(57)【要約】【課題】高周波電気信号に反射等を起こして伝送特性が大きく劣化する。【解決手段】基体１、グランド配線導体２ｂ、第１配線導体２ａ、グランド用パッド３ｂ、入出力用パッド３ａ、第２配線導体４、コネクター５を具備するパッケージ７に高周波の電気信号を送受信する半導体素子６を固定するとともに半導体素子６の接地電極６ｂ、入出力電極６ａをグランド配線導体２ｂ、第１配線導体２ａ、第２配線導体４にボンディングワイヤ８、８ａ、８ｂを介し電気的に接続して成り、第２配線導体４に接続される半導体素子６の入出力電極６ａを一対の接地電極６ｂ間に、第２配線導体４のボンディングワイヤが接続される端部が一対のグランド配線導体２ｂ間にそれぞれ位置し、かつ入出力電極６ｂと第２配線導体４とを接続するボンディングワイヤと、前記接地電極６ｂとグランド配線導体２ｂとを接続するボンディングワイヤとの距離を０．０５ｍｍ以下とした。【選択図】  図１
2005019448.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が搭載される搭載部を有する基体と、該基体の前記搭載部近傍より下面にかけて導出されている複数個のグランド配線導体および第１配線導体と、前記基体  の下面に形成され、前記グランド配線導体および第１配線導体に電気的に接続している複数個のグランド用パッドおよび入出力用パッドと、前記基体の搭載部より上面もしくは側面にかけて導出されている第２配線導体と、前記第２配線導体に電気的に接続されているコネクターとを具備する半導体素子収納用パッケージと、４０ＧＨｚ乃至８０ＧＨｚの電気信号を送受信する半導体素子とで構成され、前記半導体素子収納用パッケージの搭載部に半導体素子を搭載固定するとともに該半導体素子の接地電極および入出力電極をグランド配線導体、第１配線導体、第２配線導体の端部にボンディングワイヤを介し電気的に接続して成る半導体装置であって、前記第２配線導体と接続される半導体素子の入出力電極が一対の接地電極間に位置するとともに、第２配線導体のボンディングワイヤが接続される端部が一対のグランド配線導体間に位置し、かつ前記入出力電極と第２配線導体とを接続するボンディングワイヤと、前記接地電極とグランド配線導体とを接続するボンディングワイヤとの距離が０．０５ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高周波の電気信号を送受信する半導体素子を半導体素子収納用パッケージ内に気密に収容して成る半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光通信や無線通信等の機器には多数の半導体装置が使用されており、かかる半導体装置は一般に、高周波の電気信号を送受信する半導体素子を半導体素子収納用パッケージ内に気密に収容することによって形成されている。
【０００３】
前記半導体素子収納用パッケージは、通常、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミックス等の電気絶縁材料から成り、上面に半導体素子の搭載部が形成された基体と、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀等の金属材料から成り、基体の半導体素子搭載部から下面にかけて被着導出された複数の入出力用配線導体（第１配線導体）およびグランド配線導体と、この配線導体と電気的に接続するようにして基体の下面に形成された複数個のグランド用パッドおよび入出力用パッドと、基体の搭載部より上面もしくは側面にかけて導出されている出入力用配線導体（第２配線導体）と、この出入力用配線導体（第２配線導体）に一端が接続されるとともに他端が外部に導出されているコネクターとにより構成されている。
【０００４】
そして、かかる半導体素子収納用パッケージには、その搭載部に電気信号を送受信する半導体素子がＡｕ−Ｓｎろう材あるいは半田等の接合材を介して接着固定されるとともに、半導体素子の入出力電極および接地電極が入出力用配線導体（第１配線導体）、グランド配線導体および出入力用配線導体（第２配線導体）にボンディングワイヤを介して接続され、その後、必要に応じて蓋体等で半導体素子を封止することによって半導体装置となる。
【０００５】
また前記半導体装置は基体の下面に形成されているグランド用パッドおよび入出力用パッドを外部電気回路基板の回路導体（図示せず）に半田バンプ等を介し接続させることによって内部に収容する半導体素子が外部電気回路に接続され、同時にコネクターに同軸ケーブル等を介し外部の通信装置等の外部機器（図示せず）を接続させることによって半導体素子と外部機器とが接続するようになっている。
【０００６】
