(57)【要約】【課題】抵抗値が低く、透明導電膜に接する層へ構成元素が拡散し難く、耐腐食性に優れる透明導電膜、かかる透明導電膜を形成し得る透明導電膜の形成方法、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】透明導電膜８は、導電性を有する無機酸化物を主とする第１の層９と、ＳｉＯ２を主とする第２の層１０とを有している。第１の層９は、導電性を有する無機酸化物を主とする導電性粒子９１ａで構成された多孔質膜９１と、この多孔質膜９１が有する空隙９１ｂを埋めるように供給された導電性物質９２を有している。導電性物質９２は、導電性物質前駆体を変化させることにより生成されるもの、また、ＳｉＯ２は、ＳｉＯ２前駆体を変化させることにより生成されるものであるのが好ましい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する無機酸化物を主とする第１の層と、
該第１の層上に設けられ、ＳｉＯ２を主とする第２の層とを有することを特徴とする透明導電膜。
【請求項２】
前記第２の層の平均厚さは、０．１〜５００ｎｍである請求項１に記載の透明導電膜。
【請求項３】
前記透明導電膜は、その表面抵抗値が２×１０３Ω／□以下である請求項１または２に記載の透明導電膜。
【請求項４】
前記導電性を有する無機酸化物は、Ｓｎを含む酸化インジウムを主とするものである請求項１ないし３のいずれかに記載の透明導電膜。
【請求項５】
前記第１の層は、前記導電性を有する無機酸化物を主とする粒子で構成された多孔質膜と、
該多孔質膜が有する空隙を埋めるように供給された導電性物質とを有する請求項１ないし４のいずれかに記載の透明導電膜。
【請求項６】
前記導電性物質は、前記多孔質膜の表面の凹凸が緩和または消失するように供給されている請求項５に記載の透明導電膜。
【請求項７】
前記多孔質膜の表面粗さＲａをＡ［ｎｍ］とし、前記第１の層の表面粗さＲａをＢ［ｎｍ］としたとき、Ｂ／Ａが０．８以下なる関係を満足する請求項６に記載の透明導電膜。
【請求項８】
前記第１の層の表面粗さＲａは、０．１〜２０ｎｍである請求項７に記載の透明導電膜。
【請求項９】
前記粒子の平均粒径は、１〜２０００ｎｍである請求項５ないし８のいずれかに記載の透明導電膜。
【請求項１０】
前記導電性物質は、導電性を有する無機酸化物を主とするものである請求項５ないし９のいずれかに記載の透明導電膜。
【請求項１１】
前記粒子の主材料である導電性を有する無機酸化物と、前記導電性物質の主材料である導電性を有する無機酸化物とは、同種のものである請求項１０に記載の透明導電膜。
【請求項１２】
請求項５ないし１１のいずれかに記載の透明導電膜を形成する透明導電膜の形成方法であって、
前記無機酸化物を主とする粒子を含む液状材料で前記多孔質膜を形成する第１の工程と、
前記多孔質膜の空隙を埋めるように、前記導電性物質となる導電性物質前駆体と液体とを含む第１の液状材料を供給する第２の工程と、
前記導電性物質前駆体を前記導電性物質に変化させることにより、前記第１の層を得る第３の工程と、
前記第１の層上に、ＳｉＯ２となるＳｉＯ２前駆体と液体とを含む第２の液状材料を供給する第４の工程と、
前記ＳｉＯ２前駆体をＳｉＯ２に変化させることにより、前記第２の層を得る第５の工程とを有することを特徴とする透明導電膜の形成方法。
【請求項１３】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の透明導電膜を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１４】
請求項１２に記載の透明導電膜の形成方法により得られた透明導電膜を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１５】
請求項１３または１４に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電膜、透明導電膜の形成方法、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍｕ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物よりなる透明導電膜は、液晶素子や有機ＥＬ素子等のディスプレイデバイスの電極として広く用いられている。
この透明導電膜の形成方法としては、大別して乾式プロセスと、湿式プロセスとがある。
このうち乾式プロセスでは、例えば蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等によって基板上に金属酸化物を被着することで透明導電膜を形成する。しかし、これらの方法は大がかりな装置が必要であり、また成膜に要する消費エネルギーが大きく、高コストになる等の問題がある。
【０００３】
一方、湿式プロセスでは、（１）導電性金属酸化物微粒子を含有する塗布液を、基板上に塗布し、焼成することで透明導電膜を形成する、または（２）金属アルコキシド、金属錯体または金属塩を含有する塗布液を、基板上に塗布し、加熱処理によって加水分解または熱分解等の反応を生じさせることにより透明導電膜を形成する。この湿式プロセスは、簡易な設備で透明導電膜を形成することができ、期待されている。
しかし、湿式プロセスによって形成される透明導電膜は、乾式プロセスによって形成される透明導電膜に比べて、金属酸化物の密度が低いため抵抗値が高い、膜特性が劣る等の問題がある。
【０００４】
以上のように、透明導電膜は、乾式プロセスまたは湿式プロセスによって形成されるが、いずれの方法で形成された透明導電膜についても、液晶素子や有機ＥＬ素子の電極として使用した場合、次のような問題を生じる。
例えば、液晶素子としては、画素電極等が形成された第１の基板上に、配向膜、液晶層、配向膜が順次積層され、この上に、走査電極等が形成された第２の基板が重ねられた液晶パネルを有し、このうち画素電極および走査電極にＩＴＯよりなる透明導電膜を使用したものが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
しかしながら、特にＩＴＯよりなる透明導電膜では、４００ｎｍ付近の強い光が照射されると、その構成元素であるＩｎ（Ｉｎｄｉｕｍｕ）が配向膜中に拡散し、この拡散したＩｎが核となって配向膜の構成材料であるポリイミドが微粒子化する。これにより、配向膜の表面が粗れて、液晶層の配向性が損なわれ、その結果、表示画像に色ムラを生じてしまうという問題がある。
【０００６】
また、有機ＥＬ素子は、基板上に、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および陰極が順次積層されて構成され、このうち陽極に、ＩＴＯよりなる透明導電膜を使用するのが一般的である。また、正孔輸送層の材料としては、正孔輸送能力に優れることから、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ［ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）］が使用されるようになっている。
しかし、ＰＥＤＴ／ＰＳＳの水分散液は、スルホン基に起因して強酸性を示すことから、正孔輸送層の形成に際して、透明導電膜を腐食してしまい、その結果、透明導電膜の性能を損なうという問題がある。
