(57)【要約】【課題】半導体ＩＣよりも高さの高い電子部品を搭載可能な半導体ＩＣ搭載モジュールを軽量化する。【解決手段】本発明による半導体ＩＣ搭載モジュールは、基板１０１と、基板１０１上に搭載された半導体ＩＣ１０２と、半導体ＩＣ１０２を覆うシールドケース１０４とを備える。シールドケース１０４の天板部には、半導体ＩＣ１０２に対応する部分において突起１０４ａが設けられており、この突起１０４ａは、導電性ペースト１０５を介して半導体ＩＣ１０２の放熱用グランドパターン１０２ｂに押し当てられている。これにより、半導体ＩＣ１０２が発する熱は放熱用グランドパターン１０２ｂからシールドケース１０４へと効率よく放熱される。また、高さの高い電子部品の搭載が可能であるとともに、分厚いヒートシンクが不要であることから、モジュール全体を軽量化することが可能となる。【選択図】          図１
2005019882.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に搭載された半導体ＩＣと、少なくとも前記半導体ＩＣを覆うシールドケースとを備え、前記シールドケースは、前記基板と対向する天板部と、前記天板部と前記基板との間隔を規定する支持部とを少なくとも有し、前記天板部と前記基板との間には、これらの間隔が相対的に広い第１の領域とこれらの間隔が相対的に狭い第２の領域が形成されており、前記第２の領域に前記半導体ＩＣが配置されていることを特徴とする半導体ＩＣ搭載モジュール。
【請求項２】
前記シールドケースの前記天板部には、前記第２の領域に対応する部分において前記基板側に向けた突起が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体ＩＣ搭載モジュール。
【請求項３】
前記天板部の前記突起が前記半導体ＩＣの表面に押し当てられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体ＩＣ搭載モジュール。
【請求項４】
前記シールドケースの前記天板部には切り込みが形成されており、前記切り込みに囲まれた領域の押し曲げもしくは折り曲げにより前記突起が形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体ＩＣ搭載モジュール。
【請求項５】
前記第１の領域に配置され、前記基板からの高さが前記半導体ＩＣよりも高い電子部品をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体ＩＣ搭載モジュール。
【請求項６】
主として高周波信号を取り扱うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体ＩＣ搭載モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ＩＣ搭載モジュールに関し、特に、発熱を伴う半導体ＩＣとこれを覆うシールドケースを備える半導体ＩＣ搭載モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話機に代表される移動体通信機器や、無線ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）機器を構成する最も重要な部品の一つに高周波モジュールがある。ここで「高周波モジュール」とは、半導体ＩＣ搭載モジュールのうち主として高周波信号を取り扱うモジュールを指し、一般的な高周波モジュールは、基板上に搭載されたパワーアンプＩＣ等の半導体ＩＣ及びコンデンサ等の各種電子部品によって構成され、電磁波を遮断するためその上部が金属のシールドケースによって覆われている。
【０００３】
図１２は、従来の高周波モジュールの一例を示す略断面図である。
【０００４】
