(57)【要約】【課題】ベアＳＡＷチップを他の電子部品とともにモジュール基板に実装し、実装面積の縮小や低背化を実現可能とした高信頼性の高周波モジュールを得る。【解決手段】励振電極と、該励振電極を取り囲む接地電極と、入出力電極とが主面に形成されたベアＳＡＷチップの前記各電極をモジュール基板表面に形成された電極と対面させ、前記励振電極のＳＡＷ伝搬部分に密閉空間が形成されるように、前記ベアＳＡＷチップの接地電極および入出力電極と、モジュール基板側の前記電極とを導電性接着剤によって接続してなるとともに、前記モジュール基板表面に他の電子部品を搭載および／または基板表面に受動回路を形成してなる高周波モジュールであって、少なくとも前記ベアＳＡＷチップを曲げ弾性率が常温で４〜８ＧＰａ、２２０℃で０．２〜０．５ＧＰａであり、且つガラス転移温度が１００〜１５０℃の熱硬化性樹脂で気密封止したことを特徴とする。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
励振電極と、該励振電極を取り囲む接地電極と、入出力電極とが主面に形成されたベアＳＡＷチップの前記各電極をモジュール基板表面に形成された電極と対面させ、前記励振電極のＳＡＷ伝搬部分に密閉空間が形成されるように、前記ベアＳＡＷチップの接地電極および入出力電極と、モジュール基板側の前記電極とを導電性接着剤によって接続してなるとともに、前記モジュール基板表面に他の電子部品を搭載および／または基板表面に受動回路を形成してなる高周波モジュールであって、少なくとも前記ベアＳＡＷチップを曲げ弾性率が常温で４〜８ＧＰａ、２２０℃で０．２〜０．５ＧＰａであり、且つガラス転移温度が１００〜１５０℃の熱硬化性樹脂で気密封止したことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記他の電子部品は、チップコンデンサ、インダクタ、抵抗等の表面実装部品、パワーアンプ、スイッチ、パワーコントロール、検波、電源コントロール等の半導体素子の群から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする請求項第１記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記受動回路が、分波回路、合波回路、カプラ、バラン、フィルタの少なくとも１つを具備することを特徴とする請求項第１または請求項２記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記他の電子部品が、前記モジュール基板表面に形成された電極と半田を介して接続されていることを特徴とする請求項第１乃至請求項３のいずれか記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記モジュール基板の線膨張係数が２５〜４００℃で８〜１８×１０−６／℃であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記熱硬化性樹脂の前記ガラス転移温度以下の線膨張係数が２５〜８０×１０−６／℃であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記封止樹脂によって、前記モジュール基板表面の他の電子部品を搭載および受動回路をも封止してなることを特徴とする請求項1乃至請求項６のいずれか記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話、移動体通信、無線通信等に適用される小型化、低背化が可能な高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、無線ＬＡＮの市場は右肩上がりの成長が想定されており、第３世代の携帯電話の生産数は、急激に増加している。携帯電話の機能は第３世代に進歩するに従って、カメラ内蔵、テレビの受信、他の無線通信（ブルーツース、赤外線通信、無線ＬＡＮ）との併用化も進んでおり、高周波回路の占有面積は年々減少している。その為、携帯電話の部品は小形軽量化、複合化がめざましく、個々の性能をアップしつつ、部品点数の削減、低消費電力化への要求に対応する必要がある。
【０００３】
