(57)【要約】  【課題】 本発明は逆多重化器を用いた表示装置に関し、特に逆多重化器を用いる表示装置の電源配線に関する。  【解決手段】逆多重化器を用いた表示装置で、逆多重化器はデータ駆動部で時分割されて印加されるデータ電流を順次にサンプリングした後、複数のデータ線でホールディングする。逆多重化器が１:Ｎ逆多重化をする場合に一つの水平周期の間、Ｎ個のデータ線に対応するデータ電流をサンプリングすべきなので、１/Ｎ水平周期の間、一つのデータ線に対応するデータ電流がサンプリングされるべきである。本発明ではデータ電流をサンプリングする前に逆多重化器とデータ駆動部の間に連結される信号線を電圧とプリチャージする。【選択図】図４
2005157274.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を示すデータ電流を伝達する複数のデータ線と前記データ線と電気的に連結されている複数の画素回路を含む表示領域と、
複数の第１信号線と、
前記複数の第１信号線に電気的に連結されて前記データ電流に対応する第１電流を時分割して前記第１信号線に伝達するデータ駆動部と、
前記複数の第１信号線から前記第１電流を各々受信する複数の逆多重化器を含む逆多重化部と、
前記第１信号線に前記第１電流が伝達される前に前記第１信号線にプリチャージ電圧を伝達するプリチャージ部とを含み、
前記逆多重化器は前記第１信号線から前記第１電流を受信して少なくとも二つの前記データ線に前記データ電流を伝達することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記逆多重化器は前記第１信号線に電気的に連結される複数のサンプル/ホールド回路を含み、
一つの水平周期で、前記複数のサンプル/ホールド回路のうちの一つのグループのサンプル/ホールド回路が前記第１信号線を通じて順次に印加される前記第１電流を順次にサンプリングする間、他のグループのサンプル/ホールド回路が直前水平周期間にサンプリングした電流を前記少なくとも二つのデータ線でホールディングすることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数のサンプル/ホールド回路は、
前記第１信号線に入力端が各々連結されて前記少なくとも二つのデータ線のうちの第１データ線に出力端が各々連結される第１及び第２サンプル/ホールド回路と、
前記第１信号線に入力端が各々連結されて前記少なくとも二つのデータ線のうちの第２データ線に出力端が各々連結される第３及び第４サンプル/ホールド回路とを含み、
前記第１及び第３サンプル/ホールド回路が一つのグループのサンプル/ホールド回路を形成し、前記第２及び第４サンプル/ホールド回路が違うグループのサンプル/ホールド回路を形成することを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記プリチャージ電圧は前記プリチャージ電圧印加後、前記第１信号線に伝達される第１電流が与えられたサンプリング時間内で実質的にサンプリングになるようにする電圧であることを特徴とする、 請求項２または請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
直前サンプリングの期間中は前記第１信号線に第１レベル乃至第２レベル階調を有する第１電流が伝達された後、現在サンプリングの期間中は前記第１信号線に印加される第１電流がサンプリング期間内で実質的にサンプリングになる場合に、
前記プリチャージ電圧は前記第１レベル階調の電流に対応する第１電圧と前記第２レベル階調の電流に対応する第２電圧の間の電圧であることを特徴とする、請求項２または請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
前記サンプル/ホールド回路は、サンプリング信号に応答して導通するサンプリングスイッチング素子、ホールディング信号に応答して導通するホールディングスイッチング素子、そして前記サンプリングスイッチング素子の導通時に前記第１電流をサンプリングした後、前記ホールディングスイッチング素子の導通の時に前記サンプリング一つの電流をホールディングするデータ貯蔵素子を含み、
前記サンプリング信号は前記複数のサンプル/ホールド回路に順次に印加されることを特徴とする、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記データ貯蔵素子は、
前記サンプリング信号に応答してソースが第１電源に電気的に連結されてゲートとドレーンが前記第１信号線に電気的に連結されるトランジスタ、そして前記トランジスタのゲートとソースの間に連結されて前記ドレーン側に伝達される電流に対応する電圧を貯蔵するキャパシタを含むことを特徴とする、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１電圧が前記第２電圧より前記第１電源の電圧に近くて、前記複数のサンプル/ホールド回路各々に含まれるトランジスタの敷居電圧の絶対値で最大値と代表値の差が第３電圧であり前記第１電圧より前記第３電圧ほど前記第１電源の電圧から遠い電圧が第４電圧である場合、
前記プリチャージ電圧は前記第４電圧と前記第２電圧の間の電圧であることを特徴とする、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記複数のサンプル/ホールド回路各々に含まれるトランジスタの敷居電圧の絶対値で代表値と最小値の差が第５電圧であり前記第２電圧より前記第５電圧ほど前記第１電源の電圧に近い電圧が第６電圧である場合、
前記プリチャージ電圧は前記第６電圧と前記第４電圧の間の電圧であることを特徴とする、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記複数のサンプル/ホールド回路の前記第１電源の電圧で最大値と最小値の差が第３電圧であり、前記第１電圧が前記第２電圧より前記第１電源の電圧に近くて、前記第１電圧より前記第３電圧ほど前記第１電源の電圧から遠い電圧が第４電圧である場合、
前記プリチャージ電圧は前記第４電圧と前記第２電圧の間の電圧であることを特徴とする、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記複数のサンプル/ホールド回路各々に含まれるトランジスタの敷居電圧の絶対値で最大値と代表値の差が第５電圧であり代表値と最小値の差が第６電圧であり、前記第４電圧より前記第５電圧ほど前記第１電源の電圧から遠い電圧が第７電圧であり、前記第２電圧より前記第６電圧ほど前記第１電源の電圧に近い電圧が第８電圧である場合、
前記プリチャージ電圧は前記第８電圧と前記第７電圧の間の電圧であることを特徴とぅる、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記データ貯蔵素子はトランジスタ及び前記トランジスタのゲートとソースの間に電気的に連結されるキャパシタを含み、
前記サンプリングスイッチング素子は、前記トランジスタのドレーンと入力端の間に電気的に連結される第１スイッチング素子、導通時に前記トランジスタをダイオード形態で連結する第２スイッチング素子、そして前記第１電源と前記トランジスタの間に電気的に連結される第３スイッチング素子を含み、
前記ホールディングスイッチング素子は、第２電源と前記トランジスタの間に電気的に連結される第４スイッチング素子、そして前記トランジスタと出力端の間に電気的に連結される第５スイッチング素子を含むことを特徴とする、請求項６に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記複数のサンプル/ホールド回路で前記プリチャージ電圧は同一な電圧であることを特徴とする、請求項２または請求項３に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記複数のサンプル/ホールド回路で少なくとも二つのサンプル/ホールド回路に印加される前記第１電流の範囲が互いに異なる場合に、前記少なくとも二つのサンプル/ホールド回路には互いに異なる電圧が印加されることを特徴とする、請求項２または請求項３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記表示領域は前記画素回路に電源電圧を供給する複数の第２信号線を更に含み、
前記逆多重化部と前記データ駆動部の間で前記第１信号線と絶縁されて交差する方向に形成され、前記第２信号線で電源電圧を伝達する電源線を更に含むことを特徴とする、請求項１乃至請求項３のうちのある一つの項に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１電源の電圧は前記電源線で供給されることを特徴とする、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記プリチャージ部は前記データ駆動部の内部に形成されることを特徴とする、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１８】
第１項乃至第３項のうちのある一つの項において、
前記画素回路は、
前記データ線を通じて伝達される前記データ電流が流れるトランジスタと、