【０００７】
【特許文献１】特開平５−５８８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、抵抗値が低く、透明導電膜に接する層へ構成元素が拡散し難く、耐腐食性に優れる透明導電膜、かかる透明導電膜を形成し得る透明導電膜の形成方法、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の透明導電膜は、導電性を有する無機酸化物を主とする第１の層と、
該第１の層上に設けられ、ＳｉＯ２を主とする第２の層とを有することを特徴とする。
これにより、抵抗値が低く、透明導電膜に接する層へ構成元素が拡散し難く、耐腐食性に優れるものとすることができる。
【００１０】
本発明の透明導電膜では、前記第２の層の平均厚さは、０．１〜５００ｎｍであることが好ましい。
これにより、第１の層の構成元素の接する層への拡散防止効果や、耐腐食性の改善効果等を維持しつつ、光透過性や導電性に優れたものとすることができる。
本発明の透明導電膜では、前記透明導電膜は、その表面抵抗値が２×１０３Ω／□以下であることが好ましい。
かかる透明導電膜を用いて、電子デバイスを構築することにより、より応答速度の速いものとすることができる。
【００１１】
本発明の透明導電膜では、前記導電性を有する無機酸化物は、Ｓｎを含む酸化インジウムを主とするものであることが好ましい。
本発明の透明導電膜では、前記第１の層は、前記導電性を有する無機酸化物を主とする粒子で構成された多孔質膜と、
該多孔質膜が有する空隙を埋めるように供給された導電性物質とを有することが好ましい。
これにより、導電性および膜強度を向上させることができる。
【００１２】
本発明の透明導電膜では、前記導電性物質は、前記多孔質膜の表面の凹凸が緩和または消失するように供給されていることが好ましい。
これにより、第１の層（透明導電膜）は、各種膜特性（特に膜表面モフォロジー）により優れるものとなる。
本発明の透明導電膜では、前記多孔質膜の表面粗さＲａをＡ［ｎｍ］とし、前記第１の層の表面粗さＲａをＢ［ｎｍ］としたとき、Ｂ／Ａが０．８以下なる関係を満足することが好ましい。
これにより、第１の層の表面はより平坦となり、第２の層との密着性をより向上させることができる。
【００１３】
本発明の透明導電膜では、前記第１の層の表面粗さＲａは、０．１〜２０ｎｍであることが好ましい。
第１の層の表面粗さＲａをこのように小さくすることにより、第２の層との密着性の向上が顕著に発揮される。
本発明の透明導電膜では、前記粒子の平均粒径は、１〜２０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、多孔質膜形成用材料の取り扱いが容易となるとともに、形成された第１の層（透明導電膜）は、より導電性、膜強度および密着性に優れたものとなる。
【００１４】
本発明の透明導電膜では、前記導電性物質は、導電性を有する無機酸化物を主とするものであることが好ましい。
導電性を有する無機酸化物を主材料とする導電性物質は、特に高い導電性と透明性とを有する。
本発明の透明導電膜では、前記粒子の主材料である導電性を有する無機酸化物と、前記導電性物質の主材料である導電性を有する無機酸化物とは、同種のものであることが好ましい。
これにより、多孔質膜と導電性物質との密着性が向上し、形成された第１の層（透明導電膜）は、より導電性および膜強度が優れたものとなる。
【００１５】
本発明の透明導電膜の形成方法は、本発明の透明導電膜を形成する透明導電膜の形成方法であって、
前記無機酸化物を主とする粒子を含む液状材料で前記多孔質膜を形成する第１の工程と、
前記多孔質膜の空隙を埋めるように、前記導電性物質となる導電性物質前駆体と液体とを含む第１の液状材料を供給する第２の工程と、
前記導電性物質前駆体を前記導電性物質に変化させることにより、前記第１の層を得る第３の工程と、
前記第１の層上に、ＳｉＯ２となるＳｉＯ２前駆体と液体とを含む第２の液状材料を供給する第４の工程と、
前記ＳｉＯ２前駆体をＳｉＯ２に変化させることにより、前記第２の層を得る第５の工程とを有することを特徴とする。
これにより、抵抗値が低く、透明導電膜に接する層へ構成元素が拡散し難く、耐腐食性に優れる透明導電膜が得られる。
【００１６】
本発明の電子デバイスは、本発明の透明導電膜を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスは、本発明の透明導電膜の形成方法により得られた透明導電膜を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の透明導電膜、透明導電膜の形成方法、電子デバイスおよび電子機器の好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
なお、以下では、本発明の電子デバイスを、アクティブマトリックス駆動方式の透過型液晶表示装置に適用した場合を一例として説明する。
【００１８】
＜透過型液晶表示装置の構成＞
図１は、本発明の電子デバイスを透過型液晶表示装置に適用した場合の実施形態を示す分解斜視図である。
なお、図１では、図が煩雑となるのを避けるため一部の部材を省略している。また、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００１９】
図１に示す透過型液晶表示装置１（以下、単に「液晶表示装置１」と言う。）は、液晶パネル（表示パネル）２と、バックライト（光源）６とを有している。
この液晶表示装置１は、バックライト６からの光を液晶パネル２に透過させることにより画像（情報）を表示し得るものである。
液晶パネル２は、互いに対向して配置された第１の基板２２と第２の基板２３とを有し、これらの第１の基板２２と第２の基板２３との間には、表示領域を囲むようにしてシール材（図示せず）が設けられている。
【００２０】
そして、これらの第１の基板２２、第２の基板２３およびシール材により画成される空間には、電気光学物質である液晶が収納され、液晶層（中間層）２４が形成されている。すなわち、第１の基板２２と第２の基板２３との間に、液晶層２４が介挿されている。
なお、図示は省略したが、液晶層２４の上面および下面には、それぞれ、例えばポリイミド等で構成される配向膜が設けられている。これらの配向膜により液晶層２４を構成する液晶分子の配向性（配向方向）が規制されている。
【００２１】
第１の基板２２および第２の基板２３は、それぞれ、例えば、各種ガラス材料、各種樹脂材料等で構成されている。
第１の基板２２は、その上面（液晶層２４側の面）２２１に、マトリックス状（行列状）に配置された複数の画素電極２２３と、Ｘ方向に延在する信号電極２２４とが設けられ、１列分の画素電極２２３の各々が１本の信号電極２２４に、それぞれ、ＴＦＤ素子（スイッチング素子）２２２を介して接続されている。
【００２２】
画素電極２２３は、透明性（光透過性）を有する透明導電膜（本発明の透明導電膜）により構成されている。この透明導電膜の構成については後述する。
