(57)【要約】【課題】  発光チップの効率的な冷却が可能であり、また構造の簡略化が可能な、光源装置とする。【解決手段】  第１電極３と第２電極とを介して通電されることによって発光・発熱する発光チップ２を備える光源装置であって、上記第１電極は、上記発光チップ２が直接実装される基台３である。【選択図】              図３
2005129411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極とを介して通電されることによって発光・発熱する発光チップを備える光源装置であって、
前記第１電極は、前記発光チップが直接実装される基台であることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記基台の内部には、冷却媒体が流れる流路が形成されることを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項３】
絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板を前記基台上に有し、
前記第２電極は、前記配線基板が有する前記導電層であることを特徴とする請求項１または２記載の光源装置。
【請求項４】
前記配線基板を前記基台上に形成された凹部に填め込むことによって、前記配線基板の上面と前記基台上面とを同一の高さとすることを特徴とする請求項３記載の光源装置。
【請求項５】
前記配線基板を複数備えることを特徴とする請求項３または４記載の光源装置。
【請求項６】
前記第２電極は、前記発光チップの端部近傍に接続されていることを特徴とする請求項１〜４いずれかに記載の光源装置。
【請求項７】
前記発光チップは、第１電極と第２電極との各々に接続される接続端子を有することを特徴とする請求項１〜６いずれかに記載の光源装置。
【請求項８】
請求項１〜７いずれかに記載の光源装置を光源として用いることを特徴とするプロジェクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源装置及びプロジェクタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プロジェクタは、近年小型化、高輝度化、長寿命化、廉価化等が図られてきている。例えば、小型化に対しては液晶パネル（光変調素子）サイズは対角１．３インチが０．５インチになり面積比で１／６強の小型化がされてきている。
【０００３】
一方、プロジェクタの光源として、固体光源である発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）光源を用いることよる小型化が提案されている。ＬＥＤ光源は、電源を含めて小型であり、瞬時点灯／消灯が可能であること、色再現性が広く長寿命であることなど、プロジェクタ用光源としてメリットを有している。また、水銀などの有害物質を含まないため、環境保全上からみても好ましいものである。
【特許文献１】特開平０６−００５９２３号公報
【特許文献２】特開平０７−０９９３７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ＬＥＤ光源をプロジェクタ用光源に用いるためには、光源としての明るさが不足しており、少なくとも放電型光源ランプレベルの明るさを確保（高輝度化、低エテンデュ化）する必要があった。ここで、エテンデュとは、有効に活用できる光束が存在する空間的な広がりを面積と立体角の積で表される数値であって、光学的に保存されるものである。先に述べたように、液晶パネルの小型化が図られ液晶パネルのエテンデュは小さくなってきているため、光源のエテンデュも同等以下にする必要がある。
【０００５】
ところが、ＬＥＤ光源を高輝度化するにつれて益々ＬＥＤ光源からの発熱は増大し、ＬＥＤ光源の温度が上昇すると発光効率が低下するため、何らかの発熱対策をとる必要があった。一般的に採用されているファンによる強制空冷方式では冷却効率が不十分であったり、ファンの騒音が問題となったりしている。そのため、液体を用いてＬＥＤ光源を強制冷却する方法が提案されている。液体冷却方法によれば、強制空冷方式の騒音の解消にも効果が期待されるものである（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００６】
特許文献１におけるＬＥＤ光源においては、ＬＥＤの周囲に液体窒素などの冷却材を流すことにより、ＬＥＤと冷却材とを直接接触させて強制冷却している。しかしながら、断熱ケースが必要になるなどＬＥＤ光源の構成が複雑となり、その製作が現実的でないため、少なくとも放電型光源ランプレベルの明るさを確保することが困難という問題があった。
【０００７】
