(57)【要約】      （修正有）【課題】端面電極を有するチップ部品とするには、端面電極を形成するための分割線上に配置する非貫通導通穴の内部に封止樹脂が侵入しないように樹脂の侵入を阻止する封止部材を設けなければならない。特に、トランスファモ−ルド法の熱や圧力に耐えうる封止部材を設け接続信頼性の高い小形・高密度の端面電極とする。【解決手段】複数の分割切断線上に端面電極とする非貫通導通穴７を配置する配線基板１において、この非貫通導通穴の穴内には樹脂の侵入を阻止する部材６が充填され、該非貫通導通穴の阻止部材の上端は配線基板の部品搭載面の上部外層導体と略同一面で、この阻止部材の下端は配線基板の下面から略均一な深さで陥没してなる非貫通導通穴を有する配線基板。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の分割切断線上に端面電極とする非貫通導通穴を配置する配線基板において、この非貫通導通穴の穴内には樹脂の侵入を阻止する部材が充填され、該非貫通導通穴の阻止部材の上端は配線基板の部品搭載面の上部外層導体と略同一面で、この阻止部材の下端は配線基板の下面から略均一な深さで陥没してなる非貫通導通穴を有する配線基板。
【請求項２】
複数の分割切断線上に端面電極とする非貫通導通穴を配置する配線基板において、この非貫通導通穴の穴内と上方部に樹脂の侵入を阻止する阻止部材が存在し、この阻止部材の断面形状はＴの字で、この封止部材の下端は配線基板の下面から略均一な深さで陥没してなる非貫通導通穴を有する配線基板。
【請求項３】
上記の請求項１の配線基板において、前記配線基板の非貫通導通穴の封止部材の上端面と、この陥没してなる封止部材の下端面とに、金属導体を形成することを特徴とする非貫通導通穴を有する配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、端面電極を形成する配線基板に関するもので、特に端面電極を形成する非貫通導通穴を有するベ−ス配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来は配線基板に端面電極を形成する場合、プリント配線板の外形側面の近傍に一直線上に貫通導通穴（一般的に、めっきスルーホールと呼ぶ）を設け、配線基板の上下面の導体パタ−ンを電気的に接続する貫通導通穴のほぼ中心線上で分割切断して分割した貫通導通穴の内部が外部に露呈した端面電極を形成する。
配線基板に電子部品素子を実装し、その後配線基板の配線パタ−ンや電子部品素子を樹脂モ−ルドして樹脂封止をし端面電極を有するモ−ルドチップ部品とするには、貫通導通穴の内部に封止樹脂が侵入しないように貫通導通穴の上面側に樹脂の侵入を阻止する部材、つまり封止樹脂が侵入しないように阻止部材（フィルム、テ−プ、基材など）を設けなければならない。
【０００３】
その一例として、特開平１１−２５１７０４号公報に開示されている端面電極用の配線基板がある。
これは、貫通導通穴の上面側に樹脂の侵入を阻止する部材にフィルム、テ−プなどの絶縁膜を使用するものである。
貫通導通穴の上面を塞ぐ部材が絶縁テ−プ、フィルム状などの絶縁性の膜状体は通常薄い絶縁性被膜であるため、実装した電子部品素子を樹脂で封止する圧力が高くなると、この圧力によって絶縁性被膜が陥没したり、破けたり、貫通スルーホールの内部に封止樹脂が侵入する。
この薄い絶縁性被膜は、機械的強度が不足し、樹脂で封止する熱や圧力が高いトランスファモ−ルド法では、高い圧力と熱によって非貫通導通穴の薄い被膜が陥没したり、破損する。
【０００４】
また、特開平１０−０６５２９８号公報の端面スルーホール配線板では、端面スルーホールの端縁部を導体のみで閉鎖した非貫通導通穴が開示されている。
この非貫通導通穴を閉鎖する導体は通常薄い被膜であるため、機械的な抗張力が不足し、樹脂で封止する温度や圧力が高いトランスファモ−ルド法では、高い圧力と熱によって非貫通導通穴の薄い被膜が陥没したり、破損する。
