(57)【要約】【課題】検査対象の回路基板を高精度でしかも短時間で検査する。【解決手段】導体パターンＰａｘの近傍であって各導体パターンＰａに対して絶縁されている部位に接触させたプローブ３と内層ベタパターンＰｃとの間における電気的パラメータを第１測定値として測定し、導体パターンＰａｘにプローブ３を接触させてそのプローブ３と内層ベタパターンＰｃとの間における電気的パラメータを第２測定値として測定し、測定した第２測定値と第１測定値との差分値を算出し、差分値と対応する基準値とを比較して導体パターンＰａｘの良否を検査する。【選択図】        図２
2005055210.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象の回路基板内における所定の導体パターンの近傍であって当該回路基板内の各導体パターンに対して絶縁されている部位にプローブを接触させてそのプローブと当該回路基板内における基準電極との間における電気的パラメータを第１測定値として測定し、前記導体パターンに前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における電気的パラメータを第２測定値として測定し、当該測定した第２測定値と前記第１測定値との差分値を算出し、当該差分値と対応する基準値とを比較して前記導体パターンの良否を検査する回路基板検査方法。
【請求項２】
良品の回路基板内における所定の導体パターンの近傍であって当該回路基板内の各導体パターンに対して絶縁されている部位にプローブを接触させてそのプローブと当該回路基板内における基準電極との間における電気的パラメータを第１測定値として測定し、前記導体パターンに前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における電気的パラメータを第２測定値として測定し、当該測定した第２測定値と前記第１測定値との差分値を算出して当該差分値を基準値として記憶し、当該記憶した基準値に基づいて検査対象の回路基板における導体パターンの良否を検査する回路基板検査方法。
【請求項３】
検査対象の回路基板内の各導体パターンに対して絶縁されている当該回路基板内の部位にプローブを接触させてそのプローブと当該回路基板内における基準電極との間における電気的パラメータを第１測定値として測定し、当該測定した第１測定値に対応して予め記憶されている第１測定値対応基準値と当該第１測定値との差分値を算出すると共に前記各導体パターンに対応する各第１測定値対応基準値を当該差分値で補正し、前記各導体パターンに前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における電気的パラメータを第２測定値として測定し、当該測定した各第２測定値と対応する前記補正後の第１測定値対応基準値との差分値を算出し、当該各差分値と対応する基準値とを比較して前記導体パターンの良否を検査する回路基板検査方法。
【請求項４】
前記電気的パラメータとして、前記プローブと前記基準電極との間における静電容量、および当該プローブと当該基準電極との間を流れる電流の少なくとも１種を測定する請求項１から３のいずれかに記載の回路基板検査方法。
【請求項５】
プローブと、当該プローブを移動させて検査対象の回路基板に接触可能とするプローブ移動機構と、前記プローブおよび当該回路基板内における基準電極の間に信号を出力して電気的パラメータを測定する測定部と、前記プローブ移動機構を制御すると共に前記測定された電気的パラメータに基づいて前記回路基板を検査する制御部と、記憶部とを備え、
前記制御部は、前記プローブ移動機構および前記測定部を制御して、前記回路基板内における所定の導体パターンの近傍であって当該回路基板内の各導体パターンに対して絶縁されている部位に前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における前記電気的パラメータを第１測定値として測定させ、前記導体パターンに前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における前記電気的パラメータを第２測定値として測定させ、当該測定した第２測定値と前記第１測定値との差分値を算出し、当該差分値と前記記憶部に予め記憶されている対応する基準値とを比較して前記導体パターンの良否を検査する回路基板検査装置。
【請求項６】
プローブと、当該プローブを移動させて検査対象の回路基板に接触可能とするプローブ移動機構と、前記プローブおよび当該回路基板内における基準電極の間に信号を出力して電気的パラメータを測定する測定部と、前記プローブ移動機構を制御すると共に前記測定された電気的パラメータに基づいて前記回路基板を検査する制御部と、記憶する記憶部とを備え、
前記制御部は、前記プローブ移動機構および前記測定部を制御して、良品の前記回路基板内における所定の導体パターンの近傍であって当該回路基板内の各導体パターンに対して絶縁されている部位に前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における前記電気的パラメータを第１測定値として測定させ、前記導体パターンに前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における前記電気的パラメータを第２測定値として測定させ、当該測定した第２測定値と前記第１測定値との差分値を算出して当該差分値を前記記憶部に基準値として記憶させ、当該記憶されている対応する基準値に基づいて前記導体パターンの良否を検査する回路基板検査装置。
【請求項７】
プローブと、当該プローブを移動させて検査対象の回路基板に接触可能とするプローブ移動機構と、前記プローブおよび当該回路基板内における基準電極の間に信号を出力して電気的パラメータを測定する測定部と、前記プローブ移動機構を制御すると共に前記測定された電気的パラメータに基づいて前記回路基板を検査する制御部と、記憶部とを備え、