特許文献２におけるＬＥＤ光源においては、ＬＥＤチップ（発光チップ）の周囲に絶縁不活性液体を封入してＬＥＤチップを冷却している。しかしながら、絶縁不活性液体を積極的に冷却する手段が設けられておらず、冷却効果が低く長時間ＬＥＤチップを冷却することが困難であり、少なくとも放電型光源ランプレベルの明るさを確保することが困難という問題があった。
【０００８】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、発光チップの効率的な冷却が可能であり、また構造の簡略化が可能な、光源装置の提供を目的とする。さらに、明るく表示品質に優れたプロジェクタの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明に係る光源装置は、第１の手段として、第１電極と第２電極とを介して通電されることによって発光・発熱する発光チップを備える光源装置であって、上記第１電極は、上記発光チップが直接実装される基台であることを特徴とする。
【００１０】
このような特徴を有する本発明に係る光源装置によれば、発光チップが基台上に直接実装され、この基台が第１電極としての機能を有する。したがって、発光チップと第１電極（基台）との間に熱伝導率の低い絶縁層を配置する必要がないため、発光チップにおいて発熱された熱量が基台に伝導され易くなる。このため、光源装置における放熱性を向上させることができ、これによって、発光チップをより大電流駆動することが可能となる。また、本発明において、発光チップは基台上に直接実装されることによって冷却されるため、簡易な構造で発光チップをより大電流駆動することが可能となる。
ＬＥＤチップ（発光チップ）は、通電される電流が大きければ大きい程明るく発光する。したがって、本発明のように発光チップを直接基台上に実装することによって、高輝度な光源装置とすることが可能となる。
【００１１】
また、本発明に係る光源装置は、上記基台の内部に冷却媒体の流れる流路が形成されていることが好ましい。このように、基台の内部に冷却媒体の流れる流路を形成することによって、発光チップから伝熱された熱量が効率的に基台の外部に放熱されるため、より発光チップを冷却でき、より光源装置を大電流駆動することが可能となる。
【００１２】
また、絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板を上記基台上に配し、この配線基板における導電層を第２電極とすることによって、発光チップの下面側（基台側）に第１及び第２電極を接続することができる。このため、本発明に係る光源装置をいわゆるフリップチップ実装型の光源装置とすることができる。
【００１３】
なお、本発明に係る光源装置をフリップチップ実装型の光源装置とする場合には、上記配線基板を上記基台上に形成された凹部に填め込むことによって、上記配線基板の上面と上記基台の上面とを同一の高さにすることが好ましい。このように、配線基板の上面と基台の上面とを同一の高さにすることによって、容易に発光チップを水平に配置することができる。また、発光チップが第１電極と第２電極との各々に接続される接続端子を有している場合には、配線基板の上面と基台の上面との高さが異なると、発光チップ本体を水平に配置するためには、第１電極に接続される接続端子の厚みを第２電極に接続される接続端子の厚みよりも厚くする必要がある。このような場合には、第１電極に接続される接続端子が厚いため、発光チップ本体において発熱された熱量が基台に伝熱され難くなる。したがって、配線基板の上面と基台の上面とを同一の高さにすることによって、光源装置の放熱効果をより高めることが可能となる。
【００１４】
また、本発明に係る光源装置は、上記配線基板、すなわち上記第２電極を複数備えることが好ましい。このように複数の第２電極を備えることによって、各第２電極に流れる電流量を小さくすることができる。すなわち、第２電極の電気抵抗を小さくすることができるため、第２電極における発熱を防止することが可能となる。
【００１５】
また、本発明に係る光源装置は、上記第２電極が上記発光チップの端部近傍に接続されていることが好ましい。このように、第２電極を上記発光チップの端部近傍に接続することによって、第２電極、すなわち導電層の長さを短くすることができる。しがって、第２電極の電気抵抗を小さくすることが可能となり、第２電極における発熱を防止することが可能となる。
【００１６】
次に、本発明に係るプロジェクタは、本発明に係る光源装置を光源として用いることを特徴とする。
本発明に係る光源装置によれば、高輝度な光を得ることが可能なため、このような特徴を有する本発明に係るプロジェクタによれば、明るく表示品質に優れたプロジェクタとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明に係る光源装置及びプロジェクタの一実施形態について説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１８】
