(57)【要約】【課題】  リペア線の形成にあたって、手間やコストの増大を抑えることができる液晶パネル及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  ゲート線形成面に互いに平行に形成された複数本のゲート線Ｇ１〜Ｇｙと、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙに直交するように信号線形成面に形成された複数本の信号線Ｓ１〜Ｓｘと、ゲート線形成面と信号線形成面との間を層間絶縁する絶縁膜と、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙと信号線Ｓ１〜Ｓｘとの各交差部を含む四角形状の表示領域３の周囲に形成されたリペア線とを備え、さらにリペア線は、ゲート線形成面に形成されゲート線Ｇ１〜Ｇｙと交わらないように表示領域３の３縁部を囲む信号線用リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍと、信号線形成面に形成され信号線Ｓ１〜Ｓｘと交わらないように表示領域３の３縁部を囲むゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎとからなる。【選択図】        図１
2005326562.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート線形成面に互いに平行に形成された複数本のゲート線と、
前記ゲート線に直交するように信号線形成面に形成された複数本の信号線と、
前記ゲート線形成面と前記信号線形成面との間を層間絶縁する絶縁膜と、
前記ゲート線と前記信号線との各交差部を含む四角形状の表示領域の周囲に形成されたリペア線とを備えた液晶パネルであって、
前記リペア線は、
前記ゲート線形成面に形成され、前記ゲート線と交わらないように前記表示領域の３縁部を囲む信号線用リペア線と、
前記信号線形成面に形成され、前記信号線と交わらないように前記表示領域の３縁部を囲むゲート線用リペア線とからなる
ことを特徴とする液晶パネル。
【請求項２】
前記ゲート線と前記ゲート線用リペア線との接続用導体部及び前記信号線と前記信号線用リペア線との接続用導体部が前記絶縁膜上に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶パネル。
【請求項３】
互いに平行な複数本のゲート線と、前記ゲート線に直交する複数本の信号線との各交差部を四角形状の表示領域に含む液晶パネルの製造方法であって、
前記ゲート線と、前記ゲート線と交わらないように前記表示領域の３縁部を囲む信号線用リペア線とをゲート線形成面に形成する工程と、
前記信号線と、前記信号線と交わらないように前記表示領域の３縁部を囲むゲート線用リペア線とを信号線形成面に形成する工程と、
前記ゲート線形成面と前記信号線形成面との間を層間絶縁する絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項４】
前記ゲート線と前記信号線用リペア線とを、同じ配線材料を用いて同時に形成する
ことを特徴とする請求項３に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項５】
前記信号線と前記ゲート線用リペア線とを、同じ配線材料を用いて同時に形成する
ことを特徴とする請求項３に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項６】
前記ゲート線と前記ゲート線用リペア線との接続用導体部及び前記信号線と前記信号線用リペア線との接続用導体部を前記絶縁膜上に形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項３に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項７】
前記ゲート線と前記ゲート線用リペア線との接続をレーザＣＶＤ法により行う
ことを特徴とする請求項３に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項８】
前記信号線と前記信号線用リペア線との接続をレーザＣＶＤ法により行う
ことを特徴とする請求項３に記載の液晶パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マトリクス状に交差して形成された複数本のゲート線と複数本の信号線とを有する液晶パネル及びその製造方法に関し、詳しくは、ゲート線や信号線の欠陥を修正するためのリペア線を表示領域の外側の部分に備えた液晶パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来よりアクティブマトリクス方式の液晶パネルが知られており、その回路構成を図１１に示す。ゲート線駆動回路４に接続された複数本のゲート線Ｇと、信号線駆動回路５に接続された複数本の信号線Ｓとがマトリクス状に交差しており、各交差部近傍にはスイッチ素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）８が配置されている。ゲート線Ｇと信号線Ｓとは図示しない絶縁膜により電気的に絶縁されている。ＴＦＴ８のゲート電極はゲート線Ｇに接続され、ソース電極は信号線Ｓに接続されている。ドレイン電極は画素電極１０に接続され、その画素電極１０と対向電極９との間には液晶が介在される。また、ドレイン電極は補助容量７を介して外部駆動回路６と接続されている。
