(57)【要約】【課題】パッケージ面積に対するソルダーボール形成可能有効面積を広げることができ、ピンカウントを増加させることができる放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージを提供する。【解決手段】回路パターンが形成されたダイ、前記ダイを実装し、前記ダイ面積の１００〜１５０％であり、回路パターンを含む印刷回路基板、前記ダイの熱を放出するために前記ダイ上に実装された放熱板および前記印刷回路基板と放熱板とのあいだに注入されて、前記印刷回路基板と前記放熱板を密着させ、前記印刷回路基板を外部から遮蔽する封止剤を備えている。【選択図】図３ｉ
2005019937.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンが形成されたダイ、
前記ダイを実装し、前記ダイ面積の１００〜１５０％であり、回路パターンを含む印刷回路基板、
前記ダイの熱を放出するために前記ダイ上に実装された放熱板、および
前記印刷回路基板と放熱板とのあいだに注入されて、前記印刷回路基板と前記放熱板を密着させ、前記印刷回路基板を外部から遮蔽する封止剤
を備えてなることを特徴とする高密度チップスケールパッケージ。
【請求項２】
前記ダイが、前記印刷回路基板上に熱伝導性エポキシ接着剤により接着されている請求項１記載の高密度チップスケールパッケージ。
【請求項３】
前記封止剤がエポキシ液状封止剤である請求項１記載の高密度チップスケールパッケージ。
【請求項４】
前記ダイが、ワイヤを介してワイヤボンディングパッドに連結されることによって前記印刷回路基板と電気的に接続されている請求項１記載の高密度チップスケールパッケージ。
【請求項５】
前記ダイが、下面に形成された複数のソルダーボールを含み、前記印刷回路基板と前記複数のソルダーボールを介して電気的に接続されている請求項１記載の高密度チップスケールパッケージ。
【請求項６】
前記ダイと前記印刷回路基板とのあいだの空間に注入される液状封止剤を含む請求項５記載の高密度チップスケールパッケージ。
【請求項７】
他の印刷回路基板上に、ダイが実装された前記印刷回路基板を実装するために、その下面にソルダーボールを含む請求項１記載の高密度チップスケールパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路密度および回路形成可能領域を広げることができる高密度チップスケールパッケージに関する。さらに詳細には、従来の放熱板の接着時に要求されるキャビティを省略するとともに、一方で液状の封止剤（Encapsulant）を使用することによって、回路密度および回路形成可能領域を広げながらも放熱板の放熱効率がよく、また、ワイヤボンディングやフリップチップ方式により実装されたチップのいずれにも適用可能な高密度チップスケールパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子産業の高度化に伴い、電子製品も小型化および大容量化されつつある。また、それによるＩＣチップの発達によりＩ／Ｏカウントも増加することになった。このように半導体のＩ／Ｏカウントが増加すると、駆動に際してＩＣチップから多くの熱が発生してしまう。かかる問題を解決するために考案されたパッケージとして、一般のパッケージに放熱板の機能を有する銅などの金属板を接着させたスーパーＢＧＡ（Super-BGA（Ball Grid Array））およびＥ−ＢＧＡ（Enhanced-BGA）基板がある。この金属板は、ＩＣチップに直接接着されており、発生する熱を外部に放出させている。
【０００３】
とくに、Ｅ−ＢＧＡ基板は、従来のＢＧＡ基板とは異なる新規形態のＢＧＡ基板であって、現在、ゲーム機やコンピュータに装着されるグラフィック支援用チップに主として使用される基板である。該Ｅ−ＢＧＡ基板は、従来のＢＧＡ基板とは異なり、一面全体にわたって熱放出のための放熱板が接着剤にて接着され、被覆されている。チップ実装および他の基板やマザーボードとの接続のためのソルダーバンプは、いずれも他面に配置される構造にされている。また、ダイが実装される部分はキャビティ（cavity）が形成されている。
【０００４】
スーパーＢＧＡ基板は、さらに複雑な構造を有するＥ−ＢＧＡであって、印刷回路基板が複数の層をなすと同時に、放熱板を有する。
【０００５】
図１ａおよび図１ｂに、それぞれＥ−ＢＧＡ基板およびスーパーＢＧＡ基板の断面を示す。
【０００６】
まず、図１ａに示されるように、Ｅ−ＢＧＡ基板では、放熱板１０１上に印刷回路基板１０３が接着剤１０２によって接着されて実装されており、放熱板１０１の中心にキャビティを設けてダイ１０４を実装している。印刷回路基板１０３とダイ１０４は、ダイ１０４の回路パターンと印刷回路基板１０３上に備えられたワイヤボンディングパッド１０５とがワイヤ１０６を介して連結することによって接続されている。そして、形成されたワイヤボンディング構造およびダイ１０４の回路を保護するためにＥＭＣ１０７が覆われる。
