(57)【要約】【課題】焼成炉内発生ガスの飽和を抑制すること。【解決手段】気化物質が付着するプラズマディスプレイパネルの基板５を昇温する昇温室２は、第１分室２−ｊと移送器２２の移送方向下流側の第２分室２−ｋを有している。第２分室２−ｋの温度は第１分室２−ｊの温度より高く設定されている。排気配管１１の中の換気空気は、排気配管１１の中で一方方向の排出方向に流れて排出される。このような排出方向と移送方向と温度勾配の組合せは、昇温室２の下流側領域のより高い温度の換気用空気が昇温室２の上流側領域のより低い温度の換気用空気に排気配管１１の中で混合し、排気配管１１の排気方向下流側の部位の温度低下が有効に抑制される。その温度低下の抑制効果は、排気配管１１の中の固体析出を防止し、排気配管１１の流路断面積の減少を有効に防止し、その中の蒸気圧飽和を有効に回避する。【選択図】          図２
2005129320.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気化物質が付着するプラズマディスプレイパネルの基板を昇温する昇温室と、
前記昇温室に換気用気体を導入する給気配管と、
前記昇温室の中の前記換気用気体を排出する排気配管と、
枝管と、
前記基板を前記昇温室の中で移送する移送器とを具備し、
前記昇温室は、第１分室と前記第１分室より前記移送器の移送方向下流側の第２分室を有し、前記第２分室の温度は前記第１分室の温度より高く、
前記枝管は、
前記第１分室の前記換気用気体を前記排気配管に誘導する第１技管と、
前記第２分室の前記換気用気体を前記排気配管に誘導する第２技管とを有し、
前記第１技管は、前記第２技管より前記排気配管の排出方向下流側に接続され、
前記排気配管の中の前記換気空気は、前記排気配管の中で一方方向の排出方向に流れて排出される
プラズマディスプレイパネル用焼成炉。
【請求項２】
前記第１技管が前記排気配管に接続する接続部位と前記第２技管が前記排気配管に接続する接続部位との間に介設される流量調整器を更に具備する
請求項１のプラズマディスプレイパネル用焼成炉。
【請求項３】
前記排気配管に接続する排気ファンを更に具備する
請求項１又は２のプラズマディスプレイパネル用焼成炉。
【請求項４】
前記排気ファンは、前記昇温室の前記換気用気体を前記排気配管に誘導する技管のうち、前記排気配管の排出方向の最も下流側に接続される技管より下流側に配置される
請求項３のプラズマディスプレイパネル用焼成炉。
【請求項５】
気化物質が付着するプラズマディスプレイパネルの基板を昇温室の中で移送するステップと、
前記移送するステップにおいて、前記昇温室の温度が前記基板を移送する方向に高くなる温度勾配を与えるステップと、
前記移送するステップにおいて、前記昇温室に換気用気体を導入するステップと、
前記移送するステップにおいて、前記昇温室から前記換気用気体を排出するステップと、
前記排出するステップで排出される前記換気用気体を排出管に排出するステップとを有し、
前記排出するステップは、
前記昇温室の第１部位の換気用空気を前記排出管の第１部位に導出するステップと、
前記第１部位より前記移送する方向の下流側の前記昇温室の第２部位の換気用空気を前記排出管の第２部位に導出するステップとを備え、
前記排出管の中の換気用空気の流れは前記排出管の前記第２部位から前記第１部位に向かう方向に形成される
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記排出管の前記第２部位と前記第１部位の間で換気用空気の流量を調整するステップ
を更に有する請求項５のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記排出管の前記第２部位から前記第１部位に向かう換気用空気の流れを強制的に形成するステップ
を更に有する請求項５又は６のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
プラズマディスプレイパネルを製造する第１過程と、
前記プラズマディスプレイパネルを駆動する回路とともに前記プラズマディスプレイパネルを一つのモジュールとして製造する第２過程と、
画像信号のフォーマット変換を行い、前記モジュールに送信するインターフェースを前記モジュールに電気的に接続する第３過程
とを備えるプラズマ表示装置の製造方法であり、
前記第１過程においては、請求項５〜７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法が実行される
