(57)【要約】  【課題】マスクパターンの作成を容易にできる分割露光方式マスクの設計用のＣＡＤソフトウエアを提供する。  【解決手段】２回目以降の分割露光方式のマスクパターンを作成する場合に、ショットパターン３より大きくパネルパターン２より小さい補助レイヤパターン７を描画する。ショットパターン３を保存してからマスクパターンのショットパターンセルに配置してマスクデータを作成する。マスクパターンの作成が２回目以降でパネルパターン２の形状を変更する。１回目のマスクパターンの作成の際に保存した補助レイヤパターン７内での変更であれば、１回目のマスクパターンの作成の際に保存したマスクパターンのセルの変更を不要にできる。露光データの再作成を不要にできる。  【選択図】図１
2005300999.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成しようとする露光パターン中の特定の領域を示す切り出しパターンを作成し、
この切り出しパターン中の一回のショットで露光する領域より大きく前記切り出しパターンより小さい補助パターンを作成して保存し、
この補助パターン内に、前記切り出しパターン中の一回のショットで露光する領域をショットパターンとして保存し、
この保存した前記ショットパターンをマスクパターンのセルに配置してマスクデータを作成する
ことを特徴とするパターンシミュレーション方法。
【請求項２】
一回のショットで露光するショットパターンを保存するためのセルをマスクパターン上に作成し、
このマスクパターン上に作成した前記セル内に、基板に形成しようとする露光パターン中の特定の領域を示す切り出しパターンを作成し、
この切り出しパターン中の一回のショットで露光する領域であるショットパターンを作成してセルに保存し、
この切り出したセルをマスクパターンのセルに配置してマスクデータを作成する
ことを特徴とするパターンシミュレーション方法。
【請求項３】
基板上に形成しようとする露光パターン中の特定の領域を示す切り出しパターンを作成し、
この切り出しパターン中の一回のショットで露光する領域をショットパターンとして切り出してセルに保存し、
この保存したセルをマスクパターンのセルに配置してマスクデータを作成するパターンシミュレーション方法であって、
前記マスクデータの作成が２回目以降の場合に、１回目に切り出したセルの原点と２回目以降に切り出したセルの原点との差を算出し、
前記２回目以降に切り出したセルの原点の位置を移動させて、１回目に切り出したセルと同じ位置に、２回目以降に作成したマスクデータを配置する
ことを特徴とするパターンシミュレーション方法。
【請求項４】
基板上に形成しようとする露光パターン中の特定の領域を示す切り出しパターンを作成するステップと、
この切り出しパターン中の一回のショットで露光する領域より大きく前記切り出しパターンより小さい補助パターンを作成して保存するステップと、
前記補助パターン内に、前記切り出しパターン中の一回のショットで露光する領域をショットパターンとして保存するステップと、
この保存した前記ショットパターンをマスクパターンのセルに配置してマスクデータを作成するステップと
を具備したことを特徴としたパターンシミュレーションプログラム。
【請求項５】
一回のショットで露光するショットパターンを保存するためのセルをマスクパターン上に作成するステップと、
このマスクパターン上に作成した前記セル内に、基板に形成しようとする露光パターン中の特定の領域を示す切り出しパターンを作成するステップと、
この切り出しパターン中の一回のショットで露光する領域であるショットパターンを作成してセルに保存するステップと、
この切り出したセルをマスクパターンのセルに配置してマスクデータを作成するステップと
を具備したことを特徴としたパターンシミュレーションプログラム。
【請求項６】
基板上に形成しようとする露光パターン中の特定の領域を示す切り出しパターンを作成するステップと、
この切り出しパターン中の一回のショットで露光する領域をショットパターンとして切り出してセルに保存するステップと、
この保存したセルをマスクパターンのセルに配置してマスクデータを作成するステップとを具備したパターンシミュレーションプログラムであって、
前記マスクデータの作成が２回目以降の場合に、１回目に切り出したセルの原点と２回目以降に切り出したセルの原点との差を算出するステップと、
前記２回目以降に切り出したセルの原点の位置を移動させて、１回目に切り出したセルと同じ位置に、２回目以降に作成したマスクデータを配置するステップと
を具備したことを特徴としたパターンシミュレーションプログラム。
【請求項７】
