(57)【要約】【課題】被処理体例えば半導体ウエハＷの径方向の温度調整を行なうことにより、被処理体の径方向の温度分布の発生を抑えて被処理体を昇温すること。【解決手段】ウエハＷを保持するための水平方向に回転自在に設けられた載置部と対向するように、ウエハＷを加熱するための加熱ユニットを設ける。この加熱ユニット５は、ウエハＷに光を照射することによってこのウエハＷを加熱するための、両端に給電部を有するダブルエンドの円弧状ランプ６を備えていて、この円弧状ランプ６を周方向に配列することによりリング状ランプを形成し、こうして形成された複数の大きさの異なるリング状ランプが同心円状に配列されている。このような構成では、径方向の照度の調整がしやすいので、ウエハＷの径方向の温度調整を行うことができる。【選択図】  図２
2005222962.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を保持するための載置部と、
前記載置部に保持された被処理体と対向するように設けられ、この被処理体を加熱するための加熱手段と、を備えた熱処理装置において、
前記加熱手段は、被処理体に光を照射することにより、この被処理体を加熱するための、両端に給電部を有する棒状ランプを備え、
前記棒状ランプが、中心の位置が同じであり、大きさの異なる複数の略環状の発光領域を形成するように配列されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
前記略環状の発光領域は、円形状の発光領域であり、複数の大きさの異なる円形状の発光領域が同心円状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記略環状の発光領域は、円弧状の棒状ランプを周方向に配列して形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の熱処理装置。
【請求項４】
前記略環状の発光領域は、多角形状の発光領域であることを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
【請求項５】
前記多角形状の発光領域は、直管状の棒状ランプを周方向に配列して形成されていることを特徴とする請求項４記載の熱処理装置。
【請求項６】
被処理体を保持するための載置部と、
前記載置部に保持された被処理体と対向するように設けられ、この被処理体を加熱するための加熱手段と、を備えた熱処理装置において、
前記加熱手段は、被処理体に光を照射することにより、この被処理体を加熱するための、両端に給電部を有する棒状ランプと、
被処理体に光を照射することにより、この被処理体を加熱するための、一端に給電部を有する略球状ランプと、を備え、
中心の位置が同じであり、大きさの異なる複数の略環状の発光領域を形成するように棒状ランプを配列し、この棒状ランプの外側に前記略球状ランプを配列し、被処理体の中央領域の加熱は前記棒状ランプで行い、中央領域の外側の周縁領域の加熱は前記略球状ランプで行うことを特徴とする熱処理装置。
【請求項７】
前記加熱手段は、前記載置部と相対的に水平な方向に回転できるように設けられ、前記被処理体と前記加熱手段とを相対的に回転させて被処理体を加熱することを特徴とする請求項１，２，３，４，５又は６記載の熱処理装置。
【請求項８】
載置部に保持された被処理体を、この被処理体と対向するように設けられた加熱手段により加熱して熱処理を行う熱処理方法において、
加熱手段は、被処理体に光を照射することにより、この被処理体を加熱するための、両端に給電部を有する棒状ランプを含み、この棒状ランプにより、中心の位置が同じであり、大きさの異なる複数の略環状の発光領域を形成し、これにより被処理体を加熱する工程を含むことを特徴とする熱処理方法。
【請求項９】
載置部に保持された被処理体を、この被処理体と対向するように設けられた加熱手段により加熱して熱処理を行う熱処理方法において、
