(57)【要約】【課題】回路素子の動作不良を招くことなく二次反射光の発生を確実に防止でき、これによって表示品質が良好で輝度が高い投射型表示が可能となる液晶表示装置を提供する。【解決手段】ＴＦＴ１３およびこれに接続された画素電極１５が設けられた第１基板３と、第１基板１３における画素電極１５の上方に対向配置された第２基板４と、第１基板３と第２基板４との間に狭持された液晶層５とを備えると共に、液晶層５を透過した光が第１基板３側から表示光として射出される液晶パネル１を有する液晶表示装置において、第１基板３側には、ＴＦＴ１３を覆う第２遮光膜２９とＴＦＴ１３に接続された配線パターン２７とが設けられ、第２遮光膜２９および配線パターン２７における表示光の射出側の面が同程度の光反射率を有して構成されていることを特徴としている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタおよびこれに接続された画素電極が設けられた第１基板と、当該第１基板における画素電極の上方に対向配置された第２基板と、当該第１基板と第２基板との間に狭持された液晶層とを備えると共に、当該液晶層を透過した光が当該第１基板または第２基板側から表示光として射出される液晶パネルを有する液晶表示装置において、
前記第１基板側には、前記トランジスタを覆う遮光膜と当該トランジスタに接続された配線パターンとが設けられ、
前記遮光膜および配線パターンにおける前記表示光の射出側の面が同程度の光反射率を有して構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記遮光膜および配線パターンにおける前記表示光の射出側の面は、さらに前記トランジスタを構成する材料層における当該表示光の射出側の面と同程度の光反射率を有して構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記遮光膜は、低反射率材料層間に高導電率材料層を狭持した積層膜で構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項３記載の液晶表示装置において、
前記遮光膜は、タングステンシリサイドからなる低反射率材料層間にアルミニウムからなる高導電率材料層を狭持してなる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項３記載の液晶表示装置において、
前記遮光膜は、配線パターンとして構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記第１基板および第２基板は、透明絶縁材料からなり、
前記第２基板側には、当該第２基板に向けて光を照射する光源が設けられ、当該光源から照射された光が前記第１基板側から表示光として射出される
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６記載の液晶表示装置において、
前記第２基板には、遮光膜が設けられ、当該遮光膜における前記表示光の射出側の面は、前記第１基板側に設けられた遮光膜における前記表示光の射出側の面と同程度の光反射率を有して構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項７記載の液晶表示装置において、
前記第２基板側に設けられた遮光膜は、高反射率材料と、当該高反射率材料層における前記第１基板側に積層された低反射率材料層との積層膜からなる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特にはデータープロジェクターあるいはリアプロジェクションＴＶなどに代表される投射型の液晶表示装置に好適な液晶表示装置の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
投射型の液晶表示装置は、水銀ランプなどの光源を有し、液晶パネルで構成されたライトバルブによって画像制御を行い、その画像情報を拡大投影する表示装置である。このような液晶表示装置に設けられる液晶パネル（液晶ライトバルブ）は、１対の透明基板間に液晶層を狭持してなる。このうちの一方の基板は、いわゆるＴＦＴ基板であり、透明導電膜からなる画素電極、これに接続された薄膜トランジスタ（thin film transistor：ＴＦＴ）、ＴＦＴに接続された配線、さらには光照射によるＴＦＴの誤動作を防止するための複数層の遮光膜が設けられている。またもう一方の基板は、ＴＦＴ基板に対向配置されたいわゆる対向基板であり、対向電極やブラックマトリックス等の遮光膜が設けられている。
【０００３】
