(57)【要約】【課題】  露光ヘッドから射出される各チャンネルの光について高い精度で光量設定を行うことができる画像露光装置を提供する。【解決手段】  光量モニタ時に、前記複数の半導体レーザ１１１各々のドライブレベルを全ての半導体レーザ１１１について設定し、その後、１つの半導体レーザ１１１についてバイアスレベルを設定しこの１つの半導体レーザ１１１に向けてバイアスレベルとドライブレベルを供給することによりこの１つの半導体レーザ１１１をパルス発光させてこの１つの半導体レーザ１１１についてバイアスレベルを解除するシーケンスを前記複数の半導体レーザ１１１について循環的に繰り返すモニタ用発光制御を行う演算・制御回路１９０を備えた。【選択図】        図１
2005088295.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体レーザを画像信号に応じて発光させることにより記録媒体上に画像を露光する画像露光装置において、
前記複数の半導体レーザ各々のバイアスレベルとドライブレベルを解除自在に設定し該複数の半導体レーザ各々について設定されたバイアスレベルを該複数の半導体レーザについて同時に該複数の半導体レーザの各々に向けて遮断自在に供給するとともに該複数の半導体レーザ各々について設定されたドライブレベルを該複数の半導体レーザの各々について独立に該複数の半導体レーザの各々に向けて遮断自在に供給する発光制御部と、
前記複数の半導体レーザの各々を該複数の半導体レーザの各々に向けて供給されたバイアスレベルとドライブレベルとの和のレベルに応じた光量で発光させる発光駆動部と、
所定の光量モニタ時に前記複数の半導体レーザから発光された光を受光するモニタ用光検出器とを備え、
前記発光制御部は、光量モニタ時に、前記複数の半導体レーザ各々のドライブレベルを全ての半導体レーザについて設定する第１のシーケンスを実行し、その後、１つの半導体レーザについてバイアスレベルを設定し該１つの半導体レーザについて設定されたバイアスレベルとドライブレベルを該１つの半導体レーザに供給することにより該１つの半導体レーザをパルス発光させて該１つの半導体レーザについてバイアスレベルを解除する第２のシーケンスを前記複数の半導体レーザについて循環的に繰り返すモニタ用発光制御を行うものであって、
さらに、前記モニタ用光検出器でモニタされた受光光量に基づいて、前記複数の半導体レーザ各々について、それぞれ複数回パルス発光する間の平均的な受光光量を求める光量演算部を備えたことを特徴とする画像露光装置。
【請求項２】
複数の半導体レーザを画像信号に応じて発光させることにより記録媒体上に画像を露光する画像露光装置において、
前記複数の半導体レーザ各々のバイアスレベルとドライブレベルを解除自在に設定し該複数の半導体レーザ各々について設定されたバイアスレベルを該複数の半導体レーザについて同時に該複数の半導体レーザの各々に向けて遮断自在に供給するとともに該複数の半導体レーザ各々について設定されたドライブレベルを該複数の半導体レーザの各々について独立に該複数の半導体レーザの各々に向けて遮断自在に供給する発光制御部と、
前記複数の半導体レーザの各々を該複数の半導体レーザの各々に向けて供給されたバイアスレベルとドライブレベルとの和のレベルに応じた光量で発光させる発光駆動部と、
所定の光量モニタ時に前記複数の半導体レーザから発光された光を受光するモニタ用光検出器とを備え、
前記発光制御部は、光量モニタ時に、１つの半導体レーザについてバイアスレベルとドライブレベルを設定し該１つの半導体レーザについて設定されたバイアスレベルとドライブレベルを該１つの半導体レーザに供給することにより該１つの半導体レーザをパルス発光させて該１つの半導体レーザについてバイアスレベルを解除する第３のシーケンスを前記複数の半導体レーザについて一巡させ、その後、１つの半導体レーザについてバイアスレベルを設定し該１つの半導体レーザについて設定されたバイアスレベルとドライブレベルを該１つの半導体レーザに供給することにより該１つの半導体レーザをパルス発光させて該１つの半導体レーザについてバイアスレベルを解除する第４のシーケンスを前記複数の半導体レーザについて循環的に繰り返すモニタ用発光制御を行うものであって、
さらに、前記モニタ用光検出器でモニタされた受光光量に基づいて、前記複数の半導体レーザ各々について、それぞれ複数回パルス発光する間の平均的な受光光量を求める光量演算部を備えたことを特徴とする画像露光装置。
【請求項３】
前記発光制御部は、前記複数の半導体レーザ各々のドライブレベルとして各第１のドライブレベルを採用して１回目の前記モニタ用発光制御を行うとともに、前記複数の半導体レーザそれぞれのドライブレベルとして各第２のドライブレベルを採用して２回目の前記モニタ用発光制御を行うものであって、
前記光量演算部は、前記複数の半導体レーザ各々について、１回目のモニタ用発光制御における平均的な各第１の受光光量を求めるとともに２回目のモニタ用発光制御における平均的な各第２の受光光量を求め、さらに、前記複数の半導体レーザ各々について、該複数の半導体レーザ各々についての第１の受光光量と第２の受光光量に基づいて該複数の半導体レーザ各々から所望の光量の光を出射させるためのドライブレベルを求めるものであることを特徴とする請求項１又は２記載の画像露光装置。
【請求項４】
この画像露光装置は、前記複数の半導体レーザのほか、さらに、記録媒体が巻き付けられる回転ドラムと、前記複数の半導体レーザの各々から射出される光を導光する複数本の光ファイバと、前記複数本の光ファイバにより導光されて来た光を前記回転ドラムに巻き付けられた記録媒体に向けて出射する、該回転ドラムの回転軸と平行な移動方向に移動自在な露光ヘッドとを備え、記録媒体が巻き付けられた回転ドラムを回転させながら、かつ前記露光ヘッドを前記移動方向に移動させながら前記複数の半導体レーザを画像信号に応じて点滅させることにより該記録媒体を画像信号に応じたパターンに露光するものであることを特徴とする請求項１又は２記載の画像露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体レーザを画像信号に応じて発光させることにより記録媒体上に画像を露光する画像露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザを光源として利用している画像露光装置には、複数の半導体レーザを配列した光源を備え、これら複数の半導体レーザから発光される光を、一端が各半導体レーザに接続された光ファイバによって、これらの光ファイバの他端が配列された露光ヘッドまで導光し、導光された光をこの露光ヘッドから記録媒体に向けて照射するものがある。このような画像露光装置では、記録すべき画像を表す画像信号に応じて複数の半導体レーザを点滅させながら、上記の露光ヘッドを移動し、この露光ヘッドから射出される光で記録媒体上の複数のラインを同時に走査して画像を露光することにより、露光時間の短縮が図られている。
