(57)【要約】【課題】作業環境と析出速度に優れためっきによってＩＶＨ内部を良好に充填できる内層回路付き金属張積層板、多層プリント配線板及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】金属張積層板の表面に無電解めっきの触媒核を付与する工程と、金属張積層板に回路導体を形成する工程と、形成された回路導体を含む金属張積層板の表面に絶縁層を設ける工程を含む多層プリント配線板の製造方法。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内層回路付金属張積層板の製造方法において、金属張積層板の表面に無電解めっきの触媒核を付与した後、金属張積層板に内層回路導体を形成することを特徴とする内層回路付金属張積層板の製造方法。
【請求項２】
多層プリント配線板の製造方法において、金属張積層板の表面に無電解めっきの触媒核を付与する工程と、金属張積層板に回路導体を形成する工程と、形成された回路導体を含む金属張積層板の表面に絶縁層を設ける工程を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項３】
多層プリント配線板の製造方法において、金属張積層板の表面に凹凸形状または針状物を生じさせるための処理を施す工程と、前記表面に無電解めっきの触媒核を付与する工程と、金属張積層板に回路導体を形成する工程と、形成された回路導体を含む金属張積層板の表面に絶縁層を設ける工程を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】
多層プリント配線板の製造方法において、
ａ．金属張積層板の表面に凹凸形状または針状物を生じさせるための処理を施す工程、
ｂ．金属張積層板の表面に無電解めっきの触媒核を付与する工程、
ｃ．前記処理後の表面に回路導体を形成する工程、
ｄ．金属張積層板の表面に絶縁層を設けた後、前記絶縁層に層間接続の非貫通穴をあける工程、
ｅ．非貫通穴内部および絶縁層表面を粗化処理する工程、
ｆ．前記非貫通穴を無電解めっきにより穴埋めする工程を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】
多層プリント配線板の製造方法において、
ａ．金属張積層板の表面に凹凸形状または針状物を生じさせるための処理を施す工程、
ｂ．金属張積層板の表面に無電解めっきの触媒核を付与する工程、
ｃ．前記処理後の表面に回路導体を形成する工程、
ｄ．金属張積層板の表面に絶縁層が接するように、絶縁層と金属層を設けた後、前記金属層及び前記絶縁層に層間接続の非貫通穴をあける工程、
ｅ．前記非貫通穴内部を粗化処理する工程、
ｆ．前記非貫通穴を無電解めっきにより穴埋めする工程を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】
無電解めっきが、無電解ニッケルめっきまたは無電解ニッケル合金めっきである請求項４または請求項５に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項７】
無電解ニッケルめっきまたは無電解ニッケル合金めっきが、還元剤として、ヒドラジン、次亜リン酸塩、ジメチルアミンボランの内いずれか１種以上含有する無電解ニッケルめっきまたは無電解ニッケル合金めっきである請求項６に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項８】
無電解ニッケルめっきまたは無電解ニッケル合金めっきが、ニッケルイオンを０．１ｍモル／ｌ以上含有する無電解ニッケルめっきまたは無電解ニッケル合金めっきである請求項６または請求項７に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載された内層回路付金属張積層板の製造方法により製造された内層回路付金属張積層板。
【請求項１０】
内層回路と前記内層回路上に設けられた絶縁層を有し、前記絶縁層に内層回路と導通するための非貫通穴を有する多層プリント配線板において、その非貫通穴の底部にのみ無電解めっきの触媒核が付与されていることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項１１】
請求項２〜８に記載されたいずれかの多層プリント配線板の製造方法により製造された多層プリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は内層回路付金属張積層板、多層プリント配線板及びそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型、軽量、高速化、多機能化、高信頼性化の要求が高まり、その要求を満足するため半導体素子の高集積化及び高速化が進んでいる。この様な電子機器、半導体素子の傾向に伴い、プリント配線板は多層化、配線の微細化、層間接続穴の小径化という形で対応してきた。特にここ数年、基板に貫通穴を設けて層間の導通をとるスルーホールは高密度化の障害となるため、隣接する層の導体間のみを接続するインタースティシャルバイアホール（Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ  Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ、以下「ＩＶＨ」という）に代えたビルドアップ配線板が各社で開発、上市されている。
【０００３】
このＩＶＨは、通常、内層回路の上に絶縁層を形成し、非貫通穴を形成して触媒核を付与した後、無電解めっきを行い、さらに導電性ペースト若しくは電気めっき若しくは無電解銅めっきなどによってＩＶＨ内部を充填する。そしてこれにより、隣接する層の導体間を電気的に接続している（特許文献１参照）。
【０００４】
また、多層プリント配線板を作製するのに、従来スルーホールを形成した場合、穴の径に比して穴の深さが大きいために、めっき液の流れが不十分となり、スルーホール内のめっき液の交換が十分行われず、金属化が困難になりスルーホール内のめっきの厚みがバラツクなどの問題もあった。これら多層プリント配線板の製造に関する問題を改善する技術として、ＩＶＨの内部の導電性ペーストにより隣接する層の導体間を電気的に接続する技術が開示されている（特許文献２、３及び４参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開昭６１−２２６９３号公報
【特許文献２】
特開平９−２３０６７号公報
【特許文献３】
特開平７−１７００４６号公報
