(57)【要約】【課題】  電気光学装置において、基板上に構築される積層構造、とりわけその一部を構成する薄膜トランジスタに水分を進入させないようにすることで、より安定的な動作を可能にする。【解決手段】  ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、データ線（６ａ）及び走査線（３ａ）、半導体層（１ａ）を含むＴＦＴ（３０）、及び、データ線によりＴＦＴを介して画像信号が供給される画素電極（９ａ）からなる積層構造が構築されてなり、前記データ線及び前記画素電極の間に配置された層間絶縁膜（４４）と、該層間絶縁膜の一部として含まれ又は該層間絶縁膜の表面に配置された、好適にはＢＳＧ膜からなるパッシベーション膜（５０１）とを備えている。【選択図】      図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、前記走査線により走査信号が供給される半導体層を含む薄膜トランジスタと、前記データ線により前記薄膜トランジスタを介して画像信号が供給される画素電極とからなる、積層構造が構築されてなり、
前記データ線、前記走査線、前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極のうち任意の二つの間の少なくとも一つに配置された層間絶縁膜と、
該層間絶縁膜の一部として含まれ又は該層間絶縁膜の表面の側に配置されたパッシベーション膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記パッシベーション膜は、ＢＳＧ（Boron Silicate Glass）酸化膜又はＰＳＧ（Phosphorus Silicate Glass）酸化膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記パッシベーション膜の厚さは、１０〔ｎｍ〕以上、１００〔ｎｍ〕以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記ＢＳＧ酸化膜のＢ（ボロン）の含有量は、１〔ｗｔ／％〕以上、７〔ｗｔ／％〕以下であることを特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記積層構造は、前記基板の表面に遠い側から順に、
前記画素電極、前記層間絶縁膜としての第１の層間絶縁膜及び前記データ線という積層構造部分を含み、
前記パッシベーション膜は、前記第１の層間絶縁膜の表面の側に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１の層間絶縁膜の表面は、平坦化処理を受けていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に電気的に接続された保持容量と、該保持容量に固定電位を供給する容量配線とを更に備えてなり、
前記積層構造は、前記基板の表面に遠い側から順に、
前記画素電極、前記層間絶縁膜としての上層側第１の層間絶縁膜、前記容量配線、前記層間絶縁膜としての下層側第１の層間絶縁膜、前記データ線、前記層間絶縁膜としての第２の層間絶縁膜、前記保持容量、前記層間絶縁膜としての第３の層間絶縁膜、及び、前記薄膜トランジスタという積層構造部分を含み、
前記パッシベーション膜は、
前記上層側第１の層間絶縁膜の表面、前記下層側第１の層間絶縁膜の表面、第２の層間絶縁膜の表面及び前記第３の層間絶縁膜の表面の少なくとも二つ以上に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記上層側第１の層間絶縁膜の表面及び前記下層側第１の層間絶縁膜の表面は、平坦化処理を受けており、
前記パッシベーション膜は、これら上層側第１の層間絶縁膜の表面及び下層側第１の層間絶縁膜の表面に配置されていることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第２の層間絶縁膜及び前記第３の層間絶縁膜を貫き、前記画素電極及び前記薄膜トランジスタを電気的に接続するためのコンタクトホールを更に備えてなり、
前記パッシベーション膜は、前記第３の層間絶縁膜の表面には配置されていないことを特徴とする請求項７又は８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
基板上に、一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、前記走査線により走査信号が供給される半導体層を含む薄膜トランジスタと、前記データ線により前記薄膜トランジスタを介して画像信号が供給される画素電極とからなる積層構造が構築されてなる電気光学装置の製造方法であって、
前記データ線、前記走査線及び前記薄膜トランジスタの少なくとも一つの上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記パッシベーション膜は、常圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成されることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記層間絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法により形成されることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記層間絶縁膜の上に、所定の構成要素をパターニングする工程を更に備えてなり、
前記パッシベーション膜を形成する工程は、前記パターニングする工程の後に実施することを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
前記所定の構成要素は、前記画素電極を含むことを特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
前記層間絶縁膜は、多層構造を有することを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばアクティブマトリクス駆動の液晶装置、電子ペーパなどの電気泳動装置、ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置、電子放出素子（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）を備えた装置等の電気光学装置及びその製造方法の技術分野に関する。また、本発明は、このような電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野にも関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上に、マトリクス状に配列された画素電極及び該電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）、該ＴＦＴの各々に接続され、行及び列方向それぞれに平行に設けられたデータ線及び走査線等を備えることで、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能な電気光学装置が知られている。
【０００３】
かかる電気光学装置では、上記に加えて、前記基板に対向配置される対向基板を備えるとともに、該対向基板上に、前記画素電極に対向する対向電極等を備え、更には、画素電極及び対向電極間に挟持される液晶層等を備えることで、画像表示が行われる。すなわち、液晶層内の液晶分子は、画素電極及び対向電極間に設定された所定の電位差によって、その配向状態が適当に変更され、これにより、当該液晶層を透過する光の透過率が変化することによって画像の表示が行われることになるのである。なお、前記の対向電極には、前記液晶分子の劣化等を防止するため、ある電位を中央の値として、そのプラス側及びマイナス側に振られた二水準の電位が供給されることがある（以下、前記の中央の値としての、ある電位を、「共通電位」と呼ぶことがある。）。
【０００４】
このような電気光学装置においては、前述の薄膜トランジスタ、走査線、データ線及び画素電極等々の各種の構成要素が、基板上に積層構造をなして構築されている。この場合、例えば、薄膜トランジスタと、画素電極、走査線及びデータ線とは電気的に接続されている必要があるが、走査線及び画素電極、あるいは走査線及びデータ線等々は電気的に絶縁されていなければならないなどという制約があることから、前記積層構造は、前記各種の構成要素間にいわゆる層間絶縁膜を備えた構成とされるのが一般的である。このような層間絶縁膜として利用しうる絶縁膜には、例えばＢＳＧ（Boron Silicate Glass）膜があるが、その一例としては、例えば特許文献１に記載されているものを挙げることができる。
