(57)【要約】【課題】  高エネルギー電流密度を有し、低真空度の環境において高い信頼性で動作することもできるフラット放出器を提供すること。【解決手段】  放出器は、電子供給層と、電子供給層上に形成されるトンネル層とを有する。オプションでは、電子供給層上に絶縁体層が形成され、絶縁体層は、その中にトンネル層が形成される領域内で画定される開口部を有する。トンネル層上には陰極層が形成される。導電層が、一部が陰極層上に、一部が、存在するなら絶縁体層上に配置される。導電層は、電子および／または光子のエネルギーを放出するための表面を設けるために開口部を画定する。オプションではあるが、放出器がアニーリングプロセスにかけられ、それにより、電子供給層から陰極層まで突き抜ける電子の供給量を増加することが好ましい。【選択図】図１
2005135930.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子供給源（１０）上に放出器（１００）を形成するための方法であって、
電子源上にトンネル層（２０）を被着するステップと、
前記トンネル層上に陰極層（１４）を被着するステップと、
前記陰極層にわたって可変密度のフォトレジスト層（６１）を被着するステップと、
前記陰極層の一部を露出するエッチングされた開口部からなるくぼんだ外形を形成するために、前記可変密度フォトレジスト層を現像するステップと、
前記陰極層上の前記現像された開口部内に導電層（８２）を被着するステップとを含む、方法。
【請求項２】
導電層（８２）を被着する前記ステップは、前記導電層を被着する前に、接着層（８０）を被着するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記陰極層（１４）を被着する前記ステップは、前記可変密度フォトレジスト層を被着する前記ステップの前に、前記陰極層にわたって保護層（６５）を被着するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
電子供給源（１０）上の放出器（１００）を形成するための方法であって、
前記電子供給源上に配置される絶縁体層（７８）にわたってトンネル層（２０）を被着するステップであって、前記絶縁体層は前記電子供給源への開口部を画定する、該ステップと、
前記トンネル層に接着するために、陰極層（１４）を被着するステップと、
前記陰極層および前記絶縁体層上に可変密度のフォトレジスト層（６１）を被着するステップと、
前記可変密度フォトレジスト層内に前記陰極層に対する開口部を形成するステップと、
前記可変密度フォトレジスト層をリフトオフし、前記陰極層および前記絶縁体層から除去するステップとを含む、方法。
【請求項５】
電子供給表面（１０）上に放出器（１００）を形成するための方法であって、
前記電子供給表面上に絶縁体層（７８）を形成するステップと、
前記絶縁体層上に放出エリアを画定するステップと、
前記絶縁体層および前記放出エリアにわたってトンネル層（２０）を被着するステップと、
前記トンネル層にわたって陰極層（１４）を被着するステップと、
前記陰極層と前記トンネル層とをエッチングするステップと、
前記陰極層および前記絶縁体層上に可変密度のフォトレジスト層（６１）を被着するステップと、
前記陰極層の一部を露出するくぼんだ開口部を形成するために、前記可変密度フォトレジスト層を現像するステップと、
前記可変密度フォトレジスト層上と、前記陰極層上の前記くぼんだ開口部内とに導電層（８２）を被着するステップと、
前記可変密度フォトレジスト層と、その上に配置される前記導電層とをリフトオフするステップとを含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電界放出素子に関する。詳細には、本発明はトンネル効果を利用するフラット電界放出器と、電子装置におけるその利用方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置、あるいは記憶素子のような他の電子装置のために有用な電子放出を生成するために、いくつかの異なる電界放出素子が提案され、具現されている。従来においては、電子管のような熱電子放出を伴う真空装置は、電子放出を生成するために陰極表面を加熱する必要があった。電子は真空空間で電子を引きつける所定の電位にある陽極構造に引き寄せられる。陰極線管のような表示装置の場合、陽極構造は、電子が発光体上に衝突する際に、光子が生成され、それにより可視画像が形成されるように、発光体でコーティングされる。いくつかの応用形態において熱陰極技術の代わりに、スピント先端構造体（先鋭な先端構造体）のような冷陰極素子が用いられているか、あるいは提案されている。しかしながら、信頼性を保持しながら、スピント先端構造体を小型化し、いくつかのスピント先端構造体を集積することは困難であった。小型化されると、スピント先端構造体は、電子がスピント先端構造体に衝突する際にイオン化される真空内の汚染物質から損傷をうけやすくなる。その際、イオン化された汚染物質は、スピント先端構造体に引き寄せられて衝突し、それにより損傷を受けるようになる。スピント先端構造体の寿命を長くするために、真空空間はさらに真空度を高めなければならない。大きな放出表面を有するフラット放出器は、低真空の要件において高い信頼性で動作させることができる。しかしながら、応用形態によっては、従来のフラット放出器からの電流密度の量は少なすぎて役に立たない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
