(57)【要約】【課題】  放電空間での放電電圧を低下させたプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】  第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板の前記第２の基板に面した側に形成された第１の電極と、前記第２の基板の前記第１の基板に面した側に形成された第２の電極と、前記第１の電極を覆うように形成された第１の誘電体層と、前記第２の電極を覆うように形成された第２の誘電体層と、前記第１の誘電体層を覆うように形成された多結晶構造を含むＭｇＯ膜からなる保護膜と、前記保護膜と前記第２の誘電体層の間に形成された放電空間と、を有するプラズマディスプレイパネルであって、前記保護膜はＭｇＯの局在準位を有し、当該局在準位の含有率は、単結晶ＭｇＯの局在準位の含有率より大きいことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。【選択図】  図２
2005353455.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板と対向する第２の基板と、
前記第１の基板の前記第２の基板に面した側に形成された第１の電極と、
前記第２の基板の前記第１の基板に面した側に形成された第２の電極と、
前記第１の電極を覆うように形成された第１の誘電体層と、
前記第２の電極を覆うように形成された第２の誘電体層と、
前記第１の誘電体層を覆うように形成された多結晶構造を含むＭｇＯ膜からなる保護膜と、
前記保護膜と前記第２の誘電体層の間に形成された放電空間と、を有するプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護膜はＭｇＯの局在準位を有し、当該局在準位の含有率は、単結晶ＭｇＯの局在準位の含有率より大きいことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
第１の基板と、
前記第１の基板と対向する第２の基板と、
前記第１の基板の前記第２の基板に面した側に形成された第１の電極と、
前記第２の基板の前記第１の基板に面した側に形成された第２の電極と、
前記第１の電極を覆うように形成された第１の誘電体層と、
前記第２の電極を覆うように形成された第２の誘電体層と、
前記第１の誘電体層を覆うように形成されたＭｇＯ膜からなる保護膜と、
前記保護膜と前記第２の誘電体層の間に形成された放電空間と、を有するプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護膜はＭｇＯの局在準位を有し、当該局在準位の含有率は、単結晶ＭｇＯの局在準位の含有率の１４倍〜２０倍であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
第１の基板と、
前記第１の基板と対向する第２の基板と、
前記第１の基板の前記第２の基板に面した側に形成された第１の電極と、
前記第２の基板の前記第１の基板に面した側に形成された第２の電極と、
前記第１の電極を覆うように形成された第１の誘電体層と、
前記第２の電極を覆うように形成された第２の誘電体層と、
前記第１の誘電体層を覆うように形成されたＭｇＯ膜からなる保護膜と、
前記保護膜と前記第２の誘電体層の間に形成された放電空間と、を有するプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護膜の、ＭｇＯ単結晶膜に対するカソードルミネッセンス測定のスペクトル特性の波長３００ｎｍ〜６００ｎｍにおける面積強度比が、１４倍〜２０倍であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイパネルに係り、特にＭｇＯからなる保護膜を有するプラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel、以下文中ではＰＤＰと表記する）は、大画面化が容易なこと、表示品質がよいこと、また、液晶ディスプレイと比べた場合に視野角が広いなどの特長があり、薄型化が可能なことから例えば壁掛け型ディスプレイなどの大型表示装置として用いられるようになってきている。
