(57)【要約】 【課題】  半導体パッケージの狭ピッチ化に対応した洗浄装置および洗浄方法を提供することにある。【解決手段】  半導体パッケージを洗浄する洗浄装置であって、半導体パッケージが保持される保持部と、保持部を回転させる回転手段と、保持部に洗浄液を噴霧する噴霧手段と、を備えることを特徴とする。【選択図】        図１
2005349301.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体パッケージを洗浄する洗浄装置であって、
前記半導体パッケージが保持される保持部と、
前記保持部を回転させる回転手段と、
前記保持部に洗浄液を噴霧する噴霧手段と、
を備えることを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】
半導体パッケージを洗浄する洗浄装置であって、
前記半導体パッケージが保持される保持部と、
前記保持部を回転させる回転手段と、
前記保持部に洗浄液を噴霧する噴霧手段と、
前記保持部を加熱する保持部加熱手段と、
を備えることを特徴とする洗浄装置。
【請求項３】
前記噴霧手段から噴霧される洗浄液を加熱する洗浄液加熱手段を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の洗浄装置。
【請求項４】
前記半導体パッケージを保持する保持部面が水平方向に配置されており、前記保持部面の中心軸上に前記噴霧手段が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の洗浄装置。
【請求項５】
前記噴霧手段が、洗浄液を吐出するノズルと、リンス液を吐出するノズルと、を備える
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の洗浄装置。
【請求項６】
前記保持部が、着脱自在な機構を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいず
れか１項に記載の洗浄装置。
【請求項７】
前記保持部が、前記半導体パッケージが保持される回転自在な複数の第一保持部と、前
記複数の第一保持部が保持される回転自在な第二保持部とを備えることを特徴とする請求
項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の洗浄装置。
【請求項８】
前記第一保持部と前記第二保持部とが互いに遊星回転することを特徴とする請求項７に記載の洗浄装置。
【請求項９】
前記半導体パッケージが、機械的な固定手段によって前記保持部に固定されていること
を特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の洗浄装置。
【請求項１０】
前記回転手段が、回転方向を切り替え可能であることを特徴とする請求項１乃至請求項
９のいずれか１項に記載の洗浄装置。
【請求項１１】
少なくとも前記保持部と前記噴霧手段とを内部に収容するチャンバーと、
前記チャンバー内を減圧する減圧手段とを備えることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の洗浄装置。
【請求項１２】
半導体パッケージを洗浄する洗浄方法であって、
前記半導体パッケージを保持部に保持する工程と、
前記保持部を回転させる工程と、
前記保持部に液体を噴霧する工程と、
を備えることを特徴とする洗浄方法。
【請求項１３】
半導体パッケージを洗浄する洗浄方法であって、
前記半導体パッケージを保持部に保持する工程と、
前記保持部を回転させる工程と、
前記保持部に液体を噴霧する工程と、
前記保持部に設けられ、前記噴霧手段から噴霧された液体を第一加熱手段により加熱する工程と、
を備えることを特徴とする洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、洗浄装置および洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体チップを外部環境から保護するためパッケージングがなされている。パッケージングは、回路基板の電極端子と半導体チップに形成されたバンプとを位置合わせし、半田付けにより電気的に接続を確保して半導体チップを回路基板に実装する。そして、樹脂注入、外部端子ボール等の工程を経てパッケージングが完了する。ここで、上記半導体チップの実装方式としてはフリップチップ方式等が挙げられ、パッド上に予めハンダバンプを形成し、熱によるハンダリフローや、加圧した状態で超音波振動を用いて回路基板の電極端子と半導体チップのバンプとを電気的に接続する方法が広く利用されている。さらに、上記半田には、接続信頼性を向上させるために、フラックスを回路基板に塗布してハンダの表面張力を小さくする方法が採用されている。
