(57)【要約】【課題】パーティクルの発生等の不具合が生じることなしに、固定、矯正、搬送等を行うことができ、しかも、板状試料へのパーティクルの付着量が極めて少ない吸着固定装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の吸着固定装置の製造方法は、誘電体３１の上面にサンドブラスト加工を行い、凸部３４、３４、…及び凹部３３、３３、…からなる凹凸面を形成し、次いで、凸部３４、３４、…の頂面及び側面と、凹部３３の底面３５とを、砥粒と刷子を用いた研磨法により同時に鏡面研磨し、凸部１５、１５、…の頂面２４及び側面２５と、凹部２６の底面２７が共に充分に鏡面研磨された静電チャックを得ることを特徴とする。【選択図】  図５
2005019700.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の一主面が板状試料を吸着固定する吸着固定面とされ、該吸着固定面には突起または溝が形成されて凹凸面とされ、該凹凸面の凸部の頂面が前記板状試料の保持面とされた吸着固定装置の製造方法であって、
基体の一主面に突起または溝を形成して凹凸面とする工程と、該凹凸面を砥粒と刷子を用いて研磨する工程とを備えたことを特徴とする吸着固定装置の製造方法。
【請求項２】
前記刷子は、繊維を板状体に複数本植毛してなり、前記繊維の植毛面からの長さは５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の吸着固定装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、吸着固定装置の製造方法に関し、更に詳しくは、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体装置の製造ライン等において好適に用いられ、シリコンウエハ等の板状試料を、パーティクルの発生等の不具合が生じることなしに固定、矯正、搬送等を行うことが可能な吸着固定装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体装置の製造ラインをはじめ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）等の表示装置の製造ライン、ハイブリッドＩＣ等の組み立てライン等においては、シリコンウエハ、ガラス基板、プリント基板等の板状試料の固定、矯正、搬送等を行う際に、この板状試料を静電チャック方式や真空チャック方式により吸着して固定する吸着固定装置が用いられている。
従来より用いられている吸着固定装置としては、例えば、板状試料を吸着固定する基体の上面を吸着固定面とし、この吸着固定面にサンドブラスト法等により突起または溝を形成して凹凸面となし、この凹凸面の凸部の頂面及び側面と、該凹凸面の凹部の底面とを共に研磨して前記凸部の頂面を板状試料の保持面とするとともに、この凹凸面の凹部をヘリウム（Ｈｅ）等の冷却ガスの供給路とした構造の吸着固定装置が知られている。
このような吸着固定装置にあっては、板状試料を吸着固定面から離脱させるためのリフトピンが、この板状試料の周辺部に対応する前記基体の裏面の位置に設けられている。
【０００３】
ところで、このような吸着固定装置にあっては、板状試料を基体の吸着固定面から離脱させるためにリフトピンを上昇させると、図６に示すように、リフトピンの上昇に伴って板状試料１に撓み等の部分的な変形が生じるために、板状試料１は吸着固定装置２の吸着固定面である凹凸面３に対して平行を保つことができなくなる。その結果、板状試料１の裏面が研磨されていない凹凸面３の凹部底面に接触し擦れることによって、パーティクルが発生することとなる。
そこで、実際の吸着固定装置２では、この凹凸面３の凸部の頂面及び側面と凹部の底面とを共に研磨し、吸着固定面に固定される板状試料との接触面を滑らかにし、吸着固定面と板状試料との間の摩擦を小さくすることにより、板状試料をリフトピンで離脱する際のパーティクルの発生を防止している（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００３−８６６６４号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来の半導体装置においては、より高性能のものをより低価格で供給する様求められており、その製造ラインにおいても同様、シリコンウエハ等の製造歩留まりを向上させることで、製造コストのさらなる低減が求められている。
