(57)【要約】【課題】  半導体製造工程に用いられるフィルムとして、強靭性、耐薬品性、形状安定性、延伸性を有し、常温ではその形状を安定に保持し、温度をかけることによって柔軟になりフィルムのうえに載せた半導体材料とフィルムとを容易に剥離することのできる、半導体製造工程用フィルムを提供する。【解決手段】  周波数０．１Ｈｚにおける貯蔵弾性率（Ｅ’）が、６０℃において１５００〜１００００ＭＰａ、８０℃において１０〜１０００ＭＰａ、かつ１００℃において１〜３５０ＭＰａであることを特徴とする半導体製造工程用フィルム。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数０．１Ｈｚにおける貯蔵弾性率（Ｅ’）が、６０℃において１５００〜１００００ＭＰａ、８０℃において１０〜１０００ＭＰａ、かつ１００℃において１〜３５０ＭＰａであることを特徴とする半導体製造工程用フィルム。
【請求項２】
実質的に非配向構造のポリエステルの層と、この層に接して両側に設けられた配向構造のポリエステルの層と、からなる請求項１記載の半導体製造工程用フィルム。
【請求項３】
実質的に非配向構造のポリエステルの層の総厚み（ａ）と、配向構造のポリエステルの層の総厚み（ｂ）との比（ａ／ｂ）が０．０１〜１である、請求項２記載の半導体製造工程用フィルム。
【請求項４】
フィルムの厚み斑が１０％以下である請求項１記載の半導体製造工程用フィルム。
【請求項５】
フィルムの厚みが２５〜３００μｍである請求項１記載の半導体製造工程用フィルム。
【請求項６】
請求項１記載の半導体製造工程用フィルムおよびそのうえに設けられた粘着層からなる半導体製造工程用フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハや半導体チップの製造工程で、半導体の支持体として用いられる半導体製造工程用フィルム関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの製造では、回路パターンを形成した半導体ウエハを研磨処理（バックグラインド工程）や薬品処理により１００〜６００μｍの厚みとした後に、半導体ウエハを半導体チップにカットする処理（ダイシング工程）を行い、エキスパンディングによりチップ間隔を広げてチップをピックアップする手法がよく行なわれる。このような工程においては、半導体ウエハは安定に支持される必要があり、この目的のために半導体は、粘着シートに貼り付けられて支持される。粘着シートは、研磨処理工程における衝撃に耐えうる強靭性や、薬品処理工程における耐薬品性、ダイシング処理工程における衝撃に耐えうる形状安定性、エキスパンディング工程や剥離工程において半導体チップのピックアップを容易にする延伸性や柔軟性などを備えていることが望ましい。
【０００３】
現在、このような工程においては、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレンからなるシートが用いられており、これらの特性を比較的良く満たしている。しかしながら、これらの材料からなるシートを用いた場合では、その強靭性、形状安定性が無い為にダイシング処理工程において半導体チップが欠けてしまうなどの問題が生じる。また、ポリ塩化ビニルに関しては、環境問題の観点からも好ましくなく、代替する材料が求められている。また、近年ではコストダウンなどの目的において、半導体ウエハが大型化、薄膜化する中で、前述の特性に対して、より厳しい特性が求められている。
【０００４】
このような背景の中、ウレタンポリマーとビニル系ポリマーとの複合フィルムを用いる手法（特開２００３−１７１４７５号公報）が知られているが、これは、樹脂の溶液をポリエステル支持体上にコート、乾燥、剥離してシートを作成する手法であるため、製造コストが高いという問題がある。
【０００５】
