(57)【要約】    【課題】三次元構造の組紐によりコンパクトに構成することができ、集積度を高めることができる組紐構造によるハイブリッド集積回路装置を提供する。    【解決手段】組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、Ｘ軸方向の平面で２層状に組まれる第１及び第２の糸状体１，２と、前記第１及び第２の糸状体１，２に電気的に接続されるように、Ｙ軸方向の平面で２層状に組まれる第３及び第４の糸状体３，４とを備え、前記第１、第２、第３、第４の糸状体１〜４の少なくとも１本には電気素子が形成されており、前記第１、第２、第３、第４の糸状体１〜４の組み上げにより、電気素子を電気的に接続させて内蔵させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）Ｘ軸方向の平面で多層状に組まれる複数本の糸状体と、
（ｂ）前記複数本の糸状体に電気的に接続されるように、Ｙ軸方向の平面で多層状に組まれる複数本の糸状体とを備え、
（ｃ）前記複数本の糸状体の少なくとも１本には電気素子が形成されており、前記複数本の糸状体の組み上げにより、前記電気素子を電気的に接続させて内蔵させることを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項２】
（ａ）Ｘ軸方向の平面で２層状に組まれる第１及び第２の糸状体と、
（ｂ）前記第１及び第２の糸状体に電気的に接続されるように、Ｙ軸方向の平面で２層状に組まれる第３及び第４の糸状体とを備え、
（ｃ）前記第１、第２、第３、第４の糸状体の少なくとも１本には電気素子が形成されており、前記第１、第２、第３、第４の糸状体の組み上げにより、前記電気素子を電気的に接続させて内蔵させることを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項３】
請求項２記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記第１及び第２の糸状体に電気素子を形成し、該第１及び第２の糸状体の電気素子に電気的に接続されるように、前記第３及び第４の糸状体とを具備することを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項４】
請求項２記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記第１及び第２の糸状体に電気素子を形成し、該第１及び第２の糸状体の電気素子に電気的に接続するとともに、前記第３及び第４の糸状体の何れか一方の糸状体に電気的能動素子を形成することを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項５】
請求項２〜４の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記第１、第２、第３、第４の糸状体は、円柱又は円筒状のプラスチックファイバ、ガラスファイバ、絶縁被覆金属細線、半導体線又は高分子繊維からなることを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項６】
請求項２〜４の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記電気素子は、半導体受動素子であることを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項７】
請求項２〜４の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記第１及び第２の糸状体と第３及び第４の糸状体とを電気的に接続する素子接続用電極を具備することを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項８】
請求項２、３、４又は７記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、三次元形状に構成され、糸状体の長さ方向に回転対称性を持ってカスケードに組み上げられることを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項９】
請求項８記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、ＮＡＮＤ回路を構成することを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項１０】
請求項８記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、３つのＮＡＮＤ回路を有するＯＲ回路を構成することを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項１１】
（ａ）受動素子が実装されるとともに、Ｘ軸方向の平面で２層状に組まれる第１及び第２の糸状体と、
（ｂ）該第１及び第２の糸状体の受動素子に接続されるとともに、Ｙ軸方向の平面で２層状に組み上げられる第３及び第４の糸状体と、