ＴＦＤ素子２２２は、信号電極２２４から引き出された引き出し部２２８上に、絶縁膜を介して金属層２２９が積層されて構成され、金属層２２９が画素電極２２３に接続されている。なお、このＴＦＤ素子２２２は、金属／絶縁体／金属のサンドイッチ構造を採るため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を有することになる。
なお、スイッチング素子には、ＴＦＤ素子２２２に代わり、ＴＦＴ素子を用いることもでき、この場合、スイッチング素子は、正負双方向のトランジスタスイッチング特性を有することになる。
【００２３】
また、第１の基板２２の下面には、偏光板２２５が設けられている。
一方、第２の基板２３は、その下面（液晶層２４側の面）２３１に、複数の帯状をなす走査電極２３２が設けられている。これらの走査電極２３２は、信号電極２２４とほぼ直交するＹ方向に沿って、互いに所定間隔をおいてほぼ平行に配置され、かつ、画素電極２２３の対向電極となるように配列されている。
【００２４】
画素電極２２３と走査電極２３２とが重なる部分（この近傍の部分も含む）が１画素を構成し、これらの電極間で充放電を行うことにより、各画素毎に、液晶層２４の液晶が駆動、すなわち、液晶の配向状態が変化する。
走査電極２３２も、前記画素電極２２３と同様に、透明性（光透過性）を有する透明導電膜（本発明の透明導電膜）により構成されている。この透明導電膜の構成についても後述する。
【００２５】
走査電極２３２および画素電極２２３を構成する透明導電膜は、構成材料の種類等によっても若干異なるが、その表面抵抗値が２×１０３Ω／□以下であるのが好ましく、１×１０３Ω／□以下であるのがより好ましい。透明導電膜の表面抵抗値を前記範囲とすることにより、液晶表示装置１をより応答速度の速いものとすることができる。なお、後述する本発明の透明導電膜によれば、このような低い表面抵抗値を実現し得る。
【００２６】
各走査電極２３２の下面には、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の有色層（カラーフィルター）２３３が設けられ、これらの各有色層２３３がブラックマトリックス２３４によって仕切られている。
ブラックマトリックス２３４は、遮光機能を有し、例えば、クロム、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、亜鉛、チタンのような金属、カーボン等を分散した樹脂等で構成されている。
また、第２の基板２３の上面には、前記偏光板２２５とは偏光軸が異なる偏光板２３５が設けられている。
【００２７】
このような構成の液晶パネル２では、バックライト６から発せられた光は、偏光板２２５で偏光された後、第１の基板２２および各画素電極２２３を介して、液晶層２４に入射する。液晶層２４に入射した光は、各画素毎に配向状態が制御された液晶により強度変調される。強度変調された各光は、有色層２３３、走査電極２３２および第２の基板２３を通過した後、偏光板２３５で偏光され、外部に出射する。これにより、液晶表示装置１では、第２の基板２３の液晶層２４と反対側から、例えば、文字、数字、図形等のカラー画像（動画および静止画の双方を含む）を視認することができる。
【００２８】
＜透明導電膜＞
次に、本発明の透明導電膜について説明する。
図２は、本発明の透明導電膜の縦断面を示す模式図である。
なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図２に示す透明導電膜８は、前述したような液晶画像表示装置１の画素電極２２３および走査電極２３２、または有機ＥＬ素子の陽極等を構成するものであり、導電性を有する無機酸化物を主とする粒子９１ａ（以下、「導電性粒子９１ａ」と言う。）で構成された多孔質膜９１と、この多孔質膜９１が有する空隙９１ｂを埋めるように供給された導電性物質９２とを有する第１の層９と、ＳｉＯ２を主とする第２の層１０とを有している。
この透明導電膜８は、第１の層９がこのような構成とされていることにより、高い導電性を有するとともに、膜強度も優れたものとなる。
【００２９】
導電性物質９２は、図２に示すように、多孔質膜９１の表面の凹凸を緩和または消失させる程度に供給されているのが好ましい。これにより、第１の層９の膜表面モフォロジーを改善する（より平坦とする）ことができ、第２の膜１０との密着性をより向上させることができる。
また、第１の層９の表面を平坦化することにより、均一な厚さの第２の膜１０を精度よく形成することが可能となる。これにより、第２の膜１０をクラック等の欠陥が生じ難いものとすることができ、その結果、第１の層９の構成元素の透明導電膜８に接する層への拡散を防止する機能（拡散防止機能）が特に顕著に発揮されるようになる（後述参照）。
【００３０】
また、均一な厚さの第２の膜１０を形成し得ることから、前記拡散防止機能は、第２の膜１０を比較的薄く形成した場合でも好適に発揮される。第２の膜１０は、絶縁材料であるＳｉＯ２を主材料として構成されるものであるが、その厚さを薄くすることができれば、透明導電膜８全体としての導電性の向上を図ることができる。
さらに、第１の層９の膜表面モフォロジーの改善に伴って、第２の層１０（透明導電膜８）の表面モフォロジーも改善される。その結果、透明導電膜８上に設けられる層（部材）との密着性を向上させることができる。
【００３１】
したがって、例えば、前述したような液晶表示装置１に適用した場合には、透明導電膜８と配向膜（図示せず）との密着性を向上させることができ、その結果、液晶表示装置１において、表示性能の向上を図ることができる。
また、例えば、有機ＥＬ素子に適用した場合には、有機ＥＬ層との密着性を向上させることができるのはもちろんのこと、特に、有機ＥＬ層の凹凸を低減させことができることにより、表示画像にムラが生じるのを好適に防止することができる。
【００３２】
ここで、多孔質膜９１の表面の凹凸を緩和または消失させる程度とは、例えば、多孔質膜９１と第１の層９との表面粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に規定）の関係で表すことができる。
すなわち、多孔質膜９１の表面粗さＲａをＡ［ｎｍ］とし、第１の層９の表面粗さＲａをＢ［ｎｍ］としたとき、Ｂ／Ａが０．８以下なる関係を満足するのが好ましく、０．５以下なる関係を満足するのがより好ましく、０．３以下なる関係を満足するのがさらに好ましい。かかる関係を満足することにより、第１の層９の表面はより平坦となり、これに伴って透明導電膜８の表面もより平坦となる。これにより、透明導電膜８上に設けられる層（部材）との密着性をより向上させることができる。
【００３３】
換言すれば、導電性物質９２が、多孔質膜９１の表面粗さＲａを、好ましくは２０％以上（より好ましくは５０％以上、さらに好ましくは７０％以上）低下するよう供給される。
具体的には、第１の層９の表面粗さＲａは、０．１〜２０ｎｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｎｍ程度であるのがより好ましい。このように第１の層９の表面粗さＲａを小さくすることにより、前記効果がより顕著に発揮される。
【００３４】
さて、導電性粒子９１ａの主材料（主成分）である無機酸化物としては、導電性を有するものであれば、いかなるものも使用可能であるが、比較的高い透明性（光透過性）を有するものが好ましい。
