(57)【要約】      （修正有）【課題】立体的特性及び電子的特性が容易に変更可能であり、不斉合成、殊に不斉水素化における触媒としてのその遷移金属錯体が高いエナンチオ選択性のみならず高いターンオーバー率をも可能にするリガンド系およびその錯体ならびにその製造法の提供。【解決手段】下記式（Ｉ）の化合物及びそのボランとの錯体。2005336181.tif 000029置換アルキリデンシクロペンタノールをＨａｌ−ＰＲ３Ｒ４と反応させた後、加熱による異性化、ボランとの反応に引き続き酸化、還元、Ｈａｌ−Ｏ２ＳＲ７との反応、ＨＰＲ１Ｒ２との反応により製造する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2005336181.tif 000022
［式中、
・＊１、＊２及び＊３はそれぞれ独立してＲ立体配置又はＳ立体配置のステレオジェン炭素原子を表し、
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立してアルキル、アリールアルキルもしくはアリールか、又は全体で４〜１６個の炭素原子を有する複素環式基であってよいか、又はＲ１及びＲ２及び／又はＲ３及びＲ４は一緒になってそれぞれアルキレンであってよく、
・Ｒ５はアルキル、アリールアルキル又はアリールであってよく、
・Ｒ６はアルキル、アルコキシ、アリールアルキル又はアリールであってよく、かつ
・ｎは０、１又は２であってよい］
の化合物及び前記化合物とボランとの錯体。
【請求項２】
式（Ｉ）の化合物の製造法において、
・工程（Ａ）において、式（ＩＩ）
【化２】
2005336181.tif 000023
［式中、
＊１及びＲ５はそれぞれ請求項１に記載された定義及び優先の範囲を有し、ここでＲ５は水素であってもよい］
の化合物を、式（ＩＩＩ）
Ｈａｌ−ＰＲ３Ｒ４      （ＩＩＩ）
の化合物と反応させ、式（ＩＶ）
【化３】
2005336181.tif 000024
の化合物を生成し、
かつ、
・工程Ｂ）において、有機溶剤中であってもよい式（ＩＶ）の化合物を、少なくとも６０℃に加熱することにより、式（Ｖ）
【化４】
2005336181.tif 000025
の化合物に変換し、
・かつ工程Ｃ）において、式（Ｖ）の化合物をボランと反応させ、引き続き酸化させることにより、式（ＶＩ）
【化５】
2005336181.tif 000026
の化合物に変換し、
・かつ工程Ｄ）において、式（ＶＩ）の化合物を還元して、式（ＶＩＩ）
【化６】
2005336181.tif 000027
の化合物に変換し、
・かつ工程Ｅ）において、式（ＶＩＩ）の化合物を式（ＶＩＩＩ）
Ｈａｌ−Ｏ２ＳＲ７      （ＶＩＩＩ）
の化合物と反応させることにより、式（ＩＸ）
【化７】
2005336181.tif 000028
の化合物に変換し、
・かつ工程Ｆ）において、式（ＩＸ）の化合物を式（Ｘ）
ＨＰＲ１Ｒ２      （Ｘ）
の化合物と反応させることにより式（Ｉ）の化合物に変換し、
ここで、式（ＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、（ＩＸ）及び（Ｘ）において、＊１、＊２及び＊３、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ請求項１で式（Ｉ）において記載された通りに定義され、
式（ＶＩＩＩ）及び（ＩＸ）におけるＲ７は、アルキル、フルオロアルキル、アリールアルキル又はアリールであり、かつ
式（ＩＩＩ）及び（ＶＩＩＩ）におけるＨａｌは、それぞれの場合に塩素、臭素又はヨウ素であることを特徴とする、式（Ｉ）の化合物の製造法。
【請求項３】
請求項２記載の式（ＩＩ）の化合物。
【請求項４】
請求項２記載の式（ＩＶ）の化合物。
【請求項５】
請求項２記載の式（Ｖ）の化合物。
【請求項６】
請求項２記載の式（ＶＩ）の化合物。
【請求項７】
請求項２記載の式（ＶＩＩ）の化合物及び前記化合物とボランとの錯体。
【請求項８】
請求項２記載の式（ＩＸ）の化合物。
【請求項９】
請求項１記載の化合物を含む遷移金属錯体。
【請求項１０】
請求項９記載の遷移金属錯体を含む触媒。
【請求項１１】
立体異性的に富化された化合物を製造するための請求項１０記載の触媒の使用。
【請求項１２】
立体異性的に富化された化合物の製造法において、製造を請求項１０記載の触媒の存在下で行うことを特徴する、立体異性的に富化された化合物の製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キラル二リン化合物及び該化合物の遷移金属錯体、及び、キラル二リン化合物及び該化合物の酸化物の製造法に関する。他の点において、本発明は、不斉合成におけるキラル二リン化合物又は該化合物の遷移金属錯体の使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
鏡像異性的に富化されたキラル化合物は、農薬及び医薬品を製造するための価値の高いな出発物質である。不斉触媒は、このような鏡像異性的に富化されたキラル化合物を合成するために工業的に大きな重要性を獲得してきた。
【０００３】
不斉合成の分野における数多くの刊行物には、二リン化合物の遷移金属錯体は、不斉反応における触媒として殊に適当であることが明確に示されている（H.C.Brown, K. Murray, J. Am. Chem. Soc., 1959, 81, 4108）。殊に、二リン化合物の遷移金属錯体は、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｎ及びＣ＝Ｃ結合の不斉水素化、ヒドロシアン化及びヒドロホルミル化における触媒として、工業プロセスにおいて使用されてきた。
【０００４】
例えば、Achiwaら、Synlett, 1991, 49は、（１Ｒ，２Ｒ）−１−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルシクロペンタンをロジウム触媒を用いたハロゲン化におけるリガンドとして使用し、満足のいくエナンチオ選択性を達成することが可能であることを明らかにした。
【０００５】
しかしながら、極めて重大な欠点は、上記の製造法が、所定の基体のために配位子を、従って触媒を意図的に最適化及び適合化させるために必要とされるリガンド系の立体的及び電子的な変形を許容しない点にある。この欠点によって、これまで工業的な利用は複雑なものとなっていた。
【非特許文献１】H.C.Brown, K. Murray, J. Am. Chem. Soc., 1959, 81, 4108
【非特許文献２】Achiwaら、Synlett, 1991, 49