請求項４ないし６いずれか記載のパターンシミュレーションプログラムが、コンピュータに読み取り可能に記録された
ことを特徴としたパターンシミュレーションプログラムを記録した媒体。
【請求項８】
請求項４ないし６いずれか記載のパターンシミュレーションプログラムに基づいて、基板上に露光される露光パターンをシミュレーションする
ことを特徴としたパターンシミュレーション装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に形成しようとする露光パターンをシミュレーションするパターンシミュレーション方法、そのプログラム、そのプログラムを記録した媒体、およびその装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置は、走査線や信号線などの配線、画素電極などの電極、薄膜トランジスタなどのスイッチング素子のそれぞれを有している。そして、これら配線、電極およびスイッチング素子は、導電体あるいは誘電体である薄膜を成膜した後、この薄膜上にフォトレジストを塗布する。この後、この塗布したフォトレジストを所定のパターンを有するマスクを介して露光してから、この露光したフォトレジストを現像する。さらに、このフォトレジストが除去されて露出した薄膜をエッチングにて除去するなどの工程を繰り返すことによって形成されている。
【０００３】
一方、液晶表示装置用の基板としては、数十ｃｍ〜数ｍ角程度の大きさのガラス基板を使用している。このため、このガラス基板を露光する露光装置としても、液晶表示装置用の大型のものが存在するが、従来の半導体用露光機用の小型のマスクもよく使用されている。マスクより大きなパネルを露光するときには、１枚のパネルを複数の領域に分割して露光する分割露光方式が使用されている。そして、この分割露光方式のマスクとしては、最初に液晶パネル１枚分の表示装置のレイアウトデータを作成してから、このレイアウトデータを１ショットで露光する領域である露光データを切り出してマスクパターンに配置している。
【０００４】
そして、この分割露光方式では、画面に分割線がある場合には、ガラス基板を水平方向および垂直方向のそれぞれに分割する水平境界線および垂直境界線によって露光時のマスクの合わせずれが生じた際に、継ぎ目が視認される場合がある。特に、直線的な境界線においては、ずれが生じたときに、より継ぎ目が視認されやすくなるから、液晶表示装置に表示される表示画面の品位が低下してしまう。この対策として、この継ぎ目の境界線をジグザグに形成する方法や、この継ぎ目の境界の特性の変化勾配を緩衝かして継ぎ目を視認し難くする方法がある。
【０００５】
さらに、この分割露光方式は、液晶パネル全体の導電体および誘電体レイヤで露光パターンを作成してからガラス基板上に配置する。この後、１回のショットで露光する領域を示すショットパターンをガラス基板上に描画する。さらに、このガラス基板上のパターンを、ショットパターンに沿って切り出して、新しい部品であるショットセルを作成する。このとき、露光パターンとショットパターンとを図形演算する。さらに、ショットセルをマスクパターンに配置してから、このマスクパターンにて光が当たらない領域である遮光帯を配置して、マスクパターンを作成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１０−２３２３７７号公報（第５−９頁、図１−６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した分割露光方式では、マスクパターンの作成が２回目以降であってショットセルの変更がある場合には、２回目以降に作成したショットセルの基準点が、１回目に作成したショットセルの基準点からずれてしまう場合がある。したがって、この場合には、露光データを再び作成し直さなければならないから、マスクパターンの作成が容易ではないという問題を有している。
【０００７】
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、マスクパターンの作成を容易にできるパターンシミュレーション方法、そのプログラム、そのプログラムを記録した媒体、およびその装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基板上に形成しようとする露光パターン中の特定の領域を示す切り出しパターンを作成し、この切り出しパターン中の一回のショットで露光する領域より大きく前記切り出しパターンより小さい補助パターンを作成して保存し、この補助パターン内に、前記切り出しパターン中の一回のショットで露光する領域をショットパターンとして保存し、この保存した前記ショットパターンをマスクパターンのセルに配置してマスクデータを作成するものである。
