(57)【要約】【課題】  特に膜厚が厚いパターンを形成するにあたって、そのライン幅を所望通りに制御できるようにし、これによってパターンの微細化、高精細化を可能にした膜パターンの形成方法と、この形成方法によって得られる導電膜配線、電気光学装置、電子機器、及び非接触型カード媒体とを提供する。 【解決手段】  膜成分を含有した液滴を、基板１上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法である。複数の液滴を膜形成領域全体に吐出する第１吐出工程と、第１吐出工程で吐出された液滴を乾燥して下層膜パターン３を形成する乾燥工程と、基板１を撥液処理する撥液処理工程と、複数の液滴を下層膜パターン３上に吐出するする第２吐出工程と、下層膜パターン３とその上の液滴を焼成し、膜パターンとする焼成工程と、を備えている。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜成分を含有した液滴を、基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、
複数の前記液滴を、前記膜形成領域全体に、前記基板上に着弾した後の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する第１の吐出処理と、複数の前記液滴を、前記膜形成領域全体の前記第１の吐出処理における吐出位置と異なる位置に、前記基板上に着弾した後の前記液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する第２の吐出処理と、からなる第１吐出工程と、
前記第１吐出工程で吐出された液滴を乾燥して下層膜パターンを形成する乾燥工程と、
前記乾燥工程の後、前記基板を撥液処理する撥液処理工程と、
前記撥液処理工程の後、複数の前記液滴を前記下層膜パターン上に吐出するする第２吐出工程と、
前記第２吐出工程の後、前記下層膜パターンと該下層膜パターン上の液滴を焼成し、膜パターンとする焼成工程と、を備えたことを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項２】
前記液滴には、有機物が含有されていることを特徴とする請求項１記載の膜パターンの形成方法。
【請求項３】
前記第２吐出工程において、連続して吐出される前記液滴のうち、後に吐出される液滴が、先に吐出された液滴に一部が重なるように吐出することを特徴とする請求項１又は２記載の膜パターンの形成方法。
【請求項４】
前記第２の吐出処理におけるピッチが、前記第１吐出工程におけるピッチと略同一であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項５】
前記第１吐出工程におけるピッチが、前記基板上に着弾した後の液滴の直径の２倍以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項６】
前記第１吐出工程の前に、前記基板の膜形成領域側の面を、前記液滴との接触角が２０［ｄｅｇ］以上、６０［ｄｅｇ］以下となるように調整する前処理工程を有していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項７】
前記乾燥工程と前記撥液処理工程との間に、前記基板に対してエネルギー線を照射する照射工程を有していることを特徴とする請求項６記載の膜パターンの形成方法。
【請求項８】
前記基板が透光性基板であり、前記エネルギー線を、前記基板の裏面側に照射することを特徴とする請求項７記載の膜パターンの形成方法。
【請求項９】
前記膜成分が導電性微粒子を含有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の膜パターンの形成方法によって形成されたことを特徴とする導電膜配線。
【請求項１１】
請求項１０に記載された導電膜配線を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載された電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項１０に記載された導電膜配線をアンテナ回路として備えることを特徴とする非接触型カード媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種デバイスの製造などに適用される膜パターンの形成方法、及びこの形成方法によって得られる導電膜配線、電気光学装置、電子機器、非接触型カード媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスなどに用いられる回路素子は、シリコンやガラス等からなる基板上に配線パターンが形成されることで製造される。基板上に配線パターンを形成する方法としては、従来より各種のものが利用されており、最もよく用いられている方法の一つとして、フォトリソグラフィー法がある。ところが、このフォトリソグラフィー法で配線パターンを形成する場合、工程が複雑であり、エッチングを行う際に多量の廃液が生じ、さらに現像の際に使用するアルカリ液などで基板自体がダメージを受けるなどの問題がある。
これに対して、インクジェット法等の液滴吐出法により、吐出ヘッドから導電性液状体を吐出することでパターンの直接描画を行えば、工程が簡素になり、生じる廃液も少なくてすみ、基板自体のダメージの問題もなくなる。
【０００３】
ところが、前記の液滴吐出法では、吐出ヘッドから基板に対して導電性液状体を吐出し、パターンを形成する際、基板に何も処理を施していないと、液滴が濡れ広がったり、所望の箇所に吐出ができなかったりして所望のパターンがきれいに形成できなくなってしまう。そこで、従来では、基板に対して予めパターン形成を行いたい部分を親液性にし、それ以外の部分を撥液性にする親液・撥液パターンを形成しておき、インクジェット法（液滴吐出法）で導電性液状体を吐出することにより、親液部分にきれいなパターンを形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００４】
ところで、この方法では、基板を撥液化処理した後、基板にフォトマスクを介して露光を行うことでこの露光箇所を親液化し、これによって親液・撥液パターンを同時に形成するようにしている。したがって、この方法では、配線パターン形成のためにフォトマスクが必須になる。しかしながら、配線パターンはその種類が多いことから、フォトマスクをその種類毎に全て用意するためにはコストが多くかかってしまい、結果として製造コストを引き上げる一因となっている。
【０００５】
このようなフォトマスクを使用する方法に対し、フォトマスクを使用せずに液滴吐出法で導電性液状体を吐出し、パターンを形成する方法も提案されている（例えば、特許文献３参照）。この方法では、ＦＡＳ（フルオロアルキルシラン）処理などによって基板に撥液処理をし、その後、基板全体に短時間の露光処理を行って基板面を適度に親液化する方法である。すなわち、撥液処理面を露光処理によって親液化し、この基板面を塗布する液状体に対しその液滴が濡れ広がらないような適度な接触角となるように調整することにより、所望のライン幅の配線パターンを形成する方法である。この方法によれば、フォトマスクを必要としないためコスト面では有利になる。