前記制御部は、前記プローブ移動機構および前記測定部を制御して、前記回路基板内の各導体パターンに対して絶縁されている当該回路基板内の部位に前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における前記電気的パラメータを第１測定値として測定させ、当該測定した第１測定値に対応して前記記憶部に予め記憶されている第１測定値対応基準値と当該第１測定値との差分値を算出すると共に前記各導体パターンに対応して当該記憶部に予め記憶されている前記各第１測定値対応基準値を当該差分値で補正し、前記各導体パターンに前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における前記電気的パラメータを第２測定値として測定させ、当該測定した各第２測定値と対応する前記補正後の第１測定値対応基準値との差分値を算出し、当該各差分値と前記記憶部に予め記憶されている対応する基準値とを比較して前記導体パターンの良否を検査する回路基板検査装置。
【請求項８】
前記電気的パラメータとして、前記プローブと前記基準電極との間における静電容量、および当該プローブと当該基準電極との間を流れる電流の少なくとも１種を測定する請求項５から７のいずれかに記載の回路基板検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、検査対象の回路基板における複数の導体パターンと基準電極との間の電気的パラメータを測定して回路基板を検査可能に構成された回路基板検査装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の回路基板検査装置として、出願人は、導体パターン（ＣＰ）と電極（２ｂ）との間の対電極間静電容量（ＣＣＰ）を測定して回路基板（Ｐ）を検査する回路基板検査装置（１）を特開２００３−１４８０７号公報に開示している。この回路基板検査装置（１）による回路基板（Ｐ）の検査時には、まず、一例として、移動機構（５ａ）が導体パターン（ＣＰ１  ）の測定ポイント（ＴＰ１  ）に検査用プローブ（３）を接触させる。次に、制御部（６）が検査用プローブ（３）と電極（２ｂ）との間に検査用の信号としての交流電圧を出力して導体パターン（ＣＰ１  ）と電極（２ｂ）との間の対電極間静電容量（ＣＴＣ１  ）を仮測定し、その測定結果に基づいて測定レンジを決定して設定する。次いで、制御部（６）は、移動機構（５ａ）を制御して検査用プローブ（３）を測定ポイント（ＴＰ１  ）から若干離間（上動）させ、その状態で測定ポイント（ＴＰ１  ）での浮遊容量（ＣＳ１）を測定してＲＡＭ（７）に記憶させる。
【０００３】
次に、制御部（６）は、移動機構（５ａ）を制御して検査用プローブ（３）を測定ポイント（ＴＰ１  ）に再度接触させた状態で導体パターン（ＣＰ１  ）と電極（２ｂ）との間の対電極間静電容量（ＣＰＲ１  ）を測定する。次いで、制御部（６）は、対電極間静電容量（ＣＰＲ１  ）から浮遊容量（ＣＳ１）を差し引くことにより、差分（ＣＰＲ１  −ＣＳ１）を浮遊容量の影響を排除した導体パターン（ＣＰ１  ）についての正規な対電極間静電容量（ＣＣＰ１  ）としてＲＡＭ（７）に記憶させる。この後、制御部（６）は、すべての導体パターン（ＣＰ）について上記の処理を実行して各導体パターン（ＣＰ）についての正規な対電極間静電容量（ＣＣＰ）をＲＡＭ（７）に順次記憶させる。次に、制御部（６）は、ＲＡＭ（７）に記憶させた各対電極間静電容量（ＣＣＰ）が対応する基準データに対して所定範囲内（例えば、±１０％以内）のときに、その導体パターン（ＣＰ）に断線および短絡が存在しないと判別する判別処理を実行する。この判別処理をすべての導体パターン（ＣＰ）に対して順次実行することにより、回路基板（Ｐ）が検査される。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００３−１４８０７号公報（第５−７頁）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、出願人が開示している従来の回路基板検査装置（１）には、以下の改善すべき課題がある。すなわち、従来の回路基板検査装置（１）では、検査用プローブ（３）を測定ポイント（ＴＰ）から若干離間させた状態で測定ポイント（ＴＰ）での浮遊容量（ＣＳ１）を測定すると共に、検査用プローブ（３）を測定ポイント（ＴＰ）に接触させた状態で対電極間静電容量（ＣＰＲ１  ）を測定して、その差分（ＣＰＲ１  −ＣＳ１）を正規な対電極間静電容量（ＣＣＰ１  ）として導体パターン（ＣＰ）を検査している。この際に、従来の回路基板検査装置（１）では、移動機構（５ａ）が、浮遊容量（ＣＳ１）の測定に際して予め規定された距離だけ（一例として、回路基板（Ｐ）の厚み＋０．５ｍｍ程度の距離だけ）電極部（２）の上面から離間するように検査用プローブ（３）を移動させている。
【０００６】
この場合、例えば回路基板（Ｐ）に反りが生じている状態では、回路基板（Ｐ）の裏面と電極部（２）の表面との間に隙間が生じる。この際には、電極部（２）の上面から予め規定された距離だけ検査用プローブ（３）を離間させたとしても、回路基板（Ｐ）の裏面に生じた隙間の分だけ回路基板（Ｐ）の表面（すなわち、測定ポイント（ＴＰ））が検査用プローブ（３）に接近した状態となり、最悪の場合、検査用プローブ（３）が測定ポイント（ＴＰ）に接触した状態となる。また、回路基板（Ｐ）に反り等が生じていない場合であっても、検査用プローブ（３）の摩耗や曲がり等に起因して、検査用プローブ（３）の先端と測定ポイント（ＴＰ）とが、規定された距離（この場合、０．５ｍｍ）よりも大きく離間することもある。このように、従来の回路基板検査装置（１）には、回路基板（Ｐ）の反りや検査用プローブ（３）の摩耗等に起因して、測定される浮遊容量（ＣＳ１）が変動するおそれがあり、回路基板（Ｐ）を高精度で検査するのが困難になることがあるという課題が存在する。
【０００７】
また、従来の回路基板検査装置（１）では、浮遊容量（ＣＳ１）の測定が完了して対電極間静電容量（ＣＰＲ１  ）の測定を開始する際に、移動機構（５ａ）が、測定ポイント（ＴＰ）に接触するように検査用プローブ（３）を移動させている。したがって、１つの測定ポイント（ＴＰ）についての検査を実行する都度、測定ポイント（ＴＰ）から若干離間させた状態（浮遊容量（ＣＳ１）の測定時）、および測定ポイント（ＴＰ）に接触させた状態（対電極間静電容量（ＣＰＲ１  ）の測定時）の２段階で検査用プローブ（３）を移動させる必要がある。このため、従来の回路基板検査装置（１）には、検査用プローブ（３）の段階的な移動に時間を要する結果、検査時間を短縮するのが困難であるという課題が存在する。
