(57)【要約】【課題】  基材とその上に形成されためっき膜とを有して当該基材およびめっき膜の間の密着性に優れる記録媒体基板を効率よく製造するための方法、これにより得られる記録媒体基板、および、当該基板を含む記録媒体を提供すること。【解決手段】  本発明の方法は、基材１１と当該基材上に形成されためっき膜１２とを有する記録媒体基板１０を製造するためのものであり、基材１１の膜形成対象面１１Ａにめっき浴を作用させるめっき処理工程を含む。本方法で用いられる基材１１は、めっき処理温度にて相対的に大きな熱膨張率を有するマトリックス材１１ａと相対的に小さな熱膨張率を有する分散材１１ｂとを含み、基材１１中の分散材１１ｂの一部は基材１１の膜形成対象面１１Ａに露出している。【選択図】  図１
2005353223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と当該基材上に形成されためっき膜とを含む記録媒体基板を製造するための方法であって、
前記基材は、めっき処理温度にて相対的に大きな熱膨張率を有するマトリックス材と相対的に小さな熱膨張率を有する分散材とを含み、且つ、当該分散材の少なくとも一部が露出する膜形成対象面を有し、
前記めっき膜を形成するためのめっき処理液を前記めっき処理温度にて前記基材の前記膜形成対象面に作用させるための、めっき処理工程を含む、記録媒体基板製造方法。
【請求項２】
前記マトリックス材は樹脂材料よりなり、前記分散材は、金属材料またはセラミック材料よりなる、請求項１に記載の記録媒体基板製造方法。
【請求項３】
前記マトリックス材は低ガラス転移点樹脂材料よりなり、前記分散材は高ガラス転移点樹脂材料よりなる、請求項１に記載の記録媒体基板製造方法。
【請求項４】
めっき処理温度にて相対的に大きな熱膨張率を有するマトリックス材と相対的に小さな熱膨張率を有する分散材とを含み、且つ、当該分散材の少なくとも一部が露出する膜形成対象面を有する、基材と、
前記めっき処理温度にて前記基材の前記膜形成対象面上に形成されためっき膜と、を含む、記録媒体基板。
【請求項５】
めっき処理温度にて相対的に大きな熱膨張率を有するマトリックス材と相対的に小さな熱膨張率を有する分散材とを含み、且つ、当該分散材の少なくとも一部が露出する膜形成対象面を有する、基材と、
前記めっき処理温度にて前記基材の前記膜形成対象面上に形成されためっき膜と、を含む基板を備える、記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光磁気記録媒体や磁気記録媒体などの記録媒体に用いることのできる基板を製造するための方法、そのような記録媒体基板、および当該基板を含む記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクや磁気ディスクなどの記録媒体の用途の基板を構成する材料としては、ポリカーボネートやポリオレフィンなどの樹脂材料が採用される場合がある。一方、所定の記録媒体においては、基板表面に直接形成される材料膜の形成手法として、製造コスト低減および厚膜化などの観点から、めっき法が採用される場合がある。例えば、光磁気ディスクや磁気ディスクでは、印加磁界エンハンス層としての軟磁性膜を基板表面に形成する際に、めっき法が採用される場合がある。基板表面にめっき膜を形成する技術については、例えば下記の特許文献１に記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開昭６０−１４０５３１号公報
【０００４】
記録媒体基板の構成材料としての樹脂材料と、基板表面に形成されるめっき膜との密着性は低く、その密着力は、記録媒体の実用に耐え得るほどには充分ではない。そのため、従来の記録媒体製造技術においては、樹脂基板の表面にめっき膜を形成する場合、当該基板表面とめっき膜との密着性を高めるべく、所定の粗面化技術により基板表面を予め粗面化しておく必要がある。
【０００５】
そのような粗面化技術の一つとして、フィラー溶解処理法が知られている。本処理法では、基板として、粒状のフィラーが表面と内部に分散している樹脂基板が用いられ、酸溶液を作用させることによって、基板表面にて散在し且つ露出しているフィラーが溶解除去される。このようなフィラー除去により、それまでフィラーが存在していた複数の箇所にて空孔が生じ、基板表面が粗面化することとなる。例えばこのようにして粗面化された樹脂基板表面にめっき膜を形成する場合には、粗面化されていない樹脂基板表面にめっき膜を形成する場合よりも、基板表面およびめっき膜の間において高い密着力を得ることができる。
【０００６】