前記トランジスタのソースとゲートの間に電気的に連結されて前記トランジスタに流れる電流に対応する電圧が貯蔵されるキャパシタと、
前記キャパシタに貯蔵された電圧によって前記トランジスタに流れる電流に対応して発光する発光素子とを含むことを特徴とする、請求項１乃至請求項３のうちのある一つの項に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記発光素子は有機物質の電界発光を用いる発光素子であることを特徴とする、請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
画像を示すデータ電流を伝達する複数のデータ線、前記複数のデータ線に電気的に連結されていて前記データ電流によって画像を表示する複数の画素回路、各々前記複数のデータ線のうちの少なくとも二つのデータ線に対応して前記データ電流に対応する電流を順次に伝達する複数の第１信号線を含む表示装置を駆動する方法において、
前記第１信号線に第１プリチャージ電圧を印加する段階と、
前記第１信号線に前記少なくとも二つのデータ線のうちの第１データ線に印加されるデータ電流に対応する第１電流を印加する段階と、
前記第１信号線に第２プリチャージ電圧を印加する段階と、
前記第１信号線に前記少なくとも二つのデータ線のうちの第２データ線に印加されるデータ電流に対応する第２電流を印加する段階と、
前記第１及び第２データ線に各々前記第１及び第２電流に対応するデータ電流を印加する段階とを含むことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項２１】
前記第１信号線に前記第１電流を印加する段階は、前記第１信号線と前記第１データ線の間に電気的に連結される第１サンプル/ホールド回路が前記第１電流をサンプリングする段階を含み、
前記第１信号線に前記第２電流を印加する段階は、前記第１信号線と前記第２データ線の間に電気的に連結される第２サンプル/ホールド回路が前記第２電流をサンプリングする段階を含むことを特徴とする、請求項２０に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２２】
前記第１プリチャージ電圧と前記第２プリチャージ電圧は同一な電圧であることを特徴とする、請求項２０または請求項２１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２３】
前記第１データ線に対応する前記第１電流の範囲と前記第２データ線に対応する前記第２電流の範囲が違う場合に、
前記第１プリチャージ電圧と前記第２プリチャージ電圧は互いに異なる電圧であることを特徴とする、請求項２０または請求項２１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２４】
一つの方向に伸びている第１及び第２データ線、前記第１及び第２データ線に電気的に連結されている複数の画素回路を含む表示領域と、
第１信号線と、
前記第１信号線と前記第１データ線の間に電気的に連結されて画像を示す第１データ電流を前記第１データ線でホールディングする第１サンプル/ホールド回路と、
前記第１信号線と前記第２データ線の間に電気的に連結されて画像を示す第２データ電流を前記第２データ線でホールディングする第２サンプル/ホールド回路と、
前記第１信号線に電気的に連結されて前記第１及び第２データ電流に各々対応する第１及び第２電流を順次に前記第１信号線に伝達するデータ駆動部と、
前記第１信号線に電気的に連結されて前記第１信号線に前記第１電流が印加される前に前記第１信号線に第１プリチャージ電圧が伝達されるように動作して前記第１信号線に前記第２電流が印加される前に前記第１信号線に第２プリチャージ電圧が伝達されるように動作するプリチャージ部とを含み、
前記第１及び第２サンプル/ホールド回路は一つの水平周期のうちの少なくとも一部の期間中は前記第１及び第２電流を各々サンプリングし、次の水平周期の間中は前記第１及び第２データ電流をホールディングすることを特徴とする表示装置。
【請求項２５】
前記第１プリチャージ電圧と前記第２プリチャージ電圧は同一な電圧であることを特徴とする、請求項２４に記載の表示装置。
【請求項２６】
前記第１データ線に対応する前記第１電流の範囲と前記第２データ線に対応する前記第２電流の範囲が違う場合に、
前記第１プリチャージ電圧と前記第２プリチャージ電圧は互いに異なる電圧であることを特徴とする、請求項２４に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は逆多重化器を用いた表示装置に関し、特に逆多重化器を用いる表示装置の電源配線に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置には走査線を駆動するための走査駆動部とデータ線を駆動するためのデータ駆動部が必要である。この時、データ駆動部はデジタルデータ信号をアナログ信号に変換して全てのデータ線に印加する必要があり、データ線と同じ個数の出力端子が必要である。ところで、一般のデータ駆動部は、複数の同型集積回路を用いて製作されるが、一つの集積回路に付ける出力端子の個数は制限されていて、全てのデータ線を駆動するためには多くの集積回路が必要になる。それで集積回路の個数を減らすために逆多重化器を用いる方法が提案された。
【０００３】
例えば、１:２逆多重化器はデータ駆動部から一つの信号線を通じて時分割されて印加されるデータ信号を２つのデータ線に分けて印加する。従って、１:２逆多重化器を用いる場合には集積回路の個数を半分で減らすことができる。最近、液晶表示装置と有機電界発光表示装置はデータ駆動部用集積回路がパネル上に直接搭載される形態で製作される傾向にあって、このような場合には、集積回路の個数を更に減らす必要がある。
【０００４】
そして逆多重化器、データ駆動部及び走査駆動部のための集積回路をパネル上に直接搭載する形態で製作された時、画素に電源電圧を供給するために図１のように電源供給点、電源供給線及び電源配線が形成された。
【０００５】
図１を見ると、表示領域１０の左側には、選択信号を選択走査線ＳＥ１〜ＳＥｍに印加するための走査駆動部２０が配置され、表示領域１０の右側には、画素の発光を制御する信号を発光走査線ＥＭ１〜ＥＭｍに印加するための走査駆動部３０が配置される。そして表示領域１０の下端にデータ線Ｄ１〜Ｄｎにデータ信号を印加するための逆多重化部４０とデータ駆動部５０が配置される。この時、各画素に電源電圧を供給するため縦方向に縦線６０が形成されており、基板上端に縦線６０に連結される電源線７０が横方向に長く形成されている。そして基板上端の電源線７０と外部に通じる電源供給線８０が電源供給点９０によって連結されており、電源供給線８０は二つの走査駆動部２０、３０の外側を巡る形態に形成されている。
【０００６】
この時、画素が電源電圧を必要とする場合には電源線７０と縦線６０を通じて電流が流れるので、電源供給線７０と縦線６０に存在する寄生抵抗のために電源供給線７０と縦線６０で電圧降下が発生する。このような電圧降下は電源供給点９０から遠くなるほど大きくなり、図１では電源供給線７０の中央付近と縦線６０の下端付近で大きくなる。
【０００７】
一般に、画素で使う駆動トランジスタには特性偏差が存在するために駆動トランジスタの特性曲線で飽和領域のマージンを確保すべきである。ところが電圧降下が大きくな場合には飽和領域のマージンを十分にするため、電源電圧を大きくする必要があって、消費電力も増加する結果になる。また、１:Ｎ逆多重化のために逆多重化器でサンプル/ホールド回路を用いる場合に一つの水平周期の１/Ｎ時間の間、一つのデータ線に対応するデータ電流をサンプリングしなければならないので、サンプリング時間が短くて、これによりデータ電流を適切にサンプリングすることができないという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が目的とする技術的課題は電圧降下を減らすことができる逆多重化器を用いた表示装置を提供することにある。また、本発明は与えられた時間内でサンプリングできる表示装置を提供することをその技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような課題を解決するために、本発明は逆多重化部でデータをサンプリングする前に逆多重化部とデータ駆動部の間の信号線を電圧でプリチャージする。
【００１０】
本発明の一つの特徴による表示装置は、表示領域、複数の第１信号線、データ駆動部、逆多重化部及びプリチャージ部を含む。表示領域には画像を示すデータ電流を伝達する複数のデータ線とデータ線と電気的に連結されている複数の画素回路を含む。データ駆動部は複数の第１信号線に電気的に連結されてデータ電流に対応する第１電流を時分割して第１信号線に伝達し、逆多重化部は複数の第１信号線から第１電流を各々受信する複数の逆多重化器を含む。プリチャージ部は第１信号線で第１電流が伝達される前に第１信号線で電圧を伝達し、逆多重化器は第１信号線から第１電流を受信して少なくとも二つのデータ線でデータ電流を伝達する。
【００１１】