また、ガラス転移温度が０℃〜５０℃のポリエステル樹脂の層を少なくとも１層有するダイシングフィルム（特開２００３−９２２７３号公報）が知られているが、常温での強靭性に劣り取り扱いが困難になる等の問題が生じる場合がある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１７１４７５号公報
【特許文献２】特開２００３−９２２７３号公報
【特許文献３】特開２００３−１４２５０５号公報
【特許文献４】特開平１０−２８４４４４号公報
【特許文献５】特開平１０−２１４８０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、かかる従来技術の問題点を解消し、特に半導体製造工程に用いられるフィルムとして、強靭性、耐薬品性、形状安定性、延伸性を有し、常温ではその形状を安定に保持し、温度をかけることによって柔軟になりフィルムのうえに載せた半導体材料とフィルムとを容易に剥離することのできる、半導体製造工程用フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち本発明は、周波数０．１Ｈｚにおける貯蔵弾性率（Ｅ’）が、６０℃において１５００〜１００００ＭＰａ、８０℃において１０〜１０００ＭＰａ、１００℃において１〜３５０ＭＰａであることを特徴とする半導体製造工程用フィルムである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、特に半導体製造工程に用いられるフィルムとして、強靭性、耐薬品性、形状安定性、延伸性を有し、常温ではその形状を安定に保持し、温度をかけることによって柔軟になりフィルムのうえに載せた半導体材料とフィルムとを容易に剥離することのできる、半導体製造工程用フィルムを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を詳細に説明する。
［貯蔵弾性率］
本発明の半導体製造工程用フィルムは、周波数０．１Ｈｚにおける貯蔵弾性率（Ｅ’）が、６０℃において１５００ＭＰａ以上１００００ＭＰａ以下、８０℃において１０ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下、１００℃において１ＭＰａ以上３５０ＭＰａ以下であることが必要である。
【００１１】
６０℃における貯蔵弾性率（Ｅ’）が本発明の範囲であると、常温でフィルムは強靭である。１５００ＭＰａ未満であると常温におけるフィルムの強靭性が不足しバックグラインド時に積層した半導体ウエハが欠けてしまうなどの問題が生じ、支持体として用いることができない。１００００ＭＰａを超えるとフィルムが硬すぎ、取り扱い性に劣る。
【００１２】
８０℃における貯蔵弾性率（Ｅ’）が本発明の範囲であると、適度な温度をかけたときにフィルムが柔らかくなり、半導体を容易に剥離することができる。１０ＭＰａ未満であるとフィルムが柔らかすぎて支持体として不適切である。１０００ＭＰａを超えるとフィルムが硬すぎ取り扱い性に劣る。
【００１３】
１００℃における貯蔵弾性率（Ｅ’）が本発明の範囲であると、熱をかけたときの延伸性・柔軟性をが良好であり、半導体ウエハと支持体テープの剥離を容易に行なうことができる。１ＭＰａ未満であるとフィルムが柔らかすぎて支持体としての機能を果たさない。３５０ＭＰａを超えるとフィルムの延伸性および柔軟性に劣り、半導体を剥離する際に半導体が欠けてしまうなどの問題が生じる。また、例えばダイシング工程後に半導体チップとしたものをピックアップする工程においては、チップを個々に取り出す事が困難となる。
【００１４】
［積層フィルム］
上記の貯蔵弾性率特性は、実質的に非配向構造のポリエステルの層と、この層に接して両側に設けられた配向構造のポリエステルの層と、からなる積層フィルムにより好ましく達成することができる。本発明では、好ましくはこの積層フィルムを半導体製造工程用フィルムとして用いる。
【００１５】
［配向構造のポリエステルの層］
