(57)【要約】【課題】製造工程を煩雑化することなく、十分に小型化・低背化を実現でき、高周波特性に良好な光部品実装用基板とその製造方法を提供すること、およびこれにより高機能化された光モジュールを提供すること。【解決手段】上面に光部品を配設するための開口部１４を有する上部基板１１と、上面に高位置面１２ａおよび低位置面１２ｂを有する下部基板１２とを備えるとともに、上部基板１１の下面と下部基板１２の上面とを、上部基板１１の下面における開口部１４が存在する部位を下部基板１２の高位置面１２ａまたは低位置面１２ｂに対面させた状態で接合して成る光部品実装用基板、およびその製造方法ならびにそれを用いた光モジュールとする。【選択図】  図１
2005019648.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に光部品を配設するための開口部を有する上部基板と、上面に高位置面および低位置面を有する下部基板とを備えるとともに、前記上部基板の下面と前記下部基板の上面とを、前記上部基板の前記開口部の存在する部位が記下部基板の高位置面または低位置面に位置している状態で接合して成ることを特徴とする光部品実装用基板。
【請求項２】
請求項１に記載の光部品実装用基板の製造方法であって、前記上部基板の下面と前記下部基板の上面とを、前記上部基板の下面が前記下部基板の高位置面または低位置面に位置するように接合し、前記上部基板の上面における、前記下部基板の高位置面または低位置面が位置する部位に、光部品を配設するための開口部を異方性エッチングにより形成することを特徴とする光部品実装用基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の光部品実装用基板の開口部に光部品を配設するとともに、前記上部基板または前記下部基板に光半導体素子を前記光部品と光接続可能に配設したことを特徴とする光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば光ファイバ通信や光インターコネクションといった光伝送に用いられる光部品実装用基板およびその製造方法ならびに光モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光通信システムの大容量化および多機能化が求められており、それに伴い光送信器や光受信器などの光デバイスの小型化，高集積化，低コスト化および高速化が要望されている。特に、光モジュールの組立コストを削減する目的で、同一基板上に光ファイバやレンズなどの光学素子、および光半導体素子やその駆動素子などの電子部品を含めた光部品を実装する技術（光ハイブリッド実装技術）が注目されている。
【０００３】
光ファイバやレンズなどの光学素子の位置決め方法としては、単結晶シリコンから成る基板上に、単結晶シリコンの結晶方位を利用して作製された高精度な溝を利用する方法がある。このような溝は、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液などを用いて、決まった結晶面が露出するような異方性エッチングにより形成される。この場合、ミラー指数表記で（１１１）面およびそれと等価な面で形成された断面Ｖ字形状のＶ溝、あるいはＶ溝の底面に（１００）面を残して形成された台形状の溝となる。
【０００４】
これらの高精度に形成された溝に光学素子等を配設することで、同一基板上の導体パターンに実装された光半導体素子などとの光結合を容易にすることができる。
【０００５】
また、こうした光モジュールの高集積化・高速化の要求に伴い、一つのパッケージの中に光半導体素子の駆動回路や複数の電子部品をできるだけコンパクトに内蔵させることが望まれる。
【０００６】
この一例を図６に示す。図６（ａ），（ｂ）において、Ｓはサブアセンブリであり、これは単結晶シリコンから成る基板６１上に、ボールレンズ６２，発光素子６３，モニター用受光素子６４を搭載したセラミックキャリア６５が、Ｖ溝６６や導体パターン６７、段差面６８などを利用して正確な位置に配設されて構成されている。また、サブアセンブリＳは電気回路基板Ｃ上に実装される。この電気回路基板Ｃは、シリコンよりも高周波特性に優れたアルミナなどのセラミック基板や石英基板などの基板６９を用い、この上に電気配線７０を形成し、不図示の駆動用素子および各種電子部品７１，７２が搭載されている。
