(57)【要約】【課題】  絶縁基板に開口部を形成する打ち抜き金型のパンチの配置間隔を狭くする。【解決手段】  複数本のパンチと、前記パンチの頭部を支持する支持部を有するパンチプレートと、前記パンチの配列と対応した開口部を有するダイとを備える打ち抜き金型であって、第１パンチと隣接する第２パンチは、頭部底面が前記第１パンチの頭部底面より切刃部側にあり、かつ、前記第１パンチの頭部底面から前記第２パンチの頭部底面までの距離が、前記第１パンチの頭部厚さよりも大きい打ち抜き金型である。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本のパンチと、前記パンチの頭部を支持する支持部を有するパンチプレートと、前記パンチの配列と対応した開口部を有するダイとを備える打ち抜き金型であって、
第１パンチと隣接する第２パンチは、頭部底面が前記第１パンチの頭部底面より切刃部側にあり、かつ、前記第１パンチの頭部底面から前記第２パンチの頭部底面までの距離が、前記第１パンチの頭部厚さよりも大きいことを特徴とする打ち抜き金型。
【請求項２】
前記パンチプレートは、第１パンチプレートと第２パンチプレートを重ねてなり、
前記第１パンチプレートは、前記第１パンチの頭部を支持する支持部を有し、
前記第２パンチプレートは、前記第２パンチの頭部を支持する支持部、及び前記第１パンチの切刃部またはシャンクが通る開口部を有することを特徴とする請求項１に記載の打ち抜き金型。
【請求項３】
前記パンチプレートは、その第１パンチプレートと第２パンチプレートを重ねてなり、
前記第１パンチプレートは、第１主面側に前記第１パンチの頭部を支持する支持部を有し、前記第１主面の裏面側に前記第２パンチの頭部を支持する支持部を有し、
前記第２パンチプレートは、前記各パンチの切刃部またはシャンクが通る開口部を有することを特徴とする請求項１に記載の打ち抜き金型。
【請求項４】
絶縁基板に、打ち抜き金型を用いて開口部を形成する工程と、前記開口部が形成された絶縁基板に導体膜を張り合わせる工程と、前記絶縁基板に張り合わせた導体膜の不要な部分を除去して導体パターンを形成する工程とを有する配線板の製造方法であって、
前記開口部を形成する工程は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の打ち抜き金型を用いることを特徴とする配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、打ち抜き金型及び配線板の製造方法に関し、特に、BGA（Ball Grid Array）と呼ばれる形態の半導体装置に用いる配線板の製造に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、BGA、あるいはCSP（Chip Size/Scale Package）と呼ばれる形態の半導体装置には、例えば、図１７に示すように、複数個の開口部が設けられた絶縁基板４の表面に導体パターン６Ｂを設けた配線板（インターポーザ）上に半導体チップ７を実装した半導体装置がある。このとき、前記絶縁基板４に設けられた開口部は、例えば、二次元格子の格子点上に設けられている。また、前記絶縁基板４に設けられた開口部は、図１７に示したように、一方が前記導体パターン６Ｂでふさがれており、他方には外部接続端子８として用いるボール状の接合剤が設けられている。また、前記半導体装置は、例えば、前記配線板の導体パターン６Ｂと前記半導体チップ７の外部電極７０１は、金バンプなどの接続導体９で電気的に接続されている。また、前記配線板と前記半導体チップ７の間は、絶縁樹脂などのアンダーフィル材１０で封止されている。
【０００３】
前記半導体装置に用いる配線板を製造するときには、例えば、まず、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示したように、前記絶縁基板４に開口部４０１を形成する。ここで、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＨ−Ｈ'線での断面図である。また、前記絶縁基板４は、例えば、ポリイミドテープ等の一方向に長尺なフィルム状の基板であり、前記基板上に、図１８（ａ）に示したような領域が多数存在する。またこのとき、前記絶縁基板４の開口部４０１は、打ち抜き金型を用いて形成する（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