配向構造のポリエステルの層を構成するポリエステルは、２０５〜２７０℃の融点のポリエステルであることが好ましく、配向構造を形成し得る結晶性のポリエステルであることが好ましい。このポリエステルとしては以下に説明するポリエステルを用いることができる。すなわち、配向構造のポリエステルの層を構成するポリエステルとしては、主たるジカルボン酸単位がテレフタル酸単位、もしくはテレフタル酸およびイソフタル酸単位からなり、主たるグリコール単位がエチレングリコール単位からなるポリエステルが好ましい。このポリエステルは、必要に応じて、例えば２，６−ナフタレンジカルボン酸、オルトフタル酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸、１，５−ナフタレンジカルボン酸、４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，２−ビフェニルジカルボン酸、コハク酸、アジピン酸，アゼライン酸，セバシン酸等の他のカルボン酸単位を含有していてもよく、また、例えばプロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−へキサンジオール、ネオペンチルグリコール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等の他のグリコール単位を含有していてもよい。
【００１６】
このポリエステルの具体例として、ポリエチレンテレフタレート、第３成分を少量共重合したポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート、第３成分を少量共重合したポリエチレン−２，６−ナフタレート等を好ましく挙げることができる。
【００１７】
フィルムおよびその加工製品の寸法安定性、耐変形性および耐カール性の面から、配向構造のポリエステルの層を構成するポリエステルのガラス転移温度は、好ましくは６０℃以上、さらに好ましくは７０℃以上である。
【００１８】
［非配向構造のポリエステルの層］
非配向構造のポリエステルの層を構成するポリエステルとしては、延伸処理によりポリマーの配向構造（結晶構造）を形成し得るポリエステルであって、配向構造のポリエステルの層のポリエステルの融点よりも低い融点、好ましくは少なくとも１５℃低い融点、さらに好ましくは少なくとも２０℃低い融点、特に好ましくは少なくとも３０℃低い融点を有するとともに、１９０℃以上の融点を有するポリエステルを用いる。具体的には、好ましくは１９０〜２５０℃の融点のポリエステルを用いる。
【００１９】
このポリエステルとして、主たるジカルボン酸単位がテレフタル酸および／もしくは２，６−ナフタレンジカルボン酸および／もしくはイソフタル酸単位からなるコポリエステルが好ましい。このコポリエステルの従たるジカルボン酸単位としては、配向構造のポリエステルの層を構成するポリエステルの他のジカルボン酸単位として例示したもの、グリコール単位としては非配向構造のポリエステル層を構成するポリエステルのグリコール単位として例示したものを好ましく挙げることができる。
【００２０】
このコポリエステルの具体例としては、1)テレフタル酸単位およびナフタレンジカルボン酸単位を主とするジカルボン酸単位とエチレングリコール単位を主とするグリコール単位からなるコポリエステル、2)テレフタル酸単位およびイソフタル酸単位を主とするジカルボン酸単位とエチレングリコール単位を主とするグリコール単位からなるコポリエステル、3)テレフタル酸単位およびナフタレンジカルボン酸単位およびイソフタル酸単位を主とするジカルボン酸単位とエチレングリコール単位を主とするグリコール単位からなるコポリエステルなどが好ましく挙げられる。さらに好ましくは、ジカルボン酸単位中、テレフタル酸単位が９０〜６０モル％、ナフタレンジカルボン酸単位が５〜２０モル％、イソフタル酸単位が５〜２０モル％であるコポリエステルを挙げることができる。
【００２１】
