(57)【要約】      （修正有）【課題】透明な反応管が失透しても、ウエハ移載機のティーチング作業を正確に行うことのできる基板処理装置のティーチング方法を提供する。【解決手段】基板２００を収容する処理室に対して基板２００を搬入出する基板搬送手段１１２の基板搬送位置を決めるティーチング方法であって、処理室に基板検出手段７を挿入し、前記基板検出手段７の検出情報に基づき前記基板搬送手段１１２の基板搬送位置を定める。これにより、反応管が失透していたとしても、基板２００の位置を基板検出手段７により直接、目視することができ、精度の良いティーチングを容易に行うことができる。【選択図】図１
2005019677.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理室に対して基板を搬入出する基板搬送手段の基板搬送位置を決めるティーチング方法であって、
処理室に基板検出手段を挿入し、前記基板検出手段の検出情報に基づき前記基板搬送手段の基板搬送位置を定めること
を特徴とするティーチング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は減圧下の処理室にて、ウエハ等の基板に薄膜の成膜、不純物の拡散、エッチング等の処理を行う基板処理装置に関するものであり、特に処理室に基板を搬入出するための基板搬送手段の搬送位置や搬送経路を設定するティーチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
半導体製造装置などの基板処理装置には、ウエハ等の基板に成膜などの基板処理を行うための処理室が備えられており、前記処理室は透明石英で作られた反応管等から構成されている。また、前記処理室にはウエハを支持するウエハ支持台が備えられ、制御手段により制御された基板搬送手段としてのウエハ移載機によってウエハを処理室外から処理室内の前記ウエハ支持台に搬入、又は、ウエハを処理室内のウエハ支持台から処理室外へ搬出できるようになっている。
【０００３】
上述のようなウエハ移載機を用いて、処理室に対してウエハの搬入出を行う場合、予めウエハ移載機の移動経路や停止位置などを制御手段にティーチング（学習）させ、ウエハ搬送中、ウエハの処理室への接触や、ウエハ移載機の処理室への接触等によるウエハや処理室の破損を防止するため、ウエハをウエハ支持台に正確に載置できるようにする必要がある。
【０００４】
図８を用いて、従来のウエハ移載機のティーチング方法を説明する。透明石英で作られた反応管２０３内にウエハ（基板）２００を支持するウエハ支持台２１７が設けられる。ウエハ移載機１１２のティーチングを行う場合、ウエハ２００を保持したウエハ移載機１１２を少しずつ移動させ、視点１、２より透明石英管内のウエハ位置を直接、目視で確認することで、ウエハ移載機１１２の移動経路や停止位置を制御手段にティーチングさせていた。
【０００５】
このようなティーチングは基板処理装置の製造時に行われているが、その他にも反応管内壁に付着した副生成物をウエットクリーニングするために反応管を処理室から取外した場合や、何らかの原因により反応管を新品に取替えた場合など、処理室を再組立てした場合、一度、ティーチングを行った後でも、反応管やウエハ支持台などの位置が僅かに異なるため、再度、ティーチングが行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、ウエハ処理時に反応管内壁に付着した副生成物を除去するために、フッ素ガスを用いたドライクリーニングや、フッ酸を用いたウエットクリーニングを行っているが、これらのクリーニングを行うと、反応管内壁に付着した副生成物を除去するだけでなく、反応管自体をも削ってしまい、石英製の反応管の内壁が荒れてしまう。その結果として反応管は失透し、視点１、２からウエハ位置を直接確認することができず、ティーチングが行えなくなる。
【０００７】
従来はこの問題を解決するため、失透した反応管に対してティーチングを行う場合、図７に示すように、反応管の一方に光源３を設置し、浮び上ったぼやけた影を他方（視点４）から目視したり、反応管２０３の側面開口部５から目視（視点６）したりして、ウエハのおおよその位置を目測により特定し、ティーチングを行っていた。
【０００８】