【０００７】
ここで、サブアセンブリ基板Ｓと電子回路基板Ｃとは、ボンディングワイヤー７３等を用いて電気的な接続をとる構成としている。そして、光学素子の実装基板として加工精度に優れた基板６１の利点と、高周波特性の面で有利なセラミック基板や石英基板などの基板６９の利点とを融合させる構成としている。
【０００８】
しかし、複数の基板を個別に作製することは、組立実装工程が煩雑になるという問題や、作製工程を経るのに必要な強度を各々に持たせるために小型化・低背化に限界があるという問題がある。また、高速動作が要求される光モジュールでは、サブアセンブリ基板Ｓと電気回路基板Ｃとの電気的接続をとるためのボンディングワイヤー７３は、電気的な損失を大きくする問題があり、これを極力取り除くことが求められている。
【０００９】
このような問題を解消するために、光半導体素子およびこれに光接続させる光学素子を配設するためのサブ基板と、このサブ基板より誘電率が小さくサブ基板より広いベース基板とを備え、光半導体素子へ通電するための導体パターンがサブ基板からベース基板へ連続して形成された光部品実装用基板が提案されている（特許文献１を参照）。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００３−４３３０９号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１に開示された技術は、平坦なベース基板にサブ基板を接合したものにすぎないために、小型化・低背化が十分になされたものではなかった。また、小型化・低背化を図るために、ベース基板に段差部を形成しようとすれば、電極配線形成前にダイシングなどの段差部形成工程が必要となり工程が煩雑となる上にエッチングで形成するような平坦な斜面を形成するのは困難であり、サブ基板からベース基板までの連続した導体膜の形成にも問題を生じる上、異なる高さの面を形成するにはサブ基板にそれぞれの高さに応じたエッチング工程を行なう必要があり、マスク膜の成膜、フォトリソグラフィー、エッチングといったマスク膜のパターニングから基板のエッチングまでの一連の溝および斜面形成工程を繰り返し行なわなければならないため、これもまた工程の煩雑化につながるものだった。
【００１２】
そこで本発明では、上述の諸問題を解消し、製造工程を煩雑化することなく、十分に小型化・低背化を実現でき、高周波特性にも好適な光部品実装用基板およびその製造方法が提供可能とすること、ならびに、これにより高機能化された光モジュールを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の光部品実装用基板は、１）上面に光部品を配設するための開口部を有する上部基板と、上面に高位置面および低位置面を有する下部基板とを備えるとともに、前記上部基板の下面と前記下部基板の上面とを、前記上部基板の前記開口部の存在する部位が前記下部基板の高位置面または低位置面に位置している状態で接合して成ることを特徴とする。
【００１４】
また、２）１）の構成において、前記上部基板に高周波用の電子部品を配設するとともに、該電子部品に通電するための導体が前記上部基板および前記下部基板に連続して形成されてあり、かつ前記下部基板の誘電率が前記上部基板の誘電率よりも小さいこととしてもよい。これにより、高周波特性に好適な光部品実装用基板を提供できる。
【００１５】
また、３）１）の構成の光部品実装用基板の製造方法は、前記上部基板の下面と前記下部基板の上面とを、前記上部基板の下面が前記下部基板の高位置面または低位置面に位置するように接合し、前記上部基板の上面における、前記下部基板の高位置面または低位置面が位置する部位に、光部品を配設するための開口部を異方性エッチングで形成することを特徴とする。
【００１６】