【特許文献４】
特開平７−１７６８４６号公報
【特許文献５】
特開平６−２８３８６０号公報
【特許文献６】
特開２００２−０６９４１９号公報
【特許文献７】
特開２００１−２９４６８９号公報
【特許文献８】
特開２００２−１９４１１９号公報
【特許文献９】
特開平０８−１２０１０１号公報
【特許文献１０】
特開平０５−１８５４２９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来行われてきたＩＶＨの製法即ち内層回路の上に絶縁層を形成し、非貫通穴を形成して触媒核を付与した後、無電解めっきを行う方法、また、ＩＶＨ内部を電気めっきで充填する方法は、一般に、穴の側面にも触媒核が付与されるので、めっき時に穴底部からのめっきの成長と穴側面からのめっきの成長が平行して進むため、穴内部にめっき液を封じ込めたボイドが発生し易いなど、良好な充填が困難であるという課題があった。また、ＩＶＨ内部をめっきで充填した場合、表面のめっきも厚くなり、微細配線形成をするうえで、不利になるという課題があった。
【０００７】
また、導電性ペーストをＩＶＨに充填した層間接続は、特にＩＶＨの直径が１００μｍ以下の時は、熱サイクル試験においてＩＶＨ部分が断線しやすいという課題がある。
【０００８】
しかし本発明の方法によれば、ＩＶＨの穴がふさがり、ＩＶＨの上部が平坦となるので、その上に絶縁層を設けて穴をあけることにより、配線設計の自由度が高く、部品ランド直下に層間接続が可能で、かつＩＶＨの上にさらにＩＶＨを設けるように設計することができる。
【０００９】
本発明は、作業環境と析出速度に優れためっきによってＩＶＨ内部を良好に充填できる内層回路付き金属張積層板及びプリント配線板及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は，次のように構成される。
（１）内層回路付金属張積層板の製造方法において、金属張積層板の表面に無電解めっきの触媒核を付与した後、金属張積層板に内層回路導体を形成することを特徴とする内層回路付金属張積層板の製造方法。
（２）多層プリント配線板の製造方法において、金属張積層板の表面に無電解めっきの触媒核を付与する工程と、金属張積層板に回路導体を形成する工程と、形成された回路導体を含む金属張積層板の表面に絶縁層を設ける工程を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
（３）多層プリント配線板の製造方法において、金属張積層板の表面に凹凸形状または針状物を生じさせるための処理を施す工程と、前記表面に無電解めっきの触媒核を付与する工程と、金属張積層板に回路導体を形成する工程と、形成された回路導体を含む金属張積層板の表面に絶縁層を設ける工程を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
（４）多層プリント配線板の製造方法において、
ａ．金属張積層板の表面に凹凸形状または針状物を生じさせるための処理を施す工程、
ｂ．金属張積層板の表面に無電解めっきの触媒核を付与する工程、
ｃ．前記処理後の表面に回路導体を形成する工程、
ｄ．金属張積層板の表面に絶縁層を設けた後、前記絶縁層に層間接続の非貫通穴をあける工程、
ｅ．非貫通穴内部および絶縁層表面を粗化処理する工程、
ｆ．前記非貫通穴を無電解めっきにより穴埋めする工程を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
（５）多層プリント配線板の製造方法において、
ａ．金属張積層板の表面に凹凸形状または針状物を生じさせるための処理を施す工程、
ｂ．金属張積層板の表面に無電解めっきの触媒核を付与する工程、
ｃ．前記処理後の表面に回路導体を形成する工程、
ｄ．金属張積層板の表面に絶縁層が接するように、絶縁層と金属層を設けた後、前記金属層及び前記絶縁層に層間接続の非貫通穴をあける工程、
ｅ．前記非貫通穴内部を粗化処理する工程、
ｆ．前記非貫通穴を無電解めっきにより穴埋めする工程を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
（６）無電解めっきが、無電解ニッケルめっきまたは無電解ニッケル合金めっきである（４）または（５）に記載の多層プリント配線板の製造方法。
（７）無電解ニッケルめっきまたは無電解ニッケル合金めっきが、還元剤として、ヒドラジン、次亜リン酸塩、ジメチルアミンボランの内いずれか１種以上含有する無電解ニッケルめっきまたは無電解ニッケル合金めっきである（６）に記載の多層プリント配線板の製造方法。
（８）無電解ニッケルめっきまたは無電解ニッケル合金めっきが、ニッケルイオンを０．１ｍモル／ｌ以上含有する無電解ニッケルめっきまたは無電解ニッケル合金めっきである（６）または（７）に記載の多層プリント配線板の製造方法。（９）（１）に記載された内層回路付金属張積層板の製造方法により製造された内層回路付金属張積層板。
（１０）内層回路と前記内層回路上に設けられた絶縁層を有し、前記絶縁層に内層回路と導通するための非貫通穴を有する多層プリント配線板において、その非貫通穴の底部にのみ無電解めっきの触媒核が付与されていることを特徴とする多層プリント配線板。
（１１）（２）〜（８）に記載されたいずれかの多層プリント配線板の製造方法により、製造された多層プリント配線板。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を以下、説明する。本発明の金属張積層板としては、両面板または多層板が使用できるが、これらに限定したものではない。これらの金属張積層板は、貫通穴を形成し、貫通穴内がめっきまたは導電性ペーストなどの導電性物質で電気接続されていることが望ましい。また、貫通穴がめっき後、穴埋め樹脂で充填されているのが好ましい。
【００１２】
絶縁層との密着を良好にするために、金属張積層板の表面に、凹凸形状または針状物を生じさせるための処理を行うことが、好ましい。そしてこの工程は、金属張積層板の表面に無電解めっきの触媒核を付与する工程の前に行うことが、好ましい。
【００１３】
この処理方法としては、金属結晶と結晶粒界の溶解の差を利用して、溶解性の高い粒界を優先的に溶解して金属結晶を残すことにより金属表面に凹凸を生じさせるマイクロエッチング処理、あるいはバフ研磨、スクラブ研磨により金属表面に凹凸を形成する研磨処理などが挙げられる。また、よりいっそう微細な針状物を生じさせるための処理方法としては、金属表面を高温の強アルカリ性水溶液で処理して金属表面に微細な針状の酸化物を形成する黒化処理、その針状の酸化物の形状を保持したまま還元剤によって金属に還元する還元処理、銅化合物、ニッケル化合物および次亜リン酸塩を含有する無電解めっき浴中に浸漬することにより、金属表面に銅、ニッケルおよびリンからなる針状結晶物を形成する無電解めっき処理などが挙げられる。