そのため、シリコンウエハ等の製造歩留まりを向上させるために、従来にまして、シリコンウエハ等の板状試料にパーティクルを付着させないことが求められている。
【０００６】
そこで、上記の更なる要求に応えるために、本発明者等が鋭意検討を行った結果、次の様な問題点があることが分かった。
すなわち、従来の吸着固定装置は、吸着固定面にサンドブラスト等により突起または溝を形成して凹凸面とし、この凹凸面を砥粒とバフ材または砥粒と超音波を用いて研磨したものであるから、この凹凸面の凸部側面と凹部底面との境界近傍部分が必ずしも充分に研磨されず、したがって、シリコンウエハ等の板状試料に多くのパーティクルが付着する虞がある。
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、パーティクルの発生等の不具合が生じることなしに、固定、矯正、搬送等を行うことができ、しかも、板状試料へのパーティクルの付着量が極めて少ない吸着固定装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、鋭利検討した結果、基体の吸着固定面である凹凸面の凸部の頂面及び側面と前記凹凸面の凹部の底面とを、充分に効率よく鏡面研磨することにより、板状試料をリフトピン等を用いて吸着固定面から離脱する際に、板状試料の裏面と吸着固定面の凸部の頂面及び側面とが接触したり、あるいは、この板状試料の部分的な変形によりその裏面が吸着固定面の凹部底面に接触したりした場合においても、パーティクルの発生を防止することができることを見いだした。
【０００９】
すなわち、本発明の請求項１記載の吸着固定装置の製造方法は、基体の一主面が板状試料を吸着固定する吸着固定面とされ、該吸着固定面には突起または溝が形成されて凹凸面とされ、該凹凸面の凸部の頂面が前記板状試料の保持面とされた吸着固定装置の製造方法であって、基体の一主面に突起または溝を形成して凹凸面とする工程と、該凹凸面を砥粒と刷子を用いて研磨する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
この吸着固定装置の製造方法では、凹凸面を砥粒と刷子を用いて研磨することにより、前記凹凸面の凸部の頂面及び側面と凹部の底面は勿論のこと、前記凸部側面と前記凹部底面との境界近傍部分も充分に研磨される。これにより、板状試料の吸着固定面全域が充分に鏡面研磨され、この吸着固定面に吸着固定される板状試料との接触が滑らかになり、吸着固定面と板状試料との間の摩擦が小さい吸着固定装置が得られる。
【００１１】
よって、この製造方法により製造された吸着固定装置は、吸着固定面に固定した板状試料を、リフトピン等を用いて前記吸着固定面から離脱する際に、板状試料の裏面と吸着固定面の凸部の頂面及び側面とが接触したり、あるいは、この板状試料の部分的な変形によりその裏面が吸着固定面の凹部底面に接触したりした場合においてもパーティクルが発生する虞が無い。
【００１２】
請求項２記載の吸着固定装置の製造方法は、請求項１記載の吸着固定装置の製造方法において、前記刷子は、繊維を板状体に複数本植毛してなり、前記繊維の植毛面からの長さは５ｍｍ以上であることを特徴とする。
この吸着固定装置の製造方法では、前記刷子を、繊維を板状体に複数本植毛し、前記繊維の植毛面からの長さを５ｍｍ以上としたことにより、前記凸部側面と前記凹部底面との境界近傍部分も効率よく研磨される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の吸着固定装置の製造方法の一実施の形態について説明する。ここでは、プラズマ発生用の高周波電極が一体化された形式の静電チャックを例にとり説明する。
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
【００１４】
本実施形態に係る製造方法により製造される静電チャックは、基体の一主面が板状試料を吸着固定する吸着固定面とされ、該吸着固定面には突起または溝が形成されて凹凸面とされ、該凹凸面の凸部の頂面が前記板状試料の保持面とされている。
ここでは、理解を容易にするために、まず、本実施形態の吸着固定装置の製造方法により得られた静電チャックについて説明し、次いで、本実施形態の吸着固定装置の製造方法について説明する。
【００１５】
図１は本発明の一実施形態の静電チャックを示す平面図、図２は図１の断面図であり、この図２では、静電チャックの構成に対する理解を容易にするためにプラズマ処理装置の構成を加えてある。
