(57)【要約】【課題】  能動素子を備えた電気光学装置において、実質的な開口率を確保することができるとともに容易に製造することを可能にする。【解決手段】  本発明の電気光学装置１００の製造方法は、一方の基板１１１上に能動素子１１２を形成する素子形成工程と、能動素子が形成されてなる一方の基板上に、能動素子の導電接続部１１２ｅに達する開口１１３ａを備えた絶縁層１１３を形成する絶縁層形成工程と、開口が形成されてなる絶縁層に型を押し付けて絶縁層の表面に凹凸形状を転写する凹凸転写工程と、反射層を絶縁層上に凹凸形状を反映した散乱性反射面が得られるように形成するとともに、反射層で構成される若しくは反射層とは別に構成される電極１１５を、開口を介して能動素子と直接若しくは間接的に導電接続させる上層処理工程とを有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板が電気光学層を介して対向配置され、前記一対の基板の一方の基板上に能動素子及び反射層を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記一方の基板上に前記能動素子を形成する素子形成工程と、
前記能動素子が形成されてなる前記一方の基板上に、前記能動素子の導電接続部に達する開口を備えた絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記開口が形成されてなる前記絶縁層に型を押し付けて前記絶縁層の表面に凹凸形状を転写して形成する凹凸形成工程と、
前記反射層を前記絶縁層上に前記凹凸形状を反映した散乱性反射面が得られるように形成するとともに、前記反射層で構成される若しくは前記反射層とは別に構成される電極を、前記開口を介して前記能動素子と直接若しくは間接的に導電接続させる上層処理工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記型の型面には、前記開口に対応する位置に前記開口に挿入される突起部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記型の型面には、前記能動素子に対応する位置に周囲よりも低い凹部が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記開口は、前記能動素子の少なくともスイッチング機能を奏する部分を露出させるように形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記反射層の形成されない透過領域が設けられ、前記開口は前記透過領域に対応して形成された部分を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記上層処理工程は、前記絶縁層上に前記反射層を形成する段階と、前記反射層の上層もしくは下層に少なくとも一部が重なる前記電極を形成する段階とを有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層形成工程は、感光性樹脂を塗布する段階と、該感光性樹脂を露光する段階と、前記感光性樹脂を現像して前記開口を形成する段階とを順次有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
一対の基板が電気光学層を介して対向配置され、前記一対の基板の一方の基板上に能動素子及び反射層を備えた電気光学装置であって、
開口を備えた絶縁層が前記能動素子と前記反射層の間に配置され、
前記絶縁層は型を押し付けて転写された表面凹凸形状を有し、
前記反射層は前記表面凹凸形状を反映した散乱性反射面を備え、
前記反射層で構成される若しくは前記反射層とは別に形成される電極が前記開口を介して前記能動素子の導電接続部と直接若しくは間接的に導電接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
前記開口は、前記能動素子の少なくともスイッチング機能を奏する部分を露出するように形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記反射層の形成されない透過領域が設けられ、前記開口は前記透過領域に対応して形成された部分を含むことを特徴とする請求項８又は９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を表示部に備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器に係り、特に、外部からの入射光を反射する反射層を備えた電気光学装置の製法及びこれに対応する構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話（mobile phone/cellular）やＰＤＡ（Personal Digital Assistance：個人用の情報端末）などの携帯情報端末の表示部には、消費電力を抑えるために反射型液晶表示装置又は半透過反射型液晶表示装置が広く使用されている。これらの反射型液晶表示装置は表示面側から入射した光を反射させて表示を行うための反射層が設けられている。また、半透過反射型液晶表示装置は、前記反射層に光の透過領域となる窓が設けられ、反射表示と透過表示を行なうことが出来る。この反射層の表面には微細な多数の凹凸を備えた散乱性反射面が形成されることが一般的となっている。このように反射層の表面に散乱性反射面を形成すると外光が散乱されて反射方向が分散するので、反射層の表面が平坦な鏡面に形成されている場合に比べて視線方向の反射光量を増大させることができることから、表示を明るくすることが可能になるとともに、照明光による幻惑や背景の写り込みなどを防止することができる。
【０００３】
上記反射層の散乱性反射面は種々の方法で形成されるが、例えば、基板の表面にエッチングなどによって微細な凹凸形状を形成し、この上にＡｌなどの金属薄膜を成膜することにより、基板表面の凹凸形状を反映した反射面を形成する方法、基板の表面上に感光性樹脂を塗布し、この感光性樹脂を所定のマスクで露光し現像するフォトリソグラフィ法を用いることによって絶縁層に微細な表面凹凸形状を形成し、この上に金属薄膜を成膜することにより、上記表面凹凸形状を反映した反射面を形成する方法、上記と同様のフォトリソグラフィ法などにより基板上の絶縁層に微細な表面凹凸形状を形成し、絶縁層を加熱して軟化させることにより表面凹凸形状を滑らかな形状にした後に、その上に金属薄膜を成膜することにより、上記表面凹凸形状を反映した反射面を形成する方法などが一般的である。