かかる無機酸化物としては、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等を含む酸化物が挙げられる。
【００３５】
これらの中でも、無機酸化物としては、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｅのうちの少なくとも１種を含有する酸化インジウム、Ｆ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種を含有する酸化スズ、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎ、Ｙ、Ｓｃ、Ｆ、Ｖ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうちの少なくとも１種を含有する酸化亜鉛が好ましく、特に、Ｓｎを含有する酸化インジウム（ＩＴＯ）を主とするものが好適である。これらの無機酸化物を主材料とする導電性粒子９１ａは、特に高い導電性と透明性とを有するものとなる。
以上のような導電性粒子９１ａは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いるようにしてもよい。
【００３６】
なお、導電性粒子９１ａとして、Ｓｎを含有する酸化インジウムを主材料とする粒子を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。
このような導電性粒子９１ａの形状は、例えば、球状、針状、葉状等のいかなるものであってもよい。
【００３７】
球状の導電性粒子９１ａを用いる場合、その平均粒径は、１〜２０００ｎｍであるのが好ましく、５〜１０００ｎｍであるのがより好ましく、１０〜５００ｎｍであるのがさらに好ましい。導電性粒子９１ａの平均粒径が小さ過ぎると、導電性粒子９１ａの多孔質膜形成用材料中での分散性が低下し、多孔質膜形成用材料の調製や基材上への塗布（供給）が困難になるおそれがある。一方、導電性粒子９１ａの平均粒径が大き過ぎると、形成された第１の層９において、導電性粒子９１ａ同士（多孔質膜９１）の空隙９１ｂが大きくなり、その結果、膜強度が低下するおそれがある。
【００３８】
なお、他の形状の導電性粒子９１ａを用いる場合、これらの導電性粒子９１ａは、その最大長さの平均値が前記平均粒径の範囲となるようにするのが好ましい。
また、導電性粒子９１ａは、それらをより確実に緻密化（密着）させる観点からは、単一の形状のものを用いるのが好ましいが、２種以上の異なる形状のものを組み合わせて用いるようにしてもよい。
【００３９】
また、導電性物質９２も、導電性を有するいかなるものも使用可能であり、前記導電性粒子９１ａで挙げた無機酸化物の他、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体のような導電性高分子材料等を用いることもできる。
【００４０】
これらの中でも、導電性物質９２としては、Ｓｎを含有する酸化インジウム（ＩＴＯ）、Ｓｂを含有する酸化スズ（ＡＴＯ）、Ｆを含有する酸化スズ（ＦＴＯ）、および、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎ、Ｙ、Ｓｃ、Ｆ、Ｖ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうちの少なくとも１種を含有する酸化亜鉛のうちの１種または２種以上を主材料とするものが好ましく、特に、Ｓｎを含有する酸化インジウム（ＩＴＯ）を主とするものが好適である。これらの無機酸化物を主材料とする導電性物質９２は、特に高い導電性と透明性とを有する。
【００４１】
特に、導電性物質９２の主材料として導電性を有する無機酸化物を用いる場合、この無機酸化物は、導電性粒子９１ａの主材料である導電性を有する無機酸化物と同種のものとするものが好ましい。例えば、導電性粒子９１ａがＩＴＯを主材料として構成される場合、導電性物質９２も、ＩＴＯを主材料とするものを用いるのが好ましい。これにより、導電性粒子９１ａ（多孔質膜９１）と導電性物質９２との密着性が向上し、形成された第１の層９は、より導電性および膜強度が優れたものとなる。
なお、この場合、導電性粒子９１ａの主材料である導電性を有する無機酸化物と、導電性物質９２の主材料である導電性を有する無機酸化物とは、それらの組成が若干異なるものであってもよく、同一であってもよい。
【００４２】
このような導電性物質９２は、多孔質膜９１に対して、導電性物質前駆体として供給した後、かかる導電性物質前駆体を変化させて得られた導電性物質を主とするものが好ましい。このようにして導電性物質９２を多孔質膜９１に供給することにより、多孔質膜９１の空隙９１ｂをより確実に塞ぐことができるとともに、導電性物質前駆体が導電性物質に変化する際に、体積収縮が生じるため、多孔質膜９１の緻密化が促進される。
これにより、第１の層９の導電性および膜強度をより向上させることができる。これに伴って、透明導電膜８の導電性および膜強度もより向上する。
【００４３】
また、本実施形態のように、導電性物質９２を多孔質膜９１の表面の凹凸を緩和または消失させるように供給する場合には、第１の層９の表面をより凹凸の少ない状態とする（平坦化する）ことができる。
また、導電性物質前駆体の導電性物質への変化は、例えば、加熱、紫外線照射等のいずれの方法により生じるものであってもよいが、特に、加熱により生じるものが好ましい。加熱により導電性物質に変化する導電性物質前駆体を用いることにより、大掛かりな設備を必要とせず、比較的容易に、導電性物質９２を得ること、すなわち、第１の層９を形成することができる。
【００４４】
以上のようなことを考慮した場合、導電性物質９２としては、無機酸化物前駆体を加熱により変化させ得られた無機酸化物（導電性酸化物）を主とするものが特に好ましい。
このような無機酸化物前駆体としては、各前記元素（原子）のアルコキシドや塩、または、これらの誘導体や錯体等が挙げられる。
アルコキシドとしては、例えば、メトキシド、エトキシド、プロポキシド、イソプロポキシド、ブトキシド等が挙げられる。塩としては、例えば、ハロゲン化物、蟻酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
また、誘導体としては、例えば、水和物、中和または加水分解により得られる水酸化物等が挙げられる。錯体としては、例えば、α−またはβ−ジケトン類、α−またはβ−ケト酸類、α−またはβ−ケト酸エステル類、アミノアルコール類等とのキレート化合物が挙げられる。
【００４５】
これらの無機酸化物前駆体は、目的とする無機酸化物の種類等に応じて、１種または２種以上を適宜組み合わせて用いるようにすればよい。
なお、無機酸化物（金属酸化物）前駆体として、インジウム化合物と有機スズ化合物とを組み合わせて用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。
【００４６】
また、無機酸化物前駆体として、例えば、アルコキシドや塩を用いる場合には、無機酸化物前駆体の無機酸化物への変化（変換）を促進する酸触媒、塩基触媒等を添加するのが好ましい。
酸触媒としては、例えば、塩酸、硝酸、ホウ酸、ホウフッ化水素酸等の無機酸や、酢酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸等が挙げられる。