しかしながら、基板表面を粗面化すべく行われるこのような粗面化前処理は、基板製造ひいては記録媒体製造の煩雑化およびコスト上昇を招来してしまう。
【０００７】
また、上述のフィラー溶解処理法を粗面化前処理として採用する場合には、めっき膜を比較的に厚く形成しなければならない。フィラー溶解処理法を採用する場合、樹脂基板は、母材としての樹脂とフィラーとを混錬して得られる樹脂組成物を用いて行う樹脂射出成形により作製され、母材樹脂中にフィラーを適切に分散させるべく、フィラーとしては、粒径１μｍ程度以上のものが使用される。そのため、フィラー溶解処理法においてフィラーが除去されて生ずる基板表面の空孔も、直径１μｍ程度以上となる。めっき膜の成長端面について高い平坦性を確保するためには、当該めっき膜の下地の凹凸形状からの成長端面への影響が充分に小さくなる厚さにまで当該めっき膜を成長させる必要があるところ、直径１μｍ程度以上の空孔により形成される基板表面凹凸形状からの影響が充分に小さくなるのに要するめっき膜の厚さは、５μｍ程度以上であり、比較的に厚い。このように、フィラー溶解処理法を採用すると、めっき膜を厚く形成する必要があるため、単一の基板ないし記録媒体を製造するのに要する時間が長大化する傾向があり、且つ、使用材料量の増大に伴って、基板製造ひいては記録媒体製造のコストが上昇する傾向がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、所定の基材とその上に形成されためっき膜とを有して当該基材およびめっき膜の間の密着性に優れる記録媒体基板を効率よく製造するための方法、並びに、当該基材およびめっき膜の間の密着性に優れる記録媒体基板および記録媒体を提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の側面によると、基材と当該基材上に形成されためっき膜とを有する記録媒体基板を製造するための方法が提供される。本方法で用いられる基材は、めっき処理温度にて相対的に大きな熱膨張率を有するマトリックス材と相対的に小さな熱膨張率を有する分散材とを含み、且つ、当該分散材の少なくとも一部が露出する膜形成対象面を有する。本方法は、めっき膜を形成するためのめっき処理液をめっき処理温度にて基材の膜形成対象面に作用させるための、めっき処理工程を含む。
【００１０】
本発明の第１の側面におけるめっき処理工程では、基材は、例えば、所定のめっき処理温度のめっき処理液（めっき浴）に浸漬される。例えばこのようにしてめっき処理液に浸漬されることによって、基材の温度は当該めっき処理温度にまで昇温し、基材表面の少なくとも膜形成対象面では、表面に露出する分散材とこの周りのマトリックス材との間に微小な隙間（マイクロクラック）が生ずる。当該めっき処理温度において、相対的に熱膨張率の大きなマトリックス材は、相対的に熱膨張率の小さな分散材よりも、大きく熱膨張するからである。本めっき処理では、このように基材表面にマイクロクラックが生じている状態で、当該基材表面にてめっき材料が堆積成長するので、マイクロクラックに一部が入り込んだめっき膜が形成される。このようなめっき処理の後に基材およびめっき膜を例えば室温まで冷却すると、基材のマトリックス材は分散材よりも大きく収縮する。その結果、めっき膜においてマイクロクラックに入り込んでいる部分は、マトリックス材と分散材の間において、マイクロクラックが小さくなるように作用する力を受けることとなる。すなわち、めっき膜においてマイクロクラックに入り込んでいる部分は、マトリックス材と分散材との間にてかしめられるのである。このように、本方法によると、基材とその上に形成されるめっき膜との密着に関し、めっき膜の一部が基材表面の凹部（マイクロクラック）に入り込むことにより生ずるアンカー効果に加え、当該一部がマイクロクラック内でかしめられることにより生ずるかしめ効果が得られる。したがって、本方法によると、基材とめっき膜との密着性に優れる記録媒体基板を、基材表面の粗面化処理をめっき処理の前に行うことなく効率よく製造することができるのである。
【００１１】
本発明の第２の側面によると記録媒体基板が提供される。この記録媒体基板は、基材およびめっき膜を含む。基材は、めっき処理温度にて相対的に大きな熱膨張率を有するマトリックス材と、当該めっき処理温度にて相対的に小さな熱膨張率を有する分散材とを含み、且つ、当該分散材の少なくとも一部が露出する膜形成対象面を有する。めっき膜は、めっき処理温度にて基材の膜形成対象面上に形成されたものである。本記録媒体基板は、例えば本発明の第１の側面の方法により製造できるものであり、本記録媒体基板においては、基材とめっき膜との密着に関し、めっき膜の一部が基材表面のマイクロクラックに入り込むことにより生ずるアンカー効果に加え、当該一部がマイクロクラック内でかしめられることにより生ずるかしめ効果が得られる。したがって、本記録媒体基板は、基材とめっき膜との密着性に優れる。
