(57)【要約】【課題】マルチビームレーザ出射ユニットにおいて、複数ビームを出射する半導体レーザを用いた場合の光量変動を抑える。【解決手段】レーザダイオードＬＤａに駆動回路６８Ａにより駆動電流が印加されるとき、高周波信号を重畳する。すなわち、レーザダイオードＬＤａの駆動電流の印加ライン（インダクタ７４とレーザダイオードＬＤａのアノードの接続線）にはコンデンサ７２を介した交流結合で高周波発振回路７０が接続される。このように構成することで、レーザダイオードＬＤａから出射するレーザビームは高周波重畳により発振縦モードがマルチ化するため、レーザダイオードＬＤａが縦シングルモードであっても、各々のレーザビームの干渉は大きく抑制される。【選択図】        図５
2005055538.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザビームを出射する複数の発光点を一体的に有しかつ各々のレーザビームを独立して制御可能な半導体レーザと、出射された複数のレーザビームを夫々略平行光とする一つのコリメータレンズと、前記コリメータレンズから出射されるコリメート光の一部を透過する一つの制限開口と、を有するマルチビームレーザ出射ユニットであって、
前記複数の発光点のうちの少なくとも１つの発光点が、マルチ縦モード発振するように、前記半導体レーザを駆動する駆動手段を備えたことを特徴とするマルチビームレーザ出射ユニット。
【請求項２】
前記駆動手段は、前記複数の発光点のうちの少なくとも１つの発光点を駆動するときに、該発光点に対応した半導体レーザを発振させるための駆動信号に、前記半導体レーザをマルチ縦モード発振させるための高周波信号を重畳する印加手段を含むことを特徴とする請求項１に記載のマルチビームレーザ出射ユニット。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のマルチビームレーザ出射ユニットと、
レーザビームの照射により潜像が形成される像担持体と、
前記マルチビームレーザ出射ユニットから出射された前記レーザビームを偏向走査するビーム偏向器と、
偏向走査された前記レーザビームを前記像担持体上に結像させる結像光学系と、
前記像担持体上の潜像を現像して顕像化する現像装置と、を有することを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マルチビームレーザ出射ユニット、及び画像形成装置にかかり、特に、複数本のレーザビームを出射するマルチビームレーザ出射ユニット、及び画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高速高密度の画像形成を、複数ビームの同時走査により実現する画像形成装置が知られている。特に、複数の発光点を一体的に備え、独立に制御可能とされた複数のレーザビームを出射するマルチビーム半導体レーザで、ビーム間隔を狭めたものを使用することにより、シングルビーム時とほぼ同じ部品で光学走査装置を構成でき、極めてコストパフォーマンスの高い画像形成装置が実現できる（特許文献１または特許文献２を参照）。
【０００３】
ところで、半導体レーザは、例えばシングルビームを出射する場合、モードホップによる波長変動が生じて、レーザビームによる画像形成時に画像劣化に至る場合がある。このため、シングルビームによる半導体レーザを駆動するときに、モードホップによる画像劣化を防止する技術が提案されている（特許文献３を参照）。これによれば、モードホップを解消でき、高品質の画像形成をすることができる。
【０００４】
【特許文献１】
特開昭５７−２２２１８号公報
【特許文献２】
特開平９−１９７３０８号公報
【特許文献３】
