(57)【要約】【課題】接着シートで保護膜を覆う構造でありながら、信頼性の高い半導体装置および半導体装置の製造方法、回路基板ならびに電子機器を提供することにある。【解決手段】半導体装置は、電極２２を有する半導体素子２０と、配線パターン１２が形成された基板１０と、半導体素子２０が搭載される第１の領域２６以外の第２の領域２８で、配線パターン１２を覆うように形成された保護膜３０と、半導体素子２０と基板１０とを接着する接着シート４０とを含む。保護膜３０は、半導体素子２０が搭載される第１の領域２６に向かって薄くなるように形成された端部３４を有する。接着シート４０は、少なくとも基板の第１の領域２６から保護膜３０の端部３４上に至るように形成されてなる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を有する半導体素子と、
配線パターンが形成された基板と、
前記半導体素子が搭載される第１の領域以外の第２の領域で、前記配線パターンを覆うように形成された保護膜と、
前記半導体素子と前記基板とを接着する接着シートと、
を含み、
前記保護膜は、前記半導体素子が搭載される第１の領域に向かって薄くなるように形成された端部を有し、
前記接着シートは、少なくとも前記基板の第１の領域から前記保護膜の前記端部上に至るように形成されてなる半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記端部が、傾斜面を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の半導体装置において、
前記端部が、傾斜面と、前記配線パターンから立ち上がる立ち上がり面と、を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記保護膜の前記端部が、前記保護膜の厚み方向に、少なくとも２段以上の階段形状に形成されている半導体装置。
【請求項５】
請求項２又は請求項３に記載の半導体装置において、
前記傾斜面の傾斜角度が、０°より大きく６０°より小さく形成されている半導体装置。
【請求項６】
請求項２又は請求項３に記載の半導体装置において、
前記傾斜面の傾斜角度が、３０°より大きく４５°より小さく形成されている半導体装置。
【請求項７】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記立ち上がり面の高さが、前記配線パターンから、０マイクロメートルより大きく１０マイクロメートルより小さく形成されている半導体装置。
【請求項８】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記階段形状は、少なくとも２つ以上の立ち上がり面を含み、それぞれの前記立ち上がり面の高さが、それぞれ０マイクロメートルより大きく１０マイクロメートルより小さく形成されている半導体装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置において、
前記接着シートに導電粒子が分散されており、前記導電粒子により、前記配線パターンと前記電極とを電気的に接続する半導体装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置において、
前記接着シートが、絶縁シートである半導体装置。
【請求項１１】
請求項１又は請求項２に記載の半導体装置において、
少なくとも前記第２の領域に、保護膜の形成材料に対する親液処理が施されている半導体装置。
【請求項１２】
基板に配線パターンを形成すること、
前記基板の半導体素子が搭載される第１の領域以外の第２の領域で、前記配線パターンを覆うように保護膜を形成すること、及び、
接着シートを、少なくとも前記半導体素子が搭載される第１の領域と前記保護膜の端部とを含む範囲に設け、前記接着シートによって前記半導体素子を前記基板に接着すること、
を含み、
前記保護膜を、前記第１の領域に向かって薄くなるような端部を有するように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において
前記保護膜を、前記端部に傾斜面を有するように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記保護膜を、前記端部に、傾斜面と、前記配線パターンから立ち上がる立ち上がり面と、を有するように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記保護膜の前記端部に、前記保護膜の厚み方向に、少なくとも２段以上の階段形状を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３又は請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記傾斜面の傾斜角度を、０°より大きく６０°より小さく形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１３又は請