(57)【要約】【課題】  薄膜コイルの積層構造による薄膜磁気ヘッドにおいて、第１薄膜コイルを被覆する絶縁層の上面に積層形成される第２薄膜コイルを、安定的かつ良好に形成して薄膜磁気ヘッドを構成する。【解決手段】  第１薄膜コイル５の形成間隔を選定し、第１絶縁層６上面の平坦性を向上させ、さらに第２薄膜コイル８の形成位置を選定する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜磁気ヘッドコアを構成する第１及び第２の磁気ヘッドコアと、
磁気ヘッドコイルを構成する少なくとも第１及び第２の薄膜コイルとを有し、
上記第１及び第２の磁気ヘッドコアは、非磁性層を介して積層され、磁気テープの走行面に臨む各磁気ヘッドコアの前方端間に所定のトラック幅、及びギャップ長を有する作動磁気ギャップが形成され、
上記作動磁気ギャップより後方において、上記第１及び第２の磁気ヘッドコア間を横切って、上記第１及び第２の薄膜コイルが平坦化絶縁層を介して積層され、
この積層及びされた上記第１及び第２の薄膜コイルの内端が相互に電気的に連結されて、上記磁気ヘッドコイルが形成され、
上記第１及び第２の磁気ヘッドコア層が、上記磁気ヘッドコイルの巻回中心部において、磁気的に結合されて、上記作動磁気ギャップを通ずる閉磁路を構成するようになされ、
上記第１の薄膜コイルの線素間上に、上記第２の薄膜コイルの線素が主として配置されて成ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
上記少なくとも第１の薄膜コイルは、外周に向かって線素幅を幅広とされて成ることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
薄膜磁気ヘッドコアを構成する第１及び第２の磁気ヘッドコアと、
磁気ヘッドコイルを構成する少なくとも第１及び第２の薄膜コイルとを有し、
上記第１及び第２の磁気ヘッドコアは、非磁性層を介して積層され、磁気テープの走行面に臨む各磁気ヘッドコアの前方端間に所定のトラック幅、及びギャップ長を有する作動磁気ギャップが形成され、
上記作動磁気ギャップより後方において、上記第１及び第２の磁気ヘッドコア間を横切って、上記第１及び第２の薄膜コイルが平坦化絶縁層を介して積層され、
この積層及びされた上記第１及び第２の薄膜コイルの内端が相互に電気的に連結されて上記磁気ヘッドコイルが形成され、
上記第１及び第２の磁気ヘッドコア層が、上記磁気ヘッドコイルの巻回中心部において、磁気的に結合されて、上記作動磁気ギャップを通ずる閉磁路を構成するようになされ、
上記第１及び第２の薄膜コイルの各外側端末が幅広とされて外部との通電端子部とされ、上記上層の第２の薄膜コイルの通電端子部下に上記平坦化絶縁層を介して、上記第１の薄膜コイルの通電端子部と同時に形成された非通電のダミーパターンが形成されて成ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
上記少なくとも第１の薄膜コイルは、外周に向かって線素幅を幅広とされて成ることを特徴とする請求項３に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
薄膜磁気ヘッドコアを構成する第１及び第２の磁気ヘッドコアと、
磁気ヘッドコイルを構成する少なくとも第１及び第２の薄膜コイルとを有し、
上記第１及び第２の磁気ヘッドコアは、非磁性層を介して積層され、磁気テープの走行面に臨む各磁気ヘッドコアの前方端間に所定のトラック幅、及びギャップ長を有する作動磁気ギャップが形成され、
上記作動磁気ギャップより後方において、上記第１及び第２の磁気ヘッドコア間を横切って、上記第１及び第２の薄膜コイルが平坦化絶縁層を介して積層され、
この積層及びされた上記第１及び第２の薄膜コイルの内端が相互に電気的に連結されて、上記磁気ヘッドコイルが形成され、
上記第１及び第２の磁気ヘッドコア層が、上記磁気ヘッドコイルの巻回中心部において、磁気的に結合されて、上記作動磁気ギャップを通ずる閉磁路を構成するようになされ、
上記下層の第１の薄膜コイルを覆って電子ビーム硬化がなされた樹脂による平坦化絶縁層が形成され、該平坦化絶縁層上に上記第２の薄膜コイルを形成して成ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
