(57)【要約】【課題】高周波集積回路装置の小型化を図りながら、高周波集積回路装置の基板と金属シールドキャップの固着強度を向上させる。【解決手段】高周波集積回路装置の基板１の側面に、金属製シールドキャップ４のガイド部６が収まるための窪み部５を設け、前記ガイド部６の幅を前記窪み部５の幅より小さく設定し、窪み部５とガイド部６との間に間隙７を形成し、この間隙７にハンダ８を充填させることにより、金属製シールドキャップ４と基板１との固着力を強化する。【選択図】図２
2005353721.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上が金属製シールドキャップにより覆われてなる高周波集積回路装置において、
前記基板に窪み部を設け、前記金属製シールドキャップに前記窪み部に挿入されるガイド部を設け、前記ガイド部の幅を前記窪み部の幅より小さく設定し、前記ガイド部の挿入時に前記ガイド部と前記窪み部間に形成される間隙にハンダを充填したことを特徴とする高周波集積回路装置。
【請求項２】
基板上が金属製シールドキャップにより覆われてなる高周波集積回路装置において、
前記基板に窪み部を設け、前記金属製シールドキャップに前記窪み部に挿入されるガイド部を設け、前記窪み部における端部と中央部とにおいて窪み深さを異ならせ、前記ガイド部の挿入時に前記窪み部との間に形成される間隙にハンダを充填したことを特徴とする高周波集積回路装置。
【請求項３】
基板上が金属製シールドキャップにより覆われてなる高周波集積回路装置において、
前記基板に窪み部を設け、前記金属製シールドキャップに前記窪み部に挿入されるガイド部を設け、前記窪み部に該窪み部より幅が小さな小窪み部を設け、前記ガイド部の挿入時に前記小窪み部との間に形成される間隙にハンダを充填したことを特徴とする高周波集積回路装置。
【請求項４】
前記基板の窪み部を回路の接地部分としたことを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の高周波集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に金属製シールドキャップが設けられた高周波集積回路装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信の果たす役割は極めて大きく、移動通信システムに対する需要は急速に高まってきている。こうした状況の中で、携帯電話やコードレス電話では、システムの小型化に対する要求から、高周波回路ブロックを構成する各機器の小型化が極めて重要になりつつある。従来からＰＤＣ（Personal Digital Cellular）方式やＣＤＭＡ（Code Division Multiple Access）方式などの携帯電話の高周波回路ブロックの機器の一つである高周波電力増幅器は、図１０に示すように、基板２１の表面に実装されている電子部品２２，半導体素子２３、および基板２１上部を覆う金属製シールドキャップ２４などで構成されている。
【０００３】
前記金属製シールドキャップ２４は、従来では電子部品２２，半導体素子２３を搭載している基板２１の表面に設けられたハンダ接着用のランド２５にてハンダ固定されていた（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−４６０８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、モジュールの小型化により、基板表面に金属製シールドキャップ固着用のランドを設けることが困難になってきており、モジュールの基板側面に、例えばレーザースポット溶接などにより接着するなどの方法が用いられてきた。ところが、レーザースポット溶接による基板と金属製シールドキャップとの固着強度は、従来のモジュールの基板表面にハンダ固着用のランドを設ける方法に比べて弱く、セット搭載時の落下衝撃などによるキャップのはずれなどが生じるおそれがあり問題であった。
【０００５】
