(57)【要約】【課題】  論理的な演算単位と物理的な演算単位との不一致による空間浪費及び性能低下を防止できるフラッシュメモリのデータ管理装置及び方法を提供する。【解決手段】  所定のデータ演算を行おうとする物理ブロックに存在するデータを前記内部メモリにコピーし、前記内部メモリで所定のデータ演算を行って前記物理ブロックに移動させるフラッシュメモリのデータ管理装置。【選択図】  図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の内部メモリを含むフラッシュメモリのデータ管理装置において、
所定のデータ演算を行おうとする物理ブロックに存在するデータを前記内部メモリにコピーし、前記内部メモリで所定のデータ演算を行って前記物理ブロックに移動させることを特徴とするフラッシュメモリのデータ管理装置。
【請求項２】
前記内部メモリで物理的な演算単位に該当するデータがコピーされることを特徴とする請求項１に記載のフラッシュメモリのデータ管理装置。
【請求項３】
前記物理ブロックに移動するデータは、前記内部メモリにコピーされたデータが論理的な演算単位で修正されたことを特徴とする請求項２に記載のフラッシュメモリのデータ管理装置。
【請求項４】
所定の内部メモリを含むフラッシュメモリのデータ管理方法において、
所定のデータ演算を行う物理ブロックに存在するデータを前記内部メモリにコピーする第１段階と、前記内部メモリで所定のデータ演算を行う第２段階と、を含むことを特徴とするフラッシュメモリのデータ管理方法。
【請求項５】
前記第１段階は、データ演算を行う論理ブロックに該当する物理ブロックを検索する第１過程と、前記物理ブロックに存在するデータを物理的な演算単位で前記内部メモリにコピーする第２過程と、を含むことを特徴とする請求項４に記載のフラッシュメモリのデータ管理方法。
【請求項６】
前記第１過程は、前記論理ブロック番号を所定の物理ブロック番号にマッピングさせるテーブルを通じて該当物理ブロックを検索することを特徴とする請求項５に記載のフラッシュメモリのデータ管理方法。
【請求項７】
前記第２段階は、前記内部メモリにコピーされたデータ上で論理的な演算単位でデータ演算を行うことを特徴とする請求項６に記載のフラッシュメモリのデータ管理方法。
【請求項８】
前記内部メモリでデータ演算が完了したデータを前記物理ブロックに移動させる第３段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のフラッシュメモリのデータ管理方法。
【請求項９】
前記第３段階は、前記物理ブロックへのデータ移動後、前記テーブルを更新する過程を含むことを特徴とする請求項８に記載のフラッシュメモリのデータ管理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフラッシュメモリのデータ管理装置及び方法に係り、さらに詳細には、大ブロックフラッシュメモリで、論理的な演算単位と物理的な演算単位との不一致によって生じる空間浪費及び性能低下を防止できるフラッシュメモリのデータ管理装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、家電機器、通信機器、セットトップボックスなどの内蔵型システムでは、データを保存して処理するための保存媒体として不揮発性メモリが多く使われている。
【０００３】
前記不揮発性メモリのうち主に使われるフラッシュメモリは、電気的にデータを削除または再記録できる不揮発性記憶素子であり、マグネチックディスクメモリを基盤とする保存媒体に比べて電力消耗が少ないながらもハードディスクのような速いアクセスタイムを持ち、かつコンパクトなサイズのために携帯機器の保存媒体として広く使われている。
【０００４】
また、前記フラッシュメモリは、ハードウェア的特性上、既存のＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）や不揮発性保存媒体、マグネチック保存媒体などのように特定位置に保存されたデータに任意に接近できるが、データを削除する場合には既存の保存媒体とは違ってブロック単位で削除がなされる。