【００１４】
マイクロエッチング処理、黒化処理、還元処理、無電解めっき処理に用いられる処理液及び処理条件は当業者が何れも各処理で用いる一般的な処理液及び処理条件で行うことができる。研磨処理はバフロールやブラシロールを使用した整面研磨機やスクラブ研磨機、センチュリー研磨機を用い、層間樹脂絶縁層表面をバフロールやブラシロール、砥粒で機械的に研磨することが出来る。なお、金属張積層板は銅張積層板が好ましいが、銅以外の金属張積層板でも構わない。
【００１５】
マイクロエッチング処理で使用する液としては、一般的に用いられる液が使用できる。例えば、硫酸、メタンスルホン酸、メタノールスルホン酸、プロパンスルホン酸、ヒドロキシメタンスルホン酸、ヒドロキシエタンスルホン酸、ヒドロキシプロパンスルホン酸を始めとする硫酸、アルカンスルホン酸およびアルカノールスルホン酸ならびにそれらの誘導体、および過酸化水素およびペルオキソ硫酸、ペルオキソ硫酸ナトリウム、ペルオキソ硫酸カリウム、ペルオキソ硫酸アンモニウム等のペルオキソ硫酸化合物を始めとする過酸化物、およびテトラゾール、５−アミノテトラゾール、５−メチルテトラゾール、１−メチル−５−エチルテトラゾール、１−メチル−５−アミノテトラゾール、１−エチル−５−アミノテトラゾール等を始めとするテトラゾール類、および硝酸銀、メタンスルホン酸銀、硫酸銀、酸化銀、塩化パラジウム、水酸化パラジウム、硫酸パラジウム、硝酸パラジウム、酸化金等の金属塩を始めとする銅よりも電位が貴である金属イオンを混合した水溶液などがある。必要に応じて、樹脂との密着性等に影響を与えない程度に界面活性剤や水溶性のアルコール・ジオール類等の添加剤を含有させても良い。処理条件としては、適当な溶媒に希釈して浸漬処理あるいはスプレー噴霧等の処理を挙げることが出来、２０〜５０℃、より好ましくは３０〜４５℃において３０秒〜５分、より好ましくは１〜２分処理すればよい。
【００１６】
マイクロエッチング処理に使用できる市販品としては、ＭＥＣ  ｅｔｃｈ  ＢＯＮＤ  ＣＺ−８１００（メック株式会社製、商品名）、ネオブラウンＮＢＤ処理（株式会社荏原電産製、商品名）などが挙げられる。なお、マイクロエッチング処理後、必要に応じ、防錆処理を行っても良い。
【００１７】
黒化処理、還元処理で使用する液としては、例えば、ＮａＯＨ、ＮａＣｌＯ２およびＮａ３ＰＯ４を含む水溶液を酸化浴とし、ＮａＯＨおよびＮａＢＨ４を含む水溶液を還元浴とする酸化−還元処理等が挙げられる。また、市販品の黒化処理液としてはＨＩＳＴ−５００（日立化成工業株式会社製、商品名）、還元処理液液としてはＨＩＳＴ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）などが挙げられる。なお、無電解めっき処理により、金属表面に針状結晶物を形成する方法としては、特開平６−２８３８６０号公報に記載されている方法がある。
【００１８】
金属張積層板の表面に凹凸形状または針状物を生じさせるための処理を施す工程後、無電解めっきの触媒核を付与する工程において、触媒核には、貴金属イオンや貴金属コロイド等を用いることが望ましく、塩化パラジウムやパラジウムコロイドが好ましい。市販品としては、ＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）などが挙げられる。
【００１９】
前記処理後の金属張積層板の表面に回路導体を形成する工程において、エッチングにより回路導体を形成することが好ましい。この場合、処理した金属張積層板の表面にエッチングレジストを形成する。エッチングレジスト組成物としては、特にクレゾールノボラック型エポキシ樹脂やフェノールノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとイミダゾール硬化剤からなる組成物を用いることが望ましいが、他に市販品のドライフィルムを使用することもできる。エッチング液としては、塩化第二銅溶液や塩化第二鉄溶液を使用するのが望ましい。エッチング条件は、当業者が通常行っている条件でよい。
【００２０】
金属張積層板の表面に回路導体を形成した後、表面上に絶縁層を設ける工程において、本発明の絶縁層には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂やフッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。また、市販品として絶縁接着剤であるＢＬ−９７００（日立化成工業株式会社製、商品名）などを使用し、絶縁層を形成してもかまわない。なお、絶縁層のみではなく、金属張積層板の表面に絶縁層が接するように、絶縁層と金属層を設けてもかまわない。
【００２１】
エポキシ樹脂は、分子内にエポキシ基を有するものであればどのようなものでもよく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のジグリシジルエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などが挙げられる。これらは併用してもよく、エポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
【００２２】
本発明において、絶縁層に、ハロゲン化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等のテトラブロモビスフェノールＡ等のハロゲン化ビスフェノール化合物とエピクロルヒドリンを反応させて得られるエポキシ樹脂のようにエーテル基が結合しているベンゼン環のエーテル基に対してオルト位が塩素、臭素等のハロゲン原子で置換されているエポキシ樹脂を使用したときは、デスミア処理等の処理液によるエポキシ樹脂硬化物の分解または溶解の効率が特によく、好ましい。
【００２３】
エポキシ樹脂用硬化剤は、エポキシ樹脂を硬化させるものであれば、限定することなく使用でき、例えば、多官能フェノール類、アミン類、イミダゾール化合物、酸無水物、有機リン化合物およびこれらのハロゲン化物などが挙げられる。
【００２４】