【０００３】
このような画像露光装置において、露光時に各半導体レーザそれぞれから射出される光の光量の間にばらつきがあると、露光された画像に濃度むらが生じてしまう。このような濃度むらを抑えるためには、画像露光時にこれら複数の半導体レーザそれぞれから射出される光の光量を、同一の光量に揃える必要がある。
【０００４】
ここで、複数の半導体レーザを光源として利用している画像露光装置において、記録媒体から離れた位置に光量モニタ用の光検出器を設け、画像露光の前には、この光検出器により各半導体レーザからの光の光量をモニタし、これらの光量を所定の設定値に漸近的に一致させるように、各半導体レーザの発光を調整する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開昭５６−１４０４７７号公報  （第１−５頁、第１図、第６図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の画像露光装置に特許文献１に示す光量設定方法を適用する場合、画像露光の前に、まず上記の光検出器の受光面と対向する位置に露光ヘッドを移動する。このときに露光ヘッドから射出される各半導体レーザ毎の光の光量を、この光検出器によりモニタし、これらの光量を所定の設定値に漸近的に一致させるように、各半導体レーザの発光を調整することにより光量設定を行う。
【０００６】
ここで、各半導体レーザと露光ヘッドとを繋ぐ光ファイバは、画像露光装置内に、各半導体レーザから露光ヘッドまで、適宜、曲げられた状態で配置されている。このような画像露光装置において、露光ヘッドから射出される各半導体レーザ毎の光の光量は、以下説明するように、各光ファイバの曲げ状態の影響を受けた光量になる。
【０００７】
上記の露光ヘッド内には、コリメータレンズ、アパーチャ、結像レンズ等といった構成要素からなる光学系が設けられている。このような光学系では、アパーチャは、各光ファイバにおけるレーザ光の射出口からみた遠視野の位置に開口部が来るように配される。ここで、このような光学系において各光ファイバからの出射光が遠視野の位置に結ぶ遠視野像は、その光ファイバ内の光強度分布（以下導波モードと呼ぶ）に応じた広がり具合を有する。各光ファイバの導波モードは、その光ファイバの曲げ状態に応じたものとなるので、各光ファイバからの出射光に対する遠視野像は、その光ファイバの曲げ状態に応じた広がり具合を有することになる。その結果、この遠視野像の広がり具合によっては、遠視野像が開口の周囲の遮蔽部分によって部分的に遮られ、露光ヘッドから射出される光の光量が低下してしまう可能性がある。遠視野像が光ファイバの曲げ状態に応じてさらに広がってしまえば、それだけ遠視野像のうちの開口の周囲の遮蔽部分によって遮られる部分も広がってしまい、露光ヘッドからの光の光量もより低下してしまう。また、逆に、光ファイバの曲げ状態によっては遠視野像が狭まり、それだけ露光ヘッドからの光の光量が増加することもある。つまり、このような露光ヘッドにおいては、露光ヘッドから射出される各半導体レーザからの光の光量は、各光ファイバの曲げ状態の影響を受けることになる。
【０００８】
ここで、各光ファイバの曲げ状態は露光ヘッドの移動に伴い変化する。従って、画像露光装置において、記録媒体から離れた位置に光量設定用の光検出器を設け、例えば、画像露光の前にはこの光検出器の前に露光ヘッドを移動させ、その時に露光ヘッドから射出される各半導体レーザ毎の光の光量を所定の設定値に設定するという光量設定を実施したとしても、光量設定が終了して露光ヘッドがこの光検出器の前から動いてしまえば、露光ヘッドから射出される各半導体レーザ毎の光の光量は上記の設定値から変わってしまう。さらに、画像露光時に露光ヘッドが移動すれば、その移動に伴なって、露光ヘッドから射出される各半導体レーザ毎の光の光量は変動してしまう。
【０００９】
図７は、露光ヘッドから射出される光の光量変動を示す図である。
【００１０】
ここで、１つの半導体レーザから光ファイバを経て露光ヘッドの開口に至る光学系を説明の便宜上チャンネルと称する。
【００１１】
図７には、複数の半導体レーザそれぞれに対応するチャンネルのうち、第１のチャンネルＣｈ１からの光Ｌ１と、第２のチャンネルＣｈ２からの光Ｌ２の光量変動が示されている。
【００１２】
第１のチャンネルＣｈ１からの光Ｌ１と第２のチャンネルＣｈ２からの光Ｌ２の光量は、光量設定時にそれぞれ相互に同じ設定光量Ａに設定される。ここで、第１のチャンネルＣｈ１に対する設定光量Ａと第２のチャンネルＣｈ２に対する設定光量Ａは相互に同じ値であるが、図７では、図を見やすくするために、２つのチャンネルの光量は図７のグラフ中の上下方向に離して示されている。
【００１３】
しかし、光量設定後の画像露光時には、露光ヘッドの移動に伴う光ファイバの曲げ状態の変化により、第１のチャンネルＣｈ１からの光Ｌ１と第２のチャンネルＣｈ２からの光Ｌ２の光量は変動する。また、光ファイバの曲げ状態の変化は、各チャンネル毎に異なるので、画像露光時の２つのチャンネルの光量変動は、相互に異なったものとなる。
【００１４】
ここで、光量設定時には、露光ヘッドが停止状態にあるので、複数のチャンネルの光ファイバも全て停止状態にあるが、この光量設定時の、停止状態にある各光ファイバの曲げ状態は各チャンネル毎に異なっている。
【００１５】
図７に示す例では、第１のチャンネルＣｈ１は、光量設定時の光ファイバの曲げ状態が、画像露光時におけるこのチャンネルの光量変動の最小値に対応する曲げ状態であるときに光量が設定光量Ａに設定されるチャンネルである。また、第２のチャンネルＣｈ２は、光量設定時の光ファイバの曲げ状態が、画像露光時におけるこのチャンネルの光量変動の最大値に対応する曲げ状態であるときに光量が設定光量Ａに設定されるチャンネルである。