【０００５】
【特許文献１】特開平７−１３５２０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来における電気光学装置においては、次のような問題点がある。すなわち、前記積層構造の一部を構成する層間絶縁膜は、様々の方法で、且つ、様々な材料から構成しうるが、例えば、当該層間絶縁膜の表面にＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理を施すため等という観点から、当該層間絶縁膜として、プラズマＣＶＤ法によって、主にＳｉＯ２からなるＮＳＧ（Non-Silicate Glass）膜が形成されることがある。
【０００７】
しかしながら、このＮＳＧ膜は、一般に耐湿性が比較的悪化する。ここで耐湿性が「悪化」するとは、当該電気光学装置が置かれた環境に含まれる水蒸気等の水分が、前記積層構造の内部に拡散ないし浸透していく程度が“大きく”なることをあらわしている。このような現象が生じると、その浸入した水分が、薄膜トランジスタ、とりわけその半導体層に到達する結果、該薄膜トランジスタのスレッショルド電圧を上昇させるなどして、その特性に悪影響を与える可能性がある。また、積層構造の内部に水分が浸入すると、当該水分によって、あるいは前記の薄膜トランジスタの特性劣化等が原因となって、前記対向電極に供給される共通電位に変動をもたらし、画像表示に悪影響を及ぼす可能性がある。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、基板上に構築される積層構造、とりわけその一部を構成する薄膜トランジスタに水分を進入させないようにすることで、より安定的な動作が可能な電気光学装置及びその製造方法を提供することを課題とする。また、本発明は、そのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板上に、一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、前記走査線により走査信号が供給される半導体層を含む薄膜トランジスタと、前記データ線により前記薄膜トランジスタを介して画像信号が供給される画素電極とからなる、積層構造が構築されてなり、前記データ線、前記走査線、前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極のうち任意の二つの間の少なくとも一つに配置された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の一部として含まれ又は該層間絶縁膜の表面の側に配置されたパッシベーション膜とを備えている。
【００１０】
本発明の電気光学装置によれば、走査信号に応じてスイッチング制御される薄膜トランジスタのＯＮ・ＯＦＦに応じて、画像信号がデータ線から画素電極へと供給され、また、供給が停止される。これにより、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能となる。また、本発明によれば、データ線、走査線、薄膜トランジスタ及び画素電極からなる積層構造が構築されている。そして、これらの要素のうち任意の二つの間の少なくとも一つには層間絶縁膜が配置されており、結果的に、この層間絶縁膜もまた、前記積層構造の一部を構成している。例えば、層間絶縁膜は、薄膜トランジスタと走査線との間に、あるいはまた、データ線と走査線との間に、などというように配置されていることになる。当該積層構造の具体的形態としては、その他種々考えることができるのは言うまでもない。
【００１１】
そして、本発明によれば特に、前記の層間絶縁膜の一部として、あるいは該層間絶縁膜の表面の側にパッシベーション膜が備えられている。ここにパッシベーション膜とは、吸湿性能に比較的優れた絶縁膜のことをいう。これにより、当該電気光学装置が置かれた環境に含まれる水蒸気等の水分が、前記積層構造の内部に浸入していくことが未然に防止されることになる。したがって、薄膜トランジスタの特性を安定させることや対向電極における共通電位の安定等を実現することができ、より安定的な動作が可能な電気光学装置を提供することができる。
【００１２】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記パッシベーション膜は、ＢＳＧ（Boron Silicate Grass）酸化膜又はＰＳＧ（phosphorus Silicate Grass）酸化膜を含む。
【００１３】
この態様によれば、パッシベーション膜が、吸湿性ないしは水分吸収性に比較的優れたＢＳＧ酸化膜又はＰＳＧ酸化膜を含むことから、前記の作用効果を、更に効果的に享受することができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記パッシベーション膜の厚さは、１０〔ｎｍ〕以上、１００〔ｎｍ〕以下である。
【００１５】
この態様によれば、パッシベーション膜の厚さが、好適に設定されていることから、次のような作用効果が得られる。すなわち、該パッシベーション膜の厚さが、１０〔ｎｍ〕を下回る場合には、吸湿性能に大きな寄与をなすボロンの正味の量が低減することにより、前記の作用効果を十分に享受することができず、他方、該パッシベーション膜の厚さが、１００〔ｎｍ〕を越える場合には、積層構造中を光が透過する割合（透過率）が減少することから、画像の明るさを損なうおそれがある。したがって、本態様によれば、十分な吸湿性能の享受と画質の劣化を防止することができる。
【００１６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記ＢＳＧ（Boron Silicate Grass）酸化膜は、ボロンの含有量が１〔ｗｔ／％〕以上、７〔ｗｔ／％〕以下である。
【００１７】
この態様によれば、パッシベーション膜中のボロン含有量が、好適に設定されていることから、次のような作用効果が得られる。すなわち、該パッシベーション膜中のボロン含有量が１〔ｗｔ／％〕を下回ると、吸湿性能に大きな寄与をなすボロンの正味の量が低減することにより、前記の作用効果を十分に享受することができず、他方、該パッシベーション膜中のボロン含有量が７〔ｗｔ／％〕を越える場合には、逆にボロンの正味の量が増加することにより該ボロンが析出され、この析出物を投影した像が画像上に現れることにより、その画質を劣化させるおそれがある。したがって、本態様によれば、十分な吸湿性能の享受と画質の劣化を防止することができる。
【００１８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記積層構造は、前記基板の表面に遠い側から順に、前記画素電極、前記層間絶縁膜としての第１の層間絶縁膜及び前記データ線という積層構造部分を含み、前記パッシベーション膜は、前記第１の層間絶縁膜の表面の側に配置されている。
【００１９】
この態様によれば、パッシベーション膜が、前記積層構造の最表面近くに通常位置する画素電極の付近に配置されていることから、前述したような水分の侵入を防止する作用効果を、当該積層構造のほぼ全体で享受することができる。
【００２０】
この態様では、前記第１の層間絶縁膜の表面は、平坦化処理を受けているように構成してもよい。
【００２１】
このような構成によれば、第１の層間絶縁膜の表面がＣＭＰ処理等の平坦化処理を受けているが、このＣＭＰ処理を受けるために、該第１の層間絶縁膜は、好適には例えば、主にＳｉＯ２からなるように、更に好適にはＳｉＯ２のみから構成することが好ましい。しかしながら、このＳｉＯ２からなる第１の層間絶縁膜では吸湿性能に比較的劣ることになる。
【００２２】
しかるに、本構成においては、この第１の層間絶縁膜の表面にパッシベーション膜が配置されていることから、当該積層構造の内部に水分が浸入するおそれは低減されており、第１の層間絶縁膜がＳｉＯ２からなる場合であっても、特に問題は生じない。逆に、かかる場合においては、第１の層間絶縁膜の表面が平坦化処理を受けていることから、画素電極の平坦性、更にはその上に形成される配向膜の平坦性を確保することができ、例えばラビング処理を好適に行うことができるなどという効果を得ることができると同時に、前記の水分浸入防止という効果も得ることができるという意味において、本態様では、より大きな効果を享受可能ということができる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に電気的に接続された保持容量と、該保持容量に固定電位を供給する容量配線とを更に備えてなり、前記積層構造は、前記基板の表面に遠い側から順に、前記画素電極、前記層間絶縁膜としての上層側第１の層間絶縁膜、前記容量配線、前記層間絶縁膜としての下層側第１の層間絶縁膜、前記データ線、前記層間絶縁膜としての第２の層間絶縁膜、前記保持容量、前記層間絶縁膜としての第３の層間絶縁膜、及び、前記薄膜トランジスタという積層構造部分を含み、前記パッシベーション膜は、前記上層側第１の層間絶縁膜の表面、前記下層側第１の層間絶縁膜の表面、第２の層間絶縁膜の表面及び前記第３の層間絶縁膜の表面の少なくとも二つ以上に配置されている。
