(57)【要約】【課題】  吸引部の形状を工夫することにより、吸引配管が膨張しても十分な流量を確保することができ、吸引配管の損傷を防止することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】  吸引配管２３が膨張・柔軟化して下端開口部２４が外槽５の底面により閉塞されたとしても、下部周面に形成されている周面開口部２３ｂにより十分な流量を確保することができる。したがって、キャビテーション等の発生が防止でき、吸引配管２３の損傷を防止できる。【選択図】        図２
2005353902.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理液により所定の処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留し、基板を処理液に浸漬して処理を行うための内槽と、
前記内槽から溢れた処理液を回収する外槽と、
前記外槽に回収された処理液を吸引する吸引配管とを備え、
前記吸引配管は、下端に形成された下端開口部と、下部周面に形成された周面開口部とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記周面開口部は、前記下端開口部の開口面積以上の面積を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記周面開口部は、複数個形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
基板に処理液により所定の処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留し、基板を処理液に浸漬して処理を行うための内槽と、
前記内槽から溢れた処理液を回収する外槽と、
前記外槽に回収された処理液を吸引する吸引配管とを備え、
前記吸引配管は、下端に形成された下端開口部を有し、側面から見て下部周面が逆Ｌ字状となるように切り欠き部を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記切り欠き部は、前記下端開口部の開口面積以上の面積を有することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）等の基板に対して処理液による処理を行う基板処理装置に係り、特に、内槽から溢れた処理液を回収する外槽から吸引配管を通して処理液を吸引する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、処理液を貯留する内槽及びこの内槽から溢れた処理液を回収する外槽を備えた処理槽と、処理液を再び内槽へ戻すために外槽の処理液を吸い上げる吸引配管とを備えた基板処理装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この装置では、外槽の処理液をできるだけ多く吸い出せるように、吸引配管の下端開口部を外槽の底面に近づけて配設されている。また、吸引配管は、管継手における負圧耐圧の関係上、石英での製作が難しく、一般的にはＰＦＡなどのフッ素樹脂材料で製作してある。そのため、例えば１００〜１８０℃もの高温の処理液を用いている場合には、吸引配管が膨張・軟化し、下端開口部が外槽の底面に接触して閉塞される。すると、所定の流量を確保できなくなるので、吸引配管の下端を斜めにカットして、吸引配管が膨張したとしても流量を確保できるように工夫している。
【特許文献１】特開平１１−１７６７８３号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
【０００５】
すなわち、従来の装置は、吸引配管のカットした面が外槽の底面に沿うように曲がってしまい、完全に閉塞されることがないものの、流量がかなり低下するという問題がある。このような状態になると、吸引配管に接続されたポンプの吸引効率が極端に低下し、循環流量の低下や、吸引配管の偏平変形が生じ、これに伴ってキャビテーションが発生し、最悪の場合には管壁に亀裂が入って吸引配管が損傷するという問題がある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、吸引部の形状を工夫することにより、吸引配管が膨張しても十分な流量を確保することができ、吸引配管の損傷を防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
【０００８】
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に処理液により所定の処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留し、基板を処理液に浸漬して処理を行うための内槽と、前記内槽から溢れた処理液を回収する外槽と、前記外槽に回収された処理液を吸引する吸引配管とを備え、前記吸引配管は、下端に形成された下端開口部と、下部周面に形成された周面開口部とを有することを特徴とするものである。
【０００９】
［作用・効果］請求項1に記載の発明によれば、吸引配管が膨張・柔軟化して下端開口部が外槽の底面により閉塞されたとしても、下部周面に形成されている周面開口部により十分な流量を確保することができる。したがって、キャビテーション等の発生が防止でき、吸引配管の損傷を防止することができる。
【００１０】
また、本発明において、前記周面開口部は、下端開口部の開口面積以上の面積を有することが好ましい（請求項２）。下端開口部の開口面積以上の面積となるように周面開口部を形成することにより、下端開口部が閉塞されたとしても下部周面の開口部だけで十分な流量を確保できる。
【００１１】
また、本発明において、前記周面開口部は、複数個形成されていることが好ましい（請求項３）。複数個の開口部に分けることにより強度を高めることができるので、膨張・軟化に伴う変形を抑制できる。
【００１２】
