(57)【要約】【課題】  導体層の厚みを１０μｍ未満に容易に形成でき、導体層とシートとの常温時及び加熱保持時の接着強度が高く、かつ、導体層とシートとの接合界面が平坦であって、導体層にファインパターンを形成したときに、導体層とシートとの接合界面の凹凸に起因するパターン幅のバラツキが生じないようにできる導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法及び導体被覆ポリイミドフィルムを提供することにある。【解決手段】  ガラス転移温度が１５０℃以上の熱可塑性ポリイミド樹脂層（１）が高耐熱性の芳香族ポリイミドからなるフィルム（２）の少なくとも片側に一体に積層されているポリイミドフィルム（３）に、５μｍ以下の無電解めっきを行う工程と、次いで、電気銅めっきを所望の厚みまで析出させる工程と、得られた導体被覆ポリイミドの一体化した導体層とポリイミド樹脂層を２６０℃〜５５０℃の温度で真空又は不活性雰囲気で加熱し接着強化する。【選択図】  図１
2005088465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス転移温度が１５０℃以上の熱可塑性ポリイミド樹脂層が高耐熱性の芳香族ポリイミドからなるフィルムの少なくとも片側に一体に積層されているポリイミドフィルムに、５μｍ以下の無電解めっきを行う工程と、次いで、電気銅めっきを所望の厚みまで析出させる工程と、得られた導体被覆ポリイミドの一体化した導体層とポリイミド樹脂層を２６０℃〜５５０℃の温度で真空又は不活性雰囲気で加熱し接着強化することを特徴とする導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項２】
厚み１０μｍ以下の電気銅めっきをし加熱したものに、さらに電気銅めっきを施すことを特徴とする請求項１記載の導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項３】
ガラス転移温度が１５０℃以上の熱可塑性ポリイミド樹脂層が芳香族テトラカルボン酸類と複数個のベンゼン環を有する芳香族ジアミンとから得られた熱可塑性の芳香族ポリイミドからなり高耐熱性の芳香族ポリイミドが、ビフェニルテトラカルボン酸類とフェニレンジアミンとから得られた芳香族ポリイミド、または、ピロメット酸二無水物と芳香族ジアミンから得られたものであることを特徴とする請求項１記載の導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項４】
５μｍ以下の無電解めっきが銅、または、ニッケル、または、コバルトの導体、または、それら合金であることを特徴とする請求項１記載の導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項５】
ポリイミドへの無電解めっきが熱可塑樹脂に加熱接着した貴金属微粒子または還元された銅微粒子を核として無電解めっきを行うことを特徴とする請求項１記載の導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５いずれか記載の導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法を用いて製造してなることを特徴とする導体被覆ポリイミドフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品製造においてプリント配線板等の材料として使用される導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法及び導体被覆ポリイミドフィルムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ポリイミド樹脂は、優れた耐熱性を有し、機械的、電気的そして化学的特性も良好であり、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディング（ＴＡＢ）用基板等の絶縁材料として用いられている。例えば、芳香族ポリイミドフィルムと銅箔とをエポキシ樹脂などの熱硬化性接着剤で貼り合わせてラミネート法によるＦＰＣ用やＴＢＡ用のフレキシブル基板とすることが行われている。