(57)【要約】【課題】エッチング液を加温しながら、導電パターンを形成する方法において、形成すべき導電パターンが精密なパターン幅で形成された時点を正確に知ることができる導電パターンの形成方法を提供すること。【解決手段】基板１２のパターン形成領域３１について、導電パターンに対応した保護層３３を被覆し、前記基板の外周縁に沿った領域をセンサ接続領域２２とし、このセンサ接続領域にセンサとして機能する第１の導電体１４を一方の極としての第１の極として、前記センサ接続領域の導電層に接触させ、かつ前記センサ接続領域と前記パターン形成領域の間の領域には、導電層の露出部３２を形成しておき、第２の導電体１６を他方の極である第２の極として、前記第１の極と、前記第２の極とを加熱手段１１ａを具備したエッチング槽１０のエッチング液に浸漬し、前記２極間の電流をモニタしながら、エッチングの進行を検出する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の導電パターンを形成すべきパターン形成領域について、前記導電パターンに対応した保護層を被覆するとともに、前記パターン形成領域以外の箇所であって、前記基板の外周縁に沿った領域をセンサ接続領域とし、このセンサ接続領域にセンサとして機能するようにした第１の導電体を一方の極としての第１の極として、前記センサ接続領域の導電層に接触させ、かつ前記センサ接続領域と前記パターン形成領域の間の領域には、導電層を露出した露出部を形成しておき、
第２の導電体を他方の極である第２の極として、前記第１の極を含む前記基板と、前記第２の極とを、加熱手段を具備したエッチング槽に収容されているエッチング液に浸漬し、
前記２極間に流れる電流をモニタしながら、エッチングの進行状態を検出することを特徴とする、導電パターンの形成方法。
【請求項２】
前記露出部が前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出されることで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の導電パターン形成方法。
【請求項３】
前記露出部が前記基板の外周縁に沿って形成されているセンサ接続領域の周方向に関して、複数の箇所に区分して設けられていることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の導電パターン形成方法。
【請求項４】
前記基板が水晶ウエハであり、前記導電パターンが弾性表面波素子の電極パターンであることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の導電パターンの形成方法。
【請求項５】
導電パターンを形成すべき基板に、前記導電パターンに対応した保護層を形成するためのフォトマスクであって、
前記基板の導電パターンを形成すべき領域に対応して、この導電パターンに適合したマスクパターンを備えるとともに、
このマスクパターンが、前記基板の前記導電パターンを形成すべき領域以外の所定箇所に設けられるセンサ接続領域において、導電体の接続箇所として導電層が露出された箇所と、前記センサ接続領域と前記パターン形成領域の間の領域に、前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出した露出部との形成に適合するパターンを有している
ことを特徴とする導電パターン形成用フォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に形成した導電層をエッチングして導電パターンを形成するための導電パターンの形成方法の改良と、導電パターンの形成方法に利用する導電パターン形成用フォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電子端末やテレビ受像機等の電子部品や通信部品において、共振子や帯域フィルタ等として弾性表面波素子（以下、「ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ    Ａｃｏｕｓｔｉｃ    Ｗａｖｅ）デバイスという」）が使用されている。ＳＡＷデバイスは、圧電基板にすだれ状電極である櫛形電極（以下、「ＩＤＴ」（Ｉｎｔｅｒ    Ｄｉｇｉｔａｌ    Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）という）及び反射器を形成することにより構成されている。
