(57)【要約】【課題】  処理時間が短く、基板の割れや、基板の搬送不良を発生させることの無い基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】  基板２を載せるテーブル３と、基板２をテーブル３から離れる方向へ移動させるピン４と、ピン４を中間位置Ｐ１で停止させた後に搬送位置Ｐ２まで移動させるピン位置制御装置とを有する基板処理装置１である。ピン位置制御装置は、エアシリンダ６，１６、電磁バルブ１３，２３、エアー源１４、制御回路１７の各要素によって構成される。ピン４を中間位置Ｐ１で停止させるのに代えて、ピン４を中間位置Ｐ１まではゆっくりと上昇させ、中間位置Ｐ１から搬送位置Ｐ２の間は高速で上昇させるように制御することもできる。基板２は中間位置Ｐ１で停止する間に、又は中間位置Ｐ１までゆっくりと上昇する間に、テーブル３から完全に剥がされ、このとき、基板２に割れ、変形等は発生しない。【選択図】        図１
2005129837.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載せるテーブルと、
前記基板を前記テーブルから離れる方向へ移動させるピンと、
該ピンを中間位置で停止させた後に所定位置まで移動させるピン位置制御手段と
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記基板を前記テーブルに吸着によって固定する吸着手段を有し、
前記ピンによって前記基板を前記テーブルから離れる方向へ移動させる際に前記吸着手
段による吸着を解除する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記ピンは前記テーブルを貫通して移動することによ
り前記基板を前記テーブルから離れる方向へ移動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つにおいて、前記中間位置は５ｍｍ以下の距離の位
置であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４において、前記基板はガラス製であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５において、前記基板の大きさは３００ｍｍ×３００ｍｍから５００ｍｍ×５０
０ｍｍの範囲内であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６において、前記基板の厚さは０．７ｍｍ以下であることを特徴とする基板処理
装置。
【請求項８】
基板を載せるテーブルと、
前記基板を前記テーブルから離れる方向へ移動させるピンと、
該ピンを中間位置まで低速で移動させ、その後、所定位置まで高速で移動させるピン位
置制御手段と
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記基板を前記テーブルに吸着によって固定する吸着手段を有し、
前記ピンによって前記基板を前記テーブルから離れる方向へ移動させる際に前記吸着手
段による吸着を解除する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記ピンは前記テーブルを貫通して移動することにより前記基板を
前記テーブルから離れる方向へ移動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１０において、前記中間位置は５ｍｍ以下の距離の位置であることを特徴とする
基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１１において、前記基板はガラス製であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１２において、前記基板の大きさは３００ｍｍ×３００ｍｍから５００ｍｍ×５
００ｍｍの範囲内であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１４】
