(57)【要約】【課題】  銅配線を用いた場合に、特性や信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  炭素及び水素を含んだ第１の絶縁膜１０２と銅配線１０４とを有し、第１の絶縁膜及び銅配線の表面が露出した基板１００を用意する工程と、基板を冷却した状態で、銅配線の表面に対してプラズマによる還元処理を施す工程と、銅配線の表面に対して還元処理を施した後、基板を加熱した状態で、第１の絶縁膜及び銅配線の表面上に第２の絶縁膜１０５を形成する工程と、を備える。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素及び水素を含んだ第１の絶縁膜と銅配線とを有し、前記第１の絶縁膜及び銅配線の表面が露出した基板を用意する工程と、
前記基板を冷却した状態で、前記銅配線の表面に対してプラズマによる還元処理を施す工程と、
前記銅配線の表面に対して還元処理を施した後、前記基板を加熱した状態で、前記第１の絶縁膜及び銅配線の表面上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記銅配線の表面に対して還元処理を施す工程は第１の処理部内で行われ、前記第２の絶縁膜を形成する工程は前記第１の処理部とは別の第２の処理部内で行われる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板を大気に晒すことなく前記第１の処理部から前記第２の処理部に搬送する工程をさらに備えた
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記銅配線は、前記第１の絶縁膜に形成された溝に埋められている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜は、シリコン及び酸素をさらに含んでいる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の絶縁膜は、シリコン、炭素及び水素を含んでいる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記プラズマによる還元処理は、ＮＨ3 ガス及びＨ2 ガスの少なくとも一方を含んだガスを用いて行われる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等の半導体装置では、微細化に伴い、配線抵抗及び配線間容量に起因した信号伝搬遅延が大きな問題となってきている。そのため、配線抵抗及び配線間容量の低減が重要な課題となっている。
【０００３】
配線抵抗の低減に対しては、低い抵抗率を有する銅配線の採用が提案されており、配線間容量の低減に対しては、低い誘電率を有する層間絶縁膜の採用が提案されている。銅配線には通常、層間絶縁膜に形成された溝に銅を埋め込んで形成されるダマシン配線が用いられ、層間絶縁膜には通常、少なくとも炭素及び水素を含んだ低誘電率絶縁膜が用いられる。また、銅配線及び層間絶縁膜が形成された表面には通常、プラズマＣＶＤ法によってストッパー絶縁膜が形成される。このストッパー絶縁膜は、銅配線中の銅の上層側への拡散を防止する機能、及び、上層側に形成される層間絶縁膜をエッチング加工する際のエッチングストッパーとしての機能を有するものである。
【０００４】
上述したような銅配線を用いた場合、銅配線の表面が大気中で酸化されるという問題がある。銅配線の表面に銅酸化物層が形成されると、ストッパー絶縁膜と銅配線との間の密着性が低下し、特性や信頼性に悪影響を与えることとなる。そのため、ストッパー絶縁膜を形成する前に、銅配線の表面に形成された銅酸化物を還元する必要がある。この還元処理にはプラズマ処理が用いられるが、ストッパー絶縁膜をプラズマＣＶＤ法によって加熱状態で形成することから、プラズマ還元処理もストッパー絶縁膜形成用の処理容器内において加熱状態で行われる。
【０００５】
しかしながら、プラズマ還元処理を加熱状態で行った場合、低誘電率絶縁膜（層間絶縁膜）に含まれる有機成分等がプラズマ雰囲気中の活性な水素等によって分解され、ＣＨ4 等のガスとして除去されてしまう。そのため、低誘電率絶縁膜の表面にＯＨ基等が導入され、吸湿性の非常に高いいわゆるダメージ層が形成される。その結果、ダメージ層によって配線間のリークが増大してしまうといった問題が生じる。
【０００６】
公知文献として、特許文献１には、銅配線表面のマイグレーションによって生じる銅の凝集を防止するため、銅配線表面の銅酸化物層を除去するためのプラズマ処理を、銅配線上に形成されるＣＶＤ絶縁膜の成膜温度よりも低い温度で行う、という方法が提案されている。しかしながら、特許文献１では、プラズマ処理の際に単に基板を加熱された支持台から持ち上げるといった方法を用いているだけである。そのため、プラズマ処理の際に基板の温度を十分に下げることができない。したがって、上述したようなダメージ層の形成を防止することは困難であり、ダメージ層の形成に起因した半導体装置の特性や信頼性の低下を防止することは困難である。
