(57)【要約】【課題】露光装置を構成する構成部品内の水分濃度を所定値以下に保つために供給する不活性ガスの消費量を低減することが可能となる露光装置の構成部品、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造を提供する。【解決手段】露光装置において、投影系鏡筒２８は積層された複数の枠体４５で構成されている。枠体４５内には投影光学系４１が収納されている。この投影光学系４１はレンズ保持機構４３によって保持された複数のレンズエレメント４２からなっている。そして、前記投影系鏡筒２８の内周面にはその全面に不働態膜Ｆが形成されている。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク上に形成された所定のパターンの像を基板上に露光する露光装置を構成する露光装置の構成部品において、
少なくとも一部が金属で形成され、露光光が通過する空間に露出する金属面に不働態化処理を施したことを特徴とする露光装置の構成部品。
【請求項２】
前記空間が、不活性ガスによりパージされる密閉空間であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置の構成部品。
【請求項３】
前記露光光が、波長１９０ｎｍ以下の真空紫外光からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の露光装置の構成部品。
【請求項４】
前記不働態化処理により形成される不働態膜が、−７５０ｋＪ／ｍｏｌ以下の標準生成ギブスエネルギを有する酸化物からなることを特徴とする請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の露光装置の構成部品。
【請求項５】
前記酸化物が、Ａｌ２Ｏ３、Ａｓ２Ｏ５、Ａｓ４Ｏ６、Ｂ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、Ｎｂ２Ｏ５、Ｐ４Ｏ１０、Ｓｂ２Ｏ５、Ｓｂ４Ｏ６、Ｓｃ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｔｉ３Ｏ５、Ｖ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ４、Ｖ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２のうちいずれかであることを特徴とする請求項４に記載の露光装置の構成部品。
【請求項６】
前記金属がステンレス鋼であり、前記不働態化処理により形成される不働態化処理により形成される不働態膜がＣｒ２Ｏ３からなることを特徴とする請求項５に記載の露光装置の構成部品。
【請求項７】
前記ステンレス鋼が、フェライト系ステンレス鋼であることを特徴とする請求項６に記載の露光装置の構成部品。
【請求項８】
前記金属がアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、前記不働態化処理により形成される不働態膜がＡｌ２Ｏ３からなることを特徴とする請求項５に記載の露光装置の構成部品。
【請求項９】
前記金属がチタン合金であり、前記不働態化処理により形成された不働態膜がＴｉＯ２からなることを特徴とする請求項５に記載の露光装置の構成部品。
【請求項１０】
少なくとも１つの光学素子を収容する鏡筒において、鏡筒の本体を請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の露光装置の構成部品で形成したことを特徴とする鏡筒。
【請求項１１】
前記光学素子を保持する保持部材を請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の露光装置の構成部品で形成したことを特徴とする請求項１０に記載の鏡筒。
【請求項１２】
前記光学素子は、マスク上に形成された所定のパターンの像を基板上に投影する投影光学系を構成する複数の光学素子の１つであることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の鏡筒。
【請求項１３】
マスク上に形成された所定のパターンの像を基板上に露光する露光装置において、
少なくとも一部が金属で形成され、前記露光光の通過する空間に露出する金属面を有する構成部品の少なくとも一部を、請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の露光装置の構成部品で構成したことを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、前記リソグラフィ工程で、請求項１３に記載の露光装置を用いて露光を行うことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、あるいは薄膜磁気ヘッド等のデバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程において用いられる露光装置の構成部品に関するものである。また、本発明は、こうした構成部品で構成される鏡筒及び露光装置、並びに前記デバイスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の露光装置としては、例えば所定の波長の露光光を出射する光源と、その露光光をマスク上に照射する照明光学系と、その照明光学系の照明に基づいてマスク上に形成された回路パターンの像を基板上に投影する投影光学系とを備えたものが知られている。これらの照明光学系、及び投影光学系は、それぞれ鏡筒を有し、それら鏡筒内に複数のレンズ、ミラー、フィルタ、平行平板ガラス等の光学素子が収容された構造となっている。
【０００３】
こうした露光装置は一般にクリーンルーム内に設置されるが、クリーンルームといえども、その雰囲気中には微細量の、例えばアンモニウムイオン、硝酸イオン、硫酸イオン等のイオン性物質が浮遊している。また、露光装置の内部においても、前記光学素子やマスク、基板を駆動するための各種駆動部品があり、これら駆動部品に電力や信号を送るために多くの被覆線が使用されている。この被覆線の被覆材からは、極微量ながら有機物質が揮散している。さらに、基板上に塗布された感光材料の飛沫が、露光装置内に浮遊していることもある。これらイオン性物質、被覆材からの揮散物、感光材料の飛沫等は、前記光学素子に付着する汚染物質となり、その付着によって光学素子の曇りを招き、ひいてはデバイスの製造効率を低下させるようになる。そこで近年は、こうした曇りの発生を抑制するために、鏡筒内から汚染物質を排出するようにした露光装置が開発されている。
