(57)【要約】【課題】粘着シートに貼付された極薄のウェーハに対し、良好なダイシングを行うことができるダイシング方法を提供すること。【解決手段】外周部先端がＶ形状をなすとともに、外周部に複数のＶ字型切欠き１０Ｂが形成された第１のダイシングブレード１０を用いて、少量切り残しの不完全切断を行い、次に、砥粒の粒度が＃４０００〜＃６０００で、砥粒の集中度が６０〜９０であり、刃厚１０μｍ〜３０μｍの極薄で外周部に複数のＶ字型切欠き１１Ｂが形成された第２のダイシングブレード１１を用いて、前記切り残し部を完全切断するようにした。【選択図】      図２
2005129743.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面が粘着シートに貼付され、該粘着シートを介してリング状のフレームにマウントされたウェーハのダイシング方法であって、厚さ１００μｍ以下の極薄ウェーハのダイシング方法において、
外周部先端がＶ形状をなすとともに、外周部に複数のＶ字型切欠きが形成された第１のダイシングブレードを用い、前記ウェーハの表面側からＶ溝を形成して前記ウェーハを５μｍ〜３０μｍの厚さだけ切り残した不完全切断（第１の加工）を行い、
次に、砥粒の粒度が＃４０００〜＃６０００で、砥粒の集中度が６０〜９０であり、刃厚１０μｍ〜３０μｍで、外周部に複数のＶ字型切欠きが形成された第２のダイシングブレードを用い、前記不完全切断で切り残された部分を切断（第２の加工）することによって、前記ウェーハを完全切断することを特徴とするダイシング方法。
【請求項２】
前記第１のダイシングブレードのＶ形状をなす外周部の先端角度が３０°〜５０°であることを特徴とする、請求項１に記載のダイシング方法。
【請求項３】
前記第１のダイシングブレード及び第２のダイシングブレードに形成されたＶ字型切欠きの底部の角度が８０°〜１００°であることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載のダイシング方法。
【請求項４】
前記第１のダイシングブレードを取り付けるスピンドルと、前記第２のダイシングブレードを取り付けるスピンドルとの２本のスピンドルを有するダイシング装置を用い、
前記第２の加工を前記第１の加工に対して僅かな時間差で、又は１ライン或いは複数ライン遅れで、同時に行うことを特徴とする、請求項１、２、又は３のうちいずれか１項に記載のダイシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はダイシング方法に関し、特に半導体装置や電子部品等のウェーハで極薄のウェーハを個々のチップに分割するダイシング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程等において、表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハは、プロービング工程で電気試験が行われた後、ダイシング工程で個々のチップ（ダイ、又はペレットとも言われる）に分割され、次に個々のチップはダイボンディング工程で部品基台にダイボンディングされる。ダイボンディングされた後はワイヤボンディングされ、ワイヤボンディングされた後は、樹脂モールドされて、半導体装置や電子部品等の完成品となる。
【０００３】
プロービング工程の後ウェーハは、図１０に示すように、片面に粘着層が形成された厚さ１００μｍ程度の粘着シート（ダイシングシート又はダイシングテープとも呼ばれる）Ｓに裏面を貼り付けられ、剛性のあるリング状のフレームＦにマウントされる。ウェーハＷはこの状態でダイシング工程内、ダイシング工程ダイボンディング工程間、及びダイボンディング工程内を搬送される。
