(57)【要約】【課題】  電気的接続方法に関し、比較的に小さな押圧力で確実な電気的な接続を得ることができ、そして、接触子を端子から離れさせることができるようにすることを目的とする。【解決手段】  電気的接続方法は、電気回路１４に接続された接触子１８を電子部品１０の端子１２に接触させ、前記接触子１８を通して前記端子に通電して所望の処理を行い、しかる後に前記接触子と前記端子とを分離する電気的接続方法において、前記接触子或いは前記端子にエネルギーを印加することにより、前記端子１２の前記接触子１８への接触部を局部的に軟化せしめた状態にて、前記所望の処理を行う構成とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路に接続された接触子を電子部品の端子に接触させ、前記接触子を通して前記端子に通電して所望の処理を行い、しかる後前記接触子と前記端子とを分離する電気的接続方法に於いて、前記接触子或いは前記端子にエネルギーを印加することにより、前記端子の前記接触子への接触部を軟化せしめた状態にて、前記所望の処理を行うことを特徴とする電気的接続方法。
【請求項２】
前記所望の処理が、当該電子部品の試験であることを特徴とする請求項１記載の電気的接続方法。
【請求項３】
前記所望の処理が、当該電子部品への情報の書き込み、消去あるいは当該電子部品からの情報の読出しであることを特徴とする請求項１記載の電気的接続方法。
【請求項４】
前記接触子へのエネルギーの印加は、当該接触子を加熱することに行われることを特徴とする請求項１記載の電気的接続方法。
【請求項５】
前記接触子へのエネルギーの印加は、ヒータによる加熱、誘導加熱、或いはレーザー照射による加熱の何れか少なくとも１つによりなされることを特徴とする請求項１、４記載の電気的接続方法。
【請求項６】
前記電子部品の端子へのエネルギーの印加は、前記接触子からの熱伝導によりなされることを特徴とする請求項１、４、５記載の電気的接続方法。
【請求項７】
前記電子部品の端子へのエネルギーの印加は、当該端子に対して、当該端子に接する複数の接触子を通して電流を流すことによりなされることを特徴とする請求項１記載の電気的接続方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気的接続方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩウエハ、ＬＳＩチップ、ＣＳＰなど、多数の微細な端子を有する半導体素子からなる電子部品の試験にあっては、試験装置の電気回路に接続された接触子（試験用接触子）を当該電子部品の端子に電気的に接続し、試験用接触子から電子部品の端子に電圧を印加し、電流を流して当該電子部品の試験を行う。
【０００３】
また、電気回路に接続された接触子を、情報の記憶・保持機能を有する半導体素子を含む電子部品の端子に電気的に接続し、当該電子部品に対し情報を書き込み又は当該電子部品から情報の読み出しを行う。
【０００４】
電子部品の端子と回路基板の端子などを接続する場合、安定した接続手段として、従来から、はんだづけ（半田付け）による機械的・電気的接続法が行われている。
【０００５】
しかしながら、はんだづけによる接続は永続的な接続であり、分離するためにははんだを除去する必要がある。
【０００６】
従って、電子部品の試験、或いは当該電子部品への情報書込或いは読み出しなどのように、これらの処理の後当該接触子と電子部品の端子とを分離するような、一時的な接続の場合には適用は困難であった。
【０００７】
このため電子部品の試験、或いは情報の書込・読み出しにおいては、一般的にソケットを介して仮接続の加圧接続が行われる。
【０００８】
この場合、ソケットに配設された接触子を電子部品の端子に物理的・機械的に押しつけるだけであるので、接触子と端子との接触界面の状態により電気伝導度が左右される。
【０００９】
即ち、接触子及び或いは端子の表面には酸化膜や汚染物膜などが存在し、高い皮膜抵抗が存在する可能性が極めて高い。また、接触子及び端子のそれぞれの表面は微視的には凹凸があり、電気的な接続は両者の表面における微細な凸（突）部の接触のみで行われるので、実質的な接触面積は小となり、高い集中抵抗が発生する。
【００１０】
当該「皮膜抵抗」と「集中抵抗」は、加圧による仮接続の際にみられる「接触抵抗」の殆どを占めている。
【００１１】
このため従来は、接触圧力をより高めて、端子の表面及び或いは接触子の表面の皮膜を破ることにより「皮膜抵抗」の影響を低減し、また接触面積を増加せしめて接触子と端子との接触界面における「集中抵抗」を低下させる方法がとられてきた。
【００１２】
特開平１１−１３３０７５号公報（特許文献１）は、１つの電極パッドに２つの接触用探針を接触させるようにした電気的特性測定装置を開示している。
【００１３】
この従来技術では、一方の接触用探針を接地電位に固定し、他方の接触用探針に電圧を印加して、電極パッドと接触用探針との間の接触抵抗を測定し、接触抵抗値が適当な値でなければ電気的特性測定を中止し、接触抵抗値が適当な値であれば電気的特性測定を継続することが行われる。
【００１４】
特開平７−０１２８９２号公報（特許文献２）は、試験用回路基板に絶縁膜を積層し、絶縁膜は試験用回路基板の電極を取り囲むポケットを有するように加工されてなる半導体素子の検査方法を開示している。
【００１５】
半導体素子の端子ははんだバンプからなり、当該はんだバンプは加熱されて溶融した状態で、試験用回路基板のポケットに挿入される。半導体素子の端子は試験用回路基板の電極に接触しつつポケットの形状に従って塑性変形し、低い押圧力で安定した電気的な接続を行うことができるとされている。
【００１６】
しかしながら、かかる接触方法にあっては、はんだバンプが溶融して回路基板の電極と接合されてしまうので、分離が困難である。
【００１７】
特開平１１−０２３６５６号公報（特許文献３）は、半導体装置と、その上面に半導体装置の端子と同じパターンの電極パッドを有する且つその下面にプローブ接触用電極パッドを有する試験用基板と、試験用プローブを有する試験装置とからなるＩＣの検査方法を開示している。
【００１８】
試験用基板の電極パッドは半導体装置の端子よりも小さく、試験用基板の表面から突出して、半導体装置の端子に接触する。
【００１９】
しかしながら、かかる接触方法にあっても、皮膜抵抗、集中抵抗を低下させるには、より高い押圧力が必要である。
【００２０】
特開平１１−０９７４９７号公報（特許文献４）は、半導体装置のはんだボールに対応する位置に開口部を有し、２つの接触子が開口部内で対向するように固定されている半導体検査治具を開示している。はんだボールは半導体検査治具の開口部に挿入され、２つの接触子に接触する。
【００２１】
この従来技術では、はんだボールの高さのバラツキに影響されずに、接触子は比較的に大きな接触面積ではんだボールに接触して、接触子がはんだボールの表面の酸化膜や塵などを押し出すことで皮膜抵抗を低下させるとともに、端子表面を接触子表面が移動することで真の接触面積を増やして集中抵抗を減少させ、もって電気的接触抵抗を減少させることができる。