なお、前記半導体装置に使用されている半導体素子は複数の電気信号を合成して一つの電気信号に変換する、或いは一つの電気信号を分離して複数の電気信号に変換する機能を有しており、外部電気回路から第１配線導体を介して入力される複数の周波数帯域が低い電気信号は半導体素子で合成されて一つの周波数帯域が高い電気信号となり、この周波数帯域の高い電気信号は第２配線導体を介してコネクターに伝送されるとともにコネクターより外部の通信装置等の外部機器に伝送され、またコネクターを介して外部機器より伝送された周波数帯域の高い電気信号は半導体素子で複数の周波数帯域が低い電気信号に変換され、各々の周波数帯域の低い電気信号は第１配線導体を介して外部電気回路に伝送されることとなる。
【０００７】
また前記半導体装置において、半導体素子の入出力電極および接地電極と入出力用配線導体（第１配線導体）や出入力用配線導体（第２配線導体）等とを接続するボンディングワイヤは一般に直径が１８μｍ〜５０μｍ、純度が９９．９％以上、破断強度が０．０５〜０．７８（Ｎ）程度の金線（Ａｕワイヤ）が使用されている。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００２−１６４４６６号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の半導体装置においては、半導体素子の入出力電極と第２配線導体とを接続しているボンディングワイヤの破断強度が０．０５〜０．７８（Ｎ）程度であり、弱いことから外力印加によって接続領域近傍で切れるのを防止するため長さを１ｍｍ以上として余裕をもたせていること、第２配線導体が比誘電率約２〜１０の基板上に形成されているのに対し、ボンディングワイヤはその周囲が比誘電率１の空気で囲まれており、ボンディングワイヤのインピーダンスが第２配線導体のインピーダンスよりも高くなっていること等から、半導体素子とコネクターを結ぶ線路中にインピーダンスが他よりも高い領域が１ｍｍ以上の長さにわたって形成されていることとなる。そのため、この第２配線導体とボンディングワイヤとを介してコネクターと半導体素子との間に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させた場合、インピーダンスが高いボンディングワイヤで信号に反射等を起こし、伝送特性が大きく劣化するという欠点を有していた。
【００１０】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は半導体素子とコネクターとの間に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を反射等を起こすことなく良好に伝送させることができる半導体装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体素子が搭載される搭載部を有する基体と、該基体の前記搭載部近傍より下面にかけて導出されている複数個のグランド配線導体および第１配線導体と、前記基体の下面に形成され、前記グランド配線導体および第１配線導体に電気的に接続している複数個のグランド用パッドおよび入出力用パッドと、前記基体の搭載部より上面もしくは側面にかけて導出されている第２配線導体と、前記第２配線導体に電気的に接続されているコネクターとを具備する半導体素子収納用パッケージと、４０ＧＨｚ乃至８０ＧＨｚの電気信号を送受信する半導体素子とで構成され、前記半導体素子収納用パッケージの搭載部に半導体素子を搭載固定するとともに該半導体素子の接地電極および入出力電極をグランド配線導体、第１配線導体、第２配線導体の端部にボンディングワイヤを介し電気的に接続して成る半導体装置であって、前記第２配線導体と接続される半導体素子の入出力電極が一対の接地電極間に位置するとともに、第２配線導体のボンディングワイヤが接続される端部が一対のグランド配線導体間に位置し、かつ前記入出力電極と第２配線導体とを接続するボンディングワイヤと、前記接地電極とグランド配線導体とを接続するボンディングワイヤとの距離が０．０５ｍｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の半導体装置によれば、第２配線導体と接続される半導体素子の入出力電極を一対の接地電極間に位置させるとともに、第２配線導体のボンディングワイヤが接続される端部を一対のグランド配線導体間に位置させ、かつ前記入出力電極と第２配線導体とを接続するボンディングワイヤと、前記接地電極とグランド配線導体とを接続するボンディングワイヤとの距離を０．０５ｍｍ以下と極めて近いものとしたことから、半導体素子の入出力電極と第２配線導体とを接続するボンディングワイヤと、半導体素子の接地電極とグランド配線導体とを接続するボンディングワイヤとの間に生じる容量成分の作用により、半導体素子の入出力電極と第２配線導体とを接続するボンディングワイヤのインピーダンスを第２配線導体のインピーダンスに近似する程度に低いものとなすことができ、その結果、第２配線導体とボンディングワイヤとを介してコネクターと半導体素子との間に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させた場合、第２配線導体と半導体素子とを接続するボンディングワイヤの長さが１ｍｍ以上であったとしても、信号に大きな反射等を起こすことはほとんどなく、伝送特性を優れたものとなすことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