次に、図１９（ａ）に示すように、前記開口部４０１が形成された絶縁基板４の表面に、銅箔などの導体膜６Ａを張り合わせる。次に、図９（ｂ）に示したように、前記導体膜６Ａの不要な部分を除去して導体パターン６Ｂを形成する。その後、図示は省略するが、必要に応じて、前記導体パターン６Ｂ上に、はんだ保護膜等の保護膜や、金めっき、錫めっき等の機能めっきを形成する。
【０００５】
前記絶縁基板４に開口部４０１を形成するときに用いる打ち抜き金型は、例えば、図２０（ａ）及び図２０（ｂ）に示すように、複数本のパンチ１と、前記パンチ１の頭部１０１を支持するパンチプレート２と、前記パンチ１の配列と対応した開口部が設けられたダイ３と、前記絶縁基板４を打ち抜く際に前記絶縁基板４を固定するストリッパプレート５とを備えている。ここで、図２０（ｂ）は図２０（ａ）のＩ−Ｉ'線での断面図である。また、図示は省略するが、前記パンチプレート２はパンチホルダに固定され、前記ダイ３はダイホルダに固定されている。
【０００６】
また、前記BGAと呼ばれる形態の半導体装置に用いられる配線板を製造するときに用いる打ち抜き金型では、例えば、図２０（ａ）に示したように、前記パンチ１を二次元格子の格子点上に配置する。このとき、前記パンチ１の配置間隔ＬＰは、図２１に示したように、隣接する第１パンチ１Ａと前記第２パンチ１Ｂの頭部１０１同士が接触しないようにする必要がある。そのため、前記第１パンチ１Ａと前記第２パンチ１Ｂの間隔ＬＰは、前記頭部１０１の直径Ｒ２と、頭部１０１の間隔ＬＧの和で与えられる。このとき、前記各パンチ１の頭部１０１の間隔ＬＧは８０μｍ程度必要である。またこのとき、前記各パンチ１の直径Ｒ１が３５０μｍだとすると、前記各パンチ１の頭部１０１の直径Ｒ２が４２０μｍ程度である。そのため、前記第１パンチ１Ａと前記第２パンチ１Ｂの間隔ＬＰは５００μｍとなる。
【０００７】
前記打ち抜き金型を用いて、前記絶縁基板４に開口部４０１を形成するときには、図２０（ｂ）に示したように、前記パンチ１及びストリッパプレート５と、前記ダイ３の間に前記絶縁基板４を挟み、前記ダイ３と前記ストリッパプレート５で前記絶縁基板４を固定した状態で前記パンチ１を押し下げて打ち抜く。
【０００８】
前記打ち抜き金型を用いた場合、複数個の開口部を一度に形成することができる。そのため、前記絶縁基板４に形成する開口部４０１の数が多い場合でも、短時間に形成することでき、前記配線板の生産性が高い。
【０００９】
しかしながら、前記従来の技術では、隣接する第１パンチ１Ａと第２パンチ１Ｂの配置間隔ＬＰの最小値は、前記頭部１０１の直径Ｒ２と、頭部１０１の間隔ＬＧの和で与えられる。そのため、例えば、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）に示すように、前記絶縁基板４に形成する開口部４０１の間隔（ピッチ）ＨＰを、第１パンチ１Ａと第２パンチ１Ｂの配置間隔ＬＰの最小値よりも小さくしたい場合には、例えば、打ち抜き回数を増やして複数回に分けて形成する、あるいは炭酸ガスレーザなどのレーザ光を照射して開口部を形成する必要がある。ここで、図２２（ｂ）は図２２（ａ）のＪ−Ｊ'線での断面図である。
【００１０】
前記絶縁基板に開口部を形成するときの打ち抜き回数を２回にする場合には、１度目の打ち抜きで、例えば、図２３（ａ）及び図２３（ｂ）に示したように、千鳥格子状に開口部４０１を形成し、２度目の打ち抜きで、残りの開口部を形成すればよい。ここで、図２３（ｂ）は図２３（ａ）のＫ−Ｋ'線での断面図である。
【００１１】
しかしながら、打ち抜き回数を２回以上にすると、前記開口部４０１の位置ずれが起こりやすいという問題があった。
【００１２】
また、打ち抜き回数を２回以上にすると、その分作業時間が長くなり、生産性が低下するという問題があった。
【００１３】
また、レーザ光を照射して開口部を形成する場合、前記打ち抜き金型で形成する場合に比べて、生産性が低い、コストが高い、開口部を形成した後にデスミアと呼ばれる処理が必要であるといった問題があった。
【特許文献１】特開２００２−２３９９９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明が解決しようとする問題点は、前記背景技術で説明したように、従来の打ち抜き金型では、パンチの間隔を狭くすることが難しいという点である。
【００１５】
また、他の問題点は、前記打ち抜き金型を用いた開口部の形成方法では、開口部の間隔を小さくすることが難しく、BGA型の半導体装置の小型化が難しいという点である。
