(57)【要約】【課題】ウエーハを特に１０００℃以上となるような高温で熱処理する場合でも、キズやスリップの発生を効果的に抑制することができる熱処理用治具および熱処理方法を提供する。【解決手段】ウエーハＷを熱処理する際に該ウエーハを支持する熱処理用治具であって、少なくとも治具本体４ａと支持部２ａとを有し、前記治具本体が、熱処理時に変形しない硬質材料で構成されており、前記支持部の少なくともウエーハと接する面３ａが、熱処理時に前記硬質材料よりも軟化する軟質材料、好ましくは、熱処理すべきウエーハと同じ材料、または、熱処理時に前記ウエーハよりも硬度が小さくなる材料で構成されていることを特徴とするウエーハの熱処理用治具１ａ。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハを熱処理する際に該ウエーハを支持する熱処理用治具であって、少なくとも治具本体と支持部とを有し、前記治具本体が、熱処理時に変形しない硬質材料で構成されており、前記支持部の少なくともウエーハと接する面が、熱処理時に前記硬質材料よりも軟化する軟質材料で構成されていることを特徴とするウエーハの熱処理用治具。
【請求項２】
前記ウエーハと接する面を構成する軟質材料が、前記熱処理すべきウエーハと同じ材料、または、熱処理時に前記ウエーハよりも硬度が小さくなる材料であることを特徴とする請求項１に記載のウエーハの熱処理用治具。
【請求項３】
前記ウエーハと接する面を構成する軟質材料が、シリコンまたは石英であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウエーハの熱処理用治具。
【請求項４】
前記治具本体を構成する硬質材料が、セラミックスであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のウエーハの熱処理用治具。
【請求項５】
前記セラミックスが、炭化ケイ素であることを特徴とする請求項４に記載のウエーハの熱処理用治具。
【請求項６】
前記熱処理用治具が、治具本体となる複数の支柱に前記ウエーハを支持するための溝を設けた縦型熱処理用ボートであることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のウエーハの熱処理用治具。
【請求項７】
前記熱処理用治具が、リング状または皿状のサセプタであることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のウエーハの熱処理用治具。
【請求項８】
ウエーハを熱処理する方法において、前記ウエーハを支持する熱処理用治具として、少なくとも治具本体と支持部とを有し、前記治具本体が、熱処理時に変形しない硬質材料で構成されており、前記支持部の少なくともウエーハと接する面が、前記熱処理すべきウエーハと同じ材料、または、熱処理時に前記ウエーハよりも硬度が小さくなる材料で構成されているものを用い、該熱処理用治具で前記ウエーハを支持して熱処理を行うことを特徴とするウエーハの熱処理方法。
【請求項９】
前記ウエーハの熱処理を、１０００℃以上の熱処理温度で行うことを特徴とする請求項８に記載のウエーハの熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウエーハ等のウエーハの熱処理用治具及び熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエーハ、例えばシリコンウエーハを用いてデバイスを作製する場合、ウエーハの加工プロセスから素子の形成プロセスまで多数の工程が介在し、その一つに熱処理工程がある。熱処理工程は、ウエーハの表層における無欠陥層の形成、ゲッタリング、結晶化、酸化膜形成、不純物拡散等を目的として行われる重要なプロセスである。
【０００３】
このようなウエーハの熱処理工程、例えば、酸化や不純物拡散に用いられる拡散炉（酸化・拡散装置）としては、ウエーハの大口径化に伴い、図８に示すような多数のウエーハＷを所定の間隔をあけて水平に支持した状態で熱処理を行う縦型の熱処理炉２０が主に用いられている。熱処理炉２０内のウエーハＷは、反応室２２の周囲に設けられたヒータ２４によって加熱することができる。熱処理中は、反応室２２にはガス導入管２６を介してガスが導入され、上方から下方に向かって流れてガス排気管２８から外部に排出される。なお、使用するガスは熱処理の目的によって異なるが、主としてＨ２、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ等が用いられる。不純物拡散の場合には、これらのガスを不純物化合物ガスのキャリアガスとしても使用する。