図１２に示す高周波モジュール１０は、基板１１と、基板１１上に搭載された半導体ＩＣ１２及びその他の電子部品１３を備えており、これら半導体ＩＣ１２や電子部品１３は金属のシールドケース１４によって覆われている。半導体ＩＣ１２は比較的大きな発熱を伴うＩＣ、例えばパワーアンプＩＣであり、端子１２ａが設けられている面を基板１１側に向けて、端子１１ａにフリップチップ接続されている。また、放熱用グランドパターン１２ｂが設けられている面は、導電性ペースト１５を介してシールドケース１４に押し当てられており、これにより半導体ＩＣ１２が発する熱は、放熱用グランドパターン１２ｂからシールドケース１４を介してマザーボード（図示せず）へと放熱される。図１２に示す高周波モジュール１０では、基板１１に搭載された各種部品のうち半導体ＩＣ１２の高さが最も高く、このため他の電子部品１３は基板１１とシールドケース１４との隙間に搭載することができる。
【０００５】
図１２に示す高周波モジュール１０では、半導体ＩＣ１２が基板１１にフリップチップ接続されていることから配線のインダクタンスが小さく、このため、良好な高周波特性を得やすいというメリットを有している。しかしながら、半導体ＩＣ１２よりも高さの高い電子部品を搭載することができないため、使用できる電子部品がきわめて制限されてしまうという問題がある。
【０００６】
図１３は、従来の高周波モジュールの他の例を示す略断面図である。
【０００７】
図１３に示す高周波モジュール２０は、基板２１と、基板２１上に搭載された半導体ＩＣ２２及びその他の電子部品２３を備えており、上述した高周波モジュール１０と同様、半導体ＩＣ２２や電子部品２３は金属のシールドケース２４によって覆われている。図１３に示す高周波モジュール２０では、放熱用グランドパターン２２ｂが設けられている面を基板２１側に向けて半導体ＩＣ２２が実装されており、端子２２ａはボンディングワイヤ２５を介して基板２１上の端子２１ａに接続されている。基板２１のうち半導体ＩＣ２２が搭載されている部分には、放熱用のサーマルビア２６が複数設けられている。サーマルビア２６と放熱用グランドパターン２２ｂは、導電性ペースト２７によって互いに固定されており、これにより半導体ＩＣ２２が発する熱は、放熱用グランドパターン２２ｂからサーマルビア２６を介してマザーボード（図示せず）へと放熱される。
【０００８】
図１３に示す高周波モジュール２０では、半導体ＩＣ２２の端子２２ａと基板２１の端子２１ａとがボンディングワイヤ２５によって接続されているため、基板２１とシールドケース２４との隙間を十分に確保することができる。これにより、図１３に示す高周波モジュール２０では、半導体ＩＣ２２よりも高さの高い電子部品２３を搭載することが可能である。しかしながら、ボンディングワイヤ２５に起因するインダクタンスによって、高周波特性が損なわれるおそれがあるばかりでなく、基板２１に複数のサーマルビア２６を設けなければならないことから製造コストが高くなるという問題がある。さらに、基板２１の内部ではサーマルビア２６を避けて配線する必要があることから、設計の自由度が低下したり、配線の引き回し距離が長くなりやすいという問題もある。また、端子２１ａを半導体ＩＣ２２の搭載領域の周囲に配置しなければならないため、集積度が低下するという問題もある。
【０００９】
図１４は、従来の高周波モジュールのさらに他の例を示す略断面図である。
【００１０】
図１４に示す高周波モジュール３０は、基板３１と、基板３１上に搭載された半導体ＩＣ３２及びその他の電子部品３３を備えており、上述した高周波モジュール１０、２０と同様、半導体ＩＣ３２や電子部品３３は金属のシールドケース３４によって覆われている。図１４に示す高周波モジュール３０では、端子３２ａが設けられている面を基板３１側に向けて、半導体ＩＣ３２が端子３１ａにフリップチップ接続されているとともに、放熱用グランドパターン３２ｂが設けられている面とシールドケース３４との隙間には、導電性ペースト３５を介してヒートシンク（放熱用スペーサ）３６が挿入されている。これにより、半導体ＩＣ３２が発する熱は、放熱用グランドパターン３２ｂからヒートシンク３６及びシールドケース３４を介してマザーボード（図示せず）へと放熱される。
【００１１】
図１４に示す高周波モジュール３０では、半導体ＩＣ３２が基板３１にフリップチップ接続されていることから配線のインダクタンスが小さく、さらに、ヒートシンク３６の介在により基板３１とシールドケース３４との隙間が十分に確保されていることから、半導体ＩＣ３２よりも高さの高い電子部品３３を搭載することが可能である。