【００１４】
図１は本発明の半導体装置の一実施例を示し、半導体素子収納用パッケージ７内に半導体素子６を収容して構成されている。
【００１５】
前記半導体素子収納用パッケージ７は、基体１、第１配線導体２ａ、グランド配線導体２ｂ、入出力用パッド３ａ、グランド用パッド３ｂ、第２配線導体４およびコネクター５により形成されている。
【００１６】
前記基体１は酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラスセラミックス、窒化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒、可塑剤、分散剤を添加混合して泥漿物を作り、この泥漿物を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート形成法を採用しシート状に形成してセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる後、それらセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを必要に応じて複数枚積層し、約１６００℃の高温で焼成することによって製作される。
【００１７】
また前記基体１は、半導体素子の搭載部１ａから下面にかけて複数個の第１配線導体２ａおよびグランド配線導体２ｂが形成されており、該各配線導体２ａ、２ｂは半導体素子の入出力電極および接地電極を、入出力用パッド３ａやグランド用パッド３ｂに接続するための導電路として作用し、搭載部１ａ側の一端には半導体素子６の電気信号入出力電極および接地電極がボンディングワイヤ８を介して電気的に接続される。
【００１８】
前記第１配線導体２ａおよびグランド配線導体２ｂ、入出力用パッド３ａおよびグランド用パッド３ｂは、銅、銀、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料から成り、例えば銅から成る場合であれば、銅粉末に有機溶剤を添加して成る金属ペーストを基体１となるセラミックグリーンシートの表面にスクリーン印刷等により所定パターンに印刷しておくことによって形成される。
【００１９】
この第１配線導体２ａおよびグランド配線導体２ｂの基体１下面側の一端は、それぞれ対応する入出力用パッド３ａおよびグランド用パッド３ｂと電気的に接続しており、これらの入出力用パッド３ａ、グランド用パッド３ｂを外部電気回路の所定の信号用や接地用等の回路導体に接続することにより、半導体素子６の入出力電極および接地電極が外部電気回路と電気的に接続される。
【００２０】
また前記基体１は、半導体素子の搭載部１ａから上面や側面等にかけて第２配線導体４が形成されており、該第２配線導体４は半導体素子６の入出力電極をコネクター５の線材５ａに接続するための導電路として作用し、搭載部１ａ側の一端には半導体素子６の入出力電極がボンディングワイヤ８ａを介して電気的に接続される。
【００２１】
前記第２配線導体４は、上述の第１配線導体２ａ等と同様に、銅、銀、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料から成り、例えば銅から成る場合であれば、銅粉末に有機溶剤等を添加して成る金属ペーストを基体１となるセラミックグリーンシートの表面にスクリーン印刷等により所定パターンに印刷しておくことによって形成される。
【００２２】
この第２配線導体４の基体１外表面側の一端はコネクター５の線材５ａと電気的に接続しており、このコネクター５を同軸ケーブル等を介して通信装置等の外部機器に接続することにより半導体素子６と外部機器との間で高周波信号の送受信が行われる。
【００２３】
前記コネクター５は、半導体素子収納用パッケージ７の第２配線導体４を同軸ケーブル等を介して外部機器に接続するための接続体として作用し、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属の線材５ａの周囲を、ホウ珪酸系ガラス等の絶縁性の外囲体５ｂで取り囲んだ構造である。
【００２４】
前記線材５ａと外囲体５ｂとから成るコネクター５は、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金から成る線材５ａを、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る円筒状の容器の中央にセットし、容器内にホウ珪酸ガラス等のガラス粉末を充填した後、ガラス粉末を加熱溶融させて線材５ａの周囲に被着させることによって製作される。
