(57)【要約】【課題】導体パターン間の短絡不良の発生が抑制される多層回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】多層回路基板１００は２枚の導体パターンフィルム９ａ，１０ｂを積層して製造される。導体パターンフィルム９ａには、裏面接続ランド２ａｒを底とする孔３ｈが形成され、孔３ｈ内に導電ペーストが充填される。もう一方の導体パターンフィルム１０ｂには、中央部２０ｂｆｃとその周りに離間して配置される周辺分離部２０ｂｆｓからなる表面接続ランド２０ｂｆが設けられる。裏面接続ランド２ａｒと表面接続ランド２０ｂｆが、導電ペーストが焼結して形成される接続導体３ｂを介して互いに接続される。導電ペーストに含まれる錫は焼結時に溶融し、流出しようとするが、周辺分離部２０ｂｆｓによって捕捉され、吸収される。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂フィルムの一方の面上に導体パターンが形成された複数枚の導体パターンフィルムが、積層され、相互に貼り合わされてなる多層回路基板であって、
前記積層される２枚の隣り合う導体パターンフィルムにおいて、
一方の導体パターンフィルムには、導体パターンの一構成部である裏面接続ランドにおいて、当該裏面接続ランドを底とする孔が形成され、当該孔内に導電ペーストが充填され、
もう一方の導体パターンフィルムには、導体パターンの一構成部である表面接続ランドが設けられ、
当該表面接続ランドが、中央部と、当該中央部の周りに離間して配置される周辺分離部からなり、
前記積層される２枚の隣り合う導体パターンフィルムの導体パターン同士が、前記裏面接続ランドと表面接続ランドにおいて、前記導電ペーストが焼結して形成される接続導体を介して、互いに接続されてなることを特徴とする多層回路基板。
【請求項２】
前記周辺分離部が、前記中央部を取り囲むことを特徴とする請求項１に記載の多層回路基板。
【請求項３】
樹脂フィルムの一方の面上に導体パターンが形成された複数枚の導体パターンフィルムが、積層され、相互に貼り合わされてなる多層回路基板であって、
前記積層される２枚の隣り合う導体パターンフィルムにおいて、
一方の導体パターンフィルムには、導体パターンの一構成部である裏面接続ランドにおいて、当該裏面接続ランドを底とする孔が形成され、当該孔内に導電ペーストが充填され、
もう一方の導体パターンフィルムには、導体パターンの一構成部である表面接続ランドが設けられ、
当該表面接続ランドの表面に、凹部が形成され、
前記積層される２枚の隣り合う導体パターンフィルムの導体パターン同士が、前記裏面接続ランドと表面接続ランドにおいて、前記導電ペーストが焼結して形成される接続導体を介して、互いに接続されてなることを特徴とする多層回路基板。
【請求項４】
樹脂フィルムの一方の面上に導体パターンが形成された複数枚の導体パターンフィルムが、積層され、相互に貼り合わされてなる多層回路基板であって、
前記積層される２枚の隣り合う導体パターンフィルムにおいて、
一方の導体パターンフィルムには、導体パターンの一構成部である裏面接続ランドにおいて、当該裏面接続ランドを底とする孔が形成され、当該孔内に導電ペーストが充填され、
もう一方の導体パターンフィルムには、導体パターンの一構成部である表面接続ランドが設けられ、
当該表面接続ランドの表面に、表面を荒らす処理によって凹凸部が形成され、
前記積層される２枚の隣り合う導体パターンフィルムの導体パターン同士が、前記裏面接続ランドと表面接続ランドにおいて、前記導電ペーストが焼結して形成される接続導体を介して、互いに接続されてなることを特徴とする多層回路基板。
【請求項５】
前記樹脂フィルムが、熱可塑性樹脂からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層回路基板。
【請求項６】
前記導体パターンが、金属箔からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の多層回路基板。
【請求項７】
前記金属箔が、銅箔であることを特徴とする請求項６に記載の多層回路基板。
【請求項８】
前記導電ペーストが、銀と錫からなる導電性フィラーを有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の多層回路基板。
【請求項９】
基板としての形状を規定する樹脂材料と、
前記樹脂材料に支持されることによって前記樹脂材料内に多層に配置され、電気導体によって形成された複数の導体パターンと、
前記樹脂材料内に配置され、異なる層に位置する２つの前記導体パターンを接続する層間導体とを有する多層回路基板であって、
