(57)【要約】【課題】  光ディスクに記録された情報信号のベリファイを行う光ディスクのデータ記録方法及び光ディスク記録装置を提供する。【解決手段】  相変化光ディスクの記録面に情報信号を記録するレーザ光が、マーク４を記録するパワーからスペース３を記録するパワーに変わる際に、上記レーザ光の上記記録面からの反射光量にはアンダーシュートが生じる。このアンダーシュートが、第１の閾値ＶＴを負側に越えたことをレベル弁別し、次に第２の閾値ＶＴ２を正側に越えたことをレベル弁別することにより、記録された情報信号のベリファイを行う。また、レベル弁別出力と情報信号を比較することによりベリファイを行う。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ書き込み信号に応じて発光駆動されるレーザ光源から発せられたレーザ光を相変化光ディスクに照射する工程と、
上記相変化光ディスクに照射された上記レーザ光の反射光を受光する工程と、
上記反射光の受光信号のアンダーシュートを検出し、このアンダーシュートが第１の閾値ＶＴを負側に越えたことをレベル弁別し、次に第２の閾値ＶＴ２を正側に越えたことをレベル弁別する工程と
を有することを特徴とする光ディスクのデータ記録方法。
【請求項２】
上記レベル弁別の出力と上記データ書き込み信号とを比較することを特徴とする請求項１記載の光ディスクのデータ記録方法。
【請求項３】
データ書き込み信号に応じて相変化光ディスクにレーザ光を照射する光照射部と、
上記相変化光ディスクに照射されたレーザ光の反射光を受光する受光部と、
上記受光部にて受光された上記反射光の受光信号のアンダーシュートを検出するアンダーシュート検出部とを有し、
上記アンダーシュートが第１の閾値ＶＴを負側に越えたことをレベル弁別し、次に第２の閾値ＶＴ２を正側に越えたことをレベル弁別することを特徴とする光ディスク記録装置。
【請求項４】
上記レベル弁別の出力と上記データ書き込み信号とを比較することを特徴とする請求項３記載の光ディスク記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光ディスクに記録された情報信号を確認する光ディスクのデータ記録方法と、光ディスクに記録された情報信号のベリファイを行う光ディスク記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光が照射されることにより情報信号の記録再生が行われる相変化光ディスクが提供されている。
【０００３】
この相変化光ディスクは、ポリカーボネートの如きプラスチック等によって形成された透明基板の主面に、相変化材料層を含む機能膜からなる多層膜が被着形成されてなる。
【０００４】
上記相変化光ディスクは、上記多層膜を記録面として、上記相変化材料層における相変化材料の結晶とアモルファスとの状態の反射率の相違を利用して、情報信号の記録再生をなされる。
【０００５】
すなわち、上記記録面のトラックに沿って、制御されたレーザ光の照射によって、アモルファスにて形成されるスペースと、結晶にて形成されるマークとのパターンにより情報信号が記録される。
【０００６】
マークを書き込む場合には、上記記録面にレーザ光を集光して照射し、レーザ光の集光スポットの相変化材料層を融点以上の温度に加熱して溶融した後、急冷してアモルファス状態を形成する。
【０００７】
また、スペースを書き込む際には、上記記録面にレーザ光を集光して照射し、レーザ光の集光スポットの相変化材料層を結晶化温度以上で、しかも融点より小さい温度まで加熱し、上記集光スポットの相変化材料を結晶化する。
【０００８】
再生の際にもレーザ光が照射され、スペースとマークとの反射光の戻り光量の相違により、この情報信号を読み出される。
【０００９】
このような相変化型光ディスクは、光磁気ディスクとは異なり記録再生時に外部磁界を印加される必要がないので、記録再生に磁気ヘッド等が不要である等の特長を有し、次世代の情報記録媒体として研究が進められている。
【００１０】
【特許文献１】特開昭５７−０９４９３６号公報
【特許文献２】特開平０８−３２９４６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、上記相変化光ディスクの記録面にスペース及びマークを形成するには、上記記録面にスペース及びマークのそれぞれに対応するパワーのレーザ光を照射する必要がある。
【００１２】
従来は、上記レーザ光のパワーとしては、予め設定されたパワーを用いていた。このため、上記相変化光ディスクの相変化材料等の変化に対するシステムマージンは小さかった。
【００１３】
また、上記相変化光ディスクの記録面にスペースとマークとにて書き込まれた情報信号を確認するいわゆるベリファイを行う場合がある。