【００１２】
本発明の第３の側面によると記録媒体が提供される。この記録媒体は、基材とその上に形成されためっき膜とを含む基板を備える。この基板の基材は、めっき処理温度にて相対的に大きな熱膨張率を有するマトリックス材と、当該めっき処理温度にて相対的に小さな熱膨張率を有する分散材とを含み、且つ、当該分散材の少なくとも一部が露出する膜形成対象面を有する。めっき膜は、めっき処理温度にて基材の膜形成対象面上に形成されたものである。本記録媒体は、例えば本発明の第１の側面の方法を一部に利用して製造できるものであり、本記録媒体の基板においては、基材とめっき膜との密着に関し、めっき膜の一部が基材表面のマイクロクラックに入り込むことにより生ずるアンカー効果に加え、当該一部がマイクロクラック内でかしめられることにより生ずるかしめ効果が得られる。したがって、本記録媒体の基板は、基材とめっき膜との密着性に優れる。
【００１３】
本発明において、好ましくは、めっき膜は軟磁性めっき膜である。光磁気記録媒体や磁気記録媒体では、印加磁界エンハンス層として軟磁性膜が設けられる場合があり、当該軟磁性膜については、本発明におけるめっき膜として形成するのが好ましい。
【００１４】
好ましくは、めっき処理工程では、無電解めっき法によりめっき膜は形成される。記録媒体の種類ないし記録媒体基板の用途によっては、電気めっき法よりも無電解めっき法の方が実用的な場合がある。
【００１５】
好ましくは、めっき処理温度は５０〜１００℃である。めっき処理を良好に行ううえでは、このような温度条件が好ましい。
【００１６】
好ましくは、めっき処理温度において、マトリックス材の熱膨張率は、分散材の熱膨張率の５倍以上である。基材の膜形成対象面においてマトリックス材と分散材との間にマイクロクラックを適切に生じさせるためには、このような熱膨張率差のマトリックス材および分散材を採用するのが好ましい。
【００１７】
好ましくは、マトリックス材は樹脂材料よりなり、分散材は、金属材料またはセラミック材料よりなる。或は、マトリックス材は低ガラス転移点樹脂材料よりなり、分散材は高ガラス転移点樹脂材料よりなる。低ガラス転移点樹脂材料は、ガラス転移温度が相対的に低い樹脂材料であり、高ガラス転移点樹脂材料は、ガラス転移温度が相対的に高い樹脂材料である。マトリックス材および分散材の組み合わせに関するこれらの構成は、基材に要求される機械的特性を得つつ、膜形成対象面にてマイクロクラックを適切に生じさせるうえで要求される両材料（マトリックス材，分散材）間の熱膨張率差を確保するうえで、好適である。
【００１８】
好ましくは、分散材の平均粒径は５μｍ以下である。本発明では、分散材のサイズに関する制約は少なく、平均粒径が５μｍ近くまでの比較的大きな分散材を採用することが可能である。
【００１９】
好ましくは、基材における分散材の含有率は２０〜６０vol％である。例えば、マトリックス材と分散材とを混錬して得られる樹脂組成物を用いて行う成形技術によって基材を作製する場合、基材の強度を確保しつつ当該基材の表面に分散材を適切に露出させるうえでは、分散材の含有率についてはこのような範囲が好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は、本発明に係る記録媒体基板１０を表す。記録媒体基板１０は、コア基板１１および軟磁性めっき膜１２を有し、垂直磁気記録方式の光磁気記録媒体や磁気記録媒体などの記録媒体を製造するのに用いることのできるディスク基板として構成されている。
【００２１】
コア基板１１は、記録媒体の剛性を確保するための部位であってマトリックス材１１ａおよびフィラー１１ｂからなり、本発明における基材である。マトリックス材１１ａは、コア基板１１の母材であって樹脂材料よりなり、フィラー１１ｂよりも大きな熱膨張率を有する。例えば、マトリックス材１１ａは、０〜１００℃の温度範囲にて２×１０-5〜５×１０-4℃-1の熱膨張率を有する。マトリックス材１１ａを構成するための樹脂材料としては、例えば、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、エポキシ樹脂、ポリオレフィン、フェノール樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、またはポリ塩化ビニルを採用することができる。
【００２２】