【００１６】
光量が、図７に示す第１のチャンネルＣｈ１と第２のチャンネルＣｈ２のように設定されたチャンネル間では画像露光時の光量が大きくばらつくことになる。このような光量のばらつきは、露光される画像に濃度むらを生じさせる。この濃度むらを抑制するためには、画像露光中の各チャンネルからの光の平均的な光量を同一の値に揃える必要がある。
【００１７】
そこで、例えば、光量設定時に、光ファイバに、画像露光中の光ファイバの動きを模擬した動きをさせることにより各チャンネルからの光の光量を画像露光中と同様に変動させ、このときの各チャンネルからの光の平均的な光量を所定の設定値に揃えることが考えられる。
【００１８】
ここで、１つのチャンネルについて平均的な光量を所定の設定値に揃えるにあたっては、光ファイバの動き全体に渡って光量のモニタを実施し、その平均的な値に基づいて光量の設定を実施することが望ましい。また、光量設定時の、光検出器による光量モニタを各チャンネル毎に実施するために、１つのチャンネルの半導体レーザを点灯しその光量をモニタするときには、他のチャンネルの半導体レーザを消灯する必要がある。
【００１９】
以上の条件を満足する光量設定方法として、上記の複数の半導体レーザを循環的に繰り返しパルス発光させ、これら複数の半導体レーザ各々について複数のパルス光の平均光量を求め、光量設定時に求めた各チャンネル毎の平均光量を用いて、画像露光中の各チャンネルからの光の平均的な光量を同一の値に揃えるという光量設定方法があげられる。
【００２０】
このような光量設定方法によれば、複数のチャンネルの半導体レーザそれぞれを、タイミングをずらして発光させるので、１つのチャンネルの半導体レーザを点灯しその光量をモニタするときには、他のチャンネルの半導体レーザを消灯させることができる。また、光量設定時に、光ファイバを、画像露光中の光ファイバの動きを模擬した動きをさせている間、上記の複数の半導体レーザを循環的に繰り返しパルス発光させ続けることにより、全てのチャンネルについて、光ファイバの動き全体に渡る光量のモニタを実施することができる。
【００２１】
図８は、光ファイバに画像露光中の動きを模擬した動きをさせながら、複数の半導体レーザを循環的に繰り返しパルス発光させたときの光量を示す図である。
【００２２】
図８には、複数のチャンネルのうちの３つのチャンネルＣｈ１，Ｃｈ２，Ｃｈ３からのパルス光Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の光量が示されている。複数のチャンネルからは、互いに重ならないようにタイミングをずらしてパルス光が射出される。また、各チャンネルからのパルス光の光量は、光ファイバの動きに応じて変動する。１つのチャンネルについて、このように光量が変動するパルス光の光量を検出することは、連続的に変動する光量を所定のタイミングでサンプリングすることに相当する。
【００２３】
図９は、１つの半導体レーザをパルス発光させるシーケンスを示す図である。
【００２４】
図９に示すシーケンスでは、まず半導体レーザをレーザ発振状態よりも若干低い状態に励起するためのバイアスレベルを設定する（ステップＳ１０）。次に、この半導体レーザを所定の光量で発光させるためのドライブレベルを設定する（ステップＳ１１）。続いて、この半導体レーザについて設定されたバイアスレベルとドライブレベルをこの半導体レーザに供給する（ステップＳ１２）。ステップＳ１２の結果、この半導体レーザから射出されるパルス光の光量を検出する（ステップＳ１３）。そして、上記のドライブレベルを解除し（ステップＳ１４）、上記のバイアスレベルを解除して（ステップＳ１５）、処理を終了する。
【００２５】
上記の光量設定時に、図９に示すシーケンスを複数の半導体レーザについて循環的に繰り返すことにより各チャンネル毎に得られる複数の光量検出値に基づいて、各チャンネルからの光の光量の平均値を求めることができる。
【００２６】
図１０は、１つの半導体レーザについて、この半導体レーザから所望の光量の光を射出させるためのドライブレベルを求める方法の一例を説明する図である。
【００２７】
図１０に示す方法では、１つの半導体レーザについて平均値を２回求める。１回目には第１のドライブレベルＩ1で複数回パルス発光させ、このときの平均的な第１の受光光量Ｐ１を求める。２回目には第２のドライブレベルＩ2で複数回パルス発光させ、このときの平均的な第２の受光光量Ｐ２を求める。ここで、所望の光量をＰとすると、この半導体レーザから光量Ｐの光を出射させるためのドライブレベルＩは次式により算出される。
【００２８】
Ｉ＝Ｉ1＋（Ｐ−Ｐ1）（Ｉ2−Ｉ1）／（Ｐ2−Ｐ1）
このようにして、図１０に示す方法では、１つの半導体レーザについて所望の光量の光を出射させるためのドライブレベルを求める。
【００２９】
ここで、上記のような光量設定は、１つの画像の露光毎に実施することが望ましく、かつ各チャンネルからの光の光量の平均値を高い精度で求めるために、光量設定時の限られた時間内で、１つの半導体レーザを多数回パルス発光させることが望ましい。
【００３０】
しかしながら、図９に示すシーケンスを光量設定に利用する画像露光装置では、１回のパルス発光に時間がかかり、光量設定時の限られた時間内でのパルス発光の回数をあまり増やせないため、高い精度で光量設定を行うことは困難であるという問題がある。
【００３１】
本発明は上記事情に鑑み、露光ヘッドから射出される各チャンネルの光について高い精度で光量設定を行うことができる画像露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
上記目的を達成する本発明の画像露光装置のうちの第１の画像露光装置は、複数の半導体レーザを画像信号に応じて発光させることにより記録媒体上に画像を露光する画像露光装置において、
上記複数の半導体レーザ各々のバイアスレベルとドライブレベルを解除自在に設定しこれら複数の半導体レーザ各々について設定されたバイアスレベルをこれら複数の半導体レーザについて同時にこれら複数の半導体レーザの各々に向けて遮断自在に供給するとともにこれら複数の半導体レーザ各々について設定されたドライブレベルをこれら複数の半導体レーザの各々について独立にこれら複数の半導体レーザの各々に向けて遮断自在に供給する発光制御部と、
