(57)【要約】【課題】  可とう性高分子支持体の少なくとも一方の面にスパッタ法により磁性層を形成するにあたり、低コスト性を維持しながら、可とう性高分子支持体の熱変形を防止し、表面平滑性を保つことができる磁気記録媒体の製造方法を提供すること。【解決手段】  可とう性高分子支持体は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミド（ＰＡ）およびポリイミド（ＰＩ）から選ばれる１種であり、磁性層の形成工程は、前記可とう性高分子支持体が最大表面粗さＲｚ０．０１μｍ以上０．４μｍ以下の表面性を有する成膜ロールに沿った状態で搬送されながら行われるものであり、かつ、磁性層を形成する成膜レートが０．５ｎｍ／秒以上１７ｎｍ／秒以下であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
可とう性高分子支持体の少なくとも一方の面に、スパッタ法により磁性層を形成する工程を有する磁気記録媒体の製造方法において、前記可とう性高分子支持体は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミド（ＰＡ）およびポリイミド（ＰＩ）から選ばれる１種であり、前記磁性層の形成工程は、前記可とう性高分子支持体が最大表面粗さＲｚ０．０１μｍ以上０．４μｍ以下の表面性を有する成膜ロールに沿った状態で搬送されながら行われるものであり、かつ、前記磁性層を形成する成膜レートが０．５ｎｍ／秒以上１７ｎｍ／秒以下であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記可とう性高分子支持体の搬送速度が０．１ｍ／分以上１０ｍ／分以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及により、パーソナル・コンピュータを用いて大容量の動画情報や音声情報の処理を行う等、コンピュータの利用形態が変化してきている。これに伴い、ハードディスク等の磁気記録媒体に要求される記憶容量も増大している。
【０００３】
ハードディスク装置においては、磁気ディスクの回転に伴い、磁気ヘッドが磁気ディスクの表面からわずかに浮上し、非接触で磁気記録を行っている。このため、磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触によって磁気ディスクが破損するのを防止している。高密度化に伴って磁気ヘッドの浮上高さは次第に低減されており、鏡面研磨された超平滑なガラス基板上に磁気記録層等を形成した磁気ディスクを用いることにより、現在では１０ｎｍ〜２０ｎｍの浮上高さが実現されている。この様なヘッドの低浮上量化に加え、ヘッド構造の改良、ディスク記録膜の改良等の技術革新によってハードディスクドライブの面記録密度と記録容量はここ数年で飛躍的に増大してきた。
【０００４】
取り扱うことができるデジタルデータ量が増大することによって、動画データの様な大容量のデータを可換型媒体に記録して、移動させるというニーズが生まれてきた。しかしながら、ハードディスクは基板が硬質であって、しかも上述のようにヘッドとディスクの間隔が極わずかであるため、フレキシブルディスクや書き換え型光ディスクの様に可換媒体として使用しようとすると、動作中の衝撃や塵埃の巻き込みによって故障を発生する懸念が高く、使用できない。
【０００５】
一方、フレキシブルディスクや磁気テープは支持体がフレキシブルな高分子フィルムであり、接触記録可能な媒体であるため可換性に優れており、安価に生産できる。しかし、現在市販されているフレキシブルディスクと磁気テープは、磁性体を高分子バインダーや研磨剤とともに高分子フィルム上に塗布した塗布型磁気記録媒体と、コバルト系合金を真空中で蒸着によって高分子フィルム上に成膜した蒸着型磁気記録媒体が用いられており、スパッタ法で磁性膜を形成しているハードディスクと比較すると、磁性層の高密度記録特性が悪く、ハードディスクの１／１０以下の記録密度しか達成できていない。
そこで記録膜をハードディスクと同様のスパッタ法で形成する強磁性金属薄膜型のフレキシブルディスクも提案されている。支持体がフレキシブルな高分子フィルムのため、ロール状の支持体を搬送させながらスパッタ法による記録膜成膜が可能となる。すなわち、長尺サンプルを安価に生産することが可能となる。このような製造方法および製造装置としては、下記特許文献１〜３に開示されている。しかし、生産性を上げるために支持体の搬送速度を上げようとすると、高い投入電力を用い成膜レートを上げる必要がある。ハードディスクの場合、基板にガラスまたはアルミニウム基板を用いているため、下記特許文献４および５に開示されたように、比較的高い投入電力を用いて成膜レートを上げることが可能である。しかし、支持体がフレキシブルな高分子フィルムにおいて、高い投入電力を用いた場合、高分子フィルムに熱がかかるとともに、形成された膜の膜応力が大きく、フレキシブルな高分子フィルムが熱変形してしまうという問題があった。この問題に対し、下記特許文献６に開示されたように、成膜速度を低くすることで支持体の熱変形を抑制することが可能である。しかし、成膜速度を低くすると当然のことながら生産性が悪くなり、実用化が困難である。
【０００６】
ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷに代表される追記型および書き換え型光ディスクは磁気ディスクのようにヘッドとディスクが近接していないため、可換性に優れており、広く普及している。しかしながら光ディスクは、光ピックアップの厚みとコストの問題から、高容量化に有利な磁気ディスクのように両面を記録面としたディスク構造を用いることが困難であるといった問題がある。さらに、磁気ディスクと比較すると面記録密度が低く、データ転送速度も低いため、書き換え型の大容量記録媒体としての使用を考えると、未だ十分な性能とはいえない。
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−３６６３号公報
