(57)【要約】【課題】  耐ヒロック特性に優れたアルミニウム配線を含むＴＦＴ ＬＣＤ基板を形成する。【解決手段】  本発明はＴＦＴ ＬＣＤ基板のアルミニウム配線形成方法とこれを利用したＴＦＴ ＬＣＤ基板に関する。本発明によるＴＦＴ ＬＣＤ基板のアルミニウム配線方法は、酸素、窒素、炭素などからなる群より選択されるいずれか一つ以上の不純物の前駆体ガスが存在する雰囲気下で基板素材上にモリブデン層を蒸着する段階と、前記モリブデン層の上にアルミニウム層を蒸着する段階とを含む。【選択図】  図２
2005222065.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ ＬＣＤ）用基板のアルミニウム配線を形成する方法において、
酸素、窒素、炭素からなる群より選択されるいずれか一つ以上の不純物の前駆体ガスが存在する雰囲気下で、基板素材上にモリブデン層を蒸着する段階と;
前記モリブデン層の上にアルミニウム層を蒸着する段階と
を含むことを特徴とする、ＴＦＴ ＬＣＤ基板のアルミニウム配線形成方法。
【請求項２】
前記モリブデン層の蒸着は、スパッタリングによって行われる
ことを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴ ＬＣＤ基板のアルミニウム配線形成方法。
【請求項３】
前記モリブデン層の蒸着は、蒸発によって行われることを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴ ＬＣＤ基板のアルミニウム配線形成方法。
【請求項４】
前記不純物の前駆体ガスは、窒素ガス、酸素ガス、空気、二酸化炭素、一酸化炭素、メタン、アンモニアからなる群より選択されるいずれか一つ以上であることを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴ ＬＣＤ基板のアルミニウム配線形成方法。
【請求項５】
前記モリブデン層は、前記不純物を０．０１原子％乃至３０原子％含むことを特徴とする、請求項１または４に記載のＴＦＴ ＬＣＤ基板のアルミニウム配線形成方法。
【請求項６】
前記アルミニウム層を蒸着した後、前記アルミニウム層の上に金属層を蒸着する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴ ＬＣＤ基板のアルミニウム配線形成方法。
【請求項７】
前記アルミニウム層を蒸着した後、前記アルミニウム層の上に金属層を蒸着する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項５に記載のＴＦＴ ＬＣＤ基板のアルミニウム配線形成方法。
【請求項８】
薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ ＬＣＤ）用基板において、
基板素材上に形成されている酸素、窒素、及び炭素からなる群より選択されるいずれか一つ以上の不純物成分を含むモリブデン層と;
前記モリブデン層の上に形成されているアルミニウム層と
を含むことを特徴とする、ＴＦＴ ＬＣＤ基板。
【請求項９】
前記モリブデン層は面心立方構造であり、（１１１）優先方位を有することを特徴とする、請求項８に記載のＴＦＴ ＬＣＤ基板。
【請求項１０】
前記アルミニウム層は（１１１）優先方位を有することを特徴とする、請求項８に記載のＴＦＴ ＬＣＤ基板。
【請求項１１】
前記不純物の含量は、前記モリブデン層の０．０１原子％乃至３０原子％であることを特徴とする、請求項８に記載のＴＦＴ ＬＣＤ基板。
【請求項１２】
前記アルミニウム層の上に蒸着された金属層をさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載のＴＦＴ ＬＣＤ基板。
【請求項１３】
ＴＦＴ ＬＣＤ基板において、
基板素材上に形成されている、面心立方構造であり、（１１１）優先方位を有するモリブデン層と;
前記モリブデン層の上に形成されているアルミニウム層と、
を含むことを特徴とする、ＴＦＴ ＬＣＤ基板。
【請求項１４】
前記アルミニウム層は（１１１）優先方位を有することを特徴とする、請求項１３に記載のＴＦＴ ＬＣＤ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミニウムを配線材料として用いる薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ ＬＣＤ）用基板の配線形成方法とこれにより製造されたＴＦＴ ＬＣＤ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ ＬＣＤ）は、薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板の間に液晶が注入されている液晶パネルとを含む。ＴＦＴ ＬＣＤは非発光素子であるため、薄膜トランジスタの後面には光を供給するためのバックライトユニットが位置している。バックライトから照射された光は液晶の配列状態によって透過量が調整される。
【０００３】
ＴＦＴ ＬＣＤに用いられる薄膜トランジスタ基板には配線が形成されている。薄膜トランジスタ基板の配線はゲート配線とデータ配線とを含む。また、データ配線はソース／ドレインを含む。
【０００４】
最近のＴＦＴ ＬＣＤには、画面の大面積化と高解像度化が求められている。これにより、配線の長さが長くなっている反面、その幅は減少している。このような傾向で配線材料の比抵抗が高ければＲＣ遅延が誘発されて、画質が歪曲される問題が深刻化する。
【０００５】
今までのＴＦＴ ＬＣＤの配線材料としては、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）またはこれらの合金などの高融点材料が多く用いられてきた。しかし、高融点材料は比抵抗が高すぎるため、大面積化されて高解像度が求められるＴＦＴ ＬＣＤの電極材料として不適切である。
【０００６】
比抵抗が低い金属としては、銀、銅、アルミニウムなどがある。このうちの銀と銅の場合はガラス基板との接着性が大幅に低い。特に、銅は非晶質シリコン内に浸透して素子を損傷したり、反対にシリコンが銅内に浸透して比抵抗値を低下させる問題がある。
【０００７】
このような銀と銅の短所によって、現在最も一般に用いられている配線物質は、アルミニウムを基本物質としている。アルミニウムは比抵抗が３μcm程度に非常に低く、配線形成工程が容易であり、さらに、低価格という長所がある。このような理由でアルミニウムは配線材料として注目されている。
【０００８】
しかし、アルミニウムの短所は、ヒロック（hillock）が発生して配線が切れるなどの問題を起こすことである。
【０００９】