上記の液晶表示装置においては、このような構成の液晶パネルに対して対向基板側から投影光が入射されることになる。対向基板側から液晶パネルに入射した光（以下、入射光とする）は、画像情報にしたがって画素ごとに光量が調整されて当該液晶パネルから射出され、液晶表示装置の光学部品を通過してスクリーンなどに拡大投影される。
【０００４】
ところで、このような構成の液晶表示装置においては、液晶パネルにおける対向基板側に設けた遮光膜の構成を、光源側：アルミニウム層、液層層側：クロム層（クロム酸化物またはクロム化合物からなる）の２層構造とする構成が提案されている。これにより、光源から照射される強い入射光の不要部を光源側に設けた遮光膜のアルミニウム層で反射し、遮光膜の光吸収による発熱で液晶層が劣化することを防止している。また、液晶パネルを通過して射出された光（以下、射出光とする）が、液晶表示装置の光学部品の表面反射などによって反射されて液晶パネルに再入射した場合、この戻り光を液晶層側に設けたクロム層で吸収することにより、この戻り光が再び液晶層側に反射して迷光となることを防止している（以上、下記特許文献１参照）
【０００５】
また、上述した液晶パネルにおける表示領域の周囲（すなわち周辺領域）には、各種の周辺回路が配置されており、これらの周辺回路を構成する配線パターンはアルミニウムのような導電性の良好な材料を用いて構成されている。このため、上述した液晶パネルへの戻り光がアルミニウム等の配線パターンで反射されて２次反射光となり、再び液晶パネルから射出されて液晶表示装置の光学部品を通過してスクリーン上に投影されると、画像表示領域の周辺に額縁状に黒浮きする領域を生じさせてしまう。これは官能的な表示品質の低下と認識される。これを防止するために、液晶パネルが収容される額縁状の外枠（筐体）と液晶パネル中央の表示領域との隙間に相当するＴＦＴ基板側の部位を低反射膜で覆い、周辺領域への戻り光の入射を防止する構成が提案されている（以上、下記特許文献２参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１３１５９１号公報
【特許文献２】特開２００３−１４０１２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、液晶パネルが収容される外枠（筐体）と表示領域との隙間に相当するＴＦＴ基板側の部位を低反射膜で覆う構成には、次のような課題があった。すなわち、この低反射膜は、光源側に配置されるＴＦＴ基板において配線パターンなどが形成される層よりも下層（すなわち射出側）に設ける必要がある。このため、この低反射膜を有機材料で形成すると、その後に行われる回路形成のプロセス温度が制限されることになる。したがって、この低反射膜は、導電性材料を用いて形成されることになる。ところが、大面積の低反射膜を導電性材料で構成した場合、低反射膜に近接して配置されたトランジスタ特性が、低反射膜からの電界の影響によって劣化したり、低反射膜が配線パターンと対向する部分においては寄生的な容量が形成されて素子の誤動差を招く要因となる。
【０００８】
また、ＴＦＴ基板の表示領域に設けられた複数層の遮光膜は、上述したように光照射による画素電極駆動用のＴＦＴの誤動作を防止するためのものであるが、これらの遮光膜の一部は配線パターンとしても用いられる。このため、これらの遮光膜における表示用の光の射出側に向かう面は、アルミニウム等の高反射率材料で構成されている場合がある。このような場合、この高反射率材料の面で上述した戻り光が反射し、その２次反射光がスクリーン上に映し出されると、表示品質が低下する。
【０００９】
特に、以上のように２次反射光を発生させる高反射率材料として２種類の材料が用いられており、これらの反射率に差がある場合、この２次反射光の光量に差が出るため、スクリーン上には配線パターンが写し出され、著しい表示品質の低下として認識される。
【００１０】
そこで本発明は、回路素子の動作不良を招くことなく迷光や二次反射光による黒浮きや配線パターンの写りこみの発生を確実に防止でき、これによって表示品質が良好で輝度が高い投射型表示が可能となる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このような目的を達成するための本発明の液晶表示装置は、トランジスタおよびこれに接続された画素電極が設けられた第１基板と、この第１基板における画素電極の上方に対向配置された第２基板と、これらの第１基板と第２基板との間に狭持された液晶層とを備え、液晶層を透過した光が第１基板または第２基板側から表示光として射出される液晶パネルを有している。そして特に、第１基板側に、上記のトランジスタを覆う遮光膜と、このトランジスタに接続された配線パターンとが設けられ、これらの遮光膜および配線パターンにおいての表示光の射出側の面が、同程度の光反射率を有して構成されていることを特徴としている。
【００１２】