【特許文献２】特開平１０−１１７３４号公報
【特許文献３】特開２００３−９９９１８号公報
【特許文献４】特開平１１−２０３６５３号公報
【特許文献５】特開２００２−２５０４４号公報
【特許文献６】特開２００１−８４５８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記の通り、大容量の書き換え可能な可換型記録媒体は、その要求が高いものの、性能、信頼性、コストを満足するものが存在しない。
【０００９】
そこで、本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、可とう性高分子支持体の少なくとも一方の面にスパッタ法により磁性層を形成するにあたり、低コスト性を維持しながら、可とう性高分子支持体の熱変形を防止し、表面平滑性を保つことができる磁気記録媒体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するための手段は以下の通りである。
（１）可とう性高分子支持体の少なくとも一方の面に、スパッタ法により磁性層を形成する工程を有する磁気記録媒体の製造方法において、前記可とう性高分子支持体は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミド（ＰＡ）およびポリイミド（ＰＩ）から選ばれる１種であり、前記磁性層の形成工程は、前記可とう性高分子支持体が最大表面粗さＲｚ０．０１μｍ以上０．４μｍ以下の表面性を有する成膜ロールに沿った状態で搬送されながら行われるものであり、かつ、前記磁性層を形成する成膜レートが０．５ｎｍ／秒以上１７ｎｍ／秒以下であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（２）前記可とう性高分子支持体の搬送速度が０．１ｍ／分以上１０ｍ／分以下であることを特徴とする前記（１）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、可とう性高分子支持体の少なくとも一方の面にスパッタ法により磁性層を形成するにあたり、低コスト性を維持しながら、可とう性高分子支持体の熱変形を防止し、表面平滑性を保つことができる。したがって本発明の製造方法により得られた磁気記録媒体は、高密度磁気記録可能であり、高性能および高信頼性を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の製造方法により製造された磁気記録媒体は、スパッタ法による強磁性金属薄膜磁性層を備えているので、ハードディスクのような高記録密度記録が可能となり、高容量化が可能となる。
【００１３】
さらに、本発明では、スパッタ法により磁性層を形成する際、成膜ロール表面性、支持体の材質、成膜レートを適切に設定しているため、支持体が熱変形せず、表面平滑性を保つことができ、高信頼性を有する磁気記録媒体を安価に得ることが可能となる。
【００１４】
本発明の製造方法を採用することによって、長尺ロール状の可とう性高分子支持体に対して、スパッタ法により少なくとも磁性層を形成した高密度記録可能な磁気記録媒体を得ることが可能となる。このため、接触記録に耐性のある、平坦な磁気テープやフレキシブルディスクも提供することが可能となる。
【００１５】
本発明の製造方法は、可とう性高分子支持体を用い、テープ形状でもフレキシブルディスク形状でも製造することができる。
可とう性高分子フィルムを支持体として用いたフレキシブルディスクは、中心部にセンターホールが形成された構造であり、プラスチック等で形成されたカートリッジ内に格納されている。なお、カートリッジには、通常、金属性のシャッタで覆われたアクセス窓を備えており、このアクセス窓を介して磁気ヘッドが導入されることにより、フレキシブルディスクへの信号記録や再生が行われる。
可とう性高分子フィルムを支持体として用いた磁気テープは、長尺形状にスリットされた磁気テープが開放リール、あるいはリールカートリッジに組み込まれた構造であり、プラスチック等で形成されたカートリッジ内に格納されている。なお、リールカートリッジから巻きだされた磁気テープが磁気ヘッド部分を通過する際に、信号記録や再生が行われる。
【００１６】
フレキシブルディスクは可とう性高分子フィルムからなるディスク状支持体の両面の各々に、少なくとも磁性層を有するものであるが、さらに、表面性とガスバリヤ性を改善する下塗り層、密着性・ガスバリヤ性等の機能を有するガスバリヤ層、磁性層の結晶配向性を制御するための下地層、磁性層、磁性層を腐食や磨耗から保護する保護層、及び走行耐久性および耐食性を改善する潤滑層が、この順に積層されて構成されていることが好ましい。さらに、垂直媒体として用いる場合、支持体と磁性層の間に軟磁性層が形成されていることが望ましい。磁気テープは可とう性高分子フィルムからなるテープ状支持体の片面に、少なくとも磁性層を有するものであるが、上記同様さらに、下塗り層、ガスバリヤ層、下地層、磁性層、保護層、潤滑層がこの順に形成されていることが好ましい。他面側は、磁気テープがリールカートリッジから巻きだされ搬送される際に通過するガイドロールに接触する側であり、ガイドロールとの潤滑搬送の目的で、カーボン等のバックコート層が形成されていることが好ましい。
【００１７】
本発明において磁性層は、磁化容易軸が基板に対して水平方向に配向している面内磁気記録膜でも、基板に対して垂直方向に配向している垂直磁気記録膜でもかまわない。この磁化容易軸の方向は下地層の材料や結晶構造および磁性膜の組成と成膜条件によって制御することができる。
【００１８】
磁性層はハードディスクで一般的に用いられているＣｏＰｔＣｒ系磁性層や室温成膜可能なグラニュラ構造を有する磁性層、人工格子型積層磁性層等を用いることができる。この様な金属薄膜型磁性層を用いることで、高い保持力を達成でき、低ノイズ媒体を達成することができる。
【００１９】