本発明の一つの実施例によると、逆多重化器は第１信号線に電気的に連結される複数のサンプル/ホールド回路を含む。一つの水平周期で、複数のサンプル/ホールド回路のうちの一つのグループのサンプル/ホールド回路が第１信号線を通じて順次に印加される第１電流を順次にサンプリングする間、他のグループのサンプル/ホールド回路が直前水平周期の間サンプリングした電流を少なくとも二つのデータ線でホールディングする。
【００１２】
ここで、複数のサンプル/ホールド回路は、第１信号線に入力端が各々連結されて少なくとも二つのデータ線のうちの第１データ線に出力端が各々連結される第１及び第２サンプル/ホールド回路、そして第１信号線に入力端が各々連結されて少なくとも二つのデータ線のうちの第２データ線に出力端が各々連結される第３及び第４サンプル/ホールド回路を含むことができる。そして第１及び第３サンプル/ホールド回路が一つのグループのサンプル/ホールド回路を形成し、第２及び第４サンプル/ホールド回路が違うグループのサンプル/ホールド回路を形成する。
【００１３】
本発明の他の実施例によると、プリチャージ電圧はプリチャージ電圧印加後、第１信号線に伝達される第１電流が与えられたサンプリング時間内で実質的にサンプリングになるようにする電圧である。
【００１４】
本発明の他の実施例によると、直前サンプリングの期間中は第１信号線に第１レベル乃至第２レベル階調を有する第１電流が伝達された後、現在サンプリングの期間中は第１信号線に印加される第１電流がサンプリング期間内で実質的にサンプリングになる場合に、プリチャージ電圧は第１レベル階調の電流に対応する第１電圧と第２レベル階調の電流に対応する第２電圧の間の電圧である。
【００１５】
本発明の他の実施例によると、サンプル/ホールド回路はサンプリング信号に応答して導通するサンプリングスイッチング素子、ホールディング信号に応答して導通するホールディングスイッチング素子、そしてサンプリングスイッチング素子の導通時に第１電流をサンプリングした後、ホールディングスイッチング素子の導通時にサンプリングした電流をホールディングするデータ貯蔵素子を含み、サンプリング信号は複数のサンプル/ホールド回路に順次に印加される。
【００１６】
ここで、データ貯蔵素子は、サンプリング信号に応答してソースが第１電源に電気的に連結されてゲートとドレーンが第１信号線に電気的に連結されるトランジスタ、そしてトランジスタのゲートとソースの間に連結されてドレーン側に伝達される電流に対応する電圧を貯蔵するキャパシタを含む。
【００１７】
本発明の他の実施例によると、前記第１電圧が前記第２電圧より第１電源の電圧に近くて、複数のサンプル/ホールド回路の各々に含まれるトランジスタの敷居電圧の絶対値で最大値と代表値の差が第３電圧であり第１電圧より第３電圧ほど第１電源の電圧から遠い電圧が第４電圧である場合、プリチャージ電圧は第４電圧と第２電圧の間の電圧である。
【００１８】
ここで、複数のサンプル/ホールド回路の各々に含まれるトランジスタの敷居電圧の絶対値で代表値と最小値の差が第５電圧であり第２電圧より第５電圧ほど第１電源の電圧に近い電圧が第６電圧である場合、プリチャージ電圧は第６電圧と第４電圧の間の電圧でありうる。
【００１９】
本発明の他の実施例によると、複数のサンプル/ホールド回路の第１電源の電圧で最大値と最小値の差が第３電圧であり、前記第１電圧が前記第２電圧より第１電源の電圧に近くて、第１電圧より第３電圧ほど第１電源の電圧から遠い電圧が第４電圧である場合、プリチャージ電圧は第４電圧と第２電圧の間の電圧である。
【００２０】
ここで、複数のサンプル/ホールド回路の各々に含まれるトランジスタの敷居電圧の絶対値で最大値と代表値の差が第５電圧であり代表値と最小値の差が第６電圧であり、第４電圧より第５電圧ほど第１電源の電圧から遠い電圧が第７電圧であり、第２電圧より第６電圧ほど第１電源の電圧に近い電圧が第８電圧である場合、プリチャージ電圧は第８電圧と第７電圧の間の電圧でありうる。
【００２１】
本発明の他の実施例によると、データ貯蔵素子はトランジスタ及びトランジスタのゲートとソースの間に電気的に連結されるキャパシタを含み、サンプリングスイッチング素子は、トランジスタのドレーンと入力端の間に電気的に連結される第１スイッチング素子、導通時にトランジスタをダイオード形態で連結する第２スイッチング素子、そして第１電源とトランジスタの間に電気的に連結される第３スイッチング素子を含み、ホールディングスイッチング素子は、第２電源とトランジスタの間に電気的に連結される第４スイッチング素子、そしてトランジスタと出力端の間に電気的に連結される第５スイッチング素子を含む。
【００２２】
本発明の他の実施例によると、複数のサンプル/ホールド回路でプリチャージ電圧は同一な電圧である。
【００２３】
本発明の他の実施例によると、複数のサンプル/ホールド回路で少なくとも二つのサンプル/ホールド回路に印加される第１電流の範囲が互いに異なる場合に、前記少なくとも二つのサンプル/ホールド回路には互いに異なるプリチャージ電圧が印加される。
【００２４】
本発明の他の実施例によると、表示領域は画素回路に電源電圧を供給する複数の第２信号線を更に含み、本発明の表示装置は逆多重化部とデータ駆動部の間で第１信号線と絶縁されて交差する方向に形成されて第２信号線で電源電圧を伝達する電源線を更に含む。
【００２５】
本発明の他の実施例によると、画素回路は、データ線を通じて伝達されるデータ電流が流れるトランジスタ、トランジスタのソースとゲートの間に電気的に連結されてトランジスタに流れる電流に対応する電圧が貯蔵されるキャパシタ、そしてキャパシタに貯蔵された電圧によってトランジスタに流れる電流に対応して発光する発光素子を含む。
【００２６】
ここで、発光素子は有機物質の電界発光を利用する発光素子でありうる。
【００２７】
本発明の他の特徴によると、画像を示すデータ電流を伝達する複数のデータ線、複数のデータ線に電気的に連結されていてデータ電流によって画像を表示する複数の画素回路、各々複数のデータ線のうちの少なくとも二つのデータ線に対応してデータ電流に対応する電流を順次に伝達する複数の第１信号線を含む表示装置を駆動する方法が提供される。この駆動方法は、第１信号線に第１プリチャージ電圧を印加する段階、第１信号線に少なくとも二つのデータ線のうちの第１データ線に印加されるデータ電流に対応する第１電流を印加する段階、第１信号線に第２プリチャージ電圧を印加する段階、第１信号線に少なくとも二つのデータ線のうちの第２データ線に印加されるデータ電流に対応する第２電流を印加する段階、そして第１及び第２データ線に前記第１及び第２電流に対応するデータ電流を印加する段階を含む。
【００２８】
本発明の他の特徴による表示装置は、表示領域、第１信号線、第１及び第２サンプル/ホールド回路、データ駆動部及びプリチャージ部を含む。表示領域には一つ方向に伸びている第１及び第２データ線、第１及び第２データ線に電気的に連結されている複数の画素回路が形成されている。第１サンプル/ホールド回路は第１信号線と第１データ線の間に電気的に連結されて画像を示す第１データ電流を第１データ線でホールディングし、第２サンプル/ホールド回路は第１信号線と第２データ線の間に電気的に連結されて画像を示す第２データ電流を第２データ線でホールディングする。データ駆動部は第１信号線に電気的に連結されて第１及び第２データ電流に各々対応する第１及び第２電流を順次に第１信号線に伝達する。そしてプリチャージ部は第１信号線に電気的に連結されて第１信号線に第１電流が印加される前に第１信号線に第１プリチャージ電圧が伝達されるように動作して第１信号線に第２電流が印加される前に第１信号線に第２プリチャージ電圧が伝達されるように動作する。この時、第１及び第２サンプル/ホールド回路は一つの水平周期のうちの少なくとも一部の期間中は第１及び第２電流を各々サンプリングして次の水平周期の間中は第１及び第２データ電流をホールディングする。
【発明の効果】
【００２９】
このように本発明によると、逆多重化器を用いた表示装置で電源電圧を供給する電源線を追加的に配置することによって、縦に長く伸びている縦線での電圧降下を減らすことができる。また、逆多重化部とデータ駆動部の間の信号線を電圧でプリチャージすることで与えられた時間内でデータ電流をサンプリングできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
下記では添付した図面を参考として本発明の実施例に対して本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様に相異する形態で実現できて、ここで説明する実施例に限定されるものではない。
【００３１】
図面から本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略した。明細書の全体を通じて類似した部分については同一な図面符号を付けた。ある部分が他の部分と連結されていてする時、これは直接的に連結されている場合のみだけでなくその中間に他の素子を隔てて電気的に連結されている場合も含む。
【００３２】
次に本発明の実施例による逆多重化器を用いた表示装置に対して図面を参考として詳細に説明する。
【００３３】
図２は本発明の第１実施例による逆多重化器を用いた表示装置の概略的な平面図であり、図３は図２の表示装置でデータ駆動部と逆多重化部が複数個からなることを示す図面である。
【００３４】