（ｃ）前記第１〜第４の糸状体に接続される電源を備え、
（ｄ）電子・光集積回路を構築することを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項１２】
（ａ）光半導体素子及び電気素子が実装されるとともに、Ｘ軸方向の平面で２層状に組まれる第１及び第２の糸状体と、
（ｂ）該第１及び第２の糸状体の光半導体素子及び電気素子に接続されるとともに、Ｙ軸方向の平面で２層状に組み上げられる第３及び第４の糸状体とを備え、
（ｃ）前記第１及び第２の糸状体が前記光半導体素子に接続される光ファイバと、
（ｄ）前記第１〜第４の糸状体に接続される電源を備え、
（ｅ）電子・光集積回路を構築することを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項１３】
（ａ）電気素子が実装されるとともに、Ｘ軸方向の平面で２層状に組まれる第１及び第２の糸状体と、
（ｂ）該第１及び第２の糸状体の電気素子に接続されるとともに、Ｙ軸方向の平面で２層状に組み上げられるＹ軸方向の平面で２層状に組まれるとともに、太陽電池が形成される第３又は第４の糸状体とを備え、
（ｃ）前記太陽電池を有する電源を内蔵することを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項１４】
請求項１１〜１３の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置を糸状体の長さ方向に回転対称性を持ってカスケードに繰り返し接続することを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項１５】
請求項１２記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記光半導体素子は半導体発光ダイオードであることを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項１６】
請求項１３記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記太陽電池は半導体光電変換素子であることを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項１７】
（ａ）Ｘ軸方向の平面で４層状に組まれる第１〜第４の糸状体と、
（ｂ）前記第１〜第４の糸状体に電気的に接続されるように、Ｙ軸方向の平面で４層状に組まれる第５〜第８の糸状体とを備え、
（ｃ）前記第１〜第８の糸状体の少なくとも１本には電気素子が形成されており、前記第１〜第８の糸状体の組み上げにより、電気素子を電気的に接続させて内蔵させることを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項１８】
請求項１７記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記第１〜第４の糸状体に電気素子を形成し、該第１〜第４の糸状体の電気素子に電気的に接続されるように、前記第５〜第８の糸状体とを具備することを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項１９】
請求項１７記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記第１〜第４の糸状体に電気素子を形成し、該第１〜第４の糸状体の電気素子に電気的に接続するとともに、前記第５〜第８の糸状体の何れか一方の糸状体に電気的能動素子を形成することを具備することを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項２０】
請求項１７〜１９の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記第１〜第８の糸状体は、円柱又は円筒状のプラスチックファイバ、ガラスファイバ、絶縁被覆金属細線、半導体線又は高分子繊維からなることを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項２１】
請求項１７〜１９の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記電気素子は、半導体能動素子であることを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項２２】
請求項１７〜１９の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、三次元形状に構成され、組み上げられることを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項２３】
請求項１７〜１９の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記第１〜第４の糸状体と第５〜第８の糸状体とを電気的に接続する素子接続用電極を具備することを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項２４】
