(57)【要約】【課題】  凸状欠陥の影響を最小限に局限して薄膜製造装置の歩留まりを向上させることができると共にその品質も併せて向上させることが可能な薄膜表示装置の検査諸元設定方法等を提供する。【解決手段】  有機ＥＬ表示パネルの製造工程において発生し且つその表示に影響を与える凸状欠陥の大きさに基づき、製造後の検査における検査諸元を設定する検査諸元設定方法において、有機ＥＬ表示パネルを構成するいずれかの薄膜の形成後、当該薄膜の表面に予め設定された直径の標準粒子を散布し（ステップＳ２）標準粒子の散布後、当該標準粒子が散布された薄膜を含み且つ有機ＥＬ表示パネルとしての機能を備える検査諸元設定用のサンプルを完成させ（ステップＳ３）、完成されたサンプルにおける表示上の欠陥の有無を検査し（ステップＳ４及びＳ５）、表示上の欠陥の有無と、散布された標準粒子の直径と、に基づいて、製造後の有機ＥＬ表示パネルの品質を検査する検査装置における検査諸元を設定する（ステップＳ７）。【選択図】  図２
2005121487.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜表示装置の製造工程において発生し且つ当該薄膜表示装置における表示に影響を与える物理的欠陥の大きさに基づき、製造後の当該薄膜表示装置を検査する際の検査諸元を設定する検査諸元設定方法において、
前記薄膜表示装置を構成するいずれかの前記薄膜の形成後、当該薄膜の表面に予め設定された直径の標準粒子を散布する散布工程と、
前記標準粒子の散布後、当該標準粒子が散布された前記薄膜を含み且つ前記薄膜表示装置としての機能を備える検査諸元設定用のサンプルを完成させる製造工程と、
前記完成されたサンプルにおける表示上の欠陥の有無を検査する検査工程と、
前記表示上の欠陥の有無と、前記散布された標準粒子の直径と、に基づいて、製造後の前記薄膜表示装置の品質を検査する検査装置における検査諸元を設定する設定工程と、
を含むことを特徴とする薄膜表示装置の検査諸元設定方法。
【請求項２】
請求項１に記載の検査諸元設定方法において、
前記散布工程及び前記製造工程おいては、異なる直径の前記標準粒子を同一の前記薄膜に夫々散布して複数の前記サンプルを完成させると共に、
前記設定工程においては、前記完成された各サンプルにおける、前記表示上の欠陥の有無と、前記散布された標準粒子の直径と、に基づいて、前記検査諸元を設定することを特徴とする検査諸元設定方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の検査諸元設定方法において、
前記散布工程及び前記製造工程においては、同一の直径の前記標準粒子を相互に異なる前記薄膜に夫々散布して複数の前記サンプルを完成させると共に、
前記設定工程においては、前記完成された各サンプルにおける、前記表示上の欠陥の有無と、前記散布された標準粒子の直径と、前記標準粒子が散布された前記薄膜の前記サンプル内の位置と、に基づいて、前記検査諸元を設定することを特徴とする検査諸元設定方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の検査諸元設定方法において、
前記物理的欠陥は、前記薄膜表示装置において前記薄膜に垂直な方向に成長する凸状欠陥であることを特徴とする検査諸元設定方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の検査諸元設定方法に用いるべく前記散布工程及び前記製造工程を経て完成された検査諸元設定用の前記サンプルであって、
表面に前記標準粒子が散布された前記薄膜を備えることを特徴とする検査諸元設定用サンプル。
【請求項６】
前記標準粒子の散布を除いた請求項１から４のいずれか一項に記載の検査諸元設定方法における前記散布工程及び前記製造工程により製造される前記薄膜表示装置の品質を当該製造後に検査する検査装置であって、
前記設定工程により設定された前記検査諸元により前記製造された薄膜表示装置の品質を検査する品質検査手段を備えることを特徴とする検査装置。
【請求項７】
前記標準粒子の散布を除いた請求項１から４のいずれか一項に記載の検査諸元設定方法における前記散布工程及び前記製造工程により製造される前記薄膜表示装置の品質を当該製造後に検査する検査方法であって、
前記設定工程により設定された前記検査諸元により前記製造された薄膜表示装置の品質を検査する品質検査工程を含むことを特徴とする検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜表示装置の検査諸元設定方法、薄膜表示装置の検査装置及び検査方法並びに薄膜表示装置の検査諸元設定用サンプルの技術分野に属し、より詳細には、薄膜表示装置の製造時に生じる物理的欠陥の表示機能への影響を考慮した薄膜表示装置の検査諸元設定方法、当該薄膜表示装置を検査する検査装置及び検査法方法並びに当該薄膜表示装置の検査諸元設定用サンプルの技術分野に属する。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄型の表示装置であるフラットパネルディスプレイの開発が盛んであり、その中でも薄膜製造技術を用いて製造される有機ＥＬ（Electro Luminescent）表示装置は、低消費電力のカラー表示可能な自発光型の表示装置として有望視され、一部では実用化も始まっている。