【００２２】
しかしながら、この従来技術では、１端子あたり０．２〜０．３Ｎの接触圧力を負荷する必要がある。
【００２３】
現在、環境汚染の防止のために、上記端子材料は、鉛（Ｐｂ）を含むはんだから、鉛を含まないはんだ（鉛フリーはんだ）の適用に移行しつつある。
【００２４】
鉛フリーはんだを用いて形成される端子は、硬度が高いため、前述の従来技術によって安定した電気的接触を行うには、例えばボール径φ０．３ｍｍ以上のはんだ球端子では、１端子あたりの接触圧力を０．３〜０．４Ｎとする必要がある。
【００２５】
従って、端子を鉛フリーはんだにて構成したＬＳＩチップの端子と検査装置のソケットにおける接触子との間に、低抵抗かつ安定した電気的接触を得るためには、例えば当該ＬＳＩチップの端子数が１０００個程度である場合、総圧力で３００〜４００Ｎ以上の圧力を加えることが必要となる場合がある。
【００２６】
一方、前記ＬＳＩチップは、電子機器への高密度実装を可能とする為に、封止部を含めた外形が当該ＬＳＩチップの外形寸法に近い、いわゆるチップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）形態とされ、且つＬＳＩチップを構成する半導体基板の薄形化も図られて、より小形化が図られつつある。
【００２７】
また、当該ＬＳＩチップが搭載された容器・パッケージ或いは支持基板に於ける外部接続用端子構造として、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）或いはランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）などが採用されつつある。ＬＳＩチップの高集積化・高機能化に伴い、当該外部接続用端子の多数化（多ピン化）が要求され、外部接続端子数が１０００端子以上とされた半導体装置が出現している。
【００２８】
一方、高密度実装の手段として、複数のＬＳＩチップを相互に積層、或いは支持基板を介して積層する構造がとられつつある。
【００２９】
このような、高密度実装構成は、加わる外力に対する耐性が低く、上述のような大きな総圧力が加えられた場合、当該ＬＳＩチップの割れなどを招来する恐れがある。
【００３０】
従って、電気的接触時に電子部品に加えられる力を、より小さな値とすることが求められている。
【００３１】
また、接触圧力を増加させ、電子部品に加わる力を大きくすると、ソケットおよび試験用基板などの強度を上げる必要も生じ、総じてコストの上昇を招く。
【００３２】
【特許文献１】特開平１１−１３３０７５号公報
【特許文献２】特開平７−０１２８９２号公報
【特許文献３】特開平１１−０２３６５６号公報
【特許文献４】特開平１１−０９７４９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３３】
接触子と電子部品の電極とを接触させる際、両者の間に加えられる押圧力を低くして電子部品および電子部品の端子へのダメージを小さくすると共に、集中抵抗および皮膜抵抗を低減して安定した低抵抗接続がなされ、且つ試験など所望の処置の終了後には接触子と電子部品の電極とを容易に分離することが可能な接触方法が求められている。
【００３４】
本発明は、試験装置などの電気回路に接続された接触子と電子部品の端子との電気的接続を得ようとする際、比較的小さな押圧力をもって、低抵抗で且つ確実な電気的接続を得ると共に、接触子を端子から分離する際には、容易に分離させることを可能とした電気的接続方法および電子部品の試験方法、あるいは電子部品への情報の書き込み、消去あるいは当該電子部品からの情報の読出し方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００３５】
本発明による電気的接続方法は、電気回路に接続された接触子を電子部品の端子に接触させ、エネルギーの印加により当該端子の接触子との接触領域を局部的に軟化させ、しかる後接触子と端子間に電流を流して所定の作業を行い、当該作業の終了後接触子を端子から分離することを特徴とする。
【００３６】
さらに、本発明による電子部品の試験方法は、試験用接触子を電子部品の端子に接触させ、エネルギーの印加により電子部品の端子の試験用接触子との接触領域を局部的に軟化させ、電子部品の端子と試験用接触子に電流を流して電子部品の試験を行い、しかる後接触子を端子から容易に分離することを特徴とする。
【００３７】
即ち、本発明によれば、接触子と電子部品の端子との接触領域に対しエネルギーを選択的に印加して、当該接触領域に於ける少なくとも電子部品の端子の表面を局部的に軟化させる。
【００３８】
尚、試験或いは動作時の印可電流によって軟化が生じてしまう端子が用いられた電子部品は、実使用に耐えない品質の低いものであることから、当該端子には実使用時には軟化が生じない材質が選択されている。
【００３９】
本発明にあっては、電子部品の端子に対し、かかる試験或いは動作時の印可電流とは別のエネルギーを、接触子を介して供給することにより、接触子に接する端子の表面部を軟化せしめ、かかる接触部分における接触子と端子との接触面積の実質的な増加を図り、接触子と端子との間の集中抵抗を低下せしめ、もって両者の間の接触抵抗を低下させる。
【００４０】
エネルギーの印加は、接触子を電子部品の端子に物理的に接触させる前、或いは接触子を電子部品の端子に物理的に接触させた後に、当該接触子に対して行う。
【００４１】
即ち、予めエネルギーが印加されることによって加熱・昇温された接触子が電子部品の端子に接触することにより、或いは接触子と電子部品の端子とが接触している状態において接触子にエネルギーが与えられて当該接触子が加熱・昇温されることにより、当該接触子に接する電子部品の端子部分を加熱し、もって当該電子部品端子の表面の一部を軟化させる。
【００４２】
いずれの場合も、エネルギーの印加は一時的に行われ、電子部品の端子の接触子との接触領域付近が部分的、選択的に加熱され、当該端子の表面の一部が軟化される。
【００４３】
電子部品の端子の表面が軟化した状態に於いて、接触子と当該電子部品の端子との間に押圧力が印加されると、電子部品の端子と接触子との接触面積が実施的に増加し、比較的小さな押圧力であっても、接触子と電子部品の端子との間は接触抵抗の低い良好な電気的接続がなされる。
【００４４】
また端子の接触面に於ける酸化皮膜などの皮膜も軟化するため、小さな押圧力で破れ、当該皮膜の下に接触子が容易に侵入でき、端子の金属部分と接触する。このため、皮膜抵抗の影響も殆ど受けることなく、良好な電気的接続がなされる。
【００４５】
従って、本発明によれば、比較的低い押圧力をもって、良好な電気的接続を実現することができる。
【００４６】
接触子と電子部品の端子は、当該電子部品の端子表面の一部が局部的に軟化し、接触した状態で電気的に接続されているため、接触子と電子部品の端子との結合力は、はんだ付けなどの機械的接続法がとられた場合よりも小さい。
【００４７】
