(57)【要約】【課題】  画素パターンの膜厚が不均一となった場合にも表示不良等が生じ難い電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】  基板２上に、第１開口部１１２ｃを備えた第１隔壁部１１２ａと、該第１隔壁部１１２ａ上に位置し、第２開口部１１２ｄを備えた第２隔壁部１１２ｂとを形成する工程と、各隔壁部１１２ａ，１１２ｂにより形成される各開口部１１２ｃ，１１２ｄにて構成される開口部１１２ｇに対し、電気光学層１１０を液滴吐出法にて形成する工程とを含み、隔壁部形成工程においては、第１隔壁部１１２ａを第２隔壁部１１２ｂの開口内面から突き出す形にて形成し、さらに一つの開口部１１２ｇにおいて、当該開口部１１２ｇを平面視した場合に基板の外側に形成される第１隔壁部１１２ａの突出量が、内側に形成される第１隔壁部１１２ａの突出量よりも大きくなるように、当該隔壁部を形成する。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電気光学層からなる電気光学層形成領域を有する電気光学装置の製造方法であって、
基板上に、第１開口部を備えた第１隔壁部と、該第１隔壁部上に位置し、第２開口部を備えた第２隔壁部とを形成する隔壁部形成工程と、
前記各隔壁部により形成される各開口部に対し、前記電気光学層を構成する各機能材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状体を配した後、該配した液状体を乾燥させることで電気光学層を形成する電気光学層形成工程とを含み、
前記隔壁部形成工程においては、前記第１隔壁部を前記第２隔壁部の開口内面から突き出す形にて形成するものとしており、さらに一つの開口部において、当該開口部を平面視した場合に前記電気光学層形成領域の外周側に形成される第１隔壁部の突出量が、当該開口部を平面視した場合に前記電気光学層形成領域の中央側に形成される第１隔壁部の突出量よりも大きくなるように、当該隔壁部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記隔壁部形成工程においては、前記基板上に形成される複数の開口部のうち、電気光学層形成領域の外周部に位置する開口部について、当該開口部を平面視した場合に前記電気光学層形成領域の外周側に形成される第１隔壁部の突出量が、当該開口部を平面視した場合に前記電気光学層形成領域の中央側に形成される第１隔壁部の突出量よりも大きくなるように、当該隔壁部を形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記隔壁部形成工程においては、前記電気光学層形成領域の外周部に位置する開口部について、当該開口部を構成する前記第１開口部の中心が、同じく当該開口部を構成する前記第２開口部の中心よりも前記基板の平面視内側に位置するように、当該隔壁部を形成することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記隔壁部形成工程においては、前記開口部を構成する第１開口部が前記基板上において所定の開口ピッチとなるように当該隔壁部を形成することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記隔壁部形成工程においては、前記開口部を構成する第２開口部が前記基板上において所定の開口ピッチとなるように当該隔壁部を形成することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記電気光学層に対して信号もしくは電源を供給するための配線を形成する工程を含み、
該配線形成工程において、前記電気光学層形成領域外周部に位置する開口部に形成され得る電気光学層に対して信号もしくは電源を供給する配線が、該電気光学層形成領域外周部に位置する開口部よりも前記電気光学層形成領域の平面視外側に位置するように、当該配線を形成することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記電気光学層に対して信号もしくは電源を供給するための配線を形成する工程を含み、
該配線形成工程において、前記電気光学層形成領域外周部に位置する開口部に形成され得る電気光学層に対して信号もしくは電源を供給する配線が、該電気光学層形成領域外周部に位置する開口部よりも前記基板の平面視内側に位置するように、当該配線を形成することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、着色材料、有機蛍光材料もしくは燐光材料等の機能材料をインク化し、該インク（組成物）を基材上に吐出する液滴吐出法により、機能材料のパターニングを行う方法を採用して、一対の電極間に該機能材料からなる機能層が挟持された構成の電気光学装置、特に機能材料として有機発光材料を用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置やカラーフィルタを備えた液晶装置の製造開発が行われている。
【０００３】
上述した機能材料のパターニング法として、基材上に形成したＩＴＯ等からなる画素電極の周囲にバンク部を形成するとともに、次に画素電極及びこの画素電極に隣接する前記バンク部の一部を親液性に処理するとともにバンク部の残りの部分を撥液性に処理し、次に機能層の構成材料を含むインクを画素電極に吐出して乾燥することにより、画素電極上に機能層を形成する方法が採用されている。具体的には、複数のノズルが副走査方向に沿って配列されてなるノズル列を有する液滴吐出ヘッドを用い、この液滴吐出ヘッドを基板に対して主走査方向に走査しつつ、前記ノズルからインクを吐出することにより、画素電極上に機能層を形成する方法が知られている。このように方法は、マイクロメートルオーダーの液滴を画素領域に配することが可能なため、材料の利用効率を考えると、スピンコートなどの方法に比べて有効である。
【０００４】
しかしながら、インク吐出後の乾燥工程において、画素領域で構成される表示領域のうち周辺部では、基体から蒸発する溶媒分子の分圧が該表示領域の中央部よりも少なくなる場合がある。このような現象が生じると、周辺部において溶媒の蒸発速度が極端に速くなり、その結果、製造される電気光学装置において機能層の膜厚むらが生じる惧れがある。このような膜厚むらが生じた電気光学装置は、その電気光学特性が低下し、これを表示装置等として用いた場合には、表示むらを生じることもある。そこで、これを解決するために、例えば特許文献１のような技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−２５２０８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に開示された技術は、周辺部のさらに外側に表示に寄与しないダミー領域を形成し、該ダミー領域にも機能層と同一のインクを塗布することで、表示領域の中央部と周辺部とにおいて機能層の膜厚むらが生じることを防止ないし抑制している。
しかしながら、ダミー領域を形成して、これにインクを表示領域と同様に塗布するのみでは、十分な膜厚むらの解消には至らない場合がある。つまり、ダミー領域にインクを塗布するとしても、表示領域の周辺部において、中央部よりも溶媒の乾燥が速くなる場合があり、これにより膜厚むらの発生を十分に回避できない場合もある。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、液滴吐出法を用いた電気光学装置の製造方法であって、画素パターンの膜厚が不均一となった場合にも表示不良等が生じ難い方法を提供することを目的としている。また、本発明は、このような製造方法を用いて製造された電気光学装置と、これを備える電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、複数の電気光学層からなる電気光学層形成領域を有する電気光学装置の製造方法であって、基板上に、第１開口部を備えた第１隔壁部と、該第１隔壁部上に位置し、第２開口部を備えた第２隔壁部とを形成する隔壁部形成工程と、前記各隔壁部により形成される各開口部に対し、前記電気光学層を構成する各機能材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状体を配した後、該配した液状体を乾燥させることで電気光学層を形成する電気光学層形成工程とを含み、前記隔壁部形成工程においては、前記第１隔壁部を前記第２隔壁部の開口内面から突き出す形にて形成するものとしており、さらに一つの開口部において、当該開口部を平面視した場合に前記電気光学層形成領域の外周側に形成される第１隔壁部の突出量が、当該開口部を平面視した場合に前記電気光学層形成領域の中央側に形成される第１隔壁部の突出量よりも大きくなるように、当該隔壁部を形成することを特徴とする。なお、本発明において、電気光学素子、電気光学層もしくは電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものと、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するものを総称している。