【特許文献１】特開平１１−２５１７０４号公報。
【特許文献２】特開平１０−０６５２９８号公報。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
配線基板に電子部品素子や電子部品を実装し、その後実装した電子部品素子や電子部品を樹脂封止して端面電極を有するモ−ルドチップ部品とするには、配線基板に設けた貫通導通穴の内部に封止樹脂が侵入しないように貫通導通穴の上面側に樹脂の侵入を阻止する阻止部材（絶縁テ−プ、フィルム状、シ−ト状などの阻止部材）を設けなければならない。
上記の阻止部材を配線基板に張り合わせる為、高密度化や端面電極の接続信頼性が低下していた。
【０００６】
特に、最近ではモ−ルドチップ部品の小型、薄型高密度化と同時に端面電極の高い電気的接続信頼性及びはんだ接続信頼性が要求されている。
本発明は、トランスファモ−ルド法の高温の熱や高い圧力に耐えうる封止樹脂の侵入を阻止する阻止部材を貫通導通穴の穴内の上部と穴外の上方部に形成した非貫通導通穴を分割切断線で切断することにより非貫通導通穴の穴内の下部に端面電極を形成するための配線基板、およびモ−ルド樹脂チップ部品を高品質と高い接続信頼性で大量生産するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、複数の分割切断線上に端面電極とする非貫通導通穴を配置する配線基板において、この非貫通導通穴の穴内には樹脂の侵入を阻止する部材が充填され、該非貫通導通穴の阻止部材の上端は配線基板の部品搭載面の上部外層導体と略同一面で、この阻止部材の下端は配線基板の下面から略均一な深さで陥没してなる非貫通導通穴を有する配線基板とし、前記の非貫通導通穴の分割切断線で切断することにより端面電極を形成するものである。
また、配線基板の下面に陥没してなる非貫通導通穴の阻止部材の下端から配線基板の下面までの非貫通導通穴の内周面は半田付け性が良好な金属導体が露呈している。
【０００８】
請求項２の発明は、複数の分割切断線上に端面電極とする非貫通導通穴を配置する配線基板において、この非貫通導通穴の穴内と上方部に樹脂の侵入を阻止する阻止部材が存在し、この阻止部材の断面形状はＴの字で、この封止部材の下端は配線基板の下面から略均一な深さで陥没してなる非貫通導通穴を有する配線基板とし、前記の非貫通導通穴の分割切断線で切断することにより端面電極を形成するための配線基板とする。
また、配線基板の下面に陥没してなる非貫通導通穴の阻止部材の下端から配線基板の下面までの非貫通導通穴内に露呈している内周面は半田付け性が良好な金属導体となっている。
【０００９】
また、請求項３の発明は、上記の請求項１の配線基板において、前記配線基板の非貫通導通穴の封止部材の上端面に部品搭載面の上部外層導体と電気的に接続する金属導体と、この陥没してなる非貫通導通穴の阻止部材の下端面に配線基板の下部外層導体と電気的に接続する金属導体と、を形成する非貫通導通穴を有する配線基板とするものである。
【００１０】
なお、前記請求項１〜３の配線基板において、前記配線基板の非貫通導通穴を分割切断する前に、配線基板に電子部品素子や電子部品を実装し、配線基板の上方部と電子部品素子や電子部品を樹脂封止した後、該非貫通導通穴の分割切断線で切断して端面電極を形成した配線基板やチップ部品とすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１の発明は配線基板の貫通導通穴に充填する封止樹脂の侵入を阻止する阻止部材は高耐熱性であり、阻止部材の上端は配線基板の部品搭載面の上部外層導体と略同一面で、阻止部材（穴埋め樹脂）の下端は貫通導通穴の下面から均一な安定した深さで陥没してなる阻止部材を樹脂の侵入阻止部材とした非貫通導通穴であるからトランスファモ−ルド法の高温・高圧に耐えうる樹脂の侵入阻止部材を備えた接続信頼性の高い高密度の端面電極が形成できる。