【００１４】
従来は、上記ベリファイは、一連の情報信号の書き込みが終了した後に、別個の工程として行われていた。このため、上記ベリファイに所定の時間を割かざるを得ず、データ転送のレートを低下させる要因の一つとなっていた。
【００１５】
この発明は、上述の実情に鑑みて提案されるものであって、相変化光ディスクに情報信号を記録しつつ記録された情報信号のベリファイを行う光ディスクのデータ記録方法を提供することを目的とする。
【００１６】
また、この発明は、相変化光ディスクに情報信号を記録しつつ記録された情報信号のベリファイを行う光ディスク記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上述の課題を解決するために、この発明に係る光ディスクのデータ記録方法は、データ書き込み信号に応じて発光駆動されるレーザ光源から発せられたレーザ光を相変化光ディスクに照射する工程と、上記相変化光ディスクに照射された上記レーザ光の反射光を受光する工程と、上記反射光の受光信号のアンダーシュートを検出し、このアンダーシュートが第１の閾値ＶＴを負側に越えたことをレベル弁別し、次に第２の閾値ＶＴ２を正側に越えたことをレベル弁別する工程とを有することを特徴とするものである。
【００１８】
上記光ディスクのデータ記録方法は、データ書き込み信号に応じてレーザ光を光ディスクに照射し、上記レーザ光の上記光ディスクからの反射光のアンダーシュートを受光信号から検出し、このアンダーシュートを所定の閾値にてレベル弁別することによりベリファイを行うものである。また、上記レベル弁別の出力と上記データ書き込み信号とを比較することによりベリファイを行うものである。
【００１９】
また、上記課題を解決するために、この発明に係る光ディスク記録装置は、データ書き込み信号に応じて相変化光ディスクにレーザ光を照射する光照射部と、上記相変化光ディスクに照射されたレーザ光の反射光を受光する受光部と、上記受光部にて受光された上記反射光の受光信号のアンダーシュートを検出するアンダーシュート検出部とを有し、上記アンダーシュートが第１の閾値ＶＴを負側に越えたことをレベル弁別し、次に第２の閾値ＶＴ２を正側に越えたことをレベル弁別することを特徴とするものである。
【００２０】
上記光ディスク記録装置は、光照射部にてデータ書き込み信号に応じたパワーにてレーザ光を光ディスクに照射し、受光部にて上記レーザ光の上記光ディスクからの反射光を受光し、アンダーシュート検出部にて受光信号のアンダーシュートを検出し、このアンダーシュートを所定の閾値にてレベル弁別することによりベリファイを行うものである。また、上記レベル弁別の出力を上記書き込み信号と比較することによりベリファイを行うものである。
【発明の効果】
【００２１】
この発明に係る光ディスクのデータ記録方法は、光ディスクへ情報信号を記録しながら、記録した情報信号のベリファイを行うことができる。したがって、ベリファイの工程を別個に設ける必要がなくなるので、データの転送レート等を向上させることができる。
【００２２】
この発明に係る光ディスク記録装置は、光ディスクへの情報信号を記録しながら、記録した情報信号のベリファイを行う。したがって、上記光ディスク記録装置は、データ処理が高速である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、この発明の実施の形態の一例について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２４】
図１（ａ）〜（ｃ）は、相変化光ディスクの記録面のトラック沿って、スペース３及びマーク４のパターンにて書き込まれた情報信号と、上記相変化光ディスクの記録面に照射されて情報信号を記録するレーザ光のレーザ光源を駆動するデータ書き込み信号と、上記レーザ光の上記記録面からの反射光の戻り光量との関係を示すタイミングチャートである。
【００２５】
図１（ａ）は、相変化光ディスクの記録面のトラックに沿ってスペース３とマーク４とのパターンにて書き込まれた情報信号を示している。
【００２６】
上述したように、上記スペース３に対応する領域の相変化材料層は結晶状態であり、反射率は高い。これに対し、上記マーク４に対応する領域の上記相変化材料層はアモルファス状態であり、反射率は低い。
【００２７】
ここで、上記トラック上の集光スポット５は、上記記録面にレーザ光が集光されて照射される領域を示す。上記記録面へのスペース３とマーク４との書き込みは、上記集光スポット５に集光して照射されるレーザ光のパワーを切り換えることにより行われる。
【００２８】
