(57)【要約】      （修正有）【課題】配線層と電極パッドとの付け根の部分での断線を防止しつつ、電極パッドの密着性を向上する。【解決手段】半導体層１０上の層間絶縁層２０，２２，２４、２６と、配線層３０，３２，３４、パッド配線層４０は、パッド部１００と配線部２００とからなる。配線部では、バリアメタル層４０ａ、４０ｃと、パッド電極層４０ｂとからなるパッド配線層が複数のコンタクト層７０，７２，７４で下層配線と接続される。パッド部では、バリアメタル層４０ａ、４０ｃがパッド開口部６０に対応して除去され、パッド開口部下方に位置するパッド部の底面は、層間絶縁層２６に直接密着する。【選択図】        図１
2005019696.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、
前記半導体層の上方に設けられた第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に設けられ、開口部を有する第１バリアメタル層と、
少なくとも前記第１バリアメタル層上に設けられ、パッド部と該パッド部に接続される引出し配線部とを含む、パッド電極層と、
前記パッド電極層上に設けられ、前記パッド部上方に第１パッド開口部を有する第２バリアメタル層と、
少なくとも前記第２バリアメタル層上に設けられ、前記第１パッド開口部上方に第２パッド開口部を有する保護絶縁層と、
前記第１絶縁層の下方に設けられ、異なるレベルに位置する絶縁層と
前記パッド電極層の下方において、前記異なるレベルに位置する絶縁層上に設けられ、該パッド電極層と同一の平面形状を有する複数の配線層と、
前記引出し配線部の下方に設けられ、前記第１パッド電極層及び前記複数の配線層を電気的に接続する複数のコンタクト層と、を含み、
前記第１バリアメタル層の前記開口部は、前記第２パッド開口部の下方に位置し、
前記第２パッド開口部下方に位置する前記パッド部の底面は、少なくとも前記第１絶縁層に直接密着している、半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１バリアメタル層の前記開口部の開口の形状は、前記第２パッド開口部の平面形状より小さい、半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１バリアメタル層の前記開口部の開口の形状は、前記第２パッド開口部の平面形状と同一である、半導体装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記第１バリアメタル層の前記開口部の開口の形状は、前記第２パッド開口部の平面形状より大きい、半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかにおいて、
前記複数のコンタクト層は、平面的に見たとき、重ならないように設けられている、半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかにおいて、
前記複数のコンタクト層は、千鳥格子状に形成されている、半導体装置。
【請求項７】
半導体層の上方に、層間絶縁層と前記層間絶縁層上に形成された配線層との積層構造、及び、該積層構造をなす複数の該配線層を相互に接続するコンタクト層を形成する工程と、
前記工程によって形成された最上の配線層上に、第１層間絶縁層を形成する工程と、
前記第１層間絶縁層上に開口部を有する第１バリアメタル層を形成する工程と、
少なくとも前記第１バリアメタル層上に、パッド部と引き出し配線部とからなるパッド電極層を形成する工程と、
前記パッド電極層上に、第２バリアメタル層を形成する工程と、
前記パッド部上方に位置する前記第２バリアメタル層の一部を除去して第１パッド開口部を形成する工程と、
前記第２バリアメタル層上に、前記第１開口部上方に第２パッド開口部を有する保護絶縁層を形成する工程と、を含み、
前記コンタクト層は、前記引き出し配線部下方に形成され、
前記第１バリアメタル層の前記開口部は、前記第２パッド開口部下方に形成され、
前記第２パッド開口部下方に位置する前記パッド部の底面は、少なくとも前記第１層間絶縁層に直接密着している、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１バリアメタル層の前記開口部の開口の形状は、前記第２パッド開口部の開口の形状と比して小さい、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７において、
前記第１バリアメタル層の前記開口部の開口の形状は、前記第２パッド開口部の開口の形状と同じ、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７において、
