(57)【要約】      （修正有）【課題】スループットの低下を抑制しつつ、測定電極とパッドの双方の抵抗成分を減らす。【解決手段】ＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）のようなテープ基板１に搭載された半導体チップ４の特性検査を行なう場合、半導体チップ４の特性検査を行なう前に、プローブ１３ａ、１３ｂを介してパッド３ａ、３ｂに電流を短時間流しパツドに付着した不純物を破壊する。不純物による抵抗成分を除去することで、電気的特性検査を可能な状態とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッド上に接触可能な測定電極と、
前記測定電極を介して前記パッドに電流を印加する電流印加手段と、
前記パッドに接続された電子素子と前記測定電極を介して信号をやり取りすることにより、前記電子素子の特性検査を行なう特性検査手段とを備えることを特徴とする特性検査装置。
【請求項２】
前記電流は５０〜３００ｍＡの範囲内であることを特徴とする請求項１記載の特性検査装置。
【請求項３】
パッド上に測定電極を接触させるステップと、
前記測定電極を介して前記パッドに電流を印加するステップと、
前記電流が印加されたパッドに前記測定電極を介して電気信号を入出力することにより、前記パッドに接続された電子素子の特性検査を行なうステップとを備えることを特徴とする特性検査方法。
【請求項４】
パッド上に測定電極を接触させるステップと、
前記測定電極を介して前記パッドに電流を印加させるステップと、
前記電流が印加されたパッドに前記測定電極を介して電気信号を入出力させることにより、前記パッドに接続された電子素子の特性検査を行なわせるステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする特性検査プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は特性検査装置、特性検査方法および特性検査プログラムに関し、特に、プローブまたはパッドの表面に形成された抵抗成分を除去する方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）などの特性検査では、ＴＣＰ上に形成されたパッドにプローブなどの測定電極を触針させることにより、測定電極を介して電気信号のやり取りを行う方法がある。ここで、測定電極に酸化膜や汚れなどの抵抗成分が付着すると、正常な特性検査が困難になるため、測定電極の表面を研磨することで、測定電極に付着した抵抗成分を除去する方法がある。
【０００３】
また、例えば、特許文献１には、ＴＣＰ上に形成されたパッドにプローブを接触させながら、プローブに超音波振動を与えることにより、パッドの表面に付着した抵抗成分を除去する方法が開示されている。
【特許文献１】特開平７−１０３８６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、測定電極に付着した抵抗成分を除去するために、測定電極の表面を研磨する方法では、パッドの表面に付着した抵抗成分を除去することができないため、電気的特性検査を安定して行なうことができないという問題があった。また、抵抗成分の除去が機械的に行なわれるため、電気的特性検査時のスループットの低下を招くという問題があった。
【０００５】
また、プローブに超音波振動を与えることにより、パッドの表面に付着した抵抗成分を除去する方法では、測定電極の表面に付着した抵抗成分を除去することが困難なため、電気的特性検査を安定して行なうことができないという問題があった。また、抵抗成分の除去が機械的に行なわれるため、電気的特性検査時のスループットの低下を招くという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、スループットの低下を抑制しつつ、測定電極とパッドの双方の抵抗成分を一括して減らすことが可能な特性検査装置、特性検査方法および特性検査プログラムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る特性検査装置によれば、パッド上に接触可能な測定電極と、前記測定電極を介して前記パッドに電流を印加する電流印加手段と、前記パッドに接続された電子素子と前記測定電極を介して信号をやり取りすることにより、前記電子素子の特性検査を行なう特性検査手段とを備えることを特徴とする。
これにより、測定電極を介してパッドに電流を印加した際に、測定電極またはパッドに形成された酸化膜や測定電極またはパッドに付着した樹脂などを一括して破壊することができる。このため、測定電極を研磨したり、パッドの表面に超音波振動を与えたりすることなく、測定電極とパッドの双方の抵抗成分を減らすことが可能となり、スループットの低下を抑制しつつ、電気的特性検査を安定して行なうことが可能となる。
【０００８】
また、本発明の一態様に係る特性検査装置によれば、前記電流は５０〜３００ｍＡの範囲内であることを特徴とする。
これにより、パッドに接続された電子素子にダメージを与えることなく、測定電極またはパッドに形成された酸化膜や測定電極またはパッドに付着した樹脂などを破壊することができ、電子素子の電気的特性検査を安定して行なうことが可能となる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る特性検査方法によれば、パッド上に測定電極を接触させるステップと、前記測定電極を介して前記パッドに電流を印加するステップと、前記電流が印加されたパッドに前記測定電極を介して電気信号を入出力することにより、前記パッドに接続された電子素子の特性検査を行なうステップとを備えることを特徴とする。
これにより、測定電極を介してパッドに電流を印加することで、測定電極とパッドの双方の抵抗成分を減らすことが可能となり、スループットの低下を抑制しつつ、電気的特性検査を安定して行なうことが可能となる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る特性検査プログラムによれば、パッド上に測定電極を接触させるステップと、前記測定電極を介して前記パッドに電流を印加させるステップと、前記電流が印加されたパッドに前記測定電極を介して電気信号を入出力させることにより、前記パッドに接続された電子素子の特性検査を行なわせるステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００１１】