【０００３】
ここで、当該有機ＥＬ表示装置の開発上において問題となっている点として、いわゆる輝線欠陥の問題がある。これは、有機ＥＬ表示装置の主要な構成部材の一つであるＥＬ層が形成される陽極透明導電層（以下、単に陽極と称する）又は当該陽極の直下層として形成されて下方からの当該ＥＬ層への水分の流入を防ぐ役割を担うバリア層或いは当該バリア層の更に下方にあるＯＣ（Over Coat）層上に、上記ＥＬ層に向かって成長する凸型の（突起状の）欠陥が形成される場合があり、この凸状欠陥が原因となって陰極透明導電層（以下、単に陰極と称する）と陽極との短絡が発生し、これにより表示画面内に線状に並ぶ輝点が発生するのである。そして、この線状の輝点は、有機ＥＬ表示装置としての表示品質に直接影響を与える問題点である。
【０００４】
このとき、従来において上記輝線欠陥が発見された場合には、その原因を追究して再発生を防止すべく、当該輝線欠陥部の陰極及びＥＬ層を剥し、例えば陽極上に発生している凸状欠陥の形状を解析し、どのような形状の凸状欠陥が発生しているかを把握した上で、その製造後の検査装置における検査諸元としての検出すべき凸状欠陥の高さを設定するなど、それ以後の有機ＥＬ表示装置の検査諸元にその解析結果を反映させることが為されていた。
【０００５】
また、有機ＥＬ表示装置用の他の検査方法としては、従来、主に液晶表示装置用のカラーフィルタ用検査機が用いられることが多かった。そしてこの場合、当該検査機における凸状欠陥の検出感度は最大に設定されており、その検査機が検出し得る最小の大きさの凸状欠陥を検出することで、当該製造された有機ＥＬ表示装置の品質保証を行っていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した従来の有機ＥＬ表示装置の検査諸元の設定方法によると、輝線欠陥部の原因となる凸状欠陥の大きさ及び形状が様々であり、またその数も一つの有機ＥＬ表示装置につき一つではない場合が多いことから、これら複数の凸状欠陥のうちのいずれが輝線欠陥の原因となっているかを特定できないという問題点があった。
【０００７】
また、上述した従来の検査方法によると、上述した検査装置における検出感度を最大感度として検出しているため、当該検出感度を調整した上での検査ができず、結果として検出すべき凸状欠陥の仕様（特に形状及び大きさ）が判明しないため完全な品質保証ができない場合があるという問題点があった。
【０００８】
そこで、本発明は上記の各問題点に鑑みて為されたもので、その課題は、検出すべき凸状欠陥の仕様を解明して検査諸元に反映することで、当該欠陥の影響を最小限に局限して薄膜製造装置の品質を向上させることが可能な薄膜表示装置の検査諸元設定方法、当該薄膜表示装置を検査する検査装置及び検査法方法並びに当該薄膜表示装置の検査諸元設定用サンプルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、薄膜表示装置の製造工程において発生し且つ当該薄膜表示装置における表示に影響を与える物理的欠陥の大きさに基づき、製造後の当該薄膜表示装置を検査する際の検査諸元を設定する検査諸元設定方法において、前記薄膜表示装置を構成するいずれかの前記薄膜の形成後、当該薄膜の表面に予め設定された直径の標準粒子を散布する散布工程と、前記標準粒子の散布後、当該標準粒子が散布された前記薄膜を含み且つ前記薄膜表示装置としての機能を備える検査諸元設定用のサンプルを完成させる製造工程と、前記完成されたサンプルにおける表示上の欠陥の有無を検査する検査工程と、前記表示上の欠陥の有無と、前記散布された標準粒子の直径と、に基づいて、製造後の前記薄膜表示装置の品質を検査する検査装置における検査諸元を設定する設定工程と、を含む。
【００１０】
よって、いずれかの薄膜の形成後、当該薄膜の表面に標準粒子を散布して検査諸元設定用のサンプルを完成させ、その完成されたサンプルにおける表示上の欠陥の有無を検査し、その検査結果としての表示上の欠陥の有無と、散布された標準粒子の直径と、に基づいて各薄膜の厚さを少なくとも含む薄膜表示装置の検査諸元を設定するので、表示上の欠陥の有無と標準粒子の直径との相関関係から物理的欠陥の影響を局限するための薄膜表示装置の検査諸元を設定することができる。
【００１１】
上記の課題を解決するために、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の検査諸元設定方法において、前記散布工程及び前記製造工程おいては、異なる直径の前記標準粒子を同一の前記薄膜に夫々散布して複数の前記サンプルを完成させると共に、前記設定工程においては、前記完成された各サンプルにおける、前記表示上の欠陥の有無と、前記散布された標準粒子の直径と、に基づいて、前記検査諸元を設定するように構成される。
【００１２】
よって、異なる直径の標準粒子を同一の薄膜に夫々散布して複数のサンプルを完成させて検査諸元を設定するので、より正確且つ物理的欠陥の影響を局限するための検査諸元を効果的に設定することができる。
【００１３】