（ａ）受動素子が実装されるとともに、Ｘ軸方向の平面で４層状に組まれる第１〜第４の糸状体と、
（ｂ）該第１〜第４の糸状体の受動素子に接続されるとともに、Ｙ軸方向の平面で４層状に組み上げられる第５〜第８の糸状体と、
（ｃ）前記第１〜第８の糸状体に接続される電源を備え、
（ｄ）電子集積回路を構築することを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項２５】
請求項１７〜１９の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置を糸状体の長さ方向に回転対称性を持ってカスケードに繰り返し接続することを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項２６】
請求項１７〜１９の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、ＮＡＮＤ回路を構成することを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項２７】
請求項１７〜１９の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、２インバータ回路を構成することを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【請求項２８】
請求項１７〜１９の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、２インバータ回路とＮＡＮＤ回路をカスケード接続することにより、ＯＲ回路を構成することを特徴とする組紐構造によるハイブリッド集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、組紐構造によるハイブリッド集積回路装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
このような分野の従来技術としては、繊維状の発光体と、この繊維状の発光体の任意の位置に発光のための信号を印加するスイッチング素子とを相互に織物状にして形成することで、フレキシブルで任意の形状に加工、適応できるようにした表示装置が提案されている（下記特許文献１）。
【０００３】
一方、本願発明者らは、織物そのものを電子・光集積回路として、その組合せによる「衣類」レベルの電子・光集積装置を形成し、これまでにない性質のシステム概念による新しい応用領域を生み出した。すなわち、小規模な製造装置で製作され、織物構造に起因する可撓性によって、２１世紀にますます必要となる膨大な情報とエネルギー流を制御するために、われわれの生活の至る所に構築することができる織物構造によるハイブリッド集積回路及びその電子・光集積装置を提案した（下記特許文献２）。
【特許文献１】特開２００２−２５８７７５号公報
【特許文献２】特開２００３−１６１８４４号公報
【特許文献３】特開２００３−３０９２７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記した織物構造によるハイブリッド集積回路及びその電子・光集積装置は、平面的に広がりを有するために、コンパクトに構成できず、集積化することに難があった。
【０００５】
本発明は、上記状況に鑑みて、三次元構造の組紐によりコンパクトに構成することができ、集積度を高めることができる組紐構造によるハイブリッド集積回路装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕組紐構造によるハイブリッド集積回路装置において、Ｘ軸方向の平面で多層状に組まれる複数本の糸状体と、前記複数本の糸状体に電気的に接続されるように、Ｙ軸方向の平面で多層状に組まれる複数本の糸状体とを備え、前記複数本の糸状体の少なくとも１本には電気素子が形成されており、前記複数本の糸状体の組み上げにより、前記電気素子を電気的に接続させて内蔵させることを特徴とする。
【０００７】
〔２〕組紐構造によるハイブリッド集積回路装置において、Ｘ軸方向の平面で２層状に組まれる第１及び第２の糸状体と、前記第１及び第２の糸状体に電気的に接続されるように、Ｙ軸方向の平面で２層状に組まれる第３及び第４の糸状体とを備え、前記第１、第２、第３、第４の糸状体の少なくとも１本には電気素子が形成されており、前記第１、第２、第３、第４の糸状体の組み上げにより、電気素子を電気的に接続させて内蔵させることを特徴とする。
【０００８】
〔３〕上記〔２〕記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記第１及び第２の糸状体に電気素子を形成し、この第１及び第２の糸状体の電気素子に電気的に接続されるように、前記第３及び第４の糸状体とを具備することを特徴とする。
【０００９】