このような要求を実現するため、チップセットの集積化、性能向上が進んでおり、同様に周辺の高周波部品も集積化した高周波モジュールが提案されている。
【０００４】
携帯電話等の移動体通信機器に用いられる高周波部品のうち、弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタ等の場合は、ＳＡＷチップが伝搬する励振電極に水分、塵埃等の異物が付着しないようにかつＳＡＷチップの伝搬を妨げないように中空状態で気密封止する必要がある。
【０００５】
（パッケージ）
そのため、従来は図５に示すように、所定のベアＳＡＷチップ３１を励振電極３２が上面になるようにパッケージ３３内に収納し、ワイヤ３４によって、パッケージ３３の配線層３５と接続し、蓋体３６を接合して気密に封止した構造が提案されている（特許文献１参照）。しかしながら、ワイヤ３４を用いて接続するとワイヤ３４によって気密空間を高く形成する必要があるために、パッケージの低背化には限界があった。
【０００６】
また、図６のように、ベアＳＡＷチップ３１の励振電極３２を下面になるように配置し、半田３７によってパッケージ３３表面の配線層３５と接続する、いわゆるフェースダウンボンディングすることも提案されている（特許文献２参照）。かかる構造は、図５よりも低背化を図ることはできるが、蓋体３６を用いる以上、蓋体３６の厚みを解消できなかった。しかも、蓋体３６を用いる場合、蓋体３６のコストや高気密な接合工程が不可欠になるためにコストが高くなるなどの問題があった。
【０００７】
これらのパッケージ構造に対して、図７に示すように、パッケージ化することなく、ベアＳＡＷチップ３１の励振電極３２が下面になるように配置して基板３７表面の配線層３８、３８に直接実装した弾性表面波装置が提案されている（特許文献３参照）。かかる構造によれば、励振電極３２および入出力電極４０の周囲に接地電極４１を配置し、半田４２によって基板表面の配線層３８にそれぞれ接続することによって、励振電極接続部、入出力電極接続部を基板３７表面とベアＳＡＷチップ３１および接地電極４１接続部で囲まれた気密空間４３内に封止した構造からなる。また、さらには、図７に示すように、基板表面に実装されたベアＳＡＷチップを保護するために封止樹脂３９で封止した構造も提案されている（特許文献４参照）。
【特許文献１】特開２００２−１１８４８７
【特許文献２】特開２００２−７６８３２
【特許文献３】特開２００２−１９６４００
【特許文献４】特開２００３−１６８９４２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、高周波モジュールのように、１つの誘電体基板３７表面に、ベアＳＡＷチップ３１とともに、コンデンサなどの電子部品や、半導体素子などの他の部品を半田実装し、ベアＳＡＷチップ３１を図７に示したような実装構造によって形成した場合、高周波モジュールをマザーボードに半田などによって２次実装したり、電子部品の半田実装時に、ベアＳＡＷチップ３１と高周波モジュール基板３７とを接合している入出力電極４０接続部、接地電極４１接続部の半田４２が再溶融し、溶融した半田４２が、矢印に示すように、気密空間４３側に移動する結果、ベアＳＡＷチップ３１における気密空間４３の気密破壊、入出力電極４０と接地電極４１の接続部が半田によって短絡するなどの問題があった。
【０００９】
この現象は、入出力電極接続部、接地電極接続部の半田４２が再溶融した場合、その溶融膨張圧力が、ベアＳＡＷチップ３２の内側に作用するため、半田42が内側に流れ込み、短絡、断線に至るのである。
【００１０】
対策手段として、入出力電極接続部、接地電極接続部の半田４２を再溶融しない融点の高い材質とするか、溶融しても気密空間４３側に流れ込まないように、入出力電極接続部と、接地電極接続部との間にダム材を設けることも考えられるが、このベアＳＡＷチップ３２を実装する半田４２のみを変更したり、ダム材などの異種材料を付加することによって、製造工程の増加とコストの上昇を招くなどの問題があった。
【００１１】