上記複数の半導体レーザの各々をこれら複数の半導体レーザの各々に向けて供給されたバイアスレベルとドライブレベルとの和のレベルに応じた光量で発光させる発光駆動部と、
所定の光量モニタ時に上記複数の半導体レーザから発光された光を受光するモニタ用光検出器とを備え、
上記発光制御部は、光量モニタ時に、上記複数の半導体レーザ各々のドライブレベルを全ての半導体レーザについて設定する第１のシーケンスを実行し、その後、１つの半導体レーザについてバイアスレベルを設定しこの１つの半導体レーザについて設定されたバイアスレベルとドライブレベルをこの１つの半導体レーザにパルス的に供給することによりこの１つの半導体レーザをパルス発光させてこの１つの半導体レーザについてバイアスレベルを解除する第２のシーケンスを上記複数の半導体レーザについて循環的に繰り返すモニタ用発光制御を行うものであって、
さらに、上記モニタ用光検出器でモニタされた受光光量に基づいて、上記複数の半導体レーザ各々について、それぞれ複数回パルス発光する間の平均的な受光光量を求める光量演算部を備えたことを特徴とする。
【００３３】
本発明の第１の画像露光装置は、上記光量モニタ時に、上記第２のシーケンスを上記複数の半導体レーザについて循環的に繰り返すモニタ用発光制御を行うことにより、上記複数の半導体レーザを循環的に繰り返しパルス発光させる。
【００３４】
例えば、図９に示すシーケンスを光量設定に利用する画像露光装置において、１回のパルス発光に時間がかかるのは、図９に示すシーケンスの中に時間のかかる処理が多く存在するためである。図９に示すシーケンスでは、それぞれ所定の時定数をもって実行されるバイアスレベルの設定（ステップＳ１０）と解除（ステップＳ１５）およびドライブレベルの設定（ステップＳ１１）と解除（ステップＳ１５）が時間のかかる処理である。一方、本発明の第１の画像露光装置では、上記第１のシーケンスにおいて上記複数の半導体レーザ各々のドライブレベルが全ての半導体レーザについて設定されるので、例えば、図９に示すシーケンスにおけるドライブレベルの設定（ステップＳ１１）と解除（ステップＳ１４）の２つの処理が、１つの半導体レーザをパルス発光させるための上記第２のシーケンスから除去される。従って、本発明の第１の画像露光装置では、１つの半導体レーザについて１回のパルス発光に要する時間が、例えば、図９に示すシーケンスによるパルス発光に要する時間と比較して短い。つまり、本発明の第１の画像露光装置によれば、上記光量モニタ時に、図９に示すシーケンスを用いる画像露光装置と比較し、１つの半導体レーザについて、より多くの回数パルス発光させることができる。従って、本発明の第１の画像露光装置によれば、図９に示すシーケンスを用いる画像露光装置における光量設定の精度よりも高精度で、上記複数の半導体レーザ各々について光量を設定することができる。
【００３５】
また、上記目的を達成する本発明の画像露光装置のうちの第２の画像露光装置は、複数の半導体レーザを画像信号に応じて発光させることにより記録媒体上に画像を露光する画像露光装置において、
複数の半導体レーザ各々のバイアスレベルとドライブレベルを解除自在に設定しこれらの複数の半導体レーザ各々について設定されたバイアスレベルをこれらの複数の半導体レーザについて同時にこれらの複数の半導体レーザの各々に向けて遮断自在に供給するとともにこれらの複数の半導体レーザ各々について設定されたドライブレベルをこれらの複数の半導体レーザの各々について独立にこれらの複数の半導体レーザの各々に向けて遮断自在に供給する発光制御部と、
上記複数の半導体レーザの各々をこれらの複数の半導体レーザの各々に向けて供給されたバイアスレベルとドライブレベルとの和のレベルに応じた光量で発光させる発光駆動部と、
所定の光量モニタ時に上記複数の半導体レーザから発光された光を受光するモニタ用光検出器とを備え、
上記発光制御部は、光量モニタ時に、１つの半導体レーザについてバイアスレベルとドライブレベルを設定しこの１つの半導体レーザについて設定されたバイアスレベルとドライブレベルをこの１つの半導体レーザに供給することによりこの１つの半導体レーザをパルス発光させてこの１つの半導体レーザについてバイアスレベルを解除する第３のシーケンスを上記複数の半導体レーザについて一巡させ、その後、１つの半導体レーザについてバイアスレベルを設定しこの１つの半導体レーザについて設定されたバイアスレベルとドライブレベルをこの１つの半導体レーザにパルス的に供給することによりこの１つの半導体レーザをパルス発光させてこの１つの半導体レーザについてバイアスレベルを解除する第４のシーケンスを上記複数の半導体レーザについて循環的に繰り返すモニタ用発光制御を行うものであって、
さらに、上記モニタ用光検出器でモニタされた受光光量に基づいて、上記複数の半導体レーザ各々について、それぞれ複数回パルス発光する間の平均的な受光光量を求める光量演算部を備えたことを特徴とする。
【００３６】
本発明の第２の画像露光装置は、上記第３のシーケンスを上記複数の半導体レーザについて一巡させる間に、全ての半導体レーザについて上記のドライブレベルを設定する。その後、上記第４のシーケンスを上記複数の半導体レーザについて循環的に繰り返すモニタ用発光制御を行うことにより、上記複数の半導体レーザは循環的にパルス発光を繰り返す。この上記第４のシーケンスは本発明の第１の画像露光装置における第２のシーケンスと同一である。従って、本発明の第２の画像露光装置では、本発明の第１の画像露光装置と同様に、上記光量モニタ時に、例えば、図９に示すシーケンスを用いる画像露光装置と比較し、１つの半導体レーザについて、より多くの回数パルス発光させることができる。従って、本発明の第１の画像露光装置によれば、図９に示すシーケンスを用いる画像露光装置における光量設定の精度よりも高精度で、上記複数の半導体レーザ各々について光量を設定することができる。
【００３７】
ここで、本発明の第１又は第２の画像露光装置における上記発光制御部は、前記複数の半導体レーザ各々のドライブレベルとして各第１のドライブレベルを採用して１回目の前記モニタ用発光制御を行うとともに、前記複数の半導体レーザそれぞれのドライブレベルとして各第２のドライブレベルを採用して２回目の前記モニタ用発光制御を行うものであって、
