(57)【要約】【課題】 ポジティブフォトレジストを二重露光法を用いることにより半田バンプ構造の工程を単純化できる半田バンプ構造の形成方法を提供する。【解決手段】半田バンプ構造の形成方法において、フォトレジストを１次露光し現像して少なくとも一つ以上の第１開口部を形成する段階と、第１開口部に金属層を形成する段階と、フォトレジストを２次露光し現像して少なくとも一つ以上の第２開口部を形成する段階と、第２開口部のうちに半田層を形成する段階とを有する。【選択図】 図４Ｄ
2005129931.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジストを１次露光し現像して少なくとも一つ以上の第１開口部を形成する段階と、
前記第１開口部に金属層を形成する段階と、
前記フォトレジストを２次露光し現像して少なくとも一つ以上の第２開口部を形成する段階と、
前記第２開口部のうちに半田層を形成する段階と、
を有する半田バンプ構造の形成方法。
【請求項２】
前記第１開口部は、前記フォトレジストの露光部位に形成され、前記露光部位は、第１露光工程により限定されることを特徴とする請求項１に記載の半田バンプ構造の形成方法。
【請求項３】
前記第２開口部は前記フォトレジストの露光部位に形成され、前記露光部位は第２露光工程により限定され、第１露光工程により限定される露光されていない部位を含むことを特徴とする請求項２に記載の半田バンプ構造の形成方法。
【請求項４】
前記第２開口部は、前記第１開口部の大きさより大きく形成されることを特徴とする、請求項１に記載の半田バンプ構造の形成方法。
【請求項５】
集積回路チップの活性面に少なくとも一つ以上のＵＢＭ層を形成する段階と、
前記ＵＢＭ層上にフォトレジストを塗布する段階と、
前記フォトレジストを１次露光し現像して複数個の第１開口部を形成する段階と、
前記複数個の第１開口部に複数の金属層を形成する段階と、
前記フォトレジストを２次露光し現像して少なくとも一つ以上の第２開口部を形成する段階と、
前記金属層が埋め込まれた前記第２開口部のうちに半田物質を充填する段階と、
前記フォトレジストを除去する段階と、
前記半田層をリフローする段階と、
を有する半田バンプ構造の形成方法。
【請求項６】
前記フォトレジストは、ポジティブフォトレジストであることを特徴とする請求項５に記載の半田バンプ構造の形成方法。
【請求項７】
前記複数個の第１開口部は前記ポジティブフォトレジストの第１露光領域に形成され、前記第１露光領域は第１露光工程により限定されることを特徴とする請求項６に記載の半田バンプ構造の形成方法。
【請求項８】
前記複数個の第２開口部は、前記ポジティブフォトレジストの第２露光領域に形成され、前記第２露光領域は第２露光工程により限定され、第１露光工程により限定される露光されていない領域を含むことを特徴とする請求項７に記載の半田バンプ構造の形成方法。
【請求項９】
前記複数個の金属突起部の断面をなすパターンは、一定の網状のパターン、不規則な網状のパターン、偏平行列パターン、及び同心円パターンから選ばれることを特徴とする請求項５に記載の半田バンプ構造の形成方法。
【請求項１０】
前記金属層はニッケル(Ｎｉ)、銅(Ｃｕ)、パラジウム(ＰＤ)、白金(Ｐｔ)、並びにその合金から選ばれることを特徴とする請求項５に記載の半田バンプ構造の形成方法。
【請求項１１】
前記半田層は、錫(Ｓｎ)、鉛(Ｐｂ)、ニッケル(Ｎｉ)、金(Ａｕ)、銀(ＡＧ)、銅(Ｃｕ)、ビスマス(Ｂｉ)、並びにその合金から選ばれることを特徴とする請求項５に記載の半田バンプ構造の形成方法。
【請求項１２】
前記ＵＢＭ層は、接着層として作用する下部ＵＢＭ層と、半田ぬれ層として作用する上部ＵＢＭ層を有することを特徴とする請求項５に記載の半田バンプ構造の形成方法。
【請求項１３】
前記フォトレジストは、ポジティブフォトレジストであることを特徴とする請求項５に記載の半田バンプ構造の形成方法。
【請求項１４】
前記半田層をリフローして球形の半田バンプを形成することを特徴とする請求項５に記載の半田バンプ構造の形成方法。
【請求項１５】
前記複数の金属層は、前記ＵＢＭ金属層上に突出して形成されることを特徴とする、請求項５に記載の半田バンプ構造の形成方法。
【請求項１６】
一つのフォトレジストに少なくとも二つ以上の開口部を有して１つの半田層と前記半田層に埋め込まれた金属層とを形成する段階を有することを特徴とする半田バンプ構造の形成方法。
【請求項１７】