【０００３】
圧電基板は、例えば水晶ウエハを用いて形成される。ＩＤＴと反射器は、圧電基板の表面に、アルミニウム等の導電層を蒸着あるいはスパッタリング等により薄膜状に形成した上で、フォトリソグラフィ等によりすだれ状となるように形成されている。
【０００４】
すなわち、ＳＡＷデバイスは、水晶ウエハの表面に導電層を形成し、ＩＤＴと反射器に対応した導電パターンを形成して製造される。
このような、例えば、ＳＡＷデバイスの製造に代表される各種の導電パターンの形成方法としては、例えば、次のような手法が知られている（特許文献１参照）。
図１５は、導電パターンを形成する工程を簡単に説明する図であり、図において、１はエッチング液を収容したエッチング槽である。
【０００５】
エッチング槽１内には、導電パターンを形成すべき基板２が浸漬されている。基板２の端部には、センサ３が取り付けられている。センサ３は図１４に示すように、基板２の表面に予め蒸着もしくはスパッタリング等により形成された導電層２ａと電気的接続されており、センサ３からは、図１３に示すように白金線３ａが導出されている。
また、図１３に示すように基板２と対向して、例えば白金等で形成した導体４が浸漬されており、これら白金線３ａと導体４は検出手段５に接続されている。したがって、エッチング層１内では、基板２は一方の極となり、導体４は他方の極となる。
また、エッチング層１の底部には、電気ヒータ等の加熱手段１ａが配置されている。
【０００６】
ここで、図１６に示されているように、センサ３は、ベース７と可動部８との端部間隙に、基板２を弾性的に挟み込むようになっており、基板２の導電層２ａ側には、ゴム等の絶縁体９を介在させている。この絶縁体９は凹状の形態であり、その内側にセンサ３に接続される白金線３ａが収容されて、この白金線３ａは導電層２ａと接触されている。白金線３ａはセンサ３の外側では絶縁被覆３ｂにより覆われている。
一方、基板２の電極パターンの形成領域には、フォトレジスト等による保護層６，６が形成すべき導電パターンに対応して配置されている。
【０００７】
このような構成において、図１５では、エッチング層１の加熱手段１ａを駆動することによりエッチング液を加温し、エッチング反応を促進させながら、工程を進行させるようになっている。そして、図１５においては、基板２の導電層２ａと白金でなる導体４とは異なる導電体であり、エッチング反応の進行中には、導体４をプラス、基板２をマイナスとして二極間に電流が流れる。この電流を検出手段５でモニタする。
このような工程において、エッチングが進んで、図１６にＡで示す領域の導電層２ａがエッチングにより無くなると、導電層２ａとセンサ３とは通電しなくなるので、検出手段が二極間に流れる電流の急激な低下を検出する。
これにより、導電層２ａのエッチングの終了を検出することができる。
【０００８】
【特許文献１】特開昭５８−１１８１１５号
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のような手法により導電パターンを形成すべきエッチングの終了を検出しようとすると、以下のような不都合がある。
すなわち、図１５において、加熱手段１ａの駆動により、エッチング槽１内でエッチング液の対流が生じると、基板２の表面に接触するエッチング液の温度に温度ムラが生じる。
特に、基板２の加熱手段１ａに近い領域と、遠い領域では、接触するエッチング液に温度差が大きくなり、例えば、基板２の下端付近では、エッチングが終了しているのに、基板２の上記したＡ領域では、導電層２ａを除去するだけのエッチングが進行していない場合がある。
このため、領域Ａの導電層２ａがエッチングにより消失した時点では、導電パターンを形成すべき箇所では、エッチングが進み過ぎていて、形成された導電パターンが細すぎてしまう。
