(57)【要約】【課題】キンクレベルを低下させることなく、低アスペクトにできる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】一方の導電型の半導体層とリッジ部を有する他方の導電型の半導体層の間に活性層が設けられ、両端部に非利得領域である窓領域を有するリッジ構造の半導体レーザ素子であって、その窓領域におけるリッジ部とその両側の等価屈折率差を、窓領域を除く利得領域におけるリッジ部とその両側の等価屈折率差より大きいした。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の導電型の半導体層とリッジ部を有する他方の導電型の半導体層の間に活性層が設けられ、両端部に非利得領域である窓領域を有するリッジ構造の半導体レーザ素子であって、
その窓領域のリッジ部とその外側の等価屈折率差は、上記窓領域を除く利得領域のリッジ部とその外側の等価屈折率差より大きいことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
上記窓領域において上記リッジ部の両側の活性層上に残された他方の導電型の半導体層の厚さが、上記利得領域において上記リッジ部の両側の活性層上に残された他方の導電型の半導体層の厚さより薄い請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
上記リッジ部の両側に埋め込み層が設けられた請求項２記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
上記窓領域のリッジ部の両側を除く上記リッジ部の両側に埋め込み層を有する請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
上記リッジ部の両側に埋め込み層を有し、上記窓領域の埋め込み層の屈折率を、上記利得領域の埋め込み層の屈折率に比較して低くした請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
上記窓領域の埋め込み層は、上記利得領域の埋め込み層に比較して屈折率の低い材料からなる請求項５記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
上記窓領域の埋め込み層は、上記利得領域の埋め込み層に比較してキャリア濃度が高い請求項５記載の半導体レーザ素子。
【請求項８】
一方の導電型の半導体層とリッジ部を有する他方の導電型の半導体層の間に活性層が設けられ、両端部に非利得領域である窓領域を有するリッジ構造の半導体レーザ素子であって、
上記窓領域の上記リッジ部両側に、光を吸収する材料からなる埋め込み層を有することを特徴とする半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ素子、特に情報記録用装置の光源として用いられる半導体レーザ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、デジタル情報化技術の進歩により、情報記録用光ディスクにおける記録密度は増加の一途をたどっているが、同時に光ディスクへの情報記録速度の向上の為、情報記録装置の光源である半導体レーザ素子には高出力化が求められている。しかしながら、使用する上で例えばキンク等のような、電流と光出力の間に非線形性が現われることは好ましくなく、高出力にしてもキンクの発生のない、言いかえるとキンクレベルの高い半導体レーザ素子が必要とされる。
【０００３】
また、記録速度の向上のためには、半導体レーザ素子からの光を光ディスクまで導くレンズ系と、高い光結合効率が得られる低アスペクト特性（レーザ出射光の垂直広がり角ＦＦＰｙと水平広がり角ＦＦＰｘの比であるＦＦＰｙ／ＦＦＰｘが小さいこと）を有する半導体レーザ素子が有効である。
このように、記録密度を向上させる上では、キンクレベルの高い低アスペクト比の半導体レーザ素子が必要とされる。
【０００４】
【特許文献１】
特開平２−１７８９８８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、低アスペクト比を得るために、ＦＦＰｙを小さくする方法と、ＦＦＰｘを大きくする方法があるが、ＦＦＰｙを小さくすると温度特性が悪化し、ＦＦＰｘを大きくするとキンクレベルが低くなるという問題があった。