上記少なくとも第１の薄膜コイルは、外周に向かって線素幅を幅広とされて成ることを特徴とする請求項５に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
薄膜磁気ヘッドコアを構成する第１及び第２の磁気ヘッドコアと、
磁気ヘッドコイルを構成する少なくとも第１及び第２の薄膜コイルとを有し、
上記第１及び第２の磁気ヘッドコアは、非磁性層を介して積層され、磁気テープの走行面に臨む各磁気ヘッドコアの前方端間に所定のトラック幅、及びギャップ長を有する作動磁気ギャップが形成され、
上記第１薄膜コイル上に、上記第２の薄膜コイルが平坦化絶縁層を介して積層され、該積層薄膜コイルの一部が、上記第１及び第２の薄膜磁気コアの上記作動磁気ギャップより後方部間を横切って配置され、上記第１及び第２の薄膜コイルの内端が電気的に連結されて、上記磁気ヘッドコイルを形成し、
上記第１及び第２の磁気ヘッドコア層が、上記磁気ヘッドコイルの巻回中心部において、磁気的に結合されて、上記作動磁気ギャップを通ずる閉磁路を構成するようになされ、
上記下層の第１の薄膜コイルの線素間隔は、０．８μｍ〜１．２μｍに選定され、該第１の薄膜コイル覆って絶縁性平坦膜が形成されて成ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
上記少なくとも第１の薄膜コイルは、外周に向かって幅広とされて成ることを特徴とする請求項７に記載の薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッド、特に電磁誘導型の記録、または／及び再生を行う薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばコンピュータにおける大容量バックアップ用等のデータストレージシステムとして磁気テープによるストレージシステムが広く用いられる方向にある。
ところで、近年、益々記録容量の増大化が求められ、これに伴って、磁気ヘッドのより狭トラック化、低インダクタンス化、転送速度向上などが強く求められている。
【０００３】
このような要求に対し、薄膜磁気ヘッドは、微細加工が可能な半導体製造技術によって製造することができることから、上述した要求に適合しやすく、バルク型の磁気ヘッドに比して、格段に小型化が図られるのみならず、共通のウエハ上に多数の狭トラック磁気ヘッド素子を、高い精度をもって同時に一括製造することができることから、量産性に富むなど、多くの利点を有する。
このため、この薄膜磁気ヘッドは、ハードディスクドライブやテープストリーマー、例えばヘリカルテープストリーマー等の高記録密度記録再生システムにおける磁気ヘッドの主流になってきている。
【０００４】
一方、薄膜磁気ヘッドに要求される項目中、そのヘッドコイルに関する問題点としては、低抵抗化、高起磁力、省電力が挙げられる。例えばヘリカルデータストレージシステムにおいて、磁気記録ヘッドと、記録アンプとの間に信号伝送を行うロータリートランスが介在される構成がとられる場合、磁気ヘッドコイルの抵抗が、例えば２Ω以下の低抵抗とされることが必要となる。
【０００５】
しかし、ヘッドコイルの低抵抗化を図るには、コイルの巻回数を減少させることによってコイル長をできるだけ短くし、また幅広に形成することが要求される。しかし、高起磁力化を図る上では、コイル巻回数を多くすることが望まれ、コイルの低抵抗化と高起磁力化とはトレードオフの関係にある。
【０００６】
一方、高記録密度化に伴う磁気ヘッド前方部の磁気テープとのあたり幅の縮小化に伴なって、磁気ヘッドの許容占有幅、すなわち、コイルの許容配置面積の制限から、コイルの抵抗を上述したように２Ω以下にとどめるためには、単層薄膜コイルでは、コイル巻数が制約される。例えば現行規格であるＡＩＴ（Advanced Intelligent Tape）４方式においては、磁気ヘッドの記録部先端すなわちテープに対する摺動面のあたり幅は８０μｍとなる。
【０００７】
このように、あたり幅が８０μｍの場合において、コイル抵抗を２Ω以下とするとき、所要の起磁力を得るためには、記録電流は例えば１５０ｍＡ必要となる。
しかし、このように、大きな記録電流を得るには、記録アンプの負担が大となり、その発熱が問題となる。
【０００８】
