(57)【要約】【課題】本発明は、異方導電性フィルムを用いた半導体素子のファインピッチ実装において、半導体素子と基板の接合信頼性を確保するとともに、電気的特性の低下を防止できる半導体素子の接合方法を提供する。【解決手段】紫外線１２を透過するガラス基板１の上面に形成した透明電極２に、半導体素子３に形成した突起状の電極であるバンプ５を、異方導電性フィルム６を介して導通接続する半導体素子の接合方法において、透明電極２に異方導電性フィルム６を転写し、バンプ５を透明電極２に載置し、光をガラス基板１の下面から透明電極２の周囲部分に照射し、異方導電性フィルム６を硬化させ壁部９を形成し、半導体素子３を押圧し、ガラス基板１の下面から紫外線１２をガラス基板１の異方導電性フィルム６が転写された範囲を含む領域に照射し、異方導電性フィルム６を硬化させることを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を透過する基板の上面に形成した透明電極に、半導体素子に形成した突起状の電極であるバンプを、異方導電性フィルムを介して導通接続する半導体素子の接合方法において、前記透明電極に前記異方導電性フィルムを転写し、前記バンプを前記透明電極に載置し、光を前記基板の下方から前記透明電極の周囲部分に照射し、前記異方導電性フィルムを硬化させ壁部を形成し、前記半導体素子を押圧し、前記異方導電性フィルムを硬化させることを特徴とする半導体素子の接合方法。
【請求項２】
前記透明電極の下面にメッキ加工を施し、前記基板の下方から光を前記透明電極の周囲部分にのみ照射する際は、前記透明電極も含めて照射することを特徴とする請求項１記載の半導体素子の接合方法。
【請求項３】
前記光を前記基板の下方から前記透明電極の周囲部分のみ照射する際に、前記透明電極の周囲部分に光を通過させる壁部形成孔を有する遮断板を前記基板と光源との間に介在させ、前記光を照射することを特徴とする請求項１記載の半導体素子の接合方法。
【請求項４】
前記遮断板の前記壁部形成孔に、前記光を通過させない遮断部を有したことを特徴とする請求項３記載の半導体素子の接合方法。
【請求項５】
前記壁部を形成し、前記半導体素子を押圧した後に、前記異方導電性フィルムを硬化させる時には、基板の下方から前記光を前記基板の異方導電性フィルムが転写された範囲を含む領域に前記光を照射し、前記半導体素子および前記基板を加熱することを特徴とする請求項１から４のいずれかの項に記載の半導体素子の接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネルを構成するガラス基板上に、半導体素子を異方導電性フィルムを用いてフェイスダウンにて接合する半導体素子の接合方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
異方導電性フィルムは、加熱により溶融し硬化反応がおきるエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に、金属（金やニッケル）メッキを施したプラスチック粒子を含有した、常温では半固形の接着フィルムである。その硬化にはアミン系の潜在型触媒が主に用いられ、半導体素子とガラス基板、プリント配線基板の電気的接続に広く利用されている。
【０００３】
この異方導電性フィルムを用いた接合方法は、まず、電極が形成されたプリント配線基板に異方導電性フィルムを加熱しながら転写する。次にこの異方導電性フィルムを転写したプリント配線基板に、半導体素子を半導体素子に形成されたバンプと電極の位置を合わせて載置する。最後に、ヒートツール等の圧着用の治具を用いて加圧・加熱しながら固着させる。このとき、加圧・加熱によって異方導電性フィルム中の樹脂が溶融し、バンプと電極の間から流れ出し、異方導電性フィルムに含有される導電粒子がバンプと電極の間に捕獲される。
【０００４】
