(57)【要約】【課題】  波長４４０ｎｍ以下のレーザによって記録再生が可能で、優れた記録特性を有する光情報記録媒体および情報記録方法を提供。【解決手段】  記録層が下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる光情報記録媒体である。  Ｒ1Ｒ2Ｃ＝ＣＲ3Φ・・・一般式（Ｉ）（一般式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立に、ハメットの置換基定数σpが０．２〜０．９の電子吸引性置換基を表し、Ｒ1およびＲ2は同一でも異なっていてもよく、Ｒ3は水素原子または一価の置換基を表し、Φは置換基定数σpが０．０〜０．７の電子吸引性置換基を少なくとも１つ有するアリール基または芳香族ヘテロ環基を表し、Ｒ1〜Ｒ3およびΦのうちの何れか二つ以上が互いに結合して環を形成していてもよい。）  また、上記の光情報記録媒体に、波長４４０ｎｍ以下のレーザを照射して情報記録する情報記録方法である。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録層を基板上に有する光情報記録媒体であって、前記記録層が下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも１種含有してなることを特徴とする光情報記録媒体。
Ｒ1Ｒ2Ｃ＝ＣＲ3Φ・・・一般式（Ｉ）
（上記一般式（Ｉ）において、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に、ハメットの置換基定数σpが０．２〜０．９の範囲の電子吸引性置換基を表し、Ｒ1およびＲ2は互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ3は水素原子または一価の置換基を表し、Φはハメットの置換基定数σpが０．０〜０．７の範囲の電子吸引性置換基を少なくとも１つ有するアリール基または芳香族ヘテロ環基を表し、Ｒ1〜Ｒ3およびΦのうちの何れか二つ以上が互いに結合して環を形成していてもよい。）
【請求項２】
前記Φは、ハメットの置換基定数σpが−０．６〜０．０の範囲の電子供与性置換基を少なくとも一つ有することを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2の少なくとも一方がシアノ基であることを特徴とする請求項１または２に記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
前記基板が０．３〜０．８μｍのトラックピッチのプレグルーブを有する透明な円盤状基板であり、前記記録層が前記プレグルーブが形成された表面側に設けられてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項５】
金属からなる光反射層が設けられてなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項６】
さらに、保護層が設けられてなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の光情報記録媒体に、波長４４０ｎｍ以下のレーザー光を照射して情報を記録することを特徴とする情報記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー光を用いて情報の記録および再生ができる光情報記録媒体および情報記録方法に関するものである。特に本発明は、波長４４０ｎｍ以下の短波長レーザーを用いて情報を記録するのに適した、例えば、追記型の光ディスクのようなヒートモード型の光情報記録媒体および情報記録方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、レーザー光の照射により一回限りの情報の記録が可能な光情報記録媒体（光ディスク）が知られている。この光情報記録媒体は、追記型ＣＤ（ＣＤ−Ｒ）とも称され、その代表的な構造は、透明な円盤状基板上に有機色素からなる記録層、金や銀などの金属からなる光反射層、さらに樹脂製の保護層をこの順に積層したものである。そしてこの積層体への情報の記録は、近赤外域のレーザー光（通常７８０ｎｍ付近の波長のレーザー）を照射して記録層を局所的に発熱変形させることにより行われる。一方、情報の読み取り（再生）は通常、記録用のレーザー光と同じ波長のレーザー光を照射して、記録層が発熱変形された部位（記録部分）と変形されない部位（未記録部分）との反射率の違いを検出することにより行われている。
【０００３】
近年、パーソナルコンピュータなどの普及に伴って、記録密度のより高い光情報記録媒体が求められている。記録密度を高めるには、照射されるレーザー光の光径を小さく絞ることが有効である。また、波長が短いレーザー光ほど小さく絞ることができるため、高密度化に有利であることが理論的に知られている。従って、従来から用いられている７８０ｎｍより短波長のレーザー光を用いて記録再生を行うための光ディスクの開発が進められている。例えば、追記型デジタル・ビデオ・ディスク（いわゆるＤＶＤ−Ｒ）と称される光ディスクが提案されている。この光ディスクは可視レーザー光（通常６３０ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲の波長のレーザー）を照射することにより、記録および再生が行われるものであり、ＣＤ−Ｒより高密度の記録が可能となっている。
