(57)【要約】【課題】  任意の形状を有する光学素子の入射光から見た形状や入射光と反射光との関係を正確、簡易かつ安価に測定することを可能とする光学素子の評価方法を提供する。【解決手段】  多層膜が形成された光学素子の評価方法であって、多層膜の帯電を抑制する手段を有することを特徴とする、前記光学素子に波長２乃至４０ｎｍの光を入射させた際に生じる定在波を用いて、前記多層膜へ入射する光と前記多層膜から反射する光との位相差を算出する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層膜が形成された光学素子の評価装置において、
前記多層膜に波長２乃至４０ｎｍの光を入射させる光照射手段と、
前記多層膜に前記光が入射することにより該多層膜から放出される光電子を検出する検出器と、
前記多層膜の帯電を抑制するための抑制手段とを有することを特徴とする評価装置。
【請求項２】
前記検出器の検出値に基づいて該多層膜へ入射する前記光と該多層膜から反射する前記光との位相差を求める演算部を有することを特徴とする請求項１記載の評価装置。
【請求項３】
前記抑制手段は、前記多層膜に電子線を照射する手段を有することを特徴とする請求項１記載の評価装置。
【請求項４】
前記抑制手段は、前記多層膜にイオン線を照射する手段を有することを特徴とする請求項３記載の評価装置。
【請求項５】
前記抑制手段は、前記多層膜の周囲にガスを導入する手段を有することを特徴とする請求項３記載の評価装置。
【請求項６】
前記抑制手段は、前記多層膜を接地電位とする手段を有することを特徴とする請求項１記載の評価装置。
【請求項７】
前記抑制手段は、前記多層膜に前記光より波長の長い光を照射する手段を有することを特徴とする請求項６記載の評価装置。
【請求項８】
多層膜が形成された光学素子の評価方法において、
前記光学素子に波長２乃至４０ｎｍの光を入射させた際に前記多層膜から放出される光電子を計測するステップと、
前記多層膜の帯電を抑制するステップとを有することを特徴とする評価方法。
【請求項９】
前記計測するステップで計測された計測値に基づいて、前記多層膜へ入射する前記光と前記多層膜から反射する前記光との位相差を決定するステップを有することを特徴とする請求項８記載の評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には、光学素子の評価に係り、特に、多層膜が形成された光学素子（例えば、多層膜ミラー、反射型マスク等）を評価する装置及び方法に関する。本発明は、例えば、波長２乃至４０ｎｍの露光光を利用して基板を露光する投影露光装置に使用される多層膜が形成された光学素子の評価に好適である。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造するための焼き付け（リソグラフィー）方法として、紫外線を用いた縮小投影露光が行われてきた。しかし半導体素子は急速に微細化しており、紫外光を用いたリソグラフィーでは限界がある。５０ｎｍを下回るような非常に微細な回路パターンを効率よく焼き付けるために、紫外線よりも更に波長が短い波長１３．５ｎｍ程度の極端紫外（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）光を用いた露光装置（以下、「ＥＵＶ露光装置」という。）が開発されている。
【０００３】
ＥＵＶ露光装置は、ミラーなどの光学素子をその光学系に使用し、その表面には光学定数の異なる２種類の物質を交互に積層した多層膜が形成される。多層膜は、例えば、精密な形状に研磨されたガラス基板の表面にモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層する。その層の厚さは、たとえばＭｏ層の厚さは３ｎｍ、Ｓｉ層の厚さは４ｎｍ程度である。２種類の物質の層の厚さを加えたものは膜周期と呼ばれ、上記例では膜周期は７ｎｍである。
【０００４】
このような多層膜ミラーにＥＵＶ光を入射すると、特定の波長のＥＵＶ光が反射される。入射角をθ、ＥＵＶ光の波長をλ、膜周期をｄとすると干渉条件を満たすλを中心とした狭いバンド幅のＥＵＶ光だけが効率よく反射される。このときのバンド幅は０．６〜１ｎｍ程度である。干渉条件は近似的には以下のブラッグの式の関係式で表現できるが、精密には物質中での屈折等の影響により、この式から求めた値より微小にずれることがある。
【０００５】
２×ｄ×ｃｏｓθ＝λ
投影光学系の反射面の面形状は非常に高い精度であることが要求される。例えば、投影光学系を構成するミラーの枚数をｎ、ＥＵＶ光の波長をλとすると許容される形状誤差σ（ｒｍｓ値）は以下のマレシャルの式で与えられる。
【０００６】
σ＝λ／（２８×√ｎ）
例えば、６枚反射鏡で波長１３ｎｍの系の場合、σ＝０．１９ｎｍとなる。また分解能３０ｎｍのパターン転写を行う場合に投影光学系全系に許容される波面収差量は０．４ｎｍ程度である。
【０００７】
投影光学系を製造方法は、多層膜ミラーの形成工程、形状計測工程、鏡筒への組み込み工程、波面収差調整工程を含む。
【０００８】
多層膜ミラー形成工程は、まず、可視光を用いた干渉計により形状計測を繰り返しながら基板を研磨し、所定の形状の基板を作製する。次に、基板表面に多層膜を成膜する。この際、実際に光学系として機能する際にミラー面内それぞれの位置の多層膜に入射する光の角度と波長を考慮し、最適な膜厚分布とする。
【０００９】
形状計測工程は、多層膜の成膜が終わった多層膜ミラーの表面形状を再び可視光を用いた干渉計により計測を行うと共に、多層膜表面の面形状が所定の形状（即ち、上述の形状誤差σ）を満足しているかどうかを判断する。所定の面形状を有しないと判断された多層膜ミラーは、成膜が不成功であるため、多層膜を剥離して多層膜を再度形成する。
【００１０】
鏡筒への組み込み工程は、形状計測工程において所定の面形状を有すると判断された多層膜ミラーを鏡筒に組込み、ミラー相互の間隔や傾きを調整し、投影光学系として機能する鏡筒を完成する。
【００１１】