ラミネート法によるフレキシブル基板では、銅箔の接着力が保持できる温度が低いという熱時の接着強度の問題や、エッチング工程で熱硬化性接着剤層に塩素や硫酸イオン等が吸着されて絶縁が劣化する恐れがあるという問題があった。そこで、無接着剤タイプのフレキシブル基板が開発されてきている。無接着剤タイプのフレキシブル基板の製造法としては、ポリイミドフィルム表面にスパッタリング、イオンプレーティング、蒸着等により直接金属層を被着する方法が検討されている。また、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を銅箔上に塗布した後、ポリアミドをイミド化してフレキシブル基板とする方法や、芳香族ポリイミドからなる基体層の片面または両面に、熱圧着性を有するポリイミドを積層したシートを作製し、このシートと銅箔とを重ね合せ加熱圧着して、絶縁層が全てポリイミドからなるフレキシブル基板が検討されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開平１０−０７５０５３号公報（第２頁、第３頁）
【特許文献２】特公平７−１０２６４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述したポリイミドフィルム表面にスパッタリング、イオンプレーティング、蒸着等により直接金属層を被着する方法では、金属層を被着した後で銅層を電気めっきで形成できるため、屈曲性を有しファインパターンの形成に適した厚さ９μｍ未満の導体層を容易に形成でき、かつ導体層とポリイミドフィルムとの接合界面が平坦であるため、ファインパターンの形成に適した方法であるが、導体層の接着強度が不十分であるという問題と、加熱保持時の導体層の接着強度の低下が著しいという問題があった。さらに、金属層を被着する際に微小なピンホールが発生し、それを起因とする、金属層上に形成した銅層の欠落の問題が発生している。
【０００４】
一方、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を銅箔上に塗布した後、ポリアミドをイミド化してフレキシブル基板とする方法や、芳香族ポリイミドからなる基体層の片面または両面に、熱圧着性を有するポリイミドを積層したシートを作製し、このシートと銅箔とを重ね合せ加熱圧着して、絶縁層が全てポリイミドからなるフレキシブル基板とする方法の場合には、銅箔を使用するため、屈曲性を有しファインパターンの形成に適した厚さ１０μｍ未満の導体層を形成することが困難であり、また、銅箔のアンカー効果を利用して銅箔とポリイミドとの接着を行っているため、接着強度は高いが、エッチングによってファインパターンを形成したときに、アンカー効果を生じさせる銅箔表面の凹凸を起因とするパターン幅のバラツキが発生するという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記の事情に鑑みて成されたもので、その目的とするところは、芳香族ポリイミドを基体層とするシート上に導体層を形成している導体被覆ポリイミド基板であって、導体層の厚みを１０μｍ未満に容易に形成でき、導体層とシートとの常温時及び加熱保持時の接着強度が高く、かつ、導体層とシートとの接合界面が平坦であって、導体層にファインパターンを形成したときに、導体層とシートとの接合界面の凹凸に起因するパターン幅のバラツキが生じないようにできる導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法及び導体被覆ポリイミドフィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明者は、熱可塑ポリイミド樹脂層が、加熱しても形態の変化がない耐熱性の芳香族ポリイミドフィルムに積層されているフィルムの熱可塑性ポリイミド樹脂層上に、所定の厚み以下の無電解めっき薄膜と続けて電気銅めっきをおこなった導体層が，弱い接合にて一体化されているものを、加熱してその熱可塑ポリイミド樹脂層が軟化し導体層との接着性を更に強めることで、導体層とシートとの界面が平滑でも、十分に高い常温時および加熱保持時の接合強度が得られることを見出し、本発明に至ったものである。
【０００７】