【特許文献１】特開２００２−１６４６３５号公報
【特許文献２】特開２０００−２８２２４０号公報
【特許文献３】特開２００３−１３３６９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、この方法にあっては、導電性液状体を重ね塗りすることで得られるパターンの膜厚を厚くし、配線抵抗を低くしたい場合に、二重、三重、さらにはそれ以上に重ね塗りをすることで行う。しかしながら、その場合に、重ね塗りした液状体が基板面に濡れ広がってしまい、ライン幅が所望通りに制御できないため、パターンの微細化や高精細化が困難になるといった課題がある。
【０００７】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、特に膜厚が厚いパターンを形成するにあたって、そのライン幅を所望通りに制御できるようにし、これによってパターンの微細化、高精細化を可能にした膜パターンの形成方法と、この形成方法によって得られる導電膜配線、電気光学装置、電子機器、及び非接触型カード媒体とを提供することにある。 
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため本発明の膜パターンの形成方法は、膜成分を含有した液滴を、基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、
複数の前記液滴を、前記膜形成領域全体に、前記基板上に着弾した後の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する第１の吐出処理と、複数の前記液滴を、前記膜形成領域全体の前記第１の吐出処理における吐出位置と異なる位置に、前記基板上に着弾した後の前記液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する第２の吐出処理と、からなる第１吐出工程と、
前記第１吐出工程で吐出された液滴を乾燥して下層膜パターンを形成する乾燥工程と、
前記乾燥工程の後、前記基板を撥液処理する撥液処理工程と、
前記撥液処理工程の後、複数の前記液滴を前記下層膜パターン上に吐出するする第２吐出工程と、
前記第２吐出工程の後、前記下層膜パターンと該下層膜パターン上の液滴を焼成し、膜パターンとする焼成工程と、を備えたことを特徴としている。
【０００９】
ここで、「膜形成領域」とは膜パターンを形成すべき領域のことで、主として単一又は複数の直線で構成される。また、「前記膜形成領域全体」とは、膜形成領域の全面を意味するものではなく、膜形成領域の特定領域（例えば、左右に引かれた直線の右半分等）のみに偏らない全体を意味する。また、「前記基板上に着弾した後の液滴の直径」とは、吐出された液滴が基板上に着弾した後に自然に広がり、その後乾燥に伴って縮小する間の最大直径をいう。すなわち、「前記基板上に着弾した後の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する」ことにより、続けて吐出する液滴が、着弾後に自然に広がった後も、互いに離間して接しないように吐出することを意味する。また、「異なる位置」とは、液滴の中心位置が異なることを意味し、第１の吐出処理で吐出される液滴と第２の吐出処理で吐出される液滴とは、互いに部分的に重なるか、あるいは完全に重ならないものである。
【００１０】
この膜パターンの形成方法によれば、第１吐出工程において、その第１の吐出処理でも、また第２の吐出処理でも、液滴と液滴とが基板上の膜形成領域に互いに離間して吐出されるため、液滴が互いに合体してバルジ（液だまり）を生じることがなく、さらに、第１の吐出処理による液滴の間隙を第２の吐出処理によって埋めていくことが可能となり、これによって下層膜パターンを連続した状態に形成することが可能になる。
また、このようにして下層膜パターンを形成した後、撥液処理工程で前記基板を撥液処理するようにしたので、その後第２吐出工程で複数の前記液滴を前記下層膜パターン上に吐出した際、基板が撥液化されていることでこの基板上に液滴が濡れ広がることがなく、したがって下層膜パターン上からはみ出ることなくその幅内に液滴が重ね塗られるようになる。よって、この重ね塗りを適宜繰り返すことにより、膜パターンを所望の膜厚でしかも所望のライン幅に形成することが可能になり、これによって膜パターンの微細化や高精細化も可能になる。
【００１１】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記液滴に、例えば膜成分をコーティングするコーティング材、または膜成分を分散させる分散媒などとして、有機物が含有されているのが好ましい。
このようにすれば、乾燥工程によって形成された下層膜パターンには前記有機物が残っているため、撥液処理工程において基板を例えばＦＡＳ処理などで撥液処理した際、この下層膜パターン上は撥液化されず、したがって第２吐出工程で下層膜パターン上に液滴を重ね塗りした際、液滴が下層膜パターン上に良好に濡れるようになる。
【００１２】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記第２吐出工程として、連続して吐出される前記液滴のうち、後に吐出される液滴が、先に吐出された液滴に一部が重なるように吐出するのが好ましい。
このようにすれば、第２吐出工程として例えば吐出ヘッドを一方向に走行させることで一層分の重ね塗りを行うことができ、したがって吐出時間を短縮して生産性の向上を図ることが可能になる。
【００１３】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記第２の吐出処理におけるピッチが、前記第１吐出工程におけるピッチと略同一であるのが好ましい。
このようにすれば、工程を簡略化し、作業効率を向上させることができる。ただし、前記第２の吐出処理におけるピッチを、前記第１の吐出処理におけるピッチと略同一とすることは絶対的な要件ではない。例えば、第２の吐出処理におけるピッチを第１の吐出処理におけるピッチの略２倍としたり、１／２倍としたりすることも可能である。
【００１４】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記第１吐出工程におけるピッチが、前記基板上に着弾した後の液滴の直径の２倍以下であるのが好ましい。
このようにすれば、第１の吐出処理と第２の吐出処理のみで連続した線状の膜パターンを形成できるので、工程を簡略化し、作業効率を向上させることができる。なお、前記第１の吐出処理におけるピッチが、前記基板上に着弾した後の液滴の直径の２倍を越える場合には、第２の吐出処理の後に、さらに別の吐出工程を１回以上行うことにより、連続した線状の膜パターンを形成することができる。
