(57)【要約】【課題】低融点金属から構成される電極へのダメージを防止し、半導体素子の結晶欠陥を効率よく終端させることが可能な半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】半導体基板２０１の一方の面上に半導体素子２５０を形成し、その半導体素子２５０に導通する複数の電極層２２０および２３０をそれら電極層同士の間にシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜を挟んで順次積層形成してなる半導体装置の製造方法であって、層間絶縁膜のうち最上部の層間絶縁膜２２１を積層形成する最終層間絶縁膜積層形成工程と、最上部の層間絶縁膜２２１が積層形成された半導体基板上に分子状水素を解離させた原子状水素２２２を照射する原子状水素照射工程と、を有する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方の面上に半導体素子を形成し、その半導体素子に導通する複数の電極層をそれら電極層同士の間にシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜を挟んで順次積層形成してなる半導体装置の製造方法であって、
前記層間絶縁膜のうち最上部の層間絶縁膜を積層形成する最終層間絶縁膜積層形成工程と、
前記最終層間絶縁膜積層形成工程により前記最上部の層間絶縁膜が積層形成された前記半導体基板上に分子状水素を解離させた原子状水素を照射する原子状水素照射工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記原子状水素照射工程は、高温発熱体に水素ガスを接触させて前記原子状水素を解離させるようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記発熱体はタングステンフィラメントで構成され、通電によって２０００℃に加熱されることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板の一方の面上に半導体素子を形成し、その半導体素子に導通する複数の電極層をそれら電極層同士の間にシリコン酸化膜で構成される層間絶縁膜を挟んで順次積層形成してなる半導体装置の製造装置であって、
前記半導体基板に前記層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成室と、
前記層間絶縁膜形成室に前記半導体基板を搬入または搬出するためのロードロック室と、
前記ロードロック室内に水素ガスを供給する水素ガス供給系統と、
前記ロードロック室内で通電により発熱して、供給された前記水素ガスを原子状水素に解離するタングステンフィラメントと、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項５】
半導体基板の一方の面上に半導体素子を形成し、その半導体素子に導通する複数の電極層をそれら電極層同士の間にシリコン酸化膜で構成される層間絶縁膜を挟んで順次積層形成してなる半導体装置の製造装置であって、
前記半導体基板に前記層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成室と、
前記層間絶縁膜が積層形成された前記半導体基板を徐冷するためのクーリングステージ室と、
前記クーリングステージ室内に水素ガスを供給する水素ガス供給系統と、
前記クーリングステージ室内で通電により発熱して、供給された前記水素ガスを原子状水素に解離するタングステンフィラメントと、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法および製造装置に関し、特に半導体素子の結晶欠陥を終端する方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体装置の高密度化を達成するために、各素子間を電気的に結合する配線を多層化する多層配線技術が有効な技術として広く一般的に活用されている。
多層配線に用いられる薄膜材料には、各素子間を電気的に結合させるための電極膜および積層される複数の電極膜同士の間を絶縁するための絶縁膜とに分けると、代表的に以下に示すような特性が要求される。
【０００３】
