(57)【要約】【課題】  高周波電気信号に反射等を起こして伝送特性が大きく劣化する。【解決手段】  ４０ＧＨｚ乃至８０ＧＨｚの電気信号を送受信する半導体素子１０が搭載される搭載部１ａを有する基体１と、該基体１の搭載部１ａに形成されている第１パッド２、第２パッド３およびグランド用パッド４と、該第１パッド２より基体１下面にかけて導出されている複数個の第１配線導体５ａと、前記第２パッド３より基体１上面もしくは側面にかけて導出されている第２配線導体７と、前記グランド用パッド４より基体１下面にかけて導出されているグランド配線導体５ｂと、前記第２配線導体７に電気的に接続されているコネクター８とで形成されており、前記第１パッド２および第２パッド３の平面積が０．０１８ｍｍ２以下であり、かつ前記搭載部１ａの中央部領域に形成されている。【選択図】  図１
2005129681.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４０ＧＨｚ乃至８０ＧＨｚの電気信号を送受信する半導体素子が搭載される搭載部を有する基体と、該基体の搭載部に形成されている第１パッド、第２パッドおよびグランド用パッドと、該第１パッドより基体下面にかけて導出されている複数個の第１配線導体と、前記第２パッドより基体上面もしくは側面にかけて導出されている第２配線導体と、前記グランド用パッドより基体下面にかけて導出されているグランド配線導体と、前記第２配線導体に電気的に接続されているコネクターとで形成されており、前記第１パッドおよび第２パッドの平面積が０．０１８ｍｍ２以下であり、かつ前記搭載部の中央部領域に形成されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
前記グランド用パッドは、平面積が０．０４９ｍｍ２以上であるとともに前記搭載部の外周部領域に形成されており、前記第１パッドおよび第２パッドは、前記搭載部に設けた厚さ０．０５ｍｍ乃至０．１ｍｍの凸部頂面に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体素子収納用パッケージと、４０ＧＨｚ乃至８０ＧＨｚの電気信号を送受信する半導体素子とから成り、前記半導体素子収納用パッケージの搭載部に半導体素子を搭載固定するとともに該半導体素子の各電極を第１配線導体および第２配線導体に電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波の電気信号を送受信する半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージ、およびその半導体素子収納用パッケージを用いて成る半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光通信や無線通信等の機器には多数の半導体装置が使用されており、かかる半導体装置は一般に、高周波の電気信号を送受信する半導体素子を半導体素子収納用パッケージ内に気密に収容することによって形成されている。
【０００３】
前記半導体素子収納用パッケージは、通常、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミックス等の電気絶縁材料から成り、上面に半導体素子の搭載部が形成された基体と、該基体の搭載部に形成されている第１パッド、第２パッドおよびグランド用パッドと、該第１パッドおよびグランド用パッドより基体に設けた貫通孔を介し下面にかけて導出されている複数個の第１配線導体およびグランド配線導体と、前記第２パッドより基体に設けた貫通孔を介し上面もしくは側面にかけて導出されている第２配線導体と、前記第２配線導体に電気的に接続されているコネクターとにより構成されている。
【０００４】
なお、前記第１パッド、第２パッド、グランド用パッド、第１配線導体、第２配線導体およびグランド配線導体は、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀等の金属材料で形成されている。
【０００５】
そして、かかる半導体素子収納用パッケージには、その搭載部に電気信号を送受信する半導体素子が搭載され、第１パッド、第２パッドおよびグランド用パッドに半導体素子の下面に形成されている電極を接続部材を介して電気的に接続するとともに必要に応じて蓋体等で半導体素子を封止することによって半導体装置となる。
【０００６】
また前記半導体装置は基体の下面に導出されているグランド配線導体および第１配線導体を外部電気回路基板の回路導体に半田等を介し接続させることによって内部に収容する半導体素子が外部電気回路に接続され、同時にコネクターに同軸ケーブル等を介し外部の通信装置等の外部機器を接続させることによって半導体素子と外部機器とが接続するようになっている。
【０００７】