非配向構造のポリエステルの層を構成するポリエステルのガラス転移温度は、夏期における車中での輸送および保管において、高温に製品等が曝されても品質が低下しないように、好ましくは５０℃以上、さらに好ましくは７０℃以上、特に好ましくは８０℃以上のガラス転移温度を有する。
【００２２】
本発明において、非配向構造のポリエステルの層を構成するポリエステルの融点は、配向構造のポリエステルの層を構成するポリエステルの融点より、１５℃以上、さらには２０℃以上、特に３０℃以上低いことが好ましい。
【００２３】
非配向構造のポリエステルの層を構成するポリエステルのガラス転移温度と配向構造のポリエステルの層を構成するポリエステルのガラス転移温度との差は、フィルムの厚み斑を良好にするために、好ましくは２０℃以下、さらに好ましくは１０℃以下、特に好ましくは５℃以下である。
【００２４】
なお、本発明において融点とは、ポリエステルを一度溶融した後、急冷、固化したサンプルを、示差熱熱量計で２０℃／分の速度で昇温したときの溶融吸熱ピーク温度をいう。
【００２５】
本発明においてガラス転移温度とは、ポリエステルを一度溶融して後、急冷、固化したサンプルを、示差熱熱量計で２０℃／分の速度で昇温したときの構造変化（比熱変化）温度をいう。
【００２６】
［添加剤］
配向構造のポリエステルの層、非配向構造のポリエステルの層のいずれを構成するポリエステルも、ポリオレフィン樹脂を含有することが好ましい。この場合、ポリオレフィン樹脂は、ポリエステルの層の重量１００重量％あたり、好ましくは０．１〜３０重量％含有される。ポリオレフィン樹脂としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ４−メチルペンテンを用いることができる。
【００２７】
適度な滑り性を付与して、フィルムの良好な取り扱い性を得るために、ポリエステル、特に配向構造のポリエステルの層のポリエステルは、微粒子を含有することが好ましい。微粒子の平均粒径は好ましくは２．５μｍ以下である。微粒子としては、例えばシリカ、アルミナ、酸化チタン、炭酸カルシウム、カオリンなどの無機微粒子、触媒残渣の析出微粒子、例えばシリコーン、ポリスチレン、アクリルの架橋体などの有機微粒子を用いることができる。
【００２８】
［厚み］
本発明の半導体製造工程用フィルムの厚みは、好ましくは２５〜３００μｍ、さらに好ましくは５０〜２５０μｍ、特に好ましくは５０〜１５０μｍである。フィルム厚みが２５μｍ未満であるとフィルムの腰が弱く、支持体として好ましくない。フィルム厚みが３００μｍより大きいと、フィルムの腰が強すぎ、取り扱い性に劣ると共に、厚み斑の絶対値（μｍ単位）が大きくなり、好ましくない。
【００２９】
［表面粗さ］
本発明の半導体製造工程用フィルムは、支持される半導体ウエハの表面粗さを小さくするために、半導体製造工程用フィルムの表面粗さは、好ましくは３０ｎｍ以下、さらにが好ましくは２０ｎｍ以下である。
【００３０】
［厚み斑］
本発明の半導体製造工程用フィルムは、その厚み斑が好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下、特に好ましくは３％以下である。半導体製造工程においては、フィルムは支持体として用いられ、フィルムを張り合わせた状態で半導体ウエハの厚み調整が行われる。その際、フィルムの厚み斑が半導体ウエハの厚み斑に大きく関係してくる。厚み斑が１０％を超えると、半導体ウエハ製造工程において、積層した半導体ウエハの厚み斑も大きくなる為、不良率が高くなり好ましくない。また、積層した半導体ウエハを剥離する際に、欠けてしまうなどの問題が生じる。
【００３１】
［製造方法］
本発明に用いるポリエステル自体は、周知の方法で製造することができる。その具体的な例としては、1)ポリエステル製造の反応工程で、１種または複数のジカルボン酸エステル形成性誘導体と１種または複数のグリコ−ルを反応させる方法、2)２種以上のポリエステルを、単軸あるいは２軸押出し機を用い、溶融混合してエステル交換反応（再分配反応）させる等の方法が挙げられる。なお、これらの工程において、必要に応じて、粒子、ポリオレフィン、その他各種添加剤をポリエステル中に含有させることもできる。