加熱手段は、被処理体に光を照射することにより、この被処理体を加熱するための、両端に給電部を有する棒状ランプと、被処理体に光を照射することにより、この被処理体を加熱するための、一端に給電部を有する略球状ランプと、を含み、前記棒状ランプにより、中心の位置が同じであり、大きさの異なる複数の略環状の発光領域を形成し、この棒状ランプの外側に前記略球状ランプにより発光領域を形成し、これにより被処理体の中央領域の加熱は前記棒状ランプで行い、中央領域の外側の周縁領域の加熱は前記略球状ランプで行なうことにより、被処理体を加熱する工程を含むことを特徴とする熱処理方法。
【請求項１０】
載置部に保持された被処理体と、前記加熱手段とを相対的に水平な方向に回転させて、被処理体を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項８又は９記載の熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理体をランプにより加熱して、アニールやＣＶＤ（Chemical  Deposition：化学気相成長法）を行う熱処理装置及びその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造装置の一つとして、半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）をランプにより加熱して、アニールやＣＶＤ行う枚葉式の熱処理装置がある。このような熱処理装置の一例として、例えば図７に示すように、ウエハＷを載置するための載置台１１と、この載置台１１と対向するように配列されたランプ１２と、を備え、側方から排気をしながら所定の処理ガスを供給して、ウエハＷを所定の温度で加熱し、アニールを行う構成が知られている。この場合均一な加熱が必要であることから、例えば載置台１１は例えばステッピングモータ１３により垂直軸回りに回転自在に構成され、ウエハＷとランプ１２とが相対的に回転されるようになっている。図中１４は例えば石英よりなる透過窓である。
【０００３】
ここでランプ１２はウエハＷを均一に加熱するように配列されるが、給電部が一端側にあるシングルエンドランプを用いた場合には、例えば図８に示すように、細長いランプ１２ａをウエハＷと略直交に、ランプ１２ａの先端（給電側と反対側）をウエハＷに向けて、例えばウエハＷと対向する面内において互いに半径の異なる３つの同心円のそれぞれの周に沿って配置されている。この際ランプ１２ａは、ランプ１２ａから照射される光を反射するための反射板１６に形成された所定形状の凹部１７ａ内に設けられている。
【０００４】
また給電部が両端にあるダブルエンドの直管状の棒状ランプ１２ｂを用いた場合には、例えば図９に示すように、ウエハＷと対向する面内において所定の間隔を開けて互いに平行に配列されている。この構成においても、前記ランプ１２ｂは、反射板１６に形成された所定形状の凹部１７ｂ内に設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで上述の熱処理装置では、ランプ１２の性質が処理に影響を与えるが、シングルエンドランプ１２ａを用いた場合には、細長いランプをウエハＷと直交するように配列しているので、照射範囲が狭くなる。つまりランプ１２ａからは、ランプ１２aの側方側及び先端側から光が放射されるが、このランプ１２ａから直接ウエハＷに照射されるのは、ウエハＷと対向する領域である先端側からの光であり、側方側からの光は図１０(a)に示すように、反射板１６の凹部１７ａで反射されてウエハＷに到達する。ここで凹部１７ａの形状は、ウエハＷを均一に加熱するように決定されるが、このランプ１２ａではいわばスポット状に光を放射することになるので、図１０(b)に示すように照射範囲が狭い。
【０００６】
ここでウエハＷは周縁側の方が放熱量が大きいため温度が低くなり、径方向に温度分布が発生するので、ランプ１２では径方向の温度分布を調整することが要求されている。またこのようなランプ１２を用いてウエハＷを加熱する場合には、ランプの照射量よりウエハＷの温度が調整され、ランプの照度分布の制御によりウエハＷの温度分布が調整される。
【０００７】
シングルエンドのランプ１２ａでは、既述のように照射範囲が狭いので、各ランプ１２ａに供給する電力や反射板１６の凹部１７ａの形状を調整することで照度分布をウエハＷの面内において任意に調整できて、高い配光性が得られ、これによりウエハＷの径方向の温度分布の調整がしやすく、この意味で制御性が良好である。