なお、前記半導体装置に使用されている半導体素子は複数の電気信号を合成して一つの電気信号に変換する、或いは一つの電気信号を分離して複数の電気信号に変換する機能を有しており、外部電気回路から第１配線導体を介して入力される複数の周波数帯域が低い電気信号は半導体素子で合成されて一つの周波数帯域が高い電気信号となり、この周波数帯域の高い電気信号は第２配線導体を介してコネクターに伝送されるとともにコネクターより外部の通信装置等の外部機器に伝送され、またコネクターを介して外部機器より伝送された周波数帯域の高い電気信号は半導体素子で複数の周波数帯域が低い電気信号に変換され、各々の周波数帯域の低い電気信号は第１配線導体を介して外部電気回路に伝送されることとなる。
【０００８】
また前記酸化アルミニウム質焼結体等から成る基体はその線膨張係数が約７．５×１０−６／℃であるのに対し、半導体素子は一般にシリコンで形成されており、その線膨張係数は約４×１０−６／℃程度であり、相違することから半導体素子の電極を第１パッドおよび第２パッドに半田等から成る接続部材を介して接続した後、基体と半導体素子に熱が作用すると基体と半導体素子の熱膨張量の相違に起因して大きな応力が発生しこの応力によって第１パッドおよび第２パッドが基体より剥離したり、半田等からなる接続部材に破断が発生して半導体素子と第１パッドおよび第２パッドとの間の接続が破られてしまう。そのためこの従来の半導体素子収納用パッケージ等は第１パッドおよび第２パッドを直径が０．２５ｍｍ以上の円形形状（平面積が０．０４９ｍｍ２以上の円形形状）とし基体と第１パッドおよび第２パッドとの接合強度を強くするとともに半導体素子の電極と第１パッドおよび第２パッドとを接続する半田等からなる接続部材の量を多くし破断が発生しないようにしている。
【特許文献１】特開２００２−１６４４６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、この従来の半導体素子収納用パッケージおよびこれを用いて成る半導体装置においては、基体の半導体素子が搭載される搭載部に形成されている円形形状の第１パッドおよび第２パッドの直径が０．２５ｍｍ以上（平面積で０．０４９ｍｍ２以上）であるのに対し、該第１パッドおよび第２パッドに接続される第１配線導体および第２配線導体のうち基体に設けた貫通孔領域での断面積が通常約０．０１ｍｍ２（直径が約０．１〜０．１１ｍｍの円形形状）であり相違（第１パッドおよび第２パッドの平面積が第１配線導体および第２配線導体の断面積より約５倍大きい）することから、基体に設けた貫通孔領域での第１配線導体および第２配線導体のインピーダンスに比し、第１パッドおよび第２パッドのインピーダンスが非常に小さいものとなっている。そのため、第１パッドおよび第２パッドに半導体素子の電極を接続し、この第１パッドおよび第２パッドを介して半導体素子と第１配線導体および第２配線導体との間に５ＧＨｚ以上の高周波の電気信号を出し入れ（第１パッドと第１配線導体には５〜１０ＧＨｚ、第２パッドと第２配線導体には４０〜８０ＧＨｚの電気信号が伝送される）した場合、インピーダンスが低い第１パッドおよび第２パッドで反射等を起こし、ノイズを発生して伝送特性が大きく劣化してしまうという欠点を有していた。
【００１０】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は半導体素子の電極が接続される第１パッドおよび第２パッドでの高周波の電気信号の反射等を有効に防止し、高周波の電気信号の伝送特性を大きく改善した半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、４０ＧＨｚ乃至８０ＧＨｚの電気信号を送受信する半導体素子が搭載される搭載部を有する基体と、該基体の搭載部に形成されている第１パッド、第２パッドおよびグランド用パッドと、該第１パッドより基体下面にかけて導出されている複数個の第１配線導体と、前記第２パッドより基体上面もしくは側面にかけて導出されている第２配線導体と、前記グランド用パッドより基体下面にかけて導出されているグランド配線導体と、前記第２配線導体に電気的に接続されているコネクターとで形成されており、前記第１パッドおよび第２パッドの平面積が０．０１８ｍｍ２以下であり、かつ前記搭載部の中央部領域に形成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の半導体素子収納用パッケージは、前記グランド用パッドは、平面積が０．０４９ｍｍ２以上であるとともに前記搭載部の外周部領域に形成されており、前記第１パッドおよび第２パッドは、前記搭載部に設けた厚さ０．０５ｍｍ乃至０．