前記層間導体は前記導体パターンを形成する電気導体に吸収されやすい電気導体成分を含み、
前記導体パターンは、前記層間導体と接続されるランド部を有し、さらに、当該ランド部には前記電気導体成分の吸収を助けるための吸収補助部が形成されていることを特徴とする多層回路基板。
【請求項１０】
請求項９記載の多層回路基板において、
前記吸収補助部は、前記ランド部の周辺部に形成されていることを特徴とする多層回路基板。
【請求項１１】
請求項１０記載の多層回路基板において、
前記ランド部は、所定の面積をもって形成された主要部と、この主要部の外側に配置され、相対的に小さい面積をもち、前記主要部から少なくとも部分的に離れて形成された周辺部とを有し、前記周辺部によって前記吸収補助部が形成されていることを特徴とする多層回路基板。
【請求項１２】
請求項１０記載の多層回路基板において、
前記ランド部に形成された凹部によって前記吸収補助部が形成されていることを特徴とする多層回路基板。
【請求項１３】
請求項１０記載の多層回路基板において、
前記ランド部の表面に形成された粗面部によって前記吸収補助部が形成されていることを特徴とする多層回路基板。
【請求項１４】
請求項９から１３のいずれかに記載の多層回路基板において、
前記層間導体を含む複数の層間導体を有し、それらのうち最も表層に配置される前記層間導体と接続される２つの前記ランド部のうち、内層側に配置される前記ランド部にのみ前記吸収補助部が形成されていることを特徴とする多層回路基板。
【請求項１５】
基板としての形状を規定する樹脂材料と、
前記樹脂材料に支持されることによって前記樹脂材料内に多層に配置され、電気導体によって形成された複数の導体パターンと、
前記樹脂材料内に配置され、異なる層に位置する２つの前記導体パターンを接続する層間導体とを有する多層回路基板であって、
前記層間導体は前記多層回路基板の製造工程において溶融する金属成分を含み、
前記導体パターンは、前記層間導体と接続されるランド部を有し、さらに、当該ランド部はその周辺部に、溶融した前記金属成分を捕捉する捕捉部を有することを特徴とする多層回路基板。
【請求項１６】
請求項１５記載の多層回路基板において、
前記捕捉部は、前記ランド部を貫通して形成されたスリットを有することを特徴とする多層回路基板。
【請求項１７】
請求項１５記載の多層回路基板において、
前記捕捉部は、前記ランド部に形成された凹部を有することを特徴とする多層回路基板。
【請求項１８】
請求項１５から１７のいずれかに記載の多層回路基板において、
前記層間導体を含む複数の層間導体を有し、それらのうち最も表層に配置される前記層間導体と接続される２つの前記ランド部のうち、内層側に配置される前記ランド部にのみ前記捕捉部が形成されていることを特徴とする多層回路基板。
【請求項１９】
請求項９から１８のいずれかに記載の多層回路基板において、前記樹脂材料は熱可塑性樹脂であることを特徴とする多層回路基板。
【請求項２０】
請求項９から１９のいずれかに記載の多層回路基板において、前記導体パターンは銅を含むことを特徴とする多層回路基板。
【請求項２１】
請求項２０記載の多層回路基板において、前記層間導体に含まれる前記電気導体成分は、錫であることを特徴とする多層回路基板。
【請求項２２】
複数の導体パターンを樹脂材料内に多層に配置するとともに、異なる層に位置する２つの前記導体パターンを層間導体を介して接続した多層回路基板の製造方法において、
前記導体パターンによって、その中央部より周辺部において前記層間導体の一部成分を捕獲しやすいランド部を形成し、
前記層間導体を形成するための混合物を前記ランド部に接触させて配置し、
前記混合物と前記ランド部とを接触させた状態で前記ランド部と前記混合物とを加熱し、
前記加熱によって、前記混合物の一部の成分を溶融させ、
前記加熱によって前記成分が溶融している期間中、前記ランド部の周辺部において溶融した前記成分を捕獲しながら、前記混合物から前記層間導体を形成するとともに、さらに前記ランド部と前記層間導体との電気的接続を形成することを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の多層回路基板の製造方法において、
前記樹脂材料は熱可塑性樹脂であり、
前記ランド部は、前記樹脂材料製のフィルム上に前記導体パターンを配置することによって形成され、
前記混合物は、前記フィルムに形成された孔内に充填され、さらに複数の前記フィルムを積層することによって、前記ランド部に接触するように配置され、
前記加熱によって複数の前記フィルムが接合されることを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項２４】
