(57)【要約】【課題】  高輝度な有機ＥＬ表示装置を安価に製造する方法を提供することにある。【解決手段】  基板１０と、基板１０上に順次積層された第１電極２０、発光層を含む１以上の有機層３０及び第２電極４０と、を備え、第１電極２０が、光反射性の第１導電層２１と、光透過性の第２導電層２２との積層構造を有し、有機層３０の発光を第２電極４０側から取り出すトップエミッション方式の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法であって、  第１導電層２１と第２導電層２２とは、同時にウエットエッチング法によりパターニングを行っても少なくとも第１導電層２１と第２導電層２２との界面で腐食、変色が起きない組み合わせの材料からなり、  第１導電層２１及び第２導電層２２のパターニングを、ウエットエッチング法により同時に行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に順次積層された第１電極、発光層を含む１以上の有機層及び第２電極と、を備え、該第１電極が、光反射性の第１導電層と、光透過性の第２導電層との積層構造を有し、上記有機層の発光を上記第２電極側から取り出すトップエミッション方式の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
上記第１導電層と上記第２導電層とは、同時にウエットエッチング法によりパターニングを行っても少なくとも上記第１導電層と上記第２導電層との界面で腐食、変色が起きない組み合わせの材料からなり、
上記第１導電層及び上記第２導電層のパターニングを、ウエットエッチング法により同時に行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
上記第１導電層を、Ａｌを主成分とする層とし、
上記第２導電層を、ＩＺＯを主成分とする層とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
上記パターニングを、酸系のＡｌエッチング液を用いたウエットエッチング法により行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
上記第２導電層の層厚を５ｎｍ以上に形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報処理機器の多様化に伴って、従来から一般に使用されている陰極線管（ＣＲＴ）よりも消費電力が少なく、薄型化が可能である平面表示装置に対する需要が高まってきている。そのような平面表示装置として、例えば、液晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置（以下、「ＥＬ表示装置」と略すことがある。）を挙げることができる。それらのうち、有機ＥＬ表示装置は、低電圧駆動、全固体型、高速応答性、自発光性という特徴を有するため、特に研究開発が盛んに行われている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、その駆動方法により、パッシブマトリクス方式（以下、「ＰＭ方式」と略すことがある。）と、アクティブマトリクス方式（以下、「ＡＭ方式」と略すことがある。）とに大別される。
【０００４】
ＰＭ方式は、線順次駆動であるため、高いパネル輝度を得るためには、表示容量の増大、すなわち走査電極数の増加に伴って、各画素に大きな瞬間電力を印加する必要があり、発光層の劣化が激しく、ＰＭ方式の有機ＥＬ表示装置は、製品としての寿命が短いという問題がある。
【０００５】
一方、ＡＭ方式では、各画素ごとに設けられたＴＦＴにより各画素ごとにスイッチングを行えるため、原理的に走査電極数に制約がなく、ほぼデューティー比１００％のスタティック駆動に近い表示ができるので、パネル輝度やレスポンスの良好な高画質・大容量表示が可能となる。
【０００６】
また、ＡＭ方式では、ＰＭ方式のように高いパネル輝度を得るために各画素に大きな電力を印加する必要もなく、より低電圧駆動、長寿命を達成することができる。
【０００７】
このため、近年は、ＡＭ方式の有機ＥＬ表示装置の研究開発が特に盛んに行われている。
【０００８】
図４は、一般的な有機ＥＬ表示装置２００の概略断面図である。
【０００９】
有機ＥＬ表示装置２００は、基板２０１と、第１電極２０２と、発光層を含む１以上の有機層２０３と、第２電極２０４と、を有する。
【００１０】
第１電極２０２は、光透過性に構成されており、有機層２０３にホールを注入する機能を有する。また、第２電極２０４は、光反射性に構成されており、有機層２０３に電子を注入する機能を有する。