請求項１３において、前記基板の厚さは０．７ｍｍ以下であることを特徴とする基板処
理装置。
【請求項１５】
基板を冷却する工程を有する基板処理方法において、基板を冷却する当該工程において
請求項１から請求項１４のいずれか１つに記載の基板処理装置を用いることを特徴とする
基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス、プラスチック等によって形成された基板に、冷却処理、膜の形成処
理、その他各種の処理を行う際に用いられる基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
テーブル上にガラス基板、プラスチック基板等を載置した状態で各種の処理、例えば、
成膜処理、半導体形成処理等を行うことは、従来から知られている。このような処理を行
う場合、従来は、テーブル上に基板を空気吸引等によって吸着した状態で、基板に対して
所定の処理を行い、その処理が終了すると基板の吸着を解除し、さらに基板をテーブルか
ら所定距離だけ離れた所定位置、例えば搬送位置まで一気に持ち上げていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来の処理方法においては、テーブルに対する基板の吸着及び吸着
解除が多数回繰り返して行われると、テーブルの表面が鏡面化して、当該表面に基板が貼
り付いてしまうことがあった。こうなると、基板は、それがテーブルから持ち上げられる
際にテーブルとの間の吸着力に影響されて割れたり、搬送不良が発生したりするおそれが
あった。
【０００４】
このような基板の割れを解消するため、基板のテーブルからの持ち上げ速度を極力遅く
することが考えられる。しかしながら、この場合には、基板の持ち上げのための時間が長
くなってしまい、基板に対して冷却処理、成膜処理、半導体形成処理、その他の何等かの
処理を行う際の処理能力が著しく低下するおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、処理時間が短く、基板の割れ
や、基板の搬送不良を発生させることの無い基板処理装置及び基板処理方法を提供するこ
とを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するため、本発明に係る基板処理装置は、基板を載せるテーブルと、
前記基板を前記テーブルから離れる方向へ移動させるピンと、該ピンを中間位置で停止さ
せた後に所定位置まで移動させるピン位置制御手段とを有することを特徴とする。ここで
、ピン位置制御手段は、例えば、ピンを往復移動させるエアシリンダと、エアシリンダへ
のエアーの供給及び排出を制御するバルブとによって構成することが望ましい。もちろん
、油圧制御や、電動モータを用いた制御等を採用することもできる。
【０００７】
上記構成の基板処理装置によれば、ピンを希望の高さまで一気に移動させるのではなく
、一旦、中間位置まで移動させてそこに停止させた後に、希望の高さまで移動させるよう
にしたので、中間位置での停止中に基板をテーブルから完全に剥がすことができ、それ故
、希望の高さまで移動させる際に基板が割れたり、基板の搬送不良が発生したりすること
が無くなる。
【０００８】
本発明に係る基板処理装置は、上記構成に加えて、さらに、前記基板を前記テーブルに
吸着によって固定する吸着手段を有することが望ましい。そして、その場合、前記ピンに
よって前記基板を前記テーブルから離れる方向へ移動させる際には、前記吸着手段による
吸着を解除することが望ましい。吸着手段を用いれば、基板をテーブル上にしっかりと固
定した状態で各種の処理を実行できる。そして、その場合、ピンによって基板をテーブル
から離れる方向へ移動させる際、吸着手段による吸着を解除するようにすれば、基板をテ
ーブルから移動させる際に基板が割れたり、変形したり、位置ズレしたりすることを確実
に防止できる。
【０００９】
本発明に係る基板処理装置において、前記ピンは前記テーブルを貫通して移動すること
により前記基板を前記テーブルから離れる方向へ移動させることが望ましい。この構成は
