(57)【要約】【課題】  電気光学装置において、簡単な構成で小型化・高精細化を実現しつつ高品質な表示を行う。【解決手段】  基板上にデータ線、走査線、薄膜トランジスタ、蓄積容量、シールド層、及び画素電極を設ける。シールド層は、蓄積容量上に配置された複数の層間絶縁膜を下地として画素間の非開口領域内に形成されると共に、複数の層間絶縁膜を一つながりに貫通するコンタクトホールを介してにより蓄積容量の固定電位側電極と電気的に接続された第１の導電性遮光膜からなる。また、シールド層は、蓄積容量の固定電位側電極と電気的に接続され、画素電極は、シールド層よりも上層側に配置されると共に、複数の層間絶縁膜を下地として形成され、複数の層間絶縁膜を一つながりに貫通する画素電極用コンタクトホールを介して蓄積容量の画素電位側電極と電気的に接続される。【選択図】      図７
2005222019.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、
前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線の交差領域に対応するように配置された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタより上層側に形成され、誘電体膜を介して対向配置された固定電位側電極と画素電位側電極を有して構成された蓄積容量と、
前記蓄積容量上に配置された複数の層間絶縁膜と、
画素間の非開口領域内において前記複数の層間絶縁膜を一つながりに貫通するコンタクトホールと、
前記層間絶縁膜上に形成されるとともに、前記コンタクトホールにより前記蓄積容量の固定電位側電極と電気的に接続された第１の導電性遮光膜からなるシールド層と、
前記シールド層よりも上層側の層間絶縁膜上に形成され、前記蓄積容量の画素電位側電極を介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続された画素電極と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
平面的に見て前記非開口領域内に配置されていると共に前記複数の層間絶縁膜の層間に配置された第２の導電性遮光膜を更に備えており、
前記コンタクトホールは、平面的に見て前記非開口領域のうち前記第２の導電性遮光膜が形成されていない領域を貫通し、前記画素電極は、前記第２の導電性遮光膜の一部を中継して前記画素電位側電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記データ線は、前記第２の導電性遮光膜が配置された層間絶縁膜の上に配置され、前記第２の導電性遮光膜と同一の材料によって構成されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記コンタクトホールの一側縁は、平面的に見て前記薄膜トランジスタの一端に沿って延びていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記コンタクトホールは、平面的に見て前記薄膜トランジスタの一端に少なくとも一部が重なり合うように配置されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記コンタクトホールは、前記非開口領域の延在方向において前記薄膜トランジスタと並列しており、前記非開口領域の幅方向において、前記コンタクトホールの幅が前記薄膜トランジスタのチャネル領域の長さと同等以上であることを特徴とする請求項４又は５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記コンタクトホールは、プラグとして形成されることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記コンタクトホールは、アスペクト比が１以下であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記コンタクトホールは、前記シールド層上に形成された下地膜により埋め込まれ、前記下地膜の表面には平坦化処理が施されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
基板上に、互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、
前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線の交差領域に対応するように配置された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタより上層側に形成され、誘電体膜を介して対向配置された固定電位側電極と前記薄膜トランジスタと電気的に接続された前記画素電位側電極とを有して構成された蓄積容量と、
前記蓄積容量上に配置された複数の層間絶縁膜と、
前記蓄積容量よりも上層側であって且つ平面的に見て画素間の非開口領域内の前記複数の層間絶縁膜の間に形成されると共に、前記固定電位側電極と電気的に接続された第１の導電性遮光膜からなるシールド層と、
前記複数の層間絶縁膜を下地として形成されており、平面的に見て前記非開口領域内において前記シールド層が存在しない領域で前記複数の層間絶縁膜を一つながりに貫通する画素電極用コンタクトホールと、
前記画素電極用コンタクトホールを介して前記蓄積容量の画素電位側電極と電気的に接続された画素電極と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
前記画素電極用コンタクトホールは、平面的に見て前記非開口領域の延在方向に沿って延在することを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記画素電極用コンタクトホールは、プラグとして形成されることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記画素電極用コンタクトホールは、アスペクト比が１以下であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記シールド層と前記固定電位側電極との層間に配置されると共に、平面的に見て前記非開口領域内に配置された第２の導電性遮光膜を更に備えており、
前記画素電極は、前記画素電極用コンタクトホールにより前記第２の導電性遮光膜の一部と一つながりに接続されていることを特徴とする請求項１０から１３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
前記データ線は、前記第２の導電性遮光膜が配置された層間絶縁膜の上に配置され、前記第２の導電性遮光膜と同一の材料によって構成されていることを特徴とする請求項１４に記載の電気光学装置。
【請求項１６】
前記シールド層は、前記複数の層間絶縁膜のうち前記シールド層よりも下層側に積層された一つの層間絶縁膜と、前記蓄積容量上に配置された他の層間絶縁膜とを下地として形成され、平面的に見て前記非開口領域内において前記第２の導電性遮光膜が存在しない領域で前記一及び他の層間絶縁膜を一つながりに貫通するシールド層用コンタクトホールにより前記固定電位側電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１４又は１５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１７】
前記シールド層よりも下層側に積層された前記一つの層間絶縁膜は、前記画素電極用コンタクトホールが貫通する前記複数の層間絶縁膜に含まれる層間絶縁膜であって、前記シールド層用コンタクトホールは前記画素電極用コンタクトホールより前記薄膜トランジスタに近接して配置されていることを特徴とする請求項１６に記載の電気光学装置。
【請求項１８】
前記シールド層用コンタクトホールは、プラグとして形成されることを特徴とする請求項１６に記載の電気光学装置。
【請求項１９】
前記シールド層用コンタクトホールは、アスペクト比が１以下であることを特徴とする請求項１６に記載の電気光学装置。
【請求項２０】
請求項１から請求項１９のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【請求項２１】
基板上に、互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線の交差領域に対応するように配置された薄膜トランジスタと、画素電位側電極及び固定電位側電極を有し、前記薄膜トランジスタより上層側に形成され、前記画素電位側電極が前記薄膜トランジスタと電気的に接続された蓄積容量と、前記蓄積容量よりも上層側であって且つ平面的に見て画素間の非開口領域内に形成されると共に、前記固定電位側電極と電気的に接続された第１の導電性遮光膜からなり、複数の層間絶縁膜の間に積層されたシールド層と、前記複数の層間絶縁膜を下地として形成されており、前記蓄積容量の画素電位側電極と電気的に接続された画素電極とを備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上の平面的に見て前記データ線及び走査線の交差領域に対応する領域に、前記薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタより上層側に、前記蓄積容量を形成する工程と、
前記蓄積容量上に、前記蓄積容量の画素電位側電極に接続された第２の導電性遮光膜を層間に介在させるようにして複数の層間絶縁膜を積層する工程と、
平面的に見て前記非開口領域のうち前記第２の導電性遮光膜が形成されていない領域を通過して前記複数の層間絶縁膜を一つながりに貫通し、前記蓄積容量の固定電位側電極に達するように、前記複数の層間絶縁膜の表面にシールド層用コンタクトホールを開口する工程と、
前記シールド層用コンタクトホールが開口された層間絶縁膜表面に、前記シールド層を形成する工程と、
前記シールド層上に、前記画素電極の下地となる下地層を形成する工程と、
前記下地層の表面に、前記画素電極を前記第２の導電性遮光膜の一部に電気的に接続させる画素電極用コンタクトホールを、前記下地層を含む複数の層を一つながりに貫通して前記第２の導電性遮光膜の一部に達するように開口する工程と、
前記画素電極用コンタクトホールが開口された下地層表面に、前記画素電極を形成する工程とを含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置は、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備え、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。また、高コントラスト化等を目的として、ＴＦＴと画素電極との間に蓄積容量が設けられることがある。以上の構成要素は基板上に高密度で作り込まれ、画素開口率の向上や装置の小型化が図られる（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
このように、電気光学装置には更なる表示の高品質化や小型化・高精細化が要求されており、上記以外にも様々な対策が講じられている。例えば、ＴＦＴの半導体層に光が入射すると、光リーク電流が発生し、表示品質が低下してしまうことから、該半導体層の周囲に遮光層が設けられる。また、蓄積容量はできるだけ容量が大きい方が望ましいが、その反面で、画素開口率を犠牲にしないように設計するのが望ましい。更に、これら多くの回路要素は、装置を小型化すべく、基板に高密度で作り込まれるのが望ましい。特許文献２には、このような様々な技術的課題を総合的に考量した構造が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１５６６５２号公報
【特許文献２】特開２００２−８９２７３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、現状の構造では、層間絶縁膜を介して多層化された前述の配線やＴＦＴ、画素電極等は、相互間の接続をコンタクトホールにより実現している。こうした電気的接続は、場所によっては何層もの層間絶縁膜を垂直に分断する経路で行われたり何層もの層間絶縁膜を縦断する経路で行われるが、そのような深さのコンタクトホール形成は困難であることから、適当な層間絶縁膜上に中継層を設け、段階的にコンタクトホールを設ける手法が採られる。そのため、以下のような技術的問題が生じる。
