(57)【要約】【課題】  コストアップを抑制しつつ、非破壊かつ簡易に半導体チップの実装位置を確認する。【解決手段】  半導体チップ３の実装位置を確認するためのＩＣ側基準位置マーク６を半導体チップ３の表面に形成するとともに、ＩＣ側基準位置マーク６に対向配置された基板側基準位置マーク５を透明絶縁性基板１に形成し、半導体チップ３を透明絶縁性基板１上に実装した後に、透明絶縁性基板１を介してＩＣ側基準位置マーク６および基板側基準位置マーク５の相対位置を確認する。【選択図】      図１
2005129780.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップに設けられた端子電極と、
前記半導体チップの表面に設けられた第１の基準位置マークと、
前記端子電極が接合されたランドと、
前記ランドが形成された透明絶縁性基板と、
前記透明絶縁性基板の表面に設けられ、前記第１の基準位置マークに対向して配置された第２の基準位置マークとを備えることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記第１の基準位置マークおよび前記第２の基準位置マークは、前記半導体チップの中心線に沿って配置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記第１の基準位置マークは、前記半導体チップの最上配線層の一部を用いて形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記第２の基準位置マークは、前記ランドの構成部材の一部を用いて形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の半導体モジュール。
【請求項５】
第１の基準位置マークが表面に形成された半導体チップを第２の基準位置マークが形成された透明基板上にフェースダウン実装するステップと、
前記透明基板を透かして前記第１の基準位置マークと前記第２の基準位置マークとの相対位置を確認することにより、前記半導体チップの実装位置を確認するステップとを備えることを特徴とする実装位置確認方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体モジュールおよび実装位置確認方法に関し、特に、非接触ＩＣカードまたは非接触ＩＣタグに適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の非接触ＩＣタグでは、使い捨てなどの要求に対応して低価格化を図るために、２端子以上のＩＣチップを搭載することが行われている。
図２（ａ）は、従来の半導体モジュールの概略構成を示す平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
図２において、絶縁性基板１１にはランド１２が形成されている。また、半導体チップ１３には、４個の突出電極１４が半導体チップ１３の４隅にそれぞれ配置されている。そして、突出電極１４をランド１２上にそれぞれ接合することにより、半導体チップ１３が絶縁性基板１１上に実装されている。
【０００３】
そして、半導体チップ１３を絶縁性基板１１上に実装した後に、半導体チップ１３の実装位置を確認する場合、Ｘ線を用いて半導体チップ１３の透過像を確認するか、または半導体チップ１３を絶縁性基板１１から剥がして接合跡を確認することが行われる。
また、特許文献１には、アンテナ基板に基準位置マークを２点以上設け、アンテナ基板をカード外形寸法より大きなカード基材に収納して加熱加圧し一体化した後、マーク検出装置によってマーク位置情報を得て、カードの外形加工基準位置を少なくとも２点以上算出し、カード基材表面の外形加工基準位置に外形基準マークを印字することにより、厳密な位置合わせを不要としつつ、カード完成時にアンテナ基板を所定位置に配置する方法が開示されている。
【特許文献１】特開２０００−２０７５２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、Ｘ線を用いて半導体チップ１３の透過像を確認する方法では、設備投資が莫大になるとともに、実装位置の確認に長時間を要し、作業効率が悪いという問題があった。
一方、半導体チップ１３を絶縁性基板１１から剥がして接合跡を確認する方法では、半導体チップ１３が破壊されるため、歩留り低下を招くとともに、半導体チップ１３を絶縁性基板１１から剥がすのに手間がかかり、作業効率が悪いという問題があった。
【０００５】
また、特許文献１に開示された方法では、アンテナ基板をカード基材に搭載した後に、アンテナ基板に設けられた基準位置マークに基づいてカード基材に外形基準マークが印字される。このため、アンテナ基板に実装位置がずれると、カード基材に印字される外形基準マークの位置もずれるため、外形基準マークを基準としただけではアンテナ基板の実装位置を確認することができないという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、コストアップを抑制しつつ、非破壊かつ簡易に実装位置を確認することが可能な半導体モジュールおよび実装位置確認方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、半導体チップと、前記半導体チップに設けられた端子電極と、前記半導体チップの表面に設けられた第１の基準位置マークと、前記端子電極が接合されたランドと、前記ランドが形成された透明絶縁性基板と、前記透明絶縁性基板の表面に設けられ、前記第１の基準位置マークに対向して配置された第２の基準位置マークとを備えることを特徴とする。
【０００８】
これにより、半導体チップが透明絶縁性基板上に実装された後に、光学顕微鏡を用いることで、透明絶縁性基板を介して第１の基準位置マークおよび第２の基準位置マークの位置を確認することが可能となる。このため、第１の基準位置マークおよび第２の基準位置マークの位置を確認することで、半導体チップの実装位置を確認することが可能となり、半導体チップの実装位置を確認するためにＸ線を用いる必要がなくなるとともに、半導体チップを透明絶縁性基板から剥がすことなく、半導体チップの実装位置を短時間で確認することが可能となる。この結果、設備投資を抑止しつつ、非破壊かつ簡易に実装位置を確認することが可能となり、コストアップを抑制しつつ、半導体チップの実装位置を確認するための作業効率を向上させることが可能となるとともに、歩留り低下を防止することができる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、前記第１の基準位置マークおよび前記第２の基準位置マークは、前記半導体チップの中心線に沿って配置されていることを特徴とする。
