(57)【要約】【課題】  基板に取り付けた状態でソケットのコンタクトピンの接触面に付着したハンダ等の異物を除去する。【解決手段】  収容する半導体装置の外部端子に合わせて複数のコンタクトピンが取り付けられ、このコンタクトピンを介して、半導体装置の外部端子と回路とを電気的に接続する半導体装置用ソケットの清掃方法において、収容する半導体装置の外部端子に相当する部分が清掃部となっているクリーニングチップを前記ソケットに収容し、付着ハンダを加熱し、溶融した付着ハンダをクリーニングチップの清掃部に吸着させて、コンタクトピンから付着ハンダを除去する。この構成によれば、テスト基板に取り付けた状態でソケットのコンタクトピンに付着したハンダ等の異物を除去することができるので、コンタクト抵抗の増加を防止することができる【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
収容する半導体装置の外部端子に合わせて複数のコンタクトピンが取り付けられ、このコンタクトピンを介して、半導体装置の外部端子と回路とを電気的に接続する半導体装置用ソケットの清掃方法において、
収容する半導体装置の外部端子に相当する部分が清掃部となっているクリーニングチップを前記ソケットに収容し、付着ハンダを加熱し、溶融した付着ハンダをクリーニングチップの清掃部に吸着させて、コンタクトピンから付着ハンダを除去することを特徴とする半導体装置用ソケットの清掃方法。
【請求項２】
収容する半導体装置の外部端子に合わせて複数のコンタクトピンが取り付けられ、このコンタクトピンを介して、半導体装置の外部端子と回路とを電気的に接続する半導体装置用ソケットの清掃方法において、
収容する半導体装置の外部端子に相当する部分が導電性の清掃部となっているクリーニングチップを前記ソケットに収容し、クリーニングチップと前記ソケットのコンタクトピンとの間に電圧を印加して付着ハンダを加熱し、溶融した付着ハンダをクリーニングチップの清掃部に吸着させて、コンタクトピンから付着ハンダを除去することを特徴とする半導体装置用ソケットの清掃方法。
【請求項３】
収容する半導体装置の外部端子に合わせて複数のコンタクトピンが取り付けられ、このコンタクトピンを介して、半導体装置の外部端子と回路とを電気的に接続する半導体装置用ソケットの清掃方法において、
前記ソケットに、収容する半導体装置の外部端子に相当する部分が清掃部となっており、この清掃部が振動子によって振動されるクリーニングチップを収容し、前記清掃部の振動によってコンタクトピンから付着ハンダを除去することを特徴とする半導体装置用ソケットの清掃方法。
【請求項４】
収容する半導体装置の外部端子に合わせて複数のコンタクトピンが取り付けられ、このコンタクトピンを介して、半導体装置の外部端子と回路とを電気的に接続する半導体装置用ソケットにおいて、
基板上に複数のコンタクトピンを一体に形成し、前記複数のコンタクトピンを前記基板と一体で取り外しができることを特徴とする半導体装置用ソケット。
【請求項５】
収容する半導体装置の外部端子に合わせて複数のコンタクトピンが取り付けられ、このコンタクトピンを介して、半導体装置の外部端子と回路とを電気的に接続する半導体装置用ソケットにおいて、
収容する半導体装置の外部端子と接触するコンタクトピンの接触面を凹形状としてあることを特徴とする半導体装置用ソケット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の試験等に用いられるソケットに関し、特に、半導体装置の外部端子と接触するコンタクトピンの接触面についてコンタクト性能の向上に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造では、完成した半導体装置について、不良品の発見或いは特性の均一化或いは経時的な欠陥の発見等を目的として、製造された半導体装置の電気的特性を測定する特性試験が行われている。例えば、高温等の顧客での使用条件よりも過酷な使用条件下等の負荷を与えた状態で半導体装置の回路動作を一定時間行ない、顧客の使用中に経時的に発生する欠陥を加速的に発生させて、経時的な不良要因を出荷前に発見し、製品の初期不良を排除している。