前記半田層は、前記金属層の形成の後に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の半田バンプ構造の形成方法。
【請求項１８】
前記フォトレジストに第１開口部を有して前記金属層を形成し、
前記フォトレジストに第２開口部を有して前記半田層を形成することを特徴とする請求項１６に記載の半田バンプ構造の形成方法。
【請求項１９】
前記フォトレジストは、ポジティブフォトレジストであることを特徴とする請求項１８に記載の半田バンプ構造の形成方法。
【請求項２０】
前記フォトレジストの第１領域を露光し現像して第１開口部を形成する段階と、
前記フォトレジストの第２領域を露光し現像して第２開口部を形成する段階と、を有することを特徴とする請求項１８に記載の半田バンプ構造の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子パッケージング技術に関するもので、より詳細にはフリップチップパッケージまたはウエハレベルパッケージに使用される半田バンプ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路チップの動作速度が増大して入出力ピン数が多くなったことで、既存のワイヤーボンディング技術はその限界に達している。例えば、微細ピッチワイヤーボンディング構造を実現する技術が、増大した集積回路チップの動作速度と増加した入出力ピン数等に対するニーズを満すことができないのである。従って、最近では、ワイヤーボンディング構造と代替するフリップチップパッケージ(flip chip package)またはウエハレベルパッケージ(wafer level package)などが注目を集めている。
【０００３】
フリップチップパッケージ及びウエハレベルパッケージの構造は、集積回路チップの入出力パッドに形成されている半田バンプ(solder bump)によって特徴付けられる。半田バンプの一般の構造の図１Ａ及び図１Ｂを参照して説明する。図１Ａは、配線基板に実装される前の半田バンプ構造を、図１Ｂは、配線基板に実装された後の半田バンプ構造をそれぞれ示す。
【０００４】
図１Ａと図１Ｂを参照すると、集積回路チップ１には複数個のチップパッド２が形成されている。図面上では一つのチップパッド２のみが示されている。一般に、チップパッド２はアルミニウムから形成される。集積回路チップ１にはさらにもう一つ以上の不活性層３、４が形成され、チップパッド２の表面を露出させる開口部が形成されている。半田バンプ５は、チップパッド２上に形成され、半田バンプ５とチップパッド２との間には一つ以上の下部バンプ金属層６、７（under bump metallurgy; ＵＢＭ）が形成される。
【０００５】
ＵＢＭ層６、７は、半田バンプ５がチップパッド２に安定に形成できるようにする機能と、チップパッド２及び集積回路チップ１に湿気が吸収できないようにする機能とを有する。一般に、第１ＵＢＭ層６は、接着層として用いてＣｒ、ＴｉまたはＴｉＷをスパッタリング方法により蒸着して形成する。第２ＵＢＭ層７は半田ぬれ層(solder wetting layer)として作用してＣｕ、ＮｉまたはＮｉＶをスパッタリング方法により蒸着して形成する。また、ＵＢＭ層６、７は半田拡散防止層としても作用する。そして、さらに酸化防止のためにもう一つの層を必要に応じて積層することができる。
【０００６】
フリップチップパッケージまたはウエハレベルパッケージは、図１Ｂに示すように、半田バンプ５を通して配線基板９に実装される。配線基板９には、チップパッド２と対向する位置に複数個の基板パッド８が形成されており、半田バンプ５は二つのパッド２、８間で半田接合部を作る。
【０００７】
配線基板９に実装された半田バンプ５は、その後からチップ１と配線基板９との熱膨張係数差による熱的及び/または機械的ストレスを受ける。このストレスは、半田バンプ５にクラック(crack)を誘発して、該クラックが半田バンプ５内部に伝播されることにより接続不良を引き起こすことになる。
【０００８】
こうした問題を解決するために、例えば、特許文献１には、柱形態(pillar-shaped)の金属バンプを球形の半田バンプの中に形成してストレスを吸収すること技術が開示されている。しかし、上記従来技術によれば、フォトレジストの開口部の中に柱形態の金属バンプを形成してから、さらにその上に直接半田層を形成する。そのため、所望の大きさの半田バンプを得るためには、きのこ形状を有する半田層といった過剰形成が不可避である。さらに半田層の過剰形成は隣り合う半田層同士の重畳を発生させ、さらに微細ピッチ(fine pitch)にも適していない。
