(57)【要約】【課題】  電気信号配線と電子素子とを接合する際の基板の熱変形を抑制することが可能な電子素子の実装方法を提供する。【解決手段】  接合材１４ｂを加熱して電気信号配線１２と電子素子２７とを接合する際に、配線基板１０上の所定の配線（熱伝導配線１５）を介して接合材１４ｂに熱を伝える。【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気信号配線が形成された配線基板上に電子素子を実装する方法であって、
前記配線基板上に接合材を介して前記電子素子を配置する配置工程と、
前記接合材を加熱して前記電気信号配線と前記電子素子とを接合する接合工程とを有してなり、
前記接合工程では、前記配線基板上の所定の配線を介して前記接合材に熱を伝えることを特徴とする電子素子の実装方法。
【請求項２】
前記接合工程では、前記所定の配線の一部にヒータを接触させることを特徴とする請求項１に記載の電子素子の実装方法。
【請求項３】
前記所定の配線は、前記電気信号配線と、前記電気信号配線とは別に形成された熱伝導配線とのうちの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子素子の実装方法。
【請求項４】
前記接合工程では、前記配線基板の全体を補助的に加熱することを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれかに記載の電子素子の実装方法。
【請求項５】
第１基板上に形成された電子素子を第２基板上に形成された電気信号配線上に転写配置する工程を有する基板接合体の製造方法であって、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の電子素子の実装方法を用いて、前記電子素子の転写配置を行うことを特徴とする基板接合体の製造方法。
【請求項６】
電子素子が接合される電気信号配線が形成された配線基板であって、
前記電気信号配線と前記電子素子との接合部に熱を伝える熱伝導配線を備えることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
前記熱伝導配線は、他の部分よりも拡幅して形成されかつ、少なくとも前記電気信号配線と前記電子素子との接合時において露出される拡幅部を含むことを特徴とする請求項６に記載の配線基板。
【請求項８】
前記熱伝導配線を被覆する絶縁層を備え、
前記拡幅部は、前記絶縁層の上面に露出して形成されていることを特徴とする請求項７に記載の配線基板。
【請求項９】
電子素子が接合された電気信号配線が形成された配線基板と、前記電子素子に対応する発光機能素子が形成された発光素子基板とが接合された基板接合体であって、
前記配線基板には、前記電気信号配線と前記電子素子との接合部に熱を伝える熱伝導配線が形成されていることを特徴とする基板接合体。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板接合体を備えることを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子素子の実装方法、基板接合体及びその製造方法、配線基板、並びに電気光学装置に関し、特に、配線基板上に電子素子を実装する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称する。）装置等の半導体応用装置においては、変形や落下による壊れ防止、低コスト化等の理由等により下地基板にプラスチック基板を使用することが望ましい場合がある。
【０００３】
しかし、パネル型の表示装置に使用される薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）は、高温プロセスの製造工程によって製造されるので、当該高温プロセスによる製造方法を用いてプラスチック基板上にＴＦＴを形成したり、有機ＥＬ素子等の回路素子を形成したりすると、基板の熱変形や回路素子の破壊、素子寿命の低下を招いてしまい、結果として所望の半導体応用装置を製造するのが難しい。
【０００４】
そこで、近年では、高温プロセスを含む従来の半導体製造技術を用いてＴＦＴ等の電子素子（電子デバイス）を耐熱性の基礎基板上に製造した後に、当該基板から電子素子が形成されている素子形成膜（層）を剥離し、これを接合材を介してプラスチック基板等の配線基板に貼り付けることにより、プラスチック基板や有機ＥＬ素子等の回路素子等を高温プロセスに曝すのを回避する転写技術が提案されている。これらの転写技術は、例えば特許文献１〜特許文献３に詳細に説明されている。
【特許文献１】特開平１０−１２５９２９号公報
【特許文献２】特開平１０−１２５９３０号公報
【特許文献３】特開平１０−１２５９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記した技術において、基礎基板上の電子素子を配線基板に貼り付ける工程では、一般的な電子素子の実装方法に用いられる手法と同様に、配線基板の全体を加熱して接合材を溶融あるいは熱硬化させ、配線基板上の配線と基礎基板上の電子素子とを接合している。