図に示すように、静電チャック１１は、平板状の誘電体１３内に静電吸着用内部電極１４及びプラズマ発生用の高周波電極１８が内蔵されている。
【００１６】
誘電体１３の上面には、ヘリウム（Ｈｅ）等の冷却ガスが漏れないように０．３ｍｍの幅で後述する凸部１５、１５、…と同じ高さの周縁壁１３ａが形成され、さらに、この内側が吸着面（吸着固定面）１３ｂとされ、この吸着面１３ｂ内は凹凸面とされ、多数の凸部１５、１５、…が立設されている。
【００１７】
凸部１５、１５、…は、図３及び図４に示すように、各頂面２４が板状試料１を保持する保持面とされ、これらの頂面２４、２４、…の合計面積の前記吸着面１３ｂに対する面積比は０．３％〜３０％の範囲とされている。ここで、面積比を０．３％以上と限定するのは、必要な吸着力を確保するためであり、また、３０％以下と限定するのは、吸着面１３ｂに存在するゴミを付着させ難くし、しかも電圧印加中止後の板状試料１の脱離性を確保するためである。
【００１８】
そして、この凸部１５の頂面２４及び側面２５の表面粗さＲａ、及び凸部１５、１５…の周囲に形成された凹部２６の底面２７の表面粗さＲａが、それぞれ０．２５Ｓ以下となるように、板状試料１を吸着する吸着面１３ｂ全域が鏡面研磨されている。
【００１９】
誘電体１３には、これを貫通する冷却ガス導入孔１６が形成され、この冷却ガス導入孔１６、１６を介して誘電体１３上面と板状試料１下面との間の隙間にヘリウム（Ｈｅ）等の冷却ガスが供給される。
また、静電吸着用の内部電極１４には直流電源回路１７が接続され、プラズマ発生用の高周波電極１８には高周波電源回路１９が接続されている。また、静電チャック１１上方には、アースされた対向電極２０が該静電チャック１１の上面と対向するように配置されている。
【００２０】
この静電チャック１１では、誘電体１３上に板状試料１を載置し、静電吸着用の内部電極１４に直流電圧を印加することで静電力が生じ、この静電力により板状試料１を誘電体１３上に、具体的には凸部１５、１５、…の頂面２４、２４、…及び周縁壁１３ａの上面に吸着させるようになっている。また、高周波電源回路１９によって高周波を印加することにより、対向電極２０との間に活性なラジカル２１が発生し、この活性なラジカル２１が板状試料１の表面のＳｉ酸化膜等をエッチングするようになっている。
【００２１】
次に、本実施形態の静電チャックの製造方法について図５に基づき説明する。
本実施形態に係る静電チャックは、吸着面１３ｂ内に形成される凹凸面の研磨以外は、従来からの公知の方法に従って製造される。
凸部１５、１５、…の形成は、例えば、砥石加工、レーザ彫刻等の機械加工、あるいはサンドブラスト加工等を用いて行うことができる。また、凹凸面の研磨、すなわち、凸部１５の頂面２４及び側面２５と、凹部底面２６の研磨は、砥粒と刷子を用いた研磨により効率的に行うことができる。
【００２２】
上記の刷子としては、例えば、各種の獣毛、植物繊維、合成繊維等の繊維を板状体に多数植毛したものが好適に用いられ、繊維の形状や本数等に特に制限はないが、植毛される各種繊維の長さは植毛面からの長さが５ｍｍ以上あるものが好ましい。植毛面からの長さが５ｍｍ未満であると、吸着面１３ｂである凹凸面の凸部１５の頂面２４及び側面２５と、この凹凸面の凹部２６の底面２７とを効率よく鏡面研磨することができない。
【００２３】
以下、吸着面１３ｂ内に凸部１５、１５…を形成する方法としてサンドブラスト加工を、また、凹凸面を研磨する方法として砥粒と刷子を用いた研磨法を、図３及び図５に基づき説明する。
【００２４】
まず、図５（ａ）に示すように、誘電体３１の上面、すなわち板状試料１を吸着する吸着面３１ｂを研磨加工して、例えば、表面粗さＲａが０．２５Ｓ以下の平坦面とし、この平滑となった吸着面３１ｂを洗浄する。この洗浄は、例えば、アセトン、イソプロピルアルコール、トルエン等の有機溶剤で脱脂を行い、その後、例えば、温水で洗浄する。
【００２５】
次いで、この吸着面３１ｂに所定のパターン形状のマスク３２を形成する。このマスク３２のパターン形状は、図１に示す凸部１５、１５、…のパターン形状と同一とする。このマスク３２としては、感光性樹脂や板状マスクが好適に用いられる。この方法は常法に従う。
【００２６】
ここで、凹部２６の底面（溝部）２７の溝幅は、０．１ｍｍ〜１０ｍｍ、好ましくは０．５ｍｍ〜５．０ｍｍとなるようにする。
この溝幅が０．１ｍｍ未満であると、凹凸面の凸部１５の側面２５と、凹凸面の凹部２６の底面２７とを研磨することが困難となる他、シール性が低下してヘリウム（Ｈｅ）等の冷却ガスが反応容器内に漏出する虞が生じるので好ましくなく、また、この溝幅が１０ｍｍを越えると、板状試料１へのパーティクル付着量が増加する他、均熱性が低下して板状試料１に温度差が生じるので好ましくない。