【００４７】
以上のように構成された第１の層９の平均厚さは、目的とする透明導電膜８の厚さに応じて適宜設定するようにすればよく、特に限定されないが、１０〜３０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。第１の層９の平均厚さが前記下限値よりも小さい場合、導電性粒子９１ａや導電性物質９２の種類等によっては、第１の層９（透明導電膜８）の膜強度が低下するおそれがある。一方、第１の層９の平均厚さが前記上限値よりも大きい場合には、導電性粒子９１ａや導電性物質９２の種類等によっては、第１の層９（透明導電膜８）の導電性が低下するおそれがある。
【００４８】
さて、本発明では、第１の層９上に、ＳｉＯ２を主とする第２の層１０を設けたことに特徴を有する。この第２の層１０を設けることにより、第１の層９の構成元素が透明導電膜８に接する層に拡散するのが防止されるとともに、第１の層９に対する耐腐食性が付与される。
したがって、例えば、この透明導電膜８を液晶表示装置１の画素電極２２３や走査電極２３２に使用した場合には、第１の層９の構成元素が、配向膜に拡散し、その表面モフォロジーが低下する（表面が荒れる）のが防止される。これにより、配向膜に沿って配向する液晶分子の配向性が良好になり、表示画像の色ムラが好適に防止される。
【００４９】
ここで、透明導電膜の構成元素が配向膜へ拡散する現象は、特に、透明導電膜をＳｎを含む酸化インジウム（ＩＴＯ）を主材料として構成した場合に顕著である。したがって、本発明は、特に、第１の層９をＩＴＯを主材料として構成する場合に適用するのに適している。
また、例えば、この透明導電膜８を、有機ＥＬ素子の陽極として使用した場合には、例えば、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ［ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）］等の強酸性の正孔輸送材料を含む溶液または分散液を用いて、陽極上に正孔輸送層を形成する際に、この溶液または分散液によって、第１の層９が腐食されるのを好適に防止することができる。
【００５０】
この第２の層１０は、第１の層９上に、ＳｉＯ２前駆体を供給した後、このＳｉＯ２前駆体を変化させることで得られるＳｉＯ２を主とする膜、第１の層９上に、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法等の乾式プロセスによって形成された膜等のいずれであってもよいが、このうち前者の膜であるのが好ましい。
前者の膜、すなわちＳｉＯ２前駆体を変化させることで得られたＳｉＯ２を主とする膜は、湿式プロセスで形成することができるため、製造設備や工程の簡易化、低コスト化を図ることができる。また、前者の膜の場合、第２の層１０を第１の層９に対して密着性よく形成することができる。
【００５１】
このＳｉＯ２前駆体のＳｉＯ２への変化は、例えば、加熱、紫外線照射等のいずれの方法により生じるものであってもよいが、特に、加熱により生じるものが好ましい。加熱によりＳｉＯ２に変化するＳｉＯ２前駆体を用いることにより、大掛かりな設備を必要とせず、比較的容易に、ＳｉＯ２を得ること、すなわち、第２の層１０を形成することができる。
【００５２】
このようなＳｉＯ２前駆体としては、Ｓｉのアルコキシドや塩、または、これらの誘導体や錯体等が挙げられる。
アルコキシドとしては、例えば、メトキシド、エトキシド、プロポキシド、イソプロポキシド、ブトキシド等が挙げられる。塩としては、例えば、ハロゲン化物、蟻酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
また、誘導体としては、例えば、水和物、中和または加水分解により得られる水酸化物等が挙げられる。錯体としては、例えば、α−またはβ−ジケトン類、α−またはβ−ケト酸類、α−またはβ−ケト酸エステル類、アミノアルコール類等とのキレート化合物が挙げられる。
【００５３】
ＳｉＯ２前駆体の具体例としては、テトラエトキシシラン、メチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシランなどのアルコキシシラン、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、フェニルトリクロロシランなどのクロロシラン、ｔ−ブチルジメチルクロロシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）ウレア、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、ヘキサメチルジシラザン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシメチルジエトキシシラン、γ−（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種井所を組み合わせて用いることができる。
【００５４】
また、ＳｉＯ２前駆体として、例えば、アルコキシドや塩を用いる場合には、ＳｉＯ２前駆体のＳｉＯ２への変化（変換）を促進する酸触媒、塩基触媒等を添加するのが好ましい。
酸触媒としては、例えば、塩酸、硝酸、ホウ酸、ホウフッ化水素酸等の無機酸や、酢酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸等が挙げられる。
【００５５】
この第２の層１０の厚さは、０．１〜５００ｎｍ程度であるのが好ましく、５〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。第２の層１０の平均厚さが前記下限値よりも小さい場合には、第１の層９の構成元素の接する層への拡散防止効果や、耐腐食性の改善効果等が十分に発揮されないおそれがある。一方、第２の層１０の平均厚さが前記上限値よりも大きい場合には、透明導電膜８の光透過性が低減したり、導電性が損なわれるおそれがある。
【００５６】
＜透明導電膜の形成方法＞
次に、本発明の透明導電膜の形成方法について説明する。
図３および図４は、それぞれ、本発明の透明導電膜の形成方法を説明するための模式図である。なお、以下の説明では、図３および図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００５７】
また、以下の説明では、導電性物質９２およびＳｉＯ２として、それらの前駆体を加熱により変化させて得られるものを用いる場合を一例に説明する。
本発明の透明導電膜の形成方法は、［１］多孔質膜の形成工程と、［２］第１の液状材料の供給工程と、［３］液体除去工程と、［４］導電性物質前駆体の熱処理工程と、［５］第２の液状材料の供給工程と、［６］液体除去工程、［７］ＳｉＯ２前駆体の熱処理工程を有している。以下、これらの工程について、順次説明する。
【００５８】
［１］多孔質膜の形成工程（第１の工程）
まず、基板（平板状の基材）７を用意し、多孔質膜９１を形成する（図３（ａ）参照）。この基板７の構成材料、形状、寸法等は、特に限定されない。