、基板をテーブルから離すことに関して確実な構成である。
【００１０】
本発明に係る基板処理装置において、前記中間位置は５ｍｍ以下の距離の位置であるこ
とが望ましい。これにより、ガラス基板やプラスチック基板が割れたり、変形したり、位
置ズレしたりすることを防止できる。
【００１１】
上記構成の基板処理装置において、前記基板は任意の材質とすることができる。但し、
基板はガラス製であることが望ましい。ガラス基板は、加熱処理、冷却処理、化学的処理
、加重負荷等を受けたときに変形、変質等し難いので有利である。このガラス基板は割れ
易いという欠点を持っているが、本発明のように、テーブルから移動させる際に、一旦、
中間位置で停止させるようにすれば、ガラス基板の割れ等を確実に防止できる。
【００１２】
上記構成の基板処理装置において、前記基板の大きさは３００ｍｍ×３００ｍｍから５
００ｍｍ×５００ｍｍの範囲内であることが望ましい。この程度の大きさの複数の基板が
テーブルに対して繰り返して吸着固定されると、テーブルは鏡面化して剥がれ難くなり、
それ故、基板をテーブルから剥がす際に基板の割れ等が発生し易い。これに対し、本発明
のように基板をテーブルから移動させる際に、一旦、中間位置で停止させるようにすれば
、ガラス基板の割れ等を確実に防止できる。
【００１３】
上記構成の基板処理装置において、前記基板の厚さは０．７ｍｍ以下であることが望ま
しい。このような基板に対して本発明を適用すれば、基板の割れ等を効率良く解消できる
。
【００１４】
次に、本発明に係る他の基板処理装置は、基板を載せるテーブルと、前記基板を前記テ
ーブルから離れる方向へ移動させるピンと、該ピンを中間位置まで低速で移動させ、その
後、所定位置まで高速で移動させるピン位置制御手段とを有することを特徴とする。ここ
で、ピン位置制御手段は、例えば、速度制御が可能な電動モータ、例えばパルスモータ、
サーボモータを動力源とすることが望ましい。こうすれば、ピンの速度制御を安定して無
理なく行うことができる。なお、本発明におけるピンの移動速度で、「低速」及び「高速
」とは、数値的に速い速度とか、数値的に遅い速度等といった意味ではなく、中間位置ま
ではそれ以降に比べて遅く、中間位置以降はそれまでに比べて速い、という意味である。
【００１５】
上記構成の基板処理装置によれば、ピンを希望の高さまで一気に移動させるのではなく
、中間位置まではゆっくりと移動、それ以降は希望の高さまで速く移動させるようにした
ので、中間位置までの移動中に基板をテーブルから完全に剥がすことができ、それ故、希
望の高さまで移動させる際に基板が割れたり、基板の搬送不良が発生したりすることが無
くなる。
【００１６】
本発明に係る他の基板処理装置は、上記構成に加えて、さらに、前記基板を前記テーブ
ルに吸着によって固定する吸着手段を有することが望ましい。そして、その場合、前記ピ
ンによって前記基板を前記テーブルから離れる方向へ移動させる際には、前記吸着手段に
よる吸着を解除することが望ましい。吸着手段を用いれば、基板をテーブル上にしっかり
と固定した状態で各種の処理を実行できる。そして、その場合、ピンによって基板をテー
ブルから離れる方向へ移動させる際、吸着手段による吸着を解除するようにすれば、基板
をテーブルから移動させる際に基板が割れたり、変形したり、位置ズレしたりすることを
確実に防止できる。
【００１７】
本発明に係る他の基板処理装置において、前記ピンは前記テーブルを貫通して移動する
ことにより前記基板を前記テーブルから離れる方向へ移動させることが望ましい。この構
成は、基板をテーブルから離すことに関して確実な構成である。
【００１８】
本発明に係る他の基板処理装置において、前記中間位置は５ｍｍ以下の距離の位置であ
ることが望ましい。これにより、ガラス基板やプラスチック基板が割れたり、変形したり
、位置ズレしたりすることを防止できる。
【００１９】
本発明に係る他の基板処理装置において、前記基板は任意の材質とすることができる。
但し、基板はガラス製であることが望ましい。ガラス基板は、加熱処理、冷却処理、化学
