(57)【要約】【課題】結晶中の気泡が低減されたホウ酸リチウム単結晶及びウェーハ並びにその製造方法を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法又はブリッジマン法を用いて製造されたホウ酸リチウム（ＬＢＯ）単結晶であって、該単結晶のインゴット全体でアルカリ土類金属を２０ｐｐｍ以上含有することを特徴とするＬＢＯ単結晶又はアルカリ土類金属を３０ｐｐｍ以上含有するＬＢＯ単結晶、及び前記ＬＢＯ単結晶から切り出されたＬＢＯ単結晶ウェーハ、並びに前記ＬＢＯ単結晶の製造方法であって、単結晶成長速度を０．５ｍｍ／ｈ以上とするＬＢＯ単結晶の製造方法、又はチョクラルスキー法又はブリッジマン法を用いたＬＢＯ単結晶の製造方法であって、育成される単結晶の肩部のアルカリ土類金属の濃度が２０ｐｐｍ以上となる量のアルカリ土類金属を含有するＬＢＯ原料融液から前記単結晶を成長速度０．５ｍｍ／ｈ以上で成長させるＬＢＯ単結晶の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法又はブリッジマン法を用いて製造されたホウ酸リチウム単結晶であって、該単結晶のインゴット全体でアルカリ土類金属を２０ｐｐｍ以上含有するものであることを特徴とするホウ酸リチウム単結晶。
【請求項２】
請求項１に記載のホウ酸リチウム単結晶であって、前記単結晶のインゴット全体でアルカリ土類金属を３０ｐｐｍ以上含有するものであることを特徴とするホウ酸リチウム単結晶。
【請求項３】
チョクラルスキー法又はブリッジマン法を用いて製造されたホウ酸リチウム単結晶であって、アルカリ土類金属を３０ｐｐｍ以上含有するものであることを特徴とするホウ酸リチウム単結晶。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のホウ酸リチウム単結晶であって、アルカリ土類金属を５００ｐｐｍ以下含有するものであることを特徴とするホウ酸リチウム単結晶。
【請求項５】
ホウ酸リチウム単結晶ウェーハであって、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のホウ酸リチウム単結晶から切り出されたものであることを特徴とするホウ酸リチウム単結晶ウェーハ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のホウ酸リチウム単結晶を製造する方法であって、単結晶成長速度を０．５ｍｍ／ｈ以上とすることを特徴とするホウ酸リチウム単結晶の製造方法。
【請求項７】
チョクラルスキー法又はブリッジマン法を用いてホウ酸リチウム単結晶を製造する方法であって、育成される単結晶の肩部のアルカリ土類金属の濃度が２０ｐｐｍ以上となる量のアルカリ土類金属を含有するホウ酸リチウム原料融液から、前記単結晶を成長速度０．５ｍｍ／ｈ以上で成長させることを特徴とするホウ酸リチウム単結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ホウ酸リチウム単結晶及びホウ酸リチウム単結晶ウェーハ並びにその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
化学式Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７で示されるホウ酸リチウム（以下ＬＢＯという）の酸化物単結晶は、ＰＨＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｈａｎｄｙｐｈｏｎｅ  Ｓｙｓｔｅｍ）等に使用される表面弾性波材料、中性子検出器に用いられるシンチレータ材料等に用いられている。
このＬＢＯの単結晶を製造する場合は、いわゆるブリッジマン法もしくはチョクラルスキー法（以下、引上法という）を用いるのが一般的である。
【０００３】