従って、本発明の目的は、上記の点に鑑み、ベアＳＡＷチップを他の電子部品とともにモジュール基板に実装し、実装面積の縮小や低背化を実現可能とした高信頼性の高周波モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の高周波モジュールは、励振電極と、該励振電極を取り囲む接地電極と、入出力電極とが主面に形成されたベアＳＡＷチップの前記各電極をモジュール基板表面に形成された電極と対面させ、前記励振電極のＳＡＷ伝搬部分に密閉空間が形成されるように、前記ベアＳＡＷチップの接地電極および入出力電極と、モジュール基板側の前記電極とを導電性接着剤によって接続してなるとともに、前記モジュール基板表面に他の電子部品を搭載および／または基板表面に受動回路を形成してなる高周波モジュールであって、少なくとも前記ベアＳＡＷチップを曲げ弾性率が常温で４〜８ＧＰａ、２２０℃で０．２〜０．５ＧＰａ、ガラス転移温度が１００〜１５０℃の熱硬化性樹脂で気密封止したことを特徴とするものである。
【００１３】
また、上記高周波モジュールにおいて、前記他の電子部品は、チップコンデンサ、インダクタ、抵抗等の表面実装部品、パワーアンプ、スイッチ、パワーコントロール、検波、電源コントロール等の半導体素子の群から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする。
【００１４】
さらに、上記高周波モジュールにおける前記受動回路が、分波回路、合波回路、カプラ、バラン、フィルタの少なくとも１つを具備することを特徴とする。
【００１５】
さらに、上記高周波モジュールにおける前記他の電子部品が、前記モジュール基板表面に形成された電極と半田を介して接続されていることを特徴とする。
【００１６】
また、前記モジュール基板の線膨張係数が２５〜４００℃で８〜１８×１０−６／℃以下であること、さらには、前記熱硬化性樹脂のガラス転移温度以下の線膨張係数が２５〜８０×１０−６／℃であることが望ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の高周波モジュールによれば、ベアＳＡＷチップをモジュール基板にフェースダウンボンディングするにあたり、少なくとも前記ベアＳＡＷチップを曲げ弾性率が常温で４〜８ＧＰａ、２２０℃で０．２〜０．５ＧＰａであり、且つガラス転移温度が１００〜１５０℃の熱硬化性樹脂で気密封止することによって、高周波モジュールを２次実装したり、ベアＳＡＷチップ実装後に他の電子部品を半田実装する場合においても、半田実装時の温度条件下では、封止樹脂の剛性が低いために、入出力電極接続部、接地電極接続部の半田が再溶融した場合においても、溶融膨張圧力は、気密空間側のみならず、封止樹脂側に拡散することができるために、半田が気密空間側に流れることを防止することができ、気密封止性を高めるとともに、短絡、断線などの発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明に係るベアＳＡＷチップの実装封止構造並びに高周波モジュールの実施の形態を説明する。図１（ａ）は、ベアＳＡＷチップをモジュール基板表面にフェースダウンボンディングした実装構造の概略断面図である。図１（ｂ）は、ベアＳＡＷチップの表面の導体パターンを示す平面図である。また、図１（ｃ）は、図１（ｂ）のベアＳＡＷチップを実装するモジュール基板側の導体パターンを示す平面図である。
【００１９】
図１に示すように、弾性表面波フィルタを構成するベアＳＡＷチップ１は、例えばタンタル酸リチウム単結晶、ランガサイト型結晶構造を有する例えばランタン−ガリウム−ニオブ系単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶等の圧電性の単結晶から成る基板２表面には、励振電極である共振子電極４の複数が例えばラダー型回路に接続されており、また、かかる励振電極の一端には入出力電極７Ａが設けられており、さらにこれらの励振電極４および入出力電極７Ａの周囲には、接地電極９Ａが形成されている。
【００２０】
なお、これら電極の表面には、必要に応じて、シリコンや酸化シリコン等の半導電性もしくは絶縁性の保護膜が形成される。
【００２１】
一方、モジュール基板８の表面には、ベアＳＡＷチップ１の入出力電極７Ａと対向する部分に、銀、銅、金等の導体から成る入出力電極７Ｂが、また、接地電極９Ａと対向する部分に接地電極９Ｂが被着形成されている。
【００２２】
そして、ベアＳＡＷチップ１は、モジュール基板８の表面に載置され、半田、導電性樹脂などの導電性接着剤３によって電気的に接続される。