【０００６】
まず、層間絶縁膜を分断するように連結されるコンタクトホールは、平面的に見て互いにずれた異なる位置に形成される。そのため、連結されたコンタクトホール全体の平面的に見た形成領域のサイズ縮小は難しく、今後の狭ピッチ化への対応が困難である。また、その場合には、コンタクトホール同士は平面的に見ても垂直断面から見ても互いの位置がずれているため、当該コンタクトホール同士の間を抜けた光がＴＦＴに入射してしまい、光リーク電流発生の原因となることがある。また、中継層を介在させながら段階的にコンタクトホールを設けることで、基板上の積層構造が複雑化し、工程数も増大するため、製造効率や歩留りを低下させるおそれがある。
【０００７】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みなされたものであり、簡単な構成で小型化・高精細化を実現しつつ、高品質な表示が可能な電気光学装置、及び、そのような電気光学装置を具備してなる電子機器、並びに、そのような電気光学装置を容易に製造可能な電気光学装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の電気光学装置は、基板上に、互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線の交差領域に対応するように配置された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタより上層側に形成され、誘電体膜を介して対向配置された固定電位側電極と画素電位側電極を有して構成された蓄積容量と、前記蓄積容量上に配置された複数の層間絶縁膜と、画素間の非開口領域内において前記複数の層間絶縁膜を一つながりに貫通するコンタクトホールと、前記層間絶縁膜上に形成されるとともに、前記コンタクトホールにより前記蓄積容量の固定電位側電極と電気的に接続された第１の導電性遮光膜からなるシールド層と、前記シールド層よりも上層側の層間絶縁膜上に形成され、前記蓄積容量の画素電位側電極を介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続された画素電極とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明の電気光学装置によれば、走査線及びデータ線、薄膜トランジスタ、蓄積容量、シールド層及び画素電極を備える。これらの各構成要素は、基板上に層間絶縁膜を介して積層されている。また、薄膜トランジスタが、走査線に選択される画素位置の画素電極に対してデータ線からデータ信号を印加するように構成することで、アクティブマトリクス駆動が可能である。そして、薄膜トランジスタと画素電極との間に蓄積容量を介在させることで、画素電極における電位保持特性が向上し、表示の高コントラスト化が可能となる。更に、遮光機能を有し、各画素の非開口領域を規定したり、薄膜トランジスタの半導体層を遮光したりするシールド層は、蓄積容量の固定電位側電極と電気的に接続されることで容量線としての機能をも有する。
【００１０】
このシールド層は、蓄積容量上に配置された複数の層間絶縁膜の上に、また平面的には非開口領域内に形成される。即ち、シールド層と蓄積容量の固定電位側電極との間には、これら複数の層間絶縁膜が積層されている。そして、シールド層と固定電位側電極とは、これら複数の層間絶縁膜を一つながりに貫通するコンタクトホールにより電気的に接続される。
【００１１】
ここでいう「コンタクトホール」とは、層間絶縁膜の上下に形成される導電層を互いに導通させるために層間絶縁膜を厚み方向に貫通する穴を指しており、例えば、上側の導電層がその内部に落としこまれる結果、下側の導電層と接する場合（即ち、所謂コンタクトホールである場合）や、内部に導電材料を埋め込み、その一端を上側の導電層に接触させ、他端を下側の導電層に接触させる場合（即ち、プラグとして形成される場合）を含む。
【００１２】
一般に、シールド層と固定電位側電極との電気的接続は、本発明とは異なる構成として、例えば、層間絶縁膜の層間に中継層を設け、中継層の上下の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール同士を、中継層によって連結させる手法によって達成可能である。しかし、それでは、シールド層と固定電位側電極との間に複数のコンタクトホールを形成しなければならず、それぞれが平面的にも断面的にも異なる位置に設けられることから、これら一連のコンタクトホール全体の形成領域は、単一のコンタクトホールの形成領域より数倍程度大きくなる。また、これらコンタクトホール同士の間を抜けて光がＴＦＴに入射し、光リーク電流発生の原因となることがある。
【００１３】
これに対し、本発明では、単一のコンタクトホールが複数の層間絶縁膜を一つながりに貫通し、シールド層と固定電位側電極との電気的接続を確保することから、その形成領域を縮小することができ、狭ピッチ化が可能となる。また、コンタクトホールが単一であるので、その形成領域における光漏れが防止される。即ち、このコンタクトホールは、シールド層よりも下層で遮光機能を発揮し、より確実な遮光を可能とする。
【００１４】
従って、本発明の電気光学装置は、狭ピッチ化によって小型化・高精細化が実現可能であると共に、光リーク電流の発生が防止され、表示品質の維持向上が可能である。
【００１５】
本発明の電気光学装置の一態様では、平面的に見て前記非開口領域内に配置されていると共に前記複数の層間絶縁膜の層間に配置された第２の導電性遮光膜を更に備えており、前記コンタクトホールは、平面的に見て前記非開口領域のうち前記第２の導電性遮光膜が形成されていない領域を貫通し、前記画素電極は、前記第２の導電性遮光膜の一部を中継して前記画素電位側電極に電気的に接続されている。
【００１６】
この態様によれば、断面的に見てシールド層と蓄積容量の固定電位側電極との間には、第２の導電性遮光膜が形成されている。よって、薄膜トランジスタの遮光効果を一層高めることができる。また、前記コンタクトホールを設ける領域は、平面的に見て第２の導電性遮光膜が形成されていない領域に限定されるが、このコンタクトホールが単一であるために、この要請は比較的容易に満たすことができる。言い換えれば、平面的に見て、第２の導電性遮光膜が形成されていない領域を小さくしつつ、該領域に１個のコンタクトホールを通すことが可能となる。
【００１７】
一方、画素電極は、第２の導電性遮光膜の一部を中継して蓄積容量の画素電位側電極に接続されている。このように各構成要素を効率的に高密度に配置することにより、画素開口率の向上や狭ピッチ化を図ることも可能である。
【００１８】
この態様では、前記データ線は、前記第２の導電性遮光膜の他の一部から構成されているようにしてもよい。即ち、前記データ線は、前記第２の導電性遮光膜が配置された層間絶縁膜の上に配置され、前記第２の導電性遮光膜と同一の材料によって構成されているようにしてもよい。
【００１９】
このようにデータ線を配置することで、効率のよい集積化が図られると共に、データ線、画素電極間の容量カップリングの防止が可能となる。即ち、データ線は、断面的に見てシールド層を介して画素電極と対向する位置にある。前述のように固定電位側電極と接続されたシールド層は、電磁遮蔽層としても機能し、データ線の通電に応じて画素電極に電位変動等が生じる可能性が低減される。従って、より高品位の表示が可能となる。
【００２０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記コンタクトホールの一側縁は、平面的に見て前記薄膜トランジスタの一端に沿って延びている。
【００２１】
この態様によれば、コンタクトホールは、薄膜トランジスタを斜め上方から遮光する。このコンタクトホールはシールド層と蓄積容量の間にあり、第１及び第２の導電性遮光膜等の他の遮光膜に比べても薄膜トランジスタの近くで遮光するので、効果的に光リーク電流の発生を防止し、表示品質を維持向上させることが可能となる。
【００２２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記コンタクトホールは、平面的に見て前記薄膜トランジスタの一端に少なくとも一部が重なり合うように配置される。
【００２３】
この態様によれば、コンタクトホールの少なくとも一部は、薄膜トランジスタを丁度上から遮光する。そのため、薄膜トランジスタに対し、積層構造の内部で乱反射した光の一部が上方から入射することが防止され、表示品質の維持向上が可能となる。
【００２４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記コンタクトホールは、前記非開口領域の延在方向において前記薄膜トランジスタと並列しており、前記非開口領域の幅方向において、前記コンタクトホールの幅が前記薄膜トランジスタのチャネル領域の長さ（チャネル長）幅と同等以上である。
【００２５】
この態様によれば、コンタクトホールは、薄膜トランジスタの全体と平面的に見て非開口領域の延在方向において正対することから、その側壁面及び底面によって、薄膜トランジスタを良好に遮光することが可能である。
【００２６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記コンタクトホールは、プラグとして形成される。
【００２７】
この態様によれば、コンタクトホールはプラグとして形成されるため、穴径は小さい方が、内部に導電材料を埋め込みやすく、好ましい。従って、平面的に見た形成領域を比較的容易に縮小でき、画素ピッチを狭めることが可能となる。特に、導電性の遮光膜でプラグすることによって、このコンタクトホール付近における遮光性能を一段と高めることも可能となる。
【００２８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記コンタクトホールは、アスペクト比が１以下である。
【００２９】
ここで、コンタクトホールのアスペクト比を、コンタクトホールの幅に対するコンタクトホールの深さの比率と定義する。
【００３０】
この態様によれば、コンタクトホールは、深さより底面の幅の方が大きく形成される。コンタクトホールの深さは層間絶縁膜の厚みで決まってくるため、このことは、結果的にこのコンタクトホールが相対的に（例えば、他のコンタクトホールと比べて）大口径であることを意味する。このコンタクトホールの底面は、遮光膜であるシールド層で覆われることになるため、その面積を大きくすることによって光漏れを良好に防止でき、遮光効果を高めることが可能である。
【００３１】
また、このコンタクトホールのように複数層を貫通する深い穴においては、穴径が狭いと、コンタクトホール内に形成する導電膜のカバレッジを低下させ、導電膜に不連続部分が発生するおそれがある。しかし、アスペクト比が１以下であれば、内部に形成する導電膜のカバレッジは良好となり、接続不良の発生を防止することができる。
【００３２】
このコンタクトホールのアスペクト比が１以下である態様では、前記コンタクトホールは、前記シールド層上に形成された下地膜により埋め込まれ、前記下地膜の表面には平坦化処理が施されているようにしてもよい。
【００３３】
この態様によれば、コンタクトホールは下地層によって埋め込まれる。形成直後の下地層表面には、大口径のコンタクトホールに起因した比較的大きな窪みが生じる。そこで、こうしてできた凹凸を、例えば化学的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）や研磨処理等の平坦化処理によって除去すれば、下地層表面は平坦化される。
【００３４】
例えば、このような積層構造を有する基板と、これに対向する対向基板との間に液晶等の電気光学物質が挟み込まれている場合は、基板表面が平坦であることから、電気光学物質の配向状態に乱れを生じさせる可能性を低減することができ、より高品位な表示が可能となる。
【００３５】
