(57)【要約】  【課題】表側電極による光学的なロスを減少させるとともに、短絡電流密度と曲線因子とを適正なバランスを保って向上させ、良好な変換効率を得ることができる太陽電池素子を提供する。  【解決手段】多結晶シリコンの半導体基板の受光面側に表側電極を有する太陽電池素子であって、前記表側電極を受光面側の鉛直方向から平面視したときの面積をＳａ（ｃｍ２）、前記太陽電池素子の受光面のうち、前記表側電極が設けられた領域の表面積をＳｂ（ｃｍ２）としたときに、１．１０≦Ｓｂ／Ｓａ≦２．１０の関係を満たすようにした。  【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶シリコンの半導体基板の受光面側に表側電極を有する太陽電池素子であって、
前記表側電極を受光面側の鉛直方向から平面視したときの面積をＳａ（ｃｍ２）、前記太陽電池素子の受光面のうち、前記表側電極が設けられた領域の表面積をＳｂ（ｃｍ２）としたときに、
１．１０≦Ｓｂ／Ｓａ≦２．１０
の関係を満たす太陽電池素子。
【請求項２】
前記表側電極は、略直線状のバスバー電極と、このバスバー電極に少なくとも一端部が接続された複数のフィンガー電極と、を含む請求項１に記載の太陽電池素子。
【請求項３】
所定間隔で配列されるとともに互いに電気的に接続された、複数枚の板状の太陽電池素子を有する太陽電池モジュールであって、
前記複数枚の太陽電池素子は、請求項１又は請求項２に記載の太陽電池素子を含む太陽電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光面側に表側電極を有する太陽電池素子とこれを用いた太陽電池モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は入射した光エネルギーを電気エネルギーに変換するものである。太陽電池のうち主要なものは使用材料の種類によって結晶系、アモルファス系、化合物系等に分類される。このうち、現在市場で流通しているのはほとんどが結晶系シリコン太陽電池である。この結晶系シリコン太陽電池はさらに単結晶型、多結晶型に分類される。単結晶型のシリコン太陽電池は基板の品質がよいために高効率化が容易であるという長所を有する反面、基板の製造が高コストになるという短所を有する。これに対して多結晶型のシリコン太陽電池は基板の品質が劣るために高効率化が難しいという短所はあるものの、低コストで製造できるという長所がある。また、最近では多結晶シリコン基板の品質の向上やセル化技術の進歩により、研究レベルでは１８％程度の変換効率が達成されている。
【０００３】
一方、量産レベルの多結晶シリコン太陽電池は低コストであったため、従来から市場に流通し、現在、太陽電池の主流製品となっている。
【０００４】
特許文献１に記載されているバルク型シリコン太陽電池１１０の一般的な構成を図４に示す。図４（ａ）は、断面構造を示す図である。図に示すように、ｐ型シリコンの半導体基板からなるｐ型バルク領域１０５の光入射面側にＰ（リン）原子などが高濃度に拡散され、ｐ型バルク領域との間にｐｎ接合を形成した逆導電型領域１０４が形成され、さらに窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などからなる反射防止膜１０６が設けられている。また、光入射面の反対側には、アルミニウムなどのｐ型半導体不純物を多量に含んだｐ＋領域であるｐ＋型領域１０７が設けられている。
【０００５】
光入射面から光が入射すると、逆導電型領域１０４とｐ型バルク領域１０５とｐ＋型領域１０７とからなる半導体領域１０３で光生成キャリアが発生するが、これらを電流として集めて出力端子にまで導くために、光入射面側には銀などの金属材料を主成分とする表側電極（バスバー電極１０１、フィンガー電極１０２（後述））が設けられ、反対側にはアルミニウムからなる裏面集電極１０８、銀を主成分とする裏面出力電極１０９が設けられている。
【０００６】
図４（ｂ）は光入射面（表面）側から表側電極を見た図である。同図において１０１はバスバー電極、１０２はフィンガー電極を示す。このように、表側電極は、一般的には線幅の狭いフィンガー電極１０２（枝電極）とそれらフィンガー電極１０２の少なくとも一端が接続される線幅が太いバスバー電極１０１（幹電極）とからなっている。
【０００７】
この表側電極での電力ロスをできるだけ低減するために、表側電極には、通常、金属材料が使われ、とりわけ抵抗率の低い銀を主成分とすることが一般的であり、例えば、スクリーンプリント法などにより銀ペーストなどを塗布した後、焼成して形成される。
【０００８】
近年環境問題が取りざたされる中で、太陽電池に対してより高い変換効率が求められるようになっている。そこで、光入射面に配置される表側電極（バスバー電極１０１、フィンガー電極１０２）に対して様々な工夫がなされている。例えば、細線化させて光学ロス（反射ロス）を減少させたり、フィンガー電極１０２に集められた電子をできる限り損失なくバスバー電極１０１に運ぶためにそれぞれの電極同士を直交させて設けたりすることが一般的に行われてきた。
【特許文献１】特開平８−２７４３５６号公報
【特許文献２】特開平１１−３１２６６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
太陽電池素子の変換効率には、次式のような関係がある。
【００１０】
変換効率η ∝ 短絡電流密度Ｊｓｃ × 開放電圧Ｖｏｃ × 曲線因子ＦＦ
したがって、変換効率ηを増大させて高効率化するためには、上式のファクターのうち、開放電圧Ｖｏｃ、短絡電流密度Ｊｓｃ、曲線因子ＦＦのいずれかが大きくなるようにすれば良い。
【００１１】
上述した表側電極を細線化させて光学的なロスを減少させる方法によれば、実質的に太陽電池素子に入射する光エネルギーを増大させ、短絡電流密度Ｊｓｃを向上させることが可能となる。しかしながら、一方で線幅の減少に伴って電極抵抗が上昇するという問題がある。この電極抵抗は、太陽電池素子の直列抵抗成分となり、特に曲線因子ＦＦを悪化させてしまい、変換効率を向上させることができなくなる。このように変換効率に関与したこれらのファクターの全てを一律に増大させることは難しいのが実情であった。
