(57)【要約】      （修正有）【課題】信頼性の高い電気的接続性を有し、かつ生産コストの低減と寸法精度の向上を両立させた導電性シートを提供する。【解決手段】導電性シートの絶縁性基体の表裏両面に導電層が形成され、その表裏両面の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールを介して、互いに電気的に接続されているものであって、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて同一の構成を有する導電層を同一の工程で形成する。【選択図】        図３
2005019513.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基体の表裏両面に導電層が形成され、その表裏両面の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールを介して互いに電気的に接続されている導電性シートであって、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて同一の構成を有する導電層が形成されていることを特徴とする導電性シート。
【請求項２】
前記導電層は、スパッタリング法または蒸着法により形成される第１導電層と、無電解めっき法または電気めっき法により形成される第２導電層とを含むことを特徴とする請求項１記載の導電性シート。
【請求項３】
前記導電層は、前記絶縁性基体にスルホールが開孔された後、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて同一工程で形成されることを特徴とする請求項１記載の導電性シート。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電性シートに関する。より詳細には、半導体用基板や電気、電子部品用回路基板、各種パッケージング、自動車部品、太陽電池、アンテナ回路基板等に好適に用いることができる導電性シートに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、導電性シートの表裏両面の導電層をスルホールを介して電気的に接続するということが行なわれている。たとえば、スルホールの壁面に対して、蒸着法により導電層を形成させて、これにより絶縁性基体の表面に形成された銅箔等の導電層を電気的に接続しようとする試みが提案されている（特許文献１）。
【０００３】
しかしながら、このような方法においては、絶縁性基体上の導電層とスルホール内の導電層との構成が全く異なり一体性に欠けるため、信頼性の高い電気的接続を保証することはできなかった。また、これら両導電層は全く独立した形成工程を経て製造されるものであるため、製造効率が悪く生産コストを高くしていた。さらに、蒸着法によって効率的に厚い導電層を形成させることは困難であるため、その導電層の厚みがどうしても薄くなり、この点からも信頼性の高い電気的接続を保証することはできなかった。
【０００４】
一方、これに対して電気的信頼性を高めるためにスルホール内の導電層を無電解めっき法または電気めっき法により厚く形成することが試みられている。すなわち、まず絶縁性基体の表裏両面に銅箔等を貼り合わせることにより導電層を形成させた後、パンチング、ドリル、プレス、レーザ等の公知の穴開け加工により開孔を施すことにより、絶縁性基体と導電層の両者を貫通するようにしてスルホールを形成させる。その後、触媒処理やカーボンブラック処理を施した後、無電解めっき法や電気めっき法によりスルホールの壁面に対して導電層を形成させる方法が試みられている。
【０００５】
しかしながら、この方法においても絶縁性基体の表裏両面の導電層（銅箔等）とスルホール内の導電層（めっき層等）の構成は全く異なり一体性に欠けるため、信頼性の高い電気的接続を保証することはできなかった。また、これら両導電層は全く独立した製造工程を経て製造されるものであるため生産コストが高くなっていた。
【０００６】
さらに、図５に示したようにこの方法により無電解めっき法や電気めっき法によりスルホール５０２の壁面に形成される導電層５０４は、該壁面のみに選択的に形成することは困難であり、絶縁性基体５０１上に予め形成されている導電層５０３上にも不可避的に形成されることとなるため、結果的に絶縁性基体上の導電層５０５が極めて厚く形成されることになっていた。このように絶縁性基体上の導電層が厚く形成されると、エッチング等により回路を形成する際に微細な加工をすることが困難となり、加工時間に長時間を要し生産コストを高くするとともに寸法精度そのものも悪化させていた。