【００２３】
かかる接続構造によれば、励振電極4が形成された部分は、ベアＳＡＷチップ１、モジュール基板８、接地電極９接続部の導電性接着剤３によって形成された空間５内に封止される。かかる構造によれば、大きな体積を取らずにベアＳＡＷチップ１を封止することができ、低背化が可能となる。
【００２４】
図２は、携帯電話のフロントエンドジュールのブロック回路図の一例であり、このブロック図は米国のセルラーバンドとＰＣＳバンドからなるＣＤＭＡ端末を想定したものであるが、ＩＭＴ−２０００のＷ−ＣＤＭＡや、欧州のＧＳＭ、ＤＣＳ端末、２．４ＧＨｚのブルーツース、Ｗ−ＬＡＮなどのフロントエンドであっても構わない。
【００２５】
このブロック図中の送信フィルタおよび受信フィルタ、デュプレクサをベアＳＡＷフィルタによって形成することできる。そして、これらを図１に示したようなベアＳＡＷフィルタの実装構造によって高周波モジュールを構成する。
【００２６】
図３は、図２のブロック回路を搭載したフロントエンドモジュールの平面図であり、図４は図３のｘ−ｘ線の概略断面図である。
【００２７】
かかる高周波モジュールにおいては、送信フィルタおよび受信フィルタ、デュプレクサが、ベアＳＡＷチップ１によって形成され、図１に示された実装構造によって、モジュール基板１８表面に実装されている。
【００２８】
また、モジュール基板１８の表面には、チップコンデンサ１３や、チップインダクタ１４などの表面実装部品が半田実装されている。さらには、半導体チップ（パワーアンプＩＣ）１１がワイヤ１２によってモジュール基板１８表面に実装されている。また、場合によってはモジュール基板１８表面や内部には、整合回路パターンなどの高周波回路パターン１０なども導体材料によって被着形成されている。さらにモジュール基板内部には、半導体素子１１から発生した熱を放熱するためのサーマルビア１５が形成され、さらには、カプラ１６なども内蔵されている。さらには必要に応じて、コンデンサやインダクタ、整合回路なども内蔵される。
【００２９】
そして、これらベアＳＡＷチップ１、半導体チップ１１、表面実装部品１３，１４は封止用樹脂６によってすべて封止されている。本発明のかかる高周波モジュールは、かかる構造にて携帯用電話機などの小形の携帯用電子機器などに組み込まれる。
【００３０】
本発明によれば、上記の封止樹脂６の曲げ弾性率が常温で４〜８ＧＰａ、２２０℃で０．２〜０．５ＧＰａであることが重要である。封止樹脂の曲げ弾性率が上記特性を具備することによって、リフロー半田付けによって高周波モジュールをマザーボード（図示省略）に接続する場合などにおいて、半田接続部が再溶融して熱膨張し、半田３からその周囲に向かって応力が発生しても、半田３の大部分を覆っている封止樹脂６がこの応力を緩衝することになり、半田３が無理にベアＳＡＷチップ１とモジュール基板８間に浸入したりするのを防止することができる。このため、高周波モジュールのベアＳＡＷチップ１の半田接続部は、再溶融しても、初めの位置に存在し続け、不要な箇所へ移動することがなくなり、最終的に短絡を生じたり、気密性を破壊したりすることがなくなるのである。
【００３１】
これに対して、封止樹脂６の室温での曲げ弾性率が４ＧＰａよりも小さいと、封止樹脂による高い機械的強度を得ることができず、８ＧＰａよりも大きいと、ワイヤボンディングへの負荷が大きくなり断線原因となる。２２０℃の曲げ弾性率が０．２ＧＰａよりも小さいと、ワイヤボンディングの接続不良を招きやすく、０．５ＧＰａよりも大きいと、半田の熱膨張による応力を吸収することができず、リフロー加熱を繰り返すたびに、溶融した半田が無理に半導体チップ、ベアＳＡＷチップ、チップ部品と基板との間の隙間に浸入したり、半導体チップと封止樹脂との界面に浸入したりして拡がるため、短絡や気密性の破壊が生じてしまう。特には、曲げ弾性率が常温で５〜８ＧＰａ、２２０℃で０．３〜０．５ＧＰａであることが望ましい。
【００３２】
また、封止樹脂は、ガラス転移温度が１００〜１５０℃であることが望ましい。これは、ガラス転移温度が、常温ではガラス状領域にあるため、高周波モジュール全体の機械的強度を十分に確保することができる。しかし、封止樹脂のガラス転移温度が１００℃未満の場合、樹脂自体が常温でゴム状、ゲル状となってしまうため、高周波モジュールに十分な機械的強度を付与できなくなるおそれがある。逆にガラス転移温度が１５０℃を超えると、封止樹脂の硬度は高くなるが、十分な靭性を得ることができないため、製造過程で高周波モジュール多数個基板をダイシング加工等によって製品単位に分割する工程で封止樹脂にクラックが入り、製品が破損するといった問題が生じやすくなる。