【０００３】
また、ＴＳＯＰ(Thin Small Out-line Package)型、ＱＦＰ(Quad Flat Package)型或いはＳＯＪ(Small Outline J-leaded)型等の半導体装置では、搭載された半導体チップと実装基板等とを接続するための外部端子として半導体装置の封止体の周縁に複数のリードが列状に配置され、このリードの先端部が実装基板の接続端子にハンダ等によって固定実装され、実装基板の回路に導通させた状態で使用に供されている。
【０００４】
しかしながら、前述した半導体装置の特性試験等を行なう際には、試験後に半導体装置を取り外す必要があるので、リードをテスト基板に固定実装せずに、着脱の容易な半導体装置実装用のソケットに半導体装置を収容し、ソケットを介して半導体装置をテスト基板に実装し、半導体装置のリードの先端にソケットのコンタクトピンを接触させて電気的な導通をとっている。
【０００５】
試験を行なうためのソケットは、テスト基板に固定される基台と、収容する半導体装置を固定するために前記基台に開閉自在に取り付けられたカバーとで構成され、この基台とカバーとによって形成する内部空間に試験を行なう半導体装置を収容している。基台には複数のコンタクトピンが取り付けられており、コンタクトピンの一端は、基台の表側（半導体装置収容面）にて、収容する半導体装置のリードの配列位置に対応して配列された接触面となっており、コンタクトピンの他端は、基台の裏側（基板実装面）に突出し、基板配線の接続端子とハンダ等の接合剤によって接続されている。
【０００６】
半導体装置の実装では、基板との接続に用いられる接合剤として鉛と錫との合金である鉛ハンダが長く用いられてきた。鉛ハンダは、ハンダ自体に柔軟性があるため、半導体チップと配線基板との間の応力を、ハンダの変形によって吸収するため電極の接続寿命を確保することができる。また、ハンダと各種金属との濡れ性が良好である等の利点から半導体装置及び電子装置の各種接続に幅広く利用されている。
【０００７】
しかしながら、ハンダの主成分である鉛は、屋外投棄等により自然環境に放置され酸性雨等の劣悪な環境に曝された場合に、有害物質を発生させ環境汚染を招くことが懸念されており、こうした環境汚染を防止するための対策として、有害物質である鉛を含むハンダの使用を低減或いは廃止する鉛フリーのハンダへの転換が進められている。
【０００８】
このため、従来のＰｂＳｎ合金ハンダに替えてＳｎＡｇ系或いはＳｎＢｉ系等の鉛を成分に含まない鉛フリーハンダを接合剤として用いることによって、従来の鉛ハンダと略同様に溶融接合を行なう技術が考えられている。
【０００９】
こうした溶融接合が行なわれる半導体装置の外部端子となるリードには、接合剤との濡れ性を向上させるための表面処理として、従来は、鉛ハンダ膜が被覆されていた。鉛フリー化を進めるために、こうしたリードの表面処理についても、鉛ハンダの使用を停止し鉛フリーハンダによる表面処理が進められている。
【００１０】
しかし、前述したソケットに半導体装置を収容する際に、リードにメッキされたハンダがコンタクトピンの接触面に付着することがある。付着したハンダの表面には自然酸化によって絶縁性の酸化膜が薄く形成され導電性が損なわれるが、従来のハンダでは、ハンダの柔軟性から、リードが押圧される際に変形し、その変形によって表面の酸化膜が剥がれるワイピング作用があるため、接触抵抗の増加を回避することができた。しかし、鉛フリーハンダは従来のハンダと比較して柔軟性が低いので、リードの押圧力による変形が小さいためにワイピングの効果が低減され、酸化膜の影響によるコンタクト抵抗の増加が問題となっている。
【００１１】
このようなコンタクト抵抗の増加による影響を低減させるために、現状ではコンタクトピンの接触面にハンダの付着したソケットに、カバーをあけた状態で、人手による清掃を行なう等の処置をとっているが、このような人手による作業は、著しく作業効率を低下させている。
