(57)【要約】【課題】  電子部品の金属パッケージにおいて、高精度、強度の向上、気密性及び信頼性の確保、製造コストの低減、並びに小型化・薄型化を実現する。【解決手段】  金属ベース３とこれに接合される蓋４とからなる金属パッケージ１の製造において、金属板１０の表裏両面にフォトレジスト膜１１を形成し、その各面において所望の電極端子５を囲繞する絶縁部６のパターンをフォトレジスト膜に転写し、これをマスクとして金属板を両面から所定の深さまでウエットエッチングして、絶縁部に対応する溝１４を金属板に形成する。この溝に流動性を有するガラス材料を充填しかつ焼成して、電極端子を囲繞しかつこれを周囲の金属板から電気的に分離させる絶縁部を形成する。このように形成した金属ベースに水晶振動片２を実装し、蓋を接合して気密に封止する。【選択図】  図１
2005129600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を実装する金属ベースと前記電子部品を気密に封止するべく前記金属ベースに接合される蓋体とからなる金属パッケージの製造において、
金属板の表裏両面にフォトレジスト膜を形成し、前記金属板各面において所望の導電部を囲繞する絶縁部のパターンを前記フォトレジスト膜に転写し、これをマスクとして前記金属板を両面から所定の深さまでウエットエッチングして、前記絶縁部に対応する溝を前記金属板に形成し、前記溝に絶縁材料を充填して、前記導電部を囲繞しかつこれを周囲の前記金属板から電気的に分離させる前記絶縁部を形成することにより、前記金属ベースを製造することを特徴とする金属パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記絶縁部のパターンが、前記導電部と周囲の前記金属板間を結合する連結部を設けるための連結部分を有し、前記ウエットエッチングが、前記連結部分の裏側に僅かな厚さの前記連結部を残すように行われ、前記絶縁部を形成した後に前記連結部を除去して、前記導電部を前記周囲の金属板から完全に分離させることを特徴とする請求項１に記載の金属パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記絶縁材料がガラス材料であることを特徴とする請求項１または２に記載の金属パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記金属板が前記ガラス材料と同等または近似する熱膨張率を有する金属材料からなることを特徴とする請求項３に記載の金属パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記ガラス材料が液状ガラスまたは粉末ガラスであり、これを前記溝内に入れて焼成することにより前記絶縁部を形成することを特徴とする請求項３または４に記載の金属パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記導電部が前記金属板を貫通してその表裏両面に露出するように形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の金属パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記導電部が前記金属板の表裏いずれかの面にのみ露出するように形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の金属パッケージの製造方法。
【請求項８】
１枚の金属板に多数個分の金属ベースを形成しかつこれを個片化することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の金属パッケージの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の方法により製造されたことを特徴とする金属パッケージ。
【請求項１０】
前記金属ベースの裏面に絶縁膜が形成され、かつその上に外部電極が成膜されると共に、前記外部電極が前記導電部と電気的に接続されていることを特徴とする請求項９に記載の金属パッケージ。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の金属パッケージと、前記金属パッケージ内に気密に収容された電子部品とを有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項１２】
