(57)【要約】【課題】一般的な有機絶縁物質であるＢＣＢまたは無機絶縁物質である窒化シリコンを利用して、凹凸状の反射板を構成して反射効率が高めることができ、かつ通常の液晶表示装置の製作ラインをそのまま利用して反射型または半透過型液晶表示装置を製造することができる液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。【解決手段】基板上にゲート電極と半導体層、ソース電極及びドレイン電極で構成されたスイッチング素子を形成する段階と、前記スイッチング素子が形成された基板上に第１絶縁膜を形成する段階と、前記第１絶縁膜上に複数のフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンを利用して前記第１絶縁膜をパターニングして凹凸部を形成する段階と、前記凹凸部が形成された第１絶縁膜上に反射板を形成する段階を含む。【選択図】図４Ｄ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極と半導体層、ソース電極及びドレイン電極で構成されたスイッチング素子を形成する段階と；
前記スイッチング素子が形成された基板上に第１絶縁膜を形成する段階と；
前記第１絶縁膜上に複数のフォトレジストパターンを形成する段階と；
前記フォトレジストパターンを利用して前記第１絶縁膜をパターニングして凹凸部を形成する段階と；
前記凹凸部が形成された第１絶縁膜上に反射板を形成する段階と
を含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１絶縁膜は、有機絶縁物質で構成される
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１絶縁膜のパターニングは、乾式エッチング方法により行われる
ことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１絶縁膜は、無機絶縁物質からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１絶縁膜のパターニングは、湿式エッチング方法により行われる
ことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項６】
前記スイッチング素子と第１絶縁膜の間に第２絶縁膜を形成する段階を含む
ことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項７】
前記フォトレジストパターン間の間隔は、４μｍないし３０μｍで形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項８】
前記凹凸部の垂直高さと水平長さの比率は１：１０ないし１：３０で形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項９】
前記反射板は開口部を有し、前記反射板上部に前記スイッチング素子と連結して透明な画素電極を形成する段階をさらに含む
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記複数のフォトレジストパターンを形成する段階は、マスクを利用する工程を通じて行われる
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記複数のフォトレジストパターンは、多角形または半円型、半楕円形の中の一つの断面を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は反射板を有する液晶表示装置に係り、反射板を有する反射型液晶表示装置または半透過型液晶表示装置のアレイ基板において反射板の凹凸構造を形成する液晶表示装置用アレイ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、情報化社会に時代が急発展するに従って薄形化、軽量化、低消費電力化などの優れた特性を有する平板表示装置（flat panel display）の必要性が台頭してきている。
【０００３】
このような平板表示装置は、自ら光を発するか否かかによって分けられるが、自ら光を発して画像を表示するものを発光型表示装置と称し、外部の光源を利用して画像を表示するものを受光型表示装置と称する。発光型表示装置としてはプラズマ表示装置（plasma display panel）と電界放出表示装置（field emission display）、電界発光表示装置（electroluminescence display）などがあり、受光型表示装置としては液晶表示装置（liquid crystal display）がある。このうち、液晶表示装置は、解像度、カラー表示、画質などが優れノートブックやデスクトップモニターに適用されている。