コイル抵抗の低減化を図る構成としては、コイル膜厚を大とすることが考えられるが、薄膜コイルの厚さを４μｍとしても、例えばＣｕメッキ層による薄膜コイルにおいてコイル抵抗は、４Ω程度である。そこで、このコイル厚さを８μｍとすると、コイルパターンの形成技術の制約から、コイル巻回線間の間隙を１μｍ以下とすることは困難となる。この場合、コイル巻回間隔は、２μｍ程度となり、ヘッドのあたり幅８０μｍの条件で巻回数を例えば記録電流の制限電流の例えば１００ｍＡとすることができなくなってしまう。
【０００９】
上述した事情により、薄膜コイルは、２層以上の積層構造とすることが望まれる。
しかし、このように積層構造による薄膜コイルを構成する場合、上層のコイルの形成面が、下層の薄膜コイルの存在によって凹凸面となり、この上に形成した上層の薄膜コイルにこの凹凸による段差部において、いわゆる断切れが生じやすく、殊に、薄膜コイルの膜厚が微細パターン化に応じて薄くされると、凹凸による段切れが生じ信頼性の低下を来たす。
【００１０】
また、段差によって、下層コイルと上層コイルの積層部間に介在され、これ等コイルの絶縁分離を行う絶縁膜にも塗布むらが生じる。また、例えば薄膜コイルの形成過程で例えば光硬化レジストが用いられる場合いおいて、レジスト硬化のための露光にあって、段差の存在によって露光が不十分ないし不均一となり、レジスト膜に欠陥を生じるおそれがあることから、段差の存在は、上下の薄膜コイル間の短絡事故を発生するなど、信頼性の低下を来たすという問題を生じる。
【００１１】
これに対して本出願人は先に、下層コイルによる凸部上面と平坦部とに渡って塗布されたフォトレジストに対して、別々に露光を行って硬化させることにより、積層構造を構成する各薄膜コイルの形状の規定がより良好になされた薄膜磁気ヘッドの提案を行った（例えば特許文献１）。
【特許文献１】特開２０００−１３７３３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、このような露光における工夫は、フォトレジストに対する露光の精度を高めることによって良好に薄膜コイルの形成を行うことはできるものの、例えば上述の積層構造における絶縁層の形状を改善して例えば上面を平坦化することはできない。
また、図１２に示すように、フォトレジストは塗布された段階で硬化前にコイルに沿った形状となることや、硬化前後において熱膨張などによる変形が生じることなどのために平坦にならず、また、レジスト端部には傾斜が発生し、これらがレジストの上に新たなコイルパターンを形成する上で歪みを生じさせるなどの問題が残る。
【００１３】
本発明は、薄膜磁気ヘッドにおける上述の諸問題の解決を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明による薄膜磁気ヘッドは、薄膜磁気ヘッドコアを構成する第１及び第２の磁気ヘッドコアと、磁気ヘッドコイルを構成する少なくとも第１及び第２の薄膜コイルとを有し、上記第１及び第２の磁気ヘッドコアは、非磁性層を介して積層され、磁気テープの走行面に臨む各磁気ヘッドコアの前方端間に所定のトラック幅、及びギャップ長を有する作動磁気ギャップが形成され、上記作動磁気ギャップより後方において、上記第１及び第２の磁気ヘッドコア間を横切って、上記第１及び第２の薄膜コイルが平坦化絶縁層を介して積層され、この積層及びされた上記第１及び第２の薄膜コイルの内端が相互に電気的に連結されて、上記磁気ヘッドコイルが形成され、上記第１及び第２の磁気ヘッドコア層が、上記磁気ヘッドコイルの巻回中心部において、磁気的に結合されて、上記作動磁気ギャップを通ずる閉磁路を構成するようになされ、上記第１の薄膜コイルの線素間上に、上記第２の薄膜コイルの線素が主として配置されて成ることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、上記薄膜磁気ヘッドにおいて、上記少なくとも第１の薄膜コイルは、外周に向かって線素幅を幅広とされて成ることを特徴とする。
【００１６】
