(57)【要約】【課題】  良好な耐湿保存安定性を有する光情報記録媒体を提供する。【解決手段】  基板１上にＡｇ合金からなる反射層２、Ｓ化合物からなる第１保護層４、相変化型光記録層５、Ｓ化合物からなる第２保護層６を順次積層し、その上に接着層７を介して光を透過するカバー層８を設けてなり、カバー層８側からの光の照射により記録層５に情報を記録し、かつ記録した情報を再生する光情報記録媒体において、反射層２と第１保護層４との間、及び第２保護層６と接着層７との間に、窒化物からなる光透過中間層３Ａ、３Ｂをそれぞれ設けた。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＡｇ合金からなる反射層、Ｓ化合物からなる第１保護層、相変化型光記録層、Ｓ化合物からなる第２保護層を順次積層し、その上に接着層を介して光を透過するカバー層を設けてなり、前記カバー層側からの光の照射により前記記録層に情報を記録し、かつ記録した情報を再生する光情報記録媒体において、
前記反射層と前記第１保護層との間、及び前記第２保護層と前記接着層との間に、窒化物からなる光透過中間層をそれぞれ設けたことを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の光情報記録媒体において、
前記光透過中間層をＡｌＮとＢＮとの混合物又は窒化珪素から構成したことを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項３】
請求項１に記載の光情報記録媒体を製造する光情報記録媒体の製造方法であって、
前記光透過中間層を、アルゴンガスと窒素ガスとを、アルゴンガスが窒素ガスより多い比率にして導入した雰囲気中で、反応性スパッタリングにより形成することを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、相変化型光記録層を有する光情報記録媒体（光ディスク）に係り、特に、高密度化対応構造において、良好な保存安定性を有する光情報記録媒体およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、光情報記録媒体（以下、単に光ディスクともいう）が、広く普及している。記録された情報の再生専用の光ディスクは、例えば、以下の構成を有する。すなわち、この再生専用光ディスクは、一方の面上に情報信号に応じた微細な凹凸パターンを形成した透明基板と、この面上に順次形成したアルミニウム反射層と、保護層とから構成される。ここで、透明基板の厚さは、例えば、厚さ１．２ｍｍである。
【０００３】
この再生専用光ディスクにおいては、透明基板側に対物レンズを配置し、この対物レンズを通じてレーザ光を照射し、アルミニウム反射層で反射された反射光に基き信号を読み取るようになっている。ここで、レーザ光の波長は、６３０ｎｍ〜７８０ｎｍである。
【０００４】
一方、情報を記録再生出来る光ディスクがある。この記録再生型光ディスクには、記録層に相変化型記録層を用いるものが知られている。
【０００５】
この記録再生型光ディスクは、一方の面上にレーザ光トレース用の案内溝の形成した透明基板と、この面上に順次形成した透明な誘電体からなる第１保護層、相変化材料からなる記録層、透明な誘電体からなる第２保護層、アルミニウム反射層、及び第３保護層とから構成される。ここで、透明基板の厚さは、例えば１．２ｍｍである。
【０００６】
この記録再生用光ディスクにおいては、透明基板側に対物レンズを配置し、このレンズを通じてレーザ光を照射し、記録層に情報を記録する一方、アルミニウム反射層で反射された反射光に基き記録層に記録された情報を読み取るようになっている。ここで、レーザ光の波長は、６５０ｎｍ〜６８０ｎｍである。
【０００７】
これらの光ディスクに対して、その記録密度を一層向上することが求められている。記録密度を高密度化するためには、光ディスクに照射するレーザ光の波長を短くすると共に、対物レンズの開口率（ＮＡ：ｎｕｍｅｒａｌ  ａｐｅｒｔｕｒｅ）を大きくすることが必要である。
【０００８】
上述の再生専用型及び記録再生型光ディスクにおいては、基板側に対物レンズを配置し、この対物レンズを通じてレーザ光を照射し、アルミニウム反射層で反射された反射光に基き信号読み取るようになっている。従って、対物レンズ及びアルミニウム反射層との間には、透明基板の厚さ（＝１．２ｍｍ）の間隔が存在し、対物レンズの高ＮＡ化が困難であった。
【０００９】
これを克服するものとして、新たな構造の高密度化対応の光情報記録媒体（光ディスク）が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１０】
この高密度化対応光ディスクは、厚さ約１．２ｍｍの基板と、この基板上に形成された信号パターン層と、この信号パターン層上に形成された反射層と、この反射層上に形成された透明接着層と、透明接着層上に形成された透明なカバー層とから構成されている。ここで、カバー層の厚さは、信号パターンの細かさに対応した厚さ（＝５０μｍ〜２００μｍ）である。
【００１１】
信号の再生に際しては、カバー層側に対物レンズを配置し、この対物レンズを通じてレーザ光を照射し、アルミニウム合金反射層で反射された反射光に基き信号を読み取るようになっている。従って、開口率を高くしても、それに対応する位置に対物レンズを接近出来て、記録密度の高密度化が可能となる。