１ｍｍの凸部頂面に形成されていることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の半導体装置は、上記構成の半導体素子収納用パッケージと、４０ＧＨｚ乃至８０ＧＨｚの電気信号を送受信する半導体素子とから成り、前記半導体素子収納用パッケージの搭載部に半導体素子を搭載固定するとともに該半導体素子の各電極を第１配線導体および第２配線導体に電気的に接続したことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置によれば、基体の半導体素子が搭載される搭載部に形成され、半導体素子の電極が接続されるとともに高い周波数の電気信号が通る第１パッドおよび第２パッドの平面積を０．０１８ｍｍ２以下とし、基体の貫通孔に形成され、前記第１パッドおよび第２パッドに接続されている第１配線導体および第２配線導体の断面積（約０．０１ｍｍ２：直径約０．１ｍｍ〜０．１１ｍｍ）に近づけたことから高い周波数において第１パッドおよび第２パッドのインピーダンスと第１配線導体および第２配線導体のインピーダンスとを近似させることができ、その結果、第１パッドおよび第２パッドに半導体素子の電極を接続し、この第１パッドおよび第２パッドを介して半導体素子と第１配線導体および第２配線導体との間に５ＧＨｚ以上の高周波の電気信号を出し入れ（第１パッドと第１配線導体には５〜１０ＧＨｚ、第２パッドと第２配線導体には４０〜８０ＧＨｚの電気信号が伝送される）した場合、第１パッドおよび第２パッドで大きな反射等を起こすことはなく、伝送特性を優れたものとなすことができる。
【００１５】
また、本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置によれば、前記第１パッドおよび第２パッドを搭載部の中央部領域に形成したことから、第１パッドおよび第２パッドに半導体素子の電極を半田等の接続部材を介して接続した後、基体や半導体素子に熱が作用し、基体と半導体素子との間に異なる大きさの熱膨張を発生したとしても、第１パッドおよび第２パッドは基体と半導体素子との間に発生する熱膨張差が小さい基体の搭載部の中央部領域に形成されているため、前記熱膨張差に起因する応力によって第１パッドや第２パッドが基体より剥離したり接続部材に破断を生じることはほとんどなく、これによって半導体素子と半導体素子収納用パッケージとの接続の信頼性を極めて高いものとなすことができる。
【００１６】
また本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置において、前記グランド用パッドの平面積を０．０４９ｍｍ２以上とするともに前記搭載部の外周部領域に形成し、前記第１パッドおよび第２パッドを、前記搭載部に設けた厚さ０．０５ｍｍ乃至０．１ｍｍの凸部頂面に形成するようにしておくと、上述の熱膨張差に起因する応力が大きく作用する搭載部の外周部領域において半導体素子の接続を効果的に補強することができるとともに、例えば、第１パッドおよび第２パッドの平面積（０．０１８ｍｍ２以下）と、グランド用パッドの平面積（０．０４９ｍｍ２以上）との違いに起因して接続部材の量に差が生じ、この量の差に応じて接続部材の高さに差が生じたとしても、その高さの差を凸部の高さにより補うことができ、第１パッドおよび第２パッドに接続した接続部材の下端部と、グランド用パッドに接続した接続部材の下端部とを、ほぼ同じ高さに確実に揃えることができる。その結果、半導体素子の電極と半導体素子収納用パッケージの第１パッド、第２パッドおよびグランド用パッドとの接続の信頼性をより一層高いものとなすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
【００１８】
図１は本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置の一実施例を示し、半導体素子収納用パッケージ９内に半導体素子１０を収容することにより半導体装置が構成されている。
【００１９】
前記半導体素子収納用パッケージ９は、基体１、第１パッド２、第２パッド３、グランド用パッド４、第１配線導体５ａ、グランド配線導体５ｂ、入出力用パッド６ａ、グランド配線パッド６ｂ、第２配線導体７およびコネクター８により基本的に形成されている。
【００２０】
前記基体１は酸化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミックス、窒化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒、可塑剤、分散剤を添加混合して泥漿物を作り、この泥漿物を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート形成法を採用しシート状に形成してセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる後、それらセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを必要に応じて複数枚積層し、約１６００℃の高温で焼成することによって製作される。
【００２１】