【００１０】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、エッチング液を加温しながら、エッチング反応を促進しつつ導電パターンを形成する方法において、形成すべき導電パターンが精密なパターン幅で形成された時点を正確に知ることができる導電パターンの形成方法と、この導電パターンの形成方法に使用するフォトマスクを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述の目的は、第１の発明によれば、基板の導電パターンを形成すべきパターン形成領域について、前記導電パターンに対応した保護層を被覆するとともに、前記パターン形成領域以外の箇所であって、前記基板の外周縁に沿った領域をセンサ接続領域とし、このセンサ接続領域にセンサとして機能するようにした第１の導電体を一方の極としての第１の極として、前記センサ接続領域の導電層に接触させ、かつ前記センサ接続領域と前記パターン形成領域の間の領域には、導電層を露出した露出部を形成しておき、第２の導電体を他方の極である第２の極として、前記第１の極を含む前記基板と、前記第２の極とを加熱手段を具備したエッチング槽に収容されているエッチング液に浸漬し、前記２極間に流れる電流をモニタしながら、エッチングの進行状態を検出することにより、達成される。
【００１２】
第１の発明の構成によれば、基板の導電パターンを形成する領域以外の基板の外周縁に沿った領域にセンサ接続領域を設ける。センサ接続領域には、センサとして機能する第１の導電体が接触され、一方の極となる。これに対して、他方の極を構成する第２の導電体が用意され、第１の極を含む前記基板と、前記第２の極とをエッチング液に浸漬して、導電パターンのエッチングを行う。
ここで、前記センサ接続領域と前記パターン形成領域の間の領域には、導電層を露出した露出部を設けているので、この露出部が、基板の外周縁に沿ったセンサ接続領域の全ての領域と、前記パターン形成領域との間で、完全に除去されると、前記センサ接続領域と前記パターン形成領域との間の導通が遮断される。これにより、一方の極と他方の極との間で電流が流れなくなるので、エッチング中にこの電流をモニタしていれば、前記露出部がエッチングで除去された時点を知ることができる。この場合、前記センサ接続領域が、基板の外周縁に沿った領域に設けられているから、基板１２の前記加熱手段に近い領域においても遠い領域においても、前記露出部が除去されていることが確認でき、このため、基板１２のどの位置においても、必要とされる導電パターンの形成が完了したことを確認することができる。
したがって、本発明によれば、エッチング液を加温することでエッチング反応を効果的に促進させつつ、導電パターンを形成する方法において、部分的なエッチング不足を回避して、形成すべき導電パターンが精密なパターン幅で形成された時点を正確に知ることができる導電パターンの形成方法を提供することができる。
【００１３】
第２の発明は第１の発明の構成において、前記露出部が前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出されることで形成されていることを特徴とする。
第２の発明の構成によれば、前記露出部が、基板に形成すべき導電パターンの同じパターン幅に形成されているので、このような導電部がエッチングに除去された時点を検出することで、目的の導電パターンも正確に形成されていることになる。このため、導電パターンを形成する場合に、オーバーエッチングとなったり、あるいはエッチング不足をきたすことががなく、精度よく導電パターンの形成を行うことができる。
【００１４】
第３の発明は第１または第２の発明のいずれかの構成において、前記露出部が前記基板の外周縁に沿って形成されているセンサ接続領域の周方向に関して、複数の箇所に区分して設けられていることを特徴とする。
第３の発明の構成によれば、センサ接続領域の周方向に関して、複数の箇所に区分して前記露出部をもうければ、露出部が微細なパターンである場合には、センサ接続領域の全周にわたって設けなくても、基板の複数の箇所におけるエッチングスピードをモニタすることができる。
【００１５】
第４の発明は第１ないし第３の発明のいずれかの構成において、前記基板が水晶ウエハであり、前記導電パターンが弾性表面波素子の電極パターンであることを特徴とする。
第４の発明の構成によれば、前記基板が水晶ウエハであり、前記導電パターンが弾性表面波素子の電極パターンである場合には、ＳＡＷデバイスのＩＤＴをきわめて精密に形成することができる。