【００１６】
本発明の目的は、絶縁基板に開口部を形成する打ち抜き金型のパンチの配置間隔を狭くすることが可能な技術を提供することにある。
【００１７】
本発明の他の目的は、絶縁基板に形成する開口部の間隔を小さし、BGA型の半導体装置を小型化することがすることが可能な技術を提供することにある。
【００１８】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本願において開示される発明の概略を説明すれば、以下の通りである。
【００２０】
（１）複数本のパンチと、前記パンチの頭部を支持する支持部を有するパンチプレートと、前記パンチの配列と対応した開口部を有するダイとを備える打ち抜き金型であって、第１パンチと隣接する第２パンチは、頭部底面が前記第１パンチの頭部底面より切刃部側にあり、かつ、前記第１パンチの頭部底面から前記第２パンチの頭部底面までの距離が、前記第１パンチの頭部厚さよりも大きい打ち抜き金型である。
【００２１】
（２）絶縁基板に、打ち抜き金型を用いて開口部を形成する工程と、前記開口部が形成された絶縁基板に導体膜を張り合わせる工程と、前記絶縁基板に張り合わせた導体膜の不要な部分を除去して導体パターンを形成する工程とを備える配線板の製造方法であって、前記開口部を形成する工程は、前記（１）の手段の打ち抜き金型を用いる配線板の製造方法である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の打ち抜き金型は、前記第１パンチと前記第２パンチの間隔を狭めたときに、前記第１パンチ及び前記第２パンチの各頭部のランド面もしくは円錐座面同士が接触することはない。そのため、前記第１パンチと前記第２パンチの配置間隔を、従来の打ち抜き金型の配置間隔よりも狭くすることができる。
【００２３】
また、前記（１）の手段において、前記パンチプレートは、例えば、第１パンチプレートと第２パンチプレートの２枚のプレートを重ねて用いる。このとき、前記第１パンチプレートには、例えば、前記第１パンチの頭部を支持する支持部を設け、前記第２パンチプレートには、前記第２パンチの頭部を支持する支持部、及び前記第１パンチの切刃部またはシャンクが通る開口部を設ける。
【００２４】
また、前記パンチプレートとして、２枚以上のプレートを重ねて用いる場合、前記第１パンチプレートの第１主面側に前記第１パンチの頭部を支持する支持部を設け、前記第１主面の裏面側に前記第２パンチの頭部を支持する支持部を設けてもよい。この場合、前記第２パンチプレートには、前記各パンチの切刃部またはシャンクが通る開口部を設けておき、前記第１パンチプレートの切刃部が突出している面に重ねる。
【００２５】
また、前記（２）の手段によれば、前記（１）の手段の打ち抜き金型を用いることにより、前記絶縁基板に形成する開口部の間隔を、従来の開口部の間隔よりも狭くすることができる。そのため、前記配線板の小型化、導体パターンの高密度化が容易である。
【００２６】
また、前記（２）の手段で製造した配線板を用いて、例えば、BGAあるいはCSPと呼ばれる形態の半導体装置を製造するときには、前記絶縁基板の開口部上に、ボール状の外部接続端子を形成する場合が多い。そのため、前記（２）の手段で製造したＢＧＡ型半導体装置用配線板を用いて半導体装置を製造することにより、前記半導体装置の外部接続端子を狭ピッチ化、高密度化することができる。
【００２７】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の打ち抜き金型では、第１パンチと隣接する第２パンチは、頭部底面が前記第１パンチの頭部底面より切刃部側にあり、かつ、前記第１パンチの頭部底面から前記第２パンチの頭部底面までの距離が、前記第１パンチの頭部厚さよりも大きくすることで、前記第１パンチと前記第２パンチの間隔の狭ピッチ化を実現する。このことにより、前記打ち抜き金型を用いて形成する開口部の間隔を小さくすることができ、BGA型の半導体装置の小型化が可能になる。
【実施例１】
【００２９】
図１乃至図５は、本発明による実施例１の打ち抜き金型の概略構成を示す模式図であり、図１は打ち抜き金型の平面図、図２は図１のＡ−Ａ'線での断面図、図３（ａ）は第１パンチプレートの平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ'線での断面図、図４（ａ）は第２パンチプレートの平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ'線での断面図、図５は本実施例１の打ち抜き金型の作用効果を説明するための図である。なお、図５では、特徴をわかりやすくするために、断面であることを示すハッチング（平行斜線）は省略している。