【００１１】
第１電極２０２と、第２電極２０４とからそれぞれ注入されたホールと電子とが有機層２０３で再結合することにより、有機層２０３が発光する。
【００１２】
有機層２０３の発光は、第１電極２０２、および、基板２０１を透過して有機ＥＬ表示装置２００から取り出される仕組みとなっている（ボトムエミッション方式）。
【００１３】
しかしながら、このようなＡＭ方式の有機ＥＬ表示装置２００では、基板２０１上に、光を透過しないシリコン等で構成されたＴＦＴや電極を配置する必要があるため、画素面積に対する発光面積の割合（開口率）が小さいという問題がある。
【００１４】
特に、画素ごとの表示性能のばらつきを抑制し、発光材料の劣化による表示性能の劣化を抑制することができる電流駆動方式の有機ＥＬ表示装置では、電圧駆動方式の有機ＥＬ表示装置と比較して、各画素ごとにより多くのＴＦＴが必要となる。従って、電流駆動方式の有機ＥＬ表示装置では、さらに開口率が小さくなるという問題がある。
【００１５】
係る問題に鑑み、第２電極を光透過性に構成し、第１電極を光反射性に構成することで、ＴＦＴ等の回路が構成された基板とは反対側の第２電極側から有機層の発光を取り出すトップエミッション方式が考案されている。
【００１６】
トップエミッション方式によれば、有機層の発光を、ＴＦＴ等の回路が形成されている基板を経由せずに取り出すことができるため、ボトムエミッション方式よりも開口率を大きくすることができ、より高輝度な有機ＥＬ表示装置を実現することができるからである。
【００１７】
トップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置において、第１電極は、有機層の発光を第２電極側に反射する機能と、ホールを注入する機能とを有する。従って、第１電極は、高い光反射性能を有し、かつ、仕事関数が大きいことが好ましい。
【００１８】
仕事関数の大きい材料としては、金やニッケル等が挙げられる。しかし、金やニッケル等の仕事関数の大きい金属は、Ａｌや銀と比較して光反射率が小さい。そのため、金やニッケル等からなる第１電極を有する有機ＥＬ表示装置では十分な輝度が得られないという問題がある。
【００１９】
そこで、特許文献１には、高い光反射率を有するＡｌにより構成された第１導電体層と、仕事関数が大きく、光透過性のインジウム−スズ酸化物（以下、「ＩＴＯ」と略すことがある。）により構成された第２導電体層と、からなる多層構造の第１電極を有するトップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置が開示されている。
【００２０】
この有機ＥＬ表示装置では、大きい仕事関数を有するＩＴＯにより構成された第２導電層が有機層の下に形成されている。従って、この有機ＥＬ表示装置は、有機層へのホール注入効率が高い、と記載されている。
【００２１】
また、この有機ＥＬ表示装置では、第１電極は、高い光反射率を有するＡｌにより構成された第１導電層と、良好な光透過性を示すＩＴＯよりなる第２導電層とにより構成されている。よって、この第１電極は、金やニッケルといった仕事関数が大きい金属の薄膜からなる第１電極よりも光反射率が高い、と記載されている。従って、有機層からの基板方向への発光を第２電極側に効率よく反射することができる、と記載されている。
【００２２】
そのため、この有機ＥＬ表示装置によって、より高輝度な有機ＥＬ表示装置を実現することができる、と記載されている。
【特許文献１】特開２００２−２４６１８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
しかしながら、Ａｌからなる第１導電層と、ＩＴＯからなる第２導電層と、を同時にウエットエッチングすると、第１導電層と第２導電層との間で局部電池が形成され、特にＡｌとＩＴＯとの界面で腐食、変色が起こるため、第１導電層と第２導電層とを良好に形成することができない。従って、このような有機ＥＬ表示装置は、ウエットエッチングより高コストを要するドライエッチングにより第１導電層と第２導電層とをパターニングしなければならない。よって、このような有機ＥＬ表示装置は製造に高コストを要するという問題がある。
【００２４】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、高輝度な有機ＥＬ表示装置を安価に製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
