(57)【要約】【課題】従来のメサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイの問題点を解決した、電極取り出し部の段差をなくしたメサ分離及び拡散分離ないしはイオン注入分離併用型モノリシック発光ダイオードアレイを提供すること。【解決手段】少なくとも基板上に１ないしは複数列に配置された複数の発光部３１を有し、該発光部３１の３辺がメサ分離３３，３４，３４’され、残りの１辺が拡散分離又はイオン注入分離１９されていると共に、該発光部３１の電極２２を前記拡散分離又はイオン注入分離１９されている辺の方向に引き出し配線する。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも基板上に１列に配置された複数の発光部を有し、該発光部の３辺がメサ分離され、残りの１辺が拡散分離又はイオン注入分離されていると共に、該発光部の電極を前記拡散分離又はイオン注入分離されている辺の方向に引き出し配線したことを特徴とするモノリシック発光ダイオードアレイ。
【請求項２】
前記発光部の電極がさらに延長部を有し、該延長部で発光部の順メサ部を被覆していることを特徴とする請求項１に記載のモノリシック発光ダイオードアレイ。
【請求項３】
前記複数の発光部の拡散分離又はイオン注入分離されている辺が順次互い違いに配置され、前記発光部の電極パッドも順次互い違いに配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のモノリシック発光ダイオードアレイ。
【請求項４】
前記複数の発光部の拡散分離又はイオン注入分離されている辺が全て同一方向に配置され、前記発光部の電極パッドも全て同一方向に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のモノリシック発光ダイオードアレイ。
【請求項５】
前記電極パッドのうち、同一方向に配置されている電極パッド同士がそれぞれ互い違いに配置されていることを特徴とする請求項３又は４に記載のモノリシック発光ダイオードアレイ。
【請求項６】
少なくとも基板上に複数列配置に並び、かつ、複数個に分離されている発光部を有し、該発光部の３辺がメサ分離され、残りの１辺が拡散分離又はイオン注入分離されていると共に、該発光部の電極を前記拡散分離又はイオン注入分離されている辺の方向に引き出し配線したことを特徴とするモノリシック発光ダイオードアレイ。
【請求項７】
少なくとも基板上に複数列配置に並び、かつ、複数個に分離されている発光部を有し、該発光部の３辺がメサ分離され、残りの１辺が拡散分離又はイオン注入分離されていると共に、該発光部の電極を前記拡散分離又はイオン注入分離されている辺の方向に引き出し配線され、前記発光部の電極がさらに延長部を有し、該延長部で発光部の順メサ部を被覆していることを特徴とするモノリシック発光ダイオードアレイ。
【請求項８】
前記複数列配置が千鳥格子状又は階段状であることを特徴とする請求項６又は７に記載のメサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイ。
【請求項９】
前記複数列配置が２列配置であり、前記複数の発光部の拡散分離又はイオン注入分離されている辺が順次互い違いに配置され、前記発光部の電極パッドも順次互い違いに配置されていることを特徴とする請求項６〜８の何れか１項に記載のモノリシック発光ダイオードアレイ。
【請求項１０】
前記複数の発光部の拡散分離又はイオン注入分離されている辺が全て同一方向に配置され、前記発光部の電極パッドも全て同一方向に配置されていることを特徴とする請求項６〜８の何れか１項に記載のモノリシック発光ダイオードアレイ。
【請求項１１】
前記電極パッドのうち、同一方向に配置されている電極パッド同士がそれぞれ互い違いに配置されていることを特徴とする請求項９又は１０に記載のモノリシック発光ダイオードアレイ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、モノリシック発光ダイオードアレイに関し、特に電子写真方式を用いたノンインパクトプリンタにおける光書込みヘッド用のメサ分離及び拡散分離ないしはイオン注入分離併用型のモノリシック発光ダイオードアレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）素子は、発光が鮮やかであり、駆動電圧が低く周辺回路が容易になるなどの理由により従来より表示デバイスとしてのみでなく、電子写真方式を採用した光プリンタ等の光源等への応用を目的として、発光ダイオードアレイを用いた光プリントヘッドの研究が盛んに行われている。
【０００３】
自己発光型の発光ダイオードアレイを光源とした光プリンタは、画像信号に応じて発光ダイオードアレイの各ドットを発光させ、分布屈折率レンズなどの等倍結像素子により、感光体ドラム上に露光して静電潜像を形成し、現像器でトナーを選択的に付着させたあと、普通紙などに付着したトナーを転写させることにより印字を行うものである。
【０００４】
この発光ダイオードアレイを用いた露光へッドは、
（１）可動部がなく、かつ構成部品も少ないことから、小型化が可能となる、