また、４）本発明の光モジュールは、１）または２）の光部品実装用基板の開口部に光部品を配設するとともに、前記上部基板または前記下部基板に光半導体素子を前記光部品と光接続可能に配設したことを特徴とする。
【００１７】
なお、上部基板が異方性エッチングにより形成された斜面を有しており、上部基板の上面からこの斜面を通って下部基板の上面まで連続した導体パターンが形成されていることを特徴とする。
【００１８】
また、上部基板の開口部が異方性エッチングにより形成されていることを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態について模式的に図示した図面に基づき、詳細に説明する。
【００２０】
図１（ａ）に本発明に係る光部品実装用基板の平面図を、図１（ｂ）に図１（ａ）のＡ−Ａ線端面図を示す。
【００２１】
本発明の光部品実装用基板は、上面に光部品を配設するための開口部１４を有する上部基板１１と、上面に高位置面１２ａおよび低位置面１２ｂを有する下部基板１２とを備えるとともに、上部基板１１の下面と下部基板１２の上面とを、上部基板１１の下面における開口部１４が存在する部位を下部基板１２の高位置面１２ａまたは低位置面１２ｂ（この実施形態では低位置面１２ｂ）に対面させた状態で接合して成るものである。すなわち、光部品（半導体レーザーなどの光半導体素子等の高周波用（特に、数ＧＨｚ以上）の電子部品およびこれに光結合させる光ファイバやレンズなどの光学素子等）を配設するための上部基板１１と、上部基板１１の下面に接合されている、１つ以上の段差部１３を有する下部基板１２とを備える。上部基板１１には後記する光学素子を配設するための開口部（断面が台形状のガイド溝）１４および端部に斜面１５が形成されており、後記する光半導体素子に通電するための導体パターンである電気配線１７や薄膜抵抗体１８などの導体パターン１９が上部基板１１の上面から斜面１５を通って下部基板１２の上面へ連続して形成されている。
【００２２】
以下に上記の構成についてより具体的に説明する。上部基板１１の上面に設ける光学素子配設用の開口部１４と、上部基板１１の一部に設ける導体パターン配設用の斜面１５とは、共に異方性エッチングにより高精度に形成されている。具体的には、上部基板１１として、その主面が異方性エッチングが可能な、例えばミラー指数表記で（１００）面の面方位を持つ単結晶シリコンを用い、アルカリ水溶液による異方性エッチングで（１１１）面およびこの面に等価な面で構成された開口部１４および同様な結晶面を有する斜面１５が形成される。また、この実施形態のように、上部基板１１には必要に応じてその下面（裏面）に段差部を形成してもよい。この段差部の形成は、異方性エッチングでも可能であるし、ダイシングによる加工でも良い。このようにして、上部基板１１の下面に段差部１３’を形成し、この段差部１３’を下部基板１２の段差部１３に合致させることで、全体のよりいっそうの低背化・小型化を図ることができる。
【００２３】
下部基板１２は、上部基板１１よりも高周波特性に優れた、誘電率や誘電損失が小さい材料とする（上部基板１１が単結晶シリコン（比誘電率：１２）であれば、それよりも誘電率が小さいアルミナや窒化アルミニウム、ジルコニア、酸化シリコン、ガラスセラミックなどとする）。下部基板１２の表面に形成する段差部１３は、ガラスセラミックなどの比較的低温（１０００℃より低い温度）で焼結される材料であれば、上部基板１１の裏面に段差部を形成し、下部基板１２の焼結前に上部基板１１の裏面に下部基板１２の表面を押し当てて形成可能であるし、下部基板１１が１０００℃以上の高温で作製される場合は、焼結前に段差部１３を成形してから焼結を行うことで段差部１３を簡便に作製できる。なお、平板の下部基板１２にダイシング加工などにより段差部１３を形成してもよい。
【００２４】
上部基板１１と下部基板１２の接合は、熱処理による直接的な接着（ダイレクトボンディング）でもよいし、接着剤を用いた接合を行なってもよい。
【００２５】
上部基板１１には、光ファイバやレンズ等の光学素子を実装するために、アルカリ水溶液による異方性エッチングで形成された（１１１）面およびその面に等価な面と、下部基板１２の上面とで囲まれた断面台形状の開口部１４が形成されており、その一端には光路を妨げない目的で形成された開口部１４の一部を削り取った光路確保用段差１６が設けられている。