図１は、従来のアルミニウム配線形成方法を使用した場合に発生するヒロックを示した断面図である。基板素材１０００上にアルミニウム配線２０００があり、アルミニウム配線から突出したヒロック２１００が絶縁膜３０００を損傷している。また、ヒロック２１００はさらに細くて長い形状のウィスカー（whisker）２１１０を含む。絶縁膜３０００上には活性層４０００が位置する。損傷された絶縁膜３０００によって絶縁膜３０００上に蒸着される活性層４０００にも不良が発生する。絶縁膜３０００はＳｉＮｘで、活性層は無定形シリコンからなるのが一般的である。
【００１０】
図１のようにヒロック２１００が発生すれば、上層との短絡が発生したり隣接している配線間に短絡が起きて不良になる。また、ヒロック２１００が発生した部分が薄膜トランジスタが形成される位置であれば、形成された薄膜トランジスタにも不良が発生し得る。
【００１１】
ヒロックの発生原因の一つは、アルミニウムとガラス基板間の熱膨張係数の差である。アルミニウムの熱膨張係数は約２３．９×１０-６／Ｋであり、ガラスの熱膨張係数は約４．５×１０-６／Ｋである。基板上にアルミニウム配線を形成した後、化学蒸着法によって絶縁膜を形成する。この絶縁膜形成過程で、アルミニウムに３００乃至４００℃の熱が加わる。この時、アルミニウム配線は熱によって延伸しようとするが、熱膨張係数が小さい基板によって圧縮応力を受ける。この応力が緩和される部分で、アルミニウム粒子が成長してヒロックが発生する。
【００１２】
ヒロックの発生原因の他の一つは、アルミニウムの結晶方向である。アルミニウム配線は数多くのアルミニウム粒（grain）で構成され、それぞれのアルミニウム粒は互いに異なる結晶方向を有している。つまり、各アルミニウム粒は（１００）、（１１０）、（１１１）などの互いに異なる結晶方向を有する。このような原因によってアルミニウムの組織が安定的ではなく、ヒロックが発生しやすくなる。
【００１３】
このようなヒロックの発生を防止する方法として、次のような方法が提示された。
第一は、アルミニウムにネオジウム、チタニウム、ジルコニウム、タンタル、シリコン、銅のように融点の高い金属を追加する方法、つまり、アルミニウム合金を使用する方法である。
【００１４】
第二は、アルミニウム配線を融点の高い金属層で覆うキャッピング（capping）方法である。この方法ではアルミニウム配線を覆っている金属層がアルミニウム配線で発生するヒロックの成長を防止するようになる。
【００１５】
第三は、熱膨張係数がアルミニウムとガラス基板の間である金属層を、アルミニウム配線下部に形成することである。この方法ではアルミニウム配線下部の金属層がアルミニウム配線とガラス基板間の熱膨張の差に対して緩衝的役割を果たす。
【００１６】
前記方法のうちの第一方法によれば、ヒロックは防止されるがアルミニウム合金の比抵抗が１０μcm以上に高くなるという問題がある。また、最も多く用いられるアルミニウム−ネオジウム合金の場合、ネオジウムが希土類金属であり高価であるので、製造原価が高くなる。このような問題以外にも構成金属の成分分布が均一でないため、蒸着過程などで工程条件が難しくなる。
【００１７】
第二方法は、アルミニウム配線のヒロック発生自体を防止することではないため、工程上のエラーによってヒロックが発生する可能性が依然としてある。場合によっては、発生したヒロックが上部の金属層を空けたり変形させたりすることがある。また、キャッピングという別途の工程が続くので、費用が上昇する。
【００１８】
第三方法は、ヒロックの発生原因の一つである熱膨張係数の差だけを緩和するので、各粒間の結晶方向の差からのヒロック発生は防止できない。
このように従来の方法は、純粋なアルミニウムを配線物質として使用するときに発生するヒロックを減少させるのに困難さがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明の目的は、ＴＦＴ ＬＣＤ基板において、ヒロック発生の問題を減少させながら、純粋なアルミニウムを配線物質として使用する方法を提供することである。また、本発明の目的は、前記方法によって製造されたＴＦＴ ＬＣＤ基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記の目的は、ＴＦＴ ＬＣＤ基板のアルミニウム配線形成方法において、酸素、窒素、炭素からなる群より選択されるいずれか一つ以上の不純物の前駆体ガスが存在する雰囲気下で基板素材上にモリブデン層を蒸着する段階と、前記モリブデン層の上にアルミニウム層を蒸着する段階とを含む方法によって達成できる。このような方法によってモリブデン層に不純物を固溶させることができる。
【００２１】
前記モリブデン層を蒸着する方法にはスパッタリング方法がある。スパッタリング方法を利用してモリブデン層の蒸着を行う場合、スパッタリングチャンバー内に前記不純物の前駆体ガスが存在すれば、モリブデン層に不純物を固溶させることができる。
【００２２】
前記モリブデン層を蒸着する方法には蒸発方法もある。蒸発方法を利用してモリブデン層を蒸着させる場合、蒸発チャンバー内に前記不純物の前駆体ガスが存在すれば、モリブデン層に不純物を固溶させることができる。
【００２３】
前記不純物の前駆体ガスは、窒素ガス、酸素ガス、空気、二酸化炭素、一酸化炭素、メタン、アンモニアからなる群より選択されるいずれか一つ以上であるのが好ましい。
前記モリブデン層は、前記不純物を０．０１原子％乃至３０原子％含むのが好ましい。不純物の含量が０．０１原子％以下であればモリブデンの格子構造が変化せず、３０原子％以上になるとモリブデンの特性を喪失することがある。
【００２４】
前記アルミニウム層を蒸着した後、前記アルミニウム層の上に他の金属層をさらに蒸着させて三重層を形成することができる。特に、アルミニウム層の上に不純物を含まないモリブデン層を蒸着することもできる。
【００２５】
また、上記の目的は、ＴＦＴ ＬＣＤ基板において、基板素材上に形成されている、酸素、窒素、及び炭素からなる群より選択されるいずれか一つ以上の不純物成分を含むモリブデン層と、前記モリブデン層の上に形成されたアルミニウム層とを含むことによっても達成できる。
【００２６】
前記モリブデン層は、不純物が固溶されて本来の体心立方構造から面心立方構造に変換され、（１１１）優先方位を有するようになる。
前記モリブデン層の上に蒸着される前記アルミニウム層は、前記モリブデン層の影響を受けて（１１１）優先方位を有するようになる。
【００２７】
前記不純物成分の含量は、前記モリブデン層の０．０１原子％乃至３０原子％であるのが好ましい。
前記アルミニウム層の上にさらに蒸着された他の金属層を含む三重層構造を有することもできる。特に、アルミニウム層の上に形成されている、不純物が添加されていない純粋なモリブデン層をさらに含むこともできる。
【００２８】
また、上記の目的は、ＴＦＴ ＬＣＤ基板において、基板素材上に形成されている、面心立方構造であり（１１１）優先方位を有するモリブデン層と、前記モリブデン層の上に形成されたアルミニウム層とを含むことによっても達成可能である。
【００２９】
前記アルミニウム層は、面心立方構造と（１１１）優先方位を有する下層のモリブデン層の影響を受けて、（１１１）優先方位を有するようになる。