【００３３】
上記封止樹脂のガラス転移点、曲げ弾性率は、熱硬化性樹脂の種類や分子量などによって制御され、また、熱硬化性樹脂に対して無機フィラーを添加含有せしめることによっても制御することができる。なお、無機フィラーの添加によって封止樹脂の熱伝導率を高めることもできる。これによって半導体素子等から発生する熱を放散させ熱抵抗を低減できる。
【００３４】
さらに、ガラス転移温度以下の温度における、封止樹脂の線膨張係数は２５〜８０×１０−６／℃で、基板の熱膨張係数は８〜１５×１０−６／℃であることが好ましい。その理由は、無機フィラーの比率を増やすことによって封止樹脂の線膨張係数を２５×１０−６／℃未満にすることができるが、その場合、封止樹脂の曲げ弾性率が高くなりやすくなる。逆に線膨張係数が８０×１０−６／℃を超えると、モジュール基板、半導体チップと封止樹脂間の膨張係数差が大きくなるため、封止樹脂が剥離し易くなり、気密性の破壊や半田による短絡を誘発するおそれがある。さらにモジュール基板の熱膨張係数が８×１０−６／℃よりも小さい、または１８×１０−６／℃を超えると、ベアＳＡＷチップとモジュール基板との熱膨張係数差が大きくなり、励振電極を取り囲む接地電極と入出力電極の接続部でクラックが起こりやすくなるため、信頼性の低下につながる。
【００３５】
本発明によれば、上記の封止樹脂６によって、少なくともベアＳＡＷチップ１を封止すればよいが、図３に示すように、モジュール基板８表面に形成されたその他のコンデンサ、抵抗部品などの電子部品１３、１４、半導体素子１１をこの封止樹脂６によって一括に封止することによって、各部品のモジュール基板８との接続部と、ベアＳＡＷチップ１の気密封止の信頼性を大幅に向上させることができる。
【００３６】
図１の例では、ベアＳＡＷチップ１における励振電極として、ラダー型回路の共振器電極を用いたもので説明したが、共振器型や伝搬型のフィルタやフィルタ以外のデュプレクサ等の弾性表面波装置についても、封止が必要な励振電極を有するものであれば、本発明に適用される。
【００３７】
また、前記実施の形態では、高周波モジュールが、フロントエンドモジュールの場合を説明したが、前記高周波モジュールは、半田実装される表面実装部品とベアＳＡＷチップを備え、かつ前記表面実装部品が封止樹脂によって封止される構造のものであれば、他の半導体装置であってもよい。
【００３８】
また、表面実装部品は、チップ部品や半導体チップに限定されずに、ＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）やＭＥＭＳのスイッチ、光半導体素子等のチップ等であっても構わない。
【実施例】
【００３９】
次に、本発明に係る高周波モジュールを作製した実施例について説明する。
【００４０】
０．９５モルＭｇＴｉＯ３−０．０５モルＣａＴｉＯ３で表される主成分１００質量部に対して、ＢをＢ２Ｏ３換算で１０質量部、ＬｉをＬｉＣＯ３換算で５質量部添加したセラミック粉末組成物を用いてスラリーを調製し、ドクターブレード法によって厚さ１００μｍのグリーンシート形成した。
【００４１】
そして、このグリーンシートの表面に、Ａｇペーストを用いて厚さ２０μｍの導体パターンをスクリーン印刷法によって形成した。また、必要に応じて、直径が２００ミクロンのスルーホールを形成し、上記のＡｇペーストを充填してスルーホール導体を形成した。その後、このグリーンシートを積層後、大気中で３００℃、４時間脱バインダ処理をした後、９００℃大気中で６時間焼成を行い、熱膨張係数が１２×１０−６／℃のモジュール基板を作製した。
【００４２】
次に圧電基板（タンタル酸リチウム単結晶の４２°Ｙカット、熱膨張係数１４〜１６×１０−６／℃）上にＡｌ−Ｃｕ（２重量％）合金から成る電極を成膜した。その後、レジスト塗布、パターンニング、剥離を繰り返し、励起電極、入出力電極と接地電極、保護膜を形成し、ベアＳＡＷチップを作製した。
【００４３】