【００１６】
上述の目的は、第５の発明によれば、導電パターンを形成すべき基板に、前記導電パターンに対応した保護層を形成するためのフォトマスクであって、前記基板の導電パターンを形成すべき領域に対応して、この導電パターンに適合したマスクパターンを備えるとともに、このマスクパターンが、前記基板の前記導電パターンを形成すべき領域以外の所定箇所に設けられるセンサ接続領域において、導電体の接続箇所として導電層が露出された箇所と、前記センサ接続領域と前記パターン形成領域の間の領域に、前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出した露出部との形成に適合するパターンを有している導電パターン形成用フォトマスクにより、達成される。
第５の発明の構成によれば、このフォトマスクを使用すると、基板に対して、導電パターンだけでなく、基板のセンサ接続領域において、導電体の接続箇所として導電層が露出された箇所と、前記センサ接続領域と前記パターン形成領域の間の領域に、前記導電パターンと同じパターン幅で導電層を露出した露出部とを備える保護層のパターンを形成することができる。このため、第３の発明を実施する上で、好適なフォトマスクを得ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の第１の実施形態に係る導電パターンの形成方法の概略を示す説明図であり、図２は図１のＡ−Ａ線切断端面図、図３は図１のＢ−Ｂ線切断端面図、図４は図１のＣ−Ｃ線切断端面図であり、図５ないし図７は、図２ないし図４の位置に対応したエッチング終了時点の図である。
図１において、エッチング槽１０には、エッチング液１１が所定量収容されている。エッチング液１１は、エッチングすべき導電層の種類に応じて選択され、例えば、この実施形態ではリン酸溶液が使用されている。エッチング槽１０には、加熱手段１１ａが設けられている。この実施形態では、例えば、加熱手段１１ａは、エッチング槽１０の底部に配置された電気ヒータ等が用いられており、外部から給電されて、エッチング液を加温するようになっている。
【００１８】
基板１２は、図１に示されているように、ほぼ円形の水晶ウエハである。基板１２の種類、外形はこれに限るものではなく、長方形、正方形等の様々な外形のものが使用できる。基板１２のほぼ中央部には、パターン形成領域３１が設けられている。この実施形態では、水晶ウエハからＳＡＷデバイス（図示せず）を形成する場合について説明しているので、この場合、縦横の線は、個々のＳＡＷデバイスを個片に後でカットする場合の切断線を示している。個片を単位とするチップには、ＩＤＴ及び／または反射器を構成するための導電パターンが形成される。この実施形態では、この導電パターンをエッチングにより形成する方法を説明する。
【００１９】
水晶ウエハである基板１２には、図２ないし図４に示されているように、導電層２９を予め形成する。導電層２９は、例えばアルミニウムであり、基板１２表面に対して、蒸着もしくはスパッタリングの手法により成膜されている。
そして、この導電層２９には、形成すべき導電パターンに対応して、フォトマスクを利用したフォトリソグラフィの手法により、フォトレジスト等でなる保護層３３が形成される。保護層３３は、エッチング液１１に侵されず、絶縁機能を備えたものである。保護層３３を形成するためのフォトレジストとしては、例えば、ポジレジストを使用することができる。
【００２０】
図１において、基板１２の所定の領域、この場合は円形の基板１２の外周に沿った周縁部を一体に縁取るようにして、センサ接続領域２２を設ける。このセンサ接続領域２２は、製品のための導電パターンが形成されず、製造時において、後述するセンサを接続するための領域である。このセンサ接続領域２２は、図２に示されているように、後述するセンサ１３が取り付けらることで、その絶縁手段２６の外周に沿った境界２３により、パターン形成領域３１との間の露出部３２と区分される。
センサ接続領域２２は、基本的には全面に保護層３３を被覆し、例えば、その中央部にセンサ接続部２４を設ける（図２参照）。センサ接続部２４は、センサの接続に適した位置および形状でなり、例えば、図示するような形状として、保護層３３を除去し、そこにセンサ電極部２５を設ける。センサ電極部２５は、例えば白金で形成する。