半導体素子の実装分野においては、高密度化・小型化・薄型化が要求されており、接続ピッチは４０μｍ以下、バンプ面積も５００μｍ2程度以下と細密化が進んでいる。バンプの細密化とともに、必然的にプリント配線基板に形成されるパターンの寸法も小さくなっている。その結果、半導体素子とプリント配線基板の接合の際に、バンプと電極との間に捕獲される導電粒子の数が少なくなり、接続信頼性が低下するということが問題となってきた。また、隣接するバンプ同士の間に導電粒子が数珠つながりとなり、短絡することで電気特性の低下も発生し、問題となっている。
【０００５】
このような問題を解決するために、バンプの形状を、基板電極に対向する面の周辺部を突出させることで、流れ去ってしまっていた導電粒子が、突出部により遮られ、バンプと基板電極との間に導電粒子を捕獲することで高い信頼性が得られるということが特許文献１に記載されている。
【０００６】
また、プリント配線基板に形成された電極近傍に電極の厚みよりも厚いレジストを電極の周辺に設けて、レジストと電極とで凹形状を形成し、電子部品とプリント配線基板の接合時において、異方導電性フィルムの溶融による導電粒子の流れを抑制するということが特許文献２に記載されている。
【特許文献１】特開平１０−９８０６９号公報（段落番号００２２−００３２）
【特許文献２】特開平１１−１６９４９号公報（段落番号００１２−００１５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１および特許文献２の接合方法では、電子部品をプリント配線基板に載置し、バンプが電極に当接する際に、導電粒子の流れを抑止するバンプに形成された突出部やレジスト付近に、押し流された導電粒子が滞留し、ひとかたまりとなってしまう。そうなると、バンプと電極間の導電粒子の偏りによりバンプの平衡度が保たれないので、バンプの中心部の導電粒子が少ない状態となり、バンプと電極が非接触となったり、局所的な荷重によるバンプの変形が発生したりし、接続信頼性が確保できないという問題がある。
【０００８】
そこで本発明の目的は、異方導電性フィルムを用いた半導体素子のファインピッチ実装において、半導体素子と基板の接合信頼性を確保するとともに、電気的特性の低下を防止できる半導体素子の接合方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この課題を解決するために本発明は、基板に形成した透明電極に、半導体素子に形成したバンプを、異方導電性フィルムを介して導通接続する半導体素子の接合方法において、透明電極に異方導電性フィルムを転写し、バンプを透明電極に載置し、光を基板の下方から透明電極の周囲部分に照射し、異方導電性フィルムを部分的に硬化させ壁部を形成した後、半導体素子を押圧し、異方導電性フィルムを硬化させることを特徴とする半導体素子の接合方法としたものである。
【００１０】
これにより、半導体素子を基板に載置し押圧する際に、壁部内の導電粒子が流出しないため、半導体素子のバンプと基板の透明電極の間に、充分な導電性粒子の数を確保できる。
【００１１】
ここで、透明電極の周囲部分とは、透明電極の外周から透明電極間の１／２の距離までの範囲をいう。つまり、光照射による異方導電性フィルムの硬化を透明電極間の１／２の距離までの範囲内で透明電極の外周に壁部を形成することで、隣接する透明電極に形成した壁部と重なり合っても壁部から導電粒子の流出が発生しない。
【００１２】
また、光とは、紫外線、赤外線および可視光線を含み、照射することで異方導電性フィルムが硬化可能であればどの種類の光を用いても良いが、局所的に照射する場所を制御する場合は、紫外線レーザ等を使用するのが望ましい。
【００１３】
なお、本発明の説明においては、基板に形成された透明電極側の面を上側、反対面を下側としている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、以下の効果を奏することができる。
（１）請求項１に記載の発明によれば、透明電極の周辺部分に壁部を形成することで、半導体素子を基板に載置する際に、壁部内の導電粒子が流出しないため、半導体素子のバンプと基板の透明電極の間に、充分な導電性粒子の数を確保できるので、バンプと透明電極で確実な導電粒子の捕獲ができる。また、壁部により導電粒子が隣接するバンプの間に数珠つながりとなることがないため、隣接するバンプ同士での短絡が防止できる。よって、確実なバンプと透明電極との接続が図れ、高い接続信頼性を確保することができる。
