(57)【要約】【課題】  薬液の分解を極力防止し、且つ専有面積を小さくすることができる電子装置の洗浄装置と洗浄方法を提供すること。【解決手段】  シリコンウエハ（基板）Wが載置されるスピンベース（基板載置台）１０と、第１溶媒のみを溶解してなる第１薬液L1をシリコンウエハWに向けて吐出する第１吐出口１７ａと、第１溶媒とは異種の第２溶媒のみを溶解してなる第２薬液L2をシリコンウエハWに向けて吐出する第２吐出口１８ａと、を有することを特徴とする電子装置の洗浄装置による。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が載置される基板載置台と、
第１溶媒のみを溶解してなる第１薬液を前記基板に向けて吐出する第１吐出口と、
前記第１溶媒とは異種の第２溶媒のみを溶解してなる第２薬液を前記基板に向けて吐出する第２吐出口と、
を有することを特徴とする電子装置の洗浄装置。
【請求項２】
前記第１薬液はオゾン水であり、前記第２薬液は酸性溶液又はアルカリ性溶液であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置の洗浄装置。
【請求項３】
第１溶媒のみを溶解してなる第１薬液と、前記第１溶媒とは異種の第２溶媒のみを溶解してなる第２薬液とを、それぞれ別々の吐出口から基板の上に吐出することにより、前記第１薬液と前記第２薬液とを前記基板の上で混合し、該基板を洗浄することを特徴とする電子装置の洗浄方法。
【請求項４】
前記第１薬液としてオゾン水を使用し、前記第２薬液として酸性溶液又はアルカリ性溶液を使用することを特徴とする請求項３に記載の電子装置の洗浄方法。
【請求項５】
前記第１薬液を先に吐出し、次に前記第２薬液を吐出することを特徴とする請求項４に記載の電子装置の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置の洗浄装置及び洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
LSI(Large Scale Integrated Circuit)、PDP(Plasma Display Panel)、及びLCD(Liquid Crystal Display)といった電子装置は様々な膜を積層してなり、いくつかの膜ではその形成後、あるいは形成前に洗浄工程が行われる。洗浄工程で使用される洗浄装置は、枚葉式とバッチ式とに大別されるが、このうちバッチ式では、複数の基板を同時に処理できるという利点があるものの、装置の専有面積が大きくなるという不都合がある。そのため、近年では、バッチ式よりも専有面積が小さくコンパクトな枚葉式の洗浄装置が好んで使用されており、その装置の一例が特許文献１の図１と、特許文献２の図４（ａ）に開示されている。
【０００３】
このような装置では、単一組成の薬液だけで洗浄を行うことは稀であり、通常は、複数の薬液を混合したものを洗浄液として使用する。例えば、特許文献１では、その段落番号００２１において、オゾン水中に様々な薬液が添加され得ることが開示されている。そして、特許文献２では、その図４において、注入バルブによって複数の薬液が混合されることが開示されている。
【０００４】
また、特許文献１、２には明示されていないが、上記のように複数種類の薬液を混合する場合、得られた洗浄液の濃度ムラを無くすために、バッファタンクと呼ばれるタンクを設ける場合もある。図１は、従来例に係る洗浄装置が備えるバッファタンクの構成図である。
【０００５】
図１に示されるように、バッファタンク１には、ファシリティ（工場）側から供給される薬液Ａ、Ｂが個別に導かれる第１、第２配管３、４が接続される。各薬液Ａ、Ｂを混合してなる洗浄液７は、ポンプ６によって第３配管５とバッファタンク１内とを循環しているうちにその濃度ムラが無くされ、均一な濃度となる。均一にされた薬液７は、バッファタンク１に接続された第４配管２によって、洗浄装置本体８へと供給される。
【０００６】
このようなバッファタンク１は、メンテナンスを行い易くする必要から、洗浄装置本体８との間に人の手が入るほどの十分なスペースが確保される程度に、洗浄装置本体８から離れて設けられる。
【０００７】
半導体工場において、薬液、ガス、及び電力等が供給される領域はファシリティ側と呼ばれるが、このファシリティ側と装置本体８との間に設けられて装置８の動作を助ける設備は付帯設備と呼ばれる。上記したバッファタンク１は、そのような付帯設備の一種である。
【特許文献１】特開２００１−７７０６９号公報
【特許文献１】特許第３２７４３８９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、特許文献１の図１、特許文献２の図４（ａ）、及び図１のバッファタンク１を用いる方式では、いずれも複数の薬液を混合して洗浄液を作製した後に、その洗浄液がシリコンウエハ等に供給される。
【０００９】
しかしながら、このような方法では、薬液が混合されてからシリコンウエハに供給されるまでの距離や時間が長いため、用いる薬液の種類によっては洗浄液中で薬液が分解し、薬液が混合される時点とシリコンウエハに供給される時点とで洗浄液の濃度が変動してしまう恐れがある。そのため、これらの方法では、薬液が分解されるのを見込んで、一定の時間間隔で薬液を余計に投入することで濃度管理を行う必要があるが、これでは使用する薬液の量が多くなってしまい、効率的でない。
【００１０】
更に、図１のようにバッファタンク１を使用したのでは、クリーンルームにおける付帯設備の専有面積が大きくなるので、専有面積が小さいという枚葉式装置の利点が十分に引き出せない。
【００１１】
本発明の目的は、薬液の分解を極力防止し、且つ専有面積を小さくすることができる電子装置の洗浄装置と洗浄方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一観点によれば、基板が載置される基板載置台と、第１溶媒のみを溶解してなる第１薬液を前記基板に向けて吐出する第１吐出口と、前記第１溶媒とは異種の第２溶媒のみを溶解してなる第２薬液を前記基板に向けて吐出する第２吐出口と、を有する電子装置の洗浄装置が提供される。
【００１３】
本発明によれば、従来のようにバッファタンクを用いて複数の薬液を混合するのではなく、単一の組成の薬液よりなる第１、第２薬液のそれぞれに専用の第１、第２吐出口を設け、これらの薬液を基板上で混合するようにしたので、従来必要としていたバッファタンクの分だけ装置の専有面積を削減することができ、クリーンルーム内のスペースに余裕を持たすことができる。更に、バッファタンクを動作させるためのポンプも不要となるので、そのポンプを駆動する電力を削減することができ、洗浄装置のランニングコストを従来よりも低減させることができる。
