(57)【要約】【課題】本発明は、フィルム基板上に形成された電極と半導体素子の端部が実装時に接触することを確実に防止することができるとともに、フィルム基板上に実装された半導体素子に対して樹脂のモールディングを確実に、且つ高精度に行うことができる構成を有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】電極を有するフィルム基板の少なくとも一方の面に実装される半導体素子において、電極と対向する面の所望の位置に絶縁保護部が形成されており、半導体素子とフィルム基板とのギャップが少なくとも１０μｍ以上に設定されている。【選択図】図１
2005129917.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
柔軟な樹脂材で形成されたフィルム基板、
前記フィルム基板の少なくとも一方の面に形成され、金属膜の電極パターンで構成された電極、
前記電極に接続されたバンプ電極を有する半導体素子、
前記半導体素子における前記電極と対向する面に形成され、前記半導体素子と前記電極との直接接触を防止する絶縁保護部、及び
前記半導体素子と前記フィルム基板との間の空間内に少なくとも形成され、前記電極と前記バンプ電極とを封止する封止部、
を具備する半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子と前記フィルム基板とのギャップが少なくとも１０μｍ以上である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
絶縁保護部が前記半導体素子における前記電極と対向する面の外縁部分にのみ形成され、前記絶縁保護部と前記フィルム電極とのギャップが所定距離を有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記保護部が前記半導体素子における前記電極と対向する面が矩形状であり、前記矩形状の面における外縁コーナーにのみ形成された請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記保護部が前記半導体素子における前記電極と対向する面の外縁部分の一部に形成された請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
絶縁保護部が前記半導体素子における前記電極と対向する面の全面に形成され、前記絶縁保護部と前記フィルム電極とのギャップが所定距離を有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体素子における前記電極と対向する面において、絶縁保護部が前記バンプ電極と外縁部分との間に形成され、前記絶縁保護部と前記フィルム電極とのギャップが所定距離を有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
柔軟な樹脂材で形成されたフィルム基板、
前記フィルム基板の少なくとも一方の面に形成され、金属膜の電極パターンで構成された電極、
前記電極に接続されたバンプ電極を有し、前記電極と対向する面における外縁部分のコーナが鈍角により形成された半導体素子、及び
前記半導体素子と前記フィルム基板との間に形成され、前記電極と前記バンプ電極とを封止する封止部、
を具備する半導体装置。
【請求項９】
前記半導体素子の前記コーナーが実質的な曲面により形成された請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体素子の上に柔軟な樹脂材で形成されたシートカバーが密着して設けられた請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体素子の上に柔軟な樹脂材で形成されたシートカバーが密着して設けられ、前記シートカバーが電磁シールドの効果を有する材料で形成された請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体素子の平面形状が長方形であり、前記シートカバーが前記半導体素子の短辺側部分を覆い、長辺側を部分を開放するよう前記フィルム基板に固着された請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
半導体素子におけるバンプ電極を有する面にレジストを塗布する工程、
前記半導体素子の所望領域をマスキングして紫外線を照射し、現像、洗浄、そして硬化の各処理を順次行い、絶縁保護部を形成する工程、
前記半導体素子が電極を有するフィルム基板上の所望の位置に配置され、加圧加熱により前記バンプ電極と前記電極とを接続する工程、及び
前記半導体素子と前記フィルム基板との間に樹脂を注入して封止部を形成する工程、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記封止部の厚みが１から５μｍの範囲内であり、前記半導体素子と前記フィルム基板とのギャップが少なくとも１０μｍ以上である請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
半導体素子におけるバンプ電極を有する面の所望の位置に樹脂を塗布する工程、
前記半導体素子の所望の位置に塗布された樹脂を加熱処理して絶縁保護部を形成する工程、
前記半導体素子が電極を有するフィルム基板上の所望の位置に配置され、加圧加熱により前記バンプ電極と前記電極とを接続する工程、及び
前記半導体素子と前記フィルム基板との間に樹脂を注入して封止部を形成する工程、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記封止部の厚みが５から３０μｍの範囲内であり、前記半導体素子と前記フィルム基板とのギャップが少なくとも１０μｍ以上である請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
半導体ウェハーの全面にレジストを塗布する塗布工程、
前記半導体ウェハーに対して、切断する位置と対向する部分が開口したレジストパターンが配置され、露光、現像、洗浄、硬化の各処理が順次行わわれる露光工程、及び
前記半導体ウェハーがエッチング液に浸漬され、前記半導体ウェハーの所望の位置で切断される切断工程、