多官能フェノール類の例として、単環二官能フェノールであるヒドロキノン、レゾルシノール、カテコール，多環二官能フェノールであるビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ナフタレンジオール類、ビフェノール類、及びこれらのハロゲン化物、アルキル基置換体などが挙げられる。更に、これらのフェノール類とアルデヒド類との重縮合物であるノボラック、レゾールがある。
【００２５】
アミン類の例としては、脂肪族あるいは芳香族の第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、第四級アンモニウム塩及び脂肪族環状アミン類、グアニジン類、尿素誘導体等が挙げられる。
【００２６】
これらの化合物の一例としては、Ｎ，Ｎ−ベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、テトラメチルグアニジン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４，４，０］−５−ノネン、ヘキサメチレンテトラミン、ピリジン、ピコリン、ピペリジン、ピロリジン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジメチルヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ−メチルアニリン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリフェニルアミン、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロマイド、テトラメチルアンモニウムアイオダイド、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル、ジシアンジアミド、トリルビグアニド、グアニル尿素、ジメチル尿素等が挙げられる。
【００２７】
イミダゾール化合物の例としては、イミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、４，５−ジフェニルイミダゾール、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリン、２−イソプロピルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾリン、２−フェニル−４−メチルイミダゾリン、ベンズイミダゾール、１−シアノエチルイミダゾールなどが挙げられる。
【００２８】
酸無水物の例としては、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。
【００２９】
有機リン化合物としては、有機基を有するリン化合物であれば特に限定されずに使用でき、例えば、ヘキサメチルリン酸トリアミド、リン酸トリ（ジクロロプロピル）、リン酸トリ（クロロプロピル）、亜リン酸トリフェニル、リン酸トリメチル、フェニルフォスフォン酸、トリフェニルフォスフィン、トリ−ｎ−ブチルフォスフィン、ジフェニルフォスフィンなどが挙げられる。
【００３０】
これらの硬化剤は、単独、或いは、組み合わせて用いることもできる。これらエポキシ樹脂用硬化剤の配合量は、エポキシ基の硬化反応を進行させることができれば、特に限定することなく使用できるが、好ましくは、エポキシ基１モル当量に対して、０．０１〜５．０モル当量の範囲で、特に好ましくは０．８〜１．２モル当量の範囲である。
【００３１】
また、熱硬化性エポキシ樹脂組成物には、必要に応じて硬化促進剤を配合してもよい。代表的な硬化促進剤として、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００３２】
ポリイミド樹脂には、ビスマレイミド樹脂をアミン類で硬化させたもの、これらのプレポリマーをエポキシ樹脂、ビスシアネートモノマ、アミノフェノール、ビスフェノール、ジカルボン酸等で硬化させたものが使用できる。また、ビスマレイミド−トリアジン樹脂としては、特開２００２−０６９４１９号公報、特開２００１−２９４６８９号公報、特開２００２−１９４１１９号公報に、フッ素樹脂としては、特開平０８−１２０１０１号公報、特開平０５−１８５４２９号公報に記載されている。
【００３３】
上記の樹脂を可溶性溶媒に溶解させ、樹脂ワニスとし、必要に応じ、硬化剤、反応促進剤、および難燃剤、熱可塑性樹脂粒子、硬化促進剤、着色材、紫外線不透過剤、酸化防止剤、還元剤などの各種添加剤や充填材を加えて調合することができる。
【００３４】
回路導体を有する金属張積層板の上に絶縁層を設けるには、前述の樹脂ワニスを、回路導体を有する金属張積層板の上に塗布し、乾燥・硬化させたり、支持フィルムの上に塗布・乾燥して半硬化状にした絶縁接着フィルムをラミネートし、加熱・加圧して積層一体化する方法がある。また、銅箔などの金属箔の表面に、前述の樹脂ワニスを塗布、乾燥して、樹脂付金属箔として、加熱・加圧して積層一体化する方法がある。樹脂付金属箔としては、ＭＣＦ−９７００、ＭＣＦ−６０００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）などの樹脂付銅箔が使用できる。
【００３５】
この絶縁層の厚さは、１０〜１００μｍが好ましく、より好ましくは２０〜６０μｍの範囲である。１０μｍ未満であると、絶縁性が低下するおそれがあり、１００μｍを越えると、ＩＶＨの深さが深くなり、めっき液の交換が行われずＩＶＨをめっきで充填することが困難になるおそれがある。
【００３６】
その絶縁層に内層導体に達する穴をあけるには、レーザー照射によって形成することができ、レーザの種類は炭酸ガスレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ等、特に制限されない。また、絶縁層上に金属層が存在する時は、予めレーザで穴をあける箇所の金属層をエッチング等により、除去しておくことが望ましい。
【００３７】
穴あけ条件は、絶縁層の種類及び絶縁層の厚さにより調整しなければならず、実験的に求めるのが好ましく、エネルギー量としては、０．００１Ｗ〜１Ｗの範囲内であって、レーザ発振用の電源をパルス状に印加し、一度に大量のエネルギーが集中しないよう制御しなければならない。この穴あけ条件の調整は、内層回路板の回路導体に達する穴があけられることと、穴径をできるだけ小さくするために、レーザ発振用の電源を駆動するパルス波形デューティー比で１／１０００〜１／１０の範囲で、１〜２０ショット（パルス）であることが好ましい。波形デューティー比が１／１０００未満であると穴をあけるのに時間がかかりすぎ効率的でなく、１／１０を越えると照射エネルギーが大きすぎて穴径が１ｍｍ以上に大きくなり実用的でない。ショット（パルス）数は、穴内の絶縁層が回路導体に達するところまで蒸発できる適切な回数を前もって実験的に求めればよく、１ショット未満では穴があけられず、２０ショットを越えると、１ショットのパルスの波形デューティー比が１／１０００近くであっても穴径が大きくなり実用的でない。
