(57)【要約】【課題】  多種多様な種類のレジスト膜に対して、除去特性の向上を図ることができる半導体装置の製造技術を提供する。【解決手段】  個々のレジスト塗布装置１に除去液供給部４を設ける。除去液供給部４は、複数の除去液キャニスタＫ１〜ＫＮを有し、個々の除去液キャニスタＫ１〜ＫＮには、互いに異なる除去液Ｌ１〜ＬＮが入っている。そして、個々の除去液キャニスタＫ１〜ＫＮは、それぞれ流量制御バルブＢ１〜ＢＮを介して除去液用ノズル３に接続されている。そして、複数の除去液キャニスタＫ１〜ＫＮに接続されている流量制御バルブＢ１〜ＢＮを調整することにより、除去液用ノズル３から放出される除去液の種類を、レジスト膜の種類に応じて変える。【選択図】  図１
2005353717.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板上に溶剤を含む膜を塗布する工程と、
（ｂ）前記半導体基板のエッジ部分に形成された前記膜を除去液で除去する工程とを複数回行う半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板に塗布される前記膜の種類によって、前記膜を除去する前記除去液が異なる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
（ａ）半導体基板上に溶剤を含む第１膜を塗布する工程と、
（ｂ）前記半導体基板のエッジ部分に形成された前記第１膜を第１除去液で除去する工程と、
（ｃ）前記半導体基板上に溶剤を含む第２膜であって前記第１膜とは異なる前記第２膜を塗布する工程と、
（ｄ）前記半導体基板のエッジ部分に形成された前記第２膜を前記第１除去液とは異なる第２除去液で除去する工程とを備える半導体装置の製造方法。
【請求項３】
（ａ）半導体基板上に溶剤を含む膜を塗布する工程と、
（ｂ）前記半導体基板のエッジ部分に形成された前記膜を除去する工程とを備え、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）前記半導体基板のエッジ部分に形成された前記膜に対して第１除去液を使用する工程と、
（ｂ２）前記（ｂ１）工程後、前記半導体基板のエッジ部分に形成された前記膜に対して、前記第１除去液とは異なる第２除去液を使用する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
（ａ）半導体基板上に溶剤を塗布する工程と、
（ｂ）前記（ａ）工程後、前記半導体基板上にレジスト膜を塗布する工程とを複数回行う半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板に塗布する前記レジスト膜の種類によって、前記半導体基板上に塗布する前記溶剤の種類が異なる半導体装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）半導体基板上に膜を塗布する塗布部と、
（ｂ）前記半導体基板のエッジ部分に塗布された膜を除去するため、前記半導体基板のエッジ部分に除去液を放出するノズルと、
（ｃ）前記ノズルに接続された除去液供給部とを備え、
前記除去液供給部は、
（ｃ１）互いに異なる種類の前記除去液が入った複数の除去液キャニスタと、
（ｃ２）前記複数の除去液キャニスタのそれぞれに設けられた流量制御バルブとを有し、
前記流量制御バルブを調整することにより、前記ノズルから放出される前記除去液の種類を変える半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術および半導体製造装置に関し、特に、半導体基板上にフォトレジスト膜（以下、単にレジスト膜という）を塗布する工程に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程においては、被処理基板、例えば半導体基板（半導体ウェハ）上にフォトリソグラフィ技術を用いて所定のパターン形成が行われる。このフォトリソグラフィ技術では、レジスト膜を半導体基板の主面上に塗布するが、レジスト膜の塗布には、レジスト膜塗布装置が用いられる。一般に、レジスト膜塗布装置でのレジスト膜の塗布には、スピンコーティング法が用いられる。
【０００３】
このスピンコーティング法は以下に示すような方法である。すなわち、まず、スピンチャックに載置した半導体基板の中央部に、レジスト膜供給系を使用してレジスト膜を滴下した後、スピンチャックを高速回転させる。そして、半導体基板を高速回転することにより発生した遠心力でレジスト膜を半導体基板の中央部から周縁部に広げ、半導体基板上の全面にレジスト膜を均一に塗布するものである。このスピンコーティング法でレジスト膜の塗布を行うと、半導体基板の周縁部において、レジスト膜の膜厚が半導体基板の内部より厚くなる。このため、レジスト膜の塗布工程の後に行われる露光、現像工程で問題となるだけでなく、半導体基板の周縁部に形成されたレジスト膜が半導体基板を搬送する際、半導体基板から剥がれて自動搬送系に付着する。したがって、自動搬送系のトラブル発生の原因となったり、自動搬送系に付着したレジスト膜が再び半導体基板に付着することにより、次工程での異物発生の原因となって半導体装置の製造歩留を低下させている。
【０００４】
そこで、一般的には、レジスト塗布装置に除去液用ノズルを設けている。これにより、半導体基板上にレジスト膜を塗布した後、半導体基板の周縁部に、除去液用ノズルから除去液を吐出させ、半導体基板の周縁部に形成されたレジスト膜を除去している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−３０３１０１号公報（第４頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、従来、除去液用ノズルから放出される除去液は一種類である。すなわち、除去液用ノズルに供給される除去液は、個々のレジスト塗布装置に備えられてはおらず、工場に備えつけられているタンクからそれぞれのレジスト塗布装置に供給されている。このため、工場に備えつけられたタンク内に蓄えられている一種類の除去液がレジスト膜の除去に使用されている。
【０００６】
しかし、半導体装置の製造工程で使用されるレジスト膜の種類は多種多様である。例えば、ゲート電極形成用レジスト膜とコンタクトホール形成用レジスト膜とは種類が異なる。このようにレジスト膜の種類が多種多様にもかかわらず、半導体基板の周縁部に形成されたレジスト膜を除去する除去液が一種類であると、あるレジスト膜では良く除去できるが、別の種類のレジスト膜では良く除去することができないといった問題が生じる。
【０００７】
したがって、半導体基板の周縁部に形成されたレジスト膜の除去が完全に行われないために、残存したレジスト膜からなる異物が発生する問題点がある。