【００１２】
このような現状を打開するためには、鉛フリーハンダが採用された半導体装置のために、例えばコンタクトピンにハンダの付着しない新たなソケットを開発するか、従来のソケットを鉛フリーハンダの半導体装置に適用した場合の新たな清掃方法を開発する等の、鉛フリーハンダに対応した対策を講じる必要がある。
【００１３】
このため、下記特許文献１にはソケットを酸性のハンダ除去液に浸漬してハンダを除去した後に、純水によってハンダ除去液を洗浄し、ＩＰＡ(IsoPropyl Alcohol)液中にて超音波振動を加えソケット表面に付着した純水をＩＰＡで置換した後に、ソケットを乾燥させる技術が記載されている。
【００１４】
【特許文献１】特開平７−２３４２６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかし、前述した方法ではソケットの基台やカバー等の樹脂部分が酸性溶液或いはＩＰＡによって腐食される可能性があり、ソケットの耐久性に問題が生じる。加えて、洗浄のためにはテスト基板から一端ソケットを取り外し、洗浄後に再びテスト基板に取り付ける必要があり、洗浄に要する手間及び時間によって、作業効率が低下してしまうという問題がある。
【００１６】
本発明の課題は、これらの問題点を解決し、基板に取り付けた状態でソケットのコンタクトピンの接触面に付着したハンダ等の異物を除去することが可能な技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
収容する半導体装置の外部端子に合わせて複数のコンタクトピンが取り付けられ、このコンタクトピンを介して、半導体装置の外部端子と回路とを電気的に接続する半導体装置用ソケットの清掃方法において、収容する半導体装置の外部端子に相当する部分が清掃部となっているクリーニングチップを前記ソケットに収容し、付着ハンダを加熱し、溶融した付着ハンダをクリーニングチップの清掃部に吸着させて、コンタクトピンから付着ハンダを除去する。
【００１８】
また、収容する半導体装置の外部端子に相当する部分が導電性の清掃部となっているクリーニングチップを前記ソケットに収容し、クリーニングチップと前記ソケットのコンタクトピンとの間に電圧を印加して付着ハンダを加熱し、溶融した付着ハンダをクリーニングチップの清掃部に吸着させて、コンタクトピンから付着ハンダを除去する。
【００１９】
また、前記ソケットに、収容する半導体装置の外部端子に相当する部分が清掃部となっており、この清掃部が振動子によって振動されるクリーニングチップを収容し、前記清掃部の振動によってコンタクトピンから付着ハンダを除去する。
【００２０】
また、収容する半導体装置の外部端子に合わせて複数のコンタクトピンが取り付けられ、このコンタクトピンを介して、半導体装置の外部端子と回路とを電気的に接続する半導体装置用ソケットにおいて、基板上に複数のコンタクトピンを一体に形成し、前記複数のコンタクトピンを前記基板と一体で取り外しができる構成とする。
また、収容する半導体装置の外部端子と接触するコンタクトピンの接触面を凹形状とする。
【発明の効果】
【００２１】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）本発明によれば、テスト基板に取り付けた状態でソケットのコンタクトピンに付着したハンダ等の異物を除去することができるという効果がある。
（２）本発明によれば、上記効果（１）により、コンタクト抵抗の増加を防止することができるという効果がある。
（３）本発明によれば、上記効果（１）により、ソケットの取り外し及び再取り付けが不要となるので、作業効率の低下を防止することができるという効果がある。
（４）本発明によれば、上記効果（２）（３）により、従来のソケットに変更を加えずにそのまま鉛フリーハンダを用いた半導体装置の試験に適用することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を実施するための最良の実施の形態を説明する。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００２３】