基板と、該基板上に順次積層された第１電極、発光層を含む１以上の有機層及び第２電極と、を備え、該第１電極が、光反射性の第１導電層と、光透過性の第２導電層との積層構造を有し、上記有機層の発光を上記第２電極側から取り出すトップエミッション方式の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
上記第１導電層と上記第２導電層とは、同時にウエットエッチング法によりパターニングを行っても、少なくとも上記第１導電層と上記第２導電層との界面で腐食、変色が起きない組み合わせの材料からなり、
上記第１導電層及び上記第２導電層のパターニングを、ウエットエッチング法により同時に行うことを特徴とする。
【００２６】
この製造方法によれば、第１導電層及び第２導電層のパターニングを、安価なウエットエッチングにより同時に行うため、有機ＥＬ表示装置を安価に製造することができる。
【００２７】
また、本発明においては、第１導電層をＡｌを主成分とする層とし、第２導電層をＩＺＯを主成分とする層としても構わない。
【００２８】
これによれば、第１導電層が可視光域における光反射率の高いＡｌを主成分とする層とするため、第１電極は高い反射率を有する。従って、高輝度な有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【００２９】
また、第２導電層が大きい仕事関数を有するＩＺＯを主成分とする層とするため、有機層へのホール注入効率が高い。従って、発光効率のよい有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【００３０】
また、本発明においては、Ａｌを主成分とする第１導電層と、ＩＺＯを主成分とする第２導電層とのパターニングを、酸系のＡｌエッチング液を用いたウエットエッチング法により行っても構わない。
【００３１】
酸系のＡｌエッチング液の、Ａｌの溶解速度と、ＩＺＯの溶解速度との差が小さい。従って、Ａｌを主成分とする第１導電層と、ＩＺＯを主成分とする第２導電層とのパターニングを、酸系のＡｌエッチング液を用いたウエットエッチング法により行うことにより、ＡｌとＩＺＯを均等にエッチングすることができる。
【００３２】
また、本発明は、第２導電層の層厚を５ｎｍ以上に形成することがより好ましい。それによれば、第１電極のパターニング時に用いるレジストの現像液等が第１導電層にしみ込むことに起因する第１導電層の劣化を効果的に抑制することができる。従って、製造工程における第１導電層の光反射率の劣化を抑制することができ、高輝度な有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、第１導電層及び第２導電層のパターニングを、安価なウエットエッチング法により同時に行うことができる。従って、有機ＥＬ表示装置を安価に製造することができる。
【００３４】
また、本発明によれば、第１電極を光反射性の第１導電層と、光透過性の第２導電層とにより形成している。従って、第１電極は、第１電極側への有機層の発光を第２電極側に効率よく反射することができる。よって、高輝度なトップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００３６】
（実施形態１）図１は、本発明の実施形態１にかかる製造方法により製造したトップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置１の概略断面図である。
【００３７】
有機ＥＬ表示装置１は、基板１０と、基板１０の上に構成された有機ＥＬ素子２と、により構成されている。
【００３８】
有機ＥＬ素子２は、第１電極２０と有機層３０と第２電極４０とが順次積層された構成となっている。
【００３９】
第１電極２０は、第１導電層２１と第２導電層２２とにより構成されている。
【００４０】
第１導電層２１は、例えばＡｇ等の、導電性で光反射特性を有する材料により構成されている。
【００４１】
第２導電層２２は、仕事関数が大きい光透過性の材料により構成されている。
【００４２】
また、第１導電層２１と第２導電層２２とは同一のエッチング液によりによりパターニングを行っても、第１導電層２１と第２導電層２２との界面で腐食、変色が起きない組み合わせの材料で構成されている。
【００４３】
第１導電層２１をＡｌを主成分とする層とし、第２導電層２２をＩＺＯを主成分とする層としても構わない。
【００４４】