【００１２】
【特許文献１】特開２００１−１４４２０２号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１４に示す高周波モジュール３０では、図１２に示す高周波モジュール１０や図１３に示す高周波モジュール２０に比べて部品点数が増加することから、部品コストが増大したり、全体の重量が重くなってしまうという問題があった。このように、従来の高周波モジュールにおいては、半導体ＩＣよりも高さの高い電子部品の搭載、半導体ＩＣをフリップチップ接続することによるインダクタンスの低減、並びに、部品点数の削減及び／又は軽量化を同時に達成することは困難であった。ここで、半導体ＩＣよりも高さの高い電子部品が搭載できないという問題や、部品点数が増加したり全体の重量が増大するという問題は、高周波モジュールのみならず半導体ＩＣ搭載モジュール全体において共通に生じる問題である。
【００１４】
したがって、本発明の目的は、発熱を伴う半導体ＩＣを含んだ半導体ＩＣ搭載モジュールであって、半導体ＩＣよりも高さの高い電子部品の搭載、並びに、部品点数の削減及び／又は軽量化を同時に達成可能な半導体ＩＣ搭載モジュールを提供することである。
【００１５】
また、本発明の他の目的は、発熱を伴う半導体ＩＣを含んだ高周波モジュールであって、半導体ＩＣよりも高さの高い電子部品の搭載、半導体ＩＣをフリップチップ接続することによるインダクタンスの低減、並びに、部品点数の削減及び／又は軽量化を同時に達成可能な高周波モジュールを提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体ＩＣ搭載モジュール、特に、本発明による高周波モジュールは、基板と、前記基板上に搭載された半導体ＩＣと、少なくとも前記半導体ＩＣを覆うシールドケースとを備え、前記シールドケースは、前記基板と対向する天板部と、前記天板部と前記基板との間隔を規定する支持部とを少なくとも有し、前記天板部と前記基板との間には、これらの間隔が相対的に広い第１の領域とこれらの間隔が相対的に狭い第２の領域が形成されており、前記第２の領域に前記半導体ＩＣが配置されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明では、シールドケースの天板部と基板との間隔が相対的に狭い第２の領域に半導体ＩＣが配置されていることから、高さの高い電子部品の搭載を阻害することなく半導体ＩＣを基板にフリップチップ接続することができるとともに、半導体ＩＣが発する熱を直接或いは薄型のヒートシンクを介してシールドケースに逃がすことができる。高さの高い電子部品は、シールドケースの天板部と基板との間隔が相対的に広い第１の領域に配置することができ、これにより、半導体ＩＣよりも高さの高い電子部品の搭載、半導体ＩＣをフリップチップ接続することによるインダクタンスの低減、並びに、モジュール全体の軽量化を同時に達成することが可能となる。
【００１８】
シールドケースの天板部には、第２の領域に対応する部分において基板側に向けた突起が形成されていることが好ましい。このように、シールドケースの天板部に突起を設ければ、シールドケースの天板部と基板との間隔が相対的に狭い領域を簡単に形成することができる。この場合、天板部の突起が半導体ＩＣの表面に押し当てられていることが好ましい。これによれば、ヒートシンクが不要となることから、部品点数の削減及び軽量化を達成しつつ、効果的な放熱を行うことが可能となる。このような突起は、シールドケースの天板部に切り込みを形成し、切り込みに囲まれた領域を押し曲げもしくは折り曲げ加工することによって形成することができる。このような方法によれば、突起の高さ（深さ）が比較的大きい場合であっても、容易にこれを形成することが可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
図１は、本発明の好ましい実施の形態による高周波モジュール１００を示す略断面図である。
【００２１】
