(57)【要約】  【課題】  製造プロセス中に起こる発光層の劣化を防止することができる電気光学装置の製造方法及び電気光学装置、及び電子機器を提供することを目的とする。  【解決手段】  基体２００上に、第１電極２３と、第２電極５０と、第１電極２３と第２電極５０との間に挟持される電気光学層１１０を有する電気光学装置１の製造方法において、第２電極５０を覆う発光材料保護層６５を真空蒸着法により形成する工程と、発光材料保護層６５を覆う電極保護層５５をプラズマ成膜法により形成する工程とを有する。  【選択図】  図３
2005222860.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に挟持される電気光学層を有する電気光学装置の製造方法において、
前記第２電極を覆う発光材料保護層を真空蒸着法により形成する工程と、
前記発光材料保護層を覆う電極保護層をプラズマ成膜法により形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
基体上に、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に挟持される電気光学層を有する電気光学装置の製造方法において、
前記電気光学層を覆う発光材料保護層を真空蒸着法により形成する工程と、
前記発光材料保護層を覆う前記第２電極を形成する工程と、
前記第２電極を覆う電極保護層をプラズマ成膜法により形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２電極と前記電極保護層と前記発光材料保護層とを覆うガスバリア層を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２電極は、真空蒸着法により形成されることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
基体上に、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に挟持される電気光学層を有する電気光学装置において、
前記第２電極を保護する電極保護層と、
前記電極保護層の形成時における前記電気光学層の劣化を防止する絶縁性の発光材料保護層と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
前記第２電極上に前記発光材料保護層が配置されると共に、前記発光材料保護層上に前記電極保護層が配置されることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記電気光学層と前記第２電極との間に前記発光材料保護層が配置されると共に、前記第２電極上に前記電極保護層が配置されることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記電極保護層は、導電性かつ透明性を有する金属酸化物からなることを特徴とする請求項５から請求項７のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記発光材料保護層は、金属弗素物からなることを特徴とする請求項５から請求項８のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記金属弗化物は、弗化リチウムであることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記第２電極と前記電極保護層と前記発光材料保護層とを覆うガスバリア層を更に備えることを特徴とする請求項５から請求項１０のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の電気光学装置、或いは請求項８から請求項１１のうちいずれか一項に記載の製造方法により得られた電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の分野では、酸素や水分等に対する耐久性向上が課題となっている。例えば、上記電気光学装置の一例である有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと略記する）表示装置では、発光層（電気光学層）を構成する電気光学材料（有機ＥＬ材料，正孔注入材料，電子注入材料等）の酸素や水分等による劣化や、陰極の酸素や水分等による抵抗値上昇等により、ダークスポットと呼ばれる非発光領域が発生してしまい、発光素子としての寿命が短くなるという課題がある。
このような課題を解決するために、表示装置の基板にガラスや金属の蓋を取り付けて水分等を封止する方法が採られてきた。そして、近年では、表示装置の大型化及び軽薄化に対応するために、発光素子上に透明でガスバリア性に優れた珪素窒化物、珪素酸化物、金属酸化物、セラミックス等の陰極保護層やガスバリア層を高密度プラズマ成膜法（例えば、イオンプレーティング、ＥＣＲプラズマスパッタ、ＥＣＲプラズマＣＶＤ、表面波プラズマＣＶＤ、ＩＣＰ−ＣＶＤ等）により成膜させる薄膜封止と呼ばれる技術が用いられている。
特に、陰極側から発光光を取り出すトップエミッション構造を用いる場合、金属からなる陰極材料だけでは透明性が不足するため極力薄くしなければならず、陰極抵抗が上昇してしまう。そこで、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などの金属酸化物からなる透明かつ導電性を付与できる陰極保護層を陰極の上に形成することで、陰極の抵抗を下げることができる。これらの材料は、有機発光層に影響を与えないよう低温下で低抵抗かつガスバリア性に優れた緻密な層を形成する必要があり、高密度プラズマ成膜法により成膜する必要がある。
【特許文献１】特開２００１−２８４０４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、陰極保護層やガスバリア層を高密度プラズマ成膜法などのプラズマ成膜法により形成すると、発生したプラズマ中のイオン及び電子のエネルギーが導電性であるゆえに陰極を伝達してしまい、発光層を形成する有機ＥＬ材料に悪影響を与え、発光層を劣化させてしまうという問題がある。