図１は、本発明の一実施の形態であるソケットの清掃方法を示す斜視図であり、図２はソケットの清掃状態を示す部分縦断面図である。本実施の形態では、ＱＦＰを装着して試験を行なうソケットの清掃を例として説明する。
【００２４】
先ず、図に示すソケット１は、テスト基板２に固定される基台３と、この基台３に開閉自在に取り付けられたカバー４とから構成され、この基台３とカバー４とによって形成する内部空間に試験体である半導体装置を収容し、カバー４を閉じた状態でカバー４の係止爪５が基台３の突起６に嵌合してカバー４の閉状態を維持し、半導体装置をソケット１に固定する構成となっている。
【００２５】
基台３には半導体装置の封止体を収容する空間が中央に設けられており、この空間の４隅には、前記封止体の角部に当接してその移動を規制し、半導体装置の位置決めを行なうためのポスト７が設けられている。前記空間の周囲には、収容する半導体装置の封止体の４辺に沿って配列されたリードの配列に合わせて、複数のコンタクトピン８が取り付けられている。
【００２６】
コンタクトピン８の一端となる接触面は、基台３の表側（半導体装置収容面）にて、収容する半導体装置のリードに接触導通し、コンタクトピン８の他端は、基台３の裏側（基板実装面）に突出し、テスト基板２に設けられた基板配線の接続端子とハンダ９等によって接続されて基台３をテスト基板２に固定すると同時にテスト基板２の配線と電気的に導通し、このコンタクトピン８を介して、半導体装置のリードがテスト基板２の回路に電気的に接続されることになる。
【００２７】
コンタクトピン８は、中間部分が湾曲しており、装着状態ではカバー４のパッド１０によって加えられる押圧力が前記湾曲部分を変形させて接触面が可動し、この変形により生じる弾性力によってコンタクトピン８の接触面が半導体装置のリードに圧接する。コンタクトピン８には、例えば銅，銅合金，鉄ニッケル合金等の導電性金属に金をメッキしたものが用いられている。
【００２８】
このコンタクトピンの接触面がリードに圧接した際に、リードの表面に施されているハンダ被膜がコンタクトピン８の接触面に付着することがある。この付着ハンダ１１の表面が自然酸化して絶縁性の酸化膜が形成されると、リードとコンタクトピン８とのコンタクト抵抗が増加してしまう。本実施の形態では、この付着ハンダ１１を除去するために、クリーニングチップ１２をソケット１に収容した状態で付着ハンダ１１を加熱し、溶融した付着ハンダ１１をクリーニングチップ１２に吸着させて、コンタクトピン８から付着ハンダ１１を除去している。
【００２９】
このクリーニングチップ１２は、収容する半導体装置と近似した外形となっており、ソケット内で位置を固定するために半導体装置の封止体に相当する形状とした固定部１３の各辺にはリードに相当する部分が収容する半導体装置のリードの厚みに近似した厚みの薄板状になった清掃部１４となっている。この清掃部１４では、リードとは異なり信号の入出力を行なわないので、各リードに分離する必要はないため、清掃部１４は各辺ごとに一体とした簡易な構成となっている。
【００３０】
清掃部１４には、錫、金、銀等のハンダと親和性の高い導電性の材料を用い、望ましくは多孔質或いは繊維状等の微細な空隙を表面に露出させた構造として、溶融したハンダが毛細管現象によって吸収される構成としてある。付着ハンダ１１を加熱するために、本実施の形態ではクリーニングチップ１２とソケット１のコンタクトピン８との間に電圧を印加して、付着ハンダ１１とコンタクトピン８との接触抵抗によって発生する抵抗熱でコンタクトピン８とクリーニングチップ１２の清掃部１４との間の接触部分を発熱させて接触面の付着ハンダ１１を溶融させ、溶融した付着ハンダ１１を親和力の高い清掃部１４に転写してコンタクトピン８から付着ハンダ１１を除去して、コンタクトピン８接触面のコンタクト性能を回復させる。
【００３１】