【０００４】
しかし、インターネット等のネットワークやハイビジョンＴＶが長足に普及するに伴い、その画像情報を安価簡便に記録するための大容量記録媒体に対する要求が急速に高まっている。かかる状況に鑑みると、上記ＤＶＤ−Ｒが大容量記録媒体としての任を将来にわたって負って行くことは困難であると推察される。そこで、ＤＶＤ−Ｒで用いられるよりも短波長のレーザー光を用いて記録再生を行うための光ディスクの開発が進められており、例えば、金属アゾ系色素、キノフタロン系色素またはトリメチンシアニン色素を用いた記録媒体が提案されているが、記録特性の更なる改良が求められていた。
【０００５】
また、アリリデン型色素を用いた短波長レーザー光用の記録媒体も提案されているが、これらの記録媒体の記録特性にも更なる改良が求められていた（例えば、特許文献１〜２１参照）。
【特許文献１】特開２００１−２８７４６０号公報
【特許文献２】特開２００１−２８７４６５号公報
【特許文献３】特開２００１−２５３１７１号公報
【特許文献４】特開２００１−３９０３４号公報
【特許文献５】特開２０００−３１８３１３号公報
【特許文献６】特開２０００−３１８３１２号公報
【特許文献７】特開２０００−２８０６２１号公報
【特許文献８】特開２０００−２８０６２０号公報
【特許文献９】特開２０００−２６３９３９号公報
【特許文献１０】特開２０００−２２２７７２号公報
【特許文献１１】特開２０００−２２２７７１号公報
【特許文献１２】特開２０００−２１８９４０号公報
【特許文献１３】特開２０００−１５８８１８号公報
【特許文献１４】特開２０００−１４９３２０号公報
【特許文献１５】特開２０００−１０８５１３号公報
【特許文献１６】特開２０００−１１３５０４号公報
【特許文献１７】特開２００２−３０１８７０号公報
【特許文献１８】特開２００１−２８７４６５号公報
【特許文献１９】米国特許出願公開第２００２／７６６４８Ａ１号明細書
【特許文献２０】特開２００１−７１６３９号公報
【特許文献２１】特開平１１−１０５４２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒで用いられるよりも更に短波長のレーザー光、特に波長４４０ｎｍ以下のレーザー光によって記録再生が可能であり、かつ優れた記録特性を有する光情報記録媒体を提供することである。
また今一つの本発明の課題は、レーザー光を用いて情報を記録するに際して、感度の高いヒートモード型の情報記録方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決すべく鋭意検討の結果、本発明者は、記録層に所定の化合物を少なくとも１種含有させることによって、波長４４０ｎｍ以下のレーザー光により情報の記録再生が可能であり、かつ、記録特性が優れる光情報記録媒体が得られることを見出した。
【０００８】
すなわち、本発明は、記録層を基板上に有する光情報記録媒体であって、前記記録層が下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも１種含有してなることを特徴とする光情報記録媒体である。
Ｒ1Ｒ2Ｃ＝ＣＲ3Φ・・・一般式（Ｉ）
（上記一般式（Ｉ）において、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に、ハメットの置換基定数σpが０．２〜０．９の範囲の電子吸引性置換基を表し、Ｒ1およびＲ2は互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ3は水素原子または一価の置換基を表し、Φはハメットの置換基定数σpが０．０〜０．７の範囲の電子吸引性置換基を少なくとも１つ有するアリール基または芳香族ヘテロ環基を表し、Ｒ1〜Ｒ3およびΦのうちの何れか二つ以上が互いに結合して環を形成していてもよい。）
【０００９】
前記Φは、ハメットの置換基定数σpが−０．６〜０．０の範囲の電子供与性置換基を少なくとも一つ有することが好ましい。
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2の少なくとも一方がシアノ基であることが好ましい。
前記基板が０．３〜０．８μｍのトラックピッチのプレグルーブを有する透明な円盤状基板であり、前記記録層が前記プレグルーブが形成された表面側に設けられてなることが好ましい。
金属からなる光反射層が設けられてなることが好ましく、さらに、保護層が設けられてなることが好ましい。
【００１０】