【０００４】
ところが、上記の基板表面をエッチングする方法やフォトリソグラフィ法により表面凹凸形状を備えた絶縁層を形成する方法では、反射層の散乱性反射面の凹凸形状がエッチングやフォトリソグラフィの状況に応じて大きく変動するため、散乱性反射面の光反射特性の制御性が必ずしも良好でない。したがって、上記散乱性反射面として好適な散乱特性が得られにくく、また、その再現性も低いという問題がある。
【０００５】
このような事情に鑑みて、基板上に絶縁層を塗布してから、所定形状の凹凸面を有する型を前記絶縁層に押し付けて、前記絶縁層の表面に前記型の凹凸面を転写する反射板の製造方法が考案されている（例えば、特許文献１及び２参照）。
【０００６】
特許文献１には、基板上に感光性絶縁層を塗布し、この感光性絶縁層に凹凸面を有する型を押し付けた状態で光線を照射して硬化させることにより凹凸表面を備えた絶縁層を形成し、その後、この絶縁層の凹凸表面上に反射膜を形成する方法が記載されている。
【０００７】
また、特許文献２には、反射画素電極を形成する部分に所定の凹凸面が形成され、他の部分に平坦面が形成されている金型を絶縁性樹脂基板の表面に押圧して凹凸表面部及び平坦表面部を形成し、この凹凸表面上に反射膜を成膜し、平坦表面部には能動素子及び配線を形成する方法が記載されている。
【特許文献１】特開平１０−２３２３０３号公報
【特許文献２】特開２００２−２３１８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の方法では、能動素子を備えた電気光学装置を構成する上で種々の不都合を生ずることが予想される。例えば、特許文献１に記載の方法では、未硬化の感光性絶縁層に型を押し付けた状態で光を照射して硬化させることにより絶縁層を形成するため、特許文献２と同様に能動素子を絶縁層の上層に形成するか、或いは、絶縁層の下層に形成された能動素子を画素電極に導電接続するために絶縁層にコンタクトホールを形成する必要がある。
【０００９】
この場合、前者のように能動素子を絶縁層の上層に形成すると、能動素子の形成領域には散乱性反射面を形成することができないため、開口率が低下し、表示が暗くなるという問題点がある。特に、能動素子としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が用いられる場合には保持容量を併設することが多いため、保持容量の形成領域にも散乱性反射面を形成することができなくなることから、実質的な開口率がより小さくなり、ますます表示が暗くなる。また、このような構造を有する半透過型液晶表示装置においては、画素内に透過領域を設ける必要があるために散乱性反射面の面積がさらに小さくなることから、反射型表示の明るさを確保することがきわめて困難になる。
【００１０】
一方、後者の場合には、硬化した後の絶縁層にコンタクトホールを形成することは製造上きわめて難しく、工程数も増大し、製造コストが上昇するという問題点がある。
【００１１】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、能動素子を備えた電気光学装置において、実質的な開口率を確保することができるとともに容易に製造することが可能な方法及び装置構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために本発明の電気光学装置の製造方法は、一対の基板が電気光学層を介して対向配置され、前記一対の基板の一方の基板上に能動素子及び反射層を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記一方の基板上に前記能動素子を形成する素子形成工程と、前記能動素子が形成されてなる前記一方の基板上に、前記能動素子の導電接続部に達する開口を備えた絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記開口が形成されてなる前記絶縁層に型を押し付けて前記絶縁層の表面に凹凸形状を転写して形成する凹凸形成工程と、前記反射層を前記絶縁層上に前記凹凸形状を反映した散乱性反射面が得られるように形成するとともに、前記反射層で構成される若しくは前記反射層とは別に構成される電極を、前記開口を介して前記能動素子と直接若しくは間接的に導電接続させる上層処理工程と、を有することを特徴とする。
【００１３】
この発明によれば、能動素子を形成した後に、能動素子の導電接続部に達する開口を備えた絶縁層を形成することにより、能動素子と平面的に重なる領域にも散乱性反射面を形成することが可能になるため、実質的な開口率を高めることができ、明るい表示を得ることが可能になる。また、開口を備えた絶縁層を形成した後に絶縁層の表面に凹凸形状を形成することにより、能動素子と電極とを導電接続させるための開口を絶縁層に容易に形成することができる。さらに、絶縁層に型を押し付けてその表面に凹凸形状を転写することにより、反射層の散乱性反射面を制御性良く形成できることから更なる視認性の向上を図ることが可能になる。
【００１４】
ここで、開口を介して能動素子に導電接続される電極は、反射電極として反射層で構成されていてもよく、或いはまた、反射層とは別に形成されていてもよい。後者の場合において、電極は反射層を介して能動素子に導電接続されていてもよい。また、電極は透明電極で形成されることが好ましい。例えば、画素全体に透明電極を形成するとともに画素の一部に反射層の形成されていない透過領域を設けることで、半透過反射型の電気光学装置を構成することができる。
【００１５】
本発明において、前記型の型面には、前記開口に対応する位置に前記開口に挿入される突起部が設けられていることが好ましい。これによれば、凹凸転写工程において、上記突起部が開口に挿入された状態で転写圧が絶縁層に加わるため、絶縁層が加圧されることにより開口がつぶれてしまうことを防止することができる。ここで、転写時において上記突起部の先端が能動素子に接触しないように構成されていることが望ましい。具体的には、突起部の突出量が絶縁層の開口の深さより少ないことが望ましい。これにより、凹凸転写工程において突起部が能動素子に接触して能動素子に損傷を与えることが防止される。突起部は少なくとも絶縁層の開口縁を支持可能に構成されていればよいが、特に、転写時において開口縁全体に当接するように構成されていることが望ましい。
【００１６】