【０００４】
一方、露光装置の中でも、特に半導体素子の製造に用いられる露光装置では、近年における半導体素子の著しい高度集積化に対応すべく、その解像度の向上要求がさらに高まってきている。このような要求に対応するために、露光に供する露光光の短波長化が進んでおり、例えばＫｒＦエキシマレーザ（波長λ＝２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（λ＝１９３ｎｍ）といった遠紫外光や、さらにはＦ２レーザ（λ＝１５７ｎｍ）といった真空紫外光を使用する露光装置も開発されつつある。
【０００５】
このように、露光光として遠紫外光や真空紫外光を使用することにより、極めて高い解像度が得られるようにはなる。ところが、特に真空紫外光では、その光路中にある酸素や、水、炭酸ガス、有機物、ハロゲン化合物などの物質（吸光物質）に吸収されやすいといった性質も併せ有している。中でも、前記Ｆ２レーザは、酸素が存在する雰囲気を通過することにより大きく減衰して、デバイスの製造効率が著しく低下する。このため、露光光として前記真空紫外光を用いる露光装置にあっては、基板上における安定した露光エネルギー量を確保するために、前記鏡筒内に窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスを供給し、前記吸光物質を鏡筒外に排出することが提案されている。
【０００６】
また、短波長の強力なレーザ光により活性化された有機物などは光学素子の表面を汚染するが、前記光学系内にこうして不活性なガスを供給することにより、これらの有機物を低減し、各光学素子の性能劣化を防ぐことができるようにもなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記従来の露光装置にあっては、光路空間内における不純物の濃度が高く、ウエハ面上で十分な光量を得るためには大量の不活性ガスが必要とされている。特に、鏡筒内壁に付着した水分は、不活性ガスの供給によって揮散させようとした場合、極微量ずつしか内壁から脱離させることができず、水分濃度を十分に低減させるために大量の不活性ガスを消費していた。これは、露光装置のランニングコストの増大を、ひいてはデバイスの製造コストの増大を招く一因となっていた。
【０００８】
ここで、水分の発生源は、主に容器構成材質や容器内に設置されている光学素子やケーブル、またはそれらの保持部品などの表面に吸着した吸着水であり、この吸着水は、光路空間中へ長時間にわたって極微量ずつ揮散し、容器内の水分濃度を増加させることが分かっている。そして、Ｆ２レーザ等の真空紫外光の露光光は、この水分によって吸収され、ウエハ面上での十分な光量が得られなくなる。
【０００９】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、その目的は光学素子を収容する容器内での脱離水分量の好適な低減を図ることのできる露光装置の構成部品を提供することにある。また本発明の他の目的は、こうした構成部品で構成される鏡筒及び露光装置、並びに該露光装置を用いて製造されるデバイスの製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本願請求項１に記載の発明は、マスク上に形成された所定のパターンの像を基板上に露光する露光装置を構成する露光装置の構成部品において、少なくとも一部が金属で形成され、前記露光光が通過する空間に露出する金属面に不働態化処理を施したことを特徴とするものである。
【００１１】
この本願請求項１に記載の発明では、露光光が通過する空間に露出する金属面に不働態化処理、すなわち不働態膜を形成するようにしたことで、不働態膜自身の持つ水涸れ特性などの性質により、露光装置を構成する構成部品内の水分濃度を所定値に保つために供給する不活性ガスの消費量を低減することが可能となる。また、不働態膜の耐腐食性、耐酸化性などの性質により、当該構成部品内を長時間クリーンな状態に保つことも可能となる。しかも、さびや表面変質などによるパーティクルの発生も低減され、こうした構成部品を備えることで、いわゆるトラブルフリーな露光装置が実現されるようにもなる。
【００１２】
また、本願請求項２に記載の発明は、前記請求項１に記載の発明において、前記空間が、不活性ガスによりパージされる密閉空間であることを特徴とするものである。
【００１３】
この本願請求項２に記載の発明では、露光光が通過する空間を不活性ガスによりパージされる密閉空間とすることで、前記不働態化処理を施したことによる各種の利点、さらには水分パージ性能を最大限に維持することが可能となる。
【００１４】
また、本願請求項３に記載の発明は、前記請求項１または請求項２に記載の発明において、前記露光光が、波長１９０ｎｍ以下の真空紫外光からなることを特徴とするものである。
【００１５】
前述のように、真空紫外光、特にＦ２レーザ等、波長が１９０ｎｍ以下の真空紫外光ほど、その十分な光量を確保する上で光路空間中の水分濃度が無視できない要素となる。この点、本願請求項３に記載の発明では、露光光として、このような波長１９０ｎｍ以下の真空紫外光を対象とすることで、前記Ｆ２レーザ等を用いる場合であっても、その光路空間中の水分濃度による影響を好適に抑制することができるようになる。
【００１６】
また、本願請求項４に記載の発明は、前記請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の発明において、前記不働態化処理により形成される不働態膜が、−７５０ｋＪ／ｍｏｌ以下の標準生成ギブスエネルギを有する酸化物からなることを特徴とするものである。
【００１７】
一般に、標準生成ギブスエネルギが負の方向に大きい物質ほど安定性が高く、反応性は乏しい。言い換えると、このような物質ほど、安定した不働態膜として機能する。この点、本願請求項４に記載の発明では、−７５０ｋＪ／ｍｏｌ以下の標準生成ギブスエネルギを有する酸化物を不働態膜として用いることで、その機能を好適に維持することが可能となる。
【００１８】
また、本願請求項５に記載の発明は、前記請求項４に記載の発明において、前記酸化物が、Ａｌ２Ｏ３、Ａｓ２Ｏ５、Ａｓ４Ｏ６、Ｂ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、Ｎｂ２Ｏ５、Ｐ４Ｏ１０、Ｓｂ２Ｏ５、Ｓｂ４Ｏ６、Ｓｃ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｔｉ３Ｏ５、Ｖ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ４、Ｖ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２のうちいずれかであることを特徴とするものである。