フィラー１１ｂは、マトリックス材１１ａ中に分散し、マトリックス材１１ａよりも小さな熱膨張率を有する。例えば、フィラー１１ｂは、０〜１００℃の温度範囲にて、マトリックス材１１ａの熱膨張率より小さい限りにおいて２×１０-6〜５×１０-5℃-1の熱膨張率を有する。フィラー１１ｂを構成するための材料としては、０〜１００℃の温度範囲にて例えば２〜８×１０-6℃-1の熱膨張率を有する金属材料やセラミック材料を採用することができる。金属材料としては、アルミニウム、ニッケル、タングステンが挙げられる。セラミック材料としては、酸化シリコンや、酸化アルミニウム、酸化カルシウムが挙げられる。また、上述のマトリックス材１１ａの構成材料として、０〜１００℃の温度範囲にて例えば２〜５×１０-4℃-1の熱膨張率を有する低ガラス転移点樹脂材料（ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル等）を採用する場合には、フィラー１１ｂの構成材料としては、０〜１００℃の温度範囲にて例えば２〜５×１０-5℃-1の熱膨張率を有する高ガラス転移点樹脂材料を採用することができる。高ガラス転移点樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトンが挙げられる。好ましくは、後述のめっき処理工程におけるめっき処理温度では、マトリックス材１１ａの熱膨張率は、このようなフィラー１１ｂの熱膨張率の５倍以上である。
【００２３】
コア基板１１の表面では、図２に示すように、複数のフィラー１１ｂが露出しつつ散在している。このようなコア基板表面における、軟磁性めっき膜１２が積層形成されている箇所は、膜形成対象面１１Ａを構成する。フィラー１１ｂは、粒形状を有し、例えば１〜３μｍの平均粒径を有する。後述の記録媒体基板製造過程において、マイクロクラックを良好に発生させるうえでは、フィラー１１ｂは、その表面に凸凹形状を有するのが好ましい。また、コア基板１１におけるフィラー１１ｂの含有率は、後述のように２０〜６０vol％であるのが好ましい。
【００２４】
コア基板１１は、当該コア基板１１の強度を補強するための芯材（図示略）を有してもよい。コア基板１１が強度補強用芯材を有する場合、マトリックス材１１ａおよびフィラー１１ｂよりなる混合組成部に対しては高い強度は要求されず、従って、フィラー１１ｂの含有率について許容される範囲は広がる。
【００２５】
軟磁性めっき膜１２は、記録媒体に対する記録処理の際に記録層を通過する磁束の密度を増大させることによって当該記録層の記録感度を向上するためのもの（印加磁界エンハンス層）であり、本発明におけるめっき膜である。軟磁性めっき膜１２を構成するための軟磁性材料は、大きな飽和磁化と小さな保磁力とを有する材料であり、当該軟磁性材料としては、例えば、ＦｅＣｏＮｉ，ＦｅＮｉ，ＣｏＮｉ、またはＮｉを採用することができる。また、軟磁性めっき膜１２とコア基板１１の界面において、軟磁性めっき膜１２の一部は、図２に示すように、フィラー１１ｂとその周りのマトリックス材１１ａとの間に入り込み、かしめられている。このような軟磁性めっき膜１２の厚さは例えば０．５〜３μｍである。
【００２６】
以上の構成を有する記録媒体基板１０の製造においては、まず、上述のコア基板１１を用意する。コア基板１１は、例えば、母材としてのマトリックス材１１ａとフィラー１１ｂとを含む樹脂組成物を用いて行う成形技術により作製することができる。具体的には、マトリックス材１１ａとして熱可塑性樹脂を用いる場合、溶融状態にあるマトリックス材１１ａに対して所定量のフィラー１１ｂを投入して混錬した後、当該樹脂組成物を用いて例えば射出成形を行うことによって、コア基板１１を成形することができる。また、マトリックス材１１ａとして熱硬化性樹脂を用いる場合、適切な加熱により流動化した状態にあるマトリックス材１１ａに対して所定量のフィラー１１ｂを投入して混錬した後、当該樹脂組成物を所定の型に流し込み、当該樹脂組成物を型内で更に加熱することによって、コア基板１１を成形することができる。
【００２７】
例えばこのようにして作製されるコア基板１１の表面では、図３（ａ）に示すように、複数のフィラー１１ｂが露出しつつ所定の密度で散在している。コア基板１１ないし上述の樹脂組成物におけるフィラー１１ｂの含有率は２０〜６０vol％であるのが好ましい。当該含有率が２０vol％未満であると、フィラー１１ｂはコア基板１１の表面に露出しにくく、従って、コア基板１１の表面に露出するフィラー１１ｂについて充分な散在密度を確保するのが困難となる。一方、含有率が６０vol％を超えると、主にマトリックス材１１ａにより確保されるコア基板１１の機械的強度がフィラー１１ｂにより阻害されやすく、従って、コア基板１１について充分な機械的強度を確保するのが困難となる。