【００２１】
図２及び図４を参照してセンサ１３について説明する。センサ１３は、センサ本体である第１の導体１４を、センサ接続領域２２のセンサ接続部２４に接触させて、接触状態を保持するとともに、その着脱を容易に行うことができる構成とされる。このような機能を備えれば、特に、特定の構造に限られるものではないが、センサ１３は、例えば、図２にその端部を示すような挟持板２７，２８を有しており、これらの間に基板１２のセンサ接続領域２２を挟み込んで保持できるようにされている。挟持板２７，２８は図示しない端部で枢支されており、先端部が互いに接近する方向に付勢されている。この場合、挟持板２７，２８によって、基板１２のセンサ接続領域２２の上に、弾性を備えた絶縁手段２６を同時に挟み込むようになっている。絶縁手段２６は、好ましくは、エッチング液に侵されにくい材料が選択され、例えば、中空の合成ゴム等により形成することができる。この中空の絶縁手段２６の外周は、上述した境界２３を全周にわたって包囲する形状とされている。また、中空の絶縁手段２６の中央付近を貫通して、第１の導体１４が内部に導入されており、その先端は、センサ接続部のセンサ電極２５を介して、導電層２９と接触されている。また、第１の導体１４は、例えば白金線であり、絶縁手段２６から外部に導出されている箇所は、絶縁被覆１４ａにより覆われている。
【００２２】
図１に示されているように、基板１２と対向して、第２の導体１６が配置されている。第２の導体１６は、例えば白金により形成された長尺体もしくは板体等で形成されており、第２の導体１６からはリード１６ａが外部に延出されている。
一方、上述した構成でなるセンサ１３からは、第１の導体１４と一体にリードが外部に延出されており、これらの間には、好ましくは抵抗１９で接続され、各第１の導体１４と第２の導体１６は、増幅手段１７に接続されている。増幅手段１７の出力信号は、検出手段１８に入力されて、その検出結果が、報知手段１５で報知されるようになっている。
【００２３】
以上の構造において、図１に示されているように、センサ１３を取り付けた基板１２と、第２の導体１６を、エッチング槽１０のエッチング液１１内に浸漬して、導電パターンのエッチング処理を行う。この際、図１のエッチング槽１０には、加熱手段１１ａを設けているので、この加熱手段１１ａによりエッチング液１１を加温しながら、エッチング反応を促進するようにして処理が行われる。
これにより、図２に示すように、エッチング液１１内に露出しているパターン形成領域３１では、ＳＡＷデバイスのＩＤＴの導電パターンについてのエッチングが行われる。同時にセンサ接続領域２２とパターン形成領域３１の間の領域ＡＲ１に関しても、エッチング液１１内に露出しているので、保護槽３３に覆われていない露出部３２のエッチングが進行する。この時、センサ接続領域２２では、絶縁手段２６により包囲された領域内は、エッチング液１１に触れていないので、エッチングは進行しない。
【００２４】
かくして、露出部３２が存在する間は、図１において、第２の導体１６をプラス、基板１２をマイナスとして二極間に電流が流れ、この電流は増幅手段１７で増幅されて、検出手段１８に送られる。検出手段１８では、増幅手段１７のアナログ出力を適宜に処理して、電流検出を行い、この電流が検出されている間は、エッチングを続ける。
【００２５】
次に、エッチングが進行して、図２の状態から、その露出部３２に対応した導電層２９が、図５に符号Ｓ１で示すように完全に除去される。この露出部３２は、図２で説明したように、基板１２の周縁の全周にわたって形成されているセンサ接続領域２２と、パターン形成領域３１との間に設けられているので、露出部３２はこの実施形態の場合、センサ接続領域２２とパターン形成領域３１との間の位置で、円形の基板１２の全周にわたって形成されている。この露出部３２が除去されると、パターン形成領域３１とセンサ接続領域２２との間の導通は遮断される。
これにより、検出手段１８は電流値の急激な下降を検出することで、エッチングの終了時点を知ることができ、報知手段１５により、例えば、ブザの鳴動やランプ等の点灯で知らせることができる。
【００２６】