【０００６】
ところが、基板全体を接合材の溶融温度（あるいは熱硬化温度）に加熱すると、反りなどの基板の熱変形が生じる場合がある。特に、プラスチック基板ではこうした熱変形が生じやすい。電子素子の接合時に基板が熱変形すると、電子素子の実装不良が生じ、その配線基板を用いた装置の品質低下を招くおそれがある。特に、上述した転写技術では、基板同士の間で電子素子の転写を行うことから、基板の熱変形が生じると、基板間隔が場所によって変化するなどにより、実装不良が生じやすい。
【０００７】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、電気信号配線と電子素子とを接合する際の基板の熱変形を抑制することが可能な電子素子の実装方法並びに配線基板を提供することを目的とする。
また、本発明の他の目的は、電子素子の実装不良が少なく、信頼性の高い基板接合体及びその製造方法、並びに電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の電子素子の実装方法は、電気信号配線が形成された配線基板上に電子素子を実装する方法であって、前記配線基板上に接合材を介して前記電子素子を配置する配置工程と、前記接合材を加熱して前記電気信号配線と前記電子素子とを接合する接合工程とを有してなり、前記接合工程では、前記配線基板上の所定の配線を介して前記接合材に熱を伝えることを特徴としている。
【０００９】
本発明の電子素子の実装方法によれば、接合材を加熱するとき、配線基板上の配線を介して接合材に熱を伝えることから、基板内において接合に必要な箇所以外への加熱が抑制される。すなわち、接合時の加熱箇所が、配線基板の全体ではなく、主として接合に必要な箇所に限定される。その結果、基板全体が受ける熱量の軽減化が図られ、反りなどの基板の熱変形が抑制される。
【００１０】
上記の電子素子の実装方法において、前記接合工程では、例えば、前記所定の配線の一部にヒータを接触させるとよい。
この場合、ヒータの熱が所定の配線を介して接合材に伝わる。そして、接合材の熱溶融あるいは熱硬化を経て、電気信号配線と電子素子とが接合される。
【００１１】
ここで、前記所定の配線は、前記電気信号配線と、前記電気信号配線とは別に形成された熱伝導配線とのうちの少なくとも一方を含む。
熱伝導用の配線として電気信号配線を用いることにより、接合材に確実に熱を伝えることが可能である。
一方、専用の熱伝導配線を用いることにより、効率的な接合材の加熱が可能である。例えば、熱伝導配線が熱伝導性の高い材料（例えば、Ｃｕ、Ａｌなど）からなることにより、接合時の加熱時間の短縮化や熱効率の向上が図られる。
【００１２】
また、上記の電子素子の実装方法において、前記接合工程では、前記配線基板の全体を補助的に加熱してもよい。
この補助的な加熱により、接合時の加熱時間の短縮化や熱効率の向上が図られる。なお接合材が溶融温度（あるいは熱硬化温度）に達すればよく、基板全体をその温度に加熱する必要はないから、この場合においても、必要箇所以外への基板に対する加熱が抑制され、基板全体が受ける熱量の軽減化が図られる。
【００１３】
本発明の基板接合体の製造方法は、第１基板上に形成された電子素子を第２基板上に形成された電気信号配線上に転写配置する工程を有する基板接合体の製造方法であって上記の電子素子の実装方法を用いて、前記電子素子の転写配置を行うことを特徴としている。
【００１４】
本発明の基板接合体の製造方法によれば、上記の電子素子の実装方法を用いることにより、基板の熱変形が抑制されるから、電子素子の転写配置が安定的に行われる。その結果、信頼性の高い基板接合体を製造することができる。
【００１５】
本発明の配線基板は、電子素子が接合される電気信号配線が形成された配線基板であって、前記電気信号配線と前記電子素子との接合部に熱を伝える熱伝導配線を備えることを特徴としている。
【００１６】
本発明の配線基板によれば、接合部に熱を伝える熱伝導配線を備えることから、上記の電子素子の実装方法を実施することが可能である。そのため、電子素子の接合時における熱変形の抑制が可能である。
【００１７】
上記の配線基板において、前記熱伝導配線は、他の部分よりも拡幅して形成されかつ、少なくとも前記電気信号配線と前記電子素子との接合時において露出される拡幅部を含むとよい。
この場合、例えば、前記熱伝導配線を被覆する絶縁層を備え、前記拡幅部は、前記絶縁層の上面に露出して形成されていることよい。
これにより、例えば拡幅部にヒータを接触させるなど、熱伝導配線を介した接合材の加熱が容易となる。
【００１８】
本発明の基板接合体は、電子素子が接合された電気信号配線が形成された配線基板と、前記電子素子に対応する発光機能素子が形成された発光素子基板とが接合された基板接合体であって、前記配線基板には、前記電気信号配線と前記電子素子との接合部に熱を伝える熱伝導配線が形成されていることを特徴としている。
また、本発明の電気光学装置は、上記の基板接合体を備えることを特徴としている。