【０００８】
本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、検査対象の回路基板を高精度でしかも短時間で検査し得る回路基板検査装置を提供することを主目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく請求項１記載の回路基板検査方法は、検査対象の回路基板内における所定の導体パターンの近傍であって当該回路基板内の各導体パターンに対して絶縁されている部位にプローブを接触させてそのプローブと当該回路基板内における基準電極との間における電気的パラメータを第１測定値として測定し、前記導体パターンに前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における電気的パラメータを第２測定値として測定し、当該測定した第２測定値と前記第１測定値との差分値を算出し、当該差分値と対応する基準値とを比較して前記導体パターンの良否を検査する。
【００１０】
請求項２記載の回路基板検査方法は、良品の回路基板内における所定の導体パターンの近傍であって当該回路基板内の各導体パターンに対して絶縁されている部位にプローブを接触させてそのプローブと当該回路基板内における基準電極との間における電気的パラメータを第１測定値として測定し、前記導体パターンに前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における電気的パラメータを第２測定値として測定し、当該測定した第２測定値と前記第１測定値との差分値を算出して当該差分値を基準値として記憶し、当該記憶した基準値に基づいて検査対象の回路基板における導体パターンの良否を検査する。
【００１１】
請求項３記載の回路基板検査方法は、検査対象の回路基板内の各導体パターンに対して絶縁されている当該回路基板内の部位にプローブを接触させてそのプローブと当該回路基板内における基準電極との間における電気的パラメータを第１測定値として測定し、当該測定した第１測定値に対応して予め記憶されている第１測定値対応基準値と当該第１測定値との差分値を算出すると共に前記各導体パターンに対応する各第１測定値対応基準値を当該差分値で補正し、前記各導体パターンに前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における電気的パラメータを第２測定値として測定し、当該測定した各第２測定値と対応する前記補正後の第１測定値対応基準値との差分値を算出し、当該各差分値と対応する基準値とを比較して前記導体パターンの良否を検査する。
【００１２】
請求項４記載の回路基板検査方法は、請求項１から３のいずれかに記載の回路基板検査方法において、前記電気的パラメータとして、前記プローブと前記基準電極との間における静電容量、および当該プローブと当該基準電極との間を流れる電流の少なくとも１種を測定する。
【００１３】
請求項５記載の回路基板検査装置は、プローブと、当該プローブを移動させて検査対象の回路基板に接触可能とするプローブ移動機構と、前記プローブおよび当該回路基板内における基準電極の間に信号を出力して電気的パラメータを測定する測定部と、前記プローブ移動機構を制御すると共に前記測定された電気的パラメータに基づいて前記回路基板を検査する制御部と、記憶部とを備え、前記制御部は、前記プローブ移動機構および前記測定部を制御して、前記回路基板内における所定の導体パターンの近傍であって当該回路基板内の各導体パターンに対して絶縁されている部位に前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における前記電気的パラメータを第１測定値として測定させ、前記導体パターンに前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における前記電気的パラメータを第２測定値として測定させ、当該測定した第２測定値と前記第１測定値との差分値を算出し、当該差分値と前記記憶部に予め記憶されている対応する基準値とを比較して前記導体パターンの良否を検査する。
【００１４】
請求項６記載の回路基板検査装置は、プローブと、当該プローブを移動させて検査対象の回路基板に接触可能とするプローブ移動機構と、前記プローブおよび当該回路基板内における基準電極の間に信号を出力して電気的パラメータを測定する測定部と、前記プローブ移動機構を制御すると共に前記測定された電気的パラメータに基づいて前記回路基板を検査する制御部と、記憶する記憶部とを備え、前記制御部は、前記プローブ移動機構および前記測定部を制御して、良品の前記回路基板内における所定の導体パターンの近傍であって当該回路基板内の各導体パターンに対して絶縁されている部位に前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における前記電気的パラメータを第１測定値として測定させ、前記導体パターンに前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における前記電気的パラメータを第２測定値として測定させ、当該測定した第２測定値と前記第１測定値との差分値を算出して当該差分値を前記記憶部に基準値として記憶させ、当該記憶されている対応する基準値に基づいて前記導体パターンの良否を検査する。
【００１５】
請求項７記載の回路基板検査装置は、プローブと、当該プローブを移動させて検査対象の回路基板に接触可能とするプローブ移動機構と、前記プローブおよび当該回路基板内における基準電極の間に信号を出力して電気的パラメータを測定する測定部と、前記プローブ移動機構を制御すると共に前記測定された電気的パラメータに基づいて前記回路基板を検査する制御部と、記憶部とを備え、前記制御部は、前記プローブ移動機構および前記測定部を制御して、前記回路基板内の各導体パターンに対して絶縁されている当該回路基板内の部位に前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における前記電気的パラメータを第１測定値として測定させ、当該測定した第１測定値に対応して前記記憶部に予め記憶されている第１測定値対応基準値と当該第１測定値との差分値を算出すると共に前記各導体パターンに対応して当該記憶部に予め記憶されている前記各第１測定値対応基準値を当該差分値で補正し、前記各導体パターンに前記プローブを接触させてそのプローブと前記基準電極との間における前記電気的パラメータを第２測定値として測定させ、当該測定した各第２測定値と対応する前記補正後の第１測定値対応基準値との差分値を算出し、当該各差分値と前記記憶部に予め記憶されている対応する基準値とを比較して前記導体パターンの良否を検査する。
