(57)【要約】【課題】光学デバイスのリード形状に関係なくコンタクトピンをコンタクト可能にし、検査ができるようにする。【解決手段】ダイパッド１上に半導体レーザ素子２と受光素子３を搭載し、枠体４を絶縁材で構成された樹脂製パッケージで形成し、上部パッケージ８に光学部品５を搭載し、リード部６をパッケージ側面に備える。枠体４の下部パッケージ７の長さは、上部パッケージ８より短く形成することで、パッケージ下面にリード部６を露出させ、コンタクトピン９が接触する部分を確保する。検査時、この部分にコンタクトピン９を接触させ、コンタクトをとることで、リード部６の形状にかかわらず、光学デバイスの電気信号を計測し、良否判定を行うことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
絶縁材で構成され前記半導体素子を搭載するパッケージと、
前記半導体素子と電気的に接続され前記パッケージ外部に導出されるリード部とを有し、
前記パッケージが前記リード部を挟むように形成された上側パッケージと下側パッケージとからなる半導体装置であって、
前記リード部が前記上側パッケージに接する領域よりも、前記リード部が下側パッケージに接する領域の方を小さくしたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記リード部は、前記パッケージ外部において前記下側パッケージ側に曲げられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記リード部は、前記パッケージ外部において曲がることなく直線的に延在していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体素子は、受光素子あるいは発光素子であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか１項記載の半導体装置の電気的特性を検査する半導体装置の検査方法であって、
リード部における上側パッケージに接し、かつ下側パッケージに接しない部位にコンタクトピンを接触させて半導体素子の検査を行うことを特徴とする半導体装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置とその検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図３は光ディスクのピックアップに利用されている従来の光学デバイスのパッケージ構造を示したものであり、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は底面図であって、光学デバイスの内部は、ダイパッド１上に半導体レーザ素子２と受光素子３が搭載されており、枠体４は絶縁材で構成された樹脂製パッケージで形成し、該パッケージは下部パッケージ７と上部パッケージ８からなり、上部パッケージ８に光学部品５が搭載されている。リード部６はパッケージ側面に設けられており、近年では、パッケージの小型化及び実装を容易にするため、図４（ａ）あるいは図４（ｂ）に示すように、リード部６をベンド加工し、最終形状を形成している。
【０００３】
次に光学デバイスの検査方法について説明する。光学デバイスの検査は、光学ユニットを備えた検査装置にて、光強度分布，受光感度特性及び光信号特性の電気信号を計測し、良否判定することで、受発光素子と光学デバイスの電気特性の検査を行っている。その際に、図５（ａ）あるいは図５（ｂ）に示すように、光学デバイスのリード部６にコンタクトピン９を接触させ、コンタクトをとって電気信号を計測している。
【０００４】
また、本発明とは課題、目的は異なるが、特許文献１に、上部パッケージと下部パッケージどちらか一方を幅広に形成し、リード部をパッケージに埋設した構造が開示されている。この構造によりリード部をベンド加工する際のクランパ領域が不要となりパッケージの小型化を実現するものである。
【特許文献１】特開平１−２８６３４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし従来の技術では、リード部６の形状によってコンタクトピン９がリード部６に接触する部分が異なるため、図５（ａ）あるいは図５（ｂ）に示すように個々のリード部６の形状に応じて専用のコンタクトピン９を用意する必要があった。
【０００６】
したがって、単一の検査装置にてリード部６の形状が異なる複数品種のデバイスを検査するには、コンタクトピンの交換を行う必要があり、品種切換に時間を要し、生産性が低下するといった問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、半導体素子と、絶縁材で構成され前記半導体素子を搭載するパッケージと、前記半導体素子と電気的に接続され前記パッケージ外部に導出されるリード部とを有し、前記パッケージが前記リード部を挟むように形成された上側パッケージと下側パッケージとからなる半導体装置であって、前記リード部が前記上側パッケージに接する領域よりも、前記リード部が下側パッケージに接する領域の方を小さくしたことを特徴とする。
【０００８】
また、リード部はパッケージ外部において下側パッケージ側に曲げられていることを特徴とする。あるいは、リード部はパッケージ外部において曲がることなく直線的に延在していることを特徴とする。
【０００９】