本発明の基板接合体並びに電気光学装置では、電子素子の実装不良が抑制され、信頼性の向上が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態例について図面を参照して説明する。
ここで、図１は本発明の配線基板の概略構成を示す断面図、図２は本発明の配線基板の構成を模式的に示す平面図、図３は本発明の基板接合体及び電気光学装置の概略構成を示す断面図、図４から図１２は本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図、図１３は本発明の配線基板の他の構成例を示す断面図、図１４は本発明の電気光学装置を電子機器に適用した例を示す図である。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２０】
（配線基板）
図１及び図２に示すように、配線基板１０は、基体１１上に、電気信号配線１２等を形成した構成からなる。基体１１としては、ガラス基板、ガラスエポキシ基板、シリコン基板、石英基板、セラミックス基板、金属基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板等、電気光学装置や電子装置に用いられる公知の様々な基体が適用可能である。
【００２１】
電気信号配線１２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の導電性材料からなり、所定の回路パターンに基づいて配線されている。また、電気信号配線１２は、絶縁樹脂等からなる絶縁層１３によって被覆されている。
【００２２】
配線基板１０の一部には、ＴＦＴを搭載するための導電性突起部であるＴＦＴ接続部（バンプ１４ａ）が形成されている。バンプ１４ａは、ＴＦＴの電極端子に対応して配置が定められており、絶縁層１３に設けられた貫通孔を介して一端が電気信号配線１２に接続され、他端が絶縁層１３の表面から突出して形成されている。
【００２３】
絶縁層１３上には、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）等の熱伝導性の高い材料からなる熱伝導配線１５が形成されている。熱伝導配線１５は、配線基板１０の外周部からバンプ１４ａの近傍に至るまでの間において絶縁層１３上に延在して形成されるとともに、バンプ１４ａの近傍においてビア１６を介して絶縁層１３下の電気信号配線１２に接続されている。
【００２４】
また、熱伝導配線１５は、配線基板１０の外周部において拡幅して形成された拡幅部１７（図２参照）を含む。この拡幅部１７は、後述するようにヒータを当接するためのものであり、絶縁層１３上に露出しているとともに、ヒータの種類等に応じて形状等が定められている。
【００２５】
なお、配線基板１０には、ＴＦＴの電極端子に対応して上記バンプ１４ａが複数形成されており、各バンプ１４ａに対応して複数の熱伝導配線１５が形成されかつ、複数の熱伝導配線１５のそれぞれに上記拡幅部１７が設けられている。配線基板１０の外周部において、ヒータとの当接が一度に行えるように、複数の拡幅部１７が、互いに接触しない程度に近づけて配置されている。
【００２６】
（電気光学装置及び基板接合体）
図３に示すように、電気光学装置２０は、上述した配線基板１０を含む基板接合体２１を具備した構成となっている。基板接合体２１は、上記配線基板１０と、有機ＥＬ基板（発光素子基板）２２とを後述の貼り合わせ及び転写工程によって接合された構成となっている。
【００２７】
配線基板１０には、電気信号配線１２に接続された回路部（ＩＣ）２５と、有機ＥＬ素子２６を駆動させるＴＦＴ（スイッチング素子）２７とが搭載されている。また、ＴＦＴ２７と電気信号配線１２とはＴＦＴ接続部１４を介して接続され、有機ＥＬ素子２６と電気信号配線１２とは有機ＥＬ接続部２８を介して接続されている。
【００２８】
ここで、ＴＦＴ接続部１４は、上述したように、ＴＦＴの端子パターンに応じて形成されるものであり、バンプ（導電性突起部）１４ａと、バンプ１４ａ上に配置される接合材としての導電ペースト１４ｂとから構成される。導電ペースト１４ｂは、異方性導電粒子（ＡＣＰ）を含むものである。
【００２９】
有機ＥＬ基板２２は、発光光が透過する透明基板３０と、ＩＴＯ等の透明金属からなる陽極３２と、正孔注入／輸送層３３と、有機ＥＬ層３４と、陰極（カソード）３５と、カソードセパレータ３６とを含んで構成されている。ここで、陽極３２、正孔注入／輸送層３３、有機ＥＬ層３４、及び陰極３５等により、有機ＥＬ層３４に対して正孔及び電子を供給して発光させる、所謂発光機能素子（有機ＥＬ素子２６）が構成される。なお、このような発光機能素子の詳細な構造は、公知技術が採用される。また、有機ＥＬ層３４と陰極３５との間に電子注入／輸送層を形成してもよい。
【００３０】
配線基板１０と有機ＥＬ基板２２との間には、封止ペースト３８が充填されていると共に、有機ＥＬ接続部２８及び陰極３５間を電気的に導通させる導電性ペースト３９が設けられている。
なお、本実施形態においては、発光素子基板として有機ＥＬ基板を採用した場合について説明するが、これに限定することなく、ＬＥＤ等の固体発光素子を有する発光素子基板を採用してもよい。