により製造された半導体素子を用いた請求項１３から１６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、柔軟性を有するフィルム状の基板上に半導体素子を実装した半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やデジタルカメラに用いられるフィルム状の基板であるフィルム基板には、半導体素子が実装されて樹脂でモールドされている。半導体素子をフィルム基板に実装する方法としては、ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)方式が知られている。 ＴＡＢ方式においては、フィルム基板に素子を実装するための孔を形成し、そのフィルム基板の表面に金属箔をラミネートし、その金属箔をエッチングすることにより前記孔の内部に突出する複数のフィンガーリードを形成している。これらのフィンガーリードに対して半導体素子のバンプ電極を溶着して、半導体素子がフィルム基板に実装されている。
【０００３】
上記のような構成の従来の半導体装置において、半導体素子のバンプ電極をフィルム基板のフィンガーリードに溶着するとき、フィンガーリードが半導体素子のコーナーに接触して傷付けられたり、場合によっては短絡するという問題があった。このような問題を解決するため、半導体素子に絶縁膜を設けたものがあった。図２０は特許文献１に開示された半導体装置の断面図である。図２０に示す半導体装置は、ＴＡＢ方式により半導体素子１０１がフィルム基板１０３に実装された状態を示している。この半導体装置は、フィルム基板１０３に形成された孔１００の内部に突出したフィンガーリード１０４に半導体素子１０１のバンプ電極１０５が熱圧着により固着されている。半導体素子１０１のバンプ電極側に形成されている絶縁膜１０２は、半導体素子１０１を形成するための半導体ウェハーに絶縁樹脂をスピンコーティングにより塗布し、乾燥して形成されている。このとき、半導体ウェハーに形成されているバンプ電極１０５は絶縁膜１０２により覆われているため、絶縁膜１０２の全表面がハーフエッチングされる。この結果、絶縁膜１０２の膜厚の中間位置まで除去されて、バンプ電極１０５は絶縁膜１０２の上方に突出する。このときの絶縁膜１０２の膜厚はバンプ電極の８０〜９０％に設定されている。このように絶縁層１０２が形成された半導体ウェハーにはエッチングにより切断用の溝が形成される。この溝に沿って半導体ウェハーが切断されて、個々の半導体素子１０１が作成される。
【０００４】
上記のように半導体素子１０１のバンプ電極側に絶縁膜１０２が形成されているため、バンプ電極１０５にフィンガーリード１０４を溶着するとき、フィンガーリード１０４が半導体素子１０１の端部に直接接触して短絡することが防止されている。このように半導体素子１０１がフィルム基板１０３に実装された後、バンプ電極１０５とフィンガーリード１０４の接合部分が樹脂１０６によりモールディングされる。
【特許文献１】特開平１０−３４０９２３号公報
【特許文献２】実開平６−３１１４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図２０に示す従来の半導体装置においては、フィルム基板１０３に半導体素子１０１を実装するための孔１００が形成されており、この孔１００に樹脂１０６が充填されてモールディングされている。しかし、最近の半導体装置においては、半導体素子１０１を実装するための孔１００がフィルム基板１０３に形成されておらず、フィルム基板上に形成された電極に半導体素子１０１のバンプ電極１０４を直接接続する構成のものもある。このような構成の半導体装置は、フィルム基板上に形成された電極に半導体素子１０１のバンプ電極１０５を配置して、熱圧着により電極とバンプ電極１０４とを接続している。このように構成された半導体素子１０１とフィルム基板１０３との間に樹脂を充填して半導体装置が製造されている。
【０００６】
上記のように、半導体素子１０１とフィルム基板１０３との間に樹脂を充填して半導体装置を製造する場合、モールディングの樹脂が半導体素子とフィルム基板との間の空間に空洞や気泡等を有することなく隈なく充填される必要がある。もし、樹脂内部に空洞や気泡等が存在した場合には、長期の使用時における腐食、破損、断線等の原因となる。
【０００７】
しかし、従来の半導体装置においては、半導体素子１０１とフィルム基板１０３との間に、例えば実装時の短絡等を防止するために絶縁膜を形成した場合、半導体素子１０１の絶縁膜１０２とフィルム基板１０３との間にはわずかな隙間しかなく、この隙間に気泡が全く無い状態で樹脂を隈なく充填することは困難であった。特に、電極間ピッチが細くなり、充填スペ−スが狭くなるにつれて、このようなスペースに樹脂を充填する場合には、樹脂内に空洞や気泡が生じるおそれが多分にあった。
【０００８】
本発明は、従来の構成における問題点に鑑みてなされたものであり、フィルム基板上に形成された電極と半導体素子の端部が実装時に接触することを確実に防止することができるとともに、フィルム基板上に実装された半導体素子に対して樹脂のモールディングを確実に、且つ高精度に行うことができる構成を有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体装置は、柔軟な樹脂材で形成されたフィルム基板、
前記フィルム基板の少なくとも一方の面に形成され、金属膜の電極パターンで構成された電極、
前記電極に接続されたバンプ電極を有する半導体素子、
前記半導体素子における前記電極と対向する面に形成され、前記半導体素子と前記電極との直接接触を防止する絶縁保護部、及び
前記半導体素子と前記フィルム基板との間の空間内に少なくとも形成され、前記電極と前記バンプ電極とを封止する封止部、を具備するよう構成されている。このように構成された発明は、フィルム基板上に形成された電極と半導体素子の端部が実装時に接触することが確実に防止されており、そしてフィルム基板上に実装された半導体素子に対して樹脂のモールディングを確実に、且つ高精度に行うことができるため、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００１０】
他の観点の発明の半導体装置は、柔軟な樹脂材で形成されたフィルム基板、
前記フィルム基板の少なくとも一方の面に形成され、金属膜の電極パターンで構成された電極、
前記電極に接続されたバンプ電極を有し、前記電極と対向する面における外縁部分のコーナが鈍角により形成された半導体素子、及び
前記半導体素子と前記フィルム基板との間に形成され、前記電極と前記バンプ電極とを封止する封止部、を具備するよう構成されている。この発明の半導体装置は、フィルム基板上に形成された電極と半導体素子の端部が実装時に接触することが確実に防止されており、且つフィルム基板上に実装された半導体素子に対して樹脂のモールディングを確実に、高精度に行うことができるため、信頼性の高い装置となる。