【００１２】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、表側電極による光学的なロスを減少させるとともに、短絡電流密度と曲線因子とを適正なバランスを保って向上させ、良好な変換効率を得ることができる太陽電池素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、発明者は、表側電極の直列抵抗成分による電気的なロスを低減することについて様々な角度から検討を行った。そしてこの表側電極の直列抵抗成分としては、表側電極自体の抵抗と、表側電極と半導体領域との間の接触抵抗とが関与しており、特に、後者の表側電極と半導体領域との間の接触抵抗が問題となることを知見した。そして、この知見に鑑み鋭意研究を行った結果、表側電極と半導体領域との間の接触抵抗を改善することができる本発明の構成に到達したのである。
【００１４】
すなわち、本発明の請求項１に係る太陽電池素子は、多結晶シリコンの半導体基板の受光面側に表側電極を有する太陽電池素子であって、前記表側電極を受光面側の鉛直方向から平面視したときの面積をＳａ（ｃｍ２）、前記太陽電池素子の受光面のうち、前記表側電極が設けられた領域の表面積をＳｂ（ｃｍ２）としたときに、
１．１０≦Ｓｂ／Ｓａ≦２．１０・・・（１）
の関係を満たす。
【００１５】
（１）式は、表側電極の面積に対して、この表側電極が設けられた領域における太陽電池素子の受光面の表面積の比率が１．１０より大きく２．１０よりも小さくなる範囲とすることを示すものであり、これによって、表側電極と太陽電池素子との実質的な接触面積が増大し、直列抵抗成分による電気的なロスによる悪影響を軽減することができるから、曲線因子ＦＦを悪化させることない。
【００１６】
この結果として、本発明の太陽電池素子は、表側電極による光学的なロスを減少させるとともに、短絡電流密度と曲線因子とを適正なバランスを保って向上させるので、良好な変換効率を得ることができる。
【００１７】
なお、表側電極の面積Ｓａについては、太陽電池素子を受光面側の鉛直方向から撮影して、表面画像をデジタル化した後、周知の画像処理方法によって、例えば、表側電極とそれ以外の部分とが分離されるような閾値によって二値化することによって、表側電極の箇所とそれ以外の箇所とを分離することができ、面積を求めることができる。
【００１８】
さらに、表側電極が設けられた領域における太陽電池素子の受光面の表面積Ｓｂについては、表側電極の材料種類に応じて選択した所定の酸（例えば、電極が銀を主成分とする場合には王水）によって、この表側電極を除去し、この電極が設けられていた部位について表面積の測定を行えばよい。表面積の測定は、接触式、非接触式のいずれの方法をも用いることができるが、正確性の点からＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いることが望ましい。なお、ＡＦＭを用いる場合、観測可能な領域の大きさに限界があるので、表側電極が設けられていた所定箇所の中から、複数箇所を測定し、統計的に処理することによって、本発明の範囲内かどうかを定めることが可能である。
【００１９】
そして、前記表側電極は、略直線状のバスバー電極と、このバスバー電極に少なくとも一端部が接続された複数のフィンガー電極と、を含むようにした。
【００２０】
本発明の太陽電池モジュールは、所定間隔で配列されるとともに互いに電気的に接続された、複数枚の板状の太陽電池素子を有する太陽電池モジュールであって、前記複数枚の太陽電池素子は、本発明の太陽電池素子を含むようにした。
【発明の効果】
【００２１】
上述のように、本発明の太陽電池素子は、多結晶シリコンの半導体基板の受光面側に表側電極を有する太陽電池素子であって、前記表側電極を受光面側の鉛直方向から平面視したときの面積をＳａ（ｃｍ２）、前記太陽電池素子の受光面のうち、前記表側電極が設けられた領域の表面積をＳｂ（ｃｍ２）としたときに、
１．１０≦Ｓｂ／Ｓａ≦２．１０・・・（１）
の関係を満たすようにしたので、表側電極による光学的なロスを減少させるとともに、短絡電流密度と曲線因子とを適正なバランスを保って向上させるので、本発明の太陽電池素子は良好な変換効率を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明に係る太陽電池素子の実施の形態について、図面に基づき詳細に説明する。
【００２３】
最初に本発明に係る太陽電池素子の構造について簡単に説明する。図２（ａ）は本発明に係る太陽電池素子の断面構造を示す図、図２（ｂ）は本発明に係る太陽電池素子の受光面側（表面側）の電極形状の一例を示す図、図２（ｂ）は非受光面側（裏面側）の電極形状の一例を示す図である。
【００２４】
図２（ａ）に示すように、ｐ型シリコン多結晶の半導体基板からなるｐ型バルク領域５の光入射面側にＰ（リン）原子などが高濃度に拡散され、ｐ型バルク領域との間にｐｎ接合を形成した逆導電型領域４が形成され、さらに窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などからなる反射防止膜６が設けられている。また、光入射面の反対側には、アルミニウムなどのｐ型半導体不純物を多量に含んだｐ＋領域であるｐ＋型領域７が設けられて、本発明に係る太陽電池素子１０が構成されている。そして、図２（ｂ）、図２（ｃ）に示すように太陽電池素子１０の光入射面側には銀などの金属材料を主成分とする表側電極（バスバー電極１、フィンガー電極２）が設けられ、反対側にはアルミニウムからなる裏面集電極８、銀を主成分とする裏面出力電極９が設けられている。
【００２５】
太陽電池素子１０の光入射面側である反射防止膜６の側から入射から光が入射すると、逆導電型領域４とｐ型バルク領域５とｐ＋型領域７とからなる半導体領域３で吸収・光電変換されて電子−正孔対（電子キャリアおよび正孔キャリア）が生成される。この光励起起源の電子キャリアおよび正孔キャリア（光生成キャリア）によって、太陽電池素子１０の表側に設けられた略線状の表側電極と、裏側に設けられた裏側電極との間に光起電力を生じ、発生した光生成キャリアはこれらの電極で集められて、出力端子にまで導かれる。