【０００７】
このように、Ｅ−ＢＧＡ基板では、放熱板１０１がパッケージの下面全体を覆っていることから熱放出には優れているものの、他の基板上に実装するにあたっては、最近主として使用されるＢＧＡ（Ball Grid Array）方式を使用することができず、ワイヤによるリードフレーム（Lead Frame）方式で実装するしかない。
【０００８】
また、スーパーＢＧＡ基板は、図１ｂに示されるように、Ｅ−ＢＧＡ基板と同様に印刷回路基板１１２（以下、第１印刷回路基板という）の下面に放熱板１１１が接着されている構造をもつが、第１印刷回路基板１１２上に第２印刷回路基板１１４をさらに積層していることに特徴がある。第２印刷回路基板１１４は、接着剤層１１３によって第１印刷回路基板１１２に接着されている。また、パッケージの中心にキャビティが設けられており、そこにはダイ１１５が実装され、第１印刷回路基板１１２はワイヤボンディングパッド１１７に接続されたワイヤ１１９によって、第２印刷回路基板１１４はワイヤボンディングパッド１１８に接続されたワイヤ１２０によってダイ１１５と電気的に接続されている。そして、形成されたワイヤボンディング構造およびダイ１１５の回路を保護するためにＥＭＣ１１６が覆われている。
【０００９】
スーパーＢＧＡ基板およびＥ−ＢＧＡ基板は、放熱板がパッケージの下面全体を覆っていることから熱放出性能および信頼性には優れているものの、製造工程が複雑で、高精度の回路パターンが形成し難いという問題がある。
【００１０】
一方、電子産業における軽薄短小化の傾向に対応してＣＳＰ（チップスケールパッケージ：Chip Scale Package）が登場した。ＣＳＰは、パッケージ面積がその上に実装されるダイ面積とほぼ同じパッケージであって、面積が数個のダイを実装できるように大きい通常の従来パッケージとは違い、パッケージ面積がダイ面積の１５０％以内のパッケージのことをいう。また、ＣＳＰは、他のベース基板上に実装されるとき従来のようにリードフレームを使用せず、パッケージの下面に数個のソルダーボールを接着する方式、つまり、ＢＧＡ方式を採用することによって他のベース基板上に容易に実装されることを特徴とする。
【００１１】
前述のように、放熱板付きスーパーＢＧＡ基板およびＥ−ＢＧＡ基板は、熱放出性能および信頼性には優れているものの、製造工程が複雑で、高精度の回路パターンの形成が困難であり、また高コストとなるため、ＣＳＰには適用し難い状況である。そこで、同業界では優れた熱的性能と信頼性、および低コストの条件を満足できるような基板を工夫し、Ｃ２ＢＧＡ（Conduction Cooled Ball Grid Array）基板を開発するにいたった。これは、放熱板をソルダーペースト、つまり半田付けにより接着し、一般のＳＭＴ（Surface Mount Technology）製造方式のようにリフロー（reflow）工程を通じて放熱板を基板に取り付けた製品である。
【００１２】
このようなＣ２ＢＧＡ基板の製造工程を図２ａ〜２ｊに示す。
【００１３】
図２ａは、加工される前の銅張積層板（ＣＣＬ：Copper Clad Laminate）２０１の断面図である。この銅張積層板２０１は、絶縁層２０３に銅箔２０２が覆われている。銅張積層板とは、一般に、印刷回路基板が製造される原板であって、絶縁層に薄く銅を被覆した薄い積層板のことをいう。
【００１４】
銅張積層板は、その用途によって、ガラス／エポキシ銅張積層板、耐熱樹脂銅張積層板、紙／フェノール銅張積層板、高周波用銅張積層板、フレキシブル銅張積層板（ポリイミドフィルム）または複合銅張積層板など様々な種別があるが、両面ＰＣＢおよび多層ＰＣＢの製作には主としてガラス／エポキシ銅張積層板が使用される。
【００１５】
このガラス／エポキシ銅張積層板は、ガラス繊維にエポキシ樹脂（Epoxy Resin：樹脂と硬化剤の配合物）を浸透させた補強基材と銅箔からなる。ガラス／エポキシ銅張積層板は補強基材によって区分されるが、一般に、ＦＲ１〜ＦＲ５のようにＮＥＭＡ（National Electrical Manufactures Association：国際電気工業協会）で定めた規格に基づいて補強基材と耐熱性による等級が定められている。これらの等級の中でもＦＲ−４が最も多く使用されているが、最近では樹脂のガラス転移温度特性などを向上させたＦＲ−５の需要も増加している。
【００１６】
ついで、図２ｂに示されるように、銅張積層板２０１にドリリングにより回路層間の接続のためのビアホール２０４を加工する。このとき、ドリリング方法としては、ドリリングマシンによる機械的ドリリングまたはレーザドリリング方法を使用する。
【００１７】