【０００７】
【特許文献１】
特開平４−２８６３９４号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の現状に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、信頼性の高い電気的接続性を有し、かつ生産コストの低減と寸法精度の向上を両立させた導電性シートを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の導電性シートは、絶縁性基体の表裏両面に導電層が形成され、その表裏両面の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールを介して互いに電気的に接続されている導電性シートであって、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて同一の構成を有する導電層が形成されていることを特徴としている。このような構成を採用したことにより、絶縁性基体の表裏両面の導電層が互いに信頼性高く電気的に接続可能となるとともに、生産コストの低減と寸法精度の向上を両立させることができる。
【００１０】
また、上記導電層は、スパッタリング法または蒸着法により形成される第１導電層と、無電解めっき法または電気めっき法により形成される第２導電層とを含むことができる。これにより、絶縁性基体の表裏両面に形成されている導電層の絶縁性基体に対する密着性が向上し電気的接続の信頼性をさらに向上させることができる。
【００１１】
さらに、上記導電層は、上記絶縁性基体にスルホールが開孔された後、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて同一工程で形成されることができる。これにより、絶縁性基体の表裏両面とスルホールの壁面とに形成されている導電層の一体化を促進することができ電気的接続の信頼性をさらに高めることができるとともに、生産コストを低減させることができる。また、これにより導電層の厚みを可能な限り薄くし得、もって寸法精度をより向上させることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
＜導電性シート＞
本発明の導電性シートは、絶縁性基体の表裏両面に導電層が形成され、その表裏両面の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールを介して互いに電気的に接続された構成を有するものである。
【００１３】
このような構成を有する本発明の導電性シートは、半導体用基板や電気、電子部品用回路基板、各種パッケージング、自動車部品、太陽電池、アンテナ回路基板等に好適に用いることができる。以下、本発明の導電性シートの各構成について説明する。図３（導電性シートの開孔部の概略断面図）に示したように、本発明の導電性シート７は、スルホール２（およびアライメントホール３）が開孔された絶縁性基体１に対して、導電層６（第１導電層４と第２導電層５とを含む）が形成されたものである。
【００１４】
＜絶縁性基体＞
本発明の導電性シートの基材として用いられる絶縁性基体としては、この種の用途に用いることができる従来公知のものであれば特に限定なくいかなるものも用いることができる。特に、薄い厚みを有するフイルムの形状のものが好適である。後述の導電層の形成に適しているとともに、ロールのような長尺の連続状のものとして加工することが可能となり生産効率を向上させることができるからである。
【００１５】
このような絶縁性基体の一例を挙げると、たとえばポリイミド、アラミド、ＰＥＴ等のポリエステル、ポリスルフォン、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンオキシド、ＰＥＮ、液晶ポリマー、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂等のフィルムを挙げることができる。これらの中でも特に柔軟性に優れ高性能化の可能なポリイミドやガラス繊維強化エポキシ樹脂からなるフィルムを用いることが好ましい。
【００１６】
なお、ここでいうフィルムとは、その厚みが４〜１５０μｍ、好ましくは１２〜７５μｍ程度のものが好適である。４μｍ未満では、強度が弱く加工に耐えられない場合があり、１５０μｍを超えると柔軟性に欠けロール状にして取扱いができなくなる場合があるとともに、後述のようにスルホールの壁面に対して導電層を形成する際に支障をきたす場合があるからである。
