(57)【要約】【課題】絶縁性の劣化を防止できる電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】磁性体からなる第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂと、この第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂより透磁率が低い第２の絶縁体層１２と、前記第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂと第２の絶縁体層１２のうち少なくとも一方に設けられた内部導体１３ａ〜１３ｄとを有し、かつ前記第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂと第２の絶縁体層１２を焼成することにより一体化された電子部品本体１４を備え、前記第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂと第２の絶縁体層１２の焼結密度を５．１ｇ／ｃｍ3以上に設定したものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体からなる第１の絶縁体層と、この第１の絶縁体層の少なくとも一方の面側に設けられかつ前記第１の絶縁体層より透磁率が低い第２の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層のうち少なくとも一方に設けられた内部導体とを有し、かつ前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層を焼成することにより一体化された電子部品本体を備え、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層の焼結密度を５．１ｇ／ｃｍ3以上に設定した電子部品。
【請求項２】
第２の絶縁体層として透磁率が低いフェライトを用いた請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
透磁率が低いフェライトとしてＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｃｏ系フェライトを用いた請求項２記載の電子部品。
【請求項４】
磁性体からなる第１の絶縁体層を形成する工程と、この第１の絶縁体層より透磁率が低い第２の絶縁体層を形成する工程と、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層のうち少なくとも一方に内部導体を設ける工程と、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層を前記内部導体を介して積層する工程と、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層の焼結密度が５．１ｇ／ｃｍ3以上となるように前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層を焼成して一体化された電子部品本体を形成する工程とを備えた電子部品の製造方法。
【請求項５】
磁性体からなる第１の絶縁体層を形成する工程と、この第１の絶縁体層より透磁率が低い第２の絶縁体層を形成する工程と、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層のうち少なくとも一方に内部導体を設ける工程と、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層を前記内部導体を介して積層することにより積層体を形成する工程と、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層の焼結密度が５．１ｇ／ｃｍ3以上となるように前記積層体を焼成して一体化された電子部品本体を形成する工程と、前記電子部品本体の両端部に前記内部導体と電気的に接続するように外部電極を形成する工程と、前記外部電極の表面にめっき層を形成する工程とを備えた電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に使用される電子部品およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品は、内部導体を有するセラミック素体の両端部に外部電極を形成した後に、有機ケイ素化合物を含む溶液中に浸漬して熱処理し、その後外部電極を覆うようにめっき層を形成していた。これにより、セラミック素体の表面に開放された細孔に有機ケイ素化合物を脱水縮合して得られる膜を形成し、セラミック素体内部への電解液や水分の浸入の防止を図っていた。
【０００３】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平１０−２１４７４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した従来の電子部品は、絶縁性が劣化する場合があるという課題を有していた。
【０００５】
すなわち、浸漬の条件等によってはセラミック素体の細孔の全てに有機ケイ素化合物を脱水縮合して得られる膜を形成できない可能性があった。さらに、この細孔に膜を形成しなければならないため、セラミック素体の焼結密度を低くする必要があり、これにより、細孔が大きくなっていた。これらの理由によって、この膜が形成されなかった部分へは電解液や水分が容易に浸入できるため、内部導体に電解液や水分が付着し、内部導体間でマイグレーションが発生していた。