【０００４】
ダイシング工程では、ダイシングブレードと呼ばれる薄型砥石でウェーハＷに研削溝を入れてウェーハをカットするダイシング装置が用いられている。ダイシングブレードは、微細なダイヤモンド砥粒をＮｉで電着したもので、厚さ１０μｍ〜３０μｍ程度の極薄のものが用いられる。
【０００５】
このダイシングブレードを３０，０００〜６０，０００ｒｐｍで高速回転させてウェーハＷに切込み、ウェーハＷを完全切断（フルカット）する。このときウェーハＷの裏面に貼られた粘着シートＳは、表面から１０μｍ程度しか切り込まれていないので、ウェーハＷは個々のチップＴに切断されてはいるものの、個々のチップＴがバラバラにはならず、チップＴ同士の配列が崩れていないので全体としてウェーハ状態が保たれている。
【０００６】
しかし、このダイシングブレードによる研削加工の場合、ウェーハＷが高脆性材料であるため脆性モード加工となり、ウェーハＷの表面や裏面にチッピングが生じ、このチッピングが分割されたチップＴの性能を低下させる要因になっていた。また、粘着シートＳには樹脂材料が使用されているため、この樹脂材料や粘着材がダイシングブレードの先端に付着して目詰まりを起こし、切れ味が低下して研削性能が損なわれるという問題があった。
【０００７】
一方、ダイシングブレードの一般的な機能向上を図るために、ダイシングブレードの表裏両面に複数の溝を放射状に形成し、加工部への切削水の供給と切粉の排除の改善を狙ったダイシングブレードが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平６−１８８３０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前述の樹脂材料や粘着材がダイシングブレードの先端に付着して目詰まりを起こす現象は、ウェーハがある程度厚い場合にはウェーハの大部分を構成するＳｉが高脆性材料であるためブレード先端の付着物がこのＳｉの研削中にほとんど取り除かれるので、ブレードの目詰まりは緩慢に進行するのみであった。
【０００９】
しかし、近年スマートカードや薄型ＩＣカードに組込まれる極薄のＩＣチップが要求されるようになってきた。この極薄のＩＣチップを製造するウェーハも３０μｍ〜１００μｍと極度に薄いものになってきた。
【００１０】
従って、ブレード先端の付着物がウェーハ研削中に取り除かれ難くなり、ブレードの目詰まりが顕著に現れるようになってきた。また、このような極薄のウェーハの場合、裏面にチッピングが発生しやすく、裏面チッピング対策も重要になってきた。
【００１１】
このように、極薄のウェーハの場合は通常の厚さのウェーハに比べて粘着シート材料によるダイシングブレードの目詰まりや、裏面チッピングがより生じやすく、前出の特許文献１に記載されたダイシングブレードを用いても良好なダイシングを行うことができなかった。
【００１２】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、粘着シートに貼付された極薄のウェーハに対し、良好なダイシングを行うことができるダイシング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は前記目的を達成するために、裏面が粘着シートに貼付され、該粘着シートを介してリング状のフレームにマウントされたウェーハのダイシング方法であって、厚さ１００μｍ以下の極薄ウェーハのダイシング方法において、外周部先端がＶ形状をなすとともに、外周部に複数のＶ字型切欠きが形成された第１のダイシングブレードを用い、前記ウェーハの表面側からＶ溝を形成して前記ウェーハを５μｍ〜３０μｍの厚さだけ切り残した不完全切断（第１の加工）を行い、次に、砥粒の粒度が＃４０００〜＃６０００で、砥粒の集中度が６０〜９０であり、刃厚１０μｍ〜３０μｍで、外周部に複数のＶ字型切欠きが形成された第２のダイシングブレードを用い、前記不完全切断で切り残された部分を切断（第２の加工）することによって、前記ウェーハを完全切断することを特徴とする。