〔４〕上記〔２〕記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記第１及び第２の糸状体に電気素子を形成し、この第１及び第２の糸状体の電気素子に電気的に接続するととに、前記第３及び第４の糸状体の何れか一方の糸状体に電気的能動素子を形成することを特徴とする。
【００１０】
〔５〕上記〔２〕〜〔４〕の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記第１、第２、第３、第４の糸状体は、円柱又は円筒状のプラスチックファイバ、ガラスファイバ、絶縁被覆金属細線、半導体線又は高分子繊維からなることを特徴とする。
【００１１】
〔６〕上記〔２〕〜〔４〕の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記電気素子は、半導体受動素子であることを特徴とする。
【００１２】
〔７〕上記〔２〕〜〔４〕の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記第１及び第２の糸状体と第３及び第４の糸状体とを電気的に接続する素子接続用電極を具備することを特徴とする。
【００１３】
〔８〕上記〔２〕、〔３〕、〔４〕又は〔７〕記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、三次元形状に構成され、糸状体の長さ方向に回転対称性を持ってカスケードに組み上げられることを特徴とする。
【００１４】
〔９〕上記〔８〕記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、ＮＡＮＤ回路を構成することを特徴とする。
【００１５】
〔１０〕上記〔８〕記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、３つのＮＡＮＤ回路を有するＯＲ回路を構成することを特徴とする。
【００１６】
〔１１〕組紐構造によるハイブリッド集積回路装置において、受動素子が実装されるとともに、Ｘ軸方向の平面で２層状に組まれる第１及び第２の糸状体と、この第１及び第２の糸状体の受動素子に接続されるとともに、Ｙ軸方向の平面で２層状に組み上げられる第３及び第４の糸状体と、前記第１〜第４の糸状体に接続される電源を備え、電子・光集積回路を構築することを特徴とする。
【００１７】
〔１２〕組紐構造によるハイブリッド集積回路装置において、光半導体素子及び電気素子が実装されるとともに、Ｘ軸方向の平面で２層状に組まれる第１及び第２の糸状体と、この第１及び第２の糸状体の光半導体素子及び電気素子に接続されるとともに、Ｙ軸方向の平面で２層状に組み上げられる第３及び第４の糸状体とを備え、前記第１及び第２の糸状体が前記光半導体素子に接続される光ファイバと、前記第１〜第４の糸状体に接続される電源を備え、電子・光集積回路を構築することを特徴とする。
【００１８】
〔１３〕組紐構造によるハイブリッド集積回路装置において、電気素子が実装されるとともに、Ｘ軸方向の平面で２層状に組まれる第１及び第２の糸状体と、この第１及び第２の糸状体の電気素子に接続されるとともに、Ｙ軸方向の平面で２層状に組み上げられるＹ軸方向の平面で２層状に組まれるとともに、太陽電池が形成される第３又は第４の糸状体とを備え、前記太陽電池を有する電源を内蔵することを特徴とする。
【００１９】
〔１４〕上記〔１１〕〜〔１３〕の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置を、糸状体の長さ方向に回転対称性を持ってカスケードに繰り返し接続することを特徴とする。
【００２０】
〔１５〕上記〔１２〕記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記光半導体素子は半導体発光ダイオードであることを特徴とする。
【００２１】
〔１６〕上記〔１３〕記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記太陽電池は半導体光電変換素子であることを特徴とする。
【００２２】
〔１７〕組紐構造によるハイブリッド集積回路装置において、Ｘ軸方向の平面で４層状に組まれる第１〜第４の糸状体と、前記第１〜第４の糸状体に電気的に接続されるように、Ｙ軸方向の平面で４層状に組まれる第５〜第８の糸状体とを備え、前記第１〜第８の糸状体の少なくとも１本には電気素子が形成されており、前記第１〜第８の糸状体の組み上げにより、電気素子を電気的に接続させて内蔵させることを特徴とする。
【００２３】
〔１８〕上記〔１７〕記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記第１〜第４の糸状体に電気素子を形成し、該第１〜第４の糸状体の電気素子に電気的に接続されるように、前記第５〜第８の糸状体とを具備することを特徴とする。
【００２４】
〔１９〕上記〔１７〕記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記第１〜第４の糸状体に電気素子を形成し、該第１〜第４の糸状体の電気素子に電気的に接続するととに、前記第５〜第８の糸状体の何れか一方の糸状体に電気的能動素子を形成することを具備することを特徴とする。