【００１７】
また、このように絶縁性基体の形状は、フィルム状のものが特に適しているが、フィルム状の形状であれば枚葉の形態のものであってもロールのような長尺の連続状の形態のものであっても差し支えない。本発明においては、特にその製造における加工効率の観点からロールのような長尺の連続状のものを用いることが好適である。
【００１８】
＜スルホール＞
本発明におけるスルホールとは、前記絶縁性基体の表裏を物理的に貫通するように設けられている小孔であって、このスルホールを介して該絶縁性基体の表裏両面に形成される後述の導電層は互いに電気的に接続されることになる。
【００１９】
本発明においては、絶縁性基体に対してこのスルホールを形成した後に後述の導電層を形成することが好ましい。これにより、絶縁性基体の表裏両面の導電層とスルホール内の導電層とを一体的に形成することが可能となり、生産コストの低減に資することができるとともに、信頼性の高い電気的接続を保証することができる。
【００２０】
このようなスルホールの形状は、前記絶縁性基体の表裏を貫通する限り特に限定されることはなく、たとえばその断面形状を円形のものや多角形状のものとすることができる。該形状が円形である場合、その内径は５μｍ〜３ｍｍ、好ましくは２５〜２００μｍとすることが好適である。その内径が５μｍ未満である場合、開孔が困難となり加工コストが高くなるとともに、３ｍｍを超えると絶縁性基体の全表面に占めるスルホールの面積が大きくなり過ぎ有効な回路スペースが確保できなくなる。
【００２１】
また、このようなスルホールの開孔密度（数）は、特に限定されるものではないが、通常１００ｃｍ２当り１０個〜１０００万個、より一般的には１００個〜５０万個、さらに一般的には１００個〜１０万個である。１０個未満では、導電性シートの表裏の導電層をスルホールを介して電気的に接続するという実質的な機能が示されなくなるとともに、１０００万個を超えると加工上絶縁性基体の強度が維持できなくなり精度が劣るため好ましくない。
【００２２】
このようなスルホールは、従来公知の開孔方法（穴開け加工方法）であれば特に限定することなくいずれの方法によっても開孔することができる。たとえば各種レーザ、ドリル、パンチ、プレスなどの開孔手段により絶縁性基体を貫通するようにして開孔される。特にスルホールの内径が８０μｍよりも小さくなる場合は、各種レーザにより開孔することが好ましい。
【００２３】
＜導電層＞
本発明の導電層は、前記絶縁性基体の表裏両面と前記スルホールの壁面とに形成されるものであって、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて同一の構成を有するようにして形成される。絶縁性基体の表裏両面の導電層は、スルホールを介して電気的に接続されるものであるが、ここでスルホールを介して電気的に接続されるとは、具体的にはこのように絶縁性基体の表裏両面に形成されている導電層がスルホールの壁面に形成される同一構成の導電層により電気的に接続されていることを意味している。このように、絶縁性基体の表裏両面の導電層とスルホールの壁面の導電層とが同一の構成を有することにより、信頼性の高い電気的接続が可能となる。
【００２４】
このような導電層は、電気導電性の作用を有する限りその組成が特に限定されるものではないが、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、ＳｎおよびＣｏからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属または該金属を少なくとも一種含む合金により構成されることが好ましく、単一層として形成することができるとともに、同一組成のものあるいは異なった組成のものを複数層積層して形成することもできる。ここで、該導電層が絶縁性基体の表裏両面とスルホールの壁面とにおいて同一の構成を有するとは、このような積層状態が同一であることを意味し、必ずしもその層の厚さまでもが同一であることを意味するものではない。
【００２５】
このような導電層は、スパッタリング法または蒸着法により形成される第１導電層と、無電解めっき法または電気めっき法により形成される第２導電層とを含むことができる。本発明においては、これらの第１導電層および第２導電層がそれぞれ単層または複数層積層されて、導電層を構成することができる。
【００２６】
＜第１導電層＞
