(57)【要約】【課題】  半導体デバイス等の微細なパターンを有するデバイスの製造等に用いて好適な、露光雰囲気汚染の影響を抑制する技術を提供すること。【解決手段】  複数の光学素子を有し、原版からの光を被露光体に導く投影光学系と、前記被露光体を載置する第１ステージと、前記第１ステージを内包する第１真空チャンバと、前記第１真空チャンバと隣接し、前記複数の光学素子のうち一部の光学素子を内包し、前記第１真空チャンバと第１開口を介して連通している第２真空チャンバとを有し、前記第２真空チャンバの圧力を前記第１真空チャンバの圧力より高くした露光装置とする。【選択図】  図１
2005129898.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光学素子を有し、原版からの光を被露光体に導く投影光学系と、
前記被露光体を載置する第１ステージと、
前記第１ステージを内包する第１真空チャンバと、
前記第１真空チャンバと隣接し、前記複数の光学素子のうち一部の光学素子を内包し、前記第１真空チャンバと第１開口を介して連通している第２真空チャンバとを有し、
前記第２真空チャンバの圧力を前記第１真空チャンバの圧力より高くしたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第１真空チャンバ内のガスを排気する第１排気手段と、
前記第２真空チャンバ内のガスを排気する第２排気手段とを有し、
前記第２排気手段による排気速度を前記第１排気手段による排気速度より遅くしたことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第２真空チャンバと隣接し、前記複数の光学素子のうち別の光学素子を内包し、前記第２真空チャンバと第２開口を介して連通している第３真空チャンバを有し、
前記第２真空チャンバ内の圧力を前記第３真空チャンバ内の圧力より高くしたことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第２真空チャンバから前記第１真空チャンバに流出するガスの量が、前記第２真空チャンバから前記第３真空チャンバに流出するガスの量より多くなるようにしたことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第２真空チャンバと前記第１真空チャンバとの間の連通部分のコンダクタンスが、前記第２真空チャンバと前記第３真空チャンバとの間の連通部分のコンダクタンスより大きいことを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記第１真空チャンバ内のガスを排気する第１排気手段と、
前記第２真空チャンバ内のガスを排気する第２排気手段と、
前記第３真空チャンバ内のガスを排気する第３排気手段とを有し、
前記第２排気手段による排気速度を前記第１排気手段による排気速度および前記第３排気手段による排気速度より遅くしたことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項７】
前記第１排気手段による排気速度を前記第３排気手段による排気速度より速くしたことを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記原版を載置する第２ステージと、
前記第２ステージを内包する第４真空チャンバと、
前記第４真空チャンバと隣接し、前記複数の光学素子のうち一部の光学素子を内包し、前記第４真空チャンバと第３開口を介して連通している第５真空チャンバとを有し、
前記第３真空チャンバが、前記第５真空チャンバと隣接し、かつ前記第５真空チャンバと第４開口を介して連通し、
前記第５真空チャンバ内の圧力を、前記第４真空チャンバ内の圧力および前記第３真空チャンバ内の圧力より高くしたことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項９】
前記第５真空チャンバから前記第４真空チャンバに流出するガスの量を、前記第５真空チャンバから前記第３真空チャンバに流出するガスの量より多くしたことを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第５真空チャンバと前記第４真空チャンバとの間の連通部分のコンダクタンスが、前記第５真空チャンバと前記第３真空チャンバとの間の連通部分のコンダクタンスより大きいことを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記第１真空チャンバ内のガスを排気する第１排気手段と、
前記第２真空チャンバ内のガスを排気する第２排気手段と、
前記第３真空チャンバ内のガスを排気する第３排気手段と、
前記第４真空チャンバ内のガスを排気する第４排気手段と、
前記第５真空チャンバ内のガスを排気する第５排気手段とを有し、
前記第１〜５排気手段のうち前記第２排気手段による排気速度が最も遅いことを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第１真空チャンバ内のガスを排気する第１排気手段と、
前記第２真空チャンバ内のガスを排気する第２排気手段と、
前記第３真空チャンバ内のガスを排気する第３排気手段と、
前記第４真空チャンバ内のガスを排気する第４排気手段と、
前記第５真空チャンバ内のガスを排気する第５排気手段とを有し、
前記第２排気手段による排気速度が前記第１排気手段による排気速度および前記第３排気手段による排気速度より遅く、前記第５排気手段による排気速度が前記第３排気手段による排気速度および前記第４排気手段による排気速度より遅いことを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第１真空チャンバ内の圧力が前記第４真空チャンバ内の圧力より低いことを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記第２開口を規定する絞り部材を有することを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第２真空チャンバ内に不活性ガスを供給する給気手段を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記不活性ガスはヘリウム、窒素およびアルゴンのいずれか１つであることを特徴とする請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記第２真空チャンバ内の圧力に応じて、前記給気手段による不活性ガスの供給量を制御する制御手段を有することを特徴とする請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記第３真空チャンバが、連通している複数の真空チャンバを含むことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項１９】