具体的にはＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＢ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ2、ＣｏＰｔＣｒ−ＴｉＯ2、ＣｏＰｔＣｒ−Ｃｒ2Ｏ3、ＣｏＰｔＣｒＢ−ＳｉＯ2、ＣｏＲｕＣｒ、ＣｏＲｕＣｒ−ＳｉＯ2、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜、Ｃｏ／Ｐｄ多層膜、等が挙げられるが、その他の磁性層を用いることもできる。
【００２０】
本発明において好ましい磁性層は、グラニュラ構造を有する磁性層であり、これは強磁性金属合金と非磁性酸化物からなる。グラニュラ構造は、強磁性金属合金と非磁性酸化物がマクロ的には混合されているが、ミクロ的には強磁性金属合金微粒子を非磁性酸化物が被覆するような構造となっている。非磁性酸化物としてはＳｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｎａ、Ｌａ、Ｉｎ、Ｐｂ等の酸化物が使用できるが、記録特性を考慮するとＳｉＯｘが最も好ましい。強磁性金属合金と非磁性酸化物の混合比（モル比）は、強磁性金属合金：非磁性酸化物＝９５：５〜８０：２０の範囲であることが好ましく、９０：１０〜８５：１５の範囲であることが特に好ましい。該混合比を上記のように調整することにより、磁性粒子間の分離が充分となり、保磁力が確保されるとともに磁化量が確保されるので信号出力が確保される。
【００２１】
磁性層の厚みとしては好ましくは５ｎｍ〜６０ｎｍ、さらに好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲である。この範囲とすることで、ノイズの低減とともに熱揺らぎの影響を抑えて出力を確保することができ、かつヘッド−メディア接触時にかかる応力に対する耐性を確保し、走行耐久性を確保することができる。
【００２２】
磁性層を形成する方法としては良質な超薄膜が容易に成膜可能なスパッタ法が、本発明に採用される。スパッタ法としては公知のＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法、ＤＣパルススパッタ法等が使用可能であるが、本発明において、成膜レートおよび熱による基板変形のない磁気記録媒体を得るためには、ＤＣスパッタ法、もしくはＤＣパルススパッタ法を用いることがさらに好ましい。
【００２３】
磁性層を形成する際に、支持体温度を０℃から２００℃の範囲で自由に制御することができる。支持体を加熱する場合は、支持体をヒータ加熱、もしくは成膜用ロールを加熱するなどして制御できる。支持体の熱変形の懸念から、支持体を成膜用ロールに密着させた状態で成膜することが好ましい。室温、低温条件で磁性層を形成する際には、成膜用ロールを冷却するなどして基板温度を制御することができる。
【００２４】
スパッタ時のスパッタガスとしては一般的なアルゴンガスが使用できるが、その他の希ガスを使用しても良い。また磁性層の酸素含有率の調整や表面酸化の目的で微量の酸素ガスを導入してもかまわない。
【００２５】
スパッタ法で磁性層を形成する際のＡｒ圧としては、０．１Ｐａ以上１０Ｐａ以下が好ましく、０．４Ｐａ以上７Ｐａ以下が特に好ましい。成膜時Ａｒ圧を０．１Ｐａ以上とすることで、磁性粒子の分離も可能でかつ、膜応力が緩和されるため支持体変形や膜のひび割れが生じにくい。また、成膜時Ａｒ圧が１０Ｐａ以下とすることで、結晶性、膜強度を確保できる。
【００２６】
スパッタ法で磁性層を形成する際の成膜レートは、０．５ｎｍ／秒以上１７ｎｍ／秒以下であり、０．５ｎｍ／秒以上１０ｎｍ／秒以下が特に好ましい。この範囲とすることで、成膜時にかかる熱による支持体変形を抑制できるだけでなく、スパッタ膜へのクラック発生を防止することができる。さらに、結晶性および膜の密着性が確保されるとともに生産性も確保される。成膜レートは、スパッタターゲットの種類、投入電力、成膜室内の圧力、スパッタターゲットと支持体との距離、支持体の搬送速度を適宜決定することにより調節可能である。
【００２７】
図１は、本発明の製造方法に使用可能なウェブ搬送スパッタ装置を説明するための図である。図１において、ウェブ搬送スパッタ装置１は、可とう性高分子支持体よりなる連続ウェブＷの両面に、下地層および磁性層をこの順で形成する装置である。ウェブ搬送スパッタ装置１は、送り出し軸、巻き取り軸および連続ウェブを支持・搬送する複数のパスロール、成膜ロールを具備し、かつ図示せぬ真空排気ポンプにより真空排気可能であり、該装置内に図示せぬマスフローコントローラを通じてスパッタガスを導入し、任意のスパッタ圧力に設定可能である複数の成膜室１３を有する。成膜室１３には、成膜ロールと対向する位置にカソード、カソード上に成膜に用いるスパッタターゲットが配置されている。ウェブ搬送スパッタ装置１において、可とう性高分子支持体よりなる連続ウェブＷは、巻き出しロール２より送り出され、複数の送り出し側パスローラー３と送り出し側ダンサーロール４を介して、一対の加熱ドラム２１、２２から２基の第１成膜ロール（表面成膜用）５Ａおよび第２成膜ロール（裏面成膜用）５Ｂへ搬送されている。さらに連続ウェブＷは、第１成膜ロール５Ａおよび第２成膜ロール５Ｂに沿って搬送支持された後、複数の巻取り側パスローラ６と巻取り側ダンサーロール７を介して、巻取りロール８で巻き取られている。また、搬送される際の連続ウェブＷの張力は、送り出し側ダンサーロール４および巻取り側ダンサーロール７により、一定に保持されている。なお、巻き出しロール２、第１成膜ロール５Ａ、第２成膜ロール５Ｂおよび巻取りロール８は、それぞれ図示せぬ駆動装置により回転駆動されている。前記加熱ドラム２１、２２および第１成膜ロール５Ａ、第２成膜ロール５Ｂとしては、蒸気等を用いるジャケット式ロール、或いは誘導加熱方式ロール等が適宜選択され、ロール表面の温度制御が可能となっている。送り出し側で第１成膜ロール５Ａに対向した位置（図中上段右側）には、第１成膜ロール５Ａに沿わせた状態の連続ウェブＷの表面に下記で説明するガスバリヤ層をスパッタ成膜するための第１スパッタターゲット９Ａが配設されている。