従って、試験など所望の作業の後、接触子と電子部品の端子とを分離することは、両者の間の押圧力を開放することにより容易に行うことができる。
【００４８】
本発明にあっては、前記エネルギーの印加手段の一つとして、ヒータを適用することができる。
【００４９】
当該ヒータは、接触子の先端部を急速に加熱することができるように、当該接触子の先端部近傍に配設される。
【００５０】
当該接触子の加熱は、当該接触子と電子部品の端子との物理的な接触がなされる前或いは後の何れであっても良い。
【００５１】
接触子の先端部を熱する結果、その熱が接触子から電子部品の端子へ伝わり、端子と接触子の接触部分は軟化する。この時、端子全体の変形を招くことの無いよう、温度，時間などが選択される。
【００５２】
当該電子部品がＣＳＰであると、接触子とＣＳＰの端子とを接触させた後に接触子を加熱する場合、或いは接触子を熱した後にＣＳＰの端子を接触させる場合の何れであっても、１端子当たり０．０３〜０．０４Ｎと、従来技術の１／１０程度の低い圧力によって、より低い接触抵抗の電気的接続を得ることができる。
【００５３】
電子部品の端子は軟化して接触子に密着するが、接触子の表面めっき層材料などについて端子材料と金属間結合を生じない材料を予め選択することにより、接触子と端子との不要な結合を防ぐことができる。例えば端子材料がはんだの場合、銅合金或いは炭素工具鋼（以下ＳＫ材）により形成された接触子の表面に、白金、ロジウム、ルテニウム、或いはパラジウムなどの白金系材料を主体とした材料をもってめっき層を配設することにより、当該接触子にはんだが付着することを防止・低減することができる。
【００５４】
接触子と電子回路の端子を低抵抗接触させた状態で、接触子に接続されている試験回路などの電気回路を動作させることで、電子部品に対して試験など所望の処理を実施する。
【００５５】
当該処理の終了後、接触子を電子部品の端子から分離する。
【００５６】
接触子を加熱するためのエネルギーの印加手段として、電子部品の端子の一つに複数の接触子を接触させ、当該複数の接触子間に電流を流すことにより発生するジュール熱を利用して、当該接触子に接する端子の接触部を軟化させることができる。
【００５７】
このような手段によれば、加熱機構を設けないことから、前記ヒータを用いての加熱に比べ、接触子部分の構成の簡略化を図ることができ、接触子自体の構造上の制約が減少して、その適用の自由度を高めることができる。
【００５８】
なお、この場合、加熱のための電流が電子部品自体の端子間に流入しないよう、当該電子部品の１端子毎に、接触子と接触，通電処理を行い、当該接触子と端子との低抵抗接触を実現する。
【００５９】
一つの端子に接触している複数の接触子間相互間の抵抗を検出し、端子と接触子との間の接触抵抗が所定の抵抗値以下となったならば、試験など所望の処理を行う。この時、端子の変形が起こらない温度範囲で処理を行うべく、温度検出素子により接触部近傍の温度を監視しつつ実施する。
【００６０】
接触子へのエネルギーの印加手段としては、前述の如きヒータによる加熱、あるいはジュール熱を利用することの他に、
ａ．電磁誘導により接触子の内部に交番電流を発生せしめての電磁誘導加熱
ｂ．接触子先端、及びあるいは当該接触子と端子との接触部位近傍へのレーザー光の照射
などの手段を執ることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６１】
以下本発明の実施例について、図面を参照して説明する。
【００６２】
本発明による電気的接続方法の基本的構成を、図１に示すところの、被処理電子部品の端子と電気回路に接続された接触子との接続構造、並びに図２に示すフローチャートをもって説明する。
【００６３】
図１において、電子部品１０は、突起電極からなる外部接続端子（以下端子）１２を有するＬＳＩチップである。
【００６４】
ＬＳＩチップ１０は複数個の端子を具備するが、図２に於いては、１つの端子１２のみ示している。
【００６５】
また所定の電気回路（図示せず）に接続された回路基板１４にも、複数の電極パッドが配設されるが、図では一つの電極パッド１６のみを示す。
【００６６】
更に、接触子１８は、図示されない支持構造をもって機械的に支持され、その両端部が上記端子１２及び電極パッド１６に接し、両者を電気的に接続する。
【００６７】
本発明によれば、まず電気回路１４に接続された接触子１８を電子部品１０の端子１２に接触させる。（図２、ステップ５０）
接触子１８を電子部品１０の端子１２に接触させ、ＬＳＩチップ１０を電気回路１４に対して、矢印Ｐで示されるように押圧する。
【００６８】
次いで、端子１２の接触子１８との接触部近傍に対して、エネルギーを印加（矢印Ｅ）して、端子１２の表面を局部的に軟化せしめる。（ステップ５１）
エネルギーの印加は、短時間に且つ局所的に行われ、接触子１８が端子１２に電気的に安定して接続された後は当該エネルギーの印加は停止される。
【００６９】
尚、良好な接触が得られた状態に於いて、必要に応じて、接触子１８及び端子１２を、試験など対象とする処理に対応した周囲温度にまで冷却してもよい。
【００７０】
次いで、接触子１８から端子１２に対し、電圧及び／又は電流を印加して、当該ＬＳＩチップの試験など所定の作業を行う。（ステップ５２）
しかる後、接触子１８を端子１２から分離する。（ステップ５３）
本発明にかかる、前記エネルギーの印加は、接触子１８を電子部品１０の端子１２に物理的に接触させる前、又は接触子１８を電子部品１０の端子１２に物理的に接触させた後であっても良い。
【００７１】
いずれの場合も、接触子１８がＬＳＩチップ１０の端子１２に接触している状態で、接触子１３と端子１２との接触部に対し、加熱などのエネルギーの印加が局所的に行われ、接触子１３に接する端子１２の表面の一部が軟化される。端子１２の表面が軟化する結果、当該端子と接触子との接触面積が実質的に拡大し、両者はより低抵抗の接触状態を実現する。
【００７２】
また、本発明によれば、エネルギーの印加により、電子部品１０の端子１２の表面が軟化するので、エネルギーが与えられない即ち常温のである場合に比べより小さな押圧力で、電子部品１０の端子１２の表面に存在する酸化膜等の皮膜を破ることができ、端子１２と接触子１８との接触界面の密着度が向上する。
【００７３】
このため電子部品の端子と接触子との間に、皮膜抵抗及び集中抵抗が極めて小さい接触状態が形成される。
【００７４】
従って、接触子１８と端子１２とが比較的に低い押圧力、即ち従来法に比べ１／２〜１／５０の押圧力をもって、電気的に安定な接触状態に於いて、所望の作業を行うことができる。
【００７５】
また、電子部品１０の端子１２と接触子１８とは、電子部品１０の端子１２の一部が局部的に軟化した状態で接触子１８に機械的に接触して電気的に接続されているので、分離に要する力ははんだ付けを行う場合に比して十分小さく、当該接触子１８と電子部品１０の端子１２とを容易に分離することができる。
【００７６】
このような本発明は、回路基板１４を試験用回路基板とし、接触子１８を試験用端子として用いての、ＬＳＩチップなど電子部品１０の試験に適用することができる。
