(57)【要約】    【課題】反応チャンバのクリーニングに続く堆積速度の低下を減少させる方法を提供する。    【解決手段】反応チャンバのクリーニングに続いて、該反応チャンバにおいて安定でありかつ高い堆積速度を得るための方法が提供される。該方法は、該チャンバのクリーニング、無機組成物で該反応チャンバの内表面をプレコーティングすること、そして次いで、該プレコートされたチャンバを使用してワークピース上に有機層を堆積することを包含する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応チャンバのクリーニングに続く堆積速度の低下を減少させるプロセスであって、
反応チャンバをクリーニングすること；
無機ケイ素反応物およびプレコーティング窒素源を使用して、該反応チャンバを窒化ケイ素でプレコーティングすること；ならびに
有機ケイ素反応物を使用して、該プレコートされた反応チャンバ内のワークピース上に窒化ケイ素を堆積すること、
を包含するプロセス。
【請求項２】
無機ケイ素反応物が、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6およびＳｉ3Ｈ8からなる群から選択される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
無機ケイ素反応物が、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨ3Ｃｌ、ＳｉＨＣｌ3およびＳｉＣｌ4からなる群から選択される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
無機ケイ素反応物がジクロロシラン（ＤＣＳ）である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
プレコーティングが約７００℃またはそれ以上の温度で生じる、請求項４に記載のプロセス。
【請求項６】
プレコーティングのためのプレコーティング窒素源が、窒素の無機源である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
窒素源がアンモニアである、請求項６に記載のプロセス。
【請求項８】
堆積が、別個の窒素源を使用することを更に包含する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項９】
別個の窒素源がプレコーティング窒素源と同一である、請求項８に記載のプロセス。
【請求項１０】
有機ケイ素反応物がビス−ｔｅｒｔ−ブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１１】
反応チャンバが、クオーツ（quartz）、ＳｉＣ、およびケイ素含浸ＳｉＣ（silicon-impregnated SiC）からなる群から選択される材料から作製される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１２】
クオーツ材料を処理してウエハ上における比較的一定の堆積速度を維持する方法であって、
ジクロロシランベースの（ＤＣＳ−ベースの）窒化ケイ素プレコートをクオーツ材料に塗布すること；
該プレコートされたクオーツ材料を有する反応チャンバ内へウエハを入れること；および
有機ケイ素前駆体を使用して該ウエハ上に膜(film)を堆積すること、
を包含する方法。
【請求項１３】
膜を堆積することが、クオーツ材料上に窒化ケイ素を堆積することを更に包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ビス−ｔｅｒｔ−ブチル−アミノシラン（ＢＴＢＡＳ）についての堆積およびアンモニア堆積の一定速度を維持する方法であって、
ウエハのバッチプロセッシングのための縦型炉（vertical furnace）をクリーニングすること；
該クリーニングされた縦型炉の表面に、ジクロロシランベース層堆積プロセスでコーティングすること；および
該コーティングされた縦型炉内の１バッチのウエハへ、ＢＴＢＡＳおよびアンモニアを塗布すること、
を包含する方法。
【請求項１５】
反応チャンバにおける表面粗さを減少させるためのプロセスであって、
該反応チャンバをインサイチュ(in situ)でクリーニングすること（該クリーニングの間、該ウエハボートは該チャンバ内にある）；
ジクロロシラン（ＤＣＳ）を使用して、該反応チャンバ（該ウエハボートを含む）上にＤＣＳ−ベースの膜を堆積すること（この間、ワークピースは該反応チャンバ内に存在しない）；および
引き続いて、ビス−ｔｅｒｔ−ブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）を使用して、該反応チャンバ内に支持されたワークピース上にＢＴＢＡＳ−ベースの層を堆積すること、
を包含する方法。