また、本発明は、既述の光情報記録媒体に、波長４４０ｎｍ以下のレーザー光を照射して情報を記録することを特徴とする情報記録方法である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の光情報記録媒体は、特定の色素化合物を用いているため、高感度、高変調度を発揮することができる。特に、本発明によれば、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒの場合よりも短波長のレーザーを用いて上記効果が得られることから、より高密度の光情報記録媒体および情報記録方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の光情報記録媒体は、記録層を基板上に有し、前記記録層が下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる。
【００１３】
Ｒ1Ｒ2Ｃ＝ＣＲ3Φ・・・一般式（Ｉ）
（上記一般式（Ｉ）において、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に、ハメットの置換基定数σpが０．２〜０．９の範囲の電子吸引性置換基を表し、Ｒ1およびＲ2は互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ3は水素原子または一価の置換基を表し、Φはハメットの置換基定数σpが０．０〜０．７の範囲の電子吸引性置換基を少なくとも１つ有するアリール基または芳香族ヘテロ環基を表し、Ｒ1〜Ｒ3およびΦのうちの何れか二つ以上が互いに結合して環を形成していてもよい。）  以下、本発明の光情報記録媒体を詳しく説明する。
【００１４】
一般式（Ｉ）においてＲ1およびＲ2で表される電子吸引性基のハメットの置換基定数σp値は、０．３０〜０．８５の範囲が好ましく、０．３５〜０．８０の範囲がより好ましい。
【００１５】
なお、ハメットの置換基定数σp値は、例えば、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．９１，１６５（１９９１）の記載を参考にすることができる。
【００１６】
Ｒ1およびＲ2で表される電子吸引性基の具体例としては、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、スルホニル基、アルコキシスルホニル基、スルファモイル基、スルフィニル基、スルフェニル基、ハロゲン原子、アルキニル基、ジアシルアミノ基、ホスホリル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヘテロ環基（例えば、２−ベンゾチアゾリル、２−ベンゾオキサゾリル、３−ピリジル、５−（１Ｈ）−テトラゾリル、４−ピリミジル）等を挙げることができる。
Ｒ1、Ｒ2の好ましい例は、シアノ基、アルコキシスルホニル基、アルコキシカルボニル基であり、より好ましくはＲ1、Ｒ2の少なくとも一方がシアノ基である。
【００１７】
一般式（Ｉ）においてＲ3で表される一価の置換基としては、例えば、炭素原子数１〜２０の鎖状または環状のアルキル基（例えば、メチル、エチル、イソプロピル、シクロヘキシル）、炭素原子数６〜１８の置換または無置換のアリール基（例えば、フェニル、クロロフェニル、アニシル、トルイル、２，４−ジ−ｔ−アミル、１−ナフチル）、アルケニル基（例えば、ビニル、２−メチルビニル）、アルキニル基（例えば、エチニル、２−メチルエチニル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アシル基（例えば、アセチル、ベンゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、アルコキシ基（例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシルオキシ）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ、１−ナフトキシ）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ、ブチルチオ、ベンジルチオ、３−メトキシプロピルチオ）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ、４−クロロフェニルチオ）、アルキルスルホニル基（例えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、アリールスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル、パラトルエンスルホニル）、炭素原子数１〜１０のカルバモイル基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数２〜１０のアシルオキシ基、炭素原子数２〜１０のアルコキシカルボニル基、ヘテロ環基（例えば、ピリジル、チエニル、フリル、チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘテロ環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、ピラン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環などの脂肪族ヘテロ環）等を挙げることができる。
【００１８】
Ｒ3としては、水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基好ましく、更に水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基またはフェニル等が好ましく、特に水素原子が好ましい。