【０００５】
このようなフラッシュメモリに基づく一般的なフラッシュメモリシステムは、図１に示されたように、フラッシュメモリ１０と、ユーザが前記フラッシュメモリ１０で所定のデータ演算を要請できる所定のユーザプログラム２１を搭載し、前記ユーザの要請によって前記フラッシュメモリ１０で所定のデータ演算を行わせる制御部２０と、を含む。
【０００６】
この際、前記制御部２０は、前記ユーザプログラムを搭載するファイルシステム２２と、前記ユーザの要請による所定のデータ演算、すなわち、前記フラッシュメモリ１０の読込み／書込み動作を前記フラッシュメモリ１０に伝達するフラッシュ変換階層（Ｆｌａｓｈ  Ｔｒａｎｓｌａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ；以下、ＦＴＬと称する）２３と、を含む。
【０００７】
前記ＦＴＬ２３は、前記フラッシュメモリ１０をブロックデバイスのように使用可能にするソフトウェアであって、一般的に前記フラッシュメモリ１０を管理するためのブロックリマッピング（Ｒｅｍａｐｐｉｎｇ）技法を支援する。
【０００８】
参考までに、前記ブロックリマッピング技法は、修正または削除によって前記フラッシュメモリ１０に記録された物理ブロック番号（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｂｌｏｃｋ  Ｎｕｍｂｅｒ；以下、ＰＢＮと称する）が変更されても、同じ論理ブロック番号（Ｌｏｇｉｃａｌ  Ｂｌｏｃｋ  Ｎｕｍｂｅｒ；以下、ＬＢＮと称する）でフラッシュメモリ１０に記録されたデータに接近可能に、特定のデータに対するＬＢＮとＰＢＮとの間のマッピング情報を管理することである。
【０００９】
前記フラッシュメモリ１０を使用するためには前記ＦＴＬによりローレベルフォーマット（Ｌｏｗ  Ｌｅｖｅｌ  Ｆｏｒｍａｔ）が行われるが、前記フラッシュメモリ１０は前記ローレベルフォーマットにより図２に示されたように、各々少なくとも１つ以上のブロックよりなるマップ領域３１、ログ領域３２、データ領域３３及び余裕領域３４に区分される。
【００１０】
この際、前記マップ領域３１は、前記ＬＢＮをＰＢＮに変換するブロックマッピングテーブル（Ｂｌｏｃｋ  Ｍａｐｐｉｎｇ  Ｔａｂｌｅ）を含むが、前記ブロックマッピングテーブルは前記データ領域３３で前記ＬＢＮに該当するＰＢＮを保存しており、前記ブロックマッピングテーブルが更新された場合、これを前記マップブロック１１に記録する。
【００１１】
また、前記ログ領域３２は、前記フラッシュメモリ１０でデータ演算を行う場合に優先的に使われる領域であって、前記データ領域３３に優先してデータの書込み／読込みが行われる領域である。
【００１２】
また、前記ログ領域３２には、ユーザのデータ演算要請時に使用したＬＢＮを前記ログ領域３２内の所定ＰＢＮにマッピングさせるログテーブル（Ｌｏｇ  Ｔａｂｌｅ）が保存される。
【００１３】
このようなログテーブルは、図３に示されたように、前記ＬＢＮ３２ａ、前記ＬＢＮ３２ａにマッピングされる前記ログブロック３２内の所定ブロックに対するＰＢＮ３２ｂ、及び前記ログブロック３２内の所定ブロックでデータが存在するページ番号３２ｃを含む。
【００１４】
ここで、前記ページは、実際のフラッシュメモリの所定ブロックでのデータ演算単位であって、１つのブロックは多数のページよりなる。
【００１５】
この際、前記ページ番号３２ｃは、前記ログ領域３２にデータを書込む場合、前記データの書込みが要求されるページに関係なく空いているページにデータが書込まれるために所定ページに書込まれたデータが、元来はどのページに書込まれなければならないかを示す。
【００１６】
したがって、前記ページ番号３２ｃは、前記ログ領域３２の所定ブロックに存在するデータを前記データ領域３３の所定ブロックだけ移動させる場合、図４に示されたように、前記ログ領域３２の所定のログブロック３３ｄの各ページに書込まれたデータが前記ページ番号３２ｃを通じて前記データ領域３３の所定のデータブロック３３ａには元来のページに書込まれうるようにするものである。
【００１７】