本発明において、前記型の型面には、前記能動素子に対応する位置に周囲よりも低い凹部が形成されていることが好ましい。これにより、凹凸転写工程において能動素子に加わる転写圧を低減することができるため、能動素子が損傷を受けることを防止できる。ここで、能動素子だけでなく、能動素子に接続される配線に対応する平面領域にも、周囲よりも低い凹部が形成されていることが望ましい。このようにすると、配線に対する転写圧をも低減することができるため、配線の断線不良なども防止できる。
【００１７】
本発明において、前記開口は、前記能動素子の少なくともスイッチング機能を奏する部分（例えばチャネル領域やＭＩＭ接合領域）を露出させるように形成されることが好ましい。このように能動素子の少なくともスイッチング機能を奏する部分を露出させるように開口が形成されることにより、凹凸転写工程においてスイッチング機能を奏する部分に転写圧が加わらなくなるので、能動素子の損傷を防止できる。ここで、上記開口は、能動素子全体を露出させるように形成されていてもよい。
【００１８】
本発明において、前記反射層の形成されない透過領域が設けられ、前記開口は前記透過領域に対応して形成された部分を含むことが好ましい。これによれば、絶縁層の開口が透過領域に対応して形成された部分を含むことにより、透過領域に絶縁層が存在しなくなるため、透過領域の光透過率を高めることができるとともに、絶縁層に着色材料や遮光材料を用いることも可能になる。したがって、絶縁層の材料選択の自由度が広がる。また、絶縁層を遮光層として用いることにより能動素子への光入射を防止するための遮光パターンを別途形成する必要がなくなる。さらに、電気光学装置が液晶表示装置である場合には、絶縁層の段差を利用して後述するマルチギャップ構造を採用することが可能になるので、より高性能な半透過反射型の液晶表示装置を構成することができる。
【００１９】
本発明において、前記上層処理工程は、前記絶縁層上に前記反射層を形成する段階と、前記反射層の上層もしくは下層に少なくとも一部が重なる前記電極を形成する段階とを有することが好ましい。これによれば、絶縁層の凹凸形状を反映した散乱性反射面を容易に形成できるとともに、反射層と電極とを相互に導電接続させることができる。また、電極は形成されているが反射層が形成されない透過領域を構成することにより、半透過反射型の電気光学装置を構成することが可能になる。
【００２０】
本発明において、前記絶縁層形成工程は、感光性樹脂を塗布する段階と、該感光性樹脂を露光する段階と、前記感光性樹脂を現像して前記開口を形成する段階とを順次有することが好ましい。これによれば、開口を備えた絶縁層を通常のフォトリソグラフィ技術によってきわめて容易に形成できる。この場合に、上記凹凸転写工程の後に感光性樹脂に加熱処理を施して硬化させることが望ましい。これによって、凹凸転写工程では感光性樹脂が或る程度の塑性変形可能な状態で処理されるようにして転写性を確保することができるとともに、凹凸転写後には加熱処理を施すことによって絶縁層に適度な硬度を付与することができる。
【００２１】
次に、本発明の電気光学装置は、一対の基板が電気光学層を介して対向配置され、前記一対の基板の一方の基板上に能動素子及び反射層を備えた電気光学装置であって、開口を備えた絶縁層が前記能動素子と前記反射層の間に配置され、前記絶縁層は型を押し付けて転写された表面凹凸形状を有し、前記反射層は前記表面凹凸形状を反映した散乱性反射面を備え、前記反射層で構成される若しくは前記反射層とは別に形成される電極が前記開口を介して前記能動素子の導電接続部と直接若しくは間接的に導電接続されていることを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、能動素子と反射層の間に、能動素子の導電接続部に達する開口を備えた絶縁層を形成することにより、能動素子と平面的に重なる領域にも散乱性反射面を形成することが可能になるため、実質的な開口率を高めることができ、明るい表示を得ることが可能になる。また、型を押し付けてその表面に凹凸形状を転写することにより絶縁層の表面凹凸形状が形成されるため、反射層の散乱性反射面の制御性を向上させることができることから更なる視認性の向上を図ることが可能になる。
【００２３】
本発明において、前記開口は、前記能動素子の少なくともスイッチング機能を奏する部分を露出するように形成されていることが好ましい。このように能動素子の少なくともスイッチング機能を奏する部分を露出させるように開口が形成されることにより、凹凸転写工程においてスイッチング機能を奏する部分に転写圧が加わらなくなるので、能動素子の損傷を防止できる。ここで、上記開口は、能動素子全体を露出させるように形成されていてもよい。
【００２４】
本発明において、前記反射層の形成されない透過領域が設けられ、前記開口は前記透過領域に対応して形成された部分を含むことが好ましい。これによれば、絶縁層の開口が透過領域に対応して形成された部分を含むことにより、透過領域に絶縁層が存在しなくなるため、透過領域の光透過率を高めることができるとともに、絶縁層に着色材料や遮光材料を用いることも可能になる。したがって、絶縁層の材料選択の自由度が広がる。また、絶縁層を遮光層として用いることにより能動素子への光入射を防止するための遮光パターンを別途形成する必要がなくなる。さらに、電気光学装置が液晶表示装置である場合には、絶縁層の段差を利用して後述するマルチギャップ構造を採用することが可能になるので、より高性能な半透過反射型の液晶表示装置を構成することができる。
【００２５】
次に、本発明の電子機器は、上記のいずれかに記載の電気光学装置を表示部に備えていることを特徴とする。このような電子機器としては、各種モニタなどの画像表示装置、携帯電話、コンピュータ装置などが挙げられる。特に、携帯電話などの携帯型通信機器、その他の携帯型情報機器であることが好ましい。通常、このような電子機器は、後述するように、電気光学装置を制御する制御手段（例えば表示制御系）を備えている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。以下に説明する各実施形態は、いずれも液晶表示装置として構成される例を示してあるが、本発明は液晶表示装置に限らず、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【００２７】
［第１実施形態］
図１は、本発明に係る電気光学装置の第１実施形態におけるパネル構造の概略構成を示す拡大部分縦断面図である。この実施形態は半透過反射型の液晶表示装置１００であり、電気光学物質としての液晶１３０が素子基板１１０と対向基板１２０の間に配置されたものである。素子基板１１０と対向基板１２０は、図示しないシール材を介して間隔を有する状態で接着固定されている。素子基板１１０及び対向基板１２０の外面上には、相互に偏光透過軸が所定の位置関係（例えばクロスニコル配置など）になるように、偏光板１０１及び１０２が配置されている。