【００１９】
一般式（Ｉ）において、Φで表されるアリール基として好ましいものは、炭素原子数６〜１８のアリール基（例えば、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、１−アントラセニル）であり、更に好ましくはフェニル基、１−ナフチル基または２−ナフチル基であり、特にフェニル基が好ましい。
【００２０】
一般式（Ｉ）において、Φで表される芳香族ヘテロ環基として好ましいものは、炭素数４〜９の芳香族ヘテロ環基であり、含有されるヘテロ原子としては窒素原子、酸素原子、硫黄原子が好ましく、特に含窒素芳香族ヘテロ環基が好ましく、例えば、２−ピリジル基、３−ピリジル基、２−ピラジル基、２−イミダゾリル基、２−ピロリル基、２−フリル基、２−チオフェニル基、３−インドリル基、４−キノリニル基、２−イソキノリニル基等を挙げることができる。
一般式（Ｉ）においてΦとして最も好ましいものはフェニル基である。
【００２１】
一般式（Ｉ）においてＲ1、Ｒ2、およびＲ3は置換基を有していてもよく、置換基としては一般式（Ｉ）のＲ3の例として述べたものを挙げることができる。
【００２２】
一般式（Ｉ）において、Φが有する置換基の少なくとも一つは、ハメットの置換基定数σpが０．０〜０．７の範囲の電子吸引性置換基である。
Φに置換するハメットの置換基定数σpが０．０〜０．７の範囲の電子吸引性置換基として更に好ましくは、ハメットの置換基定数σpが０．０〜０．５の範囲の電子供与性置換基であり、特に０．０〜０．４の範囲の電子供与性置換基が好ましい。最も好ましい範囲としては、０.０１〜０．４である。
【００２３】
Φが有するハメットの置換基定数σpが０．０〜０．７の範囲の電子吸引性置換基の具体例としては、シアノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、スルホニル基、アルコキシスルホニル基、スルファモイル基、スルフィニル基、スルフェニル基、ハロゲン原子、アルキニル基、ジアシルアミノ基、ホスホリル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヘテロ環基（例えば、２−ベンゾチアゾリル、２−ベンゾオキサゾリル、３−ピリジル、５−（１Ｈ）−テトラゾリル、４−ピリミジル）、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基等を挙げることができる。
【００２４】
好ましい例はアリールスルホニルオキシ基（例：ＯＳＯ2Ｐｈ：  σp＝０．３３）、アリールスルホニルアミノ基（例：ＮＨＳＯ2Ｐｈ：  σp＝０．０１）、アリールカルボニルオキシ基（例：ＯＣＯＰｈ：  σp＝０．１３）であり、更に好ましくは、アリールスルホニルオキシ基、アリールスルホニルアミノ基である。
【００２５】
Φは、Φに置換するハメットの置換基定数σpが０．０〜０．７の範囲の電子吸引性置換基以外の、Φの置換基としてハメットの置換基定数σpが−０．６〜０．０の範囲の電子供与性置換基を少なくとも一つ有することが好ましい。
ハメットの置換基定数σpが−０．６〜０．０の範囲の電子供与性置換基として更に好ましくはハメットの置換基定数σpが−０．５５〜０．０の範囲の電子供与性置換基であり、特に−０．５〜−０．１の範囲の電子供与性置換基が好ましい。
【００２６】
Φに置換するハメットの置換基定数σpが−０．６〜０．０の範囲の電子供与性置換基の具体例としては、アルコキシ基、アリールオキシ基、アニリノ基、モノアルキルアミノ基、ヒドロキシ基、トリアルキルシリル基、トリアルキルシリルオキシ基、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アシルアミノ基、カルバモイルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、１−アジリジニル基、フェロセニル基、３−チエニル基等を挙げることができ、好ましくはアルコキシ基（例：ＯＭｅ：  σp＝−０．２７）、アリールオキシ基（例：ＯＰｈ：  σp＝−０．０３）、アルキル基（例：Ｍｅ：  σp＝−０．１７）、アリール基（例：Ｐｈ：  σp＝−０．０１）であり、更に好ましくはアルコキシ基である。
【００２７】
Ｒ1〜Ｒ3およびΦのうちの何れか二つ以上が互いに結合して環を形成していてもよく、この場合のハメットの置換基定数σpの算出基準は特開２００１−７１６３９号公報に述べられているものに準ずる。
【００２８】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、任意の位置で結合して多量体を形成していてもよく、この場合の各単位は互いに同一でも異なっていてもよい。また、ポリスチレン、ポリメタクリレート、ポリビニルアルコール、セルロース等のポリマー鎖に結合していてもよい。
【００２９】
一般式（Ｉ）で表される化合物として最も好ましいものは、一般式（Ｉ）においてＲ1、Ｒ2がシアノ基、アルコキシスルホニル基またはアルコキシカルボニル基、特にはシアノ基であり、Ｒ3が水素原子であり、Φの置換基としてスルホニルオキシ基またはスルホニルアミノ基のどちらかひとつと、アルコキシ基を有する組み合わせのものである。