【００１９】
この本願請求項５に記載の発明のように、前記金属の材質や露光光の波長等に応じてこれらの酸化膜を選択的に不働態膜として用いることができる。
また、本願請求項６に記載の発明は、前記請求項５に記載の発明において、前記金属がステンレス鋼であり、前記不働態化処理により形成される不働態化処理により形成される不働態膜がＣｒ２Ｏ３からなることを特徴とするものである。
【００２０】
この本願請求項６に記載の発明のように、前記金属がステンレス鋼である場合には、前記不働態膜としてＣｒ２Ｏ３を用いることが有効である。すなわち、ステンレス表面は通常、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＮｉＯなどの複数の酸化物が混在し、しかもまだらな複合酸化膜で覆われている。ここで、各酸化物の標準生成エンタルピ及び標準生成自由エネルギをみて明らかなように、Ｃｒ２Ｏ３は他の金属酸化膜に比べてそれらが非常に小さい。このことは、Ｃｒ２Ｏ３は他の金属酸化物よりも熱力学的に非常に安定した酸化物であることを意味する。そこで、前記不働態膜として、このＣｒ２Ｏ３でステンレス表面を１００％覆うようにすれば、不働態膜としての前記機能を安定して維持することができるようになる。なお、この形成するＣｒ２Ｏ３膜は緻密で不純物が少ないことが望ましい。
【００２１】
また、本願請求項７に記載の発明は、前記請求項６に記載の発明において、前記ステンレス鋼が、フェライト系ステンレス鋼であることを特徴とするものである。
【００２２】
この本願請求項７に記載の発明のように、ステンレス鋼として、Ｃｒの含有量の多いフェライト系ステンレスを用いるようにすれば、より分布が均一で緻密なＣｒ２Ｏ３不働態膜を形成することができる。
【００２３】
また、本願請求項８に記載の発明は、前記請求項５に記載の発明において、前記金属がアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、前記不働態化処理により形成される不働態膜がＡｌ２Ｏ３からなることを特徴とするものである。
【００２４】
この本願請求項８に記載のように、前記金属がアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合には、前記不働態膜としてＡｌ２Ｏ３を用いることが有効である。このように、母材となる金属に応じた不働態膜を施すことにより、より効果的に不働態化処理を行うことができる。
【００２５】
また、本願請求項９に記載の発明は、前記請求項５に記載の発明において、前記金属がチタン合金であり、前記不働態化処理により形成された不働態膜がＴｉＯ２からなることを特徴とするものである。
【００２６】
この本願請求項９に記載のように、前記金属がチタン合金である場合には、前記不働態膜としてＴｉＯ２を用いることが有効である。ちなみに、ＴｉＯ２の標準生成ギブスエネルギΔＧｆ０はアナタース型で−８８４．５ｋＪ／ｍｏｌ、ルチル型で−８８９．５ｋＪ／ｍｏｌであり、安定した不働態膜として機能する。
【００２７】
一方、本願請求項１０に記載の発明は、少なくとも１つの光学素子を収容する鏡筒において、鏡筒の本体を請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の露光装置の構成部品で形成したことを特徴とするものである。
【００２８】
この本願請求項１０に記載の発明では、前記露光装置の構成部品として特に、少なくとも１つの光学素子を収容する鏡筒の本体に対して請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の不働態化処理を施すこととしている。これにより、該鏡筒において、前記請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の発明と同様の作用効果が得られるようになる。
【００２９】
また、本願請求項１１に記載の発明は、前記鏡筒の前記光学素子を保持する保持部材を請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の露光装置の構成部品で形成したことを特徴とするものである。
【００３０】
この本願請求項１１に記載の発明では、鏡筒の前記光学素子を保持する保持部材に対しても請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の不働態化処理を施すこととしている。これにより、鏡筒内でのさらなる脱離水分量の低減効果が図られるようになる。
【００３１】
また、本願請求項１２に記載の発明は、前記請求項１０または請求項１１に記載の発明において、前記光学素子は、マスク上に形成された所定のパターンの像を基板上に投影する投影光学系を構成する複数の光学素子の１つであることを特徴とするものである。
【００３２】
前記投影光学系は露光装置として特に重要な部分の一つであり、この本願請求項１２に記載の発明では、このような投影光学系を形成する鏡筒、あるいはその内部で光学素子を保持する保持部材に対して請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の不働態化処理を施すこととなる。これにより、このような投影光学系を形成する鏡筒、あるいはその光学素子保持部材において、前記請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の発明と同様の作用効果が得られるようになる。
【００３３】
また一方、本願請求項１３に記載の発明は、マスク上に形成された所定のパターンの像を基板上に露光する露光装置において、少なくとも一部が金属で形成され、前記露光光の通過する空間に露出する金属面を有する構成部品の少なくとも一部を、請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の露光装置の構成部品で構成したことを特徴とするものである。
【００３４】
この本願請求項１３に記載の発明では、露光装置において露光光の通過する空間に露出する金属面を有する構成部品の少なくとも一部に対して請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の不働態化処理を施すこととしている。これにより、このような金属面を有する構成部品の少なくとも一部において、前記請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の発明と同様の作用効果が得られるようになる。