（２）請求項２に記載の発明によれば、透明電極表面にメッキ加工を施すことで、光の照射を、透明電極を含む透明電極の周辺部分にすれば良いので、光の照射の制御が簡易となる。
（３）請求項３に記載の発明によれば、壁部を形成する際に、基板と光源の間に遮断板を介在させることにより、光の照射にレーザ装置等の局所的に制御をするような高価な装置を必要とせず、異方導電性フィルムが硬化する光であればメタルやハロゲン球等の安価な照明装置が使用できるので、コストを押えた容易な半導体素子の接合方法とすることができる。
（４）請求項４に記載の発明によれば、半導体素子を載置し押圧し、壁部の開口した一側面から樹脂や導電粒子が流れ出ることで、バンプが壁部内に挿入したときの内部圧力の増加を抑制し、樹脂の流動を保ちつつ、導電粒子のバンプと透明電極の間の導電粒子の捕獲がより容易となり、電気的接合の信頼性が向上する。
（５）請求項５に記載の発明によれば、基板の下方から光を基板の異方導電性フィルムが転写された範囲を含む領域に光を照射した後に、半導体素子および基板を加熱することで、半導体素子の接合に要する時間を短くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本願の請求項１に記載の発明は、光を透過する基板の上面に形成した透明電極に、半導体素子に形成した突起状の電極であるバンプを、異方導電性フィルムを介して導通接続する半導体素子の接合方法において、前記透明電極に前記異方導電性フィルムを転写し、前記バンプを前記透明電極に載置し、光を前記基板の下方から前記透明電極の周囲部分に照射し、前記異方導電性フィルムを硬化させ壁部を形成し、前記半導体素子を押圧し、前記異方導電性フィルムを硬化させることを特徴とする半導体素子の接合方法としたものであり、壁部を形成することにより、半導体素子と基板の接合に際して、半導体素子のバンプと基板の透明電極の間に、充分な導電性粒子の数を確保することができる。
【００１６】
請求項２に記載の発明は、前記透明電極の下面にメッキ加工を施し、前記基板の下方から光を前記透明電極の周囲部分にのみ照射する際は、前記透明電極も含めて照射することを特徴とする請求項１記載の半導体素子の接合方法としたものであり、透明電極の下面にメッキ加工を施すことにより、光の照射を、透明電極を含む透明電極の周辺部分とすることができる。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、前記光を前記基板の下方から前記透明電極の周囲部分のみ照射する際に、前記透明電極の周囲部分に光を通過させる壁部形成孔を有する遮断板を前記基板と光源との間に介在させ、前記光を照射することを特徴とする請求項１記載の半導体素子の接合方法としたものであり、基板と光源の間に遮断板を介在させることにより、光の照射に局所的な制御を必要せず、壁部を形成できる。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、前記遮断板の前記壁部形成孔に、前記光を通過させない遮断部を有したことを特徴とする請求項３記載の半導体素子の接合方法としたものであり、半導体素子の押圧により、バンプが壁部内に侵入しても、遮断部を有した壁部形成孔により遮断板への光の照射によって、透明電極の周囲部分に一側面が開口した壁部を形成することにより、壁部の開口した一側面から樹脂や導電粒子が流れ出ることで、バンプが壁部内に挿入したときの内部圧力の増加を抑制することができる。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、前記壁部を形成し、前記半導体素子を押圧した後に、前記異方導電性フィルムを硬化させる時には、基板の下方から前記光を前記基板の異方導電性フィルムが転写された範囲を含む領域に前記光を照射し、前記半導体素子および前記基板を加熱することを特徴とする請求項１から４いずれかに記載の半導体素子の接合方法としたものであり、半導体素子の接合に要する時間を短くすることができる。