【００１４】
また、上記の第１薬液としてオゾン水を使用し、第２薬液として酸性溶液又はアルカリ性溶液を使用するのが好ましい。
【００１５】
このようにオゾン水を使用する場合、従来のようにバッファタンク内でそのオゾン水と酸性溶液とを混合して洗浄液を作製したのでは、洗浄液がバッファタンク内を循環している間に洗浄液中のオゾン濃度が低下し、洗浄液がただの酸性溶液に変わらなくなってしまう。これに対し、本発明では、オゾン水と酸性溶液とをバッファタンク内で混合するのではなく、それらを個別に基板に吐出して基板上において混合するので、洗浄液中のオゾン濃度が低下し難くなり、オゾン水の強力な酸化力によって基板上に形成される酸化被膜でエッチング速度をコントロールしながら基板を洗浄することができる。
【００１６】
しかも、オゾン水は、洗浄が終了した後、時間が経過すると共にその中のオゾンが分解されてオゾン濃度が自動的に低くなるので、廃液処理装置でオゾン水を確実に分解することができ、人間が住む環境内にオゾン水を含んだ有害な液が流出するのを防止され、より環境に優しい洗浄を行うことができる。
【００１７】
このような利点は、酸化溶液に代えてアルカリ性溶液を第１溶液として使用する場合にも得られる。
【００１８】
更に、上記の洗浄装置に制御部を設け、この制御部の制御下において、先にオゾン水よりなる第１薬液を吐出し、次に第２薬液を吐出してもよい。このようにすると、オゾン水の酸化力によって基板上に予め酸化被膜が形成され、その酸化被膜によって洗浄時のエッチング速度が抑えられるので、基板が過剰にエッチングされるのを防止しながら、エッチング速度をより一層コントロールし易くなる。
【００１９】
また、本発明の別の観点によれば、第１溶媒のみを溶解してなる第１薬液と、前記第１溶媒とは異種の第２溶媒のみを溶解してなる第２薬液とを、それぞれ別々の吐出口から基板の上に吐出することにより、前記第１薬液と前記第２薬液とを前記基板の上で混合し、該基板を洗浄することを特徴とする電子装置の洗浄方法が提供される。
【００２０】
本発明によれば、従来用いていたバッファタンクが不要となり、クリーンルーム内のスペースに余裕を持たすことができると共に、不要となったバッファタンクの電力の分だけ洗浄に要するコストを低減することができる。
【００２１】
また、第１薬液としてオゾン水を使用し、第２薬液として酸性溶液又はアルカリ性溶液を使用する場合は、上で説明したように、基板上でのオゾン濃度の低下を防止しながら、オゾン水の強力な酸化力によって基板上に形成される酸化被膜でエッチング速度をコントロールしつつ基板を洗浄することができる。
【００２２】
そして、洗浄の対象となる基板としては、二酸化シリコン層、窒化シリコン層、シリコン層、金属酸化物層、炭化シリコン層、及びSiGe等の化合物半導体層の少なくとも一つが形成された半導体基板又はガラス基板がある。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る電子装置の洗浄装置によれば、第１、第２薬液をそれぞれ第１、第２吐出口から別々に基板上に吐出するので、従来必要としていたバッファタンクの分だけ装置の専有面積を削減することができ、クリーンルーム内のスペースに余裕を持たすことができると共に、装置のランニングコストを低減させることができる。
【００２４】
更に、第１薬液としてオゾン水を使用し、第２薬液として酸性溶液又はアルカリ性溶液を使用することで、オゾン濃度の低下を防ぎつつ、オゾン水の強力な酸化力によって基板上に形成される酸化被膜でエッチング速度をコントロールしながら基板を洗浄することができる。しかも、オゾン水は、洗浄終了後に自動的にそのオゾン濃度が低下するので、廃液処理装置内でそのオゾン水を確実に分解することができ、環境に優しい洗浄を行うことができる。
【００２５】
また、本発明に係る電子装置の洗浄方法によれば、バッファタンクが不要なのでクリーンルーム内のスペースに余裕を持たすことができ、且つ、不要となったバッファタンクの電力の分だけ洗浄に要するコストを低減することができる。
【００２６】
そして、第１薬液としてオゾン水を使用し、第２薬液として酸性溶液又はアルカリ性溶液を使用することにより、オゾン濃度の低下を防ぎながら、オゾン水の強力な酸化力によって基板上に形成される酸化被膜でエッチング速度をコントロールし、基板を洗浄することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２８】
（１）第１実施形態
図２は、本発明の第１の実施の形態に係る洗浄装置の構成図である。また、図３は、この洗浄装置の上面図である。
【００２９】
図２に示される洗浄装置は、洗浄の対象となるシリコンウエハ（基板）Wを一枚ずつ処理する枚葉式の洗浄装置である。この洗浄装置は、第１シャフト１１に固定されたスピンベース（基板載置台）１０を有し、そのスピンベース１０には、シリコンウエハWの裏面に当接してシリコンウエハWとスピンベース１０との間にスペースを確保する複数の規制ピン１４が立設される。そして、この規制ピン１４よりも外側のスピンベース１０には、バネ（不図示）等によって付勢されてシリコンウエハWを把持するガイドピン１３が複数立設される。スピンベース１０の材料は特に限定されないが、PFA(４弗化エチレンパーフロロアルコキシエチレン共重合)等のように耐薬品性に優れた材料であるのが好ましい。
【００３０】
第１シャフト１１は、ベルト１５によって伝えられた第１モータ１６の駆動力によって回転駆動され、その内部には純水や薬液が流通するための第１内部配管２０が挿通される。その第１内部配管２０は、第１シャフト１１の内壁と離間して設けられており、これらの間のスペースは第１ガス流通路３０として機能する。第１ガス流通路３０は、窒素ガス等の不活性ガスの供給源である第１ガス供給部３３と連通しており、この第１ガス流通路３０を通った不活性ガスがシリコンウエハWの裏面に噴射され、それによりシリコンウエハWの裏面が乾燥される。
【００３１】
スピンベース１０の上方には、第１溶媒としてオゾンのみが溶解されたオゾン水よりなる第１薬液L1がシリコンウエハWに向けて吐出される第１吐出口１７ａと、後述の第２薬液L2がシリコンウエハWに向けて吐出される第２吐出口１８ａとが配される。
【００３２】
各吐出口１７ａ、１８ａは、第１、第２配管１７、１８の先端部分で構成されており、このうち第１配管１７はオゾン水製造装置２４に接続される。そのオゾン水製造装置２４では、純水をオゾンに曝すことにより３〜１００ppm(mg/l)の濃度のオゾン水が製造され、そのオゾン水の流量が調節されて第１配管１７に供給される。このオゾン水の流量は、オゾン水製造装置２４内の液体MFC(Mass Flow Controller)によって調節される。また、オゾン水の温度は、第１配管１７の中途部に設けられた熱交換器やヒータ等の第１温度調節部３６によって調節される。
