(57)【要約】【課題】半導体ウェハを薄膜化する工程で、半導体ウェハの割れ（欠け）を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハ４を石英ガラス基板１からはみ出さないように、ＵＶ硬化型樹脂３と剥離層２を介して貼りつけて、貼りつけられた半導体ウェハ４を研削することで、研削された薄膜半導体ウェハ８が割れ（欠け）ることを防止する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面側に形成する第１主電極と制御電極と、裏面側に形成する第２主電極とを有する半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板の表面側に前記第１主電極と前記制御電極とを形成する工程と、紫外線を透過する支持基板上に剥離層を形成する工程と、該剥離層上にＵＶ硬化型樹脂を塗布し、該ＵＶ硬化型樹脂上に前記半導体基板の表面側を固着する工程と、前記半導体基板の裏面側を研削し、フッ硝酸系の溶液でエッチングする工程と、前記半導体基板の裏面側に前記第２主電極を形成する工程と、前記支持基板側より前記剥離層へ赤外線を照射して前記剥離層より前記ＵＶ硬化型樹脂と前記支持基板とを剥離する工程と、前記半導体基板から前記ＵＶ硬化型樹脂を剥離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体基板の最外周が前記支持基板内に位置することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ＵＶ硬化型樹脂を前記支持基板の側面にも形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記支持基板上の半導体基板固着面および側面に予め窒化膜を形成し、該窒化膜上に前記剥離層を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記窒化膜が、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）もしくは窒化アルミニウム（ＡｌＮ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記支持基板が、石英ガラス基板を含むガラス基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記エッチングが、スピンエッチングであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記支持基板の外周部と前記半導体基板の外周部との距離が、互いの中心を一致させたとき、２ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＦＳ−ＩＧＢＴ（フィールドストップ型の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）などの薄型半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基板（以下、半導体ウェハという）を薄くする製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳ型電界効果トランジスタ）、ＦＷＤ（フリーホイールダイオード）などの電力用半導体装置の分野では、より低オン電圧、より低損失の要求が高くなり、それに伴ない半導体装置の小型化、薄型化の要求が高くなっている。
しかし、半導体装置を薄型化することにより、半導体ウェハの機械的強度が低下し、半導体ウェハの割れが多く発生するようになり、ハンドリング（取り扱い）が困難になる。この問題の解決のために、半導体ウェハを石英ガラス基板などの支持基板に接合し、接合していない側の面（裏面）を研削して半導体ウェハを薄型化する方法がある。
図８は、半導体ウェハを薄膜化する従来の方法を示し、同図（ａ）から同図（ｈ）は工程順に示した要部製造工程断面図である。これは、支持基板としては石英ガラス基板５１を用い、この石英ガラス基板５１の直径は半導体ウェハ５４の直径と同一である。
【０００３】
