(57)【要約】【課題】本発明はＬＳＩチップ等の半導体デバイスの電気的諸特性を測定するプローブカードを提供することを目的とする。【解決手段】測定対象物の電気的諸特性を測定するプローブカードに於いて、測定器に接触される第１接続用電極を有する第１主面と、第１接続用電極と配線にて電気的に導通する第２接続用電極を有する第２主面とを備えたメイン基板、第２接続用電極と電気的に導通するスルーホールを有し、上記メイン基板に結合されるサブ基板、一方端がサブ基板のスルーホール又はメイン基板の第２接続用電極に電気的に導通する接続ピン、上記サブ基板に接続され、接続ピンを支える支持基板、上記支持基板に接続され、接続ピンの他方端を装備する第１主面と、接続ピンに電気的に導通し、かつ測定対象物に接触される接触子を有する第２主面とを備えたスペーストランスフォーマーを設けたことを特徴とするプローブカード。【選択図】          図１
2005061844.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定対象物の電気的諸特性を測定するプローブカードに於いて、測定器に接触される第１接続用電極を有する第１主面と、第１接続用電極と配線にて電気的に導通する第２接続用電極を有する第２主面とを備えたメイン基板、第２接続用電極と電気的に導通するスルーホールを有し、上記メイン基板に結合されるサブ基板、一方端がサブ基板のスルーホール又はメイン基板の第２接続用電極に電気的に導通する接続ピン、上記サブ基板に接続され、接続ピンを支える支持基板、上記支持基板に接続され、接続ピンの他方端を装備する第１主面と、接続ピンに電気的に導通し、かつ測定対象物に接触される接触子を有する第２主面とを備えたスペーストランスフォーマーを設けたことを特徴とするプローブカード。
【請求項２】
上記サブ基板、スペーストランスフォーマー、及び支持基板は着脱可能に配置されていることを特徴とする請求項１記載のプローブカード。
【請求項３】
上記支持基板は接続ピンを挿通する複数のスルーホールを配置し、接続ピンの挿通したスルーホールと接続ピンとの間に誘電体を有することを特徴とする請求項１又は請求項２記載のプローブカード。
【請求項４】
上記メイン基板の第２主面とこの第２主面に向かい合いスルーホールを備えたサブ基板の第１主面との間に電気的に接続する導電体を有する請求項１乃至請求項３記載のプローブカード。
【請求項５】
上記メイン基板は第１接続用電極を有する第１主面にメイン基板の歪みを抑える補強板を張設する請求項１乃至請求項４記載のプローブカード。
【請求項６】
上記接続ピンと接続ピンを挿通するサブ基板のスルーホールとがスルーホール内で弾性的接触をする請求項１乃至請求項４記載のプローブカード。
【請求項７】
測定器に接触される第１接続用電極を有するメイン基板、上記第１接続用電極と電気的に導通する複数のスルーホールを有し、上記メイン基板に結合されるサブ基板、両端を自由端とした接続ピンを支える支持基板、他方の主面に測定対象物に接触される複数の接触子を設け、接触子と電気的に導通し複数のスルーホールを有するスペーストランスフォーマーを設け、上記接続ピンは一方端をスペーストランスフォーマーのスルーホール内で着脱可能に装着し、他方端をサブ基板のスルーホール内で着脱可能に装着することを特徴としたプローブカード。
【請求項８】
上記スペーストランスフォーマーを複数に分割してなる請求項１乃至請求項７記載のプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＬＳＩチップ等の半導体デバイスの電気的諸特性を測定するプローブカードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、プローブカードには、カンチレバー型と呼ばれる横型タイプと、垂直型と呼ばれる縦型タイプとがある。この横型タイプのプローブカードは、近年のＬＳＩチップの大規模高集積化とテスターの多重化に伴う多チップ同時測定に適していない面がある。又、縦型タイプのプローブカードは、より多くのプローブを使用でき、プローブの配置の自由度が高いので、多チップ同時測定に適している。