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、その立体的特性及び電子的特性が容易に変更可能であり、不斉合成、殊に不斉水素化における触媒としてのその遷移金属錯体が高いエナンチオ選択性のみならず高いターンオーバー率をも可能にするリガンド系を開発する必要がある。更に、そのようなリガンド系及び相応する前駆体のための適当な経路を開発することが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
ここで、式（Ｉ）
【０００８】
【化１】
2005336181.tif 000002
［式中、
・＊１、＊２及び＊３はそれぞれ独立してＲ立体配置又はＳ立体配置のステレオジェン炭素原子を表し、
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立してアルキル、アリールアルキルもしくはアリールか、又は全体で４〜１６個の炭素原子を有する複素環式基であってよいか、又はＲ１及びＲ２及び／又はＲ３及びＲ４は一緒になってそれぞれアルキレンであってよく、
・Ｒ５はアルキル、アリールアルキル又はアリールであってよく、
・Ｒ６はアルキル、アルコキシ、アリールアルキル又はアリールであってよく、かつ
・ｎは０、１又は２であってよい］
の化合物が見出された。
【０００９】
本発明の範囲は、上記及び下記の、一般的又は有利な範囲内での、相互の全ての組合せでの、即ち特定の範囲から有利な範囲の間での、全ての基の定義、パラメータ及び説明をも含む。
【００１０】
本発明の明細書において特に記載がない限り、アリールは有利に６〜２４個の骨格炭素原子を有する炭素環式芳香族基であるか、又は５〜２４個の骨格炭素原子を有する複素芳香族基であり、この場合、環１個当たり０個、１個、２個又は３個の骨格炭素原子、しかしながら分子全体で少なくとも１個の骨格炭素原子は、窒素、硫黄又は酸素の群から選択されたヘテロ原子により置換されていてよい。更に、炭素環式芳香族基又は複素芳香族基は、環１個当たり５個までの同じか又は異なる置換基により置換されていてよく、この場合この置換基は、ヒドロキシル、フッ素、ニトロ、シアノ、遊離ホルミル又は保護ホルミル、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、Ｃ５〜Ｃ１４−アリール、Ｃ６〜Ｃ１５−アリールアルキル、−ＰＯ−［（Ｃ１〜Ｃ８）−アルキル］２、−ＰＯ−［（Ｃ５〜Ｃ１４）−アリール］２、−ＰＯ−［（Ｃ１〜Ｃ８）−アルキル）（Ｃ５〜Ｃ１４−アリール）］、トリ（Ｃ１〜Ｃ８−アルキル）シロキシ又は式（ＩＩａ）〜（ＩＩｆ）の基の群から選択される。同様のことがアリールアルキル基のアリール部分にも当てはまる。
【００１１】
例えば、アリールは更に有利にフェニル、ナフチル又はアントラセニルであり、これらはそれぞれ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ５〜Ｃ１４−アリール、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシカルボニル、ハロゲン、ヒドロキシル、ニトロ又はシアノの群からそれぞれ独立して選択された基により一置換、二置換又は三置換されていてもよい。
【００１２】
本発明の明細書において、アルキル、アルキレン及びアルコキシは、特に記載がない限り、有利にそれぞれ独立して、それぞれ直鎖、環式、分枝鎖又は非分枝鎖のアルキル基、アルキレン基及びアルコキシ基であり、これらはそれぞれ更にＣ１〜Ｃ４−アルコキシ基により置換されていてもよい。同様のことがアリールアルキル基のアルキレン部分にも当てはまる。
【００１３】
例えばアルキルは、更に有利に、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、シクロヘキシル及びｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、ｎ−デシル及びｎ−ドデシルであってよい。
【００１４】
例えばアルキレンは、有利に１，３−プロピレン、１，４−ブチレン、１，５−ペンチレン、１，６−ヘキシレン、Ｓ，Ｓ−又はＲ，Ｒ−２，５−ヘキシレン、１，４−シクロヘキシレン、１，２−シクロヘキシレン及び１，８−オクチレンである。
【００１５】
例えばアルコキシは、有利にメトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｎ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ及びシクロヘキシルオキシである。
【００１６】
本発明の明細書において、アリールアルキルは、特に記載がない限り、有利にそれぞれの場合において独立して、上記で定義された通りのアリール基により一置換又は多置換された、更に有利には一置換された直鎖、環式、分枝鎖又は非分枝鎖のアルキル基である。
【００１７】
本発明の明細書において、特に記載がない限り、ハロアルキル及びハロアルキレンは、有利にそれぞれ独立して、直鎖、環式、分枝鎖又は非分枝鎖のアルキル基及びアルキレン基であり、これらはそれぞれ、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素の群から独立して選択されたハロゲン原子により一回、複数回又は完全に置換されていてよい。
【００１８】
例えば、ハロアルキルは、更に有利にトリフルオロメチル、トリクロロメチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチル及びノナフルオロブチルであり；Ｃ１〜Ｃ８−フルオロアルキルは更に有利にトリフルオロメチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチル及びノナフルオロブチルである。
【００１９】
式（Ｉ）の有利な化合物を以下に定義する。
【００２０】
・＊１、＊２は有利に、中心の５員環の面をベースとする相応するホスフィン置換基がシス位となるように選択される。また、式（Ｉ）の化合物は有利に立体異性的に富化されている。
・Ｒ１及びＲ２又はＲ３及びＲ４は有利にそれぞれ対で、かつ等しく、アルキル又はアリール又は合計で４〜９個の炭素原子を有する複素環式基であるか、又はそれぞれの場合に一緒になってアルキレンである。
【００２１】
更に有利に、Ｒ１及びＲ２又はＲ３及びＲ４はそれぞれの場合において対で、かつ等しく、Ｃ３〜Ｃ６−アルキル、場合によりモノ−、ジ−、又はトリ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−、−Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル−、−Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ−、−塩素−又は−フッ素置換されたフェニルであるか、又はそれぞれの場合において一緒になってＣ４〜Ｃ６−アルキレンである。基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の４つ全てが同じであるのが極めて殊に有利である。
