(57)【要約】  【課題】  光取出し効率が大幅に向上し、高発光効率、高輝度を示し、短絡等が生じることがなく、信頼性に優れた有機ＥＬ素子等の提供。  【解決手段】  平均細孔径が３ｎｍ以下である細孔を有する低屈折率層を有してなる有機ＥＬ素子である。該低屈折率層が、平均細孔径が２ｎｍ以下である細孔を全細孔に対し７０％以上含有する態様、該低屈折率層が、基板と、正極及び負極の間に少なくとも１層の有機薄膜層を有してなる有機ＥＬ素子部との間に設けられた態様、該低屈折率層における表面粗さ（Ｒａ）が１０ｎｍ以下である態様、該低屈折率層がシリカ系材料で形成された態様、該低屈折率層が、テトラアルキルオルソシリケート（ＴＡＯＳ）及びアルコキシシラン（ＡＳ）から選択される少なくともいずれかをアルカリ存在下で加水分解して得られるケイ素化合物を含む塗布液を用いて形成された態様、などが好ましい。【選択図】          なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均細孔径が３ｎｍ以下である細孔を有する低屈折率層を有してなることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
低屈折率層が、平均細孔径が２ｎｍ以下である細孔を全細孔に対し７０％以上含有する請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
低屈折率層における表面粗さ（Ｒａ）が１０ｎｍ以下である請求項１から２のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
低屈折率層が、テトラアルキルオルソシリケート（ＴＡＯＳ）及びアルコキシシラン（ＡＳ）から選択される少なくともいずれかをアルカリ存在下で加水分解して得られるケイ素化合物を含む塗布液を用いて形成された請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
アルコキシシランが、下記一般式（Ｉ）で表される請求項４に記載の有機ＥＬ素子。
ＸｎＳi(ＯＲ)４−ｎ    ・・・（Ｉ）
ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ｘは、水素原子、フッ素原子、又は置換基を表す。Ｒは、水素原子、又は置換基を表す。ｎは、０〜３の整数を表す。
【請求項６】
低屈折率層における屈折率が１．３０以下である請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項７】
平均細孔径が３ｎｍ以下である細孔を有することを特徴とする発光素子用低屈折率膜。
【請求項８】
基板と、該基板の少なくとも一方の表面に低屈折率層とを有してなり、該低屈折率層が、請求項７に記載の発光素子用低屈折率膜であることを特徴とする発光素子用基板。
【請求項９】
請求項８に記載の発光素子用基板の製造方法であって、テトラアルキルオルソシリケート（ＴＡＯＳ）及びアルコキシシラン（ＡＳ）から選択される少なくともいずれかをアルカリ存在下で加水分解して得られるケイ素化合物を含む塗布液を基板上に塗布し、塗膜を形成する塗膜形成工程と、該塗膜に対し熱処理を行って該塗膜を多孔質化する多孔質化工程とを含むことを特徴とする発光素子用基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から６のいずれかに記載の有機ＥＬ素子を用いたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子等の各種発光素子に好適な発光素子用低屈折率膜、該発光素子用低屈折率膜を用いた発光素子用基板及びその製造方法、並びに、該発光素子用低屈折率膜を用いた有機ＥＬ素子及び該有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子に関しては、正孔輸送性の有機薄膜及び電子輸送性の有機薄膜を積層してなる積層型有機ＥＬ素子（非特許文献１参照）が報告されて以来、１０Ｖ以下の低電圧で発光する大面積発光素子として関心を集めている。この積層型有機ＥＬ素子は、基本的には、正極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／負極という積層構造を有している。なお、該積層型有機ＥＬ素子においては、二層型有機ＥＬ素子（非特許文献１参照）のように、正孔輸送層及び電子輸送層のいずれかが発光層の機能を兼ねるように設計されていてもよい。従来より、高発光効率の有機ＥＬ素子を得るための各種提案がなされてきており、例えば、発光層を、１種類の材料で形成される単独膜とするのではなく、主成分であるホスト材料中に高蛍光発光性材料を少量ドープした色素ドープ膜とする提案がある（非特許文献２参照）。
【０００３】
しかし、前記有機ＥＬ素子における発光効率をいくら向上させたとしても、最終的に該有機ＥＬ素子から外部に取り出される光の光取出し効率が高くなければ、高発光効率の有機ＥＬ素子は得られない。従来における有機ＥＬ素子では、該有機ＥＬ素子内で発光した光成分の多くがガラス基板内を導波してしまい、該有機ＥＬ素子の外部に取出される光成分は２０％程度と極めて低くなってしまっていた。即ち、従来における有機ＥＬ素子は、図１に示すように、透明基板１２／正極１４／正孔輸送層１６／発光層１８／電子輸送層２０／負極２２の順に積層された積層構造を有しており、負極２２から注入された電子が電子輸送層２０を介して発光層１８に運ばれ、正極１４から注入された正孔が正孔輸送層１６を介して発光層１８に運ばれることにより、発光層１８において前記電子と前記正孔とが再結合し、その再結合エネルギーを利用して発光材料が発光を生ずる。該発光層１８において生ずる発光は、等方的であり、放射光は透明基板１２を介して大気（外部）に取出されるが、透明基板１２から大気（外部）に入射する際に、その入射角が臨界角を越える成分については全反射されてしまうため、外部に取出すことができず、大幅な光取出し効率の低下を招いていた。
【０００４】
このため、従来においては、例えば、基板と透明電極の間にシリカエアロゲルからなる低屈折率層を挿入して光の取出し効率の向上を図る方法が提案されている（特許文献１参照）。しかし、この場合、前記シリカエアロゲルからなる低屈折率層が吸湿性を示すため、湿気や水が浸入すると前記シリカエアロゲルによる膜の屈折率や透過性が変化し劣化してしまうという問題がある。そこで、前記シリカエアロゲルを疎水化することも考えられるが、この場合、吸湿性のない低屈折率層が容易にかつ簡便に製造することができないという問題がある。
また、前記有機ＥＬ素子としては、正極及び負極の間で短絡・ショートが生ずることがなく、信頼性の高いものが望まれており、そのためには平滑な基板を用いることが必要となる。しかし、前記シリカエアロゲルによる膜を有する基板を前記有機ＥＬ素子に用いた場合、前記正極及び前記負極の間で短絡・ショートが生じ易いため、前記シリカエアロゲルによる膜上に、表面の平坦化を図る膜を更に形成するか、あるいは、前記シリカエアロゲルによる膜の表面を研磨して平坦化する必要があり、製造が煩雑でコスト高となるという問題がある。
【０００５】
したがって、光取出し効率が高く、高発光効率、高輝度で、短絡等が生じることなく、高い信頼性を有し、容易にかつ簡便にしかも低コストで得られる有機ＥＬ素子等は未だ提供されていないのが現状である。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２０２８２７号公報
【非特許文献１】C. W. Tang and S. A. VanSlyke, Applied Physics Letters vol.51, 913(1987)
【非特許文献２】C. W. Tang, S. A. VanSlyke, and C. H. Chen, Applied Physics Lettersvol.65, 3610 (1989)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、有機ＥＬ素子等の各種発光素子に好適に用いられ、光取出し効率が高い発光素子用低屈折率膜、該発光素子用低屈折率膜を用いた発光素子用基板及びその効率的な製造方法、並びに、該発光素子用低屈折率膜を用い、有機ＥＬ素子等の各種発光素子における発光を高い効率で取出すことができ、高発光効率、高輝度で、短絡等が生じることなく、高い信頼性を有し、容易にかつ簡便にしかも低コストで得られる有機ＥＬ素子及び該有機ＥＬ素子を用いた高性能な有機ＥＬディスプレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための手段は、後述の付記１〜２７として記載した通りである。
本発明の発光素子用低屈折率膜は、平均細孔径が３ｎｍ以下である細孔を有してなる。該発光素子用低屈折率膜は、平均細孔径が制御されているので、光取出し効率が高く、有機ＥＬ素子等の各種発光素子に好適に用いられる。
本発明の発光素子用基板は、基板と、該基板の少なくとも一方の表面に低屈折率層とを有してなり、該低屈折率層が、本発明の前記発光素子用低屈折率膜である。該発光素子用基板においては、前記発光素子用低屈折率膜における平均細孔径が制御されているので、光取出し効率が高く、有機ＥＬ素子等の各種発光素子に好適に用いられる。
本発明の発光素子用基板の製造方法は、本発明の前記発光素子用基板の製造方法であって、テトラアルキルオルソシリケート（ＴＡＯＳ）及びアルコキシシラン（ＡＳ）から選択される少なくともいずれかをアルカリ存在下で加水分解して得られるケイ素化合物を含む塗布液を基板上に塗布し、塗膜を形成する塗膜形成工程と、該塗膜に対し熱処理を行って該塗膜を多孔質化する多孔質化工程とを含む。本発明の発光素子用基板の製造方法では、前記塗膜形成工程において、テトラアルキルオルソシリケート（ＴＡＯＳ）及びアルコキシシラン（ＡＳ）から選択される少なくともいずれかをアルカリ存在下で加水分解して得られるケイ素化合物を含む塗布液を基板上に塗布し、塗膜を形成する。前記多孔質化工程において、塗膜に対し熱処理を行って該塗膜を多孔質化する。その結果、平均細孔径等が制御された低屈折率層を有する発光素子用基板が、容易にかつ簡便にしかも安価に製造される。
本発明の有機ＥＬ素子は、平均細孔径が３ｎｍ以下である細孔を有する低屈折率層を有してなる。該有機ＥＬ素子は、本発明の前記発光素子用低屈折率膜を用いているので、該有機ＥＬ素子内で生じた発光の光取出し効率が大幅に向上し、高発光効率、高輝度を示し、輝度劣化や短絡等が生じることなく、信頼性に優れる。
本発明の有機ＥＬディスプレイは、本発明の前記有機ＥＬ素子を用いてなる。該有機ＥＬディスプレイは、本発明の前記有機ＥＬ素子を用いているので、高発光効率、高輝度を示し、輝度劣化や短絡等が生じることなく、信頼性に優れる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、従来における諸問題を解決し、有機ＥＬ素子等の各種発光素子に好適に用いられ、光取出し効率が高い発光素子用低屈折率膜、該発光素子用低屈折率膜を用いた発光素子用基板及びその効率的な製造方法、並びに、該発光素子用低屈折率膜を用い、有機ＥＬ素子等の各種発光素子における発光を高い効率で取出すことができ、高発光効率、高輝度で、短絡等が生じることなく、高信頼性を有し、容易にかつ簡便にしかも低コストで得られる有機ＥＬ素子及び該有機ＥＬ素子を用いた高性能な有機ＥＬディスプレイを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（発光素子用低屈折率膜）
本発明の発光素子用低屈折率膜は、多孔質化されており、細孔を有している。
前記発光素子用低屈折率膜における細孔の平均細孔径としては、３ｎｍ以下であることが必要であり、１．５〜２．８ｎｍがより好ましい。
前記平均細孔径が３ｎｍを超えると、光散乱により光取出し効率の低下を招くことがある。
前記発光素子用低屈折率膜における細孔としては、均一な細孔分布を有していることが好ましく、２ｎｍ以下の細孔含有率が、７０％以上であるのが好ましく、９０％以上が好ましい。
