(57)【要約】【課題】  歪みゲージの取り付け作業を簡単にする。【解決手段】  一対の対向する第１部材２および第２部材３と、これら第１部材２および第２部材３を連結するリング構造体４〜７とを有して、第１部材２および第２部材３の間に加わった多軸の力やモーメントを計測する多軸センサ１において、リング構造体４〜７の平坦な側面に取り付けられた歪みゲージＲ１１〜Ｒ４８を備える。これにより、歪みゲージＲ１１〜Ｒ４８の取り付け作業の時間を短縮することができるので、量産性を良くしてコストを下げることができる。【選択図】      図１                  
2005300465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の対向する第１部材および第２部材と、これら第１部材および第２部材を連結するリング構造体とを有して、前記第１部材および第２部材の間に加わった多軸の力またはモーメントの少なくとも１つを計測する多軸センサにおいて、
前記リング構造体の平坦な側面に取り付けられた歪みゲージを備えていることを特徴とする多軸センサ。
【請求項２】
前記リング構造体は前記多軸センサの中心点を中心に等角度おき、かつ前記中心点から等距離に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の多軸センサ。
【請求項３】
前記角度は９０度であることを特徴とする請求項２に記載の多軸センサ。
【請求項４】
前記リング構造体は、前記中心点を原点とするＸ軸およびＹ軸上の正方向および負方向にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項３に記載の多軸センサ。
【請求項５】
前記角度は１２０度であることを特徴とする請求項２に記載の多軸センサ。
【請求項６】
前記リング構造体は各８個の前記歪みゲージを備えていると共に、前記歪みゲージの配置位置は、前記リング構造体の中心点から斜め４５度方向の線上における前記リング構造体の内縁部と、前記リング構造体の中心点から前記第１部材および第２部材の平行方向の線上における前記リング構造体の外縁部および内縁部とであることを特徴とする請求項２〜５に記載の多軸センサ。
【請求項７】
前記歪みゲージはスパッタリング法により前記リング構造体上に直接形成されることを特徴とする請求項１〜６に記載の多軸センサ。
【請求項８】
前記歪みゲージはピエゾ抵抗素子であることを特徴とする請求項１〜６に記載の多軸センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１部材と第２部材とに外部から加わった多軸の力またはモーメントの少なくとも１つを計測することができる多軸センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、図１９に示すように、一対の対向する円形プレートから成る第１部材１００および第２部材１０１と、これら第１部材１００および第２部材１０１を連結する環状のブリッジ要素１０２と、各ブリッジ要素１０２に取り付けられた歪みゲージとを備えた力−モーメントセンサ１０３が記載されている。
【０００３】
このセンサ１０３では、孔１０４を有するブリッジ要素１０２が第１部材１００および第２部材１０１に対して垂直に設けられる。歪みゲージはブリッジ要素１０２の孔１０４の内面に接着により取り付けられる。そして、第１部材１００および第２部材１０１の間に加わった力やモーメントにより各ブリッジ要素１０２の円環形状がどの方向にどれだけ歪むかを検出することにより加わった力やモーメントを算出するようにしている。
【０００４】