（２）発光ダイオードアレイチップを複数個接続することにより、長尺化が容易である、
等の特長を有している。
【０００５】
この種の発光ダイオードアレイとして、メサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイ（下記特許文献１参照。）及び拡散分離型モノリシック発光ダイオードアレイ（下記特許文献２参照）が既に知られている。そこで、本願発明の理解のために、まず下記特許文献１に開示されているメサ分離型モノリシック発光ダイオードの構成を図５及び図６を用いて説明する。
【０００６】
図５は下記特許文献１に従来例として開示されているメサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイの一部を示す図であり、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、図５（ｃ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【０００７】
図５において、メサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイ５０は、個別電極５１、発光ダイオード部５２、オーミックコンタクト電極５３を具備している。この発光ダイオードアレイ５０は、Ｐ型半導体基板（図示せず）の表面に、Ｐ型半導体層５４及びＮ型半導体層５５を順次エピタキシャル成長することにより両者の界面にＰＮ接合部からなる発光層５６を形成し、次いで、化学エッチングによりメサエッチング部５７を形成してそれぞれの発光ダイオード部５２を分離することにより製造されている。
【０００８】
このメサエッチング部５７の形成時に、発光ダイオード部５２の側面には、ＩＩＩ−ＩＶ属半導体結晶の化学エッチングの異方性のために、順メサ方向エッチング段部５８及び５８’（図５（ｂ）参照）、逆メサ方向エッチング段部５９及び５９’（図５（ｃ）参照）が形成される。この逆メサエッチング段部５９及び５９’ではメサが深くなり、メサの段差で電極が断線する恐れがあるため、電極の引き出し方向を順メサ方向に合わせ、絶縁層６０を介して発光ダイオード部５２の順メサ方向エッチング段部５８’を経て発光領域上の中心に位置するＮ型半導体層５５のオーミックコンタクト電極５３と接続するようになされている。
【０００９】
このようにして製造されたメサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイ５０においては、Ｐ型半導体層５４とＮ型半導体層５５の間に電流を流すとＰＮ接合部からなる発光層５６において等方的に光を発し、その光は電極５１で被覆されていない発光ダイオード部５２の上面から取り出されるが、順メサ方向エッチング段部５８や逆メサ方向エッチング段部５９、５９’からも光が漏れ出てしまうために、光出力の損失となり、更にはこの漏れ出た光が他のエッチング段部において反射して分散することにより光出力の不均一を引き起こしてしまうという問題点が存在している。
【００１０】
一方、下記特許文献１には、上述のような順メサ方向エッチング段部５８からの光漏れを防止するようになすために、発光ダイオード部５２の順メサ方向エッチング段部５８に露出している発光層５６の全てを個別電極５１で被覆したメサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイが開示されている。
【００１１】
図６は、下記特許文献１に開示されているメサ分離型モノリシック発光ダイオードの一部を示す図であり、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、図６（ｃ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図であり、図５に記載のものと同一の構成部分にはそれぞれ同一の符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【００１２】
この図６に記載されたメサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイ５０’が図５に記載したものと相違している点は、個別電極５１に更に延長部６１を設け、この延長部６１にて発光ダイオード部５２の順メサ方向エッチング段部５８（図６（ｂ）参照）において露出している発光層５６の全てを被覆している点である。
【００１３】
このような構成を採用すれば、一応、順メサ方向エッチング段部５８からの光漏れを防止することができるが、依然として逆メサ方向エッチング段部５９、５９’（図６（ｃ）参照）からの光漏れについては改善されておらず、しかも、逆メサ方向エッチング段部５９、５９’のメサの深さが深いこと及び段差の存在も相まって、逆メサ側に電極を設けようとしても断線しやすいために電極を設けることはできず、発光ダイオードアレイの設計の自由度が少ないという問題点が存在していた。
【００１４】
一方、下記特許文献２には、上記のメサ分離型発光ダイオードアレイとは別の形式の拡散分離型モノリシック発光ダイオードアレイが開示されている。そこで、この拡散分離型モノリシック発光ダイオードアレイを図７を用いて説明する。