前記データ領域３３は、ブロック単位で接近されうるように前記ＦＴＬ２３により一定サイズのブロックに分割された多数のブロックよりなり、各ブロックは順次に与えられるＰＢＮを有する。
【００１８】
前記余裕領域３４は、前記ログ領域３２にデータが存在できる空間がない場合に使用可能なブロックよりなる。
【００１９】
前述したようなフラッシュメモリを用いたデータ演算方法を説明する。
【００２０】
まず、前記フラッシュメモリにデータを書込む場合を例として説明すれば、図５に示されたように、まずユーザが使用したＬＢＮが、前記マップ領域３１に保存されたブロックマッピングテーブルによりデータ領域３３のＰＢＮに変換される（Ｓ５１）。
【００２１】
また、前記ＬＢＮは、前記ログ領域３２に保存されたログテーブルにより前記ログ領域３２のＰＢＮに変換される（Ｓ５２）。
【００２２】
以下、前記データ領域３３のＰＢＮはデータＰＢＮと称し、前記ログ領域３２のＰＢＮはログＰＢＮと称する。
【００２３】
この際、前記データが書込まれるログＰＢＮが存在し（Ｓ５３）、前記ＬＢＮによる前記ログＰＢＮの該当ページにデータを書込める場合（Ｓ５４）、前記該当ページにデータを書込むようになる（Ｓ５５）。
【００２４】
もし、前記データ書込みを行おうとするページに他のデータが存在する場合、前記ログＰＢＮ内で他のページを割当てうるかを判断し（Ｓ５６）、他のページが存在する場合には新たに割当てられたページにデータを書込む（Ｓ５７）。
【００２５】
もし、前記ＬＢＮが前記ログテーブルにより変換されたログＰＢＮに他のデータが存在する場合、前記ログ領域３２内で他のブロックを割当てることができるかを判断する（Ｓ５８）。
【００２６】
前記判断の結果、他のブロックを割当てられない場合、前記ログブロック３２内のマージ（Ｍｅｒｇｅ）演算を通じてブロックを併合し、データが書込まれていないブロックを割当てる（Ｓ５９）。
【００２７】
以後、前記ブロック併合を通じて割当てられたブロックにデータを書込む（Ｓ６０）。
【００２８】
この際、前記ブロック併合を経ずに、他のブロックを割当てることができる場合には、該当ブロックにデータを書込む。前述したようなデータ書込みが完了すれば、前記ログテーブルを更新する（Ｓ６１）。
【００２９】
一方、他の実施例においてデータ読込みの場合には、図６に示されたように、まず前記ＬＢＮを通じて前記ログＰＢＮを検索する（Ｓ７１）。
【００３０】
前記検索の結果、該当ログＰＢＮが存在すれば（Ｓ７２）、前記ログＰＢＮに接近してデータが書込まれたページを検索する（Ｓ７３）。
【００３１】
前記ページ検索の結果、該当データがある場合、前記ログＰＢＮの該当ページからデータを読込む（Ｓ７４）。
【００３２】
もし、前記ＬＢＮに該当するログＰＢＮが存在しないか、前記検索されたログＰＢＮでデータが書込まれたページが検索されていない場合、前記ブロックマッピングテーブルによるデータ領域３３のデータＰＢＮを通じてデータを検索して読込む（Ｓ７５）。
【００３３】
このようなフラッシュメモリは小ブロックフラッシュメモリと大ブロックフラッシュメモリとに大別される。
【００３４】
前記小ブロックフラッシュメモリは、論理的な演算単位と物理的な演算単位とが同一であり、一方、前記大ブロックフラッシュメモリは前記論理的な演算単位に比べて物理的な演算単位が大きい特徴を有する。
【００３５】
したがって、前記大ブロックフラッシュメモリの場合に少なくとも１つ以上の論理的な演算単位が集まって１つの物理的な演算単位をなすために非効率的なデータ演算によりフラッシュメモリの相当部分を使用できない結果を招く恐れがある。
【００３６】
すなわち、前記大ブロックフラッシュメモリで論理的な演算単位が５１２ｂｙｔｅであり、物理的な演算単位が２０４８ｂｙｔｅである場合を例として説明すれば、前記５１２ｂｙｔｅ単位でデータ演算が行われる場合、実際のフラッシュメモリでは２０４８ｂｙｔｅのうち５１２ｂｙｔｅだけ使用し、残りの１５３６ｂｙｔｅは使われず、全体容量の７５％を浪費する問題点がある。
【００３７】
特許文献１は所定ブロックの思想情報を土台に物理的なユニットを探す段階を備えて、循環係数を使って状態情報を分散配してフラッシュメモリブロックとかユニットの記録状態の管理が可能な在社上制御方法を開始しているが、これは竹ブロックフラッシュメモリから論理的な演算単位と物理的な演算単位の不一致によった空間むだづかいを減少させがたい問題点がある。