【０００３】
半導体デバイスの検査には、複数のチップを同時に測定することが求められており、近年そこで使用するプローブカードの電極数が更に増加しても、より電気的接触の安定性が高く、高性能、高信頼性のプローブカードが要求されている。
【０００４】
そこで、縦型タイプのプローブカードにあっては、図１８に示すように、測定器の電極パッドと接続する面に複数の第１接続用電極４’を有する第１主面１ａ’と、第１接続用電極と配線にて導通する第２接続用電極５’を有する第２主面１ｂ’とを備えたメイン基板１’を設け、測定対象物の電極パッドと接触する接触子が取り付けられる複数の第５接続用電極１８’を有する第２主面２ｂ’と、第５接続用電極１８’と配線にて導通する第４接続用電極２７’を有する第１主面２ａ’とを備えたスペーストランスフォーマー２’を設け、メイン基板とスペーストランスフォーマーとの間に支持基板８’を設け、支持基板に跨って介在し弓形などの形状に屈曲形成された接続ピン７’を設け、接続ピン７’が一方の先端部をメイン基板の第２接続用電極５’と接触し、他方の先端部をスペーストランスフォーマーの第４接続用電極２７’と接触する構造のものが存在していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところがこの種のプローブカードでは、メイン基板と、スペーストランスフォーマーと、この両者の向かい合う電極間を導通する接続ピンと、接続ピンを保持する支持基板との構造上、電気的に付勢接触するポイントとして少なくともメイン基板の第２主面と接続ピンの一方の先端部及びスペーストランスフォーマーの第１主面と接続ピンの他方の先端部の２個所を持つために、全体として導通不良が発生しやすいという問題点があった。又、屈曲形成された接続ピンが長くなり、方向、傾斜等の不ぞろいな状態で支持基板に保持されることとなるために、接続ピンの先端位置が不正確となって導通不良が多く発生するという問題点があった。
【０００６】
そこで、本発明はこのような従来のプローブカードが有していた課題を解決したものであって、電極間の導通不良の発生を抑制して電気的接触の安定性が高く、高い信頼性を有することを目的としたプローブカードを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のプローブカードは測定対象物の電気的諸特性を測定するプローブカードに於いて、測定器に接触される第１接続用電極を有する第１主面と、第１接続用電極と配線にて電気的に導通する第２接続用電極を有する第２主面とを備えたメイン基板、第２接続用電極と電気的に導通するスルーホールを有し、上記メイン基板に結合されるサブ基板、一方端がサブ基板のスルーホ−ル又はメイン基板の第２接続用電極に電気的に導通する接続ピン、上記サブ基板に接続され、接続ピンを支える支持基板、上記支持基板に接続され、接続ピンの他方端を装備する第１主面と、接続ピンに電気的に導通し、かつ測定対象物に接触される接触子を有する第２主面とを備えたスペーストランスフォーマーを設けてなる構成としている。
【０００８】
又、サブ基板とスペーストランスフォーマー及び支持基板とは着脱可能に配置されている構成としている。
【０００９】
更に、支持基板は接続ピンを挿通する複数のスルーホールを配置し、接続ピンが挿通したスルーホールと接続ピンとの間に誘電体を有する構成としている。
【００１０】
更に又、メイン基板の第２主面とこの第２主面に向かい合いスルーホールを備えたサブ基板の第１主面との間に電気的に接続する導電体を有する構成としている。
【００１１】
又、メイン基板は第１接続用電極を有する第１主面にメイン基板の歪みを抑える補強板を張設する構成としている。
【００１２】
更に、接続ピンと接続ピンを挿通するサブ基板のスルーホールとがスルーホール内で弾性的接触をする構成としている。
【００１３】