複数の光学素子を有し、原版からの光を被露光体に導く投影光学系と、
前記原版を載置する第１ステージと、
前記第１ステージを内包する第１真空チャンバと、
前記第１真空チャンバと隣接し、前記複数の光学素子のうち一部の光学素子を内包し、前記第１真空チャンバと第１開口を介して連通している第２真空チャンバとを有し、
前記第２真空チャンバの圧力を前記第１真空チャンバの圧力より高くしたことを特徴とする露光装置。
【請求項２０】
前記複数の光学素子は反射光学素子を含むことを特徴とする請求項１または１８に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記光の波長が０．１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または１８に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記第１真空チャンバ内に配され、かつ冷却機構により冷却された部材を有することを特徴とする請求項１または１８に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記第１真空チャンバ内の圧力が５Ｐａ以上であることを特徴とする請求項２２に記載の露光装置。
【請求項２４】
請求項１または１８に記載の露光装置を用いて物体にパターンを露光する工程と、
前記露光工程において露光された物体を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス等の微細なパターンを有するデバイスの製造等に用いて好適な、露光雰囲気汚染の影響を抑制する技術に関する。
【０００２】
本発明は、特に、ＥＵＶ光のような短波長（０．５〜５０ｎｍ）の光を用いて露光を行う露光装置、または、高真空雰囲気下において、ミラーやレンズ等の光学素子を用いて露光を行う露光装置に好適である。
【背景技術】
【０００３】
近年、半導体を製造するための光リソグラフィ技術においては、露光光の短波長化が進められ、ｉ線、ｇ線からＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザへと進化して来た。露光光の短波長化が進めば、より微細なマスクパターンをウエハに転写することが可能となる。しかし、細い線幅のパターンを露光するためには、紫外光を用いたリソグラフィでは原理的限界にある。そこで紫外光より短波長である極端紫外光（ＥＵＶ光、１３〜２０ｎｍ）を用いたＥＵＶリソグラフィが注目を集めている。
【０００４】
ＥＵＶ光で用いられる代表的な波長は１３．５ｎｍであるため、これまでの光リソグラフィを遥かに上回る解像度を実現することが可能であるが、その反面物質に吸収されやすいという性質を持つ。このため、従来のような紫外光を光源としたリソグラフィの様に、屈折光学系を用いた縮小露光を行うと、硝材によってＥＵＶ光が吸収されてしまい、ウエハ等の被露光体に到達する光量が極端に少なくなってしまう。そのため、ＥＵＶ光を用いて露光を行う際には、反射光学系を用いた縮小露光を構成する必要がある。
【０００５】
図４に、従来のＥＵＶ光を用いた縮小投影露光装置の概略図（特許文献１参照）を示す。ＥＵＶ露光装置２００は、ＥＵＶ光源２１０、照明光学系２２０、レチクル（マスク）２３０、アライメント光学系２４０、レチクルステージ２５０、ウエハステージ２６０、ウエハ２７０、真空容器２８０と、反射型縮小投影光学系１００、第１のミラー１１０、第２のミラー１２０、第３のミラー１３０、第４のミラー１４０、第５のミラー１５０、第６のミラー１６０を有しており、真空容器２８０内のガスを排気する不図示の排気系なども備えている。
【０００６】
ＥＵＶ光源はいくつか種類があり、その中の一つであるレーザ生成プラズマ光源は、ターゲット材の選択により、ほぼ必要な波長帯のみの発光が可能である。例えば、Ｘｅをターゲット材としてパルスノズルから噴出し、これにパルスレーザを照射してプラズマを発生させると、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
【０００７】
照明光学系は複数枚の多層膜ミラーと、オプティカルインテグレータなどから構成されている。照明光学系の役割は光源から放射された光を効率よく集光すること、そして露光領域の照度を均一にすることなどが挙げられる。また、オプティカルインテグレータはマスクを均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。
【０００８】
投影光学系はＭｏ、Ｓｉが交互にコーティングされた多層膜ミラーを用いた反射光学系で構成される。このＭｏ／Ｓｉ多層膜は波長１３ｎｍ付近で、６７％程度の直入反射率を得ることができる。反射率を１００％にすることは原理的に困難であり、吸収されたエネルギーの大部分は熱に変わる。そのためミラーの基盤材料には低熱膨張ガラスなどが用いられる。反射光学系には、このようなＭｏ／Ｓｉ多層膜ミラーが収差補正のため複数枚用いられるが、ＥＵＶ光の透過率を保つためには多層膜ミラーの枚数を極力少なくする必要がある。
【０００９】
ＥＵＶ露光装置のレチクルステージ及びウエハステージは真空環境下で駆動する機構を持ち、レチクルステージとウエハステージは縮小倍率に比例した速度比で、同期して走査する。また、レチクルステージ及びウエハステージの位置や姿勢は不図示のレーザ干渉計によって観測され、制御される。
【００１０】
レチクルチャックに保持されたレチクルやウエハチャックに保持されたウエハはレチクルステージ及びウエハステージに搭載された微動機構によって高精度に位置決めが行われる。
【００１１】
アライメント光学系はレチクルの位置と投影光学系の光軸との位置関係、そしてウエハと投影光学系の光軸との位置関係を検出する装置である。これにより、投影像がウエハ上の所定の位置に照射されるようにレチクルステージ及びウエハステージの位置と角度が設定される。また、フォーカス検出機構によりウエハ面に対して垂直方向のフォーカス位置が検出され、ウエハステージの位置、角度を制御することによって、ウエハ面の結像位置が常に保たれる。
【００１２】
ＥＵＶ露光装置はＥＵＶ光の物質による吸収を避けるため、ＥＵＶ光を照射する空間を真空に保つ必要がある。そのため露光装置には真空ポンプなどの排気系が複数台取り付けられている。
【特許文献１】特開２００３−４５７８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ＥＵＶ露光装置に使用されるＥＵＶ光は装置内の雰囲気によって吸収されてしまう。特に酸素や水分はＥＵＶ光を強く吸収する。そのため、ＥＵＶ光の透過率を高く保つには真空ポンプなどを利用してチャンバ内を真空状態にする必要がある。ＥＵＶ光が通過するチャンバ内の圧力は１０−３Ｐａ以下、且つ酸素及び水分の分圧が限りなく低いことが望ましい。しかし、水分などはウエハの搬送に伴って、ウエハに付着してきたものがチャンバ内で拡散する。さらに水分はチャンバ内壁に付着しやすく、排気しにくい。水分が光学素子に付着すると光学素子を酸化させ、光学素子の反射率を低下させる原因となる。