【００２６】
また、上部基板１１は、同じく異方性エッチングにより下部基板１２の上面の一部が露出されるように除去されており、その境界においては、（１１１）面または（１１１）面に等価な面の結晶方位を持つ斜面１５が形成されている。この斜面１５を介して、上部基板１１と下部基板１２の表面には連続した導体パターン（電気配線１７）が形成されている。
【００２７】
導体パターン（電気配線１７）の一部には、光半導体素子である発光素子を実装した際の高速動作時における特性を安定化させる目的で終端抵抗としての薄膜抵抗体１８が形成されており、また光半導体素子を実装するためのはんだ膜２０も形成されている。導体パターン（電気配線１７）の大部分をなす電極配線１７には、下層／上層で、Ｔｉ（チタン）／Ａｕ（金），Ｔｉ／Ｐｔ（白金）／Ａｕ，Ｔｉ／Ｐｄ（パラジウム）／Ａｕ，Ｃｒ（クロム）／Ａｕ，Ｃｒ／Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕのいずれかが使用可能であり、薄膜抵抗体１８にはＴａ２ＮやＮｉ−Ｃｒ合金などが使用可能であり、さらに、はんだ膜２０にはＡｕ−Ｓｎ（スズ）はんだ、Ｐｄ−Ｓｎはんだが使用可能である。
【００２８】
かくして、上部基板１１と段差部を有する下部基板１２を貼り合わせ、かつワイヤーボンディングを省略するために、上部基板１１と下部基板１２との境界に傾斜した斜面１５を有する構造にすることにより、作製工程および組立実装工程が簡便で、光部品の実装精度が良好な光部品実装用基板を提供することが可能となる。また、下部基板１２として誘電率や誘電損失が小さい材料を用いることにより、高周波特性に優れた光部品実装用基板を提供することが可能となる。すなわち、上部基板１１に光半導体素子のような高周波用の電子部品を配設し、このような電子部品に通電するための導体である電気配線１７が上部基板１１および下部基板１２に連続して形成され、上部基板１１の誘電率よりも小さい誘電率をもつ下部基板１２上に電気配線１７を形成することで、高周波特性に優れた光部品実装用基板を提供することが可能となる。
【００２９】
図２（ａ）に本発明に係る光モジュールの平面図を、図２（ｂ）に図２（ａ）のＡ−Ａ線端面図を示す。
【００３０】
本発明の光モジュールは、上述した光部品実装用基板を備えた光モジュールであり、上部基板１１または下部基板１２に配設した光半導体素子と、光部品とを光接続可能に構成したものである。すなわち、上部基板１１上に光半導体素子およびこれに光結合させる光学素子を配設し、下部基板１２に光半導体素子を駆動するための電子部品を導体パターン（電気配線１７）に接続させた状態で配設したことを特徴とする。
【００３１】
具体的には、図１に示した上部基板１１の開口部１４にはコリメート光を得るためまたは集光させるための光学素子であるボールレンズ２１が、はんだ膜２０の上には光半導体素子である発光素子２２がそれぞれ搭載されることで、光結合が高精度に実現されている。また、下部基板１２にはコンデンサーやコイルなどの電子部品２３，２４が搭載されており、発光素子２２を駆動するための電気回路が形成されている。また、発光素子２２のモニター用の受光素子２５が実装された、例えばアルミナからなるセラミックキャリア２６が下部基板１２上に搭載されている。
【００３２】
このような光モジュールの構成によれば、小型低背化を実現した、ワイヤーボンディングでの電気的な損失が無く、高効率な光結合が可能で高周波特性に優れた光モジュールの提供を可能とする。
【００３３】
次に、図３に基づいて本発明に係る光部品実装用基板の製造方法の実施形態について説明する。
【００３４】