【０００４】
一般的に、液晶表示装置は、電界生成電極が各々形成されている両基板を両電極が形成されている面が向かい合うように配置して両基板間に液晶物質を注入した後に、両電極に電圧を印加して生成される電界により液晶分子を動かし、これにより変わる光の透過率を調節して画像を表現する装置である。
【０００５】
ところが、液晶表示装置は、前述したように自ら光を発することができないので別途の光源が必要である。したがって、液晶パネル後面にバックライト（back light）を配置してバックライトから出てくる光を液晶パネルに入射させて、液晶の配列によって光量を調節することによって画像を表示する。この時、液晶表示装置の電界生成電極は透明導電物質で形成されて、両基板も透明基板で構成されなければならない。
【０００６】
このような液晶表示装置を透過型（transmission type）液晶表示装置と称するが、透過型液晶表示装置はバックライトのような人為的な背面光源を用いるので暗い外部環境においても明るい画像を具現できるが、バックライトによる電力消費（power consumption）が大きい短所がある。
【０００７】
このような短所を補完するために、反射型（reflection type）液晶表示装置が提案されている。反射型液晶表示装置は、外部の自然光や人造光を反射させることによって液晶の配列によって光の透過率を調節するもので、透過型液晶表示装置に比べて電力消費が少ない。反射型液晶表示装置において下部の電界生成電極はよく反射する導電物質で形成し、上部の電界生成電極は外部光を透過させるために透明導電物質で形成する。
【０００８】
以下、添付された図面を参照しながら反射板を有する液晶表示装置の例として、反射型液晶表示装置と反射透過型液晶表示装置に対して説明する。図１は、一般的な反射型液晶表示装置の一部断面を示したものである。図示したように、第１基板１１上にはゲート（gate）電極１２が形成されており、その上にゲート絶縁膜１３が形成されている。ゲート絶縁膜１３下部にはゲート電極１２と連結されたゲート配線（図示せず）がさらに形成されている。
【０００９】
また、ゲート電極１２上部のゲート絶縁膜１３上にはアクティブ層１４とオーミックコンタクト層１５ａ、１５ｂが順次形成されている。前記オーミックコンタクト層１５ａ、１５ｂ上にはソース電極１６ｂ及びドレイン電極１６ｃが形成されているが、ソース電極１６ｂ及びドレイン電極１６ｃはゲート電極１２と共に薄膜トランジスタを構成する。
【００１０】
一方、ソース電極１６ｂ及びドレイン電極１６ｃと同一物質で構成されたデータ配線４がゲート絶縁膜１３上に形成されており、データ配線４はソース電極１６ｂと連結されている。データ配線４はゲート配線と交差して画素領域を定義する。また、データ配線４とソース電極１６ｂ及びドレイン電極１６ｃ上部には有機物質で構成された保護層１７が形成されて薄膜トランジスタＴを覆っており、保護層１７はドレイン電極１６ｃをあらわすコンタクトホール１７ａを有する。
【００１１】
続いて、保護層１７上部の画素領域には反射電極１８が形成されていて、コンタクトホール１７ａを通じてドレイン電極１６ｃと連結している。ここで、反射電極１８は金属のような導電物質で構成され、使用者の有効視野角における反射率を高めるために散乱機能を持つ凹凸型で形成され、薄膜トランジスタＴを覆いデータ配線４と重なっていて開口率を向上させることができるが、保護層１７を低誘電定数を有する有機物質で形成して反射電極１８とデータ配線４間に信号干渉が発生しないようにする。
【００１２】
一方、第２基板２１の内側面にはブラックマトリックス２２が形成されていて、その下部に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の色が順次反復されているカラーフィルター２３ａ、２３ｂ、２３ｃが形成されており、カラーフィルター２３ａ、２３ｂ、２３ｃ下部には透明導電物質で構成された共通電極２４が形成されている。ここで、カラーフィルター２３ａ、２３ｂ、２３ｃは一つの色が一つの反射電極１８と対応し、ブラックマトリックス２２は反射電極１８の縁に対応する位置に形成されている。前述したように、金属のように不透明な導電物質で構成された反射電極１８が薄膜トランジスタＴを覆っているので、ブラックマトリックス２２は反射電極１８の縁だけを遮るように形成されることができる。
【００１３】