【０００３】
ＰＤＰの動作原理の概要は、表示セルと呼ばれる、例えば希ガスからなる封入ガスが封入された放電空間で放電を起こすことによって希ガスの粒子を励起し、その光学的遷移によって生じる紫外線によって蛍光体を励起し、当該蛍光体からの可視光を表示発光に利用するものである。
【０００４】
従来のＰＤＰの構造の概略は、互いに対向するように設置された２枚の基板上にそれぞれ電極を設け、これらの電極の間に前記放電空間が形成された構造を有している。このように放電空間をはさんで対向するようにして形成された電極は、例えば表示用電極とデータ電極と呼ばれ、当該表示用電極とデータ電極はそれぞれ誘電体層に覆われた構造を有している。
【０００５】
例えば、当該データ電極を覆う誘電体層上には蛍光体層が形成され、ＰＤＰが発光する場合の画素の色を決定する要素となっている。一方、当該表示用電極を覆う誘電体層上には保護膜が形成され、当該誘電体層をスパッタリングによる損傷から保護する構造になっている。
【０００６】
この場合、前記放電空間の放電特性は、当該放電空間に面する前記保護膜に大きく影響され、特に当該保護膜の二次電子放出利得が高い場合に、すなわちより二次電子が放出されやすい場合に、前記放電空間の放電電圧が下がることがわかっており、このため、比較的二次電子利得の高いＭｇＯが保護膜に用いられることが一般的であった。
【０００７】
また、放電電圧が低いことは、近年の高輝度化・高精細化が要求されるＰＤＰにおいては重要な特性である。例えば、高輝度化・高精細化を実現するためには、放電空間に封入される封入ガスのうち、Ｘｅガスの分圧を上げる方法があるが、Ｘｅガスの分圧を上げると放電電圧が上昇してしまう問題があった。
【０００８】
そのため、放電電圧を下げるための、ＭｇＯからなる保護膜の製造方法について、様々な方法が提案されていた。（例えば特許文献１、特許文献２参照。）
【特許文献１】特開平５−２３４５１９号公報
【特許文献２】特開２０００−２７７００９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、ＭｇＯ膜からなる保護膜を形成する方法として、温度や製造時の分圧などの諸条件については様々な提案があったが、ＰＤＰの放電空間の放電電圧を低下させるために好ましいＭｇＯ膜の構造やその構造の詳細、またＭｇＯ膜の構造の検証方法などについては明らかとなっていない。そのため、ＭｇＯ膜を形成する場合のわずかな条件の違いなどによって、ＭｇＯ膜の品質が異なってしまい、当該ＭｇＯ膜を保護膜として用いたＰＤＰで、十分な放電特性が得られずに、放電電圧が増大してしまう場合があった。
【００１０】
そこで、本発明では上記の問題を解決した、新規で有用なプラズマディスプレイパネルを提供することを課題としている。
【００１１】
本発明の具体的な課題は、電極を覆う誘電層の保護膜に、放電電圧を低下させる構造を有したＭｇＯ膜を用いたＰＤＰを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の観点では、上記の課題を、第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板の前記第２の基板に面した側に形成された第１の電極と、前記第２の基板の前記第１の基板に面した側に形成された第２の電極と、前記第１の電極を覆うように形成された第１の誘電体層と、前記第２の電極を覆うように形成された第２の誘電体層と、前記第１の誘電体層を覆うように形成された多結晶構造を含むＭｇＯ膜からなる保護膜と、前記保護膜と前記第２の誘電体層の間に形成された放電空間と、を有するプラズマディスプレイパネルであって、前記保護膜はＭｇＯの局在準位を有し、当該局在準位の含有率は、単結晶ＭｇＯの局在準位の含有率より大きいことを特徴とするプラズマディスプレイパネルにより、解決する。
【００１３】
当該プラズマディスプレイパネルによれば、電極を覆う誘電層の保護膜に、放電電圧を低下させる構造を有したＭｇＯ膜を用いたため、プラズマディスプレイパネルの放電電圧を低下させることが可能になる。
【００１４】