【００２４】
この態様によれば、まず、保持容量をも含んだ積層構造を好適に構築することができ、開口率の向上、当該電気光学装置の小型化等を達成することができる。
【００２５】
また、本態様によれば、パッシベーション膜が、積層構造の一部を構成する各種の層間絶縁膜の表面の少なくとも二つ以上に配置されていることから、当該パッシベーション膜による水分侵入防止作用を、いわば「二重」で享受できることになり、当該作用効果をより確実に享受することができる。
【００２６】
この態様では、前記上層側第１の層間絶縁膜の表面及び前記下層側第１の層間絶縁膜の表面は、平坦化処理を受けており、前記パッシベーション膜は、これら上層側第１の層間絶縁膜の表面及び下層側第１の層間絶縁膜の表面に配置されているように構成してもよい。
【００２７】
このような構成によれば、上層側及び下層側第１の層間絶縁膜は平坦化処理を受けるから、前述のようにＳｉＯ２からなるように、更に好適にはＳｉＯ２のみから構成することが好ましい。しかしながら、このＳｉＯ２からなる第１の層間絶縁膜では吸湿性能に比較的劣ることになる。しかしながら、本態様では、かかる上層側及び下層側第１の層間絶縁膜の表面にパッシベーション膜が形成されていることから、当該積層構造に、水分が浸入するおそれは低減されている。
【００２８】
結局、本構成によれば、上層側及び下層側第１の層間絶縁膜の表面が平坦化処理を受けていることから、画素電極の平坦性、更にはその上に形成される配向膜の平坦性を確保することができ、例えばラビング処理を好適に行うことができるなどという効果を得ることができると同時に、前記の水分浸入防止という効果も得ることができるという意味において、本態様では、より大きな効果を享受可能ということができる。
【００２９】
この態様では更に、前記第２の層間絶縁膜及び前記第３の層間絶縁膜を貫き、前記画素電極及び前記薄膜トランジスタを電気的に接続するためのコンタクトホールを更に備えてなり、前記パッシベーション膜は、前記第３の層間絶縁膜の表面には配置されていないように構成してもよい。
【００３０】
このような構成によれば、前記パッシベーション膜は、コンタクトホールが貫いている第３の層間絶縁膜の表面には配置されていない。すなわち、パッシベーション膜がある場合には、上から順に、第２の層間絶縁膜、パッシベーション膜及び第３の層間絶縁膜という積層構造部分が構築されるが、本態様では、第２の層間絶縁膜及び第３の層間絶縁膜という積層構造部分が構築されるということになる。この場合、前者では、第２及び第３の層間絶縁膜を貫いてコンタクトホールを形成する際、前記パッシベーション膜をも貫く必要があるが、後者では、その必要がない。そして、前者では、第２の層間絶縁膜及びパッシベーション膜間並びにパッシベーション膜及び第３の層間絶縁膜間でエッチングレートが変わり、コンタクトホールの形成を好適に行えない可能性がある。しかるに、後者では、そのような心配がない。したがって、本構成によれば、第２及び第３の層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを好適に形成することができる。
【００３１】
なお、本態様では、第２及び第３の層間絶縁膜を貫くコンタクトホールの存在を前提としているが、前記の考え方は、その他の層間絶縁膜についても同様にあてはまる。すなわち、前述した上層側第１の層間絶縁膜及び下層側第１の層間絶縁膜、あるいは下層側第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜を貫いてコンタクトホールを形成する必要がある場合は、これらの間にパッシベーション膜を設けないようにすると、前記と同じ作用効果が得られる。
【００３２】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記課題を解決するために、基板上に、一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、前記走査線により走査信号が供給される半導体層を含む薄膜トランジスタと、前記データ線により前記薄膜トランジスタを介して画像信号が供給される画素電極とからなる積層構造が構築されてなる電気光学装置の製造方法であって、前記データ線、前記走査線、前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極の少なくとも一つの上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程とを備えている。
【００３３】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、前述の本発明の電気光学装置を好適に製造することができる。
【００３４】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記パッシベーション膜は、常圧ＣＶＤ法により形成される。
【００３５】
この態様によれば、パッシベーション膜は、より低コストに且つより好適に製造することができる。
【００３６】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記層間絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法により形成される。
【００３７】
この態様によれば、例えば、主にＳｉＯ２からなるように、更に好適にはＳｉＯ２からなるＮＳＧ膜を好適に製造することができる。しかしながら、このＳｉＯ２からなる層間絶縁膜では吸湿性能に比較的劣ることになる。しかるに、本態様においては、この層間絶縁膜の上にパッシベーション膜が配置されていることから、当該積層構造の内部に水分が浸入するおそれは低減されており、層間絶縁膜がＳｉＯ２からなる場合であっても、特に問題は生じない。
【００３８】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記層間絶縁膜の上に、所定の構成要素をパターニングによって形成する工程を更に備えてなり、前記パッシベーション膜を形成する工程は、前記パターニングする工程の後に実施する。
【００３９】
この態様によれば、パッシベーション膜を好適に製造することができる。というのも、パッシベーション膜は、前述の本発明の電気光学装置に関して述べたように、１０〔ｎｍ〕以上、１００〔ｎｍ〕以下の厚さを有するように、即ち比較的薄く形成されるのが好ましいが、この場合、パッシベーション膜の形成後に、例えばパターニング処理中に含まれるエッチング工程や剥離工程等を実施することになると、該パッシベーション膜が損傷を受け、あるいは喪失してしまうおそれがある。
【００４０】
しかしながら、本態様においては、層間絶縁膜の上に、所定の構成要素、即ち例えば、前記の走査線、データ線、画素電極、更には保持容量その他の回路素子及び配線をパターニングによって形成する工程を実施する場合には、この後に、パッシベーション膜を形成する工程を実施するのである。したがって、本態様では、前述のような不具合を被るおそれがない。
【００４１】
この態様では、前記所定の構成要素は、前記画素電極を含むように構成してもよい。
【００４２】
このような構成によれば、画素電極の上にパッシベーション膜を形成することになるから、当該パッシベーション膜は、前記の積層構造のほぼ最上層に位置することになる。したがって、本構成によれば、前記積層構造の全体にわたって水分浸入防止に係る作用効果を得ることができる。
【００４３】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記層間絶縁膜は、多層構造を有する。
【００４４】
この態様によれば、層間絶縁膜が、例えば、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜、あるいは熱酸化により得られた酸化シリコン膜及びＣＶＤ法により得られた酸化シリコン膜などといった多層構造を有することになる。これにより、層間絶縁膜をいわば多機能化することが可能となって、より適切な積層構造を構築することができる。
【００４５】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した本発明の第１ないし第３の電気光学装置（但し、その各種態様を含む。）を具備してなる。
【００４６】