プラズマ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル用焼成炉、その製造方法、及び、プラズマ表示装置の製造方法に関し、特に、プラズマディスプレイパネルを焼成炉の中に通して基板表面の有機溶剤を気化させて成分を焼成するプラズマディスプレイパネル用焼成炉、その製造方法、及び、プラズマ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰといわれる）の製造プロセスは、ガラス基板を焼成する焼成工程を含んでいる。ガラス基板は、その焼成工程を形成する焼成炉の中に搬入されて焼成される。搬入されるガラス基板には、ペーストのような化学物質が塗布されている。高温化される焼成炉の中で、その化学物質からガスが発生する。焼成炉の中で発生する焼成炉内発生ガスは、排気される必要がある。
【０００３】
焼成炉は、図７に示されるように、焼成炉本体１０１と、焼成炉本体１０１に換気用空気を導入する給気管１０２と、焼成炉本体１０１から換気用空気と焼成炉内発生ガスとを排気する排気管１０３とから構成されている。焼成炉本体１０１は、多段に分室化されている。ガラス基板１０４は、プレート１０５に載置されて、焼成処理温度が移送方向に順々に高くなる複数分室１０１−１，２，３，４に次々に通される。複数分室１０１−１，２，３，４の内部にはそれぞれに、排気枝管１０５−１，２，３，４が配置されている。排気枝管１０５−１，２，３，４のそれぞれの排気側端は、排気管１０３に接続されている。排気管１０３の中の換気用空気と焼成炉内発生ガスは、排気ファン１０６により吸引されて排出される（参考：後掲特許文献１）。排気枝管１０５−１，２，３，４にはそれぞれに、ダンパー１０７−１，２，３，４が介設されている。
【０００４】
焼成炉本体１０１に搬入されるガラス基板１０４に塗布されているペーストの溶剤分、樹脂分、その他の含有化学物質は、複数分室１０１−１，２，３，４の中でガスとして放出される。このように放出される焼成炉内発生ガスは、導入されるフレッシュな換気用空気とともに排気枝管１０５−１，２，３，４に吸い込まれ、排気管１０３で集められて、排気ファン１０６により強制的に排出される。複数分室１０１−１，２，３，４から排気される排気ガスの排気量はそれぞれに、ダンパー１０７−１，２，３，４の開閉度により調整される。
【０００５】
排気枝管１０５−１，２，３，４と排気管１０３とで構成される配管に接触する焼成炉内発生ガスは、冷却されて配管の内面で凝縮する。このように凝縮する凝縮物質は、配管の内面に堆積して配管の流路断面積を減少させる。流路断面積の低減は、排気量の低減を招く。排気量の低減は、複数分室１０１−１，２，３，４の中の焼成炉内発生ガスの飽和を招く。飽和した焼成炉内発生ガスは、炉内部の炉壁（天板）に固着する。炉壁に固着した固着物質は、時間の経過とともに脆くなって、炉壁内面から剥がれ落ちる。固形物質のこのような剥がれ落ちは、移送されるガラス基板の上面に異物を付着させて、異物不良の重大な原因である。炉内に充満する焼成炉内発生ガスがガラス基板の表裏面に再付着することは、基板の特性不良を招く。開閉度が調整されるダンパーの近傍の堆積は、断面積の急変を招き、特に問題視される。
【０００６】
焼成炉内発生ガスの飽和を抑制し、又は、それを回避することが求められる。特には、焼成炉内発生ガスの成分ガラス基板に再付着することを回避することが望まれる。
【特許文献１】特開２００１−２０８４７５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、焼成炉内発生ガスの飽和を抑制し、又は、それを回避するプラズマディスプレイパネル用焼成炉、プラズマディスプレイパネルの製造方法、及び、プラズマ表示装置の製造方法を提供することにある。
本発明の他の課題は、特には、焼成炉内発生ガスが基板に再付着することを回避することにより、プラズマディスプレイパネルとプラズマ表示装置を高品質化するプラズマディスプレイパネル用焼成炉、プラズマディスプレイパネルの製造方法、及び、プラズマ表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