【請求項１６】
ＤＣＳ−ベースの膜堆積が約７００℃またはそれ以上の温度で生じ、そしてＢＴＢＡＳ−ベースの層の堆積が約６５０℃またはそれ以下の温度で生じる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
半導体基板上における窒化ケイ素膜の堆積のために、反応チャンバを操作するための方法であって、以下の工程：
ａ）前駆体としてアンモニアおよびビス−ｔｅｒｔ−ブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）を使用して、該反応チャンバ内の半導体ウエハ上における多数の窒化ケイ素堆積ラン(run)を行うこと；
ｂ）該反応チャンバ上に累積ＢＴＢＡＳ−誘導化窒化物厚みを構築した後、該反応チャンバ内にクリーニングガスを供給することにより、該反応チャンバのインサイチュ（in situ）クリーニングを行うこと；
ｃ）前駆体としてアンモニアおよびジクロロシラン（ＤＣＳ）を使用して、該クリーニングされた反応チャンバ上に窒化物プレコーティングを堆積すること；ならびに
ｄ）順に工程ａ），ｂ），ｃ）およびｄ）のサイクルを再開すること(re-starting)、
を包含する方法。
【請求項１８】
窒化物プレコーティングを堆積する間の温度が約７００℃またはそれ以上である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
窒化ケイ素堆積ランが約６５０℃未満で行われる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
インサイチュ(in situ)クリーニングが約５００℃〜６００℃で行われる、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の分野
本発明は、一般的に、半導体プロセッシングの分野；そしてより詳細には、半導体基板上での窒化物膜堆積の分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
発明の背景
最近、アンモニアおよび式（ｔ−Ｃ4Ｈ9ＮＨ）2ＳｉＨ2を有するビス−ｔｅｒｔ−ブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）からの窒化ケイ素膜の低圧化学気相成長法（ＬＰＣＤＶ）のためのプロセスが、Ｌａｘｍａｎの特許文献１において提案されている。改善された膜特性に加えて、アンモニアおよびジクロロシラン（ＤＣＳ）を使用する従来のプロセスと比較して顕著に低い堆積温度が使用され得、半導体基板は顕著に低い熱供給に供される。該プロセスは、垂直方向に間隔をあけてかつ水平位置でウエハボート内に収容された複数のウエハがクオーツプロセスチューブ中で処理される、従来の縦型炉（vertical furnace）において用いられる。
【０００３】
しかし、このＢＴＢＡＳプロセスは、大きな不都合を有している。数回の堆積ラン（deposition runs）後、またはクオーツプロセスチューブおよびクオーツウエハボート上の約３００ｎｍの制限された累積膜厚み後、プロセスチューブ内のパーティクルレベル（particle levels）が容認されない高レベルまで増加し始める。パーティクルレベルを低下させるために、クオーツウエア（quartzware）をクリーニングする必要があり、そして比較的頻繁にクリーニングする必要がある。非常に頻繁なクリーニングのために、この製造プロセスは、各クリーニングについてプロセスチューブを取り外す必要なしに、プロセスチューブ中へクリーニングガスを共有することによって、クリーニングがインサイチュ(in situ)で行われ得る場合にのみ、経済的である。１つの頻繁に使用されるクリーニングガス（cleaning gas）は、ＮＦ3である。残念ながら、ＮＦ3でのクリーニング後、ＢＴＢＡＳプロセスの堆積速度は、曝露されたクオーツ表面の望ましくない粗面化に恐らくは起因して、クリーニング前よりも顕著に低くなるようである。この効果は、プロセスチューブ中にプロダクトウエハを入れずに、ＢＴＢＡＳを使用してプレコーティングラン（pre-coating run）を行うことによって相殺され得る。しかし、該プレコーティングランは、新たなインサイチュ(in situ)クリーニングが必要となる前の許容累積堆積の一因となっている。従って、ＢＴＢＡＳを使用することは、クリーニング間で行われ得る製造ランの回数を減らすので、非生産的である。
【特許文献１】米国特許第５，８７４，３６８号
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
発明の要旨
本発明の１局面によれば、反応チャンバのクリーニングに続く堆積速度の低下を減少させる方法が提供され、該方法は以下の工程を包含する：該反応チャンバをクリーニングすること；無機ケイ素反応物および窒素源を使用して、該反応チャンバを窒化ケイ素でプレコーティングすること；および、有機ケイ素反応物を使用して、ワークピース上に窒化ケイ素を堆積すること。