【００２５】
〔２０〕上記〔１７〕〜〔１９〕の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記第１〜第８の糸状体は、円柱又は円筒状のプラスチックファイバ、ガラスファイバ、絶縁被覆金属細線、半導体線又は高分子繊維からなることを特徴とする。
【００２６】
〔２１〕上記〔１７〕〜〔１９〕の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記電気素子は、半導体能動素子であることを特徴とする。
【００２７】
〔２２〕上記〔１７〕〜〔１９〕の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、三次元形状に構成され、組み上げられることを特徴とする。
【００２８】
〔２３〕上記〔１７〕〜〔１９〕の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、前記第１〜第４の糸状体と第５〜第８の糸状体とを電気的に接続する素子接続用電極を具備することを特徴とする。
【００２９】
〔２４〕組紐構造によるハイブリッド集積回路装置において、受動素子が実装されるとともに、Ｘ軸方向の平面で４層状に組まれる第１〜第４の糸状体と、この第１〜第４の糸状体の受動素子に接続されるとともに、Ｙ軸方向の平面で４層状に組み上げられる第５〜第８の糸状体と、前記第１〜第８の糸状体に接続される電源を備え、電子集積回路を構築することを特徴とする。
【００３０】
〔２５〕上記〔１５〕〜〔２２〕の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置を糸状体の長さ方向に回転対称性を持ってカスケードに繰り返し接続することを特徴とする。
【００３１】
〔２６〕上記〔１７〕〜〔１９〕の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、ＮＡＮＤ回路を構成することを特徴とする。
【００３２】
〔２７〕上記〔１７〕〜〔１９〕の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、２インバータ回路を構成することを特徴とする。
【００３３】
〔２８〕上記〔１７〕〜〔１９〕の何れか一項記載の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置であって、２インバータ回路とＮＡＮＤ回路をカスケード接続することにより、ＯＲ回路を構成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【００３５】
（Ａ）生活の身近に適合させることができ新規な組紐構造によるハイブリッド集積回路装置を得ることができる。
【００３６】
（Ｂ）ハイブリッド集積回路を第１及び第２の糸状体と第３及び第４の糸状体とで糸状体の長さ方向に回転対称性を持ってカスケードに組み上げ、組紐状体のハイブリッド集積回路装置を構築することができる。
【００３７】
（Ｃ）電子・光集積装置を第１及び第２の糸状体と第３及び第４の糸状体とで容易に組み上げ、組紐状体に構築することができる。
【００３８】
（Ｄ）８本の糸状体により組紐状体に組み上げたハイブリッド集積回路装置を構築することができる。
【００３９】
（Ｅ）太陽電池及び電気素子を組み合わせた電源装置付き電子回路装置を容易に組み上げ、組紐状体に構築することができる。
【００４０】
（Ｆ）本発明によれば、素子から設計・加工・製造のすべてのレベルで従来の技術体系の制約から解放されており、本発明の体系（システム）では電源供給問題もこれまでの多くの制限から解放されるため、従来、電子機器を利用することが困難であった個人に密着した広範な生産・生活の各領域でも、技術的・経済的条件を満たす新しい多くの応用製品を開拓することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
Ｘ軸方向の平面で２層状に組まれる第１及び第２の糸状体と、前記第１及び第２の糸状体に電気的に接続されるように、Ｙ軸方向の平面で２層状に組まれる第３及び第４の糸状体とを備え、前記第１、第２、第３、第４の糸状体の少なくとも１本には電気素子が形成されており、前記第１、第２、第３、第４の糸状体の組み上げにより、電気素子を電気的に接続させて内蔵させる。このように、三次元構造の組紐によりコンパクトに構成することでき、集積度を高めることができる組紐構造によるハイブリッド集積回路装置を得ることができる。
【００４２】
また、Ｘ軸方向の平面で４層状に組まれる第１〜第４の糸状体と、前記第１〜第４の糸状体に電気的に接続されるように、Ｙ軸方向の平面で４層状に組まれる第５〜第８の糸状体とを備え、８本の糸状体を組紐に組み上げてハイブリッド集積回路装置を構築することができる。
【００４３】
よって、コンパクトで、機械的に高い強度を有するハイブリッド集積回路装置を得ることができる。
【実施例】
【００４４】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００４５】
