(57)【要約】【課題】冷電子放出素子の電子放出端の被覆を確実に行うことができ、かつ、ゲート−エミッタ間の電流リークを良く抑制し得る電子放出端被覆方法を提供する。【解決手段】被覆粒子を直進性良く照射できる被覆装置を用い、電子放出端１２を被覆装置の粒子照射部に対し、ゲート主面１４−１と平行な面内で中心軸ＣＲの周りに相対的に回転させながら、ゲート主面１４−１に対し斜めの角度θｉ方向から被覆粒子を照射させる。被覆粒子の照射軌跡である仮想的な直線Ｌｉがゲート主面１４−１に対してなす斜めの角度θｉを、当該直線Ｌｉがゲート開口Ｇａのゲート主面側の縁部どの一点Ｐａを通っても、その直線Ｌｉは当該一点Ｐａから電子放出端１２の位置より基板１０寄りの位置でエミッタ１１を突き抜けた後、ゲート主面１４−１と上記ゲート裏面１４−２との間を結ぶ面であるゲート開口の内側面１６に至るか、または、ゲート裏面１４−２には至るが、絶縁層１３には至らないという条件を満たせる範囲内の角度とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に接する根本から先端の電子放出端に向かうに連れ、該基板に対して垂直な中心軸に沿ってその断面直径を減じて行く円錐形状のエミッタと，該基板上において上記エミッタとは直径方向に離間して形成された絶縁層の上に設けられており、該エミッタに電界を印加し、該電子放出端から電子を引き出すため、主面である表面から該表面と対向する裏面に抜けるように自身に開けられているゲート開口を介して上記電子放出端を外部に露呈するゲートと，を有して成る冷電子放出素子において、該電子放出端の表面に対し、被覆装置の照射する導電性の被覆粒子を付着させる電子放出端被覆方法であって；
上記電子放出端を、上記被覆装置の粒子照射部に対し、上記ゲート主面と平行な面内で上記中心軸の周りに相対的に回転させながら；
上記被覆装置として上記被覆粒子を該粒子照射部から直進性良く照射できる被覆装置を用い、該被覆装置により、上記ゲート主面に対し斜めの方向から該被覆粒子を照射すること；
を特徴とする冷電子放出素子の電子放出端被覆方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子放出端被覆方法であって；
上記被覆粒子の照射軌跡である仮想的な直線が上記ゲート主面に対してなす上記斜めの角度を、該直線が上記ゲート開口の上記ゲート主面側の縁部のどの一点を通っても、該直線は該一点から上記電子放出端の位置より上記基板寄りの位置で上記エミッタを突き抜けた後、上記ゲート主面と上記ゲート裏面との間を結ぶ面である上記ゲート開口の内側面に至るか、または上記ゲート裏面には至るが、上記絶縁層には至らないという条件を満たせる範囲内の角度とすること；
を特徴とする冷電子放出素子の電子放出端被覆方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特にフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）型の画像表示装置や光プリンタ、電子顕微鏡、電子ビーム露光装置等々、種々の電子ビーム利用装置の電子源ないし電子銃として、あるいはまた簡単な場合、単なる照明ランプ等の超小型照明源としても用い得る冷電子放出素子の電子放出端を被覆する際の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在なお、唯一汎用されている真空管と言っても良い陰極線管（カソードレイチューブ：ＣＲＴ）に認められるように、カソードに大きな熱エネルギを与えて熱電子放出を起こすのではなく、一般には点状突起形状等、鋭利な形状をした電子放出端を有するエミッタに対し強電界を印加することで当該電子放出端から冷電子の放出を起こさせるタイプの電界放出型電子放出素子、すなわち冷電子放出素子の研究も盛んに行われている。冷電子は電界放出電子とか強電界放出電子とも呼ばれ、エミッタはまた冷陰極等とも呼ばれるが、こうしたタイプの素子が各所で実用化されれば、ＣＲＴ等におけるように極めて大きな電力消費を伴う熱エネルギが不要となり、素子自体も極めて小型になり得るので、応用デバイスの消費電力も大いに低減し、筺体も飛躍的に小型化（薄型化）、軽量化する。