このような構成の液晶表示装置では、第１基板上に形成された遮光膜と配線パターンとにおいての表示光を射出する側の面が、同程度の光反射率を有して構成されていることにより、これらの面での反射光によって遮光膜および配線パターンのパターン像が表示されることはない。このため、液晶パネルの第１基板側から射出された表示光が、戻り光として再び第１基板側からに液晶パネルに入射し、さらに遮光膜や配線パターンで２次反射した場合に、遮光膜や配線パターンのパターン像が表示光にまざって表示されることが抑えられる。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように本発明の液晶表示装置によれば、遮光膜や配線パターンにおいての戻り光の２次反射によるパターン像が表示光にまざることが防止される。このため、表示光の強度を高めた場合であっても、表示画像に対する遮光膜や配線パターンの写り込みを確実に防止できる。したがって、投射型の液晶表示装置においての輝度の向上と表示品質の向上を図ることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１５】
＜要部構成＞
図１には、本発明の液晶表示装置の一例を示す要部断面図として液晶パネル部分の断面図を示す。この図に示すように、本実施形態の液晶パネル１は、投射型の液晶表示装置のライトバルブとして好適に用いられるものであり、対向配置された第１基板３と第２基板４との間に液晶層５を狭持してなる。
【００１６】
このうち第１基板３は、合成石英などの光透過性の絶縁基板を用いて構成され、その中央部を表示領域３ａとし、この表示領域３ａの液晶層５に向かう面上にＴＦＴを配列形成してなる、いわゆるＴＦＴ基板として構成されている。また、第２基板４は、合成石英などの光透過性の絶縁基板を用いて構成され、液晶層５に向かう面上に対向電極を配置してなる、いわゆる対向基板として構成されている。そして、液晶層５は、第１基板３と第２基板４の周縁部間に設けられた封止剤６によって、第１基板３と第２基板４との間に充填封止されている。
【００１７】
図２には、このような液晶パネル１における第１基板（ＴＦＴ基板）３側の回路図を示す。この図に示すように、第１基板３の中央部に配置された表示領域３ａには、複数の走査線１１と信号線１２とが行列状に配置されている。そして、走査線１１と信号線１２との各交差部に、ＴＦＴ１３、ＴＦＴ１３に接続された補助容量素子１４および画素電極１５が設けられている。そして、表示領域３ａ周囲の周辺領域３ｂには、各走査線１１が接続された垂直転送回路１６、各信号線１２が接続された水平転送回路１７およびプリチャージ回路１８、さらにはレベル変換回路１９などの周辺回路が配置されている。尚、これらの周辺回路は、配線パターンや、配線パターンの一部を用いたり配線パターンによって接続されたＴＦＴや容量素子によって構成されている。
【００１８】
次に、このような構成の液晶パネル１のさらに詳しい構成を図３に基づいて説明する。尚、図３（Ａ）は、図１における表示領域３ａのＡ部の拡大図であり、図３（Ｂ）には、図１における周辺領域３ｂのＢ部の拡大図も合わせて示した。
【００１９】
これらの図に示すように、第１基板３上には、第１遮光膜２１が設けられている。この第１遮光膜２１は、第１基板３側から入射する光によって、当該第１基板３上に形成されたＴＦＴ１３が誤動作することを防止するための膜であり、ＴＦＴ１３の形成部に対応してＴＦＴ1３を覆う形状にパターン形成されている。この第１遮光膜２１は、以降の工程での熱処理に対する耐性を考慮し、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）などのシリサイド膜や、Ｔｉ、ＴｉＮ、またはＴｉＯＮなどの低反射率材料膜を用いて構成され、例えば２００ｎｍの膜厚を有している。尚、低反射率材料とは、反射率５０％以下の材料であることとする。
【００２０】
そして、この第１遮光膜２１を覆う状態で、酸化シリコン（ＳｉＯ2）等からなる第１層間絶縁膜２２がＣＶＤ法によって設けられ、この層間絶縁膜２２上に、図２を用いて説明したＴＦＴ１３が設けられている。このＴＦＴ１３は、第１層間絶縁膜２２上に形成された半導体材料層２３と、この半導体材料層２３を覆うゲート絶縁膜２４と、このゲート絶縁膜２４上に設けられたゲート配線２５とで構成されている。
【００２１】
ここで、半導体材料層２３は、非晶質シリコンや多結晶シリコンなどの半導体材料からなり、ゲート配線２５の両脇下部に相当する部分にはイオンインプラテーション法によりホウ素（Ｂ），リン（Ｐ），ヒ素（Ａｓ）などの不純物が導入されてソース／ドレインが構成されている。また、ゲート絶縁膜２４は、例えば８０ｎｍ程度の膜厚の酸化シリコン膜からなる。そして、ゲート電極２５は、リン（Ｐ）等の不純物を添加したシリコンまたは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）などのシリサイド化合物からなる。