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記傾斜面の傾斜角度を、３０°より大きく４５°より小さく形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記立ち上がり面の高さを、前記配線パターンから、０マイクロメートルより大きく１０マイクロメートルより小さく形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記階段形状は、少なくとも２つ以上の立ち上がり面の高さを含み、それぞれ前記立ち上がり面の高さを、０マイクロメートルより大きく１０マイクロメートルより小さく形成する半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１２から請求項１９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記接着シートには導電粒子が分散されており、前記導電粒子により、前記配線パターンと前記電極とを電気的に接続する半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１２から請求項１９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記接着シートは、絶縁シートである半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項１２又は請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線パターン上の、少なくとも前記第２の領域に対し、保護膜形成工程前に、保護膜の形成材料に対する親液処理を施す半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置が搭載されてなる回路基板。
【請求項２４】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置およびその製造方法、回路基板ならびに電子機器に関する。
【０００２】
【背景技術】
近年の電子機器の小型化に伴い、高密度実装に適した半導体装置のパッケージが要求されている。これに応えるために、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ））や  ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ／Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）のような表面実装型パッケージが開発されている。表面実装型パッケージでは、半導体素子に接続される配線パターンの形成された基板が使用されることがある。
【０００３】
従来の表面実装型パッケージでは、基板の配線パターンの上に異方性導電膜（ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ））、又はＮＣＦ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）等の接着シートで半導体素子を固定する半導体装置が知られていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−２１３３３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体装置では、基板の配線パターンの上を接着シートで覆うとき、基板上の保護膜と接着シートとの間に、空気が入り込み空気だまりができる恐れがあった。そして、接着シートの硬化又はリフローのために加熱するとき、空気だまりの膨張により接着シートが剥離しやすくなるので、マイグレーションを防ぐことが難しかった。
【０００６】
本発明の目的は、接着シートで保護膜を覆う構造でありながら、信頼性の高い半導体装置および半導体装置の製造方法、回路基板ならびに電子機器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る半導体装置は、電極を有する半導体素子と、
配線パターンが形成された基板と、
前記半導体素子が搭載される第１の領域以外の第２の領域で、前記配線パターンを覆うように形成された保護膜と、
前記半導体素子と前記基板とを接着する接着シートと、を含み、
前記保護膜は、前記半導体素子が搭載される第１の領域に向かって薄くなるように形成された端部を有し、
前記接着シートは、少なくとも前記基板の第１の領域から前記保護膜の前記端部上に至るように形成されてなる。本発明によれば、半導体素子と基板の間に接着シートを介在させ半導体素子と基板とを接着するとき、接着シートの貼られる面が、基板の第１の領域と該第１の領域に向かって薄くなる端部で構成することができる。すなわち、極端な段差のないスムーズな面に接着シートを貼ることができる。このように構成されていると、接着シートと基板の間に空気が入り込まず、空気だまり（ボイドとも言う。）ができにくくなる。