【００２８】
記録媒体基板１０の製造においては、次に、コア基板１１の表面を水洗した後、無電解めっき法により、コア基板１１の膜形成対象面１１Ａ上に軟磁性めっき膜１２を形成する（めっき処理工程）。コア基板１１における膜形成対象面１１Ａ以外の表面については、予め、例えばめっきレジスト膜やめっきレジストテープにより被覆しておく。また、めっき処理工程前の水洗では、少なくとも最終的には、めっき処理工程におけるめっき処理温度と同一の温度の水を使用してコア基板１１を洗浄する。そして、めっき処理工程では、膜形成対象面１１Ａに対して必要に応じて所定の前処理（触媒吸着処理など）を施した後、コア基板１１をめっき浴（めっき処理液）に浸漬し、所定のめっき処理温度での無電解めっき法により、膜形成対象面１１Ａ上に軟磁性めっき材料を成長させる。めっき浴は、軟磁性めっき膜１２の構成材料に応じた所定の組成を有し、めっき処理温度は例えば５０〜１００℃である。
【００２９】
本めっき処理において、めっき材料成長前には、コア基板１１は、めっき浴の温度（めっき処理温度）にまで昇温しており、膜形成対象面１１Ａでは、図３（ｂ）に示すように、表面に露出するフィラー１１ｂとこの周りのマトリックス材１１ａとの間に微小な隙間（マイクロクラック１１’）が生じている。本めっき処理でのめっき処理温度においては、相対的に熱膨張率の大きなマトリックス材１１ａは、相対的に熱膨張率の小さなフィラー１１ｂよりも、大きく熱膨張するからである。本めっき処理では、膜形成対象面１１Ａにマイクロクラック１１’が生じている状態で当該膜形成対象面１１Ａ上にめっき材料が堆積成長するので、図３（ｃ）に示すように、マイクロクラック１１’に一部が入り込んだ軟磁性めっき膜１２が形成される。
【００３０】
このようなめっき処理の後、軟磁性めっき膜１２を伴うコア基板１１を水洗し、例えば室温まで冷却する。当該冷却により、マトリックス材１１ａはフィラー１１ｂよりも大きく収縮する。その結果、軟磁性めっき膜１２においてマイクロクラック１１’に入り込んでいる部分は、マトリックス材１１ａとフィラー１１ｂの間において、マイクロクラック１１’が小さくなるように作用する力を受けることとなる。すなわち、軟磁性めっき膜１２においてマイクロクラック１１’に入り込んでいる部分は、図３（ｄ）に示すように、マトリックス材１１ａとフィラー１１ｂとの間にかしめられるのである。
【００３１】
以上のようにして、記録媒体基板１０を製造することができる。本方法によると、コア基板１１とその上に形成される軟磁性めっき膜１２との密着に関し、軟磁性めっき膜１２の一部がコア基板１１の表面の凹部（マイクロクラック１１’）に入り込むことにより生ずるアンカー効果に加え、当該一部がマイクロクラック１１’内でかしめられることにより生ずるかしめ効果が得られる。したがって、本方法によると、コア基板１１と軟磁性めっき膜１２との密着性に優れる記録媒体基板１０を、コア基板１１の粗面化前処理を行うことなく効率よく製造することができるのである。
【００３２】
また、本方法によると、比較的に薄い軟磁性めっき膜１２を形成することができる。一般に、めっき膜の成長端面について高い平坦性を確保するためには、当該めっき膜の下地の凹凸形状からの成長端面への影響が充分に小さくなる厚さにまで当該めっき膜を成長させる必要があるところ、本方法では、軟磁性めっき膜１２の下地としての膜形成対象面１１Ａでの凹凸形状（マイクロクラック１１’の発生に由来して形成される）を小さく設定することができるので、軟磁性めっき膜１２を薄く形成することが可能なのである。膜形成対象面１１Ａの凹凸形状が小さくとも、当該膜形成対象面１１Ａ（コア基板１１）と軟磁性めっき膜１２との間においては、上述のアンカー効果とかしめ効果とが重畳的に寄与するために高い密着力を得ることができる。軟磁性めっき膜１２を薄く形成することのできる本方法は、単一の記録媒体基板ないし記録媒体を製造するのに要する時間を短縮するうえで好適であり、また、基板製造ひいては記録媒体製造のコストを低減するうえでも好適である。
【００３３】
加えて、本発明によると、フィラー１１ｂとしては比較的大きなものをも採用することが可能である。本発明では、フィラー１１ｂの周りにマイクロクラック１１’が発生することによって膜形成対象面１１Ａの凹凸形状が確保されるため、当該凹凸形状の高低差（当該凹凸形状に起因する膜形成対象面１１Ａの表面粗さ）は、フィラー１１ｂのサイズに直接的には依存しない。
【００３４】