【００２０】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１に係る半導体素子の接合方法について、図１から図３および図１０に基づいて説明する。
【００２１】
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体素子の接合方法の構成を説明する図である。図２は、本発明の実施の形態１に係る半導体素子の接合方法の説明図である。図３は、実施の形態１に係る半導体素子の接合方法によりガラス基板に形成した壁部の部分拡大底面図である。図１０は、基板の平面図およびその部分拡大図である。
【００２２】
図１０において、基板の一例である液晶パネルに使用するガラス基板１の片側端部に透明電極２が形成されている。透明電極２は、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide）で形成されている。透明電極２は、縦８０μｍ、横２３μｍの矩形状に形成され、隣接する透明電極２の間は１５μｍである。透明電極２は導通線（図示せず）により液晶パネルの各部へ接続されている。
【００２３】
図１において、ガラス基板１に形成された透明電極２に接合する半導体素子３は、パッド４と、パッド４に形成された突起状電極であるバンプ５を有している。半導体素子３とガラス基板１とは、異方導電性フィルム６を介して接合される。
【００２４】
異方導電性フィルム６は、接着剤の役目をする、例えば紫外線硬化性の触媒を含有した樹脂７に、プラスチック粒子のコアに導電性のあるＮｉやＡｕのメッキを施した導電粒子８を含有している。紫外線硬化性の触媒を含有した樹脂７は、ガラス基板１の下方より１００〜３００ｍＷ／ｃｍ2程度の出力の紫外線１１を照射することにより、５秒から１０秒で半硬化する。
【００２５】
紫外線１１は、例えば紫外線照射装置（図示せず）を光源とし、局所的に照射する場所が制御可能な光線である。この紫外線１１を照射して壁部９を形成する。
【００２６】
次に、実施の形態１に係る半導体素子の接合方法について図２に基づいて説明をする。図２は、実施の形態１に係る半導体素子の接合方法の説明図である。
【００２７】
まず、透明電極２を含むガラス基板１の透明電極２を含む範囲の上面に異方導電性フィルム６を加熱して転写する（同図（ａ））。
【００２８】
次に、半導体素子３をバンプ５と透明電極２の位置を合わせて載置する。この時点では、まだ、押圧していないため、バンプ５と透明電極２との間には僅かながら隙間がある（同図（ｂ））。
【００２９】
そして、ガラス基板１の下方より透明電極２の外周から透明電極２、２間の１／２の距離までの範囲に対し紫外線１１を照射する。すなわち、透明電極２、２間は１５μｍなので、透明電極２の外周約７μｍの矩形状の範囲に紫外線１１を照射するということである。従って、紫外線１１が照射された透明電極２の外周から約７μｍの周囲部分の異方導電性フィルム６の樹脂７が硬化し、透明電極２を囲うよう上面に開口部１０を有する水平断面が矩形の筒状の壁部９が形成される。壁部９は、ガラス基板１の下方から紫外線１１を照射するので、樹脂７内にて徐々に紫外線１１の照度が減衰していくため、壁部９の側面は、垂直断面が三角形状となる（同図（ｃ））。
【００３０】
図３に、ガラス基板１に形成した壁部９の部分拡大底面図を示す。
【００３１】
なお、図３においては、便宜上、ガラス基板１の図示は省略してある。
【００３２】
透明電極２の周囲部分に壁部９が矩形状に形成されている。壁部９は、透明電極２を囲むように形成されるので、導電粒子８は壁部９の内側に確保された状態となる。
【００３３】
図２（ｃ）に戻って、半導体素子３をヒートツール２９により押圧する。半導体素子３を押圧することにより、バンプ５は、透明電極２との隙間にあった導電粒子８を捕獲し、壁部９内にあった樹脂７は、バンプ５が壁部９に挿入されることにより壁部９の開口部１０から溢れる。この時、導電粒子８は樹脂７より比重が重いので、壁部９の開口部１０から溢れることはない（同図（ｃ））。