図１（ｂ）は、上記記録面に照射されてスペース３とマーク４とをそれぞれ記録するレーザ光のレーザ光源を駆動するデータ書き込み信号の原理的な波形を示している。
【００２９】
上記記録面にスペース３を書き込む場合には、上記集光スポット５が結晶化温度よりも高く、融点よりは低い温度に加熱される消去パワーＰＥにてレーザ光を照射する。このとき、上記集光スポットの領域の相変化材料層は、反射率の高い結晶状態となり、スペース３が形成される。
【００３０】
上記記録面にマーク４を書き込む場合には、上記集光スポット５を書き込みパワーＰＷにてレーザ光を照射する。このとき上記相変化材料層は融点以上に加熱されて反射率の高い溶融状態となるが、上記集光スポット５から離れるにつれ急冷されて反射率の低いアモルファス状態となり、マーク４が形成される。
【００３１】
なお、上記書き込みパワーＰＷは、上記集光スポット５を相変化材料の結晶化温度よりも高い融点まで加熱するので、上記消去パワーＰＥよりも大きいパワーである。
【００３２】
図１（ｃ）は、上記相変化光ディスクからのレーザ光の反射光の戻り光量の波形を示す。
【００３３】
上記戻り光量は、過渡的な状態を除くと、図１（ａ）のスペース３に対しては結晶の反射率を乗じた上記消去パワーＰＥのレーザ光量に、マーク４に対しては溶融状態の反射率を乗じた上記書き込みパワーＰＷのレーザ光量に、それぞれ比例している。図によると、上記戻り光量は、スペース３に対する光量よりも、マーク４に対する光量が多い。
【００３４】
上記相変化光ディスクの記録面に照射するレーザ光のパワーが書き込みパワーＰＷから消去パワーＰＥに立ち下がる時点で、上記相変化光ディスクからの反射光の戻り光量にはアンダーシュート６が見られる。
【００３５】
このアンダーシュート６は、図１（ａ）に示すように、消去パワーＰＥのレーザ光にて照射される上記集光スポット５が、直前に書き込まれた反射率の低い上記マーク４に一時的に重なるために生じる。上記アンダーシュート６は、上記立ち下がりの時点で最も大きく、上記集光スポット５と上記マーク４との重複が消滅するにつれ、速やかに消滅する。
【００３６】
上記アンダーシュート６から、上記書き込みパワーＰＷのレーザ光の照射によって形成されたマーク４の状態を知ることができる。すなわち、アモルファスが十分に形成されている場合には反射率が低く、アンダーシュート６は大きくなるが、アモルファスが十分に形成されていない場合には反射率が上と比較して高く、アンダーシュート６は上と比較すると小さい。
【００３７】
このことを利用して、上記アンダーシュート６の量に基づいてレーザ光のパワーを調節するいわゆるＡＰＣ（オートパワーコントロール）を行うことができる。
【００３８】
例えば、マーク４のアモルファス化の度合いに対応する上記アンダーシュート６の最低値ＶＢを検出し、この最低値ＶＢが一定になるようにレーザ光の書き込みパワーＰＷを制御することができる。このとき、上記記録面には一定の反射率のマーク４が形成される。
【００３９】
この方法によると、上記アンダーシュート６の変化に実時間で対応することができるので、システムマージンを大きく取ることができる。
【００４０】
また、上記アンダーシュート６がある閾値ＶＴを負側に越えた場合には、アモルファス化の度合いは十分であると判断することにより、マーク４のベリファイを行うことができる。
【００４１】
このベリファイ方法は、情報信号の記録と同時に行うことができるので、記録とは別に行われる通常のベリファイ方法に比較して、時間の短縮の面で特に実益がある。したがって、上記ベリファイ方法を利用することによりデータの転送レート等を向上させることができる。
【００４２】
図２は、既に情報信号が書き込まれている相変化光ディスクのトラックに、他の情報信号を上書きする場合の各波形を示すタイミングチャートである。
【００４３】
図２（ａ）は、上記相変化光ディスクのトラックに沿ってスペース３とマーク４によって記録されている情報信号のパターンである。図中“０”はスペース３に、“１”はマーク４にそれぞれ対応している。
【００４４】
図２（ｂ）は、上記相変化光ディスクに書き込む情報信号である。上と同様に、“０”はスペース３に、“１”はマーク４に対応している。
【００４５】
図２（ｃ）は、図２（ａ）の情報信号を記録された相変化光ディスク１のトラックの反射率を表示している。“０”にて示されるスペース３の部分は結晶であるので反射率は高いが、“１”にて示されるマーク４の部分はアモルファスであるので反射率は低い。
【００４６】
図２（ｄ）は、図２（ｂ）に示された情報信号を記録するレーザ光のレーザ光源を駆動するデータ書き込み信号である。図２（ｂ）の“０”のスペース３の部分は消去パワーＰＥに、“１”のマーク４の部分は書き込みパワーＰＷに、それぞれ対応している。