更に又、測定器に接触される第１接続用電極を有するメイン基板、上記第１接続用電極と電気的に導通する複数のスルーホールを有し、上記メイン基板に結合されるサブ基板、両端を自由端とした接続ピンを支える支持基板、他方の主面に測定対象物に接触される複数の接触子を設け、接触子と電気的に導通し複数のスルーホールを有するスペーストランスフォーマーを設け、上記接続ピンは一方端をスペーストランスフォーマーのスルーホール内で着脱可能に装着し、他方端をサブ基板のスルーホール内で着脱可能に装着する構成としている。
【００１４】
又、スペーストランスフォーマーを複数に分割してなることを構成としている。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について図に基づき説明する。
【００１６】
図中、図１は本発明実施例を示す断面構造の概略図、図２は本発明実施例を示す断面構造の分解概略図、図３は本発明実施例を示す断面構造の一部概略図、図４は本発明実施例の接続ピンを示す拡大図、図５は本発明サブ基板の別実施例を示す概略図、図６は本発明の接続ピンの結合状態を示す一部概略図、図７は本発明の他の接続ピンの接続状態を示す一部概略図、図８は本発明の他の接続ピンの結合状態を示す一部概略図、図９は本発明の接続ピンの他の接続状態を示す一部概略図である。
【００１７】
図１０は本発明の接続ピンの他の結合状態を示す一部概略図、図１１は本発明の接続ピンの他の接続状態を示す一部概略図、図１２は本発明の接続ピンの他の結合状態を示す一部概略図、図１３は本発明の他の接続ピンの接続状態を示す一部概略図、図１４は本発明のスペーストランスフォーマーの分割状態を示す断面構造の概略図、図１５は本発明のスペーストランスフォーマーの分割に対し接続ピンの結合状態を示す概略図、図１６は本発明のスペーストランスフォーマーの分割に対し他の接続ピンの結合状態を示す概略図、図１７は本発明実施例の補強板を示す概略図、図１８は従来のプローブカードの断面構造の一部を示す概略図である。
【００１８】
プローブカードＡは図１乃至図３に示すように、テスター等の検査用測定器（図示省略）に接触される第１接続用電極４を有するメイン基板１、上記第１接続用電極と電気的に導通する複数のスルーホール９を有するサブ基板３、上記スルーホールに着脱可能に挿通する接続ピン７、接続ピンを支える支持基板８、一方の主面２ａに接続ピンを装備し、他方の主面２ｂにＩＣチップ等の測定対象物である半導体デバイス（図示省略）に接触される複数の接触子６を設けたスペーストランスフォーマー２、このスペーストランスフォーマーを上記メイン基板に着脱可能に装着する保持具１０から構成されている。
【００１９】
メイン基板１は、図１乃至図３に示すように、検査用測定器に電気的に導通する複数の第１接続用電極４，４を第１主面１ａに装備し、後述のサブ基板３に対する電気的導通用としての複数の第２接続用電極５，５を第２主面１ｂに装備し、この第２接続用電極５を第１接続用電極４とメイン基板内の配線にて電気的に導通している。
【００２０】
メイン基板１は、第２主面１ｂの狭い間隔の隣り合う第２接続用電極間から第１主面１ａの広い間隔の隣り合う第１接続用電極間へと変換して、測定器の電極間に相当する広い間隔に第１主面１ａの第１接続用電極を配置している。
【００２１】
メイン基板１は、第１主面１ａに補強板１１を設けている。
この補強板１１は、メイン基板の第１主面１ａに接触する測定器の接触圧力によって、又、電気的接触によって発生する熱をメイン基板が吸収し、メイン基板の温度分布による熱膨張差によって、基板の反りが発生して、電気的導通不良を起こし、電気的接触の不安定を解消するために設けている。
【００２２】
この補強板１１は、メイン基板の歪みを極力抑えることができればよいので、図１７に示すように、メイン基板１の第１主面１ａ上に複数の独立した部材１１ａ，１１ｂを配置して、メイン基板の端側に歪みを生じてもメイン基板の中央側をフラットに保持するようにすればよい。又、複数の独立した部材をそれぞれ異種材料にて設けて、メイン基板の歪みをより効果的に抑えるようにしてもよい。