【００７７】
また、回路基板１４を電子部品への記録保持機能を有する情報処理回路基板とし、接触子１８を情報の書き込み・読み出し（記録・消去）用端子として用いての、情報の記憶機能を有するＬＳＩチップなど電子部品１０へのプログラム或いは画像情報などの書き込み・消去、或いは電子部品１０からの情報の読み出しなどの処理に適用することができる。
【００７８】
勿論、これ以外の適用も当業者が必要に応じて行うことができる。
【００７９】
本発明にかかる電子部品の試験方法の、基本的な手順を図３に示す。
【００８０】
本発明によれば、まず試験用接触子１８を電子部品１０の端子１２に接触させる。（図３  ステップ５０ａ）
次いで、エネルギーの印加によって、電子部品１０の端子１２の試験用接触子１８との接触部を局部的に軟化させ、両者の接触面積の実質的拡大を図る。（ステップ５１ａ）
次いで、電子部品１０の端子１２と試験用接触子１８に電圧及び／あるいは電流を印加して、電子部品１０に対し所定の試験を行う。（ステップ５２ａ）
当該試験の終了後、接触子１８と端子１２とを分離する。（ステップ５３ａ）
前記接触子１８の構成例を図４に示す。
【００８１】
同図に於いて、図４（Ａ）は、上下の接触部１８ｐ，１８ｑの間にバネ１８ｓを配設して、スプリングプローブと称される接触子の一例である。
【００８２】
また図４（Ｂ）は、屈曲し、弾性変形可能な金属板からなる接触子の一例を示す。勿論板状に限られず、屈曲した丸棒状であっても良い。
【００８３】
更に、図４（Ｃ）は、電子部品１０の端子１２に対応する位置に開口部１９ｂを有する絶縁基板１９ａと、片持ち梁状に且つ前記開口部１９ｂ内に於いて端面が対向する如く当該絶縁基板１９ａの一方の主面に固定された２つの接触子１８ｐ，１８ｑを示す。
【００８４】
電子部品１０の端子１２は、絶縁基板１９ａの他方の主面側から開口部１９ｂ内に挿入され、２つの接触子１８ｐ，１８ｑに接触する。
【００８５】
接触子１８ｐ，１８ｑは、電子部品１０の端子１２に対し弾性的に接触する。
【００８６】
本発明においては、これらの接触子１８のいずれか、又はその他の形態の接触子を使用することができる。
【００８７】
以下、本発明について、より詳細な実施例をもって説明する。
［実施例１］
本発明の第１実施例による電子部品の試験方法と、かかる試験方法を実施する試験装置の概略の構成、及び当該試験装置に於ける被試験電子部品の端子と試験用接触子との接触方法を、図５乃至図８に示す。
【００８８】
そしてこの試験方法・接触方法の実施にかかる処理工程フローを、図９に示す。
【００８９】
図５に於いて、ＬＳＩチップなどの被試験電子部品１０は、端子１２を有する。
【００９０】
一方、回路基板１４上の電極パッド（図示せず）と電子部品１０の端子１２との間には、ソケット２０に保持されて接触子１８が配設される。
【００９１】
当該ソケット２０の上方には、バネ２１を介して受け台２２が弾性支持される。当該受け台２２には、前記電子部品１０の端子１２に対応して、当該端子１２を受容可能な開口部２３が配設される。
【００９２】
また、ソケット２０内には、接触子１８の先端部に接触或いは近接して、ヒータ２４を配置し、さらに接触子１８の先端部に近い位置に、温度検出素子２５を配置する。
【００９３】
一方、回路基板１４は試験信号発生回路２６に接続され、ヒータ２４はヒータ制御回路２７に接続される。接触子１８の温度は、温度検出素子２５を介して検出され、ヒータ制御回路２７にフィードバックされて制御される。
【００９４】
本発明によれば、図６に示されるように、被試験電子部品１０は、その端子１２が受け台２２の開口２３に受容されて当該受け台２２に載置される。
【００９５】
次いで、図７に示されるように、被試験電子部品１０に対し、バネ２１に抗する圧力Ｐが加えられ、電子部品の端子１２と接触子１８との接触がなされる。（図９  ステップ６０）
本発明によれば、この時、前記ヒータ２４により接触子１８に対しエネルギーが与えられ、当該接触子１８の昇温により、当該接触子１８に接する端子１２に局部的な軟化が生ずる。（ステップ６１）
当該エネルギーの印加は、接触子１８をヒータ２４によって加熱することによりなされ、当該接触子１８が接する電子部品１０の端子１２の被接触部が熱伝導により加熱され、軟化して、両者の接触面積が実質的に増加する。
【００９６】
ここで、ヒータ２４による加熱は、電子部品１０の端子１２を接触子１８に接触させた状態で行って良く、或いは当該ヒータ２４によって接触子１８のみを予め十分加熱し、端子１０との接触は当該ヒータ２４を切った状態で行う方法の何れであっても良い。
【００９７】
図９に於いて、ステップ６０からステップ６３は、電子部品１０の端子１２を接触子１８に接触させた後に、接触子１８を加熱する手順をとった場合を示す。
【００９８】
当該加熱の状態は、温度検出素子２５により検出された温度により制御され（ステップ６２）、所定温度に達した後加熱を終了する。（ステップ６３）
一方、接触子１８を予め加熱し、ヒータ２４を切った後に、接触子１８を電子部品１０の端子１２に接触させる手順をとった場合をステップ７０〜ステップ７３に示す。
【００９９】
接触子１８をヒータ２４によって加熱し（ステップ７０）、温度検出素子２５により検出した温度により制御し（ステップ７１）、所定温度に達した後加熱を終了する。（ステップ７２）
しかる後、電子部品１０を回路基板１４に対して加圧し、電子部品１０の端子１２を接触子１８に接触させ、接触部を局部的に軟化する。（ステップ７３）
このように、接触子１８のみを加熱し、ヒータ２４を切った後に、当該接触子１８と電子部品１０の端子１２とを接触させる場合は、接触子１８の熱容量により端子１２と接触子１８の接触部を暖めることになるため、接触子１８および端子１２の構造・材料に対応して温度を予め調整する必要がある。
【０１００】
ヒータ２４により加熱を行う際、電子部品１０の端子１２がなまり（Ｐｂ）フリーはんだである場合には、接触子１８を高融点はんだの融点よりも低い温度である２００℃近傍まで加熱し、加熱ヒータ２４の電源を切断した後に、電子部品１０を１端子あたり０．０１Ｎの加圧を行い、接触子１８と電子部品１０の端子との低抵抗接触を実現する。
【０１０１】
かかる接触方法によれば、接触子１８として、タングステン（Ｗ）にニッケルめっきを施したもの、或いは銅合金にロジウムめっきを施したものを適用して、平均０．０５Ω程の接触抵抗とすることができる。ロジウムに代えて、パラジウムとコバルトとの合金めっきを施しても良い。
【０１０２】
次いで、かかる低抵抗接触状態において、所定の電気的試験を実施する。（ステップ６４）
当該電気的試験においては、安定した低抵抗接触をもって試験を行うことができる。
【０１０３】
所定の電気的試験が終了した後、電子部品１０の接触子１８に対する加圧を終了する。（ステップ６５）
この結果、図８に示されるように、電子部品１０は受け台２２のばね２１により上方に押し上げられ、接触子１８と電子部品１０の端子１２との接触は容易に分離・開放される。