【００２８】
素子基板１１０は、ガラスやプラスチックなどで構成される基板１１１の表面上に能動素子として形成されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）１１２と、基板１１１及びＴＦＴ１１２の上に形成された絶縁層１１３と、絶縁層１１３の上に形成された反射層１１４と、反射層１１４の上に形成された透明電極１１５とを備えている。また、透明電極１１５上には斜方蒸着膜やポリイミド樹脂などで構成される配向膜１１６が形成される。
【００２９】
ＴＦＴ１１２は、走査線に導電接続されたゲート１１２ａと、このゲート１１２ａ上においてＳｉＯ２などで形成された絶縁薄膜１１２ｂと、絶縁薄膜１１２ｂを介してゲート１１２ａに対向配置されるアモルファスシリコン等で構成される半導体層１１２ｃと、データ線及び半導体層１１２ｃに導電接続されるソース電極１１２ｄと、半導体層１１２ｃに導電接続されたドレイン電極１１２ｅとを有する。
【００３０】
ＴＦＴ１１２の上に形成された絶縁層１１３はアクリル系樹脂、シリコン樹脂などの樹脂素材、酸化シリコン、窒化シリコン、シリケートガラスなどの無機素材などで構成することができる。この絶縁層１１３は開口１１３ａを有している。上記ドレイン電極１１２ｅは、この開口１１３ａを介して上記反射層１１４及び透明電極１１５に導電接続されている。
【００３１】
絶縁層１１３の表面は微細な凹凸形状を有している。この絶縁層１１３の表面凹凸形状は、後述するように、所定の型によって転写されてなるものである。このように型によって凹凸形状を転写することにより、表面凹凸形状の傾斜角分布、曲面、凹凸深さなどを正確かつ再現性良く得ることができる。
【００３２】
反射層１１４は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金などの金属薄膜で構成される。反射層１１４は上記絶縁層１１３の表面凹凸形状の上に形成され、これによって上記表面凹凸形状を反映した散乱性反射面を備えたものとなっている。反射層１１４は、絶縁層１１３の開口１１３ａを介して上記ＴＦＴ１１２の導電接続部であるドレイン電極１１２ｅに導電接続されている。図示例の場合、独立して光学状態を制御可能な画素Ｇ内に反射領域Ｒと透過領域Ｔとが設けられている。この場合、反射層１１４は反射領域Ｒに形成され、透過領域Ｔには形成されない。
【００３３】
透明電極１１５は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、酸化スズなどの透明導電体で構成される。透明電極１１５は、絶縁層１１３及び反射層１１４上に形成されている。図示例の場合、透明電極１１５は画素Ｇの全領域に形成される。透明電極１１５は、上記反射層１１４に導電接続されることにより、間接的にＴＦＴ１１２の導電接続部（ドレイン電極１１２ｅ）に導電接続されている。
【００３４】
一方、対向基板１２０には、ガラスやプラスチックなどで構成される基板１２１と、基板１２１の内面上に形成された着色フィルタ１２２と、画素間領域に形成された遮光部１２３と、着色フィルタ１２２及び遮光部１２３上に形成された保護膜１２４と、保護膜１２４上に形成された透明電極１２５とが設けられている。着色フィルタ１２２、遮光部１２３及び保護膜１２４はカラーフィルタを構成する。また、透明電極１２５上には斜方蒸着膜やポリイミド樹脂などで構成される配向膜１２６が形成される。
【００３５】
図２（ａ）は、本実施形態の平面構造の例を示す拡大部分平面配置図である。本実施形態において、絶縁層１１３の表面凹凸形状及び反射層１１４の散乱性反射面は、ＴＦＴ１１２が形成されている素子形成領域Ｓ（図１には矢印で、図２（ａ）にはハッチングパターンでその範囲を示してある。）と、この素子形成領域Ｓ以外の表面領域とで異なる態様となっている。すなわち、素子形成領域Ｓでは、絶縁層１１３及び反射層１１４の表面が周囲よりもやや盛り上がるように凸状に構成されている。また、素子形成領域Ｓでは、それ以外の表面領域のように微細な凹凸形状がほとんど形成されていない。また、素子形成領域Ｓにも凹凸形状が構成されていてもよいが、この場合には、素子形成領域Ｓの凹凸形状は、それ以外の表面領域に形成された微細な凹凸形状よりもその底部位置が高くなるように形成される。これは、型によって絶縁層１１３の表面に凹凸形状を転写するときに、後述するように、素子形成領域Ｓに加わる転写圧が周囲の表面領域よりも低くなるように型面を構成した結果である。これによって、ＴＦＴ１１２の損傷や破壊を防止することができる。なお、上記素子形成領域Ｓの表面態様は、少なくともＴＦＴ１１２のスイッチング動作を奏する部分、例えば、半導体層１１２ｃのチャネル領域（半導体層１１２ｃとゲート１１２ａとが平面的に重なる部分）のみに形成されていても構わない。このようにすれば、転写圧の影響を少なくともＴＦＴ１１２のスイッチング動作に影響を与えない程度に抑制できる。
【００３６】
本実施形態の素子基板１２０には、図２に示すように、ＴＦＴ１１２に接続される走査線１１７及びデータ線１１８が形成されている。この場合に、図２（ａ）に示す上記の素子形成領域Ｓだけでなく、図２（ｂ）に示すように走査線１１７及びデータ線１１８が形成された配線形成領域をも含む電界印加構造領域Ｓ′を、上述の素子形成領域Ｓと同様の表面態様にすることもできる。この場合には、上記転写圧による配線不良（断線や配線抵抗の増大など）を防止することも可能になる。
【００３７】
次に、図３及び図４を参照して、上記液晶表示装置１００の製造方法について説明する。図３及び図４は、上記液晶表示装置１００の素子基板１１０の製造工程を示す概略工程断面図である。最初に、図３（ａ）に示すように、基板１１１の内面上にＴＦＴ１１２を形成する（素子形成工程）。ここで、基板１１１とＴＦＴ１１２の間に密着性を向上させるための絶縁膜を形成してもよい。ＴＦＴ１１２の形成は例えば以下のように行われる。まず、図示しない走査線とともにゲート１１２ａを形成し、この上にＳｉＯ２などによって絶縁薄膜１１２を形成し、その後、アモルファスシリコンなどで半導体層１１２ｃを形成し、最後に、図示しないデータ線とともにソース電極１１２ｄ及びドレイン電極１１２ｅを形成する。上記各段階では、成膜手段として、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などが用いられ、成膜後にフォトリソグラフィ法によって適宜にパターニングが施される。
【００３８】