【００２３】
サブ基板３は、図１乃至図３に示すように、メイン基板１の第２主面１ｂと向かい合う第１主面３ａと、後述のスペーストランスフォーマー２の第１主面２ａと向かい合う第２主面３ｂとを設け、この第１主面３ａと第２主面３ｂと間に複数のスルーホール９，９を設けている。
【００２４】
このスルーホール９は、第１主面３ａ、第２主面３ｂ間を導電性メッキ層を有して貫通しており、第１主面３ａに装備した第３接続用電極１２と電気的に導通している。
【００２５】
サブ基板３は、サブ基板の第３接続用電極１２とメイン基板１の第２接続用電極５との間を半田、導電性樹脂等による導電体１３にて固定されており、この導電体部分以外のメイン基板１の第２主面１ｂと向かい合うサブ基板の第１主面３ａとの間に基板接着用の樹脂部材１４を装填している。これにより、サブ基板３は、メイン基板１と電気的に導通しながら、一体的に結合することとなる。
【００２６】
支持基板８は、図１乃至図３に示すように、接続ピン７に相対応する複数のスルーホール１５，１５を配置し、このスルーホール１５と接続ピンとの間に樹脂等の誘電体１６を装備しており、接続ピンの保持と変形を防ぎ、接続ピンと支持基板とを電気的に絶縁している。
【００２７】
接続ピン７は、図１乃至図３に示すように、一方端を自由端とし、他方端をスペーストランスフォーマー２に装備し、自由端が支持基板８のスルーホール１５内を挿通後、サブ基板３のスルーホール９内に向けて着脱自在に挿通しており、このサブ基板の導電性メッキ層を有するスルーホール９内と弾性的に接触を行い、電気的に導通するようにしている。
【００２８】
接続ピン７は、エッチング、プレス加工等にてＵ字型あるいはＶ字型形状に加工され、図４に示すように、サブ基板３のスルーホール９内で弾性的接触を行う接触部２４と、接触部を支える支持部２１と、支持部の端部に支持部のスルーホール９内への入りすぎを規制するストッパー部２２と、支持基板８のスルーホール１５を挿通し、スペーストランスフォーマー２の第４接続用電極２７と半田付けされた端子部２３とからなっている。
【００２９】
この接続ピン７は、図３に示したように、支持基板８のスルーホール１５を挿通して、サブ基板３のスルーホール９内に向けて接触部２４及び支持部２１を差し入れていくと、この接触部２４が導電性メッキ層を有するスルーホール９内壁と接触して電気的に導通可能状態とすることができる。勿論、スペーストランスフォーマー２を引き下げれば、スルーホール９内より接続ピン７の接触部２４及び支持部２１を引き抜くことができる。
【００３０】
スペーストランスフォーマー２は、図１乃至図３に示すように、サブ基板３の第２主面３ｂと向かい合う第１主面２ａと、半導体デバイスの高密度に配置された電極パッド（図示省略）に接触するための複数の接触子６，６を装備した第２主面２ｂとを設けている。
【００３１】
スペーストランスフォーマー２は、第１主面２ａと第２主面２ｂと間に複数の導電性メッキ層を有するスルーホール１７，１７を設けている。スペーストランスフォーマー２の第２主面２ｂには複数の第５接続用電極１８，１８を装備しており、この第５接続用電極１８に接触子６が半田付けされている。スペーストランスフォーマー２のスルーホール１７を挿通した接続ピン７の他方端が第５接続用電極１８に半田付けされて、導通性良く、接続ピン７をより強固に固定している。
【００３２】
このスペーストランスフォーマー２は、後述の図１４乃至図１６に示すように、分割型とすることにより電気的導通不良等の不良個所を交換することができる。
【００３３】
スペーストランスフォーマー２をメイン基板１に着脱可能に装着する保持具１０は、図１に示すように、メイン基板に螺着するネジ１９と、スペーストランスフォーマーの歪みを抑えるスプリング２０，２０とからなっている。
【００３４】
