(57)【要約】 【課題】  基板上の多量の処理液や洗浄水による工程能力の低下現象、及び工程の均一性の低下現象を改善する基板処理装置を提供することに目的がある。【解決手段】  基板を水平方向に搬送して基板の表面に処理液を供給する基板処理装置において、基板を底面に付着する基板支持ユニット、基板と所定の間隔で離隔して下部に位置し、処理液を供給するシャワーユニット、基板支持ユニットを水平方向に搬送する搬送ユニットを含む基板処理装置。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平方向に搬送して基板の表面に処理液を供給する基板処理装置において、
前記基板を底面に付着する基板支持ユニットと、
前記基板と所定の間隔で離間して下部に位置し、処理液を供給するシャワーユニットと、
前記基板支持ユニットを水平方向に搬送する搬送ユニットとを含む、
基板処理装置。
【請求項２】
前記シャワーユニットは、処理液を垂直上方に噴射する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板支持ユニットは、静電気力により基板を支持する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板支持ユニットは、真空圧により基板を支持する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板支持ユニットは、クランピングにより基板を支持する、請求項１に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置に関し、より詳しくは、液晶表示装置用基板の搬送式基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、ガラス基板の表面に、現像、エッチング、洗浄などの化学的処理を繰り返し実施することによって製造される。その処理装置は、乾式及び湿式に分けられ、湿式処理装置は、配置式（bacth type）とシングルタイプ式（single type）とがある。そして、シングルタイプ式は、回転式及びローラ搬送などによる搬送式に細分される。
【０００３】
これら基板処理装置のうちの搬送式のものは、基板をほぼ水平方向に搬送しながら、その基板の表面に処理液を供給する基本構成からなっており、高効率であるためエッチング処理に多く用いられている。
【０００４】
エッチング処理に用いられる搬送式基板処理装置では、基板搬送ラインの上方にマトリックス状に配置された複数のスプレーノズルからエッチング液を噴射し、エッチング液が噴射される間に基板を通過させることにより、基板の表面全体にエッチング液を供給する。これにより、基板の表面が、マスキング剤が塗布された部分を除いて、選択的にエッチング処理される。エッチング処理が終了すれば、引続きシャワーによる洗浄処理が行われる。
【０００５】
このような液晶表示装置のエッチング及び洗浄処理工程は、基板を水平方向に搬送して、処理液を噴射したり水洗工程を進める。そして、基板のサイズの大型化に対する補完方法として基板の傾斜搬送などが一部採択されて用いられている。
【０００６】
しかし、最近、基板の大型化が急速に進められるのにつれて、このような水平搬送または傾斜搬送方式は、基板内の均一度の不良、むらの発生、異物の付着などの問題を解決できる充分な対策にはならなかった。
【０００７】
つまり、基板の大型化につれて、従来の水平搬送または傾斜搬送方式でエッチング及び洗浄工程を進める時、つまりＷＥＴ処理工程を進める時に、基板上に多量の処理液または洗浄水が存在して、上部から噴射される処理液または洗浄水が対象基板内全体に均等に効果的に到達できず、工程能力が低下する現象が現れる。
【０００８】
そして、処理液の回転現象及び処理液が特定の方向に流れることによる不均一化が基板内の多くの部分で発生し、基板内にむらが発生するなど、無視することができない影響を与えるようになった。
【０００９】
また、他の工程を進める間に発生した副産物及び異物などが基板上に残留して、ＷＥＴ処理工程中に再吸着され異物が付着する現象が発生した。
【００１０】
また、処理液が基板内で基板の角部に流れるのを防止するために用いられている液移送防止器具（AIR KNIFEなど）も、基板が大型化したために基板内の全ての部分で均一な効果を得るのが難しく、大量の空気や複雑な器具を備えなければならない問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、前記問題点を解決するためのものであって、基板上の多量の処理液や洗浄水による工程能力の低下現象及び工程の均一性の低下現象を改善することができる基板処理装置を提供することに目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するための本発明の基板処理装置は、基板を水平方向に搬送して基板の表面に処理液を供給する基板処理装置において、前記基板を底面に付着する基板支持ユニット、前記基板と所定の間隔で離間して下部に位置し、処理液を供給するシャワーユニット、前記基板支持ユニットを水平方向に搬送する搬送ユニットを含むのが好ましい。