【０００４】
このような縦型熱処理炉２０を用いてウエーハＷを熱処理する際には、多数のウエーハＷを水平にセットするための縦型熱処理用ボート１１（以下、「熱処理用ボート」、「縦型ボート」、或いは単に「ボート」という場合がある。）が用いられる。
図７（Ａ）は一般的な熱処理用ボート１１の概略を示している。４本の支柱（ロッド）１４の両端部に一対の板材（端板、あるいは天板、底板とも言う）１６ａ，１６ｂが連結されている。各支柱１４には多数のスリット（溝）１５が形成され、各スリット１５間の凸部がウエーハＷの支持部１２として作用する。そして、図７（Ｂ）に示されるように、ウエーハＷの外周部が、各支柱１４の支持部１２によって支持されることになる。
【０００５】
このような縦型ボート１１におけるウエーハ支持部１２は種々の形状が採用されており、例えば図６（Ａ）に示されるように円柱形状の支柱１４ａに凹み状のスリット（溝）１５ａを設けて半円状の支持部１２ａを形成したもの、あるいは図６（Ｂ）に示されるようにウエーハの中心に近い箇所まで支持するために幅の広い角柱形状の支柱１４ｂに凹み状のスリット１５ｂを設けて長方形の支持部１２ｂを形成したものがある。
他にも、スリット形状を円弧状にしたものや鉤型状にしたもの、さらに、各支持部の上面に段差を設けて直径の異なるウエーハを支持することができるボートも提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
縦型ボート１１を用いてウエーハＷを熱処理する際には、各支柱１４の同じ高さに形成されている支持部１２にウエーハＷの外周部を載置することでウエーハＷが水平に支持されることになる。しかし、ウエーハＷの外周部を支持した場合、ウエーハＷの自重により撓みが生じるとともに支持部１２と接する部分に応力が集中し、スリップと呼ばれる結晶欠陥が発生するおそれがある。
【０００７】
熱処理時のスリップの発生を防止する手段として、リング状又は皿状の治具を用いることが提案されている（例えば特許文献２参照）。特に大直径（例えば３００ｍｍ以上）のウエーハを熱処理する場合、ウエーハの重量も大きくなるので支持される箇所に応力が集中してスリップが生じ易くなるが、各支柱の支持部上に例えば図５（Ａ）に示すようなリング状のサセプタ３７を載せ、これを介して図５（Ｂ）のようにウエーハＷを支持する。サセプタ３７とウエーハＷとの接触面積が大きく、荷重等が分散されるため、スリップの発生が抑制されることになる。
なお、開口部（切り欠き部）３８は、ウエーハＷをサセプタ３７上に移載する時に移載機が通過できるように設けられているものであるが、開口部３８の無い完全なリング状のサセプタや、図４（Ａ）（Ｂ）に示すような皿状のサセプタ３６が使用される場合もある。
【０００８】
また、熱処理装置に関しては、図８に示したような多数のウエーハをまとめて熱処理するいわゆるバッチ式の装置２０のほか、図９に示すようにウエーハＷを一枚ずつ処理する枚様式の熱処理装置４０が使用される場合もある。このような枚葉式の熱処理装置４０では、装置内に配置されたサセプタ４１の上面にウエーハＷを載置して熱処理が行われる。ウエーハを熱処理する際には、ランプ４４等による加熱が行われるとともに、ガス導入管４６からガスが導入され、反応室４２内を通ってガス排気管４８から外部に排出される。
【０００９】
【特許文献１】
特開平５−２９１１６６号公報
【特許文献２】
特開平６−２６０４３８号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
例えばシリコンウエーハを熱処理する場合、いずれのタイプの熱処理装置を使用するにせよウエーハの金属汚染を防ぐため、熱処理用ボートやサセプタ等の熱処理用治具は、一般的に、石英、単結晶シリコン、多結晶シリコン、炭化ケイ素等の材料で構成されたものが用いられる。また、熱処理の際のウエーハのキズやスリップの発生を防ぐため、ウエーハと接する面（支持面あるいは接触面）は、エッチング、研磨等により平滑化されている。
【００１１】