このようにして、スペーストランスフォーマー２側よりネジ１９のネジ頭を回してメイン基板１から取り外せば、サブ基板３を一体的に結合したメイン基板１と、支持基板８及びスペーストランスフォーマー２とが簡単に分解することができて、スペーストランスフォーマーの接続ピンの不良等を取り替えることもできる。又、逆にネジ１９を逆回しするだけで、スペーストランスフォーマー２及び支持基板とメイン基板１とを簡単に組立てることができる。
【００３５】
上記サブ基板３の別実施例としては、図５に示すように、サブ基板３が第１サブ基板３１と第２サブ基板３２との二層で構成され、それぞれのサブ基板３１，３２に位置をずらして第１サブ基板用スルーホール３１９、第２サブ基板用スルーホール３２９を設けており、この第１サブ基板３１用スルーホールと第２サブ基板３２用スルーホールとを第６接続用電極３３にて電気的に導通している。
【００３６】
第１サブ基板３１用スルーホール３１９は、サブ基板３の第３接続用電極１２と電気的に導通しており、この第３接続用電極１２は、メイン基板１の第２接続用電極５と半田、導電性樹脂等による導電体１３にて電気的に導通し、固定されている。この第２接続用電極５は、メイン基板１内の配線にて第１接続用電極４と電気的に導通している。
【００３７】
又、スペーストランスフォーマー２の第２主面２ｂには、第５接続用電極１８を装備しており、この第５接続用電極１８に接触子６が半田付けされている。更に、第２サブ基板３２用スルーホール３２９内で電気的に接続した後述の接続ピン７の端子部２３が支持基板８のスルーホール１５を挿通しスペーストランスフォーマー２のスルーホール１７内を貫通して第５接続用電極１８に半田付けされている。このサブ基板３は、第１サブ基板３１と第２サブ基板３２との二層としているが、三層以上であってもよい。
【００３８】
このようにして、サブ基板３を二層以上にしてサブ基板３内の二つのスルーホールの位置をずらすことによって、メイン基板１の第１接続用電極４からスペーストランスフォーマー２の接触子６へ間隔変換する際に、サブ基板３内を第２ピッチ変換と第３ピッチ変換の二段階により間隔変換することができるために、メイン基板１から直接一つのスルーホールを介して間隔変換するよりも、メイン基板１における配線の集中をサブ基板に分散させることができ、メイン基板１の配線負荷を軽減することができる。
【００３９】
メイン基板１とサブ基板３との結合は、図３に示すように、サブ基板３の導電性メッキ層を有するスルーホール９に電気的に導通した第１主面３ａの第３接続用電極１２と、サブ基板３のスルーホール９位置より離れたメイン基板１の第２主面１ｂの第２接続用電極５との間を半田、導電性樹脂等による導電体１３にて固定し、導電体部分を除くサブ基板とメイン基板との間に基板接着用の樹脂部材１４を装填して、一体的になるように結合している。
【００４０】
又、図６に示すように、導電体１３を介してメイン基板１の第２接続用電極５とサブ基板３の第３接続用電極１２とを結合し、接続ピン７が支持基板８の誘電体１６を通り抜けてサブ基板３のスルーホール９の内で圧力接触する構造は図３と同様であるが、接続ピン７の固定構造が相違したものとして、スペーストランスフォーマー２の第２主面２ｂの第５接続用電極１８に接続ピン７を半田付けして接続の信頼性を高めている。
【００４１】
更に、図７に示すように、導電体１３を介してメイン基板１の第２接続用電極５とサブ基板３の第３接続用電極１２とを結合し、接続ピン７が支持基板８の誘電体１６を通り抜け、スペーストランスフォーマー２の第５接続用電極１８に固定される構造は図３と同様であるが、接続ピン７の接続構造が相違したものとして、接続ピン７は一旦、サブ基板のスルーホール９の内インナーコンタクト２５にて弾性的接触後、メイン基板１の第２接続用電極５に接触して導通性の信頼を高めている。又、接続ピン７に変えて同軸ケーブル等のアッセンブリされた導通部材が電極間の導通をおこなう構成とすれば、電気的ノイズに強くなり、導通の安定化をはかることができる。
【００４２】
