸基を付与しているプリント回路基板の製造方法が得られる。
【００１４】
又、本発明によれば、上記プリント回路基板の製造方法において、水酸基は、プラズマ処理によって絶縁性基板表面上に付与されたプリント回路基板の製造方法が得られる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のプリント回路基板の場合、絶縁性基板表面上に長軸ａが０．０１〜５０μｍの範囲、短軸ｂが０．０１〜１μｍの範囲にあり、且つ長軸ａ及び短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００の範囲にある柱状結晶から成るフェライト層を形成した後、金属材料により電子配線をパターニングするようにして作製されるため、小型化・軽量化された構成で数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの範囲の高周波帯域での良好なノイズ吸収効果（電磁干渉抑制効果）を示すものとなる。又、このフェライト層は、絶縁性基板表面上にフェライトメッキ法により容易に形成することができ、プリント回路基板の作製（製造）が容易であるため、工業上における利用価値が極めて大きく、昨今の高周波帯域で使用される用途でも全体面積を拡大することなく十分なノイズ除去効果が得られるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明者等は種々検討の結果、フェライトメッキ法により作製されたフェライト薄膜を絶縁性基板表面上に積層してフェライト層を形成し、更に金属材料によって電子配線をパターニングしてプリント回路基板を作製すれば、昨今の高周波帯域で使用される用途でも全体面積を拡大することなく十分なノイズ除去効果が得られることを見い出した。このフェライトメッキ法とは、例えば特許第１４７５８９１号に示されているように、固体表面に金属イオンとして少なくとも第一鉄イオンを含む水溶液を接触させ、固体表面にＦｅ２＋又はこれと他の水酸化金属イオンを吸着させ、続いて吸着したＦｅ２＋を酸化させてＦｅ３＋を得ておけば、このＦｅ３＋が水溶液中の水酸化金属イオンとの間でフェライト結晶化反応を起こして固体表面にフェライト膜を形成するというものである。
【００１７】
特に本発明者等は、種々検討の結果、上述したフェライト層を備えたプリント回路基板を製造する場合、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を絶縁性基板表面上に接触させる液接触工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を絶縁性基板表面上に接触させて反応液を接触させた絶縁性基板表面上でフェライトメッキ法によりフェライト薄膜を形成する膜形成工程と、反応液及び酸化液のうちからフェライト薄膜の形成に寄与しない残分を絶縁性基板表面上から除去する除去工程とを繰り返せば、絶縁性基板表面上に長軸ａが０．０１〜５０μｍの範囲、短軸ｂが０．０１〜１μｍの範囲の柱状結晶から成り、且つ柱状結晶における長軸ａ及び短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００の範囲にあるフェライト薄膜の積層によるフェライト層を形成するためのフェライト層形成工程とすることができ、このフェライト層形成工程を経た後に配線工程により電子配線をパターニングしてプリント回路基板を作製すれば、小型化、軽量化された構成で数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの範囲の高周波帯域での良好なノイズ吸収効果（電磁干渉抑制効果）を示すことを見い出した。尚、フェライトメッキ法は、絶縁性基板表面上でフェライト結晶化反応を生じさせるものであれば良く、液接触工程では予め絶縁性基板表面上にプラズマ処理によって水酸基を付与しておくことが好ましい。又、フェライト層形成工程では、絶縁性基板表面上にフェライト層を任意の形状でパターニングすれば良く、フェライト層が形成される箇所を局部的に加熱することも好ましい。
【００１８】
即ち、このようなフェライトメッキ法を適用したプリント回路基板の製造方法で得られたプリント回路基板の場合、そのフェライト層は、透磁率μの虚数部μ″の周波数特性が数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚにまで及ぶ高い値を維持し、高周波帯域での損失を増大させ、不要な高周波ノイズを除去することが可能となり、結果として全体面積を拡大することなく高周波帯域で良好なノイズ除去効果（電磁干渉抑制効果）を示すものとなる。
【００１９】