このようにして、報知手段１５からの知らせでエッチングを終了すると、ＳＡＷデバイスのＩＤＴが完全にエッチングされた状態で、作業を終了することができる。
すなわち、露出部３２がエッチングにより、全て除去された時点で、基板１２の露出部３２が存在していた全ての領域が完全にエッチングされたことを知ることができる。つまり、加熱手段１１ａの作用により、エッチング液１１が加温されて、エッチング処理を行う場合において、基板１２の加熱手段１１ａに近い場所と遠い場所で、エッチングの進行速度に差があっても、露出部３２が全て除去されたことを確認することで、このような温度ムラに基づく部分的なエッチング不足を残したまま、処理を終了することを有効に防止して、ＩＤＴのパターン幅が完全に形成されたことを知ることができる。
【００２７】
図８ないし図１３は、本発明の第２の実施形態を説明する図であり、図８は本発明の第２の実施形態に係る導電パターンの形成方法の概略を示す説明図であり、図９と図１０は、それぞれ図８の方法に使用する基板の部分拡大図である。
これらの図において、第１の実施形態と共通の構成には同一の符号を付して、重複する説明を省略し、以下相違点を中心に説明する。
【００２８】
図８に示すように、この実施形態の基板１２−１は、図１の実施形態と比較すると、露出部の構成がことなっている。
つまり、図１の基板１２では、露出部３２が、基板１２の全周にわたって形成されていたが、この実施形態では、周方向に、等間隔で複数箇所、図８では、例えば、１／４周ずつの４箇所に、導電部３２−１，３２−２，３２−３，３２−４として設けられている。
【００２９】
個々の導電部の構造は、図９と図１０に拡大して示されている。
すなわち、図８ないし図１０において、この実施形態では、基板１２の最外周には、なにも設けられていない。言い換えると、導電層２９が帯状に露出する領域があり、その内側に、図１の場合と同一の構造のセンサ接続領域２２が形成されている。このセンサ接続領域２２とパターン形成領域３１との間に設けられる露出部は、図９及び図１０に示すような構成である。なお、基板１２の最外周のなにも設けられていない領域は図１の基板１２と同様に省略してもよい。
【００３０】
図示されているように、センサ接続領域２２とパターン形成領域３１との間には、保護層３３により、ＳＡＷデバイスのＩＤＴのパターン幅と同じ幅Ｗ１を設定して、４つの露出部３２−１，３２−２，３２−３，３２−４を形成している。露出部３２−１，３２−２，３２−３，３２−４は、保護層３３により被覆されておらず、導電層２９が露出している領域である。
この露出部３２−１，３２−２，３２−３，３２−４は、ＳＡＷデバイスのＩＤＴのパターンをエッチングする際に同時にエッチングされる領域である。ＳＡＷデバイスのＩＤＴのラインの幅は、ラインどうしの間のパターン幅と等しくされており、このため、露出部の幅Ｗ１は、このライン幅もしくはパターン幅と同じ幅とされている。そして、好ましくは、製造しようとするＳＡＷデバイスのＩＤＴの幅に複数の種類がある場合には、最もせまいライン幅もしくはパターン幅と一致するようにされている。これにより、微細な導電パターンを精密に形成しようとする場合に、最も細い幅のパターンがオーバーエッチングにより損なわれることを有効に防止することができる。
【００３１】
また、図９の露出部３２−１に隣接するセンサ接続領域２２には、センサ１３が取り付けられるようになっており、そのためにセンサ接続部２４及びセンサ電極２５が設けられている。図１１は、センサ接続部２４にセンサ１３を取り付けた状態におけるエッチング前の図９のＤ−Ｄ線概略断面図で、図１２はセンサ接続部２４にセンサ１３を取り付けた状態におけるエッチング後の図９のＤ−Ｄ線概略断面図である。
図１０の露出部３２−２は、露出部３２−３，３２−４と同じ構造であり、センサ１３を取り付けないので、センサ接続部２４及びセンサ電極２５が形成されていない。
【００３２】
以上の構造において、図８に示されているように、センサ１３を取り付けた基板１２−１と、第２の導体１６を、エッチング槽１０のエッチング液１１内に浸漬して、導電パターンのエッチング処理を行う。この際、図１の場合と同様に、図８のエッチング槽１０には、加熱手段１１ａを設けているので、この加熱手段１１ａによりエッチング液１１を加温しながら、エッチング反応を促進するようにして処理が行われる。