本発明による薄膜磁気ヘッドは、薄膜磁気ヘッドコアを構成する第１及び第２の磁気ヘッドコアと、磁気ヘッドコイルを構成する少なくとも第１及び第２の薄膜コイルとを有し、上記第１及び第２の磁気ヘッドコアは、非磁性層を介して積層され、磁気テープの走行面に臨む各磁気ヘッドコアの前方端間に所定のトラック幅、及びギャップ長を有する作動磁気ギャップが形成され、上記作動磁気ギャップより後方において、上記第１及び第２の磁気ヘッドコア間を横切って、上記第１及び第２の薄膜コイルが平坦化絶縁層を介して積層され、この積層及びされた上記第１及び第２の薄膜コイルの内端が相互に電気的に連結されて上記磁気ヘッドコイルが形成され、上記第１及び第２の磁気ヘッドコア層が、上記磁気ヘッドコイルの巻回中心部において、磁気的に結合されて、上記作動磁気ギャップを通ずる閉磁路を構成するようになされ、上記第１及び第２の薄膜コイルの各外側端末が幅広とされて外部との通電端子部とされ、上記上層の第２の薄膜コイルの通電端子部下に上記平坦化絶縁層を介して、上記第１の薄膜コイルの通電端子部と同時に形成された非通電のダミーパターンが形成されて成ることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明は、上記薄膜磁気ヘッドにおいて、上記少なくとも第１の薄膜コイルは、外周に向かって線素幅を幅広とされて成ることを特徴とする。
【００１８】
本発明による薄膜磁気ヘッドは、薄膜磁気ヘッドコアを構成する第１及び第２の磁気ヘッドコアと、磁気ヘッドコイルを構成する少なくとも第１及び第２の薄膜コイルとを有し、上記第１及び第２の磁気ヘッドコアは、非磁性層を介して積層され、磁気テープの走行面に臨む各磁気ヘッドコアの前方端間に所定のトラック幅、及びギャップ長を有する作動磁気ギャップが形成され、上記作動磁気ギャップより後方において、上記第１及び第２の磁気ヘッドコア間を横切って、上記第１及び第２の薄膜コイルが平坦化絶縁層を介して積層され、この積層及びされた上記第１及び第２の薄膜コイルの内端が相互に電気的に連結されて、上記磁気ヘッドコイルが形成され、上記第１及び第２の磁気ヘッドコア層が、上記磁気ヘッドコイルの巻回中心部において、磁気的に結合されて、上記作動磁気ギャップを通ずる閉磁路を構成するようになされ、上記下層の第１の薄膜コイルを覆って電子ビーム硬化がなされた樹脂による平坦化絶縁層が形成され、該平坦化絶縁層上に上記第２の薄膜コイルを形成して成ることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明は、上記薄膜磁気ヘッドにおいて、上記少なくとも第１の薄膜コイルは、外周に向かって線素幅を幅広とされて成ることを特徴とする。
【００２０】
本発明による薄膜磁気ヘッドは、薄膜磁気ヘッドコアを構成する第１及び第２の磁気ヘッドコアと、磁気ヘッドコイルを構成する少なくとも第１及び第２の薄膜コイルとを有し、上記第１及び第２の磁気ヘッドコアは、非磁性層を介して積層され、磁気テープの走行面に臨む各磁気ヘッドコアの前方端間に所定のトラック幅、及びギャップ長を有する作動磁気ギャップが形成され、上記第１薄膜コイル上に、上記第２の薄膜コイルが平坦化絶縁層を介して積層され、該積層薄膜コイルの一部が、上記第１及び第２の薄膜磁気コアの上記作動磁気ギャップより後方部間を横切って配置され、上記第１及び第２の薄膜コイルの内端が電気的に連結されて、上記磁気ヘッドコイルを形成し、上記第１及び第２の磁気ヘッドコア層が、上記磁気ヘッドコイルの巻回中心部において、磁気的に結合されて、上記作動磁気ギャップを通ずる閉磁路を構成するようになされ、上記下層の第１の薄膜コイルの線素間隔は、０．８μｍ〜１．２μｍに選定され、該第１の薄膜コイル覆って絶縁性平坦膜が形成されて成ることを特徴とする。
【００２１】
また、本発明は、上記薄膜磁気ヘッドにおいて、上記少なくとも第１の薄膜コイルは、外周に向かって幅広とされて成ることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
上述したように、本発明による薄膜磁気ヘッドは、複数例えば第１及び第２の薄膜コイルの積層構造によって薄膜磁気ヘッドコイルが構成される薄膜磁気ヘッドにあって、その上層の第２の薄膜コイルが主として、すなわちその大部分、具体的には、上層の第２の薄膜コイルが、下層の第１の薄膜コイルのコイル線素上を横切る部分を除く大部分の線素において、下層の第１の薄膜コイルの線素間に位置する構成とするものであり、このようにしたことにより、第１の薄膜コイルの線素間の間隔の選定によって、第１の薄膜コイル上の平坦化絶縁層の、第２の薄膜コイルの大部分の形成面を平坦面とすることができるものである。
【００２３】
このように、上層の第２の薄膜コイルの形成面が、平坦化されることから、第２の薄膜コイルが安定的かつ良好に形成され、従来の薄膜磁気ヘッドにおいて問題とされてきた段切れや短絡などの発生が効果的に回避され、薄膜コイルの膜厚が微細パターン化に応じて薄くされた場合にも、信頼性の向上を図ることができる。
【００２４】
