(57)【要約】【課題】  マスクを用いずにＳＯＩ基板表面への酸化膜の露出を低減できるＳＯＩ基板技術を提供する。【解決手段】  酸素イオンの注入によって埋め込み酸化膜５を形成するときに用いるシリコン基板３として、シリコン基板３の電子デバイスを形成する主面９側の周縁部７は、このシリコン基板３の厚みが漸次薄くなるテーパー状に形成されたテーパー状部分１１を有しており、このテーパー状部分１１の傾斜面１１ａと主面９とのなす角度θが０度より大きく９.５度よりも小さいか、または、１９度よりも大きい構成のものを用いる。【選択図】        図１
2005129676.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素イオンの注入によって埋め込み酸化膜を形成することでＳＯＩ基板を形成するためのシリコン基板であり、
電子デバイスを形成する主面側の周縁部は、該シリコン基板の厚みが漸次薄くなるテーパー状に形成されたテーパー状部分を有しており、該テーパー状部分の傾斜面と前記主面とのなす角度が０度より大きく９.５度よりも小さいか、または、１９度よりも大きいことを特徴とするＳＯＩ基板用シリコン基板。
【請求項２】
シリコン基板中に埋め込み酸化膜が形成されたＳＯＩ基板であり、該ＳＯＩ基板の電子デバイスを形成する主面側の周縁部は、該ＳＯＩ基板の厚みが漸次薄くなるテーパー状に形成されたテーパー状部分を有しており、該テーパー状部分の傾斜面と前記主面とのなす角度が０度より大きく９.５度よりも小さいか、または、１９度よりも大きいことを特徴とするＳＯＩ基板。
【請求項３】
ＳＯＩ基板を形成するためのシリコン基板に酸素イオンを打ち込み注入した後、熱処理を行うことで前記シリコン基板中に埋め込み酸化膜を形成するＳＯＩ基板の製造方法であり、
前記シリコン基板として、電子デバイスを形成する主面側の周縁部が、該シリコン基板の厚みが漸次薄くなるテーパー状に形成されたテーパー状部分を有しており、該テーパー状部分の傾斜面と前記主面とのなす角度が０度より大きく９.５度よりも小さいか、または、１９度よりも大きいシリコン基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＯＩ基板技術に係り、特に、酸素イオンをシリコン基板に注入して、このシリコン基板に埋め込み酸化膜を形成するＳＩＭＯＸ法により形成するＳＯＩ基板技術、すなわちＳＩＭＯＸ基板技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁層となる酸化膜を２つのシリコン層で挟み込んだ構成を有するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の製造方法として、酸素イオンをシリコン基板に注入し、所定の温度の熱をかけるアニール処理することで、シリコン基板内部に埋め込み酸化膜の層、つまりＢＯＸ（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）層や絶縁層と称される層を形成するＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  Ｏｘｙｇｅｎ）法（例えば、特許文献１−４参照）と、予めシリコン基板上に酸化膜を形成した後、他のシリコン基板と貼り合わせ、酸化膜を形成したシリコン基板を所定の厚みになるまで薄膜化する貼り合わせ法（例えば、特許文献５、６参照）などが用いられている。
【０００３】
ところで、従来のＳＩＭＯＸ法や貼り合わせ法などで形成したＳＯＩ基板では、周縁部で基板表面に酸化膜が露出した状態となっている。このため、このＳＯＩ基板を用いて電子デバイスの製造における洗浄時などに、フッ酸系溶液などにＳＯＩ基板が曝されると、酸化膜が露出した部分から溶けてしまい、酸化膜で隔てられたシリコン層が剥離してしまう場合がある。このように、酸化膜がＳＯＩ基板の表面に露出した部分が生じると、シリコン層が剥離してしまう場合があり、これにより、電子デバイスの製造において歩留まりが低下してしまうことから、ＳＯＩ基板表面への酸化膜の露出を低減することが必要となっている。