【００４７】
図２（ｅ）は、図２（ｄ）の書き込みパルスに従ってレーザ光を照射した場合に、記録がされなかったと仮定した仮想的な場合の、反射光の戻り光量を示す。この戻り光量は、図２（ｄ）のデータ書き込み信号によって制御されたレーザ光のパワーに従うが、図２（ａ）の“１”にて示されるマーク４の部分は反射率が低いので、“０”にて示されるスペース３の部分よりも戻り光が少なくなっている。
【００４８】
図２（ｆ）は、図２（ｄ）のデータ書き込み信号に従って上記相変化光ディスクにレーザ光を照射し、スペース３とマーク４にて情報信号を書き込んだ場合の戻り光量である。図２（ｄ）において、書き込みパルスが書き込みパワーＰＷから消去パワーＰＥに立ち下がった際にアンダーシュート６が見られる。
【００４９】
上述したように、上記アンダーシュート６の量、例えば最低値ＶＢを検出して利用することにより、レーザ光のパワーのＡＰＣを行うことができる。
【００５０】
また、所定の閾値ＶＴについての上記アンダーシュート６のレベル弁別によって、記録された情報信号のベリファイを行うことができる。すなわち、所定の閾値ＶＴを負側に越えた場合には、マーク４においてアモルファスは十分に形成されているとみなすことができる。
【００５１】
さらに、戻り光量が適当に設定された閾値ＶＴ２を正側に越えたか否かを弁別することにより、予め書き込まれたマーク４が消去されてスペース３が形成されたか否かのベリファイを行うこともできる。すなわち、上記戻り光量が上記閾値をＶＴ２正側に越えた場合には、上記スペース３において結晶状態が十分に形成されているとみなすことができる。
【００５２】
なお、上記アンダーシュート６の幅が異なるのは、上記相変化光ディスク１に予め書き込まれていた情報信号がスペース３であるかマーク４であるかの相違による。
【００５３】
すなわち、予めマーク４が書き込まれていた場合には、マーク４の反射率は低いので、上書きするマーク４は形成され易い。このため、このようなマーク４の領域は予めスペース３が記録されていた場合のマーク４の領域に比較して大きくなるので、上記集光スポットが時間の経過とともにトラックに沿って移動しても反射率の低い領域は比較的長く続き、対応する上記アンダーシュート６の幅は広くなることになる。
【００５４】
図２（ｇ）は、図２（ｆ）に示した戻り光量のアンダーシュート６が閾値ＶＴを負側に越えた時間を“１”、他の時間を“０”とする２値信号として表したものである。この信号の状態が“１”の場合には、マーク４の記録が確認（ベリファイ）されたことになる。
【００５５】
なお、上記ベリファイとしては、上記“１”の状態のパルスが発生していることにより、物理的な書き込みを確認する方法がある。また、上記“１”の状態のタイミングと上記データ書き込み信号とを比較照合する方法がある。
【００５６】
図３は、この発明に係る光ディスク記録装置の実施の形態の一例の概略的な構成のブロック図である。
【００５７】
上記相変化光ディスク記録装置の実施の形態の一例は、光検出部１０と、光照射部２０と、ＡＰＣ３０と、アンダーシュート検出部４０と、比較部２とから構成され、相変化光ディスク１を収納する。
【００５８】
上記光検出部１０は、ビームスプリッタ１１と、第一の受光部１２と、第２の受光部１３とからなる。
【００５９】
上記ビームスプリッタ１１は、上記光照射部２０から供給されるレーザ光の一部を反射して上記第１の受光部１２に与え、他を透過させる。上記ビームスプリッタ１１を透過したレーザ光は、上記相変化光ディスク１に照射され、その反射光は上記ビームスプリッタ１１にて反射されて上記第２の受光部１３に供給される。
【００６０】
上記第１の受光部１２は、受光した光量を電流に変換し、この電流を上記ＡＰＣ３０に与える。上記第２の受光部１３は、受光した光量を電流に変換し、この電流を上記アンダーシュート検出部４０と信号再生系とに供給する。
【００６１】
上記光照射部２０は、入力信号からデータ書き込み信号を発生するデータ書き込み信号発生部２１と、レーザ光を発生し上記光検出部１０のビームスプリッタ１１を介して上記相変化光ディスク１に照射するレーザ光源２２とから構成される。
【００６２】
上記データ書き込み信号発生部２１は、データ書き込み信号を発生し、このデータ書き込み信号を上記レーザ光源２２と、上記比較部２とに供給する。上記レーザ光源２２は、上記ＡＰＣ３０の制御の下に、上記データ書き込み信号発生部２１から供給される書き込み制御信号に従ってレーザ光を発生する。
【００６３】
上記ＡＰＣ３０は、上記光検出部１０の第１の受光部１２にて受光した光量に対応する電流を、上記アンダーシュート検出部４０からは上記アンダーシュート６の最低値ＶＢを与えられ、これらの量に基づいて、上記最低値ＶＢが所定値に保たれるように上記光照射部２０のレーザ光源２２のパワーを制御する。