【００１２】
これに対応して、高密度記録に対応した、相変化型記録層を有する、記録再生型光情報記録媒体（光ディスク）が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。以下、これを従来例の光ディスクとして、説明する。
【００１３】
図２に示すように、従来例の高密度記録対応型の相変化型記録層を有する光情報記録媒体（光ディスク）５０は、例えば、厚さ１．２ｍｍであり、一方の面上に案内溝（グルーブ）を形成した透明基板５１と、このグルーブを形成した面上に順次形成した反射層５２、第１保護層５４、記録層５５及び第２保護層５６と、第２保護層上に接着層５７を介して接着したカバー層５８とから構成されている。
【００１４】
反射層５２は、Ａｇを主成分とするＡｇ合金より構成されている。Ａｇ合金膜は、結晶が緻密であり、その膜の表面を滑らかな状態で形成できるので、レーザ光を散乱させることなく効率良く反射することが出来る。
【００１５】
第１保護層５４及び第２保護層５６は、誘電体であるＺｎＳ−ＳｉＯ2膜よりそれぞれ構成され、その表面は極めて平滑に形成されている。ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜は、透明な誘電体膜である。
【００１６】
記録層５５は、Ｔｅ、Ｓｅ等のカルコゲンを主成分とするもの、例えば、Ｔｅ−Ｓｂ系にＧｅ、Ａｇ、Ｉｎ等を添加した相変化型材料より構成されている。これらの材料は、結晶−非晶質の相変化を可逆的に行い、常温において、いずれの状態も準安定にとることが出来る。例えば、レーザ光を用いて、溶融温度以上まで加熱した後冷却（急冷になる）すると、非晶質状態となり、結晶化温度より高い温度まで加熱した後に冷却（徐冷になる）すると、結晶状態を取る。これによりオーバライトが可能である。このような相変化に伴い、記録層５５の光学的性質（反射率、透過率、複素屈折率等）が変化するので、これを利用して、情報を記録する。
【００１７】
記録層５５上に形成された第２保護層５６上にはアクリル系の紫外線硬化樹脂からなる接着層５７を介して、厚さ０．２ｍｍ程度の透明なポリカーボネート樹脂からなるカバー層５８を接着してある。
【００１８】
この従来例の層変化型光情報記録媒体５０においては、情報の記録再生は、カバー層５８側に配置した対物レンズ（図示しない）を通して照射されるレーザ光によって行われる。カバー層５８の厚みを薄くしてあるので、対物レンズのＮＡを高くすることが出来、記録密度の高密度化が可能である。
【特許文献１】特許第２８７２６５４号明細書（第２−３頁）
【特許文献２】特開２０００−２９８８７５号公報（第５−７頁、図４−５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
ところで、従来例の相変化型光情報記録媒体５０の記録再生特性を評価すると、記録密度の高密度化が可能であることが知られる。
【００２０】
しかし、高温高湿の耐久試験を行ったところいずれも、反射層やカバー層に気泡部が多数発生し、極めて保存安定性に劣るという問題があることが判明した。
【００２１】
そこで、本発明は上記問題を解決して、良好な耐湿保存安定性を有する光情報記録媒体を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を達成するための手段として、第１の発明は、基板１上にＡｇ合金からなる反射層２、Ｓ化合物からなる第１保護層４、相変化型光記録層５、Ｓ化合物からなる第２保護層６を順次積層し、その上に接着層７を介して光を透過するカバー層８を設けてなり、前記カバー層８側からの光の照射により前記記録層５に情報を記録し、かつ記録した情報を再生する光情報記録媒体において、
前記反射層２と前記第１保護層４との間、及び前記第２保護層６と前記接着層７との間に、窒化物からなる光透過中間層３Ａ、３Ｂをそれぞれ設けたことを特徴とする光情報記録媒体である。
【００２３】
また、第２の発明は、第１の発明の光情報記録媒体において、
前記光透過中間層３Ａ、３ＢをＡｌＮとＢＮとの混合物又は窒化珪素から構成したことを特徴とする光情報記録媒体である。
【００２４】
また、第３の発明は、第１の発明に記載の光情報記録媒体を製造する光情報記録媒体の製造方法であって、
前記光透過中間層３Ａ、３Ｂを、アルゴンガスと窒素ガスとを、アルゴンガスが窒素ガスより多い比率にして導入した雰囲気中で、反応性スパッタリングにより形成することを特徴とする光情報記録媒体の製造方法である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の光情報記録媒体は、請求項１及び２記載によれば、反射層と第１保護層との間、及び第２保護層と接着層との間に、窒化物からなる光透過中間層をそれぞれ設けたことにより、良好な耐湿保存安定性を有する高密度記録対応の光情報記録媒体を提供できるという効果がある。
【００２６】