本発明の透明導電膜の形成方法を、前述したような液晶表示装置１の画素電極２２３、信号電極２２４の形成に適用する場合には、基板７は、第１の基板２２および第２の基板２３で挙げたものが使用される。
【００５９】
ここで、多孔質膜形成用材料および後述する第１の液状材料９２ａを調製する液体として、例えば、水、アルコール類、グリコール類等を用いる場合、基板７の透明導電膜８を形成する領域には、親水化処理を施すのが好ましい。これにより、均一な厚さの第１の層９（透明導電膜８）を形成することができる。
親水化処理としては、例えばプラズマ処理、グロー放電、コロナ放電、紫外線照射等の物理活性化処理の他、界面活性剤、水溶性シリコン、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の付与（塗布）等により行うことができる。
【００６０】
次に、導電性粒子９１ａを液体（分散媒）に分散させた多孔質膜形成用材料を、基板７上に、例えば、塗布法により供給した後、乾燥等して、多孔質膜９１を形成する。
なお、多孔質膜形成用材料中における導電性粒子９１ａの含有量は、１〜９０ｗｔ％程度であるのが好ましく、５〜３０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。導電性粒子９１ａの含有量が少な過ぎると、形成された第１の層９（透明導電膜８）において十分な導電性が得られないおそれがある。一方、導電性粒子９１ａの含有量が多過ぎると、導電性粒子９１ａの多孔質膜形成用材料中での分散性が低下し、多孔質膜形成用材料の調製や基板７上への供給が困難になるおそれがある。
【００６１】
なお、本工程［１］では、多孔質膜形成用材料の乾燥の後、熱処理（焼成）を行うようにしてもよいが、この熱処理を省略するのが好ましい。熱処理を省略した場合でも、本発明の透明導電膜の形成方法によれば、十分な膜強度を有する第１の層９（透明導電膜８）を得ることができ、また、熱処理を省略することにより、透明導電膜８の形成時間（成膜時間）の短縮を図ることもできる。
【００６２】
［２］第１の液状材料の供給工程（第２の工程）
次に、多孔質膜９１に、例えば無機酸化物前駆体等の導電性物質前駆体と、液体（溶媒または分散媒）とを含む第１の液状材料９２ａを供給する（図３（ｂ）参照）。
この第１の液状材料９２ａに用いる液体としては、例えば、水、メタノール、エタノール、ｎ−またはｉ−プロパノール、ｎ−、ｓ−またはｔ−ブタノールのような単価アルコール類、エチレングリコール、トリメチレングリコールのようなグリコール類（多価アルコール類）、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、アセチルアセトン、イソホロンのようなケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルのようなエステル類、メトキシエタノール、エトキシエタノールのようなエーテルアルコール類、ジオキサン、テトラヒドロフランのようなエーテル類、酸アミド類、芳香族炭化水素類等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、この液体としては、水、アルコール類、グリコール類、ケトン類を用いるのが好ましい。これらの液体を用いることにより、第１の液状材料９２ａ中で導電性物質前駆体を良好に溶解または分散させることができ、多孔質膜９１への第１の液状材料９２ａの供給を容易かつ確実に行うことができる。
【００６３】
多孔質膜９１へ第１の液状材料９２ａを供給する方法としては、特に限定されず、例えば、ディップコート法、スピンコート法、スリットコート法、キャップコート法、ディスペンサー法、スプレーコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、ＬＳＭＣＤ法等の各種塗布法を用いるのが好適である。
塗布法によれば、容易かつ確実に、多孔質膜９１の空隙９１ｂを塞ぐように、第１の液状材料９２ａを供給することができる。
【００６４】
［３］液体除去工程（第１の液状材料の乾燥工程）
次に、第１の液状材料９２ａ中の液体の一部または全部を除去（脱溶媒または脱分散媒）する（図３（ｃ）参照）。これにより、導電性物質前駆体の導電性物質９２への変化を、より確実かつ迅速に進行させることができる。
この液体の除去は、例えば、室温での放置または加熱により行うことができる。
【００６５】
液体を除去する際の温度は、液体の種類等に応じて適宜設定され、特に限定されないが、２０〜３００℃程度であるのが好ましく、５０〜２００℃程度であるのがより好ましい。
また、液体を除去する際の時間も、特に限定されず、温度を前記範囲とする場合、１０秒〜６０分程度であるのが好ましく、５〜1０分程度であるのがより好ましい。
【００６６】
また、液体を除去する際の雰囲気は、酸化性雰囲気、非酸化性雰囲気、還元性雰囲気のいずれであってもよい。
なお、次工程［４］に先立って、得られた塗膜（被膜）には、紫外線の照射を行うのが好ましい。これにより、前駆体を予備分解し、熱反応温度を下げたり変化を促進するという効果が得られる。
また、本工程［３］は、必要に応じて、省略することもできる。
【００６７】
［４］導電性物質前駆体の熱処理工程（第３の工程）
次に、導電性物質前駆体に熱処理を施す。これにより、導電性物質前駆体を導電性物質９２に変化させて、第１の層９が得られる（図３（ｄ）参照）。
例えば、導電性物質前駆体として、金属アルコキシドを用いた場合には、加熱により金属アルコキシドが加水分解し、アルコールと金属の水酸化物が生成する。さらに、この金属水酸化物に縮合反応が生じることにより、金属酸化物が生成する。
【００６８】
この熱処理の温度（加熱温度）は、特に限定されないが、１５０〜５００℃程度であるのが好ましく、２００〜４００℃程度であるのがより好ましい。加熱温度が低過ぎると、導電性物質前駆体の導電性物質への変化が十分に進行しないおそれがある。一方、熱処理の温度を前記上限値を超えて高くしても、それ以上の効果が見込めない。
また、熱処理の時間（加熱時間）も、特に限定されず、加熱温度を前記範囲とする場合、１分〜２４時間程度であるのが好ましく、１０〜３００分程度であるのがより好ましい。前記範囲の加熱時間で、導電性物質前駆体の導電性物質への変化を十分に進行させることができる。
【００６９】
また、この熱処理における雰囲気は、酸化性雰囲気、非酸化性雰囲気、還元性雰囲気のいずれであってもよい。
なお、熱処理は、複数回に繰り返し行ってもよく、この場合、各熱処理における熱処理条件は、同一であっても異なっていてもよい。
また、透明導電膜８の表面の凹凸が所望の状態となるまで、前記工程［２］〜［４］を繰り返し行うようにしてもよい。
【００７０】
［５］第２の液状材料の供給工程（第４の工程）
次に、第１の層９上に、ＳｉＯ２前駆体と、液体（溶媒または分散媒）とを含む第２の液状材料１０ａを供給する（図４（ｅ）参照）。
この第２の液状材料１０ａに用いる液体、および第２の液状材料１０ａを供給する方法としては、前記工程［２］で説明したのと同様のものを用いることができる。
【００７１】
［６］液体除去工程（第２の液状材料の乾燥工程）
次に、第２の液状材料１０ａ中の液体の一部または全部を除去（脱溶媒または脱分散媒）する（図４（ｆ）参照）。これにより、ＳｉＯ２前駆体のＳｉＯ２への変化を、より確実かつ迅速に進行させることができる。