そののち、図２ｃに示されるように無電解銅めっきおよび電解銅めっきを施して基板表面およびビアホール内壁に銅めっき層２０５を形成する。このとき、無電解銅めっきを先に行ない、ついで電解銅めっきを行なう。このように電解銅めっきに先立って無電解銅めっきを施す理由は、絶縁層上では電気を必要とする電解銅めっきが施せないからである。つまり、電解銅めっきに必要な導電性膜を形成させるために前処理として薄く無電解銅めっき層を形成するわけである。無電解銅めっきは処理が難しく、不経済という短所があるので、回路パターンを形成する導電性部分は電解銅めっきで形成するのが好ましい。
【００１８】
また、図２ｄに示されるように、ビアホール２０４の内壁に形成された無電解および電解銅めっき層２０５を保護するためにペースト２０６を充填し、エッチングにより回路バターンを形成する。このとき、ペーストは絶縁性のインク材質を使用するのが一般的であるが、印刷回路基板の使用目的に応じて導電性のペーストも使用可能である。導電性ペーストは、主成分がＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｂなどである金属を単独または合金の形態に有機接着剤とともに混合したものである。しかし、このようなペースト充填過程は、ＭＬＢの製造目的によっては省略してもよい。
【００１９】
そののち、図２ｅに示されるようにダイの実装されるキャビティ２０７を形成する。該キャビティ２０７は、機械的ドリリングマシンまたはパンチング加工によって形成するとよい。
【００２０】
また、図２ｆに示されるように、他の回路パターンまたは他の基板と接続される部分を除いた部分にソルダーレジスト２０８を印刷する。
【００２１】
そののち、図２ｇで、ワイヤまたはソルダーボールなど回路接続のための部分、つまり、前記ソルダーレジスト２０８が塗布されず銅めっき層２０５が露出された部分にＮｉ／Ａｕめっき層２０９を形成する。このとき、図２ｆのソルダーレジスト２０８がめっきレジストの役割をするので、ソルダーレジスト２０８が印刷されなかった部分にのみＮｉ／Ａｕめっき層２０９が形成される。後述するが、前記Ｎｉ／Ａｕめっき層２０９上にはワイヤボンディングのためのワイヤボンディングバッドが形成される。また、めっき時には、Ｎｉを先にめっきしたのち、Ａｕをめっきする。その結果、外部にはＡｕめっき層が露出される。これは、基板のうち外部回路と接続される部分に対する処理であって、ソルダーレジストで覆われずに露出された銅箔部位が酸化されるのを防止し、実装される部品の半田付け性を向上させ、良好な伝導性を与えるためのものである。
【００２２】
そののち、パッケージの下面に他のベース基板への直接実装のためのソルダーボール２１０を形成する。ソルダーボール２１０は、パッケージを他の基板上に実装するときに使用され、他の基板上に形成されたソルダーボールと接続させて両基板を電気的に接続する。このようなソルダーボール２１０を介して他の基板上に実装される基板をＢＧＡ（Ball Grid Array）基板という。
【００２３】
ついで、図２ｈに示されるように、パッケージの下面に放熱板２１１を取り付ける。
【００２４】
そののち、図２ｉに示されるように前記放熱板２１１にソルダーペースト２１３を塗布し、その上にダイ２１２を実装したのち、リフロー工程により放熱板２１１とダイ２１２を接着する。そののち、Ｎｉ／Ａｕめっき層２０９上にワイヤボンディングパッド２１４を形成し、これをダイ２１２の回路パターンとワイヤ２１５を介して電気的に接続する。
【００２５】
最後に、図２ｊに示されるように、露出された回路パターンとワイヤボンディング構造を保護するために、ＥＭＣ（Epoxy Mold Compound）２１６を被覆する。ＥＭＣは固体状態の物質であって、加熱により流動性の生じた状態で金型に注ぎ入れて所望の形態にしてパッケージ上に覆い被せられる。
【００２６】
前述のごとく、Ｃ２ＢＧＡ基板の製造工程は、一般の基板作製と同様であるが、中央にキャビティを形成して放熱板を取り付けることからパッケージ面積に対するソルダーボール形成可能有効面積が減少してしまい、結果としてピンカウントを増加させることに限界があった。
【００２７】
特許文献１（発明の名称：ヒートシンクへの印刷回路基板の接着・接合）は、印刷回路基板と放熱板とのあいだの隙間を圧力感応性接着剤層と熱硬化性接着剤で充填して印刷回路基板から発生する熱を放熱板にさらに有効に伝達するための構造を開示している。
【００２８】
また、特許文献２（発明の名称：薄型システム対応の高放熱ヒートスプレッダ付きパッケージ構造およびその製法）は、コンピュータなどのマザーボードのソケットに実装されるパッケージの熱放出効果を向上させるための構造を開示している。これは、放熱板をチップスケールパッケージの上部に載せて傾斜面を形成し、その傾斜面にマザーボードの冷却のための冷却ファンのエアフローが通過するようにエアベントおよびエアスロットを形成したものである。しかし、ここに開示された構造は、別途の冷却ファンが存在する場合に限定されるので、その応用範囲に制限がある。
【００２９】
【特許文献１】国際特許公開公報ＷＯ ０２／１３５８６