また、本発明の光情報記録媒体の製造方法は、請求項３記載によれば、光透過中間層を、アルゴンガスと窒素ガスとを、アルゴンガスが窒素ガスより多い比率にして導入した雰囲気中で、反応性スパッタリングにより形成することにより、良好な耐湿保存安定性を有する高密度記録対応の光情報記録媒体の製造方法を提供できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明を実施するための最良の形態につき、好ましい実施例により、図面を参照して説明する。
【００２８】
まず、初めに、本発明に至る経緯を説明する。
【００２９】
上述の従来例で説明した光情報記録媒体５０においては、その反射層５２をＡｇが主成分である合金より構成している。反射層５２として常用されているＡｌが主成分である合金を用いていない。それは、レーザ光が基板５１側とは反対側（カバー層５８側）から入射するので、レーザ光は反射層５２と第１保護層５４との界面において、反射するのであるが、良好な反射特性を得るには、Ａｌ合金は適さない。Ａｌ膜は、膜成長に従って、結晶粒が大きくなり、その表面の平滑度が低下する。このため、乱反射が増えて情報の再生時にノイズを増加させ好ましくない。
【００３０】
これに対して、Ａｇを主成分とする反射層５２は、平滑度、反射特性とも良好である。
【００３１】
しかし、反射層５２はＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる第１保護層５４と接している。ＺｎＳ−ＳｉＯ2は比較的緻密ではないので、小さな分子例えば水分、ハロゲン等を透過させ易い。
【００３２】
また、カバー層５８は樹脂であるので、比較的透湿性があリ、しかも厚さが薄いので、高湿にしたときは、水分を吸収透過し、透過した水分は反射層５２に達し、反射層５２において腐食が発生する。
【００３３】
また、接着層５７は、紫外線硬化樹脂より構成してあるが、これには残留物としてＣｌを初めとするハロゲン元素やそれらの化合物が存在する。これらは、酸化力が強く記録層５５、保護層５４、５６、反射層５２に悪影響を及ぼす。
【００３４】
これらが重なり、光情報記録媒体の高温高湿耐久性が損なわれているという考察に基き、Ｓや水分による酸化を抑制できる、緻密性の高い、しかも光学的特性の確保できる光透過中間層を設けるという本発明に至ったものである。
【００３５】
更に、この光透過中間層は窒化物からなることを特徴とするが、その成膜方法は反応性スパッタリング法で行うのが好ましい。反応性スパッタリングは、通常スパッタリング時に用いられるＡｒガスの他に反応させるガスである窒素を混合したものを用いて行われる。この時の各ガスの流量（分圧）やスパッタリング用電源の投入電力等の条件により、できあがった光透過中間層を構成する薄膜の物性が異なる。
【００３６】
光記録媒体の耐湿保存安定性を向上させるためには、光透過中間層が水分や不純物の侵入を防ぐ程度の緻密性と光ディスクとして記録再生特性を充分確保できる程度の光学特性を有することが必要で、そのような特性の得られる成膜条件を設定することになる。
【００３７】
しかしながら、光透過性中間層としての窒化物には、最適な光学特性を得るために調整された成膜条件では、耐湿保存安定性を確保するに不十分な特性しか得られない薄膜があることを見出した。
【００３８】
また、耐湿保存安定性の良好な窒化物薄膜においても、Ａｒガスと窒素ガスの混合比により、耐湿保存安定性が異なることを見出した。すなわち、Ａｒガスより窒素ガスが少ない条件においては、耐湿保存安定性は一層良好となる。
【００３９】
Ａｒガスに対して窒素ガスの分圧を高くしてスパッタリングを行って形成した窒化物の場合には、過剰な窒素ガスを取り込んだり、反応によりできた窒素化合物における窒素との結合が切れやすいという性質を有しており、これらが環境負荷をかけることにより再び窒素ガスを遊離して、光記録媒体を劣化させると考えられる。
【実施例１】
【００４０】
図１は、本発明の光情報記録媒体の実施例１を示す断面構成図である。
【００４１】
同図に示すように、実施例１の光情報記録媒体（光ディスク）１０は、基板１上に、反射層２、第１光透過中間層３Ａ、第１保護層４、記録層５、第２保護層６、第２光透過中間層３Ｂ、接着層７、及びカバー層８を順次積層したものより構成される。
【００４２】
この実施例１の光情報記録媒体１０を以下のように作製し、その特性を評価した。
【００４３】
まず、基板１は、厚さ１．２ｍｍで直径が１２０ｍｍのポリカーボネート樹脂より構成される。基板１の一方の面には、トラックピッチ０．３２μｍで、溝幅が０．１４μｍ乃至０．１６μｍであるレーザ光を案内するための案内溝（グルーブ）が形成されている。
【００４４】
基板１のグルーブを形成した面上に直流スパッタリング法により反射層２を形成する。ターゲットには、ＡｇＰｄ（１ｗｔ％）Ｃｕ（１ｗｔ％）合金を用いた。基板１を毎分６０回転で遊星回転させておく。真空チャンバ内を６×１０-5Ｐａまで排気したあと、Ａｒガスを導入して、８．０×１０-1Ｐａの圧力で、１．０ｋＷのパワーで１５０ｎｍ厚さの反射層２を形成する。
【００４５】
次に、反射層２上に第１光透過中間層３Ａを形成する。これには、Ｓｉターゲット（直径４インチで厚さ５ｍｍである。）を用い、Ａｒガスに加えて、Ｎ2ガスを導入し、全圧力を８．０×１０-1Ｐａに調整し、１．０ｋＷのパワーで、反応性スパッタ法により、形成する。この時のＡｒガスとＮ2ガスの真空チャンバー（真空槽）への導入量は、それぞれ３０ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍであった。これにより、厚さ３ｎｍのＳｉ3Ｎ4からなる第１光透過中間層３Ａを形成する。