この液体の除去は、例えば、室温での放置または加熱により行うことができる。
【００７２】
液体を除去する際の温度は、液体の種類等に応じて適宜設定され、特に限定されないが、２０〜３００℃程度であるのが好ましく、５０〜２００℃程度であるのがより好ましい。
また、液体を除去する際の時間も、特に限定されず、温度を前記範囲とする場合、１０秒〜６０分程度であるのが好ましく、５〜1０分程度であるのがより好ましい。
また、液体を除去する際の雰囲気は、酸化性雰囲気、非酸化性雰囲気、還元性雰囲気のいずれであってもよい。
また、本工程［６］は、必要に応じて、省略することもできる。
【００７３】
［７］ＳｉＯ２前駆体の熱処理工程（第５の工程）
次に、ＳｉＯ２前駆体に熱処理を施す。これにより、ＳｉＯ２前駆体をＳｉＯ２に変化させて、第２の層１０が形成される。（図４（ｇ）参照）。
例えば、ＳｉＯ２前駆体として、Ｓｉのアルコキシドを用いた場合には、加熱によりＳｉのアルコキシドが加水分解し、アルコールとＳｉの水酸化物が生成する。さらに、このＳｉの水酸化物に縮合反応が生じることにより、ＳｉＯ２が生成する。
【００７４】
この熱処理の温度（加熱温度）は、特に限定されないが、１５０〜５００℃程度であるのが好ましく、２００〜４００℃程度であるのがより好ましい。加熱温度が低過ぎると、ＳｉＯ２前駆体のＳｉＯ２への変化が十分に進行しないおそれがある。一方、熱処理の温度を前記上限値を超えて高くしても、それ以上の効果が見込めない。
また、熱処理の時間（加熱時間）も、特に限定されず、加熱温度を前記範囲とする場合、１分〜２４時間程度であるのが好ましく、１０〜３００分程度であるのがより好ましい。前記範囲の加熱時間で、ＳｉＯ２前駆体のＳｉＯ２への変化を十分に進行させることができる。
また、この熱処理における雰囲気は、酸化性雰囲気、非酸化性雰囲気、還元性雰囲気のいずれであってもよい。
なお、熱処理は、複数回に繰り返し行ってもよく、この場合、各熱処理における熱処理条件は、同一であっても異なっていてもよい。
【００７５】
このように、本発明の透明導電膜の形成方法では、湿式プロセスによって第１の層９および第２の層１０を形成するので、簡易な設備および工程により低コストで透明導電膜８を形成することができる。
したがって、このような透明導電膜の形成方法を用いて、図１に示す液晶表示装置１の画素電極２２３および走査電極２３２を形成することにより、液晶の駆動性能、耐久性等の各種特性に優れた液晶表示装置１を、低コストで製造することができる。
【００７６】
＜電子機器＞
本発明の電子デバイスは、各種電子機器の表示部に用いることができる。
図５は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００においては、表示ユニット１１０６が前述の液晶表示装置（電気光学装置）１を備えている。
【００７７】
図６は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、前述の液晶表示装置（電気光学装置）１を表示部に備えている。
【００７８】
図７は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００７９】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、前述の液晶表示装置１が表示部に設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
【００８０】
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が液晶表示装置１に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【００８１】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００８２】
なお、本発明の電子機器は、図５のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図６の携帯電話機、図７のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【００８３】
以上、本発明の透明導電膜、透明導電膜の形成方法、電子デバイスおよび電子機器を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、前記実施形態では、導電性物質として、その前駆体を加熱により変化させて得られるものを用いる場合を一例に説明したが、本発明では、導電性物質として、その前駆体を他の方法により変化させて得られるものを用いるようにしてもよい。
また、導電性物質として導電性高分子材料等を用いる場合には、透明導電膜の形成に際して、導電性高分子材料を適当な溶媒に溶解し、多孔質膜に供給するようにしてもよい。
【００８４】
さらに、本発明の透明導電膜において、第１の層は、導電性を有する無機酸化物を、例えば蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の乾式プロセスによって基板上に被着することで形成された膜であってもよい。この場合、導電性を有する無機酸化物としては、多孔質膜を構成する粒子の主材料として例示した無機酸化物等を使用することができる。
【００８５】
また、本発明の透明導電膜の形成方法では、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。
さらに、前記実施形態では、本発明の電子デバイスを、アクティブマトリックス駆動方式の透過型液晶表示装置に適用した場合を代表に説明したが、本発明の電子デバイスは、パッシブマトリックス駆動方式の透過型液晶表示装置に適用することができるのはもちろんのこと、反射型液晶表示装置や、電気光学物質として有機または無機ＥＬ材料を用いたＥＬ表示装置、電気光学物質として電気泳動粒子を用いた電気泳動表示装置に適用することもできる。
【実施例】
【００８６】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
Ａ．透明導電膜
以下のようにして、実施例および各比較例において、それぞれ、透明導電膜をガラス基板上に１０個ずつ形成した。
【００８７】
（実施例）
＜１−１＞  ガラス基板を用意し、このガラス基板の透明導電膜を形成する領域に、大気圧プラズマにより発生させた活性酸素による親水化処理を施した。
なお、この親水化処理の条件は、ＲＦ  Ｐｏｗｅｒ：３００Ｗ、Ｈｅ流量：１０ＳＬＭ、Ｏ２流量：８０ｓｃｃｍとした。
【００８８】
＜１−２＞  次に、ＩＴＯ粒子（平均粒径：２０ｎｍ）の含有量が１５ｗｔ％となるように、エタノールに分散させて、多孔質電膜形成用材料を調製した。
なお、ＩＴＯ粒子は、インジウム／スズ（原子比）＝９２．５／７．５のものを用いた。
＜１−３＞  次に、この多孔質膜形成用材料を、スピンコート法により、ガラス基板上に塗布して被膜を形成した。
なお、ガラス基板の回転数は、２０００ｒｐｍとし、回転時間は、２０秒で行った。
【００８９】
＜１−４＞  次に、得られた被膜を、大気（酸化性雰囲気）中、温度１５０℃×時間１０分で、ホットプレートにて乾燥した。これにより、多孔質膜を得た。