なお、本発明の半導体装置においては、前記半導体素子の上に柔軟な電磁シールドの効果を有する材料で形成されたシートカバーを密着して設けることにより、信頼性の高い半導体装置を容易に製造することができる。
【００１１】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子におけるバンプ電極を有する面にレジストを塗布する工程、
前記半導体素子の所望領域をマスキングして紫外線を照射し、現像、洗浄、そして硬化の各処理を順次行い、絶縁保護部を形成する工程、
前記半導体素子が電極を有するフィルム基板上の所望の位置に配置され、加圧加熱により前記バンプ電極と前記電極とを接続する工程、及び
前記半導体素子と前記フィルム基板との間に樹脂を注入して封止部を形成する工程、を有する。この発明の製造方法により、フィルム基板上に形成された電極と半導体素子の端部が実装時に接触することを確実に防止することができるとともに、フィルム基板上に実装された半導体素子に対して樹脂のモールディングを確実に、且つ高精度に行うことができる。
【００１２】
他の観点の発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子におけるバンプ電極を有する面の所望の位置に樹脂を塗布する工程、
前記半導体素子の所望の位置に塗布された樹脂を加熱処理して絶縁保護部を形成する工程、
前記半導体素子が電極を有するフィルム基板上の所望の位置に配置され、加圧加熱により前記バンプ電極と前記電極とを接続する工程、
前記半導体素子と前記フィルム基板との間に樹脂を注入して封止部を形成する工程、を有する。この発明の製造方法により、フィルム基板上に形成された電極と半導体素子の端部が実装時に接触することを確実に防止することができるとともに、フィルム基板上に実装された半導体素子に対して樹脂のモールディングを確実に、且つ高精度に行うことができる。
発明の新規な特徴は添付の請求の範囲に特に記載したものに他ならないが、構成及び内容の双方に関して本発明は、他の目的や特徴と合わせて図面と共に以下の詳細な説明を読むことにより、より良く理解され評価されるであろう。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、フィルム基板上に形成された電極と半導体素子の端部が実装時に接触することを確実に防止することができるとともに、フィルム基板上に実装された半導体素子に対して樹脂のモールディングを確実に、且つ高精度に行うことができる。また、本発明は、高密度実装基板に対しても適用できる汎用性の高い半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を添付の図面を参照しつつ説明する。
【００１５】
《実施の形態１》
図１は本発明に係る実施の形態１の半導体装置の構成を示す断面図である。
実施の形態１において、フィルム基板１はその表面に電極３を有するフィルム状の柔軟な樹脂材で形成された基板である。半導体素子２Ａは半導体ウェハーから切り出された半導体チップである。電極３は、フィルム基板１上に形成された金属膜の電極パターンであり、パターンエッチングにより形成されている。半導体素子２Ａの背面に形成されているバンプ電極４は、半導体ウェハーから半導体チップを切り出す前に、メッキ法により作製されたものであり、突起状の金（Ａｕ）である。半導体素子２Ａの各端子はフィルム基板１の金（Ａｕ）メッキの施された電極に溶着され、接続されている。なお、バンプ電極４は所望の厚みを有するよう金（Ａｕ）スタッドバンプにより形成することも可能である。
図１に示すように、実施の形態１の半導体装置は、フィルム基板１上に形成された電極３に半導体素子２Ａのバンプ電極４が接続されている。半導体素子２Ａとフィルム基板１との間にはエポキシ系の樹脂である封止部６がモールディングされて、フィルム基板１上の電極３と半導体素子２Ａのバンプ電極４との接合部分が確実に封止されている。
【００１６】
実施の形態１における半導体素子２Ａにおいて、そのバンプ電極４が形成されている背面の端部には絶縁樹脂で構成された絶縁保護部５Ａが形成されている。この絶縁保護部５Ａは、半導体素子２Ａがフィルム基板１上に実装されるときや、モールディング工程において半導体素子２Ａの端部が電極部分に直接接触することを防止するものである。
なお、フィルム基板１としては、例えばポリイミドフィルムで形成された厚みが０．０１ｍｍから０．２ｍｍの範囲内の柔軟なシートが用いられる。このようなシート以外でも、一般的な基板として使用されるフィルム基板なら良い。封止部６を形成する樹脂としては、フェノ−ル系、又はアクリル系樹脂を用いても良い。これ以外の樹脂でも電気的絶縁性があれば良い。
【００１７】
図２は実施の形態１における半導体素子２Ａのバンプ電極４が形成された面を示す背面図である。図２に示すように、実施の形態１における半導体素子２Ａにおいて、複数のバンプ電極４が形成された面の外縁部分には絶縁保護部５Ａが形成されている。
次に、図２に示した半導体素子２Ａにおける絶縁保護部５Ａの製造方法について説明する。
図３は実施の形態１の半導体装置における半導体素子２Ａの製造方法を説明する図である。図４は実施の形態１の半導体装置の製造工程におけるモールディング工程を示す図である。
【００１８】
図３の（Ａ）は半導体チップである半導体素子２Ａ上に複数のバンプ電極４が形成されている状態を示す。
図３の（Ｂ）は図３の（Ａ）の半導体素子２Ａにポジ型のレジスト５ａをスピンコーティングにより塗布した状態を示す。実施の形態１においては、ポジ型のレジスト５ａとしてアクリル系の紫外線硬化型樹脂を用いた。なお、レジスト５ａの塗布方法としては、スピンコーティングに限定されるものではなく、一般的に用いられるスプレー法などの塗布方法が利用できる。
【００１９】
次に、図３の（Ｃ）に示すように、半導体素子２Ａの端部をマスキングして紫外線が照射され、現像、洗浄、そして硬化処理が施される。その結果、図３の（Ｄ）に示すように、半導体素子２Ａにおいて、バンプ電極４が形成されている部分のレジスト５ａは除去され、バンプ電極４が形成されている面（背面)における端部のみに絶縁樹脂で形成された絶縁保護部５Ａが作製される。この絶縁保護部５Ａは、厚みが１〜５μｍの範囲内となるよう形成される。このように形成された半導体素子２Ａは、フィルム基板１上の所望の位置に配置される。そして、電極３上に半導体素子２Ａのバンプ電極４が位置決めされ、加圧加熱することにより、バンプ電極４が溶けて電極３に接続される。