波面収差調整工程では、鏡筒の波面収差を調整する。反射による光の位相変化が一定値であれば、ミラーで反射した反射光の波面は、入射光の波面とミラー形状とから求めることができるが、実際には多層膜ミラーで反射した反射光の位相変化は、光の波長、入射角、膜構造によって異なる。このため、可視光によって幾何学的な表面形状を計測しても、ＥＵＶ光を入射した場合の反射光面を正確に求めることはできない。このため、ＥＵＶ光を用いて多層膜ミラー又は投影光学系の反射光面を直接計測する方法が限定的に実施されている。例えば、ＥＵＶ光を用いて多層膜ミラー反射光面を直接計測する手段として、ピンホールにより球面波を生じさせる点回折干渉計（Ｐｏｉｎｔ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒ：ＰＤＩ）は従来から知られている（例えば、特許文献１及び２参照）。
【００１２】
その他の従来技術として、Ｘ線多層膜ミラーの層構造及び界面粗さの情報をＸ線定在波スペクトルの形状から取得する方法も知られている（例えば、特許文献３及び４参照）。
【００１３】
また、物質中での電子のエネルギー損失に関するデータについても開示されている（例えば、非特許文献１参照。）。多層膜の反射率と反射光の位相の関係については、モデル計算が開示されている（例えば、非特許文献２参照。）。更に、多層膜表面の光電効果についても開示されている（例えば、非特許文献３参照。）。
【特許文献１】特開２００１−２２７９０９号公報
【特許文献２】特開２０００−９７６２０号公報
【特許文献３】特開２００２−２４３６６９号公報
【特許文献４】特開２０００−５５８４１号公報
【非特許文献１】中井洋太他、「１０ｋｅＶ以下の電子に対する物質の阻止能」、応用物理第５１巻第３号、２７９頁、１９８２年３月
【非特許文献２】Ｊ．Ｈ．Ｕｎｄｅｒｗｏｏｄ  ａｎｄ  Ｔ．Ｗ．Ｂａｒｂｅｅ，“Ｌａｙｅｒｅｄ  Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ  ａｓ  Ｂｒａｇｇ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｏｒｓ  ｆｏｒ  Ｘ−Ｒａｙｓ  ａｎｄ  Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：Ｔｈｅｏｒｙ  ａｎｄＰｒｅｄｉｃｔｅｄ  Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ”，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｏｐｔｉｃｓ  ２０，３０２７（１９８１）
【非特許文献３】Ｍｉｃｈａｅｌ  Ｅ．Ｍａｌｉｎｏｗｓｋｉ，Ｃｈｉｐ  Ｓｔｅｉｎｈａｕｓ，Ｗ．Ｍｉｌｅｓ  Ｃｌｉｆｔ，Ｌｅｏｎａｒｄ  Ｅ．Ｋｌｅｂａｎｏｆｆ，Ｓｔａｎｌｅｙ  Ｍｒｏｗｋａ，Ｒｅｇｉｎａ  Ｓｏｕｆｌｉ“Ｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇ  ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ  ｉｎ  Ｍｏ／Ｓｉ  ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ  ｍｉｒｒｏｒｓ  ｂｙ  Ｓｉ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｃａｐｐｉｎｇ  ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ”Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．  ４６８８，Ｐａｇｅ  ４４２−４５３，Ｊｕｌ  ２００２．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかし、ＰＤＩ法は、一点から発散する光が一点に収束するような光学系を必要とするため、凸面は計測することができず、凹面でも非球面量が大きい非球面は計測することが困難であるという問題を有する。このため、投影光学系を構成する全てのミラーに適用することは不可能であり、測定可能な一部のミラーに対して限定的に適用することしかできない。
【００１５】
従って、残りのミラーに関しては、入射光面と反射光面との関係を実測することはできず、これらのミラーで波面収差が発生する可能性があり、これらのミラーを組み合わせた鏡筒で所定の光学性能を満足することは難しかった。また、ＰＤＩ法において、正確な球面波を発生させるために用いるピンホールの大きさは数十ｎｍと非常に微小であるために製作が困難であるという問題がある。更にその微小なピンホールに充分な量のＥＵＶ光を導入する必要があるので、非常に高輝度の光源を用いる必要があり、測定システムが非常に大形で高価なものとなるという問題もある。
【００１６】
また、特許文献３は、多層膜ミラーの層形状を簡易に測定できるものの反射光の波面は位相を考慮しなければ求めることができないため、反射光の波面を正しく求めることができず、波面収差の調整において十分ではなかった。波面収差の調整が不十分であれば所望の解像度が得られないという問題を有する。
【００１７】
また、非特許文献３は、多層膜ミラー表面での電場強度と多層膜ミラーの層構造および光電効果による光電子の生成量とを関連付けコンタミ付着現象を推定しているが、ミラー表面の帯電現象を考慮しないと、多層膜ミラーの正確な評価ができなくなるという問題を有する。
【００１８】