【特許文献１】特開２００１−１６０５５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このように、配線抵抗及び配線間容量に起因した信号伝搬遅延を抑制する観点から、銅配線及び低誘電率絶縁膜の採用が提案されているが、従来は、銅配線表面の銅酸化物層を除去するためのプラズマ還元処理において、低誘電率絶縁膜の表面にダメージ層が形成され、このダメージ層によって配線間のリークが増大し、半導体装置の特性や信頼性が著しく悪化するという問題があった。
【０００８】
本発明は上記従来の課題に対してなされたものであり、銅配線を用いた場合に、特性や信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一視点に係る半導体装置の製造方法は、炭素及び水素を含んだ第１の絶縁膜と銅配線とを有し、前記第１の絶縁膜及び銅配線の表面が露出した基板を用意する工程と、前記基板を冷却した状態で、前記銅配線の表面に対してプラズマによる還元処理を施す工程と、前記銅配線の表面に対して還元処理を施した後、前記基板を加熱した状態で、前記第１の絶縁膜及び銅配線の表面上に第２の絶縁膜を形成する工程と、を備える。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板を冷却した状態で銅配線の表面に対してプラズマによる還元処理を施すため、プラズマに起因する第１の絶縁膜への悪影響が抑制され、特性や信頼性の向上をはかることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
【００１２】
図１は、本実施形態において用いる処理装置（半導体装置の製造装置）の概略構成を模式的に示した図である。本処理装置は、前処理部１０、成膜処理部２０及び搬送部３０を備えている。
【００１３】
前処理部１０は、銅配線の表面に形成された銅酸化物層を除去するために、銅配線の表面に対してプラズマによる還元処理を施すものであり、処理室（処理容器）１１、ガス導入口１２、排気口１３、ガス分散板（上部電極を兼ねる）１４、支持台（下部電極を兼ねる）１５、冷却機構１６及び高周波電源１７を備えている。
【００１４】
ガス分散板１４にはガス導入口１２が接続されており、ガス導入口１２から導入されたガスはガス分散板１４を介して処理室１１内に供給される。支持台１５には冷却機構１６が設けられており、冷却機構１６内を冷媒が循環するようになっている。この冷却機構１６により、支持台１５上に載置された基板（半導体ウエハ）１００が冷却される。ガス分散板（上部電極）１４には高周波電源１７から高周波電力が供給され、この高周波電力によって処理室１１内にプラズマを発生させることで、基板１００に設けられた銅配線表面の銅酸化物層が除去される。
【００１５】
成膜処理部２０は、上述した前処理部１０でプラズマ還元処理が施された基板１００上に後述するストッパー絶縁膜を形成するためのものであり、処理室（処理容器）２１、ガス導入口２２、排気口２３、ガス分散板（上部電極を兼ねる）２４、支持台（下部電極を兼ねる）２５、加熱機構２６及び高周波電源２７を備えている。
【００１６】
ガス分散板２４にはガス導入口２２が接続されており、ガス導入口２２から導入されたガスはガス分散板２４を介して処理室２１内に供給される。支持台２５には加熱機構（抵抗加熱機構）２６が設けられており、この加熱機構２６により、支持台２５上に載置された基板（半導体ウエハ）１００が加熱される。ガス分散板（上部電極）２４には高周波電源２７から高周波電力が供給され、この高周波電力によって処理室２１内にプラズマを発生させることで、基板１００上にストッパー絶縁膜が形成される。
【００１７】
前処理部１０と成膜処理部２０との間には搬送部３０が配置されており、搬送室３１内に設けられた搬送機構３２によって前処理部１０から成膜処理部２０に基板１００が搬送される。搬送室３１内は排気口３３によって排気されており、大気に晒すことなく基板１００を前処理部１０から成膜処理部２０に搬送可能である。また、処理室１１と搬送室３１とは開閉可能な弁４１によって、処理室２１と搬送室３１とは開閉可能な弁４２によってそれぞれ仕切られている。
【００１８】
以下、図１に示した処理装置を用いた半導体装置の製造方法について説明する。図２〜図４は、本製造方法を模式的に示した断面図である。
【００１９】
まず、図２に示すように、基板１００を用意する。この基板１００には、半導体基板１０１、層間絶縁膜として用いる低誘電率絶縁膜（第１の絶縁膜）１０２、バリアメタル膜１０３及び銅配線１０４が含まれている。なお、実際には、半導体基板１０１上にはＭＩＳトランジスタ等の半導体素子が形成されている。また、半導体基板１０１と低誘電率絶縁膜１０２との間に、他の絶縁膜や配線等が形成されていてもよい。図２に示すように、低誘電率絶縁膜１０２及び銅配線１０４の表面は露出しており、銅は大気中で容易に酸化されるため、銅配線１０４の表面には銅酸化物層１０４ａが形成されている。