具体的には、本発明の請求項１に係る導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法は、ガラス転移温度が１５０℃以上の熱可塑性ポリイミド樹脂層が高耐熱性の芳香族ポリイミドからなるフィルムの少なくとも片側に一体に積層されているポリイミドフィルムに、５μｍ以下の無電解めっきを行う工程と、次いで、電気銅めっきを所望の厚みまで析出させる工程と、得られた導体被覆ポリイミドの一体化した導体層とポリイミド樹脂層を２６０℃〜５５０℃の温度で真空又は不活性雰囲気で加熱し接着強化することを特徴としている。
【０００８】
本発明の請求項２に係る導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法は、厚み１０μｍ以下の電気銅めっきをし加熱したものに、さらに電気銅めっきを施すことを特徴としている。
【０００９】
本発明の請求項３に係る導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法は、ガラス転移温度が１５０℃以上の熱可塑性ポリイミド樹脂層が芳香族テトラカルボン酸類と複数個のベンゼン環を有する芳香族ジアミンとから得られた熱可塑性の芳香族ポリイミドからなり高耐熱性の芳香族ポリイミドが、ビフェニルテトラカルボン酸類とフェニレンジアミンとから得られた芳香族ポリイミド、または、ピロメット酸二無水物と芳香族ジアミンから得られたものであることを特徴としている。
【００１０】
本発明の請求項４に係る導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法は、５μｍ以下の無電解めっきが銅、または、ニッケル、または、コバルトの導体、または、それら合金であることを特徴としている。
【００１１】
本発明の請求項５に係る導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法は、ポリイミドへの無電解めっきが熱可塑樹脂に加熱接着した貴金属微粒子または還元された銅微粒子を核として無電解めっきを行うことを特徴としている。
【００１２】
本発明の請求項６に係る導体被覆ポリイミドフィルムは、請求項１ないし請求項５いずれか記載の導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法を用いて製造してなることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の請求項１ないし請求項５に係る導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法によると、導体層の厚みを１０μｍ未満に容易に形成することができ、導体層とシートとの常温時及び加熱保持時の接着強度が高く、かつ、導体層とシートとの接合界面が平坦であって、導体層にファインパターンを形成したときに、導体層とシートとの接合界面の凹凸に起因するパターン幅のバラツキが生じないようにできる導体被覆ポリイミドフィルムを製造することができる。
【００１４】
本発明の請求項６に係る導体被覆ポリイミドフィルムによると、請求項１ないし請求項５いずれか記載の導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法を用いて製造してなるものであるので、導体層の厚みを１０μｍ未満に容易に形成することができ、導体層とシートとの常温時及び加熱保持時の接着強度が高く、かつ、導体層とシートとの接合界面が平坦であって、導体層にファインパターンを形成したときに、導体層とシートとの接合界面の凹凸に起因するパターン幅のバラツキが生じないようにできる導体被覆ポリイミドフィルムとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について、図面に基づいて詳しく説明する。
【００１６】
図１は、本発明の導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法及び導体被覆ポリイミドフィルムを説明するための断面図である。図２は、本発明の導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法及び導体被覆ポリイミドフィルムにおいて得られる導体被覆ポリイミドフィルムを示した断面図である。図３は、本発明の導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法及び導体被覆ポリイミドフィルムを説明するための図１におけるポリイミドフィルムの部分のみを示した断面図である。