図２に示したように、本発明の第１実施例による表示装置は絶縁基板１を含み、絶縁基板１は表示装置の使用者に画面として提示される領域である表示領域１００とその外側の周辺領域に分けることができる。周辺領域には選択走査駆動部２００、発光走査駆動部３００、逆多重化部４００及びデータ駆動部５００が形成されている。この時、図２とは違いデータ駆動部５００は絶縁基板１の周辺領域に形成されなくて別途に形成されて絶縁基板１と連結されることもできる。
【００３５】
表示領域１００は複数のデータ線Ｄ１〜Ｄｎ、複数の選択走査線ＳＥ１〜ＳＥｍ、複数の発光走査線ＥＭ１〜ＥＭｍ及び複数の画素回路１１０を含む。走査線ＳＥ１〜ＳＥｍ、ＥＭ１〜ＥＭｍは絶縁基板１上に形成され、各走査線ＳＥ１〜ＳＥｍ、ＥＭ１〜ＥＭｍにはゲート電極（図示せず）が連結される。そして走査線ＳＥ１〜ＳＥｍ、ＥＭ１〜ＥＭｍは絶縁膜（図示せず）で覆われて、ゲート電極下部には非晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどからなる半導体層（図示せず）が絶縁層を隔てて形成される。そして複数のデータ線Ｄ１〜Ｄｎが走査線ＳＥ１〜ＳＥｍ、ＥＭ１〜ＥＭｍを覆っている絶縁膜上に形成され、各データ線Ｄ１〜Ｄｎにはソース電極とドレーン電極が連結される。ゲート電極、ソース電極及びドレーン電極は薄膜トランジスタの三端子からなり、ソース電極とドレーン電極の間に位置する半導体層がこのトランジスタのチャンネル層になる。
【００３６】
図２を見ると、複数のデータ線Ｄ１〜Ｄｎは縦方向に伸びていて画像を示すデータ電流を画素回路１１０に伝達し、複数の選択走査線ＳＥ１〜ＳＥｍと発光走査線ＥＭ１〜ＥＭｍは横方向に伸びていて各々選択信号と発光信号を画素回路１１０に伝達する。隣接した二つのデータ線と隣接した二つの選択走査線は画素領域を定義し、この画素領域に画素回路１１０が形成される。
【００３７】
選択走査駆動部２００は複数の選択走査線ＳＥ１〜ＳＥｍに選択信号を順次に印加し、発光走査駆動部３００は複数の発光走査線ＥＭ１〜ＥＭｍに発光信号を順次に印加する。データ駆動部５００は逆多重化部４００にデータ電流を時分割して印加し、逆多重化部４００はデータ駆動部５００から時分割されて入力されるデータ電流をデータ線Ｄ１〜Ｄｎで印加する。逆多重化部４００が１:Ｎの逆多重化をする場合にデータ駆動部５００で逆多重化部４００にデータ電流を伝達する信号線Ｘ１〜Ｘｎ/Ｎはｎ/Ｎ個である。つまり、一つの信号線Ｘ１は時分割されて印加されるデータ電流をＮ個のデータ線Ｄ１〜ＤＮに伝達する。
【００３８】
この時、選択及び発光走査駆動部２００、３００、逆多重化部４００及びデータ駆動部５００は絶縁基板１上に集積回路形態で直接装着され、各々絶縁基板１に形成された走査線ＳＥ１〜ＳＥｍ、ＥＭ１〜ＥＭｍ、信号線Ｘ１〜Ｘｎ/Ｎ及びデータ線Ｄ１〜Ｄｎに電気的に連結されている。または走査駆動部２００、３００、逆多重化部４００及び/またはデータ駆動部５００を絶縁基板１の上で走査線ＳＥ１〜ＳＥｍ、ＥＭ１〜ＥＭｍ、信号線Ｘ１〜Ｘｎ/Ｎ、データ線Ｄ１〜Ｄｎ及び画素回路１１０のトランジスタを形成する層と同一層から形成することもできる。またはデータ駆動部５００を逆多重化部４００に接着されて電気的に連結されたＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）、ＦＰＣ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）またはＴＡＢ（ｔａｐｅ ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｂｏｎｄｉｎｇ）にチップなどの形態で装着することもできる。
【００３９】
再び図２を見ると、表示領域１００には画素回路１１０に電源電圧を伝達するための複数の縦線Ｖ１〜Ｖｎが縦方向に伸びていて、各縦線Ｖ１〜Ｖｎは縦方向に配列されている複数の画素回路１１０に連結されている。このような縦線Ｖ１〜Ｖｎは走査線ＳＥ１〜ＳＥｍ、ＥＭ１〜ＥＭｍと重ならないようにデータ線Ｄ１〜Ｄｎと同一層に形成されることができる。そして電源線６００が絶縁基板１の上端で横方向に長く形成されて縦線Ｖ１〜Ｖｎの一端と連結されており、電源線７００が逆多重化部４００とデータ駆動部５００の間を通過するように横方向に伸びている。そして縦線Ｖ１〜Ｖｎが逆多重化部４００を通過するように伸びていて、延長された縦線Ｖ１〜Ｖｎの終わりが電源線７００と連結されている。この時、電源線７００は信号線Ｘ１〜Ｘｎ/Ｎと重ならないように信号線Ｘ１〜Ｘｎ/Ｎと他の層に形成されている。
【００４０】
そして電源供給線６１０、６２０は絶縁基板１上に形成されて各々電源供給点６３０、６４０を通じて表示領域１００の電源線６００と連結されており、同様に電源供給線７１０、７２０が絶縁基板１上に形成されて各々電源供給点７３０、７４０を通じて表示領域１００の電源線７００と連結されている。電源供給線６１０、６２０は走査線ＳＥ１〜ＳＥｍ、ＥＭ１〜ＥＭｍ、データ線Ｄ１〜Ｄｎ及び信号線Ｘ１〜Ｘｎ/Ｎと重ならないように電源供給点６３０、６４０で横方向に走査駆動部２００、３００の外郭まで拡張された後、縦方向に伸びている。同様に、電源供給線７１０、７２０も走査線ＳＥ１〜ＳＥｍ、ＥＭ１〜ＥＭｍ、データ線Ｄ１〜Ｄｎ及び信号線Ｘ１〜Ｘｎ/Ｎと重ならないように電源供給点７３０、７４０で縦方向に伸びている。
【００４１】
この時、縦方向に伸びている電源供給線６１０、６２０、７１０、７２０の一端にはパッド（図示せず）が連結されており、パッドを通じて電源供給線６１０、６２０、７１０、７２０は外部回路基板と電気的に連結される。
【００４２】
そして電源線６００、７００と電源供給線６１０、６２０、７１０、７２０は複数の縦線Ｖ１〜Ｖｎで電流または電圧を伝達するので一般に縦線Ｖ１〜Ｖｎより幅が広く形成される。
【００４３】
このようにすると、絶縁基板１上に電源供給点６３０、６４０、７３０、７４０を４つ形成することができる。従って、縦線Ｖ１〜Ｖｎの下端で発生する電圧降下を解決できる。
【００４４】
そして図３に示したように逆多重化部４００とデータ駆動部５００がいくつにも形成される場合には二つのデータ駆動部５００の間に電源供給線７１０、７２０を追加的に配置して電源供給点の個数を伸ばすことができる。
【００４５】
次に、図４乃至図８を参照して、本発明の第１実施例による表示装置で、逆多重化部が電流をサンプル/ホールドする回路からなる第１実施例について説明する。そして下記では便宜上逆多重化部が１:２逆多重化を遂行することとして説明する。また、図５乃至図８では便宜上、第１信号線Ｘ１とこの信号線Ｘ１に対応するデータ線Ｄ１、Ｄ２を例に挙げて説明する。
【００４６】
図４は本発明の第１実施例による逆多重化部を示す図面であり、図５はサンプル/ホールド回路からなる逆多重化器を示す図面である。
【００４７】
図４に示したように、本発明の第１実施例による逆多重化部４００は複数の逆多重化器４０１を含む。図４及び図５を見ると、各逆多重化器４０１はサンプル/ホールド回路４１０、４２０、４３０、４４０を含む。この４つのサンプル/ホールド回路４１０乃至４４０はサンプリングスイッチング素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、データ貯蔵素子４１１、４２１、４３１、４４１及びホールディングスイッチング素子Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４を含む。各サンプル/ホールド回路のサンプリングスイッチング素子Ｓ１乃至Ｓ４の第１端は各々データ貯蔵素子４１１、４２１、４３１、４４１の第１端に連結され、ホールディングスイッチング素子Ｈ１乃至Ｈ４の第１端も各々データ貯蔵素子４１１、４２１、４３１、４４１の第２端に連結される。サンプル/ホールド回路４１０乃至４４０のサンプリングスイッチング素子Ｓ１乃至Ｓ４の第２端は、いずれも信号線Ｘ１に共に連結されている。サンプル/ホールド回路４１０、４３０のホールディングスイッチング素子Ｈ１、Ｈ３の第２端は共にデータ線Ｄ１に連結され、サンプル/ホールド回路４２０、４４０のホールディングスイッチング素子Ｈ２、Ｈ４の第２端は共にデータ線Ｄ２に連結されている。そして以下では、サンプル/ホールド回路４１０乃至４４０によって信号線Ｘ１に連結されるサンプリングスイッチング素子Ｓ１乃至Ｓ４の第２端を入力端と呼び、データ線Ｄ１、Ｄ２に連結されるホールディングスイッチング素子Ｈ１乃至Ｈ４の第２端を出力端という。
【００４８】
各サンプル/ホールド回路４１０乃至４４０は各サンプリングスイッチング素子Ｓ１乃至Ｓ４が導通から遮断に遷移するとサンプリングスイッチング素子Ｓ１乃至Ｓ４を通じて伝達されていた電流値を電圧値に変化しサンプリングして、各データ貯蔵素子４１１、４２１、４３１、４４１に貯蔵し、各ホールディングスイッチング素子Ｈ１乃至Ｈ４が導通すると各データ貯蔵素子４１１、４２１、４３１、４４１に貯蔵されていた電圧値に対応する値の電流を、各ホールディングスイッチング素子Ｈ１乃至Ｈ４を通じて継続的に出力（ホールディング）する。
【００４９】