【００２６】
図２（ｂ）は光入射面（表面）側から見た表側電極の一例を示す図である。同図において１はバスバー電極、２はフィンガー電極、６は反射防止膜を示す。表側電極は、一般的には線幅の狭いフィンガー電極２（枝電極）とそれらフィンガー電極２の少なくとも一端が接続される線幅が太く略直線状のバスバー電極１（幹電極）とからなっている。この表側電極での電力ロスをできるだけ低減するために、表側電極には、通常、金属材料が使われ、とりわけ抵抗率の低い銀を主成分とすることが一般的であり、例えば、スクリーンプリント法などにより銀ペーストなどを塗布した後、焼成して形成される。
【００２７】
裏側電極は、図２（ｂ）に示されるように、裏面集電極８と裏面出力電極９とからなる。裏面集電極８としては、半導体基板であるシリコンに対して、ｐ型の半導体不純物元素として作用するアルミニウムを用いて形成することが望ましい。その理由として、シリコン基板の裏面側表層部にｐ＋型領域７を形成し、このｐ＋型領域７はＢＳＦ（Back Surface Field）領域とも呼ばれ、光生成電子キャリアが裏面集電極８に到達して再結合損失する割合を低減する役割を果たし、短絡電流値Ｊｓｃが向上するからである。そしてまたこのｐ＋型領域７では少数キャリア（電子）密度が低減されるので、このｐ＋型領域７および裏面集電極８に接する領域でのダイオード電流量（暗電流量）を低減する働きをし、開放電圧Ｖｏｃが向上するという効果も有する。裏面出力電極９としては、通常、表側電極と同じ抵抗率の低い銀を主成分とする金属材料が使われることが多く、例えば、スクリーンプリント法などにより銀ペーストなどを塗布した後、焼成して形成される。
【００２８】
次に、本発明の太陽電池素子に係る表側電極の構成について、図１を用いて説明する。
【００２９】
図１（ａ）は、図２（ｂ）に示す表側電極のＡ部の部分拡大図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す表側電極をＢ−Ｂ方向の断面で切った部分拡大図である。
【００３０】
図１（ａ）に示すように、表側電極であるバスバー電極１とフィンガー電極２とを受光面側の鉛直方向から平面視したときの面積をＳａで表す。なお、図１（ａ）は、図２（ｂ）のＡ部の部分拡大図であり、図１（ａ）に現れていない図２（ｂ）の他の箇所についても全く同様である。また、図１（ａ）において、太陽電池素子の受光面のうち表側電極で覆われて見えない箇所、すなわち表側電極（バスバー電極１、フィンガー電極２）が設けられた領域の直下の部分の表面積がＳｂである。このとき次の（１）式で表される関係が成り立つような構成となっている。
【００３１】
１．１０≦Ｓｂ／Ｓａ≦２．１０・・・（１）
（１）式について説明する。上述したように、分母のＳａは、表側電極の面積に該当し、分子のＳｂは、この表側電極が設けられた領域における太陽電池素子の受光面の表面積であるから、（１）式のＳｂ／Ｓａは、表側電極が太陽電池素子の受光面との接触する比率の目安となる。理解を助けるために、図１（ｂ）に断面方向から見ることによって一つ次元を落として示す。Ｓａは平面視した表側電極の面積であるから、図１（ｂ）において、両矢印Ｃ１で表されるように一次元の直線状となり、Ｓｂは、領域Ｃ２で囲われた二次元の凹凸形状として表される。実際は、これが図１（ｂ）の奥行き方向にも広がっているので、Ｓａは二次元の（仮想的な）平面、Ｓｂは三次元の凹凸を有する面となる。
【００３２】
ここで、この式の比率が１．１０より大きく２．１０よりも小さくなる範囲となるように、太陽電池素子の受光面の表面積を定めることによって、表側電極と太陽電池素子との実質的な接触面積を増大させることができる。なお、Ｓｂ／Ｓａが１．１０以下のときは、ＦＦの向上のために接触面積を増加させれば受光面積が減少し短絡電流の低下を招き、短絡電流の向上のために電極面積を減少させればＦＦが低下するという太陽電池素子の変換効率向上の妨げになる問題があり、２．１０以上のときはスクリーンプリント法でシリコン基板表面に電極材料を充填させることが困難になるという問題がある。
【００３３】
このように、本発明の太陽電池素子に係る表側電極の構成によれば、表側電極と太陽電池素子との実質的な接触面積が増大し適正値となるので、直列抵抗成分による電気的なロスによる悪影響を軽減することができる。その結果、曲線因子ＦＦを悪化させることがない。
【００３４】
この結果、本発明の太陽電池素子は、表側電極による光学的なロスを減少させるとともに、短絡電流密度と曲線因子とを適正なバランスを保って向上させるので、良好な変換効率を得ることができる。
【００３５】
なお、（１）式におけるＳｂ／Ｓａの値を減少させるためには、電極下の半導体基板表面をフラットに近づけたり、電極と半導体基板の間に絶縁膜を介在させたりすれば良く、逆に増加させるためには、電極下の半導体基板表面を粗面状にしたり、窪みを形成したりすれば良い。特に本発明の適正な範囲とするためには、電極下の半導体基板表面を粗面状にすることが望ましい。また電極をスクリーンプリントによって形成する場合、凹凸の高さが２μｍ以下の細かい凹凸を均一に形成することが望ましい。このようにすることによって、スクリーンプリントでも電極材料を半導体基板の形状に沿って充填することが可能となり、直列抵抗をより有効に低減させることが可能となる。
【００３６】
また、本発明の太陽電池素子において、表側電極に含まれるバスバー電極１として、図では一つの太陽電池素子において２本備えた例によって説明しているが、３本以上としても良い。特に、受光面の光のエネルギーロスを防止するため、フィンガー電極２の線の幅を細くした場合、バスバー電極１が２本の場合は、フィンガー電極２における直列抵抗成分によって曲線因子ＦＦが悪化する傾向があるが、バスバー電極１を３本とすれば、フィンガー電極２の長さを短くすることができ、フィンガー電極２の直列抵抗成分による曲線因子ＦＦの悪化を抑制できる。上述の本発明に係る表側電極を平面視したときの面積Ｓａとしては、太陽電池素子の受光面の面積に対して、４％乃至７％の範囲としたときに、最適に光のエネルギーロスを抑え、電極の抵抗成分を受けにくくなるので好ましい。
