(57)【要約】【課題】  下方に形成される配線によって生じる画素電極上の段差に発光層を確実に形成させる電気光学装置及び電子機器を提供する。【解決手段】  画素電極３４上であってゲート電極用メタルフレーム２１ＧＦとゲート接続用電極２１Ｃとが層間絶縁膜３２を介して互いに重なって配置形成される位置及びその外周縁部にそれぞれ対応する領域Ｚ１に親水性材料で構成された絶縁部材４０ａを形成した。また、画素電極３４上であって前記電源線メタルフレームＶＦと信号線メタルフレーム２１ＣＦとが層間絶縁膜３２を介して互いに重なって配置形成される位置及びその外周縁部にそれぞれ対応する領域Ｚ２に親水性の絶縁部材４０ｂを形成した。【選択図】      図４
2005055821.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に形成され、データ信号の信号レベルに応じて発光する発光層と、
前記基板と前記発光層との間に配置形成され、前記データ信号に基づいた駆動信号を生成する駆動素子を構成する配線が形成される配線層と、
前記発光層と前記配線層との間に形成され、前記駆動素子から出力された前記駆動信号を前記発光層に供給するための電極と、
画素発光領域を規定すべく、前記電極の周縁部に設けられた絶縁物と
を備えた電気光学装置において、
前記電極は、画素発光領域である前記絶縁物の内側の領域において、親水性材料で構成された絶縁部材を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記絶縁部材は、前記配線のエッジ部に対応する領域の前記電極上に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記絶縁部材は、前記駆動素子を構成する前記配線を含む領域の周縁部に対応する領域の前記電極上に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一つに記載の電気光学装置において、
前記絶縁部材は、二酸化珪素、一酸化珪素、窒化珪素、親水性高分子材料またはＳＯＧ膜のいずれかで構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一つに記載の電気光学装置において、
前記発光層にて発せられた光は前記基板と対向する側から出射されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一つに記載の電気光学装置において、
前記発光層は有機材料で構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置において、
前記有機材料は高分子材料で構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項６に記載の電気光学装置において、
前記発光層はインクジェット方式を用いて形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一つに記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、電気泳動素子、電子放出素子といった電気光学素子を備えた表示ディスプレイの駆動方式の一つにアクティブマトリクス駆動方式がある。アクティブマトリクス駆動方式の表示ディスプレイには、その画素電極の下方に各画素を制御する駆動トランジスタ、信号線、電源線が配置されたトップエミッションタイプの表示ディスプレイがある。
【０００３】
図７は、従来のトップエミッションタイプの表示ディスプレイの一部断面図である。図７に示すように、画素電極８１Ａの下方には駆動トランジスタ８２を構成するゲート電極８２Ｇ、ドレイン電極８２Ｄ及びソース電極８２Ｓ、及び、信号線８３ａ、電源線８３ｂが形成されている。そして、前記画素電極８１Ａ上に形成された発光層８４にて発せられた光は同画素電極８１Ａと対向する位置に形成された陰極電極８１Ｃ側から出射される。
【０００４】
このように、トップエミッションタイプの表示ディスプレイは、その各画素電極８１Ａの下方に駆動トランジスタ８２の各電極８２Ｇ，８２Ｄ，８２Ｓ、及び、信号線８３ａ、電源線８３ｂを配置することができるので、その分、開口率を高くすることができる。
【０００５】
しかしながら、この種のトップエミッションタイプの表示ディスプレイでは、例えば、信号線８３ａによって、その上層に形成される前記画素電極８１Ａのカバレッジが良好に保たれなくなる。特に、図７に示すような多層配線構造を有する表示ディスプレイおいては、信号線８３ａや電源線８３ｂが互いに隣接する上下の層に配置される部分では、その上層に形成される前記画素電極８１Ａの表面に生じる段差は大きくなる。
【０００６】
従って、画素電極８１Ａ上での発光層８１の膜厚にバラツキが生じ、その結果、画素電極８１Ａと陰極電極８１Ｃのショートや発光特性の劣化が生じる。例えば、図中Ｑで示される発光層８４の膜厚が小さい領域では、発光層８４にキャリアを注入して発光させているうちにダークスポットが成長する場合があり、その結果、画素毎で輝度のムラが発生し、表示品位が劣化してしまう。
【０００７】
そこで、画素電極８１Ａの下層に層間絶縁膜８５を形成し、その層間絶縁膜８５をリフロー処理することでその表面の平坦化を図り、画素電極８１Ａ及び発光層８４のカバレッジを良好にするようにしたものが知られている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００１−５６６５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、リフロー処理して得られる画素電極８１Ａには、例えば０．５μｍ程度の段差が残ってしまう場合がある。画素電極８１Ａしかしながら、発光層８４が高分子有機材料で構成される有機エレクトロルミネッセンスディスプレイにおいては、その画素電極８１Ａ上の段差が０．５μｍ程度より更に小さいことが要求される。従って、発光層８４が高分子有機材料で構成される有機エレクトロルミネッセンスディスプレイにおいては、リフロー処理を施しても要求される画素電極８１Ａ及び発光層８４のカバレッジを改善することが困難である。この結果、特に、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイにおいては、各画素の発光層８４の膜厚にバラツキが生じるため、画素毎で輝度のムラが発