次に、反射電極１８と共通電極２４間には液晶層３０を配置し、液晶層３０の液晶分子は反射電極１８と共通電極２４に電圧が印加された時、両電極１８、２４間に生成された電界により配列状態が変化する。この時、図示しなかったが反射電極１８上部と共通電極２４下部には各々配向膜が形成されていて、液晶分子の初期配列状態を決定する。
【００１４】
このように、反射型液晶表示装置においては反射電極をよく反射する物質で形成して外部から入射された光を反射させて画像を表現する。したがって、消費電力を減少させて長時間用いることができる。
【００１５】
また、保護層１７の上部面に凹凸を形成して反射電極１８の表面が凹凸形態を有するようにする。したがって、反射される光の角度を変化させて正面輝度を向上させることができる。
【００１６】
凹凸反射板を含む反射型液晶表示装置アレイ基板の断面図である図２Ａないし図２Ｅを参照して、このような凹凸を形成する過程を含む従来の一般反射型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を記述する。
【００１７】
ソース電極及びドレイン電極を形成する工程までは通常の液晶表示装置と同一であるので省略する。図２Ａに示したように、薄膜トランジスタが形成された基板の保護層１７上部に有機物質を塗布して第１有機膜３１を形成する。この有機物質は感光性物質例えば、フォトアクリルを用いる。これは有機物質をパターニングするのに別途のフォトレジスターを用いる必要がないためである。
【００１８】
図２Ｂに示したように、マスクを用いて露光後現像して、感光性有機物質を除去すれば、一定の間隔及び大きさを有するのこぎり歯状の有機膜パターン３３を形成することができる。この時、パターン３２間の間隔及び重畳程度を調節して以後形成される凹凸の傾斜角を調節できる。このような有機物質は光を受ける部分を除去させることもでき、光を受けない部分を除去させることもできる。
【００１９】
次に、図２Ｃに示されたように、前記有機膜パターン３３を熱処理して凹凸状の有機膜パターン３５を形成する。この時、前記有機膜パターン３５は熱処理により溶融して広がるようになり、続いて硬化されて傾斜角を有し緩やかな屈曲を形成するようになる。
【００２０】
続いて、図２Ｄに示したように、前記凹凸状の有機膜パターン３５が形成された保護層１７全面に有機物質をコーティングして第２有機膜３７を形成する。ここで、第２有機膜３７は前記凹凸状の有機膜パターン３５により形成された輪郭を調節して表面が傾斜角を有する屈曲部を形成するようになる。
【００２１】
続いて、図２Ｅに示したように、マスクを用いて前記保護層１７をパターニングし前記ドレイン電極１６ｃを露出するドレインコンタクトホール１７ａを形成する。
【００２２】
最後に、図２Ｆに示したように、第２有機膜３７上部の画素領域にはマスクを用いて光を反射させる反射板１８を形成する。この時、前記反射板は反射電極１８を形成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
ところで、前述したようにして製作された反射板１８において、凹凸部は感光性樹脂であるフォトアクリルで構成していた。しかし、前記フォトアクリルは透過型液晶表示装置では利用していないので、既存装備を利用して構成できない。これはフォトアクリルの現像液が異なり新しい現像ラインを構成する装備の投資が必要であるからである。前述した凹凸状の反射板１８の製造は、フォトアクリルの熱処理により形成する方法以外にＢＣＢの乾式エッチングを利用して製作することもできる。
【００２４】
本発明は上述した従来技術の問題点を解決するために案出されたものであって、本発明の目的は、一般的な有機絶縁物質または無機絶縁物質を利用して、凹凸状の反射板を構成して反射効率が高めることができ、かつ通常の液晶表示装置の製作ラインをそのまま利用して反射型または半透過型液晶表示装置を製造することができる液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明による液晶表示装置用アレイ基板の製造方法は、基板上にゲート電極と半導体層、ソース電極及びドレイン電極で構成されたスイッチング素子を形成する段階と；前記スイッチング素子が形成された基板上に第１絶縁膜を形成する段階と；前記第１絶縁膜上に複数のフォトレジストパターンを形成する段階と；前記フォトレジストパターンを利用して前記第１絶縁膜をパターニングして凹凸部を形成する段階と；前記凹凸部が形成された第１絶縁膜上に反射板を形成する段階とを含むことを特徴とする。
【００２６】
前記第１絶縁膜は、有機絶縁物質で構成されることを特徴とする。
【００２７】
前記第１絶縁膜のパターニングは、乾式エッチング方法により行われることを特徴とする。
【００２８】