前記第１バリアメタル層の前記開口部の開口の形状は、前記パッド開口部の開口の形状と比して大きい、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれかにおいて、
前記第２バリアメタル層の除去は、前記パッド部の表面をオーバーエッチングを行なうこと、を含む、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ボンディングパッド構造を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術および発明が解決しようとする課題】
従来の半導体装置において、配線層の信頼性（ストレスマイグレーション耐性およびエレクトロマイグレーション耐性など）を向上させるために、配線層と絶縁層との間にバリアメタルを介在させる方法がある。ここで、配線に接続される電極パッドと絶縁膜との間にもバリアメタルを介在させると、バリアメタル層と絶縁膜の密着性が悪いために、ワイヤボンディング時にパッド電極層が剥がれてしまうことある。
【０００３】
本発明の目的は、配線部とパッド電極層との付け根の部分での断線を防止しつつ、電極パッドの密着性を向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明の半導体装置は、半導体層と、
前記半導体層の上方に設けられた第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に設けられ、開口部を有する第１バリアメタル層と、
少なくとも前記第１バリアメタル層上に設けられ、パッド部と該パッド部に接続される引出し配線部とを含む、パッド電極層と、
前記パッド電極層上に設けられ、前記パッド部上方に第１パッド開口部を有する第２バリアメタル層と、
少なくとも前記第２バリアメタル層上に設けられ、前記第１パッド開口部上方に第２パッド開口部を有する保護絶縁層と、
前記第１絶縁層の下方に設けられ、異なるレベルに位置する絶縁層と
前記パッド電極層の下方において、前記異なるレベルに位置する絶縁層上に設けられ、該パッド電極層と同一の平面形状を有する複数の配線層と、
前記引出し配線部の下方に設けられ、前記第１パッド電極層及び前記複数の配線層を電気的に接続する複数のコンタクト層と、を含み、
前記第１バリアメタル層の前記開口部は、前記第２パッド開口部の下方に位置し、
前記第２パッド開口部下方に位置する前記パッド部の底面は、少なくとも前記第１絶縁層に直接密着している。
【０００５】
本発明の半導体装置によれば、保護絶縁層に形成されている第２パッド開口部下方に位置するパッド部の底面では、絶縁層が直接露出することになる。すなわち、保護絶縁層に形成されている第２パッド開口部下方のパッド部の底面には、バリアメタル層が設けられていない。そのため、少なくともパッド電極層のパッド部の一部と、絶縁層とを直接密着させることが可能となる。そのため、パッド電極層の密着強度を向上させることができ、膜剥がれが起きることを防止することができる。その結果、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【０００６】
また、パッド電極層およびその下方に設けられている複数の配線層を電気的に接続するための複数のコンタクト層は、パッド開口部の外側に設けられている。すなわち、パッド開口部の下方においては、コンタクト層が形成されていない。そのため、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｉｎｔｅｒｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）の製品に本発明を適用する場合には、ユーザーは、パッド開口部の下方にコンタクト層がないという情報を持つライブラリを利用することにより設計を行なうことができるという利点がある。その結果、パッド電極層の下方の配線の積層数の変動の影響を受けることなく、一つのライブラリを用いて設計を行なうことができ、ユーザーの嗜好に応じた半導体装置を提供することができる。
【０００７】
また、パッド電極層の下方において、異なるレベルに位置する絶縁層上に該パッド電極層と同一の平面形状を有する複数の配線層が設けられている。このように、パッド電極層の下方に、同一の平面形状を有する配線層が積層されていることで、パッド電極層の下方の配線の積層数の変動の影響を受けることなく一つのライブラリを用いて設計を行うことができる。
【０００８】
また、少なくとも第２バリアメタル層上に保護絶縁層が設けられている。即ち、パッド電極層とパッド電極層上方に形成されている保護絶縁層との間には、第２バリアメタル層が形成されている。そのため、配線層の信頼性（ストレスマイグレーション耐性およびエレクトロマイグレーション耐性など）をさらに向上させることができる。