生し、表示品位が劣化してしまう。
【０００９】
本発明は上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は、下方に形成される配線によって生じる画素電極上の段差に発光層を確実に形成させる電気光学装置及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基板と、前記基板の上方に形成され、データ信号の信号レベルに応じて発光する発光層と、前記基板と前記発光層との間に配置形成され、前記データ信号に基づいた駆動信号を生成する駆動素子を構成する配線が形成される配線層と、前記発光層と前記配線層との間に形成され、前記駆動素子から出力された前記駆動信号を前記発光層に供給するための電極と、画素発光領域を規定すべく、前記電極の周縁部に設けられた絶縁物と、を備えた電気光学装置において、前記電極は、画素発光領域である前記絶縁物の内側の領域において、親水性材料で構成された絶縁部材を備えている。
【００１１】
これによれば、配線層によって電極上に段差が生じた場合であっても、その段差がある領域に絶縁部材を備えることで、例えば、高分子有機材料で構成された発光層を確実に密着して形成することができる。従って、前記段差がある領域にて前記電極と発光層を介して形成される電極との間がショートするのを防止することができる。また、電極上の段差がある領域に、発光層を確実に密着して形成することができるので、その分、その電極上に形成される発光層の膜厚を均一化することができる。さらに、その電極上の形成される発光層の膜厚を均一化することができるので、発光層の膜厚が小さい領域が徐々に黒く表示される、所謂、ダークスポットが成長するのを抑制することができる。この結果、電気光学装置の表示品位を向上させることができる。また、電気光学装置の歩留まりを向上させることができる。
【００１２】
この電気光学装置において、前記絶縁部材は、前記配線のエッジ部に対応する領域の前記電極上に形成されていてもよい。
これによれば、前記配線のエッジ部に対応する領域の前記電極に対応した領域が他の領域に比べて盛り上がっていても、その前記電極に対応した領域上に、例えば、高分子有機材料で構成された発光層を確実に密着して形成することができる。このことから、電気光学装置の歩留まりを向上させることができる。
【００１３】
この電気光学装置において、前記絶縁部材は、前記駆動素子を構成する前記配線を含む領域の周縁部に対応する領域の前記電極上に形成されていてもよい。
これによれば、前記駆動素子を構成する前記配線を含む領域の周縁部に対応する領域の前記電極に対応した領域が他の領域に比べて盛り上がっていても、その周縁部に対応した領域上に、例えば、高分子有機材料で構成された発光層を確実に密着して形成することができる。このことから、電気光学装置の歩留まりを向上させることができる。
【００１４】
この電気光学装置において、前記絶縁部材は、二酸化珪素、親水性高分子材料またはＳＯＧ膜のいずれかで構成されていてもよい。
これによれば、前記絶縁部材を、二酸化珪素、親水性高分子材料またはＳＯＧのいずれかで構成することで、配線層に形成される配線によってその電極上に生じた段差が形成される領域に確実に発光層を形成することができる。また、前記電極上に形成される発光層の膜厚を均一にすることができる。
【００１５】
この電気光学装置において、前記発光層にて発せられた光は前記基板と対向する側から出射されてもよい。
これによれば、前記発光層にて発せられた光が前記基板と対向する側から出射される、
所謂、トップエミッションタイプの電気光学装置において、配線層に形成される配線によってその電極上に生じた段差が形成される領域に確実に発光層を形成することができる。また、前記電極上の形成される発光層の膜厚を均一化することができる。
【００１６】
この電気光学装置において、前記発光層は有機材料で構成されていてもよい。
これによれば、その発光層が有機材料で構成された電気光学装置において、例えば、その電極上に生じる段差が形成される領域にて前記発光層を確実に形成することができる。また、前記電極上の形成される前記発光層の膜厚を均一化することができる。
【００１７】
この電気光学装置において、前記有機材料は高分子材料で構成されていてもよい。
これによれば、その発光層が高分子材料で構成された電気光学装置において、例えば、その電極上に生じる段差が形成される領域にて前記発光層を確実に形成することができる。また、前記電極上の形成される前記発光層の膜厚を均一化することができる。
【００１８】
この電気光学装置において、前記発光層はインクジェット方式を用いて形成されてもよい。
これによれば、インクジェット方式を用いて発光層が形成された電気光学装置において、例えば、その電極上に生じる段差が形成される領域にて前記発光層を確実に形成することができる。また、前記電極上の形成される前記発光層の膜厚を均一化することができる。
【００１９】
本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置を備えている。
これによれば、その電極上に生じる段差が形成される領域にて発光層を確実に形成することができるので、その分、その表示品位が向上した電気光学装置を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに適用した各実施形態を図面に基づいて説明する。また、各実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術思想の範囲内で任意に変更可能である。さらに、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