【０００４】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、製造プロセス中に起こる発光層の劣化を防止することができる電気光学装置、その製造方法及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第１の発明は、基体（２００）上に、第１電極（２３）と、第２電極（５０）と、第１電極と第２電極との間に挟持される電気光学層（１１０）を有する電気光学装置（１）の製造方法において、第２電極を覆う発光材料保護層（６５）を真空蒸着法により形成する工程と、発光材料保護層を覆う電極保護層（５５）をプラズマ成膜法により形成する工程とを有するようにした。この発明によれば、製造プロセス中においても、電極保護層により第２電極の抵抗を下げるとともに、発光材料保護層により高密度プラズマによる電気光学層の劣化が防止されるので、鮮やかに発光する電気光学装置を得ることができる。
【０００６】
また、基体（２００）上に、第１電極（２３）と、第２電極（５０）と、第１電極と第２電極との間に挟持される電気光学層（１１０）を有する電気光学装置に（１）の製造方法において、電気光学層を覆う発光材料保護層（６５）を真空蒸着法により形成する工程と、発光材料保護層を覆う第２電極を形成する工程と、第２電極を覆う電極保護層（５５）をプラズマ成膜法により形成する工程とを有するようにした。この発明によれば、製造プロセス中においても、電極保護層により第２電極の酸化が防止されるとともに、発光材料保護層により電気光学層の劣化が防止されるので、鮮やかな輝度にて表示する電気光学装置を得ることができる。
また、第２電極（５０）と電極保護層（５５）と発光材料保護層（６５）とを覆うガスバリア層（３０）を形成する工程を更に有するものでは、製造プロセス後に、陰極や電気光学層への酸素等の浸入を長時間に渡り防止することができる。発光材料保護層（６５）を用いることにより、ガスバリア層（３０）の形成時における電気光学層の劣化を防止することができる。
また、第２電極（５０）は、真空蒸着法により形成されるものでは、電気光学層へのダメージが殆どなく、また第２電極と発光材料保護層とを同一の成膜装置により形成することができるので、製造工程の複雑化を防ぐとともに、製造コストを抑えることができる。
【０００７】
第２の発明は、基体（２００）上に、第１電極（２３）と、第２電極（５０）と、第１電極と第２電極との間に挟持される電気光学層（１１０）を有する電気光学装置に（１）おいて、第２電極を保護する電極保護層（５５）と、電極保護層の形成時における電気光学層の劣化を防止する絶縁性の発光材料保護層（６５）と、を備えるようにした。この発明によれば、製造プロセス中においても、第２電極の酸化と電気光学層の劣化が防止されるので、鮮やかに発光する電気光学装置を得ることができる。
【０００８】
例えば、第２電極（５０）上に発光材料保護層（６５）が配置されると共に、発光材料保護層上に電極保護層（５５）が配置されるように形成することができる。
また、電気光学層（１１０）と第２電極（５０）との間に発光材料保護層（６５）が配置されると共に、第２電極上に電極保護層（５５）が配置されるように形成することができる。
また、電極保護層（５５）は、導電性かつ透明性を有する金属酸化物からなるものでは、所謂、トップエミッション構造のＥＬ表示装置を得ることができる。
また、発光材料保護層（６５）は、金属弗素物からなるものでは、比較的低温で昇華するので、電気光学層に悪影響を与えずに薄膜を形成することができる。そして、この膜により、製造プロセス時に電気光学層をプラズマから保護することができる。例えば、金属弗化物として、弗化リチウム、弗化亜鉛、弗化鉄、弗化バナジウム、弗化コバルトなどを用いることができる。特にイオン結合により形成されている金属弗化物はバンドギャップが３ｅＶ以上であり良好な絶縁性を有している。したがって、例えば電極保護層（５５）をプラズマ成長法にて形成する場合、発光材料保護層（６５）をイオン結合により形成されている金属弗化物にて形成することにより、プラズマ中の電子、あるいは、イオンによる電気光学層（１１０）の劣化を防止することができる。アルカリ金属、アルカリ土類金属の弗化物は、セラミックなどの絶縁材料と比較して低温により蒸発もしくは昇華することができるため、電気光学層を劣化させることなく発光材料保護層（６５）を形成することができる。特にアルカリ金属、アルカリ土類金属の弗化物は、光の透過性が高いため、トップエミッション構造に最適である。
また、第２電極（５０）と電極保護層（５５）と発光材料保護層（６５）とを覆うガスバリア層（３０）を更に備えるものでは、製造プロセス後に、陰極や電気光学層への水分等の浸入を長時間に渡り防止することができる。発光材料保護層（６５）を用いることにより、ガスバリア層（３０）の形成時における電気光学層の劣化を防止することができる。
【０００９】
第３の発明は、電子機器（１０００，１１００，１２００，１３００）が、第１の発明の電気光学装置（１）或いは第２の発明の製造方法により得られた電気光学装置（１）を備えるようにした。この発明によれば、製造プロセス中における第２電極や電気光学層の劣化等が防止されるので、鮮やかな画像を長時間表示することができる電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器の実施形態について図を参照して説明する。電気光学装置としては、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いたＥＬ表示装置について説明する。
図１は、ＥＬ表示装置１の配線構造を示す図である。ＥＬ表示装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置である。
【００１１】
ＥＬ表示装置（電気光学装置）１は、図１に示すように、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１と信号線１０２の各交点付近に画素領域Ｘが設けられる。
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続される。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続される。
【００１２】
さらに、画素領域Ｘの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（第１電極）２３と、この画素電極２３と陰極（第２電極）５０との間に挟み込まれた電気光学層１１０とが設けられる。画素電極２３と陰極５０と電気光学層１１０により、発光素子（有機ＥＬ素子）が構成される。
【００１３】