特開平５−１６７１６９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、マルチビーム半導体レーザは、モードホップに限らず、光量変動に影響を与える場合がある。例えば、複数ビームの出射をする半導体レーザに、可干渉性が関与する場合がある。複数ビームを出射可能な半導体レーザは、通常同一の組成、形状からなる光共振器をひとつの基材上に複数並置して形成されているため、複数の発光ビームの特性は極めて揃ったものとなり発振波長もほぼ同一となる。
【０００６】
従来は、独立した光源による光同士は干渉しないとされていたが、短時間では独立した光源によるビーム間でも干渉発生の条件（波長、位相、偏光方向）が整う場合がある。このように、干渉条件が整った場合、干渉縞が発生して光量変動が生じ、画像形成時に画像劣化に至る場合がある。
【０００７】
本発明は上記事実を考慮し、複数ビームを出射する半導体レーザを用いた場合の光量変動を抑えることのできるマルチビームレーザ出射ユニット、及び画像形成装置を提供することが目的である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
例えば、マルチビーム半導体レーザは、通常同一の組成、形状からなる光共振器をひとつの基材上に複数並置して形成されている。従って、複数の発光ビームの特性は極めて揃ったものとなり発振波長もほぼ同一となる。このような条件下では、光共振器間の漏れ光、あるいは光共振器外からの戻り光による複数の共振器間の光結合で位相同期が起こり、容易に可干渉状態となる。
【０００９】
図６（Ａ）に一例を示すように、互いに近接する発光点１００Ａ、及び発光点１００Ｂを備えた半導体レーザ１０２から出射したレーザビーム１０４Ａ、及びレーザビーム１０４Ｂは、一つのコリメータレンズ１０６を通過すると互いに交差し、干渉する。干渉が発生すると、コリメータレンズ１０６からの出射光には光強度の強弱の分布が発生し、この分布は光の位相が安定しないと時間と共に変動する。このとき、スリット（制限開口）１１４を通過する光量が変動し画像上の目に見える欠陥となって表れることがある（図６（Ｂ）の出射側に示すビームプロファイル参照）。光量変動量は光源の波長、発光源の間隔、コリメータレンズの焦点距離、開口の幅によって決定される（図７参照）。
【００１０】
なお、本出願人は、光源の波長、発光源の間隔、レンズの焦点距離、開口幅などにより光量変動量を抑制する技術を既に提案している（特願２００２−２７２９８７号）。
【００１１】
すなわち、実際の装置では、図６（Ｂ）に示すように、コリメータレンズ１０６の後ろには、結像光学系により結像させたときのビームスポット径の決定、及びビームスポット径のバラツキの低減のため、通常、制限開口１１４（スリット）が設けられる。
【００１２】
このような制限開口１１４は、複数ビームに均等に作用するように、光軸上のコリメータレンズ１０６のバックフォーカス位置に配置することが多い。制限開口１１４は干渉ビームの一部のみを透過するため、干渉縞が不安定であると制限開口１１４を通過する光量も変動する。このようなレーザ出射ユニットを走査型の画像形成装置に利用した場合、光量変動が発生し、画像上の目に見える欠陥となって表れることがある。
【００１３】
例えば、複数のビームを連続的に点灯するような画像（一例として、全面黒画像）を形成しようとしたときに、不規則な白筋が発生する等の問題が発生する。
また、干渉現象による光量変動が走査同期検知タイミングで発生すると、同期検知誤差が生じ、１走査ラインを通じて、ジッタや筋等の画質欠陥が発生する場合がある。図８は、光量変動の発生する様子を示したもので、（Ａ）には干渉現象による同期検知誤差が生じた場合を示し、（Ｂ）は画像領域に干渉現象による光量変動が生じた場合を示したものである。
【００１４】
本発明者は、このような、干渉現象による光量変動を抑制するためには、複数ビーム間の干渉を抑えることが有効であるという知見を得た。この場合、半導体レーザの出射ビームの可干渉性を抑制するためには、半導体レーザの構造設計を取り組むことよりも、半導体レーザの駆動信号による発振そのものから関与することが好ましいとの知見も得た。具体的には、本発明者は、半導体レーザの出射ビームの可干渉性を抑制するため、駆動信号に高周波重畳を行うことによって達成した。高周波重畳によりレーザの発振縦モードがシングルモードからマルチモードに変化するために、レーザビームの可干渉性が低下する。