本発明における（１１１）優先方位とは、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）で分析したとき、（１１１）ピーク強度対（ｈｋｌ）ピーク強度の総合の比率が８０％以上、つまり、強度をＩとするとき、Ｉ（１１１）／ΣＩ（ｈｋｌ）０．８を満たし、４軸形ゴニオメーターを有する極点図（pole figure）で測定時、（１１１）強度の幅を示すω値が１０度以内であることをいう。
【００３０】
アルミニウムは面心立方体構造であって、（１００）、（１１０）、（１１１）などの様々な結晶方向を有する。アルミニウム配線をなしている各アルミニウム粒の結晶方向もまた、非常に多様で組織が緻密でないため、安定していない。
【００３１】
アルミニウムの耐ヒロック特性はアルミニウムの結晶方向に大きく左右される。アルミニウムの結晶方向が（１１１）優先方位を有している場合、つまり、アルミニウム配線をなしている各アルミニウム粒が（１１１）の結晶方向性を有しながら蒸着、または成長したときに最も優れた耐ヒロック特性を示すことと知られている。
【００３２】
ところが、アルミニウムの優先方位はアルミニウム下層の結晶構造と密接な関係を有している。これは「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．７７８」Ａｐｒ．１５、１９９９、ｐｐ３７９９〜３８０４に示されている。アルミニウムが（１１１）優先方位を有するのは、下層が面心立方構造を有し、（１１１）優先方位を有する場合である。例えば、面心立方構造を有し、（１１１）優先方位を有するニッケル層を下層として形成し、上にアルミニウムを蒸着させると、アルミニウムは（１１１）優先方位を有するようになる。これは下層に（１１１）面が形成されると、上に形成されるアルミニウムもまた（１１１）構造にならないと、界面エネルギーが減少して核生成が容易にならないためである。反面、下層として、体心立方構造であり、（１１０）優先方位を有するクロム層、バナジウム層などを形成すれば、上に蒸着されるアルミニウムの（１１１）優先方位の傾向性は大きく低下する。
【００３３】
したがって、アルミニウムに（１１１）優先方位の特性を有するようにする方法は、面心立方構造であり、（１１１）優先方位を有する金属を下層として形成した後に、アルミニウムを蒸着させることである。
【００３４】
面心立方構造であり、（１１１）優先方位を有する金属としては、銅、銀、ニッケル、コバルトなどがある。しかし、多重化された銅と銀はガラス基板との接触が非常に不良であり、ニッケルとコバルトは強磁性体であるためにスパッタリングなどの蒸着方法を適用するのが困難であるという問題がある。したがって、これら金属でアルミニウムの下層を形成することには問題がある。
【００３５】
本発明に用いられるモリブデンは体心立方構造であって、面心立方構造のアルミニウムとは異なる。しかし、モリブデンの構造は蒸着条件によって変わることがある。これは「Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ」２４９（１９９４）ｐｐ１５０〜１５４に示されている。具体的にはモリブデンの安定した構造は体心立方構造であるが、酸素、炭素、窒素などが不純物として固溶される場合、面心立方構造を有し、また、（１１１）優先方位を有するようになる。つまり、不純物はモリブデンの体心立方構造内に固溶されてモリブデンを面心立方構造に変形させる役割を果たす。
【００３６】
しかも、不純物が固溶されたモリブデンの格子定数は４．１４乃至４．２２であって、アルミニウムの格子定数である４．０５と類似している。格子定数が類似していることはアルミニウムの（１１１）優先方位を極大化させる側面で非常に有利である。
【００３７】
以下に、不純物を固溶して構造が変化したモリブデン層の形成方法と、前記モリブデン層の上にアルミニウム層を蒸着させる過程について詳細に説明する。
本明細書で「基板素材」とはガラスまたはクォーツなどの基板を構成する材料をいい、「基板」とは基板素材上に配線を含んだパターンが形成されたものをいう。
【００３８】
本発明の配線は、ゲート配線とデータ配線とを全て含み、データ配線はさらにソース／ドレインを含む。したがって、データ配線の形成時には基板素材上に多少のパターンが形成されており、その上に本発明の配線を形成することができる。
【００３９】
一般に金属を基板素材上に蒸着させて金属層を形成する方法としてはスパッタリング（sputtering）方法と蒸発（evaporation）方法がある。
スパッタリング方法では、蒸着させるべき金属で形成した高電圧が印加されるターゲット電極が設けられたチャンバー内に、アルゴンガスを注入してプラズマ放電を起こす。プラズマ放電によって励起されたアルゴン陽イオンがターゲット電極から金属原子を分離し、この金属原子が基板素材の表面で相互結合して薄膜形態に成長する。
【００４０】
スパッタリング方法によってモリブデン層に不純物を固溶させる方法は、モリブデンをターゲット電極として使用し、酸素、窒素、炭素など不純物の前駆体をスパッタリングチャンバー内に投入する。酸素の前駆体としては酸素ガス、一酸化炭素、二酸化炭素などを用いることができ、窒素の前駆体としては窒素ガスとアンモニアなどを用いることができ、炭素の前駆体としてはメタン、一酸化炭素、二酸化炭素などを用いることができる。
【００４１】
蒸発方法ではモリブデン金属に電子ビームを照射して加熱させる。加熱されたモリブデン金属からモリブデン原子が放出される。このように放出されたモリブデン原子が基板上に蒸着する。
【００４２】
蒸発方法によってモリブデンに不純物を固溶させる方法は、蒸発チャンバー内に酸素、窒素、炭素など不純物の前駆体を投入する。酸素の前駆体としては酸素ガス、一酸化炭素、二酸化炭素などを用いることができ、窒素の前駆体としては窒素ガスとアンモニアなどを用いることができ、炭素の前駆体としてはメタン、一酸化炭素、二酸化炭素などを用いることができる。
【００４３】
前記スパッタリング方法または蒸発方法において、不純物の前駆体のチャンバー内での濃度は、蒸着温度、蒸着時間、モリブデン層での所望の不純物の含量などによって調整する。
【００４４】
不純物としてモリブデンに固溶された酸素、窒素、炭素等は、体心立方構造のモリブデンを面心立方構造に変形し、また、（１１１）優先方位を有するようにする。不純物の含量は、モリブデン層で０．１原子％乃至３０原子％であるのが好ましい。不純物の含量が０．１原子％未満であればモリブデンの変形が十分に起こらない。反面、不純物の含量が３０原子％以上であればモリブデンの特性が喪失する。つまり、モリブデンが体心立方構造でもなく面心立方構造でもない合金のような形態に変化することが望ましい。
【００４５】
モリブデン層が完成すると、その上にアルミニウム層を形成する。アルミニウム層の蒸着もまた、スパッタリング方法または蒸発方法によるものが一般的である。（１１１）優先方位を有するモリブデン層の上に蒸着されるアルミニウム層は、低い界面エネルギーのために（１１１）優先方位を有するようになる。また、モリブデンと類似した格子定数を有するので、アルミニウム層の（１１１）優先方位は極大化される。