【０００５】
本発明の別の局面によれば、クオーツ材料を処理してウエハ上における比較的一定の堆積速度を維持するための方法が提供される。該方法は、ジクロロシランベースの（ＤＣＳ−ベースの）窒化ケイ素プレコートをクオーツ材料へ塗布することを包含する。ウエハが、プレコートされたクオーツ材料を有する反応チャンバ内へ入れられる。次いで、膜が、有機ケイ素前駆体を使用して、該ウエハ上に堆積される。
【０００６】
本発明の別の局面によれば、半導体基板上における窒化ケイ素膜の堆積のために、反応チャンバを操作するための方法が提供され、該方法は、以下の工程を包含する：ａ）前駆体として窒素源およびビス−ｔｅｒｔ−ブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）を使用して、該反応チャンバ内の半導体ウエハ上における多数の窒化ケイ素堆積ランを行うこと；ｂ）該反応チャンバのパーツ上に累積ＢＴＢＡＳ−ベースの窒化物厚みを構築した後、該反応チャンバ内にクリーニングガスを供給することにより、該反応チャンバ内のインサイチュ(in situ)クリーニングを行うこと；ｃ）前駆体として窒素源およびジクロロシラン（ＤＣＳ）を使用して、該クリーニングされた反応チャンバ上に窒化物プレコーティングを堆積すること；ならびにｄ）順に工程ａ），ｂ），ｃ）およびｄ）のサイクルを再開すること。
【０００７】
好ましい実施形態の利点は、前駆体としてＢＴＢＡＳおよびアンモニアを使用しての窒化物膜の堆積についての反応チャンバの操作のための方法を提供することであり、それは、クリーニングサイクル間に経済的に見合う回数の生産ランの実施を可能にする。別の利点は、該プレコーティング方法は、反応チャンバのクリーニングに続いて、低温堆積の堆積速度を増加および維持するために効果的であるということである。
【０００８】
好ましい実施形態の詳細な説明
１つの実施形態において、有機ケイ素源（organic silicon source）、そして特にビス−ｔｅｒｔ−ブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）を使用しての複数のランにおける、ワークピースまたは基板上での窒化ケイ素膜の堆積のための方法が提供される。この実施形態は、図１を参照して更に詳細に説明される。図１は、一連の連続したＢＴＢＡＳベース窒化物堆積ランについての堆積速度を示す。各シリーズの前に、インサイチュ(in situ)クリーニングを、垂直方向に間隔をあけてウエハを収容するクオーツウエハボートおよびクオーツプロセスチューブにおいて行った。クオーツリング（quartz rings）を各ウエハの真下に配置して、各ウエハ上のＢＴＢＡＳベース堆積（BTBAS-based deposition）の均一性を改善した。図１に示される実験の開始時に、クオーツウエア（quartzware）は新しくかつ未使用であった。各々６０ｎｍ〜８０ｎｍの厚みを有する４つの堆積の第１シリーズを行った。このシリーズの間、プロセス条件、特に縦型バッチプロセッシング炉（vertical batch processing furnace）中の５つの加熱領域の温度を調節して、ウエハボートの高さに沿ったウエハ上の堆積プロセスの均一性を改善した。これらの第１結果は図１に示されていない。
【０００９】
ウエハ上での最初のＢＴＢＡＳベース堆積に続いて、インサイチュクリーニングを、クリーニングガスとしてＮＦ3を使用して行った。ウエハボートおよびクオーツリングを、プロセスチューブと同時にクリーニングした。ＮＦ3クリーニングを、ＮＦ3およびＮ2の混合物を使用して、熱的に活性化させそして５００℃〜６００℃の温度範囲で行った。インサイチュクリーニング時間は２０〜３０分の範囲内であった。あるいは、ＮＦ3のプラズマ活性化または当該分野において公知の非熱的活性化の任意の他の形態が、適用され得る。有機ベース窒化物堆積（organic-based nitride deposition）は、好ましくは、約６５０℃未満で行われる。ＢＴＢＡＳ堆積プロセスを、反応物としてＢＴＢＡＳおよび補足窒素源（supplemental nitrogen source）（特に、ＮＨ3）を使用して、約６００℃の温度で行った。ＢＴＢＡＳは、ケイ素および窒素の両方についての有機源であり、その結果、補足窒素源を省略することができることに注意してもらいたい。１ラン当たりの堆積される膜厚みは、６０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内であった。この堆積は、ウエハだけでなく、内部クオーツパーツ（例えば、炉容器（furnace vessel）およびボート）ならびにいくつかのアレンジメントにおけるボートスロット内のクオーツまたはセラミック支持リングもコーティングする傾向にある。