本発明の電子機器によれば、上述の本発明の電気光学装置を具備してなるので、前記積層構造に水分が浸入することを防止することが可能であることにより、対向電極における共通電位の安定や薄膜トランジスタの特性を安定させること等が可能となり、もってより安定的な動作、より高品質な画像表示が可能な、投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００４７】
本発明のこのような作用及び他の利得は、次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００４９】
〔画素部における構成〕
以下では、本発明の実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図１から図４を参照して説明する。ここに図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路であり、図２及び図３は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。なお、図２及び図３は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図２）と上層部分（図３）とを分かって図示している。また、図４は、図２及び図３を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。なお、図４においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００５０】
なお、以下では、まず、本実施形態に係る電気光学装置の基本的構成について予め説明した後、本実施形態において特徴的な構成等については、後に改めて（パッシベーション膜の構成）なる項目を立てて詳述することとする。
【００５１】
（画素部の回路構成）
図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５２】
また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００５３】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５４】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に保持容量７０を付加する。この保持容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００５５】
〔画素部の具体的構成〕
以下では、上記データ線６ａ、走査線１１ａ及びゲート電極３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、具体的な構成について、図２乃至図４を参照して説明する。
【００５６】
まず、図３において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａが設けられている。データ線６ａは、後述するようにアルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線１１ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するゲート電極３ａにコンタクトホール１２ｃｖを介して電気的に接続されており、該ゲート電極３ａは該走査線１１ａに含まれる形となっている。すなわち、ゲート電極３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に、走査線１１ａに含まれるゲート電極３ａが対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。これによりＴＦＴ３０（ゲート電極を除く。）は、ゲート電極３ａと走査線１１ａとの間に存在するような形態となっている。
【００５７】
次に、電気光学装置は、図２及び図３のＡ−Ａ´線断面図たる図４に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。
【００５８】
ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図４に示すように、前記の画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００５９】
このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、後述のシール材５２（図１１及び図１２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。
【００６０】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図４に示すように、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、保持容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等を含む第５層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。なお、前述のうち第１層から第３層までが、下層部分として図２に図示されており、第４層から第６層までが上層部分として図３に図示されている。
【００６１】
（積層構造・第１層の構成―走査線等―）
まず、第１層には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる走査線１１ａが設けられている。この走査線１１ａは、平面的にみて、図２のＸ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、ストライプ状の走査線１１ａは、図２のＸ方向に沿うように延びる本線部と、データ線６ａ或いは容量配線４００が延在する図２のＹ方向に延びる突出部とを備えている。なお、隣接する走査線１１ａから延びる突出部は相互に接続されることはなく、したがって、該走査線１１ａは１本１本分断された形となっている。
【００６２】
（積層構造・第２層の構成―ＴＦＴ等―）
次に、第２層として、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、図４に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００６３】
また、本実施形態では、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、図２に示すように、各画素電極９ａのＸ方向に延びる一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているから、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜等からなる。
【００６４】
なお、上述のＴＦＴ３０は、好ましくは図４に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００６５】
（積層構造・第１層及び第２層間の構成―下地絶縁膜―）
以上説明した走査線１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００６６】
この下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇に、後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長の方向に沿った溝状のコンタクトホール１２ｃｖが掘られており、このコンタクトホール１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲート電極３ａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。また、このコンタクトホール１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａが形成されていることにより、該ゲート電極３ａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂ（前記の「下側に凹状に形成された部分」）が延設されるようになっている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａは、図２によく示されているように、平面的にみて側方から覆われるようになっており、少なくともこの部分からの光の入射が抑制されるようになっている。
【００６７】
また、この側壁部３ｂは、前記のコンタクトホール１２ｃｖを埋めるように形成されているとともに、その下端が前記の走査線１１ａと接するようにされている。ここで走査線１１ａは、上述のようにストライプ状に形成されていることから、ある行に存在するゲート電極３ａ及び走査線１１ａは、当該行に着目する限り、常に同電位となる。