【００３０】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、光情報記録媒体の記録層に適用することに鑑み、以下の特性を有することが好ましい。
（１）有機溶媒に対して０．３ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下溶解することが好ましく、特にテトラフルオロプロパノールに０．３ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下溶解することが好ましい。
（２）融点が２００℃以上であることが好ましく、３００℃以上であることがより好ましい。
（３）分子量が３００以上２０００以下であることが好ましい。
（４）熱分解温度が２００℃以上５５０℃以下であることが好ましく、２５０℃以上５００℃以下であることがより好ましい。この際の重量減少は３０％以上が好ましく、５０％以上であることがより好ましい。
【００３１】
以下に、一般式（Ｉ）で表される化合物の好ましい具体例（化合物（１）〜（２５））を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３２】
【化１】
2005088293.tif 000002
【００３３】
【化２】
2005088293.tif 000003
【００３４】
【化３】
2005088293.tif 000004
【００３５】
【化４】
2005088293.tif 000005
【００３６】
【化５】
2005088293.tif 000006
【００３７】
【化６】
2005088293.tif 000007
【００３８】
本発明で用いられる一般式（Ｉ）で表される化合物は、例えば、特公昭３９−１１９５６号公報、特公昭５６−２１１４１号公報、特公昭６１−２６０５５号公報、米国特許第３７０７３７５号記載の方法またはこれらに類似する方法により合成することができる。
【００３９】
記録層は、記録層の耐光性を向上させるために、種々の褪色防止剤を含有することが好ましい。褪色防止剤としては、一般的に一重項酸素クエンチャーが用いられる。
【００４０】
一重項酸素クエンチャーとしては、既に公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用することができる。
その具体例としては、特開昭５８−１７５６９３号、同５９−８１１９４号、同６０−１８３８７号、同６０−１９５８６号、同６０−１９５８７号、同６０−３５０５４号、同６０−３６１９０号、同６０−３６１９１号、同６０−４４５５４号、同６０−４４５５５号、同６０−４４３８９号、同６０−４４３９０号、同６０−５４８９２号、同６０−４７０６９号、同６３−２０９９９５号、特開平４−２５４９２号、特公平１−３８６８０号、及び同６−２６０２８号等の各公報、ドイツ特許３５０３９９号明細書、そして日本化学学会誌１９９２年１０月号第１１４１頁などに記載のものを挙げることができる。好ましい一重項酸素クエンチャーの例としては、下記の一般式（ＩＩ）で表される化合物を挙げることができる。
【００４１】
【化７】
2005088293.tif 000008
【００４２】
（但し、上記一般式（ＩＩ）中、Ｒ21は置換基を有していてもよいアルキル基を表わし、Ｑ-はアニオンを表わす。）
【００４３】
一般式（ＩＩ）において、Ｒ21は置換されていてもよい炭素数１〜８のアルキル基が一般的であり、無置換の炭素数１〜６のアルキル基が好ましい。アルキル基の置換基としては、ハロゲン原子（例、Ｆ，Ｃｌ）、アルコキシ基（例、メトキシ、エトキシ）、アルキルチオ基（例、メチルチオ、エチルチオ）、アシル基（例、アセチル、プロピオニル）、アシルオキシ基（例、アセトキシ、プロピオニルオキシ）、ヒドロキシ基、アルコキシカルボニル基（例、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル）、アルケニル基（例、ビニル）、アリール基（例、フェニル、ナフチル）を挙げることができる。これらの中で、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基が好ましい。
Ｑ-のアニオンの例としては、ＣｌＯ4-、ＡｓＦ6-、ＢＦ4-、及びＳｂＦ6-が好ましい。
一般式（ＩＩ）で表される化合物の例を下記表１に記載する。
【００４４】
【表１】
2005088293.tif 000009
【００４５】
本発明の光情報記録媒体は、一定のトラックピッチのプレグルーブが形成された円盤状基板上に記録層、光反射層および保護層をこの順に有する構成、あるいは該基板上に光反射層、記録層および保護層（もしくは光透過層）をこの順に有する構成であることが好ましい。
また、一定のトラックピッチのプレグルーブが形成された透明な円盤状基板上に記録層及び光反射層が設けられてなる二枚の積層体が、それぞれの記録層が内側となるように接合された構成も好ましい。
【００４６】