【００２７】
次いで、図５（ｂ）に示すように、サンドブラスト加工を行い、マスク３２によって覆われていない部分に凹部３３、３３、…を形成する。その結果として、マスク３２によって覆われている部分が残って凸部３４、３４、…となり、これらの凸部３４、３４間が凹部３３の底面３５となる。
【００２８】
このサンドブラスト加工に使用される砥粒としては、アルミナ、炭化珪素、ガラスビーズ等が好ましく、砥粒の粒径は、３００メッシュアンダー（３００メッシュを通過したもの）、かつ、１５００メッシュオーバー（１５００メッシュを通過しないもの）程度とすることが好ましい。
その後、マスク３２を除去する。この際、マスク３２が感光性樹脂からなる場合には、塩化メチレン等の剥離液を用いる。
【００２９】
次いで、凸部３４、３４、…の頂面及び側面と、凹部３３の底面３５とを、砥粒と刷子を用いた研磨法により、表面粗さＲａが０．２５Ｓ以下となるよう同時に鏡面研磨し、図５（ｃ）に示すように、凸部１５、１５、…の頂面２４及び側面２５と、凹部２６の底面２７が共に充分に鏡面研磨された静電チャックを得る。
【００３０】
上記の砥粒としては、例えば、サンドブラスト加工に用いた砥粒と同一のものを使用することができるが、砥粒の粒径としては、８００メッシュアンダー（８００メッシュを通過したもの）、かつ、１５００メッシュオーバー（１５００メッシュを通過しないもの）程度とすることが好ましい。
【００３１】
この砥粒と刷子を用いた研磨に際しては、段階を踏む毎に、より微小な砥粒を用いて多段階に研磨することが好ましく、例えば８００メッシュの砥粒→１０００メッシュの砥粒→１５００メッシュの砥粒という具合に、段階を踏んで多段階に研磨するのが好ましい。
その他の研磨条件については、定法のバフ研磨法等に従ってよく、例えば、前記の砥粒を含む研摩剤スラリーを被研摩面に注ぎながら、刷子を用いて研磨する方法等が用いられる。
研磨後、吸着面１３ｂを洗浄する。この洗浄は、例えば、アセトン等の有機溶剤で行い、脱脂する。この脱脂後には、例えば、温水で洗浄する。
【００３２】
また、吸着面１３ｂ内に形成される凸部１５、１５、…の高さＨは、１μｍ〜３０μｍとなるようにする。その理由は、凸部１５の高さＨが１μｍ未満であると、ヘリウム（Ｈｅ）等の冷却ガスを板状試料１の下面に流動させることが困難となり、また、パーティクルの付着防止に対して有効でなく、板状試料１に浮きが生じて吸着力が低下し、板状試料１の面内温度の均一性を向上させることが困難になるからである。また、凸部１５の高さＨが３０μｍを越えると、凹部２６の底面２７における吸着力が低下し、吸着面１３ｂ全体としての吸着力が低下するからである。
【００３３】
さらに、凸部１５、１５、…は、図３及び図４に示すように、先端部が根元よりも小さい形状に形成され、凸部１５周縁が、断面形状が丸みを帯びた（曲線状）ように形成され、凸部１５の頂面２４の面積が、この凸部１５の底部の水平方向の面積の２０〜８０％となるように研磨する。このように凸部１５周縁が形成されていると、板状試料１の裏面を傷つけることがなく、また、板状試料１との摩擦が小さくなるので好ましい。
【００３４】
この静電チャックの製造方法にあっては、凸部１５、１５、…の各頂面２４の合計面積の吸着面１３ｂに対する面積比率が大きい（例えば２０％以上）静電チャック、即ち、凹部２６の溝幅が小さい（例えば５ｍｍ以下）静電チャックであっても、凹部３３の底面３５及びこの底面３５と凸部３４の側面２５との境界部をも容易に研磨することができる。しかも、凸部３４の頂面及び側面と、凹部３３の底面３５とを同時に研磨することができるので、研磨コストを低減することができ、もって、パーティクル発生の原因が少なく、半導体ウエハ等の板状試料１の製品歩留まりを改善し得る静電チャックを安価に提供することができる。
【００３５】
また、この静電チャックの製造方法にあっては、板状試料１へのパーティクルの付着量が少なく、大きな静電吸着力を備えた静電チャックを製造することができる。
すなわち、この静電チャックの製造方法では、凸部３４の頂面は勿論のこと、凸部３４の側面と凹部３３の底面３５を共に効率よく充分に研磨することができ、板状試料１の吸着面１３ｂ全域を研磨することができる。したがって、板状試料１へのパーティクル付着を大幅に低減することができる静電チャックを製造することができる。
【００３６】