【０００３】
上述したような液晶パネルにおいて、例えば特許文献１には、ゲート線や信号線の他にリペア線を予め形成しておき、そのリペア線を用いてゲート線や信号線の断線欠陥や、両線交差部での短絡欠陥を修正することが開示されている。図９に示すように、例えば６本のリペア線Ｒ１〜Ｒ６が、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙと信号線Ｓ１〜Ｓｘとの各交差部を含む表示領域３の周囲に形成されている。
【特許文献１】特開平９−８０４７０号公報
【０００４】
図９において、例えば、ゲート線Ｇ１が×印で表した位置ａ１で断線している場合には、ゲート線Ｇ１と、何れかのリペア線（例えばここではリペア線Ｒ４）との２箇所の交差部Ｇ１ａ、Ｇ１ｂを電気的に接続する。これにより、図９において断線位置ａ１よりも左方側（ゲート線駆動回路４側）の各画素はゲート線駆動回路４からの信号を直接受けて動作され、断線箇所ａ１よりも右方側の各画素は、交差部Ｇ１ａ、Ｇ１ｂを介してゲート線Ｇ１と接続されたリペア線Ｒ４を迂回したゲート線駆動回路４からの信号により動作される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した従来例では、リペア線Ｒ１〜Ｒ６は、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙ及び信号線Ｓ１〜Ｓｘの両方に対して交差している。リペア線Ｒ１〜Ｒ６は、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙや信号線Ｓ１〜Ｓｘの欠陥修正が必要なときだけゲート線Ｇ１〜Ｇｙや信号線Ｓ１〜Ｓｘに電気的に接続されるので、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙ及び信号線Ｓ１〜Ｓｘの両方に対して交差するレイアウトとなっている上記リペア線Ｒ１〜Ｒ６は、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙ及び信号線Ｓ１〜Ｓｘの両方から絶縁させて形成する必要があり、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙ及び信号線Ｓ１〜Ｓｘとは別の層にリペア線の配線パターンをゲート線Ｇ１〜Ｇｙや信号線Ｓ１〜Ｓｘの形成工程とは別工程にて形成しなければならない。これにより、リペア線形成のためのフォトリソグラフィ用マスクに要するコストや、製造工程の増加によるコストの増加を招き、さらには製造工程増加に起因する歩留まり低下が生じるおそれもある。
【０００６】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、その目的とするところは、リペア線の形成にあたって、手間やコストの増大を抑えることができる液晶パネル及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の液晶パネルは、ゲート線形成面に互いに平行に形成された複数本のゲート線と、ゲート線に直交するように信号線形成面に形成された複数本の信号線と、ゲート線形成面と信号線形成面との間を層間絶縁する絶縁膜と、ゲート線と信号線との各交差部を含む四角形状の表示領域の周囲に形成されたリペア線とを備え、さらにリペア線は、ゲート線形成面に形成されゲート線と交わらないように表示領域の３縁部を囲む信号線用リペア線と、信号線形成面に形成され信号線と交わらないように表示領域の３縁部を囲むゲート線用リペア線とからなることを特徴としている。
【０００８】
上記構成とすることにより、リペア線を、ゲート線及び信号線の両方に対して電気的に絶縁させるために、ゲート線形成面と信号線形成面とは別の層に形成させる必要がなく、その結果、ゲート線及び信号線を形成する工程とは別工程にて、さらに別途作成したマスクを用いてリペア線を形成しなくて済む。また、リペア線のために、ゲート線や信号線が形成された層とは別の層も不要となり構成が簡単になる。以上のことにより、手間とコストの低減が図れる。
【０００９】
また、ゲート線とゲート線用リペア線との接続用導体部及び信号線と信号線用リペア線との接続用導体部を上記絶縁膜上に予め形成しておけば、その接続用導体部を介してゲート線とゲート線用リペア線との接続や信号線と信号線用リペア線との接続を容易且つ確実に行える。
【００１０】