【００４６】
次に、第１光透過中間層３Ａ上に第１保護層４を形成する。これには、ＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲット（８０ｍｏｌ％ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2である混合焼成ターゲットである）を用い、高周波マグネトロンスパッタ法により、厚さ７ｎｍの第１保護層４を得た。このとき、真空度は、Ａｒガス７．７×１０-1Ｐａで、５００Ｗのパワーでスパッタした。
【００４７】
次に、第１保護層４上に記録層５を直流スパッタ法で形成する。ターゲットには直径４インチ、厚さ５ｍｍのＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金ターゲットを用いた。Ａｒガス圧６．８×１０-1Ｐａで、８０Ｗのパワーでスパッタし、膜厚１５ｎｍであるＧｅ０．１０Ｔｅ０．３０Ｓｂ０．６０の記録層５を形成した。
【００４８】
次に、記録層５上に第２保護層６を形成する。第２保護層６は上述の第１保護層４と同一の材料を同一の作製条件で作製した。但し、膜厚は３５ｎｍである。
【００４９】
次に、第２保護層６上に、第２光透過中間層３Ｂを形成する。第２光透過中間層３Ｂは、上述の第１光透過中間層３Ａと同様に形成する。第２光透過中間層３Ｂは厚さ５ｎｍのＳｉ3Ｎ4である。
【００５０】
この後、このように第２光透過中間層３Ｂまでが順次形成された基板１を、真空チャンバーより取り出し、この第２光透過中間層３Ｂ上にアクリル系の紫外線硬化型接着剤を用いて、直径１２０ｍｍであり厚さ０．１ｍｍの透明なポリカーボネート樹脂シートを貼り合わせる。これに紫外線を照射して、紫外線硬化樹脂を硬化させて、これを接着層７とする。貼り合わせた樹脂シートは、カバー層８となる。このようにして、本実施例の光情報記録媒体（光ディスク）１０を得た。
【００５１】
なお、光情報記録媒体１０が最終的に良好な光学特性を有するためには、第１及び第２光透過中間層３Ａ、３Ｂを形成しない従来例における各膜厚構成の媒体光学特性を継承するよう構造を調整することが望ましい。第１及び第２光透過中間層３Ａ、３Ｂは、光学的に、特に消衰係数が第１及び第２保護層４、６と同等である物質であることが望ましい。こうすることにより、光透過層を持たない媒体と光学的に特性が変化しないよう調整できる。第１及び第２光透過中間層３Ａ、３Ｂとしては、緻密な膜となるＡｌ、Ｂ、Ｓｉの窒化物を用いるのが良い。光学的に記録再生光に対して透明である。光学特性に加えて、光情報記録媒体１０の熱的なバランス（記録時に放熱と吸熱のバランスが必要）も考慮すると、第１光透過中間層３Ａ、の膜厚は１０ｎｍ以下が望ましく、３ｎｍ以上の範囲が好適である。第２光透過中間層３Ｂは５〜３０ｎｍが好適である。薄いと酸化防止の効果が小さくなり、厚いと光学条件、熱的条件が崩れてくる。
【００５２】
こうして作製した実施例１の光情報記録媒体（光ディスク）１０にレーザ光やフラッシュランプ等を照射して、記録層５を結晶化温度以上に加熱し初期化処理を行う。実用的には初期化装置と評価機等を用い収束したレーザ光を用いる。初期化装置のスピンドルに光情報記録媒体１０を装着した後、大出力のレーザ光を照射して記録層５を加熱して高反射率の状態に変化させる。
【００５３】
光情報記録媒体１０に照射されるレーザ光は、好ましくは半径方向にトラックピッチよりも長い大きなビーム径を有している。光情報記録媒体１０を回転しながらレーザ光により複数のトラックを同時に初期化する。
【００５４】
具体的には、初期化レーザの波長は８３０ｎｍであり、照射ビームの形状は、トラック方向が２μｍで半径方向が２０μｍの幅の広い形をしている。光ディスク１０を線速度４ｍ／ｓで回転させ、半径２２．０ｍｍから初期化を開始した。
【００５５】
初期化レーザは、パワー５００ｍＷで半径外周方向に３０μｍ／回転の速度で移動させ、半径４０．０ｍｍで初期化を終了した。
【００５６】
光ディスク１０の媒体特性の評価では、波長４０５ｎｍの光を発振するレーザを搭載しレンズＮＡは０．８５のものを用いた評価機を作製して行った。再生光パワーＰｒは０．３５ｍＷで線速によらず一定とした。
【００５７】
評価はランダム信号を記録しジッタ（ｊｉｔｔｅｒ）値を測定することで行った。用いた信号は１−７ｐｐ変調されたものを用いた。
【００５８】
この媒体のジッタ値は７．９％であった。なお、ジッタ値はいわゆるｓｈｅｌｆ  ｌｉｆｅ試験のマーク両端測定の値であり、以下同様である。
【００５９】
次に、耐候性（負荷）試験を行った。気温８０℃、相対湿度８５％に保持した恒温槽内に、光ディスク１０を９６時間（４日間）放置した。試験後、光ディスク１０を恒温槽から取り出し、ディスク表面の顕微鏡観察を行った。
【００６０】
その結果は、第１及び第２光透過中間層３Ａ、３Ｂを有する本実施例の光ディスク１０には腐食による欠陥は見られなかった。
【００６１】
更に、測定したジッタ値は７．９％で変化は見られなかった。
【００６２】
ちなみに、ジッタ値は１０％以下が良好な特性として必要なレベルである。
【００６３】