【００２２】
・Ｒ５は有利にＣ１〜Ｃ６−アルキルであり、
・Ｒ５はアルキル、アリールアルキル又はアリールであってよく、かつ
・ｎは有利に０である。
【００２３】
式（Ｉ）の極めて殊に有利な化合物は、
（１Ｒ，２Ｒ）−１−ジフェニルホスフィノ−２−（１Ｓ−ジフェニルホスフィノエチル）シクロペンタン、
（１Ｒ，２Ｒ）−１−ジフェニルホスフィノ−２−（１Ｓ−ジフェニルホスフィノ−２−メチルプロピル）シクロペンタン、及び
（１Ｒ，２Ｒ）−１−ジフェニルホスフィノ−２−（Ｓ−ジフェニルホスフィノシクロヘキシルメチル）シクロペンタンである。
【００２４】
本発明は、式（Ｉ）の化合物とボラン、例えばボラン又はボラビシクロノナン（ＢＢＮ−９）との錯体をも含む。
【００２５】
本発明の明細書において、立体異性的に富化された、及び鏡像異性的に富化された、という用語には、立体異性的に純粋な化合物及び鏡像異性的に純粋な化合物、及び、一方の立体異性体又は鏡像異性体が他方の立体異性体又は鏡像異性体よりも大きい相対的割合で、有利に５０％を上回って１００モル％まで、より好ましくは９０〜１００モル％、最も好ましくは９８〜１００モル％の相対的割合で存在する立体異性体化合物及び鏡像異性体化合物の混合物が含まれる。
【００２６】
式（Ｉ）の化合物は、同様に本発明に従う方法により製造することができる。
【００２７】
この方法は、
・工程（Ａ）において、式（ＩＩ）
【００２８】
【化２】
2005336181.tif 000003
［式中、
＊１及びＲ５はそれぞれ式Ｉに記載された定義及び優先の範囲を有し、ここでＲ５は水素であってもよい］
の化合物を、式（ＩＩＩ）
Ｈａｌ−ＰＲ３Ｒ４      （ＩＩＩ）
の化合物と反応させ、式（ＩＶ）
【００２９】
【化３】
2005336181.tif 000004
の化合物を生成し、
かつ、
・工程Ｂ）において、有機溶剤中であってもよい式（ＩＶ）の化合物を、少なくとも６０℃に加熱することにより、式（Ｖ）
【００３０】
【化４】
2005336181.tif 000005
の化合物に変換し、
・かつ工程Ｃ）において、式（Ｖ）の化合物をボランと反応させ、引き続き酸化させることにより、式（ＶＩ）
【００３１】
【化５】
2005336181.tif 000006
の化合物に変換し、
・かつ工程Ｄ）において、式（ＶＩ）の化合物を還元して、式（ＶＩＩ）
【００３２】
【化６】
2005336181.tif 000007
の化合物に変換し、
・かつ工程Ｅ）において、式（ＶＩＩ）の化合物を式（ＶＩＩＩ）
Ｈａｌ−Ｏ２ＳＲ７      （ＶＩＩＩ）
の化合物と反応させることにより、式（ＩＸ）
【００３３】
【化７】
2005336181.tif 000008
の化合物に変換し、
・かつ工程Ｆ）において、式（ＩＸ）の化合物を式（Ｘ）
ＨＰＲ１Ｒ２      （Ｘ）
の化合物と反応させることにより式（Ｉ）の化合物に変換することを特徴とする。
【００３４】
式（ＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、（ＩＸ）及び（Ｘ）において、＊１、＊２及び＊３、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６はそれぞれすでに式（Ｉ）において記載されたのと同じ定義及び有利な範囲を有する。
【００３５】
更に、式（ＶＩＩＩ）及び（ＩＸ）におけるＲ７は、アルキル、フルオロアルキル、アリールアルキル又はアリール、有利にアルキル及びフルオロアルキルである。
【００３６】
式（ＩＩＩ）及び（ＶＩＩＩ）において、Ｈａｌはそれぞれの場合に塩素、臭素又はヨウ素、有利に塩素である。
【００３７】
式（ＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）及び（ＩＸ）の化合物は従来公知ではないため、不可欠な中間体として同様に本発明に含まれる。上記でそれぞれ＊１、＊２及び＊３、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７のために記載された定義及び有利な範囲が同様に適用される。
【００３８】
式（ＶＩＩ）の化合物とボラン、例えばボラン又はボラビシクロノナン（ＢＢＮ−９）との錯体も本発明に含まれる。
【００３９】
本発明は更に、上記の通り、以下の工程を含む方法を提供する：
・Ｆ）又はＡ）
・Ｅ）及びＦ）又はＡ）及びＢ）
・Ｄ）、Ｅ）及びＦ）又はＡ）、Ｂ）及びＣ）
・Ｃ）、Ｄ）、Ｅ）及びＦ）又はＡ）、Ｂ）、Ｃ）及びＤ）
・Ｂ）、Ｃ）、Ｄ）、Ｅ）及びＦ）又はＡ）、Ｂ）、Ｃ）、Ｄ）及びＥ）。
【００４０】
個々の工程の化学的特性は原則的に既に公知であり、本発明による化合物と同様に用いることができる。
【００４１】
式（ＩＩ）の有利な化合物は以下の通りである：
（１Ｓ）−２−エチリデンシクロペンタノール、（１Ｓ）−２−（２−メチルプロピリデン）シクロペンタノール及び（１Ｓ）−２−シクロヘキシルメチリデンシクロペンタノール。
【００４２】
式（ＩＩＩ）の有利な化合物はクロロジフェニルホスフィンである。
【００４３】
式（ＩＶ）の有利な化合物は以下の通りである：
（１Ｒ）−ジフェニルホスフィノキシ−２−エチリデンシクロペンタン、（１Ｒ）−ジフェニルホスフィノキシ−２−（２−メチルプロピリデン）シクロペンタン及び（１Ｒ）−ジフェニルホスフィノキシ−２−シクロヘキシルメチリデンシクロペンタン。
【００４４】
式（Ｖ）の有利な化合物は以下の通りである：
（１Ｓ）−ジフェニルホスフィノイルエチルシクロペンテン、（（１Ｓ）−ジフェニルホスフィノイル−２−メチルプロピル）シクロペンテン及び（（１Ｓ）−ジフェニルホスフィノイル−１−メチルシクロヘキシル）シクロペンテン。
【００４５】
式（ＶＩ）の有利な化合物は以下の通りである：
（１Ｓ，２Ｒ）−１−ヒドロキシ−２−（１Ｓ−ジフェニルホスフィノイルエチル）シクロペンタン、（１Ｓ，２Ｒ）−１−ヒドロキシ−２−（１Ｓ−ジフェニルホスフィノイル−２−メチルプロピル）シクロペンタン及び（１Ｓ，２Ｒ）−１−ヒドロキシ−２−（Ｓ−ジフェニルホスフィノイルシクロヘキシルメチル）シクロペンタン。
【００４６】
式（ＶＩＩ）の有利な化合物は以下の通りである：
（１Ｓ，２Ｒ）−１−ヒドロキシ−２−（１Ｓ−ジフェニルホスフィノエチル）シクロペンタン、（１Ｓ，２Ｒ）−１−ヒドロキシ−２−（１Ｓ−ジフェニルホスフィノ−２−メチルプロピル）シクロペンタン及び（１Ｓ，２Ｒ）−１−ヒドロキシ−２−（Ｓ−ジフェニルホスフィノシクロヘキシルメチル）シクロペンタン。
【００４７】
式（ＩＸ）の有利な化合物は以下の通りである：