【００１４】
本発明によれば、外周部先端がＶ形状をなすとともに、外周部に複数のＶ字型切欠きが形成された第１のダイシングブレードで少量切り残しの不完全切断を行い、次に、高粒度低集中度の極薄で外周部に複数のＶ字型切欠きが形成された第２のダイシングブレードで前記切り残し部を完全切断するので、ウェーハ表面側の膜はがれやチッピングが抑えられるとともに、粘着シート切断による第２のダイシングブレードの目詰まりとウェーハ裏面チッピングの抑制効果が大きい。
【００１５】
この第１のダイシングブレード及び第２のダイシングブレードの外周部に形成された複数のＶ字型切欠きは、チッピングをより低減し、ブレード先端部への切り屑の付着を低減し、切れ味持続効果を持たすとともに、加工部への切削水の供給を促進して切削負荷を低減し、併せて切粉排除機能を向上させる。
【００１６】
また、本発明は、前記第１のダイシングブレードのＶ形状をなす外周部の先端角度が３０°〜５０°であることを付加的要件とし、更に前記第１のダイシングブレード及び第２のダイシングブレードに形成されたＶ字型切欠きの底部の角度が８０°〜１００°であることを付加的要件としている。
【００１７】
これによれば、ブレードの先端が鋭角なので、ダイシング時の表面チッピングの低減や積層されている各種膜材のめくれが防止され、また、Ｖ字型切欠きの肩部がブレード外周部と広角で交わるので、Ｖ字型切欠きの肩部によってウェーハに生じるチッピングが更に減少する。
【００１８】
更に本発明は、前記第１のダイシングブレードを取り付けるスピンドルと、前記第２のダイシングブレードを取り付けるスピンドルとの２本のスピンドルを有するダイシング装置を用い、前記第２の加工を前記第１の加工に対して僅かな時間差で、又は１ライン或いは複数ライン遅れで、同時に行うことを付加的要件として特徴付けられている。
【００１９】
この付加的要件によれば、ウェーハの表面側のＶ溝加工とＶ溝の底部に行う切断加工とを所定の時間差で同時進行するので、ダイシング時間が大幅に短縮される。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように本発明のダイシング方法によれば、ウェーハ表面側の膜はがれやチッピングが抑えられるとともに、粘着シート切断によるダイシングブレードの目詰まりとウェーハ裏面チッピングの抑制効果が大きい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下添付図面に従って本発明に係るダイシング方法の好ましい実施の形態について詳説する。尚、各図において同一部材には同一の番号または記号を付している。
【００２２】
先ず最初に、本発明に係るダイシング方法で使用するダイシング装置について説明する。図１は、ダイシング装置の外観を示す斜視図である。ダイシング装置１００は、複数のウェーハＷが収納されたカセットを外部装置との間で受渡すロードポート６０と、吸着部５１を有しウェーハＷを装置各部に搬送する搬送手段５０と、ウェーハＷの表面を撮像する撮像手段８１と、加工部２０と、加工後のウェーハＷを洗浄し、乾燥させるスピンナ４０、及び装置各部の動作を制御するコントローラ９０等とから構成されている。
【００２３】
