(57)【要約】      （修正有）【課題】微細かつ高密度な両面回路配線基板を提供する。【解決手段】両面銅張り板における第一の面の導電層に対するエッチング加工により、回路配線パターンおよび所要のビアホール形成位置に対応した個所に開口を有する第一のランド部を形成し、また、第二の面の導電層に対するエッチング処理にて、第一の面のランド部に対応する位置に第一のランド部に形成した開口よりも大きな形状の第二のランドを形成する。そして、第一のランド部に形成された開口の周縁部を除きレジスト層を形成し、第一のランド部の開口内に露出する絶縁ベース材をエッチング除去して有底の導通用孔を形成し、レジスト層を除去した後に、表裏両面に対して導電化処理を施し、めっきを形成するためのレジスト層を形成した後、導通用孔内および前記配線上にめっきし、前記めっきレジストを除去した後、導電化処理層を除去する。【選択図】図１
2005222999.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面回路配線基板の製造方法において、絶縁ベース材の両面に導電層を有する両面銅張り板を用意し、第一の面の導電層に対するエッチング加工により、回路配線パターンおよび所要のビアホール形成位置に対応した個所に開口を有する第一のランド部を形成すると共に、第二の面の導電層に対するエッチング処理にて、前記第一の面のランド部に対応する位置に前記第一のランド部に形成した開口よりも大きな形状の第二のランドを形成し、前記第一のランド部に形成された開口の周縁部を除きレジスト層を形成し、前記第一のランド部の開口内に露出する絶縁ベース材をエッチング除去して有底の導通用孔を形成し、レジスト層を除去した後に、表裏両面に対して導電化処理を施し、めっきを形成するためのレジスト層を形成した後、前記導通用孔内および前記配線上にめっきし、前記めっきレジストを除去し、電着法によるカバーを形成するためのレジスト層を両面に形成し、前記導電化処理膜を電着リードとしてカバーの電着を行い、前記カバー形成用レジストを除去した後、導電化処理層を除去することを特徴とする両面回路配線基板の製造方法。
【請求項２】
両面回路配線基板の製造方法において、両面銅張り板を用い、両面の導電層をエッチング加工することにより、配線および樹脂エッチング加工で穴加工する際のマスクを第一の面に形成するとともに第二の面に配線を形成し、前記マスクの開口部以外をレジスト層で保護し、樹脂エッチングを行い、導通用孔を形成し、レジスト層を除去した後に第一の面に導電化処理を施し、めっきを形成するためのレジスト層を形成した後、前記導通用孔内および前記配線上にめっきし、前記めっきレジストを除去した後、導電化層を除去することを特徴とする両面回路配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、導電化処理膜をめっきリードおよび電着リードとして用いることを特徴とする両面回路配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１において、電着法により形成されるカバーはポリイミド樹脂であることを特徴とする両面回路配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路配線基板の製造方法に関し、特には、両面型回路配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話等の小型電子機器に向け、電子機器に搭載される実装基板の微細化、高密度化の要求が高まっている。例えば、小型化が進んでいる携帯機器向けの両面可撓性基板の配線ピッチは微細な部分では100μm以下であり、層間接続孔の穴径も100μm以下のビアホールが量産品にも適用されている。この微細なビアホールはレーザー加工での穴あけが主流である。上記のレーザー加工によるビアホールのランドがレーザーの位置精度や基板の寸法収縮により位置ずれが発生するためランド径を小さくすることができず、微細化や高密度化の妨げとなっていることが、特許文献１に記されている。
【０００３】
微細化および高密度化が進むに伴い、カバーフィルムの埋め込みが困難になるという問題がある。カバーフィルムの埋め込みの問題に対して、電着法の適用が考えられるが、電着するためのリードが必要であるため、煩雑な工程が必要であることが特許文献2に記されている。
【０００４】
従来の両面基板の製造法はレーザー加工、プラズマエッチング、化学エッチング等により穴加工し、導電化処理およびめっきを施した後、サブトラクト法により回路パターンを形成するため、微細なパターンを形成するには限界があることが、特許文献3に記されている。
【０００５】