【０００９】
そして、基板上に形成しようとする露光パターン中の特定の領域を示す切り出しパターンを作成してから、この切り出しパターン中の一回のショットで露光する領域より大きく切り出しパターンより小さい補助パターンを作成して保存する。この後、この補助パターン内に切り出しパターン中の一回のショットで露光する領域をショットパターンとして保存した後、この保存したショットパターンをマスクパターンのセルに配置してマスクデータを作成する。この結果、このマスクパターンの作成が２回目以降であって切り出しパターンの変更がある場合であっても、１回目のマスクパターンの作成の際に保存した補助パターン内での変更であれば、１回目のマスクパターンの作成の際に保存したセルの変更が不要になる。したがって、このマスクパターンの作成が容易になる。
【００１０】
また、一回のショットで露光するショットパターンを保存するためのセルをマスクパターン上に作成し、このマスクパターン上に作成した前記セル内に、基板に形成しようとする露光パターン中の特定の領域を示す切り出しパターンを作成し、この切り出しパターン中の一回のショットで露光する領域であるショットパターンを作成してセルに保存し、この切り出したセルをマスクパターンのセルに配置してマスクデータを作成するものである。
【００１１】
そして、一回のショットで露光するショットパターンを保存するためのセルをマスクパターン上に作成してから、このマスクパターン上に作成したセル内に、基板に形成しようとする露光パターン中の特定の領域を示す切り出しパターンを作成する。この後、この切り出しパターン中の一回のショットで露光する領域であるショットパターンを作成してセルに保存した後、この切り出したセルをマスクパターンのセルに配置してマスクデータを作成する。この結果、このマスクパターンの作成が２回目以降であって切り出しパターンの変更がある場合であっても、１回目のマスクパターンの作成の際に作成したセル内での変更であれば、１回目のマスクパターンの作成の際に保存したセルの変更が不要になる。したがって、このマスクパターンの作成が容易になる。
【００１２】
さらに、基板上に形成しようとする露光パターン中の特定の領域を示す切り出しパターンを作成し、この切り出しパターン中の一回のショットで露光する領域をショットパターンとして切り出してセルに保存し、この保存したセルをマスクパターンのセルに配置してマスクデータを作成するパターンシミュレーション方法であって、前記マスクデータの作成が２回目以降の場合に、１回目に切り出したセルの原点と２回目以降に切り出したセルの原点との差を算出し、前記２回目以降に切り出したセルの原点の位置を移動させて、１回目に切り出したセルと同じ位置に、２回目以降に作成したマスクデータを配置するものである。
【００１３】
そして、基板上に形成しようとする露光パターン中の特定の領域を示す切り出しパターンを作成してから、この切り出しパターン中の一回のショットで露光する領域をショットパターンとして切り出してセルに保存する。この後、この保存したセルをマスクパターンのセルに配置してマスクデータを作成する。このとき、マスクデータの作成が２回目以降の場合に、１回目に切り出したセルの原点と２回目以降に切り出したセルの原点との差を算出する。この後、２回目以降に切り出したセルの原点の位置を移動させて、１回目に切り出したセルと同じ位置に、２回目以降に作成したマスクデータを配置する。したがって、このマスクパターンの作成が２回目以降であっても、１回目に切り出したセルと２回目以降に作成したマスクデータとのずれが生じない。よって、この２回目以降に作成したマスクデータの修正が不要となるから、マスクパターンの作成が容易になる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、マスクパターンの作成が２回目以降であって切り出しパターンの変更がある場合であっても、１回目のマスクパターンの作成の際に保存した補助パターン内での変更であれば、１回目のマスクパターンの作成の際に保存したセルの変更を不要にできるので、このマスクパターンの作成を容易にできる。
【００１５】
また、マスクパターンの作成が２回目以降であって切り出しパターンの変更がある場合であっても、１回目のマスクパターンの作成の際に作成したセル内での変更であれば、１回目のマスクパターンの作成の際に保存したセルの変更を不要にできるので、このマスクパターンの作成を容易にできる。
【００１６】