【００３０】
本実施例１の打ち抜き金型は、図１及び図２に示すように、複数本のパンチ１と、前記パンチ１の頭部１０１を支持する支持部２０１を有するパンチプレート２と、前記パンチ１の配列と対応した開口部を有するダイ３とを備える。また、前記打ち抜き金型は、例えば、ポリイミドテープなどの絶縁基板４に開口部を形成するときに用いられる金型であり、図２に示したように、打ち抜き時に前記絶縁基板４を固定するためのストリッパプレート５も備えている。また、図示は省略するが、前記パンチプレート２及び前記ダイ３はそれぞれ、パンチホルダ及びダイホルダに固定されているものとする。
【００３１】
また、前記パンチプレート２は、図２に示したように、第１パンチプレート２Ａと第２パンチプレート２Ｂの２枚のプレートを重ねて用いる。このとき、前記第１パンチプレート２Ａは、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、前記支持部２０１Ａを千鳥格子状に設ける。以下、前記第１パンチプレート２Ａの支持部２０１Ａで頭部１０１を支持しているパンチ１を第１パンチ１Ａと称する。
【００３２】
また、前記第２パンチプレート２Ｂは、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、前記第１パンチ１Ａと隣接するパンチのなかで最も近接するパンチ（以下、第２パンチと称する）１Ｂの頭部１０１を支持する支持部２０１Ｂと、前記第１パンチ１Ａの切刃部１０２が通る開口部２０２Ｂを設ける。
【００３３】
本実施例１の打ち抜き金型は、図５に示すように、前記第１パンチ１Ａの頭部底面１０１Ａから前記第２パンチ１Ｂの頭部底面１０１Ａまでの距離ＬＢが、前記第１パンチ１Ａの頭部１０１の厚さＨＴよりも大きい。そのため、前記第１パンチ１Ａと前記第２パンチ１Ｂの間隔（距離）ＬＰを狭くしていったときに、前記第１パンチ１Ａ及び前記第２パンチ１Ｂの頭部１０１のランド面（側面）同士が接触することはない。
【００３４】
このとき、前記第１パンチ１Ａと前記第２パンチ１Ｂの間隔ＬＰは、具体的には、下記数式１で与えられる。
（数１）
ＬＰ＝（Ｒ１＋Ｒ２＋２ＬＧ）／２
【００３５】
ここで、Ｒ１は前記パンチ１の切刃部１０２の直径、Ｒ２は前記パンチ１の頭部１０１の直径、前記ＬＧは前記第１パンチ１Ａの切刃部１０２と前記第２パンチ１Ｂの頭部１０１の距離である。
【００３６】
前記第１パンチ１Ａの切刃部１０２の直径Ｒ１は当然、前記第１パンチ１Ａの頭部の直径Ｒ２よりも小さい。そのため、本実施例１の打ち抜き金型では、前記第１パンチ１Ａと前記第２パンチ１Ｂの間隔ＬＰを、従来の打ち抜き金型での間隔に比べて狭くすることができる。
【００３７】
図６及び図７は、本実施例１の打ち抜き金型を用いた配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図６（ａ）は絶縁基板に開口部を形成する工程の平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＤ−Ｄ'線での断面図、図７（ａ）は導体膜を張り合わせる工程の断面図、図７（ｂ）は導体パターンを形成する工程の断面図である。ここで、図７（ａ）及び図７（ｂ）は図６（ｂ）と同じ断面で見た図である。
【００３８】
本実施例１の打ち抜き金型は、例えば、BGA、CSPと呼ばれる形態の半導体装置に用いる配線板（インターポーザ）を製造するときに用いられる。
【００３９】
前記配線板を製造するときには、まず、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、例えば、ポリイミドテープなどの絶縁基板４に開口部４０１を形成する。前記絶縁基板４は、例えば、ポリイミドテープ等の一方向に長尺なフィルム状の基板であり、前記基板上に、図１８（ａ）に示したような領域が多数存在する。
【００４０】