本発明の光情報記録媒体は、より高い記録密度を達成するためにＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べて、より狭いトラックピッチのプレグループが形成された基板を用いることが可能である。
【００４７】
基板の厚さ（記録層が形成される領域の平均の厚さ）は、０．５〜１．３ｍｍの範囲とすることが好ましい。
基板には、既述のように、トラッキング用の案内溝またはアドレス信号等の情報を表わすプレグルーブ（オングルーブおよびイングルーブともいう。）が形成されている。
【００４８】
プレグルーブのトラックピッチは、３００〜８００ｎｍとすることが好ましく、４００〜６００ｎｍとすることよりが好ましい。
また、プレグルーブの深さ（溝深さ）は、２０〜５０ｎｍの範囲とすることが好ましい。かかる範囲とすることで、トラッキングエラー信号が小さくなってトラッキングがかかりにくくなることを防ぎながら、成形が困難となることを防ぐことができる。より好ましくは、２５〜４０ｎｍである。
【００４９】
プレグルーブの幅、すなわち溝幅は、５０〜１４０ｎｍの範囲とすることが好ましい。かかる範囲とすることで、トラッキングエラーが低下を防ぎながら、ジッターを低減させることができる。より好ましくは、７０〜１３０ｎｍの範囲とし、さらに好ましくは、９０〜１２０ｎｍとする。
【００５０】
円盤状基板上に記録層、光反射層および保護層をこの順に有する本発明の光情報記録媒体は、例えば、以下に述べるような方法により製造することができる。
光情報記録媒体の基板は、従来の光情報記録媒体の基板として用いられている各種の材料から任意に選択することができる。基板材料としては、例えばガラス、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフィンおよびポリエステルなどを挙げることができ、所望によりそれらを併用してもよい。
【００５１】
なお、これらの材料はフィルム状としてまたは剛性のある基板として使うことができる。上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性および価格などの点からポリカーボネートが好ましい。
【００５２】
記録層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、接着力の向上および記録層の防止の目的で、下塗層が設けられてもよい。
下塗層の材料としては例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質；およびシランカップリング剤などの表面改質剤を挙げることができる。
【００５３】
下塗層は、上記物質を適当な溶剤に溶解または分散して塗布液を調製したのち、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコートなどの塗布法により基板表面に塗布することにより形成することができる。下塗層の層厚は一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。
【００５４】
記録層の形成は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物（以下、単に「色素」ということがある）、さらに所望により、クエンチャー、結合剤などを溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いでこの塗布液を基板表面に塗布して塗膜を形成したのち乾燥することにより行うことができる。
【００５５】
上記塗布液の溶剤としては、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１、２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；シクロヘキサンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールジアセトンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３−テトラフロロプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げることができる。
上記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独または二種以上併用して適宜用いることができる。塗布液中にはさらに酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤など各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【００５６】
結合剤を使用する場合に結合剤の例としては、たとえばゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然有機高分子物質；およびポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物などの合成有機高分子を挙げることができる。記録層の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤の使用量は、一般に、色素に対して０．０１倍量〜５０倍量（重量比）の範囲にあり、好ましくは０．１倍量〜５倍量（重量比）の範囲にある。このようにして調製される塗布液の濃度は、一般に０．０１〜１０重量％の範囲にあり、好ましくは０．１〜５重量％の範囲にある。