本発明の第２の観点では、上記の課題を、第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板の前記第２の基板に面した側に形成された第１の電極と、前記第２の基板の前記第１の基板に面した側に形成された第２の電極と、前記第１の電極を覆うように形成された第１の誘電体層と、前記第２の電極を覆うように形成された第２の誘電体層と、前記第１の誘電体層を覆うように形成されたＭｇＯ膜からなる保護膜と、前記保護膜と前記第２の誘電体層の間に形成された放電空間と、を設けたプラズマディスプレイパネルであって、前記保護膜はＭｇＯの局在準位を有し、当該局在準位の含有率は、単結晶ＭｇＯの局在準位の含有率の１４倍〜２０倍であることを特徴とするプラズマディスプレイパネルにより、解決する。
【００１５】
当該プラズマディスプレイパネルによれば、電極を覆う誘電層の保護膜に、放電電圧を低下させる構造を有したＭｇＯ膜を用いたため、プラズマディスプレイパネルの放電電圧を低下させることが可能になる。
【００１６】
本発明の第３の観点では、上記の課題を、第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板の前記第２の基板に面した側に形成された第１の電極と、前記第２の基板の前記第１の基板に面した側に形成された第２の電極と、前記第１の電極を覆うように形成された第１の誘電体層と、前記第２の電極を覆うように形成された第２の誘電体層と、前記第１の誘電体層を覆うように形成されたＭｇＯ膜からなる保護膜と、前記保護膜と前記第２の誘電体層の間に形成された放電空間と、を設けたプラズマディスプレイパネルであって、前記保護膜の、ＭｇＯ単結晶膜に対するカソードルミネッセンス測定のスペクトル特性の波長３００ｎｍ〜６００ｎｍにおける面積強度比が、１４倍〜２０倍であることを特徴とするプラズマディスプレイパネルにより、解決する。
【００１７】
当該プラズマディスプレイパネルによれば、電極を覆う誘電層の保護膜に、放電電圧を低下させる構造を有したＭｇＯ膜を用いたため、プラズマディスプレイパネルの放電電圧を低下させることが可能になる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、電極を覆う誘電層の保護膜に、放電電圧を低下させる構造を有したＭｇＯ膜を用いたため、ＰＤＰの放電電圧を低下させることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に、本発明の実施の形態に関して、図面に基づき、以下に説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１（Ａ）は、本発明の実施例１によるＡＣ駆動型のＰＤＰの構造の１表示セルの断面図を模式的に示したものであり、図１（Ｂ）にはそのＡ−Ａ断面図を示す。また図２には、図１（Ａ），（Ｂ）に示した表示セルを複数個並べたＡＣ駆動型のカラーＰＤＰ１０の斜視図を示す。
【００２１】
図１（Ａ）、（Ｂ）および図２を参照するに、前記ＰＤＰ１０では、放電空間２０を挟んで、ガラス基板からなる前面板１１と背面板１５が対向する形で配置されている。前記前面板１１上の、前記背面板１５に対向する側には表示用電極１２が配置され、当該表示用電極１２は、例えば酸化鉛系ガラスなどからなる誘電体層１３に覆われ、さらに当該誘電体層１３が、ＭｇＯからなる保護膜１４で覆われた構造となっている。前記表示用電極１２は、対をなす帯状の走査電極および維持電極が互いに平行に配置されることにより、構成されている。
【００２２】
また、前記背面板１５上の、前記前面板１１に対向する側には前記表示用電極１２に直交する帯状の複数のデータ電極１６が設けられており、これら複数のデータ電極１６は互いに平行に配置され、またそれぞれの前記データ電極１６は誘電体層１７によって覆われている。
【００２３】
さらに複数のデータ電極１６を分離し、かつ放電空間２０を形成する隔壁１８が、前記データ電極１６と略平行に前記誘電体層１７上に設けられている。また前記データ電極１６上の前記誘電体層１７の上から前記隔壁１８の側面にわたって、蛍光体層１９が形成されている。図２に示すＰＤＰ１０の場合、カラー表示を可能にするために、前記隔壁１８を挟んで、例えば赤、緑、青の蛍光体１９が順に配置された構造になっている。
【００２４】
また、前記ＰＤＰ１０において、前記誘電体層１３および１７は、前記表示電極１２および前記データ電極１６に電圧を印加することで生じた電荷を蓄積するために設けられている。
