(57)【要約】【課題】  厚さ１００μｍ以上の基板やケミカルポリッシュされた表面などの高荷重でスクライブしなければならない基板に適したダイヤモンドスクライバーを提供すること。【解決手段】  このダイヤモンドスクライバー１は、先端面３bから稜線３dに向けて角度を付けて研磨されている。このため、厚さが１００μm以上のサファイヤ基板やケミカルポリッシュ面を高荷重でスクライブしても、サファイヤ基板のスクライブラインにチッピングが発生しにくくなり、また、ダイヤモンドスクライバー１の刃先３aが耐摩耗性に優れる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤモンドスクライバーにおいて、
先端面から稜線に向けて角度を付けて研磨されていることを特徴とするダイヤモンドスクライバー。
【請求項２】
前記先端面から稜線に向けて３°以上３０°以下の範囲内で研磨されていることを特徴とする請求項１記載のダイヤモンドスクライバー。
【請求項３】
前記先端面から各稜線に向けて角度を付けて研磨されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のダイヤモンドスクライバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイヤモンドスクライバーに関し、特に、刃先の形状に特徴のあるダイヤモンドスクライバーに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体部品製造時には、サファイヤ基板上にＧａＮ等を育成し、これを任意のサイズに切断をしている。切断の際には切りくずの発生を抑えられたり、切断面がきれいである等の理由から、例えば特許文献１に示すダイヤモンドスクライバーが用いられている。
【０００３】
しかし、ダイヤモンドスクライバーの先端部は、非常に鋭利に研磨されているために、高負荷でスクライブを行うと磨耗が極端に早く、先端部にカケを生じる等の現象が発生してしまう。このため、スクライブする際には、サファイヤ基板を１００μｍ以下に研磨してからスクライブを行っている。
【０００４】
【特許文献１】特開昭４９−５４９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、例えば特許文献１のダイヤモンドスクライバーを用いて厚みが１００μｍ以上のサファイヤ基板をスクライブすると、ブレ−キングに有効な深さのスクライブラインを得ることが難しく、スクライブ荷重を大きくするとスクライブラインにチッピングが発生するという問題点がある。
【０００６】
また、基板表面のケミカルポリッシュ面からスクライブする場合、低荷重でスクライブすると、ダイヤモンドスクライバーの刃がポリッシュ面上を滑ってしまいスクライブラインを入れることができず、高荷重でスクライブすると、スクライブラインにチッピングが発生するという問題点がある。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、厚さ１００μｍ以上の基板やケミカルポリッシュされた表面などの高荷重でスクライブしなければならない基板に適したダイヤモンドスクライバーを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１記載の発明は、ダイヤモンドスクライバーにおいて、先端面から稜線に向けて角度を付けて研磨されていることを特徴とするダイヤモンドスクライバーである。
【０００９】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明の構成に加えて、前記先端面から稜線に向けて３°以上３０°以下の範囲内で研磨されていることを特徴とするダイヤモンドスクライバーである。
【００１０】
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２記載の発明の構成に加えて、前記先端面から各稜線に向けて角度を付けて研磨されていることを特徴とするダイヤモンドスクライバーである。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１記載の発明によれば、厚さが１００μm以上の基板やケミカルポリッシュ面を高荷重でスクライブしても、基板のスクライブラインにチッピングが発生しにくいという効果を奏する。また、ダイヤモンドスクライバーの刃先が耐摩耗性に優れるという効果を奏する。
【００１２】
請求項２記載の発明によれば、基板のスクライブラインに発生するチッピングが大幅に減少するという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１(a)及び図１(b)に示すように、ダイヤモンドスクライバー１は、四角柱状に形成されており、シャンク２の先端部分にダイヤモンド粒３が固定されている。このダイヤモンド粒３は、図２(a)に示すように、４つの刃先３aを有するように加工されている。
【００１４】
この刃先３aは、三角形状の研磨面３cと稜線３dで形成される頂点であり、図２(b)に示すように、先端面３bから稜線３dに向けて角度を付けて研磨することによって形成されている。先端面３bと研磨面３cとのなす角θは、３°以上３０°以下になるように研磨加工するのが好ましい。角θがこの範囲内であれば、通常の４ポイントダイヤモンドスクライバーに比べて耐摩耗性に優れ、また、基板のチッピングの発生を大幅に減少させることができるためである。
【００１５】
本実施形態では、４ポイントスクライバーを例に説明したが、本発明は、４ポイントスクライバーに限定されず、種々のポイントスクライバーに適用できる。
【００１６】
次に、図２に示すダイヤモンド粒を有するスクライバーを用いて厚さ１００
μmのサファイヤウエハーをスクライブした場合（実施例）と、図３に示すダイヤモンド粒を有する普通のスクライバーを用いて厚さ１００μmのサファイヤウエハーをスクライブした場合（比較例）を比較して説明する。
【実施例】
【００１７】
θ：５°
α：＜９０°
γ：５５°
【００１８】
実施例で示すダイヤモンドスクライバーは、先端面３bと研磨面３cとのなす角θが５°に形成されているため、耐摩耗性に優れ、ウエハーのチッピングを大幅に減少させることができた。また、研磨面３cの開き角αが９０°以下になるため、スクライブライン幅を細くすることができた。
【比較例】
【００１９】
θ：０°
Β：９０°
γ：５５°
【００２０】
比較例で示すダイヤモンドスクライバーを用いてスクライブすると、ウエハーにチッピングが発生した。また、実施例で示すダイヤモンドスクライバーに比べて刃先が早く磨耗した。
【００２１】
以上のように、実施例のダイヤモンドスクライバーと比較例のダイヤモンドスクライバーを比べると、実施例で示すダイヤモンドスクライバーの方が、高荷重でスクライブしなければならない基板に適したダイヤモンドスクライバーであることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００２２】
本発明のダイヤモンドスクライバーを用いてサファイヤウエハーをスクライブすると、サファイヤウエハーのチッピングの発生を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】ダイヤモンドスクライバーを示す図である。(a)は、側面図であり、(b)は、正面図である。
【図２】ダイヤモンドスクライバーに設けられたダイヤモンド粒の拡大図である。(a)は、正面から見たダイヤモンド粒の拡大図であり、(b)は、側面から見たダイヤモンド粒の拡大図である。
【図３】ダイヤモンドスクライバーに設けられた通常のダイヤモンド粒を示す図である。(a)は、正面から見たダイヤモンド粒の拡大図であり、(b)は、側面から見たダイヤモンド粒の拡大図である。
【符号の説明】
【００２４】
１  ダイヤモンドスクライバー
２  シャンク
３  ダイヤモンド粒
３a  刃先
３b  先端面
３c  研磨面
３d  稜線
θ  先端面と研磨面とのなす角
α  開き角
Β  開き角
γ  中心線に対する稜線の角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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