ブリッジマン法は、単結晶の原料および種結晶をるつぼの中に入れ、るつぼに適当な温度勾配が得られるようにるつぼの周囲、および上下部に断熱材をセットし、るつぼをヒータ等による抵抗加熱、もしくはコイルに高周波電流を流す誘導加熱で加熱し、種結晶を溶融させないようにしてるつぼの中に入れた原料を融点以上に加熱溶融してから、数ｃｍ／ｈ以下のゆっくりした速度で、るつぼを温度の低い領域に移動しながら、または加熱電力を調整しながら、種結晶側からるつぼの中で単結晶を育成する方法である。
【０００４】
また引上法は，単結晶の原料をるつぼの中に入れ、適当な温度勾配が得られるようにるつぼの周囲、および上部に断熱材をセットし、るつぼをヒータ等による抵抗加熱、もしくはコイルに高周波電流を流す誘導加熱で加熱し、るつぼの中に入れた原料を融点以上に加熱溶融してから、融液の温度を融点になるように調整して、るつぼ上から該単結晶の種結晶を融液に回転浸漬させて、その後数ｃｍ／ｈ以下のゆっくりした速度で種結晶を融液上方に移動させ、種結晶の下に成長する単結晶を所定の形状になるように加熱電力を調整しながら、単結晶を育成する方法である。
【０００５】
このＬＢＯについては、
１）融点が９１７℃と低く、また構成元素であるホウ素はガラス材料にも用いられるものであり、ＬＢＯ融液の粘度は融点付近で２８０ｍＰａと、他の酸化物単結晶に比べると約２０倍近く大きい。
２）ＬＢＯ結晶の熱伝導率は０．０３−０．０２Ｊｃｍ−１Ｋ−１ｓ−１と非常に低い。
３）さらに構成元素であるホウ素は、前述のようにガラス化しやすいだけでなく、加熱される段階で、酸化ホウ素に含まれる水分がホウ素とＯＨ基として強固に結合するので、融液の状態でもＯＨ基として残り、例えば融液中に約２００−３００ｐｐｍで含有され、融液から単結晶を育成中に結晶中に２０−１００ｐｐｍ取り込まれてしまう（非特許文献１参照）。
【０００６】
以上の３つの原因から、このＬＢＯ単結晶を融液から育成する場合、融液の粘度が大きいために、融液中に含まれるＯＨ基がＨ２Ｏとして融液外に浮遊して抜けていくことが困難である。また結晶の熱伝導率が小さいため結晶に熱がこもりやすく、組成的過冷却が起きやすいので、成長速度がコントロールできない。そして、これらが原因となって結晶中に気泡が取り込まれる。またこの単結晶には異方性があるため、冷却中に結晶方位による熱膨張率の違いからクラックが入りやすいため、組成的過冷却を抑えるために有効な融液直上の温度勾配を大きく取れないという問題もある。
特に、結晶に取り込まれる気泡を低減するには、成長速度を０．５ｍｍ／ｈ以下まで遅くしなくてはならない（非特許文献２参照）。これによってＬＢＯの生産性を高めることができないことが問題となっていた。
【０００７】
一方、アルカリ土類金属は、ホウ素を含むガラス材料に添加することで、ホウ素およびケイ素のガラスのそれら元素の網目構造の結合の一部を切断したり、また網目構造の中に包含されることで、網目構造を変化させたりすることが知られている。それによりガラスの粘度を低下させることが可能であり、またガラスの耐水性を強めることも可能となることが知られている。なお、これらアルカリ土類金属は、３０ｐｐｍ未満であると、上記の効果はみられないとの報告がある（非特許文献３参照）。
【０００８】
【非特許文献１】Ｊ．Ｃｒｙｓｔ．Ｇｒｏｗｔｈ，ｖｏｌ．１２８，ｐ．９２４−９２８，１９９３
【非特許文献２】福田編著，現代エレクトロニクスを支える単結晶成長技術，培風館，１９９９年６月，ｐ．３６２
【非特許文献３】Ｐｒｏｃ．  Ａｎｎｕ．  Ｆｒｅｑ．  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｓｙｍｐ．，ｖｏｌ．４７，ｐ．３５３−３５８，１９９３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、結晶中の気泡が低減されたホウ酸リチウム単結晶及びウェーハを高生産性で得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明は、チョクラルスキー法又はブリッジマン法を用いて製造されたホウ酸リチウム単結晶であって、該単結晶のインゴット全体でアルカリ土類金属を２０ｐｐｍ以上含有するものであることを特徴とするホウ酸リチウム単結晶を提供する（請求項１）。