前記２ｎｍ以下の細孔含有率が７０％未満であると、表面粗さ（Ｒａ）を悪化させることがある。
前記平均細孔径及び前記２ｎｍ以下の細孔含有率は、例えば、窒素ガス吸着法により細孔分布曲線を得ることにより求めることができる。
【００１１】
前記発光素子用低屈折率膜における表面粗さ（Ｒａ）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１０ｎｍ以下が好ましく、１ｎｍ以下がより好ましい。
前記発光素子用低屈折率膜における表面粗さ（Ｒａ）が、１０ｎｍ以下であると、平坦化のための研磨処理や平坦化膜の付与をしなくても、有機ＥＬ素子等の発光素子に該発光素子用低屈折率膜を応用した場合に該発光素子において短絡・ショートの発生を防ぐことができる。
前記表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて測定することができる。
【００１２】
前記発光素子用低屈折率膜における屈折率としては、１．３０以下が好ましく、１．１０〜１．２７がより好ましい。
前記屈折率が１．３０を超えると、十分な光取出し効果が得られないことがある。
なお、前記発光素子用低屈折率膜の屈折率は、例えば、エリプソメータ等を用いて測定することができる。
【００１３】
前記発光素子用低屈折率膜の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、通常、１０ｎｍ〜１００,０００ｎｍであり、１００ｎｍ〜１０,０００ｎｍが好ましい。
前記発光素子用低屈折率膜の厚みが、１０ｎｍ未満であると、十分な屈折効果が得られないことがあり、１００,０００ｎｍを超えると、光の透過率が低下することがある。
なお、前記発光層用低屈折率膜の厚みは、例えば、エリプソメータ等を用いて測定することができる。
【００１４】
前記発光素子用低屈折率膜の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては、膜状、シート状などが挙げられ、また、その平面形状としては、四角形、円形などが挙げられ、前記構造としては、単層構造、積層構造などが挙げられ、前記大きさとしては、用途等に応じて適宜選択することができる。
【００１５】
前記発光素子用低屈折率膜の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、シリカ系材料などが好ましく、テトラアルキルオルソシリケート（ＴＡＯＳ）及びアルコキシシラン（ＡＳ）から選択される少なくともいずれかをアルカリ存在下で加水分解して得られるケイ素化合物を含む塗布液を用いて得られたシリカ系材料であるのがより好ましい。
【００１６】
前記テトラアルキルオルソシリケート（ＴＡＯＳ）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、テトラメチルオルソシリケート、テトラエチルオルソシリケート、テトラプロピルオルソシリケート、などが挙げられる。
【００１７】
前記アルコキシシラン（ＡＳ）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、下記一般式（Ｉ）で表されるものが好適に挙げられる。
ＸｎＳi(ＯＲ)４−ｎ          ・・・一般式（Ｉ）
前記一般式（Ｉ）中、Ｘは、水素原子、フッ素原子、又は置換基を表す。Ｒは、水素原子、又は置換基を表す。ｎは、０〜３の整数を表す。
【００１８】
前記置換基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルキル基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アルールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、などが挙げられる。これらは、エステル結合及びエーテル結合のいずれかを有していてもよいし、置換基で更に置換されていてもよい。
【００１９】
前記アルキル基としては、直鎖、分岐及び環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、などが挙げられる。これらの中でも、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
【００２０】
前記アルキルチオ基としては、直鎖、分岐及び環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、などが挙げられる。これらの中でも、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。
【００２１】
前記アルキルシリル基としては、直鎖、分岐及び環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜６０程度であり、例えば、メチルシリル基、エチルシリル基、プロピルシリル基、ｉ−プロピルシリル基、ブチルシリル基、ｉ−ブチルシリル基、ｔ−ブチルシリル基、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、シクロヘキシルシリル基、ヘプチルシリル基、オクチルシリル基、２−エチルヘキシルシリル基、ノニルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチルシリル基、ラウリルシリル基、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、ｉ−プロピルジメチルシリル基、ブチルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、などが挙げられる。これらの中でも、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、オクチルシリル基、２−エチルヘキシルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基が好ましい。
【００２２】
前記アルキルアミノ基としては、直鎖、分岐及び環状のいずれでもよく、モノアルキルアミノ基でもジアルキルアミノ基でもよく、炭素数は通常１〜４０程度であり、例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、などが挙げられる。これらの中でも、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基が好ましい。
【００２３】
前記アラルキル基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選定することができ、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、等が挙げられる。
【００２４】
前記アルケニル基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選定することができ、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、オクテニル基、等が挙げられる。
【００２５】
前記アルコキシ基としては、直鎖、分岐及び環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、などが挙げられる。これらの中でも、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
【００２６】
前記アリール基としては、炭素数は通常６〜６０程度であり、例えば、単環芳香族環の基、芳香族環が４環以下結合してなる基、５環以下の縮合芳香族環を有し、炭素、酸素、窒素及び硫黄の原子数の合計が５０以下である基、などが好適に挙げられる。
前記単環芳香族環の基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、フェニル、トリル、キシリル、クメニル、スチリル、メシチル、シンナミル、フェネチル、ベンズヒドリル、などが挙げられ、これらは置換基で置換されていてもよい。
前記芳香族環が４環以下結合してなる基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ナフチル、アントリル、フェナントリル、インデニル、アズレニル、ベンズアントラセニル、などが挙げられ、これらは置換基で置換されていてもよい。
前記５環以下の縮合芳香族環を有し、炭素、酸素、窒素及び硫黄の原子数の合計が５０以下である基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ピロリリル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリル、イソキノリル、イミダゾイル、ピリジニル、ピロロピリジニル、チアゾイル、ピリミジニル、チオフェニル、インドリル、キノリニル、ピリニル、アデニル、などが挙げられ、これらは置換基で置換されていてもよい。
【００２７】
前記アリールオキシ基としては、炭素数は通常６〜６０程度であり、例えば、フェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、などが挙げられる。これらの中でも、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基が好ましい。
【００２８】
前記アリールアルキル基としては、炭素数は通常７〜６０程度であり、例えば、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、などが挙げられる。これらの中でも、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基が好ましい。
【００２９】
前記アリールアルコキシ基としては、炭素数は通常７〜６０程度であり、例えば、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、などが挙げられる。これらの中でも、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基が好ましい。
【００３０】
前記アリールアルケニル基としては、炭素数は通常８〜６０程度であり、例えば、cis-フェニルアルケニル基、trans−フェニルアルケニル基、cis−トリルアルケニル基、trans−トリルアルケニル基、cis−１−ナフチルアルケニル基、trans−１−ナフチルアルケニル基、cis−２−ナフチルアルケニル基、trans−２−ナフチルアルケニル基、などが挙げられる。
【００３１】
前記アリールアルキニル基としては、炭素数が通常８〜６０程度であり、例えば、フェニルアルキニル基、トリルアルキニル基、１−ナフチルアルキニル基、２−ナフチルアルキニル基、などが挙げられる。
【００３２】
前記アリールアミノ基としては、炭素数が通常６〜６０程度であり、例えば、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、などが挙げられる。これらの中でも、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル）アミノ基が好ましい。
【００３３】
前記１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団を意味し、炭素数は通常４〜６０程度であり、例えば、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基、などが挙げられる。これらの中でも、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基が好ましい。
【００３４】