上記の課題を解決するために、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の検査諸元設定方法において、前記散布工程及び前記製造工程においては、同一の直径の前記標準粒子を相互に異なる前記薄膜に夫々散布して複数の前記サンプルを完成させると共に、前記設定工程においては、前記完成された各サンプルにおける、前記表示上の欠陥の有無と、前記散布された標準粒子の直径と、前記標準粒子が散布された前記薄膜の前記サンプル内の位置と、に基づいて、前記検査諸元を設定するように構成される。
【００１４】
よって、同一の直径の標準粒子が相互に異なる薄膜に夫々散布された複数のサンプルを完成させて検査諸元を設定するので、より正確且つ物理的欠陥の影響を局限可能な検査諸元を効果的に設定することができる。
【００１５】
上記の課題を解決するために、請求項４に記載の発明は、請求項１から３のいずれか一項に記載の検査諸元設定方法において、前記物理的欠陥は、前記薄膜表示装置において前記薄膜に垂直な方向に成長する凸状欠陥であるように構成される。
【００１６】
よって、凸状欠陥を対象として、当該凸状欠陥の有無と、散布された標準粒子の直径と、に少なくとも基づいて各薄膜の厚さを少なくとも含む薄膜表示装置の検査諸元を設定するので、凸状欠陥の有無と標準粒子の直径との相関関係から当該凸状欠陥の影響を局限するための薄膜表示装置の検査諸元を設定することができる。
【００１７】
上記の課題を解決するために、請求項５に記載の発明は、請求項１から４のいずれか一項に記載の検査諸元設定方法に用いるべく前記散布工程及び前記製造工程を経て完成された検査諸元設定用の前記サンプルであって、表面に前記標準粒子が散布された前記薄膜を備える。
【００１８】
よって、当該サンプルを用いて請求項１から４のいずれか一項に記載の検査諸元設定方法を実行することで、表示上の欠陥の有無と標準粒子の直径との相関関係から物理的欠陥の影響を局限可能な薄膜表示装置の検査諸元を設定することができる。
【００１９】
上記の課題を解決するために、請求項６に記載の発明は、前記標準粒子の散布を除いた請求項１から４のいずれか一項に記載の検査諸元設定方法における前記散布工程及び前記製造工程により製造される前記薄膜表示装置の品質を当該製造後に検査する検査装置であって、前記設定工程により設定された前記検査諸元により前記製造された薄膜表示装置の品質を検査する検査部等の品質検査手段を備える。
【００２０】
よって、いずれかの薄膜の形成後、当該薄膜の表面に標準粒子を散布して検査諸元設定用のサンプルを完成させ、その完成されたサンプルにおける表示上の欠陥の有無を検査し、その検査結果としての表示上の欠陥の有無と、散布された標準粒子の直径と、に少なくとも基づいて各薄膜の厚さを少なくとも含む薄膜表示装置の検査諸元を設定して検査を行うので、表示上の欠陥の有無と標準粒子の直径との相関関係から物理的欠陥の影響を局限することが可能な検査ができる。
【００２１】
上記の課題を解決するために、請求項７に記載の発明は、前記標準粒子の散布を除いた請求項１から４のいずれか一項に記載の検査諸元設定方法における前記散布工程及び前記製造工程により製造される前記薄膜表示装置の品質を当該製造後に検査する検査方法であって、前記設定工程により設定された前記検査諸元により前記製造された薄膜表示装置の品質を検査する品質検査工程を含む。
【００２２】
よって、いずれかの薄膜の形成後、当該薄膜の表面に標準粒子を散布して検査諸元設定用のサンプルを完成させ、その完成されたサンプルにおける表示上の欠陥の有無を検査し、その検査結果としての表示上の欠陥の有無と、散布された標準粒子の直径と、に少なくとも基づいて各薄膜の厚さを少なくとも含む薄膜表示装置の検査諸元を設定して検査を実行するので、表示上の欠陥の有無と標準粒子の直径との相関関係から物理的欠陥の影響を局限することが可能な検査ができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上説明したように、請求項１に記載の発明によれば、いずれかの薄膜の形成後、当該薄膜の表面に標準粒子を散布して検査諸元設定用のサンプルを完成させ、その完成されたサンプルにおける表示上の欠陥の有無を検査し、その検査結果としての表示上の欠陥の有無と、散布された標準粒子の直径と、に基づいて各薄膜の厚さを少なくとも含む薄膜表示装置の検査諸元を設定するので、表示上の欠陥の有無と標準粒子の直径との相関関係から物理的欠陥の影響を局限するための薄膜表示装置の検査諸元を設定することができる。
【００２４】
従って、物理的欠陥の影響を最小限に局限して薄膜製造装置としての品質を向上させることができる。
【００２５】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の効果に加えて、異なる直径の標準粒子を同一の薄膜に夫々散布して複数のサンプルを完成させて検査諸元を設定するので、より正確且つ物理欠陥の影響を局限するための検査諸元を効果的に設定することができる。
【００２６】
請求項３に記載の発明によれば、請求項１又は２に記載の発明の効果に加えて、同一の直径の標準粒子が相互に異なる薄膜に夫々散布された複数のサンプルを完成させて検査諸元を設定するので、より正確且つ物理的欠陥の影響を局限可能な検査諸元を効果的に設定することができる。