【００６４】
上記アンダーシュート検出部４０は、上記反射光の戻り光量に対応する電流を上記第２の受光部１３から与えられ、これよりアンダーシュート６の最低値ＶＢを検出して上記ＡＰＣ３０に与える。また、上記アンダーシュート６が閾値ＶＴを負側に越えているか否かを判別し、その結果を上記比較部２に与える。
【００６５】
上記比較部２は、上記光照射部２０のデータ書き込み信号発生部２１からデータ書き込み信号のタイミングを、上記アンダーシュート検出部４０から上記判別の結果を与えられ、これらを用いて記録した情報信号のベリファイを行い、この結果をベリファイ結果として出力する。
【００６６】
図４には、この発明の実施の形態の一例のアンダーシュート検出部４０の構成を示す。
【００６７】
このアンダーシュート検出部４０は、Ｉ／Ｖ変換部４１と、第１のホールド部４２と、第２のホールド部４３と、第１の除算部４４と、第２の除算部４５と、閾値発生部４６と、第一のコンパレータ４７と、第２のコンパレータ４８と、平均部４９と、理想変調部５０と、比較部５１と、制御部５２と、第１のスイッチＳＷ１〜第５のスイッチＳＷ５の５個のスイッチとから構成される。
【００６８】
上記Ｉ／Ｖ変換部４１は、上記第２の光検出部１３から電流として与えられる受光した上記戻り光量を、電圧に変換して次段に与える。
【００６９】
上記第１のスイッチＳＷ１は、上記Ｉ／Ｖ変換部４１と、上記第１のホールド部４２とを結ぶ回路を開閉する。上記第２のスイッチＳＷ２は、上記Ｉ／Ｖ変換部４１と、上記第２のホールド部４３とを結ぶ回路を開閉する。上記第３のスイッチＳＷ３は、上記Ｉ／Ｖ変換部４１と、上記第１の除算部４４及び第２の除算部４５とを結ぶ回路の開閉をする。
【００７０】
これらの第１のスイッチＳＷ１〜第３のＳＷ３は、上記制御部５２から供給されるタイミング等を表す信号に基づいて開閉される。ここで、上記信号の経路は、図中に破線にて示されている。
【００７１】
上記相変化光ディスク１に書き込みパワーＰＷのレーザ光が照射されている期間には、上記スイッチＳＷ１〜ＳＷ３は全て開き、上記Ｉ／Ｖ変換部４１からの出力は後段には供給されない。
【００７２】
上記相変化光ディスク１に消去パワーのレーザ光ＰＥが照射されている期間には、第１のスイッチＳＷ１及び第３のスイッチＳＷ３は閉じられ、上記第２のスイッチＳＷ２は開かれる。そして、上記Ｉ／Ｖ変換部４１からの出力は、上記第１のホールド部４２と、上記第一の除算部４４と、上記第２の除算部４５とに供給される。
【００７３】
上記相変化光ディスク１に冷却パワーのレーザ光が照射されている期間には、上記第１のスイッチＳＷ１は開かれ、上記第２のスイッチＳＷ２及び上記第３のスイッチは閉じられる。そして、上記Ｉ／Ｖ変換部４１からの出力は、上記第２のホールド部４３と、上記第一の除算部４４と、上記第２の除算部４５とに供給される。
【００７４】
上記第１のホールド部４２は、上記Ｉ／Ｖ変換部４１から第１のスイッチＳＷ１を介して供給される、上記相変化光ディスク１に消去パワーＰＥのレーザ光が照射された場合の戻り光量に対応する電圧をホールドして、消去パワーＰＥの場合の基準値として上記第１の除算部４４に供給する。
【００７５】
上記第２のホールド部４３は、上記Ｉ／Ｖ変換部４１から第２のスイッチＳＷ２を介して供給される、上記相変化光ディスク１に冷却パワーのレーザ光が照射される場合の戻り光量に対応する電圧をホールドして、冷却パワーの場合の基準値として上記第２の除算部４５に供給する。
【００７６】
上記第１の除算部４４は、上記Ｉ／Ｖ変換部４１から供給される消去パワーＰＥの場合の上記相変化光ディスク１からの反射光の戻り光量に対応する電圧を、上記第１のホールド部４２から与えられる基準値にて除算を施し、正規化をする。
【００７７】
そして、この正規化された電圧を上記第１のコンパレータ４７と、上記第５のスイッチＳＷ５を介して上記平均部４９に与える。
【００７８】
なお、上記第１の除算部４４からの出力は、上記相変化光ディスク１に冷却パワーのレーザ光が照射される期間には、第４のスイッチＳＷ４及び第５のスイッチＳＷ５にて選択されないので、後段には関係しない。
【００７９】
上記第２の除算部４５は、上記Ｉ／Ｖ変換部４１から供給される冷却パワーの場合の上記相変化光ディスク１からの反射光の戻り光量に対応する電圧を、上記第２のホールド部４３から与えられる基準値にて除算を施し、正規化をする。そして、この正規化された電圧を上記第２のコンパレータ４８に与える。
【００８０】
なお、上記第２の除算部４５からの出力は、上記相変化光ディスク１に消去パワーのレーザ光が照射される期間には、第４のスイッチＳＷ４にて選択されないので、後段には関係しない。