【００１１】
このように、チョクラルスキー法又はブリッジマン法を用いて製造されたホウ酸リチウム単結晶であって、該単結晶のインゴット全体で、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウム、バリウム等のアルカリ土類金属を２０ｐｐｍ以上含有するものであれば、成長中に融液の粘度を十分低減でき、インゴット全体で単結晶中に取り込まれる気泡を低減できるので、高品質な単結晶とできる。
【００１２】
この場合、前記単結晶のインゴット全体でアルカリ土類金属を３０ｐｐｍ以上含有するものであることが好ましい（請求項２）。
このように、前記単結晶のインゴット全体でアルカリ土類金属を３０ｐｐｍ以上含有するものであれば、融液の粘度を十分に低減でき、インゴット全体で単結晶中の気泡を確実に低減できるので、より確実に高品質な単結晶とできる。
【００１３】
また、本発明は、チョクラルスキー法又はブリッジマン法を用いて製造されたホウ酸リチウム単結晶であって、アルカリ土類金属を３０ｐｐｍ以上含有するものであることを特徴とするホウ酸リチウム単結晶を提供する（請求項３）。
【００１４】
このように、アルカリ土類金属を３０ｐｐｍ以上含有するものであれば、融液の粘度を十分に低減でき、単結晶中の気泡を確実に低減できるので、より確実に高品質な単結晶とできる。
【００１５】
この場合、アルカリ土類金属を５００ｐｐｍ以下含有するものであることを特徴とするホウ酸リチウム単結晶であることが好ましい（請求項４）。
このように、アルカリ土類金属を５００ｐｐｍ以下含有するものであれば、気泡の低減効果が十分であり、さらにアルカリ土類金属元素が結晶に入りきれずに組成的過冷却の原因になることもなく、また結晶構成元素以外の元素を過剰に添加しないので純度の高い高品質な単結晶とできる。
【００１６】
また、本発明は、ホウ酸リチウム単結晶ウェーハであって、前記のホウ酸リチウム単結晶から切り出されたものであることを特徴とするホウ酸リチウム単結晶ウェーハを提供する（請求項５）。
【００１７】
このように、前記のホウ酸リチウム単結晶から切り出されたウェーハであれば、ウェーハ中の気泡が低減されたものなので、高品質な表面弾性波材料やシンチレータ材料等の作製に適するウェーハとできる。
【００１８】
また、本発明は、前記のホウ酸リチウム単結晶を製造する方法であって、単結晶成長速度を０．５ｍｍ／ｈ以上とすることを特徴とするホウ酸リチウム単結晶の製造方法を提供する（請求項６）。
【００１９】
このように、前記のホウ酸リチウム単結晶は、単結晶成長速度を０．５ｍｍ／ｈ以上としても、結晶中の気泡が低減されたものとなるので、高品質のホウ酸リチウム単結晶を高生産性で製造することができる。
【００２０】
また、本発明は、チョクラルスキー法又はブリッジマン法を用いてホウ酸リチウム単結晶を製造する方法であって、育成される単結晶の肩部のアルカリ土類金属の濃度が２０ｐｐｍ以上となる量のアルカリ土類金属を含有するホウ酸リチウム原料融液から、前記単結晶を成長速度０．５ｍｍ／ｈ以上で成長させることを特徴とするホウ酸リチウム単結晶の製造方法を提供する（請求項７）。
【００２１】