的処理、加重負荷等を受けたときに変形、変質等し難いので有利である。このガラス基板
は割れ易いという欠点を持っているが、本発明のように、テーブルから移動させる際に、
一旦、中間位置までゆっくりと移動させるようにすれば、ガラス基板の割れ等を確実に防
止できる。
【００２０】
本発明に係る他の基板処理装置において、前記基板の大きさは３００ｍｍ×３００ｍｍ
から５００ｍｍ×５００ｍｍの範囲内であることが望ましい。この程度の大きさの複数の
基板がテーブルに対して繰り返して吸着固定されると、テーブルは鏡面化して剥がれ難く
なり、それ故、基板をテーブルから剥がす際に基板の割れ等が発生し易い。これに対し、
本発明のように基板をテーブルから移動させる際に、一旦、中間位置で停止させるように
すれば、ガラス基板の割れ等を確実に防止できる。
【００２１】
上記構成の基板処理装置において、前記基板の厚さは０．７ｍｍ以下であることが望ま
しい。このような基板に対して本発明を適用すれば、基板の割れ等を効率良く解消できる
。
【００２２】
次に、本発明に係る基板処理方法は、基板を冷却する工程を有する基板処理方法におい
て、基板を冷却する当該工程において以上に記載した構成の基板処理装置を用いることを
特徴とする。この基板処理方法によれば、基板の移動を中間位置で停止させたり、中間位
置までゆっくりと移動させたりするので、中間位置において基板をテーブルから完全に剥
がすことができ、それ故、希望の高さまで移動させる際に基板が割れたり、基板の搬送不
良が発生したりすることが無くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法を一実施形態を挙げて説明する。こ
の実施形態は、基板に冷却処理を施すための装置及び方法である。
【００２４】
（基板処理装置及び基板処理方法の第１実施形態）
図１は、本発明に係る基板処理装置の一実施形態を示している。ここに示す基板処理装
置１は、基板２を載せるテーブル３と、テーブル３を貫通する複数のピン４と、ピン４を
昇降移動させる２つのエアシリンダ６、１６とを有する。テーブル３は、例えば、アルミ
ニウムによって形成され、その内部には、図２に示すように、曲りくねった状態に形成さ
れた空洞７が形成され、その空洞７に対応して多数のピンホール８が形成されている。こ
れらのピンホール８は、テーブル３の表面に開口する。テーブル３の４つの角部及び中央
部には、開口９が設けられ、これらの開口９を図１のピン４が貫通するようになっている
。図１ではピン４の数を実際よりも少なく描いてある。
【００２５】
図１において、複数のピン４はベース１１によってそれらの下端が受けられており、そ
のベース１１は、エアシリンダ６の出力軸６ａによって支持されている。また、エアシリ
ンダ６は、他のエアシリンダ１６の出力軸１６ａによって支持されたベース３１の上に載
置されている。
【００２６】
上段のエアシリンダ６は２つのエアー入力ポート１２ａ及び１２ｂを有し、一方の入力
ポート１２ｂにエアーが供給されると、出力軸６ａが往動、すなわち伸張移動する。また
、他方の入力ポート１２ａにエアーが供給されると、出力軸６ａが復動、すなわち収縮移
動する。出力軸６ａが伸張移動すると、ベース１１は図１の上方へ平行移動し、それに従
ってピン４は上方へ平行移動する。ピン４が上方へ平行移動すると、テーブル３の表面に
載置されていた基板２をテーブル３から離して上方へ持ち上げ移動できる。上段エアシリ
ンダ６の往復移動の行程、すなわちストロークはＬ１である。
【００２７】
下段のエアシリンダ１６は２つのエアー入力ポート２２ａ及び２２ｂを有し、一方の入
力ポート２２ｂにエアーが供給されると、出力軸１６ａが往動、すなわち伸張移動する。
また、他方の入力ポート２２ａにエアーが供給されると、出力軸１６ａが復動、すなわち
収縮移動する。出力軸１６ａが伸張移動すると、ベース３１が図１の上方へ平行移動し、
それに従って上段エアシリンダ６及びピン４が上方へ平行移動する。ピン４の平行移動に
より、基板２が移動する。下段エアシリンダ１６のストロークはＬ２である。
【００２８】