すなわち、非特許文献３で開示されている多層膜ミラーの電場強度と光電効果を利用した評価方法は、シリコンウエハー上に形成した多層膜ミラーに適用しているため、多層膜ミラーの帯電状況を無視している。通常、多層膜ミラーはガラスなどの絶縁性基板を用いて作製されるため、帯電状況を無視すると感度および再現性に関して十分な結果が得られなかった。具体的にはガラスなどの絶縁性基板を用いて作製された多層膜ミラーは、前記絶縁性基板を保持治具などにより露光装置鏡筒内壁に保持しているため、前記多層膜はその導電性、絶縁性に関わらず電気的に接地電位には設定されていない。その結果、光電効果により前記多層膜ミラー表面から光電子が放出する時ミラー表面に形成される正電荷は多層膜ミラー表面に長時間残留することになる。上記多層膜ミラー表面の正電荷は、前記多層膜表面から放出された光電子を引き戻すため、光電子の量を低減させ十分な感度が得られない場合があった。また、前記残留正電荷が蓄積しつづけると、著しい場合には多層膜表面から光電子が放出されなくなる問題を有し、測定中において光電子強度が徐々に低下し、正確な測定データを得ることはできないという場合があった。
【００１９】
前記多層膜の評価を正確に行うには、多層膜表面では正電荷が残留しないことが望ましい。または、多層膜表面での正電荷の量は定常的に予め設定された範囲になっていることが望ましい。
【００２０】
そこで、本発明は、任意の形状を有する光学素子の入射光から見た形状や入射光と反射光との関係を正確、簡易かつ安価に測定することを可能とする光学素子の評価装置及び評価方法を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の一側面としての評価装置は、多層膜が形成された光学素子の評価装置において、前記多層膜に波長２乃至４０ｎｍの光を入射させる光照射手段と、前記多層膜に前記光が入射することにより該膜から放出される光電子を検出する検出器と、前記多層膜の帯電を抑制するための抑制手段とを有することを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の他の一側面としての評価方法は、多層膜が形成された光学素子の評価方法において、前記光学素子に波長２乃至４０ｎｍの光を入射させた際に前記多層膜から放出される光電子を計測するステップと、前記多層膜の帯電を抑制するステップとを有することを特徴とする。
【００２３】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の光学素子の評価装置によれば、任意の形状を有する光学素子の入射光面と反射光面との関係を正確、簡易かつ安価に測定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図２を参照して、本実施形態の光学素子の製造方法の主要部について説明する。ここで、図２は、本実施形態の光学素子の製造方法１０００の主要部を示すフローチャートである。まず、所定形状の基板上に所定の膜厚を有する多層膜を形成する（ステップ１００２）。
【００２６】
次いで、多層膜の面形状の測定を行う（ステップ１００４）。この際、従来の形状計測工程が多層膜表面の幾何学的な面形状のみを計測していたのに対して、本実施形態では、以下に詳述するように、多層膜反射面の幾何学的な面形状に加え、入射光と反射光の位相差に基づく等価的な反射面の面形状も算出している。後者を算出するに際しては、所定形状の基板上に所定の膜厚を有する多層膜が形成された光学素子（例えば、多層膜ミラー）の多層膜に波長２乃至４０ｎｍの光（ＥＵＶ光）が入射した際に、多層膜の表面近傍で発生する定在波を利用して、様々な波長で入射する光に対して放出する光電子の量を検出器で検出し、入射光と反射光との位相差を算出する。
【００２７】
ここで、ＥＵＶ光を多層膜に入射させると同時に、抑制手段を用いて多層膜の帯電を抑制する。その抑制手段としては、例えば、電子を照射する手段としての電子銃を用いることができ、電子銃からの電子線をその多層膜のＥＵＶ光が入射した領域に照射することで、多層膜がプラスに帯電するのを抑えることができる。
【００２８】
以上の手法で測定された光電子の量から得られる位相差を利用して後述する「等価的な反射面」の面形状を算出する。
【００２９】
次に、「等価的な反射面」の面形状の設計値あるいは理想的な形状からの差（誤差）が許容範囲（例えば、上述の形状誤差σ）内にあるかどうかを判断する（ステップ１００６）。ステップ１００６は、許容範囲にないと判断すれば、多層膜の形成が不適当であるとみなして多層膜を剥離し（ステップ１００８）、ステップ１００２に帰還する。一方、ステップ１００６は、許容範囲にあると判断すれば、多層膜の形成が適当であるとみなして当該光学素子を鏡筒などに対して必要な組み込みを行うと共に波面収差の調整を行う（ステップ１０１０）。本実施形態では、このように、位相差に起因する等価的な反射面の面形状を計測して形状計測精度を高め、その後に反射光の波面を算出したり、波面収差を調整したりすることを容易にしている。
【００３０】
光の波面は、電磁場振動の位相の等しい面として定義され、幾何光学的に表現された光線とは直交する。平行な光束の波面は、光の進行方向と直交する平面であり、このような光束は平面波と呼ばれる。
【００３１】
まず、単純化のため、入射角０°の平面波が平面ミラーで反射される場合を考える。入射角０°なので、波面はミラー表面と平行な平面である。ミラー表面での反射における位相差、即ち、反射光と入射光の位相差がミラー表面の至る所で一定である場合、入射光は反射において一定量の位相変化を受ける。このため、反射光の波面（＝等位相面）はやはりミラー表面に平行な平面となる。
【００３２】
次に、平面波が、平面からずれたミラーで反射される場合、ミラー表面での反射における位相差がミラー表面の至る所で一定である場合、反射光は一定の位相変化を受けるが、ミラー面の凹凸によって光路差が生じるので、反射光の波面（＝等位相面）は平面からずれる。ミラー面のある位置がｈだけ盛り上がっている場合、反射光の波面はそれに対応する位置で２ｈだけ盛り上がった（ミラー面から離れた）形状になる。
【００３３】