【０００４】
これに対して、特許文献５、６などのように貼り合わせ法でＳＯＩ基板を製造する場合、ＳＯＩ基板の周縁部で酸化膜の側面部分が必ず露出した状態となり、酸化膜の露出を低減することは難しい。
【０００５】
一方、ＳＩＭＯＸ法では、酸素イオンを注入する際に、酸素イオンを注入するシリコン基板の周縁部を覆うマスクを付けることで、シリコン基板の周縁部に酸素イオンが注入されないようにすることで、シリコン基板の周縁部に埋め込み酸化膜が形成され難くし、酸化膜の露出を低減することが提案されている（例えば、特許文献７参照）。
【０００６】
【特許文献１】特許第３０３６６１９号公報（第３−７頁、第１図）
【特許文献２】米国特許第５９３０６４３号公報（第２−３頁、第１図）
【特許文献３】米国特許第６０４３１６６号公報（第１−２頁、第１−４図）
【特許文献４】米国特許第６０９０６８９号公報（第２−３頁、第３図）
【特許文献５】特許第３０３１９０４号公報（第６−７頁、第１図）
【特許文献６】米国特許第５３７４５６４号公報（第２−３頁、第２−４図）
【特許文献７】特開２００１−３０８０２５号公報（第３−５頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献７のようなマスクを用いるＳＩＭＯＸ法では、シリコン基板の主面にマスクを形成する工程やそのマスクを除去する工程が必要になるなど、ＳＯＩ基板の製造方法が煩雑になり、コストの増大を招くといった問題や、マスクを形成した部分とマスクを形成していない部分との境界で基板表面に段差が形成されてしまう場合がありＳＯＩ基板の品質の低下を招くといった問題などが生じる。このため、マスクを用いずにＳＯＩ基板表面への酸化膜の露出を低減することが求められている。
【０００８】
本発明の課題は、マスクを用いずにＳＯＩ基板表面への酸化膜の露出を低減することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、ＳＩＭＯＸ法で酸素イオンを注入するシリコン基板の形状、具体的には、シリコン基板の周縁部の電子デバイスを形成する面となる主面側の形状に着目して検討を行った結果、シリコン基板の周縁部の電子デバイスを形成する面となる主面側の形状とＳＩＭＯＸ法により形成した酸化膜の露出の状態との間に関係があることを見出した。
【００１０】
すなわち、本発明のＳＯＩ基板用シリコン基板は、酸素イオンの注入によって埋め込み酸化膜を形成することでＳＯＩ基板を形成するためのシリコン基板であり、電子デバイスを形成する主面側の周縁部は、このシリコン基板の厚みが漸次薄くなるテーパー状に形成されたテーパー状部分を有しており、このテーパー状部分の傾斜面と主面とのなす角度が０度より大きく９.５度よりも小さいか、または、２０度以上である構成とすることにより上記課題を解決する。
【００１１】
また、本発明のＳＯＩ基板は、シリコン基板中に埋め込み酸化膜が形成されたＳＯＩ基板であり、このＳＯＩ基板の電子デバイスを形成する主面側の周縁部は、このＳＯＩ基板の厚みが漸次薄くなるテーパー状に形成されたテーパー状部分を有しており、このテーパー状部分の傾斜面と前記主面とのなす角度が０度より大きく９.５度よりも小さいか、または、１９度よりも大きい構成とすることにより上記課題を解決する。
【００１２】
さらに、これらの構成において、テーパー状部分は、主面に対する角度が異なる複数の傾斜面で形成されており、テーパー状部分の各傾斜面と主面とのなす角度が０度より大きく９.５度よりも小さいか、または、１９度よりも大きい構成とする。
【００１３】
また、本発明のＳＯＩ基板の製造方法は、ＳＯＩ基板を形成するためのシリコン基板に酸素イオンを打ち込み注入した後、熱処理を行うことでシリコン基板中に埋め込み酸化膜を形成するＳＯＩ基板の製造方法であり、シリコン基板として、電子デバイスを形成する主面側の周縁部が、このシリコン基板の厚みが漸次薄くなるテーパー状に形成されたテーパー状部分を有しており、このテーパー状部分の傾斜面と主面とのなす角度が０度より大きく９.５度よりも小さいか、または、１９度よりも大きいシリコン基板を用いる製造方法とすることにより上記課題を解決する。