図１に示すように、本実施形態による高周波モジュール１００は、基板１０１と、基板１０１上に搭載された半導体ＩＣ１０２及びその他の電子部品１０３と、これら半導体ＩＣ１０２及び電子部品１０３を覆って基板１０１上に設けられた金属のシールドケース１０４とを備えて構成されている。本実施形態による高周波モジュール１００では、シールドケース１０４に突起１０４ａが設けられている点が重要である。以下、高周波モジュール１００を構成する各要素について説明する。
【００２２】
基板１０１は、例えば、樹脂やセラミック或いはこれらの混合物からなる多層構造を有するプリント基板であり、その表面には半導体ＩＣ１０２への電力の供給や信号の授受を行うための端子１０１ａが少なくとも設けられている他、その内部には、半導体ＩＣ１０２や電子部品１０３に繋がる内部配線（図示せず）が形成されている。但し、本発明において基板１０１を多層構造とすることは必須でなく、これを単層構造としても構わない。また、本実施形態においては、図１に示すように基板１０１の一方の面にのみ半導体ＩＣや各種電子部品が搭載されているが、これらを基板１０１の両面に搭載することも可能である。
【００２３】
半導体ＩＣ１０２は、比較的大きな発熱を伴うＩＣ、例えばパワーアンプＩＣであり、その一方の面には電力の供給や信号の授受を行うための端子１０２ａが設けられており、他方の面には放熱用のグランドパターン１０２ｂが設けられている。半導体ＩＣ１０２は、図１に示すように、端子１０２ａが設けられている面を基板１０１側に向けて、端子１０１ａにフリップチップ接続されている。また、放熱用グランドパターン１０２ｂが設けられている面は半田等の導電性ペースト１０５を介してシールドケース１０４の突起１０４ａに押し当てられており、これにより半導体ＩＣ１０２が発する熱は、放熱用グランドパターン１０２ｂからシールドケース１０４を介してマザーボード（図示せず）へと放熱される。
【００２４】
電子部品１０３は、コンデンサやコイル等のいわゆるディスクリート部品であり、図１に示すように、その高さが半導体ＩＣ１０２よりも高いものを用いることができる。
【００２５】
シールドケース１０４は電磁波を遮断するための金属板であり、図１に示すように、半導体ＩＣ１０２が搭載されている部分に対応する領域には突起１０４ａが設けられている。
【００２６】
図２は、本実施形態による高周波モジュール１００を分解した状態を示す略分解斜視図である。
【００２７】
図２に示すように、シールドケース１０４は、半導体ＩＣ１０２や電子部品１０３を上方から覆う天板部１０４ｂと、半導体ＩＣ１０２や電子部品１０３を側方から覆う側板部１０４ｃと、天板部１０４ｂと基板１０１との間隔を規定する支持部１０４ｄと、シールドケース１０４を基板１０１に位置決めする位置決め部１０４ｅによって構成されている。天板部１０４ｂのうち、半導体ＩＣ１０２の搭載位置に対応する部分には、天板部１０４ｂから側板部１０４ｃへの折り曲げ方向と同じ方向に向けて突起１０４ａが形成されており、上述の通り、この突起１０４ａが導電性ペースト１０５を介して半導体ＩＣ１０２の放熱用グランドパターン１０５が形成された面に押し当てられることになる。
【００２８】
このような形状を有するシールドケース１０４は、金型を用いたプレス加工や絞り加工等によって作製することが可能である。但し、突起１０４ａの高さ（深さ）が大きい場合のように、プレス加工等によって突起１０４ａを形成することが困難な場合は、図３に示すように、打ち抜き加工によってシールドケース１０４の天板部１０４ｂに２本の平行な切り込み１１０を形成し、次いで、図４に示すように切り込み１１０に囲まれた領域１１１を下側へ押し曲げることによって突起１０４ａを形成すればよい。このような方法によれば、突起１０４ａの両側に隙間１１２が形成されるものの、高さ（深さ）の比較的大きい突起１０４ａを容易に形成することができる。
【００２９】
さらに、図５に示すように、打ち抜き加工によってシールドケース１０４の天板部１０４ｂにコの字型の切り込み１２０を形成し、次いで、図６に示すように切り込み１２０に囲まれた領域１２１を下側へ折り曲げることによって突起１０４ａを形成しても構わない。このような方法によれば、非常に簡単に突起１０４ａを形成することができるとともに、突起１０４ａが板バネのような性質を持つことから、加工精度が多少低い場合であっても、突起１０４ａを確実に放熱用グランドパターン１０２ｂに押し当てることが可能となる。但し、突起１０４ａの周囲には三方に隙間１２２が形成される。