【０００８】
しかしながら既述のように、ランプ１２ａのウエハＷと対向する領域が狭くて、直接ウエハＷに照射される光が少なく、反射板で反射される光が多いので、ロスが大きく効率が悪いという欠点がある。
【０００９】
一方ダブルエンドのランプ１２ｂを用いた場合には、断面が円形の直管状のランプ１２ｂを長さ方向がウエハＷと対向するように、平行に配列しているので、照射範囲が広くなる。つまりランプ１２ｂからはランプ１２ｂを中心とした同心円状に光が放射され、ウエハＷと対向する領域からはウエハＷに直接光が照射されるが、この領域からの光は広がった状態でウエハＷに到達する。
【００１０】
このようにこのランプ１２ｂを用いた場合には、ランプ１２ｂのウエハＷと対向する領域が広く、この領域から直接ウエハＷに照射される光が多いので、反射によるロスが小さく、効率が良い。
【００１１】
しかしながら、既述のようにランプ１２ｂから直接ウエハＷに到達する光の照射範囲が広いので、反射板１６の凹部１７ｂの形状を調整しても照射範囲を調整することが難しく、配光性が悪いという欠点がある。このため図１１に示すように、ランプ１２ｂ毎に供給する電力を調整することでＹ方向の照度分布の調整はできるが、Ｘ方向の照度分布は調整できず、適切な照度分布を形成することは困難であり、ウエハＷの径方向の温度分布の補正には対応できないという欠点がある。また図の斜線部のようにウエハＷと対向する領域の外側の領域から放射される光は加熱処理には利用されず、エネルギー的には損失となる。
【００１２】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、被処理体の径方向の温度調整を行うことにより、高い面内温度均一性を確保した状態で被処理体を加熱することができる熱処理装置及びその方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
このため本発明の熱処理装置は、被処理体を保持するための載置部と、
前記載置部に保持された被処理体と対向するように設けられ、この被処理体を加熱するための加熱手段と、を備えた熱処理装置において、
前記加熱手段は、被処理体に光を照射することにより、この被処理体を加熱するための、両端に給電部を有する棒状ランプを備え、
前記棒状ランプが、中心の位置が同じであり、大きさの異なる複数の略環状の発光領域を形成するように配列されていることを特徴とする。
このような構成では、棒状ランプにより略環状の発光領域を形成しているので、被処理体の径方向の照度分布が調整でき、これにより被処理体の径方向の温度調整を行うことができる。
【００１４】
ここで前記略環状の発光領域は、円形状の発光領域であり、複数の大きさの異なる円形状の発光領域が同心円状に形成されているものであってもよく、この場合円弧状の棒状ランプを周方向に配列して円形状の発光領域が形成される。また前記略環状の発光領域は、多角形状の発光領域であってもよく、この場合直管状の棒状ランプを周方向に配列して発光領域が形成される。
【００１５】
また本発明の熱処理装置は、被処理体を保持するための載置部と、
前記載置部に保持された被処理体と対向するように設けられ、この被処理体を加熱するための加熱手段と、を備えた熱処理装置において、
前記加熱手段は、被処理体に光を照射することにより、この被処理体を加熱するための、両端に給電部を有する棒状ランプと、
被処理体に光を照射することにより、この被処理体を加熱するための、一端に給電部を有する略球状ランプと、を備え、
中心の位置が同じであり、大きさの異なる複数の略環状の発光領域を形成するように棒状ランプを配列し、この棒状ランプの外側に略球状ランプを配列し、被処理体の中央領域の加熱は前記棒状ランプで行い、中央領域の外側の周縁領域の加熱は前記略球状ランプで行うことを特徴とする。
このような構成では、被処理体の中央領域の外側の周縁領域の加熱は前記略球状ランプで行なっており、この略球状ランプは高密度で配列でき、しかも照度分布の調整がしやすいので、被処理体の周縁領域と中央領域との温度分布の発生を抑えた状態で被処理体を加熱することができる。
【００１６】