上述したような失透した反応管に対するティーチングは、ウエハの位置が正確に特定できないため、ティーチングを行う作業員毎にティーチングの正確さが変化し、品質の揃った作業を行うことが困難であった。また、ウエハ位置の目測誤りにより、ウエハ搬送時（ティーチング時）、ウエハやウエハ移載機が反応管と接触し、ウエハや反応管を破損させる問題があった。また、ウエハ位置を容易に特定できないので、ティーチング作業を何度も繰返すなどして、ティーチング作業に時間がかかるという問題もあった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の特徴とするところは、基板を収容する処理室に対して基板を搬入出する基板搬送手段の基板搬送位置を決めるティーチング方法であって、処理室に基板検出手段を挿入し、前記基板検出手段の検出情報に基づき前記基板搬送手段の基板搬送位置を定めることである。処理室に基板検出手段を挿入し、前記基板検出手段の検出情報に基づき前記基板搬送手段の基板搬送位置を定めるようにしたので、反応管が失透していたとしても、基板の位置を基板検出手段により直接、目視することができ、精度の良いティーチングを容易に行うことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１１】
図３および図４に於いて、本発明が適用される基板処理装置の概要を説明する。
【００１２】
なお、本発明が適用される基板処理装置においてはウエハなどの基板を搬送するキャリヤとしては、ＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔ  ｏｐｅｎｉｎｇ  ｕｎｉｆｉｅｄ  ｐｏｄ  。以下、ポッドという。）が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は図３を基準とする。すなわち、図３が示されている紙面に対して、前は紙面の下、後ろは紙面の上、左右は紙面の左右とする。
【００１３】
図３および図４に示されているように、基板処理装置は真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された第一の搬送室１０３を備えており、第一の搬送室１０３の筐体１０１は平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第一の搬送室１０３には負圧下で二枚のウエハ２００を同時に移載する第一のウエハ移載機１１２が設置されている。前記第一のウエハ移載機１１２は、エレベータ１１５によって、第一の搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
【００１４】
筐体１０１の六枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室１２２と搬出用の予備室１２３とがそれぞれゲートバルブ２４４，１２７を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。さらに、予備室１２２には搬入室用の基板置き台１４０が設置され、予備室１２３には搬出室用の基板置き台１４１が設置されている。
【００１５】
予備室１２２および予備室１２３の前側には、略大気圧下で用いられる第二の搬送室１２１がゲートバルブ１２８、１２９を介して連結されている。第二の搬送室１２１には二枚のウエハ２００を同時に移載する第二のウエハ移載機１２４が設置されている。第二のウエハ移載機１２４は第二の搬送室１２１に設置されたエレベータ１２６によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００１６】
図３に示されているように、第二の搬送室１２１の左側にはオリフラ合わせ装置１０６が設置されている。また、図４に示されているように、第二の搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。
【００１７】
図３および図４に示されているように、第二の搬送室１２１の筐体１２５には、ウエハ２００を第二の搬送室１２１に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口１３４と、前記ウエハ搬入搬出口を閉塞する蓋１４２と、ポッドオープナ１０８がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１０８は、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ及びウエハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２を開閉するキャップ開閉機構１３６とを備えており、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ及びウエハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２をキャップ開閉機構１３６によって開閉することにより、ポッド１００のウエハ出し入れを可能にする。また、ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、前記ＩＯステージ１０５に、供給および排出されるようになっている。