【特許文献２】韓国特許公開公報第２００１−０００９１３５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３０】
本発明の目的は、パッケージ面積に対するソルダーボール形成可能有効面積を広げることができ、ピンカウントを増加させることができる放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージを提供することである。
【００３１】
本発明の他の目的は、印刷回路基板中にダイ実装のためのキャビティを含めないことによって、ソルダーボール形成可能有効面積を広げ、ピンカウントも増加させることができる高密度チップスケールパッケージを提供することである。
【００３２】
本発明のさらに他の目的は、ダイをワイヤボンディングで実装する構成やフリップチップ方式で実装する構成のいずれにも適用できる、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージを提供することである。
【００３３】
本発明のさらなる他の目的は、ダイ上に放熱板を熱伝導性エポキシ接着剤で接着することによって熱を円滑に放出させるようにした、高密度スケールパッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００３４】
前記の目的を達成するために、本発明の高密度チップスケールパッケージは、回路パターンが形成されたダイ、前記ダイを実装し、前記ダイ面積の１００〜１５０％であり、回路パターンを含む印刷回路基板、前記ダイの熱を放出するために前記ダイ上に実装された放熱板および前記印刷回路基板と放熱板とのあいだに注入されて、前記印刷回路基板と前記放熱板を密着させ、前記印刷回路基板を外部から遮蔽する封止剤を備えてなることを特徴としている。
【００３５】
前記ダイが、前記印刷回路基板上に熱伝導性エポキシ接着剤により接着されているのが好ましい。
【００３６】
前記封止剤が、エポキシ液状封止剤であるのが好ましい。
【００３７】
また、前記ダイが、ワイヤを介してワイヤボンディングパッドに連結されることによって前記印刷回路基板と電気的に接続されているのが好ましい。
【００３８】
また、前記ダイが、下面に形成された複数のソルダーボールを含み、前記印刷回路基板と前記複数のソルダーボールを介して電気的に接続されているのが好ましい。
【００３９】
また、前記ダイと前記印刷回路基板とのあいだの空間に注入された液状封止剤を含むのが好ましい。
【００４０】
また、他の印刷回路基板上に、ダイが実装された前記印刷回路基板を実装するために、その下面にソルダーボールを含むのが好ましい。
【００４１】
さらに、前記の目的を達成するための高密度チップスケールパッケージの製法は、（ａ）ダイ面積の１００〜１５０％であり、回路パターンを含む印刷回路基板上に回路パターンを含むダイを実装する工程、（ｂ）前記ダイ上に放熱のための放熱板を実装する工程、（ｃ）前記印刷回路基板と放熱板とのあいだに液状封止剤を注入する工程、および（ｄ）前記液状封止剤を硬化させる工程を備えることを特徴としている。
【００４２】
前記工程（ｂ）で、前記ダイと前記放熱板は熱伝導性エポキシ接着剤により接着するのが好ましい。
【００４３】
前記工程（ｃ）は、前記注入された液状封止剤のボイドを除去する工程をさらに含むのが好ましい。
【００４４】
また、前記工程（ｄ）は、熱硬化処理により行なわれるのが好ましい。
【００４５】
前記工程（ａ）は、前記印刷回路基板上にワイヤボンディングパッドを形成する工程および前記ダイと前記ワイヤボンディングパッドをワイヤにより電気的に接続する工程を含むのが好ましい。
【００４６】
前記工程（ａ）は、前記ダイの下面に複数のソルダーボールを形成して前記印刷回路基板と前記ダイを電気的に接続させる工程を含むのが好ましい。
【００４７】
また、前記工程（ａ）は、前記ダイと前記印刷回路基板とのあいだの空間に液状封止剤を注入する工程および前記注入された液状封止剤のボイドを除去する工程をさらに含むのが好ましい。
【００４８】
また、他の印刷回路基板上に、ダイが実装された前記印刷回路基板を実装するために、その下面にソルダーボールを形成する工程をさらに含むのが好ましい。
【発明の効果】
【００４９】
本発明によれば、パッケージ面積に対するソルダーボール形成可能有効面積を広げ、ピンカウントを増加させながらも、熱放出効果が低下しない放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージを提供することができる。
【００５０】
また、印刷回路基板内部にダイ実装のためのキャビティを含まないので、ソルダーボールを形成できる有効面積を広げ、ピンカウントも増加させることができる。
【００５１】
また、ダイをワイヤボンディングで実装する構成やフリップチップ方式で実装する構成のいずれにも適用できながらも、熱放出効果が低下しない放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージを提供することができる。