【００１５】
図９は、レーザの発振縦モードがシングルモードの場合（図９（Ａ））とマルチモードの場合（図９（Ｂ））を示したものである。
【００１６】
画質劣化という観点からシングルビームのモードホップを抑制するものはあるものの、マルチビームレーザのビーム間干渉を抑制することは、今まで考えられていない。すなわち、本発明は、モードホップによる画質劣化を防止するのではなく、駆動信号に高周波重畳を行うことによってレーザビームの可干渉性を低下させるために用いたものである。
【００１７】
以上のことにより、本発明は、レーザビームを出射する複数の発光点を一体的に有しかつ各々のレーザビームを独立して制御可能な半導体レーザと、出射された複数のレーザビームを夫々略平行光とする一つのコリメータレンズと、前記コリメータレンズから出射されるコリメート光の一部を透過する一つの制限開口と、を有するマルチビームレーザ出射ユニットであって、前記複数の発光点のうちの少なくとも１つの発光点が、マルチ縦モード発振するように、前記半導体レーザを駆動する駆動手段を備えたことを特徴とする。
【００１８】
すなわち、複数の発光点を一体的に有しかつ各々のレーザビームを独立して制御可能な半導体レーザを少なくとも含むマルチビームレーザ出射ユニットにおいて、出射側におけるレーザビームの可干渉性を低下させるために、駆動手段によって複数の発光点のうちの少なくとも１つの発光点がマルチ縦モード発振するように、半導体レーザを駆動する。これによって、複数ビームレーザ出射ユニットにおいて、レーザビームの光量変動を抑制することができる。
【００１９】
前記駆動手段は、前記複数の発光点のうちの少なくとも１つの発光点を駆動するときに、該発光点に対応した半導体レーザを発振させるための駆動信号に、前記半導体レーザをマルチ縦モード発振させるための高周波信号を重畳する印加手段を含むことを特徴とする。
【００２０】
出射側におけるレーザビームの可干渉性を低下させるために発光点がマルチ縦モード発振するように駆動することとしては、例えば、数１００ＭＨｚの高周波信号を重畳することが容易かつ簡便なものである。
【００２１】
より具体的には、一体に形成され独立に制御可能な複数の発光部を有する半導体レーザにおいて、前記複数の隣接する発光部例えば隣接する発光部の少なくとも片方に印加する駆動電流に高周波信号を重畳する。従って、例えば隣接する２本のビームのうち少なくとも片方のビームの可干渉性が抑制されることによって、相互のビーム間干渉が抑制される。これによって、出射側で光束が重なり合う場においてレーザビームの光量変動を抑制することができる。さらには、複数ビームレーザ出射ユニットにおいて、その光量変動を抑えることで像担持体上に結像されるレーザビームの光量変動が抑えられ、高品質の画像を得ることができる。
【００２２】
前記高品質の画像を得ることができる画像形成装置は、前記マルチビームレーザ出射ユニットと、レーザビームの照射により潜像が形成される像担持体と、前記マルチビームレーザ出射ユニットから出射された前記レーザビームを偏向走査するビーム偏向器と、偏向走査された前記レーザビームを前記像担持体上に結像させる結像光学系と、前記像担持体上の潜像を現像して顕像化する現像装置と、を有するようにすればよい。、
【００２３】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態は、レーザ走査装置を備えた画像形成装置に本発明を適用したものである。
【００２４】
図１は第１の実施形態に係る画像形成装置１０の概略構成図であり、図２はレーザ走査装置の斜視図であり、図３は画像形成装置１０の光走査光学系の展開した光路を主走査方向に沿って見た図である。図４は画像形成装置１０の光走査光学系の展開した光路を走査方向に沿って見た図である。