【特許文献１】特開２０００−０９１３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って、本出願人は、半田バンプのクラックを減少させ且つ微細ピッチにも適用可能な金属突起部を有する半田バンプ構造を提案することになった。本発明による半田バンプ構造を図２Ａ及び図２Ｂに示している。
【００１０】
図２Ａと図２Ｂを参照すると、半田バンプ構造は複数の金属突起部５１１がＵＢＭ層５０７の表面より上側に突出して形成され、半田バンプ５０５内部に埋め込まれていることが特徴である。金属突起部５１１の断面は、図２Ｂに示すように、規則的な網状を有する。従って、規則的な網状の突起部５１１は、半田バンプ５０５内部で伝播されるクラックを遅延させる障害物として作用し、且つクラックの電波経路を長くすることでディバイスの不良を防止できる。
【００１１】
図３Ａ乃至図３Ｉは、図２Ａ及び図２Ｂの半田バンプ構造の形成方法を示す。図３Ａに示すように、集積回路チップ５０１のチップパッド５０２と、不活性層５０３、５０４上にＵＢＭ層５０６、５０７を形成する。図３Ｂに示すように、ＵＢＭ層５０６、５０７上にフォトレジスト５１５を塗布した後、図３Ｃに示すように、複数個の開口部５１６を通してＵＢＭ層５０６、５０７が露出されるようにフォトレジスト５１５を露光、現像してパターニングする。図３Ｄに示すように、突起部５１１を形成する金属を開口部５１６中に充填して、図３Ｅに示すように、フォトレジスト５１５を除去する。
【００１２】
図３Ｆに示すように、突起部５１１が形成された構造上にもう一つのフォトレジスト５１７を塗布する。図３Ｇに示すように、一つの開口部５１８を通して突起部５１１が露出されるようにフォトレジスト５１７を露光、現像してパターニングする。図３Ｈに示すように、開口部５１８内部を充填するために半田物質５０５を形成する。図３Ｉに示すように、フォトレジスト５１７を除去して外部に露出されたＵＢＭ層５０６、５０７を、半田物質５０５をマスクとして用いて除去した後、リフローして球形の半田物質５０５を得る。
【００１３】
図３Ａ乃至図３Ｉに開示の半田バンプ構造形成技術は、突起部５１１と半田バンプ５０５とをフォトレジスト５１５、５１７の互いに異なる開口部５１６、５１８を通して形成する。よって、開口部５１８内部のみに半田物質が形成されることから、上記従来技術の特許文献に開示された技術の問題点である、きのこ形状の半田層形成を防ぐことができ且つ微細ピッチを具現することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、工程を単純化させた半田バンプ構造の形成方法を提供する。
【００１５】
本発明に関わる半田バンプ構造の形成方法は、フォトレジストを１次露光、現像して第１開口部を形成する段階と、第１開口部に金属層を形成する段階と、フォトレジストを２次露光、現像して第２開口部を形成する段階と、第２開口部は半田層を形成する段階とを有して構成される。このとき、フォトレジストはポジティブフォトレジストであることが望ましい。
【００１６】
第１開口部は、フォトレジストの露光される領域に形成され、該フォトレジストの露光領域は第１露光工程によって形成される。また第２開口部は、ポジティブフォトレジストの露光される領域に形成され、上記ポジティブフォトレジストの露光領域は第２露光工程によって形成される。上記ポジティブフォトレジストの露光領域は、第１露光工程によって形成される露光されない領域を含む。第２開口部は、第１開口部の全体のサイズより大きく形成されることが望ましい。
【００１７】
本発明に係る半田バンプ構造の形成方法は、チップパッドを有する集積回路チップの活性面に少なくとも一つ以上のＵＢＭ層を形成する段階と、ＵＢＭ層上にフォトレジストを塗布する段階と、フォトレジストを１次露光、現像して複数個の第１開口部を形成する段階と、第１開口部を通してＵＢＭ層を選択的に露光する段階と、第１開口部にＵＭＢ層上に突出する形態の複数個の金属突起部を形成する段階と、フォトレジストを２次露光、現像して第２開口部を形成する段階と、第２開口部を通して金属突起部を露光する段階と、金属突起部が内部に埋め込まれるように第２開口部内に半田層を形成する段階と、フォトレジストを除去する段階、並びに半田層をリフローして球形の半田バンプを形成する段階と、を含んで構成される。