【０００６】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、絶縁性の劣化を防止できる電子部品およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明は、以下の構成を有するものである。
【０００８】
本発明の請求項１に記載の発明は、磁性体からなる第１の絶縁体層と、この第１の絶縁体層の少なくとも一方の面側に設けられかつ前記第１の絶縁体層より透磁率が低い第２の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層のうち少なくとも一方に設けられた内部導体とを有し、かつ前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層を焼成することにより一体化された電子部品本体を備え、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層の焼結密度を５．１ｇ／ｃｍ3以上に設定したもので、この構成によれば、第１、第２の絶縁体層の焼結密度を５．１ｇ／ｃｍ3以上としたことにより、絶縁体層の表面に開放された細孔を小さくでき、また、有機ケイ素化合物を含む溶液中に浸漬しなくてもよいため、電子部品本体内部へ電解液や水分が浸入する可能性が少なくなり、これにより、内部導体に電解液や水分が付着するのを防ぐことができるため、絶縁性が劣化するのを防止できるという作用効果が得られる。
【０００９】
そしてまた、透磁率が低い第２の絶縁体層を備えているため、焼結密度が高くなるように焼成しても、磁気特性が不安定になることはなく、さらに、第１、第２の絶縁体層の焼結密度を高くすることによって電子部品本体の比重を大きくすることができるため、電子部品本体にめっき層を形成する場合、電子部品本体がめっき液に浮くということはなくなり、これにより、めっき不良を低減できるという作用効果も得られる。
【００１０】
本発明の請求項２に記載の発明は、特に、第２の絶縁体層として透磁率が低いフェライトを用いたもので、この構成によれば、焼結密度が高くなるように焼成しても、透磁率が非常に低いため、磁気特性が安定するという効果が特に顕著になり、さらに、磁性体として一般に用いられるフェライトを第１の絶縁体層として使用した場合、フェライト同士となるため、第１、第２の絶縁体層を同時に焼成すると、第１の絶縁体層と第２の絶縁体層との接合性が良くなり、安定した製品ができるという作用効果が得られる。
【００１１】
本発明の請求項３に記載の発明は、特に、透磁率が低いフェライトとしてＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｃｏ系フェライトを用いたもので、この構成によれば、磁性体として一般に用いられるフェライトを第１の絶縁体層として使用した場合、フェライト同士となるため、第１、第２の絶縁体層を同時に焼成すると、第１の絶縁体層と第２の絶縁体層との接合性が良くなり、安定した製品ができるという作用効果が得られる。
【００１２】
本発明の請求項４に記載の発明は、磁性体からなる第１の絶縁体層を形成する工程と、この第１の絶縁体層より透磁率が低い第２の絶縁体層を形成する工程と、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層のうち少なくとも一方に内部導体を設ける工程と、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層を前記内部導体を介して積層する工程と、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層の焼結密度が５．１ｇ／ｃｍ3以上となるように前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層を焼成して一体化された電子部品本体を形成する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、第１、第２の絶縁体層の焼結密度を５．１ｇ／ｃｍ3以上としたことにより、絶縁体層の表面に開放された細孔を小さくでき、また、有機ケイ素化合物を含む溶液中に浸漬しなくてもよいため、電子部品本体内部へ電解液や水分が浸入する可能性が少なくなり、これにより、内部導体に電解液や水分が付着するのを防ぐことができるため、絶縁性が劣化するのを防止できるという作用効果が得られる。
【００１３】
そしてまた、透磁率が低い第２の絶縁体層を形成しているため、焼結密度が高くなるように焼成しても、磁気特性が安定するという作用効果も得られる。
【００１４】