更に又、スペーストランスフォーマー２、支持基板８、サブ基板３及びメイン基板１の各接続用電極を電気的に安定化させるため、電源線とアースに対応する配線をそれぞれ接続共通化して引きまわすように構成することにより、電気的ノイズに強く、半導体デバイスを正確に電気検査することが可能である。
【００４３】
又、同軸ケーブル等のアッセンブリされた導通部材を設け、この導通部材が接続ピン７に代わって接続用電極と接触しても導通不良を抑制でき、接続の信頼性を損なうことはない。
【００４４】
又、図８に示すように、導電体１３を介してメイン基板１の第２接続用電極５とサブ基板３の第３接続用電極１２とを結合し、接続ピン７が支持基板８の誘電体１６を通り抜けて一旦、サブ基板３のスルーホール９の内インナーコンタクト２５にて弾性的接触後、メイン基板１の第２接続用電極５に接触する構造は図７と同様であるが、接続ピン７の固定構造が相違したものとして、第４接続用電極２７に接続ピン７を半田付けして接続の信頼性を高めている。
【００４５】
更に、図９に示すように、導電体１３を介してメイン基板１の第２接続用電極５とサブ基板３の第３接続用電極１２とを結合し、接続ピン７がスペーストランスフォーマー２のスルーホール１７内を挿通し、第５接続用電極１８と導通状態に半田付けされ、支持基板８のスルーホール１５内の誘電体１６を通り抜ける構造は図７と同様であるが、接続ピン７の接続構造が相違したものとして、サブ基板のスルーホール９の内で一旦半田付けされ、その先端がメイン基板の第２接続用電極５に接触して、導通性の信頼を高めている。
【００４６】
更に又、図１０に示すように、導電体１３を介してメイン基板１の第２接続用電極５とサブ基板３の第３接続用電極１２とを結合し、接続ピン７が支持基板８のスルーホール１５内の誘電体１６を通り抜け、サブ基板３のスルーホール９の内で一旦半田付けされ、その先端がメイン基板の第２接続用電極５に接触する構造は図９と同様であるが、接続ピン７の固定構造が相違したものとして、スペーストランスフォーマー２の第４接続用電極２７に接続ピン７を半田付けして接続の信頼性を高めている。
【００４７】
又、図１１に示すように、導電体１３を介してメイン基板１の第２接続用電極５とサブ基板３の第３接続用電極１２とを結合し、接続ピン７がスペーストランスフォーマー２の第５接続用電極１８に半田付けされ、支持基板８のスルーホール１５内の誘電体１６を通り抜ける構造は図１０と同様であるが、接続ピン７の接続構造が相違したものとして、サブ基板３の第１主面３ａに第３接続用電極１２を装備し、第２主面３ｂに第７接続用電極２８を装備し、第３接続用電極１２と第７接続用電極２８との間をスルーホール９にて電気的に導通しており、この第７接続用電極２８に支持基板の誘電体１６を通り抜けた接続ピン７を半田付けして接続の信頼性を高めている。
【００４８】
更に、図１２に示すように、導電体１３を介してメイン基板１の第２接続用電極５とサブ基板３の第３接続用電極１２とを結合し、接続ピン７が支持基板８のスルーホール９内の誘電体１６を通り抜け、サブ基板３の第７接続用電極２８に半田付けされる構造は図１１と同様であるが、接続ピン７の固定構造が相違したものとして、スペーストランスフォーマー２の第４接続用電極２７に接続ピン７を半田付けして接続の信頼性を高めている。
【００４９】
更に又、図１３に示すように、導電体１３を介してメイン基板１の第２接続用電極５とサブ基板３の第３接続用電極１２とを結合し、接続ピン７がスペーストランスフォーマー２のスルーホール１７内を挿通し、第５接続用電極１８と導通状態に半田付けされ、支持基板８のスルーホール１５内の誘電体１６を通り抜ける構造は図１１と同様であるが、接続ピン７の接続構造が相違したものとして、接続ピン７の先端を折り曲げて弾性を持たせ、サブ基板７のスルーホール９の内でこの先端部を圧力接触させ導通性の信頼を高めている。
【００５０】
次に、図１４は、スペーストランスフォーマー２を分割型とした構造を示し、メイン基板１にサブ基板３を一体的に結合してあり、接続ピン７は、スペーストランスフォーマー２のスルーホール１７内を挿通し、第５接続用電極１８と導通状態に半田付けされ、支持基板８のスルーホール１５内の誘電体１６を通り抜けてサブ基板３のスルーホール９の内で圧力接触し、スペーストランスフォーマー２を複数に分割している。