【００３３】
オゾン水製造装置２４は、クリーンルーム内、又はクリーンルームの階下のいずれに設置してもよい。但し、オゾン水製造装置２４をクリーンルーム内に設置すれば、第１配管１７が短くなり、第１配管１７の途中でオゾン水が分解するのを抑えることができる。更に、ファシリティ側でオゾンの供給を行う場合は、このオゾン水製造装置２４を省いてもよい。
【００３４】
一方、第２配管１８は、薬液供給キャビネット２５に接続される。この薬液供給キャビネット２５は、第２薬液L2が溜められたタンク２５ａを有し、第２薬液の流量L2とを調節して第２配管１８に供給する。また、この第２配管１８の中途部には、熱交換器やヒータ等の第２温度調節部３７が設けられており、これにより第２薬液L2の温度が調節される。
【００３５】
なお、このように薬液供給キャビネット２５を設けるのではなく、第２配管１８をファシリティ側に繋ぎ、第２薬液L2をファシリティ側から直接供給するようにしてもよい。その場合は、第２配管１８内の流動変動を防止するために、エアー弁や、管内の圧力を調節することが可能な流量調節弁を第２配管１８に設けるのが好ましい。
【００３６】
第２薬液L2は、第１薬液L1の第１溶媒（オゾン）とは異種の第２溶媒のみを溶解してなり、酸性溶液及びアルカリ性溶液のいずれであってもよい。酸性溶液としては、例えば、塩酸、硫酸、及び硝酸のいずれかの原液、又は該原液を純水で希釈した溶液がある。なお、ここで原液とは、製造業者から購入した溶液そのもの、つまり、希釈しない状態での溶液を指す。また、アルカリ性溶液としては、アンモニア水、TMAH（水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液、及びコリン（水酸化トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム）水溶液の原液、又は該原液を純水で希釈した溶液がある。
【００３７】
その薬液供給キャビネット２５には、既述の第１内部配管２０に第２薬液L2を供給する第３配管２６が接続されており、その第３配管２６の中途部には、ファシリティ側から供給される純水Lwが通る第４配管２７が接続される。第３配管２６と第４配管２７との接続点には切換バルブ２８が設けられており、その切換バルブ２８によって、純水Lwと第２薬液L2のいずれか一方が第１内部配管２０に供給されるか、或いはそれらの供給が停止される。
【００３８】
そして、第１内部配管２０に純水や第２薬液が供給される場合は、第１内部配管２０の先端で構成される第４吐出口２０ａからこれらの液体が吐出され、それによりシリコンウエハWの裏面が洗浄される。
【００３９】
更に、第１、第２吐出口１７ａ、１８ａの上方には、第２モータ２３の駆動力によって回転可能な第２シャフト１２と、これに固定された遮断板２１とが設けられる。第２シャフト１２の内部には、第５配管２２に繋がる第２内部配管１９が挿通されており、その第２内部配管１９の先端で構成される第３吐出口１９ａからは、シリコンウエハWに向けて純水Lwが吐出される。その純水Lwは、ファシリティ側から供給され、温度調節部３５において温度が調節された後、MFC等の流量調節部３４によって流量が調節され、第５配管２２に供給される。
【００４０】
また、第２内部配管１９は、第２シャフト１２の内壁と離間して設けられ、これらの間のスペースは第２ガス流通路３１として機能する。この第２ガス流通路３１は、窒素等の不活性ガスの供給源である第２ガス供給部３２と連通しており、第２ガス流通路３１を通った不活性ガスがシリコンウエハWの表面に噴射される。
【００４１】
遮断板２１は上下に昇降可能であり、シリコンウエハWの表面の近くにまで接近することができる。このように接近させる場合は、図３の上面図に示されるように、第１、第２配管１７、１８がそれぞれの軸１７ｂ、１８ｂを中心にして回動し、各吐出口１７ａ、１８ａがスピンベース１０よりも外に退避することで、各１７ａ、１８ａと遮断板２１とが干渉するのが防止される。
【００４２】
再び図２を参照する。上記した各部材のうち、第１、第２モータ１６、２３は、制御部２９からの制御信号S5、S4によってその回転数が制御される。制御部２９は、この他にも、制御信号S1により、オゾン水製造装置２４から供給される第１薬液L1の流量と温度とを制御する。また、薬液供給キャビネット２５も制御部２９に制御され、制御信号S2によって第２薬液L2の流量と温度とが制御される。更に、純水Lwの流量制御部３４と温度調節部３５も制御部３４からの制御信号S3、S6によって制御される。
【００４３】
次に、図２に示した洗浄装置を用いた電子装置の洗浄方法について説明する。
【００４４】
図４は、本実施形態に係る洗浄方法を模式的に示す断面図であり、図５は、第１〜第３吐出口１７ａ〜１９ａから吐出される液のタイミングを示すタイミングチャートである。
【００４５】
洗浄を行うには、まず、図４（ａ）に示すように、スピンベース１０を数十〜１０００rpm程度の回転数で回転させた状態で、図５に示すタイミングに従って第１、第３吐出口１７ａ、１９ａからそれぞれ第１薬液L1と純水Lwを吐出させ、オゾン水処理を開始する。
【００４６】
図５に示されるように、そのオゾン水処理では、オゾン水よりなる第１薬液L1と純水LwとがシリコンウエハWに吐出され、オゾン水の強力な酸化力によってシリコンウエハWの表面に薄い二酸化シリコン膜（不図示）が形成される。このときのオゾン水（第１薬液L1）におけるオゾン濃度は特に限定されないが、約２０〜９０ppm程度が好ましい。また、第１、第２薬液L1、L2の流量は約０．５〜３Litter/min程度が好まし。更に、第１、第２薬液L1、L2を加熱することにより洗浄の効果が上がる場合もあるので、第１、第２温度調節部３６、３７によって各薬液L1、L2の温度を３０〜８０℃程度に加熱するのが好ましい。
【００４７】
このとき、シリコンウエハWの面内においてオゾン水処理を均一に行うために、軸１７ｂ（図２参照）を中心にして、シリコンウエハWの中心からその周縁に向けて第１吐出口１７ａを回動させてもよい。
【００４８】
このようなオゾン水処理を５〜２０秒程度行った後、図４（ｂ）に示すように、更に第２薬液L2を吐出させて洗浄処理を開始する。この洗浄処理では、オゾン水処理と同様に、各軸１７ａ、１８ｂを中心にして、シリコンウエハの中心から周辺に向けて第１、第２吐出口１７ａ、１８ａを回動させ、シリコンウエハWの面内において洗浄処理を均一に行うのが好ましい。
【００４９】