【００３５】
他方、本願請求項１４に記載の発明は、リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、前記リソグラフィ工程で、請求項１３に記載の露光装置を用いて露光を行うことを特徴とするものである。
【００３６】
この本願請求項１４に記載の発明では、露光装置として請求項１３に記載の露光装置、すなわちその金属面を有する構成部品の少なくとも一部に対して請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の不働態化処理が施されて、その脱離水分量の低減が図られた露光装置を用いて、リソグラフィ工程での露光が行われる。このため、露光光として例えば前述したＦ２レーザ等が用いられる場合であっても十分な光量の確保が容易となり、ひいてはより微細なマスクパターンを用いる高集積度のデバイスを歩留まりよく製造することが可能となる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明を、半導体素子製造用の露光装置、鏡筒及び同露光装置を構成する構成部品に具体化した一実施の形態について図１及び図２に基づいて説明する。
【００３８】
図１に示すように、前記露光装置は、所定の光源としての露光光源２１と露光装置本体２２とビーム・マッチング・ユニット（以下、「ＢＭＵ」という。）２３とから構成されている。前記露光光源２１は、所定の光及び露光光ＥＬとして、例えばＦ２レーザ光（λ＝１５７ｎｍ）を出射するレーザ光源となっている。前記ＢＭＵ２３は複数の光学素子で構成され、これら複数の光学素子はＢＭＵ室３９に収容される。このＢＭＵ２３を介して露光光源２１から出射された露光光ＥＬが露光装置本体２２内に導かれるようになっている。
【００３９】
前記露光装置本体２２は、前記露光光ＥＬの照射によりマスクとしてのレチクルＲ上に形成されたパターンの像を基板としてのウエハＷ上に転写するものであり、以下に露光装置本体２２の概略構成について説明する。
【００４０】
露光装置本体２２のチャンバ２５内には、照明系鏡筒２６、レチクル室２７、投影系鏡筒２８、及びウエハ室２９が、前記ＢＭＵ２３を介して導入された露光光ＥＬの光軸方向に順次配置されている。なお、前記ＢＭＵ室３９、照明系鏡筒２６、レチクル室２７、投影系鏡筒２８、及びウエハ室２９が、前記露光光ＥＬを取り囲む筐体を構成する。このチャンバ２５は図示しない空調装置を備えており、露光装置全体の動作を制御する主制御系３０の制御の下で、このチャンバ２５の内部が所定の温度及び湿度に保たれるようになっている。
【００４１】
区画室をなす前記レチクル室２７には、レチクルステージＲＳＴが配置されている。このレチクルステージＲＳＴにより、所定のパターンが形成されたレチクルＲが、前記露光光ＥＬの光軸と直交するように保持されるようになっている。また、区画室をなす前記ウエハ室２９には、ウエハステージＷＳＴにより、前記露光光ＥＬに対して感光性を有するフォトレジストが塗布された前記ウエハＷが、その露光光ＥＬの光軸と直交する面内において移動可能、かつその光軸に沿って微動可能に保持されるようになっている。
【００４２】
前記照明系鏡筒２６内には、前記レチクルＲを照明するための照明光学系３１が収容されている。この照明光学系３１は、複数のミラー３２、オプティカルインテグレータをなすフライアイレンズ（ロッドインテグレータでもよい）３３、リレー光学系３４、コンデンサレンズ３５等の光学素子からなっている。前記フライアイレンズ３３は、前記露光光源２１からの露光光ＥＬの入射により、その後方面に前記レチクルＲを均一な照度分布で照明する多数の二次光源を形成する。前記リレー光学系３４の後方には、前記露光光ＥＬの形状を整形するためのレチクルブラインド３６が配置されている。
【００４３】
前記照明系鏡筒２６の両端におけるＢＭＵ側開口部３７ａ及びマスク側開口部３７ｂには、照明光学系３１の一部の光学素子として円板状の平行平板３８が配置されている。この平行平板３８は、露光光ＥＬを透過する物質（合成石英、蛍石など）により形成されている。
【００４４】
前記ＢＭＵ側開口部３７ａに配置された平行平板３８によって、前記ＢＭＵ室３９の内部空間と、照明系鏡筒２６の内部空間とが分離される。なお、これらＢＭＵ室３９と照明系鏡筒２６とはベローズ部材（図示略）で連結されている。また、前記照明系鏡筒２６は、前記平行平板３８を介して区画室をなす複数の照明気密室に区画されている。そして、各照明気密室４０には、前記ミラー３２、前記フライアイレンズ３３、前記リレー光学系３４、及びコンデンサレンズ３５の各光学素子や、前記レチクルブラインド３６が単独であるいはいくつか組み合わされて収容されている。
【００４５】
前記投影系鏡筒２８内には、前記照明光学系３１によって照明されるレチクルＲ上のパターンの像を前記ウエハＷ上に投影するための投影光学系４１が収容されている。この投影光学系４１は、該投影光学系４１を構成する光学素子としての複数のレンズエレメント４２からなっている。そして、その投影系鏡筒２８の内部には、前記投影系鏡筒２８の内壁、前記レンズエレメント４２、及び同レンズエレメント４２を保持するレンズ保持機構（保持部材）４３によって、複数の枠体４５が積層形成されている。
【００４６】
前記ＢＭＵ室３９、前記照明気密室４０、前記レチクル室２７、前記枠体４５及びウエハ室２９には、パージガスの供給装置としてのパージガス供給系４８が接続されている。このパージガス供給系４８を介して、前記ＢＭＵ室３９、前記レチクル室２７、前記ウエハ室２９、前記照明気密室４０、前記枠体４５に対して、マイクロデバイス工場のユーティリティプラント内のタンク４９より、不活性ガスからなるパージガスが供給されるようになっている。ここで、前記不活性ガスとは、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等の中から選択された単体のガス、あるいはその混合ガスである。
【００４７】
前記パージガス供給系４８の給気配管５０の中には、パージガス中に含まれる不純物を除去するためのフィルタ５１及びパージガスを所定の温度に調整するとともにパージガス中の水分を除去する温調乾燥器５２が介装されている。そして、前記ＢＭＵ室３９、前記レチクル室２７、前記ウエハ室２９、前記照明気密室４０、前記枠体４５は、パージガス排出管５３を介して半導体素子製造工場の排気ダクト５４に接続されている。また、前記チャンバ２５も同排気ダクト５４に接続されている。また、前記チャンバ２５も同排気ダクト５４に接続されている。これにより、前記ＢＭＵ室３９、前記レチクル室２７、前記ウエハ室２９、前記照明気密室４０、前記枠体４５内に供給されたパージガスは、前記排気ダクト５４を介して、工場の外部に排出されるようになっている。