ところが、例えば、縦型熱処理炉内で熱処理を行う場合、熱処理用ボートを用いてウエーハの外周部を支持してもウエーハを完全に水平に支持することは困難である。そのため、支持部の接触面が滑らかに加工されていても実質的に点支持となって応力集中が起き易く、結果的にスリップの発生を招いてしまう場合がある。
【００１２】
また、リング状や皿状のサセプタ等、ウエーハの広いエリアを支持する熱処理用治具でも、支持面全体で水平度を出す加工は非常に困難であり、実質的に点支持となることが多い。このため、ウエーハに対し、特に１０００℃以上の高温で熱処理を行うと、支持部分を起点としてウエーハにキズやスリップが発生するおそれがある。
【００１３】
このようなスリップ等の欠陥は、ウエーハの材料特性の低下、ひいてはデバイスプロセスにおける歩留まり低下の要因となるため、特に１０００℃以上となる高温熱処理を行う場合でもウエーハにキズやスリップを発生させないことが望ましい。
【００１４】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、ウエーハを特に１０００℃以上となるような高温で熱処理する場合でも、キズやスリップの発生を効果的に抑制することができる熱処理用治具および熱処理方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明によれば、ウエーハを熱処理する際に該ウエーハを支持する熱処理用治具であって、少なくとも治具本体と支持部とを有し、前記治具本体が、熱処理時に変形しない硬質材料で構成されており、前記支持部の少なくともウエーハと接する面が、熱処理時に前記硬質材料よりも軟化する軟質材料で構成されていることを特徴とするウエーハの熱処理用治具が提供される（請求項１）。
【００１６】
このように、治具本体が熱処理時に変形しない硬質材料で構成されている一方、支持部の少なくともウエーハと接する面が熱処理時に本体の硬質材料よりも軟化する軟質材料で構成されていれば、例えば１０００℃以上となるような高温熱処理でも、治具本体は変形せずに安定した状態を保ち、一方、支持面（接触面）は軟化して面接触に近い状態でウエーハをソフトに支持するものとなる。従って、ウエーハを熱処理する際、このような熱処理用治具でウエーハを支持することで、キズやスリップの発生を効果的に抑制することができる。
【００１７】
この場合、ウエーハを支持する面を構成する軟質材料は、熱処理すべきウエーハと同じ材料、または、熱処理時にウエーハよりも硬度が小さくなる材料であることが好ましく（請求項２）、例えば、シリコンまたは石英とすれば（請求項３）、特にシリコンウエーハに対するキズやスリップの発生をより効果的に防ぐものとなる。
【００１８】
一方、治具本体を構成する硬質材料は、セラミックスであることが好ましく（請求項４）、特に、炭化ケイ素であることが好ましい（請求項５）。
すなわち、治具本体をセラミックス、特に炭化ケイ素で構成した熱処理用治具とすれば、例えば１２００℃にもなる極めて高温でも変形しない安定したものとなる。
【００１９】
本発明に係る熱処理用治具の形態としては、例えば、治具本体となる複数の支柱にウエーハを支持するための溝を設けた縦型熱処理用ボート（請求項６）、あるいはリング状または皿状のサセプタとすることができる（請求項７）。
これらの形態の熱処理用治具はウエーハの熱処理に多く使用されており、ウエーハが支持されている部分に応力が集中する場合があるが、本発明のような構成とすることで、治具本体は安定した状態を保ちつつ、ウエーハをソフトに支持するものとなり、キズやスリップの発生を特に効果的に防ぐことができる。
【００２０】
さらに、本発明によれば、ウエーハを熱処理する方法において、前記ウエーハを支持する熱処理用治具として、少なくとも治具本体と支持部とを有し、前記治具本体が、熱処理時に変形しない硬質材料で構成されており、前記支持部の少なくともウエーハと接する面が、前記熱処理すべきウエーハと同じ材料、または、熱処理時に前記ウエーハよりも硬度が小さくなる材料で構成されているものを用い、該熱処理用治具で前記ウエーハを支持して熱処理を行うことを特徴とするウエーハの熱処理方法が提供される（請求項８）。
【００２１】
このように、ウエーハを熱処理する際、治具本体と支持面がそれぞれ適した材料で構成されている熱処理用治具を用いてウエーハの熱処理を行えば、ウエーハをソフトに支持して、安定して熱処理することができ、キズやスリップの発生を効果的に防ぐことができる。