本発明の第１導電層は、前記絶縁性基体上に直接形成されるものであり、上記に示した金属または該金属を少なくとも一種含む合金をスパッタリング法または蒸着法により形成することができる。この第１導電層は、後述の第２導電層を形成するための言わば下地層としての作用を有するものであり、第２導電層の絶縁性基体に対する密着性を向上させる作用を有するものである。
【００２７】
このような第１導電層は、３００〜５０００Å、好ましくは１０００〜３０００Åの厚みで形成することが好適である。３００Å未満では、後述の第２導電層の密着性を向上させる作用を十分に示すことができず、また５０００Åを超えても第２導電層の密着性に大差なく却ってコスト的に不利となる。
【００２８】
このような第１導電層は、前述の通り１層（単層）または２層以上（複数層）積層して形成することができ、２層以上積層される場合は全体として上記厚みを有するものとすることができる。
【００２９】
なお、２層以上積層する場合は、絶縁性基体上にまずＮｉやＣｒ等の金属やそれを含む合金を積層し、その上にＣｕ等の金属やそれを含む合金を積層させることが好ましい。ＮｉやＣｒには、経時的に密着力が劣化するのを防止する作用があり、またその上にＣｕ等の金属やそれを含む合金を積層させることにより第２導電層との密着性を高めることができるからである。
【００３０】
＜第２導電層＞
本発明の第２導電層は、前記第１導電層上に形成されるものであり、上記に示した金属または該金属を少なくとも一種含む合金を無電解めっき法または電気めっき法により適用することにより形成されるものである。この第２導電層は、前記第１導電層よりも厚く形成することにより主として電気導電性を付与する作用を奏するものである。
【００３１】
このような第２導電層は、０．５〜１００μｍ、好ましくは１〜２５μｍの厚みで形成することが好適である。０．５μｍ未満では、電気抵抗が大きくなり過ぎるという問題があり、また１００μｍを超えても電気導電性に大差なく却ってコスト的に不利となる。
【００３２】
このような第２導電層は、前述の通り１層（単層）または２層以上（複数層）積層して形成することができ、２層以上積層される場合は全体として上記厚みを有するものとすることができる。
【００３３】
なお、この第２導電層は、比較的厚く形成させる場合には電気めっき法を採用して形成することが好ましく、また比較的薄く形成させる場合には、無電解めっき法を採用して形成することが好ましい。
【００３４】
＜導電層の積層方法＞
本発明の前記導電層は、前記絶縁性基体にスルホールが開孔された後、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて同一工程で形成されるものとすることが好ましい。これにより、絶縁性基体の表裏両面の導電層とスルホール内の壁面の導電層とを一体的に形成することが可能となり、生産コストの低減に資することができるとともに、信頼性の高い電気的接続を保証することができる。また、寸法精度の向上にも資するものとなる。
【００３５】
ここで、導電層が同一工程で形成されるとは、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて該導電層が同時的かつ一体的に形成されることを意味している。
【００３６】
すなわち、たとえば該導電層が第１導電層と第２導電層とを含む場合、まず第１導電層が該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とに対してスパッタリング法または蒸着法により同時的かつ一体的に形成され、続いて第２導電層が該第１導電層上に対して無電解めっき法または電気めっき法により同時的かつ一体的に形成されるような場合が含まれる。このように、導電層が第１導電層と第２導電層を含む場合や、それぞれの層が複数層積層される場合には、各層が上記のように同時的かつ一体的に形成される限り、導電層が同一工程で形成されるものとする。
【００３７】
なお、該導電層がスパッタリング法や蒸着法により形成される場合であって、加工装置の特性等により表裏両面を一度に処理することができない場合において、表と裏それぞれについて二回の操作で導電層が形成されるとしても、表裏両面の導電層とスルホールの壁面の導電層は同一工程で形成されるものとする。またこの場合、スルホールの壁面の導電層は、この二回の操作のそれぞれの操作によりホールの中位の高さ（深さ）まで形成されると考えられ、結局二回の操作によりスルホールの壁面全体に導電層が形成されるものと考えられる。また、該ホールの中位の高さ（深さ）部分において導電層が加重的に積層されていたとしても、その部分の構成は絶縁性基体の表面部の導電層の構成と同一の構成とみなすものとする。