ところが、フラックスを用いて半導体チップを回路基板に実装した場合、フラックスが半導体チップまたは回路基板に残る場合がある。このフラックスの残渣は、吸湿、絶縁性の劣化、および金属部の腐食等とさまざまな問題を引き起こすことが知られている。
そこで、このような問題を解決するために、半導体チップを一枚ずつ回転させる手段と、前記ウェハの表裏面どちらか一方または両方に対しアルコール系溶剤を吐出するノズルを有するウェハ洗浄装置が提案されている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２０００−５８４９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、近年、携帯電話機等の携帯型の電子機器には、小型化および軽量化が要求されている。これに伴って、上記電子機器における半導体チップの実装スペースも極めて制限されるため、半導体チップの高密度実装である３次元実装技術が提案されている。３次元実装技術は、半導体チップ同士を積層等することで、半導体チップの高密度実装を図る技術である。しかしながら、上記特許文献１に開示されるウェハ洗浄装置では、半導体チップ同士の積層間に付着したフラックス等の洗浄をすることが困難である。その理由としては、半導体チップに設けられる電極の狭ピッチ化が進み、これに伴い半導体チップ同士の積層間、または、基板とこの実装される半導体チップとの間隔等においても狭ピッチ化が進んでおり、これらの隙間に洗浄液が浸透しにくいためである。従って、フラックスの洗浄能力が低下してしまうという問題があった。さらに、上記特許文献１に開示される洗浄装置では、噴流した洗浄液に半導体パッケージ等を浸透させるため、半導体パッケージにダメージを与えてしまうという問題があった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、狭ピッチ化に対応した洗浄装置および洗浄方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、上記課題を解決するために、半導体パッケージを洗浄する洗浄装置であって、前記半導体パッケージが保持される保持部と、前記保持部を回転させる回転手段と、前記保持部に洗浄液を噴霧する噴霧手段と、を備えることを特徴とする。
【０００５】
上述したように、半導体チップに形成される電極の狭ピッチ化が進んでおり、これに伴い、半導体チップ上に積層される半導体チップ同士の間隔等も狭ピッチ化している。そのため、従来の洗浄装置では、吐出した洗浄液が半導体チップ同士の積層間に浸透することが困難であった。これに対して、本発明の構成によれば、噴霧手段により保持部に洗浄液を噴霧することにより、洗浄液が霧状の微細粒子となるため、狭ピッチ化した半導体チップ同士の狭い積層間にも洗浄液が浸透する。
また、半導体チップ同士の積層間に噴霧された洗浄液が、半導体チップの積層間に均一に浸透しない場合、洗浄液の液だまりや未洗浄部分が発生してしまう。この場合においても、保持部を回転させる回転手段を備えているため、この回転による遠心力によって、半導体パッケージに噴霧された洗浄液が半導体チップ同士の積層間に均一に浸透する。
これらの結果、洗浄機能を向上させることができ、効率よくフラックス残渣のような被洗浄物を除去することができる。また、洗浄液を噴霧するため、洗浄液の使用量を削減することができるとともに、半導体パッケージ等に与えるダメージを減少させることができる。さらに、保持部を回転させることにより半導体パッケージの乾燥も同時に行うことができる。
【０００６】
本発明は、半導体パッケージを洗浄する洗浄装置であって、前記半導体パッケージが保持される保持部と、前記保持部を回転させる回転手段と、前記保持部に洗浄液を噴霧する噴霧手段と、前記保持部を加熱する保持部加熱手段と、を備えることを特徴とする。
噴霧手段により保持部に洗浄液を噴霧する場合、保持部に保持されている半導体パッケージ全体に均一に洗浄液を噴霧するため、噴霧手段と保持部とは一定の間隔をあけて配置されている。そのため、噴霧される洗浄液は、保持部に着弾するまでの間に温度が下がってしまう。これに対して、本発明の構成によれば、保持部に保持部加熱手段を備えているため、保持部に噴霧された洗浄液は保持部加熱手段により加熱されることによって、洗浄能力を向上させることができ、効率よくフラックス残渣を除去することができる。
【０００７】
また、本発明は、前記噴霧手段から噴霧される洗浄液を加熱する洗浄液加熱手段を備えることも好ましい。