上段エアシリンダ６の入力ポート１２ａ，１２ｂには、電磁バルブ１３を介してエアー
源１４が接続されている。このバルブ１３は、制御回路１７からの指令に基づいて、エア
ー源１４からのエアー給送路を入力ポート１２ａへつなげる状態と、エアー源１４からの
エアー給送路を入力ポート１２ｂへつなげる状態とを切り替える。
【００２９】
また、下段エアシリンダ１６の入力ポート２２ａ，２２ｂには、電磁バルブ２３を介し
てエアー源１４が接続されている。このバルブ２３は、制御回路１７からの指令に基づい
て、エアー源１４からのエアー給送路を入力ポート２２ａへつなげる状態と、エアー源１
４からのエアー給送路を入力ポート２２ｂへつなげる状態とを切り替える。
【００３０】
テーブル３内の空洞７には排気ポンプ２７が接続される。この排気ポンプ２７は、制御
回路１７によってそのＯＮ／ＯＦＦが制御される。排気ポンプ２７がＯＮ状態になると、
空洞７及びピンホール８内の空気が吸引される。この空気吸引により、基板２をテーブル
３に吸着固定できる。
【００３１】
上段エアシリンダ６及び下段エアシリンダ１６の両方が伸張すると、基板２はテーブル
３から距離（Ｌ１＋Ｌ２）だけ上方へ持ち上がる。距離（Ｌ１＋Ｌ２）だけ持ち上がった
位置は、基板２を搬送するための搬送位置Ｐ２である。また、上段エアシリンダ６によっ
て持ち上げられる距離Ｌ１は、テーブル３の表面と搬送位置Ｐ２との間に位置する中間位
置Ｐ１である。この中間位置Ｐ１は、例えば５ｍｍ以下の適宜の寸法に設定される。
【００３２】
以下、本実施形態の基板処理装置１の動作を図３のフローチャートに基づいて説明する
。このフローチャートは図１の制御回路１７によって実現される動作である。
【００３３】
まず、ステップＳ１において吸着固定処理を実行する。具体的には、図１において、テ
ーブル３の上表面に基板２を載せた状態で排気ポンプ２７をＯＮ状態に作動する。基板２
は、例えば、ガラス、プラスチック等によって形成され、液晶装置、有機ＥＬ装置等とい
った電気光学装置のための基板として用いられるものである。
【００３４】
排気ポンプ２７がＯＮ状態になると、空洞７及びピンホール８内の空気が吸引され、こ
れにより、基板２がテーブル３に吸着固定される。基板２がテーブル３に吸着固定される
と、基板２が保有する熱がテーブル３に伝達され、これにより、基板２に対してステップ
Ｓ２の冷却処理が実行される。この冷却処理は、例えば、加熱された基板２に反りが発生
して割れ易くなること等を防止するために行われる。
【００３５】
所定時間が経過して希望の冷却処理が完了すると、ステップＳ３において、図１の排気
ポンプ２７がＯＦＦ状態とされ、これにより、テーブル３への基板２の吸着が解除される
。冷却処理が完了した基板２はテーブル３から離されて搬送位置Ｐ２まで持ち上げられ、
さらに、次の処理ステージへ搬送される。本実施形態では、基板２を搬送位置Ｐ２まで持
ち上げるに際して、次の処理を実行する。
【００３６】
すなわち、図３のステップＳ４で、図１のバルブ１３をエアシリンダ６の入力ポート１
２ｂ側へセットしてエアシリンダ６の出力軸６ａをストロークＬ１だけ伸張移動させる。
この伸張移動によりピン４は上方へ平行移動して持ち上がり、基板２を中間位置Ｐ１まで
移動させる。基板２は中間位置Ｐ１で所定時間ｔ０だけ停止状態に保持される（ステップ
Ｓ５）。
【００３７】
テーブル３の表面から中間位置Ｐ１までの距離Ｌ１は、基板２の一部又は全部がテーブ
ル３に吸着した状態で基板２がテーブル３から引き離されたとしても基板２に割れや変形
が発生しない程度の距離、例えば５ｍｍ以下の距離として選定されている。従って、ステ
ップＳ５において基板２を中間位置Ｐ１で所定時間、停止させれば、基板２をテーブル３
から完全に剥がすことができる。
【００３８】
このようにして、基板２がテーブル３から完全に離れた後、図３のステップＳ６におい
て、図１のバルブ２３を入力ポート２２ｂ側へセットしてエアシリンダ１６の出力軸１６
ａをストロークＬ２だけ伸張移動させる。これにより、ピン４が再び上昇し、基板２が搬
