(57)【要約】【課題】繰り返し熱サイクルを実施した場合、発熱体の抵抗変化が大きく、断線を生じやすく耐久性が低下する。【解決手段】セラミック基体３中に発熱体４を埋設し、該発熱体４に電力を供給して発熱させるセラミックヒータ１において、上記発熱体４は導電成分、絶縁成分および助剤成分からなるとともに、該助剤成分の５０％以上が結晶相として存在する。【選択図】図１
2005019246.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基体中に発熱体を埋設し、該発熱体に電力を供給して発熱させるセラミックヒータにおいて、上記発熱体は導電成分、絶縁成分および助剤成分からなるとともに、該助剤成分の５０％以上が結晶相として存在することを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項２】
上記発熱体が助剤成分を１〜１５重量％含有することを特徴とする請求項１に記載のセラミックヒータ。
【請求項３】
上記発熱体が助剤成分としてＡｌ２Ｏ３を含み、該Ａｌ２Ｏ３の含有量が０．０５〜０．８重量％であることを特徴とする請求項１または２に記載のセラミックヒータ。
【請求項４】
上記発熱体が助剤成分としてＣを含み、該Ｃの含有量が０．０５〜４重量％であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のセラミックヒータ。
【請求項５】
上記セラミック基体が窒化珪素質セラミックスからなることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載のセラミックヒータ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、自動車用グロープラグ、燃焼式車載暖房装置の点火あるいは炎検知用ヒータ、石油ファンヒータ等の各種燃焼機器の点火用ヒータ、酸素センサ等の各種センサや測定機器の加熱用ヒータなどに利用されるセラミックヒータに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ディーゼルエンジン等の始動促進に用いられるセラミックヒータとしては、耐熱合金製のシース内に耐熱絶縁性粉末を充填し、該耐熱絶縁粉末中にニッケル（Ｎｉ）−クロム（Ｃｒ）等を主成分とする高融点金属線からなる発熱体を埋設したシーズヒータが使用されていた。
【０００３】
しかしながら、上記シーズヒータは、耐熱金属製のシース内に充填された耐絶縁性粉末を介して発熱体の熱を伝えるため、短時間の急速昇温が困難であった。その上、耐磨耗性や耐酸化性に劣るという問題があった。
【０００４】
そこで、短時間の急速昇温が可能で、耐磨耗性と耐酸化性に優れた信頼性の高いセラミックヒータとして、発熱体を電気絶縁性のセラミック焼結体中に埋設したセラミックヒータが広く利用されるようになってきた。
【０００５】
このセラミックヒータとしては、例えば、高強度で耐酸化性に優れた窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）を主成分とするセラミック基体中にタングステンカーバイド（ＷＣ）等の導電成分、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化アルミ（ＡｌＮ）等の絶縁成分、Ｙｂ２Ｏ３、ＭｏＳｉ２、Ａｉ２Ｏ３、Ｃ等のうち少なくとも１つの成分を含む助材成分とからなる発熱体を埋設し、上記発熱体中に窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）を分散させることにより、上記セラミック基体と上記発熱体との熱膨張差を小さくしたセラミックヒータを得ることが提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