【００２２】
尚、ここでの図示は省略したが、半導体材料層２３は、ＴＦＴ１３だけではなく、図２を用いて説明した補助容量素子１４の下部電極としてもパターン形成されて用いられる。また、ゲート配線２５は、図２を用いて説明した走査線１１の一部として構成され、さらにこのゲート配線２５と同一層で補助容量素子１４の上部電極がパターン形成されている。
【００２３】
さらに、このＴＦＴ１３を覆う状態で、酸化シリコンなどからなる第２層間絶縁膜２６が６００ｎｍの膜厚で設けられている。この第２層間絶縁膜２６には、ドライエッチング法によって接続孔２６ａが設けられている。そして、第２層間絶縁膜２６上には、この接続孔２６ａを介してＴＦＴ１３に接続された配線パターン２７が設けられている。この配線パターン２７の一部は、図２を用いて説明した信号線１２として形成されている。本実施形態においては、配線パターン２７の膜構成が後述するような特徴を有している。
【００２４】
そして、この配線パターン２７を覆う状態で、表面平坦な第３層間絶縁膜２８が設けられている。この第３層間絶縁膜２８は、プラズマＣＶＤ法などの平坦化特性の良好な成膜方法により酸化シリコン膜を形成した後、この表面をＣＭＰ法などの平滑化処理を行うことにより得られる。
【００２５】
この表面平坦な第３層間絶縁膜２８上には、対向基板４側から入射する光によってＴＦＴ１３が誤動作することを防止するための第２遮光膜２９が設けられている。この第２遮光膜２９は、図示したように、第３層間絶縁膜２８に設けられた接続孔２８ａを介して配線パターン２７に接続された中継用の配線パターンとして用いられ、さらには周辺回路を構成する配線パターンとしても用いられている。また、この第２遮光膜２９は、図２を用いて説明した補助容量素子１４に接続されても良く、さらには表示領域においては素子に接続されておらず周辺領域において配線パターンとして用いられている構成であっても良い。本実施形態においては、このような配線パターンとして用いられる第２遮光膜２９の膜構成も、上述した配線パターン２７と同様に後述するような特徴を有している。
【００２６】
そして、この第２遮光膜２９上を覆う第４層間絶縁膜３０上における表示領域３ａには、透明導電性材料からなる画素電極１５がアレイ状にパターン形成されている。これらの画素電極１５は、第４層間絶縁膜３０に形成された接続孔３０ａを介して中継用の配線パターンを兼ねた第２遮光膜２９に接続され、これを介してＴＦＴ１３に接続されている。
【００２７】
さらに、この画素電極１５を覆う状態で、第１基板３の液晶層５に向かう面に配向膜３１が設けられている。
【００２８】
一方、第２基板４の液晶層５に向かう面には、アルミニウムのような高反射率材料層４１ａとその上部の低反射率材料層４１ｂとの積層構造からなる第３遮光膜４１が設けられている。この第３遮光膜４１は、第１基板３側に設けられた画素電極１５間の全て、または一部に対応させたブラックマトリックスとしてパターン形成されていることとする。またこの第３遮光膜４１は、第１基板３の表示領域３ａ周辺部分に対応する一定領域も遮光するように設けられている。
【００２９】
また、このような第３遮光膜４１が設けられた第２基板４の液晶層５に向かう面には、第３遮光膜４１を覆う状態で、透明導電性材料からなる対向電極４２が設けられ、さらに対向電極４２を覆う状態で、配向膜４３が設けられている。
【００３０】
さてここで、本実施形態では、以上説明した液晶パネル１の構成において、配線パターン２７、および配線パターンとしても用いられる第２遮光膜２９が、次のような積層構造となっていることが特徴的である。すなわち、図４の要部断面図に示すように、配線パターン２７および第２遮光膜２９は、低反射率材料層ａ，ａ’間に高導電率材料層ｂを狭持した積層膜で構成されているのである。
【００３１】
これらの配線パターン２７および第２遮光膜２９の積層構造が、全て同一構成である必要はない。ただし、低反射率材料層ａ，ａ’のうち、下層の第１基板３側（すなわち表示光Ｈの射出側）の低反射率材料層ａは、同様程度の反射率を備えた材料、好ましくは同一材料からなることとする。これにより、配線パターン２７と第２遮光膜２９とにおける表示光Ｈの射出側の面を、同程度の反射率として構成する。また、低反射率材料層ａは、反射率５０％以下の範囲で、第１遮光膜２１や第３遮光膜４１の低反射材料層４１ｂ、さらにはＴＦＴ１３を構成するゲート電極２５や半導体材料層２３と同程度の反射率を有する材料からなることとする。例えば、低反射率材料層ａは、第１遮光膜２１や第３遮光膜４１の低反射材料層４１ｂの反射率に対して±１０ポイントの反射率であることとし、この±１０ポイントの中に、低反射率材料層ａ、第１遮光膜２１、第３遮光膜４１の低反射材料層４１ｂ、さらにはゲート電極２５や半導体材料層２３の反射率が納まる構成であることとする。また例えば、第１遮光膜２１や第３遮光膜４１の低反射材料層４１ｂの反射率が４０％である場合、低反射率材料層ａの反射率は３０％〜５０％であることする。