上記光量演算部は、上記複数の半導体レーザ各々について、１回目のモニタ用発光制御における平均的な各第１の受光光量を求めるとともに２回目のモニタ用発光制御における平均的な各第２の受光光量を求め、さらに、上記複数の半導体レーザ各々について、これらの複数の半導体レーザ各々についての第１の受光光量と第２の受光光量に基づいてこれらの複数の半導体レーザ各々から所望の光量の光を出射させるためのドライブレベルを求めるものであることが好ましい。
【００３８】
上記発光制御部と上記光量演算部を備えた本発明の第１又は第２の画像露光装置は、上記複数の半導体レーザ各々について、これらの複数の半導体レーザ各々から所望の光量の光を出射させるためのドライブレベルを上記第１の受光光量と上記第２の受光光量に基づいて簡単に求めることができる。
【００３９】
また、本発明の第１又は第２の画像露光装置は、上記複数の半導体レーザのほか、さらに、記録媒体が巻き付けられる回転ドラムと、上記複数の半導体レーザの各々から射出される光を導光する複数本の光ファイバと、上記複数本の光ファイバにより導光されて来た光を上記回転ドラムに巻き付けられた記録媒体に向けて出射する、この回転ドラムの回転軸と平行な移動方向に移動自在な露光ヘッドとを備え、記録媒体が巻き付けられた回転ドラムを回転させながら、かつ上記露光ヘッドを上記移動方向に移動させながら上記複数の半導体レーザを画像信号に応じて点滅させることによりこの記録媒体を画像信号に応じたパターンに露光するものであることが好ましい。
【００４０】
このような画像記録装置では、上記記録媒体に画像を露光する光の平均的な光量が所望する光量に設定されるので、上記記録媒体に濃度むらを抑えて画像を露光することができる。
【発明の効果】
【００４１】
以上説明したように、本発明の画像露光装置は、露光ヘッドから射出される各チャンネルの光について高い精度で光量設定を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００４３】
図１は、本発明の第１および第２の画像露光装置に共通の一実施形態を示す図である。
【００４４】
図１に示す画像露光装置１００は、複数の半導体レーザ１１１を備える光源ユニット１１０と、上記の複数の半導体レーザ１１１から射出された光を記録媒体Ｆに照射する露光ヘッド１２０と、露光ヘッド１２０を副走査方向Ｙに移動させる露光ヘッド移動部１３０と、記録媒体Ｆが巻き付けられ、この記録媒体Ｆが主走査方向Ｒ１に走査されるように、この主走査方向Ｒ１とは逆方向Ｒ２に回転駆動される回転ドラム１４０とを備えている。
【００４５】
光源ユニット１１０では、駆動回路基板１１５に設けられたレーザ駆動回路１１６（図３および図４参照）が、光源基板１１３の表面に配置された半導体レーザ１１１を個別に駆動する。半導体レーザ１１１には第１の光ファイバ１１２が接続され、この第１の光ファイバ１１２が、半導体レーザ１１１から発した光をアダプタ基板１１４に設けられた光コネクタ１１４ａまで導光する。また、光源基板１１３の裏面には放熱フィン（図示せず）が設けられており、冷却用ブロア１７０が放出する冷却風をこの放熱フィンに当てることによって、半導体レーザ１１１の駆動時の温度上昇を抑制している。
【００４６】
光源ユニット１１０において複数の半導体レーザ１１１からの光は、光コネクタ１１４ａに接続された第２の光ファイバ１５０によって、露光ヘッド１２０のファイバアレイ部１２１まで導光される。このファイバアレイ部１２１を発した光は、コリメータレンズ１２２とアパーチャ１２３および結像レンズ１２４で構成された光学系を経て記録媒体Ｆに照射される。ここで、この光学系において、アパーチャ１２３は、開口部が、ファイバアレイ部１２１におけるレーザ光の射出口からみて遠視野の位置となるように配置されている。
【００４７】
また、露光ヘッド１２０を回転ドラム１４０の回転軸と平行の副走査方向Ｙに移動させる露光ヘッド移動部１３０には、副走査方向Ｙに平行に配置されたボールネジ１３１と、２本のレール１３２が備えられており、ボールネジ１３１を回転駆動する副走査モータ１３３（図３参照）を作動させることによって、ボールネジ１３１と螺合された露光ヘッド１２０を、副走査方向Ｙに移動させる。これによって、記録媒体Ｆに対して、露光ヘッド１２０による副走査がなされる。さらに、回転ドラム１４０が、主走査モータ１４１（図３参照）により主走査方向Ｒ１とは逆方向Ｒ２に回転駆動されることにより、記録媒体Ｆに対して、露光ヘッド１２０による主走査がなされる。
【００４８】
回転ドラム１４０の一端面から、副走査方向Ｙに離れた位置に、露光ヘッド１２０から射出される光の光量を検出するモニタ用光検出器１６０が配置されている。記録媒体Ｆを走査する前には、露光ヘッド１２０をこのモニタ用光検出器１６０と対向する位置に移動させ、露光ヘッド１２０から射出される各半導体レーザ１１１からの光の光量をモニタ用光検出器１６０によって計測し、この計測結果に基づいて各半導体レーザ１１１からの光の光量設定を実施する。
【００４９】
光コネクタ１１４ａから露光ヘッド１２０まで延びる光ファイバ１５０は一つに束ねられ、この束ねられた部分１５０ａが、変形自在の収納体１３６に収められている。さらに、この収納体１３６は、副走査方向Ｙと平行に配置されたガイドレール１３４により案内されるスライダ１３５に固定されている。
【００５０】
ここで、上記の光量設定時には、図２にて後述する光ファイバ移動機構１８０によりスライダ１３５を動かすことにより、このスライダ１３５に固定された収納体１３６を介して光ファイバ１５０を副走査方向Ｙに移動する。画像露光装置１００では、このようにして画像露光時と同様に光ファイバ１５０を移動しながら光量設定を行うことにより、実際に画像を露光するときに露光ヘッド１２０から射出される光の光量を所定の値に設定する。
【００５１】
図２は、光ファイバ移動機構を示す図である。
【００５２】
図２に示す光ファイバ移動機構１８０は、スライダ１３５に取り付けられたラック１８１と、このラック１８１を移動させるピニオン１８２と、このピニオン１８２を回転駆動するモータ１８３とを備えている。
【００５３】
光ファイバ移動機構１８０は、ピニオン１８２を時計回りに回転させることにより収納体１３６を介して光ファイバを図中の矢印Ａ方向に、ピニオン１８２を反時計回りに回転させることにより矢印Ａとは逆向きの矢印Ｂ方向に移動させる。