加工部２０には、２本対向して配置され、先端に第１のダイシングブレード１０が取付けられる高周波モータ内臓型のエアーベアリング式スピンドル２２Ａと、第２のダイシングブレード１１が取付けられる高周波モータ内臓型のエアーベアリング式スピンドル２２Ｂとが設けられており、３０，０００ｒｐｍ〜６０，０００ｒｐｍで高速回転されるとともに、互いに独立して図のＹ方向のインデックス送りとＺ方向の切込み送りとがなされる。また、ウェーハＷを吸着載置するワークテーブル２３がＸテーブル３０の移動によって図のＸ方向に研削送りされるように構成されている。
【００２４】
ウェーハＷは厚さ１００μｍ以下の極薄で、図１０に示すように、粘着シートＳを介してフレームＦにマウントされ、ダイシング装置に供給される。
【００２５】
図２は、本発明のダイシング方法に用いられる第１のダイシングブレードを表わす平面図で、図３は側断面図であり、図４は要部を表わす斜視図である。第１のダイシングブレード１０は、図２、図３、及び図４に示すように、アルミニューム（Ａl ）製のフランジ１０Ｃと切断刃１０Ａとから成っている。
【００２６】
切断刃１０Ａは、フランジ１０Ｃの一方の端面にダイヤモンド砥粒を、ニッケル（Ｎi ）と銅（Ｃｕ）等のニッケルよりも軟質の金属との合金を結合材として、電気メッキ技術を用いた電鋳法で固着させたもので、ダイヤモンド砥粒を固着させた後フランジ１０Ｃの鍔部１０Ｄ（図３の２点鎖線で示す部分）をエッチングで取り除くことにより刃部が形成される。
【００２７】
結合材に通常のニッケルよりも軟質の金属を用いることにより、砥粒の自生作用が活発化し切れ味が持続する効果がある。
【００２８】
ダイヤモンド砥粒は粒度＃４０００〜＃６０００の細かい砥粒が用いられ、ウェーハ切断時のチッピングを減少させるようになっている。また、切断刃１０Ａ中に占める砥粒の割合を表わす集中度は、ダイヤモンドの重量単位を基準としており、４．４ｃｔ／ｃｍ3 を１００とすることから、体積％の４倍の値となっているが、本実施の形態では６０〜９０とした。
【００２９】
集中度が６０よりも小さいと、砥粒の数が不足して切れ味が低下し、９０よりも大きいと砥粒間に形成されるポケットが小さすぎて切削水の供給と切り粉の排除が悪くなり、同じく切れ味が低下する。本実施の形態では、集中度は６０〜９０が好ましいが、７０〜８０が更に好適である。
【００３０】
切断刃１０Ａの外径は約５０ｍｍで、厚さは３０μｍ〜１００μｍ程度のものがウェーハＷのストリートＫの幅に対応して用いられる。
【００３１】
この切断刃１０Ａの刃部先端にダイヤモンドドレッサーによるツルーイング、又はエッチングを施して、図３に示すように、先端部（外周部）全周に渡り先端角４０°のＶ形状に形成してある。
【００３２】
Ｖ形状の先端角は、３０°〜５０°の範囲が好ましいが、本実施の形態では４０°とした。先端角が３０°よりも鋭角だと切断時のＶ字効果によるチッピングの減少効果が乏しく、また、先端角が５０°よりも鈍角だと所定ストリート幅内のＶ溝加工において切り残し量を少なくすることができない。
【００３３】
また、切断刃１０Ａの先端部（外周部）には、図２、及び図４に示すように、複数のＶ字型切欠き１０Ｂ、１０Ｂ、…が円周上等間隔に形成されている。Ｖ字型切欠き１０Ｂの底部、及びＶ字型切欠き１０Ｂの肩部と外周円との接続部は夫々円弧で緩やかに連結されている。
【００３４】
Ｖ字型切欠き１０Ｂの底部の角度即ちＶ字角度θは８０°〜１００°が好ましく、更に好ましいのは８５°〜９５°である。Ｖ字角度θが８０°よりも小さいと、Ｖ字型切欠き１０Ｂと外周部との接続部の角度がきつくなり、切断時にチッピングが生じやすい。また、Ｖ字角度θが１００°よりも大きいと、切削水の搬送効果と切削屑排出効果が低下する。
【００３５】
Ｖ字型切欠き１０Ｂの開口幅Ｌは２００μｍ程度、深さＨは１００μｍ程度である。また、Ｖ字型切欠き１０Ｂの形成数は多過ぎてもまた少な過ぎても良好な切断結果が得られず、１２個〜２０個が好ましい。