このように付着ハンダ１１の加熱に、コンタクトピン８とクリーニングチップ１２との間の接触抵抗に電圧を印加して生じる抵抗熱を用いる場合には、ハンダの付着によりコンタクト抵抗の増加している部分では、増加した抵抗に応じてより多くの熱が電圧の印加によって発生する。従って、接触抵抗の高いコンタクトピン８、即ち付着ハンダ１１による抵抗増加が大きく清掃が必要な部分を発熱させることが可能である。
【００３２】
また、電圧の印加に先立って各コンタクトピン８とクリーニングチップ１２とのコンタクト抵抗を測定し、コンタクト抵抗の高いコンタクトピン８に選択的に電圧を印加して、接触抵抗の高いコンタクトピン８、即ち付着ハンダ１１による抵抗が大きな部分のみを発熱させることも可能である。
【００３３】
このように電圧を印加して発熱させる方法に換えて、クリーニングチップ１２を収容したソケット１を外部から加熱して付着ハンダ１１を溶融させることも可能である。例えばコンタクトピン８にテスト基板２との接続部側から熱を加え、コンタクトピン８先端の付着ハンダ１１を溶融させることも可能である。
【００３４】
この外部から加熱する場合には、電圧の印加を行なわないので清掃部１４が導電体である必要はない。従って、清掃部１４としては、例えば紙或いは布等のハンダと親和性が高い多孔質或いは繊維状等の微細な空隙を表面に露出させた絶縁性材料を用いることも可能になる。溶融した付着ハンダ１１は毛細管現象によって清掃部１４に吸収され、付着ハンダ１１がコンタクトピン８の接触面からクリーニングチップ１２の清掃部１４に転写して除去されるので、コンタクトピン８先端のコンタクト性能を回復させることができる。
【００３５】
こうして清掃に使用したクリーニングチップ１２は、加熱洗浄等により清掃部１４に吸着したハンダを除去して再使用することも可能であり、清掃部１４を固定部１３から取り外し可能な構成とすれば、ハンダの転写された清掃部１４のみを交換してクリーニングチップ１２を再使用することも可能である。また、清掃部１４を余裕のある大きさとする等の方法によって、クリーニングチップ１２の位置合わせについて誤差を許容できる構成とすれば、固定部１３を省略することも可能である。
【００３６】
本実施の形態では、ソケット１に収容するクリーニングチップ１２によってコンタクトピン８接触面の清掃を行なうので、ソケット１をテスト基板２に取り付けた状態でコンタクトピン８接触面の付着ハンダ１１を容易に除去することができる。このため、鉛フリーハンダを用いた半導体装置の試験を行なっても、コンタクトピン８のコンタクト性能を維持することができる。従って、従来の鉛ハンダを用いた半導体装置の試験に使用されていたソケット１で、鉛フリーはんだメッキのリードの半導体装置に対応することが可能となる。また、接触面の清掃に薬液等を用いないので、清掃時に樹脂部分が損傷を受けるのを防止して、ソケット１の寿命を延ばすこともできる。
【００３７】
図３は、本発明の他の実施の形態であるソケットの清掃方法を示す斜視図であり、図４はソケットの清掃に用いられるクリーニングチップを示す縦断面図である。
この形態のクリーニングチップ１２では、固定部１３に例えばピエゾ素子を用いた振動子１５を設け、この振動子１５に電圧を印加して振動を発生させ、この振動が振動子１５と一体となった清掃部１４ａ，１４ｂを振動させて、清掃部１４ａ，１４ｂと接触しているコンタクトピン８の接触面の付着ハンダ１１をこの振動によって生じる連続した周期的摺動によってこすり落とす。
【００３８】
清掃部１４ａ，１４ｂは、固定部１３の各辺に沿って設けられ対向する一の組の清掃部１４ａが正の電極となり、対向する他の組の清掃部１４ｂが負の電極となっており、固定部１３の振動子１５の両面に配置された正負の電極間に電圧を印加して振動を発生させる。振動によって清掃部は、コンタクトピンの表面を研磨して、付着したハンダ等の異物を物理的に除去して、コンタクトピンのコンタクト性能を回復させることができる。本実施の形態では、物理的な力によって清掃を行なうので、加熱によって溶融させることが難しいハンダ以外の異物の除去にも有効である。
【００３９】