まず石英ガラス基板５１の表面に剥離層５２を塗布し、常温放置で硬化させてそれぞれを固着する。ここで、剥離層５２は後述のＵＶ硬化型樹脂を石英ガラス基板から後の工程で剥離させるために設けておくものである。例えば、光熱変換樹脂などの液状の樹脂を塗布して常温放置で硬化させればよい（同図（ａ））。
つぎに、この剥離層５２上にＵＶ硬化型樹脂５３を塗布する（同図（ｂ））。
つぎに、ＵＶ硬化型樹脂５３上に、図示しない各種拡散層や同図（ｈ）で示す第１主電極７２や制御電極７３を予め表面５５側に形成した半導体ウェハ５４の表面５５を配置する（同図（ｃ））。
つぎに、紫外線６１（ＵＶ）を石英ガラス基板５１から半導体ウェハ５４の表面５５側に向かって照射して、ＵＶ硬化型樹脂５３を硬化させることにより、ＵＶ硬化型樹脂５３、剥離層５２を介して、半導体ウェハ５４を石英ガラス基板５１に固着する（同図（ｄ））。
【０００４】
つぎに、半導体ウェハ５４の裏面５６をバックグラインド（研削５７）して薄膜半導体ウェハ５８とした後、フッ硝酸溶液でスピンエッチングして、研削による加工歪みを除去する。このスピンエッチングは石英ガラス基板５１に触れるエッチング液の量を少なくするために有効である。その後、薄膜半導体ウェハ５８の裏面５９にイオン注入と低温処理で図示しない拡散層を形成し、その拡散層上に同図（ｈ）で示す第２主電極７４を形成する（同図（ｅ））。
つぎに、薄膜半導体ウェハ５８の裏面５９をＵＶテープ６０（紫外線照射で剥離きる接着テープ）に貼りつける。その後、石英ガラス基板５１側から剥離層５２に波長１０６４ｎｍ（赤外線６２）のＹＡＧレーザを照射して剥離層５２を加熱し、石英ガラス基板５１を外す。ＵＶ硬化型樹脂５３の一端を把持してＵＶ硬化型樹脂５３とＵＶ硬化型樹脂５３上に残留した剥離層５２を薄膜半導体ウェハ５８から剥離する。その後、ＵＶテープ６０に紫外線６３を照射してＵＶテープ６０を剥離して、薄膜半導体ウェハ５８単体とする（同図（ｆ））。
【０００５】
つぎに、薄膜半導体ウェハ５８を点線６４で示す箇所（スクライブライン）で切断する（同図（ｇ））。
つぎに、切断した後、薄型半導体チップ７１が完成する（同図（ｈ））。図示しないが、この薄膜半導体チップ７１をハウジングして薄膜半導体装置が完成する。
尚、前記の薄膜半導体チップ７１を、例えば、ＦＳ−ＩＧＢＴとした場合には、第１主電極７２はエミッタ電極、制御電極７３はゲートパッド、第２主電極７４はコレクタ電極に相当し、各拡散層はベース領域、エミッタ領域、コレクタ領域などに相当する。
また、半導体ウェハを薄膜化するときに発生する加工歪みを特殊な研磨加工治具を用いて高効率で高品質に半導体ウェハを研磨して加工歪みを除去できる加工歪除去装置が報告されている（例えば、特許文献１）。
【０００６】
また、半導体ウェハの表面にＵＶ照射硬化型テープを貼った状態で半導体ウェハの裏面を研磨・エッチングし、その後、粘着力低下のためのＵＶ照射を行って、このテープを剥離することが報告されている（例えば、特許文献２）。
【特許文献１】特開２００３−５３６６２号公報
【特許文献２】特許第３２５０５６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図８の方法で半導体ウェハ５４を薄膜化する工程で、半導体ウェハ５４がずれて石英ガラス基板５１から外れると、外れた箇所で図９のように薄膜半導体ウェハ５８に割れが発生したり欠けが発生する。
図１０は、従来の方法による半導体ウェハと石英ガラス基板の貼り合せずれと薄膜半導体ウェハの割れ（欠け）率の関係を示す図である。半導体ウェハ５４と石英ガラス基板５１は同一寸法で同一の平面形状をしている。また、半導体ウェハ５４はバック・グラインドで８０μｍにした場合であり、貼り合せずれは半導体ウェハ５４の中心位置と石英ガラス基板５１の中心位置とのずれである。また、半導体ウェハ５４を加工歪みを除去するスピンエッチングした後（半導体ウェハの厚みが６０μｍ）でもデータには変わりがない。つまりスピンエッチングでの割れは発生しないということである。
【０００８】