【００４６】
このような方法によって、（１１１）優先方位を有し耐ヒロック特性に優れたアルミニウム層を得ることができる。
以後、アルミニウム層の上に絶縁膜の形成、感光液の塗布、感光液の露光と現象、エッチングなどを通じてアルミニウム配線を完成する。
【発明の効果】
【００４７】
本発明によると、ＴＦＴ ＬＣＤ基板に純粋なアルミニウム配線を使用する場合にもヒロックの発生を抑制することができる。これによって、比抵抗の低いアルミニウムをＴＦＴ ＬＣＤの配線材料として使用することができるので、ＴＦＴ ＬＣＤの大面化、高画像度化に適宜に対応することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下に、本発明によるアルミニウム配線を添付した図面を参考として、詳細に説明する。
【００４９】
図２は、本発明によってアルミニウム配線を形成した第１実施例を示した断面図である。図２は、金属層のエッチングなどを経て配線を完成し、その上に絶縁膜と活性層を形成した状態を示す。基板素材１上にモリブデン層２が存在する。モリブデン層２は、酸素、窒素、炭素などの不純物を含んでいる（図中、Ｍｏ（Ｘ）として示す）。不純物の含量は、モリブデン層２の０．１原子％乃至３０原子％であるのが好ましい。不純物が固溶されたモリブデン層２は、面心立方構造であり、（１１１）優先方位を有している。
【００５０】
モリブデン層２の上にはアルミニウム層３が位置する。アルミニウム層は下層であるモリブデン層２の影響を受けて、（１１１）優先方位を有している。
モリブデン層２とアルミニウム層３は絶縁膜４によって覆われている。また、絶縁膜上には活性層５が位置する。絶縁膜４は主にＳｉＮｘで、活性層５は主に非晶質シリコンで形成されている。
【００５１】
図３は、本発明によってアルミニウム配線を形成した第２実施例を示した断面図である。図２の第１実施例と同様な構成であるが、但し、前記アルミニウム層３の上に不純物を含まないモリブデン層などの金属層６がさらに形成されている。
【００５２】
面心立方構造を有する銅、ニッケル、銀等の配線方法にも、（１１１）優先方位を有するモリブデンを下層として利用する本発明が適用できる。
以下に、本発明によるＴＦＴ ＬＣＤ基板とその製造方法を実施例を通じて説明する。
【００５３】
図４は本発明の第１実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の平面図であり、図５は図４に示したＴＦＴ ＬＣＤ基板のＶ-Ｖ線に沿って示した断面図である。また、図６乃至図９は本発明の第１実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【００５４】
基板素材１０上に、第１ゲート金属層２２１、２４１、２６１及び第２ゲート金属層２２２、２４２、２６２の２重層からなっているゲート配線２２、２４、２６が形成されている。また、第１ゲート金属層２２１、２４１、２６１は酸素、窒素、炭素のうちのいずれか一つ以上を含むモリブデン層であり、第２ゲート金属層２２２、２４２、２６２はアルミニウム層である。
【００５５】
ゲート配線２２、２６は、横方向にのびているゲート線２２及びゲート線２２に連結されている薄膜トランジスタのゲート電極２６を含む。ここで、ゲート線２２の一端部２４は外部回路との連結のために幅が拡張されている。
【００５６】
基板素材１０上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜３０がゲート配線２２、２４、２６を覆っている。
ゲート電極２４のゲート絶縁膜３０の上には非晶質シリコンなどの半導体からなる半導体層４０が形成されており、半導体層４０の上にはシリサイドまたはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ+水素化非晶質シリコンなどの物質からなるオーミック接触層５５、５６が各々形成されている。
【００５７】
オーミック接触層５５、５６及びゲート絶縁膜３０上には第１データ金属層６５１、６６１、６８１及び第２データ金属層６５２、６６２、６８２の２重層からなっているデータ配線６５、６６、６８が形成されている。第１データ金属層６５１、６６１、６８１は酸素、窒素、炭素のうちのいずれか一つ以上を含むモリブデン層であり、第２データ金属層６５２、６６２、６８２はアルミニウム層である。データ線６２も、図示していないが、酸素、窒素、炭素のうちのいずれか一つ以上を含むモリブデン層とアルミニウム層で形成された２重層である。
【００５８】
データ配線６５、６６、６８は、縦方向に形成されてゲート線２２と交差して画素を定義するデータ線６２と、データ線６２の分枝であってオーミック接触層５５の上までのびているソース電極６５と、ソース電極６５と分離されてゲート電極２６を中心としてソース電極６５の反対側のオーミック接触層５６上に形成されているドレイン電極６６とを含む。この時、データ線６２の一端部６８は外部回路との連結のために幅が拡張されている。
【００５９】
データ配線６２、６５、６６、６８及びこれらが覆わない半導体層４０の上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、プラズマCVD法（ＰＥＣＶＤ：plasma enhanced chemical vapor deposition）によって蒸着されたα-Ｓｉ:Ｃ:Ｏ膜またはα-Ｓｉ:Ｏ:Ｆ膜（低誘電率ＣＶＤ膜）、及びアクリル系有機絶縁膜などからなる保護膜７０が形成されている。ＰＥＣＶＤ法によって蒸着されたα-Ｓｉ:Ｃ:Ｏ膜とα-Ｓｉ:Ｏ:Ｆ膜（低誘電率ＣＶＤ膜）は、誘電率が４以下（誘電率は２から４の間の値を有する）と誘電率が非常に低い。したがって、厚さが薄くても寄生容量の問題が発生しない。また、他の膜との接着性及びステップカバレージ（ｓｔｅｐ  ｃｏｖｅｒａｇｅ）が優れている。また、無機質ＣＶＤ膜であるので耐熱性が有機絶縁膜に比べて優れている。同時に、ＰＥＣＶＤ法によって蒸着されたα-Ｓｉ:Ｃ:Ｏ膜とα-Ｓｉ:Ｏ:Ｆ膜（低誘電率ＣＶＤ膜）は蒸着速度やエッチング速度が窒化シリコン膜に比べて４乃至１０倍速いので、工程時間の面でも非常に有利である。
【００６０】
保護膜７０にはドレイン電極６６及びデータ線の端部６８を各々露出するコンタクトホール７６、７８が形成されており、ゲート絶縁膜３０と共にゲート線の端部２４を露出するコンタクトホール７４が形成されている。
【００６１】
保護膜７０上には、コンタクトホール７６を通じてドレイン電極６６と電気的に接続されており、画素領域に位置する画素電極８２が形成されている。また、保護膜７０上にはコンタクトホール７４、７８を通じて各々ゲート線の端部２４及びデータ線の端部６８と連結されている接触補助部材８６、８８が形成されている。ここで、画素電極８２と接触補助部材８６、８８はＩＴＯ（酸化錫インジウムindium tin oxide）またはＩＺＯ（酸化亜鉛インジウムindium zinc oxide）からなっている。