【００１４】
また、チャンバ内が真空状態になるとステージなどの機構部から炭化水素が発生する。さらに露光中、露光光とレジストが反応することでも炭化水素が発生し、これらの炭化水素が光学素子表面において露光光に照射されると、光学素子表面に炭素として付着する。光学素子に付着した炭素はＥＵＶ光を吸収し、光学素子の反射率を低下させてしまう。光学素子の反射率が低下するとスループットの低下へとつながる。
【００１５】
以上のことより、ＥＵＶ露光装置内の光学素子が設置された空間内においては特に、水分と炭化水素の分圧は、低く保つ必要がある。
【００１６】
露光装置内における水分や炭化水素などの分圧を下げるには真空ポンプなど排気系の能力を高める措置も有効である。しかし、搬送されたウエハに付着した水分、レジストやステージの機構部から発生した炭化水素は拡散により、光学素子が設置されている空間に漂うことは免れないため、スループットの向上は難しい。
【００１７】
また、現在、ＤＲＡＭ、ＭＰＵ、等の半導体デバイス製造に関して、デザインルールで０．１μｍ以下の線幅を有するデバイスの実現に向けて精力的に研究開発がなされている。この世代に用いられる露光装置として、極端紫外域光（ＥＵＶ）を用いた露光装置が有力視されている。ＥＵＶ露光装置では、大気中での露光は不可能になるため、露光は真空中で行わざるを得ない。
【００１８】
ＥＵＶ露光装置では、レチクルやウエハが装置チャンバに搬送されるまでに、ロボットハンドやゲートバルブの動作等、摺動、摩擦によりパーティクルが発生し、これがレチクルやウエハに付着する可能性があった。また、ステージなどの可動部から発生するパーティクルが、露光時にレチクルやウエハの表面に付着する可能性があった。
【００１９】
このようにレチクルやウエハの表面にパーティクルが付着すると、デバイス製造の歩留まりやデバイスの信頼性が低下するという問題があった。特に、レチクルの回路パターン面にパーティクルが付着すると、実際の露光では、ショット毎に全く同じ位置にパーティクルが転写されることになる。このためデバイス製造の歩留まりやデバイスの信頼性が大幅に低下するという問題があった。
【００２０】
本発明は、上述の従来例における少なくとも１つの問題を抑制することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上述の目的を達成するための第１の発明は、複数の光学素子を有し、原版からの光を被露光体に導く投影光学系と、前記被露光体を載置する第１ステージと、前記第１ステージを内包する第１真空チャンバと、前記第１真空チャンバと隣接し、前記複数の光学素子のうち一部の光学素子を内包し、前記第１真空チャンバと第１開口を介して連通している第２真空チャンバとを有し、前記第２真空チャンバの圧力を前記第１真空チャンバの圧力より高くしたことを特徴とする露光装置である。
【００２２】
また、第２の発明は、複数の光学素子を有し、原版からの光を被露光体に導く投影光学系と、前記原版を載置する第１ステージと、前記第１ステージを内包する第１真空チャンバと、前記第１真空チャンバと隣接し、前記複数の光学素子のうち一部の光学素子を内包し、前記第１真空チャンバと第１開口を介して連通している第２真空チャンバとを有し、前記第２真空チャンバの圧力を前記第１真空チャンバの圧力より高くしたことを特徴とする露光装置である。
【００２３】
他の発明の特徴ならびにそれに対応した目的および優位性は、添付図面を参照してなされた後述の説明で明らかにされている。尚、当該図面において、同一又は類似の符号は複数の図面を通して同一又は類似の構成要素を表す。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、半導体デバイス等の微細なパターンを有するデバイスの製造等に用いて好適な、露光雰囲気汚染の影響を抑制する技術、特に、ＥＵＶ露光装置、または高真空雰囲気下で光学素子を用いて露光を行う露光装置に好適な当該技術を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に、本発明に係る実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２６】
図１に本発明のＥＵＶ光（ここでは、０．１〜３０ｎｍ、より好ましくは１０〜１５ｎｍの波長の光）を用いた露光装置の実施例１を示す。
【００２７】
図１においては、８はＥＵＶ光源から発し、不図示の照明光学系により導かれたＥＵＶ光、このＥＵＶ光８は、レチクル照明ミラー１を介してレチクルに照射される。また、２は投影系第１ミラー、３は投影系第２ミラー、４は投影系第３ミラー、５は投影系第４ミラー、６は投影系第５ミラー、７は投影系第６ミラー、１１は反射型レチクル、１２はレチクル保持装置、１３はレチクルステージ、１４はレチクルアライメント光学系、２１はウエハ、２２はウエハチャック、２３はウエハステージ、２４はウエハアライメント光学系を示している。
【００２８】
不図示のＥＵＶ光源はいくつか種類があり、その中の一つであるレーザ生成プラズマ光源はターゲット材の選択により、ほぼ必要な波長帯のみの発光が可能である。例えば、Ｘｅをターゲット材としてパルスノズルから噴出し、これにパルスレーザを照射してプラズマを発生させると、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
【００２９】
不図示の照明光学系は、複数枚の多層膜ミラーとオプティカルインテグレータなどから構成されている。照明光学系の役割は光源から放射された光を効率よく集光すること、そして露光領域の照度を均一にすることなどが挙げられる。また、オプティカルインテグレータはマスクを均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。
【００３０】
投影光学系はＭｏ、Ｓｉが交互にコーティングされた複数枚の多層膜ミラーで構成される。この多層膜はＥＵＶ光の直入反射率が６７％程度であるため、多層膜ミラーに吸収されたエネルギーの大部分は熱に変わる。そのためミラーの基盤材料には低熱膨張ガラスなどが用いられる。
【００３１】
レチクルステージ１３及びウエハステージ２３は真空環境下で駆動する機構を持ち、縮小倍率に比例した速度比により同期して走査する。また、レチクルステージ１３及びウエハステージ２３の位置や姿勢は不図示のレーザ干渉計によって観測され、制御される。
【００３２】