さらに、静電チャックの吸着面１３ｂに形成された多数の凸部１５の頂面２４の合計面積の吸着面１３ｂ全面に対する面積比率が大きな静電チャック、例えば２０％〜３０％の静電チャックとすることができ、したがって、充分な静電吸着力でもって板状試料１を吸着面１３ｂに静電吸着することができる静電チャックを得ることができる。
【００３７】
次いで、上記の静電チャックの評価を行った。
ここで実施例とした静電チャックは、上記の製造方法により作製されたもので、凸部１５の頂面２４の合計面積の吸着面１３ｂに対する面積比は１５％、凹部２６底面２７の溝幅は２．０ｍｍ、凸部１５の高さＨは１０μｍであり、凸部１５の頂面２４及び側面２５、及び凹部２６底面２７の表面粗さＲａはいずれも０．２５Ｓであった。また、凸部１５の頂面２４の面積は、凸部１５の底部の水平方向の面積の７０％であった。なお、刷子としては、多数の豚毛が植毛された、植毛面からの長さが１０ｍｍのものを用いた。
【００３８】
この静電チャックを用いて、凹部（溝部）２６、２６、…に２．６×１０３Ｐａ（２０ｔｏｒｒ）のヘリウム（Ｈｅ）ガスを流しながら、板状試料１を吸着させ、該静電チャックの静電吸着力、吸着時間、脱離時間を、室温（２５℃）下で測定した。ここでは、板状試料１として、８インチのシリコン（Ｓｉ）ウエハを用いた。これらの測定結果を表１に示す。
【００３９】
ここで、吸着時間とは、１０００Ｖの直流電圧を印加したときに静電吸着力が１００ｇｆ／ｃｍ２、すなわち、約９８００Ｐａになるまでの時間であり、脱離時間とは、１０００Ｖの直流電圧を１分間印加した後に印加を停止し、その時点から静電吸着力が１０ｇｆ／ｃｍ２、すなわち、約９８０Ｐａになるまでの時間である。
【００４０】
この静電チャックを用いて、１０００Ｖの直流電圧を印加し、８インチＳｉウエハを１分間吸着させた後、脱離させ、次いで、新たなＳｉウエハを同様に吸着・脱離させる処理を繰り返し、１０回目、５０回目、１００回目それぞれのウエハ裏面の付着パーティクル数を測定した。これらの測定結果を表２に示す。
【００４１】
一方、凸部３４の側面と、凹部３３の底面３５とを鏡面研磨しない静電チャックを作製し、比較例１とした。
すなわち、誘電体３１の上面、すなわち板状試料１を吸着する吸着面３１ｂを研磨加工して表面粗さＲａが０．２５Ｓの平坦面とし、この平滑となった吸着面３１ｂを上記の実施例に準じて洗浄した。
次いで、この吸着面３１ｂ上に、実施例に準じてマスク３２を形成し、サンドブラスト加工を行い、マスク３２を除去し、その後、吸着面３１ｂを洗浄した。
【００４２】
このようにして作製された静電チャックについて、実施例に準じて静電吸着力、吸着時間、脱離時間を、室温（２５℃）下で測定した。また、実施例に準じて、ウエハ裏面の付着パーティクル数を測定した。これらの測定結果を表１及び表２に示す。
【００４３】
また、炭化珪素の砥粒を含む研磨材スラリーを被研磨面に注ぎながらバフ材を用いて研磨した他は実施例と同様の静電チャックを作製し、比較例２とした。  このようにして作製された静電チャックについて、実施例に準じて静電吸着力、吸着時間、脱離時間を、室温（２５℃）下で測定した。また、実施例に準じて、ウエハ裏面の付着パーティクル数を測定した。これらの測定結果を表１及び表２に示す。
【００４４】
【表１】
2005019700.tif 000003
【００４５】
【表２】
2005019700.tif 000004
【００４６】
表１及び表２によれば、実施例、比較例１、２それぞれの静電吸着特性は同一であるものの、ウエハ裏面の付着パーティクル数は実施例の静電チャックが遥かに優れている。
すなわち、実施例の静電チャックでは、凸部１５の頂面２４、凸部１５の側面２５と凹部２６の底面２７は勿論のこと、凸部１５側面２５と凹部２６底面２７との境界近傍部分も充分に研磨されているので、ウエハを吸着・脱離させる処理が１０回目、５０回目、１００回目と回を追うごとに付着パーティクル数が減少している。このことは、ウエハ裏面が吸着面１３ｂの凹部２６底面２７に接触したりした場合であっても、パーティクルが新たに発生することがないためと考えられる。
【００４７】
これに対し、比較例１の静電チャックでは、凸部１５の側面２５と凹部２６の底面２７とが共に研磨されていないため、ウエハを吸着・脱離させる処理が１０回目、５０回目、１００回目と回を追うごとに付着パーティクル数が増加している。このことは、ウエハ裏面が吸着面１３ｂの凹部２６底面２７に接触した場合、パーティクルが新たに発生しているためと考えられる。