このような構成によれば、洗浄液加熱手段を備えているため、噴霧手段から噴霧される洗浄液の温度を一定温度に上昇させることができ、保持部に保持されている半導体パッケージ同士の積層間への洗浄能力を向上させることができ、効率よくフラックス残渣を除去することができる。
【０００８】
また、本発明は、前記半導体パッケージを保持する保持部面が水平方向に配置されており、前記保持部面の中心軸上に前記噴霧手段が設けられていることも好ましい。
このような構成によれば、保持部面が水平方向に配置され、この保持部面の中心軸上に前記噴霧手段が設けられているため、保持部上に保持されている半導体パッケージ全体に均一に洗浄液を噴霧することできる。この結果、積層される半導体パッケージの積層間等に均一に洗浄液が浸透し、フラックスを効率よく除去することができる。
【０００９】
また、前記噴霧手段が、洗浄液を噴霧するノズルと、リンス液を噴霧するノズルと、を
備えることも好ましい。
このような構成によれば、同一の洗浄装置内に洗浄液を噴霧するノズルと、リンス液を
噴霧するノズルとを備えているため、洗浄処理からリンス処理に移行する場合であっても
、同一の場所において、半導体パッケージを異なる場所に移動させることく洗浄処理およ
びリンス処理を行うことができる。
【００１０】
また、前記保持部が、着脱自在な機構を備えることも好ましい。
このような構成によれば、後述するように例えば、一つの保持部から構成され一定方向
に回転可能な保持部と、または複数の保持部から構成され遊星回転可能な保持部とのいず
れかを選択することが可能となる。
【００１１】
また、前記保持部が、前記半導体パッケージが保持される回転自在な複数の第一保持部
と、前記複数の第一保持部が保持される回転自在な第二保持部とを備えることも好ましい
。
このような構成によれば、第一保持部と第二保持部とをそれぞれ独立して所定方向、所定回転数等により回転させることができる。これにより、例えば、噴霧手段が保持部の中心軸上に設けられている場合に、保持部上に保持される半導体パッケージへの洗浄液の偏りを回避することができ、洗浄液を半導体パッケージ全体に均一に噴霧することができる。従って、半導体パッケージ同士の積層間に効率よく洗浄液を浸透させることによって、洗浄機能を向上させることができ、効率よくフラックス残渣を除去することができる。
【００１２】
また、前記第一保持部と前記第二保持部とが互いに遊星回転することも好ましい。
このような構成によれば、第一保持部と第二保持部とは、互いに反対方向に独立して回転する。これにより、保持部上に保持される半導体パッケージへの洗浄液の偏りを回避することができ、洗浄液を半導体パッケージ全体に均一に噴霧することができる。従って、半導体パッケージ同士の積層間に効率よく洗浄液を浸透させることによって、洗浄機能を向上させることができ、効率よくフラックス残渣を除去することができる。
【００１３】
また、前記半導体パッケージが、機械的な固定手段によって前記保持部に固定されてい
ることも好ましい。
このような構成よれば、噴霧される洗浄液によって半導体パッケージが濡れてしまう場
合でも、機械的な固定手段によって確実に半導体パッケージを保持部に固定させることが
できる。また、保持部を回転させる場合であっても、機械的な固定手段により確実に半導
体パッケージを保持部に固定させることができる。
【００１４】
また、前記回転手段が、回転方向を切り替え可能であることも好ましい。
例えば、保持部が一定方向に回転することにより、洗浄液が半導体パッケージの積層間の一方に偏ってしまい、液だまりや未洗浄部分が生じてしまう。このような場合においても、本発明の構成によれば、保持部の回転方向を切り替えることによって一方に偏ってしまった洗浄液を他方に移動させることができる。この結果、洗浄液を全体に均一に浸透させることができ、効率よくフラックスを除去することができる。
【００１５】
本発明の洗浄装置は、少なくとも前記保持部と前記噴霧手段とを内部に収容するチャンバーと、前記チャンバー内を減圧する減圧手段とを備えることも好ましい。
前記チャンバー内を減圧することで乾燥工程においてリンス液が気化し易くなり、効率よく乾燥を行うことができる。
【００１６】
本発明の半導体パッケージを洗浄する洗浄方法は、前記半導体パッケージを保持部に保持する工程と、前記保持部を回転させる工程と、前記保持部に液体を噴霧する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１７】
