(57)【要約】【課題】  マスクパターンに及ぼす接着剤の影響を軽減しつつ、ペリクルをレチクルに取り付ける。【解決手段】  レチクル基板１の表面に配置された凹部３にマスクパターン２を形成するとともに、凹部３を覆うように配置されたペリクル４をレチクル基板１上に設け、接着層５を介してペリクル４の端部をレチクル基板１の表面に接着する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクパターンの形成面上を避けるようにしてペリクルの接着面が配置されていることを特徴とするレチクル。
【請求項２】
レチクル基板と、
前記レチクル基板の表面に形成された凹部と、
前記凹部内に形成されたマスクパターンと、
前記凹部を覆うようにして、前記レチクル基板の表面または側面に端部が接着されたペリクルとを備えることを特徴とするレチクル。
【請求項３】
レチクル基板と、
前記レチクル基板の表面に形成された第１凹部と、
前記第１凹部内に形成されたマスクパターンと、
前記レチクル基板の表面に形成され、前記第１凹部の周囲に配置された第２凹部と、
前記第２凹部に充填された接着層と、
前記接着層を介して前記レチクル基板に固定され、前記第１凹部を覆うように配置されたペリクルとを備えることを特徴とするレチクル。
【請求項４】
レチクル基板と、
前記レチクル基板の表面に形成された第１凹部と、
前記第１凹部内に形成されたマスクパターンと、
前記レチクル基板の表面に形成され、前記第１凹部の周囲に配置された突出部と、
前記レチクル基板の表面に形成され、前記突出部の周囲に配置された第２凹部と、
前記第２凹部に充填された接着層と、
前記第１凹部を覆うように前記突出部上に張り渡され、前記接着層を介して前記レチクル基板に固定されたペリクルとを備えることを特徴とするレチクル。
【請求項５】
レチクル基板と、
前記レチクル基板の表面に形成されたマスクパターンと、
前記レチクル基板の表面に形成され、前記マスクパターン形成領域の周囲に配置された凹部と、
前記凹部内に端面が差し込まれたペリクルフレームを介して前記マスクパターン形成領域上に配置されたペリクルとを備えることを特徴とするレチクル。
【請求項６】
マスクパターンの形成面上を避けるようにしてペリクルの接着面が配置されたレチクルを介して、ウェハ上に形成されたレジスト膜の露光を行う工程と、
前記露光されたレジスト膜の現像を行うことにより、前記ウェハ上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとしてエッチング処理またはイオン注入処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレチクルおよび半導体装置の製造方法に関し、特に、レチクルに用いられるペリクルの取り付け方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体製造プロセスでは、レチクル（フォトマスクとも言う。）に付着した異物が露光時にレジスト膜に転写されないようにするため、マスクパターンが形成されたレチクルの表面をペリクルで保護する方法がある。ここで、ペリクルはニトロセルロースなどの透明薄膜から構成され、アルミ合金製のペリクルフレームを介してレチクル上にペリクルを取り付けることにより、ペリクルと所定間隔だけ隔ててマスクパターンが覆われている。
【０００３】
また、例えば、特許文献１には、ペリクルをフォトマスクに取り付けた時、フォトマスクの露光エリアに接着剤が流出することを防止するため、ペリクルフレーム端面の中央に溝を設け、この溝に充填された接着剤を介してペリクルをフォトマスクに取り付ける方法が開示されている。
【特許文献１】特開平６−１９１２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のペリクルの取り付け方法では、マスクパターンの形成面と同一面上にペリクルの接着面が配置されている。このため、マスクパターンが接着剤に含まれる有機物成分の影響を受け易くなり、解像力に影響を及ぼすことがあるという問題があった。
そこで、本発明の目的は、マスクパターンに及ぼす接着剤の影響を軽減しつつ、ペリクルをレチクルに取り付けることが可能なレチクルおよび半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係るレチクルによれば、マスクパターンの形成面上を避けるようにしてペリクルの接着面が配置されていることを特徴とする。