本発明では、上面に高位置面および低位置面を有する下部基板３２の高位置面と、上部基板３１の下面とを接合するとともに、下部基板３２の低位置面と上部基板３１の下面とを対面させた状態で、上部基板３１の下部基板３２の低位置面または高位置面が位置する部位に光部品を配設するための開口部３４を異方性エッチングで形成することを特徴とする。すなわち、例えば少なくとも下部基板３２となる一方の主面に段差部３３を設けた２枚の基板３１，３２を埋め込みまたは貼り合わせにより接合させて、上部基板３１に開口部（ガイド溝）３４と斜面３５を形成するための異方性エッチングを行い、下部基板３２の表面を露出させる工程と、前記上部基板３１の表面から前記上部基板３１の斜面３５を経て前記下部基板３２の表面に連続した導体パターン３９を形成する工程とを含む。
【００３５】
図３は、上部基板３１と下部基板３２の両方に段差部３３、３３’を設ける形で両者を接合した例である。
【００３６】
まず、図３（ａ１）、（ｂ１）に示すように、上部基板であり放熱性に優れた単結晶シリコン基板３１（厚み０．１〜１．０ｍｍ）の裏面にダイシングにより所定深さの段差部３３’（０．１〜０．８ｍｍ）を形成する。その後、下部基板であり単結晶シリコン基板３１との貼り合わせを好適に実現でき、異方性エッチングに用いる薬液への耐性に優れたガラスセラミック基板３２（厚み０．３〜１．０ｍｍ）をウエハーレベルで貼り合わせる。このとき、ガラスセラミック基板３２は焼結前の状態で単結晶シリコン基板３１の裏面に押し当てられることにより、ガラスセラミック基板３２の上面に単結晶シリコン基板３１の裏面の段差部３３’と勘合する段差部３３が形成される。
【００３７】
次に、図３（ａ２）、（ｂ２）に示すように、単結晶シリコン基板３１に、ＫＯＨ水溶液などのアルカリ水溶液を用いた異方性エッチングを行うことにより、図２と同様な開口部３４と斜面３５が形成される。
【００３８】
この時、単結晶シリコン基板３１の厚みと段差部３３，３３’の深さをあらかじめ設定しておくことにより、１回のエッチング工程のみであらゆる光学的な設計における開口部３４の深さや下部基板３２からの高さにも応じることができる。
【００３９】
例えば、上部基板３１の表面から１０μｍの高さに光軸を設定した場合、開口部３４に直径１ｍｍのボールレンズ２１を配設するときの開口部３４の幅は約１２１０μｍで、その時の開口部３４とボールレンズ２１の接点は上部基板３１表面から下へ約２８０μｍの深さの位置となり、その時のボールレンズ２１の最下点は約４９０μｍとなる。この時、発光素子２２のモニター用の受光素子２５が実装された、例えばアルミナからなるセラミックキャリア２６を下部基板３２に配設した時の光軸の高さが下部基板３２表面（セラミックキャリア２６底面）から３００μｍとすると、開口部３４部には約４９０μｍの上部基板３１の厚みが必要であるのに対し、下部基板３２のセラミックキャリア２６を搭載する表面から上部基板３１の表面までの高さは３００μｍ（下部基板３１表面からの光軸高さ）−１０μｍ（上部基板３１表面からの光軸高さ）＝２９０μｍとなるため、段差部３３、３３’の深さは４９０−２９０＝２００μｍ程度となる。あらかじめ上部基板３１の厚みと段差部３３，３３’の深さを上述のように設定することで、ガラスセラミック基板３２のＫＯＨ水溶液でのエッチングレートは非常に小さく、単結晶シリコン基板３１のエッチングはガラスセラミック基板３２表面で停止させることができるため、非常に高精度な開口部３４の形成が可能になるという利点がある。また、段差部を３３，３３’を形成せずに平板基板を用いた場合、基板全体の厚みは上部基板３１の最大厚み４９０μｍと下部基板厚み２００μｍ＋α（αは開口部３４部の下部基板厚み）を足し合わせた６９０μｍ＋αとなるが、段差部３３，３３’を重ね合わせる分、基板全体の高さを４９０μｍ＋αと低くできるため、低背化の利点もある。
【００４０】
また、従来の方法であれば、異なる底面深さの溝を異方性エッチングで形成するには、エッチング時間のみを変更した同じ工程を繰り返し行う必要があるのに対し、本発明では、上部基板である単結晶シリコン基板３１厚みと段差部深さ３３，３３’をあらかじめ設定するだけで、１回のエッチング工程で異なる深さの下部基板のガラスセラミック基板３２の表面が得られるため、工程が短縮され低コスト化が可能となる。
【００４１】