図8〜図９は、従来の両面型回路配線基板の製造方法を示す工程図であって、先ず、図８（１）に示す様に、絶縁ベース材１の両面に銅箔等の導電層２、３を有する、所謂、両面銅張積層板４を用意する。
【０００６】
次に、同図（２）に示す様に、この両面型銅張積層板４の一方面の銅箔層２に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、ビアホール形成部位に開口５を有するメタルマスクを形成する。
【０００７】
次に、同図（３）に示す様に、開口５内部に露出する絶縁ベース材１を、レーザー加工手法、プラズマエッチング手法、薬液処理による樹脂エッチング手法等によりエッチング除去して、他方面の銅箔層３に達する有底の導通用孔９を形成する。
【０００８】
次に、同図（４）に示す様に、上記導通用孔９の内部、及び、メタルマスクの上面に対する通常のビアホールめっき処理を行い、めっき層１２を形成する。
【０００９】
次に、図９（１）に示す様に、両面の銅箔層２、３、及び、メッキ層１２に対して、フォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、回路配線パターン６、７を形成する。
【００１０】
次に、同図（２）に示す様に、必要に応じ可撓性絶縁フィルム１７を接着剤層１８で接着して表面保護絶縁膜１９を形成する。
【００１１】
次に、同図（３）に示す様に、上記表面保護絶縁膜１９に形成された開口部に位置する外部基板との接続端子２０等の回路配線パターン露出部に対する所要の表面処理めっき層２１をめっきリード電極パターン２２を用いた電解めっき手法で形成する。
【００１２】
次に、同図（４）に示す様に、金型による打ち抜き等により、該めっきリード電極パターン２２の切断を含む外形加工を施して両面可撓性回路配線基板２５を得る。
【特許文献１】特開２００３−２２９６５２
【特許文献２】特開２００３−１３３６９９
【特許文献３】特開２００２−３４４１３３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
近年、携帯電話等の小型電子機器に向け、電子機器に搭載される実装基板の微細化、高密度化の要求が高まっている。例えば、小型化が進んでいる携帯機器向けの両面可撓性基板の配線ピッチは微細な部分では100μm以下であり、層間接続孔の穴径も100μm以下のビアホールが量産品にも適用されている。この微細なビアホールはレーザー加工での穴あけが主流である。
【００１４】
第一の課題としては、上記のレーザー加工によるビアホールのランドがレーザーの位置精度や基板の寸法収縮により位置ずれが発生するためランド径を小さくすることができず、微細化や高密度化の妨げとなっていることが、特許文献１に記されている。
第二の課題としては、微細化および高密度化が進むに伴い、カバーフィルムの埋め込みが困難になるという問題がある。カバーフィルムの埋め込みの問題に対して、電着法の適用が考えられるが、電着するためのリードが必要であるため、煩雑な工程が必要であることが特許文献2に記されている。
【００１５】
第三の課題としては、従来の両面基板の製造法はレーザー加工、プラズマエッチング、化学エッチング等により穴加工し、導電化処理およびめっきを施した後、サブトラクト法により回路パターンを形成するため、微細なパターンを形成するには限界があることが、特許文献3に記されている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
第一、第二、第三の課題を解決するための第一の発明によれば、両面回路基板の製造方法において、絶縁ベース材の両面に銅箔層を有する両面銅張り板を用意し、第一の面の銅箔に対するエッチング加工により、回路配線パターンおよび所要のビアホール形成位置に対応した個所に開口を有する第一のランド部を形成すると共に、第二の面の銅箔に対するエッチング処理にて、前記第一の面のランド部に対応する位置に前記第一のランド部に形成した開口よりも大きな形状の第二のランドを形成し、前記第一のランド部に形成された開口の周縁部を除きレジスト層を形成し、前記第一のランド部の開口内に露出する絶縁ベース材をエッチング除去して有底の導通用孔を形成し、レジスト層を除去した後に、表裏両面に対して導電化処理を施し、めっきを形成するためのレジスト層を形成した後、前記導通用孔内および前記配線上にめっきし、前記めっきレジストを除去し、電着法によるカバーを形成するためのレジスト層を両面に形成し、前記導電化処理膜を電着リードとしてカバーの電着を行い、前記カバー形成用レジストを除去した後、導電化処理層を除去することを特徴とする両面回路基板の製造方法が採用される。
【００１７】