レチクル１１はレチクルステージ１３上のレチクルチャック１２に保持される。また、ウエハ２１はウエハステージ２３上のウエハチャック２２に保持される。レチクルステージ１３及びウエハステージ２３はそれぞれ微動機構を持ち、レチクル１１またはウエハ２１の位置決めが可能である。
【００３３】
アライメント検出機構１４、２４は、それぞれ、レチクルの位置と投影光学系の光軸との位置関係、ウエハと投影光学系の光軸との位置関係を計測する。その結果に基づき、レチクルの投映像がウエハ上における所定の位置に一致するように、レチクルステージ１３及びウエハステージ２３の位置、角度が調整される。
【００３４】
また、フォーカス位置検出機構２４は投影光学系の結像位置をウエハ面上に保つためにウエハ面上における垂直方向のフォーカス位置を検出する。
【００３５】
一回の露光が終わるとウエハステージ２３はＸ、Ｙ方向にステップ移動して次の走査露光開始位置に移動し、再び露光を行う。
【００３６】
この実施例１においては、レチクルとウエハの間に配置された投影光学系を内包する空間を第１投影系空間６２と第２投影系空間６３とに分離し、その両者の空間の間に絞り部材５２を介在させることにより、第１投影系空間６２と第２投影系空間６３との間に圧力差が生じ得るような構成とした。ここで、絞り部材５２は、第１投影系空間６２と第２投影系空間６３との間に圧力差を生じさせ得る部材であればどのような形状でも構わない。単に小さい開口であっても良いし、図１に示したように筒状の細長い部材（筒の高さが、筒の直径の最も細い部分の３倍以上であるのが好ましい。より好ましくは５倍以上。）であっても良い。
【００３７】
そして、第１投影系空間６２と第２投影系空間６３の間に、前述したような露光光を遮らない絞り部材５２を設置する。第１投影系空間６２は、接続されたターボ分子ポンプなどの排気装置３２、３３と圧力センサＳ１により所定の圧力に保ち、第２投影系空間６３はターボ分子ポンプ３４、３５と圧力センサＳ２により所定の圧力に保つことができる。さらに、第２投影系空間６３には、ヘリウムなどの不活性ガスを空間内に供給するバルブ（不活性ガス供給装置）Ｖ１を有し、ガス供給量を制御することが出来る。
【００３８】
そして、レチクルステージ空間６１と第１投影系空間６２との間に、露光光及びアライメント光を通過させる開口部を有する遮蔽部材５１を配置する。ここで、遮蔽部材５１とレチクルとの距離は１ｍｍ以下とする。このように構成することにより、レチクルステージ空間６１と第１投影系空間６２との間にも圧力差が生じ得る。
【００３９】
このレチクルステージ空間６１は接続されたターボ分子ポンプなどの排気装置３１と圧力センサＳ３により、所定の圧力に保つことが出来る。また、第１投影系空間６２においても接続されたターボ分子ポンプなどの排気装置３２、３３と圧力センサＳ１により所定の圧力に保つことが出来る。このように、レチクルステージ空間６１と第１投影系空間６２との間に作動排気系を構成し、第１投影系空間６２の圧力をレチクルステージ空間６１よりも高くすれば、レチクルステージ空間６１から発生するアウトガスが第１投影系空間６２へ侵入することを抑止することが出来る。
【００４０】
次に、第２投影系空間６３とウエハステージ空間６４の間には、露光光を遮らないウエハステージ空間開口部５３を有する。またウエハステージ空間６４は接続されたターボ分子ポンプ３６と圧力センサＳ４により、所定の圧力に保たれる。尚、以上に説明したような各空間をチャンバもしくは真空チャンバとも呼称する。
【００４１】
レチクルステージ１３及びウエハステージ２３の機構部などから発生するアウトガスに関しては、差動排気系を用いて排気することにより前述の投影光学系のミラー等に付着するのを抑制することができる。
【００４２】
しかし、露光時にレジストから発生するアウトガスはウエハステージ空間開口部５３とウエハが近接しているため、差動排気による抑止効果がいまひとつ期待できない。そこで、バルブ（不活性ガス供給手段）Ｖ１を利用し第２投影系空間６３にヘリウムを供給する。供給されたヘリウムは第２投影系空間６３内を満たし、絞り部材５２から第１投影系空間６２へ、またウエハステージ空間開口部５３からウエハステージ空間６４へ噴出される。このとき、第２投影系空間６３内圧力は１〜１０Ｐａ程度（０．１〜１００Ｐａでも構わない）に保ち、第１投影系空間６２及びウエハステージ空間６４は第２投影系空間６３以下の圧力に保つようにする。このように、第２投影系空間６３に対して、第２投影系空間に隣接しているウエハステージ空間６４（及び第１投影系空間６２）の圧力を低くすることで、レジストから発生するアウトガスを効果的に抑止することが可能となる。
【００４３】
さらにウエハステージ空間開口部５３のコンダクタンスより、絞り部材５２のコンダクタンスが低くなるように構成することで、レジストからのアウトガスが投影光学系のミラーに達するのをさらに抑止することが出来る。
【００４４】
以上の不活性ガス供給による抑止効果を確かめるため熱流体シミュレーションを行った。その結果を図２に示す。
【００４５】
図２の横軸にはヘリウム供給量、縦軸にはレジストから発生したアウトガスが第２投影系空間６３へ侵入した分圧を示している。○はヘリウムを供給した場合、△はヘリウムを供給しウエハステージ空間開口部５３より絞り部材５２のコンダクタンスを低く設定した場合、□は絞り部材５２のコンダクタンスを限りなく低く設定した場合の結果である。また、ヘリウムを供給しない場合のアウトガス分圧は約１Ｅ−３Ｐａであった。
【００４６】
この結果から、第２投影系空間にヘリウムを供給することにより、レジストからのアウトガスの第２投影系空間への侵入を抑止することが出来、さらにウエハステージ空間開口部５３より絞り部材５２のコンダクタンスを低く設定することによって、その抑止効果を一層高めることが可能であることがわかる。
【００４７】
また、絞り部材５２を設けることにより、ヘリウムの第１投影系空間６２への流出量を抑えることができるため、高価なヘリウムの消費量を抑えることが可能である。さらに、この絞り部材５２を設けることにより、第１投影系空間６２におけるヘリウムの分圧を下げることが可能となるため、ヘリウムにも吸収されてしまうＥＵＶ光の透過率を高く保つことが出来、スループットの向上を図ることができる。
【００４８】
また、第２投影系空間６３に取り付けられたターボ分子ポンプなどの排気速度は、第２投影系空間６３内圧力を第１投影系空間６２及びウエハステージ空間６４内圧力より高く保つために、第１投影系空間６２及びウエハステージ空間６４の排気速度より低く設定することが望ましい。
【００４９】
また、第２投影系空間６３へ供給したヘリウムのうち、絞り部材５１を介してレチクルステージ空間６１に流出する量より、ウエハステージ空間開口部を介してウエハステージ空間６４に流出する量を多くすることによって、レジストから発生したアウトガスが第２投影系空間６３へ侵入することを効果的に抑止することが出来る。
【００５０】