また、本発明による薄膜磁気ヘッドにおいて、上層の第２の薄膜コイルの通電端子の導出部下の本来下層の第１の薄膜コイルが存在しない部分において、第１の薄膜コイルと同時に形成された、すなわち薄膜所定位置下に絶縁層を介して第１の薄膜コイルと同時に形成した通電がなされない、すなわち非通電のダミーパターンが形成された構成をとることにより、第２の薄膜コイルの最外周部における絶縁層の傾斜が回避される。
【００２５】
また、本発明による磁気ヘッドにおいて、平坦化絶縁層を、熱硬化によらない、電子ビーム硬化がなされた樹脂による平坦化絶縁層によって構成したことによって、平坦化絶縁層が硬化の過程で平坦性が損なわれることが回避され、信頼性の高い薄膜磁気ヘッド構造とすることができる。
【００２６】
また、本発明による磁気ヘッドにおいて、下層の第１の薄膜コイルの線素間隔が０．８μｍ〜１．２μｍに選定された構成とすることにより、平坦化絶縁層の上面の平坦性を特に良好なものとすることができ、これによって所望の形状特性を有する薄膜磁気ヘッドを構成することができた。
【００２７】
また、本発明による薄膜磁気ヘッドにおいて、外周において、コイル線素幅を大とすることにより、線素長が長くなることによる分布抵抗の低減化と、下層の第１の薄膜コイル幅が大となることによって上層の第２の薄膜コイルの形成面の平坦化を図ることができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明するが、本発明は、この実施の形態に限られるものでない。
【００２９】
図１は、本発明による薄膜磁気ヘッド１の実施形態例の概略断面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線に対応する概略断面図である。
この実施の形態例においては、基体２０上に、強磁性の例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）による下層磁気ヘッドコアとなる第１の磁気ヘッドコア２と、同様に強磁性の例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）による上層磁気ヘッドコアとなるすなわち第２の磁気ヘッドコア１０と、磁気ヘッドコイルを構成する、低抵抗材の例えば銅（Ｃｕ）による第１及び第２の薄膜磁気コイル５及び８を有する。
【００３０】
図３は、第１薄膜コイル５と第２薄膜コイル８と下層コア（第１の磁気ヘッドコア）２と上層コア（第２の磁気ヘッドコア）１０との関係のみを模式的に示した斜視図である。
【００３１】
この磁気ヘッドにおいては、基体２０上に、図示しないが、必要に応じて絶縁層等を介して、軟磁性層による下層の第１の磁気ヘッドコア２が形成される。
そして、この上にその先端部の厚さが最終的に形成される作動磁気ギャップ３のギャップ長を規定する厚さに選定された、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）による非磁性絶縁層２１を介して導電層による第１の薄膜コイル５を、その外端から延長しては幅広とされた外部との通電端子部５ａが形成される。
そして、この第１の薄膜コイル５の形成と同時に、すなわちこの通電端子部５ａと同一厚さに、この通電端子部５ａと並置して、通電がなされないすなわち非通電のダミーパターン２２が形成される。
【００３２】
そして、この第１の薄膜コイル５を覆って、例えばＡＺＰ４２１０（クラリアント社製）等のフォトレジストによる第１平坦化絶縁層５が形成され、この上に、第２の薄膜コイル８が形成される。この第２の薄膜コイル８の内端は、第１平坦化絶縁層に形成された開口を通じて下層の第１の薄膜コイル３の内端に接して形成され、第１及び第２の薄膜コイル５及び８が、互いにその内端において電気的に接続されて、これら薄膜コイル５及び８によって、磁気ヘッドコイルが形成される。
【００３３】
そして、上層の薄膜コイル８の外端は、下層の第１の薄膜コイル５の通電端子部５ａと並置して同様に幅広の外部との通電端子部８ａが形成される。この通電端子８ａの下には第１平坦化絶縁層６を介して、上述した非通電ダミーパターン２２が存在するように、非通電ダミーパターン２２の配置位置及びパターンの選定がなされている。
【００３４】
また、第２の薄膜コイル８を覆って、例えばＡＺＰ４２１０（クラリアント社製）等のフォトレジストによる第２平坦化絶縁層９が形成され、この上に第２の磁気ヘッドコア１０が軟磁性層によって構成される。