【００１８】
このとき、フォトレジストはポジティブフォトレジストであることが望ましい。第１開口部は、フォトレジストの第１露光領域に形成され、上記第１露光領域は第１露光工程によって形成される。また、第２開口部は、ポジティブフォトレジストの第２露光領域に形成され、上記第２露光領域は第２露光工程によって形成される。上記第２露光領域は、第１露光工程によって形成された露光されていない領域を含む。複数個の金属突起部の断面をなすパターンとしては、網のようなパターン、偏平行列パターン、同心円パターン、螺旋形、またはジグザグ形態の連続的パターン、不規則なパターン等が可能である。また、突起部を形成する金属物質は、ニッケル(Ｎｉ)、銅(Ｃｕ)、パラジウム(ＰＤ)、白金(Ｐｔ)、並びにその合金から少なくとも一つ以上から選ばれる。また、半田層は、錫(Ｓｎ)、鉛(Ｐｂ)、ニッケル(Ｎｉ)、金(Ａｕ)、銀(ＡＧ)、銅(Ｃｕ)、ビスマス(Ｂｉ)、並びにその合金から少なくとも一つ以上から選ばれる。ＵＢＭ層は、接着層として作用する下部ＵＢＭ層と、半田ぬれ層として作用する上部ＵＢＭ層を有するのが望ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照しながら発明の望ましい実施例をより詳細に説明する。添付図面において、一部の構成要素は図面の明確な理解を助けるために多少誇張されたり概略的に示さたり省略されたりすることがある。また、各構成要素の実際の大きさそのものが反映されたものではない。
【００２０】
図４Ａ乃至図４Ｇは、本発明の実施例による半田バンプ構造１００の形成方法を工程手順を示す。
【００２１】
まず、図４Ａに示すように、集積回路チップ１０２にチップパッド１０４と不活性層１０６、１０８が形成されている。集積回路チップ１０２は、フリップチップパッケージを構成する単一チップであるか、ウエハレベルパッケージを構成するウエハ上のチップである。チップパッド１０４と不活性層１０６、１０８とは通常のウエハ製造工程を通して集積回路チップ１０２の活性面に形成され、大体アルミニウム及び/またはその他適宜な物質からなる。チップパッド１０４は、集積回路チップ１０２の入出力端子として用いられる。不活性層１０６、１０８は集積回路チップ１０２の内部回路を保護し、開口部を通してチップパッド１０４を外部に露出させる。下部不活性層１０６は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、またはその他適宜な物質等からなる。上部不活性層１０８は、ポリイミド(polyimide)またはその他適宜な物質等からなる。本発明において２つの不活性層１０６、１０８を示すが、その数に限定されない。
【００２２】
チップパッド１０４と不活性層１０６、１０８にＵＢＭ層１１０、１１２が形成される。下部ＵＢＭ層１１０は接着層として作用し、例えば、クロム(Ｃｒ)、ニッケル(Ｎｉ)、またはチタニウムタングステン(ＴｉＷ)をスパッタリング方法により蒸着して形成する。上部ＵＢＭ層１１２は、半田ぬれ層(solder wetting layer)として作用して、例えば、銅(Ｃｕ)、ニッケル(Ｎｉ)、ニッケルバナジウム(ＮｉＶ)及び/またはその他適宜な物質をスパッタリング方法により蒸着して形成する。ＵＢＭ層１１０、１１２は、半田拡散防止層として作用して、さらに酸化防止層を追加に形成することができる。
【００２３】
次いで、図４Ｂに示すように、上部ＵＢＭ層１１２上にフォトレジスト１１４を塗布する。このときに用いるフォトレジスト１１４は、ポジティブフォトレジスト(positive photoresist)であり、通常の厚さより少し厚く塗布される。
【００２４】
次いで、図４Ｃに示すように、フォトレジスト１１４を露光、現像して複数個の第１開口部１１６を形成する。フォトレジスト１１４に形成された第１開口部１１６を通して上部ＵＢＭ層１１２が選択的に露光される。ここで、第１開口部１１６のパターンと形態は突起部パターンと形態を決定づける。当然ながら、第１開口部は多様なパターンと形態を形成することができる。そのため、金属突起部も多様なパターンと形態を形成する。例えば、金属突起部の一定の網パターン（例えば、図２に図示）、または第１開口部１１６のパターンによって多様なパターンで形成できる。本発明では、第１開口部１１６を特定数で限定していない。例えば、フォトレジスト１１４の第１開口部１１６をそれに対応するパターンで形成できる。