また、阻止部材（穴埋め樹脂）の上端は配線基板の部品搭載面の上部外層導体の上面に形成されないから薄型のチップ部品用の端面電極とすることが出来る。つまり封止樹脂の侵入を阻止する阻止部材を貫通導通穴の穴内の一部に形成した非貫通導通穴であるから配線基板の上面に阻止部材が存在せず小型で薄型高密度のモ−ルド樹脂チップ部品を形成できる配線基板を供給できる。
【００１２】
請求項２の発明は、上記の請求項１の発明の効果の他に、部品搭載面の非貫通導通穴の上面に位置する絶縁性の膜状体とで閉鎖されている非貫通導通穴を端面電極とするものであるから非貫通導通穴の上面に位置する絶縁性の膜状体が鍔（ツバ）状の厚みのフタとなり、つまり非貫通導通穴の穴内と上方部に樹脂の侵入を阻止する阻止部材の断面形状はＴの字で非貫通導通穴内の阻止部材の抜け防止となるから、さらに安定した接続信頼性の高い端面電極が形成できる。封止樹脂の侵入を阻止する阻止部材を貫通導通穴の穴内の上面側一部に穴埋め阻止部材と上方部に絶縁性の薄い膜状体を阻止部材として形成した非貫通導通穴であるから配線基板の上面には阻止部材が厚く存在せず小型で薄型高密度のモ−ルド樹脂チップ部品をトランスファモ−ルド法で形成できる配線基板を供給できる。
【００１３】
請求項３の発明は、モ−ルドチップ部品の薄型高密度化、高い電気的接続信頼性及び高いはんだ接続信頼性が可能な高品質の端面電極が形成できる非貫通導通穴を有する配線基板を供給できる。
つまりトランスファモ−ルド法の樹脂封止の高温・高圧である樹脂の侵入を阻止する阻止部材の上端面と、この陥没してなる非貫通導通穴の阻止部材の下端面とに、金属導体を形成した非貫通導通穴を備えている。  従って、阻止部材の両端面に金属導体を形成するものであるから樹脂封止の高温・高圧に十分耐えられ、かつ小型で薄型高密度のモ−ルド樹脂チップ部品をトランスファモ−ルド法で形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
端面電極を形成する非貫通導通穴を有する配線基板において、この端面電極とする非貫通導通穴は丸穴に限定するものではなく長穴や角穴でも良く、次の特徴を備えている。（イ）配線基板の部品搭載面の上部外層導体と下面外層導体とを電気的に接続する。（ロ）トランスファモ−ルド法の樹脂封止の高温・高圧である封止樹脂の侵入を完全に阻止する阻止部材を備えている。（ハ）電気的接続信頼性及びはんだ接続信頼性が高い外部接続用の端面電極の構造である。（ニ）配線基板の下面に陥没してなる非貫通導通穴の阻止部材の下端面から配線基板の下面までの非貫通導通穴の内周面は半田付け性が良好な金属導体を備えている。
【実施例１】
【００１５】
図１は、本発明の実施例１の非貫通導通穴を有する配線基板の断面図である。
以下、図１を参照してアディティブ法で説明する。
まず、乳液状の接着剤が塗布された絶縁基材２の所定の箇所にＮＣドリリングマシンにより、穴明け加工を施して貫通穴とする。次にこの多数の貫通穴と絶縁基材２の両面の所定の箇所に銅めっきをし、所定の形状のパタ−ンである銅めっき導体４と貫通導通穴（スル−ホ−ル）を形成する。
配線基板１の貫通導通穴に充填する封止樹脂の侵入を阻止する阻止部材６はトランスファモ−ルド法の高熱や高圧力に対応できる高耐熱性のエポキシ樹脂系、メラニン系、アクリル樹脂系などの穴埋め樹脂や液状レジスト樹脂とする。
また、デップ法、ロ−ラ−法、スプレ−法、カ−テンコ−ト法、印刷法などで穴埋め樹脂や液状レジスト樹脂の塗布膜を形成して阻止部材６を貫通導通穴内に充填して非貫通導通穴７とする。それから阻止部材６を半硬化し、非貫通導通穴７の阻止部材６の上端面が平坦となるように研磨する。
【００１６】