【００５７】
塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法などを挙げることができる。記録層は単層でも重層でもよい。記録層の層厚は一般に、２０〜５００ｎｍの範囲にあり、好ましくは５０〜３００ｎｍの範囲にある。
【００５８】
記録層の上には、情報の再生時における反射率の向上の目的で光反射層を設けることが好ましい。光反射層の材料である光反射性物質はレーザーに対する反射率が高い物質であり、その例としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属あるいはステンレス鋼を挙げることができる。
【００５９】
これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびステンレス鋼であり、更に好ましくはＡｇ、Ａｕであり、特にＡｇが好ましい。これらの物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の組合せで、または合金として用いてもよい。
光反射層は、たとえば、上記光反射性物質を蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティングすることにより記録層の上に形成することができる。光反射層の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範囲にあり、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましい。
【００６０】
光反射層の上には、記録層などを物理的および化学的に保護する目的で保護層を設けるのが好ましい。なお、ＤＶＤ−Ｒ型の光情報記録媒体の製造の場合と同様の形態、すなわち２枚の基板を記録層を内側にして張り合わせる構成をとる場合は、必ずしも保護層の付設は必要ではない。
【００６１】
保護層に用いられる材料の例としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等の有機物質を挙げることができる。保護層は、例えばプラスチックの押出加工で得られたフィルムを接着剤を介して反射層上にラミネートすることにより形成することができる。あるいは真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。また、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これらを適当な溶剤に溶解して塗布液を調製したのち、この塗布液を塗布し、乾燥することによっても形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂の場合には、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製したのちこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形成することができる。これらの塗布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。保護層の層厚は一般には０．１〜１００μｍの範囲にある。以上の工程により、基板上に、記録層、光反射層そして保護層が設けられた積層体（光情報記録媒体）を製造することができる。
【００６２】
また、その他の構成として本発明の光情報記録媒体が、基板上に光反射層、記録層および光透過層をこの順に有する構成である場合、前記光透過層は、接着層または粘着剤層等を介して記録層上に形成されていることが好ましい。この場合、光透過層以外の構成については、既述の通りである。
【００６３】
（光透過層）
光透過層は、光情報記録媒体内部を衝撃などから防ぐために形成され、透明な材質であれば特に限定されないが、好ましくはポリカーボネート、三酢酸セルロース等であり、より好ましくは、２３℃５０％ＲＨでの吸湿率が５％以下の材料である。
なお、「透明」とは、記録光および再生光を透過する（透過率：９０％以上）ほどに透明であることを意味する。
【００６４】
光透過層は、接着層を構成する光硬化性樹脂を適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を所定温度で記録層上に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜上に、例えば、プラスチックの押出加工で得られた三酢酸セルロースフィルム（ＴＡＣフィルム）をラミネートし、ラミネートしたＴＡＣフィルムの上から光を照射して塗布膜を硬化させて形成される。前記ＴＡＣフィルムとしては、紫外線吸収剤を含むものが好ましい。光透過層の厚さは、０．０１〜０．２ｍｍの範囲であり、好ましくは０．０３〜０．１ｍｍの範囲、より好ましくは０．０５〜０．０９５ｍｍの範囲である。
