(57)【要約】【課題】  コンピュータ断層撮影（ＣＴ）イメージングシステムのような電界エミッタアレイ・システムのためのエミッタアレイ構成を提供する。【解決手段】  電界エミッタアレイ・システム（１０）は、ハウジング（５０）を含む。エミッタアレイ（８０）は、電子ビームを発生し、またハウジング（５０）内部に配置された複数エミッタ素子（８１）を有する。各エミッタ素子は、複数活性化結線（９２）を有する。【選択図】      図５Ａ
2005222950.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空ハウジング（５０）と、
少なくとも１つの電子ビームを発生しかつ前記真空ハウジング（５０）内部に配置された複数のエミッタ素子（８１）を有する少なくとも１つのエミッタアレイ（８０）と、を含み、
前記複数のエミッタ素子（８１）内のエミッタ素子の各々が、複数の活性化結線（９２）を有する、
Ｘ線源。
【請求項２】
前記複数のエミッタ素子（８１）の少なくとも１つのエミッタ素子が、該少なくとも１つのエミッタ素子に関連する前記複数の活性化結線（９２）の各活性化結線から活性化信号を受けた時に、活性化される、請求項１記載のＸ線源。
【請求項３】
少なくとも１つのエミッタアレイ・ブロック（５９）をさらに含み、前記少なくとも１つのエミッタアレイが、前記少なくとも１つのエミッタアレイ・ブロック（５９）内部に配置されている、請求項１記載のＸ線源。
【請求項４】
前記少なくとも１つのエミッタアレイ・ブロック（５９）が、少なくとも１つのアドレス線（１３２）を含む、請求項１記載のＸ線源。
【請求項５】
前記複数のエミッタ素子（８１）の少なくとも１つのエミッタ素子が、前記少なくとも１つのブロック（５９）がアドレス指定されかつ該少なくとも１つのエミッタ素子に関連する前記複数の活性化結線（９２）の各活性化結線から活性化信号を受けた時に、活性化される、請求項１記載のＸ線源。
【請求項６】
前記少なくとも１つのエミッタアレイ・ブロック（５９）が、直列に連結された複数のエミッタアレイ・ブロックを含む、請求項１記載のＸ線源。
【請求項７】
前記複数のエミッタ素子（８１）と前記複数の活性化結線（９２）との間に連結された複数のＡＮＤゲート（１２０）をさらに含み、前記複数のＡＮＤゲート（１２０）が、前記複数のエミッタ素子（８１）を活性化させる、請求項１記載のＸ線源。
【請求項８】
前記複数のエミッタ素子（８１）が、複数の焦点制御結線（９６）を有する、請求項１記載のＸ線源。
【請求項９】
前記複数のエミッタ素子（８１）が、２次元活性化スキーム及び１次元物理的構成を有する、請求項１記載のＸ線源。
【請求項１０】
前記複数のエミッタ素子（８１）が、３次元活性化スキーム及び１次元物理的構成を有する、請求項１記載のＸ線源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、総括的にはコンピュータ断層撮影（ＣＴ）イメージングシステムのような電界エミッタアレイ及び電界エミッタアレイ・システムに関する。より具体的には、本発明は、電界エミッタアレイ・システムのためのエミッタアレイ構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＴイメージングシステムは、一般的に様々な速度で回転して２次元（２Ｄ）及び３次元（３Ｄ）イメージを作り出すガントリを含む。ガントリは、陰極と陽極との間の真空間隙を横断してＸ線を発生させるＸ線管のようなＸ線源を含む。Ｘ線源は、扇形ビームを投射し、この扇形ビームは、一般に「イメージング平面」と呼ばれるデカルト座標系のＸ−Ｙ平面内に位置するようにコリメートされる。Ｘ線ビームは、イメージ化される患者などの被検体を透過する。ビームは、被検体によって減弱された後に放射線検出器アレイ上に入射する。アレイの各検出素子は、検出器位置におけるビーム減弱度の測定値である個別の電気信号を生成する。全ての検出器からの減弱度測定値は、個別に収集されて透過プロフィールが生成される。