【００１６】
請求項８記載の回路基板検査装置は、請求項５から７のいずれかに記載の回路基板検査装置において、前記電気的パラメータとして、前記プローブと前記基準電極との間における静電容量、および当該プローブと当該基準電極との間を流れる電流の少なくとも１種を測定する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る回路基板検査装置の好適な発明の実施の形態について説明する。
【００１８】
最初に、本発明を適用した回路基板検査装置１の構成について、図面を参照して説明する。
【００１９】
回路基板検査装置１は、図１に示すように、プローブユニット２、検査用のプローブ３ａ，３ｂ、プローブ移動機構（以下、「移動機構」ともいう）５ａ，５ｂ、測定部６、制御部７、ＲＡＭ８およびＲＯＭ９を備えて、回路基板Ｐについての電気的検査を実行可能に構成されている。この場合、回路基板Ｐは、一例として、集積回路をプリント基板に実装するためのピッチ変換用基板であって、図２に示すように、その表面に狭ピッチで形成した複数の導体パターンＰａ，Ｐａ・・（本発明における「各導体パターン」）と、その裏面に広いピッチで形成した複数の導体パターンＰｂ，Ｐｂ・・とが内層の図示しない導体パターンによってそれぞれ接続されて構成されている。また、回路基板Ｐには、本発明における基準電極に相当する内層ベタパターンＰｃが形成されている。この内層ベタパターンＰｃは、複数の導体パターンＰｂ，Ｐｂ・・のうちの一つ（以下、他の導体パターンＰｂと区別するために「導体パターンＰｂｘ」ともいう）に接続されている。
【００２０】
一方、図１に示すように、プローブユニット２は、検査用の複数のプローブ２ａ，２ａ・・を平板状のベース部２ｂに植設して構成されている。この場合、図２に示すように、各プローブ２ａ，２ａ・・は、回路基板Ｐにおける導体パターンＰｂ，Ｐｂ・・の形成ピッチに合わせてベース部２ｂに植設されると共に、互いに絶縁された状態でそれぞれ測定部６に接続されている。また、このプローブユニット２は、例えば、所定の検査位置にセットされた回路基板Ｐに向けて図示しない移動機構によって移動させられることにより、各プローブ２ａ，２ａ・・が導体パターンＰｂ，Ｐｂ・・に接触させられる。プローブ３ａ，３ｂ（以下、区別しないときには「プローブ３」ともいう）は、接触型プローブであって、図１に示すように、プローブ固定具４ａ，４ｂを介して移動機構５ａ，５ｂ（以下、区別しないときには「プローブ固定具４」および「移動機構５」ともいう）に取り付けられると共に、それぞれ測定部６に接続されている。移動機構５は、制御部７の制御下でプローブ３を上下左右に移動させることによってプローブ３の先端を回路基板Ｐの表面における所定位置に接触させる。
【００２１】
測定部６は、制御部７の制御に従い、導体パターンＰｂｘに接触しているプローブ２ａ（以下、他のプローブ２ａと区別するために、「プローブ２ａｘ」ともいう）およびプローブ３を介して検査対象体に検査用の信号としての測定用交流信号を出力して、出力した測定用交流信号の電圧の位相とその検査対象体および内層ベタパターンＰｃの間を流れる電流の位相との間の位相差を測定して、測定用交流信号の電圧、測定した電流、および測定した位相差に基づいて検査対象体および内層ベタパターンＰｃ間の静電容量（本発明における「電気的パラメータ」および「少なくとも１種」の一例）を測定する。制御部７は、移動機構５および測定部６の動作を制御すると共に、測定部６によって出力される測定値を検査用の基準値とし吸収してＲＡＭ８に記憶させる基準値吸収処理、および、測定部６によって出力される測定値に基づいて回路基板Ｐを検査する検査処理を実行する。ＲＡＭ８は、本発明における記憶部に相当し、測定部６によって出力される複数の測定値、およびプローブ３を接触させるべき測定ポイントＴＰの位置を特定可能な位置データなどを記憶する。また、ＲＡＭ８は、良品の基板から吸収した検査用の基準値を記憶する。ＲＯＭ９は、制御部７の動作プログラムを記憶する。
【００２２】
次に、検査処理時に用いる検査用の基準値を良品の回路基板Ｐから吸収する基準値吸収処理について、図面を参照して説明する。
【００２３】
まず、図２に示すように、導体パターンＰａ，Ｐａ・・の形成面を表面側にして（上向きにして）良品の回路基板Ｐを検査位置にセットする。次に、制御部７が基準値吸収処理を開始する。この処理では、制御部７は、図示しない移動機構を制御してプローブユニット２を回路基板Ｐに向けて移動させて各プローブ２ａ，２ａ・・を導体パターンＰｂ，Ｐｂ・・にそれぞれ接触させる。これにより、プローブ２ａｘが導体パターンＰｂｘを介して内層ベタパターンＰｃに接続される。また、制御部７は、移動機構５を制御して、回路基板Ｐの表面における導体パターンＰａｘ（本発明における「所定の導体パターン」）の近傍であって各導体パターンＰａ，Ｐａ・・に対して絶縁された部位（以下、「測定ポイントＴＰ１ａ」ともいう）の上方に移動させて下動させることにより、測定ポイントＴＰ１ａ（例えばレジスト層の表面）にプローブ３の先端を接触させる。
【００２４】
次に、制御部７は、測定部６を制御して内層ベタパターンＰｃおよびプローブ３間の静電容量の測定（本発明における第１測定値の測定）を開始させる。この際に、測定部６は、プローブ２ａｘおよびプローブ３を介して内層ベタパターンＰｃおよびプローブ３の間に測定用交流信号を出力して上記した位相差の測定を実行し、測定した位相差等に基づいて静電容量を測定して、その測定値（実測値）を制御部７に出力する。ここで、一例として、測定ポイントＴＰ１ａについての実測値として５１５ｆＦが測定される。また、制御部７は、測定部６によって出力された測定値（実測値）をＲＡＭ８に記憶させる。この場合、測定ポイントＴＰ１ａにおける静電容量の測定に際して、回路基板Ｐの反り、またはプローブ３の摩耗や曲がりが生じていたとしても、内層ベタパターンＰｃとプローブ３との距離（すなわち、回路基板Ｐにおける内層ベタパターンＰｃ上の基材およびレジスト層等の厚み）が変化しないで一定のため、回路基板Ｐの反り等の影響が排除された静電容量（浮遊容量）が測定される。