【００６８】
（積層構造・第３層の構成―保持容量等―）
前述の第２層に続けて第３層には、保持容量７０が設けられている。保持容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この保持容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、本実施形態に係る保持容量７０は、図２の平面図を見るとわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため（換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため）、電気光学装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。
【００６９】
より詳細には、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、下部電極７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。また、この下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。ちなみに、ここにいう中継接続は、前記の中継電極７１９を介して行われている。
【００７０】
容量電極３００は、保持容量７０の固定電位側容量電極として機能する。本実施形態において、容量電極３００を固定電位とするためには、固定電位とされた容量配線４００（後述する。）と電気的接続が図られることによりなされている。また、容量電極３００は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。これにより、容量電極３００は、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。
【００７１】
誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。保持容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【００７２】
本実施形態において、この誘電体膜７５は、図４に示すように、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂというように二層構造を有するものとなっている。上層の窒化シリコン膜７５ｂは画素電位側容量電極の下部電極７１より少し大きなサイズにパターニングされ、遮光領域（非開口領域）内で収まるように形成されている。
【００７３】
なお、本実施形態では、誘電体膜７５は、二層構造を有するものとなっているが、場合によっては、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というような三層構造や、あるいはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。むろん単層構造としてもよい。
【００７４】
（積層構造、第２層及び第３層間の構成―第１層間絶縁膜―）
以上説明したＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、保持容量７０の下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００７５】
そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと保持容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。さらに、この第１層間絶縁膜４１には、保持容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が、後記第２層間絶縁膜を貫通しつつ開孔されている。
【００７６】
（積層構造・第４層の構成―データ線等―）
前述の第３層に続けて第４層には、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、図４に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図４における符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図４における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層(図４における符号４０１参照)の三層構造を有する膜として形成されている。窒化シリコン膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。
【００７７】
また、この第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図３に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。例えば図３中最左方に位置するデータ線６ａに着目すると、その直右方に略四辺形状を有する容量配線用中継層６ａ１、更にその右方に容量配線用中継層６ａ１よりも若干大きめの面積をもつ略四辺形状を有する第２中継電極６ａ２が形成されている。
【００７８】
ちなみに、これら容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２は、データ線６ａと同一膜として形成されていることから、下層より順に、アルミニウムからなる層、窒化チタンからなる層、プラズマ窒化膜からなる層の三層構造を有する。
【００７９】
（積層構造・第３層及び第４層間の構成―第２層間絶縁膜―）
以上説明した保持容量７０の上、かつ、データ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ，ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって形成された第２層間絶縁膜４２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、前記のコンタクトホール８１が開孔されているとともに、前記容量配線用中継層６ａ１と保持容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、前記のコンタクトホール８８２が形成されている。
【００８０】
（積層構造・第５層の構成―容量配線等―）
前述の第４層に続けて第５層には、容量配線４００が形成されている。この容量配線４００は、平面的にみると、図３に示すように、図中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに延在するように、格子状に形成されている。該容量配線４００のうち図中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、且つ、該データ線６ａよりも幅広に形成されている。また、図中Ｘ方向に延在する部分については、後述の第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部を有している。
【００８１】
さらには、図３中、ＸＹ方向それぞれに延在する容量配線４００の交差部分の隅部においては、該隅部を埋めるようにして、略三角形状の部分が設けられている。容量配線４００に、この略三角形状の部分が設けられていることにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。すなわち、半導体層１ａに対して、斜め上から進入しようとする光は、この三角形状の部分で反射又は吸収されることになり半導体層１ａには至らないことになる。したがって、光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。この容量配線４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。
【００８２】
また、第４層には、このような容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８０４及び８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。なお、これら容量配線４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【００８３】
他方、上述の容量配線４００及び第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。
【００８４】