したがって、従来は高出力でかつ低アスペクトのレーザを作製することが困難であった。
例えば、低アスペクトを得るために、ＦＦＰｘを大きくしようとすると、水平方向の光の閉じ込めを大きくする必要があるが、光の閉じ込めを大きくすると空間的なホールバーニングによりキャリア注入の不均一が生じキンクが発生する。
【０００６】
そこで、本発明は、ＦＦＰｘを大きくした場合であってもキンクの発生を抑制できる構造を持った半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体レーザ素子は、一方の導電型の半導体層とリッジ部を有する他方の導電型の半導体層の間に活性層が設けられ、両端部に非利得領域である窓領域を有するリッジ構造の半導体レーザ素子であって、
その窓領域におけるリッジ部とその両側との間の等価屈折率差は、上記窓領域を除く利得領域における上記リッジ部とその両側との間の等価屈折率差より大きいことを特徴とする。
このように構成された本発明に係る半導体レーザ素子は、キンクレベルを低下させることなく、低アスペクトにできる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明に係る実施の形態について説明する。
実施の形態１．
本発明に係る実施の形態１の半導体レーザダイオードは、図２（ａ）（ｂ）に示すように、リッジ型の半導体レーザダイオードであって、リッジ部９の両側の活性層３の上には、上クラッド層の一部が残るようにリッジ部９が形成されており、両端部には光学損傷を防止するための非利得領域である窓領域１１が形成されている（図１）。
そして、本実施の形態１の半導体レーザダイオードでは、窓領域１１の上クラッド残し層４ａが利得領域１０の上クラッド残し層４ｂより薄くなるように構成している。
【０００９】
このように構成された実施の形態１の半導体レーザダイオードでは、窓領域１１である非利得領域における等価屈折率差Δｎ１１を、利得領域１０の等価屈折率差Δｎ１０より大きくすることができるので、これによりＦＦＰｘを大きくすることができ、低アスペクトが得られる。
一方、等価屈折率差Δｎ１１を大きくするために、上クラッド残し層４ａの厚さを薄くした窓領域１１は利得の無い、又は利得の小さい非利得領域であるために、光閉じ込め強くしてもキンクレベルが低下することはない。
したがって、実施の形態１の半導体レーザ素子は、キンクレベルを低下させることなく、低アスペクトを実現できる。
【００１０】
次に、本発明に係る実施の形態１の半導体レーザ素子の製造方法について図３を参照しながら説明する。
本製造方法では、まず、半導体基板１上に、下クラッド層２、多重量子井戸活性層３、第１上クラッド残し層４１、エッチングストッパー層ＥＳＬ１、第２上クラッド残し層４２、エッチングストッパー層ＥＳＬ２、上クラッド層４３及びコンタクト層６を順にエピタキシャル成長させる（図３）。
【００１１】
尚、ＤＶＤ用の６６０ｎｍ半導体レーザダイオードを構成する場合の基板及び半導体層の材料の例を表１に挙げる。
表１
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表１中、上クラッド層は、第１上クラッド残し層４１、第２上クラッド残し層４２及び上クラッド層４３を表している。
また、エッチングストッパー層ＥＳＬ１及びエッチングストッパー層ＥＳＬ２としては、例えば、ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層を用いることができる。
【００１２】
また、別の例として、ＣＤ用の７８０ｎｍ半導体レーザダイオードを構成する場合の例を挙げておく。
表２
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表２中、上クラッド層は、第１上クラッド残し層４１、第２上クラッド残し層４２及び上クラッド層４３を表している。
この表１及び表２に示したＧａＡｓ基板を用いて構成することができる材料系では、窓領域１１を形成するための不純物は、Ｓｉ，プロトン，Ｚｎを用いることができる。
尚、表１及び表２に示したｐ型ｎ型の極性は、逆であってもよい。
また、表１及び表２に示したものは、具体的材料の例示であって本願はこれらの材料に限定されるものではない。
【００１３】