【００４８】
ところで前述のように、真空紫外光、特に前記Ｆ２レーザ等、波長が１９０ｎｍ以下の真空紫外光ほど、その十分な光量を確保する上で光路空間中の水分濃度が無視できない。特にＦ２レーザ光（λ＝１５７ｎｍ）では、大気中に多く存在する酸素および水分による吸収が非常に大きく、高度なパージ技術の開発が必要になる。ちなみに、酸素を露光光ＥＬが通過する空間内から排出する方法は、前記露光光ＥＬが通過する空間を完全に密閉し、外部との繋がりを一切無くすことで可能である。しかし、水分はその密閉容器の構成部材（ステンレス、アルミニウム、チタン合金、ゴム、プラスチックなど）すべての表面に付着しており、それらが接する空間中の水分濃度が低下すると、表面付着水分が前記空間中に放出され、水分濃度の低下を妨害する。
【００４９】
また、露光光ＥＬが通過する空間を構成する容器（照明系鏡筒２６、レチクルステージＲＳＴ、投影系鏡筒２８、ウエハステージＷＳＴ）は、さまざまな材質によって構成されており、さらにその容器内には多数の部品が収納されている。それらは、金属だけではなくガラス、ゴム、プラスチック、セラミックスなどさまざまである。これら全ての物質の表面には、多かれ少なかれ表面吸着した水分が存在しており、それらを取り囲む雰囲気中の水分濃度が低くなると、表面吸着水は空間中に放出される。この容器や部品表面からの脱離水分量を減らすには、その表面が気体に接触する面積を減らすことも有効な手段であるが、そもそも表面に吸着する水分量を低減させる方が重要である。前記露光光ＥＬが通過する空間を構成する容器はさまざまな材料で構成されているが、金属材料が最も多く前記露光光ＥＬが通過する空間雰囲気と接している。
【００５０】
そこで、本実施形態では、金属材料に表面処理を施すことで、材料表面の付着水分を低減し、水分排出性能を向上させることとした。具体的には、露光装置の各種光学系素子を収納する照明系鏡筒２６、投影系鏡筒２８等、露光光ＥＬが通過する空間に露出する金属面の全面に不働態化処理を施して、不働態膜を形成するようにした。これにより、不働態膜自身の持つ水涸れ特性などの性質により、露光装置を構成する構成部品内の水分濃度を所定値に保つために供給する不活性ガスの消費量を低減することが可能となる。中でもマスクパターン（レチクルＲ）をウエハ上に投影する投影系鏡筒２８の水分濃度を所定値に保つことは重要であり、次に、図２を参照して、この投影系鏡筒２８を例にとった場合の前記不働態化処理の処理態様について説明する。
【００５１】
図２は、図１に示した投影系鏡筒２８の縦断面図を概念的に示している。
この図２に示すように、前記投影系鏡筒２８は積層された複数の枠体４５で構成されている。枠体４５内には投影光学系４１が収納されている。この投影光学系４１はレンズ保持機構４３によって保持された光学素子としての複数のレンズエレメント４２からなっている。そして、前記投影系鏡筒２８の内周面にはその全面に不働態膜Ｆが施されている。
【００５２】
ここで、本実施形態における投影系鏡筒２８（枠体４５）はフェライト系ステンレス鋼によって形成されている。そのため、前記不働態膜Ｆとして、本実施形態ではＣｒ２Ｏ３を採用している。
【００５３】
一般に、ステンレス材料はさびにくいとされパージ空間でも多く使用される。ステンレス表面は通常、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＮｉＯなどの複数の酸化物が混在した複合酸化膜で覆われている。これら各種金属酸化物の標準生成エンタルピおよび標準生成自由エネルギをみると、Ｃｒ２Ｏ３は他の金属酸化物に比べて非常に小さいことが分かる。つまり、Ｃｒ２Ｏ３は他の酸化物よりも熱力学的に非常に安定した酸化物であることを意味する。そこで、本実施形態では、少なくとも前記投影系鏡筒２８を形成するフェライト系ステンレス鋼の内周面の全面をＣｒ２Ｏ３からなる不働態膜Ｆで覆うようにしている。
【００５４】
一方、Ｃｒ２Ｏ３膜自体は通常、空気中でも自然生成されるが、こうして自然生成されるＣｒ２Ｏ３膜は、厚さ、分布が共に不均一である。また、自然生成された酸化膜は緻密ではない。また、ステンレス鋼はＦｅを母材とした合金であり、自然生成された酸化物は酸素とステンレス鋼に含まれるＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ等とが酸化反応を起こし、上述のようにＣｒ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ等が混在した複合酸化膜となる。このような各種の酸化物が混在した状態よりも、これも上述のように熱力学的に安定した酸化膜であるＣｒ２Ｏ３膜を単独で形成する方が標準ギブスエネルギを低くでき、より安定した不働態膜Ｆとすることができるようになる。すなわち、ステンレス鋼の母材であるＦｅの酸化物であるＦｅ２Ｏ３の自由エネルギよりも低い酸化物形成の自由エネルギを持つＣｒ２Ｏ３膜を形成した方が不働態膜Ｆとしての効果は高い。さらに本実施形態では、Ｃｒを多く含むフェライト系ステンレス鋼を用いることで、より分布の均一な不働態膜Ｆの形成を可能としている。
【００５５】
なお、ステンレス鋼に対する不働態膜Ｆの表面処理方法としては乾式と湿式があるが、本実施形態では、乾式によって不働態化処理を行う。ちなみに、乾式による表面処理方法としては、例えばステンレス表面を強還元性雰囲気下で酸化させる方法がある。これによって、Ｃｒの選択酸化を行いＣｒ２Ｏ３の不働態膜Ｆでステンレス表面を１００％覆うことができるようになる。またこの場合、電気炉のガスの雰囲気を制御（高温化でＣｒが多い状態に）することで反応を進ませることもできる。
【００５６】
こうして、例えば前記投影系鏡筒２８の内周面の全面をＣｒ２Ｏ３からなる均一な不働態膜Ｆで１００％覆うことにより、表面吸着水が少なくなり、また吸着した水分が脱離しやすくなり、ひいては空間中の水分濃度を低く抑えることが可能となる。
【００５７】
以上説明したように、本実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（イ）  特に投影系鏡筒２８を例にとって説明したが、実際には前記露光光ＥＬが通過する空間に露出する金属面の全面に不働態膜Ｆを施すこととした。このため、それら光路中での高い脱離水分の低減効果が図れることとなり、露光光源２１に前記Ｆ２レーザ等を採用する場合であれ、その露光のための十分な光量を確保することができるようになる。