前記エーテル結合又はエステル結合を有する炭化水素基としては、炭素数１〜１０、特に１〜６のものが好ましい。前記エーテル結合（Ｃ−Ｏ−Ｃ）を有する基において、エーテル結合は１又は２以上を有していてもよい。前記エステル結合（ＣＯＯ）を有する基において、エステル結合は１又は２以上を有していてもよい。
【００３５】
前記アルコキシシランとしては、例えば、２官能アルコキシシラン、３官能アルコキシシラン及び４官能アルコキシシランから選択される少なくともいずれかが好適である。
【００３６】
前記２官能アルコキシシラン（ジアルコキシシラン）としては、例えば、ジメチルジアルコキシシラン、ジエチルジアルコキシシラン、ジプロピルジアルコキシシラン、ジブチルジアルコキシシラン、ジフェニルジアルコキシシラン、ジビニルジアルコキシシラン、ジアリルジアルコキシシラン、ジグリシジルジアルコキシシラン、フェニルメチルジアルコキシシラン、フェニルエチルジアルコキシシラン、フェニルビニルジアルコキシシラン、フェニルアリルジアルコキシシラン、フェニルグリシジルジアルコキシシラン、メチルビニルジアルコキシシラン、エチルビニルジアルコキシシラン、プロピルビニルジアルコキシシランなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３７】
前記ジメチルジエトキシシランとしては、例えば、ジメチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジメチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジメチルジフェノキシシラン等が挙げられる。
前記ジエチルジアルコキシシランとしては、例えば、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン等が挙げられる。
前記ジプロピルジアルコキシシランとしては、例えば、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−フェノキシシラン等が挙げられる。
前記ジブチルジアルコキシシランとしては、例えば、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−フェノキシシラン等が挙げられる。
前記ジフェニルジアルコキシシランとしては、例えば、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジフェニル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジフェニルジフェノキシシラン等が挙げられる。
【００３８】
前記３官能アルコキシシラン（トリアルコキシシラン）としては、例えば、メチルトリアルコキシシラン、エチルトリアルコキシシラン、プロピルトリアルコキシシラン、ブチルトリアルコキシシラン、フェニルトリアルコキシシラン、ビニルトリアルコキシシラン、アリルトリアルコキシシラン、グリシジルトリアルコキシシラン、アミノプロピルトリアルコキシシラン、トリフロロプロピルトリアルコキシシラン、フェニルプロピルトリアルコキシシラン、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３９】
前記メチルトリアルコキシシランとしては、例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン等が挙げられる。
前記エチルトリアルコキシシランとしては、例えば、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、エチルトリフェノキシシラン等が挙げられる。
前記プロピルトリアルコキシシランとしては、例えば、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリフェノキシシラン、ｉ−プロピルトリメトキシシラン、ｉ−プロピルトリエトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリフェノキシシラン等が挙げられる。
前記ブチルトリアルコキシシランとしては、例えば、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリフェノキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリフェノキシシラン、ｔ−ブチルトリメトキシシラン、ｔ−ブチルトリエトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリフェノキシシラン等が挙げられる。
前記フェニルトリアルコキシシランとしては、例えば、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン等が挙げられる。
前記ビニルトリアルコキシシランとしては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等が挙げられる。
前記グリシジルトリアルコキシシランとしては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
前記アミノプロピルトリアルコキシシランとしては、例えば、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
前記トリフロロプロピルトリアルコキシシランとしては、例えば、γ−トリフロロプロピルトリメトキシシラン、γ−トリフロロプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
【００４０】
前記４官能アルコキシシラン（テトラアルコキシシラン）としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラフェノキシシラン、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４１】
前記テトラアルキルオルソシリケート（ＴＡＯＳ）と前記アルコキシシラン（ＡＳ）とを併用する場合には、テトラアルキルオルソシリケート（ＴＡＯＳ）とアルコキシシラン（ＡＳ）との混合割合（ＴＡＯＳ／ＡＳ（モル比））としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、１／９〜９／１が好ましく、３／７〜７／３がより好ましい。
【００４２】
前記テトラアルキルオルソシリケート（ＴＡＯＳ）及び前記アルコキシシラン（ＡＳ）の少なくともいずれかをアルカリ存在下で加水分解することにより、ケイ素化合物（シロキサ樹脂）が得られる。
【００４３】
前記アルカリとしては、ケイ素化合物（シロキサン樹脂）を合成する際に触媒として働き、アルカリ性であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アンモニア、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、炭素数４〜２０の第四級アンモニウム塩、などが挙げられる。これらの中でも、アンモニア、炭素数４〜２０の第四級アンモニウム塩などが好適である。
【００４４】
前記第一級アミンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、シクロペンチルアミン、イソペンチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−デシルアミン、１−フェニルエチルアミン、２−フェニルエチルアミン、アリルアミン、２−ジメチルアミノエチルアミン、２−メトキシエチルアミン、などが挙げられる。
【００４５】
前記第二級アミンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ピロリジン、ピペリジン、ヘキサメチレンアミン、ピペラジン、モルホリン、などが挙げられる。
【００４６】
前記第三級アミンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリヘキシルアミン、トリアミルアミンなどのトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール等のアルカノールアミン、トリエチレンジアミン等の脂肪族又は非芳香族環状アミン、ジメチルフェニルアミン、ジメチルベンジルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、ジメチルアニリン、ピリジン、ピコリン等の芳香族アミン、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−１等の脂環式アミン、などが挙げられる。
【００４７】
前記炭素数４〜２０の第四級アンモニウム塩としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、テトラアルキルアンモニウムハライド（例えば、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムクロライド、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラブチルアンモニウムブロマイド等のテトラＣ１〜６（炭素数１〜６を表す）アルキルアンモニウムハライド）、トリアルキルアラルキルアンモニウムハライド（例えば、トリメチルベンジルアンモニウムクロライド、トリエチルベンジルアンモニウムクロライド、トリプロピルベンジルアンモニウムクロライドなどのトリＣ１〜６アルキル−Ｃ７〜１０アラルキルアンモニウムハライド）、Ｎ−アルキルピリジニウムハライド（例えば、Ｎ−メチルピリジニウムクロライドなど）、ｎ−ヘキサデシルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイド、ｎ−オクタデシルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイド、などが挙げられる。
【００４８】
前記触媒としてのアルカリの添加量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記テトラアルキルオルソシリケート（ＴＡＯＳ）及び前記アルコキシシラン（ＡＳ）の少なくともいずれか１００質量部に対し、１０〜７０質量部が好ましい。
前記アルカリの添加量が、１０質量部未満であると、被膜中に形成される細孔容積が少なくなって屈折率の増大を招くことがあり、７０質量部を超えると、被膜の強度が著しく低下することがある。
【００４９】
前記ケイ素化合物（シロキサン樹脂）の重量平均分子量（Ｍｗ）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、５００〜５０，０００，０００が好ましく、７，０００〜４８，０００，０００がより好ましい。
前記重量平均分子量（Ｍｗ）が、５００未満であると、沸点が低く、熱処理時に、分解・脱離してしまうことがある一方、５０，０００，０００を超えると、希釈溶剤への溶解性が悪くなることがある。
【００５０】
前記ケイ素化合物（シロキサン樹脂）の前記塗布液における含有量としては、塗布液全量に対し、２０〜８０質量％が好ましく、３０〜７０質量％がより好ましい。
【００５１】
前記塗布液は、前記ケイ素化合物以外に、必要に応じて適宜選択したその他の成分を含んでなる。
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、分解乃至揮発可能な分解性成分、希釈剤、界面活性剤などが挙げられる。
【００５２】
前記分解乃至揮発可能な分解性成分としては、分解乃至揮発可能であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、化合物等の低分子量成分であってもよいし、樹脂等の高分子量成分であってもよく、例えば、５００℃以下（好ましくは２００〜５００℃）の温度での熱処理を行うことにより分解乃至揮発可能な樹脂が好ましく、具体的には、セルロース系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリオール系樹脂、エポキシ系樹脂、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００５３】