［実施例２］
本発明の第２実施例による電子部品の試験方法の実施にかかる、試験用接触子と電子部品の端子との接触方法を、図１０に示す。
【０１０４】
当該試験方法・接触方法の実施にかかる処理工程フローを、図１１に示す。
【０１０５】
図１０に示される試験装置の構成は、前記第１実施例における構成と同様の構成を有するが、本実施例にあっては、電子部品の端子と接触子との接続部へのエネルギーの印加手段が異なる。
【０１０６】
尚、図１０に於いて、前記第１実施例の説明に対応する箇所には、同一の番号を付している。
【０１０７】
本実施例２にあっても、電気回路１４に接続された接触子１８を電子部品１０の端子１２に接触させる。即ち、被試験電子部品１０に対し、バネ２１に抗する圧力Ｐが加えられ、電子部品の端子１２と接触子１８との接触がなされる。
【０１０８】
本実施例にあっては、電子部品の端子１２に対し、その表面に２本の接触子１８ａ，１８ｂを分離して接触させ、当該接触子１８ａ−端子１２−１８ｂ間に電流を流すことにより、発生するジュール熱をもって接触子１８を加熱する。加熱用電流は電流制御回路２８から供給される。
【０１０９】
即ち、まず電子部品１０を回路基板１４に対して加圧し、当該電子部品１０の端子１２を接触子１８ａ，１８ｂに接触させる。（図１１、ステップ８０）
電流制御回路２８から２つの接触子１８ａ，１８ｂの間に電流を流し、発生するジュール熱を利用して、接触子１８ａ，１８ｂに接する端子１２の被接触部を軟化せしめる。（ステップ８１）
２つの接触子１８ａ−１８ｂ間の抵抗が閾値以下となったかを検出（ステップ８２）し、閾値以下となった場合、または温度検出素子２５が検出した温度が規定値に達した場合（ステップ８６）には電流供給を終了する。（ステップ８３）
即ち、本実施例によれば、ジュール熱を利用して端子１２の接触子１８との接触部分を軟化させて当該接触子１８との接触面積を増大させることにより、集中抵抗を低下せしめる。
【０１１０】
またこの時、端子１２の表面に存在する酸化膜などの皮膜が軟化し、接触子１８が当該皮膜を貫通することが容易となり、当該接触子１８と端子１０の金属部との金属間接触が良好になされ、接触抵抗が減少する。
【０１１１】
次いで、かかる低抵抗接触状態で、所定の電気的試験を実施する。（ステップ８４）
この時、接触子１８ａ，１８ｂは、信号切換ＳＷにより、電流制御回路２８から試験信号発生回路２６へ切替えられ接続される。即ち、当該試験時には、接触子１８ａ，１８ｂは並列に端子１２へ接続され、接触抵抗は一層低下する。
【０１１２】
試験終了後、電子部品１０への加圧を終了し、電子部品１０の端子１２と接触子１８との接触を分離・開放する。（ステップ８５）
前記電流制御回路２８の構成を図１２に示す。
【０１１３】
また接触子１８ａ，１８ｂが電子部品の端子１０に接触した状態に於ける等価回路を図１３に示す。
【０１１４】
電流制御回路２８は、直流電源２９、スイッチ３０、信号切換スイッチ３１を含む。
【０１１５】
Ｖｃは直流電源２９の電圧、Ｒｃ１は接触子１８ａと端子１２間の接触抵抗、Ｒｃ２は接触子１８ｂと端子１２間の接触抵抗であり、Ｒｏは端子１２内の抵抗である。
【０１１６】
ここで、はんだを主体とする端子１２に於ける接触子１８ａ−１８ｂ間の抵抗Ｒｏは、約０．０１Ωであり、第１の接触子１８ａと端子１２間の接触抵抗Ｒｃ１、及び第２の接触子１８ｂと端子１２間の接触抵抗Ｒｃ２は、それぞれ０．０５〜０．５Ωである。
【０１１７】
接触抵抗Ｒｃ１およびＲｃ２が０．５Ωの場合、電流が約４．９Ａ流れ、接触抵抗で消費した電力は１１．８Ｗである。
【０１１８】
スイッチ３０を閉じて、０．０２秒ほどで、抵抗値は０．０５Ωまで下がり、スイッチ３０を開放とした。
【０１１９】
この時に消費される電力からして端子１２および接触子１８の温度上昇は微少なものであり、周囲の影響が大きいため、周囲への放熱その他による損失９５％とすると、消費エネルギー０．２４Ｊ、端子１２に熱として使用されたエネルギーが０．０１２Ｊとなる。端子１２の体積は、約０．０１mm3（φ０．３mmの場合）、接触子１８の体積は、０．０１mm3×２本である。
【０１２０】
端子１２の材料が、はんだ（Ｐｂ−Ｓｎ）の場合、比熱は約０．４２cal／ｇ℃、接触子１８の材料がＳＫ材の場合、比熱は約０．１２cal／ｇ℃であるので、１８０℃上昇したこととなる。
【０１２１】
当該端子１２の温度上昇により、酸化膜が破れ接触抵抗が下がり、安定した接触性が得られた。
【０１２２】
また、前の実施例と同様に接触子１８のめっきを白金系めっき、ルテニウム−コバルトまたはロジウムにしたところ、端子１２の材料が付着せず、繰返し接触の使用においても安定した回路接続性が得られた。
【０１２３】
なお、加熱時の電流は試験時の電流よりも大きい。加熱時の電流は１〜５Ａであり、試験時の電流は数μＡ〜５０ｍＡ程度である。
【０１２４】
本発明にあっては、図１０、図１１に示した方法を用いて電子部品の端子と２本の接触子との間に低抵抗接触を実現した後、当該電子部品の試験時には、２本の接触子の一方を試験用信号の供給用として用い、他方を接触状態の監視用として用いることもできる。
【０１２５】
即ち、図１４に示す接続構成に於いて、一方の接触子１８ａを接触状態の監視用として用いることにより、不良原因が接触子と端子との接触不良であるか否かを特定できる。従って、かかる場合には再試験を行うことにより、本来正常な電子部品を“不良”と判定することを防ぐことができる。
［実施例３］
本発明の第３実施例による電子部品の試験方法と、かかる試験方法を実施する電子部品の端子と試験用接触子との接触方法を、図１５に示す。
【０１２６】
当該試験方法・接触方法の実施にかかる処理工程フローを、図１６に示す。
【０１２７】
本実施例にあっては、前記第１の実施例に示したヒータによる加熱と、第２の実施例に示したジュール熱による加熱とを併用する。
【０１２８】
従って、図１５に示される試験装置は、前記第１実施例、第２実施例における構成と同様の構成を有する。
【０１２９】
本実施例にあっては、被試験電子部品１０を搭載し、加圧した後（図１６、ステップ９０）、接触子１８をヒータ２３により加熱（ステップ９１）するとともに、接触子１８ａ−端子１２−接触子１８ｂ間に電流を流すことにより発生するジュール熱により端子１２を加熱する。（ステップ９２）２つの加熱方法を併用することで、 加熱時間を短縮することができる。
【０１３０】
試験（ステップ９５）の終了後、加圧を終了する。（ステップ９６）
以上、第１乃至第３の実施例にあっては、電子部品の試験を対象として掲げたが、ここに説明した接触子の電子部品の端子への接触方法は、次の実施例に述べる半導体メモリ装置など電子部品への情報の書き込み・消去、あるいは読み出し処理などの際にも適用することができる。
［実施例４］
本発明の第４実施例による半導体記憶素子（メモリ）あるいは情報記憶用メモリを含むプロセッサー素子などの電子部品への情報の読出し・書き込み、あるいは消去処理と、かかる情報処理方法を実施するためになされる電子部品の端子と接触子との接触方法を、図１７に示す。