【００３０】
一方、図２に示すように、基板１０１にはその周縁部に切り欠き１０１ｅが設けられており、この切り欠き１０１ｅに位置決め部１０４ｅが嵌め込まれることによってシールドケース１０４が基板１０１に位置決めされ、固定される。さらに、基板１０１の表面のうち切り欠き１０１ｅの周辺部分には、グランドパターン１０１ｄが形成されており、シールドケース１０４が基板１０１に位置決めされると、シールドケース１０４の支持部１０４ｄがグランドパターン１０１ｄに直接乃至は半田等を介して間接的に接触する。これにより、シールドケース１０４には確実に接地電位が与えられるとともに、支持部１０４ｄの高さによって、天板部１０４ｂと基板１０１との間隔が規定される。つまり、支持部１０４ｄの高さを「Ａ」とすれば、天板部１０４ｂのうち突起１０４ａ以外の領域においては、基板１０１との間隔が実質的にＡで規定され、突起１０４ａの高さ（深さ）を「Ｂ」とすれば、天板部１０４ｂのうち突起１０４ａが設けられた領域においては、基板１０１との間隔が実質的にＡ−Ｂで規定されることになる。
【００３１】
したがって、突起１０４ａの高さ（深さ）は、半導体ＩＣ１０２の高さとシールドケース１０４の支持部１０４ｄの高さに基づいて定めれば良く、半導体ＩＣ１０２の高さを「Ｃ」とした場合、突起１０４ａの高さ（深さ）Ｂを
Ｂ＝Ａ−Ｃ
に設定すれば、突起１０４ａと半導体ＩＣ１０２とを導電性ペースト１０５を介して接触させることが可能となる。但し、突起１０４ａの高さ（深さ）の設定においては、基板１０１に設けられた電極１０１ａの厚みや、導電性ペースト１０５の厚み等を考慮して、やや小さめに設定することが好ましい。
【００３２】
実際にシールドケース１０４を基板１０１に装着する際には、まず、半導体ＩＣ１０２に設けられた放熱用グランドパターン１０２ｂ上に半田等の導電性ペースト１０５を供給し、この状態で基板１０１に設けられた切り欠き１０１ｅにシールドケース１０４の位置決め部１０４ｅを嵌め込む。このとき、シールドケース１０４に設けられた支持部１０４ｄは、基板１０１に設けられたグランドパターン１０１ｄに接し、シールドケース１０４の突起１０４ａは、放熱用グランドパターン１０２ｂ上の導電性ペーストに１０５に接することになる。次に、支持部１０４ｄとグランドパターン１０１ｄとの接触部分に半田等の導電性ペースト（図示せず）を供給し、リフローを行う。これにより、シールドケース１０４の突起１０４ａと半導体ＩＣ１０２の放熱用グランドパターン１０２ｂとが接合されるとともに、シールドケース１０４の支持部１０４ｄと基板１０１のグランドパターン１０１ｄとが接合される。リフローの際には、放熱用グランドパターン１０２ｂ上に塗布された導電性ペースト１０５が溶融し、放熱用グランドパターン１０２ｂとシールドケース１０４の突起１０４ａとの間に満遍なく広がるため、両者は導電性ペースト１０５を介して隙間なく接合されることになる。
【００３３】
このように、本実施形態による高周波モジュール１００では、シールドケース１０４の天板部１０４ｂの一部に突起１０４ａが設けられていることから、ヒートシンクを用いることなく、半導体ＩＣ１０２を基板１０１にフリップチップ接続できるとともに半導体ＩＣ１０２よりも高さの高い電子部品を搭載することができる。つまり、本実施形態による高周波モジュール１００では、半導体ＩＣ１０２よりも高さの高い電子部品の搭載、半導体ＩＣ１０２をフリップチップ接続することによるインダクタンスの低減、並びに、部品点数の削減及び軽量化を同時に達成することが可能となる。
【００３４】
図７は、本発明の好ましい他の実施の形態による高周波モジュール２００を示す略断面図である。
【００３５】