【００１８】
図３に示されているように、筐体１０１の六枚の側壁のうち背面側に位置する二枚の側壁には、ウエハに所望の処理を行う第一の処理炉２０２と、第二の処理炉１３７とがそれぞれ隣接して連結されている。第一の処理炉２０２および第二の処理炉１３７はいずれもホットウオール式の処理炉によってそれぞれ構成されている。また、筐体１０１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第三の処理炉としての第一のクーリングユニット１３８と、第四の処理炉としての第二のクーリングユニット１３９とがそれぞれ連結されており、第一のクーリングユニット１３８および第二のクーリングユニット１３９はいずれも処理済みのウエハ２００を冷却するように構成されている。
【００１９】
以下、前記構成をもつ基板処理装置を使用した処理工程を説明する。
【００２０】
未処理のウエハ２００は２５枚がポッド１００に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図３および図４に示されているように、搬送されて来たポッド１００はＩＯステージ１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド１００のキャップ及びウエハ搬入搬出口１３４を開閉する蓋１４２がキャップ開閉機構１３６によって取り外され、ポッド１００のウエハ出し入れ口が開放される。
【００２１】
ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放されると、第二の搬送室１２１に設置された第二のウエハ移載機１２４はポッド１００からウエハ２００を二枚ずつピックアップし、予備室１２２に搬入し、二枚のウエハ２００を基板置き台１４０に移載する。この移載作業中には、第一の搬送室１０３側のゲートバルブ２４４は閉じられており、第一の搬送室１０３の負圧は維持されている。ウエハ２００の基板置き台１４０への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００２２】
予備室１２２が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ２４４、１３０が開かれ、予備室１２２、第一の搬送室１０３、第一の処理炉２０２が連通される。続いて、第一の搬送室１０３の第一のウエハ移載機１１２は基板置き台１４０からウエハ２００を二枚ずつピックアップして第一の処理炉２０２に搬入する。そして、第一の処理炉２０２内に処理ガスが供給され、所望の処理がウエハ２００に行われる。
【００２３】
第一の処理炉２０２で前記処理が完了すると、処理済みの二枚のウエハ２００は第一の搬送室１０３の第一のウエハ移載機１１２によって第一の搬送室１０３に搬出される。
【００２４】
そして、第一のウエハ移載機１１２は第一の処理炉２０２から搬出したウエハ２００を第一のクーリングユニット１３８へ搬入し、処理済みのウエハを冷却する。
【００２５】
第一のクーリングユニット１３８に二枚のウエハ２００を移載すると、第一のウエハ移載機１１２は予備室１２２の基板置き台１４０に予め準備された二枚のウエハ２００を第一の処理炉２０２に前述した作動によって移載し、第一の処理炉２０２内に処理ガスが供給され、所望の処理がウエハ２００に行われる。
【００２６】
第一のクーリングユニット１３８において予め設定された冷却時間が経過すると、冷却済みのウエハ２００は第一のウエハ移載機１１２によって第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出される。
【００２７】
冷却済みの二枚のウエハ２００が第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出されたのち、ゲートバルブ１２７が開かれる。そして、第１のウエハ移載機１１２は第一のクーリングユニット１３８から搬出した二枚のウエハ２００を予備室１２３へ搬送し、基板置き台１４１に移載した後、予備室１２３はゲートバルブ１２７によって閉じられる。
【００２８】