【０００３】
そのことによる複雑さ及びコストのために、回転ガントリがない状態でＸ線システムを利用することに対する要望がある。回転Ｘ線源を必要としない１つのシステムは、Ｘ線を発生するために電子銃とリング状ターゲットとを組み込んだ大型の真空チャンバの使用を含む。電子ビームは、患者から数フィート離れた銃から射出され、ターゲット材料に向かって湾曲通路を進み、ターゲット材料上に衝突してＸ線を発生する。単一の極めて高出力の電子ビームが、患者を囲む円又はリングを一掃して、「スキャン」作用を行う。このようなシステムは、ビームを正確に導くために、電子ビーム軌道及び複雑なビーム転向システムを囲む大型の真空システムを必要とする。
【０００４】
回転ガントリを必要としない別のシステムは、普通、静止ＣＴ（ＳＣＴ）システムと呼ばれる。ＳＣＴシステムは、スキャニングシステムの複雑さを軽減したＸ線源を備え、回転Ｘ線源を必要としない。しかしながら、高電圧高出力Ｘ線管の複雑さは、一般的に真空エンクロージャとその中に封入された材料の表面及びボリュームの注意深い調製に起因するが、ＳＣＴシステムの複雑さはさらに、エミッタアレイの多数のエミッタ素子に関連する活性化線及び結線の数にも起因する可能性がある。
【０００５】
ＳＣＴシステムは、Ｘ線の発生において数百から数千の電子エミッタを利用する場合がある。エミッタ素子の各々は、関連するバイアス又は活性化線によって適切な時間間隔で順次にアドレス指定される。多数のエミッタ素子に起因して、同様に多量の関連する活性化線及び結線が存在することになる。多数の活性化線は、Ｘ線源の真空チャンバを貫通し通過してエミッタ素子に接続される必要があり、従って多数の真空継手を必要とする。
【０００６】
あらゆる貫通接続装置に関連して避けがたい漏洩率がある。この漏洩率は、能動的及び受動的の両方でポンプを使用することによって補われて、ガス圧力が電子源性能にとって有害な値にまで上昇しないようになっている。
【特許文献１】米国特許第６３８５２９２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そのような多数の真空継手を利用することの複雑さ及び低い信頼性のため、またＳＣＴシステムの複雑さを軽減する要望により、エミッタ素子を制御する改良したシステム及び方法の対する必要性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ハウジングを含む電界エミッタアレイ・システムを提供する。エミッタアレイは、電子ビームを発生し、またハウジング内部に設置された複数エミッタ素子を有する。各エミッタ素子は、複数活性化結線を有する。
【０００９】
本発明の実施形態は、いくつかの利点をもたらす。１つのそのような利点は、その中の各エミッタ素子が複数活性化結線を持つエミッタアレイを有するＸ線源の提供である。そうする際に、記載した実施形態は、エミッタアレイに対する活性化制御線の数、従って大気からＸ線源の真空内への貫通部の数を最小化する。活性化線及び貫通部の数を削減することにより、Ｘ線源の複雑さ及び製造コストが低減される。
【００１０】
本発明の実施形態によって得られる別の利点は、２次元及び３次元活性化スキームの１次元物理的構成へのマッピングの提供である。これによって、最小限の活性化制御線を有する円弧形エミッタアレイの形成が可能となる。
【００１１】
本発明の実施形態によって得られるさらに別の利点は、その各々が関連するアドレス線を持つ複数エミッタアレイ・ブロックを有するＸ線源の提供である。このことは、Ｘ線源の貫通部の数をさらに最小化する。