Ａｌは、光反射性に優れ、可視光の範囲で９０％以上の光反射率を有する。従って、第１導電層２１をＡｌを主成分とする層とした第１電極２０は高い光反射率を有する。従って、高輝度な有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【００４５】
また、ＩＺＯは、約５．０ｅＶと仕事関数が大きい。従って、第２導電層２２をＩＺＯを主成分とする層とした第１電極２０は、有機層３０へのホール注入効率が良好である。
【００４６】
第１導電層２１をＡｌを主成分とする層とし、第２導電層２２をＩＺＯを主成分とする層とすることで、第１導電層２１と第２導電層２２とは同一のエッチング液によりによりパターニングを行っても、第１導電層２１と第２導電層２２との界面で腐食、変色が起きない。
【００４７】
第１導電層２１は、光反射率を低下させない程度にＡｌに他の元素を添加したもので形成しても構わない。純粋なＡｌは、比較的腐食性が高いが、例えば、Ｓｉ、Ｃｕ、または、Ｎｄ等の元素をＡｌに添加することによって、第１導電層２１の腐食性を改善することができる。
【００４８】
またＡｌは基板に対する密着性が比較的弱いため、基板とＡｌとの間に密着性を改善する層を挿入しても構わない。密着性を改善する層としては例えばＭｏ等の金属が好適に用いられる。
【００４９】
有機層３０は、ホール注入層３１と発光層３２とにより構成されている。ただし、本発明は、何らこの構成に限定されるものではない。すなわち、本発明においては、有機層３０は、発光層３２のみからなる単層構造でも構わない。また、有機層３０は、ホール注入層３１、ホール輸送層、及び、電子輸送層のうちの１層または１層以上と、発光層３２とにより構成されていても構わない。
【００５０】
ホール注入層３１は、ホール注入効率がよいものであれば、何ら限定されるものではない。ホール注入層３１の材料としては、ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−フェニル−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等の芳香族第３級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリン、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニルアミン誘導体）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等の高分子材料、ポリ（Ｐ−フェニレンビニレン）前駆体、ポリ（Ｐ−ナフタレンビニレン）前駆体等の高分子材料前駆体が挙げられる。
【００５１】
発光層３２に含有させる発光材料としては、例えば、４、４’−ビス（２、２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリデエン化合物、５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサジリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１、２、４−トリアゾール（ＴＺＡ）等のトリアゾール化合物、１、４−ビス（２−メチスチリル）ベンゼン等のスチリルベゼン化合物、チオビラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体等の蛍光性有機材料、アゾメチン亜鉛錯体、（８−ヒドロキシノリナート）アルミニウム錯体等の蛍光性有機金属化合物、ポリ（２−デシルオキシー１、４−フェニレン）（ＤＯ−ＰＰＰ）、ポリ［２、５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルアンモニウム）エトキシ］−１、４−フェニル−アルト−１、４−フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−ＮＥｔ３＋）、ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１、４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等が挙げられるが、何らこれに限定されるものではない。
【００５２】
第２電極４０は、Ａｌ：Ｃａ層４１と、Ａｌ層４２と、ＩＺＯ層４３とで構成されている。
【００５３】