【特許文献１】韓国公開特許第２００２−００２８６２４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３８】
本発明は、大ブロックフラッシュメモリで論理的な演算単位と物理的な演算単位との不一致によって発生するフラッシュメモリでの空間浪費を最小化できるフラッシュメモリのデータ管理装置及び方法を提供するところにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００３９】
前記目的を達成するために本発明の実施例に係るフラッシュメモリのデータ管理装置は、所定の内部メモリを含むフラッシュメモリのデータ管理装置において、所定のデータ演算を行おうとする物理ブロックに存在するデータを前記内部メモリにコピーし、前記内部メモリで所定のデータ演算を行って前記物理ブロックに移動させる。
【００４０】
望ましくは、前記内部メモリで物理的な演算単位に該当するデータがコピーされる。
【００４１】
望ましくは、前記物理ブロックに移動するデータは、前記内部メモリにコピーされたデータで論理的な演算単位で修正される。
【００４２】
一方、本実施例に係るフラッシュメモリのデータ管理方法は、所定の内部メモリを含むフラッシュメモリのデータ管理方法において、所定のデータ演算を行う物理ブロックに存在するデータを前記内部メモリにコピーする第１段階と、前記内部メモリで所定のデータ演算を行う第２段階と、を含む。
【００４３】
望ましくは、前記第１段階はデータ演算を行う論理ブロックに該当する物理ブロックを検索する第１過程と、前記物理ブロックに存在するデータを物理的な演算単位で前記内部メモリにコピーする第２過程と、を含む。
【００４４】
望ましくは、前記第１過程は、前記論理ブロック番号を所定の物理ブロック番号にマッピングさせるテーブルを通じて該当物理ブロックを検索する。
【００４５】
望ましくは、前記第２段階は前記内部メモリにコピーされたデータ上で論理的な演算単位でデータ演算を行う。
【００４６】
望ましくは、前記内部メモリでデータ演算が完了したデータを前記物理ブロックに移動させる第３段階をさらに含む。
【００４７】
望ましくは、前記第３段階は、前記物理ブロックへのデータ移動後、前記テーブルを更新する過程を含む。
【００４８】
その他の実施例の具体的な事項は詳細な説明及び図面に含まれている。
【発明の効果】
【００４９】
本発明のフラッシュメモリのデータ管理装置及び方法によれば、次のような効果が１つあるいはそれ以上得られる。
【００５０】
第１に、大ブロックフラッシュメモリで論理的な演算単位と物理的な演算単位との不一致によって発生する空間の浪費を効率よく防止できる。
【００５１】
第２に、フラッシュメモリの空間の効率的な使用が可能なためにフラッシュメモリの性能を向上させうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５２】
本発明の利点及び特徴、そしてこれを達成する方法は添付された図面に基づいて詳細に後述されている実施例を参照すれば明確になる。しかし、本発明は以下で開示される実施例に限定されるものではなく、この実施例から外れて多様な形に具現でき、本明細書で説明する実施例は本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で当業者に発明の範ちゅうを完全に報せるために提供されるものであり、本発明は請求項及び発明の詳細な説明により定義されるだけである。一方、明細書全体に亙って同一な参照符号は同一な構成要素を示す。
【００５３】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳細に説明する。
【００５４】
一般的に、フラッシュメモリは、小ブロックフラッシュメモリと大ブロックフラッシュメモリとに大別される。
【００５５】
前記小ブロックフラッシュメモリは、論理的な演算単位と物理的な演算単位との大きさが同一であり、一方、前記大ブロックフラッシュメモリは論理的な演算単位に比べて物理的な演算単位が大きい特徴を有する。