【００３１】
次に、図３に示す電気光学装置２０及び基板接合体２１の製造方法について図４から図１２を参照して説明する。
なお、この製造方法には、本発明の電子素子の実装方法の一例として、上記配線基板１０にＴＦＴ２７を搭載する工程（ＴＦＴの転写工程）が含まれる。
また、この製造方法においては、ＴＦＴ２７を配線基板１０に貼り合わせ及び転写させる「ＳＵＦＴＬＡ（Surface Free Technology by Laser Ablation」（登録商標）と呼ばれる転写技術を用いる。
【００３２】
（配線基板の製造方法）
まず、図４及び図５を参照し、配線基板１０を製造する工程について説明する。
図４に示すように、基体１１上に、複数の電気信号配線１２をそれぞれ形成するとともに、ＴＦＴの端子パターンに応じてＴＦＴ接続部としての導電性のバンプ１４ａを形成する。電気信号配線１２としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）が用いられる。この他に、チタニウム、アルミ銅合金、及び窒化チタニウムからなる３層構造（Ｔｉ／Ａｌ・Ｃｕ／ＴｉＮ）のものを採用してもよい。あるいは、電気信号配線１２として、チタニウム、窒化チタニウム、アルミ銅合金（銅含有量２％）、及び窒化チタニウムからなる４層構造（Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ・２％Ｃｕ／Ｈ−ＴｉＮ）を採用してもよい。また、これらの配線パターンを複数層にわたって形成した多層配線構造としてもよい。
【００３３】
次に、図５に示すように、電気信号配線１２上に絶縁層１３を形成し、その上に熱伝導配線１５を形成する。
具体的には、電気信号配線１２上に形成されたアクリル樹脂等からなる絶縁層１３に電気信号配線１２の表面に達する貫通孔を形成し、貫通孔内を熱伝導材料でめっき充填し、電気信号配線１２に接続されたビア１６を形成する。そして、絶縁層１３の上面に上端面が露出するビア１６から基体１１の外周部に向かって延在する熱伝導配線１５を形成し、ビア１６の上端面と熱伝導配線１５の一端とを接合するとともに熱伝導配線１５の他端に拡幅部１７（図２参照）を形成する。本例では、ＴＦＴ接続部１４（バンプ１４ａ）に接続されている電気信号配線１２のそれぞれに対して、上記ビア１６を形成しかつ、上記熱伝導配線１５を接続している。このとき、複数の熱伝導配線１５の拡幅部１７を、基体１１の外周部において互いに接触しない程度に隣接して配設する。熱伝導配線１５の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）等が用いられる。この他、上記電気信号配線１２と同様に、多層構造のものを用いてもよい。
【００３４】
（基礎基板の製造方法）
次に、図３及び図４に示した配線基板１０の製造工程と並行して、ＴＦＴ２７を配線基板１０に貼り合わせ及び転写させる前工程として、基礎基板４０上にＴＦＴを形成する工程について説明する。
【００３５】
なお、ＴＦＴ２７の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略し、基礎基板４０と剥離層４１について詳述する。
基礎基板４０は、電気光学装置２０の構成要素ではなく、ＴＦＴ製造工程と、貼り合わせ及び転写工程にのみに用いられる部材である。具体的には、１０００℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板が好ましい。また、石英ガラスの他、ソーダガラス、コーニング７０５９、日本電気ガラスＯＡ−２等の耐熱性ガラス等が使用可能である。
この基礎基板の厚さには、大きな制限要素はないが、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることがより好ましい。基礎基板の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基台の透過率が低い場合に照射光の減衰を招くからである。ただし、基台の照射光の透過率が高い場合には、前記上限値を超えてその厚みを厚くすることができる。
【００３６】
剥離層４１は、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）が生ずる材料からなる。即ち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層４１に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層４１が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
【００３７】