請求項２２又は２３に記載の多層回路基板の製造方法において、
前記加熱と同時に前記フィルムは加圧され、
前記加熱により溶融する前記成分は錫であり、
前記混合物中には、溶融した錫が、前記混合物と前記ランド部との接触部から外側へ流出する程度に錫が含有され、
前記加熱によって前記錫が溶融している期間中、前記混合物と前記ランド部との接触部より外側に位置する前記ランド部の周辺部によって溶融した前記錫が捕獲されることを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層回路基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
樹脂フィルムの一方の面上に導体パターンが形成された複数枚の導体パターンフィルムを積層して製造される多層回路基板が、例えば、特開２０００−３８４６４号公報（特許文献１）に開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３８４６４号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記の多層回路基板の製造方法では、積層時に隣接する導体パターンフィルムが、所定の位置から位置ずれを起こす可能性がある。図６（ａ），（ｂ）に、その様子を示す。図６（ａ）は、位置ずれを起こした多層回路基板の一部を示す断面模式図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）における一点鎖線で囲った部分を拡大した図である。
【０００５】
図６（ａ）に示す多層回路基板９０は、樹脂フィルム１ａ〜１ｃの一方の面上に導体パターン２ａ〜２ｃが形成された導体パターンフィルム９ａ〜９ｃが、積層され、相互に貼り合わされてなる多層回路基板である。樹脂フィルム１ａ〜１ｃは熱可塑性樹脂からなり、導体パターン２ａ〜２ｃは銅箔からなる。
【０００６】
図６（ａ），（ｂ）において、接続導体３ｂは、導体パターン２ａ〜２ｃを互いに層間接続する層間導体である。図６（ａ）の多層回路基板９０では、導体パターン２ａ〜２ｃを底とする孔３ｈが形成され、この孔３ｈ内に充填された導電ペーストが焼結して、接続導体３ｂが形成される。導電ペーストには、銀と錫を導電性フィラーとする導電ペーストが用いられ、この導電ペーストが焼結すると銀錫合金が形成される。また、導電ペーストの構成成分の一つである錫は、銅箔中に拡散し、これによって導体パターンと銀錫合金である接続導体３ｂとが接続され、導電性が得られる。
【０００７】
図６（ａ）において一点鎖線で囲った部分は、隣接する導体パターンフィルム９ａ，９ｂが積層時に位置ずれを起こして、接続導体３ｂを介して接続される導体パターンの一構成部の接続ランド２ａｒ，２ｂｆが互いにずれてしまった部分である。
【０００８】
図６（ｂ）に示す拡大図において、符号２ｂｆｄと２ｂｄは、導電ペーストの構成成分である錫が、加熱により液状化して、銅箔からなる導体パターン２ｂｆ，２ｂに拡散してできた層である。また、符号３ｓは、位置ずれによって孔３ｈが接続ランド２ｂｆからはみ出したために、液状化した錫が流れ出してできた流出層である。流出層３ｓができると、図６（ａ），（ｂ）に示すように、接続ランド２ｂｆと隣にある導体パターン２ｂとの間で短絡不良が発生し易い。このような短絡不良は、ファインピッチの多層回路基板になる程、発生率が高まる。
【０００９】
そこで本発明は、短絡不良の発生が抑制される多層回路基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、樹脂フィルムの一方の面上に導体パターンが形成された複数枚の導体パターンフィルムが、積層され、相互に貼り合わされてなる多層回路基板であって、前記積層される２枚の隣り合う導体パターンフィルムにおいて、一方の導体パターンフィルムには、導体パターンの一構成部である裏面接続ランドにおいて、当該裏面接続ランドを底とする孔が形成され、当該孔内に導電ペーストが充填され、もう一方の導体パターンフィルムには、導体パターンの一構成部である表面接続ランドが設けられ、当該表面接続ランドが、中央部と、当該中央部の周りに離間して配置される周辺分離部からなり、前記積層される２枚の隣り合う導体パターンフィルムの導体パターン同士が、前記裏面接続ランドと表面接続ランドにおいて、前記導電ペーストが焼結して形成される接続導体を介して、互いに接続されてなることを特徴としている。
【００１１】