【０００３】
このための研究の一環として、シリコンエミッタを用いた場合に同じシリコン系であるが故に集積、一体化し易いＭＯＳＦＥＴを用い、これをエミッタに供給する電流の制御素子として用いる技術が例えば下記特許文献１にて開示されており、これによると非常に安定な電子放出が得られ、また低電圧で電子電流を制御できる等、種々の利点が得られる。しかし、シリコンそのものは非常に活性な材料のため、長時間動作させていると真空中の残留酸素等と反応してエミッタ表面に酸化物を形成し、表面の仕事関数が上昇して電子放出しにくくなり、結局、素子として短命に終わる。そこで、これを改善するために、下記特許文献２に認められるように、エミッタ表面に化学的に安定な抵抗材料（実質的に導電性の粒子）を被覆する技術も提案され、当該技術によると、低電圧化が可能であると同時に表面の酸化を防ぐことができるとされた。本発明者等はさらに、化学的に安定な導電性材料として、ＨｆＣに代表される遷移金属炭化物を用いての実験も行っており、その面方位を制御することで、良好な結果の得られることも確認した。
【０００４】
【特許文献１】
特許第３１７０５８５号公報
【特許文献２】
特許第２７１８１４４号公報
【０００５】
ところが、上記のようにエミッタ表面、特に少なくとも電子放出端を導電性の被覆粒子で被覆すると、時としてエミッタ１１とゲート１４間が短絡し、リーク電流が生ずることがあった。これは主として構造的原因による。すなわち、図４にこの種の冷電子放出素子の基本的構造例を挙げて説明するに、一般にはシリコンが選ばれる基板１０には、当該基板１１に接する根本から先端の電子放出端１２に向かうに連れ、基板に対して垂直な中心軸に沿ってその断面直径を減じて行く円錐形状のエミッタ１１が形成される。円錐形状は文字通りの断面三角形形状である他、根本に近くなるに連れて末広がりになる形状（ラッパ形状）になることもあるが、後者の場合をも含めて、本書では単に円錐形状のエミッタと称する。
【０００６】
基板１０上には、エミッタ１１と直径方向に離間して絶縁層１３が形成され、従ってその内側面はエミッタの外側面を取り囲むようになる。この絶縁層１３の上にはエミッタに電界を印加し、電子放出端１２から電子を引き出すため、自身に開けられているゲート開口Ｇａを介して電子放出端１２を外部に露呈するゲート１４が設けられている。図示の場合、ゲート開口Ｇａは円形開口で、エミッタ１２の中心軸と同心の関係に有り、これが一般的な形状であるが、そうでない場合、例えば矩形形状なども考えられる。
【０００７】
このような構造において、例えばエミッタ１１の中心軸方向に沿い、ゲート１４の垂直方向上方からゲート開口Ｇａ内に向けて真空蒸着等により導電性被覆粒子を照射すると、エミッタ１１の表面のみならず、絶縁層１３の内側面にも相当量の被覆粒子が被着してしまうことがある。そして、この被着が絶縁層内側面の高さ方向の全てに亘ると、当然のことながら、ゲート１４とエミッタ１１が構築されていて導電性の基板１０との間、結局はゲート１４とエミッタ１１間に電気的短絡路が形成され、電流リークを生じてしまうのである。ゲート開口Ｇａは図示の場合、その内側面がゲート主面（表面）に対し垂直に切り立った関係にあるが、そうではなくて、後に本発明の一実施形態に即し説明するように、図２（Ａ）  に示すようなオーバ・ハング形状、つまり、ゲート主面１４−１の開口縁部よりもゲート厚み方向で対向するゲート裏面側の開口縁部の方が半径方向外方に位置する結果、ゲート開口内側面１６が内向きに倒れるような断面端面形状になっているような場合でも、絶縁層内側面への被覆粒子の被着は若干、抑えられるとは言え、満足ではなく、本発明者の実験では、例えば５ｎｍ程度以上に及ぶ膜厚の薄膜を形成すると、リーク電流の発生する確率が極端に高くなった。
【０００８】
もっとも、従来からも、このような電流リークは重大な問題として認識されており、これを解決すべく、下記特許文献３には、フォトレジストを用いてエミッタ−ゲート間の絶縁層内側面を予め保護しておいてから、露呈させているエミッタ表面を被覆する方法が開示されている。