【００２７】
請求項４に記載の発明によれば、請求項１から３のいずれか一項に記載の発明の効果に加えて、凸状欠陥を対象として、当該凸状欠陥の有無と、散布された標準粒子の直径と、に少なくとも基づいて各薄膜の厚さを少なくとも含む薄膜表示装置の検査諸元を設定するので、凸状欠陥の有無と標準粒子の直径との相関関係から当該凸状欠陥の影響を局限するための薄膜表示装置の検査諸元を設定することができる。
【００２８】
請求項５に記載の発明によれば、当該サンプルを用いて請求項１から４のいずれか一項に記載の検査諸元設定方法を実行することで、表示上の欠陥の有無と標準粒子の直径との相関関係から物理的欠陥の影響を局限した薄膜表示装置の検査諸元を設定することができる。
【００２９】
従って、物理的欠陥の影響を最小限に局限して薄膜製造装置としての品質を向上させることができる。
【００３０】
請求項６に記載の発明によれば、いずれかの薄膜の形成後、当該薄膜の表面に標準粒子を散布して検査諸元設定用のサンプルを完成させ、その完成されたサンプルにおける表示上の欠陥の有無を検査し、その検査結果としての表示上の欠陥の有無と、散布された標準粒子の直径と、に少なくとも基づいて各薄膜の厚さを少なくとも含む薄膜表示装置の検査諸元を設定して検査を行うので、表示上の欠陥の有無と標準粒子の直径との相関関係から物理的欠陥の影響を局限することが可能な検査ができる。
【００３１】
従って、物理的欠陥の影響を最小限に局限して薄膜製造装置の品質を向上させることができる。
【００３２】
請求項７に記載の発明によれば、いずれかの薄膜の形成後、当該薄膜の表面に標準粒子を散布して検査諸元設定用のサンプルを完成させ、その完成されたサンプルにおける表示上の欠陥の有無を検査し、その検査結果としての表示上の欠陥の有無と、散布された標準粒子の直径と、に少なくとも基づいて各薄膜の厚さを少なくとも含む薄膜表示装置の検査諸元を設定して検査を実行するので、表示上の欠陥の有無と標準粒子の直径との相関関係から物理的欠陥の影響を局限することが可能な検査ができる。
【００３３】
従って、物理的欠陥の影響を最小限に局限して薄膜製造装置の品質を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
次に、本発明を実施するための最良の形態について、図面に基づいて説明する。なお、以下に説明する実施形態は、色変換方式（ＣＣＭ（Color Changing Media））方式の有機ＥＬ表示パネルの製造段階における検査諸元の設定並びに当該製造後の検査に用いられる検査装置における検査諸元の設定に対して本発明を適用した場合の実施の形態である。
【００３５】
（Ｉ）第１実施形態
始めに、本発明に係る第１実施形態について、図１乃至図３を用いて説明する。
【００３６】
なお、図１は各実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの完成後の層構造を示す断面図であり、図２は第１実施形態に係る検査諸元の設定方法を示すフローチャートであり、図３は当該検査諸元の設定方法を説明するための図である。
【００３７】
始めに、各実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの完成後の構造について、図１を用いて説明する。
【００３８】
図１に示すように、各実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルＤは、構造的には一般的な構造を備えており、具体的には、発光側の反対側から見て、透明な陰極１と、薄膜化された有機ＥＬ材料からなるＥＬ層２と、各電極間にギャップ１０を有する陽極３と、水分がＥＬ層２に進入することを防止するための数Åの厚さを有するバリア層４と、５μｍ程度の厚さを有するＯＣ層５と、多機能層６と、光の三原色に対応する三色のカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ及び７Ｂと、画質向上用等に用いられるブラックマトリックス９と、ガラス又はプラスチック等よりなる基板８と、により構成されている。
【００３９】
そして、この構成において、陽極３と陰極１との間に電圧が印加されることでＥＬ層２が発光し、その光が夫々の色のカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ及び７Ｂにより色変換されてカラー画像が表示される。
【００４０】
ここで、本実施形態の対象となる凸状欠陥の成長態様としては、上記ＯＣ層５の表面からＥＬ層２に向かって成長する場合、上記バリア層４の表面からＥＬ層２に向かって成長する場合、並びに陽極３の表面からＥＬ層２に向かって成長する場合、の三種類があるが、以下に説明する第１実施形態では、ＯＣ層５の表面からＥＬ層２に向かって成長する凸状欠陥を対象とした実施形態について説明する。
【００４１】
次に、第１実施形態に係る検査諸元の設定方法について、図２及び図３を用いて説明する。
【００４２】