このＥＬ表示装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、さらに電気光学層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。電気光学層１１０に含まれる有機発光層６０（図３参照）は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００１４】
次に、ＥＬ表示装置１の具体的な構成について図２〜図５を参照して説明する。
ＥＬ表示装置１は、図２に示すように電気絶縁性を備えた基板２０と、スイッチング用ＴＦＴ（図示せず）に接続された画素電極が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域（図示せず）と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線（図示せず）と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図２中一点鎖線枠内）とを具備して構成されたアクティブマトリクス型のものである。
なお、本発明においては、基板２０と後述するようにこれの上に形成されるスイッチング用ＴＦＴや各種回路、及び層間絶縁膜などを含めて、基体と称している。（図３、４中では符号２００で示している。）
【００１５】
画素部３は、中央部分の実表示領域４（図２中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画される。
実表示領域４には、それぞれ画素電極を有する表示領域Ｒ、Ｇ、ＢがＡ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向にそれぞれ離間してマトリックス状に配置される。
また、実表示領域４の図２中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置される。これら走査線駆動回路８０、８０は、ダミー領域５の下側に配置されたものである。
【００１６】
さらに、実表示領域４の図２中上側には、検査回路９０が配置される。この検査回路９０は、ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されたものである。なお、この検査回路９０も、ダミー領域５の下側に配置されたものである。
走査線駆動回路８０および検査回路９０は、その駆動電圧が、所定の電源部から駆動電圧導通部３１０（図３参照）および駆動電圧導通部３４０（図４参照）を介して、印加されるよう構成される。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、このＥＬ表示装置１の作動制御を行う所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部３２０（図３参照）および駆動電圧導通部３５０（図４参照）を介して、送信および印加される。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００１７】
また、ＥＬ表示装置１は、図３、図４に示すように基体２００上に画素電極２３と有機発光層６０と陰極５０とを備えた発光素子（有機ＥＬ素子）を多数形成したものである。
更に、陰極５０上には、発光材料の劣化を防止する発光材料保護層６５と、陰極５０の酸化を防止する陰極保護層５５が形成される。そして、さらにこれらを覆ってガスバリア層３０等が形成される。
電気光学層１１０の、主要な層としては有機発光層６０（エレクトロルミネッセンス層）であるが、挟まれる２つの電極との間に正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層（ホールブロック層）、電子阻止層（エレクトロンブロック層）を備えるものであってもよい。
【００１８】
基体２００を構成する基板２０としては、いわゆるトップエミッション型のＥＬ表示装置の場合、この基板２０の対向側であるガスバリア層３０側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。
また、いわゆるボトムエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、基板２０側から発光光を取り出す構成であるので、基板２０としては、透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック板、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。なお、本実施形態では、ガスバリア層３０側から発光光を取り出すトップエミッション型とする。
【００１９】
また、基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成されており、その上に発光素子（有機ＥＬ素子）が多数設けられる。発光素子は、図５に示すように、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層７０と、電気光学物質の一つである有機ＥＬ物質を備える有機発光層６０と、陰極５０とが順に形成されたことによって構成されたものである。
【００２０】
このような構成のもとに、発光素子はその有機発光層６０において、正孔輸送層７０から注入された正孔と陰極５０からの電子とが結合することにより発光する。
画素電極２３は、本実施形態ではトップエミッション型であることから透明である必要がなく、したがって適宜な導電材料によって形成される。
正孔輸送層７０の形成材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液などが用いられる。
【００２１】
有機発光層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。
また、必要に応じて、このような有機発光層６０の上にカルシウムやマグネシウム、リチウム、ナトリウム、ストロンチウム、バリウム、セシウムを主成分とした金属又は金属化合物からなる電子注入層を形成してもよい。
【００２２】
また、本実施形態において正孔輸送層７０と有機発光層６０とは、図３〜図５に示すように基体２００上にて格子状に形成された親液性制御層２５と有機バンク層（バンク構造体）２２１とによって囲まれて配置され、これにより囲まれた正孔輸送層７０および有機発光層６０は単一の発光素子（有機ＥＬ素子）を構成する素子層となる。