次に、基板１１１及びＴＦＴ１１２上に、スピンコート法やロールコート法などによって未硬化の感光性樹脂１１３Ａが塗布される。この感光性樹脂１１３Ａには、必要に応じて減圧乾燥などによって乾燥され、さらに必要に応じて例えば６０〜１００℃程度で３０分程度のプリベークが施される。その後、感光性樹脂の感光特性に合致した光源を用いて、例えば１５０ｍＪ／ｃｍ２程度の露光処理が所定のマスクを用いて施される。そして、無機アルカリ液などによって現像を行うことにより、図３（ｃ）に示すように開口１１３ａが形成された絶縁層１１３Ｂが形成される（絶縁層形成工程）。
【００３９】
ここで、この絶縁層形成工程における絶縁層１１３に開口１１３ａを形成する段階において、表示エリア以外に配置されている絶縁層１１３を同時に除去することが好ましい。このようにすると、素子基板１１０と対向基板１２０とをシール材を介して張り合わせる場合に、工数を増やすことなくシール部の機械的強度（シール材と基板との密着力）を高めることが可能になる。
【００４０】
次に、図３（ｄ）に示す型１０を絶縁層１１３Ｂに押し付ける（凹凸転写工程）。この型１０は、微細な凹凸表面を有する型面１２ａを備えている。具体的には、型１０は、ベース１１上に所定の表面凹凸形状を備えた上記型面１２ａを備えた型材１２を有する。型材１２は、最終的に得られる散乱性反射面にほぼ対応する表面を備えたマスターから表面凹凸形状を転写することなどによって形成される。型材１２は、合成樹脂や金属などによって構成できる。
【００４１】
型面１２ａには、上記絶縁層１１３Ｂの開口１１３ａに対応する位置に突起部Ｐが形成されている。この突起部Ｐは、型１０を用いた転写時において開口１１３ａがつぶれないように支えるためのものである。すなわち、図４（ａ）に示すように、型１０を絶縁層１１３Ｂに押し付けるときには、突起部Ｐが開口１１３ａの内部に挿入されるので、開口１１３ａの内側面を突起部Ｐが内側から支持する状態となる。したがって、型１０を絶縁層１１３Ｂに押し付けたときに絶縁層１１３Ｂが転写圧を受けたときに、開口１１３ａがつぶれたり、開口１１３ａによる絶縁層１１３の開口範囲が縮小したりすることを防止できる。
【００４２】
ここで、突起部Ｐの突出量（高さ）は、転写時における開口１１３ａの深さよりも小さく構成されている。すなわち、突起部Ｐは、転写時においてその先端が開口部１１３ａによって露出している能動素子（ＴＦＴ１１２）の導電接続部（ドレイン電極１１２ｅ）に接触しないように構成されている。したがって、凹凸転写工程において能動素子の導電接続部が突起部Ｐによって損傷を受けることを防止できる。
【００４３】
再び図３（ｄ）に戻って説明すると、型面１２ａには、反射層１１４に形成されるべき散乱性反射面の表面形状に対応した微細な凹凸形状を有する凹凸表面部Ｘと、この凹凸表面部Ｘよりもやや凹状に窪んだ回避表面部Ｙとが設けられている。そして、凹凸表面部Ｘには微細な凹凸形状が例えばランダムに２次元的に配列されている。そして、凹凸表面部Ｘの表面態様と、回避表面部Ｙの表面態様とは異なるものとなっている。この回避表面部Ｙは、上記実施形態の素子形成領域Ｓ又は電界印加構造領域Ｓ′に対応して（すなわち、転写時において位置及び範囲が一致するように）設けられている。回避表面部Ｙは、全体的に凹状に構成されていてもよく、また、微細な凹凸形状を有するけれども、当該凹凸形状の頂点の高さ若しくは凹凸形状の平均高さが周囲の凹凸形状の頂点の高さ若しくは凹凸形状の平均高さよりも低くなるように構成されていてもよい。
【００４４】
回避表面部Ｙは、上記突起部Ｐが形成されている場合には、この突起部Ｐ以外の部分において上述のように構成される。これは、回避表面部Ｙ内に突起部Ｐが配置される場合でも、突起部Ｐは絶縁層１１３の開口１１３ａに対応する位置に設けられているため、突起部Ｐによって絶縁層１１３に転写圧が加わることはないからである。
【００４５】
図４（ａ）に示す凹凸転写工程では、回避表面部Ｙが周囲の凹凸表面部Ｘよりも低くなっているため、この回避表面部Ｙに対応する素子形成領域Ｓに加わる転写圧は、周囲の領域に加わる転写圧に較べて低くなる。このため、能動素子（ＴＦＴ１１２）に加わる圧力が低減されることから、能動素子の損傷その他の不良の発生を抑制できる。また、回避表面部Ｙが電界印加構造領域Ｓ′に対応するように設けられている場合には、能動素子だけでなく、配線（走査線やデータ線）の不良の発生をも低減することができる。
【００４６】
次に、上記型１０を絶縁層１１３Ｂから引き離す。なお、このときの離型性を向上させるために、上記型１０の型面１２ａにコーティング層を予め形成しておいてもよく、また、型面１２ａと絶縁層１１３Ｂとの間に適宜の離型剤を介在させて上記の凹凸転写工程を実施してもよい。このようにして型１０を引き離すと、上述のように型面１２ａの面形状が転写され、絶縁層の表面に凹凸形状が形成される。その後、必要に応じて、絶縁層１１３Ｂを焼成（ポストベーク）し、最終的に所望の硬度を有する絶縁層１１３を図４（ｂ）に示すように形成する。この焼成段階では、例えば、２００〜２５０℃で３０分程度の加熱処理（好ましくは上記プリベークよりも高温の処理）が施される。
【００４７】
次に、絶縁層１１３の上に、図４（ｂ）に示すように反射層１１４を形成する。反射層１１４は、蒸着法やスパッタリング法などの成膜方法によって形成される。本実施形態では、反射層１１４は画素Ｇ毎に分離されたパターンとなるように構成される。より具体的には、反射層１１４は、画素Ｇ内の反射領域Ｒ内にのみ形成され、透過領域Ｔには形成されない。このような反射層１１４のパターンは、適宜のエッチング処理（例えば湿式エッチング）を施すことによって形成される。
【００４８】
次に、図４（ｃ）に示すように、絶縁層１１３及び反射層１１４の上にＩＴＯなどの透明導電体で構成される透明電極１１５を形成する。この透明電極１１５は、スパッタリング法によって成膜することができる。この透明電極１１５は、画素Ｇ毎に相互に分離したパターンにて形成される。透明電極１１５は、画素Ｇのほぼ全面に（すなわち、反射領域Ｒと透過領域Ｔのいずれにも）形成される。
【００４９】
なお、上記反射層１１４と透明電極１１５との間には、他の金属膜が介在していても構わない。また、透明電極１１５は反射層１１４の全面上に形成されている必要はなく、電気光学物質（液晶１３０）の駆動に支障がない程度に反射層１１４に対して導電接続されていればよい。
【００５０】
［第２実施形態］