【００５１】
このスペーストランスフォーマー２の分割によって、電気的な導通不良等の不良個所の即時修正と交換ができる。分割されたスペーストランスフォーマーにより接触子６からの荷重による歪みを小さくできる特徴を持つので、多数個の半導体デバイスの測定において、より信頼性を高めることが可能になる。
【００５２】
又、図１５は、スペーストランスフォーマー２を分割型とした構造を示し、メイン基板１にサブ基板３を一体的に結合してあり、接続ピン７は、スペーストランスフォーマー２のスルーホール１７内を挿通し、第４接続用電極２７と導通状態に半田付けされ、支持基板８のスルーホール１５内の誘電体１６を通り抜けてサブ基板のスルーホール９の内で圧力接触し、スペーストランスフォーマー２を複数に分割した構造は図１４と同様であるが、接触子の配置構造が相違したものとして、分割されたスペーストランスフォーマー２の各接触子６を同一方向に向けて装備している。このように、接触子６を同一方向に向けて装備していても、何ら支障なく分割されたスペーストランスフォーマーを分離することができる。
【００５３】
更に、図１６は、スペーストランスフォーマー２を分割型とした構造を示し、メイン基板１にサブ基板３を一体的に結合してあり、接続ピン７は、両端にバネ部を備え、一方端をスペーストランスフォーマー２のスルーホール１７内で圧力接触し、他方端を支持基板８のスルーホール１５内の誘電体１６を通り抜けてサブ基板のスルーホール９の内で圧力接触した構造としている。従って、分割されたスペーストランスフォーマー２と接続ピン７を支持基板８から分離することができ、全体を取り替える必要がなく、それぞれユニット交換できるので、より大幅な経費削減をはかることができる。
【００５４】
以上本発明の代表例と思われる実施例について説明したが、本発明は必ずしもこれらの実施例構造のみに限定されるものではなく、本発明にいう前記の構成要件を備え、かつ本発明にいう目的を達成し、以下にいう効果を有する範囲内において適宜改変して実施することができるものである。
【００５５】
【発明の効果】
以上の説明から既に明らかなように、本発明にいうところのプローブカードは測定対象物の電気的諸特性を測定するプローブカードに於いて、測定器に接触される第１接続用電極を有する第１主面と、第１接続用電極と配線にて電気的に導通する第２接続用電極を有する第２主面とを備えたメイン基板、第２接続用電極と電気的に導通するスルーホールを有し、上記メイン基板に結合されるサブ基板、一方端がサブ基板のスルーホール又はメイン基板の第２接続用電極に電気的に導通する接続ピン、上記サブ基板に接続され、接続ピンを支える支持基板、上記支持基板に接続され、接続ピンの他方端を装備する第１主面と、接続ピンに電気的に導通し、かつ測定対象物に接触される接触子を有する第２主面とを備えたスペーストランスフォーマーを設けてなる構成としているので、検査の都度メイン基板とサブ基板との電気的導通を心配する必要がなく、スペーストランスフォーマーに装備された接続ピンの接触導通だけを考慮するだけでよく、信頼性の高いものとすることができる。
【００５６】
又、サブ基板とスペーストランスフォーマー、及び支持基板とは着脱可能に配置されている構成としているので、スペーストランスフォーマーに装備された接続ピンの不良等を取り替えることもできる。
【００５７】
更に、支持基板は接続ピンを挿通する複数のスルーホールを配置し、接続ピンの挿通したスルーホールと接続ピンとの間に誘電体を有する構成としているので、接続ピンの保持とインピーダンスの値を調整してインピーダンスを整合することができる。
【００５８】
更に又、メイン基板の第２主面とこの第２主面に向かい合いスルーホールを備えたサブ基板の第１主面との間に電気的に接続する導電体を有する構成としているので、接続が強固となり、導通不良を抑制することができる。