図５では、信号線Ｘ１とデータ線Ｄ１の間に連結されたサンプル/ホールド回路４１０、４３０が一つのサンプル/ホールド回路部を形成し、二つのサンプル/ホールド回路４１０、４３０がサンプリングとホールディングを交互に遂行する。同様に、信号線Ｘ１とデータ線Ｄ２の間に連結されたサンプル/ホールド回路４２０、４４０が一つのサンプル/ホールド回路部を形成し、二つのサンプル/ホールド回路４２０、４４０がサンプリングとホールディングを交互に遂行する。
【００５０】
ここで、サンプリングスイッチング素子が導通から遮断に遷移する瞬間に入力される電流を電圧形態でデータ貯蔵素子に記録することを´サンプリング´と定義し、データ貯蔵素子に記録されたデータを維持するだけの状態を´待機´と定義し、データ貯蔵素子に記録されたデータに対応する電流を継続的に出力することを´ホールディング´として定義する。
【００５１】
次に、図６、図７(ａ)乃至図７(ｄ)を参照して図５の逆多重化器の動作について説明する。
【００５２】
図６は図５の逆多重化器のスイッチング素子の駆動タイミング図であり、図７(ａ)乃至図７(ｄ)は各々図６のタイミングによる図５の逆多重化器の動作を示す図面である。図５のサンプリングスイッチング素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４は、図６に同名で示される制御信号がローレベルの時に導通し、ホールディングスイッチング素子Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４は、同名の制御信号がハイレベルである時に導通する。
【００５３】
図６と図７(ａ)を見ると、Ｔ１期間では制御信号に応答してサンプリングスイッチング素子Ｓ１とホールディングスイッチング素子Ｈ３、Ｈ４が導通する。サンプリングスイッチング素子Ｓ１が導通するとサンプル/ホールド回路４１０は信号線Ｘ１を通じて印加されるデータ電流を貯蔵素子４１１に送り、再び遮断状態になると、遮断直前の状態が貯蔵素子４１１に保存されるので、 遮断直前の状態がサンプリングされたことになる。ホールディングスイッチング素子Ｈ３、Ｈ４が、 Ｔ１期間の初期に導通するとサンプル/ホールド回路４３０、４４０は貯蔵素子４３１、４４１に各々貯蔵されているデータに対応する電流を各々データ線Ｄ１、Ｄ２に継続的に流し、ホールディング動作が行われる。そしてサンプリングスイッチング素子Ｓ２とホールディングスイッチング素子Ｈ２が全て遮断されているサンプル/ホールド回路４２０は待機状態にある。
【００５４】
次に、図６と図７(ｂ)を見ると、Ｔ２期間ではホールディングスイッチング素子Ｈ３、Ｈ４が導通した状態で、制御信号に応答してサンプリングスイッチング素子Ｓ１が遮断されて直前状態がサンプリングされ貯蔵素子４１１に貯蔵される。この時、ホールディングスイッチング素子Ｈ３、Ｈ４は導通しているので、貯蔵素子４３１、４４１に各々貯蔵されたデータに対応する電流がデータ線Ｄ１、Ｄ２に継続的に流れて、ホールディングされている。そしてサンプリングスイッチング素子Ｓ２が導通するとサンプル/ホールド回路４２０は信号線Ｘ１を通じて印加されるデータ電流の値を貯蔵素子４２１に送ってサンプリングの準備をする。
【００５５】
図６と図７(ｃ)を見ると、Ｔ３期間では制御信号に応答してサンプリングスイッチング素子Ｓ２とホールディングスイッチング素子Ｈ３、Ｈ４が遮断されて、この直前にデータ線Ｄ２に送った電流値が貯蔵素子４２１に貯蔵され、サンプリングスイッチング素子Ｓ３とホールディングスイッチング素子Ｈ１、Ｈ２が導通する。サンプリングスイッチング素子Ｓ３が導通するとサンプル/ホールド回路４３０は信号線Ｘ１を通じて印加されるデータ電流を貯蔵素子４３１に送り、サンプリングの準備をする。ホールディングスイッチング素子Ｈ１、Ｈ２が導通するとサンプル/ホールド回路４１０、４２０は各々Ｔ１及びＴ２期間で貯蔵素子４１１、４２１に貯蔵したデータに対応する電流をデータ線Ｄ１、Ｄ２に継続的に流してホールディングする。
【００５６】
次に、図６と図７(ｄ)を見ると、Ｔ４期間ではホールディングスイッチング素子Ｈ１、Ｈ２が導通した状態で制御信号に応答してサンプリングスイッチング素子Ｓ３が遮断されてスイッチング素子Ｓ４が導通する。ホールディングスイッチング素子Ｈ１、Ｈ２が導通しているので貯蔵素子４１１、４２１に各々貯蔵されたデータに対応する電流が継続してデータ線Ｄ１、Ｄ２に流れ、ホールディングされる。そしてサンプリングスイッチング素子Ｓ４が導通するとサンプル/ホールド回路４４０は信号線Ｘ１を通じて印加されるデータ電流を貯蔵素子４４１に送ってサンプリングの準備をする。
【００５７】
このように、逆多重化器４０１のサンプル/ホールド回路４１０、４２０、４３０、４４０をサンプリングとホールディング動作によって二つのグループに分けることができ、第１グループのサンプル/ホールド回路４１０、４２０がサンプリングをする間第２グループのサンプル/ホールド回路４３０、４４０が直前にサンプリングしたデータをホールディングする。同様に第２グループのサンプル/ホールド回路４３０、４４０がサンプリングをする間第１グループのサンプル/ホールド回路４１０、４２０が直前にサンプリングしたデータをホールディングする。そしてホールディングスイッチング素子Ｈ１、Ｈ２は同一なタイミングで動作するので同一な制御信号で二つのホールディングスイッチング素子Ｈ１、Ｈ２を駆動でき、同様に同一な制御信号に二つのホールディングスイッチング素子Ｈ３、Ｈ４を駆動できる。
【００５８】
この時、Ｔ１とＴ２期間が選択信号によって一つの行の走査線に連結された画素回路にデータが印加される期間（以下、"水平周期"という）に該当し、Ｔ３とＴ４期間が次の水平周期に該当する。このように一つの水平周期間データ電流をデータ線に続いて印加することができるので、画素にデータを記入する時間を確保できる。そしてＴ１乃至Ｔ４期間が繰り返されることによって１フレーム間データ電流をデータ線に伝達できる。
【００５９】
図５の逆多重化器に含まれる４つのサンプル/ホールド回路は実質的に互いに同一に実現できるので、下記では図５のサンプル/ホールド回路のうちの一つのサンプル/ホールド回路４１０に対して図８を参照して詳細に説明する。
【００６０】
図８は図５のサンプル/ホールド回路の概略的な回路図である。
【００６１】
図８のサンプル/ホールド回路は信号線Ｘ１とデータ線Ｄ１の間に連結され、トランジスタＭ１、キャパシタＣｈ及び５個のスイッチング素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｈａ、Ｈｂを含む。このようなデータ線Ｄ１には寄生抵抗成分と寄生キャパシタンス成分が形成されており、図８では寄生抵抗成分をＲ１、Ｒ２に、寄生キャパシタンス成分をＣ１、Ｃ２、Ｃ３に例示した。そして図８ではトランジスタＭ１をｐチャンネル型電界効果トランジスタ、特にＭＯＳＦＥＴで示した。
【００６２】
スイッチング素子Ｓａは電源電圧ＶＤＤ１とトランジスタＭ１のソースの間に連結され、スイッチング素子Ｈａは電源電圧ＶＳＳ１とトランジスタＭ１のドレーンに連結される。トランジスタＭ１がｐチャンネル型であるので、電源電圧ＶＤＤ１は電源電圧ＶＳＳ１より高い電圧を有して電源線７００に連結された縦線Ｖ１〜Ｖｎによって供給される。スイッチング素子Ｓｂは入力端である信号線Ｘ１とトランジスタＭ１のゲートの間に連結され、スイッチング素子ＨｂはトランジスタＭ１のソースと出力端であるデータ線Ｄ１の間に連結される。スイッチング素子Ｓｃは入力端である信号線Ｘ１とトランジスタＭ１のドレーンの間に連結されてスイッチング素子Ｓｂ、Ｓｃが導通する場合にトランジスタＭ１をダイオード形態で連結する。この時、スイッチング素子ＳｃはトランジスタＭ１のゲートとドレーンの間に連結されてトランジスタＭ１をダイオード形態で連結することもできる。そしてスイッチング素子ＳｃがトランジスタＭ１のゲートとドレーンの間に連結される場合にスイッチング素子Ｓｂを信号線Ｘ１とトランジスタＭ１のドレーンの間に連結することもできる。
【００６３】
次に、図８のサンプル/ホールド回路の動作について説明する。ここで、スイッチング素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃは同一なタイミングで導通及び遮断され、スイッチング素子Ｈａ、Ｈｂも同一なタイミングで導通及び遮断される。
【００６４】
まず、スイッチング素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃが導通してスイッチング素子Ｈａ、Ｈｂが遮断されると、トランジスタＭ１はダイオード形態で連結され、キャパシタＣｈに電流が供給されて電圧が充電されてトランジスタＭ１のゲート電位が低下してソースからドレーンに電流が流れる。時間経過によってキャパシタＣｈの充電電圧が高まってトランジスタＭ１のドレーン電流が信号線Ｘ１からのデータ電流ＩＤＡＴＡと同一になるとキャパシタＣｈの充電電流が停止してキャパシタＣｈが一定の電圧で充電される。この時、トランジスタＭ１のソースとゲートの間電圧の絶対値（以下、"ソース-ゲート電圧"という）ＶＳＧと信号線Ｘ１からのデータ電流ＩＤＡＴＡの間には数１の関係が成立する。このような方法でサンプル/ホールド回路４１０は信号線Ｘ１からのデータ電流ＩＤＡＴＡをサンプリングする。
【数１】
2005157274.tif 000003
【００６５】
ここで、βはトランジスタＭ１にチャンネル幅とチャンネル長さによって決定される定数値であり、ＶＴＨはトランジスタＭ１の敷居電圧の絶対値である。