【００８１】
上記閾値発生部４６は閾値を発生して、上記第一のコンパレータ４７と、上記第２のコンパレータ４８とに供給する。この閾値は、例えば上掲の図１（ｃ）における閾値ＶＴに対応している。
【００８２】
上記第１のコンパレータ４７は、上記第１の除算部４４から正規化された消去パワーＰＥの場合の戻り光量に対応する電圧を受け取り、この電圧を上記閾値発生部４６から供給される閾値の電圧と比較して、その結果を出力する。
【００８３】
なお、上記第１のコンパレータ４７からの出力は、上記相変化光ディスク１に冷却パワーのレーザ光が照射される場合には、上記第４のスイッチＳＷ４にて選択されないので後段には関係しない。
【００８４】
上記第２のコンパレータ４８は、上記第２の除算部４５から、正規化された冷却パワーＰＥの場合の戻り光量に対応する電圧を受け取り、この電圧を上記閾値発生部４６から供給される閾値の電圧と比較して、その結果を出力する。
【００８５】
なお、上記第２のコンパレータ４８からの出力は、上記相変化光ディスク１に消去パワーＰＥのレーザ光が照射される期間には、上記第４のスイッチＳＷ４にて選択されないので、後段には関係しない。
【００８６】
上記第４のスイッチＳＷ４は、上記制御部５２から供給される信号のタイミングにしたがって切り換えられる。すなわち、上記相変化光ディスクに消去パワーＰＥのレーザ光が照射される場合には、上記第１のコンパレータ４７からの出力を選択し、上記レーザ光が冷却パワーの期間には、上記第２のコンパレータ４８からの出力を選択し、それぞれ選択した出力を上記比較部２に出力する。なお、上記レーザ光が書き込みパワーＰＷの場合には、いずれも選択しない。
【００８７】
上記第５のスイッチＳＷ５も、上記制御部５２から供給される信号にしたがって切り換えられる。すなわち、上記相変化光ディスク１の消去パワーＰＥのレーザ光が照射される場合には閉じて、上記第１の除算部４４からもたらされる、上記戻り光量に対応する正規化された電圧を上記平均部４９に与える。上記レーザ光が冷却パワーの場合と、書き込みパワーＰＷの期間には、上記第５のスイッチは開いて、上記第１の除算部４４からの出力を次段に渡さない。
【００８８】
上記平均部４９は、上記相変化光ディスク１に照射されるレーザ光が消去パワーの場合に、上記第１の除算部４４から与えられる戻り光量に対応する正規化された電圧を平均し、この結果を上記比較部５１に与える。
【００８９】
上記理想変調部５０は、理想的な変調信号を発生し、発生した信号を次段の比較部５１に与える。上記比較部５１は、上記平均部４９と、上記理想変調部５０とから与えられる信号を比較して、この比較の結果を上記制御部５２に与える。
【００９０】
上記制御部５２は、上記比較部５１から供給される信号を基礎とし上記相変化光ディスク１に照射されるレーザ光のパワーのタイミング等を表す信号を上記第１のスイッチＳＷ１〜第５のスイッチＳＷ５に供給する。各スイッチＳＷ１〜ＳＷ５は、この上記信号に基づいて開閉の動作をする。
【００９１】
また、上記制御部５２は、上記比較部５１から与えられる信号を基礎として、上記アンダーシュート６の最低値ＶＢに関する信号をＡＰＣ３０に供給する。
【００９２】
続いて、上記相変化光ディスク１に情報信号を記録するレーザ光のレーザ光源を駆動するデータ書き込み信号について詳細に説明する。
【００９３】
まず、図５に基づいて、上記相変化光ディスク１への情報信号の記録に用いられる各信号の原理について説明する。ここで、図５（ａ）にはＮＲＺＩパルス、図５（ｂ）には書き込みパルス、図５（ｃ）にはバイアスパルス、図５（ｄ）には上書きパルスの各信号の波形が表示されている。
【００９４】
図５（ａ）のＮＲＺＩ（Non Return to Zero Inverted）パルスは、ディジタル信号の値が“０”の場合には“０”または“１”の状態は変えず、上記ディジタル信号の値が“１”の場合には上記状態を相互に変える、ディジタル信号の変調パルスである。
【００９５】
図中で“０”の状態はスペース３に、“１”の状態はマーク４に、それぞれ対応している。また、ここでの単位周期はＴＷとなっている。
【００９６】
ここでは、ディジタルオーディオに用いられるＥＦＭ（Eight to Fourteen Modulation）変調が既に施されているので、上記ＮＲＺＩパルスにおいては、“０”または“１”の連続する状態は３ＴＷ〜１１ＴＷの範囲にある。
【００９７】
図５（ｂ）に示される書き込みパルスの波形は、図５（ａ）のＮＲＺＩパルスにしたがって、このＮＲＺＩパルスの“１”状態を上掲の図１（ａ）に示したように、上記相変化光ディスク１の記録面にマーク４として書き込む際に用いられる。