上述したように、半導体チップに形成される電極の狭ピッチ化が進んでおり、これに伴い、半導体チップ上に積層される半導体チップ同士の間隔等も狭ピッチ化している。そのため、従来の洗浄方法では、吐出した洗浄液が半導体チップ同士の積層間に浸透することが困難であった。このような方法によれば、噴霧手段により保持部に洗浄液を噴霧することにより、洗浄液が霧状の微細粒子となるため、狭ピッチ化した半導体チップ同士の狭い積層間にも洗浄液が浸透する。
また、半導体チップ同士の積層間に噴霧された洗浄液が、半導体チップの積層間に均一に浸透しない場合、洗浄液の液だまりや未洗浄部分が発生してしまう。この場合においても、保持部を回転させる回転手段を備えているため、この回転による遠心力によって、半導体パッケージに噴霧された洗浄液が半導体チップ同士の積層間に均一に浸透する。
これらの結果、洗浄機能を向上させることができ、効率よくフラックス残渣を除去することができる。また、洗浄液を噴霧するため、洗浄液の使用量を削減することができるとともに、半導体パッケージ等に与えるダメージを減少させることができる。さらに、保持部を回転させることにより洗浄機能を向上させるとともに、半導体パッケージの乾燥を行うことができる。
【００１８】
本発明の半導体パッケージを洗浄する洗浄方法は、前記半導体パッケージを保持部に保持する工程と、前記保持部を回転させる工程と、前記保持部に液体を噴霧する工程と、前記保持部に設けられ、前記噴霧手段から噴霧された液体を第一加熱手段により加熱する工程と、を備えることを特徴とする。
噴霧手段により保持部に洗浄液を噴霧する場合、保持部に保持されている半導体パッケージ全体に均一に洗浄液を噴霧するため、噴霧手段と保持部とは一定の間隔をあけて配置されている。そのため、噴霧される洗浄液は、保持部に着弾するまでの間に温度が下がってしまう。このような方法によれば、保持部に保持部加熱手段を備えているため、保持部に噴霧された洗浄液は保持部加熱手段により加熱され、半導体パッケージ同士の積層間等に均一に洗浄液が浸透し易くなる。従って、洗浄機能を向上させることができ、効率よくフラックス残渣を除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２０】
［第１の実施の形態］
(半導体パッケージの洗浄装置)
図１は、本実施の形態における洗浄装置１０の概略構成を模式的に示す図である。洗浄装置１０は、真空チャンバー３６と、この真空チャンバー３６内部に半導体パッケージ２０を配置するためのステージ１８（保持部）と、ステージ１８を加熱するためのステージヒーター２２（保持部加熱手段）と、ステージ１８を回転させるための回転駆動モーター８（回転手段）と、洗浄液ノズル１４（噴霧手段）とリンス液ノズル１６（噴霧手段）とを支持する支持部１２とを備えている。
【００２１】
真空チャンバー３６は、上面および底面を有する円筒の形状からなり、この円筒の形状からなる真空チャンバー３６の側面部には、真空ポンプ（不図示）が接続されている。この真空ポンプを動作させることにより真空チャンバー３６内部の圧力を減圧させることができるようになっている。このように、真空チャンバー３６内部は減圧手段によって減圧されるため、真空チャンバー３６内部に収容される半導体パッケージ２０の乾燥能力を向上させることができる。なお、本実施の形態においては、真空チャンバー３６内部の圧力を減圧した状態で、半導体パッケージ２０の洗浄を行うが、通常の大気中において半導体パッケージ２０の洗浄を行うことも可能である。
【００２２】
真空チャンバー３６の底面部には、ステージヒーター２２が設置されている。ステージヒーター２２は、ステージ１８表面温度を一定の温度に保持する機能を有している。そのため、ステージヒーター２２は、ステージ１８の表面温度を検出する温度検出部（不図示）と、この温度検出部に接続され、温度検出部によって検出された温度に基づいてステージ１８の表面温度を制御する制御部（不図示）とを備えることも好ましい。このように、制御部によってステージ１８の表面温度の目標値を設定し、温度検出部によって検出した実際のステージ１８の表面温度と目標温度との温度差を算出して、フィードバック制御により、ステージ１８の表面温度を目標温度に制御することができるようになっている。このように、ステージ１８にステージヒーター２２を設置することにより、ステージ１８に噴霧された洗浄液を加熱することによって、洗浄能力を向上させることができ、効率よく半導体チップを洗浄することができる。
【００２３】