（１Ｓ，２Ｒ）−１−メタンスルホニルオキシ−２−（１Ｓ−ジフェニルホスフィノエチル）シクロペンタン、（１Ｓ，２Ｒ）−１−メタンスルホニルオキシ−２−（１Ｓ−ジフェニルホスフィノ−２−メチルプロピル）シクロペンタン及び（１Ｓ，２Ｒ）−１−メタンスルホニルオキシ−２−（Ｓ−ジフェニルホスフィノシクロヘキシルメチル）シクロペンタン。
【００４８】
式（Ｘ）の有利な化合物はジフェニルホスフィンである。
【００４９】
上記の方法で、式（Ｉ）の化合物を効果的な方法で高収率で得ることができる。
【００５０】
本発明は、式（Ｉ）の本発明による化合物を含む遷移金属錯体をも含む。
【００５１】
遷移金属錯体は、有利にルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金及び銅の錯体であり、有利にルテニウム、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金の錯体であり、更に有利にルテニウム、ロジウム、イリジウム及びパラジウムの錯体である。
【００５２】
本発明による遷移金属錯体は、殊に触媒として適当である。従って本発明は、本発明による遷移金属錯体を含む触媒をも含む。
【００５３】
使用される触媒は、例えば単離された遷移金属錯体か、又は遷移金属化合物と式（Ｉ）の化合物とを反応させることにより得ることができる遷移金属錯体であってよい。
【００５４】
式（Ｉ）の化合物を含む単離された遷移金属錯体は、好ましくは遷移金属対式（Ｉ）の化合物の割合が１：１である遷移金属錯体である。
【００５５】
式（ＸＩ）
［（Ｉ）Ｌ１２Ｍ］［Ａｎ１］      （ＸＩ）
［式中、
（Ｉ）は式（Ｉ）に記載された定義及びその有利な範囲を有する式（Ｉ）の化合物であり、
Ｍはロジウム又はイリジウムであり、
Ｌ１はそれぞれの場合においてＣ２〜Ｃ１２−アルケン、例えばエチレン又はシクロオクテン、又はニトリル、例えばアセトニトリル、ベンゾニトリル又はベンジルニトリルであるか、又は
Ｌ１２は一緒になって（Ｃ４〜Ｃ１２）ジエン、例えばビシクロ［２．１．１］ヘプタ−２，５−ジエン（ノルボルナジエン）又は１，５−シクロオクタジエンであり、
［Ａｎ１］はアニオン、有利にメタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、ペルクロレート、ヘキサフルオロアンチモネート、テトラ（ビス−３，５−トリフルオロメチルフェニル）ボレート又はテトラフェニルボレートである］
の本発明による化合物は有利である。
【００５６】
有利な遷移金属錯体は、遷移金属化合物と式（Ｉ）の化合物との反応により得ることができる遷移金属錯体である。
【００５７】
適当な遷移金属化合物は、例えば式（ＸＩＩａ）
Ｍ（Ａｎ２）ｑ      （ＸＩＩａ）
［式中、
Ｍはロジウム、イリジウム、ルテニウム、ニッケル、パラジウム、白金又は銅であり、
Ａｎ２はクロリド、ブロミド、アセテート、ニトレート、メタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート又はアセチルアセトネートであり、
ｑはロジウム、イリジウム及びルテニウムのためには３であり、ニッケル、パラジウム及び白金のためには２であり、銅のためには１である］の遷移金属化合物であるか、
又は式（ＸＩＩｂ）
Ｍ（Ａｎ３）ｑＬ１２      （ＸＩＩｂ）
［式中、
Ｍはルテニウム、イリジウム、ルテニウム、ニッケル、パラジウム、白金又は銅であり、
Ａｎ３はクロリド、ブロミド、アセテート、アセチルアセトネート、メタンスルホネート又はトリフルオロメタンスルホネート、テトラフルオロボレート又はヘキサフルオロホスフェート、ペルクロレート、ヘキサフルオロアンチモネート、テトラ（ビス−３，５−トリフルオロメチルフェニル）ボレート又はテトラフェニルボレートであり
ｑはロジウム及びイリジウムのためには１であり、ルテニウム、ニッケル、パラジウム及び白金のためには２であり、銅のためには１であり、
Ｌ１はそれぞれの場合においてＣ２〜Ｃ１２−アルケン、例えばエチレン又はシクロオクテン、又はニトリル、例えばアセトニトリル、ベンゾニトリル又はベンジルニトリルであるか、又は
Ｌ１２は一緒になって（Ｃ４〜Ｃ１２）ジエン、例えばビシクロ［２．１．１］ヘプタ−２，５−ジエン（ノルボルナジエン）又は１，５−シクロオクタジエンである］の遷移金属錯体であるか、
又は式（ＸＩＩｃ）
［ＭＬ２Ａｎ１２］２      （ＸＩＩｃ）
［式中、
Ｍはルテニウムであり、
Ｌ２はアリール基、例えばシメン、メシチル、フェニル又はシクロオクタジエン、ノルボルナジエン又はメチルアリルである］の遷移金属化合物であるか、
又は式（ＸＩＩｄ）
Ｍｅｔ３ｑ［Ｍ（Ａｎ４）４］      （ＸＩＩｄ）
［式中、
Ｍはパラジウム、ニッケル、イリジウム又はロジウムであり、
Ａｎ４はクロリド又はブロミドであり、
Ｍｅｔはリチウム、ナトリウム、カリウム、アンモニウム又は有機アンモニウムであり、
ｑはロジウム及びイリジウムのためには３であり、ニッケル、パラジウム及び白金のためには２である］の遷移金属化合物であるか、
又は式（ＸＩＩｅ）
［Ｍ（Ｌ３）２］Ａｎ５      （ＸＩＩｅ）
［式中、
Ｍはイリジウム又はロジウムであり、
Ｌ３は（Ｃ４〜Ｃ１２）ジエン、例えばビシクロ［２．１．１］ヘプタ−２，５−ジエン（ノルボルナジエン）又は１，５−シクロオクタジエンであり、
Ａｎ５は非配位アニオン又は弱配位アニオン、例えばメタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、ペルクロレート、ヘキサフルオロアンチモネート、テトラ（ビス−３，５−トリフルオロメチルフェニル）ボレート又はテトラフェニルボレートである］の遷移金属化合物である。
【００５８】
更に、例えばＮｉ（１，５−シクロオクタジエン）２、Ｐｄ２（ジベンジリデンアセトン）３、Ｐｄ［ＰＰｈ３］４、シクロペンタジエニル２Ｒｕ、Ｒｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）２、Ｉｒ（ピリジン）２（１，５−シクロオクタジエン）、Ｃｕ（フェニル）Ｂｒ、Ｃｕ（フェニル）Ｃｌ、Ｃｕ（フェニル）Ｉ、Ｃｕ（ＰＰｈ３）２Ｂｒ、［Ｃｕ（ＣＨ３ＣＮ）４］ＢＦ４及び［Ｃｕ（ＣＨ３ＣＮ）４］ＰＦ６又は多核架橋錯体、例えば［Ｒｈ（１，５−シクロオクタジエン）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（１，５−シクロオクタジエン）Ｂｒ］２、［Ｒｈ（エテン）２Ｃｌ］２又は［Ｒｈ（シクロオクテン）２Ｃｌ］２は遷移金属化合物として適当である。
【００５９】
使用される遷移金属化合物は、好ましくは以下の化合物である：