これによれば、隣り合う導体パターンフィルムにおいて、一方の裏面接続ランドに対して、導電ペーストによって接続されるもう一方の表面接続ランドが、中央部だけでなく、その周りに周辺分離部が離間して配置される。この表面接続ランドは、中央部と周辺分離部が一体化されている表面接続ランドに較べて、分離されて切断面が形成された分だけ表面積が大きくなっている。このように表面積を大きくしたことにより、導電ペーストの成分が液状化して周囲へ流れ出ようとする場合の拡散吸収能力が高められる。また、中央部の周りに配置した周辺分離部は、裏面接続ランドを底とする孔の開口部が中央部からはみ出し、孔内に充填された導電ペーストの成分が流れ出た場合に、流れを堰き止める役割も果たす。従って、上記多層回路基板では、隣接する導体パターンフィルムが積層時に位置ずれを起こしても、導電ペースト成分の流れ出しによる短絡不良が抑制される。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、前記周辺分離部が、前記中央部を取り囲むことを特徴としている。中央部を取り囲むように周辺分離部を配置することで、上記の周辺分離部による導電ペースト成分の流れ堰き止め効果が完全になる。従って、導電ペースト成分の流れ出しによる短絡不良を、さらに抑制することができる。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、樹脂フィルムの一方の面上に導体パターンが形成された複数枚の導体パターンフィルムが、積層され、相互に貼り合わされてなる多層回路基板であって、前記積層される２枚の隣り合う導体パターンフィルムにおいて、一方の導体パターンフィルムには、導体パターンの一構成部である裏面接続ランドにおいて、当該裏面接続ランドを底とする孔が形成され、当該孔内に導電ペーストが充填され、もう一方の導体パターンフィルムには、導体パターンの一構成部である表面接続ランドが設けられ、当該表面接続ランドの表面に、凹部が形成され、前記積層される２枚の隣り合う導体パターンフィルムの導体パターン同士が、前記裏面接続ランドと表面接続ランドにおいて、前記導電ペーストが焼結して形成される接続導体を介して、互いに接続されてなることを特徴としている。
【００１４】
表面接続ランドの表面に凹部を形成することで、前記周辺分離部の場合と同様に、凹部が形成されない表面接続ランドに較べて、表面積を大きくすることができる。これによって、この場合にも、導電ペーストの成分が液状化して周囲へ流れ出ようとする場合の拡散吸収能力が高められる。従って、上記表面接続ランドの表面に凹部を形成した多層回路基板についても、隣接する導体パターンフィルムが積層時に位置ずれを起こしても、導電ペースト成分の流れ出しによる短絡不良が抑制される。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、樹脂フィルムの一方の面上に導体パターンが形成された複数枚の導体パターンフィルムが、積層され、相互に貼り合わされてなる多層回路基板であって、前記積層される２枚の隣り合う導体パターンフィルムにおいて、一方の導体パターンフィルムには、導体パターンの一構成部である裏面接続ランドにおいて、当該裏面接続ランドを底とする孔が形成され、当該孔内に導電ペーストが充填され、もう一方の導体パターンフィルムには、導体パターンの一構成部である表面接続ランドが設けられ、当該表面接続ランドの表面に、表面を荒らす処理によって凹凸部が形成され、前記積層される２枚の隣り合う導体パターンフィルムの導体パターン同士が、前記裏面接続ランドと表面接続ランドにおいて、前記導電ペーストが焼結して形成される接続導体を介して、互いに接続されてなることを特徴としている。
【００１６】
この場合にも、表面接続ランドの表面に表面を荒らす処理によって凹凸部を形成することで、前記凹部の形成の場合と同様に、表面積を大きくすることができる。従って、この場合にも導電ペーストの成分が液状化して周囲へ流れ出ようとする場合の拡散吸収能力が高められ、導電ペースト成分の流れ出しによる短絡不良が抑制される。
【００１７】
請求項５に記載のように、前記樹脂フィルムは、熱可塑性樹脂であることが好ましい。これにより、積層された複数枚の導体パターンフィルムを、加熱加圧により一括して貼り合わせることができ、製造コストが低減できるため、安価な多層回路基板とすることができる。
【００１８】
請求項６に記載のように、前記導体パターンは、金属箔からなることが好ましい。これにより、金属箔からなる導体パターンを底とする孔が、レーザ加工により簡単に精度よく形成することができるため、製造コストが低減でき、安価な多層回路基板とすることができる。
【００１９】
請求項７に記載のように、前記金属箔は、銅箔であることが好ましい。銅箔は、高い導電性を有し強度も高いため、導電ペーストが充填される孔の底となり、層間接続される上記多層回路基板の導体パターンに最適である。
【００２０】