【０００９】
本発明は、たとえば、下記の態様をとることができる。
【００１０】
（Ａ）本発明の半導体装置において、前記第１バリアメタル層の前記開口部の開口の形状は、前記第２パッド開口部の平面形状より小さいことができる。
【００１１】
（Ｂ）本発明の半導体装置において、前記第１バリアメタル層の前記開口部の開口の形状は、前記第２パッド開口部の平面形状と同一であることができる。
【００１２】
（Ｃ）本発明の半導体装置において、前記第１バリアメタル層の前記開口部の開口の形状は、前記第２パッド開口部の平面形状より大きいことができる。
【００１３】
（２）本発明の半導体装置の製造方法は、半導体層上に層間絶縁層と前記層間絶縁層上に形成された配線層との積層構造、及び、該積層構造をなす複数の該配線層を相互に接続するコンタクト層を形成する工程と、
前記工程によって形成された最上の配線層上に、第１層間絶縁層を形成する工程と、
前記第１層間絶縁層上に開口部を有する第１バリアメタル層を形成する工程と、
少なくとも前記第１バリアメタル層上に、パッド部と引き出し配線部とからなるパッド電極層を形成する工程と、
前記パッド電極層上に、第２バリアメタル層を形成する工程と、
前記パッド部上方に位置する前記第２バリアメタル層の一部を除去して第１パッド開口部を形成する工程と、
前記第２バリアメタル層上に、前記第１開口部上方に第２パッド開口部を有する保護絶縁層を形成する工程と、を含み、
前記コンタクト層は、前記引き出し配線部下方に形成され、
前記第１バリアメタル層の前記開口部は、前記第２パッド開口部下方に形成され、
前記第２パッド開口部下方に位置する前記パッド部の底面は、少なくとも前記第１層間絶縁層に直接密着している、
本発明の半導体装置の製造方法によれば、パッド電極層下方に形成される第１バリアメタル層が、開口部を有するように形成することができる。これにより、保護絶縁層の第２パッド開口部の下方に位置するパッド電極層の下方に形成された第１バリアメタル層の少なくとも一部を除去することができる。その結果、保護絶縁層の第２パッド開口部下方において、パッド電極層とパッド電極下方に形成された層間絶縁層とが直接接するように形成することができ、膜剥がれが起きることが防止された信頼の高い半導体装置を製造することができる。
【００１４】
本発明は、下記の態様をとることができる。
【００１５】
（Ａ）本発明の半導体装置の製造方法において、前記第１バリアメタル層の前記開口部の開口の形状は、前記第２パッド開口部の開口の形状と比して小さいことができる。
【００１６】
（Ｂ）本発明の半導体装置の製造方法において、前記第１バリアメタル層の前記開口部の開口の形状は、前記第２パッド開口部の開口の形状と同じであることができる。
【００１７】
（Ｃ）本発明の半導体装置の製造方法において、前記第１バリアメタル層の前記開口部の開口の形状は、前記第２パッド開口部の開口の形状と比して大きいことができる。
【００１８】
（Ｄ）本発明の半導体装置の製造方法において、前記第２バリアメタル層の除去は、前記パッド部の表面をオーバーエッチングを行なうこと、を含むことができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
１．半導体装置
図１（Ａ）は、半導体装置における配線層の形状を模式的に示す平面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）におけるＡ−Ａ線に沿った断面を模式的に示す断面図である。図２は、第１〜第３の配線層の平面形状を模式的に示す平面図である。
【００２１】
まず、図１（Ａ）を参照しながら、半導体装置１０００の平面構造を説明する。半導体装置１０００は、図１に示すように、パッド部１００と、パッド部１００と接続され、一体となっている引出し配線部２００とを有する。引出し配線部２００は、パッド部１００よりも幅の狭い導電層で構成されている。パッド部１００では、所定の領域にパッド開口部６０が設けられている。
【００２２】
次に、図１（Ｂ）を参照しながら、半導体装置の断面構造について説明する。半導体基板１０の上方には、第１の層間絶縁層２０が形成されている。第１の層間絶縁層２０の上には、第１の配線層３０が形成され、第１の配線層３０の上方には、第２の層間絶縁層２２が形成されている。そして、図１（Ｂ）に示すように、第２の層間絶縁層２２の上方には、第２，３の配線層３２，３４およびパッド配線層４０と、第３，４の層間絶縁層２４，２６とが交互に積層されている。第１の配線層３０，３２，３４とパッド配線層４０とは、図１（Ｂ），図２から明らかなように、同一の平面形状をしている。このように、パッド配線層４０の下方に、同一の平面形状を有する配線層が積層されていることで、パッド電極層の下方の配線の積層数の変動の影響を受けることなく一つのライブラリを用いて設計を行うことができ、また、ボンディングの際の衝撃を配線層が吸収するため、ボンディング強度を高めることができ、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００２３】