前記電子部品が圧電素子であること特徴とする請求項１１に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、様々な電子機器に使用される圧電振動子・発振器、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスや、半導体デバイスなどの表面実装型電子デバイスに関し、特に圧電振動片、ＳＡＷ素子などの圧電素子や半導体集積回路（ＩＣ）チップなどの電子部品を実装して気密に封止するための金属パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より電子機器の小型化、薄型化に伴い、圧電デバイスなどの電子部品はより一層の小型化・薄型化が要求されると共に、回路基板等への実装に適した表面実装型のものが多用されている。一般に表面実装型の圧電デバイスは、セラミックなどの絶縁材料で形成したパッケージに圧電振動片を封止する構造が広く採用されており、このようなセラミックパッケージとして、例えばセラミック材料のシート材を積層した箱型ベースを蓋で気密に封止したものが知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
セラミックパッケージは、セラミック粉体を焼成してセラミックシート材を成形するので、加工性が低く、そのために複雑な形状や高い寸法精度を達成することが困難で、その割に製造コストが高いという問題がある。また、セラミック焼成品は多孔質なため、圧電デバイスなどのように高度な気密性・封止性能が要求される場合には、十分な厚さが必要である。更に、セラミック焼成品は延性及び展性に欠け、比較的脆弱で割れ易い性質がある。これらの問題点は、圧電デバイスの更なる小型化を図る上で妨げとなる虞がある。
【０００４】
そこで、より加工性・成形性に優れ、高い寸法精度が実現可能で比較的低価格な金属材料で作られた表面実装型のパッケージが提案されている。或る金属パッケージは、金属板からなるベースに貫通孔を設け、これに端子をガラス材料などの絶縁材でベースから電気的に絶縁して挿通し、該端子に水晶振動片を接続して片持ちに支持する（例えば、特許文献２〜４を参照）。更に、金属ベース下面の略全面に絶縁材を形成しかつ該絶縁部を貫通してアース端子を突出させたり（特許文献２、３を参照）、金属ベースの表面に絶縁膜を形成しかつその上に導体パターンを形成して、端子と電気的に接続する配線を設けた金属パッケージ（特許文献３を参照）が知られている。また、別の金属パッケージは、枠状構造の金属ベースに、金属平板に円柱の電極を接合した金属リードを高融点ガラスなどの絶縁材で融着して合体ベースを形成し、これに水晶振動片を実装して金属キャップで封止する（例えば、特許文献５を参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１３５０７４号公報
【特許文献２】特開２００２−８４１５９号公報
【特許文献３】特開２００２−２８０８６８号公報
【特許文献４】特開２００３−８６７２３号公報
【特許文献５】特開２００２−１２４３８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
これら従来の金属パッケージは、いずれも金属ベースの貫通孔に挿通した端子部品を絶縁材で一体に接着固定する構造のため、絶縁材と金属ベース及び端子部品との間に十分な密着強度及び気密性を確保することが必要である。しかしながら、通常プレス加工や打ち抜き加工等の機械加工で形成される金属ベースや端子部品は、絶縁材との接着面が円滑で密着性が低く、その接着面積は、パッケージを小型化するほど小さくなって密着強度が低下するので、絶縁材は剥離やクラックが発生し易くなり、気密性を低下させ又は損なう虞がある。また、パッケージを組み立てるための部品点数が多く、しかも端子部品などを位置決めしてガラス材料を焼成するなど、組立工程が比較的複雑で、そのために組立精度にばらつきが生じ易く、製造コストの増大、歩留まりの低下を招くなどの問題がある。
【０００７】
そこで本発明は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、金属材料を用いて高精度にかつ低コストで製造され、高い強度、気密性及び信頼性を確保することができ、小型化・薄型化を実現可能な電子部品のパッケージ、及びそのようなパッケージを比較的容易にかつ歩留まり良く製造し得る方法を提供することにある。
【０００８】
更に本発明の目的は、かかるパッケージを用いることにより、小型化、高い信頼性及び低コスト化を実現し得る電子デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、上記目的を達成するために、電子部品を実装する金属ベースと該電子部品を気密に封止するべく金属ベースに接合される蓋体とからなる金属パッケージの製造において、金属板の表裏両面にフォトレジスト膜を形成し、該金属板各面において所望の導電部を囲繞する絶縁部のパターンをフォトレジスト膜に転写し、これをマスクとして金属板を両面から所定の深さまでウエットエッチングして、絶縁部に対応する溝を金属板に形成し、該溝に絶縁材料を充填して、導電部を囲繞しかつこれを周囲の金属板から電気的に分離させる絶縁部を形成することにより、金属ベースを製造することを特徴とする金属パッケージの製造方法が提供される。