【００２５】
なお、図２には、例として１表示セルを３つ組み合わせた形状を示しているが、表示セルの個数は任意であり、実際にはさらに多数の表示セルを組み合わせて大型表示装置であるＰＤＰを形成する。
【００２６】
前記ＰＤＰ１０の動作原理は以下の通りである。まず、前記表示電極１２（走査電極および維持電極間）のリセット放電を全てのセルの前記放電空間２０で行い、壁電荷の状態を同じにし、次に前記表示用電極１２の走査電極の走査にあわせて前記データ電極１６に選択的に電圧を印加して前記放電空間２０においてアドレス放電を起こす。
【００２７】
これにより、前記表示用電極１２上に選択的に壁電荷を形成する。そのために、次に放電維持電圧を前記表示用電極１２に印加した際に、前記放電空間２０での放電発生の有無を制御することができ、前記放電空間２０での維持放電の回数により、画像表示の階調を制御して、画像を表示することができる。
【００２８】
前記放電空間２０には不活性ガスからなる封入ガスが封入され、前記封入ガスは、例えばＨｅ，Ｎｅ，ＡｒおよびＫｒのうち、少なくともひとつと、Ｘｅの混合ガスからなる。また、ＰＤＰの発光効率は前記封入ガスに大きく依存し、例えば前記封入ガスのＸｅの混合比、または前記封入ガスの全圧に対するＸｅの分圧の比を増加させると発光効率が向上して、ＰＤＰの高輝度化、高精細化が可能となる。
【００２９】
しかし従来、前記封入ガス中のＸｅの分圧を増加させると、放電空間での放電電圧が増大してＰＤＰの駆動電圧が増大する傾向にあり、Ｘｅの分圧を増加させるのは困難であった。しかし、本実施例では、ＭｇＯからなる前記保護膜１４の構造を、放電電圧が低下するように形成したため、ＰＤＰの駆動電圧が低くなり、さらに前記封入ガス中のＸｅの分圧を増加させた場合の駆動電圧の増加量を抑制する効果を奏するため、Ｘｅの分圧を増加させて発光効率を向上させることが可能となる。
【００３０】
このように、放電電圧を低下させると、ＰＤＰの動作電圧が抑制されて消費電力が小さくなる効果だけでなく、ＰＤＰの高輝度化・高精細化が可能となる効果を奏する。
【００３１】
例えば、前記放電空間２０における放電開始電圧、放電維持電圧などの放電電圧は、前記封入ガスのイオンや励起粒子が前記保護膜１４に入射する際に、前記保護膜１４の表面から放出される二次電子の出やすさに大きく依存する。
【００３２】
従来、放電電圧を低下させるためのＭｇＯ膜の製造方法については様々な提案がされていたが、おもにＭｇＯ膜の製造方法に係る提案であり、具体的にＭｇＯ膜の構造と放電電圧の関係について、また放電電圧を低下させる具体的な膜構造については具体的に明らかになっていなかった。
【００３３】
そこで、本発明の発明者は、放電電圧を低下させるためのＭｇＯ膜の具体的な構造について明らかにし、本実施例では放電電圧を低下させる膜構造を有するＭｇＯ膜を、前記保護膜１４に用いたＰＤＰを構成した。
【００３４】
本実施例で用いたＭｇＯ膜は、膜構造に欠陥構造を有するようにし、当該ＭｇＯ膜から二次電子が放出されやすいように形成されている。このように二次電子が放出されやすくなる欠陥は、おもに局在準位などの欠陥がある。これらの局在準位を含む欠陥構造は、例えば、カソードルミネッセンス（cathode luminescence、以下ＣＬと表記する）測定により、含有する割合を明らかにすることが可能となる。
【００３５】
ＣＬとは、電子ビームの照射により、測定資料となる半導体や絶縁体の価電子帯の電子が励起され、価電子帯に生じた正孔と、この電子が再結合する過程で生じる発光をいう。このＣＬを分光して解析することをＣＬ測定とよび、資料中の欠陥構造などの電子状態を分析することができる。
【００３６】
図３は、ＣＬ測定の方法を模式的に示した図である。図３を参照するに、ＣＬ測定では、例えば表面にＭｇＯ膜が形成された基板などのサンプル３４の表面に、例えば走査型電子顕微鏡などの電子の励起源３０から電子線を照射する。照射された電子線によって、前記サンプル３４では発光が生じ、当該発光による光線は、反射部３３によって反射されて分光器３１によって分光され、例えばＣＣＤなどの測定器３２に入射する構造になっている。
【００３７】
次に、電子ビーム蒸着法によって形成された、多結晶構造を含むＭｇＯ膜のＣＬ測定の結果の例を、図４（Ａ）〜（Ｃ）に示す。