【００１５】
図７は拡散分離型モノリシック発光ダイオードアレイの一部を示す図であり、図７（Ａ）は平面図図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図５に記載のものと同一の構成部分にはそれぞれ同一の符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【００１６】
この拡散分離型モノリシック発光ダイオードアレイ７０は、Ｐ型ＧａＡｓ基板７１上に、Ｐ型Ｇａ０．３５Ａｌ０．６５Ａｓからなる第１のキャリア閉込め層７４、Ｐ型Ｇａ０．６８Ａｌ０．３２Ａｓからなる活性層７５、およびＮ型Ｇａ０．３５Ａｌ０．６５Ａｓからなる第２のキャリア閉込め層７６を順次エピタキシャル成長させて積層する。ここで、活性層５で発生した光を結晶外へ導出するために、第２のキャリア閉込め層７６のＡｌＡｓ混晶比を活性層７５のそれより高く設定する。
【００１７】
発光領域７７は、Ｐ型不純物を選択的に拡散させて、Ｐ型不純物選択拡散領域７８を網目状、いわゆる、マトリックス状に形成することで、このマトリックス内に分散して構成される。すなわち、Ｐ型不純物選択拡散領域７８は、第２のキャリア閉込め層７６の表面から少なくとも第１のキャリア閉込め層７４にまで達する深さであって、発光領域７７を残して、その周囲を囲むようＰ型不純物を選択的に拡散することで、発光領域７７が分散配列されるように形成する。
【００１８】
これによって、Ｐ型不純物選択拡散領域７８はＰ型ＧａＡｓ基板７１とも電気的に接続された状態になり、発光領域７７内に残る第２のキャリア閉込め層７６とは基板表面の向きと交差する方向にＰＮ接合７９が形成されている。このＰＮ接合７９では、第２のキャリア閉込め層７６のＧａ１−ｘＡｌｘＡｓ混晶における混晶比ｘが、活性層７５のそれよりも高く、そのエネルギーバンドギャップが大きいため、この第２のキャリア閉込め層７６とこれより混晶比の低く、エネルギーバンドギャップの小さい活性層７５とによるヘテロＰＮ接合８０の部分よりも、拡散電位が高くなる。
【００１９】
そのため、Ｐ型ＧａＡｓ基板７１の表面側発光領域７７上に設けた電極８１から、同基板７１の裏面側に設けた電極（図示せず）へ向けて順方向電流を流しても、その電流はＰ型不純物選択拡散領域７８側のＰＮ接合７９へは流れず、活性層７５側のＰＮ接合８０に集中し、発光現象はこのＰＮ接合８０側の活性層７５内で起こる。このことから明らかなように、発光出力はＰ型ＧａＡｓ基板７１の表面側に分散配列された発光領域７７に集中し、Ｐ型不純物選択拡散領域７８からの放射は起こらない。すなわち、Ｐ型不純物選択拡散領域７８は非発光分離領域としての役割を果たす。
【００２０】
このような構成を備えた拡散分離型モノリシック発光ダイオードアレイ７０は、その表面に段差がないため、電極８１の取り出し方向に制限がなく、設計の自由度が大きいという特徴を有しているが、逆に、Ｐ型不純物の選択拡散を必要とするために拡散マスクの形成工程を含め工程が複雑となり、さらに微細構造には向かない等の欠点が存在しており、加えて、発光ダイオードアレイは複数個並べて使用する必要があるが、その継ぎ目に当たるチップ端面と最端発光部間距離が短いので、加工により最端発光部が劣化してしまうという問題点が存在している。なお、係る点は拡散分離型モノリシック発光ダイオードアレイの場合だけではなく、イオン注入分離型モノリシック発光ダイオードアレイの場合も同様である。
【００２１】
本発明者は、このような従来のメサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイ及び拡散分離型ないしはイオン注入分離型発光ダイオードアレイの有する利点及び問題点を総合的に検討した結果、上述のメサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイの段差の存在による電極取出し部の問題点は、この電極取出し部のみを拡散分離ないしはイオン注入分離により分離すると、この部分の段差をなくすことができるために、有効に解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至ったのである。
【００２２】
【特許文献１】
特開平１１−０４６０１７号公報（段落［０００３］〜［０００６］、［００１４］〜［００１７］、図１〜図６）
【特許文献２】
特公平０６−０３６４３６号公報（特許請求の範囲、３欄２２行〜４欄１０行、図１〜図３）
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
すなわち、本発明は、上述のような従来のメサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイの問題点を解決した、電極取り出し部の段差をなくしたメサ分離及び拡散分離ないしはイオン注入分離併用型モノリシック発光ダイオードアレイを提供することを目的とする。本発明の上記目的は以下の構成により達成することができる。
【００２４】