【００１０】
このように金属板から形成するベースは、パッケージ全体に高い寸法精度が可能であることに加えて、本発明では、フォトリソグラフィ技術を利用して絶縁部のパターンを転写しかつウエットエッチングすることにより、パッケージを小型化しても導電部及び絶縁部の精密な加工及び高い寸法精度が得られ、しかもウエットエッチングされた溝の内面は、比較的粗い面に仕上がっているので、これに充填される絶縁材料の密着性が良く、絶縁部における強度の向上、絶縁部と導電部及び金属板間における高い気密性・封止性能が得られ、信頼性の高い金属パッケージを実現できる。
【００１１】
前記導電部は、金属板を貫通してその表裏両面に露出する、例えば電極端子の形で形成したり、金属板の表裏いずれかの面にのみ露出する、例えば配線の形で形成することができ、従来のように端子用または配線用の部品を別個に必要としないので、部品点数が少なく、組立精度の向上、製造コストの低減を図ることができる。
【００１２】
また、本発明の方法は、１枚の金属板に多数個分の金属ベースを形成しかつこれを個片化することが可能であり、これによって製造コストを低減することができる。
【００１３】
或る実施例では、前記絶縁部のパターンが、導電部と周囲の金属板間を結合する連結部を設けるための連結部分を有し、前記ウエットエッチングが、該連結部分の裏側に僅かな厚さの連結部を残すように行われ、絶縁部を形成した後に連結部を除去して、導電部を周囲の金属板から完全に分離させる。この連結部により、ウエットエッチングされた溝に絶縁材料を充填して絶縁部を形成する際に、導電部が金属板に固定されるので、作業が容易で高い加工精度が得られる。
【００１４】
前記絶縁材料としては、ガラス材料が有利であり、該ガラス材料が液状ガラスまたは粉末ガラスである場合には、これを前記溝内に入れて焼成することにより、絶縁部をその形状に合わせて容易にかつ高い密着性をもって形成することができる。また、この場合に前記金属板は、ガラス材料と同等または近似する熱膨張率を有する金属材料から形成されることが、パッケージの強度・耐久性・気密性を確保するために有利である。
【００１５】
本発明の別の側面によれば、上述した本発明の方法により製造され、それにより強度を向上させ、高精度で高信頼性の金属パッケージが提供される。
【００１６】
この金属パッケージには、更に金属ベースの裏面に絶縁膜を形成し、かつその上に外部電極を成膜すると共に、外部電極が金属ベースの導電部と電気的に接続することができ、そのまま表面実装に供することができる。
【００１７】
本発明の更に別の側面によれば、このような本発明の金属パッケージと、該金属パッケージ内に気密に収容された圧電素子などの電子部品とを有し、信頼性及び耐久性が高く、より一層小型化の可能な電子デバイスが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、添付図面を参照しつつ、本発明の好適な実施例について詳細に説明する。
【００１９】
図１（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した水晶振動子の第１実施例を概略的に示しており、パッケージ１内に厚み滑り振動のＡＴカット水晶振動片２が気密に封止されている。パッケージ１は、金属材料で形成された概ね矩形平板の金属ベース３と、その上面に接合された蓋４とから構成される。蓋４は、例えば金属ベース３と同じ金属材料で、内部に水晶振動片１２を収容する空所を画定した箱型に形成されている。金属ベース３及び蓋４を形成する金属材料としては、後述するようにガラス材料と熱膨張率が近似しかつなじみが良い、例えばコバール（Ｋｏｖａｒ）（商品名）や、ＮＳＤ（４２アロイ））、ＮＳＩ（４２アロイ）などのＮｉＦｅ合金が好ましい。
【００２０】
金属ベース３の一方の長手方向端部付近には、これを垂直方向に貫通する２個の円柱状の電極端子５、５が設けられている。各電極端子５、５は、その周囲に設けられたガラス材料からなる円筒状の絶縁部６、６によって金属ベース３から電気的に絶縁され、かつ該金属ベースと一体に固着されている。金属ベース３の表面に露出する各電極端子５、５の上端面には、金属バンプ７、７が形成されている。
【００２１】