したがって、本発明の目的は、高エネルギー電流密度を有し、低真空度の環境において高い信頼性で動作することもできるフラット放出器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
放出器は、電子供給層と、電子供給層上に形成されるトンネル層とを有する。オプションでは、電子供給層上に絶縁体層が形成され、絶縁体層は、その中にトンネル層が形成される領域内で画定される開口部を有する。トンネル層上には陰極層が形成される。導電層が、一部が陰極層上に、一部が、存在するなら絶縁体層上に配置される。導電層は、電子および／または光子のエネルギーを放出するための表面を設けるために開口部を画定する。オプションではあるが、放出器がアニーリングプロセスにかけられ、それにより、電子供給層から陰極層まで突き抜ける電子の供給量を増加することが好ましい。
【発明の効果】
【０００５】
本発明によれば、高エネルギー電流密度を有し、低真空度の環境において高い信頼性で動作することができるフラット放出器を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明は添付の図面を参照しながら、さらに理解を進めることができる。図面の素子は、互いに対して必ずしも寸法通りに描かれていない。むしろ、代わりに、本発明を明瞭に示す際には強調されている。さらに、いくつかの図面を通して、同様の参照番号は対応する類似の部分を示す。
【０００７】
本発明は、電子源と平坦な陰極表面との間に電界を形成するために、約５〜約５００ナノメートルの十分な薄さを有するトンネル層を用いることにより、１平方センチメートル当たり高いレベルの放出電流を与える電界放出器に関する。従来のフラット放出器タイプの素子は、１平方センチメートルの表面積当たり低い放出電流を有し、それゆえ、応用形態によっては利用することができない。本発明は、適当な欠陥を有するシリコン系誘電体、直接的なトンネル現象のための高い絶縁耐力を有する金属クラスター誘電体、または他のトンネル材料のいずれかからなる薄い堆積物を用いて、電子が電子源と陰極表面との間を好ましくは直接、あるいは誘電体内の欠陥を通って突き抜けることができる障壁を形成する。そのような材料を用いることにより、放出電流を、従来のフラット放出器技術の電流よりそれぞれ１桁、２桁あるいは３桁大きい、１平方センチメートル当たり１０ｍＡ、１００ｍＡあるいは１Ａ以上にすることができる。実際の放出速度は、トンネル層のために用いられる材料のタイプおよび厚みの設計上の選択に依存する。電子放出に加えて、本発明は、本発明を組み込む放出器に対して、さらに別の用途を提供する光子放出を生成することもできる。本発明のさらなる利点および特徴は、本発明の以下に記載される説明、その形成方法および種々の用途においてさらに明らかになるであろう。
【０００８】
この説明の図において、放出器素子の種々の部品は寸法通りに描かれていない。本発明をより明瞭に図示し、理解してもらうために、他の寸法に対して、ある特定の寸法が誇張されている。例示するために、本明細書に示される実施形態は、種々の領域が深さおよび幅を有する２次元の図で示される。これらの領域は、ある素子の１つのセルの一部からなる例示にすぎず、立体的な構造に配置される複数のそのようなセルを含む場合があることは理解されたい。したがって、これらの領域は、実際の素子上に形成される際には、長さ、幅および深さを含む３次元を有することになる。
【０００９】
さらに、本発明の１つの態様は、それが従来の集積回路薄膜技術を用いて製造できることである。そのプロセスステップのいくつかを実行するためにいくつかの異なる技術が存在し、当業者であれば相互に入れ替えることができる。たとえば、材料の堆積は、いくつか例を挙げると、蒸着、スパッタリング、化学気相成長、分子ビームエピタキシー、光化学気相成長、低温光化学気相成長およびプラズマ堆積のようないくつかのプロセスのうちの１つによって行うことができる。さらに、いくつかの異なるエッチング技術が存在し、利用可能なエッチング技術のいくつかの例を挙げると、ウエットエッチング、ドライエッチング、イオンビームエッチング、反応性イオンエッチング、ならびにバレルプラズマエッチングおよびプレーナプラズマエッチングのようなプラズマエッチングがある。実際に用いられる技術の選択は、他の要因の中でも、用いられる材料およびコストの判断基準に依存するであろう。
【００１０】
図１は、電子源１０を含む放出器素子５０の典型的な図であり、放出器５０は電子および光子を放出するためのフラット放出器であることが好ましい。電子源１０上にはトンネル層２０が存在する。トンネル層２０は、金属クラスター誘電体あるいはシリコン系誘電体から形成されることが好ましい。典型的な金属クラスター誘電体には、硝酸タングステンシリコン（ＷＳｉＮ）あるいは酸化タンタル（Ｔａｏ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ、ただしｘ＝０．５〜２．５）が含まれる。また、酸窒化タンタルアルミニウム（ＴａＡｌＯｘＮｙ）、酸化タンタルアルミニウム（ＴａＡｌＯｘ）、酸窒化アルミニウム（ＡｌＯｘＮｙ）あるいは他の遷移金属（ＴＭ）酸化物または酸窒化物（（ＴＭ）Ｏｘあるいは（ＴＭ）ＯｘＮｙ）が、トンネル層２０として用いることができるものと考えられる。金属クラスター誘電体トンネル層は５０ナノメートル未満の厚みを有することが好ましく、その厚みは、１０ナノメートル以下のような、約５〜約２５ナノメートルの範囲内にあることがさらに好ましい。典型的なシリコン系誘電体は、ＳｉＮｘ、Ｓｉ３Ｎ４（ＲＩ〜２．０）、ＳｉｘＮｙ（ｘ：ｙ＞３／４、ＲＩ〜２．３）およびＳｉＣである。また、Ｆｙ−ＳｉＯｘおよびＣｙ−ＳｉＯｘもトンネル層２０として用いることができるものと考えられる。