まず、４本の糸状体により組紐を組み上げることにより、組紐構造によるハイブリッド集積回路装置を構築する場合について説明する。なお、以下の各図の電極パターンなどにける点線による枠は、裏面側に位置することを表示している）。
【００４６】
図１は本発明の実施例を示す基本（エレメント）となる三次元組紐構造を示す模式図、図２はその各糸状体の接触部を示す展開図、図３はその各糸状体の配線パターン（電極パターン、パッドパターンを含む）を示す展開図、図４はその三次元組紐構造でもって作製されるＣＭＯＳ−ＮＡＮＤ回路〔否定的論理積回路〕図である。ここで、糸状体としては、円柱又は円筒状のプラスチックファイバ、ガラスファイバ、絶縁被覆金属細線、半導体線又は高分子繊維を用いることができる。また、各種の配線、電極、パッドは全て糸状体の外周部にパターンとして形成されている。
【００４７】
これらの図において、１はＸ軸方向の平面内で組まれる第１の糸状体〔図２（ａ）であり、接触部１Ａ〜１Ｄを有する。図３（ａ）参照〕、２はＸ軸方向の平面内で組まれ、第１の糸状体１と２層となるように組まれる第２の糸状体〔図２（ｃ）、図３（ｃ）参照〕であり、接触部２Ａ〜２Ｄを有する。３はＹ軸方向の平面内で組まれる第３の糸状体〔図２（ｂ）、図３（ｂ）参照〕であり、接触部３Ａ〜３Ｄを有する。４はＹ軸方向の平面内で組まれ、第３の糸状体３と２層となるように組まれる第４の糸状体〔図２（ｄ）、図３（ｄ）参照〕であり、接触部４Ａ〜４Ｄを有する。第１〜第４の糸状体で組み上げられた組紐では、第１の糸状体１の接触部１Ａと１Ｂは第３の糸状体３の接触部３Ａと３Ｂにそれぞれ接触し、また、第１の糸状体１の接触部１Ｃと１Ｄは第４の糸状体４の接触部４Ｃと４Ｄにそれぞれ接触する。また、第２の糸状体２の接触部２Ａと２Ｂは第４の糸状体４の接触部４Ａと４Ｂにそれぞれ接触し、また、第２の糸状体２の接触部２Ｃと２Ｄは第３の糸状体３の接触部３Ｃと３Ｄにそれぞれ接触する。
【００４８】
各第１〜４の糸状体１〜４の配線パターンは、図３に示すように構成されている。すなわち、第１の糸状体１〔図３（ａ）参照〕には、電源配線１１、ドレイン電極１２、ソース電極１３、入力Ａが接続される〔つまり、第４の糸状体４上の配線パターンを通じて、第２の糸状体２の第３のゲート電極２５に接続される〕第１のゲート電極１４、入力Ｂが接続される第２のゲート電極１５が形成されている。１６，１７にはＰ型半導体領域が形成されている。
【００４９】
次に、第２の糸状体２〔図３（ｃ）参照〕には、ソース電極２１，２４、ドレイン電極２２，２３が形成されており、このドレイン電極２３とソース電極２４とは直接接続されている。２５は入力Ａに接続される第３のゲート電極、２６は入力Ｂに接続される第４のゲート電極、２７はドレイン電極２２を介して出力に接続される出力配線、２８，２９はＮ型半導体領域が形成されている。
【００５０】
次に、第３の糸状体３〔図３（ｂ）参照〕には、素通し配線３１、接続用電極３２，３３、接続用電極３４が形成されている。
【００５１】
次に、第４の糸状体４〔図３（ｄ）参照〕には、接地配線４１、接続用電極４２、接続用電極４３が形成されている。
【００５２】
なお、上記した図２に示す接触部は、図３に示す配線パターンの一部分に対応しており、各糸状体が組紐化されると、各糸状体の接触部のみが互いに接触することになり、その他の部分は接触しない状態に固定される。
【００５３】
これらの糸状体１〜４を、図１に示すように組み上げることによって構成されるＣＭＯＳ−ＮＡＮＤ回路４５（単体）を図４に示している。
【００５４】
次に、図５は本発明の第１の接続部となる三次元組紐構造を示す模式図、図６はその各糸状体の接触部を示す展開図、図７はその各糸状体の配線パターンを示す展開図、図８はその三次元組紐構造でもって作製される第１の接続部（ＯＲ−１）の配線図である。
【００５５】
これらの図において、５１はＸ軸方向の平面内で組まれる第１の糸状体〔図６（ａ）、図７（ａ）参照〕であり、接触部５１Ａ〜５１Ｄを有する。５２はＸ軸方向の平面内で組まれ、第１の糸状体５１と２層となるように組まれる第２の糸状体〔図６（ｃ）、図７（ｃ）参照〕であり、接触部５２Ａ〜５２Ｄを有する。５３はＹ軸方向の平面内で組まれる第３の糸状体〔図６（ｂ）、図７（ｂ）参照〕であり、接触部５３Ａ〜５３Ｄを有する。５４はＹ軸方向の平面内で組まれ、第３の糸状体５３と２層となるように組まれる第４の糸状体〔図６（ｄ）、図７（ｄ）参照〕であり、接触部５４Ａ〜５４Ｄを有する。第１〜第４の糸状体で組み上げられた組紐では、第１の糸状体５１の接触部５１Ａと５１Ｂは第３の糸状体５３の接触部５３Ａと５３Ｂにそれぞれ接触し、また、第１の糸状体５１の接触部５１Ｃと５１Ｄは第４の糸状体５４の接触部５４Ｃと５４Ｄにそれぞれ接触する。また、第２の糸状体５２の接触部５２Ａと５２Ｂは第４の糸状体５４の接触部５４Ａと５４Ｂにそれぞれ接触し、また、第２の糸状体５２の接触部５２Ｃと５２Ｄは第３の糸状体５３の接触部５３Ｃと５３Ｄにそれぞれ接触する。
【００５６】
各第１〜４の糸状体５１〜５４の配線パターンは、図７に示すように構成されている。すなわち、第１の糸状体５１〔図７（ａ）参照〕には、入力Ａが接続される接続配線６１、接続用パッド６２、電源配線６３、接続用パッド６４が形成されている。