また、比較例２の静電チャックでは、凸部１５の側面２５と凹部２６の底面２７との境界近傍部分が充分に研磨されていないため、ウエハを吸着・脱離させる処理が１０回目、５０回目、１００回目と回を追うごとに付着パーティクル数は減少するものの、実施例の静電チャックより多くのパーティクルが付着し、パーティクル数の減少も緩やかである。このことは、ウエハを吸着・脱離させる処理が１０回目、５０回目、１００回目と回を追うごとに新たなパーティクルが発生しているためと考えられる。
【００４８】
以上説明した様に、本実施形態の吸着固定装置の製造方法によれば、凸部３４の頂面及び側面と、凹部３３の底面３５は勿論のこと、凸部３４側面と凹部３３底面３５との境界近傍部分も充分に研磨することができる。したがって、Ｓｉウエハ等の板状試料１への付着パーティクル数が極めて少なく、吸着面１３ｂと板状試料１との間の摩擦が小さい静電チャックの製造方法を提供することができる。
しかも、凸部３４の頂面及び側面と、凹部３３の底面３５とを同時に研磨することができるので、研磨コストを低減することができる。
【００４９】
以上、本発明の吸着固定装置の製造方法の一実施形態について図面に基づき説明してきたが、具体的な構成は本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計の変更等が可能である。
例えば、本実施形態では、吸着固定装置として、プラズマ発生用の高周波電極が一体化された形式の静電チャックを例にとり説明したが、上記の形式以外の静電チャックや、真空チャック等の他の形式の吸着固定装置に適用可能であることはもちろんである。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の吸着固定装置の製造方法によれば、凹凸面を砥粒と刷子を用いて研磨するので、前記凹凸面の凸部の頂面及び側面と凹部の底面は勿論のこと、前記凸部側面と前記凹部底面との境界近傍部分も充分に研磨することができ、板状試料の吸着固定面全域を充分に鏡面研磨することができる。したがって、この吸着固定面に吸着固定される板状試料との接触が滑らかになり、吸着固定面と板状試料との間の摩擦が小さい吸着固定装置を容易に作製することができる。
【００５１】
よって、この製造方法により製造された吸着固定装置は、吸着固定面に固定した板状試料を、リフトピン等を用いて前記吸着固定面から離脱する際に、板状試料の裏面と吸着固定面の凸部の頂面及び側面とが接触したり、あるいは、この板状試料の部分的な変形によりその裏面が吸着固定面の凹部底面に接触したりした場合においても、板状試料へのパーティクルの付着量が極めて少ない。
【００５２】
また、前記刷子を、繊維を板状体に複数本植毛し、前記繊維の植毛面からの長さを５ｍｍ以上とすれば、前記凸部側面と前記凹部底面との境界近傍部分も効率よく研磨することができ、板状試料の吸着固定面全域を充分に鏡面研磨することができる。
【００５３】
以上により、パーティクルの発生等の不具合が生じることなしに、固定、矯正、搬送等を行うことができ、しかも、板状試料へのパーティクルの付着量が極めて少ない吸着固定装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の静電チャックを示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態の静電チャックを示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態の静電チャックの凹凸面の構造を示す平面図である。
【図４】本発明の一実施形態の静電チャックの凹凸面の構造を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態の静電チャックの製造方法を示す過程図である。
【図６】従来の静電チャックの問題点を示す説明図である。
【符号の説明】
１  板状試料
１１  静電チャック
１３  誘電体
１３ａ  周縁壁
１３ｂ  吸着面
１４  静電吸着用内部電極
１５  凸部
１６  冷却ガス導入孔
１７  直流電源回路
１８  プラズマ発生用の高周波電極
１９  高周波電源回路
２０  対向電極
２１  ラジカル
２４  頂面
２５  側面
２６  凹部
２７  底面（溝部）
３１  誘電体
３１ｂ  吸着面
３２  マスク
３３  凹部
３４  凸部
３５  底面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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