（積層構造・第４層及び第５層間の構成―第３層間絶縁膜―）
以上説明した前述のデータ線６ａの上、かつ、容量配線４００の下には、第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、前記の容量配線４００と容量配線用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００８５】
（積層構造・第６層並びに第５層及び第６層間の構成―画素電極等―）
最後に、第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び前記の第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、このコンタクトホール８９及び第３中継層４０２並びに前述したコンタクトホール８０４、第２中継層６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９、コンタクトホール８８１、下部電極７１及びコンタクトホール８３を介して、電気的に接続されることとなる。
（パッシベーション膜の構成）
以上述べたような構成を備える電気光学装置において、本実施形態においては特に、ＴＦＴ３０、保持容量７０及び画素電極９ａ等々の構成要素間に配置された各種の層間絶縁膜、とりわけ第４層間絶縁膜４４に関して特徴がある。以下では、前述までに参照した各図及び図５を参照して、これについて詳述する。ここに図５は、後述するパッシベーション膜が備えられている場合と備えられていない場合とで当該電気光学装置の耐湿性がどれだけ向上するかを示すグラフである。
【００８６】
まず、本実施形態に係る電気光学装置では、既に述べたように、前記画素電極９ａの下及び容量配線４００の上に、第４層間絶縁膜４４が形成されているが、該第４層間絶縁膜４４は、例えばＴＥＯＳガス等を用いたプラズマＣＶＤ法により製造され、ＮＳＧ（Non-Silicate Glass）膜からなる。また、この第４層間絶縁膜４４の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等の平坦化処理を受けることにより、平坦化されている。したがって、この第４層間絶縁膜４４の上に形成されている画素電極９ａ及び配向膜１６もまた、図４に示すように、平坦化された表面をもち、該表面に凸凹は生じていない。これにより、例えば、配向膜１６の表面に対するラビング処理をスムースに進行させることができるから（もし、配向膜１６の表面に著しい凸凹があれば、ラビング処理が不十分な部分等が生じ得る）、ラビング処理が不十分な部分に原因して配向不良などを引き起こす、などということを防止することができる。
【００８７】
なお、第４層間絶縁膜４４がプラズマＣＶＤ法によりＮＳＧ膜からなるものとして製造されているのは、該第４層間絶縁膜４４がＣＭＰ処理を受けるにとって好都合である。また、本実施形態では更に、第４層間絶縁膜４４の下側に位置する第３層間絶縁膜４３もまた、プラズマＣＶＤ法により製造されたＮＳＧ膜からなり、更にその表面は、第４層間絶縁膜４４と同様に平坦化処理を受けている。このことにより、画素電極９ａ、配向膜１６等の平坦性はより向上し、前記の作用効果がより確実に奏されるようになっている。
【００８８】
そして、本実施形態においては特に、既に参照した図４に示すように、第４層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間に、パッシベーション膜５０１が形成されている。このパッシベーション膜５０１は、平面的には、図３に示したハッチング領域、即ち、画像表示領域の全部を覆うように形成されている。
【００８９】
より詳しくは、このパッシベーション膜５０１は、ＢＳＧ（Boron Silicate Grass）酸化膜からなる。また、該パッシベーション膜５０１の厚さＴは、１０〔ｎｍ〕≦Ｔ≦１００〔ｎｍ〕なる条件を満たし、更には、該パッシベーション膜５０１中のボロン含有量ＷＢは、１〔ｗｔ／％〕≦ＷＢ≦７〔ｗｔ／％〕なる条件を満たす。なお、このパッシベーション膜５０１は、画素電極９ａ及び容量配線４００間、あるいは隣接する画素電極９ａ間の短絡を防止するための絶縁膜としての機能をも果たしていることはいうまでもない。
【００９０】
本実施形態に係る電気光学装置は、このようなパッシベーション膜５０１を備えることにより、以下のような作用効果を得ることができる。すなわち、パッシベーション膜５０１は、ＢＳＧ酸化膜を含んでいることから、吸湿性能に比較的優れる。これは、該ＢＳＧ酸化膜中に含まれるボロンは比較的不安定な状態にあるのに対して、該ボロンと水とが反応して生成されるＢ２Ｏ３は比較的安定な状態にあることから、該ＢＳＧ膜に浸入した水が、ボロンと非常に反応しやすいことによる。ちなみに、このようなメカニズムは、ＰＳＧ（phosphorus Silicate Grass）酸化膜においてもみることができ（即ち、ＰＳＧ酸化膜中のリンが水と反応する。）、やはり吸湿性能に比較的優れる。したがって、パッシベーション膜５０１は、ＢＳＧ酸化膜に代えて、ＰＳＧ酸化膜を含んでいてもよい。
【００９１】
このことは、より実際的に、図５をみると確認できる。ここで図５は、既に述べた通り、パッシベーション膜５０１が備えられている場合と備えられていない場合とで当該電気光学装置の耐湿性がどれだけ向上するかを示すグラフであるが、より詳しくは、図５は、パッシベーション膜５０１が備えられた電気光学装置（図中破線）と、備えられていない電気光学装置（図中実線）を、温度５０〔°Ｃ〕、湿度９０〔％〕及び全画面黒表示を行うという同一環境下に一定時間おいた結果、その時間の経過に応じて、対向電極２１等に供給される共通電位（図では、“Ｌｃｃｏｍ”と表現されている。）の変動がどのようにみられるかを表すものである。すなわち、電気光学装置の耐湿性が劣る場合には、ＴＦＴ３０に水分が浸入することによってその特性が劣化し、あるいは対向電極２１に供給される共通電位に変動が見られるようになるが、図５は、後者の変動の程度をもって耐湿性の向上の程度を測るものである。そして、この図５から明らかなように、パッシベーション膜５０１が備えられている電気光学装置の方が、そうでない電気光学装置よりも、時間の進行に応じた共通電位の変動値は小さく、したがって、その耐湿性は向上していることがわかる。ちなみに、図５におけるパッシベーション膜５０１の厚さＴは２５〔ｎｍ〕であり、ボロン含有量ＷＢは２〔ｗｔ／％〕である。
【００９２】
以上のように、本実施形態においては、当該電気光学装置の置かれた環境に含まれる水蒸気等の水分が、前記積層構造の内部に浸入していくことが未然に防止されることになる。したがって、ＴＦＴ３０の特性を安定させることや対向電極２１における共通電位の安定等を実現することができ、より安定的な動作が可能な電気光学装置を提供することができる。
【００９３】
また、本実施形態においては、第４層間絶縁膜４４の表面は、ＣＭＰ処理等の平坦化処理を受けており、且つ、該該第４層間絶縁膜４４は、この平坦化処理に好適に対応するため、プラズマＣＶＤ法によって製造されたＮＳＧ膜からなることから、吸湿性に比較的劣る。しかるに、本実施形態においては、かかる第４層間絶縁膜４４の上に、パッシベーション膜５０１が形成されているのである。したがって、本実施形態によれば、平坦化処理を実施することにより享受しうる作用効果及び耐湿性向上という作用効果の双方を得ることができる。
【００９４】
さらに、本実施形態においては、パッシベーション膜５０１の厚さＴ及びボロン含有量ＷＢが、適度に設定されていることから、次のような作用効果を得ることができる。以下では、これを図６及び図７を参照して説明する。ここに、図６は、パッシベーション膜の厚さが当該電気光学装置の耐湿性の向上にどのような影響を及ぼすかを示すグラフであり、図７は、パッシベーション膜中のボロン含有量が当該電気光学装置の耐湿性の向上にどのような影響を及ぼすかを示すグラフである。
【００９５】
まず、厚さＴに関しては、図６のようなグラフが描かれる。この図６は、より詳しくは、前記の図５と同様に、温度５０〔°Ｃ〕、湿度９０〔％〕及び全画面黒表示を行うという同一環境下における、時間の経過に応じた、対向電極２１等に供給される共通電位の変動の様子を、パッシベーション膜５０１の厚さＴをパラメータ（４．５、１０及び２５〔ｎｍ〕）として表すものである。
【００９６】
この図６をみるとわかるように、厚さＴが、４．５〔ｎｍ〕の場合と、１０〔ｎｍ〕及び２５〔ｎｍ〕の場合とで、顕著な相違がみられる。すなわち、前者では、共通電位の変動が時間の進行とともに比較的急激に大きくなり、後者では、その変動が比較的緩やかに大きくなる。これによると、当該電気光学装置の耐湿性の向上にとって厚さＴの増減が大きな要因を占めるのは、Ｔが４．５〔ｎｍ〕の場合と１０〔ｎｍ〕の場合との間においてであって、更には、厚さＴが１０〔ｎｍ〕以上であれば、それ以後、耐湿性の向上は一定程度安定するものと考えられる。これは、ＢＳＧ膜における吸湿のメカニズムが、前記のようにボロンの存在、したがってボロンの全体量に大きく影響を受けることによるものと考えられる。このことから、パッシベーション膜５０１の厚さＴは１０〔ｎｍ〕以上とされていることが好ましいことが導かれる。