図２に示すように、第１実施形態の検査諸元設定方法においては、始めに、図１に示した断面構造におけるＯＣ層５までを基板８上に形成したサンプルを三つ製作し（ステップＳ１）、その後、各サンプルに形成されたＯＣ層５の表面に標準粒子を従来と同様の方法により散布する（ステップＳ２）。
【００４３】
ここで、標準粒子とは、元々は例えば自動微粒子計測器等の校正に用いる微粒子で、極めて単分散に近い粒径の粒子であるポリスチレンラテックスの略称である。一般に各種粒子径のものが市販されており、液体微粒子カウンタ、光散乱式カウンタ及び表面付着粒子測定器等の校正に用いられるものである。
【００４４】
より具体的には、上記ステップＳ２において、図３に示すように、ＯＣ層５まで基板８上に形成された三つのサンプルＤＳ１乃至ＤＳ３の表面に、夫々直径０．２μｍの標準粒子３０Ａ、直径０．５μｍの標準粒子３０Ｂ又は直径１μｍの標準粒子３０Ｃのいずれかを散布する。このとき、各標準粒子３０Ａ乃至３０Ｃは、ＯＣ層５上に均一且つ当該標準粒子３０Ａ乃至３０Ｃが一層となるように夫々散布される。
【００４５】
そして、各サンプルＤＳ１乃至ＤＳ３について標準粒子３０Ａ乃至３０Ｃの散布が完了すると、次に、散布されている標準粒子３０Ａ乃至３０Ｃを含むように各ＯＣ層５上に図１に示すバリア層４、陽極３、ＥＬ層２及び陰極１を形成し、有機ＥＬ表示パネルＤとしての機能を発揮することが可能なサンプルＤＳ１乃至ＤＳ３を完成させる（ステップＳ３）。
【００４６】
次に、先ず完成したサンプルＤＳ１（標準粒子３０Ａの粒径が０．２μｍ）を実際に駆動して発光させ（ステップＳ４）、その表示画面内に輝線欠陥が含まれているか否かを検査・確認する（ステップＳ５、Ｓ６）。
【００４７】
ここで、当該ステップＳ５の検査・確認処理は、確認者が目視により確認してもよいし、或は撮像素子等により当該表示画面を撮像して輝線欠陥の有無を自動的に検査・確認してもよい。
【００４８】
そして、サンプルＤＳ１につき、輝線欠陥が発見されないときは（ステップＳ６；ＮＯ）、次に、完成したサンプルＤＳ２（標準粒子３０Ｂの粒径が０．５μｍ）を実際に駆動して発光させ（ステップＳ４）、その表示画面内に輝線欠陥が含まれているか否かを検査・確認する（ステップＳ５、Ｓ６）。
【００４９】
そして、サンプルＤＳ２につき、輝線欠陥が発見されないときは（ステップＳ６；ＮＯ）、最後に、完成したサンプルＤＳ３（標準粒子３０Ｃの粒径が１．０μｍ）を実際に駆動して発光させ（ステップＳ４）、その表示画面内に輝線欠陥が含まれているか否かを検査・確認する（ステップＳ５、Ｓ６）。
【００５０】
これらにより、ステップＳ５及びＳ６における確認結果に基づいて、有機ＥＬ表示パネルＤの量産時における各層の厚さを含む検査諸元を設定する（ステップＳ７）。
【００５１】
このステップＳ７の処理についてより具体的には、上記ステップＳ５及びＳ６における検査・確認処理においてサンプルＤＳ３のみに輝線欠陥が発生し、サンプルＤＳ１及びＤＳ２には輝線欠陥が生じていない場合、当該サンプルＤＳ１乃至ＤＳ３が製造された製造ラインの諸元においては、高さが１．０μｍ以上の凸状欠陥がＯＣ膜５の表面に形成されたときは基線欠陥の原因となるが、高さ０．５μｍ以下の凸状欠陥がＯＣ膜５の表面に形成されても基線欠陥の原因とはならないことになる。従って、当該製造ラインを用いた有機ＥＬ表示パネルＤの量産時において、当該製造ラインを経て製造された有機ＥＬ表示パネルＤの検査諸元を、高さが０．５μｍより高い凸状欠陥を検出できる検出諸元に設定すれば、凸状欠陥に起因する不良品を確実に除外して良品のみを出荷することができる。
【００５２】
また、同様に上記ステップＳ５及びＳ６における検査・確認処理においてサンプルＤＳ３及びＤＳ２に輝線欠陥が発生し、サンプルＤＳ１のみには輝線欠陥が生じていない場合、当該サンプルＤＳ１乃至ＤＳ３が製造された製造ラインの諸元においては、高さが０．５μｍ以上の凸状欠陥がＯＣ膜５の表面に形成されたときは基線欠陥の原因となるが、高さが０．２μｍ以下の凸状欠陥がＯＣ膜５の表面に形成されても基線欠陥の原因とはならないことになる。従って、当該製造ラインを用いた有機ＥＬ表示パネルＤの量産時において、当該製造ラインを経て製造された有機ＥＬ表示パネルＤの検査諸元を、高さが０．２μｍより高い凸状欠陥を検出できる検出諸元に設定すれば、凸状欠陥に起因する不良品を確実に除外して良品のみを出荷することができる。
【００５３】
そして、上記ステップＳ７の処理により検査諸元が設定された後は、当該検査諸元を適用した検査装置を用いて製造後の有機ＥＬ表示パネルＤの検査が行われつつ当該有機ＥＬ表示パネルＤが量産される（ステップＳ８）。
【００５４】
以上説明したように、第１実施形態に係る検査諸元の設定方法によれば、ＯＣ層５の形成後、当該ＯＣ層５の表面に標準粒子３０Ａ乃至３０Ｃを散布して検査諸元設定用のサンプルＤＳ１乃至ＤＳ３を完成させ、その完成されたサンプルＤＳ１乃至ＤＳ３における輝線欠陥の有無を検査し、その検査結果としての輝線欠陥の有無と、散布された標準粒子３０Ａ乃至３０Ｃの直径と、に基づいて検査諸元を設定するので、輝線欠陥の有無と標準粒子３０Ａ乃至３０Ｃの直径との相関関係から当該凸状欠陥の影響を局限するための検査諸元を設定することができる。
【００５５】