【００２５】
画像形成装置１０は、例えば、複写機や、図示しないワークステーションやコンピュータ等の情報処理装置に接続され、情報処理装置から入力される画像信号に基づいて用紙等の記録媒体上に画像の記録を行うプリンタである。
【００２６】
図１に示すように、画像形成装置１０はレーザ走査装置１２を備えている。
【００２７】
（レーザ走査装置の構成）
図２乃至図３に示すように、レーザ走査装置１２は、マルチビームレーザ出射ユニット１４を備えており、このマルチビームレーザ出射ユニット１４は、半導体レーザ１６、コリメータレンズ２２、及び光ビーム整形用のスリット部材２４を内蔵している。
【００２８】
半導体レーザ１６は、互いに隣接する発光点１８Ａ、及び発光点１８Ｂを有し、発光点１８Ａからはレーザビーム２０Ａ、発光点１８Ｂからはレーザビーム２０Ｂを発光する。
【００２９】
なお、発光点１８Ａと発光点１８Ｂとは極めて接近して配置されており（本実施形態では、例えば、間隔ｄが１４μｍ）、図３においては、分かり易くするために互いに誇張して離間させており、図４では、レーザビーム２０Ａとレーザビーム２０Ｂとが重なって記載されている。なお、図３の符号２０Ａ，Ｂはレーザビームの光軸を示している。
【００３０】
レーザ走査装置１２には、マルチビームレーザ出射ユニット１４から出射されるレーザビーム２０Ａ，２０Ｂの光路に沿ってエキスパンダレンズ２６、シリンドリカルレンズ２８、折り曲げミラー３０がマルチビームレーザ出射ユニット１４側から順に配置されている。
【００３１】
本実施形態では、半導体レーザ１６において、発光点１８Ａ、及び発光点１８Ｂが鉛直方向（矢印Ｂ方向）に配置されている。
【００３２】
また、スリット部材２４には、横方向に細長い長方形の制限開口３２が形成されている。
【００３３】
半導体レーザ１６の発光点１８Ａから出射したレーザビーム２０Ａ、及び発光点１８Ｂから出射したレーザビーム２０Ｂは、各々円錐状に広がった後、コリメータレンズ２２により略平行光となり、その後、光軸周辺のビームの一部のみが制限開口３２を通過する（図４参照）。
【００３４】
制限開口３２を通過したレーザビーム２０Ａ、及びレーザビーム２０Ｂは、球面凹レンズであるエキスパンダレンズ２６により拡散光とされた後、主走査方向に直行する方向にのみパワーを持つシリンドリカルレンズ２８により主走査方向に直行する方向には集束光となる（図４参照）。その後、折り曲げミラー３０により光路を曲げて２枚組みのｆθレンズ３４，３６を通過した後、ポリゴンミラー３８に入射する。
【００３５】
ポリゴンミラー３８は、周方向に複数の反射面３８Ａを備えている。ポリゴンミラー３８には、同軸的にＤＣモータ等からなる偏向駆動手段（図示省略）が連結されており、この偏向駆動手段により、ポリゴンミラー３８は軸心３８Ｃを中心として一方向へ等角速度で回転する。
【００３６】
ポリゴンミラー３８により反射偏向されたレーザビーム２０Ａ、及びレーザビーム２０Ｂは、ｆθレンズ３４，３６により主走査方向に結像され、副走査方向にはシリンドリカルミラー４０により感光体ドラム４２上にビームスポットを結ぶ。
【００３７】
感光体ドラム４２は円柱状に形成され、その外周面がレーザビーム２０Ａ、及びレーザビーム２０Ｂに感応する感光面とされている。感光体ドラム４２は、その軸方向（矢印Ａ方向）がレーザビーム２０Ａ、及びレーザビーム２０Ｂの主走査方向と一致するように支持されている。すなわち、画像形成装置１０では、マルチビームレーザ出射ユニット１４から出射されたレーザビーム２０Ａ、及びレーザビーム２０Ｂが感光体ドラム４２上に各々光スポットとして収束し、この光スポットが主走査方向に沿って感光体ドラム４２上を移動して主走査線上に沿って潜像が記録される。
【００３８】