前記第１絶縁膜は、無機絶縁物質からなることを特徴とする。
【００２９】
前記第１絶縁膜のパターニングは、湿式エッチング方法により行われることを特徴とする。
【００３０】
前記スイッチング素子と第１絶縁膜の間に第２絶縁膜を形成する段階を含むことを特徴とする。
【００３１】
前記フォトレジストパターン間の間隔は、４μｍないし３０μｍで形成されることを特徴とする。
【００３２】
前記凹凸部の垂直高さと水平長さの比率は１：１０ないし１：３０で形成されることを特徴とする。
【００３３】
前記反射板は開口部を有し、前記反射板上部に前記スイッチング素子と連結して透明な画素電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする。
【００３４】
前記複数のフォトレジストパターンを形成する段階は、マスクを利用する工程を通じて行われることを特徴とする。
【００３５】
前記複数のフォトレジストパターンは、多角形または半円型、半楕円形の中の一つの断面を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、凹凸部を有する反射板を形成する際、従来の液晶表示装置の絶縁膜に一般的な有機絶縁物質または有機絶縁物質を利用したので、一般的な液晶表示装置の製作ラインをそのまま利用して反射型または半透過型液晶表示装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、添附した図面を参照しながら本発明の実施の形態を詳細に説明する。
＜第１の実施の形態＞
本発明の第１の実施の形態では、一般的な液晶表示装置のアレイ基板の製造に絶縁物質として使われるベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を利用して凹凸部を有する反射板構造を形成するものである。
【００３８】
図３は、本発明に係る反射型液晶表示装置用アレイ基板の断面図である。図３に示すように、基板１００上にゲート電極及び半導体層１０６、ソース電極１０８及びドレイン電極１１０を含むスイッチング素子が形成されていて、前記スイッチング素子を覆って基板１００全面に第１有機膜１１３が形成されている。
【００３９】
前記第１有機膜１１３には凹凸部１１７が形成されており、前記凹凸部１１７が形成された第１有機膜１１３上に第２有機膜１１９が形成されている。前記第１有機膜１１３及び第２有機膜１１９はパターニングされてドレイン電極１１０を露出させるドレインコンタクトホール１２１が形成されており、前記ドレインコンタクトホール１２１を通じてドレイン電極１１０と接触する金属物質で構成された反射板１２３が第２有機膜１１９上に形成されている。前記反射板１２３は反射電極を形成する。
【００４０】
図４Ａないし図４Ｄは、第１の実施の形態による反射型液晶表示装置用アレイ基板の製作工程の断面図である。まず、図４Ａに示したように、基板１００上にゲート電極１０２を形成する。基板１００上にクロム、銅、アルミニウムのような金属物質を蒸着して、その上にＰＲ（photo resist）を塗布して、ゲート電極１０２形態のパターンが形成されたマスクを利用してＰＲを露光して現像、エッチングした後除去してゲート電極１０２を形成する。
【００４１】
以後、前記ゲート電極１０２が形成された基板１００の上部にゲート絶縁膜１０４を形成する。この時、ゲート絶縁膜１０４としてはシリコン窒化膜（ＳｉＮx）やシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）が利用される。
【００４２】
次に、前記ゲート電極１０２上部のゲート絶縁膜１０４上に非晶質シリコンであるアクティブ層１０６ａと不純物が含まれた非晶質シリコンであるオーミックコンタクト層１０６ｂの半導体層１０６を形成する。ここで、シリコン層を蒸着してパターニングしてアクティブ層１０６ａを形成し、アクティブ層に不純物である燐（phosphorus）やホウ素（boron）でイオンドーピングしてオーミックコンタクト層１０６ｂを形成する。
【００４３】
次に、前記オーミックコンタクト層１０６ｂ上部にソース電極１０８とドレイン電極１１０を形成する。ここで、金属物質を蒸着してマスク工程を通じてパターニングしてソース電極１０８及びドレイン電極１１０を形成する。一方、アクティブ層１０６ａとオーミックコンタクト層１０６ｂを形成し、その上にソース電極１０８及びドレイン電極１１０を形成した後に、ソース電極１０８及びドレイン電極１１０間に離隔された領域から露出されたオーミックコンタクト層を除去してその下部にアクティブ層１０６ａを露出してチャネル領域を形成する。この時、ソース電極１０８及びドレイン電極１１０をマスクとして用いるため別途のマスクが要らない。