剥離層４１の組成としては、例えば、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）が採用され、また、当該非晶質シリコン中に水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層４１に内圧が発生し、これが剥離を促進するので好ましい。この場合の水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０％ａｔ％であることが更に好ましい。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。この他の剥離層材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
【００３８】
剥離層４１の厚さとしては、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍ程度であるのが更に好ましい。剥離層４１の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じるからであり、剥離層４１の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層４１の残渣を除去するのに時間を要したりする。
【００３９】
剥離層４１の形成方法は、均一な厚みで剥離層４１を形成可能な方法であればよく、剥離層４１の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
【００４０】
特に剥離層４１の組成が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また、剥離層２をゾル−ゲル（sol-gel）法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
【００４１】
（ＴＦＴの転写工程）
次に、図７から図１２を参照して、上記の配線基板１０と基礎基板４０とを貼り合わせて、ＴＦＴ２７を配線基板１０に転写する方法について説明する。
ここで、転写工程としては公知の技術が採用されるが、本実施形態では特にＳＵＦＴＬＡ（Surface Free Technology by Laser Ablation）（登録商標）を用いて行われる。
【００４２】
まず、図７に示すように、基礎基板４０を反転し、また、ＴＦＴ２７とバンプ１４ａとの間に、接合材として、異方性導電ペースト（ＡＣＰ）１４ｂを配置し、基礎基板４０と配線基板１０とを貼り合わせる（配置工程）。なお、導電ペースト１４ｂの配置方法は、印刷法、塗布法など様々な方法が適用可能である。
【００４３】
続いて、導電ペースト１４ｂを加熱して熱硬化させる（接合工程）。具体的には、熱伝導配線１５の拡幅部１７（図２参照）にヒータ１８の発熱面を接触させ、熱伝導配線１５を介して導電ペースト１４ｂに熱を伝える。つまり、ヒータ１８の熱は、熱伝導配線１５に伝達された後、ビア１６を介して電気信号配線１２に伝わり、その後、バンプ１４ａを介して導電ペースト１４ｂに伝わる。そして、導電ペースト１４ｂが温度上昇して熱硬化することにより、ＴＦＴ２７（電極）とバンプ１４ａとが接合される。
【００４４】
次に、図８に示すように、導電ペースト１４ｂが配置された部分のみを局所的に、かつ、基礎基板４０の裏面側（ＴＦＴ非形成面）から、レーザ光ＬＡを照射する。これにより、剥離層４１の原子や分子の結合が弱まり、また、剥離層４１内の水素が分子化し、結晶の結合から分離され、即ち、ＴＦＴ２７と基礎基板４０との結合力が完全になくなり、レーザ光ＬＡが照射された部分のＴＦＴ２７を容易に取り外すことが可能となる。
【００４５】
次に、図９に示すように、基礎基板４０と配線基板１０とを引き離すことにより、基礎基板４０上からＴＦＴ２７が除去されるとともに、当該ＴＦＴ２７が配線基板１０に転写される。なお、ＴＦＴ２７の端子は、上記のバンプ１４ａ及び導電ペースト１４ｂを介して、電気信号配線１２に電気的に接続されている。
【００４６】
（有機ＥＬ基板の貼り合わせ工程）
次に、図１０から図１２を参照して、上記の配線基板１０と有機ＥＬ基板２２とを貼り合わせて、最終的に図１に示す電気光学装置２０を形成する工程について説明する。
図１０に示すように、有機ＥＬ基板２２は、透明基板３０上に、順に陽極３２と、正孔注入／輸送層３３と、有機ＥＬ層３４と、陰極３５が形成された構造となっている。また、陰極３５は、カソードセパレータ３６が形成された状態で成膜されるので、陰極３５は隣接する陰極と分離されている。
また、図１１に示すように、配線基板１０の有機ＥＬ接続部２８上には導電性ペースト３９が配置されている。ここで、導電性ペースト３９は、上述したようにＡＣＰを含有するものである。
【００４７】
図１２に示すように、有機ＥＬ基板２２を反転し、陰極３５が導電性ペースト３９と接触するように、有機ＥＬ基板２２と配線基板１０とが貼り合わされる。更に、両基板間の空間に封止ペースト３８が封入され、更に、両基板の周辺を封止剤３２によって封止することにより、電気光学装置２０が完成となる。
この電気光学装置２０は、有機ＥＬ基板２２における配線基板１０側から、順に陰極３５、有機ＥＬ層３４、正孔注入／輸送層３３、陽極３２が配置された、陽極３２側から発光光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ装置となる。