【００３８】
オニウム塩などの光開始剤を用いた光硬化型の絶縁材料を絶縁層とした場合、絶縁層の上にＩＶＨとなる箇所をマスクするフォトマスクを介して紫外線を照射し、未露光の部分を現像して除去することによって、内層導体に達する穴あけを絶縁層に行うことができる。
【００３９】
このようにして穴を形成した後に、穴内の絶縁層のかすを除去するためにデスミア処理を行うのが好ましい。このデスミア処理は、一般的な酸性の酸化性粗化液やアルカリ性の酸化性粗化液を用いることができる。例えば、酸性の酸化性粗化液としては、クロム／硫酸粗化液があり、アルカリ性の酸化性粗化液は過マンガン酸カリウム粗化液等を用いることができる。絶縁層を酸化性の粗化液で粗化した後、絶縁樹脂表面の酸化性粗化液を化学的に中和する必要があるが、これも一般的な手法を取り入れることができる。例えば、クロム／硫酸粗化液を用いたときには、亜硫酸水素ナトリウム１０ｇ／ｌを用いて室温で５分間処理し、また、過マンガン酸カリウム粗化液を用いたときには、硫酸１５０ｍｌ／ｌと過酸化水素水１５ｍｌ／ｌの水溶液に室温で５分間浸漬して中和を完了させる。
【００４０】
絶縁層にあけた内層導体に達する穴を、無電解めっきによって充填する工程の前処理工程として、ＩＶＨの底に露出した内層導体及び無電解めっき用の触媒核を活性化するために、酸を用いることが好ましく、より好ましくは硫酸を用いることである。
【００４１】
絶縁層にあけた内層導体に達する穴を充填できる無電解めっきとしては、無電解錫めっき、無電解はんだめっき、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっき、無電解ニッケル合金めっきなどが挙げられる。めっきの析出速度が速く、また絶縁層に対するダメージが比較的小さいことから、無電解ニッケルめっきまたは無電解ニッケル合金めっきが、より好ましい。また、本発明では、内層導体である穴の底部にのみ触媒核が付与されており、絶縁層である穴の側面には触媒核が付与されていないため、無電解めっきにより、内層導体に達する穴は、ボイドの発生もなく、良好な充填が可能となる。
【００４２】
穴に無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきを充填するには、無電解ニッケルめっき液あるいは無電解ニッケル合金めっき液に、絶縁層に穴をあけた内層回路付金属張積層板を浸漬処理する。その無電解ニッケルめっき液あるいは無電解ニッケル合金めっき液としては、ニッケルイオンとニッケルイオンの錯化剤、ニッケルイオンの還元剤、ｐＨ調整剤、及び必要な場合には安定剤などの添加剤を含むものを用いることが好ましい。無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきに用いる還元剤としては、ヒドラジン、次亜リン酸ナトリウム等の次亜リン酸塩、ジメチルアミンボランの内いずれかを用いることが好ましい。
【００４３】
還元剤に次亜リン酸ナトリウムを用いた場合、生成金属はニッケル−リン合金となる。合金のリン含有量はクエン酸ナトリウム等の添加剤の量や液のｐＨによって異なり、０．１重量％から３０重量％である。還元剤にジメチルアミンボランを用いた場合、生成金属はニッケル−ホウ素合金となり、合金のホウ素含有量はクエン酸ナトリウム等の添加剤の量や液のｐＨによって異なり、０．１重量％から１５重量％である。ニッケルは硫酸ニッケルとして加えるのが望ましく、液のｐＨは硫酸と水酸化ナトリウムで調節するのが望ましい。
【００４４】
また、めっき液が、金、銀、銅、すず、鉄、亜鉛、タングステン、パラジウム、コバルト、マンガン、クロム、レニウム等の金属塩を含有してもよく、その場合、生成金属は例えばニッケル−銅−リンのような合金となる。めっき液中のニッケル塩の含有率を低減させることで、合金中のニッケル含有量を低減させることも可能である。無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきに用いるめっき液には、ニッケルイオンを少なくとも０．１ｍモル／ｌ以上含有することが好ましく、０．１ｍモル／ｌ未満では、めっき析出速度が遅くなり、実用的でない。
【００４５】
無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきを充填した後に、絶縁層の表面の整面処理を行うことが好ましく、その場合、整面処理はバフロールやブラシロールを使用した整面研磨機やスクラブ研磨機、センチュリー研磨機を用い、層間樹脂絶縁層表面をバフロールやブラシロール、砥粒で機械的に研磨し、ＩＶＨに充填した無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきと絶縁層とが同じ高さになるようにすることが好ましい。また樹脂付銅箔等を使用し絶縁層を形成した場合も、同様に整面処理を行うことが好ましい。この場合、銅箔表面は触媒化処理をしていないので、無電解ニッケルめっきなどは銅箔表面には析出しないので、充填した無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきと銅箔表面とが同じ高さになるようにすることが好ましい
【００４６】
その後研磨した絶縁層の表面または銅箔表面を、めっき銅が密着しやすいように粗面化することが好ましく、この粗面化には酸化剤を用いるのが好適である。酸化剤にはクロム酸塩や過マンガン酸塩のような酸化力の強い酸化剤を用いる。粗化面の窪みの深さは１〜１０μｍ、より好ましくは２〜３μｍの範囲で、１μｍ未満であるとめっきとの密着性が改良されないことがあり、１０μｍを越えると、絶縁性が低下するおそれがある。
【００４７】
層間接続のＩＶＨ内部に無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきを充填した基板の表面に、回路導体を形成することができる。この回路導体の形成は、絶縁層の表面または銅箔表面に、全面に無電解めっき銅を形成し、必要な場合に、電解めっきにより厚さを調整し、エッチングレジストを形成し、エッチングレジストから露出しためっき銅を化学エッチング液でスプレー噴霧して、エッチング除去することによって行うことができる。また、絶縁層の表面に、回路導体とならない箇所にめっきレジストを形成し、めっきレジストを形成していない箇所に、選択的にめっきを行うことによって、回路導体を形成することもできる。また、絶縁層の表面または銅箔表面に、全面に薄く無電解めっき銅を形成し、めっきレジストを形成して、電解銅めっきを行い、必要な厚さにまで回路導体を形成した後、めっきレジストを剥離して、回路導体でない箇所に形成されている銅をエッチング除去することによっても回路導体を形成することができる。