【０００８】
本発明の目的は、多種多様な種類のレジスト膜に対して、除去特性の向上を図ることができる半導体装置の製造技術を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１１】
本発明による半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体基板上に溶剤を含む膜を塗布する工程と、（ｂ）前記半導体基板のエッジ部分に形成された前記膜を除去液で除去する工程とを備える半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板に塗布される前記膜の種類によって、前記膜を除去する前記除去液が異なるものである。
【００１２】
また、本発明による半導体製造装置は、（ａ）半導体基板上に膜を塗布する塗布部と、（ｂ）前記半導体基板のエッジ部分に塗布された膜を除去するため、前記半導体基板のエッジ部分に除去液を吐出するノズルと、（ｃ）前記ノズルに接続された除去液供給部とを備え、前記除去液供給部は、（ｃ１）互いに異なる種類の前記除去液が入った複数の除去液キャニスタと、（ｃ２）前記複数の除去液キャニスタのそれぞれに設けられた流量制御バルブとを有し、前記流量制御バルブを調整することにより、前記ノズルから吐出される前記除去液の種類を変えるものである。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１４】
多種多様な種類のレジスト膜に対して、それぞれの除去特性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１６】
図１は本実施の形態におけるレジスト塗布装置１を示した構成図である。図１において、本実施の形態におけるレジスト塗布装置１は、塗布部２、除去液用ノズル３および除去液供給部４を有している。
【００１７】
塗布部２は、半導体基板５上にレジスト膜５ａを塗布するように構成され、カップ６、スピンチャック７、モータ８、排気管９、廃液管１０、レジスト膜塗布用ノズル１１およびバルブ１２を有している。
【００１８】
カップ６は、塗布部２の外枠体を構成しており、このカップ６内の中央部にスピンチャック７が設けられている。このスピンチャック７は半導体基板５を載置するものであり、半導体基板を吸着して回転できるようになっている。
【００１９】
モータ８は、スピンチャック７に備えつけられており、スピンチャック７を回転させる役割を有している。排気管９および廃液管１０は、レジスト膜を塗布する際に発生するガスや液体をレジスト塗布装置１の外部へ排出するものである。
【００２０】
レジスト膜塗布用ノズル１１は、スピンチャック７に吸着した半導体基板５上にレジスト膜５ａを塗布するため、レジスト材料を半導体基板５の中心部上に滴下できるように構成されている。バルブ１２は、レジスト膜塗布用ノズル１１へのレジスト材料の供給を制御するために設けられている。なお、レジスト膜塗布用ノズル１１からは種類の異なるレジスト膜５ａを滴下できるようになっている。
【００２１】
除去液用ノズル３は、半導体基板５のエッジ部分に塗布されているレジスト膜５ａを除去するため、除去液を放出することができるように構成されている。半導体基板５のエッジ部分は、半導体基板５を搬送する際、搬送装置などによって保持される。このとき、半導体基板５のエッジ部分にレジスト膜５ａが形成されていると、半導体基板５を保持した際、エッジ部分に形成されているレジスト膜５ａが剥がれて異物となる。そして、この異物が半導体基板５に付着することにより、半導体基板５の歩留まりが低下する。そこで、通常レジスト塗布装置１には、レジスト膜５ａを半導体基板５上に塗布した後、エッジ部分に形成されたレジスト膜５ａを予め除去するために、除去液を放出する除去液用ノズル３が設けられている。具体的に除去液用ノズル３を使用して半導体基板５のエッジ部分を除去している様子を図２に示す。図２に示すように、除去液用ノズル３から放出された除去液（図２の破線で示している）は、回転している半導体基板５のエッジ部分にかけられており、このエッジ部分に形成されたレジスト膜５ａが除去されていることがわかる。
【００２２】
次に、除去液供給部４には、図１に示すように、複数の除去液キャニスタ（容器）Ｋ１〜ＫＮ（Ｎは２以上の自然数）が設けられており、この複数の除去液キャニスタＫ１〜ＫＮにはそれぞれ異なる除去液Ｌ１〜ＬＮが入っている。例えば、除去液キャニスタＫ１には、除去液Ｌ１が入っており、除去液キャニスタＫ２には除去液Ｌ２が入っている。これら除去液Ｌ１〜ＬＮは、それぞれ除去するレジスト膜の種類が異なっている。すなわち、レジスト膜には多種多様な種類があるが、除去液Ｌ１〜ＬＮはこれらの多種多様なレジスト膜のうち、効果的に除去できるレジスト膜の種類が異なっている。例えば、除去液Ｌ１は、第１レジスト膜の除去に適しており、除去液Ｌ２は第１レジスト膜と異なる第２レジスト膜の除去に適している。
【００２３】
複数の除去液キャニスタＫ１〜ＫＮは、図１に示すように、それぞれ配管を介して除去液用ノズル３に接続されており、それぞれの除去液キャニスタＫ１〜ＫＮには窒素ガスが導入できるようになっている。このため、窒素ガスを除去液キャニスタＫ１〜ＫＮに導入することにより、除去液キャニスタＫ１〜ＫＮ内の圧力を上昇させて除去液キャニスタＫ１〜ＫＮに入っている除去液Ｌ１〜ＬＮを除去液用ノズル３から放出できるようになっている。
【００２４】
そして、それぞれの配管には流量制御バルブＢ１〜ＢＮ、流量計Ｒ１〜ＲＮおよびフィルタＦ１〜ＦＮが設けられている。例えば、除去液キャニスタＫ１と除去液用ノズル３とをつなぐ配管には流量制御バルブＢ１、流量計Ｒ１およびフィルタＦ１が設けられており、除去液キャニスタＫ２と除去液用ノズル３とをつなぐ配管には流量制御バルブＢ２、流量計Ｒ２およびフィルタＦ２が設けられている。
【００２５】
このように、除去液キャニスタＫ１〜ＫＮのそれぞれにつながる配管に流量制御バルブＢ１〜ＢＮを設けることにより、除去液用ノズル３から放出される除去液の種類を変えることができる。例えば、除去液用ノズル３から放出する除去液として除去液Ｌ１を選択する場合は、除去液キャニスタＫ１に接続されている流量制御バルブＢ１を開いて除去液Ｌ１を流すとともに、除去液キャニスタＫ２〜ＫＮに接続されている流量制御バルブＢ２〜ＢＮを閉じる。これにより、除去液用ノズル３から除去液Ｌ１が放出される。また、除去液用ノズル３から放出する除去液として除去液ＬＮを選択する場合は、除去液キャニスタＫ１〜Ｋ（Ｎ−１）に接続されている流量制御バルブＢ１〜Ｂ（Ｎ−１）を閉じる一方、除去液キャニスタＫＮに接続されている流量制御バルブＢＮを開く。これにより、除去液用ノズル３から除去液ＬＮが放出される。