【００５２】
さらに、ダイ上に放熱板を熱伝導性エポキシ接着剤で接着することによって、ダイと放熱板とのあいだの熱伝達効果を向上させ、ダイから発生する熱を円滑に放出させる高密度チップスケールパッケージを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
以下、添付図面を参照しつつ本発明をさらに詳細に説明する。
【００５４】
図３ａ〜３ｉは、本発明の一実施の形態であって、ダイが基板上にワイヤボンディングにより実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【００５５】
図３ａは、本発明の高密度チップスケールパッケージのベース基板（印刷回路基板）となる銅張積層板３０１を示す。該銅張積層板３０１は、絶縁層３０３に銅箔３０２が覆われている。銅張積層板３０１には様々な種別があり、とくに、ガラス繊維にエポキシ樹脂（Epoxy Resin：樹脂と硬化剤との配合物）を浸透させた補強基材と銅箔とからなるガラス／エポキシ銅張積層板、中でもＦＲ−４と呼ばれる材質の銅張積層板が最も多用されている。本実施の形態ではＦＲ−４の銅張積層板３０１を使用しているが、本発明においては、これに限定されるのではない。
【００５６】
前記銅張積層板３０１には、図３ｂに示されるように、ドリリングによって回路層間の回路接続のためのビアホール３０４を加工する。このとき、ドリリングマシンによる機械的なドリリングを使用してもよく、レーザドリリングを使用してもいいが、微小ビアホールの加工にはレーザドリリング方法が好ましい。
【００５７】
そののち、図３ｃに示されるように無電解めっきおよび電解めっきを施す。このとき、先に無電解めっきにより薄い銅めっき層を形成したのち、電解めっきを実施して基板外部およびビアホール３０４の内壁に導電性のめっき層３０５を形成する。そののち、ホール内部を絶縁性ペースト３０６で充填（plugging）する。前記導電性のめっき層３０５は電解めっき層および無電解めっき層を含む。
【００５８】
図３ｄにおいて、ビアホール３０４の内壁に形成された無電解および電解銅めっき層３０５を保護するためにペースト３０６を充填し、エッチングにより回路パターンを形成する。エッチングによる回路パターンは、ドライフィルムなどのエッチングレジストを塗布し、露光および現像によりエッチングレジストパターンを形成したのち、エッチング液で回路パターン以外の部分を除去することによって形成される。
【００５９】
そののち、図３ｅに示されるように、ソルダーボールおよびワイヤが接続される部分を除いた部分にソルダーレジスト３０７を印刷する。
【００６０】
ついで、図３ｆに示されるように、ワイヤまたはソルダーボールなど回路接続のための部分、つまり、前記ソルダーレジスト３０７が塗布されず、銅めっき層３０５が露出する部分にＮｉ／Ａｕめっき層３０８を形成する。このとき、図３ｅに示されるソルダーレジスト３０７がめっきレジストの役割をするため、ソルダーレジスト３０７が印刷されなかった部分にのみＮｉ／Ａｕめっき層３０８が形成される。後述するように、Ｎｉ／Ａｕめっき層３０８上にはワイヤボンディングのためのワイヤボンディングパッド３１２が形成される。前記メッキ時には、Ｎｉを先にめっきしたのち、Ａｕをめっきする。したがって、外部にはＡｕめっき層が露出される。これは、基板のうち外部回路と接続される部分に対する処理であって、ソルダーレジストで覆われず、露出する銅箔部位が酸化されるのを防止し、実装される部品の半田付け性を向上させ、良好な伝導性を与えるためのものである。
【００６１】
そののち、パッケージの下面に他のベース基板への直接実装のためのソルダーボール３０９を形成する。ソルダーボール３０９は、本発明にかかわるパッケージを他の基板上に実装するときに使用され、他の基板上に設けられたソルダーボールと接続されて両基板間を電気的に接続させる。言い換えると、本実施の形態の高密度チップスケールパッケージ基板は、他の基板上に所謂ＢＧＡ方式により実装できるように構成される。
【００６２】
また、図３ｇに示されるように、ソルダーレジスト層３０７上に接着剤３１０を塗布し、その上にダイ３１１を実装して接着させる。そののち、前記Ｎｉ／Ａｕめっき層３０８上にワイヤボンディングのためのワイヤボンディングパッド３１２を形成し、前記ダイ３１１の回路パターンと前記ワイヤボンディングパッド３１２をワイヤ３１３を介して連結することによってパッケージの回路とダイの回路を電気的に接続させる。このとき、本発明にかかわるパッケージで使用されるベース基板３０１の面積は、前記実装されるダイ３１１面積の１００〜１５０％、好ましくは１００〜１２０％である。
【００６３】
そののち、図３ｈにおいて、ダイ３１１上に熱伝導性エポキシ接着剤３１４を塗布し、その上に放熱板３１５を接着する。つまり、本実施の形態の高密度チップスケールパッケージでは、ダイ３１１上に放熱板３１５を直接実装し、これを熱伝導性エポキシ接着剤３１４により接着することによって円滑な熱放出を可能にしている。