また、ミラー表面での反射における位相差がミラー表面の一部で異なる場合、反射光は場所により異なる位相変化を受けるので、反射光の波面（＝等位相面）は平面からずれた形状となる。平面ミラー上のある場所で反射における位相差が、その周囲の場所に比べてδ（ｒａｄ）だけ大きい場合、この場所で反射した反射光の波面は、周囲の場所で反射した波面に比べて、ミラー面よりδλ／２πだけ盛り上がった（ミラー面から離れた）形状になる。ここで、λは入射光の波長である。この場合、表面での反射における位相差が一定であるが、ミラー面がδλ／４πだけ盛り上がったミラーで反射したのと等価である。このように、表面での反射における位相差をミラー形状に換算したミラー形状のことを「等価的な反射面」と呼ぶ。
【００３４】
平面波が、形状が平面からずれ、更に、反射における位相差が面内で一定ではないミラ―で反射される場合について考える。ミラー面のある位置で形状がｈだけ盛り上がり、更に、この位置で反射における位相差がその周囲の場所に比べてδ（ｒａｄ）だけ大きい場合、上記二例の重ね合わせとなって、反射光面の形状は、２ｈ＋δλ／２πだけ盛り上がった（ミラー面から離れた）形状になる。この場合、等価的な反射面は、（ｈ＋δλ／４π）だけ盛り上がった形状になる。
【００３５】
入射角θが０°でない場合には、幾何学的な光路差を補正すれば同様な考え方が成り立つため、一般的には、等価的な反射面は、ｈ＋δλ／（４πｃｏｓθ）と補正すればよい。このように、従来の形状計測工程では、ｈのみを測定していたのに対して、本実施形態ではｈ＋δλ／（４πｃｏｓθ）を算出し、これを形状誤差σと比較している。また、従来は、可視光を使用して位相差δを正しく測定できなかったが本実施形態では以下に説明するように位相差δを簡単かつ正確に測定することを可能にしている。なお、ここまでの説明では単純化のため、平面波が射する場合について説明したが、入射光が平面波でなく球面波やそれに収差が重畳したような場合でも、充分小さい領域を考えれば平面波で近似できるので、上記説明は同様に成り立つ。
【００３６】
多層膜に単色で平行なＥＵＶ光を入射した場合、この多層膜で反射されたＥＵＶ光は入射光に対して位相差を有する。また多層膜内部や外部では入射光と反射光とが干渉し、定在波が発生する。本発明では、定在波を利用して上記位相差δを求めたり、入射光の波面と反射光の波面との関係を正確に測定したりする。その方法について以下で詳細に述べる。
【００３７】
多層膜にＥＵＶ光を入射し、ＥＵＶ光が反射する場合、入射光と反射光との位相差は多層膜構造や多層膜を構成する物質の光学定数、入射角、ＥＵＶ光の波長などによって変化する。入射するＥＵＶ光の電場強度をＥ０、振幅反射率をｒとした時、反射光の電場振幅はｒ×Ｅ０となる。入射光と反射光の位相差δについて入射光と反射光とが重ね合わされた電場の振幅Ｅは次式で与えられる。
【００３８】
Ｅ−Ｅ０（１＋ｒ×ｃｏｓδ）
電場強度は振幅の自乗に比例すること、光の反射率Ｒは振幅反射率ｒの自乗であることから、多層膜表面の（入射光と反射光が干渉して生成する定在波の）電場強度Ｉと入射光の電場強度Ｉ０の比（電場強度比）Ｉ／Ｉ０は次式で与えられる。
【００３９】
Ｉ／Ｉ０＝（１＋Ｒ＋２×Ｒ１／２×ｃｏｓδ）
この式から逆に、多層膜表面の電場強度と入射光の電場強度の比Ｉ／Ｉ０及び反射率Ｒを取得すれば位相差δを求めることができる。反射率Ｒは、入射光の強度と反射光の強度を測定して両者の比を取ることで容易に測定することができる。多層膜表面の電場強度と入射光の電場強度の比Ｉ／Ｉ０を計測する方法については以下に詳細に説明する。
【００４０】
真空中の物質にＥＵＶ光が照射されると、光の一部はその物質に吸収され、光電効果を起し、電子が放出される。このとき、放出される光電子の量はその位置での電場強度に比例する。そこで、図３に示すように、多層膜のＥＵＶ光照射領域の近傍にマイクロチャンネルプレートや光電子増倍管などの光電子検出器を設けて光電子の量を計測する。
【００４１】
物質のごく表面で光電効果が起きた場合には、放出された電子は殆どエネルギーを失うことなく真空中に放出される。この現象は外部光電効果と呼ばれる。一方、物質の内部（表面からおよそ１ｎｍより深い位置）で光電効果が起きた場合には、放出された電子は周囲の原子と非弾性衝突しエネルギーを急速に失い、真空中まで出て来ることは殆どない。また真空中に放出されたとしても、原子から放出された時のエネルギーの大部分を失って低いエネルギーの電子となって放出される。（非特許文献１参照）。このため、外部光電効果によって真空中に放出される電子の量は、物質の最表面近傍（表面からおよそ１ｎｍより浅い領域）の電場強度に比例する。所定の入射角θ０、所定の波長λ０で高い反射率を得るように構成された多層膜に、ブラッグの条件を満たす入射角θ０で波長λ０のＥＵＶ光を入射した場合、表面から真空中に放出される光電子の量ＱＲは、入射光と反射光との干渉によって生じた物質の最表面近傍における定在波の電場強度に比例する。
【００４２】
ブラッグの条件を満たす多層膜に、ブラッグの条件を満たす波長λ０からずれた波長λのＥＵＶ光を入射角θ０で射した場合、干渉によって反射光の強度を強めあう条件から外れるので、反射率は非常に低くなり、反射光の強度は入射光の強度に比べて非常に小さくなる。例えば、図５の例では、波長１２．８〜１４ｎｍを外れた波長域では、反射率がピークの反射率に比べて１０分の１以下と、非常に小さな値になっている。
【００４３】
このとき多層膜表面から真空中に放出される光電子の量ＱＬは、入射光の電場強度にほぼ比例する。但し、このとき用いる波長とブラッグの条件を満たす波長λ０とが離れすぎると、光電子の放出効率（単位入射光子数当たりに放出される光電子数）がずれてくるので、あまり離れていない波長を用いることが望ましい。具体的には、多層膜表面を構成する元素の吸収端波長を境に光電子の放出効率量は急激に変化するので、多層膜表面を構成する元素の吸収端波長を越えない範囲で波長を変えることが望ましい。
【００４４】
そこで、波長を変えながら多層膜にＥＵＶ光を照射し、高い反射率が得られる波長と、反射室がそれに比べて非常に低くなる波長との２つの波長での、真空中に放出される電子の量ＱＲ、ＱＬを求めれば、次式から多層膜表面の電場強度Ｉと入射光の電場強度Ｉ０の比を求めることができる。
【００４５】
ＱＲ／ＱＬ＝Ｉ／Ｉ０