請求項８に記載のように、前記導電ペーストは、銀と錫からなる導電性フィラーを有することが好ましい。これによれば、錫の導電性フィラーを含むことで、低い温度で導電ペーストを焼結させることができ、従って、前記加熱加圧による導体パターンフィルムの貼り合わせと同時に導電ペーストを焼結させることができる。このため、製造コストが低減でき、安価な多層回路基板とすることができる。また、銀の導電性フィラーを含むことで、高い導電性を有する接続導体を形成することができる。
【００２１】
請求項９〜２１に記載の発明は、基板としての形状を規定する樹脂材料と、  前記樹脂材料に支持されることによって前記樹脂材料内に多層に配置され、電気導体によって形成された複数の導体パターンと、前記樹脂材料内に配置され、異なる層に位置する２つの前記導体パターンを接続する層間導体とを有する多層回路基板に関する発明である。これら請求項９〜２１に記載の多層回路基板においては、電気導体成分の吸収を助けるための吸収補助部がランド部に形成されていること、もしくは、溶融した金属成分を捕捉する捕捉部がランドのその周辺部に形成されていることを特徴としている。この吸収補助部もしくは捕捉部によって、
多層回路基板の製造時に位置ずれを起こしても、電気導体成分もしくは溶融した金属成分の流れ出しによる短絡不良が抑制される。尚、これら請求項９〜２１に記載の発明の効果については、請求項１〜８の発明で詳述した効果と同様であり、その詳細説明は省略する。
【００２２】
請求項２２〜２４に記載の発明は、上記請求項１〜２１に記載した多層回路基板の製造方法に関する発明である。本発明の製造方法によって得られる多層回路基板の効果については上記したのでその説明は省略するが、本発明の製造方法により、樹脂材料および導体パターンの多層化と層間導体による導体パターンの接続が一回の加熱で一括して行うことができ、多層回路基板の製造コストを低減することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の多層回路基板を、図に基づいて説明する。
【００２４】
（第１の実施形態）
図１（ａ），（ｂ）は、本実施形態における多層回路基板とその製造方法を示す模式的な断面図である。図１（ａ）は、貼り合わせ前の導体パターンフィルム９ａ，１０ｂ，１０ｃの積層配置を示す図であり、図１（ｂ）は、貼り合わせ後の多層回路基板１００を示す図である。図１（ｂ）の多層回路基板１００は、図１（ａ）の導体パターンフィルム９ａ，１０ｂ，１０ｃが、図のように積層され、相互に貼り合わされて製造される。尚、図１（ａ），（ｂ）では簡単化のために、相互に貼り合わされる、隣り合った３枚の導体パターンフィルム９ａ，１０ｂ，１０ｃのみが示されている。また、図１（ｂ）の多層回路基板１００において、従来の図６（ａ）に示す多層回路基板９０と同様の部分については同じ符号を付け、その説明は省略する。
【００２５】
図１（ａ）に示すように、各導体パターンフィルム９ａ，１０ｂ，１０ｃでは、熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルム１ａ〜１ｃの一方の面上に、銅箔からなる導体パターン２ａ，２０ｂ，２０ｃが形成されている。
【００２６】
積層される２枚の隣り合う導体パターンフィルム（例えば９ａと１０ｂ）では、一方の導体パターンフィルム９ａに、導体パターン２ａの一構成部で、配線の幅を部分的に広くした裏面接続ランド（例えば２ａｒ）が設けられている。さらに、導体パターンフィルム９ａの樹脂フィルム１ａには、裏面接続ランド２ａｒを底とする孔３ｈがレーザ加工によって形成され、孔３ｈ内には接続導体（層間導体）となる導電ペースト３ａが充填されている。尚、図１（ａ）の導体パターンフィルム９ａは、図６（ａ）で示した導体パターンフィルムと同じもので、孔３ｈ内に充填される導電ペースト３ａも、銀と錫を導電性フィラーとする導電ペーストが用いられる。
【００２７】
もう一方の導体パターンフィルム１０ｂには、導体パターン２０ｂの一構成部で、配線の幅を部分的に広くした表面接続ランド（例えば２０ｂｆ）が設けられている。この表面接続ランド２０ｂｆは、中央部２０ｂｆｃと、中央部２０ｂｆｃの周りに離間して配置される周辺分離部２０ｂｆｓからなっている。図１（ａ）に示す表面接続ランド２０ｂｆは、中央部と周辺分離部が一体化されている図６（ａ）の表面接続ランド２ｂｆに較べて、分離されて切断面が形成された分だけ表面積が大きくなっている。
【００２８】
図２（ａ）〜（ｆ）は、図１（ａ），（ｂ）に示す表面接続ランド２０ｂｆの種々の平面パターン形状を示した上面図である。
【００２９】