水晶振動片２は、その両面に励振電極が形成された長方形の水晶薄板からなり、一方の端部即ち基端部には、左右に各励振電極からの引出電極が形成されている。水晶振動片２は、その基端部において引出電極を金属ベース３の前記金属バンプからなる接続電極に整合させ、導電性接着剤８、８で片持ちに略水平に固定しかつ電気的に接続する。蓋４は、水晶振動片２を金属ベース３に実装しかつ周波数を調整した後、窒素又は真空雰囲気内で金属間接合により金属ベースに接合する。このため、接合部９は予め酸またはプラズマ洗浄やメッキ処理により活性化しておくことが好ましい。しかし、上述したコバール等の金属材料になじみが良い低融点ガラスやはんだなどの金属ろう材、その他の公知手段を用いて接合することもできる。
【００２２】
本実施例によれば、図１の金属ベース３は、次のような工程に従って製造することができる。先ず、図２−１に示すように、所定厚さの金属薄板１０の表裏両面にフォトレジスト膜１１を形成し、フォトリソグラフィ技術を利用して、絶縁部６、６に対応する円形リング状のエッチングパターン１２を転写する。エッチングパターン１２は、フォトマスクの製作上及び後述するように絶縁部６、６を形成する工程上の理由で、周方向に連続する完全な円形リングではなく、電極端子５、５に相当する円形部分を結合するための連結部１３で分断されている。表裏各面の連結部１３は、平面上互いに重ならないように配置する。
【００２３】
図２−２に示すように、適当なエッチング液を用いて金属薄板１０を両面から所定の深さまでハーフエッチングし、円環状の溝１４を形成した後、残存するフォトレジスト膜１１を完全に除去する。エッチング量は、金属薄板１０が、表裏各面のフォトレジスト膜１１の連結部１３の裏側に或る僅かな厚さを残存させるように調整する。この残存する連結部分１６により、電極端子５、５に対応する円柱部分１５が溝１４を挟んで金属薄板１０と一体に形成される。
【００２４】
次に、溝１４内に流動性を有するガラス材料を充填し、焼成して、図２−３に示すように円筒状の絶縁部６、６を形成する。例えば図３に例示するように、図２−２の金属薄板１０を作業台１７の平滑面上に置き、その表面に十分な量のガラス材料１８を供給し、かつスキージ１９などの適当な工具で余分なガラス材料を掻き取るようにして、各溝１４内にガラス材料を隙間なく詰め込む。前記ウエットエッチングにより形成された溝１４の内面は、機械加工に比してかなり粗い面に仕上がっているので、硬化したガラス材料との密着性が良い。従って、絶縁部６、６は円柱部分１５及びその周囲の金属薄板１０部分と緊密にかつ強固に接着される。
【００２５】
ガラス材料としては、従来からシール用、モールド用又はパッシベーション用として使用されている各種液状（ペースト状を含む）ガラス、粉末ガラス、低融点ガラスを用いることができる。特に金属薄板１０がコバールからなる場合には、気密封止を図るという観点から、コバールとの接合性の良さ及び近似した熱膨張率からホウ珪酸ガラス（例えば、ＮＥＣ真空硝子（株）のＫＢガラス）、珪酸塩ガラス（例えば、ＨＯＹＡ感光性ガラスＰＥＧ３）などが好ましい。
【００２６】
次に、円柱部分１５と周囲の金属薄板１０部分とを結合する連結部分１６を除去し、円柱部分１５を完全に分離独立させて、図２−４に示すように電極端子５、５を形成する。連結部分１６は、その厚さが薄いので、例えばレーザビームで簡単に削除することができる。他の方法として、ウエットエッチング若しくはドライエッチングで選択的に除去することもできる。これにより、図４に示すように、その周囲を円筒状の絶縁部６で囲繞した円柱状の電極端子５が金属薄板１０に一体に形成される。
【００２７】
連結部分１６を除去した後には僅かな凹み２０が残るが、溝１４の幅を予め適当な寸法に設定することによって、電極端子５と周囲の金属薄板１０間の電気的絶縁性を確保することができる。更に、電極端子５と周囲の金属薄板１０間の電気的絶縁性をより確実にするためには、図２−５に示すように、凹み２０も同様にガラス材料を焼成して、絶縁材２１、２１で充填すれば良い。
【００２８】
また、電極端子５の露出する上端面及び／または下端面は、めっき処理しておくと、後の工程でその上に金属バンプ７を形成したり、配線用の導電パターンを形成することが容易になる。このめっき処理は、例えば電極端子５の露出面にＮｉ／Ａｕ膜を金属めっきするなどにより行う。
【００２９】
図５は、図１の電極端子を形成するための別の工程を示している。この変形例では、先ず図５−１に示すように、図２−１と同様に所定厚さの金属薄板１０の表裏両面にフォトレジスト膜１１を形成し、フォトリソグラフィ技術を利用して第１エッチングパターン２２ａ、２２ｂを転写する。表裏各面の第１エッチングパターン２２ａ、２２ｂは、それぞれ絶縁部６、６の約半分に対応する半円リング状をなし、平面上電極端子に相当する円形部分２３を挟んで対向するように配置する。
【００３０】