なお、有機バンク層２２１の開口部２２１ａの各壁面の基体２００表面に対する角度θが、１１０度以上から１７０度以下となっている（図５参照）。このような角度としたのは、正孔輸送層７０及び有機発光層６０をウエットプロセスにより形成する際に、開口部２２１ａ内に配置されやすくするためである。
【００２３】
陰極５０は、図３〜図５に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されたもので、有機発光層６０と有機バンク層２２１の上面、さらには有機バンク層２２１の外側部を形成する壁面を覆った状態で基体２００上に形成されたものである。なお、この陰極５０は、図４に示すように有機バンク層２２１の外側で基体２００の外周部に形成された陰極用配線２０２に接続される。この陰極用配線２０２にはフレキシブル基板２０３が接続されており、これによって陰極５０は、陰極用配線２０２を介してフレキシブル基板２０３上の図示しない駆動ＩＣ（駆動回路）に接続される。
陰極５０を形成するための材料としては、本実施形態はトップエミッション型であることから光透過性である必要があり、したがってカルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の薄膜金属層（または合金層）が好適とされる。
【００２４】
陰極５０の上層部には、発光材料保護層６５が設けられる。発光材料保護層６５は、絶縁性であることが条件であり、製造プロセス時に、有機発光層６０がプラズマ中のイオン及び電子による高エネルギーの伝達により劣化されてしまうことを防止するために設けられる層である。
発光材料保護層６５を形成する材料としては、金属弗化物が好適とされる。具体的には、弗化リチウム、弗化マグネシウム、弗化ナトリウムが挙げられる。
このように、有機発光層６０を金属弗化物により形成した発光材料保護層６５で覆うことにより、有機発光層６０へ高密度なプラズマエネルギーの伝達を抑え、有機発光材料の劣化を良好に防止することができる。なお、発光材料保護層６５は、約１〜３０ｎｍ程度の厚みに形成される。
【００２５】
発光材料保護層６５の上層部には、陰極保護層５５が設けられる。陰極保護層５５は、製造プロセス時に、陰極５０が腐食されてしまうことを防止するために設けられる層であるとともに、薄膜化された陰極５０の導電性を補助する層でもある。発光材料保護層６５を陰極５０上に形成する構成であれば、陰極５０から有機発光層６０への電子の注入を阻害することなく、有機発光層６０の劣化を防止することが可能である。
陰極保護層５５を形成する材料としては、ＥＬ表示装置１がトップエミッション型であることから光透過性である必要があり、したがって透明導電材料が用いられる。具体的には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）が好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー（登録商標））、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、酸化錫等を用いることができる。なお、本実施形態ではＩＴＯを用いるものとする。これらの材料は、低温下で緻密な低抵抗の膜にする必要があるため高密度プラズマ成膜法を用いて成膜される。
このように、陰極５０を金属酸化膜である陰極保護層５５で覆うことにより、陰極５０への酸素や水分、有機材料等の接触による腐食を良好に防止することができる。なお、陰極保護層５５は、１０ｎｍから３００ｎｍ程度の厚みに形成される。
【００２６】
更に、陰極５０、発光材料保護層６５、陰極保護層５５の上には、ガスバリア層３０が設けられる。
ガスバリア層３０は、その内側に酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより陰極５０や有機発光層６０への酸素や水分の浸入を防止し、酸素や水分による陰極５０や有機発光層６０の劣化等を抑えるようにしたものである。
また、ガスバリア層３０は、例えば無機化合物からなるもので、好ましくは珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物、珪素酸化物などを高密度プラズマ成膜法によって形成される。ただし、珪素化合物以外でも、例えばアルミナや酸化タンタル、酸化チタン、さらには他のセラミックスなどからなっていてもよい。ガスバリア層３０を陰極保護層５５と同様にプラズマ成膜法により形成する場合、発光材料保護層６５を用いることにより、ガスバリア層３０の形成時における電気光学層の劣化を防止することができる。
また、有機発光層６０と陰極５０との間に、発光材料保護層６５において記述した材料からなる層をさらに形成してもよい。このようにすることにより、ガスバリア層３０もしくは陰極保護層５５の形成時における電気光学層の劣化をさらに防止することができる。
【００２７】
また、ガスバリア層３０としては、例えば有機樹脂層と珪素化合物の２層構造やＩＴＯと珪素酸窒化物など、珪素化合物を含みつつ異なる材料によって積層した構造としてもよい。このように無機化合物からなる下地層を形成することで、密着性を向上させたり、応力を緩和したり、珪素化合物からなるガスバリア層の緻密性を向上させたりすることができる。
このようなガスバリア層３０の厚さとしては、１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であるのが好ましい。１０ｎｍ未満であると、膜の欠陥や膜厚のバラツキなどによって部分的に貫通孔が形成されてしまい、ガスバリア性が損なわれてしまうおそれがあるからであり、５００ｎｍを越えると、応力による割れが生じてしまうおそれがあるからである。
また、本実施形態ではトップエミッション型としていることから、ガスバリア層３０は透光性を有する必要があり、したがってその材質や膜厚を適宜に調整することにより、本実施形態では可視光領域における光線透過率を例えば８０％以上にしている。
【００２８】
更に、ガスバリア層３０の外側には、ガスバリア層３０を覆う保護層２０４が設けられる（図８（ｈ）参照）。この保護層２０４は、ガスバリア層３０側に設けられた接着層２０５と表面保護層２０６とからなる。
【００２９】
接着層２０５は、ガスバリア層３０上に表面保護層２０６を固定させ、かつ外部からの機械的衝撃に対して緩衝機能を有するもので、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂からなり、後述する表面保護層２０６より柔軟でガラス転移点の低い材料からなる接着剤によって形成されたものである。なお、このような接着剤には、シランカップリング剤またはアルコキシシランを添加しておくのが好ましく、このようにすれば、形成される接着層２０５とガスバリア層３０との密着性がより良好になり、したがって機械的衝撃に対する緩衝機能が高くなる。