シリコン系誘電体層は、約５０ナノメートルの厚みを有することが好ましく、その厚みは、約２５〜約５００ナノメートルの範囲内にあり、たとえば５０ナノメートル以下であることがさらに好ましい。選択される厚みは、トンネル層２０が耐えなければならない電界強度と、所望の放出器放出電流から決められる。トンネル層２０上には陰極層１４が配置され、陰極層１４は、プラチナ、金、モリブデン、イリジウム、ルテニウム、タンタル、クロム、あるいは他の屈折性金属あるいはそれらの合金のような薄膜導体であることが好ましい。他の陰極層が用いられることもでき、当業者には知られている。陰極層の厚みは３〜１５ナノメートルであることが好ましい。放出器電圧Ｖｅ（約３〜２０Ｖ）を有する電圧源２４が、コンタクト１２を介して陰極層１４および電子供給源１０に印加されるとき、電子が、基板１０（電子供給源）から陰極層１４まで直接的にあるいは間接的に突き抜ける。トンネル層２０内に欠陥が存在するとき、電子がその中を突き抜ける電界は種々の隙間で中断され、陰極層１４の表面からの電子放出１６は従来の設計よりも大きくなる。別法では、誘電体が十分に薄い場合には、直接的なトンネル現象が生じる。また、放出器５０からのエネルギー放出２２を作り出すために、電子放出１６とともに、ある量の光子放出１８が生じる。
【００１１】
電界は種々の厚みの場合に以下の式により計算される。
【数１】
2005135930.tif 000003
ただし、ｔｔｈｉｃｋｎｅｓｓはトンネル層２０の厚みである。たとえば、Ｖｅ＝１０Ｖの場合に、トンネル層２０の厚みが５０ナノメートルの場合には、電界は２×１０６Ｖ／ｍに等しい。ある特定の誘電体の場合の最小厚はその絶縁耐力に依存するであろう。
【００１２】
金属クラスター誘電体トンネル層２０はスパッタ堆積されることが好ましい。トンネル層として金属クラスター誘電体を用いることにより、より高い放出を達成するために、非常に高い電界強度を電子源１０と陰極層１４との間にかけることができる。なぜなら、金属クラスター誘電体は、絶縁破壊を生じることなく、非常に高い電界強度に耐えるためである。金属クラスター誘電体によって、直接的なトンネル現象を引き起こすことができる。
【００１３】
シリコン系誘電体トンネル層２０は、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）を用いて堆積されることが好ましい。トンネル層としてシリコン系誘電体を用いることにより、材料全体にわたって欠陥領域が達成され、電子源１０と陰極層１４との間に生成される電界に起因して、トンネル現象が種々の欠陥を通して生じる。
【００１４】
図２は、図１の放出器５０のための利用方法を示す典型的な図である。この応用形態では、電子放出１６は、導体内のアパーチャとして具現される静電集束素子あるいはレンズ２８によって集束され、そのアパーチャは、レンズ２８の集束効果を変更するために調整されることができる所定の電圧に設定される。当業者は、レンズ２８が、所望の集束効果を生み出すために、２つ以上の導体層から形成されることができることは理解されよう。電子放出１６は、レンズ２８によって集束され、集束されたビーム３２が陽極構造３０に照射される。陽極構造３０は陽極電圧Ｖａ２６に設定され、陽極電圧は、応用形態によって、意図される目的、および陽極構造３０から放出器５０までの距離に応じて大きさを変更される。たとえば、陽極構造３０が記憶媒体のための記録可能媒体である場合、Ｖａは５００〜１０００Ｖになるように選択される場合もある。レンズ２８は、そのアパーチャ内に電界３４を生成することにより、電子放出１６を集束する。Ｖからの適当な電圧に設定されることにより、放出器５０から放出される電子はアパーチャの中央に向けられ、その後、集束されたビーム３２を形成するために、陽極構造３０に対してさらに引き寄せられる。
【００１５】
図３は、ピクセルグループのアレイ内に形成される多数の集積された放出器１００を含む集積回路５２を有する表示装置４０の典型的な実施形態である。集積された放出器１００は、光学レンズ３８を用いて、画像として視認可能な集束されたビーム３２に集束される光子放出１８、すなわち可視光源を放射する。光学レンズ３８は、酸化インジウムスズのような透明な導電性表面でコーティングされ、放出器から放出される電子を捕捉することが好ましい。
【００１６】
図４は、少なくとも１つの集積された放出器１００を含むが、アレイとして配列される複数の集積された放出器１００を含むことが好ましい集積回路５２の典型的な実施形態である。集積回路５２上に放出器制御回路７２が集積され、少なくとも１つの集積された放出器１００を動作させるために用いられる。
【００１７】
図５は、集積された放出器１００およびレンズアレイ４８を含む集積回路５２の典型的な実施形態である。集積回路５２は、電子源を設けるために薄膜導電層のような高濃度にドープされたシリコンあるいは導電性材料であることが好ましい導電性基板１０上に形成される。基板１０上には、約５〜約５００ナノメートル、好ましくは約１０ナノメートルの厚みを有するトンネル層２０が配置されるが、応用形態および材料によっては約５〜約７５ナノメートルであることがさらに好ましい。半導体薄膜材料からなる種々の層が基板１０に被着され、集積された放出器１００を形成するためにエッチングされる。トンネル層２０上には、プラチナ、金、モリブデン、イリジウム、ルテニウム、タンタル、クロム、または他の屈折性材料あるいはそれらの合金からなる薄膜導電層であることが好ましい陰極層１４が配置される。陰極層１４は陰極表面を形成し、電子および光子の形のエネルギーがその陰極表面から放出される。レンズアレイ４８は、従来の薄膜処理を用いて被着され、集積された放出器１００から陽極構造７６の表面上にエネルギーを集束するために導電層内に画定され、集積された放出器１００と位置合わせされるレンズ２８を含む。陽極構造７６は、集積回路５２からのターゲット距離７４に配置される。