【００２０】
実施の形態１においては、半導体素子２Ａの背面にある絶縁保護部５Ａの表面からフィルム基板１の表面までのギャップは少なくとも１０μｍ以上、好ましくは１０〜１５μｍの範囲内の数値である。このように半導体素子２Ａとフィルム基板１との間に所望のギャップを有しているため、図４に示すモールディング工程において、半導体素子２Ａとフィルム基板１との間に樹脂をスムーズに注入することができ、信頼性の高い封止部６を確実に形成することができる。また、このモールディング工程においても、半導体素子２Ａの端部（コーナー）がフィルム基板１上の電極３に接触しても、その端部が絶縁保護部５Ａにより被覆されているため電極３が傷付けられることがない。
【００２１】
なお、実施の形態１においては、フィルム基板１の片面にのみ半導体素子２Ａを実装する例で説明したが、フィルム基板１の両面に半導体素子を実装した場合でも、実施の形態１における構成が適用できる。フィルム基板１の両面に半導体素子が実装される場合には、製造時の半導体装置を固定するためのステージの構造を変更する必要がある。この場合、フィルム基板上の半導体素子に対応する部分に掘りこみ部を形成する必要がある。
【００２２】
《実施の形態２》
以下、本発明に係る実施の形態２の半導体装置について説明する。実施の形態２の半導体装置において、前述の実施の形態１の半導体装置と異なる点は、半導体素子に形成される絶縁保護部の形状及びその製造方法である。実施の形態２の半導体装置においては、膜形状ではなく、略半球状の絶縁保護部が形成されている。実施の形態２の説明においては、実施の形態１と同じ機能、構成を有するものには同じ符号を付して、それらの詳細な説明は実施の形態１の説明を適用する。
【００２３】
実施の形態２の半導体装置は、実施の形態１と同様に、フィルム基板１上に形成された電極３に半導体素子２Ｂのバンプ電極４が接続されている（図１参照）。半導体素子２Ｂとフィルム基板１との間にはエポキシ系の樹脂の封止部６がモールディングされて、フィルム基板１上の電極３と半導体素子２Ｂのバンプ電極４との接合部分が確実に封止されている。
【００２４】
実施の形態２における半導体素子２Ｂにおいて、複数のバンプ電極４が形成されている背面には絶縁樹脂で構成された複数の絶縁保護部５Ｂが形成されている。この絶縁保護部５Ｂは、半導体素子２Ｂがフィルム基板１上に実装されるときやモールディング工程において、半導体素子２Ｂの端部が電極部分に直接接触することを防止するものである。
【００２５】
図５は実施の形態２における半導体素子２Ｂのバンプ電極４が形成された四角形状の背面を示している。図５に示すように、実施の形態２における半導体素子２Ｂにおいて、複数のバンプ電極４が形成された背面の四隅には絶縁保護部５Ｂが形成されている。
次に、図５に示した半導体素子２Ｂにおける絶縁保護部５Ｂの製造方法について説明する。図６は実施の形態２の半導体装置における半導体素子２Ｂの製造方法を説明する図である。
【００２６】
図６の（Ａ）は半導体チップである半導体素子２Ｂ上に複数のバンプ電極４が形成されている状態を示す。
図６の（Ｂ）は図６の（Ａ）の半導体素子２Ｂにエポキシ系の絶縁樹脂をディスペンサー１０により塗布する工程を示す。なお、絶縁樹脂はゴム系の樹脂でも良い。例えば、スチレンゴム系などの弾性材料である。エポキシ系の絶縁樹脂をディスペンサー１０により塗布する工程において、半導体素子２Ｂがステージ上にセットされる。このステージには、半導体素子２Ｂを固定するための吸引孔が設けられており、フィルム基板１が吸引されて半導体素子２Ｂがステージ上に固定される。固定された半導体素子２Ｂに対して、ディスペンサー１０により半導体素子２の背面の所望の位置に絶縁樹脂が塗布される。このとき塗布される絶縁樹脂が半導体素子２Ｂの側面を流れてステージを汚すことがないよう、ステージの載置面が半導体素子２Ｂと同じ大きさ、若しくは半導体素子２Ｂより小さなステージを用いると良い。
【００２７】
次に、図６の（Ｃ）に示す樹脂硬化工程において、半導体素子２Ｂは加熱されているステージ上に配置され、例えば１５０〜２００℃で約５分間、加熱される。このように加熱処理された半導体素子２Ｂの端部には略半球状の絶縁保護部５Ｂが形成される。この絶縁保護部５Ｂは、厚みが５〜３０μｍの範囲内となるよう形成される。このように形成された半導体素子２Ｂは、フィルム基板１上の所望の位置に配置される。そして、半導体素子２Ｂのバンプ電極４が電極３上に位置決めされ、加圧加熱することにより、バンプ電極４が溶けて電極３に接続される。この電極３とバンプ電極４との接続工程において、半導体素子２Ｂの端部(コーナー)がフィルム基板１上の電極３に直接に接触することがなく、電極３が傷付けられたり、破損することが防止されている。
【００２８】
実施の形態２においては、絶縁保護部５Ｂが半導体素子２Ｂの背面における四隅にのみ形成されているため、モールディング工程において、半導体素子２Ｂとフィルム基板１との間に樹脂を容易に注入することができる。この結果、半導体素子２Ｂとフィルム基板１との間の隙間に空洞や気泡のない封止部６を確実に形成することができる。また、このモールディング工程において、半導体素子２Ｂの端部がフィルム基板１上の電極３に接触することが防止されている。実施の形態２における絶縁保護部５Ｂは、弾性変形する樹脂により形成されているため、半導体素子２Ｂにおけるバンプ電極４が形成された面からフィルム基板１の表面までの距離を所望の値、例えば少なくとも１０μｍ以上、好ましくは１０〜１５μｍ範囲内の所望の値となるよう容易に設定することができる。このように実施の形態２における半導体素子２Ｂは、フィルム基板１との間に所望のギャップを有しており、且つ絶縁保護部５Ｂが樹脂注入を阻害する位置に形成されていないため、モールディング工程において、半導体素子２Ｂとフィルム基板１との間に樹脂を容易に、かつ確実に注入することが可能となる。
【００２９】
《実施の形態３》
以下、本発明に係る実施の形態３の半導体装置について説明する。実施の形態３の半導体装置において、前述の実施の形態１の半導体装置と異なる点は、半導体素子に形成される絶縁保護部の形状及びその製造方法である。実施の形態３の説明においては、実施の形態１と同じ機能、構成を有するものには同じ符号を付して、それらの詳細な説明は実施の形態１の説明を適用する。
【００３０】
実施の形態３の半導体装置は、実施の形態１と同様に、フィルム基板１上に形成された電極３に半導体素子２Ｃのバンプ電極４が接続されている。半導体素子２Ｃとフィルム基板１との間にはエポキシ系の樹脂の封止部６がモールディングされて、フィルム基板１上の電極３と半導体素子２Ｃのバンプ電極４との接合部分が確実に封止されている。