本発明の液晶パネルの製造方法は、ゲート線と、このゲート線と交わらないように表示領域の３縁部を囲む信号線用リペア線とをゲート線形成面に形成する工程と、信号線と、この信号線と交わらないように表示領域の３縁部を囲むゲート線用リペア線とを信号線形成面に形成する工程と、ゲート線形成面と信号線形成面との間を層間絶縁する絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴としている。
【００１１】
本発明の液晶パネルの製造方法によれば、信号線用リペア線はゲート線と交わらないように、ゲート線が形成されたゲート線形成面に形成し、ゲート線用リペア線は信号線と交わらないように、信号線が形成された信号線形成面に形成するようにし、さらにゲート線形成面と信号線形成面間は絶縁膜により層間絶縁されるので、リペア線を、ゲート線及び信号線の両方に対して電気的に絶縁させるために、ゲート線形成面と信号線形成面とは別の層に形成させる必要がない。すなわち、ゲート線及び信号線を形成する工程とは別工程にてリペア線を形成する工程が不要である。
【００１２】
特に、ゲート線と信号線用リペア線とを同じ配線材料を用いて同じ成膜方法にて一つの工程で行えば、同様に信号線とゲート線用リペア線とを同じ配線材料を用いて同じ成膜方法にて一つの工程で行えば、リペア線形成用に新たな工程を追加する必要がなく、さらにマスクもゲート線や信号線を形成するためのマスクにリペア線のパターンを追加するだけで済み、この結果、マスク費用や製造費用を抑えられる。また、工程追加に起因する製造歩留まり低下も防げる。
【００１３】
さらに、ゲート線とゲート線用リペア線との接続や、信号線と信号線用リペア線との接続をレーザＣＶＤ法により行えば、マスクを用いずに局所的な成膜を容易に行える。特に欠陥個所が少ない場合、すなわち接続すべきゲート線とゲート線用リペア線との箇所、あるいは接続すべき信号線と信号線用リペア線との箇所が少ない場合にはわざわざコストと時間をかけてマスクを作成する必要がない。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の液晶パネルによれば、リペア線を、ゲート線形成面と信号線形成面とは別の層に形成させる必要がなく、この結果、手間とコストの低減が図れ、さらに構成も簡単になり信頼性も向上する。
【００１５】
本発明の液晶パネルの製造方法によれば、ゲート線及び信号線を形成する工程とは別工程にてリペア線を形成する工程が不要であり、また、リペア線のためだけにマスクを用意する必要もない。この結果、手間とコストの低減を図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１は、本発明の実施形態に係る液晶パネルの配線構成図を示す。具体的には、アレイ側基板モジュールの配線構成図を示す。
【００１７】
互いに平行な複数本のゲート線Ｇ１〜Ｇｙは、ゲート線形成面であるガラス基板上に形成されている。また、ゲート線形成面には、後述するＴＦＴのゲート電極がゲート線Ｇ１〜Ｇｙと接続されて形成されている。
【００１８】
ゲート線形成面上には、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙ及びゲート電極を覆うように絶縁膜が形成される。その絶縁膜上に、複数本の信号線Ｓ１〜Ｓｘが形成される。ゲート線Ｇ１〜Ｇｙと信号線Ｓ１〜Ｓｘとは直交しており、これらの各交差部を含む四角形状の領域が表示領域３として機能する。
【００１９】
上記絶縁膜の上には、信号線Ｓ１〜Ｓｘの他にも、図１１に示す画素電極１０や、ＴＦＴ８を構成するソース電極、ドレイン電極、アモルファスシリコン膜（あるいはポリシリコン膜）が形成される。ソース電極は信号線Ｓ１〜Ｓｘとアモルファスシリコン膜（あるいはポリシリコン膜）とを接続する。ドレイン電極はアモルファスシリコン膜（あるいはポリシリコン膜）と画素電極１０とを接続する。アモルファスシリコン膜（あるいはポリシリコン膜）は絶縁膜を挟んでゲート電極上に配置される。
【００２０】
再び図１を参照して、表示領域３の周囲（表示領域３の外側の部分）にはリペア線が形成される。リペア線は、信号線用リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍとゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎとからなる。
【００２１】
信号線用リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍはゲート線形成面に形成されている。信号線用リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍは、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙと交わらないように、表示領域３の３縁部（ゲート線Ｇ１〜Ｇｙとゲート線駆動回路４との接続部側に位置する縁部を除く３縁部）を囲んで形成されている。