【００２５】
次いで、図３に示すように、制御部７は、移動機構５を制御して、導体パターンＰａｘ（測定ポイントＴＰ１）にプローブ３の先端を接触させる。続いて、制御部７は、測定部６を制御して内層ベタパターンＰｃおよびプローブ３間の静電容量の測定を開始させる（本発明における第２測定値の測定）。この際に、測定部６は、プローブ２ａｘおよびプローブ３を介して内層ベタパターンＰｃおよびプローブ３の間に測定用交流信号を出力して上記した位相差の測定を実行し、測定した位相差等に基づいて静電容量を測定して、その測定値（実測値）を制御部７に出力する。この場合、一例として、測定ポイントＴＰ１についての実測値として５４０ｆＦが測定される。また、制御部７は、測定部６によって出力された測定値をＲＡＭ８に記憶させる。この後、制御部７は、他の導体パターンＰａ（測定ポイントＴＰ２，ＴＰ３・・）についても導体パターンＰａｘと同様にして、その導体パターンＰａの近傍であって各導体パターンＰａ，Ｐａ・・に対して絶縁された部位（以下、「測定ポイントＴＰ２ａ，ＴＰ３ａ・・」ともいう）にプローブ３の先端を接触させて静電容量（第１測定値）を測定させて測定値をＲＡＭ８に記憶させた後に、導体パターンＰａにプローブ３の先端を接触させて静電容量（第２測定値）を測定させて測定値をＲＡＭ８に記憶させる。
【００２６】
次に、制御部７は、各測定ポイントＴＰ１〜ＴＰｎについての実測値（静電容量）をその導体パターンＰａについての正規な静電容量に補正して算出する算出処理を開始する。具体的には、制御部７は、例えば測定ポイントＴＰ１についての実測値（この場合、５４０ｆＦ）から測定ポイントＴＰ１ａについての実測値（この場合、５１５ｆＦ）を差し引くことにより、その差分値（その導体パターンＰａについての正規な静電容量：この例では、２５ｆＦ）を算出する。次いで、制御部７は、その算出結果（導体パターンについての正規な静電容量）を測定ポイントＴＰ１（導体パターンＰａｘ）についての基準値としてＲＡＭ８に記憶させる。また、測定ポイントＴＰ２については、測定ポイントＴＰ２についての実測値から測定ポイントＴＰ２ａについての実測値を差し引くことにより、その差分値（その導体パターンについての正規な静電容量）を算出して算出結果を測定ポイントＴＰ２（導体パターンＰａ）についての基準値としてＲＡＭ８に記憶させる。これにより、回路基板Ｐからの基準値の吸収（基準値吸収処理）が完了する。
【００２７】
次いで、回路基板検査装置１による回路基板Ｐの検査方法について、図面を参照して説明する。なお、この回路基板検査装置１は、出願人が開示している従来の回路基板検査装置（１）と同様にして、プローブユニット２およびプローブ３ａ，３ｂを使用した導体パターンの導通検査等を実行可能に構成されているが、その導通検査等自体の説明については、本発明についての理解を容易とするために省略する。
【００２８】
まず、図２に示すように、導体パターンＰａ，Ｐａ・・の形成面を表面側にして（上向きにして）検査対象の回路基板Ｐを検査位置にセットする。次に、制御部７が回路基板Ｐについての検査処理を開始する。この処理では、制御部７は、図示しない移動機構を制御してプローブユニット２を回路基板Ｐに向けて移動させて各プローブ２ａ，２ａ・・を導体パターンＰｂ，Ｐｂ・・にそれぞれ接触させる。これにより、プローブ２ａｘが導体パターンＰｂｘを介して内層ベタパターンＰｃに接続される。また、制御部７は、移動機構５を制御して、回路基板Ｐの表面における導体パターンＰａｘ（本発明における「所定の導体パターン」）の近傍であって各導体パターンＰａ，Ｐａ・・に対して絶縁された部位（測定ポイントＴＰ１ａ）の上方に移動させて下動させることにより、測定ポイントＴＰ１ａ（例えばレジスト層の表面）にプローブ３の先端を接触させる。
【００２９】
次に、制御部７は、測定部６を制御して内層ベタパターンＰｃおよびプローブ３間の静電容量の測定（本発明における第１測定値の測定）を開始させる。この際に、測定部６は、前述した基準値吸収処理時と同様にして、プローブ２ａｘおよびプローブ３を介して内層ベタパターンＰｃおよびプローブ３の間に測定用交流信号を出力して上記した位相差の測定を実行し、測定した位相差等に基づいて静電容量を測定して、その測定値（実測値）を制御部７に出力する。ここで、一例として、測定ポイントＴＰ１ａについての実測値として５１５ｆＦが測定される。また、制御部７は、測定部６によって出力された測定値（実測値）をＲＡＭ８に記憶させる。この場合、測定ポイントＴＰ１ａにおける静電容量の測定に際して、回路基板Ｐの反り、またはプローブ３の摩耗や曲がりが生じていたとしても、内層ベタパターンＰｃとプローブ３との距離（すなわち、回路基板Ｐにおける内層ベタパターンＰｃ上の基材およびレジスト層等の厚み）が変化しないで一定のため、回路基板Ｐの反り等の影響が排除された静電容量（浮遊容量）が測定される。
【００３０】
次いで、図３に示すように、制御部７は、移動機構５を制御して、導体パターンＰａｘ（測定ポイントＴＰ１）にプローブ３の先端を接触させる。続いて、制御部７は、測定部６を制御して内層ベタパターンＰｃおよびプローブ３間の静電容量の測定を開始させる（本発明における第２測定値の測定）。この際に、測定部６は、プローブ２ａｘおよびプローブ３を介して内層ベタパターンＰｃおよびプローブ３の間に測定用交流信号を出力して上記した位相差の測定を実行し、測定した位相差等に基づいて静電容量を測定して、その測定値（実測値）を制御部７に出力する。この場合、一例として、測定ポイントＴＰ１についての実測値として５４０ｆＦが測定される。また、制御部７は、測定部６によって出力された測定値をＲＡＭ８に記憶させる。この後、制御部７は、他の導体パターンＰａ（測定ポイントＴＰ２，ＴＰ３・・）についても導体パターンＰａｘと同様にして、その導体パターンＰａの近傍であって各導体パターンＰａ，Ｐａ・・に対して絶縁された部位（以下、「測定ポイントＴＰ２ａ，ＴＰ３ａ・・」ともいう）にプローブ３の先端を接触させて静電容量（第１測定値）を測定させて測定値をＲＡＭ８に記憶させた後に、導体パターンＰａにプローブ３の先端を接触させて静電容量（第２測定値）を測定させて測定値をＲＡＭ８に記憶させる。