【００３１】
実施の形態３における半導体素子２Ｃにおいて、複数のバンプ電極４が形成されている背面には絶縁樹脂で構成された複数の絶縁保護部５Ｃが形成されている。この絶縁保護部５Ｃは、半導体素子２Ｃがフィルム基板１上に実装されるときや、モールディング工程において、半導体素子２Ｃの端部が電極部分に直接接触することを防止するものである。
【００３２】
図７は実施の形態３における半導体素子２Ｃのバンプ電極４が形成された四角形状の背面を示している。図７に示すように、実施の形態３における半導体素子２Ｃにおいて、複数のバンプ電極４が形成された背面の端部（コーナー）に４つの絶縁保護部５Ｃが形成されている。
次に、図７に示した半導体素子２Ｃにおける絶縁保護部５Ｃの製造方法について説明する。図８は実施の形態３の半導体装置における半導体素子２Ｃの製造方法を説明する図である。
図８の（Ａ）は半導体チップである半導体素子２Ｃ上に複数のバンプ電極４が形成されている状態を示す。
図８の（Ｂ）は図８の（Ａ）の半導体素子２Ｃにエポキシ系の絶縁樹脂をディスペンサー１０により半導体素子２Ｃの端部に塗布する工程を示す。なお、絶縁樹脂はゴム系の樹脂でも良く、例えばスチレン系樹脂などである。
【００３３】
次に、図８の（Ｃ）に示す樹脂硬化工程において、加熱されているステージ上に配置され、例えば１５０〜２００℃で約５分間、加熱される。このように加熱処理された半導体素子２Ｃの背面には、端部に略半球状の絶縁保護部５Ｃが４箇所形成される。この絶縁保護部５Ｃは、厚みが５〜３０μｍの範囲内で、四角い背面の各辺の略中間位置に１箇所形成されている。このように形成された半導体素子２Ｃは、フィルム基板１上の所望の位置に配置される。そして、半導体素子２Ｃのバンプ電極４が電極３上に位置決めされ、加圧加熱することにより、バンプ電極４が溶けて電極３に接続される。この電極３とバンプ電極４との接続工程において、半導体素子２Ｃの端部(コーナー)がフィルム基板１上の電極３に直接に接触することがなく、電極３が傷付けられたり、破損することが防止されている。なお、実施の形態３においては、絶縁保護部５Ｃが半導体素子２Ｃの背面における各辺に１箇所だけ設けた例で説明したが、半導体素子の形状に応じて複数箇所に設けても良い。
【００３４】
実施の形態３においては、絶縁保護部５Ｃが半導体素子２Ｃの背面における必要最小個数にのみ形成されているため、モールディング工程において、半導体素子２Ｃとフィルム基板１との間に樹脂を容易に注入することができる。この結果、半導体素子２Ｃとフィルム基板１との間の隙間に空洞や気泡のない封止部６を確実に形成することができる。また、このモールディング工程においても、半導体素子２Ｃの端部がフィルム基板１上の電極３に接触することが防止されている。実施の形態３における絶縁保護部５Ｃは、弾性変形する樹脂により形成されているため、半導体素子２Ｃにおけるバンプ電極４が形成された面からフィルム基板１の表面までの距離を所望の距離、例えば少なくとも１０μｍ以上、好ましくは１０〜１５μｍの範囲内の所望の値となるよう容易に設定することができる。このように実施の形態３における半導体素子２Ｃは、フィルム基板１との間に所望のギャップを有しており、且つ絶縁保護部５Ｃが樹脂注入を阻害するような位置に形成されていないため、モールディング工程において、半導体素子２Ｃとフィルム基板１との間に樹脂を容易に、かつ確実に注入することが可能となる。
【００３５】
《実施の形態４》
以下、本発明に係る実施の形態４の半導体装置について説明する。実施の形態４の半導体装置において、前述の実施の形態１の半導体装置と異なる点は、半導体素子に形成される絶縁保護部の形状及びその製造方法である。実施の形態４の説明においては、実施の形態１と同じ機能、構成を有するものには同じ符号を付して、それらの詳細な説明は実施の形態１の説明を適用する。
【００３６】
実施の形態４の半導体装置は、実施の形態１と同様に、フィルム基板１上に形成された電極３に半導体素子２Ｄのバンプ電極４が接続されている。半導体素子２Ｄとフィルム基板１との間にはエポキシ系の樹脂の封止部６がモールディングされて、フィルム基板１上の電極３と半導体素子２Ｄのバンプ電極４との接合部分が確実に封止されている。
実施の形態４における半導体素子２Ｄにおいて、複数のバンプ電極４が形成されている背面には絶縁樹脂で構成された絶縁保護部５Ｄが形成されている。この絶縁保護部５Ｄは、半導体素子２Ｄがフィルム基板１上に実装されるときや、モールディング工程において半導体素子２Ｄの端部が電極部分に直接接触することを防止するものである。
【００３７】
図９は実施の形態４における半導体素子２Ｄのバンプ電極４が形成された背面を示している。図９に示すように、実施の形態４における半導体素子２Ｄにおいて、複数のバンプ電極４が形成された面に膜状の絶縁保護部５Ｄが形成されている。実施の形態４における絶縁保護部５Ｄは、半導体素子２Ｄの背面におけるバンプ電極４以外の領域を覆うよう形成されている。
次に、図９に示した半導体素子２Ｄにおける絶縁保護部５Ｄの製造方法について説明する。図１０は実施の形態４の半導体装置における半導体素子２Ｄの製造方法を説明する図である。
【００３８】
図１０の（Ａ）は半導体チップである半導体素子２Ｄ上に複数のバンプ電極４が形成されている状態を示す。
図１０の（Ｂ）は図１０の（Ａ）の半導体素子２Ｄにポジ型のレジスト５ｄをスピンコーティングにより塗布した状態を示す。実施の形態４においては、ポジ型のレジスト５ｄとしてアクリル系の紫外線硬化型樹脂を用いた。ここで用いるレジスト５ｄの材料は、封止部６の材料であるエポキシ系樹脂に対して濡れ性の良いものが選ばれる。このようにエポキシ系樹脂に対して濡れ性の良い材料を選ぶことにより、封止部６の樹脂による封止性能が向上する。なお、レジスト５ｄの塗布方法としては、スピンコーティングに限定されるものではなく、一般的に用いられる塗布方法が利用できる。
【００３９】
次に、図１０の（Ｃ）に示すように、半導体素子２Ｄにおけるバンプ電極４が形成されている部分をマスキングして紫外線を照射し、現像、洗浄、そして硬化処理が施される。その結果、図１０の（Ｄ）に示すように、半導体素子２Ｄの背面において、バンプ電極４が形成されている部分のレジスト５ｄは除去され、残りの面に絶縁樹脂で形成された絶縁保護部５Ｄが形成される。この絶縁保護部５Ｄは、厚みが１〜５μｍの範囲内となるよう形成される。このように形成された半導体素子２Ｄは、フィルム基板１上の所望の位置に配置される。そして、半導体素子２Ｄのバンプ電極４が電極３上に位置決めされ、加圧加熱することにより、バンプ電極４が溶けて電極３に接続される。この電極３とバンプ電極４との接続工程において、半導体素子２Ｄの端部(コーナー)がフィルム基板１上の電極３に直接に接触することがなく、電極３が傷付けられたり、破損することが防止されている。