【００２２】
ゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎは、信号線形成面に形成されている。ゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎは、信号線Ｓ１〜Ｓｘと交わらないように、表示領域３の３縁部（信号線Ｓ１〜Ｓｘと信号線駆動回路５との接続部側に位置する縁部を除く３縁部）を囲んで形成されている。
【００２３】
アレイ側基板モジュールは、その他に偏光板をガラス基板の反対面（ゲート線Ｇ１〜Ｇｙ、信号線Ｓ１〜Ｓｘ、リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎ、ＳＲ１〜ＳＲｍ、ＴＦＴ８などが形成された面の反対面）に備える。このアレイ側基板モジュールと対向電極側基板モジュールとの間に液晶を封入して液晶パネルが構成される。対向電極側基板モジュールは、ガラス基板上に偏光板、カラーフィルタ、透明導電膜（対向電極）などが形成されて構成される。
【００２４】
ゲート線駆動回路４はガラス基板とは別体の回路基板に形成され、そのゲート線駆動回路４とゲート線Ｇ１〜Ｇｙは接続ケーブル（フラットケーブル）を介して接続される。信号線駆動回路５はガラス基板とは別体の回路基板に形成され、その信号線駆動回路５と信号線Ｓ１〜Ｓｘは接続ケーブル（フラットケーブル）を介して接続される。あるいは、ゲート線駆動回路４、信号線駆動回路５、その他画像データ回路、タイミングコントローラ、マイクロプロセッサなどの周辺回路をガラス基板上（リペア線の外側の領域）に形成する構造（システム・オン・ガラス）でもよい。
【００２５】
次に、上記液晶パネルの製造方法について説明する。先ず、図３に示すように、ガラス基板上（ゲート線形成面）に複数本のゲート線Ｇ１〜Ｇｙ及び複数本の信号線用リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍを形成する。これらゲート線Ｇ１〜Ｇｙ及び信号線用リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍは、同じマスク及び同じ配線材料を用いて同一の工程にて形成される。
【００２６】
具体的には、例えばＡｌ、Ｍｏ、Ｔｉなどの配線材料をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、蒸着法、スパッタリング法などの成膜方法にてゲート線形成面に形成する工程と、その成膜された膜上にレジスト膜を形成する工程と、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙのパターンと信号線用リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍのパターンとが形成されたマスクを使ってレジスト膜上にゲート線Ｇ１〜Ｇｙのパターンと信号線用リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍのパターンを焼き付けるフォトリソグラフィ工程と、上記パターン以外の不要部分を除去するエッチング工程と、レジスト膜の剥離工程と、洗浄工程などにて、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙ及び信号線用リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍがゲート線形成面に形成される。
【００２７】
信号線用リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍは、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙの延在方向に平行で互いに対向する部分と、その対向する部分間をつなぎゲート線Ｇ１〜Ｇｙに垂直な部分とからなるコ字状を呈し、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙはそのコ字状の信号線用リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍの内方に配置され、信号線用リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍの開口された部分を延出する部分がゲート線駆動回路４と接続される。したがって、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙと信号線用リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍは同一面上に形成されるが、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙと信号線用リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍとは交わっていないため電気的に絶縁されている。