このように、チョクラルスキー法又はブリッジマン法を用いてホウ酸リチウム単結晶を製造する際に、育成される単結晶の肩部のアルカリ土類金属の濃度が２０ｐｐｍ以上となる量のアルカリ土類金属を含有するホウ酸リチウム原料融液から成長速度０．５ｍｍ／ｈ以上で単結晶を成長させれば、結晶内部の気泡が低減されたホウ酸リチウム単結晶を高生産性で製造することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に従い、チョクラルスキー法又はブリッジマン法を用いて製造されたホウ酸リチウム単結晶であって、アルカリ土類金属を３０ｐｐｍ以上含有するものであれば、成長中に融液の粘度を十分低減でき、単結晶中の気泡を低減できるので、高品質な単結晶とできる。そして該単結晶のインゴット全体でアルカリ土類金属を２０ｐｐｍ以上含有するものであれば、融液の粘度を十分低減でき、インゴット全体で単結晶中の気泡を低減できるので、高品質な単結晶とできる。特に濃度が３０ｐｐｍであれば、融液の粘度の低減と単結晶中の気泡の低減の効果を確実なものとできるし、濃度が５００ｐｐｍ以下であれば、組成的過冷却の発生が抑制され、また結晶純度の高い高品質な単結晶とできる。そして、前記のホウ酸リチウム単結晶から切り出されたウェーハであれば、ウェーハ中の気泡が低減されたものなので、高品質な表面弾性波材料やシンチレータ材料等の作製に適するウェーハとできる。さらに、前記のホウ酸リチウム単結晶を製造する際に、単結晶成長速度を０．５ｍｍ／ｈ以上とできるので、気泡のない高品質のホウ酸リチウム単結晶を高生産性で製造することができる。また、チョクラルスキー法又はブリッジマン法を用いてホウ酸リチウム単結晶を製造する際に、育成される単結晶の肩部のアルカリ土類金属の濃度が２０ｐｐｍ以上となる量のアルカリ土類金属を含有するホウ酸リチウム原料融液から成長速度０．５ｍｍ／ｈ以上で単結晶を成長させれば、結晶内部の気泡が低減されたホウ酸リチウム単結晶を高生産性で製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明者は、アルカリ土類金属をＬＢＯの原料融液中に適量添加して、単結晶中に取り込まれるアルカリ土類金属を適量とすることにより、融液中のＯＨ基とホウ素の結合を切断することで融液の粘度を下げ、また融液中及び単結晶中のＨ２Ｏの含有量を低減させることにより、育成される結晶中の気泡を低減させ、かつ成長速度を高くすることが可能であることを見出し、本発明を完成させた。
【００２４】
以下では、本発明の実施形態について具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明のホウ酸リチウム単結晶は、ブリッジマン法又は引上法により製造することができるが、例えば引上法を用いた製造装置により、以下のようにして得ることができる。まず、例として直径８０ｍｍのＬＢＯ単結晶（化学式：Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）を引上げるための例えば直径１５０ｍｍの白金るつぼに、例えば４Ｎ（９９．９９％）の高純度のＬＢＯのペレット原料を２，０００ｇ投入し、その２，０００ｇに対してアルカリ土類金属であるカルシウムを例えば２００ｐｐｍ含有させるために、ドープ剤として４Ｎの高純度の炭酸カルシウムを１０ｇ投入する。そしてるつぼをＬＢＯの融点である９１７℃以上に加熱して、原料を溶解させて融液とする。なお炭酸カルシウムは、最初のＬＢＯのペレット原料を作るときに、一緒に溶融させて凝固ガラス化させてもよい。また、炭酸カルシウムの代わりに炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、炭酸バリウム等を適量投入すれば、各アルカリ土類金属を単結晶に含有させることができるが、アルカリ土類金属を適量含有させることができるのであれば、これらの炭酸塩以外のドープ剤も利用できる。また、含有させるカルシウムの量は、育成される単結晶の肩部での濃度が２０ｐｐｍ以上となる量とすればよく、例えば２００ｐｐｍ以上、好ましくは５００ｐｐｍ以下とすればよい。
【００２５】