電極膜には、低抵抗値であること、ＳｉＯ２などの絶縁膜下地への密着性が高いこと、パターン加工性が高いこと、均質な膜形成が容易であること、化学的および熱的安定性が高いことなどが挙げられる。
また、絶縁膜には、絶縁性が高いこと、電極膜への密着性が高いこと、電極膜材料との反応性が低いこと、パターン加工性が高いこと、均質な膜形成が容易であること、化学的および熱的安定性が高いことなどが挙げられる。
【０００４】
上記に列挙した特性から、電極膜の材料としては、アルミニウムが広く多用されており、絶縁膜の材料としては、アルミニウムとの適合性からＳｉＯ２が広く多用されているが、リンガラス（ＰＳＧ）やＳｉ３Ｎ４も用いられている。
しかしながら、上述のような半導体装置製造における高密度化技術の進歩の一方で、シリコン膜、絶縁膜およびシリコン膜と絶縁膜との界面には、種々の工程を経ることで種々の要因により、未結合手（ダングリングボンド）を有するシリコン原子の存在に基づく結晶欠陥を生じるなどの不具合もある。
【０００５】
上記のような課題を解決するための技術として、従来から、薄膜トランジスタの動作特性を改善するために、ＰＳＧなどの含水性の層間絶縁膜に覆われた半導体薄膜が形成された絶縁基板をランプによる急速加熱法（ＲＴＡ）により３５０℃以上６００℃以下に加熱して水素を拡散させる方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−３６６０１号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の技術では、絶縁基板を加熱しなければならず、６００℃を超えた場合、アルミニウムなどの低融点金属から構成される電極にダメージが加わるおそれがあったり、３５０℃未満では特性改善が不十分であったり、絶縁基板の温度および加熱時間の管理が難しいという未解決の課題がある。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、低融点金属から構成される電極へのダメージを防止し、半導体素子の結晶欠陥を効率よく終端させることが可能な半導体装置の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る第１の発明は、半導体基板の一方の面上に半導体素子を形成し、その半導体素子に導通する複数の電極層をそれら電極層同士の間にシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜を挟んで順次積層形成してなる半導体装置の製造方法であって、前記層間絶縁膜のうち最上部の層間絶縁膜を積層形成する最終層間絶縁膜積層形成工程と、前記最終層間絶縁膜積層形成工程により前記最上部の層間絶縁膜が積層形成された前記半導体基板上に分子状水素を解離させた原子状水素を照射する原子状水素照射工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【００１０】
上記の構成によれば、原子状水素照射工程では、最終層間絶縁膜積層形成工程において最上部の層間絶縁膜が積層形成された半導体基板上に、分子状水素を解離させた原子状水素を照射するようになっている。
上記によれば、半導体基板そのものを加熱する必要がなく、低融点金属から構成される電極層への加熱によるダメージを生じさせることなく半導体素子の結晶欠陥を終端させることが可能となる。また、原子状水素照射工程を最上部の層間絶縁膜を積層形成する最終層間絶縁膜積層形成工程の後に設けることにより、半導体素子形成、電極層形成および層間絶縁膜形成の際に発生した半導体素子の結晶欠陥を効率よく原子状水素で終端させることが可能となる。
【００１１】
また、第２の発明は、第１の発明において、前記原子状水素照射工程は、高温発熱体に水素ガスを接触させて前記原子状水素を解離させるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
上記の構成によれば、不安定状態にある原子状水素同士が再結合して水素分子に変化する前に、原子状水素を効率よく半導体基板上に照射することが可能となる。
【００１２】
また、第３の発明は、第２の発明において、前記発熱体はタングステンフィラメントで構成され、通電によって２０００℃に加熱されることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
