(57)【要約】【課題】  プラズマディスプレイパネルに係り、プラズマディスプレイパネルに用いられるＭｇＯ保護膜の特性を改善するために保護膜の最適な組成を提示する。【解決手段】  このために、本発明では、基板；前記基板の上に形成される複数の電極；前記複数の電極を覆うように形成される誘電体層；及び前記誘電体層を覆うように形成され、０．１乃至３モル％のＺｒＯ２とＭｇＯを含む保護膜；を含むプラズマディスプレイパネルを提供する。【選択図】  図１
2005129485.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と；
前記基板の上に形成される複数の電極と；
前記複数の電極を覆うように形成される誘電体層と；
前記誘電体層を覆うように形成され、０．１乃至３モル％のＺｒＯ２及びＭｇＯを含む保護膜と；
を含むプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記保護膜は、ＺｒＯ２を１．８乃至２．２モル％含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記保護膜は、前記Ｚｒが前記ＭｇＯ内に固溶（solid  solution）されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記保護膜は、透過率が９０％以上であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記保護膜は、厚さが６００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記保護膜は、屈折率が１．４５乃至１．７４であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記保護膜は、柱状結晶構造を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
プラズマディスプレイパネルの保護膜に用いるペレット（pellet）であって、０．１乃至３モル％のＺｒＯ２とＭｇＯとを含むプラズマディスプレイパネルの保護膜用ＭｇＯペレット。
【請求項９】
前記ペレットは、ＺｒＯ２を１．８乃至２．２モル％含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの保護膜用ＭｇＯペレット。
【請求項１０】
前記ペレットは、前記Ｚｒが前記ＭｇＯ内に固溶されていることを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの保護膜用ＭｇＯペレット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイパネルに係り、より詳しくは、特性が改善されたプラズマディスプレイの保護膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（PDP）は、気体放電の際に生じるプラズマから出る光を用いて文字またはグラフィックを表示する装置であって、プラズマディスプレイパネルの放電空間に設置された二つの電極に所定の電圧を印加してこれらの間でプラズマ放電が起こるようにし、このプラズマ放電時に発生する紫外線によって所定のパターンに形成した蛍光体層を励起させて画像を表示する。
【０００３】
このようなプラズマディスプレイは、大きく、交流形（AC  type）、直流形（DC  type）、及び混合形（Hybrid  type）に分けられる。図１０は、一般的な交流形プラズマディスプレイパネルの放電セルの分解斜視図である。図１０を参照すれば、一般的なプラズマディスプレイパネル１００は、下部基板１１１、下部基板１１１の上に形成された複数のアドレス電極１１５、このアドレス電極１１５が形成された下部基板１１１の上に形成された誘電体層１１９、この誘電体層１１９の上に形成されて放電距離を維持させ、セル間のクロストーク（cross  talk）を防止する複数の隔壁１２３、隔壁１２３の表面に形成された蛍光体層１２５、を含む。
【０００４】
複数の放電維持電極１１７は、下部基板１１１の上に形成された複数のアドレス電極１１５と所定の間隔をおいて離れて直交するように、上部基板１１３の下に形成される。そして、誘電体層１２１及び保護膜１２７が順に放電維持電極１１７を覆っている。特に、保護膜１２７としては、可視光線がよく透過するように透明で、誘電層保護及び２次電子放出性能の優れたＭｇＯを主に用いており、最近は他の材料の保護膜の研究も行われている。
【０００５】