【００１４】
このような構成及び製造方法とすることにより、酸素イオンを注入する際、シリコン基板の周縁部のテーパー状部分では、酸素イオンの注入量が主面に比べて減少し、マスクを用いずにＳＯＩ基板表面への酸化膜の露出を低減できる。
【００１５】
また、テーパー状部分の傾斜面と主面とのなす角度が２０度以上であるシリコン基板、そのシリコン基板を用いて形成したＳＯＩ基板、及びそのシリコン基板を用いる製造方法とすれば、確実にＳＯＩ基板表面への酸化膜の露出を低減できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、マスクを用いずにＳＯＩ基板表面への酸化膜の露出を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を適用してなるＳＯＩ基板用シリコン基板、ＳＯＩ基板、及びＳＯＩ基板の製造方法の一実施形態について図１乃至図１０を参照して説明する。図１は、本発明を適用してなるＳＯＩ基板の概略構成を模式的に示す断面図である。図２は、本発明を適用してなるＳＯＩ基板用シリコン基板の概略構成を模式的に示す斜視断面図である。図３は、周縁部の主面に連続する肩部分が丸く形成されたＳＯＩ基板における酸化膜の状態を図２のＡで囲った部分に相当する部分を拡大して示す斜視断面図である。図４乃至図６は、図３の一部を拡大して示す断面図である。図７は、本発明を適用してなるＳＯＩ基板の一変形例の概略構成を模式的に示す断面図である。なお、図１、図３乃至図７は、ＳＩＭＯＸ法におけるアニール処理後、表面に形成された熱酸化膜を除去して走査電子顕微鏡または走査イオンビーム顕微鏡で観察した状態を模式的に示したものである。このように図１、図３乃至図７は模式的に示した図であり、各図において示した各層の位置関係を除き、各層の厚みなどは実際の厚みの関係などを示したものではない。
【００１８】
本実施形態のＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板１は、図１に示すように、ＳＯＩ基板用シリコン基板である単結晶シリコン基板３へのＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  Ｏｘｙｇｅｎ）法による酸素イオンの注入により、単結晶シリコン基板３中にＢＯＸ（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）層つまり絶縁層となる埋め込み酸化膜である酸化膜５が形成されている。ＳＩＭＯＸ法による酸素イオンの注入を行った単結晶シリコン基板３は、図２に示すように、円盤状のウェーハであり、その周縁部７は、図１に示すように、電子デバイスが形成される平面状の主面９側に単結晶シリコン基板３の厚みが漸次薄くなるテーパー状に形成されたテーパー状部分１１となっている。そして、テーパー状部分１１を形成する平面状の傾斜面１１ａと主面９となす角度θは、０度より大きく９.５度よりも小さいか、または、１９度よりも大きくなっている。
【００１９】
このようにテーパー状部分１１を形成する傾斜面１１ａと主面９となす角度θが０度より大きく９.５度よりも小さいか、または、１９度よりも大きくなっていることにより、酸化膜５は、周縁部７側に向かうに連れて次第に途切れた状態となり、テーパー状部分１１では、層をなした酸化膜５とは分離した状態で存在する島状または粒状の酸化膜５ａとなり、さらに周縁部７側に向かうに連れてなくなってしまう。
【００２０】