また、本発明の電気光学装置は、基板上に、互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線の交差領域に対応するように配置された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタより上層側に形成され、誘電体膜を介して対向配置された固定電位側電極と前記薄膜トランジスタと電気的に接続された前記画素電位側電極とを有して構成された蓄積容量と、前記蓄積容量上に配置された複数の層間絶縁膜と、前記蓄積容量よりも上層側であって且つ平面的に見て画素間の非開口領域内の前記複数の層間絶縁膜の間に形成されると共に、前記固定電位側電極と電気的に接続された第１の導電性遮光膜からなるシールド層と、前記複数の層間絶縁膜を下地として形成されており、平面的に見て前記非開口領域内において前記シールド層が存在しない領域で前記複数の層間絶縁膜を一つながりに貫通する画素電極用コンタクトホールと、前記画素電極用コンタクトホールを介して前記蓄積容量の画素電位側電極と電気的に接続された画素電極とを備えたことを特徴とする。
【００３６】
本発明の電気光学装置によれば、走査線及びデータ線、薄膜トランジスタ、蓄積容量、シールド層及び画素電極を備える。これらの各構成要素は、基板上に層間絶縁膜を介して積層されている。また、薄膜トランジスタが、走査線に選択される画素位置の画素電極に対してデータ線からデータ信号を印加するように構成することで、アクティブマトリクス駆動が可能である。そして、薄膜トランジスタと画素電極との間に蓄積容量を介在させることで、画素電極における電位保持特性が向上し、表示の高コントラスト化が可能となる。更に、遮光機能を有するシールド層は、蓄積容量の固定電位側電極と電気的に接続されることで容量線としての機能をも有する。
【００３７】
画素電極は、このシールド層よりも上層に配置される。また、画素電極の下には、複数の層間絶縁膜が積層されており、画素電極は、これら複数の層間絶縁膜を一つながりに貫通する画素電極用コンタクトホールを介して蓄積容量の画素電位側電極と電気的に接続されている。
【００３８】
本発明においていう「コンタクトホール」とは、層間絶縁膜の上下に形成される導電層を互いに導通させるために層間絶縁膜を厚み方向に貫通する穴を指しており、例えば、上側の導電層がその内部に落としこまれる結果、下側の導電層と接する場合（即ち、所謂コンタクトホールである場合）や、内部に導電材料を埋め込み、その一端を上側の導電層に接触させ、他端を下側の導電層に接触させる場合（即ち、プラグとして形成される場合）を含む。
【００３９】
一般に、画素電極と画素電位側電極との電気的接続は、本発明とは異なる構成として、例えば、層間絶縁膜の層間に中継層を設け、中継層の上下の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール同士を、中継層によって連結させる手法によって達成可能である。しかし、それでは、画素電極と画素電位側電極との間に複数のコンタクトホールを形成しなければならず、それぞれが平面的にも断面的にも異なる位置に設けられることから、これら一連のコンタクトホール全体の形成領域は、単一のコンタクトホールの形成領域より数倍程度大きくなる。
【００４０】
これに対し、本発明では、シールド層の脇にて単一のコンタクトホールが複数の層間絶縁膜を一つながりに貫通し、これを利用して、画素電極と画素電位側電極との電気的接続を確保することから、該コンタクトホールの形成領域を縮小することができ、狭ピッチ化が可能となる。また、コンタクトホールが単一であるので、構造を簡単なものにできる。
【００４１】
従って、本発明の電気光学装置は、狭ピッチ化によって小型化・高精細化が実現可能であると共に、簡単な構成とされ、容易な製造が可能である。
【００４２】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記画素電極用コンタクトホールは、平面的に見て前記非開口領域の延在方向に沿って延在する。
【００４３】
この態様によれば、画素電極用コンタクトホールは、非開口領域の延在方向に長く延びる形状となることで、他のコンタクトホールを避けて底面積をかせぐことができる。画素電極用コンタクトホールのように複数層を貫通する深い穴においては、穴径が狭いと、コンタクトホール内に形成する導電膜のカバレッジを低下させ、導電膜に不連続部分が発生するおそれがある。しかし、この態様では、画素電極用コンタクトホールは少なくとも非開口領域の延在方向において穴径が大きくなるので、こうした接続不良の発生を防止することができる。
【００４４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極用コンタクトホールは、プラグとして形成される。
【００４５】
この態様によれば、内部に導電材料を埋め込む関係で、画素電極用コンタクトホールの穴径は小さくなる。従って、平面的に見た形成領域を比較的容易に縮小でき、画素ピッチを狭めることが可能となる。
【００４６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極用コンタクトホールは、アスペクト比が１以下である。
【００４７】
ここで、コンタクトホールのアスペクト比は、コンタクトホールの幅に対するコンタクトホールの深さの比率と定義する。
【００４８】
この態様によれば、画素電極用コンタクトホールは、深さより底面の幅の方が大きく形成される。コンタクトホールの深さは層間絶縁膜の厚みで決まってくるため、このことは、結果的に画素電極用コンタクトホールが相対的に（例えば、他のコンタクトホールと比べて）大口径であることを意味する。このように画素電極用コンタクトホールの底面を大きくすることによって、光漏れを良好に防止でき、遮光効果を高めることが可能である。
【００４９】
また、画素電極用コンタクトホールのように複数層を貫通する深い穴においては、穴径が狭いと、コンタクトホール内に形成する導電膜のカバレッジを低下させ、導電膜に不連続部分が発生するおそれがある。しかし、アスペクト比が１以下の画素電極用コンタクトホールでは、こうした接続不良の発生を防止することができ、穴径が狭い場合よりは開口自体も容易に行うことができる。
【００５０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記シールド層と前記固定電位側電極との層間に配置されると共に、平面的に見て前記非開口領域内に配置された第２の導電性遮光膜を更に備えており、前記画素電極は、前記画素電極用コンタクトホールにより前記第２の導電性遮光膜の一部と一つながりに接続されている。
【００５１】
この態様によれば、断面的に見てシールド層と蓄積容量の固定電位側電極との間には、第２の導電性遮光膜が形成されている。よって、薄膜トランジスタの遮光効果を一層高めることができる。また、画素電極は、画素電極用コンタクトホールにより、第２の導電性遮光膜の一部を中継して蓄積容量の画素電位側電極に接続されている。このように各構成要素を効率的に集積することにより、画素開口率の向上や狭ピッチ化を図ることも可能である。
【００５２】
この態様では、前記データ線は、前記第２の導電性遮光膜の他の一部から構成されているようにしてもよい。
【００５３】
このようにデータ線を配置することで、効率のよい集積化が図られると共に、データ線、画素電極間の容量カップリングの防止が可能となる。即ち、データ線は、断面的に見てシールド層を介して画素電極と対向する位置にある。前述のように固定電位側電極と接続されたシールド層は、電磁遮蔽層としても機能し、データ線の通電に応じて画素電極に電位変動等が生じる可能性が低減される。従って、より高品位の表示が可能となる。
【００５４】
更に、本発明の電気光学装置の他の態様では、前記シールド層は、前記複数の層間絶縁膜のうち前記シールド層よりも下層側に積層された一つの層間絶縁膜と、前記蓄積容量上に配置された他の層間絶縁膜とを下地として形成され、平面的に見て前記非開口領域内において前記第２の導電性遮光膜が存在しない領域で前記一及び他の層間絶縁膜を一つながりに貫通するシールド層用コンタクトホールにより前記固定電位側電極と電気的に接続されている。また、この場合、前記シールド層よりも下層側に積層された前記一つの層間絶縁膜は、前記画素電極用コンタクトホールが貫通する前記複数の層間絶縁膜に含まれる層間絶縁膜であって、前記シールド層用コンタクトホールは前記画素電極用コンタクトホールより前記薄膜トランジスタに近接して配置されていることが好ましい。
【００５５】
この態様によれば、画素電極用コンタクトホール及びシールド層用コンタクトホールのそれぞれが、複数の絶縁層を一つながりに貫通するように形成される。そのため、層間絶縁膜毎にコンタクトホールを設けたり、層間絶縁膜の層間に中継層を形成したりする手間が省ける。
【００５６】
特に、この場合は、画素電極用コンタクトホールが画素電極−第２の導電性遮光膜間に設けられ、シールド層用コンタクトホールが、間に第２の導電性遮光膜を介してシールド層−固定電位側電極に設けられている。即ち、シールド層用コンタクトホールは、(1)シールド層の下、画素電極用コンタクトホールが達する第２の導電性遮光膜の上に配置された層間絶縁膜と、(2)第２の導電性遮光膜よりも下で、蓄積容量上の層間絶縁膜とを貫通している。
【００５７】
これらコンタクトホールは、上下に互い違いの関係にある。そのため、層間絶縁膜毎に段階的にコンタクトホールを設ける場合は、断面的に見て共通の層間絶縁膜に対しては、画素電極用コンタクトホール及びシールド層用コンタクトホールに相当するコンタクトホールを２つ同時に開口することで工程数を省略している。しかしながら、その場合でも穴形成工程は少なくとも３回必要である。これに対し、本態様では、画素電極用コンタクトホール及びシールド層用コンタクトホールのそれぞれを単純に開口すればよく、穴形成工程は２回で済む。よって、工程数の削減が可能である。
【００５８】
シールド層用コンタクトホールを設ける態様では、前記シールド層用コンタクトホールは、プラグとして形成されるようにしてもよい。
【００５９】
この場合は、シールド層用コンタクトホールを穴径が小さなプラグとすることで、その平面的に見た形成領域を縮小される。そのため、複雑な積層構造の形成を容易化し、画素ピッチをより狭くすることができる。尚、画素電極用コンタクトホールも一緒にプラグとすれば、更に狭ピッチ化することが可能である。
【００６０】
シールド層用コンタクトホールを設ける態様では、前記シールド層用コンタクトホールは、アスペクト比が１以下としてもよい。
【００６１】
シールド層用コンタクトホールは、その内部にシールド層が形成されることから、遮光機能を有している。この場合、シールド層用コンタクトホールは底面が大きく形成されるために、光漏れを良好に防止でき、遮光効果を高めることが可能である。特に、この底面は、断面的に見て蓄積容量の直上に位置しており、シールド層等の他の遮光膜よりも近くで薄膜トランジスタを遮光することから、一層確実に光リーク電流発生を防止することができる。
【００６２】
また、アスペクト比が１以下と、浅い形状となっているので、シールド層用コンタクトホール内に形成する導電膜のカバレッジ低下が抑制され、接続不良の発生を防止することができると共に、穴径が狭い場合よりは開口自体も容易に行うことができる。
【００６３】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を具備してなる。
【００６４】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。その他、本発明の電子機器としては、例えば、電子ペーパ等の電気泳動装置や、電子放出素子を利用した表示装置（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）等を実現することも可能である。