【００４８】
【実施例】
（実施例１）
図１（ａ）に示すように、絶縁基材１１に、厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍｍのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）を用い、スルホール穴あけ、めっき後、スルホールを穴埋め樹脂１６で充填し、両面板を作製した。表面の銅箔１２をＭＥＣ  ｅｔｃｈ  ＢＯＮＤ  ＣＺ−８１００（メック株式会社製、商品名）を用い、液温３５℃、スプレー圧力０．１４７ＭＰａの条件で、スプレー噴霧処理し、銅箔表面１２を粗面化して、粗さ３μｍ程度の凹凸をつくり、続いて、ＭＥＣ  ｅｔｃｈ  ＢＯＮＤ  ＣＬ−８３００（メック株式会社製、商品名）を用いて、液温２５℃、浸漬時間２０秒間の条件で浸漬処理して、銅箔表面１２に防錆処理を行った。
【００４９】
その後、パラジウム溶液であるＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）に２５℃で１５分間、浸漬処理し、銅箔表面１２に触媒核１５を付着させた。次に図１（ｂ）に示すように、フォトレジスト用ドライフィルムであるフォテックＨＷ−４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）を、触媒核１５を付着させた銅箔表面１２にラミネートし、フォトマスクを介して紫外線を露光し、現像して、回路導体となる銅箔表面１２の上にエッチングレジスト１３を形成した。
【００５０】
次に図１（ｃ）に示すように、塩化第二鉄エッチング液を使用して、液温４０℃、スプレー圧力０．１４７ＭＰａの条件でスプレー噴霧処理して、回路導体以外の箇所をエッチング除去した後、３重量％の水酸化ナトリウム水溶液によりエッチングレジスト１３を剥離除去して内層回路導体１４を形成し、内層回路板１を作製した。
【００５１】
図１（ｄ）に示すように、内層回路板１の両面に、絶縁接着剤であるＢＬ−９７００（日立化成工業株式会社製、商品名）を、厚さ０．０４ｍｍに塗布し、１７０℃で６０分加熱し、絶縁層２を形成した。さらに図１（ｅ）に示すように、炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機Ｌ−５００（住友重機械株式会社製、商品名）により、直径８０μｍの非貫通穴３をあけ、過マンガン酸カリウム６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウム４０ｇ／ｌの混合水溶液に、液温７０℃で２分間、浸漬し、スミアの除去を行った。
【００５２】
次に、めっき前処理として、酸性脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタル製、商品名）に液温６０℃の条件で１分浸漬し、続いて３．６Ｎの硫酸に室温（２５℃）で１分間浸漬した。図１（ｆ）に示すように無電解ニッケル−リン合金めっきであるＮＩＰＳ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に９０℃で２時間浸漬し、非貫通穴３をめっき４で充填し、表面をバフ研磨により平坦にした。
【００５３】
図１（ｇ）に示すように、過マンガン酸カリウム６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウム４０ｇ／ｌの混合水溶液に、液温７０℃で２分間、浸漬し、表面の粗化処理を行い、微細な凹凸面を作った後、パラジウム溶液であるＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）に２５℃で１５分間、浸漬処理し、触媒を付着させ、ＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、液温２５℃、３０分の条件で無電解銅めっきを行い、厚さ０．３μｍの無電解銅めっき層５を形成した。
【００５４】
図１（ｈ）に示すように、フォトレジスト用ドライフィルムであるフォテックＨＷ−４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）を、無電解銅めっき層５の表面にラミネートし、電解銅めっきを行う箇所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像して、めっきレジスト６を形成した。図１（ｉ）に示すように、硫酸銅浴を用いて、液温２５℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ２の条件で、電解銅めっきを１０μｍほど行い、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝５０μｍ／５０μｍとなるように電解銅めっき層７を形成した。
【００５５】
図１（ｊ）に示すように、めっきレジスト６を、３重量％の水酸化ナトリウム水溶液により溶解除去し、次にアンモニウム系アルカリ銅エッチング液であるＡプロセス液（メルテックス株式会社製、商品名）に室温で１分間浸漬し、図１（ｋ）に示すように、めっきレジスト６の下に形成されていた無電解銅めっき層５をエッチング除去し、その直後に、流水で洗浄した。
【００５６】
そして最後に、樹脂の表面に付着した無電解めっき用触媒のパラジウムとわずかに残った無電解銅めっきを除去するために、過マンガン酸カリウムを６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウムを４０ｇ／ｌに調整した混合水溶液に、液温７０℃で浸漬時間２分間の条件で浸漬処理し、樹脂ごとエッチング除去した。
【００５７】
（実施例２）
無電解ニッケル合金めっきに以下の組成の液を用いたこと以外は、実施例１と同様に基板を作成した。
（めっき浴組成）
・硫酸ニッケル  ３．０ｇ／ｌ
・硫酸銅  ０．６ｇ／ｌ
・次亜リン酸ナトリウム  ３０ｇ／ｌ
・クエン酸ナトリウム  ４０ｇ／ｌ
・ホウ砂  ２０ｇ／ｌ
【００５８】
（比較例１）