図４は、記録媒体基板１０を用いて作製される光磁気記録媒体の一例である光磁気ディスクＸ１の積層構成を表す。光磁気ディスクＸ１は、記録媒体基板１０と、記録磁性部２１と、プリグルーブ層２２と、放熱層２３と、誘電体層２４，２５と、保護膜２６とを備え、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担う書換え可能な、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。各部位は、プリグルーブ層２２、放熱層２３、誘電体層２４、記録磁性部２１、誘電体層２５、および保護膜２６の順で、記録媒体基板１０の側から積層形成されたものである。
【００３５】
記録磁性部２１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な、１または２以上の磁性膜よりなる磁性構造を有し、光磁気ディスクＸ１における情報トラックを構成する。例えば、記録磁性部２１は、記録機能および再生機能を併有する単一の記録層よりなる。或は、記録磁性部２１は、相対的に保磁力が大きくて記録機能を担う記録層と、再生用レーザにおけるカー回転角が相対的に大きくて再生機能を担う再生層とからなる、２層構造を有する。或は、記録磁性部２１は、ＭＳＲ方式、ＭＡＭＭＯＳ方式、またはＤＷＤＤ方式を実現するための、記録層、再生層、およびこれらの間の中間層よりなる３層構造を有する。記録磁性部２１のとり得る各構造における各層は、希土類元素と遷移金属とのアモルファス合金よりなり、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。具体的には、記録層は、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо，ＤｙＦｅＣо，またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。再生層を設ける場合、当該再生層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。中間層を設ける場合、当該中間層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。
【００３６】
プリグルーブ層２２は、樹脂材料よりなり、その放熱層２３との接触面には、渦巻き状または同心円状のプリグルーブ（図示略）が形成されている。このプリグルーブを基に、光磁気ディスクＸ１におけるランドグルーブ形状が実現される。プリグルーブ層２２を構成する樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂を採用することができる。このようなプリグルーブ層２２は、いわゆる２Ｐ法により形成することができる。
【００３７】
放熱層２３は、光磁気ディスクＸ１に対するレーザ照射時に記録磁性部２１などにて発生する熱を効率よく記録媒体基板１０ないしコア基板１１へ伝えるための部位であり、例えば、Ａｇ，Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕＳｉ，ＡｇＰｄＣｕなど），Ａｌ合金（ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒなど），Ａｕ，またはＰｔなどの高熱伝導材料よりなる。誘電体層２４，２５は、記録磁性部２１に対する外部からの磁気的影響や化学的影響などを回避ないし抑制するための部位であり、例えば、ＳｉＮ，ＳｉＯ2，ＹＳｉＯ2，ＺｎＳｉＯ2，ＡｌＯ，またはＡｌＮよりなる。また、誘電体層２５は、記録磁性部２１における保護膜２６側の表面での反射光のカー回転角をみかけ上増大させる機能を有していてもよい。保護膜２６は、記録磁性部２１を塵埃などから保護すべく記録磁性部２１を覆い、記録用レーザおよび再生用レーザに対して充分な透過性を有する樹脂材料よりなる。
【００３８】
光磁気ディスクＸ１においては、大きな飽和磁化と小さな保磁力とを有する軟磁性めっき膜１２が存在するため、記録処理時において、磁気記録ヘッドから記録磁性部２１に印加される記録磁界の磁束は記録磁性部２１ないし記録層にて拡散せずに集中する。すなわち、記録磁性部２１の記録感度は、軟磁性めっき膜１２が存在しない場合よりも高い。したがって、光磁気ディスクＸ１においては、より高周波での記録すなわち高速記録を適切に実現することが可能となる。このような高速記録化は、記録密度の高い光磁気記録媒体の実用化を図るうえで重要である。
【００３９】