これにより、接着剤に含まれる有機物成分がマスクパターン上に流入し難くすることが可能となる。このため、接着材を用いてペリクルをレチクルに固定した場合においても、マスクパターンが接着剤に含まれる有機物成分の影響を受け難くすることが可能となり、接着剤に含まれる有機物成分が解像力に及ぼす影響を軽減することができる。
【０００６】
また、本発明の一態様に係るレチクルによれば、レチクル基板と、前記レチクル基板の表面に形成された凹部と、前記凹部内に形成されたマスクパターンと、前記凹部を覆うようにして、前記レチクル基板の表面または側面に端部が接着されたペリクルとを備えることを特徴とする。
これにより、ペリクルフレームを用いることなく、マスクパターンと所定間隔だけ隔ててマスクパターンをペリクルで覆うことが可能となる。このため、ペリクルをレチクルに固定する際に、ペリクルとペリクルフレームとの接着に使われる接着剤を不要として、接着剤の量を減らすことが可能となり、接着剤に含まれる有機物成分がマスクパターンに及ぼす影響を減らすことが可能となる。
【０００７】
また、ペリクルフレームを不要とすることにより、ペリクルフレームをレチクル上に配置するためのスペースを削減することができ、そのスペースにマスクパターンを配置したり、レチクルの小型・軽量化を図ったりすることが可能となる。
また、本発明の一態様に係るレチクルによれば、レチクル基板と、前記レチクル基板の表面に形成された第１凹部と、前記第１凹部内に形成されたマスクパターンと、前記レチクル基板の表面に形成され、前記第１凹部の周囲に配置された第２凹部と、前記第２凹部に充填された接着層と、前記接着層を介して前記レチクル基板に固定され、前記第１凹部を覆うように配置されたペリクルとを備えることを特徴とする。
【０００８】
これにより、ペリクルフレームを用いることなく、マスクパターンと所定間隔だけ隔ててマスクパターンをペリクルで覆うことが可能となるとともに、接着層を第２凹部内に隔離することが可能となる。このため、ペリクルをレチクルに固定する際に、ペリクルとペリクルフレームとの接着に使われる接着剤を不要として、接着剤の量を減らすことが可能となるとともに、接着剤に含まれる有機物成分がマスクパターン上に流入し難くすることが可能となり、接着剤に含まれる有機物成分がマスクパターンに及ぼす影響を減らすことが可能となる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係るレチクルによれば、レチクル基板と、前記レチクル基板の表面に形成された第１凹部と、前記第１凹部内に形成されたマスクパターンと、前記レチクル基板の表面に形成され、前記第１凹部の周囲に配置された突出部と、前記レチクル基板の表面に形成され、前記突出部の周囲に配置された第２凹部と、前記第２凹部に充填された接着層と、前記第１凹部を覆うように前記突出部上に張り渡され、前記接着層を介して前記レチクル基板に固定されたペリクルとを備えることを特徴とする。
【００１０】
これにより、ペリクルとペリクルフレームとの接着に使われる接着剤の量を減らすことが可能となるとともに、接着剤に含まれる有機物成分がマスクパターン上に流入し難くすることが可能となり、接着剤に含まれる有機物成分がマスクパターンに及ぼす影響を減らすことが可能となる。
また、レチクル基板の表面に突出部を設けることで、マスクパターンに接触させることなく、マスクパターン上に容易に蓋を配置することが可能となり、マスクパターンにダメージを与えることなく、レチクルの洗浄を行うことが可能となる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係るレチクルによれば、レチクル基板と、前記レチクル基板の表面に形成されたマスクパターンと、前記レチクル基板の表面に形成され、前記マスクパターン形成領域の周囲に配置された凹部と、前記凹部内に端面が差し込まれたペリクルフレームを介して前記マスクパターン形成領域上に配置されたペリクルとを備えることを特徴とする。
【００１２】
これにより、ペリクルフレームをレチクル基板上に固定するための接着層を凹部内に隔離することを可能としつつ、マスクパターンと所定間隔だけ隔ててマスクパターンをペリクルで覆うことが可能となる。このため、レチクル基板の表面にマスクパターンを形成した場合においても、接着剤に含まれる有機物成分がマスクパターン上に流入し難くすることが可能となり、接着剤に含まれる有機物成分がマスクパターンに及ぼす影響を減らすことが可能となる。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、マスクパターンの形成面上を避けるようにしてペリクルの接着面が配置されたレチクルを介して、ウェハ上に形成されたレジスト膜の露光を行う工程と、前記露光されたレジスト膜の現像を行うことにより、前記ウェハ上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとしてエッチング処理またはイオン注入処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