その課題を解決するための手段が、下記のように表現される。その表現中に現れる技術的事項には、括弧（）つきで、番号、記号等が添記されている。その番号、記号等は、本発明の実施の複数の形態又は複数の実施例のうちの少なくとも１つの実施の形態又は複数の実施例を構成する技術的事項、特に、その実施の形態又は実施例に対応する図面に表現されている技術的事項に付せられている参照番号、参照記号等に一致している。このような参照番号、参照記号は、請求項記載の技術的事項と実施の形態又は実施例の技術的事項との対応・橋渡しを明確にしている。このような対応・橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の形態又は実施例の技術的事項に限定されて解釈されることを意味しない。
【０００９】
本発明によるプラズマディスプレイパネル用焼成炉は、気化物質が付着するプラズマディスプレイパネルの基板（５）を昇温する昇温室（２）と、昇温室（２）に換気用気体を導入する給気配管（９）と、昇温室（２）の中の換気用気体を排出する排気配管（１１）と、枝管（１４）と、基板（５）を昇温室（２）の中で移送する移送器（２２）とから構成されている。昇温室（２）は、第１分室（２−ｊ）と第１分室（２−ｊ）より移送器（２２）の移送方向下流側の第２分室（２−ｋ，ｋ＞ｊ）を有し、第２分室（２−ｋ）の温度は第１分室（２−ｊ）の温度より高く設定されている。枝管（１４）は、第１分室（２−ｊ）の換気用気体を排気配管（９）に誘導する第１技管（１４−ｊ）と、第２分室（２−ｋ）の換気用気体を排気配管１１に誘導する第２技管（１４−ｋ）とから形成されている。第１技管（１４−ｊ）は、第２技管（１４−ｋ）より排気配管（１１）の排出方向下流側に接続されている。排気配管（１１）の中の換気空気は、排気配管（１１）の中で一方方向の排出方向に流れて排出される。
【００１０】
このような排出方向と移送方向と温度勾配の組合せは、昇温室（２）の下流側領域のより高い温度の換気用空気が昇温室（２）の上流側領域のより低い温度の換気用空気に排気配管（１１）の中で混合し、排気配管（１１）の排気方向下流側の部位の温度低下が有効に抑制される。このような温度低下の抑制効果は、排気配管（１１）の中の固体析出を防止し、排気配管（１１）の流路断面積の減少を有効に防止し、流量が適正化されて昇温室（２）の中の蒸気圧飽和を有効に回避することができる。
【００１１】
第１技管（１４−ｊ）が排気配管（１１）に接続する接続部位（１６−ｊ）と第２技管（１４−ｋ）が排気配管（１１）に接続する接続部位（１６−ｋ）との間に介設される流量調整器（２１−ｊ）が追加されている。流量調整器（２１）は、流量の適正化により既述の蒸気圧飽和を有効に防止する。流量調整器（２１）の中の流路断面積の低下は、既述の温度降下抑制効果により有効に抑制される。このような分室の複数化と流量調整器の複数化と流量調整器の配置関係の組合せは、流量の適正化と温度低下の有効な防止を更に促進することができる。
【００１２】
排気配管（１１）に接続する排気ファン（１９）が更に追加される。排気フアン（１９）は排気配管（１１）の下流側に配置され、上流側枝管の接続部位は排気フアン（１９）より排出方向上流側に位置する。排気ファン（１９）は、昇温室（２）の換気用気体を排気配管（１１）に誘導する技管のうち、排気配管（１１）の排出方向の最も下流側に接続される技管より下流側に配置されることが特に効果的である。
【００１３】
本発明によるプラズマ表示装置の製造方法は、気化物質が付着するプラズマディスプレイパネルの基板（５）を昇温室（２）の中で移送するステップと、その移送するステップにおいて、昇温室（２）の温度が基板（５）を移送する方向に高くなる温度勾配を与えるステップと、その移送するステップにおいて、昇温室（２）に換気用気体を導入するステップと、その移送するステップにおいて、昇温室（２）から換気用気体を排出するステップと、排出するステップで排出される換気用気体を排出管（１１）に排出するステップとから構成されている。その排出するステップは、昇温室（２）の第１部位の換気用空気を排出管（１１）の第１部位に導出するステップと、第１部位より移送する方向の下流側の昇温室（２）の第２部位の換気用空気を排出管（１１）の第２部位に導出するステップとから形成されている。排出管（１１）の中の換気用空気の流れは、排出管（１１）の第２部位から第１部位に向かう方向に形成される。その流れが強制的に形成されることは、特に有効である。
【００１４】