【０００８】
このような製造方法によると、開口部を形成する隔壁部について、第１隔壁部を第２隔壁部の開口内面から突き出す形にて形成する一方、一つの開口部において、当該開口部を平面視した場合に電気光学層の形成領域の外側に形成される第１隔壁部の突出量が、同じく当該開口部を平面視した場合に電気光学層の形成領域の内側に形成される第１隔壁部の突出量よりも大きくなるように、当該隔壁部を形成するものとしている。その結果、隔壁部によって形成される開口部に対し機能材料を含む液状体を配し、これを乾燥させて電気光学層を形成するに際し、以下のような効果が発現される。
【０００９】
つまり、従来技術で述べたように、液状体の乾燥工程において、電気光学層形成領域外周部（外側領域）では、基板上から蒸発する溶媒分子の分圧が該基板の中央部よりも少なくなる場合がある。このような現象が生じると、該外周部において溶媒の蒸発速度が極端に速くなり、その結果、形成される電気光学層において膜厚むらが生じる惧れがある。特に、一つの開口部に着目した場合にも、該開口部内で電気光学層の形成領域の内側よりも外側の溶媒の蒸発速度が極端に速くなる場合があり、開口部の外側ほど膜厚が大きくなることがある。このような膜厚むらが生じた電気光学層を有する電気光学装置は、その電気光学特性が低下し、これを表示装置等として用いた場合には、表示むらを生じることもある。
【００１０】
しかしながら、本発明では、第１隔壁部を第２隔壁部の開口内面から突き出す形にて形成するとともに、一つの開口部において、当該開口部を平面視した場合に電気光学層の形成領域外側に位置する第１隔壁部の突出量が、当該開口部を平面視した場合に電気光学層の形成領域の内側に位置する第１隔壁部の突出量よりも大きくなるように、当該隔壁部を形成しているため、その相対的に大きく突出した部分（突出部）が電気光学層を遮蔽（遮光）する機能を具備することとなる。つまり、突出部において電気光学層が電気的に遮蔽されるため（若しくは光学的に遮光されるため）、仮に基板外側の部分において膜厚むらが生じた場合にも、該膜厚むらの影響を低減できるようになる。その結果、良好な電気光学的特性を具備し、表示装置として用いた場合にも表示むら等の生じ難い電気光学装置を製造することが可能となる。
【００１１】
本発明の製造方法に関し、前記隔壁部形成工程においては、前記隔壁部形成工程においては、前記基板上に形成される複数の開口部のうち、電気光学層形成領域の外周部に位置する開口部について、当該開口部を平面視した場合に前記電気光学層形成領域の外周側に形成される第１隔壁部の突出量が、当該開口部を平面視した場合に前記電気光学層形成領域の中央側に形成される第１隔壁部の突出量よりも大きくなるように、当該隔壁部を形成することができる。このように電気光学層形成領域の外周部に位置する開口部では、特に溶媒の蒸発速度が速くなり膜厚むらが生じ易いが、該外周部において上述のような第１隔壁部の突出量設計を行うことで、その膜厚むら発生による電気光学特性の低下、表示装置とした場合の表示特性低下等を防止ないし抑制することが可能となる。
【００１２】
また、前記隔壁部形成工程においては、前記電気光学層形成領域の外周部に位置する開口部について、当該開口部を構成する前記第１開口部の中心が、同じく当該開口部を構成する前記第２開口部の中心よりも前記基板の平面視内側に位置するように、当該隔壁部を形成することができる。このように第１開口部を第２開口部に対して上記領域内側に偏心させることで、第１隔壁部の突出量を開口部の外側で相対的に大きく設計できるようになる。
【００１３】
前記隔壁部形成工程においては、前記開口部を構成する第１開口部が前記基板上において所定の開口ピッチとなるように当該隔壁部を形成することができる。この場合、上記領域外周部において第２開口部を外側に偏心させることで、第１隔壁部の突出量を開口部の外側で相対的に大きく設計できるようになる。
【００１４】
一方、前記隔壁部形成工程においては、前記開口部を構成する第２開口部が前記基板上において所定の開口ピッチとなるように当該隔壁部を形成することができる。この場合、上記領域外周部において第１開口部を外側に偏心させることで、第１隔壁部の突出量を開口部の外側で相対的に大きく設計できるようになる。以上のように、基板上において第１開口部又は第２開口部のいずれかを同一の開口ピッチで形成し、他方の開口部を偏心して形成することで、開口部の設計が容易となる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、上記各工程に加えて、前記電気光学層に対して信号を供給するための配線を形成する工程を含み、該配線形成工程において、前記基板外周部に位置する開口部に形成され得る電気光学層に対して信号を供給する配線が、該基板外周部に位置する開口部よりも前記基板の平面視外側に位置するように、当該配線を形成することことができる。このように配線を開口部の平面視外側に形成することで、つまり開口部の内側に配線を形成しないことで、開口部をより内側寄りに形成することができ、この場合、当該電気光学装置を表示装置として用いた場合に、有効表示領域の均一性を向上させることができるようになる。
【００１６】
また、前記電気光学層に対して信号もしくは電源を供給するための配線を形成する工程を含み、該配線形成工程において、前記電気光学層形成領域外周部に位置する開口部に形成され得る電気光学層に対して信号もしくは電源を供給する配線が、該電気光学層形成領域外周部に位置する開口部よりも前記電気光学層形成領域の平面視外側に位置するように、当該配線を形成することができる。電気光学層の形成領域外周部に位置する開口部において、第１開口部を内側寄りに偏心させて、開口部の外側に位置する第１隔壁部の突出量が相対的に大きくなるように隔壁部を形成すると、当該第１開口部が領域内側寄りに形成されることとなる。
そこで、電気光学層の形成領域外周部に位置する開口部全体を外側にずらすことで、基板上に形成された全開口部の開口ピッチを略均一にすることができるようになる。また、その開口部全体をずらした分、当該開口部の内側領域にスペースが形成されることとなり、該スペースには、上述の通り配線を形成することが可能である。
【００１７】
次に、本発明の電気光学装置は、上記製造方法により得られたことを特徴とし、また本発明の電子機器は、該電気光学装置を例えば表示部として備えることを特徴とする。このような電気光学装置及び電子機器は、表示特性に優れた装置及び機器となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の電気光学装置の一実施形態としての有機ＥＬ装置について、及びその有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造を示す説明図であって、図２は、本実施形態の有機ＥＬ装置の平面模式図、図３は、本実施形態の有機ＥＬ装置の表示領域の断面模式図である。
【００１９】
（有機ＥＬ装置）
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に対して並列する方向に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有し、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近には画素領域Ｐが設けられている。