ここで前記加熱手段を、前記載置部と相対的に水平な方向に回転できるように設け、被処理体と加熱手段とを相対的に回転させて被処理体を加熱するようにすると、被処理体をより均一に加熱することができる。
【００１７】
このような熱処理装置では、載置部に保持された被処理体を、この被処理体と対向するように設けられた加熱手段により加熱して熱処理を行う熱処理方法において、
加熱手段は、被処理体に光を照射することにより、この被処理体を加熱するための、両端に給電部を有する棒状ランプを含み、この棒状ランプにより、中心の位置が同じであり、大きさの異なる複数の略環状の発光領域を形成し、これにより被処理体を加熱する工程を含む熱処理方法が実施される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る熱処理装置の実施の形態を示す縦断面図である。２は例えばアルミニウム（Ａ５０５２）からなる扁平な処理容器であり、内側面の横断面形状が円形に形成されている。処理容器２の底部の周縁側はリング状の溝部２１として形成されており、この溝部２１の中には内輪部３１が設けられている。この内輪部３１は前記溝部２１の内壁に軸受部４１を介して垂直軸回りに回転自在に保持されている。内輪部３１の上端部には、被処理体であるウエハＷの周縁部を保持するリング状の例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）よりなる載置部２２が設けられており、内輪部３１と一体となって回転する。
【００１９】
一方前記溝部２１を形成するハウジング２３の一部が下方側に伸びており、当該ハウジング２３の外側には外輪部３２が例えば上下２段に設けられた軸受部４２，４３を介して垂直軸回りに回転自在に保持されている。ここで前記軸受部４１，４２及び４３は何れも真空用のセラミックス軸受けであって同様の構造であり、軸受部４３を代表してその構造を説明すると、耐摩耗性、耐高熱性、耐腐食性に優れた窒化ケイ素よりなるボール４３ａを自己潤滑性がある材質例えばフッ素樹脂よりなる保持器４３ｂの中に収納して構成されている。
【００２０】
前記内輪部３１及び外輪部３２には夫々磁極部３３及び３４が設けられ、これら磁極部３３，３４は互いに前記ハウジング２３の隔壁２４の内側及び外側に配置されて磁気カップリングを構成している。隔壁２４は非磁性材料である例えばアルミニウムや非磁性鋼（例えばＳＵＳ３０４）から構成される。例えば内輪部３１は高透磁率材料であるマルテンサイト系ステンレス鋼（ＳＵＳ４４０Ｃ）より構成され、外周に沿って多数例えば６０個の矩形状の突起（図示せず）が形成されている。この突起は前記磁極部３３に相当するものである。
【００２１】
また外輪部３２には、周方向に沿って磁極部３４に相当するネオジウム磁石よりなる永久磁石（図示せず）が前記内輪部３１の磁極部３３に対応して例えば８０個設けられている。前記外輪部３２の外周面にはギヤ部３５が形成されており、このギヤ部３５は駆動部であるステッピングモータ３６のギヤ部３７と歯合していて、ステッピングモータ３６の駆動により外輪部３２が回転するように構成されている。
【００２２】
図１に説明を戻すと、処理容器の前記溝部２１を形成するハウジング２３の外部寄りの部位にはパージガス例えば窒素（Ｎ2）ガスの供給路４４が形成されており、その先端は溝部２１における軸受部４１の直ぐ上に連通している。また溝部２１の内側本体部分２３には、パージガスの排気路４５が例えば周方向に複数形成されている。パージガスは図示しないガス供給管から前記供給路４４を介して前記溝部２１内に入り込み、軸受部４１内を通って排気路４５を介して図示しない排気管から排気される。
【００２３】
前記ウエハＷの下方側の処理容器２の底部には、図示しないがウエハＷを突き上げて処理容器２の外の搬送アームとの間で受け渡しを行うためのリフトピンが設けられている。前記処理容器２のウエハＷよりも少し上側の側壁には、処理ガスを供給するための例えば横長のスリット状のガス供給路２３及び処理ガスを排気する排気路２４が互いに対向する位置に形成されている。排気路２４は、処理容器２の側壁から外側に突出する排気室２５を介して排気管２６に接続されている。
【００２４】
