(57)【要約】  【課題】  印刷によらないで、コイル用導体パターンの周辺に低透磁率パターン（非磁性体パターン）を配置することができる積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。  【解決手段】  積層コモンモードチョークコイル１は、コイル用導体パターン２，４と、引出し導体パターン３，５と、低透磁率セラミックパターン層１１〜１６と、高透磁率セラミックグリーンシート２１などで構成されている。まず、高透磁率セラミックグリーンシート２１を複数枚積層した後、圧着して外層ブロックとする。次に、外層ブロック上に、低透磁率セラミックパターン層１１を載せ、プレス機で圧着することにより、低透磁率セラミックパターン層１１を外層ブロックに埋め込み、外層ブロック上に転写する。次に、外層ブロック上に、コイル用導体パターン２を載せ、圧着することにより、コイル用導体パターン２を外層ブロックに埋め込み、低透磁率セラミックパターン層１１上に転写する。【選択図】  図１
2005129793.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高透磁率セラミックグリーンシートを準備する工程と、
支持体上に形成された環形状の低透磁率セラミックパターン層を、前記高透磁率セラミックグリーンシート上に転写する工程と、
支持体上に形成されたコイル用導体パターンを、前記低透磁率セラミックパターン層上に転写する工程と、
支持体上に形成された環形状の低透磁率セラミックパターン層を、前記コイル用導体パターンを覆うように転写する工程と、
前記高透磁率セラミックグリーンシート上に、前記低透磁率セラミックパターン層を覆うように高透磁率セラミックグリーンシートを積層する工程と、
を備えたことを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
高透磁率セラミックグリーンシートを準備する工程と、
支持体上に形成されたコイル用導体パターンを、前記高透磁率セラミックグリーンシート上に転写する工程と、
支持体上に形成された環形状の低透磁率セラミックパターン層を、前記コイル用導体パターンを覆うように前記高透磁率セラミックグリーンシート上に転写する工程と、
前記高透磁率セラミックグリーンシート上に、前記低透磁率セラミックパターン層を覆うように高透磁率セラミックグリーンシートを積層する工程と、
を備えたことを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記コイル用導体パターンによって少なくとも二つのコイルが構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記コイル用導体パターンが渦巻き形状であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品の製造方法、特に、積層インダクタや積層インピーダンス素子や積層トランスなどの積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層トランスや積層コモンモードチョークコイルなどのように、二つのコイルを磁気的に結合させる積層セラミック電子部品が知られている。そして、これらの積層セラミック電子部品においては、漏れ磁束を防いで結合係数を上げるために、コイル用導体パターンの周辺に非磁性材料（低透磁率材料）を配置することが従来より行われている。
【０００３】
例えば、特許文献１の積層トランスは、コイル用導体パターンの周辺のみに非磁性体を配置し、その他の部分は磁性体とするために、印刷によって同一面に磁性体パターンと非磁性体パターンとを形成している。
【特許文献１】特開平９−３０６７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、同一面に異種材料を印刷することは技術的に難しく、製造工程が複雑となり、歩留まりも低下し易いという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、印刷によらないで、コイル用導体パターンの周辺に低透磁率パターン（非磁性体パターン）を配置することができる積層セラミック電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、
（ａ）高透磁率セラミックグリーンシートを準備する工程と、
（ｂ）支持体上に形成された環形状の低透磁率セラミックパターン層を、前記高透磁率セラミックグリーンシート上に転写する工程と、
（ｃ）支持体上に形成されたコイル用導体パターンを、前記低透磁率セラミックパターン層上に転写する工程と、
（ｄ）支持体上に形成された環形状の低透磁率セラミックパターン層を、前記コイル用導体パターンを覆うように転写する工程と、
（ｅ）前記高透磁率セラミックグリーンシート上に、前記低透磁率セラミックパターン層を覆うように高透磁率セラミックグリーンシートを積層する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【０００７】
あるいは、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、