さらに、マスクパターンの作成が２回目以降であっても、１回目に切り出したセルと２回目以降に作成したマスクデータとのずれが生じないので、この２回目以降に作成したマスクデータの修正を不要にできるから、マスクパターンの作成を容易にできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の第１の実施の形態のパターンシミュレーション方法を図１ないし図６を参照して説明する。
【００１８】
まず、図１ないし図６に示すパターンシミュレーション方法としての分割露光方式マスクの設計方法は、液晶表示装置の製造方法としての液晶表示装置の設計方法である。また、この分割露光方式マスクの設計方法としては、設計として一般にＣＡＤ(Computer Aided Design)が用いられる。
【００１９】
そして、この分割露光方式マスクの作成方法は、図４に示すように、例えば液晶表示装置の液晶パネルとして用いられるアレイ基板のガラス基板１上に、導電体層あるいは誘電体層の少なくとも１層にて構成された薄膜としての層をレイヤに沿って複数の領域に分割したパネルパターン２を形成する。ここで、このパネルパターン２は、ガラス基板１上に形成しようとする露光パターン中の特定のレイヤで切り出す領域である特定の領域を示す切り出しパターンである。
【００２０】
この後、第１のステップとして、このパネルパターン２をガラス基板１上に配置する。このとき、ガラス基板１上に成膜されるレイヤとしては、走査線や信号線などの配線、画素電極などの電極、および薄膜トランジスタなどのスイッチング素子である。
【００２１】
さらに、ガラス基板１上におけるパネルパターン２の領域内に存在する、導電体層および誘電体層のパターンを一回のショットで露光する領域をショットパターン３として切り出してショットセルとしてのショットパターンセル４に保存する。ここで、このショットパターン３は、１ショットで露光する領域を示すパターンである。
【００２２】
この後、第２のステップとして、このショットパターンセル４に保存したショットパターン３をガラス基板１上に描画する。ここで、このショットパターン３は、パネルパターン２中の一回のショットで露光する領域である。
【００２３】
すなわち、第３のステップとして、このガラス基板１上に描画したショットパターン３を、このショットパターン３に沿って切り出して、図５に示すように、新しい部品であるショットパターンセル４を作成する。このとき、このショットパターンセル４の作成には、パネルパターン２とショットパターン３とを図形演算している。
【００２４】
さらに、第４のステップとして、この切り出したショットパターンセル４をマスクパターン５のセルに貼り付けるように配置する。そして、このマスクパターン５で光が当たらない領域である遮光帯６を配置して、図６に示すように、第５のステップとして、マスクパターン５を作成してマスクデータである露光データを完成させる。
【００２５】
この後、１回目のマスクパターン５の作成が終了した後、すなわち既にマスクパターン５が存在する状態で、２回目以降の分割露光方式のマスクパターン５を作成する場合には、まず、第１１のステップとして、図１に示すように、パネルパターン２の切り出し領域の外側に、ショットパターン３の領域の外形より大きくパネルパターン２のマスク外形より小さい補助レイヤパターン７を予め描画する。このとき、この補助レイヤパターン７は、補助レイヤを用いて描画する。また、この補助レイヤパターン７は、ショットパターン３とは違うレイヤで形成されている。
【００２６】
この後、第１２のステップとして、補助レイヤパターン７内であるとともにパネルパターン２中の一回のショットで露光する領域をショットパターン３として保存する。さらに、第１３のステップとして、この保存したショットパターン３をマスクパターン５のショットパターンセル４に配置してマスクデータを作成する。このとき、パネルパターン２の分割は、ショットパターン３に沿って切り出すが、図２に示すように、ショットパターンセル４へのセル化としては補助レイヤパターン７を含めた形とする。これによって、原点が常に補助レイヤパターン７の左下に固定される。
【００２７】
したがって、図３に示すように、マスクパターン５にショットパターンセル４を配置するが、ショットパターン３の形状に変化があっても補助レイヤパターン７の内部であれば、ショットパターンセル４全体がずれることは無い。
【００２８】
上述したように、上記第１の実施の形態によれば、２回目以降の分割露光方式のマスクパターン５を作成する場合に、ショットパターン３より大きくパネルパターン２より小さい補助レイヤパターン７を予め描画してからショットパターン３を保存した後、この保存したショットパターン３をマスクパターン５のショットパターンセル４に配置してマスクデータを作成する。
【００２９】