また、この振動によって生じる摩擦熱で付着ハンダを加熱して、溶融したハンダを清掃部に転写して接触面から除去する構成とすることも可能である。この場合に溶融したハンダを吸収させるために、清掃部には無数の微小孔を施し、この間隙による毛細管現象で、ハンダを効率的に除去することが可能となる。
【００４０】
図５は、本発明の他の実施の形態に用いるソケットを示す斜視図であり、図６はそのコンタクトピンを示す部分縦断面図である。
このソケット１６では、シリコン等の半導体基板１７上に、マイクロマシーニング或いはＭＥＭＳ(MicroElectroMechanical System)と呼称される半導体製造技術によって、半導体基板１７上に既存の技術によって成膜及びパターニングして複数のコンタクトピン１８を一括形成してあり、夫々のコンタクトピン１８は、中間部分が湾曲しており、装着状態ではこの湾曲部分を変形させて接触面が可動し、この変形により生じる弾性力によってコンタクトピン１８の接触面が半導体装置１９のリード２０に圧接する。コンタクトピン１８には、例えば銅，銅合金，鉄ニッケル合金等の導電性金属に金をメッキしたものが用いられている。
【００４１】
半導体基板１７に、コンタクトピン１８が整列状態のまま一体となっている。このため、コンタクトピン１８が付着ハンダ１１等の異物によってコンタクト抵抗が増加した場合には、このコンタクトピン１８を半導体基板１７ごと一体で取り外して容易に交換することができる。ソケット１６は、予め用意してある同様の一体化された新たなコンタクトピン１８を取り付けることによって、すぐに試験を再開することが可能であり、交換に要する時間が短時間で作業効率を低下させることがない。
【００４２】
取り外したコンタクトピン１８は、洗浄処理等によって付着ハンダ１１等の異物を除去して再び使用することが可能であり、この洗浄では、コンタクトピン１８のみを基板１７ごと取り外して洗浄するため、ソケット１６の樹脂部分を損傷することがない。
【００４３】
図７は、本発明の他の実施の形態であるソケットを部分的に示す斜視図であり、図８はそのコンタクトピンとリードとの接触状態を示す部分縦断面図である。
本実施の形態のソケットのコンタクトピン２１は、中間部分が湾曲しており、装着状態ではこの湾曲部分を変形させて接触面が可動し、この変形により生じる弾性力によってコンタクトピン２１の接触面が半導体装置１９のリード２０に圧接する。コンタクトピン２１には、例えば銅，銅合金，鉄ニッケル合金等の導電性金属に金をメッキしたものが用いられている。そして、本実施の形態のコンタクトピン２１では、収容する半導体装置１９の外部端子であるリード２０と接触するコンタクトピン２１の接触面を湾曲した凹形状としてある。
【００４４】
本発明者がハンダの付着したコンタクトピンを観察すると、例えば図９に示す例では、コンタクトピン２１の接触面の付着ハンダ１１がコンタクトピン２１の左側の端部に一律に偏って付着しており、このことから、図９に示す例では、コンタクトピン２１に対して半導体装置１９のリード２０が図中左側にずれた状態で接触し、このずれによって部分的に力が加わるために、コンタクトピン２１の接触面の付着ハンダ１１は左側の端部に偏って付着したと考えられる。
【００４５】
このように、コンタクトピン２１の接触面の付着ハンダ１１はコンタクトピン２１の左右何れかの端部に偏って付着するケースが多く、このため、本実施の形態のコンタクトピン２１では、外部端子がリード２０形状となっている半導体装置１９に対応したソケットのコンタクトピン２１の接触面を湾曲した凹形状とすることにより、コンタクトピン２１とリード２０との接触がずれる状態を防止して、コンタクトピン２１へのハンダの付着を低減し、電気的接触性の低下を防止している。
【００４６】
また、コンタクトピン２１とリード２０との接触では、押圧力が表面を変形させる程の強い力とはならないため、コンタクトピン２１の接触面とリード２０の接触面とは、マクロに見れば面で接しているが、ミクロに見た場合には、夫々の接触面の凸部が点接触の状態となっている。コンタクトピン２１の接触面を凹形状とした場合には、リード２０の両端部がコンタクトピン２１と接触することになり、接触面が平坦な従来の場合よりも接触部分が増加しコンタクト抵抗が低減する。