【００１４】
これにより、接着剤に含まれる有機物成分がマスクパターン上に流入することを抑制しつつ、レジスト膜の露光を行うことが可能となる。このため、接着剤に含まれる有機物成分が解像力に及ぼす影響を軽減しつつ、レジストパターンを精度よく形成することが可能となり、半導体装置の作製精度を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態に係るレチクルについて図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係るレチクルの概略構成を示す断面図である。
図１において、レチクルにはレチクル基板１が設けられている。そして、レチクル基板１の表面には、レチクル基板１の内側に配置された凹部３が形成され、凹部３にはマスクパターン２が形成されている。なお、レチクル基板１としては、例えば、ガラスまたは石英などを用いることができる。また、マスクパターン２の材質としては、例えば、Ｃｒなどの金属を用いることができる。
【００１６】
また、レチクル基板１の表面には、凹部３の周囲に配置された接着層５が形成されている。そして、レチクル基板１上には、凹部３を覆うように配置されたペリクル４が設けられ、ペリクル４の端部は、接着層５を介してレチクル基板１の表面に接着されている。なお、ペリクル４としては、ニトロセルロースなどからなる透明フィルムの他、ガラス、石英または透明樹脂などからなる透明板を用いるようにしてもよい。
【００１７】
そして、ペリクル４で覆われたレチクルを介してレジスト膜の露光を行うことにより、レジストパターンを精度よく形成することができる。すなわち、マスクパターン２をペリクル４で覆うことにより、マスクパターン２に埃などの異物が付着することを防止することができ、マスクパターン２をレジスト膜に精度よく転写することができる。また、ペリクル４はマスクパターン２から所定間隔だけ隔てて配置されているので、マスクパターン２に焦点を合わせた際に、ペリクル４に付着した異物をピンボケ状態とすることができる。このため、ペリクル４に埃などの異物が付着した場合においても、ペリクル４に付着した異物がレジスト膜に転写されないようにすることが可能となり、マスクパターン２の転写精度の劣化を抑制することができる。
【００１８】
ここで、レチクル基板１に形成された凹部３にマスクパターン２を形成することにより、ペリクルフレームを用いることなく、マスクパターン２と所定間隔だけ隔ててマスクパターン２をペリクル４で覆うことが可能となる。このため、ペリクル４をレチクル基板１に固定する際に、ペリクル４とペリクルフレームとの接着に使われる接着剤を不要として、接着剤の量を減らすことが可能となり、接着剤に含まれる有機物成分がマスクパターン４に及ぼす影響を減らすことを可能として、解像度の劣化を抑制することができる。
【００１９】
また、ペリクルフレームを不要とすることにより、ペリクルフレームをレチクル基板１上に配置するためのスペースを削減することができる。このため、空いたスペースにマスクパターン２を配置することが可能となり、フィールドサイズを拡大することができる。また、レチクルの小型・軽量化を図ることが可能となり、スキャンスピードを速くすることを可能として、スループットを向上させることが可能となるとともに、スキャンによる振動を抑えることを可能として、アライメント精度を向上させることが可能となる。
【００２０】
図２は、本発明の第２実施形態に係るレチクルの概略構成を示す断面図である。
図２において、レチクルにはレチクル基板１１が設けられている。そして、レチクル基板１１の表面には、レチクル基板１１の内側に配置された凹部１３が形成され、凹部１３にはマスクパターン１２が形成されている。また、レチクル基板１１の側面には接着層１５が形成されている。そして、レチクル基板１１上には、凹部１３を覆うように配置されたペリクル１４が設けられ、ペリクル１４の端部は、接着層１５を介してレチクル基板１１の側面に接着されている。
【００２１】