【００６６】
次に、スイッチング素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃが遮断されてスイッチング素子Ｈａ、Ｈｂが導通すると、キャパシタＣｈに充電されたソース-ゲート電圧ＶＳＧに対応する電流、つまり、データ電流ＩＤＡＴＡがスイッチング素子Ｈｂを経てデータ線Ｄ１に伝達される。このような方法でサンプル/ホールド回路４１０はデータ線Ｄ１で電流をホールディングする。
【００６７】
そしてサンプル/ホールド回路４１０は図５のサンプル/ホールド回路４２０がサンプリングする間Ｔ２にはスイッチング素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｈａ、Ｈｂが全て遮断されてキャパシタＣｈに充電された電圧を維持する。つまり、サンプル/ホールド回路４１０は待機状態になる。
【００６８】
スイッチング素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃが導通する場合にサンプル/ホールド回路４１０はサンプリング動作を行うので、スイッチング素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃは図５のサンプリングスイッチング素子Ｓ１に対応し、スイッチング素子Ｈａ、Ｈｂが導通する場合にサンプル/ホールド回路４１０はホールディング動作を行うので、スイッチング素子Ｈａ、Ｈｂは図５のホールディングスイッチング素子Ｈ１に対応する。そしてキャパシタＣｈとトランジスタＭ１はデータ電流に対応する電圧を貯蔵する役割を果たすので、データ貯蔵素子４１１に対応する。また、図８でスイッチング素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｈａ、Ｈｂはｐチャンネルまたはｎチャンネルの電界効果トランジスタに実現でき、スイッチング素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃは同一導電型のトランジスタに、同様にスイッチング素子Ｈａ、Ｈｂも同一導電型のトランジスタに実現できる。また、図６のタイミングで駆動されるためにはスイッチング素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃはｐチャンネル型、スイッチング素子Ｈａ、Ｈｂはｎチャンネル型トランジスタに実現できる。
【００６９】
そして図８でサンプル/ホールド回路はサンプリング動作間の信号線Ｘ１、つまり、入力端にデータ電流ソーシング（ｓｏｕｒｃｉｎｇ）し、ホールディング動作間にデータ線Ｄ１、つまり、出力端からデータ電流をシンクする。従って、図８に示したサンプル/ホールド回路は信号線Ｘ１でデータ電流をシンクする形態、つまり、出力端が電流シンク形態であるデータ駆動部５００と共に用いることができる。一般に出力端が電流シンク形態である駆動集積回路が、出力端が電流ソース形態である駆動集積回路に比べて安いのでデータ駆動部５００の価額が低減する。
【００７０】
また、図８でトランジスタＭ１をｎチャンネル型電界効果トランジスタに実現して電源電圧ＶＤＤ１と電源電圧ＶＳＳ１の相対的電圧レベルを互いに変えると入力端が電流シンク形態であり出力端が電流ソース形態であるサンプル/ホールド回路を実現できる。このようなサンプル/ホールド回路の構成は当該技術分野における通常の知識を有する者ならば本発明の実施例から容易に挑出できるのでその説明を省略する。
【００７１】
以上で説明したように、図５の逆多重化器は一つの水平周期間信号線Ｘ１を通じて時分割されて印加されるデータ電流を順次にサンプリングした後、次の水平周期間サンプリングした電流をデータ線Ｄ１、Ｄ２で同時に印加する。逆多重化器が１:Ｎ逆多重化動作を行う場合に、逆多重化器が一つのデータ線Ｄ１に対応するデータ電流をサンプリングできる時間は一つの水平周期の１/Ｎに当該する。従って、逆多重化器４０１が一つの水平周期の１/Ｎに該当する時間の間一つのデータ線に対応するデータ電流をサンプリングする必要がある。このような条件を満足するためにはデータ駆動部５００が信号線Ｘ１を通じてデータ電流を印加する時信号線Ｘ１に掛かるキャパシタンス成分が逆多重化部４００が一つのデータ線Ｄ１を通じてサンプリングした電流を印加する時、データ線Ｄ１に掛かるキャパシタンス成分の１/Ｎより小さい必要がある。
【００７２】
データ駆動部５００が信号線Ｘ１を通じて逆多重化部４００に一つのデータ線に該当するデータ電流を印加する場合には、信号線Ｘ１と電源線７００によって形成された寄生キャパシタンス成分Ｃ１を駆動する。そして表示領域１００でデータ線Ｄ１と絶縁されて交差する金属が選択走査線ＳＥ１〜ＳＥｍと発光走査線ＥＭ１〜ＥＭｍだけであると、逆多重化部４００が一つのデータ線Ｄ１にサンプリングしたデータ電流を印加する場合には一つのデータ線Ｄ１と複数の選択走査線ＳＥ１〜ＳＥｍ及び発光走査線ＥＭ１〜ＥＭｍによって形成された寄生キャパシタンス成分Ｃ２を駆動する。
【００７３】
一般に二つの平面金属によって形成されるキャパシタンスは同一な誘電物質を隔てている時、対向する平面金属の面積に比例して二つの金属間の距離に反比例する。ところが寄生キャパシタンス成分Ｃ１、Ｃ２で対向する平面金属間の距離は同一で、寄生キャパシタンス成分Ｃ１を形成する平面金属で一辺の長さは一つの信号線Ｘ１の幅、他辺の長さは電源線７００の幅で与えられ、寄生キャパシタンス成分Ｃ２を形成する平面金属で一辺の長さは一つのデータ線Ｄ１の幅、他辺の長さはｍ個の選択走査線ＳＥ１〜ＳＥｍとｍ個の発光走査線ＥＭ１〜ＥＭｍの幅の合計で与えられる。
【００７４】
例えば、ＱＣＩＦ解像度１７６×２２０で一つの選択走査線ＳＥ１〜ＳＥｍと発光走査線ＥＭ１〜ＥＭｍの幅を各々７μｍ、電源線７００の幅を２mm、そしてデータ線Ｄ１の幅と信号線Ｘ１の幅が同一であると、キャパシタンス成分Ｃ１の大きさはキャパシタンス成分Ｃ２の大きさの大略２/３（=２０００/(７×２２０×２)）からなる。このように前述した１/Ｎの条件を満足されないので逆多重化部が与えられた時間内で電流をサンプリングできないので、電流をサンプリングする速度を急速にする必要がある。下記ではこのような実施例に対して図９乃至図１２を参照して詳細に説明する。
【００７５】
図９は本発明の第２実施例による逆多重化器を用いた表示装置の概略的な平面図である。
【００７６】
図９に示したように、本発明の第２実施例による表示装置は逆多重化部４００とデータ駆動部５００の間に形成される電圧プリチャージ部８００を更に含む。電圧プリチャージ部８００はデータ駆動部５００が逆多重化部４００にデータ電流を伝達する前に信号線Ｘ１〜Ｘｎ/Ｎでプリチャージ電圧Ｖｐｒｅを伝達する。電圧プリチャージ部８００は信号線Ｘ１〜Ｘｎ/Ｎと電源線７００によって形成されるキャパシタンス成分を有する信号線Ｘ１〜Ｘｎ/Ｎを充電するためにデータ駆動部３００と電源線７００の間に形成される。
【００７７】
そして図９では電圧プリチャージ部８００をデータ駆動部５００外部の周辺領域に形成したが、これとは異なってデータ駆動部５００内に形成することもできる。
【００７８】
次に、図１０及び図１１を参照して図９の電圧プリチャージ部８００に対して詳細に説明する。そして本発明の第２実施例でも便宜上逆多重化部が１:２逆多重化を遂行することとして説明する。図１０は図９のデータ駆動部、電圧プリチャージ部及び逆多重化部を示す図面であり、図１１は図１０で一つのサンプル/ホールド回路を示す図面である。
【００７９】
図１０を見ると、電圧プリチャージ部８００は電圧Ｖｐｒｅを供給する電源と信号線Ｘ１〜Ｘｎ/２の間に各々連結される複数のスイッチング素子Ｓｐを含む。そして電源は基板１外部に形成されて前述したパッド（図示せず）を経てスイッチング素子Ｓｐと連結される。スイッチング素子Ｓｐは信号線Ｘ１〜Ｘｎ/２に電圧Ｖｐｒｅを印加する期間中だけは導通してデータ電流が印加される期間は遮断される。
【００８０】
データ駆動部５００で時分割されて印加されるデータ電流によって、逆多重化器４０１のサンプル/ホールド回路４１０、４２０、４３０、４４０の中でそのデータ電流に対応する一つのサンプル/ホールド回路だけが印加されるデータ電流をサンプリングするので、下記では図１１に示したことのように信号線Ｘ１とデータ線Ｄ１の間に連結されるサンプル/ホールド回路４１０を中心に説明する。そして図１１ではデータ電流ＩＤＡＴＡを供給するデータ駆動部５００を電流源で示したし、説明の便宜上電流源がスイッチング素子Ｓｉを通じて信号線Ｘ１に連結されていることとした。
【００８１】
次に、図１２を参照して図１１のサンプル/ホールド回路４１０の動作に対して詳細に説明する。
【００８２】
図１２は本発明の第２実施例によるプリチャージ方法のための駆動タイミング図面である。図１２でスイッチング素子Ｓｐとサンプリングスイッチング素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、つまり、図１１のスイッチング素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃは制御信号がローレベルである時に導通し、ホールディングスイッチング素子Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４、つまり、スイッチング素子Ｈａ、Ｈｂは制御信号がハイレベルである時導通する。