【００２２】
この場合、例えば、ウエーハの熱処理を、１０００℃以上の熱処理温度で行うこともできる（請求項９）。
例えばシリコンウエーハを１０００℃以上の高温で行う場合でも上記のような治具を用いて熱処理を行えば、スリップ等の発生をより確実に抑制することができ、本発明が特に有効となる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明者が熱処理時のスリップの発生につき詳しく調査したところ、スリップの発生は、特に高温の熱処理で使用される炭化ケイ素などの硬質材料からなる熱処理用ボートやサセプタを用いた場合に多く、その原因として、支持部の表面粗さのほか、治具（支持部）とウエーハとの硬さの違い等により支持部と接触している位置（外周部）にキズが発生し、さらにそのキズからスリップが発生し易いことが判った。
そこで、本発明の熱処理用治具は、治具本体を熱処理時に変形しない硬質材料で構成し、支持部の少なくともウエーハと接する面を熱処理時に前記硬質材料よりも軟化する軟質材料で構成するようにした。
【００２４】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る熱処理用治具を用いてシリコンウエーハを熱処理する場合について具体的に説明する。
図１（Ａ）（Ｂ）は、本発明に係わる熱処理用治具（縦型熱処理用ボート）の例の要部を示している。図１（Ａ）に示されている熱処理用ボート１ａは、図７に示したような一般的な熱処理ボート１１と同様、複数（例えば４本）の円柱状の支柱４ａと、各支柱４ａの両端部に連結した一対の板材（不図示）によりボート本体が構成されている。そして、各支柱４ａにはウエーハを支持するために所定の間隔で溝５ａが設けられ、各溝５ａの間にウエーハを支持するウエーハ支持部２ａが形成されている。
【００２５】
本発明の熱処理用ボート１ａでは、支柱４ａ等のボート本体は、熱処理時に変形しない硬質材料で構成される。このような硬質材料としては、熱処理温度等を考慮して適宜選択すれば良いが、熱処理するウエーハの金属汚染等を防ぐことも考慮し、例えば、金属不純物をほとんど含有しない炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の硬質のセラミックス（焼結体）を好適に使用することができる。特に、高純度の炭化ケイ素を用いた場合には、１０００℃以上、特に１２００℃以上の極めて高温で熱処理を行う際にも変形し難く、長期間使用することができるものとなる。なお、耐熱性基材上にＣＶＤ法によりＳｉＣコートしたものも好適である。
【００２６】
一方、ウエーハ支持部２ａの上面、すなわちウエーハと接する面（支持面あるいは接触面）３ａは、熱処理時に硬質材料よりも軟化する軟質材料で構成される。このような軟質材料も熱処理温度等を考慮し、実際に適用される熱処理温度でも溶けずに軟化するガラス系の材料等を適宜選択すれば良いが、特に、熱処理時に熱処理対象物であるウエーハよりも硬度が小さくなる材料が好ましく、例えば熱処理対象物がシリコンである場合、石英を好適に用いることができる。石英あれば、熱処理時、特に１２００℃付近でも溶けずに支持面３ａとしては程よく軟化し、また、ウエーハに対する汚染を防ぐという利点もある。
【００２７】
また、支持面３ａ構成する材料として、熱処理するべきウエーハと同じ材料、すなわち、シリコンも好適である。支持面３ａをシリコンで構成すれば、熱処理するウエーハと同じ材質であるため汚染を確実に防ぐ上、熱処理時、治具本体を構成する炭化ケイ素よりも軟化することになる。
【００２８】
支持面３ａを軟質材料で構成する方法は特に限定されず、例えば、石英で構成した支持体を支持部２ａに取り付けるほか、支持部２ａの少なくとも上面に軟質材料をＣＶＤ法等によりコーティングしても良い。
【００２９】
なお、前記したように、熱処理用治具の材質として、従来から石英、単結晶シリコン、多結晶シリコン、炭化ケイ素などが用いられており、特に１０００℃以上の高温熱処理を行う場合のボートの材質としては、炭化ケイ素が主に用いられていた。しかし、炭化ケイ素は石英等に比べ硬質であり、高温（例えば１０００℃以上）でも変形せず、ウエーハとの熱膨張率や硬さの違いによりウエーハと接触している位置にキズが発生し、そのキズからスリップが発生することがある。一方、例えば石英で熱処理用治具を構成した場合、石英は比較的軟質な材料であり、例えば６００℃付近（ガラス転位温度約５７３℃）で軟化が始まり、さらに高温になると強度の低下に伴い変形し、例えば１２００℃ではボートとしての役割を果さなくなってしまう。