【００５８】
（ロ）  また、前記不働態膜Ｆを施したことで、耐腐食性や耐酸性等も改善され、露光装置として要求されるいわゆるトラブルフリーな高い耐久性を得ることもできる。
【００５９】
（ハ）  また、露光光ＥＬが通過する空間を不活性ガスによりパージされる密閉空間としたことで、前記不働態化処理を施したことによる各種の利点、さらには水分排出性能を最大限に維持することが可能となる。
【００６０】
（ニ）  露光光ＥＬが通過する空間に露出する金属がステンレス鋼であり、これに前記不働態膜ＦとしてＣｒ２Ｏ３膜を施すこととした。これにより、不働態膜Ｆとしての前記機能を安定して維持することができる。
【００６１】
（ホ）  また、ステンレス鋼として、Ｃｒの含有量の多いフェライト系ステンレスを用いたことで、より分布が均一で緻密なＣｒ２Ｏ３不働態膜Ｆを形成することができる。
【００６２】
（変更例）
なお、本発明の実施形態は、以下のように変更してもよい。
・  前記実施形態では、ステンレス鋼の表面処理方法を乾式で行ったが、表面処理方法としては乾式に限らず、湿式で行ってもよい。湿式による不働態化処理としては、例えばＣｒイオンを多く含むような液中に浸け、より多くのＣｒを被処理物の表面に付着させる。そして、希硝酸に浸すことで化学的に皮膜を形成（パシペート処理）する。もっとも、表面吸着水分の低減を図る上では、乾式による表面処理がより望ましい。
【００６３】
前記実施形態では、投影系鏡筒２８の内周面の全面に不働態膜ＦとしてＣｒ２Ｏ３膜を施すこととした。ただし、例えば図３及び図４に示すように、投影系鏡筒２８には通常、前記光学素子としてのレンズエレメント４２を保持するためのレンズ保持機構４３が設けられている。このレンズ保持機構４３は、具体的には、支持部６１をはじめ、フランジ４５ａに設けられたボルト孔６２へのボルト６４の螺着に基づいてレンズエレメント４２を保持するクランプ部材６３が設けられている。そこで、これらフランジ４５ａ、支持部６１、クランプ部材６３等に対しても前記不働態膜Ｆを施すこととすれば、例えば投影系鏡筒２８としての脱離水分量の低減効果もさらに高められるようになる。
【００６４】
・  前記実施形態では、ステンレス鋼としてフェライト系ステンレス鋼を用いる場合について例示したが、このステンレス鋼としては、フェライト系に限らず、オーステナイト系ステンレス鋼、マルテンサイト系ステンレス鋼、析出硬化系ステンレス鋼、二相系ステンレス鋼なども同様に用いることができる。
【００６５】
・  前記実施形態では、ステンレス鋼に対する不働態化処理としてＣｒ２Ｏ３膜を施す場合について例示したが、他の金属材料についてもこれに準じた不働態化処理を施すことができる。例えば、アルミニウム材に対してはＡｌ２Ｏ３膜を不働態膜Ｆとして施すことができ、チタン材に対してはＴｉＯ２膜を不働態膜Ｆとして施すことができる。そして、これらの場合でも前記実施形態に準じた効果を得ることはできる。要は、酸化膜の標準生成エンタルピΔＨｆ０、及び標準生成ギブスエネルギΔＧｆ０の一例を図５に示すように、これら標準生成ギブスエネルギーが−７５０ｋＪ／ｍｏｌ以下の酸化膜、すなわち図５において領域Ｚとして例示する酸化膜であれば、前記不働態膜Ｆとして良好に機能することが確認されている。なお、このような酸化膜としては、前記例示した酸化膜も含めて、一般にＡｓ２Ｏ５、Ａｓ４Ｏ６、Ｂ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、Ｎｂ２Ｏ５、Ｐ４Ｏ１０、Ｓｂ２Ｏ５、Ｓｂ４Ｏ６、Ｓｃ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ２Ｏ３、Ｔｉ３Ｏ５、Ｖ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ４、Ｖ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、等々がある。結局、前記金属の材質や露光光ＥＬの波長等に応じて、これらの酸化膜が選択的に不働態膜Ｆとして利用されることとなる。さらに、１つの元素の酸化物のみならず、複数元素の酸化物（例えば、Ａｌ２ＳｉＯ５等）も適宜採用可能である。
【００６６】
・  前記実施形態では、前記露光光ＥＬとしてＦ２レーザ光（λ＝１５７ｎｍ）を例示したが、例えばｇ線（λ＝４３６ｎｍ）、ｉ線（λ＝３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（λ＝２４８ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（λ＝１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（λ＝１２６ｎｍ）等を用いてもよい。また、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高周波を用いてもよい。
【００６７】
・  また露光装置として、投影光学系を用いることなく、マスクと基板とを密接させてマスクのパターンを露光するコンタクト露光装置、マスクと基板とを近接させてマスクのパターンを露光するプロキシミティ露光装置の光学系にも適用することができる。また、投影光学系としては、全屈折タイプに限らず、反射屈折タイプであってもよい。さらに、本発明の露光装置は、縮小露光型の露光装置のみならず、例えば等倍露光型、拡大露光型の露光装置であってもよい。また、半導体素子などのデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルＲまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光などを用いる露光装置では一般に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては、石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、または水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置などでは、透過型マスク（ステンシルマスク、メンバレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハなどが用いられる。
【００６８】