【００１５】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記第１吐出工程の前に、前記基板の膜形成領域側の面を、前記液滴との接触角が２０［ｄｅｇ］以上、６０［ｄｅｇ］以下となるように調整する前処理工程を有しているのが好ましい。
このようにすれば、着弾した液滴の過剰な濡れ広がりを抑えつつ、第１の吐出処理による液滴の間隙を第２の吐出処理によって埋めていくことで下層膜パターンを連続した状態に形成することが可能になる。
【００１６】
なお、この膜パターンの形成方法においては、前記乾燥工程と前記撥液処理工程との間に、前記基板に対して紫外線などのエネルギー線を照射する照射工程を有しているのが好ましい。
このようにすれば、前記の前処理工程によって形成された撥液膜が紫外線の照射によって分解する。したがって、その後撥液処理工程で基板を例えばＦＡＳ処理などで撥液処理した際、緻密でより良好な撥液膜が形成される。
【００１７】
また、この膜パターンの形成方法においては、前記基板が透光性基板であり、前記紫外線を、前記基板の裏面側から照射するのが好ましい。
このようにすれば、前記の前処理工程によって形成された撥液膜のうち、前記下層膜パターンの下側に形成された部分も紫外線の照射によって分解する。したがって、焼成工程によって得られた膜パターンの、基板に対する密着性が向上する。
【００１８】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記膜成分が導電性微粒子を含有するのが好ましい。
このようにすれば、膜厚が厚く電気伝導に有利で、断線や短絡等の不良が生じにくい導電膜配線を、微細にかつ高精細に形成することが可能となる。
【００１９】
また、本発明の導電膜配線は、前記の膜パターンの形成方法によって形成されたことを特徴としている。
この導電膜配線によれば、前述したように、膜厚が厚く電気伝導に有利で、断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも微細化、高精細化が可能なものとなる。
【００２０】
また、本発明の導電膜配線は、導電膜配線を備えることを特徴としており、本発明の電子機器は、前記電気光学装置を備えることを特徴としており、本発明の非接触型カード媒体は、前記導電膜配線をアンテナ回路として備えることを特徴としている。
これら本発明によれば、配線部やアンテナの断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化が可能な電気光学装置及びこれを用いた電子機器並びに非接触型カード媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を詳しく説明する。
まず、本発明の膜パターン形成方法の一実施形態として、本発明を導電膜からなる配線パターンの形成方法に適用した場合の例について説明する。
本例の配線パターンの形成方法は、膜成分を含有した液状体からなる液滴を、基板上の所定の膜形成領域に吐出して配線パターン（膜パターン）を形成する方法であり、基板の前処理工程と、第１吐出工程と、乾燥工程と、照射工程と、撥液処理工程と、第２吐出工程と、焼成工程と、を備えてなるものである。
以下、各工程について説明する。
【００２２】
（基板の前処理工程）
まず、図１（ａ）に示すように、配線パターンを形成するための基板１を用意する。この基板１としては、Ｓｉウエハー、石英ガラス、ガラス、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができるが、後述するように特に照射工程で基板の裏面側から紫外線などのエネルギー線を照射する場合には、基板１として特に石英ガラス等の透光性のものが用いられる。ここで、これら各種の素材からなる基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などを下地層として形成しておき、これを本発明における基板として、その上に膜パターン、すなわち配線パターンを形成するようにしてもよい。その場合にも、これら下地層を含めた基板全体が、透光性であるのが好ましい。なお、本例では、石英ガラス等の透光性基板を用いるものとする。
【００２３】
このような基板１に対し、そのパターン形成側の面、すなわち膜形成領域側の面を、前記液状体との接触角が２０［ｄｅｇ］以上、６０［ｄｅｇ］以下となるように調整する。このように基板表面の撥液性（濡れ性）を調整、すなわち基板表面を前処理するためには、以下に説明する種々の表面処理方法が採用可能である。
【００２４】
表面処理の方法の一つとして、膜形成領域側の面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する方法が挙げられる。基板表面を処理するための有機分子膜は、基板に結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖を備えており、基板に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成するものである。
【００２５】
自己組織化膜は、基板（または下地層）を構成する原子に反応可能な結合性官能基と、それ以外の直鎖分子とからなり、該直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物が、配向させられて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子が配向させられて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
前記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシラン（ＦＡＳ）を用いた場合には、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
【００２６】
このような自己組織化膜を形成する化合物としては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下「ＦＡＳ」という）を挙げることができる。使用に際しては、一つの化合物を単独で用いるのも好ましいが、２種以上の化合物を組合せて使用してもよい。なお、本発明においては、前記の自己組織化膜を形成する化合物として、前記ＦＡＳを用いている。
【００２７】
ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ（４−ｎ）で表される。ここで、ｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）yの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持つ。複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでもよく、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によってシラノールを形成し、基板（石英ガラス、シリコン）等の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ３）等のフルオロ基を有するため、基板等の下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面、すなわち撥液性の表面に改質する。