送位置Ｐ２まで持ち上げられる。その後、図示しない搬送装置、例えばロボットハンド等
によって基板２を別の処理ステージへ搬送する。
【００３９】
以上に説明した基板処理装置１によれば、図１において、基板２を希望の搬送位置Ｐ２
へ一気に持ち上げるのではなく、中間位置Ｐ１で所定時間、一旦、停止させた後に搬送位
置Ｐ２まで持ち上げるので、基板２に割れ、変形、位置ズレ等が発生することを確実に防
止できる。
【００４０】
なお、本実施形態において、図１のピン４を中間位置Ｐ１で停止させた後に搬送位置Ｐ
２まで移動させるピン位置制御手段は、エアシリンダ６，１６、電磁バルブ１３，２３、
エアー源１４、制御回路１７の各要素によって構成される。
【００４１】
（基板処理装置及び基板処理方法の第２実施形態）
図４は、本発明に係る基板処理装置の他の実施形態を示している。ここに示す基板処理
装置２１が図１に示した先の基板処理装置１と異なる点は、２個のエアシリンダ６，１６
を用いて基板２を上昇させることに代えて、電動モータ３６を動力源として基板２を上昇
させるようにしたことである。電動モータ３６は速度制御が可能なモータであって、例え
ば、パルスモータ、サーボモータによって構成される。この電動モータ３６の回転は、制
御回路１７によって制御される。なお、図４において、図１に示した部材と同じ機能を奏
する部材は同じ符号を付することにして、それらの説明は省略する。
【００４２】
図４において、テーブル３を貫通して基板２を支持するピン４がベース１１によって受
けられることは図１に示した先の実施形態と同じである。このベース１１の底面にはロッ
ド２８が設けられ、このロッド２８の下部にブラケット２９が固定されている。このブラ
ケット２９は、モータ３６の出力軸に接続されたネジ軸２６にネジ嵌合している。この構
成により、モータ３６が作動してネジ軸２６がそれ自身の中心軸を中心として回転すると
、それにネジ嵌合するブラケット２９がネジ軸２６に沿って平行移動、本実施形態では昇
降移動する。ブラケット２９が昇降移動すると、それに固定されたロッド２８が昇降移動
し、それに従って、ベース１１及びピン４が昇降移動する。
【００４３】
テーブル３の表面から距離Ｌ１離れた中間位置Ｐ１には、位置センサ１８ａが設けられ
る。また、距離（Ｌ１＋Ｌ２）離れた搬送位置Ｐ２には、位置センサ１８ｂが設けられる
。これらのセンサは、マイクロスイッチ等といった機械式スイッチや、フォトセンサ等と
いった電気光学式のスイッチ等を用いて構成できる。これらの位置センサ１８ａ，１８ｂ
の出力信号は制御回路１７の入力端子に接続される。
【００４４】
以下、本実施形態の基板処理装置２１の動作を図５のフローチャートに基づいて説明す
る。このフローチャートは図４の制御回路１７によって実現される動作である。
【００４５】
まず、ステップＳ１１において図３のステップＳ１と同様の吸着固定処理を実行する。
基板２がテーブル３に吸着固定されると、基板２が保有する熱がテーブル３に伝達され、
これにより、基板２に対してステップＳ１２の冷却処理が実行される。所定時間が経過し
て希望の冷却処理が完了すると、ステップＳ１３において、図４の排気ポンプ２７がＯＦ
Ｆ状態とされ、これにより、テーブル３への基板２の吸着が解除される。冷却処理が完了
した基板２はテーブル３から離されて搬送位置Ｐ２まで持ち上げられ、さらに、次の処理
ステージへ搬送される。本実施形態では、基板２を搬送位置Ｐ２まで持ち上げるに際して
、次の処理を実行する。
【００４６】
すなわち、図５のステップＳ１４で、図４のモータ３６を低速で回転させてピン４を低
速で上昇させ、これにより、基板２を低速で上昇させる。次に、ステップＳ１５で、基板
２が図４の中間位置Ｐ１に到達したかどうかをセンサ１８ａの出力信号に基づいてチェッ
クし、到達したと判定したら（ステップＳ１５でＹＥＳ）、モータ３６の回転速度を高速
に変化させる。これにより、基板２は高速で上昇する（ステップＳ１６）。上昇する基板
２が搬送位置Ｐ２に達すると、そのことがセンサ１８ｂによって検知され（ステップＳ１
７でＹＥＳ）、この検知に基づいてモータ３６が停止して、基板２を搬送位置Ｐ２に保持