【００２５】
かくして上述の半導体素子収納用パッケージによれば、基体１の搭載部１ａに半導体素子６を搭載するとともにガラス、樹脂、ロウ材等の接着材を介して固定し、しかる後、半導体素子６の入出力電極および接地電極を第１配線導体２ａ、グランド配線導体２ｂおよび第２配線導体４に、ボンディングワイヤ８ａ等を介して接続し、最後に蓋体１０を基体１の上面に封止材を介して接合させ、半導体素子６を気密に封入することによって半導体装置１１となる。
【００２６】
この半導体装置１１は基体１下面の入出力用パッド３ａおよびグランド用パッド３ｂが外部電気回路基板の所定の信号用や接地用等の回路導体に半田バンプ等の外部端子を介して接続され、これによって半導体素子６の入出力電極および接地電極は外部電気回路と電気的に接続される。
【００２７】
また、この半導体装置１１に取着されているコネクター５の線材５ａに同軸ケーブル等の外部接続用の導線を接続することにより、半導体素子６の入出力電極が通信装置等の外部機器に接続される。
【００２８】
そしてかかる半導体装置１１は、外部電気回路から供給される複数の周波数帯域が低い（５〜１０ＧＨｚ）電気信号を第１配線導体２ａを介して半導体素子６に入力させ、半導体素子６でこれら入力された電気信号を合成して、一つの周波数帯域が高い（４０〜８０ＧＨｚ）電気信号とするとともにこれを第２配線導体４を介してコネクター５に出力し、該コネクター５の線材５ａを介して外部の通信装置等の外部機器に伝送する、或いは、外部の通信装置等の外部機器から伝送された一つの周波数帯域が高い（４０〜８０ＧＨｚ）電気信号をコネクター５の線材５ａ及び第２配線導体４を介して半導体素子６に入力し、半導体素子６で入力された周波数帯域が高い（４０〜８０ＧＨｚ）電気信号を複数の周波数帯域が低い（５〜１０ＧＨｚ）電気信号に変換するとともにこれらの個々の周波数帯域が低い電気信号を第１配線導体２ａを介して外部電気回路に供給することとなる。
【００２９】
本発明の半導体装置１１においては、図２に示すように、第２配線導体４と接続される半導体素子６の入出力電極６ａを一対の接地電極６ｂ間に位置させるとともに、第２配線導体４のボンディングワイヤ８ａが接続される端部を一対のグランド配線導体２ｂ間に位置させ、かつ前記入出力電極６ａと第２配線導体４とを接続するボンディングワイヤ８ａと、前記接地電極６ｂとグランド配線導体２ｂとを接続するボンディングワイヤ８ｂとの距離を０．０５ｍｍ以下としておくことが重要である。
【００３０】
第２配線導体４と接続される半導体素子６の入出力電極６ａを一対の接地電極６ｂ間に位置させるとともに、第２配線導体４のボンディングワイヤ８ａが接続される端部を一対のグランド配線導体２ｂ間に位置させておくと、第２配線導体４と半導体素子６の入出力電極６ａとを接続するボンディングワイヤ８ａは、一対の接地電極６ｂとグランド配線導体とを接続する一対のボンディングワイヤ８ｂに挟まれた状態となり、これらのボンディングワイヤ８ａ，８ｂ間に生じる静電容量成分の作用により、そのインピーダンスが低下する。そして、このときのボンディングワイヤ８ａ，８ｂ間の距離を０．０５ｍｍ以下と極めて近いものとしたことから、両者間で十分に大きな静電容量成分を得ることができ、半導体素子６の入出力電極６ａと第２配線導体４とを接続するボンディングワイヤ８ａのインピーダンスを第２配線導体４のインピーダンスに近似する程度に低いものとなすことができ、その結果、第２配線導体４とボンディングワイヤ８ａとを介してコネクター５と半導体素子６との間に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させた場合、第２配線導体４と半導体素子６とを接続するボンディングワイヤ８ａの長さが１ｍｍ以上であったとしても、信号に大きな反射等を起こすことはほとんどなく、伝送特性を優れたものとなすことができる。
【００３１】
なお、この場合、入出力電極６ａと第２配線導体４とを接続するボンディングワイヤ８ａと、前記接地電極６ｂとグランド配線導体２ｂとを接続するボンディングワイヤ８ｂとの距離が０．０５ｍｍを超えると、ボンディングワイヤ８ａ，８ｂ間で十分に大きな静電容量成分を形成することができず、ボンディングワイヤ８ａのインピーダンスを第２配線導体４のインピーダンスに近似する程度に低くすることができない。したがって、入出力電極６ａと第２配線導体４とを接続するボンディングワイヤ８ａと、前記接地電極６ｂとグランド配線導体２ｂとを接続するボンディングワイヤ８ｂとの距離は０．０５ｍｍ以下に特定される。
【００３２】