因みに、このようなフェライト層は、フェライト薄膜を積層形成しようとする絶縁性基板が上述した水溶液に対して耐性があれば何でも良い。絶縁性基板は、汎用的な樹脂製の他、ガラスエポキシ製等の樹脂を含んだ複合材製や有機化合物製でも良い。又、水溶液を介した反応であるため、温度が比較的低温（常温〜水溶液の沸点以下）でスピネル型フェライト薄膜を形成できるという特徴があるため、他のフェライト膜の作製技術と比べて固体の限定範囲を小さくできる。このことは、即ち、フェライト薄層を積層形成する絶縁性基板が上述したような有機化合物シート等の耐熱温度が比較的低い物質でも良いことを示している。
【００２０】
ところで、本発明のプリント回路基板を製造するためのフェライトメッキ法を導入したメッキ装置としては、幾つかのものが挙げられるが、図１はその一例を示す概略構成図である。
【００２１】
このメッキ装置は、メッキに必要な溶液を貯蔵したタンク５，６（メッキ工程における反応液，酸化液の除去を効率良く行うために必要な溶液は幾つかに分けて準備する方が良く、ここではメッキに必要な溶液を二つに分けて貯蔵している）に対し、第１の配管における一端側がタンク５に接続され、且つその他端側には液噴出用のノズル３が接続され、第３の配管における一端側がタンク６に接続され、且つその他端側には液噴出用のノズル１が接続される以外、第２の配管における一端側がメッキに必要な反応液，酸化液を除去するためのガス導入口７となり、且つその他端側にはガス噴出用のノズル２が接続されており、更に、フェライト膜を形成するための樹脂製等の絶縁性基板４の一表面側近傍に対し、各配管の鉛直方向に延びたそれぞれの他端側でノズル１，３の間にノズル２が挟まれるように配置されている。
【００２２】
このメッキ装置では、タンク５，６に貯蔵された溶液がノズル３，１を介して絶縁性基板４に供給されると共に、ガス導入口７から供給されたガスがノズル２を介して絶縁性基板４に供給される。但し、ここでは例えばノズル１を介して絶縁性基板４に溶液が供給された後、ノズル２を介してガスを絶縁性基板４に供給することでノズル１を介して供給された溶液を除去したり、或いはノズル３を介して絶絶縁性基板４に溶液が供給された後、ノズル２を介してガスを絶縁性基板４に供給することでノズル３を介して供給された溶液を除去するような工程を繰り返す。
【００２３】
図２は、本発明のプリント回路基板を製造するためのフェライトメッキ法を導入したメッキ装置の他例を示した概略構成図である。
【００２４】
このメッキ装置の場合も、基本構成は図１に示したものと同様であるが、この装置では、図１に示した装置と比べ、フェライト膜を形成するための樹脂製等の絶縁性基板４の一表面側近傍に対し、各配管の水平方向に延びたそれぞれの他端側でノズル１，３の間にノズル２が挟まれるように配置されている点が相違している。因みに、このメッキ装置においても、溶液の供給，除去は図１の装置で説明した場合と同様に行われる。
【００２５】
尚、図１，図２に示したメッキ装置は、溶液やガスが供給される各ノズル１〜３が絶縁性基板４の一表面に対して約９０度，ほぼ並行を成す角度である例を示したが、絶縁性基板４の一表面に対する各ノズル１〜３が成す角度は０〜１８０度の範囲で何れを選択しても構わない。
【００２６】
以下は、本発明及び比較例のプリント回路基板について、その製造方法も合わせて幾つかの実施例を挙げて具体的に説明する。
【実施例１】
【００２７】
実施例１では、純水１リットルに対してＦｅＣｌ２・４Ｈ２Ｏを３．３ｇ、ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏを１．２５ｇ、ＺｎＣｌ２を０．０２５ｇそれぞれ溶解した反応液を作製した。又、別の溶液として、純水１リットルに対してＮａＮＯ２を０．３ｇ、ＣＨ３ＣＯＯＮＨ４を５ｇ溶解した酸化液を作製した。
【００２８】
そこで、これらの溶液を使用し、図１に示したメッキ装置（図２に示したメッキ装置でも良い）を用いてフェライトメッキ法によりガラスエポキシ基板８の一表面に対してフェライト薄膜を積層形成することでフェライト層１０を形成し、実施例１に係るプリント回路基板を作製した。
【００２９】
このプリント回路基板の作製は、図３に示されるようなフローチャートの手順に従って行った。先ず予め厚さ１．６ｍｍ、縦×横が８０ｍｍ角のガラスエポキシ基板８の表面にプラズマ処理によって水酸（ＯＨ）基を形成しておき、反応液，酸化液の流量を３０ミリリットル／分に調整した後、フェライト薄膜を形成するガラスエポキシ基板８の温度をヒータ９を用いて９０℃に調節し、メッキ装置においては窒素ガスを１．５リットル／分で供給して非酸化性雰囲気を得た。
【００３０】