ずれが０ｍｍの場合は割れ（欠け）率は０％であるが、０．３ｍｍずれると２０％、０．５ｍｍずれると７０％、１ｍｍずれると１００％となる。これは、半導体ウェハ５４が石英ガラス基板５１から外れると薄膜半導体ウェハ５８に割れが発生し、外れた量（ずれ量）が大きくなると割れ率が大きくなり、１ｍｍ外れた薄膜半導体ウェハ５８は１００％割れることを意味する。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、半導体ウェハを薄膜化する工程で、半導体ウェハの割れ（欠け）を防止できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するために、半導体基板の表面側に形成する第１主電極と制御電極と、裏面側に形成する第２主電極とを有する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板の表面側に前記第１主電極と前記制御電極とを形成する工程と、紫外線を透過する支持基板上に剥離層を形成する工程と、該剥離層上にＵＶ硬化型樹脂を塗布し、該ＵＶ硬化型樹脂上に前記半導体基板の表面側を固着する工程と、前記半導体基板の裏面側を研削し、フッ硝酸系の溶液でエッチングする工程と、前記半導体基板の裏面側に前記第２主電極を形成する工程と、前記支持基板側より前記剥離層へ赤外線を照射して前記剥離層より前記ＵＶ硬化型樹脂と前記支持基板とを剥離する工程と、前記半導体基板から前記ＵＶ硬化型樹脂を剥離する工程とを含む製造方法とする。
また、前記半導体基板の最外周が前記支持基板内に位置するとよい。
【００１０】
また、前記ＵＶ硬化型樹脂を前記支持基板の側面にも形成するとよい。
また、前記支持基板上の半導体基板固着面および側面に予め窒化膜を形成し、該窒化膜上に前記剥離層を形成するとよい。
また、前記窒化膜が、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）もしくは窒化アルミニウム（ＡｌＮ）であるとよい。
また、前記支持基板が、石英ガラス基板を含むガラス基板であるとよい。
また、前記エッチングが、スピンエッチングであるとよい。
また、前記支持基板の外周部と前記半導体基板の外周部との距離が、互いの中心を一致させたとき、２ｍｍ以下であるとよい。
【発明の効果】
【００１１】
半導体ウェハよりも石英ガラス基板などのガラス基板の直径を大きくして、貼り合せたとき中心位置がずれたときでも、半導体ウェハの最外周部が石英ガラス基板からはみ出さないようにすることで、研削時に半導体ウェハの端部に割れや欠けが生じないようにできる。
また、ガラス基板上全面と側面にフッ硝酸溶液に対して腐食性を持たない窒化膜を形成するか、またはフッ硝酸溶液に対して腐食性を持たないＵＶ硬化型樹脂を用いることにより、研削時の加工歪みを除去するスピンエッチングでガラス基板の側面がエッチングされることを防止できて、ガラス基板を再利用することができる。ガラス基板を再利用することで、製造コストを削減することができる。
さらに、ガラス基板の側面にフッ硝酸溶液に対して腐食性を持たないＵＶ硬化型樹脂や窒化膜を形成することで、フッ硝酸溶液でＵＶ硬化型樹脂剥離層が変質して、石英ガラス基板の表面や半導体ウェハの裏面を汚染することを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
この発明の実施の形態は、半導体基板である半導体ウェハを支持基板である石英ガラス基板内に貼り付けて研削することで半導体ウェハが割れることを防止することである。また、フッ硝酸溶液で腐食しない膜を石英ガラス基板の側面に被覆することで石英ガラス基板の側面がフッ硝酸溶液でエッチングされることを防止し、石英ガラス基板の再利用を図ることである。
【実施例１】
【００１３】
図１は、この発明の第１実施例の半導体装置の製造方法であり、同図（ａ）から同図（ｈ）は工程順に示す要部製造工程断面図である。支持基板としては６３０μｍの厚さで１５４ｍｍφの石英ガラス基板１を用い、半導体ウェハ４としては５００μｍ程度の厚さで１５０ｍｍφの寸法のものを用いる。つまり、石英ガラス基板１の直径は半導体ウェハ４の直径より４ｍｍ大きい。
まず石英ガラス基板１上全面に剥離層２を形成する。剥離層２はＵＶ（紫外線）硬化型樹脂を後の工程で石英ガラス基板１から剥離するため予め設けておくものである。例えば、光熱変換樹脂などの液状の樹脂を塗布し、常温放置で硬化させることにより石英ガラス基板１に固着する（同図（ａ））。
つぎに、この剥離層２上にＵＶ硬化型樹脂３を５０μｍ程度の厚さで塗布する（同図（ｂ））。
【００１４】
