(57)【要約】【課題】  画素領域の面積の変更についての自由度が高く、その結果、各発光素子間の輝度と寿命を調整することが可能となり、ホワイトバランスの制御が容易になるとともに表示装置全体の寿命を長くすることができる電気光学装置を提供すること。【解決手段】  第１の配線と、前記第１の配線に略直交する第２の配線と、前記第１の配線と第２の配線とにより選択される画素領域とを備えるトップエミッション型の電気光学装置であって、複数の前記画素領域を備え、少なくとも一の前記画素領域が、当該画素領域を選択する前記第１の配線と前記第２の配線と当該第１の配線および第２の配線にそれぞれ隣接する前記第１の配線および前記第２の配線とにより囲まれる単位領域を越えて設けられている電気光学装置を提供する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線と、前記第１の配線に略直交する第２の配線と、前記第１の配線と第２の配線とにより選択される画素領域とを備え、前記画素領域に含まれる発光素子が基板上に設けられていると共に、第１の電極と、透明材料からなる第２の電極と、第１および第２の電極間に介在する発光層とを含んでなり、前記発光層からの発光が、第２の電極を介して基板と反対方向に放射される、電気光学装置であって、
複数の前記画素領域を備え、
少なくとも一の前記画素領域が、
当該画素領域を選択する前記第１の配線と前記第２の配線と当該第１の配線および第２の配線にそれぞれ隣接する前記第１の配線および前記第２の配線とにより囲まれる単位領域を越えて設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
第１の配線と、前記第１の配線に略直交する第２の配線と、前記第１の配線と第２の配線とにより選択される画素領域とを備え、前記画素領域に含まれる発光素子が基板上に設けられていると共に、第１の電極と、透明材料からなる第２の電極と、第１および第２の電極間に介在する発光層とを含んでなり、前記発光層からの発光が、第２の電極を介して基板と反対方向に放射される、電気光学装置であって、
複数の前記画素領域が基本画素を構成し、
前記基本画素のそれぞれにおいて少なくとも一の前記画素領域が、
当該画素領域を選択する前記第１の配線と前記第２の配線と当該第１の配線および第２の配線にそれぞれ隣接する前記第１の配線および前記第２の配線とにより囲まれる単位領域を越えて設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記基本画素の総面積が、前記基本画素を構成する複数の前記画素領域の総数と同数の前記単位領域の総面積を超えないように設けられている、請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１及び／又は第２の配線が略等間隔に配置され、
前記基本画素では、前記発光素子の特性に応じて各画素領域間の面積が設定されている、請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記基本画素では、発光効率がより低い発光素子を含む画素領域ほど面積が広く形成されている、請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記基本画素では、寿命がより短い発光素子を含む画素領域ほど面積が広く形成されている、請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記基本画素を構成する各画素領域からの光が合成され、白色を表示する場合に、より大きな光量が必要とされる色を発光する発光素子を含む画素領域ほど面積が広く形成されている、請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記基本画素を構成する各画素領域からの光が合成され、白色を表示する場合に、（必要な光量）／（発光効率）がより大きい発光素子を含む画素領域ほど面積が広く形成されている、請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１又は２に記載の電気光学装置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素駆動回路を用いて自己発光素子を発光させる電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下「ＥＬ」という）等の電気光学装置では、異なる色で発光する画素領域をマトリックス状に配列し、各画素領域からの発光を合成してフルカラー表示を実現する方法が広く用いられている。一例として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の画素領域を並置するＲＧＢ法が挙げられる。画素領域の発光する色は、各画素領域が備える発光素子に含まれる発光材料に依存する。