前記希釈剤としては、前記ケイ素化合物（シロキサン樹脂）を溶解することができれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルアルコール等アルコール系溶媒；フェノール、クレゾール、ジエチルフェノール、トリエチルフェノール、プロピルフェノール、ノニルフェノール、ビニルフェノール、アリルフェノール、ノニルフェノール等のフェノール系溶媒；シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒；ヘキサン、オクタン、デカン等の炭化水素系溶媒；プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコール系溶媒、などが挙げられる。
【００５４】
本発明の発光素子用低屈折率膜は、平均細孔径が所定の範囲に制御されており、発光素子等に使用すると、該発光素子における光取出し効率を向上させることができるので、無機材料、有機材料、希土類金属錯体等を用いた、フォトルミネッセンス発光する各種発光素子、特に有機ＥＬ素子に好適に用いることができ、以下の本発明の発光素子用基板、有機ＥＬ素子、有機ＥＬディスプレイに好適に用いられる。
【００５５】
（発光素子用基板）
本発明の発光素子用基板は、基板と、低屈折率層とを有し、更に必要に応じて、その他の部材等を有してなる。
【００５６】
−基板−
前記基板としては、その形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記形状としては、例えば、平板状などが挙げられ、前記構造としては、単層構造、積層構造などが挙げられる。
【００５７】
前記基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、ＳｉＯ２膜被覆シリコン基板、ポリエチレンテレフタレート基板、ポリカーボネート基板、ポリスチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板等のポリマー基板、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、ガラス基板、石英基板、シリコン基板が好ましい。
前記基板は、適宜合成したものであってもよいし、市販品を使用してもよい。
【００５８】
前記基板の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１００〜２，０００μｍが好ましく、２００〜１,０００μｍがより好ましい。
前記基板の厚みが、１００μｍ未満であると、発光素子の機械的強度が低下することがあり、２，０００μｍを超えると、光吸収による光取出し効率の低下を招くことがある。
【００５９】
−低屈折率層−
前記低屈折率層としては、本発明の前記発光素子用低屈折率膜を用いることが必要である。
前記低屈折率層は、前記基板の少なくとも一方の表面に形成され、有機ＥＬ素子等の各種発光素子に用いる場合、発光素子部が形成される側の表面に、即ち該発光素子部と前記基板との間に、少なくとも形成されるのが好ましい。
前記低屈折率層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、以下の本発明の発光素子用低屈折率膜の製造方法により好適に製造することができる。
【００６０】
（発光素子用基板の製造方法）
本発明の発光素子用基板の製造方法は、本発明の前記発光素子用基板の製造方法であって、塗膜形成工程と、多孔質化工程とを含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の工程を含む。
【００６１】
−塗膜形成工程−
前記塗膜形成工程は、テトラアルキルオルソシリケート（ＴＡＯＳ）及びアルコキシシラン（ＡＳ）から選択される少なくともいずれかをアルカリ存在下で加水分解して得られるケイ素化合物を含む塗布液を基板上に塗布し、塗膜を形成する工程である。前記塗布液としては、上述のものと同様のものが挙げられる。
【００６２】
前記塗布の方法としては、特に制限はなく、公知の塗布方法の中から目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、スキャンコート法、ディップコート法、ニーダーコート法、カーテンコート法、ブレードコート法、等が挙げられる。これらの中でも、塗布効率等の点で、スピンコート法、スプレーコート法、スキャンコート法、等が好ましい。
【００６３】
−多孔質化工程−
前記多孔質化工程は、前記塗膜形成工程で得られた塗膜に対し熱処理を行って低屈折率層を多孔質化する工程である。
【００６４】
前記熱処理としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜その温度、雰囲気等の条件を選択することができるが、例えば、前記温度としては、５００℃以下が好ましく、１５０〜４００℃がより好ましく、前記雰囲気としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、大気中、窒素、アルゴン等の不活性雰囲気下又は減圧雰囲気下が好ましい。
なお、前記熱処理の回数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１回であってもよいし、複数回であってもよい。複数回の場合、段階的に温度を上げることが好ましい。
【００６５】
ここで、本発明の発光素子用基板の製造方法の一例について説明する。即ち、まず、テトラエチルオルソシリケートと、メチルトリメトキシシランとを混合し、該混合物とエタノールとを反応器に仕込み、撹拌する。これにテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＯＨ）水溶液を１時間かけて滴下し、さらに撹拌し、加熱し、加水分解を行う。次いで、ロータリエバポレータを用いてプロピルプロピレングリコール（ＰＦＧ）に溶媒置換して塗布液を得る。該塗布液をガラス基板上にスピンコート法により塗布し、ホットプレート上で段階的に温度を上げながらベーク処理を行い、室温まで冷却し、該ガラス基板上に低屈折率層を形成することにより、本発明の発光素子用基板を製造することができる。
【００６６】
以上に得られた本発明の発光素子用基板においては、平均細孔径が所定の範囲に制御されており、低屈折率である本発明の前記発光層用低屈折率膜を前記基板上に有するため、各種発光素子、特に有機ＥＬ素子に用いた場合において、該有機ＥＬ素子等内で生じた発光の光取出し効率を大幅に改善することができる。また、本発明の発光素子用基板は、それ自体が疎水性（耐吸湿性）に優れており、疎水化処理を必要とせず、水分が侵入しても低屈折率性が悪化することがなく、ダークスポットと呼ばれる局所的な非発光部の発生や全体的な輝度低下など素子の劣化を招くことがない。また、本発明の発光素子用基板は、前記発光層用低屈折率膜と前記基板との密着性、アルカリ等に対する耐薬品性、耐クラック性等に優れ、耐酸素プラズマ性、エッチング加工性等の有機ＥＬ製造プロセスへの適合性に優れている。本発明の発光素子用基板は、各種分野において好適に用いることができるが、有機ＥＬ素子等の各種発光素子により好適に使用することができ、以下の本発明の有機ＥＬ素子に特に好適に用いることができる。
【００６７】
（有機ＥＬ素子）
本発明の有機ＥＬ素子は、本発明の前記発光素子用低屈折率膜を有してなること以外には、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、該発光素子用低屈折率膜のほか、正極及び負極の間に少なくとも１層の有機薄膜層を有してなり、更に必要に応じて適宜選択したその他の層乃至部材等を有してなる。
前記有機ＥＬ素子において前記発光素子用低屈折率膜が設けられる位置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記正極及び負極の間に少なくとも１層の有機薄膜層を有してなる有機ＥＬ素子部の表面が好ましく、前記有機ＥＬ素子部と基板との間がより好ましい。後者の場合、該発光素子用低屈折率膜と前記基板とは積層されているが、該積層物として、本発明の前記発光素子用基板を好適に使用することができる。
【００６８】
前記有機ＥＬ素子部としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、以下の（１）〜（１５）、即ち（１）正極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／負極、（２）正極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／負極、（３）正極／正孔注入層兼輸送層（正孔輸送層）／発光層／電子輸送層／電子注入層／負極、（４）正極／正孔注入層兼輸送層（正孔輸送層）／発光層／電子輸送層／負極、（５）正極／正孔注入層／正孔注入層兼輸送層（正孔輸送層）／発光層兼電子輸送層／電子注入層／負極、（６）正極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層兼電子輸送層／負極、（７）正極／正孔注入層兼輸送層（正孔輸送層）／発光層兼電子輸送層／電子注入層／負極、（８）正極／正孔輸送層／発光層兼電子輸送層／負極、（９）正極／正孔注入層／正孔輸送層兼発光層／電子輸送層／電子注入層／負極、（１０）正極／正孔注入層／正孔輸送層兼発光層／電子輸送層／負極、（１１）正極／正孔注入層兼輸送層兼発光層（正孔輸送層兼発光層）／電子輸送層／電子注入層／負極、（１２）正極／正孔注入層兼輸送層兼発光層（正孔輸送層兼発光層）／電子輸送層／負極、（１３）正極／正孔注入層兼輸送層兼発光層兼電子輸送層（正孔輸送層兼発光層兼電子輸送層）／負極、（１４）正極／正孔注入層兼輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／負極、（１５）正極／正孔注入層兼輸送層／発光層兼電子輸送層／負極、などの構成が好適に挙げられる。
【００６９】
ここで、前記（４）正極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／負極の構成を有する有機ＥＬ素子部を図示すると、図２に示す通りであり、本発明の有機ＥＬ素子は、ガラス基板（透明基板）１２上に、本発明の前記発光層用低屈折率膜としての低屈折率層１３と、正極１４（例えば、ＩＴＯ電極）と、正孔輸送層１６と、発光層１８と、電子輸送層２０と、負極２２（例えば、Ａｌ−Ｌｉ電極）とをこの順に積層してなる。正極１４（例えば、ＩＴＯ電極）と、正孔輸送層１６と、発光層１８と、電子輸送層２０と、負極２２（例えば、Ａｌ−Ｌｉ電極）との積層構造物が有機ＥＬ素子部１０である。また、正孔輸送層１６、発光層１８、及び電子輸送層２０の積層構造物が有機薄膜層８である。なお、正極１４と負極２２とは電源を介して互いに導通可能に接続されている。
【００７０】
この有機ＥＬ素子においては、図２に示すように、発光層１８において生じた発光が放射光として、正孔輸送層１６、正極１４を順次透過し、低屈折率層１３からガラス基板（透明基板）１２に入射する際に屈折し、その屈折された分だけガラス基板（透明基板）１２から大気（外部）に放射（入射）される放射角（入射角）が小さくなる。その結果、ガラス基板（透明基板）１２から大気（外部）に放射（入射）される際の臨界角を越える全反射成分が減少し、光取出し効率が大幅に向上する。
【００７１】
以下、本発明の有機ＥＬ素子における前記有機ＥＬ素子部について説明する。
−正極−
前記正極としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記正孔注入層に、正孔（キャリア）を供給することができるものが好ましい。
【００７２】