また前記基体１はその上面に半導体素子１０が搭載収容される搭載部１ａを有しており、該搭載部１ａには半導体素子１０の電極１１が接続部材１２を介して電気的に接続される第１パッド２、第２パッド３およびグランド用パッド４が形成されている。
【００２２】
前記第１パッド２、第２パッド３およびグランド用パッド４はタングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀等の金属材料から成り、例えば、タングステンから成る場合であれば、タングステン粉末に有機溶剤を添加して成る金属ペーストを基体１となるセラミックグリーンシートの表面に所定パターンに印刷しておくことによって基体１の搭載部１ａに形成される。
【００２３】
更に前記基体１には搭載部１ａに形成した第１パッド２から基体１に設けた貫通孔を介し基体１下面に導出する第１配線導体５ａおよびグランド配線導体５ｂが形成されており、該各配線導体５ａ、５ｂは半導体素子１０の電極１１が接続される第１パッド２を後述する基体１下面に被着形成されている入出力用パッド６ａやグランド配線パッド６ｂに接続するための導電路として作用する。
【００２４】
前記基体１にはまたその下面に入出力用パッド６ａやグランド用パッド６ｂが被着形成されており、該入出力用パッド６ａおよびグランド用パッド６ｂは、半導体素子１０の各電極１１を外部電気回路基板の回路導体の所定の信号用や接地用等の回路導体に接続する作用をなす。  
なお、前記第１配線導体５ａおよびグランド配線導体５ｂ、入出力用パッド６ａおよびグランド配線パッド６ｂは、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀等の金属材料から成り、例えばタングステンから成る場合であれば、タングステン粉末に有機溶剤を添加して成る金属ペーストを基体１となるセラミックグリーンシートの表面等に所定パターンに印刷しておくことにより形成される。
【００２５】
更に、前記基体１には搭載部１ａに形成した第２パッド３から基体１に設けた貫通孔を介し基体１の上面もしくは側面に導出する第２配線導体７が形成されており、該第２配線導体７は半導体素子１０の電極１１をコネクター８の線材８ａに接続するための導電路として作用する。
【００２６】
前記第２配線導体７は、上述の第１配線導体５ａ等と同様に、タングステン、モリブデン等の金属材料から成り、例えばタングステンから成る場合であれば、タングステン粉末に有機溶剤等を添加して成る金属ペーストを基体１となるセラミックグリーンシートの表面等にスクリーン印刷法により所定パターンに印刷しておくことによって形成される。
【００２７】
この第２配線導体７の基体１外表面側の一端はコネクター８の線材８ａと電気的に接続しており、このコネクター８を同軸ケーブル等を介して通信装置等の外部機器に接続することにより半導体素子１０と外部機器との間で高周波信号の送受信が行われる。
【００２８】
前記コネクター８は、半導体素子収納用パッケージ９の第２配線導体７を同軸ケーブル等を介して外部機器に接続するための接続体として作用し、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属の線材８ａの周囲を、ホウ珪酸系ガラス等の絶縁性の外囲体８ｂで取り囲んだ構造である。
【００２９】
前記線材８ａと外囲体８ｂとから成るコネクター８は、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金から成る線材８ａを、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る円筒状の容器の中央にセットし、容器内にホウ珪酸ガラス等のガラス粉末を充填した後、ガラス粉末を加熱溶融させて線材８ａの周囲に被着させることによって製作される。
【００３０】
かくして上述の半導体素子収納用パッケージ９によれば、基体１の搭載部１ａに半導体素子１０を搭載するとともに、半導体素子１０の下面に形成されている電極１１を第１パッド２、第２パッド３およびグランド用パッド４に接続部材１２を介して接続し、最後に蓋体１３を基体１の上面に封止材を介して接合させ、半導体素子１０を気密に封止することによって半導体装置１４となる。
【００３１】
この半導体装置１４は基体１下面の入出力用パッド６ａおよびグランド配線パッド６ｂが外部電気回路基板１５の所定の信号用や接地用等の回路導体１６に半田１７等を介して接続され、これによって半導体素子１０の電極１１は外部電気回路基板１５と電気的に接続される。
【００３２】
なお、入出力用パッド６ａおよびグランド用パッド６ｂの、外部電気回路基板１５の所定の信号用や接地用等の回路導体１６への半田等を介しての接続は、あらかじめ半田等を入出力用パッド６ａおよびグランド用パッド６ｂに接合しておくとともに、この半田を再溶融させることによって入出力用パッド６ａ等は外部電気回路基板１５の所定の回路導体１６に接続されることとなる。