【００５７】
次に、第２の糸状体５２〔図７（ｃ）参照〕には、出力配線７１、接続用電極（裏面に位置する）７２が形成されている。
【００５８】
次に、第３の糸状体５３〔図７（ｂ）参照〕には、素通し配線８１、接続用電極８２、接続用電極（裏面に位置する）８３が形成されている。
【００５９】
次に、第４の糸状体５４〔図７（ｄ）参照〕には、接地用電極９１、半導体９２、透明電極（太陽電池）９３、電極９４が形成されている。なお、太陽電池９３は半導体光電変換素子であり、詳細は、本願発明者らの発明にかかる上記特許文献２に開示されている。
【００６０】
これらの糸状体５１〜５４を、図５に示すように組み上げることによって構成される第１の接続部（ＯＲ−１）９５（単体）の配線図を図８に示している。
【００６１】
次に、図９は本発明の第３の接続部となる三次元組紐構造を示す模式図、図１０はその各糸状体の接触部を示す展開図、図１１はその各糸状体の配線パターンを示す展開図、図１２はその三次元組紐構造でもって作製される第３の接続部（ＯＲ−３）の配線図である。
【００６２】
これらの図において、１０１はＸ軸方向の平面内で組まれる第１の糸状体〔図１０（ａ）、図１１（ａ）参照〕であり、接触部１０１Ａ〜１０１Ｄを有する。１０２はＸ軸方向の平面内で組まれ、第１の糸状体１０１と２層となるように組まれる第２の糸状体〔図１０（ｃ）、図１１（ｃ）参照〕であり、接触部１０２Ａ〜１０２Ｄを有する。１０３はＹ軸方向の平面内で組まれる第３の糸状体〔図１０（ｂ）、図１１（ｂ）参照〕であり、接触部１０３Ａ〜１０３Ｄを有する。１０４はＹ軸方向の平面内で組まれ、第３の糸状体１０３と２層となるように組まれる第４の糸状体〔図１０（ｄ）、図１１（ｄ）参照〕であり、接触部１０４Ａ〜１０４Ｄを有する。第１〜第４の糸状体で組み上げられた組紐では、第１の糸状体１０１の接触部１０１Ａと１０１Ｂは第３の糸状体１０３の接触部１０３Ａと１０３Ｂにそれぞれ接触し、また、第１の糸状体１０１の接触部１０１Ｃと１０１Ｄは第４の糸状体１０４の接触部１０４Ｃと１０４Ｄにそれぞれ接触する。また、第２の糸状体１０２の接触部１０２Ａと１０２Ｂは第４の糸状体１０４の接触部１０４Ａと１０４Ｂにそれぞれ接触し、また、第２の糸状体１０２の接触部１０２Ｃと１０２Ｄは第３の糸状体１０３の接触部１０３Ｃと１０３Ｄにそれぞれ接触する。
【００６３】
各第１〜４の糸状体１０１〜１０４の配線パターンは、図１１に示すように構成されている。すなわち、第１の糸状体１０１〔図１１（ａ）参照〕には、入力Ａが接続される接続配線１１１、接続用パッド１１２、電源配線１１３、接続用パッド１１４が形成されている。
【００６４】
次に、第２の糸状体１０２〔図１１（ｃ）参照〕には、接続配線１２１、接続用パッド１２２、接続配線１２３、接続用パッド１２４が形成されている。
【００６５】
次に、第３の糸状体１０３〔図１１（ｂ）参照〕には、接続配線１３１、接続用パッド１３２、接続配線１３３，１３４、接続用パッド１３５、接続配線１３６、接続用パッド１３７を形成している。
【００６６】
次に、第４の糸状体１０４〔図１１（ｄ）参照〕には、接地用電極１４１、半導体１４２、透明電極（太陽電池）１４３、電極１４４が形成されている。
【００６７】
これらの糸状体１０１〜１０４を、図９に示すように組み上げることによって構成される第３の接続部（ＯＲ−３）１４５（単体）の配線図を図１２に示している。
【００６８】
次に、図１３は本発明の第５の接続部となる三次元組紐構造を示す模式図、図１４はその各糸状体の接触部を示す展開図、図１５はその各糸状体の配線パターンを示す展開図、図１６はその三次元組紐構造でもって作製される第５の接続部（ＯＲ−５）の配線図である。
【００６９】
これらの図において、１５１はＸ軸方向の平面内で組まれる第１の糸状体〔図１４（ａ）、図１５（ａ）参照〕であり、接触部１５１Ａ〜１５１Ｄを有する。１５２はＸ軸方向の平面内で組まれ、第１の糸状体１５１と２層となるように組まれる第２の糸状体〔図１４（ｃ）、図１５（ｃ）参照〕であり、接触部１５２Ａ〜１５２Ｄを有する。１５３はＹ軸方向の平面内で組まれる第３の糸状体〔図１４（ｂ）、図１５（ｂ）参照〕であり、接触部１５３Ａ〜１５３Ｄを有する。１５４はＹ軸方向の平面内で組まれ、第３の糸状体１５３と２層となるように組まれる第４の糸状体〔図１４（ｄ）、図１５（ｄ）参照〕であり、接触部１５４Ａ〜１５４Ｄを有する。第１〜第４の糸状体で組み上げられた組紐では、第１の糸状体１５１の接触部１５１Ａと１５１Ｂは第３の糸状体１５３の接触部１５３Ａと１５３Ｂにそれぞれ接触し、また、第１の糸状体１５１の接触部１５１Ｃと１５１Ｄは第４の糸状体１５４の接触部１５４Ｃと１５４Ｄにそれぞれ接触する。また、第２の糸状体１５２の接触部１５２Ａと１５２Ｂは第４の糸状体１５４の接触部１５４Ａと１５４Ｂにそれぞれ接触し、また、第２の糸状体１５２の接触部１５２Ｃと１５２Ｄは第３の糸状体１５３の接触部１５３Ｃと１５３Ｄにそれぞれ接触する。
【００７０】