【００２５】
続いて、図４Ｄに示すように、第１開口部１１６中に金属物質を所定の高さまでに充填して金属突起部１１８を形成する。従って、金属突起部１１８は、上部ＵＢＭ層１１２から上側に突出した形態を有する。このときに用いられる金属物質は、ニッケル(Ｎｉ)、銅(Ｃｕ)、パラジウム(ＰＤ)、白金(Ｐｔ)、その合金、及び/またはその他適宜な物質等からなり、電気メッキ方法を用いて金属突起部１１８を蒸着する。しかしながら、本発明は上記方法に限定されず、また金属突起部１１８は公知技術である他の方法により提供することもできる。当然ながら、金属突起部１１８は不規則な高さ或いは多様な高さを有する。
【００２６】
次いで、図４Ｅに示すように、フォトレジスト１１４を再び露光、現像して第２開口部１２０を形成する。第２開口部１２０は半田バンプ領域を決定づける。従って、突起部１１８の全体が第２開口部１２０内部から外部に露出されるように大きく形成するのが望ましい。
【００２７】
次いで、図４Ｆに示すように、第２開口部１２０中に半田物質１２２を充填する。半田物質１２２としては、錫(Ｓｎ)、鉛(Ｐｂ)、ニッケル(Ｎｉ)、金(Ａｕ)、は(ＡＧ)、銅(Ｃｕ)、ビスマス(Ｂｉ)、その合金及び/またはその他適宜な物質等が使用できる。本実施例において半田物質１２２は、第２開口部１２０を越えず金属突起部１１８を覆う程度の十分な量が提供される。第２開口部１２０は、フォトレジスト１１４を厚く塗布したため、充分な深さを有するとともに、第１開口部１１６の一部の深さのみ突起部１１８を形成したため、突起部１１８上側に充分な空間を有している。また、第２開口部１２０は、第１開口部１１６と別に形成されるため、独立にその大きさを調節することができる。従って、第２開口部１２０は、所望の大きさの半田バンプを形成できる分だけ十分な量の半田物質１２２を受容することができる。よって、サイズの規格を満足させることができる。こうした点で、半田物質１２２がきのこ形状に過剰形成されることを防ぐことができ且つ微細ピッチを具現することができる。
【００２８】
次いで、フォトレジスト１１４を除去した上、半田物質１２２をマスクとして用いて半田バンプ領域にあるＵＢＭ層１１０、１１２をエッチングして除去する。その後、半田物質をリフローすると、図４Ｇに示すごとく、球形の半田バンプ１２４を得る。ここで、半田リフロー技術は、公知技術であるため詳細な説明を省略する。完成された半田バンプの最終構造１００では金属突起部１１８が半田バンプ１２４中に埋め込まれている形態を有する。
【００２９】
金属突起部１１８は、本実施形態に例示された特定パターンや形態に限定せず多様なパターンと形状に具現することができる。例えば、金属突起部１１８の断面がなすパターンは、網状のパターン、偏平行列パターン、同心円パターンなど規則的なパターンだけでなく、不規則的なパターンも可能で、螺旋状またはジグザグ状の連続的パターンも有することができる。突起部１１８の終端面は例示された四角形の他にも楕円形やその他の多角形またはこれらの混合した形態を有することができる。さらに、突起部１１８の側壁は、例示された垂直面の他にも傾斜面でも良く或いは溝が掘られたものでも良い。
【００３０】
以上、説明した半田バンプ構造１００の形成方法は、ポジティブフォトレジスト１１４のうち、露光を介して工程を単純化させた点に特徴がある。すなわち、半田バンプ１２４の微細ピッチを具現するために、フォトレジスト１１４の第１開口部１１６と第２開口部１２０を別途に形成するが、従来とは異なり、第１開口部１１６を形成するときに用いるフォトレジスト１１４を除去せず、第２開口部１２０を形成するときもそのまま使用するので工程単純化が実現される。
【００３１】
本発明の実施形態において、ポジティブフォトレジストを用いて露光工程を実施する。ここで、ポジティブフォトレジストとは、露光工程によってレジストの露光部位を除去したものである。図５Ａに示すように、マスク１３６を用いてポジティブレジストの露光部位を露光１３２を施行すると、露光部位が化学反応を起こして現像液に溶解できる状態となり、露光されない部位１３８は溶解できないままで残る。図５Ｂに示すように、もう一つのマスク１４０を用いて追加で露光１３２を施行すると、１次露光時に露光されなかった部位１３８のうちの一部が露光され第２開口部１２０を得ることができるようになる。
【００３２】