【００３２】
本発明の半導体製造工程用フィルムは、典型的には３層構成の積層フィルムからなる。このフィルムは、非配向構造のポリエステルの層を構成することになるポリエステル（以下「ポリエステルＢ」ということがある）の層（以下「芯層」ということがある）の両側に、配向構造のポリエステルの層を構成することになるポリエステル（以下「ポリエステルＡ」ということがある）の層（以下「表層」ということがある）を、共押し出しによりより積層して延伸して、積層フィルムを得る。そしてこの積層フィルムを、ポリエステルＢの融点より高く、かつポリエステルＡの融点より低い温度におく熱処理を行なうことにより製造する。この熱処理により、芯層のポリエステルＢは溶融状態になり、芯層のポリエステルの配向構造は実質的に非配向な構造になり、非配向構造のポリエステルの層が形成される。
【００３３】
この熱処理は、好ましくは、共押出製膜法における延伸処理後に熱固定処理を、ポリエステルＢのポリエステルの融点より高く、かつポリエステルＡのポリエステルの融点より低い温度で行なうことで好ましく行うことができる。
【００３４】
本発明において積層フィルムは、典型的には、ポリエステルＡの表層とポリエステルＢの芯層とからなる。具体的な構成として、Ａ／Ｂ／Ａ（ここで、／は層の構成を示す）タイプの３層構成、Ａ／Ｂ／Ａ／Ｂ／Ａタイプの５層構成、さらにこれらの順序による７層、９層、２ｎ＋１（ｎは自然数）構成等マルチ多層構成が挙げられる。また、必要に応じて、ポリエステルＡの層が２層以上の場合、１以上の層を違うポリマーで構成することができる。ポリエステルＢの層が２層以上の場合も同様である。例えば、ポリエステルＡの層が２種のポリマー（Ａ１、Ａ２）、ポリエステルＢの層が２種のポリマー（Ｂ１、Ｂ２）からなるとき、Ａ１／Ｂ１／Ａ２タイプの３層構成、Ａ１／Ｂ１／Ａ２／Ｂ２／Ａ１タイプの５層構成等を挙げることができる。これら層構成のうち、３層、５層が好ましく、特に３層が好ましい。
【００３５】
本発明において積層フィルムは、１軸以上に延伸されて形成された配向構造を有するポリエステルＡの層が最表層を構成することが必要である。実質的に非配向構造のポリエステルＢの層が最表層を構成すると、フィルム製造の際、工程内の各種ロール等にフィルムが粘着しやすい等の問題がある。
【００３６】
なお、本発明における積層フィルムの最表面の片面、もしくは両面に、本発明の効果が損なわれない限りにおいて、滑性向上、接着性向上、制電性向上、離型性向上等表面改質のため、コーティング処理、コロナ放電処理などの表面処理をしてもよい。
【００３７】
コーティング処理等表面処理の方法としては、ポリエステル系塗布剤、ウレタン系塗布剤、アクリル系塗布剤等を単独もしくは混合して、フィルム製造におけるプロセス内で塗布する方法、一旦ロール等のフィルム製品にした後に別のプロセスにて塗布する方法などが挙げられる。
【００３８】
本発明において積層フィルムは、共押出製膜法で製造するのが好ましい。その具体例を、例えば上記３層フィルム（Ａ／Ｂ／Ａ）の場合について説明すると、先ず、ポリエステルＡのチップを乾燥、溶融する。これと並行して、ポリエステルＢのチップを乾燥、溶融する。続いて、これら溶融ポリマーをダイ内部で３層に積層し、例えばフィードブロックを設置したダイ内部で３層に積層したのち、冷却ドラム上にキャスティングして未延伸積層フィルムにし、続いて、この積層フィルムを縦軸および／または横軸に１軸以上の方向に延伸して１軸以上に延伸されて形成された配向構造を有する多層延伸フィルムを得る。
【００３９】
なお、５層以上の場合も、同様にすることができる。延伸処理はポリエステルＡの層が所望の配向構造を形成する条件で行い、例えばポリエステルＡの層を構成するポリエステルのＴｇ（ガラス転移温度）−１０℃からＴｇ＋５０℃の温度（Ｔｃ）で、縦方向に２．５倍以上、好ましくは３〜６倍延伸し、更に好ましくは３〜４倍延伸し、次いでＴｇ＋１０からＴｇ＋５０℃の温度で、横方向に２．５倍以上、好ましくは３〜６倍延伸、更に好ましくは３〜４倍するのが、フィルムの厚み斑を良好にする点において好ましい。