図２（ａ）では、中央部２１ｂｆｃとそれを取り囲む周辺分離部２１ｂｆｓとからなる円形の表面接続ランド２１ｂｆが、単独で存在している。図２（ｂ）の表面接続ランド２２ｂｆでは、中央部２２ｂｆｃとそれを取り囲む周辺分離部２２ｂｆｓとからなる円形の表面接続ランド２２ｂｆが、配線部２２ｂｆｋと接続して存在している。図２（ｃ）では、中央部２３ｂｆｃとその周りに離間して配置された４つの周辺分離部２３ｂｆｓとからなる円形の表面接続ランド２３ｂｆが、単独で存在している。図２（ｄ）の表面接続ランド２４ｂｆでは、中央部２４ｂｆｃとその周りに離間して配置された４つの周辺分離部２４ｂｆｓとからなる円形の表面接続ランド２４ｂｆが、配線部２４ｂｆｋと接続して存在している。図２（ｅ）では、中央部２５ｂｆｃとそれを取り囲む周辺分離部２５ｂｆｓとからなる矩形の表面接続ランド２５ｂｆが、単独で存在している。図２（ｆ）の表面接続ランド２６ｂｆでは、中央部２６ｂｆｃとそれを取り囲む周辺分離部２６ｂｆｓとからなる矩形の表面接続ランド２６ｂｆが、配線部２６ｂｆｋと接続して存在している。
【００３０】
図１（ａ），（ｂ）に示す表面接続ランド２０ｂｆは、図２（ａ）〜（ｆ）のいずれのパターン形状であってもよい。また、図２（ａ）〜（ｆ）に示すように平面形状が円形や矩形のものに限らず、表面接続ランド２０ｂｆは、中央部とその周りに離間して配置される周辺分離部とからなっていればよい。
【００３１】
図１（ａ）に示すように、孔３ｈに導電ペースト３ａが充填された導体パターンフィルム９ａと、表面接続ランド２０ｂｆが設けられた導体パターンフィルム１０ｂとは、孔３ｈの開口部と表面接続ランド２０ｂｆが対向するように積層される。
【００３２】
次に、図１（ａ）のように積層した導体パターンフィルム９ａ，１０ｂ，１０ｃを、付着防止フィルム、緩衝材等を介して、ヒータが埋設された一対の熱プレス板の間に挿入して加熱加圧する。この加熱加圧工程により、図１（ａ）の熱可塑性の樹脂フィルム１ａ〜１ｃが、少なくとも部分的に溶融し、互いに接合されて一体化して図１（ｂ）の樹脂母材１となる。この加熱加圧工程によって、図１（ａ）の銀と錫を導電性フィラーとする導電ペースト３ａが焼結して、銀錫合金からなる図１（ｂ）の接続導体（層間導体）３ｂとなる。このようにして、導体パターンフィルム９ａ，１０ｂ，１０ｃが相互に貼り合わされると共に、裏面接続ランド２０ａｒが表面接続ランド２０ｂｆに、接続導体３ｂを介して接続される。以上の加熱加圧により貼り合わされた多層回路基板を熱プレス板より取り出して、図１（ｂ）に示す多層回路基板１００が製造される。
【００３３】
図１（ｂ）において一点鎖線で囲った部分は、隣接する導体パターンフィルム９ａ，１０ｂが積層時に位置ずれを起こして、接続導体３ｂを介して接続される裏面接続ランド２ａｒと表面接続ランド２０ｂｆが互いにずれてしまった部分である。図３に、その拡大図を示す。尚、図３の拡大図において、符号２０ｂｆｃｄと２０ｂｆｓｄは、導電ペースト３ａの構成成分である錫が、加熱により液状化して、それぞれ銅箔からなる表面接続ランド２０ｂｆの中央部２０ｂｆｃと周辺分離部２０ｂｆｓに拡散してできた層である。
【００３４】
図１（ｂ）に示す多層回路基板１００では、表面接続ランド２０ｂｆが中央部２０ｂｆｃと周辺分離部２０ｂｆｓに分離され、図６（ａ）に示す表面接続ランド２ｂｆに較べて表面積が大きくなっている。このため、隣接する導体パターンフィルム９ａ，１０ｂが積層時に位置ずれを起こして、導電ペースト３ａの錫成分が液状化して周囲へ流れ出ようとする場合にも、表面積が増大されたことで拡散吸収能力が高められており、錫成分の流れ出しが抑制される。言い換えれば、周辺分離部２０ｂｆｓは、ランド部２０ｂｆに形成された、電気導体成分の吸収を助けるための吸収補助部として機能する。また、中央部２０ｂｆｃの周りに配置した周辺分離部２０ｂｆｓは、裏面接続ランド２ａｒを底とする孔３ｈの開口部が中央部２０ｂｆｃからはみ出し、孔３ｈ内に充填された導電ペースト３ａの錫成分が流れ出た場合に、流れを堰き止める役割も果たす。さらに、中央部２０ｂｆｃと周辺分離部２０ｂｆｓの間に入り込んだ導電ペースト３ａの錫成分は、毛細管現象によって、中央部２０ｂｆｃと周辺分離部２０ｂｆｓの間のスペースを埋め込むように空いたスペースに流れ込み、間のスペースで銅と錫が合金をつくるようになる。言い換えれば、周辺分離部２０ｂｆｓは、溶融した金属成分を捕捉する捕捉部として機能する。これらによって、図１（ｂ）の多層回路基板１００で、隣接する導体パターンフィルム９ａ，１０ｂが積層時に位置ずれを起こしても、図３に示すように錫成分の流れ出しによる図６（ｂ）の流出層３ｓが形成されず、短絡不良が抑制される。
【００３５】