このセラミックヒータにおけるセラミック基体は、窒化珪素から形成されており、セラミックヒータの耐久性を良好にするためには、発熱体に高融点で熱膨張率がセラミック基体に近いＷＣを用い、さらに熱膨張率をセラミック基体に用いられるセラミックスの熱膨張率に近づけるため、ＢＮや窒化珪素粉末を添加している。一方、セラミック基体の原料については、ＭｏＳｉ２やＷＣ等の導電成分を添加することにより発熱体に熱膨張率を近づけるような調整を行うと共に、例えば窒化珪素質セラミックスの場合、窒化珪素の不可避不純物でありマイグレーションの原因となるＳｉＯ２を減らす目的で炭素（Ｃ）を添加する。炭素を添加することにより、ＳｉＯ２がＳｉとＣＯもしくはＣＯ２となり、さらにＳｉが周囲のＮ２と反応してＳｉ３Ｎ４となる。このようにして、ＳｉＯ２を減らすことにより、セラミック基体の粒界層がより高融点となり、マイグレーションを抑制する効果がある。
【０００７】
また、セラミック基体の助剤成分を結晶化させることによってマイグレーションを抑制しセラミック基体の強度を向上させ、セラミックヒータの耐久性を向上させることが提案されている（特許文献２参照）。
【０００８】
【特許文献１】
実開平２−２０２９３号公報
【０００９】
【特許文献２】
特開２００２−１７８７４０号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献２では、これまでに比べて各段に耐久性が向上させることができたものの、未だ僅かではあるが、長期に使用した場合、温度サイクルによる負荷のためと思われる発熱体の抵抗が変化し、ひどいものでは発熱異常、発熱体の断線を生じると言う問題があった。
【００１１】
これは、セラミックヒータの発熱体は、導電成分、絶縁成分、および助剤成分とか形成されており、発熱体中の助剤成分がガラス相等の非晶質相として導電成分又は絶縁成分の粒界に存在しているため、発熱体に電力を供給した際にマイグレーションがおこり、発熱体中に欠陥を生じさせ熱サイクルを繰り返すことによって、クラック等が発生し、耐久性が劣化するという問題があった。
【００１２】
そこで、本発明は、長期間の使用に際して熱サイクルを繰り返した場合にも、発熱体の抵抗を小さくでき、断線等を防止して、長期にわたって耐久性に優れたセラミックヒータを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明品のセラミックヒータは、セラミック基体中に発熱体を埋設し、該発熱体に電力を供給して発熱させるセラミックヒータにおいて、上記発熱体は導電成分、絶縁成分および助剤成分からなるとともに、該助剤成分の５０％以上が結晶相として存在することを特徴とする。
【００１４】
即ち、発熱体の助剤成分を結晶化することにより、発熱体を基点としたクラックの発生を押さえることができるという知見に基づき、セラミック基体中に埋設した発熱体を有するセラミックヒータにおいて発熱体の抵抗変化が小さく、耐久性の高いセラミックヒータを実現したものである。これにより発熱体に電力を供給した際に生じるマイグレーションが起こりにくくなり、発熱体中に欠陥を生じにくくし、その結果クラックの発生を抑制し、発熱体の抵抗変化を小さくし、耐久性が向上する。
【００１５】
また、本発明のセラミックヒータは、上記発熱体が助剤成分を１〜１５重量％含有することを特徴とする。これにより、発熱体中の助剤成分の結晶化を促進することができ、それによって耐久性の高いセラミックヒータを得ることができる。
【００１６】
さらに、本発明のセラミックヒータは、上記発熱体が助剤成分としてＡｌ２Ｏ３を含み、該Ａｌ２Ｏ３の含有量が０．０５〜０．８重量％含有することを特徴とする。これにより、発熱体中の助剤成分の結晶化を促進することができ、それによって耐久性の高いセラミックヒータを得ることができる。
【００１７】
またさらに、本発明のセラミックヒータは、上記発熱体が助剤成分としてＣを含み、その含有量が０．０５〜４．０重量％含有することを特徴とする。これにより、発熱体中の助剤成分の結晶化率を促進することができ、それによって耐久性の高いセラミックヒータを得ることができる。
【００１８】
さらにまた、本発明のセラミックヒータは、上記セラミック基体が、窒化珪素質セラミックスからなることを特徴とする。これによって熱衝撃性を向上させることができるようになり、耐久性を向上させることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を用いて詳しく説明する。