【００４０】
以上の様にして得られる積層フィルムに、さらに熱処理を実施する。この熱処理温度は、ポリエステルＢの融点より高い温度であることが肝要であり、この熱処理により、ポリエステルＢが溶融して、１軸以上の延伸処理で形成された延伸配向構造が、実質的に無配向構造に変化する。熱処理温度は、ポリエステルＢの融点より５℃以上高い温度で、かつポリエステルＡの融点より１０℃以上低い温度が好ましい。
【００４１】
なお、この熱処理によって、ポリエステルＡには熱固定処理の効果が及ぶ。この熱処理方法としては、例えば、フィルム製造時において延伸後直ちに工程内で熱処理する方法、フィルム製造完了後フィルムをロール状に巻き取った後熱処理する方法を用いることができる。
【００４２】
［厚み比率］
本発明の半導体製造工程用フィルムは、実質的に非配向構造のポリエステルの層の総厚み（ａ）と、配向構造のポリエステルの層の総厚み（ｂ）との比（ａ／ｂ）が、好ましくは０．０１〜１、さらに好ましくは０．０３〜０．６７、特に好ましくは０．０５〜０．４３である。この厚み比は、例えば層構成がＡ１（厚み：ａ１）／Ｂ（厚み：ｂ）／Ａ２（厚み：ａ２）の３層からなる場合、層Ａと層Ｂの総厚み比（ａ／ｂ）、すなわち（ａ１＋ａ２）／（ｂ）が０．０１〜１であることを意味し、また層構成がＡ１（厚み：ａ１）／Ｂ１（厚み：ｂ１）／Ａ２（厚み：ａ２）／Ｂ２（厚み：ｂ２）／Ａ３（厚み：ａ３）の５層からなる場合、層Ａと層Ｂの総厚み比（ａ／ｂ）、すなわち（ａ１＋ａ２＋ａ３）／（ｂ１＋ｂ２）が０．０１〜１であることを意味する。この総厚み比（ａ／ｂ）が０．０１に満たないと、ポリエステルＡの層の最表層厚みが小さいため、フィルム製造時の厚み制御が難しく、ポリエステルＢの層が一部表層に露出しやすいという問題を生じ、また、フィルムの寸法安定性が不充分であり好ましくない。総厚み比が１を超えると、実質的に非晶構造であるポリエステルＢの層の存在割合が少ないため、フィルムをモールディング加工、エンボス加工等の変形加工する際、フィルムを保持金具に挟んで固定して使用する際等において、フィルムの加工性、柔軟性が不充分であり好ましくない。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。各種物性は下記の方法により評価した。
（１）動的粘弾性
動的粘弾性測定装置（（株）オリエンテック製ＲＨＥＯＶＩＢＲＯＮ  ｍｏｄｅｌ  ＤＤＶ−０１ＦＰ）を用い、サンプルをセットし、下記の条件設定にて測定した。
測定モード：温度特性  引張
試料寸法：チャック間＝３０ｍｍ、Ｗ＝３ｍｍ
静荷重：１０ｇ
測定温度：室温〜２００℃
昇温速度：２℃／分
インターバール：２℃
加振モード：単一波形
定変位振幅：２５μｍ
最小荷重振幅：０ｇ
測定周波数０．１Ｈｚ
【００４４】
（２）厚み斑
２０ｃｍ×２０ｃｍのサンプルにおいて、打点式厚み測定器（アンリツ（株）製）にて縦方向、横方向、各々１ｃｍ間隔でフィルム厚みを測定し、計４００点のデータを求めた。得られたデータのうち、最大厚み、最小厚み、平均厚みを求め、次式によって厚み斑を算出した。
厚み斑（％）＝{（最大厚み−最小厚み）／（平均厚み）}×１００
【００４５】
（３）フィルム厚み
外付けマイクロメーターで１００点測定し、平均値を求めてフィルムの厚みとした。
【００４６】
（４）各層の厚み
サンプルを三角形に切り出し、包埋カプセルに固定後、エポキシ樹脂にて包埋した。そして、包埋されたサンプルをミクロトーム（ＵＬＴＲＡＣＵＴ−Ｓ）で縦方向に平行な断面を５０ｎｍ厚の薄膜切片にした後、透過型電子顕微鏡を用いて、加速電圧１００ｋＶにて観測撮影し、その写真から各層の厚みを測定し、平均厚み、相対標準偏差を求めた。
【００４７】