【００１２】
付随する利点と共に本発明自体が、添付の図と関連させて以下の詳細な説明を参照することによって、最も良く理解されるであろう。
【００１３】
本発明をより完全に理解するためには、本発明の実例として添付の図により詳細に示しかつ以下に説明した実施形態を参照されたい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下の図では、同一の参照符号を使用して、同一の構成要素を説明することにする。本発明は、静止コンピュータ断層撮影（ＳＣＴ）システム内部で利用するＸ線源エミッタアレイ構成に関して説明するが、本発明は、エミッタアレイを利用する回転ガントリ及び他のＸ線システムを有するＣＴシステムを含む様々なシステムに適合させかつ使用することができる。本発明はまた、電界エミッタアレイを含むフラットパネル・ディスプレイ及び他のシステムにも適用可能である。
【００１５】
以下の説明では、１つの構成した実施形態について、様々な作動パラメータ及び構成要素を説明する。これらの特定のパラメータ及び構成要素は、実例として示すものであって、限定することを意味するものではない。
【００１６】
図１〜図４の実施形態は以下に静止ガントリに関して説明するが、本発明は、回転ガントリに適用することもできる。例えば、ガントリは、逐次的に活性化（起動）されるエミッタ素子を備えたＸ線源を利用しながら、低速度で回転させることができる。
【００１７】
次に図１及び図２を参照すると、本発明の実施形態による電界エミッタアレイ・システム、すなわちより具体的にはＳＣＴイメージングシステム１０の斜視図及びブロック線図を示す。本ＳＣＴシステム１０は、ガントリ１２を含み、ガントリ１２は、患者用ボリューム２１内部でＸ線ビーム１８を検出器アレイ２０に向けて投射する複数Ｘ線源１４を有する。各検出器アレイ２０は、検出素子のアレイ（図示せず）を含み、検出素子は、入射Ｘ線ビーム１８の強度、従ってＸ線ビームが患者２３又は被検体２４を通過した時のＸ線ビーム１８の減弱度に対応した電気信号を生成する。Ｘ線源１４は、検出器アレイ２０から長手方向にオフセットされるか又は該Ｘ線源間で干渉がないようにして活性化されることができる。その各々が半円形又はアーチ形を有する３つのＸ線源を示しているが、任意の数のＸ線源を使用することができる。Ｘ線源は様々な寸法及び形状を有することができる。
【００１８】
Ｘ線源１４の作動は、ＳＣＴシステム１０の制御機構２６によって制御される。制御機構２６は、Ｘ線源１４に電力及びタイミング信号を与えるＸ線制御装置２８を含む。Ｘ線制御装置２８は、カウンタ２９を含む。カウンタ２９は、増分装置として使用することができ、或いは乱数発生器の形態とすることができる。カウンタ２９は、図８の実施形態に関してさらに説明する。制御機構２６内のデータ収集システム（ＤＡＳ）３２は、検出器アレイ２０からのアナログデータをサンプリングし、そのデータを後続処理のためにディジタル信号に変換する。イメージ再構成装置３４は、サンプリングされかつディジタル化されたＸ線データをＤＡＳ３２から受け、高速イメージ再構成を実行する。再構成したイメージは、コンピュータ３６に入力として加えられ、コンピュータ３６はイメージを大容量記憶装置３８内に格納する。
【００１９】
コンピュータ３６はまた、ユーザ・インタフェース又はグラフィカル・ユーザ・インタフェース（ＧＵＩ）を介して信号を受けかつ提供する。具体的には、コンピュータ３６は、オペレータ・コンソール４０から命令及びスキャン・パラメータを受ける。ビデオ・ディスプレイ４２は、オペレータが、コンピュータ３６からの再構成イメージ及び他のデータを観察するのを可能にする。オペレータが与えた命令及びパラメータは、コンピュータ３６によって使用されて、Ｘ線制御装置２８、ＤＡＳ３２及びテーブル移動制御装置４４に制御信号及び情報を与える。テーブル移動制御装置４４は、テーブル４６の作動を制御する。