【０００３】
しかし発光材料によって発光効率が異なることがあり、各画素領域を同じ条件で発光すると、特定の色の光量が低くなってしまうことがあり、合成したときに所望の色をきれいに表示できないことがある。特に、上記ＲＧＢ法の場合、３色が合成されることによって白色が表示されるが、この白色を表示するための輝度バランス（いわゆるホワイトバランス）が良好でないと、表示装置全体の品質を低下させる。
【０００４】
このような場合、有機ＥＬ等の発光素子は、光量が電流値に比例することが知られているので、より大きな光量を得たい発光素子に、より大きな電流が流れるようにすればよい。
【０００５】
しかし、有機ＥＬでは、単位面積あたりの電流値が大きくなると、指数関数的に発光材料の劣化が早くなるので、特定の発光素子に大きな電流を流すと、その発光素子の寿命が他の発光素子に比較して短くなってしまう。その結果、色むらが生じ、表示装置全体の劣化も早くなる。
【０００６】
かかる問題を解決する方法として、発光効率が最もよい色の発光領域の発光面積を、他の色の発光領域の発光面積に比べて小さくすることにより長寿命化をはかり、ホワイトバランスを制御する方法が開示されている（特許文献１）。特許文献１では、ゲート信号線５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素が形成されている。
【０００７】
一方、発光素子の寿命（輝度が劣化する時間）も、発光材料によって異なることが知られている。従って、各発光素子に同じ量の電流を流していても、時間と共に各色の輝度に差が生じ、ホワイトバランスが崩れたり、色むらが生じたりすることがある。
【０００８】
このような問題に対して、複数種の自己発光素子のうち、等価な電流密度に対して最短の輝度半減時間を呈する自己発光素子の発光面積を、最大の輝度半減時間を呈する自己発光素子の発光面積よりも大きくする方法が開示されている（特許文献２）。特許文献２では、信号線の間隔を変えることによって、画素領域の面積を変化させている。
【特許文献１】特開平２００１−２９０４４１
【特許文献２】特開２００３−１６８５６１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、ゲート信号線とドレイン信号線とに囲まれた領域に表示画素が形成される場合、発光領域の面積は、最大でもドレイン信号線およびゲート信号線に囲まれた領域の面積にとどまり、必要な面積を得られないことがある。逆に、発光効率がより高い発光素子の発光面積を小さく形成しようとすると、ドレイン信号線およびゲート信号線に囲まれた領域内における非発光面積が大きくなり、パネル全体の輝度が小さくなってしまうという問題がある。
【００１０】
一方、信号線の間隔を変えることによって、画素領域の面積を変化させる表示装置では、各画素領域の面積を変更する場合、その都度、ゲート信号線やドレイン信号線の配線や、薄膜トランジスタの配置から設計し直す必要がある。
【００１１】
そこで、本発明は、画素領域の面積の変更についてより自由度が高く、その結果、各発光素子間の輝度や寿命を調整することが可能となり、ホワイトバランスの制御が容易になるとともに表示装置全体の寿命を長くすることができる電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、第１の配線と、第１の配線に略直交する第２の配線と、第１の配線と第２の配線とにより選択される画素領域とを備え、前記画素領域に含まれる発光素子が基板上に設けられていると共に、第１の電極と、透明材料からなる第２の電極と、第１および第２の電極間に介在する発光層とを含んでなり、前記発光層からの発光が、第２の電極を介して基板と反対方向に放射される、電気光学装置であって、複数の画素領域を備え、少なくとも一の画素領域が、当該画素領域を選択する第１の配線と第２の配線と当該第１の配線および第２の配線にそれぞれ隣接する第１の配線および第２の配線とにより囲まれる単位領域を越えて設けられていることを特徴とする。
【００１３】
かかる構成によれば、画素領域の面積は、単位領域内にとどまらず、隣接する単位領域にまで拡大することができるので、面積の変更についての自由度が高い。また、ある画素領域の面積を単位面積より小さくしたい場合にも、隣接する画素領域が配線を越えて当該画素領域を埋めるように形成すれば、非発光領域が生じないようにすることができる。
【００１４】
また、いわゆるトップエミッション型の装置構成であるから、隣接する画素領域が配線を越えても、ボトムエミッション型のように基板上に形成された配線や薄膜トランジスタに発光を遮られることがない。よって、各画素領域の面積をより自由に決定することができ、表示装置全体としての光量も高めることができる。