この第１スパッタターゲット９Ａには、直流スパッタ電源１０Ａが接続されており、直流スパッタ電源１０Ａからスパッタパワーを第１スパッタターゲット９Ａに印加することで、連続ウェブＷの表面上にガスバリヤ層をスパッタ成膜する。第１成膜ロール５Ａに対向した位置（図中上段）には、第１成膜ロール５Ａに沿わせた状態の連続ウェブＷの表面に下地層をスパッタ成膜するための第２スパッタターゲット１１Ａが配設されている。この第２スパッタターゲット１１Ａには、直流スパッタ電源１２Ａが接続されており、直流スパッタ電源１２Ａからスパッタパワーを第２スパッタターゲット１１Ａに印加することで、連続ウェブＷの表面上に形成されたガスバリヤ層上にさらに下地層をスパッタ成膜する。巻取り側で第１成膜ロール５Ａに対向した位置（図中上段左側）には、第１成膜ロール５Ａに沿わせた状態の連続ウェブＷの表面に磁性層をスパッタ成膜するための第３スパッタターゲット１３Ａが配設されている。この第３スパッタターゲット１３Ａには、直流スパッタ電源１４Ａが接続されており、直流スパッタ電源１４Ａからスパッタパワーを第３スパッタターゲット１３Ａに印加することで、連続ウェブＷの表面上に形成された下地層上にさらに磁性層をスパッタ成膜する。また、送り出し側で第２成膜ロール５Ｂに対向した位置（図中下段右側）には、第２成膜ロール５Ｂに沿わせた状態の連続ウェブＷの裏面にガスバリヤ層をスパッタ成膜するための第１スパッタターゲット９Ｂが配設されている。この第１スパッタターゲット９Ｂには、直流スパッタ電源１０Ｂが接続されており、直流スパッタ電源１０Ｂからスパッタパワーを第１スパッタターゲット９Ｂに印加することで、連続ウェブＷの裏面上にガスバリヤ層をスパッタ成膜する。第２成膜ロール５Ｂに対向した位置（図中下段）には、第２成膜ロール５Ｂに沿わせた状態の連続ウェブＷの裏面に下地層をスパッタ成膜するための第２スパッタターゲット１１Ｂが配設されている。この第２スパッタターゲット１１Ｂには、直流スパッタ電源１２Ｂが接続されており、直流スパッタ電源１２Ｂからスパッタパワーを第２スパッタターゲット１１Ｂに印加することで、連続ウェブＷの裏面上に形成されたガスバリヤ層上にさらに下地層をスパッタ成膜する。巻取り側で第２成膜ロール５Ｂに対向した位置（図中下段左側）には、第２成膜ロール５Ｂに沿わせた状態の連続ウェブＷの裏面に磁性層をスパッタ成膜するための第３スパッタターゲット１３Ｂが配設されている。この第３スパッタターゲット１３Ｂには、直流スパッタ電源１４Ｂが接続されており、直流スパッタ電源１４Ｂからスパッタパワーを第３スパッタターゲット１３Ｂに印加することで、連続ウェブＷの裏面上に形成された下地層上にさらに磁性層をスパッタ成膜する。なお、成膜室内のスパッタ圧力は、図示せぬマスフローコントローラを通じてスパッタガス（例えば、Ａｒガス）を導入し、任意のスパッタ圧力に設定されている。
このように、本発明においては、支持体が搬送された状態で、複数のスパッタターゲットにより磁性層等の各層を形成するのが望ましい。また、前記複数のスパッタターゲットが成膜ロールに対向して設置されている構造を有する装置を用いるのがさらに望ましい。
なお、本発明は上記に限られるものでなく、１つの成膜ロールを有する成膜室内で片面成膜した後、支持体を表裏反転し、他面成膜する工程としてもよい。
【００２８】
また、本発明では成膜ロールの表面性を特定範囲にする必要がある。すなわち、成膜ロールの表面は、最大表面粗さ（Ｒｚ）が０．０１μｍ以上０．４μｍ以下、好ましくは０．０１μｍ以上０．２μｍ以下、さらに好ましくは０．０１μｍ以上０．１μｍ以下である。ここで本発明でいう最大表面粗さ（Ｒｚ）とは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して求められる値である。最大表面粗さ（Ｒｚ）を前記のように設定することにより、支持体に対して、ロール表面粗さが悪影響を及ぼすことがなく、また、支持体への密着性も向上するため、支持体の搬送ずれも防止でき、媒体上への欠陥発生防止も可能となる。さらにこのような成膜ロールを用いたスパッタ成膜は、支持体へかかる熱を効果的に放熱することができるため、支持体変形に対しても非常に有効である。最大表面粗さ（Ｒｚ）の調整は、成膜ロールの表面仕上げにより可能である。例えば、金属ロールの表面を硬質クロームめっきした後、鏡面研磨仕上げすること等が挙げられる。
【００２９】
また、成膜ロールは、支持体を密着させて搬送ずれを防止するためにも、スパッタターゲットに対し前記支持体がほぼ対向するためにも、ある程度以上大きい方が好ましく、少なくともロール直径が２５０ｍｍ以上、さらに好ましくは４００ｍｍ以上であることが望ましい。
【００３０】
また、支持体の搬送速度は、０．１ｍ／分以上１０ｍ／分以下の範囲が好ましく、０．１ｍ／分以上〜８ｍ／分以下の範囲がさらに好ましい。０．１ｍ／分未満の場合、生産性が悪く、１０ｍ／分を超える場合、投入電力が大きく支持体の熱変形や、スパッタ膜にクラックが生じる可能性がある。
【００３１】
また、支持体上に磁性層等の各層が形成される前に、ヒータもしくは加熱ドラムにより、支持体を加熱し支持体に含まれるガスを放出する加熱脱ガス工程を行うことがより好ましい。前記図１に示したように、ヒータまたは加熱ドラム２１は、巻き出しロール２と第１成膜ロール５Ａとの間に設けることが好ましいが、加熱ドラム２１は第１成膜ロール５Ａで代用しても構わない。
【００３２】
図１における各種ドラムまたはロールは、支持体をシワやキズなく搬送する目的で適宜表面加工を施すことができる。例えば、金属ロールの表面を硬質クロームめっきした後、鏡面研磨仕上げすることで、表面粗さＲｚを０．８μｍ以下に仕上げることが好ましく、０．４μｍ以下に仕上げることがさらに好ましい。０．８μｍ以下の表面仕上げにすることで、平滑な支持体を密着搬送させる場合においても、ロール表面粗さが転写することなく、表面平滑性を有する磁気記録媒体の作製が可能となる。