本発明の目的は、前記従来技術の課題を解決し、基板と金属製シールドキャップとの固着強度を向上させる高周波集積回路装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため、本発明に係る高周波集積回路装置は、基板の側面に金属製シールドキャップのガイドが収まるための窪み部を持ち、窪み部分と金属製シールドキャップのガイド部分との間に間隙を作り、この間隙にハンダを充填させることにより、金属製シールドキャップと基板の固着力を強化し、落下時などのキャップ外れを防止する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、基板表面に金属製シールドキャップの固定用のランドを設けることができない小型のパッケージにおいても、基板と金属製シールドキャップの十分な固着力を確保することができ、落下強度を確保しつつパッケージの小型化を実現することができる。
【０００８】
また、基板の窪み部を接地部分とすることにより、金属製シールドキャップとの接地状態が改善され、シールド効果も向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１０】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１である高周波集積回路装置の分解斜視図であり、基板１の表面に、電子部品２，半導体素子３が実装されており、基板１の上部を覆う金属製シールドキャップ４には、基板１の側部に形成された窪み部５に沿うように挿入されるガイド部６が突設され、この窪み部５に挿入されたガイド部６に対してスポット溶接などを行い、基板１に金属製シールドキャップ４を固着する。
【００１１】
図２（ａ）は組付後の実施の形態１の高周波集積回路装置の正面図、図２（ｂ）はハンダ充填後の図２（ａ）におけるＡ−Ａ部断面図である。
【００１２】
図２（ａ）において、金属製シールドキャップ４のガイド部６と基板１の窪み部５との関係を示しており、ガイド部６の幅の方が窪み部５の幅よりも小さく設定してあるため、窪み部５の端とガイド部６の端との間に間隙７が形成される。この間隙７にハンダ８を充填することにより、スポット溶接などによる固定に加えて金属製シールドキャップ４における基板１に対する固着強度が大きくなる。
【００１３】
図３は本高周波集積回路装置をセットマザーボードに実装した状態を示す斜視図であり、このように本高周波集積回路装置１０を携帯電話などのセットマザーボード９に実装する工程において、前記窪み部５と前記ガイド部６との間隙７へのハンダ８の充填は、間隙７の間隔を制御することにより、毛管現象により自動的にハンダ８が這い上がるようにすることによっても行うことができる。
【００１４】
図４は実施の形態１における間隙７とハンダ這い上がり距離の定義を示す説明図、図５は実施の形態１における間隙７とハンダ這い上がり距離の関係の実測結果（３例）を示す説明図であり、この関係より間隙７にハンダ充填がなされるためには、間隙７は例えば１μｍ〜１５０μｍ程度であるのが望ましいことが分かる。ただし、前記以外の方法によって、間隙７にハンダ８を充填する場合には、間隙７に対する制限はない。
【００１５】
また、実施の形態１において、基板１の窪み部５は、回路における接地部分となっており、金属製シールドキャップ４のガイド部６とのハンダ８による固着強度が増大すると共に、金属製シールドキャップ４との接地状態も改善され、シールド効果も向上する。
【００１６】
（実施の形態２）
図６（ａ）は組付後の本発明の実施の形態２の高周波集積回路装置の正面図、図６（ｂ）はハンダ充填後の図６（ａ）におけるＡ−Ａ部断面図である。
【００１７】
実施の形態２では、図６（ｂ）に示すように、基板１の窪み部１１の端部１１ａと中心部分１１ｂとで窪み深さが異なり、中心部分１１ｂの窪み深さが端部１１ａより深く設定した構造であり、窪み部１１の中心部分１１ｂと金属製シールドキャップ４のガイド部６との間に間隙１２が形成される。この間隙１２にハンダ８を充填することにより、金属製シールドキャップ４の固着強度を大きくするようにしている。
【００１８】
実施の形態２において、基板１の窪み部１１における中心部分１１ｂと金属製シールドキャップ４のガイド部６との間隙１２へのハンダ８の充填は、間隙１２の間隔を制御することにより、前記実施の形態１と同様に、実施の形態２の高周波集積回路装置を携帯電話などのセットマザーボードに実装する工程において、毛管現象により自動的にハンダが這い上がることを利用して行うことができる。
【００１９】