前記正極の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、金属、金属酸化物等の電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられ、これらの中でも、前記有機薄膜層への正孔の注入し易さの点で、仕事関数が４ｅＶ以上の材料が好ましい。
前記正極の材料の具体例としては、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、これらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、これらとＩＴＯとの積層物、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、導電性金属酸化物が好ましく、生産性、導電性、透明性などの観点からはＩＴＯが特に好ましい。
【００７３】
前記正極の厚みとしては、特に制限はなく、材料等により適宜選択可能であるが、電気抵抗と光吸収とのバランスの観点からは、１〜５０００ｎｍが好ましく、２０〜２００ｎｍがより好ましい。
【００７４】
前記正極は、通常、本発明の前記発光素子用基板の低屈折率層上に形成される。
前記正極は、例えば、蒸着法、湿式製膜法、電子ビーム法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、分子積層法、ＬＢ法、印刷法、転写法、化学反応法（ゾル−ゲル法など）により該ＩＴＯの分散物を塗布する方法、などの上述した方法により好適に形成することができる。
前記正極は、洗浄、その他の処理を行うことにより、該有機ＥＬ素子の駆動電圧を低下させることが可能である。前記その他の処理としては、例えば、前記正極の素材がＩＴＯである場合には、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが好適に挙げられる。
【００７５】
−正孔注入層−
前記正孔注入層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、電界印加時に前記正極から正孔を注入する機能を有しているものであるのが好ましい。
前記正孔注入層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、下記式で表されるスターバーストアミン（4,4’,4’’-tris[3-methylphenyl(phenyl)amino]triphenylamine  ：ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、銅フタロシアニン、ポリアニリン、などが好適に挙げられる。
【００７６】
【化１】
2005135859.tif 000002
【００７７】
前記正孔注入層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、１〜１００ｎｍ程度が好ましく、５〜５０ｎｍがより好ましい。
前記正孔注入層は、例えば、蒸着法、湿式製膜法、電子ビーム法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、分子積層法、ＬＢ法、印刷法、転写法、などの上述した方法により好適に形成することができる。
【００７８】
−正孔輸送層−
前記正孔輸送層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、電界印加時に前記正極からの正孔を輸送する機能を有しているものが好ましい。
【００７９】
前記正孔輸送層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、芳香族アミン化合物、カルバゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー及びポリマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー及びポリマー、カーボン膜、などが挙げられる。なお、これらの正孔輸送層の材料を前記発光層の材料と混合して製膜すると正孔輸送層兼発光層を形成することができる。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、これらの中でも、芳香族アミン化合物が好ましく、具体的には、下記式で表されるＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス(３−メチルフェニル)−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミン）、下記式で表されるＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミン）などがより好ましい。
【００８０】
【化２】
2005135859.tif 000003
【００８１】
【化３】
2005135859.tif 000004
【００８２】
前記正孔輸送層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、通常１〜５００ｎｍであり、１０〜１００ｎｍが好ましい。
【００８３】
前記正孔輸送層は、例えば、蒸着法、湿式製膜法、電子ビーム法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、分子積層法、ＬＢ法、印刷法、転写法、などの上述した方法により好適に形成することができる。
【００８４】
−正孔ブロッキング層−
前記正孔ブロッキング層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記正極から注入された正孔を障壁する機能を有しているものが好ましい。
前記正孔ブロッキング層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００８５】
前記有機ＥＬ素子が前記正孔ブロッキング層を有していると、正極側から輸送されてきた正孔が該正孔ブロッキング層でブロックされ、負極から輸送されてきた電子は該正孔ブロッキング層を通過して前記発光層に到達することにより、該発光層で効率良く電子と正孔との再結合が生じるため、該発光層以外の有機薄膜層での前記正孔と前記電子との再結合を防ぐことができ、目的とする発光材料からの発光が効率的に得られる。
前記正孔ブロッキング層は、前記発光層と前記電子輸送層との間に配置されるのが好ましい。
【００８６】
前記正孔ブロッキング層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、通常１〜５００ｎｍ程度であり、１０〜５０ｎｍが好ましい。
前記正孔ブロッキング層は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
前記正孔ブロッキング層は、蒸着法により形成することができる。
【００８７】
−発光層−
前記発光層は、電界印加時に前記正極、前記正孔注入層、前記正孔輸送層等から正孔を注入することができ、前記負極、前記電子注入層、前記電子輸送層等から電子を注入することができ、更に該正孔と該電子との再結合の場を提供し、該再結合の際に生ずる再結合エネルギーにより、所望の発光色に発色する発光材料を含有する。
【００８８】
前記発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができ、緑色発光材料、青色発光材料、黄色発光材料、赤色発光材料などが挙げられる。
前記緑色発光材料としては、緑色発光可能なものであれば特に制限はなく、公知の緑色発色材料の中から適宜選択することができ、例えば、アルミニウムキノリウム錯体、ベンゾキノリノールＢｅ錯体、などが挙げられる。
前記青色発光材料としては、青色発光可能なものであれば特に制限はなく、公知の青色発色材料の中から適宜選択することができ、例えば、ベンゾオキサゾールＺｎ錯体、キノリノール系錯体、などが挙げられる。
前記黄色発光材料としては、黄色発光可能なものであれば特に制限はなく、公知の黄色発色材料の中から適宜選択することができ、例えば、８−キノリノールのＺｎとの４配位錯体、などが挙げられる。
前記赤色発光材料としては、赤色発光可能なものであれば特に制限はなく、公知の赤色発色材料の中から適宜選択することができ、例えば、ＤＣＭ色素（C. W. Tang, S. A. VanSlyke, and C. H. Chen, Applied Physics Letters
vol.65, 3610 (1989)）、赤色蛍光発光性を有するポルフィン化合物又はポルフィリン化合物（特開平９−１３０２４号公報、特開平９−２９６１６６号公報、特開平１１−２５１０６１号公報、特開平１１−２５１０６２号公報、国際公開番号ＷＯ９８／００４７４号公報）、赤色蛍光発光性を有するビスアンスレン化合物（特開平１１−１４４８６８号公報）、などが挙げられる。
【００８９】
前記発光層は、公知の方法に従って形成することができるが、例えば、蒸着法により好適に形成することができる。
【００９０】
前記発光層の厚みとしては、１〜５０ｎｍが好ましく、３〜２０ｎｍがより好ましい。
前記発光層の厚みが、前記好ましい数値範囲であると、該有機ＥＬ素子により発光される光の発光効率が十分であり、前記より好ましい数値範囲であるとそれが顕著である点で有利である。
【００９１】
前記発光層は、前記正孔輸送層、前記電子輸送層などの機能を併有する発光層兼電子輸送層、発光層兼正孔輸送層等として設計されてもよい。
前記発光層、あるいは前記発光層兼電子輸送層、発光層兼正孔輸送層等は、ゲスト材料として前記発光材料を含有し、該ホスト材料の、発光波長が該ゲスト材料の光吸収波長付近にあるのが好ましい。
【００９２】
前記ゲスト材料と前記ホスト材料とを併用する場合、有機ＥＬ発光が生ずる際、まず、前記ホスト材料が励起される。そして、該ホスト材料の発光波長と、前記ゲスト材料の吸収波長とが重なり合う場合、該ホスト材料から該ゲスト材料へと励起エネルギーが効率的に移動し、該ホスト材料は発光することなく基底状態に戻り、励起状態となった該ゲスト材料のみが励起エネルギーを光として放出し、発光効率に優れる。
【００９３】
また、一般に発光分子が単独膜として又は薄膜中に高濃度で存在する場合には、発光分子同士が接近することにより発光分子間で相互作用が生じ、「濃度消光」と呼ばれる発光効率低下現象が起こるが、前記ゲスト材料と前記ホスト材料とを併用する場合、前記ゲスト化合物が、前記ホスト化合物中に比較的低濃度で分散されているので、前記「濃度消光」が効果的に抑制され、発光効率に優れる点で有利である。
【００９４】
前記ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、発光波長が該ゲスト材料の光吸収波長付近にあるものが好ましい。
【００９５】
前記低分子系ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、下記構造式（１）で表される芳香族アミン誘導体、下記構造式（３）で表されるカルバゾール誘導体、下記構造式（５）で表されるオキシン錯体、下記構造式（７）で表される１，３，６，８−テトラフェニルピレン化合物、下記構造式（９）で表される、ジスチリルアリーレン誘導体、下記構造式（１０）で表されるｐ−セシキフェニル、下記構造式（１１）で表される９，９’−ビアントリル、などが好適に挙げられる。
【００９６】
【化４】
2005135859.tif 000005
【００９７】
前記構造式（１）中、ｎは、２又は３の整数を表す。Ａｒは、２価若しくは３価の芳香族基又は複素環式芳香族基を表す。Ｒ１１及びＲ１２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、１価の芳香族基又は複素環式芳香族基を表す。前記１価の芳香族基又は複素環式芳香族基としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができる。
【００９８】