【００５４】
図３は、図１に示す画像露光装置の制御系を示すブロック図である。
【００５５】
図３に示す演算・制御回路１９０には、図示しない画像読み取り装置によって得られた、露光すべき画像を表す画像データＤｇが供給され、メモリ１９０ａに格納される。記録媒体Ｆ（図１参照）に画像を露光するときには、演算・制御回路１９０がこの画像を表す画像データＤｇに基づいてレーザ駆動回路１１６を制御し、この制御に従ってレーザ駆動回路１１６は半導体レーザ１１１を駆動する。また、演算・制御回路１９０の指示により、主走査モータ駆動回路１９１が主走査モータ１４１を、さらに副走査モータ駆動回路１９２が副走査モータ１３３を駆動することにより、それぞれ画像露光時の主走査および副走査が実施される。さらに、演算・制御回路１９０の指示により、冷却用ブロア駆動回路１９４が冷却用ブロア１７０を駆動することにより、半導体レーザ１１１駆動時の温度上昇が抑制される。
【００５６】
光量設定時には、まず演算・制御回路１９０の指示により、副走査モータ駆動回路１９２が副走査モータ１３３を駆動し、露光ヘッド１２０（図１参照）をモニタ用光検出器１６０と対向する位置に移動させる。次に、演算・制御回路１９０の指示により、光ファイバ移動機構駆動回路１９３がモータ１８３を駆動することにより、画像露光時と同様に光ファイバ１５０を移動させる。
【００５７】
ここで、本実施形態では、図１０を用いて説明した方法により、光量設定を行う。本実施形態では、図１０に示す第１の平均的な受光光量Ｐ１を求めるための１回目のモニタ用発光制御を、光ファイバ移動機構１８０（図２参照）のピニオン１８２を時計回りに回転させることにより光ファイバ１５０を図２に示す矢印Ａ方向に移動させるときに実行し、図１０に示す第２の平均的な受光光量Ｐ２を求めるための２回目のモニタ用発光制御を、上記のピニオン１８２を時計回りに回転させることにより光ファイバ１５０を図２に示す矢印Ｂ方向に移動させるときに実行する。
【００５８】
図４は、図３に示すレーザ駆動回路１１６を示す回路図である。
【００５９】
図４に示すレーザ駆動回路１１６は、Ｄ／Ａ変換器１１６ａと、２個のスイッチ１１６ｂ，１１６ｃと、ＡＮＤ回路１１６ｄと、加算器１１６ｅと、電圧／電流変換回路１１６ｆとを備えている。
【００６０】
第１のチャンネルＣｈ１の半導体レーザ１１１に駆動電流Ｉａを供給するレーザ駆動回路１１６には、第１のチャンネルＣｈ１の半導体レーザ１１１をバイアス状態に励起するためのバイアスレベルを設定するバイアス信号ＳＢ１と、上記のバイアス電流に加算されて上記の駆動電流Ｉａとなるドライブレベルを設定するドライブ信号ＳＤ１と、第１のチャンネルＣｈ１の半導体レーザ１１１にバイアスレベルを供給するか否かを決めるバイアススイッチ１１６ｂのオン／オフを制御するバイアスイネーブル信号ＢＥと、第１のチャンネルＣｈ１の半導体レーザ１１１に上記のドライブレベルを供給するか否かを決めるドライブスイッチ１１６ｃのオン／オフをバイアスイネーブル信号ＢＥとともに制御するドライブイネーブル信号ＤＥ１とが、演算・制御回路１９０から入力される。
【００６１】
演算・制御回路１９０から入力されるバイアス信号ＳＢ１とドライブ信号ＳＤ１は、Ｄ／Ａ変換器１１６ａによりデジタル信号からアナログ信号に変換される。変換後のバイアス信号ＳＢ１は、上記のバイアススイッチ１１６ｂがオン状態にあるとき、加算器１１６ｅに入力される。また、変換後のドライブ信号ＳＤ１は、上記のドライブスイッチ１１６ｃがオン状態にあるとき、加算器１１６ｅに入力される。
【００６２】
ここで、バイアススイッチ１１６ｂは、バイアスイネーブル信号ＢＥがハイレベルのときにオン状態になり、ローレベルのときにオフ状態になる。また、ドライブスイッチ１１６ｃは、バイアスイネーブル信号ＢＥとドライブイネーブル信号ＤＥ１とがＡＮＤ回路１１６ｄによりＡＮＤ処理された結果がハイレベルのときにオン状態になり、ローレベルのときにオフ状態になる。すなわち、ドライブスイッチ１１６ｃは、バイアスイネーブル信号ＢＥとドライブイネーブル信号ＤＥ１とが共にハイレベルのときにオン状態となり、これら２つの信号のうちどちらか一方がローレベルのときにオフ状態となる。
【００６３】
上記の加算器１１６ｅの出力電圧が、電圧／電流変換回路１１６ｆによって電流に変換されることにより、駆動電流Ｉａが生成される。この駆動電流Ｉａが第１のチャンネルＣｈ１の半導体レーザ１１１に供給される。
【００６４】
ここで、本実施形態では、全てのチャンネル（第１，第２，第３…のチャンネル）のレーザ駆動回路１１６に同一のバイアスイネーブル信号ＢＥが入力される。つまり、全てのチャンネルのレーザ駆動回路１１６のバイアススイッチ１１６ｂは、１つのバイアスイネーブル信号ＢＥによって、同時にオン／オフされる。またバイアスイネーブル信号ＢＥは、画像露光時にはバイアススイッチ１１６ｂを定常的にオン状態に制御し、光量設定時には全チャンネルの半導体レーザ１１１を同時に繰り返しバイアス状態に励起するような信号パターンになる。
【００６５】
また、演算・制御回路１９０から各チャンネルのレーザ駆動回路１１６に供給されるドライブイネーブル信号は、各チャンネル毎に異なる。画像露光時には、演算・制御回路１９０内のメモリ１９０ａに格納されている画像信号Ｄｇに基づく信号パターンになり、光量設定時には、複数のチャンネルの半導体レーザ１１１を循環的に繰り返しパルス発光させる信号パターンになる。
【００６６】
ここで、光量設定時のバイアスイネーブル信号ＢＥとドライブイネーブル信号の信号パターンは、演算・制御回路１９０内のメモリ１９０ａに格納されている。
【００６７】
また、画像露光時および光量設定時に各チャンネルの半導体レーザ１１１に供給されるバイアスレベルを設定するバイアス信号は、演算・制御回路１９０内のメモリ１９０ａに格納されている。
【００６８】