また、ここで、半導体素子は、受光素子あるいは発光素子であることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る半導体装置の検査方法は、半導体素子と、絶縁材で構成され前記半導体素子を搭載するパッケージと、前記半導体素子と電気的に接続され前記パッケージ外部に導出されるリード部とを有し、前記パッケージが前記リード部を挟むように形成された上側パッケージと下側パッケージとからなる半導体装置であって、前記リード部が前記上側パッケージに接する領域よりも、前記リード部が下側パッケージに接する領域の方を小さくした半導体装置の検査方法において、リード部における上側パッケージに接し、かつ下側パッケージに接しない部位にコンタクトピンを接触させて半導体素子の検査を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、光学デバイスの検査において、パッケージに露出したリード部にコンタクトピンを接触させて検査することで、リード部の形状にかかわらず、同一のコンタクトピンで検査することができるため、コンタクトピンを製作するコストを削減できる。また、品種切換作業を行う必要がないため、生産性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の半導体装置とその検査方法について、図面を参照しながら説明する。
【００１３】
図１は本発明の実施形態の光学デバイスにおける構造を説明するための図であり、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は底面図であって、ここでは、半導体素子として、ダイパッド１上に半導体レーザ素子２と受光素子３が搭載されており、枠体４は絶縁材で構成された樹脂製パッケージで形成し、該パッケージは下部パッケージ７と上部パッケージ８からなり、上部パッケージ８に光学部品５を搭載し、リード部６をパッケージ側面に備えている。
【００１４】
リード部６は、上部パッケージ８に接する領域よりも下部パッケージ７に接する領域の方が小さくなっており、枠体４の下部パッケージ７の長さは、上部パッケージ８より短く形成することで、パッケージ下面にリード部６を露出させ、後述するように検査用のコンタクトピンを接触する部分を確保している。また、リード部６はパッケージ外部において下側パッケージ側に曲がるよう構成されている。
【００１５】
前記構成の光学デバイスに対する電気的特性の検査時には、図２に示すように、上記の部位にコンタクトピン９を接触させ、コンタクトをとることで、光学デバイスの光強度分布，受光感度特性及び光信号特性の電気信号を計測することができ、良否判定を行うことができる。これにより、リード部６の形状にかかわらず、受発光素子と光学デバイスの検査を行うことが可能になる。
【００１６】
なお、本実施形態において、コンタクトピン９はパッケージの下側からコンタクトをとる構成としている。これは、半導体レーザ素子２あるいは受光素子３といった光学デバイスを検査する場合、光学デバイスの上部に光を検出する機構、又は光を照射する機構が位置し、パッケージの上側からコンタクトピン９を接触させることは困難であるためである。
【００１７】
したがって、上部パッケージ８よりも下部パッケージ７の方が小さくなるように形成し、パッケージ下面側にリード部６を露出させ、コンタクトピンを接触する部分を確保するようにしている。なお、半導体素子が光学デバイスでない場合は、下部パッケージ７よりも上部パッケージ８の方が小さくなるように形成し、パッケージ上面側にリード部６を露出させ、上方からコンタクトピンを接触するようにしても構わない。
【００１８】
なお、上記実施形態においては、リード部６を下側に曲げる構成としたが、パッケージ下面において、リード部６とコンタクトする領域が確保されるものであれば、形状に制約はなく、直線的に外部に延びる構成であっても構わないし、上側に曲がっても構わない。
【００１９】
また、上記実施形態においては、リード部６はパッケージの対向する２辺に設けられているが、これに限るものではなく、例えば４辺にリード部６を設けるものであっても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００２０】
本発明は、半導体素子として受光素子あるいは発光素子を搭載した光学デバイスなどの半導体装置、およびその電気的特性を検査する検査方法として有効である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態にかかる光学デバイスを示す図であり、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は底面図
【図２】本発明の一実施形態にかかる光学デバイスの検査方法を説明するための、光学デバイスとコンタクトピン接触位置を示す図
【図３】従来例の光学デバイスを示す図であり、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は底面図
【図４】（ａ），（ｂ）はリード部をベンド加工した従来例の光学デバイスを示す概略図
【図５】（ａ），（ｂ）は従来例の光学デバイスの検査方法を説明するための、光学デバイスとコンタクトピン接触位置を示す図
【符号の説明】
【００２２】
１  ダイパッド
２  半導体レーザ素子
３  受光素子
４  枠体
５  光学部品
６  リード部
７  下部パッケージ
８  上部パッケージ
９  コンタクトピン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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