【００２０】
次に図３及び図４を参照すると、本発明の実施形態による、固体Ｘ線源又はＸ線管１４’の前面長手方向断面図及び側面断面図を示す。Ｘ線管１４’は、その中に真空を形成するようにシールされたハウジング５０を有する。ハウジング５０は、アルミナのような絶縁材料で形成可能な支持フレーム５２を有する。
【００２１】
ハウジング５０は、支持部分５４と冷却ブロック部分５６とを有する。支持部分５４は、高電圧エポキシ化合物のような様々な化合物で形成することができる。冷却ブロック部分５６は、熱的かつ電気的導体である。冷却ブロック部分５６は、銅のような導体材料で形成することができる。
【００２２】
支持部分５４は、全体として細長い半管状の形状である。図示するように、支持部分５４は、ｕ字形である。支持部分５４は、電子を発生させるために１つ又はそれ以上のエミッタアレイ・ブロック５９（１つのみを図示する）内部に１つ又はそれ以上の陰極５８（１つのみを図示する）を位置決めするために使用される。陰極５８は、アレイ・ブロック５９内部に連結され、支持部分５４と一体成形された陰極支持部分６０によって支持される。陰極５８とアレイ・ブロック５９とは、単一のユニットとして一体に形成することができ或いは図示するように個別のユニットとすることもできる。１つ以上の陰極と１つ以上のアレイ・ブロックとを利用する場合には、アレイ・ブロックは、患者用ボリューム２１の周りにアーチを形成するように、直列に連結することができる。
【００２３】
冷却ブロック部分５６は、それを貫通して延びる細長い通路６４又はビーム開口を有する。細長い通路６４は、その中に配置されたＸ線透過窓６６を有する。Ｘ線透過窓６６は、グラファイトと同種のカーボン系材料のような熱的かつ電気的導体で形成される。ベリリウム又はアルミニウムのような当業者には公知の他の適切な材料を使用することができる。
【００２４】
陽極６８は、Ｘ線透過窓６６に隣接して直接かつ作動可能に形成される。陽極６８は、箔で形成したもののような薄い金属層６８で形成することができる。薄膜陽極６８は、タングステン又はウランのような高原子量材料で形成することができる。陽極６８は、窓６６上に直接被着させた薄膜として形成することができる。陽極６８は、その冷却のために冷却ブロック部分５６に熱的に結合される。陽極６８はまた、タングステン又はタングステン合金の比較的薄い層で形成することができる。
【００２５】
冷却ブロック部分５６は、それを貫通して延びる複数冷却管７０を有する。冷却管７０を通して冷却流体又は空気を循環させて、冷却ブロック部分５６の温度及び最終的には陽極６８の温度を低下させることができる。
【００２６】
支持部分５４及び冷却ブロック部分５６は、その中に真空チャンバ７４を形成する。真空チャンバ７４は、支持部分５４及び冷却ブロック部分５６のほぼ全長に沿って延びる。
【００２７】
陰極５８は、該陰極５８に連結された複数のゲート結線７６を有する。ゲート結線７６は、陰極５８の「オン」及び「オフ」の切り替えを制御する。高電圧入力７８は、陰極５８に連結されて、電子の発生に必要な電位を供給する。ゲート結線７６及び高電圧入力７８の両方は、支持部分５４を貫通して形成することができる。
【００２８】