予備室１２３がゲートバルブ１２７によって閉じられると、前記排出用予備室１２３内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。前記予備室１２３内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ１２９が開かれ、第二の搬送室１２１の予備室１２３に対応したウエハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２と、ＩＯステージ１０５に載置された空のポッド１００のキャップがポッドオープナ１０８によって開かれる。続いて、第二の搬送室１２１の第二のウエハ移載機１２４は基板置き台１４１から二枚のウエハ２００をピックアップして第二の搬送室１２１に搬出し、第二の搬送室１２１のウエハ搬入搬出口１３４を通してポッド１００に収納して行く。処理済みの２５枚のウエハ２００のポッド１００への収納が完了すると、ポッド１００のキャップとウエハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２がポッドオープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００はＩＯステージ１０５の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
【００２９】
以上の作動が繰り返されることにより、ウエハが、二枚ずつ順次、処理されて行く。以上の作動は第一の処理炉２０２および第一のクーリングユニット１３８が使用される場合を例にして説明したが、第二の処理炉１３７および第二のクーリングユニット１３９が使用される場合についても同様の作動が実施される。
【００３０】
なお、上述の基板処理装置では、予備室１２２を搬入用、予備室１２３を搬出用としたが、予備室１２３を搬入用、予備室１２２を搬出用としてもよい。また、第一の処理炉２０２と第二の処理炉１３７は、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第一の処理炉２０２と第二の処理炉１３７で別の処理を行う場合、例えば第一の処理炉２０２でウエハ２００にある処理を行った後、続けて第二の処理炉１３７で別の処理を行わせてもよい。また、第一の処理炉２０２でウエハ２００にある処理を行った後、第二の処理炉１３７で別の処理を行わせる場合、第一のクーリングユニット１３８（又は第二のクーリングユニット１３９）を経由するようにしてもよい。
【００３１】
次に、図５、図６を参照して、本発明の一実施の形態の基板処理装置としてのニ枚葉装置の処理炉２０２の概略を説明する。図５は、本発明の一実施の形態の基板処理装置の処理炉２０２の概略縦断面図であり、図６は、本発明の一実施の形態の基板処理装置の処理炉２０２の概略横断面図である。
【００３２】
石英製、炭化珪素製、又はアルミナ製の反応容器としての反応管２０３は水平方向に扁平な空間を有しており、内部に基板としての半導体ウエハ（単にウエハとも呼ぶ）２００を収容する。反応管２０３内部には半導体ウエハ２００を支持する基板保持手段としてのウエハ支持台２１７が設けられ、反応管２０３の両端には気密にマニホールドとしてのガス導入フランジ２０９ａ、ガス導入フランジ２０９ｂが設けられ、一方のガス導入フランジ２０９ａには更に仕切弁としてのゲートバルブ２４４を介して搬送室（図示せず）が連接されている。前記反応管２０３、前記ガス導入フランジ２０９ａ、前記ガス導入フランジ２０９ｂ、前記ゲートバルブ２４４等で囲まれた空間により処理室２０１が形成される。ガス導入フランジ２０９ａ、ガス導入フランジ２０９ｂにはそれぞれ供給管としてのガス導入ライン２３２ａ、２３２ｂ、排気管としての排気ライン２３１ａ、２３１ｂが連通される。ガス導入ライン２３２ａ、２３２ｂには、処理室２０１内に導入するガスの流量を制御する流量制御手段２４１ａ、２４１ｂがそれぞれ設けられている。また、排気ライン２３１ａ、２３１ｂには、処理室２０１内の圧力を制御する圧力制御手段２４８ａ、２４８ｂがそれぞれ設けられている。処理室２０１の上下にはそれぞれ加熱手段としての上ヒータ２０７ａ、下ヒータ２０７ｂが設けられ、処理室２０１内部を均一にもしくは所定の温度勾配を生じさせて加熱するようになっている。また、上ヒータ２０７ａ、下ヒータ２０７ｂには、それぞれのヒータ温度を制御する温度制御手段２４７が接続されている。また上ヒータ２０７ａ、下ヒータ２０７ｂおよび処理室２０１を覆うように断熱部材としての断熱材２０８が設けられている。処理室２０１内の温度、処理室２０１内の圧力、処理室２０１内に供給するガスの流量は、それぞれ温度制御手段２４７、圧力制御手段２４８ａ、２４８ｂ、流量制御手段２４１ａ、２４１ｂにより、所定の温度、圧力、流量となるよう制御される。また、温度制御手段２４７、圧力制御手段２４８ａ、２４８ｂ、流量制御手段２４１ａ、２４１ｂは、主制御部２４９により制御される。