【０１３１】
本実施例に於ける情報処理方法を実施する際の、接触子と電子部品の端子との接続性の向上のための手段は、前記第１乃至第３実施例に掲げた方法と同様の手段である。
【０１３２】
即ち、本実施例にあって、メモリチップなどの被処理電子部品１０は、図１７に示されるように端子１２を有する。
【０１３３】
一方、回路基板１４上の電極パッド（図示せず）と電子部品１０の端子１２との間には、ソケット２０に保持されて接触子１８が配設される。
【０１３４】
当該ソケット２０の上方には、バネ２１を介して受け台２２が弾性支持される。当該受け台２２には、前記電子部品１０の端子１２に対応して、当該端子１２を受容可能な開口２３が配設される。
【０１３５】
また、ソケット２０内には、接触子１８の先端部に接触或いは近接して、ヒータ２４を配置し、さらに接触子１８の先端部に近い位置に、温度検出素子２５を配置する。
【０１３６】
一方、回路基板１４は情報記録制御回路３２に接続され、ヒータ２４はヒータ制御回路２７に接続される。
【０１３７】
本発明によれば、同図１７に示されるように、電子部品１０は、その端子１２が受け台２２の開口２３に受容されて受け台２２に載置される。
【０１３８】
被処理電子部品１０に対しては、バネ２１に抗する圧力Ｐが加えられ、電子部品の端子１２と接触子１８との接触がなされる。
【０１３９】
本発明によれば、前記ヒータ２４により接触子１８と端子１２との接触部に対し選択的にエネルギーが与えられ、当該端子１２の接触子１８との接触部に局部的な軟化が生ずる。（ステップ６１）
当該エネルギーの印加は、ヒータ２４によって接触子１８を加熱することによりなされる。これにより、電子部品１０の端子１２の接触子１８との接触部が局部的に軟化され、両者の接触面積が実質的に増加する。
【０１４０】
ここで、ヒータ２４による加熱は、電子部品１０の端子１２を接触子１８に接触させた状態で行って良く、或いは当該ヒータ２３によって接触子１８のみを予め十分加熱し、端子１０との接触は当該ヒータ２３を切った状態で行う方法の何れであっても良い。
【０１４１】
かかる方法により電子部品の端子と接触子との間の接触抵抗が実質的に低下された状態に於いて、情報記録制御回路３２を駆動し、電子部品に含まれる半導体メモリに対し、情報の読出し・書き込み、或いは消去処理を施す。この時、接触子と電子部品の端子との間の接触抵抗が十分低いことから、かかる読出し・書き込み、あるいは消去などの処理をより高速に、且つ高い信頼性をもって実施することができる。
【０１４２】
以上の実施例にあっては、接触子１８として、スプリングプローブと称される形態の接触子の適用を主体に説明したが、本発明は勿論これに限られるものではなく、例えば前記接触子１８ａ，１８ｂを同軸形態に一体に纏めた構造を有する接触子(以下同軸型接触子)を用いることもできる。
【０１４３】
同軸型接触子の構造を、軸方向に垂直な断面(図１８)、軸方向断面(図１９)をもって示す。
【０１４４】
即ち２つの接触子は、絶縁性筒体３３を介して同軸状に配置される。内部（中心）接触子３４ａは絶縁性筒体３３内に於いて分割され、且つバネ３５により軸方向に弾性的に動作可能に配設される。また他方の接触子３４ｂは絶縁性筒体３３の外周面に円筒状をなして配設される。
【０１４５】
このような同軸型接触子は、接触子３４ａが軸方向に弾性的に移動可能であり、また接触子３４ｂが円筒状であることから、図２０に示すように、端子１２がハンダバンプなどの様に半球状或いは球状を有する凸型形状であっても、当該凸型に対応して接触子３４ａは軸方向に後退しつつ弾性的に接触し、且つ接触子３４ｂはその円筒状端部の略全面にて接触する。
【０１４６】
従って、端子に対し、より良好な接触を実現することができる。
【０１４７】
尚、図２０に於いては、ソケット部の図示を省略する。
【０１４８】
本発明にあっては、前記一対の接触子１８ａ，１８ｂを共通の平面上に於いて、その端面が対向する如く近接配置した形態のものとしても良い。
【０１４９】
即ち、配線基板などの支持体に、電子部品の端子に対応して設けられた開口部に於いて、一対の接触子１８ａ，１８ｂが、その端面が対向するように、当該開口内に近接配置された形態とする。
【０１５０】
図２１〜図２３に示されるように、一対の接触子１８ａ，１８ｂは、配線基板３６に、被処理電子部品の端子に対応して配設された複数個の環状絶縁体３７それぞれの上に、開口３８内に位置してその端面が対向するように配設され、当該環状絶縁体３７に片持ち梁状に支持される。各接触子は、前記配線基板を介して試験装置など制御・処理装置に接続される。
【０１５１】
電子部品の端子は、環状絶縁体３７の開口３８に対応して置かれ、前記接触子１８ａ，１８ｂに接触する。
【０１５２】
このような接触子構造にあっては、端子１２がハンダバンプなどの様に半球状或いは球状を有する凸型形状である場合、押圧力に基づき、接触子１８ａ，１８ｂは当該凸型形状に対応して、環状絶縁体３７により画定された空間、即ち開口３８内に湾曲しつつ端子１２に弾性的に接触する。
【０１５３】
本発明の前記実施例にあっては、接触子に対しエネルギーを与える方法として、ヒータによる加熱、通電によるジュール熱加熱を掲げたが、このような手法の他、接触子を所謂パルスヒータをもって加熱する構成とすることもできる。
【０１５４】
図２４は、絶縁性材料からなるソケット２０に植立されたスプリングプローブ型接触子１８の近傍にパルスヒータ３９を配設した構成を示す。当該パルスヒータ３９は、パルススヒータ制御回路４０に接続され、制御される。
【０１５５】
また接触子１８は、試験信号発生回路２６など所望の処理・制御装置へ接続される。
【０１５６】
このような構成に於いて、パルスヒータ制御回路４０によりパルスヒータ３９に電流を流し、パルスヒータ３９の内部抵抗から発生するジュール熱により、接触子１８の先端部が加熱される。
【０１５７】
加熱された接触子１８と接触される端子１２（被図示せず）の表面が軟化し、接触子１８と端子１２との接触抵抗が低下したら、パルスヒータ３９による加熱を終了する。
【０１５８】
加熱終了後、接触子１８を試験信号発生回路２６などの処理・制御装置へ電気的に接続し、当該電子部品に試験など所望の処理を施す。
【０１５９】
処理終了後、接触子１８と端子１２を分離する。
【０１６０】
図２５は、パルスヒータ用制御回路を別個に設けず、パルスヒータ制御機能を試験信号発生装置２６に組み込んだ例を示す。
【０１６１】
更に、本発明にあっては、接触子へエネルギーを与える方法として、電磁誘導によりエネルギーを付与して発熱を生じさせることも適用できる。
【０１６２】
即ち、接触子に対して電磁誘導によってエネルギーを付与する手段としては、図２６〜図２８に示す構成の何れか、或いはこれらの構成の組合せを用いることができる。
【０１６３】
図２６に示す構成にあっては、スプリングプローブと称される接触子１８が複数個植立されたソケット２０の周囲に電磁誘導コイル４１が配置され、当該電磁誘導コイル４１は電磁誘導制御装置４２に接続される。