【００３６】
Ｖ字型切欠き１０Ｂの形成方法は、切断刃１０Ａの刃部形成後、外周部にエッチングでＶ字型切欠き１０Ｂを形成してもよいが、ダイシングブレード１０のフランジ１０Ｃの鍔部１０Ｄ（図３の２点鎖線で示す部分）の外周部に予めＶ字型の切欠きを形成しておき、このフランジ１０Ｃの端面にダイヤモンド砥粒を電着することによりＶ字型切欠き１０Ｂを有する切断刃１０Ａが形成される。この後切断刃１０Ａの突出し量だけフランジ１０Ｃの鍔部１０Ｄをエッチングで取り除き、更に全周に渡り先端角４０°のＶ形状を形成すればよい。
【００３７】
図５は、本発明のダイシング方法に用いられる第２のダイシングブレードを表わす平面図で、図６は側断面図である。第２のダイシングブレード１１も、図５、及び図６に示すように、アルミニューム（Ａl ）製のフランジ１１Ｃと切断刃１１Ａとから成っている。
【００３８】
第２のダイシングブレード１１も第１のダイシングブレード１０同様、切断刃１１Ａは、フランジ１１Ｃの一方の端面にダイヤモンド砥粒を、ニッケル（Ｎi ）と銅（Ｃｕ）等のニッケルよりも軟質の金属との合金を結合材として、電気メッキ技術を用いた電鋳法で固着させたもので、ダイヤモンド砥粒を固着させた後フランジ１１Ｃの鍔部１１Ｄ（図６の２点鎖線で示す部分）をエッチングで取り除くことにより刃部が形成される。
【００３９】
結合材に通常のニッケルよりも軟質の金属を用いているので、砥粒の自生作用が活発化し切れ味が持続する効果がある。
【００４０】
ダイヤモンド砥粒も第１のダイシングブレード１０同様、粒度＃４０００〜＃６０００（好ましくは♯５０００）の細かい砥粒が用いられ、ウェーハ切断時のチッピングを減少させるようになっている。♯４０００より粗いとウェーハＷの裏面チッピングが許容値以上に発生し、♯６０００より細かいと研削負荷が大き過ぎてダイシングできない。また、切断刃１１Ａ中に占める砥粒の割合を表わす集中度も、６０〜９０とした。
【００４１】
集中度が６０よりも小さいと、砥粒の数が不足して切れ味が低下し、９０よりも大きいと砥粒間に形成されるポケットが小さすぎて切削水の供給と切り粉の排除が悪くなり、同じく切れ味が低下する。本実施の形態では、集中度を６０〜９０としたが、７０〜８０が更に好適である。
【００４２】
切断刃１１Ａの外径は約５０ｍｍで、厚さは１０μｍ〜３０μｍ程度（好ましくは１５μｍ〜２０μｍ）である。この第２のダイシングブレード１１の方は、先端部にＶ形状は形成してない。また、刃厚が１０μｍより薄いと剛性が弱くてすぐに破損してしまい実用的でなく、３０μｍより厚いと後述するダイシング方法においてＶ溝からはみ出す場合があり適さない。
【００４３】
また、切断刃１１Ａの先端部（外周部）には、第１のダイシングブレード１０同様、図５、及び図６に示すように、複数のＶ字型切欠き１１Ｂ、１１Ｂ、…が円周上等間隔に形成されている。また、Ｖ字型切欠き１１Ｂの底部、及びＶ字型切欠き１１Ｂの肩部と外周円との接続部は夫々円弧で緩やかに連結されている。
【００４４】
Ｖ字型切欠き１１Ｂの底部の角度即ちＶ字角度θは８０°〜１００°が好ましく、更に好ましいのは８５°〜９５°である。Ｖ字角度θが８０°よりも小さいと、Ｖ字型切欠き１１Ｂと外周部との接続部の角度がきつくなり、切断時にチッピングが生じやすい。また、１００°よりも大きいと、切削水の搬送効果と切削屑排出効果が低下する。
【００４５】
Ｖ字型切欠き１１Ｂの開口幅Ｌも２００μｍ程度、深さＨも１００μｍ程度である。また、Ｖ字型切欠き１１Ｂの形成数は１２個〜２０個が好ましい。
【００４６】