また、特にガスバリア層３０が珪素化合物で形成されている場合などでは、シランカップリング剤やアルコキシシランによってこのガスバリア層３０との密着性を向上させることができ、したがってガスバリア層３０のガスバリア性を高めることができる。
【００３０】
表面保護層２０６は、接着層２０５上に設けられて、保護層２０４の表面側を構成するものであり、耐圧性や耐摩耗性、外部光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能の少なくとも一つを有してなる層である。具体的には、ガラス基板や最表面にＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）層、珪素酸化物層、酸化チタン層などがコーティングされたプラスチックフィルムなどによって形成されるものである。
なお、この例のＥＬ表示装置においては、トップエミッション型にする場合に表面保護層２０６、接着層２０５を共に透光性のものにする必要があるが、ボトムエミッション型とする場合にはその必要はない。
【００３１】
上述の発光素子の下方には、図５に示したように回路部１１が設けられる。この回路部１１は、基板２０上に形成されて基体２００を構成するものである。すなわち、基板２０の表面には下地としてＳｉＯ２を主体とする下地保護層２８１が形成され、その上にはシリコン層２４１が形成される。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２および／またはＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成される。
また、シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされる。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線１０１の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成される。
【００３２】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain）構造を形成する。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続される。このソース電極２４３は、上述した電源線１０３（図１参照、図５においてはソース電極２４３の位置に紙面垂直方向に延在する）の一部として構成される。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続される。
【００３３】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層は、例えば珪素窒化物や珪素酸化物、珪素酸窒化物などのガスバリア性を有する珪素化合物を主体とする第２層間絶縁層２８４によって覆われている。この第２層間絶縁層２８４は、例えば、珪素窒化物（ＳｉＮ）や珪素酸化物（ＳｉＯ２）などの珪素化合物の単独膜でも、アクリル樹脂などの配線平坦化層と組み合わせて用いることもできる。そして、ＩＴＯからなる画素電極２３が、この第２層間絶縁層２８４の表面上に形成されるとともに、第２層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続される。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続される。
なお、走査線駆動回路８０および検査回路９０に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、すなわち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３と接続されていない点を除いて駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造とされる。
【００３４】
画素電極２３が形成された第２層間絶縁層２８４の表面には、画素電極２３と、上述した親液性制御層２５及び有機バンク層２２１とが設けられる。親液性制御層２５は、例えばＳｉＯ２などの親液性材料を主体とするものであり、有機バンク層２２１は、アクリル樹脂やポリイミドなどからなるものである。そして、画素電極２３の上には、親液性制御層２５に設けられた開口部２５ａ、および有機バンク層２２１に囲まれてなる開口部２２１ａの内部に、正孔輸送層７０と有機発光層６０とがこの順に積層される。なお、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２２１を構成するアクリル樹脂やポリイミドなどの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。
【００３５】
以上に説明した基板２０上の第２層間絶縁層２８４までの層が、回路部１１を構成する。
ここで、本実施形態のＥＬ表示装置１は、カラー表示を行うべく、各有機発光層６０が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成される。例えば、有機発光層６０として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用有機発光層６０Ｒ、緑色に対応した緑色用有機発光層６０Ｇ、青色に対応した青色用有機発光層６０Ｂとをそれぞれに対応する表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂに設け、これら表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂをもってカラー表示を行う１画素が構成される。また、各色表示領域の境界には、金属クロムをスパッタリングなどにて成膜した図示略のＢＭ（ブラックマトリクス）が、例えば有機バンク層２２１と親液性制御層２５との間に形成される。
【００３６】
次に、本実施形態に係るＥＬ表示装置１の製造方法の一例を、図６〜８を参照して説明する。図６〜８に示す各断面図は、図２中のＡ−Ｂ線の断面図に対応した図である。