次に、こうした条件下でガラスエポキシ基板８の一表面上に反応液を０．５秒供給した後、不活性ガスを供給して反応液を除去し、酸化液を０．５秒供給した後、不活性ガスを供給して酸化液を除去することを１サイクルとし、このサイクルを総計５０００サイクル分、繰り返すようにしてガラスエポキシ基板８の一表面上にシート状のフェライト薄膜を積層して成るフェライト層１０を設けた。ここでのフェライト層１０は、厚さが３μｍ、柱状結晶の長軸ａが３μｍ、短軸ｂは０．０５μｍであり、長軸ａ及び短軸ｂの比ａ／ｂが６０であった。尚、ここでのフェライト膜１０についての厚さ、長軸ａ、短軸ｂ、長軸ａ及び短軸ｂの比ａ／ｂはサイクル数に応じて任意に変化させることが可能である。
【００３１】
更に、ガラスエポキシ基板８上のフェライト層１０の表面のほぼ中央部分に幅約３ｍｍの中心導体１１を全長８０ｍｍとなるように蒸着法により形成し、且つ裏面をグラウンド導体を成すようにし、特性インピーダンスを５０Ωとして実施例１に係るプリント回路基板を作製した。
【実施例２】
【００３２】
実施例２では、純水１リットルに対してＦｅＣｌ２・４Ｈ２Ｏを３．３ｇ、ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏを１．２５ｇ、ＺｎＣｌ２を０．０２５ｇそれぞれ溶解した反応液を作製した。又、別の溶液として、純水１リットルに対してＮａＮＯ２を０．３ｇ、ＣＨ３ＣＯＯＮＨ４を５ｇ溶解した酸化液を作製した。
【００３３】
そこで、これらの溶液を用いて、図１に示したメッキ装置（図２に示したメッキ装置でも良い）を用いてフェライトメッキ法によりガラスエポキシ基板８の一表面に対してフェライト薄膜を積層形成することでフェライト層１４を形成し、実施例２に係るプリント回路基板を作製した。
【００３４】
このプリント回路基板の作製は、図４に示されるようなフローチャートの手順に従って行った。先ず予め厚さ１．６ｍｍ、縦×横が８０ｍｍ角のガラスエポキシ基板８の表面にプラズマ処理によって水酸（ＯＨ）基を形成しておき、反応液，酸化液の流量を３０ミリリットル／分に調整した後、フェライト薄膜を形成するガラスエポキシ基板８の温度をヒータ１２及び冷却板１３を用いて９０℃に調節し、メッキ装置においては窒素ガスを１．５リットル／分で供給して非酸化性雰囲気を得た。
【００３５】
次に、こうした条件下でガラスエポキシ基板８の一表面上に反応液を０．５秒供給した後、不活性ガスを供給して反応液を除去し、酸化液を０．５秒供給した後、不活性ガスを供給して酸化液を除去することを１サイクルとし、このサイクルを総計５０００サイクル分、繰り返すようにしてガラスエポキシ基板８の一表面上にシート状のフェライト薄膜を積層して成るフェライト層１４を設けた。ここでのフェライト層１４は、温度を９０℃に調節した部分のみに成膜され、厚さが３μｍ、柱状結晶の長軸ａが３μｍ、短軸ｂは０．０５μｍであり、長軸ａ及び短軸ｂの比ａ／ｂが６０であった。尚、ここでのフェライト膜１４についての厚さ、長軸ａ、短軸ｂ、長軸ａ及び短軸ｂの比ａ／ｂも、サイクル数に応じて任意に変化させることが可能である。
【００３６】
更に、ガラスエポキシ基板８上のフェライト層１４の表面のほぼ中央部分に幅約３ｍｍの中心導体１５を全長８０ｍｍとなるように蒸着法により形成し、且つ裏面をグラウンド導体を成すようにし、特性インピーダンスを５０Ωとして実施例２に係るプリント回路基板を作製した。
【００３７】
尚、実施例１，２において、反応液，酸化液の除去を不活性ガス又は酸素を含有した不活性ガスを供給して行うものとして説明したが、反応液，酸化液を均一に除去できるのであれば、例えば遠心力、ガラスエポキシ基板８の傾斜等によって付与される流動性を用いる等、他の手法によって行っても構わない。
【００３８】
［比較例１］
比較例１では、縦×横が８０ｍｍ角のガラスエポキシ基板上の表面のほぼ中央部に直接幅約３ｍｍの中心導体を全長８０ｍｍとなるように蒸着法により形成し、且つ裏面をグラウンド導体を成すようにし、特性インピーダンスを５０Ωとして比較例１に係るプリント回路基板を作製した。
【００３９】
そこで、これらの実施例１，２に係るプリント回路基板と比較例１に係るプリント回路基板とについて、透磁率μ（実数部μ′，虚数部μ″として示す）の周波数（ＭＨｚ）に対する依存性をＳｈｉｅｌｄｅｄ・ｌｏｏｐ・ｃｏｉｌ法により周波数３ＧＨｚまで測定したところ、図５に示すような結果となった。但し、図５中では実施例１，２について、実数部μ′の特性をＣ１，虚数部μ″の特性をＣ２とし、比較例１について、実数部μ′の特性をＣ３，虚数部μ″の特性をＣ４としている。
【００４０】