【００６２】
ここで、画素電極８２は、図４及び図５のように、ゲート線２２と重畳して蓄積容量を形成し、蓄積容量が不足した場合にはゲート配線２２、２４、２６と同一層に蓄積容量用配線を追加することもできる。
【００６３】
また、画素電極８２は、データ線６２とも重畳するように形成して開口率を極大化することができる。このように開口率を極大化するために画素電極８２をデータ線６２と重畳させて形成しても、保護膜７０を低誘電率ＣＶＤ膜などで形成すれば、これらの間で形成される寄生容量は問題にならないほどに小さく維持することができる。
【００６４】
第１実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造方法を説明する。まず、図６に示したように、基板素材１０上に酸素、窒素、炭素のうちのいずれか一つ以上を含むモリブデン層である第１ゲート金属層２２１、２４１、２６１を蒸着する。その後、アルミニウム層である第２ゲート金属層２２２、２４２、２６２を積層し、マスクを利用したフォトエッチング工程でパターニングして、ゲート線２２及びゲート電極２６を含んで横方向にのびているゲート配線２２、２４、２６を形成する。
【００６５】
次に、図７に示したように、窒化ケイ素からなるゲート絶縁膜３０、非晶質シリコンからなる半導体層４０、ドーピングされた非晶質シリコン層５０の３層膜を連続して積層し、半導体層４０とドーピングされた非晶質シリコン層５０をフォトエッチングして、ゲート電極２４の上のゲート絶縁膜３０上に島状の半導体層４０とオーミック接触層５０を形成する。
【００６６】
次に、図８に示したように、酸素、窒素、炭素のうちのいずれか一つ以上を含むモリブデン層である第１データ金属層６５１、６６１、６８１を積層し、その後、アルミニウム層である第２データ金属層６５２、６６２、６８２を積層し、マスクを利用したフォトエッチング工程でパターニングして、ゲート線２２と交差するデータ線６２、データ線６２と連結されてゲート電極２６の上までのびているソース電極６５、及びソース電極６５と分離されてゲート電極２６を中心としてソース電極６５と対向するドレイン電極６６を含むデータ配線を形成する。
【００６７】
次に、データ配線６２、６５、６６、６８で覆われないドーピングされた非晶質シリコン層パターン５０をエッチングして、ゲート電極２６を中心として両側に分離させる一方、両側のドーピングされた非晶質シリコン層５５、５６間の半導体層パターン４０を露出させる。次に、露出された半導体層４０の表面を安定化させるために酸素プラズマを実施するのが好ましい。
【００６８】
次に、図９のように、窒化シリコン膜、α-Ｓｉ:Ｃ:Ｏ膜またはα-Ｓｉ:Ｏ:Ｆ膜を化学気相蒸着（ＣＶＤ）法によって成長させたり、有機絶縁膜を塗布したりして、保護膜７０を形成する。
【００６９】
次に、フォトエッチング工程でゲート絶縁膜３０と共に保護膜７０をパターニングして、ゲート線の端部２４、ドレイン電極６６及びデータ線の端部６８を露出するコンタクトホール７４、７６、７８を形成する。
【００７０】
次に、図４及び図５に示したように、ＩＴＯまたはＩＺＯ膜を蒸着して写真エッチングし、コンタクトホール７６を通じてドレイン電極６６と連結される画素電極８２と、コンタクトホール７４、７８を通じてゲート線の端部２４及びデータ線の端部６８とそれぞれ連結される接触補助部材８６、８８を各々形成する。ＩＴＯやＩＺＯを積層する前の予熱（pre-heating）工程で使用する気体は窒素を利用するのが好ましい。
【００７１】
第１実施例ではゲート配線２２、２４、２６とデータ配線６２、６５、６６、６８の全てを２重層に形成しているが、必要に応じてゲート配線２２、２４、２６とデータ配線６２、６５、６６、６８のうちのいずれか一つだけを２重層とすることができ、また、いずれか一つまたは２つとも３重層の構造を適用することもできる。また、本発明がゲート配線２２、２４、２６とデータ配線６２、６５、６６、６８に全て適用されなければならないわけではない。
【００７２】
以上の第１実施例は、ＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造において５枚のマスクを使用した場合であり、次に説明する第２実施例は４枚のマスクを使用した場合である。
図１０は本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の平面図であり、図１１は図１０に示したＴＦＴ ＬＣＤ基板のＸＩ-ＸＩ線に沿って示した断面図であり、図１２は図１０に示したＴＦＴ ＬＣＤ基板のＸＩＩ-ＸＩＩ線に沿って示した断面図である。また、図１３Ａ乃至図２０Ｂは本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【００７３】
基板素材１０上には第１実施例と同様に第１ゲート金属層２２１、２４１、２６１及び第２ゲート金属層２２２、２４２、２６２の２重層からなっているゲート配線２２、２４、２６が形成されている。第１ゲート金属層２２１、２４１、２６１は酸素、窒素、炭素のうちの少なくとも一つを含むモリブデン層であり、第２ゲート金属層２２２、２４２、２６２はアルミニウム層である。
【００７４】
また、基板素材１０上にはゲート線２２と平行に蓄積電極線２８が形成されている。蓄積電極線２８も酸素、窒素、炭素のうちの少なくとも一つを含むモリブデン層である第１ゲート金属層２８１と、アルミニウム層である第２ゲート金属層２８２の２重層からなる。蓄積電極線２８は、後述する画素電極８２と連結された蓄積容量用導電体６４と重畳して画素の電荷保持能力を向上させる蓄積容量をなし、後述する画素電極８２とゲート線２２の重畳によって発生する蓄積容量が十分である場合、形成しないこともある。蓄積電極線２８には上部基板のコモン電極と同一電圧が印加されることが一般的である。
【００７５】
ゲート配線２２、２４、２６及び蓄積電極線２８上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜３０が形成されてゲート配線２２、２４、２６及び蓄積電極線２８を覆っている。
【００７６】
ゲート絶縁膜３０上には水素化非晶質シリコン（hydrogenated amorphous silicon）などの半導体からなる半導体パターン４２、４８が形成されており、半導体パターン４２、４８上にはリン（Ｐ）などのｎ型不純物が高濃度にドーピングされている非晶質シリコンなどからなるオーミック接触層（ohmic contact layer）パターンまたは中間層パターン５５、５６、５８が形成されている。
【００７７】