エピタキシャル成長後、窓領域を構成するための領域Ａの部分に、イオン注入又は拡散等により不純物を活性層を超えるようにドープする。これにより、ドープされた活性層のバンドギャップが大きくなり、光の吸収のない窓領域１１が形成される。この窓領域１１は、光の吸収がなくかつ光の増幅作用もない非利得領域である。
尚、窓領域１１は、端面から５μｍ〜５０μｍの部分、より一般的には、２０μｍ〜３０μｍの部分に形成される。
【００１４】
次に、窓領域１１を形成する領域Ａのコンタクト層６を全て又は途中までエッチングする（図４）。
そして、リッジを形成するための保護膜Ｒ１を形成し、保護膜Ｒ１の両側をドライエッチングする（図５）。この際、領域Ａにおいては、第２上クラッド残し層４２の途中まで、利得領域を形成するための領域Ｂにおいては、上クラッド層４３の途中までエッチングされるようにエッチング条件を設定する。
すなわち、本製造方法では、図４を用いて説明した領域Ａのコンタクト層６をエッチングすることにより形成された領域Ａと領域Ｂの間の段差に等しい段差が、リッジ脇部の領域Ａと領域Ｂの間に形成される。
【００１５】
次に、ウェットエッチングにより、第２上クラッド残し層４２及び上クラッド層４３の露出している部分を除去する。このウェットエッチングでは、領域Ａは第１エッチングストッパー層ＥＳＬ１まで、領域Ｂは第２エッチングストッパー層ＥＳＬ２までエッチングされる（図６）。
このような製造方法において、第１上クラッド残し層４１、第２上クラッド残し層４２及び上クラッド層４３の厚さを適宜設定することにより、所望の厚さの窓領域１１における上クラッド残し層４ａ及び利得領域１０における上クラッド残し層４ｂを容易にかつ再現性よく形成することができる。
【００１６】
以上の実施の形態１の半導体レーザ素子では、リッジ部９の両側が半導体によって埋め込まれていない構造のものについて説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、図７に示すようにリッジ部９の両側を電流阻止層２１により埋め込んだ構造のレーザ素子にも適用できる。尚、図７（ａ）は、窓領域の断面図であり、図７（ｂ）は利得領域の断面図である。
【００１７】
実施の形態２．
本発明に係る実施の形態２の半導体レーザ素子は、実施の形態１とは以下の点で異なる他は、実施の形態１と同様に構成されている（図８）。
尚、図８において、実施の形態１と同様のものには同様の符号を付している。
相違点１．
実施の形態２の半導体レーザダイオードではリッジ部の両側の活性層の上には、窓領域１１から利得領域１０に亙って同一の厚さの上クラッド残し層４ｃが形成されている。
相違点２．
利得領域１０のリッジ部の両側のみに電流阻止層（埋め込み層）２１が形成されている。
【００１８】
このように構成された実施の形態２の半導体レーザダイオードにおいても、非利得領域（窓領域）におけるリッジ部とリッジ脇部との間の等価屈折率差Δｎ１１を、利得領域１０におけるリッジ部とリッジ脇部との間の等価屈折率差Δｎ１０より大きくすることができる。
したがって、本実施の形態２の構成によつても、ＦＦＰｘを大きくすることができ、低アスペクトが得られ、等価屈折率差Δｎ１１の大きい窓部は非利得領域であるために、光閉じ込め強くしてもキンクレベルが低下することはない。
したがって、実施の形態２の半導体レーザ素子により、実施の形態１と同様の作用効果が得られる。
【００１９】
実施の形態３．
本発明に係る実施の形態３の半導体レーザ素子は、窓領域１１におけるリッジ部の両側に、利得領域１０のリッジ部の両側に埋めこまれた電流阻止層２１より屈折率の小さい半導体からなる埋め込み層２１ａを形成した以外は、実施の形態２と同様に構成されている（図９（ａ）（ｂ））。
尚、図９において、実施の形態１及び２と同様のものには同様の符号を付している。
【００２０】
このように構成された実施の形態３の半導体レーザダイオードにおいても、非利得領域（窓領域）におけるリッジ部とリッジ脇部との間の等価屈折率差Δｎ１１を、利得領域１０におけるリッジ部とリッジ脇部との間の等価屈折率差Δｎ１０より大きくすることができる。
したがって、本実施の形態３の構成によっても、ＦＦＰｘを大きくすることができることから、低アスペクトが得られ、等価屈折率差Δｎ１１の大きい窓部は非利得領域であるために、光閉じ込め強くしてもキンクレベルが低下することはない。
したがって、実施の形態３の半導体レーザ素子により、実施の形態１及び２と同様の作用効果が得られる。
【００２１】