すなわち、本発明の第１の態様によれば、少なくとも基板上に１列に配置された複数の発光部を有し、該発光部の３辺がメサ分離され、残りの１辺が拡散分離又はイオン注入分離されていると共に、該発光部の電極を前記拡散分離又はイオン注入分離されている辺の方向に引き出し配線したモノリシック発光ダイオードアレイが提供される。
【００２５】
このような構成のモノリシック発光ダイオードアレイは、電極が発光部の凹凸のない拡散分離ないしはイオン注入分離された辺の方向に引き出されているので、電極に凹凸が生じない。したがって、従来のメサ分離型発光ダイオードアレイのような電極に凹凸が生じることによる断線の危険性を回避することができ、加えて、発光ダイオードアレイは複数個並べて使用する必要があるが、その継ぎ目に当たる発光ダイオードチップ端面はメサ分離されているので、拡散分離もしくはイオン注入分離型モノリシック発光ダイオードアレイの有する欠点を避けることができるので、メサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイの利点及び拡散分離もしくはイオン注入分離型モノリシック発光ダイオードアレイの有する利点を有効に発揮することができる。
【００２６】
係る態様においては、前記発光部の電極がさらに延長部を有し、該延長部で発光部の順メサ部を被覆していることが好ましい。このような構成を採用すれば、メサ側面からの光漏れが非常に少なくなるので、本発明のモノリシック発光ダイオードアレイを光プリンタの光源として使用すると印字への悪影響が減少する。
【００２７】
また、係る態様においては、前記複数の発光部の拡散分離又はイオン注入分離されている辺が順次互い違いに配置され、前記発光部の電極パッドも順次互い違いに配置されているものとすることができる。このような構成となせば、電極パッドの面積を大きくすることができるので、モノリシック発光ダイオードアレイと外部回路との電気的接続を行いやすくなる。
【００２８】
また、係る態様においては、前記複数の発光部の拡散分離又はイオン注入分離されている辺が全て同一方向に配置され、前記発光部の電極パッドも全て同一方向に配置されているものとすることもできる。
【００２９】
さらに又、係る態様においては、前記電極パッドのうち、同一方向に配置されている電極パッド同士がそれぞれ互い違いに配置されているものとなすことが望ましい。このような構成となせば、電極パッドの面積をより大きくすることができるので、外部回路との接続がより行いやすくなる。
【００３０】
また、本発明の第２の態様によれば、少なくとも基板上に複数列配置に並び、かつ、複数個に分離されている発光部を有し、該発光部の３辺がメサ分離され、残りの１辺が拡散分離又はイオン注入分離されていると共に、該発光部の電極を前記拡散分離又はイオン注入分離されている辺の方向に引き出し配線したモノリシック発光ダイオードアレイが提供される。
【００３１】
かかる構成のモノリシック発光ダイオードアレイによれば、上記本発明の第１の態様における作用・効果と同等の作用・効果をそうしながらも、より高密度に多数の発光ダイオードチップを配置することができるので、高精細光プリンタの光源として使用することができるようになる。
【００３２】
係る態様においては、上記本発明の第１の態様と同じく、前記発光部の電極がさらに延長部を有し、該延長部で発光部の順メサ部を被覆していることが好ましい。
【００３３】
係る態様においては、前記複数列配置を千鳥格子状又は階段状とすることができ、また、前記複数列配置が２列配置であり、前記複数の発光部の拡散分離又はイオン注入分離されている辺が順次互い違いに配置され、前記発光部の電極パッドも順次互い違いに配置されているものとすることができ、さらに、前記複数の発光部の拡散分離又はイオン注入分離されている辺が全て同一方向に配置され、前記発光部の電極パッドも全て同一方向に配置されているものとすることができる。このような構成となせば、より高密度に多数の発光ダイオードチップを配置することができるようになる。
【００３４】
さらに又、係る態様においては、前記第１の態様と同じく、前記電極パッドのうち、同一方向に配置されている電極パッド同士がそれぞれ互い違いに配置されていることが好ましい。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例をＡｌＧａＡｓ系メサ分離及び拡散分離併用型モノリシック発光ダイオードアレイの加工プロセスを例に取り、図面を用いて具体的に説明する。なお、図１（ａ）〜図１（ｈ）は各製造工程を説明するための１発光素子部分の断面図である。
【００３６】