【００３３】
また、この半導体装置１４に取着されているコネクター８の線材８ａに同軸ケーブル等の外部接続用の導線を接続することにより、半導体素子１０の電極１１が通信装置等の外部機器に接続される。
【００３４】
そしてかかる半導体装置１４は、外部電気回路基板１５から供給される５〜１０ＧＨｚの複数の電気信号を入出力用パッド６ａ、第１配線導体５ａおよび第１パッド２を介して半導体素子１０に入力させ、半導体素子１０でこれら入力された電気信号を合成して、４０〜８０ＧＨｚの電気信号とするとともにこれを第２パッド３および第２配線導体７を介してコネクター８に出力し、該コネクター８の線８ａを介して外部の通信装置等の外部機器に伝送する、或いは、外部の通信装置等の外部機器から伝送された４０〜８０ＧＨｚの一つの電気信号をコネクター８の線材８ａ、第２配線導体７および第２パッド３を介して半導体素子１０に入力し、半導体素子１０で入力された４０〜８０ＧＨｚの電気信号を５〜１０ＧＨｚの複数の電気信号に変換するとともにこれらの個々の電気信号を第１パッド２、第１配線導体５ａおよび入出力用パッド６ａを介して外部電気回路基板１４に供給することとなる。
【００３５】
本発明の半導体素子収納用パッケージ９および半導体装置１４においては、半導体素子１０の電極１１が接続部材１２を介して接続されるとともに周波数の高い信号が通る第１パッド２および第２パッド３の平面積を０．０１８ｍｍ２以下としておくことが重要である。
【００３６】
前記第１パッド２および第２パッド３の平面積を０．０１８ｍｍ２以下としておくと、第１パッド２および第２パッド３の平面積が、基体１の貫通孔に形成され前記第１パッド２および第２パッド３に接続されている第１配線導体５ａおよび第２配線導体７の断面積（約０．０１ｍｍ２：直径約０．１ｍｍ〜０．１１ｍｍ）に近づき、高い周波数において第１パッド２および第２パッド３のインピーダンスと第１配線導体５ａおよび第２配線導体７のインピーダンスとが近似し、その結果、第１パッド２および第２パッド３に半導体素子１０の電極１１を接続し、この第１パッド２および第２パッド３を介して半導体素子１０と第１配線導体５ａおよび第２配線導体７との間に５ＧＨｚ以上の高周波の電気信号を出し入れ（第１パッド２と第１配線導体５ａには５〜１０ＧＨｚ、第２パッド３と第２配線導体７には４０〜８０ＧＨｚの電気信号が伝送される）した場合、第１パッド２および第２パッド３で大きな反射等を起こすことはなく、伝送特性を優れたものとなすことができる。
【００３７】
なお、前記第１パッド２および第２パッド３はその平面積が０．０１８ｍｍ２を超えると半導体素子９の電極１０を第１パッド２および第２パッド３に接続した後、第１パッド２および第２パッド３を介して半導体素子９と第１配線導体４ａおよび第２配線導体６間に高周波の電気信号を伝送させた場合、第１パッド２および第２パッド３で電気信号に反射が発生し、伝送特性が大きく劣化してしまう。従って、前記第１パッド２および第２パッド３はその平面積が０．０１８ｍｍ２以下のものに特定される。
【００３８】
また前記第１パッド２および第２パッド３の平面積を０．０１８ｍｍ２以下にする方法としては、金属ペーストを基体１となるグリーンシートに印刷しておくことによって第１パッド２および第２パッド３を形成する際、スクリーン印刷におけるスクリーンマスクの開口を０．０１８ｍｍ２以下としておくことによって行われる。
【００３９】
また、本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置においては、図２に示すように、第１パッド２および第２パッド３を搭載部１ａの中央部領域に形成しておくことが重要である。
【００４０】
前記第１パッド２および第２パッド３を搭載部１ａの中央部領域に形成しておくと、第１パッド２および第２パッド３に半導体素子１０の電極１１を半田等の接続部材１２を介して接続した後、基体１や半導体素子１０に熱が作用し、基体１と半導体素子１０との間に異なる大きさの熱膨張を発生したとしても、第１パッド２および第２パッド３は基体１と半導体素子１０との間に発生する熱膨張差が小さい基体１の搭載部１ａの中央部領域に形成されているため、前記熱膨張差に起因する応力によって第１パッド２や第２パッド３が基体１より剥離したり接続部材１２に破断を生じることはほとんどなく、これによって半導体素子１０と半導体素子収納用パッケージ９との接続の信頼性を極めて高いものとなすことができる。
【００４１】