【００５６】
すなわち、前記小ブロックフラッシュメモリは、図７Ａに示されたように、論理的な演算単位５１と物理的な演算単位５２とが同一であり、前記大ブロックフラッシュメモリは、図７Ｂに示されたように、物理的な演算単位５３は少なくとも１つ以上の論理的な演算単位５４を含む。
【００５７】
ここで、前記論理的な演算単位はユーザ側でのデータ演算単位であって、一般的にセクタと称し、前記物理的な演算単位は実際のフラッシュメモリでのデータ演算単位であって、一般的にページと称する。
【００５８】
また、前記論理的な演算単位及び物理的な演算単位は、前記フラッシュメモリが使われる装置によって多様な大きさに使われうる。
【００５９】
この際、前記小ブロックフラッシュメモリでは、前記論理的な演算単位と物理的な演算単位とが同一であるために、容易なデータ演算が可能であるが、前記大ブロックフラッシュメモリでは論理的な演算単位と物理的な演算単位との不一致によって非効率的なデータ演算が行われる。
【００６０】
すなわち、前記大ブロックフラッシュメモリで論理的な演算単位の大きさが５１２ｂｙｔｅであり、前記物理的な演算単位の大きさが２０４８ｂｙｔｅである場合を例として説明すれば、前記ユーザ側では５１２ｂｙｔｅ単位でデータ演算を行うために、前記フラッシュメモリでは全体２０４８ｂｙｔｅのうち５１２ｂｙｔｅだけ使用するようになり、残りの空間を浪費するようになる。
【００６１】
本実施例は、前記大ブロックフラッシュメモリでの前記論理的な演算単位と物理的な演算単位との不一致による空間浪費と性能低下とを改善できるフラッシュメモリのデータ管理装置に関し、前記フラッシュメモリのデータ管理装置は、図８に示されたように、所定の内部メモリ１１０を含むフラッシュメモリ１００をブロックデバイスのように使用可能にし、前記フラッシュメモリ１００でのＬＢＮとＰＢＮとの間のマッピング情報を含むＦＴＬ２００と、前記マッピング情報によって前記フラッシュメモリ１００で同一に含まれた多数の論理アドレスに対するデータ演算実行時に該当物理アドレスのデータを前記内部メモリ１１０に移動させ、前記内部メモリ１１０で所定のデータ演算を行う制御部３００と、を含む。
【００６２】
前記ＦＴＬ２００は、前記フラッシュメモリ１００を使用するためにローレベルフォーマットを行うが、前記フラッシュメモリ１００は、図９に示されたように、前記ローレベルフォーマットにより各々少なくとも１つ以上のブロックよりなるＦＴＬ情報領域１０１、ログ領域１０２、余裕領域１０３及びデータ領域１０４に区分されうる。
【００６３】
この際、前記ＦＴＬ情報領域１０１にはユーザ側で使用したＬＢＮを前記データ領域１０４のＰＢＮにマッピングさせるブロックマッピングテーブルを含む。
【００６４】
このようなブロックマッピングテーブルは、図１０に示されたように、ユーザが使用した所定のＬＢＮ５１０に対応する前記データ領域１０４のＰＢＮ５２０よりなる。
【００６５】
また、前記ログ領域１０２には、前記ＬＢＮを前記ログ領域１０２内のＰＢＮにマッピングさせるログテーブルが保存される。
【００６６】
すなわち、前記ログ領域１０２は、前記フラッシュメモリ１００に所定のデータ演算を行う場合に優先的にデータ演算が行われる領域であって、前記ＬＢＮを前記ログ領域１０２のＰＢＮにマッピングさせるログテーブルを含む。
【００６７】
また、前記ログ領域１０２の各ＰＢＮは前記データ領域１０４のＰＢＮにマッピングされるが、図１１に示されたように、前記ログ領域１０２の各ＰＢＮ５３０は前記データ領域１０４のＰＢＮ５４０とマッピングされる。
【００６８】
このようなログテーブルは、図１２に示されたように、所定のＬＢＮ６１０にマッピングされるＰＢＮ６２０、前記ＰＢＮ６２０に含まれる各ページの番号６３０を含む。
【００６９】
前記余裕領域１０３は、前記ログ領域１０２に空いている空間が存在しない場合に使われる領域である。すなわち、前記フラッシュメモリ１００で所定のデータ演算実行時に前記ログ領域１０２でデータ演算を行う空間が存在しない場合、前記余裕領域１０４をマッピングさせてデータ演算が行われるようにする。