【００３８】
このように導電層を同一工程で形成することにより、従来、絶縁性基体の表裏両面にまず導電層を形成させた後、スルホールを開孔させ、その後改めてそのスルホールの壁面に対して導電層を形成させていた方法と比較して、導電層の形成工程の回数を半減化することができるため、生産コストを大きく低減させることが可能となった。しかも、同一工程で一体的に形成されるため、信頼性の高い接続効果が得られる。
【００３９】
また、上記のような従来法においては、スルホールの壁面のみに対して選択的に導電層を形成させることは困難であり、どうしても絶縁性基体上に予め形成されている導電層の上にまで回り込む形で導電層が形成されてしまう。しかし、これでは導電層の厚みが加重されて形成されることとなり、このように絶縁性基体上の導電層の厚みが厚くなると、回路を形成する加工が困難となり寸法精度そのものも悪化する。これに対して、本発明の上記形成方法によれば、導電層の厚みが加重されることがなく、もって可能な限り導電層の厚みを薄くすることが可能となり、回路を容易に形成することができるとともに寸法精度を悪化することもない。
【００４０】
＜その他＞
本発明の絶縁性基体には、アライメントマークを形成することができる。当該アライメントマークはスルホールの所定の位置を決定する基準となるものであり、通常絶縁性基体の両端（スルホールの設けられていない位置）に形成するのが好適である。
【００４１】
このようなアライメントマークは光学的、電子的、磁気的、目視的あるいはその他の読み取り手段によりスルホールの所定の位置を決定できるものであればいかなるものであっても差し支えなく、またその形成方法としても特に限定されるものではない。たとえば、目視的に読み取る場合にはこのアライメントマークとして絶縁性基体の両端にこの基体を貫通させるようにしてホールを開けたものが好適である。そしてこのホール（アライメントホールと呼ぶ）はさらに好ましくは一定の間隔を持って連続的に開孔させるのが好適である。このような構成を取ることによりスルホールの位置をさらに簡単に決定することができるようになるからである。
【００４２】
このようなアライメントホールの大きさとしては、通常５μｍ〜３ｍｍ程度とするのが好ましく、各種レーザ、ドリル、パンチ、プレスなどにより開孔させることが可能である。このようなアライメントホールが、８０μｍよりも小さい場合には、各種レーザを用いることが好ましい。
【００４３】
また、このようなアライメントホールは上記のスルホールと同様、その内壁面に導電層が形成されていても差し支えない。
【００４４】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下においては図面を参照して説明するが、各図面において同一の参照符号を付したものは、同一部分または相当部分を示している。
【００４５】
＜実施例１＞
本発明の導電性シートの製造方法を図１〜４を用いて説明する。
【００４６】
まず、絶縁性基体１として、厚み５０μｍ、幅２５０ｍｍ、長さ１００ｍのポリイミドフィルム（商品名：アピカル、カネボウ製）を、ＣＯ２レーザ加工機（三菱電機製）にセットした。そして、この加工機により図１に示したように、該ポリイミドフィルムの表裏両面を貫通するようにして内径７０μｍのスルホール２と、内径２００μｍのアライメントホール３をそれぞれ開孔させた。
【００４７】
続いて、上記のようにしてＣＯ２レーザにより開孔処理がされた導電性基体１に対して、該処理時に開孔部およびその周辺に生成した炭化物を取除くため以下の処理を行なった。すなわち、該導電性基体１をディスミャ装置にセットし、液温６０℃の５０ｇ／ｌの過マンガン酸カリウム水溶液の浸漬浴に７０秒間浸漬した後、純水による洗浄を５回繰り返して行なった。
【００４８】
その後さらに、液温４０℃の５％の硫酸の浸漬浴に２分間浸漬させることにより中和処理した後、再度純水による洗浄を５回繰り返して行なった。続いて、高性能フィルタ（フィルタの開孔部の大きさが０．５μｍ以下）を通した１０５℃の乾燥エアにより水切りを行ない、充分に乾燥させることにより、上記で生成した炭化物を除去した。
【００４９】
次いで、このように炭化物が除去された絶縁性基体１の一端をスパッタリング装置の送出しシャフトにセットし、他端を巻取りシャフトにセットした。一方、このスパッタリング装置の４つのターゲットには、ターゲットＮｏ．１としてＮｉを、ターゲットＮｏ．２〜４としてＣｕをそれぞれ取付けた。