ここで、ＭｇＯ保護膜は、プラズマディスプレイパネルが動作して放電する時に、放電ガスのイオン衝撃による影響を緩和させることができる耐スパッタリング特性を有しているのでイオン衝突から誘電体層を保護し、２次電子の放出を通じて放電電圧を下げる役割を果たす透明保護薄膜であって、３０００〜７０００Åの厚さで誘電体層を覆うように形成される。ＭｇＯ保護膜は、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、IBAD（ion  beam  assisted  deposition、イオンビーム支援堆積法）、CVD（chemical  vapor  deposition、化学気相蒸着法）、及びゾル−ゲル（sol−gel）法などを用いて形成することができ、最近はイオンプレーティング（ion  plating）法が開発されて用いられている。
【０００６】
ここで、電子ビーム蒸着法は、電場及び磁場で加速された電子ビームをＭｇＯ蒸着材料に衝突させ、蒸着材料を加熱及び蒸発させることによってＭｇＯ保護膜を形成する方法である。スパッタリング法の場合、電子ビーム蒸着法に比べて保護膜が緻密で、結晶配向に有利な特性を有するという利点があるが、形成工程の単価が高くなる問題点がある。ゾル−ゲル法の場合、液体でＭｇＯ保護膜を形成する。
【０００７】
前記様々なＭｇＯ保護膜の形成方法に対する代案として、イオンプレーティング法が最近試みられているが、イオンプレーティング法では、蒸発する粒子をイオン化して成膜させる。イオンプレーティング法は、ＭｇＯ保護膜の密着性及び結晶性においてはスパッタリング法と類似した特性を有するが、蒸着を８ｎｍ／ｓの高速で行うことができる利点がある。
【０００８】
このようなＭｇＯ保護膜の材料としては、単結晶または焼結体形態のものを用いる。ＭｇＯ単結晶材料の場合、蒸着のための溶融の際に、冷却速度による固溶限界の差によって特定のドーパント（dopant）の定量制御が難しくなる問題点があるため、形成時に特定のドーパントを定量的に添加したＭｇＯ焼結体材料を用いて、イオンプレーティング法でＭｇＯ保護膜を形成している。
【０００９】
ＭｇＯ保護膜は放電ガスに接触するので、保護膜を構成する成分及び保護膜の特性は放電特性に大きく影響を与える可能性がある。そして、ＭｇＯ保護膜の特性は、成分及び蒸着時の成膜条件に大きく依存する。
【００１０】
したがって、保護膜の特性が向上するように最適な組成を開発することが切実に要求されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は前述の要求によって発明されたものであって、その目的は、プラズマディスプレイパネルに用いられるＭｇＯ保護膜の特性を改善することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、プラズマディスプレイパネル用保護膜の特性の改善のために、保護膜の最適な組成を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するために、本発明では、基板；前記基板の上に形成される複数の電極；前記複数の電極を覆うように形成される誘電体層；及び前記誘電体層を覆うように形成され、０．１乃至３モル％のＺｒＯ２とＭｇＯとを含む保護膜；を含むプラズマディスプレイパネルを提供する。
【００１４】
この時、保護膜は、ＺｒＯ２を１．８乃至２．２モル％含むのがより好ましい。
【００１５】
保護膜において、Ｚｒは、ＭｇＯ内に固溶（solid  solution）されている状態であるのが好ましい。
【００１６】
保護膜は、透過率が９０％以上であり、厚さが６００ｎｍ以上であり、屈折率が１．４５乃至１．７４であり、柱状結晶構造を有するのが好ましい。
【００１７】
また、本発明では、プラズマディスプレイパネルの保護膜に用いるペレット（pellet）として、０．１乃至３モル％のＺｒＯ２とＭｇＯとを含むプラズマディスプレイパネルの保護膜用ＭｇＯペレットを提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、ＭｇＯに０．１乃至２．２モル％のＺｒＯ２を添加した保護膜を用いることによって、電子放出特性を向上させ、プラズマディスプレイパネルの表示性能を改善する効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００２０】
一般に、プラズマディスプレイパネルにおいては、誘電体層の表面を覆い、放電中に放電ガスのイオン衝撃から誘電体層を保護する保護膜を用いる。
【００２１】
図１は、本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルの斜視図である。図１では、本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルの前面基板だけを別途に離して示している。
【００２２】