【００９８】
図のように、複数単位周期に亘って連続する“１”状態に対応するマーク４を書き込む際には、周期ＴＷ、幅ＴＰの複数個のパルスからなる多重パルスが用いられる。
【００９９】
例えば、長さ１１ＴＷの連続したマークを書き込む場合には、幅ＴＰのパルスを周期ＴＷにて１０個用いる。また、長さ３ＴＷの連続したマークを書き込む場合には、同様にして幅ＴＰのパルスを２個用いる。
【０１００】
図５（ｃ）のバイアスパルスは、レーザ光を消去パワーにて照射して、溶融アモルファス状態であるマーク４を消去して結晶状態のスペース３に書き換える際に用いられる。
【０１０１】
上記バイアスパルスは、上記レーザ光源２２の消去パワーＰＥに対応し、上記相変化光ディスク１にスペース３を記録する際に用いられる。図のように、上記バイアスパルスは図５（ａ）のＮＲＺＩパルスが“０”状態に変化すると立ち上がり、上記書き込みパルスが“１”状態に立ち上がると立ち下がる。
【０１０２】
図５（ｄ）の上書きパルスは、図５（ｂ）の書き込みパルスと図５（ｃ）のバイアスパルスとを組み合わせたもので、図２（ａ）及び（ｂ）のように、スペース３とマーク４にて情報信号が記録面に既に書き込まれている相変化光ディスク１に、情報信号を上書きする際に用いられる。
【０１０３】
すなわち、上記上書きパルスは、上記レーザ光源２２の書き込みパワーＰＷと、消去パワーＰＥと、冷却パワーＰＣに対応する３つのレベルを有する。そして、上記書き込みパワーＰＷは図５（ｂ）の書き込みパルスのパルスに対応し、上記バイアスパワーＰＢは図５（ｃ）のバイアスパルスのパワーに対応している。
【０１０４】
上記冷却パワーＰＣは、図５（ｂ）の書き込みパルスと、図５（ｃ）のバイアスパルスとにおいて、両方とも“１”でない状態に対応している。上記冷却パワーＰＣは、上記記録面を情報信号が記録される温度には加熱しない。
【０１０５】
次に、図６に基づいて実際の書き込みパルスの波形について説明する。ここで、図６（ａ）の波形は上述したＮＲＺＩパルス、図６（ｂ）の波形は書き込みパルスである。
【０１０６】
上述したように、上記ＮＲＺＩパルスはＥＦＭ変調がなされているので、単位周期をＴＷとして、連続する“０”または“１”状態は、３ＴＷ〜１１ＴＷの範囲にある。そして、相変化光ディスク１の記録面においては、“０”状態はスペース３に、“１”状態はマーク４に対応している。
【０１０７】
図６（ｂ）には、上記ＮＲＺＩパルスに対応して上記相変化光ディスク１に書き込みを行う、実際の書き込みパルスの波形が示されている。
【０１０８】
上掲の図５（ｂ）における周期ＴＷ、幅ＴＰの多重パルスとは異なり、ここでの書き込みパルスは、幅３ＴＷ／２−ＴＦＭの初回のパルスと、これに続く周期ＴＷ、幅ＴＷ／２の多重パルスから構成される。
【０１０９】
例えば、図６（ａ）の幅１１ＴＷのパルスに対しては、このパルスの立ち上がりにＴＦＭ遅れて、幅３ＴＷ／２−ＴＦＭの図中ＦＰ（First Pulse）にて示される、初回のパルスが発せられる。そして、上記ＮＲＺＩパルスの立ち上がりから時間２ＴＷから時間１０ＴＷまでの各単位時間ＴＷの前半の時間ＴＷ／２が“１”となる、幅ＴＷ／２の８個のパルスが連なる図中のＭＰＣ（Multi-Pulse Chain）にて表される多重パルスが発せられる。
【０１１０】
上記書き込みパルスは、図６（ａ）の幅５ＴＷのパルスに対しては、上と同様に、このパルスの立ち上がりからＴＦＭ遅れて幅３ＴＷ／２−ＴＦＭの初回のパルスＦＰを発し、これに続いて、上記幅５ＴＷの立ち上がりから経過時間が２ＴＷから４ＴＷまでの範囲の、各単位時間ＴＷの前半ＴＷ／２がパルスとなる、２個の幅ＴＷ／２のパルスが連なる多重パルスが発せられる。
【０１１１】
上記書き込みパルスは、図６（ａ）の幅３ＴＷのパルスに対しては、上と同様に、このパルスの立ち上がりからＴＦＭ遅れて幅３ＴＷ／２−ＴＦＭの初回のパルスＦＰを発する。この場合には、上記多重パルスは発せられない。
【０１１２】
続いて、図７によって実際の上書きパルスについて説明する。上記上書きパワーは、レーザ光のレーザ光源を駆動するデータ書き込み信号に直接に対応する。
【０１１３】
図中において、レーザ光のパワーのレベルを、高いパワーから低いパワーまで順に挙げると、ピークパワーＰＰ（Peak Power）、第一のバイアスパワーＢＰ1（Bias Power）、第２のバイアスパワーＢＰ２（Bias Power）、冷却パワーＣＰ（Cooling Power）、読み出しパワーＲＰ（Read Power）となる。
【０１１４】
また、図中ＴＦＰは上記初回のパルスの幅、ＴＭＰは上記多重パルス（Multi Pulse）のパルスの一つの幅、ＴＣＰは冷却パルス（Cooling Pulse）の幅である。