本発明によるプラズマ表示装置の製造方法は、プラズマディスプレイパネルを製造する第１過程と、プラズマディスプレイパネルを駆動する回路とともにプラズマディスプレイパネルを一つのモジュールとして製造する第２過程と、画像信号のフォーマット変換を行い、モジュールに送信するインターフェースをモジュールに電気的に接続する第３過程とから構成されている。第１過程においては、既述のプラズマディスプレイパネルの製造方法が実行されることが重要である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によるプラズマディスプレイパネル用焼成炉、その製造方法、及び、プラズマ表示装置の製造方法は、焼成炉内発生ガスの飽和を抑制し、又は、それを回避し、焼成炉内発生ガスの成分がガラス基板に再付着することを回避することができる。このような焼成炉は、プラズマディスプレイパネルの製造工程とプラズマ表示装置の製造工程で利用されることが効果的である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明によるプラズマディスプレイパネル用焼成炉の最良の形態は、図に対応して、以下に具体的に記述される。焼成炉本体１は、図１に示されるように、昇温部分２と、キープ部分３と、冷却部分４とから構成されている。昇温部分２は、複数の昇温分室２−１，２，３，４に分室化されている。キープ部分３は、複数のキープ分室３−１，２，３，４に分室化されている。
【００１７】
冷却部分４は、複数の冷却分室４−１，２，３，４，５に分室化されている。ガラス基板５は、焼成炉本体１の入口側６から搬入され、焼成炉本体１の出口側７から搬出される。ガラス基板５を移送する搬送路は、焼成炉本体１の中で一連続に形成されている。ガラス基板５は、プレート８に載置されプレート８と同体に移送される。
【００１８】
昇温分室２−１，２，３，４の内部の温度は、移送方向に順次に高く設定されている。図２に示されるように、入口側６により近い昇温分室２−１の炉内設定温度は、その昇温分室２−１より入口側６からより遠い昇温分室２−２の炉内設定温度よりも低く設定されている。移送方向下流側に位置する昇温分室（例示：昇温分室２−４）の炉内設定温度は、移送方向上流側に位置する昇温分室（例示：昇温分室２−１）の炉内設定温度よりもより高く設定されている。
【００１９】
複数のキープ分室３−１，２，３，４のそれぞれの炉内設定温度は概ね等温である一定温度に設定されている。その一定温度は、移送方向に最も前方に配置される最終段の昇温分室２−４の炉内設定温度に概ね等しい。
【００２０】
冷却分室４−１，２，３，４の内部の温度は、移送方向に順次に低く設定されている。出口側７からより遠い冷却分室４−１の炉内設定温度は、その冷却分室４−１より出口側７により近い冷却分室４−２の炉内設定温度よりも高く設定されている。移送方向下流側に位置する冷却分室（例示：冷却分室４−５）の炉内設定温度は、移送方向上流側に位置する冷却分室（例示：冷却分室４−１）の炉内温度よりもより低く設定されている。
【００２１】
図３は、温度段差が与えられている既述の昇温分室２−１，２，３，４に換気用空気を導入しその換気用空気を排出する換気系統を具体的に示している。その換気系統は、給気配管９と排気配管１１とその他の配管とから構成されている。昇温分室２−１，２，３，４の中にそれぞれに換気用空気１２を導入する給気用分岐管１３のそれぞれの一端部は、給気配管９からそれぞれに並列に分岐している。複数の給気用分岐管１３のそれぞれには、昇温分室２−１，２，３，４の内部として形成される換気室に換気用空気を放出する放出孔が形成されている。
【００２２】
昇温分室２−１，２，３，４の中からそれぞれに換気用空気１２を吸引する吸引用分岐管１４は、排気配管１１からそれぞれに並列に分岐している。複数の吸引用分岐管１４のそれぞれの一端部は、排気配管１１に接続している。排気配管１１に接続する複数の吸引用分岐管１４のそれぞれには、昇温分室２−１，２，３，４の既述の換気室から換気用空気を吸入する吸入孔が形成されている。
【００２３】
任意の吸引用分岐管１４は、図４に示されるように、環状に形成されている環状部分１５と導出部分１６とから形成されている。図４は、昇温分室２−ｊ（ｊ＝１，２，３，４）に位置対応して配置される１つの吸引用分岐管１４を示している。環状部分１５は、昇温分室２−ｊの内部に通される分室内通過部分１７と、昇温分室２−ｊの外部に配置される分室外配置部分１８とから形成されている。分室内通過部分１７と分室外配置部分１８とは、内部に換気用空気を通す環状流路を形成している。分室内通過部分１７は、昇温分室２−ｊの内部の換気用空気を吸引する。分室外配置部分１８は、分室内通過部分１７が吸引した換気用空気を導出部分１６に誘導する。導出部分１６の一端は環状部分１５の分室外配置部分１８に接続し、導出部分１６の他端は排気配管１１に接続している。複数の導出部分１６のそれぞれの他端は、排気配管１１に共通に接続している。