【００１３】
また、前記シャワーユニットは、処理液を垂直上方に噴射するのが好ましい。
【００１４】
また、前記基板支持ユニットは、静電気力により基板を支持したり、真空圧により基板を支持したり、クランピングにより基板を支持するのが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による基板処理装置は、基板に処理液や洗浄水が噴射される方向を垂直上方にすることにより、多量の処理液や洗浄水を噴射しても基板上に処理液や洗浄水が残留しないようにして、少量の処理液や洗浄水及び少ない油圧でもＷＥＴ処理が可能である。
【００１６】
また、基板内全体に均一にＷＥＴ処理が可能であるので、エッチングや水洗の均一性も向上する。
【００１７】
そして、処理液の噴射方向が垂直上方であるので、基板上に処理液や洗浄水が残留せず、基板の処理または洗浄時に発生する副産物または異物がない状態で次の段階の工程に基板を搬送することができる。したがって、基板の清浄度が向上する。
【００１８】
また、基板上に処理液または洗浄水が残留しないので、基板の処理または洗浄後に処理液及び洗浄水が基板内で基板の角部に流れるのを防止するために用いられている液移送防止器具も不要であり、簡単な器具の適用が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付した図面を参照して本発明による好ましい一実施例を詳細に説明する。
【００２０】
図１には、本発明の第１実施例による基板処理装置の側面図が示されており、図２には、本発明の第１実施例による基板処理装置の平面図が示されている。
【００２１】
図１及び図２を参照すれば、本発明の第１実施例による基板処理装置は、基板１をその底面に付着する基板支持ユニット１０、基板１と所定の間隔で離間して下部に位置するシャワーユニット３０、及び基板支持ユニット１０を水平方向に搬送する搬送ユニット２０を含む。
【００２２】
基板支持ユニット１０は、クランピングによって底面に基板１を付着する。図１のように、基板支持ユニット１０は、基板１を支持する支持部１１、及び支持部１１の底面に設置され、基板１の側面に付着されて基板１を固定するクランパー（clamper）１２を含む。
【００２３】
図２のように、基板支持ユニット１０を搬送する搬送ユニット２０は、一対のガイドレール２１及び一対のアーム２２を含む。一対のアーム２２は、その一端部が基板支持ユニット１０の支持部１１の側面に付着されており、他端部がガイドレール２１に連結されている。ガイドレール２１に沿ってアーム２２が移動し、アーム２２に連結された基板支持ユニット１０が移動する。したがって、基板支持ユニット１０の底面にクランパー１２によって付着された基板１が移動する。
【００２４】
基板１と所定の間隔で離間した下部には、シャワーユニット３０が位置している。シャワーユニット３０は、複数個のスプレーノズル３１が処理液２を基板１に噴射する。つまり、複数個のスプレーノズル３１の噴射口３１aは上を向いており、スプレーノズル３１の上方に位置している基板１に処理液２を噴射する。
【００２５】
本発明の第１実施例による基板処理装置は、基板１を水平方向に搬送して基板１の表面に処理液２を供給する装置である。
【００２６】
つまり、搬送ユニット２０に連結された基板支持ユニット１０を搬送し、その下部に位置したシャワーユニット３０で処理液２を噴射して、基板１をＷＥＴ処理する。
【００２７】
この場合、処理液２の噴射方向が垂直上方であるので、多量の処理液や洗浄水を噴射しても、基板１上に処理液や洗浄水が残留することがない。したがって、少量の処理液や洗浄水及び少ない油圧でもＷＥＴ処理が可能であるので、エッチング処理の効果や水洗効果が向上する。
【００２８】
また、基板１内の全体に均一にＷＥＴ処理が可能になるので、エッチングや水洗の均一性も向上する。
【００２９】
そして、処理液２の噴射方向が垂直上方であるので、基板１上に処理液や洗浄水が残留せず、基板１の処理または洗浄時に発生する副産物または異物がない状態で次の段階の工程に基板１を搬送することができる。したがって、基板１の清浄度が向上する。
【００３０】
また、基板上に処理液または洗浄水が残留しないので、基板の処理または洗浄後に処理液及び洗浄水が基板内で基板の角部に流れるのを防止するために用いられている液移送防止器具なども不要であり、簡単な器具の適用が可能になる。
【００３１】