【００２０】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
更に、画素領域Ｐの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量capと、該保持容量capによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた有機ＥＬ層１１０とが設けられている。電極１１１と対向電極１２と有機ＥＬ層１１０により、発光素子が構成されている。
【００２１】
走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capの状態に応じて駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に有機ＥＬ層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。有機ＥＬ層１１０では、流れる電流量に応じて発光が生じる。
【００２２】
本実施形態の有機ＥＬ装置は、図３に示すように、ガラス等からなる透明な基板２と、マトリックス状に配置された発光素子を具備して基板２上に形成された発光素子部１１と、発光素子部１１上に形成された陰極１２とを具備している。ここで、発光素子部１１と陰極１２とにより表示素子１０が構成される。
基板２は、例えばガラス等の透明基板であり、図２に示すように、当該基板２の中央に位置する表示領域２ａを備えている。なお、表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域である。
【００２３】
また、表示領域２ａの外側周辺には、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。表示領域２ａの両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。更に、走査側駆動回路１０５、１０５の両側には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。表示領域２ａの図示上側には製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行う検査回路１０６が配置されている。
【００２４】
図３の断面構成図には、３つの画素領域Ａが図示されている。本実施形態の有機ＥＬ装置では、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４、有機ＥＬ層１１０が形成された発光素子部１１及び陰極１２が順次積層されて構成されており、有機ＥＬ層１１０から基板２側に発せられた光が、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるとともに、有機ＥＬ層１１０から基板２の反対側に発せられた光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
なお、上記陰極１２として、透明な材料を用いるならば、陰極側から発光する光を出射させることができる。透明な陰極材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを挙げることができる。
【００２５】
回路素子部１４には、基板２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度リンイオン打ち込みにより形成されている。前記リンイオンが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
【００２６】
また、前記下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。
【００２７】
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１０３に接続されている。このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。
【００２８】
発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された有機ＥＬ層１１０と、各画素電極１１１及び有機ＥＬ層１１０の間に備えられて各有機ＥＬ層１１０を区画するバンク部１１２とを主体として構成されている。有機ＥＬ層１１０上には陰極１２が配置されている。これら画素電極１１１、有機ＥＬ層１１０及び陰極１２によって発光素子が構成されている。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形状にパターン形成されている。この各画素電極１１１…を仕切る形にてバンク部１１２が備えられている。
【００２９】
バンク部１１２は、図３に示すように、基板２側に位置する第１隔壁部としての無機物バンク層（第１バンク層）１１２ａと、基板２から離れて位置する第２隔壁部としての有機物バンク層（第２バンク層）１１２ｂとが積層された構成を備えている。無機物バンク層１１２ａは、例えばＴｉＯ２やＳｉＯ２等により形成され、有機物バンク層１１２ｂは、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等により形成される。
【００３０】
無機物、有機物バンク層１１２ａ、１１２ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク層１１２ａとが部分的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている。また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂの縁端よりも画素電極１１１の中央側に更に突出するように形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部（突出部）１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。
【００３１】
また、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図３に示すように、下部開口部１１２ｃより間口が広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合は、図３に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜した形状となる。このようにして、バンク部１１２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通された開口部１１２ｇが形成されている。
【００３２】
また、バンク部１１２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。
【００３３】
ここで、無機物バンク層１１２ａにて構成される下部開口部１１２ｃと、有機物バンク層１１２ｂにて構成される上部開口部１１２ｄとの位置関係を図１３に示す。図１３は、画素全体の開口部１１２ｇの配置を模式的に示す平面図であって、当該平面図からも分かるように、表示領域２ａの外周部に位置する開口部１１２ｇ１と、該外周部を除いた表示領域内部に位置する開口部１１２ｇ２とにおいて、その構成が異なるものとなっている。ここでは、上部開口部１１２ｄについては、外周部の開口部１１２ｄ１と内部の開口部１１２ｄ２とにおいて構成（配置）の違いはないが、下部開口部１１２ｃについて外周部と表示領域内部との間で配置が異なっている。具体的には、外周部に位置する下部開口部１１２ｃ１は、その上部開口部１１２ｄ１の中心から内側に偏心して配置されており、つまり表示領域内部に位置する下部開口部１１２ｃ２に比して、内側寄りに配置されている。
【００３４】