【０００９】
【特許文献３】
特開平８−１４８０８３号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この方法はフォトレジストを用いるために、余り基板温度を上げることはできないと言う問題がある。基板温度を上げてしまうとフォトレジストが炭化してしまうことがあり、そうなればもう、除去することができなくなってしまうからである。ところが、表面被覆する材料として、単体の金属ではなく化合物が好ましいとされることが多く、そうした場合、良質の薄膜を得るためには基板温度を相当程度、上げることが望ましいし、また、高融点の材料を蒸着する際には、輻射熱によっても必然的に基板温度がかなり上がってしまう。こうしたことから、この方法は使えないことが多い。
【００１１】
さらに、非常に鋭利な電子放出端を持つエミッタの場合、エミッタの上方から被覆粒子を照射して表面被覆を行う方法では、そもそも当該電子放出端部分には被覆粒子を被着させ得ないこともあった。
【００１２】
本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、作製されたエミッタの電子放出端を低仕事関数材料や耐酸化性材料等を含む総体的な意味での導電性材料で被覆する必要のある時、被覆対象の電子放出端が例え相当に先鋭なものであっても当該電子放出端の被覆が確実に行え、かつ、エミッタ周囲に位置する絶縁層内側面への被覆粒子の被着ないしは少なくともゲート−エミッタ（基板）間に亘る被覆粒子による電気的短絡路形成を良く抑制し得る新たなる被覆方法を提供せんとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記目的を達成するため、基板に接する根本から先端の電子放出端に向かうに連れ、基板に対して垂直な中心軸に沿ってその断面直径を減じて行く円錐形状のエミッタと，基板上においてエミッタとは直径方向に離間して形成された絶縁層の上に設けられており、エミッタに電界を印加し、上記の電子放出端から電子を引き出すため、主面である表面から当該表面と軸方向に対向する裏面に抜けるように自身に開けられているゲート開口を介して電子放出端を外部に露呈するゲートと，を有して成る冷電子放出素子において、当該電子放出端の表面に被覆装置の照射する導電性の被覆粒子を付着させる電子放出端被覆方法であって；
電子放出端を被覆装置の粒子照射部に対し、ゲート主面と平行な面内で中心軸の周りに相対的に回転させながら；
被覆装置として被覆粒子を粒子照射部から直進性良く照射できる被覆装置を用い、この被覆装置により、ゲート主面に対し斜めの方向から被覆粒子を照射すること；
を特徴とする冷電子放出素子の電子放出端被覆方法を提案する。
【００１４】
本発明ではまた、上記構成に加え、より確実に電子放出端のみを被覆し、絶縁層内側面への被覆粒子の被着を防止する手法として、
被覆粒子の照射軌跡である仮想的な直線がゲート主面に対してなす斜めの角度を、当該直線がゲート主面側の縁部のどの一点を通っても、その直線は当該一点から電子放出端の位置より基板寄りの位置にてエミッタを突き抜けた後、ゲート主面とゲート裏面との間を結ぶ面であるゲート開口の内側面に至るか、または、ゲート裏面には至るが、絶縁層には至らないという条件を満たせる範囲内の角度とすること；
を特徴とする冷電子放出素子の電子放出端被覆方法も提案する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１には、本発明による電子放出端被覆方法を説明する図面が示されている。被覆対象の電子放出端１２を持つ円錐形状のエミッタ１１や、自身に印可される電圧によって電子放出端１２に電子を引き出すための電界を印可するゲート１４、そして基板１０に対して当該ゲート１４を高さ方向所定位置に保持するための絶縁層１３の構造や相対的位置関係等は、既に図４に即して説明したと同様の従来構成に従うものであって良い。つまり、円錐形状エミッタ１１の先端に鋭利な電子放出端１２を有し、その周囲に離間してゲート１４が位置していて、当該ゲート１４はまた、エミッタ１１に対し半径方向に離間しながらその内側面で当該エミッタ１１を取り囲む絶縁層１３により支持されている構造である限り、本発明の適用を受ける冷電子放出素子の構造自体には限定はない。例えば最も良く知られている、下記非特許文献１にて開示のスピント法により作製されていても良いし、あるいはまた下記非特許文献２により作製された円錐形状エミッタを持つものである等して良い。