【００４４】
次に、図４Ｂに示したように、ソース電極１０８及びドレイン電極１１０を含む薄膜トランジスタが形成された基板１００上に有機物質であるＢＣＢを全面塗布して第１有機膜１１３を形成する。以後前記第１有機膜１１３上にＰＲを全面塗布した後、マスク工程を経て露光、現像、エッチングして同間隔のＰＲパターン１１５を形成する。前記ＰＲパターン１１５の形態は、その断面が五角形、六角形、台形などの多角形または半円型、半楕円形の断面を有するように形成し、この時、前記ＰＲパターン１１５とパターン間間隔Ｗは４μｍないし３０μｍ間で形成されるようにする。また、前記ＰＲパターン１１５の大きさ及び間隔Ｗは前記ＰＲパターン１１５の現像時ＣＤ（critical dimension）ロス（普通左右両側１μｍ）考慮して形成しなければならない。
【００４５】
次に、図４Ｃに示したように、前記ＰＲパターン１１５が形成された基板１００を乾式エッチング処理する。前記乾式エッチングを行えば、垂直方向に乾式エッチングが進められる期間水平方向でも乾式エッチングが進められる。したがって、ＰＲパターン１１５の厚さを調節すれば、最終的に大きさが８μｍないし３４μｍの凹凸部１１７が形成される。また、最終形成された凹凸部１１７の垂直高さと水平長さは１：１０ないし１：３０の比で形成され、残るＢＣＢの厚さは０．７μｍになるようにする。この時、垂直方向のＰＲ及びＢＣＢの乾式エッチングされる選択比は乾式エッチング条件の調節で選択して行うことができる。
【００４６】
次に、図４Ｄに示したように、前記凹凸部が形成された第１有機膜１１３上にＢＣＢとアクリル（acryl）系樹脂（resin）を含んだ透明な有機絶縁物質グループ中から選択された一つを全面蒸着して第２有機膜１１９を形成する。以後前記マスク工程を通じて前記有機膜１１３、１１９上にドレインコンタクトホールを形成してドレイン電極を露出させる。以後、前記ドレインコンタクトホール１２１を有する第２有機膜１１９上に反射板１２３を形成する。前記反射板は反射電極を形成する。第２有機膜１１９の代わりに無機膜を形成することもできる。
【００４７】
図５は、第１の実施の形態による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の断面図である。図４Ａないし図４Ｄの反射型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程を通じて凹凸部の形成工程を説明したので、ここでは前記過程を省略して説明する。
【００４８】
図示したように、反射領域Ａと透過領域Ｂを有してスイッチング素子が形成された基板１５０の前記第１絶縁膜１５２上に凹凸部１５４を形成した後、前記凹凸部１５４が形成された第１絶縁膜１５２上に反射板１５６を形成する。この時、透過領域Ｂの輝度向上のために、前記透過領域Ｂに形成された第１絶縁膜１５２を除去した後、透過電極１６０を形成するために反射領域Ａの第１絶縁膜１５２上部だけでなく透過領域Ｂにまで第２絶縁膜１５８を形成して、以後前記第２絶縁膜１５８上に透明な導電物質を蒸着して画素電極１６０を形成する。第１絶縁膜１５２はＢＣＢのような有機物質で構成され、第２絶縁膜１５８は無機物質で構成される。
【００４９】
前述した方法により製作された反射型または半透過型液晶表示装置においては、反射板を一般の液晶表示装置に用いるＢＣＢを利用して、有効視野角確保に効果的で反射効率が優れたディンプル型凹凸部を形成した。このため、従来のフォトアクリルを利用した凹凸部より優れた反射効率を有し、また、従来の金型プレスを利用したスタンプ方式のディンプル型凹凸部の形成時より微細な構造で所望する部分にだけ凹凸部を形成することによって新しい装備の投資なしに高効率の反射または半透過液晶表示装置用アレイ基板を製作できる。
【００５０】
＜第２の実施の形態＞
本発明による第２の実施の形態では、反射効率が優れたディンプル型凹凸部の構造を無機絶縁物質である窒化シリコンで構成して、湿式エッチングを通じて形成する方法を提供する。
【００５１】
図６Ａないし図６Ｄは、本発明の第２の実施の形態による反射型液晶表示装置用アレイ基板において窒化シリコンの湿式エッチングによる反射板を形成することを示した製造断面図である。まず、図６Ａに示したように、基板２００上にゲート電極２０２とそのゲート電極２０２を覆ってゲート絶縁膜２０４を形成し、前記ゲート絶縁膜２０４上にアクティブ層２０６ａとオーミックコンタクト層２０６ｂの半導体層２０６を形成し、前記半導体層２０６上にソース電極２０８及びドレイン電極２１０を形成して、薄膜トランジスタを構成する。
【００５２】