【００３１】
次に、制御部７は、各測定ポイントＴＰ１〜ＴＰｎについての実測値（静電容量）をその導体パターンＰａについての正規な静電容量に補正して算出する算出処理を開始する。具体的には、制御部７は、例えば測定ポイントＴＰ１についての実測値（この場合、５４０ｆＦ）から測定ポイントＴＰ１ａについての実測値（この場合、５１５ｆＦ）を差し引くことにより、その差分値（その導体パターンＰａについての正規な静電容量：この例では、２５ｆＦ）を算出する。次いで、制御部７は、その算出結果（導体パターンについての正規な静電容量）と、ＲＡＭ８から読み出した基準値とを比較して、正規な静電容量が基準値に対する所定の上下限値の範囲内（一例として、基準値に対して±２０％以内）のときに、その導体パターンに断線および短絡が存在しないと判別する。逆に、正規な静電容量が上限値（例えば、基準値に対して＋２０％）を超えるときには、その導体パターンに短絡が存在し、正規な静電容量が下限値（例えば、基準値に対して−２０％）未満のときには、その導体パターンに断線が存在すると判別する。この後、制御部７は、他の測定ポイントＴＰ２〜ＴＰｎについても、上記の算出処理、および基準値（上下限値）との比較処理を順次実行する。これにより、回路基板Ｐの検査処理が完了する。
【００３２】
このように、この回路基板検査装置１によれば、各導体パターンＰａ，Ｐａ・・に対して絶縁されている部位（測定ポイントＴＰ１ａ，ＴＰ２ａ・・）にプローブ３を接触させて本発明における第１測定値を測定すると共に各導体パターンＰａ，Ｐａ・・（測定ポイントＴＰ１，ＴＰ２・・）にプローブ３を接触させて本発明における第２測定値を測定し、測定した両測定値の差分値を算出して基準値として記憶して、その基準値に基づいて回路基板Ｐを検査することにより、回路基板Ｐの反り、およびプローブ３の摩耗等が生じているときであっても、良品の回路基板Ｐから各導体パターンＰａ（測定ポイントＴＰ）についての正確な基準値を吸収することができる。したがって、この基準値に基づいて検査することで、回路基板Ｐを高精度で検査することができる。
【００３３】
また、この回路基板検査装置１によれば、各導体パターンＰａ，Ｐａ・・に対して絶縁されている部位にプローブ３を接触させて本発明における第１測定値を測定すると共に各導体パターンＰａ，Ｐａ・・にプローブ３を接触させて本発明における第２測定値を測定し、測定した両測定値の差分値を算出して差分値と基準値（上下限値）とを比較することにより、回路基板Ｐの反り、およびプローブ３の摩耗等が生じているときであっても、各導体パターンＰａについての浮遊容量を正確かつ確実に測定することができる。この結果、各導体パターンＰａについての正規な静電容量を確実に算出することができるため、回路基板Ｐを高精度で検査することができる。
【００３４】
さらに、この回路基板検査装置１によれば、静電容量（本発明における少なくとも１種の測定値）を本発明における電気的パラメータとして測定することにより、正規な電気的パラメータを算出する算出処理を簡易な構成でありながら確実かつ迅速に実行することができる結果、回路基板Ｐの検査処理を確実かつ迅速に実行することができる。
【００３５】
次に、回路基板検査装置１による回路基板Ｐの他の検査方法について、図面を参照して説明する。なお、ＲＡＭ８（本発明における記憶部）には、良品の基板から予め吸収した基準値が記憶されているものとする。この場合、ＲＡＭ８に記憶されている基準値については、前述した基準値吸収処理によって吸収した値に限定されない。
【００３６】
まず、図２に示すように、導体パターンＰａ，Ｐａ・・の形成面を表面側にして（同図では上向きにして）回路基板Ｐを検査位置にセットする。次に、制御部７が回路基板Ｐについての検査処理を開始する。この処理では、制御部７は、図示しない移動機構を制御してプローブユニット２を回路基板Ｐに向けて移動させて各プローブ２ａ，２ａ・・を導体パターンＰｂ，Ｐｂ・・にそれぞれ接触させる。これにより、プローブ２ａｘが導体パターンＰｂｘを介して内層ベタパターンＰｃに接続される。また、制御部７は、移動機構５を制御して、回路基板Ｐの表面における導体パターンＰａｘ（本発明における「所定の導体パターン」：以下、「測定ポイントＴＰ１」ともいう）の近傍であって各導体パターンＰａ，Ｐａ・・に対して絶縁された部位（以下、「測定ポイントＴＰ１ａ」ともいう）の上方に移動させて下動させることにより、測定ポイントＴＰ１ａ（例えばレジスト層の表面）にプローブ３の先端を接触させる。次に、制御部７は、測定部６を制御して内層ベタパターンＰｃおよびプローブ３間の静電容量の測定（本発明における第１測定値の測定）を開始させる。この際に、測定部６は、プローブ２ａｘおよびプローブ３を介して内層ベタパターンＰｃおよびプローブ３の間に測定用交流信号を出力して上記した位相差の測定を実行し、測定した位相差等に基づいて静電容量を測定して、その測定値（実測値）を制御部７に出力する。ここで、図４に示すように、一例として、測定ポイントＴＰ１ａについての実測値として５１５ｆＦが測定される。また、制御部７は、測定部６によって出力された測定値（実測値）をＲＡＭ８に記憶させる。
【００３７】
この場合、測定ポイントＴＰ１ａにおける静電容量の測定に際して、回路基板Ｐの反り、またはプローブ３の摩耗や曲がりが生じていたとしても、内層ベタパターンＰｃとプローブ３との距離（すなわち、回路基板Ｐにおける内層ベタパターンＰｃ上の基材およびレジスト層等の厚み）が変化しないで一定のため、回路基板Ｐの反り等の影響が排除された静電容量（浮遊容量）が測定される。したがって、この際に測定した静電容量（この場合、５１５ｆＦ）は、良品基板から予め吸収してＲＡＭ８に記憶されている測定ポイントＴＰ１についての基準浮遊容量（本発明における第１測定値対応基準値：この場合、一例として５０５ｆＦ）と比較して、この実測値の測定時における周囲温度と基準浮遊容量の測定時（吸収時）における周囲温度との温度差に起因して増減する静電容量の変化分のみが増減する。したがって、制御部７は、ＲＡＭ８に記憶されている基準浮遊容量（この場合、５０５ｆＦ）と、測定部６によって測定された実測値（この場合、５１５ｆＦ）との差分値（第１測定値対応基準値と第１測定値との差分値：この場合、増加した１０ｆＦ）を算出してＲＡＭ８に記憶させる。