前記処理容器１の天井部には、例えば石英よりなる透過窓５０が設けられており、この透過窓５０の上側には加熱ユニット５が設けられている。この加熱ユニット５は、例えばウエハＷよりも大きく構成されており、例えば加熱手段をなすウエハＷに光を照射することにより、当該ウエハＷを加熱するための、両端に給電部を有するダブルエンドのランプ６と、反射板５１とを備えている。ここで本発明ではダブルエンドのランプ６が特許請求の範囲の棒状ランプに相当する。図中５２はランプ６の電力供給系を収納した筐体である。
【００２５】
前記ランプ６としては、例えばハロゲンランプが用いられ、このランプ６は中心の位置が同じであり、大きさの異なる複数の略環状の発光領域を形成するように、つまりこの例ではウエハＷの中心点に相当する点を中心とし、互いに半径の異なる複数の同心円を描くように配列されている。
【００２６】
具体的には、例えば図２及び図３に示すように、所定の円の円周を複数に分割した円弧に相当する形状の円弧状のランプ６を周方向に配列して所定の半径を有するリング状のランプを形成しており、このリング状のランプを径方向に所定の間隔を開けて複数の同心円を描くように配列している。ここで本発明の発光領域とは、ランプ６が配列されている領域をいい、円弧状ランプ６を配列することにより、厳密には隣接するランプ６との間に僅かなとぎれが存在するが、リング状のランプを形成することにより実質的にリング状の発光領域が形成されるので、この場合も略環状の発光領域に含まれるものとする。図中６１はランプ６の両端から垂直に伸びる給電部であり、これら給電部６１の他端側は筐体５２内部の電力供給系に収納されている。例えば円弧状ランプ６は、例えば径方向に隣接するリング状ランプを構成する円弧状ランプ６と、給電部６１の位置が径方向に隣接しないように配列される。
【００２７】
このようなランプ６は、反射板５１に形成された凹部５３内に設けられている。つまり反射板５１の表面には断面が略半円状のリング状の凹部５３が、ランプ６に対応する位置に半径の異なる複数の同心円を描くように形成されており、これら凹部５３内の各々に前記ランプ６が設けられていて、こうして加熱ユニット５が構成されている。前記反射板５１はランプ６から照射される光を反射する材質例えばアルミ蒸着膜等により形成されており、前記凹５３部の形状は、前記ランプ６からの光が凹部５３の内表面で反射されて載置台２２上のウエハＷに到達するように形成され、前記載置台２２上のウエハＷにはランプ６からの直接の光と反射板で反射された光とが照射されるようになっている。
【００２８】
具体的にランプ配列の一例（図２の例）を示すと、８インチサイズのウエハＷを熱処理する場合には、外径１０ｍｍのランプ６により、反射板５１の中心点Ｏから例えば２５ｍｍ離れた位置から例えば１８７ｍｍ離れた位置まで１８ｍｍ間隔で、例えば１０個のリング状のランプを形成するように配列されている。この際一番内側の周７０は１個のリング状ランプ、２番目の周７１は２個の円弧状ランプ６，３番目の周７２は２個の円弧状ランプ６，４番目の周７３は４個の円弧状ランプ６，５番目の周７４は４個の円弧状ランプ６，６番目の周７５は４個の円弧状ランプ６，７番目の周７６は４個の円弧状ランプ６，８番目の周７７は６個の円弧状ランプ６，９番目の周７８は６個の円弧状ランプ６，１０番目の周７９は６個の円弧状ランプ６により夫々リング状のランプが形成されている。
【００２９】
次に上述実施の形態の作用について述べる。先ず処理容器２の図示しない搬送口から搬入された図示しない搬送アームから載置部２２にウエハＷを受け渡す。続いてステッピングモータ３６を駆動して外輪部３２を回転させる。このとき外輪部３２の磁極部３４と内輪部３１の磁極部３３との間に磁力が働いているので、磁極部３３が磁極部３４に吸引されて内輪部３１も回転し、このようにしてウエハＷが回転する。
【００３０】
一方各ランプ６に電力を供給し、これによりウエハＷを加熱し、さらにガス供給路２３から処理ガスである不活性ガス例えばＮ2ガスを供給する。こうしてウエハＷを例えば９０ｒｐｍで回転させながら、ウエハＷを所定温度例えば１０００℃まで昇温することによりウエハＷに対してアニール処理を行い、所定時間経過後、各ランプ６への電力供給を停止してウエハＷを降温させ、ウエハＷが所定温度になった後、ステッピングモータ３６を停止する。処理後のウエハＷは図示しない搬送アームにより処理容器２から搬出される。