［Ｒｈ（ｃｏｄ）（ａｃａｃ）］（ここでａｃａｃはアセチルアセトネートである）、［Ｉｒ（エチレン）２（ａｃａｃ）］、［Ｒｈ（エチレン）２（ａｃａｃ）］、［Ｒｈ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｃｏｄ）Ｂｒ］２、［Ｒｈ（ｃｏｄ）２］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）２］ＢＦ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）２］ＰＦ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）２］ＣｌＯ６、［Ｒｈ（ｃｏｄ）２］ＯＴｆ、［Ｒｈ（ｃｏｄ）２］ＢＡｒ４（Ａｒ＝３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）、［Ｒｈ（ｃｏｄ）２］ＳｂＦ６、ＲｕＣｌ２（ｃｏｄ）、［（シメン）ＲｕＣｌ２］２、［（ベンゼン）ＲｕＣｌ２］２、［（メシチル）ＲｕＣｌ２］２、［（シメン）ＲｕＢｒ２］２、［（シメン）ＲｕＩ２］２、［（シメン）Ｒｕ（ＢＦ４）２］２、［（シメン）Ｒｕ（ＰＦ６）２］２、［（シメン）Ｒｕ（ＢＡｒ４）２］２（Ａｒ＝３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）、［（シメン）Ｒｕ（ＳｂＦ６）２］２、［Ｉｒ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２、［Ｉｒ（ｃｏｄ）２］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｃｏｄ）２］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）２］ＳｂＦ６、［Ｉｒ（ｃｏｄ）２］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）２］ＯＴｆ、［Ｉｒ（ｃｏｄ）２］ＢＡｒ４（Ａｒ＝３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）、ＲｕＣｌ３、ＮｉＣｌ３、ＲｈＣｌ３、ＰｄＣｌ２、ＰｄＢｒ２、Ｐｄ（ＯＡｃ）２、Ｐｄ２（ジベンジリデンアセトン）３、Ｐｄ（アセチルアセトネート）２、ＣｕＯＴｆ、ＣｕＩ、ＣｕＣｌ、Ｃｕ（ＯＴｆ）２、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＣｕＢｒ２、ＣｕＣｌ２、ＣｕＩ２、［Ｒｈ（ｎｂｄ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｎｂｄ）Ｂｒ］２、［Ｒｈ（ｎｂｄ）２］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）２］ＢＦ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）２］ＰＦ６、［Ｒｈ（ｎｂｄ）２］ＯＴｆ、［Ｒｈ（ｎｂｄ）２］ＢＡｒ４（Ａｒ＝３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）、［Ｒｈ（ｎｂｄ）２］ＳｂＦ６、ＲｕＣｌ２（ｎｂｄ）、［Ｉｒ（ｎｂｄ）２］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｎｂｄ）２］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）２］ＳｂＦ６、［Ｉｒ（ｎｂｄ）２］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）２］ＯＴｆ、［Ｉｒ（ｎｂｄ）２］ＢＡｒ４（Ａｒ＝３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）、Ｉｒ（ピリジン）２（ｎｂｄ）、［Ｒｕ（ＤＭＳＯ）４Ｃｌ２］、［Ｒｕ（ＣＨ３ＣＮ）４Ｃｌ２］、［Ｒｕ（ＰｈＣＮ）４Ｃｌ２］、［Ｒｕ（ｃｏｄ）Ｃｌ２］ｎ、［Ｒｕ（ｃｏｄ）４（メタリル）２］、［Ｒｕ（アセチルアセトネート）３］。
【００６０】
使用される遷移金属化合物の量は、使用される式（Ｉ）の化合物に対して例えば２５〜２００モル％、好ましくは５０〜１５０モル％、極めて殊に好ましくは７５〜１２５モル％、更に好ましくは１００〜１２５モル％であってよい。
【００６１】
本発明による遷移金属錯体を含む触媒は、立体異性的に富化された、好ましくは鏡像異性的に富化された化合物の製造法における使用に殊に適当である。
【００６２】
触媒を、不斉１，４−付加、不斉ヒドロホルミル化、不斉アリル置換、不斉ヒドロシアン化、不斉ヘック反応、不斉ヒドロホウ素化及び不斉水素化、更に好ましくは不斉水素化、不斉１，４−付加、不斉ヒドロホウ素化及び不斉アリル置換のために使用することは好ましい。
【００６３】
好ましい不斉水素化は、例えばプロキラルＣ＝Ｃ結合、例えばプロキラルエナミン、エナミド、オレフィン、エノールエーテルの水素化、Ｃ＝Ｏ結合、例えばプロキラルケトンの水素化、及びＣ＝Ｎ結合、例えばプロキラルイミンの水素化である。殊に好ましい不斉水素化は、プロキラルＣ＝Ｃ結合、例えばプロキラルエナミン及びエナミド、オレフィンの水素化である。
【００６４】
従って本発明は、使用される触媒が式（Ｉ）に定義された意味を有する式（Ｉ）の化合物の遷移金属錯体を含む触媒であることにより特徴付けられる、オレフィン、エナミン、エナミド、イミン又はケトンの接触水素化による、立体異性的に富化された化合物、好ましくは鏡像異性的に富化された化合物の製造法をも含む。
【００６５】
使用される遷移金属化合物又は使用される遷移金属錯体の量は、使用される基体に対して例えば０．００１〜５モル％、好ましくは０．００１〜０．５モル％、極めて殊に好ましくは０．００１〜０．１モル％、更に好ましくは０．００１〜０．００８モル％であってよい。
【００６６】
好ましい実施態様において、不斉水素化、１，４−付加及びヒドロホウ素化は、例えば遷移金属化合物及び式（Ｉ）の化合物から場合により適当な溶剤中で触媒を取得し、基体を添加し、反応混合物を反応温度で反応物と混合するという方法で行われてよい（水素、ボロン酸、ボラン等）。
【００６７】
不斉触媒反応のための適当な溶剤は、例えば塩素化アルカン、例えば塩化メチル、短鎖Ｃ１〜Ｃ６−アルコール、例えばメタノール、イソプロパノール又はエタノール、芳香族炭化水素、例えばトルエン又はベンゼン、ケトン、例えばアセトン又はカルボン酸エステル、例えばエチルアセテートである。
【００６８】
不斉触媒反応は、有利に−２０〜２００℃、好ましくは０〜１００℃、より好ましくは２０〜７０℃の温度で行われる。
【００６９】
本発明による触媒は、医薬品及び農薬中の、立体異性的に富化された活性成分、好ましくは鏡像異性的に富化された活性成分、又は上記の２つのクラスの中間体の製造法において適当である。