図５は、記録媒体基板１０を用いて作製された磁気記録媒体の一例である磁気ディスクＸ２の積層構成を表す。磁気ディスクＸ２は、記録媒体基板１０と、記録層３１と、非磁性層３２と、保護層３３とからなる積層構成を有し、垂直磁気記録方式の磁気ディスクとして構成されたものである。各層は、非磁性層３２、記録層３１、および保護層３３の順で、記録媒体基板１０の側から積層形成されたものである。
【００４０】
記録層３１は、この層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有して磁化された垂直磁化膜であり、例えば、所定の組成のＴｂＦｅＣｏ膜やＣｏＣｒＰｔ膜からなる。非磁性層３２は、記録媒体基板１０の軟磁性めっき膜１２と記録層３１とを磁性的に分離するとともに、記録層３１の積層形成の際に軟磁性めっき膜１２の結晶格子構造の影響を回避するためのものである。このような非磁性層３２は、例えば、Ｓｉ膜、Ｃ膜、ＮｉＰ膜などの非磁性材料よりなる。保護層３３は、記録層３１を外界から物理的および化学的に保護するためのものであり、例えば、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ2膜、Ｙ添加ＳｉＯ2膜、またはダイアモンドライクカーボン膜よりなる。
【００４１】
磁気ディスクＸ２においては、大きな飽和磁化と小さな保磁力とを有する軟磁性めっき膜１２が存在するため、記録処理時において、磁気記録ヘッドから記録層３１に印加される記録磁界の磁束は記録層３１にて拡散せずに集中する。したがって、記録層３１の記録感度は、軟磁性めっき膜１２が存在しない場合よりも高い。記録層３１の記録感度の向上は、磁気記録ヘッドによる印加磁界の低減を可能にし、その結果、より高周波での記録すなわち高速記録を適切に実現することが可能となる。このような高速記録化は、記録密度の高い垂直磁気記録媒体の実用化を図るうえで重要である。
【実施例１】
【００４２】
〔サンプル基板の作製〕
上述の記録媒体基板１０に関して上述したうちの一の構成を有する基板として、本実施例のサンプル基板１ａ〜１ｅを作製した。本実施例の各サンプル基板の作製においては、まず、マトリックス材としてのポリカーボネートと、フィラーとしての酸化アルミニウム粉末（平均粒径１μｍ）とからなるコア基板を作製した。具体的には、溶融状態にあるポリカーボネートと酸化アルミニウム粉末とを混錬して得られた樹脂組成物を用いて行う射出成形により、コア基板（直径１２０ｍｍ，厚さ２ｍｍ）を成形した。当該コア基板における酸化アルミニウム粉末の含有率は４０vol％とした。次に、コア基板を水洗した。具体的には、コア基板を、２５℃の水で洗浄し、５５℃の水で洗浄し、続いて９０℃の水で洗浄した。
【００４３】
次に、無電解めっき法により、コア基板上にニッケルめっき膜（厚さ１.５μｍ）を形成した。具体的には、めっき浴として、リンを含有する無電解ニッケルめっき液を使用し、当該めっき浴中に水洗後のコア基板を浸漬することによって、コア基板上にニッケルめっきを成長させた。本めっき処理におけるめっき温度は９０℃とした。この後、このようにして得られたコア基板およびニッケルめっき膜の積層体を水洗しつつ冷却した。具体的には、当該積層体を、５５℃の水で洗浄し、続いて２５℃の水で洗浄した。以上のようにして、本実施例の５枚のサンプル基板１ａ〜１ｅを作製した。
【００４４】
〔密着性試験〕
本実施例のサンプル基板１ａ〜１ｅの各々について、コア基板に対するニッケルめっき膜の密着性を調べるべく、密着性試験を行った。具体的には、まず、コア基板上のニッケルめっき膜に対してカッターナイフで切り込みを入れることにより、当該ニッケルめっき膜を１００ヶの区画（各々５ｍｍ×５ｍｍ四方）に分断した。次に、分断されたニッケルめっき膜に対して、粘着テープを荷重１ｋｇｆ/ｃｍ2で貼りつけた後、当該粘着テープを静かに引き剥がした。このような引き剥がし作業によっても剥離を生じずにコア基板上に適切に残存している区画数を計測した。この計測結果は、サンプル基板１ａ〜１ｅの構成とともに図６の表に掲げる。
【実施例２】
【００４５】
酸化アルミニウム粉末に代えてアルミニウム粉末（平均粒径３μｍ）をフィラーとして用いた以外は、実施例１のサンプル基板と同様にして、本実施例のサンプル基板２ａ〜２ｅを作製した。そして、本実施例のサンプル基板２ａ〜２ｅの各々について、実施例１のサンプル基板について行ったのと同様にして、密着性試験を行った。サンプル基板２ａ〜２ｅの構成およびこれらの密着性試験結果は、図６の表に掲げる。
【比較例】
【００４６】
フィラーないし酸化アルミニウム粉末を用いずにポリカーボネートよりなる樹脂によってコア基板を成形した以外は、実施例１のサンプル基板と同様にして、本比較例のサンプル基板３ａ〜３ｅを作製した。そして、本比較例のサンプル基板３ａ〜３ｅの各々について、実施例１のサンプル基板について行ったのと同様にして、密着性試験を行った。サンプル基板３ａ〜３ｅの構成およびこれらの密着性試験結果は、図６の表に掲げる。