【００１０】
図１に示されるように、第１エッチ（etch）後に行われるランのシリーズにおいて、第１ランについての堆積速度は比較的低く、そして引き続いてのランにおいて約０．７７５ｎｍ／分の飽和レベルが達成されるまで増加した。この低下した堆積速度および緩やかな回復は、ランの間の各々の引き続いてのエッチ工程に従って、より顕著となった。実際に、クリーニング期間が延長された場合、その効果は、非常に顕著となった。このようなクリーニングの延長期間の効果は、図１において、第４エッチに続いてのＢＴＢＡＳ誘導膜の堆積速度によって実証される。ヘビーオーバーエッチング（heavy over-etching）は、ＮＦ3エッチングガスへのクオーツ材料の延長された曝露から得られた。結果として、エッチ４後の堆積ランのシリーズは、非常に低下した堆積速度を実証し、これは、ＢＴＢＡＳベース窒化ケイ素膜の連続適用の間に徐々にしか回復しなかった。エッチ５および６後の堆積シリーズは、図１にデータが示されていないが、同様の挙動を示した。このような可変の堆積速度は、スピード、一貫性、および信頼性を重要視する生産環境において受け入れられない。更に、堆積速度の低下は、各ワークピースについてより長い生産時間へと転換し、またプロセスに費用および時間を付加する。
【００１１】
理論によって制限されないが、この挙動についての最も可能性が高い説明は、クオーツ材料の表面粗さの増加が存在し、この粗さはインサイチュクリーニング（またはエッチング）プロセスにおけるＮＦ3に起因して生じるということである。この粗さの増加は、可能な堆積表面積の増加に転換する。従って、表面積が増加したが、装置の他の特徴は未変化のままであるので、より広い表面積のクオーツパーツ上における堆積によってより多くの前駆体が消費されるため、支持体またはワークピース上での堆積速度は従って低下する。
【００１２】
理論によって制限されないが、本発明者は、進行する（progressive）ランの各々がより高い堆積速度を生じることの理由は、粗い面上に膜を堆積することによって粗さが減少されるということであると仮定する。表面における谷（valleys）およびくぼみ（pits）は、膜厚みが増加するに伴って、徐々に充填される。オーバーエッチング（over-etching）を最小限に低下させることが望ましいが、完全にオーバーエッチングを回避することは出来ない。これは、主に、既に堆積された窒化物膜を完全に除去して、インサイチュクリーニングと該クリーニング間の堆積ランのシリーズとの多数のサイクルにわたってプロセスのパフォーマンスを確実にする必要があるためである。
【００１３】
１つの好ましい実施形態において、新しい窒化物膜が、新たにエッチングされた反応チャンバ（反応チャンバ内でクリーニングされたもの全てを含む）上に堆積される。従って、反応チャンバのクリーニングに続いて堆積速度は等しく減少されない。好ましくは、エッチングに起因する粗さは、エッチングされたパーツ上に膜を適用することによって減少されるが、該膜はチャンバ中のパーティクルレベルに寄与しない。プレコーティング膜は、好ましくは、無機ケイ素源（inorganic silicon source）を使用する化学気相成長法によって堆積される。より好ましい実施形態において、プレコーティング膜は、無機ケイ素源および無機窒素源の両方を使用する。好ましくは、プレコーティングプロセスは、約７００℃またはそれ以上で行われる。例示される実施形態において、膜プレコートはジクロロシラン（ＤＣＳ）およびアンモニアから作製され、一方、ワークピース上へ堆積される膜はＢＴＢＡＳおよびアンモニアから作製される。
【００１４】
本発明の１つの好ましい実施形態の方法を使用しての結果の例が、図１に実証される。各クリーニングに続くＢＴＢＡＳベース窒化物の堆積速度は、第４エッチングに続く第１ランについては約０．５５ｎｍ／分であり、第７エッチングおよびＤＣＳベース窒化物プレコーティングに続くＢＴＢＡＳベース窒化物の堆積速度は、約０．７５ｎｍ／分の初期堆積速度であった。この実施形態において、第７インサイチュエッチ後、前駆体としてアンモニアおよびＤＣＳを使用して、窒化ケイ素プレコーティングをクオーツウエア（この場合、プロセスチューブ、ボート、および支持リング）上に堆積した。プレコーティングプロセスについてのプロセス条件は、以下の通りであった：温度７５０℃〜７８０℃、ＤＣＳフロー＝８０ｓｃｃｍ、ＮＨ3フロー＝２８０ｓｃｃｍ、圧力＝２３５ｍＴｏｒｒ。約３００ｎｍ厚みの膜が１５０分で堆積された。当業者であれば、これらの変数が、特定の反応チャンバ設計に従ってどのように変化し得るかを理解するであろう。
【００１５】