【００２８】
次いで、ゲート線形成面の上に、絶縁膜、ＴＦＴ８などを形成した後、絶縁膜上（信号線形成面）に図４に示す複数本の信号線Ｓ１〜Ｓｘ及び複数本のゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎを形成する。
【００２９】
これら信号線Ｓ１〜Ｓｘ及びゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎは、同じマスク及び同じ配線材料を用いて同一の工程にて形成される。具体的には、例えばＡｌ、Ｍｏ、Ｔｉなどの配線材料をＣＶＤ法、蒸着法、スパッタリング法などの成膜方法にて信号線形成面に形成する工程と、その成膜された膜上にレジスト膜を形成する工程と、信号線Ｓ１〜Ｓｘのパターンとゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎのパターンとが形成されたマスクを使ってレジスト膜上に信号線Ｓ１〜Ｓｘのパターンとゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎのパターンを焼き付けるフォトリソグラフィ工程と、上記パターン以外の不要部分を除去するエッチング工程と、レジスト膜の剥離工程と、洗浄工程などにて、信号線Ｓ１〜Ｓｘ及びゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎが信号線形成面に形成される。
【００３０】
ゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎは、信号線Ｓ１〜Ｓｘの延在方向に平行で互いに対向する部分と、その対向する部分間をつなぎ信号線Ｓ１〜Ｓｘに垂直な部分とからなるコ字状を呈し、信号線Ｓ１〜Ｓｘはそのコ字状のゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎの内方に配置され、ゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎの開口された部分を延出する部分が信号線駆動回路５と接続される。したがって、信号線Ｓ１〜Ｓｘとゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎは同一面上に形成されるが、信号線Ｓ１〜Ｓｘとゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎとは交わっていないため電気的に絶縁されている。
【００３１】
ゲート線形成面と信号線形成とは絶縁膜を介して層間絶縁されているため、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙ、信号線用リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍ、信号線Ｓ１〜Ｓｘ及びゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎ間は相互に電気的に絶縁されている。
【００３２】
以上述べたように、本実施形態によれば、信号線用リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍはゲート線Ｇ１〜Ｇｙと交わらないように、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙを形成する工程にて一緒に同じゲート線形成面に形成し、ゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎは信号線Ｓ１〜Ｓｘと交わらないように、信号線Ｓ１〜Ｓｘを形成する工程にて一緒に同じ信号線形成面に形成するようにし、さらにゲート線形成面と信号線形成面間は絶縁膜により層間絶縁されているので、リペア線を、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙ及び信号線Ｓ１〜Ｓｘの両方に対して電気的に絶縁させるために、ゲート線形成面と信号線形成面とは別の層に形成させる必要がない。すなわち、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙ及び信号線Ｓ１〜Ｓｘを形成する工程とは別工程にてリペア線ＳＲ１〜ＳＲｍ、ＧＲ１〜ＧＲｎを形成する工程が不要である。
【００３３】
ゲート線Ｇ１〜Ｇｙと信号線用リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍとを同じ配線材料を用いて同じ成膜方法にて一つの工程で行え、同様に信号線Ｓ１〜Ｓｘとゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎとを同じ配線材料を用いて同じ成膜方法にて一つの工程で行え、リペア線ＳＲ１〜ＳＲｍ、ＧＲ１〜ＧＲｎ形成用に新たな工程を追加する必要がなく、さらにマスクもゲート線Ｇ１〜Ｇｙや信号線Ｓ１〜Ｓｘを形成するためのマスクにリペア線ＳＲ１〜ＳＲｍ、ＧＲ１〜ＧＲｎのパターンを追加するだけで済み、この結果、マスク費用や製造費用を抑えられる。また、工程追加に起因する製造歩留まり低下も防げる。