図１には、基板１３の上に複数の電極１７、誘電体層２１、保護膜２７が順に形成された、本発明の実施例によるプラズマディスプレイパネルの前面基板が示されている。便宜上、理解しやすくするために、本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルの前面基板を１８０度ひっくり返して示した。図１に示してはいないが、プラズマディスプレイパネルの前面基板とは別途に、前記基板１３に対向する他の基板に、前記電極１７と垂直に交差する複数の他の電極を形成し、その上を誘電体層で覆った後、隔壁を形成し、隔壁の間に蛍光体層を塗布して、プラズマディスプレイパネルの背面基板を製造する。
【００２３】
このように製造したプラズマディスプレイパネルの前面基板及び背面基板の縁部にフリットを塗布して両基板を封着し、ＮｅやＸｅなどの放電ガスを注入することによって、プラズマディスプレイパネルを製造する。
【００２４】
このように製造した本発明の実施例によるプラズマディスプレイパネルでは、電極から駆動電圧の印加を受け、これら電極の間にアドレス放電を起こして誘電体層に壁電荷を形成し、アドレス放電によって選択された放電セルから前面基板に形成した一対の電極に攪拌的に供給される交流信号により、これら電極の間でサステイン放電を起こす。これにより、放電セルを形成する放電空間に充填された放電ガスが励起され、遷移しながら紫外線を発生させ、紫外線によって蛍光体が励起されて可視光線を発生させながら画像を表示する。
【００２５】
前述したような保護膜の材料としてはＭｇＯを主に用いるが、これは、ＭｇＯが優れた耐スパッタリング特性と大きな２次電子放出係数とを有する誘電材料の条件に合うからである。
【００２６】
ＭｇＯ保護膜は、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、IBAD（イオンビーム支援堆積法）、CVD（化学気相蒸着法）及びゾル−ゲル（sol−gel）法などを用いて形成し、最近では、イオンプレーティング法が開発されて用いられている。
【００２７】
ＭｇＯ保護膜の材料としては、単結晶または焼結体形態のものを用いる。ＭｇＯ単結晶材料の場合、蒸着のための溶融の際に、冷却速度による固溶限界の差によって特定のドーパント（dopant）の定量制御が難しくなる問題点があるため、形成時に特定のドーパントを定量的に添加したＭｇＯ焼結体材料を用いて、イオンプレーティング法でＭｇＯ保護膜を形成している。
【００２８】
ＭｇＯ保護膜の蒸着材としては、ペレット形態に成形した後で焼結したものが用いられており、ペレットの大きさ及び形態によってペレットの分解速度が異なり、保護膜の蒸着速度など色々な面で大きな差があるので、ペレットの大きさ及び形態を最適化しようとする様々な方法が試みられている。
【００２９】
また、ＭｇＯ保護膜は放電ガスに接触するので、保護膜を構成する成分及び保護膜の特性は放電特性に大きく影響を与える可能性がある。そして、ＭｇＯ保護膜の特性は、成分及び蒸着時の成膜条件に大きく依存する。
【００３０】
したがって、保護膜の特性が向上するように最適な組成を開発することが切実に要求されている。
【００３１】
本発明では、このような要求に応じて、プラズマディスプレイパネルに用いられる保護膜として主に用いられるＭｇＯにＺｒＯ２を添加する。つまり、ＭｇＯとＺｒＯ２とが混合されたペレットを製造した後、このペレットを用いて、ＭｇＯとＺｒＯ２とが混合された保護膜であるＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜を形成する。
【００３２】
ＭｇＯにＺｒＯ２が添加されると、ＺｒはＭｇＯ内に固溶されるが、その固溶限界により、ＺｒＯ２は３モル％まで添加することができる。また、ＺｒＯ２の添加による保護膜特性の改善効果を示すためには、ＺｒＯ２が０．１モル％以上添加されなければならない。
【００３３】
したがって、好ましいＺｒＯ２の添加量は０．１乃至３モル％であり、特に、保護膜特性の改善効果がより増進するＺｒＯ２の添加量は１．８乃至２．２モル％の範囲である。
【００３４】
ＭｇＯにＺｒＯ２が添加されると、蒸着速度が減少する傾向を示す。これは、ＭｇＯにＺｒＯ２が混合されたＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の蒸着時にＺｒＯ２の蒸気圧がＭｇＯの蒸気圧に比べて非常に小さいことに起因するので、ＺｒＯ２の添加量が増加するほど混合物であるＭｇＯ−ＺｒＯ２の蒸着速度は減少すると解釈される。
【００３５】
また、ＭｇＯにＺｒＯ２が添加されると、エックス線（X-ray）回折ピークが、ＺｒＯ２の添加量が増加するほど低い２θ値に移動する。これは、ＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の格子定数が増加することを意味し、ＭｇＯ内にイオン半径の大きなＺｒが固溶された結果である。
【００３６】