前記構造式（１）で表される芳香族アミン誘導体の中でも、下記構造式（２）で表されるＮ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＮＰＤ）及びその誘導体が好ましい。
【００９９】
【化５】
2005135859.tif 000006
【０１００】
【化６】
2005135859.tif 000007
前記構造式（３）中、Ａｒは、以下に示す、芳香族環を含む２価若しくは３価の基、又は、複素環式芳香族環を含む２価若しくは３価の基を表す。
【０１０１】
【化７】
2005135859.tif 000008
これらは、非共役性の基で置換されていてもよく、また、Ｒは、連結基を表し、例えば以下のものが好適に挙げられる。
【０１０２】
【化８】
2005135859.tif 000009
【０１０３】
前記構造式（３）中、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基、水酸基、アミド基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素環基、又は芳香族複素環基を表し、これらは置換基で更に置換されていてもよい。
前記構造式（３）中、ｎは、整数を表し、２又は３が好適に挙げられる。
【０１０４】
前記構造式（３）で表されるカルバゾール誘導体の中でも、Ａｒが、ベンゼン環が単結合を介して２つ連結された芳香族基であり、Ｒ１３及びＲ１４が水素原子であり、ｎ＝２であるもの、即ち、下記構造式（４）で表される４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−ビフェニル（ＣＢＰ）及びその誘導体から選択されるものが、発光効率等に特に優れる点で好ましい。
【０１０５】
【化９】
2005135859.tif 000010
【０１０６】
【化１０】
2005135859.tif 000011
ただし、前記構造式（５）中、Ｒ１５は、水素原子又は一価炭化水素基を表す。
【０１０７】
前記構造式（５）で表されるオキシン錯体の中でも、下記構造式（６）で表されるアルミニウムキノリン錯体（Ａｌｑ）（主発光波長＝５３０ｎｍ）が好ましい。
【０１０８】
【化１１】
2005135859.tif 000012
【０１０９】
【化１２】
2005135859.tif 000013
ただし、前記構造式（７）中、Ｒ１６〜Ｒ１９は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、水素原子又は置換基を表す。該置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基が好適に挙げられ、これらは更に置換基で置換されていてもよい。
前記構造式（７）で表される１，３，６，８−テトラフェニルピレンの中でも、Ｒ１６〜Ｒ１９が水素原子である、即ち、下記構造式（８）で表される１，３，６，８−テトラフェニルピレンが、発光効率等に特に優れる点で好ましい。
【０１１０】
【化１３】
2005135859.tif 000014
【０１１１】
【化１４】
2005135859.tif 000015
【０１１２】
【化１５】
2005135859.tif 000016
【０１１３】
【化１６】
2005135859.tif 000017
【０１１４】
−電子輸送層−
前記電子輸送層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記負極からの電子を輸送する機能、前記正極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものが好ましい。
【０１１５】
前記電子輸送層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記アルミニウムキノリン錯体（Ａｌｑ）等のキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体など、などが挙げられる。
【０１１６】
前記電子輸送層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、通常１〜５００ｎｍ程度であり、１０〜５０ｎｍが好ましい。
前記電子輸送層は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
【０１１７】
この場合、前記発光層に隣接する該電子輸送層に用いる電子輸送材料としては、例えば、フェナントロリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体などが挙げられ、下記構造式（１２）で表される２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニルイル）−１，３，４−オキサジアゾール、３−フェニル−４−（１−ナフチル）−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４’−ビフェニルイル）−１，２，４，−トリアゾール、などが好適に挙げられる。
【０１１８】
【化１７】
2005135859.tif 000018
【０１１９】
【化１８】
2005135859.tif 000019
【０１２０】
【化１９】
2005135859.tif 000020
【０１２１】
【化２０】
2005135859.tif 000021
前記電子輸送層は、蒸着法により形成することができる。
【０１２２】
−電子注入層−
前記電子注入層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記負極からの電子を注入し、電子輸送層へ輸送する機能、を有しているものが好ましい。
【０１２３】
前記電子注入層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、フッ化リチウム等のアルカリ金属フッ化物、フッ化ストロンチウム等のアルカリ土類金属フッ化物、などが挙げられる。
【０１２４】
前記電子注入層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、通常０．１〜１０ｎｍ程度であり、前記有機薄膜層への電子の注入し易さの点で、０．５〜２ｎｍが好ましい。
前記電子注入層は、蒸着法により形成することができる。
【０１２５】
−負極−
前記負極としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記有機薄膜層に、具体的には該有機薄膜層が前記発光層のみを有する場合には該発光層に、該有機薄膜層が更に前記電子輸送層を有する場合には該電子輸送層に、該有機薄膜層及び該負極間に電子注入層を有する場合には該電子注入層に、電子を供給することができるものが好ましい。
【０１２６】
前記負極の材料としては、特に制限はなく、前記電子輸送層、前記発光層などの該負極と隣接する層乃至分子との密着性、イオン化ポテンシャル、安定性等に応じて適宜選択することができ、例えば、金属、金属酸化物等の導電性化合物、これらの混合物などが挙げられる。
【０１２７】
前記負極の材料の具体例としては、アルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓなど）、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａなど）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金又はそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金又はそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金又はそれらの混合金属、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、これらの合金、などが挙げられる。
【０１２８】
これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、仕事関数が４ｅＶ以下の材料が好ましく、アルミニウム、リチウム−アルミニウム合金又はそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金又はそれらの混合金属、などがより好ましい。
【０１２９】
前記負極の厚みとしては、特に制限はなく、該負極の材料等に応じて適宜選択することができるが、１〜１００００ｎｍが好ましく、２０〜２００ｎｍがより好ましい。
【０１３０】
前記負極は、例えば、蒸着法、湿式製膜法、電子ビーム法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、分子積層法、ＬＢ法、印刷法、転写法、などの上述した方法により好適に形成することができる。
【０１３１】
前記負極の材料として２種以上を併用する場合には、該２種以上の材料を同時に蒸着し、合金電極等を形成してもよいし、予め調製した合金を蒸着させて合金電極等を形成してもよい。
【０１３２】
前記正極及び前記負極の抵抗値としては、低い方が好ましく、数百Ω／□以下であるのが好ましい。
【０１３３】
−その他の層−
本発明の有機ＥＬ素子は、目的に応じて適宜選択したその他の層を有していてもよく、該その他の層としては、例えば、保護層、などが好適に挙げられる。
【０１３４】
前記保護層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、水分や酸素等の有機ＥＬ素子を劣化促進させる分子乃至物質が有機ＥＬ素子内に侵入することを抑止可能であるものが好ましい。
【０１３５】
前記保護層の材料としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＳｉＮ、ＳｉＮｘＯｙ等の窒化物、ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質などが挙げられる。
【０１３６】
前記保護層は、例えば、蒸着法、湿式製膜法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、印刷法、転写法、などの上述した方法により好適に形成することができる。
【０１３７】
本発明の有機ＥＬ素子の発光色としては、特に制限はなく、目的に応じて前記発光層の材料を適宜選択することにより、所望の発光色とすることができる。
本発明の有機ＥＬ素子の印加電圧の観点からは、電圧１０Ｖ以下で発光することが望まれ、７Ｖ以下で発光するのが好ましく、５Ｖ以下で発光するのがより好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子の発光輝度としては、実用上の観点からは、印加電圧１０Ｖにおいて、１００ｃｄ／ｍ２以上であるのが好ましく、５００ｃｄ／ｍ２以上であるのがより好ましく、１０００ｃｄ／ｍ２以上であるのが特に好ましい。
【０１３８】
本発明の有機ＥＬ素子は、例えば、照明装置、コンピュータ、車載用表示器、野外表示器、家庭用機器、業務用機器、家電用機器、交通関係表示器、時計表示器、カレンダ表示器、ルミネッセントスクリーン、音響機器等をはじめとする各種分野において好適に使用することができるが、以下の本発明の有機ＥＬディスプレイに特に好適に使用することができる。
【０１３９】
（有機ＥＬディスプレイ）
本発明の有機ＥＬディスプレイは、本発明の前記有機ＥＬ素子を少なくとも用いたこと以外には特に制限はなく、公知の構成を適宜採用することができる。
【０１４０】
前記有機ＥＬディスプレイは、単色発光のものであってもよいし、多色発光のものであってもよいし、フルカラータイプのものであってもよい。
【０１４１】