【００５９】
又、メイン基板は第１接続用電極を有する第１主面にメイン基板の歪みを抑える補強板を張設する構成としているので、メイン基板が湾曲状に変形して電気的な導通不良を起こし、電気的接触が不安定になるのを解消することができる。
【００６０】
更に、接続ピンと、接続ピンを挿通するサブ基板のスルーホールとがスルーホール内で弾性的接触をする構成としているので、接続が強固となり、導通不良を抑制することができる。
【００６１】
更に又、測定器に接触される第１接続用電極を有するメイン基板、上記第１接続用電極と電気的に導通する複数のスルーホールを有し、上記メイン基板に結合されるサブ基板、両端を自由端とした接続ピンを支える支持基板、他方の主面に測定対象物に接触される複数の接触子を設け、接触子と電気的に導通し複数のスルーホールを有するスペーストランスフォーマーを設け、上記接続ピンは一方端をスペーストランスフォーマーのスルーホール内で着脱可能に装着し、他方端をサブ基板のスルーホール内で着脱可能に装着する構成としているので、接続が強固となり、導通不良を抑制することができる。
【００６２】
又、スペーストランスフォーマーを複数に分割してなることを構成としているので、スペーストランスフォーマーの部分的不良に対してスペーストランスフォーマー全体を取り替える必要がなく、ユニット交換で完了するために、分解、組立て操作も簡単に行うことができると共に、大幅な経費の削減をはかることができるという顕著な効果を期待することが出来るに至ったのである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施例を示す断面構造の概略図。
【図２】本発明実施例を示す断面構造の分解概略図。
【図３】本発明実施例を示す断面構造の一部概略図。
【図４】本発明実施例の接続ピンを示す拡大図。
【図５】本発明サブ基板の別実施例を示す概略図。
【図６】本発明の接続ピンの結合状態を示す一部概略図。
【図７】本発明の他の接続ピンの接続状態を示す一部概略図。
【図８】本発明の他の接続ピンの結合状態を示す一部概略図。
【図９】本発明の接続ピンの他の接続状態を示す一部概略図。
【図１０】本発明の接続ピンの他の結合状態を示す一部概略図。
【図１１】本発明の接続ピンの他の接続状態を示す一部概略図。
【図１２】本発明の接続ピンの他の結合状態を示す一部概略図。
【図１３】本発明の他の接続ピンの接続状態を示す一部概略図。
【図１４】本発明のスペーストランスフォーマーの分割状態を示す断面構造の概略図。
【図１５】本発明のスペーストランスフォーマーの分割に対し接続ピンの結合状態を示す概略図。
【図１６】本発明のスペーストランスフォーマーの分割に対し他の接続ピンの結合状態を示す概略図。
【図１７】本発明実施例の補強板を示す概略図。
【図１８】従来のプローブカードの断面構造の一部を示す概略図。
【符号の説明】
Ａ  プローブカード
１，１’  メイン基板
２，２’  スペーストランスフォーマー
３  サブ基板
４  第１接続用電極
５  第２接続用電極
６  接触子
７，７’  接続ピン
８，８’  支持基板
９  サブ基板のスルーホール
１０  保持具
１１  補強板
１２  第３接続用電極
１３  導電体
１４  樹脂部材
１５  支持基板のスルーホール
１６  誘電体
１７  スペーストランスフォーマーのスルーホール
１８，１８’  第５接続用電極
１９  ネジ
２０  スプリング
２１  支持部
２２  ストッパー部
２３  端子部
２４  接触部
２５  インナーコンタクト
２７，２７’  第４接続用電極
２８  第７接続用電極
３１  第１サブ基板
３２  第２サブ基板
３３  第６接続用電極
３１９  第１サブ基板用スルーホール
３２９  第２サブ基板用スルーホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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