また、異なる粒径の標準粒子３０Ａ乃至３０Ｃを各サンプルＤＳ１乃至ＤＳ３のＯＣ層５に夫々散布して各サンプルＤＳ１乃至ＤＳ３を完成させて検査諸元を設定するので、より正確且つ欠陥の影響を局限するための検査諸元を効果的に設定することができる。
【００５６】
（II）第２実施形態
次に、本発明に係る他の実施形態である第２実施形態について、図２及び図４を用いて説明する。なお、図４は第２実施形態に係る検査諸元の設定方法を説明するための図である。また、図２に示す第２実施形態の検査諸元設定方法において、第１実施形態と同様の処理については同様のステップ番号を付して細部の説明は省略する。
【００５７】
上述した第１実施形態においては、各サンプルＤＳ１乃至ＤＳ３につき、同じＯＣ層５上に異なる粒径の標準粒子３０Ａ乃至３０Ｃを散布し、これら標準粒子３０Ａ乃至３０Ｃの粒径の違いと輝線欠陥の有無との関係から検査諸元を決定したが、以下の第２実施形態においては、異なる層に同じ粒径の標準粒子を散布し、その粒径と、散布した層の有機ＥＬ表示パネルＤ内の位置と、に基づいて検査諸元を設定する。
【００５８】
すなわち、第２実施形態に係る検査諸元の設定方法においては、第１実施形態の場合と異なり、先ず、図１に示した断面構造におけるＯＣ層５までを基板８上に形成したサンプルＤＳ１１と、図１に示した断面構造におけるバリア層４までを基板８上に形成したサンプルＤＳ２２と、図１に示した断面構造における陽極３までを基板８上に形成したサンプルＤＳ３３と、を夫々製作し（ステップＳ１）、その後、サンプルＤＳ１１に形成されたＯＣ層５の表面、サンプルＤＳ２２に形成されたバリア層４の表面、並びにサンプルＤＳ３３に形成された陽極３の表面の夫々に、同一粒径の標準粒子３０Ｃ（粒径１．０μｍ）を従来と同様の方法により散布する（ステップＳ２）。このとき、各サンプル上の標準粒子３０Ｃは、各層上に均一且つ当該標準粒子３０Ｃが一層となるように散布される。
【００５９】
そして、各サンプルＤＳ１１乃至ＤＳ３３について標準粒子３０Ｃの散布が完了すると、次に、各層に散布されている標準粒子３０Ｃを含むように図１に示すバリア層４、陽極３、ＥＬ層２及び陰極１（サンプルＤＳ１１の場合）、又は図１に示す陽極３、ＥＬ層２及び陰極１（サンプルＤＳ２２の場合）、或は図１に示すＥＬ層２及び陰極１（サンプルＤＳ３３の場合）を夫々形成し、有機ＥＬ表示パネルとしての機能を発揮することが可能なサンプルＤＳ１１乃至ＤＳ３３を完成させる（ステップＳ３）。
【００６０】
次に、先ず完成したサンプルＤＳ１１を実際に駆動して発光させ（ステップＳ４）、その表示画面内に輝線欠陥が含まれているか否かを検査・確認する（ステップＳ５、Ｓ６）。
【００６１】
ここで、当該ステップＳ５の検査・確認処理は、第１実施形態と同様に確認者が目視により確認してもよいし、或は撮像素子等により当該表示画面を撮像して輝線欠陥の有無を自動的に検査・確認してもよい。
【００６２】
そして、サンプルＤＳ１１につき、輝線欠陥が発見されたときは（ステップＳ６；ＮＯ）、次に、完成したサンプルＤＳ２２を実際に駆動して発光させ（ステップＳ４）、その表示画面内に輝線欠陥が含まれているか否かを検査・確認する（ステップＳ５、Ｓ６）。
【００６３】
そして、サンプルＤＳ２２につき、輝線欠陥が発見されたときは（ステップＳ６；ＮＯ）、最後に、完成したサンプルＤＳ３３を実際に駆動して発光させ（ステップＳ４）、その表示画面内に輝線欠陥が含まれているか否かを検査・確認する（ステップＳ５、Ｓ６）。
【００６４】
これらにより、ステップＳ５及びＳ６における確認結果に基づいて、有機ＥＬ表示パネルＤの量産時における各層の厚さを含む検査諸元を設定する（ステップＳ７）。
【００６５】
このステップＳ７の処理についてより具体的には、第１の場合として、上記ステップＳ５及びＳ６における検査・確認処理においてサンプルＤＳ２２及びＤＳ３３に輝線欠陥が発生し且つサンプルＤＳ１１には輝線欠陥が生じていない場合、当該サンプルＤＳ１１乃至ＤＳ３３が製造された製造ラインの諸元においては、高さが１．０μｍ以上の凸状欠陥がＯＣ膜５の表面に形成されても輝線欠陥の原因とはならないが、同じ凸状欠陥がバリア層４より上の層に形成されているときは輝線欠陥の原因となってしまうことになる。
【００６６】
一方、第２の場合として、上記ステップＳ５及びＳ６における検査・確認処理においてサンプルＤＳ３３にのみに輝線欠陥が発生し且つサンプルＤＳ１１及びＤＳ２２には輝線欠陥が生じていない場合、当該サンプルＤＳ１１乃至ＤＳ３３が製造された製造ラインの諸元においては、高さが１．０μｍ以上の凸状欠陥がバリア膜４の表面に形成されても基線欠陥の原因とはならないが、同じ凸状欠陥が陽極３より上の層に形成されているときは輝線欠陥の原因となってしまうことになる。
【００６７】
他方、第３の場合として、上記ステップＳ５及びＳ６における検査・確認処理において全てのサンプルＤＳ１１乃至ＤＳ３３に輝線欠陥が発生した場合、当該サンプルＤＳ１１乃至ＤＳ３３が製造された製造ラインの諸元においては、高さが１．０μｍ以上の凸状欠陥がＯＣ層５より上の層に形成されているときは輝線欠陥の原因となってしまうことになる。
【００６８】