波長の異なる２つの条件の測定の間で入射光の強度が変動する可能性がある場合には、入射光強度を計測する検出器を設け、入射光強度で真空中に放出される電子の量を規格化して入射光強度が変動に伴う誤差を抑制することが可能である。
【００４６】
多層膜の最表面を構成する物質と同一物質で構成された単層膜にＥＵＶ光を入射した場合、反射率は非常に低くなり、反射光の強度は入射光の強度に比べて非常に小さくなる。このとき単層膜表面から真空中に放出される光電子の量Ｑ００は、入射光の電場強度にほぼ比例する。そこで、多層膜に、高い反射率が得られる入射角でＥＵＶを照射したときに真空中に放出される電子の量ＱＲと、多層膜の最表面を構成する物質と同一物質で構成された単層膜にＥＵＶ光を入射した場合に真空中に放出される電子の量Ｑ００を求めれば、次式から多層膜表面の電場強度Ｉと入射光の電場強度Ｉ０の比を求めることもできる。
【００４７】
ＱＲ／Ｑ００＝Ｉ／Ｉ０
この場合にも同様に、２つの測定の間で入射光の強度が変動する可能性がある場合には、入射光強度を計測する検出器を設け、入射光強度で真空中に放出される電子の量を規格化して入射光強度が変動に伴う誤差を抑制することが可能である。
【００４８】
次に、以下の式により位相δを算出する。
【００４９】
ｃｏｓδ＝（Ｉ／Ｉ０−１−Ｒ）／（２×Ｒ１／２）
位相差の余弦から位相差を求める際に、位相差に２πの整数倍の不確定性があるが、連続的に測定した領域内であるいは波長変化に対して位相差が連続につながるようにすればよい。また位相差の正負の不確定性があるが、多層膜の反射ピーク近傍で正の傾きを持つようにすればよい。
【００５０】
以上述べたような方法により、多層膜表面の電場強度と入射光の電場強度の比Ｉ／Ｉ０および反射率Ｒを測定することにより、入射光の位相と反射光の位相差δを求めることができる。次に、多層膜で反射したＥＵＶ面を求める方法について説明する。
【００５１】
多層膜の表面形状（即ち、上述のｈ）は、当業界で既知の方法、例えば、スタイラス（触針）を表面に接触させて形状を機械的に直接測定する方法、可視光や紫外光を用いた干渉計による方法等により精度良く計測することができる。
【００５２】
ミラー表面での反射において入射光と反射光の位相差δが、ミラーの面で一定であり入射角にも依存しない場合には、通常の光線追跡法や回折積分法を用いて、多層膜で反射したＥＵＶ光の波面を求めることができる。（例えば、鶴田匡夫  応用光学Ｉ（１９９０年７月発行）を参照のこと。）
ミラー表面での反射において入射光と反射光の位相差δが、ミラーの面内で変化したり、入射角に依存したりする場合には、多層膜表面で光路長がδλ／２πだけ付加するとして回折積分法等を用いれば、多層膜形状から、多層膜で反射したＥＵＶ光の波面を求めることができる。
【００５３】
あるいは、図４に示すように、ミラー面上の座標をｘ，ｙ、多層膜ミラーの幾何学的な面形状をｈ（ｘ，ｙ）、ミラー法線の傾きをφ（ｘ，ｙ）、ＥＵＶ光の入射角分布をθ（ｘ，ｙ）、ＥＵＶ光としての入射光と反射光の位相差をδ（ｘ，ｙ，λ，θ）としたとき、多層膜をＥＵＶ光で見た時の等価的な面形状は次式で表される。この等価的な面形状を用いて、光線追跡法によって反射光の波面あるいは反射光の光線を求めてもよい。ここで、図６は、多層膜ミラーの反射面形状の測定方法を説明するための概略断面図である。
【００５４】
【数１】
2005326177.tif 000003
【００５５】
このように、本実施形態によれば、多層膜にＥＵＶ光を入射した際に生じる定在波を利用して、入射光と反射光の位相差δを求め、多層膜表面の幾何学的な面形状の計測結果（即ち、ｈ）と位相差δとから、ＥＵＶ光から見た等価的な反射面の形状としてのｈ＋δλ／（４πｃｏｓθ）、あるいは、多層膜で反射したＥＵＶ光の波面を求めている。従来の形状測定はｈのみを求めているのに対して、本実施形態の形状測定ではｈ＋δλ／（４πｃｏｓθ）を求めているので、ＥＵＶ光から見ると形状測定の精度が向上している。この結果、本実施形態は、その後の波面収差の調整を容易にしている。また、本実施形態によれば、通常の反射率測定装置に光電子検出器を付加しただけの評価装置によって、容易に入射光と反射光の位相差を求めることが可能であり、従来のＰＤＩ等の干渉計測法と比べて非常に小規模な装置で高精度の評価が可能となった。
【００５６】
また、抑制手段としての電子銃からの電子線を多層膜に照射することで、多層膜がプラスに帯電するのを抑えることができ、その帯電による光電子強度の低下を防ぐことができた。そして、その結果、多層膜の評価をより正確に行うことができた。
【実施例１】
【００５７】
図１は、本実施例の評価装置１の概略ブロック図である。シンクロトロン放射光光源や、レーザープラズマ光源、放電プラズマ光源などのＥＵＶ光源１０から放射されたＥＵＶ光は分光器１２により所定の波長だけが取り出され、単色化される。単色化されたＥＵＶ光は測定対象としての多層膜ミラー（又は試料）ＭＬや検出器２４、２６、電子線を照射する手段である電子銃２７、が設置された測定室２０に導かれる。測定室２０は大気によるＥＵＶ光の減衰や光電子の散乱、あるいは多層膜表面への汚染付着を防止するために、真空ポンプなどの排気手段２１によって超高真空領域まで排気されている。測定対象としての多層膜ミラーＭＬは回転及び並進移動可能なステージ２２の上に固定されており、単色化されたＥＵＶ光が、多層膜ミラーＭＬの所定の位置に所定の角度で入射するようになっている。多層膜ミラーＭＬによって反射されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ光検出器２４に導かれ、反射光の強度が計測される。検出器２４は、フォトダイオード、光電子増倍管、ＣＣＤなどを使用することができる。ステージ２２により多層膜ミラーＭＬを退避させ、検出器２４に単色化されたＥＵＶ光を直接入射することで入射光の光強度を計測することもできるようになっている。検出器２４の出力は、電荷増幅器を用いて電圧信号に変換し、更にアナログ−デジタルコンバータ（ＡＤＣ））１８を用いてデジタル化したのちにコンピュータなどの演算部（制御部）１６に取り込む。多層膜ミラーＭＬで反射された反射光のビーム強度と、入射光のビーム強度の比を計算することによって演算部１６は反射率Ｒを求めることができる。