（第１実施形態）
［高熱源の冷却方式］
最初に、熱伝導の法則に基づく高熱源の冷却方式について、図１を参照して説明する。なお、図１は熱伝導の法則の説明図である。
図１に示すように低熱源により熱媒体を介して高熱源を冷却する場合には、高熱源から低熱源への単位時間あたりの熱移動量ｄＱは下式（１）で表される。なお、下式（１）において、λは熱媒体の熱伝導率、Ｓは低熱源の接触面積、Ｗは高熱源と低熱源との距離、θ２は高熱源の温度、θ１は低熱源の温度である。
【００１９】
【数１】
2005129411.tif 000003
【００２０】
ここで、ｄＱの値が大きければ大きい程高熱源から低熱源への移動熱量が多くなり、高熱源が冷却される。そして、この式（１）から分かるように、高熱源から低熱源に対して効率よく熱移動させる方法として、（１）低熱源の温度θ１を下げる方法、（２）熱伝導率λの大きい熱媒体を用いる方法、（３）高熱源と低熱源との距離Ｗを小さくする方法、（４）低熱源の接触面積Ｓを大きくする方法が考えられる。このうち（３）及び（４）は、式（１）のＳ／Ｗを大きくすることに一致する。
【００２１】
そこで、本実施形態に係る光源装置の高熱源、すなわち、発光チップを冷却する場合にも、式（１）のＳ／Ｗが大きくなるようにすることによって、効率的に発光チップを冷却することが可能となる。
【００２２】
［光源装置］
次に、図２を参照して本実施形態に係る光源装置について説明する。図２は、本第１実施形態に係る光源装置の概略構成図である。この図２に示すように、本実施形態に係る光源装置１は、通電されることによって発光・発熱する発光チップ２を備えており、発光チップ２は金属材によって形成される基台３に直接実装されている。
【００２３】
また基台３の内部には、冷却媒体Ｘが流れる流路３１が形成されており、この流路３１は、図２に示すように、発光チップ２の下方に位置されている。なお、この流路３１は、紙面垂直方向に延設されており、当該流路３１に冷却媒体Ｘを流すポンプ（不図示）と接続されている。
基台３の上面には発光チップ２を囲むように、円環状の反射鏡４が形成されている。反射鏡４は、発光チップ２から側方に出射された光を、紙面上方（光源装置１の光の出射方向）に反射するものである。そのため、反射鏡４の内面４ａはバンク状の斜面とされ、少なくともその内面４ａが鏡面状態とされている。また、基台３の上面全体を覆うように、レンズ５が形成されている。レンズ５は、発光チップ２から放射状に出射された光を光源装置１における出射方向に集光するものである。そのため、レンズ５はエポキシ樹脂等の透明材料によって構成され、周辺部より中央部の厚さが厚い凸レンズとされている。
【００２４】
発光チップ２は、ｐｎ接合部に電流が流れると発光するダイオード（ＬＥＤ）である。同じ半導体材料を接合したホモ接合型のＬＥＤでは、発光部に注入されたキャリアに対する障壁がないため、キャリアが半導体中の拡散距離にまで広がってしまう。これに対して、異なる半導体材料を接合したヘテロ接合型のＬＥＤでは、キャリアに対する障壁を構造中に作りこむため、発光部に注入されるキャリアの密度を大幅に増大させることができる。特に、クラッド層の間に発光層を挟み込んだダブルヘテロ接合型のＬＥＤでは、発光層の幅が狭いほどキャリア密度を高めることが可能になり、内部量子効率を向上させることができる。一方、ホモ接合型のＬＥＤでは、外界に接する材料と発光部の材料とが同じであるため、発光が自分自身の材料で吸収されてしまう。これに対して、ダブルヘテロ接合型のＬＥＤでは、バンドギャップの広い材料からなるクラッド層の間にバンドギャップの狭い材料からなる発光層が挟み込まれているので、自己吸収が減少して光取り出し効率を向上させることができる。したがって、発光効率に優れたダブルヘテロ接合型のＬＥＤを採用することが望ましい。
【００２５】
青色光及び緑色光を発光するＬＥＤは、サファイヤ（Ａｌ２Ｏ３）等の基板の表面に、ＧａＩｎＮ系の化合物半導体結晶を成長させることによって形成する。そして、ｎ−ＧａＮからなるクラッド層と、ｐ−ＧａＮからなるクラッド層との間に、ＩｎＧａＮからなる発光層を挟み込んだダブルヘテロ接合構造を採用する。また、赤色光を発光するＬＥＤは、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等の基板上に、ＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体結晶を成長させることによって形成する。なお、ＧａＡｓ基板は可視光を吸収するため、ＬＥＤの光取り出し効率の向上に限界がある。そこで、半導体結晶を成長させた後にＧａＡｓ基板を取り除き、発光波長に対して透明なガリウムリン（ＧａＰ）基板を高温高圧化で貼り付けることが望ましい。そして、ｎ−ＧａＰからなるクラッド層と、ｐ−ＧａＰのクラッド層との間に、ＡｌＧａＩｎＰの発光層を挟み込んだダブルヘテロ接合構造を採用する。