以上の実施の形態３では、窓領域１１におけるリッジ部の両側に、電流阻止層２１より屈折率の小さい半導体からなる埋め込み層２１ａを形成したが、窓領域１１におけるリッジ部の両側と利得領域１０のリッジ部の両側とに同様の半導体からなる埋め込み層を形成し、窓領域１１におけるリッジ部の両側のキャリア濃度を利得領域の両側に比較して高くして、高キャリア濃度埋め込み層２１ｂとしてもよい（図１０）。
このように構成しても、プラズマ効果により高キャリア濃度埋め込み層２１ｂの屈折率を低くでき、実施の形態３と同様の作用効果が得られる。
【００２２】
実施の形態４．
本発明に係る実施の形態４の半導体レーザ素子は、窓領域１１におけるリッジ部の両側に、レーザ発振した光を吸収する、例えば、ＧａＡｓからなる材料を用いて電流阻止層２１ｃを形成したものである。
尚、利得領域１０の構成は、実施の形態１と同様であってもよいし、実施の形態２と同様であってもよい（図１１は、実施の形態２と同様であるものとして描いている）。
【００２３】
以上のように構成した実施の形態４の半導体レーザ素子では、電流阻止層２１ｃによって光を吸収させることにより、端面における光の水平方向のスポットサイズを小さくすることができる。
これにより、光の回折現象により水平方向のファーフィールドパターン（ＦＦＰｘ）を大きくすることができ、キンクレベルを低下させることなく低アスペクトを実現できる。
【００２４】
実施の形態５．
本発明に係る実施の形態５は、窓領域１１の上クラッド残し層４ａを利得領域１０の上クラッド残し層４ｂより薄くなるように形成する方法であって、実施の形態１において説明した方法とは異なる方法である。
【００２５】
具体的には、本製造方法では、実施の形態１で説明した方法において、エッチングストッパー層ＥＳＬ２を多重量子井戸構造とし、かつエッチングストッパー層ＥＳＬ１は形成しないようにする。すなわち、本方法では、第１上クラッド残し層４１と第２上クラッド残し層４２とを連続して同一材料で形成する。
ここで、多重量子井戸構造のエッチングストッパー層ＥＳＬ２としては、Ｇａ０．５８Ｉｎ０．４２Ｐウエル層と（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５１Ｉｎ０．４９Ｐバリア層からなる多重量子井戸構造のものを用いることができる。
【００２６】
次に、実施の形態１と同様にして、窓領域を構成するための領域Ａの部分に、イオン注入又は拡散等により不純物をドープする。これにより、窓領域における多重量子井戸構造のエッチングストッパー層ＥＳＬ２が無秩序化されてエッチングストッパー機能が失われる。
【００２７】
このようにした後、リッジ部を形成するためのエッチングをすると、窓領域においては、エッチングストッパー層ＥＳＬ２を超えてエッチングされるのに対して、利得領域では、エッチングストッパー層ＥＳＬ２でエッチングが止まる。
これにより、窓領域１１における上クラッド残し層４ａの厚さを、利得領域１０における上クラッド残し層４ｂの厚さより容易に薄くできる。
【００２８】
実施の形態６．
本発明に係る実施の形態６は、実施の形態１に示した構造の素子をエッチングストッパー層を形成することなく製造する製造方法に係るものである。
具体的には、実施の形態６では、リッジ部９を形成するエッチングの際、リッジ部の両側に、窓領域１１から利得領域１０に亙って同一の厚さに上クラッド残し層４ｅを形成する。そして、窓領域に選択成長用のマスクを形成し、利得領域１０におけるリッジ部の両側に上クラッド残し層４ｆを選択成長させる（図１２（ａ）（ｂ））。
このようにして、利得領域１０における上クラッド残し層４ｂの厚さを、選択成長させる上クラッド残し層４ｆの厚さ分だけ厚くできる。
以上の実施の形態６の製造方法によれば、実施の形態１の構造の半導体レーザ素子を容易に製造できる。
【００２９】
実施の形態７．
本発明に係る実施の形態７は、窓領域１１の上クラッド残し層４ａを利得領域１０の上クラッド残し層４ｂより薄くなるように形成する方法であって、実施の形態１，５，７で説明した方法とは異なる方法である。
【００３０】
具体的には、本製造方法は、互いに平行な２つの溝３０を形成して、その２つの溝３０の間をリッジ部とする半導体レーザ素子を製造する方法であって、窓領域を形成する領域Ａと利得領域を形成する領域Ｂとの間で溝３０の幅を変え、これにより窓領域１１の上クラッド残し層４ａを利得領域１０の上クラッド残し層４ｂより薄くするものである（図１３，図１４（ａ）（ｂ））。