【００２０】
図１は本発明のセラミックヒータの一実施形態を示す図面であり、図１（ａ）は斜視図、（ｂ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。また、図２は図１（ｂ）のＹ−Ｙ’線における断面図である。
【００２１】
図１に示すように、本発明のセラミックヒータ１は、セラミック基体３中に発熱体４を埋設し、該発熱体４の両端にリード部５を設け、該リード部５の両端に電極引き出し部６を形成し、電力を供給して発熱させるものであり、セラミック基体３の内部に、Ｕ字状の発熱体４を設け、該発熱体４の端部にそれぞれリード部５を接続して、リード部５の他端側に電極取り出し部６を形成することで、それぞれを電気的に接続したものを２組、略平行にセラミック基体３中に埋設し、発熱体４側のセラミック基体３の先端が略球面状で、少なくとも最高発熱部に相当する部分の横断面が円形である棒状を成すものである。
【００２２】
上記セラミック基体３は、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックス（ＡｌＮ）等の絶縁セラミックスからなり、耐熱衝撃性に優れ、急昇温に耐えるという点で窒化珪素質セラミックスからなることが好ましい。また、この窒化珪素質セラミックスにはＹｂ２Ｏ３、ＭｏＳｉ２、ＹＢ、Ｙ等の助剤成分を含有させることで、焼結しやすく、耐久性が向上する。
【００２３】
また、上記セラミック基体３中に埋設された発熱体４は、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｅ等の金属又はこれら金属元素の珪化物、炭化物等の導電成分、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等の絶縁成分、およびＹｂ２Ｏ３、ＭｏＳｉ２、Ａｉ２Ｏ３、Ｃ等を含む助剤成分からなる。
【００２４】
なお、上記助剤成分とは、導電成分と絶縁成分を焼結させるための微量成分のことである。例えば、導電成分をＷ、絶縁成分をＳｉ３Ｎ４とした場合、助剤成分としてＹ２Ｏ３や希土類元素、Ａｌ２Ｏ３、Ｃ等を用いることができる。
【００２５】
また、上記導電成分は、その熱膨張率がセラミック基体３や、絶縁成分と差が小さいものを用いることが好ましく、特にＷＣ、ＭｏＳｉ２からなることが好ましい。
【００２６】
さらに、上記絶縁成分は、セラミック基体３を構成する材質と同様の材質を用いることが好ましい。
【００２７】
図３は、本発明のセラミックヒータ１の発熱体４における組織の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で撮影した写真を示す発熱体断面模式図である。図中、白抜きの部分は電流を流すための導電成分の結晶相７、斜線を施した部分が絶縁成分の結晶相８であり、各結晶相間は粒界相９である。なお、粒界相９は、そのほとんどが助剤成分からなるが、ＴＥＭでは助剤成分の結晶相、非晶質相を区別できない。
【００２８】
また、上記粒界相９のうち黒い部分が二面間粒界９ａおよび三重点粒界９ｂである。ここで、二面間粒界９ａとは導電成分の結晶相７同士、絶縁成分の結晶相８同士、または導電成分の結晶相７と絶縁成分の結晶相８のように２つの成分からなる結晶粒子に挟まれた粒界相であり、三重点粒界９ｂとは導電成分の結晶相７、絶縁成分の結晶相８のいずれか３つ以上の結晶粒子に囲まれた粒界相のことである。
【００２９】
この粒界層９は、ほとんどが助剤成分で構成されており、本発明のセラミックヒータ１では、発熱体４中の助剤成分の５０％以上が結晶相として存在することが重要である。
【００３０】
発熱体４中の助剤成分は、通常、そのほとんどが粒界相９に非晶質相として存在するが、結晶相として発熱体４中に存在することによって、発熱体４に電力を供給したときに生じる助剤成分の陽イオン成分（たとえば、Ｙｂ３＋、Ｙ３＋）のマイグレーションを押さえることができる。その結果、発熱体４の抵抗変化及び断線を抑制することができ、セラミックヒータ１に繰り返し熱サイクルが加わった場合においても、発熱体４の抵抗が一定に保持され耐久性の高いセラミックヒータを得ることができる。