これにより、ペリクルフレームを用いることなく、マスクパターン１２と所定間隔だけ隔ててマスクパターン１２をペリクル１４で覆うことが可能となるとともに、接着層１５をマスクパターン１２から遠ざけて配置することが可能となる。このため、ペリクル１４をレチクル基板１１に固定する際に、ペリクル１４とペリクルフレームとの接着に使われる接着剤を不要として、接着剤の量を減らすことが可能となるとともに、接着剤に含まれる有機物成分がマスクパターン１２上に流入し難くすることが可能となり、接着剤に含まれる有機物成分がマスクパターン１２に及ぼす影響を減らすことを可能として、解像度の劣化を抑制することができる。
【００２２】
図３は、本発明の第３実施形態に係るレチクルの概略構成を示す断面図である。
図３において、レチクルにはレチクル基板２１が設けられている。そして、レチクル基板２１の表面には、レチクル基板２１の内側に配置された凹部２３ａが形成され、凹部２３ａにはマスクパターン２２が形成されている。また、レチクル基板２１の表面には、凹部２３ａの周囲に配置された凹部２３ｂが形成され、凹部２３ｂには、接着層２５が埋め込まれている。そして、レチクル基板２１上には、凹部２３ａを覆うように配置されたペリクル２４が設けられ、ペリクル２４の端部は、接着層２５を介してレチクル基板２１に接着されている。
【００２３】
これにより、ペリクルフレームを用いることなく、マスクパターン２２と所定間隔だけ隔ててマスクパターン２２をペリクル２４で覆うことが可能となるとともに、接着層２５を凹部２３ｂ内に隔離することが可能となる。このため、ペリクル２４をレチクル基板２１に固定する際に、ペリクル２４とペリクルフレームとの接着に使われる接着剤を不要として、接着剤の量を減らすことが可能となるとともに、接着剤に含まれる有機物成分がマスクパターン２２上に流入し難くすることが可能となり、接着剤に含まれる有機物成分がマスクパターン２２に及ぼす影響を減らすことを可能として、解像度の劣化を抑制することができる。
【００２４】
図４は、本発明の第４実施形態に係るレチクルの概略構成を示す断面図である。
図４において、レチクルにはレチクル基板３１が設けられている。そして、レチクル基板３１の表面には、レチクル基板３１の内側に配置された凹部３３ａが形成され、凹部３３ａにはマスクパターン３２が形成されている。また、レチクル基板３１の表面には、凹部３３ａの周囲に配置された凹部３３ｂが形成されている。
【００２５】
一方、ペリクル３４の端部には、接着層３５ｂを介してペリクルフレーム３６が接着されている。ここで、ペリクルフレーム３６は、レチクル基板３１から所定間隔だけ隔ててペリクル３４をマスクパターン３２上に保持するために用いることができる。
なお、ペリクルフレーム３６の材質としては、例えば、アルミ合金などの金属を用いることができる。そして、凹部３３ａがペリクル３４で覆われるようにして、ペリクルフレーム３６の端面が凹部３３ｂ内に挿入され、ペリクルフレーム３６の端面は、接着層３５ａを介してレチクル基板３１に接着されている。
【００２６】
これにより、レチクル基板３１とペリクルフレーム３６とを接着する接着層３５ａを凹部３３ｂ内に隔離することが可能となる。このため、接着層３５ａに含まれる有機物成分がマスクパターン３２上に流入し難くすることが可能となり、接着層３５ａに含まれる有機物成分がマスクパターン３２に及ぼす影響を減らすことを可能として、解像度の劣化を抑制することができる。
【００２７】
図５は、本発明の第５実施形態に係るレチクルの概略構成を示す断面図である。
図５において、レチクルにはレチクル基板４１が設けられている。そして、レチクル基板４１の表面には、レチクル基板４１の内側に配置された凹部４３ａが形成され、凹部４３ａにはマスクパターン４２が形成されている。また、レチクル基板４１の表面には、凹部４３ａの周囲に配置されたネジ穴４３ｂが形成されている。そして、レチクル基板４１上には、凹部４３ａを覆うように配置されたペリクル４４が設けられ、ペリクル４４は、ネジ穴４３ｂに挿入されたネジ４５にてレチクル基板４１に固定されている。
【００２８】
これにより、マスクパターン４２と所定間隔だけ隔ててマスクパターン４２をペリクル４４で覆うことが可能となるとともに、接着剤を用いることなく、ペリクル４４をレチクル基板４１に固定することができる。このため、接着剤に含まれる有機物成分がマスクパターン４２に及ぼす影響をなくすことを可能としつつ、マスクパターン４２をレジスト膜に精度よく転写することができる。
【００２９】