【００３３】
下地層は磁性層の結晶配向性を制御する目的で設けることが望ましい。下地層も前記図１で示した装置を用いてスパッタ法により形成することができる。スパッタ法としては公知のＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法等が使用可能である。
【００３４】
下地層を形成する際に、支持体を０℃から２００℃の範囲で自由に制御することができる。加熱する場合は、支持体をヒータ加熱する、加熱ドラムにより加熱する、もしくは成膜用ロールを加熱するなどして制御できる。下地層の形成は、支持体熱変形の懸念から、成膜ロールに密着させた状態で成膜することが好ましい。室温、低温条件で下地層を形成する際には、成膜ロールを冷却するなどして支持体温度を制御することができる。
【００３５】
スパッタ時のスパッタガスとしては一般的なアルゴンガスが使用できるが、その他の希ガスを使用しても良い。また結晶性の調整や表面酸化の目的で微量の酸素ガスを導入してもかまわない。
【００３６】
スパッタ法で下地層を形成する際の成膜レートとしては、０．５ｎｍ／秒以上２０ｎｍ／秒以下が好ましく、０．５ｎｍ／秒以上１５ｎｍ／秒以下が特に好ましい。この範囲とすることで、成膜時にかかる熱による支持体変形を抑制できるだけでなく、スパッタ膜へのクラック発生を防止することができる。さらに、結晶性および膜の密着性が確保されるとともに生産性も確保される。
【００３７】
下地層の結晶配向性向上・導電性付与等の目的で下地層の真下にシード層や、密着性の改善、ガスバリヤ性の目的で、支持体と下地層の間にガスバリヤ層を設けても構わない。
【００３８】
シード層やガスバリヤ層を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタ法などの真空成膜法が使用でき、中でもスパッタ法は良質な超薄膜が容易に成膜可能である。スパッタ法としては公知のＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法、ＤＣパルススパッタ法等が使用可能である。このようなシード層としては、Ｔｉ系、Ｗ系、Ｖ系の合金を用いることが望ましいが、それ以外の合金を用いても構わない。シード層の厚みは、１ｎｍから３０ｎｍが好ましい。これよりも厚みが厚くなると、生産性が悪くなるとともに、結晶粒の肥大化によりノイズが増加してしまい、逆にこれよりも厚みが薄くなると、シード層効果が得られない。ガスバリヤ層としては、非金属元素単体かその混合物、もしくはＴｉと非金属元素の化合物からなるものを用いることができる。これらの材料は、ヘッド-メディア接触時の応力に対しても、耐性を有する。ガスバリヤ層の厚みは５ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜５０ｎｍが特に好ましい。これよりも厚みが厚くなると、生産性が悪くなるとともに、結晶粒の肥大化によりノイズが増加してしまい、逆にこれよりも厚みが薄くなると、ガスバリヤ層効果が得られない。
【００３９】
保護層は、磁性層に含まれる金属材料の腐蝕を防止し、磁気ヘッドと磁気ディスクとの擬似接触または接触摺動による摩耗を防止して、走行耐久性、耐食性を改善するために設けられる。保護層には、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化Ｃｏ、酸化ニッケルなどの酸化物、窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの窒化物、炭化ケイ素、炭化クロム、炭化ホウ素等の炭化物、グラファイト、無定型カーボンなどの炭素等の材料を使用することができる。
【００４０】
保護層としては、磁気ヘッド材質と同等またはそれ以上の硬度を有する硬質膜であり、摺動中に焼き付きを生じ難くその効果が安定して持続するものが、摺動耐久性に優れており好ましい。また、同時にピンホールが少ないものが、耐食性に優れておりより好ましい。このような保護膜としては、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）と呼ばれる硬質炭素膜が挙げられる。
【００４１】
保護層は、性質の異なる２種類以上の薄膜を積層した構成とすることができる。例えば、表面側に摺動特性を改善するための硬質炭素保護膜を設け、磁気記録層側に耐食性を改善するための窒化珪素などの窒化物保護膜を設けることで、耐食性と耐久性とを高い次元で両立することが可能となる。
【００４２】
保護層を形成する装置としては、前記磁性層を形成する装置と同一または他の真空装置を用いても構わない。図１と同様の装置を用いて保護層を形成する場合、成膜ロールの表面性はＲｚが０．４μｍ以下と非常に平滑になっていることが好ましい。ロール表面が非常に平滑な場合、支持体に対して、ロール表面粗さが悪影響を及ぼすことがない。また、支持体への密着性も向上するため、支持体の搬送ずれも防止できるため、媒体上への欠陥発生防止も可能となる。成膜ロールの表面仕上げは、例えば、金属ロールの表面を硬質クロームめっきした後、鏡面研磨仕上げすることで、表面粗さＲｚを０．４μｍ以下に仕上げることが好ましく、０．１μｍ以下に仕上げることがさらに好ましい。
【００４３】
保護層を形成する装置は、前記支持体が搬送された状態で、保護層成膜用ガンにより保護層が形成される構造を有することが望ましい。保護層成膜用ガンは成膜ロール１本に対し１台でも複数台でも構わない。
【００４４】
また、保護層を形成する装置に用いる成膜ロールは、前記支持体を密着させて搬送ずれを防止するためにも、前記ガンに対し前記支持体がほぼ対向するためにも、ある程度以上大きい方が好ましく、少なくともロール直径が２５０ｍｍ以上、さらに好ましくは４００ｍｍ以上であることが望ましい。
【００４５】
また、保護層を形成する際、支持体の搬送速度は、０．１ｍ／分〜１０ｍ／分の範囲が好ましく、０．１ｍ／分〜８ｍ／分の範囲がさらに好ましい。０．１ｍ／分未満の場合、生産性が悪く、１０ｍ／分を超える場合、投入電力が大きく支持体の熱変形や、保護膜にクラックを生じる可能性がある。