【００１５】
さらに、画素領域の面積に関わらず、配線を等間隔に配置することができるので、画素領域の面積を変更する場合も、配線の設計変更が必要ないという利点もある。
【００１６】
以上により、特定の画素領域の光量を向上させるために大きな電流を流す場合や、劣化の早い画素領域がある場合も、この画素領域の面積を変更することによって、単位面積あたりの電流量を調整することができるので、輝度バランスを低下させず、電気光学装置全体の寿命を長くすることが可能となる。
【００１７】
ここで、本明細書において、第１の配線はデータ線または走査線のいずれかを示し、第１の配線がデータ線の場合、第２の配線は走査線を示し、第１の配線が走査線の場合、第２の配線はデータ線を示すものとする。
【００１８】
また、本発明に係る電気光学装置は、第１の配線と、第１の配線に略直交する第２の配線と、第１の配線と第２の配線とにより選択される画素領域とを備え、前記画素領域に含まれる発光素子が基板上に設けられていると共に、第１の電極と、透明材料からなる第２の電極と、第１および第２の電極間に介在する発光層とを含んでなり、前記発光層からの発光が、第２の電極を介して基板と反対方向に放射される、電気光学装置であって、複数の画素領域が基本画素を構成し、基本画素のそれぞれにおいて少なくとも一の画素領域が、当該画素領域を選択する前記第１の配線と第２の配線と当該第１の配線および第２の配線にそれぞれ隣接する第１の配線および第２の配線とにより囲まれる単位領域を越えて設けられていることを特徴とする。
【００１９】
かかる構成によれば、各基本画素を構成する画素領域間で、それぞれが含む発光素子の発光効率や寿命の違いに応じて面積が調整される。その際、隣接する画素領域が配線を越えても、ボトムエミッション型のように基板上に形成された配線や薄膜トランジスタに発光を遮られることのない、いわゆるトップエミッション型の装置構成であるから、各画素領域の面積をより自由に調整することができる。これにより、各基本画素に含まれる画素領域の輝度のバランスが良好にとられるので、これらが合成されると基本画素に所望の色をきれいに表示できる。また、非発光領域が生じることを防ぎ、表示装置全体としての光量も高めることができる。さらに、特定の基本画素の劣化が早められるのを防止することができるので、使用しているうちに色むらが生じるのを防ぐことが可能となり、電気光学装置全体としての寿命も長くすることができる。
【００２０】
また、本発明に係る電気光学装置は、基本画素の総面積が、基本画素を構成する複数の画素領域の総数と同数の単位領域の総面積を超えないように設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、例えば、基本画素が３つの画素領域から構成される場合には、基本画素の総面積が、単位領域３つ分の面積を超えないように設けられる。３つの画素領域の面積は、それぞれの画素領域が含む発光素子の発光効率や寿命に応じて決められ、３つの単位領域を区切る配線の配置には拘束されない。これにより、各画素領域の面積は比較的自由に調整することができる一方、基本画素をマトリクス状に配列しやすいという利点が得られる。
【００２１】
また、本発明に係る電気光学装置は、基本画素では、発光効率がより低い発光素子を含む画素領域ほど面積が広く形成されていることが好ましい。かかる構成とすることにより、特定の色の発光素子の発光効率が悪い場合に、当該発光素子に他の画素領域より大きな電流を流しても、単位面積あたりの電流値は他の画素領域と同程度に抑えることができるので、当該発光素子のみが早く劣化するのを防止することができる。
【００２２】
本発明に係る電気光学装置は、前記第１及び／又は第２の配線が略等間隔に配置され、  前記基本画素では、前記発光素子の特性に応じて各画素領域の面積が設定されていることが好ましい。例えば発光効率が相対的に高いために他よりも画素領域の面積を小さくできる発光素子がある場合には、この発光素子を含む画素領域の面積を他よりも小さくすることにより、長寿命化とホワイトバランスの制御容易化が可能となるが、第１及び／又は第２の配線が略等間隔に配置され、かつ、画素領域が単位領域を越えない構成において特定の画素領域を他よりも小さくしてしまうと、画素領域内の非発光部分が増大し、パネル輝度が低下するという欠点がある。これに対し、本発明の上記構成によれば、特定の発光素子を含む画素領域の面積を他よりも小さくしても、これに隣接する相対的に発光効率の低い発光素子を含む画素領域の面積を単位領域を越えて拡大することにより、非発光部分の増大は抑制され、パネル輝度の低下を効果的に防止することができる。
【００２３】