また、感光体ドラム４２には副走査駆動手段（図示省略）が連結されており、この副走査駆動手段は、感光体ドラム４２に対する１回の主走査完了に同期し、感光体ドラム４２を所定量だけ回転させる。これにより、感光体ドラム４２における副走査方向（周方向）に沿って画素密度に対応する距離だけ異なる部位が順次、レーザビーム２０Ａ、及びレーザビーム２０Ｂにより主走査され、感光体ドラム４２に２次元的な潜像が形成されて行く。
【００３９】
図１に示すように、感光体ドラム４２の外周側には矢印Ｂで示す回転方向に沿って帯電コロトロン４４、現像器４６が順に配設されている。帯電コロトロン４４は、回転する感光体ドラム４２上に電子等を付着させて一定のマイナス電位に帯電する。
【００４０】
レーザ走査装置１２は、前記情報処理装置等から入力される画像信号に応じて明滅するレーザビームを射出し、予め帯電コロトロン４４によって帯電された感光体ドラム４２上をその軸線方向（主走査方向：図１の紙面裏表方向）に沿って露光走査することで、感光体ドラム４２上に画像信号に応じて帯電電荷を除去（除電）した静電潜像を形成する。
【００４１】
現像器４６は、感光体ドラム４２上に形成された静電潜像に対して現像剤であるトナーを付着させて顕像化する。
【００４２】
感光体ドラム４２の下方には記録用紙４８の搬送路が形成され、感光体ドラム４２とは記録用紙４８の搬送路を挟んで反対側に転写コロトロン５０が配設されている。転写コロトロン５０は、記録用紙４８の裏側から付与した静電力により前記トナー像を記録用紙４８上に転写する。転写コロトロン５０より記録用紙４８搬送方向下流側には定着フューザ５２が配設されている。
【００４３】
定着フューザ５２は記録用紙４８上に転写されたトナー像に熱又は圧力を加えて定着させる。
【００４４】
感光体ドラム４２の外周側には更にクリニーングブレード５４が配設されている。クリニーングブレード５４は、転写コロトロン５０を通過した感光体ドラム４２表面に残留しているトナーを除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム４２の表面には、再び上述した帯電、露光走査、現像、転写等の一連の処理が施されて記録用紙４８上に画像が形成される。
【００４５】
図２に示すように、レーザ走査装置１２には、シリンドリカルミラー４０の外側へ反射されたレーザビーム２０Ａ、及びレーザビーム２０Ｂの光路上に平面ミラー５６が配置されており、この平面ミラー５６により反射されたレーザビーム２０Ａ、及びレーザビーム２０Ｂの光路上には、シリンドリカルレンズ５８及び同期センサ６０が順に配置されている。
【００４６】
このレーザビーム２０Ａ、及びレーザビーム２０Ｂの入射と同時に、同期センサ６０はＳＯＳ信号をビデオコントローラ（図示せず）へ出力し、このＳＯＳ信号に基づいて、ビデオコントローラは、感光体ドラム４２に対する主走査方向に沿った書出しタイミング及び感光体ドラム４２の副走査方向への移動（回転）タイミングをそれぞれ決定する。
【００４７】
図５には、本発明の実施の形態にかかる、レーザ駆動装置６２の構成を示した。レーザ駆動装置６２は、半導体レーザ１６の内の発光点１８Ａを担当するレーザダイオード領域（以下、レーザダイオードＬＤａという）ＯＲ素子６４Ａ、及び半導体レーザ１６の内の発光点１８Ｂを担当するレーザダイオード領域（以下、レーザダイオードＬＤｂという）ＯＲ素子６４Ｂを備えており、ＯＲ素子６４Ａの入力側には、レーザダイオードＬＤａを点灯させるための画像データＧｄｔＡ及び強制点灯させるための強制点灯信号ＣｎｔＡが入力されるように接続されている。同様に、ＯＲ素子６４Ｂの入力側には、レーザダイオードＬＤｂを点灯させるための画像データＧｄｔＢ及び強制点灯させるための強制点灯信号ＣｎｔＢが入力されるように接続されている。
【００４８】
ＯＲ素子６４Ａの出力側は、レーザダイオードＬＤａを駆動する駆動回路６８Ａに接続され、ＯＲ素子６４Ｂの出力側は、レーザダイオードＬＤｂを駆動する駆動回路６８Ｂに接続される。この駆動回路６８Ａには、基準信号Ｖｒｅｆと後述するフォトダイオードＰＤの検出信号とを比較する比較器６６Ａの比較結果が入力される。同様に、駆動回路６８Ｂには、比較器６６Ｂの比較結果が入力される。また、駆動回路６８Ａには強制点灯信号ＣｎｔＡも入力されるように接続されており、駆動回路６８Ｂには強制点灯信号ＣｎｔＢも入力されるように接続されている。