ＩＺＯ層４３は、透明電極としての機能を有する。Ａｌ：Ｃａ層４１は、有機層３０への電子の注入効率を向上する機能を有する。Ａｌ層４２は、Ａｌ：Ｃａ層４１の酸化を防止する機能を有する。ただし、第２電極４０は、この構成に限定されるものではなく、仕事関数が小さく、光透過性であれば、何ら制限されるものではない。例えば、第２電極４０を、仕事関数の小さい金属の薄膜と透明電極とを積層した積層膜、または、安定な金属中に仕事関数の小さい金属をドープした薄膜と透明電極とを積層した積層体としても構わない。尚、仕事関数の小さい金属としては、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｌｉ等が挙げられる。また、透明電極としては、ＩＺＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等が挙げられる。
【００５４】
以下、図１を用いて、本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。
【００５５】
まず、基板１０の上にＤＣスパッタ法等の公知の成膜技術を用いて第１導電層２１と第２導電層２２とを連続して成膜する。
【００５６】
ここで、第１導電層２１は、１０ｎｍ以上の層厚で成膜することが好ましい。１０ｎｍ以上の層厚で第１導電層２１を形成することにより、第１導電層２１にピンホールが発生することを抑制し、第１導電層２１の光反射率の低下を抑制することができるからである。
【００５７】
また、第１導電層２１は、２００ｎｍ以下の層厚で成膜することが好ましい。２００ｎｍ以下の第１導電層２１で十分な光反射率を得ることができ、逆に第１導電層２１の層厚を厚くすると、第１導電層の成膜に長時間を要し、有機ＥＬ表示装置１の製造コストの上昇を招くからである。
【００５８】
また、第２導電層２２は、５ｎｍ以上の層厚で成膜することが好ましく、１０ｎｍ以上の層厚で成膜することがより好ましい。パターニング時における、第１導電層２１へのレジスト現像液の染み込みによる第１導電層２１の劣化を抑制することができるからである。
【００５９】
図２は、第２導電層２２の層厚と、第１導電層２１の光反射率との関係を示すグラフである。これによれば、第２導電層２２の層厚が５ｎｍ以上であれば、第２導電層２２の光反射率の減少割合を効果的に抑制することができ、第２導電層２２の層厚が１０ｎｍ以上であればさらに効果的に第２導電層２２の光反射率の減少割合を効果的に抑制することができることがわかる。
【００６０】
従って、第２導電層２２を５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｍｍ以上の層厚で成膜することにより、製造工程における第１導電層２１の光反射性能の劣化を防ぐことができ、より高輝度な有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【００６１】
次に、フォトリゾグラフィー技術を用いて第１導電層２１と第２導電層２２とを同時にストライプ状にパターニングすることにより、第１電極２０を形成する。パターニングはウエットエッッチングを用いて行う。従って、従来のドライエッチングによる第１導電層と第２導電層とのパターニングと比較して、安価にパターニングをすることができる。よって、安価に有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
【００６２】
また、ウエットエッッチングには、Ａｌエッチング液を用いても構わない。酸系のＡｌエッチング液の、Ａｌの溶解速度と、ＩＺＯの溶解速度との差が小さいため、Ａｌを主成分とする第１導電層と、ＩＺＯを主成分とする第２導電層とのパターニングを、酸系のＡｌエッチング液を用いたウエットエッチング法により行うことにより、ＡｌとＩＺＯを均等にエッチングすることができる。尚、Ａｌエッチング液は、燐酸と硝酸と酢酸との混合液よりなる。
【００６３】
次に、第１電極２０を形成した基板１０上に、ホール注入層３１と発光層３２とを、スピンコート法等の公知の成膜技術により順次成膜することにより有機層３０を形成する。
【００６４】
次に、有機層３０の上に、Ａｌ：Ｃａ層４１と、Ａｌ層４２と、ＩＺＯ層４３とを、蒸着法、スパッタ法、または抵抗加熱蒸着法等の公知の成膜技術により、ストライプ状に形成された第１電極２０と直交するようにストライプ状に成膜し、第２電極４０を形成することによって、有機ＥＬ表示装置１を製造する。
【００６５】
（実施形態２）図３は、本発明の実施形態２にかかる製造方法により製造したトップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置１００の概略断面図である。
【００６６】
有機ＥＬ表示装置１００は、基板１１０と、有機ＥＬ素子１０１とを有する。
【００６７】