本発明の請求項５に記載の発明は、磁性体からなる第１の絶縁体層を形成する工程と、この第１の絶縁体層より透磁率が低い第２の絶縁体層を形成する工程と、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層のうち少なくとも一方に内部導体を設ける工程と、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層を前記内部導体を介して積層することにより積層体を形成する工程と、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層の焼結密度が５．１ｇ／ｃｍ3以上となるように前記積層体を焼成して一体化された電子部品本体を形成する工程と、前記電子部品本体の両端部に前記内部導体と電気的に接続するように外部電極を形成する工程と、前記外部電極の表面にめっき層を形成する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、第１、第２の絶縁体層の焼結密度を高くしているため、電子部品本体の比重を大きくすることができ、これにより、電子部品本体の両端部に形成された外部電極の表面にめっき層を形成する場合、電子部品本体がめっき液に浮くということはなくなるため、めっき不良を低減できるという作用効果が得られる。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように本発明の電子部品は、磁性体からなる第１の絶縁体層と、この第１の絶縁体層の少なくとも一方の面側に設けられかつ前記第１の絶縁体層より透磁率が低い第２の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層のうち少なくとも一方に設けられた内部導体とを有し、かつ前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層を焼成することにより一体化された電子部品本体を備え、前記第１の絶縁体層と第２の絶縁体層の焼結密度を５．１ｇ／ｃｍ3以上に設定しているため、絶縁体層の表面に開放された細孔を小さくでき、また、有機ケイ素化合物を含む溶液中に浸漬しなくてもよいため、電子部品本体内部へ電解液や水分が浸入する可能性が少なくなり、これにより、内部導体に電解液や水分が付着するのを防ぐことができるため、絶縁性が劣化するのを防止でき、さらには、透磁率が低い第２の絶縁体層を備えているため、焼結密度が高くなるように焼成しても、磁気特性が不安定になるということはなく、しかも第１、第２の絶縁体層の焼結密度を高くすることによって電子部品本体の比重を大きくすることができるため、電子部品本体にめっき層を形成する場合、電子部品本体がめっき液に浮くということはなくなり、これにより、めっき不良を低減できるという優れた効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施の形態における電子部品の一例であるノイズフィルタについて説明する。
【００１７】
図１（ａ）は本発明の一実施の形態におけるノイズフィルタの分解斜視図、図１（ｂ）は同ノイズフィルタの斜視図である。
【００１８】
図１（ａ），（ｂ）において、本発明の一実施の形態におけるノイズフィルタは、磁性体からなる第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂと、この第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂの間に設けられ、かつ第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂより透磁率が低い第２の絶縁体層１２と、第１の絶縁体層１１ａの上面および第２の絶縁体層１２の上面に設けられた第１〜第４の内部導体１３ａ〜１３ｄとを備え、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂおよび第２の絶縁体層１２の焼結密度を５．１ｇ／ｃｍ3以上に設定したものである。
【００１９】
第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂは、電子部品本体１４の上部および下部を構成するもので、フェライトからなる。なお、これらは磁性体であればフェライトに限定されるものではなく、また、図面ではそれぞれの枚数は３枚となっているが、必ずしも３枚である必要はない。
【００２０】
第２の絶縁体層１２は、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂの間に設けられているもので、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂおよび第２の絶縁体層１２を一体化することによって電子部品本体１４が構成される。
【００２１】
この第２の絶縁体層１２の材料としては、、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂより透磁率が低いＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｃｏ系フェライトを用いる。なお、このＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｃｏ系フェライトは透磁率が低い磁性体として通常用いられている。
【００２２】
また、透磁率が低い材料としてフェライト系のものを使用することにより、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂと第２の絶縁体層１２がフェライト同士となるため、第１、第２の絶縁体層１１ａ，１１ｂ，１２を同時に焼成すると、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂと第２の絶縁体層１２との接合性が良くなり、安定した製品ができる。
【００２３】
なお、第２の絶縁体層１２は、透磁率が低いものであれば上記材料に限定されるものではなく、非磁性体でも構わない。また、図面では枚数が１枚となっているが、必ずしも１枚である必要はない。
【００２４】
さらに、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂおよび第２の絶縁体層１２の焼結密度は５．１ｇ／ｃｍ3以上としている。