しかし、エックス線回折ピークの判読の結果、ＺｒＯ２が添加されたＭｇＯ保護膜の結晶性及び配向性には問題が無いことを確認した。
【００３７】
ＺｒＯ２が添加されたＭｇＯ保護膜の屈折率は、ＺｒＯ２の添加量が増加するほど増加する傾向を示し、これは、ＺｒＯ２の屈折率がＭｇＯの屈折率よりも大きいからである。本発明によるＺｒＯ２の添加量が０．１乃至３モル％であるＭｇＯ保護膜の場合、屈折率が１．４５乃至１．７４の値を有する。
【００３８】
ＺｒＯ２が添加されたＭｇＯ保護膜の充電密度は、純粋なＭｇＯ保護膜に比べて高い。保護膜の充電密度が増加するほどプラズマ耐腐食特性が向上するという研究が発表されているので、このような研究結果から、ＺｒＯ２が添加されたＭｇＯ保護膜は、プラズマ耐腐食特性が向上し、これによってプラズマディスプレイパネルの寿命も長くなる。
【００３９】
一方、保護膜の表面粗度が大きいと、光の散乱による可視光の透過率を阻害するので、放電電圧の安定性、つまり素子の安定した駆動の側面からは、表面粗度が小さい保護膜が有利である。
【００４０】
ＭｇＯにＺｒＯ２が添加されると、ＺｒＯ２の添加量が２モル％まででは表面粗度が減少するが、途中から再び増加する傾向を示す。本発明によるＺｒＯ２の添加量が０．１乃至３モル％であるＭｇＯ保護膜の場合は、表面粗度（RMS平均値）が１５ｎｍ以下と良好な表面粗度値を有する。
【００４１】
透過率に関しては、ＺｒＯ２は優れた光学的性質を有しているので、ＭｇＯにＺｒＯ２を添加しても透過率にはほとんど変化がない。したがって、本発明によるＺｒＯ２の添加量が０．１乃至３モル％であるＭｇＯ保護膜の場合は、９０％以上の透過率を有する。
【００４２】
ＭｇＯにＺｒＯ２が添加されると、２次電子放出係数が純粋なＭｇＯ保護膜に比べて増加する。例えば、ＺｒＯ２の添加量が２モル％である場合、２次電子放出係数は０．０２４乃至０．０８９であって、純粋なＭｇＯ保護膜の０．０２乃至０．０４５よりも最大で２倍の効率向上を示す。このように、２次電子放出係数が増加すれば放電電圧を減少させることができ、低電圧での駆動及び放電特性の向上に寄与することができる。
【００４３】
ＭｇＯにＺｒＯ２が添加されると、放電開始電圧（Vf）及び放電維持電圧（Vs）が純粋なＭｇＯ保護膜に比べて減少する。例えば、純粋なＭｇＯ保護膜の場合、１８７Ｖの放電開始電圧及び１５５Ｖの放電維持電圧を示すが、ＺｒＯ２が２モル％添加されると、放電開始電圧は１６７Ｖ、放電維持電圧は１３７Ｖを示し、保護膜の電圧特性が向上する。
【００４４】
このように、ＭｇＯにＺｒＯ２が添加されると、保護膜の特性が向上するが、さらにＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜を成膜した後に熱処理すれば、水分に弱い性質が改善されて、膜特性はさらに向上する。熱処理の温度、時間、及び雰囲気は特に限定する必要はないが、約１００度以上の温度で２０分以上真空熱処理するのが好ましい。
【００４５】
このように熱処理すれば、ＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の２次電子放出係数が増加し、放電開始電圧及び放電維持電圧が減少する。
【００４６】
このような本発明によるＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜は、６００ｎｍ以上の厚さに形成し、混合方向に成長した柱状結晶構造を有する場合に、より優れた性能改善効果が得られる。
【００４７】
［実験例］
Ｍｇ（ＯＨ）２とＺｒＯＣｌ２・８Ｈ２Ｏとを出発物質として液体反応法（LPE）を用いた。ＺｒＯ２の添加量が０、１、２、３、４モル％になるように秤量した後、蒸溜水に濃度が４０％になるように混合し、ジルコニアボールを用いてボールミルしてスラリーを製造した。
【００４８】
製造されたスラリーをスプレードライし、１０００℃で１時間焼成した後、１０ｍｍのジルコニアボールを用いて１２時間湿式でボールミルした。
【００４９】
その後、再びスプレードライし、常温で一方向に２０００Ｐａの圧力で圧縮して、直径５ｍｍのペレットに成形した。成形されたペレットは１６００℃で１時間焼結し、このように製造されたペレット焼結体を電子ビーム蒸着のための出発物質として用いた。
【００５０】
次に、最大出力３ｋＷの電子銃を備えた電子ビーム蒸着装備を用いて、電子銃とペレットとの間の経路差を考慮して印加電圧を４ｋＷに固定した後、印加電流を１００ｍＡから５００ｍＡまで変化させながらＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜を蒸着して、蒸着速度、表面粗度などを分析し、その後で電流を２５０ｍＡに固定した。電子ビーム蒸着装備のチャンバーは１０−６Torrの真空度を維持した状態で、ＺｒＯ２の添加量が各々０、１、２、３、４モル％であるペレットで各々ＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜を蒸着した。