【００４０】
実施の形態４においては、半導体素子２Ｄの背面にある絶縁保護部５Ｄの表面からフィルム基板１の表面までの距離は少なくとも１０μｍ以上、好ましくは１０〜１５μｍの範囲内のギャップを有している。このように半導体素子２Ｄとフィルム基板１との間が所望のギャップを有しているため、モルディング工程において、半導体素子２Ｄとフィルム基板１との間に樹脂を容易に注入することができる。この結果、半導体素子２Ｄとフィルム基板１との間の隙間に空洞や気泡のない封止部６を確実に形成することができる。また、このモールディング工程において、半導体素子２Ｄの端部がフィルム基板１上の電極３に接触しても、その端部は絶縁保護部５Ｄにより被覆されているため電極３が傷付けられることが防止されている。
【００４１】
《実施の形態５》
以下、本発明に係る実施の形態５の半導体装置について説明する。実施の形態５の半導体装置において、前述の実施の形態１の半導体装置と異なる点は、半導体素子に形成される絶縁保護部の形状及びその製造方法である。実施の形態５の説明においては、実施の形態１と同じ機能、構成を有するものには同じ符号を付して、それらの詳細な説明は実施の形態１の説明を適用する。
【００４２】
実施の形態５の半導体装置は、実施の形態１と同様に、フィルム基板１上に形成された電極３に半導体素子２Ｅのバンプ電極４が接続されている。半導体素子２Ｅとフィルム基板１との間にはエポキシ系の樹脂の封止部６がモールディングされて、フィルム基板１上の電極３と半導体素子２Ｅのバンプ電極４との接合部分が確実に封止されている。
実施の形態５における半導体素子２Ｅにおいて、複数のバンプ電極４が形成されている背面には絶縁樹脂で構成された絶縁保護部５Ｅが形成されている。この絶縁保護部５Ｅは、半導体素子２Ｅがフィルム基板１上に実装されるときや、モールディング工程において半導体素子２Ｅの端部が電極部分に直接接触することを防止するものである。
【００４３】
図１１は実施の形態５における半導体素子２Ｅのバンプ電極４が形成された背面を示している。図１１に示すように、実施の形態５における半導体素子２Ｅにおいて、複数のバンプ電極４が形成された面に膜状の絶縁保護部５Ｅが形成されている。実施の形態５における絶縁保護部５Ｅは、半導体素子２Ｅの背面におけるバンプ電極４に近接した領域で、その背面における端部（コーナー）とバンプ電極４との間の領域に形成されている。
次に、図１１に示した半導体素子２Ｅにおける絶縁保護部５Ｅの製造方法について説明する。図１２は実施の形態５の半導体装置における半導体素子２Ｅの製造方法を説明する図である。
【００４４】
図１２の（Ａ）は半導体チップである半導体素子２Ｅ上に複数のバンプ電極４が形成されている状態を示す。
図１２の（Ｂ）は図１２の（Ａ）の半導体素子２Ｅにポジ型のレジスト５ｅをスピンコーティングにより塗布した状態を示す。実施の形態５においては、ポジ型のレジスト５ｅとしてアクリル系の紫外線硬化型樹脂を用いた。なお、レジスト５ｅの塗布方法としては、スピンコーティングに限定されるものではなく、一般的に用いられる塗布方法が利用できる。
【００４５】
次に、図１２の（Ｃ）に示すように、半導体素子２Ｅの背面におけるバンプ電極４から外側の領域を除いた部分をマスキングして紫外線を照射し、現像、洗浄、そして硬化処理が施される。その結果、図１１及び図１２の（Ｄ）に示すように、半導体素子２Ｅの背面において、バンプ電極４から外側の領域に絶縁樹脂で形成された絶縁保護部５Ｅが形成される。この絶縁保護部５Ｅは、厚みが１〜５μｍの範囲内となるよう形成されている。このように形成された半導体素子２Ｅは、フィルム基板１上の所望の位置に配置される。そして、半導体素子２Ｅのバンプ電極４が電極３上に位置決めされ、加圧加熱することにより、バンプ電極４が溶けて電極３に接続される。この電極３とバンプ電極４との接続工程において、半導体素子２Ｅの端部(コーナー)がフィルム基板１上の電極３に直接に接触することがなく、電極３が傷付けられたり、破損することが防止されている。
【００４６】
実施の形態５において、半導体素子２Ｅの背面にある絶縁保護部５Ｅの表面からフィルム基板１の表面までの距離は少なくとも１０μｍ以上、好ましくは１０〜１５μｍの範囲内のギャップを有している。このように半導体素子２Ｅとフィルム基板１との間が所望のギャップを有しているため、モルディング工程においても、半導体素子２Ｅとフィルム基板１との間に樹脂を容易に注入することができる。この結果、半導体素子２Ｅとフィルム基板１との間の隙間に空洞や気泡のない封止部６を確実に形成することができる。また、このモールディング工程において、半導体素子２Ｅにおけるバンプ電極４近傍の端部が、フィルム基板１の反り返りによりフィルム基板１上の電極３に接触しても、その端部は絶縁保護部５Ｅにより被覆されているため電極３が傷付けられることがない。
【００４７】
なお、上記の実施の形態５においては、絶縁保護部５Ｅを各バンプ電極４に近接して形成した例で説明したが、絶縁保護部５Ｅは全てのバンプ電極４に対応して形成する必要は無く、その半導体素子の形状に応じて形成位置をさらに少ない個数に限定しても良い。
【００４８】
《実施の形態６》
以下、本発明に係る実施の形態６の半導体装置について説明する。実施の形態６の半導体装置において、前述の実施の形態１の半導体装置と異なる点は、半導体素子の形状及びその製造方法である。実施の形態６の説明においては、実施の形態１と同じ機能、構成を有するものには同じ符号を付して、それらの詳細な説明は実施の形態１の説明を適用する。
【００４９】
図１３は本発明に係る実施の形態６の半導体装置の構成を示す断面図である。前述の実施の形態１から５においては、半導体素子の背面部分に絶縁保護部を形成して、電極３と半導体素子２との直接的な接触を無くし、電極の破損等を防止した構成である。なお、図１３においては、封止部６を形成する前の段階を示しており、フィルム基板１が湾曲した状態を示す。実施の形態６の半導体装置においては、図１３に示すように、半導体素子２Ｆのコーナー部７が鈍角となるよう形成されている。このコーナー部７は、半導体素子２Ｆにおいて、フィルム基板１に対向する面、すなわちバンプ電極４が設けられている面の外縁部分に形成されている。このようにコーナー部７を形成することにより、電極３と半導体素子２Ｆとの接触が抑制され、且つもし電極３と半導体素子２Ｆのコーナー部７が接触した場合であっても、電極３において傷付き破損することが起こりにくい構成である。