（第１実施形態）
本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図４に従って説明する。図１は、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの電気的構成を説明するためのブロック図である。図２は、表示パネル部及びデータ線駆動回路の電気的構成を示す回路図である。図３は、画素の回路図である。
【００２１】
図１に示すように、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ１０は、信号生成回路１１、表示パネル部１２、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４を備えている。有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ１０の信号生成回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４は、それぞれが独立した電子部品によって構成されていてもよい。例えば、信号生成回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４が、各々１チップの半導体集積回路装置によって構成されていてもよい。また、信号生成回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４の全部若しくは一部がプログラマブルなＩＣチップで構成され、その機能がＩＣチップに書き込まれたプログラムによりソフトウェア的に実現されてもよい。
【００２２】
信号生成回路１１は、図示しない外部装置から供給されるクロックパルスＣＰ及び画像デジタルデータＤを入力する。信号生成回路１１は、クロックパルスＣＰに基づいて水平
同期信号ＨＳＹＮＣ及び垂直同期信号ＶＳＹＮＣを作成する。また、信号生成回路１１は、その作成した水平同期信号ＨＳＹＮＣを走査線駆動回路１３に出力するとともに、前記垂直同期信号ＶＳＹＮＣをデータ線駆動回路１４に出力する。さらに、信号生成回路１１は、画像デジタルデータＤをデータ線駆動回路１４に出力する。
【００２３】
表示パネル部１２は、図２に示すように、行方向に沿って延設されるｎ本の走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎを備えている。また、表示パネル部１２は、列方向に沿って延設されるｍ本のデータ線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍを備えている。そして、前記各走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎと前記各データ線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍとの交差部に対応した各位置には画素２０が形成されている。
【００２４】
さらに、表示パネル部１２は、前記各データ線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍに並行して延設されるｍ本の電源線Ｌｏを備えている。全ての電源線Ｌｏには電源電圧Ｖｏが供給されている。
【００２５】
各画素２０は、対応する走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎを介して走査線駆動回路１３に接続されている。また、各画素２０は、対応するデータ線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍを介してデータ線駆動回路１４に接続されている。さらに、各画素２０は、電源線Ｌｏに接続されている。
【００２６】
画素２０は、その各々が図３に示すように、駆動トランジスタＱｄ、スイッチングトランジスタＱｓｗ、保持キャパシタＣｏ及び有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤを備えている。尚、図３は、ｎ番目の走査線Ｙｎとｍ番目のデータ線Ｘｍとの交差部に対応する位置に形成された画素２０の等価回路図である。この画素２０の電気的構成は全て同じであるので、説明の便宜上、以下、ｎ番目の走査線Ｙｎとｍ番目のデータ線Ｘｍとの交差部に対応する位置に形成された画素２０についてのみについて説明し、他の画素２０についてはその説明を省略する。
【００２７】
駆動トランジスタＱｄは、通常はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で構成されている。また、駆動トランジスタＱｄは本実施形態ではその導電型がＰ型である。スイッチングトランジスタＱｓｗは本実施形態ではその導電型がＮ型である。
【００２８】
スイッチングトランジスタＱｓｗは、そのドレインがデータ線Ｘｍに接続されている。スイッチングトランジスタＱｓｗのゲートは走査線Ｙｎに接続されている。スイッチングトランジスタＱｓｗのソースは、駆動トランジスタＱｄのゲートに接続されている。駆動トランジスタＱｄのゲート／ソース間には保持キャパシタＣｏが接続されている。また、駆動トランジスタＱｄのソースは電源線Ｌｏに接続されている。駆動トランジスタＱｄのドレインは有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤの陽極Ｅ１に接続されている。有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤの陰極Ｅ２は接地されている。
【００２９】
走査線駆動回路１３は、走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｎを作成する。各走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｎはＬレベル及びＨレベルを有する電圧信号である。また、走査線駆動回路１３は前記水平同期信号ＨＳＹＮＣに従って、Ｈレベルの走査信号を各走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎに出力することで順次走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎを選択駆動する。