【００４７】
加えて、コンタクトピン２１の接触面にリード２０の角部が接触することになるので、リードの平坦面がコンタクトピンの接触面に接触する従来のコンタクトピンと比較して、付着ハンダ１１の表面に形成された酸化膜を排除するワイピング効果が強化される。従って、付着ハンダ１１の酸化膜によるコンタクト抵抗の増加を防止することができるので、作業効率を低下させることなく鉛フリーハンダを用いた半導体装置の試験を行なうことが可能となる。
【００４８】
以上、本発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【００４９】
例えば、前述の説明では外部端子がリードタイプの半導体装置に用いられるソケットについて説明したが、外部端子を半導体装置の底面に面状に配置したＢＧＡ(Ball Grid Array)等の半導体装置の試験に用いられるソケットの清掃に関しても、清掃部の形状をコンタクトピンの形状及び配置に合わせれば、本発明を適用することが可能である。更には、前述の説明ではカバーを有するソケットについて説明したが、半導体装置の封止体を基台に直接固定してカバーを省略したオープントップタイプのソケットにも、本発明は適用が可能である。
【００５０】
更には、例えば複数の半導体チップを単一の半導体装置に実装するＭＣＭ（Multi Chip Module）では、個片化前のウェハの状態或いは個片化後実装前の半導体チップ単体の状態で、ベアチップの半導体チップの特性試験を行ない、良品チップであるＫＧＤ（Known Good Die）の選別を行なうプローブ試験が必要になる。このプローブ試験には、複数のプローブと呼ばれる針状の接触子を基板に固定したプローブカードが用いられ、半導体チップの端子となるパッドにプローブの先端を接触させて、ウェハの素子形成領域に形成された回路と測定装置とを接続して測定信号の伝送を行なわれている。このような、プローブの先端に付着する異物の除去にも本発明は有効である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施の形態であるソケットの清掃方法を示す斜視図である。
【図２】図１に示すソケットの清掃状態を示す部分縦断面図である。
【図３】本発明の他の実施の形態であるソケットの清掃方法を示す斜視図である。
【図４】図３に示すソケットの清掃に用いられるクリーニングチップを示す縦断面図である。
【図５】本発明の他の実施の形態に用いるソケットを示す斜視図である。
【図６】図５に示すソケットのコンタクトピンを示す部分縦断面図である。
【図７】本発明の他の実施の形態であるソケットを部分的に示す斜視図である。
【図８】図７に示すソケットのコンタクトピンとリードとの接触状態を示す部分縦断面図である。
【図９】コンタクトピンにハンダが付着した状態を例示する部分平面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１，１６…ソケット、２…テスト基板、３…基台、４…カバー、５…係止爪、６…突起、７…ポスト、８，１８，２１…コンタクトピン、９…ハンダ、１０…パッド、１１…付着ハンダ、１２…クリーニングチップ、１３…固定部、１４，１４ａ，１４ｂ…清掃部、１５…振動子、１７…半導体基板、１９…半導体装置、２０…リード。
【図１】
2005061978.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005061978.tif 000005
【図４】
2005061978.tif 000006
【図５】
2005061978.tif 000007
【図６】
2005061978.tif 000008
【図７】
2005061978.tif 000009
【図８】
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【図９】
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