これにより、エッチング液１１内に露出しているパターン形成領域３１では、ＳＡＷデバイスのＩＤＴの導電パターンについてのエッチングが行われる。同時に、図１１に示すセンサ接続領域２２とパターン形成領域３１の間の領域ＡＲ１に関しても、エッチング液１１内に露出しているので、保護槽３３に覆われていない露出部３２−１のエッチングが進行する。この時、センサ接続領域２２では、絶縁手段２６により包囲された領域内は、エッチング液１１に触れていないので、エッチングは進行しない。
【００３３】
そして、露出部３２−１が存在する間は、図８において、第２の導体１６をプラス、基板１２−１をマイナスとして二極間に電流が流れ、この電流は増幅手段１７で増幅されて、検出手段１８に送られる。検出手段１８では、増幅手段１７のアナログ出力を適宜に処理して、電流検出を行い、この電流が検出されている間は、エッチングを続ける。
【００３４】
次に、エッチングが進行して、図１１の状態から、その露出部３２−１に対応した導電層２９が、図１２に符号Ｓ２で示すように完全に除去される。この露出部３２−１は、すでに説明したように、幅Ｗ１が、ＳＡＷデバイスのＩＤＴのライン幅もしくはパターン幅と同じ幅とされている。そして、好ましくは、製造しようとするＳＡＷデバイスのＩＤＴの幅に複数の種類がある場合には、最もせまい幅と一致するようにされている。そして、全ての露出部３２−１，３２−２，３２−３，３２−４が除去されると、パターン形成領域３１とセンサ接続領域２２との間の導通は遮断される。
これにより、検出手段１８は電流値の急激な下降を検出することで、エッチングの終了時点を知ることができ、報知手段１５により、例えば、ブザの鳴動やランプ等の点灯で知らせることができる。
【００３５】
このようにして、報知手段１５からの知らせでエッチングを終了すると、ＳＡＷデバイスのＩＤＴが精密にエッチングされた状態で、作業を終了することができる。
すなわち、各露出部３２−１，３２−２，３２−３，３２−４は、ＩＤＴと同じパターン幅で形成したので、これら露出部がエッチングにより除去された時点で、ＩＤＴのパターン幅も精密に形成されたことを知ることができる。
すなわち、各露出部３２−１，３２−２，３２−３，３２−４がエッチングにより、全て除去された時点で、基板１２−１のそれぞれの露出部が存在していた全ての領域が完全にエッチングされたことを知ることができる。つまり、加熱手段１１ａの作用により、エッチング液１１が加温されて、エッチング処理を行う場合において、基板１２−１の加熱手段１１ａに近い場所と遠い場所で、エッチングの進行速度に差があっても、露出部３２−１，３２−２，３２−３，３２−４が全て除去されたことを確認することで、このような温度ムラに基づく部分的なエッチング不足を残したまま、処理を終了することを有効に防止して、ＩＤＴのパターン幅が精密に形成されたことを知ることができる。
【００３６】
ここで、図１１は、本実施形態により、図８の構成に基づいて、エッチング中に電流をモニタする様子を示しており、各露出部３２−１，３２−２，３２−３，３２−４のパターン幅、すなわちスペースの幅が小さい程、エッチング液がパターンの間に入り込む量が少なくなることから、エッチングレートが低くなり、電流の急激な落ち込みまでの時間が遅くなる。逆に、これら露出部３２−１，３２−２，３２−３，３２−４のパターン幅、すなわちスペースの幅が大きい程、エッチング液がパターンの間に入り込む量が多くなることから、エッチングレートが高くなり、電流の急激な落ち込みまでの時間が早くなる。
このため、特に、露出部のパターン幅をＩＤＴの最もライン幅もしくはスペース幅の小さく領域と合わせておけば、エッチング残りを完全に無くすことができる。
【００３７】
なお、この実施形態の導電パターン形成方法では、基板１２−１に対して、導電層２９を成膜した後で、保護層３３を上述したパターンで形成することが特徴である。この場合、例えば、図８及び図９，図１０で詳述したパターンとなるように、マスクパターンを形成したフォトマスクを使用することで、実現できる。このフォトマスクは従来より使用されているものと同様の材料で形成でき、そのマスクパターンだけが特徴となるものなので、詳細な構造の説明は省略する。