なお、本実施形態においては、電気光学装置としてのＥＬ表示装置１がトップエミッション型である場合であり、また、基板２０の表面に回路部１１を形成させる工程については、従来技術と変わらないので説明を省略する。
【００３７】
まず、図６（ａ）に示すように、表面に回路部１１が形成された基板２０の全面を覆うように、画素電極２３となる導電膜を形成され、更に、この透明導電膜をパターニングすることにより、第２層間絶縁層２８４のコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極２３を形成すると同時に、ダミー領域のダミーパターン２６も形成する。
なお、図３、４では、これら画素電極２３、ダミーパターン２６を総称して画素電極２３としている。ダミーパターン２６は、第２層間絶縁層２８４を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされる。すなわち、ダミーパターン２６は、島状に配置され、実表示領域に形成されている画素電極２３の形状とほぼ同一の形状を有する。もちろん、表示領域に形成されている画素電極２３の形状と異なる構造であってもよい。なお、この場合、ダミーパターン２６は少なくとも駆動電圧導通部３１０（３４０）の上方に位置するものも含むものとする。
【００３８】
次いで、図６（ｂ）に示すように、画素電極２３、ダミーパターン２６上、および第２層間絶縁膜上に絶縁層である親液性制御層２５を形成する。なお、画素電極２３においては一部が開口する態様にて親液性制御層２５を形成し、開口部２５ａ（図３も参照）において画素電極２３からの正孔移動が可能とされている。逆に、開口部２５ａを設けないダミーパターン２６においては、絶縁層（親液性制御層）２５が正孔移動遮蔽層となって正孔移動が生じないものとされている。続いて、親液性制御層２５において、異なる２つの画素電極２３の間に位置して形成された凹状部に不図示のＢＭ（ブラックマトリックス）を形成する。具体的には、親液性制御層２５の凹状部に対して、金属クロムを用いスパッタリング法にて成膜する。
【００３９】
そして、図６（ｃ）に示すように、親液性制御層２５の所定位置、詳しくは上述したＢＭを覆うように有機バンク層２２１を形成する。具体的な有機バンク層の形成方法としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミドなどのレジストを溶媒に溶解したものを、スピンコート法、スリットダイコート法などの各種塗布法により塗布して有機層を形成する。なお、有機層の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチングなどによってパターニングし易いものであればどのようなものでもよい。
更に、有機層をフォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いてパターニングし、有機質層に開口部２２１ａを形成することにより、開口部２２１ａに壁面を有した有機バンク層２２１を形成する。ここで、開口部２２１ａを形成する壁面について、基体２００表面に対する角度θを１１０度以上から１７０度以下となるように形成する。
なお、この場合、有機バンク層２２１は、少なくとも駆動制御信号導通部３２０の上方に位置するものを含むものとする。
【００４０】
次いで、有機バンク層２２１の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成する。本実施形態においては、プラズマ処理によって各領域を形成する。具体的には、プラズマ処理を、予備加熱工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面ならびに画素電極２３の電極面２３ｃ、親液性制御層２５の上面をそれぞれ親液性にする親インク化工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面を撥液性にする撥インク化工程と、冷却工程とで構成する。
すなわち、基材（バンクなどを含む基板２０）を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、次いで親インク化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。次いで、撥インク化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
なお、このＣＦ４プラズマ処理においては、画素電極２３の電極面２３ｃおよび親液性制御層２５についても多少の影響を受けるが、画素電極２３の材料であるＩＴＯおよび親液性制御層２５の構成材料であるＳｉＯ２、ＴｉＯ２などはフッ素に対する親和性に乏しいため、親インク化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。
【００４１】
次いで、正孔輸送層形成工程によって正孔輸送層７０の形成を行う。この正孔輸送層形成工程では、例えばインクジェット法等の液滴吐出法や、スリットダイコート法などにより、正孔輸送層材料を電極面２３ｃ上に塗布し、その後、乾燥処理および熱処理を行い、電極２３上に正孔輸送層７０を形成する。正孔輸送層材料を例えばインクジェット法で選択的に塗布する場合には、まず、インクジェットヘッド（図示略）に正孔輸送層材料を充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを親液性制御層２５に形成された開口部２５ａ内に位置する電極面２３ｃに対向させ、インクジェットヘッドと基材（基板２０）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を電極面２３ｃに吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理し、正孔輸送層材料に含まれる分散媒や溶媒を蒸発させることにより、正孔輸送層７０を形成する。
ここで、吐出ノズルから吐出された液滴は、親液性処理がなされた電極面２３ｃ上にて広がり、親液性制御層２５の開口部２５ａ内に満たされる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１の上面では、液滴がはじかれて付着しない。したがって、液滴が所定の吐出位置からはずれて有機バンク層２２１の上面に吐出されたとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が親液性制御層２５の開口部２５ａ内に転がり込む。