これを断面で見ると、図１１及び図１２に示すような構成となる。図１１は外周部における開口部１１２ｇ１の断面構成図、図１２は表示領域内部における開口部１１２ｇ２の断面構成図である。つまり、図１２に示すように、表示領域内部では上部開口部１１２ｄ２と下部開口部１１２ｃ２とが同心上にあり、無機物バンク層１１２ａの有機物バンク層１１２ｂからの突出部分について、図示左側（画素外周方向に相当）の突出部１１２ｈ２と、図示右側（表示領域内部方向に相当）の突出部１１２ｅ２とで同一の突出量Ｌ１を有して構成されている。一方、図１１に示すように、表示領域外周部では上部開口部１１２ｄ１と下部開口部１１２ｃ１とが偏心してなり、無機物バンク層１１２ａの有機物バンク層１１２ｂからの突出部分について、図示左側（画素外周方向に相当）の突出部１１２ｈ１の突出量Ｌ２が、図示右側（表示領域内部方向に相当）の突出部１１２ｅ１の突出量Ｌ３よりも大きくされている。
【００３５】
一方、有機ＥＬ層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。
正孔注入／輸送層１１０ａは、発光層１１０ｂに正孔を注入する機能を有するとともに、正孔注入／輸送層１１０ａ内部において正孔を輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電子が発光層で再結合し、発光が行われる。
【００３６】
正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成される平坦部１１０ａ１と、上部開口部１１２ｄ内に位置して無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される周縁部１１０ａ２から構成されている。また、正孔注入／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１上であって、且つ無機物バンク層１１０ａの間（下部開口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した平坦部にのみ形成される形態もある）。
【００３７】
また、発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１０ａの平坦部１１０ａ１及び周縁部１１０ａ２上に渡って形成されており、平坦部１１２ａ１上での厚さが５０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ２、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ３の３種類を有し、図２に示したように、各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３がストライプ配置されている。
【００３８】
無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に不均一な厚さの周縁部１１０ａ２が形成されているため、周縁部１１０ａ２が第１積層部１１２ｅによって画素電極１１１から絶縁された状態となり、周縁部１１０ａ２から発光層１１０ｂに正孔が注入されることがない。これにより、画素電極１１１からの電流が平坦部１１２ａ１のみに流れ、正孔を平坦部１１２ａ１から発光層１１０ｂに均一に輸送させることができ、発光層１１０ｂの中央部分のみを発光させることができるとともに、発光層１１０ｂにおける発光量を一定にすることができる。
また、無機物バンク層１１２ａが有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に更に延出されているので、この無機物バンク層１１２ａによって画素電極１１１と平坦部１１０ａ１との接合部分の形状をトリミングすることができ、各発光層１１０ｂ間の発光強度のばらつきを抑えることができる。
【００３９】
更に、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅが親液性を示すので、有機ＥＬ層１１０が画素電極１１１及び無機物バンク層１１２ａに均一に密着し、無機物バンク層１１２ａ上で有機ＥＬ層１１０が極端に薄くならず、画素電極１１１と陰極１２との短絡を防止できる。また、有機物バンク層１１２ｂの上面１１２ｆ及び上部開口部１１２ｄの壁面が撥液性を示すので、有機ＥＬ層１１０と有機物バンク層１１２ｂとの密着性が低くなり、有機ＥＬ層１１０が開口部１１２ｇから溢れて形成されることがない。
【００４０】
なお、正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、発光層１１０ｂの材料としては、例えば、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００４１】
陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、画素電極１１１と対になって有機ＥＬ層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。
【００４２】
また、発光層１１０ｂと陰極１２との間に発光効率を高めるためのＬｉＦを形成する場合もある。なお、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２にはフッ化リチウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。
【００４３】
また、陰極１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発した光を基板２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。更にアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００４４】
図３に示す発光素子部１１上には、実際の有機ＥＬ装置では封止部が備えられる。この封止部は、例えば基板２の周囲に環状に封止樹脂を塗布し、さらに封止缶により封止することにより形成することができる。前記封止樹脂は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。この封止部は、陰極１２または発光素子部１１内に形成された発光層の酸化を防止する目的で設けられる。また、前記封止缶の内側には水、酸素等を吸収するゲッター剤を設け、封止缶の内部に侵入した水又は酸素を吸収できるようにしてもよい。
【００４５】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、上記有機ＥＬ装置を製造する方法について図面を参照して説明する。
本実施形態の製造方法は、（１）バンク部形成工程、（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程、（４）陰極形成工程及び（５）封止工程等を有する。なお、ここで説明する製造方法は一例であって、必要に応じてその他の工程が追加されたり、上記の工程の一部が除かれたりする。
なお、（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程は、液滴吐出装置を用いた液体吐出法（インクジェット法）を用いて行われる。
【００４６】
（１）バンク部形成工程
バンク部形成工程では、基板２の所定位置にバンク部１１２を形成する。バンク部１１２は、第１のバンク層として無機物バンク層１１２ａが形成され、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが形成された構造を有している。
【００４７】
（１）−１  無機物バンク層１１２ａの形成
まず、図４に示すように、基板上の所定位置に無機物バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａが形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ及び画素電極１１１上である。なお、第２層間絶縁膜１４４ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、等が配置された回路素子部１４上に形成されている。無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物材料にて構成することができる。これらの材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。更に、無機物バンク層１１２ａの膜厚は５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