【００３０】
データ線駆動回路１４は、図２に示すように複数の単一ラインドライバ１４ａを備えている。複数の単一ラインドライバ１４ａの各々は対応するデータ線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍに接続されている。また、各単一ラインドライバ１４ａは、前記信号生成回路１１から出力された画像デジタルデータＤを入力する。そして、各単一ラインドライバ１４ａは、入
力された画像デジタルデータＤの大きさに対応したレベルのアナログ電圧信号であるデータ信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｍを作成する。そして、単一ラインドライバ１４ａは、前記信号生成回路１１から出力された垂直同期信号ＶＳＹＮＣに従って前記データ信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｍを対応するデータ線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍを介して各画素２０に一斉に出力する。
【００３１】
そして、前記走査線駆動回路１３が水平同期信号ＨＳＹＮＣに従って走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎのうちの一本の走査線にＨレベルの走査信号を出力すると、その走査線に接続された一行分の全ての画素２０の各スイッチングトランジスタＱｓｗがオンになる。このとき、前記データ線駆動回路１４の各単一ラインドライバ１４ａから対応するデータ線Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｍを介してデータ信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｍが一斉に出力される。すると、前記スイッチングトランジスタＱｓｗがオンになった前記一行分の全ての画素２０の各保持キャパシタＣｏにデータ信号が供給される。この結果、前記各画素２０は、このデータ信号に応じて同画素２０の内部状態（保持キャパシタＣｏの電荷量）が設定され、これに応じて駆動トランジスタＱｄの導電率が制御される。この結果、その導電率に応じたレベルの駆動電流Ｉｅｌが有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤに供給され、有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤが同駆動電流Ｉｅｌの電流レベルに応じた輝度で発光する。
【００３２】
以降、各走査線Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｎが順次選択されることで各画素２０にデータ信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｍが供給され、各有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤが駆動電流Ｉｅｌの電流レベルに応じた輝度で発光する。このようにすることで表示パネル部１２上にデータ信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｍに応じた画像が表示される。
【００３３】
次に、表示パネル部１２の構造について図４（ａ），（ｂ）に従って説明する。図４（ａ）は、画素２０を構成する前記駆動トランジスタＱｄ及び電源線Ｌｏ等を構成するメタルフレームＭＰの一部を含む画素２０の上面図である。
【００３４】
メタルフレームＭＰは、図４（ａ）に示すように、２点差線で示される第１メタルフレームＭ１と実線で示される第２メタルフレームＭ２とから構成されている。
第１メタルフレームＭ１は、駆動トランジスタＱｄのゲートを構成するゲート電極２１Ｇと、該ゲート電極２１Ｇに接続し該ゲート電極２１Ｇに前記データ信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｍを供給するゲート電極用メタルフレーム２１ＧＦを備えている。また、第１メタルフレームＭ１は、前記電源線Ｌｏを構成する電源線メタルフレームＶＦを備えている。
【００３５】
第２メタルフレームＭ２は、駆動トランジスタＱｄのドレインを構成するドレイン電極２１Ｄと、該ドレイン電極２１Ｄに接続し前記駆動電流Ｉｅｌが流れるドレイン電極用メタルフレーム２１ＤＦを備えている。また、第２メタルフレームＭ２は、前記ドレイン電極用メタルフレーム２１ＤＦに接続し、前記駆動電流Ｉｅｌを有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤの陽極Ｅ１に供給するための電流供給用電極２１Ｋを備えている。さらに、第２メタルフレームＭ２は、前記駆動トランジスタＱｄのソースを構成するソース電極２１Ｓと、該ソース電極２１Ｓに接続し前記ソース電極２１Ｓに前記電源電圧Ｖｏを供給するためのソース電極用メタルフレーム２１ＳＦを備えている。また、第２メタルフレームＭ２は、ゲート接続用電極２１Ｃと、該ゲート接続用電極２１Ｃに接続し前記ゲート電極２１Ｇにデータ信号を供給するための信号線メタルフレーム２１ＣＦを備えている。
【００３６】
図４（ｂ）は、同図（ａ）に示したメタルフレームＭＰの一部を含む表示パネル部１２の断面図であって、同図（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面に対応している。
図４（ｂ）に示すように、ガラス基板ＧＬ上であって前記ドレイン電極２１Ｄ、ソース電極２１Ｓ及びゲート電極２１Ｇがそれぞれ配置される位置に対応する領域に島状のシリ