ここで、本発明者らが見出したシリコン基板の周縁部の電子デバイスを形成する面となる主面側の形状と、ＳＩＭＯＸ法により形成した酸化膜の露出の状態との間の関係について説明する。本発明者らは、シリコン基板の周縁部の電子デバイスを形成する面となる主面側の形状と、ＳＩＭＯＸ法により形成した酸化膜の露出の状態との間の関係について検討するため、図３に示すように、周縁部７の主面９に連続する肩部分１３が丸く形成された、つまり、断面で見たときに円弧状に形成された単結晶シリコン基板１５にＳＩＭＯＸ法を適用して酸素イオンを注入し、単結晶シリコン基板１５の主面９側の肩部分１３の表面の接線方向と主面９とがなす角度と、肩部分１３の表面の状態の関係を調べた。なお、この検討において発明者らが形成したＳＯＩ基板は、単結晶シリコン基板１５中に形成された酸化膜５で隔てられた単結晶シリコン基板１５の部分、つまり酸化膜５を挟んで形成された２つの単結晶シリコン層１５ａ、１５ｂのうち、主面９側のＳＯＩ層となる単結晶シリコン層１５ａの厚みが約５６０Å、絶縁層となる酸化膜５の主面９に対応する部分の厚みが約１３６０Åであった。
【００２１】
この結果、単結晶シリコン基板１５の肩部分１３表面の接線方向と主面９とがなす角度θ０が９.５度以上１９度以下の肩部分１３の範囲１３ａでは、図４に示すように、島状または粒状となった酸化膜５ａが露出している。このとき、範囲１３ａのうち、角度θ０が９.５度から約１０度に至る部分で、角度θ０が大きくなるに連れて肩部分１３の表面が凸凹になり荒れ始めると共に、島状または粒状の酸化膜５ａの露出が生じ始め、角度θ０が約１０度から１９度に至るまでの間で島状または粒状の酸化膜５ａが消滅し、酸化膜５が形成されていない状態となる。そして、この肩部分１３の範囲１３ａでは、島状または粒状の酸化膜５ａは、電子デバイスの製造において、洗浄のためにフッ酸系溶液などにこのＳＯＩ基板が曝されると、ここから酸化膜５が溶けて、酸化膜５で隔てられた両側の単結晶シリコン基板１５の部分の剥離を生じる程度に露出した状態となっている。
【００２２】
これに対して、単結晶シリコン基板１５の肩部分１３表面の接線方向と主面９とがなす角度θ０が０度よりも大きく９.５度よりも小さい肩部分１３の範囲１３ｂでは、図５に示すように、島状または粒状の酸化膜５ａの露出は観察されなかった。また、単結晶シリコン基板１５の肩部分１３表面の接線方向と主面９とがなす角度θ０が１９度よりも大きい肩部分１３の範囲１３ｃでも、図６に示すように、島状または粒状の酸化膜５ａの露出はほとんど観察されなかった。このとき、角度θ０が２３度以上になると、島状または粒状の酸化膜５ａの露出だけでなく、肩部分１３の表面の荒れも見られなくなった。このような肩部分１３での酸化膜５の形成状態の違いは、酸素イオン流の方向に対して、酸素イオンを注入する面の傾斜が大きくなるに連れて酸素イオンの単位面積当たりの入射量が少なくなることによるものと考えられる。
【００２３】
このような結果から、本発明者らは、単結晶シリコン基板１５のような周縁部７の主面９側に断面が円弧状となった肩部分１３を有するシリコン基板ではなく、図１に示すような周縁部７の主面９側に、テーパー状部分１１を形成し、さらに、このテーパー状部分１１の傾斜面１１ａが主面９に対してなす傾斜角度θが、０度より大きく９.５度よりも小さいか、または、１９度よりも大きくなっている単結晶シリコン基板３を用いてＳＩＭＯＸ法によりＳＯＩ基板１を形成することにより、ＳＯＩ基板表面への酸化膜の露出を低減できるか、または、酸化膜の露出をほとんど無くせることを見出した。
【００２４】
そして、実際に、本実施形態に示したように、テーパー状部分１１を有し、テーパー状部分１１の傾斜面１１ａが主面９に対してなす傾斜角度θが、０度より大きく９.５度よりも小さいか、または、１９度よりも大きくなっている単結晶シリコン基板３を用いてＳＩＭＯＸ法によってＳＯＩ基板１を形成することで、ＳＯＩ基板表面への酸化膜の露出が低減され、条件によっては、酸化膜の露出がほとんど無くなることが確認された。
【００２５】
さらに、テーパー状部分１１の傾斜面１１ａが主面９に対してなす傾斜角度θを１９度よりも大きくする場合には、傾斜角度θを２０度以上とすることによって確実にＳＯＩ基板表面への酸化膜の露出が低減され、条件によっては、確実に酸化膜の露出がほとんど無くなることが確認された。
【００２６】