【００２６】
さらに、除去液用ノズル３から放出する除去液を、異なる除去液の混合液とすることもできる。例えば、除去液Ｌ１と除去液Ｌ２の混合液を使用する場合には、除去液キャニスタＫ１に接続されている流量制御バルブＢ１と除去液キャニスタＫ２に接続されている流量制御バルブＢ２を開き、その他の除去液キャニスタＫ３〜ＫＮに接続されている流量制御バルブＢ３〜ＢＮを閉じる。これにより、除去液Ｌ１と除去液Ｌ２との混合液が除去液用ノズル３から放出される。また、除去液Ｌ１と除去液Ｌ２との混合比を変えたい場合には、流量制御バルブＢ１および流量制御バルブＢ２を調節することで対応できる。すなわち、除去液Ｌ１の量に対して除去液Ｌ２の量を多くしたい場合には、流量制御バルブＢ１の開口度を流量制御バルブＢ２の開口度に比べて相対的に小さくすることにより、除去液Ｌ１の流量を除去液Ｌ２の流量よりも少なくする。これによって、除去液Ｌ１よりも除去液Ｌ２の比率を高めた混合液を除去液用ノズル３から放出することができる。
【００２７】
また、本実施の形態におけるレジスト塗布装置によれば、経時的に除去液用ノズル３から放出する除去液を変えることもできる。例えば、レジスト膜５ａの種類によっては、最初に第１の除去液を使用し、その後第２の除去液を使用することで、半導体基板５のエッジ部分に形成されたレジスト膜５ａを効果的に除去できる場合がある。このような場合であっても本実施の形態によれば以下に示すように対応可能である。例えば、レジスト膜５ａの除去に際し、最初は除去液（第１除去液）Ｌ１を使用し、その後除去液（第２除去液）Ｌ２を使用する場合を説明する。まず、除去液キャニスタＫ１に接続されている流量制御バルブＢ１を開く一方、その他の除去液キャニスタＫ２〜ＫＮに接続されている流量制御バルブＢ２〜ＢＮを閉じることによって、除去液用ノズル３からは除去液Ｌ１が放出される。続いて、一定時間除去液用ノズル３から除去液Ｌ１を放出した後、流量制御バルブＢ１を閉じるとともに、除去液キャニスタＫ２に接続されている流量制御バルブＢ２を開く。すると、流量制御バルブＢ２だけが開いているため、除去液Ｌ２が除去液用ノズル３から放出される。このようにして、段階的に除去液の種類を変えることができる。
【００２８】
なお、配管に設けられているフィルタＦ１〜ＦＮは除去液キャニスタＫ１〜ＫＮ内に入っている除去液Ｌ１〜ＬＮに混入している異物を除去するために設けられている。
【００２９】
以上述べたように、本実施の形態によれば、複数の除去液キャニスタＫ１〜ＫＮに接続されている流量制御バルブＢ１〜ＢＮを調整することにより、除去液用ノズル３から放出される除去液の種類を変えることができる。したがって、半導体基板５上に塗布されたレジスト膜５ａの種類に応じて、最適な除去液を選択して除去することが可能となる。このため、半導体基板５のエッジ部分に形成されているレジスト膜５ａを効果的に除去することができ、半導体基板５のエッジ部分に残存するレジスト膜５ａの剥離による異物発生を抑制することができる。つまり、異物発生による製品歩留まり低下を抑制することができる。
【００３０】
従来のレジスト塗布装置では、個々に除去液供給部４は設けられておらず、工場配管から一律に供給されている一種類の除去液しか使用していなかった。このため、多種多様なレジスト膜の除去を効果的に除去することができず、レジスト膜の剥離による異物発生を抑制することが困難であった。これに対し、本実施の形態では、個々のレジスト塗布装置に除去液供給部４を設けている。この除去供給部４には、上述したように複数の除去液キャニスタＫ１〜ＫＮを備えており、これらの除去液キャニスタＫ１〜ＫＮには異なるレジスト膜５ａの除去に対応した除去液Ｌ１〜ＬＮが入っている。そして、除去液キャニスタＫ１〜ＫＮに接続されている流量制御バルブＢ１〜ＢＮを調整することにより、除去液用ノズル３から放出される除去液の種類を変えることができる。このため、多種多様なレジスト膜５ａを効果的に除去することができる。
【００３１】
次に、本実施の形態におけるレジスト塗布装置１を使用した半導体装置（ＭＩＳＦＥＴ；Metal  Insulator  Semiconductor  Field  Effect  Transistor）の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００３２】
図３に示すように、例えば１〜１０Ωｃｍ程度の比抵抗を有する半導体基板２０を用意する。この半導体基板２０は、ｐ型の単結晶シリコンよりなり、その主面（素子形成面）には、素子分離領域２１が形成されている。素子分離領域２１は、酸化シリコンよりなり、例えばＳＴＩ（Shallow  Trench  Isolation）法やＬＯＣＯＳ（Local  Oxidization  Of  Silicon）などによって形成される。図２では、ＳＴＩ法を使用して形成された素子分離領域２１を示している。すなわち、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用して半導体基板２０に溝を形成した後、この溝を埋め込むように酸化シリコン膜し、その後、ＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing）などの研磨法を使用して溝内にだけ酸化シリコン膜を残すことにより形成された素子分離領域２１を図３では示している。
【００３３】
次に、半導体基板２０に形成された素子分離領域２１によって分けられた活性領域、すなわちｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1形成領域にｐ型ウェル２２を形成する。ｐ型ウェル２２は、例えばフォトリソグラフィ技術およびイオン注入法により、ボロン（Ｂ）やフッ化ボロン（ＢＦ2）を半導体基板２０内に導入することによって形成される。同様に、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2形成領域にｎ型ウェル２３を形成する。ｎ型ウェル２３は、例えばフォトリソグラフィ技術およびイオン注入法により、リン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）を導入することによって形成される。
【００３４】