前記有機ＥＬディスプレイをフルカラータイプのものとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、２０００年９月号、３３〜３７ページに記載されているように、色の３原色（青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ））に対応する光をそれぞれ発光する有機ＥＬ素子を基板上に配置する３色発光法、白色発光用の有機ＥＬ素子による白色発光をカラーフィルターを通して３原色に分ける白色法、青色発光用の有機ＥＬ素子による青色発光を蛍光色素層を通して赤色（Ｒ）及び緑色（Ｇ）に変換する色変換法、などが知られている。
【０１４２】
前記３色発光法によりフルカラータイプの有機ＥＬディスプレイを製造する場合には、青色発光用の有機ＥＬ素子、赤色発光用の有機ＥＬ素子及び緑色発光用の有機ＥＬ素子が必要になる。
【０１４３】
前記赤色発光用の有機ＥＬ素子としては、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば層構成が、ＩＴＯ（正極）／前記ＮＰＤ／下記式で表されるＤＣＪＴＢ  １％アルミニウムキノリン錯体（Ａｌｑ）／前記Ａｌｑ／Ａｌ−Ｌｉ（負極）、であるものなどが好適に挙げられる。前記ＤＣＪＴＢは、4-dicyanomethylene-6-cp-julolidinostyryl-2-tert-butyl-4H-pyranである。なお、前記Ａｌｑは先に示した通りである。
【０１４４】
【化２１】
2005135859.tif 000022
【０１４５】
前記緑色発光用の有機ＥＬ素子としては、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、層構成が、ＩＴＯ（正極）／前記ＮＰＤ／ジメチルキナクドリン  １％前記Ａｌｑ／前記Ａｌｑ／Ａｌ−Ｌｉ（負極）、であるものなどが好適に挙げられる。
【０１４６】
前記青色発光用の有機ＥＬ素子としては、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、層構成が、ＩＴＯ（正極）／前記ＮＰＤ／スチリルアミン誘導体４．５％・スチリルアリーレン誘導体／前記Ａｌｑ／Ａｌ−Ｌｉ（負極）、であるものなどが好適に挙げられる。
【０１４７】
前記有機ＥＬディスプレイの態様としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、「日経エレクトロニクス」、Ｎｏ.７６５, ２０００年３月１３日号、５５〜６２ページに記載されているような、パッシブマトリクスパネル、アクティブマトリクスパネルなどが好適に挙げられる。
【０１４８】
前記パッシブマトリクスパネルは、例えば、図３に示すように、ガラス基板１２上に、互いに平行に配置された帯状の正極１４（例えばＩＴＯ電極）を有し、正極１４上に、互いに順番に平行にかつ正極１４と略直交方向に配置された帯状の青色発光用の有機薄膜層２４、緑色発光用の有機薄膜層２６及び赤色発光用の有機薄膜層２８を有し、青色発光用の有機薄膜層２４、緑色発光用の有機薄膜層２６及び赤色発光用の有機薄膜層２８上に、これらと同形状の負極２２を有してなる。
【０１４９】
前記パッシブマトリクスパネルにおいては、例えば、図４に示すように、複数の正極１４からなる正極ライン３０と、複数の負極２２からなる負極ライン３２とが互いに略直行方向に交差して回路が形成されている。各交差点に位置する、青色発光用、緑色発光用及び赤色発光用の各有機薄膜層２４、２６及び２８が画素として機能し、各画素に対応して有機ＥＬ素子３４が複数存在している。該パッシブマトリクスパネルにおいて、正極ライン３０における正極１４の１つと、負極ライン３２における負極２２の１つとに対し、定電流源３６により電流を印加すると、その際、その交差点に位置する有機薄膜層に電流が印加され、該位置の有機ＥＬ薄膜層が発光する。この画素単位の発光を制御することにより、容易にフルカラーの画像を形成することができる。
【０１５０】
前記アクティブマトリクスパネルは、例えば、図５に示すように、ガラス基板１２上に、走査線、データライン及び電流供給ラインが碁盤目状に形成されており、碁盤目状を形成する走査線等に接続され、各碁盤目に配置されたＴＦＴ回路４０と、ＴＦＴ回路４０により駆動可能であり、各碁盤目中に配置された正極１４（例えばＩＴＯ電極）とを有し、正極１４上に、互いに順番に平行に配置された帯状の青色発光用の有機薄膜層２４、緑色発光用の有機薄膜層２６及び赤色発光用の有機薄膜層２８を有し、青色発光用の有機薄膜層２４、緑色発光用の有機薄膜層２６及び赤色発光用の有機薄膜層２８上に、これらを全部覆うようにして配置された負極２２を有してなる。青色発光用の有機薄膜層２４、緑色発光用の有機薄膜層２６及び赤色発光用の有機薄膜層２８は、それぞれ、正孔輸送層１６、発光層１８及び電子輸送層２０を有している。
【０１５１】
前記アクティブマトリクスパネルにおいては、例えば、図６に示すように、複数平行に設けられた走査線４６と、複数平行に設けられたデータライン４２及び電流供給ライン４４とが互いに直交して碁盤目を形成しており、各碁盤目には、スイッチング用ＴＦＴ４８と、駆動用ＴＦＴ５０とが接続されて回路が形成されている。駆動回路３８から電流を印加すると、碁盤目毎にスイッチング用ＴＦＴ４８と駆動用ＴＦＴ５０とが駆動可能となっている。そして、各碁盤目は、青色発光用、緑色発光用及び赤色発光用の各有機薄膜素子２４、２６及び２８が画素として機能し、該アクティブマトリクスパネルにおいて、横方向に配置された走査線４６の１つと、縦方向に配置された電流供給ライン４４とに対し、駆動回路３８から電流を印加すると、その際、その交差点に位置するスイッチング用ＴＦＴ４８が駆動し、それに伴い駆動用ＴＦＴ５０が駆動し、該位置の有機ＥＬ素子５２が発光する。この画素単位の発光を制御することにより、容易にフルカラーの画像を形成することができる。
【０１５２】
本発明の有機ＥＬディスプレイは、例えば、照明装置、コンピュータ、車載用表示器、野外表示器、家庭用機器、業務用機器、家電用機器、交通関係表示器、時計表示器、カレンダ表示器、ルミネッセントスクリーン、音響機器等をはじめとする各種分野において好適に使用することができる。
【０１５３】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【実施例】
【０１５４】
（実施例１）
−発光素子用低屈折率膜を有する発光素子用基板の作製−
まず、テトラエチルオルソシリケート(ＴＥＯＳ、信越化学工業株式会社製)１１４．２ｇと、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳ、信越化学工業株式会社製）１０９．１ｇとを混合（モル比（ＴＥＯＳ／ＭＴＭＳ）＝４／６）した混合物と、エタノール４８８．７ｇとを反応器に仕込み、１５０ｒｐｍの速度で撹拌した。これにテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＯＨ）１０質量％の水溶液２９８．３ｇ（モル比（ＴＭＡＯＨ／（ＴＥＯＳ＋ＭＴＭＳ））＝１．１／１０）を１時間かけて滴下し、さらに２０℃の温度で１時間撹拌した。その後、５０℃に加熱し、５０℃にて２０時間加水分解を行った。次いで、ロータリエバポレータを用いてプロピルプロピレングリコール（ＰＦＧ）に溶媒置換して、シリカ濃度が１２質量％である塗布液を調製した。
得られた塗布液を前記基板としてのガラス基板（透明基板）（厚み：０．７ｍｍ、屈折率：１．５２）上にスピンコート法により塗布し、ホットプレート上で１５０℃、２５０℃及び３５０℃にて各２分間づつ段階的に温度を上げながらベーク処理を行った。その後、室温まで冷却し、前記ガラス基板（透明基板）上に本発明の前記発光素子用低屈折率膜を積層してなる本発明の発光素子用基板を作製した。
作製した発光素子用基板における発光素子用低屈折率膜の厚み及び屈折率を、分光エリプソメータ（                    製、              ）を用いて測定したところ、その厚みは、５８０ｎｍであり、その屈折率は、１．２７であった。また、該発光素子用低屈折率膜の表面粗さ（Ｒａ）を、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定したところ、その表面粗さ（Ｒａ）は、０．６ｎｍであった。また、該発光素子用低屈折率膜の平均細孔径及び細孔含有率を、窒素ガス吸着法による細孔分布曲線を得てから求めたところ、平均細孔径は、      ｎｍであり、平均細孔径が２ｎｍ以下の細孔含有率は、      ％であった。
【０１５５】
−有機ＥＬ素子の作製−
得られた発光素子用基板における発光素子用低屈折率膜上に、スパッタ法により厚みが１２０ｎｍの酸化インジウム錫（ＩＴＯ）を形成して透明電極とした。このＩＴＯ／発光素子用低屈折率膜／ガラス基板の積層構造物を、水、アセトン及びイソプロピルアルコールにより超音波洗浄し、ＵＶオゾン処理を施した。その後、このＩＴＯ電極上に、真空蒸着装置（真空度：１×１０−６ｔｏｒｒ、基板温度：室温）を用いて、正孔注入層としての下記構造式で表される、２−ＴＮＡＴＡ（４,４’,４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）を厚みが１４０ｎｍとなるように積層形成した。次に、前記正孔注入層上に、正孔輸送層としての下記構造式で表される、α−ＮＰＤ（Ｎ,Ｎ’−ジナフチル−Ｎ,Ｎ’−ジフェニル−[１,１’−ビフェニル]−４,４’−ジアミン）を厚みが１０ｎｍとなるように積層形成した。次に、前記正孔輸送層上に下記構造式で表される、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（アルミニウムキノリン錯体：Ａｌｑ３）を厚みが５０ｎｍとなるように蒸着して発光層兼電子輸送層を形成した。そして、前記発光層兼電子輸送層上に、フッ化リチウムを厚みが０．５ｎｍとなるように、該フッ化リチウム層上に、アルミニウム（Ａｌ）を厚みが１００ｎｍとなるように、それぞれ蒸着して、前記負極（Ａｌ−Ｌｉ合金）を形成した。以上により、有機ＥＬ素子を作製した。
【０１５６】
【化２２】
2005135859.tif 000023
【０１５７】
【化２３】
2005135859.tif 000024
【０１５８】
【化２４】
2005135859.tif 000025
【０１５９】
得られた有機ＥＬ素子における、ＩＴＯ電極（正極）及びＡｌ−Ｌｉ合金（負極）に電圧を印加すると、短絡・ショート及び非発光部のない良好な緑色発光が観測された。また、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２における発光輝度は、光取出し効率が高いので、６７０ｃｄ／ｍ２となった。
【０１６０】
（実施例２）
−発光素子用低屈折率膜を有する発光素子用基板の作製−
実施例１において、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＯＨ）１０質量％水溶液をアンモニア５質量％水溶液に変更した以外は、実施例１と同様にしてガラス基板上に発光素子用低屈折率膜を形成し、発光素子用基板を作製した。
得られた発光素子用基板における発光素子用低屈折率膜の厚み及び屈折率を、分光エリプソメータ（ＳＯＰＲＡ社製、ＧＥＳ５００）を用いて測定したところ、その厚みは７００ｎｍであり、その屈折率は１．２９であった。また、この発光素子用低屈折率膜の表面粗さ（Ｒａ）を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定したところ、その表面粗さ（Ｒａ）は０．８ｎｍであった。また、低屈折率層の平均細孔径及び細孔含有率を窒素ガス吸着法による細孔分布曲線を得て求めたところ、平均細孔径は２．７ｎｍであり、平均細孔径が２ｎｍ以下の細孔含有率は７２％であった。
【０１６１】
−有機ＥＬ素子の作製−
実施例１において、実施例１の発光素子用基板を、前記実施例２で作製した発光素子用基板に代えた以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子における、ＩＴＯ電極（正極）及びＡｌ−Ｌｉ合金（負極）に電圧を印加すると、短絡・ショート及び非発光部のない良好な緑色発光が観測された。また、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２における発光輝度は、光取出し効率が高いので、６６０ｃｄ／ｍ２であった。