・  その他、半導体素子の製造に用いられる露光装置だけでなく、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置にも、本発明を適用することができる。また、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などにも本発明を適用することができる。
【００６９】
・  さらに、本発明は、マスクと基板とが相対移動した状態でマスクのパターンを基板へ転写し、基板を順次ステップ移動させるスキャニング・ステッパにも適用することができる。あるいは、マスクと基板とが静止した状態でマスクのパターンを基板へ転写し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式のステッパにも同様に適用することができる。
【００７０】
なお、前記実施形態の鏡筒及び露光装置は例えば次のように製造される。
すなわち、まず、照明光学系３１、投影光学系４１を構成する複数のレンズ、ミラー及び平行平板３８等の光学素子の少なくとも一部をレンズ保持機構４３で保持し、この照明光学系３１及び投影光学系４１を露光装置本体２２に組み込み、光学調整を行う。次いで、多数の機械部品からなるウエハステージＷＳＴ（スキャンタイプの露光装置の場合は、レチクルステージＲＳＴも含む）を露光装置本体２２に取り付けて配線を接続する。そして、露光光ＥＬの光路内にパージガスを供給するパージガス供給系４８の配管を接続した上で、さらに総合調整（電気調整、動作確認など）を行う。
【００７１】
ここで、前記レンズ保持機構４３及びその周辺部材を構成する各部品は、超音波洗浄などにより、加工油や、金属物質などの不純物を落としたうえで、組み上げられる。なお、露光装置の製造は、温度、湿度や気圧が制御され、かつクリーン度が調整されたクリーンルーム内で行うことが望ましい。
【００７２】
次に、上述した露光装置をリソグラフィ工程で使用したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
図６は、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。図６に示すように、まず、ステップＳ２０１（設計ステップ）において、デバイス（マイクロデバイス）の機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ２０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲ）を製作する。一方、ステップＳ２０３（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハＷを製造する。
【００７３】
次に、ステップＳ２０４（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ２０１〜Ｓ２０３で用意したマスク（レチクルＲ）とウエハＷを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハＷ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ２０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ２０４で処理されたウエハＷを用いてデバイスの組立を行う。このステップＳ２０５には、ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。
【００７４】
最後に、ステップＳ２０６（検査ステップ）において、ステップＳ２０５で作製されたデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。
【００７５】
図７は、半導体デバイスの場合における、図６のステップＳ２０４の詳細なフローの一例を示す図である。図７において、ステップＳ２１１（酸化ステップ）では、ウエハＷの表面を酸化させる。ステップＳ２１２（ＣＶＤステップ）では、ウエハＷ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２１３（電極形成ステップ）では、ウエハＷ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２１４（イオン打込みステップ）では、ウエハＷにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１１〜Ｓ２１４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００７６】
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハＷに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）によってマスクの回路パターンをウエハＷに転写する。次にステップＳ２１７（現像ステップ）では露光されたウエハＷを現像し、ステップＳ２１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露光部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
【００７７】
これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハＷ上に多重に回路パターンが形成される。
以上説明した本実施形態のデバイス製造方法を用いれば、露光工程（ステップＳ２１６）において上記の露光装置が用いられ、真空紫外域の露光光ＥＬにより解像力の向上が可能となり、しかも露光量制御を高精度に行うことができる。従って、結果的に最小線幅が０．１μｍ程度の高集積度のデバイスを歩留まりよく生産することができる。
【００７８】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１に記載の発明によれば、マスク上に形成された所定のパターンの像を基板上に露光する露光装置の構成部品において、露光装置を構成する材質から発生する脱離水分を低減することができる。また、脱離水分を低減することで水分濃度を所定値まで低減させるために必要な不活性ガスの量を低減できる。また、不働態膜の耐腐食性、耐酸化性などの性質により、当該構成部品内を長時間クリーンな状態に保つことも可能となる。しかも、さびや表面変質などによるパーティクルの発生も低減され、こうした構成部品を備えることで、いわゆるトラブルフリーな露光装置が実現されるようにもなる。