表１には、材料としてＳｉＮ（Ｓｉ3Ｎ4である）、スパッタリング時のガス流量をガス条件として、同じ欄に投入スパッタ電力を、また負荷試験前後の光ディスクのジッタ値を示してある（表１の２行目の第２から第５列を参照。）。
【００６４】
【表１】
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次に、実施例１において、これとは別に、第１及び第２光透過中間層３Ａ、３Ｂを構成するＳｉ3Ｎ4の作製条件のみを変え、他は全て同一として形成した光ディスクを２種類作製した。これを試料１及び試料２の光ディスクとする。
【００６５】
まず、試料１の光ディスクは、実施例１の光ディスク１０において、第１及び第２光透過中間層を作製する際に導入したＡｒガス及びＮ2ガス量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍとしたのに代えて、それぞれ２０ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍとした以外は、実施例１の光ディスクと同様にして作製されている。
【００６６】
こうして作製した試料１の光ディスクを実施例１の光ディスク１０と同様にして、初期化し、ジッタ値を測定し、耐候性（負荷）試験を行い、ジッタ値を測定し、ディスク表面の観察を行った。
【００６７】
負荷試験前のジッタ値は、８．５％であり、負荷試験後のジッタ値は９％であり、いずれも良好であった。負荷試験後のディスク表面に腐食は観察されなかった。
【００６８】
なお、試料１の光ディスクにおける、上述のガス条件、スパッタ電力、負荷試験前後のジッタ値を、表１の第２行の第６から第８列に示す。
【００６９】
次に、試料２の光ディスクは、実施例１の光ディスク１０において、第１及び第２光透過中間層を作製する際に導入したＡｒガス及びＮ2ガス量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍとしたのに代えて、それぞれ２０ｓｃｃｍ、４０ｓｃｃｍとした以外は、実施例１の光ディスクと同様にして作製されている。
【００７０】
こうして作製した試料１の光ディスクを実施例１の光ディスク１０と同様にして、初期化し、ジッタ値を測定し、耐候性（負荷）試験を行い、ジッタ値を測定し、ディスク表面の観察を行った。
【００７１】
負荷試験前のジッタ値は、７．８％であり、負荷試験後のジッタ値は１０％であり、いずれも良好であった。負荷試験後のディスク表面に腐食は観察されなかった。
【００７２】
なお、試料２の光ディスクにおける、上述のガス条件、スパッタ電力、負荷試験前後のジッタ値を、表１の第２行の第９から第１１列に示す。
【００７３】
実施例１、試料１及び試料２の光ディスクを比較すると、Ｓｉ3Ｎ4からなる光透過中間層を作製する際に、導入するＡｒガス量を反応性ガスであるＮ2ガス量より多くすることにより、一層良好な特性が得られることが分かる。
【実施例２】
【００７４】
実施例２の光ディスクは、実施例１の光ディスクにおいて、第１及び第２光透過中間層をＳｉ3Ｎ4より構成したのに代えて、ＡｌＮとＢＮの混合物薄膜（以下、単にＡｌＮ＋ＢＮともいう。）とした以外は、実施例１の光ディスクと同様に構成・作製したものである。
【００７５】
反射層上に、ＡｌＮ＋ＢＮからなる第１光透過中間層を形成する。これには９０ｗｔ％のＡｌＮと１０ｗｔ％のＢＮの粉末混合物焼成ターゲット（直径４インチで厚さ５ｍｍである）を用い、Ａｒガス（導入量３０ｓｃｃｍ）とＮ2ガス（導入量１５ｓｃｃｍ）を真空チャンバーに導入して、全圧力を８．０×１０-1Ｐａに調整し、０．５ｋＷのＲＦパワーを投入して、反応性スパッタ法により厚さ３ｎｍのＡｌＮ＋ＢＮからなる第１光透過中間層を形成する。
【００７６】
第２光透過中間層は、第１光透過中間層と同様の方法で、第２保護層上に形成する。第２光透過中間層は厚さ５ｎｍのＡｌＮ＋ＢＮである。
【００７７】
このようにしてえられる実施例２の光ディスクを、実施例１の光ディスク１０と同様に、初期化し、ジッタ値を測定し、負荷試験を行い、負荷後のジッタ値を測定し、ディスク表面の観察を行った。
【００７８】
負荷試験前のジッタ値は７．７％であり、負荷試験後のジッタ値は７．８％であり、いずれも良好な値であった。負荷後のディスク表面には、腐食は観察されなかった。
【００７９】
表１の第３行の第２から第５列に、光透過中間層の材料、スパッタリング時のガス条件と投入電力、負荷前後のジッタ値をそれぞれ示してある。
【００８０】
次に、実施例２において、これとは別に、第１及び第２光透過中間層を構成するＡｌＮ＋ＢＮの作製条件のみを変え、他は全て同一として形成した光ディスクを２種類作製した。これを試料３及び試料４の光ディスクとする。
【００８１】
まず、試料３の光ディスクは、実施例２の光ディスクにおいて、第１及び第２光透過中間層を作製する際に導入したＡｒガス及びＮ2ガス量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、１５ｓｃｃｍとしたのに代えて、それぞれ２０ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍとした以外は、実施例２の光ディスクと同様にして作製されている。
【００８２】