【００３７】
また、本発明の太陽電池素子において、ＪＩＳ  Ｃ  ８９１３（１９９８）で規定される短絡電流Ｉｓｃを基板面積で割った短絡電流密度Ｊｓｃが３５．５ｍＡ／ｃｍ２以上であるとともに、ＪＩＳ  Ｃ  ８９１３（１９９８）で規定されるＦＦが０．７５以上であることが望ましい。このように高い短絡電流密度およびＦＦを有する太陽電池素子には、電極の設計にあたり、なお一層のシビアなコントロールが必要になる。よって本発明に係る太陽電池素子の効果を充分に発揮することができるのである。
【００３８】
また短絡電流Ｉｓｃは８０００ｍＡ以上となるようにすることが望ましい。この短絡電流Ｉｓｃの値は、太陽電池素子の大きさによって調節することができ、本発明の太陽電池素子で短絡電流密度Ｊｓｃが３５．５ｍＡ／ｃｍ２の場合には、受光面面積が１５ｃｍ×１５ｃｍの矩形のサイズ以上であることが必要となる。短絡電流Ｉｓｃがこの範囲となるように太陽電池素子のサイズを設計することによって、製造コストの削減をできるという優れた効果がある。
【００３９】
次に、図３（ａ）に、本発明の太陽電池素子を含むように構成した本発明の太陽電池モジュールの一例を示す。同図に示すように、光入射面を太陽電池モジュール１７の受光面側に向けて所定間隔で配列された複数枚の板状の太陽電池素子１０は、金属を代表とする導電性の材質であるタブ１１によって互いに電気的に接続され、太陽電池素子群を構成している。
【００４０】
なお、これらの太陽電池素子群の中に、本発明の太陽電池素子１０が少なくとも１つ含まれていれば効果を奏するが、発明の効果を良好に奏するためには、太陽電池素子群を構成する太陽電池素子全てが本発明の太陽電池素子１０であることがより望ましい。
【００４１】
上述の太陽電池素子群は、透光性パネル１２と裏面保護材１４の間にエチレンビニルアセテート共重合体（ＥＶＡ）などを主成分とする充填材１３で気密に封入されて、太陽電池モジュール１７を構成している。太陽電池モジュール１７の出力は、出力配線１５を経て端子ボックス１６に接続されている。そしてこの端子ボックス１６からさらに外部の負荷（不図示）に接続されている。
【００４２】
図３（ｂ）に、図３（ａ）の太陽電池モジュールの内部構造の部分拡大図を示す。同図に示すように、太陽電池素子１０の出力取出電極であるバスバー電極１と、隣接する太陽電池素子１０の裏側の裏面出力電極９とは、タブ１１によって電気的に接続されている。
【００４３】
タブ１１は、裏側の裏面出力電極９とバスバー電極１の全長もしくは複数箇所をホットエアーなどの熱溶着により接続して、太陽電池素子１０同士を接続配線するものである。タブ１１を構成する材質としては、例えば、その表面全体に２０〜７０μｍ程度の半田を被覆した厚さ１００〜５００μｍ程度の銅箔を所定の幅および長さに加工したものを好適に用いることができる。なお、銅箔の表面に対する半田被覆は必須ではなく、設ける場合、銅箔の両面ないし片面のいずれでも構わない。
【００４４】
次いで、図２（ａ）に示した本発明に係る太陽電池素子を形成するプロセスを説明する。
【００４５】
まずｐ型シリコン基板を用意する。図２（ａ）中、少なくともｐ型バルク領域５は基板に含まれる。このときｐ型の半導体不純物元素としてはＢ（ボロン）を用いることが望ましく、濃度は１×１０１６〜１×１０１７／ｃｍ３程度とし、このとき基板の比抵抗値は０．２〜２Ω・ｃｍ程度となる。
【００４６】
基板厚は５００μｍ以下にし、より好ましくは３５０μｍ以下にする。基板としては、キャスト法で鋳造された多結晶シリコンインゴットをスライスして基板にした多結晶シリコン基板や単結晶シリコン基板などを用いる。なおドーピングはドーピング元素単体を適量シリコンインゴット製造時に含ませてもよいし、既にドープ濃度の分かっているＢ含有シリコン塊を適量含ませてもよい。その後、基板のスライスにともなう基板表層部の機械的ダメージ層を除去するために、この基板の表面側および裏面側の表層部をＮａＯＨやＫＯＨあるいは、フッ酸やフッ硝酸などでそれぞれ１０〜２０μｍ程度エッチングし、その後、純水などで洗浄する。
【００４７】
次に光入射面となる基板表面側に光反射率低減機能を有する凹凸構造を形成する（不図示）。この凹凸構造の形成にあたっては、上述の基板表層部を除去する際に用いるＮａＯＨなどのアルカリ液による異方性ウェットエッチング法を適用することができるが、シリコン基板がキャスト法などによる多結晶シリコン基板である場合は、基板面内での結晶面方位が結晶粒ごとにランダムにばらつくので、基板全域にわたって光反射率を効果的に低減せしめる良好な凹凸構造を一様に形成することは非常に困難である。したがって、シリコン基板が多結晶シリコン基板の場合は、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法などによるガスエッチングを行えば容易に良好な凹凸構造を基板全域にわたって形成することができるので望ましい（例えば、特許文献２を参照）。
【００４８】
この凹凸構造は、上述の（１）式に密接に関係する。Ｓｂ／Ｓａの値を小さくするためには、凹凸の深さを小さくし、凹凸の横方向の大きさを大きくする方向、すなわち凹凸のアスペクト比（縦／横）を小さくすれば良い。また、Ｓｂ／Ｓａの値を大きくするためには、凹凸の深さを大きくし、凹凸の横方向の大きさを小さくする方向、すなわち凹凸のアスペクト比（縦／横）を大きくすれば良い。凹凸のアスペクト比を大きくするにはエッチング中の反応圧力を下げればよく、小さくするためには反応圧力を上げればよい。
【００４９】
なお、ウェットエッチング法の場合、上述したように基板面内での結晶面方位が結晶粒ごとにランダムにばらつくため、凹凸構造を一様に形成することが難しく、ＲＩＥ法などのガスエッチング法に比べてＳｂ／Ｓａを再現性良く自在に調整することが難しいという問題がある。
【００５０】