【００７０】
本発明の利点は、式（Ｉ）の化合物を効果的に製造することができ、その電子的及び立体的特性を容易に入手可能な反応物から出発して幅広い程度で変化させることができる点にある。更に、本発明によるリガンド及びその遷移金属錯体は、不斉合成において良好な性能を示す。
【実施例】
【００７１】
２−アルキリデンシクロペンタノンの合成のための一般的方法１：
２ｌエルレンマイヤーフラスコに、Ｈ２Ｏ１ｌ、ＫＯＨ１５ｇ、ＭＴＢＥ１００ｍｌ及びシクロペンタノン３０ｍｌを導入した。ＭＴＢＥ５０ｍｌ中の特定のアルデヒド０．３モルの溶液を、室温で、強力に撹拌された混合物に２時間以内に少量ずつ導入した。反応混合物を更に３０分間撹拌し、その後濃ＨＣｌで中和した。有機相を除去し、溶剤を減圧下で除去した。残留物を減圧下で４０ｃｍVigreuxカラムを用いて分別蒸留した。典型的な収率範囲は１８〜４５％である。
【００７２】
２−アルキリデンシクロペンタノンを相応するアルコールに還元するための一般的方法２：
５００ｍｌ丸底フラスコ中で、ＣｅＣｌ３・７Ｈ２Ｏ  ３６ｇをメタノール２１０ｍｌ中に溶解させた。ケトン１５０ｍＭを添加し、混合物を０℃に冷却し、引き続き、温度が５℃を上回らないように固体のＮａＢＨ４４．０ｇを少量ずつ添加した。反応混合物を更に１５分間撹拌し、その後、氷２５０ｇを添加した。反応混合物を撹拌しながら室温へと温度を上昇させ、上相を除去し、水相をジエチルエーテル各１００ｍｌで３回抽出した。合液した有機相をＨ２Ｏ  ５０ｍｌ及び飽和塩化ナトリウム溶液５０ｍｌで洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、溶媒を減圧下で除去した。残留物を減圧下で４０ｃｍVigreuxカラムを用いて分別蒸留した。典型的な収率範囲は９３〜９６％である。
【００７３】
２−アルキリデンシクロペンタノールを酵素運動により光学分割するための一般的方法３：
特定のアルコール１００ｍＭをヘキサン２００ｍｌ中に溶解させ、その後、酢酸ビニル２０ｍｌ及びAmano PSリパーゼ（Pseudomonas cepacia, Aldrich）０．８０ｇを添加した。反応混合物を４４〜４５℃（内部温度）で６〜８時間撹拌し（ＧＣモニタリング）、その後セライトで濾過し、溶剤を減圧下で除去した。生成物をクロマトグラフィー（シリカゲル、３：１ペンタン−エーテル）を用いて分離した。鏡像異性体の過剰量をキラルＧＣカラム（ＴＦＡ−シクロデキストリンカラム）上で測定した。ｅｅ値は、アルコールに関してもアセテートに関しても典型的に９９％であった。典型的な収率範囲：４７〜４８％。
【００７４】
アリルホスフィナイト−アリルホスフィンオキシド転位のための一般的方法４：
キラルアリルアルコール１２ｍＭをアルゴン雰囲気下で無水トルエン５０ｍｌ中に溶解させた。４−ジメチルアミノピリジン（Acros）１．５０ｇを添加した。混合物を−３０℃に冷却し、新たに蒸留されたＰｈ２ＰＣｌ（Strem）２．２ｍｌをこの温度でゆっくりと添加した。混合物を室温へと温度を上昇させ、その後８０℃で６時間加熱した（３１ＰＮＭＲを用いたモニタリング）。反応混合物を室温に冷却し、２ｃｍシリカゲル層で濾過し、フィルターケーキを繰り返しトルエンで洗浄した。濾液の溶剤を減圧下で除去した。残留物をヘプタン／ＣＨ２Ｃｌ２から再結晶させた。典型的な収率範囲：７０〜７７％。
【００７５】
アリルホスフィンオキシドからジフェニルホスフィノイルアルコールを合成するための一般的方法５：
アリルホスフィンオキシド４ｍＭをアルゴン雰囲気下に２０ｍｌガラスオートクレーブ(Ace（Ｒ）， Aldrich)中に導入し、ＴＨＦ（Aldrich）中の９−ＢＢＮの０．５Ｍ溶液１２ｍｌ中に溶解させた。溶液を７５℃で４８時間加熱し、その後室温に冷却した。
【００７６】
２５０ｍｌフラスコ中で、ｍ−クロロ過安息香酸（７０〜７５％、Acros）６．０ｇをＣＨ２Ｃｌ２４０ｍｌ中に溶解させた。溶液をＭｇＳＯ４上で５分間乾燥させ、その後濾過した。フラスコをアセトン／ドライアイス浴中に浸し、内部温度が１０〜１５℃となるようにボラン付加物（上記参照）の溶液を少量ずつ添加した。添加の終了後に、反応混合物を更に３０分間撹拌し、２０％ｅｑ．Ｎａ２Ｓ２Ｏ５各５０ｍｌで２回洗浄し、２Ｎ  ＮａＯＨ及び飽和塩化ナトリウム溶液各３０ｍｌで２回洗浄した。濾液を硫酸マグネシウム上で乾燥させ、溶剤を減圧下で除去した。ジエチルエーテル２５ｍｌを残留物に添加し、混合物を室温で１２時間撹拌した。白色の沈殿物を濾別し、ジエチルエーテルで洗浄し、減圧下で乾燥させた。典型的な収率範囲：５５〜６７％。
【００７７】
ジフェニルホスフィンオキシドをジフェニルホスフィン−ボラン錯体へ変換するための一般的方法６：
アルゴン雰囲気下で、乾燥シュレンク器具に特定のホスフィンオキシド５ｍＭ、無水トルエン２０ｍｌ、ポリメチルヒドロシロキサン（Aldrich）２ｍｌ及びチタンイソプロポキシド（Acros）１．５ｍｌを導入した。反応混合物の試料をＮＭＲ管に移し、反応をモニタリングした。３１ＰＮＭＲにおいて完全な還元が観察されるまで（酸化物シグナル３０〜４０ｐｐｍ、ホスフィン−２０〜０ｐｐｍ）、反応混合物及びＮＭＲ管を１０５℃で２〜４時間加熱した。反応混合物を室温に冷却し、ボラン−ジメチルスルフィド錯体（Aldrich）１ｍｌを添加した。５分後、反応混合物を、メタノール５ｍｌを含む２５０ｍｌエルレンマイヤーフラスコに注意深く導入した（Ｈ２発生）。ガス発生が減少した後、溶液を、４８％ＨＦ２０ｍｌ及びＨ２Ｏ２０ｍｌを含む２５０ｍｌNalgene（Ｒ）ボトルに移し、その後室温で１２時間撹拌した。有機相を除去し、水相をトルエン１５ｍｌで抽出した。合液した有機相を飽和ＮａＨＣＯ３溶液及び飽和塩化ナトリウム溶液で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、溶剤を減圧下で除去した。残留物をジエチルエーテル５ｍｌ中に取り出し、３ｃｍシリカゲル層で濾過した。フィルター残留物をジエチルエーテル５ｍｌで洗浄し、濾液の溶剤を減圧下で除去した。残留物を高真空中で乾燥させ、ホスフィン−ボラン錯体を粘性の油状物として取得し、これは放置中に固化した。典型的な収率範囲：９４〜９６％。
【００７８】
ホスフィン−ボランアルコールを相応するメシレートに変換し、かつこれをジフェニルホスフィンを用いて置換するための一般的方法７
アルゴン雰囲気下で、１００ｍｌ乾燥シュレンク器具に、ホスフィン−ボランアルコール５ｍＭ及び無水ジクロロメタン４０ｍｌを導入した。混合物を−３０℃に冷却し、無水トリエチルアミン２．４ｍｌを添加した。
【００７９】