【００１７】
本発明の導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法では、図３に示すように、ガラス転移温度が１５０℃以上の熱可塑性ポリイミド樹脂層（１）が高耐熱性の芳香族ポリイミドからなるフィルム（２）の少なくとも片側に一体に積層されているポリイミドフィルム（３）が用いられ、このポリイミドフィルム（３）に５μｍ以下の無電解めっきを行う工程が行われて、図１に示すごとく、無電解めっき層（４）が形成されるとともに、電気銅めっきを所望の厚みまで析出させる工程により、電解銅めっき層（５）が形成されるものである。
【００１８】
また、図２に示すごとく、厚み１０μｍ以下の電気銅めっきをし加熱したものに、さらに電気銅めっきを施すことにより、上記電解銅めっき層（５）の上に２次電解銅めっき層（６）が形成されたものであってもかまわないものである。
【００１９】
以下、本発明を詳細に説明していく。
【００２０】
本発明において使用される高耐熱性の芳香族ポリイミドは芳香族テトラカルボン酸又はその誘導体である芳香族テトラカルボン酸類と芳香族ジアミンとから得られるポリイミドである。芳香族テトラカルボン酸及び酸類としては、ピロメリット酸、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸の１種または２種の組み合わせ、芳香族ジアミンフェニレンジアミン４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの１種または２種の組み合わせなどが挙げられる。特に、芳香族テトラカルボン酸類としてピロメリット酸二無水物を用い、芳香族ジアミンとしてジアミノジフェニルエーテルを用いた芳香族ポリイミドと、芳香族テトラカルボン酸類として３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を用い、芳香族ジアミンとしてフェニレンジアミンを用いた芳香族ポリイミドとが、耐熱性、機械強度、寸法安定性の点から好ましい。そして、上述した芳香族ポリイミドでシートの基体層は形成される。
【００２１】
この基体層と積層させる熱可塑性樹脂層を形成する熱可塑性樹脂は、加熱を行うことで軟化し、接する無電解めっき薄膜（後述）と一体化し、冷却後に強固な接着性を示す樹脂である。すなわち、本発明で使用する熱可塑性樹脂は加熱によって接着性が生じるという加熱接着性を有する熱可塑性樹脂である。熱可塑性ポリイミド樹脂としては主鎖にイミド構造を有するポリマーであってガラス転移温度が、好ましくは１５０〜３５０℃の範囲内にあり、このガラス転移温度では弾性率が急激に低下するものを言う。例えばこれらポリイミドも芳香族芳香族テトラカルボン酸又はその誘導体である芳香族テトラカルボン酸類と芳香族ジアミンとから得られるポリイミドがある。例えば、芳香族テトラカルボン酸成分としてベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物などで、芳香族ジアミン成分としては、ジアミノジフェニルエーテル類、ジ（アミノフェノキシ）ベンゼン類、ビス（アミノフェノキシフェニル）スルホン類、ビス（アミノフェノキシフェニル）プロパン類、ビス（アミノフェノキシ）ベンゼン類などで構成される。
【００２２】
特に、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物のビフェニルテトラカルボン酸類と芳香族ジアミンは複数個のベンゼン環を有するものが望ましい。熱可塑性樹脂層が芳香族ポリイミドからなる基体層に積層されているシートを作製する方法としては、芳香族ポリイミドからなる基体層に熱可塑性樹脂を塗工、加熱して一体化する方法や、特公平７−１０２６４９号公報に示されるような２層以上の押し出し成型用ダイスを有する押出成形機を用いて共押出しして一体化する方法が挙げられる。
【００２３】
本発明では、上述したシートの熱可塑性樹脂層上に、厚さ１μｍ以下の銅、ニッケル、コバルト又はそれらの合金の無電解めっき薄膜を形成する。無電解めっき薄膜を銅、ニッケル、コバルト又はそれらの合金で形成する理由は、その後に銅層を形成して得られる導体被覆ポリイミド基板の導体層に回路形成を行う場合に、銅層を含む導体層のエッチング工程で、他の金属では銅と共にエッチングすることが困難であり、かつ、銅、ニッケル、コバルト又はそれらの合金で無電解めっき薄膜を形成していると、電気的特性の良好な導体層を形成することが可能だからである。