一方、本明細書と図面に開示された本発明の実施例は理解を助けるために特定の実施形態を例示したことに過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。ここに開示された実施例の他にも本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内における種々の変形例が実施可能であることは当業者には自明である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１Ａ】配線基板に実装される前の半田バンプの一般の構造を示す断面図である。
【図１Ｂ】配線基板に実装される後の図１Ａの半田バンプの一般の構造を示す断面図である。
【図２Ａ】従来の半田バンプ構造を示す断面図である。
【図２Ｂ】図２ＡのＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。
【図３Ａ】図２Ａ及び図２Ｂで示された半田バンプ構造の形成方法を示す断面図である。
【図３Ｂ】図２Ａ及び図２Ｂで示された半田バンプ構造の形成方法を示す断面図である。
【図３Ｃ】図２Ａ及び図２Ｂで示された半田バンプ構造の形成方法を示す断面図である。
【図３Ｄ】図２Ａ及び図２Ｂで示された半田バンプ構造の形成方法を示す断面図である。
【図３Ｅ】図２Ａ及び図２Ｂで示された半田バンプ構造の形成方法を示す断面図である。
【図３Ｆ】図２Ａ及び図２Ｂで示された半田バンプ構造の形成方法を示す断面図である。
【図３Ｇ】図２Ａ及び図２Ｂで示された半田バンプ構造の形成方法を示す断面図である。
【図３Ｈ】図２Ａ及び図２Ｂで示された半田バンプ構造の形成方法を示す断面図である。
【図３Ｉ】図２Ａ及び図２Ｂで示された半田バンプ構造の形成方法を示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の実施形態による半田バンプ構造の形成方法を示す断面図である。
【図４Ｂ】本発明の実施形態による半田バンプ構造の形成方法を示す断面図である。
【図４Ｃ】本発明の実施形態による半田バンプ構造の形成方法を示す断面図である。
【図４Ｄ】本発明の実施形態による半田バンプ構造の形成方法を示す断面図である。
【図４Ｅ】本発明の実施形態による半田バンプ構造の形成方法を示す断面図である。
【図４Ｆ】本発明の実施形態による半田バンプ構造の形成方法を示す断面図である。
【図４Ｇ】本発明の実施形態による半田バンプ構造の形成方法を示す断面図である。
【図５Ａ】ポジティブフォトレジストのうち露光を示す断面図である。
【図５Ｂ】ポジティブフォトレジストのうち露光を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１００  半田バンプ構造（solder bump structure）
１０２  集積回路チップ（integrated circuit chip）
１０４  チップパッド
１０６  不活性層
１０８  不活性層
１１０  ＵＭＢ層
１１２  ＵＭＢ層
１１４  フォトレジスト
１１６  開口部
１１８  突起部
【図１Ａ】
2005129931.tif 000003
【図１Ｂ】
2005129931.tif 000004
【図２Ａ】
2005129931.tif 000005
【図２Ｂ】
2005129931.tif 000006
【図３Ａ】
2005129931.tif 000007
【図３Ｂ】
2005129931.tif 000008
【図３Ｃ】
2005129931.tif 000009
【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
2005129931.tif 000011
【図３Ｆ】
2005129931.tif 000012
【図３Ｇ】
2005129931.tif 000013
【図３Ｈ】
2005129931.tif 000014
【図３Ｉ】
2005129931.tif 000015
【図４Ａ】
2005129931.tif 000016
【図４Ｂ】
2005129931.tif 000017
【図４Ｃ】
2005129931.tif 000018
【図４Ｄ】
2005129931.tif 000019
【図４Ｅ】
2005129931.tif 000020
【図４Ｆ】
2005129931.tif 000021
【図４Ｇ】
2005129931.tif 000022
【図５Ａ】
2005129931.tif 000023
【図５Ｂ】
2005129931.tif 000024