こうして作製した試料３の光ディスクを実施例１の光ディスク１０と同様にして、初期化し、ジッタ値を測定し、耐候性（負荷）試験を行い、ジッタ値を測定し、ディスク表面の観察を行った。
【００８３】
負荷試験前のジッタ値は、７．７％であり、負荷試験後のジッタ値は８％であり、いずれも良好であった。負荷試験後のディスク表面に腐食は観察されなかった。
【００８４】
なお、試料３の光ディスクにおける、上述のガス条件、スパッタ電力、負荷試験前後のジッタ値を、表１の第３行の第６から第８列に示す。
【００８５】
次に、試料４の光ディスクは、実施例２の光ディスクにおいて、第１及び第２光透過中間層を作製する際に導入したＡｒガス及びＮ2ガス量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍとしたのに代えて、それぞれ１０ｓｃｃｍ、３０ｓｃｃｍとした以外は、実施例２の光ディスクと同様にして作製されている。
【００８６】
こうして作製した試料４の光ディスクを実施例１の光ディスク１０と同様にして、初期化し、ジッタ値を測定し、耐候性（負荷）試験を行い、ジッタ値を測定し、ディスク表面の観察を行った。
【００８７】
負荷試験前のジッタ値は、７．７％であり、負荷試験後のジッタ値は９．５％であり、いずれも良好であった。負荷試験後のディスク表面に腐食は観察されなかった。
【００８８】
なお、試料４の光ディスクにおける、上述のガス条件、スパッタ電力、負荷試験前後のジッタ値を、表１の第３行の第９から第１１列に示す。
【００８９】
実施例２、試料３及び試料４の光ディスクを比較すると、ＡｌＮ＋ＢＮからなる光透過中間層を作製する際に、導入するＡｒガス量を反応性ガスであるＮ2ガス量より多くすることにより、一層良好な特性が得られることが分かる。
【００９０】
次に、上述した窒化物以外の窒化物及び酸化物より光透過中間層を構成した光ディスクについて、以下、比較例として説明する。
＜比較例１＞
比較例１の光ディスクは、実施例１の光ディスク１０において、第１及び第２光透過中間層をＳｉ3Ｎ4より構成したのに代えて、ＡｌＮより構成した以外は、実施例１の光ディスク１０と同様に構成・作製したものである。
【００９１】
反射層上に、ＡｌＮからなる第１光透過中間層を形成する。これにはＡｌターゲット（直径４インチで厚さ５ｍｍである）を用い、Ａｒガス（導入量３０ｓｃｃｍ）とＮ2ガス（導入量１０ｓｃｃｍ）を真空チャンバーに導入して、全圧力を８．０×１０-1Ｐａに調整し、１．０ｋＷのパワーを投入して、反応性スパッタ法により厚さ３ｎｍのＡｌＮからなる第１光透過中間層を形成する。
【００９２】
第２光透過中間層は、第１光透過中間層と同様の方法で、第２保護層上に形成する。第２光透過中間層は厚さ５ｎｍのＡｌＮである。
【００９３】
このようにしてえられる比較例１の光ディスクを、実施例１の光ディスク１０と同様に、初期化し、ジッタ値を測定し、負荷試験を行い、負荷後のジッタ値を測定し、ディスク表面の観察を行った。
【００９４】
負荷試験前のジッタ値は１１．５％であり、負荷試験後のジッタ値は１８．１％であり、いずれも規定値より大きな値となり、不良であった。負荷後のディスク表面には、腐食が全体一面に多数観察された。
【００９５】
表１の第４行の第２から第５列に、光透過中間層の材料、スパッタリング時のガス条件と投入電力、負荷前後のジッタ値をそれぞれ示してある。
【００９６】
次に、比較例１において、これとは別に、第１及び第２光透過中間層を構成するＡｌＮの作製条件のみを変え、他は全て同一として形成した光ディスクを２種類作製した。これを試料５及び試料６の光ディスクとする。
【００９７】
まず、試料５の光ディスクは、比較例１の光ディスクにおいて、第１及び第２光透過中間層を作製する際に導入したＡｒガス及びＮ2ガス量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、１０ｓｃｃｍとしたのに代えて、それぞれ２０ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍとした以外は、比較例１の光ディスクと同様にして作製されている。
【００９８】
こうして作製した試料５の光ディスクを実施例１の光ディスク１０と同様にして、初期化し、ジッタ値を測定し、耐候性（負荷）試験を行い、ジッタ値を測定し、ディスク表面の観察を行った。
【００９９】
負荷試験前のジッタ値は、９．８％であり良好な値であるが、負荷試験後のジッタ値は１７．３％であり不良であった。負荷後のディスク表面には、腐食が全体一面に多数観察された。
【０１００】
なお、試料５の光ディスクにおける、上述のガス条件、スパッタ電力、負荷試験前後のジッタ値を、表１の第４行の第６から第８列に示す。
【０１０１】
次に、試料６の光ディスクは、比較例１の光ディスクにおいて、第１及び第２光透過中間層を作製する際に導入したＡｒガス及びＮ2ガス量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、１０ｓｃｃｍとしたのに代えて、それぞれ１０ｓｃｃｍ、３０ｓｃｃｍとした以外は、比較例１の光ディスクと同様にして作製されている。
【０１０２】
こうして作製した試料６の光ディスクを実施例１の光ディスク１０と同様にして、初期化し、ジッタ値を測定し、耐候性（負荷）試験を行い、ジッタ値を測定し、ディスク表面の観察を行った。