本発明に係る電気光学装置は、基本画素では、寿命がより短い発光素子を含む画素領域ほど面積が広く形成されていることも好ましい。かかる構成とすることにより、特定の色を発光する発光素子の劣化が早い場合に、当該発光素子の単位面積あたりの電流値を低下させることができるので、当該画素領域の寿命を長くすることができる。
【００２４】
本発明に係る電気光学装置は、基本画素を構成する各画素領域からの光が合成され、白色を表示する場合に、より大きな光量が必要とされる色を発光する発光素子を含む画素領域ほど面積が広く形成されていることも好ましい。かかる構成とすることにより、大きな光量が必要とされる色を発光する発光素子に、他の画素領域より大きな電流を流しても、単位面積あたりの電流量を他の画素領域と同程度に抑えることができる。従って、この発光素子の劣化が特に早くなることなく、良好なホワイトバランスが得られ、結果的に表示装置全体の寿命も長くすることが可能となる。
【００２５】
さらに、本発明に係る電気光学装置は、基本画素を構成する各画素領域からの光が合成され、白色を表示する場合に、（必要な光量）／（発光効率）がより大きい発光素子を含む画素領域ほど面積が広く形成されていることも好ましい。かかる構成とすることにより、良好なホワイトバランスを得るために必要な光量がより大きく、発光効率がより低い発光素子の面積が最も大きく設定される。従って、かかる発光素子に大きな電流を流しても、他の画素領域と比較して、単位面積あたりの電流量がそれほど大きくならず、各画素領域間の輝度および寿命のバランスを取ることができる。
【００２６】
本発明は、上記本発明に係る電気光学装置を備える電子機器も提供する。ここで、「電子機器」とは、一定の機能を奏する機器一般をいい、その構成に特に限定はない。かかる電子機器としては、例えば、ＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクタ、テレビジョン（ＴＶ）、ロールアップ式ＴＶ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイ等が含まれる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、単位領域を越えて画素領域が設けられるので、画素領域の面積の変更について自由度が高く、その結果、各発光素子間の輝度や寿命を調整することが可能となり、ホワイトバランスの制御が容易になるとともに、表示装置全体の寿命を長くすることが可能となる。また、テレビジョンにおける基板サイズ、モバイル端末における初期起動性、カーナビゲーション装置における耐熱性等、電気光学装置はその用途によって必要輝度や寿命等、要求される仕様が異なるところ、本発明の電気光学装置によれば、用途が何であるかにかかわらず、同じ配線設計（アレイ設計）を用いながら、要求される仕様に応じた自由な設計が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本実施形態の電気光学装置について、その構造及び製造方法を、図面を参照して詳細に説明する。本実施形態では、本発明に係る電気光学装置の一例として、有機ＥＬ装置について説明する。
【００２９】
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の平面図である。同図に示す有機ＥＬ装置１００は、３つの画素領域１、２、３からなる基本画素１０１がマトリクス状に配置された構成となっている。
【００３０】
有機ＥＬ装置１００には、複数の第１の配線１０ａ、１０ｂ、１０ｃ…、が列（図面上下）方向に等間隔で配置され、複数の第２の配線１２ａ、１２ｂ、１２ｃ…、が行（図面左右）方向に等間隔で配置されており、第１の配線と第２の配線はそれぞれ略直交している。
【００３１】
第１および第２の配線は、それぞれ選択的に各画素領域に駆動信号を供給する。本実施形態では、任意の第１の配線と任意の第２の配線とは、図１において両配線の交点の右下に位置する画素領域を選択するものとする。
【００３２】
画素領域１は、当該画素領域を選択する第１の配線（例えば配線１０ａ）と第２の配線（例えば配線１２ａ）と、当該第１の配線および第２の配線にそれぞれ隣接する第１の配線（例えば配線１０ｂ）と第２の配線（例えば配線１２ｂ）とにより囲まれる単位領域を越えて設けられている。
【００３３】
ここで、画素領域が「単位領域を越えて設けられている」とは、画素領域が、単位領域を囲む配線を越えて他の単位領域にまで跨るように設けられていることを意味する。本実施形態において画素領域は、単位領域を囲む４つの配線のうちどの配線を超えるように設けられてもよく、４つの配線のうち２つ以上の配線を超えるように設けられてもよい。図１には、画素領域１が配線１０ｂを越えて配線１０ａ、１０ｃ、１２ａ、１２ｂに囲まれる単位領域に跨るように設けられている例を示している。
【００３４】