（ｆ）高透磁率セラミックグリーンシートを準備する工程と、
（ｇ）支持体上に形成されたコイル用導体パターンを、前記高透磁率セラミックグリーンシート上に転写する工程と、
（ｈ）支持体上に形成された環形状の低透磁率セラミックパターン層を、前記コイル用導体パターンを覆うように前記高透磁率セラミックグリーンシート上に転写する工程と、
（ｉ）前記高透磁率セラミックグリーンシート上に、前記低透磁率セラミックパターン層を覆うように高透磁率セラミックグリーンシートを積層する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【０００８】
積層セラミック電子部品としては、積層インダクタ、積層インピーダンス素子、積層ＬＣフィルタ、または、少なくとも二つのコイルを有した積層トランスや積層コモンモードチョークコイルなどがある。また、コイル用導体パターンは渦巻形状のほうが、少ない層数で多くのターン数を得ることができるため望ましい。
【０００９】
以上の方法により、コイル用導体パターンや低透磁率セラミックパターン層は転写されるごとに、高透磁率セラミックグリーンシートに埋め込まれる。この結果、高透磁率セラミック体に内蔵されたコイル用導体パターンの周辺のみに低透磁率セラミックスが配置された構造の積層セラミック電子部品が得られる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、環形状の低透磁率セラミックパターン層をコイル用導体パターンを覆うように圧着して転写することにより、印刷によらないで、コイル用導体パターンの周辺に低透磁率セラミックスを配置することができる。この結果、漏れ磁束が少ない積層セラミック電子部品を高い歩留まりで容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法の実施例について添付の図面を参照して説明する。
【実施例】
【００１２】
［第１実施例、図１〜図１３］
図１に示すように、積層コモンモードチョークコイル１は、コイル用導体パターン２，４と、引出し導体パターン３，５と、低透磁率セラミックパターン層１１〜１６と、高透磁率セラミックグリーンシート２１などで構成されている。
【００１３】
高透磁率セラミックグリーンシート２１は、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｕ系のフェライト粉末を結合剤などと一緒に混練したものをドクターブレード法などの方法でシート状にしたものである。
【００１４】
低透磁率セラミックパターン層１１〜１６はそれぞれ、支持体であるＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムやＰＰ（ポリプロピレン）フィルム上に、スクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法により形成される。低透磁率セラミックパターン層１１〜１６は、低透磁率セラミックスや非磁性体セラミックスやガラスなどからなり、コイル用導体パターン２，４を覆うために環形状を有している。低透磁率セラミックパターン層１１〜１６の中央部に設けられた開口部１１ａ〜１６ａ内は、最終的に高透磁率セラミックグリーンシート２１の一部が充填されることになる。
【００１５】
コイル用導体パターン２，４および引出し導体パターン３，５はそれぞれ、支持体であるＰＥＴフィルムやＰＰフィルム上にスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法により形成される。これらの導体パターン２〜５は、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などからなる。本第１実施例の場合、コイル用導体パターン２，４の形状は渦巻き状であるが、直線状、Ｕ字状、円弧状などであってもよい。コイル用導体パターン２，４はそれぞれ、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２を形成する。
【００１６】
コイルＬ１，Ｌ２のそれぞれのコイル軸はシート２１の積み重ね方向に対して平行である。平面視で、コイル用導体パターン２の一端部２ａは、シート２１の手前側の辺の左側に露出し、他端部２ｂはシート２１の中央部に位置している。引出し導体パターン３の一端部３ａは、シート２１の奥側の辺の左側に露出し、他端部３ｂはシート２１の中央部に位置し、低透磁率セラミックパターン層１２の中央部に設けた開口部１２ａを通してコイル用導体パターン２の端部２ｂに電気的に接続する。
【００１７】
一方、コイル用導体パターン４の一端部４ａは、シート２１の手前側の辺の右側に露出し、他端部４ｂはシート２１の中央部に位置している。引出し導体パターン５の一端部５ａは、シート２１の奥側の辺の右側に露出し、他端部５ｂはシート２１の中央部に位置し、低透磁率セラミックパターン層１５の中央部に設けた開口部１５ａを通してコイル用導体パターン４の端部４ｂに電気的に接続する。
【００１８】