【００５８】
光源１０から放射される光強度の時間変動を補正するために、測定室２０に導かれる単色のＥＵＶ光の強度を測定する入射光モニタ１４が設けられている。放射光光源を用いる場合には、光源の電子蓄積リングの電流を測定することで入射光モニタとしてもよい。
【００５９】
多層膜ミラーＭＬの近傍には多層膜から放出される光電子を検出するための検出器２６が設置されている。検出器２６は、電子増倍管やマイクロチャンネルプレート（ＭＣＰ）などを使用することができる。
【００６０】
そして、本実施例では、光電子の放出により多層膜ミラーＭＬ表面に生成する正電荷を中和するために、ＥＵＶ光を多層膜ミラーＭＬ表面に入射させると同時に電子銃２７の電源１７を制御部１６からの信号でオンにし、電子線を多層膜ミラーＭＬ表面に照射する。
【００６１】
ここで、多層膜の２次電子の放出効率を図９に示す。図９でδは２次電子放出効率、Ｅｃ１及びＥｃ２はδ＝１となる電子線のエネルギーを示す。従って、δ＞１（Ｅ＞Ｅｃ１又は、Ｅ＜Ｅｃ２）の場合には、２次電子が放出した多層膜表面の電位は正電位となり、δ＜１（Ｅ＜Ｅｃ１又は、Ｅ＞Ｅｃ２）の場合には２次電子の放出した多層膜表面の電位は負電位になる。また、電子線の照射に伴う多層膜表面からの２次電子放出効率は、電子の入射角θ（試料の表面に対する法線と入射電子のなす角度）にかかわらず、入射電子のエネルギーに依存しており、数１００ｅＶ（Ｅｃ１）以下または数ｋｅＶ（Ｅｃ２）以上のエネルギーで照射した場合のみＥＵＶ光を照射した際に発生する正電荷を消滅することが可能である。電子線のエネルギーが高い場合、熱による影響により多層膜表面にダメージを与える可能性が高くなることから、本実施例では４ｅＶに抑えた。
【００６２】
更に、本実施例では、以下の手続によって反射光の位相を計測する。
【００６３】
まず、ステージ２２によりガラス基板上に形成された多層膜試料ＭＬを退避し、入射光の強度を検出器２４で測定する。このとき分光器１２から出射するＥＵＶ光の波長λを変えながら、波長走査を行い、入射光の強度の波長依存性を測定する。入射光の強度をＩＲ０（λ）、その測定の際の入射光強度モニタの出力をＩ００（λ）とする。
【００６４】
次に、ステージ２２により単色化されたＥＵＶ光が、多層膜ミラーＭＬの所定の位置に所定の角度で入射するように設定し、反射光の強度を検出器で測定する。同時に、ＥＵＶ光が照射される領域を含む領域に電子銃２７の電源１７をオンにし、４ボルトで加速した電子線をＥＵＶ光の照射位置に照射しながら検出器２６によって、試料表面から放出される光電子の量を測定する。このとき分光器１２の波長設定を変えながら、波長走査を行い、反射光の強度の波長依存性と、試料ＭＬの表面から放出される光電子の量の波長依存性とを同時に測定する。このとき、多層膜試料で反射された光強度をＩＲ１（λ）、多層膜試料の測定された光電子放出量をＱＳ（λ）、その測定の際の入射光強度モニタの出力をＩ０１（λ）とする。
【００６５】
次に、参照試料ＲＳとして多層膜の最上層を構成する物質で構成された単層膜ミラーの光電子放出量を計測する。参照試料（又は単層膜ミラー）ＲＳの単層膜の厚さは、光電子の脱出深さより充分厚く、また測定しようとする光の透過率が充分小さいことが望ましく、光の波長が１３．５ｎｍ程度であれば、ＭｏやＳｉ、ルテニウム（Ｒｕ）などの場合、数百ｎｍ以上の厚さがあればよい。多層膜の最上層がＳｉの場合、Ｓｉウェハを使用してもよい。
【００６６】
多層膜試料ＭＬについて行ったのと同様な方法で参照試料ＲＳに対し、試料表面から放出される光電子の量の波長依存性を測定する。試料表面での電場は、入射光の電場と反射光の電場とを足しあわせたものであるが、単層膜ミラーＲＳの反射率はＥＵＶ光に対して非常に低いため、単層膜表面の電場強度は入射光の電場強度にほぼ等しい。このとき、参照試料の測定された光電子放出量の波長依存性をＱＲ（λ）、その測定の際の入射光強度モニタの出力をＩ０２（λ）とする。
【００６７】
多層膜ミラーＭＬの反射率の波長依存性Ｒ（λ）は以下の式で与えられる。
【００６８】
Ｒ（λ）＝（ＩＲ１（λ）×Ｉ００（λ））／（ＩＲ０（λ）×Ｉ０１（λ））
多層膜ミラーＭＬの光電子放出量の参照試料ＲＳの光電子放出量との比の波長依存性Ｆ（λ）は以下の式で与えられる。
【００６９】
Ｆ（λ）＝（ＱＳ（λ）×Ｉ０２（λ））／（ＱＲ（λ）×Ｉ０１（λ））
Ｆ（λ）は、多層膜ミラーＭＬの光電子放出量が、単層膜ミラーＲＳに比較して何倍になっているかを示すパラメータである。単層膜表面の電場強度は入射光の電場強度にほぼ等しいので、多層膜ミラー試料の光電子放出量の単層膜試料の光電子放出量との比Ｆ（λ）は、多層膜表面の電場強度が入射光の電場強度の何倍になっているかを示す量（電場強度比）に等しい。反射率と電場強度比の波長依存性の測定結果の例を図５に示す。
【００７０】
代替的に、波長を変えながら多層膜にＥＵＶ光を照射し、高い反射率が得られる波長（この実施例においては１３．５ｎｍ）と、反射率がそれに比べて非常に低くなる波長（この実施例においては１２．５又は１４．５ｎｍ）との２つの波長での、真空中に放出される電子の量ＱＲ、ＱＬを求め、次式により、多層膜ミラー試料の光電子放出量が、単層膜ミラーに比較して何倍になっているかを示すパラメータを求めて電場強度比としてもよい。
【００７１】
Ｆ＝ＱＲ／ＱＬ＝Ｉ／Ｉ０
次に、以下の式により位相δ（λ）を算出する。
【００７２】
ｃｏｓδ（λ）＝（Ｆ（λ）−１−Ｒ（λ））／（２×Ｒ１／２（λ））
位相差δの余弦から位相差δを求める際に、位相差δに２πの整数倍の不確定性があるが、連続的に測定した領域内であるいは波長変化に対して位相差δが連続につながるようにすればよい。また位相差δの正負の不確定性があるが、多層膜の反射ピーク近傍の波長域で位相の波長依存性が正の傾きを持つように設定すればよい。このようにして求めた入射光と反射光の位相差δの波長依存性を図８に示す。
【００７３】