最上に設けられているパッド配線層４０の上には、保護絶縁層５０が形成されている。保護絶縁層５０は、パッド部１００において所定の領域にパッド配線層４０が露出するようにパッド開口部６０を有している。このパッド開口部６０において、外部とパッド配線層４０とを電気的に接続するために、たとえばワイヤボンディングがなされる。
【００２４】
パッド配線層４０は、バリアメタル層４０ａとパッド電極層４０ｂとバリアメタル層４０ｃとが積層された構造を有する。なお、第１〜３配線層３０，３２，３４もパッド配線層４０と同様の構造を有することができる。また、パッド配線層４０を構成するバリアメタル層４０ａ，ｃは、平面的にみて、パッド開口部６０と同一の開口を有する。すなわち、パッド開口部６０の底面には、バリアメタル層４０ａ，ｃが設けられておらず、パッド電極層４０ｂは、第４の層間絶縁層２６と直接密着していることとなる。
【００２５】
第１〜第３配線層３０，３２，３４とパッド配線層４０との相互間は、複数のコンタクト層７０，７２，７４により電気的に接続されている。たとえば、第１の配線層３０と第２の配線層３２との相互間は、コンタクト層７０により電気的に接続されている。同様に、第２の配線層３２と第３の配線層３４との相互間は、コンタクト層７２により電気的に接続され、第３の配線層３４とパッド配線層４０との相互間は、コンタクト層７４により電気的に接続されている。コンタクト層７０，７２，７４は、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、平面的にみて重ならないように千鳥格子状に配置されていることができる。
【００２６】
以下に、本実施の形態の半導体装置の利点を述べる。
【００２７】
（Ａ）本実施の形態の半導体装置では、パッド配線層４０を構成するバリアメタル層４０ａ，ｃは、平面視においてパッド開口部６０と同一の開口を有している。すなわち、パッド開口部６０におけるパッド配線層４０の上面及び底面には、バリアメタル層４０ａ，ｃが設けられておらず、パッド電極層４０ｂと第４の層間絶縁層２６とが直接密着することとなる。そのため、パッド配線層４０と、第４の層間絶縁層２６の密着強度を向上させることができ、膜剥がれが防止され、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００２８】
（Ｂ）本実施の形態の半導体装置では、第１〜第３の配線層３０，３２，３４とパッド配線層４０の相互間を電気的に接続するためのコンタクト層７０，７２，７４は、パッド開口部６０の外側の領域（本実施の形態では、引出し配線部２００領域）に形成されている。すなわち、パッド開口部６０の下方にはコンタクト層が形成されていない。そのため、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｉｎｔｅｒｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）の製品に用いる場合には、ユーザーは、パッド開口部の下方にコンタクト層がないという情報を持つライブラリを利用することにより設計を行なうことができるという利点がある。その結果、パッド電極層の下方の配線の積層数の変動の影響を受けることなく、一つのライブラリを用いて設計を行なうことができ、ユーザーの嗜好に応じた半導体装置を提供することができる。
【００２９】
次に、本実施の形態の半導体装置の変形例について説明する。以下の変形例は、バリアメタル層４０ａ，ｃの平面形状が異なる例である。
【００３０】
（変形例１）
図３（Ａ），（Ｂ）に示すように、変形例１にかかる半導体装置では、パッド配線層４０を構成するバリアメタル層４０ａは、平面的に見てパッド開口部６０の形状よりも小さい開口を有している。すなわち、バリアメタル層４０ａは、平面的に見た場合、パッド開口部６０の内側に残存することとなる。この態様では、たとえば、少なくともボンディングワイヤ（図示せず）が接続される領域以外には、バリアメタル層４０ａは残存する構造となり、引出し配線部２００との付け根の部分での断線を防止することができる。
【００３１】
（変形例２）
図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、バリアメタル層４０ａ，ｃは、パッド開口部６０と比して平面的に大きい開口を有する。すなわち、バリアメタル層４０ａ，ｃは、パッド開口部６０におけるパッド配線層４０の上面及び底面に設けられていないだけでなく、パッド開口部６０の端面においても露出していない。そのため、この態様によれば、パッド開口部の底面だけでなく側面においてもバリアメタル層が露出することがないようにすることができる。その結果、膜剥がれの防止効果がより向上された半導体装置を製造することができる。