陰極５８は、複数エミッタ素子８１を有する細長いエミッタアレイ８０から形成するのが好ましい。様々な形式のミッタ素子を使用することができる。例えば、強誘電性エミッタを使用して、陽極６８上に衝突する小さい比較的細幅ビームの形態で電子ビーム放射を発生させることができる。使用可能な別の形式の陰極は、薄膜放射陰極である。光電子エミッタもまた、陰極５８として使用することができる。例えば、光電子エミッタは、小型レーザダイオードアレイの形態とすることができる。エミッタ８１をラスタ走査することによって十分な出力及び適切な波長のレーザビームがエミッタを「アドレス指定する」順序に従って、放出が起こる。
【００２９】
エミッタ素子８１は、電子ビーム８２（素子８４に対して１つのみを示しかつ説明する）を形成するように、選択的にオンとオフとに切り替えられることができる。エミッタ素子８１は、ビーム８２がスキャン方式で陰極５８全体にわたって逐次的に発生するのを効果的に可能とするように逐次的に活性化されるか、又は非逐次的に活性化されることができる。エミッタ素子８１を任意に又は不規則に活性化させて、画質を改善することができる。電子は、エミッタ素子８１から放出されて、陽極６８に向かって導かれる。電子が陽極６８上に衝突すると、窓６６を通してＸ線が放出される。冷却ブロック５６内に吸収された熱エネルギーは、冷却通路７０を通して除去される。
【００３０】
次に図５Ａを参照すると、本発明の実施形態による、複数エミッタ素子８１’に対する活性化スキームの２次元線図を示す。実例の目的として、３ｘ３アレイ８８を示す。アレイ８８は、Ｘ、Ｙ及びＺで示す３つの行と、Ａ、Ｂ及びＣで示す３つの列とを有する。素子８１’は、素子８１’間で共有した６つの活性化制御線９０によって活性化されるか又はアドレス指定される。各素子８１’はまた、２つの関連する活性化結線９２を有することに注目されたい。各素子８１’はまた、１つは行Ｘ〜Ｚから、また１つは列Ａ〜Ｃからの２つの関連する活性化線９０を有する。従って、Ｎ行及びＮ列或いはＮ２個の素子を有するこのコンフィギュレーション（構成）でのエミッタアレイの場合には、２Ｎ個の活性化線がある。別の実例の場合には、この構成での９００個のエミッタアレイは、６０個の活性化線を利用することになる。活性化線９２は、６０個の真空貫通線として考えることができる。
【００３１】
次に図５Ｂを参照すると、本発明の実施形態による、エミッタ素子８１’の２次元マッッピングの１次元線図を示す。２次元アレイ８８は、図示するように、１次元アレイ９４にマッピングすることができる。素子８１’は、該素子８１’が逐次的に線形で活性化されるように１つの行に配列される。
【００３２】
次に図５Ｃを参照すると、本発明の実施形態による、図５Ａに示した２次元スキームに対し使用できるサンプルエミッタ素子の概略線図を示す。実例として、２つのエミッタ素子８１’’を示す。エミッタ素子８１’’は、活性化線９０を有する。１対の共通の焦点調整線９６も示しており、焦点調整線９６は、各素子８１’’に連結することができる。焦点調整線９６を使用して、各素子８１’’の焦点の幅と長さとを制御する。第１の焦点調整線９８は、焦点長さを制御するのに使用され、第２の焦点調整線１００は、焦点幅を制御するのに使用される。
【００３３】
次に図６Ａを参照すると、本発明の別の実施形態による、複数エミッタ素子１０８に対する活性化スキームの３次元線図を示す。３次元エミッタアレイ１１０を示している。３次元アレイ１１０は、その各々がＵ〜Ｚ及びＡ〜Ｆで示した３つの行と３つの列とを有する１対の２次元アレイ１１２を含む。行Ｕ〜Ｚ及び列Ａ〜Ｆは、素子１０８間で共有した２１個の活性化制御線１１４によって活性化される。各素子１０８は３つの関連する活性化結線１１６を有することに、注目されたい。各素子１０８はまた、１つは行Ｕ〜Ｚから、１つは列Ａ〜Ｆから、また１つは線１〜９からの３つの関連する活性化線１１４を有する。従って、Ｎ３個の素子を有するこの構成でのエミッタアレイの場合には、３Ｎ個の活性化線がある。別の実例の場合には、１０００個のエミッタ素子を有するこの構成でのエミッタアレイは、３０個の活性化線を利用することになる。３Ｄから１Ｄへのマッピングは、図５Ｂに示すマッピングと同様な、従って素子１０８が単一行に配列されたアレイ１１０に対して行うことができる。