【００２５】
そして、この第２の絶縁体層１２には、第１、第２のバイア電極１５ａ，１５ｂが備えられている。このバイア電極１５ａ，１５ｂは、それぞれ第２の絶縁体層１２を貫通する孔に銀などの導電体を充填したものである。
【００２６】
第１〜第４の内部導体１３ａ〜１３ｄは、それぞれ銀などの導電体からなり１ターン以上の渦巻き状となっており、渦巻きの方向は上面から見て全て同じ方向になっている。また、その一端はそれぞれ引出電極１６ａ〜１６ｄと接続され、かつ他端、すなわち渦巻きの中心はそれぞれ第１、第２のバイア電極１５ａ，１５ｂと接続されている。ここで、図１（ａ）において、引出電極１６ｄは第１の絶縁体層１１ｂに隠れているため、図示されていない。
【００２７】
なお、第１、第２の内部導体１３ａ，１３ｂは、下方に位置する第１の絶縁体層１１ａの上面に設けられ、かつ第３、第４の内部導体１３ｃ，１３ｄは、第２の絶縁体層１２の上面に設けられている。すなわち、第１、第２の内部導体１３ａ，１３ｂは、下方に位置する第１の絶縁体層１１ａと第２の絶縁体層１２との間に設けられ、かつ第３、第４の内部導体１３ｃ，１３ｄは、第２の絶縁体層１２と上方に位置する第１の絶縁体層１１ｂとの間に設けられている。そして、第１の内部導体１３ａと第３の内部導体１３ｃとが第１のバイア電極１５ａを介して電気的に接続され、さらに第２の内部導体１３ｂと第４の内部導体１３ｄとが第２のバイア電極１５ｂを介して電気的に接続されている。
【００２８】
また、第１の内部導体１３ａと第２の内部導体１３ｂとは側方から第１のバイア電極１５ａの方向に向かって交互に配置されかつ互いに短絡しないように設けられており、かつ第３の内部導体１３ｃと第４の内部導体１３ｄも同様の関係に設けられている。
【００２９】
そして、第１〜第４の内部導体１３ａ〜１３ｄを上記したような構成にすることによって、同一面に備えられ、かつ互いに磁気的な影響を及ぼし合う第１の内部導体１３ａと第２の内部導体１３ｂの長さ、および第３の内部導体１３ｃと第４の内部導体１３ｄの長さは長くなり、かつ第１、第２の内部導体１３ａ，１３ｂと第３、第４の内部導体１３ｃ，１３ｄとが透磁率の低い第２の絶縁体層１２で遮断されていることにより、第１、第２の内部導体１３ａ，１３ｂと第３、第４の内部導体１３ｃ，１３ｄとが互いに磁界を強め合うため、コモンモードノイズを除去できる。
【００３０】
電子部品本体１４は、上記したように構成された第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂおよび第２の絶縁体層１２からなり、一端部に２つの外部電極１７ａ，１７ｂが設けられ、かつ他端部にも２つの外部電極１７ｃ，１７ｄが設けられている。そして、外部電極１７ａ〜１７ｄは、それぞれ引出電極１６ａ〜１６ｄと接続され、かつその表面にめっき層（図示せず）が設けられている。そしてこのめっき層（図示せず）は、外部電極１７ａ〜１７ｄの表面に設けられたニッケルめっき層と、このニッケルめっき層の表面に設けられたすずやはんだなどの低融点金属めっき層とからなる。
【００３１】
以上のように構成された本発明の一実施の形態におけるノイズフィルタについて、次に、その製造方法を図１（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
【００３２】
まず、それぞれの原材料であるフェライト粉体の酸化物および樹脂からなる混合物により、方形の第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂおよび第２の絶縁体層１２をそれぞれ所定枚数作製する。
【００３３】
次に、第２の絶縁体層１２に、レーザ、パンチングなどで孔あけ加工し、銀を孔に充填して、第１、第２のバイア電極１５ａ，１５ｂを設ける。
【００３４】
次に、所定枚数の第１の絶縁体層１１ａを積層し、最上部のシートの上面に、１ターン以上の渦巻き状である第１、第２の内部導体１３ａ，１３ｂと、この第１、第２の内部導体１３ａ，１３ｂの一端とそれぞれ接続された第１、第２の引出電極１６ａ，１６ｂをめっきによって同時に形成する。
【００３５】
なお、第１、第２の内部導体１３ａ，１３ｂと第１、第２の引出電極１６ａ，１６ｂは、別々に形成してもよい。また、その形成方法としては、めっきに限らず印刷、蒸着等により形成してもよい。
【００３６】
次に、第１、第２の内部導体１３ａ，１３ｂ、第１、第２の引出電極１６ａ，１６ｂを介して第１の絶縁体層１１ａの上面に、第１、第２のバイア電極１５ａ，１５ｂを有する第２の絶縁体層１２を積層する。
【００３７】
このとき、第１、第２の内部導体１３ａ，１３ｂの他端と第１、第２のバイア電極１５ａ，１５ｂとを接続する。
【００３８】
次に、第２の絶縁体層１２の上面に１ターン以上の渦巻き状である第３、第４の内部導体１３ｃ，１３ｄ、および第３、第４の内部導体１３ｃ，１３ｄの一端とそれぞれ接続された第３、第４の引出電極１６ｃ，１６ｄをめっきによって同時に形成する。
【００３９】
このとき、第３、第４の内部導体１３ｃ，１３ｄの他端と第１、第２のバイア電極１５ａ，１５ｂとを接続する。
【００４０】
なお、第３、第４の内部導体１３ｃ，１３ｄと第３、第４の引出電極１６ｃ，１６ｄは、別々に形成してもよい。また、その形成方法としては、めっきに限らず印刷、蒸着等により形成してもよい。
【００４１】
次に、第３、第４の内部導体１３ｃ，１３ｄを介して第２の絶縁体層１２の上面に所定枚数の第１の絶縁体層１１ｂを積層し、積層体を形成する。
【００４２】