光量設定時には、循環的に繰り返しパルス発光する複数の半導体レーザ１１１からのパルス光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…の光量を、個々の半導体レーザ１１１毎にモニタ用光検出器１６０が検出する。その検出結果は演算・制御回路１９０に向けて出力され、演算・制御回路１９０内のメモリ１９０ａに一時的に格納される。演算・制御回路１９０はこのメモリに格納された検出結果に基づいて、図１０に示す第１の平均的な受光光量Ｐ１と第２の平均的な受光光量Ｐ２を各チャンネルの半導体レーザ１１１について算出し、さらにこれらの受光光量に基づいて画像露光時に半導体レーザ１１１から所望の光量の光を出射させるための目標ドライブレベルを各チャンネル毎に算出する。そして、各チャンネルの半導体レーザ１１１に供給されるドライブレベルを上記の目標ドライブレベルに設定するためのドライブ信号を各チャンネル毎に生成し、演算・制御回路１９０内のメモリ１９０ａに格納する。
【００６９】
画像露光時には、演算・制御回路１９０は、メモリ１９０ａから各チャンネル毎のバイアス信号とドライブ信号を読み出し、各チャンネルのレーザ駆動回路１１６に出力する。またメモリ１９０ａに格納されている画像信号Ｄｇに基づいてドライブイネーブル信号を各チャンネル毎に生成し、各チャンネルのレーザ駆動回路１１６に出力する。さらに画像露光時に全てのレーザ駆動回路１１６のバイアススイッチ１１６ｂをオン状態にするバイアスイネーブル信号ＢＥを各チャンネルのレーザ駆動回路１１６に出力する。演算・制御回路１９０から出力されてきたこれらの信号に基づいて、各チャンネルのレーザ駆動回路１１６で駆動電流が生成され、各チャンネルの半導体レーザ１１１に供給される。このようにして生成された駆動電流に応じて各チャンネルの半導体レーザ１１１から射出される光により、記録媒体Ｆに画像が記録される。
【００７０】
次に、本発明の第１の画像露光装置の一実施形態における光量設定方法について説明する。
【００７１】
図５は、本発明のうちの第１の画像露光装置の一実施形態における光量設定の、１つの半導体レーザを１回パルス発光させるシーケンスを示す図である。
【００７２】
本実施形態では、光量設定時に、露光ヘッド１２０（図１参照）を、モニタ用光検出器１６０と対向する位置に移動させた後、まず各チャンネルの半導体レーザ毎の、図１０に示す第１の駆動電流Ｉ1に対応する第１のドライブ信号を、全チャンネルのレーザ駆動回路１１６に入力する。
【００７３】
次に、光ファイバ移動機構駆動回路１８０（図２参照）のピニオン１８２を時計回りに回転させることにより光ファイバ１５０（図１参照）が、所定の初期位置から図２に示す矢印Ａ方向に移動を始めると、図５に示すシーケンスが開始される。
【００７４】
まず、１つのチャンネルの半導体レーザ１１１（図４参照）をバイアス状態に励起するためのバイアス信号を、このチャンネルのレーザ駆動回路１１６に入力する（ステップＳ２０）。次に、全チャンネルのレーザ駆動回路１１６のバイアススイッチ１１６ｂをオンし（ステップＳ２１）、続いて、このチャンネルのレーザ駆動回路１１６のドライブスイッチ１１６ｃをオンする（ステップＳ２２）。その結果、このチャンネルの半導体レーザ１１１に駆動電流が供給され、この半導体レーザ１１１が発光する。この半導体レーザ１１１からの光の光量を、モニタ用光検出回路１６０で検出する（ステップＳ２３）。次に、このチャンネルのレーザ駆動回路１１６のドライブスイッチ１１６ｃをオフし（ステップＳ２４）、全チャンネルのレーザ駆動回路１１６のバイアススイッチ１１６ｂをオフする（ステップＳ２５）。そして、このチャンネルの半導体レーザ１１１に供給されるバイアスレベルを解除するバイアス信号を、このチャンネルのレーザ駆動回路１１６に入力（ステップＳ２６）してこの処理を終了する。
【００７５】
本実施形態では、光ファイバ１５０が図２に示す矢印Ａ方向に移動を始めると、光ファイバ１５０が所定の距離だけ進むまで、図５に示すシーケンスを、複数のチャンネルの半導体レーザ１１１について循環的に繰り返し実施する。さらに、光ファイバ１５０が所定の距離だけ進むと、光ファイバ１５０の移動を停止し、各チャンネルの半導体レーザ毎の、図１０に示す第２の駆動電流Ｉ2に対応する第２のドライブ信号を、全チャンネルのレーザ駆動回路１１６に入力する。続いて、光ファイバ移動機構１８０（図２参照）のピニオン１８２を反時計回りに回転させることにより光ファイバ１５０を図２に示す矢印Ｂ方向に移動させる。光ファイバ１５０が矢印Ｂ方向に移動を始めると、光ファイバ１５０が初期位置に戻るまで、図５に示すシーケンスを、全チャンネルの半導体レーザ１１１について循環的に繰り返し実施する。
【００７６】
ここで、図５に示すシーケンスにおいて所定の時定数をもって処理されるのは、バイアス信号をレーザ駆動回路に入力する処理（ステップＳ２０）とバイアスレベルを解除するためのバイアス信号をレーザ駆動回路１１６に入力する処理（ステップＳ２６）の２つである。従って、このような所定の時定数をもって処理される処理を４つ実施しなければならない図９に示すシーケンスと比較して、図５に示すシーケンスの処理時間は短い。この結果、本実施形態の画像露光装置では、光量設定時の限られた時間内に実施される１つの半導体レーザ１１１についてのパルス発光の回数が、図９に示すシーケンスを用いる画像露光装置における１つの半導体レーザ１１１についてのパルス発光の回数と比較して多い。従って、本実施形態の画像露光装置では、画像露光時の各チャンネルの半導体レーザからの光の平均光量が、図９に示すシーケンスを用いる画像露光装置における各チャンネルの半導体レーザからの光の平均光量と比較して精度良く所望の光量に設定されるので、濃度むらを抑えて画像を露光することができる。
【００７７】
次に、本発明の第２の画像露光装置の一実施形態における光量設定方法について説明する。
【００７８】
図６は、本発明のうちの第２の画像露光装置の一実施形態における光量設定の際の、１つの半導体レーザを１巡目に１回パルス発光させるシーケンスを示す図である。
【００７９】
本実施形態では、光量設定において、まず露光ヘッド１２０（図１参照）を、モニタ用光検出器１６０と対向する位置に移動させる。次に、光ファイバ移動機構駆動回路１８０（図２参照）のピニオン１８２を時計回りに回転させることにより光ファイバ１５０が、初期位置から図２に示す矢印Ａ方向に移動を始めると、図６に示すシーケンスが開始される。
【００８０】