これに対し、上記第１の実施の形態の前提となる分割露光方式マスクの設計方法では、図１４に示すように、液晶パネルの図面上にショットパターン３に沿ってパネルパターン２からショットパターン３を切り出す。この後、図１５に示すように、このショットパターン３からショットパターンセル４を作成してセル化してから保存する。さらに、図１６に示すように、この作成したショットパターンセル４をマスクパターン５のセルに配置して、１回目のマスクデータを作成して設計している。
【００３０】
この後、この１回目のマスクデータを設計した後に、このマスクデータの一部を修正する場合、すなわちこのマスクデータの設計が２回目以降の場合には、図１７に示すように、一回目のショットパターン３の形状を変えてショットパターン３を切り出す。この後、この切り出したショットパターン３を、１回目のマスクパターン５の作成に際に保存した同じマスクパターン５のセル上に保存させる。
【００３１】
このとき、ショットパターン３の形状を変化させたことによって、図１８に示すように、切り出したショットパターン３内で原点がずれることがある。この場合、マスクパターン５上に設置されているショットパターンセル４は更新されているが、図１９に示すように、このショットパターンセル４内の原点がずれているので、マスクパターン５上のショットパターン３がずれてしまう。
【００３２】
さらに、図示しない露光機へ入力するデータについて説明すると、露光機でマスクパターン５の指定した領域をガラス基板１のどこへ露光するかについては、露光データと呼ぶ数値データを作成して入力している。すなわち、図２０に示すように、寸法がＡ×Ｂの長方形で中心点が(ａ１，ｂ１)のショットを、図２１に示すように、ガラス基板１の位置(ａ１２，ｂ１２)にショットの中心点がくるように配置する場合には、寸法ＡおよびＢと、レチクル上の座標(ａ，ｂ)と、ガラス基板１上の座標(ａ１，ｂ１)の数値などを露光機へ入力する。そして、この入力した各座標によってショットの位置が決定される。
【００３３】
このとき、図２２に示すように、切り出したショットパターンセル４内で原点がずれる場合には、マスクパターン５上のショットパターン３がずれてしまうので、マスクパターン５のセル上のショットの位置を変えたり、図２３に示すように、(ａ１，ｂ１)を(ａ２，ｂ２)へ変更して露光データを変更したりしなければならない。ここでは、Ａ，Ｂおよびａ１，ｂ１それぞれの変更の必要は無い。このようにわずかのずれであっても、露光データの再作成が必要となる。
【００３４】
したがって、露光機に入力する露光データを毎回作成しなければならない。すなわち、切り出すショットパターン３が変化した場合に作成するショットパターンセル４内の原点が移動する。このため、マスクパターン５のセルの同じ位置に貼り付けてもショットパターン３がずれるため、露光領域の再設定が必要となる。
【００３５】
そこで、上述した第１の実施の形態のように、２回目以降の分割露光方式のマスクパターン５を作成する場合に、補助レイヤパターン７を描画してからショットパターン３を作成してマスクデータを作成することによって、このマスクパターン５の作成が２回目以降であってパネルパターン２の形状の変更がある場合であっても、１回目のマスクパターン５の作成の際に保存した補助レイヤパターン７内での変更であれば、１回目のマスクパターン５の作成の際に保存したマスクパターン５のセルの変更を不要にできる。
【００３６】
したがって、１度目のパネルパターン２の分割をしてマスクパターン５を設計した後、２回目以降のパネルパターン２の分割で作成したショットパターン３であっても、１回目に保存したマスクパターン５のセルの変更、すなわち露光データを再作成する必要のないデータを作成できるから、このデータとして保存したマスクパターン５の作成を容易にできる。すなわち、パネルパターン２の小変更であれば、このパネルパターン２からマスクパターン５を分割する際にパターンがずれてしまっても、露光データの再作成を不要にできる。
【００３７】
なお、上記第１の実施の形態では、ショットパターン３を作成する前に補助レイヤパターン７を描画させることにより、マスクパターン５の作成が２回目以降でパネルパターン２の形状の変更がある場合にマスクパターン５のセル上の変更を無くさせたが、図７ないし図１０に示す第２の実施の形態のように、切り出した領域であるパネルパターン２を予めセル化しておく方法にすることもできる。
【００３８】