【００７９】
また、請求項２に記載の発明によれば、前記請求項１に記載の効果に加えて、露光光が通過する空間が不活性ガスによってパージされることで、前記不働態化処理を施したことによる各種の利点、さらには水分パージ性能を最大限に維持することが可能となる。
【００８０】
また、請求項３に記載の発明によれば、前記請求項１または請求項２に記載の効果に加えて、露光光として、このような波長１９０ｎｍ以下の真空紫外光を対象とすることで、前記Ｆ２レーザ等を用いる場合であっても、その光路空間中の水分濃度による影響を好適に抑制することができるようになる。
【００８１】
また、請求項４に記載の発明によれば、前記請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の効果に加えて、−７５０ｋＪ／ｍｏｌ以下の標準生成ギブスエネルギを有する酸化物を不働態膜として用いることで、その機能を好適に維持することが可能となる。
【００８２】
また、請求項５に記載の発明によれば、前記請求項４に記載の効果に加えて、前記金属の材質や露光光の波長等に応じてこれらの酸化膜を選択的に不働態膜として用いることができる。
【００８３】
また、請求項６に記載の発明によれば、前記請求項５に記載の効果に加えて、前記不働態膜として、このＣｒ２Ｏ３でステンレス表面を１００％覆うようにすれば、不働態膜としての前記機能を安定して維持することができるようになる。
【００８４】
また、請求項７に記載の発明によれば、前記請求項６に記載の効果に加えて、ステンレス鋼として、Ｃｒの含有量の多いフェライト系ステンレスを用いるようにすれば、より分布が均一で緻密なＣｒ２Ｏ３不働態膜を形成することができる。
【００８５】
また、請求項８に記載の発明によれば、前記請求項５の効果に加えて、前記金属がアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合には、前記不働態膜としてＡｌ２Ｏ３を用いることが有効である。このように、母材となる金属に応じた不働態膜を施すことにより、より効果的に不働態化処理を行うことができる。
【００８６】
また、請求項９に記載の発明によれば、前記請求項５に記載の効果に加えて、前記金属がチタン合金である場合には、前記不働態膜としてＴｉＯ２を用いることが有効である。ちなみに、ＴｉＯ２の標準生成ギブスエネルギΔＧｆ０はアナタース型で−８８４．５ｋＪ／ｍｏｌ、ルチル型で−８８９．５ｋＪ／ｍｏｌであり、安定した不働態膜として機能する。
【００８７】
一方、請求項１０に記載の発明によれば、前記露光装置の構成部品として特に、少なくとも１つの光学素子を収容する鏡筒の本体に対して請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の不働態化処理を施すこととしている。これにより、該鏡筒において、前記請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の発明と同様の作用効果が得られるようになる。
【００８８】
また、請求項１１に記載の発明によれば、鏡筒の前記光学素子を保持する保持部材に対しても請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の不働態化処理を施すこととしている。これにより、鏡筒内でのさらなる脱離水分量の低減効果が図られるようになる。
【００８９】
また、請求項１２に記載の発明によれば、前記投影光学系は露光装置として特に重要な部分の一つであり、この本願請求項１２に記載の発明では、このような投影光学系を形成する鏡筒、あるいはその内部で光学素子を保持する保持部材に対して請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の不働態化処理を施すこととなる。これにより、このような投影光学系を形成する鏡筒、あるいはその光学素子保持部材において、前記請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の発明と同様の効果が得られるようになる。
【００９０】
また一方、請求項１３に記載の発明によれば、露光装置において露光光の通過する空間に露出する金属面を有する構成部品の少なくとも一部に対して請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の不働態化処理を施すこととしている。これにより、このような金属面を有する構成部品の少なくとも一部において、前記請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の発明と同様の効果が得られるようになる。
【００９１】
他方、請求項１４に記載の発明によれば、露光装置として請求項１３に記載の露光装置、すなわちその金属面を有する構成部品の少なくとも一部に対して請求項１〜請求項９のうちいずれか一項に記載の不働態化処理が施されて、その脱離水分量の低減が図られた露光装置を用いて、リソグラフィ工程での露光が行われる。このため、露光光として例えば前述したＦ２レーザ等が用いられる場合であっても十分な光量の確保が容易となり、ひいてはより微細なマスクパターンを用いる高集積度のデバイスを歩留まりよく製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態における露光装置の概略構成図。
【図２】図１の投影系鏡筒の概念縦断面図。
【図３】投影系鏡筒の枠体縦断面図。
【図４】投影系鏡筒の枠体分解斜視図。
【図５】各種酸化膜の標準生成エンタルピΔＨｆ０及び標準生成ギブスエネルギΔＧｆ０を例示する図。
【図６】デバイスの製造工程を示すフローチャート。
【図７】半導体素子の製造工程を示すフローチャート。
【符号の説明】
２１…露光光源、２３…ビーム・マッチング・ユニット（ＢＭＵ）、２６…照明系鏡筒、２７…レチクル室、２８…投影系鏡筒、２９…ウエハ室、３１…照明光学系、３２…光学素子としてのミラー、３３…光学素子としてのフライアイレンズ、３４…光学素子としてのリレー光学系、３５…光学素子としてのコンデンサレンズ、３８…光学素子としての平行平板、４１…投影光学系、４２…光学素子としてのレンズエレメント、ＥＬ…露光光、Ｆ…不働態膜、Ｒ…レチクル（マスク）、Ｗ…ウエハ、ΔＨｆ０…標準生成エンタルピ、ΔＧｆ０…標準生成ギブスエネルギ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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