【特許文献１】特開昭６３−７８０３２号公報（図１、第５頁右下欄第１２行〜第６頁左上欄第１４行、第７頁左上欄第２０行〜右上欄第１２行）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の技術では、歪みゲージをブリッジ要素１０２の曲面に３次元的に取り付けなければならないので、取り付け作業の時間が長くなり量産性が悪くコスト高を招いてしまう。また、歪みゲージの取り付け面が曲面であるので、半導体フォトリソグラフィー技術を利用してブリッジ要素１０２に歪みゲージを直接形成することは非常に困難である。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、歪みゲージの取り付け作業を簡単にできる多軸センサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の多軸センサは、一対の対向する第１部材および第２部材と、これら第１部材および第２部材を連結するリング構造体とを有して、前記第１部材および第２部材の間に加わった多軸の力またはモーメントの少なくとも１つを計測する多軸センサにおいて、前記リング構造体の平坦な側面に取り付けられた歪みゲージを備えている。
【０００８】
この構成によると、各歪みゲージは平面上に配置されているので、従来のように歪みゲージをブリッジ要素の曲面に３次元的に取り付ける場合に比べて取り付け作業が容易になる。また、歪みゲージが平面上に配置されていることから、歪みゲージをスパッタリングなどによりプロセス的に形成することができ、従来のような面倒な手作業による歪みゲージの貼り付け作業を省略できる。
【０００９】
本発明において、前記リング構造体は前記多軸センサの中心点を中心に等角度おき、かつ前記中心点から等距離に配置されていることが好ましい。この構成によると、各リング構造体の歪みゲージの抵抗値の変化から比較的簡易な計算により多軸の力やモーメントを算出することができる。
【００１０】
本発明において、前記角度は９０度であることが好ましい。この構成によると、多軸センサの中心点を原点とする直交座標のＸ軸およびＹ軸での力やモーメントを容易に算出することができる。
【００１１】
本発明において、前記リング構造体は、前記中心点を原点とするＸ軸およびＹ軸上の正方向および負方向にそれぞれ配置されていることが好ましい。この構成によると、Ｘ軸およびＹ軸での力やモーメントを極めて容易に算出することができる。
【００１２】
本発明において、前記角度は１２０度であることが好ましい。この構成によると、３個のリング構造体で多軸の力やモーメントを算出することができるので、多軸センサの構成を更に簡易化することができる。
【００１３】
本発明において、前記リング構造体は各８個の前記歪みゲージを備えていると共に、前記歪みゲージの配置位置は、前記リング構造体の中心点から斜め４５度方向の線上における前記リング構造体の内縁部と、前記リング構造体の中心点から前記第１部材および第２部材の平行方向の線上における前記リング構造体の外縁部および内縁部とであることが好ましい。
【００１４】
この構成によると、リング構造体の中で比較的歪みが大きい部位に歪みゲージを取り付けることができるので、感度を高めることができる。
【００１５】
本発明において、前記歪みゲージはスパッタリング法により前記リング構造体上に直接形成されることが好ましい。この構成によると、手作業による面倒な歪みゲージの接着工程を工業的に自動化したプロセスに置き換えることができる。また、スパッタリング法によれば歪みゲージをリング構造体に強く密着させることができるので、歪みの伝達効率を非常に高くすることができる。また、一般的な箔歪みゲージに比べて厚さを非常に薄くしてゲージ抵抗値を大きくできるので、一般的な箔歪みゲージに比べて感度を１０倍以上高くすることができる。
【００１６】
本発明において、前記歪みゲージはピエゾ抵抗素子であることが好ましい。この構成によると、ピエゾ抵抗素子は一般的な箔歪みゲージに比べてゲージ率が１０倍以上大きいので、一般的な箔歪みゲージに比べて感度を１０倍以上高くすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明によると、各歪みゲージは平面上に配置されているので、従来のように歪みゲージをブリッジ要素の曲面に３次元的に取り付ける場合に比べて取り付け作業が容易になる。また、歪みゲージが平面上に配置されていることから、歪みゲージをスパッタリングなどによりプロセス的に形成することができ、従来のような面倒な手作業による歪みゲージの貼り付け作業を省略できる。したがって、量産性を良くしてコストを下げることができるようになると共に信頼性と感度を向上することができる。