【００２８】
このような自己組織化膜は、前記の原料化合物（例えばＦＡＳ）と基板１とを同一の密閉容器中に入れておき、室温の場合は２〜３日程度の間放置すると基板１上に形成される。また、密閉容器全体を１２０℃に保持することにより、２時間程度で基板１上に形成される。以上に述べたのは、気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜は形成可能である。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板１を浸積し、洗浄、乾燥することで基板１上に自己組織化膜が得られる。なお、自己組織化膜を形成する前に、基板１表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりして、前処理を施すことが望ましい。
【００２９】
本例では、前記のＦＡＳによる処理により、図１（ａ）に示したように基板１表面にＦＡＳ膜（撥液膜）２を形成する。このようにしてＦＡＳ膜２を形成した基板１は、そのＦＡＳ膜２の形成面に対する前記液状体の接触角が、例えば６０［ｄｅｇ］を越えるようになる。しかし、このように接触角が大きくなると、後述する第１吐出工程で吐出する液滴同士が互いに合体してバルジを生じる可能性が高くなる。そこで、本例の前処理では、図１（ａ）に示したように前記ＦＡＳ膜２に対して紫外線を短時間照射し、ＦＡＳ膜２を構成する自己組織化膜を一部分解し、これによって基板１の膜形成領域側の面を、前記液状体との接触角が２０［ｄｅｇ］以上、６０［ｄｅｇ］以下となるように調整する。紫外線の照射条件や照射時間については、形成したＦＡＳ膜２の撥液性（接触角）に応じ、予め実験等を行うなどによって適宜に決定しておく。
【００３０】
なお、基板１表面の撥液性（濡れ性）を調整するための表面処理として、他の方法としては、常圧又は真空中でプラズマ照射する方法が挙げられる。プラズマ処理に用いるガス種は、導電膜配線を形成すべき基板の表面材質等を考慮して種々選択できる。たとえば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等を処理ガスとして使用することができる。
【００３１】
（第１吐出工程）
次に、このようにして前処理した基板１の膜形成領域側の面に、インクジェット法（液滴吐出法）によって配線用の液状体を液滴として吐出し、液状体を膜形成領域全体に配する。
ここで、前記インクジェット法は、例えば図２（ａ）、（ｂ）に示す吐出ヘッド３４を用い、これから液状体を液滴として吐出する方法である。
吐出ヘッド３４は、図２（ａ）に示すように例えばステンレス製のノズルプレート１２と振動板１３とを備え、両者を仕切部材（リザーバプレート）１４を介して接合したものである。ノズルプレート１２と振動板１３との間には、仕切部材１４によって複数のキャビティ１５…とリザーバ１６とが形成されており、これらキャビティ１５…とリザーバ１６とは流路１７を介して連通している。
【００３２】
各キャビティ１５とリザーバ１６の内部とは液状体で満たされるようになっており、これらの間の流路１７はリザーバ１６からキャビティ１５に液状体を供給する供給口として機能するようになっている。また、ノズルプレート１２には、キャビティ１５から液状体を噴射するための孔状のノズル１８が縦横に整列した状態で複数形成されている。一方、振動板１３には、リザーバ１６内に開口する孔１９が形成されており、この孔１９には液状体タンク（図示せず）がチューブ（図示せず）を介して接続されるようになっている。
また、振動板１３のキャビティ１５に向く面と反対の側の面上には、図２（ｂ）に示すように圧電素子（ピエゾ素子）２０が接合されている。この圧電素子２０は、一対の電極２１、２１間に挟持され、通電により外側に突出するようにして撓曲するよう構成されたものである。
【００３３】
このような構成のもとに圧電素子２０が接合された振動板１３は、圧電素子２０と一体になって同時に外側へ撓曲し、これによりキャビティ１５の容積を増大させる。すると、キャビティ１５内とリザーバ１６内とが連通しており、リザーバ１６内に液状体が充填されている場合には、キャビティ１５内に増大した容積分に相当する液状体が、リザーバ１６から流路１７を介して流入する。
そして、このような状態から圧電素子２０への通電を解除すると、圧電素子２０と振動板１３はともに元の形状に戻る。よって、キャビティ１５も元の容積に戻ることから、キャビティ１５内部の液状体の圧力が上昇し、ノズル１８から液状体の液滴２２が吐出される。
【００３４】
なお、吐出ヘッドの吐出手段としては、前記の圧電素子（ピエゾ素子）２０を用いた電気機械変換体以外でもよく、例えば、エネルギー発生素子として電気熱変換体を用いた方式や、帯電制御型、加圧振動型といった連続方式、静電吸引方式、さらにはレーザーなどの電磁波を照射して発熱させ、この発熱による作用で液状体を吐出させる方式を採用することもできる。
【００３５】
また、このような吐出ヘッド３４を用いて吐出する配線用の液状体について説明すると、この液状体は、膜成分が導電性微粒子を含有したものであって、この導電性微粒子が分散媒に分散させられて形成された分散液である。用いられる導電性微粒子としては、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるため、通常は表面に有機物がコーティングされて用いられる。このコーティング材としては、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が挙げられる。導電性微粒子の粒径は５ｎｍ以上０．１μｍ以下であるのが好ましい。０．１μｍより大きいと、ノズルの目詰まりが起こりやすく、インクジェット法による吐出が困難になるからである。また、５ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となるからである。
【００３６】
導電性微粒子を含有する液体の分散媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発してしまい、良好な膜を形成することが困難になるからである。また、分散媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）であるのがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、インクジェット法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こり易く、安定な吐出が困難となるからである。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒の場合、乾燥が遅くなって膜中に分散媒が残留しやすくなり、後工程である焼成工程後に良質の導電膜が得られにくくなるからである。