その後、塩化メタンスルホニル１．２ｍｌをこの温度で強力に撹拌しながら少量ずつ添加した。反応混合物を−３０℃で２時間放置し、この温度で撹拌しながら無水ジエチルエーテル２００ｍｌ中に導入した。５分後、白色の沈殿物を３ｃｍシリカゲル層で濾別した。フィルターケーキをジエチルエーテル１００ｍｌで洗浄し、溶剤を減圧下で除去して残留物を１０ｍｌとした。残りの溶剤を高真空下で除去し、熱応力を妨げた。残りの残留物を高真空下で５時間おき、ＭｓＣｌの痕跡を除去した。そのようにして得られたメシレートを更に精製することなく次の工程において使用した。
【００８０】
１００ｍｌシュレンク器具中で、アルゴン雰囲気下で、無水ＴＨＦ２５ｍｌ中のｔ−ＢｕＯＫ２．００ｇ及びジフェニルホスフィン(Strem)２．３２ｇ（３当量）を合わせた。オレンジ色の溶液を−２０℃に冷却し、ＴＨＦ１０ｍｌ中の上記のメシレートをゆっくりと添加した。反応混合物を室温へと温度を上昇させ、その後５０℃で１８時間加熱した。室温に冷却した後、ボラン−ジメチルスルフィド錯体（Aldrich）２．５ｍｌを添加した。反応容器の内容物を、メタノール１０ｍｌを含む２５０ｍｌエルレンマイヤーフラスコに注意深く導入した。ガス発生が減少した後、飽和ＮＨ４Ｃｌ溶液５０ｍｌを添加し、有機相を除去し、水相をジクロロメタン各２０ｍｌで２回抽出した。合液した有機相を飽和塩化ナトリウム溶液で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、溶剤を減圧下で除去した。残留物をジクロロメタン−ペンタン（１：１）５ｍｌ中に溶解させ、２５ｍｍ（直径）フィルター上の５ｃｍ酸化アルミニウム層で濾過した。溶剤の大部分を減圧下で除去し、残留物をジエチルエーテル１５ｍｌで希釈し、０℃で１２時間放置した。形成された固形物を濾別し、減圧下で乾燥させた。典型的な収率範囲：５２〜５４％。
【００８１】
Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノプロピル）ピペラジンを用いたホスフィン−ボランの脱保護のための一般的方法８
ホスフィン−ボラン（１ｍＭ）をアルゴン雰囲気下で１０ｍｌシュレンク容器中に導入し、無水トルエン２ｍｌ中に溶解させた。Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−アミノプロピル）ピペラジン（Lancaster）１ｍｌをこの溶液に添加した。反応混合物を１０５℃で２時間加熱し、室温に冷却し、ジエチルエーテル１０ｍｌで希釈した。アルゴン雰囲気下で、混合物をジエチルエーテルで湿潤させたシリカゲルで濾過し、（極めて厳密に酸素を排除した）フラスコに導入した。シリカゲルを再度ジエチルエーテル各３０ｍｌで２回洗浄した。溶剤を減圧下で除去した。生成されたホスフィンを白色のフォーム又は固化する高粘性の油状物として取得した。生成物をアルゴン雰囲気下で貯蔵した。典型的な収率範囲：９９〜１００％。
【００８２】
実施例１
｛（１Ｓ）−１（Ｒ）−［２（Ｒ）−ジフェニルホスフィノ）シクロペンチル］エチル｝（ジフェニル）−ホスフィンの合成
１ａ）  （２Ｅ）−２−エチリデンシクロペンタノン
アセトアルデヒドを用いて一般的方法１により合成。収率１８％、ｂ．ｐ．６０〜６５℃（１０ミリバール）
１ｂ）  （１Ｒ，２Ｅ）−２−エチリデンシクロペンタノール
一般的方法２及び３により１ａから合成。収率：９３％及び４７％（全体的に４４％）、ｂ．ｐ．８２〜８３℃（１０ミリバール）
１ｃ）  （Ｓ）−（１−シクロペント−１−エン−１−イルエチル）（ジフェニル）ホスフィンオキシド
一般的方法４により１ｂ）から合成。収率：７０％
１ｄ）  （１Ｓ，２Ｓ）−２−［（１Ｓ）−１−（ジフェニルホスホリル）エチル］シクロペンタノール
一般的方法５により１ｃ）から合成。収率：６７％
１ｅ）  （１Ｓ，２Ｓ）−２−［（１Ｓ）−１−（ジフェニルホスフィノ）エチル］シクロペンタノール−ボラン錯体
一般的方法６により１ｄ）から合成。収率：９４％
１ｆ）  ｛（１Ｓ）−１（Ｒ）−［（２Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）シクロペンチル］エチル｝（ジフェニル）ホスフィンビス−ボラン錯体
一般的方法７により１ｅ）から合成。収率：５４％
１ｇ）  ｛（１Ｓ）−１（Ｒ）−［（２Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）シクロペンチル］エチル｝（ジフェニル）ホスフィン
一般的方法８により１ｆ）から合成。収率：９７％
実施例２
｛（１Ｓ）−１（Ｓ）−［２（Ｒ）−２−ジフェニルホスフィノ）シクロペンチル］−２−メチルプロピル｝（ジフェニル）ホスフィンの合成
２ａ）  （２Ｅ）−２−イソブチリデンシクロペンタノン
イソブチルアルデヒドを用いて一般的方法１により合成。収率４５％、ｂ．ｐ．８８〜９０℃（１０ミリバール）
２ｂ）  （１Ｒ，２Ｅ）−２−イソブチリデンシクロペンタノール
一般的方法２及び３により２ａ）から合成。収率：９５％及び４８％（全体的に４６％）、ｂ．ｐ．９５〜９８℃（１０ミリバール）
２ｃ）  （Ｓ）−（１−シクロペント−１−エン−１−イル）−２−メチルプロピル（ジフェニル）ホスフィンオキシド
一般的方法４により２ｂ）から合成。収率：７７％
２ｄ）  （１Ｓ，２Ｓ）−２−［（１Ｓ）−１−（ジフェニルホスホリル）−２−メチルプロピル］シクロペンタノール
一般的方法５により２ｃ）から合成。収率：６５％
２ｅ）  （１Ｓ，２Ｓ）−２−［（１Ｓ）−１−（ジフェニルホスフィノ）−２−メチルプロピル］シクロペンタノール−ボラン錯体
一般的方法６により２ｄ）から合成。収率：９６％
２ｆ）  ｛（１Ｓ）−１（Ｓ）−［（２Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）シクロペンチル］−２−メチルプロピル｝（ジフェニル）ホスフィン−ビスボラン錯体
一般的方法７により２ｅ）から合成。収率：５２％
２ｇ）  ｛（１Ｓ）−１（Ｓ）−［（２Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）シクロペンチル］２−メチルプロピル｝（ジフェニル）ホスフィン
一般的方法８により２ｆ）から合成。収率：９８％
実施例３
｛（Ｓ）−シクロヘキシル［（１Ｓ，２Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）シクロペンチル］メチル｝（ジフェニル）ホスフィンの合成
３ａ）  （２Ｅ）−２−シクロヘキシルメチレンシクロペンタノン
シクロヘキサンカルバルデヒドを用いて一般的方法１により合成。収率３６％、ｂ．ｐ．９１〜９５℃（０．５ミリバール）
３ｂ）  （１Ｒ，２Ｅ）−２−シクロヘキシルメチレンシクロペンタノール
一般的方法２及び３により３ａ）から合成。収率：９６％及び４８％（全体的に４６％）、ｂ．ｐ．１００〜１０３℃（１０ミリバール）
３ｃ）  ［（Ｓ）−シクロヘキシル（シクロペント−１−エン−１−イル）メチル］（ジフェニル）ホスフィンオキシド