【００１８】
図６は、本発明の集積された放出器１００を用いる表示装置の応用形態の別の実施形態である。この実施形態では、複数の放出器１００が、集積回路５２内に配置され、形成される。放出器１００はそれぞれ、電子放出１６あるいは光子放出１８（図１を参照）の形のエネルギー放出２２を放出する。陽極構造、すなわち表示装置４０は、表示装置サブピクセル４２から構成される表示装置ピクセル４４において、放出されたエネルギーを受け取る。表示装置サブピクセル４２は、エネルギー放出２２の電子放出１６が衝突する際に光子を生成する発光体材料であることが好ましい。別法では、表示装置サブピクセル４２として半透明の開口部が用いられ、エネルギー放出２２の光子放出１８が、直接に光子を視認するために表示装置４０を通過できるようにする。
【００１９】
図７Ａは、記憶素子における集積された放出器１００の別の利用方法を示す。この実施形態では、複数の集積された放出器１００を有する集積回路（ＩＣ）５２は、集積された放出器１００と位置合わせされる集束機構からなるレンズアレイ４８を有する。レンズアレイ４８は、記録用表面、すなわち媒体５８に作用するために用いられる集束されたビーム３２を生成するために用いられる。媒体５８は、ＩＣ５２上の集積された放出器１００に対して媒体５８を位置決めする可動子５６に被着される。可動子５６は、その中に読出し回路６２を集積されることが好ましい。
【００２０】
図７Ｂでは、読出し回路６２が、媒体５８に対する第１のオームコンタクト６４と、半導体あるいは導体基板であることが好ましい可動子５６への第２のオームコンタクト６６とを形成する増幅器６８として示される。集束されたビーム３２が媒体５８に衝突するとき、集束されたビームの電流密度が十分に高い場合には、媒体が相変化を起こし、改変された媒体エリア６０が形成される。低い電流密度の集束されたビーム３２が媒体５８の表面に当てられるとき、増幅器６８によって異なる量の電流が検出され、読出し回路出力７０が生成される。こうして、集積された放出器１００からのエネルギーを用いて媒体に影響を及ぼすことにより、媒体の構造的に相変化を起こした特性を用いて、媒体に情報が格納される。１つのそのような相変化材料はＩｎ２Ｓｅ３である。カルコゲニド合金、たとえば、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＳｅ、Ｓｂ２Ｔｅ３、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５、ＩｎＳｂＴｅ、ＧａＳｅＴｅ、ＳｎＳｂ２Ｔｅ４、ＩｎＳｂＧｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、（ＧｅＳｎ）ＳｂＴｅ、ＧｅＳｂ（ＳｅＴｅ）、Ｔｅ８１Ｇｅ１５Ｓｂ２Ｓ２およびＧｅＳｂＴｅのような他の相変化材料が当業者には知られている。
【００２１】
図８は、陰極層１４内に放出器エリア８４を含む本発明の集積された放出器１００の典型的な実施形態の平面図である。陰極層１４は、導電層８２に電気的に接続され、かつ導電層８２の下側に配置され、導電層はさらに絶縁体層７８上に部分的に配置される。好ましくは円形の集積された放出器１００が示されているが、他の形状を用いることもできる。円形は、電界強度に影響を及ぼす場合がある形状内の不連続のエッジが存在しないので、生成される電界がより一様になる点で好ましい。
【００２２】
図９は、図８において９−９軸に沿って見た、集積された放出器１００の典型的な実施形態の断面図である。基板１０、好ましくは導電層あるいは高濃度にドープされた半導体が、絶縁体７８内に画定される開口部内で、かつ部分的に絶縁体層７８の表面上に配置されるトンネル層２０への電子供給源を提供する。陰極層１４、好ましくは薄膜導電層が、トンネル層２０上で、かつ導電層８２の下側に部分的に配置され、それにより導電層との電気的コンタクトを形成する。オプションで、絶縁体層７８および導電層８２のための特定の材料に応じて、タンタルのような接着層が導電層８２の前に被着され、導電層８２と絶縁体層７８との間の結合境界面を提供することができる。
【００２３】
図１０は、マイクロプロセッサ９６と、マイクロプロセッサ９６に接続されるメモリ９８と、電子装置、すなわち記憶装置９４および表示装置９２とを含むコンピュータ９０の典型的なブロック図である。電子装置はマイクロプロセッサ９６に接続される。マイクロプロセッサ９６は、メモリからの命令を実行することができ、メモリと、記憶装置９４および表示装置９２のような電子装置との間でデータを転送できるようにする。各電子装置は、本発明を組み込む放出器と、好ましくは放出器からの放出を集束するための集束素子とを有する集積回路を含む。放出器は電子供給層を有し、その上には絶縁層が配置される。絶縁層は開口部を画定され、その開口部において、電子供給層上にトンネル層が形成される。トンネル層上には陰極層が配置される。オプションではあるが、放出器を有する集積回路はアニーリングステップにかけられて、それにより電子供給層から陰極層まで突き抜けることができる電子の供給量を増加させることが好ましい。
【００２４】
図１１Ａ〜図１１Ｊは、本発明を組み込む放出器を形成するために用いられる典型的なプロセスステップを示す。図１１Ａでは、誘電体あるいはフォトレジスタからなるマスク１０２が、シリコン半導体基板であることが好ましい基板１０に被着されるが、基板１０には導電性薄膜層あるいは導電性基板が用いられる場合もある。基板１０は、約１００〜０．０００１Ω・ｃｍのシート抵抗を有することが好ましい。