【００３７】
使用する分散媒としては、前記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されないが、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、更にプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの有機物からなる極性化合物を挙げることができる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、またインクジェット法への適用のし易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、更に好ましい分散媒としては水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独でも、あるいは２種以上の混合物としても使用可能である。
【００３８】
前記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は１質量％以上８０質量％以下であり、所望の導電膜の膜厚に応じて調整することができる。８０質量％を超えると凝集を起こしやすくなり、均一な膜が得にくくなる。
前記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲に入ることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じ易くなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量、吐出タイミングの制御が困難になるからである。
【００３９】
表面張力を調整するため、前記分散液には、基板との接触角を不当に低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加することができる。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を良好化し、膜のレベリング性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生などの防止に役立つものである。前記分散液は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでいても差し支えない。
【００４０】
前記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であるのが好ましい。インクジェット法にて吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるからである。
【００４１】
このようにして調整した液状体、すなわち分散液を、図１（ｂ）に示すように前記の吐出ヘッド３４によって基板１の前処理面の、膜形成領域全体に吐出する。この吐出方法については、第１の吐出処理と第２の吐出処理の２段階の処理によって行う。なお、本例においては、配線形成領域（膜形成領域）が直線である場合について説明する。
【００４２】
・第１の吐出処理
まず、図３（ａ）に示すように、前記分散液の液滴Ｌ１をインクジェットヘッド３４から吐出して基板１上の配線形成領域に滴下する。液滴Ｌ１は、液滴Ｌ１が基板１上に着弾した後の直径よりも大きいピッチで吐出する。すなわち、液滴Ｌ１が基板１上で互いに接しないように、一定の間隔をおいて吐出する。
【００４３】
液滴Ｌ１を配線形成領域全体に吐出した後、分散媒の除去を行うため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば基板１を加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【００４４】
なお、このとき、分散媒の除去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高める必要はない。すなわち、導電膜への変換は、後述する第２吐出工程が終了後、焼成工程においてまとめて行うからである。また、特にここでは、後述する撥液処理工程のために、吐出した分散液にある程度の有機物が残留しているのが好ましく、そのためにもこの第１吐出工程では、分散液の流動性がほとんどなくなる程度に、その分散液を除去するだけ十分である。したがって、熱処理の場合では、通常１００℃程度の加熱を数分行えば十分である。また、乾燥処理は吐出と平行して同時に進行させることも可能である。例えば、加熱した基板１に吐出したり、インクジェットヘッド３４を冷却して、沸点の低い分散媒を使用したりすることにより、基板１着弾直後から乾燥を進行させることができる。乾燥後、液滴Ｌ１は乾燥膜Ｓ１となる。図３（ｂ）に示すように乾燥膜Ｓ１の体積は分散媒の除去により著しく減少しており、粘度も上昇して配線形成領域の所定の位置に固定されやすくなっている。
【００４５】
・第２の吐出処理
次に、図３（ｃ）に示すように、前記分散液の液滴Ｌ２をインクジェットヘッド３４から吐出して基板１上の配線形成領域に滴下する。なお、液滴Ｌ２は液滴Ｌ１と同じ分散液の液滴であって、体積も同じである。この液滴Ｌ２については、液滴Ｌ１と液滴Ｌ１との略中央に滴下する。すなわち、液滴Ｌ２と液滴Ｌ１とのピッチは同じであって、液滴Ｌ２も基板１上に着弾した後の直径よりも大きいピッチで吐出する。したがって、液滴Ｌ２も基板１上で互いに接しないようになる。このとき、液滴Ｌ２と乾燥膜Ｓ１とが接するが、乾燥膜Ｓ１は既に分散媒がある程度除去されているので、両者が引き合ってバルジを生じさせることはない。なお、図３（ｃ）では、液滴Ｌ２の滴下開始位置を液滴Ｌ１と同じ図面左側からとしたが、逆方向（図面右側）から滴下を開始してもよい。この場合、インクジェットヘッド３４と基板１との相対移動を一往復することにより、第１の吐出処理と第２の吐出処理とを行うことができる。
【００４６】
ここで、第１の吐出処理と第２の吐出処理における吐出位置について、図４の平面図を用いてより詳細に説明する。図４に示すように、液滴Ｌ１のピッチＰ１は、液滴Ｌ１の基板１上に着弾した後の直径Ｒ１より大きく、液滴Ｌ１は間隔ｄ１（ｄ１＝Ｐ１−Ｒ１）をおいて吐出される。また、液滴Ｌ２のピッチＰ２は、液滴Ｌ２の基板１上に着弾した後の直径Ｒ２より大きく、液滴Ｌ２は間隔ｄ２（ｄ２＝Ｐ２−Ｒ２）をおいて吐出される。ここで、液滴Ｌ１と液滴Ｌ２との体積は等しくされており、ほぼＲ１＝Ｒ２の関係にあるが、第２吐出工程の際は、乾燥膜Ｓ１上は基板１上より親液性が増しているので、Ｒ２はＲ１と比較して、長さ方向に若干大きくなる。また、ピッチＰ１とピッチＰ２とは等しくされており、ほぼｄ１＝ｄ２の関係となっているが、Ｒ２がＲ１と比較して、長さ方向に若干大きくなるため、ｄ２はｄ１と比較して若干小さくなる。また、ｄ１は１０μｍ以上とすることが好ましい。これにより、液滴の着弾位置の誤差やＲ２が若干大きくなることを考慮しても、続けて吐出する液滴が互いに離間して接しないように吐出することができる。