一般的方法４により３ｂ）から合成。収率：７６％
３ｄ）  （１Ｓ，２Ｓ）−２−［（Ｓ）−シクロヘキシル（ジフェニルホスホリル）メチル］シクロペンタノール
一般的方法５により３ｃ）から合成。収率：５５％
３ｅ）  （１Ｓ，２Ｓ）−２−［（Ｓ）−シクロヘキシル（ジフェニルホスフィノ）メチル］シクロペンタノール−ボラン錯体
一般的方法６により３ｄ）から合成。収率：９６％
３ｆ）  ｛（Ｓ）−シクロヘキシル［（１Ｓ，２Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）シクロペンチル］メチル｝（ジフェニル）ホスフィン−ビスボラン錯体
一般的方法７により３ｅ）から合成。収率：５２％
３ｇ）  ｛（Ｓ）−シクロヘキシル［（１Ｓ，２Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）シクロペンチル］メチル｝（ジフェニル）ホスフィン
一般的方法８により３ｆ）から合成。収率：９４％
以下の実施例のために、式（Ｉ）のリガンドを使用し、以下通り略記する：
【００８３】
【化８】
2005336181.tif 000009
【００８４】
実施例４〜１３：
ロジウム触媒を用いた２−シクロヘキセノンへのフェニルボロン酸の不斉１，４−付加
Ｒｈ触媒を用いた２−シクロヘキセノンへのフェニルボロン酸の不斉１，４−付加のための一般的方法
アルゴン雰囲気下でＲｈ（ａｃａｃ）（ｃｏｄ）（３．７ｍｇ、１２μモル）、キラルジホスフィン（１２μモル）、ＰｈＢ（ＯＨ）２（２４４ｍｇ、２ミリモル）、無水ジオキサン（２ｍｌ）及び２−シクロヘキセノン（０．０４ｍｌ、０．４ミリモル）をシュレンク器具中に導入した。混合物を室温で１５分間撹拌し、Ｈ２Ｏ（０．１ｍｌ）を添加した。反応混合物を１００℃で３時間撹拌した。水（５ｍｌ）を添加し、混合物をジエチルエーテル各５ｍｌで２回抽出した。合液した有機相を飽和塩化ナトリウム溶液５ｍｌで洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、溶媒を減圧下で除去した。フラッシュクロマトグラフィーによる精製（ペンタン中で２５％Ｅｔ２Ｏ）により、（Ｒ）−３−フェニルシクロヘキサノン（６８．２ｍｇ、９８％）を８８％ｅｅで無色の油状物として得た。
【００８５】
【化９】
2005336181.tif 000010
【００８６】
【表１】
2005336181.tif 000011
【００８７】
【表２】
2005336181.tif 000012
【００８８】
【表３】
2005336181.tif 000013
【００８９】
実施例１４〜１６：
ロジウム触媒を用いたスチレンの不斉ヒドロホウ素化
ロジウム触媒を用いたスチレンとカテコールボランとのヒドロホウ素化のための一般的方法
無水ＴＨＦ（２ｍｌ）中の［Ｒｈ（ｃｏｄ２）］ＢＦ４（８．１ｍｇ、０．０２０ミリモル、１モル％）とキラルジホスフィン（０．０２０ミリモル、Ｅｔ２Ｏ中で１モル％）との混合物をアルゴン雰囲気下で１０ｍｌシュレンク器具中で室温で１０分間撹拌した。スチレン（２ミリモル、０．２３ｍｌ）をオレンジ色の溶液中に添加した。均質な反応混合物を−２０℃に冷却し、この温度で１５分間撹拌し、その後新たに蒸留されたカテコールボラン（２．４ミリモル、０．２６ｍｌ）を添加した。反応混合物を−１０℃で１６時間撹拌し、その後、ＥｔＯＨ（２ｍｌ）を添加することにより急冷させた。水性ＮａＯＨ（２Ｍ、２ｍｌ）及び３０％Ｈ２Ｏ２を継続的に添加し、反応混合物を２時間に亘って強力に撹拌しながら室温に加熱した。その後、混合物をＥｔ２Ｏ各５ｍｌで２回抽出した。合液した有機相をＮａＯＨ（１Ｍ）及び飽和塩化ナトリウム溶液各２ｍｌで洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させた。残留物をフラッシュクロマトグラフィーを用いて精製した（ペンタン中で２０％Ｅｔ２Ｏ）。このようにして、（Ｒ）−フェニルエタノール（７２％、１７６ｍｇ）を８０％ｅｅで無色の液状物として得た。
【００９０】
【化１０】
2005336181.tif 000014
【００９１】
【化１１】
2005336181.tif 000015
【００９２】
【表４】
2005336181.tif 000016
【００９３】
実施例１７〜２１：
ロジウム触媒を用いたメチル（Ｚ）−α−アセトアミド桂皮酸メチルの不斉水素化
【００９４】
【表５】
2005336181.tif 000017
【００９５】
実施例２２：
ロジウム触媒を用いたアセトフェノンフェニルカルボニルヒドラゾンの不斉水素化
【００９６】
【表６】
2005336181.tif 000018
【００９７】
【表７】
2005336181.tif 000019
【００９８】
実施例２３：
ルテニウム触媒を用いた３−フェニル−３−オキソプロパン酸エチルの不斉水素化
【００９９】
【表８】
2005336181.tif 000020
【０１００】
実施例２４：
パラジウム触媒を用いた１，３−ジフェニルアリルアセテートとマロン酸メチルとの不斉アリル置換
【０１０１】
【表９】
2005336181.tif 000021
【外国語明細書】
2005336181.tif 000030
2005336181.tif 000031
2005336181.tif 000032
2005336181.tif 000033
2005336181.tif 000034
2005336181.tif 000035
2005336181.tif 000036
2005336181.tif 000037
2005336181.tif 000038
2005336181.tif 000039
2005336181.tif 000040
2005336181.tif 000041
2005336181.tif 000042
2005336181.tif 000043
2005336181.tif 000044
2005336181.tif 000045
2005336181.tif 000046
2005336181.tif 000047
2005336181.tif 000048
2005336181.tif 000049
2005336181.tif 000050
2005336181.tif 000051
2005336181.tif 000052
2005336181.tif 000053
2005336181.tif 000054
2005336181.tif 000055
2005336181.tif 000056
2005336181.tif 000057
2005336181.tif 000058
2005336181.tif 000059
2005336181.tif 000060
2005336181.tif 000061
2005336181.tif 000062