なお、この正孔輸送層形成工程以降は、正孔輸送層７０および有機発光層６０の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。
【００４２】
次いで、発光層形成工程によって有機発光層６０の形成を行う。この発光層形成工程では、例えばインクジェット法により、発光層形成材料を正孔輸送層７０上に吐出し、その後、乾燥処理および熱処理を行うことにより、有機バンク層２２１に形成された開口部２２１ａ内に有機発光層６０を形成する。この発光層形成工程では、正孔輸送層７０の再溶解を防止するため、発光層形成材料に用いる溶媒として、正孔輸送層７０に対して不溶な無極性溶媒を用いる。
なお、この発光層形成工程では、インクジェット法によって例えば青色（Ｂ）の発光層形成材料を青色の表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理した後、同様にして緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）についてもそれぞれその表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理する。
また、必要に応じて、上述したようにこのような有機発光層６０の上にカルシウムやマグネシウム、リチウム、ナトリウム、ストロンチウム、バリウム、セシウムを主成分とした金属又は金属化合物からなる電子注入層を蒸着法等で形成してもよい。
【００４３】
次いで、図７（ｄ）に示すように、陰極層形成工程によって陰極５０の形成を行う。この陰極層形成工程では、抵抗加熱式等の真空蒸着法により、アルミニウム、マグネシウム、銀、カルシウムなどの金属又は合金を単層或いは２層に成膜して、陰極５０とする。このとき、この陰極５０については、有機発光層６０と有機バンク層２２１の上面を覆うのはもちろん、有機バンク層２２１の外側部を形成する壁面についてもこれを覆った状態となるように形成する。
抵抗加熱式真空蒸着法は薄膜作製法のひとつで、略真空中で薄膜化しようとする物質を加熱ボートまたはルツボ内で２００〜１０００℃程度の比較的低温で加熱蒸発させ、その蒸気を基板面上に付着させる方法である。処理温度が低い為、発光材料への影響が少なく、特にプラズマや電子線等が発生しないので、有機発光材料の劣化が抑えられる。
【００４４】
次いで、図７（ｅ）に示すように、発光材料保護層６５の形成を行う。この工程においても抵抗加熱式真空蒸着法により、弗化リチウム、弗化マグネシウム、弗化ナトリウム、弗化亜鉛、弗化鉄、弗化バナジウム、弗化コバルト等の金属弗化物を成膜して、発光材料保護層６５とする。陰極５０の形成と同様に、抵抗加熱式真空蒸着法により発光材料保護層６５を形成するので、発光材料の劣化が抑えられる。そして、同一の成膜装置を用いることができるので、製造工程が複雑化せず、また製造コストを抑えることができる。
特にイオン結合により形成されている金属弗化物はバンドギャップが３ｅＶ以上であり良好な絶縁性を有している。アルカリ金属、アルカリ土類金属の弗化物は、酸化珪素、アルミナなどのセラミック絶縁材料と比較して低温により蒸発もしくは昇華することができるため、電気光学層を劣化させることなく発光材料保護層６５を形成することができる。特にアルカリ金属、アルカリ土類金属の弗化物は、光の透過性が高いため、トップエミッション構造に最適である。アルカリ金属、アルカリ土類金属の弗化物としては、弗化リチウム、弗化マグネシウム、弗化ナトリウムなどを例示できる。
【００４５】
次いで、図７（ｆ）に示すように、発光材料保護層６５の上層部に高密度プラズマ成膜法により、陰極５０上にＩＴＯ等の薄膜を成膜させて陰極保護層５５を形成する。
この際、既に有機発光層６０の上層には、弗化リチウムの薄膜からなる発光材料保護層６５が形成されているので、陰極保護層５５の形成時に発生するプラズマから有機発光層６０を保護し、発光材料の劣化を防止することができる。したがって鮮やかに発光する発光素子を得ることができる。
【００４６】
次いで、図８（ｇ）に示すように、陰極５０、発光材料保護層６５、陰極保護層５５を覆って、すなわち基体２００上にて露出する陰極５０の全ての部位を覆った状態にガスバリア層３０を形成する。
ここで、このガスバリア層３０の形成方法としては、高密度プラズマ成膜法により珪素酸窒化物などの珪素化合物を形成する。この際にも、発光材料保護層６５によりガスバリア層３０の形成時に発生するプラズマから有機発光層６０を保護し、発光材料の劣化を防止することができる。したがって鮮やかに発光する発光素子を得ることができる。
なお、ガスバリア層３０の形成については、上述したように珪素化合物によって単層で形成してもよく、また２層以上の珪素化合物や珪素化合物とは異なる材料と組み合わせて複数の層に積層して形成してもよく、さらには、単層で形成するものの、その組成を膜厚方向で連続的あるいは非連続的に変化させるようにして形成してもよい。
【００４７】
そして、図８（ｈ）に示すように、ガスバリア層３０上に接着層２０５と表面保護層２０６からなる保護層２０４が設けられる。接着層２０５は、スクリーン印刷法やスリットダイコート法などによりガスバリア層３０上に略均一に塗布され、その上に表面保護層２０６が貼り合わされる。
このようにガスバリア層３０上に保護層２０４を設ければ、表面保護層２０６が耐圧性や耐摩耗性、光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能を有していることにより、有機発光層６０や陰極５０、さらにはガスバリア層もこの表面保護層２０６によって保護することができ、したがって発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、接着層２０５が機械的衝撃に対して緩衝機能を発揮するので、外部から機械的衝撃が加わった場合に、ガスバリア層３０やこの内側の発光素子への機械的衝撃を緩和し、この機械的衝撃による発光素子の機能劣化を防止することができる。
なお、接着層２０５にも微粒子２０７を含有させてもよい。微粒子２０７を含有することにより、微粒子２０７がスペーサとなって、接着層２０５の膜厚を略均一化することができる。
【００４８】
以上のようにして、ＥＬ表示装置１が形成される。
ここで、表１は、発光材料保護層６５の有無による有機発光層６０の輝度比率及び発光効比率のデータを示す図である。
【表１】
2005222860.tif 000003