このとき、前記絶縁基板４の開口部４０１の間隔ＨＰは、前記打ち抜き金型のパンチ１の間隔ＬＰと等しい。そのため、本実施例１の打ち抜き金型を用いた場合、前記開口部４０１の間隔ＨＰは、前記数式１の右辺で与えられる。このとき、例えば、前記絶縁基板４の開口部４０１の直径を２９０μｍとすると、前記第１パンチ１Ａの切刃部１０２の直径Ｒ１は２９０μｍ、前記第１パンチ１Ａ及び前記第２パンチ１Ｂの頭部１０１の直径Ｒ２は３４０μｍ、前記第１パンチ１Ａの切刃部１０２と前記第２パンチ１Ｂの頭部１０１の距離ＬＧは８５μｍとすることができる。そのため、前記数式１から、前記絶縁基板４の開口部４０１の間隔ＨＰは４００μｍにすることができる。一方、従来の打ち抜き金型の場合、前記パンチ１の切刃部１０２の直径Ｒ１が２９０μｍ、頭部１０１の直径Ｒ２が３４０μｍだとすると、前記絶縁基板４の開口部４０１の間隔ＨＰを４２５μｍ以下にすることが難しい。
【００４１】
次に、図７（ａ）に示すように、前記絶縁基板４の一表面に導体膜６Ａを形成する。前記導体膜６Ａは、例えば、銅箔を用い、熱プレス等で前記絶縁基板４に接着する。
【００４２】
次に、図７（ｂ）に示すように、前記導体膜６Ａの不要な部分を除去して導体パターン６Ｂを形成する。前記導体パターン６Ｂは、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法を用いて形成する。
【００４３】
その後、図示は省略するが、必要に応じて、前記導体パターン６Ｂの表面に、はんだ保護膜等の保護膜、金めっきや錫めっき等の機能めっきを形成する。
【００４４】
図８は、本実施例１の打ち抜き金型を用いて製造した配線板を用いた半導体装置の概略構成を示す模式断面図である。
【００４５】
本実施例１の打ち抜き金型を用いて製造した配線板は、前記BGA、CSPと呼ばれる形態の半導体装置に用いられる。前記半導体装置は、例えば、図８に示すように、前記配線板上に半導体チップ７をフリップチップ実装し、前記配線板（絶縁基板４）の開口部４０１上にボール状の接合剤からなる外部接続端子８を形成する。また、前記配線板の導体パターン６Ｂと前記半導体チップ７の外部電極７０１は、例えば、金バンプなどの接続導体９で電気的に接続する。また、前記配線板と前記半導体チップの間は、絶縁樹脂等のアンダーフィル材１０で封止する。
【００４６】
図８に示した半導体装置のように、前記配線板（絶縁基板４）の開口部４０１上に外部接続端子８を形成する場合、前記外部接続端子８の間隔は前記絶縁基板４の開口部４０１の間隔ＨＰとなる。そのため、本実施例１の打ち抜き金型を用いて前記開口部４０１を形成した場合、前記外部接続端子８の間隔を４００μｍにすることができる。
【００４７】
以上説明したように、本実施例１の打ち抜き金型によれば、隣接するパンチのなかで最も近接する第１パンチ１Ａと第２パンチ１Ｂの間隔ＬＰを、従来の打ち抜き金型の間隔よりも狭くすることができる。
【００４８】
また、第１パンチ１Ａと第２パンチ１Ｂの間隔ＬＰを狭くすることができるので、例えば、BGA、CSPと呼ばれる形態の半導体装置に用いる配線板に形成する開口部の間隔を、従来の間隔よりも狭くすることができる。そのため、前記配線板の小型化、高密度化ができる。また、打ち抜き金型を用いて間隔が狭い開口部を形成することができるので、例えば、従来のレーザ光を照射する方法に比べて、短時間で容易に配線板を製造することができる。
【００４９】
また、前記配線板の開口部の間隔を狭くすることができるので、前記配線板を用いた半導体装置の外部接続端子の間隔を狭くすることができる。そのため、前記半導体装置の外部接続端子の狭ピッチ化、高密度化が容易である。
【００５０】
図９は、前記実施例１の変形例を説明するための模式図であり、図９（ａ）は第１の変形例を説明するための断面図、図９（ｂ）は第２の変形例を説明するための断面図である。
【００５１】
前記実施例１では、図２に示したように、前記パンチ１は、前記頭部１０１と前記切刃部１０２が直接連結している場合を例に挙げて説明したが、これに限らず、前記パンチ１は、図９（ａ）に示したように、前記頭部１０１と前記切刃部１０２の間に、シャンク１０３と呼ばれる部分が設けられていてもよい。
【００５２】
前記打ち抜き金型を用いて形成する開口部の直径が小さくなれば、前記パンチ１の切刃部１０２の直径も小さくなる。特に、例えば、前記BGAあるいはCSPと呼ばれる形態の小型の半導体装置に用いるインターポーザ（配線板）等では、前記絶縁基板４に形成する開口部４０１の直径が、２５０μｍと非常に小さくなっている。そのような場合、図２に示したようなパンチ１では、前記切刃部１０２が細いので、打ち抜き時の加圧で折れやすくなる。そのため、図９（ａ）に示したように、シャンク１０３を設けることで、前記切刃部１０２の長さを最小限にすることができ、前記切刃部１０２の折れを防ぐことができる。