次にｎ型の逆導電型領域４を形成する。ｎ型化ドーピング元素としてはＰ（リン）を用いることが望ましく、ドーピング濃度は１×１０１８〜５×１０２１／ｃｍ３程度とし、シート抵抗が３０〜３００Ω／□程度のｎ＋型とする。これによって上述のｐ型バルク領域５との間にｐｎ接合が形成される。なお、シート抵抗の好ましい領域は６０〜３００Ω／□であり、この範囲よりも小さいときは、短絡電流を向上させることができないという問題があり、この範囲を超えると拡散層が浅くなりすぎるため、受光面電極形成時に拡散層が破壊されたり、逆に充分な密着強度を得ることができないという問題がある。
【００５１】
製法としてはＰＯＣｌ３（オキシ塩化リン）を拡散源とした熱拡散法を用いて温度７００〜１０００℃程度で、ｐ型シリコン基板の表層部にドーピング元素を拡散させることによって形成する。このとき拡散層厚は０．２〜０．５μｍ程度とするが、これは拡散温度と拡散時間を調節することで、所望の厚さとすることができる。
【００５２】
通常の拡散法では、目的とする面とは反対側の面にも拡散領域が形成されるが、その部分は後からエッチングして除去すればよい。このとき、この基板の表面側以外の逆導電型領域４の除去は、シリコン基板の表面側にレジスト膜を塗布し、フッ酸と硝酸の混合液を用いてエッチング除去した後、レジスト膜を除去することにより行う。また、後述するように、裏面のｐ＋型領域７（ＢＳＦ領域）をアルミニウムペーストによって形成する場合は、ｐ型ドープ剤であるアルミニウムを充分な濃度で充分な深さまで拡散させることができるので、既に拡散してあった浅い領域のｎ型拡散層の影響は無視できるようにすることができ、この裏面側に形成されたｎ型拡散層を特に除去する必要はない。
【００５３】
なお、逆導電型領域４の形成方法は熱拡散法に限定されるものではなく、例えば薄膜技術および条件を用いて水素化アモルファスシリコン膜や微結晶シリコン層を含む結晶質シリコン膜などを基板温度４００℃程度以下で形成してもよい。ただし薄膜技術を用いて形成する場合は、以下に述べる各プロセスの温度を考慮して後段プロセス程低いプロセス温度となるようにその形成順序を決めることが必要である。
【００５４】
ここで水素化アモルファスシリコン膜を用いて逆導電型領域４を形成する場合はその厚さは５０ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以下とし、結晶質シリコン膜を用いて形成する場合はその厚さは５００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下とする。
【００５５】
なお、逆導電型領域４を上記薄膜技術で形成するときは、ｐ型バルク領域５と逆導電型領域４との間にｉ型シリコン領域（不図示）を厚さ２０ｎｍ以下で形成すると特性向上に有効である。
【００５６】
次に反射防止膜６を形成する。反射防止膜６の材料としては、Ｓｉ３Ｎ４膜、ＴｉＯ２膜、ＳｉＯ２膜、ＭｇＯ膜、ＩＴＯ膜、ＳｎＯ２膜、ＺｎＯ膜などを用いることができる。厚さは材料によって適宜選択され入射光に対する無反射条件を実現する（材料の屈折率をｎとし、無反射にしたいスペクトル領域の波長をλとすれば、（λ／ｎ）／４＝ｄが反射防止膜の最適膜厚となる）。例えば、一般的に用いられるＳｉ３Ｎ４膜（ｎ＝約２）の場合は、無反射目的波長を６００ｎｍとすれば、膜厚を７５ｎｍ程度とすればよい。
【００５７】
製法としては、ＰＥＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法などを用い、温度４００〜５００℃程度で形成する。なお反射防止膜６は後述する表側電極１、２を形成するために所定のパターンでパターニングしておく。パターニング法としてはレジストなどマスクに用いたエッチング法（ウェットあるいはドライ）や、反射防止膜６形成時にマスクをあらかじめ形成しておき、反射防止膜６形成後にこれを除去する方法を用いることができる。また別の方法として、反射防止膜６の上に直接電極材料を塗布し焼き付けることによって表側電極１、２と逆導電型領域４を接触させるいわゆるファイヤースルー法も一般的であり、この場合は前記パターニングの必要はない。このＳｉ３Ｎ４膜には、形成の際には表面パッシベーション効果、その後の熱処理の際にはバルクパッシベーション効果があり、反射防止の機能と併せて、太陽電池素子の電気特性を向上させる効果がある。
【００５８】
次に、基板の表面に銀ペーストを、裏面にはアルミニウムペーストおよび銀ペーストを塗布して焼成することにより（以後、印刷焼成法と呼ぶ）、表側電極および裏側電極を形成する。
【００５９】
まず、裏面集電極８として、アルミニウム粉末と有機ビヒクルとガラスフリットをアルミニウム１００重量部に対してそれぞれ１０〜３０重量部、０．１〜５重量部を添加してペースト状にしたアルミニウムペーストを、例えばスクリーンプリント法で印刷し、乾燥後に同時に６００〜８５０℃で１〜３０分程度焼成することにより焼き付けられる。このときにシリコン基板中にアルミニウムが拡散して、裏面で発生したキャリアが再結合することを防ぐｐ＋型領域７（ＢＳＦ領域）が同時に形成される。このときｐ＋型領域のアルミニウムドープ濃度は、１×１０１８〜５×１０２１／ｃｍ３程度とする。なお、ｐ型の半導体不純物元素としてはＢ（ボロン）を用いることもできる。
【００６０】
なお、印刷焼成法を用いてこのｐ＋型領域７を形成する場合は、既に述べたように基板表面側の逆導電型領域４形成時に同時に基板裏面側にも形成されているｎ型の領域を除去する必要もなくすことができる。
【００６１】
また、このペースト中の金属成分のうちｐ＋型領域７の形成に使われずこのｐ＋型領域７の上に残存したものはそのまま裏側電極の一部として使うこともでき、この場合は残存成分を塩酸などで特に除去する必要はない。なお、本明細書では、このｐ＋型領域７の上に残存したアルミニウムを主成分とする裏面集電極８が存在するものとして扱うが、除去した場合は代替電極材料を形成すればよい。この代替電極材料としては、後述する裏面集電極８となる銀ペーストを使うことが、裏面に到達した長波長光の反射率を高めるために望ましい。
【００６２】