さらに、低透磁率セラミックパターン層１４の中央部に設けた開口部１４ａの縁部には、凸部１４ｂが形成されている。この凸部１４ｂによって、引出し導体パターン３，５の端部３ｂと５ｂが電気的に絶縁される。
【００１９】
次に、以上の構成からなる積層コモンモードチョークコイル１の製造方法について説明する。
【００２０】
まず、高透磁率セラミックグリーンシート２１を複数枚積層した後、圧着して外層ブロック２１Ａとする（図２参照）。次に、図３に示すように、外層ブロック２１Ａ上に、支持体２５を上にして低透磁率セラミックパターン層１１を載せ、プレス機で圧着することにより、低透磁率セラミックパターン層１１を外層ブロック２１Ａに埋め込む。この後、支持体２５を剥離して、低透磁率セラミックパターン層１１を外層ブロック２１Ａ上に転写する。低透磁率セラミックパターン層１１の中央部に設けられた開口部１１ａ内には高透磁率セラミック材が充填される。
【００２１】
次に、図４に示すように、外層ブロック２１Ａ上に、支持体を上にしてコイル用導体パターン２を載せ、圧着することにより、コイル用導体パターン２を外層ブロック２１Ａに埋め込む。この後、支持体を剥離して、コイル用導体パターン２を低透磁率セラミックパターン層１１上に転写する。なお、コイル用導体パターン２圧着後の低透磁率セラミックパターン層１１は、実際は波状に歪んでいるが、図４においては簡略化のため歪みのない平面形状にて記載している。
【００２２】
次に、図５に示すように、外層ブロック２１Ａ上に支持体を上にして低透磁率セラミックパターン層１２を載せ、圧着することにより、低透磁率セラミックパターン層１２を外層ブロック２１Ａに埋め込む。この後、支持体を剥離して、コイル用導体パターン２を覆うように、低透磁率セラミックパターン層１２を外層ブロック２１Ａ上に転写する。低透磁率セラミックパターン層１２の中央部に設けられた開口部１２ａ内には高透磁率セラミック材が充填される。
【００２３】
次に、図６に示すように、外層ブロック２１Ａ上に支持体を上にして引出し導体パターン３を載せ、圧着することにより、引出し導体パターン３を外層ブロック２１Ａに埋め込む。この後、支持体を剥離して、引出し導体パターン３を低透磁率セラミックパターン層１２の上に転写する。引出し導体パターン３の端部３ｂは、低透磁率セラミックパターン層１２の開口部１２ａを通してコイル用導体パターン２の端部２ｂに電気的に接続している。
【００２４】
同様にして、図７に示すように、外層ブロック２１Ａ上に低透磁率セラミックパターン層１３，１４を順次、圧着することにより、低透磁率セラミックパターン層１３，１４を外層ブロック２１Ａに埋め込み、転写する。低透磁率セラミックパターン層１３，１４の中央部に設けられた開口部１３ａ，１４ａ内には、高透磁率セラミック材が充填される。低透磁率セラミックパターン層１４の開口部１４ａの縁部の凸部１４ｂは、引出し導体パターン３の端部３ｂ上に形成される。
【００２５】
次に、図８に示すように、外層ブロック２１Ａ上に引出し導体パターン５を圧着することにより、引出し導体パターン５を外層ブロック２１Ａに埋め込み、転写する。引出し導体パターン５の端部５ｂは、低透磁率セラミックパターン層１４の凸部１４ｂ上に形成される。
【００２６】
次に、図９に示すように、外層ブロック２１Ａ上に低透磁率セラミックパターン層１５を圧着することにより、低透磁率セラミックパターン層１５を外層ブロック２１Ａに埋め込み、転写する。低透磁率セラミックパターン層１５の中央部に設けられた開口部１５ａ内には高透磁率セラミック材が充填される。
【００２７】
次に、図１０に示すように、外層ブロック２１Ａ上にコイル用導体パターン４を圧着することにより、コイル用導体パターン４を外層ブロック２１Ａに埋めみ、転写する。コイル用導体パターン４の端部４ｂは、低透磁率セラミックパターン層１５の開口部１５ａを通して引出し導体パターン５の端部５ｂに電気的に接続している。
【００２８】
次に、図１１に示すように、外層ブロック２１Ａ上に低透磁率セラミックパターン層１６を圧着することにより、低透磁率セラミックパターン層１６を外層ブロック２１Ａに埋め込み、転写する。低透磁率セラミックパターン層１６の中央部に設けられた開口部１６ａ内には高透磁率セラミック材が充填される。
【００２９】
さらに、図１２に示すように、この上に高透磁率セラミックグリーンシート２１を複数枚積層した後、圧着して積層体３１とし、その後焼成する。
【００３０】
次に、図１３に示すように、積層体３１の手前側の側面に入出力外部電極３２ａ，３３ａを形成するとともに、奥側の側面に入出力外部電極３２ｂ，３３ｂを形成する。外部電極３２ａ〜３３ｂは、塗布焼付、スパッタリング、あるいは蒸着などの方法により形成される。外部電極３２ａと３２ｂの間には、コイル用導体パターン２と引出し導体パターン３、すなわち第１コイルＬ１が接続されている。外部電極３３ａと３３ｂの間には、コイル用導体パターン４と引出し導体パターン５、すなわち第２コイルＬ２が接続されている。
【００３１】
以上の方法によれば、環形状の低透磁率セラミックパターン層１１〜１６やコイル用導体パターン２，４や引出し導体パターン３，５を圧着して転写することにより、印刷によらないで、コイル用導体パターン２，４の周辺に低透磁率セラミックスを配置する構造を得ることができる。この結果、漏れ磁束が少ない積層コモンモードチョークコイル１を高い歩留まりで容易に製造することができる。