まず、図１（ａ）に示したように、Ｐ型ＧａＡｓ基板１１上に、ＶＰＥ（気相エピタキシャル）法、ＭＯＰＶ（有機金属気相エピタキシャル）法、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相デポジション）法、ＭＢＥ（分子線エピタキシャル）法、ＭＯＭＢＥ（有機金属分子線エピタキシャル）法、ＣＢＥ（化学ビームエピタキシャル）法等任意の方法で、順次０．２５μｍのＰ型ＧａＡｓバッファ層１２、０．５０μｍのＰ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓクラッド層１３及び０．５０μｍのＮ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓクラッド層１５のエピタキシャル成長を行う。そうすると、Ｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓクラッド層１３及びＮ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓクラッド層１５の間に厚さ約０．１０μｍの発光層（ＡｌＧａＡｓ活性層）１４が作製される。
【００３７】
なお、Ｐ型ＧａＡｓバッファ層１２とＮ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓクラッド層１３との間に、発光層から下方向（基板方向）に出た光を上方向へ反射して取り出すための層として周知のＤＢＲ層（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ  層：分布ブラッグ反射層）を形成してもよい。前記ＡｌＧａＡｓ層の発光波長は活性層のＡｌの混晶比で定まるので、活性層の組成は、希望する発光波長によって適宜変更が可能である。例えば発光波長７１０ｎｍの場合、前記活性層の組成はＡｌ０．２８Ｇａ０．７２Ａｓとなる。
【００３８】
さらに、Ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓクラッド層１５の表面に０．１０μｍのＮ型ＧａＡｓコンタクト層１６をエピタキシャル成長させる。
【００３９】
次に、図１（ｂ）に示したように、フォトリソグラフィー及びエッチング工程により１０００Å程度のＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等からなる選択拡散膜１７を形成し、次いで、図１（ｃ）に示したように、選択拡散膜１７上にＺｎＯ膜を形成し、そのウエーハを７００℃まで昇温し、２０分間その温度を保持することにより、Ｚｎを拡散させ、拡散分離層１９を形成する。その後、ＣＦ４プラズマエッチングすることにより選択拡散膜１７及びＺｎＯ膜１８を除去する。
【００４０】
次に、フォトリソグラフィー及びリン酸系のエッチャントを使用したエッチング工程により、図１（ｄ）に示したように発光部３１（図２（ａ）参照）にメサ分離部Ｍを設けることにより各発光素子を分離する。そうすると、発光部３１の拡散分離層１９とは反対側に順メサ部３３が形成され、これと直角側には逆メサ部（図２（ｃ）の符号３４、３４’参照）が形成される。
【００４１】
次いで、図１（ｅ）に示したように、表面全体にＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等からなる絶縁膜２０をエピタキシャル成長させ、フォトリソグラフィー及びエッチング工程により発光部上にコンタクトホール２１を形成し、更に、例えばリフトオフ法により前記コンタクトホール２１上に、図１（ｇ）に示したように、Ｎ側電極２２を形成し、さらに、図１（ｈ）に示したように、Ｐ型ＧａＡｓ基板１１の下部にＰ側電極２３を形成することによりメサ分離及び拡散分離ないしはイオン注入分離併用型発光ダイオードアレイ１０が完成される。このＮ側電極は、例えばＴｉ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ａｕ等を順次総膜厚１．２μｍ程度に積層し、また、Ｐ側電極２３は、例えば、Ｔｉ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｕ等を順次総膜厚０．５μｍ程度に積層し、両者同時に４５０℃前後の熱処理でＡｕ合金化することにより作製される。
【００４２】
このようにして作成された拡散分離併用型発光ダイオードアレイ１０の平面図は、発光部３１を直線状に一列に配置し、かつ電極２２の電気的接続用電極パッド３２を互い違いに配置した場合は、図２（ａ）に示すとおりになる。なお、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。この図２（ｂ）及び図２（ｃ）の記載から明らかなように、発光部３１の拡散分離層１９とは反対側のメサエッチング部は順メサ部３３を形成されるが、これに直角な方向は逆メサ部３４、３４’が形成される。しかしながら、拡散分離層１９の表面には段部は形成されずに平らになるので、Ｎ側電極２２に段差は生じない。したがって、かかる構成により従来のメサ分離型モノリシック発光ダイオードのような電極部に段差が生じることによる問題点を回避することができる。
【００４３】
なお、本実施例では、順メサ部３３全体を覆うように電極２２の延長部２２’を設けているが、これは順メサ部３３において活性層１４が露出しているためこの部分から光が漏れるのを防止するためであり、この点を考慮する必要がなければこの電極２２の延長部２２’を省略することができる。また、ここではメサ分離と拡散分離を併用した例を示したが、拡散分離法に代えてイオン注入分離法を採用することも可能である。
【００４４】