次に、可視光あるいは紫外光を用いたフィゾー干渉計、ミラウ干渉計などにより、多層膜試料の表面形状を計測する。表面形状計測と定在波による位相計測は、どちらを先に行っても構わないし、同時でもよい。
【００７４】
次に、ＥＵＶ光で見た等価的な反射面の形状、即ち、δλ／（４πｃｏｓθ）及びｈ＋δλ／（４πｃｏｓθ）を算出する。
【００７５】
図７に多層膜の構造の一例を示す。この例では、多層膜最下層に段差が生じており、Ｂ部はＡ部に比べて高くなっている。膜周期を６ｎｍ、入射するＥＵＶ光の波長を１２ｎｍ、入射角を０°、Ｂ部の段差を１．５ｎｍとする。可視光を用いた干渉計で形状を計測すると、Ｂ部はＡ部に比較して１．５ｎｍ高く計測される。また先に述べた定在波を用いた位相計測では、Ａ部とＢ部との間で位相差は認められない。従って、ＥＵＶ光で見た等価的な反射面の形状は、Ｂ部がＡ部に比較して１．５ｎｍ高くなっている。これより、この多層膜に平面波を入射した場合、反射光の波面は、Ｂ部がＡ部に比較して３ｎｍすなわち１／４波長だけ進んだ形状になることがわかる。
【００７６】
図８に多層膜の構造の別の例を示す。この例では、多層膜最上層に段差が生じており、Ｄ部はＣ部に比べて高くなっている。膜周期を６ｎｍ、入射するＥＵＶ光の波長を１２ｎｍ、入射角を０°、Ｄ部の段差を１．５ｎｍとする。可視光を用いた干渉計で形状を計測すると、Ｄ部はＣ部に比較して１．５ｎｍ高く計測される。また先に述べた定在波を用いた位相計測では、Ｄ部とＣ部との間で位相差がπ／２あることがわかる。従って、ＥＵＶ光で見た等価的な反射面の形状は表面形状と反射位相差で打ち消し合い平面になる。これより、この多層膜に平面波を入射した場合、反射光の波面は平面となることがわかる。
【００７７】
上述の実施例によれば、ガラス基板上に形成された多層膜にＥＵＶ光を入射した際に生じる定在波を利用して、入射光と反射光の位相差を求めることが可能になった。更に、多層膜表面形状の計測結果と位相差とから、ＥＵＶ光で見た等価的な反射面の形状あるいは、多層膜で反射したＥＵＶ光の波面を求めることができるようになった。また、通常の反射率測定装置に光電子検出器を付加しただけの評価装置によって、容易に入射光と反射光の位相差を求めることが可能であり、従来のＰＤＩ等の干渉計測法と比べて非常に小規模な装置で高精度の評価が可能となった。更に、入射光モニタを用いて光源や分光器等の不安定性に伴う入射光の不安定性を補正しているので、それらの不安定性に起因する誤差を抑制して高精度な計測をする事が可能となった。本実施例はＥＵＶ領域の光について説明したが、他の波長域の光、例えばＸ線についても同様に適用することができ、同様な効果を得ることができる。
【００７８】
また、帯電抑制手段としての電子銃を用いて、電子線を多層膜に照射することで、多層膜がプラスに帯電するのを抑えることができ、光電子強度の低下を防ぐことができた。その結果、多層膜の評価をより正確に行うことができた。
【実施例２】
【００７９】
本実施例では、帯電抑制手段として、実施例１に示した電子銃２７による電子線照射手段だけではなく、イオン線照射手段としてのイオン銃３２も用いることとした。図１１に本実施例の評価装置の概略ブロック図を示す。なお、実施例１の評価装置と同様の部材については、同じ番号を付している。
【００８０】
一般には、多層膜の帯電を抑えるために実施例１のように、多層膜に電子線を照射するのみで十分な場合が多いが、電子線のみを照射した場合、多層膜表面の正電荷が残留している領域以外にも電子線が照射される場合がある。この場合、正電荷が残留している領域以外では電子線により負の帯電が発生する。この負電荷により試料表面に到達する電子量が減少するという問題が起きる。この問題を解決するためには電子線と正電荷のイオン線を重畳して照射することが望ましい。これにより、負の帯電が緩和され、電子線照射の効果を挙げることが可能となる。
【００８１】
イオン線照射のエネルギーによって試料にダメージを与えることが知られていることから、ダメージの有無を確認するために、予め化学エッチングにより表面の酸化膜を除去したシリコンウエハーを試料として、電源１７によりイオン銃３２の加速電圧を５Ｖ及び１２Ｖとしてイオン線を照射した。その際に、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光装置）により測定した光電子スペクトル（Ｓｉ２ｐ：Ｓｉの２ｐ軌道の光電子スペクトル）を図１０に示した。イオン銃の加速電圧を１２Ｖとした試料のＳｉ２ｐピークの半値幅は加速電圧を５Ｖとして測定した半値幅より僅かに広がっており、Ｓｉが変質していることを示唆した。この結果に基づいて、本実施例ではイオン銃３２の加速電圧を５ボルトに設定した。
【００８２】
本実施例では、ステージ２２により単色化されたＥＵＶ光が、多層膜ミラーＭＬの所定の位置に所定の角度で入射するように設定し、同時に、電源１７をオンにし、ＥＵＶ光が照射される領域を含む領域に４Ｖで加速した電子線を照射し、更に５Ｖで加速したアルゴンイオン線をＥＵＶ光が照射されない領域に照射しながら検出器２６によって、試料表面から放出される光電子の量を測定する。その他、実施例１と同様なステップを実行することで、実施例１と同様に試料ＭＬの評価を行う。
【００８３】
本実施例によれば、多層膜の負の帯電を防止することができ、多層膜試料ＭＬのより正確な評価が可能となった。
【実施例３】
【００８４】
本実施例の評価装置も実施例１と同様の構成であるが、帯電抑制手段として、電子銃２７だけでなく、ガス導入手段（ガス導入口３０）も用いる構成となっている。図１２に本実施例の評価装置の概略ブロック図を示す。なお、実施例１の評価装置と同様の部材については、同じ番号を付している。
【００８５】
多層膜の帯電量が大きい場合には、実施例１のような電子線照射のみでは不十分なことがある。電子の供給量を増やすために過度の負荷を電子銃に与えるのは電子銃の寿命の面で好ましくない。この場合には、測定室にガスを導入することにより、ガスと電子線の相互反応により多くの電子が生成されることを併用するのが望ましい。