図５は、第２実施形態の液晶表示装置２００の概略構造を示す概略構成断面図（ａ）及び素子基板２１０の平面構造を示す概略平面配置図（ｂ）である。この第２実施形態は、上記第１実施形態の能動素子であるＴＦＴ１１２の代わりに異なる構造のＴＦＴ２１２を有する。この液晶表示装置２００においては、素子基板２１０において、上記第１実施形態と同様の基板２１１、絶縁層２１３、反射層２１４、透明電極２１５、配向膜２１６を備えている。また、対向基板２２０において、上記第１実施形態と同様の基板２２１、透明電極２２３及び配向膜２２４を備えている。さらに、素子基板２１０及び対向基板２２０の外面上にはそれぞれ第１実施形態と同様の偏光板２０１，２０２が配置されている。
【００５１】
ここで、基板２２１の内面上には、上記ＴＦＴ２１２の形成領域及び画素間領域を覆う遮光膜２２２が形成されている。また、ＴＦＴ２１２は、基板２１１の上に形成された絶縁膜２１１Ｘの上に形成されている。絶縁膜２１１ＸはＴＦＴ２１２の基板２１１に対する密着性を向上させ、半導体層２１２ｃへの不純物の拡散を防止するための下地層である。
【００５２】
この液晶表示装置２００のＴＦＴ２１２には、走査線２１７に導電接続されたゲート２１２ａと、その下にＳｉＯ２などで形成された絶縁薄膜２１２ｂと、ゲート２１２ａに対して絶縁薄膜２１２ｂを介して下層にて対向配置された部分（チャネル領域）を備えたポリシリコンなどで構成された半導体層２１２ｃと、データ線２１８及び半導体層２１２ｃのソース領域に導電接続されたソース電極２１２ｄと、反射層２１４及び透明電極２１５並びに半導体層２１２ｃのドレイン領域に導電接続されたドレイン電極２１２ｅとを備えている。
【００５３】
また、このＴＦＴ２１２に隣接した領域には、半導体層２１２ｃのドレイン領域が延長形成され、このドレイン領域に対して絶縁薄膜１２１ｂ対向配置される容量電極２１２ｆを備えている。この容量電極２１２ｆは、対向する半導体層２１２ｃのドレイン領域とともに保持容量を構成するものであり、容量線２１９の一部で構成される。なお、層間絶縁膜２１２Ｘは、走査線２１７、ゲート２１２ａ及び容量線２１９と、データ線２１８とを厚さ方向に絶縁している。
【００５４】
この液晶表示装置２００では、先に説明した第１実施形態と同様に、絶縁層２１３の表面は、素子形成領域Ｓにおいて他の表面領域と異なる表面態様を有している。具体的には、素子形成領域Ｓでは絶縁層２１３の表面は平坦に構成されているのに対して、素子形成領域Ｓ以外の表面領域には第１実施形態と同様の表面凹凸形状が形成されている。したがって、素子形成領域Ｓでは、反射層２１４はほぼ平坦な反射面を有するのに対して、それ以外の表面領域では、上記保持容量が形成された範囲をも含め、散乱性反射面が形成されている。なお、本実施形態において、第１実施形態と同様に素子形成領域Ｓだけでなく配線形成領域をも含んだ電界印加構造領域を上記のように平坦に構成してもよい。
【００５５】
上記のような平坦な表面部分を絶縁層２１３に形成するには、型の型面を平坦に構成したり、或いは、凹凸転写工程において型面が絶縁層２１３の表面に接触しないように構成したりすればよい。特に後者の場合には、能動素子や配線に転写圧がほとんど加わらないため、能動素子や配線の不良をさらに低減することができる。
【００５６】
なお、本実施形態において、反射層２１４の反射面が平坦に構成されている領域（素子形成領域Ｓ）は遮光膜２２２によって遮光されているため、その光学特性が表示上問題になることはない。
【００５７】
［第３実施形態］
次に、図６及び図７を参照して、本発明に係る第３実施形態について説明する。この第３実施形態の液晶表示装置は、素子基板３１０の構造についてのみ第１実施形態と異なり、他の構成は第１実施形態と同様であるので、以下、素子基板３１０についてのみ説明する。
【００５８】
本実施形態の素子基板３１０においては、図６（ａ）に示すように、第１実施形態と同様に、基板３１１上にＴＦＴ３１２が形成される。ここで、ＴＦＴ３１２の構造及び製造方法は第１実施形態と同様であるので省略する。
【００５９】
次に、図６（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様の方法で開口３１３ｂを備えた感光性樹脂３１３Ｂを形成する。この感光性樹脂３１３Ｂは第１実施形態とは異なり、その開口３１３ｂが単なるコンタクトホールではなく、透過領域に対応して形成されている。すなわち、開口３１３ｂは、ＴＦＴ３１２の導電接続部（図示のドレイン電極３１２ｅ）を露出させるように構成するコンタクトホール部だけでなく、透過領域のほぼ全体に亘って形成されている。図示例の開口３１３ｂでは、上記のコンタクトホール部と透過領域に設けられる部分とが一体となるように構成されている。
【００６０】
次に、図６（ｃ）に示すように、第１実施形態と同様の方法で、型３０を用いて絶縁層３１３Ｂの表面に微細な凹凸形状を転写する。この凹凸転写工程において、型３０がベース３１、及び、型面３２ａを備えた型材３２で構成されている点など、下記に示す相違点以外の点については第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００６１】
本実施形態の型３０では、開口３１３ｂが透過領域にも形成されているため、その形成範囲に合わせて突起部Ｐが広範囲に亘って突出している。突起部Ｐは、図示例のように開口３１３ｂの全体に対応する形状であってもよいが、例えば、開口３１３ｂの開口縁に沿って閉曲線状（外輪山状）に構成されていてもよい。突起部Ｐが型３０による転写時において能動素子の導電接続部に接触しないように構成されていることは第１実施形態と同様である。
【００６２】
また、型３０の型面３２ａには、素子形成領域Ｓに対応した部分に回避表面部Ｙが形成されている点でも第１実施形態と同様である。この回避表面部Ｙは、素子形成領域Ｓにおける、開口３１３が設けられている範囲に対応する部分（すなわち突起部Ｐが形成されている部分）以外の部分において凹状に構成され、その結果、転写時に能動素子（ＴＦＴ３１２）が受ける転写圧が低減されるように構成されている。このようにして凹凸形状が転写された絶縁層３１３Ｂは第１実施形態と同様に焼成されることにより、絶縁層３１３となる。
【００６３】
次に、図７（ａ）に示すように、絶縁層３１３の表面上に第１実施形態と同様の透明電極３１４を形成する。この透明電極は、絶縁層３１３の表面上だけでなく、開口３１３ｂの内底部（基板３１１や絶縁薄膜の表面上）にも形成される。
【００６４】
最後に、図７（ｂ）に示すように、透明電極３１４における絶縁層３１３の表面上に形成された部分の表面上に第１実施形態と同様の反射層３１５を形成する。この反射層３１５は、開口３１３ｂの内底部には形成されない。このようにして、画素Ｇ内における反射層３１５の形成された領域が反射領域Ｒとなり、反射層３１５の形成されない領域が透過領域Ｔとなる。