【００６５】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、前記データ線及び走査線の交差領域に対応するように配置された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタより上層側に形成され、前記薄膜トランジスタと画素電位側電極が電気的に接続された蓄積容量と、前記蓄積容量より上層側であって平面的に見て画素間の非開口領域に形成され、前記蓄積容量の固定電位側電極と接続された第１の導電性遮光膜からなるシールド層と、前記シールド層より上層側に形成され、前記蓄積容量の画素電位側電極を介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続された画素電極とを備えた電気光学装置の製造方法であって、前記基板上の平面的に見て前記データ線及び走査線の交差領域に対応する領域に、前記薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタより上層側に、前記蓄積容量を形成する工程と、前記蓄積容量上に、前記蓄積容量の画素電位側電極に接続された第２の導電性遮光膜を層間に介在させるようにして複数の層間絶縁膜を積層する工程と、平面的に見て前記非開口領域のうち前記第２の導電性遮光膜が形成されていない領域を通過して前記複数の層間絶縁膜を一つながりに貫通し、前記蓄積容量の固定電位側電極に達するように、前記複数の層間絶縁膜の表面にシールド層用コンタクトホールを開口する工程と、前記シールド層用コンタクトホールが開口された層間絶縁膜表面に、前記シールド層を形成する工程と、前記シールド層上に、前記画素電極の下地となる下地層を形成する工程と、前記下地層の表面に、前記画素電極を前記第２の導電性遮光膜の一部に電気的に接続させる画素電極用コンタクトホールを、前記下地層を含む複数の層を一つながりに貫通して前記第２の導電性遮光膜の一部に達するように開口する工程と、前記画素電極用コンタクトホールが開口された下地層表面に、前記画素電極を形成する工程とを含む。
【００６６】
本発明の電気光学装置の製造方法では、基板上に、薄膜トランジスタ、蓄積容量、第２の導電性遮光膜、シールド層及び画素電極が、この順に層間絶縁膜を介して積層される。また、シールド層−固定電位側電極間は、その間の複数の層間絶縁膜を一つながりに貫通するシールド層用コンタクトホールによって電気的に接続される。更に、画素電極−第２の導電性遮光膜間は、その間の複数の層間絶縁膜を一つながりに貫通する画素電極用コンタクトホールによって電気的に接続される。画素電極は、画素電極用コンタクトホールによって導通する第２の導電性遮光膜に蓄積容量の画素電位側電極まで中継され、更にこの画素電位側電極を介して薄膜トランジスタと電気的に接続される。
【００６７】
このように画素電極用コンタクトホール及びシールド層用コンタクトホールのそれぞれが、複数の層間絶縁膜を一つながりに貫通するように形成される。そのため、層間絶縁膜毎にコンタクトホールを設けたり、層間絶縁膜の層間に中継層を形成したりする手間が省ける。特に、これらのコンタクトホールは、構造上、上下に互い違いの関係に形成される。仮に、層間絶縁膜毎に段階的にコンタクトホールを設ける場合は、断面的に見て共通の層間絶縁膜に対しては、画素電極用コンタクトホール及びシールド層用コンタクトホールに相当するコンタクトホールを２つ同時に開口することで工程数を省略している。しかし、その場合でも穴形成工程は少なくとも３回必要である。
【００６８】
これに対し、本発明の電気光学装置の製造方法では、画素電極用コンタクトホール及びシールド層用コンタクトホールのそれぞれを単純に開口すればよく、穴形成工程は２回で済む。よって、工程数の削減が可能であり、容易な製造が可能である。また、このようなコンタクトホールを設けることにより、前述のように、狭ピッチ化により小型化・高精細化された電気光学装置を製造することができる。
【００６９】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７０】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００７１】
＜１：第１実施形態＞
先ず、本発明の電気光学装置に係る第１実施形態について、図１から図７を参照して説明する。
【００７２】
＜１−１：電気光学装置の全体構成＞
まず、本実施形態における電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【００７３】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００７４】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【００７５】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００７６】
画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置された領域の外側には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００７７】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００７８】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用ＴＦＴや各種配線等の上に画素電極９ａが、更にその上から配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３が、更にその上から配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００７９】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加え、例えば、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００８０】
＜１−２：画像表示領域の構成＞
次に、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域の構成について、図３から図７を参照して説明する。
【００８１】
図３は、本実施形態に係る電気光学装置のうち、画素部の等価回路を表している。図４から図６は、ＴＦＴアレイ基板上の画素部に係る部分構成を表す平面図である。図４及び図５は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図４）と上層部分（図５）に相当する。図６は、積層構造を拡大した平面図であり、図４及び図５を重ね合わせたようになっている。図７は、図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。尚、図７においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材の縮尺比率を適宜に変えてある。
【００８２】
＜１−２−１：画素部の原理的構成＞
図３に示したように、画像表示領域１０ａにおいては、複数の走査線１１ａ及び複数のデータ線６ａが相交差して配列しており、その線間に、走査線１１ａ，データ線６ａの各一により選択される画素部が設けられている。各画素部には、ＴＦＴ３０、画素電極９ａ及び蓄積容量７０が設けられている。ＴＦＴ３０は、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを選択画素に印加するために設けられ、ゲートが走査線１１ａに接続され、ソースがデータ線６ａに接続され、ドレインが画素電極９ａに接続されている。画素電極９ａは、後述の対向電極２１との間で液晶容量を形成し、入力される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを画素部に印加して一定期間保持するようになっている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線４００に接続されている。
【００８３】
この電気光学装置は、例えばＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式を採り、走査線駆動回路１０４（図１参照）から各走査線１１ａに走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを線順次に印加すると共に、それによってＴＦＴ３０がオン状態となる水平方向の選択画素部の列に対し、データ線駆動回路１０１（図１参照）からの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎをデータ線６ａを通じて印加するようになっている。この際、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各データ線６ａに線順次に供給してゆくようにしてもよいし、複数のデータ線６ａ（例えばグループ毎）に同じタイミングで供給するものとしてもよい。これにより、画像信号が選択画素に対応する画素電極９ａに供給される。ＴＦＴアレイ基板１０は、液晶層５０を介して対向基板２０と対向配置されているので（図２参照）、以上のようにして区画配列された画素領域毎に液晶層５０に電界を印加することにより、両基板間の透過光量が画素領域毎に制御され、画像が階調表示される。また、このとき各画素領域に保持された画像信号は、蓄積容量７０によりリークが防止される。
【００８４】
＜１−２−２：画素部の具体的構成＞
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的構成について、図４から図７を参照して説明する。
【００８５】
図４から図７では、上述した画素部の各回路要素が、パターン化され、積層された導電膜としてＴＦＴアレイ基板１０上に構築されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、ガラス基板、石英基板、ＳＯＩ基板、半導体基板等からなり、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０と対向配置されている。また、各回路要素は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含む第２層、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等を含む第５層、画素電極９ａ等を含む第６層からなる。また、第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には第３層間絶縁膜４３、第５層−第６層間には第４層間絶縁膜４４がそれぞれ設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図４に示され、第４層から第６層が上層部分として図５に示されている。
【００８６】
（第１層の構成―走査線等―）
第１層は、走査線１１ａで構成される。走査線１１ａは、図４のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線６ａ或いは容量配線４００が延在する図４のＹ方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。このような走査線１１ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。
【００８７】
（第２層の構成―ＴＦＴ等―）
第２層は、ＴＦＴ３０及び中継電極７１９で構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。また、中継電極７１９は、例えばゲート電極３ａと同一膜として形成される。
【００８８】
ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなり、第１層と第２層の層間絶縁機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。
【００８９】
（第３層の構成―蓄積容量等―）
第３層は、蓄積容量７０で構成されている。蓄積容量７０は、容量電極（蓄積容量の固定電位側電極）３００と下部電極（蓄積容量の画素電位側電極）７１とが誘電体膜７５を介して対向配置された構成となっている。このうち、容量電極３００は、容量配線４００に電気的に接続されている。下部電極７１は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａの夫々に電気的に接続されている。
【００９０】
下部電極７１と高濃度ドレイン領域１ｅとは、第１層間絶縁膜４１に開口されたコンタクトホール８３を介して接続されている。また、下部電極７１と画素電極９ａとは、コンタクトホール８８１、８８２、８０４及び８９が、中継電極７１９、第２中継電極６ａ２（第２の導電性遮光膜）、第３中継電極４０２の各層を中継して構成した経路によって、電気的に接続されている。
【００９１】