【００８６】
そこで、本実施例では、帯電抑制手段として、電子銃２７だけでなく、ガス導入手段（ガス導入口３０）も用いる構成とした。
【００８７】
ガス種としてはＥＵＶによる吸収の小さいヘリウム（線吸収係数：１．２９×１０−２ｍ−１Ｐａ−１）を用いた。また、本実施例ではヘリウムを用いた場合の吸収率を０．１％程度とするためにヘリウムの導入圧力を０．１Ｐａとした。まず、測定室にヘリウムガスをガス導入口３０から０．１Ｐａ導入し、実施例１と同様に、ステージ２２により単色化されたＥＵＶ光が、多層膜ミラーＭＬの所定の位置に所定の角度で入射するように設定し、同時に、電源１７をオンにし、ＥＵＶ光が照射される領域を含む領域に４ボルトで加速した電子線を照射しながら検出器２６によって、試料表面から放出される光電子の量を測定する。その他、実施例１と同様なステップを実行することで、実施例１と同様に試料ＭＬの評価を行う。
【００８８】
本実施例によれば、多層膜の帯電量が大きい場合にも、多層膜の帯電を防止することができ、多層膜試料ＭＬのより正確な評価が可能となった。
【実施例４】
【００８９】
本実施例の評価装置では、実施例１のように多層膜ＭＬを電子線で照射することによって帯電を防止するのではなく、多層膜ＭＬを不図示の金属片（接地電位とする手段）を介してステージ２２と接合し、多層膜ＭＬを接地電位にすることとした。図１３に本実施例の評価装置の概略ブロック図を示す。なお、実施例１の評価装置と同様の部材については、同じ番号を付している。
【００９０】
本実施例では、ステージ２２により単色化されたＥＵＶ光が、多層膜ミラーＭＬの所定の位置に所定の角度で入射するように設定し、検出器２６によって、試料表面から放出される光電子の量を測定する。その他、実施例１と同様なステップを実行することで、実施例１と同様に試料ＭＬの評価を行う。
【００９１】
本実施例では、多層膜ＭＬを接地電位にしているので、評価の際にその多層膜ＭＬが帯電せず、多層膜試料ＭＬの正確な評価が可能となった。
【００９２】
本実施例によれば、より簡単な構成で、多層膜試料ＭＬの正確な評価が可能となった。
【実施例５】
【００９３】
本実施例の評価装置では、実施例１のように多層膜ＭＬを電子線で照射することによって帯電を防止するのではなく、不図示の金属片（接地電位とする手段）を介して多層膜ＭＬをステージ２２に接合し、かつ、ＥＵＶ光が照射される領域を含む領域に光源３１からの光を照射することとした。図１４に本実施例の評価装置の概略ブロック図を示す。なお、実施例１の評価装置と同様の部材については、同じ番号を付している。
【００９４】
多層膜ＭＬ表面の一部で酸化層が形成されるなど表面状態が変化することにより、多層膜材料の禁制帯の幅が変化する結果、多層膜の帯電状況が変わる場合がある。この場合、多層膜ＭＬ表面に均一に電子線を照射すると帯電状況の変化により正電荷が多く残留している領域では電子線の照射量が不十分となり、帯電を完全に抑えることはできなくなる。この問題を解決するには、禁制帯の幅より波長の短い光を照射することにより、価電子帯の電子を伝導帯に励起して多層膜ＭＬ表面に生成する正電荷を中和することが可能となる。この場合には価電子帯に電子を供給するために、多層膜ＭＬを接地電位にする。
【００９５】
光源３１として、本実施例ではＥＵＶ光よりも波長の長い光を放出するクリプトンハロゲンランプを用いた。実施例１と同様に、ステージ２２により単色化されたＥＵＶ光が、多層膜ミラーＭＬの所定の位置に所定の角度で入射するように設定し、同時に、電源１７をオンにし、ＥＵＶ光が照射される領域を含む領域に光源３１からの光を照射しながら検出器２６によって、試料表面から放出される光電子の量を測定する。その他、実施例１と同様なステップを実行することで、実施例１と同様に試料ＭＬの評価を行う。
【００９６】
本実施例によれば、より簡単な構成で、多層膜試料ＭＬの正確な評価が可能となった。
【００９７】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】実施例１の評価装置の概略図である。
【図２】光学素子の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】多層膜表面の電場強度比を測定するための模式図である。
【図４】多層膜ミラーの反射面形状の測定方法を説明するための概略断面図である。
【図５】反射率と電場強度比の波長依存性の測定結果の例を示すグラフである。
【図６】入射光と反射光の位相差の波長依存性の例を示すグラフである。
【図７】多層膜の構造の一例を示す概略断面図である。
【図８】多層膜の構造の別の例を示す概略断面図である。
【図９】２次電子放出効率の電子線エネルギー依存性を示す図である。
【図１０】イオン線照射の影響を示す図である。
【図１１】実施例２の評価装置の概略図である。
【図１２】実施例３の評価装置の概略図である。
【図１３】実施例４の評価装置の概略図である。
【図１４】実施例５の評価装置の概略図である。
【符号の説明】
【００９９】
１０  ＥＵＶ光源
１２  分光器
１４  ビーム強度モニタ
１６  演算部
１７  電源
１８  電荷増幅部
２０  測定室
２１  排気管
２２  ステージ
２４  光強度検出器
２６  光電子検出器
２７  電子銃（電子線を照射する手段）
ＲＳ  レファレンス試料
３０  ガス導入口（ガスを導入する手段）
３１  光源（ランプ：光を照射する手段）
３２  イオン銃（イオン線を照射する手段）
【図１】
2005326177.tif 000004
【図２】
2005326177.tif 000005
【図３】
2005326177.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2005326177.tif 000011
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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