この場合、図７に示すように、１ショットで露光するショットパターン３を保存するためのショットパターンセル４をマスクパターン５上に作成する。すなわち、ショットパターン３が配置された状態でパネルパターン２上にショットパターンセル４を配置させる。この後、このマスクパターン５上に作成したショットパターンセル４内に、ガラス基板１に形成しようとする露光パターンを特定のレイヤで切り出した領域である分割領域としてのパネルパターン２を作成する。
【００３９】
そして、図８に示すように、このパネルパターン２内における１ショットで露光する領域であるショットパターン３を切り出して作成して、予め保存したショットパターンセル４に保存する。ここで、このショットパターン３は、ショットパターンセル４内の原点に対して対応して配置されており、パネルパターン２上の位置をショットパターンセル４の原点位置として決定されている。さらに、このショットパターンセル４をマスクパターン５のセルに設置させてマスクデータを作成させる。
【００４０】
この後、ショットパターンセル４を一旦フラットデータとした後に分割してパネルパターン２を作成してから、このパネルパターン２をショットパターンセル４内に配置する。このとき、図９に示すように、このショットパターンセル４を使用し、このショットパターンセル４内での原点のシフト量を算出して、２回目以降のパネルパターン２の作成の際にショットパターン３を移動させて補正する。
【００４１】
この結果、図１０に示すように、マスクデータの作成が２回目以降で、マスクパターン５を示す領域の変更ある場合であっても、１回目のマスクパターン５の作成の際に作成したショットパターンセル４内での変更であれば、１回目のマスクパターン５の作成の際に保存したショットパターンセル４の変更を不要にできる。よって、マスクパターン５上の変更を無くすことができるから、２回目以降のショットパターン３が１回目に作成したマスクパターン５のセル全体からずれることが無くなるので、上記第１の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
【００４２】
さらに、図１１ないし図１３に示す第３の実施の形態のように、２回目以降のパネルパターン２の切り出し領域2bと１回目に切り出したパネルパターン２の切り出し領域2aとの差を計算し、作成したショットパターンセル４内の原点が１回目のマスクパターン５と重なるように移動させる構成にすることもできる。このとき、これら切り出し領域2a,2bのそれぞれは、図１１に示すように、ほとんど重なっているが、切り出し領域2bの一部が切り出し領域2aよりも外側に突出している。
【００４３】
この場合、ガラス基板１上の露光パターンである分割対象パターン上に、特定のレイヤで切り出す特定の領域を示すパネルパターン２である切り出し領域2aを作成する。この後、このパネルパターン２内の領域における、１回のショットで露光されるパターンとしてショットパターン３を切り出してショットパターンセル４に保存する。さらに、このショットパターンセル４をマスクパターン５のセルに配置してマスクデータを作成している。
【００４４】
そして、このマスクデータの作成が２回目以降の場合には、図１１に示すように、１回目に切り出したパネルパターン２の原点から２回目以降に切り出したパネルパターン２の原点が移動してシフトしている場合には、２回目以降のパネルパターン２の切り出し領域2bと１回目に切り出したパネルパターン２の切り出し領域2aとの差を計算する。言い換えると、一回目のショットパターン３の原点と２回目以降のショットパターン３の原点との差を算出する。この後、図１２に示すように、２回目以降のショットパターン３の原点の位置を１回目のショットパターン３の原点にシフトさせることにより、１回目のマスクパターン５と同じ位置にショットパターン３が配置される。
【００４５】
この結果、図１３に示すように、この原点のシフトによってマスクパターン５のセル上ではショットパターン３が１回目と同じ位置になり、露光領域からはみ出すような大幅な変更をしなければ、１回目の露光データを使用できるので、上記第１の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
【００４６】
なお、上記各実施の形態の動作をコンピュータ読み取り可能な液晶表示装置設計用パターンレイアウトプログラムとしたり、計算機にて自動的に計算できる液晶表示装置のマスク設計用ＣＡＤソフトウエアとしたりすることもできる。さらに、これらパターンレイアウトプログラムあるいはマスク設計用ＣＡＤソフトウエアを記録した光ディスクあるいは磁気ディスクその他の記録媒体に格納し、この記録媒体を計算機に自動的に動作させるために用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明のパターンシミュレーション方法の第１の実施の形態での２回目以降の補助パターンおよびショットパターンを示す説明図である。