図６は、本発明の第６実施形態に係るレチクルの概略構成を示す断面図である。
図６において、レチクルにはレチクル基板５１が設けられている。そして、レチクル基板５１の表面には、レチクル基板５１の内側に配置された凹部５３ａが形成され、凹部５３ａにはマスクパターン５２が形成されている。また、レチクル基板５１の表面には、凹部５３ａの周囲に配置された突出部５３ｃが形成されている。さらに、レチクル基板５１の表面には、突出部５３ｃの周囲に配置された凹部５３ｂが形成され、凹部５３ｂには、接着層５５が埋め込まれている。そして、レチクル基板５１上には、凹部５３ａを覆うように突出部５３ｃ上に張り渡されたペリクル５４が設けられ、ペリクル５４の端部は、接着層５５を介してレチクル基板５１に接着されている。
【００３０】
これにより、ペリクルフレームを用いることなく、マスクパターン５２と所定間隔だけ隔ててマスクパターン５２をペリクル５４で覆うことが可能となるとともに、接着層５５を凹部５３ｂ内に隔離することが可能となる。このため、ペリクル５４とペリクルフレームとの接着に使われる接着剤の量を減らすことが可能となるとともに、接着剤に含まれる有機物成分がマスクパターン５２上に流入し難くすることが可能となり、接着剤に含まれる有機物成分がマスクパターン５２に及ぼす影響を減らすことを可能として、解像度の劣化を抑制することができる。
【００３１】
また、レチクル基板５１の表面に突出部５３ｃを設けることで、マスクパターン５２に接触させることなく、マスクパターン５２上に容易に蓋を配置することが可能となり、マスクパターン５２にダメージを与えることなく、レチクルの洗浄を行うことが可能となる。
図７は、本発明の第７実施形態に係るレチクルの概略構成を示す断面図である。
【００３２】
図７において、レチクルには、レチクル基板６１が設けられ、レチクル基板６１の表面には、マスクパターン６２が形成されている。また、レチクル基板６１の表面には、マスクパターン６２の形成領域の周囲に配置された凹部６３が形成されている。
一方、ペリクル６４の端部には、接着層６５ｂを介してペリクルフレーム６６が接着されている。そして、マスクパターン６２がペリクル６４で覆われるようにして、ペリクルフレーム６６の端面が凹部６３内に挿入され、ペリクルフレーム６６の端面は、接着層６５ａを介してレチクル基板６１に接着されている。
【００３３】
これにより、ペリクルフレーム６６をレチクル基板６１に固定するための接着層６５ａを凹部６３内に隔離することを可能としつつ、マスクパターン６２と所定間隔だけ隔ててマスクパターン６２をペリクル６４で覆うことが可能となる。このため、レチクル基板６１の表面にマスクパターン６２を形成した場合においても、接着層６５ａに含まれる有機物成分がマスクパターン６２上に流入し難くすることが可能となり、接着層６５ａに含まれる有機物成分がマスクパターン６２に及ぼす影響を減らすことを可能として、解像度の劣化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の第１実施形態に係るレチクルの概略構成を示す断面図。
【図２】本発明の第２実施形態に係るレチクルの概略構成を示す断面図。
【図３】本発明の第３実施形態に係るレチクルの概略構成を示す断面図。
【図４】本発明の第４実施形態に係るレチクルの概略構成を示す断面図。
【図５】本発明の第５実施形態に係るレチクルの概略構成を示す断面図。
【図６】本発明の第６実施形態に係るレチクルの概略構成を示す断面図。
【図７】本発明の第７実施形態に係るレチクルの概略構成を示す断面図。
【符号の説明】
【００３５】
１、１１、２１、３１、４１、５１、６１  レチクル基板、２、１２、２２、３２、４２、５２、６２  マスクパターン、４、１４、２４、３４、４４、５４、６４  ペリクル、５、１５、２５、３５ａ、３５ｂ、５５、６５ａ、６５ｂ  接着層、３、１３、２３ａ、３３ａ、４３ａ、５３ａ、２３ｂ、３３ｂ、５３ｂ、６３  凹部、４３ｂ  ネジ穴、４５  ネジ、５３ｃ  突出部、３６、６６  ペリクルフレーム
【図１】
2005157222.tif 000003
【図２】
2005157222.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2005157222.tif 000007
【図６】
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【図７】
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