絶縁基材に、厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍｍのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）を用いた。フォトレジスト用ドライフィルムであるフォテックＨＷ−４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）を、銅表面にラミネートし、フォトマスクを介して紫外線を露光し、現像して、回路導体となる銅表面の上にエッチングレジストを形成した。
【００５９】
次に、塩化第二鉄エッチング液を使用して、液温４０℃、スプレー圧力０．１４７ＭＰａの条件でスプレー噴霧処理して、回路導体以外の箇所をエッチング除去した後、３重量％の水酸化ナトリウム水溶液によりエッチングレジストを剥離除去して内層回路導体を形成した。次に、内層回路導体の表面をＭＥＣ  ｅｔｃｈ  ＢＯＮＤ  ＣＺ−８１００（メック株式会社製、商品名）を用い、液温３５℃、スプレー圧力０．１４７ＭＰａの条件で、スプレー噴霧処理し、内層回路導体の表面を粗面化して、粗さ３μｍ程度の凹凸をつくり、続いて、ＭＥＣ  ｅｔｃｈ  ＢＯＮＤ  ＣＬ−８３００（メック株式会社製、商品名）を用いて、液温２５℃、浸漬時間２０秒間の条件で浸漬処理して、内層回路導体の表面に防錆処理を行い、内層回路板を作製した。
【００６０】
次に内層回路板の両面に、絶縁接着剤であるＢＬ−９７００（日立化成工業株式会社製、商品名）を、厚さ０．０４ｍｍに塗布し、１７０℃で６０分加熱し、絶縁層を形成した。次に、炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機Ｌ−５００（住友重機械株式会社製、商品名）により、直径８０μｍの非貫通穴をあけ、過マンガン酸カリウム６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウム４０ｇ／ｌの混合水溶液に、液温７０℃で２分間、浸漬し、スミアの除去と、絶縁層の表面の粗化を行った。
【００６１】
パラジウム溶液であるＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で１５分間、浸漬処理し、触媒を付着させ、ＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、液温２５℃、３０分間の条件で無電解銅めっきを行い、厚さ０．３μｍの無電解銅めっき層を形成した。硫酸銅浴を用いて、液温２５℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ２の条件で、電解銅めっきを１０μｍほど行った。
【００６２】
エッチング用ドライフィルムであるフォテックＨＷ−４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）を、電解銅めっき層の表面にラミネートし、エッチング除去する個所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像して、エッチングレジストを形成した。エッチングレジストに覆われていない電解銅めっきを、塩化第二銅エッチング液により、液温４０℃、スプレー圧力０．１４７ＭＰａの条件で、エッチング除去し、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝５０μｍ／５０μｍとなるように回路導体を形成した。エッチングレジストを、３重量％の水酸化ナトリウム水溶液により溶解除去し、その直後に、流水で洗浄した。
【００６３】
（比較例２）
絶縁基材に、厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍｍのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）を用い、表面の銅箔をＭＥＣ  ｅｔｃｈ  ＢＯＮＤ  ＣＺ−８１００（メック株式会社製、商品名）を用い、液温３５℃、スプレー圧力０．１４７ＭＰａの条件で、スプレー噴霧処理し、銅表面を粗面化して、粗さ３μｍ程度の凹凸をつくり、続いて、ＭＥＣ  ｅｔｃｈ  ＢＯＮＤ  ＣＬ−８３００（メック株式会社製、商品名）を用いて、液温２５℃、浸漬時間２０秒間の条件で浸漬処理して、銅表面に防錆処理を行った。
【００６４】
次に、フォトレジスト用ドライフィルムであるフォテックＨＷ−４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）を、粗面化、防錆処理をした銅表面にラミネートし、フォトマスクを介して紫外線を露光し、現像して、回路導体となる銅表面の上にエッチングレジストを形成した。
【００６５】
次に、塩化第二鉄エッチング液を使用して、液温４０℃、スプレー圧力０．１４７ＭＰａの条件でスプレー噴霧処理して、回路導体以外の箇所をエッチング除去した後、３重量％の水酸化ナトリウム水溶液によりエッチングレジストを剥離除去して内層回路導体を形成し、内層回路板を作製した。次に内層回路板１の両面に、絶縁接着剤であるＢＬ−９７００（日立化成工業株式会社製、商品名）を、厚さ０．０４ｍｍに塗布し、１７０℃で６０分加熱し、絶縁層を形成した。
【００６６】
次に、炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機Ｌ−５００（住友重機械株式会社製、商品名）により、直径８０μｍの非貫通穴をあけ、過マンガン酸カリウム６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウム４０ｇ／ｌの混合水溶液に、液温７０℃で２分間、浸漬し、スミアの除去を行った。その後、パラジウム溶液であるＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）に２５℃で１５分間、浸漬処理し、触媒を付着させ、次いで、バフ研磨により絶縁層表面の触媒を除去した。
【００６７】
次に、めっき前処理として、酸性脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタル製、商品名）に液温６０℃の条件で１分浸漬し、続いて３．６Ｎの硫酸に室温で１分間浸漬した後、無電解ニッケル−リン合金めっきであるＮＩＰＳ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に９０℃で２時間浸漬し、非貫通穴をめっきで充填し、表面をバフ研磨により平坦にした。