また、第２薬液L2として塩酸を使用する場合は、濃度が０．５〜５wt％の塩酸を使用するのが好ましく、その流量を約０．５〜３Litter/min程度、温度を３０〜８０℃程度に設定するのが好ましい。
【００５０】
一方、第２薬液L2としてアンモニア水を使用する場合は、濃度が０．２〜５wt％のアンモニア水を使用するのが好ましく、その流量を約０．５〜３Litter/min程度、温度を２５〜８０℃程度に設定するのが好ましい。
【００５１】
このような洗浄処理では、第２薬液L2とオゾン水よりなる第１薬液L1とがシリコンウエハW上で混合され、これらの混合液よりなる洗浄液がシリコンウエハWで生成される。第２薬液L2として塩酸を使用する場合は、その洗浄液として塩酸とオゾン水との混合液が生成される。以下、その混合液のことをHOM(Hydrochloride Ozone-water Mixture)と呼ぶことにする。また、第２薬液L2としてアンモニア水を使用する場合は、洗浄液として水酸化アンモニウムとオゾン水との混合液が生成される。以下では、その混合液のことをAOM(Ammonium hydroxide Ozone-water Mixture)と呼ぶ。洗浄処理では、このようなHOMやAOMにより、シリコンウエハWの表面が微量にエッチングされ、表面に付着している金属粒等の汚染物質が除去されことになる。
【００５２】
このとき、先に行ったオゾン処理によってシリコンウエハWの表面に極薄い二酸化シリコン層（酸化被膜）が形成されているので、HOMやAOMによる過度なエッチングが防止され、洗浄処理におけるシリコンウエハWのエッチング速度をコントロールし易くなる。
【００５３】
次に、第２薬液L2の吐出を停止し、オゾン水よりなる第１薬液L1と純水Lwとによるリンス処理を行う。そのようなリンス処理を１０〜６０秒程度行ってシリコンウエハW上の洗浄液を十分に洗い流した後、第１薬液L1と純水Lwとの吐出を停止する。
【００５４】
続いて、図４（ｃ）に示すように、第１、第２吐出口１７ａ、１８ａをスピンベース１０から退避させた後、第２モータ２３（図２参照）で遮断板１９をスピンベース１０と同じ方向に回転させながら、遮断板１９をシリコンウエハWに近接させ、第１ガス流通ロ３０からシリコンウエハWに向けて窒素ガス（N2）を噴射する。これにより、シリコンウエハWと遮断板１９との間の狭い空間が窒素ガスで満たされるので、残留水分とシリコンとの反応が抑えられ、シリコンウエハWの表面にウォーターマークが形成されるのを防止しながら、シリコンウエハWが乾燥されることになる。また、遮断板１９をスピンベース１０と同じ方向に回転させることにより、遮断板１９とスピンベースとの間に大気が侵入し難くなり、ウォーターマークの形成がより一層効果的に防止される。
【００５５】
以上により、シリコンウエハWの洗浄が終了したことになる。
【００５６】
なお、本実施形態において、第１薬液L1、第２薬液L2、及び純水Lwを吐出させるタイミングは図５に限られず、図６（ａ）、（ｂ）に示されるタイミングであってもよい。
【００５７】
このうち、図６（ａ）の例は、図５のオゾン水処理を省いたものである。窒化シリコン層等のようにHOMやAOMによってエッチングされ難い膜や、二酸化シリコン層のように既に酸化されている膜は、このようにオゾン水処理を省いても、洗浄処理において膜が過度にエッチングことが無く、オゾン水処理を省くことで全体の工程を簡略化することができる。この場合の第１薬液L1、第２薬液L2、及び純水Lwの濃度、流量、及び温度や、処理時間は図５で説明したのと同様である。
【００５８】
一方、図６（ｂ）の例は、第２薬液L2とオゾン水よりなる第１薬液L1とを交互に吐出して洗浄処理を行うものである。このタイミングでは、各薬液L1、L2が同時には吐出されないが、シリコンウエハWではこれらの薬液L1、L2が混合し、上記したようなHOMやAOMが生成されるので、洗浄の効果が特に劣化することはない。また、この場合、各薬液L1、L2の吐出の回数は、特に限定されず、制御部２９（図１参照）によって任意にプログラム可能である。
【００５９】
更に、図５、図６の例では、オゾン水よりなる第１薬液L1と純水Lwとを同時に吐出してリンス処理を行ったが、第１薬液L1と純水Lwのいずれか一方のみを吐出してリンス処理を行ってもよい。
【００６０】
以上説明した本実施形態によれば、従来のようにバッファタンクを用いて複数の薬液を混合するのではなく、単一の組成の薬液よりなる第１、第２薬液L1、L2のそれぞれに専用の吐出口１７ａ、１８ａを設け、これらの薬液をシリコンウエハW上で混合するようにした。
【００６１】
そのため、従来必要としていたバッファタンクの分だけ装置の専有面積を削減することができ、クリーンルーム内のスペースに余裕を持たすことができる。更に、バッファタンクを動作させるためのポンプも不要となるので、そのポンプを駆動する電力を削減することができ、洗浄装置のランニングコストを従来よりも低減させることができる。
【００６２】
ところで、半導体工場において一般に使用される洗浄液としては、塩酸過水（HPM）やアンモニア過水（APM）がある。これらの洗浄液は、シリコンウエハWに薄い二酸化シリコン層を形成して過度なエッチングを防止するための酸化剤として過酸化水素水を使用し、この過酸化水素水と塩酸やアンモニア水とを混合して作製される。
【００６３】
但し、エッチングをコントロールし易くするために、過酸化水素水よりも強力な酸化剤、例えばオゾン水を使用し、そのオゾン水と塩酸やアンモニア水とを混合して、既述のHOMやAOMを洗浄液として用いるのが好ましい。
【００６４】
しかしながら、本願発明者が調査したところ、そのHOMやAOMは、従来のバッファタンクの中を循環している間にオゾン濃度が極端に低下することが明らかとなった。例えば、１００ppmのオゾン濃度のオゾン水で作製されたHOMは、バッファタンクの中を循環するだけで、オゾン濃度が１０ppm程度にまで下がってしまった。このように、HOMやAOMをバッファタンクで作製しようとすると、オゾン濃度が低下して、ただの塩酸やアンモニア水と変わらなくなってしまう。従って、従来のようにバッファタンクを用いたのでは、酸化力が強力であるというHOMやAOMの利点を引き出すことができない。
【００６５】
また、バッファタンクを使用しなくても、特許文献１、２のように洗浄液を作成してからそれをシリコンウエハWに吐出するのでは、洗浄液が配管を通っているうちにそのオゾン濃度が低下するので、上記と同じ不都合を招いてしまう。
【００６６】