（５）ガラス転移温度・融点
サンプル約１０ｍｇを測定用のアルミニウム製パンに封入して示差熱量計（デュポン社製・Ｖ４．ＯＢ２０００型ＤＳＣ）に装着し、２５℃から２０℃／分の速度で３００℃まで昇温させ、３００℃で５分間保持した後取出し、直ちに氷の上に移して急冷した。このパンを再度示差熱量計に装着し、２５℃から２０℃／分の速度で昇温させてガラス転移温度（Ｔｇ）（単位：℃）と融点（Ｔｍ）（単位：℃）を測定した。
【００４８】
（６）固有粘度
固有粘度（単位：［η］ｄｌ／ｇ）は、２５℃のｏ−クロロフェノール溶液で測定した。
【００４９】
（７）ポリエステルペレットの作成
出発原料としてテレフタル酸ジメチルとエチレングリコールを用い、かつ酢酸マンガン、リン酸、３酸化アンチモンを触媒として用いて、常法によりエステル交換反応、重縮合反応を実施し、得られたポリマーを反応釜から吐出、冷却して、ポリエチレンテレフタレートのペレット（以下、ＰＥＴと呼称）を得た。得られたＰＥＴのガラス転移温度は８０℃、融点は２５５℃、固有粘度は０．６５であった。
出発原料としてテレフタル酸ジメチル８８モル％（全酸成分に対し）およびイソフタル酸ジメチル１２モル％（全酸成分に対し）とエチレングリコールを用いる以外は、上記ＰＥＴと同様に、エステル交換反応、重縮合反応を実施し、得られたポリマーを反応釜から吐出、冷却して、共重合ポリエチレンテレフタレートのペレット（以下、ＩＡ−ＣＯ−ＰＥＴと呼称）を得た。得られたＩＡ−ＣＯ−ＰＥＴのガラス転移温度は６５℃、融点は２２３℃、固有粘度は０．６９であった。
出発原料としてテレフタル酸ジメチル８８モル％（全酸成分に対し）および２，６−ナフタレンジカルボン酸ジメチル１２モル％（全酸成分に対し）とエチレングリコールを用いる以外は、上記ＰＥＴと同様に、エステル交換反応、重縮合反応を実施し、得られたポリマーを反応釜から吐出、冷却して、共重合ポリエチレンテレフタレートのペレット（以下、ＮＤＣ−ＣＯ−ＰＥＴと呼称）を得た。得られたＮＤＣ−ＣＯ−ＰＥＴのガラス転移温度は８２℃、融点は２２３℃、固有粘度は０．６９であった。
ポリブチレンテレフタレート（以下、ＰＢＴと呼称）ペレットとしては、ウィンテックポリマー（株）製デュラネックス５００ＦＰを使用した。
【００５０】
［実施例１］
上記で得られたＩＡ−ＣＯ−ＰＥＴおよびＰＢＴのペレットを（ＩＡ−ＣＯ−ＰＥＴ）／（ＰＢＴ）＝４５／５５重量％となるように混合した混合物を乾燥し、単軸スクリュー押出し機で溶融した後、ダイより溶融押出しして冷却ドラム上にキャスティングし、未延伸フィルムを得た。続いて、該フィルムを縦方向に１００℃で３．０倍、横方向に１００℃で３．２倍に逐次２軸延伸した後、１９５℃で熱固定し、７５μｍ厚みの２軸延伸フィルムを得た。得られたフィルムの構成を表１に、特性を表２に示す。
【００５１】
【表１】
2005336428.tif 000002
【００５２】
【表２】
2005336428.tif 000003
【００５３】
［実施例２］
２軸延伸後のフィルム厚みを１００μｍとする以外は、実施例１と同様に２軸延伸フィルムを得た。得られたフィルムの構成を表１に、特性を表２に示す。
【００５４】
［実施例３］
上記で得られたＰＥＴとＩＡ−ＣＯ−ＰＥＴを、（ＰＥＴ）／（ＩＡ−ＣＯ−ＰＥＴ）＝４２／５８重量％となるように混合した混合物（フィルムとした後にポリエステルＡの層となる）、およびＩＡ−ＣＯ−ＰＥＴとＮＤＣ−ＣＯ−ＰＥＴをＩＡ−ＣＯ−ＰＥＴ／ＮＤＣ−ＣＯ−ＰＥＴ＝５０／５０重量％となるように混合した混合物（フィルムとした後にポリエステルＢの層となる）を別々に乾燥、単軸スクリュー押出し機で溶融した後、ダイ内部で（ＰＥＴとＩＡ−ＣＯ−ＰＥＴの混合物）｜（ＩＡ−ＣＯ−ＰＥＴとＮＤＣ−ＣＯ−ＰＥＴ混合物）｜（ＰＥＴとＩＡ−ＣＯ−ＰＥＴの混合物）の３層に溶融ポリマーを積層し、この状態で冷却ドラム上にキャスティングし、未延伸積層フィルムを得た。続いて、該積層フィルムを縦方向に１１０℃で３．０倍、横方向に１２０℃で３．２倍に逐次２軸延伸した後、２３５℃で熱固定し、３層フィルムを得た。この３層フィルムの厚み構成は、ＰＥＴとＩＡ−ＣＯ−ＰＥＴからなる両面の表層が各３．８μｍ、ＩＡ−ＣＯ−ＰＥＴとＮＤＣ−ＣＯ−ＰＥＴからな芯層が６７．４μｍの合計７５μｍであった。得られた３層フィルムの構成を表１に、特性を表２に示す。