【００１６】
【非特許文献１】
Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，  Ｉ．Ｂｒｏｄｉｅ，  Ｌ．Ｈｕｍｐｈｅｒｙ  ａｎｄ  Ｅ．Ｒ．Ｗｅｓｔｅｒｂｅｒｇ，”Ｐｈｙｓｉｃａｌ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ  ｆｉｅｌｄ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｃａｔｈｏｄｅｓ  ｗｉｔｈ  ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ  ｃｏｎｅｓ”，  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，  Ｖｏｌ．４７，  Ｎｏ．１２，  ｐ．５２４８  （１９７６）
【非特許文献２】
Ｋ．Ｂｅｔｓｕｉ，  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  ４ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，  ｐ．２６  （１９９１）
【００１７】
しかるに、作成されたエミッタ１１の先端である電子放出端１２を、既述したように必要に応じて導電性被覆粒子で被覆する場合、本発明ではまず、その粒子照射部から被覆粒子を直進性良く照射できる被覆装置（図示せず）を用いる。このような装置としては、望ましい一つとして、下記非特許文献３に開示されているコリメートスパッタリング法に見られるように、ターゲットと基板との間に、ある一定の方向に飛んできた粒子しか通さないコリメーターを挿入したコリメートスパッタ装置があるが、要は導電性の被覆粒子を直線的に飛ばせれば良いので、電子ビーム加熱や抵抗加熱を用いた真空蒸着装置、蒸着粒子をイオン化して成膜するイオンビーム蒸着装置、真空蒸着法にイオンビームを併用したイオンビーム援用蒸着装置（イオンビームアシスト蒸着装置）等を挙げることができる。
【００１８】
【非特許文献３】
Ｇ．Ｎ．Ａ．ｖａｎ  Ｖｅｅｎ，  Ｂ．Ｔｈｅｕｎｉｓｓｅｎ，  Ｋ．ｖａｎ  ｄｅ  Ｈｅｕｖｅｌ，  Ｒ．Ｈｏｒｎｅ，  ａｎｄ  Ａ．Ｌ．Ｊ．Ｂｕｒｇｍａｎｓ，  ”Ｃｏｌｌｉｍａｔｅｄ  ｓｐｕｔｔｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，  ａ  ｎｏｖｅｌ  ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  ｌａｒｇｅ  ａｒｅａ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｐｉｎｄｔ  ｔｙｐｅ  ｆｉｅｌｄ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｔｉｐｓ”，  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，  Ｂ  １３  （２）  ｐ．４７８，  （１９９５）
【００１９】
こうした被覆装置を用いた上で、その粒子照射部（図示せず）より、ゲート主面（表面）１４−１に対し、本図では角度θｉで示す斜めの方向から被覆粒子を照射する。直線Ｌｉはこの被着粒子の照射軌跡を示している。この条件で、矢印Ｒで示すように、電子放出端１２をゲート主面１４−１と平行な面内で円錐形状エミッタ１１の幾何的な中心軸ＣＲの周りに被覆装置の粒子照射部に対し相対的に回転させながら、当該被覆粒子による被覆を行う。
【００２０】