【００３０】
これらのボートに対し、本発明に係る熱処理用ボート１ａでは、ボート本体となる各支柱４ａ等が炭化ケイ素等の硬質な材料で構成されているため、１０００℃以上、例えば１２００℃の高温で熱処理が行われても、支柱４ａや支持部２ａは変形することはない。一方、ウエーハ支持部２ａの接触面３ａは石英等の比較的軟質な材料で構成されているため、例えば１０００℃以上の熱処理時に炭化ケイ素よりも軟化し、特に石英等であればシリコンウエーハよりも硬度が小さくなり、面接触に近い状態でウエーハを支持することが可能となる。従って、このような熱処理用ボート１ａを用いてウエーハの熱処理を行うことで、ウエーハに対するキズの発生を効果的に抑制することができる。
なお、図１（Ｂ）の熱処理用ボート１ｂは、支柱４ｂ、支持部２ｂ、溝５ｂの各形状以外は、図１（Ａ）の熱処理用ボート１ａと同様の構成となっている。
【００３１】
図２（Ａ）（Ｂ）は、本発明に係る熱処理用治具の他の一例であるリング状のサセプタ６ａを示している。サセプタ本体７ａはセラミックス（ＳｉＣ）等の硬質材料で構成されており、本体７ａの外周上には、ウエーハ支持部として石英等の軟質材料で構成されたリング状の支持体８ａが配置されている。支持体８ａの内側には下方に傾斜したテーパがついた支持面９ａが形成されており、図２（Ｂ）に示されているように、ウエーハＷの面取り部付近が支持されることになる。なお、支持体８ａは、例えば、サセプタ本体７ａに嵌め込むようにして取り付けるものとすることができる。
【００３２】
このように治具本体であるサセプタ本体７ａが硬質材料で構成され、支持部９ａが軟質材料で構成されたリング状のサセプタ６ａによってウエーハＷを支持し、例えば１０００℃以上の高温で熱処理を行う場合、ウエーハＷの外周部全体が軟化した支持体によって支持されるため、キズやスリップの発生をより効果的に抑制することができる。
【００３３】
図３は、本発明に係るさらに他の形態の熱処理用治具として、皿状のサセプタ６ｂを示している。セラミックス（ＳｉＣ）等の硬質材料で構成された皿状のサセプタ本体７ｂの上に、図２のサセプタ６ａと同様、石英等の軟質材料で構成されたリング状の支持体８ｂが配置されている。このような皿状のサセプタ６ｂでは、本体７ｂが皿状であるため特に変形し難く、熱処理中、ウエーハは軟化した支持体８ｂ（支持面９ｂ）により支持されるため、キズやスリップの発生を効果的に防ぐことができる。
【００３４】
なお、サセプタとする場合、図２や図３で示したようなに周方向に沿って欠けた部分（開口部）のない完全なリング状または皿状のサセプタ６ａ，６ｂであれば、図５に示すような開口部３８付近の応力集中によるスリップの発生を防止することができるが、図示した形状のもに限定されない。例えば、図５に示したような開口部（切り欠き部）３８が形成されているもの、また、支持面がテーパではなく、水平なものとしても良く、支持面を石英等の軟質材料でコーティングして構成しても良い。
【００３５】
【実施例】
以下、本発明の実施例及び比較例について説明する。
（実施例）
熱処理するウエーハとして、直径３００ｍｍ、厚さ７７９μｍの鏡面研磨されたシリコンウエーハを用意した。
熱処理治具は、図２に示したようなリング状のサセプタを用いた。サセプタ本体はＳｉＣ製のセラミックスをベースにＣＶＤ−ＳｉＣコートしたものであり、外径３０５ｍｍ、厚さ２．０ｍｍ、幅２５ｍｍの完全な（開口部の無い）リング状のものである。そして、ウエーハ支持面には石英が直径３０５ｍｍ、幅２０ｍｍ、厚さ１．０ｍｍ、テーパ角５°（内側に傾斜）で形成されている。
【００３６】
このようなサセプタに、シリコンウエーハが石英の支持部で支持されるように載置し、さらに、このサセプタを、図７に示すような縦型熱処理用ボートの支持部に移載した。このようにして熱処理用ボートにサセプタを介してウエーハを８０枚セットした。
【００３７】
ウエーハをセットした熱処理用ボートを、図８に示すような熱処理炉内に搬入し、アルゴン雰囲気中、１２００℃、１時間の熱処理を行なった。