【００５５】
［実施例４］
３層フィルムの厚み構成を、ＰＥＴとＩＡ−ＣＯ−ＰＥＴからなる両面の表層が各５μｍ、ＩＡ−ＣＯ−ＰＥＴとＮＤＣ−ＣＯ−ＰＥＴからな芯層が９０μｍの合計１００μｍである以外は実施例３と同様に３層フィルムを得た。得られた３層フィルムの構成を表１に、特性を表２に示す。
【００５６】
［実施例５］
延伸倍率を、縦方向に３．０倍、横方向に３．９倍に逐次２軸延伸する以外は実施例３と同様にしてフィルム厚み７５μｍの３層フィルムを得た。得られた３層フィルムの構成を表１に、特性を表２に示すが、本実施例にて得られたフィルムは特に厚み斑が良好なサンプルだった。
【００５７】
［実施例６］
延伸倍率を、縦方向に３．６倍、横方向に３．９倍に逐次２軸延伸する以外は実施例３と同様にしてフィルム厚み７５μｍの３層フィルムを得た。得られた３層フィルムの構成を表１に、特性を表２に示すが、本実施例にて得られたフィルムは特に厚み斑が良好なサンプルだった。
【００５８】
［実施例７］
ポリエステルＢの層を形成する樹脂として、上記で得られたＩＡ−ＣＯ−ＰＥＴを単独で用いる以外は実施例４と同様の方法でフィルム厚み１００μｍの３層フィルムを得た。得られた３層フィルムの構成を表１に、特性を表２に示す。
【００５９】
［実施例８］
ポリエステルＢの層を形成する樹脂として、上記で得られたＮＤＣ−ＣＯ−ＰＥＴを単独で用いる以外は実施例４と同様の方法でフィルム厚み１００μｍの３層フィルムを得た。得られた３層フィルムの構成を表１に、特性を表２に示す。実施例１〜８で得られた２軸延伸フィルムは、フィルムの厚み斑が良好で、且つ、６０℃、８０℃、１００℃の各温度における貯蔵弾性率Ｅ’の値が適切な範囲であり、半導体製造用途に用いられるフィルムとして好適であった。
【００６０】
［比較例１］
上記で得られたＰＥＴのペレットを乾燥し、単軸スクリュー押出し機で溶融した後、ダイより溶融押出しして冷却ドラム上にキャスティングし、未延伸フィルムを得た。続いて、該フィルムを縦方向に１００℃で３．０倍、横方向に１１０℃で３．２倍に逐次２軸延伸した後、２３０℃で熱固定し、７５μｍ厚みの２軸延伸フィルムを得た。得られたフィルムの物性を表１に示す。
【００６１】
［比較例２］
上記で得られたＩＡ−ＣＯ−ＰＥＴのペレットを乾燥し、単軸スクリュー押出し機で溶融した後、ダイより溶融押出しして冷却ドラム上にキャスティングし、未延伸フィルムを得た。続いて、該フィルムを縦方向に９０℃で３．０倍、横方向に１００℃で３．２倍に逐次２軸延伸した後、２３０℃で熱固定し、７５μｍ厚みの２軸延伸フィルムを得た。得られたフィルムの物性を表１に示す。
【００６２】
［比較例３］
上記で得られたＰＥＴおよびＰＢＴのペレットをＰＥＴ／ＰＢＴ＝４０／６０重量％となるように混合した混合物を乾燥し、単軸スクリュー押出し機で溶融した後、ダイより溶融押出しして冷却ドラム上にキャスティングし、未延伸フィルムを得た。続いて、該フィルムを縦方向に１００℃で３．０倍、横方向に１００℃で３．２倍に逐次２軸延伸した後、１８５℃で熱固定し、７５μｍ厚みの２軸延伸フィルムを得た。得られたフィルムの物性を表１に示す。
【００６３】
比較例１〜３で得られた２軸延伸フィルムは、フィルムの厚み斑は良好であるが、６０℃、８０℃、１００℃の各温度における貯蔵弾性率Ｅ’の値が不適切である為、半導体製造用フィルムとして不適切なものであった。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明の半導体製造工程用フィルムは、半導体チップまたは半導体ウエハの製造工程で支持体として好適に用いることができる。