次に、図３（ａ３），（ｂ３）に示すように、単結晶シリコン基板３１とガラスセラミック基板３２の表面に電気配線３７（厚み０．３〜２．０μｍ）、薄膜抵抗体３８（抵抗値５〜５０Ω）、はんだ膜４０（厚み１．０〜１０μｍ）などの導体パターン３９を形成する。
【００４２】
最後に、図３（ａ４），（ｂ４）に示すように、光路確保用段差３６をダイシングソーなどで形成し、同じくダイシングソーでチップに分断することで、本発明の光部品実装用基板が完成する。
【００４３】
このような作製工程をとることにより、ガラスセラミック基板３２上の単結晶シリコン基板３１に異なる深さの段差部が存在するものの同時プロセスで形成することが可能となり、かつウエハ単位で多数個同時に一度のプロセスで一括作成することができ、工程が削減できるという利点を有する。
【００４４】
図４に、本発明に係る他の光部品実装用基板の作製方法の実施例について説明する。
【００４５】
図４は、上部基板である単結晶シリコン基板４１は平坦な裏面を有し、下部基板である石英基板４２のみに段差部４３を設ける形で両者を接合した例である。
【００４６】
この場合、上部基板としては同じく単結晶シリコン基板４１（厚み０．１〜１．０ｍｍ）を用い、段差部４３を設けた下部基板には、単結晶シリコン基板４１とのダイレクトボンディングの際の高温に耐え、異方性エッチングの耐性に優れた石英基板４２（厚み０．３〜１．０ｍｍ）を用いる。
【００４７】
まず、図４（ａ１），（ｂ１）に示すように、単結晶シリコン基板４１と石英基板４２をウエハーレベルで貼り合わせる。石英基板４２には、あらかじめ必要な深さの段差部４３が形成されている。
【００４８】
次に、図４（ａ２），（ｂ２）に示すように、単結晶シリコン基板４１の表面をＫＯＨ水溶液などのアルカリ水溶液を用いた異方性エッチングを行うことにより、開口部４４と斜面４５が形成される。
【００４９】
この時、単結晶シリコン基板４１の厚みと段差部４３の深さをあらかじめ設定しておくことにより、１回のエッチング工程のみであらゆる光学的な設計における開口部４４の深さや下部基板４２からの高さにも応じることができる上、更にエッチング時間の短縮も可能となるため、更に低コスト化が可能となる。
【００５０】
具体的に上述（図３）の例で用いた数値で説明すると、光軸高さが上部基板４１表面から１０μｍの高さであり、配設するボールレンズ２１の直径を１ｍｍ、下部基板である石英基板４２の段差を２００μｍとしたとき、上部基板である単結晶シリコン基板４１に必要な厚みは、開口部４４とボールレンズ２１の接点から約２８０μｍ、セラミックキャリア２６に搭載した受光素子２５の光軸高さから２９０μｍとなり、この場合、厚い方の２９０μｍが上部基板４１厚みとなる。この時の開口部４４および斜面４５のエッチングは、例えばＫＯＨ水溶液を濃度４８重量％，温度６０℃の条件で用いた場合、深さ方向のエッチングレートから約３２時間のエッチング時間となり、図３におけるエッチング時間の５４時間と比較して約２２時間も工程を短縮できる。
【００５１】
基板全体の厚みとしては、２９０μｍ（単結晶シリコン基板４１厚み）＋２００μｍ（段差部４３）＋α（ボールレンズ２１配設部の石英基板４２厚み）＝４９０μｍ＋αとなり、上述の例と同様、段差部を設けない場合と比べて低背化が可能となっている。
【００５２】
次に、図４（ａ３），（ｂ３）に示すように、単結晶シリコン基板４１と石英基板４２の表面に電気配線３７（厚み０．３〜２．０μｍ）、薄膜抵抗体３８（抵抗値５〜５０Ω）、はんだ膜４０（厚み１．０〜１０μｍ）などの導体パターン３９を形成する。
【００５３】
最後に、図４（ａ４），（ｂ４）に示すように、光路確保用段差４６をダイシングソーなどで形成し、同じくダイシングソーでチップに分断することで、本発明の光部品実装用基板が完成する。
【００５４】