従って、当該製造ラインを用いた有機ＥＬ表示パネルＤの量産時において、当該製造ラインを経て製造された有機ＥＬ表示パネルＤの検査諸元につき、その凸状欠陥の高さが１．０μｍである場合の成長位置を上記第１乃至第３の場合に則って特定して検査するように当該検査諸元を設定すれば、高さが１．０μｍの凸状欠陥に起因する不良品を確実に除外して良品のみを出荷することができる。
【００６９】
そして、上記ステップＳ７の処理により検査諸元が設定された後は、当該検査諸元を適用した検査装置を用いて製造後の有機ＥＬ表示パネルＤの検査が行われつつ当該有機ＥＬ表示パネルＤが量産される（ステップＳ８）。
【００７０】
その後、今度は粒径０．５μｍの標準粒子３０Ｂを用いて上述した第２実施形態の検査諸元の設定を行えば、標準粒子３０Ｃを用いた場合と同様に、上記ステップＳ５及びＳ６における検査・確認処理においてサンプルＤＳ２２及びＤＳ３３に輝線欠陥が発生し且つサンプルＤＳ１１には輝線欠陥が生じていない場合、当該サンプルＤＳ１１乃至ＤＳ３３が製造された製造ラインの諸元においては、高さが０．５μｍ以上の凸状欠陥がＯＣ膜５の表面に形成されても基線欠陥の原因とはならないが、同じ凸状欠陥がバリア層４より上の層に形成されているときは輝線欠陥の原因となってしまうことになる。
【００７１】
一方、上記ステップＳ５及びＳ６における検査・確認処理においてサンプルＤＳ３３にのみに輝線欠陥が発生し且つサンプルＤＳ１１及びＤＳ２２には輝線欠陥が生じていない場合、当該サンプルＤＳ１１乃至ＤＳ３３が製造された製造ラインの諸元においては、高さが０．５μｍ以上の凸状欠陥がバリア膜４の表面に形成されても基線欠陥の原因とはならないが、同じ凸状欠陥が陽極３より上の層に形成されているときは輝線欠陥の原因となってしまうことになる。
【００７２】
他方、上記ステップＳ５及びＳ６における検査・確認処理において全てのサンプルＤＳ１１乃至ＤＳ３３に輝線欠陥が発生した場合、当該サンプルＤＳ１１乃至ＤＳ３３が製造された製造ラインの諸元においては、高さが０．５μｍ以上の凸状欠陥がＯＣ層５より上の層に形成されているときは輝線欠陥の原因となってしまうことになる。
【００７３】
従って、当該製造ラインを用いた有機ＥＬ表示パネルＤの量産時において、当該製造ラインを経て製造された有機ＥＬ表示パネルＤの検査諸元につき、その凸状欠陥の高さが０．５μｍである場合の成長位置を上記三つの場合に則って特定して検査するように当該検査諸元を設定すれば、高さが０．５μｍの凸状欠陥に起因する不良品を確実に除外して良品のみを出荷することができる。
【００７４】
更に、全く同様に粒径０．２μｍの標準粒子３０Ａを用いて上述した第２実施形態の検査諸元の設定を行えば、標準粒子３０Ｃ又は３０Ｂを用いた場合と同様に、上記ステップＳ５及びＳ６における検査・確認処理においてサンプルＤＳ２２及びＤＳ３３に輝線欠陥が発生し且つサンプルＤＳ１１には輝線欠陥が生じていない場合、当該サンプルＤＳ１１乃至ＤＳ３３が製造された製造ラインの諸元においては、高さが０．２μｍ以上の凸状欠陥がＯＣ膜５の表面に形成されても基線欠陥の原因とはならないが、同じ凸状欠陥がバリア層４より上の層に形成されているときは輝線欠陥の原因となってしまうことになる。
【００７５】
一方、上記ステップＳ５及びＳ６における検査・確認処理においてサンプルＤＳ３３にのみに輝線欠陥が発生し且つサンプルＤＳ１１及びＤＳ２２には輝線欠陥が生じていない場合、当該サンプルＤＳ１１乃至ＤＳ３３が製造された製造ラインの諸元においては、高さが０．２μｍ以上の凸状欠陥がバリア膜４の表面に形成されても基線欠陥の原因とはならないが、同じ凸状欠陥が陽極３より上の層に形成されているときは輝線欠陥の原因となってしまうことになる。
【００７６】
他方、上記ステップＳ５及びＳ６における検査・確認処理において全てのサンプルＤＳ１１乃至ＤＳ３３に輝線欠陥が発生した場合、当該サンプルＤＳ１１乃至ＤＳ３３が製造された製造ラインの諸元においては、高さが０．２μｍ以上の凸状欠陥がＯＣ層５より上の層に形成されているときは輝線欠陥の原因となってしまうことになる。
【００７７】
従って、当該製造ラインを用いた有機ＥＬ表示パネルＤの量産時において、当該製造ラインを経て製造された有機ＥＬ表示パネルＤの検査諸元につき、その凸状欠陥の高さが０．５μｍである場合の成長位置を上記三つの場合に則って特定して検査するように当該検査諸元を設定すれば、高さが０．２μｍの凸状欠陥に起因する不良品を確実に除外して良品のみを出荷することができる。
【００７８】
以上説明したように、第２実施形態に係る検査諸元の設定方法によれば、ＯＣ層５、バリア層４又は陽極３の形成後、当該各層の表面に同一粒径の標準粒子を散布して検査諸元設定用のサンプルＤＳ１１乃至ＤＳ３３を完成させ、その完成されたサンプルＤＳ１１乃至ＤＳ３３における輝線の欠陥の有無を検査し、その検査結果としての輝線欠陥の有無と、散布された標準粒子の直径と、に基づいて検査諸元を設定するので、輝線欠陥の有無と標準粒子の直径との相関関係から当該凸状欠陥の影響を局限するための検査諸元を設定することができる。
【００７９】
また、同一の粒径の標準粒子が相互に異なる層に夫々散布された複数のサンプルＤＳ１１乃至ＤＳ３３を完成させて検査諸元を設定するので、より正確且つ欠陥の影響を局限可能な検査諸元を効果的に設定することができる。