【００１８】
さらに、各リング構造体の歪みゲージの抵抗値の変化から比較的簡易な計算により多軸の力やモーメントを算出することができる。また、リング構造体の中で比較的歪みが大きい部位に歪みゲージを取り付けることにより、感度を高めることができる。
【００１９】
そして、スパッタリング法を用いると一般的な箔歪みゲージを利用する場合に比べて感度を１０倍以上高くすることができるので、一般的な箔歪みゲージでは十分な感度を得られなかったリング構造体の平面部に歪みゲージを配置することができる。そして、第１部材と第２部材と各リング構造体とを別個に形成して後に一体化する製造方法を採用しても歪みを効率良く検出して高精度に力およびモーメントを検出することができる。よって、部材の加工効率が高まり、コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００２１】
図１は、本発明の多軸センサ１の側面図である。図１において、多軸センサ１は、一対の対向する第１部材２および第２部材３と、これら第１部材２および第２部材３を連結するリング構造体４〜７とを有して、第１部材２および第２部材３の間に加わった多軸の力またはモーメントの少なくとも１つを計測するものである。この多軸センサ１は、リング構造体４〜７の平坦な側面に取り付けられた歪みゲージＲ１１〜Ｒ４８を備えている（第５図参照）。
【００２２】
図２は多軸センサ１の斜視図である。図２において、第１部材２および第２部材３は、十分な剛性を持つ円盤形状のプレートから成る。リング構造体４〜７は多軸センサ１の中心点Ｏを中心に等角度おき、かつ中心点Ｏから等距離に配置されている。本実施形態では、リング構造体４〜７は９０度おきに４個設けられている。各リング構造体４〜７は第１部材２および第２部材３を機構的に結合させて多軸センサ１を構成している。また、リング構造体４〜７は、多軸センサ１の中心点Ｏを原点とするＸ軸およびＹ軸上の正方向および負方向にそれぞれ配置されている。よって、この多軸センサ１は３次元空間の直交する３軸の力とその軸回りのモーメントを測定するための６軸力覚センサとして機能する。また、原点Ｏから第２部材３側への垂直線をＺ軸としている。
【００２３】
各リング構造体４〜７は第１部材２および第２部材３と一体形成されている。各リング構造体４〜７はリング状で、外形が概ね八角形とされると共に貫通穴３３は円形とされている。なお、リング構造体４〜７の外形は八角形に限られず、多角形にしてもよいし、円形にしてもよい。本実施形態では、各リング構造体４〜７のＸ軸方向あるいはＹ軸方向の外辺が内側を向くように湾曲すると共に、外辺と貫通穴３３との曲率を等しくしている。これにより、歪みを発生させる力の小さい外周側を大きく歪ませることができるので内外部の歪み量の不均衡を減らすことができ、また温度変化が生じたときでも内外の辺の歪みを同じにすることができ、多軸センサ１の精度を確保することができる。
【００２４】
各リング構造体４〜７は８個の歪みゲージを備えている。歪みゲージＲ１１〜Ｒ４８の配置位置は、図５に示すようにリング構造体４〜７の中心点から斜め４５度方向の線上におけるリング構造体４〜７の内縁部と、リング構造体４〜７の中心点から第１部材２および第２部材３の平行方向の線上におけるリング構造体４〜７の外縁部および内縁部とである。すなわち、歪みゲージＲ１１〜Ｒ４８は多軸センサ１において比較的大きな歪みが発生する場所に貼り付けられている。なお、各図において歪みゲージのリード線の図示は省略している。
【００２５】