【００３４】
図５は、信号線Ｓと信号線用リペア線ＳＲとの交差部付近の拡大平面図を示す。図６は、図５における［Ａ］−［Ａ］線方向の断面図を示す。図７は、図５における［Ｂ］−［Ｂ］線方向の断面図を示す。
【００３５】
信号線Ｓの形成された絶縁膜１４上（信号線形成面）に、ガラス基板上（ゲート線形成面）に形成された信号線用リペア線ＳＲと電気的に接続する接続用導体部１５が形成されている。接続用導体部１５は、絶縁膜１４に形成されたコンタクトホール１３を介して信号線用リペア線ＳＲと電気的に接続されている。後述する信号線の欠陥修正が行われる前の状態では、各々の接続用導体部１５と信号線Ｓとの間には間隙が形成されてつながっていない。すなわち、電気的に接続されていない。
【００３６】
接続用導体部１５は、信号線Ｓ及びゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎの形成時に同じ材料にて一緒に形成されるため、工程数を増やすことなく、接続用導体部１５を形成できる。接続用導体部１５を予め信号線Ｓと同じ面に形成しておくことにより、後述する配線欠陥修正時に信号線Ｓと信号線用リペア線ＳＲとを接続する際に、容易且つ確実な接続が可能になり、信頼性の向上が図れる。
【００３７】
なお、絶縁膜１４上には、ガラス基板上に形成されたゲート線Ｇ１〜Ｇｙと接続する接続用導体部も絶縁膜１４に形成されたコンタクトホールを介して形成されている。ゲート線Ｇ１〜Ｇｙに欠陥が生じた場合にはその接続用導体部を介してゲート線Ｇ１〜Ｇｙとゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎとが電気的に接続される。この接続用導体部も、信号線Ｓ及びゲート線用リペア線ＧＲ１〜ＧＲｎの形成時に同じ材料にて一緒に形成される。
【００３８】
また、表示領域３の外側の部分に形成され液晶パネルの表示機能には何ら寄与しない構成であるリペア線の形成スペースはできるだけ小さい方がよいが、図１０に示す本実施形態に係る液晶パネルと、図９に示す従来例の液晶パネルとを比較すると、リペア線の数を同じ（例えば６本のリペア線を形成して６箇所の欠陥修正に対応可能）とした場合に、本実施形態に係る液晶パネルの方が、図１０においてクロスハッチングで示す領域Ａの分だけ平面寸法の小型化が図れる。これは、従来例では１本のリペア線は表示領域３の４縁部を囲むように形成されるのに対して、本実施形態では１本のリペア線は表示領域３の３縁部のみを囲む構成であるので、１本のリペア線の全長は従来例より短く、これにより、３本のリペア線のみが並列に並ぶ領域が生じ、その分リペア線の形成スペースを従来例に比べて小さくできる。
【００３９】
ゲート線Ｇ１〜Ｇｙや信号線Ｓ１〜Ｓｘに生じた欠陥は以下のようにして修正される。
【００４０】
図２において、例えば、信号線Ｓ２が×印で表した位置Ｂ１で断線している場合には、信号線Ｓ２と、何れかの信号線用リペア線（例えばここでは信号線用リペア線ＳＲ２）との２箇所の交差部Ｓ２ａ、Ｓ２ｂを電気的に接続する。これにより、図２において断線位置Ｂ１よりも下方側（信号線駆動回路５側）の各画素は信号線駆動回路５からの信号を直接受けて動作され、断線箇所Ｂ１よりも上方側の各画素は、交差部Ｓ２ａ、Ｓ２ｂを介して信号線Ｓ２と接続された信号線用リペア線ＳＲ２を迂回した信号線駆動回路５からの信号により動作される。
【００４１】
交差部Ｓ２ａ、Ｓ２ｂにおける信号線Ｓ２と信号線用リペア線ＳＲ２との電気的接続は、図８に示すように、絶縁膜１４上に形成された信号線Ｓ２と、同じく絶縁膜１４上に形成されコンタクトホール１３を介して信号線用リペア線ＳＲ２と接続された接続用導体部１５との間を、例えばレーザＣＶＤ法を用いて接続することにより行う。
【００４２】
レーザＣＶＤ法は、レーザ光照射により、成膜を行いたい箇所を局所的に加熱し、反応が選択的にその場所でのみ起きるようにする成膜方法であり、マスクが不要である。例えば、図８に示すように、金属化合物蒸気１６の雰囲気中で、スポット状に集光されたレーザ光１７を信号線Ｓ２から接続用導体部１５に向かってスキャンすることにより、連続した金属膜２０を形成することができ、信号線Ｓ２と接続用導体部１５とを電気的に接続することができる。これにより、信号線Ｓ２と信号線用リペア線ＳＲ２とが電気的に接続される。
【００４３】
例えば、金属化合物蒸気１６の材料としてＷ（ＣＯ）6を用いてＷ膜を形成する例や、金属化合物蒸気１６の材料としてＭｏ（ＣＯ）6を用いてＭｏ膜を形成する例が挙げられる。
【００４４】