【００４７】
（乾燥工程）
このようにして液滴Ｌ２を配線形成領域全体に吐出する第２の吐出処理を行い、第１吐出工程を終了したら、この第１吐出工程（第２の吐出処理）で吐出された液滴からなる分散液（液状体）を乾燥する。すなわち、分散液中の分散媒の除去を行うため、前記の第１の吐出処理後と同様に、乾燥処理をする。この場合も、分散媒のある程度の除去だけを目的として行う。また、この乾燥処理についても、第２の吐出処理と平行して同時に進行させるようにしてもよい。
このようにして乾燥処理を行うことにより、図３（ｄ）に示すように液滴Ｌ２は乾燥膜Ｓ２となる。乾燥膜Ｓ２は、その体積が分散媒の除去によって著しく減少しており、粘度も上昇して配線形成領域の所定の位置にほぼ固定された状態となっている。これにより、乾燥膜Ｓ１と乾燥膜Ｓ２とが連続した線状の乾燥膜パターン、すなわち図１（ｃ）に示すように下層膜パターン３となる。
【００４８】
（撥液処理工程）
次いで、この下層膜パターン１を形成した側の基板１面を再度撥液処理する。この撥液処理としては、特に前述したＦＡＳ処理、すなわちＦＡＳによる自己組織化膜の形成処理が好適に用いられる。このようにして撥液処理（ＦＡＳ）処理を行うと、図１（ｃ）に示したように、下層膜パターン３を形成した場所以外に新たな撥液膜（ＦＡＳ膜）４が形成される。このようにして得られる撥液膜４は、これに対する前記分散液（液状体）の接触角が、例えば６０［ｄｅｇ］を越えるようになり、したがってこの撥液膜４上に分散液が塗れ広がりにくくなる。
また、このとき、分散液中の有機物、すなわち導電性微粒子をコーティングしているコーティング材や分散媒などが乾燥工程後も下層膜パターン３中に残っている。したがって、この撥液処理工程において基板１を前記のＦＡＳ処理で撥液処理した際、下層膜パターン３上は有機物が存在していることで前記の自己組織化膜が形成されず、これにより撥液化されずに元の状態を保持する。
なお、この撥液処理工程では、前記ＦＡＳ処理として、例えば１２０℃程度に加温した雰囲気内で基板１とＦＡＳとを接触させることで行うこともできる。その場合に、この撥液化処理工程を前記の乾燥工程と兼ねて行うことができ、効率的である。
【００４９】
（第２吐出工程）
次いで、図１（ｄ）に示すように、前記分散液（液状体）からなる複数の液滴をインクジェットヘッド３４から吐出し、前記下層膜パターン３上に重ね塗りする。この吐出に際しては、前述した第１吐出工程のように、第１の吐出処理と第２の吐出処理とに分けることなく、一連の吐出動作で一層分の重ね塗りを行うようにするのが好ましい。すなわち、図１（ｄ）に示したように分散液からなる複数の液滴を、連続して吐出される液滴のうちの後に吐出される液滴が、先に吐出された液滴に一部が重なるようにして吐出する。このように吐出することにより、吐出ヘッド３４を一方向に走行させることで一層分の重ね塗りを行うことができ、したがって吐出時間を短縮して生産性の向上を図ることができる。なお、この第２吐出工程では、重ね塗りの回数としては１回に限らず、得られる配線パターンが所望の膜厚となるよう、必要に応じて複数回重ね塗りを行う。その場合に、例えば２回目（２層目）以降の吐出については、吐出ヘッド３４の走行方向を、前回（前の層）の走行方向と逆にすることにより、すなわち吐出ヘッド３４の走行および吐出を往復で行わせることにより、吐出時間を短縮することができる。
【００５０】
また、このようにして下層膜パターン３上に分散液からなる液滴を重ね塗りすると、前記の撥液工程で下層膜パターン３を形成した場所以外に新たな撥液膜（ＦＡＳ膜）４を形成していることから、重ね塗りされた液滴がこの撥液膜４上に濡れ広がることがなく、したがって下層膜パターン３上からはみ出ることなくその幅内に重ね塗られるようになる。よって、この重ね塗りを適宜繰り返すことにより、分散液を所望の膜厚でしかも所望のライン幅に塗布することができる。
【００５１】
（焼成工程）
その後、前記下層膜パターン３とその上の液状体を焼成することにより、本発明における膜パターンとなる配線パターンを得る。ここで、この焼成工程では、下層膜パターン３とその上の液状体中の導電性微粒子間の電気的接触をよくし、良好な導電性を有する配線とするため、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面のコーティング材についても、これを除去する必要がある。このような分散媒やコーティング材を除去して良好な導電性の配線とするためには、焼成温度を、例えば約３００℃とするのが好ましい。焼成の雰囲気については、通常は大気中とするものの、必要に応じて窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。
【００５２】
このような配線パターンの形成方法にあっては、撥液工程で下層膜パターン３を形成した場所以外に新たな撥液膜（ＦＡＳ膜）４を形成したので、重ね塗りされた液滴がこの撥液膜４上に濡れ広がることがなく、したがって重ね塗りを適宜繰り返すことにより、配線パターンを所望の膜厚でしかも所望のライン幅に形成することができ、これによって配線パターンの微細化や高精細化を図ることができる。
また、この配線パターンの形成方法によって得られた配線パターン、すなわち本発明の一実施形態となる導電膜配線は、膜厚が厚く電気伝導に有利で、断線や短絡等の不良が生じにくいものとなり、しかも微細化、高精細化が可能なものとなる。
【００５３】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない限り種々の変更が可能である。例えば、前記乾燥工程と前記撥液処理工程との間に、前記基板１に対して紫外線などのエネルギー線を照射する照射工程を有していてもよい。
また、このような照射工程を有している場合に、特に図５（ａ）に示すようにエネルギー線（紫外線）を、基板１の裏面側に照射するのが好ましい。ここで、基板１としては、前述したように石英ガラス等の透光性基板を用いる必要がある。
【００５４】
このようにすれば、前処理工程で形成されたＦＡＳ膜２を紫外線の照射によって分解することができる。したがって、その後撥液処理工程で基板１を例えばＦＡＳ処理などで撥液処理した際、むらなく緻密でより良好な撥液膜４を形成することができ、これにより重ね塗りした際の液滴がこの撥液膜４上に濡れ広がるのを確実に防止することができる。また、基板１の裏面側から照射することにより、基板１を透過した紫外線が前記下層膜パターン３の下側に形成された部分にも照射し、図５（ｂ）に示すようにこれを分解する。したがって、焼成工程で得られた配線（膜）パターンの、基板１に対する密着性が向上する。