【００６４】
図３ｉに示されるように、前記パッケージベース基板と放熱板３１５とのあいだにパッケージベース基板上の露出する回路層およびソルダーレジスト層３０７が外部から遮蔽されるように液状の封止剤３１６を注入する。そののち、硬化（curing）処理として、前記液状封止剤３１６からボイド（void）を除去したのち、熱硬化させる。熱硬化された封止剤３１６は、その内部の回路を湿度および衝撃などの外部損傷要因から保護する機能を行なっている。
【００６５】
普通は、外部の損傷要因から内部の回路を保護するために使用されるＥＭＣ（Epoxy Mold Compound）として、液状でない固体のものを使用しているが、この固形状のＥＭＣは、パッケージに塗布する過程でパッケージに物理的な衝撃を与えるおそれがある。したがって、本発明のように液状封止剤を使用すると、前述したような物理的衝撃を避けることができる。
【００６６】
前述のごとく、パッケージの小型化に対応するためのチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）は、パッケージの面積がその上に実装されるダイ（チップ）面積の１００〜１５０％である点と、チップサイズの高密度化されたパッケージを前記ソルダーボール３０９により他の基板上に直接実装するという点に特徴がある。図３ａ〜３ｈに示される本実施の形態の高密度チップスケールパッケージによれば、放熱効率を低下させることなく、チップスケールパッケージの特性であるパッケージの高密度化および小型化を達成することができる。
【００６７】
図４ａ〜４ｉは、本発明の他の実施の形態であって、ダイがパッケージ上にフリップチップ方式により実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す。
【００６８】
図４ａは、本発明の高密度チップスケールパッケージのベース基板となる銅張積層板４０１を示す。ここで使用される銅張積層板４０１は図３ａの銅張積層板の材質と同一である。つまり、銅張積層板はＦＲ−４のものが好ましいが、これに限定されるのではない。また、銅張積層板４０１は絶縁層４０３に銅箔４０２が被覆されている。
【００６９】
このように形成された銅張積層板４０１に、図４ｂに示されるように、ドリリングにより回路層間の回路接続のためのビアホール４０４を加工する。このとき、ドリリングマシンによる機械的なドリリングを使用してもよく、レーザドリリングを使用してもいいが、微小ビアホールの加工には高精度のレーザドリリング方法が好ましい。
【００７０】
そののち、図４ｃに示されるように基板全体にわたって無電解めっきおよび電解めっきを施す。このとき、先に無電解めっきにより薄い銅めっき層を形成したのち、電解めっきを施して基板外部およびビアホール４０４の内壁に導電性のめっき層４０５を形成する。そののち、ホール内部を絶縁性ペースト４０６で充填（plugging）処理する。ここで、前記導電性のめっき層４０５は電解めっき層および無電解めっき層を含む。
【００７１】
ついで、図４ｄに示されるように、エッチングにより基板の外部のめっき層４０５に回路パターンを形成する。エッチングによる回路パターンは、ドライフィルムなどのエッチングレジストを塗布し、露光および現像によりエッチングレジストパターンを形成したのち、エッチング液で回路パターン以外の部分を除去することにより形成される。
【００７２】
図４ｅに示されるように、ソルダーボールおよびワイヤが接続される部分、つまり、回路接続のためのソルダーボールパッドおよびワイヤボンディングパッドなどが形成される部分以外の部分に、めっき層４０５に形成された回路パターンを保護するようにソルダーレジスト４０７を印刷する。
【００７３】
そののち、図４ｆに示されるように、ワイヤまたはソルダーボールなどの回路接続のための部分、つまり、前記ソルダーレジスト４０７が塗布されず、銅めっき層４０５が露出する部分にＮｉ／Ａｕめっき層４０８を形成する。このとき、図４ｅのソルダーレジスト４０７がめっきレジストの役割をするため、ソルダーレジスト４０７が印刷されなかった部分にのみＮｉ／Ａｕ層４０８が形成される。メッキ時にはＮｉを先にめっきしたのち、Ａｕをめっきするので、外部にはＡｕめっき層が露出される。これは、基板のうち外部回路と接続される部分に対する処理であって、ソルダーレジストで覆われず、露出する銅箔部位が酸化されるのを防止し、実装される部品の半田付け性を向上させ、良好な伝導性を与えるためのものである。
【００７４】
そののち、パッケージの下面に他のベース基板への直接実装のためのソルダーボール４０９を形成する。ソルダーボール４０９は、本発明にかかわるパッケージを他の基板上に実装するために使用され、他の基板上に設けられたソルダーボールと接続されて両基板間を電気的に接続させている。言い換えると、本実施の形態の高密度チップスケールパッケージ基板は他の基板上に所謂ＢＧＡ方式により実装できるように構成されている。