【００３１】
このマイグレーションには助剤成分の結晶相の割合が大きく影響し、発熱体４中の助剤成分の結晶相の割合が５０％未満となると、マイグレーションにより発熱体４中の粒界相９の空洞化が生じ、発熱体４の抵抗変化が発生するため、セラミックヒータ１の温度が低下したり、最悪の場合は、断線を生じる恐れがある。特に、助剤成分の７０％以上が結晶相として存在することがより好ましく、発熱体４の抵抗変化の原因と思われる粒界相９がマイグレーションにより空洞化する現象を十分に抑制でき、耐久性を向上させることができる。
【００３２】
ここで助剤成分の結晶相の割合の測定方法について説明する。
【００３３】
まず、発熱体４における任意断面９０ヶ所を透過型電子顕微鏡によって撮影する。なお、測定装置としては、透過型電子顕微鏡：ＪＥＭ２０９Ｆ（ＪＥＯＬ製）、条件：加速電圧（２００ＫＶ）とした。
【００３４】
発熱体４中の助剤成分は、上記図３に示すように透過型電子顕微鏡による写真では、助剤成分の結晶相、非晶質相は区別できないため、助剤成分の結晶相は粒界相９中に存在する。
【００３５】
そこで、写真の粒界相９として写った部分を電子線回折によって結晶相か否かの判断を行い、９０個所のうち結晶相となっているものの割合を助剤成分の結晶相の割合とした。
【００３６】
なお、上記粒界相９のうち二面間粒界９ａは、非常に厚みが薄く結晶相を確認するのが困難なため、本発明においては、比較的厚みがあって結晶相か否かの判断がしやすい三重点粒界９ｂのみを調べた。
【００３７】
また、上記電子線回折は、その格子面によるブラッグの反射がスポットとして表示されれば結晶相、ハローが表示されれば非晶質（ガラス）相として判断した。
【００３８】
また、電子線回折に用いる装置としては、エネルギー分散型分光分析（ＥＤＳ）：（Ｎｏｒａｎ  ｌｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製）、条件：スポット径（５ｎｍφ）、測定時間（５０ｓｅｃ）、測定エネルギ−幅（０．１２〜２０．４８ｋｅＶ）にて測定することができる。
【００３９】
ここで、発熱体４中の助剤成分のうち５０％以上を結晶相として存在させるためには、焼成条件を制御することが重要である。すなわち、還元雰囲気下、昇温スピードは５℃／分〜２５℃／分、焼成温度１６５０℃〜１７５０℃、キープ時間３０分〜２４０分、圧力は一次圧３〜５ＭＰａ、二次圧は３０〜４５ＭＰａとしてホットプレスにより焼成する事が好ましい。また、詳細を後述するように助剤成分としてＡｌ２Ｏ３やＣを用い、その含有量を制御することによって調整することができる。
【００４０】
また、上記発熱体４中の助剤成分は、発熱体４を１００重量％とした場合に、１〜１５重量％含有していることが好ましい。これにより発熱体４中の粒界相９の割合が低減し、発熱体４のクラックの発生が抑えられるため、発熱体４の抵抗を一定値に保持することができる。ここで、助剤成分が１５重量％より多いと、ガラス化を促進するため、助剤成分が結唱化されにくくなり、抵抗値の変化が大きくなり耐久性が低下する。また、助剤成分が１重量％より少ないと、発熱体４の焼結性が悪くなり抵抗の変化が大きくなり耐久性が低下する。
【００４１】
さらに、上記助剤成分としてＡｌ２Ｏ３を含み、その含有量が発熱体４を１００重量％とした場合に０．０５〜０．８重量％であることが好ましい。これにより、発熱体４中の助剤成分の結晶化が促進され、発熱体４を基点とするクラックの発生が抑えられるため、発熱体４の抵抗変化が小さく、セラミックヒータ１としての耐久性を向上することができる。また、Ａｌ２Ｏ３の含有量を０．０５〜０．８重量％とすることで結晶化を促すとともに、発熱体４の抵抗の変化率を微小なものとすることができる。Ａｌ２Ｏ３の含有量が０．０５重量％より少ないと、助剤成分が結晶化されにくく、一方、０．８重量％より多くなると、発熱体４の抵抗変化が大きくなるため、セラミックヒータ１の耐久性が低下する。
【００４２】