【０１０３】
負荷試験前のジッタ値は、８．２％であり良好な値であったが、負荷試験後のジッタ値は１６．８％であり不良であった。負荷後のディスク表面には、腐食が全体一面に多数観察された。
【０１０４】
なお、試料６の光ディスクにおける、上述のガス条件、スパッタ電力、負荷試験前後のジッタ値を、表１の第４行の第９から第１１列に示す。
【０１０５】
比較例１、試料５及び試料６の光ディスクを比較すると、ＡｌＮからなる光透過中間層を作製する際に、導入するＡｒガス量を反応性ガスであるＮ2ガス量より多くすることにより、負荷前後のジッタ値がいずれも増加していることが分かる。
＜比較例２＞
比較例２の光ディスクは、実施例１の光ディスク１０において、第１及び第２光透過中間層をＳｉ3Ｎ4より構成したのに代えて、ＧｅＮより構成した以外は、実施例１の光ディスク１０と同様に構成・作製したものである。
【０１０６】
反射層上に、ＧｅＮからなる第１光透過中間層を形成する。これにはＧｅターゲット（直径４インチで厚さ５ｍｍである）を用い、Ａｒガス（導入量３０ｓｃｃｍ）とＮ2ガス（導入量１０ｓｃｃｍ）を真空チャンバーに導入して、全圧力を８．０×１０-1Ｐａに調整し、０．０８ｋＷのパワーを投入して、反応性スパッタ法により厚さ３ｎｍのＧｅＮからなる第１光透過中間層を形成する。
【０１０７】
第２光透過中間層は、第１光透過中間層と同様の方法で、第２保護層上に形成する。第２光透過中間層は厚さ５ｎｍのＧｅＮである。
【０１０８】
このようにしてえられる比較例２の光ディスクを、実施例１の光ディスク１０と同様に、初期化し、ジッタ値を測定し、負荷試験を行い、負荷後のジッタ値を測定し、ディスク表面の観察を行った。
【０１０９】
負荷試験前のジッタ値は１１．７％であり、負荷試験後のジッタ値は１７．５％であり、いずれも規定値より大きな値となり、不良であった。負荷後のディスク表面には、腐食が全体一面に多数観察された。
【０１１０】
表１の第５行の第２から第５列に、光透過中間層の材料、スパッタリング時のガス条件と投入電力、負荷前後のジッタ値をそれぞれ示してある。
【０１１１】
次に、比較例２において、これとは別に、第１及び第２光透過中間層を構成するＧｅＮの作製条件のみを変え、他は全て同一として形成した光ディスクを２種類作製した。これを試料７及び試料８の光ディスクとする。
【０１１２】
まず、試料７の光ディスクは、比較例２の光ディスクにおいて、第１及び第２光透過中間層を作製する際に導入したＡｒガス及びＮ2ガス量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、１０ｓｃｃｍとしたのに代えて、それぞれ２０ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍとした以外は、比較例２の光ディスクと同様にして作製されている。
【０１１３】
こうして作製した試料７の光ディスクを実施例１の光ディスク１０と同様にして、初期化し、ジッタ値を測定し、耐候性（負荷）試験を行い、ジッタ値を測定し、ディスク表面の観察を行った。
【０１１４】
負荷試験前のジッタ値は、１１．６％であり、負荷試験後のジッタ値は１７．５％であり、いずれも不良であった。負荷後のディスク表面には、腐食が全体一面に多数観察された。
【０１１５】
なお、試料７の光ディスクにおける、上述のガス条件、スパッタ電力、負荷試験前後のジッタ値を、表１の第５行の第６から第８列に示す。
【０１１６】
次に、試料８の光ディスクは、比較例２の光ディスクにおいて、第１及び第２光透過中間層を作製する際に導入したＡｒガス及びＮ2ガス量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、１０ｓｃｃｍとしたのに代えて、それぞれ５ｓｃｃｍ、３０ｓｃｃｍとした以外は、比較例２の光ディスクと同様にして作製されている。
【０１１７】
こうして作製した試料８の光ディスクを実施例１の光ディスク１０と同様にして、初期化し、ジッタ値を測定し、耐候性（負荷）試験を行い、ジッタ値を測定し、ディスク表面の観察を行った。
【０１１８】
負荷試験前のジッタ値は、７．８％であり良好な値であったが、負荷試験後のジッタ値は１７．６％であり不良であった。負荷後のディスク表面には、腐食が全体一面に多数観察された。
【０１１９】
なお、試料８の光ディスクにおける、上述のガス条件、スパッタ電力、負荷試験前後のジッタ値を、表１の第５行の第９から第１１列に示す。
【０１２０】
比較例２、試料７及び試料８の光ディスクを比較すると、ＧｅＮからなる光透過中間層を作製する際に、導入するＡｒガス量を反応性ガスであるＮ2ガス量より多くすることにより、負荷前後のジッタ値がいずれも増加していることが分かる。
＜比較例３＞
比較例３の光ディスクは、実施例１の光ディスク１０において、第１及び第２光透過中間層をＳｉ3Ｎ4より構成したのに代えて、Ｔａ2Ｏ5より構成した以外は、実施例１の光ディスク１０と同様に構成・作製したものである。
【０１２１】
反射層上に、Ｔａ2Ｏ5からなる第１光透過中間層を形成する。これにはＴａターゲット（直径４インチで厚さ５ｍｍである）を用い、Ａｒガス（導入量３０ｓｃｃｍ）とＯ2ガス（導入量１０ｓｃｃｍ）を真空チャンバーに導入して、全圧力を８．０×１０-1Ｐａに調整し、１．０ｋＷのパワーを投入して、反応性スパッタ法により厚さ３ｎｍのＴａ2Ｏ5からなる第１光透過中間層を形成する。