オーミック接触層パターン５５、５６、５８上には第１データ金属層６２１、６４１、６５１、６６１、６８１及び第２データ金属層６２２、６４２、６５２、６６２、６８２の２重層からなっているデータ配線６２、６４、６５、６６、６８が形成されている。第１データ金属層６２１、６４１、６５１、６６１、６８１は酸素、窒素、炭素のうちの少なくとも一つを含むモリブデン層であり、第２データ金属層６２２、６４２、６５２、６６２、６８２はアルミニウム層である。データ配線は縦方向に形成されており、データ線６２の一端に連結されて外部からの画像信号の印加を受けるデータ線の端部６８を有するデータ線６２、データ線６２の分枝である薄膜トランジスタのソース電極６５からなるデータ線部６２、６８、６５を含み、また、データ線部６２、６８、６５と分離されており、ゲート電極２６または薄膜トランジスタのチャンネル部（Ｅ）に対してソース電極６５の反対側に位置する薄膜トランジスタのドレイン電極６６と、蓄積電極線２８上に位置している蓄積容量用導電体６４も含む。蓄積電極線２８を形成しない場合、蓄積容量用導電体６４もまた形成しない。
【００７８】
接触層パターン５５、５６、５８は、その下部の半導体パターン４２、４８と、その上のデータ配線６２、６４、６５、６６、６８の接触抵抗を低くする役割を果たし、データ配線６２、６４、６５、６６、６８と完全に同一形態を有する。つまり、データ線部の中間層パターン５５はデータ線部６２、６８、６５と同一であり、ドレイン電極用中間層パターン５６はドレイン電極６６と同一であり、蓄積容量用中間層パターン５８は蓄積容量用導電体６４と同一である。
【００７９】
一方、半導体パターン４２、４８は、薄膜トランジスタのチャンネル部（Ｅ）を除けば、データ配線６２、６４、６５、６６、６８及びオーミック接触層パターン５５、５６、５８と同一形態を有している。具体的には、蓄積容量用半導体パターン４８と蓄積容量用導電体６４及び蓄積容量用接触層パターン５８は同一形態であるが、薄膜トランジスタ用半導体パターン４２はデータ配線及び接触層パターンの残りの部分と多少異なる。つまり、薄膜トランジスタのチャンネル部（Ｅ）でデータ線部６２、６８、６５、特にソース電極６５とドレイン電極６６が分離されており、データ線部の中間層５５とドレイン電極用接触層パターン５６も分離されているが、薄膜トランジスタ用半導体パターン４２はここで切れずに連結されて薄膜トランジスタのチャンネルを形成する。
【００８０】
データ配線６２、６４、６５、６６、６８上には、窒化ケイ素やプラズマCVD法（ＰＥＣＶＤ：plasma enhanced chemical vapor deposition）によって蒸着されたα-Ｓｉ:Ｃ:Ｏ膜またはα-Ｓｉ:Ｏ:Ｆ膜（低誘電率ＣＶＤ膜）または有機絶縁膜からなる保護膜７０が形成されている。保護膜７０は、ドレイン電極６６、データ線の端部６８及び蓄積容量用導電体６４を露出するコンタクトホール７６、７８、７２を有しており、また、ゲート絶縁膜３０と共にゲート線の端部２４を露出するコンタクトホール７４を有している。
【００８１】
保護膜７０上には薄膜トランジスタから画像信号を受けて上板の電極と共に電界を生成する画素電極８２が形成されている。画素電極８２はＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電性物質で形成し、コンタクトホール７６を通じてドレイン電極６６と物理的、電気的に接続されて画像信号の伝達を受ける。画素電極８２はまた、隣接するゲート線２２及びデータ線６２と重畳されて開口率を高めているが、重畳されないこともある。また、画素電極８２はコンタクトホール７２を通じて蓄積容量用導電体６４とも接続されて導電体パターン６４に画像信号を伝達する。一方、ゲート線の端部２４及びデータ線の端部６８上にはコンタクトホール７４、７８を通じて各々これらと連結される接触補助部材８６、８８が形成されている。この接触補助部材８６、８８は端部２４、６８と外部回路装置との接着性を補完し、ゲート線及びデータ線の各端部２４、６８を保護する役割をするものであって、必須ではなく、これらの適用は選択的である。
【００８２】
第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造方法を見てみると、次の通りである。
図１３Ａ及び図１３Ｂのように第１実施例と同様に、酸素、窒素、炭素のうちの少なくとも一つを含むモリブデン層である第１ゲート金属層２２１、２４１、２６１、２８１を積層した後、アルミニウム層である第２ゲート金属層２２２、２４２、２６２、２８２を積層し、次にフォトエッチングしてゲート線２２、ゲート電極２６を含むゲート配線と蓄積電極線２８を形成する。この時、外部回路と連結されるゲート線２２の一端部２４は幅が拡張されている。
【００８３】
次に、図１４Ａ及び１４Ｂに示したように、窒化ケイ素からなるゲート絶縁膜３０、半導体層４０、中間層５０を化学気相蒸着法を利用して各々１，５００乃至５，０００、５００乃至２，０００、３００乃至６００の厚さで連続蒸着し、次いでデータ配線を形成するために酸素、窒素、炭素のうちの少なくとも一つを含むモリブデンからなる第１導電膜６０１を形成した後、アルミニウムからなる第２導電膜６０２をスパッタリングなどの方法で蒸着して導電体層６０を形成し、その上に感光膜１１０を１μｍ乃至２μｍの厚さで塗布する。
【００８４】
その後、マスクを通じて感光膜１１０に光を照射した後に現像し、図１５Ａ及び１５Ｂに示したように、感光膜パターン１１２、１１４を形成する。この時、感光膜パターン１１２、１１４の中で薄膜トランジスタのチャンネル部（Ｅ）、つまり、ソース電極６５とドレイン電極６６間に位置した第１部分１１４はデータ配線部（Ｃ）、つまり、データ配線６２、６４、６５、６６、６８が形成される部分に位置した第２部分１１２より厚さが薄くなるようにし、その他の部分（Ｄ）の感光膜は全て除去する。この時、チャンネル部（Ｅ）に残っている感光膜１１４の厚さとデータ配線部（Ｃ）に残っている感光膜１１２の厚さとの比は、後述するエッチング工程での工程条件によって異ならせなければならず、第１部分１１４の厚さを第２部分１１２の厚さの１／２以下とするのが好ましく、例えば、４，０００以下であるのがよい。
【００８５】
このように、位置によって感光膜の厚さを異ならせる方法は様々なものがあり得、（Ｃ）領域の光透過量を調節するために主にスリット（slit）や格子状のパターンを形成するか、または半透明膜を使用する。
【００８６】
この時、スリット間に位置したパターンの線の幅やパターン間の間隔、つまり、スリットの幅は露光時に使用する露光器の分解能より小さいのが好ましく、半透明膜を利用する場合にはマスクを製作する時に透過率を調節するために異なる透過率を有する薄膜を利用するか、または厚さの異なる薄膜を利用することができる。
【００８７】
このようなマスクを通じて感光膜に光を照射すると、光に直接露出される部分では高分子が完全に分解され、スリットパターンや半透明膜が形成されている部分では光の照射量が少ないので高分子は完全分解されない状態であり、遮光膜で遮った部分では高分子が殆ど分解されない。次いで感光膜を現像すると、高分子の分子が分解されない部分だけが残り、光が少なく照射された中央部分には光に全く照射されない部分より薄い厚さの感光膜を残すことができる。この時、露光時間を長くすると、全ての高分子の分子が分解されるので、そのようにならないようにしなければならない。