ここで、レチクルステージ空間、第１投影系空間、第２投影系空間、ウエハステージ空間のうち、ウエハステージ空間に最も近い第２投影系空間の圧力を最も高くするのが好ましい。さらに詳細に述べると、２番目に圧力が高いのは第１投影系空間とするのが良く、３番目に圧力が高いのはレチクルステージ空間、最も圧力を低くするのはウエハステージ空間とするのが望ましい。勿論この限りではなく、第１投影系空間の圧力を一番高くしても良い。少なくとも、第１投影系空間及び第２投影系空間の圧力が、レチクルステージ空間、ウエハステージ空間の圧力を上回っていることが望ましい。
【００５１】
また、この実施例１においては、投影光学系が有する光学素子を内包する空間を、第１投影系空間、第２投影系空間の２つに分割したが、その限りではなく、３つ以上に分割しても構わない。その場合であっても、ウエハステージ空間に最も近い空間の圧力を最も高くするのが望ましく、さらに、投影光学系内の空間すべての圧力が、レチクルステージ空間及びウエハステージ空間の圧力を上回っていることが望ましい。
【００５２】
また、レチクルステージ空間、第１投影系空間、第２投影系空間、ウエハステージ空間を含み、ＥＵＶ光の光路上の空間はすべて１００Ｐａ以下、好ましくは１０Ｐａ以下とすることが望ましい。
【実施例２】
【００５３】
第２の実施例の構成を図３に示す。
【００５４】
レチクルステージ空間６１とウエハステージ空間６４との間に位置する投影系空間は開口部５４と絞り部材５２を有し、第１投影系空間６２、第２投影系空間６３、第３投影系空間６５から構成される。
【００５５】
先の発明では第２投影系空間６３のみに不活性ガスを供給する場合であるが、本実施例は不活性ガスを供給するバルブＶ３から配管を分岐して、第２投影系空間６３へ不活性ガスを供給するバルブＶ１と第１投影系空間６２へ不活性ガスを供給するバルブＶ２を構成する。バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ３は不活性ガスを供給する空間内圧力に応じてガス供給量を制御することが可能である。
【００５６】
第１投影系空間６２は接続されたターボ分子ポンプ３２と圧力センサＳ１により所定の圧力に保たれる。また、第１投影系空間６２は不図示のＥＵＶ光源からＥＵＶ光が入射される部分に、ターボ分子ポンプ３７、３８による多段の差動排気系を構成する。
【００５７】
第３投影系空間６５は接続されたターボ分子ポンプ３３、３４、３９、４０と圧力センサＳ５により所定の圧力に保たれる。
【００５８】
第２投影系空間６３においても接続されたターボ分子ポンプ３１、４１と圧力センサＳ２により所定の圧力に保たれる。
【００５９】
実施例１では露光時にレジストから発生するアウトガスに対してはバルブＶ１を利用し第２投影系空間６３にヘリウムを供給することで、アウトガスを効果的に抑止することが出来る。また、レチクルステージ空間６１から発生するアウトガスに対しては差動排気系が構成されている。
【００６０】
しかし、この実施例２のようにヘリウムが供給される空間（第２投影系空間６３）からレチクルステージ空間に隣接する空間（第１投影系空間６２）までの間に少なくとも１つ以上の空間がある場合、レチクルステージ空間６１からのアウトガスを抑止するために多段の差動排気系を構成することも考えられるが、空間的に困難となる場合がある。
【００６１】
そこで、バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ３を利用し第１投影系空間６２及び第２投影系空間６３にヘリウムを供給する。つまり、レチクルステージ空間に隣接する空間とウエハステージ空間に隣接する空間とにヘリウムを供給するように構成する。第２投影系空間６３に供給されたヘリウムは実施例１で述べた通り流れ、第１投影系空間６２に供給されたヘリウムは第１投影系空間内を満たし、開口部５４を介して第３投影系空間６５に流れ込み、さらにレチクルステージ空間開口部５１を介してレチクルステージ空間６１に流れ込む。
【００６２】
このとき、第１投影系空間６２内圧力は１〜１０Ｐａ程度に保ち、第３投影系空間６５及びレチクルステージ空間６１内圧力はそれ以下に保つことでレチクルステージ空間から発生するアウトガスを抑止することが可能である。
【００６３】
さらに、ヘリウムを第１投影系空間６２内に供給した場合、レチクルステージ空間開口部５１より開口部５４のコンダクタンスを低く設定することで、よりレチクルステージ空間からのアウトガスを抑止することが出来る。
【００６４】
また、この絞り部５２及び開口部５４を設けることにより、投影系空間６５におけるヘリウムの分圧を下げることが可能であり、露光光の透過率を高く保つことが出来ると共に、供給するヘリウムの消費量も抑えることが出来る。
【００６５】
また、第１投影系空間６２、第２投影系空間６３に取り付けられたターボ分子ポンプなどの排気速度は、第１投影系空間６２及び第２投影系空間６３内の圧力を第３投影系空間６５、ウエハステージ空間６４、レチクルステージ空間６１内の圧力より高く保つために、第３投影系空間６５、ウエハステージ空間６４、レチクルステージ空間６１の排気速度より低く設定することが望ましい。
【００６６】
また、第１投影系空間６２へ供給したヘリウムのうち、ウエハステージ空間に流出する量を、レチクルステージ空間開口部５１から流出する流量より多く、もしくは絞り部材５２から第３投影系空間に流出する流量より多くすることによって、レジストから発生したアウトガスが第２投影系空間６３へ侵入することを効果的に抑止することが出来る。
【００６７】
以上実施例１，２について述べて来たが、本願発明はこれに限定されない。
【００６８】
本実施例の露光装置は、ウエハステージ空間の圧力を、ウエハステージ空間に隣接する投影光学系の空間（第２投影系空間）の圧力よりも低くしている。
【００６９】
さらに、第２投影系空間からウエハステージ空間に流出する不活性ガスの量が、第２投影系空間から、第２投影系空間よりレチクル側で第２投影系空間と隣接する空間（実施例１においては第１投影系空間、実施例２においては第３投影系空間）に流出する不活性ガスの量よりも多くなるように構成している。
【００７０】
さらに、レチクルステージ空間、ウエハステージ空間、投影光学系の光学素子を内包する少なくとも１つの空間（好ましくは複数の空間）のうち、投影光学系の光学素子を内包し、ウエハステージ空間に隣接する空間の圧力を最も高くするように構成している。
【００７１】
さらに、そのウエハステージ空間に隣接する空間（実施例１，２においては第２投影系空間）の容積は、投影光学系の光学素子を内包する空間全体の容積の半分未満、好ましくは１／３以下となるように構成するのが好ましい。
【００７２】
また、上記実施例においては、ヘリウムを供給したが、ヘリウムに限定されるものではなく、窒素やアルゴン等のほかの不活性ガスを用いても構わない。また、上記実施例においては、ヘリウムを供給する量を調整可能なようにバルブを設けたが、ヘリウムを常に一定量供給しつづけるように構成しても構わない。