【００９７】
一方、図には示さないものの、厚さＴは、大きければ大きいほどよいというものではない。すなわち、厚さＴがあまりに大きいと、積層構造中を光が透過する割合（透過率）が減少することから、画像の明るさを損なうおそれがある。本願発明者の研究によれば、このような観点から、パッシベーション膜５０１の厚さＴは一定程度以下であることが好ましく、より具体的には、１００〔ｎｍ〕以下であることが好ましいことが導かれる。
【００９８】
以上により、結局、本実施形態において、パッシベーション膜５０１の厚さＴが１０〔ｎｍ〕≦Ｔ≦１００〔ｎｍ〕なる条件を満たすことによれば、当該電気光学装置における十分な耐湿性能の享受と画質の劣化の防止という二つの作用効果を享受することができることになる。
【００９９】
次に、ボロン含有量ＷＢに関しては、図７のようなグラフが描かれる。この図７は、より詳しくは、前記の図５と同様に、温度５０〔°Ｃ〕、湿度９０〔％〕及び全画面黒表示を行うという同一環境下における、時間の経過に応じた、対向電極２１等に供給される共通電位の変動の様子を、ボロン含有量ＷＢをパラメータ（０．５、１．０及び２．０〔ｗｔ／％〕）として表すものである。
【０１００】
この図７をみるとわかるように、ボロン含有量ＷＢが、０．５〔ｗｔ／％〕の場合と、１．０〔ｗｔ／％〕及び２．０〔ｗｔ／％〕の場合とで、顕著な相違がみられる。すなわち、前者では、共通電位の変動が時間の進行とともに比較的急激に大きくなり、後者では、その変動が比較的緩やかに大きくなる。これによると、当該電気光学装置の耐湿性の向上にとってボロンの含有量ＷＢの増減が大きな要因を占めるのは、ＷＢが０．５〔ｗｔ／％〕の場合と１．０〔ｗｔ／％〕の場合との間においてであって、更には、ボロン含有量ＷＢが１．０〔ｗｔ／％〕以上であれば、それ以後、耐湿性の向上は一定程度安定するものと考えられる。これは、ＢＳＧ膜における吸湿のメカニズムが、前記のようにボロンの存在、したがってボロンの全体量に大きく影響を受けることによるものと考えられる。このことから、ボロン含有量ＷＢは１．０〔ｗｔ／％〕以上とされていることが好ましいことが導かれる。
【０１０１】
一方、図には示さないものの、ボロン含有量ＷＢは、多ければ多いほどよいというものではない。すなわち、ボロン含有量ＷＢがあまりに大きいと、ボロンの正味の量が増加することにより、該ボロンが、例えばパッシベーション膜５０１中、あるいは該パッシベーション膜５０１、第４層間絶縁膜４４の表面などに析出され、この析出物を投影した像が画像上に現れることにより、その画質を劣化させるおそれがある。本願発明者の研究によれば、このような観点から、ボロン含有量ＷＢは一定程度以下であることが好ましく、より具体的には、７〔ｗｔ／％〕以下であることが好ましいことが導かれる。
【０１０２】
以上により、結局、本実施形態において、パッシベーション膜５０１中のボロン含有量ＷＢが１〔ｗｔ／％〕≦ＷＢ≦７〔ｗｔ／％〕なる条件を満たすことによれば、当該電気光学装置における十分な耐湿性能の享受と画質の劣化の防止という二つの作用効果を享受することができることになる。
【０１０３】
なお、上記の実施形態では、第４層間絶縁膜４４の上にのみパッシベーション膜５０１が形成される形態について説明したが、本発明は、このような形態に限定されない。すなわちパッシベーション膜は、それ以外の層間絶縁膜に対応するようにして形成するようにしてもよい。特に、第３層間絶縁膜４３については、その表面がＣＭＰ処理を受け、且つ、ＮＳＧ膜からなるのであるから、例えば図８に示すように、パッシベーション膜５０２を、該第３層間絶縁膜４３の表面にも形成するようにしてよい。むろん、これに代えて又は加えて、第２層間絶縁膜４２、第１層間絶縁膜４１についても、パッシベーション膜を形成するようにしてもよい（不図示）。
【０１０４】
ただし、第１層間絶縁膜４１の表面にパッシベーション膜を形成する場合、即ち第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２の間にパッシベーション膜を形成する場合には、注意を要する。というのも、当該位置では、図４に示すように、半導体層１ａとデータ線６ａを結ぶコンタクトホール８１、中継電極７１９と第２中継電極６ａ２とを結ぶコンタクトホール８８２が存在するからである。すなわち、これらコンタクトホール８１及び８８２は、図に示すように、第２層間絶縁膜４２及び第１層間絶縁膜４１を貫くようにして形成する必要があるが、これらの間にパッシベーション膜が存在すると、第２層間絶縁膜４２及び当該パッシベーション膜間、あるいは当該パッシベーション膜及び第１層間絶縁膜４１間でエッチングレートが変化してしまい、該コンタクトホール８１及びコンタクトホール８８２を好適に形成することができないおそれが生じる。したがって、この部分においてはあえて、パッシベーション膜を設けないようにすることが好ましい。
（パッシベーション膜の製造方法）
以上述べたようなパッシベーション膜５０１は、例えば図９及び図１０に示すように製造される。ここに図９及び図１０は、上記実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、図４の視点において順を追って示す製造工程断面図である。なお、以下においては、主に、本発明に特別に関係のある第４層間絶縁膜４４及びパッシベーション膜５０１の製造工程についてのみ説明することとする。また、図９及び図１０においては、対向基板２０側の構成についての図示は省略している。
【０１０５】
まず、ＴＦＴアレイ基板１０上で、公知の方法により容量配線４００までが形成された積層構造において、図９の工程（１）に示すように、その容量配線４００の上に、ＴＥＯＳガス等を用いたプラズマＣＶＤ法により、第４層間絶縁膜４４の前駆膜４４１を成膜する。より詳しくは、例えば、前記容量配線４００まで製造された積層構造部分を、適当な真空度に到達されたチャンバ内の所定箇所に載置するとともに、該チャンバ内に前記ＴＥＯＳガスその他のガスを導入し、当該積層構造部分及び該チャンバ内に該積層構造部分に対向するように配置された電極間に所定の電位を設けてプラズマを発生させることで、当該積層構造部分の表面に薄膜を堆積させていく。なお、この場合、当該積層構造部分を所定の温度（例えば、４００〔°Ｃ〕）程度に維持しておいてもよい。なお、前記の工程に代えて、前駆膜４４１を、例えば窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜、あるいは熱酸化により得られた酸化シリコン膜及びＣＶＤ法により得られた酸化シリコン膜などといった多層構造を有するように構成してもよい。この場合、後述する第４層間絶縁膜４４もまた、当然に多層構造を有するものとして構成されることになる。
【０１０６】
次に、図９の工程（２）に示すように、前記前駆膜４４１の表面に対して、ＣＭＰ処理を実施する。ここでＣＭＰ処理とは、一般に、被処理基板と研磨布（パッド）の両者を回転等させながら、それぞれの表面同士を当接させるとともに、該当接部位にシリカ粒等を含んだ研磨液（スラリー）を供給することによって、被処理基板表面を、機械的作用と化学作用の兼ね合いにより研磨することで、当該表面を平坦化する技術である。本実施形態では、前記「被処理基板」に、図９の工程（１）まで製造された積層構造部分が該当する。これにより、その積層構造部分の表面は、図９の工程（２）の破線に示すように研磨されて平坦化される。以上の図９の工程（１）及び工程（２）によって、前駆膜４４１は、第４層間絶縁膜４４となる。
【０１０７】
なお、本発明においては、「平坦化処理」として、場合によっては、前記ＣＭＰ処理に代えて又は加えて、エッチバック処理その他の平坦化処理を用いてもよい。ここでエッチバック処理とは、一般に、凹凸を有する表面上に、フォトレジストやＳＯＧ（Spin On Glass）膜等の平坦性を有する膜を犠牲膜として形成した後、この犠牲膜に対するエッチング処理を前記凹凸が存在する表面に至るまで実行する（これにより、凹凸はいわば「均される」ことになる。）ことで、当該表面を平坦化する技術である。
【０１０８】