これに対し、本実施形態では、第２薬液L2とオゾン水よりなる第１薬液L1とを装置内で混ぜるのではなく、それらを個別にシリコンウエハWに吐出し、シリコンウエハWの面上においてそれらを混ぜる。従って、HOMやAOM等の洗浄液がシリコンウエハWの面上において生成されることになり、オゾン濃度が高い状態にある洗浄液にシリコンウエハWが曝されるので、オゾンの強い酸化力によってシリコンウエハWに薄い二酸化シリコン層が形成され易くなり、その二酸化シリコン層によって洗浄時のエッチングをコントロールし易くなる。
【００６７】
更に、第１薬液L1として採用されるオゾン水は、洗浄が終了した後、時間が経過すると共にその中のオゾンが分解され、オゾン濃度が自動的に低くなるので、洗浄液から有害物質を取り除くための廃液処理装置（不図示）の負担が軽減される。その結果、この廃液処理装置においてオゾン水が確実に分解されるので、人間が住む環境内にオゾン水を含んだ有害な液が流出するのを防止でき、より環境に優しい洗浄を行うことができる。
【００６８】
本願発明者は、上記した本実施形態の洗浄の効果を確認するため、以下のような実験を行った。
【００６９】
この実験では３枚のシリコンウエハを用意し、その各々をステンレス製の静電チャック（不図示）上に載置して、ステンレスを構成する金属でこれらのシリコンウエハを意図的に汚染した。これら３枚のシリコンウエハうち、一枚は洗浄を行わない参照シリコンウエハとした。そして、残りの２枚のうちの一枚を比較例として一般的なHPMで洗浄し、もう一枚を本実施形態に従ってHOMで洗浄した。
【００７０】
比較例におけるHPMでの洗浄条件は次の通りである。
・HPMの体積比…HCl:H2O2:DIW(純水)＝１:５:５０
・HClの濃度…３５wt％
・H2O2:の濃度…３０wt％
・洗浄液の温度…５０℃
・洗浄液の流量…１Litter/min
・洗浄時間…３０秒間
・回転数…５００rpm
一方、本実施形態に則したHOMでの洗浄条件は次の通りである。
・HOMにおけるHCl(第２薬液L2):DIW(純水Lw)との体積比…１：５０
・HOMにおけるオゾン水（第１薬液L1）の流量…１Litter/min
・オゾン水（第１薬液L1）におけるオゾン濃度…４０ppm(=４０mg/Litter)
・HClの濃度…３５wt％
・洗浄液の温度…５０℃
・洗浄液の流量…１．５Litter/min
・洗浄時間…３０秒間
・回転数…５００rpm
そして、洗浄後のシリコンウエハに残留する金属（Ti、Fe、Zn）を、全反射蛍光X線装置において測定したところ、図７に示されるような結果が得られた。
【００７１】
図７に示されるように、本実施形態と比較例の双方とも、洗浄前（参照用シリコンウエハ）と比較して汚染物質の量が減少しており、洗浄の効果があることが理解される。
【００７２】
また、本実施形態と比較例とを比べると、両者に顕著な差は見られない。これにより、本実施形態のようにシリコンウエハW上で薬液同士を混合する方法を採用しても、一般的なHPMを使用する場合の洗浄効果を維持できることが明らかとなった。
【００７３】
更に本願発明者は、本実施形態の効果を確認するため、以下のような実験を行った。
【００７４】
この実験では、上記と同様に３枚のシリコンウエハが用意されたが、それらを意図的に汚染するのではなく、シリコンウエハに元々含まれる塩素を汚染物質とみなし、その塩素が洗浄によってどの程度減少するか調べられた。３枚のシリコンウエハのうち、一枚は参照用のシリコンウエハであって、残りの二枚に対し、それぞれ比較例及び本実施形態の洗浄方法が適用された。これらの洗浄条件は図６で説明したのと同様であるため省略する。
【００７５】
その実験により、図８に示される結果が得られた。
【００７６】
図８に示されるように、本実施形態と比較例の双方ともに洗浄前（参照用シリコンウエハ）と比較して塩素の量が減少している。
【００７７】
また、本実施形態と比較例とを比較すると、本実施形態の方が塩素の量が少なくなっているので、本実施形態によれば、少なくとも比較例と同じ洗浄効果が得られることが明らかとなった。
【００７８】
（２）第２実施形態
次に、本発明の第２の実施の形態に係る電子装置の製造方法について説明する。本実施形態では、MOSトランジスタの製造ラインにおける洗浄工程に第１実施形態の洗浄方法を適用する。
【００７９】
図９〜図１１は、本実施形態に係る電子装置の洗浄方法を工程順に示す断面図である。
【００８０】
最初に、図９（ａ）に示すように、図５で説明したタイミングに従ってシリコン基板５０の表面を洗浄し、表面に付着している金属元素等を除去して、シリコン基板５０の清浄面を露出させる。図５で説明したように、最初にオゾン水処理を行うことでシリコン基板５０の表面に極薄い二酸化シリコン層が形成され、この二酸化シリコン層によってシリコン基板５０が過剰にエッチングされるのが防止されて、洗浄時のエッチング速度をコントロールし易くなる。
【００８１】
次に、図９（ｂ）に示すように、シリコン基板５０の表面を熱酸化して厚さが約１０〜２０nm程度の初期二酸化シリコン層５１を形成する。
【００８２】
その後に、図５、図６（ａ）、及び図６（ｂ）のいずれかのタイミングに従って初期二酸化シリコン層５１を洗浄する。この初期二酸化シリコン層５１は、HOMやAOMに対するエッチングレートがシリコンと比較して小さいので、エッチング速度をコントロールするための図５のオゾン水処理を省いてもよく、図６（ａ）や図６（ｂ）のタイミングで洗浄を行ってもよい。
【００８３】
続いて、図９（ｃ）に示すように、減圧化学的気相成長法（Low Pressure CVD）により窒化シリコン層５２を厚さ約１００〜２００nm程度に形成する。この窒化シリコン層５２は、後述のようにシリコン基板５０をエッチングする際のマスクとして機能するが、それをシリコン基板５０の上に直に形成するのではなく、初期二酸化シリコン層５１の上に形成することにより、窒化シリコン層５２からシリコン基板５０に作用するストレスが緩和され、シリコン基板５０にクラックが入るのを防止することができる。
【００８４】
その後に、初期二酸化シリコン層５１と同様の洗浄方法を採用してこの窒化シリコン層５２を洗浄する。
【００８５】
次に、図９（ｄ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【００８６】
まず、マスク層５２の上に不図示のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにして窒化シリコン層５２をエッチングすることにより、窒化シリコン層５２に第１開口５２ａを形成する。その後に、上記のレジストパターンは除去される。
【００８７】
次いで、HBr+O2をエッチングガスとするRIE(Reactive Ion Etching)により、窒化シリコン層５２をマスクにしながら初期二酸化シリコン層５１とシリコン基板５０とをエッチングして、第１開口５２ａの下の初期二酸化シリコン層５１に第２開口５１ａを形成すると共に、その下のシリコン基板５０に深さが約３００nm程度のSTI(Shallow Trench Isolation)用の素子分離溝５０ａを形成する。