図１は、好ましい実施形態のいくつかの驚くべき結果を実証している。第１に、第７エッチサイクルおよびＤＣＳプレコーティング処理に続く堆積速度が、ＤＣＳプレコート無しの第１エッチサイクルに続く堆積速度に対してさえもより優れている。これは、この実施形態の驚くべき有効性を実証する。
【００１６】
第２に、連続ランの各々の堆積速度の一貫性は、この方法によって、非常に高レベルの再現性を伴う堆積速度を得ることが可能となることを実証する。これは、特に驚くべきことであり、何故ならば、たった１回のＤＣＳでの処理がこのような安定なシステムを生じさせたからである。ＤＣＳを使用してのプレコーティングとＢＴＢＡＳを使用してのチャンバおよび内部パーツの“プレコーティング”との間での堆積速度の再現性の比較は、遥かに安定なシステムを生じさせるＤＣＳベースのプレコート膜の能力を実証する。図１は、プレコーティングおよび基板上への堆積の両方についての前駆体としてＢＴＢＡＳを使用する、エッチ４後の堆積シリーズにおけるそれを示す；堆積速度は、約４９０ｎｍの累積膜厚（cumulative film thickness）に等しい第７ラン後でさえ恐らく、依然として上昇しているようである。従って、ＢＴＢＡＳベースの“プレコーティング”は、４９０ｎｍの膜厚［過剰なパーティクル発生に起因して、新たなラウンドのチャンバクリーニングを既に必要としているＢＴＢＡＳベース窒化物の厚み］の後でさえも、一定の堆積速度を達成することが出来ない。しかし、ＤＣＳベースの窒化物プレコーティングプロセスは、１回のしかしより厚いプレコーティングに続いて、ＢＴＢＡＳベースの窒化物の比較的一定した堆積速度を生じさせる。特に、これは、４９０ｎｍのＢＴＢＡＳベースプレコートではなく、僅か３００ｎｍのＤＣＳベース窒化物プレコーティング後に達成された。
【００１７】
更なる驚くべき結果は、ＤＣＳベースの窒化物膜厚は、チャンバのクリーニングに関する限り、ＢＴＢＡＳベースの窒化物膜の許容可能な厚みに顕著な影響を与えなかったようであるということである。即ち、ＤＣＳベースのプレコーティングによって作製された余分な厚みは、パーティクルパフォーマンス（particle performance）の悪化がいつ生じるか、および追加のクリーニングがいつ必要であるかを決定する上で重要な要件ではない。従って、ＤＣＳベース膜によって与えられる余分な厚みは、堆積ランの間に与えることが出来るＢＴＢＡＳベース膜の量を減少させることなく、エッチング由来の粗さを滑らかにすることに役立つ。これは、クリーニングが必要とされる前に反応チャンバに内に堆積され得るＤＣＳベース窒化物の遥かに厚い許容可能な膜厚み（３０μｍまたはそれ以上）と一致している。理論によって制限されないが、本発明者は、ＤＣＳベースの窒化物のより厚い厚みがＢＴＢＡＳベース窒化物上に許容される理由は、ＤＣＳが無機化合物であるということであると考える。即ち、ＢＴＢＡＳベース膜を応力および剥離に対して感受性にし、そして従って反応チャンバのクリーニングを頻繁に必要とするのは、ＢＴＢＡＳ反応物中の炭素および水素である。
【００１８】
当業者が理解するように、本開示を考慮して、安定なＢＴＢＡＳプロセスパフォーマンスを達成するＤＣＳベースの窒化物プレコーティング厚は、反応チャンバの条件、該プロセスの一部であるクオーツウエア、既に行われたエッチの回数、オーバーエッチングの程度、および多くの他の要因に依存する。好ましい実施形態において、プレコーティングの厚みは、５０ｎｍまたはそれ以上と見積もられる。より好ましくは、プレコーティングの厚みは、１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内である。
【００１９】
“反応チャンバ”は、本明細書中で使用される場合、一般的に、気相反応物からワークピース上への堆積が生じる環境の曝露される表面のことをいう。これは、以下の少なくとも１つに曝露される表面を含む：プレコーティング反応物、プロダクト（product）または堆積ラン反応物、あるいはクリーニングガス。従って、“反応チャンバ”は、１つの好ましい実施形態によれば、チャンバ自体のシェル（shell）だけでなく、任意のクオーツウエアまたは任意の他の物体をも包含し、これはまた、プレコーティング反応物、プロダクト反応物（product reactants）、またはクリーニングガスへ曝露され得る。“プロセッシングチャンバ（processing chamber）”または堆積が生じる他の領域は、同様に規定される。“反応チャンバ”は、ワークピース自体を含まない。１つの好ましい実施形態において、反応チャンバは、クオーツプロセスチューブ（quartz process tube）を含む。より好ましい実施形態において、反応チャンバはまた、ウエハボート（wafer boat）を含む。より好ましい実施形態において、反応チャンバは、クオーツプロセスチューブ、ウエハボート、およびクオーツリング（quartz ring）または他の支持構造物（support structure）を含む。
【００２０】