なお、上記のプロセスにおいて、製造上の効率を向上させるために、１枚のシート状の第１、第２の絶縁体層１１ａ，１２に第１〜第４の内部導体１３ａ〜１３ｄをそれぞれ複数設けた後、各個片に切断するようにして、同時に複数の積層体を得るようにしてもよい。
【００４３】
次に、積層体を所定の温度、時間で内部のバインダを蒸発させた後、約９３０℃で１〜２時間焼成する。これにより、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂおよび第２の絶縁体層１２が一体化されて電子部品本体１４が構成されるとともに、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂおよび第２の絶縁体層１２の焼結密度を５．１ｇ／ｃｍ3以上とすることができる。
【００４４】
次に、電子部品本体１４の一端部に２つの外部電極１７ａ，１７ｂを、かつ他端部に２つの外部電極１７ｃ，１７ｄを、それぞれ銀を印刷することによって形成する。
【００４５】
このとき、外部電極１７ａ〜１７ｄと引出電極１６ａ〜１６ｄをそれぞれ接続する。
【００４６】
最後に、外部電極１７ａ〜１７ｄの表面に、ニッケルめっき層とこのニッケルめっき層の表面に形成されるすずやはんだなどの低融点金属めっき層からなるめっき層をバレルめっきにより形成する。
【００４７】
上記した本発明の一実施の形態においては、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂおよび第２の絶縁体層１２の焼結密度を５．１ｇ／ｃｍ3以上としているため、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂおよび第２の絶縁体層１２の表面に開放された細孔を小さくすることができ、また、有機ケイ素化合物を含む溶液中に浸漬しなくてもよいため、電子部品本体１４の内部へ電解液や水分が浸入する可能性が少なくなり、これにより、内部導体１３ａ〜１３ｄに電解液や水分が付着するのを防ぐことができるため、内部導体１３ａ〜１３ｄ間でマイグレーションが発生することが無くなり、絶縁性が劣化するのを防止できるという効果が得られる。
【００４８】
そしてまた、透磁率が低い第２の絶縁体層１２を備えているため、焼結密度が高くなるように高温で焼成しても、磁気特性が不安定になるということはない。
【００４９】
さらに、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂおよび第２の絶縁体層１２の焼結密度を高くすることによって電子部品本体１４の比重を大きくすることができるため、電子部品本体１４にニッケルめっき層と、すずやはんだなどの低融点金属めっき層からなるめっき層をバレルめっきにより形成する場合、電子部品本体１４がめっき液に浮くということはなくなり、これにより、めっき不良を低減できる。
【００５０】
すなわち、焼結密度が高いものにバレルめっきによってめっき層を形成した場合は、電子部品本体１４の比重が大きいため、電子部品本体１４をバレル内に沈めることができ、これにより、バレル内の電極やダミーに電子部品本体１４を確実に接触させることができるため、めっき不良を低減できる。
【００５１】
一方、焼結密度が低いものにバレルめっきによってめっき層を形成した場合は、電子部品本体１４の比重が小さいため、めっき液に浮いてしまうものが発生する可能性があり、そしてめっき液に電子部品本体１４が浮いてしまうと、バレル内の電極やダミーに接触することができないため、めっき層が形成されないめっき不良が発生してしまう。さらに、従来のように、焼結密度を高くすることをせずに、有機ケイ素化合物を含む溶液等の撥水性を有する溶液に含浸すると、めっき液に電子部品本体１４がより浮きやすくなるため、めっき不良が発生しやすくなる。
【００５２】
なお、めっき層は必ずしもバレルめっきによって形成する必要はなく、例えば電解めっきによって形成してもよい。この場合でも、めっき液に電子部品本体１４が浮いてしまうとめっき層は形成されにくく、したがって、上記したように焼結密度を高くするということは非常に有用である。
【００５３】
図２は、焼結密度と信頼性との関係について示したもので、すなわち、この図２は、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂの焼結密度と信頼性試験をした後の不良率を示している。
【００５４】
この場合、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂとしてはＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを用い、また第２の絶縁体層１２としてはＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｃｏ系フェライトを用い、上記した構成でノイズフィルタを作製し試料とした。実験方法は、温度６０℃、湿度９０％の雰囲気中に１０００時間放置した後の絶縁抵抗を測定し、この絶縁抵抗が１０7Ω以下のものを不良とした。
【００５５】
図２から明らかなように、焼結密度を５．１ｇ／ｃｍ3以上にすると不良率が０％になることがわかる。なお、焼結密度を５．１ｇ／ｃｍ3以上にしたとき収縮率は１６％以上となった。もちろん、焼結密度が５．１ｇ／ｃｍ3未満でも、有機ケイ素化合物を含む溶液中に浸漬すれば不良率は低下する。
【００５６】
図３は焼成温度と、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂの焼結密度Ａ、第２の絶縁体層１２の焼結密度Ｂとの関係を示したものである。