（２）この半導体装置において、前記端部が、傾斜面を有してもよい。第１の領域に向かって保護膜の厚み方向に薄くなるような端部は、傾斜面であれば、凸形状でもよい。また、凹形状でもよい。それによって、上述と同様な作用、効果を奏することができる。
（３）この半導体装置において、前記端部が、傾斜面と、前記配線パターンから立ち上がる立ち上がり面と、を有してもよい。
（４）この半導体装置において、前記保護膜の前記端部が、前記保護膜の厚み方向に、少なくとも２段以上の階段形状に形成されていてもよい。
（５）この半導体装置において、前記傾斜面の傾斜角度が、０°より大きく６０°より小さく形成されていてもよい。
（６）この半導体装置において、前記傾斜面の傾斜角度が、３０°より大きく４５°より小さく形成されていてもよい。
（７）この半導体装置において、前記立ち上がり面の高さが、前記配線パターンから、０マイクロメートルより大きく１０マイクロメートルより小さく形成されていてもよい。接着シートの接着剤は柔軟性を有するため、わずかの段差があっても、基板と保護膜とを密着させることができる。
（８）この半導体装置において、
前記階段形状は、少なくとも２つ以上の立ち上がり面を含み、それぞれの前記立ち上がり面の高さが、それぞれ０マイクロメートルより大きく１０マイクロメートルより小さく形成されていてもよい。
（９）この半導体装置は、
前記接着シートに導電粒子が分散されており、前記導電粒子により前記配線パターンと前記電極とを電気的に接続してもよい。
（１０）この半導体装置において、前記接着シートが絶縁シートであってもよい。
（１１）この半導体装置において、少なくとも前記第２の領域に、保護膜の形成材料に対する親液処理が施されていてもよい。
（１２）本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板に配線パターンを形成すること、
前記基板の半導体素子が搭載される第１の領域以外の第２の領域で、前記配線パターンを覆うように保護膜を形成すること、及び、
接着シートを、少なくとも前記半導体素子が搭載される第１の領域と前記保護膜の端部とを含む範囲に設け、前記接着シートによって前記半導体素子を前記基板に接着すること、
を含み、
前記保護膜を、前記第１の領域に向かって薄くなるような端部を有するように形成する。本発明によれば、半導体素子と基板との間に接着シートを介在させ半導体素子と基板とを接着するとき、接着シートの貼られる面が、基板の第１の領域と該第１の領域に向かって薄くなる端部で構成することができる。すなわち、極端な段差のないスムーズな面に接着シートを貼ることができる。このように構成されていると、接着シートと基板の間に空気が入り込まず、空気だまり（ボイドとも言う。）ができにくくなる。
（１３）この半導体装置の製造方法において、前記保護膜を、前記端部に傾斜面を有するように形成してもよい。
（１４）この半導体装置の製造方法において、
前記保護膜を、前記端部に、傾斜面と、前記配線パターンから立ち上がる立ち上がり面と、を有するように形成してもよい。
（１５）この半導体装置の製造方法において、
前記保護膜の前記端部に、前記保護膜の厚み方向に、少なくとも２段以上の階段形状を形成してもよい。
（１６）この半導体装置の製造方法において、
前記傾斜面の傾斜角度を、０°より大きく６０°より小さく形成してもよい。
（１７）この半導体装置の製造方法において、
前記傾斜面の傾斜角度を、３０°より大きく４５°より小さく形成してもよい。
（１８）この半導体装置の製造方法において、
前記立ち上がり面の高さを、前記配線パターンから、０マイクロメートルより大きく１０マイクロメートルより小さく形成してもよい。
（１９）この半導体装置の製造方法において、
前記階段形状は、少なくとも２つ以上の立ち上がり面の高さを含み、それぞれ前記立ち上がり面の高さを、０マイクロメートルより大きく１０マイクロメートルより小さく形成してもよい。
（２０）この半導体装置の製造方法は、
前記接着シートには導電粒子が分散されており、前記導電粒子により、前記配線パターンと前記電極とを電気的に接続してもよい。
（２１）この半導体装置の製造方法において、前記接着シートは、絶縁シートであってもよい。
（２２）この半導体装置の製造方法は、
前記配線パターン上の、少なくとも前記第２の領域に対し、保護膜形成工程前に、保護膜の形成材料に対する親液処理を施してもよい。
（２３）本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が搭載されてなる。
（２４）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００９】
（半導体装置）
図１は本発明の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図１において、説明する。
【００１０】