【０１１５】
相変化光ディスク１の記録面にレーザ光を集光して照射してスペース３とマーク４とのパターンによる情報信号を読み出すには、上記読み出しパワーＰＰが用いられる。
【０１１６】
また、上記記録面へのマーク４の書き込みには上記ピークパワーＰＰ、スペース３の形成には第１のバイアスパワーＢＰ１が用いられる。ただし、上記初回のパルスＦＰと多重パルスＭＰＣとの間、また、多重パルスＭＰＣの各パルス間では第２のバイアスパワーＢＰ２が用いられ、上記多重パルスＭＰＣの終了後の所定時間後には幅ＴＣＰの冷却パルスＣＰが発せられる。
【０１１７】
図８には、相変化光ディスク１の記録面に記録される各セクタの構成と、サンプル／ホールドのタイミングが示されている。
【０１１８】
図８（ａ）に示されているように、相変化光ディスク１のトラックに記録される情報信号は、セクタから構成される。図中の第ｎセクタは、第ｎＡＰＣ引き込みエリアＡｎと第ｎデータ書き込みエリアＤｎとから構成される。そして、上記第ｎＡＰＣ引き込みエリアＡｎは、第ｎ冷却パワー引き込みエリアＣｎと、第ｎ消去パワー引き込みエリアＥｎと、第ｎ書き込みパワー引き込みエリアＷｎとからなる。
【０１１９】
図８（ｂ）は、上記冷却パワー引き込みエリアＣｎに関するサンプル／ホールド信号である。図中の“１”がサンプルで“０”がホールドであり（以下も同様である。）、上記冷却パワー引き込みエリアＣｎに情報信号を記録するタイミングにてサンプルを取り出している。
【０１２０】
図８（ｃ）は、上記消去パワー引き込みエリアＥｎに関するサンプル／ホールド信号である。上記消去パワー引き込みエリアＥｎに情報信号を記録するタイミングにてサンプルを取り出している。
【０１２１】
図８（ｄ）は、上記データ書き込みエリアＤｎに関するサンプル／ホールド信号である。上記データ書き込みエリアＤｎにおいては、所定間隔にてサンプルを取り出している。
【０１２２】
図９は、相変化光ディスクに上述のデータ書き込み信号に応じたレーザ光にて情報信号を記録した際の上記相変化光ディスク１からのからの反射光の戻り光量の測定結果を示している。ここで、横軸は時間で目盛り当たり５００ｎｓ、縦軸は電圧で目盛り当たり５００ｍＶである。
【０１２３】
図中の戻り光量の波形には、各パルスの立ち下がり時にアンダーシュート６が見られる。
【０１２４】
以上説明したように、本発明の実施の形態となるレーザ光のパワー制御方法を用いると、光ディスクへ情報信号を記録しながら、レーザ光のパワーの最適化を行うことができる。したがって、多様な特性の光ディスクに対応することができ、また、システムマージンを大きく取ることができる。
【０１２５】
この発明の実施の形態となる光ディスクのベリファイ方法は、光ディスクへ情報信号を記録しながら、記録した情報信号のベリファイを行うことができる。したがって、ベリファイの工程を別個に設ける必要がなくなるので、データの転送レート等を向上させることができる。
【０１２６】
この発明の実施の形態となる光ディスク記録装置は、光ディスクへの情報信号を記録しながら、レーザ光のパワーの最適化を行い、同時に、記録した情報信号のベリファイを行う。したがって、上記光ディスク記録装置は、データ処理が高速である。
【０１２７】
なお、本発明は上述した実施の形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】光ディスクへ照射するレーザ光のパワーと反射光との関係を表すタイミングチャートである。
【図２】情報信号が記録されたトラックに他の情報信号を上書きする際の各信号の波形を示すタイミングチャートである。
【図３】光ディスク記録装置の実施の形態の一例の概略的な構成を示すブロック図である。
【図４】上記実施の形態の一例のアンダーシュート検出部の概略的な構成を示すブロック図である。
【図５】情報信号と各信号との関係を示すタイミングチャートである。
【図６】情報信号と上書きパルスとの関係を示すタイミングチャートである。
【図７】データ書き込み信号を示すタイミングチャートである。
【図８】各セクタの記録エリアとサンプル／ホールド信号とを示すタイミングチャートである。
【図９】光ディスクに照射されたレーザ光の反射光の測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１２９】
１ 相変化光ディスク、５ 集光スポット、６ アンダーシュート、１０ 光検出部、２０ 光照射部、３０ ＡＰＣ、４０ アンダーシュート検出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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