【００２４】
昇温分室２−１，２，３，４の中の気体を吸引して排気配管１１にそれぞれにその気体を誘導する導出部分１６−１，２，３，４は、図３に示されるように、昇温分室２−１，２，３，４にそれぞれに位置対応して配置されている。排気機器である排気フアン１９は、排気配管１１の一端側である下流側に配置されて排気配管１１に接続している。最低温度に設定される昇温分室２−１に対応する導出部分１６−１は、排気フアン１９に最も近い位置で排気配管１１に接続している。最高温度に設定される昇温分室２−４に対応する導出部分１６−４は、排気フアン１９から最も遠い位置で排気配管１１に接続している。導出部分１６−１は排気配管１１の最下流側で接続し、導出部分１６−４は排気配管１１の最上流側で接続している。導出部分１６−３は、導出部分１６−４より下流側で排気配管１１に接続している。導出部分１６−２は、導出部分１６−１より上流側で排気配管１１に接続している。
【００２５】
ダンパー又は開閉弁で形成される複数の流量調整器２１−１，２，３，４は、排気配管１１に介設されている。導出部分１６−１は、流量調整器２１−１と排気フアン１９との間で排気配管１１に接続している。導出部分１６−２は、流量調整器２１−２と流量調整器２１−１との間で排気配管１１に接続している。導出部分１６−３は、流量調整器２１−３と流量調整器２１−２との間で排気配管１１に接続している。導出部分１６−４は、流量調整器２１−４と流量調整器２１−３との間で排気配管１１に接続している。流量調整器２１−４は最上流側で排気配管１１に介設され、流量調整器２１−１は最下流側で排気配管１１に介設されている。流量調整器２１−２は流量調整器２１−１より上流側に配置され、流量調整器２１−３は流量調整器２１−２より上流側に配置されている。排気配管１１は、キープ部分３の方に延長されることが可能である。
【００２６】
ガラス基板５は、移送専用のプレート８に載置されプレート８と同体に焼成炉本体１の中を貫通する移送路２２により移送され、昇温部分２の中を直進的に通過し次いでキープ部分３の中を直進的に通過し更に冷却部分４の中を直進的に通過する。移送路２２は、図４に示されるように、搬送ローラの集合により形成されている。
【００２７】
昇温分室２−１，２，３，４の中に共通の給気配管９を介して換気用空気が導入される。昇温分室２−１，２，３，４の中の温度、特には、昇温分室２−１，２，３，４の中の移送路２２のそれぞれの部位の温度は、図示されない温度調節器により設定温度Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４に調整されている。Ｔ４＞Ｔ３＞Ｔ２＞Ｔ１に設定される。Ｔ４＝６００゜Ｃ、Ｔ３＝４８０゜Ｃ、Ｔ２＝３６０゜Ｃ、Ｔ１＝２５０゜Ｃが適正に例示される。昇温部分２の中で連続的に流れを形成するガラス基板５は、段々に高くなる温度雰囲気に順次に置かれ、急激な温度上昇に起因する反り、その他の弊害の発生が有効に回避される。
【００２８】
ガラス基板５の基板面には、電極その他のプラズマ発光回路を形成するための回路原形が多様な物質で描かれている。そのような物質として、有機溶媒に必要な物質が溶かされたペーストが適正に例示される。有機溶媒は、昇温分室２−１，２，３，４を順次に通過する間に気化して昇温分室２−１，２，３，４の中で分散する。そのように気化する焼成炉内発生ガスは、昇温分室２−１，２，３，４の中に導入される換気用気体（換気用空気）に混合し、換気用気体の流れに乗って、温度勾配に対応して多段に配置される複数の吸引用分岐管１４の導出部分１６−１，２，３，４に吸引されて、共通の排気配管１１に吸引される。
【００２９】