また、このように、入出力電極６ａと第２配線導体４とを接続するボンディングワイヤ８ａと、前記接地電極６ｂとグランド配線導体２ｂとを接続するボンディングワイヤ８ｂとの距離を０．０５ｍｍ以下と極めて近いものとした場合、ボンディングワイヤ８ａや８ｂがわずかに傾いただけでもボンディングワイヤ８ａ／８ｂ間で電気的な短絡を生じるおそれがある。したがって、ボンディングワイヤ８ａ、８ｂは、それぞれ、傾き等の変形を防止するような手段を併用することが好ましい。
【００３３】
前記ボンディングワイヤ８ａ、８ｂの傾き等の変形を防止する手段としては、例えば、ボンディングワイヤ８ａ、８ｂの周囲を有機樹脂で被覆し、互いに接触しないようにしておくという手段を用いることができる。
【００３４】
このような有機樹脂としては、シリコーン樹脂やゴム変性エポキシ樹脂等の、低弾性のものが好ましい。例えば、ヤング率が４９００Ｎ／ｍｍ２以下の有機樹脂で被覆するようにしておくと、ボンディングワイヤ８ａ、８ｂに作用しようとする外力は、ヤング率が低く変形しやすい樹脂が変形することにより効果的に吸収されてボンディングワイヤ８ａ、８ｂに作用することが防止され、その結果、ボンディングワイヤ８ａ、８ｂが傾いて互いに接触し電気的な短絡を生じる、ということをより一層確実に防止することができる。
【００３５】
また、前記第２配線導体４と半導体素子６の入出力電極６ａとを接続するボンディングワイヤ８ａは、また、その長さを０．３ｍｍ以下としておくことが好ましい。
【００３６】
前記第２配線導体４と半導体素子６の入出力電極６ａとを接続するボンディングワイヤ８ａの長さを０．３ｍｍ以下と短くすると、このボンディングワイヤ８の傾き等の変形をより一層確実に防止することができ、ボンディングワイヤ８ａ、８ｂ間の電気的短絡がより効果的に防止された高信頼性の半導体装置となすことができる。
【００３７】
なお、このようにボンディングワイヤ８ａの長さを短くした場合も、上述のように、ボンディングワイヤ８ａ（８ｂ）の周囲を低弾性の有機樹脂で被覆しておくことにより、ボンディングワイヤ８ａ（８ｂ）が接合部や中央部付近等で切れたりするようなことを効果的に防止することができる。
【００３８】
また、ボンディングワイヤ８ａおよび第２配線導体４は、断面積を同一としておくことが好ましい。両者の断面積を同一としておくことにより、より一層確実に両者のインピーダンスを整合させることができ、４０〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号の伝送特性をより一層優れたものとすることができる。
【００３９】
更に、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００４０】
【発明の効果】
本発明の半導体装置によれば、第２配線導体と接続される半導体素子の入出力電極を一対の接地電極間に位置させるとともに、第２配線導体のボンディングワイヤが接続される端部を一対のグランド配線導体間に位置させ、かつ前記入出力電極と第２配線導体とを接続するボンディングワイヤと、前記接地電極とグランド配線導体とを接続するボンディングワイヤとの距離を０．０５ｍｍ以下と極めて近いものとしたことから、半導体素子の入出力電極と第２配線導体とを接続するボンディングワイヤと、半導体素子の接地電極とグランド配線導体とを接続するボンディングワイヤとの間に生じる容量成分の作用により、半導体素子の入出力電極と第２配線導体とを接続するボンディングワイヤのインピーダンスを第２配線導体のインピーダンスに近似する程度に低いものとなすことができ、その結果、第２配線導体とボンディングワイヤとを介してコネクターと半導体素子との間に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させた場合、第２配線導体と半導体素子とを接続するボンディングワイヤの長さが１ｍｍ以上であったとしても、信号に大きな反射等を起こすことはほとんどなく、伝送特性を優れたものとなすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の要部拡大平面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・・・基体
１ａ・・・・・・・搭載部
２ａ・・・・・・・第１配線導体
２ｂ・・・・・・・グランド配線導体
３ａ・・・・・・・入出力用パッド
３ｂ・・・・・・・グランド用パッド
４・・・・・・・・第２配線導体
５・・・・・・・・コネクター
５ａ・・・・・・・線材
５ｂ・・・・・・・外囲体
６・・・・・・・・半導体素子
６ａ・・・・・・・入出力電極
６ｂ・・・・・・・接地電極
７・・・・・・・・半導体素子収納用パッケージ
８、８ａ、８ｂ・・ボンディングワイヤ
１０・・・・・・・蓋体
１１・・・・・・・半導体装置
【図１】
2005019448.tif 000003
【図２】
2005019448.tif 000004