このようにして得られたメサ分離及び拡散分離ないしはイオン注入分離併用型モノリシック発光ダイオードアレイの全体の概略図を示すと図３に示したようになる。ただし、図３においては電極ないしは電極パッド３２は２個のみ示し、メサ分離部Ｍ及び拡散分離層１９を強調して表してある。
【００４５】
また、この例では、発光部３１を１列に直線状に配置するとともに電極パッド３２を互い違いに配置した例を示したが、図４に示したように、電極パッド３２を同一方向に配置することも可能である。この場合も電極ないしは電極パッド３２は２個のみ示し、メサ分離部Ｍ及び拡散分離層１９を強調して表してある。
【００４６】
図３及び図４に示したいずれの場合においても、電極パッド３２は、発光ダイオードアレイの長さ方向に高密度に配置するために、互い違いに配置することが望ましく、さらには３段ないしはそれ以上の多段階状に配置することも可能である。また、電極パッド３２の形状も、長方形ないし正方形だけでなく、６角形状ないしは８角形状となしてより高密度の配置することもできる。
【００４７】
また、上述の例では発光部を直線上に一列に配置した例を示したが、より高密度配置とするために、発光部を互い違いに複数列に配置することもでき、当業者が必要に応じて適宜決定すればよい。
【００４８】
さらに、ここではＮ型ＧａＡｓ基板上に各種エピタキシャル層を成長させたが、Ｐ型ＧａＡｓ基板を使用することもでき、この場合はそれぞれのエピタキシャル層の導電型を逆のものとすればよい。
【００４９】
また、ここではＡｌＧａＡｓ系化合物半導体を使用した実施例を説明したが、これに限らず周知のＧａＰ系、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＧａＡｓＰ系化合物半導体等の場合にも適用可能であることは当業者にとり自明であろう。
【００５０】
【発明の効果】
以上述べたとおり、本発明によるメサ分離及び拡散分離ないしはイオン注入分離併用型モノリシック発光ダイオードアレイによれば、拡散分離或いはイオン注入分離されている方向から電極を取り出しているので電極部に段差が生じないので、従来のメサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイの問題点を回避することができ、さらに、モノリシック発光ダイオードの最端面側がメサ分離されているので、拡散分離或いはイオン注入分離型モノリシック発光ダイオードアレイのように最端面の機械加工により最端面側の発光ダイオード素子の劣化が少なくなり、メサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイの利点及び拡散分離もしくはイオン注入分離型モノリシック発光ダイオードアレイの有する利点を有効に発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）〜図１（ｈ）は、本発明の実施例に係るモノリシック発光ダイオードアレイの製造工程を説明するための１発光素子部分の断面図である。
【図２】図２は、図１の製造工程で製造された電極パッド３２を互い違いに配置した場合のモノリシック発光ダイオードアレイの部分構造を説明する図であり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図３】図３は、図１の製造工程で製造された電極パッド３２を互い違いに配置した場合のモノリシック発光ダイオードアレイの全体構造を説明する図である。
【図４】図４は、電極パッド３２を同じ方向に配置した場合のモノリシック発光ダイオードアレイの全体構造を説明する図である。
【図５】図５は、従来例のメサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイの部分構造を説明する図である。
【図６】図６は、別の従来例のメサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイの部分構造を説明する図である。
【図７】図７は、従来例の拡散分離型モノリシック発光ダイオードアレイの部分構造を説明する図である。
【符号の説明】
１０    メサ分離及び拡散分離併用型モノリシック発光ダイオードアレイ
１１    Ｐ型ＧａＡｓ基板
１２    Ｐ型ＧａＡｓバッファ層
１３    Ｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓクラッド層
１４    発光層
１５    Ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓクラッド層
１６    Ｎ型ＧａＡｓコンタクト層
１７    選択拡散膜
１８    ＺｎＯ膜
１９    拡散分離層
２０    絶縁膜
２１    コンタクトホール
２２    Ｎ側電極
２２’  Ｎ側電極延長部
２３    Ｐ側電極
３２    電極パッド
３３    順メサ部
３４、３４’  逆メサ部
Ｍ      メサ分離部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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