コン層３０が形成されている。このシリコン層３０は、本実施形態では多結晶シリコンで構成されている。また、このシリコン層３０の前記ドレイン電極２１Ｄと対向する位置付近にはドレイン領域３０Ｄが形成されている。同様に、シリコン層３０の前記ソース電極２１Ｓと対向する位置付近にはソース領域３０Ｓが形成されている。そして、シリコン層３０のドレイン領域３０Ｄとソース領域３０Ｓとの間にはチャネル領域３０Ｃが形成されている。また、ドレイン領域３０Ｄは前記ドレイン電極２１Ｄに、ソース領域３０Ｓは前記ソース電極２１Ｓに、それぞれ電気的に接続されている。
【００３７】
前記シリコン層３０上であって前記ドレイン電極２１Ｄ及びソース電極２１Ｓに接続された位置を除いた領域には、ゲート絶縁膜３１が形成されている。また、前記ゲート絶縁膜３１は、前記シリコン層３０が形成されていない領域のガラス基板ＧＬ上に直接形成されている。
【００３８】
ゲート絶縁膜３１上には前記第１メタルフレームＭ１が形成されている。詳しくは、前記ゲート絶縁膜３１上の、前記シリコン層３０のチャネル領域３０Ｃと対向する位置に前記ゲート電極２１Ｇが形成されている。また、前記ガラス基板ＧＬ上に直接ゲート絶縁膜３１が形成されている領域には前記ゲート電極用メタルフレーム２１ＧＦが形成されている。さらに、前記ゲート電極用メタルフレーム２１ＧＦの図中右側には前記電源線メタルフレームＶＦが形成されている。
【００３９】
そして、ゲート電極２１Ｇ、ゲート電極用メタルフレーム２１ＧＦ、電源線メタルフレームＶＦ及び前記ゲート絶縁膜３１上には層間絶縁膜３２が形成されている。尚、層間絶縁膜３２は、本実施形態においては、二酸化珪素（ＳｉＯ２）で構成されている。層間絶縁膜３２上には第２メタルフレームＭ２が形成されている。詳しくは、層間絶縁膜３２上の、前記ドレイン領域３０Ｄに対向する位置には前記ドレイン電極２１Ｄが形成されている。同様に、層間絶縁膜３２上であって、前記ソース領域３０Ｓに対向する位置には前記ソース電極２１Ｓが形成されている。
【００４０】
また、層間絶縁膜３２上であって、前記ゲート電極用メタルフレーム２１ＧＦに対向する位置には、前記ゲート接続用電極２１Ｃが形成されている。さらに、層間絶縁膜３２上の、前記電源線メタルフレームＶＦに対向する位置には、前記信号線メタルフレーム２１ＣＦが形成されている。
【００４１】
そして、前記ドレイン電極２１Ｄと前記シリコン層３０のドレイン領域３０Ｄとの間の層間絶縁膜３２には前記ゲート絶縁膜と連通して開孔形成されたドレイン用コンタクトホールＨＤが形成されている。そして、このドレイン用コンタクトホールＨＤに導電性材料が埋め込まれることで形成されたドレインコンタクト部ＤＣＯＮを介して前記ドレイン電極２１Ｄと前記ドレイン領域３０Ｄとが電気的に接続されている。
【００４２】
同様に、前記ソース電極２１Ｓと前記シリコン層３０のソース領域３０Ｓとの間の層間絶縁膜３２には前記ゲート絶縁膜と連通して開孔形成されたソース用コンタクトホールＨＳが形成されている。そして、このソース用コンタクトホールＨＳに導電性材料が埋め込まれることで形成されたソースコンタクト部ＳＣＯＮを介して前記ソース電極２１Ｓと前記ソース領域３０Ｓとが電気的に接続されている。そして、前記ドレイン電極２１Ｄ、ソース電極２１Ｓ、ゲート電極２１Ｇ、ドレインコンタクト部ＤＣＯＮ、ソースコンタクト部ＳＣＯＮ及びシリコン層３０で前記駆動トランジスタＱｄが構成されている。
【００４３】
また、前記ゲート接続用電極２１Ｃと前記ゲート電極用メタルフレーム２１ＧＦとの間の層間絶縁膜３２には該層間絶縁膜３２を開孔形成されたゲート用コンタクトホールＨＧが形成されている。そして、このゲート用コンタクトホールＨＧに導電性材料が埋め込ま
れることで形成されたゲートコンタクト部ＧＣＯＮを介して前記ゲート接続用電極２１Ｃと前記ゲート電極用メタルフレーム２１ＧＦとが電気的に接続されている。
【００４４】
このように前記表示パネル部１２は、層間絶縁膜３２を介して第１メタルフレームＭ１と第２メタルフレームＭ２とが積層して配置された多層配線構造を成している。
前記各電極２１Ｄ，２１Ｓ，２１Ｃ、信号線メタルフレーム２１ＣＦ及び層間絶縁膜３２上には絶縁層３３が形成されている。尚、絶縁層３３は、本実施形態においては、二酸化珪素（ＳｉＯ２）で構成されている。絶縁層３３上には、その所定の位置に画素電極３４及び第１隔壁層３５ａがそれぞれ形成されている。詳しくは、前記駆動トランジスタＱｄを構成する各電極２１Ｄ，２１Ｓ，２１Ｇ、ゲート電極用メタルフレーム２１ＧＦ、ゲート接続用電極２１Ｃ、信号線メタルフレーム２１ＣＦ、及び、電源線メタルフレームＶＦが配置された位置に対応した絶縁層３３上には、画素電極３４が形成されている。画素電極３４は、図４（ａ）に示す前記電流供給用電極２１Ｋに電気的に接続されている。つまり、画素電極３４は、図３に示す有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤの陽極Ｅ１に対応しており、前記駆動トランジスタＱｄから出力された駆動電流Ｉｅｌを画素電極３４上に形成される発光層３６に供給するための電極である。また、前記画素電極３４は光学的に反射率の高い材料で構成されている。本実施形態においては、画素電極３４はアルミニウム（Ａｌ）とスズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）の２層で構成されている。
【００４５】
第１隔壁層３５ａは前記画素電極３４の周縁部に乗り上げて形成されており、絶縁物である親水性の無機材料で構成されている。このため、第１隔壁層３５ａの内側が画素発光領域となる。つまり、前記画素電極３４の周縁部に設けられた第１隔壁層３５ａで画素発光領域が規定される。本実施形態における第１隔壁層３５ａは、親水性の無機材料である二酸化珪素（ＳｉＯ２）で構成されている。
【００４６】
第１隔壁層３５ａ上には第２隔壁層３５ｂが形成されている。第２隔壁層３５ｂはその表面が、大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ
処理）を施すことで撥水性処理されている。
【００４７】
そして、前記画素電極３４上であって前記第１及び第２隔壁層３５ａ，３５ｂで囲まれた領域（以下、画素開口部Ｓという。）には高分子有機材料で構成された発光層３６が形成されている。本実施形態では、前記したように、第１隔壁層３５ａは親水性である二酸化珪素（ＳｉＯ２）で構成されているため、高分子有機材料で構成された発光層３６が同第１隔壁層３５ａの表面に密着して形成される。一方、第２隔壁層３５ｂは前記したように撥水性処理されているため、高分子有機材料で構成された発光層３６が同第２隔壁層３５ｂの表面全体に渡って密着して形成されることはない。この結果、例えば、インクジェット方式を用いて高分子有機材料を画素開口部Ｓに塗布することで発光層３６を形成する場合において、画素開口部Ｓの画素電極３４上に前記発光層３６を構成する高分子有機材料が精度良く付着されることができる。
【００４８】
また、前記発光層３６及び第２隔壁層３５ｂ上の全面に渡って陰極電極３７が形成されている。陰極電極３７は、光透過性のある導電性材料で構成されている。この陰極電極３７は前記した有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤの陰極Ｅ２に対応する電極層である。本実施形態においては、前記陰極電極３７は、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）で構成されている。陰極電極３７上には光透過性のある材料で構成された封止基板３８が形成されている。
【００４９】
そして、前記駆動トランジスタＱｄを構成するドレイン電極２１Ｄから出力された駆動電流Ｉｅｌがドレイン電極用メタルフレーム２１ＤＦ及び電流供給用電極２１Ｋを介して画素電極３４に供給されることで、駆動電流Ｉｅｌの電流レベルに応じて発光層３６が発
光する。そして、発光層３６にて発せられた光が前記陰極電極３７及び封止基板３８を介して外部に出射される。また、このとき、前記したように、画素電極３４は、アルミニウム（Ａｌ）とスズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）の２層で構成されているため、前記発光層３６で発せられた光が画素電極３４で反射されて前記封止基板３８側から出射される。このようにして前記発光層３６にて発せられた光が封止基板３８側から出射される、所謂、トップエミッションタイプの有機エレクトロルミネッセンスディスプレイが構成される。
【００５０】
上記のように構成された表示パネル部１２は、本実施形態においては、画素電極３４上であって、その下方に前記第１メタルフレームＭ１と前記第２メタルフレームＭ２とが層間絶縁膜３２を介して互いに重なって配置形成されている位置に対応する領域に親水性材料で構成された絶縁部材４０ａ，４０ｂが形成されている。尚、本実施形態では、前記絶縁部材４０ａ，４０ｂは、それぞれ二酸化珪素（ＳｉＯ２）で構成されている。
【００５１】
詳述すると、図４（ａ），（ｂ）に示すように、画素電極３４上であって前記ゲート電極用メタルフレーム２１ＧＦとゲート接続用電極２１Ｃとが層間絶縁膜３２を介して互いに重なって配置形成される位置及びその外周縁部（これが、特許請求の範囲に記載のエッジ部に相当）にそれぞれ対応する領域Ｚ１（図４（ａ）においては、斜線で示されている領域）に絶縁部材４０ａが形成されている。この絶縁部材４０ａは前記ゲート接続用電極２１Ｃのエッジ部に対応する領域に形成されている。
【００５２】
また、画素電極３４上であって前記電源線メタルフレームＶＦと信号線メタルフレーム２１ＣＦとが層間絶縁膜３２を介して互いに重なって配置形成される位置及びその外周縁部（これが、特許請求の範囲に記載のエッジ部に相当）にそれぞれ対応する領域Ｚ２（図４（ａ）においては、斜線で示されている領域）に絶縁部材４０ｂが形成されている。この絶縁部材４０ｂは前記電源線メタルフレームＶＦと信号線メタルフレーム２１ＣＦとが互いに重なって配置形成される位置の中央部に対応する領域を除いて形成されている。この絶縁部材４０ａ，４０ｂがそれぞれ形成される前記領域Ｚ１，Ｚ２は、それ以外の領域に比べて、例えば、約１μｍといった比較的大きな段差が生じる領域である。
【００５３】
従って、前記領域Ｚ１，Ｚ２にそれぞれ親水性の絶縁部材４０ａ，４０ｂを形成することで、画素電極３４上の比較的大きな段差が生じる領域Ｚ１，Ｚ２上に発光層３６を構成する前記高分子有機材料を確実に付着させることができる。その結果、前記領域Ｚ１，Ｚ２にて画素電極３４と陰極電極３７とが接触してショートするのを防止することができる。このことから、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの表示品位を向上させることができる。また、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの歩留まりを向上させることができる。
【００５４】
また、前記領域Ｚ１，Ｚ２に親水性の絶縁部材４０ａ，４０ｂを形成することで、前記領域Ｚ１，Ｚ２を含む画素２０の発光層３６の膜厚を均一にすることができる。従って、発光層３６にて発せられる光の輝度を均一にすることができる。この結果、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの表示ムラを抑制することができる。さらに、前記領域Ｚ１，Ｚ２での発光層３６の膜厚が小さいと、同前記領域Ｚ１，Ｚ２にてダークスポットが成長し易いが、親水性の絶縁部材４０ａ，４０ｂを形成することで前記領域Ｚ１，Ｚ２での発光層３６の膜厚を大きくすることができる。従って、ダークスポットが成長の抑制することができる。この結果、有機エレクトロルミネッセンスディプレイの表示品位が低下するのを抑制することができる。
【００５５】
また、インクジェット方式を用いて発光層３６を形成するようにした場合、前記画素電極３４上の前記領域Ｚ１，Ｚ２においても、前記したように、前記領域Ｚ１，Ｚ２に発光