次に、所定の方位のＬＢＯ単結晶の種結晶をゆっくり原料融液に浸漬させてから、所定の回転数、引上げ速度で引上げて、直径が８０ｍｍ長さが例えば５０ｍｍの単結晶のインゴットを成長させる。その後１０℃／ｈ程度のゆっくりした速度で温度を下げた後、成長させた単結晶のインゴットを製造装置から取り出す。このとき、単結晶中のカルシウムの濃度は２０〜３０ｐｐｍ程度となる。本発明では単結晶中のカルシウム濃度を３０ｐｐｍ以上にすることで、融液の粘度を十分低減し、単結晶中の気泡を低減する効果が得られる。またインゴット全体で２０ｐｐｍｍ以上、好ましくは３０ｐｐｍ以上にすることで、融液の粘度を十分低減し、単結晶中の気泡を低減する効果がインゴット全体で得られる。また濃度が５００ｐｐｍ以下であれば、組成的過冷却の発生が抑制され、また結晶純度の高い高品質な単結晶とできるのでより好ましい。融液中のアルカリ土類金属が単結晶中に取り込まれる割合、いわゆる偏析係数ｋは、例えばカルシウムではｋ＝０．２であった。そのため、融液から単結晶を引上げるときには、結晶後半でのカルシウム濃度は高くなるが、融液のうち単結晶化させる原料の割合を３０％以下にしておけば、結晶前半と後半との濃度差はそれ程大きくないものとなる。また、このようにアルカリ土類金属はｋが１より小さいので、結晶成長開始時、すなわち単結晶のインゴットの肩部でのアルカリ土類金属の濃度が所定量であれば、その後成長させる単結晶中のアルカリ土類金属の濃度は確実に肩部以上の濃度となるので、インゴット全体で単結晶中の気泡を低減する効果が得られる。
【００２６】
このように原料融液に適量のアルカリ土類金属を含有させ、この融液から結晶を育成して製造したホウ酸リチウム単結晶は、アルカリ土類金属が適量含有されているので、気泡が低減された高品質のものとなる。さらに、０．５ｍｍ／ｈ以上の速度で引上げても気泡が低減されたものとなる。このように従来は単結晶中の気泡を低減するために低速度にしていた引上げ速度を高くすれば、高品質の単結晶を高生産性で製造できる。なお、このように結晶成長速度を０．５ｍｍ／ｈ以上に高めることは、引上法を用いた場合に限らずブリッジマン法を用いた場合でも可能である。
【００２７】
そして、このようにして製造されたホウ酸リチウム単結晶から従来のスライス工程により切り出し、ラップ工程、研磨工程等を施すことにより作製したホウ酸リチウム単結晶ウェーハは、ウェーハ中の気泡が低減され、高品質なＰＨＳ用表面弾性波デバイスの材料やシンチレータ材料等の作製に適するウェーハとできる。なお、気泡の低減のために結晶に添加したアルカリ土類金属は、これらの材料特性にはほとんど悪影響を及ぼさない。
【実施例】
【００２８】
以下に本発明の実施例をあげてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１〜４）
直径１５０ｍｍの白金るつぼに、富山薬品工業製のＬＢＯの４Ｎペレット原料を２，０００ｇ投入し、実施例１としてその２，０００ｇに対してカルシウムが２００ｐｐｍ含有されるように、４Ｎの炭酸カルシウムも１０ｇ投入した。そしてるつぼを９１７℃以上に加熱して、原料を溶解させて融液とした。
【００２９】
次に、結晶方位（１１０）のＬＢＯ単結晶の種をゆっくり原料融液に浸漬させてから、回転数０．５ｒｐｍ、引上げ速度０．５ｍｍ／ｈで引上げて、直径８０ｍｍ、長さ５０ｍｍのＬＢＯ単結晶を成長させた。その後１０℃／ｈでゆっくり温度を下げた後成長させた単結晶のインゴットを取り出して、単結晶内部をＨｅ−Ｎｅレーザで観察した。また、単結晶のインゴットの肩部、テイル部から小片を切り出してカルシウムの濃度を分析した。
【００３０】
さらに、実施例１と同様の方法で、マグネシウム（実施例２）、ストロンチウム（実施例３）、バリウム（実施例４）がそれぞれ２００ｐｐｍ含有されるように炭酸マグネシウム等の炭酸塩を添加してＬＢＯ単結晶を成長させ、単結晶内部をＨｅ−Ｎｅレーザで観察した。また、単結晶インゴットの肩部、テイル部から小片を切り出して各アルカリ土類金属の濃度を分析した。その結果を表１に示す。Ｈｅ−Ｎｅレーザでの観察では、実施例１〜２の単結晶内部には散乱中心（散乱欠陥）がほとんどみられず、気泡は入っていなかった。一方実施例３〜４の単結晶では、結晶後半に散乱中心がみられ、気泡が少しみられた。また、単結晶インゴットの肩部（シード側）、テイル部（テイル側）から切り出した小片のアルカリ土類金属の濃度は、実施例３では１５ｐｐｍ及び１７ｐｐｍであり、実施例４では１８ｐｐｍ及び２２ｐｐｍであった。一方、気泡のない実施例１では濃度はそれぞれ２０ｐｐｍ及び２５ｐｐｍであり、実施例２では濃度はそれぞれ２５ｐｐｍ及び３０ｐｐｍであった。