図７に示すように、本実施形態による高周波モジュール２００は、上記実施形態による高周波モジュール１００と同様、基板２０１と、基板２０１上に搭載された半導体ＩＣ２０２及びその他の電子部品２０３と、これら半導体ＩＣ２０２及び電子部品２０３を覆って基板２０１上に設けられた金属のシールドケース２０４とを備えて構成されているが、シールドケース２０４に設けられている突起２０４ａが上記実施形態による高周波モジュール１００とは逆方向に形成されている点において異なる。
【００３６】
本実施形態においても、半導体ＩＣ２０２の一方の面には電力の供給や信号の授受を行うための端子２０２ａが設けられ、他方の面には放熱用のグランドパターン２０２ｂが設けられており、端子２０２ａが設けられている面を基板２０１側に向けて、端子２０１ａにフリップチップ接続されている。また、放熱用グランドパターン２０２ｂが設けられている面は半田等の導電性ペースト２０５を介してシールドケース２０４の天板部２０４ａに押し当てられており、これにより半導体ＩＣ２０２が発する熱は、放熱用グランドパターン２０２ｂからシールドケース２０４を介してマザーボード（図示せず）へと放熱される。
【００３７】
本実施形態による高周波モジュール２００では、シールドケース２０４に設けられている突起２０４ａが上記実施形態による高周波モジュール１００とは逆方向に形成されていることから、基板２０１とシールドケース２０４の天板部２０４ｂとの間隔は、突起２０４ａが形成されている領域において広く、それ以外の部分において狭くなっている。したがって、突起２０４ａが形成されている領域に半導体ＩＣ２０２よりも高さの高い電子部品２０３ａを搭載することが可能となる。
【００３８】
本実施形態においては、支持部２０４ｄの高さＡを半導体ＩＣ２０２の高さＣと同じかこれよりもやや大きく設定すれば、天板部２０４ｂと半導体ＩＣ２０２とを導電性ペースト２０５を介して接触させることができる。また、電子部品２０３ａの高さを「Ｄ」とした場合、突起２０４ａの高さＢを
Ｂ＞Ｄ−Ａ
に設定すれば、高さの高い電子部品２０３ａを搭載することが可能となる。このように、本実施形態による高周波モジュール２００も、上述した高周波モジュール１００と同様の効果を得ることができる。本実施形態による高周波モジュール２００は、半導体ＩＣ２０２よりも高さの高い電子部品２０３ａを搭載できる面積が上述した高周波モジュール１００よりも小さいことから、このような電子部品２０３ａの実装面積が小さい場合において有効である。
【００３９】
本発明は、以上説明した実施の形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００４０】
例えば、図１に示した高周波モジュール１００では、シールドケース１０４の突起１０４ａの平面形状が四角形であるが、本発明において突起の平面形状が四角形である必要はなく、図８に示すように円形であっても構わない。また、突起１０４ａの数は一つである必要はなく、図９に示すように、放熱すべき半導体ＩＣの数に応じて複数設けても構わない。突起１０４ａを複数設ける場合、これらの高さ（深さ）が同一である必要はなく、対応する半導体ＩＣの高さに応じてそれぞれ最適な高さ（深さ）に設定することが好ましい。
【００４１】
さらに、図１０に示すように、シールドケース１０４の天板部１０４ｂに基板側に向けた突起１０４ａと、基板とは反対側に向けた突起２０４ａの両方を設けても構わない。この場合、基板側に向けた突起１０４ａに半導体ＩＣの表面を押し当て、基板とは反対側に向けた突起２０４ａに対応する領域に、高さの特に高い電子部品を搭載すればよい。
【００４２】
さらに、図１１に示すように、半導体ＩＣ１０２の放熱用グランドパターン１０２ｂとシールドケース１０４の突起１０４ａとの間に、ヒートシンク（放熱用スペーサ）１３０を挿入しても構わない。この場合、部品点数については図１４に示した従来の高周波モジュール３０と変わらないが、突起１０４ａによって半導体ＩＣ１０２との間隔が狭くなっていることから薄型のヒートシンク（放熱用スペーサ）１３０を用いることができ、このため、図１４に示した従来の高周波モジュール３０よりも軽量化することが可能となる。
【００４３】