図１（ａ），（ｂ）の中央部２０ｂｆｃと周辺分離部２０ｂｆｓとからなる表面接続ランド２０ｂｆにおいて、表面積増大による錫成分拡散吸収能力の向上は、図２（ａ）〜（ｆ）のいずれのパターン形状のものでも発揮される。一方、図１（ａ），（ｂ）の中央部２０ｂｆｃの周りに配置した周辺分離部２０ｂｆｓによる錫成分の流れ堰き止め効果については、図２（ａ），（ｂ），（ｅ），（ｆ）の表面接続ランド２１ｂｆ，２２ｂｆ，２５ｂｆ，２６ｂｆが好ましい。図２（ａ），（ｂ），（ｅ），（ｆ）の場合には、周辺分離部２１ｂｆｓ，２２ｂｆｓ，２５ｂｆｓ，２６ｂｆｓが、中央部２１ｂｆｃ，２２ｂｆｃ，２５ｂｆｃ，２６ｂｆｃを取り囲んでいるため、周辺分離部部２１ｂｆｓ，２２ｂｆｓ，２５ｂｆｓ，２６ｂｆｓによる導電ペースト成分の流れ堰き止め効果が完全になる。従って、導電ペースト成分の流れ出しによる短絡不良を、より抑制することができる。
【００３６】
（第２の実施形態）
本実施形態の多層回路基板は、表面に凹部が形成された表面接続ランドを有する。
【００３７】
図４は、本実施形態における貼り合わせ後の多層回路基板１０１を示す断面模式図である。図４では簡単化のために、相互に貼り合わされた、隣り合った２枚の導体パターンフィルム９ａ，１１ｂのみが示されている。また、図４では、導体パターンフィルム９ａに対して導体パターンフィルム１１ｂが右にずれた場合を示してある。尚、図４の多層回路基板１０１において、従来の図６（ａ）に示す多層回路基板９０と同様の部分については同じ符号を付け、その説明は省略する。
【００３８】
図４の多層回路基板１０１において、貼り合わされた一方の導体パターンフィルム９ａは、図６（ａ）で示した導体パターンフィルムと同じもので、裏面接続ランド２ａｒと、それを底とする孔３ｈ内に導電ペースト３ａが充填される導体パターンフィルムである。
【００３９】
一方、もう一方の導体パターンフィルム１１ｂの表面接続ランド２７ｂｆは、図６（ａ）で示した導体パターンフィルムの表面接続ランド２ｂｆと異なり、表面に凹部２７ｂｆｈが形成されている。尚、図４において、符号２ａｒｄと２７ｂｆｄは、導電ペースト３ａの構成成分である錫が加熱により液状化して、それぞれ銅箔からなる裏面接続ランド２ａｒと表面接続ランド２７ｂｆに拡散してできた層である。
【００４０】
凹部２７ｂｆｈが形成されたことにより、図４に示す表面接続ランド２７ｂｆは、図６（ａ）に示す従来の表面接続ランド２ｂｆに較べて表面積が大きくなっている。従って、図４の表面接続ランド２７ｂｆについても、錫成分の拡散吸収能力が高められている。言い換えれば、凹部２７ｂｆｈは、ランド部２７ｂｆに形成された、電気導体成分の吸収を助けるための吸収補助部として機能する。また、ランド部２７ｂｆに形成された凹部２７ｂｆｈは、溶融した金属成分を捕捉する捕捉部としても機能している。このため、隣接する導体パターンフィルム９ａ，１１ｂが積層時に位置ずれを起こして導電ペースト３ａの錫成分が周囲へ流れ出ようとする場合にも、錫成分が表面積の増大した凹部に拡散吸収されて、流れ出しが抑制される。これにより、図４に示す多層回路基板１０１では、第１実施形態の多層回路基板と同様に、導電ペースト３ａの成分の流れ出しによる短絡不良が抑制される。
【００４１】
（第３の実施形態）
本実施形態の多層回路基板は、表面を荒らす処理によって表面に凹凸部（粗面部）が形成された表面接続ランドを有する。
【００４２】
図５（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態の多層回路基板における表面接続ランドを示す図である。図５（ａ）〜（ｄ）では簡単化のために、各々、表面接続ランド２８ｂｆ〜３１ｂｆを有する導体パターンフィルム１２ｂ〜１５ｂの上面図と断面図のみが示されている。
【００４３】
図５（ａ）の導体パターンフィルム１２ｂでは、円形の表面接続ランド２８ｂｆが、単独で存在している。図５（ｂ）の導体パターンフィルム１３ｂでは、円形の表面接続ランド２９ｂｆが、配線部２９ｂｆｋと接続して存在している。図５（ｃ）の導体パターンフィルム１４ｂでは、中央部３０ｂｆｃとそれを取り囲む２重の周辺分離部３０ｂｆｓとからなる円形の表面接続ランド３０ｂｆが、単独で存在している。図５（ｄ）の導体パターンフィルム１５ｂでは、中央部３１ｂｆｃとそれを取り囲む２重の周辺分離部３１ｂｆｓとからなる円形の表面接続ランド３１ｂｆが、配線部３１ｂｆｋと接続して存在している。
【００４４】
図５（ａ）〜（ｄ）の表面接続ランド２８ｂｆ〜３１ｂｆでは、図６（ａ）で示した導体パターンフィルムの表面接続ランド２ｂｆと異なり、いずれの表面にも、表面を荒らす処理によって凹凸部（粗面部）２８ｂｆｇ〜３１ｂｆｇが形成されている。
【００４５】