続いて、図４に示すように、半導体基板２０上に、ゲート絶縁膜２４を形成する。ゲート絶縁膜２４は、例えば薄い酸化シリコン膜からなり、例えば熱酸化法を使用して形成することができる。そして、ゲート絶縁膜２４上にポリシリコン膜２５を形成する。ポリシリコン膜２５は、例えばＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法を使用して形成することができる。ここで、ポリシリコン膜２５を形成する際、リンなどの導電型不純物が添加される。なお、ポリシリコン膜２５を形成した後、ポリシリコン膜２５内のｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1形成領域（ゲート電極形成領域）にリンなどのｎ型不純物を導入し、ポリシリコン膜２５内のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2形成領域（ゲート電極形成領域）にボロンなどのｐ型不純物を導入してもよい。
【００３５】
次に、ポリシリコン膜２５を形成した半導体基板２０は、本実施の形態におけるレジスト塗布装置１に搬入される。レジスト塗布装置１に搬入された半導体基板２０は、図１に示すように、スピンチャック７上に載置される。続いて、半導体基板２０に形成されたポリシリコン膜２５上に、図１に示すレジスト膜塗布用ノズル１１からゲート電極形成用レジスト（例えば、ＴＳＣＲ−１１０ｉ（東京応化製））を滴下する。このとき、ゲート電極形成用レジスト膜（溶剤を含む第１膜）２６は、半導体基板２０の中心部に滴下される。そして、半導体基板２０を吸着したスピンチャック７をモータ８により回転することで、半導体基板２０の中心部に滴下したゲート電極形成用レジストを半導体基板２０の主面の全面に塗布する。すなわち、スピンチャック７を回転することにより、ゲート電極形成用レジスト膜２６に遠心力が働く。このため、遠心力によってゲート電極形成用レジストは半導体基板２０の周囲に広がる。
【００３６】
このようにして、図４に示すように、ポリシリコン膜２５上にゲート電極形成用レジスト膜２６が形成される。このゲート電極形成用レジスト膜２６は感光剤、樹脂および溶剤の混合液で形成されている。つまり、ゲート電極形成用レジスト膜２６は溶剤を含む膜である。なお、ゲート電極形成用レジスト膜２６に限らず、以下の工程で使用されるレジスト膜は溶剤を含む膜である。
【００３７】
次に、レジスト塗布装置１において、半導体基板２０のエッジ部分に形成されたゲート電極形成用レジスト膜２６を除去する。具体的には、図１に示す除去液キャニスタＫ１に接続されている流量制御バルブＢ１を開き、その他の除去液キャニスタＫ２〜ＫＮに接続されている流量制御バルブＢ２〜ＢＮを閉じた状態にする。すると、除去液キャニスタＫ１に入っている除去液（第１除去液）Ｌ１が除去液用ノズル３から半導体基板２０のエッジ部分に放出され、回転した半導体基板２０のエッジ部分に形成されているゲート電極形成用レジスト膜２６が効果的に除去される。ここで、ゲート電極形成用レジスト膜２６を効果的に除去できる除去液を除去液Ｌ１とした。
【００３８】
続いて、ゲート電極形成用レジスト膜２６に対して露光・現像することにより、ゲート電極形成用レジスト膜２６をパターニングする。このパターニングにより、図５に示すようなレジストパターン２６ａが形成される。レジストパターン２６ａは、ゲート電極形成領域を覆い、その他の領域を露出するように形成されている。そして、図６に示すように、レジストパターン２６ａをマスクにして、ポリシリコン膜２５をエッチングすることにより、ゲート電極２７ａ、２７ｂを形成する。その後、レジストパターン２６ａは除去される。
【００３９】
次に、半導体基板２０の主面上に、図７に示すような不純物領域形成用レジスト膜（溶剤を含む第２膜）２８を形成する。この不純物領域形成用レジスト膜２８は、上述したゲート電極形成用レジスト膜とは異なる種類のレジスト膜であり、例えば東京応化製のＴＨＭＲ−ｉＲ５７３０などより形成されている。この不純物領域形成用レジスト膜２８は、レジスト塗布装置１を使用したスピン塗布法によって形成される。すなわち、図１に示すレジスト膜塗布用ノズル１１より不純物領域形成用レジストを半導体基板２０上に滴下する。そして、半導体基板２０を回転させることにより、滴下した不純物領域形成用レジストを半導体基板２０の主面の全面に広げて、半導体基板２０の主面上に不純物領域形成用レジスト膜２８を塗布する。
【００４０】
続いて、レジスト塗布装置１において、半導体基板２０のエッジ部分に形成された不純物領域形成用レジスト膜２８を除去する。具体的には、図１に示す除去液キャニスタＫ２に接続されている流量制御バルブＢ２を開き、その他の除去液キャニスタＫ１、Ｋ３〜ＫＮに接続されている流量制御バルブＢ１、Ｂ３〜ＢＮを閉じた状態にする。すると、除去液キャニスタＫ２に入っている除去液（第２除去液）Ｌ２が除去液用ノズル３から半導体基板２０のエッジ部分に放出され、回転した半導体基板２０のエッジ部分に形成されている不純物領域形成用レジスト膜２８が効果的に除去される。ここで、不純物領域形成用レジスト膜２８を効果的に除去できる除去液を除去液Ｌ２とした。
【００４１】
次に、不純物領域形成用レジスト膜２８に対して露光・現像することにより、不純物領域形成用レジスト膜２８をパターニングする。このパターニングにより、図８に示すようなレジストパターン２８ａが形成される。レジストパターン２８ａは、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2形成領域を覆い、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1形成領域が露出するように形成されている。そして、このレジストパターン２８ａをマスクにしたイオン注入により、ゲート電極２７ａの両側の半導体基板２０内に半導体領域である低濃度ｎ型不純物拡散領域２９、３０を形成する。低濃度ｎ型不純物拡散領域２９、３０は、例えばリンなどのｎ型不純物をｐ型ウェル２２内に導入することによって形成される。その後、レジストパターン２８ａは除去される。
【００４２】
続いて、図９に示すように、半導体基板２０の主面上に不純物領域形成用レジスト膜３１を形成する。この不純物領域形成用レジスト膜３１は、上述したようにレジスト塗布装置１を使用したスピン塗布法によって形成される。そして次に、半導体基板２０のエッジ部分に形成された不純物領域形成用レジスト膜３１を除去する。具体的には、図１に示す除去液キャニスタＫ２に入っている除去液Ｌ２を使用することにより、エッジ部分に形成された不純物領域形成用レジスト膜３１を効果的に除去する。
【００４３】
その後、不純物領域形成用レジスト膜３１に対して、露光・現像することにより、不純物領域形成用レジスト膜３１をパターニングする。このパターニングにより、図１０に示すようなレジストパターン３１ａが形成される。レジストパターン３１ａは、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1形成領域を覆い、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2形成領域が露出するように形成されている。そして、このレジストパターン３１ａをマスクにしたイオン注入により、ゲート電極２７ｂの両側の半導体基板２０内に半導体領域である低濃度ｐ型不純物拡散領域３２、３３を形成する。低濃度ｐ型不純物拡散領域３２、３３は、例えばボロンなどのｐ型不純物をｎ型ウェル２３内に導入することによって形成される。その後、レジストパターン３１ａは除去される。