本発明の第２実施例による基板処理装置が図３に示されている。ここで、先に示された図面と同一の符号は、同一の機能をする同一の部材を示す。
【００３２】
図３のように、本発明の第２実施例による基板処理装置は、基板１をその底面に付着する基板支持ユニット１０、基板１と所定の間隔で離間して下部に位置するシャワーユニット３０、及び基板支持ユニット１０を水平方向に搬送する搬送ユニット２０を含む。
【００３３】
基板支持ユニット１０は、真空圧によって基板１を支持する。基板支持ユニット１０は、基板１を支持し、真空溝１１aが形成されている支持部１１、支持部１１に連結されている真空発生部１３を含む。真空発生部１３によって発生した真空圧が真空溝１１aを通じて基板１の一面に伝達される。したがって、基板１は真空圧によって支持部１１に吸着される。
【００３４】
本発明の第２実施例による基板処理装置は、第１実施例と比べて、基板支持方式だけが異なり、その他の構成及び効果は同一である。つまり、本発明の第２実施例による基板処理装置は、基板１を水平方向に搬送して基板１の表面に処理液を供給する装置であり、搬送ユニット２０に連結され、真空圧方式によって基板１を付着した基板支持ユニット１０を搬送し、その下部に位置したシャワーユニット３０で処理液を噴射して、基板１をＷＥＴ処理する。
【００３５】
本発明の第３実施例による基板処理装置が図４に示されている。ここで、先に示された図面と同一の符号は、同一の機能をする同一の部材を示す。
【００３６】
図４のように、本発明の第３実施例による基板処理装置は、基板１をその底面に付着する基板支持ユニット１０、基板１と所定の間隔で離間して下部に位置するシャワーユニット３０、及び基板支持ユニット１０を水平方向に搬送する搬送ユニット２０を含む。
【００３７】
基板支持ユニット１０は、静電気力により基板１を支持する。基板支持ユニット１０は、基板１を支持する支持部１１、支持部１１に連結されている静電気力発生部１４を含む。静電気力発生部１４によって発生した静電気力により、基板１（ガラス基板）が支持部１に付着される。基板１は、表面積が広く、一般に静電気力が発生しやすいガラス基板であるので、静電気力により基板１は支持部１１に簡単に付着する。
【００３８】
本発明の第３実施例による基板処理装置は、第１実施例と比べて、基板支持方式だけが異なり、その他の構成及び効果は同一である。つまり、本発明の第３実施例による基板処理装置は、基板１を水平方向に搬送して基板１の表面に処理液を供給する装置であり、搬送ユニット２０に連結され、静電気力方式によって基板１を付着した基板支持ユニット１０を搬送し、その下部に位置したシャワーユニット３０で処理液を噴射して、基板１をＷＥＴ処理する。
【００３９】
一方、本発明の第１実施例乃至第３実施例による基板処理装置は、ＷＥＴ処理工程だけでなくＷＥＴ処理工程の前後の乾燥工程やＷＥＴ処理の前処理（ＵＶ、AP Plasma、Air Cleaningなど）工程にも拡大して適用が可能である。つまり、基板１が逆さまに吊るされて搬送されるので、従来の工程が進められる間に発生していたパーティクル（particle）が下方に落ちて、基板１の表面にパーティクルが吸着されるのを防止することができる。
【００４０】
また、乾式エッチング処理工程を進める間に発生するパーティクルが下方に落ちて、基板１の表面にパーティクルが吸着されるのを防止することができるように、本発明の第１実施例乃至第３実施例による基板処理装置は、乾式エッチング処理工程にも拡大して適用が可能である。
【００４１】
本発明は、添付した図面に示された一実施例を参考にして説明したが、これは例示的なものに過ぎず、該当技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明に基づいて様々な変形及び均等な他の実施例が可能であることが理解できる。したがって、本発明の真の保護範囲は添付された請求の範囲によって決められなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１実施例による基板処理装置の側面図を示した図面である。
【図２】本発明の第１実施例による基板処理装置の平面図を示した図面である。
【図３】本発明の第２実施例による基板処理装置の側面図を示した図面である。
【図４】本発明の第３実施例による基板処理装置の側面図を示した図面である。
【符号の説明】
【００４３】
１０  基板支持ユニット
１１  支持部
１２  クランパー
１３  真空圧発生部
１４  静電気力発生部
２０  搬送ユニット
３０  シャワーユニット
【図１】
2005019991.tif 000003
【図２】
2005019991.tif 000004
【図３】
2005019991.tif 000005
【図４】
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