この第２の磁気ヘッドコア１０は、薄膜コイルの巻回中心部１３において第１の磁気ヘッドコア２に磁気的に結合される。
【００３５】
そして、第１及び第２の磁気ヘッドコア２及び１０は、その前方端間において、記録もしくは記録及び再生の作動磁気ギャップ３が形成される。
この作動磁気ギャップ３は、前方部が所要の厚さとされた非磁性絶縁層２１によってギャップ長が規定され、両磁気ヘッドコア第１及び第２の磁気ヘッドコア２及び１０の前方部の対向幅によってトラック幅が規定される。
【００３６】
そして、この構成おいて、積層される第１及び第２の薄膜コイル５及び８は、上方からみて互いに交叉する部分においては、互いに重なり合うものの、それ以外の大部分においては、上層の第２の薄膜コイル８の線素が、下層の第１の薄膜コイル２の線素間に位置するように選定される。
【００３７】
また、第１及び第２の薄膜コイル２及び８の線素は、その巻回パターンの外周部に向かって例えば漸次幅広パターンとし得る。
そして、下層の第１の薄膜コイル２の線素間隔は、０．８μｍ〜１．２μｍに選定されることが望ましい。
【００３８】
このようにして作動磁気ギャップ３が形成された第１及び第２の磁気ヘッドコア２及び１０による閉磁路が構成される。
【００３９】
次に、本発明による薄膜磁気ヘッドを詳細に説明するため、薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について、図５〜図７の各Ａ図及びＢ図を参照して説明する。これら図は、図１におけるＡ−Ａ線の断面における工程図を示すものである。
【００４０】
先ず、図５Ａに示すように、基体２０上に、下層コアとしての、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）による第１の磁気ヘッドコアを形成する。この磁気ヘッドコアの形成は、例えば磁性膜をめっきすることによりパターン化することによって形成し得る。
そして、この下層コア２上に、後に形成する上層コアの第２の磁気ヘッドコアの後方部において相互に磁気的結合するためのバックギャップコンタクトホール３ｂが形成された、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）による非磁性絶縁層２１を形成する。
【００４１】
次に、図５Ｂに示すように、上述した第１薄膜コイルの形成部に開口を形成した、例えば通常のフォトレジストによる第１レジスト４を、パターン露光及び現像によって形成する。
そして、図６Ａに示すように、第１レジスト４の開口内に、第１薄膜コイル５を形成する導電層、例えばＣｕメッキ層を施し、第１レジスト４を洗浄により除去することによって所定のパターンを有する第１の薄膜コイル５を形成し、この第１薄膜コイル５上を覆って他部との短絡を防止するための、例えばフォトレジストのＡＺＰ４２１０（クラリアント社製）による第１平坦化絶縁層６を形成する。
【００４２】
上述の、第１レジスト４の形成から第１薄膜コイル５の形成までの工程について、更に詳細に説明する。
まず、第１レジスト４の形成に先立って例えばＣｕによる例えば０．５μｍ程度の導電薄膜（図示せず）を非磁性絶縁層２１上に全面的に形成する。次に、第１レジスト４を塗布し、パターン露光及び現像によって所要形状の目的とする薄膜コイルパターン形状の開口を形成し、この第１レジスト４をめっきレジストとして、その開口内にＣｕめっきを行い、開口パターンによるパターンの第１薄膜コイル５を数μｍの厚さに形成する。その後、第１レジスト４を除去し、この除去によって露呈した上述した導電薄膜を、第１薄膜コイル５をマスクとしてイオンミリングによって除去する。このようにして第１薄膜コイル５の形成がなされる。
【００４３】
また、第１平坦化絶縁層６は、上述したフォトレジストを塗布し、その硬化を、電子ビーム照射による硬化（いわゆるＥＢキュア）プロセスにより行うことが望ましい。
すなわち、通常の熱硬化プロセスによる硬化では熱変形が生じ、これによってレジスト層に形状変化が生じることから、パターンの精度が低下してしまう。
これに比し、上述したＥＢキュアの手法によるとき、つまり電子ビーム硬化がなされた樹脂によって薄膜磁気ヘッドを構成するときは、このような熱による変形を回避することができ、目的とするパターン形状を高精度に得ることができる。
【００４４】
また、この工程では、第１薄膜コイル５の形成と同時に、この第１薄膜コイルとは分断されて、上述した非通電のダミーパターン２２を形成する。