【００４６】
また、前記支持体上に保護層が形成される前に、アルゴン処理のような密着性を高める処理を施すことが好ましい。
【００４７】
保護層を形成する装置における各種搬送ロールは、前記支持体をシワやキズなく搬送する目的で適宜表面加工を施すことができる。例えば、金属ロールの表面を硬質クロームめっきした後、鏡面研磨仕上げすることで、表面粗さＲｚを０．８μｍ以下に仕上げることが好ましく、０．４μｍ以下に仕上げることがさらに好ましい。０．８μｍ以下の表面仕上げにすることで、平滑な支持体を密着搬送させる場合においても、ロール表面粗さが転写することなく、表面平滑性を有する磁気記録媒体の作製が可能となる。
【００４８】
支持体は、磁気ヘッドと磁気ディスクあるいは磁気テープとが接触した時の衝撃を回避するために可とう性を備えた樹脂フィルム（可とう性高分子支持体）で構成されている。このような樹脂フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド（ＰＩ）から選ばれる樹脂フィルムが好ましく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）がさらに好ましい。
【００４９】
また、支持体として樹脂フィルムを複数枚ラミネートしたものを用いてもよい。ラミネートフィルムを用いることにより、支持体自身に起因する反りやうねりを軽減することができ、磁気記録層の耐傷性を著しく改善することがきる。
【００５０】
ラミネート手法としては、熱ローラによるロールラミネート、平板熱プレスによるラミネート、接着面に接着剤を塗布してラミネートするドライラミネート、予めシート状に成形された接着シートを用いるラミネート等が挙げられる。接着剤の種類は、特に限定されず、一般的なホットメルト接着剤、熱硬化性接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ＥＢ硬化型接着剤、粘着シート、嫌気性接着剤などを使用することがきる。
【００５１】
支持体の厚みは、フレキシブルディスクの場合、１０μｍ〜２００μｍ、好ましくは２０μｍ〜１５０μｍ、さらに好ましくは３０μｍ〜１００μｍである。支持体の厚みが１０μｍより薄いと、高速回転時の安定性が低下し、面ぶれが増加する。一方、支持体の厚みが２００μｍより厚いと、回転時の剛性が高くなり、接触時の衝撃を回避することが困難になり、磁気ヘッドの跳躍を招く。また、磁気テープの場合、１μｍ〜２０μｍ、好ましくは３μｍ〜１２μｍである。３μｍより薄いと、強度が不足し、切断やエッジ折れが発生しやすくなる。一方、２０μｍより厚いと、磁気テープ１巻当りに巻き取れる磁気テープ長が少なくなり、体積記録密度が低下してしまう。また剛性が高くなるため、磁気ヘッドへの当り、すなわち追従性が悪化する。
【００５２】
下記式で表される支持体の腰の強さは、フレキシブルディスクの場合、ｂ＝１０ｍｍでの値が０．５ｋｇｆ／ｍｍ2〜２．０ｋｇｆ／ｍｍ2（４．９〜１９．６ＭＰａ）の範囲にあることが好ましく、０．７ｋｇｆ／ｍｍ2〜１．５ｋｇｆ／ｍｍ2（６．８６〜１４．７ＭＰａ）がより好ましい。
支持体の腰の強さ＝Ｅｂｄ3／１２
なお、この式において、Ｅはヤング率、ｂはフィルム幅、ｄはフィルム厚さを各々表す。
【００５３】
支持体の表面は、磁気ヘッドによる記録を行うために、可能な限り平滑であることが好ましい。支持体表面の凹凸は、信号の記録再生特性を著しく低下させる。具体的には、後述する下塗り層を使用する場合では、光学式の表面粗さ計で測定した表面粗さが平均中心線粗さＲａで５ｎｍ以内、好ましくは２ｎｍ以内、触針式粗さ計で測定した突起高さが１μｍ以内、好ましくは０．１μｍ以内である。また、下塗り膜を用いない場合では、光学式の表面粗さ計で測定した表面粗さが平均中心線粗さＲａで３ｎｍ以内、好ましくは１ｎｍ以内、触針式粗さ計で測定した突起高さが０．１μｍ以内、好ましくは０．０６μｍ以内である。
【００５４】
支持体表面には、平面性の改善とガスバリア性を目的として下塗り層を設けることが好ましい。磁性層をスパッタ法で形成するため、下塗り層は耐熱性に優れることが好ましく、下塗り層の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコン樹脂、フッ素系樹脂等を使用することができる。熱硬化型ポリイミド樹脂、熱硬化型シリコン樹脂は、平滑化効果が高く、特に好ましい。下塗り層の厚みは、０．１μｍ〜３．０μｍが好ましい。支持体に他の樹脂フィルムをラミネートする場合には、ラミネート加工前に下塗り層を形成してもよく、ラミネート加工後に下塗り層を形成してもよい。
【００５５】
熱硬化性ポリイミド樹脂としては、例えば、丸善石油化学社製のビスアリルナジイミド「ＢＡＮＩ」のように、分子内に末端不飽和基を２つ以上有するイミドモノマーを、熱重合して得られるポリイミド樹脂が好適に用いられる。このイミドモノマーは、モノマーの状態で支持体表面に塗布した後に、比較的低温で熱重合させることができるので、原料となるモノマーを支持体上に直接塗布して硬化させることができる。また、このイミドモノマーは汎用溶剤に溶解させて使用することができ、生産性、作業性に優れると共に、分子量が小さく、その溶液粘度が低いために、塗布時に凹凸に対する回り込みが良く、平滑化効果が高い。
【００５６】
熱硬化性シリコン樹脂としては、有機基が導入されたケイ素化合物を原料としてゾルゲル法で重合したシリコン樹脂が好適に用いられる。このシリコン樹脂は、二酸化ケイ素の結合の一部を有機基で置換した構造からなりシリコンゴムよりも大幅に耐熱性に優れると共に、二酸化ケイ素膜よりも柔軟性に優れるため、可とう性フィルムからなる支持体上に樹脂膜を形成しても、クラックや剥離が生じ難い。また、原料となるモノマーを支持体上に直接塗布して硬化させることができるため、汎用溶剤を使用することができ、凹凸に対する回り込みも良く、平滑化効果が高い。更に、縮重合反応は、酸やキレート剤などの触媒の添加により比較的低温から進行するため、短時間で硬化させることができ、汎用の塗布装置を用いて樹脂膜を形成することができる。また熱硬化性シリコン樹脂はガスバリア性に優れており、磁性層形成時に支持体から発生する磁性層または下地層の結晶性、配向性を阻害するガスを遮蔽するガスバリア性が高く、特に好適である。