本発明の実施の形態に係る半導体装置は、基板１０を有する。基板１０は、配線パターン１２が少なくとも一方の面に形成されている。基板１０は、フレキシブル基板等の有機系材料から形成されたもの、金属系基板等の無機系材料から形成されたもの、両者の組み合わされたもの、のいずれでもよい。フレキシブル基板として、テープキャリアが使用されてもよい。基板１０には、スルーホール１４が形成されている。配線パターン１２は、スルーホール１４をまたいで形成されている。また、配線パターン１２の一部として、スルーホール１４上には外部電極形成用のランド１６が設けられている。
【００１１】
基板１０には、保護膜３０が形成されている。保護膜３０は、配線パターン１２を覆って、水分等から配線パターン１２を保護する役割を担う。例えば、ソルダーレジストが使用される。
【００１２】
保護膜３０は、半導体素子２０が搭載されるための基板１０上の第１の領域２６以外の第２の領域２８で、配線パターン１２を覆うように形成されている。配線パターン１２は、第１の領域２６に、半導体素子２０の電極２２が接続される接続用ランド（図示しない）を有していてもよい。一般に、第１の領域２６は、半導体素子２０の電極２２を有する面２４の面積より、広く形成されている。
【００１３】
また、基板１０の第２の領域２８において、保護膜３０は、平面で構成された第１の面３２を有し、端部３４を有する。保護膜３０の端部３４は、半導体素子２０が搭載される第１の領域２６に向かって、平面で構成された第１の面３２を有する部分の厚さ（例えば、約２０ミクロンメートル）から、先端が薄くなるように形成されている。
【００１４】
保護膜３０の端部３４は、図１に示すように傾斜していてもよい。端部３４は、先端部が薄くなるように形成されていれば、その表面が傾斜面３６であってもよいし、一部傾斜を有していてもよい。傾斜面３６は凸形状であってもよいし、凹形状であってもよい。また、傾斜面３６は、平面である第１の面３２又は基板の第１の領域２６の面と、曲面で結ばれていてもよい。
【００１５】
本発明の実施の形態に係る半導体装置は、接着シート４０を有する。接着シート４０は、半導体素子２０と配線パターン１２の間に介在することによって、半導体素子２０を基板１０に固定する。接着シート４０は、異方性導電膜（ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）、異方性導電シートとも呼ばれる。）、又はＮＣＦ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）等であってもよい。
【００１６】
異方性導電膜は、接着剤（バインダ）に導電粒子（導電フィラー）が分散されたものであってもよい。また、分散剤が添加される場合もある。異方性導電膜には、導電粒子が分散されているため、導電粒子により配線パターン１２と電極２２とを電気的に接続することができる。なお、導電粒子を含有しない接着シート（例えば、ＮＣＦ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ））を用いても、加圧することにより、配線パターン１２と電極２２とを電気的に接続することができる。
【００１７】
接着シート４０の接着剤としては、エポキシ系を代表例とする熱硬化型接着剤を使用してもよいし、エポキシ系又はアクリレート系を代表例とする光硬化型接着剤を使用してもよい。さらに、電子線硬化タイプ、熱可塑（熱接着）タイプの接着剤を用いてもよい。
【００１８】
接着シート４０は、予めシート状に形成されていてもよい。接着シート４０は、基板１０の第１の領域２６から、保護膜３０の端部３４の上に至るように貼り付けられている。接着シート４０は、保護膜３０の端部３４全体を覆っていてもよいし、端部３４の一部のみを覆っていてもよい。接着シート４０は、基板１０の第１の領域２６から、第１の領域２６と保護膜３０の端部３４との境界を超えるように貼り付けられていればよい。又は、接着シート４０は、半導体素子２０側に設けてから基板１０に貼り付けてもよい。
【００１９】
このように、略平面の第１の領域２６と傾斜面３６から構成されてなるなだらかな面３８（大きな段差がない面）に、接着シート４０が貼り付けられると、面３８と接着シート４０との間に空気が入り込みにくくなる。つまり、大きな段差がないため、空気だまりができにくくなる。このとき、傾斜面３６の傾斜角度が、０°より大きく６０°より小さく形成されていればよい。傾斜面３６の傾斜角度が、３０°より大きく４５°より小さく形成されていればさらに好ましい。
【００２０】
本発明の実施の形態に係る半導体装置は、半導体素子２０を有する。半導体素子２０は、接着シート４０の上に設けられている。半導体素子２０は、電極２２を有する面２４を接着シート４０に向けて設けられている。また、電極２２が、配線パターン１２の電極接続用ランド（図示しない）上に位置するよう配置されていてもよい。電極２２は、半導体素子２０のＡｌパッドと、その上に設けられた金又はハンダ等のバンプで構成されていてもよい。なお、配線パターン１２に金又はハンダ等のバンプを設けてもよいし、配線パターン１２をエッチングしてバンプを形成してもよい。
【００２１】
図１に示すように、基板１０には、例えばスルーホール１４から突出するように、ハンダボール１８が設けてもよい。ハンダボール１８は、外部電極となる。