【００３４】
次に図６Ｂを参照すると、本発明の別の実施形態による、エミッタ素子８１’及び１０８と置き換えた状態で利用できるサンプルエミッタ素子回路１１８の概略図を示す。エミッタ回路１１８は、図６Ａの構成に関して示す。エミッタ回路１１８は、ＡＮＤゲート１２０とエミッタ１２２とを含む。ＡＮＤゲート１２０は３つの入力１２４を有するように示しているが、ＡＮＤゲート１２０は、任意の数の入力を有することができる。３つの入力１２４全てが「ＨＩＧＨ(高水準)」である時に、出力１２６は、ＨＩＧＨであり、次にエミッタ１２２を活性化させる。エミッタ１２２はまた、一対の焦点制御線１２８とアドレス線１３０とを有することができる。アドレス線１３０は、ＡＮＤゲート１２０に入力として連結されるか又は図示するようにエミッタ１２２に直接連結されることができる。アドレス線１３０は、複数エミッタアレイ素子ブロックを利用する場合に利用可能であり、これについては図７の実施形態に関して以下にさらに詳しく説明する。
【００３５】
図５Ａ〜図５Ｃの２次元スキームの場合には、エミッタ素子８１’は、ダイオードの形態とし、２つの結線９２に対応する２つの脚部を有することができる。図６Ａの３次元スキームの場合には、エミッタ素子１０８は、３入力ＡＮＤゲート又はそれと類似ものを形成するように構成されたトランジスタの形態とし、３つの結線１１６に対応した３つの脚部を有することができる。もちろん、当技術分野では公知の様々な他のエミッタ素子を利用することができる。エミッタ素子８１’及び１０８は、電界エミッタ、カーボン・ナノチューブエミッタ、ディスペンサ陰極又は当技術分野で公知の他のエミッタの形態とすることができる。
【００３６】
次に図７を参照すると、本発明の別の実施形態による、２次元スキームに対する一連のエミッタアレイ・ブロック５９’を図示した概略ブロック線図を示す。各エミッタアレイ・ブロック５９’は、一連のエミッタ素子８１’’’を含む。各ブロック５９’は、アドレス線１３２によって活性化される。各エミッタ素子８１’’’は、関連するブロックがアドレス指定された時に、結線９２’を介して活性化される。結線９２’は、ブロック５９’間で共有される。エミッタ素子８１’’’は、図５Ａのエミッタ素子８１’と同様に、同じ数の活性化すなわちアドレス線を有する。同様な構成は、３次元スキームに対しても形成することができる。
【００３７】
次に図８を参照すると、本発明の別の実施形態による静止ＣＴシステムのＸ線源のエミッタ素子を活性化させる方法を示す。以下の段階は図５Ａ及び図６Ａの実施形態に関して説明するが、それらは、本発明の他の実施形態に関して容易に変更可能である。
【００３８】
ステップ２００で、カウンタ２９が、初期化されてゼロ値を有するように設定される。ステップ２０２で、カウンタ２９の値に対応してエミッタ素子８１の１つのようなエミッタ素子が活性化される。制御装置２８は活性化信号を発生し、エミッタ素子が、線９０及び１１４並びに結線９２及び１１６のような関連するエミッタ素子活性化線及びエミッタ素子結線を介してこの活性化信号を受ける。ステップ２０２Ａで、列Ａに沿った素子のような第１の一連のエミッタ素子が、第１の活性化信号を受ける。ステップ２０２Ｂで、行Ｗに沿った素子のような第２の一連のエミッタ素子が、第２の活性化信号を受ける。一連のエミッタアレイ・ブロックを利用する場合には、関心のあるエミッタ素子を有するブロックが、アドレス指定される。ステップ２０２Ｃで、３次元スキームを利用する場合には、線７に沿った素子のような第３の一連のエミッタ素子が、第３の活性化信号を受けることができる。