【００４８】
無機物バンク層１１２ａは、層間絶縁層１４４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する形にて形成される。この開口部は、画素電極１１１の電極面１１１ａの形成位置に対応するもので、図４に示すように下部開口部１１２ｃとして設けられる。なお、このとき、無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部と一部重なるように形成され、これにより発光層１１０の平面的な発光領域が制御される。
【００４９】
なお、本実施形態では、図１１〜図１３に示したように下部開口部１１２ｃの配置を、表示領域外周部と表示領域内部とで異ならせている。具体的には、上述した通り表示領域外周部の下部開口部１１２ｃ１を、当該開口部１１２ｇの内側寄りに形成するものとしている。
【００５０】
（１）−２  有機物バンク層１１２ｂの形成
次に、第２のバンク層としての有機物バンク層１１２ｂを形成する。
具体的には、図４に示すように、無機物バンク層１１２ａ上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。有機物バンク層１１２ｂを構成する材料として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料を用い、有機物バンク層１１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。なお、パターニングする際、有機物バンク層１１２ｂに上部開口部１１２ｄを形成する。上部開口部１１２ｄは、電極面１１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応する位置に設けられ、全画素共通のパターンを有して形成するものとしている。
【００５１】
上部開口部１１２ｄは、図４に示すように、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃより広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層１１２ｂは断面形状がテーパー状をなすことが好ましく、有機物バンク層１１２ｂの最底面では画素電極１１１の幅より狭く、有機物バンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ同一の幅に形成する事が好ましい。
これにより、無機物バンク層１１２ａの下部開口部１１２ｃを囲む第１積層部１１２ｅが、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に突出された形になる。このようにして、有機物バンク層１１２ｂに形成された上部開口部１１２ｄ、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃを連通させることにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成される。なお、本実施の形態では、上記無機物バンク層１１２ａについて画素電極１１１の中央側に突出した部分の突出量は、画素毎に異なる値とされており、具体的には各発光層１１０ｂ１，１１０ｂ２，１１０ｂ３毎に異なる突出量とされている。
【００５２】
無機物バンク層１１２ａが当該有機物バンク層１１２ｂの開口内面から突出するように、有機物バンク層１１２ｂの開口パターンを形成している。そして、上述の通り、無機物バンク層１１２ａを表示領域外周部では内側寄りに形成している関係上、当該表示領域外周部において、図１１に示すように無機物バンク層１１２ａの有機物バンク層１１２ｂからの突出部分について、画素外周方向の突出部１１２ｈ１の突出量Ｌ２が、表示領域内部方向の突出部１１２ｅ１の突出量Ｌ３よりも大きく形成されることとなる。
なお、図１２に示すように、表示領域内部では無機物バンク層１１２ａの有機物バンク層１１２ｂからの突出部分について、画素外周方向の突出部１１２ｈ２と、表示領域内部方向の突出部１１２ｅ２とで同一の突出量Ｌ１を有して形成されることとなる。
【００５３】
また、有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１μｍ〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。このような範囲とする理由は以下の通りである。
すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層１１０ｂが上部開口部１１２ｄから溢れてしまうおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、上部開口部１１２ｄにおける陰極１２のステップカバレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上とすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点で好ましい。
【００５４】
さらに、形成されたバンク部１１２、及び画素電極１１１の表面は、プラズマ処理により適切な表面処理を施すことが好ましく、具体的にはバンク部１１２表面の撥液化処理、及び画素電極１１１の親液化処理を行う。
まず、画素電極１１１の表面処理は、酸素ガスを用いたＯ２プラズマ処理により行うことができ、例えばプラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０℃〜９０℃の条件で処理することで、画素電極１１１表面を含む領域を親液化することができる。また、このＯ２プラズマ処理により画素電極１１１表面の洗浄、及び仕事関数の調整も同時に行われる。
次いで、バンク部１１２の表面処理は、テトラフルオロメタンを用いたＣＦ４プラズマ処理により行うことができ、例えばプラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、４フッ化メタンガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、基板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０℃〜９０℃の条件で処理することで、バンク部１１２の上部開口部１１２ｄ及び上面１１２ｆを撥液化することができる。
【００５５】
（２）正孔注入／輸送層形成工程
次に発光素子形成工程では、まず画素電極１１１上に正孔注入／輸送層を形成する。
正孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出装置として例えばインクジェット装置を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材料を含む液状組成物を電極面１１１ａ上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上及び無機物バンク層１１２ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。なお、ここで、正孔注入／輸送層１１０ａは第１積層部１１２ｅ上に形成されないこともあり、つまり画素電極１１１上にのみ正孔注入／輸送層が形成される形態もある。
【００５６】
インクジェットによる製造方法は以下の通りである。すなわち、図５に示すように、インクジェットヘッドＨ１に形成された複数のノズルから正孔注入／輸送層形成材料を含む液状組成物を吐出する。ここではインクジェットヘッドを走査することにより各画素毎に組成物を充填しているが、基板２を走査することによっても可能である。更に、インクジェットヘッドと基板２とを相対的に移動させることによっても組成物を充填させることができる。なお、これ以降のインクジェットヘッドを用いて行う工程では上記の点は同様である。
【００５７】