また、図１に示される実施形態では、基本画素１０１のそれぞれにおいて、画素領域１が単位領域を超えるように設けられているが、基本画素１０１の面積は、基本画素１０１を構成する画素領域の総数と同数の、即ち３つの単位領域の総面積を超えないように設けられている。
【００３５】
図２に、図１のＩ−Ｉ'線に沿った有機ＥＬ装置１００の断面図を示す。基本画素１０１は、基板２０上に、配線層２２、平坦化絶縁膜２４、反射電極２６、透明材料からなる電極２８、正孔輸送層３２、発光層３４および透明材料からなる陰極３８が順次積層されて形成されている。陰極３８の上にはさらにＩＴＯ層や、封止膜が設けられていてもよい。
【００３６】
配線層２２は、等間隔に配置された、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）４０および配線１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、…、を含む。配線層２２上には平坦化絶縁膜２４が形成され、絶縁膜２４上には、画素領域の面積に応じて、反射電極２６および透明材料からなる電極２８形成され、両者が陽極を構成する。
【００３７】
陽極、正孔輸送層３２、発光層３４および陰極３８によって発光素子が構成される。陽極は、コンタクトホール４２にアルミニウム等の金属を充填してＴＦＴ４０に接続されている。上記層構成からなるＥＬ装置は、陽極から注入される正孔と、陰極３８から注入される電子とが発光層の内部に送り込まれて再結合し、発光層を形成する有機分子の電子状態が基底状態から励起状態に移行し、この不安定な励起状態から基底状態に戻る時にエネルギーが放出されることによって発光する。
【００３８】
有機ＥＬ装置１００は、発光層３４からの発光が透明な陰極３８を介して外部に放射される、いわゆるトップエミッション型の表示装置である。発光層３４から電極２８側に放射された発光は、アルミニウム等の反射性材料で形成された反射電極２６に反射され、陰極３８を介して外部に放射される。
【００３９】
それぞれの発光素子は、絶縁膜３０とアクリル等からなるバンク３６によって隔絶され、各発光素子の発光領域は、表示装置１００を平面的に見た場合に、絶縁膜３０に覆われていない領域となる。
【００４０】
画素領域１は、配線１０ｂを越えて配線１０ｂと１０ｃに挟まれる領域まで達している。画素領域１の面積は、画素領域１に含まれる発光素子の反射電極２６が、隣接する単位領域におけるコンタクトホール４２を覆わない限りにおいて、自由に大きくすることが可能である。つまり、配線１０ａ、１０ｂ、…、１２ａ、１２ｂ、…間の間隔を変えなくても、必要な画素面積への変更が可能であり、また、かかる面積変更時に特定の画素領域２の面積を小さくしても、画素領域１の面積が配線１０ｂを越えて拡大されるので、非発光領域が増大することはなく、表示装置１００の全体としての光量を高めることができる。
【００４１】
発光素子が発する光の色は、発光層３４に含まれる有機分子の種類を変えることによって変更することができる。例えば、画素領域１が青色（Ｂ）、画素領域２が赤色（Ｒ）、画素領域３が緑色（Ｇ）を発光するように発光層を形成し、有機ＥＬ装置１００によってフルカラー表示することができる。
【００４２】
上述のように基本画素１０１を構成する各画素領域１、２および３の面積は、各画素領域１、２および３に含まれる発光素子の特性、例えば、発光効率に応じて決められる。例えば、発光効率が、画素領域１＜画素領域３＜画素領域２の場合に、図１のような面積比の構成とする。これにより、電流量を画素領域１＞画素領域３＞画素領域２とすることによって光量を調節しても、各画素領域の単位面積あたりの電流量には大きな差が生じないようにすることができる。特定の画素領域の劣化を早めることなく、発光のバランスを調節することが可能となり、結果として表示装置全体の寿命を長くすることもできる。
【００４３】
また、基本画素１０１を構成する各画素領域１、２および３の面積は、例えば、基本画素１０１を構成する各画素領域からの光が合成されて白色が表示される場合に、必要な光量の大きさに応じて決めてもよい。例えば、良好なホワイトバランスを得るのに必要な光量が、画素領域１＞画素領域３＞画素領域２の場合に、図１のような面積比の構成とする。これにより、電流量を画素領域１＞画素領域３＞画素領域２とすることによって光量を調節しても、各画素領域の単位面積あたりの電流量には大きな差が生じないようにすることができる。特定の画素領域の劣化を早めることなく、ホワイトバランスを制御することが可能となり、結果として表示装置全体の寿命を長くすることもできる。
【００４４】