【００３８】
この場合、ＣＬ測定の条件は以下の通りである。電子線加速電圧５ｋＶとし，温度は室温で、電子ビーム入射径は３０ｎｍ以下にし、測定対象の１００μｍ角を走査した。また、導通を得るために、ＭｇＯ膜の表面に３−５ｎｍのＰｔをスパッタ蒸着した。また、試料電流は０．１７ｎＡ、分光器のスリット幅は２５０μｍとした。
【００３９】
また、図４（Ａ）〜（Ｃ）に示した測定に用いたＭｇＯ膜は、電子ビーム蒸着法によって形成され、この場合の成膜条件は、以下に示す通りである。圧力が３．０×１０−４Ｔｏｒｒ以下、基板温度Ｔが、２５０℃＜Ｔ＜３５０℃、蒸着速度０．５〜１．０ｎｍ／ｓｅｃ、膜厚８００ｎｍであり、形成されたＭｇＯ純度が９９．９９％である。このようにして形成されたＭｇＯ膜は、おもに多結晶構造を有し、また一部に非晶質構造を含む場合もある。また、図４（Ａ）〜（Ｃ）の場合に、成膜時の酸素の導入量を変更することで、成膜時の雰囲気の酸素分圧を変更しており、図４（Ａ）の場合には酸素導入無し（酸素分圧略０）、図４（Ｂ）の場合には、酸素分圧を、０．０４ｍＴｏｒｒ、図４（Ｃ）の場合には、酸素分圧を、０．１２ｍＴｏｒｒとしている。
【００４０】
図４（Ａ）〜（Ｃ）を参照するに、ＣＬ測定の波長の、３００ｎｍ〜６００ｎｍの間にピークが観察され、より詳細には、３５０ｍｍ〜４５０ｎｍと、４５０ｎｍ〜５５０ｎｍの範囲に、それぞれスペクトルのピークが観測されている。３５０ｎｍ〜４５０ｎｍに観測されるピークは、ＭｇＯの酸素空孔に電子が一つ捕獲されたＦ＋センターと呼ばれる局在準位であり、４５０ｎｍ〜５５０ｎｍｎに観測されるピークは、ＭｇＯの酸素空孔に電子が二つ捕獲されたＦセンターと呼ばれる局在準位であると考えられている。（G.H.Rosenblart, M.W.Rowe, G.P.Williams,Jr., and R.T.Williams,
phys.Rev.B36,10309(1989)）。
【００４１】
このようなＦ＋センターやＦセンターなどの局在準位を含む欠陥構造をＭｇＯ膜中に増大させた場合には、ＭｇＯ膜表面より二次電子が放出されやすくなり、例えばＸｅイオンがＭｇＯ膜表面に入射した場合の二次電子利得が向上して放電電圧が低くなることが推察される。これは、局在準位の最高準位から真空準位までのエネルギーをξとしたとき、ＭｇＯ表面に入射するＸｅイオンの電離エネルギーをＥｉとすると、Ｅｉ＞２ξの条件が満たされるためと考えられる。（オージェ中和理論）（H. D. Hagstrum, “Theory
of Auger neutralization of ions at the surface of a diamond-type semiconductor,”
Phys. Rev., vol. 122, no.1, pp. 83-113, 1961.）
図５には、図４（Ａ）〜（Ｃ）に示したＭｇＯ膜を保護膜に用いて、図２に示した構造を有するＰＤＰを形成し、放電開始電圧を調べた結果を示す図である。図５において、実験Ｅ１〜Ｅ３に示した結果がそれぞれ図４（Ａ）〜（Ｃ）に示した場合に対応する。また、横軸に放電空間に封入される封入ガス中のＸｅの分圧をとり、Ｘｅの分圧に対する放電開始電圧の依存性も調べている。また、ＰＤＰを駆動させる条件は、以下の通りである。対になるように形成された表示電極には、２０ｋＨｚ、時間率１／５の矩形波電圧をそれぞれ印加し、１０時間のエージング駆動後に測定を行った。放電が停止した状態から印加電圧を増加していった場合に、放電が開始する電圧を放電開始電圧とした。
【００４２】
図５を参照するに、実験Ｅ１の場合、すなわちＭｇＯ膜中に局在準位などの欠陥構造が最も少ない場合に放電開始電圧が最も高く、ＭｇＯ膜中に局在準位などの欠陥構造が増大するにつれ、放電開始電圧が低く抑えられていることがわかる。例えば、Ｘｅの分圧が１０ｋＰａの場合には、実験Ｅ１の場合には、放電開始電圧が３６０Ｖであるのに対して、実験Ｅ２の場合には３００Ｖ，実験Ｅ３の場合には２５０Ｖと、ＭｇＯ膜中の局在準位の含有率を増大させるにつれ、放電開始電圧が抑制されていることがわかる。さらに、Ｘｅ分圧を増大させて２０ｋＰａとした場合には、実験Ｅ１の場合には、放電開始電圧が４４０Ｖであるのに対して、実験Ｅ２の場合には３５０Ｖ，実験Ｅ３の場合には３００Ｖであり、Ｘｅ分圧を増大させた場合に、放電開始電圧が抑制される効果が大きいことが明らかとなった。これは、Ｘｅ分圧を増大させて、ＰＤＰの高輝度化・高精細化を実施した場合に、放電開始電圧が抑制される効果が大きくなることを示している。