【００２４】
そして、本発明では、上述したシートの熱可塑性樹脂層上に、厚さ５μｍ以下の無電解めっきを施す。無電解めっきは金、銀、白金属のめっきでものよいが、プリント配線板では銅、ニッケル、コバルト又はそれらの合金の無電解めっき薄膜を形成する。無電解めっき薄膜を銅、ニッケル、コバルト又はそれらの合金で形成する理由は、その後に銅層を形成して得られる導体被覆ポリイミド基板の導体層に回路形成を行う場合に、銅層を含む導体層のエッチング工程で、他の金属では銅と共にエッチングすることが困難であり、かつ、銅、ニッケル、コバルト又はそれらの合金で無電解めっき薄膜を形成していると、電気的特性の良好な導体層を形成することが可能だからである。
【００２５】
そして、無電解めっき薄膜の厚さを５μｍ以下と制限するのは、ポリイミドを表面処理したとしても無電解めっきと樹脂層との密着は低く、５μｍより大きいと部分的に無電解めっき時にめっき膨れ、剥れを生じるためである
無電解のめっき薄膜の形成に当っては、パラジウム触媒の付着のための準備として、シートに対してプラズマ処理や、コロナ放電処理や、酸、アルカリ又は還元の溶液浸漬処理を行って、純水との接触角を１０°以下におさえた樹脂表面改質を施すことが好ましい。その後に、塩化第ＩＩすずのセンシタイザー・塩化パラジウムのアクチベーター法や、パラジウム−すずコロイドのキャタリスト−アクセレーター法等によるパラジウム触媒の付着を行う。また、シートの熱接着性を利用して貴金属微粒子、銅微粒子を加熱したシートに付着させ、貴金属族はそのまま又は銅であれば還元液で還元した銅微粒子を核に無電解めっきを行うことができる。
【００２６】
次に、銅、ニッケル、コバルト又はそれらの合金のめっき液浴に、パラジウム触媒を付着させたシートを浸漬して、めっき皮膜を全面に析出させて、無電解めっき薄膜をシート表面に形成する。なお、めっき液浴にシートを浸漬する前に、シートにあらかじめ耐めっき液性のフォトレジストを使用してシート表面の一部をマスクし、めっき皮膜を部分的に析出させることも可能である。このように、めっき皮膜を部分的に析出させた場合には、後述の無電解めっき又は電解めっきの銅層は、この部分的に析出させた無電解めっき薄膜上に形成するので、全面被覆ではなく、必要部分だけを部分的に導体で被覆した導体被覆ポリイミド基板とすることができる。
【００２７】
シートの熱可塑性樹脂層を形成している熱可塑性樹脂が、熱可塑性ポリイミドである場合には、銅で無電解めっき薄膜を形成すると、熱可塑性ポリイミドの種類によっては銅の熱可塑性樹脂層への拡散と、シートを通過した酸素による拡散銅の酸化が起こることがある。導体被覆ポリイミド基板を高温環境に長時間放置して、このような拡散銅の酸化が起こると、導体層と熱可塑性樹脂層の界面の密着不良が発生することがあるので、熱可塑性ポリイミドの種類によっては銅以外の金属で無電解めっき層を形成することを考慮する必要がある。
【００２８】
次いで、その無電解めっきによって導通性を得た層に電解銅めっきを施し、導体を得る。このとき電解銅めっきとしたのはプリント配線板に向いた電気抵抗の少なく且つサブトラクティブ加工がしやすい導体として銅が用いられている為である。フィルム組成や表面処理によっては、無電解めっき後電解銅めっき時に剥離なく、また無電解めっき及び電解銅めっきをした複合導体は加熱工程までに入る搬送工程、巻き工程などの応力には剥れなく密着している０．０２〜０．８ｋｇ／ｃｍのピール強度を得られる。ポリイミドフィルム表面のカップリング剤・界面活性剤での表面処理では密着力が低いため、電解銅めっきの厚みが少なくとも１０μｍより大きいと、電解銅めっき応力で電解銅めっき時やその加熱工程までにはがれたりするために、無電解めっきの後電解銅めっきが大きくても１０μｍ以内にし、加熱接着させた後、再度電解銅めっきを行うこともありうるものである。
【００２９】