【００３８】
次に、制御部７は、回路基板Ｐに形成されている各導体パターンＰａ上の各測定ポイントＴＰ１〜ＴＰｎ（図示せず）のそれぞれについての基準浮遊容量を上記の差分値（以下、「補正用の差分値」ともいう）で補正する。この場合、測定時における周囲の温度差に起因して増減する変化分については、各測定ポイントＴＰ１〜ＴＰｎのすべてに対して一様に（等しく）影響する。したがって、測定ポイントＴＰ１ａにおいて測定した静電容量に基づいて算出した補正用の差分値で各測定ポイントＴＰ１〜ＴＰｎについての基準浮遊容量を補正することにより、基準浮遊容量を吸収した時と、この検査処理の実行時との周囲温度差に起因する静電容量の変化の影響を排除した（上記の変化分を除いた）浮遊容量（本発明における「補正後の第１測定値対応基準値」：以下、「補正後浮遊容量」ともいう）が算出される。具体的には、図４に示すように、測定ポイントＴＰ１についての基準浮遊容量が５０５ｆＦのときには、制御部７は、この基準浮遊容量を補正用の差分値（この場合、１０ｆＦ）で補正することにより、この検査処理時における測定ポイントＴＰ１の補正後浮遊容量を５１５ｆＦとしてＲＡＭ８に記憶させる。また、測定ポイントＴＰ２についての基準浮遊容量が５１０ｆＦのときには、制御部７は、この基準浮遊容量を補正用の差分値で補正することにより、この検査処理時における測定ポイントＴＰ２の補正後浮遊容量を５２０ｆＦとしてＲＡＭ８に記憶させる。以下、同様にして、制御部７は、測定ポイントＴＰ３〜ＴＰｎのそれぞれについて基準浮遊容量を補正用の差分値で補正して、補正後浮遊容量をＲＡＭ８に順次記憶させる。
【００３９】
次いで、図３に示すように、制御部７は、移動機構５を制御して、導体パターンＰａｘ（測定ポイントＴＰ１）にプローブ３の先端を接触させる。続いて、制御部７は、測定部６を制御して内層ベタパターンＰｃおよびプローブ３間の静電容量の測定を開始させる（本発明における第２測定値の測定）。この際に、測定部６は、プローブ２ａｘおよびプローブ３を介して内層ベタパターンＰｃおよびプローブ３の間に測定用交流信号を出力して上記した位相差の測定を実行し、測定した位相差等に基づいて静電容量を測定して、その測定値（実測値）を制御部７に出力する。この場合、図４に示すように、一例として、測定ポイントＴＰ１についての実測値として５４０ｆＦが測定される。また、制御部７は、測定部６によって出力された測定値をＲＡＭ８に記憶させる。この後、制御部７は、移動機構５を制御して、他の導体パターンＰａ（測定ポイントＴＰ２，ＴＰ３・・）にプローブ３の先端を順次接触させ、その都度、測定部６を制御して内層ベタパターンＰｃおよびプローブ３間の静電容量を測定させて、その実測値をＲＡＭ８に順次記憶させる。
【００４０】
次に、制御部７は、各測定ポイントＴＰ１〜ＴＰｎについての実測値（静電容量）をその導体パターンについての正規な静電容量に補正して算出する算出処理を開始する。具体的には、制御部７は、例えば測定ポイントＴＰ１についての実測値（この場合、５４０ｆＦ）から補正後の浮遊容量（この場合、５１５ｆＦ）を差し引くことにより、その差分値（その導体パターンについての正規な静電容量：この例では、２５ｆＦ）を算出する。次いで、制御部７は、その算出結果（導体パターンについての正規な静電容量）とＲＡＭ８から読み出した基準値とを比較して、正規な静電容量が基準値に対する所定の上下限値の範囲内（一例として、基準値に対して±２０％以内）のときに、その導体パターンに断線および短絡が存在しないと判別する。逆に、正規な静電容量が上限値（例えば、基準値に対して＋２０％）を超えるときには、その導体パターンに短絡が存在し、正規な静電容量が下限値（例えば、基準値に対して−２０％）未満のときには、その導体パターンに断線が存在すると判別する。この後、制御部７は、他の測定ポイントＴＰ２〜ＴＰｎについても、上記の算出処理、および基準値（上下限値）との比較処理を順次実行する。これにより、回路基板Ｐの検査処理が完了する。
【００４１】
このように、この回路基板検査装置１によれば、各導体パターンＰａ，Ｐａ・・に対して絶縁されている部位にプローブ３を接触させて本発明における第１測定値を測定し、ＲＡＭ８に予め記憶されている基準浮遊容量と第１測定値との差分値で各基準浮遊容量を補正し、各測定ポイントＴＰ１〜Ｐｎにおいて測定した実測値と対応する補正後の浮遊容量との差分値を算出して基準値（上下限値）とを比較することにより、回路基板Ｐの反り、およびプローブ３の摩耗等が生じているときであっても、補正用の差分値を算出するための実測値（浮遊容量）を正確かつ確実に測定することができる。この結果、各測定ポイントについての浮遊容量を正確に補正することができるため、各導体パターンについての正規な静電容量を確実に算出することができる。したがって、回路基板Ｐを高精度で検査することができる。また、各測定ポイントＴＰ１〜ＴＰｎ毎に浮遊容量を測定することなく基準浮遊容量を差分値で補正して使用することにより、移動機構５によるプローブ３の移動回数を大幅に減少させることができる結果、回路基板Ｐ全体の検査に要する時間を大幅に短縮することができる。
【００４２】
なお、本発明は、上記した本発明の実施の形態に示した構成に限定されない。例えば、本発明の実施の形態では、本発明における電気的パラメータとして静電容量を測定する例について説明したが、本発明はこれに限定されず、測定ポイントＴＰ１ａについての測定処理においてプローブ３と内層ベタパターンＰｃとの間を流れる電流値を電気的パラメータとして測定すると共に測定ポイントＴＰ１〜ＴＰｎについての測定処理においてプローブ３と内層ベタパターンＰｃとの間を流れる電流値を電気的パラメータとして測定して、測定結果に基づいて基準値（電流値）を算出してＲＡＭ８に記憶させ、その後の検査処理時にも同様にして電流値を電気的パラメータとして測定して回路基板Ｐを検査することもできる。また、本発明の実施の形態では、複数のプローブ２ａ，２ａ・・が植設されたプローブユニット２を備えた回路基板検査装置１を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、導体パターンＰｂｘ（内層ベタパターンＰｃ）に接触可能な単一のプローブ２ａを備えて回路基板Ｐを検査可能に構成することができる。