また本発明の半導体素子収納用パッケージ９および半導体装置１４において、前記グランド用パッド４の平面積を０．０４９ｍｍ２以上とするともに前記搭載部１ａの外周部領域に形成し、前記第１パッド２および第２パッド３を、前記搭載部１ａに設けた厚さ０．０５ｍｍ乃至０．１ｍｍの凸部１ｂ頂面に形成するようにしておくと、基体１と半導体素子１０との熱膨張差に起因する応力が大きく作用する搭載部１ａの外周部領域において半導体素子１０の接続を効果的に補強することができるとともに、例えば、第１パッド２および第２パッド３の平面積（０．０１８ｍｍ２以下）と、グランド用パッド４の平面積（０．０４９ｍｍ２以上）との違いに起因して接続部材１２の量に差が生じ、この量の差に応じて接続部材１２の高さに差が生じたとしても、その高さの差を凸部１ｂの高さにより補うことができ、第１パッド２および第２パッド３に接続した接続部材１２の下端部と、グランド用パッド４に接続した接続部材１２の下端部とを、ほぼ同じ高さに確実に揃えることができる。その結果、半導体素子１０の電極１１と半導体素子収納用パッケージ９の第１パッド２、第２パッド３およびグランド用パッド４との接続の信頼性をより一層高いものとなすことができる。
【００４２】
従って、本発明の半導体素子収納用パッケージ９および半導体装置１４においては、前記グランド用パッド４の平面積を０．０４９ｍｍ２以上とするともに前記搭載部１ａの外周部領域に形成し、前記第１パッド２および第２パッド３を、前記搭載部１ａに設けた厚さ０．０５ｍｍ乃至０．１ｍｍの凸部１ｂ頂面に形成するようにしておくことが好ましい。
【００４３】
この場合、凸部１ｂは、その高さが０．０５ｍｍ未満では、第１パッド２および第２パッド３とグランド用パッド４との平面積の差に起因する、接続部材１２の高さを効果的に補うことが困難となり、接続部材１２の高さが低くなりやすい第１パッド２や第２パッド３において、部分的に半導体素子１０の電極１１との接続不良が発生したり、接続部材１２の量が多いグランド用パッド４において、接続部材１２を形成する半田等が横方向にはみ出して隣接する接続部材１２間で電気的短絡を生じたりする危険性がある。また、高さが０．１ｍｍを超えると、第１パッド２や第２パッド３と半導体素子１０の電極１１との間の距離が短くなりすぎ、第１パッド２や第２パッド３に接続された接続部材１２を形成する半田等が横方向にはみ出して隣接する接続部材１２間で電気的短絡を生じる危険性がある。従って、凸部１ｂは、その高さを０．０５ｍｍ乃至０．１ｍｍの範囲としておくことが好ましい。
【００４４】
特に、近時、半導体素子１０の電極１１と、第１パッド２や第２パッド３、グランド用パッド４等と接続する接続部材として、従来の錫−鉛半田等に代わり、錫−銀系や錫−銀‐銅系等のいわゆる鉛フリー半田が多用されるようになってきており、このような鉛フリー半田を接続部材１２として用いる場合に上記構成は特に有効なものとなる。
【００４５】
すなわち、
鉛フリー半田は、従来の錫−鉛半田に比べて第１パッド２等に対する濡れ性が低く、またその溶融温度が従来の錫−鉛半田等に比べて高く、半田付け時に流れやすいことから、上述のような接続部材１２の高さの差に起因する接続不良や電気的短絡が発生しやすい傾向がある。これに対し、凸部１ｂを設けて、その接続部材１２の高さの差を補うようにしておくことにより、接続部材１２を鉛フリー半田で形成したような場合でも、より確実に、半導体素子１０の電極１１等に対する接続不良や、接続部材１２間の電気的短絡等の不具合の発生を有効に防止することができる。
【００４６】
このような凸部１ｂは、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラスセラミックス、窒化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、通常は、基体１と同様の材料により形成される。
【００４７】
例えば、基体１および凸部１ｂが酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、基体１となるセラミックグリーンシートの下面中央部に、所定の凸部１ｂが形成されるような寸法に切断したセラミックグリーンシート（基体１となるセラミックグリーンシートと同様のもの）を積層し、この積層体を一体焼成することにより形成される。
【００４８】
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置の要部拡大平面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１・・・・・基体
１ａ・・・・搭載部
１ｂ・・・・凸部
２・・・・・第１パッド
３・・・・・第２パッド
４・・・・・グランド用パッド
５ａ・・・・第１配線導体
５ｂ・・・・グランド配線導体
６ａ・・・・入出力用パッド
６ｂ・・・・グランド配線パッド
７・・・・・第２配線導体
８・・・・・コネクター
８ａ・・・・線材
８ｂ・・・・外囲体
９・・・・・半導体素子収納用パッケージ
１０・・・・半導体素子
１１・・・・電極
１２・・・・接続部材
１３・・・・蓋体
１４・・・・半導体装置
１５・・・・外部電気回路基板
１６・・・・回路導体
１７・・・・半田
【図１】
2005129681.tif 000003
【図２】
2005129681.tif 000004