【００３４】
ガラス基板１の下方より異方導電性フィルム６を転写した範囲を含む領域に紫外線１２を照射する。紫外線１２は、広い範囲に照射するので、紫外線１１のように局所的に照射する位置を制御する必要はなく、高圧水銀ランプでも照射が可能である。この紫外線１２の照射により、異方導電性フィルム６の樹脂７が硬化し、半導体素子３とガラス基板１が固着し、バンプ５と透明電極２が導通接続する（同図（ｄ））。
【００３５】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２に係る半導体素子の接合方法を図４に基づいて説明する。図４は、本発明の実施の形態２に係る半導体素子の接合方法の説明図である。なお、図４においては、ガラス基板１、半導体素子３、パッド４、バンプ５、異方導電性フィルム６、導電粒子８は図１と同様のものであるため、同符号を付して説明は省略する。
【００３６】
本発明の実施の形態２に係る半導体素子の接合方法は、実施の形態１の透明電極２の下面にメッキ２８を施し紫外線を遮断するようにしたものである。
【００３７】
メッキ透明電極１３は、ガラス基板１の表面をクロム等のメタルにてメッキを施し、表面にインジウム錫酸化物の透明電極２でコーティングしてあり、紫外線を透過しないようにしている。
【００３８】
紫外線１４は、メッキ透明電極１３の周囲部分とメッキ透明電極１３を含む範囲に、紫外線照射装置等（図示せず）により照射された光線である。
【００３９】
以下に本発明の実施の形態２に係る半導体素子の接合方法を説明する。
【００４０】
まず、異方導電性フィルム６を実施の形態１と同様にメッキ透明電極１３を含む範囲の上面に加熱して転写し、半導体素子３をバンプ５とメッキ透明電極１３の位置を合わせて載置する。そして、ガラス基板１の下方よりメッキ透明電極１３を含む周囲部分に対し紫外線１４を照射し壁部２７を形成する。
【００４１】
そして、半導体素子３をヒートツールにより加熱、押圧し、硬化させる。
【００４２】
この接合方法においては、透明電極の下面にメッキを施すことにより、紫外線１４を局所的に照射する制御が簡易となる。
【００４３】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３に係る半導体素子の接合方法を図５から図７に基づいて説明する。図５は、本発明の実施の形態３に係る半導体素子の接合方法の説明図である。図６は、紫外線をマスクする遮断板の部分拡大平面図である。図７は、本発明の実施の形態３に係る半導体素子の接合方法の説明図である。
【００４４】
なお、図５から図７においては、ガラス基板１、透明電極２、半導体素子３、パッド４、バンプ５、異方導電性フィルム６、導電粒子８、紫外線１２は図１と同様のものであるため、同符号を付して説明は省略する。
【００４５】
本発明の実施の形態３に係る半導体素子の接合方法は、実施の形態１の紫外線照射装置による局所的に照射とせず、紫外線を透過させない遮断板を使用して照射する範囲を限定するものである。
【００４６】
図５において、ガラス基板１の下方から紫外線１２を照射する光源（図示せず）とガラス基板１との間に、紫外線１２を透過しない遮断板１５を介在させて照射している。
【００４７】
図６において、遮断板１５は、ガラス基板１の異方導電性フィルム６を転写した範囲の紫外線１２を遮断する基板遮断部１６と、透明電極２の周囲部分と透明電極２を含む範囲に照射された紫外線１２を通過させる貫通孔１７と、透明電極２に対し紫外線１２を遮断する電極遮断部１８と、基板遮断部１６と電極遮断部１８に接続されている接続部１９から構成される。
【００４８】
貫通孔１７と電極遮断部１８は矩形状をしており、貫通孔１７は、透明電極２および透明電極２の周囲部分を含む範囲の形状に形成されており、電極遮断部１８は、透明電極２と同じ矩形状で同面積に形成している。
【００４９】
接続部１９は、基板遮断部１６と電極遮断部１８を接続しており、紫外線１２を遮断するため、影響を最小限とするため、１０μｍ以下程度の幅で形成されている。
【００５０】