ステージ１８は、円形の形状からなり、ステージヒーター２２上に設置されている。ステージ１８は、複数の半導体パッケージ２０がステージ１８上面に配置することができるように所定のスペースを有している。また、このステージ１８は、回転駆動モーター８に接続されており、ステージ１８上面の中心軸に対して水平に、所定の回転速度において所定方向に回転自在となっている。なお、上記回転駆動モーター８は、回転速度および回転方向等の切り替えが可能である。従って、回転速度を高速または低速に調整することもでき、また、回転方向を例えば、時計回りに回転しているステージ１８を反時計回りに切り替えてステージ１８を回転させることも可能である。
【００２４】
図２は、半導体パッケージ２０が配置されるステージ１８上面を拡大した平面図である。図２に示すように、ステージ１８上面には、半導体パッケージ２０の４辺を固定するため、半導体パッケージ２０の４辺上のそれぞれに対応するように固定爪３０（機械的な固定手段）が設置されている。本実施の形態において、半導体パッケージ２０は４個配置されるので、４組の固定爪３０がステージ１８上面に配置されている。そして、ステージ１８上面には、４個の半導体パッケージ２０が、半導体パッケージ２０の４辺のそれぞれを固定爪３０に固定され配置されている。このように、ステージ１８が回転する場合にも、半導体パッケージ２０がステージ１８上面に固定されているため、ステージ１８が回転することによって遠心力が生じた際にも、半導体パッケージ２０がステージ１８上を移動することを回避することができる。なお、ステージ１８上面に配置される半導体パッケージ２０の数は上記個数に限定されるものではない。
【００２５】
支持部１２の下面には、洗浄液ノズル１４とリンス液ノズル１６とが、ステージ１８の中央位置の法線軸上に対応するように設置され、ステージ１８に配置される半導体パッケージ２０全体に対して洗浄液を均一に噴霧することができるようになっている。そして、支持部１２の上面には、洗浄液供給管２４とリンス液供給管３８とがそれぞれ接合されている。そして、洗浄液供給管２４は洗浄液ノズル１４と、リンス液供給管３８はリンス液ノズル１６とに支持部１２を介してそれぞれ独立して接続され、洗浄液またはリンス液それぞれ供給されるようになっている。なお、洗浄液ノズル１４とリンス液ノズル１６は、支持部１２に複数設置することも好ましい。また、上記洗浄液ノズル１４とリンス液ノズル１６とは異なる種類のノズル、例えば、後述するように半導体パッケージ２０を乾燥するための気体を噴出するノズルを設置することも好ましい。
【００２６】
洗浄液供給管２４は、真空チャンバー３６内部から外部に延在しており、真空チャンバー３６の外部に設置されている洗浄液タンク２８に接続されている。そして、真空チャンバー３６と洗浄液タンク２８との間には、洗浄液ヒーター２６（洗浄液加熱手段）が設置され、洗浄液供給管２４を介して上記洗浄液ノズル１４と洗浄液タンク２８とに接続されている。この洗浄液ヒーター２６は洗浄液タンク２８と同様に真空チャンバー３６の外部に設置されている。
【００２７】
リンス液供給管３８は、真空チャンバー３６内部から外部に延在しており、真空チャンバー３６の外部に設置されているリンス液タンク３４に接続されている。そして、真空チャンバー３６とリンス液タンク３４との間には、リンス液ヒーター３２が設置され、リンス液供給管３８を介して上記リンス液ノズル１６とリンス液タンク３４とに接続されている。このリンス液ヒーター３２は洗浄液タンク２８と同様に真空チャンバー３６の外部に設置されている。
このような構成により、真空チャンバー３６内部に設置されている洗浄液ノズル１４およびリンス液ノズル１６に洗浄液およびリンス液が供給される。なお、洗浄液供給管２４、洗浄液タンク２８、リンス液供給管３８およびリンス液タンク３４は、いずれも真空チャンバー３６外部に設置したが、真空チャンバー３６内部に設置することも好ましい。
【００２８】
本実施の形態によれば、洗浄液ノズル１４およびリンス液ノズル１６によって、ステージ１８に洗浄液を噴霧するため、洗浄液が霧状の微細粒子となり、狭ピッチ化した半導体チップ同士の狭い積層間にも洗浄液が浸透する。また、ステージ１８が回転するため、この回転による遠心力によって半導体パッケージ２０に噴霧された洗浄液が半導体チップ同士の積層間に均一に浸透する。従って、洗浄機能を向上させることができ、効率よくフラックス残渣を除去することができる。また、洗浄液を噴霧するため、洗浄液の使用量を削減することができるとともに、半導体パッケージ２０等に与えるダメージを減少させることができる。さらに、ステージ１８を回転させることによって洗浄機能を向上させるとともに、半導体パッケージ２０の乾燥を行うことができる。
【００２９】
（半導体パッケージの洗浄方法）
以下に、上述した洗浄装置１０を使用して半導体パッケージ２０を洗浄する方法について図３のフローチャートを参照して説明する。
【００３０】