本発明では、熱可塑性樹脂層上に、厚さ５μｍ以下の無電解めっき及び電解銅めっきを施し加熱して複合導体層を熱可塑性ポリイミド樹脂層を接着する。この加熱温度については、熱可塑性樹脂層と無電解めっき薄膜とが接着し、導体被覆ポリイミド基板としたときの導体層の常温時及び加熱保持後の接着強度が優れたものとなる温度とすればよいが、半田耐熱性の確保に必要な２６０℃以上とすることが好ましく、より好ましくは３００℃以上である。なお、この加熱温度の上限については、シートを構成する樹脂（芳香族ポリイミド及び熱可塑性樹脂）の熱分解開始温度以下であればよいが、熱可塑性樹脂層と無電解めっき薄膜との良好な接着状態を達成するには、好ましくは５５０℃以下、より好ましくは４５０℃以下である。また、無電解めっき薄膜の熱劣化を防止するためには、酸素濃度が１００ｐｐｍ以下である窒素ガス、ネオンガス、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気で加熱することが好ましい。加熱時間については特に制限はないが、例えば０．５秒〜３０分間の範囲内で行うことができる。
【００３０】
このようにして熱可塑性樹脂層と無電解めっき薄膜とを接着した後、無電解めっき薄膜上に無電解めっき又は電解めっきの銅層を形成して、本発明の導体被覆ポリイミド基板を製造する。本発明では、銅層をめっき（無電解めっき又は電解めっき）によって形成するので、無電解めっき薄膜と銅層で形成される導体層の厚みを、容易に薄く（１０μｍ未満）形成できる。
【００３１】
以上のようにして得られる導体被覆ポリイミド基板は、導体層の厚みを１０μｍ未満に容易に形成でき、導体層とシートとの常温時及び加熱保持時の接着強度が高く、かつ、導体層とシートとの接合界面が平坦であって、導体層にファインパターンを形成したときに、導体層とシートとの接合界面の凹凸に起因するパターン幅のバラツキが生じないようにできるものである。
【実施例】
【００３２】
以下、本発明を実施例、比較例により、さらに説明する。
【００３３】
（実施例１）
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンをＮ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド中で重合してモノマー濃度１８重量部溶液粘度４５００ポイズの第１の芳香族ポリアミック酸溶液を調整した。
【００３４】
一方、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンをＮ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド中で重合してポリマー濃度１８％溶液粘度３５００ポイズの第２の芳香族ポリアミック酸溶液を調整した。
【００３５】
前記の第１及び第２の芳香族ポリアミック酸溶液を使用して、２層押出しダイスから、平滑な金属支持体の上面に押出して流延し、１４０℃の熱風で連続的に乾燥し、固化フィルムを形成し、その固化フィルムを支持体から剥離した後、加熱炉で２２０℃から５５０℃まで徐々に昇温して溶媒を除去すると共に、ポリマーのイミド化を行い２層の押出しポリイミドフィルムを得た。
【００３６】
前記のポリイミドは高耐熱性の２次転移温度がない芳香族ポリイミドからなる基体層が２０μｍであり、熱接着性の２次転移温度が２４５℃である芳香族ポリイミドからなる薄層が高耐熱性の芳香族ポリイミドの両側に３μｍずつ、１体に形成され、フィルム厚みは２６μｍであった。このフィルムに２重量％の酸化第二銅で平均粒径５０ｎｍのナノ粒含有溶液をスピンコートして、大気中２００℃、１０分加熱後で３５０℃で１０分焼き付けを行った。そのフィルムを６０℃のジメチルアミンボラン０．０３ｍｏｌの水溶液に５分浸漬して、酸化銅を還元させ銅粒子の付いたフィルムを得た。
【００３７】
次いで、水洗した後、無電解銅めっき液（上村工業社製、商品名「スルカップＰＥＡ」）に３６℃、浴負荷０．４ｄｍ2／リットル、析出速度２．０μｍ／ｈｒで６分間揺動浸漬し、厚さ０．２μｍの無電解銅めっき皮膜を得た。さらに、無電解銅めっき皮膜上に、電気めっきにより厚さ５μｍの銅層を形成して導体被覆ポリイミド基板を得た。電気めっき条件は、ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏを１００ｇ／リットル、Ｈ2ＳＯ4を１５０ｇ／リットル含むメッキ浴、めっき温度２５℃、めっき時間１５分とした。次に、無電解銅めっき皮膜を形成したシ−トを、熱風循環式加熱炉（光洋サーモシステム社製）を用いて、酸素濃度が１００ｐｐｍ以下の窒素ガス雰囲気中で５℃／分の昇温スピードにて３４０℃まで加熱し、３４０℃で３時間保持した後、２℃／分の降温スピードで冷却して熱処理を行った。