なお、紫外線については、基板１の上面側、すなわち下層膜パターン３を形成した側に照射してもよく、その場合には、下層膜パターン３の下側のＦＡＳ膜２は分解できないもいのの、それ以外の箇所のＦＡＳ膜２を分解し、良好な撥液膜４を形成することができる。したがって、重ね塗りした際の液滴の、撥液膜４上への濡れ広がりを確実に防止することができる。
【００５５】
また、本発明においては、液状体中に含有される膜成分として、前記の導電性微粒子に限定されることなく、これ以外の種々の機能性材料を膜成分とし、これによって種々の機能性膜パターンを形成するようにしてもよい。ここで、機能性材料における機能性とは、電気・電子的（導電性、絶縁性、圧電性、焦電性、誘電性等）、光学的（光選択吸収、反射性、偏光性、光選択透過性、非線形光学性、蛍光あるいはリン光等のルミネッセンス、フォトクロミック性等）、磁気的（硬磁性、軟磁性、非磁性、透磁性等）、化学的（吸着性、脱着性、触媒性、吸水性、イオン伝導性、酸化還元性、電気化学特性、エレクトロクロミック性等）、機械的（耐摩耗性等）、熱的（伝熱性、断熱性、赤外線放射性等）、生体機能的（生体適合性、抗血栓性等）な各種の機能を意味するものである。
【００５６】
また、前記の導電性微粒子から得られる配線パターンは、例えば、液晶装置、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレーなどの電気光学装置や、さらにこれらを用いた電子機器、各種半導体装置における配線パターンなどとして用いられる。
したがって、このような本発明の配線パターン（導電性配線）を有した電気光学装置や電子機器、さらには非接触型カード媒体は、前述した本発明の膜パターンの形成方法、導電性配線を応用してなるので、配線部やアンテナの断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化が可能なものとなる。
【００５７】
次に、このような電気光学装置や電子機器の具体例を示す。
図６は、本発明の電気工学装置をプラズマディスプレイに適用した場合の一例を示す図であり、図６中符号５００はプラズマディスプレイである。このプラズマディスプレイ５００は、互いに対向して配置されたガラス基板５０１とガラス基板５０２と、これらの間に形成された放電表示部５１０とから概略構成されている。
【００５８】
放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されてなり、複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。
前記（ガラス）基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、それらアドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成され、更に誘電体層５１９上においてアドレス電極５１１、５１１間に位置して各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。なお、隔壁５１５においてはその長手方向の所定位置においてアドレス電極５１１と直交する方向にも所定の間隔で仕切られており（図示略）、基本的にはアドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁により仕切られる長方形状の領域が形成され、これら長方形状の領域に対応するように放電室５１６が形成され、これら長方形状の領域が３つ対になって１画素が構成される。また、隔壁５１５で区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００５９】
次に、前記ガラス基板５０２側には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数のＩＴＯからなる透明表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されるとともに、高抵抗のＩＴＯを補うために金属からなるバス電極５１２ａが形成されている。また、これらを覆って誘電体層５１３が形成され、更にＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。
そして、前記基板５０１とガラス基板５０２の基板２が、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされ、基板５０１と隔壁５１５とガラス基板５０２側に形成されている保護膜５１４とで囲まれる空間部分を排気して希ガスを封入することで放電室５１６が形成されている。なお、ガラス基板５０２側に形成される表示電極５１２は各放電室５１６に対して２本ずつ配置されるように形成されている。
前記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続され、各電極に通電することで必要な位置の放電表示部５１０において蛍光体５１７を励起発光させて、カラー表示ができるようになっている。
【００６０】
そして、本例では、特に前記アドレス電極５１１とバス電極５１２ａとが、それぞれ先に説明した本発明の配線パターン（導電膜配線）によって形成されたものとなっている。
したがって、本例のプラズマディスプレイによれば、前述したように配線パターンに断線や短絡等の不良が生じにくいことから高い信頼性を有するものとなり、しかも、小型化、薄型化が可能なものとなる。
【００６１】
また、本発明の電子機器は、前記の配線パターン（導電膜配線）を有したものであり、具体的には図７に示す携帯電話が挙げられる。
図７は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図７において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は前記配線パターンを有した表示部を示している。
また、このような携帯電話以外にも、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置や、腕時計型電子機器にも本発明は適用可能である。
【００６２】
さらに、本発明の電子機器としては、前記配線パターン（導電膜配線）をアンテナ回路として備えた非接触型カード媒体を、その一例として挙げることもできる。図８は、このような非接触型カード媒体の一例を示す図であり、図８中符号４００は非接触型カード媒体である。この非接触型カード媒体４００は、カード基体４０２とカードカバー４１８からなる筐体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４１２とを内蔵し、図示しない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により、電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようにしたものである。