次に、図９の工程（３）に示すように、前記第４層間絶縁膜４４の上に、ＴＥＯＳガス及びＯ３ガス等を用いた常圧ＣＶＤ法により、パッシベーション膜５０１を成膜する。より詳しくは、例えば、この常圧ＣＶＤでは、ＴＥＯＳガス及びＯ３ガスに加えて、キャリアガスとしてのＮ２ガス、更には不純物ガスとしてのＴＥＢ（トリエチルボレート）ガスを併せて用いることにより、ＢＳＧ膜からなるパッシベーション膜５０１を好適に製造することができる。これらのガスのうち特に、ＴＥＢガスの供給量等を調整することにより、最終的に成膜されるパッシベーション膜５０１中のボロン含有量ＷＢを調整することができる。また、成膜時間等の調整を通じて、該パッシベーション膜５０１の厚さＴを調整することができる。以上により、前記したように、１０〔ｎｍ〕≦Ｔ≦１００〔ｎｍ〕で、１〔ｗｔ／％〕≦ＷＢ≦７〔ｗｔ／％〕であるようなパッシベーション膜５０１を製造することができる。なお、パッシベーション膜を、ＰＳＧ膜からなるとするときには、前記のＴＥＢガスに代えて、ＴＭＯＰ（トリメチルフォスフェイト）ガスを用いるようにするとよい。また、万一、全面に形成されたパッシベーション膜５０１（図１０の工程（３）、あるいは図３参照）が透過率に影響を及ぼし得ると心配されるときには、該パッシベーション膜５０１のうち、後に画素電極９ａが形成されることとなる領域、即ち光透過領域に対応して開口部が形成されるようにパターニングを実施しておいてもよい。
【０１０９】
次に、図１０の工程（４）に示すように、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチング、あるいは適当なエッチャント等を用いたウェットエッチングにより、コンタクトホール８９を形成する。
【０１１０】
次に、図１０の工程（５）に示すように、前記コンタクトホール８９を埋めるように、例えばスパッタリング法等により、ＩＴＯ等からなる、画素電極９ａの前駆膜を形成するとともに、所定のパターン形状を有するように（即ち、最終的に形成される画素電極９ａが図３に示したようにマトリクス状に配列されるように）、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を実施して、画素電極９ａを形成した後、該画素電極９ａ上に、公知の方法により配向膜１６を形成することで、当該電気光学装置のＴＦＴアレイ基板１０側の製造が完了する。
【０１１１】
なお、上記実施形態においては、第４層間絶縁膜４４の上に、パッシベーション膜５０１を形成する製造工程について説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、既に参照した図８のように、第３層間絶縁膜４３の上にパッシベーション膜５０２を形成するような態様を採用してもよい。
【０１１２】
あるいはまた、第４層間絶縁膜４４の上にパッシベーション膜を形成するにしても、その直上に形成するのではなくて、画素電極９ａを形成した後に、パッシベーション膜を形成するような態様を採用してもよい。この態様によれば、該画素電極９ａを形成するためのパターニング処理（エッチング工程、レジスト剥離工程等を含む。）の後に、パッシベーション膜を形成することになるため、該パッシベーション膜を形成した後に画素電極９ａを形成する態様に比べて、パッシベーション膜にダメージを与える可能性が小さい。したがって、このような態様によれば、より好適にパッシベーション膜を形成することができることになる。
【０１１３】
〔電気光学装置の全体構成〕
以下では、前記の電気光学装置に係る実施形態の全体構成について、図１１及び図１２を参照して説明する。ここに、図１１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図１２は、図１１のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【０１１４】
図１１及び図１２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【０１１５】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【０１１６】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。この額縁遮光膜５３より以遠の周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には特に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【０１１７】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【０１１８】
図１２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【０１１９】
なお、図１１及び図１２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【０１２０】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１３は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１２１】
図１３において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。これらライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂには、前述した電気光学装置（図１乃至図５参照）が用いられている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１２２】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、下層部分（図４における符号７０（保持容量）までの下層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図３】データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、上層部分（図４における符号７０（保持容量）を越えて上層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図４】図２及び図３を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。
【図５】パッシベーション膜が備えられている場合と備えられていない場合とで電気光学装置の耐湿性がどれだけ向上するかを示すグラフである。
【図６】パッシベーション膜の厚さが電気光学装置の耐湿性の向上にどのような影響を及ぼすかを示すグラフである。
【図７】パッシベーション膜中のボロン含有量が電気光学装置の耐湿性の向上にどのような影響を及ぼすかを示すグラフである。
【図８】本発明の別の実施形態に係り、図４と同趣旨の図であって、二重のパッシベーション膜を備えた電気光学装置の断面図である。
【図９】本実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、図４の視点において順を追って示す製造工程断面図（その１）である。
【図１０】本実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、図４の視点において順を追って示す製造工程断面図（その２）である。
【図１１】ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。
【図１２】図１１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図１３】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
【０１２４】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、６ａ…データ線、６ａ１…容量配線用中継層、６ａ２…第２中継電極、４００…容量配線、３０…ＴＦＴ、１ａ…半導体層、９ａ…画素電極、７０…保持容量、７１９…中継電極、５０１、５０２…パッシベーション膜
４１…第１層間絶縁膜、４２…第２層間絶縁膜、４３…第３層間絶縁膜、４４…第４層間絶縁膜
【図１】
2005055660.tif 000003
【図２】
2005055660.tif 000004
【図３】
2005055660.tif 000005
【図４】
2005055660.tif 000006
【図５】
2005055660.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005055660.tif 000009
【図８】
2005055660.tif 000010
【図９】
2005055660.tif 000011
【図１０】
2005055660.tif 000012
【図１１】
2005055660.tif 000013
【図１２】
2005055660.tif 000014
【図１３】
2005055660.tif 000015