歪みゲージＲ１１〜Ｒ４８としては、金属箔歪みゲージや金属線歪みゲージを用いている。歪みゲージＲ１１〜Ｒ４８は一種の抵抗体であり、歪みの発生する場所に貼り付けて使用する検出素子である。歪みの発生により抵抗値が変化することにより、歪みεを測定することができる。一般には、引張りによる歪みεに対しては抵抗値が大きくなり、圧縮による歪みεに対しては抵抗値が小さくなる比例特性を持っている。また、通常は材料が歪みεに対して応力σが比例する弾性域で使用する。本実施形態でもリング構造体４〜７の弾性域で使用するものとしている。
【００２６】
各リング構造体４〜７と第１部材２および第２部材３との連結部には第１部材２および第２部材３側に切り込まれた溝８が形成されている。この溝８はリング構造体４〜７を加工する際にできるものである。また、このような溝８ができないような加工方法を採用すれば省略することができる。
【００２７】
第１部材２には円形の位置決め穴９が形成されている。また、第２部材３には円柱形状の位置決めボス１０が形成されている。これにより、多軸センサ１を取り付ける際や多軸センサ１に作業治具を取り付ける際に中心位置を容易に把握することができる。さらに、第１部材２および第２部材３には、固定用の取付ねじ穴１１が形成されている。
【００２８】
次に、動作原理を説明する。なお、この多軸センサ１は固定部と作業治具との間に設けられて固定部側から相対的に見た作業治具に作用する外力を測定するものであり、第１部材２あるいは第２部材３のいずれを固定部に取り付けてもよい。ここでは以下、第２部材３を固定し、第１部材２に力やモーメントが作用するものとして説明する。
【００２９】
最初にリング構造体４を一つだけ取り出して外力を加えた場合の各部の変化を説明する。図３は第１部材２にＸ軸方向の力Ｆｘを加えたものであり、リング構造体４のＡ点にＸ軸方向の力Ｆ１を加えたものと等価である。この場合、図中の領域２２，２３，２６，２７に大きな引張り歪みが発生すると共に、領域２１，２４，２５，２８に大きな圧縮歪みが発生する。また、領域２９，３０，３１，３２には大きな歪みは発生しない。よって、リング構造体４の肉厚部の中心（図中破線で示す）を境に対照的に引張り歪みと圧縮歪みとが発生している。また、Ｘ軸あるいはＺ軸から４５度傾斜した領域では、貫通穴３３に近い方が大きい歪みを発生している。
【００３０】
図４は第１部材２にＺ軸方向の力Ｆｚを加えたものであり、リング構造体４のＡ点にＺ軸方向の力Ｆ２を加えたものと等価である。この場合、図中の領域２９，３２に大きな引張り歪みが発生すると共に、領域３０，３１に大きな圧縮歪みが発生する。また、領域２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７，２８には大きな歪みは発生しない。よって、リング構造体４の肉厚部の中心（図中破線で示す）を境に対照的に引っ張り歪みと圧縮歪みとが発生している。また、Ｘ軸あるいはＺ軸から４５度傾斜した領域では、貫通穴３３に近い方が大きい歪みを発生している。
【００３１】
以上の歪みを効率良く検出するために、リング構造体４〜７の領域２２，２４，２６，２８，２９，３０，３１，３２に相当する部分に歪みゲージを設けるようにする。
【００３２】
上述の結果を踏まえて、多軸センサ１の全体に作用する力およびモーメントを測定する原理について各軸方向ごとに説明する。図５〜図１０は歪みゲージの配置を描いた各リング構造体４〜７の平面図であり、第１部材２の中心点Ｏ’を原点として展開した図である。
【００３３】
図５に、Ｘ軸方向の力Ｆｘを加えたときの状態を示す。このときは、リング構造体５，７に図３に示すような外力が作用する。その結果、歪みゲージＲ２１，Ｒ２４，Ｒ４３，Ｒ４６には大きな引張り歪みが発生すると共に、歪みゲージＲ２３，Ｒ２６，Ｒ４１，Ｒ４４には大きな圧縮歪みが発生する。その他の歪みゲージには大きな歪みが発生しない。
【００３４】
図６に、Ｙ軸方向の力Ｆｙを加えたときの状態を示す。このときは、図５に示すＸ軸方向の力Ｆｘを加えたときの状態を９０度ずらして考えればよい。この場合、歪みゲージＲ１１，Ｒ１４，Ｒ３３，Ｒ３６には大きな引張り歪みが発生すると共に、歪みゲージＲ１３，Ｒ１６，Ｒ３１，Ｒ３４には大きな圧縮歪みが発生する。その他の歪みゲージには大きな歪みが発生しない。