このような容量電極３００には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。これにより、容量電極は、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。また、下部電極７１には、例えば導電性のポリシリコンが用いられる。
【００９２】
誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等からなる。
【００９３】
また、第１層間絶縁膜４１は、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。
【００９４】
尚、この場合の蓄積容量７０は、図４の平面図からわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する画素開口領域に至らないように（非開口領域内に収まるように）形成されているので、画素開口率が比較的大きく維持されている。
【００９５】
（第４層の構成―データ線等―）
第４層は、データ線６ａで構成されている。データ線６ａは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの３層膜として形成されている。窒化シリコン層は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。また、第４層には、データ線６ａと同一膜として、第２中継電極（第２の導電性遮光膜）６ａ２が形成されている。これらは、図５に示したように、夫々が分断されるように形成されている。
【００９６】
このうち、データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。また、第２中継電極６ａ２は、前述したように、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８８２を介して中継電極７１９に電気的に接続されている。このような第２層間絶縁膜４２は、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等によって形成することができる。
【００９７】
（第５層の構成―容量配線等―）
第５層は、容量配線４００及び第３中継電極４０２により構成されている。容量配線４００は、本発明に係る「シールド層」の一具体例として、画素電極９ａを、その下層のデータ線６ａ等の配線から電磁遮蔽する機能を有しており、画像表示領域１０ａの周囲にまで延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。容量配線４００は、図５に示すように、Ｙ方向（チャネル領域１ａ'の長さ（チャネル長）方向）、Ｘ方向（チャネル長に沿った方向と直交する方向）、に延在する格子状に形成され、Ｘ方向に延在する部分は分断され切り欠かれている。この分断された容量配線４００のパターンの間に、第３中継電極４０２が島状に設けられる。また、容量配線４００は、その下層のデータ線６ａ、走査線１１ａ、ＴＦＴ３０等を覆うように、これら回路要素の構造よりも幅広に形成されている。即ち、容量配線４００は、データ線６ａの幅方向にも、走査線１１ａの幅方向にもそれらより太く形成されている。そのため、各回路要素は遮光され、対向基板２０側から入射する入射光を反射させて投射画像における画素の輪郭がぼやける等の悪影響が防止されている。尚、容量配線４００は、例えばアルミニウム、窒化チタンを積層した二層構造となっている。
【００９８】
更に、容量配線４００のＸ方向延在部分とＹ方向延在部分とが丁度交差する角部は、略三角形の庇部がわずかに突き出すような形状（角取りされた形状）となっている。この庇部により、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する遮光を効果的に行うことができる。即ち、半導体層１ａに対して斜め上方から進入する光を、庇部が反射又は吸収することにより、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。
【００９９】
本発明に係る「シールド層」の一例を構成する、このような容量配線４００は、第３層間絶縁膜４３及び第２層間絶縁膜４２を一つながりに貫通するコンタクトホール８０１を介して、本発明に係る「画素電位側電極」の一例たる、蓄積容量７０の容量電極３００と電気的に接続されている。コンタクトホール８０１内には、容量配線４００が埋め込まれるため、その底面及び側壁面は、光を反射又は吸収する。また、コンタクトホール８０１は、図６に示したように、非開口領域の延在方向（即ち図６のＸ方向）においてＴＦＴ３０と並列したうえ、ＴＦＴ３０の一端に一部重なり合うように配置されている。また、コンタクトホール８０１の穴径は大きく、該穴径のチャネル長方向における幅は、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´の長さ（チャネル長）と同等以上となっている。更に、コンタクトホール８０１は、図７に示したように底面が第３層に位置し、容量配線４００等の他の遮光層よりも半導体層１ａに近接している。よって、ＴＦＴ３０とりわけ半導体層１ａを、より確実に遮光することができる。
【０１００】
即ち、コンタクトホール８０１の側壁面は、層間絶縁膜４２から層間絶縁膜４３までの高さの衝立となって、ＴＦＴ３０に対し斜め上方から入射する光をよく遮断することが可能である。また、その幅広の底面は、ＴＦＴ３０をよく遮光することが可能である。
【０１０１】
ところで、第３層間絶縁膜４３から第２層間絶縁膜４２までの深さに対するエッチングは比較的困難と考えられているため、通常は、第２層間絶縁膜４２上に中継層を設け、この中継層によって各層間絶縁膜に形成したコンタクトホールを層面に垂直方向に連結する方法が採られる。但し、画素部を狭ピッチ化する場合には、コンタクトホールの深さよりも、その形成領域の大きさが問題となってくる。即ち、各コンタクトホールは、平面的に見て一箇所に重ねて形成することができず（例えば図６、図７におけるコンタクトホール８８２，８０４及び８９を参照）、互いにずれた位置に設けられる。よって、各コンタクトホールの周辺にはマージン領域を確保する必要があることから、結果的にコンタクトホール全体の形成領域は大きくなる。図７からわかるように、容量配線４００と蓄積電極３００とを接続するコンタクトホールは、データ線６ａと第２中継電極６ａ２の間隙を通って貫通するように設けねばならないが、狭ピッチ化によりこの間隙が狭まると、こうした構造のコンタクトホールの形成が困難となる。本発明の発明者によれば、画素ピッチが１０μｍ程度になると、コンタクトホールの形成領域が十分確保されなくなることが確認されている。
【０１０２】
これに対し、本実施形態では、コンタクトホール８０１だけで容量配線４００と蓄積電極３００とを接続する構造となっている。コンタクトホール８０１の形成領域は、他のコンタクトホールと相対比較すると大きいが、従来の構造に対しては同等以下の大きさとなっている。
【０１０３】
また、前述の構造では、コンタクトホール同士の隙間からＴＦＴ３０側へ光が漏れ、光リーク電流の原因となるおそれがある。これに対し、本実施形態では、図７に示したように、上記コンタクトホール８０１が斜め上方から進入する光を遮断し、ＴＦＴ３０側への光漏れが防止される。
【０１０４】
更に、ここでは、コンタクトホール８０１のアスペクト比、即ち幅に対する深さの比率を１以下としている。通常、コンタクトホールが深い（即ち、アスペクト比が１以上である場合）場合に、内部の配線をスパッタ法で形成すると、コンタクトホール内部におけるカバレッジが低下して不連続部分が発生するおそれがある。しかし、コンタクトホール８０１は、穴径が大きいので、こうした接続不良の発生を防止することができ、穴径が狭い場合よりは開口自体も容易に行うことができる。
【０１０５】
また、第５層には、容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。第３中継電極４０２は、前述のように、コンタクトホール８０４及びコンタクトホール８９を介して、第２中継電極６ａ２−画素電極９ａ間を中継している。
【０１０６】
こうした第５層の下には、全面に第３層間絶縁膜４３が形成されている。第３層層間絶縁膜４３は、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等によって形成することができる。
【０１０７】
（第６層の構成―画素電極等―）
第５層の全面には第４層間絶縁膜４４が形成され、更にその上に、第６層として画素電極９ａが形成されている。第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ−第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開口されている。このような第４層間絶縁膜４４は、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等によって形成することができる。
【０１０８】
尚、第４層間絶縁膜４４は、穴径の大きなコンタクトホール８０１上に形成されるため、形成直後の表面はコンタクトホール８０１の直上で窪むことがある。しかしながら、本実施形態では、第４層間絶縁膜４４を予め厚めに形成し、更にその表面に、例えばＣＭＰ処理等の平坦化処理を施すようにしている。ＣＭＰ処理では、例えば研磨プレート上に固定された研磨パッド上に、シリカ粒を含んだ液状のスラリー（化学研磨液）を流しつつ基板表面を回転接触させ、化学的、機械的に表面研磨が行われる。その他の平坦化処理には、機械的研磨処理等が挙げられる。このような処理により第４層間絶縁膜４４の表面は平坦化され、液晶層５０における液晶配向の乱れを防止し、高品質な画像を表示することを可能とする。
【０１０９】
画素電極９ａ（図５中、破線９ａ’で輪郭が示されている）は、縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている（図４及び図５参照）。また、画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる。尚、該画素電極９ａ上には配向膜１６が形成されている。以上が、ＴＦＴアレイ基板１０側の画素部の構成である。
【０１１０】
他方、対向基板２０には、その対向面の全面に対向電極２１が設けられており、更にその上（図６では対向電極２１の下側）に配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。尚、対向基板２０と対向電極２１の間には、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生等を防止するため、少なくともＴＦＴ３０と正対する領域を覆うように遮光膜２３が設けられている。
【０１１１】
このように構成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の間には、液晶層５０が設けられている。液晶層５０は、基板１０及び２０の周縁部をシール材により封止して形成した空間に液晶を封入して形成される。液晶層５０は、画素電極９ａと対向電極２１との間に電界が印加されていない状態において、ラビング処理等の配向処理が施された配向膜１６及び配向膜２２によって、所定の配向状態をとるようになっている。
【０１１２】
以上に説明した画素部の構成は、図４及び図５に示すように、各画素部に共通である。前述の画像表示領域１０ａ（図１を参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。他方、このような電気光学装置では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。
【０１１３】
このように本実施形態では、層間絶縁膜４２、４３を介して対向する容量配線４００と蓄積容量７０の容量電極３００とを、コンタクトホール８０１によって一つながりに接続するようにしたので、即ち、一つのコンタクトホールで複数の層間絶縁膜を挿通させ、しかもＴＦＴ３０に近接した位置に配置してコンタクトホールの層間絶縁膜の層厚方向の側面を電極で被覆した構成にしたので、(1)ＴＦＴ３０を上側から遮光することが可能となる。特に、コンタクトホール８０１は、容量配線４００等の遮光機能を持つ他の層よりも半導体層１ａに近接しているので、より確実な遮光ができる。よって、光リーク電流の発生が防止され、高品位な表示を可能とする。また、(2)コンタクトホールの形成領域を縮小することができ、狭ピッチ化が可能となる。その結果、装置の小型化・高精細化を実現することが可能となる。