【００５３】
なお、図９（ａ）に示したような、前記シャンク１０３が設けられたパンチ１の場合、最も近接するパンチ１の最小間隔は、前記数式１の切刃部１０２の直径Ｒ１の代わりに、前記シャンク１０３の直径を当てはめることで求められる。
【００５４】
また、前記実施例１では、図２に示したように、前記パンチ１の頭部１０１が円柱状の場合を例に挙げて説明したが、これに限らず、図９（ｂ）に示すように、前記パンチ１の頭部１０１が円錐台形であってもよい。この場合も、第１パンチ１Ａと前記第２パンチ１Ｂの支持方法を、前記実施例１で説明したようにすることで、前記第１パンチ１Ａと前記第２パンチ１Ｂの間隔ＬＰを、従来の打ち抜き金型の間隔よりも狭くすることができる。
【００５５】
図１０及び図１２は、前記実施例１の応用例を説明するための模式図であり、図１０は打ち抜き金型の断面図、図１１（ａ）は第１パンチプレートの平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＥ−Ｅ'線での断面図、図１２は図１０に示した打ち抜き金型の作用効果を説明するための図である。なお、図１０は図２に相当する断面の図である。また、図１２では、特徴をわかりやすくするために、断面であることを示すハッチング（平行斜線）は省略している。
【００５６】
前記実施例１の打ち抜き金型では、前記第１パンチ１Ａの頭部１０１は、例えば、図２に示したように、前記第１パンチプレート２Ａの第１主面、言い換えると、前記第２パンチプレート２Ｂとの接触面の裏面側で支持している。しかしながら、前記第１パンチ１Ａの頭部１０１は、前記実施例１の例に限らず、例えば、図１０及び図１１（ａ）、ならびに図１１（ｂ）に示すように、前記第２パンチプレート２Ｂとの接触面側で支持してもよい。
【００５７】
このとき、前記第１パンチ１Ａの頭部底面１０１Ａから前記第２パンチ１Ｂまでの距離ＬＢは、図１２に示すように、前記第１パンチ１Ａの頭部１０１の厚さＨＴと等しくなる。しかしながら、図１２に示したように、前記第１パンチ１Ａの頭部１０１は前記第１パンチプレート２Ａ側で支持され、前記第２パンチ２Ａの頭部１０１は前記第２パンチプレート２Ｂ側で支持されているので、前記第１パンチ１Ａと前記第２パンチ１Ｂの間隔を狭くしていったときに、前記第１パンチ１Ａと前記第２パンチ１Ｂの各頭部１０１のランド面（側面）が接触するのを防げる。そのため、前記実施例１で説明した打ち抜き金型と同じ効果を得ることができる。
【実施例２】
【００５８】
図１３乃至図１６は、本発明による実施例２の打ち抜き金型の概略構成を示す模式図であり、図１３は打ち抜き金型の断面図、図１４（ａ）は第１パンチプレートの平面図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＦ−Ｆ'線での断面図、図１５（ａ）は第２パンチプレートの平面図、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＧ−Ｇ'線での断面図、図１６は本実施例２の打ち抜き金型の作用効果を説明するための図である。なお、図１３は図２に相当する断面の図である。また、図１６では、特徴をわかりやすくするために、断面であることを示すハッチング（平行斜線）は省略している。
【００５９】
本実施例２の打ち抜き金型は、図１３に示すように、複数本のパンチ１と、前記パンチ１の頭部１０１を支持する支持部２０１を有するパンチプレート２と、前記パンチ１の配列と対応した開口部を有するダイ３とを備える。また、前記打ち抜き金型は、例えば、ポリイミドテープなどの絶縁基板４に開口部を形成するときに用いられる金型であり、図１３に示したように、打ち抜き時に前記絶縁基板４を固定するためのストリッパプレート５も備えている。また、図示は省略するが、前記パンチプレート２及び前記ダイ３はそれぞれ、パンチホルダ及びダイホルダに固定されているものとする。
【００６０】
また、前記パンチプレート２は、図１３に示したように、第１パンチプレート２Ａと第２パンチプレート２Ｂの２枚のプレートを重ねて用いる。このとき、前記第１パンチプレート２Ａは、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、第１主面２０３Ａ及びその裏面（以下、第２主面と称する）２０４Ａに前記支持部が設ける。このとき、前記第１主面２０３Ａ側に設けられた支持部２０１Ａと前記第２主面２０４Ａ側に設けられた支持部２０２Ａは、図１４（ａ）に示したように、それぞれ二次元格子の格子点上に、千鳥格子状に設ける。またこのとき、前記第２主面２０４Ａ側の支持部２０２Ａが、前記第１主面２０３Ａ側の支持部２０１Ａと隣接するように設ける。また、前記第１パンチプレート２Ａの厚さは、前記第１パンチ１Ａの頭部厚さと前記第２パンチの頭部厚さの和よりも大きくする。