【００３５】
図７に、Ｚ軸方向の力Ｆｚを加えたときの状態を示す。このときは、リング構造体４〜７に図４に示すような外力が作用する。その結果、歪みゲージＲ１７，Ｒ１８，Ｒ２７，Ｒ２８，Ｒ３７，Ｒ３８，Ｒ４７，Ｒ４８には大きな引張り歪みが発生すると共に、歪みゲージＲ１２，Ｒ１５，Ｒ２２，Ｒ２５，Ｒ３２，Ｒ３５，Ｒ４２，Ｒ４５には大きな圧縮歪みが発生する。その他の歪みゲージには大きな歪みが発生しない。
【００３６】
図８に、Ｘ軸回りのモーメントＭｘを加えたときの状態を示す。このときは、リング構造体７に図４に示すような外力が作用すると共に、リング構造体５に図４に示すのと反対方向の外力が作用する。その結果、歪みゲージＲ２２，Ｒ２５，Ｒ４７，Ｒ４８には大きな引張り歪みが発生すると共に、歪みゲージＲ２７，Ｒ２８，Ｒ４２，Ｒ４５には大きな圧縮歪みが発生する。その他の歪みゲージには大きな歪みが発生しない。
【００３７】
図９に、Ｙ軸回りのモーメントＭｙを加えたときの状態を示す。このときは、図８に示すＹ軸回りのモーメントＭｘを加えたときの状態を９０度ずらして考えればよい。この場合、歪みゲージＲ１２，Ｒ１５，Ｒ３７，Ｒ３８には大きな引張り歪みが発生すると共に、歪みゲージＲ１７，Ｒ１８，Ｒ３２，Ｒ３５には大きな圧縮歪みが発生する。その他の歪みゲージには大きな歪みが発生しない。
【００３８】
図１０に、Ｚ軸回りのモーメントＭｚを加えたときの状態を示す。このときは、リング構造体４〜７に図３に示すような外力が作用する。その結果、歪みゲージＲ１１，Ｒ１４，Ｒ２１，Ｒ２４，Ｒ３１，Ｒ３４，Ｒ４１，Ｒ４４には大きな引張り歪みが発生すると共に、歪みゲージＲ１３，Ｒ１６，Ｒ２３，Ｒ２６，Ｒ３３，Ｒ３６，Ｒ４３，Ｒ４６には大きな圧縮歪みが発生する。その他の歪みゲージには大きな歪みが発生しない。
【００３９】
表１に上述した各力およびモーメントに対する歪みゲージＲ１１〜Ｒ４８の変化を示す。表中、＋は引張り歪み（抵抗値の増加）、−は圧縮歪み（抵抗値の減少）を示し、符号無しは抵抗値が殆ど変化しないことを示す。また、反対方向の力やモーメントの場合は符号が逆になる。
【００４０】
【表１】
2005300465.tif 000003
【００４１】
以上の性質を利用して、数式１の演算を行うことにより各力およびモーメントを検出することができる。
【００４２】
【数１】
2005300465.tif 000004
【００４３】
そして、図１１に示すようなフルブリッジ回路を構成して定電圧または定電流を印加することにより数式１に示す演算を行って力およびモーメントを検出することができる。数式１での演算は、各歪みゲージＲ１１〜Ｒ４８が１回ずつ使用されるので都合が良く効率的で高感度な検出を実現することができる。また、図１２に示すようなハーフブリッジ回路を構成しても数式１に示す演算を行って力およびモーメントを検出することができる。なお、演算方法は数式１に限られないのは勿論であると共に、歪みゲージの組み合わせは図１１および図１２に示したものに限られないのは勿論である。
【００４４】
また、数式１の演算は各抵抗値を既知あるいは新規の手段を用いて電圧に変換し、ＯＰアンプで演算してもよく、あるいはＡＤ変換器を用いてマイクロコントローラやコンピュータを用いて演算してもよい。
【００４５】
さらに、以下のような演算を行うことにより、より正確に力とモーメントを求めることができる。多軸センサ１の力Ｆｘ，Ｆｙ，ＦｚおよびモーメントＭｘ，Ｍｙ，Ｍｚの出力電圧をＶｆｘ，Ｖｆｙ，Ｖｆｚ，Ｖｍｘ，Ｖｍｙ，Ｖｍｚとした場合、数式２の関係になる。
【００４６】
【数２】
2005300465.tif 000005
【００４７】
ここで両辺左から［Ａ］−１を乗じると数式３が導かれる。
【００４８】
【数３】
2005300465.tif 000006
【００４９】
よって、出力電圧から６軸の力およびモーメントを正確に求めることができる。
【００５０】