【００７５】
図４ｇに示されるように、下面にソルダーボール４０９が形成されたダイ４１０をソルダーレジスト層４０７上に実装し、ダイ４１０とソルダーレジスト層４０７とのあいだにおけるソルダーボール４１１以外の空間にアンダーフィル（underfill）用液状封止剤４１２を注入し、充填したのち、熱硬化して固着させる。このとき、本発明にかかわるパッケージで使用されるベース基板４０１の面積は、前記実装されるダイ４１０面積の１００〜１５０％、好ましくは１００〜１２０％である。
【００７６】
そののち、図４ｈに示されるように、ダイ４１０上に熱伝導性エポキシ接着剤４１３を塗布し、その上に放熱板４１４を接着する。本実施の形態の高密度チップスケールパッケージでは、図３ａ〜３ｉを参照して説明した一実施の形態の方法と同様に、ダイ４１０上に放熱板４１４を直接実装し、これを熱伝導性エポキシ接着剤４１３により接着することによって円滑な熱放出を可能にする。
【００７７】
最後に、図４ｉに示されるように、前記パッケージベース基板と放熱板４１４とのあいだにパッケージベース基板上の露出された回路層およびソルダーレジスト層４０７が外部から遮蔽されるように液状の封止剤４１５を注入する。そののち、硬化（curing）処理として、前記液状封止剤４１５からボイド（void）を除去したのち、液状封止剤４１５を熱硬化させる。前記液状封止剤は、エポキシ系列の液状封止剤が好ましい。
【００７８】
前記熱硬化された封止剤４１５は、その内部の回路を湿度および衝撃などの外部損傷要因から保護する機能を有する。本実施の形態において、放熱板４１４とパッケージとのあいだの空間に注入される液状封止剤４１５と図４ｈにおいてアンダーフィル用に使用された液状封止剤４１２は、同一のものを使用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１ａ】Ｅ−ＢＧＡ基板の断面を示す図である。
【図１ｂ】スーパーＢＧＡ基板の断面を示す図である。
【図２ａ】従来のＣ２ＢＧＡ基板の製造工程を示す図である。
【図２ｂ】従来のＣ２ＢＧＡ基板の製造工程を示す図である。
【図２ｃ】従来のＣ２ＢＧＡ基板の製造工程を示す図である。
【図２ｄ】従来のＣ２ＢＧＡ基板の製造工程を示す図である。
【図２ｅ】従来のＣ２ＢＧＡ基板の製造工程を示す図である。
【図２ｆ】従来のＣ２ＢＧＡ基板の製造工程を示す図である。
【図２ｇ】従来のＣ２ＢＧＡ基板の製造工程を示す図である。
【図２ｈ】従来のＣ２ＢＧＡ基板の製造工程を示す図である。
【図２ｉ】従来のＣ２ＢＧＡ基板の製造工程を示す図である。
【図２ｊ】従来のＣ２ＢＧＡ基板の製造工程を示す図である。
【図３ａ】本発明の一実施の形態であって、ダイがパッケージ上にワイヤボンディングにより実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【図３ｂ】本発明の一実施の形態であって、ダイがパッケージ上にワイヤボンディングにより実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【図３ｃ】本発明の一実施の形態であって、ダイがパッケージ上にワイヤボンディングにより実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【図３ｄ】本発明の一実施の形態であって、ダイがパッケージ上にワイヤボンディングにより実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【図３ｅ】本発明の一実施の形態であって、ダイがパッケージ上にワイヤボンディングにより実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【図３ｆ】本発明の一実施の形態であって、ダイがパッケージ上にワイヤボンディングにより実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【図３ｇ】本発明の一実施の形態であって、ダイがパッケージ上にワイヤボンディングにより実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【図３ｈ】本発明の一実施の形態であって、ダイがパッケージ上にワイヤボンディングにより実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【図３ｉ】本発明の一実施の形態であって、ダイがパッケージ上にワイヤボンディングにより実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【図４ａ】本発明の他の実施の形態であって、ダイがパッケージ上にフリップチップ方式により実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