具体的には、陰極保護層５５としてＥＣＲプラズマスパッタ装置を用いてＩＴＯ（インジウム錫酸化物が１５０ｎｍ厚）で形成した場合における、発光材料保護層６５（弗化リチウムが２０ｎｍ厚）の有無による赤色点灯時の輝度比率及び発光効比率のデータを示す。
表１に示すように、発光材料保護層６５を形成しない場合（有機発光層６０／電子注入層／陰極５０／陰極保護層５５の順に積層）には、明らかに発光層６０の輝度比率及び発光効率比率の低下が見られる。すなわち、陰極保護層５５の形成時に発生するプラズマ中のイオン及び電子のエネルギーが有機発光層６０を形成する有機ＥＬ材料に悪影響を与えていることが分かる。
一方、発光材料保護層６５を形成した場合（有機発光層６０／電子注入層／陰極５０／発光材料保護層６５／陰極保護層５５の順に積層）、すなわち本実施形態の場合には、発光材料保護層６５が陰極保護層５５の成膜時に発生するプラズマを遮断し、有機発光層６０の輝度比率及び発光効率比率の低下を防いでいることが分かる。しかも、発光材料保護層６５を形成した場合には、陰極保護層５５を形成しない場合（有機発光層６０／電子注入層／陰極５０の順に積層した場合）、すなわち製造プロセス中にプラズマの発生がない状態と、略同一の輝度比率及び発光効比率を得ることができる。
【００４９】
なお、上述した実施形態では、電気光学層１１０（有機発光層６０）、陰極５０、発光材料保護層６５、陰極保護層５５の順に各膜を形成したが、電気光学層１１０（有機発光層６０）、発光材料保護層６５、陰極５０、陰極保護層５５の順に形成してもよい。すなわち、図９に示すように、電気光学層１１０（有機発光層６０）上に、直接、発光材料保護層６５を形成してもよい。
【００５０】
なお、上述した実施形態では、トップエミッション型のＥＬ表示装置１を例にして説明したが、本発明はこれに限定されることなく、ボトムエミッション型にも、また、両側に発光光を出射するタイプのものにも適用可能である。
また、ボトムエミッション型、あるいは両側に発光光を出射するタイプのものとした場合、基体２００に形成するスイッチング用ＴＦＴ１１２や駆動用ＴＦＴ１２３については、発光素子の直下ではなく、親液性制御層２５および有機バンク層２２１の直下に形成するようにし、開口率を高めるのが好ましい。
【００５１】
また、ＥＬ表示装置１では本発明における第１の電極を陽極として機能させ、第２の電極を陰極として機能させたが、これらを逆にして第１の電極を陰極、第２の電極を陽極としてそれぞれ機能させるよう構成してもよい。ただし、その場合には、有機発光層６０と正孔輸送層７０との形成位置を入れ替えるようにする必要がある。
【００５２】
また、本実施形態では、電気光学装置にＥＬ表示装置１を適用した例を示したが、本発明はこれに限定されることなく、基本的に第２電極が基体の外側に設けられるものであれば、どのような形態の電気光学装置にも適用可能である。
【００５３】
次に、本発明の電子機器について説明する。電子機器は、上述したＥＬ表示装置（電気光学装置）１を表示部として有したものであり、具体的には図１０に示すものが挙げられる。
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、携帯電話（電子機器）１０００は、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１００１を備える。
図１０（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、時計（電子機器）１１００は、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１１０１を備える。
図１０（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）において、情報処理装置（電子機器）１２００は、キーボードなどの入力部１２０２、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１２０６、情報処理装置本体（筐体）１２０４を備える。
図１０（ｄ）は、薄型大画面テレビの一例を示した斜視図である。図１０（ｄ）において、薄型大画面テレビ（電子機器）１３００は、薄型大画面テレビ本体（筐体）１３０２、スピーカーなどの音声出力部１３０４、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１３０６を備える。
図１０（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、上述したＥＬ表示装置（電気光学装置）１を有した表示部１００１，１１０１，１２０６を備えているので、表示部を構成するＥＬ表示装置の発光素子の長寿命化が図られたものとなる。
また、図１０（ｄ）に示す電子機器は、表示部１３０６の面積に関係なくＥＬ表示装置１を封止することができる本発明を適用したので、従来と比較して大面積（例えば対角２０インチ以上）の表示部（電気光学装置）１３０６を備えるものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】ＥＬ表示装置の配線構造を示す図
【図２】ＥＬ表示装置の構成を示す模式図
【図３】図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図
【図４】図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図
【図５】図３の要部拡大断面図
【図６】ＥＬ表示装置の製造方法を工程順に示す図
【図７】図６に続く工程を示す図
【図８】図７に続く工程を示す図
【図９】ＥＬ表示装置の変形例を示す要部拡大断面図
【図１０】電子機器を示す図
【符号の説明】
【００５５】
１…表示装置（電気光学装置）、  ２３…画素電極（第１電極）、  ３０…ガスバリア層、  ５０…陰極（第２電極）、  ５５…陰極保護層（電極保護層）、  ６０…有機発光層、  ６５…発光材料保護層、  １１０…電気光学層、  ２００…基体、  ２１０…緩衝層、  ２１５…枠部、  ２２１…有機バンク層（バンク構造体）、  ２２１ａ…開口部、  １０００…携帯電話（電子機器）、  １１００…時計（電子機器）、  １２００…情報処理装置（電子機器）、  １３００…薄型大画面テレビ（電子機器）、  １００１，１１０１，１２０６，１３０６…表示部（電気光学装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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