層３６を確実に形成することができる。このことから、インクジェット方式を用いて製造された有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの表示品位を向上させることができる。また、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの歩留まりを向上させることができる。
【００５６】
尚、特許請求の範囲に記載の基板は、例えば、本実施形態では、ガラス基板ＧＬに対応している。また、特許請求の範囲に記載の駆動素子は、例えば、本実施形態では、駆動トランジスタＱｄに対応している。さらに、特許請求の範囲に記載の配線層は、例えば、本実施形態では、電源線Ｌｏ、第１メタルフレームＭ１、第２メタルフレームＭ２、電源線メタルフレームＶＦまたは信号線メタルフレーム２１ＣＦに対応している。また、特許請求の範囲に記載の電気光学装置は、例えば、本実施形態では、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ１０に対応している。特許請求の範囲に記載の電極は、例えば、本実施形態では、画素電極３４に対応している。また、特許請求の範囲に記載の駆動信号は、例えば、本実施形態では、駆動電流Ｉｅｌに対応している。
【００５７】
前記実施形態によれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）前記実施形態では、画素電極３４上であってゲート電極用メタルフレーム２１ＧＦとゲート接続用電極２１Ｃとが層間絶縁膜３２を介して互いに重なって配置形成される位置及びその外周縁部にそれぞれ対応する領域Ｚ１に親水性材料で構成された絶縁部材４０ａを形成した。また、画素電極３４上であって前記電源線メタルフレームＶＦと信号線メタルフレーム２１ＣＦとが層間絶縁膜３２を介して互いに重なって配置形成される位置及びその外周縁部にそれぞれ対応する領域Ｚ２に親水性の絶縁部材４０ｂを形成した。
【００５８】
従って、画素電極３４上の比較的大きな段差が生じる前記各領域Ｚ１，Ｚ２に発光層３６を構成する高分子有機材料を確実に付着させることができる。その結果、前記領域Ｚ１，Ｚ２にて画素電極３４と陰極電極３７とが接触してショートするのを防止することができる。このことから、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの表示品位を向上させることができる。また、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの歩留まりを向上させることができる。
【００５９】
（２）前記実施形態では、画素電極３４上の比較的大きな段差が生じる前記各領域Ｚ１，Ｚ２に親水性材料で構成された絶縁部材４０ａを形成した。従って、画素電極３４上の比較的大きな段差が生じる前記各領域Ｚ１，Ｚ２に発光層３６を構成する高分子有機材料を確実に付着させることができる。この結果、前記領域Ｚ１，Ｚ２を含む画素２０の発光層３６の膜厚を均一にすることができる。このことから、発光層３６にて発せられる光の輝度を画素２０毎で均一にすることができる。
【００６０】
（３）  前記実施形態では、画素電極３４上であってゲート電極用メタルフレーム２１ＧＦとゲート接続用電極２１Ｃとが層間絶縁膜３２を介して互いに重なって配置形成される位置及びその外周縁部にそれぞれ対応する領域Ｚ１に親水性材料で構成された絶縁部材４０ａを形成した。また、画素電極３４上であって前記電源線メタルフレームＶＦと信号線メタルフレーム２１ＣＦとが層間絶縁膜３２を介して互いに重なって配置形成される位置及びその外周縁部にそれぞれ対応する領域Ｚ２に親水性の絶縁部材４０ｂを形成した。
【００６１】
従って、画素電極３４上の前記各領域Ｚ１，Ｚ２にて発光層３６の膜厚が小さくなることはない。この結果、前記各領域Ｚ１，Ｚ２にてダークスポットが成長するのを抑制することができる。従って、その分、有機エレクトロルミネッセンスディプレイの表示品位が低下するのを抑制することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を図５に従って説明する。また、本実施形態に
係る表示パネル部は、親水性材料で構成された絶縁部材４０ａ，４０ｂが形成される領域が異なっていること以外は前記第１実施形態と同じ構造である。従って、その他の構造については部材番号を付すとともにその詳細な説明は省略する。
【００６２】
図５は、第１実施形態にて説明した画素２０を構成する前記駆動トランジスタＱｄ及び電源線Ｌｏ等を構成するメタルフレームＭＰの一部を含む画素２０の上面図である。本実施形態においては、画素電極３４上であって、その下方に駆動トランジスタＱｄといった有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤに駆動電流Ｉｅｌを供給する各種駆動素子が配置形成されている位置に対応する領域Ｒの外周部の領域Ｚ３に親水性絶縁材料で構成された絶縁層が形成されている。この駆動トランジスタＱｄといった各種駆動素子が配置形成される領域Ｒは、それ以外の領域に比べて全体的に、例えば、１μｍ程度盛り上がっており、その領域Ｒの外周部の領域Ｚ３には比較的大きな段差が生じる。
【００６３】
そして、本実施形態では画素電極３４上であって、前記領域Ｒの外周部の領域Ｚ３に親水性材料で構成された絶縁層が形成されている。尚、図５には駆動トランジスタＱｄ以外のスイッチングトランジスタＱｓｗや保持キャパシタＣｏといった他の駆動素子は図示していないが、この駆動トランジスタＱｄの形成位置の近傍であって、前記領域Ｒ内に形成されている。
【００６４】
この結果、前記領域Ｒの外周部の領域Ｚ３に対応する画素電極３４上に発光層３６を構成する前記高分子有機材料を確実に密着して形成することができる。従って、発光層３６の膜厚を均一化することができる。この結果、前記第１実施形態と同様な効果を得ることができる。
（第３実施形態）