このダミーパターン２２が形成されることにより、第１薄膜コイル５の最外周部上においても、第１平坦化絶縁層６の表面が内周部に比して傾斜面となることが回避され、次工程で形成する第２レジスト及び第２薄膜コイルの形状の歪みを抑制することができる。
【００４５】
その後、図６Ｂに示すように、第１平坦化層６上に、最終的に形成する第２薄膜コイルの形成部に開口を形成した第２レジスト７をフォトレジストによって形成する。
【００４６】
この場合、上述したように、予め、第２薄膜コイルの最外周部よりも外側に、第１薄膜コイル５と同時に形成した薄膜コイル５と同等の高さのダミーパターン２２を形成していることにより、第１平坦化絶縁層６の高さが、このダミーパターン２２の形成部上（すなわち、最終的に形成される第２の薄膜コイル８の通電端子部の配置部が、第１の薄膜コイル５の外端の通電端子部上と同等の高さに、したがって、平坦に形成される。
したがって、電子ビームの露光におけるフォーカス状態を最適にした状態で行うことができる。これにより第２レジスト７の形状の歪みが回避され、第２レジスト７に対する電子線の露光不足の発生に伴う未硬化のレジストの残存を回避できるものである。
【００４７】
次に、図７Ａに示すように、第２レジスト７の開口内、つまり開口内に露出した第１平坦化絶縁層６上に、第２薄膜コイル８を形成し、続いて、第２レジスト７を洗浄により除去した後、この第２薄膜コイル８と他部との短絡を防止するための、例えばＡＺＰ４２１０（クラリアント社製）による第２平坦化絶縁層９を形成する。
【００４８】
この第２平坦化絶縁層９の形成は、前述した第１平坦化絶縁層６において説明したと同様にフォトレジストを用い、これを電子ビーム照射による硬化、すなわちＥＢキュアプロセスにより行うことが望ましい。
このようにして、高い精度のパターンを形成することができるものである。
【００４９】
第１平坦化絶縁層６の上面は、局所的には第１薄膜コイル５の線素間上の領域が、線素上の領域に比して僅かに凹となっている。このように形成される凹部にはレジストを好適に硬化形成することが困難であることから、この場合、レジスト７の主たる形成部、すなわを大部分において線素上すなわち凸部に選択的に第２レジスト７を形成して、この不都合を回避できる。
【００５０】
そして、図７Ａに示すように、この第２のレジスト７をマスクとして、例えばＣｕメッキ層を施し第２のレジスト７の開口パターンに応じたパターンの第２薄膜コイル８を形成する。この場合、上述したように、第２レジスト７を、主として第１薄膜コイル５の線素上に形成したことにより、最終的に得る薄膜磁気ヘッドにおける第２薄膜コイル８の線素が、第１薄膜コイル５の線素間上に配置された構成とされる。
【００５１】
なお、第１薄膜コイル５の線素間隔は、０．８μｍ〜１．２μｍに選定することによって、薄膜磁気ヘッドを特に好適に構成することができる。これは、第１薄膜コイル５の線素間隔が０．８μｍより小さいとコイルショートが起きやすく、１．２μｍより大きいと第１平坦化絶縁層６の上面の凹凸の高低差が大きくなってしまい、平坦化絶縁層６の上面の平坦性が損なわれるためである。
【００５２】
このようにして、第１及び第２の薄膜コイル５及び８と、第１及び第２の平坦化絶縁層６及び９により、最終的に得る薄膜磁気ヘッドの巻回中心部１３の周囲の巻回部１２を形成することができる。
【００５３】
上述した本発明構成によれば、第１平坦化絶縁層６の高さに偏りが生じることを効果的に回避できるものであり、したがって、第２レジスト７のこの工程で形成する第２薄膜コイル８の形状の歪みが回避される。
また、第２レジスト７の形成は、上述した第１レジスト４と同様にＥＢキュアによって行うことにより、熱によるレジストの変形を回避することができ、続いて形成する第２薄膜コイルの形状を精度良く選定することができるものである。
【００５４】
次に、図７Ｂに示すように、第２平坦化絶縁層９上に跨り、かつ前方部においては、磁気ギャップを形成する非磁性絶縁層２を介して第１の磁気ヘッドコア２の前方部と対向させ、この前方部間に、作動磁気ギャップ３を形成するとともに、後方部においては、バックギャッププコンタクトホール３ａを通じて第１の磁気ヘッドコア２に磁気的に結合させて、強磁性材の例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）による第２の磁気ヘッドコア１０を形成する。