まず、図３に示すように半導体パッケージ配置工程Ｓ１において、真空チャンバー３６内部に設置されているステージ１８上面に半導体パッケージ２０を配置する。そして、ステージ１８上面に設置されている固定爪３０によって、半導体パッケージ２０の四辺の部位をそれぞれ固定する。
【００３１】
次に、図３に示すようにステージ回転工程Ｓ２において、ステージ１８に接続されている回転駆動モーター８を駆動させ、ステージ１８を所定方向に回転させる。本実施の形態において、ステージ１８の回転方向は例えば時計回りに回転させる。
【００３２】
次に、図３に示すように洗浄液噴霧工程Ｓ３において、ステージ１８上面に配置されている半導体パッケージ２０に洗浄液を噴霧する。具体的には、洗浄液タンク２８から洗浄装置１０に備えられている真空ポンプ（不図示）によって、洗浄液供給管２４を介して洗浄液ヒーター２６に洗浄液が供給される。洗浄液ヒーター２６へ供給された洗浄液は、洗浄液ヒーター２６によって一定温度に加熱され、洗浄液供給管２４を介して真空チャンバー３６内部に設置されている洗浄液ノズル１４に供給される。そして、洗浄液ノズル１４の洗浄液噴霧口から洗浄液がステージ１８に対して噴霧される。なお、洗浄液ノズル１４から洗浄液が噴霧されている間、ステージ１８は継続した回転している。
【００３３】
ここで、半導体パッケージ２０を洗浄する洗浄液としては、例えば、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール、その他非ハロゲン系洗浄液等の各種公知洗浄液が挙げられる。さらに、非ハロゲン系洗浄液として具体的には、非ハロゲン系リモネン等のテルペン類、ドデカン等の石油系溶剤等の炭化水素系溶剤型、グリコールエーテル系化合物等の高級アルコール型、およびこれらの混合物、並びにこれらと各種界面活性剤や水との混合物等が挙げられる。
【００３４】
ここで、界面活性剤としては、ノニオン性またはアニオン性の界面活性剤を例示でき、特にノニオン性界面活性剤を含有している場合が好ましい。ノニオン性界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンフェノールエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテルなどのポリエチレングリコールエーテル型ノニオン性界面活性剤；ポリエチレングリコールモノエステル、ポリエチレングリコールジエステルなどのポリエチレングリコールエステル型ノニオン性界面活性剤；高級脂肪族アミンのエチレンオキサイド付加物；脂肪酸アミドのエチレンオキサイド付加物；ソルビタン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステルなどの多価アルコール型ノニオン性界面活性剤；脂肪酸アルカノールアミドなど、さらにはこれらに対応するポリオキシプロピレン系ノニオン性界面活性剤およびポリオキシエチレンポリオキシプロピレン共重合型ノニオン性界面活性剤があげられる。また、アニオン性界面活性剤としてはリン酸エステル系またはスルホン酸系のアニオン性界面活性剤があげられる。
【００３５】
次に、図３に示すようにリンス液噴霧工程Ｓ４において、洗浄液噴霧工程Ｓ３の終了後、ステージ１８上面に配置されている半導体パッケージ２０にリンス液を噴霧する。具体的には、リンス液タンク３４から洗浄装置１０に備えられている真空ポンプ（不図示）によって、リンス液供給管３８を介してリンス液ヒーター３２にリンス液が供給される。リンス液ヒーター３２へ供給されたリンス液は、リンス液ヒーター３２によって一定温度に加熱され、リンス液供給管３８を介して真空チャンバー３６内部に設置されているリンス液ノズル１６に供給される。そして、リンス液ノズル１６のリンス液噴霧口からリンス液がステージ１８に対して噴霧される。なお、リンス液ノズル１６からリンス液が噴霧されている間、ステージ１８は継続して回転している。ここで、本実施の形態において半導体パッケージ２０をリンスするリンス液としては、純水、その他の公知のリンス液を使用することが可能である。
【００３６】
次に、図３に示すように半導体パッケージ乾燥工程Ｓ５において、ステージ１８上面に配置されている半導体パッケージ２０を乾燥する。ステージ１８は、上述した洗浄液噴霧工程Ｓ３からリンス液噴霧工程Ｓ４にかけて継続して回転しており、リンス液噴霧工程Ｓ４の後も継続して回転している。そのため、ステージ１８の回転の遠心力によって半導体パッケージ２０に残っているリンス液等を脱水して、半導体パッケージ２０を乾燥することができる。なお、上記乾燥工程Ｓ５においては、ステージ１８を回転させることにより、ステージ１８に配置される半導体パッケージ２０に残っているリンス液等を乾燥しているが、このステージ１８を回転することによる乾燥に加えて、ステージ１８に気体を噴射することにより、半導体パッケージ２０に残っているリンス液等を乾燥させることも好ましい。