【００２２】
こうして得られた半導体装置１は、半導体素子２０と基板１０の間に接着シート４０が介在し、半導体素子２０と基板１０とが接着されている。また、接着シート４０が貼られる面は、基板１０の第１の領域２６と第１の領域２６に向かって薄くなる端部３４（傾斜面を有する）で構成されている。すなわち、極端な段差のないスムーズな面３８で接着シート４０が貼り付けられている。このように構成されていると、接着シート４０と基板１０との間に空気が入り込まず、空気だまり（ボイドとも言う。）ができにくい。接着シート４０の硬化又はリフローのために加熱しても、空気だまりがないため空気だまりの膨張による接着シート４０のクラックの発生、クラックに水分が入り込むことによる配線パターン１２のマイグレーションを防止することができる。また、接着面積も増えるため、半導体素子２０と基板１０との接着強度も確保できる。
【００２３】
この発明の実施の形態によれば、上述のように、接着シート４０で保護膜３０を覆う構造でありながら、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００２４】
（半導体装置の製造方法）
図２（Ａ）〜図２（Ｄ）は、本発明の実施の形態を係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【００２５】
（１）本実施の形態では、図２（Ａ）に示すように配線パターン１２を少なくとも一方の面に形成した基板１０を使用してもよい（詳しくは上述した通り）。
【００２６】
（２）基板１０に保護膜３０を形成する。保護膜３０として、ソルダーレジストを使用してもよい。保護膜３０を、第２の領域２８で配線パターン１２を覆うように、樹脂インクでの印刷法（例えばスクリーン印刷法）等で形成する。一般に、第１の領域２６を、半導体素子２０の電極２２を有する面２４の面積より広く形成してもよい。
【００２７】
保護膜３０は、平面で構成された第１の面３２を有し、端部３４を有するように形成する。端部３４は、半導体素子２０が搭載される第１の領域２６に向かって薄くなるように形成する。
【００２８】
なお、少なくとも保護膜３０が形成される第２の領域２８に、保護膜３０の形成材料に対する親液処理を施してもよい。親液処理を保護膜３０が形成される領域に施すと、保護膜３０の形成材料と基板１０との濡れ性が向上し、保護膜３０の端部３４になだらかな傾斜面３６を形成することができる。
【００２９】
また、樹脂インクによるスクリーン印刷を複数回に分けて行ってもよい。このとき、スクリーン印刷のマスクを、少しずつずらしてスクリーン印刷を行うとさらによい。また、通常のスクリーン印刷法で保護膜３０を形成し、その後、機械加工で端部３４の面押し工程、面取り工程を行ってもよい。
【００３０】
このように、保護膜３０の端部３４を、図２（Ａ）に示すように、傾斜するように形成する。端部３４は、先端部が薄くなるように形成されていれば、全体が傾斜面３６であってもよいし、一部に傾斜面を有していてもよい。傾斜面３６は凸形状であってもよいし、凹形状であってもよい。また、平面である第１の面３２又は基板の第１の領域２６と傾斜面３６とは曲面で結ばれていてもよい。
【００３１】
（３）上述のような保護膜３０を形成した基板１０に、接着シート４０を貼り付ける。本実施の形態では、接着シート４０を、第１の領域２６から保護膜３０の端部３４上に至るように貼り付ける。このとき、接着シート４０は、保護膜３０の端部３４全体を覆ってもよいし、端部３４の一部（先端）のみを覆ってもよい。接着シート４０は、第１の領域２６から、第１の領域２６と保護膜３０の端部３４との境界を超えるように貼り付ければよい。又は、接着シート４０は、半導体素子２０に設けてから基板１０に貼り付けてもよい。このように形成すると、接着シート４０をなだらかな面３８で接着することができ、空気の入り込みを防止することができる。
【００３２】
（４）次に、接着シート４０上に半導体素子２０を載せる。このとき、半導体素子２０の電極２２を有する面２４を接着シート４０に向ける。電極２２が、配線パターン１２の電極接続用のランド（図示せず）上に位置するように、半導体素子２０を配置してもよい。接着シート４０は、半導体素子２０の搭載前に基板１０に設けてもよいし、予め半導体素子２０の電極２２を有する面２４に設けてもよい。
【００３３】
（５）そして、治具５０を、半導体素子２０の電極２２を有する面２４とは反対の面２５に押しつけて、半導体素子２０を基板１０の方向に加圧する。あるいは、半導体素子２０と基板１０との間に圧力を加える。この工程により、半導体素子２０の電極２２と、配線パターン１２とは、接着シート４０の導電粒子を介して、電気的に導通する。また、治具５０に内蔵されたヒータ５２を用い、半導体素子２０を加熱する。接着シート４０は、接着剤として、例えばエポキシ系を代表例とする熱硬化型接着剤を使用している。そのためこの工程により、接着シート４０は、半導体素子２０との接触領域において硬化し、半導体素子２０と基板１０とを接着、固定することができる（図２（Ｂ）参照）。
【００３４】