なお、このｐ＋型領域７（裏面側）は、印刷焼成法に代えて、ガス拡散法で形成することも可能である。この場合は、ＢＢｒ３を拡散源として温度８００〜１１００℃程度で形成する。このとき、既に形成してある逆導電型領域４（表面側）には酸化膜などの拡散バリアをあらかじめ形成しておく。また、このプロセスによって反射防止膜６にダメージが生じる場合は、このプロセスを反射防止膜形成プロセスの前に行うことができる。またドーピング元素濃度は１×１０１８〜５×１０２１／ｃｍ３程度とする。これによってｐ型バルク領域５とこのｐ＋型領域７との間にＬｏｗ−Ｈｉｇｈ接合を形成することができる。
【００６３】
なおまた、ｐ＋型領域７の形成方法は、印刷焼成法やガス拡散法に限定されるものではなく、例えば薄膜技術を用いて水素化アモルファスシリコン膜や微結晶シリコン相を含む結晶質シリコン膜などを基板温度４００℃程度以下で形成してもよい。このとき膜厚は１０〜２００ｎｍ程度とする。このとき、ｐ＋型領域７とｐ型バルク領域５との間にｉ型シリコン領域（不図示）を厚さ２０ｎｍ以下で形成すると特性向上に有効である。ただし薄膜技術を用いて形成する場合は、以下に述べる各プロセスの温度を考慮して後段プロセス程低いプロセス温度となるようにその形成順序を決めることが必要である。
【００６４】
次に本発明の表側電極１、２および裏面出力電極９を形成する。これらは、銀粉末と有機ビヒクルとガラスフリットを銀１００重量部に対してそれぞれ１０〜３０重量部、０．１〜５重量部を添加してペースト状にした銀ペーストを、例えばスクリーンプリント法で印刷、乾燥後に同時に６００〜８００℃で１〜３０分程度焼成することにより印刷面に焼き付けられる。
【００６５】
これらの電極材料としては、銀、Ｃｕ、アルミニウムといった低抵抗金属を少なくとも１種含む材料を用いることが望ましいが、抵抗率の関係から銀が最も好ましい。製法としてはこれら金属を含んだペーストを用いた印刷焼成法以外にも、スパッタ法、蒸着法などの真空製膜法を用いることができる。特にペーストを用いた印刷焼成法では、いわゆるファイヤースルー法によって、反射防止膜６をパターニングすることなしに、表側電極１、２となる金属含ペーストを反射防止膜６上に直接印刷し焼成処理をすることによって表側電極１、２と逆導電型領域４との間に電気的接触をとることができ、製造コスト低減に非常に有効である。なお、表側電極１、２の形成は、裏面側のｐ＋型領域７の形成に先立って行われてもよい。
【００６６】
さらに電極と半導体領域との接着強度を特に高めるため、ペーストを用いた印刷焼成法ではＴｉＯ２などの酸化物成分をペースト中にわずかに含ませ、また真空製膜法では電極と半導体領域との界面にＴｉを主成分とした金属層を挿入するとよい。なお、裏側電極の場合は、Ｔｉ主成分金属層の厚さは５ｎｍ以下として金属層が挿入されることによる反射率低減を抑制することが望ましい。裏面集電極８は基板裏面全面に形成することが裏面に到達した長波長光の反射率を高めるために望ましい。
【００６７】
なお、裏面集電極８と裏面出力電極９とは重なり合って厚くなると割れが生じやすいので、出力取出用の裏面出力電極９を形成した後、裏面集電極８は、裏面出力電極９をできるだけ覆わないように導通が取れる程度の状態で形成するのが望ましい。なお、この裏面出力電極９と裏面集電極８を形成する順番はこの逆でもよい。また、裏側電極においては上記構造をとらず、表側電極と同様の銀を主成分とするバスバー部とフィンガー部で構成された構造としてもよい。
【００６８】
最後に、必要に応じて半田ディップ処理によって表側電極および裏側電極上に半田領域を形成する（不図示）。なお、半田材料を用いない半田レス電極とする場合は半田ディップ処理を省略する。
【００６９】
以上によって本発明の太陽電池素子が実現される。
【００７０】
次に本発明に係る太陽電池モジュールを形成するプロセスについて、図３を用いて説明する。
【００７１】
透光性パネル１２としては、ガラスやポリカーボネート樹脂などが用いられる。ガラスとしては白板ガラス、強化ガラス、倍強化ガラス、熱線反射ガラスなどが用いられるが、一般的には厚さ３ｍｍ〜５ｍｍ程度の白板強化ガラスが多く使用される。ポリカーボネート樹脂の場合、厚みが５ｍｍ程度のものが多く使用される。
【００７２】
充填材１３としては、透光性、耐熱性、電気絶縁性を有する素材が好適に用いられ、酢酸ビニル含有量２０〜４０％のエチレンビニルアセテート共重合体（ＥＶＡ）のほか、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）などを主成分とする、厚さ０．４〜１ｍｍ程度のシート状形態のものが用いられる。充填材１３は、太陽電池モジュール１７の作製に当たっては、太陽電池素子の表側と裏側の双方に配されることが多く、これらは減圧下でのラミネート工程において、熱架橋融着して他の部材と一体化する。
【００７３】
裏面保護材１４は、水分を透過しないようにアルミ箔を挟持した耐候性を有するフッ素系樹脂シートやアルミナまたはシリカを蒸着したポリエチレンテレフタレ−ト（ＰＥＴ）シートなどが用いられる。
【００７４】
タブ１１は、既に述べたとおり、例えば、銅箔を主体としその表面に半田がコートされた導電性の材質からなる。これを所定の長さに切断し、太陽電池素子１０の出力取出電極であるバスバー電極１および裏側の裏面出力電極９に半田付けして用いる。
【００７５】
実際にタブ１１を配線するには、まず、タブ１１の一端を太陽電池素子１０のバスバー電極１にホットエアーやホットプレートなどにより半田付けで接着する。続いて、このタブ１１の他端をモジュールにしたときに隣接する太陽電池素子１０の裏側の裏面出力電極９に同様にして半田付け接着する。なお、並列接続の場合は隣接する太陽電池素子１０のバスバー電極１同士を接着すればよい。これを繰り返して複数の太陽電池素子１０を接続した太陽電池素子群を作製する。
【００７６】
なお、太陽電池素子群の中に、本発明の太陽電池素子１０が少なくとも１つ含まれていれば効果を奏するが、発明の効果を良好に奏するためには、太陽電池素子群を構成する太陽電池素子全てが本発明の太陽電池素子１０であることがより望ましい。
【００７７】