完成したベアＳＡＷチップは、モジュール基板に図１に従い、フェースダウン実装した。この実装には、接地電極及び入出力電極に、高温半田をスクリーン印刷法にて塗布し、リフローにて実装を行った。上記ベアＳＡＷチップの実装構造によれば、励振電極の周囲を接地電極で取り囲こむようにしており、樹脂封止前の段階で気密性を確保することができた
その後、ディスペンサーで各実装パターンに半田を塗布後、コンデンサチップなどのチップ部品の実装を行い、リフローにて半田を固着させた。最後に銀ペーストにて半導体チップを接着した後、金線を用いてワイヤボンディングした。
【００４４】
上記の方法によって、各種表面実装部品、半導体チップ、ベアＳＡＷチップを搭載した高周波モジュールを得た。
【００４５】
次に、エポキシ樹脂に対してフィラーとして溶融シリカを添加した特性の異なる封止樹脂Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆを用意した。封止樹脂の曲げ弾性率は、ＪＩＳ−Ｋ−６９１１に基いて、ガラス転移温度と線膨張係数は、ディラトメータ法に基いて測定した。
【００４６】
高周波モジュール領域が８０個形成されたガラスセラミックス基板にメタルマスクとスキージとを使用して前記の封止樹脂によって複数のモジュール領域１１ａを一括で覆うように印刷方式で塗布して一括封止した。さらに、印刷方式によって形成された封止樹脂をベーク処理して硬化させた。その後、ダイシング装置を用いて８０個の高周波モジュール領域を分割し、高周波モジュールを個片化した。
【００４７】
同様に熱膨張係数が異なるモジュール基板として、熱膨張係数が６、８．５×１０−６／℃の市販のガラスセラミックス基板、２０、２３、１８×１０−６／℃のガラスセラミックス基板と、熱膨張係数が１９、２０、２３×１０−６／℃のガラス繊維−エポキシ樹脂複合材のモジュール基板も用いた。
【００４８】
その後、この封止した高周波モジュールを温度８５℃、湿度６０％の雰囲気下で１６８時間吸湿処理した後、リフロー加熱（ピーク温度２６０℃）を３回繰り返した。その後、外観検査によりクラックの有無を、電気導通検査によりショートの有無を、また水中投下後、モジュールの電気特性を評価し、フィルタの気密性とパワーアンプの気密性を確認した。ショートやクラック、気密性の不良等の不良モードがみられなかったものを「○」、みられたものを「×」と判定した。また、それぞれの不良モードの発生率（％）を表１の吸湿処理後のリフロー評価の欄に示す。
【表１】
2005129855.tif 000003
【００４９】
表１にみられるように、各実施例のものはいずれもショート及びクラックの発生率が０％であって、不良モードがみられないことが確認される。
【００５０】
これに対し、曲げ弾性率や熱膨張係数が本発明の範囲から逸脱する試料はいずれも半田の熱膨張による応力を十分に吸収することができず、短絡や界面剥離、気密性低下が観察された。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明のベアＳＡＷチップの実装形態を示す概略断面図（ａ）、ベアＳＡＷチップの表面パターン（ｂ）とモジュール基板の表面パターン（ｃ）である。
【図２】本発明の高周波モジュールの代表的なブロック回路図である。
【図３】本発明の高周波モジュールの一例を示す概略平面図である。
【図４】図３の高周波モジュールのｘ−ｘ線の概略断面図である。
【図５】従来のＳＡＷチップのパッケージを示す概略断面図である。
【図６】従来の他のＳＡＷチップのパッケージを示す概略断面図である。
【図７】従来のさらに他のＳＡＷチップのパッケージを示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１・・・・・ベアＳＡＷチップ
３・・・・・半田
４・・・・・励振電極
５・・・・・気密空間
６・・・・・封止樹脂
７A,７B・・入出力電極
８・・・・・モジュール基板
９A,９B・・・接地電極
１１・・・・・半導体チップ
１３，１４・・表面実装部品
１５・・・・・サーマルビア
１６・・・・・カプラ
１８・・・・・高周波モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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