次に、配線基板１の部品搭載面のみ所定の箇所に所定の形状で片面露光をし、現像、ポストキュアをして部品搭載面はトランスファモ−ルド法の樹脂の高い封止圧力に対応できるようにする。さらに部品搭載面の内部側の貫通導通穴内と貫通導通穴の上端面と下端面にめっき導体４を形成し阻止部材６が充填された形状である非貫通導通穴７を形成した。
部品搭載面の内部側の非貫通導通穴７内に不規則な凹面状態に穴埋めされている穴埋め阻止部材６を配線基板１の下面側から炭酸ガスレーザー加工により配線基板１の下面から阻止部材６の下端面までの深さが略均一な深さ（ｔ）となるようにし、深さ（ｔ）が板厚の１／３〜１／７として阻止部材６をほぼ均等の厚みとなるように余分の穴埋め樹脂を除去し、非貫通導通穴７の阻止部材６の下端面の底面が平坦となるように形成する。
【００１７】
この炭酸ガスレーザー加工の後、必要に応じてＮｉめっき−金めっき（Ａｕ）、Ｎｉめっき−銀めっき（Ａｇ）処理をする。
この穴埋め樹脂の下端面は非貫通導通穴の下面から均一な深さで陥没してなる穴埋め阻止部材６で閉鎖されている非貫通導通穴を有する配線基板１である。
次にこの配線基板１の部品搭載面に電子部品素子や電子部品を実装した後、該非貫通導通穴の分割切断線１８上で端面電極用の非貫通導通穴７のほぼ中心線上で分割切断（ダイシングカット）してを端面電極を形成するものである。
【００１８】
また、配線基板１の貫通導通穴（スル−ホ−ル）に充填した穴埋め阻止部材６で閉鎖されている非貫通導通穴の上端は平坦になるように研磨して、阻止部材６の上端は配線基板１の部品搭載面の上部外層導体と略同一面となるようにする。
【実施例２】
【００１９】
図２は本発明の実施例２の非貫通導通穴を有する配線基板の断面図である。
実施例２は、図１の実施例１の非貫通導通穴を有する配線基板１において、貫通導通穴内と貫通導通穴の上端面と下端面にめっき導体４を形成し、この部品搭載面の穴埋め樹脂である阻止部材６の上端面は配線基板１の部品搭載面の上部外層導体と略同一面となっている非貫通導通穴７の第１の穴埋め樹脂である阻止部材６の上面に密着して、貫通導通穴の上方部に第２の絶縁性の膜状体とからなる断面形状がＴの字となる阻止部材６を形成したものである。この第２の絶縁性の膜状体は液状レジストを硬化しても良い。さらに第１の穴埋め樹脂と第２の絶縁性の膜状体は同一成分の液状レジストだけを硬化して形成しても良い。
【００２０】
つまり、部品搭載面はトランスファモ−ルド法の封止樹脂の高い圧力に対応できるようにするため上部外層導体上に鍔（ツバ）状の厚みの絶縁性の膜状体でフタをして全体の阻止部材６の断面形状がＴの字となる封止部材を形成したものである。
また、デップ法、ロ−ラ−法、スプレ−法、カ−テンコ−ト法、印刷法などで第１の穴埋め樹脂や第２の絶縁性の膜状体を液状レジスト樹脂から形成して阻止部材６とする。それから半硬化する。なお、阻止部材６は樹脂の軟化点温度が低いアクリル樹脂系の液状レジスト、ＵＶレジストを使用しても良い。
【００２１】
非貫通導通穴７の阻止部材６の下端を配線基板１の非貫通導通穴７の下面から均一な深さで底面が平坦となるように陥没させる炭酸ガスレーザー加工等は実施例１に準じるものである。また、本発明の非貫通導通穴を有する配線基板はサブトラクティブ法で作製しても良い。
実施例２では下面側から炭酸ガスレーザー加工により深さ（ｔ）を７０μｍ、板厚は０．４ｍｍとして阻止部材６を均等の厚みとなるように余分の穴埋め阻止部材６を除去した。
【００２２】
また、配線基板の下面に陥没してなる非貫通導通穴の阻止部材６の下端面から配線基板の下面までの非貫通導通穴内に露呈している内周面は半田付け性や電気的接続信頼性が良好な金属導体となっている。
従って、炭酸ガスレーザー加工の後、非貫通導通穴７の露出している内周面は必要に応じてＮｉめっき−金めっき（Ａｕ）、Ｎｉめっき−銀めっき（Ａｇ）処理をする。
【実施例３】
【００２３】
図３は本発明の実施例３の非貫通導通穴を有する配線基板を示す断面図である。