【００６１】
また、前記第２パンチプレート２Ｂは、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、前記第１パンチ１Ａ及び前記第２パンチ１Ｂの切刃部１０２が通る開口部２０２Ｂを設ける。
【００６２】
本実施例２の打ち抜き金型は、図１６に示すように、前記第１パンチ１Ａの頭部底面１０１Ａから前記第２パンチ１Ｂの頭部底面１０１Ｂまでの距離ＬＢが、前記第１パンチ１Ａの頭部１０１の厚さＨＴよりも大きい。そのため、前記第１パンチ１Ａと前記第２パンチ１Ｂの間隔ＬＰを狭くしていったときに、前記第１パンチ１Ａ及び前記第２パンチ１Ｂの頭部１０１のランド面（側面）同士が接触するのを防げる。このとき、前記第１パンチ１Ａと前記第２パンチ１Ｂの間隔ＬＰは、前記実施例１の打ち抜き金型の場合と同じで、前記数式１で与えられる。
【００６３】
本実施例２の打ち抜き金型は、前記実施例１の打ち抜き金型と同じで、例えば、BGA、CSPと呼ばれる形態の半導体装置に用いる配線板（インターポーザ）を製造するときに用いられる。前記配線板の製造方法や前記配線板を用いた半導体装置の概略構成は、前記実施例１で説明した通りなので、その説明は省略する。
【００６４】
以上説明したように、本実施例２の打ち抜き金型によれば、前記実施例１と同様に、隣接する前記第１パンチ１Ａと第２パンチ１Ｂの間隔ＬＰを、従来の打ち抜き金型の間隔よりも狭くすることができる。
【００６５】
また、隣接する第１パンチ１Ａと第２パンチ１Ｂの間隔ＬＰを狭くすることができるので、例えば、BGA、CSPと呼ばれる形態の半導体装置に用いる配線板に形成する開口部の間隔を、従来の間隔よりも狭くすることができる。そのため、前記配線板の小型化、高密度化ができる。また、打ち抜き金型を用いて間隔が狭い開口部を形成することができるので、例えば、従来のレーザ光を照射する方法に比べて、短時間で容易に配線板を製造することができる。
【００６６】
また、前記配線板の開口部の間隔を狭くすることができるので、前記配線板を用いた半導体装置の外部接続端子の間隔を狭くすることができる。そのため、前記半導体装置の外部接続端子の狭ピッチ化、高密度化が容易である。
【００６７】
また、図を用いた説明は省略するが、本実施例２の打ち抜き金型でも、前記実施例１の変形例として説明したように、前記頭部１０１と前記切刃部１０２の間に前記シャンク１０３が設けられているパンチ１を用いてもよいし、前記パンチ１の頭部１０１も、円柱状に限らず、円錐台状であってもよいことは言うまでもない。
【００６８】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【００６９】
例えば、前記各実施例では、前記第１パンチプレート２Ａと前記第２パンチプレート２Ｂの２枚のパンチプレートを重ねて、前記第１パンチ１Ａと前記第２パンチ１Ｂを支持したが、これに限らず、３枚以上のパンチプレートで支持してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明による実施例１の打ち抜き金型の概略構成を示す模式図であり、打ち抜き金型の平面図である。
【図２】本発明による実施例１の打ち抜き金型の概略構成を示す模式図であり、図１のＡ−Ａ'線での断面図である。
【図３】本発明による実施例１の打ち抜き金型の概略構成を示す模式図であり、図３（ａ）は第１パンチプレートの平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ'線での断面図である。
【図４】本発明による実施例１の打ち抜き金型の概略構成を示す模式図であり、図４（ａ）は第２パンチプレートの平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ'線での断面図である。
【図５】本発明による実施例１の打ち抜き金型の概略構成を示す模式図であり、本実施例１の打ち抜き金型の作用効果を説明するための図である。