また、上記実施形態では、本発明を高周波モジュールに適用した例について説明したが、本発明は高周波モジュールのみならず半導体ＩＣ搭載モジュール全体に適用可能である。但し、半導体ＩＣをフリップチップ接続することによるインダクタンスの低減は、高周波モジュールにおいて特に重要であることから、本発明は、高周波モジュールへの適用が最も好適である。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体ＩＣよりも高さの高い電子部品の搭載、半導体ＩＣをフリップチップ接続することによるインダクタンスの低減、並びに、部品点数の削減及び／又は軽量化を同時に達成することが可能となる。また、ボンディングワイヤやサーマルビアが不要であることから、集積度を高めることが可能となるばかりでなく、製造コストの増大や設計自由度の低下を防止することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好ましい実施の形態による高周波モジュール１００を示す略断面図である。
【図２】高周波モジュール１００を分解した状態を示す略分解斜視図である。
【図３】シールドケース１０４の天板部１０４ｂに切り込み１１０を形成した状態を示す略斜視図である。
【図４】切り込み１１０に囲まれた領域１１１を下側へ押し曲げることによって突起１０４ａを形成した状態を示す略斜視図である。
【図５】シールドケース１０４の天板部１０４ｂに切り込み１２０を形成した状態を示す略斜視図である。
【図６】切り込み１２０に囲まれた領域１２１を下側へ折り曲げることによって突起１０４ａを形成した状態を示す略斜視図である。
【図７】本発明の好ましい他の実施の形態による高周波モジュール２００を示す略断面図である。
【図８】本発明の高周波モジュールに用いることができるシールドケース１０４の他の例を示す略斜視図であり、突起１０４ａの平面形状を円形とした例を示している。
【図９】本発明の高周波モジュールに用いることができるシールドケース１０４のさらに他の例を示す略斜視図であり、突起１０４ａを複数設けた例を示している。
【図１０】本発明の高周波モジュールに用いることができるシールドケース１０４のさらに他の例を示す略斜視図であり、基板側に向けた突起１０４ａと基板とは反対側に向けた突起２０４ａの両方を設けた例を示している。
【図１１】半導体ＩＣ１０２の放熱用グランドパターン１０２ｂとシールドケース１０４の突起１０４ａとの間に、薄型のヒートシンク（放熱用スペーサ）１３０を挿入した例を示す略断面図である。
【図１２】従来の高周波モジュール１０を示す略断面図である。
【図１３】従来の高周波モジュール２０を示す略断面図である。
【図１４】従来の高周波モジュール３０を示す略断面図である。
【符号の説明】
１００，２００  高周波モジュール
１０１，２０１  基板
１０１ａ，２０１ａ  電極
１０１ｄ  グランドパターン
１０１ｅ  切り欠き
１０２，２０２  半導体ＩＣ
１０２ａ，２０２ａ  電極
１０２ｂ，２０２ｂ  放熱用グランドパターン
１０３，２０３  他の電子部品
１０４，２０４  シールドケース
１０４ａ，２０４ａ  突起
１０４ｂ，２０４ｂ  天板部
１０４ｃ  側板部
１０４ｄ，２０４ｄ  支持部
１０４ｅ  位置決め部
１０５，２０５  導電性ペースト
１１０，１２０  切り込み
１１１，１２１  切り込みに囲まれた領域
１１２，１２２  隙間
２０３ａ  高さの高い電子部品
【図１】
2005019882.tif 000003
【図２】
2005019882.tif 000004
【図３】
2005019882.tif 000005
【図４】
2005019882.tif 000006
【図５】
2005019882.tif 000007
【図６】
2005019882.tif 000008
【図７】
2005019882.tif 000009
【図８】
2005019882.tif 000010
【図９】
2005019882.tif 000011
【図１０】
2005019882.tif 000012
【図１１】
2005019882.tif 000013
【図１２】
2005019882.tif 000014
【図１３】
2005019882.tif 000015
【図１４】
2005019882.tif 000016