【００６５】
本実施形態では、透過領域Ｔには絶縁層３１３が形成されていないため、絶縁層３１３を着色材料や遮光材料で構成することができる。また、或る程度透明な絶縁層３１３を用いた場合でも、透過領域３１３の光透過率をより高めることができる点で有利である。また、本実施形態では、透過領域Ｔと反射領域Ｒとの間に絶縁層３１３の厚さ分の段差が形成されるので、この段差を利用して液晶層の厚さを透過領域Ｔで厚く、反射領域Ｒで薄くなるように構成できる。このようなマルチギャップ構造を採用すると、透過表示と反射表示の明るさをより高レベルで両立させることが可能になる。
【００６６】
なお、上記実施形態では反射層３１５の下層全体に透明電極３１４が形成されているが、反射層３１５は透明電極３１４と導電接続されていればよいので、反射層３１５の下層全体に透明電極３１４が形成されている必要はない。また、第１実施形態と同様に、絶縁層３１３上において反射層を先に形成し、その後に透明電極を形成してもよい。逆に、上記の第１実施形態において、本実施形態と同様に先に透明電極を形成し、その後に反射層を形成してもよい。さらに、上記の第１実施形態に記載されている他の事項、例えば、図５に示される構成についても、この第３実施形態において同様に採用することができる。
【００６７】
［第４実施形態］
次に、図８及び図９を参照して、本発明に係る第４実施形態の液晶表示装置について説明する。この実施形態の液晶表示装置４００は、図８（ａ）に示すように、ＴＦＤ（Thin film diode）を能動素子とする電気光学装置である。この液晶表示装置４００は、素子基板４１０と対向基板４２０との間に液晶４３０を配置してなるものであり、先に説明した各実施形態と同様の偏光板４０１及び４０２を備えている。
【００６８】
素子基板４１０には、基板４１１と、能動素子であるＴＦＤ４１２と、絶縁層４１３と、透明電極４１４と、反射層４１５と、配向膜４１６とを備えている。ここで、ＴＦＤ４１２以外は基本的に先の実施形態と同様の素材で構成されている。
【００６９】
一方、対向基板４２０には、基板４２１と、この基板４２１上にストライプ状に形成された複数の透明電極４２２と、透明電極４２２の間に形成された遮光膜４２３と、配向膜４２４とが構成されている。この実施形態では、透明電極４２２が図８（ａ）の紙面と直交する方向に伸びる帯状に構成されている点で先の各実施形態とは異なる。
【００７０】
ＴＦＤ４１２はＭＩＭ（Metal Insulator Metal）構造を備えた２端子非線形素子を有する。このＴＦＤ４１２は、基板４１１上に形成された下地層４１１Ｘ上に形成されている。この下地層４１１Ｘは、基板４１１とＴＦＤ４１２との密着性を向上させるものであり、例えば、Ｔａ層を成膜した後に酸化処理を施す方法などで形成されたＴａ２Ｏ５などで構成される。下地層４１１Ｘ上には、図８（ｘ）及び（ｂ）に示すように、配線４１７に接続された第１電極層４１２ａと、この第１電極層４１２ａに対して絶縁薄膜４１２ｃを介して接合された第２電極層４１２ｂと、この第２電極層４１２ｂに対して絶縁薄膜４１２ｃを介して接合された第３電極層４１２ｄとを有するＴＦＤ４１２が形成される。
【００７１】
ここで、より具体的な製造手順としては、例えば、第２電極層４１２ｂを蒸着法やスパッタリング法などによりＴａなどの金属で成膜し、その表面を陽極酸化法によって酸化することによりＴａ２Ｏ５で構成される上記絶縁薄膜４１２ｃを形成する。そして、この絶縁薄膜４１２ｃで覆われた第２電極層４１２ｂの上に、Ｃｒなどの金属を蒸着法やスパッタリング法で成膜し、上記第１電極層４１２ａ及び第３電極層４１２ｄを形成する。
【００７２】
上記のＴＦＤ４１２は、絶縁薄膜４１２ｃを介して異種金属が接合されてなるＭＩＭ構造をそれぞれ有する一対の２端子非線形素子が直列に接続されてなるものである。このように異種金属の接合構造を対称に構成することにより、公知のようにＴＦＤ４１２の非線形特性における電位極性に関する対称性を得ることができる。
【００７３】
次に、図８（ｙ）及び（ｃ）に示すように、先の実施形態と同様に感光性樹脂の塗布、必要に応じてプリベーク、露光・現像による開口４１３ａの形成を順次行うことにより、開口４１３ａを備えた絶縁層４１３を形成する。ここで、本実施形態では、開口４１３ａは、能動素子（ＴＦＤ４１２）の導電接続部（第３電極層４１２ｄ）が露出するように形成される。ただし、開口４１３ａは、上記導電接続部を露出させるだけでなく、透過領域となるべき領域も含むように構成される。さらに、開口４１３ａは、能動素子（ＴＦＤ４１２）のスイッチング機能を奏する部分（ＭＩＭ構造部分）をも露出させるように構成される。特に、本実施形態では、上記導電接続部を露出させる部分、透過領域、及び、能動素子のスイッチング機能を奏する部分が全て一体に構成されるように開口４１３ａが形成される。
【００７４】
次に、図９（ａ）に示すように、型４０を用いて絶縁層４１３の表面に微細な凹凸形状を転写する。この凹凸転写工程における転写方法は先の各実施形態と同様である。また、ベース４１及び型面４２ａを備えた型材４２を有する型４０についても先に説明した第３実施形態とほぼ同様である。ここで、型面４２ａにおける開口４１３ａに対応する部分に突起部Ｐが形成されている。これによって、型４０を適用したとき、突起部Ｐが開口４１３ａの開口縁を内側から支持した状態となる。また、本実施形態では、突起部Ｐの一部に素子形成領域を避けるための凹部Ｑが設けられている。このようにして、突起部Ｐは、転写時において能動素子や開口４１３ａの内底面に先端が接触しないように構成されている。
【００７５】
次に、図９（ｘ）及び（ｂ）に示すように、第３電極層４１２ｄに一部重なるようにして上記各実施形態と同様の透明電極４１４を形成する。ここで、透明電極４１４は開口４１３ａの内底部から絶縁層４１３の表面上まで画素のほぼ全体に亘って形成される。
【００７６】
さらに、図９（ｙ）及び（ｃ）に示すように、透明電極４１４上に反射層４１５を形成する。ここで、反射層４１５は、絶縁層４１３の表面上にのみ形成され、開口４１３ａの内底部上には形成されない。すなわち、絶縁層４１３が形成されている部分は反射層４１５が形成された反射領域となり、絶縁層４１３が形成されていない部分は反射層４１５が形成されないので透過領域となる。
【００７７】
本実施形態では、絶縁層４１３の開口４１３ａは、能動素子（ＴＦＤ４１２）のスイッチング機能を奏する部分（ＭＩＭ構造部分）をも露出させるように形成されるため、その後の凹凸転写工程においてスイッチング機能を奏する部分が転写圧を受けることはない。したがって、能動素子の損傷を防止することができる。