凹凸部２８ｂｆｇ〜３１ｂｆｇが形成されたことにより、図５（ａ）〜（ｄ）に示す表面接続ランド２８ｂｆ〜３１ｂｆについても、図６（ａ）の表面接続ランド２ｂｆに較べて表面積が大きくなっている。従って、この場合にも導電ペーストの錫成分の拡散吸収能力が高められている。言い換えれば、凹凸部（粗面部）２８ｂｆｇ〜３１ｂｆｇは、ランド部２８ｂｆ〜３１ｂｆに形成された、電気導体成分の吸収を助けるための吸収補助部として機能する。これにより、積層時に位置ずれを起こして錫成分が周囲へ流れ出ようとする場合に、表面積の増大した凹凸部２８ｂｆｇ〜３１ｂｆｇに拡散吸収されて、流れ出しが抑制される。これにより、図５（ａ）〜（ｄ）に示す表面接続ランド２８ｂｆ〜３１ｂｆを有する多層回路基板では、第２実施形態の多層回路基板と同様に、導電ペーストの成分の流れ出しによる短絡不良が抑制される。
【００４６】
（他の実施形態）
本発明は、熱硬化性樹脂からなる樹脂フィルム上に導体パターンが形成された複数枚の導体パターンフィルムが、積層され、接着剤を用いてそれらが相互に貼り合わされてなる多層回路基板にも適用することができる。上記の各実施形態においては、導体パターンが銅箔からなる場合の例を示したが、銀、金、アルミニウム等の金属箔や、金属箔以外の金属層であってよい。また、上記の各実施形態においては、導電ペーストが銀と錫からなる導電性フィラーを有する場合の例を示したが、比較的低い温度で焼結できる導電ペーストであれば、任意の金属を導電性フィラーとする導電ペーストであってよい。
【００４７】
以上に述べた実施形態によると、多層回路基板は、その形状を規定する樹脂材料としての樹脂母材中に、複数の導体パターンを多層に配置した形状となる。樹脂材料中には、複数の層間接続導体が配置され、それぞれの層間接続導体によって、異なる層に位置する２つの導体パターンが接続される。複数の導体パターンには、層間接続導体が接続されるための接続ランド部が形成されている。これら接続ランド部のうち、少なくとも内層に位置する接続ランド部には、その周辺部に、溶融した錫の吸収性を中央部よりも高めた吸収補助部が形成されている。接続ランド部には、その周辺部に、溶融した錫を堰き止め、捕捉する捕捉部が形成されてもよい。この捕捉部は、そこに捕捉された錫を導体パターン中に吸収するために吸収補助部を兼ねることが望ましい。ひとつの実施形態においては、接続ランドの周辺部に、接続ランドを貫通するスリットが形成される。このスリットは、接続ランドを中央部とそれを囲む周辺部とに分離し、捕捉部並びに吸収補助部を形成する。また、他の実施形態においては、接続ランドの周辺部に形成された凹部又は粗面部によって吸収補助部ないしは捕捉部が形成される。
【００４８】
以上の実施形態によれば、樹脂フィルムの一方の面上に導体パターンが形成された複数枚の導体パターンフィルムが、積層され、相互に貼り合わされてなる多層回路基板であって、隣接する導体パターンフィルムが積層時に位置ずれを起こしても、短絡不良の発生が抑制される多層回路基板およびその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態における多層回路基板とその製造方法を示す工程別断面図で、（ａ）は貼り合わせ前の積層配置を示す図であり、（ｂ）は貼り合わせ後の多層回路基板を示す図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、図１（ａ），（ｂ）に示す表面接続ランドの種々の平面パターン形状を示した上面図である。
【図３】図１（ｂ）の一点鎖線で囲った部分の拡大図である。
【図４】本発明の第２実施形態における多層回路基板を示す断面模式図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第３実施形態の多層回路基板における表面接続ランドを示す図である。
【図６】（ａ）は位置ずれを起こした従来の多層回路基板を示す断面模式図であり、（ｂ）は（ａ）における一点鎖線で囲った部分の拡大図である。
【符号の説明】
９０，１００〜１０１  多層回路基板
９ａ，９ｂ〜１５ｂ，９ｃ，１０ｃ  導体パターンフィルム
１ａ，１ｂ，１ｃ  樹脂フィルム
１  樹脂母材
２ａ，２ｂ，２０ｂ，２７ｂ，２ｃ，２０ｃ  導体パターン
２ａｒ  裏面接続ランド
２ｂｆ，２０ｂｆ〜２７ｂｆ  表面接続ランド
２０ｂｆｃ〜２６ｂｆｃ，３０ｂｆｃ，３１ｂｆｃ  中央部
２０ｂｆｓ〜２６ｂｆｓ，３０ｂｆｓ，３１ｂｆｓ  周辺分離部
２７ｂｆｈ  凹部
２８ｂｆｇ〜３１ｂｆｇ  凹凸部
３ｈ  孔
３ａ  導電ペースト
３ｂ  接続導体（層間導体）
【図１】
2005019601.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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