第一、第三の課題を解決する第二の発明によれば、両面回路基板の製造方法において、両面銅張り板を用い、両面の導電層をエッチング加工することにより、配線および樹脂エッチング加工で穴加工する際のマスクを第一の面に形成するとともに第二の面に配線を形成し、前記マスクの開口部以外をレジスト層で保護し、樹脂エッチングを行い、導通用孔を形成し、レジスト層を除去した後に第一の面に導電化処理を施し、めっきを形成するためのレジスト層を形成した後、前記導通用孔内および前記配線上にめっきし、前記めっきレジストを除去した後、導電化層を除去することを特徴とする両面回路基板の製造方法が採用される。
【００１８】
第二の課題を解決する第三の発明によれば、導電化処理膜をめっきリードおよび電着リードとして用いることを特徴とする両面回路基板の製造方法が採用される。
【００１９】
第二の課題を解決する第四の発明によれば、電着法により形成されるカバーはポリイミド樹脂であることを特徴とする両面回路基板の製造方法が採用される。
【発明の効果】
【００２０】
これらの特徴により、本発明は次のような効果を奏する。
【００２１】
本発明による両面回路基板は絶縁ベース材の両面に銅箔層を有する両面銅張り板を用意し、第一の面の銅箔に対するエッチング加工により、回路配線パターンおよび所要のビアホール形成位置に対応した個所に開口を有する第一のランド部を形成すると共に、第二の面の銅箔に対するエッチング処理にて、前記第一の面のランド部に対応する位置に前記第一のランド部に形成した開口よりも大きな形状の第二のランドを形成し、前記第一のランド部に形成された開口の周縁部を除きレジスト層を形成し、前記第一のランド部の開口内に露出する絶縁ベース材をエッチング除去して有底の導通用孔を形成し、レジスト層を除去した後に、表裏両面に対して導電化処理を施し、めっきを形成するためのレジスト層を形成した後、前記導通用孔内および前記配線上にめっきし、前記めっきレジストを除去し、電着法によるカバーを形成するためのレジスト層を両面に形成し、前記導電化処理膜を電着リードとしてカバーの電着を行い、前記カバー形成用レジストを除去した後、導電化処理層を除去することで製造されるから、ビアホールのランドが穴加工の位置精度や基板の寸法収縮による位置ずれが発生せず、ランド径を小さくすることができ、微細化や高密度化が可能となるばかりか、導電化処理膜をめっきリードと電着リードに用いるため、電着リードを形成する煩雑な工程が必要なく、任意の部分にめっきを形成し、サブトラクト法では達成できない微細な回路パターンを形成できるため、微細かつ高密度な両面回路基板を安価にかつ安定的に提供することができる
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図示の実施例を参照しながら本発明をさらに説明する。
【００２３】
図１〜図３は、本発明の一方の実施例による両面型回路配線基板の製造方法を示す工程図であって、先ず、図１（１）に示す様に、絶縁ベース材１の両面に銅箔等の導電層２、３を有する、所謂、両面銅張積層板４を用意する。
【００２４】
次に、同図（２）に示す様に、この両面型銅張積層板４の一方面の導電層２に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、ビアホール形成部位に開口５および配線６を有するメタルマスクを形成するとともに、反対の導電層３に対し配線７を形成する。
【００２５】
次に、同図（３）に示す様に、開口５内部に露出する絶縁ベース材１を、薬液処理による樹脂エッチング手法によりエッチング除去して、他方面の導電層３に達する有底の導通用孔を形成するためのレジスト層８を開口５の周縁部およびその他外形加工等の必要な箇所を除く両面に設ける。
【００２６】
次に、同図（４）に示す様に、開口５内部に露出する絶縁ベース材１を、薬液処理による樹脂エッチング手法によりエッチング除去して、他方面の銅箔層３に達する有底の導通用孔９を形成するとともに外形加工を同時に行う。
【００２７】
次に、図２（１）に示す様に、レジスト層８を剥離し、両面にスパッタ、蒸着、化学めっき等の手法により導電化処理層１０を形成する。
【００２８】
次に、同図（２）に示す様に、導通用孔９および任意の配線上にめっき層を形成するためのめっきレジスト層１１を形成する。
【００２９】
次に、同図（３）に示す様に、ビアホール13を形成するための導通用孔および任意の配線上にめっき層１２を形成する。尚、図には示さないが配線の無い箇所にめっきのみで微細な配線を形成することも可能である。めっきの種類は銅、ニッケル、金、半田等を単独、あるいは組み合わせて用いることが可能である。その際、めっきレジストはめっきの種類やめっき形成箇所に合わせて、複数回形成および除去可能である。
【００３０】
次に、図３（１）に示す様に、レジスト層１１を剥離する。
【００３１】
次に、同図（２）に示す様に、電着ポリイミドを用いてカバーを形成するためのレジスト層１４を形成し、電着法により電着ポリイミドのカバー１５を形成する。