【００５０】
半導体素子２Ｆのコーナー部７の断面形状は、図１４の（ａ）に示すように、略曲面形状である。但し、少なくとも、図１４の（ｂ）に示すように、半導体素子における背面と側面の間の略直角の角が切断されている形状でも良い。すなわち、コーナー部７の断面形状は、少なくとも９０°を超える鈍角を持つ形状であれば良い。
【００５１】
次に、半導体素子２Ｆのコーナー部７の作成方法について説明する。
半導体素子２Ｆにおいてコーナー部７を形成する方法として、研磨による形成方法があるが、半導体素子２Ｆは脆く割れやすい構造であるため、実施の形態６においては、以下の形成方法を用いた。
図１５は実施の形態６の半導体装置におけるコーナー部７の形成方法を示す図である。半導体ウェハー１５を切断する場合において、図１５の（ａ）に示すように、切欠き８を形成する。この切欠き８の形成方法は、ダイシング（切断）工程のダイヤモンドブレードの形状に左右され、半導体ウェハー１５上の切断位置を示す線をダイシング（切断）することでなされる。このとき、半導体ウェハー１５は、水平面のステージ上に固定されて、鉛直上に配置されたダイシングブレ−ドにより切削される。このとき用いられるダイヤモンドを有する刃先の形状は、切欠き８の形状に応じて設定される。
【００５２】
次に、図１５の（ｂ）に示すように、上記のように形成された切欠き８にそって前記のダイシングブレ−ドよりも細いブレ−ドを用いて半導体ウェハー１５は切断される。このように切断されて形成された半導体チップである半導体素子２Ｆにおいては、そのコーナー部７が斜行した面で切断されている。この結果、コーナー部７には鋭角部分が無く鈍角を有する断面形状となる。
次に、半導体装置におけるコーナー部７の別の形成方法について説明する。この形成方法においては、半導体ウェハー１５をエッチングによりダイシング（切断）して半導体素子２Ｆを形成する。図１６は半導体ウェハー１５をエッチングにより切断する方法を示す図である。図１６の（Ａ）において、半導体ウェハー１５の全面にレジスト１２が塗布される。ここで用いるレジスト１２の材料としては、例えば紫外線硬化型樹脂が好ましい。なお、図１６においては省略しているが、半導体ウェハー１５には金メッキによるバンプ電極が形成されている。次に、半導体ウェハー１５に対して、切断する位置に対向した部分が開口したレジストパターンが配置され、露光される。このレジストパターンを配置して露光する処理は、半導体ウェハー１５の両面に対して行われる（図１６の（Ｂ））。このとき、現像、洗浄、硬化の各処理が順次行われる。
【００５３】
次に、図１６の（Ｃ）に示すように、露光処理された半導体ウェハー１５は、フッ酸系のエッチング液２０に浸漬され、半導体ウェハー１５の所望の位置がエッチングされる。図１６の（Ｄ）はエッチング液２０により溶融され切断された半導体ウェハー１５の状態を示す図である。このとき用いられるエッチング液２０は、等方性エッチング液が用いられている。その後、レジスト１２が除去されて、半導体ウェハー１５は所望の位置で切断された状態（図１６の（Ｅ））となる。このように切断された半導体ウェハー１５は、その切断面が鋭角な部分のない滑らかな形状となる。なお、上記においては、露光処理された半導体ウェハー１５をエッチング液２０に浸漬した例で説明したが、露光処理された半導体ウェハー１５に対してエッチング液のシャワーをかける方法で切断しても良い。バンプ電極は、金メッキにより作製した例で説明したが、切断後の半導体ウェハーに対してバンプボンダー装置により作製しても良い。
【００５４】
上記のように、実施の形態６における半導体素子２Ｆにおいては、コーナー部７が鈍角で形成されているため、フィルム基板１上の電極３とコーナー部７が接触しても、電極３が半導体素子２Ｆにより傷付けられることが防止されている。
また、実施の形態６においては、簡単な製造工程を追加するだけで、信頼性の高い半導体装置を製造することが可能となる。実施の形態６の半導体装置の製造方法は、高密度実装のフィルム基板に適用することが可能であり、高性能機器の製造コストの抑制効果がある。
さらに、実施の形態６における半導体素子２Ｆにコーナー部７が形成されているため、樹脂をモールディングして封止部を形成する工程において、樹脂の注入を容易に、且つ確実に行うことが可能となる。
【００５５】
《実施の形態７》
以下、本発明に係る実施の形態７の半導体装置について説明する。実施の形態７の半導体装置は、フィルム基板上の半導体素子の上部にカバーシート２０が設けられている。実施の形態７においては、前述の実施の形態１から６において説明した半導体素子を用いることが可能である。実施の形態７の説明においては、実施の形態１と同じ機能、構成を有するものには同じ符号を付して、それらの詳細な説明は実施の形態１の説明を適用する。
【００５６】
図１７は本発明に係る実施の形態７の半導体装置を示す斜視図である。図１８は実施の形態７の半導体装置の構成を示す断面図である。
実施の形態７の半導体装置において、フィルム基板１上に電極３が形成されており、その電極３上にバンプ電極４を介して、半導体素子２Ｇが接続されている。実施の形態７の半導体装置においては、半導体素子２Ｇの上に、シートカバー２０が設けられている。このシートカバー２０は、電磁シールドの効果を有する材料で形成されており、厚みは０．１ｍｍから１．０ｍｍの範囲内に設定されている。なお、電磁シールドの効果を有する材料としては、例えば銅箔がラミネートされた絶縁性樹脂がある。
【００５７】
図１７に示すように、実施の形態７において用いた半導体素子２Ｇは、その平面形状が長方形である。この長方形の半導体素子２Ｇに対してその両側の短辺側部分を覆うようシートカバー２０がフィルム基板１に固着されている。一方、半導体素子２Ｇにおける長辺側部分はシートカバー２０から露出した状態である。
実施の形態７の半導体装置の製造においては、例えば前述の実施の形態１から６において説明した半導体素子２Ｇを、電極３を有するフィルム基板１上に配置して、加熱圧着して、半導体素子２Ｇを所望の電極３にバンプ電極４を介して接続する。その後、シートカバー２０を半導体素子２Ｇの上面に配置する。このように配置されたシートカバー２０は、固着治具１３により加熱押圧される。このときの状態を図１９に示す。図１９に示すように、シートカバー２０における固着部分とフィルム電極１との間には接着剤１４が塗布されている。実施の形態７の半導体装置においては、半導体素子２Ｇの長手方向の両側でシートカバー２０が接着剤１４によりフィルム基板１に固着される。