【００３８】
図１４は、上述の第２の実施形態の変形例を示している。図１４において、上述の実施形態と共通の構成には同一の符号を付して、重複する説明を省略し、以下相違点を中心に説明する。
図１４の例は、露出部の単純な形態を示している。つまり、第２の実施形態の露出部３２−１，３２−２，３２−３，３２−４は、センサ接続領域２２を完全に囲むようにして、パターン形成領域３１との間に設ければよいので、ＩＤＴの櫛歯の形態とせずに図示のような露出部３２−５として、単純な直線的な囲み形態としてもよい。この場合、露出部３２−５の幅Ｗ１は第２の実施形態と同じである。
このような変形例においても、第２の実施形態と同じ作用効果を発揮することができる。
【００３９】
ここで、図８において、基板１２−１の全ての露出部３２−１，３２−２，３２−３，３２−４とそれぞれ隣接するセンサ接続領域２２にセンサを設け、これを個別に増幅手段１８を介して検出手段１５に接続することもできる。そして、検出手段１８にタイマを内蔵させておき、センサ接続領域のいずれかの箇所で、最初に通電の遮断が生じたら、当該タイマを駆動して計時を開始し、全てのセンサ接続領域の通電の遮断が起こる前に、タイマの計時が終了したら、報知手段１５により知らせるようにすることができる。
これにより、基板１２−１全体のエッチングの完了を監視しつつ、最初に通電の遮断が行われた時から、全てのセンサ接続領域の通電の遮断の時までに、必要以上の長時間にわたりエッチングを続けることで、一部の導電パターンにオーバーエッチングを生じることを有効に防止することができる。
【００４０】
また、図８の構成を変更しなくても、検出手段１８が最初に所定の電流の下降を検出した時点を、いずれかのセンサ接続領域における導通の遮断と判断して、上記タイマを駆動するようにしてもよい。この場合においても、基板１２−１全体のエッチングの完了を監視しつつ、最初に通電の遮断が行われた時から、全てのセンサ接続領域の通電の遮断の時までに、必要以上の長時間にわたりエッチングを続けることで、一部の導電パターンにオーバーエッチングを生じることを有効に防止することができる。
【００４１】
本発明は上述の実施形態に限定されない。各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
また、この発明は、ＳＡＷデバイスの導電パターンの形成に限らず、基板に設けた導電層をエッチングすることで微細な導電パターンを形成する全てのエッチング作業に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る導電パターンの形成方法の概略を示す説明図。
【図２】図１のＡ−Ａ線切断端面図。
【図３】図１のＢ−Ｂ線切断端面図。
【図４】図１のＣ−Ｃ線切断端面図。
【図５】エッチング後の図１のＡ−Ａ線切断端面図。
【図６】エッチング後の図１のＢ−Ｂ線切断端面図。
【図７】エッチング後の図１のＣ−Ｃ線切断端面図。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る導電パターンの形成方法の概略を示す説明図。
【図９】図８の方法に使用する基板の部分拡大図。
【図１０】図８の方法に使用する基板の部分拡大図。
【図１１】センサ接続部にセンサを取り付けた状態におけるエッチング前の図９のＤ−Ｄ線概略断面図。
【図１２】センサ接続部にセンサを取り付けた状態におけるエッチング後の図９のＤ−Ｄ線概略断面図。
【図１３】図８の方法において検出手段による通電状態のモニタの様子を示す図。
【図１４】本発明の第２実施形態の変形例の要部を示す図。
【図１５】従来の導電パターンの形成方法の概略を示す説明図。
【図１６】図１５の基板のセンサ接続領域の周辺の構造を示す概略断面図。
【符号の説明】
１０・・・エッチング槽、１２・・・基板、１３・・・センサ、１４・・・第１の導体、１６・・・第２の導体、３１・・・パターン形成領域、２２・・・センサ接続領域、３２・・・露出部、３３・・・保護層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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