これにより、特性検査プログラムを実行することで、測定電極を介してパッドに電流を印加させることが可能となり、機械的な機構を設けることなく、測定電極とパッドの双方の抵抗成分を減らすことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態に係る特性検査装置およびその方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る特性検査装置の概略構成を示す図である。
図１において、テープ基板１上には配線２ａ、２ｂが形成され、配線２ａ、２ｂの一端にはパッド３ａ、３ｂがそれぞれ形成されている。なお、パッド３ａ、３ｂには、半田などのメッキ層を形成することができる。一方、半導体チップ４にはパッド５ａ、５ｂが形成され、パッド５ａ、５ｂ上にはバンプ電極６ａ、６ｂがそれぞれ形成されている。
【００１３】
また、特性検査装置には、テープ基板１を載置するステージ１１が設けられ、ステージ１１上には、プローブカード１２が配置されている。ここで、プローブカード１２には、パッド３ａ、３ｂ上に触針可能なプローブ１３ａ、１３ｂが保持されている。
また、特性検査装置には、ＬＳＩテスタ１４および電流印加部１５が設けられ、プローブ１３ａ、１３ｂは、プローブカード１２を介してＬＳＩテスタ１４および電流印加部１５に接続されている。なお、ＬＳＩテスタ１４は、プローブカード１２を介してテープ基板１に信号を入出力することにより、半導体チップ４の特性を検査することができる。また、電流印加部１５は、プローブ１３ａ、１３ｂを介してパッド３ａ、３ｂに電流を印加することができる。
【００１４】
そして、テープ基板１に搭載された半導体チップ４の特性検査を行なう場合、半導体チップ４の特性検査を行なう前に、プローブ１３ａ、１３ｂを介してパッド３ａ、３ｂに電流を印加することができる。
すなわち、パッド３ａ、３ｂおよびプローブ１３ａ、１３ｂには酸化膜や樹脂などが付着し、パッド３ａ、３ｂには抵抗成分Ｒ１ａ、Ｒ２ａがそれぞれ形成され、プローブ１３ａ、１３ｂには抵抗成分Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂがそれぞれ形成されているものとする。そして、プローブ１３ａ、１３ｂを介してパッド３ａ、３ｂに電流を印加することにより、パッド３ａ、３ｂにそれぞれ形成された抵抗成分Ｒ１ａ、Ｒ２ａおよびプローブ１３ａ、１３ｂにそれぞれ形成された抵抗成分Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂを破壊することができる。
【００１５】
このため、プローブ１３ａ、１３ｂを研磨したり、パッド３ａ、３ｂの表面に超音波振動を与えたりすることなく、プローブ１３ａ、１３ｂとパッド３ａ、３ｂの抵抗成分Ｒ１ａ、Ｒ２ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂを一括して減らすことが可能となり、スループットの低下を抑制しつつ、電気的特性検査を安定して行なうことが可能となる。
ここで、パッド３ａ、３ｂに印加する電流は５０〜３００ｍＡの範囲内に設定することが好ましく、パッド３ａ、３ｂに印加する電流の印加時間は１ｍ秒以上に設定することが好ましい。これにより、パッド３ａ、３ｂに接続された半導体チップ４にダメージを与えることなく、プローブ１３ａ、１３ｂとパッド３ａ、３ｂの双方の抵抗成分Ｒ１ａ、Ｒ２ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂを減らすことが可能となり、半導体チップ４の電気的特性検査を安定して行なうことが可能となる。
【００１６】
なお、プローブ１３ａ、１３ｂを介してパッド３ａ、３ｂに電流を印加する場合、少なくとも１本のプローブ１３ａ、１３ｂをグランドに接続することにより、パッド３ａ、３ｂに印加された電流を逃がすことができる。
図２は、図１の半導体チップ４の内部構成の一例を示す図である。
図２において、半導体チップ４には、例えば、トランジスタＴが形成され、トランジスタＴのゲートはパッド５ｂに接続されているものとする。また、パッド５ｂには、サージ電流などからトランジスタＴを保護するための保護ダイオードＤが接続され、保護ダイオードＤのアノードは、パッド５ａに接続されているものとする。
【００１７】
そして、パッド３ａ、３ｂに電流を印加する場合、プローブ１３ａ、１３ｂをパッド３ａ、３ｂにそれぞれ触針させ、プローブ１３ａをグランドに接続した状態で、プローブ１３ｂに電流を流す。
これにより、プローブ１３ａ→パッド３ａ→パッド５ａ→保護ダイオードＤ→パッド５ｂ→パッド３ｂ→プローブ１３ｂの経路で電流Ｉを流すことができ、トランジスタＴを破壊することなく、プローブ１３ａ、１３ｂとパッド３ａ、３ｂの抵抗成分Ｒ１ａ、Ｒ２ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂを一括して減らすことが可能となる。
【００１８】
なお、上述した実施形態では、テープ基板１に半導体チップ４が搭載されたＴＣＰのプロービング検査を例にとって説明したが、例えば、ＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）、ＣＯＧ（チップ・オン・グラス）またはＴＣＭ（テープキャリアモジュール）などの半導体パッケージの電気的特性検査に適用するようにしてもよい。
また、半導体パッケージの電気的特性検査以外にも、半導体チップに個片化される前のウェハのプロービング検査に適用するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態に係る特性検査装置の概略構成を示す図である。
【図２】図１の半導体チップ４の内部構成の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００２０】
１  テープ基板、２ａ、２ｂ  配線、３ａ、３ｂ、５ａ、５ｂ  パッド、４  半導体チップ、６ａ、６ｂ  バンプ電極、Ｒ１ａ、Ｒ２ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂ  抵抗成分、１１  ステージ、１２  プローブカード、１３ａ、１３ｂ  プローブ、１４  ＬＳＩテスタ、１５  電流印加部、Ｔ  トランジスタ、Ｄ  保護ダイオード、Ｉ  電流
【図１】
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【図２】
2005147993.tif 000004