【００５５】
このようにして、図１〜図３で説明した本発明による磁気ヘッド１を得ることができる。
尚、この場合、共通の基体２０上に複数の磁気ヘッドを同時に作製し、これを分断することによって、複数の磁気ヘッドを同時に形成することもできるし、多素子磁気ヘッドを構成することもできる。
そして、作動磁気ヘッド３が臨む、前方面、すなわち磁気記録媒体との摺動ないしは対向面は、所要の形状に研磨されることは通常の通りである。
【００５６】
以上、本発明による薄膜磁気ヘッドの実施の形態例について説明したが、本発明による薄膜磁気ヘッドは、これに限られるものでないことは言うまでもない。
例えば、上述の実施の形態例においては、第１及び第２の磁気ヘッドコアがＮｉＦｅによる構成としたが、詳細には、Ｎｉ８０Ｆｅ２０、Ｎｉ４５Ｆｅ５５等、本発明による薄膜磁気ヘッドに対する要求に応じて種々の構成をとることができる。
【００５７】
また、例えば、上述の製法例においては、第１及び第２の平坦化絶縁層にＡＺＰ４２１０（クラリアント社製）を用いる例を説明したが、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造においてはＡＺ−ＧＸＲ６０４（クラリアント社製）等を用いることもできるなど、本発明による薄膜磁気ヘッドは、各層を構成する材料の変更をはじめ、種々の変更及び変形をなされ得る。
【００５８】
上述したように、本発明による薄膜磁気ヘッドは、その大部分、具体的には、上層の第２の薄膜コイルが、下層の第１の薄膜コイルのコイル線素上を横切る部分を除く大部分の線素において、下層の第１の薄膜コイルの線素間に位置する構成とするものであることから、第１の薄膜コイルの線素間の間隔の選定によって、第１の薄膜コイル上の平坦化絶縁層の、第２の薄膜コイルの大部分の形成面を平坦面とすることができるものであり、薄膜コイルの膜厚が微細パターン化に応じて薄くされた場合にも、信頼性の向上を図ることができる。
【００５９】
また、第２の薄膜コイルの通電端子の導出部下の本来下層の第１の薄膜コイルが存在しない部分において、第１の薄膜コイルと同時に形成された、すなわち薄膜所定位置下に絶縁層を介して第１の薄膜コイルと同時に形成した通電がなされない、すなわち非通電のダミーパターンが形成された構成をとることにより、第２の薄膜コイルの最外周部における絶縁層の傾斜が回避される。
そして、平坦化絶縁層を、熱硬化によらない、電子ビーム硬化がなされた樹脂による平坦化絶縁層によって構成したこと、或いは下層の第１の薄膜コイルの線素間隔が０．８μｍ〜１．２μｍに選定された構成とすることにより、平坦化絶縁層の上面の平坦性を特に良好なものとすることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明による薄膜磁気ヘッドの一例の透視的上面図である。
【図２】本発明による薄膜磁気ヘッドの一例の概略断面図である。
【図３】本発明による薄膜磁気ヘッドの一例の透視的斜視図である。
【図４】本発明による薄膜磁気ヘッドの、第２薄膜コイルを除いた透視的上面図である。
【図５】図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ、本発明による薄膜磁気ヘッドの製法例の説明に供する一工程を示す工程図である。
【図６】図６Ａ及び図６Ｂは、それぞれ、本発明による薄膜磁気ヘッドの製法例の説明に供する一工程を示す工程図である。
【図７】図７Ａ及び図７Ｂは、それぞれ、本発明による薄膜磁気ヘッドの製法例の説明に供する一工程を示す工程図である。
【符号の説明】
【００６１】
１・・・薄膜磁気ヘッド、２・・・第１の磁気ヘッドコア（下層コア）、３・・・記録Ｔギャップ、３ａ・・・バックギャップコンタクトホール、４・・・第１レジスト、５・・・第１薄膜コイル、５ａ・・・通電端子部、６・・・第１平坦化絶縁層、７・・・第２レジスト、８・・・第２薄膜コイル、８ａ・・・通電端子部、９・・・第２平坦化絶縁層、１０・・・第２の磁気ヘッドコア（上層コア）、１１・・・ヘッド前方端部、１２・・・巻回部、１３・・・巻回中心部、２０・・・基体、２１・・・非磁性絶縁層、２２・・・非通電ダミーパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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