【００２５】
図１１Ｂでは、絶縁体層７８が、好ましくは、基板１０がシリコン基板である場合にフィールド酸化膜（ＦＯＸ）成長によって形成される。オプションでは、絶縁体層７８は、従来の半導体プロセスを用いて単体で、あるいは組み合わせて堆積あるいは成長させた他の酸化物、窒化物あるいは他の従来の誘電体から形成されることができる。絶縁体層７８は、マスク１０２によって覆われたエリア内を除く基板１０上に形成される。マスク１０２によって画定されるエリア、それゆえ絶縁体層７８内に結果的に形成された空隙、あるいは画定された開口部は、マスク１０２が除去される際に、後に形成される集積された放出器１００の位置と形状を決定する。
【００２６】
図１１Ｃでは、トンネル層２０が、基板１０上および絶縁体層７８上に被着される。トンネル層２０として用いられるシリコン系誘電体は、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）を用いて被着されることが好ましい。当業者には他の堆積技術も知られている。トンネル層２０は、ＳｉＣ、ＳｉＮｘ、Ｓｉ３Ｎ４（ＲＩ〜２．０）、あるいはＳｉｘＮｙ（ｘ：ｙ＞３／４、ＲＩ−２．３）であることが好ましい。オプションでは、Ｆｙ−ＳｉＯｘおよびＣｙ−ＳｉＯｘがトンネル層２０のための適当な材料であると考えられる。トンネル層２０として用いられるシリコン系誘電体は、約２５〜約５００ナノメートルの厚みを有することが好ましい。
【００２７】
オプションでは、金属クラスター誘電体、すなわちＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＷＳｉＮ、ＴａＡｌＯｘＮｙ、ＴａＡｌＯｘあるいはＡｌＯｘＮｙのような高い絶縁耐力の材料からなることが好ましいが、ＴｉＯｘであることがより好ましいトンネル層２０が、処理された基板１０および絶縁体層７８の表面上に被着される。トンネル層２０に用いられる金属クラスター誘電体は、金属をスパッタリングし、酸素および／または窒素を導入することにより堆積され、約５０ナノメートル未満、好ましくは約１０ナノメートルのような、約５〜約２５ナノメートルの厚みまで誘電体が形成されることが好ましい。
【００２８】
２つのタイプのトンネル材料が示されているが、他のトンネル材料を用いて、トンネル層２０を設けることができ、それは依然として本発明の精神および範囲を満たすことができる。
【００２９】
トンネル層２０が堆積された後、陰極層１４がトンネル層２０上に堆積されるか、スパッタリングされるか、あるいは他の方法で被着される。図１１Ｃは、処理された基板１０の表面上に陰極層１４を被着した結果を示す。陰極層１４は、プラチナあるいは金のような薄膜金属層であることが好ましく、約５〜約２５ナノメートルの厚みを有することが好ましい。陰極層１４として、いくつかの例を挙げると、モリブデン、イリジウム、ルテニウム、タンタル、クロムまたは他の屈折性金属あるいはその合金のような他の材料を用いることができる。絶縁体層７８の開口部内のトンネル層２０上に配置される陰極層１４は、放出器表面８６を形成する。
【００３０】
図１１Ｄは、放出器表面８６上に、かつ絶縁体層７８上に部分的に配置されるエッチングフォトマスク５５を被着し、放出器構造の形状および位置を画定することを示す。図１１Ｅは、陰極層１４およびトンネル層２０のエッチングの結果を示す。
【００３１】
図１１Ｆは、くぼんだ外形を形成するために用いられる処理された基板１０上に、エッチングフォトマスクが剥離された後に第１のフォトレジスト層５７を、その上に第２のフォトレジスト層５９を被着することを示す。第１のフォトレジスト層５７は、非常に高い温度（すなわち、約１３０℃以上）において安定している光活性化合物（ＰＡＣ）を有するレジストからなる厚膜コーティングであることが好ましい。第１のフォトレジスト層５７は、被着された後にソフトベークされることが好ましい。その後、第１のフォトレジスト層５７は、必要とされるエッチングプロファイルのタイプに応じたエネルギーレベルに大量に露光される。その後、第１のフォトレジスト層５７は約１２０℃〜約１５０℃で、９０〜１８０秒間、ホットプレート上でハードベークされる。
【００３２】
第２のフォトレジスト層５９は、第１のフォトレジスト層５７の上側にスピニングあるいは堆積のいずれかによって、好ましくは薄膜コーティングとして被着され、その後、約９０〜約１１０℃で、約６０秒間ベークされる。第２のフォトレジスト層５９のベーキングはそのＰＡＣを第１のフォトレジスト層に再分配し、可変密度のＰＡＣフォトレジスト層６１を形成する。
【００３３】
図１１Ｇでは、放出器の形状および位置を画定するために、可変密度のフォトレジスト層６１の表面上にフォトマスク６３が被着される。
【００３４】
図１１Ｈでは、可変密度のフォトレジスト層６１が、被着される厚みに応じて、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）系現像液等において、約２０〜約６０秒間現像される。この現像プロセスは、さらに堆積される金属が、エッチングされた開口部の壁部に付着するのを防ぐ際に有用な大きくくぼんだ外形を形成する。従来のプロセスでは、堆積された金属が、概ね垂直、あるいはくぼんでいない側壁上に形成される。側壁上に金属が堆積される結果として、処理された基板上に残される小片が生じるようになり、短絡あるいは汚染を生じるようになる点で、この側壁に堆積される金属は問題を生じる。また、薄い金属上で金属のわずかな残りをエッチングし、停止させることは難しい。