【００７３】
また、ウエハステージ空間、レチクルステージ空間、ウエハステージに隣接する空間（実施例１，２における第２投影系空間）、レチクルステージに隣接する空間（実施例１，２における第１投影系空間）のうち、それぞれの空間内部のガスを排気する排気速度が最も遅い空間をウエハステージに隣接する空間にすることが望ましく、２番目に遅い空間をレチクルステージに隣接する空間にするのが望ましい。尚、１番目と２番目は逆でも構わない。
【００７４】
また、第２実施例において、第３投影系空間は１つの空間に限らず、連通可能な複数の空間により形成されるようにしても構わない。
【００７５】
また、上記のような実施例によって、投影光学系空間内に不活性ガスを供給し、ウエハステージ空間からのアウトガスを抑止する場合、投影光学系空間内に差圧を生じさせる絞り部材を配置することで、より効果的にアウトガスを抑制することが可能である。
【００７６】
また、不活性ガスの供給による投影光学系空間内の圧力上昇を部分的に限定することが出来るため、ＥＵＶ光の透過率低下を抑え、高いスループットを保つことが可能である。
【００７７】
また、上述の実施例１，２は本発明に対して矛盾の無い範囲で任意に組合わせても良い。
【実施例３】
【００７８】
次に、図５及び図６を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例３を説明する。
【００７９】
図５は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。本実施形態においては、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
【００８０】
図６は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、上述の露光装置によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００８１】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本願実施例は、実施例１及び２及び３を任意に組合わせても構わない。
【００８２】
ウエハステージ空間から投影光学系に侵入するアウトガスの量を減少させることができるため、投影光学系が有する光学素子が汚染されにくくなる。その結果、露光装置のメンテナンスの頻度を落とすことができるため、露光装置のスループットを向上させることができる。
【実施例４】
【００８３】
以下、図７を参照して、本発明の一側面としてのＥＵＶ露光装置について説明する。先に述べた実施例との構成上の違いに関して説明する。図７は、露光装置の構成を示すブロック図である。先の実施例では、レチクルステージ空間及びウエハステージ空間に存在するコンタミナント（汚染要因物）を投影光学系空間に進入させない方法に関して述べた。本実施例では、ステージ空間や投影光学系空間に存在するパーティクル等のコンタミナントのレチクル面やウエハ面への付着を抑制する方法に関して述べる。
【００８４】
図７に示すレチクル空間開口部５１及びウエハステージ空間開口部５３近傍に冷却部材ＣＰ１，ＣＰ２を有する。ＣＰ１，ＣＰ２は冷却機構を接続した部材であり、レチクル面もしくはウエハ面に対向する位置に配置される。各接続部材は不図示の冷却機構として、冷却水の配管やペルチェ素子などが接続され、一定の温度で冷却される。ウエハ面やレチクル面の露光光が照射される領域は露光熱でその温度が上昇し、前記冷却部材ＣＰ１やＣＰ２よりも高い温度になる。そのため、露光中においては冷却部材ＣＰ１、ＣＰ２とレチクル面、ウエハ面の間には温度差が生じる。また、通常、レチクル・ウエハは温度が一定になるよう制御するため、冷却部材ＣＰ１、ＣＰ２により、レチクル・ウエハ面の温度を制御することも可能である。また、個別にレチクル・ウエハを温度制御し、その設定温度に対し、低い温度に冷却部材ＣＰ１、ＣＰ２の温度を設定しても良い。
【００８５】
また、バルブＶ１、Ｖ２を介してＥＵＶ光に対して透過率の高いＨｅなどの不活性ガスや水素など供給する。パーティクルを抑制するための熱泳動の効果を得るためには少なくともレチクルステージ空間６１とウエハステージ空間６４を５Ｐａ以上に設定することが好ましい。
【００８６】
このような設定にすることで、熱泳動により、レチクル面・ウエハ面へのパーティクル付着を抑制することが可能である。
【００８７】
本実施例ではウエハとレチクルの両方に対してパーティクルの抑制効果を得る構成を示したが、少なくともどちらか一方に対し、本件を実施することで、生産性の向上を得ることが可能である。
【００８８】
本発明によれば、デバイス製造の歩留まり・デバイスの信頼性といった生産性の向上を簡易に達成する露光装置を提供することができる。
【００８９】
以下、本発明の実施態様を列挙する。
【００９０】
［実施態様１］
複数の光学素子を有し、レチクルからの光を被露光体に導く投影光学系と、前記被露光体を載置するウエハステージと、該ウエハステージを囲むウエハステージ空間とを有する露光装置であって、
前記複数の光学素子のうち少なくとも１つの光学素子を内包し、前記ウエハステージ空間と隣接し、前記ウエハステージ空間とウエハステージ開口を介して連通しているウエハ側投影系空間を有し、
前記ウエハ側投影系空間の圧力が、前記ウエハステージ空間の圧力よりも高いことを特徴とする露光装置。
【００９１】
［実施態様２］
前記ウエハ側投影系空間内部のガスを排気するウエハ側投影系空間排気手段と、前記ウエハステージ空間内部のガスを排気するウエハステージ空間排気手段とを有しており、前記ウエハ側投影系空間排気手段による排気速度が前記ウエハステージ空間排気手段による排気速度よりも遅いことを特徴とする実施態様１記載の露光装置。
【００９２】
［実施態様３］
複数の光学素子を有し、レチクルからの光を被露光体に導く投影光学系と、前記被露光体を載置するウエハステージと、該ウエハステージを囲むウエハステージ空間とを有する露光装置であって、
前記複数の光学素子のうち少なくとも１つの光学素子を内包し、前記ウエハステージ空間と隣接し、前記ウエハステージ空間とウエハステージ開口を介して連通しているウエハ側投影系空間と、前記ウエハ側投影系空間内部のガスを排気するウエハ側投影系空間排気手段と、前記ウエハステージ空間内部のガスを排気するウエハステージ空間排気手段とを有し、
前記ウエハ側投影系空間排気手段による排気速度が前記ウエハステージ空間排気手段による排気速度よりも遅いことを特徴とする露光装置。
【００９３】
［実施態様４］
前記複数の光学素子のうち別の光学素子を内包し、前記ウエハ側投影系空間と隣接し、前記ウエハ側投影系空間とウエハ側開口を介して連通している中間投影系空間とを有しており、