基板１１０は、絶縁基板１１１と、ソース配線１１２と、ゲート配線１１３と、ＴＦＴ１１４と、平坦化膜１１５とを有する。
【００６８】
ＴＦＴ１１４は、ソース配線１１２とゲート配線１１３とにより相互に接続されている。
【００６９】
ＴＦＴ１１４は、ゲートメタル１１６と、ゲートメタル１１６の上に設けられたゲート絶縁膜１１７と、ゲート絶縁膜１１７によりゲートメタル１１６と絶縁された島状半導体１１８と、島状半導体１１８の周辺部分を覆うように中抜き形状に形成されたＴＦＴ電極１１９とを有する（ボトムゲート構造）。
【００７０】
平坦化膜１１５は、絶縁基板１１１の上に、ソース配線１１２とゲート配線１１３とＴＦＴ１１４とを覆うように形成されている。
【００７１】
有機ＥＬ素子１０１は、第１電極１２０と、絶縁膜１２４と、有機層１３０と、第２電極１４０とを有する。
【００７２】
第１電極１２０は、第１導電層１２１と第２導電層１２２とにより構成されている。
【００７３】
第１導電層１２１は、平坦化膜１１５に設けられたスルーホール１２３によりＴＦＴ電極１１９に接続されている。
【００７４】
第１導電層１２１は、例えばＡｇ等の、導電性で光反射特性を有する材料により構成されている。
【００７５】
第２導電層１２２は、仕事関数が大きい光透過性の材料により構成されている。
【００７６】
また、第１導電層１２１と第２導電層１２２とは同一のエッチング液によりによりパターニングを行っても、第１導電層１２１と第２導電層１２２との界面で腐食、変色が起きない組み合わせの材料で構成されている。
【００７７】
第１導電層１２１をＡｌを主成分とする層とし、第２導電層１２２をＩＺＯを主成分とする層としても構わない。
【００７８】
Ａｌは、光反射性に優れ、可視光の範囲で９０％以上の光反射率を有する。従って、第１導電層１２１をＡｌを主成分とする層とした第１電極１２０は高い光反射率を有する。従って、高輝度な有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【００７９】
また、ＩＺＯは、約５．０ｅＶと仕事関数が大きい。従って、第２導電層１２２をＩＺＯを主成分とする層とした第１電極１２０は、有機層１３０へのホール注入効率が良好である。
【００８０】
第１導電層１２１をＡｌを主成分とする層とし、第２導電層１２２をＩＺＯを主成分とする層とすることで、第１導電層１２１と第２導電層１２２とを同一のエッチング液によりによりパターニングを行っても、第１導電層１２１と第２導電層１２２との界面で腐食、変色が起きない。
【００８１】
有機層１３０は、ホール注入層１３１と発光層１３２とにより構成されている。ただし、本発明は、何らこの構成に限定されるものではない。すなわち、本発明においては、有機層１３０は、発光層１３２のみからなる単層構造でも構わない。また、有機層１３０は、ホール注入層１３１、ホール輸送層、及び、電子輸送層のうちの１層または１層以上と、発光層１３２とにより構成されていても構わない。
【００８２】
第２電極１４０は、Ａｌ：Ｃａ層１４１と、Ａｌ層１４２と、ＩＺＯ層１４３とで構成されている。
【００８３】
尚、第１電極１２０、有機層１３０、及び、第２電極１４０の各構成の材料等に関しては、実施形態１の場合と同様である。
【００８４】
以下、図３を用いて、本発明の実施形態２にかかる有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について説明する。
【００８５】
まず、絶縁基板１１１の上に、ゲート電極１１２と、ゲート配線１１３と、ＴＦＴ１１４と、平坦化膜１１５とを公知の成膜技術により成膜することにより基板１１０を形成する。
【００８６】
次に、平坦化膜１１５の上、及び平坦化膜１１５に設けられたスルーホール１２３の内部に、ＴＦＴ電極１１９と接続するように第１導電層１２１を形成する。ついで、第１導電層１２１の上に第２導電層１２２を形成する。第１導電層１２１と第２導電層１２２との形成方法は、実施形態１の場合と同様である。
【００８７】
次に、フォトリゾグラフィー技術を用いて第１導電層１２１と、第２導電層１２２とを同時に各画素毎に分離されたマトリクス状にパターニングすることにより、第１電極１２０を形成する。パターニングは、ウエットエッッチングを用いて行う。従って、従来のドライエッチングによる第１導電層と第２導電層とのパターニングと比較して、安価にパターニングをすることができる。よって、安価に有機ＥＬ表示装置１００を製造することができる。
【００８８】
尚、第１導電層１２１と、第２導電層１２２とのウエットエッチング方法は、実施形態１の場合と同様である。
【００８９】