インクジェットヘッドによる吐出は以下の通りである。すなわち、インクジェットヘッドＨ１に形成された吐出ノズルＨ２を電極面１１１ａに対向させて配置し、ノズルＨ２から液状組成物を吐出する。画素電極１１１の周囲には下部開口部１１２ｃを区画するバンク１１２が形成されており、この下部開口部１１２ｃ内に位置する画素電極面１１１ａにインクジェットヘッドＨ１を対向させ、このインクジェットヘッドＨ１と基板２とを相対移動させながら、吐出ノズルＨ２から１滴当たりの液量が制御された液状組成物の液滴１１０ｃを電極面１１１ａ上に吐出する。
【００５８】
本工程で用いる液状組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
【００５９】
より具体的な組成としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ＝１：２０）：１２．５２重量％、ＩＰＡ：１０重量％、ＮＭＰ：２７．４８重量％、ＤＭＩ：５０重量％のものを例示できる。なお、上記液状組成物の粘度は１ｍＰａ・ｓ〜２０ｍＰａ・ｓ程度が好ましく、特に４ｍＰａ・ｓ〜１５ｍＰａ・ｓ程度が良い。
【００６０】
上記の液状組成物を用いることにより、吐出ノズルＨ２に詰まりが生じることがなく安定吐出できる。なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３に対して同じ材料を用いても良く、発光層毎に変えても良い。
【００６１】
吐出された組成物の液滴１１０ｃは、親液処理された電極面１１１ａ及び第１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物滴１１０ｃが所定の吐出位置から外れて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０ｃで濡れることがなく、弾かれた第１組成物滴１１０ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【００６２】
電極面１１１ａ上に吐出する組成物の量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、液状組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。また、液状組成物の液滴１１０ｃは１回のみならず、数回に分けて同一の電極面１１１ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における液状組成物の量は同一でも良く、各回毎に液状組成物を変えても良い。更に電極面１１１ａの同一箇所のみならず、各回毎に電極面１１１ａ内の異なる箇所に前記液状組成物を吐出しても良い。
【００６３】
インクジェットヘッドの構造については、図１６に示すようなヘッドＨを用いる事ができる。更に、基板とインクジェットヘッドの配置に関しては図１７のように配置することが好ましい。
図１６中、符号Ｈ７は前記のインクジェットヘッドＨ１を支持する支持基板であり、この支持基板Ｈ７上に複数のインクジェットヘッドＨ１が備えられている。
インクジェットヘッドＨ１のインク吐出面（基板との対向面）には、ヘッドの長さ方向に沿って列状に、且つヘッドの幅方向に間隔をあけて２列で吐出ノズルが複数（例えば、１列１８０ノズル、合計３６０ノズル）設けられている。また、このインクジェットヘッドＨ１は、吐出ノズルを基板側に向けるとともに、Ｘ軸（またはＹ軸）に対して所定角度傾いた状態で略Ｘ軸方向に沿って列状に、且つＹ方向に所定間隔をあけて２列に配列された状態で平面視略矩形状の支持板２０に複数（図１６では１列６個、合計１２個）位置決めされて支持されている。
【００６４】
また図１７に示すインクジェット装置において、符号１１１５は基板２を載置するステージであり、符号１１１６はステージ１１１５を図中ｘ軸方向（主走査方向）に案内するガイドレールである。またヘッドＨは、支持部材１１１１を介してガイドレール１１１３により図中ｙ軸方向（副主走査方向）に移動できるようになっており、更にヘッドＨは図中θ軸方向に回転できるようになっており、インクジェットヘッドＨ１を主走査方向に対して所定の角度に傾けることができるようになっている。このように、インクジェットヘッドを走査方向に対して傾けて配置することにより、ノズルピッチを画素ピッチに対応させることができる。また、傾き角度調整することにより、どのような画素ピッチに対しても対応させることができる。
【００６５】
図１７に示す基板２は、マザー基板に複数のチップを配置した構造となっている。即ち、１チップの領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、３つの表示領域２ａが形成されているが、これに限られるものではない。例えば、基板２上の左側の表示領域２ａに対して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１１１３を介してヘッドＨを図中左側に移動させるとともに、ガイドレール１１１６を介して基板２を図中上側に移動させ、基板２を走査させながら塗布を行う。次に、ヘッドＨを図中右側に移動させて基板の中央の表示領域２ａに対して組成物を塗布する。右端にある表示領域２ａに対しても前記と同様である。なお、図１６に示すヘッドＨ及び図１７に示すインクジェット装置は、正孔注入／輸送層形成工程のみならず、発光層形成工程にも用いるものである。
【００６６】
次に、図６に示すような乾燥工程を行う。つまり、吐出後の第１組成物を乾燥処理し、第１組成物に含まれる溶媒を蒸発させ、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。乾燥処理を行うと、液状組成物に含まれる溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂに近いところで起き、溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。これにより図６に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ２が形成される。この周縁部１１０ａ２は、上部開口部１１２ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しており、その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１１１ａから離れた側、即ち有機物バンク層１１２ｂに近い側で厚くなっている。
【００６７】
また、これと同時に、乾燥処理によって電極面１１１ａ上でも溶媒の蒸発が起き、これにより電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる平坦部１１０ａ１が形成される。電極面１１１ａ上では溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａ１が形成される。このようにして、周縁部１１０ａ２及び平坦部１１０ａ１からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成される。なお、周縁部１１０ａ２には形成されず、電極面１１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が形成される態様であっても構わない。
【００６８】
上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度にして行う。圧力が低すぎると組成物の液滴１１０ｃが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができない。乾燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中、２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性溶媒や水を除去することが好ましい。
【００６９】
ここで、乾燥処理において、表示領域外周部（基板外周部）では、基板上から蒸発する溶媒分子の分圧が該基板の表示領域内部よりも少なくなる場合がある。このような現象が生じると、表示領域外周部において溶媒の蒸発速度が極端に速くなり、その結果、形成される正孔注入／輸送層１１０ａにおいて膜厚むらが生じる惧れがある。特に、一つの開口部１１２ｇに着目した場合にも、該開口部１１２ｇ内で基板内側よりも基板外側の溶媒の蒸発速度が極端に速くなる場合があり、開口部１１２ｇの外側ほど膜厚が大きくなることがある。このような膜厚むらが生じた正孔注入／輸送層１１０ａを有する有機ＥＬ装置は、その電気光学特性が低下し、これを表示装置等として用いた場合には、表示むらを生じることもある。