【００３２】
２．半導体装置の製造方法
以下、図５〜８を参照しつつ、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図５〜図８のおいて、（Ａ）は、配線層の形状を示す平面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図を示す。
【００３３】
まず、半導体基板１０の上に、半導体素子（たとえばＭＩＳトランジスタ，メモリトランジスタ）を形成する。次に、図５に示すように、公知の方法により、たとえば、酸化シリコンからなる第１の層間絶縁層２０を形成する。第１の層間絶縁層２０は、必要に応じて、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ法）により、平坦化される。
【００３４】
ついで、第１の層間絶縁層２０の上に第１の配線層３０を形成する。第１の配線層３０の形成は、まず、公知の方法により、たとえば、ＴｉＮなどの高融点金属の窒化物膜を含むバリアメタル層３０ａを形成する。また、バリアメタル層３０ａとしては、Ｔｉなどの高融点金属膜や、それらの膜の積層膜を用いることができる。この場合は、たとえば、Ｔｉ／ＴｉＮや、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｔｉの積層膜などを用いることができる。ついで、公知の方法により導電層３０ｂを形成する。導電層３０ｂとしては、たとえばアルミニウム層、アルミニウムと銅との合金層を挙げることができる。さらに、導電層３０ｂの上に、バリアメタル層３０ｃを形成する。バリアメタル層３０ｃは、上述のバリアメタル層３０ａと同様にして形成することができる。
【００３５】
ついで、バリアメタル層３０ａ、導電層３０ｂおよびバリアメタル層３０ｃの積層体を所定のパターンにパターニングすることにより、図５に示されるように、第１の配線層３０を形成することができる。このとき、第１の配線層３０は、後の工程で形成されるパッド電極層と同一の平面形状を有するようにパターニングされる（図２参照）。
【００３６】
次に、第１の配線層３０の上方において、公知の方法により、酸化シリコンからなる第２の層間絶縁層２２を形成する。第２の層間絶縁層２２は、必要に応じて、ＣＭＰ法により平坦化される。次に、第２の層間絶縁層２２において、第１の配線層３０に達するスルーホール７０ａを形成する。スルーホール７０ａは、後の工程で形成されるパッド開口部の外側の領域に形成される。本実施の形態の半導体装置では、引出し配線部２００領域に形成される。次に、スルーホール７０ａの内面に、公知の方法によりバリアメタル層７０ｂを形成した後、スルーホール７０ａを埋め込むように、第１のコンタクト層７０を形成する。第１のコンタクト層７０は、たとえば、タングステン層を全面に形成し、そのタングステン層をエッチバックすることにより形成される。
【００３７】
次に、第１のコンタクト層７０および第２の層間絶縁層２２の上に、第２の配線層３２を形成する。第２の配線層３２は、第１の配線層３０と同様の形成方法、材質を用いて形成される。そして、上述の配線層と、層間絶縁層の形成を繰り返すことにより、図５に示すように、第１〜第４の層間絶縁層２０，２２，２４，２６および第１〜第３の配線層３０，３２，３４が交互に順次積層する。
【００３８】
第４の層間絶縁層２６を形成した後に、パッド配線層４０を形成する。パッド配線層４０の形成では、まず、図５に示すように、第４の層間絶縁層２６の上に、バリアメタル層４０ａを形成する。バリアメタル層４０ａの形成は、第１の配線層３０のバリアメタル層３０ａと同様に行なうことができる。ついで、バリアメタル層４０ａの上に、所定のパターンを有するマスク層Ｍ１を形成する。このとき、マスク層Ｍ１は、後述するパッド開口部６０を形成するためのマスク層と同様の形状のものを用いる。
【００３９】
このマスク層Ｍ１をマスクとして、バリアメタル層４０ａを公知の方法により除去する。これにより、図６に示すように、後の工程でパッド開口部が形成される領域には、第４の層間絶縁層２６が露出することになる。その後、マスク層Ｍ１を除去する。
【００４０】
次に、図７に示すように、バリアメタル層４０ａと、露出した第４の層間絶縁層２６の上にパッド電極層４０ｂおよびバリアメタル層４０ｃを順次積層する。パッド電極層４０ｂおよびバリアメタル層４０ｃの形成は、導電層３０ｂおよびバリアメタル層３０ａの形成と同様に行なうことができる。ついで、図７に参照されるように、最上のバリアメタル層の上に、パッド電極層を形成するためのマスク層Ｍ２を形成する。このマスク層Ｍ２をマスクとして、図８に示すように、バリアメタル層４０ａ，パッド電極層４０ｂおよびバリアメタル層４０ｃをパターニングすることにより、パッド配線層４０が形成される。