【００４４】
次に、ゲート電極２７ａ、２７ｂの側壁に図１１に示すようなサイドウォール３４を形成する。サイドウォール３４は、例えば半導体基板２０の主面上に、例えばＣＶＤ法を使用して酸化シリコン膜を堆積した後、堆積した酸化シリコン膜を異方性エッチングすることにより形成することができる。
【００４５】
続いて、図１２に示すように、半導体基板２０の主面上に不純物領域形成用レジスト膜３５を形成する。この不純物領域形成用レジスト膜３５は、上述したようにレジスト塗布装置１を使用したスピン塗布法によって形成される。そして次に、半導体基板２０のエッジ部分に形成された不純物領域形成用レジスト膜３５を除去する。具体的には、図１に示す除去液キャニスタＫ２に入っている除去液Ｌ２を使用することにより、エッジ部分に形成された不純物領域形成用レジスト膜３５を効果的に除去する。
【００４６】
その後、不純物領域形成用レジスト膜３５に対して、露光・現像することにより、不純物領域形成用レジスト膜３５をパターニングする。このパターニングにより、図１３に示すようなレジストパターン３５ａが形成される。レジストパターン３５ａは、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2形成領域を覆い、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1形成領域が露出するように形成されている。そして、このレジストパターン３５ａをマスクにしたイオン注入により、ゲート電極２７ａに形成されたサイドウォール３４の両側に、半導体領域である高濃度ｎ型不純物拡散領域３６、３７を形成する。高濃度ｎ型不純物拡散領域３６、３７は、例えばリンやヒ素などのｎ型不純物をｐ型ウェル２２内に導入することによって形成される。この高濃度ｎ型不純物拡散領域３６、３７には、低濃度ｎ型不純物拡散領域２９、３０に比べてｎ型不純物が高濃度に導入されており、この高濃度ｎ型不純物拡散領域３６、３７と低濃度ｎ型不純物拡散領域２９、３０によりＬＤＤ（Lightly  Doped  Drain）構造を形成することができる。その後、レジストパターン３５ａは除去される。
【００４７】
次に、半導体基板２０の主面上に図１４に示すような不純物領域形成用レジスト膜３８を形成する。この不純物領域形成用レジスト膜３８は、上述したようにレジスト塗布装置１を使用したスピン塗布法によって形成される。そして次に、半導体基板２０のエッジ部分に形成された不純物領域形成用レジスト膜３８を除去する。具体的には、図１に示す除去液キャニスタＫ２に入っている除去液Ｌ２を使用することにより、エッジ部分に形成された不純物領域形成用レジスト膜３８を効果的に除去する。
【００４８】
その後、不純物領域形成用レジスト膜３８に対して、露光・現像することにより、不純物領域形成用レジスト膜３８をパターニングする。このパターニングにより、図１５に示すようなレジストパターン３８ａが形成される。レジストパターン３８ａは、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1形成領域を覆い、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2形成領域が露出するように形成されている。そして、このレジストパターン３８ａをマスクにしたイオン注入により、ゲート電極２７ｂに形成されたサイドウォール３４の両側に、半導体領域である高濃度ｐ型不純物拡散領域３９、４０を形成する。高濃度ｐ型不純物拡散領域３９、４０は、例えばボロンなどのｐ型不純物をｎ型ウェル２３内に導入することによって形成される。この高濃度ｐ型不純物拡散領域３９、４０には、低濃度ｐ型不純物拡散領域３２、３３に比べてｐ型不純物が高濃度に導入されている。その後、レジストパターン３８ａは除去される。
【００４９】
続いて、半導体基板２０の主面上に例えばＣＶＤ法を使用してコバルト（Ｃｏ）膜を堆積させる。そして、熱処理を施すことによって、図１６に示すようなコバルトシリサイド膜４１を形成する。これにより、ポリシリコン膜２５とコバルトシリサイド膜４１よりなるゲート電極２７ａ、２７ｂを形成することができる。また、高濃度ｎ型不純物拡散領域３６、３７および高濃度ｐ型不純物拡散領域３９、４０にコバルトシリサイド膜４１を形成することができる。したがって、ゲート電極２７ａ、２７ｂを低抵抗化することができるとともに、高濃度ｎ型不純物拡散領域３６、３７および高濃度ｐ型不純物拡散領域３９、４０のシート抵抗を低抵抗化することができる。その後、未反応のコバルト膜は除去される。
【００５０】
このようにして、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ1およびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ2を形成することができる。
【００５１】
次に、配線工程について説明する。まず、半導体基板２０上に、例えばＣＶＤ法を使用して層間絶縁膜となる絶縁膜４２を堆積し、この絶縁膜４２上にコンタクトホール形成用レジスト膜４３を形成する。このコンタクトホール形成用レジスト膜４３は、ゲート電極形成用レジスト膜２６や不純物領域形成用レジスト膜２８ａなどとは異なる種類のレジスト膜であり、例えば東京応化製のＴＤＭＲ−ＡＲ３０００などから形成されている。このコンタクトホール形成用レジスト膜４３は、レジスト塗布装置１を使用したスピン塗布法によって形成される。
【００５２】
続いて、レジスト塗布装置１において、半導体基板２０のエッジ部分に形成されたコンタクトホール形成用レジスト膜４３を除去する。具体的には、図１に示す除去液キャニスタＫ３に接続されている流量制御バルブＢ３を開き、その他の除去液キャニスタＫ１、Ｋ２、Ｋ４〜ＫＮに接続されている流量制御バルブＢ１、Ｂ２、Ｂ４〜ＢＮを閉じた状態にする。すると、除去液キャニスタＫ３に入っている除去液Ｌ３が除去液用ノズル３から半導体基板２０のエッジ部分に放出され、回転した半導体基板２０のエッジ部分に形成されているコンタクトホール形成用レジスト膜４３が効果的に除去される。ここで、コンタクトホール形成用レジスト膜４３を効果的に除去できる除去液を除去液Ｌ３とした。
【００５３】