【００７０】
しかしながら、本実施形態では、上述の通り表示領域外周部の下部開口部１１２ｃ１を、当該開口部１１２ｇの内側寄りに形成し、つまり図１１に示したように外周部の突出部１１２ｈ１の突出量Ｌ２を、内部の突出部１１２ｅ１の突出量Ｌ３よりも大きく形成しているため、上記のような膜厚むらが生じた場合にも、上記のような表示むらが生じる惧れがなくなる。何故ならば、相対的に大きく突出した突出部１１２ｈ１が正孔注入／輸送層１１０ａを遮蔽（遮光）するため、仮に基板外側の部分において膜厚むらが生じた場合にも、該膜厚むらの影響を低減できるようになり、その結果、表示むら等の発生し難い有機ＥＬ装置を製造することができるようになる。
【００７１】
（３）発光層形成工程
発光層形成工程は、発光層形成材料吐出工程及び乾燥工程とからなる。
前述の正孔注入／輸送層形成工程と同様、インクジェット法により発光層形成用の液状組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。その後、吐出した液状組成物を乾燥処理（及び熱処理）して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
【００７２】
図７に、インクジェットにより発光層形成用材料を含む液状組成物の吐出工程を示す。図示の通り、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出ノズルＨ６から各色（例えばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する液状組成物が吐出される。
吐出の際には、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対移動させながら液状組成物が吐出される。吐出ノズルＨ６から吐出される液量は１滴当たりの液量が制御されている。このように液量が制御された液（液状組成物滴１１０ｅ）が吐出ノズルから吐出され、この液状組成物滴１１０ｅを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。
【００７３】
本実施形態では、上記液状組成物滴１１０ｅの配置に続けて、他の発光層用の液状組成物の吐出を行う。つまり、図８に示すように、基板２上に滴下された液状組成物滴１１０ｅを乾燥させることなく、液状組成物滴１１０ｆ及び１１０ｇの吐出配置を行うようになっている。このように各色の発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３を形成するための液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇの滴下を行うに際しては、各色用の液状組成物をそれぞれ充填した複数の吐出ヘッドを、それぞれ独立に走査して基板２上への液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇの配置を行ってもよく、前記複数の吐出ヘッドを一体的に走査することにより、ほぼ同時に液状組成物１１０ｅ〜１１０ｆの配置を行えるようにしてもよい。
【００７４】
図８に示すように、吐出された各液状組成物１１０ｅ〜１１０ｇは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは各液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇで濡れることがなく、液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【００７５】
各正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する液状組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、液状組成物中の発光層材料の濃度等により決定される。また、液状組成物１１０ｅ〜１１０ｇは１回のみならず、数回に分けて同一の正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における液状組成物の量は同一でも良く、各回毎に液状組成物の液量を変えても良い。更に正孔注入／輸送層１１０ａの同一箇所のみならず、各回毎に正孔注入／輸送層１１０ａ内の異なる箇所に液状組成物を吐出配置しても良い。
【００７６】
発光層形成材料としては、ポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。そして、これら発光層形成材料を溶解ないし分散させるための溶媒は、各色発光層毎に同じ種類のものを用いるものとしている。
【００７７】
次に、上記各色用の液状組成物１１０ｅ〜１１０ｇを所定の位置に配置し終えた後、一括に乾燥処理することにより発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３が形成される。すなわち、乾燥により液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇに含まれる溶媒が蒸発し、図９に示すような赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ２、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３が形成される。なお、図９においては赤、緑、青に発光する発光層が１つずつ図示されているが、図１やその他の図より明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成されたものであり、図示しない多数の発光層（各色に対応）が形成されている。
【００７８】
また、発光層の液状組成物の乾燥は、真空乾燥により行うことが好ましく、具体的例を挙げるならば、窒素雰囲気中、室温で圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度とした条件により行うことができる。圧力が低すぎると液状組成物が突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうので好ましくない。なお、当該発光層１１０ｂを形成する液状組成物の乾燥処理において、正孔注入／輸送層１１０ａと同様に基板外周部において膜厚むらが生じた場合にも、突出部１１２ｈ１の働きにより、表示不具合の発生が防止ないし抑制されることとなる。
【００７９】
次いで、上記真空乾燥が終了したならば、ホットプレート等の加熱手段を用いて発光層１１０ｂのアニール処理を行うことが好ましい。このアニール処理は、各有機ＥＬ層の発光特性を最大限に引き出せる共通の温度と時間で行う。
このようにして、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂが形成される。
【００８０】
なお、前記発光層形成材料吐出工程に先立ち、正孔注入／輸送層１１０ａの表面を表面改質するために表面改質工程を行うものとしても良い。
発光層形成工程では、正孔注入／輸送層１１０ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる液状組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶な溶媒を用いるものとするのが好ましい。しかし、その一方で正孔注入／輸送層１１０ａは、溶媒に対する親和性が低いため、溶媒を含む液状組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても、正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層１１０ｂを均一に塗布できないおそれがある。そこで、溶媒ならびに発光層形成材料に対する正孔注入／輸送層１１０ａの表面の親和性を高めるために、発光層形成の前に表面改質工程を行うことが好ましい。