図５−２に示すように、適当なエッチング液を用いて金属薄板１０を両面から所定の深さまでハーフエッチングし、半円リング状の第１溝２４ａ、２４ｂを形成した後、残存するフォトレジスト膜１１を完全に除去する。エッチング量は、金属薄板１０の厚さの半分より幾分深くなるように調整する。これにより、表面側の第１溝２４ａと裏面側の第１溝２４ｂとは、金属薄板１０の厚さの中央付近で互いに連通する。予め表裏各面の第１エッチングパターン２２ａ、２２ｂをそれぞれ絶縁部６、６の約半分よりも少し大きくして、その両端が平面上互いに幾分重なるように形成すると、両第１溝２４ａ、２４ｂはより確実に連通する。
【００３１】
次に、第１溝２４ａ、２４ｂ内に、図２の実施例と同じ流動性ガラス材料を充填し、焼成して、図５−３に示すように半円筒状の第１絶縁部分２５ａ、２５ｂを形成する。第１溝２４ａ、２４ｂが十分に連通していると、図２の場合と同様に金属薄板１０の一方の面からガラス材料を充填することができる。
【００３２】
この金属薄板１０の表裏両面に、図５−４に示すようにフォトレジスト膜２６を再び形成し、フォトリソグラフィ技術を利用して第２エッチングパターン２７ａ、２７ｂを転写する。表裏各面の第２エッチングパターン２７ａ、２７ｂは、それぞれ先に形成した第１エッチングパターン２２ａ、２２ｂを補完してその内側に絶縁部６、６の円形リングを画定するような半円リング状に形成し、同様に平面上電極端子５に相当する円形部分２３を挟んで対向するように配置する。
【００３３】
同様に前記エッチング液を用いて金属薄板１０を両面からハーフエッチングし、図５−５に示すように半円リング状の第２溝２８ａ、２８ｂを形成した後、残存するフォトレジスト膜２６を完全に除去する。各第２溝２８ａ、２８ｂは、それぞれ反対側に形成した第１絶縁部分２５ａ、２５ｂが露出する深さまでエッチングする。これにより、第１絶縁部分２５ａ、２５ｂ及び第２溝２８ａ、２８ｂの内側に円柱部分を、周囲の金属薄板１０部分から完全に分離独立させて電極端子５、５を形成する。
【００３４】
次に、第２溝２８ａ、２８ｂ内に同様に流動性ガラス材料を充填し、焼成して、図５−６に示すように半円筒状の第２絶縁部分２９ａ、２９ｂを形成する。これにより、図６に併せて示すように、その周囲を円筒状の絶縁部６で囲繞した円柱状の電極端子５が金属薄板１０に一体に形成される。
【００３５】
図７（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明を適用した水晶振動子の第２実施例を概略的に示している。第２実施例の水晶振動子は、第１実施例と同様にパッケージ１内に厚み滑り振動のＡＴカット水晶振動片２が気密に封止され、かつパッケージ１は、概ね矩形平板の金属ベース３とその上面に接合された箱型の蓋４とから構成されると共に、金属ベース３及び蓋４は、例えばコバール（Ｋｏｖａｒ）（商品名）のようにガラス材料と熱膨張率が近似しかつなじみが良い、同じ金属材料で形成されている。
【００３６】
本実施例の金属ベース３は、その一方の長手方向端部付近に、これを垂直方向に貫通する２個の円柱状の電極端子３０、３１が設けられている。一方の電極端子３０は、第１実施例の電極端子５と同様に構成され、その周囲にガラス材料からなる円筒状の絶縁部３２が設けられて、金属ベース３から電気的に絶縁されかつ該金属ベースと一体に固着されている。
【００３７】
他方の電極端子３１は、金属ベース３の他方の長手方向端部付近に設けられた別の電極端子３３と、該金属ベースの表面に形成された配線３４により接続されている。電極端子３１、３３は金属ベース３を垂直方向に貫通して設けられ、配線３４と共に、その周囲に設けられたガラス材料からなる絶縁部３５によって金属ベース３から電気的に絶縁され、かつ該金属ベースと一体に固着されている。
【００３８】
金属ベース３の表面に露出する電極端子３０、３１の上端面には、金属バンプ７、７が形成されている。長方形の水晶薄板の両面に励振電極を形成した水晶振動片２は、その基端部において、各励振電極からの引出電極を金属ベース３表面の前記金属バンプからなる接続電極に整合させ、導電性接着剤８、８で片持ちに略水平に固定しかつ電気的に接続する。蓋４は、水晶振動片２を金属ベース３に実装しかつ周波数を調整した後、窒素又は真空雰囲気内で金属間接合により、または他の公知手段を用いて金属ベースに接合する。
【００３９】
第２実施例の金属ベース３を製造する工程を、以下に図８−１乃至図８−５を用いて説明する。電極端子３０及びその絶縁部３２は、図２−１乃至図２−５に関連して上述した第１実施例の電極端子５及び絶縁部６と同じ工程で形成されるので、その説明は省略し、電極端子３１、３３及び配線３４を形成する要領を説明する。
【００４０】
先ず、図８−１に示すように、所定厚さの金属薄板１０の表裏各面に形成したフォトレジスト膜３６ａ、３６ｂに、フォトリソグラフィ技術を利用して、絶縁部３５に対応するエッチングパターン３７ａ、３７ｂを転写する。各エッチングパターン３７ａ、３７ｂには、電極端子３１、３３に相当する円形部分を結合するための連結部３８ａ、３８ｂ、３９ａ、３９ｂが設けられ、平面上互いに重ならないように配置される。