【０１６２】
（比較例１）
−有機ＥＬ素子の作製−
実施例１において、ガラス基板上に前記発光素子用低屈折率膜を形成することなく直接、スパッタ法により厚み１２０ｎｍの酸化インジウム錫（ＩＴＯ）を形成して透明電極とした以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子における、ＩＴＯ電極（正極）及びＡｌ−Ｌｉ合金（負極）に電圧を印加すると緑色発光が観測された。また、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２における発光輝度は、光取出し効率が十分でないため、４９０ｃｄ／ｍ２と実施例１に比べて低かった。これは、前記発光素子用低屈折率膜が存在しないため、ガラス基板内で全反射する光成分が増加し、光取出し効率が低下したためであると推測された。
【０１６３】
（比較例２）
−シリカエアロゲル膜を有する基板の作製−
テトラメトキシシラン、メタノール、水、及び２８質量％アンモニア水を、質量比（テトラメトキシシラン：メタノール：水：アンモニア水）が１０：３３：１０：０．２となるように混合して塗布液を調製した。得られた塗布液をガラス基板（厚み：０．７ｍｍ、屈折率：１．５２）上にスピンコート法により塗布した。次に、アルコキシシランをゲル化させた後、メタノール、水、及び２８質量％アンモニア水を、質量比（メタノール：水：アンモニア水）＝１６０：４０：１で混合した溶液中に浸漬し、１２時間養生を行った。次いで、養生を行ったゲル状薄膜をヘキサメチルジシラザンの１０質量％イソプロパノール溶液に浸漬し、疎水化処理を行った。
前記ガラス基板上に形成したゲル状薄膜を高圧容器中に入れ、容器内を液化炭酸ガスで満たし、８０℃、１６ＭＰａの条件で超臨界乾燥することによって、シリカエアロゲル膜を作製した。
このシリカエアロゲル膜の厚み及び屈折率を、分光エリプソメータ（ＳＯＰＲＡ社製、ＧＥＳ５００）を用いて測定したところ、その厚みは２μｍであり、その屈折率は１．１５であった。また、このシリカエアロゲル膜の表面粗さ（Ｒａ）を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定したところ、その表面粗さ（Ｒａ）は５０ｎｍであった。また、該シリカエアロゲル膜の平均細孔径を窒素ガス吸着法による細孔分布曲線を得て求めたところ、平均細孔径は３５ｎｍであり、平均細孔径が２ｎｍ以下の細孔含有率は０％であった。
【０１６４】
−有機ＥＬ素子の作製−
実施例１において、実施例１の発光素子用基板を比較例２で作製したシリカエアロゲル膜を有する基板に代えた以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子における、ＩＴＯ電極（正極）及びＡｌ−Ｌｉ合金（負極）に電圧を印加すると、シリカエアロゲル膜の表面粗さ（Ｒａ）の大きさに起因してＩＴＯ電極の表面粗さが大きくなり、正極と負極が短絡を起こし、ＥＬ発光を得ることができなかった。
【０１６５】
本発明の好ましい態様を付記すると、以下の通りである。
（付記１）    平均細孔径が３ｎｍ以下である細孔を有する低屈折率層を有してなることを特徴とする有機ＥＬ素子。
（付記２）    低屈折率層が、平均細孔径が２ｎｍ以下である細孔を全細孔に対し７０％以上含有する付記１に記載の有機ＥＬ素子。
（付記３）    低屈折率層が、基板と、正極及び負極の間に少なくとも１層の有機薄膜層を有してなる有機ＥＬ素子部との間に設けられた付記１から２のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
（付記４）    低屈折率層における表面粗さ（Ｒａ）が１０ｎｍ以下である付記１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
（付記５）    低屈折率層が、シリカ系材料で形成された付記１から４のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
（付記６）    低屈折率層が、テトラアルキルオルソシリケート（ＴＡＯＳ）及びアルコキシシラン（ＡＳ）から選択される少なくともいずれかをアルカリ存在下で加水分解して得られるケイ素化合物を含む塗布液を用いて形成された付記１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
（付記７）    アルコキシシランが、下記一般式（Ｉ）で表される付記６に記載の有機ＥＬ素子。
ＸｎＳi(ＯＲ)４−ｎ    ・・・（Ｉ）
ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ｘは、水素原子、フッ素原子、又は置換基を表す。Ｒは、水素原子、又は置換基を表す。ｎは、０〜３の整数を表す。
（付記８）    アルコキシシランが、２官能アルコキシシラン、３官能アルコキシシラン及び４官能アルコキシシランから選択される少なくとも１種である付記６から７のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
（付記９）    アルカリが、炭素数４〜２０の第四級アンモニウム塩及びアンモニアのいずれかである付記６から８のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
（付記１０）    低屈折率層における屈折率が１．３０以下である付記１から９のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
（付記１１）    低屈折率層の厚みが１０〜１００,０００ｎｍである付記１から１０のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
（付記１２）    平均細孔径が３ｎｍ以下である細孔を有することを特徴とする発光素子用低屈折率膜。
（付記１３）    平均細孔径が２ｎｍ以下である細孔を全細孔に対し７０％以上含有する付記１２に記載の発光素子用低屈折率膜。
（付記１４）    表面粗さ（Ｒａ）が１０ｎｍ以下である付記１２から１３のいずれかに記載の発光素子用低屈折率膜。
（付記１５）    シリカ系材料で形成された付記１２から１４のいずれかに記載の発光素子用低屈折率膜。
（付記１６）    テトラアルキルオルソシリケート（ＴＡＯＳ）及びアルコキシシラン（ＡＳ）から選択される少なくともいずれかをアルカリ存在下で加水分解して得られるケイ素化合物を含む塗布液を用いて形成された付記１２から１５のいずれかに記載の発光素子用低屈折率膜。
（付記１７）    アルコキシシランが、下記一般式（Ｉ）で表される付記１６に記載の発光素子用低屈折率膜。
ＸｎＳi(ＯＲ)４−ｎ    ・・・（Ｉ）
ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ｘは、水素原子、フッ素原子、又は置換基を表す。Ｒは、水素原子、又は置換基を表す。ｎは、０〜３の整数を表す。
（付記１８）    アルコキシシランが、２官能アルコキシシラン、３官能アルコキシシラン及び４官能アルコキシシランから選択される少なくともいずれかである付記１６から１７のいずれかに記載の発光素子用低屈折率膜。
（付記１９）    アルカリが、炭素数４〜２０の第四級アンモニウム塩及びアンモニアのいずれかである付記１６から１８のいずれかに記載の発光素子用低屈折率膜。
（付記２０）    屈折率が１．３０以下である付記１２から１９のいずれかに記載の発光素子用低屈折率膜。
（付記２１）    厚みが１０〜１００,０００ｎｍである付記１２から２０のいずれかに記載の発光素子用低屈折率膜。
（付記２２）    有機ＥＬ素子に用いられる付記１２から２１のいずれかに記載の発光素子用低屈折率膜。
（付記２３）    基板と、該基板の少なくとも一方の表面に低屈折率層とを有してなり、該低屈折率層が、付記１２から２２のいずれかに記載の発光素子用低屈折率膜であることを特徴とする発光素子用基板。
（付記２４）    付記２３に記載の発光素子用基板の製造方法であって、テトラアルキルオルソシリケート（ＴＡＯＳ）及びアルコキシシラン（ＡＳ）から選択される少なくともいずれかをアルカリ存在下で加水分解して得られるケイ素化合物を含む塗布液を基板上に塗布し、塗膜を形成する塗膜形成工程と、該塗膜に対し熱処理を行って該塗膜を多孔質化する多孔質化工程とを含むことを特徴とする発光素子用基板の製造方法。
（付記２５）    熱処理が５００℃以下の温度で１回以上行われる付記２４に発光素子用基板の製造方法。
（付記２６）    付記１から１１のいずれかに記載の有機ＥＬ素子を用いたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
（付記２７）    パッシブマトリクスパネル及びアクティブマトリクスパネルのいずれかである付記２６に記載の有機ＥＬディスプレイ。
【産業上の利用可能性】
【０１６６】
本発明の発光素子用低屈折率膜及び発光素子用基板は、無機材料、有機材料、希土類金属錯体等を用いた、フォトルミネッセンス発光する各種発光素子、特に有機ＥＬ素子に好適に用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子及び有機ＥＬディスプレイは、例えば、照明装置、コンピュータ、車載用表示器、野外表示器、家庭用機器、業務用機器、家電用機器、交通関係表示器、時計表示器、カレンダ表示器、ルミネッセントスクリーン、音響機器等をはじめとする各種分野において好適に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１６７】
【図１】図１は、従来の有機ＥＬ素子における層構成の一例を説明するための概略説明図である。
【図２】図２は、本発明の有機ＥＬ素子における層構成の一例を説明するための概略説明図である。
【図３】図３は、パッシブマトリクス方式の有機ＥＬディスプレイ（パッシブマトリクスパネル）の一構造例を説明するための概略説明図である。
【図４】図４は、図３に示すパッシブマトリクス方式の有機ＥＬディスプレイ（パッシブマトリクスパネル）における回路を説明するための概略説明図である。
【図５】図５は、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬディスプレイ（アクティブマトリクスパネル）の一構造例を説明するための概略説明図である。
【図６】図６は、図５に示すアクティブマトリクス方式の有機ＥＬディスプレイ（アクティブマトリクスパネル）における回路を説明するための概略説明図である。
【符号の説明】
【０１６８】
１        有機ＥＬディスプレイ
８        有機薄膜層
１０      有機ＥＬ素子部
１２      ガラス基板
１３      低屈折率層
１４      正極
１６      正孔輸送層
１８      発光層
２０      電子輸送層
２２      負極
２４      青色発光用の有機薄膜層
２６      緑色発光用の有機薄膜層
２８      赤色発光用の有機薄膜層
３０      正極ライン
３２      負極ライン
３４      有機ＥＬ素子
３６      定電流源
３８      駆動回路
４０      ＴＦＴ回路
４２      データライン
４４      電源供給ライン
４６      走査線
４８      スイッチング用ＴＦＴ
５０      駆動用ＴＦＴ
【図１】
2005135859.tif 000026
【図２】
2005135859.tif 000027
【図３】
2005135859.tif 000028
【図４】
2005135859.tif 000029
【図５】
2005135859.tif 000030
【図６】
2005135859.tif 000031