次に、図６Ｂに示したように、前記ソース電極２０８及びドレイン電極２１０が形成された基板２００上に無機絶縁物質である窒化シリコンを全面に蒸着して無機絶縁膜２１２を形成する。以後前記基板２００上に全面蒸着された無機絶縁膜２１２上にＰＲを塗布する。以後マスクを利用して露光して、現像してＰＲパターン２１４を形成する。無機絶縁膜２１２は酸化シリコンで形成することもできる。
【００５３】
この時、前記マスクは印刻パターンを含むが、印刻パターン間距離が１μｍないし２μｍであって、前記印刻パターンの大きさは２μｍないし２０μｍになるように形成される。前記マスクの印刻パターンは円、楕円形、六角形等多様なパターンで構成される。
【００５４】
次に、図６Ｃに示したように、前記ＰＲパターン２１４が形成された基板２００を湿式エッチングする。この時、前記無機絶縁膜２１２はＰＲパターン２１４により遮られている部分においてもその側面がエッチングされるので湿式エッチングの条件を適切に調節して凹凸部の構造を前記無機絶縁膜２１２に形成する。
【００５５】
次に、図６Ｄに示したように、前記凹凸部が形成された基板２００上にマスク工程を行いドレインコンタクトホール２２０を形成して、同時に前記ドレインコンタクトホール２２０を通じてドレイン電極２１０と接触する反射電極２２２を前記凹凸状の無機絶縁膜２１２上に形成する。
【００５６】
前述した方法においてソース電極及びドレイン電極の形成後、前記ソース電極及びドレイン電極上に有機絶縁物質であるＢＣＢ等で有機膜を形成した後、前述した第２の実施の形態のように、窒化シリコンの無機膜を形成して湿式エッチング工程を進めて凹凸部を形成することもできる。
【００５７】
図示しなかったが、半透過液晶表示装置の場合、凹凸部が形成された無機絶縁膜上に反射板を形成して、その上に再び無機絶縁膜を形成し、前記無機絶縁膜上にドレイン電極とドレインコンタクトホールを通じて接触する透過電極を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】一般的な反射型液晶表示装置の断面図。
【図２Ａ】フォトアクリルの凹凸構造の反射板を有する反射型液晶表示装置用アレイ基板の製作工程断面図。
【図２Ｂ】図２Ａに続く製作工程断面図。
【図２Ｃ】図２Ｂに続く製作工程断面図。
【図２Ｄ】図２Ｃに続く製作工程断面図。
【図２Ｅ】図２Ｄに続く製作工程断面図。
【図２Ｆ】図２Ｅに続く製作工程断面図。
【図３】本発明の液晶表示装置用アレイ基板の断面図。
【図４Ａ】本発明の第１の実施の形態のＢＣＢを利用した凹凸構造の反射板を有する反射型液晶表示装置用アレイ基板の製作工程断面図。
【図４Ｂ】図４Ａに続く製作工程断面図。
【図４Ｃ】図４Ｂに続く製作工程断面図。
【図４Ｄ】図４Ｃに続く製作工程断面図。
【図５】本発明に第１の実施の形態による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の断面図。
【図６Ａ】本発明の第２の実施の形態による窒化シリコンを利用した凹凸構造の反射板を有する反射型液晶表示装置用アレイ基板の製作工程断面図。
【図６Ｂ】図６Ａに続く製作工程断面図。
【図６Ｃ】図６Ｂに続く製作工程断面図。
【図６Ｄ】図６Ｃに続く製作工程断面図。
【符号の説明】
【００５９】
１００：基板、１０６：半導体層、１０８：ソース電極、１１０：ドレイン電極、１１３：第１有機膜、１１７：凹凸部、１１９：第２有機膜、１２１：ドレインコンタクトホール、１２３：反射板。
【図１】
2005300564.tif 000003
【図２Ａ】
2005300564.tif 000004
【図２Ｂ】
2005300564.tif 000005
【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
2005300564.tif 000007
【図２Ｅ】
2005300564.tif 000008
【図２Ｆ】
2005300564.tif 000009
【図３】
2005300564.tif 000010
【図４Ａ】
2005300564.tif 000011
【図４Ｂ】
2005300564.tif 000012
【図４Ｃ】
2005300564.tif 000013
【図４Ｄ】
2005300564.tif 000014
【図５】
2005300564.tif 000015
【図６Ａ】
2005300564.tif 000016
【図６Ｂ】
2005300564.tif 000017
【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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