出力配線１５は、タブ１１によって接続された太陽電池素子１０の群からの電気出力を端子ボックス１６のターミナルに伝えるもので、通常厚さ０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度、幅６ｍｍ程度の銅箔の表面全体に２０〜７０μｍ程度の半田を被覆したものを、所定の長さに切断し、太陽電池素子１０の電極に半田付けされている。
【００７８】
ここで、上述のような透光性パネル１２、表側の充填材１３、複数の太陽電池素子１０にタブ１１や出力配線１５が接続された太陽電池素子群、裏側の充填材１３、裏面保護材１４の積層体を接着一体化する。すなわち、各部材の積層体をラミネータと呼ばれる減圧状態で加熱しながら加圧する装置にセットした後、太陽電池モジュール１７の内部の空気を除去するために５０〜１５０Ｐａ程度に減圧し、１００〜２００℃の温度で１５分〜１時間加熱しながら加圧する。これによって、表側と裏側にそれぞれ配された充填材１３が軟化し架橋融着するため、各部材を接着し一体化し、太陽電池モジュール１７のパネル部を作製することができる。
【００７９】
さらに、上述の方法によって作製された太陽電池モジュール１７のパネル部の裏面に端子ボックス１６を接着剤により取り付ける。端子ボックス１６は、太陽電池素子１０からの出力配線１５と外部回路に接続するためのケーブル（不図示）の接続を行うものであり、変性ＰＰＥ樹脂などで紫外線などに対する耐光性を考慮して通常黒色に造られる。また端子ボックス１６の概略の大きさは、出力約１６０Ｗ程度の一般的な太陽電池モジュールでは１００×６０×２０ｍｍ程度のものが多い。
【００８０】
また、通常、太陽電池モジュール１７のパネル部の各辺部に対してモジュール枠（不図示）が設けられることが多い。モジュール枠は、アルミニウムの押し出し成形で造られることが多く、その表面にはアルマイト処理などが施される。そしてこのモジュール枠を太陽電池のパネル部の外周各辺に嵌め込み、各コーナー部をビスなどにより固定する。このようなモジュール枠を設けることによって、機械的強度や耐候性能を付与し、さらに、太陽電池モジュールを設置する場合などに取り扱いやすくすることができる。
【００８１】
以上によって、本発明の太陽電池モジュールが実現される。
【００８２】
なお、本発明の実施形態は上述の例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることはもちろんである。
【００８３】
上述の説明では、表側電極と裏側電極の２つを備えた太陽電池素子について説明を行ったがこれに限るものではなく、受光面側（表側）に全ての電極が設けられたタイプの太陽電池素子であっても構わない。
【００８４】
また、表側電極として、略直線状のバスバー電極とこれに一端が接続された複数のフィンガー電極を備えた例によって説明したが、これに限るものではない。
【００８５】
また、上述の説明では、ｐ型の多結晶シリコンの基板を用いた太陽電池素子について説明したが、ｎ型の多結晶シリコン基板を用いた場合にも、説明中の極性を逆にすれば同様のプロセスによって本発明の効果を得ることができる。
【００８６】
そして上述の説明では、シングル接合の場合について説明したが、半導体多層膜からなる薄膜接合層をバルク基板使用接合素子に積層して形成した多接合型であっても、本発明を適用することができる。
【００８７】
さらに上述の説明では、キャスティング法を用いた多結晶シリコン基板を例にとったが、基板はキャスティング法によるものに限る必要はない。
【００８８】
また、１．１０≦Ｓｂ／Ｓａ≦２．１０の式を満たすために、反応性イオンエッチングによって多結晶シリコン基板表面を粗面状にする方法を例にとり説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばレーザーやダイシングなどによって、電極形成予定領域にあらかじめ溝を形成し、その溝に電極材料を埋め込むようにして形成することも可能である。またこの溝の形状や数も限定されるものではなく、線状、点状またはこれらの組み合わせなどの構造にすることが可能である。
【００８９】
さらに電極形成位置にあらかじめ凸部を形成することによって、本発明に係る構成である１．１０≦Ｓｂ／Ｓａ≦２．１０の式を満たすようにしても良い。この凸部は電極形成予定位置のみを残し、他の領域をエッチングすることによって形成することができる。この場合も凸部の形状や数は限定されるものではなく、線状、点状またはこれらの組み合わせなどの構造にすることが可能である。またこの方法は電極下の拡散層の表面濃度を高く、深くし、他の領域の拡散層の表面濃度を下げ、浅くするいわゆる選択エミッターに適用することが可能である。
【００９０】
さらに上述のように電極下に溝や凸部を形成した上で、反応性イオンエッチングを行うことで１．１０≦Ｓｂ／Ｓａ≦２．１０の式を満たすことも可能であることは言うまでもない。
【実施例】
【００９１】
以下、上述の実施形態に沿って作製した太陽電池素子の実験結果について説明する。ただし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００９２】
基板としては、キャスト法で製造された１５０ｍｍ×１５０ｍｍサイズの平板状のｐ型多結晶シリコン基板を用い、図２（ａ）に示した構成で太陽電池素子を形成した。
【００９３】
本発明の太陽電池素子に係る表側電極は、銀を主成分としたペーストを用いて印刷焼成した。表側電極の全体パターンは、基板縦中心線に対して線対称に２本配置されたバスバー電極１の長さを１４８．８ｍｍ、バスバー電極１の幅を２ｍｍ、二つのバスバー電極１の中心線間距離を７５ｍｍ、バスバー電極１に対して垂直（基板横方向）に配置され基板縦中心線に対して線対称に配置されたフィンガー電極２の基板一端から他端までの長さ（途中で横切るバスバー電極１の幅を含むとしたとき）を１４９ｍｍ、フィンガー電極２の幅を１６０μｍ、隣接するフィンガー電極２の中心線間の平均距離を２．４ｍｍとした。この太陽電池素子について各種特性を測定した結果を表１に示す。
【００９４】