【００３５】
くぼんだ側壁外形を形成するための別の方法は、大量露光段階中の露光エネルギーを変更すること、着色／非着色レジストを用いること、高／低コントラストレジストを用いること、ならびに温度および時間のようなポスト大量露光(post-flood exposure)ベーク条件を用いて、溶剤および第１のフォトレジスト層５７内のＰＡＣを制御することにより、現像液内の第１のフォトレジスト層５７および第２のフォトレジスト層５９の相対的な溶解速度を制御することとを含む。用いられる基本的な理論は、ポジティブフォトレジストにおいてＰＡＣの適当な勾配を形成することである。その後、レジストは放射線に露光され、現像される。レジストの溶解の速度はＰＡＣ濃度に反比例し、それゆえ、図示されたくぼんだ構造のような非垂直側壁外形を形成することができる。
【００３６】
図１１Ｉでは、フォトマスク６３が剥離され、処理された基板１０上に導電層８２が堆積あるいはスパッタリングされていることが好ましい。導電層８２を被着する前に、絶縁体層７８との接着性を高めるために、最初にオプションの接着層が被着される。後に被着される導電層８２が金であるとき、オプションの接着層はタンタルであることが好ましい。接着層は従来の堆積技術を用いて被着されることが好ましい。接着層は、約２０ナノメートルまでの層厚を有することが好ましい。導電層８２は、用いられる場合には接着層のような、基板１０上に予め被着された層上に被着される。導電層８２は、従来の堆積技術を用いて被着されることが好ましい。導電層８２は、約５０〜約１００ナノメートルの厚みを有する金であることが好ましい。
【００３７】
図１１Ｊでは、放出器素子５０を形成するために、リフトオフプロセスを用いて、可変密度フォトレジスト層６１と、その上に配置される導電層８２の部分とが除去される。低温プラズマを用いて、可変密度フォトレジスト層６１内の有機材料を反応性エッチングし、アッシングすることが好ましい。用いられる気体は、プレーナプラズマエッチングプロセスでは酸素であることが好ましい。処理された基板１０はチャンバ内に配置され、プラズマフィールドを形成するために、酸素が導入され、エネルギー源によって励起される。プラズマフィールドは、高エネルギー状態まで酸素にエネルギーを供給し、その後、酸素は可変密度フォトレジスト層６１の成分を酸化し、その気体が真空ポンプによってチャンバから除去される。
【００３８】
オプションでは、ウエットリフトオフプロセスが、プラズマリフトオフプロセスの代わりに用いられることができる。処理された基板１０は溶剤内に浸漬され、溶剤がメガソニックあるいは超音波攪拌され、可変密度フォトレジスト層６１とその上に配置される導電層８２とが膨潤され、除去されるであろう。
【００３９】
図１２Ａ〜図１２Ｄは、別の放出器素子５０’を形成するために用いることができる、図１１Ａ〜図１１Ｊに示されるステップに対する典型的な代替のプロセスステップを示す。図１２Ａでは、陰極層１４を被着した後に、保護層６５が被着される。保護層６５は、チタンあるいはモリブデンからなる層であり、さらに別のステップ中に陰極層１４上の放出器表面８６が汚染されるのを防ぐために用いられることが好ましい。可変密度フォトレジスト層６１が処理された基板１０の表面上に被着され、フォトマスク６３でパターニングされ、露光される。
【００４０】
図１２Ｂは、大きなくぼみの外形を形成するために、可変密度フォトレジスト層６１をエッチングした結果を示す。
【００４１】
図１２Ｃは、処理された基板１０に、タンタルのような接着層８０と、金のような導電層８２とを被着することを示す。エッチングされた可変密度フォトレジスト層６１の側壁は大きくくぼんでいるため、接着層８０および導電層８２のいずれも側壁上には堆積されない。
【００４２】
図１２Ｄは、リフトオフプロセスを用いて、可変密度フォトレジスト層６１と、その上に配置される接着層８０および導電層８２の部分とを除去した結果を示す。その後、代替の放出器構造５０’は、保護層６５を除去し、放出器エリア８４を露出するために選択的にエッチングされる。
【００４３】
集積回路薄膜技術を用いて放出器を製造することにより、従来の集積回路において見られる従来どおりの能動回路とともに放出器を集積することができる。放出器を有する集積回路は、先に記載されたように、表示装置あるいは記憶素子において用いることができる。製造後に、放出器は、放出器からの放出量を増加するために、アニーリングプロセスにかけられることが好ましい。
【００４４】
図１３Ａおよび図１３Ｂは、本発明を具現する放出器の放出電流能力を高めるために用いられる典型的なアニーリングプロセスのグラフである。アニーリングプロセスは、放出器がより長く動作し続けるようにすることにより、装置の歩留まりおよび品質も高める。アニーリングプロセスは、他の利点の中でも特に、異なる材料のコンタクトの抵抗を低減し、それにより放出器への電流を増加できるようにする。
【００４５】
図１３Ａでは、第１の熱分布１２０が、本発明を組み込む放出器を含む処理された基板が最初に、１０分以内に約４００℃の温度まで高められ、その後、３０分間、その温度に保持されることを示す。その後、処理された基板は、約５５分の時間をかけて、室温（約２５℃）まで徐々に冷却される。図１３Ｂでは、第２の熱分布１２２は、本発明を組み込む放出器を含む処理された基板が、１０分以内に約６００℃の温度まで高められ、約３０分間、その温度に保持されることを示す。その後、処理された基板は、約１００分の時間をかけて、室温まで徐々に冷却される。当業者は、高められた温度および冷却速度が上記の典型的なプロセスから変更されることができ、それでも本発明の精神および範囲を満たすことができることは理解されよう。本発明を組み込む少なくとも１つの放出器を含む基板をアニールすることにより、放出器の特性のうちのいくつかが改善される。