【００３７】
［第２の実施の形態］
次に、本実施の形態の洗浄装置について図面を参照して説明する。なお、上記第１の実施の形態と同様の構成等についての説明は省略する。上記第１の実施の形態と異なる点は、第１の実施の形態では、一つのステージ上に半導体パッケージ２０を配置し、このステージを回転させることにより半導体パッケージ２０の洗浄処理およびリンス処理を行っていた。これに対して、本実施の形態においては、複数の小ステージ（第一保持部）上に半導体パッケージ２０を配置し、この複数の小ステージを大ステージ（第二保持部）に設置する。そして、大ステージと複数の小ステージ４６とを独立して遊星回転させることにより、半導体パッケージ２０の洗浄処理およびリンス処理を行う点において異なる。
【００３８】
図４は、本実施の形態の洗浄装置１０に設置されている大ステージ４０の概略構成を示
す平面図である。大ステージ４０上には、４つの小ステージ４６が設置され、このそれぞ
れの小ステージ４６上には、半導体パッケージ２０が配置されている。大ステージ４０の
構成については、上記第１の実施の形態において説明したステージ１８と同様の構成から
なるため本実施の形態においては説明を省略する。
【００３９】
小ステージ４６は円形の形状からなり、大ステージ４０の直径の約半分以下の直径から
構成されている。この小ステージ４６は、それぞれ回転駆動モーター８に接続され、この
回転駆動モーター８が駆動することにより、小ステージ４６のそれぞれが独立して回転自
在となっている。そして、本実施の形態において小ステージ４６は、大ステージ４０とは
それぞれ逆方向に回転、すなわち遊星回転している。具体的には、大ステージ４０が時計
回りに回転している場合には、小ステージ４６のそれぞれは、逆時計回りに回転している
。なお、上記第２の実施の形態において、複数の小ステージ４６は、大ステージ４０とは
異なる方向に回転するように設定されていたが、複数の小ステージ４６がそれぞれ同じ方
向に独立して回転するように設定することも好ましい。
【００４０】
なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。
例えば、洗浄装置１０に着脱機構を設けることにより、上記第２の実施の形態における大ステージ４０と複数の小ステージ４６とから構成されるステージ機構を取り外して、第１の実施の形態における一つのステージ１８から構成されるステージ機構に交換することも可能である。
【００４１】
また、上記第１の実施の形態ではステージ１８、第２の実施の形態では大ステージ４０のそれぞれは平面に形成され、この平面上に複数の半導体パッケージ２０が配置または小ステージ４６が設置されていた。これに代えて、ステージ１８および大ステージ４０を円錐形状とすることによってステージ中央を基準として傾斜面を設けて、この傾斜面に対して半導体パッケージ２０を配置または小ステージ４６を設置することも可能である。このような洗浄装置１０によれば、半導体パッケージ２０は傾斜面に配置されるため、噴霧された洗浄液およびリンス液が半導体パッケージ２０に浸透し易くなる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】図１は、洗浄装置を模式的に示す平面図である。
【図２】図２は、洗浄装置のステージを模式的に示す平面図である。
【図３】図３は、洗浄工程を示すフローチャートである。
【図４】図４は、洗浄装置のステージを模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００４３】
８…回転駆動モーター（回転手段）、  １０…洗浄装置、  １２…支持部、  １４…洗浄液ノズル、  １６…リンス液ノズル、  １８…ステージ（保持部）、  ２０…半導体パッケージ、  ２２…ステージヒーター（保持部加熱手段）、  ２４…洗浄液供給管、  ２６…洗浄液ヒーター（洗浄液加熱手段）、  ２８…洗浄液タンク、  ３０…固定爪（機械的固定手段）、  ３２…リンス液ヒーター、  ３４…リンス液タンク  ３６…真空チャンバー、  ３８…リンス液供給管、  ４０…大ステージ（第二保持部）、  ４６…小ステージ（第一保持部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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