【００４９】
駆動回路６８Ａの出力側は、インダクタ７４を介してレーザダイオードＬＤａのアノード側に接続されている。このインダクタ７４とレーザダイオードＬＤａのアノード側との間には、高周波発振回路７０が、コンデンサ７２を介して接続されている。高周波発振回路７０はおよそ３００ＭＨｚの正弦波を発生する。駆動回路６８Ｂの出力側は、レーザダイオードＬＤａのアノード側に接続されている。
【００５０】
レーザダイオードＬＤａ、ＬＤｂのカソード側は共通に接地されると共に、フォトダイオードＰＤのカソード側に接続されている。フォトダイオードＰＤのアノード側は、一端が接地された増幅器８２の他端の入力側に接続されており、増幅器８２の出力側は、抵抗９０Ａを介して一端が接地された増幅器８４Ａの他端の入力側に接続されている。増幅器８４Ａの出力側は、比較器６６Ａの入力側に接続されている。また、増幅器８２の出力側は、抵抗９０Ｂを介して一端が接地された増幅器８４Ｂの他端の入力側に接続されている。増幅器８４Ｂの出力側は、比較器６６Ｂの入力側に接続されている。増幅器８２の出力側と入力側は抵抗８８を介して接続され、増幅器８４Ａの出力側と入力側は可変抵抗８６Ａを介して接続され、増幅器８４Ｂの出力側と入力側は可変抵抗８６Ｂを介して接続されている。
【００５１】
次に、本実施の形態のレーザ駆動装置６２の作動を説明する。
【００５２】
まず、レーザダイオードＬＤａ、ＬＤｂには駆動回路６８Ａ、６８Ｂにより駆動電流が印加される。駆動回路６８Ａ、６８Ｂはそれぞれ画像データＧｄｔＡ、画像データＧｄｔＢに対応してレーザダイオードＬＤａ、ＬＤｂに駆動電流を印加し発光させる。また強制点灯信号ＣｎｔＡ、ＣｎｔＢを順次オンにすることによりレーザダイオードＬＤａ、ＬＤｂに順次駆動電流を印加し順次発光させることができる。
【００５３】
レーザダイオードＬＤａ、ＬＤｂが発光すると、レーザダイオードＬＤａ、ＬＤｂの共振器の主ビーム出射面と反対側からも出射面からの出力に比例した出力が得られる。そこで、レーザ出射面と反対側に設置されたフォトダイオードＰＤにより受光し、フォトダイオードＰＤからの光電流が増幅器８２、８４Ａ、８４Ｂにより電圧変換されて増幅される。増幅器８４Ａ、８４Ｂのゲインは可変抵抗８６Ａ、８６Ｂにより感光体上に照射される光量に比例したモニタ信号電圧が得られるよう調整する。
【００５４】
この増幅器８４Ａ、８４Ｂから出力される信号が、レーザダイオードＬＤａ、ＬＤｂの光量のモニタ信号ＭＡ、ＭＢとなる。モニタ信号ＭＡ、ＭＢは比較器６６Ａ、比較器６６Ｂによりレーザ発光量を指示する基準信号（基準電圧）Ｖｒｅｆと比較される。比較結果により駆動回路６８Ａ、６８Ｂの電流値が制御されるが、駆動回路６８Ａ、６８Ｂの電流値の変更は強制点灯信号ＣｎｔＡ，ＣｎｔＢのオンに連動して順次有効化される。通常、画像書込期間外の時間を利用して、レーザ発光量の安定化が行なわれる。
【００５５】
駆動回路６８Ａ、６８Ｂは定電流制御によりそれぞれのレーザダイオードに電流を印加する。本実施の形態ではレーザダイオードＬＤａの駆動電流のみに高周波信号を重畳する。すなわち、レーザダイオードＬＤａの駆動電流の印加ライン（インダクタ７４とレーザダイオードＬＤａのアノードの接続線）にはコンデンサ７２を介した交流結合で高周波発振回路７０が接続される。交流結合により高周波信号がレーザダイオードＬＤａの駆動電流に重畳されるが、その駆動電流は高周波発振回路に流入しないように構成されている。また、インダクタ７４は駆動回路６８Ａに高周波信号が流入しないように駆動電流の印加ライン上に設けている。
【００５６】