【００５７】
図３から明らかなように、焼成温度を高くすると焼結密度が高くなることがわかる。そして、図２、図３より焼結密度を５．１ｇ／ｃｍ3以上とするためには、焼成温度を９００℃以上にする必要があるもので、この場合、焼結密度を５．１ｇ／ｃｍ3以上よりさらに高くするためには、焼成温度をさらに高くすればよいが、この焼成温度を第１〜第４の内部導体１３ａ〜１３ｄが溶融するまで高くすると、電子部品として成り立たないため、焼結密度の上限は、第１〜第４の内部導体１３ａ〜１３ｄが溶融しない焼成温度に対応する焼結密度以下にする必要がある。
【００５８】
なお、磁性体の焼結密度が高くなるように高温で焼成すると、磁歪による影響で、共振周波数、インピーダンス値等の磁気特性が変化するが、本発明の一実施の形態においては、高温で焼成しても磁歪による影響を受けにくく透磁率が低い第２の絶縁体層１２を備えているため、焼結密度が高くなるように高温で焼成しても、ノイズフィルタ全体への磁歪の影響は小さいため、磁気特性を安定させることができる。
【００５９】
さらに、有機ケイ素化合物を含む溶液中に浸漬しなくてもよいため、生産性を向上させることができるという効果も得られる。
【００６０】
図４は、本発明の一実施の形態におけるノイズフィルタと従来のノイズフィルタの、信頼性を比較した図である。
【００６１】
ここで、本発明の一実施の形態におけるノイズフィルタ、実験方法、判定基準は図２で説明したものと同様である。従来のノイズフィルタとしては、外部電極形成後に有機ケイ素化合物を含む溶液中に浸漬して熱処理したものを用い、さらに、電子部品本体１４の表面に開放された細孔に有機ケイ素化合物を含む溶液が浸入できるように、焼成温度を約８３５℃にして電子部品本体１４の焼結密度を約４．２ｇ／ｃｍ3とした。
【００６２】
図４から明らかなように、本発明の一実施の形態におけるノイズフィルタの方が絶縁性に優れていることがわかる。
【００６３】
なお、上記本発明の一実施の形態におけるノイズフィルタにおいては、第２の絶縁体層１２の材料として、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｃｏ系フェライトを用いていたが、非磁性フェライトを用いてもよい。非磁性フェライトは透磁率が非常に低いため、焼結密度が高くなるように焼成しても、磁気特性が安定するという効果が特に顕著になり、さらに、磁性体として一般に用いられるフェライトを第１の絶縁体層として使用した場合、フェライト同士となるため、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂと第２の絶縁体層１２を同時に焼成すると、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂと第２の絶縁体層１２との接合性が良くなり、安定した製品ができる。
【００６４】
また、上記本発明の一実施の形態におけるノイズフィルタにおいては、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂの間に第２の絶縁体層１２を設けた構成にしているが、必ずしもこの配置関係にする必要はない。この場合、第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂの少なくとも一方の面側に、この第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂより透磁率の低い第２の絶縁体層１２を備えた構成であれば、焼結密度が高くなるように焼成温度を高くしても、磁気特性が変動することはないからである。
【００６５】
さらに、上記本発明の一実施の形態におけるノイズフィルタにおいては、第１〜第４の内部導体１３ａ〜１３ｄを１ターン以上の渦巻き状で、かつ第１の絶縁体層１１ａおよび第２の絶縁体層１２の上面に形成したものについて説明したが、この構成に限定されるものではなく、例えば第１の絶縁体層１１ａ，１１ｂにだけ、あるいは第２の絶縁体層１２にだけ第１〜第４の内部導体１３ａ〜１３ｄに設けるようにしてもよい。
【００６６】
さらにまた、上記本発明の一実施の形態においては、電子部品としてノイズフィルタを例にして説明したが、焼成する工程を有するものであればノイズフィルタ以外の他の電子部品にも適用でき、この他の電子部品においても上記本発明の一実施の形態と同様に絶縁性が劣化するのを防止できるという効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明に係る電子部品およびその製造方法は、生産性を向上させることができ携帯電話、情報機器等のノイズ対策として使用されるノイズフィルタ等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】（ａ）本発明の一実施の形態におけるノイズフィルタの分解斜視図、（ｂ）同ノイズフィルタの斜視図
【図２】同ノイズフィルタにおける焼結密度と信頼性との関係を示す特性図
【図３】同ノイズフィルタにおける焼成温度と焼結密度との関係を示す特性図
【図４】同ノイズフィルタと従来の電子部品の信頼性を比較した特性図
【符号の説明】
【００６９】
１１ａ，１１ｂ  第１の絶縁体層
１２  第２の絶縁体層
１３ａ〜１３ｄ  第１〜第４の内部導体
１４  電子部品本体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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