【００５７】
下塗り層の表面には、磁気ヘッドと磁気ディスクとの真実接触面積を低減し、摺動特性を改善することを目的として、微小突起（テクスチャ）を設けることが好ましい。また、微小突起を設けることにより、支持体のハンドリング性も良好になる。微小突起を形成する方法としては、球状シリカ粒子を塗布する方法、エマルジョンを塗布して有機物の突起を形成する方法などが使用できるが、下塗り層の耐熱性を確保するため、球状シリカ粒子を塗布して微小突起を形成するのが好ましい。
【００５８】
微小突起の高さは５ｎｍ〜６０ｎｍが好ましく、ｌ０ｎｍ〜３０ｍｍがより好ましい。微小突起の高さが高すぎると記録再生ヘッドと媒体のスペーシングロスによって信号の記録再生特性が劣化し、微小突起が低すぎると摺動特性の改善効果が少なくなる。微小突起の密度は０．１〜１００個／μｍ2が好ましく、１〜１０個／μｍ2がより好ましい。微小突起の密度が少なすぎる場合は摺動特性の改善効果が少なくなり、多過ぎると凝集粒子の増加によって高い突起が増加して記録再生特性が劣化する。
【００５９】
また、バインダーを用いて微小突起を支持体表面に固定することもできる。バインダーには、十分な耐熱性を備えた樹脂を使用することが好ましく、耐熱性を備えた樹脂としては、溶剤可溶型ポリイミド樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、熱硬化型シリコン樹脂を使用することが特に好ましい。
【００６０】
保護層上には、走行耐久性および耐食性を改善するために、潤滑層が設けられる。潤滑層には、公知の炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、極圧添加剤等の潤滑剤が使用される。
【００６１】
炭化水素系潤滑剤としては、ステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル等のエステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類、ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコール類、ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類、ステアリルアミン等のアミン類などが挙げられる。
【００６２】
フッ素系潤滑剤としては、前記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル基としては  パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体（ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）n、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）n、またはこれらの共重合体等である。具体的には、分子量末端に水酸基を有するパーフルオロメチレン−パーフルオロエチレン共重合体（アウジモント社製、商品名「ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ−ＤＯＬ」）等が挙げられる。
【００６３】
極圧添加剤としては、リン酸トリラウリル等のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル等の亜リン酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチオ亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、二硫化ジベンジル等の硫黄系極圧剤などが挙げられる。
【００６４】
前記の潤滑剤は単独もしくは複数を併用して使用することができ、潤滑剤を有機溶剤に溶解した溶液を、スピンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、ディップコート法等で保護層表面に塗布するか、真空蒸着法により保護層表面に付着させればよい。潤滑剤の塗布量としては、１〜３０ｍｇ／ｍ2が好ましく、２〜２０ｍｇ／ｍ2が特に好ましい。
【００６５】
また、耐食性をさらに高めるために、防錆剤を併用することが好ましい。防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、プリン、ピリミジン等の窒素含有複素環類およびこれらの母核にアルキル側鎖等を導入した誘導体、ベンゾチアゾール、２−メルカプトンベンゾチアゾール、テトラザインデン環化合物、チオウラシル化合物等の窒素および硫黄含有複素環類およびこの誘導体等が挙げられる。これら防錆剤は、潤滑剤に混合して保護層１８上に塗布してもよく、潤滑剤を塗布する前に保護層１８上に塗布し、その上に潤滑剤を塗布してもよい。防錆剤の塗布量としては、０．１〜１０ｍｇ／ｍ2が好ましく、０．５〜５ｍｇ／ｍ2が特に好ましい。
【００６６】
磁気テープの場合、可とう性高分子支持体の磁性層を形成した面とは反対側の面にはバックコート層を設けることが好ましい。バックコート層は磁気記録媒体と摺動部材が摺動する際に磁気記録媒体の背面の磨耗を防止する潤滑効果を有している。また、バックコート層に潤滑層を用いる潤滑剤や防錆剤を添加することによって、バックコート層側から磁性層側へ潤滑剤や防錆剤が供給されるので、磁性層の耐食性を長期間保持することが可能となる。また、バックコート層自体のｐＨを調整することで磁性層の耐食性をさらに高めることもできる。バックコート層はカーボンブラック、炭酸カルシウム、アルミナ等の非磁性粉体とポリ塩化ビニルやポリウレタンなどの樹脂結合剤、さらに潤滑剤や硬化剤を有機溶剤に分散した溶液をグラビア法やワイヤーバー法などで塗布し、乾燥することで作製できる。バックコート層に防錆剤や潤滑剤を付与する方法としては、前記の溶液中に溶解してもよいし、作製したバックコート層に塗布してもよい。