なお、ＳＯＩ基板の製造方法としては、テーパー状部分１１を有し、テーパー状部分１１の傾斜面１１ａが主面９に対してなす傾斜角度θが、０度より大きく９.５度よりも小さいか、または、１９度よりも大きくなっている単結晶シリコン基板３を用いる点以外は、一般的なＳＩＭＯＸ法と同様のものであり、酸素イオンを注入した後、酸化性ガス、例えばＡｒとＯ２との混合ガス雰囲気中で１３００℃といった高温でアニールするアニール処理を行うものである。このとき、酸化膜５の厚みに対する単結晶シリコン基板３の酸化膜５よりも主面９側の部分であるＳＯＩ層３ａの相対的な厚みを増すことで、島状または粒状の酸化膜５の露出をさらに低減でき、酸化膜の露出をほとんど無くすこともできる。
【００２７】
このように本実施形態のような単結晶シリコン基板３、ＳＯＩ基板１、そして、単結晶シリコン基板３を用いてＳＩＭＯＸ法によりＳＯＩ基板を形成するＳＯＩ基板の製造方法とすれば、マスクを用いずにＳＯＩ基板表面への酸化膜の露出を低減できる。
【００２８】
また、本実施形態では、周縁部７に設けられたテーパー状部分１１に１つの傾斜面１１ａを形成した単結晶シリコン基板３やＳＯＩ基板１を示しているが、周縁部７に設けられたテーパー状部分が異なる角度の複数の傾斜面を有する構成にすることもできる。例えば、ＳＯＩ基板１７では、図７に示すように、周縁部７に設けられたテーパー状部分１９は、主面９とのなす角度が、角度θ１、θ２、θ３といったように段階的に大きくなる３つの傾斜面１９ａ、１９ｂ、１９ｃが主面９側から順次形成されている。そして、角度θ１、θ２、θ３は、各々、０度より大きく９.５度よりも小さいか、または、１９度よりも大きくなっている。このように、テーパー状部分１９に３つの傾斜面１９ａ、１９ｂ、１９ｃが形成されたシリコン基板２１を用いることもできる。
【実施例】
【００２９】
このような本実施形態に示すＳＯＩ基板用シリコン基板を用いてＳＯＩ基板を形成した一実施例、及び、周縁部にテーパー状部分を有しているが、テーパー状部分の傾斜面が主面に対してなす傾斜角度が本発明の角度の範囲にないシリコン基板を用いてＳＯＩ基板を形成した比較例を以下に示す。図８及び図９は、本願発明を適用してなるＳＯＩ基板における酸化膜の状態を図２のＡで囲った部分に相当する部分を拡大して示す斜視断面図である。図１０は、本願発明を適用していないＳＯＩ基板における酸化膜の状態を図２のＡで囲った部分に相当する部分を拡大して示す斜視断面図である。なお、図８乃至図１０は、ＳＩＭＯＸ法におけるアニール処理後、表面に形成された熱酸化膜を除去して走査イオンビーム顕微鏡で観察した状態を模式的に示したものである。このように図８乃至図１０は模式的に示した図であり、各図において示した各層の位置関係を除き、各層の厚みなどは実際の厚みの関係などを示したものではない。
【００３０】
（実施例１）
図１及び図２に示すような、本実施形態の単結晶シリコン基板３を用い、ＳＩＭＯＸ法により、単結晶シリコン基板３に酸素イオンを注入した後、ＡｒとＯ２との混合ガス雰囲気中で、１３００℃で１０時間アニール処理を行うことでＳＯＩ基板１を形成した。ここでは、単結晶シリコン基板３として、テーパー状部分１１の傾斜面１１ａが主面９に対してなす角度θが２３度のものを用い、酸素イオンの注入量、加速電圧及び投影飛程などの選択により、ＳＯＩ層３ａの厚みが７００Å、主面９に対応する部分に形成された酸化膜５の厚みが１４００ÅのＳＯＩ基板１を形成した。このように形成したＳＯＩ基板１を、ＳＩＭＯＸ法により形成された表面の熱酸化膜を除去した後、断面を走査イオン電子顕微鏡により観察した。
【００３１】
（実施例２）
実施例１と同様に、テーパー状部分１１の傾斜面１１ａが主面９に対してなす角度θが２３度の単結晶シリコン基板３を用いてＳＯＩ基板１を形成したが、ＳＯＩ層３ａの厚みを２５００Å、主面９に対応する部分に形成された酸化膜５の厚みを７００Åとした。このように形成したＳＯＩ基板１を、実施例１と同様に、ＳＩＭＯＸ法により形成された表面の熱酸化膜を除去した後、断面を走査イオン電子顕微鏡により観察した。
【００３２】
（比較例１）