前記ウエハ側投影系空間の圧力が前記中間投影系空間の圧力よりも高いことを特徴とする実施態様１乃至３いずれかに記載の露光装置。
【００９４】
［実施態様５］
複数の光学素子を有し、レチクルからの光を被露光体に導く投影光学系と、前記被露光体を載置するウエハステージと、該ウエハステージを囲むウエハステージ空間とを有する露光装置であって、
前記複数の光学素子のうち少なくとも１つの光学素子を内包し、前記ウエハステージ空間と隣接し、前記ウエハステージ空間とウエハステージ開口を介して連通しているウエハ側投影系空間と、
前記複数の光学素子のうち少なくとも１つの光学素子を内包し、前記ウエハ側投影系空間と隣接し、前記ウエハ側投影系空間とウエハ側開口を介して連通している中間投影系空間とを有しており、
前記ウエハ側投影系空間から前記ウエハステージ空間に流出するガスの量が、前記ウエハ側投影系空間から前記中間投影系空間に流出するガスの量よりも多いことを特徴とする露光装置。
【００９５】
［実施態様６］
複数の光学素子を有し、レチクルからの光を被露光体に導く投影光学系と、前記被露光体を載置するウエハステージと、該ウエハステージを囲むウエハステージ空間とを有する露光装置であって、
前記複数の光学素子のうち少なくとも１つの光学素子を内包し、前記ウエハステージ空間と隣接し、前記ウエハステージ空間とウエハステージ開口を介して連通しているウエハ側投影系空間と、
前記複数の光学素子のうち少なくとも１つの光学素子を内包し、前記ウエハ側投影系空間と隣接し、前記ウエハ側投影系空間とウエハ側開口を介して連通している中間投影系空間とを有しており、
前記ウエハ側投影系空間と前記ウエハステージ空間との間の連通部分のコンダクタンスが、前記ウエハ側投影系空間と前記中間投影系空間との間の連通部分のコンダクタンスよりも大きいことを特徴とする露光装置。
【００９６】
［実施態様７］
前記ウエハ側投影系空間から前記ウエハステージ空間に流出するガスの量が、前記ウエハ側投影系空間から前記中間投影系空間に流出するガスの量よりも多いことを特徴とする実施態様６記載の露光装置。
【００９７】
［実施態様８］
前記ウエハ側投影系空間の圧力が、前記ウエハステージ空間の圧力よりも高いことを特徴とする実施態様５乃至８いずれかに記載の露光装置。
【００９８】
［実施態様９］
前記ウエハ側投影系空間内部のガスを排気するウエハ側投影系空間排気手段と、前記ウエハステージ空間内部のガスを排気するウエハステージ空間排気手段と、前記中間投影系空間内部のガスを排気する中間投影系空間排気手段とを有し、
前記ウエハ側投影系空間排気手段による排気速度が、前記ウエハステージ空間排気手段による排気速度及び前記中間投影系空間排気手段による排気速度よりも遅いことを特徴とする実施態様４乃至８いずれかに記載の露光装置。
【００９９】
［実施態様１０］
前記ウエハステージ空間排気手段による排気速度を前記中間投影系空間排気手段による排気速度よりも速くすることを特徴とする実施態様９記載の露光装置。
【０１００】
［実施態様１１］
前記レチクルを載置するレチクルステージと、該レチクルステージを囲むレチクルステージ空間と、前記複数の光学素子のうち少なくとも１つを内包し、前記レチクルステージ空間と隣接し、前記レチクルステージ空間とレチクルステージ開口を介して連通しているレチクル側投影系空間とを有し、
前記中間投影系空間が、前記複数の光学素子のうち少なくとも１つの光学素子を内包し、前記レチクル側投影系空間と隣接し、前記レチクル側投影系空間とレチクル側開口を介して連通しており、
前記レチクル側投影系空間の圧力が、前記レチクルステージ空間の圧力及び前記中間投影系空間の圧力よりも高いことを特徴とする実施態様４乃至１０いずれかに記載の露光装置。
【０１０１】
［実施態様１２］
前記被露光体を載置するレチクルステージと、該レチクルステージを囲むレチクルステージ空間と、前記複数の光学素子のうち少なくとも１つを内包し、前記レチクルステージ空間と隣接し、前記レチクルステージ空間とレチクルステージ開口を介して連通しているレチクル側投影系空間とを有し、
前記中間投影系空間が、前記複数の光学素子のうち少なくとも１つの光学素子を内包し、前記レチクル側投影系空間と隣接し、前記レチクル側投影系空間とレチクル側開口を介して連通しており、
前記レチクル側投影系空間から前記レチクルステージ空間に流出するガスの量が、前記レチクル側投影系空間から前記中間投影系空間に流出するガスの量よりも多いことを特徴とする実施態様４乃至１１いずれかに記載の露光装置。
【０１０２】
［実施態様１３］
前記被露光体を載置するレチクルステージと、該レチクルステージを囲むレチクルステージ空間と、前記複数の光学素子のうち少なくとも１つを内包し、前記レチクルステージ空間と隣接し、前記レチクルステージ空間とレチクルステージ開口を介して連通しているレチクル側投影系空間とを有し、
前記中間投影系空間が、前記複数の光学素子のうち少なくとも１つの光学素子を内包し、前記レチクル側投影系空間と隣接し、前記レチクル側投影系空間とレチクル側開口を介して連通しており、
前記レチクル側投影系空間と前記レチクルステージ空間との間の連通部分のコンダクタンスが、前記レチクル側投影系空間と前記中間投影系空間との間の連通部分のコンダクタンスよりも大きいことを特徴とする実施態様４乃至１２いずれかに記載の露光装置。
【０１０３】
［実施態様１４］
前記レチクルステージ空間内部のガスを排気するレチクルステージ空間排気手段と、前記レチクル側投影系空間内部のガスを排気するレチクル側投影系空間排気手段と、前記中間投影系空間内部のガスを排気する中間投影系空間排気手段と、前記ウエハ側投影系空間内部のガスを排気するウエハ側投影系空間排気手段と、前記ウエハステージ空間内部のガスを排気するウエハステージ空間排気手段とを有し、
前記レチクルステージ空間排気手段と前記レチクル側投影系空間排気手段と前記中間投影系空間排気手段と前記ウエハ側投影系空間排気手段と前記ウエハステージ空間排気手段のうち、前記ウエハ側投影系空間排気手段の排気速度が最も遅いことを特徴とする実施態様１１乃至１３いずれかに記載の露光装置。
【０１０４】
［実施態様１５］
前記レチクルステージ空間内部のガスを排気するレチクルステージ空間排気手段と、前記レチクル側投影系空間内部のガスを排気するレチクル側投影系空間排気手段と、前記中間投影系空間内部のガスを排気する中間投影系空間排気手段と、前記ウエハ側投影系空間内部のガスを排気するウエハ側投影系空間排気手段と、前記ウエハステージ空間内部のガスを排気するウエハステージ空間排気手段とを有し、
前記ウエハ側投影系空間排気手段の排気速度が、前記中間投影系空間排気手段及び前記ウエハステージ空間排気手段の排気速度より遅く、
前記レチクル側投影系空間排気手段が、前記レチクルステージ空間排気手段の排気速度及び前記中間投影系空間排気手段の排気速度よりも遅いことを特徴とする実施態様１１乃至１４いずれかに記載の露光装置。