【００４３】
また、このようにＭｇＯ膜中に局在準位などの欠陥構造の含有率を増大させるための方法は、蒸着によってＭｇＯ膜を形成する場合に酸素の分圧を増大させる方法に限定されるものではない。例えば、基板温度制御と蒸着レートの制御、成膜後のＭｇＯ表面に対するイオン照射、などを行ってもよく、これらの場合にもＭｇＯ膜中の局在準位を増大させて、放電開始電圧を抑制することが可能となる。
【００４４】
また、ＭｇＯ膜の形成方法は、電子ビーム蒸着法に限定されるものではなく、例えば、イオンプレーティング法、スパッタ蒸着法、パルスレーザー堆積法（ＰＬＤ法）などによっても本実施例の場合と同様の効果を有するＭｇＯ膜を形成することが可能である。
【００４５】
また、ＭｇＯ膜中の欠陥構造を調べる場合、欠陥構造の絶対量を算出することは困難である。そのため、測定対象となるＭｇＯ膜と、基準となるＭｇＯの欠陥構造の含有量を比較することで、ＭｇＯ膜中の相対的な欠陥構造の含有率の増減を算定することが可能となると考えられる。
【００４６】
このような、基準となるＭｇＯを形成する場合には結晶構造の再現性が高いことが好ましく、また構造が安定であることが好ましい。このように、結晶構造が再現性よく形成できるＭｇＯとしては、単結晶構造を有する単結晶ＭｇＯがあり、測定対象となる、例えば多結晶構造や非晶質構造を含むＭｇＯ膜の、欠陥構造の含有率を調べる場合の基準となると考えられる。
【００４７】
例えば、単結晶ＭｇＯは、融点が高いため一般的には電融法によって形成され、再現性よく安定な結晶が得られる。
【００４８】
次に、単結晶ＭｇＯの、ＣＬ測定の結果を図６に示す。この場合、単結晶ＭｇＯは、厚さが０．２５ｍｍの板状のものを用いた。図６を参照するに、単結晶ＭｇＯの場合、上記のＦ＋センターやＦセンターなどが、図４（Ａ）〜（Ｃ）に示した蒸着法で形成された多結晶構造を含むＭｇＯ膜に比べて著しく少なくなっている。これは、単結晶ＭｇＯにおける酸素欠損が少ないことを示している。
【００４９】
そのため、単結晶ＭｇＯのＣＬ測定には、比較的高い電子線加速度が必要となるが、薄膜のＭｇＯとＣＬ結果を比較する場合は、電子がＭｇＯ薄膜を貫通しない程度の電子線加速度で比較しなければならない。そこで、本図に示す測定では、図４（Ａ）〜（Ｃ）に示したＭｇＯ膜の測定条件と同条件とし、電子線加速電圧は５ｋＶとしてＣＬ測定を行っている。
【００５０】
ここで、波長に対するＣＬ測定のスペクトル強度の積分値を面積強度と定義する。図７は、図６に示した単結晶ＭｇＯのＣＬ測定の、波長３００ｎｍ〜６００ｎｍでの面積強度に対する、図４（Ａ）〜（Ｃ）に示したＣＬ測定の、波長３００ｎｍ〜６００ｎｍの面積強度の比を求め、当該面積強度の比の変化に対応する放電開始電圧の変化を示したものである。
【００５１】
図７を参照するに、当該面積強度比が増大するに従って、放電開始電圧が低下していることがわかる。また、放電空間の封入ガスのＸｅの分圧を、１３ｋＰａ，２０ＫＰａ、２７ＫＰａのいずれの場合にもこの傾向が観測され、特にＸｅの分圧が大きい場合に、当該面積強度比を増大させたことによる放電開始電圧の抑制効果が大きいことが確認された。
【００５２】
特に、当該面積強度比を、１４倍以上とすると、放電開始電圧が、最小となるため、従来と比べて放電開始電圧が少なくとも１０Ｖ以上低くなり、放電開始電圧を低下させる効果が大きく、好ましい。
【００５３】
また、面積強度比をさらに増大させた場合には、放電開始電圧の低下の効果が収束し、またさらに面積強度比を増大させると、スパッタ等に対する膜の耐性が弱くなってしまう。このため、面積強度比の上限は、２０倍程度とすることが好ましい。
【００５４】
また、前記面積強度比は、局在準位の含有率を示していると推定されるため、面積強度比の好ましい範囲は、局在準位の含有率の比の好ましい範囲を示しているものと考えられる。そのため、前記保護膜１４を構成するＭｇＯ膜の局在準位の含有率は、単結晶ＭｇＯの局在準位の含有率の１４倍〜２０倍であることが好ましい。
【００５５】