【００４８】
このように、本実施形態においては、電子素子としてのＴＦＴ２７と配線基板１０のバンプ１４ａとを接合するとき、配線基板１０に形成された熱伝導配線１５を介して接合材としての導電ペースト１４ｂを加熱する。つまり、配線基板１０の外周部に配置したヒータ１８の熱を、熱伝導配線１５を介してＴＦＴ接続部１４にある導電ペースト１４ｂに伝える。そのため、配線基板１０（あるいは基礎基板４０）に対して、ＴＦＴ２７の接合に必要な箇所以外への加熱が抑制される。すなわち、接合時の加熱箇所が、配線基板１０（あるいは基礎基板４０）の全体ではなく、主として接合に必要な箇所に限定される。
【００４９】
こうした局所的な加熱により、本実施形態では、ＴＦＴ２７の転写配置時に配線基板１０あるいは基礎基板４０が受ける熱量の軽減化が図られ、反りなどの基板の熱変形が抑制される。そして、基板の熱変形が抑制されることで、ＴＦＴ２７の転写配置が安定的に行われ、例えば、基礎基板４０上の複数のＴＦＴ２７を一度に配線基板１０上に転写する場合にも、配線基板１０と基礎基板４０との間隙が基板全体で均一に保たれ、複数のＴＦＴ２７が配線基板１０上に同時かつ安定的に転写配置される。そのため、上記方法により製造された電気光学装置２０は、高い信頼性を得ることが可能となる。
【００５０】
また、本実施形態では、配線基板１０の外周部において熱伝導配線１５の拡幅部１７を外部に露出状態に形成し、この拡幅部１７にヒータ１８を接触させているから、ヒータ１８の熱を熱伝導配線１５に伝えやすいという利点を有する。さらに、複数の熱伝導配線１５の拡幅部１７をまとめて配置しているので、複数の熱伝導配線１５に対してヒータ１８の熱を同時に伝えやすい。なお、ヒータ１８の熱を熱伝導配線１５に伝えることが可能であれば、必ずしも拡幅部１７を設ける必要はない。
【００５１】
また、本実施形態では、電気信号配線１２とは別に専用の熱伝導配線１５を設けていることから、熱伝導配線１５の配置位置や材料に制約が少ない。そのため、熱伝導に有利な状態に熱伝導配線１５を形成しやすく、効率的な導電ペースト１４ｂの加熱が可能である。なお、導電ペースト１４ｂに熱を十分に伝えることが可能であれば、専用の熱伝導配線を省略し、ヒータ１８の熱を直接、電気信号配線１２を介して導電ペースト１４ｂに伝えてもよい。
【００５２】
また、接合材である導電ペースト１４ｂの加熱に際して、ヒータ１８を用いた加熱に加えて、配線基板１０の全体を補助的に加熱してもよい。この補助加熱としては、赤外線加熱、温風乾燥など様々な加熱法が適用可能である。補助加熱を行う場合、ヒータ１８を用いた加熱と同時にあるいは先立って、配線基板１０の全体を補助的に加熱する。このとき、補助加熱は、配線基板１０（及び基礎基板４０）の熱変形が許容範囲内におさまるように行う。この補助的な加熱により、導電ペースト１４ｂが硬化温度に達するまでの時間が短縮されたり、ヒータ１８から導電ペースト１４ｂに至る経路からの熱の逃げが抑制されたりするなど、加熱時間の短縮化や熱効率の向上が図られる。なお、補助加熱を行う場合も、必要箇所以外への配線基板１０に対する加熱を抑制し、配線基板１０の全体が受ける熱量の軽減化を図ることが可能である。
【００５３】
ここで、図１に示すＴＦＴ接続部１４の構成は、上述した導電ペースト（ＡＣＰ）１４ｂを使用するものに限定されず、様々な構成が適用可能である。
例えば、図１３に示すように、ＴＦＴ２７とバンプ１４ａとの間に、接合材として、はんだバンプやＰｂフリーはんだバンプ５０を配置する構成としてもよい。なお、図１３において、図１に示す配線基板１０と同様の機能を有する構成要素には同一の符号を付している。
【００５４】
はんだバンプ５０の配置は、ディップ法、印刷法など様々な方法が適用可能である。この場合、接合材であるはんだバンプ５０を加熱溶融させることにより、ＴＦＴ２７（電極）とバンプ１４ａとを接合することができる。そして、はんだバンプ５０の加熱に際して、配線基板１０に形成された熱伝導配線１５を用いて局所的に加熱を行うことにより、図１及び図７の例と同様に、配線基板１０あるいは基礎基板４０が受ける熱量の軽減化が図られ、反りなどの基板の熱変形が抑制される。なお、ＴＦＴ接続部１４において、接合材として、はんだバンプに加え、ＮＣＰ（非導電ペースト）を配置してもよい。
【００５５】
また、ＴＦＴ接続部１４の他の構成例として、図１に示す導電ペースト１４ｂを省略するとともに、導電性突起部であるバンプ１４ａに、電解あるいは無電解めっき処理等により、Ｓｎめっきを施してもよい。この場合、バンプ１４ａのめっき部分を加熱溶融させることにより、ＴＦＴ２７とバンプ１４ａとを接合することができる。
【００５６】
また、ＴＦＴ接続部１４の別の構成例として、図１に示す導電ペースト１４ｂを省略するとともに、ＴＦＴ２７とバンプ１４ａとの間に、接合材として、Ａｇペーストを配置する構成としてもよい。Ａｇペーストの配置は、塗布法、印刷法、転写法など様々な方法が適用可能である。この場合、接合材であるＡｇペーストを熱硬化させることにより、ＴＦＴ２７とバンプ１４ａとを接合することができる。