導出部分１６−４を介して排気配管１１に吸引される焼成炉内発生ガスの温度Ｔ４’は、概ねＴ４（＝６００゜Ｃ）に等しい。導出部分１６−３を介して排気配管１１に吸引される焼成炉内発生ガスの温度Ｔ３’は、排気配管１１に吸引される吸引点で概ねＴ３（＝４８０゜Ｃ）に等しい。導出部分１６−３より僅かに下流側である流れ位置の焼成炉内発生ガスの温度は、６００゜Ｃと４８０゜との間の中間点温度（＝５４０゜Ｃ）に概ね等しい。導出部分１６−２を介して排気配管１１に吸引される焼成炉内発生ガスの温度Ｔ２’は、排気配管１１に吸引される吸引点で概ねＴ２（＝３６０゜Ｃ）に等しい。導出部分１６−２より僅かに下流側である流れ位置の焼成炉内発生ガスの温度は、５４０゜Ｃと３６０゜との間の中間点温度（＝４５０゜Ｃ）に概ね等しい。導出部分１６−１を介して排気配管１１に吸引される焼成炉内発生ガスの温度Ｔ１’は、排気配管１１に吸引される吸引点で概ねＴ１（＝２５０゜Ｃ）に等しい。導出部分１６−１より僅かに下流側である流れ位置の焼成炉内発生ガスの温度は、４５０゜Ｃと２５０゜Ｃとの間の中間点温度（＝３５０゜Ｃ）に概ね等しい。排気配管１１の中のこのような焼成炉内発生ガスの温度低下は、排気配管１１の表面から熱放散がないと仮定された場合の計算に基づいている。現実の温度低下により、流量調整器２１−１を通過する焼成炉内発生ガスは、３５０゜Ｃより低いが、２５０゜Ｃより低くなることはない。
【００３０】
流量調整器２１−１が位置している位置点で、その位置点を通過する焼成炉内発生ガスの温度は規定温度より低くならない。そのような規定温度として、２５０゜Ｃが適正に例示される。２５０゜Ｃ以上の温度の焼成炉内発生ガスは、気体状態を維持し析出して固体化して排気配管１１の内面に堆積することがなく、且つ、流量調整器２１−１，２，３，４の弁表面に堆積することがない。流量調整器２１−１，２，３，４を含む排気配管１１の内部の流路断面積は、長時間的に設定断面積に保持される。
【００３１】
このように排気配管１１の中の流路断面積が設定断面積に維持されることにより、給気配管９から供給され排気フアン１９から排出される換気空気の単位時間当たりの流量は適正な設計流量に維持される。適正流量の維持は、昇温分室２−１，２，３，４の中の焼成炉内発生ガスのそれぞれの分圧を飽和蒸気圧以下に適正に維持する。それぞれの分圧のこのような適正な維持は、昇温分室２−１，２，３，４の中の焼成炉内発生ガスの固体化析出を有効に防止し、その固体が昇温分室２−１，２，３，４の壁面特に天井面更には基板面に析出して付着し堆積することを有効に防止することができる。このような防止は、天井面から剥がれ落ちる固形物質が基板面に付着することを防止することができる。
【００３２】
より下流側の分室のより高い温度の換気空気は、より上流側の分室のより低い換気用空気の温度上昇を促し、排気配管１１の最下流側の内壁面と最下流側の流量調整器２１−１の温度上昇を促し、流路断面積の低減を有効に防止し、且つ、温度エネルギーを節減する効果がある。
【００３３】
図５は、昇温処理対象の既述のガラス基板５を含むプラズマディスプレイパネルを示している。プラズマディスプレイパネル３０は、前面基板２３と背面基板２４とから構成されている。前面基板２３は、透明ガラス基板２５と走査電極２６と維持電極２７とから形成されている。走査電極２６と維持電極２７は、互いに平行に形成されている。走査電極２６は、第１バス電極２８と第１透明電極２９とから形成されている。維持電極２７は、第２透明電極３１と第２バス電極３２とから形成されている。
【００３４】
背面基板２４は、透明ガラス基板３３と透明ガラス基板３３に形成されるデータ電極３４と白色誘電体層３５と隔壁３６とから形成されている。データ電極３４は、走査電極２６と維持電極２７に対して直交する方向に延びて形成されている。白色誘電体層３５は、透明ガラス基板３３の上に形成されて、データ電極３４を被覆している。隔壁３６は、白色誘電体層３５の上に形成されて表示セルを区画している。
【００３５】
隔壁３６の側面と白色誘電体層３５の表面には、放電ガスの放電により発生する紫外線を可視光に変換する蛍光体層３７が形成されている。蛍光体層３７は、表示セル毎に光学的３原色のＲ，Ｇ，Ｂに塗り分けられている。
【００３６】
前面基板２３と背面基板２４は、１００μｍ程度のギャップを隔てて互いに対向して互いに固定されていて、前面基板２３と透明ガラス基板３３との間の隙間は周辺領域で密着材により気密的に密封されて密閉空間を形成している。放電ガス空間を規定するその密閉空間には、ヘリウム、ネオン、キセノン、又は、これらの適正比率の混合ガスが放電ガスとして密封的に充填されている。
【００３７】