つぎに、ＵＶ硬化型樹脂３上に、図示しない各種拡散層や同図（ｈ）に示す第１主電極２２や制御電極２３を予め表面５に形成した半導体ウェハ４の裏面６を上、表面５を下（ＵＶ硬化型樹脂３側）に載置する。載置する場合に半導体ウェハ４の端部が石英ガラス基板１からはみ出さないようにする（同図（ｃ））。
つぎに、例えば、ＵＶランプ（紫外線放射光源）から放射される紫外線１２を石英ガラス基板１を透過させて半導体ウェハ４の表面５に向かって照射して、ＵＶ硬化型樹脂３を硬化させることにより、半導体ウェハ４を剥離層２とＵＶ硬化型樹脂３を介して石英ガラス基板１に固着する（同図（ｄ））。
つぎに、半導体ウェハ４の裏面６をバックグラインド（研削７）して、半導体ウェハ４の厚みを８０μｍにし、薄膜半導体ウェハ８とする。その後、フッ硝酸溶液で半導体ウェハ８の裏面９をスピンエッチングして加工歪みを除去する。スピンエッチング後の薄膜半導体ウェハ８の厚みは６０μｍ程度になる。その後、薄膜半導体ウェハ８の裏面９に、イオン注入と低温処理で図示しない拡散層を形成し、その拡散層上に第２主電極２４を形成する（同図（ｅ））。
【００１５】
つぎに、薄膜半導体ウェハ８の裏面９をＵＶテープ１０（紫外線照射で剥離できる接着テープ）に貼りつける。その後、石英ガラス基板１側から、例えば、波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザ（熱線である赤外線１２）を照射して剥離層２を加熱し石英ガラス基板１を外す。その後、ＵＶ硬化型樹脂３の一端を把持して引っ張り、ＵＶ硬化型樹脂３とＵＶ硬化型樹脂３上に残留した剥離層２を薄膜半導体ウェハ８から剥離する（ピールする）。その後、ＵＶテープ１０に紫外線１３を照射してＵＶテープ１０を剥離して、薄膜半導体ウェハ８単体とする（同図（ｆ））。
つぎに、薄膜半導体ウェハ８を点線１４で示す箇所（スクライブライン）で切断する（同図（ｇ））。
つぎに、切断した後、薄型半導体チップ２１が完成する（同図（ｈ））。図示しないが、この薄膜半導体チップ２１をハウジングして薄膜半導体装置が完成する。
【００１６】
図２は、図１のＡ部詳細図である。この図はＦＳ−ＩＧＢＴを例としたセルの断面図である。薄膜半導体チップ２１は、ドリフト領域２５と、このドリフト領域２５の一方の表面層（半導体ウェハ８の表面５側）に形成されたベース領域２６と、このベース領域２６の表面層に形成されたエミッタ領域２７と、エミッタ領域２７とドリフト領域２５に挟まれたベース領域２６上にゲート絶縁膜２８を介してポリシリコンで形成されるゲート電極２３ａと、ゲート電極２３ａ上に形成される層間絶縁膜２９と、エミッタ領域２７とベース領域２６に接して形成される第１主電極２２（エミッタ電極）と、ドリフト領域２５の他方の表面層（研削とスピンエッチングが終わった裏面９側）に形成したコレクタ領域３０と、コレクタ領域上に形成した第２主電極２４（コレクタ電極）と、前記ゲート電極２３ａと接続する制御電極２３（ゲートパッド）で構成される。前記したように、研削前の半導体ウェハ４の表面５側には前記の各部が形成されている。
【００１７】
図３は、半導体ウェハと石英ガラス基板の貼り合せずれと薄膜半導体ウェハの割れ（欠け）率の関係を示す図である。石英ガラス基板１の直径は半導体ウェハ４より４ｍｍ大きく、半導体ウェハ４と相似形をしている。このデータは、半導体ウェハ４を８０μｍまでバック・グラインドしたときの薄膜半導体ウェハ８の割れ（欠け）率を示す。
半導体ウェハ４の中心位置と石英ガラス基板１の中心位置とが２ｍｍ以内のずれであれば、半導体ウェハ４が石英ガラス基板１からはみ出すことがなく、薄膜半導体ウェハ８は割れることがない。つまり、石英ガラス基板１の直径が半導体ウェハ４の直径より４ｍｍ大きければ、半導体ウェハ４を石英ガラス基板１からはみ出さず十分位置合わせすることができて、これ以上大きくする必要はない。逆に、この石英ガラス基板１が大きすぎると研磨装置への搬送やセッテングが困難となるため、出来るだけ半導体ウェハ４の直径に近い方が望ましい。
【００１８】
また、ここでは薄膜半導体ウェハ８の厚みが８０μｍを例に示したが、スピンエッチングした後に６０μｍ厚みとなった薄膜半導体ウェハ８でも図２のデータは変わらない。つまり、薄膜半導体ウェハ８の厚みに係わらす、半導体ウェハ４が石英ガラス基板１からはみ出さなければ割れが発生することはない。