【００８８】
この後に、図５で説明したタイミングに従って、素子分離溝５０ａの内面を洗浄する。
【００８９】
次に、図１０（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【００９０】
まず、上記のエッチング時に素子分離溝５０ａの内面が受けたダメージを回復させるために、素子分離溝５０ａの内面を熱酸化して厚さが約５〜２０nm程度の熱酸化膜５３を形成する。その後、シラン（SiH4）、酸素、及びヘリウムを反応ガスとするHDPCVD(High Density Plasma CVD)法により二酸化シリコン層を全面に形成し、この二酸化シリコン層によって素子分離溝５０ａの内面を完全に埋め込む。
【００９１】
続いて、窒化シリコン層５２を研磨ストッパにしながら、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法により窒化シリコン層５２の上の余分な二酸化シリコン層を研磨して除去し、素子分離溝５０ａ内にのみこの二酸化シリコン層を残してそれを素子分離絶縁膜５４とする。
【００９２】
そして、燐酸により窒化シリコン層５２をエッチングして除去した後、更に弗酸により初期二酸化シリコン層５１をエッチングして除去する。
【００９３】
この後に、既述の図５で説明したタイミングに従って、素子分離絶縁膜５４の上面とシリコン基板５０の表面とを洗浄することにより、図１０（ａ）の断面構造を得る。
【００９４】
次に、図１０（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【００９５】
まず、シリコン基板５０のn型MOSトランジスタ形成領域に、加速エネルギ約１００KeV以上、ドーズ量１×１０13cm-3以上の条件でp型不純物としてボロンをイオン注入し、pウエル５５ａを形成する。さらに、p型MOSトランジスタ形成領域におけるシリコン基板５０に、加速エネルギ３００KeV以上、ドーズ量１×１０13cm-3以上の条件でn型不純物としてリンをイオン注入して、nウエル５５ｂを形成する。
【００９６】
この場合、p型とn型の不純物の打ち分けは、シリコン基板５０上の不図示のレジストパターンを用いて行われ、このレジストパターンはイオン注入の後にウエット処理で除去される。そのウエット処理では、例えば硫酸過水が使用され、レジストパターンの他に素子分離絶縁膜５４の上面も削れ、その上面がシリコン基板５０の表面と略同じ高さとなる。
【００９７】
この後に、図５で説明したタイミングに従って、素子分離絶縁膜５４の上面とシリコン基板５０の表面とを洗浄する。
【００９８】
次に、図１０（ｃ）に示すように、減圧された酸素雰囲気中で基板温度を約８００℃とするRTP(Rapid Thermal Processing)によりシリコン基板５０の表面に厚さが１〜２nm程度の熱酸化膜を成長させ、それをゲート絶縁膜５６とする。
【００９９】
更に、シランを反応ガスとする減圧CVD法により、ゲート絶縁膜５６の上にポリシリコン層５７を厚さ約５０〜１５０nm程度に形成する。
【０１００】
この後に、図５で説明したタイミングによりポリシリコン層５７の表面を洗浄する。
【０１０１】
続いて、図１１（ａ）に示すように、ポリシリコン層５７をパターニングして、n型MOSトランジスタ形成領域の上にゲート電極５７ａを形成する。次に、このゲート電極５７ａをマスクにしてゲート絶縁膜５６をエッチングし、ゲート絶縁膜５６をゲート電極５７ａの下にのみ残す。
【０１０２】
続いて、図５で説明したタイミングにより、シリコン基板５０とゲート電極５７ａのそれぞれの表面を洗浄する。
【０１０３】
この後に、pウエル５５ａとnウエル５５ｂのそれぞれの不純物を活性化させるための活性化アニールを行う。
【０１０４】
次に、図１１（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【０１０５】
まず、ゲート電極５７ａをマスクにしてシリコン基板５０にn型不純物として例えば砒素を加速エネルギ１〜５KeV、ドーズ量約２×１０15cm-3の条件でイオン注入し、ゲート電極５７ａの両側にソース/ドレインエクステンション５９ａ、５９ｂを極浅く形成する。
【０１０６】
更に、n型不純物として例えばボロンを使用して、ゲート電極５７ａをマスクにしてこの不純物をシリコン基板５０にイオン注入することにより、ソース−ドレイン間のパンチスルーを抑制するためのポケット領域５８ａ、５８ｂをゲート電極５７ａの両側に形成する。
【０１０７】
続いて、図５で説明したタイミングにより、シリコン基板５０とゲート電極５７ａのそれぞれの表面を洗浄する。
【０１０８】
その後に、ソース/ドレインエクステンション５９ａ、５９ｂとポケット領域５８ａ、５８ｂのそれぞれの不純物を活性化させるための活性化アニールを行う。
【０１０９】
次に、図１１（ｃ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【０１１０】
まず、図５で説明したタイミングにより、シリコン基板５０とゲート電極５７ａのそれぞれの表面を洗浄する。
【０１１１】
次いで、CVD法により二酸化シリコン層を全面に形成した後、異方性のドライエッチングによりその二酸化シリコン層をエッチバックしてゲート電極５７ａの両側に絶縁性サイドウォール６１として残す。
【０１１２】
更に、ゲート電極５７ａと絶縁性サイドウォール６１とをマスクにしてシリコン基板５０にn型不純物として例えば砒素を加速エネルギ５〜１０KeV、ドーズ量１×１０16cm-3以下の条件でイオン注入する。これにより、ソース/ドレインエクステンション５９ａ、５９ｂやポケット領域５８ａ、５８ｂよりも深いソース/ドレイン領域６０ａ、６０ｂがゲート電極５７ａの両側に形成される。
【０１１３】
続いて、図５で説明したタイミングでシリコン基板５０とゲート電極５７ａのそれぞれの表面を洗浄した後、活性化アニールを行い、ソース/ドレイン領域６０ａ、６０ｂ内の不純物を活性化させる。
【０１１４】
次に、図５で説明したタイミングで全面を再び洗浄する。次いで、スパッタ法によりニッケルやコバルト等の高融点金属膜を全面に形成し、シリコン基板５０を加熱してその高融点金属をシリコンと反応させ、ソース/ドレイン領域６０ａ、６０ｂの表層にシリサイド層６２ａ、６２ｂを形成する。そのシリサイド層は、ゲート電極５７ａの表層にも形成され、ゲート電極５７ａがポリサイド構造となる。
【０１１５】
以上により、n型MOSトランジスタTRの基本構造が完成したことになる。
【０１１６】