なお、得られた多孔質膜の平均厚さは、約８０ｎｍ、表面粗さＲａ（Ａ）は、１５ｎｍであった。
＜１−５＞  次に、アセチルアセトナトインジウム（ＡｃａｃＩｎ）と、塩化スズ（ＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏ）との含有量（合計）が０．２ｍｏｌ／Ｌとなるように、アセチルアセトンに溶解して、第１の液状材料を調製した。
なお、アセチルアセトナトインジウムおよび塩化スズの混合比は、インジウム／スズ（原子比）＝９２．５／７．５とした。
【００９０】
＜１−６＞  次に、この第１の液状材料を、スピンコート法により、多孔質膜に塗布した。
なお、ガラス基板の回転数は、２０００ｒｐｍとし、回転時間は、２０秒で行った。
＜１−７＞  次に、大気（酸化性雰囲気）中、温度４００℃×時間１０分で、ホットプレートにて熱処理を施した。これにより、アセチルアセトナトインジウムと塩化スズとを反応させることによりＩＴＯ（導電性物質）に変化させ、第１の層を得た。
なお、形成された第１の層の平均厚さは、約１００ｎｍ、表面粗さＲａ（Ｂ）は、２ｎｍ（Ｂ／Ａ＝０．１３）であった。
【００９１】
＜１−８＞  次に、テトラエトキシシランの含有量が１ｗｔ％となるように、エタノールに溶解して、第２の液状材料を調整した。
＜１−９＞  次に、この第２の液状材料を、スピンコート法により、第１の層上に塗布した。
なお、ガラス基板の回転数は、２０００ｒｐｍとし、回転時間は、２０秒で行った。
【００９２】
＜１−１０＞  次に、大気（酸化性雰囲気）中、温度３５０℃×時間１０分で、ホットプレートにて熱処理を施した。これにより、テトラエトキシシランを反応させることにより、ＳｉＯ２に変化させ、第２の層を得た。
なお、得られた第２の層の平均厚さは、約１０ｎｍ、表面粗さＲａは、１．５ｎｍであった。
以上の工程により、透明導電膜を得た。
【００９３】
（比較例１）
実施例１と同様にして形成された多孔質膜に、前記実施例１と同様の第２の液状材料をスピンコート法により、多孔質膜に塗布した。
なお、ガラス基板の回転数は、２０００ｒｐｍとし、回転時間は、２０秒で行った。
次に、大気（酸化性雰囲気）中、温度５５０℃×時間３０分で、ホットプレートにて熱処理を施した。これにより、テトラエトキシシランを反応させることにより、ＳｉＯ２に変化させ、透明導電膜を得た。
なお、透明導電膜の平均厚さは、約１１０ｎｍ、表面粗さＲａは、１．５ｎｍであった。
また、比較例１では、テトラエトキシシランを反応させてＳｉＯ２に変化させるのに、前記実施例と比較して、高温かつ長時間を要した。
（比較例２）
第２の層を形成しない以外は、実施例１と同様にして透明導電膜を形成した。
【００９４】
［評価１］
実施例および各比較例で形成した透明導電膜について、それぞれ、表面抵抗値、波長５５０ｎｍの光の透過率を測定し、それぞれ、１０個の平均値を求めた。
その結果を表１に示す。
【００９５】
【表１】
2005129420.tif 000003
【００９６】
表１に示すように、実施例の透明導電膜は、表面抵抗値が低く、導電性に優れるものであった。これに対して、比較例１の透明導電膜は、表面抵抗値が高く、導電性に劣るものであった。
なお、光の透過率は、実施例および各比較例の透明導電膜のいずれにおいても、ほぼ等しいものであった。
【００９７】
［評価２］
実施例および各比較例で形成した透明導電膜上に、それぞれ、６０ｎｍのポリイミド膜を形成した後、このポリイミド膜に対して、ラビング装置を用いてラビング処理を施した。
なお、ラビング処理の条件は、押込み量：０．４ｍｍ、回転数：６００ｒｐｍ、送り込み速度：１ｍ／ｍｉｎとした。
【００９８】
そして、室温下、放電発光ランプを１０００時間照射し、その後、ポリイミド膜の表面粗さを測定し、それぞれ、１０個の平均値を求めた。
なお、表２中の値は、放電発光ランプ照射後（試験後）のポリイミド膜の表面粗さを、放電発光ランプ照射前（試験前）のポリイミド膜の表面粗さを「１」として規格化した値である。この値が小さい程（２以下）、良品であることを意味する。
その結果を表２に示す。
【００９９】
【表２】
2005129420.tif 000004
【０１００】
表２に示すように、実施例の透明導電膜では、試験後のポリイミド膜の表面粗さが２以下に抑えられた。これに対して、比較例２の透明導電膜では、試験後のポリイミド膜の表面粗さが２を超えた。
この結果は、比較例２の透明導電膜では、第２の層を有さないことから、第１の層の構成元素であるＩｎがポリイミド膜へ拡散して、これが原因となりポリイミド膜の膜質が劣化したことを示すものである。
【０１０１】
Ｂ．液晶表示装置
次に、所定パターンの透明導電膜を、実施例および各比較例と同様にして形成して、図１に示すような液晶表示装置を製造した。
透明導電膜を、実施例と同様にして形成した液晶表示装置は、応答速度が速く、色ムラ等の発生も認められなかった。
【０１０２】
これに対して、透明導電膜を、比較例１と同様にして形成した液晶表示装置は、透明導電膜の表面抵抗値が２×１０３Ω／□を上回って高いことが原因となり、液晶素子特有のＣＲ時定数の増加、画像信号に対する反応時間の延長（応答速度の低下）を招いた。
また、透明導電膜を、比較例２と同様にして形成した液晶表示装置は、時間の経過とともに、色ムラの発生も生じた。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明の電子デバイスを透過型液晶表示装置に適用した場合の実施形態を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の透明導電膜の縦断面を示す模式図である。
【図３】本発明の透明導電膜の形成方法を説明するための模式図である。
【図４】本発明の透明導電膜の形成方法を説明するための模式図である。
【図５】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１‥‥液晶表示装置  ２‥‥液晶パネル  ２２‥‥第１の基板  ２２１‥‥上面  ２２２‥‥ＴＦＤ素子  ２２３‥‥画素電極  ２２４‥‥信号電極  ２２５‥‥偏光板  ２２８‥‥引き出し部  ２２９‥‥金属層  ２３‥‥第２の基板  ２３１‥‥下面  ２３２‥‥走査電極  ２３３‥‥有色層  ２３４‥‥ブラックマトリックス  ２３５‥‥偏光板  ２４‥‥液晶層  ６‥‥バックライト  ７‥‥基板  ８‥‥透明導電膜  ９‥‥第１の層  ９１‥‥多孔質膜  ９１ａ‥‥導電性粒子  ９１ｂ‥‥空隙  ９２‥‥導電性物質  ９２ａ‥‥第１の液状材料  １０‥‥第２の層  １０ａ‥‥第２の液状材料  １１００‥‥パーソナルコンピュータ  １１０２‥‥キーボード  １１０４‥‥本体部  １１０６‥‥表示ユニット  １２００‥‥携帯電話機  １２０２‥‥操作ボタン  １２０４‥‥受話口  １２０６‥‥送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥回路基板  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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