なお、本実施形態では各リング構造体４〜７をＸ軸あるいはＹ軸上に配置しているが、これには限られない。すなわち、同じ構造の多軸センサ１の設置方向を変更して、各リング構造体４〜７が軸上に位置しないようにしてもよい。この場合、精度は低下するが、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向の力のベクトルに分解して演算しても６軸の力及びモーメントを求めることができる。また、本実施形態では６軸センサとして使用しているが、これには限られず例えばＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の３方向の力だけを検出する３軸センサとして使用してもよい。
【００５１】
次に、本発明の第２の実施の形態について、図１３および図１４を参照して説明する。図１３に示すように、第２の実施の形態では、第１部材２と第２部材３と各リング構造体４〜７とを別個に形成してから組み立てるようにしている。
【００５２】
すなわち、各部材を金属により別部材として形成する。ここで、各リング構造体４〜７の外側面は平坦面にする。この面に絶縁膜を形成し、その上にスパッタリング技術とフォトリソグラフィ技術とを用いて、歪みゲージＲ１１〜Ｒ４８を形成する。よって、手作業による面倒な歪みゲージの接着工程を工業的に自動化したプロセスに置き換えることができる。また、スパッタリング法で酸化クロム膜などを用いて歪みゲージを形成した場合、歪みゲージの厚さを薄くすることができるので、ゲージ抵抗が大きくなり、一般的な箔歪みゲージの１０〜２０倍の感度を得ることができる。よって、発生する歪みが小さい部分にゲージを設けても、Ｓ／Ｎ比の良い十分実用的な感度を得ることができる。
【００５３】
そして、歪みゲージＲ１１〜Ｒ４８を形成したリング構造体４〜７を第１部材２および第２部材３と溶接部３４において電子ビーム溶接し強固に結合させる。電子ビーム溶接することにより、精密な溶接を行うことができると共に、在留歪みを少なくすることができる。また、各部材の材料としては、電子ビーム溶接に適したもの、例えばＳＵＳ６３０やアルミニウム２０２４などを使用するようにする。
【００５４】
次に、本発明の第３の実施の形態について、図１５および図１６を参照して説明する。第３の実施の形態では、リング構造体４〜６は多軸センサ１の中心点Ｏを中心に１２０度おき、かつ中心点Ｏから等距離に配置されている。図１５は、リング構造体４〜６の中心を結んだ面で切断した状態の平面図を示す。
【００５５】
この場合、各リング構造体４〜６は図３および図４に示す原理により、歪みゲージの取付面の中心点Ｐ１〜Ｐ３を通り歪みゲージの取付面およびＸＹ平面に平行な力Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３と、各中心点Ｐ１〜Ｐ３を通りＸＹ平面に垂直な力Ｖ１ｚ，Ｖ２ｚ，Ｖ３ｚとを検出することができる。ここで、Ｖ１およびＶ３はＸ方向とＹ方向の力に分解でき、数式４に示すようになる。
【００５６】
【数４】
2005300465.tif 000007
【００５７】
また、各リング構造体４〜６は１２０度等配なので各力の成分と位置関係とは図１６に示すようになる。図中、Ｒ（＝１）は原点からの距離を示す。よって、力Ｆｘ，Ｆｙ，ＦｚおよびモーメントＭｘ，Ｍｙ，Ｍｚは数式５により求めることができる。
【００５８】
【数５】
2005300465.tif 000008
【００５９】
以上、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々な設計変更が可能なものである。例えば上述した各実施形態では６軸の力およびモーメントを測定するものとしているが、これには限られず必要な成分の力やモーメントだけを検出するようにしてもよい。例えば力Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚの３軸成分のみを検出できるセンサとしてもよい。
【００６０】