【００３２】
具体的な配線パターン２７および第２遮光膜２９の構成としては、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）からなる低反射率材料層ａ，ａ’間にアルミニウム（Ａｌ）からなる高導電率材料層ｂを狭持してなる構成を例示できる。また、低反射率材料層ａ，ａ’としては、タングステンシリサイドの他に、ＷＳｉ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮなどの金属あるいはシリサイド化合物を用いても良い。また、高導電率材料層ｂとしては、アルミニウムの他に銅（Ｃｕ）を用いても良い。尚、配線パターン２７は、ＴＦＴ１３を構成する半導体材料層２３に接続されているため、この接続部での良好なコンタクトを図ることを主眼として、接続側の低反射率材料層ａの材質が選択される。
【００３３】
ここで、上述した積層構造を構成する低反射率材料層ａ，ａ'と高導電率材料層ｂとは、低反射率材料層ａ，ａ'によって高導電率材料層ｂで光反射の影響を排除できる程度に低反射率材料層ａ，ａ'の膜厚が設定されている。また、高導電率材料層ｂは、このような積層構造で構成される配線パターン２７、および第２遮光膜２９を用いて構成される接続用の配線パターンに必要とされる導電性が得られる程度の膜厚が設定されていることとする。
【００３４】
図５には、一例として、アルミニウム上にタングステンシリサイド膜を形成した場合のタングステンシリサイド表面での反射率を示す。この図に示すように、アルミニウム上のタングステンシリサイド膜が１０μｍ以上であれば、下地のアルミニウムでの光反射の影響が抑えられることが分かる。このため、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）からなる低反射率材料層ａ，ａ'間にアルミニウム（Ａｌ）からなる高導電率材料層ｂを狭持してなる構成である場合には、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）からなる低反射率材料層ａの膜厚を１０μｍ以上の膜厚に設定することが好ましい。
【００３５】
また、特に導電性が要求される配線パターン２７は、合計の膜厚が４００〜８００ｎｍ程度に設定されることとする。
【００３６】
＜全体構成＞
次に、以上のような構成の液晶パネル１を用いて構成される投射型の液晶表示装置の全体構成を図６に基づいて説明する。
【００３７】
この図に示す投射型の液晶表示装置１００は、いわゆる液晶プロジェクタであり、光源１０１からの光を赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）の３原色に分離し、それぞれの色に対して液晶パネルをライトバルブとして１枚ずつ用いてカラー画像表示を行なう、いわゆる３板方式のプロジェクタである。この液晶プロジェクタ１００において、３原色にそれぞれ対応して上記構成の液晶パネル１が配置される。
【００３８】
この液晶プロジェクタ１００は、光ｈを発する光源１０１と、光源１０１からの光ｈの出射側に配置されるＵＶ／ＩＲカットフィルタ１０２および第１マイクロレンズアレイ１０３と、第１マイクロレンズアレイ１０３から射出した光ｈを反射し、出射光の光路を９０・変更するミラー１０４が配置されている。このミラー１０４で反射された光ｈの光路には、第２マイクロレンズアレイ１０５、ＰＳ合成素子１０６、コンデンサレンズ１０７が順に配置されている。そして、コンデンサレンズ１０７を通過した光ｈの光路には、光ｈを色毎に分離する２枚のダイクロイックミラー１０８、分光された光の光路を変更する３枚のミラー１０９、さらにはリレーレンズ１１０が配置され、光ｈが３色にそれぞれ分離される構成となっている。
【００３９】
そして、分離された各色の光の光路には、それぞれフィールドレンズ１１１と、２枚の偏光板１１２間に狭持された液晶パネル１が配置され、これを通過した各光の光路が交わる位置には、これら３つの色光を合成する機能を有したクロスプリズム１１３が設置されている。このクロスプリズム１１３では入射した３色の光を合成して出射し、この射出側にはクロスプリズム１１３での合成光を、スクリーンに向けて投射するための投射レンズ１１４が配置されている。
【００４０】