上記の構成によれば、発熱体を高融点金属であるタングステンからなるフィラメントで構成することにより、原子状水素を解離させるのに十分な温度にまで発熱することが可能となる。また、安価な素材で、通電により加熱されるという簡易な方法で発熱体を構成することが可能となり、安価且つ簡易な方法で原子状水素を解離させることが可能となる。
【００１３】
また、第４の発明は、半導体基板の一方の面上に半導体素子を形成し、その半導体素子に導通する複数の電極層をそれら電極層同士の間にシリコン酸化膜で構成される層間絶縁膜を挟んで順次積層形成してなる半導体装置の製造装置であって、前記半導体基板に前記層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成室と、前記層間絶縁膜形成室に前記半導体基板を搬入または搬出するためのロードロック室と、前記ロードロック室内に水素ガスを供給する水素ガス供給系統と、前記ロードロック室内で通電により発熱して、供給された前記水素ガスを原子状水素に解離するタングステンフィラメントと、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置を提供する。
【００１４】
上記の構成によれば、半導体装置の製造装置は、層間絶縁膜形成室にて最上部の層間絶縁膜が積層形成された半導体基板をロードロック室に搬送した後、ロードロック室内で通電により発熱したタングステンフィラメントの発熱部に向けて水素ガスを供給し、原子状水素を解離させて半導体基板上に照射することが可能となる。
【００１５】
上記により、半導体装置の製造装置は、従来からある半導体装置の製造装置に、タングステンフィラメントをロードロック室内で通電により発熱可能なように設け、水素ガスをタングステンフィラメントの発熱部に向けて供給可能なように水素ガス供給系統を設けることで、簡易で安価な付加構成とすることができる。また、第５の発明は、半導体基板の一方の面上に半導体素子を形成し、その半導体素子に導通する複数の電極層をそれら電極層同士の間にシリコン酸化膜で構成される層間絶縁膜を挟んで順次積層形成してなる半導体装置の製造装置であって、前記半導体基板に前記層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成室と、前記層間絶縁膜が積層形成された前記半導体基板を徐冷するためのクーリングステージ室と、前記クーリングステージ室内に水素ガスを供給する水素ガス供給系統と、前記クーリングステージ室内で通電により発熱して、供給された前記水素ガスを原子状水素に解離するタングステンフィラメントと、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置を提供する。
【００１６】
上記の構成によれば、半導体装置の製造装置は、層間絶縁膜形成室にて最上部の層間絶縁膜が積層形成された半導体基板をクーリングステージ室に搬送した後、クーリングステージ室内で通電により発熱したタングステンフィラメントの発熱部に向けて水素ガスを供給し、原子状水素を解離させて半導体基板上に照射することが可能となる。
【００１７】
上記により、半導体装置の製造装置は、従来からある半導体装置の製造装置に、タングステンフィラメントをクーリングステージ室内で通電により発熱可能なように設け、水素ガスをタングステンフィラメントの発熱部に向けて供給可能なように水素ガス供給系統を設けることで、簡易で安価な付加構成とすることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施の形態を、図１〜図３を用いて説明する。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の流れを示す工程図である。
本発明の実施の形態に係る製造方法により製造される半導体装置の断面構成を示す図である図２（ｃ）に示すように、半導体装置２００は、ソース領域２０２およびドレイン領域２０３を有する半導体基板２０１上に設けられたゲート絶縁膜２０５およびゲート電極部２０６を覆うように、第一の層間絶縁膜２０７が形成され、コンタクトホール２０４を介してソース領域２０２およびドレイン領域２０３に導通する第一の電極２２０が形成されている。そして、その上から最上部の層間絶縁膜である第二の層間絶縁膜２２１を設け、コンタクトホール２４０を介して第一の電極２２０に導通する第二の電極２３０が形成され、その上から保護膜２３１が覆っている構成となっている。