またさらに、上記発熱体４中の助剤成分としてＣを含み、その含有量が発熱体４を１００重量％とした場合に０．０５〜４．０重量％であることが好ましい。これにより、上記Ａｌ２Ｏ３と同様、発熱体４中の助剤成分の結晶化が促進され、発熱体４を基点とするクラックの発生が抑えられるため、発熱体４の抵抗変化が小さく、セラミックヒータ１としての耐久性を向上することができる。Ｃの含有量が０．０５重量％より少ないと、助剤成分が結晶化されにくく、一方、４．０重量％より多くなると、発熱体４の抵抗の変化が大きくなるため、セラミックヒータ１の耐久性が低下する。
【００４３】
また、上記発熱体４を９０重量％とした場合に、導電成分を５０重量％以上、絶縁成分を１５重量％以上とすることが好ましく、導電成分が５０重量％より少ないと、抵抗値が異常に高くなったり、導通の低下を招く。また、絶縁成分が１５重量％より少ないと、セラミック基体３と熱膨張率の差が大きくなり、発熱体４にクラックが生じやすい。
【００４４】
次に本発明のセラミックヒータ１の製法について図４を用いて説明する。
【００４５】
まず、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）粉末にイッテリビウム（Ｙｂ）やイットリウム（Ｙ）等の希土類元素の酸化物からなる焼結助剤を添加したセラミック原料粉末を周知のプレス成形法や押し出し成形等でセラミック成形体１０を得る。
【００４６】
セラミック成形体１０の上にＷ、Ｍｏ、Ｒｅ等の金属又は、金属元素の珪化物、炭化物等の導電成分、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等からなる絶縁成分、およびＡｌ２Ｏ３を０．０３〜９重量％、Ｃを０．０３〜４．０重量％、Ｙｂ２Ｏ３を９〜１２重量％、ＭｏＳｉ２を４．０〜９．０重量％のいずれかからなる助剤成分の微粉末をそれぞれ秤量し酢酸ブチル等の溶媒を加えて調整したペーストをスクリーン印刷法や射出成形等により形成する。
【００４７】
次いで、リード部５となるタングステンピンを発熱体４と電極取り出し部６が電気的に導通するように設置し、セラミック成形体１０を２層と、さらに、その上面に別のセラミック成形体１０’を重ねて密着させ、還元雰囲気下、昇温スピードは５℃／分〜２５℃／分、焼成温度１６５０℃〜１７５０℃、キープ時間３０分〜２４０分、圧力は一次圧３〜５ＭＰａ、二次圧は３０〜４５ＭＰａとしてホットプレスにより焼成した後、得られた焼結体を円柱状に加工し、表面に露出した電極引き出し部６にＮｉからなる引き出し線２を取り付けセラミックヒータ１を得る。
【００４８】
以上のように構成された本発明のセラミックヒータ１は、特に優れた耐久性を有するため自動車用グロープラグ、燃焼式車載暖房装置の点火あるいは炎検知用ヒータ、石油ファンヒータ等の各種燃焼器の点火用ヒータ、酸素センサ等の各種センサや測定機器の加熱用ヒータなど好適に使用できる。
【００４９】
【実施例】
以下本発明の実施例を説明する。
【００５０】
図１に示すようなセラミックヒータを作製するため、図４に示すように、まず、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）粉末にイッテリビウム（Ｙｂ２Ｏ３）希土類元素の酸化物からなる焼結助剤を添加したセラミック原料粉末をプレス成形法や押し出し成形法等でセラミック成形体１０を得る。
【００５１】
次に、セラミック成形体１０の上面に発熱体４を形成する。発熱体４は、導電成分、絶縁成分、助剤成分の微粉末を添加混合し、焼成後に表１の組成になるように助剤成分を調整した。助剤成分としては、Ｙｂ２Ｏ３を０．１〜１２重量％、ＭｏＳｉ２を０．０５〜９．０重量％Ａｌ２Ｏ３を０．０３〜９重量％、Ｃを０．０３〜４．０重量％の範囲で秤量し酢酸ブチル等の溶媒を加えて調整したペーストを発熱体４として、スクリーン印刷法や射出成形等により形成する。
【００５２】
次いで、リード部５となるタングステンピンを発熱体４と電極取り出し部６が電気的に導通するように設置し、セラミック成形体１０を２層とさらに、その上面に別のセラミック成形体１０’を重ねて密着させ、還元雰囲気下、昇温スピードは５℃／分〜２５℃／分、焼成温度１６５０℃〜１７５０℃、キープ時間３０分〜２４０分、圧力は一次圧３〜５ＭＰａ、二次圧は３０〜４５ＭＰａとしてホットプレスにより焼成した後、得られた焼結体を円柱状に加工し、表面に露出した電極引き出し部６にＮｉからなるリード線２を取り付けセラミックヒータ１を得る。