次に、コンタクトホール形成用レジスト膜４３に対して露光・現像することにより、コンタクトホール形成用レジスト膜４３をパターニングする。このパターニングにより、図１８に示すようなレジストパターン４３ａが形成される。レジストパターン４３ａは、コンタクトホール形成領域だけが開口するように形成されている。その後、レジストパターン４３ａをマスクにして絶縁膜４２をエッチングすることにより、絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４４を形成する。コンタクトホール４４の底部では、高濃度ｎ型不純物拡散領域３６、３７および高濃度ｐ型不純物拡散領域３９、４０に形成されたコバルトシリサイド膜４１が露出する。
【００５４】
続いて、図１９に示すように、コンタクトホール４４内にチタン／窒化チタン膜４５ａおよびタングステン膜４５ｂを埋め込んだプラグ４６を形成する。プラグ４６は、例えば以下のようにして形成することができる。まず、コンタクトホール４４内を含む絶縁膜４２上に、例えばスパッタリング法を使用して、チタン／窒化チタン膜４５ａを形成した後、例えばＣＶＤ法を使用してタングステン膜４５ｂをコンタクトホール４４内に埋め込むように形成する。そして、絶縁膜４２上に形成された不要なチタン／窒化チタン膜４５ａおよびタングステン膜４５ｂをＣＭＰ法やエッチバック法を使用して除去することにより、プラグ４６を形成する。
【００５５】
次に、図２０に示すように、プラグ４６を形成した絶縁膜４２上にチタン／窒化チタン膜４７ａ、アルミニウム膜４７ｂ、チタン／窒化チタン膜４７ｃを順次形成する。これらの膜は、例えばスパッタリング法を使用して形成することができる。そして、チタン／窒化チタン膜４７ｃ上に、配線形成用レジスト膜４８を形成する。この配線形成用レジスト膜４８は、ゲート電極形成用レジスト膜２６、不純物領域形成用レジスト膜２８ａおよびコンタクトホール形成用レジスト膜４３などとは異なる種類のレジスト膜であり、例えば東京応化製のＴＤＭＲ−ＡＲ８７などから形成されている。配線形成用レジスト膜４８は、レジスト塗布装置１を使用したスピン塗布法によって形成される。
【００５６】
続いて、レジスト塗布装置１において、半導体基板２０のエッジ部分に形成された配線形成用レジスト膜４８を除去する。具体的には、図１に示す除去液キャニスタＫ４に接続されている流量制御バルブＢ４を開き、その他の除去液キャニスタＫ１〜Ｋ３、Ｋ５〜ＫＮに接続されている流量制御バルブＢ１〜Ｂ３、Ｂ５〜ＢＮを閉じた状態にする。すると、除去液キャニスタＫ４に入っている除去液Ｌ４が除去液用ノズル３から半導体基板２０のエッジ部分に放出され、回転した半導体基板２０のエッジ部分に形成されている配線形成用レジスト膜４３が効果的に除去される。ここで、配線形成用レジスト膜４８を効果的に除去できる除去液を除去液Ｌ４とした。
【００５７】
次に、配線形成用レジスト膜４８に対して露光・現像することにより、配線形成用レジスト膜４８をパターニングする。このパターニングにより、図２１に示すようなレジストパターン４８ａが形成される。レジストパターン４８ａは、配線形成領域だけが覆われるように形成されている。そして、レジストパターン４８ａをマスクにしてチタン／窒化チタン膜４７ａ、アルミニウム膜４７ｂ、チタン／窒化チタン膜４７ｃを順次エッチングすることにより、配線４９を形成する。その後、図２２に示すように、レジストパターン４
８ａは除去される。このようにして、配線を形成することができる。なお、この後、配線を多層にわたって形成するが最上層配線までの工程の説明は省略する。
【００５８】
次に、最上層配線を形成する工程について説明する。図２３に示すように、半導体基板２０上に絶縁膜５０を形成する。絶縁膜５０は、例えば酸化シリコン膜よりなり、例えばＣＶＤ法を使用して形成することができる。ここで、図２３以降においては、半導体基板２０上に形成されたＭＩＳＦＥＴＱ1、Ｑ2および最上層配線より下層に形成される配線についての図示を省略している。
【００５９】
続いて、絶縁膜５０上に例えばスパッタリング法を使用してアルミニウム膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用してアルミニウム膜をパターニングすることにより、最上層配線となる配線５１を形成する。
【００６０】
その後、図２４に示すように、絶縁膜５０および配線５１上に表面保護膜（パッシベーション膜）５２を形成する。表面保護膜３２は、例えばポリイミド樹脂を絶縁膜５０および配線５１上に塗布することにより形成することができる。そして、表面保護膜３２上に表面保護膜加工用レジスト膜５３を形成する。この表面保護膜加工用レジスト膜５３は、ゲート電極形成用レジスト膜２６、不純物領域形成用レジスト膜２８ａ、コンタクトホール形成用レジスト膜４３および配線形成用レジスト膜４８などとは異なる種類のレジスト膜であり、例えば住友ケミカル社製のＰＦＲ−９０３０などから形成されている。表面保護膜加工用レジスト膜５３は、レジスト塗布装置１を使用したスピン塗布法によって形成される。
【００６１】
続いて、レジスト塗布装置１において、半導体基板２０のエッジ部分に形成された表面保護膜加工用レジスト膜５３を除去する。具体的には、図１に示す除去液キャニスタＫ５に接続されている流量制御バルブＢ５を開き、その他の除去液キャニスタＫ１〜Ｋ４、Ｋ６〜ＫＮに接続されている流量制御バルブＢ１〜Ｂ４、Ｂ６〜ＢＮを閉じた状態にする。すると、除去液キャニスタＫ５に入っている除去液Ｌ５が除去液用ノズル３から半導体基板２０のエッジ部分に放出され、回転した半導体基板２０のエッジ部分に形成されている表面保護膜加工用レジスト膜５３が効果的に除去される。ここで、表面保護膜加工用レジスト膜５３を効果的に除去できる除去液を除去液Ｌ５とした。
【００６２】
次に、表面保護膜加工用レジスト膜５３に対して露光・現像することにより、表面保護膜加工用レジスト膜５３をパターニングする。このパターニングにより、図２５に示すようなレジストパターン５３ａが形成される。レジストパターン５３ａは、バンプ電極形成領域だけを開口するように形成されている。そして、レジストパターン５３ａをマスクにして表面保護膜５２をエッチングすることにより、表面保護膜５２の下層に形成されている配線５１の表面を露出する。その後、表面保護膜加工用レジスト膜５３は除去される。
【００６３】
続いて、図２６に示すように、表面保護膜５２および露出している配線５１上にＵＢＭ（Under  Bump  Metal）膜（電極下地膜）５４を形成する。ＵＢＭ膜５４は、例えばパラジウム膜とチタン膜の積層膜やチタンタングステン膜と金膜の積層膜から形成され、例えばスパッタリング法によって形成できる。ＵＢＭ膜５４として、パラジウム膜とチタン膜の積層膜を使用すると、ＵＢＭ膜５４の密着性が向上し、ＵＢＭ膜５４が下地膜から剥がれにくくなる。