【００４６】
多くの変形および変更が、本発明から実質的に逸脱することなく、開示される実施形態に対してなされる場合があることは当業者には明らかであることに留意されたい。そのような変形形態および変更形態の全ては、添付の請求の範囲に記載されるような、本発明の範囲内に含まれることが意図される。
【００４７】
以下においては、本発明の種々の構成要件の組み合わせからなる例示的な実施形態を示す。
１.  放出器（１００）であって、
電子供給源（１０）と、
該電子供給源上に配置されるトンネル層（２０）と、
該トンネル層上に配置される陰極層（１４）と、
該陰極層上に部分的に配置され、放出エリアを形成するために開口部を画定する導電層（８２）とを含み、
前記電子供給源、前記トンネル層、および前記陰極層は、アニーリングプロセス（１２０、１２２）にかけられている放出器。
２.  １平方センチメートル当たり１×１０−２Ａより大きい放出電流を有する放出されたエネルギー（２２）を与えるように動作する請求項１に記載の放出器。
３.  エネルギー（２２）を放出することができる請求項１に記載の放出器（１００）と、
前記放出されたエネルギーを受け取り、該放出されたエネルギーを受け取るのに応答して少なくとも第１の効果を生成し、前記放出されたエネルギーを受け取らないことに応答して第２の効果を生成することができる陽極構造（３０、４０、５８、７６）とを含む電子装置。
４.  電子ビームを生成するために請求項１に記載の少なくとも１つの放出器（１００）と、
集束されたビーム（３２）を生成するために前記電子ビームを集束するためのレンズ（２８）と、
前記少なくとも１つの放出器に近接して配置される記憶媒体（５８）であって、該記憶媒体は記憶エリアを有し、該記憶エリアは、該記憶エリアに格納される情報を表すために、複数の状態（６０）のうちの１つを有する、記憶媒体とを含む記憶素子であって、
前記集束されたビームが前記記憶エリアに衝突する際に効果が生成され、
該効果の大きさは前記記憶エリアの前記状態に依存し、
前記効果の前記大きさを測定することにより、前記記憶エリアに格納される情報が読み出される記憶素子。
５.  放出器（１００）であって、
電子供給層（１０）と、
該電子供給層上に形成され、その中に開口部を画定する絶縁体層（７８）と、
該開口部内の前記電子供給層上に形成され、さらに前記絶縁体層上に配置されるトンネル層（２０）と、
該トンネル層（２０）上に形成される陰極層（１４）と、
該陰極層上に部分的に配置され、かつ前記絶縁体層上に部分的に配置される導電層（８２）とを含み、
エネルギー放出のために、前記電子供給層から前記陰極層に突き抜ける電子の供給量を増加するために、前記放出器はアニーリングプロセス（１２０、１２２）にかけられている放出器。
６.  電子供給源（１０）上に放出器（１００）を形成するための方法であって、
電子源上にトンネル層（２０）を被着するステップと、
前記トンネル層上に陰極層（１４）を被着するステップと、
前記陰極層にわたって可変密度のフォトレジスト層（６１）を被着するステップと、
前記陰極層の一部を露出するエッチングされた開口部からなるくぼんだ外形を形成するために、前記可変密度フォトレジスト層を現像するステップと、
前記陰極層上の前記現像された開口部内に導電層（８２）を被着するステップとを含む方法。
７.  導電層（８２）を被着する前記ステップは、前記導電層を被着する前に、接着層（８０）を被着するステップをさらに含む請求項６に記載の方法。
８.  前記陰極層（１４）を被着する前記ステップは、前記可変密度フォトレジスト層を被着する前記ステップの前に、前記陰極層にわたって保護層（６５）を被着するステップをさらに含む請求項６に記載の方法。
９.  電子供給源（１０）上の放出器（１００）を形成するための方法であって、
前記電子供給源上に配置される絶縁体層（７８）にわたってトンネル層（２０）を被着するステップであって、前記絶縁体層は前記電子供給源への開口部を画定する、該ステップと、
前記トンネル層に接着するために、陰極層（１４）を被着するステップと、
前記陰極層および前記絶縁体層上に可変密度のフォトレジスト層（６１）を被着するステップと、
前記可変密度フォトレジスト層内に前記陰極層に対する開口部を形成するステップと、
前記可変密度フォトレジスト層をリフトオフし、前記陰極層および前記絶縁体層から除去するステップとを含む方法。
１０.  電子供給表面（１０）上に放出器（１００）を形成するための方法であって、
前記電子供給表面上に絶縁体層（７８）を形成するステップと、
前記絶縁体層上に放出エリアを画定するステップと、
前記絶縁体層および前記開口部にわたってトンネル層（２０）を被着するステップと、
前記トンネル層にわたって陰極層（１４）を被着するステップと、
前記陰極層と前記トンネル層とをエッチングするステップと、
前記陰極層および前記絶縁体層上に可変密度のフォトレジスト層（６１）を被着するステップと、
前記陰極層の一部を露出するくぼんだ開口部を形成するために、前記可変密度フォトレジスト層を現像するステップと、
前記可変密度フォトレジスト層上と、前記陰極層上の前記くぼんだ開口部内とに導電層（８２）を被着するステップと、
前記可変密度フォトレジスト層と、その上に配置される前記導電層とをリフトオフするステップとを含む方法。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明を組み込むトンネル放出器の典型的な図である。