【００１９】
この半導体装置２００を製造するには、図１に示すように、先ず、半導体素子形成工程（ステップＳ１１０）で、図２（ａ）に示すように、半導体基板２０１上に、ＣＶＤ技術、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術などによりゲート絶縁膜２０５およびゲート電極部２０６の成膜および除去を行い、第一の層間絶縁膜２０７を積層形成して、ソース領域２０２またはドレイン領域２０３に至るコンタクトホール２０４を開口して半導体素子２５０を形成する。
【００２０】
次いで、電極配線形成工程（ステップＳ１２０）で、図２（ｂ）に示すように、ソース領域２０２またはドレイン領域２０３に導通する例えば、アルミニウムなどの金属からなる第一の電極２２０を、ＰＶＤ技術およびエッチング技術などによりコンタクトホール内から半導体装置２００上に設けて配線して、層間絶縁膜積層形成工程（ステップＳ１３０）に移行する。
【００２１】
次いで、層間絶縁膜積層形成工程（ステップＳ１３０）で、図２（ｂ）に示すように、ＣＶＤ技術により例えば、ＳｉＯ２などの層間絶縁膜２２１を積層形成し、最上部の層間絶縁膜を積層形成する最終層間絶縁膜積層形成工程（ステップＳ１４０）まで、コンタクトホールの開口および電極配線形成工程を繰り返してステップＳ１５０に移行する。
【００２２】
次いで、半導体素子特性改善工程（ステップＳ１５０）で、熱エネルギにより水素ガスを解離して原子状水素２２２に変化させ、原子状水素を半導体装置２００に照射する。なお、前記原子状水素照射工程がステップＳ１５０に相当する。次いで、最終電極配線形成工程（ステップＳ１６０）で、図２（ｃ）に示すように、最上部の電極である第二の電極配線２３０を形成し、保護膜形成工程（ステップＳ１７０）へ移行する。
【００２３】
次いで、保護膜形成工程（ステップＳ１７０）で、図２（ｃ）に示すように、半導体装置２００の半導体素子２５０が形成されている側の面を覆って保護するための例えばＳｉ３Ｎ４、ＰＳＧ、ポリイミドなどからなる保護膜２３１を形成して半導体装置２００の製造を終了する。
上記によれば、半導体素子特性改善工程を電極配線形成工程および層間絶縁膜形成工程後かつ保護膜形成工程前に設けているため、半導体素子形成工程のみならず電極配線形成工程および層間絶縁膜形成工程においても発生した半導体素子２５０の結晶欠陥を原子状水素で終端させることが可能となり、かつ水素に対するバリア性を有するＳｉ３Ｎ４などから成る保護膜を形成する前に効率よく結晶欠陥を終端させることが可能となる。
【００２４】
図３は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造装置の断面構成を示す概略正面図である。本実施の形態に係る半導体装置の製造装置３００は、従来からある縦型のＣＶＤ処理装置に、通電により発熱するタングステンフィラメントと、そのタングステンフィラメントの発熱部に向けて水素ガスを供給する水素ガス供給系統と、を付加して構成される。
【００２５】
図３に示すように、製造装置３００は、半導体装置２００を製造装置３００内および外に搬入および搬出するためのロードロック室ＬＬと、半導体装置２００にＣＶＤ処理を施すための処理室Ｆ１と、処理室Ｆ１を取り囲むようにして設けられるヒーターＨＴと、を備えている。
そして、ロードロック室ＬＬは減圧状態を良好に保つためのゲートバルブＧＶ３２を介して処理室Ｆ１に連結している。
【００２６】
また、ロードロック室ＬＬは、半導体装置２００をロードロック室ＬＬ内および外に搬入および搬出するためのゲートバルブＧＶ３１と、複数の半導体装置２００を収納可能で、ロードロック室ＬＬと処理室Ｆ１との間を往復移動して、収納された半導体装置２００を搬送するウェハボート３３０と、を備え、ロードロック室ＬＬ内を減圧するための図示しない真空ポンプが連結されている。
【００２７】
さらに、ロードロック室ＬＬは、室内に通電により発熱するタングステンフィラメント３２３を有し、水素ガス３２２を室内のタングステンフィラメント３２３の発熱部に向けて供給する水素ガス供給官２０が連結されている。
次に製造装置３００の動作について説明する。
ロードロック室ＬＬ内に通じるゲートバルブＧＶ３１を開け、半導体素子形成工程（ステップＳ１１０）および電極配線形成工程（ステップＳ１２０）を経た半導体装置２００を、ウェハボート３３０に収納してゲートバルブＧＶ３１を閉じ、図示しない真空ポンプを作動させてロードロック室ＬＬ内を減圧する。