背面基板２４を構成する透明ガラス基板３３には、適正箇所に通気孔が形成され、透明ガラス基板３３の外側表面には通気管（図示されず）が通気孔に位置合わせされて密封条件下で配置されている。その通気管の端部（透明ガラス基板３３に取り付けられる端部とは異なる端部）である開口部を介して排気兼充填装置からガスが密閉空間にガス交換的に充填される。密閉空間であるガス放電空間の内部のガスが排気され、次いで、放電ガスがその放電空間に充填された後に、その通気管はチップオンされ通気孔の既述の開口部は閉塞される。図５に示される両面基板２３，２４がこのように接合固定され放電ガスが密封的に充填されて、プラズマディスプレイパネルが完成される。
【００３８】
次に、本発明の一実施の形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法を以下に説明する。先ず、透明ガラス基板２５の上に走査電極２６、維持電極２７を形成し、この走査電極２６及び維持電極２７を覆うように誘電体層３８及びＭｇＯからなる表面保護膜３９を形成して前面基板２３を作製する。また、透明電極基板３３の上にデータ電極３４を形成し、このデータ電極３４上に白色誘電体層３５、隔壁３６及び蛍光体層３７を形成して背面基板２４を作製する。前面基板２３と背面基板２４を貼り合わせて、プラズマディスプレイパネルが完成する。前述の走査電極２６及び維持電極２７、データ電極３４、隔壁３６、蛍光体層３７を形成する各工程において、透明ガラス基板上にペースト層を形成した後、このペースト層を加熱して焼成する。この焼成過程において、本発明の焼成炉を用いる。
【００３９】
図６は、このようにして形成されたプラズマディスプレイパネルを含むプラズマ表示装置４０の構造を示すブロック図である。図６に示すように、本プラズマ表示装置４０は、モジュール構造を有するものとして設計されており、具体的には、アナログインターフェース４１とプラズマディスプレイパネルモジュール４２とから構成されている。アナログインターフェース４１は、クロマ・デコーダを備えるＹ／Ｃ分離回路４３と、Ａ／Ｄ変換回路４４と、ＰＬＬ回路を備える同期信号制御回路４５と、画像フォーマット変換回路５１と、逆γ（ガンマ）変換回路４７と、システム・コントロール回路４８と、ＰＬＥ制御回路４９と、から構成されている。概略的には、アナログインターフェース４１は、受信したアナログ映像信号をデジタル映像信号に変換した後、そのデジタル映像信号をプラズマディスプレイパネルモジュール４２に供給する。例えば、テレビチューナーから発信されたアナログ映像信号はＹ／Ｃ分離回路４３においてＲＧＢの各色の輝度信号に分解された後、Ａ／Ｄ変換回路４４においてディジタル信号に変換される。その後、プラズマディスプレイパネルモジュール４２の画素構成と映像信号の画素構成が異なる場合には、画像フォーマット変換回路５１において必要な画像フォーマットの変換が行われる。
【００４０】
プラズマディスプレイパネルの入力信号に対する表示輝度の特性は線形的に比例するが、通常の映像信号はＣＲＴの特性に合わせて、予め補正（γ変換）されている。このため、Ａ／Ｄ変換回路４４において映像信号のＡ／Ｄ変換を行った後、逆γ変換回路４７において、映像信号に対して逆γ変換を施し、線形特性に復元されたディジタル映像信号を生成する。このディジタル映像信号はＲＧＢ映像信号としてプラズマディスプレイパネルモジュール４２に出力される。
【００４１】
アナログ映像信号には、Ａ／Ｄ変換用のサンプリングクロック及びデータクロック信号が含まれていないため、同期信号制御回路４５に内蔵されているＰＬＬ回路が、アナログ映像信号と同時に供給される水平同期信号を基準として、サンプリングクロック及びデータクロック信号を生成し、プラズマディスプレイパネルモジュール４２に出力する。
【００４２】
アナログインターフェース４１のＰＬＥ制御回路４９は輝度制御を行う。具体的には、平均輝度レベルが所定値以下である場合には表示輝度を上昇させ、平均輝度レベルが所定値を越える場合には表示輝度を低下させる。システムコントロール回路４８は、各種制御信号をプラズマディスプレイパネルモジュール４２に対して出力する。
【００４３】
プラズマディスプレイパネルモジュール４２は、さらに、ディジタル信号処理・制御回路５１と、パネル部５２と、ＤＣ／ＤＣコンバータを内蔵するモジュール電源回路５３と、から構成されている。ディジタル信号処理・制御回路５１は、入力インターフェース信号処理回路５４と、フレームメモリ５５と、メモリ制御回路５６と、ドライバ制御回路５７と、から構成されている。例えば、入力インターフェース信号処理回路５４に入力された映像信号の平均輝度レベルは入力インターフェース信号処理回路５４内の中の入力信号平均輝度レベル演算回路（図示せず）により計算され、例えば、５ビットデータとして出力される。また、ＰＬＥ制御回路４９は、平均輝度レベルに応じてＰＬＥ制御データを設定し、入力インターフェース信号処理回路５４内の中の輝度レベル制御回路（図示せず）に入力する。