【図２】集束された電子ビームを生成するために、図１のトンネル放出器を利用する典型的な図である。
【図３】表示装置を形成するために、いくつかのトンネル放出器と光学レンズとを含む集積回路の典型的な図である。
【図４】多数のトンネル放出器および制御回路を組み込む集積回路の典型的なブロック図である。
【図５】トンネル放出器からのエネルギー放出を集束するレンズを含む集積回路上のトンネル放出器の典型的な図である。
【図６】多数のトンネル放出器と、光子を生成するか、あるいは通す陽極構造とを含む集積回路から形成される典型的な表示装置を示す図である。
【図７Ａ】書換え可能媒体に対して情報の読出しあるいは記録を行うための多数のトンネル放出器を含む集積回路を組み込む典型的な記憶素子を示す図である。
【図７Ｂ】図７Ａの典型的な記憶素子に組み込まれる典型的な読出し回路を示す概略図である。
【図８】典型的なトンネル放出器の平面図である。
【図９】図８に示されるトンネル放出器の典型的な断面図である。
【図１０】本発明のトンネル放出器を組み込む、電子装置、すなわち表示装置あるいは記憶素子のうちの少なくとも１つを組み込むコンピュータの典型的なブロック図である。
【図１１Ａ】本発明のトンネル放出器を形成するための第１の典型的なプロセスにおいて用いられる典型的なステップを示す図である。
【図１１Ｂ】本発明のトンネル放出器を形成するための第１の典型的なプロセスにおいて用いられる典型的なステップを示す図である。
【図１１Ｃ】本発明のトンネル放出器を形成するための第１の典型的なプロセスにおいて用いられる典型的なステップを示す図である。
【図１１Ｄ】本発明のトンネル放出器を形成するための第１の典型的なプロセスにおいて用いられる典型的なステップを示す図である。
【図１１Ｅ】本発明のトンネル放出器を形成するための第１の典型的なプロセスにおいて用いられる典型的なステップを示す図である。
【図１１Ｆ】本発明のトンネル放出器を形成するための第１の典型的なプロセスにおいて用いられる典型的なステップを示す図である。
【図１１Ｇ】本発明のトンネル放出器を形成するための第１の典型的なプロセスにおいて用いられる典型的なステップを示す図である。
【図１１Ｈ】本発明のトンネル放出器を形成するための第１の典型的なプロセスにおいて用いられる典型的なステップを示す図である。
【図１１Ｉ】本発明のトンネル放出器を形成するための第１の典型的なプロセスにおいて用いられる典型的なステップを示す図である。
【図１１Ｊ】本発明のトンネル放出器を形成するための第１の典型的なプロセスにおいて用いられる典型的なステップを示す図である。
【図１２Ａ】本発明のトンネル放出器を形成するための第２の典型的なプロセスにおいて用いられる典型的なステップを示す図である。
【図１２Ｂ】本発明のトンネル放出器を形成するための第２の典型的なプロセスにおいて用いられる典型的なステップを示す図である。
【図１２Ｃ】本発明のトンネル放出器を形成するための第２の典型的なプロセスにおいて用いられる典型的なステップを示す図である。
【図１２Ｄ】本発明のトンネル放出器を形成するための第２の典型的なプロセスにおいて用いられる典型的なステップを示す図である。
【図１３Ａ】オプションで本発明のトンネル放出器を改善するために用いられる典型的なアニーリングプロセスのグラフである。
【図１３Ｂ】オプションで本発明のトンネル放出器を改善するために用いられる典型的なアニーリングプロセスのグラフである。
【符号の説明】
【００４９】
１０  電子供給源
１４  陰極層
２０  トンネル層
２２  エネルギー放出
２８  レンズ
３０,４０,５８,７６  陽極構造
３２  収束されたビーム
５８  媒体
６０  媒体エリア（複数の状態）
６１  可変密度のフォトレジスト
７８  絶縁体層
８０  接着層
８２  導電層
１００  放出器
１２０,１２２  アニ-リングプロセス
【図１】
2005135930.tif 000004
【図２】
2005135930.tif 000005
【図３】
2005135930.tif 000006
【図４】
2005135930.tif 000007
【図５】
2005135930.tif 000008
【図６】
2005135930.tif 000009
【図７Ａ】
2005135930.tif 000010
【図７Ｂ】
2005135930.tif 000011
【図８】
2005135930.tif 000012
【図９】
2005135930.tif 000013
【図１０】
2005135930.tif 000014
【図１１Ａ】
2005135930.tif 000015
【図１１Ｂ】
2005135930.tif 000016
【図１１Ｃ】
2005135930.tif 000017
【図１１Ｄ】
2005135930.tif 000018
【図１１Ｅ】
2005135930.tif 000019
【図１１Ｆ】
2005135930.tif 000020
【図１１Ｇ】
2005135930.tif 000021
【図１１Ｈ】
2005135930.tif 000022
【図１１Ｉ】
2005135930.tif 000023
【図１１Ｊ】
2005135930.tif 000024
【図１２Ａ】
2005135930.tif 000025
【図１２Ｂ】
2005135930.tif 000026
【図１２Ｃ】
2005135930.tif 000027
【図１２Ｄ】
2005135930.tif 000028
【図１３Ａ】
2005135930.tif 000029
【図１３Ｂ】
2005135930.tif 000030