【００３１】
これまで述べてきたように、本発明に係る実施の形態では円弧状のランプ６を周方向に配列してリング状ランプを形成し、このリング状ランプを同心円状に複数配置しているので、高い照射効率を確保しながら、ウエハＷの径方向の温度調整を行うことができる。つまりダブルエンドの円弧状の棒状ランプを用いているので、「発明が解決しようとする課題」の項でも既述したように、ランプ６のウエハＷと対向する領域が広く、この領域から直接ウエハＷに照射される光が多いので、反射によるロスが小さく、照射効率が良い。
【００３２】
また多数の円弧状ランプ６を配列して、多数の同心円状のリング状ランプを形成しているので、各円弧状ランプ６への電力量を制御することにより、各ランプ６毎に照度（加熱温度）を調整することができる。これにより径方向に適切な照度分布を形成しやすく、この結果ウエハＷの径方向の温度調整を行うことができる。ここで既述のようにウエハＷは径方向の温度分布が発生しやすいことから、このように径方向の温度調整を行うことにより、径方向の温度分布の発生を抑えてウエハＷを加熱することができ、例えばウエハＷの昇温時の面内温度の均一性を高めることができる。
【００３３】
またウエハＷの加熱時に、ウエハＷとランプ６とを相対的に回転させることにより、昇温時や熱処理時の面内温度の均一性がより高まる上、ランプ６は半径方向について供給電力の制御を行えばよいので、当該制御が容易になる。さらにランプ６をリング状に配列することにより、ウエハＷの加熱に寄与しない領域からの放射が抑えられるので、加熱処理には利用されない光の放射が抑えられ、エネルギー的な損失が低減する。
【００３４】
続いて本発明の他の例について図４により説明する。この例は、加熱手段として、給電部が一方にあるシングルエンドランプ８と、上述のダブルエンドの円弧状ランプ６とを組み合わせて用いた構成である。ここで本発明ではシングルエンドのランプ８が特許請求の範囲の略球状ランプに相当する。前記シングルエンドランプ８は、ウエハＷの周縁領域例えば外縁から８０ｍｍ程度内側の領域の加熱に対応する領域に設けられ、例えば所定の同心円を描くように、この同心円の円周に沿って、ランプ８の先端（給電側と反対側）がウエハＷを向くように、多数配列されている。シングルエンドのランプ８が設けられた領域の内側の領域には、上述の実施の形態と同様に、複数の円弧状のランプ６を周方向に配列して形成されたリング状ランプが、複数の同心円を描くように配置されている。その他の構成は上述の実施の形態と同様である。
【００３５】
このような構成では、ウエハＷの昇温時の面内温度分布を小さくすることできるので、スリップの発生などが抑えられる。つまりウエハＷの載置部２２はＳｉＣより形成され、ＳｉよりなるウエハＷよりも密度や比熱が大きいため、ウエハＷよりも昇温が遅い。従ってウエハＷの周縁領域の熱が載置部２２に移動するため、昇温中のウエハＷは周縁領域の温度が中央側よりも低くなるという面内温度分布が発生し、スリップの原因になる。
【００３６】
一方この例のようにシングルエンドランプ８により、ウエハＷの周縁領域の加熱を行うようにすると、シングルエンドランプ８は細長い略球状であって縦方向（ウエハＷに垂直な方向）に伸びており、当該領域にシングルエンドランプ８を高密度に配列できる。またランプ８毎に電力供給を行うので、単位面積当たりの照射エネルギーを大きくすることができる。これにより、昇温時にウエハＷの周縁領域の照射エネルギーを中央領域よりも大きくすることができるので、周縁領域の加熱温度を中央領域よりも大きくすることで、昇温時の面内温度分布の発生を抑えることができる。このためスリップの発生などが抑えられ、スループットの向上が図れる。
【００３７】
ここで載置部の材質がウエハＷと同じ程度に昇温するものであっても、処理容器２の壁部の温度が低く、これによりウエハＷの周縁領域の放熱量が多くなって、面内温度分布が発生するので、このようにウエハＷの周縁領域をシングルエンドランプ８で加熱することは有効である。
【００３８】