【００８３】
図１２を見ると、サンプル/ホールド回路４１０でデータ電流をサンプリングする動作が行われる前に、プリチャージ期間Ｔｐ１の間サンプリング時間を減少させるためにプリチャージ動作が行われる。詳しく説明すると、先ずスイッチング素子Ｓｐが導通してプリチャージ電圧Ｖｐｒｅが信号線Ｘ１に印加される。
【００８４】
次に、サンプリング期間Ｔｓ１間スイッチング素子Ｓｐが遮断されて電圧Ｖｐｒｅが遮断されてスイッチング素子Ｓｉが導通してデータ電流が印加される同時にスイッチング素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ[図１０のスイッチング素子Ｓ１]が導通する。ではデータ電流ＩＤＡＴＡが信号線Ｘ１を通じてトランジスタＭ１のドレーンに伝達される。従って、データ電流ＩＤＡＴＡに対応するトランジスタＭ１のソース-ゲート電圧ＶＧＳがキャパシタＣｈには充電される。この時、プリチャージ動作によって信号線Ｘ１に電圧Ｖｐｒｅが掛っているいるので、信号線Ｘ１に寄生キャパシタンス成分が存在してもキャパシタＣｈにデータ電流ＩＤＡＴＡに該当する電圧が急速に充電できる。
【００８５】
以上、一つのサンプル/ホールド回路４１０を例に挙げてプリチャージ動作を説明したが、逆多重化器４０１内でサンプル/ホールド回路４１０、４２０、４３０、４４０が順次にサンプリング動作を行う時にサンプリング動作前にをプリチャージできる。つまり、図１２に示したように、図６の駆動タイミングのうちの期間Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４が図１２では各々プリチャージ期間Ｔｐ１、Ｔｐ２、Ｔｐ３、Ｔｐ４とサンプリング期間Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｓ３、Ｔｓ４に分離されている。このようにすると、各サンプル/ホールド回路４１０、４２０、４３０、４４０がデータ電流ＩＤＡＴＡをサンプリングをする前に信号線Ｘ１がプリチャージ電圧Ｖｐｒｅで充電されているので速い時間内にデータ電流ＩＤＡＴＡがサンプリングできる。
【００８６】
次に、データ電流ＩＤＡＴＡが与えられた時間内でサンプリングされるようにすることができる電圧Ｖｐｒｅのレベルに対して図１３を参照して説明する。
【００８７】
図１３はをプリチャージをしない場合に逆多重化器で直前サンプリングの時に印加されたデータ電流の階調によって現在サンプリング時にデータ電流をサンプリングすることに掛かる時間を示した図面である。
【００８８】
図１３には直前サンプリング期間Ｔｓ１間サンプル/ホールド回路４１０が信号線Ｘ１を通じて印加されるデータ電流をサンプリングした後、現在サンプリング期間Ｔｓ２間サンプル/ホールド回路４２０が信号線Ｘ１を通じて印加されるデータ電流をサンプリングする時間が示されている。図１３で各々の曲線は直前サンプリング期間にサンプリングされたデータ電流の各階調に対応し、一つの曲線は現在サンプリング期間にサンプリングされるデータ電流の階調によるサンプリング時間を示す。
【００８９】
例えば、直前サンプリング期間に印加されたデータ電流の階調が８であると、信号線Ｘ１は階調８に該当する電圧で充電されているので、現在サンプリング期間に階調８のデータ電流が信号線Ｘ１に印加されると信号線Ｘ１の電圧は直ちに階調８に該当する電圧（目標電圧）になる。つまり、サンプリングに必要な時間が殆ど０に近い。そして階調が８で遠くなるほど信号線Ｘ１の電圧状態が目標電圧と差が大きくなるのでサンプリングに必要な時間が増加する。
【００９０】
一方、サンプリングに必要な時間は信号線Ｘ１を駆動するデータ電流の大きさに反比例する。従って、階調が低くなると、データ電流も小さくなるのでサンプリングに必要な時間が急激に増加するけれど、階調が高まると、データ電流も大きくなるので階調が一定のレベル以上になると、サンプリングに必要な時間が減少する。このような理由で図１３のグラフは横軸に沿って急激に減少して横軸と着いた後、増加して頂点を形成した後、再びゆっくり減少する形態を帯びるようになる。
【００９１】
図１３で与えられたサンプリング時間がｔｓである場合、階調８以上は直前サンプリング期間のデータ電流の階調レベルに関係なくサンプリング時間ｔｓ以内にサンプリングが可能であって、階調７以下である場合にはサンプリング時間ｔｓ以上のサンプリング時間を必要とするのを分かる。これは直前サンプリング期間に印加されたデータ電流によって信号線Ｘ１に形成された寄生キャパシタンスに残っている電圧に起因したことである。
【００９２】
再び、図１３を見ると、直前サンプリング期間に印加されたデータ電流の階調が１乃至４の曲線はサンプリング時間ｔｓ下に置かれることを分かる。つまり、プリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）をデータ電流の階調が１乃至４に該当する電圧の範囲内に設定すると、直前サンプリングの期間中は階調１乃至４に該当する電圧が信号線Ｘ１に充電されたことと同一な効果を出すことができるので、ｔｓ時間以内にサンプル/ホールド回路４２０が全ての階調のデータ電流をサンプリングできる。この時、ｔｓ時間は図１２のサンプリング期間Ｔｓ２に該当する時間である。この時、プリチャージ電圧に該当する階調の電圧はサンプリング期間Ｔｓ１によって決定される。従って、直前サンプリング期間でサンプリングされるデータ電流の階調を変更しながらサンプル/ホールド回路４２０が全ての階調のデータ電流を与えられたサンプリング期間Ｔｓ１内でサンプリングできる直前サンプリング期間のデータ電流の階調を測定する。このようにすると、与えられたサンプリング期間内でサンプリングになることができる直前サンプリング期間の階調の範囲が決定され、この階調範囲によってプリチャージ電圧Ｖｐｒｅが設定できるプリチャージ電圧範囲Ｒｖが決定される。
【００９３】
ところが逆多重化部４００に含まれるサンプル/ホールド回路のトランジスタＭ１と電源電圧ＶＤＤ１に偏差が存在するので偏差による誤差を減らすために敷居電圧の代表値（平均値、中間値など）を有するサンプル/ホールド回路で電圧範囲Ｒｖを設定できる。そしてこのように設定されたプリチャージ電圧範囲Ｒｖに敷居電圧の偏差を反映でき、下記でこのような実施例について説明する。
【００９４】
先ず、本発明の第３実施例では電圧ＶｐｒｅにトランジスタＭ１の敷居電圧の偏差を反映する。つまり、第３実施例では第２実施例で敷居電圧の代表値を有するサンプル/ホールド回路で決定された電圧範囲Ｒｖに逆多重化部４００内のトランジスタＭ１の敷居電圧の偏差を反映する。
【００９５】
具体的には、第２実施例でプリチャージ電圧範囲Ｒｖを設定することにおいて、用いられたサンプル/ホールド回路のトランジスタＭ１の敷居電圧の絶対値、つまり、敷居電圧の代表値の絶対値|ＶＴＨ|より絶対値が|ΔＶ１|電圧ほど高い敷居電圧を有するトランジスタＭ１を使用するサンプル/ホールド回路では同一な電流に対してトランジスタＭ１のゲート電圧が|ΔＶ１|電圧ほど低い。トランジスタＭ１のゲート電圧が信号線Ｘ１に充電される電圧であるので、このようなサンプル/ホールド回路には同一なプリチャージ電圧Ｖｐｒｅ１を印加しても実質的に電圧Ｖｐｒｅ１に|ΔＶ１|電圧ほど足した電圧Ｖｐｒｅ１+|ΔＶ１|がプリチャージ電圧で印加されたことと同一である。従って、プリチャージ電圧Ｖｐｒｅ１がプリチャージ電圧範囲Ｒｖに含まれても敷居電圧の絶対値が大きいトランジスタＭ１を用いるサンプル/ホールド回路ではプリチャージ電圧Ｖｐｒｅ１+|ΔＶ１|が電圧範囲Ｒｖを逸脱することができる。
【００９６】
同様に、第２実施例で電圧範囲Ｒｖを設定することにおいて、用いられたサンプル/ホールド回路のトランジスタＭ１の敷居電圧の絶対値|ＶＴＨ|より絶対値が|ΔＶ２|電圧ほど低い敷居電圧を有するトランジスタＭ１を使用するサンプル/ホールド回路では同一な電流に対してトランジスタＭ１のゲート電圧が|ΔＶ２|電圧ほど高い。このようなサンプル/ホールド回路には同一なプリチャージ電圧Ｖｐｒｅ１を印加しても実質的にプリチャージ電圧Ｖｐｒｅ１に|ΔＶ２|電圧ほど引いた電圧Ｖｐｒｅ１-|ΔＶ２|がプリチャージ電圧で印加されたことと同一である。従って、プリチャージ電圧Ｖｐｒｅ１がフリープリチャージ電圧範囲Ｒｖに含まれても敷居電圧の絶対値が小さいトランジスタＭ１を用いるサンプル/ホールド回路ではプリチャージ電圧Ｖｐｒｅ１-|ΔＶ２|がプリチャージ電圧範囲Ｒｖを逸脱することができる。
【００９７】
従って、本発明の第３実施例では敷居電圧の絶対値が代表値の絶対値より|ΔＶ１|電圧ほど高い場合にはプリチャージ電圧範囲Ｒｖより|ΔＶ１|ほど低い電圧範囲をチャージ電圧範囲に設定できる。また、敷居電圧の絶対値が代表値の絶対値より|ΔＶ２|電圧ほど低い場合には電圧範囲Ｒｖより|ΔＶ２|ほど高い電圧範囲をプリチャージ電圧範囲に設定できる。従って、全てのサンプル/ホールド回路での敷居電圧の偏差を考慮すると、敷居電圧の代表値の絶対値と敷居電圧の絶対値の最大値との差|ΔＶ３|と敷居電圧の代表値の絶対値と敷居電圧の絶対値の最小値との差|ΔＶ４|をプリチャージ電圧範囲Ｒｖに反映するとよい。