また、多軸センサ１の検出できる力やモーメントの範囲は、リング構造体４〜７の厚さや大きさや材質を変更して剛性を変更することにより調整できる。さらに、モーメントの検出範囲は、多軸センサ１の中心Ｏからリング構造体４〜７までの距離や材質の変更によっても調整可能である。
【００６１】
そして、上述した実施形態では各リング構造体４〜７のＸ軸方向あるいはＹ軸方向の外辺を内側に湾曲させているが、これには限られず図１７に示すように切り欠き３５を設けるようにしてもよい。この場合、切り欠き３５に応力が集中して歪みが大きくなるので、内外の歪みの大きさの不均衡を是正することができる。あるいは、図１８に示すようにリング構造体４〜７の外周側の肉厚ｔ１を内周側の肉厚ｔ２よりも小さくして、外周側の剛性を小さくするようにしてもよい。この場合も内外部の歪みの大きさの不均衡を是正することができる。
【００６２】
さらに、上述した各実施形態ではリング構造体４〜７を等角度ごとに配置しているがこれには限られない。また、中心点Ｏから等距離に配置することにも限られない。
【００６３】
上述した実施の形態において、リング構造体の母材に絶縁膜を形成し、または、直接母材の上にシリコン（Ｓｉ）膜を形成し、そのシリコン膜を基材としてフォトリソグラフィ技術を用いてピエゾ抵抗素子を形成して、これを歪みゲージとして用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の第１の実施の形態による多軸センサを描いた側面図である。
【図２】多軸センサを示す斜視図である。
【図３】多軸センサに力Ｆｘを加えたときのリング構造体の変位を示す側面図である。
【図４】多軸センサに力Ｆｚを加えたときのリング構造体の変位を示す側面図である。
【図５】多軸センサに力Ｆｘを加えたときの歪みゲージの抵抗値の変化を示すリング構造体の展開図である。
【図６】多軸センサに力Ｆｙを加えたときの歪みゲージの抵抗値の変化を示すリング構造体の展開図である。
【図７】多軸センサに力Ｆｚを加えたときの歪みゲージの抵抗値の変化を示すリング構造体の展開図である。
【図８】多軸センサにモーメントＭｘを加えたときの歪みゲージの抵抗値の変化を示すリング構造体の展開図である。
【図９】多軸センサにモーメントＭｙを加えたときの歪みゲージの抵抗値の変化を示すリング構造体の展開図である。
【図１０】多軸センサにモーメントＭｚを加えたときの歪みゲージの抵抗値の変化を示すリング構造体の展開図である。
【図１１】多軸センサのフルブリッジ回路の一例を示す回路図であり、（１）は力Ｆｘ、（２）は力Ｆｙ、（３）は力Ｆｚ、（４）はモーメントＭｘ、（５）はモーメントＭｙ、（６）はモーメントＭｚを検出する回路図を示す。
【図１２】多軸センサのハーフブリッジ回路の一例を示す回路図であり、（１）は力Ｆｘ、（２）は力Ｆｙ、（３）は力Ｆｚ、（４）はモーメントＭｘ、（５）はモーメントＭｙ、（６）はモーメントＭｚを検出する回路図を示す。
【図１３】第２の実施の形態による多軸センサを描いた中央縦断面側面図である。
【図１４】第２の実施の形態によるリング構造体を描いた側面図である。
【図１５】第３の実施の形態による多軸センサを描いた中央横断面平面図である。
【図１６】第３の実施の形態による各リング構造体でのベクトルを描いた平面図である。
【図１７】リング構造体の他の例を描いた側面図である。
【図１８】リング構造体の更に他の例を描いた中央横断面平面図である。
【図１９】従来の多軸センサを描いた斜視図である。
【符号の説明】
【００６５】
１  多軸センサ
２  第１部材
３  第２部材
４，５，６，７  リング構造体
Ｒ１１〜Ｒ４８  歪みゲージ
【図１】
2005300465.tif 000009
【図２】
2005300465.tif 000010
【図３】
2005300465.tif 000011
【図４】
2005300465.tif 000012
【図５】
2005300465.tif 000013
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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