実施例１及び２と同様にＳＯＩ基板２５を形成したが、テーパー状部分１１の傾斜面１１ａが主面９に対してなす角度θが１９度のものを用い、ＳＯＩ層３ａの厚みが７００Å、主面９に対応する部分に形成された酸化膜５の厚みが１４００ÅのＳＯＩ基板１を形成した。このように形成したＳＯＩ基板２５を、実施例１及び２と同様に、ＳＩＭＯＸ法により形成された表面の熱酸化膜を除去した後、断面を走査イオン電子顕微鏡により観察した。
【００３３】
この結果、実施例１では、図８に示すように、ＳＯＩ基板１のテーパー状部分１１の傾斜面１１ａにおける島状または粒状の酸化膜５ａが表面に露出している範囲２７の幅は２０μｍ程度となった。実施例２では、図９に示すように、ＳＯＩ基板１のテーパー状部分１１の傾斜面１１ａでの島状または粒状の酸化膜５ａの露出は見られなかった。これに対して比較例１では、ＳＯＩ基板２５のテーパー状部分１１の傾斜面１１ａにおける島状または粒状の酸化膜５ａが表面に露出している範囲２９の幅は１２５μｍ程度となった。
【００３４】
また、実施例１のＳＯＩ基板１は、テーパー状部分１１の傾斜面１１ａにおいて島状または粒状の酸化膜５ａが表面に露出しているが、露出している範囲の幅が比較例１よりも狭いため、比較例１に比べて酸化膜５の露出が低減されており、洗浄のためにフッ酸系溶液に曝されても、酸化膜５は溶け難く、シリコン層の剥離なども生じ難かった。一方、比較例１のＳＯＩ基板１は、洗浄のためにフッ酸系溶液に曝すと、酸化膜５が溶け、シリコン層の剥離が生じた。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明を適用してなるＳＯＩ基板の一実施形態の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明を適用してなるＳＯＩ基板用シリコン基板の一実施形態の概略構成を模式的に示す斜視断面図である。
【図３】周縁部の主面に連続する肩部分が丸く形成されたＳＯＩ基板における酸化膜の状態を図２のＡで囲った部分に相当する部分を拡大して示す斜視断面図である。
【図４】図３の酸化膜が露出した部分を拡大して示す断面図である。
【図５】図３の酸化膜は形成されているが露出していない部分を拡大して示す断面図である。
【図６】図３の酸化膜が形成されていない部分を拡大して示す断面図である。
【図７】発明を適用してなるＳＯＩ基板の一変形例の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図８】本願発明を適用してなるＳＯＩ基板で、傾斜面の角度を２３度とした実施例１のＳＯＩ基板における酸化膜の状態を図２のＡで囲った部分に相当する部分を拡大して示す斜視断面図である。
【図９】本願発明を適用してなるＳＯＩ基板で、傾斜面の角度を２３度とし、各層の厚みが実施例１とは異なる実施例２のＳＯＩ基板における酸化膜の状態を図２のＡで囲った部分に相当する部分を拡大して示す斜視断面図である。
【図１０】本願発明を適用していないＳＯＩ基板で、傾斜面の角度を１９度とした比較例１のＳＯＩ基板における酸化膜の状態を図２のＡで囲った部分に相当する部分を拡大して示す斜視断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１  ＳＯＩ基板
３  単結晶シリコン基板
３ａ  ＳＯＩ層
５  酸化膜
７  周縁部
９  主面
１１  テーパー状部分
１１ａ  傾斜面
θ  傾斜面と主面とのなす角度
【図１】
2005129676.tif 000003
【図２】
2005129676.tif 000004
【図３】
2005129676.tif 000005
【図４】
2005129676.tif 000006
【図５】
2005129676.tif 000007
【図６】
2005129676.tif 000008
【図７】
2005129676.tif 000009
【図８】
2005129676.tif 000010
【図９】
2005129676.tif 000011
【図１０】
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