【０１１４】
更に、コンタクトホール８０１は、ＴＦＴ３０と同等の幅を有することから、その側壁面及び底面によって、ＴＦＴ３０とりわけ半導体層１ａの良好な遮光が可能である。また、その形状についてもアスペクト比が１以下としたので、幅広の底面による遮光効果を高めることが可能である。
【０１１５】
＜２：第２実施形態＞
次に、本発明に係る第２実施形態について説明する。本実施形態では、第１実施形態におけるコンタクトホール８０１に代わって、コンタクトホール内に埋め込まれたプラグ８０２が容量配線４００と蓄積容量７０の容量電極３００とを接続している。また、これに対応して、コンタクトホール８０４の代わりに、コンタクトホール内にプラグ８０５が設けられている。プラグとは、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属が充填された、例えば柱状（針状）の金属構造物とされる。よって、本実施形態については、第１実施形態と重複する説明を適宜省略すると共に、第１実施形態との共通箇所には、同一符号を付して示すことにする。
【０１１６】
図８は、本実施形態に係る主要部を表す平面図であり、図９は、図８のＢ−Ｂ'線における断面図である。このように、プラグ８０２及び８０５の穴径は、例えば０．５μｍ程度であり、他のコンタクトホールに比べて小さい。そのため、画素ピッチをより狭くすることができる。尚、この場合においても、プラグ８０２はＴＦＴ３０に近接することから、わずかなりともＴＦＴ３０に対する遮光機能を有している。因みに、プラグを用いる場合のコンタクトホールは１以上となることが一般的である。
【０１１７】
プラグ８０２及び８０５は、例えば、外側よりＴｉ、ＴｉＮが順次形成され、その内側にＷの芯が形成された構造になっている。具体的には、例えば、図示した形状に層間絶縁膜４２、４３を開口し、その内部にＴｉを２０ｎｍ、ＴｉＮを２５ｎｍの厚みでスパッタ法により順次形成する。Ｔｉは、ポリシリコンである容量電極３００との接触抵抗を低減し、ＴｉＮはＷの付きまわりを良くするため、好ましい。そして、Ｗを５００ｎｍの厚みでＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成する。ＣＶＤ法を用いることで、スパッタ法等に比べてカバレッジが大変良好となり、このように深い穴でもきれいに埋め込むことができる。但し、この方法で穴を完全に埋めるには、成膜する総膜厚を穴の半径以上とする必要がある。そのため、プラグ８０２及び８０５の穴径は、小さく設計されることが好ましい。最後に、エッチバックにより、第３層間絶縁膜４３の表面から埋め込み用材料の積層物を取り除く。以上はＴｉ／ＴｉＮ／Ｗの３層によりプラグを形成する例であるが、必ずしもこの構造である必要はなく、これら各層のうちの一つを用いるようにしても構わない。
【０１１８】
尚、プラグ８０２及び８０５は、互いに長さが異なるので、それぞれの穴は別々に開口してもよいし、第２中継電極６ａ２をストッパとして用いることにより、両方を同時に開口してもよい。後者の場合、プラグ８０２及び８０５を同時に形成することができ、従来に比して工程数を削減することができる。
【０１１９】
このように第２実施形態においては、層間絶縁膜４２、４３を介して対向する容量配線４００と容量電極３００とを、プラグ８０２によって一つながりに接続するようにしたので、即ち、一つのプラグで複数の層間絶縁膜を挿通させたので、より狭ピッチ化することが可能である。また、プラグ８０２は、ＴＦＴ３０を、近傍において遮光することが可能である。
【０１２０】
＜３：変形例＞
次に、実施形態の変形例について説明する。
【０１２１】
図１０は、プラグ８０２の変形例に係るプラグ８０３を、図８に対応して表した平面図である。図１０において、プラグ８０３は、非開口領域の幅方向（即ち図１０のＹ方向であって、チャネル長に沿った方向）における側縁がＴＦＴ３０の一端に沿って延びた平面形状をしている。即ち、プラグ８０３は、非開口領域の延在方向（即ち、図１０のＸ方向）における幅はプラグ８０２と同様であるが、非開口領域の幅方向（チャネル長に沿った方向）においては、その幅はＴＦＴ３０の半導体層１ａと同等、即ち、チャネル領域１ａ´の長さ（チャネル長）と同等以上とされる。
【０１２２】
よって、プラグ８０３は、Ｘ方向から見ればプラグ８０２と同等に細くなっていることから、更なる狭ピッチ化が可能である。同時に、Ｙ方向から見れば上記コンタクトホール８０１と同様に、側壁面が層間絶縁膜４２から層間絶縁膜４３までの高さの衝立となって、ＴＦＴ３０に対し斜め上方から入射する光をよく遮断することが可能である。
【０１２３】
尚、第２実施形態にて上述したように、その成膜時の状態から、Ｗを埋め込む穴は径が小さい方が好ましいとされるが、穴形状が細長いプラグ８０３では、Ｘ方向における径が小さいために、プラグ８０２同様、良好な穴埋めが可能である。
【０１２４】
また、以上の実施形態等におけるコンタクトホール８０１、プラグ８０２及び８０３は、夫々一つだけ設けられるものとしたが、本発明のコンタクトホールは必ずしも一つでなくともよく、複数設けるようにしてもよい。具体的には、コンタクトホールをコンタクトホール８０１の形成領域のように広い領域内に複数配置したり、開口可能な場所に分散して配置したりしてもよい。そのような場合としては、例えば、狭ピッチ化等の目的で行うレイアウト変更に伴い、コンタクトホールの形成領域が限られる場合や、ＴＦＴの効果的な遮光に配慮してコンタクトホールの配置や形状を設計する場合が挙げられる。
【０１２５】
＜４：第３実施形態＞
次ぎに、本発明の電気光学装置に係る第３実施形態について、図１１から図１４を参照して説明する。
【０１２６】
本実施形態における電気光学装置の全体構成については、図１及び図２を参照して説明した第１実施形態と同様である。また、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域の構成について、画素部の等価回路は第１実施形態において図３を参照して説明したものと同様である。また、画素部の原理的構成についても第１実施形態において説明したものと同様である。図１１から図１３は、ＴＦＴアレイ基板上の画素部に係る部分構成を表す平面図である。図１１及び図１２は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図１１）と上層部分（図１２）に相当する。図１３は、積層構造を拡大した平面図であり、図１１及び図１２を重ね合わせたようになっている。図１４は、図１１及び図１２を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。尚、図１４においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材の縮尺比率を適宜に変えてある。
【０１２７】
＜４−１：画素部の具体的構成＞
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的構成について、図１１から図１４を参照して説明する。
【０１２８】
図１１から図１４では、上述した画素部の各回路要素が、パターン化され、積層された導電膜としてＴＦＴアレイ基板１０上に構築されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、ガラス基板、石英基板、ＳＯＩ基板、半導体基板等からなり、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０と対向配置されている。また、各回路要素は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含む第２層、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等を含む第５層、画素電極９ａ等を含む第６層からなる。また、第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には第３層間絶縁膜４３、第５層−第６層間には第４層間絶縁膜４４がそれぞれ設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図１１に示され、第４層から第６層が上層部分として図１２に示されている。
【０１２９】
（第１層の構成―走査線等―）
第１層は、走査線１１ａで構成される。走査線１１ａは、図１１のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線６ａ或いは容量配線４００が延在する図４のＹ方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。このような走査線１１ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。
【０１３０】
（第２層の構成―ＴＦＴ等―）
第２層は、ＴＦＴ３０及び中継電極７１９で構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ'、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。また、中継電極７１９は、例えばゲート電極３ａと同一膜として形成される。
【０１３１】
ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなり、第１層と第２層の層間絶縁機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。
【０１３２】
（第３層の構成―蓄積容量等―）
第３層は、蓄積容量７０で構成されている。蓄積容量７０は、容量電極（蓄積容量の固定電位側電極）３００と下部電極（蓄積容量の画素電位側電極）７１とが誘電体膜７５を介して対向配置された構成となっている。このうち、本発明に係る「固定電位側電極」の一例を構成する、容量電極３００は、容量配線４００に電気的に接続されている。本発明に係る「画素電位側電極」の一例を構成する、下部電極７１は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａの夫々に電気的に接続されている。
【０１３３】
下部電極７１と高濃度ドレイン領域１ｅとは、第１層間絶縁膜４１に開口されたコンタクトホール８３を介して接続されている。また、下部電極７１と画素電極９ａとは、コンタクトホール８８１、８８２、８０４が、中継電極７１９、第２中継電極６ａ２の各層を中継して構成した経路によって、電気的に接続されている。
【０１３４】
このような容量電極３００には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。これにより、容量電極は、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。また、下部電極７１には、例えば導電性のポリシリコンが用いられる。
【０１３５】
誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等からなる。
【０１３６】
また、第１層間絶縁膜４１は、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。
【０１３７】
尚、この場合の蓄積容量７０は、図１１の平面図からわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する画素開口領域に至らないように（非開口領域内に収まるように）形成されているので、画素開口率が比較的大きく維持されている。
【０１３８】
（第４層の構成―データ線等―）
第４層は、データ線６ａで構成されている。データ線６ａは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの３層膜として形成されている。窒化シリコン層は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。また、第４層には、データ線６ａと同一膜として、第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図１２に示したように、夫々が分断されるように形成されている。