【０１０５】
［実施態様１６］
前記ウエハステージ空間の圧力が、前記レチクルステージ空間の圧力よりも低いことを特徴とする実施態様１１乃至１５いずれかに記載の露光装置。
【０１０６】
［実施態様１７］
前記ウエハステージ空間と前記ウエハ側投影系空間との連通部分に配置された絞り部材を有することを特徴とする実施態様１乃至１６いずれかに記載の露光装置。
【０１０７】
［実施態様１８］
前記ウエハ側投影系空間に不活性ガスを供給するガス供給手段を有することを特徴とする実施態様１乃至１７いずれかに記載の露光装置。
【０１０８】
［実施態様１９］
前記不活性ガスはヘリウム、アルゴンのいずれか１つであることを特徴とする実施態様１８記載の露光装置。
【０１０９】
［実施態様２０］
前記ガス供給手段により供給される不活性ガスの流量を計測する手段を有し、前記ウエハ側投影系空間内の圧力に応じて、不活性ガス供給量を制御することを特徴とする実施態様１８又は１９記載の露光装置。
【０１１０】
［実施態様２１］
複数の光学素子を有し、レチクルからの光を被露光体に導く投影光学系と、前記レチクルを載置するレチクルステージと、該レチクルステージを囲むレチクルステージ空間とを有する露光装置であって、
前記複数の光学素子のうち少なくとも１つの光学素子を内包し、前記レチクルステージ空間と隣接し、前記レチクルステージ空間とレチクルステージ開口を介して連通しているレチクル側投影系空間を有し、
前記レチクル側投影系空間の圧力が、前記レチクルステージ空間の圧力よりも高いことを特徴とする露光装置。
【０１１１】
［実施態様２２］
前記レチクル側投影系空間内部のガスを排気するレチクル側投影系空間排気手段と、前記レチクルステージ空間内部のガスを排気するレチクルステージ空間排気手段とを有しており、
前記レチクル側投影系空間排気手段による排気速度が前記レチクルステージ空間排気手段による排気速度よりも遅いことを特徴とする実施態様２１記載の露光装置。
【０１１２】
［実施態様２３］
複数の光学素子を有し、レチクルからの光を被露光体に導く投影光学系と、前記レチクルを載置するレチクルステージと、該レチクルステージを囲むレチクルステージ空間とを有する露光装置であって、
前記複数の光学素子のうち少なくとも１つの光学素子を内包し、前記レチクルステージ空間と隣接し、前記レチクルステージ空間とレチクルステージ開口を介して連通しているレチクル側投影系空間を有し、
前記レチクル側投影系空間排気手段による排気速度が前記レチクルステージ空間排気手段による排気速度よりも遅いことを特徴とする露光装置。
【０１１３】
［実施態様２４］
前記複数の光学素子のうち少なくとも１つの光学素子を内包し、前記レチクル側投影系空間と隣接し、前記レチクル側投影系空間とレチクル側開口を介して連通している中間投影系空間とを有しており、
前記レチクル側投影系空間の圧力が前記中間投影系空間の圧力よりも高いことを特徴とする実施態様２１乃至２３いずれかに記載の露光装置。
【０１１４】
［実施態様２５］
複数の光学素子を有し、レチクルからの光を被露光体に導く投影光学系と、前記被露光体を載置するレチクルステージと、該レチクルステージを囲むレチクルステージ空間とを有する露光装置であって、
前記複数の光学素子のうち少なくとも１つの光学素子を内包し、前記レチクルステージ空間と隣接し、前記レチクルステージ空間とレチクルステージ開口を介して連通しているレチクル側投影系空間と、
前記複数の光学素子のうち少なくとも１つの光学素子を内包し、前記レチクル側投影系空間と隣接し、前記レチクル側投影系空間とレチクル側開口を介して連通している中間投影系空間とを有しており、
前記レチクル側投影系空間から前記レチクルステージ空間に流出するガスの量が、前記レチクル側投影系空間から前記中間投影系空間に流出するガスの量よりも多いことを特徴とする露光装置。
【０１１５】
［実施態様２６］
複数の光学素子を有し、レチクルからの光を被露光体に導く投影光学系と、前記被露光体を載置するレチクルステージと、該レチクルステージを囲むレチクルステージ空間とを有する露光装置であって、
前記複数の光学素子のうち少なくとも１つの光学素子を内包し、前記レチクルステージ空間と隣接し、前記レチクルステージ空間とレチクルステージ開口を介して連通しているレチクル側投影系空間と、
前記複数の光学素子のうち少なくとも１つの光学素子を内包し、前記レチクル側投影系空間と隣接し、前記レチクル側投影系空間とレチクル側開口を介して連通している中間投影系空間とを有しており、
前記レチクル側投影系空間と前記レチクルステージ空間との間の連通部分のコンダクタンスが、前記レチクル側投影系空間と前記中間投影系空間との間の連通部分のコンダクタンスよりも大きいことを特徴とする露光装置。
【０１１６】
［実施態様２７］
前記中間投影系空間が、複数の連通可能な空間を含むことを特徴とする実施態様４乃至６、２４乃至２６のいずれかに記載の露光装置。
【０１１７】
［実施態様２８］
前記複数の光学素子はすべて反射光学素子であることを特徴とする実施態様１乃至２７いずれかに記載の露光装置。
【０１１８】
［実施態様２９］
前記露光装置に用いる光は波長が０．１ｎｍから３０ｎｍの間であることを特徴とする実施態様１乃至２８いずれかに記載の露光装置。
【０１１９】
［実施態様３０］
実施態様１乃至２９いずれかに記載の露光装置を用いて前記被露光体を露光する工程と、前記露光された被露光体を現像する工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】実施例１のＥＵＶ露光装置の概略図である。
【図２】実施例１における炭化水素の分圧の推移である。
【図３】実施例２の露光装置の概略図である。
【図４】従来のＥＵＶ露光装置の概略図である。
【図５】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図６】図５に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【図７】実施例４のＥＵＶ露光装置の概略図である。
【符号の説明】
【０１２１】
１  レチクル照明ミラー
２  投影系第１ミラー
３  投影系第２ミラー
４  投影系第３ミラー
５  投影系第４ミラー
６  投影系第５ミラー
７  投影系第６ミラー
８  ＥＵＶ光
１１  反射型レチクル
１２  レチクル保持装置
１３  レチクルステージ
１４  レチクルアライメント光学系
２１  ウエハ
２２  ウエハチャック
２３  ウエハステージ
２４  ウエハアライメント光学系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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