【００８１】
表面改質工程は、発光層形成の際に用いる液状組成物の溶媒と同一溶媒又はこれに類する溶媒である表面改質材を、インクジェット法（液滴吐出法）、スピンコート法又はディップ法により正孔注入／輸送層１１０ａ上に塗布した後に乾燥することにより行うことができる。ここで用いる表面改質材としては、液状組成物の溶媒と同一なものとして例えば、シクロへキシルベンゼン、イソプロピルビフェニル、トリメチルベンゼン等を例示でき、液状組成物の溶媒に類するものとして例えば、テトラメチルベンゼントルエン、トルエン、キシレン等を例示できる。
【００８２】
（４）陰極形成工程
次に、図１０に示すように、画素電極（陽極）１１１と対をなす陰極１２を形成する。即ち、各色発光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂを含む基板２上の領域全面に、例えばカルシウム層とアルミニウム層とを順次積層した構成の陰極１２を形成する。これにより、各色発光層１１０ｂの形成領域全体に、陰極１２が積層され、赤色、緑色、青色の各色に対応する有機ＥＬ素子がそれぞれ形成される。
【００８３】
陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【００８４】
（５）封止工程
最後に、有機ＥＬ素子が形成された基板２と、別途用意した封止基板とを封止樹脂を介して封止する。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂を基板２の周縁部に塗布し、封止樹脂上に封止基板を配置する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
【００８５】
この後、基板２の配線に陰極１２を接続するとともに、基板２上あるいは外部に設けられる駆動ＩＣ（駆動回路）に回路素子部１４の配線を接続することにより、本実施形態の有機ＥＬ装置が完成する。
【００８６】
以上、本発明の有機ＥＬ装置及びその製造方法についての実施形態を示したが、本実施形態には以下のような構成を付加することができる。
まず、基板外周部に位置する開口部１１２ｇ１において、下部開口部１１２ｃ１を内側寄りに偏心させて、開口部１１２ｇ１の外側に位置する無機物バンク層１１２ａの突出量が相対的に大きくなるようにバンク部１１２を形成すると、当該下部開口部１１２ｃ１が他の画素の開口部のパターンに比して基板内側寄りに形成されることとなる。
そこで、図１４に示すように、基板外周部に位置する開口部１１２ｇ１全体を基板外側にずらすことで、基板上に形成された全開口部における下部開口部１１２ｃのピッチを略均一にすることができるようになる。
【００８７】
ここで、そのように開口部１１２ｇ１全体を基板外側へずらした場合、当該開口部１１２ｇ１の内側領域にスペースが形成されることとなる。そこで、図１４に示す例では、基板外周部に位置する開口部１１２ｇ１に形成され得る有機ＥＬ層１１０に対して信号を供給する配線が、該基板外周部に位置する開口部１１２ｇ１よりも基板の平面視外側に配設されている。具体的には、基板外周部に位置する開口部１１２ｇ１に形成される画素（詳しくは該画素に具備されるＴＦＴ）に対して走査信号を供給する走査線１０１ａと、データ信号（画素信号）を供給する信号線１０２ａとが、それぞれ当該開口部１１２ｇ１の平面視内側に形成されている。以上のような構成により、下部開口部１１２ｃの開口パターンの均一化と、それに伴うデッドスペースの有効利用を実現している。
【００８８】
他方、図１５に示すように、基板外周部に位置する開口部１１２ｇ１に形成される画素に対して信号を供給するための走査線１０１ａ及び信号線１０２ａと、駆動電流を供給するための電源線１０３ａを該開口部１１２ｇ１の平面視外側に形成することができる。つまり、当該開口部１１２ｇ１の内側に配線１０１ａ，１０２ａ，１０３ａを形成しないことで、当該開口部１１２ｇ１をより内側寄りに形成することができ、この場合、有効表示領域の均一性を向上させることができる。
【００８９】
なお、各図に示した実施形態では、基板最外周部の開口部１１２ｇ１について下部開口部１１２ｃ１を内側に偏心させるものとしているが、例えば基板外周から数えて複数列の開口部について、同様に下部開口部１１２ｃを内側に偏心させるものとしても良い。
本発明を用いることにより、周辺部のさらに外側に表示に寄与しないダミー領域を形成せずに、表示領域の中央部と周辺部とにおいて機能層の膜厚むらが生じることを防止ないし抑制することができる。したがって、基材上の領域を有効に使用することができる。
本実施形態では、液滴吐出法にて記述したが、液状体を電気光学層形成領域に選択的に配置し、乾燥させることにより電気光学層を形成する方法であれば、同様に適用することができる。このような方法としては、例えば、ディスペンス法、スリットコート法などを例示することができる。
なお、本実施形態では、電気光学装置として有機ＥＬ装置のみにより記述したが、カラーフィルタを備えた液晶パネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションディスプレイ、Surface-Conduction electron emitter displayなど各種の電気光学装置に本発明を適用してもよい。機能材料をインク化し、該インク（組成物）を電気光学層形成領域に配する手法を用いて上記の電気光学装置を製造する場合には、有機ＥＬ装置と同様の効果を奏する。
【００９０】
（電子機器）
図１８は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。本実施形態の電子機器は、上述した有機ＥＬ装置を表示手段として備えている。ここでは、携帯電話の一例を斜視図で示しており、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。このように本実施形態に係る有機ＥＬ装置を表示手段として備える電子機器では、良好な発光特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本実施形態の有機ＥＬ装置の回路図。
【図２】同、平面構成図。
【図３】同、表示領域の断面構成図。
【図４】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図５】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図６】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図７】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図８】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図９】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１０】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１１】基板外周部に形成された開口部の構成を拡大して示す模式図。
【図１２】基板内部に形成された開口部の構成を拡大して示す模式図。
【図１３】下部開口部と上部開口部の位置関係を模式的に示す平面図。
【図１４】開口部と配線の位置関係について一変形例を模式的に示す平面図。
【図１５】開口部と配線の位置関係について異なる変形例を模式的に示す平面図。
【図１６】実施形態に係るヘッドの平面構成図。
【図１７】実施形態に係るインクジェット装置の平面構成図。
【図１８】電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００９２】
２…基板、１１０…有機ＥＬ層（電気光学層）、１１２…バンク部（隔壁部）、１１２ａ…無機物バンク層（第１隔壁部）、１１２ｂ…有機物バンク層（第２隔壁部）、１１２ｃ…下部開口部（第１開口部）、１１２ｄ…上部開口部（第２開口部）、１１２ｇ…開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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