【００５１】
蒸着されたＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の特性を評価した。
【００５２】
まず、図２は、ＺｒＯ２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の蒸着速度に関するグラフであって、このグラフに示されているように、ＺｒＯ２が添加されると、保護膜の蒸着速度が減少することを確認した。
【００５３】
これは、ＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の蒸着時にＺｒＯ２の蒸気圧がＭｇＯの蒸気圧に比べて非常に小さいことに起因するので、ＺｒＯ２の添加量が増加するほど混合物であるＭｇＯ−ＺｒＯ２の蒸着速度は減少すると解釈される。
【００５４】
しかし、ＺｒＯ２の添加量が本発明の範囲である３モル％を超える場合には、Ｚｒが固溶限界を超えてＭｇＯ内に固溶体として存在しなくなるため、蒸着速度の減少はそれ以上起こらないと解釈される。
【００５５】
したがって、ＺｒＯ２の添加量は、固溶限界により３モル％以内であるのが好ましい。
【００５６】
次に、図３は、ＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜のエックス線回折分析結果を示すグラフであって、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は、各々順にＺｒＯ２の添加量が０、１、２、３、４モル％である場合を示す。
【００５７】
エックス線回折分析の際に、ターゲットとしてはＣｕ−Ｋα、フィルターはＮｉを用い、２度／分の速度で測定した。
【００５８】
図３に示されているように、エックス線回折ピークが、ＺｒＯ２の添加量が増加するのに伴って低い２θ値に移動する。これは、ＭｇＯ内にイオン半径の大きなＺｒが固溶された結果、ＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の格子定数が増加することを意味する。
【００５９】
しかし、ＺｒＯ２の添加量が本発明の範囲である３モル％を超える場合（（ｄ）ピーク）には、Ｚｒが固溶限界を超えるためピークの移動が観察されなかった。
【００６０】
一方、エックス線回折ピークにより、ＺｒＯ２が添加されても、ＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の結晶性及び配向性には問題がないことを確認した。
【００６１】
次に、図４は、ＺｒＯ２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の屈折率を示したグラフであって、このグラフに示されているように、屈折率はＺｒＯ２の添加量が増加するほど増加するが、本発明によるＺｒＯ２の添加量が０．１乃至３モル％であるＭｇＯ保護膜の場合には、屈折率が１．７４以下であることを確認した。
【００６２】
次に、図５は、ＺｒＯ２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の充電密度を示したグラフである。この時、充電密度は、ドルーデ（Drude）モデル及び最大スクリーニングモデルから計算した。
【００６３】
図５に示されているように、ドルーデモデル及び最大スクリーニングモデルの両方において、ＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の充電密度は純粋なＭｇＯ保護膜に比べて高いことを確認した。したがって、本発明によってＺｒＯ２が添加されたＭｇＯ保護膜の場合には、プラズマ耐腐食特性が向上し、これによってプラズマディスプレイパネルの寿命を長くすることができる。
【００６４】
次に、図６は、ＺｒＯ２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の表面粗度を示したグラフである。表面粗度は、同一な組成の異なる試片を５回ずつ測定したが、その偏差が小さかったので、表面粗度の平均値（RMS）だけを示した。
【００６５】
図６に示されているように、ＺｒＯ２の添加量が２モル％まででは表面粗度が減少し、途中から再び増加する傾向を示す。本発明によるＺｒＯ２の添加量が０．１乃至３モル％であるＭｇＯ保護膜の場合には、表面粗度（RMS平均値）が１５ｎｍ以下と良好な表面粗度値を有する。
【００６６】
次に、透過率に関しては、偏光解析装置（Ellipsometer、Plas  Mos  SD2302、ドイツ会社の製品）及び紫外線／可視光線分光器を用いて測定し、その結果、全ての場合で９０％以上の透過率を有することが確認された。
【００６７】