【００２８】
ロードロック室ＬＬと処理室Ｆ１との間のゲートバルブＧＶ３２を開けて、ウェハボート３３０を処理室Ｆ１内に移動させ、ゲートバルブＧＶ３２を閉じる。
そして、半導体装置２００上に最上部の層間絶縁膜２２１を形成して最終層間絶縁膜形成工程（ステップＳ１４０）を終了し、ゲートバルブＧＶ３２を開け、ウェハボート３３０をロードロック室ＬＬ内に移動させ、ゲートバルブＧＶ３２を閉じて半導体素子特性改善工程（ステップＳ１５０）に移行する。
【００２９】
ロードロック室ＬＬ内では、通電し発熱したタングステンフィラメント３２３の発熱部に向けて、マスクフローコントローラ３２１で所定の流量に制御された水素ガス３２２が水素ガス供給管３２０から供給される。そして、タングステンフィラメント３２３の約２０００℃の発熱部に接触した水素ガスは、熱エネルギにより解離して原子状水素に変化し、半導体装置２００に照射されて半導体素子特性改善工程（ステップＳ１５０）を終了する。
【００３０】
そして、ゲートバルブＧＶ３１を開け、ウェハボート３３０に収納されている半導体装置２００を製造装置３００の外に搬出する。
上記によれば、製造装置３００は、既存の縦型ＣＶＤ装置のロードロック室に水素ガス供給系統とタングステンフィラメントとを付加して構成されるため、既存の製造装置を改造することで対応することができ、大掛かりな装置を新たに導入する必要はなく、設備コストを低く抑えることが可能となる。
【００３１】
本実施の形態に係る半導体装置の製造装置３００では、ロードロック室ＬＬおよび処理室Ｆ１内を減圧環境とするようにしたが、窒素やアルゴンなどの不活性ガスを充填した環境としても同様の効果が得られる。
本発明の第２の実施の形態を、図４を用いて説明する。
図４は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造装置の断面構成を示す概略平面図である。本実施の形態に係る半導体装置の製造装置４００は、従来からある枚葉処理型のＣＶＤ処理装置に、通電により発熱するタングステンフィラメントと、そのタングステンフィラメントの発熱部に向けて水素ガスを供給する水素ガス供給系統と、を付加して構成される。
【００３２】
図４に示すように、製造装置４００は、半導体装置２００が収納されたウェハカセット４０５を製造装置４００内に搬入するためのウェハカセット室ＷＦ１と、半導体装置２００にＣＶＤ処理を施すための処理室ＰＭ１およびＰＭ２と、処理が終了した半導体装置２００を徐冷するためのクーリングステージ室ＣＳと、徐冷が終了した半導体装置２００が収納されたウェハカセット４０５を製造装置４００から搬出するためのウェハカセット室ＷＦ２と、半導体装置２００を各室に搬入および搬出する搬送装置４０７を備える搬送室４０６と、を有している。
【００３３】
ウェハカセット室ＷＦ１およびＷＦ２、処理室ＰＭ１およびＰＭ２ならびにクーリングステージ室ＣＳは、各室と搬送室４０６との間の減圧状態を良好に保つためのゲートバルブＧＶ１〜ＧＶ５を介して、搬送室４０６に連結している。
また、ウェハカセット室ＷＦ１およびＷＦ２は、ウェハカセット４０５をウェハカセット室内に搬入および搬出するためのゲートバルブＧＶ６およびＧＶ７を有し、ウェハカセット室内を減圧するための図示しない真空ポンプが連結されている。
【００３４】
さらに、クーリングステージ室ＣＳは、室内に通電により発熱するタングステンフィラメント３２３を有し、水素ガス３２２を室内のタングステンフィラメント３２３の発熱部に向けて供給する水素ガス供給管３２０が連結されている。
次に、製造装置４００の動作について説明する。
半導体素子形成工程（ステップＳ１１０）および電極配線形成工程（ステップＳ１２０）を経た半導体装置２００を収納したウェハカセット４０５を、製造装置４００のウェハカセット室ＷＦ１のゲートバルブＧＶ６を開けてウェハカセット室ＷＦ１内に装填し、ゲートバルブＧＶ６を閉じて、真空ポンプを作動させてウェハカセット室ＷＦ１内を減圧する。
【００３５】
ウェハカセット室ＷＦ１と搬送室４０６との間のゲートバルブＧＶ１を開けて、搬送装置４０７がウェハカセット室ＷＦ１内の半導体装置２００を保持し、搬送室４０６内に搬送し、ゲートバルブＧＶ１を閉じる。