ついで、パッド配線層４０の上方に、公知の方法により保護絶縁層５０を形成する。ついで、保護絶縁層５０の上に、パッド開口部を形成するためのマスク層Ｍ３を公知の技術により形成する。このマスク層Ｍ３をマスクとして、保護絶縁層５０およびバリアメタル層４０ｃをエッチングする。このバリアメタル層４０ｃのエッチングにおいては、バリアメタル層４０ｃを除去した後、オーバーエッチングをすることにより、パッド電極層４０ｂの表面を除去することが好ましい。パッド電極層４０ｂと、バリアメタル層４０ｃとの間には、バリアメタル層４０ｃの材質によっては、変質層が生じてしまうことがある。このような変質層は、パッド配線層４０とボンディング電極の密着強度を低下させる一因となる。本実施の形態では、このようにパッド電極層４０ｂの表面をもオーバーエッチングすることにより、この変質層を除去することができ、配線層の信頼性を向上させることができる。
【００４１】
これによりパッド部１００においてパッド開口部６０が形成され、図１に示す半導体装置を製造することができる。
【００４２】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、パッド開口部６０の領域では、パッド配線層４０を構成するバリアメタル層４０ａ，ｃを除去することができる。そのため、パッド配線層４０のパッド電極層４０ｂと、第４の層間絶縁層２６とが直接接することとなる。その結果、パッド電極層４０ｂと第４の層間絶縁層２６の密着強度を向上させることができ、ボンディング時の膜剥がれが防止された信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００４３】
また、保護絶縁層５０と、バリアメタル層４０ｃのパターニングを同一のマスク層を用いて行なうことができるため、工程数を増加させることなく、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００４４】
次に、本実施の形態の変形例１にかかる半導体装置の製造方法について説明する。以下に説明する変形例１，２は、パッド配線層４０を構成するバリアメタル層４０ａ，ｃの形状が異なる例であり、以下の説明では、上述の実施の形態と同様に行なうことができる工程については、その詳細な説明を省略する。
【００４５】
（変形例１）
まず、図５に参照されるように、上述の実施の形態と同様にして、第１〜第４の層間絶縁層２０，２２，２４，２６と、第１〜第３の配線層３０，３２，３４と、各配線層３０，３２，３４間を電気的に接続するためのコンタクト層７０，７２，７４と、を形成する。
【００４６】
次に、第４の層間絶縁層２６の上方に、パッド配線層４０のためのバリアメタル層４０ａを形成する。その後、上述の実施の形態と同様にして、バリアメタル層４０ａの上に、所定のパターンを有するマスク層Ｍ１を公知の方法により形成する。このマスク層Ｍ１は、少なくともボンディング電極と接触する領域のバリアメタル層を除去できるだけの開口を有していればよく、後の工程で形成されるパッド開口部６０より小さい開口を有する。このマスク層Ｍ１をマスクとして、バリアメタル層４０ａのエッチングを行なう。これにより、パッド開口部６０内にバリアメタル層４０ａの一部を残存させることができる。
【００４７】
次に、図７に参照されるように、上述の実施の形態と同様にして、バリアメタル層４０ａと、露出している第４の層間絶縁層２６の上方に、パッド電極層４０ｂおよびバリアメタル層４０ｃを形成する。ついで、図７に参照されるように、最上のバリアメタル層の上に、パッド電極層を形成するためのマスク層Ｍ２を形成する。このマスク層Ｍ２をマスクとして、バリアメタル層４０ａ，パッド電極層４０ｂおよびバリアメタル層４０ｃをパターニングすることにより、パッド配線層４０が形成される。
【００４８】
次に、図９に示すように、パッド配線層４０の上に、公知の方法によりマスク層Ｍ３を形成する。マスク層Ｍ３は、上述のマスク層Ｍ１と同様に、少なくともボンディング電極と接触する領域のバリアメタル層を除去できるだけの開口を有してればよく、マスク層Ｍ１と同じ形状の開口を有していることが好ましい。このマスク層Ｍ３をマスクとして、バリアメタル層４０ｃをエッチングする。
【００４９】