【図４ｂ】本発明の他の実施の形態であって、ダイがパッケージ上にフリップチップ方式により実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【図４ｃ】本発明の他の実施の形態であって、ダイがパッケージ上にフリップチップ方式により実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【図４ｄ】本発明の他の実施の形態であって、ダイがパッケージ上にフリップチップ方式により実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【図４ｅ】本発明の他の実施の形態であって、ダイがパッケージ上にフリップチップ方式により実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【図４ｆ】本発明の他の実施の形態であって、ダイがパッケージ上にフリップチップ方式により実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【図４ｇ】本発明の他の実施の形態であって、ダイがパッケージ上にフリップチップ方式により実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【図４ｈ】本発明の他の実施の形態であって、ダイがパッケージ上にフリップチップ方式により実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【図４ｉ】本発明の他の実施の形態であって、ダイがパッケージ上にフリップチップ方式により実装される、放熱構造を採用した高密度チップスケールパッケージの製造工程を示す図である。
【符号の説明】
【００８０】
３０１、４０１  銅箔積層板
３０２、４０２  銅箔層
３０３、４０３  絶縁層
３０５、４０５  銅めっき層
３０６、４０６  ビアホール充填ペースト
３０７、４０７  ソルダーレジスト
３０８、４０８  Ｎｉ／Ａｕめっき層
３０９、４０９、４１１  ソルダーボール
３１０  接着剤
３１１、４１０  ダイ
３１２  ワイヤボンディングパッド
３１３  ワイヤ
３１４、４１５  液状封止剤
３１５、４１４  放熱板
４１２  アンダーフィル用液状封止剤
４１３  熱硬化性エポキシ接着剤
【図１ａ】
2005019937.tif 000003
【図１ｂ】
2005019937.tif 000004
【図２ａ】
2005019937.tif 000005
【図２ｂ】
2005019937.tif 000006
【図２ｃ】
2005019937.tif 000007
【図２ｄ】
2005019937.tif 000008
【図２ｅ】
2005019937.tif 000009
【図２ｆ】
2005019937.tif 000010
【図２ｇ】
2005019937.tif 000011
【図２ｈ】
2005019937.tif 000012
【図２ｉ】
2005019937.tif 000013
【図２ｊ】
2005019937.tif 000014
【図３ａ】
2005019937.tif 000015
【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図３ｄ】
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【図３ｅ】
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【図３ｆ】
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【図３ｇ】
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【図３ｈ】
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【図３ｉ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図４ｄ】
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【図４ｅ】
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【図４ｆ】
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【図４ｇ】
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【図４ｈ】
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【図４ｉ】
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