【００８０】
なお、上述した第１実施形態の検査諸元設定方法と第２実施形態の検査諸元設定方法とを組み合わせれば、より詳細に各層毎に検査基準を異ならせて検査を行うことができる。
【００８１】
すなわち、より具体的には、ＯＣ層５まで基板８上に形成した三つのサンプル上に上記三種類の標準粒子３０Ａ乃至３０Ｃを夫々散布して第１のサンプル群とし、バリア層４まで基板８上に形成した三つのサンプル上に上記三種類の標準粒子３０Ａ乃至３０Ｃを夫々散布して第２のサンプル群とし、陽極３まで基板８上に形成した三つのサンプル上に上記三種類の標準粒子３０Ａ乃至３０Ｃを夫々散布して第３のサンプル群とする。
【００８２】
そして、第１のサンプル群に対して第１実施形態において説明した検査諸元設定方法を適用してＯＣ層５上に凸状欠陥が形成された場合の検査諸元を設定し、第２のサンプル群に対して第１実施形態において説明した検査諸元設定方法を適用してバリア層４上に凸状欠陥ができた場合の検査諸元を設定し、更に第３のサンプル群に対して第１実施形態において説明した検査諸元設定方法を適用して陽極３上に凸状欠陥が形成された場合の検査諸元を設定する。これらにより、凸状欠陥が形成された層毎に異なる検査諸元を設けることができ、更に正確且つ欠陥の影響を局限するための検査諸元を効果的に設定することができる。
【００８３】
（III）第３実施形態
次に、上記第１実施形態又は第２実施形態に係る検査諸元設定方法により検査諸元を設定して有機ＥＬ表示パネルＤの品質保証のための検査を行う検査装置の実施形態について、図５を用いて説明する。なお、図５は第３実施形態に係る検査装置の概要構成を示す図である。
【００８４】
図５に示すように、第３実施形態に係る検査装置Ｃは、ベルト２１上を搬送されてくる完成した有機ＥＬパネルＤを、非破壊で例えば光学的に検査する検査装置２０と、当該検査装置２０を用いて実際の検査を行う品質検査手段としての検査部２２と、当該検査のために必要な情報を地区的記憶するデータベース２３と、上記第１実施形態又は第２実施形態として夫々説明した検査諸元設定方法により設定された検査諸元を入力するために用いられるキーボード及びマウスを含む入力部２４と、検査結果等を表示するディスプレイ２５と、を備えて構成される。
【００８５】
そして、上記第１実施形態又は第２実施形態において設定される検査諸元を用いて検査装置Ｃにより量産後の有機ＥＬ表示パネルＤを検査することで、凸状欠陥の有無と標準粒子３０Ａ乃至３０Ｃの粒径との相関関係から当該凸状欠陥の影響を局限することが可能な検査ができることになるのである。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
以上夫々説明したように、本発明の標準粒子を用いた検査諸元の設定方法はＣＣＭ方式の有機ＥＬ表示パネルＤの品質保証のための検査装置の分野に利用することが可能であるが、この他に、アクティブ型の有機ＥＬ表示パネルにおける欠陥の検査又はパッシブ型の有機ＥＬ表示パネルにおける欠陥の検査に適用することも可能である。
【００８７】
また、これ以外に、例えば液晶表示パネル又はプラズマ表示パネル等、薄膜化されている表示装置における欠陥の検査全般に適用することができ、当該欠陥に関する品質保証の確実な履行等、顕著な効果を奏し得る。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】各実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示す断面図である。
【図２】第１実施形態及び第２実施形態に係る検査諸元設定方法を示すフローチャートである。
【図３】第１実施形態に係るサンプルの構造を夫々に示す断面図であり、（ａ）は第１の構造を示す断面図であり、（ｂ）は第２の構造を示す断面図であり、（ｃ）は第３の構造を示す断面図である。
【図４】第２実施形態に係るサンプルの構造を夫々に示す断面図であり、（ａ）は第１の構造を示す断面図であり、（ｂ）は第２の構造を示す断面図であり、（ｃ）は第３の構造を示す断面図である。
【図５】第３実施形態に係る検査装置の概要構成を示す図である。
【符号の説明】
【００８９】
Ｄ    有機ＥＬ表示パネル
１    陰極
２    ＥＬ層
１０    ギャップ
３    陽極
４    バリア層
５    ＯＣ層
６    多機能層
７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ    カラーフィルタ
９    ブラックマトリックス
８    基板
３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ    標準粒子
ＤＳ１、ＤＳ２、ＤＳ３、ＤＳ１１、ＤＳ２２、ＤＳ３３    サンプル
Ｃ    検査装置
２２    検査部
２３    データベース
２４    入力部
２５    ディスプレイ
【図１】
2005121487.tif 000003
【図２】
2005121487.tif 000004
【図３】
2005121487.tif 000005
【図４】
2005121487.tif 000006
【図５】
2005121487.tif 000007