これにより、第１の基準位置マークおよび第２の基準位置マークが互いにずれているかどうかを確認することで、半導体チップの実装位置を確認することが可能となり、半導体チップの実装位置を簡易かつ短時間で確認することが可能となる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、前記第１の基準位置マークは、前記半導体チップの最上配線層の一部を用いて形成されていることを特徴とする。
これにより、最上配線層形成時のマスクパターンを変更することで、第１の基準位置マークを半導体チップに形成することができ、工程増を伴うことなく第１の基準位置マークを形成することができる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、前記第２の基準位置マークは、前記ランドの構成部材の一部を用いて形成されていることを特徴とする。
これにより、ランド形成時のマスクパターンを変更することで、第２の基準位置マークを透明絶縁性基板に形成することができ、工程増を伴うことなく第２の基準位置マークを形成することができる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る実装位置確認方法によれば、第１の基準位置マークが表面に形成された半導体チップを第２の基準位置マークが形成された透明基板上にフェースダウン実装するステップと、前記透明基板を透かして前記第１の基準位置マークと前記第２の基準位置マークとの相対位置を確認することにより、前記半導体チップの実装位置を確認するステップとを備えることを特徴とする。
【００１３】
これにより、光学顕微鏡を用いることで、半導体チップの実装位置を確認することができ、コストアップを抑制しつつ、非破壊かつ簡易に実装位置を確認することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態に係る半導体モジュールについて図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る半導体モジュールの概略構成を示す平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
図１において、半導体チップ３には、４個の突出電極４が半導体チップ３の４隅にそれぞれ配置されている。なお、半導体チップ３には、例えば、トランジスタなどの能動素子またはキャパシタなどの受動素子を形成することができる。また、突出電極４としては、例えば、Ａｕバンプ、半田材などで被覆されたＣｕバンプやＮｉバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができる。
【００１５】
また、透明絶縁性基板１には、半導体チップ３の４隅にそれぞれかかるようにして、突出電極４を接合させるランド２が形成されている。なお、絶縁性基板１としては、例えば、プリント配線基板、テープ基板またはフィルム基板などを用いることができ、絶縁性基板１の材質としては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂、ポリイミド樹脂などを用いることができる。
【００１６】
また、半導体チップ３の表面には、半導体チップ３の実装位置を確認するためのＩＣ側基準位置マーク６が形成されるとともに、透明絶縁性基板１には、ＩＣ側基準位置マーク６に対向配置された基板側基準位置マーク５が形成されている。
ここで、ＩＣ側基準位置マーク６および基板側基準位置マーク５は、半導体チップ３の各辺の中央線Ｘ、Ｙにそれぞれ沿うようにして配置することができる。また、ＩＣ側基準位置マーク６は半導体チップ３の最上配線層の一部を用いて形成することができ、基板側基準位置マーク５はランド２の構成部材の一部を用いて形成することができる。
【００１７】
そして、突出電極４をランド２上にそれぞれ接合することにより、半導体チップ３が透明絶縁性基板１上に実装されている。
そして、半導体チップ３を透明絶縁性基板１上に実装した後に、半導体チップ３の実装位置を確認する場合、透明絶縁性基板１側から可視光を入射させる。そして、光学顕微鏡を用いることで、透明絶縁性基板１を介してＩＣ側基準位置マーク６および基板側基準位置マーク５の相対位置を確認する。
【００１８】
これにより、半導体チップ３の実装位置を確認するためにＸ線を用いる必要がなくなるとともに、半導体チップ３を透明絶縁性基板１から剥がすことなく、半導体チップ３の実装位置を短時間で確認することが可能となる。このため、設備投資を抑止しつつ、非破壊かつ簡易に実装位置を確認することが可能となり、コストアップを抑制しつつ、半導体チップ３の実装位置を確認するための作業効率を向上させることが可能となるとともに、歩留り低下を防止することができる。
【００１９】
また、半導体チップ３の各辺の中央線Ｘ、Ｙにそれぞれ沿うようにしてＩＣ側基準位置マーク６および基板側基準位置マーク５を配置することにより、ＩＣ側基準位置マーク６および基板側基準位置マーク５が互いにずれているかどうかを確認することで、半導体チップ３の実装位置を確認することが可能となり、半導体チップ３の実装位置を簡易かつ短時間で確認することが可能となる。
【００２０】
なお、半導体チップ３を透明絶縁性基板１上に実装する場合、例えば、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）接合、ＮＣＦ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）接合、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）接合、ＮＣＰ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）接合などのその他の圧接接合を用いるようにしてもよく、半田接合や合金接合などの金属接合を用いるようにしてもよい。
【００２１】
また、上述した半導体モジュールは、例えば、非接触ＩＣカードまたは非接触ＩＣタグなどに適用することができ、コストアップを防止しつつ、非接触ＩＣカードまたは非接触ＩＣタグなどの信頼性を向上させることができる。
また、上述した実施形態では、半導体チップの実装方法を例にとって説明したが、本発明は、必ずしも半導体チップの実装方法に限定されることなく、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ）素子などのセラミック素子、光変調器や光スイッチなどの光学素子、磁気センサやバイオセンサなどの各種センサ類などの実装方法に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体モジュールの概略構成を示す図。
【図２】従来の半導体モジュールの概略構成を示す図。
【符号の説明】
【００２３】
１  透明絶縁性基板、２  ランド、３  半導体チップ、４  突出電極、５  基板側基準位置マーク、６  ＩＣ側基準位置マーク
【図１】
2005129780.tif 000003
【図２】
2005129780.tif 000004