【０１６４】
電磁誘導コイル４１に高周波（５０ＫＨｚ以上）電流を印加することにより、ソケット２０内の接触子１８には電磁誘導により交番電流が生じ、当該接触子１８は発熱する。
【０１６５】
尚、接触子１８の先端部に近い位置に発熱による温度を検出するために温度検出素子２５を配設する。
【０１６６】
図２７に示す構成にあっては、同軸型接触子４３が複数個植立されたソケット２０の周囲に電磁誘導コイル４１が配置され、当該電磁誘導コイル４１は電磁誘導制御装置４２に接続される。
【０１６７】
電磁誘導コイル４１に高周波（５０ＫＨｚ以上）電流を印加することにより、ソケット２０内の同軸型接触子４３には電磁誘導により交番電流が生じ、ジュール熱により当該同軸型接触子４３は発熱する。尚、接触子１８の先端部に近い位置に発熱による温度を検出するために温度検出素子２５を配設する。
【０１６８】
かかる電磁誘導コイル４１は、図２８に示すように、ソケット２０内に於いて、個々の接触子１８の周囲にそれぞれ配設する構成としても良い。（ソケット２０は図示せず）
上記本発明の実施例にあっては、ＣＳＰなど半導体チップ形態を有する個別の電子デバイスの試験、情報処理を対象としたが、本発明はこれに限られるものではなく、半導体基板（半導体ウエハ）に形成された複数の電子部品のそれぞれに対して試験などの処理を行う際にも適用することができる。
【０１６９】
即ち、一つの半導体基板上に複数個形成され、所謂ウエハ状態にある電子部品に対して試験を行う際には、当該電子部品の電極端子にプローブ（接触子）を接触せしめ、当該プローブの電子部品の電極端子との接触部位近傍にレーザー光を照射して当該プローブを加熱し、伝導される熱により当該プローブが接する電極端子の表面部分を軟化せしめて、プローブと電子部品の電極端子との接触面積の実質的な拡大を図る。
【０１７０】
なおこの時、プローブ近傍に温度検出素子を設設して、プローブおよび電極端子の形状に影響を及ぼさない温度で実施されることを監視する。所定温度以上に上昇した場合に照射を中止する。
【０１７１】
試験回路基板と被試験半導体ウエハ、及び加熱用レーザーとの概略の位置関係を図２９に示す。当該半導体ウエハ上の電子部品の一つに、試験回路基板のプローブが接触した状態に於いて、当該プローブにレーザー光が照射される状態を図３０に示す。
【０１７２】
かかるレーザー照射による加熱法を用いる場合のフローチャートを図３１に示す。
【０１７３】
図２９、図３０において、半導体ウエハ１０１は電子部品１０２となる複数の半導体チップ領域を含み、各半導体チップ領域は、それぞれ複数の電極端子１０３を有する。
【０１７４】
一方、試験回路基板１０４は、一つの被試験電子部品１０２よりも大きい開口部１０５を有し、また一端が当該試験回路基板１０４に支持され且つ他端が開口部１０５内に延びて、被試験電子部品の電極端子１０３に接触可能とされた複数の接触子（以下プローブ）１０６を具備する。
【０１７５】
前記プローブ１０６の一端は、試験回路基板１０４に形成された配線層を介して、試験装置（図示せず）に電気的に接続される。
【０１７６】
プローブ１０６の近傍には温度検出素子１０７が配設され、プローブ１０６の温度は当該温度検出素子１０７を介して、レーザー制御装置（図示せず）にフィードバックされ、監視される。
【０１７７】
試験用回路基板１０４は、被試験半導体ウエハ１０１の上方に配置される。
【０１７８】
また、レーザー装置１０８は、当該レーザー装置１０８から発せられ集光レンズ１０９により集光されたレーザー光１１０が、前記開口１０５を通して接触子１０６の先端近傍に照射可能に配設される。
【０１７９】
このような構成に於いて、被試験半導体ウエハ１０１上に試験回路基板１０４に配置し、加圧して、所定の電子部品１０２の電極端子１０３にプローブ１０６を接触させる。
【０１８０】
しかる後、当該プローブ１０６の電極端子１０２との接触部近傍に、レーザー光１１０を照射して、当該プローブを加熱・昇温せしめ、熱伝導により当該プローブ１０６に接する電極端子１０３を局部的に加熱する。（図３１、ステップ１２０，１２１）
個々のプローブ１０６に対し順次レーザー光１１０を照射し、その終了をチェックする。（ステップ１２２、１２３）
レーザー光１１０が全ての接触子１０６に照射されたならば、レーザー照射による加熱は終了する。
【０１８１】
プローブ１０６が直径５０μｍφのタングステン（Ｗ）からなる場合、スポット径が０．０５mmΦ、波長が８１０ｎｍ，出力１０Ｗのレーザー光を用い、照射時間０．０３秒の照射を行うことにより、電極端子１０３は１８０℃まで加熱される。
【０１８２】
しかる後、所定の試験を行い、試験終了後、加圧を終了する。（ステップ１２４，１２５）
即ち、レーザー光１１０によりプローブ１０６の先端近傍を加熱し、その熱により当該プローブ１０６に接する電極端子１０３の表面を軟化せしめ、両者の接触面積の実質的な拡大を図った後、所定の試験を実施する。
【０１８３】
本実施例では、電極端子１０３がアルミニウム（Ａｌ）からなる平面形状を有する半導体チップに適用したが、はんだなどから構成される球状端子に対しても有効である。
【０１８４】
かかるプローブ端子など接触子へエネルギーを与える手段として、レーザー光に代えて、電磁誘導による加熱を用いることもできる。
【０１８５】
即ち、ウエハ状態の電子部品の電極端子に対してプローブを接触せしめて、当該電子部品の試験を行う際、当該プローブの半導体部品の電極端子との接触部位近傍に於いて、電磁誘導による交番電流によって発熱せしめ、熱伝導によって当該プローブが接する電極端子の表面部分を加熱・軟化させて、プローブと電極端子との接触面積の実質的な拡大を図る。
【０１８６】
試験回路基板と被試験半導体ウエハ、及び電磁誘導コイルとの概略の位置関係を図３２に示す。当該半導体ウエハ上の電子部品の一つに、先端近傍に電磁誘導コイルを配されたプローブが接触した状態を図３３に示す。
【０１８７】
またかかる電磁誘導よるエネルギーの供給法を用いる場合のフローチャートを図３４に示す。
【０１８８】
図３２、図３３において、半導体ウエハ１０１は電子部品１０２となる複数の半導体チップ領域を含み、各半導体チップ領域は、それぞれ複数の電極端子１０３を有する。
【０１８９】
一方、試験回路基板１０４は、被試験電子部品１０２よりも大きい開口部１０５を有し、また一端が当該試験回路基板１０４に支持され且つ他端が開口部１０５内に延びて、被試験電子部品の電極端子１０３に接触可能とされた複数の接触子（以下プローブ）１０６を具備する。
【０１９０】
前記プローブの一端は、試験回路基板１０４に形成された配線層を介して、試験装置（図示せず）に電気的に接続される。
【０１９１】
試験用回路基板１０４は、被試験半導体ウエハ１０１の上方に配置される。
【０１９２】
また、プローブ１０６のそれぞれの先端近傍には、電磁誘導コイル１１１が巻回配置される。当該電磁誘導コイル１１１は電０磁誘導制御装置１１２に接続される。
【０１９３】
プローブ１０６の近傍には温度検出素子１０７が配設され、当該プローブ１０６の温度は当該温度検出素子１０７を介して、電磁誘導制御装置１１３にフィードバックされ、監視される。