当業者が理解するように、クリーニングおよび従って好ましい実施形態の膜でのプレコーティングにより利益を得ることが出来る、反応チャンバおよび装置の他のピースは、多くの異なる材料から作製され得、以下を含むがこれらに限定されない：セラミック材料（例えば、アルミナ、陽極酸化コーティング（anodized coatings）、および窒化ケイ素）；金属（例えば、アルミニウム、およびステンレス鋼）；クオーツ；ならびに他の誘電材料。好ましい実施形態の反応チャンバは、クオーツ材料から作製された。代替の実施形態において、反応チャンバは、炭化ケイ素から作製される。別の実施形態において、反応チャンバは、ケイ素含浸炭化ケイ素（silicon impregnated silicon carbide）、グラファイト、または他のセラミック材料から作製される。
【００２１】
プレコーティング工程は、プレコーティング反応物を使用する、反応チャンバ上への堆積を包含する。プレコーティングは、反応チャンバ内にワークピースが存在しない場合に行われる。本開示を考慮して、当業者は、プレコーティング反応物の代替物を予想および試験することが可能である。当業者によって理解されるように、ＤＣＳベース窒化物と同一の特性を有する膜を生成する他の化合物が存在し得る；即ち、プレコーティング膜の高レベルの構築（build up）が、クリーニングが必要とされる前に許容されるべきである。１つの実施形態において、パーティクルパフォーマンス（particle performance）の関数として測定した場合にＤＣＳベース窒化物と同様な許容可能な膜厚を示す化合物が、ＤＣＳの代わりに使用され得る。好ましくは、無機物質が、クリーニングされた反応チャンバおよび他の材料をコーティングするために使用される。より好ましい実施形態において、無機物質は、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6およびＳｉ3Ｈ8のような無機シランであり得る。なおより好ましい実施形態において、該シランは、ＳｉＨ3Ｃｌ、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＨ2Ｃｌ2およびＳｉＣｌ4のようなクロロシランである。
【００２２】
“プロダクト反応物（product reactants）”は、ワークピースまたは基板上への堆積の間使用される反応物である。好ましい実施形態において、ワークピースはウエハである。本開示を考慮して、当業者は、プロダクト反応物のアイデンティティーはＢＴＢＡＳと異なり得ることを理解するだろう。好ましくは、プロダクト反応物は有機反応物である。より好ましくは、該有機反応物は、ケイ素の源である。好ましくは、プロダクト反応物は、ケイ素および窒素の両方の有機源である。例示される実施形態において、プロダクト反応物は、ＢＴＢＡＳを含む。
【００２３】
本開示を考慮して、当業者は、アンモニアは、堆積工程の両方またはいずれかにおいて使用される唯一の化学物質である必要はないことを認識するであろう。しかし、好ましくは、唯一の無機反応物が、プレコーティング工程において使用される。代替の窒素源は、（Ｈ3Ｓｉ）3Ｎ（トリシリルアミン）、アンモニア、原子窒素（atomic nitrogen）、ヒドラジン（Ｈ4Ｎ2）、およびアジ化水素酸（ＨＮ3）からなる群から選択され得る。別の実施形態において、酸化窒素が窒素源として使用される。例示される実施形態において、アンモニアは両方の堆積工程において使用される。
【００２４】
熱的に活性化されたＮＦ3インサイチュクリーニングプロセスが、本実験において使用されたが、異なるプロセス条件、および／または異なるクリーニングガス（例えば、ＣｌＦ3、ＳＦ6、Ｃ2Ｆ6、ＣＦ4）を利用しならびに／あるいは該クリーニングガスのプラズマ活性化を利用する他のインサイチュクリーニング（またはエッチング）プロセスが、使用され得る。
【００２５】
本実施形態は、プロセスチューブ、ウエハボート、およびリングについて実証された。当業者が理解するように、本発明は、その利益または発明的局面についてこれらの特定の構造に限定されない。
【００２６】
従って、本発明の範囲から逸脱することなく、種々の省略、付加および修飾が上述のプロセスになされ得ることが、当業者に理解されるであろう。全てのこのような修飾および変化は、添付の特許請求の範囲によって規定されるような本発明の範囲内に入ることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、インサイチュクリーニングに続く多数のビス−ｔｅｒｔ−ブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）窒化物堆積ランについての堆積速度を示す。
【図１】
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