【評価】
【００４７】
図６の表に示す密着性試験結果から判るように、コア基板とニッケルめっき膜との密着性については、比較例の各サンプル基板よりも、本発明に係る実施例１,２の各サンプル基板の方が高い。これは、実施例１,２の各サンプル基板では、コア基板とニッケルめっき膜との間に上述のアンカー効果およびかしめ効果が得られ、比較例の各サンプル基板では、これらの効果が得られないためである。
【００４８】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００４９】
（付記１）基材と当該基材上に形成されためっき膜とを有する記録媒体基板を製造するための方法であって、
前記基材は、めっき処理温度にて相対的に大きな熱膨張率を有するマトリックス材と相対的に小さな熱膨張率を有する分散材とを含み、当該分散材の少なくとも一部が露出する膜形成対象面を有し、
前記めっき膜を形成するためのめっき浴を前記めっき処理温度にて前記基材の前記膜形成対象面に作用させるための、めっき処理工程を含む、記録媒体基板製造方法。
（付記２）前記めっき膜は軟磁性めっき膜である、付記１に記載の記録媒体基板製造方法。
（付記３）前記めっき処理工程では、無電解めっき法により前記めっき膜は形成される、付記１または２に記載の記録媒体基板製造方法。
（付記４）前記めっき処理温度は５０〜１００℃である、付記１から３のいずれか一つに記載の記録媒体基板製造方法。
（付記５）前記めっき処理温度において、前記マトリックス材の熱膨張率は、前記分散材の熱膨張率の５倍以上である、付記１から４のいずれか一つに記載の記録媒体基板製造方法。
（付記６）前記マトリックス材は樹脂材料よりなり、前記分散材は、金属材料またはセラミック材料よりなる、付記１から５のいずれか一つに記載の記録媒体基板製造方法。
（付記７）前記マトリックス材は低ガラス転移点樹脂材料よりなり、前記分散材は高ガラス転移点樹脂材料よりなる、付記１から５のいずれか一つに記載の記録媒体基板製造方法。
（付記８）前記分散材の平均粒径は５μｍ以下である、付記１から７のいずれか一つに記載の記録媒体基板製造方法。
（付記９）前記基材における前記分散材の含有率は２０〜６０vol％である、付記１から８のいずれか一つに記載の記録媒体基板製造方法。
（付記１０）めっき処理温度にて相対的に大きな熱膨張率を有するマトリックス材と相対的に小さな熱膨張率を有する分散材とを含み、当該分散材の少なくとも一部が露出する膜形成対象面を有する、基材と、
前記めっき処理温度にて前記基材の前記膜形成対象面上に形成されためっき膜と、を含む、記録媒体基板。
（付記１１）前記基材における前記分散材の含有率は２０〜６０vol％である、付記１０に記載の記録媒体基板。
（付記１２）めっき処理温度にて相対的に大きな熱膨張率を有するマトリックス材と相対的に小さな熱膨張率を有する分散材とを含み、当該分散材の少なくとも一部が露出する膜形成対象面を有する、基材と、
前記めっき処理温度にて前記基材の前記膜形成対象面上に形成されためっき膜と、を含む、記録媒体。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係る記録媒体基板の部分断面模式図である。
【図２】図１の部分拡大図である。
【図３】図１の記録媒体基板の製造過程におけるコア基板表面の状態変化を表す。
【図４】図１の記録媒体基板を用いて作製された光磁気ディスクの積層構成の一例を表す。
【図５】図１の記録媒体基板を用いて作製された磁気ディスクの積層構成の一例を表す。
【図６】実施例１，２および比較例のサンプル基板について、構成および密着性試験の結果をまとめた表である。
【符号の説明】
【００５１】
１０      記録媒体基板
１１      コア基板
１１Ａ      膜形成対象面
１１ａ      マトリックス材
１１ｂ      フィラー
１２      軟磁性めっき膜
Ｘ１      光磁気ディスク
Ｘ２      磁気ディスク
２１      記録磁性部
２２      プリグルーブ層
２３      放熱層
２４,２５      誘電体層
２６      保護膜
３１      記録層
３２      非磁性層
３３      保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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