【０１９４】
このような構成に於いて、被試験半導体ウエハ１０１上に試験回路基板１０４に配置し、加圧して、所定の電子部品１０２の電極端子１０３にプローブ１０６を接触させる。
【０１９５】
しかる後、電磁誘導コイル１１１に周波数５０ＫＨｚ以上の高周波電流を流し、プローブ１０６の、電極端子１０３との接触部近傍に電磁誘導により交番電流を発生せしめて、プローブ１０６を加熱・昇温し、熱伝導によって当該プローブ１０６に接する電極端子１０３を局部的に加熱する。（図３４、ステップ１４０，１４１）
個々のプローブ１０６に巻回配置された電磁誘導コイル１１１に対し、順次或いは同時に高周波電流を印加し、その終了をチェックする。（ステップ１４２、１４３）
しかる後、電子部品１０２に対し所定の試験を行い、試験終了後、加圧を終了する。（ステップ１４４，１４５）
即ち、電磁誘導加熱法によりプローブ１０６の先端近傍を加熱し、その熱により当該プローブ１０６に接する電極端子１０３の表面を軟化せしめ、両者の接触面積の実質的な拡大を図った後、所定の試験を実施する。
【０１９６】
本実施例では、電極端子１０３がアルミニウム（Ａｌ）からなる平面形状を有する半導体チップに適用したが、はんだなどから構成される球状端子に対しても有効である。
【図面の簡単な説明】
【０１９７】
【図１】図１は端子を有する電子部品と電気回路に接続された接触子の例を示す図である。
【図２】図２は本発明の電気的接続方法の原理を説明するフローチャートである。
【図３】図３は本発明による電子部品の試験方法の原理を説明するフローチャート図である。
【図４】図４は接触子の例を示す図である。
【図５】図５は実施例の構成及び作用を説明する図である。
【図６】図６は実施例の構成及び作用を説明する図である。
【図７】図７は実施例の構成及び作用を説明する図である。
【図８】図８の実施例の構成及び作用を説明する図である。
【図９】図９は図５〜図８の実施例を示すフローチャートである。
【図１０】図１０は本発明の他の実施例を示す図である。
【図１１】図１１は図１０の実施例を示すフローチャートである。
【図１２】図１２は図１０の電流制御回路及び試験信号発生回路を含む回路図である。
【図１３】図１３は図１２の電気回路の等価回路図である。
【図１４】図１４は本発明の他の実施例の電気回路を示す図である。
【図１５】図１５は本発明の他の実施例を示す図である。
【図１６】図１６は図１５の実施例を示すフローチャートである。
【図１７】図１７は本発明の他の実施例を示す図である。
【図１８】図１８は１つの端子あたり２つの接触子を使用する実施例で使用されるのに適した接触子の例を示す横断面図である。
【図１９】図１９は図１８の接触子の縦断面図である。
【図２０】図２０は図１８及び図１９の接触子を含む図１２に示される回路図と同様の回路図である。
【図２１】図２１は１つの端子あたり２つの接触子を使用する実施例で使用されるのに適した接触子の例を示す横断面図である。
【図２２】図２２は図２１の接触子の縦断面図である。
【図２３】図２３は図２１及び図２２の複数の接触子をまとめたユニットを示す図である。
【図２４】図２４は図５の実施例および図１７の実施例５で使用したヒータの１例としてパルスヒータを用いる例を示す図である。
【図２５】図２５はパルスヒータの制御回路を別に設けず、パルスヒータ制御装置の機能を試験信号発生装置に組み込んだ例を示す図である。
【図２６】図２６は電磁誘導コイルによる加熱の例を示す図である。
【図２７】図２７は１つの端子あたり２つの接触子を使用する実施例で使用される場合の電磁誘導による加熱の例を示す図である。
【図２８】図２８は図２７の装置を簡単化して示す図である。
【図２９】図２９はウエハ状態の電子部品の端子に応用した場合のレーザーによる加熱の例を示す図である。
【図３０】図３０は図２９の試験回路基板とウエハとを示す部分拡大断面図である。
【図３１】図３１は図２９の例においてレーザーを利用する場合のフローチャートである。
【図３２】図３２はウエハ状態の電子部品の端子に応用した場合の電磁誘導による加熱の例を示す図である。
【図３３】図３３は図３２の装置の部分拡大図である。
【図３４】図３４は図３２の例において電磁誘導による加熱を利用する場合のフローチャートである。
【符号の説明】
【０１９８】
１０…電子部品
１２…端子
１４…回路基板
１８…接触子
２０…ソケット
２１…バネ
２２…受け台
２３…開口部
２４…ヒータ
２５…温度検出素子
２６…試験信号発生回路
２７…ヒータ制御回路
２８…電流制御回路
２９…直流電源
３０…スイッチ
３１…信号切換スイッチ
３２…情報記録制御回路
３３…絶縁性筒体
３４ａ…内部（中心）接触子
３４ｂ…筒状接触子
３５…バネ（プローブ内部）
３６…配線基盤
３７…環状絶縁体
３８…開口部
３９…パルスヒータ
４０…パルスヒータ制御回路
４１…電磁誘導コイル
４２…電磁誘導制御装置
４３…同軸型接触子
５０…試験用接触子を電子部品の端子に接触させるステップ
５１…エネルギーの印加により電子部品の端子の試験用接触子との接触領域を局部的に軟化させるステップ
５２…電子部品の試験を行うステップ
５３…試験用接触子を電子部品の端子から離すステップ
６０…電子部品への加圧ステップ
６１…接触子の加熱ステップ
６２…温度確認ステップ
６３…加熱終了ステップ
６４…試験ステップ
６５…電子部品への加圧終了ステップ
７０…電子部品への加圧ステップ
７１…温度確認ステップ
７２…加熱終了ステップ
７３…加熱終了ステップ
８０…電子部品への加圧ステップ
８１…ジュール熱による加熱ステップ
８２…接触抵抗確認ステップ
８３…電流供給終了ステップ
８４…試験ステップ
８５…電子部品への加圧終了ステップ
８６…温度確認ステップ
９０…電子部品への加圧ステップ
９１…加熱ステップ
９２…ジュール熱による加熱ステップ
９３…接触抵抗確認ステップ
９４…電流供給終了ステップ
９５…試験ステップ
９６…電子部品への加圧終了ステップ
９７…温度確認ステップ
１０１…半導体ウエハ
１０２…電子部品
１０３…電極端子
１０４…試験回路基板
１０５…開口部
１０６…接触子（プローブ）
１０７…温度検出素子
１０８…レーザー装置
１０９…集光レンズ
１１０…レーザー光
１１１…電磁誘導コイル
１１２…電磁誘導制御装置
１２０…電子部品への加圧ステップ
１２１…レーザー照射ステップ
１２２…照射確認ステップ
１２３…次位置へ移動ステップ
１２４…試験ステップ
１２５…電子部品への加圧終了ステップ
１２６…電子部品への加圧終了ステップ
１４０…電子部品への加圧ステップ
１４１…電磁誘導加熱ステップ
１４２…誘導加熱確認ステップ
１４３…次位置へ切換ステップ
１４４…試験ステップ
１４５…電子部品への加圧終了ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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