【００３２】
次に、同図（３）に示す様に、レジスト層１４を除去する。
【００３３】
次に、同図（４）に示す様に、導電化処理層１０を除去し、両面可撓性配線基板１６を得る。
【００３４】
図４〜図７は、本発明の他の実施例による両面型回路配線基板の製造方法を示す工程図であって、先ず、図４（１）に示す様に、絶縁ベース材１の両面に銅箔等の導電層２、３を有する、所謂、両面銅張積層板４を用意する。
【００３５】
次に、同図（２）に示す様に、この両面型銅張積層板４の一方面の導電層２に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、ビアホール形成部位に開口５および配線６を有するメタルマスクを形成するとともに、反対の導電層３に対し配線７を形成する。
【００３６】
次に、同図（３）に示す様に、開口５内部に露出する絶縁ベース材１を、薬液処理による樹脂エッチング手法によりエッチング除去して、他方面の導電層３に達する有底の導通用孔を形成するためのレジスト層８を開口５の周縁部およびその他外形加工等の必要な箇所を除く両面に設ける。
【００３７】
次に、同図（４）に示す様に、開口５内部に露出する絶縁ベース材１を、薬液処理による樹脂エッチング手法によりエッチング除去して、他方面の銅箔層３に達する有底の導通用孔９を形成するとともに外形加工を同時に行う。
【００３８】
次に、図５（１）に示す様に、レジスト層８を剥離し、導通用孔開口面にスパッタ、蒸着、化学めっき等の手法により導電化処理層１０を形成する。
【００３９】
次に、同図（２）に示す様に、導通用孔９および任意の配線上にめっき層を形成するためのめっきレジスト層１１を形成する。
【００４０】
次に、同図（３）に示す様に、ビアホール１３を形成するための導通用孔および任意の配線上にめっき層１２を形成する。尚、図には示さないが配線の無い箇所にめっきのみで微細な配線を形成することも可能である。めっきの種類は銅、ニッケル、金、半田等を単独、あるいは組み合わせて用いることが可能である。その際、めっきレジストはめっきの種類やめっき形成箇所に合わせて、複数回形成および除去可能である。
【００４１】
次に、図６（１）に示す様に、レジスト層１１を剥離する。
【００４２】
次に、同図（２）に示す様に、導電化処理層１０を剥離する。
【００４３】
次に、同図（３）に示す様に、必要に応じ可撓性絶縁フィルム１７を接着剤層１８で接着して表面保護絶縁膜１９を形成する。
【００４４】
次に、図７（１）に示す様に、上記表面保護絶縁膜１９に形成された開口部に位置する外部基板との接続端子２０等の回路配線パターン露出部に対する所要の表面処理めっき層２１をメッキリード電極パターン２２を用いた電解めっき手法で形成する。
【００４５】
次に、同図（２）に示す様に、金型による打ち抜き等により、該めっきリード電極パターン２２の切断を含む外形加工を施して両面可撓性回路配線基板２３を得る。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施例による両面回路配線基板の製造方法を示す工程図。
【図２】図1に続く工程図。
【図３】図２に続く工程図。
【図４】本発明の他の実施例による両面回路配線基板の製造方法を示す工程図。
【図５】図４に続く工程図。
【図６】図５に続く工程図。
【図７】図６に続く工程図。
【図８】従来の手法による両面回路配線基板の製造方法を示す工程図。
【図９】図８に続く工程図。
【符号の説明】
【００４７】
１    絶縁ベース材
２    第一の導電層
３    第二の導電層
４    両面銅張り板
５    導通用孔形成用マスク兼ランド
６    第一の面の配線
７    第二の面の配線
８    樹脂エッチングレジスト層
９    導通用孔
１０  導電化層
１１  めっきレジスト層
１２  めっき
１３  ビアホール
１４  電着ポリイミド形成用レジスト層
１５  電着ポリイミドカバー
１６  両面可撓性回路配線基板
１７  可撓性絶縁フィルム
１８  接着剤層
１９  表面保護絶縁膜
２０  接続端子
２１  表面処理めっき層
２２  めっきリード電極パターン
２３  両面可撓性回路配線基板
【図１】
2005222999.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005222999.tif 000008
【図７】
2005222999.tif 000009
【図８】
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【図９】
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