こうすることで、被着粒子が直接に絶縁層１３の内側面を狙わないで済む照射角度θｉを設定することができ、絶縁層１３の内側面には被着粒子を全く付着させないか、付着したとしてもその内側面の高さの全部には亘らないようにすることができるようになって、結局、絶縁層１３に堆積した導電性被着粒子が災いしてゲート１４と基板１０、ひいてはエミッタ１１とが電気的に短絡する恐れを大幅に低減することができる。
【００２１】
しかも、電子放出端１２に対し、斜め方向から被着粒子を飛ばしているので、幾ら先鋭な電子放出端であっても、これを良く被覆することができる。なお、電子放出端１２と被覆装置の粒子照射部とは相対的な回転関係にあれば良いので、一般には基板１０をエミッタ中心軸ＣＲの周りに面内回転させるが、粒子照射部の方を回転させても構わない。
【００２２】
ここで、さらに望ましくは、絶縁層１３の内側面に被着粒子を全く、ないしは少なくとも極力付着させない上での幾何的な相対関係というものも考えることができる。図１中に示されている仮想的な直線Ｌｔは、ゲート１４のゲート開口Ｇａのゲート主面１４−１の側の縁部（ゲート開口上縁部と呼ぶ）の一点Ｐａを通り、電子放出端１２の位置よりも基板１０寄りの位置でエミッタ１１を突き抜けた後、その伸び行く先が、ゲート主面１４−１と対向するゲート裏面１４−２側のゲート開口縁部（ゲート開口下縁部と称する）の一点Ｐｂを掠め、絶縁層１３の内側面の一点Ｐｃに至っている。この直線Ｌｔがゲート主面１４−１となす角度をθｔとすると、この角度は、図示のようにゲート開口内側面１６がゲート主面１４−１、裏面１４−２に対して直交関係になるように切り立っているのならば、ゲート１４の厚みｔとゲート開口Ｇａの直径に応じて変わる角度となるが、どの場合においても、もし、この角度θｔより大きな角度で被着粒子を飛ばした場合、それは絶縁層１３の内側面に相当程度、被着粒子を付着させてしまうことが考えられる。
【００２３】
しかし、逆に、この角度θｔを一種の臨界角度とするならば、これよりも小さな角度θｉ（＜θｔ）で被着粒子を飛ばすように図れば、照射軌跡である直線Ｌｉの行き着く先が、ゲート主面１４−１とゲート裏面１４−２との間を結ぶ面であるゲート開口Ｇａの内側面１６には至るが、ゲート開口下縁部をさらに下側に越えて絶縁層１３の内側面にまでは至らないようになるため、当該絶縁層内側面に対する被着粒子の付着は完全に、ないし少なくとも殆ど認められないようにすることができる。
【００２４】
従って、改めて直線Ｌｉに関する条件を定性的に整理すると、請求項記載の通りに、直線Ｌｉがゲート主面に対してなす斜めの角度θｉを、その直線Ｌｉがゲート開口Ｇａのゲート主面側の縁部のどの一点Ｐａを通っても、この直線Ｌｉは当該一点Ｐａから電子放出端１２の位置より基板１０寄りの位置でエミッタ１２を突き抜けた後、ゲート主面１４−１とゲート裏面１４−２との間を結ぶ面であるゲート開口の内側面１６に至るが、絶縁層１３には至らないという条件を満たせる範囲内の角度とする，と言うことになる。
【００２５】
なお、上記の記載中で、「直線Ｌｉがゲート開口Ｇａのゲート主面側の縁部の“どの一点Ｐａ”を通っても」とあるのは、ゲート開口が非円形の場合にも本発明を適用可能なことを示すためである。つまり、図２（Ｂ）  の部分平面図に示すように、例えばゲート開口Ｇａが矩形であったとしよう。ここで、既述した臨界角度θｔを求める時に、例えば同図中、破線で示した直線Ｌｔ’のように、矩形の短辺に跨る方向でゲート主面に対する斜めの直線を考え、その臨界角度を求めて、これより小さな角度を被着粒子の照射角度として定めたとしても、電子放出端１２を相対回転させるために基板１０を相対回転させると、照射軌跡が短辺方向を外れた場合、その回転角位置では絶縁層内側面を狙ってしまう状態になり得る。
【００２６】
そこで、こうした矩形ゲート開口の場合には、エミッタ１１を挟んで直径方向にゲート開口縁部が対向し合う二点が一番長い距離となる対角線方向での直線Ｌｔに従い臨界角度θｔを求め、これよりも小さい角度に照射角度θｉを設定すれば良いことになる。つまり、矩形ゲート開口にも限らず、さらに任意、不定形なゲート開口の場合であっても、そうしたゲート開口のゲート主面側の縁部のどの一点を通っても、その行き着く先が絶縁層内側面には至らないようになる直線Ｌｉの角度θｉを照射角度として決定すれば良い，ということになる。