【０１３９】
このうち、データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。また、第２中継電極６ａ２は、前述したように、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８８２を介して中継電極７１９に電気的に接続されている。このような第２層間絶縁膜４２は、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等によって形成することができる。
【０１４０】
（第５層の構成―容量配線等―）
第５層は、容量配線４００により構成されている。容量配線４００は、本発明に係る「シールド層」の一具体例として、画素電極９ａを、その下層のデータ線６ａ等の配線から電磁遮蔽する機能を有しており、画像表示領域１０ａの周囲にまで延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。また、容量配線４００は、その下層のデータ線６ａ、走査線１１ａ、ＴＦＴ３０等を覆うように、これら回路要素の構造よりも幅広に形成されている。即ち、容量配線４００は、データ線６ａの幅方向にも、走査線１１ａの幅方向にもそれらより太く形成されている。そのため、各回路要素は遮光され、入射光を反射させて投射画像における画素の輪郭がぼやける等の悪影響が防止されている。尚、容量配線４００は、例えばアルミニウム、窒化チタンを積層した二層構造となっている。
【０１４１】
更に、容量配線４００のＸ方向延在部分とＹ方向延在部分とが丁度交差する角部は、略三角形の庇部がわずかに突き出すような形状（角取りされた形状）となっている。この庇部により、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する遮光を効果的に行うことができる。即ち、半導体層１ａに対して斜め上方から進入する光を、庇部が反射又は吸収することにより、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。
【０１４２】
本発明に係る「シールド層」の一例を構成する、このような容量配線４００は、第３層間絶縁膜４３及び第２層間絶縁膜４２を一つながりに貫通するコンタクトホール８０１を介して、本発明に係る「画素電位側電極」の一例たる、蓄積容量７０の容量電極３００と電気的に接続されている。コンタクトホール８０１内には、容量配線４００が埋め込まれるため、その底面及び側壁面は、光を反射又は吸収する。また、コンタクトホール８０１は、図１３に示したように、非開口領域の延在方向（即ち図１３のＸ方向）においてＴＦＴ３０と並列したうえ、ＴＦＴ３０の一端に一部重なり合うように配置されている。また、コンタクトホール８０１の穴径は大きく、該穴径のチャネル長方向における幅は、非開口領域の幅方向における幅は、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'の長さ（チャネル長）と同等以上となっている。更に、コンタクトホール８０１は、図１４に示したように底面が第３層に位置し、容量配線４００等の他の遮光層よりも半導体層１ａに近接している。よって、ＴＦＴ３０とりわけ半導体層１ａを、より確実に遮光することができる。
【０１４３】
即ち、コンタクトホール８０１の側壁面は、層間絶縁膜４２から層間絶縁膜４３までの高さの衝立となって、ＴＦＴ３０に対し斜め上方から入射する光をよく遮断することが可能である。また、その幅広の底面は、ＴＦＴ３０をよく遮光することが可能である。
【０１４４】
ところで、第３層間絶縁膜４３から第２層間絶縁膜４２までの深さに対するエッチングは比較的困難と考えられているため、通常は、第２層間絶縁膜４２上に中継層を設け、この中継層によって各層間絶縁膜に形成したコンタクトホールを層面に垂直方向に連結する方法が採られる。但し、画素部を狭ピッチ化する場合には、コンタクトホールの深さよりも、その形成領域の大きさが問題となってくる。即ち、各コンタクトホールは、平面的に見て一箇所に重ねて形成することができず（例えば図１３、図１４におけるコンタクトホール８８２，８０４及び８９を参照）、互いにずれた位置に設けられる。よって、各コンタクトホールの周辺にはマージン領域を確保する必要があることから、結果的にコンタクトホール全体の形成領域は大きくなる。図１４からわかるように、容量配線４００と蓄積電極３００とを接続するコンタクトホールは、データ線６ａと第２中継電極６ａ２の間隙を通って貫通するように設けねばならないが、狭ピッチ化によりこの間隙が狭まると、こうした構造のコンタクトホールの形成が困難となる。本発明の発明者によれば、画素ピッチが１０μｍ程度になると、コンタクトホールの形成領域が十分確保されなくなることが確認されている。
【０１４５】
これに対し、本実施形態では、コンタクトホール８０１だけで容量配線４００と蓄積電極３００とを接続する構造となっている。コンタクトホール８０１の形成領域は、他のコンタクトホールと相対比較すると大きいが、従来の構造に対しては同等以下の大きさである。
【０１４６】
また、前述の構造では、コンタクトホール同士の隙間からＴＦＴ３０側へ光が漏れ、光リーク電流の原因となるおそれがある。これに対し、本実施形態では、図１４に示したように、上記コンタクトホール８０１が斜め上方から進入する光を遮断し、ＴＦＴ３０側への光漏れが防止される。
【０１４７】
更に、ここでは、コンタクトホール８０１のアスペクト比、即ち幅に対する深さの比率を１以下としている。通常、コンタクトホールが深い（即ち、アスペクト比が１より大きいである場合）と、内部の配線をスパッタ法で形成すると、コンタクトホール内部におけるカバレッジが低下して不連続部分が発生するおそれがある。しかし、コンタクトホール８０１は、穴径が大きいので、こうした接続不良の発生を防止することができ、穴径が狭い場合よりは開口自体も容易に行うことができる。
【０１４８】
こうした第５層の下には、全面に第３層間絶縁膜４３が形成されている。第３層層間絶縁膜４３は、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等によって形成することができる。
【０１４９】
（第６層の構成―画素電極等―）
第５層の全面には第４層間絶縁膜４４が形成され、更にその上に、第６層として画素電極９ａが形成されている。第４層間絶縁膜４４は、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等によって形成することができる。
【０１５０】
尚、第４層間絶縁膜４４は、穴径の大きなコンタクトホール８０１上に形成されるため、形成直後の表面はコンタクトホール８０１の直上で窪むことがある。しかしながら、本実施形態では、第４層間絶縁膜４４は予め厚めに形成され、更にその表面にＣＭＰ処理を施すようにしている。ＣＭＰ処理では、例えば研磨プレート上に固定された研磨パッド上に、シリカ粒を含んだ液状のスラリー（化学研磨液）を流しつつ基板表面を回転接触させ、化学的、機械的に表面研磨が行われる。その他の平坦化処理には、機械的研磨処理等が挙げられる。このような処理により第４層間絶縁膜４４の表面は平坦化され、液晶層５０における液晶配向の乱れを防止し、高品質な画像を表示することを可能とする。画素電極９ａ（図１２中、破線９ａ'で輪郭が示されている）は、縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている（図１１及び図１２参照）。また、画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる。
【０１５１】
このような画素電極９ａは、層間絶縁膜４４及び４３を一つながりに貫通するコンタクトホール８０４を介して、本発明に係る「第２の導電性遮光膜の一部」の一例たる、第２中継電極６ａ２と電気的に接続されている（図１４参照）。よって、コンタクトホール８０４の形成領域は、他のコンタクトホールと相対比較すると大きいが、層間絶縁膜４４及び４３に形成したコンタクトホールを、中継僧を介して層面に垂直方向に連結する構造に対しては同等以下の大きさとなっている。そのため、この電気光学装置は、狭ピッチ化に対応することが可能である。
【０１５２】
また、コンタクトホール８０４は、非開口領域のなかでも他のコンタクトホールを避けるように、非開口領域の延在方向（即ち、図１３のＸ方向）に延びており、限られた領域内で穴径をできるだけ大きくとっている。そのため、コンタクトホール８０４内部に形成される画素電極９ａのカバレッジは良好となり、接続不良の発生を防止することができる。また、穴径が小さい場合に比べ、比較的容易に深い穴を形成できる。尚、該画素電極９ａ上には配向膜１６が形成されている。以上が、ＴＦＴアレイ基板１０側の画素部の構成である。
【０１５３】
他方、対向基板２０には、その対向面の全面に対向電極２１が設けられており、更にその上（図１３では対向電極２１の下側）に配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。尚、対向基板２０と対向電極２１の間には、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生等を防止するため、少なくともＴＦＴ３０と正対する領域を覆うように遮光膜２３が設けられている。
【０１５４】
このように構成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の間には、液晶層５０が設けられている。液晶層５０は、基板１０及び２０の周縁部をシール材により封止して形成した空間に液晶を封入して形成される。液晶層５０は、画素電極９ａと対向電極２１との間に電界が印加されていない状態において、ラビング処理等の配向処理が施された配向膜１６及び配向膜２２によって、所定の配向状態をとるようになっている。
【０１５５】
以上に説明した画素部の構成は、図１１及び図１２に示すように、各画素部に共通である。前述の画像表示領域１０ａ（第１実施形態での図１を参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。他方、このような電気光学装置では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、第１実施形態において図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。
【０１５６】
＜製造方法＞
次に、このような電気光学装置の製造方法について、図１５から図２０を参照して説明する。図１５から図２０は、製造プロセスの各工程における電気光学装置の積層構造を、図７に対応する断面で順を追って示す工程図である。尚、ここでは、本実施形態における電気光学装置のうち、主要部分であるコンタクトホール８０１及び８０４の形成工程に関して主に説明することにする。
【０１５７】
まず、図１５に示したように、ＴＦＴアレイ基板１０上に走査線１１ａから第３層間絶縁膜４３までの各層構造を形成し、積層する。その際、各工程には、通常の半導体集積化技術を用いることができる。尚、第３層層間絶縁膜４３の形成後、その表面を、ＣＭＰ処理等によって平坦化しておく。
【０１５８】
次に、図１６に示した工程において、第３層間絶縁膜４３の表面の所定位置にエッチングを施し、容量電極３００に達する深さにコンタクトホール８０１を開口する。
【０１５９】
次に、図１７に示した工程において、第３層間絶縁膜４３の表面の所定位置に容量配線４００を形成する。このとき、容量配線４００はコンタクトホール８０１内部にも形成されるが、コンタクトホール８０１の穴径が大きいために、カバレッジは良好となる。
【０１６０】
仮に、コンタクトホール８０４の代わりに層間絶縁膜４３、４４の各層に形成したコンタクトホールを層間の中継層を介して連結する場合には、この工程の前後で第２中継電極６ａ２に達するコンタクトホールを第３層間絶縁膜４３に形成しなければならない。これに対し、本実施形態のコンタクトホール８０４は、以降の工程において一度に形成されるため、そうした手間は必要ない。
【０１６１】