本例では、前記アンテナ回路４１２が、先に説明した本発明の機能性パターン（配線パターン）によって形成されたものとなっている。したがって本例の非接触型カード媒体４００によれば、前述したようにアンテナ回路４１２に断線や短絡等の不良が生じにくいことから高い信頼性を有するものとなり、しかも、小型化、薄型化が可能なものとなる。
【００６３】
以下、本発明の配線（膜）パターンの形成方法を、その実施例に基づき、さらに詳しく説明する。
（実施例１）
基板として、市販のスライドガラスを用いた。
そして、まず、この基板に対してＵＶ照射（波長２５４ｎｍ、エネルギー密度１０ｍＷ／ｃｍ２）を１０分行い、これを洗浄し、親液化した。次いで、この基板とヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシルトリエトキシシラン約１００μｌとを密閉容器に入れ、１２０℃で２時間熱処理し、基板上に撥液膜としての単分子膜を形成した。
【００６４】
この基板の撥液性について、テトラデカンに対する接触角で調べたところ、約６０°であった。基板がこのような高い撥液性であると、インクジェット法によって液滴を吐出した際、液滴が容易に移動してバルジが発生しやすくなり、断線の原因になってしまう。
そこで、基板に対してＵＶ照射を１分行い、基板の撥液性（テトラデカンに対する接触角）を約３０°程度に低下させた。
【００６５】
また、インクジェット法で吐出する液状体として、直径１０ｎｍの銀微粒子が有機溶剤中に分散している銀微粒子分散液（真空冶金社製、商品名「パーフェクトシルバー」）の、分散媒をテトラデンカンに置換したものを用意し、さらにこれを希釈して濃度が６０ｗｔ％、粘度が８ｃＰ、表面張力が２２Ｎ／ｍとなるように調整したものを用いた。このような処理によって得られた液状体を、吐出電圧２０Ｖで液滴吐出ヘッドから吐出量を約１０ｎｇとして吐出したところ、前記基板（スライドガラス）に着弾した際の着弾径は約４５μｍとなった。
【００６６】
このような条件のもとで、第１吐出工程として、前記液状体を液滴吐出ヘッドより吐出した。なお、この第１吐出工程では、まず、第１の吐出処理として、液滴が基板上に着弾したときの着弾径よりも大きなピッチ（実際には７０μｍピッチ）で、すなわち、着弾した液滴が基板上で互いに接しないように一定の間隔をおいて、吐出を行った。続いて、分散媒を除去するため乾燥を１００℃で５分行った。その後、第２の吐出処理を、第１の吐出処理で吐出した液滴の間を埋めるようにして行った。これにより、バルジが無く、線幅が約４５μｍのラインを作製することができた。
【００６７】
次いで、撥液化工程として、再度基板（スライドガラス）とヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシルトリエトキシシラン約１００μｌとを密閉容器に入れ、１２０℃で２時間熱処理を行い、基板上の前記ライン以外の箇所に、再度撥液膜としての単分子膜を形成した。
次いで、第２吐出工程として、液滴吐出ヘッドから前記液状体を前記ライン上に吐出し、２回重ね塗りを行った。このとき、第１の吐出工程のときより小さい吐出ピッチ（２０μｍ）で描画を行っても、液滴が基板面に濡れ広がることがなく、ライン上に高密度に描画することができた。
その後、３００℃で３０分焼成を行った。その結果、線幅が約４５μｍ、膜厚が２μｍの配線パターンが得られた。
【００６８】
得られた配線パターンの比抵抗を調べたところ、約５μΩｃｍであった。
また、比較として、ライン描画後、撥液化工程による再度の撥液膜形成を行わずに、第２吐出工程としての重ね塗りしたところ、３００℃で３０分焼成して得られた配線パターンは、その線幅が約５５μｍ、膜厚が約２μｍとなった。
したがって、実施例１で形成した配線パターンは、比較として形成した配線パターンに比べ、線幅が十分に狭く形成され、したがって濡れ広がりが防止され、これにより微細化、高精細化が可能となっていることが確認された。
【００６９】
（実施例２）
基板には透光性の石英を用いた。
そして、まず、この基板に対し、実施例１と同様にしてヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシルトリエトキシシランを気相法で付着させ、単分子膜を形成した。続いて、この基板にＵＶ照射を１分行った。基板の撥液性（テトラデカンに対する接触角）を調べたところ、約３０°程度であった。
【００７０】
次いで、前記の銀微粒子分散液を、第１吐出工程として実施例１と同様にインクジェット法で吐出し、線幅が約４５μｍのライン（配線パターン）を作製した。
次いで、前記基板に対して、図５に示したようにその裏面（ラインを形成していない面）側からＵＶ照射を１０分行った。
次いで、実施例１と同様にして再度基板（スライドガラス）とヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシルトリエトキシシラン約１００μｌとを密閉容器に入れ、１２０℃で２時間熱処理を行い、基板上の前記ライン以外の箇所に、再度撥液膜としての単分子膜を形成した。
その後、実施例１と同様にして第２吐出工程、焼成工程を行い、線幅が約４５μｍ、膜厚が２μｍの配線パターンを得た。
【００７１】
得られた配線パターンの比抵抗を調べたところ、約５μΩｃｍであった。
また、この配線パターンに対して粘着テープを貼着し、その後この粘着テープを剥がすことにより、配線パターンの基板に対する密着力を調べた。
このような密着力についてのテストを、１０本の配線パターンに対して行ったところ、１０本全てが粘着テープとともに剥離されることなく基板上に残り、したがって基板に対して良好な密着性を有していることが確認された。
また、比較として、実施例１で形成した配線パターンについても同様のテストを行ったところ、１０本中２本の配線パターンに剥離が認められた。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る配線パターンの形成方法の説明図である。
【図２】（ａ）は液滴吐出ヘッドの要部斜視図、（ｂ）は要部側断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は第１吐出工程、乾燥工程の説明図である。
【図４】第１、第２の吐出処理での吐出位置を説明するための平面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は本発明の別の実施形態を説明するための側面図である。
【図６】本発明に係るプラズマディスプレイの一例を示す分解斜視図である。
【図７】本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。
【図８】本発明に係る非接触型カード媒体の分解斜視図である。
【符号の説明】
【００７３】
１…基板、２…ＦＡＳ膜（撥液膜）、３…下層膜パターン、４…撥液膜、
３４…液滴吐出ヘッド
【図１】
2005177625.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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