【００６４】
次に、図２７に示すように、ＵＢＭ膜５４上にバンプ電極形成用レジスト膜５５を塗布する。このバンプ電極形成用レジスト膜５５は、ゲート電極形成用レジスト膜２６、不純物領域形成用レジスト膜２８ａ、コンタクトホール形成用レジスト膜４３、配線形成用レジスト膜４８および表面保護膜加工用レジスト膜５３などとは異なる種類のレジスト膜である。バンプ電極形成用レジスト膜５５は、レジスト塗布装置１を使用したスピン塗布法によって形成される。
【００６５】
続いて、レジスト塗布装置１において、半導体基板２０のエッジ部分に形成されたバンプ電極形成用レジスト膜５５を除去する。具体的には、図１に示す除去液キャニスタＫ６に接続されている流量制御バルブＢ６を開き、その他の除去液キャニスタＫ１〜Ｋ５、Ｋ７〜ＫＮに接続されている流量制御バルブＢ１〜Ｂ５、Ｂ７〜ＢＮを閉じた状態にする。すると、除去液キャニスタＫ６に入っている除去液Ｌ６が除去液用ノズル３から半導体基板２０のエッジ部分に放出され、回転した半導体基板２０のエッジ部分に形成されているバンプ電極形成用レジスト膜５５が効果的に除去される。ここで、バンプ電極形成用レジスト膜５５を効果的に除去できる除去液を除去液Ｌ６とした。
【００６６】
その後、バンプ電極形成用レジスト膜５５に対して露光・現像することにより、バンプ電極形成用レジスト膜５５をパターニングする。このパターニングにより、図２８に示すようなレジストパターン５５ａが形成される。レジストパターン５５ａは、バンプ電極形成領域だけを開口するように形成されている。
【００６７】
次に、図２９に示すように、レジストパターン５５ａの開口部を埋め込むように金膜５６を形成する。金膜５６は、例えば、ＵＢＭ膜５４を電極とした電解めっき法を使用することにより形成することができる。そして、図３０に示すように、レジストパターン５５ａを除去する。このとき、レジストパターン５５ａの下層に形成されているＵＢＭ膜５４が露出する。
【００６８】
続いて、露出したＵＢＭ膜５４をエッチングにより除去して、配線５１上にバンプ電極５７を形成する。このようにして、ＵＢＭ膜５４と金膜５６よりなるバンプ電極５７を形成することができる。
【００６９】
以上のようにして、本実施の形態における半導体装置を形成することができる。本実施の形態によれば、半導体基板上に塗布されたレジスト膜の種類に応じて、最適な除去液を選択して除去しているので、半導体基板のエッジ部分に形成されているレジスト膜を効果的に除去することができ、エッジ部分に残存するレジスト膜の剥離による異物発生を抑制することができる。つまり、異物発生による製品歩留まり低下を抑制することができる。
【００７０】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００７１】
前記実施の形態では、レジスト膜の種類に応じて異なる単一の除去液を使用する例を示したが、レジスト膜の種類に応じて複数の除去液を混合するようにしてもよい。例えば、第１レジスト膜の除去には第１除去液を使用し、第２レジスト膜の除去には第２除去液を使用する。そして、第３レジスト膜の除去には第１除去液と第２除去液の混合液を使用するようにしてもよい。
【００７２】
また、前記実施の形態では、半導体基板のエッジ部分に形成されたレジスト膜の除去を１ステップで行っているが、２ステップ以上に分けて行ってもよい。つまり、第１レジスト膜の除去に第１除去液を使用するだけでなく、さらに第１除去液を使用した後、第１レジスト膜の除去に第２除去液を使用するようにしてもよい。
【００７３】
また、前記実施の形態では、半導体基板のエッジ部分に形成したレジスト膜の除去を例にして説明したが、例えば溶剤を含む膜であるＳＯＧ（Spin  On  Glass）膜を形成した後、半導体基板のエッジ部分に形成された複数種類のＳＯＧ膜の除去に本発明を適用してもよい。これにより膜端面の制御が可能となり、膜剥がれによる異物発生を抑制できる。したがって、歩留まり向上を図ることができ、製品のコスト低減を図ることができる。
【００７４】
また、シンナー（溶剤）によるプリウェットレジスト塗布方法において、多種多様なレジスト膜のそれぞれに適したシンナーを選択して使用することにより、レジスト膜と半導体基板との塗れ性を向上することができる。したがって、塗れ性を向上できるので、レジスト膜の使用量を低減することができる。つまり、レジスト膜を半導体基板上に塗布する方法としてスピン塗布法が使用されるが、半導体基板上に直接レジスト膜を塗布すると、塗れ性の関係などにより使用するレジスト量が多くなる。このため、半導体基板上にレジスト膜を塗布する前に、半導体基板とレジスト膜との塗れ性を向上させるため、シンナーなどの溶剤を予め半導体基板上に塗布することが行なわれている（プリウェットレジスト塗布方法）。
【００７５】
ここで、多種多様なレジスト膜のそれぞれに対して、塗れ性を向上できるシンナーの種類が異なる。したがって、レジスト塗布装置で使用するレジスト膜の種類に応じて、好適な種類のシンナーを提供できるようにすることで、レジスト膜の使用量を低減することができる。つまり、本実施の形態で説明した複数のキャニスタのそれぞれに種類の異なるシンナーを入れておき、塗布するレジスト膜の種類に応じて、適切なシンナーを半導体基板の中心部上に滴下できるようにすることにより、塗れ性の向上を図ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明は、半導体装置を製造する製造業に幅広く利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の実施の形態におけるレジスト塗布装置の構成を示した図である。
【図２】半導体基板のエッジ部分に形成されたレジスト膜を除去する様子を示した図である。