次に、第１及び第２実施形態で説明した電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ１０の電子機器の適用について図６に従って説明する。有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ１０は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
【００６５】
図６は、モバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図を示す。図６において、パーソナルコンピュータ７０は、キーボード７１を備えた本体部７２と、前記有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ１０を用いた表示ユニット７３とを備えている。この場合においても、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ１０を用いた表示ユニット７３は前記第１及び第２実施形態と同様な効果を発揮する。
【００６６】
尚、発明の実施形態は、上記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
○上記第１及び第２実施形態では、絶縁部材４０ａ，４０ｂを構成する親水性材料を二酸化珪素（ＳｉＯ２）で構成した。これを、親水性高分子材料やＳＯＧ膜（シラノール（Ｓｉ（ＯＨ）４）をアルコールに溶かしたものを、例えばスピンナを用いて形成した膜）で構成してもよい。このようにすることで、上記実施形態と同じ効果を奏することができる。
【００６７】
○上記第１及び第２実施形態では、本発明を画素電極３４上に直接発光層３６が形成され、且つ、発光層３６上に直接陰極電極３７が形成された構造を成した有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤを備えた有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ１０に適応した。これを、画素電極３４上に正孔輸送層を形成し、その正孔輸送層上に発光層３６が形成され、且つ、発光層３６上に電子注入層を形成し、その電子注入層上に陰極電極３７が形成された構造を成した有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤを備えた有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに適応してもよい。このようにすることで、上記実
施形態と同じ効果を奏することができる。
【００６８】
○上記各実施形態では、電気光学装置として、その発光層が有機材料で構成された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ１０に具体化したが、これに限定されるものではなく、液晶素子、電気泳動素子、電子放出素子といった電気光学素子を備えた電気光学装置ならどのような電気光学装置に適応してもよい。
【００６９】
○上記各実施形態では、トップエミッションタイプの有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ１０に具体化したが、所謂、ボトムエミッションタイプの有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに適応してもよい。
【００７０】
○上記各実施形態では、ポリシリコンで構成されたシリコン層３０を有した駆動トランジスタＱｄで画素２０が構成された有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ１０に対して適応した。これを、単結晶で構成されたシリコン層を有した駆動トランジスタで画素２０が構成された有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに対して適応してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図２】表示パネル部及びデータ線駆動回路の電気的構成を示す回路図である。
【図３】画素の回路図である。
【図４】（ａ）は、第１実施形態における画素を構成する前記駆動トランジスタ及び電源線等を構成するメタルフレームの一部を含む表示パネル部の上面図である。（ｂ）は、（ａ）中のＡ−Ａ線に沿ったメタルフレームを含む表示パネル部の一部断面図である。
【図５】第２実施形態における画素を構成する駆動トランジスタ及び電源線等を構成するメタルフレームの一部を含む表示パネル部の上面図である。
【図６】第３の実施形態を説明するためのモバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図７】従来の表示パネル部の一部断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｍ・・・データ信号、ＧＬ…基板としてのガラス基板、Ｌｏ…配線層としての電源線、Ｍ１…配線層としての第１メタルフレーム、Ｍ２…配線層としての第２メタルフレーム、ＯＬＥＤ…有機エレクトロルミネッセンス素子、Ｑｄ…駆動素子としての駆動トランジスタ、ＶＦ…配線層としての電源線メタルフレーム、１０…電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、２１ＣＦ…配線層としての信号線メタルフレーム、３２…層間絶縁膜、３４…電極としての画素電極、３６…発光層、４０ａ，４０ｂ…絶縁部材、７０…電子機器としてのモバイル型のパーソナルコンピュータ。
【図１】
2005055821.tif 000003
【図２】
2005055821.tif 000004
【図３】
2005055821.tif 000005
【図４】
2005055821.tif 000006
【図５】
2005055821.tif 000007
【図６】
2005055821.tif 000008
【図７】
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