【００３３】
次に、半導体デバイスの製造工程の一工程として、上述した基板処理装置の処理炉を用いて基板を処理する方法について説明する。
【００３４】
処理室２０１内の温度がヒータ２０７ａ、２０７ｂにより処理温度に維持された状態で、ゲートバルブ２４４が開かれ、図示しないウエハ移載機１１２により図中左方より処理室２０１内に半導体ウエハ２００が搬入され、ウエハ支持台２１７に載置される。本例ではウエハ支持台２１７には２枚のウエハ２００が載置され、２枚のウエハ２００が同時に処理される。なお、同時に処理する２枚のウエハ２００の熱履歴を等しくするためにウエハ２００は２枚同時に処理室２０１内に搬送される。ウエハ２００が処理室２０１内に搬入されると同時にウエハ２００の処理温度までの昇温が開始される。
【００３５】
ウエハ移載機１１２が後退してゲート弁２４４が閉じられた後、処理室２０１内の圧力は処理圧力となるよう圧力制御手段２４８ａ、２４８ｂにより制御され（圧力安定化）、処理室２０１内の温度はウエハ温度が処理温度となるよう温度制御手段２４７により制御される（温度安定化）。この処理室２０１内の圧力安定化、ウエハ２００の温度安定化の際、処理室２０１内にはガス導入ライン２３２ａ、２３２ｂより不活性ガスが導入されつつ排気ライン２３１ａ、２３１ｂより排気され、処理室２０１内は、不活性ガス雰囲気とされる。
【００３６】
処理室２０１内の圧力が処理圧力に安定化し、ウエハ２００の温度が処理温度に安定化した後、処理室２０１内にガス導入ライン２３２ａ、２３２ｂより処理ガスが導入され、排気ライン２３１ａ、２３１ｂより排気されることにより、ウエハ２００が処理される。この際、処理の均一性を確保するため、処理ガスは対角に向かって交互に流すのが好ましい。すなわち、例えば、まず処理ガスをガス導入ライン２３２ａから排気ライン２３１ｂに向かってウエハ２００の表面に対して略水平な方向に流し、その後、それとは反対向きに、すなわちガス導入ライン２３２ｂから排気ライン２３１ａに向かってウエハ２００の表面に対して略水平な方向に流し、所要時間毎に流れの向きを変更するのが好ましい。なお、処理の均一性が処理ガスの流れの向きに依存しないような場合は、処理ガスは一方向に向かって流れるようにしてもよい。すなわち、例えばガス導入ライン２３２ａから排気ライン２３１ｂに向かってウエハ２００の表面に対して略水平な方向に、或はガス導入ライン２３２ｂから排気ライン２３１ａに向かってウエハ２００の表面に対して略水平な方向に流れるようにしてもよい。
【００３７】
なお、本実施の形態の基板処理装置の処理室にて基板を処理する際の処理条件として、例えば、６００℃〜８００℃の処理温度、１０〜１００Ｐａの処理圧力で、ＳｉＨ４ガスを３００〜５００ｓｃｃｍ供給することで、Ｄ−Ｐｏｌｙ膜を成膜することができる。
【００３８】
ウエハ２００の処理が完了すると、処理室２０１内の残留ガスを除去するために、処理室２０１内には、ガス導入ライン２３２ａ、２３２ｂより不活性ガスが導入されつつ、排気ライン２３１ａ、２３１ｂより排気され、処理室内がパージされる。なお、ウエハ処理時の処理ガスの供給流量、ウエハ処理前または後の不活性ガスの供給流量は流量制御手段２４１ａ、２４１ｂにより制御される。
【００３９】
処理室２０１内のパージ後、処理室２０１内の圧力を圧力制御手段２４８ａ、２４８ｂにより、ウエハ搬送圧力となるよう調整する。処理室２０１内の圧力が搬送圧力となった後、ゲートバルブ２４４が開かれ、ウエハ２００は、ウエハ移載機１１２により処理室２０１より搬送室へ搬出される。
【００４０】
なお、上述の圧力制御手段２４８ａ、ｂによる処理室２０１内の圧力制御、温度制御手段２４７による処理室２０１内の温度制御、流量制御手段２４１ａ、ｂによる処理室２０１内へのガス流量制御は、主制御部が各制御手段を制御することにより行われる。
【００４１】
次に、本発明が適用されるティーチング方法を、図１、図２を用いて説明する。
【００４２】
上述したように、半導体製造装置などの基板処理装置には、ウエハなどの基板に成膜などの基板処理を行うための処理室が備えられており、前記処理室は透明石英で作られた反応管２０３などから構成されている。また、前記反応管２０３内にはウエハ２００を支持する略ドーナッツ型のウエハ支持台２１７が備えられ、前記ウエハ支持台２１７の内側に設けられた複数の凸部１０にてウエハ２００を支持するようになっている。また、前記ウエハ支持台２１７にウエハ２００を載置した場合、前記ウエハ支持台２１７の内側境界部とウエハ２００との間には、僅かな隙間ができるようになっている。