まず、図３に示すように、本発明の実施例１の非貫通導通穴７を有する配線基板の非貫通導通穴７の阻止部材６の上端面と、この陥没してなる阻止部材６の下端面とに、金属導体８を形成するものである。
従って、平坦になっている穴埋め阻止部材６で閉鎖されている非貫通導通穴７の上端にめっき金属導体８を形成し、阻止部材６のトランスファモ−ルド法における高い圧力と高温の熱に対する応力を高めと共に電子部品素子や電子部品の実装密度を向上できる。
【００２４】
上記の図１に示す配線基板において、絶縁基材２の非貫通導通穴７内の内壁と非貫通導通穴７の上面の上部外層導体と下面の下部外層導体にめっき導体４を形成する。この配線基板の非貫通導通穴７の阻止部材６の上端面に密着して上部外層の金属導体８と、この陥没してなる非貫通導通穴７の阻止部材６の底面である下端面とに金属導体８を形成する。
この上部外層の金属導体８と、下部外層の金属導体８とは、非貫通導通穴７のめっき導体４を介して電気的に接続している。
【００２５】
なお、非貫通導通穴７の上面の上部外層の金属導体８にチップ部品の接続ランド（面付ランド、ワイヤ−ボンデングランド等）を設けることもできる。また、陥没してなる非貫通導通穴７の阻止部材６の底面に金属導体８を形成するから、端面電極を形成するための非貫通導通穴７の内周面と底面は半田付け性が良好な金属導体８となっている。
【実施例４】
【００２６】
本発明の非貫通導通穴を有する配線基板を使用して、端面電極を有するチップ部品とするには、例えば図４に示すように本発明の実施例２の非貫通導通穴を有する配線基板の非貫通導通穴７のほぼ中心線１８で分割切断して端面電極９用の非貫通導通溝１３を形成しても出来る。
つまり、この配線基板１の非貫通導通溝１３を閉口させている阻止部材６は高耐熱性であるエポキシ樹脂系としたため樹脂の軟化点温度が高く、また配線基板の貫通導通穴を閉口する阻止部材６は断面形状がＴの字となる阻止部材６とする。
【００２７】
尚、阻止部材６の下端は貫通導通穴の下面から均一な深さで陥没してなるエポキシ樹脂系の部材である非貫通導通穴を有する配線基板とする。次に配線基板に電子部品素子１０を実装し、実装した電子部品素子１０や電子部品を封止樹脂１５で封止して端面電極を形成してモ−ルド型チップ部品とする。
この非貫通導通溝の内周部が半円筒状で片方のみが外部に露呈した端面電極となり電気的及びはんだ接続信頼性の高い端面電極を形成する。
【００２８】
配線基板に電子部品素子、電子部品を実装し、実装した電子部品素子や電子部品を樹脂封止して端面電極を有するモ−ルド型チップ部品とする際にトランスファモ−ルド法の熱や圧力に対応できる封止樹脂の侵入を阻止する部材である、つまり貫通導通穴内に充填する阻止部材は樹脂の軟化点温度（Ｔｇ）が高く高耐熱であるほうが有利である。
樹脂の軟化点温度（Ｔｇ）はエポキシ樹脂系は１２０〜１４０℃、アクリル樹脂系は７０〜１００℃であり、樹脂の軟化点温度が低いと穴埋め樹脂が軟化し変形したり、非貫通導通穴から抜けてしまう。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の実施例１の非貫通導通穴を有する配線基板の断面図である。
【図２】本発明の実施例２の非貫通導通穴を有する配線基板の断面図である。
【図３】本発明の実施例３の非貫通導通穴を有する配線基板の断面図である。
【図４】本発明の非貫通導通穴を有する配線基板に電子部品を実装した図。
【符号の説明】
【００３０】
１…配線基板、２…絶縁基材、４…めっき導体、６…阻止部材
７…非貫通導通穴、８…金属導体、９…端面電極、１０…電子部品素子
１３…非貫通導通溝、１５…封止樹脂、１８…分割切断線。
【図１】
2005019935.tif 000003
【図２】
2005019935.tif 000004
【図３】
2005019935.tif 000005
【図４】
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