しかし、フッ硝酸溶液で腐食しないＵＶ硬化型樹脂３を石英ガラス基板１の表面にのみ形成し、石英ガラス基板１の側面に形成しないと、図４に示すように、石英ガラス基板１の側面がフッ硝酸溶液でエッチングされて、高価な石英ガラス基板１を再利用することができなくなる。また、フッ硝酸溶液が剥離層２に触れると剥離層２が変質して、この変質した物質３２が図５のように薄膜半導体ウェハ８の裏面９に付着して、薄膜半導体ウェハ４の裏面９が汚染される原因となる場合がある。これを解決する方法をつぎに説明する。
【実施例２】
【００１９】
図６は、この発明の第２実施例の半導体装置の要部製造工程断面図である。図１（ｂ）に相当する工程で、ＵＶ硬化型樹脂３を石英ガラス基板１からはみ出すように塗布して、剥離層２の表面と側面および石英ガラス基板１の側面をＵＶ硬化型樹脂３で被覆する。こうすれば、石英ガラス基板１の側面１ａがエッチングされることがなくなり、高価な石英ガラス基板１を再利用できて製造コストを低減することができる。また、剥離層２がフッ硝酸溶液に触れないため、剥離層２がフッ硝酸溶液によって変質し、薄膜半導体ウェハ８の裏面９に変質した物質３２（図５参照）が付着して、薄膜半導体ウェハ８の裏面９が汚染されることを防止できる。また、第１実施例と同様に薄膜半導体ウェハ８の割れが無くなることは勿論である。
【実施例３】
【００２０】
図７は、この発明の第３実施例の半導体装置の製造方法であり、同図（ａ）から同図（ｉ）は工程順に示す要部製造工程断面図である。支持基板としては石英ガラス基板１を用い、この石英ガラス基板１は半導体ウェハ４の径より４ｍｍ大きいものを用いる。
まず石英ガラス基板１の表面と側面にフッ硝酸溶液で腐食しない窒化膜３１をスパッタで形成する。このとき側面に形成される窒化膜３１はスパッタの回り込みを利用する。そのため、石英ガラス基板１の側面の上方が被覆される。この窒化膜３１は、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜もしくは窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜などである（同図（ａ））。
つぎに、石英ガラス基板１の上面に形成された窒化膜３１上に剥離層２を形成する。剥離層２はＵＶ（紫外線）硬化型樹脂を後の工程で石英ガラス基板１から剥離するため予め設けておくものである。例えば、光熱変換樹脂などの液状の樹脂を塗布し、常温放置で硬化させることにより石英ガラス基板１に固着する（同図（ｂ））。
【００２１】
つぎに、この剥離層２上にＵＶ硬化型樹脂３を５０μｍ程度の厚さで塗布する（同図（ｃ））。
つぎに、ＵＶ硬化型樹脂３上に、各種拡散層や第１主電極や制御電極を表面側に予め形成した半導体ウェハ４の裏面６を上、表面５を下（ＵＶ硬化型樹脂３側）にして載置する。載置する場合に半導体ウェハ４の端部が石英ガラス基板１からはみ出さないようにする（同図（ｄ））。
つぎに、例えば、ＵＶランプから放射される紫外線１１（ＵＶ）を石英ガラス基板１から半導体ウェハ４の表面５に向かって照射して、ＵＶ硬化型樹脂３を硬化させることにより、半導体ウェハ４をＵＶ硬化型樹脂３と剥離層２とを介して、石英ガラス基板１に固着する（同図（ｅ））。
【００２２】
つぎに、半導体ウェハ４の裏面６をバックグラインド（研削７）して、半導体ウェハ４の厚みを８０μｍにして薄膜半導体ウェハ８とする。その後、フッ硝酸溶液で薄膜半導体ウェハ８の裏面９をスピンエッチングして加工歪みを除去する。スピンエッチング後の薄膜半導体ウェハ４の厚みは６０μｍ程度になる。その後、薄膜半導体ウェハ８の裏面９に、イオン注入と低温処理で図示しない拡散層を形成し、その拡散層上に第２主電極２４を形成する（同図（ｆ））。
つぎに、薄膜半導体ウェハ８の裏面９をＵＶテープ１０（紫外線照射で剥離できる接着テープ）に貼りつける。その後、石英ガラス基板１側から、例えば、波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザ（赤外線１２）を照射して剥離層２を加熱し、石英ガラス基板１を外す。その後、ＵＶ硬化型樹脂３の一端を把持して引っ張り、ＵＶ硬化型樹脂３とＵＶ硬化型樹脂３上に残留した剥離層２を薄膜半導体ウェハ８から剥離する（ピールする）。その後、ＵＶテープ１０に紫外線１３を照射してＵＶテープ１０を剥離して、薄膜半導体ウェハ８単体とする（同図（ｇ））。