また、請求項４に記載の発明は、基板に処理液により所定の処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留し、基板を処理液に浸漬して処理を行うための内槽と、前記内槽から溢れた処理液を回収する外槽と、前記外槽に回収された処理液を吸引する吸引配管とを備え、前記吸引配管は、下端に形成された下端開口部を有し、側面から見て下部周面が逆Ｌ字状となるように切り欠き部を有することを特徴とするものである。
【００１３】
［作用・効果］請求項４に記載の発明によれば、吸引配管が膨張・柔軟化して下端開口部が外槽の底面により閉塞されたとしても、下部周面に形成されている切り欠き部により十分な流量を確保することができる。したがって、キャビテーション等の発生が防止でき、吸引配管の損傷を防止することができる。また、開口部を形成するよりも切り欠き部の方が比較的容易に形成することができる。
【００１４】
また、本発明において、前記切り欠き部は、下端開口部の開口面積以上の面積を有することが好ましい（請求項５）。下端開口部の開口面積以上の面積となるように切り欠き部を形成することにより、切り欠き部だけで十分な流量を確保できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る基板処理装置によれば、吸引配管が膨張・柔軟化して下端開口部が外槽の底面により閉塞されたとしても、下部周面の周面開口部により十分な流量を確保することができる。したがって、キャビテーション等の発生が防止でき、吸引配管の損傷を防止できる。
【実施例１】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施例1を説明する。
【００１７】
図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【００１８】
基板Ｗを処理する処理槽１は、処理液を貯留する内槽３と、内槽３から溢れた処理液を回収する外槽５とを備えている。内槽３は、複数枚の基板Ｗをリフター９に保持したまま収容し、貯留している処理液によって処理を施す。リフター９は、基板Ｗの下縁を当接支持するための三片からなる支持部材１１を背板１３の下部に備えている。図１中に描かれているリフター９は、内槽３中の「処理位置」にある状態を示しているが、この処理位置と、内槽３の上方にあたる「待機位置」との間で昇降自在に構成されている。
【００１９】
内槽３の底部両側には、薬液等を含む処理液を内槽３に供給するための注入管１５を備え、それらの間には排液口１７を備えている。この排液口１７には、排出管１９が連通されており、排出管１９には開閉弁２１が取り付けられている。外槽５には、内槽３から溢れて回収した薬液等を排出するための吸引配管２３が備えられており、この吸引配管２３と注入管１５とが循環配管２５で連通接続されている。吸引配管２３は、例えば、ＰＦＡなどのフッ素樹脂で構成されている。
【００２０】
循環配管２５は、上流側からポンプ２９と、インラインヒータ３１と、フィルタ３３とを備えている。また、硫酸、過酸化水素水などの薬液は、薬液供給源３５から、薬液供給管３９を介して内槽３へ供給され、純水は、純水供給源３６から純水供給源４０を介して内槽３へ供給される。さらに、供給配管２５のうち吸引配管２３に近い部位には、排液用の分岐管３７が設けられており、この分岐管３７には開閉弁３８が設けられている。
【００２１】
ここで図２及び図３を参照し、上記の吸引配管２３について詳述する。なお、図２は、吸引配管を拡大した側面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００２２】
外槽５の底部には、吸引配管２３の下端部２３ａを囲うように凹部５ａが穿たれている。この凹部５ａは、外槽５での液残りを極力少なくするために形成されている。外槽５の上部から垂下して配設されている吸引配管２３は、例えば、外径が２５ｍｍで内径が２２ｍｍ程度であって、横断面が円形状を呈するものである。その下端部２３ａは、常温時に凹部５ａから５ｍｍ程度離間するように設けられている。下端部２３ａの上部にあたる吸引配管２３の下端には、下端開口部２４が形成され、下部周面には、４個の周面開口部２３ｂが形成されている。各々の周面開口部２３ｂは、矩形状を呈する。これらの４個の周面開口部２３ｂの総開口面積は、下端開口部２４が閉塞されても同程度の吸引流量が保てるように、吸引配管２３の下端開口部２４の開口面積以上になるように設定するのが好ましい。但し、下端部２３ａの縦方向の強度を一定以上に保つために、枠部２３ｃの幅をある程度広くとれる範囲で設定するのが好ましい。なお、４個の周面開口部２３ｂに分けることにより、下端部２３ａ部分の極端に強度を低下させることがないので、膨張・軟化に伴う吸引配管２３の下端部２３ａの変形を抑制できる。
【００２３】
このように構成されている基板処理装置では、例えば、次のように処理が行われる。
【００２４】
まず、開閉弁２１と開閉弁３８を閉止した状態で、薬液供給源３６から過酸化水素水と硫酸を内槽３へ供給するとともに、純水供給源３６から純水を内槽３へ供給し、インラインヒータ３１とポンプ２９を作動させる。これにより、内槽３の容量を超える処理液が外槽５に溢れて回収され、外槽５で回収された処理液は、吸引配管３４によって吸引されて循環配管２５により内槽３へ戻される。
【００２５】
次に、処理対象の基板Ｗを保持して待機位置にあるリフター９を処理位置に下降させる。これにより、例えば、基板Ｗに被着されているフォトレジスト被膜が剥離される。このとき、処理液の温度は、例えば１２０℃程度の高温に達しているので、吸引配管２５は高温に晒されて膨張・軟化する。その状態を模式的に示すと、例えば、図４に示すようになる。なお、図４は、吸引配管が変形した状態を示す側面図である。吸引配管２５が膨張・軟化することにより、その下端部２３ａが凹部５ａに向かって伸長し、下端開口部２４がほぼ凹部５ａの底面によって閉塞される。しかし、この吸引配管２３には、下端開口部２４の開口面積以上の総開口面積を有する４個の周面開口部２３ｂが形成されているので、下端開口部２４が閉塞されても周面開口部２３ｂを通して十分な流量で処理液を吸引することが可能である。