【００８８】
このような薄い厚さの感光膜１１４はリフローが可能な物質からなる感光膜を利用して、光が完全に透過することができる部分と光が完全に透過できない部分とに分けられた通常のマスクに露光した後に現像し、リフローさせて感光膜が残留しない部分に感光膜の一部が流れるようにすることによって形成できる。
【００８９】
次に、感光膜パターン１１４及びその下部の膜、つまり、導電体層６０、中間層５０及び半導体層４０に対するエッチングを進行する。この時、データ配線部（Ｃ）ではデータ配線及びその下部の膜がそのまま残っており、チャンネル部（Ｅ）には半導体層だけが残っていなければならず、残りの部分（Ｂ）では上の３層６０、５０、４０が全て除去されてゲート絶縁膜３０が露出されなければならない。
【００９０】
まず、図１４Ａ及び１４Ｂに示したように、その他の部分（Ｂ）の露出されている導電体層６０を除去してその下の中間層５０を露出させる。この過程では乾式エッチングまたは湿式エッチング方法を全て用いることができ、この時、導電体層６０はエッチングされ、感光膜パターン１１２、１１４は殆どエッチングされない条件下で行うのが良い。
【００９１】
しかし、乾式エッチングの場合、導電体層６０だけをエッチングし、感光膜パターン１１２、１１４はエッチングされない条件を検索するのが困難であるため、感光膜パターン１１２、１１４も共にエッチングされる条件下で行える。この場合には湿式エッチングの場合より第１部分１１４の厚さを厚くして、この過程で第１部分１１４が除去されて下部の導電体層６０が露出されることが生じないようにする。
【００９２】
そうすると、図１６Ａ及び図１６Ｂに示したように、チャンネル部（Ｅ）及びデータ配線部（Ｄ）の導電体層、つまり、ソース／ドレイン用導電体パターン６７と蓄積容量用導電体６４だけが残り、その他の部分（Ｂ）の導電体層６０は全て除去されてその下の中間層５０が露出される。この時、残った導電体パターン６７、６４はソース及びドレイン電極６５、６６が分離されずに連結されている点を除けば、データ配線６２、６４、６５、６６、６８の形態と同一である。また、乾式エッチングを使用した場合、感光膜パターン１１２、１１４もエッチングされる。
【００９３】
次に、図１７Ａ及び１７Ｂに示したように、その他の部分（Ｂ）の露出された中間層５０及びその下部の半導体層４０を、感光膜の第１部分１１４と共に乾式エッチング方法で同時に除去する。この時のエッチングは感光膜パターン１１２、１１４と中間層５０及び半導体層４０（半導体層と中間層はエッチング選択性が殆どない）が同時にエッチングされ、ゲート絶縁膜３０はエッチングされない条件下で行わなければならず、特に感光膜パターン１１２、１１４と半導体層４０に対するエッチング比がほぼ同一の条件でエッチングするのが好ましい。例えば、ＳＦ６とＨＣｌの混合気体や、ＳＦ６とＯ２の混合気体を用いると、ほぼ同一の厚さに二つの膜をエッチングすることができる。感光膜パターン１１２、１１４と半導体層４０に対するエッチング比が同一な場合、第１部分１１４の厚さは半導体層４０と中間層５０の厚さを合せたものと同じかそれより小さくならなければならない。
【００９４】
そうすると、図１７Ａ及び１７Ｂに示したように、チャンネル部（Ｅ）の第１部分１１４が除去されてソース／ドレイン用導電体パターン６７が露出され、その他の部分（Ｄ）の中間層５０及び半導体層４０が除去されて、その下部のゲート絶縁膜３０が露出される。一方、データ配線部（Ｃ）の第２部分１１２もまたエッチングされるので、厚さが薄くなる。また、この段階で半導体パターン４２、４８が完成する。図面符号５７と５８は各々ソース／ドレイン用導電体パターン６７の下部の中間層パターンと蓄積容量用導電体６４の下部の中間層パターンを示す。
【００９５】
次に、アッシング（ashing）によってチャンネル部（Ｅ）のソース／ドレイン用導電体パターン６７表面にある感光膜の残りを除去する。
次に、図１８Ａ及び１８Ｂに示したように、チャンネル部（Ｅ）のソース／ドレイン用導電体パターン６７及びその下部のソース／ドレイン用中間層パターン５７をエッチングして除去する。この時、エッチングは、ソース／ドレイン用導電体パターン６７と中間層パターン５７全てに対して乾式エッチングだけで進行することができ、ソース／ドレイン用導電体パターン６７に対しては湿式エッチングで、中間層パターン５７に対しては乾式エッチングで行うこともできる。前者の場合、ソース／ドレイン用導電体パターン６７と中間層パターン５７のエッチング選択比が大きい条件下でエッチングを行うことが好ましく、これはエッチング選択比の大きくない場合にはエッチング終点を探すのが難しく、チャンネル部（Ｅ）に残る半導体パターン４２の厚さの調節が容易でないためである。湿式エッチングと乾式エッチングを交互に行う後者の場合には、湿式エッチングされるソース／ドレイン用導電体パターン６７の側面はエッチングされるが、乾式エッチングされる中間層パターン５７は殆どエッチングされないので、階段状に形成される。中間層パターン５７及び半導体パターン４２をエッチングする時に使用するエッチング気体の例としてはＣＦ４とＨＣｌの混合気体やＣＦ４とＯ２の混合気体が挙げられ、ＣＦ４とＯ２を用いると均一な厚さに半導体パターン４２を残すことができる。この時、図１８Ｂに示したように、半導体パターン４２の一部が除去されて厚さを薄くすることができ、感光膜パターンの第２部分１１２も所定の厚さでエッチングされる。 この時のエッチングは、ゲート絶縁膜３０がエッチングされない条件で行わなければならず、第２部分１１２がエッチングされてその下部のデータ配線６２、６４、６５、６６、６８が露出されることが生じないように、感光膜パターンが厚いことが好ましいことは勿論である。
【００９６】
そうすると、ソース電極６５とドレイン電極６６が分離されながら、データ配線６２、６４、６５、６６、６８とその下部の接触層パターン５５、５６、５８が完成する。
最後にデータ配線部（Ｃ）に残っている感光膜の第２部分１１２を除去する。しかし、第２部分１１２の除去はチャンネル部（Ｅ）のソース／ドレイン用導電体パターン６７を除去した後、その下の中間層パターン５７を除去する前に行うこともできる。
【００９７】
前述したように、湿式エッチングと乾式エッチングを交互に行ってもよいし又は乾式エッチングだけを用いてもよい。後者の場合には、一種類のエッチングだけを使用するので工程が比較的に簡便であるが、それに相応しいエッチング条件を探すのが困難である。反面、前者の場合にはエッチング条件を探すのが比較的に容易であるが、工程が後者に比べて面倒な点がある。
【００９８】
次に、図１９Ａ及び図１９Ｂに示したように、窒化ケイ素やα-Ｓｉ:Ｃ:Ｏ膜またはα-Ｓｉ:Ｏ:Ｆ膜を化学気相蒸着（ＣＶＤ）法によって成長させたり、有機絶縁膜を塗布したりして、保護膜７０を形成する。
【００９９】
次に、図２０Ａ乃至図２０Ｂに示したように、保護膜７０をゲート絶縁膜３０と一緒にフォトエッチングして、ドレイン電極６６、ゲート線の端部２４、データ線の端部６８及び蓄積容量用導電体６４を各々露出するコンタクトホール７６、７４、７８、７２を形成する。