【０１２２】
第２光透過中間層は、第１光透過中間層と同様の方法で、第２保護層上に形成する。第２光透過中間層は厚さ５ｎｍのＴａ2Ｏ5である。
【０１２３】
このようにしてえられる比較例３の光ディスクを、実施例１の光ディスク１０と同様に、初期化し、ジッタ値を測定し、負荷試験を行い、負荷後のジッタ値を測定し、ディスク表面の観察を行った。
【０１２４】
負荷試験前のジッタ値は１１．３％であり、負荷試験後のジッタ値は１９％であり、いずれも規定値より大きな値となり、不良であった。負荷後のディスク表面には、腐食が全体一面に多数観察された。
【０１２５】
表１の第６行の第２から第５列に、光透過中間層の材料、スパッタリング時のガス条件と投入電力、負荷前後のジッタ値をそれぞれ示してある。
【０１２６】
次に、比較例３において、これとは別に、第１及び第２光透過中間層を構成するＴａ2Ｏ5の作製条件のみを変え、他は全て同一として形成した光ディスクを２種類作製した。これを試料９及び試料１０の光ディスクとする。
【０１２７】
まず、試料９の光ディスクは、比較例３の光ディスクにおいて、第１及び第２光透過中間層を作製する際に導入したＡｒガス及びＯ2ガス量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、１０ｓｃｃｍとしたのに代えて、それぞれ２０ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍとした以外は、比較例３の光ディスクと同様にして作製されている。
【０１２８】
こうして作製した試料９の光ディスクを実施例１の光ディスク１０と同様にして、初期化し、ジッタ値を測定し、耐候性（負荷）試験を行い、ジッタ値を測定し、ディスク表面の観察を行った。
【０１２９】
負荷試験前のジッタ値は、９．８％であり良好な値であるが、負荷試験後のジッタ値は１８．６％であり、いずれも不良であった。負荷後のディスク表面には、腐食が全体一面に多数観察された。
【０１３０】
なお、試料９の光ディスクにおける、上述のガス条件、スパッタ電力、負荷試験前後のジッタ値を、表１の第６行の第６から第８列に示す。
【０１３１】
次に、試料１０の光ディスクは、比較例３の光ディスクにおいて、第１及び第２光透過中間層を作製する際に導入したＡｒガス及びＯ2ガス量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、１０ｓｃｃｍとしたのに代えて、それぞれ２０ｓｃｃｍ、４０ｓｃｃｍとした以外は、比較例３の光ディスクと同様にして作製されている。
【０１３２】
こうして作製した試料１０の光ディスクを実施例１の光ディスク１０と同様にして、初期化し、ジッタ値を測定し、耐候性（負荷）試験を行い、ジッタ値を測定し、ディスク表面の観察を行った。
【０１３３】
負荷試験前のジッタ値は、８．４％であり良好な値であったが、負荷試験後のジッタ値は１９．２％であり不良であった。負荷後のディスク表面には、腐食が全体一面に多数観察された。
【０１３４】
なお、試料１０の光ディスクにおける、上述のガス条件、スパッタ電力、負荷試験前後のジッタ値を、表１の第６行の第９から第１１列に示す。
【０１３５】
比較例３、試料９及び試料１０の光ディスクを比較すると、Ｔａ2Ｏ5からなる光透過中間層を作製する際に、導入するＡｒガス量を反応性ガスであるＯ2ガス量より多くすることにより、負荷前のジッタ値がいずれも増加していることが分かる。
【０１３６】
図１に示す本発明に係る光情報記録媒体（光ディスク）は、光透過中間層を、Ｓｉ3Ｎ4又は、ＡｌＮとＢＮとの混合物より構成することにより、ジッタ特性が良好で、しかも耐湿保存安定性の良好な高記録密度対応の光ディスクである。
【０１３７】
また、Ｓｉ3Ｎ4又は、ＡｌＮとＢＮとの混合物の薄膜を形成する際の反応性スパッタリングにおいて、導入ガスとしてＡｒガス及びＮ2ガスを導入し、所定の圧力に調整するが、ＡｒガスとＮ2ガスの比率を大きくするほどジッタ特性は良好となる。その比率としては、略２：１〜３：１の範囲が良好な範囲となる。
【０１３８】
なお、光透過中間層をＧｅＮ、ＡｌＮ又は、Ｔａ2Ｏ5から構成した場合は、負荷試験により光ディスク面に腐食が発生し、耐湿保存安定性も不良であり、ジッタ値も所定の基準値（１０％）より大きな値となり、高記録密度の光ディスクには対応できない。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１】本発明の光情報記録媒体の実施例１を示す断面構成図である。
【図２】従来例の光情報記録媒体を示す断面構成図である。
【符号の説明】
【０１４０】
１…基板、２…反射層、３Ａ…第１光透過中間層、３Ｂ…第２光透過中間層、４…第１保護層、５…記録層、６…第２保護層、７…接着層、８…カバー層、１０…光情報記録媒体（光ディスク）、５０…光情報記録媒体（光ディスク）、５１…基板、５２…反射層、５４…第１保護層、５５…記録層、５６…第２保護層、５７…接着層、５８…カバー層。
【図１】
2005135448.tif 000004
【図２】
2005135448.tif 000005