【００３９】
ステップ２０４で、活性化されたエミッタ素子から電子が放出される。ステップ２０６で、カウンタ２９の値が変更される。カウンタ２９は、図８に示すように、ある値づつ増加させてもよいし、或いは次に活性化されるエミッタ素子が現在のエミッタ素子と異なるように単に変更してもよい。制御装置２８は、ステップ２０６が完了した時点でステップ２０２に戻る。
【００４０】
本発明は、ＳＣＴシステム内部で利用可能なＸ線源のための複数エミッタ素子アレイ構成を提供する。本発明は、ＳＣＴシステム内部でエミッタ素子を作動させるのに必要な貫通部の数を最小化する。そうする際に、本発明は、Ｘ線源の複雑さを軽減し、短期間及び長期間にわたるＸ線源の安定性を含むＸ線源の稼動寿命及び信頼性を増大させる。また、貫通部の数がより少ないことにより、Ｘ線源の真空漏洩が最小化される。本発明はまた、所定の適用分野に対して利用可能なエミッタ素子の選択における柔軟性を増大させる。
【００４１】
本発明を１つ又はそれ以上の実施形態に関連して説明してきたが、説明した特定の機構及び技術的方法は、単に本発明の原理を説明するためのものであり、特許請求の範囲によって定まる本発明の技術思想及び技術的範囲から逸脱することなく、説明した方法及び装置に対して多くの変更を加えることができることを理解されたい。また、図面の符号に対応する特許請求の範囲中の符号は、単に本願発明の理解をより容易にするために用いられているものであり、本願発明の範囲を狭める意図で用いられたものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施形態による静止ＣＴイメージングシステムの斜視図。
【図２】本発明の実施形態による静止ＣＴイメージングシステムのブロック線図。
【図３】本発明の実施形態による固体Ｘ線管の前面長手方向断面図。
【図４】本発明の実施形態による固体Ｘ線管の側面断面図。
【図５Ａ】本発明の実施形態による、複数エミッタ素子に対する活性化スキームの２次元線図。
【図５Ｂ】本発明の実施形態による、図５Ａに示すエミッタ素子の２次元マッピングの１次元線図。
【図５Ｃ】本発明の実施形態によるサンプルエミッタ素子の概略線図。
【図６Ａ】本発明の別の実施形態による、複数エミッタ素子に対する活性化スキームの３次元線図。
【図６Ｂ】本発明の別の実施形態によるサンプルエミッタ素子回路の概略線図。
【図７】本発明の別の実施形態による２次元スキームに対する一連のエミッタアレイ・ブロックを示す概略ブロック線図。
【図８】本発明の別の実施形態による、静止ＣＴシステムのＸ線源のエミッタ素子を活性化させる方法を示す図。
【符号の説明】
【００４３】
１４  Ｘ線源
５０  ハウジン
５８  陰極
５９、５９’  エミッタアレイ・ブロック
６８  陽極
７４  真空チャンバ
８０  エミッタアレイ
８１、８１’、８１’’、８１’’’、１０８  エミッタ素子
９０、１１４  活性化制御線
９２、９２’  活性化結線
９６  焦点制御結線
１２０  ＡＮＤゲート
１３２  アドレス線
【図１】
2005222950.tif 000003
【図２】
2005222950.tif 000004
【図３】
2005222950.tif 000005
【図４】
2005222950.tif 000006
【図５Ａ】
2005222950.tif 000007
【図５Ｂ】
2005222950.tif 000008
【図５Ｃ】
2005222950.tif 000009
【図６Ａ】
2005222950.tif 000010
【図６Ｂ】
2005222950.tif 000011
【図７】
2005222950.tif 000012
【図８】
2005222950.tif 000013