この後は、全面に層間絶縁膜を形成し、シリサイド層６２ａ、６２ｂに至る深さのホールをこの層間絶縁膜に形成して、シリサイド層６２ａ、６２ｂと電気的に接続される導電性プラグをこのホール内に形成する工程を行うが、その詳細については省略する。
【０１１７】
以上説明した本実施形態によれば、MOSトランジスタの製造工程に第１実施形態の洗浄方法を適用するので、オゾン濃度の高い洗浄液でエッチング速度をコントロールしながら各膜を効果的に洗浄することができる。
【０１１８】
（３）第３実施形態
次に、本発明の第３の実施の形態に係る電子装置の洗浄方法について説明する。本実施形態では、プラズマディスプレイパネルに第１実施形態の洗浄方法を適用する場合について説明する。
【０１１９】
図１２は、第１実施形態で説明した洗浄方法が適用されるプラズマディスプレイパネル（PDP）の分解斜視図である。
【０１２０】
そのプラズマディスプレイパネルは、対向する背面ガラス基板８０と前面ガラス基板８４とを有し、このうち背面ガラス基板８０には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の発光領域を区画するためのガラスよりなる隔壁８１が設けられる。そして、隔壁８１の間の背面ガラス基板８０には、下側クロム層、銅層、及び上側クロム層をこの順に積層してなるアドレス電極８２Ｒ、８２Ｇ、８２Ｂが、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれの発光領域に応じて形成される、更に、これらのアドレス電極８２Ｒ、８２Ｇ、８２Ｂ上には、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれの色を発光する蛍光体層８３Ｒ、８３Ｇ、８３Ｂが形成される。
【０１２１】
一方、前面ガラス基板８４の上には、ITO（酸化インジウム）やネサ（酸化錫）等の透明導電膜よりなる表示電極８７と、下側クロム層、銅層、及び上側クロム層の三層構造よりなり、表示電極８７の導電性を補うためのバス電極８８がこの順に形成される。
【０１２２】
この表示電極８７は、ガラス材料等よりなる誘電体層８５で覆われており、この誘電体層８５の上にはMgO（酸化マグネシウム）等の保護層８６が形成される。
【０１２３】
このようなプラズマディスプレイでは、放電空間８９にキセノン等のガスを封入し、一対の表示電極８７の間で放電を行うことにより紫外線を発生させ、その紫外線により各蛍光体層８３Ｒ、８３Ｇ、８３Ｂを発光させて、前面ガラス基板８４側のユーザに向けて所定の色表示を行う。
【０１２４】
次に、このプラズマディスプレイパネルの製造工程に第１実施形態で説明した洗浄方法を適用する場合について説明する。
【０１２５】
背面ガラス基板８０と前面ガラス基板８４は、上記した各要素を形成する前に、表面に付着している塵を取り除くために洗浄しておく必要があるが、この洗浄（イニシャル洗浄）を第１実施形態の洗浄方法に従って行うのが好適である。この場合、シリコンと比較してHOMやAOMに対するエッチング速度が遅いガラスが洗浄の対象なので、図５のタイミングにおける最初のオゾン水処理を必ずしも行う必要は無く、図６（ａ）又は図６（ｂ）のタイミングで洗浄を行ってもよい。
【０１２６】
また、アドレス電極８２Ｒ〜８２Ｂ、表示電極８７、及びバス電極８８は、いずれも金属層をパターニングして形成されるので、このパターニングにおけるエッチングの後に、第１実施形態で説明した洗浄方法に従って、金属層よりなるこれらの電極を洗浄してもよい。
【０１２７】
以上説明した本実施形態によれば、プラズマディスプレイを構成するガラス基板や電極の洗浄工程に対し、第１実施形態で説明した洗浄方法を適用するので、オゾン濃度の高い洗浄液でエッチング速度をコントロールしながらこれらのガラス基板や電極を効果的に洗浄することができる。
【０１２８】
（４）第４実施形態
次に、本発明の第４の実施の形態に係る電子装置の洗浄方法について説明する。本実施形態では、液晶パネルに第１実施形態の洗浄方法を適用する場合について説明する。
【０１２９】
図１３は、第１実施形態で説明した洗浄方法が適用される液晶パネル（LCD）の断面図である。
【０１３０】
この液晶パネルは、直視型であり、スペーサ（不図示）を挟んで配置されたTFT（Thin Film Transistor）基板９０及びCF基板１００と、これらの基板を接合するシール材１０９と、各基板９０、１００の間に封入された液晶９９とにより構成され、TFT基板４０の下側及びCF基板の上側にそれぞれ偏向板９８、１０７が配置される。
【０１３１】
TFT基板９０は、ガラス基板９１と、その上に形成されたTFT９２、データライン及び走査ライン等の配線９３、層間絶縁層９４、画素電極９５、引出端子９６及び配向膜９７により構成される。
【０１３２】
一方、CF基板１００は、ガラス基板１０１と、その下面に形成されたブラックマトリクス１０２、カラーフィルタ１０３、層間絶縁層１０４、対向電極１０５及び配向膜１０６により構成される。
【０１３３】
次に、この液晶パネルの製造工程に第１実施形態で説明した洗浄方法を適用する場合について説明する。
【０１３４】
上記の液晶パネルは、各ガラス基板９１、１０１上に各種の膜を形成する前に、その表面に付着している塵等が洗浄工程において除去される。第１実施形態で説明した洗浄方法はこの洗浄工程に適用するのが好適であり、図５、図６（ａ）、及び図６（ｂ）のいずれのタイミングでその洗浄を行ってもよい。
【０１３５】
その他に、配線９３、層間絶縁層１０４、９４、画素電極９５、引出し端子９６、及び配向膜９７等の洗浄にも第１実施形態の洗浄方法を適用してよい。
【０１３６】
以下に、本発明の特徴について付記する。
【０１３７】
（付記１）  基板が載置される基板載置台と、
第１溶媒のみを溶解してなる第１薬液を前記基板に向けて吐出する第１吐出口と、
前記第１溶媒とは異種の第２溶媒のみを溶解してなる第２薬液を前記基板に向けて吐出する第２吐出口と、
を有することを特徴とする電子装置の洗浄装置。
【０１３８】
（付記２）  前記第１薬液はオゾン水であり、前記第２薬液は酸性溶液又はアルカリ性溶液であることを特徴とする付記１に記載の電子装置の洗浄装置。
【０１３９】
（付記３）  前記第１薬液と前記第２薬液の吐出のタイミングを制御する制御部を備えたことを特徴とする付記２に記載の電子装置の洗浄装置。
【０１４０】
（付記４）  前記基板載置台が回転可能であることを特徴とする付記２に記載の電子装置の洗浄装置。
【０１４１】
（付記５）  前記基板に向けて純水を吐出する第３吐出口を備えたことを特徴とする付記２に記載の電子装置に洗浄装置。
【０１４２】