【００２０】
低誘電率絶縁膜１０２には、少なくとも炭素及び水素を含有した絶縁膜が用いられる。本実施形態では、低誘電率絶縁膜１０２として、シリコン、酸素、炭素及び水素を含有した絶縁膜（以下、ＳｉＣＯ：Ｈ膜と略記）を用いる。例えば、原料ガスとして有機シランガス（アルキルシラン）及びＯ2 ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された有機系の絶縁膜を、低誘電率絶縁膜１０２として用いることができる。この低誘電率絶縁膜は、通常のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 膜）中にメチル基が導入されたものであり、比誘電率が２．２〜３．０程度と、通常のＳｉＯ2 膜の比誘電率（３．９程度）よりも大幅に低い。銅配線１０４には、低誘電率絶縁膜１０２に形成された溝に銅を埋め込んで形成されるダマシン配線が用いられる。
【００２１】
次に、図３に示すように、銅配線１０４の表面に形成された銅酸化物層１０４ａをプラズマ処理により還元して除去する。以下、本工程について詳述する。
【００２２】
まず、基板１００を処理室１１内に搬入し、支持台１５上に基板１００を載置する。支持台１５に載置された基板１００は、支持台１５に設けられた冷却機構１６によって冷却される。ここでは冷却温度を−５０℃とする。なお、基板１００を載置する前から支持台１５を予め冷却しておいてもよいし、基板１００を載置してから支持台１５の冷却を始めてもよい。製造時間の短縮の観点からは、基板１００を載置する前から支持台１５を予め冷却しておく方がよい。
【００２３】
処理室１１内を真空排気した後、ガス導入口１２から処理室１１内にＮＨ3 ガス及びＮ2 ガスを導入する。ＮＨ3 ガス及びＮ2 ガスの流量は、それぞれ５００ｓｃｃｍ及び５０００ｓｃｃｍとし、処理室１１内の圧力は５Ｔｏｒｒに調整する。続いて、高周波電源１７から１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗの高周波電力を供給し、２０秒間のプラズマ還元処理を行う。この処理により、銅配線１０４の表面に形成されていた銅酸化物層１０４ａが還元される。具体的には、ＮＨ3 プラズマによって形成された活性な水素によって銅酸化物（ＣｕＯ）が還元されてＣｕとなる。
【００２４】
このプラズマ処理の際に、低誘電率絶縁膜１０２の表面もプラズマ雰囲気に晒されることになるが、基板１００が冷却されているため、プラズマ雰囲気中の活性な水素等と低誘電率絶縁膜１０２中の有機成分等との反応性を弱くすることができる。そのため、低誘電率絶縁膜１０２中の有機成分等が活性な水素等によって分解除去されるといった問題を防止することができ、低誘電率絶縁膜１０２表面におけるダメージ層の形成を抑制することができる。
【００２５】
このようにしてプラズマ処理が施された基板１００は、搬送機構３２によって搬送室３１内に搬送され、さらに搬送機構３２によって搬送室３１から処理室２１に搬送される。この搬送工程において、基板１００は大気に晒されないため、銅配線１０４の表面に新たな銅酸化物層が形成されることが防止される。
【００２６】
次に、図４に示すように、低誘電率絶縁膜１０２及び銅配線１０４の表面上にストッパー絶縁膜（第２の絶縁膜）１０５を形成する。このストッパー絶縁膜１０５は、銅配線１０４中の銅の上層側への拡散を防止する機能、及び、上層側に形成される層間絶縁膜をエッチング加工する際のエッチングストッパーとしての機能を有するものである。以下、本工程について詳述する。
【００２７】
処理室２１に搬入された基板１００は支持台２５上に載置される。支持台２５に載置された基板１００は、支持台２５に設けられた加熱機構２６によって加熱される。ここでは加熱温度を３５０℃とする。なお、基板１００を載置する前から支持台２５を予め加熱しておいてもよいし、基板１００を載置してから支持台２５の加熱を始めてもよい。製造時間の短縮の観点からは、基板１００を載置する前から支持台２５を予め加熱しておく方がよい。また、搬送室３１内にも加熱機構を設けておき、搬送室３１内で基板１００を予備加熱しておいてもよい。
【００２８】
処理室２１内を真空排気した後、ガス導入口２２から処理室２１内に有機シランガス（アルキルシラン）及びＮＨ3 ガスを導入する。有機シランガス及びＮＨ3 ガスの流量は、それぞれ２００ｓｃｃｍ及び４００ｓｃｃｍとし、処理室２１内の圧力は５Ｔｏｒｒに調整する。続いて、高周波電源２７から１３．５６ＭＨｚ、４００Ｗの高周波電力を供給し、４０秒間のプラズマ成膜処理（プラズマＣＶＤ処理）を行う。この成膜処理により、低誘電率絶縁膜１０２及び銅配線１０４の表面上に、ストッパー絶縁膜１０５として、厚さ５０ｎｍのシリコン、炭素、窒素及び水素を含有した膜（以下、ＳｉＣＮ：Ｈ膜と略記）が形成される。
【００２９】