また、基本画素１０１を構成する各画素領域１、２および３の面積は、例えば、各画素領域に含まれる発光素子の寿命に応じて決めてもよい。つまり、例えば、発光材料の劣化速度が、画素領域１＞画素領域３＞画素領域２の場合に、図１のような面積比の構成とする。これにより、等しい量の電流を流した場合、単位面積あたりの電流量は、画素領域１＜画素領域３＜画素領域２となる。従って、劣化速度の速い画素領域の劣化速度を抑えつつ、各画素領域間の劣化速度の差を小さくすることが可能となり、結果として表示装置全体の寿命を長くすることができる。
【００４５】
また、基本画素１０１を構成する各画素領域１、２および３の面積は、例えば、基本画素１０１を構成する各画素領域からの光が合成されて白色が表示される場合に、各発光素子が必要とされる光量を発光効率で除した値がより大きい発光素子を含む画素領域ほど、広くする。例えば、この値が、画素領域１＞画素領域３＞画素領域２の場合に、図１のような面積比の構成とする。これにより、電流量を画素領域１＞画素領域３＞画素領域２としても、各画素領域の単位面積あたりの電流量には大きな差が生じないようにすることができ、特定の画素領域の劣化を早めることなく、ホワイトバランスを制御することが可能となり、結果として表示装置全体の寿命を長くすることもできる。
【００４６】
次に本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の製造方法を説明する。
（配線層および平坦化絶縁膜形成工程）
図３に示すように、基板２０上に配線層２２および平坦化絶縁膜２４を形成する。
【００４７】
まず、基板２０上に絶縁膜５０を形成する。基板２０の材料としては、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート等の透明樹脂、ガラス等の透明材料のほか、本実施形態に係る表示装置はトップエミッション型なので、ステンレス等の光透過性を有しない材料なども用いることができる。絶縁膜５０は、例えば酸化シリコン膜とすることができ、プラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ法）、低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ法）、スパッタリング法等によって例えば、数１００ｎｍ程度に形成することができる。
【００４８】
次に、絶縁膜５０上にＴＦＴ４０を形成する。複数のＴＦＴ４０は等間隔に配置される。まず、絶縁膜５０上に結晶性半導体膜を形成してこれをパターニングし、ＴＦＴ４０の形成に不要となる部分を除去して整形する。続いて、絶縁膜５０と結晶性半導体膜を覆うように、絶縁膜５２としての酸化シリコン膜を、電子サイクロトロン共鳴ＰＥＣＶＤ法（ＥＣＲ−ＣＶＤ法）またはＰＥＣＶＤ法等を用いて形成する。この絶縁膜５２はＴＦＴ４０のゲート絶縁膜として機能する。次に、絶縁膜５２上に、タンタルまたはアルミニウムの金属薄膜をスパッタリング法によって形成した後、これをパターニングして、ゲート電極５４を得る。さらに、ゲート電極５４をマスクとして、ドナーまたはアクセプターとなる不純物イオンを打ち込み、ソース／ドレイン領域６２、６４とチャネル形成領域６６を作製し、ＸｅＣｌエキシマレーザを照射エネルギー密度４００ｍＪ／ｃｍ2程度で照射するか、２５０℃〜４５０℃程度の温度で熱処理することにより不純物元素の活性化を行う。
【００４９】
続いて、絶縁膜５２上に、配線１０を形成する。配線１０ａ、１０ｂ、…、は等間隔に配置されることが設計上好ましいが、各画素領域に一の配線が接続される限り、等間隔でなくてもよい。
【００５０】
次に、絶縁膜５２、ゲート電極５４および配線１０を覆うように絶縁膜５６を形成し、配線層２２が完成する。さらに、絶縁膜５６上に、例えば有機樹脂から成る平坦化絶縁膜２４を形成して、表面を平坦化する。そして平坦化絶縁膜２４および、絶縁膜５６を貫通し、ＴＦＴのソース領域６２に到るコンタクトホール４２を形成する。このコンタクトホール４２にアルミニウム等の金属を充填することによって、後述する反射電極２６とＴＦＴ４０のソース領域６２とが接続される。コンタクトホール４２に充填される金属は、スパッタリング法等によって堆積させることができ、この工程は反射電極２６の形成と同時に行ってもよい。
【００５１】
（発光素子形成工程）
次に、図４を参照して、平坦化絶縁膜２４上に形成される発光素子の製造工程を説明する。
【００５２】
まず、図４（Ａ）に示すように、平坦化絶縁膜２４上に、画素領域の面積に対応させて反射電極２６を形成する。反射電極２６はアルミニウム、金、銀、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、亜鉛−バナジウム、インジウム、スズなどの金属とすることができる。上述のように、反射電極２６の面積に制限はなく、配線１０等やＴＦＴ４０の配置に拘束されずに、配線に区切られる単位領域を越えて設けられる。ただし、一の反射電極２６が形成される領域に、一のコンタクトホール４２が形成されている必要がある。