【００６８】
次に、過マンガン酸カリウム６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウム４０ｇ／ｌの混合水溶液に、液温７０℃で２分間、浸漬し、表面の粗化処理を行い、微細な凹凸面を作った後、パラジウム溶液であるＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）に２５℃で１５分間、浸漬処理し、触媒を付着させ、ＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、液温２５℃、３０分の条件で無電解銅めっきを行い、厚さ０．３μｍの無電解銅めっき層を形成した。
【００６９】
次に、フォトレジスト用ドライフィルムであるフォテックＨＷ−４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）を、無電解銅めっき層の表面にラミネートし、電解銅めっきを行う箇所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像して、めっきレジストを形成した。次に、硫酸銅浴を用いて、液温２５℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ２の条件で、電解銅めっきを１０μｍほど行い、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝５０μｍ／５０μｍとなるように電解銅めっき層を形成した。
【００７０】
次に、めっきレジストを、３重量％の水酸化ナトリウム水溶液により溶解除去した後、アンモニウム系アルカリ銅エッチング液であるＡプロセス液（メルテックス株式会社製、商品名）に室温で１分間浸漬し、めっきレジストの下に形成されていた無電解銅めっき層をエッチング除去し、その直後に、流水で洗浄した。
そして最後に、樹脂の表面に付着した無電解めっき用触媒のパラジウムとわずかに残った無電解銅めっきを除去するために、過マンガン酸カリウムを６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウムを４０ｇ／ｌに調整した混合水溶液に、液温７０℃で浸漬時間２分間の条件で浸漬処理し、樹脂ごとエッチング除去した。
【００７１】
（回路導体形成性試験）
上記実施例と比較例で作製した基板の回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝５０μｍ／５０μｍ回路導体の形成状態を調べるため、自動検査装置を用い、断線、ショート、へこみ等の回路欠陥の発生率を求めた。回路欠陥は、導体の幅が、設計値の２／３以下に細くなっている個所が導体幅の長さ以上にあるものを欠陥とした。また、導体間隔が、設計値の２／３以下に細くなっている個所が導体幅の長さ以上にあるものも欠陥とした。そして設計値の回路総面積に対する欠陥個所の総面積の割合を回路欠陥発生率として算出した。欠陥箇所の面積の算定においては、導体幅の最大部若しくは最小部から導体の幅が設計値の＋１０％若しくは−１０％となるところまでを欠陥箇所の面積とした。なおＩＶＨの不良率は、導通不良があるものを不良とし、算出した。結果を表１に示した。
【００７２】
（最外層めっきピール強度）
次に、最外層のめっきピール強度を測定した。その結果を表１に示した。
【００７３】
【表１】
2005019517.tif 000003
【００７４】
（はんだフロート試験）
ＩＶＨの層間の接続信頼性を評価するため、２６０℃のはんだフロート試験を行った。１分毎に１穴あたりの導通抵抗変化率を測定し、導通抵抗変化率が１０％以上になる時間を調べた。結果を表２に示した。
【００７５】
（ホットオイル試験）
層間の接続信頼性を評価するため、ホットオイル試験を行った。このホットオイル試験は２６０℃、１０秒と２０℃、１０秒を１サイクルとして、１穴あたりの導通抵抗変化率を１０サイクル毎に測定し、導通抵抗変化率が１０％以上になるサイクル数を調べた。結果を表２に示した。
【００７６】
（熱サイクル試験）
層間の接続信頼性を評価するため、熱サイクル試験を行った。この熱サイクル試験は気相１２５℃、３０分と−６５℃、３０分を１サイクルとして、１穴あたりの導通抵抗変化率を１０サイクル毎に測定し、導通抵抗変化率が１０％以上になるサイクル数を調べた。結果を表２に示した。
【００７７】
【表２】
2005019517.tif 000004
【００７８】
表１からわかる通り、本発明により作製した基板の配線形成性（回路欠陥発生率：０％、ＩＶＨホールの不良率：０％）及びピール強度は、従来の基板（比較例）と同等以上であった。それに対し、比較例１の基板の回路欠陥発生率は３％であるなど、基板表面のＩＶＨにくぼみがあるため、ＩＶＨにくぼみがない本発明の基板より、回路欠陥発生率が大きい。
【００７９】
表２からわかる通り、本発明により作製した基板の接続信頼性は、従来の基板（比較例）と比較し良好であった。特に、比較例２の基板の接続信頼性は低く、この基板のＩＶＨの断面を観察した結果、穴底部と穴側面からめっきが同時に成長し、平行して進んだためか、ＩＶＨ穴内部にボイドが発生していたことがわかった。それに対し、実施例のＩＶＨの断面を観察した結果、充填は良好であることがわかった。
【００８０】
本発明の方法で製造される多層プリント配線板は、ＩＶＨを完全にめっきで充填しているので、ＩＶＨの上部が平坦で配線設計の自由度が高く、部品ランド直下に層間接続が可能で、かつＩＶＨの上にＩＶＨを設計でき、回路形成性も問題ない。また従来のめっき接続と異なり、ＩＶＨを完全にめっきで充填しているので接続信頼性も向上する。ＩＶＨのめっき充填を無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきで行っているので、高速のＩＶＨめっき充填が可能であり、絶縁材料に与える負荷が少ない。
【００８１】
【発明の効果】
以上に説明したとおり、本発明によって、作業環境と析出速度に優れためっきによってＩＶＨを充填することのできる多層プリント配線板とその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す各工程における断面図。
【符号の説明】
１．内層回路板
２．絶縁層
３．非貫通穴
４．めっき
５．無電解銅めっき層
６．めっきレジスト
７．電解銅めっき層
１１．絶縁基材
１２．銅箔
１３．エッチングレジスト
１４．内層回路導体
１５．触媒核
１６．穴埋め樹脂
【図１】
2005019517.tif 000005