すなわち、本方法では、窓部を形成するための領域Ａの溝３１の幅が利得領域を形成する溝３２の幅より狭くなるように、リッジ部の両側をエッチングする。
【００３１】
より具体的には、コンタクト層上にエッチングレジスト膜を形成し、リッジを形成する部分の両側に、半導体レーザ素子の端部にあたる第１領域において幅が広く、他の部分において幅の狭い開口部を形成する。
そして、マスクの開口部を介してコンタクト層と上クラッド層とをエッチングにより所定の深さまで除去する。
このようにすると、幅（エッチング域）の狭い溝３１の部分では、エッチング材料の供給速度が溝の幅の広い部分に比較して早いため、溝３１の部分ではエッチングが早く進む。これにより、窓領域１１の上クラッド残し層４ａを利得領域１０の上クラッド残し層４ｂより容易に薄くできる。
【００３２】
以上のように、実施の形態７の製造方法によっても、キンクレベルの高い低アスペクトの半導体レーザダイオードを製造できる。
【００３３】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係る半導体レーザ素子は、その窓領域におけるリッジ部とその両側との間の等価屈折率差を上記窓領域を除く利得領域における上記リッジ部とその両側との間の等価屈折率差より大きくしているので、キンクレベルを低下させることなく、低アスペクトにできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る実施の形態１の半導体レーザダイオードの共振方向に平行な断面における断面図である。
【図２】（ａ）は実施の形態１の半導体レーザダイオードの窓領域における（図１のＡ−Ａ’線についての）断面図であり、（ｂ）は実施の形態１の半導体レーザダイオードの利得領域における（図１のＢ−Ｂ’線についての）断面図である。
【図３】実施の形態１の半導体レーザ素子の製造方法において、各半導体層を成長させた後の斜視図である。
【図４】実施の形態１の半導体レーザ素子の製造方法において、コンタクト層をエッチングした後の斜視図である。
【図５】実施の形態１の半導体レーザ素子の製造方法において、リッジ部を形成するための第１回目のエッチングが終了した後の斜視図である。
【図６】実施の形態１の半導体レーザ素子の製造方法において、リッジ部を形成するための第２回目のエッチングが終了した後の斜視図である。
【図７】（ａ）は実施の形態１の変形例に係る半導体レーザダイオードの窓領域における断面図であり、（ｂ）は実施の形態１の変形例に係る半導体レーザダイオードの利得領域における断面図である。
【図８】実施の形態２の半導体レーザダイオードの斜視図である。
【図９】（ａ）は実施の形態３の半導体レーザダイオードの窓領域における断面図であり、（ｂ）は実施の形態３の半導体レーザダイオードの利得領域における断面図である。
【図１０】実施の形態３の変形例に係る半導体レーザダイオードの窓領域における断面図である。
【図１１】実施の形態４の半導体レーザダイオードの窓領域における断面図である。
【図１２】（ａ）は実施の形態６の半導体レーザダイオードの窓領域における断面図であり、（ｂ）は実施の形態６の半導体レーザダイオードの利得領域における断面図である。
【図１３】本発明に係る実施の形態７の半導体レーザダイオードの共振方向に平行な断面における断面図である。
【図１４】（ａ）は実施の形態７の半導体レーザダイオードの窓領域における断面図であり、（ｂ）は実施の形態７の半導体レーザダイオードの利得領域における断面図である。
【符号の説明】
１  半導体基板、２  下クラッド層、３  多重量子井戸活性層、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｅ，４ｆ  上クラッド残し層、６  コンタクト層、９  リッジ部、９ｓ  リッジ脇部、１０  利得領域、１１  窓領域、２１，２１ｃ  電流阻止層、２１ａ  埋め込み層、２１ｂ  高キャリア濃度埋め込み層、３０，３１，３２  溝、４１  第１上クラッド残し層、４２  第２上クラッド残し層、４３  上クラッド層、ＥＳＬ１，ＥＳＬ２…エッチングストッパー層、Ｒ１  保護膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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