【００３２】
また、本発明の製造方法は、導体パターン２〜５や低透磁率セラミックパターン層１１〜１６を外層ブロック２１Ａに埋め込むので、導体パターン２〜５の層数があまり多くなると、埋め込み量が大き過ぎて、外層ブロック２１Ａを構成している高透磁率セラミックスの密度が不均一になって外層ブロック２１Ａにクラックなどが発生するおそれがある。そこで、本第１実施例では、少ないコイル用導体パターンの層数でターン数を多くするために、コイル用導体パターン２，４の形状を渦巻き状にして、螺旋状コイルではなく、渦巻き状コイルＬ１，Ｌ２を構成している。
【００３３】
さらに、一般に、コイル用導体パターン２，４が高透磁率セラミック磁性体に内蔵されていると、高温や高湿度の環境条件の下でコイル用導体パターン２と４の間に電圧を印加すると、内部マイグレーションが起き易い。ところが、導体パターン２〜５が低透磁率セラミックパターン層１１〜１６によって覆われているため、内部マイグレーションが起きにくい。
【００３４】
さらにまた、コイル用導体パターン２と４の間の距離が、四つの低透磁率セラミックパターン層１２〜１５と二つの引出し導体パターン３，５によって離されているので、コイル用導体パターン２と４の間に発生する浮遊容量を小さくできる。
【００３５】
［第２実施例、図１４］
図１４に示すように、第２実施例の積層コモンモードチョークコイル１Ａは、導体パターン２〜５相互間のみに低透磁率セラミックパターン層１２，１４，１５を配置した構成を有している。以上の構成からなる積層コモンモードチョークコイル１Ａの製造方法および作用効果は、前記第１実施例の場合と略同様であるので、その詳細な説明は省略する。
【００３６】
［他の実施例］
なお、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。積層セラミック電子部品は、積層コモンモードチョークコイルの他に、例えば、積層トランス、積層インダクタ、積層インピーダンス素子、積層ＬＣフィルタなどがある。また、前記実施例は個産品の例で説明したが、量産の場合には、複数の積層セラミック電子部品を含んだマザー積層ブロックの状態で製造される。
【００３７】
さらに、前記第１実施例および第２実施例において、コイル用導体パターン２と引出し導体パターン３の積層位置を交替させるとともに、コイル用導体パターン４と引出し導体パターン５の積層位置を交替させ、コイル用導体パターン２と４の間の距離を近づけて第１コイルＬ１と第２コイルＬ２の結合係数を高くしてもよい。
【００３８】
さらに、前記第１実施例および第２実施例においては、外層ブロック２１Ａにコイル用導体パターン２，４を転写するごとに圧着して埋め込みを行ったが、転写ごとの埋め込みを行わず、所定枚数のコイル用導体パターン２，４を転写した後に外層ブロック２１Ａを圧着することによって、コイル用導体パターン２，４を埋め込むようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法の一実施例を説明するための分解斜視図。
【図２】本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法の工程を示す模式断面図。
【図３】図２に続く製造工程を示す模式断面図。
【図４】図３に続く製造工程を示す模式断面図。
【図５】図４に続く製造工程を示す模式断面図。
【図６】図５に続く製造工程を示す模式断面図。
【図７】図６に続く製造工程を示す模式断面図。
【図８】図７に続く製造工程を示す模式断面図。
【図９】図８に続く製造工程を示す模式断面図。
【図１０】図９に続く製造工程を示す模式断面図。
【図１１】図１０に続く製造工程を示す模式断面図。
【図１２】図１１に続く製造工程を示す模式断面図。
【図１３】図１２に続く製造工程を示す外観斜視図。
【図１４】本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法の別の実施例を説明するための分解斜視図。
【符号の説明】
【００４０】
１，１Ａ…積層コモンモードチョークコイル
２，４…コイル用導体パターン
１１〜１６…低透磁率セラミックパターン層
２１…高透磁率セラミックグリーンシート
Ｌ１…第１コイル
Ｌ２…第２コイル
【図１】
2005129793.tif 000003
【図２】
2005129793.tif 000004
【図３】
2005129793.tif 000005
【図４】
2005129793.tif 000006
【図５】
2005129793.tif 000007
【図６】
2005129793.tif 000008
【図７】
2005129793.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005129793.tif 000011
【図１０】
2005129793.tif 000012
【図１１】
2005129793.tif 000013
【図１２】
2005129793.tif 000014
【図１３】
2005129793.tif 000015
【図１４】
2005129793.tif 000016