【００５０】
その後該スパッタリング装置のチャンバーを閉じ、真空ポンプにより真空度を１×１０−４Ｐａとした後、Ｎｉを取付けたターゲットＮｏ．１に対してはアルゴンガスの注入量１００ｃｃ／分、ターゲット電流０．６ｋＷ／ｄｍ２、およびＣｕを取付けたターゲットＮｏ．２〜４に対してはアルゴンガスの注入量各２５０ｃｃ／分、ターゲット電流１．２ｋＷ／ｄｍ２の条件下でこれらの金属をスパッタリングさせることにより、絶縁性基体の一方の表面上に第１導電層を形成した。その後、該スパッタリング装置の真空状態を解除した。
【００５１】
続いて、上記の絶縁性基体の第１導電層が形成されていない方の表面に対して上記と同様の第１導電層が形成できるように、上記絶縁性基体の表裏を逆にして再度該スパッタリング装置にセットしなおした。そして、上記と同一の条件でスパッタリングを行なうことにより絶縁性基体のもう一方の表面に上記と同じ第１導電層を形成した。
【００５２】
図２は、この状態の絶縁性基体を示しており、絶縁性基体１の表裏両面とスルホール２の壁面（およびアライメントホール３の壁面）に対して第１導電層４が形成されている。なお、図２には直接示されていないが、第１導電層４は絶縁性基体１上にＮｉ層がまず積層されその上にＣｕ層が積層された構成となっている。そしてこの構成は絶縁性基体上の表裏両面とスルホールの壁面とにおいて同一の構成となっている。
【００５３】
また、上記の絶縁性基体の一方の端から１０ｍ、５０ｍおよび９０ｍの地点においてサンプリングを行ない、ＦＩＢ装置を用いて断面をカットしその厚みを測定したところ、各地点とも絶縁性基体の表裏両面共通で、Ｎｉ層が１００Å、Ｃｕ層は２５００Åであった。
【００５４】
続いて、数回の純水による洗浄を行なった後、表裏両面に上記のようにして第１導電層を形成した絶縁性基体を連続めっき装置にセットし、以下の条件で電気めっきを行なった。すなわち、まず８％の硫酸が充填されている酸活性化槽に上記絶縁性基体を２０秒間連続的に浸漬することにより、上記第１導電層に対して酸活性化処理を行なった。
【００５５】
次いで、純水による水洗を３回繰り返した後、上記装置のめっき浴にめっき液（硫酸銅１１０ｇ／ｌ、硫酸１６０ｇ／ｌ、塩素６０ｐｐｍおよびトップルチナ３８０Ｈ（奥野製薬工業（株）製）１０ｃｃ／ｌからなるもの）を充填し、上記絶縁性基体を１．０ｍ／分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温２８℃、電流密度４Ａ／ｄｍ２の条件下で１１分間電気めっきすることにより、前記第１導電層上にＣｕからなる第２導電層を形成した。
【００５６】
図３は、この状態の絶縁性基体を示しており、絶縁性基体１の表裏両面とスルホール２の壁面（およびアライメントホール３の壁面）に対して第１導電層４が形成され、その第１導電層４上に第２導電層５が形成されている。なお、第２導電層５の構成は絶縁性基体上の表裏両面とスルホールの壁面とにおいて同一の構成となっている。したがって、該導電層６は第１導電層と第２導電層とを含み、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて同一の構成を有する導電層が形成されていることになる。
【００５７】
また図４は、上記の状態の導電性シート７の概略平面図である。図４において、絶縁性基体１上の導電層６（第１導電層４と第２導電層５とを含む）は省略されている。
【００５８】
続いて、このように第２導電層が形成された絶縁性基体に対して純水による水洗を５回繰り返して行なった。次いで、高性能フィルタを通した１０５℃の乾燥エアにより水切りを行ない、充分に乾燥させることにより、図３および図４に示した本発明の導電性シート７を得た。
【００５９】
また、このようにして得られた導電性シートの一方の端から１０ｍ、５０ｍおよび９０ｍの地点においてサンプリングを行ない、ＦＩＢ装置を用いて断面をカットし第２導電層の厚みを測定したところ、各地点とも絶縁性基体の表裏両面共通で、１０μｍ±５％以内であった。
【００６０】
なお、上記のようにして得られた導電性シートを幅２５０ｍｍ、長さ３００ｍｍの大きさのシート状にカットした。そして、このようにカットされた導電性シートに対して感光用のレジスト処理を行ない、回路パターン形成用のネガマスクをアライメントホールを基準にしてセットした。その後、露光、現像、エッチング、レジスト剥離をそれぞれ行なうことにより、上記導電層に対して回路パターンを形成した。このようにして形成された回路パターンは、上記導電性シートの表裏両面とも非常に高精度であり、形成された回路の寸法を測定するといずれも設計寸法に対して±５％以内であった。また、表裏両面において、電気導電性にも何等問題はなく、極めて信頼性の高い電気的接続効果を示した。