【００５３】
反射電極２６は、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等によってまず平坦化絶縁膜２４の全面に金属層を形成し、これをエッチングによりパターニングすることによって得ることができる。エッチングは、まず金属層上にレジストを塗布し、例えば図５に示すように、各画素領域に対応する部分に開口を設けたマスクを用いて、露光および現像工程を行う。これによって、開口部分にのみレジストが残るので、これをエッチングマスクとしてエッチングを行い、所定の形状にパターニングすることができる。
【００５４】
続いて、図４（Ｂ）に示すように、反射電極２６を覆うようにＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等などの透明材料からなる電極２８を形成する。ＩＴＯ層はスパッタリング、イオンプレーティング法、真空蒸着法のほか、スピンコータ等による印刷やスクリーン印刷によって行うこともできる。
【００５５】
次に、図４（Ｃ）に示すように、各発光素子間を隔絶する絶縁膜３０を形成する。絶縁膜３０は、例えば酸化シリコン膜とすることができ、ＣＶＤ法により基板全面に堆積させた後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によってパターニングできる。酸化シリコン膜は、まず全面に形成し、その後、陽極が露出するように、エッチングによって除去する。本実施形態に係る発光素子では、この酸化シリコン膜が除去された領域が発光領域となる。
【００５６】
続いて、同図（Ｄ）に示すように、絶縁膜３０上にバンク３６を形成する。バンク３６はアクリル等によって、まず基板表面全体に層を形成し、発光領域をエッチングによって除去することによって得ることができる。
【００５７】
図４（Ｅ）に示すように、バンクに囲まれる領域内におけるＩＴＯ電極２８上に正孔輸送層３２、発光層３４および陰極３８を積層する。正孔輸送層３２は、例えば、カルバゾール重合体とＴＰＤ：トリフェニル化合物とを共蒸着して形成することができる。また、正孔輸送層３２は、例えば、インクジェット法により、正孔輸送層材料を含む組成物インクをＩＴＯ電極上に吐出した後に、乾燥処理及び熱処理を行うことによっても形成することができる。組成物インクとしては、例えばポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸等の混合物を、水等の極性溶媒に溶解させたものを用いることができる。
【００５８】
発光層３４は、例えば、発光層用材料を含む組成物インクを、正孔輸送層３２上にインクジェット法によって吐出し、その後乾燥処理および熱処理を施すことで、形成することができる。発光層３４を構成する材料としては、フルオレン系誘導体や、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれら高分子材料にペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができ、それぞれ異なる色を発光させることができる。上述した、各色の発光面積の決め方に従って、発光面積を他の色より広くすると決められた色を発光させる発光層材料は、他の画素領域より面積が広く形成された陽極および正孔輸送層上に吐出する。いずれかの色の発光層材料を吐出する場合には、他の色に対応する画素領域を覆うように作製したマスクを用いて行うとよい。
【００５９】
陰極３８は、発光層３４およびバンク３８を覆うように形成する。例えば、ＩＴＯや、インジウムと亜鉛の酸化物（ＩＸＯ）などの透明材料を用いてスパッタリング法によって形成することができる。さらに、陰極３８上に、透明材料からなる封止膜を形成してもよい。
【００６０】
以上の工程により、各画素領域によって面積の異なる有機ＥＬ装置を得ることができる。上述の方法によれば、画素領域の面積によらず、コンタクトホール４２の形成工程までは一定なので、画素領域の面積が異なる表示装置を製造する場合にも、コンタクトホール形成工程までは設計変更が必要ない。
【００６１】
各色の発光面積を異ならせることによって、その色を発光する発光素子に流れる単位面積あたりの電流量を低下させることができる。従って、発光効率の悪い発光素子や、ホワイトバランスを制御するために他の発光素子よりも大きな光量が必要とされる発光素子の発光面積をより大きくしておくことによって、当該発光素子に、他の発光素子よりも大きな電流を流しても、他の発光素子よりも劣化の速度が極端に速くなってしまうのを抑えることができる。また、もともと劣化速度が速い発光材料を含む発光素子も、他の発光素子の発光面積より大きくしておくことによって、他の発光素子との劣化速度の差を小さくすることができる。このように、特定の発光素子の寿命が短くなるのを防ぐことによって、表示装置全体の寿命も長くすることが可能となる。