【００４４】
ディジタル信号処理・制御回路５１は、入力インターフェース信号処理回路５４において、これらの各種信号を処理した後、制御信号をパネル部５２に送信する。同時に、メモリ制御回路５６及びドライバ制御回路５７はメモリ制御信号及びドライバ制御信号をパネル部５２に送信する。パネル部５２は、上述の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法により製造されたプラズマディスプレイパネル３０と、走査電極を駆動する走査ドライバ５８と、データ電極を駆動するデータドライバ５９と、プラズマディスプレイパネル３０及び走査ドライバ５８にパルス電圧を供給する高圧パルス回路６１と、高圧パルス回路６１からの余剰電力を回収する電力回収回路６２と、から構成されている。
【００４５】
プラズマディスプレイパネル３０は１３６５個×７６８個に配列された画素を有するものとして構成されている。プラズマディスプレイパネル３０においては、走査ドライバ５８が走査電極を制御し、データドライバ５９がデータ電極を制御することにより、これらの画素のうちの所定の画素の点灯または非点灯が制御され、所望の表示が行われる。
【００４６】
なお、ロジック用電源がディジタル信号処理・制御回路５１及びパネル部５２にロジック用電力を供給している。さらに、モジュール内電源回路５３は、表示用電源から直流電力を供給され、この直流電力の電圧を所定の電圧に変換した後、パネル部５２に供給している。
【００４７】
以下、プラズマ表示装置４０の製造方法を概略的に説明する。先ず、上述の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法により製造したプラズマディスプレイパネル３０と、走査ドライバ５８と、データドライバ５９と、高圧パルス回路６１と、電力回収回路６２とを一基板上に配置し、パネル部５２を形成する。さらに、パネル部５２とは別個にディジタル信号処理・制御回路５１を形成する。
【００４８】
このようにして形成されたパネル部５２及びディジタル信号処理・制御回路５１とモジュール内電源回路５３とを一つのモジュールとして組み立て、プラズマディスプレイパネルモジュール４２を形成する。さらに、プラズマディスプレイパネルモジュール４２とは別個にアナログインターフェース４１を形成する。
【００４９】
このように、プラズマディスプレイパネルモジュール４２とアナログインターフェース４１とをそれぞれ別個に形成した後、双方を電気的に接続することにより、図６に示したプラズマディスプレイパネル４０が完成する。このようにプラズマディスプレイパネル３０をモジュール化することにより、プラズマ表示装置を構成する他の構造部品とは別個独立にプラズマディスプレイパネル３０を製造することが可能になり、例えば、プラズマ表示装置において、プラズマディスプレイパネル３０が故障した場合には、プラズマディスプレイパネルモジュール４２毎交換することにより、補修の簡素化及び短時間化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】図１は、本発明によるプラズマディスプレイパネル用焼成炉の実施の形態を示す平面図である。
【図２】図２は、温度勾配を示すグラフである。
【図３】図３は、図１の平面断面図である。
【図４】図４は、図３の側面断面図である。
【図５】図５は、プラズマディスプレイパネルを示す斜軸投影図である。
【図６】図６は、プラズマデ表示装置の回路を示す回路ブロック図である。
【図７】図７は、公知装置を示す平面断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
２…昇温室
２−ｊ…第１分室
２−ｋ…第２分室
５…基板
９…給気配管
１１…排気配管
１４…枝管
１９…排気ファン
２１…流量調整器
２２…移送器
【図１】
2005129320.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2005129320.tif 000006
【図５】
2005129320.tif 000007
【図６】
2005129320.tif 000008
【図７】
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