【図６】本実施例１の打ち抜き金型を用いた配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図６（ａ）は絶縁基板に開口部を形成する工程の平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＤ−Ｄ'線での断面図である。
【図７】本実施例１の打ち抜き金型を用いた配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図７（ａ）は導体膜を張り合わせる工程の断面図、図７（ｂ）は導体パターンを形成する工程の断面図。
【図８】本実施例１の打ち抜き金型を用いて製造した配線板を用いた半導体装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図９】前記実施例１の変形例を説明するための模式図であり、図９（ａ）は第１の変形例を説明するための断面図、図９（ｂ）は第２の変形例を説明するための断面図である。
【図１０】前記実施例１の応用例を説明するための模式図であり、打ち抜き金型の断面図である。
【図１１】前記実施例１の応用例を説明するための模式図であり、図１１（ａ）は第１パンチプレートの平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＥ−Ｅ'線での断面図である。
【図１２】前記実施例１の応用例を説明するための模式図であり、図１０に示した打ち抜き金型の作用効果を説明するための図である。
【図１３】本発明による実施例２の打ち抜き金型の概略構成を示す模式図であり、打ち抜き金型の断面図である。
【図１４】本発明による実施例２の打ち抜き金型の概略構成を示す模式図であり、図１４（ａ）は第１パンチプレートの平面図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＦ−Ｆ'線での断面図である。
【図１５】本発明による実施例２の打ち抜き金型の概略構成を示す模式図であり、図１５（ａ）は第２パンチプレートの平面図、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＧ−Ｇ'線での断面図である。
【図１６】本発明による実施例２の打ち抜き金型の概略構成を示す模式図であり、本実施例２の打ち抜き金型の作用効果を説明するための図である。
【図１７】従来の半導体装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図１８】従来の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図１８（ａ）は絶縁基板に開口部を形成する工程の平面図、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＨ−Ｈ'線での断面図である。
【図１９】従来の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図１９（ａ）は導体膜を張り合わせる工程の断面図、図１９（ｂ）は導体パターンを形成する工程の断面図である。
【図２０】従来の打ち抜き金型の概略構成を示す模式図であり、図２０（ａ）は打ち抜き金型の平面図、図２０（ｂ）は図２０（ａ）のＩ−Ｉ'線での断面図である。
【図２１】従来の打ち抜き金型の概略構成を示す模式図であり、図２０（ｂ）の部分拡大図である。
【図２２】従来の打ち抜き金型の課題を説明するための模式図であり、図２２（ａ）は絶縁基板の平面図、図２２（ｂ）は図２２（ａ）のＪ−Ｊ'線での断面図である。
【図２３】従来の打ち抜き金型の課題を説明するための模式図であり、図２３（ａ）は絶縁基板の平面図、図２３（ｂ）は図２３（ａ）のＫ−Ｋ'線での断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１…パンチ
１Ａ…第１パンチ
１Ｂ…第２パンチ
１０１…パンチの頭部
１０１Ａ…パンチの頭部底面
１０２…パンチの切刃部
１０３…パンチのシャンク
２…パンチプレート
２Ａ…第１パンチプレート
２Ｂ…第２パンチプレート
２０１Ａ，２０２Ａ，２０１Ｂ，２Ａ…支持部
３…ダイ
４…絶縁基板
４０１…絶縁基板の開口部
５…ストリッパプレート
６Ａ…導体膜
６Ｂ…導体パターン
７…半導体チップ
７０１…半導体チップの外部電極
８…外部接続端子
９…接続導体
１０…アンダーフィル材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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