【００６２】
図６及び図７は、上述した有機ＥＬ装置１００を適用可能な電子機器の例を示す図である。図６（ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話２３０はアンテナ部２３１、音声出力部２３２、音声入力部２３３、操作部２３４、および本発明の有機ＥＬ装置１００を備えている。このように本発明に係る有機ＥＬ装置は表示部として利用可能である。図６（ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ２４０は受像部２４１、操作部２４２、音声入力部２４３、および本発明の有機ＥＬ装置１００を備えている。
【００６３】
図６（ｃ）は携帯型パーソナルコンピュータ（いわゆるＰＤＡ）への適用例であり、当該コンピュータ２５０はカメラ部２５１、操作部２５２、および本発明に係る有機ＥＬ装置１００を備えている。図６（ｄ）はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ２６０はバンド２６１、光学系収納部２６２および本発明に係る有機ＥＬ装置１００を備えている。
【００６４】
図７（Ａ）はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン３００は本発明に係る有機ＥＬ装置１００を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に本発明に係る電気光学装置を適用し得る。図７（Ｂ）はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン３１０は本発明に係る有機ＥＬ装置１００を備えている。
【００６５】
また、本発明に係る有機ＥＬ装置は、上述した例に限らず表示機能を有する各種の電子機器に適用可能である。例えばこれらの他に、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。
【００６６】
いずれにしても、例えば、テレビジョンにおける基板サイズ、ＰＤＡ等のモバイル端末における初期起動性、カーナビゲーション装置における耐熱性等、有機ＥＬ装置等の電気光学装置はその用途によって必要輝度や寿命等、要求される仕様が異なるところ、本発明の電気光学装置によれば、用途が何であるかにかかわらず、同じ配線設計（アレイ設計）を用いながら、要求される仕様に応じた自由な設計が可能となる。
【００６７】
なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変形実施が可能である。例えば、上述の製造方法では、陽極の面積を異ならせることによって画素領域の面積を異ならせているが、例えば、陽極はすべて同じ大きさに形成し、陽極上に形成される絶縁膜３０をエッチングする際にその除去面積を調整することにより、各画素領域の発光面積を変更こともできる。さらに、バンク３６を形成し、これをパターニングする際に、各画素領域で面積を変更することもできる。
【００６８】
また、上述の製造方法では、コンタクトホール４２を等間隔に形成し、隣接する単位領域のコンタクトホール４２に重ならないよう、各反射電極２６を形成したが、画素領域をさらに広くする場合には、コンタクトホール４２も間隔を変動させてもよい。この場合、画素領域の広さを変更するには、コンタクトホール４２の形成位置も設計変更が必要となるが、平坦化絶縁膜２４形成工程までは設計変更が不要である。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】一実施形態の有機ＥＬ装置について説明する図である。
【図２】一実施形態の有機ＥＬ装置について説明する図である。
【図３】有機ＥＬ装置の製造方法について説明する図である。
【図４】有機ＥＬ装置の製造方法について説明する図である。
【図５】有機ＥＬ装置の製造方法について説明する図である。
【図６】電気光学装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。
【図７】電気光学装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。
【符号の説明】
【００７０】
１００…有機ＥＬ装置、１０１…基本画素、１、２、３…画素領域、１０、１２…配線、２０…基板、２２…配線層、２４…平坦化絶縁膜、２６…反射電極、２８…透明電極、３４…発光層、３８…陰極、４０…ＴＦＴ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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