次に、図１８に示した工程において、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に、第４層間絶縁膜４４の前駆膜４４ａを形成する。前駆膜４４ａの表面には、コンタクトホール８０１に起因した凹凸が生じる。そこで、前駆膜４４ａを厚めに成膜し、例えばＣＭＰ処理によって図中の点線の位置まで削り取り、その表面を平坦化することによって第４層間絶縁膜４４を得る。
【０１６２】
次に、図１９に示した工程において、第４層間絶縁膜４４の表面の所定位置にエッチングを施し、第２中継電極６ａ２に達する深さにコンタクトホール８０４を開口する。
【０１６３】
次に、図２０に示した工程において、第４層間絶縁膜４４の表面の所定位置に画素電極９ａを形成する。このとき、画素電極９ａはコンタクトホール８０４内部にも形成されるが、コンタクトホール８０４の穴径が大きいために、カバレッジは良好となる。
【０１６４】
このように第３実施形態では、層間絶縁膜４３、４４を介して対向する画素電極９ａと第２中継電極６ａ２とを、コンタクトホール８０４によって一つながりに接続すると共に、層間絶縁膜４２、４３を介して対向する容量配線４００と容量電極３００とをコンタクトホール８０１によって一つながりに接続するようにしたので、コンタクトホール８０１及び８０４の形成領域を縮小することができ、狭ピッチ化が可能となる。その結果、装置の小型化・高精細化を実現することが可能となる。
また、一つのコンタクトホールで複数の層間絶縁膜を挿通するコンタクトホールを複数形成し、これらのコンタクトホール同士で、挿通している複数の層間絶縁膜のうちの一部が同じ層間絶縁膜を用いて挿通させ、即ち、上層側（液晶層側）の複数の層間絶縁膜（４４、及び４３）を挿通するコンタクトホール８０４と、複数の層間絶縁膜（４４、及び４３）のうち下層側の一部の層間絶縁膜４３と更に下層に位置する層間絶縁膜４２とを挿通したコンタクトホール８０１との二つのコンタクトホールを形成して、下層側の複数の層間絶縁膜を挿通するコンタクトホール８０１の配置位置を、上層側で複数の層間絶縁膜を挿通するコンタクトホール８０４の配置位置よりもＴＦＴ３０（半導体層１ａ）に近接した位置に配置することにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する遮光を効果的に行うことができる。即ち、半導体層１ａに対して斜め上方から進入する光を、一部の層間絶縁膜を共に利用して複数の層間絶縁膜を挿通した複数のコンタクトホールで遮光するので、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。
更に、コンタクトホール８０１及び８０４のそれぞれが複数の層間絶縁膜を一つながりに接続するように構成することで、各層間絶縁膜にコンタクトホールを開口し、それらを連結する場合よりも製造工程が削減される。
【０１６５】
特に、ここでは、コンタクトホール８０１とコンタクトホール８０４とをそれぞれ形成することにより、コンタクトホール形成における工程数を削減でき、電気光学装置を効率よく製造することが可能となる。
【０１６６】
尚、コンタクトホール８０１は、内部に容量配線４００が形成されるために遮光機能を有しており、その形成位置が平面的にも、断面的にも、他の遮光膜よりも半導体層１ａに近接しているので、より確実な遮光ができる。よって、光リーク電流の発生が防止され、高品位な表示を可能とする。
【０１６７】
＜５：第４実施形態＞
次に、本発明に係る第４実施形態について説明する。本実施形態では、第３実施形態におけるコンタクトホール８０１に代わって、コンタクトホール内に埋め込まれたプラグ８０２が容量配線４００と蓄積容量７０の容量電極３００とを接続している。また、コンタクトホール８０４の代わりに、コンタクトホール内にプラグ８０５が設けられている。プラグとは、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属が充填された、例えば柱状（針状）の金属構造物とされる。よって、本実施形態については、第３実施形態と重複する説明を適宜省略すると共に、第３実施形態との共通箇所には、同一符号を付して示すことにする。
【０１６８】
図２１は、本実施形態に係る主要部を表す平面図であり、図２２は、図２１のＢ−Ｂ'線における断面図である。このように、プラグ８０２及び８０５の穴径は、例えば０．５μｍ程度であり、他のコンタクトホールに比べて小さい。そのため、画素ピッチをより狭くすることができる。尚、この場合においても、プラグ８０２はＴＦＴ３０に近接することから、わずかなりともＴＦＴ３０に対する遮光機能を有している。ちなみに、プラグを用いる場合のコンタクトホールのアスペクト比は１以上となることが一般的である。
【０１６９】
プラグ８０２及び８０５は、例えば、外側よりＴｉ、ＴｉＮが順次形成され、その内側にＷの芯が形成された構造になっている。具体的には、例えば、図示した形状に層間絶縁膜４２、４３を開口し、その内部にＴｉを２０ｎｍ、ＴｉＮを２５ｎｍの厚みでスパッタ法により順次形成する。Ｔｉは、ポリシリコンである容量電極３００との接触抵抗を低減し、ＴｉＮはＷの付きまわりを良くするため、好ましい。そして、Ｗを５００ｎｍの厚みでＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成する。ＣＶＤ法を用いることで、スパッタ法等に比べてカバレッジが大変良好となり、このように深い穴でもきれいに埋め込むことができる。但し、この方法で穴を完全に埋めるには、成膜する総膜厚を穴の半径以上とする必要がある。そのため、プラグ８０２及び８０５の穴径は、小さく設計されることが好ましい。最後に、エッチバックにより、第３層間絶縁膜４３の表面から埋め込み用材料の積層物を取り除く。以上はＴｉ／ＴｉＮ／Ｗの３層によりプラグを形成する例であるが、必ずしもこの構造である必要はなく、これら各層の一を用いるようにしても構わない。
【０１７０】
尚、プラグ８０２及び８０５は、互いに長さが異なるので、それぞれの穴は別々に開口してもよいし、第２中継電極６ａ２をストッパとして用いることにより、両方を同時に開口してもよい。後者の場合、プラグ８０２及び８０５を同時に形成することができ、従来に比して工程数を削減することができる。
【０１７１】
このように第４実施形態においては、層間絶縁膜４３、４４を介して対向する画素電極９ａと第２中継電極６ａ２とを、プラグ８０５によって一つながりに接続し、層間絶縁膜４２、４３を介して対向する容量配線４００と容量電極３００とを、プラグ８０２によって一つながりに接続するようにしたので、狭ピッチ化に対し極めて有利である。それ以外の効果は、第３実施形態と同様である。
【０１７２】
＜６：電子機器＞
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図２３は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１７３】
図２３において、第１乃至第４実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１７４】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び、このような電気光学装置を具備してなる電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１７５】
【図１】電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【図３】電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路である。
【図４】第１実施形態に係るＴＦＴアレイ基板上の画素群の平面図であって、下層部分（図７における符号７０（蓄積容量）までの下層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図５】第１実施形態に係るＴＦＴアレイ基板上の画素群の平面図であって、上層部分（図７における符号７０（蓄積容量）を超えて上層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図６】図４及び図５を重ね合わせた場合の平面図であって、一部を拡大したものである。
【図７】図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ'断面図である。
【図８】第２実施形態に係るＴＦＴアレイ基板上の画素群のうちの一部を拡大して表す平面図である。
【図９】図８のＢ−Ｂ'断面図である。
【図１０】第２実施形態の変形例に係るＴＦＴアレイ基板上の構造を、図８に対応させて表す平面図である。
【図１１】第３実施形態に係るＴＦＴアレイ基板上の画素群の平面図であって、下層部分（図１４における符号７０（蓄積容量）までの下層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図１２】第３実施形態に係るＴＦＴアレイ基板上の画素群の平面図であって、上層部分（図１４における符号７０（蓄積容量）を超えて上層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図１３】図１１及び図１２を重ね合わせた場合の平面図であって、一部を拡大したものである。
【図１４】図１１及び図１２を重ね合わせた場合のＡ−Ａ'断面図である。
【図１５】第３実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す断面図（その１）である。
【図１６】第３実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す断面図（その２）である。
【図１７】第３実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す断面図（その３）である。
【図１８】第３実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す断面図（その４）である。
【図１９】第３実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す断面図（その５）である。
【図２０】第３実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す断面図（その６）である。
【図２１】第４実施形態に係るＴＦＴアレイ基板上の画素群のうちの一部を拡大して表す平面図である。
【図２２】図２１のＢ−Ｂ'断面図である。
【図２３】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
【０１７６】
１ａ…半導体層、２…ゲート絶縁膜、３ａ…ゲート電極、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、３０…ＴＦＴ、７０…蓄積容量、３００…容量電極、４００…容量配線、４１〜４４…層間絶縁膜、８０１、８０４…コンタクトホール、８０２、８０３、８０５…プラグ。
【図１】
2005222019.tif 000003
【図２】
2005222019.tif 000004
【図３】
2005222019.tif 000005
【図４】
2005222019.tif 000006
【図５】
2005222019.tif 000007
【図６】
2005222019.tif 000008
【図７】
2005222019.tif 000009
【図８】
2005222019.tif 000010
【図９】
2005222019.tif 000011
【図１０】
2005222019.tif 000012
【図１１】
2005222019.tif 000013
【図１２】
2005222019.tif 000014
【図１３】
2005222019.tif 000015
【図１４】
2005222019.tif 000016
【図１５】
2005222019.tif 000017
【図１６】
2005222019.tif 000018
【図１７】
2005222019.tif 000019
【図１８】
2005222019.tif 000020
【図１９】
2005222019.tif 000021
【図２０】
2005222019.tif 000022
【図２１】
2005222019.tif 000023
【図２２】
2005222019.tif 000024
【図２３】
2005222019.tif 000025