以上のような液晶プロジェクタ（液晶表示装置）１００においては、各液晶パネル１に対して光源１０１からの強力な光ｈが入射される。つまり、図１，３を用いて説明した液晶パネル１に対して、第２基板４側から強力な光ｈが入射し、液晶層５を透過した光が第１基板３側から表示光Ｈとして射出されることになる。この際、本実施形態のように構成された液晶パネル１においては、第１基板３側の配線パターン２７および第２遮光膜２９が、図４を用いて説明したように、低反射率材料層ａ，ａ’間に高導電率材料層ｂを狭持した積層膜として構成されている。これにより、配線パターン２７および中継用の配線パターンとしても用いられている第２遮光膜２９における導電性を良好に保ちつつ、これらの配線パターン２７および第２遮光膜２９の表面での光の反射が防止される。
【００４１】
このため、液晶パネル１内に余分な遮光膜を設けることなく、配線パターン２７や配線用の第２遮光膜２９の液晶層５側表面での光反射によって迷光が発生することが防止され、さらにこれらの射出側表面での戻り光ｈ’の２次反射を防止することができる。
【００４２】
これにより、液晶パネル１内に余分な遮光膜を設けることによる回路素子の動作不良の発生を防止しつつ、液晶パネル１内の配線パターンにおいての２次反射や迷光の発生を防止できる。したがって、投射型の液晶表示装置において、スクリーン上への配線パターンの写り込みや、特に遮光が困難であった表示領域周辺の黒浮きを防止でき、表示品質の向上を図ることが可能になる。
【００４３】
特に、本実施形態においては、配線パターン２７および第２遮光膜２９の第１基板３側の低反射材料層を同程度の反射率、さらに好ましくは第１遮光膜２１やＴＦＴ１３の構成層と同程度の反射率としている。このため、第１基板１側から平面視した場合に露見する材料部分が、同程度の低反射率に抑えられる。したがって、さらに強い光を液晶パネル１に入射させた場合であっても、これらの材料部分で２次反射した光が、スクリーン上にパターンとして写し出されることを確実に防止できる。したがって、投射型の液晶表示装置におけるさらになる光量の増加を図ることが可能になり、より明るい表示が可能となる。
【００４４】
尚、以上説明した実施形態において、図３を用いて説明した液晶パネル１の第２遮光膜２９に高い導電性が要求されない場合、この第２遮光膜２９は、低反射材料層の単層構造であってもよい。この場合、第２遮光膜２９は、配線パターン２７の第１基板３側を構成する低反射材料層（ａ）と同程度の遮光性（反射率）を有する材料で構成されることが好ましい。またこの場合、ＴＦＴ１３に対する遮光を十分に行える程度の膜厚、例えばＴｉ単層ならば２００ｎｍ以上の膜厚とすることが望ましい。これにより、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４５】
また、以上説明した構成では、図３を用いて説明した液晶パネル１の第１遮光膜２１が、単なる遮光膜として用いられている場合を説明した。しかしながら、第１遮光膜２１がゲート電極２５と接続された走査線として用いられる場合には、この第１遮光膜２１の層構成も、図４を用いて説明した配線パターン２７および第２遮光膜２９と同様の構成とすることが好ましい。このようにすることで、第１遮光膜２１の走査線としての導電性を確保でき、また、上述と同様の表示特性を得ることが可能である。
【００４６】
さらに、本実施形態においては、図３を用いて説明した液晶パネル１の第２基板４側に第３遮光膜４１が設けられている構成を説明した。しかしながら、本発明は、第２基板４に第３遮光膜４１が設けられていない構成の液晶パネルであっても、配線パターン２７および第２遮光膜２９の膜構成を上述したようにすることにより、同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】実施形態の液晶表示装置における液晶パネルの断面図である。
【図２】実施形態の液晶パネルにおける第１基板側の回路構成図である。
【図３】図１におけるＡ部およびＢ部の拡大断面模式図である。
【図４】本実施形態の要部の拡大断面図である。
【図５】Ａｌ上のＷＳｉの膜厚に対するＷＳｉ表面での反射率を示すグラフである。
【図６】実施形態の液晶表示装置の全体構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１…液晶パネル、３…第１基板、４…第２基板、５…液晶層、１３…ＴＦＴ（トランジスタ）、１５…画素電極、２１…第１遮光膜、２７…配線パターン、２９…第２遮光膜（配線パターン）、４１…第３遮光膜、４１ａ…高反射率材料層、４１ｂ…低反射率材料層、ａ…低反射率材料層、ｂ…高導電率材料層、ｈ…光、Ｈ…表示光、１００…液晶表示装置、１０１…光源
【図１】
2005326608.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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