【図２】同上パターンシミュレーション方法での２回目以降に切り出したショットパターンを示す説明図である。
【図３】同上パターンシミュレーション方法により２回目以降に形成されたマスクパターンを示す説明図である。
【図４】同上パターンシミュレーション方法での１回目の切り出しパターンを示す説明図である。
【図５】同上パターンシミュレーション方法での１回目のショートパターンセルを示す説明図である。
【図６】同上パターンシミュレーション方法により一回目に形成されたマスクパターンを示す説明図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態のパターンシミュレーション方法での２回目以降の補助パターンおよびショットパターンを示す説明図である。
【図８】同上パターンシミュレーション方法での２回目以降にショットパターンを切り出す前のショットパターンセルを示す説明図である。
【図９】同上パターンシミュレーション方法での２回目以降にショットパターンを切り出した後のショットパターンセルを示す説明図である。
【図１０】同上パターンシミュレーション方法により２回目以降に形成されたマスクパターンを示す説明図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態のパターンシミュレーション方法での２回目以降の補助パターンおよびショットパターンを示す説明図である。
【図１２】同上パターンシミュレーション方法での２回目以降に切り出したショットパターンを示す説明図である。
【図１３】同上パターンシミュレーション方法により２回目以降に形成されたマスクパターンを示す説明図である。
【図１４】本発明の前提となるパターンシミュレーション方法での１回目の切り出しパターンおよびショットパターンを示す説明図である。
【図１５】同上パターンシミュレーション方法での１回目のショートパターンセルを示す説明図である。
【図１６】同上パターンシミュレーション方法により一回目に形成されたマスクパターンを示す説明図である。
【図１７】同上パターンシミュレーション方法での２回目以降の切り出しパターンおよびショットパターンを示す説明図である。
【図１８】同上パターンシミュレーション方法での２回目以降に切り出したショットパターンを示す説明図である。
【図１９】同上パターンシミュレーション方法により２回目以降に作成されたマスクパターンを示す説明図である。
【図２０】同上パターンシミュレーション方法により１回目に作成されたマスクパターンを示す説明図である。
【図２１】同上パターンシミュレーション方法により１回目に作成されたマスクパターンをガラス基板上に配置した状態を示す説明図である。
【図２２】同上パターンシミュレーション方法により２回目以降に作成されたマスクパターンを示す説明図である。
【図２３】同上パターンシミュレーション方法により２回目以降に作成されたマスクパターンをガラス基板上に配置した状態を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４８】
１    基板としてのガラス基板
２    切り出しパターンとしてのパネルパターン
３    ショットパターン
４    セルとしてのショットパターンセル
５    マスクパターン
７    補助パターンとしての補助レイヤパターン
【図１】
2005300999.tif 000003
【図２】
2005300999.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005300999.tif 000009
【図８】
2005300999.tif 000010
【図９】
2005300999.tif 000011
【図１０】
2005300999.tif 000012
【図１１】
2005300999.tif 000013
【図１２】
2005300999.tif 000014
【図１３】
2005300999.tif 000015
【図１４】
2005300999.tif 000016
【図１５】
2005300999.tif 000017
【図１６】
2005300999.tif 000018
【図１７】
2005300999.tif 000019
【図１８】
2005300999.tif 000020
【図１９】
2005300999.tif 000021
【図２０】
2005300999.tif 000022
【図２１】
2005300999.tif 000023
【図２２】
2005300999.tif 000024
【図２３】
2005300999.tif 000025