【００２６】
ここで、図３及び図４を参照して、青色光及び緑色光を発光する発光チップ２ａを有する光源装置の具体的な構成と、赤色光を発光する発光チップ２ｂを有する光源装置の具体的な構成を説明する。
【００２７】
図３は、青色光及び緑色光を発光する発光チップ２ａの近傍を拡大した概略構成図であり、（ａ）が上面図、（ｂ）が断面図である。この図に示すように、基台３上には、絶縁層６１と導電層６２とが積層されてなる配線基板６が配置されている。そして、本実施形態に係る発光チップ２は、基台３上に、いわゆるフリップチップ実装されており、発光チップ２ａは、通電されることによって発光・発熱する本体部２４と、本体部２４を基台３に接続するための第１バンプ２１と、本体部２４を配線基板６の導電層６２に接続するための第２バンプ２２とを有している。
そして、基台３と配線基板６の導電層６２は電源装置（不図示）と接続されており、発光チップ２ａは基台３と配線基板６の導電層６２とを介して通電されることによって発光・発熱する。
すなわち、基台３（第１電極）及び配線基板６の導電層６２（第２電極）は電極としての機能を有しており、発光チップ２ａは一方の電極である基台３上に直接実装されている。
【００２８】
このような発光チップ２ａに基台３と配線基板６の導電層６２とを介して通電されると、発光チップ２ａ（本体部２４）は、発光・発熱する。そして、発光チップ２ａにおいて発熱された熱量は、基台３を介して冷却媒体Ｘに伝熱されることで放熱される。
この発光チップ２ａ（本体部２４）において発熱された熱量が冷却媒体Ｘに伝熱される過程を上記式（１）に基づいて説明すると次のようになる。まず、上述のような発光チップ２ａを有する光源装置１において、低熱源である冷却媒体Ｘの温度がθ１、高熱源である発光チップ２ａの本体部２４の温度がθ２となり、第１バンプ２１及び基台３を含む系が熱伝導率λの熱伝導媒体となる。そして、高熱源（本体部２４）と低熱源（冷却媒体Ｘ）との間の距離Ｗは、本体部２４の下面と流路３１の上面間の距離となる。ここで、発光チップ２ａを有する光源装置１では、発光チップ２ａが基台３上に直接実装されているため、距離Ｗがわずかとなり、極めて効率的な冷却が可能となる。
【００２９】
また、発光チップ２ａを有する光源装置１は、熱伝導媒体である第１バンプ２１及び基台３とが金属材によって形成されており、さらにこれら第１バンプ２１及び基台３を含む系が高熱源と低熱源とに対する接触面積Ｓが最も大きい。このため、主として熱が移動する箇所における熱伝導率λの値が大きくなり、さらに効率的な冷却が可能となる。なお、第２バンプ２２、導電層６２、絶縁層６１、基台３、流路３１という熱の移動経路もあるが、この系においては、絶縁層６１の熱伝導率が小さいため、本体部２４において発熱された熱量は、主として第１バンプ２１及び基台３を介して冷却媒体Ｘに伝熱される。
【００３０】
図４は、赤色光を発光する発光チップ２ｂの近傍を拡大した概略構成図であり、（ａ）が上面図、（ｂ）が断面図である。この図に示すように、発光チップ２ｂは、通電されることによって発光・発熱する本体部２５と基台３に接続するためのバンプ２３とを有している。そして、本体部２５の上面には電極７が配置されている。この電極７は、ボンディングワイヤ８に接続されており、このボンディングワイヤ８及び基台３が電源装置（不図示）に接続されている。発光チップ２ｂの本体部２５は基台３と電極７とを介して通電されることによって発光・発熱する。
すなわち、基台３は電極としての機能を有しており、発光チップ２ａはその基台３上に直接実装されている。
【００３１】
このような発光チップ２ｂに基台３と電極７とを介して通電されると、発光チップ２ｂ（本体部２５）は、発光・発熱する。そして、発光チップ２ｂにおいて発熱された熱量は、基台３を介して冷却媒体Ｘに伝熱されることによって放熱される。
このような発光チップ２ｂを有する光源装置１においても、上述の発光チップ２ａを有する光源装置１と同様に、発光チップ２ｂが基台３上に直接実装されているため、本体部２５と冷却媒体Ｘとの距離Ｗがわずかとなり、極めて効率的な冷却が可能となる。また、バンプ２３及び基台３とが金属材によって形成されている。このため、熱が移動する箇所における熱伝導率λの値が大きくなり、さらに効率的な冷却が可能となる。
【００３２】