貫通孔１７と電極遮断部１８と接続部１９により、紫外線１２を通過させる穴は、略Ｃ字状の壁部形成孔２０となっている。
【００５１】
壁部２１は、壁部形成孔２０に、紫外線１２を通過させて異方導電性フィルム６を硬化させることにより形成される。壁部２１は、接続部１９を１０μｍ以下程度の幅で形成することにより、接続部１９の投影部分も紫外線１２で異方導電性フィルム６が硬化するので、透明電極２を囲った上面に開口部２２を有する水平断面が矩形の筒状に形成される。
【００５２】
次に、本発明の実施の形態３に係る半導体素子の接合方法を図７に基づいて説明する。
【００５３】
図７は、本発明の実施の形態３に係る半導体素子の接合方法を説明する図である。
【００５４】
まず、ガラス基板１の表面に形成された透明電極２の上面に異方導電性フィルム６を転写する（同図（ａ））。
【００５５】
次に、半導体素子３をバンプ５と透明電極２の位置を合わせて載置する。この時点では、まだ、押圧していないため、バンプ５と透明電極２との間には僅かながら隙間がある（同図（ｂ））。
【００５６】
そして、ガラス基板１と紫外線１２の光源との間に、遮断板１５を挿入する。この時に、紫外線１２の光源から電極遮断部１８の投影面が透明電極２となるように配設する。ガラス基板１の下方より紫外線１２を照射する。紫外線１２は、遮断板１５により、壁部形成孔２０以外は光が通過しない。壁部形成孔２０により通過した紫外線１２は、異方導電性フィルム６が部分的に半硬化して壁部２１を形成する。次に、半導体素子３をヒートツール２９により押圧する。半導体素子３を押圧することにより、バンプ５は、透明電極２との隙間にあった導電粒子８を捕獲し、壁部２１内にあった樹脂７は、バンプ５が壁部２１に侵入することにより壁部２１の開口部２２から溢れる。この時、導電粒子８は樹脂７より比重が重いので、壁部２１の開口部２２から溢れることはない（同図（ｃ））。
【００５７】
最後に、遮断板１５を取り除くことで、ガラス基板１の異方導電性フィルム６を転写した範囲を含む領域に紫外線１２が照射されるので、異方導電性フィルム６の樹脂７が硬化し、半導体素子３とガラス基板１が固着し、バンプ５と透明電極２が導通接続する（同図（ｄ））。
【００５８】
なお、本実施の形態３では、遮断板１５の接続部１９は、１箇所で基板遮断部１６と電極遮断部１８を接続していたが、２箇所以上であっても、接続部１９の幅が１０μｍ〔単位〕程度以下であれば良い。
【００５９】
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４に係る半導体素子の接合方法を図８および図９に基づいて説明する。図８は、本発明の実施の形態４に係る半導体素子の接合方法の遮断板の部分拡大平面図である。図９は、本発明の実施の形態４に係る半導体素子の接合方法によりガラス基板に形成した壁部の底面図である。なお、図９においては、便宜上ガラス基板の図示は省略してある。
【００６０】
本発明の実施の形態４に係る半導体素子の接合方法は、実施の形態３の遮断板について、電極遮断部と基板遮断部を接続する接続部の幅を透明電極と同じ幅とした開放部とすることで、壁部の水平断面を略コ字状とするものである。
【００６１】
図８において、基板遮断部１６、貫通孔１７、電極遮断部１８は、図６と同様であり、図９において、バンプ５、樹脂７、導電粒子８は図１と同様のものであるため、同符号を付して説明は省略する。
【００６２】
図８に示すように、遮断板２３は、基板遮断部１６と、貫通孔１７と、電極遮断部１８を有しており、基板遮断部１６と電極遮断部１８は、開放部２４により接続されている。
【００６３】
開放部２４は、矩形状をしており、電極遮断部１８と同一の幅で形成されている。
【００６４】
貫通孔１７と電極遮断部１８と開放部２４により、紫外線１２を通過させる孔は、略コ字状の壁部形成孔２５としている。壁部形成孔２５の開放部２４は、隣接した壁部形成孔２５側ではない位置に設けられている。
【００６５】
図９において、壁部２６は、壁部形成孔２５に、紫外線１２を通過させて異方導電性フィルム６を硬化させることにより、上面および一側面が開口した水平断面が略コ字の筒状に形成される。また、壁部２６の開口した一側面は、隣接した透明電極２側ではない方向に形成される。