熱処理後、炉からボートを搬出し、熱処理後のウエーハに対して目視及びＸ線Ｌａｎｇ法にてスリップ転位の発生状況を確認した。
その結果、目視ではまったくスリップ転位は確認されず、Ｘ線による観察ではスリップらしき欠陥が存在するウエーハもあったが、そのような欠陥の発生率は５％以下であった。
【００３８】
（比較例）
全体がＳｉＣセラミックスで構成されたリング状のサセプタを用い、上記実施例と同様にしてシリコンウエーハの熱処理を行った。
熱処理後、目視及びＸ線Ｌａｎｇ法にて同様にスリップ転位の発生状況を観察したところ、目視によってもスリップの発生をはっきりと認識できるウエーハが存在し、Ｘ線による方法では、実施例と同じ基準で発生率を確認すると、５０％程度のウエーハに対して欠陥が観察された。
【００３９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４０】
例えば、前記実施例では、リング状のサセプタを用いたバッチ式の熱処理を例に説明したが、図３で示したような皿状のサセプタを用いるほか、これらのサセプタを用いることなく、図１（Ａ）、（Ｂ）に示したような本発明に係る熱処理用ボートでウエーハを直接支持して熱処理を行ってもよい。
【００４１】
さらに、本発明に係る熱処理用治具は、図９に示すような枚様式の熱処理装置４０においても適用することができる。例えば、ＳｉＣ等の硬質材料で構成したサセプタ本体の上面、すなわちウエーハと接する面（保持面）を、熱処理時に本体よりも軟化する石英やシリコン等の軟質材料で構成し、これを枚葉式熱処理装置内に配置すれば良い。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、治具本体が熱処理時に変形しない硬質材料で構成されており、一方、支持部の少なくともウエーハと接する面が熱処理時に前記硬質材料よりも軟化する軟質材料、好ましくは、熱処理時にウエーハよりも硬度が小さくなる材料で構成されている熱処理用治具とする。このような熱処理用治具を用いて熱処理を行うことにより、例えば１０００℃以上となるような高温熱処理でも、治具本体は変形せずにウエーハをソフトに支持するため、キズやスリップの発生を効果的に抑制することができる。その結果、デバイスプロセスにおける歩留まりの向上につながる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る縦型熱処理用ボートの例の要部（ウエーハ支持部）を示す概略斜視図である。
（Ａ）半円形の支持部
（Ｂ）長方形の支持部
【図２】本発明に係るリング状のサセプタの一例を示す概略図である。
（Ａ）斜視図
（Ｂ）断面図（ウエーハを支持した状態）
【図３】本発明に係る皿状のサセプタの一例を示す概略図である。
（Ａ）斜視図
（Ｂ）断面図
【図４】従来の皿状のサセプタの一例を示す概略図である。
（Ａ）斜視図
（Ｂ）断面図
【図５】開口部を有する従来のリング状のサセプタの一例を示す概略図である。
（Ａ）平面図
（Ｂ）断面図（ウエーハを支持した状態）
【図６】従来の熱処理用ボートにおけるウエーハ支持部を示す概略斜視図である。
（Ａ）半円形の支持部
（Ｂ）長方形の支持部
【図７】縦型熱処理用ボートの一例を示す概略図である。
（Ａ）正面図
（Ｂ）横方向断面図（ウエーハを支持した状態）
【図８】縦型熱処理炉の一例を示す概略図である。
【図９】枚葉式熱処理装置の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ…熱処理用ボート、  ２ａ，２ｂ…支持部、
３ａ，３ｂ…ウエーハ支持面（接触面）、  ４ａ，４ｂ…支柱、
５ａ，５ｂ…溝、  ６ａ，６ｂ…サセプタ、  ７ａ，７ｂ…サセプタ本体、
８ａ，８ｂ…支持体、  ９ａ，９ｂ…ウエーハ支持面（接触面）、
１１…熱処理用ボート、  １２，１２ａ，１２ｂ…支持部、
１４，１４ａ，１４ｂ…支柱、  １５，１５ａ，１５ｂ…溝、
１６ａ，１６ｂ…板材（天板、底板）、  ２０…熱処理炉、
４０…枚葉式熱処理装置、  Ｗ…ウエーハ。
【図１】
2005019748.tif 000003
【図２】
2005019748.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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