また、光透過層として、粘着剤が貼り合わせ面に付与されたポリカーボネートシート等を使用することもできる。この場合、上記接着剤は必要ない。
【００６５】
また、本発明の光情報記録媒体は、既述の構成のほかに種々の改良を施してもよい。例えば、既述の記録層と保護層（もしくは光透過層）との間にバリア層を形成してもよい。バリア層を構成する材料としては、レーザー光を透過する材料であれば、特に制限はないが、誘電体であることが好ましく、より具体的には、ＺｎＳ、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ｇｅ3Ｎ4、ＭｇＦ2、等の無機酸化物、窒化物、硫化物が挙げられ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、あるいはＳｉＯ2が好ましい。バリア層は、スパッタリング、イオンプレーティング等により形成すること可能で、その厚さは、１〜１００ｎｍとすることが好ましい。
【００６６】
本発明の情報記録方法は、既述の本発明の光情報記録媒体を用いて、波長４４０ｎｍ以下のレーザー光を照射して、例えば、次のように行われる。
まず、光情報記録媒体を定線速度または定角速度にて回転させながら、基板側あるいは保護層（もしくは光透過層）側から半導体レーザーなどの記録用の光を照射する。この光の照射により、記録層と反射層との界面に空洞を形成（空洞の形成は、記録層または反射層の変形、あるいは両層の変形を伴って形成される）するか、基板が肉盛り変形する、あるいは記録層に変色、会合状態の変化等により屈折率が変化することにより情報が記録されると考えられる。本発明においては、記録光として３９０〜４４０ｎｍの範囲の発振波長を有する半導体レーザーが用いられる。
【００６７】
好ましい光源としては３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザー、中心発信波長８５０ｎｍの赤外半導体レーザーを光導波路素子を使って半分の波長にした中心発信発振波長４２５ｎｍの青紫色ＳＨＧレーザーであり、中でも記録密度の点で青紫色半導体またはＳＨＧレーザーが特に好ましい。
【００６８】
上記のように記録された情報の再生は、光情報記録媒体を上記と同一の定線速度で回転させながら半導体レーザーを基板側あるいは保護層（もしくは光透過層）側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。
【実施例】
【００６９】
次に、本発明を実施例により、更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００７０】
［実施例１］
帝人化成（株）社製ポリカーボネート樹脂（パンライトＡＤ５５０３）を用いて射出成形により厚さ１．１ｍｍの基板を成形した。
基板の溝トラックピッチは３２０ｎｍ、オングルーブ部の溝幅（半値幅に相当）は１１０ｎｍ、溝深さは３５ｎｍであった。
【００７１】
この基板上にＡｇ：９８．１部、Ｐｄ：０．９部、Ｃｕ：１．０部からなるターゲットを用いて、真空成膜法により光反射層を１００ｎｍの厚みで形成した。
【００７２】
既述の一般式（Ｉ）で表される化合物の例示である化合物（１）を、ＴＦＰ１００ｍｌに対し２．５ｇの比率になるよう秤量して溶解させた。該液に超音波２時間照射して化合物１を溶解させた後、２３℃５０％の環境に０．５時間以上静置し、０．２μｍのフィルターで濾過した。この液を用いて、スピンコート法で、光反射層上に厚さ１１０ｎｍの記録層を形成した。記録層形成後、８０℃のクリーンオーブン中で１ｈ加熱処理した。
【００７３】
加熱処理後、真空成膜法で、ＺｎＳ：８部、ＳｉＯ2：２部からなるターゲットを用いて、５ｎｍの厚みのＺｎＳ−ＳｉＯ2よりなるバリア層を記録層上に形成した。その後、厚み８０μｍのポリカーボネートフィルムを２０μｍの粘着層を介して貼り合せて、光情報記録媒体１を作製した。
【００７４】
［実施例２〜実施例１０］
化合物（１）を下記表２に示す化合物に変えた（使用量は変更なし）こと以外は実施例１と同様にして、本発明に従う光情報記録媒体２〜１０を作製した。
【００７５】
［比較例１］〜［比較例５］
化合物（１）を下記化学式で示される比較用色素化合物Ａ〜Ｅ（使用量は変更なし）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、比較用の光情報記録媒体Ｃ−１〜Ｃ−５を作製した。
【００７６】
【化８】
2005088293.tif 000010
【００７７】
［光ディスクとしての評価］
実施例および比較例で作製した光情報記録媒体を、波長：４０３ｎｍ、ＮＡ＝０．８５のレーザー光学系を搭載したＤＤＵ−１０００（パルステック工業社製）にセットして、１０ｍＷのパワーで１−７変調されたランダム信号（２Ｔ〜８Ｔ）を記録、再生して最適パワーでの変調度（記録パワー：５ｍＷ）を測定した。
結果を下記表２に示す。
【００７８】
【表２】
2005088293.tif 000011
【００７９】
上記表２の結果から、既述の一般式（Ｉ）で表される化合物を記録層に含有する実施例１〜１０の光情報記録媒体は、比較例１〜５の光情報記録媒体に比べて高い変調度を示しており、従って大きな信号強度を高感度で得ることができることがわかる。