【００５８】
上記のようにシートカバー２０が半導体素子２Ｇに対して所望の位置に固着された後、半導体素子２Ｇのバンプ電極４と電極３との接合部分を覆うように樹脂がシートカバー２０の長手部分から半導体素子２Ｇの長辺側内部へ注入される。樹脂が注入されて半導体装置の封止部６が形成される。
【００５９】
実施の形態７においては、シートカバー２０が設けられているため、製造過程において、フィルム基板１が曲がった時でも、半導体素子２Ｇとフィルム基板１の電極３との接触が発生しにくく、発生しても衝撃を有するような激しい接触とはならない。この結果、半導体装置の製造時において、電極３が接触により傷付くことが防止され、信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。
また、シートカバー２０は電磁シールド効果を有しているため、実施の形態７の半導体装置を用いた製品の性能をさらに高くすることが可能となる。
なお、シートカバー２０の材料としては、フィルム状の絶縁性樹脂がよく、フィルム基板１の材料と同じ材料でも良い。ただし、シートカバー２０の材料は、フィルム基板１より柔軟性のあるフィルムを用いると、フィルム基板１の曲がりが滑らかになり、製品への汎用性がさらに広くなる。
【００６０】
また、シートカバー２０としては柔軟性を有するように、フィルム基板１と同じ材料の場合には、より薄い材料を用いると良い。例えば、フィルム基板１が、８０μｍの厚みの場合、シートカバー２０は、３分の２以下が好ましい。特に好ましいのは、半分以下の４０μｍ程度の厚みにすれば、フィルム基板１の曲がりがスムーズであり、且つ半導体素子２Ｇとフィルム基板１の電極３との接触が発生しにくく、もし発生しても電極３を傷付けるような激しい衝突とはならない。
また、フィルム基板１の材料がポリイミドであるならば、シートカバー２０の材料は、ポリエチレンなどの柔軟なシート材を選択するのが好ましい。ただし、耐熱性などの特性からの制限がある場合には、同じ種類のフィルムで上記のように、薄いものを用いると良い。
【００６１】
なお、シートカバー２０の形状は、半導体素子２Ｇより大きい必要があるが、あらかじめ、フィルム基板１の曲がる方向が決まっている場合には、その方向にのみ、半導体素子２Ｇより大きい形状として、その方向の両側で固着するよう構成すれば良い。
また、半導体素子２のコーナー部分を含む部分を覆うように、シートカバーを設けても良い。さらに、半導体素子２が複数実装されている場合において、シートカバーは個々に設置しても、全体をまとめて設置することも可能である。製造コストなどを考慮して、必要な半導体素子にのみシートカバーを設置しても良い。
シートカバー２０の固着方法としては、粘着剤が予め塗布されているシート状のものを所望の形状に切断して、半導体素子の上面より貼り付ける方法でも良い。または、半導体素子の上面及びフィルム基板の所望の位置に予め接着剤を塗布して、その上より切断されたシートカバー２０を貼り付けても良い。
【００６２】
以上のように、各実施の形態において詳細に説明したところから明らかなように、本発明によれば、フィルム基板上に形成された電極と半導体素子の端部が実装時に接触することを確実に防止することができるとともに、フィルム基板上に実装された半導体素子に対して樹脂のモールディングを確実に、且つ高精度に行うことができる。また、本発明は、高密度実装基板に対しても適用できる汎用性の高い半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供するものである。
発明をある程度の詳細さをもって好適な形態について説明したが、この好適形態の現開示内容は構成の細部において変化してしかるべきものであり、各要素の組合せや順序の変化は請求された発明の範囲及び思想を逸脱することなく実現し得るものである。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明は、柔軟性を有するフィルム状の基板上に半導体素子を確実に実装した半導体装置を提供でき、電子機器の分野において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明に係る実施の形態１の半導体装置の構成を示す断面図
【図２】実施の形態１における半導体素子のバンプ電極が形成された面を示す背面図
【図３】実施の形態１の半導体装置における半導体素子の製造方法を説明する図
【図４】実施の形態１の半導体装置の製造工程におけるモ−ルディング工程を示す図
【図５】本発明に係る実施の形態２の半導体装置における半導体素子のバンプ電極が形成された面を示す背面図
【図６】実施の形態２の半導体装置における半導体素子の製造方法を説明する図
【図７】本発明に係る実施の形態３の半導体装置における半導体素子のバンプ電極が形成された面を示す背面図
【図８】実施の形態３の半導体装置における半導体素子の製造方法を説明する図
【図９】本発明に係る実施の形態４の半導体装置における半導体素子のバンプ電極が形成された面を示す背面図
【図１０】実施の形態４の半導体装置における半導体素子の製造方法を説明する図
【図１１】本発明に係る実施の形態５の半導体装置における半導体素子のバンプ電極が形成された面を示す背面図
【図１２】実施の形態５の半導体装置における半導体素子の製造方法を説明する図
【図１３】本発明に係る実施の形態６の半導体装置の構成を示す断面図
【図１４】実施の形態６における半導体素子のコーナー部の断面形状を示す図
【図１５】本発明に係る実施の形態６の半導体装置におけるコーナー部の形成方法を示す図
【図１６】実施の形態６における製造方法において、半導体ウェハーをエッチングにより切断する方法を示す図
【図１７】本発明に係る実施の形態７の半導体装置を示す斜視図
【図１８】実施の形態７の半導体装置の構成を示す断面図
【図１９】実施の形態７の半導体装置の製造過程において、シートカバーを半導体素子の上面に配置し、固着治具により加熱押圧される状態を示す図
【図２０】従来の半導体装置の構成を示す断面図
【符号の説明】
【００６５】
１    フィルム基板
２Ａ  半導体素子
３    電極
４    バンプ電極
５Ａ  絶縁保護部
６    封止部６
【図１】
2005129917.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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