図５(a)は、この実施の形態のシングルエンドランプ８とダブルエンドの円弧状ランプ６とを組み合わせた加熱手段を用いてウエハＷのアニール処理を行った場合の、ウエハ面内温度の経時変化を表す特性図であり、図５(b)は従来のダブルエンドの直管状のランプを平行に配列した加熱手段を用いてウエハＷのアニール処理を行った場合の、ウエハ面内温度の経時変化を表す特性図である。何れの場合も昇温速度は１００℃／秒であり、ウエハＷの面内温度は、ウエハＷからの位置が０ｍｍ，３５ｍｍ，７８ｍｍ，１０５ｍｍの部位の温度を測定している。
【００３９】
これら結果より、本実施の形態の加熱手段を用いた場合は、昇温工程のウエハＷの面内温度がほぼ同じであり、ウエハＷの中央部から周縁部に亘って径方向の温度をほぼ揃えた状態でウエハＷを昇温できることが認められ、このようにウエハＷの径方向の温度分布が発生が抑えられているので、スリップの発生を抑制できることが理解できる。
【００４０】
以上において本発明では、加熱手段は、中心の位置が同じであり、大きさの異なる複数の環状の発光領域を形成するように構成すればよく、この場合１つのランプで構成されたリング状ランプを同心円状に配列してもよいし、円弧状ランプを周方向に配列してリング状ランプを形成し、これを同心円状に配列してもよい。また図６に示すように、環状の発光領域は例えば多角形状であってもよく、例えばダブルエンドの直管状の棒状ランプ９を周方向に配列して多角形状例えば８角形状のランプを構成し、こうして中心の位置が同じであり、複数の大きさの異なる多角形状ランプを所定間隔を開けて配列するようにしてもよい。このような構成でも、高い照射効率を確保しながら、ウエハＷの径方向の温度調整を行うことができる。
【００４１】
さらに本発明の熱処理装置は、アニール処理に限らずＣＶＤによる成膜処理や、酸化処理にも適用することができる。
【００４２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、中心の位置が同じであり、複数の大きさの異なる環状の発光領域を形成するように、棒状ランプを配列した加熱手段を用いているので、被処理体の径方向の温度調整を行なうことができ、径方向の温度分布の発生を抑えて被処理体を昇温することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る熱処理装置の実施の形態を表す断面図である。
【図２】前記熱処理装置に用いられる加熱手段の一例を示す平面図である。
【図３】前記加熱手段を構成する円弧状ランプの一例を示す斜視図である。
【図４】前記熱処理装置に用いられる加熱手段の他の例を示す平面図である。
【図５】前記加熱手段によりウエハを加熱した場合のウエハの面内温度の経時変化を示す特性図である。
【図６】前記熱処理装置に用いられる加熱手段のさらに他の例を示す平面図である。
【図７】従来の枚葉式熱処理装置を示す断面図である。
【図８】前記熱処理装置に用いられるシングルエンドのランプを示す平面図と断面図である。
【図９】前記熱処理装置に用いられるダブルエンドのランプを示す平面図と断面図である。
【図１０】前記熱処理装置に用いられるシングルエンドのランプの特性を説明するための断面図である。
【図１１】前記熱処理装置に用いられるダブルエンドのランプの特性を説明するための平面図である。
【符号の説明】
Ｗ    ウエハ
２２  載置部
３１  内輪部
３２  外輪部
３３，３４  磁極部
３６  ステッピングモータ
５    加熱ユニット
５１  反射板
６    ランプ
８    シングルエンドランプ
９    直管状ランプ
【図１】
2005222962.tif 000003
【図２】
2005222962.tif 000004
【図３】
2005222962.tif 000005
【図４】
2005222962.tif 000006
【図５】
2005222962.tif 000007
【図６】
2005222962.tif 000008
【図７】
2005222962.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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