まず、１つのチャンネルの半導体レーザ１１１（図４参照）をバイアス状態に励起するためのバイアス信号を、このチャンネルのレーザ駆動回路１１６に入力する（ステップＳ３０）。次に、このチャンネルの半導体レーザ１１１に図１０に示す第１のドライブレベルＩ1を供給するためのドライブ信号を、このチャンネルのレーザ駆動回路１１６に入力する（ステップ３１）。次に、全チャンネルのレーザ駆動回路１１６のバイアススイッチ１１６ｂをオンし（ステップＳ３２）、このチャンネルのレーザ駆動回路１１６のドライブスイッチ１１６ｃをオンする（ステップＳ３３）。その結果、１つのチャンネルの半導体レーザ１１１に駆動電流が供給され、この半導体レーザ１１１が発光する。この半導体レーザ１１１からの光の光量を、モニタ用光検出回路１６０で検出する（ステップＳ３４）。次に、このチャンネルのレーザ駆動回路１１６のドライブスイッチ１１６ｃをオフし（ステップＳ３５）、全チャンネルのレーザ駆動回路１１６のバイアススイッチ１１６ｂをオフする（ステップＳ３６）。次に、このチャンネルの半導体レーザ１１１に供給されるバイアスレベルを解除するためのバイアス信号を、このチャンネルのレーザ駆動回路１１６に入力（ステップＳ３７）してこの処理を終了する。
【００８１】
本実施形態では、光ファイバ１５０が図２に示す矢印Ａ方向に移動を始めると、まず図６に示すシーケンスを複数のチャンネルの半導体レーザ１１１について一巡させ、その後、光ファイバ１５０が所定の距離だけ進むまで、図５に示すシーケンスを、複数のチャンネルの半導体レーザ１１１について循環的に繰り返し実施する。さらに、本実施形態では光ファイバ１５０が所定の距離だけ進むと、光ファイバ１５０の移動を停止し、続いて、光ファイバ移動機構１８０（図２参照）のピニオン１８２を反時計回りに回転させることにより光ファイバ１５０を図２に示す矢印Ｂ方向に移動させる。光ファイバ１５０が移動を始めると、再び図６に示すシーケンスを複数のチャンネルの半導体レーザ１１１について一巡させる。ただしこのときのシーケンスでは、ステップＳ３１でレーザ駆動回路１１６に入力されるドライブ信号は、半導体レーザ１１１に図１０に示す第２の駆動電流Ｉ2を供給するためのドライブ信号である。その後、光ファイバ１５０が所定の初期位置に戻るまで図５に示すサンプリング処理を全てのチャンネルの半導体レーザ１１１について循環的に繰り返し実施する。
【００８２】
本実施形態では、光量設定時の全チャンネルの半導体レーザ１１１について一巡目と、光ファイバ１５０の移動方向が反転した直後の一巡目とに実施される図６に示すシーケンスにおいて所定の時定数をもって処理されるのは、バイアス信号をレーザ駆動回路に入力する処理（ステップＳ３０）とバイアスレベルを解除するためのバイアス信号をレーザ駆動回路１１６に入力する処理（ステップＳ３７）およびドライブ信号をレーザ駆動回路に入力する処理（ステップＳ３１）の３つである。このため、本実施形態では、図６に示すシーケンスにより１つの半導体レーザをパルス発光させるときの処理時間が、本発明の第１の画像露光装置の実施形態における図５に示すシーケンスにより１つの半導体レーザをパルス発光させるときの処理時間と比較して若干長いが、光量設定時におけるそれ以外のシーケンスは本発明の第１の画像露光装置の実施形態と同一の処理であり、その処理時間は図９に示すシーケンスによる処理時間と比較して短い。従って、本発明の第１の画像露光装置の実施形態と同様に、画像露光時の各チャンネルの半導体レーザからの光の平均光量が、図９に示すシーケンスを用いる画像露光装置における各チャンネルの半導体レーザからの光の平均光量と比較して精度良く所望の光量に設定されるので、濃度むらを抑えて画像を露光することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の第１および第２の画像露光装置に共通の一実施形態を示す図である。
【図２】光ファイバ移動機構を示す図である。
【図３】図１に示す画像露光装置の制御系を示すブロック図である。
【図４】図３に示すレーザ駆動回路を示す回路図である。
【図５】本発明のうちの第１の画像露光装置の一実施形態における光量設定の、１つの半導体レーザを１回パルス発光させるシーケンスを示す図である。
【図６】本発明のうちの第２の画像露光装置の一実施形態における光量設定の際の、１つの半導体レーザを１巡目に１回パルス発光させるシーケンスを示す図である。
【図７】露光ヘッドから射出される光の光量変動を示す図である。
【図８】光ファイバに画像露光中の動きと同じ動きをさせながら、複数の半導体レーザを循環的に繰り返しパルス発光させたときの光量を示す図である。
【図９】１つの半導体レーザをパルス発光させるシーケンスを示す図である。
【図１０】１つの半導体レーザについて、この半導体レーザから所望の光量の光を出射させるためのドライブレベルを求める方法の一例を説明する図である。
【符号の説明】
【００８４】
１００    画像露光装置
１１０    光源ユニット
１１１    半導体レーザ
１１２    第１の光ファイバ
１１３    光源基板
１１４    アダプタ基板
１１４ａ    光コネクタ
１１５    駆動回路基板
１１６    レーザ駆動回路
１１６ａ    Ｄ／Ａ変換器
１１６ｂ    バイアススイッチ
１１６ｃ    ドライブスイッチ
１１６ｄ    ＡＮＤ回路
１１６ｅ    加算器
１１６ｆ    電圧／電流変換回路
１２０    露光ヘッド
１２１    ファイバアレイ部
１２２    コリメータレンズ
１２３    アパーチャ
１２４    結像レンズ
１３０    露光ヘッド移動部
１３１    ボールネジ
１３２    レール
１３３    副走査モータ
１３４    ガイドレール
１３５    スライダ
１３６    収納体
１４０    回転ドラム
１４１    主走査モータ
１５０    第２の光ファイバ
１５０ａ    束ねられた部分
１６０    モニタ用光検出器
１７０    冷却用ブロア
１８０    光ファイバ移動機構
１８１    ラック
１８２    ピニオン
１８３    モータ
１９０    演算・制御回路
１９０ａ    メモリ
１９１    主走査モータ駆動回路
１９２    副走査モータ駆動回路
１９３    光ファイバ移動機構駆動回路
１９４    冷却用ブロア駆動回路
【図１】
2005088295.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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