次に、スルーホール１２３の上部及び、第１電極１２０のエッジ部分を覆うように、絶縁層１２４を形成する。
【００９０】
次に、第１電極１２０の上にホール注入層１３１と、発光層１３２とを、公知の成膜技術で成膜することにより有機層１３０を形成する。尚、ホール注入層１３１と、発光層１３２とに使用される材料、及び、成膜方法は実施形態１の場合と同様である。
【００９１】
次に、有機層１３０の上に、Ａｌ：Ｃａ層１４１と、Ａｌ層１４２と、ＩＺＯ層１４３とを、蒸着法、スパッタ法等の公知の成膜技術により、有機ＥＬ装置１００の発光領域を覆うように成膜することにより、第２電極１４０を形成することによって、有機ＥＬ表示装置１００を製造する。
【実施例】
【００９２】
（実施例１）上記実施形態１と同一形態の有機ＥＬ表示装置１の製造方法を実施例１とした。
【００９３】
（実施例２）上記実施形態２と同一形態の有機ＥＬ表示装置１００の製造方法を実施例２とした。
【００９４】
また、第２導電層２２をＩＴＯにより形成した点を除いて実施例１と同一構成の製造方法を比較例とした。
【００９５】
実施例１では、第１導電層２１及び第２導電層２２を同時に同一のエッチング液によりによりパターニングを行っても、第１導電層２１と第２導電層２２との界面に腐食、変色は観測されなかった。
【００９６】
実施例２においても同様に、第１導電層１２１及び第２導電層１２２を同時に同一のエッチング液によりによりパターニングを行っても、第１導電層１２１と第２導電層１２２との界面に腐食、変色は観測されなかった。
【００９７】
一方、比較例では、第１導電層及び第２導電層を同時に同一のエッチング液によりによりパターニングを行うと、第１導電層と第２導電層との界面に腐食、変色が観測された。
【００９８】
また、実施例１にかかる製造方法により製造された有機ＥＬ表示装置１に直流電圧を印加すると、有機層３０からの緑色発光が蛍光灯下で観察された。
【００９９】
実施例２にかかる製造方法により製造された有機ＥＬ表示装置１００においても同様に、制御信号を印加すると、有機層１３０からの緑色発光が蛍光灯下で観察された。
【０１００】
一方、比較例にかかる製造方法により製造された有機ＥＬ表示装置に、電圧を印加した場合に有機層からの発光は実施例１、及び、実施例２にかかる製造方法により製造された有機ＥＬ表示装置１、及び、有機ＥＬ表示装置１００から得られる発光と比較して非常に弱く、暗所で発光が観察される程度であった。
【０１０１】
このように、本発明によれば、高輝度なトップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置を安価に製造する方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の実施形態１にかかる製造方法により製造したトップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置１の概略断面図である。
【図２】第２導電層２２の層厚と、第１導電層２１の光反射率との関係を示すグラフである。
【図３】本発明の実施形態２にかかる製造方法により製造したトップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置１００の概略断面図である。
【図４】一般的なボトムエミッション方式の有機ＥＬ表示装置２００の概略断面図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１、１００、２００  有機ＥＬ表示装置
２、１０１  有機ＥＬ素子
１０、１１０、２０１  基板
２０、１２０、２０２  第１電極
２１、１２１  第１導電層
２２、１２２  第２導電層
３０、１３０、２０３  有機層
３１、１３１  ホール注入層
３２、１３２  発光層
４０、１４０、２０４  第２電極
４１、１４１  Ａｌ：Ｃａ層
４２、１４２  Ａｌ層
４３、１４３  ＩＺＯ層
１１１  絶縁基板
１１２  ソース配線
１１３  ゲート配線
１１４  ＴＦＴ
１１５  平坦化膜
１１６  ゲートメタル
１１７  ゲート絶縁膜
１１８  島状半導体
１１９  ＴＦＴ電極
１２３  スルーホール
１２４  絶縁膜
【図１】
2005222759.tif 000003
【図２】
2005222759.tif 000004
【図３】
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【図４】
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