なお、治具５０は、接着シート４０の半導体素子２０より広い部分にも熱を加えたい場合、半導体素子２０の平面積よりも大きい平面積を有していてもよい。こうすることで、半導体素子２０の周囲まで熱が加わり易くなり、接着剤の硬化および半導体素子２０の固定がより確実になる。
【００３５】
（６）次に、外部電極を形成する。例えば、図２（Ｃ）に示すように、基板１０のスルーホール１４内及びその付近に、ハンダ１７を設けてもよい。ハンダ１７は、例えばクリームハンダを用いて、印刷法により設けることができる。また、予め形成されたハンダボールを上記位置に載せてもよい。続いて、リフロー工程においてハンダ１７を加熱して、図２（Ｄ）に示すように、ハンダボール１８を形成する。ハンダボール１８は、外部電極となる。このリフロー工程では、ハンダ１７のみならず接着シート４０も加熱される。この加熱によって、接着シート４０の未硬化領域も硬化する。上述のように、本実施の形態によれば、接着シート４０で保護膜３０を覆う構造でありながら、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００３６】
（回路基板、電子機器）
図３には、本実施の形態に係る半導体装置１を実装した回路基板１０００が示されている。また、半導体装置１を有する電子機器として、図４にはノート型パーソナルコンピュータ２０００が示されている。図５には携帯電話３０００が示されている。
【００３７】
（変形例）
図６〜図７は、本発明の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。図６に示す例では、保護膜６０の端部６４が、傾斜面６６と、基板１０から立ち上がる立ち上がり面６８を有する。傾斜面６６は、端部６４の上部に形成されている。立ち上がり面６８は、基板１０の配線パターン１２から、０マイクロメートルより大きく１０マイクロメートルより小さく形成されている。
【００３８】
図６で示す形状は、スクリーン印刷法で保護膜６０を形成するとき、保護膜６０の端部６４に相当するスクリーン印刷のマスクのメッシュを部分毎に変更し、端部６４の樹脂インクの量を調整することで形成してもよい。また、樹脂によるスクリーン印刷を複数回に分けて、形成してもよい。また、通常のスクリーン印刷法で保護膜６０を形成し、その後、機械加工で端部６４の面押し工程もしくは面取り工程を行い、傾斜面６６を形成してもよい。
【００３９】
以降、前述の半導体装置１のように接着シート４０を貼り付ける。接着シート４０の接着剤は柔軟性を有しているので、０マイクロメートルから１０マイクロメートルの高さの段差があっても、その段差に接着剤が入り込み密着した状態で接着できる。
【００４０】
図７に示す例では、保護膜８０の端部８４が、保護膜８０の厚み方向に、少なくとも２段以上の階段形状８６に形成されている。また、この階段形状８６は、少なくとも２つ以上の立ち上がり面８８を含み、それぞれの前記立ち上がり面８８の高さが、それぞれ０マイクロメートルより大きく１０マイクロメートルより小さく形成されている。
【００４１】
図７で示す階段形状８６は、例えばスクリーン印刷法で保護膜８０を形成するとき、樹脂インクによるスクリーン印刷を複数回に分けて、印刷のマスクを、印刷回数毎ずらして形成してもよい。
【００４２】
以降、前述の半導体装置１のように接着シート４０を貼り付ける。接着シート４０の接着剤は柔軟性を有しているので、階段形状８６の立ち上がり面８８が、０マイクロメートルから１０マイクロメートルの高さの段差があっても、その段差に入り込み、密着した状態で接着できる。
【００４３】
この変形例でも、接着シートで保護膜を覆う構造でありながら、信頼性の高い半導体装置を提供できる。また、本変形例には、上述した実施の形態で説明で説明した内容を適用することができる。
【００４４】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２】図２（Ａ）〜図２（Ｄ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態に係る半導体装置が実装されてなる回路基板を示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の変形例を示す図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の変形例を示す図である。
【符号の説明】
１０…基板  １２…配線パターン  １４…スルーホール  １６…ランド  １７…ハンダ  １８…ハンダボール  ２０…半導体素子  ２２…電極  ２６…第１の領域  ２８…第２の領域  ３０…保護膜  ３４…端部  ３６…傾斜面  ４０…接着シート  ５０…治具  ５２…ヒータ  ６０…保護膜  ６４…端部  ６６…傾斜面  ８０…保護膜  ８４…端部  ８６…階段形状
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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