【００９８】
プリチャージ電圧範囲Ｒｖでの最大値がＶｍａｘ電圧であり最小値がＶｍｉｎ電圧である場合にプリチャージ電圧Ｖｐｒｅは数２に示した範囲で決定されるとよい。
【数２】
2005157274.tif 000004
【００９９】
次に、プリチャージ電圧を設定する場合に電源電圧ＶＤＤ１の電圧降下を考慮した第４実施例について説明する。第４実施例では電源電圧ＶＤＤ１を供給する電源線に沿って発生する電圧降下による電源電圧ＶＤＤ１の偏差をプリチャージ電圧範囲Ｒｖに反映する。
【０１００】
具体的に、信号線Ｘ１〜Ｘｎ/２の全てに黒色階調（階調０）のデータ電流が印加される場合には寄生抵抗による電圧降下がないので全てのサンプル/ホールド回路に実質的に電源電圧ＶＤＤ１が同一に伝達される。反面、信号線Ｘ１〜Ｘｎ/２の全てに白色階調２５６レベル階調で階調２５５のデータ電流が印加される場合には寄生抵抗によって電圧降下が酷く発生するので、電源電圧ＶＤＤ１が各サンプル/ホールド回路別に差がある。以下、各サンプル/ホールド回路に印加される電源電圧のうちの最も低いレベルの電圧と電源電圧ＶＤＤ１の差をΔＶＤＤ電圧という。
【０１０１】
この場合、電源電圧が(ＶＤＤ１-ΔＶＤＤ）電圧であるサンプル/ホールド回路のトランジスタＭ１に電源電圧がＶＤＤ１であるのサンプル/ホールド回路のトランジスタＭ１に流れる電流と同一な電流が流れてもトランジスタＭ１のゲート電圧がΔＶＤＤだけ低くなるので、Ｖｐｒｅ１のプリチャージ電圧が印加されても実質的に（Ｖｐｒｅ１+ΔＶＤＤ）のプリチャージ電圧が印加されたことと同一であるようになる。
【０１０２】
従って、本発明の第４実施例では電源線の寄生抵抗による電圧降下を考慮してプリチャージ電圧Ｖｐｒｅは数３と共に設定できる。
【数３】
2005157274.tif 000005
【０１０３】
Ｖｍｉｎ電圧は電圧範囲Ｒｖでの最小値であり、Ｖｍａｘ電圧はプリチャージ電圧範囲Ｒｖでの最大値である。
【０１０４】
次に、第２実施例と第３実施例で説明したトランジスタＭ１の敷居電圧の偏差と電源電圧ＶＤＤ１の偏差を全て考慮すると、プリチャージ電圧Ｖｐｒｅは数４のように設定できる。
【数４】
2005157274.tif 000006
【０１０５】
以上で、全てのサンプル/ホールド回路に対して同一に印加できるプリチャージ電圧範囲について説明した。ところが図１０に示したことのように一つのサンプル/ホールド回路部は一つのデータ線にだけ対応するので、各々のサンプル/ホールド回路部は赤色（ｒｅｄ）、緑色（ｇｒｅｅｎ）、青色（ｂｌｕｅ）の画素のうちの一つの画素にだけ対応する。ところが各色相の画素で用いられる電流の範囲が一般に互いに異なるので、各色相の画素に対応されるサンプル/ホールド回路別に電圧範囲を異なって設定することができる。
【０１０６】
本発明の第２乃至第４実施例では電圧プリチャージ部８００がデータ駆動部５００と電源線７００の間にあることとして説明したが、電圧プリチャージ部８００が電源線７００と逆多重化部４００の間に形成されることもでき、この時も第２乃至第４実施例で説明した駆動方法がそのまま適用される。
【０１０７】
また、本発明の実施例ではサンプル/ホールド回路の電源電圧ＶＤＤ１が電源線７００に連結された縦線Ｖ１〜Ｖｎから供給されることと説明したが、電源電圧ＶＤＤ１は電源線７００に連結された縦線Ｖ１〜Ｖｎではない他の線から供給されることもできる。また、電源線７００が縦線Ｖ１〜Ｖｎと連結されない場合にも第４及び第５実施例で説明した駆動方法が適用できる。
【０１０８】
次に、本発明の第１乃至第４実施例による表示装置の画素領域に形成される画素回路を図１４を参照して説明する。図１４は画素回路の概略的な回路図である。
【０１０９】
図１４を見ると、データ線Ｄ１に画素回路１１０が連結されており、この画素回路１１０は電流によってデータが記入されて有機物質の電界発光を用いる画素回路である。この画素回路１１０は４つのトランジスタＰ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、キャパシタ（Ｃｓｔ）及び発光素子（ＯＬＥＤ）を含む。図１４ではトランジスタＰ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４をｐチャンネル型電界効果トランジスタに示した。
【０１１０】
トランジスタＰ１のソースは電源電圧ＶＤＤ２に連結され、トランジスタＰ１のソースとゲートの間にキャパシタ（Ｃｓｔ）が連結されている。電源電圧ＶＤＤ２は縦線Ｖ１に連結されている。トランジスタＰ２はデータ線Ｄ１とトランジスタＰ１のゲートの間に連結され、選択走査線ＳＥ１からの選択信号に応答する。トランジスタＰ３はトランジスタＰ１のドレーンとデータ線Ｄ１の間に連結されて選択走査線ＳＥ１からの選択信号に応答してトランジスタＰ２と共にトランジスタＰ１をダイオード形態で連結する。トランジスタＰ４はトランジスタＰ１のドレーンと発光素子（ＯＬＥＤ）の間に連結されて発光走査線ＥＭ１からの発光信号に応答してトランジスタＰ１からの電流を発光素子（ＯＬＥＤ）に伝達する。発光素子（ＯＬＥＤ）のカソードは電源電圧ＶＤＤ２より低い電源電圧ＶＳＳ２に連結されている。
【０１１１】
この時、選択走査線ＳＥ１からの選択信号によってトランジスタＰ２、Ｐ３が導通するとデータ線Ｄ１からの電流がトランジスタＰ１のドレーンに流れ、この電流に対応するトランジスタＰ１のソース-ゲート電圧がキャパシタ（Ｃｓｔ）に貯蔵される。そして発光走査線ＥＭ１から発光信号が印加されるとトランジスタＰ４が導通し、キャパシタ（Ｃｓｔ）に貯蔵された電圧に対応するトランジスタＰ１の電流（ＩＯＬＥＤ）が発光素子（ＯＬＥＤ）に供給される。この電流によって発光素子（ＯＬＥＤ）は発光する。
【０１１２】
このように、画素回路で電源電圧ＶＤＤ２が縦線Ｖ１によって供給され、縦線Ｖ１に電圧を伝達する電源線６００、７００が表示領域の上下に各々形成されているので、縦線Ｖ１での電圧降下を減らすことができる。
【０１１３】
以上、本発明の実施例では逆多重化部が１:２の逆多重化を遂行することとして説明したが、本発明はこれに限定されないで１:Ｎ（Ｎは２以上の整数）の逆多重化を遂行する逆多重化部にも適用することができる。
【０１１４】
以上で本発明の好ましい実施例について詳細に説明しましたが、本発明の権利範囲はこれに限定されることはなくて次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を用いた当業者のいろいろな変形及び改良形態、また本発明の権利範囲に属することである。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】従来技術による逆多重化器を用いた表示装置の概略的な平面図である。
【図２】本発明の第１実施例による逆多重化器を用いた表示装置の概略的な平面図である。
【図３】図２の表示装置でデータ駆動部と逆多重化部が複数個からなる形態を示す図面である。
【図４】本発明の実施例による逆多重化部を示す図面である。
【図５】サンプル/ホールド回路からなる逆多重化器を示す図面である。
【図６】図５の逆多重化器のスイッチング素子の駆動タイミング図である。
【図７】各々図６のタイミングによる図５の逆多重化器の動作を示す図面である。
【図８】図５のサンプル/ホールド回路の概略的な回路図である。
【図９】本発明の第２実施例による逆多重化器を用いた表示装置の概略的な平面図である。
【図１０】図９のデータ駆動部、電圧プリチャージ部及び逆多重化部を示す図面である。
【図１１】図１０で一つのサンプル/ホールド回路を示す図面である。
【図１２】本発明の第２実施例によるプリチャージ方法のための駆動タイミング図面である。
【図１３】逆多重化器で直前サンプリング時に印加されたデータ電流の階調によって現在サンプリング時にデータ電流をサンプリングすることに掛かる時間を示した図面である。
【図１４】画素回路の概略的な回路図である。
【符号の説明】
【０１１６】
４００ 逆多重化部
４０１ 逆多重化器
４１０、４２０、４３０、４４０  サンプル/ホールド回路
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４  サンプリングスイッチング素子
Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４  ホールディングスイッチング素子
【図１】
2005157274.tif 000007
【図２】
2005157274.tif 000008
【図３】
2005157274.tif 000009
【図４】
2005157274.tif 000010
【図５】
2005157274.tif 000011
【図６】
2005157274.tif 000012
【図７】
2005157274.tif 000013
【図８】
2005157274.tif 000014
【図９】
2005157274.tif 000015
【図１０】
2005157274.tif 000016
【図１１】
2005157274.tif 000017
【図１２】
2005157274.tif 000018
【図１３】
2005157274.tif 000019
【図１４】
2005157274.tif 000020