図５からは、実施例１，２の場合、比較例１の場合と比べて実数部μ′が高周波帯域側にあり、しかも虚数部μ″が数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの範囲まで高い値を示していることが判る。このことは、実施例１，２の場合には数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの範囲（高周波帯域）で良好なノイズ吸収効果（電磁干渉抑制効果）を示すことを意味している。
【００４１】
次に、実施例１，２に係るプリント回路基板と比較例１に係るプリント回路基板とにおけるノイズ吸収効果を図６に概略構成を示したような評価系装置を用いて確認した。
【００４２】
この評価系装置は、フェライト層１８をほぼ一表面上の大部分に設けた実施例１，２に係るプリント回路基板１６において幅約３ｍｍ，全長８０ｍｍとなるように形成された中心導体の両端を同軸ケーブル１９を介してネットワークアナライザ１７に接続し、ネットワークアナライザ１７によりプリント回路基板１６の中心導体における伝送特性を求めるものである。尚、ここでのプリント回路基板１６は、フェライト層１８を持たない場合の比較例１に係る構成のものを含むものとする。
【００４３】
図７は、この評価系装置により測定された実施例１，２に係るプリント回路基板と比較例１に係るプリント回路基板とにおける周波数（ＧＨｚ）に対するノイズ吸収効果Ｐ・ｌｏｓｓ（％）の結果を対比して示したものである。但し、図７中では、実施例１，２に係る特性をＣ５，比較例１に係る特性をＣ６として示している。
【００４４】
図７からは、フェライト層１８を設けた実施例１，２に係るプリント回路基板の場合、ノイズ吸収効果Ｐ・ｌｏｓｓが数百ＭＨｚを越えて１０ＧＨｚに至る範囲で大きな値を示しており、こうした高周波帯域で良好なノイズ吸収効果を示しているのに対し、フェライト層を設けない比較例１に係るプリント回路基板の場合、ノイズ吸収効果Ｐ・ｌｏｓｓの増大が見られずにノイズ吸収効果がないことが判る。
【００４５】
これらの結果により、絶縁性基板表面上に金属材料により電子配線をパターニングするに先立ち、絶縁性基板表面上にフェライト薄膜の積層形成によりフェライト層を設けるようにすれば、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの範囲の高周波帯域で良好なノイズ吸収効果（電磁干渉抑制効果）を持ったプリント回路基板が得られることが判る。又、このような電磁干渉抑制の特性はフェライト薄膜試料の面積、或いはその膜厚や組成を変えることで所望の特性が得られるように調整できることが判る。更に、フェライト層が形成される箇所を局部的に加熱すること、即ち、局所加熱の形状を変化させることによって、任意の配線パターンに応じてフェライト層を設けることが可能であることも判る。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明のプリント回路基板を製造するためのフェライトメッキ法を導入したメッキ装置の一例を示した概略構成図である。
【図２】本発明のプリント回路基板を製造するためのフェライトメッキ法を導入したメッキ装置の他例を示した概略構成図である。
【図３】本発明の実施例１に係るプリント回路基板のフェライト層の形成手順を説明するために示したフローチャートである。
【図４】本発明の実施例２に係るプリント回路基板のフェライト層の形成手順を説明するために示したフローチャートである。
【図５】図１に示すメッキ装置により得られた実施例１，２に係るプリント回路基板と比較例１に係るプリント回路基板とについての透磁率（実数部，虚数部として示す）の周波数に対する依存性を測定した結果を対比して示したものである。
【図６】実施例１，２に係るプリント回路基板，比較例１に係るプリント回路基板における電磁干渉抑制効果を測定するための評価系装置を示した概略構成図である。
【図７】図６に示す評価系装置により測定された実施例１，２に係るプリント回路基板と比較例１に係るプリント回路基板とにおける周波数に対するノイズ吸収効果の結果を対比して示したものである。
【符号の説明】
【００４７】
１〜３  ノズル
４  絶縁性基板
５，６  タンク
７  ガス導入口
８  ガラスエポキシ基板
９，１２  ヒータ
１０，１４，１８  フェライト層
１１，１５  中心導体
１３  冷却板
１６  プリント回路基板
１７  ネットワークアナライザ
１９  同軸ケーブル
【図１】
2005129766.tif 000003
【図２】
2005129766.tif 000004
【図３】
2005129766.tif 000005
【図４】
2005129766.tif 000006
【図５】
2005129766.tif 000007
【図６】
2005129766.tif 000008
【図７】
2005129766.tif 000009