このように構成することで、開口２４から出射するレーザビーム２０Ａは高周波重畳により発振縦モードがマルチ化するため、レーザビーム２０Ｂが縦シングルモードであっても、レーザビーム２０Ａとレーザビーム２０Ｂの干渉は大きく抑制される。また高周波の発振周波数は画像データの周波数より大幅に高いため、重畳した高周波は画像には影響を与えない。
【００５７】
また、同期センサ６０に入射するレーザビーム２０Ａ、及びレーザビーム２０Ｂの光量変動が抑えられるので、同期誤差を発生せず、画像にジッターが発生するなどの問題が生じることはない。
【００５８】
上記実施の形態では、レーザダイオードの一方の駆動電流に高周波信号を重畳したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、レーザビーム２０Ａとレーザビーム２０Ｂの両方の駆動電流に高周波を重畳することができ、干渉抑制効果はさらに高くなる。この場合、レーザビーム２０Ｂを射出するレーザダイオードＬＤｂの駆動電流印加ラインにも、レーザダイオードＬＤａと同様のコンデンサを介した交流結合で高周波発振回路を接続すればよい。
【００５９】
なお、片方のレーザダイオードのみマルチモード発振している場合、マルチ発振による光ビームも複数のモードのうち、シングルモード発振側のピーク周波数と一致するモードは位相がそろい干渉する可能性がある。しかし、残りの他のモードには影響がないため、全体の光量に対する、変動の割合は小さくなり、光量変動抑制の効果が発生する。
【００６０】
また、両方のレーザダイオードがマルチビーム発振している場合、それぞれ波長の一致するモード間では干渉の発生の可能性があるが、個々のモードの位相は独立と考えられ、全体では干渉の発生状態及び光量変動の発生状態は均一化されると考えられるので、光量変動抑制効果はさらに高くなる。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のマルチビームレーザ出射ユニット、及び画像形成装置によれば、複数ビームを出射する半導体レーザを用いた場合のビーム間干渉を抑制し、光量変動を抑えることのできる複数ビームレーザ出射ユニット、及び光量変動による画質劣化の無い画像を形成することができる、という優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る画像形成装置の概略構成図である。
【図２】本発明の実施形態に係る画像形成装置の光学系の概略構成を示す斜視図である。
【図３】画像形成装置の光走査光学系の展開した光路を主走査方向に沿って見た図である。
【図４】画像形成装置の光走査光学系の展開した光路を主走査方向に沿って見た図である。
【図５】本発明の実施形態に係る画像形成装置のレーザ駆動装置の概略構成を示すブロック図である。
【図６】マルチビーム半導体レーザ、コリメータレンズ、及びスリットの位置関係を示す説明図である。
【図７】干渉縞の周期ｐを一定として制限開口の幅ｗを変化させたときの光量変動量の変化を示したグラフである
【図８】光量変動の発生する様子を示したもので、（Ａ）には干渉現象による同期検知誤差が生じた場合を示し、（Ｂ）は画像領域に干渉現象による光量変動が生じた場合を示した特性図である。
【図９】（Ａ）はレーザの発振縦モードがシングルモードの場合、（Ｂ）はマルチモードの場合の波長と光強度との関係を示す特性図である。
【符号の説明】
ＬＤａ、ＬＤｂ…レーザダイオード
ＰＤ…フォトダイオード
１６…半導体レーザ
１８Ａ、１８Ｂ…発光点
２０Ａ、２０Ｂ…レーザビーム
６２…レーザ駆動装置
７０…高周波発振回路
【図１】
2005055538.tif 000003
【図２】
2005055538.tif 000004
【図３】
2005055538.tif 000005
【図４】
2005055538.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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