次に、図１０に示すように、パッド配線層４０と第４の層間絶縁層２６の上方に上述の実施の形態と同様にして保護絶縁層５０を形成する。その後、パッド開口部６０を形成するためのマスク層Ｍ４を保護絶縁層５０の上に形成する。ついで、マスク層Ｍ４をマスクとして、保護絶縁層５０をエッチングすることにより、パッド開口部６０が形成され、図３（Ａ），（Ｂ）に示す半導体装置を製造することができる。この態様によれば、パッド開口部６０において、少なくとも、ボンディング電極（図示せず）が接する領域以外には、バリアメタル層４０ａ，ｃを残存させることができる。そのため、引出し配線部２００との付け根の部分での断線を防止することが可能となる半導体装置を製造することができる。
【００５０】
（変形例２）
まず、図５に参照されるように、上述の実施の形態と同様にして、第１〜第４の層間絶縁層２０，２２，２４，２６と、第１〜第３の配線層３０，３２，３４と、各配線層間３０，３２，３４を電気的に接続するためのコンタクト層７０，７２，７４と、を形成する。ついで、第４の層間絶縁層２６の上方に、パッド配線層４０のためのバリアメタル層４０ａを形成する。その後、上述の実施の形態と同様にして、バリアメタル層４０ａの上に、所定のパターンを有するマスク層Ｍ１を公知のリソグラフィおよびエッチング技術により形成する。変形例１においては、このマスク層Ｍ１は、少なくとも後の工程で形成されるパッド開口部６０と比して大きい開口を有する。ついで、マスク層Ｍ１をマスクとして、バリアメタル層４０ａのエッチングを行なう。これによりパッド開口部６０内には、バリアメタル層４０ａが残存することはない。
【００５１】
次に、図７に参照されるように、上述の実施の形態と同様にして、バリアメタル層４０ａと、露出している第４の層間絶縁層２６の上方に、パッド電極層４０ｂおよびバリアメタル層４０ｃを形成する。ついで、図７に参照されるように、最上のバリアメタル層の上に、パッド電極層を形成するためのマスク層Ｍ２を形成する。このマスク層Ｍ２をマスクとして、バリアメタル層４０ａ，パッド電極層４０ｂおよびバリアメタル層４０ｃをパターニングすることにより、パッド配線層４０が形成される。
【００５２】
次に、図１１に示すように、パッド配線層４０の上に、公知の方法によりマスク層Ｍ３を形成する。マスク層Ｍ３は、上述のマスク層Ｍ１と同様に、後の工程で形成されるパッド開口部６０と比して大きい開口を有するマスク層を用いる。このマスク層Ｍ３をマスクとして、バリアメタル層４０ｃをエッチングする。
【００５３】
次に、図１２に示すように、パッド配線層４０と第４の層間絶縁層２６の上方に上述の実施の形態と同様にして保護絶縁層５０を形成する。その後、パッド開口部６０を形成するためのマスク層Ｍ３を保護絶縁層の上に形成する。ついで、マスク層Ｍ３をマスクとして、保護絶縁層５０をエッチングすることにより、パッド開口部６０が形成され、図４（Ａ），（Ｂ）に示す半導体装置を製造することができる。
【００５４】
この態様によれば、パッド開口部６０の底面だけでなく側面においてもバリアメタル層４０ａ，ｃが露出することがないようにすることができる。その結果、膜剥がれの防止効果がより向上された半導体装置を製造することができる。
【００５５】
なお、上述の実施の形態の説明においては、第１〜第３の配線層３０，３２，３４およびパッド配線層４０は、バリアメタル層の間に導電層が形成されている場合について説明したが、バリアメタル層と導電層の２層が積層された場合にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかる半導体装置を模式的に示す図。
【図２】図１に示す半導体装置の第１〜第３の配線層の平面形状を示す図。
【図３】変形例１にかかる半導体装置を模式的に示す図。
【図４】変形例２にかかる半導体装置を模式的に示す図。
【図５】図１に示す半導体装置の製造工程を模式的に示す図。
【図６】図１に示す半導体装置の製造工程を模式的に示す図。
【図７】図１に示す半導体装置の製造工程を模式的に示す図。
【図８】図１に示す半導体装置の製造工程を模式的に示す図。
【図９】図２に示す半導体装置の製造工程を模式的に示す図。
【図１０】図２に示す半導体装置の製造工程を模式的に示す図。
【図１１】図３に示す半導体装置の製造工程を模式的に示す図。
【図１２】図３に示す半導体装置の製造工程を模式的に示す図。
【符号の説明】
１０  半導体基板、  ２０  第１の層間絶縁層、  ２２  第２の層間絶縁層、２４  第３の層間絶縁層、  ２６  第４の層間絶縁層、  ３０  第１の配線  層、  ３２  第２の配線層、  ３４  第３の配線層、  ４０  パッド配線層、４０ａ，ｃ  バリアメタル層、  ４０ｂ  パッド電極層、  ５０  保護絶縁  層、  ６０  パッド開口部、  ７０，７２，７４  コンタクト層、  １００  パッド部、  ２００  配線部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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