【００５７】
次に、本発明の電気光学装置を電子機器に適用した例について説明する。
図１４（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１４（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１４（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１４（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１４（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１４（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１４（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えたものであるので、電子素子の実装不良が少なく、高品質化が図られる。
なお、本実施形態の電子機器は有機ＥＬ装置を備えるものとしたが、液晶装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００５８】
また、上記例では、電子素子としてＴＦＴを配線基板に転写する構成としたが、本発明における電子素子としては、ＴＦＴ素子以外にも、薄膜ダイオード、その他の薄膜半導体デバイス、電極（例：ＩＴＯ、メサ膜のような透明電極）、太陽電池やイメージセンサ等に用いられる光電変換素子、スイッチング素子、メモリー、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セラミックス）、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体等の記録媒体、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクター、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、ダイクロイックミラー、偏光素子等の光学薄膜、半導体薄膜、超伝導薄膜（例：ＹＢＣＯ薄膜）、磁性薄膜、金属多層薄膜、金属セラミック多層薄膜、金属半導体多層薄膜、セラミック半導体多層薄膜、有機薄膜と他の物質の多層薄膜等が挙げられる。
このなかでも、特に、薄膜デバイス、マイクロ磁気デバイス、マイクロ三次元構造物の構成、アクチュエータ、マイクロミラー等に適用することの有用性が高く、好ましい。
【００５９】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の配線基板の概略構成を示す断面図。
【図２】本発明の配線基板の構成を模式的に示す平面図。
【図３】本発明の基板接合体及び電気光学装置の概略構成を示す断面図。
【図４】本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図。
【図５】本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図。
【図６】本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図。
【図７】本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図。
【図８】本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図。
【図９】本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図。
【図１０】本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図。
【図１１】本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図。
【図１２】本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図。
【図１３】本発明の配線基板の他の構成例を示す断面図。
【図１４】本発明の電気光学装置を電子機器に適用した例を示す図。
【符号の説明】
【００６１】
１０…配線基板（第２基板）、１１…基体、１２…電気信号配線、１３…絶縁層、１４…ＴＦＴ接続部、１４ａ…バンプ（導電性突起部）、１４ｂ…導電ペースト（接合材）、１５…熱伝導配線、１６…ビア、１７…拡幅部、１８…ヒータ、２０…電気光学装置、２１…基板接合体、２２…有機ＥＬ基板（発光素子基板）、２６…有機ＥＬ素子（発光素子）、ＴＦＴ…２７（電子素子、スイッチング素子）、４０…基礎基板（第１基板）、４１…剥離層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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