上述した本発明に係る光部品実装用基板の作製方法を用いた時の光モジュールの平面図を図５（ａ）に示す。図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ線端面図である。このような構成の光モジュールによれば、図２に示した光モジュール同様、小型低背化を実現し、且つ、ワイヤーボンディングでの電気的な損失が無く、高効率な光結合が可能で高周波特性に優れた光モジュールを提供することができる。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１の光部品実装用基板によれば、上面に光部品を配設するための開口部を有する上部基板と、上面に高位置面および低位置面を有する下部基板とを備えるとともに、前記上部基板の下面と前記下部基板の上面とを、前記上部基板の前記開口部が存在する部位を前記下部基板の高位置面または低位置面に位置させた状態で接合して成るので、全体的に低背化・小型化を実現することができる。ここで、前記上部基板に高周波用の電子部品を配設し、該電子部品に通電するための導体が前記上部基板および前記下部基板に連続して形成されてあり、前記下部基板の誘電率が前記上部基板の誘電率よりも小さい場合には、ワイヤーボンディングによる接続を極力排除することにより、高周波特性に好適な光部品実装用基板を提供できる。
【００５６】
また、請求項２の光部品実装用基板の製造方法によれば、前記上部基板の下面と前記下部基板の上面とを、前記上部基板の下面が前記下部基板の高位置面または低位置面に位置するように接合し、前記上部基板の上面における、前記下部基板の高位置面または低位置面が位置する部位に、光部品を配設するための開口部を異方性エッチングで形成するので、ウエハーレベルで光部品実装用基板を一括して作製することが可能となり、また、１回のエッチング工程であらゆる光軸高さ設計にも対応できるため、工程の簡略化および短縮が可能で、高精度な開口部や段差部を有する複雑な光部品実装用基板を迅速に提供できる。
【００５７】
さらに、請求項３の光モジュールによれば、請求項１または請求項２の光部品実装用基板において、光部品実装用基板の開口部に光部品を配設するとともに、前記上部基板または前記下部基板に光半導体素子を前記光部品と光接続可能に配設したので、高精度に光部品を配設することが可能で、電気的な損失の小さい優れた光モジュールを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明に係る光部品実装用基板の実施形態を模式的に説明するための平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線端面図である。
【図２】（ａ）は本発明に係る光モジュールの実施形態を模式的に説明するための平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線端面図である。
【図３】本発明に係る光部品実装用基板の実施形態を模式的に説明するための図であり、（ａ１）〜（ａ４）はそれぞれ平面図、（ｂ１）〜（ｂ４）はそれぞれ（ａ１）〜（ａ４）のＡ−Ａ’線端面図である。
【図４】本発明に係る他の光部品実装用基板の実施形態を模式的に説明するための図であり、（ａ１）〜（ａ４）はそれぞれ平面図、（ｂ１）〜（ｂ４）はそれぞれ（ａ１）〜（ａ４）のＡ−Ａ’線端面図である。
【図５】（ａ）は本発明に係る他の光部品実装用基板の実施形態をもちいた光モジュールを模式的に説明するための平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線端面図である。
【図６】（ａ）は従来の光モジュールの実施形態を模式的に説明するための平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線端面図である。
【符号の説明】
１１，３１，４１：上部基板
１２，３２，４２：下部基板
１３，１３’，３３，４３：段差部
１４，３４，４４：開口部（ガイド溝）
１５，３５，４５：斜面
１６，３６，４６：光路確保用段差
１７，３７：電気配線
１８，３８：薄膜抵抗体
１９，３９：導体パターン
２０，４０：はんだ膜
２１：ボールレンズ
２２：発光素子
２３，２４：電子部品
２５：受光素子
２６：セラミックキャリア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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