【００２７】
さらに、上記において「直線Ｌｉは当該一点Ｐａから電子放出端１２の位置より基板１０寄りの位置でエミッタ１２を突き抜けた後」とあるのは、照射軌跡上に少なくとも電子放出端１２が位置していなければ、換言すれば直線Ｌｉよりも外方空間側（図面上では上方）に電子放出端１２が位置していなければ、そもそも電子放出端１２にも被着粒子が付着しないからである。最近の形状では、電子放出端１２はゲート主面１４−１と同じかやや突き出る高さ位置になっていたり、少なくともゲート開口内側面１６にて取り囲まれる高さ位置にはあるように作られることが多いので、実際上、この限定に従っても、多くの冷電子放出素子に対し、本発明を適用することができる。
【００２８】
もちろん、先に従来例の説明にも使用したように、図２（Ａ）  に示すような、一見、斜め照射が難しく思えるいわゆるゲート開口のオーバ・ハング形状を持つ冷電子放出素子の場合にも、図示のように、上述した角度条件θｉ＜θｔを見つけることができる。なお、本図を初め、本願添付の図面中において同一の符号は同一ないし同様の構成要素を示し、あえて各図ごとにそれらの説明を繰り返すのは避けている。
【００２９】
ゲート開口の形状について言うならば、図３に示すように、最近の冷電子放出素子作成法によると、ゲート開口Ｇａの開口縁部付近がめくり上がるような形状に仕上がることもある。こうした場合には、臨界角度θｔを決めるに際し、ゲート開口Ｇａのゲート主面１４−１側の縁部の任意の一点Ｐａを通る直線Ｌｔを考えた時、その行き着く先が、既述のようにゲート開口の内側面１６ではなくて、当該内側面１６がめくり上がって上を向いているために、点Ｐｂにてゲート裏面１４−２に至ることがある。この点Ｐｂは実質的に絶縁層内側面上の一点Ｐｃでもある。従って、このようにして幾何的に求めた臨界角度θｔより小さな角度θｉに設定すべき直線Ｌｉの行き着く先は、絶縁層内側面１３には至らないことは同じであっても、既述のようにゲート開口内側面１６ではなく、ゲート開口裏面１４−２に至ることもある。もっとも、エミッタの突き出し量が大きく、電子放出端１２が十分にゲート開口Ｇａから突出しているのであれば、めくり上がったゲート開口Ｇａを有する場合にも、被着粒子の照射軌跡である直線Ｌｉはエミッタ１１を突き抜けた後にゲート開口内側面１６に至るように設定される場合もある。いずれにしても、このように、ゲート開口内側面に至る場合とゲート裏面に至る場合を併せ考えて定義しているのが本願請求項記載の限定条件である。
【００３０】
以上、本願発明をその望ましい実施形態に即し説明したが、その原理からして明らかなように、本願発明の適用範囲は十分広く、原則としてエミッタ１１の材料や被覆材料に何らの制約もない。
【００３１】
【発明の効果】
本発明によると、ゲート−エミッタ間の電流リークを抑制し、極めて先鋭な電子放出端であっても確実に被覆し得る技術が提供される。その汎用性は極めて高く、この種の技術分野に貢献する所、大なるものが有る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子放出端被覆方法を説明する説明図である。
【図２】本発明の適用可能な素子形態の一例と、被着粒子照射方向の設定に関する説明図である。
【図３】本発明の適用可能な他の素子形態の概略構成図である。
【図４】一般的な円錐形状エミッタを持つ冷電子放出素子の構造例を説明する説明図である。
【符号の説明】
１０  基板
１１  エミッタ
１２  電子放出端
１３  絶縁層
１４  ゲート
１４−１  ゲート主面（表面）
１４−２  ゲート裏面
１６  ゲート開口内側面
Ｇａ  ゲート開口
Ｌｉ  被着粒子の照射軌跡を表す直線
【図１】
2005019309.tif 000003
【図２】
2005019309.tif 000004
【図３】
2005019309.tif 000005
【図４】
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