【０１００】
最後に、図１１乃至図１２に示したように、４００乃至５００厚さのＩＴＯ層またはＩＺＯ層を蒸着しフォトエッチングして、ドレイン電極６６及び蓄積容量用導電体６４と連結された画素電極８２、ゲート線の端部２４とゲート接触補助部材８６及びデータ線の端部６８と連結されたデータ接触補助部材８８を形成する。
【０１０１】
一方、ＩＴＯやＩＺＯを積層する前の予熱工程で使用する気体としては窒素を用いるのが好ましく、これはコンタクトホール７２、７４、７６、７８を通じて露出された金属膜２４、６４、６６、６８の上に金属酸化膜が形成されることを防止するためである。
【０１０２】
このような本発明の第２実施例では、第１実施例による効果だけでなく、データ配線６２、６４、６５、６６、６８とその下の接触層パターン５５、５６、５８及び半導体パターン４２、４８を一つのマスクを利用して形成し、この過程でソース電極６５とドレイン電極６６を分離することによって製造工程を単純化することができる。
【０１０３】
第２実施例では、ゲート配線２２、２４、２６及び蓄積電極線２８、データ配線６２、６４、６５、６６、６８全てを２重層に形成しているが、必要に応じて一部だけを２重層とすることができる。また、一部または全部に３重層構造を適用することもできる。また、本発明がゲート配線２２、２４、２６及び蓄積電極線２８、データ配線６２、６４、６５、６６、６８に全て適用されなければならないわけではない。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】図1は、従来のアルミニウム配線形成方法を使用した場合に発生するヒロックを示した断面図である。
【図２】図2は、本発明によってアルミニウム配線を形成した第１実施例を示した断面図である。
【図３】図3は、本発明によってアルミニウム配線を形成した第２実施例を示した断面図である。
【図４】図4は、本発明の第１実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の平面図である。
【図５】図5は、図４に示したＴＦＴ ＬＣＤ基板のＶ-Ｖ線に沿って示した断面図である。
【図６】図6は、本発明の第１実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図７】図7は、本発明の第１実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図８】図8は、本発明の第１実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図９】図9は、本発明の第１実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図１０】図10は、本発明の２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の平面図である。
【図１１】図11は、図１０に示したＴＦＴ ＬＣＤ基板のＸＩ-ＸＩ線に沿って示した断面図である。
【図１２】図12は、図１０に示したＴＦＴ ＬＣＤ基板のＸＩＩ-ＸＩＩ線に沿って示した断面図である。
【図１３Ａ】図13Ａは、本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図１３Ｂ】図13Ｂは、本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図１４Ａ】図14Ａは、本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図１４Ｂ】図14Ｂは、本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図１５Ａ】図15Ａは、本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図１５Ｂ】図15Ｂは、本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図１６Ａ】図16Ａは、本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図１６Ｂ】図16Ｂは、本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図１７Ａ】図17Ａは、本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図１７Ｂ】図17Ｂは、本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図１８Ａ】図18Ａは、本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図１８Ｂ】図18Ｂは、本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図１９Ａ】図19Ａは、本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図１９Ｂ】図19Ｂは、本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図２０Ａ】図20Ａは、本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【図２０Ｂ】図20Ｂは、本発明の第２実施例によるＴＦＴ ＬＣＤ基板の製造過程を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１、１０    基板素材
２    モリブデン層
３    アルミニウム層
４    絶縁膜
５    活性層
６    金属層
２２、２４、２６    ゲート配線
３０  ゲート絶縁膜
５５、５６    オーミック接触層
６５、６６、６８  データ配線
７０    保護膜
７２、７４、７６、７８    コンタクトホール
２２１、２４１、２６１    第１ゲート金属層
２２２、２４２、２６２    第２ゲート金属層
６５１、６６１、６８１  第１データ金属層
６５２、６６２、６８２  第２データ金属層
【図１】
2005222065.tif 000003
【図２】
2005222065.tif 000004
【図３】
2005222065.tif 000005
【図４】
2005222065.tif 000006
【図５】
2005222065.tif 000007
【図６】
2005222065.tif 000008
【図７】
2005222065.tif 000009
【図８】
2005222065.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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