また、例えば、ゲート線Ｇ１が×印で表した位置Ｂ２で断線している場合には、ゲート線Ｇ１と、何れかのゲート線用リペア線（例えばここではゲート線用リペア線ＧＲ１）との２箇所の交差部Ｇ１ａ、Ｇ１ｂを電気的に接続する。これにより、図２において断線位置Ｂ２よりも左方側（ゲート線駆動回路４側）の各画素はゲート線駆動回路４からの信号を直接受けて動作され、断線箇所Ｂ２よりも右方側の各画素は、交差部Ｇ１ａ、Ｇ１ｂを介してゲート線Ｇ１と接続されたゲート線用リペア線ＧＲ１を迂回したゲート線駆動回路４からの信号により動作される。
【００４５】
また、図２において、ゲート線Ｇｑと信号線Ｓｐとの交差部ＧＳＳが短絡している場合には、この短絡交差部ＧＳＳの近傍の４箇所Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６を例えばレーザ光で切断して短絡交差部ＧＳＳがゲート線Ｇｑ及び信号線Ｓｐに対して電気的に絶縁された状態とした上で、上述したレーザＣＶＤ法にて、ゲート線Ｇｑと、何れかのゲート線用リペア線（例えばここではゲート線用リペア線ＧＲｎ）との２箇所の交差部Ｇｑａ、Ｇｑｂを電気的に接続する。さらに、信号線Ｓｐと、何れかの信号線用リペア線（例えばここでは信号線用リペア線ＳＲｍ）との２箇所の交差部Ｓｐａ、Ｓｐｂを電気的に接続する。
【００４６】
これにより、図２において短絡交差部ＧＳＳを挟む断線位置Ｂ３、Ｂ５よりも左方側（ゲート線駆動回路４側）の各画素はゲート線駆動回路４からの信号を直接受けて動作され、短絡交差部ＧＳＳを挟む断線位置Ｂ３、Ｂ５よりも右方側の各画素は、交差部部Ｇｑａ、Ｇｑｂを介してゲート線Ｇｑと接続されたゲート線用リペア線ＧＲｎを迂回したゲート線駆動回路４からの信号により動作される。さらに、短絡交差部ＧＳＳを挟む断線位置Ｂ４、Ｂ６よりも下方側（信号線駆動回路５側）の各画素は信号線駆動回路５からの信号を直接受けて動作され、短絡交差部ＧＳＳを挟む断線位置Ｂ４、Ｂ６よりも上方側の各画素は、交差部Ｓｐａ、Ｓｐｂを介して信号線Ｓｐと接続された信号線用リペア線ＳＲｍを迂回した信号線駆動回路５からの信号により動作される。
【００４７】
配線欠陥が生じた場合にその液晶パネルを廃棄しないで、上記のようにリペア線を用いて修正することで、特に大型の液晶パネルの歩留まり改善に大きく貢献する。
【００４８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００４９】
絶縁膜１４を介して層間絶縁されたゲート線形成面と信号線形成面との上下関係を上記実施形態と逆にしてもよい。すなわち、ガラス基板上を信号線形成面としてここに信号線及びゲート線用リペア線を形成し、絶縁膜１４上をゲート線形成面としてここにゲート線及び信号線用リペア線を形成するようにしてもよい。
【００５０】
また、図５に示す信号線Ｓと接続用導体部１５との間を、レーザＣＶＤ法に限らず、マスクを用いた、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタリング法などで成膜して接続してもよい。ゲート線に接続する接続用導体部と、ゲート線用リペア線との接続についても同様なことが言える。
【００５１】
また、各画素をオン／オフするスイッチ素子としては、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）の代わりにＭＩＭ（Metal Insulator Metal）構造のダイオードを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶パネルの配線構成図である。
【図２】図１に示す配線における欠陥修正例を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係る液晶パネルにおいてゲート線形成面の配線構成図である。
【図４】本発明の実施形態に係る液晶パネルにおいて信号線形成面の配線構成図である。
【図５】信号線と信号線用リペア線との交差部付近の拡大平面図である。
【図６】図５における［Ａ］−［Ａ］線方向の断面図である。
【図７】図５における［Ｂ］−［Ｂ］線方向の断面図である。
【図８】レーザＣＶＤ法による配線間の接続を説明する図である。
【図９】従来例の液晶パネルの模式平面図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る液晶パネルの模式平面図である。
【図１１】液晶パネルの回路構成図である。
【符号の説明】
【００５３】
１…ガラス基板、３…表示領域、４…ゲート線駆動回路、５…信号線駆動回路、８…ＴＦＴ、９…対向電極、１０…画素電極、１３…コンタクトホール、１４…絶縁膜、１５…接続用導体部、１６…金属化合物蒸気、１７…レーザ光、２０…金属膜、Ｇ１〜Ｇｙ…ゲート線、Ｓ，Ｓ１〜Ｓｘ…信号線、ＧＲ１〜ＧＲｎ…ゲート線用リペア線、ＳＲ，ＳＲ１〜ＳＲｍ…信号線用リペア線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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