【図３】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図４】図３に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図５】図４に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図６】図５に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図７】図６に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図８】図７に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図９】図８に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１０】図９に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１１】図１０に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１２】図１１に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１３】図１２に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１４】図１３に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１５】図１４に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１６】図１５に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１７】図１６に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１８】図１７に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１９】図１８に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２０】図１９に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２１】図２０に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２２】図２１に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２３】図２２に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２４】図２３に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２５】図２４に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２６】図２５に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２７】図２６に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２８】図２７に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２９】図２８に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図３０】図２９に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１  レジスト塗布装置
２  塗布部
３  除去液用ノズル
４  除去液供給部
５  半導体基板
５ａ  レジスト膜
６  カップ
７  スピンチャック
８  モータ
９  排気管
１０  廃液管
１１  レジスト膜塗布用ノズル
１２  バルブ
２０  半導体基板
２１  素子分離領域
２２  ｐ型ウェル
２３  ｎ型ウェル
２４  ゲート絶縁膜
２５  ポリシリコン膜
２６  ゲート電極形成用レジスト膜
２６ａ  レジストパターン
２７ａ  ゲート電極
２７ｂ  ゲート電極
２８  不純物領域形成用レジスト膜
２８ａ  レジストパターン
２９  低濃度ｎ型不純物拡散領域
３０  低濃度ｎ型不純物拡散領域
３１  不純物領域形成用レジスト膜
３１ａ  レジストパターン
３２  低濃度ｐ型不純物拡散領域
３３  低濃度ｐ型不純物拡散領域
３４  サイドウォール
３５  不純物領域形成用レジスト膜
３５ａ  レジストパターン
３６  高濃度ｎ型不純物拡散領域
３７  高濃度ｎ型不純物拡散領域
３８  不純物領域形成用レジスト膜
３８ａ  レジストパターン
３９  高濃度ｐ型不純物拡散領域
４０  高濃度ｐ型不純物拡散領域
４１  コバルトシリサイド膜
４２  絶縁膜
４３  コンタクトホール形成用レジスト膜
４３ａ  レジストパターン
４４  コンタクトホール
４５ａ  チタン／窒化チタン膜
４５ｂ  タングステン膜
４６  プラグ
４７ａ  チタン／窒化チタン膜
４７ｂ  アルミニウム膜
４７ｃ  チタン／窒化チタン膜
４８  配線形成用レジスト膜
４８ａ  レジストパターン
４９  配線
５０  絶縁膜
５１  配線
５２  表面保護膜
５３  表面保護膜加工用レジスト膜
５３ａ  レジストパターン
５４  ＵＢＭ膜
５５  バンプ電極形成用レジスト膜
５５ａ  レジストパターン
５６  金膜
５７  バンプ電極
Ｋ１〜ＫＮ  除去液キャニスタ
Ｌ１〜ＬＮ  除去液
Ｂ１〜ＢＮ  流量制御バルブ
Ｒ１〜ＲＮ  流量計
Ｆ１〜ＦＮ  フィルタ
【図１】
2005353717.tif 000003
【図２】
2005353717.tif 000004
【図３】
2005353717.tif 000005
【図４】
2005353717.tif 000006
【図５】
2005353717.tif 000007
【図６】
2005353717.tif 000008
【図７】
2005353717.tif 000009
【図８】
2005353717.tif 000010
【図９】
2005353717.tif 000011
【図１０】
2005353717.tif 000012
【図１１】
2005353717.tif 000013
【図１２】
2005353717.tif 000014
【図１３】
2005353717.tif 000015
【図１４】
2005353717.tif 000016
【図１５】
2005353717.tif 000017
【図１６】
2005353717.tif 000018
【図１７】
2005353717.tif 000019
【図１８】
2005353717.tif 000020
【図１９】
2005353717.tif 000021
【図２０】
2005353717.tif 000022
【図２１】
2005353717.tif 000023
【図２２】
2005353717.tif 000024
【図２３】
2005353717.tif 000025
【図２４】
2005353717.tif 000026
【図２５】
2005353717.tif 000027
【図２６】
2005353717.tif 000028
【図２７】
2005353717.tif 000029
【図２８】
2005353717.tif 000030
【図２９】
2005353717.tif 000031
【図３０】
2005353717.tif 000032