（付記６）  前記第１薬液の温度を調節する第１温度調節部、及び前記第２薬液の温度を調節する第２温度調節部の少なくとも一方を備えたことを特徴とする付記１に記載の電子装置の洗浄装置。
【０１４３】
（付記７）  第１溶媒のみを溶解してなる第１薬液と、前記第１溶媒とは異種の第２溶媒のみを溶解してなる第２薬液とを、それぞれ別々の吐出口から基板の上に吐出することにより、前記第１薬液と前記第２薬液とを前記基板の上で混合し、該基板を洗浄することを特徴とする電子装置の洗浄方法。
【０１４４】
（付記８）  前記第１薬液としてオゾン水を使用し、前記第２薬液として酸性溶液又はアルカリ性溶液を使用することを特徴とする付記７に記載の電子装置の洗浄方法。
【０１４５】
（付記９）  前記酸性溶液として、塩酸、硫酸、及び硝酸のいずれかの原液、又は該原液を純水で希釈した溶液を使用することを特徴とする付記８に記載の電子装置の洗浄方法。
【０１４６】
（付記１０）  前記アルカリ性溶液として、アンモニア水、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、及び水酸化トリメチルアンモニウム水溶液の原液、又は該原液を純水で希釈した溶液を使用することを特徴とする付記８に記載の電子装置の洗浄方法。
【０１４７】
（付記１１）  前記第１薬液を先に吐出し、次に前記第２薬液を吐出することを特徴とする付記８に記載の電子装置の洗浄方法。
【０１４８】
（付記１２）  前記第１薬液と前記第２薬液とを同時に吐出することを特徴とする付記８に記載の電子装置の洗浄方法。
【０１４９】
（付記１３）  前記第１薬液と前記第２薬液とを交互に吐出することを特徴とする付記８に記載の電子装置の洗浄方法。
【０１５０】
（付記１４）  前記基板を洗浄しているときに、該基板に純水を吐出することを特徴とする付記７に記載の電子装置の洗浄方法。
【０１５１】
（付記１５）  前記基板を洗浄しているときに、該基板を回転させることを特徴とする付記７に記載の電子装置の洗浄方法。
【図面の簡単な説明】
【０１５２】
【図１】図１は、従来例に係る洗浄装置が備えるバッファタンクの構成図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態に係る電子装置の洗浄装置の構成図である。
【図３】図３は、本発明の第１実施形態に係る電子装置の洗浄装置の上面図である。
【図４】図４は、本発明の第１実施形態に係る電子装置の洗浄方法を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の第１実施形態に係る電子装置の洗浄方法において、液が吐出されるタイミングを示すタイミングチャートである。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る電子装置の洗浄方法において、液が吐出されるタイミングの別の例を示すタイミングチャートである。
【図７】図７は、本発明の第１実施形態に係る電子装置の洗浄方法の効果を確かめるために行われた実験の結果を示すグラフである。
【図８】図８は、本発明の第１実施形態に係る電子装置の洗浄方法の効果を確かめるために行われた別の実験の結果を示すグラフである。
【図９】図９（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る電子装置の洗浄方法を工程順に示す断面図（その１）である。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る電子装置の洗浄方法を工程順に示す断面図（その２）である。
【図１１】図１１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る電子装置の洗浄方法を工程順に示す断面図（その３）である。
【図１２】図１２は、本発明の第３実施形態に係る電子装置の洗浄方法の洗浄対象となるプラズマディスプレイパネルの分解斜視図である。
【図１３】図１３は、本発明の第４実施形態に係る電子装置の洗浄方法の洗浄対象となる液晶パネルの断面図である。
【符号の説明】
【０１５３】
１…バッファタンク、２…第４配管、３…第１配管、４…第２配管、５…第３配管、６…ポンプ、７…洗浄液、８…洗浄装置本体、１０…スピンベース、１２…第２シャフト、１３…ガイドピン、１４…規制ピン、１５…ベルト、１６…第１モータ、１７…第１配管、１７ａ…第１吐出口、１７ｂ…第１軸、１８…第２配管、１８ａ…第２吐出口、１８ｂ…第２軸、１９…第２内部配管、１９ａ…第３吐出口、２０…第１内部配管、２１…遮断板、２２…第５配管、２３…第２モータ、２４…オゾン水製造装置、２５…薬液供給キャビネット、２５ａ…タンク、２６…第３配管、２７…第４配管、２８…切換バルブ、２９…制御部、３０…第１ガス流通路、３１…第２ガス流通路、３２…第２ガス供給部、３３…第１ガス供給部、３４…流量調節部、３５…温度調節部、５０…シリコン基板、５０…素子分離溝、５１…初期二酸化シリコン層、５１ａ…第２開口、５２…窒化シリコン層、５２ａ…第１開口、５３…熱酸化膜、５４…素子分離絶縁膜、５５ａ…pウエル、５５ｂ…nウエル、５６…ゲート絶縁膜、５７…ポリシリコン層、５７ａ…ゲート電極、５８ａ、５８ｂ…ポケット領域、５９ａ、５９ｂ…ソース/ドレインエクステンション、６０ａ、６０ｂ…ソース/ドレイン領域、６１…絶縁性サイドウォール、６２ａ、６２ｂ…シリサイド層、８０…背面ガラス基板、８１…隔壁、８２Ｒ、８２Ｇ、８２Ｂ…アドレス電極、８３Ｒ、８３Ｇ、８３Ｂ…蛍光体層、８４…前面ガラス基板、８５…誘電体層、８６…保護層、８７…表示電極、８８…バス電極、８９…放電空間、９０…TFT基板、９１、１０１…ガラス基板、９２…TFT、９３…配線、９４、１０４…層間絶縁層、９５…画素電極、９６…引出端子、９７、１０６…配向膜、９８、１０７…偏向板、９９…液晶、１００…CF基板、１０２…ブラックマトリクス、１０３…カラーフィルタ、１０５…対向電極。
【図１】
2005353824.tif 000003
【図２】
2005353824.tif 000004
【図３】
2005353824.tif 000005
【図４】
2005353824.tif 000006
【図５】
2005353824.tif 000007
【図６】
2005353824.tif 000008
【図７】
2005353824.tif 000009
【図８】
2005353824.tif 000010
【図９】
2005353824.tif 000011
【図１０】
2005353824.tif 000012
【図１１】
2005353824.tif 000013
【図１２】
2005353824.tif 000014
【図１３】
2005353824.tif 000015