【００７０】
前記制御部３００は、前記フラッシュメモリ１００に所定のデータ演算を行うＬＢＮに該当するＰＢＮに存在するデータを前記内部メモリ１００に移動させ、データ演算を行う。この際、前記ＬＢＮはデータ演算を行うＰＢＮだけでなく、前記ＰＢＮに含まれた論理的な演算単位であるセクタと物理的な演算単位であるページの情報も共に含む。
【００７１】
すなわち、前記セクタの大きさが５１２ｂｙｔｅであり、前記ページの大きさが２０４８ｂｙｔｅである場合を例として説明すれば、図１３Ａのように所定ページ７１０の単一セクタ単位でデータ演算を行うか、図１３Ｂのように各ページ７２０、７３０、７４０で少なくとも１つ以上のセクタに対するデータ演算を共に行える。
【００７２】
したがって、前記制御部３００は、前記フラッシュメモリ１００の所定ページに既に存在するデータを前記内部メモリ１１０にコピーした後、該当セクタに対するデータ演算を行い、これを再び該当ページに移動させる。
【００７３】
本実施例では前記データ演算を行う物理アドレスに既に所定のデータが存在して空間がない場合を例として説明する。
【００７４】
したがって、該当ページのデータを前記内部メモリ１００にコピーさせ、該当セクタのデータをオーバーラップさせれば、論理的な演算単位と物理的な演算単位との不一致による空間の浪費を防止しうる。
【００７５】
前記のように構成される本実施例に係るフラッシュメモリのデータ管理装置の動作を説明すれば次の通りである。
【００７６】
本実施例に係るフラッシュメモリのデータ管理方法をデータ書込みとデータ読込みとを例として説明する。
【００７７】
まず、本実施例に係るフラッシュメモリのデータ書込み方法は、図１４に示されたように、まずユーザが所定のＬＢＮにデータ書込みを行おうとする場合、前記ログテーブルにより前記ＬＢＮがＰＢＮに変換される（Ｓ１１０）。
【００７８】
この際、前記データは優先的に前記ログ領域１０２に書込まれるので、前記ＬＢＮは前記ログ領域１０２のＰＢＮに変換される。
【００７９】
もし、前記ＬＢＮにマッピングされるＰＢＮがない場合（Ｓ１２０）、前記ＬＢＮを所定のＰＢＮにマッピングさせ、これを前記ログテーブルに追加する（Ｓ１３０）。
【００８０】
以後、前記ＬＢＮがＰＢＮに変換されれば、該当ＰＢＮでのページを検索する（Ｓ１４０）。
【００８１】
該当ページが検索されれば、前記ページに含まれたあらゆるセクタにデータを書込むか否かを判断する（Ｓ１５０）。
【００８２】
前記判断の結果、あらゆるセクタにデータを書込む場合、該当ページにデータを書込むようになる（Ｓ１６０）。
【００８３】
もし、前記判断の結果、一部セクタにデータを書込む場合、該当ページのデータを前記内部メモリ１１０にコピーする（Ｓ１７０）。
【００８４】
すなわち、図１５に示されたように、前記ＬＢＮのページ３でセクタ１及びセクタ２にデータを書込み、図１６に示されたように、前記ログテーブルにより前記データが前記ＬＢＮに該当するログ領域１０２のＰＢＮのページ１に使われる場合を例として説明すれば、図１７に示されたように、前記ＬＢＮに該当するデータ領域１０４のＰＢＮでページ３に存在するデータを前記内部メモリ１１０にコピーする。
【００８５】
この際、前記データ領域１０４のデータが前記内部メモリ１１０にコピーされたが、前記内部メモリ１１０にコピーされるデータは前記ログ領域１０２のデータでもあり得る。
【００８６】
以後、前記内部メモリ１１０にコピーされたデータを修正し、前記ページに前記修正されたデータを書込む（Ｓ１８０）。
【００８７】
すなわち、図１８に示されたように、前記ＬＢＮに該当する前記ログ領域１０２のＰＢＮのページ１には、前記データ領域１０４で前記内部メモリ１１０にコピーされたデータでセクタ１及びセクタ２が修正されて書き込まれる。
【００８８】
前記ページへのデータ書込みが完了すれば、前記ログテーブルを更新する（Ｓ１９０）。
【００８９】
一方、他の実施例としてフラッシュメモリでデータを読むための方法を説明する。
【００９０】
本実施例に係るフラッシュメモリでデータを読む方法は、図１９に示されたように、まずユーザが所定のＬＢＮを通じてデータ読込みを要請すれば（Ｓ２１０）、前記ＦＴＬ情報領域１０１に保存されたログテーブルで前記ＬＢＮに該当するＰＢＮが前記ログ領域１０２に存在するか否かを判断する（Ｓ２２０）。