Ｖ字型切欠き１１Ｂの形成方法も、第１のダイシングブレード１０同様、ダイシングブレード１１のフランジ１１Ｃの鍔部１１Ｄ（図６の２点鎖線で示す部分）の外周部に予めＶ字型の切欠きを形成しておき、このフランジ１１Ｃの端面にダイヤモンド砥粒を電着することによりＶ字型切欠き１１Ｂを有する切断刃１１Ａが形成される。
【００４７】
この後切断刃１１Ａの突出し量だけフランジ１１Ｃの鍔部１１Ｄをエッチングで取り除く。本実施の形態では、突出し量を３００μｍとした。
【００４８】
図７は、本発明のダイシング方法に係る実施の形態を説明する概念図である。ダイシング装置１００の対向配置された２本のスピンドル２２Ａ、２２Ｂの内、手前側（図７では左側）のスピンドル２２Ａには先端Ｖ形状の第１のダイシングブレード１０が取り付けられ、奥側（図７では右側）のスピンドル２２Ｂには極薄の第２のダイシングブレード１１が取り付けられている。
【００４９】
先端Ｖ形状の第１のダイシングブレード１０は、５０，０００〜５５，０００ｒｐｍで回転される。また、極薄の第２のダイシングブレード１１も５０，０００ｒｐｍ〜５５，０００ｒｐｍで回転される。
【００５０】
本発明のダイシング方法では、先ず図７（ａ）に示すように、ウェーハＷの裏面を粘着シートＳに貼付した状態で、ウェーハＷの主表面に形成された複数のパターン面のストリートｋに先端Ｖ形状の第１のダイシングブレード１０でＶ溝Ｇを形成する。
【００５１】
図８は、このＶ溝Ｇを形成する状態を表わしている。Ｖ溝研削にあたっては図８に示すように、先端Ｖ形状の第１のダイシングブレード１０を挟んで設けられたノズル２４、２４から研削液を供給しながら、ウェーハＷの表面側から切り込み、不完全切断を行う。研削液としては純水にＣО2 をバブリングしたものを使用している。
【００５２】
形成されたＶ溝Ｇは、図７（ｂ）のＡ部に示すようになっている。図９はこのＡ部の拡大図である。同図に示すように、Ｖ溝ＧはウェーハＷの裏面からＤの肉厚だけ切り残してある。この切残し量Ｄは５μｍ〜３０μｍで、好ましくは１０μｍ〜２５μｍであり、更に１５μｍ〜２０μｍがより好適である。この時の研削速度は、ウェーハＷがＳｉの場合は４０ｍｍ／ｓｅｃとした。
【００５３】
このＶ溝形成を数ライン行った後、図７（ｂ）に示すように、最初のＶ溝Ｇの底を極薄の第２のダイシングブレード１１を用いて、粘着シートＳに１０μｍ程度切り込む形でフルカットダイシング（完全切断）を行う。この時の研削速度も４０ｍｍ／ｓｅｃとした。
【００５４】
なお、切残し量Ｄが５μｍ以下の場合、Ｖ溝形成時にウェーハＷの所々に裏面まで達するクラックが生じる。また、切残し量Ｄが３０μｍ以上の場合は、Ｖ溝形成に続いて行われる粒度♯５０００の極薄ブレードによるフルカットダイシング時に、研削負荷が大き過ぎ、研削速度を極度に低速にしないとダイシングできず、スループット上から見て実用的でない。
【００５５】
前述したように、Ｖ溝形成とフルカットダイシングとの研削速度が同じため、先行するＶ溝形成と後に続くフルカットダイシングとを同時に行うことができる。このように図７（ｃ）に示すように順次Ｖ溝形成とフルカットダイシングとが同時進行し、全てのストリートＫの加工が終了すると、ウェーハＷを９０°回転させ、先程のストリートＫと直行するストリートＫのＶ溝形成とフルカットダイシングとを行う。このようにしてウェーハＷから多数のチップＴ、Ｔ、…が分割される。
【００５６】
このように、先ずウェーハＷのパターン面側を先端Ｖ形状の第１のダイシングブレード１０でＶ溝Ｇを形成するため、多種のデバイス膜に対応できる。例えば、Ｌo ｗ−ｋ膜のようなメクレの発生し易い膜や、ポリイミド系の１０μｍ〜２０μｍの厚膜デバイスの場合においても、チッピングや膜のメクレが軽減され、デバイスの膜厚や膜質に左右されないダイシングが可能である。
【００５７】