【００４３】
また、本発明の実施の形態では、各測定ポイントＴＰ１，ＴＰ２・・についての基準浮遊容量を補正する際に、測定ポイントＴＰ１の近傍の測定ポイントＴＰ１ａにプローブ３の先端を接触させて静電容量を測定すると共に、その測定値と測定ポイントＴＰ１についての基準浮遊容量との差分値を算出したが、本発明はこれに限定されず、図２に破線で示すように、各導体パターンＰａ，Ｐａ・・から離間した部位（測定ポイントＴＰｘ）にプローブ３の先端を接触させて静電容量を測定すると共に、その測定値と、測定ポイントＴＰｘについての基準の静電容量との差分値を算出して、その算出結果に基づいて各測定ポイントＴＰ１，ＴＰ２・・についての基準浮遊容量を補正することもできる。さらに、本発明の実施の形態では、測定ポイントＴＰ１ａにおける測定処理、補正用の差分値の算出、および基準浮遊容量の補正が完了した後に、各測定ポイントＴＰ１〜ＴＰｎについての測定処理を実行する例について説明したが、本発明はこれに限定されず、測定ポイントＴＰ１ａにおける測定処理等に先立って各測定ポイントＴＰ１〜ＴＰｎについての測定処理を実行して、その測定値をＲＡＭ８に記憶させておき、測定ポイントＴＰ１ａに対して測定して取得した補正用の差分値で、ＲＡＭ８に記憶されている各測定値を後に補正することで基準値と比較するための差分値（比較用の差分値）を算出することもできる。
【００４４】
さらに、本発明の実施の形態では、本発明における基準電極として内層ベタパターンＰｃを用いる例について説明したが、グランドパターンや電源パターン等のいわゆるベタパターンに限らず、面積の狭い通常の信号パターン、グランドパターンおよび電源パターンなどを基準電極として使用する構成を採用することができる。
【００４５】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る回路基板検査方法および回路基板検査装置によれば、各導体パターンに対して絶縁されている部位にプローブを接触させて第１測定値を測定すると共に導体パターンにプローブを接触させて第２測定値を測定し、測定した第１測定値と第２測定値との差分値を算出して基準値と比較することにより、例えば静電容量を測定値として回路基板を検査する際には、回路基板の反り、およびプローブの摩耗等が生じているときであっても、各導体パターンについての浮遊容量を正確かつ確実に測定することができる。この結果、各導体パターンについての正規な静電容量を確実に算出することができるため、回路基板を高精度で検査することができる。
【００４６】
また、本発明に係る回路基板検査方法および回路基板検査装置によれば、各導体パターンに対して絶縁されている部位にプローブを接触させて第１測定値を測定すると共に導体パターンにプローブを接触させて第２測定値を測定し、測定した第１測定値と第２測定値との差分値を算出して基準値として記憶して、その基準値に基づいて回路基板を検査することにより、回路基板の反り、およびプローブの摩耗等が生じているときであっても、良品の回路基板から各導体パターンについての正確な基準値を吸収することができる。したがって、この基準値に基づいて検査することで、回路基板を高精度で検査することができる。
【００４７】
さらに、本発明に係る回路基板検査方法および回路基板検査装置によれば、各導体パターンに対して絶縁されている部位にプローブを接触させて第１測定値を測定し、予め記憶されている第１測定値対応基準値と第１測定値との差分値で各第１測定値対応基準値を補正し、測定した各第２測定値と対応する補正後の第１測定値対応基準値との差分値を算出して基準値とを比較することにより、回路基板の反り、およびプローブの摩耗等が生じているときであっても、補正用の差分値を算出するための第１測定値を正確かつ確実に測定することができる。この結果、各導体パターンについての第１測定値対応基準値を正確に補正することができるため、基準値と比較するための各導体パターンについての各差分値を確実に算出することができる。したがって、回路基板を高精度で検査することができる。また、各導体パターン毎に第１測定値を測定することなく第１測定値対応基準値を差分値で補正して使用することにより、プローブの移動回数を大幅に減少させることができる結果、回路基板全体の検査に要する時間を大幅に短縮することができる。
【００４８】
また、本発明に係る回路基板検査方法および回路基板検査装置によれば、静電容量、およびプローブを流れる電流の少なくとも１種を電気的パラメータとして測定することにより、正規な電気的パラメータを算出する算出処理を簡易な構成でありながら確実かつ迅速に実行することができる結果、回路基板の検査処理を確実かつ迅速に実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る回路基板検査装置１の構成を示すブロック図である。
【図２】検査対象の回路基板Ｐにおける各導体パターンＰｂｘ，Ｐｂ・・にプローブ２ａｘ，２ａ・・をそれぞれ接触させると共に、導体パターンＰａｘの近傍であって各導体パターンＰａ，Ｐａに対して絶縁されている部位にプローブ３ａを接触させた状態を示す断面図である。
【図３】検査対象の回路基板Ｐにおける各導体パターンＰｂｘ，Ｐｂ・・にプローブ２ａｘ，２ａ・・をそれぞれ接触させると共に、導体パターンＰａｘにプローブ３ａを接触させた状態を示す断面図である。
【図４】各測定ポイントＴＰ１ａ〜ＴＰｎについての基準値、基準浮遊容量、実測値、差分値（補正用）、補正後浮遊容量、差分値（比較用）および判定結果の一例を説明するための説明図である。
【符号の説明】
１  回路基板検査装置
２  プローブユニット
２ａ，２ａｘ  プローブ
２ｂ  ベース部
３ａ，３ｂ  プローブ
５ａ，５ｂ  プローブ移動機構
６  測定部
７  制御部
８  ＲＡＭ
Ｐ  回路基板
Ｐａ，Ｐａｘ，Ｐｂ，Ｐｂｘ  導体パターン
Ｐｃ  内層ベタパターン
【図１】
2005055210.tif 000003
【図２】
2005055210.tif 000004
【図３】
2005055210.tif 000005
【図４】
2005055210.tif 000006