する（ステップＳ１８）。その後、図示しない搬送装置、例えばロボットハンド等によっ
て基板２を別の処理ステージへ搬送する。なお、以上のような動作に代えて、基板２が中
間位置Ｐ１に到達したときに、モータ３６の回転を停止させて基板２を中間位置Ｐ１で、
一旦、停止させるようにしても良い。
【００４７】
このような基板２の持ち上げ作業において、テーブル３の表面から中間位置Ｐ１までの
距離Ｌ１及び中間位置Ｐ１までの基板２の低速の移動速度は、基板２の一部又は全部がテ
ーブル３に吸着した状態で基板２が持ち上げられたとしても基板２に割れや変形が発生し
ない程度の距離及び移動速度として選定されている。このような距離は、例えば５ｍｍ以
下の距離である。中間位置Ｐ１の距離及びそこまでの基板２の移動速度をそのように設定
したため、基板２は中間位置Ｐ１に到達するまでにテーブル３から完全に剥がれる。この
ように中間位置Ｐ１に到達するまでに基板２はテーブル３から完全に剥がされるので、基
板２の移動速度が中間位置Ｐ１以降に高速に切り替えられたとしても、その基板２に割れ
、変形、位置ズレ等が発生することはない。
【００４８】
以上のように、本実施形態の基板処理装置２１によれば、図４において、基板２を希望
の搬送位置Ｐ２へ一気に持ち上げるのではなく、中間位置Ｐ１まではゆっくりと上昇させ
るようにしたので、基板２に割れ、変形、位置ズレ等が発生することを確実に防止できる
。また、中間位置Ｐ１から搬送位置Ｐ２までは高速で上昇させるので、基板２に対して行
われる全体的な処理時間を短縮できる。
【００４９】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定さ
れるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【００５０】
例えば、以上の実施形態では基板２に対して行われる処理としてテーブル３への伝熱に
よる冷却処理を例示した。しかしながら、基板２に対して行われる処理としては、そのよ
うな冷却処理以外の任意の処理、例えば基板２上に何等かの材料を成膜する処理や、基板
２上に半導体を形成する処理等が考えられる。
【００５１】
また、以上の実施形態では、基板２を上昇させるための手段としてエアシリンダや電動
モータを例示したが、それらに代えて、油圧シリンダあるいはその他の動力源を用いるこ
とができる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、ガラス、プラスチック等から成る基板に種々の処理を施す場合に、好適に利
用される。例えば、液晶装置、有機ＥＬ装置等といった電気光学装置に使用される基板を
製造するための各種工程において好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明に係る基板処理装置の一実施形態を示す図である。
【図２】図１の要部であるテーブルの平面図である。
【図３】本発明に係る基板処理方法の一実施形態を示すフローチャートである。
【図４】本発明に係る基板処理装置の他の実施形態を示す図である。
【図５】本発明に係る基板処理方法の他の実施形態を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００５４】
１，２１．基板処理装置、  ２．基板、  ３．テーブル、  ４．ピン、  ６，１６．エア
シリンダ、  ７．空洞、  ８．ピンホール、  ９．開口、  １１，３１．ベース、
１２ａ，１２ｂ．入力ポート、  １３．電磁バルブ、  １４．エアー源、
１７．制御回路、  １８ａ，１８ｂ．位置センサ、  ２２ａ，２２ｂ．入力ポート、
２３．電磁バルブ、  ２６．ネジ軸、  ２７．排気ポンプ、  ２８．ロッド、
２９．ブラケット、  ３６．電動モータ、  Ｐ１．中間位置、  Ｐ２．搬送位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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