【００４１】
図８−２に示すように、適当なエッチング液を用いて金属薄板１０を両面から所定の深さまでハーフエッチングし、前記各連結部を除いて絶縁部３５に対応する形状の溝４０を形成した後、残存するフォトレジスト膜３６ａ、３６ｂを完全に除去する。エッチング量は、エッチングパターン３７ａの配線３４に相当する部分の裏側に金属薄板１０が必要な配線の厚さを残すように、また前記各連結部の裏側に或る僅かな厚さを残すように調整する。前記連結部に残存する連結部分４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂにより、電極端子３１、３３に対応する円柱部分４３、４４及び配線部分４５が溝４０を挟んで金属薄板１０と一体に形成される。
【００４２】
次に、図３に関連して上述した第１実施例と同様にして、従来からシール用、モールド用又はパッシベーション用として使用されている各種粉末ガラス、低融点ガラスのような流動性のガラス材料を溝４０内に充填し、焼成して、図８−３に示すように絶縁部３５を形成する。前記ウエットエッチングにより形成された溝４０の内面はかなり粗い面であるので、硬化したガラス材料との密着性が良く、絶縁部３５は円柱部分４３、４４及び配線部分４５並びにその周囲の金属薄板１０部分と緊密にかつ強固に接着される。
【００４３】
次に、連結部分４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂを除去し、円柱部分４３、４４及び配線部分４５を完全に分離独立させて、図８−４に示すように電極端子３１、３３及び配線３４を形成する。前記各連結部分は、例えばレーザビームやウエットエッチングまたはドライエッチングで選択的に簡単に削除することができる。
【００４４】
各連結部分を除去した後に残る僅かな凹み４６は、溝４０の円柱部分４３、４４の周囲に形成する部分の幅を予め適当な寸法に設定することによって、電極端子３１、３３と周囲の金属薄板１０間の電気的絶縁性を確保することができる。更に、図８−５に示すように、凹み４６も同様にガラス材料を焼成するなどして、絶縁材４７で充填すれば、電極端子３１、３３と周囲の金属薄板１０間の電気的絶縁性をより確実にすることかできる。
【００４５】
図９は、図７に示す第２実施例の変形例による水晶振動子の表面実装に適した構成を示している。この変形例のパッケージ１は、金属ベース３裏面の長手方向両端部付近に絶縁膜４８ａ、４８ｂが形成され、その上に外部電極４９ａ、４９ｂが形成されている。水晶振動片２の基端部側の外部電極４９ａは、隣接する一方の電極端子３０と電気的に接続され、かつ反対側の外部電極４９ｂは、他方の電極端子３１に配線３４を介して接続された電極端子３３と電気的に接続されている。
【００４６】
絶縁膜４８ａ、４８ｂは、例えば二酸化珪素を蒸着またはスパッタリングなどで被着することにより形成される。外部電極４９ａ、４９ｂは、導電材料をメタライズすることにより、例えばＣｕ／Ａｕ膜を被着することによって形成される。電極端子３０、３３の外端面は、例えば予めＮｉ、Ａｕを電解めっきしておくと、その上に外部電極４９ａ、４９ｂを形成することが容易である。
【００４７】
以上、本発明の好適実施例について詳細に説明したが、本発明は、上記実施例に限定されるものでなく、その技術的範囲内において上記各実施例に様々な変更・変形を加えて実施することができる。例えば、上記各実施例では、金属薄板に１個の水晶振動子用金属ベースを製造する場合について説明したが、１枚の大きな金属薄板に多数の電極端子及び必要に応じて配線を形成し、これを個片に分割して多数の金属ベースを同時に製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】（Ａ）図は本発明による水晶振動子の第１実施例を、パッケージの蓋を省略して示す平面図、（Ｂ）図はそのＩ−Ｉ線における断面図。
【図２】図２−１乃至図２−５は、図１の金属ベースに電極端子を形成する工程を順に示し、各図において（Ａ）図は金属ベースの表面を示す部分拡大図、（Ｂ）図はその裏面を示す部分拡大図、（Ｃ）図は（Ａ）図のII１−II１線乃至II５−II５線における断面図。
【図３】図２−３の工程においてガラス材料の充填作業を概略的に示す部分断面斜視図。
【図４】金属ベースに形成した電極端子及び絶縁部を拡大して示す斜視図。
【図５】図５−１乃至図２−６は、図１の金属ベースに電極端子を形成する別の工程を順に示し、各図において（Ａ）図は金属ベースの表面を示す部分拡大図、（Ｂ）図はその裏面を示す部分拡大図、（Ｃ）図は（Ａ）図のＶ１−Ｖ１線乃至Ｖ６−Ｖ６線における断面図。