次に、本実施例によるＰＤＰの製造方法の概略について、以下に示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００５６】
まず、ガラス基板からなる前記前面板１１上に、透明導電膜およびクロム（Ｃｒ）／銅（Ｃｕ）／Ｃｒ（クロム）からなる積層膜を、スパッタリング法によって成膜する。
【００５７】
次に、前記透明導電膜および積層膜を、フォトリソグラフィの手法を用いて、それぞれ前記透明導電膜を１７０μｍ、前記積層膜を５５μｍの帯状のパターンに形成し、前記表示用電極１２とする。
【００５８】
次に、前記表示用電極１２が形成された前記前面板１１上に、低融点ガラスペーストを印刷して乾燥させた後、焼成することによって、膜厚略２０μｍの前記誘電体層１３を形成する。
【００５９】
次に、前記誘電体層１３を被覆するように、ＭｇＯ膜からなる保護膜１４を電子ビーム蒸着により、以下の条件で形成する。圧力が３．０×１０−４Ｔｏｒｒ以下、基板温度Ｔを２５０℃＜Ｔ＜３５０℃とし、成膜雰囲気中の酸素分圧ｐは、１．０×１０−４Ｔｏｒｒ＜ｐ＜２．０×１０−４Ｔｏｒｒとする。この条件で、蒸着速度０．５〜１．０ｎｍ／ｓｅｃで膜厚８００ｎｍのＭｇＯ膜が形成され、形成されたＭｇＯ純度は９９．９９％となる。
【００６０】
次に、ガラス基板からなる前記背面板１５上の所望の位置に、感光性銀ペーストをフォトリソグラフィの手法を用いて帯状パターンに形成して、銀からなる前記データ電極１６を形成し、さらに当該データ電極１６を覆うように前記誘電体層１７を形成する。
【００６１】
さらに、前記誘電体層１７上には、幅６０μｍ、高さ１３０μｍの前記隔壁１８を形成し、前記蛍光体１９を前記隔壁１８および前記誘電体層１７の表面上に塗布した。前記蛍光体９として、例えば、赤色発光体（（ＹxＧｄ1-x）ＢＯ3：Ｅｕ3+）、緑色発光体（ＢａＡｌ12Ｏ19：Ｍｎ）および青色発光体（ＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｅｕ2+）を塗り分けるようにする。
【００６２】
次に、前記前面板１１と背面板１５を、前記表示用電極１２とデータ電極１６が直交するように張り合わせ、周辺部をガラスフリットを用いて封着し、前記放電空間２０を排気した後に、当該放電空間２０に、Ｘｅを５％〜３０％混合したＮｅ−Ｘｅ混合ガスからなる封入ガスを、放電空間の圧力が４００Ｔｏｒｒ以上で６５０Ｔｏｒｒ以下になるように封入する。
【００６３】
このようにして、図１（Ａ）、（Ｂ）および図２に示したＰＤＰを製造することができる。
【００６４】
また、本実施例においてはＡＣ駆動型のＰＤＰの例を示したが、本発明はＡＣ駆動型に限られるものではなく、例えばＤＣ駆動型、またはＡＣ／ＤＣハイブリッド駆動型においても、適用が可能であり、本実施例に記載した場合と同様の効果を得ることが可能であり、駆動電圧が低く、高輝度・高精細のＰＤＰを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】（Ａ），（Ｂ）は、実施例１によるＰＤＰを模式的に示した断面図である。
【図２】実施例１によるＰＤＰを模式的に示した斜視図である。
【図３】カソードルミネッセンス測定の概要を示す図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は、蒸着法により形成されたＭｇＯ膜のカソードルミネッセンス測定の結果を示した図である。
【図５】放電空間のＸｅの分圧に対する放電開始電圧を示した図である。
【図６】単結晶ＭｇＯのカソードルミネッセンス測定の結果を示した図である。
【図７】本実施例の効果を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０  ＰＤＰ
１１  前面板
１２  表示用電極
１３  誘電体層
１４  保護膜
１６  データ電極
１７  誘電体層
１８  隔壁
１９  蛍光体
２０  放電空間
３０  励起源
３１  分光器
３２  検出器
３３  反射部
３４  測定試料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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