また、Ｖ溝Ｇの底を極薄の第２のダイシングブレード１１を用いてフルカットダイシングを行う時は、深いＶ溝Ｇに研削水が回り込み易いので研削ポイントへの研削水の供給が良好になり、ウェーハＷの裏面チッピング低減、及び第２のダイシングブレード１１の先端部への粘着シートＳの付着による目詰まり低減等の効果がもたらされる。
【００５８】
なお、通常♯５０００の極薄ブレードでＳｉウェーハをダイシングする場合、研削速度は２０ｍｍ／ｓｅｃが最高であるが、本発明の実施形態の場合は切残し量Ｄが５μｍ〜３０μｍと極度に少ないので、４０ｍｍ／ｓｅｃの速度でダイシングすることができ、裏面のチッピングも減少する。
【００５９】
このようにして、厚さ１００μｍ以下の極薄のウェーハＷを、先端Ｖ形状でＶ字型切欠き付の第１のダイシングブレード１０を用いて微小切り残しのハーフカットダイシングをすることにより、ウェーハＷの表面側に積層された膜のめくれ防止やチッピング低減が図られる。
【００６０】
また、Ｖ溝底部の微小切り残し部を高粒度、軟ボンド、極薄の電鋳ブレードでＶ字型切欠き付の第２のダイシングブレード１１を用いてフルカットすることにより、裏面チッピングの減少、粘着シートＳによる切断刃１１Ａの目詰まり防止とともに、Ｖ溝加工との等速加工が可能になり、所定時間遅れでＶ溝加工との同時加工ができるので、ダイシング時間の増加を抑制することができる。
【００６１】
このように、本発明のダイシング方法は、スマートカードや薄型ＩＣカード等に用いられる厚さ１００μｍ以下の極薄のウェーハＷであって、粘着シートに貼付されたウェーハＷであっても粘着シート材料がダイシングブレードの先端に付着して目詰まりを起こす現象が軽減され、良好なダイシングを行うことができる。
【００６２】
なお、前述の実施の形態では、第１のダイシングブレード１０及び第２のダイシングブレード１１はフランジ付タイプで説明したが、本発明はこれに限らず、フランジと一体になっていないワッシャタイプのブレードであってもよい。また、使用砥粒もダイヤモンド砥粒に限らず、ＣＢＮ（キュービック・ ボロン・ナイトライド）砥粒等を用いてもよく、更に電鋳ブレードに限らず、通常のメタルボンドブレードやレジンボンドブレードに適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】ダイシング装置を表わす斜視図
【図２】第１のダイシングブレードを表わす平面図
【図３】第１のダイシングブレードを表わす側断面図
【図４】第１のダイシングブレードの要部斜視図
【図５】第２のダイシングブレードを表わす平面図
【図６】第２のダイシングブレードを表わす側断面図
【図７】本発明の実施の形態に係るダイシング方法を表わす概念図
【図８】加工状態を表わす断面図
【図９】加工されたＶ溝を示す断面図
【図１０】フレームにマウントされたウェーハを表わす斜視図
【符号の説明】
【００６４】
１０…第１のダイシングブレード、１１…第２のダイシングブレード、１０Ａ、１１Ａ…切断刃、１０Ｂ、１１Ｂ…Ｖ字型切欠き、１０Ｃ、１１Ｃ…フランジ、２２Ａ、２２Ｂ…スピンドル、１００…ダイシング装置、Ｆ…フレーム、Ｓ…粘着シート、Ｔ…チップ、Ｗ…ウェーハ
【図１】
2005129743.tif 000003
【図２】
2005129743.tif 000004
【図３】
2005129743.tif 000005
【図４】
2005129743.tif 000006
【図５】
2005129743.tif 000007
【図６】
2005129743.tif 000008
【図７】
2005129743.tif 000009
【図８】
2005129743.tif 000010
【図９】
2005129743.tif 000011
【図１０】
2005129743.tif 000012