【００７８】
なお、上記実施形態では、反射層４１５の下層全体に透明電極４１４が形成されているが、反射層４１５が透明電極４１４と導電接続されていれば、反射層４１５の下層全体に透明電極４１４が形成されている必要はない。また、第１実施形態と同様に、絶縁層４１３上において反射層を先に形成し、その後に透明電極を形成してもよい。
【００７９】
さらに、第１実施形態乃至第３実施形態に記載されている能動素子としてＴＦＴを用いる（図５に示される構成も含む。）素子基板においても、この第４実施形態と同様の開口（すなわち素子形成領域をも露出させる開口）を有する絶縁層を採用することができる。
【００８０】
［第５実施形態］
最後に、図１０及び図１１を参照して本発明に係る第５実施形態として上記の電気光学装置の実施形態を搭載した電子機器について説明する。この実施形態では、上記液晶表示装置１００を表示手段として備えた電子機器について説明する。ただし、他の実施形態も液晶表示装置１００と同様に本実施形態に適用することができる。
【００８１】
図１０は、本実施形態の電子機器における液晶表示装置１００に対する制御系（表示制御系）の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、表示情報出力源１１１０と、表示情報処理回路１１２０と、電源回路１１３０と、タイミングジェネレータ１１４０と、光源制御回路１１５０とを含む表示制御回路１１００を有する。また、上記電気光学装置１００には、上述の構成を有する液晶表示パネル１００Ｐと、この液晶表示パネル１００Ｐを駆動する駆動回路１００Ｄが設けられている。この駆動回路１００Ｄは、液晶表示パネル１００Ｐに直接実装されている電子部品（半導体ＩＣなど）、パネル表面上に形成された回路パターン、或いは、液晶パネルに導電接続された回路基板に実装された半導体ＩＣチップ若しくは回路パターンなどによっても構成することができる。さらに、液晶表示装置１００には、上記液晶表示パネル１００Ｐの背後に配置されるバックライト１４０を備えている。
【００８２】
表示情報出力源１１１０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１１４０によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１１２０に供給するように構成されている。
【００８３】
表示情報処理回路１１２０は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１００Ｄへ供給する。駆動回路１００Ｄは、走査線駆動回路、信号線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路１１３０は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【００８４】
光源制御回路１１５０は、外部から導入される制御信号に基づいて、電源回路１１３０から供給される電力をバックライト１４０の光源部１４１に供給する。光源部１４１から放出された光は導光板１４２に入射して導光板１４２から電気光学パネル１００Ｐに照射される。この光源制御回路１１５０は、上記制御信号に応じて光源部１４１の各光源の点灯／非点灯を制御する。また、各光源の輝度を制御することも可能である。
【００８５】
図１１は、本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話の外観を示す。この電子機器１０００は、操作部１００１と、表示部１００２とを有し、表示部１００２の筐体内部に回路基板１００３が配置されている。回路基板１００３上には上記の液晶表示装置１００が実装されている。そして、表示部１００２の表面において上記液晶パネル１００Ｐの表示画面を視認できるように構成されている。
【００８６】
尚、本発明の発音体付電気光学装置及び電子機器は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記各実施形態では、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィ法によって開口を備えた絶縁層を形成しているが、本発明はこのような絶縁層に限定されるものではなく、樹脂素材だけでなく無機酸化物など種々の絶縁素材で構成された絶縁層を用いることができ、また、絶縁層に開口を設ける方法についても、エッチング法、レーザ穿孔法、スクリーン印刷法などの種々の方法を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】第１実施形態の液晶表示装置の構造を拡大して模式的に示す拡大部分断面図。
【図２】第１実施形態の一部を拡大して示す拡大部分平面配置図（ａ）及び（ｂ）。
【図３】第１実施形態の素子基板の製造工程を示す工程断面図（ａ）−（ｄ）。
【図４】第１実施形態の素子基板の製造工程を示す工程断面図（ａ）−（ｃ）。
【図５】第２実施形態の液晶表示装置を示す拡大部分断面図（ａ）及び拡大部分平面配置図（ｂ）。
【図６】第３実施形態の素子基板の製造工程を示す工程断面図（ａ）−（ｂ）。
【図７】第３実施形態の素子基板の製造工程を示す工程断面図（ａ）及び（ｂ）。
【図８】第４実施形態の概略構成図（ａ）、素子基板の製造工程を示す工程断面図（ｂ）及び（ｃ）、並びに、工程平面図（ｘ）及び（ｙ）。
【図９】第４実施形態の素子基板の製造工程を示す工程断面図（ａ）−（ｃ）及び工程平面図（ｘ）及び（ｙ）。
【図１０】第５実施形態の表示制御系を示す概略構成図。
【図１１】第５実施形態の外観を示す概略斜視図。
【符号の説明】
【００８８】
１００…液晶表示装置、１０１，１０２…偏光板、１１０…素子基板、１１１…基板、１１２…ＴＦＴ、１１３…絶縁層、１１３ａ…開口、１１４…反射層、１１５…透明電極、１１６…配向膜、１１７…走査線、１１８…データ線、１２０…対向基板、１２１…基板、１２２…着色フィルタ、１２３…遮光部、１２４…保護膜、１２５…透明電極、１２６…配向膜、１３０…液晶、１０…型、１１…ベース、１２…型材、１２ａ…型面、Ｘ…凹凸表面部、Ｙ…回避表面部、Ｐ…突起部、Ｇ…画素、Ｒ…反射領域、Ｔ…透過領域、Ｓ…素子形成領域、Ｓ′…電界印加構造領域
【図１】
2005157218.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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