【００９１】
前記判断の結果、前記ログ領域１０２に該当ＰＢＮが存在する場合、前記ＰＢＮにデータが存在するページの存否を判断する（Ｓ２３０）。
【００９２】
前記判断の結果、前記ログ領域１０２に該当データが存在するページがある場合、前記ページからデータを読込む（Ｓ２４０）。
【００９３】
もし、前記ログ領域１０２の該当データが存在するページが存在しない場合、前記ログテーブルを通じて前記データ領域１０４の所定ブロックのページから該当データを読込む（Ｓ２５０）。
【００９４】
以上、例示された図を参照して 本発明によるフラッシュメモリのデータ管理装置及び方法を説明したが、本発明は前記実施例に限定されず、本発明の技術的要旨を外れない範囲内で当業者により多様に変形実施されることができる。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明はフラッシュメモリのデータ管理技術分野に好適に適用されうる。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】従来の技術に係るフラッシュメモリのデータ管理装置が示された図面である。
【図２】ローレベルフォーマットを経たフラッシュメモリの構造が示された図面である。
【図３】一般的なログテーブルが示された図面である。
【図４】一般的なログテーブルを通じたログブロックとデータブロック間のデータ移動が示された図面である。
【図５】従来の技術に係るフラッシュメモリでのデータ書込み方法が示された図面である。
【図６】従来の技術に係るフラッシュメモリでのデータ読込みが示された図面である。
【図７Ａ】一般的な小ブロックフラッシュメモリを示す図面である。
【図７Ｂ】一般的な大ブロックフラッシュメモリを示す図面である。
【図８】本発明に係るフラッシュメモリのデータ管理装置が示された図面である。
【図９】本発明に係るＦＴＬによりローレベルフォーマットを経たフラッシュメモリの構造が示された図面である。
【図１０】本発明に係るブロックマッピングテーブルが示された図面である。
【図１１】本発明に係るログ領域及びデータ領域のマッピングが示された図面である。
【図１２】本発明に係るログテーブルが示された図面である。
【図１３Ａ】一般的な単一セクタに対するデータ書込みを示す図面である。
【図１３Ｂ】一般的な多重セクタに対するデータ書込みを示す図面である。
【図１４】本発明に係るフラッシュメモリでのデータ書込みが示された図面である。
【図１５】本発明に係るフラッシュメモリにおいてデータ書込みを行おうとするセクタが示された図面である。
【図１６】本発明に係るログブロックにおいてデータ書込みを行おうとするページが示された図面である。
【図１７】本発明に係る内部メモリにコピーされるデータブロックのページが示された図面である。
【図１８】本発明に係る内部メモリにコピーされたデータが修正されてログブロックに移動した図面である。
【図１９】本発明に係るフラッシュメモリでのデータ読込みが示された図面である。
【符号の説明】
【００９７】
１００    フラッシュメモリ
１１０    内部メモリ
２００    ＦＴＬ
３００    制御部
【図１】
2005222534.tif 000003
【図２】
2005222534.tif 000004
【図３】
2005222534.tif 000005
【図４】
2005222534.tif 000006
【図５】
2005222534.tif 000007
【図６】
2005222534.tif 000008
【図７Ａ】
2005222534.tif 000009
【図７Ｂ】
2005222534.tif 000010
【図８】
2005222534.tif 000011
【図９】
2005222534.tif 000012
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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