上述した方法によって得られた試料について、隣接する銅配線間のリーク電流特性を測定した。銅配線の配線幅及び隣接する銅配線間の距離（スペース幅）はいずれも１０ｎｍである。その結果、銅配線間に１ＭＶ／ｃｍの電界を印加した場合、リーク電流は９．１×１０-11Ａ／ｃｍ2 であった。
【００３０】
一方、比較例として、３５０℃でプラズマ還元処理を施した後、同一の処理室内において３５０℃でストッパー絶縁膜を形成した試料を作製した。この場合には、リーク電流は２．５×１０-8Ａ／ｃｍ2 であり、本実施形態の試料に比べてリーク電流が著しく増加していた。また、室温程度でプラズマ還元処理を行った場合にも、リーク電流は５．５×１０-9Ａ／ｃｍ2 と大きかった。一般に、デバイスの特性及び信頼性等の観点から、リーク電流は１．０×１０-10Ａ／ｃｍ2 程度以下にすることが望ましい。したがって、室温程度でプラズマ還元処理を行っても、十分な特性を得ることはできない。十分な特性を得るためには、少なくとも０℃程度以下まで、基板を冷却する必要があると考えられる。
【００３１】
以上のように、本実施形態によれば、銅配線の表面に対してプラズマ還元処理を施す際に基板が冷却されているため、低誘電率絶縁膜表面のプラズマに対する反応性を弱めることができる。そのため、低誘電率絶縁膜表面のダメージ層の形成を抑制することができ、隣接する銅配線間のリーク電流を大幅に低減することができる。その結果、特性や信頼性に優れた半導体装置を得ることができる。
【００３２】
また、本実施形態では、還元処理と成膜処理とを別々の処理室で行っている。還元処理は基板を冷却した状態で、成膜処理は基板を加熱した状態で行うため、還元処理と成膜処理とを同一の処理室で行う場合には、冷却機構と加熱機構を同一の支持台に設ける必要があり、装置構成が複雑になる。また、支持台の冷却から加熱、加熱から冷却に多くの時間を要するため、製造時間の増大にもつながる。本実施形態では、還元処理と成膜処理とを別々の処理室で行うため、そのような問題を回避することが可能である。
【００３３】
なお、上述した実施形態では、低誘電率絶縁膜として、プラズマＣＶＤ法によって形成されたＣＶＤ絶縁膜を用いたが、ポリメチルシロキサン（ＭＳＸ）やポリメチルシルセスキオキサン（ＭＸＱ）等の塗布膜を用いることも可能である。さらに、低誘電率絶縁膜として、ポリマー膜を用いることも可能である。一般的には、低誘電率絶縁膜として、炭素及び水素を含んだ膜を用いることが可能である。より具体的には言えば、Ｃ−Ｈ結合を含んだ有機系の絶縁膜を用いることが可能である。
【００３４】
また、上述した実施形態では、ストッパー絶縁膜として、シリコン、炭素、窒素及び水素を含有した膜（ＳｉＣＮ：Ｈ膜）を用いたが、少なくともシリコン、炭素及び水素を含んでいればよい。具体的には、シリコン、炭素及び水素を含有した膜（ＳｉＣ：Ｈ膜）、シリコン、炭素、酸素及び水素を含有した膜（ＳｉＣＯ：Ｈ膜）等を用いることも可能である。
【００３５】
また、上述した実施形態では、プラズマ還元処理に使用するガスとして、ＮＨ3 ガスとＮ2 ガスの混合ガスを用いたが、ＮＨ3 ガス及びＨ2 ガスの少なくとも一方を含んだガスを用いることが可能である。例えば、ＮＨ3 の単一ガス、Ｈ2 の単一ガス、Ｈ2 ガスとＮ2 ガスの混合ガス、Ｈ2 ガスとＨｅガスの混合ガス等を用いてもよい。より一般的に言えば、Ｈを含む還元性を有するガスを少なくとも含んだガス用いることが可能である。
【００３６】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出され得る。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造装置の概略構成を模式的に示した図である。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を模式的に示した断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を模式的に示した断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０…前処理部      １１…処理室      １２…ガス導入口
１３…排気口      １４…ガス分散板      １５…支持台
１６…冷却機構      １７…高周波電源
２０…成膜処理部      ２１…処理室      ２２…ガス導入口
２３…排気口      ２４…ガス分散板      ２５…支持台
２６…加熱機構      ２７…高周波電源
３０…搬送部      ３１…搬送室      ３２…搬送機構      ３３…排気口
４１、４２…弁
１００…基板      １０１…半導体基板      １０２…低誘電率絶縁膜
１０３…バリアメタル膜      １０４…銅配線      １０４ａ…銅酸化物層
１０５…ストッパー絶縁膜
【図１】
2005129849.tif 000003
【図２】
2005129849.tif 000004
【図３】
2005129849.tif 000005
【図４】
2005129849.tif 000006