【００６６】
次に、本実施の形態４に係る半導体素子の接合方法であるが、実施の形態３と同様に行うことができる。
【００６７】
この壁部２６を用いた半導体素子の接合方法では、半導体素子を載置し加熱、押圧した時点で、バンプ５の壁部２６内への挿入により、樹脂７および導電粒子８が、開口した一側面から流れ出る。しかし、壁部２６が隣接した透明電極２側に開口していないため、隣接するバンプ５同士の間に導電粒子８が数珠つながりになって、短絡することがない。
【００６８】
なお、本実施の形態においては、遮断板２３に形成した全ての壁部形成孔２５の開放部２４を同一の方向に形成したが、隣接した壁部形成孔２５側ではない方向へ設ければ良いため、必ずしも、壁部形成孔２５の開放部２４を同一方向に形成する必要はない。
【００６９】
（実施の形態５）
本発明の実施の形態５に係る半導体素子の接合方法は、半導体素子とガラス基板との固着に際し、紫外線を照射した後に、半導体素子とガラス基板を加熱し異方導電性フィルムを硬化させる。
【００７０】
本実施の形態の異方導電性フィルムは、例えば、光硬化特性を有するラジカル重合型アクリレート樹脂または、光や熱でカチオン重合するエポキシ樹脂の併用硬化型である。
【００７１】
以下に本実施の形態の半導体素子の接合方法について説明する。
【００７２】
実施の形態１から４の半導体素子の接合方法によって、異方導電性フィルムを転写したガラス基板に壁部を形成する。そして、ガラス基板の下方から異方導電性フィルムを転写した範囲を含む領域に紫外線を照射して異方導電性フィルムを部分的に半硬化させる。最後に、ヒートツールで半導体素子を加熱、加圧して、異方導電性フィルムを硬化させる。
【００７３】
このように、加熱処理にて異方導電性フィルムの樹脂を硬化させるので、光硬化よりも早く固着されることができるため、半導体素子の接合作業時間を短縮することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明の半導体素子の接合方法は、液晶パネルを構成するガラス基板上に、半導体素子を異方導電性フィルムを用いてフェイスダウンする方法として有用であり、特にガラス基板上に形成された透明電極に、半導体素子に形成されたバンプを接続するのに適している。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体素子の接合方法の構成を説明する図
【図２】実施の形態１に係る半導体素子の接合方法の説明図
【図３】実施の形態１に係る半導体素子の接合方法によりガラス基板に形成した壁部の部分拡大底面図
【図４】本発明の実施の形態２に係る半導体素子の接合方法の説明図
【図５】本発明の実施の形態３に係る半導体素子の接合方法の説明図
【図６】本発明の実施の形態３に係る半導体素子の接合方法の遮断板の部分拡大平面図
【図７】本発明の実施の形態３に係る半導体素子の接合方法の説明図
【図８】本発明の実施の形態４に係る半導体素子の接合方法の遮断板の部分拡大平面図
【図９】実施の形態４に係る半導体素子の接合方法によりガラス基板に形成した壁部の底面図
【図１０】基板の平面図およびその部分拡大図
【符号の説明】
【００７６】
１  ガラス基板
２  透明電極
３  半導体素子
４  パッド
５  バンプ
６  異方導電性フィルム
７  樹脂
８  導電粒子
９  壁部
１０  開口部
１１  紫外線
１２  紫外線
１３  メッキ透明電極
１４  紫外線
１５  遮断板
１６  基板遮断部
１７  貫通孔
１８  電極遮断部
１９  接続部
２０  壁部形成孔
２１  壁部
２２  開口部
２３  遮断板
２４  開放部
２５  壁部形成孔
２６  壁部
２７  壁部
２８  メッキ
２９  ヒートツール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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