【実施例】
【００６７】
以下、本発明を実施例および比較例によりさらに説明するが、本発明は下記の例によって制限されるものではない。
【００６８】
実施例１
支持体として、厚み５３μｍ、表面粗さＲａ＝１．４ｎｍのポリエチレンナフタレートフィルム上に３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、塩酸、アルミニウムアセチルアセトネート、エタノールからなる下塗り液をグラビアコート法で塗布した後、１００℃で乾燥と硬化を行い、厚み１．０μｍのシリコン樹脂からなる下塗り層を作成した。この下塗り層上に粒子径２５ｎｍのシリカゾルと前記下塗り液を混合した塗布液をグラビアコート法で塗布して、下塗り層上に高さ１５ｎｍの突起を１０個／μｍ2の密度で形成した。この下塗り層は支持体の両面に形成した。次に図１に示したウェブ搬送スパッタ装置にこの原反を設置し、水冷した最大表面粗さＲｚ０．０５μｍの表面性を有するキャン上にフィルムを密着させながら１ｍ／分の搬送速度で搬送し、下塗り層上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法で、Ｃからなるガスバリヤ層を３０ｎｍの厚みで形成し、Ｒｕからなる下地層をＡｒ圧：２Ｐａ、投入電力５Ｗ／ｃｍ2条件下、２０ｎｍの厚みで形成し、（Ｃｏ70−Ｐｔ20−Ｃｒ10）88−（ＳｉＯ2）12からなる磁性層を２ｎｍ／秒の成膜レート、フィルム進行方向開口幅：１６６ｍｍ、Ａｒ圧：２Ｐａ、投入電力５Ｗ／ｃｍ2条件下、２０ｎｍの厚みで形成した。第１成膜ロール５Ａおよび第２成膜ロール５Ｂの最大表面粗さＲｚは、０．０５μｍであった。磁性層ターゲット−支持体間距離は７５ｍｍとした。このガスバリヤ層、下地層、磁性層はフィルムの両面に成膜した。次にこの原反をウェブ式の保護層成膜装置に設置し、エチレンガス、窒素ガス、アルゴンガスを反応ガスとして用いたイオンビーム法でＣ：Ｈ：Ｎ＝６２：２９：７ｍｏｌ比からなる窒素添加ＤＬＣ保護膜を５ｎｍの厚みで形成した。この保護層もフィルムの両面に成膜した。次にこの保護層表面に分子末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤（モンテフルオス社製ＦＯＭＢＬＩＮ  Ｚ−ＤＯＬ）をフッ素系潤滑剤（住友スリーエム社製ＨＦＥ−７２００）に溶解した溶液をグラビアコート法で塗布し、厚み１ｎｍの潤滑層を形成した。この潤滑層もフィルムの両面に形成した。次にこの原反から３．７ｉｎｃｈサイズのディスクを打ち抜き、これをテープバーニッシュした後、樹脂製カートリッジ（富士写真フイルム社製Ｚｉｐ１００用）に組み込んで、フレキシブルディスクを作製した。
【００６９】
実施例２
実施例１において磁性層を１５ｎｍ／秒の成膜レートでＡｒ圧：３Ｐａ条件下、２０ｎｍの厚みで形成した以外は実施例１と同様にフレキシブルディスクを作製した。
【００７０】
実施例３
実施例１において支持体を厚み６３μｍ、表面粗さＲａ＝１．０ｎｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた以外は実施例１と同様にフレキシブルディスクを作製した。
【００７１】
実施例４
実施例１においてＤＣパルススパッタ法を用いて磁性層を形成した以外は実施例１と同様にフレキシブルディスクを作製した。なおＤＣパルススパッタ法の条件は、Reverse Time:０．５［μｓ］、パルス周波数１００ｋＨｚであった。
【００７２】
実施例５
実施例１において支持体を厚み９μｍ、表面粗さＲａ＝１．０ｎｍのポリアミドフィルムを用い、支持体の片面のみにガスバリヤ層、下地層、磁性層、保護層を形成した。また保護層形成後、他面側にカーボンブラックからなるバックコート層を形成し、８ｍｍ幅の磁気テープを作製した。
【００７３】
比較例１
実施例１において磁性層を２５ｎｍ／秒の成膜レートで形成した以外は実施例１と同様にフレキシブルディスクを作製した。
【００７４】
比較例２
実施例１においてＲｚ１．０μｍの表面性を有する第１および第２成膜ロールを用いたこと以外は実施例１と同様にフレキシブルディスクを作製した。
【００７５】
評価
前記で得られた各種磁気記録媒体について、下記の評価を行った。
（１）磁気特性
保磁力ＨｃをＶＳＭで測定した。
（２）面ぶれ
フレキシブルディスクを３０００ｒｐｍで回転させ、半径位置３５ｍｍの位置における面ぶれをレーザー変位計で測定した。
（３）クラックの発生
磁気記録媒体表面を光学顕微鏡で観察し、クラック発生有無を評価した。
結果を表１に示す。
【００７６】
【表１】
2005353191.tif 000002
【００７７】
前記結果からわかるように本発明により製造したフレキシブルディスクは面ぶれ少ないだけでなく、スパッタ膜のクラック発生もなく、サンプルの生産性が高いことがわかる。一方、成膜レートを高くした場合や表面性が粗い成膜ロールを用いた比較例１、２は、磁気特性に変化はないが、面ぶれの増加やクラック発生等、信頼性の高いメディアとはいえない。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の製造方法に使用可能なウェブ搬送スパッタ装置を説明するための図である。
【符号の説明】
【００７９】
１    ウェブ搬送スパッタ装置
Ｗ    可とう性高分子支持体よりなる連続ウェブ
２    巻き出しロール
１３    成膜室
５Ａ    第１成膜ロール
５Ｂ    第２成膜ロール
８    巻取りロール
９Ａ，９Ｂ    第１スパッタターゲット
１１Ａ，１１Ｂ    第２スパッタターゲット
１３Ａ，１３Ｂ    第３スパッタターゲット
【図１】
2005353191.tif 000003