【図６】図５の工程により金属ベースに形成した電極端子及び絶縁部を拡大して示す斜視図。
【図７】（Ａ）図は本発明による水晶振動子の第２実施例を、パッケージの蓋を省略して示す平面図、（Ｂ）図はそのＶII−ＶII線における断面図、（Ｃ）図はその底面図。
【図８】図８−１乃至図８−５は、図７の金属ベースに電極端子及び配線を形成する工程を順に示し、各図において（Ａ）図は金属ベースの表面を示す部分拡大図、（Ｂ）図はその裏面を示す部分拡大図、（Ｃ）図は（Ａ）図の１Ｃ−１Ｃ線乃至５Ｃ−５Ｃ線における断面図、（Ｄ）図は（Ａ）図の１Ｄ−１Ｄ線乃至５Ｄ−５Ｄ線における断面図、（Ｅ）図は（Ａ）図の１Ｅ−１Ｅ線乃至５Ｅ−５Ｅ線における断面図。
【図９】（Ａ）図は図７に示す第２実施例の変形例による水晶振動子の底面図、（Ｂ）図はそのIX−IX線における断面図。
【符号の説明】
【００４９】
１…パッケージ、２…水晶振動片、３…金属ベース、４…蓋、５，３０，３１，３３…電極端子、６，３２，３５…絶縁部、７…金属バンプ、８…導電性接着剤、９…接合部、１０…金属薄板、１１，２６，３６ａ，３６ｂ…フォトレジスト膜、１２，３７ａ，３７ｂ…エッチングパターン、１３，３８ａ，３８ｂ，３９ａ，３９ｂ…連結部、１４，４０…溝、１５，４３，４４…円柱部分、１６，４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ…連結部分、１７…作業台、１８…ガラス材料、１９…スキージ、２０，４６…凹み、２１…絶縁材、２２ａ，２２ｂ…第１エッチングパターン、２３…円形部分、２４ａ，２４ｂ…第１溝、２５ａ，２５ｂ…第１絶縁部分、２７ａ，２７ｂ…第２エッチングパターン、２８ａ，２８ｂ…第２溝、２９ａ，２９ｂ…第２絶縁部分、３４…配線、４５…配線部分、４７…絶縁体、４８ａ，４８ｂ…絶縁膜、４９ａ，４９ｂ…外部電極
【図１】
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【図２−１】
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【図２−２】
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【図２−３】
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【図２−４】
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【図２−５】
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【図３】
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【図４】
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【図５−１】
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【図５−２】
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【図５−３】
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【図５−４】
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【図５−５】
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【図５−６】
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【図６】
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【図７】
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【図８−１】
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【図８−２】
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【図８−３】
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【図８−４】
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【図８−５】
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【図９】
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