【００２３】
つぎに、薄膜半導体ウェハ８を点線１４で示す箇所（スクライブライン）で切断する（同図（ｈ））。
つぎに、切断した後、薄型半導体チップ２１が完成する（同図（ｉ））。図示しないが、この薄膜半導体チップ２１をハウジングして薄膜半導体装置が完成する。
このように、同図（ａ）の工程で、石英ガラス基板１の側面にも窒化膜３１を形成することで、石英ガラス基板１の側面がエッチングされることがなくなり、被覆した窒化膜３１を除去することで石英ガラス基板１を再利用でき、製造コストを低減できる。
また、同図（ｃ）の点線で示すように、ＵＶ硬化型樹脂３を石英ガラス基板１の側面まで被覆することで、剥離層２がフッ硝酸溶液によって変質し、この変質した物質３２で薄膜半導体ウェハ４が汚染されることを防止できる。
【００２４】
ここで、窒化膜３１は石英ガラス基板１上に形成する薄膜であり、剥離層２やＵＶ硬化型樹脂層３に照射される赤外線１２や紫外線１１は透過するため工程上影響はない。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
この発明は、半導体ウェハの薄膜化をＦＳ−ＩＧＢＴを例に説明したこれに限るものではなく、この発明の薄膜化技術は、各種回路が半導体基板の一方の表面に形成され、さらにこの半導体基板に縦型の半導体素子が集積されるパワーＩＣ（集積回路）などにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】この発明の第１実施例の半導体装置の製造方法であり、（ａ）から（ｈ）は工程順に示す要部製造工程断面図
【図２】図１のＡ部詳細図
【図３】半導体ウェハと石英ガラス基板の貼り合せずれと薄膜半導体ウェハの割れ（欠け）率の関係を示す図
【図４】石英ガラス基板の側面がフッ硝酸溶液でエッチングされた図
【図５】フッ硝酸溶液で剥離層が変質し、その変質した物質が薄膜半導体ウェハの裏面に付着した場合を示す図
【図６】この発明の第２実施例の半導体装置の要部製造工程断面図
【図７】この発明の第３実施例の半導体装置の製造方法であり、（ａ）から（ｉ）は工程順に示す要部製造工程断面図
【図８】半導体ウェハを薄膜化する従来の方法を示し、（ａ）から（ｈ）は工程順に示した要部製造工程断面図
【図９】石英ガラス基板から外れ箇所で薄膜半導体ウェハに割れが発生した図
【図１０】従来の方法による半導体ウェハと石英ガラス基板の貼り合せずれと薄膜半導体ウェハの割れ（欠け）率の関係を示す図
【符号の説明】
【００２７】
１    石英ガラス基板
１ａ  側面
２    剥離層
３    ＵＶ硬化型樹脂                                                            ４    半導体ウェハ（研削前）
５    表面
６    裏面（研削前）
７    研削
８    薄膜半導体ウェハ
９    裏面（研削後）
１０    ＵＶテープ
１１、１３  紫外線
１２    赤外線
１４    点線
２１    薄膜半導体チップ
２２    第１主電極（エミッタ電極）
２３    制御電極（ゲートパッド）
２３ａ  ゲート電極
２４    第２主電極
２５    ドリフト領域
２６    ベース領域
２７    エミッタ領域
２８    ゲート絶縁膜
２９    層間絶縁膜
３０    コレクタ領域
３１    窒化膜
３２    変質した物質
【図１】
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【図２】
2005129653.tif 000004
【図３】
2005129653.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005129653.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005129653.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005129653.tif 000011
【図１０】
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