【００４３】
図１、２に示すように、基板検出手段として光ファイバースコープ７を処理室内に挿入し、その先端１１を上側（基板側）に向けて前記ウエハ支持台２１７の内側境界部付近下側に複数設け、前記内側境界部とウエハ２００との間隔を確認できるようになっている。このように光ファイバスコープ７を処理室内に設けることで、反応管２０３が失透していたとしても、前記内側境界部とウエハ２００との位置を、光ファイバースコープ７を用いて直接目視でき、ウエハ位置を容易かつ正確に確認でき、その結果、ティーチングを正確かつ短時間に行うことができる。また、反応管の材質として、不透明部材である炭化珪素、アルミナなどを用いた場合も同様に、光ファイバスコープ７を処理室内に設けることで、前記内側境界部とウエハ２００との位置を、光ファイバースコープ７を用いて直接目視でき、ウエハ位置を容易かつ正確に確認でき、その結果、ティーチングを正確かつ短時間に行うことができる。
【００４４】
また、前記光ファイバースコープ７の先端１０から取り込まれた像を見る覗き窓８に目盛り９を設ければ、前記内側境界部とウエハ２００との間隔をより正確に特定できるとともに、作業者間で目盛り数を統一することにより作業員毎のティーチング誤差を減少させ、均一なティーチング作業を行うことができる。
【００４５】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、基板を収容する処理室に対して基板を搬入出する基板搬送手段の基板搬送位置を決めるティーチング方法であって、処理室に基板検出手段を挿入し、前記基板検出手段の検出情報に基づき前記基板搬送手段の基板搬送位置を定めるようにしたので、反応管が失透していたとしても、基板の位置を基板検出手段により直接、目視することができ、精度の良いティーチングを容易に行うことができる。
【００４６】
また、前記光ファイバースコープの覗き窓に目盛りを設ければ、前記内側境界部とウエハとの間隔をより正確に特定できるとともに、作業者間で目盛り数を統一することにより作業員毎の誤差を減少させ、均一なティーチング作業を行うことができる。
【００４７】
また、本発明により、ティーチング作業にかかる時間が従来の約１／３に減少したので、本発明の実施例のように２つの処理室を設けた基板処理装置の場合、ティーチング時間を約１／６以下にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のウエハティーチング方法を示す処理室の概略斜視図
【図２】本発明のウエハティーチング方法を示す処理室の概略拡大斜視図
【図３】本発明が適用される基板処理装置の概略横断面図。
【図４】本発明が適用される基板処理装置の概略縦断面図
【図５】本発明が適用される基板処理装置の反応炉の概略縦断面図
【図６】本発明が適用される基板処理装置の反応炉の概略横断面図
【図７】従来のウエハティーチング方法を示す処理室の概略斜視図（反応管が失透した時）
【図８】従来のウエハティーチング方法を示す処理室の概略斜視図（反応管が透明な時）
【符号の説明】
１          視点
２          視点
３          光源
４          視点
５          側面開口部
６          視点
７          光ファイバースコープ
８          覗き窓
９          目盛り
１０        凸部
１１        光ファイバースコープの先端
１０３      搬送室
１１２      ウエハ移載機
１２１      搬送室
１２２      搬入用の予備室
１２３      搬出用の予備室
１２４      ウエハ移載機
２００      ウエハ
２０１      処理室
２０２      処理炉
２０３      反応管
２０９ａ    ガス導入フランジ
２０９ｂ    ガス導入フランジ
２４４      ゲートバルブ
２１７      ウエハ支持台
【図１】
2005019677.tif 000003
【図２】
2005019677.tif 000004
【図３】
2005019677.tif 000005
【図４】
2005019677.tif 000006
【図５】
2005019677.tif 000007
【図６】
2005019677.tif 000008
【図７】
2005019677.tif 000009
【図８】
2005019677.tif 000010