図７（ａ），（ｂ）は実施の形態２における間隙１２とハンダ這い上がり距離の定義を示す説明図、図８は実施の形態２における間隙１２とハンダ這い上がり距離の関係の実測結果（３例）を示す説明図であり、この関係より間隙１２にハンダ充填がなされるためには、間隙１２は例えば１μｍ〜３００μｍ程度であるのが望ましいことが分かる。ただし、前記以外の方法によって、間隙７にハンダ８を充填する場合には、間隙７に対する制限はない。
【００２０】
また、前記実施の形態１と同様に実施の形態２は、基板１の窪み部１１は、回路における接地部分となっており、金属製シールドキャップ４のガイド部６とのハンダ８による固着強度が増大すると共に、金属製シールドキャップ４との接地状態も改善され、シールド効果も向上する。
【００２１】
（実施の形態３）
図９（ａ）は組付後の本発明の実施の形態２の高周波集積回路装置の正面図、図９（ｂ）はハンダ充填後の図９（ａ）におけるＡ−Ａ部断面図である。
【００２２】
実施の形態３では、基板１の窪み部１３部分に、窪み部１３全体の窪み幅より小さな幅の小窪み部１３ａを形成して、金属製シールドキャップ４のガイド部６と小窪み部１３ａとの間で間隙１４が形成される。この間隙１４にハンダ８を充填することにより金属製シールドキャップ４の固着強度が大きくなるようにしている。
【００２３】
間隙１４へのハンダ８の充填は、前記実施の形態１，２と同様に、間隙１４の深さを制御することにより、実施の形態３の高周波集積回路装置を携帯電話などのセットマザーボードに実装する工程において、毛管現象により自動的にハンダが這い上がることによって行うことができる。ただし、これ以外の方法で、この間隙１４にハンダ８を充填する場合には、間隙１４に対する制限はない。
【００２４】
また、実施の形態１，２と同様に、実施の形態３においても、基板１の窪み部１３は、回路における接地部分となっており、金属シールドキャップ４のガイド部６とのハンダ８により固着強度が増大する共に、金属シールドキャップ４との接地状態も改善され、シールド効果も向上する。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
本発明の高周波集積回路装置は、基板が金属製シールドキャップにより覆われる構造であって、かつ小型で耐久性が要求される高周波集積回路装置に適用され、特に基板表面に金属製シールドキャップを強固に固定するためのスペースを確保することができない小型の集積回路パッケージに用いて有効である。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施の形態１である高周波集積回路装置の分解斜視図
【図２】（ａ）は組付後の実施の形態１の高周波集積回路装置の正面図、（ｂ）はハンダ充填後の（ａ）におけるＡ−Ａ部断面図
【図３】本実施の形態の高周波集積回路装置をセットマザーボードに実装した状態を示す斜視図
【図４】実施の形態１における間隙とハンダ這い上がり距離の定義を示す説明図
【図５】実施の形態１における間隙とハンダ這い上がり距離の関係の実測結果（３例）を示す説明図
【図６】（ａ）は組付後の本発明の実施の形態２の高周波集積回路装置の正面図、（ｂ）はハンダ充填後の（ａ）におけるＡ−Ａ部断面図
【図７】（ａ），（ｂ）は実施の形態２における間隙とハンダ這い上がり距離の定義を示す説明図
【図８】実施の形態２における間隙とハンダ這い上がり距離の関係の実測結果（３例）を示す説明図
【図９】（ａ）は組付後の本発明の実施の形態２の高周波集積回路装置の正面図、（ｂ）はハンダ充填後の（ａ）におけるＡ−Ａ部断面図
【図１０】従来の高周波集積回路装置の分解斜視図
【符号の説明】
【００２７】
１  基板
４  金属製シールドキャップ
５，１１，１３  基板の窪み部
６  金属製シールドキャップのガイド部
７，１２，１４  間隙
８  ハンダ
９  セットマザーボード
１０  高周波集積回路装置
１１ａ  窪み部の端部
１１ｂ  窪み部の中央部分
１３ａ  小窪み部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005353721.tif 000008
【図７】
2005353721.tif 000009
【図８】
2005353721.tif 000010
【図９】
2005353721.tif 000011
【図１０】
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