搬送室４０６内に搬送された半導体装置２００は、搬送装置４０７により処理室ＰＭ１またはＰＭ２に搬送されるが、例えば、ここでは処理室ＰＭ１に搬送されるとする。搬送室４０６と処理室ＰＭ１との間のゲートバルブＧＶ２を開け、搬送装置４０７により半導体装置２００は処理室ＰＭ１内に搬送され、ゲートバルブＧＶ２を閉じる。
【００３６】
半導体装置２００は、処理室ＰＭ１内で最上部の層間絶縁膜２２１が形成されてＣＶＤ処理による最終層間絶縁膜形成工程（ステップＳ１４０）を終了し、ゲートバルブＧＶ２を開け、搬送装置４０７により搬送室４０６内に搬送される。そして、搬送室４０６とクーリングステージ室ＣＳとの間のゲートバルブＧＶ４を開け、搬送装置４０７が半導体装置２００を予め減圧状態に保たれているクーリングステージ室ＣＳ内に搬送してゲートバルブＧＶ４を閉じる。
【００３７】
クーリングステージ室ＣＳ内では、通電し発熱したタングステンフィラメント３２３の発熱部に向けて、マスクフローコントローラ３２１で所定の流量に制御された水素ガス３２２が水素ガス供給管３２０から供給される。そして、タングステンフィラメント３２３の約２０００℃の発熱部に接触した水素ガスは、熱エネルギにより解離して原子状水素に変化し、半導体装置２００に照射されて半導体素子特性改善工程（ステップＳ１５０）を終了する。
【００３８】
そして、搬送室４０６とクーリングステージ室ＣＳとの間のゲートバルブＧＶ４を開け、搬送装置４０７が半導体装置２００を搬送室４０６へ搬送し、ゲートバルブＧＶ４を閉じる。
搬送室４０６とウェハカセット室ＷＦ２との間のゲートバルブＧＶ５を開け、搬送装置４０７が半導体装置２００を予め減圧状態に保たれているウェハカセット室ＷＦ２内のウェハカセット４０５に搬送収納してゲートバルブＧＶ５を閉じる。
【００３９】
ウェハカセット室ＷＦ２のウェハカセット４０５に、すべての半導体装置２００が収納されると、ゲートバルブＧＶ７を開け、ウェハカセット４０５を製造装置４００の外に搬出する。
上記によれば、製造装置４００は、既存の枚葉処理型のＣＶＤ装置のクーリングステージ室に水素ガス供給系統と、タングステンフィラメントと、を付加して構成されるため、既存の製造装置を改造することで対応することができ、大掛かりな装置を新たに導入する必要はなく、設備コストを低く抑えることが可能となる。また、クーリングステージ室での半導体装置の徐冷時間を利用して半導体素子の特性を改善することができ、半導体素子の特性を改善するための余分な時間を必要とせず、製造コストも低く抑えることが可能となる。
【００４０】
本実施の形態に係る半導体装置の製造装置４００では、搬入用および搬出用のウェハカセット室をそれぞれ設けた形態としたが、搬入および搬出を一つのウェハカセット室で兼用するようにしてもよい。また、ＣＶＤ処理を施す処理室をＰＭ１、ＰＭ２の２室の構成としたが、１室の構成または３室以上の構成でもよく、さらに処理室ＰＭ１またはＰＭ２のいずれかをＣＶＤ処理を施す処理室とし、残りの処理室をレジスト処理、エッチング処理、ＰＶＤ処理等を施す処理室とした構成としてもよい。
【００４１】
さらに、ウェハカセット室ＷＦ１およびＷＦ２、搬送室４０６、処理室ＰＭ１およびＰＭ２、クーリングステージ室ＣＳ内を減圧環境とするようにしたが、窒素やアルゴンなどの不活性ガスを充填した環境としても同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の流れを示す工程図。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成断面を示す図。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造装置の断面構成を示す概略平面図。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造装置の断面構成を示す概略平面図。
【符号の説明】
２００…半導体装置、２０１…半導体基板、２５０…半導体素子、２２１…最上部の層間絶縁膜、２２２…原子状水素、３２０…水素ガス供給管、３２２…水素ガス、３２３…タングステンフィラメント、ＣＳ…クーリングステージ室、ＬＬ…ロードロック室
【図１】
2005019623.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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