【００５３】
なお、発熱体４の各成分の割合を蛍光Ｘ線分析装置（ＲＩＸ３０００）及び、炭素分析装置（ＥＲＩＡ−５１１型）にて測定し、助剤成分の結晶相の割合を、発熱体４における任意断面９０ヶ所を透過型電子顕微鏡（透過型電子顕微鏡：ＪＥＭ２０９Ｆ（ＪＥＯＬ製）、条件：加速電圧（２００ＫＶ）とした。）によって撮影した後、写真の三重点粒界９ｂを電子線回折（エネルギー分散型分光分析（ＥＤＳ）：（Ｎｏｒａｎ  ｌｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製）、条件：スポット径（５ｎｍφ）、測定時間（５０ｓｅｃ）、測定エネルギ−幅（０．１２〜２０．４８ｋｅＶ））によって、格子面によるブラッグの反射がスポットとして表示されれば結晶相、ハローが表示されれば非晶質（ガラス）相として判断した。
【００５４】
そして、各試料について、通電耐久性能を確認するための試験を実施した。セラミックヒータ１に通電し、温度１３００℃、昇温保持時間３分とした後、通電を止めて外部冷却ファンにより１分冷却するサイクルを１サイクルとして、３００００サイクルを実施した後、初期抵抗値に対する変化率を算出し、評価としての５％未満のものを◎、５〜９％未満のものを○、９％以上のものを×として耐久性能を判断した。
【００５５】
その結果を表１に示す。
【００５６】
【表１】
2005019246.tif 000003
【００５７】
表１から判るように、助剤成分の結晶相の割合がそれぞれ４１％、４２％である試料（Ｎｏ．１０３）は、耐久試験後の抵抗変化率が３２％以上と非常に大きく、また助剤成分の結晶相の割合が２９％である試料（Ｎｏ．１４）は、断線してしまい耐久性が非常に悪いものであった。
【００５８】
これに対し、助剤成分の結晶相の割合が５０％以上である試料（Ｎｏ．１、３〜１２、１５）は、耐久試験後の抵抗変化率が９％以下と小さく、耐久性の高いセラミックヒータを得ることができた。さらに、発熱体中の助剤成分の含有量が１〜１５重量％で、Ａｌ２Ｏ３の含有量が、０．０５〜０．８％、Ｃの含有量が０．０５〜４．０％である試料（Ｎｏ．１、３〜７、９〜１０）は、耐久試験後の抵抗変化率が５％以下と微小となり、耐久性がより向上することがわかった。
【００５９】
【発明の効果】
本発明のセラミックヒータは、セラミック基体中に発熱体を埋設し、該発熱体に電力を供給して発熱させるセラミックヒータにおいて、上記発熱体は導電成分、絶縁成分および助剤成分からなるとともに、該助剤成分の５０％以上が結晶相として存在することによって、発熱体を基点としたクラックの発生を押さえることができ、発熱体の抵抗変化を小さく、耐久性に優れたセラミックヒータを提供することができる。
【００６０】
特に、発熱体の助剤成分を含有量を１〜１５重量％として、Ａｌ２Ｏ３の含有量を０．０５〜０．８重量％、Ｃの含有量を０．０５〜４重量％とすることにより、さらに抵抗変化を微小なものとして、繰り返し熱サイクルがかかっても長期間にわたって耐久性に優れたセラミックヒータを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明のセラミックヒータの一実施形態を示す斜視図であり、（ｂ）同図（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。
【図２】図１に示すセラミックヒータのＹ−Ｙ’線における横断面図である。
【図３】本発明のセラミックヒータにおける発熱体の結晶組織を示す模式図である。
【図４】本発明のセラミックヒータの製法を説明する展開斜視図である。
【符号の説明】
１：セラミックヒータ
２：引き出し線
３：セラミック基体
４：発熱体
５：リード部
６：電極引き出し部
７：導電成分の結晶相
８：絶縁成分の結晶相
９：粒界相
９ａ：二面間粒界層
９ｂ：三重点粒界層
１０：セラミック成形体
【図１】
2005019246.tif 000004
【図２】
2005019246.tif 000005
【図３】
2005019246.tif 000006
【図４】
2005019246.tif 000007