このように本実施形態に係る光源装置１では、式（１）における高熱源と低熱源間の距離Ｗを極めて小さくし、かつ、その間に存在する熱伝導媒体の接触面積の大部分（あるいは全部）を占める部分に熱伝導率λの大きな熱媒体媒体を存在させることによって極めて効率的な冷却が可能となり、光源装置１における放熱性を向上させることができる。これによって、発光チップをより大電流駆動することが可能となり、高輝度な光源装置とすることが可能となる。
【００３３】
そして、発光チップ２（２ａ，２ｂ）において発光された光のうち図２における紙面上方に出射された光はそのままレンズ５を介して出射され、側方に出射された光は反射鏡４の内面４ａにおいて反射された後にレンズ５を介して出射され、紙面下方に出射された光は基台３の上面に反射された後レンズ５を介して出射される。
【００３４】
なお、本実施形態に係る光源装置１では、基台３の内部に流路３１を形成し、この流路３１内を流れる冷却媒体Ｘを低熱源として用いた。しかしながら、本発明に係る光源装置は、これに限定されるものではなく、例えば、流路３１を形成せず基台３が接触する外気を低熱源として用いても良い。
【００３５】
なお、本実施形態において、配線基板６の導電層６２と接続される発光チップ２ａの第２バンプ２２を端部近傍に形成することによって、配線基板６の導電層６２を発光チップ２ａの端部近傍に接続することが好ましい。このように、配線基板６の導電層６２を発光チップ２ａの端部近傍に接続することによって、導電層６２の長さを短くすることができる。すなわち、導電層６２における電気抵抗を低くすることができるため、導電層６２に電流が流れた場合における発熱を防止することができる。
【００３６】
［プロジェクタ］
図５は、本実施形態に係る光源装置を備えたプロジェクタの概略構成図である。図中、符号５１２，５１３，５１４は本実施形態の光源装置、５２２，５２３，５２４は液晶ライトバルブ（光変調手段）、５２５はクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）、５２６は投写レンズ（投写手段）を示している。
【００３７】
図５のプロジェクタは、本実施形態のように構成した３個の光源装置５１２，５１３，５１４を備えている。各光源装置５１２，５１３，５１４には、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に発光するＬＥＤが採用されている。また、各光源装置５１２，５１３，５１４には、各々に対応する集光レンズ５３５が配置されている。
【００３８】
そして、赤色光源装置５１２からの光束は、集光レンズ５３５Ｒを透過して反射ミラー５１７で反射され、赤色光用液晶ライトバルブ５２２に入射する。また、緑色光源装置５１３からの光束は、集光レンズ５３５Ｇを透過して緑色光用液晶ライトバルブ５２３に入射する。また、青色光源装置５１４からの光束は、集光レンズ５３５Ｂを透過して反射ミラー５１６で反射され、青色光用液晶ライトバルブ５２４に入射する。
【００３９】
また、各液晶ライトバルブの入射側および出射側には、偏光板（不図示）が配置されている。そして、各光源からの光束のうち所定方向の直線偏光のみが入射側偏光板を透過して、各液晶ライトバルブに入射する。また、入射側偏光板の後方に偏光変換手段（不図示）を設けてもよい。この場合、入射側偏光板で反射された光束をリサイクルして各液晶ライトバルブに入射させることが可能になり、光の利用効率を向上させることができる。
【００４０】
各液晶ライトバルブ５２２，５２３，５２４によって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム５２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投写光学系である投写レンズ５２６により投写スクリーン５２７上に投写され、拡大された画像が表示される。
【００４１】
上述した本実施形態の光源装置では、発光チップ２を効率的に冷却することができるので、投入電流を増加して高輝度化させることが可能である。したがって、上述した光源装置を備えることにより、明るく表示品質に優れたプロジェクタを提供することができる。
【００４２】
（第２実施形態）
次に、図６を参照して本発明に係る光源装置の第２実施形態について説明する。なお、上述した第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
【００４３】
図６は、本第２実施形態に係る光源装置における青色光及び緑色光を発光する発光チップ２ａの近傍を拡大した概略構成図であり、（ａ）が上面図、（ｂ）が断面図である。この図に示すように、本第２実施形態に係る光源装置では、基台３の上部に凹部３２が形成されており、この凹部３２に配線基板６が填め込まれることによって、配線基板６の上面と基台３の上面とが同一の高さとなるようにされている。