【００６１】
＜実施例２＞
第１導電層を絶縁性基体の表裏両面に形成させるところまでは、実施例１と全く同様にして第１導電層を形成した絶縁性基体を得た。
【００６２】
このようにして得た絶縁性基体を、１００ｃｃ／ｌのパラジウム系触媒（商品名：アクセレータ、奥野製薬工業（株）製）の浸漬浴に室温で１分間浸漬させることにより、前記第１導電層上に対して触媒処理を施した。
【００６３】
続いて、純水による水洗を５回繰り返した後、触媒処理された第１導電層上にに対してスルホール用無電解銅めっき液（商品名：ＯＰＣ−７５０無電解銅Ｍ（商品名）、奥野製薬工業（株）製）を用いて室温、ｐＨ１２．９の条件下で無電解めっき処理を施すことによって銅からなる厚さ１μｍの第２導電層を形成した。
【００６４】
次いで、このように第２導電層が形成された絶縁性基体に対して純水による水洗を５回繰り返して行なった。その後、高性能フィルタ（フィルタの開孔部の大きさが０．５μｍ以下）を通した１０５℃の乾燥エアにより水切りを行ない、充分に乾燥させることにより、絶縁性基体上に第１導電層と第２導電層とを含む導電層が形成された本発明の導電性シートを得た。
【００６５】
該導電性シートの導電層は、絶縁性基体の表裏両面とスルホールの壁面とにおいて同一の構成を有していた。また、寸法精度にも優れているとともに、信頼性の高い電気的接続効果を示した。
【００６６】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００６７】
【発明の効果】
本発明の導電性シートは、信頼性の高い電気的接続性を有し、かつ生産コストの低減と寸法精度の向上を両立させたものである。
【００６８】
したがって、本発明の導電性シートは、半導体用基板や電気、電子部品用回路基板、各種パッケージング、自動車部品、太陽電池、アンテナ回路基板等、広範囲の用途に適用することができる。すなわち、該導電性シートは、ある大きさにカットするか、あるいはカットせず連続状の形態で複数の回路パターンを形成することができ、上記各種用途に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】スルホールとアライメントホールを開孔した絶縁性基体の開孔部の概略断面図である。
【図２】絶縁性基体上に第１導電層を形成した状態の開孔部の概略断面図である。
【図３】絶縁性基体上に第１導電層および第２導電層を含む導電層を形成した導電性シートの開孔部の概略断面図である。
【図４】本発明の導電性シートの概略平面図である。
【図５】従来の導電性シートの開孔部の概略断面図である。
【符号の説明】
１  絶縁性基体、２  スルホール、３  アライメントホール、４  第１導電層、５  第２導電層、６  導電層、７  導電性シート。
【図１】
2005019513.tif 000003
【図２】
2005019513.tif 000004
【図３】
2005019513.tif 000005
【図４】
2005019513.tif 000006
【図５】
2005019513.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月23日(2003.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基体の表裏両面に導電層が形成され、その表裏両面の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールを介して互いに電気的に接続されている導電性シートであって、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて同一の構成を有する導電層が形成されており、前記導電層は、スパッタリング法または蒸着法により形成される第１導電層と、無電解めっき法または電気めっき法により形成される第２導電層とを含み、また前記導電層は、前記絶縁性基体にスルホールが開孔された後、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて同一工程で形成されることを特徴とする導電性シート。
【請求項２】
前記第１導電層が、２層以上積層されていることを特徴とする請求項１記載の導電性シート。