【００３８】
そして、熱処理を終えたシートの無電解銅めっき皮膜上に、同様に電気めっきにより厚さフィルムの両面１８μｍの銅層を形成して導体被覆ポリイミド基板を得た。電気めっき条件は、ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏを１００ｇ／リットル、Ｈ2ＳＯ4を１５０ｇ／リットル含むメッキ浴、めっき温度２５℃、めっき時間４０分とした。
【００３９】
得られた導体被覆ポリイミド基板（導体被覆フレキシブル基板）に幅３ｍｍ、長さ１００ｍｍの帯状の導体層パターンを形成して、この導体層の端部を導体被覆ポリイミド基板に対して垂直方向に引き剥がして、導体層の引き剥がし強度（接着強度）を測定した。常温（２５℃）の引き剥がし強度（接着強度）は１．２ｋｇｆ／ｃｍ（１１．８Ｎ／ｃｍ）であり、１５０℃雰囲気に１６８時間保持した後の引き剥がし強度（接着強度）は０．９ｋｇｆ／ｃｍ（８．８Ｎ／ｃｍ）であった。同じように、加熱前の導体被覆ポリイミドフィルムの導体引き剥がし強度を測定すると０．１ｋｇｆ／ｃｍであり、加熱接着後の５μｍ導体厚みの強度は１．３ｋｇｆ／ｃｍであり、１５０℃雰囲気に１６８時間保持した後の引き剥がし強度は０．８ｋｇｆ／ｃｍであった。
【００４０】
また、導体５μｍの加熱後の導体被覆ポリイミドフィルムを１２×１２ｃｍに切り出し、片面の銅体をエッチングし残った銅被覆層側から光をあててピンホールの有無を確認したところ、１２×１２ｃｍの領域内では光の透過は見とめられず、ピンホールは無いと判断できた。この導体被覆ポリイミドフィルムを用いて、配線幅が４０μｍ、配線ピッチ１００μｍのフレキシブル配線板を作製したところ配線部分にピンホールが原因である欠けや断線などは無かった。
【００４１】
（比較例１）
厚さ２５μｍの高耐熱性ポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製、製品名「カプトン１００Ｖ」）を１２×１２ｃｍの大きさに切り出し、その片面にニッケルを８０Åの厚さにスパッタリング法により成膜し、また銅を０．１μｍの厚さに被覆させて第１金属層を形成して、次に、実施例１の電気めっき条件と同じ条件で５μｍの厚みの銅層を形成した。
【００４２】
また、引き続き電気めっきを継続し５５分めっきを行い、１８μｍ厚みの銅層品も形成した。スパッタリング法により接続された銅厚み１８μｍのフレキシブル配線板の引き剥がし強度は、常態で０．８５ｋｇｆ／ｃｍであり、１５０℃雰囲気１６８時間保持後の引き剥がし強度は０．３０ｋｇｆ／ｃｍであった。
【００４３】
また、導体５μｍのスパッタリング法での導体被覆ポリイミドフィルムを１２×１２ｃｍに切り出して、片面の銅被覆層側から光をあててピンホールの有無を確認したところ、１２×１２ｃｍの領域内では光の透過があり、ピンホールの存在を認めた。ピンホールの大きさは直径が数十〜百数十μｍであり、数は２０〜３０個／１２ｃｍ角であった。
【００４４】
この導体被覆ポリイミドフィルムを用いて、配線幅が４０μｍ、配線ピッチ１００μｍのフレキシブル配線板を作製したところ、配線部分にピンホールが原因である欠けや断線などの不良が確認されて、配線ピッチが狭い配線板には適していないことがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法及び導体被覆ポリイミドフィルムを説明するための断面図である。
【図２】本発明の導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法及び導体被覆ポリイミドフィルムにおいて得られる導体被覆ポリイミドフィルムを示した断面図である。
【図３】本発明の導体被覆ポリイミドフィルムの製造方法及び導体被覆ポリイミドフィルムを説明するための図１におけるポリイミドフィルムの部分のみを示した断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  熱可塑性ポリイミド樹脂層
２  フィルム
３  ポリイミドフィルム
【図１】
2005088465.tif 000003
【図２】
2005088465.tif 000004
【図３】
2005088465.tif 000005