【００３１】
【表１】
2005343712.tif 000002
【００３２】
（比較例１）
アルカリ土類金属のドープ剤を添加しない以外は、実施例１と同様の方法でＬＢＯ単結晶を成長させた。なお、このとき用いたペレット原料のアルカリ土類金属に関する不純物量は１０ｐｐｍ以下であった。単結晶成長後、結晶内部をＨｅ−Ｎｅレーザで観察したところ、散乱中心が結晶全体にみられ、これを顕微鏡を用いて倍率１００倍で観察すると、球状の、または結晶界面に沿ったパイプ状の気泡が多く観察された。
【００３３】
（実施例５〜８）
アルカリ土類金属の添加量を変えた以外は、実施例１と同様の方法でＬＢＯ単結晶を成長させ、成長させた単結晶内部をＨｅ−Ｎｅレーザで観察した。また、単結晶インゴットの肩部、テイル部から小片を切り出して各アルカリ土類金属の濃度を分析した。その結果を表２に示す。Ｈｅ−Ｎｅレーザでの観察では、実施例５の単結晶内部には散乱中心（散乱欠陥）がほとんどみられず、気泡は入っていなかった。一方実施例６の単結晶では結晶後半に気泡が少しみられ、実施例７〜８の単結晶でも結晶後半に気泡がみられた。
【００３４】
【表２】
2005343712.tif 000003
【００３５】
（比較例２〜５）
実施例１と同様の方法で、カルシウム（比較例２）、マグネシウム（比較例３）、ストロンチウム（比較例４）、バリウム（比較例５）がそれぞれ５０００ｐｐｍ含有されるように炭酸カルシウム等の炭酸塩を添加してＬＢＯ単結晶を成長させ、単結晶内部をＨｅ−Ｎｅレーザで観察した。また、単結晶の肩部、テイル部から小片を切り出して各アルカリ土類金属の濃度を分析した。その結果を表３に示す。比較例２〜３については、Ｈｅ−Ｎｅレーザでの観察では散乱中心が結晶全体にみられ、これを顕微鏡を用いて倍率１００倍で観察すると、球状の、または結晶界面に沿ったパイプ状の気泡が多く観察された。一方比較例４〜５の単結晶では、結晶全体が白濁した。単結晶の肩部（シード側）、テイル部（テイル側）から切り出した小片のアルカリ土類金属の濃度は、比較例２〜５のいずれも５００ｐｐｍ以上であった。
【００３６】
【表３】
2005343712.tif 000004
【００３７】
以上の実施例、比較例の結果から以下のことが言える。
すなわち、アルカリ土類金属を含有させずに０．５ｍｍ／ｈ以上の成長速度で成長させると、結晶全体に気泡が発生する。
これに対して、アルカリ土類金属を含有させると、０．５ｍｍ／ｈ以上と高速で成長させているにもかかわらず、気泡がほとんど発生しないか後半だけにしか発生せず、特にインゴット全体でのアルカリ土類金属の濃度が２０ｐｐｍ以上であり、さらには３０ｐｐｍ以上であれば、確実に気泡の発生を防止できる。
【００３８】
そして、２０あるいは３０ｐｐｍ以上により多くアルカリ土類金属を含有させれば気泡防止効果はあるが、１００ｐｐｍ程度の濃度にすると再びインゴットの後半に気泡が少量発生する場合がある。但し、この場合であっても、０．５ｍｍ／ｈ以上で高速成長させているにもかかわらず、結晶後半にしか気泡が発生していないので、アルカリ土類金属を含有させない場合と比較して、その効果は絶大である。
【００３９】
さらに、結晶中での濃度が５００ｐｐｍを超えるほどアルカリ土類金属を含有させると、再びインゴット全体に気泡が発生するようになるので、５００ｐｐｍ以下とするのが好ましい。但し、成長速度を下げれば、気泡の発生は抑制される。
【００４０】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。