また基板縦中心線に１本、それに対して線対称に２本の計３本配置されたバスバー電極１の長さを１４８．８ｍｍ、バスバー電極１の幅を１．３ｍｍ、二つのバスバー電極１の中心線間距離を５０ｍｍ、バスバー電極１に対して垂直（基板横方向）に配置され基板縦中心線に対して線対称に配置されたフィンガー電極２の基板一端から他端までの長さ（途中で横切るバスバー電極１の幅を含むとしたとき）を１４９ｍｍ、フィンガー電極２の幅を８０μｍ、隣接するフィンガー電極２の中心線間の平均距離を２．４ｍｍとした。なお、フィンガー電極２の平均の幅は、バスバー電極１に接続した一端から他端までの長さを１０等分して、各々の分割位置（９ポイント）における幅を求め、単純平均によって値を求めた。この太陽電池素子について各種特性を測定した結果を表２に示す。
【００９５】
Ｓｂの値は反応性イオンエッチングにより電極形成位置の下部にあたる部分を粗面状にすることによって変化させた。このときにＣｌ２を０．１ｓｌｍ、Ｏ２を０．６ｓｌｍ、ＳＦ６を０．４ｓｌｍ流し、ＲＦパワーは５ｋｗとした。またＳｂの値を変化させるため、反応圧力を適宜変化させた。
【００９６】
またＳｂの値は太陽電池素子の出力特性測定後、王水に浸漬させることによって、表側電極を除去し、この電極が設けられていた部位について表面積の測定を行った。表面積の測定には、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡、Digital Instruments社製・Nanoscope III a）を使用し、先端径５ｎｍのカンチレバーを用いて、１μｍ角を０．２Ｈｚで５１２×１０２４ポイントの測定を行った。また測定位置はフィンガー電極２の幅測定と同じ９ポイントで行い、単純平均によって値を求めた。
【００９７】
Ｓｂ／Ｓａの値については、小数点以下３桁目で四捨五入し、本発明の範囲となるかどうかの比較を行った。
【００９８】
なお、上述のフィンガー電極の幅、表側電極の表面積を求めるに当たっては、各測定値はいずれも棄却検定として有意水準０．０５でｔ検定を行い、妥当性を確認済である。
【００９９】
また、太陽電池の特性として、ＪＩＳ  Ｃ  ８９１３（１９９８）で規定される短絡電流値（Ｉｓｃ）と曲線因子（ＦＦ）については、この規格に基づいて測定を行った。
【０１００】
さらに、参考比較として、従来条件により作製した太陽電池素子について、測定を行った結果を試料Ｎｏ．１２として記載しておく。この方法は、反応性イオンエッチングを用いているが、Ｓｂ／Ｓａ値が本発明の範囲となるような条件を見出す以前の条件によって形成したものである。
【表１】
2005353836.tif 000003
【０１０１】
【表２】
2005353836.tif 000004
【０１０２】
表１からわかるように、１．１０≦Ｓｂ／Ｓａ≦２．１０の範囲、すなわち試料Ｎｏ．３〜１０は短絡電流３５．３ｍＡ／ｃｍ２以上であるとともに、ＦＦも０．７４７を越える高い値を示している。これに対し、Ｓｂ／Ｓａが１．１０よりも小さい範囲である試料Ｎｏ．１、２では短絡電流は同等の値を示すものの、ＦＦが０．７３１以下と低下した。またＳｂ／Ｓａが２．１０を越える試料Ｎｏ．１１の場合もＦＦが０．７３２と低下した。これにより、１．１０≦Ｓｂ／Ｓａ≦２．１０では変換効率が１６％を越える高い値の太陽電池素子を得ることができた。
【０１０３】
また、表２に示す１．３ｍｍ幅のバスバーを３本設けた太陽電池素子においても、１．１０≦Ｓａ／Ｓｂ≦２．１０の範囲、すなわち試料Ｎｏ．３〜１０は、短絡電流密度が３６．６ｍＡ／ｃｍ２を越える高い値を示すとともに、ＦＦもすべて０．７５を越える高い値となった。これにより１．１０≦Ｓｂ／Ｓａ≦２．１０の範囲では変換効率が１７％を越える高い値の太陽電池素子を得ることができた。
【０１０４】
なお、表１、表２のいずれの場合も、従来条件により作製した試料Ｎｏ．１２の太陽電池素子は、本発明の太陽電池素子と比べてＦＦが低くなる傾向が見られた。
【０１０５】
以上のようにして作製した本発明の太陽電池素子を用いて、図３に示す太陽電池モジュールを作製したところ、良好な結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】（ａ）は本発明の太陽電池素子の受光面側（表面側）の電極形状の一例を示す図であり、図２（ｂ）のＡ部の部分拡大図である。（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ方向の断面で切ったときの部分拡大図である。
【図２】（ａ）は本発明の太陽電池素子の断面構造を示す図であり、（ｂ）は本発明の太陽電池素子の受光面側（表面側）の電極形状の一例を示す図であり、（ｃ）は非受光面側（裏面側）の電極形状の一例を示す図である。
【図３】（ａ）は本発明の太陽電池モジュールの断面構造を示す図であり、（ｂ）は、太陽電池モジュール内の太陽電池素子の接続状態を示す部分拡大図である。
【図４】バルク型シリコン太陽電池の一般的な構成を示し、（ａ）は断面構造図であり、（ｂ）は光入射面（表面）側からの表側電極の上視図であり、（ｃ）は（ｂ）のＣ部の部分拡大図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１・・・バスバー電極
２・・・フィンガー電極
３・・・半導体領域
４・・・逆導電型領域
５・・・ｐ型バルク領域
６・・・反射防止膜
７・・・ｐ＋型領域
８・・・裏面集電極
９・・・裏面出力電極
１０・・・太陽電池素子
１１・・・タブ
１２・・・透光性パネル
１３・・・充填材
１４・・・裏面保護材
１５・・・出力配線
１６・・・端子ボックス
１７・・・太陽電池モジュール
１０１・・・バスバー電極
１０２・・・フィンガー電極
１０３・・・半導体領域
１０４・・・逆導電型領域
１０５・・・ｐ型バルク領域
１０６・・・反射防止膜
１０７・・・ｐ＋型領域
１０８・・・裏面集電極
１０９・・・裏面出力電極
１１０・・・バルク型シリコン太陽電池
【図１】
2005353836.tif 000005
【図２】
2005353836.tif 000006
【図３】
2005353836.tif 000007
【図４】
2005353836.tif 000008