【００４４】
このような本第２実施形態に係る光源装置によれば、配線基板６の上面と基台３の上面とが同一の高さとされているため容易に発光チップ２を水平配置することができると共に、第１バンプ２１の厚みを上記第１実施形態に係る光源装置より薄くすることができる。発光チップ２において実際に発熱する部分は発光層を含む本体部２４であるため、上記第１実施形態に係る光源装置では、第１バンプ２１の厚みが厚い分基台３に熱量が伝熱され難い。したがって、本第２実施形態のように第１バンプ２１の厚みが薄くされることによって、より放熱効果が高い光源装置とすることができる。
【００４５】
（第３実施形態）
次に、図７を参照して本発明に係る光源装置の第３実施形態について説明する。上記第２実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
【００４６】
図７は、本第３実施形態に係る光源装置における青色光及び緑色光を発光する発光チップ２ａの近傍を拡大した概略構成図であり、（ａ）が上面図、（ｂ）が断面図である。この図に示すように、本第３実施形態に係る光源装置では、２つの配線基板６が発光チップ２ａの両端に各々接続されている。このように発光チップ２ａの両端に電極の機能を有する導電層６２を備える配線基板６が各々接続されることによって、各配線基板６に流れる電流量を小さくすることができる。すなわち、本第３実施形態に係る光源装置によれば、上記第１及び第２実施形態と同様の効果を奏すると共に、配線基板６全体における電気抵抗が小さくなるため、配線基板６における発熱を防止することが可能となる。
【００４７】
なお、図８の上面図に示すように、さらに複数の配線基板６を発光チップ２の端部近傍にバンプを介して接続しても良い。このような場合にも、各配線基板６に流れる電流量を小さくすることができるため、配線基板６における発熱を防止することが可能となる。
【００４８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る光源装置及びプロジェクタの好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。上述した実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００４９】
例えば、上記実施形態において、プロジェクタにおける光変調手段として、液晶ライトバルブを用いた。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、光変調手段として微小ミラーアレイデバイス等を用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】熱伝導の法則の説明図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る光源装置の概略構成図である。
【図３】同、光源装置が有する発光チップ２ａ近傍を拡大した概略構成図である。
【図４】同、光源装置が有する発光チップ２ｂ近傍を拡大した概略構成図である。
【図５】本実施形態に係る光源装置を備えたプロジェクタの概略構成図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る光源装置が有する発光チップ２ａ近傍を拡大した概略構成図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る光源装置が有する発光チップ２ａ近傍を拡大した概略構成図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る光源装置の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１……光源装置、２……発光チップ、２１……第１バンプ（接続端子）、２２……第２バンプ（接続端子）、３……基台、３１……流路、３２……凹部、６……配線基板、６１……絶縁層、６２……導電層、Ｘ……冷却媒体
【図１】
2005129411.tif 000004
【図２】
2005129411.tif 000005
【図３】
2005129411.tif 000006
【図４】
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【図５】
2005129411.tif 000008
【図６】
2005129411.tif 000009
【図７】
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【図８】
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