【００２６】
このように本実施例装置によると、吸引配管２３が膨張・柔軟化して下端開口部２４が外槽５の底面により閉塞されたとしても、下部周面に形成されている周面開口部２３ｂにより十分な流量を確保することができる。したがって、キャビテーション等の発生が防止でき、吸引配管２３の損傷を防止できる。
【実施例２】
【００２７】
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。
【００２８】
図５は、実施例２に係る基板処理装置の吸引配管を拡大した側面図であり、図６は、図５のＢ−Ｂ矢視断面図である。なお、上記実施例１と共通する構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
【００２９】
本実施例２は、上記実施例１における周面開口部２３ｂを３個形成したものである。これらの周面開口部２３ｂによる総開口面積は、上記同様の理由により、下端開口部２４の開口面積以上にするのが好ましい。
【００３０】
本実施例２によると、上記実施例１と同様の作用効果を奏するとともに、上記実施例１に比較して周面開口部２３ｂの総開口面積を大きくすることができ、流量を大きくとることができる。
【００３１】
なお、本発明は、実施例１，２に記載した周面開口部２３ｂの個数に限定されるものではなく、例えば、矩形状を呈する周面開口部２３ｂを５個以上設けてもよい。
【実施例３】
【００３２】
次に、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。
【００３３】
図７は、実施例３に係る基板処理装置の吸引配管を拡大した側面図であり、図８は、図７のＣ−Ｃ矢視断面図である。なお、上記実施例１，２と共通する構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
【００３４】
本実施例３における吸引配管２３は、周面開口部２３ｂを、側面から見て逆Ｌの字状となる切り欠き部３９を下部周面に形成することで構成されている。また、周面開口部２３ｂの開口面積は、下端開口部２４の開口面積以上となっている。枠部２３ｃは、下端部２３ａの十分な強度を確保するために実施例１，２に比較して幅広となっている。
【００３５】
本実施例３の構成であっても、枠部２３ｃで切り欠き部３９及び周面開口部２３ｂが閉塞されるのが防止され、切り欠き部３９及び周面開口部２３ｂにより十分な流量を確保できる。また、本実施例３は、切り欠き部３９で周面開口部２３ｂを構成しているので、実施例１，２よりも比較的容易に周面開口部２３ｂを形成することができる。
【００３６】
＜変形例＞
図９を参照して本発明の変形例について説明する。なお、図９は、変形例に係る基板処理装置の吸引配管を拡大した側面図である。
【００３７】
この変形例は、上述した実施例１，２の周面開口部２３ｂを矩形状から円形状に変えるとともに、円形状の周面開口部２３ｂを高さ方向に二段とした点において実施例１，２とは構成が異なる。
【００３８】
このような構成であっても上述した実施例１，２と同様の作用効果を奏する。また、周面開口部２３ｂを二段に構成しているので、例えば、下の周面開口部２３ｂが閉塞されてもその上の周面開口部２３ｂで十分な流量を確保することができる。
【００３９】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００４０】
（１）上述した各実施例では、硫酸・過酸化水素水とを混合した処理液で処理する装置として説明しているが、高温で利用される燐酸や硝酸などの処理液を用いる装置であっても本発明を適用できる。
【００４１】
（２）上述した各実施例では、外槽５の底部に凹部５ａを形成しているが、このような凹部５ａを備えていない場合であっても本発明を適用することができる。
【００４２】
（３）各実施例では、吸引配管２３の横断面を円形状としているが、楕円形状や矩形状の横断面を備えているものであってもよい。
【００４３】
（４）周面開口部２３ｂは、縦方向に細長いスリット状としてもよく、縦方向に長軸を有する楕円形状としてもよい。また、一体的に構成されている吸引配管２３の下端部２３ａに上記のような加工を施して周面開口部２３ｂ等を構成する他に、例えば、吸引配管２３と同じ材料の部材を取り付けて周面開口部２３ｂ等を構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】吸引配管を拡大した側面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図４】吸引配管が変形した状態を示す側面図である。
【図５】実施例２に係る基板処理装置の吸引配管を拡大した側面図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図７】実施例３に係る基板処理装置の吸引配管を拡大した側面図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ矢視断面図である。
【図９】変形例に係る基板処理装置の吸引配管を拡大した側面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  …  処理槽
３  …  内槽
５  …  外槽
５ａ  …  凹部
２３  …  吸引配管
２３ａ  …  下端部
２３ｂ  …  周面開口部
２３ｃ  …  枠部
２４  …  下端開口部
２５  …  供給配管
２９  …  ポンプ
【図１】
2005353902.tif 000003
【図２】
2005353902.tif 000004
【図３】
2005353902.tif 000005
【図４】
2005353902.tif 000006
【図５】
2005353902.tif 000007
【図６】
2005353902.tif 000008
【図７】
2005353902.tif 000009
【図８】
2005353902.tif 000010
【図９】
2005353902.tif 000011