次に、図７は、加速電圧による２次電子放出係数をＺｒＯ２の添加量によって各々示したグラフである。本実験で用いた加速電圧は１００乃至２００Ｖであり、単一ガスとしてＮｅガスを用いた。
【００６８】
図７に示されているように、ＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の２次電子放出係数は、純粋なＭｇＯ保護膜に比べて増加した。特に、ＺｒＯ２の添加量が２モル％である時の２次電子放出係数は０．０２４乃至０．０８９であるので、純粋なＭｇＯ保護膜の０．０２乃至０．０４５よりも最大で２倍の効率向上を示す優れた結果を示した。
【００６９】
このように２次電子放出係数が増加すれば放電電圧を減少させることができ、低電圧での駆動及び放電特性向上に寄与することができる。
【００７０】
次に、図８は、ＺｒＯ２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の放電開始電圧（Vf）及び放電維持電圧（Vs）を示したグラフである。
【００７１】
図８に示されているように、ＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の放電開始電圧及び放電維持電圧は純粋なＭｇＯ保護膜に比べて減少した。特に、ＺｒＯ２の添加量が１．８乃至２．２モル％である時の放電開始電圧及び放電維持電圧が低く、最も優れた放電特性を示すことを確認した。
【００７２】
また、水分に対して弱い特性を示す保護膜の機能を改善するために、製造したＭｇＯ−ＺｒＯ２（ＺｒＯ２の添加量：２モル％）を１５０℃で３０分間真空熱処理した後で２次電子放出係数を測定し、その結果を熱処理していない試料と比較した。
【００７３】
図９は、加速電圧による２次電子放出係数を、熱処理していない蒸着直後のＭｇＯ−ＺｒＯ２（ＺｒＯ２の添加量：２モル％）保護膜と、熱処理したＭｇＯ−ＺｒＯ２（ＺｒＯ２の添加量：２モル％）保護膜とに対して各々示したグラフである。
【００７４】
図９に示されているように、熱処理をすることによって、ＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の２次電子放出係数が増加することを確認した。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルの斜視図である。
【図２】ＺｒＯ２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の蒸着速度に関するグラフである。
【図３】ＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜のエックス線回折分析結果を示すグラフである。
【図４】ＺｒＯ２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の屈折率を示したグラフである。
【図５】ＺｒＯ２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の充電密度を示したグラフである。
【図６】ＺｒＯ２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の表面粗度を示したグラフである。
【図７】加速電圧による２次電子放出係数を、ＺｒＯ２の添加量によって各々示したグラフである。
【図８】ＺｒＯ２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ２保護膜の放電開始電圧（Vf）及び放電維持電圧（Vs）を示したグラフである。
【図９】加速電圧による２次電子放出係数を、熱処理していない蒸着直後のＭｇＯ−ＺｒＯ２（ＺｒＯ２の添加量：２モル％）保護膜と、熱処理したＭｇＯ−ＺｒＯ２（ＺｒＯ２の添加量：２モル％）保護膜とに対して各々示したグラフである。
【図１０】一般的な交流形プラズマディスプレイパネルの放電セルの分解斜視図である。
【符号の説明】
【００７６】
１３  基板
１７  電極
２１、１１９、１２１  誘電体層
２７、１２７  保護膜
１００  プラズマディスプレイパネル
１１１  下部基板
１１３  上部基板
１１５  アドレス電極
１１７  放電維持電極
１２３  隔壁
１２５  蛍光体層
【図１】
2005129485.tif 000003
【図２】
2005129485.tif 000004
【図３】
2005129485.tif 000005
【図４】
2005129485.tif 000006
【図５】
2005129485.tif 000007
【図６】
2005129485.tif 000008
【図７】
2005129485.tif 000009
【図８】
2005129485.tif 000010
【図９】
2005129485.tif 000011
【図１０】
2005129485.tif 000012