各第１〜４の糸状体１５１〜１５４の配線パターンは、図１５に示すように構成されている。すなわち、第１の糸状体１５１〔図１５（ａ）参照〕には、入力Ａの否定が接続される接続配線１６１、接続用パッド１６２、電源配線１６３、接続用パッド１６４が形成されている。
【００７１】
次に、第２の糸状体１５２〔図１５（ｃ）参照〕には、素通し配線１７１が形成されている。
【００７２】
次に、第３の糸状体１５３〔図１５（ｂ）参照〕には、接続配線１８１、接続用パッド１８２が形成されている。
【００７３】
次に、第４の糸状体１５４〔図１５（ｄ）参照〕には、接地用電極１９１、半導体１９２、透明電極（太陽電池）１９３、電極１９４が形成されている。
【００７４】
これらの糸状体１５１〜１５４を、図１３に示すように組み上げることによって構成される第５の接続部（ＯＲ−５）１９５（単体）の配線図を図１６に示している。
【００７５】
図１７は上記した図１〜図１６に示された三次元組紐構造を用いて構成される３つのＮＡＮＤ回路を有するＯＲ回路を示す図であり、図１７（ａ）はその三次元組紐の配線パターンの展開図、図１７（ｂ）はそれによって構成された３つのＮＡＮＤ回路を有するＯＲ回路図である。
【００７６】
図１７（ａ）および図１７（ｂ）から明らかなように、三次元組紐構造の第１の回路（１）は、図５〜図８に示した第１の接続部（ＯＲ−１）９５であり、三次元組紐構造の第２の回路（２）は、図１〜図４に示したＣＭＯＳ−ＮＡＮＤ回路４５であり、三次元組紐構造の第３の回路（３）は、図９〜図１２に示した第３の接続部（ＯＲ−３）１４５であり、三次元組紐構造の第４の回路（４）は、図１〜図４に示したＣＭＯＳ−ＮＡＮＤ回路４５であり、三次元組紐構造の第５の回路（５）は、図１３〜図１６に示した第５の接続部（ＯＲ−５）１９５であり、三次元組紐構造の第６の回路（６）は、図１〜図４に示したＣＭＯＳ−ＮＡＮＤ回路４５である。
【００７７】
このように、それぞれ４本の糸状体よりなる三次元組紐構造の回路（１）〜（６）を糸状体の長さ方向に回転対称性を持ってカスケード（縦続）に組み上げて接続することにより、３つのＮＡＮＤ回路を有するＯＲ回路を構築することができる。
【００７８】
このように構成することにより、よりコンパクトに電子装置を構築することができ、集積度を高めることができる。
【００７９】
次に、本発明の実施例を示す三次元組紐による点滅回路の作製について説明する。
【００８０】
図１８は本発明の第１の接続部となる三次元組紐構造を示す模式図、図１９はその各糸状体の接触部を示す展開図、図２０はその各糸状体の配線パターンを示す展開図、図２１はその三次元組紐構造でもって作製される第１の接続部の配線図である。
【００８１】
これらの図において、２０１はＸ軸方向の平面内で組まれる第１の糸状体〔図１９（ａ）、図２０（ａ）参照〕であり、接触部２０１Ａ〜２０１Ｄを有する。２０２はＸ軸方向の平面内で組まれ、第１の糸状体２０１と２層となるように組まれる第２の糸状体〔図１９（ｃ）、図２０（ｃ）参照〕であり、接触部２０２Ａ〜２０２Ｄを有する。２０３はＹ軸方向の平面内で組まれる第３の糸状体〔図１９（ｂ）、図２０（ｂ）参照〕であり、接触部２０３Ａ〜２０３Ｄを有する。２０４はＹ軸方向の平面内で組まれ、第３の糸状体２０３と２層となるように組まれる第４の糸状体〔図１９（ｄ）、図２０（ｄ）参照〕であり、接触部２０４Ａ〜２０４Ｄを有する。第１〜第４の糸状体で組み上げられた組紐では、第１の糸状体２０１の接触部２０１Ａと２０１Ｂは第３の糸状体２０３の接触部２０３Ａと２０３Ｂにそれぞれ接触し、また、第１の糸状体２０１の接触部２０１Ｃと２０１Ｄは第４の糸状体２０４の接触部２０４Ｃと２０４Ｄにそれぞれ接触する。また、第２の糸状体２０２の接触部２０２Ａと２０２Ｂは第４の糸状体２０４の接触部２０４Ａと２０４Ｂにそれぞれ接触し、また、第２の糸状体２０２の接触部２０２Ｃと２０２Ｄは第３の糸状体２０３の接触部２０３Ｃと２０３Ｄにそれぞれ接触する。
【００８２】
各第１〜４の糸状体２０１〜２０４の配線パターンは、図２０に示すように構成されている。すなわち、第１の糸状体２０１〔図２０（ａ）参照〕には、接続配線２１１、接続用パッド２１２、電源配線２１３、接続用パッド２１４が形成されている。
【００８３】
次に、第２の糸状体２０２〔図２０（ｃ）参照〕には、素通し配線２２１が形成されている。
【００８４】
次に、第３の糸状体２０３〔図２０（ｂ）参照〕には、接続配線２３１，２３２、接続用パッド２３３，２３４、この接続用パッド２３４と接続配線２３１との間に抵抗体膜２３５が形成されている。
【００８５】
次に、第４の糸状体２０４〔図２０（ｄ）参照〕には、接地用電極２４１、半導体２４２、透明電極（太陽電池）２４３、電極２４４が形成されている。
【００８６】
これらの糸状体２０１〜２０４を、図１８に示すように組み上げることによって構成される第１の接続部２４５（単体）の配線図を図２１に示している。
【００８７】
図２２は本発明の第２の接続部となる三次元組紐構造を示す模式図、図２３はその各糸状体の接触部を示す展開図、図２４はその各糸状体の配線パターンを示す展開図、図２５はその三次元組紐構造でもって作製される第２の接続部の配線図である。
【００８８】
これらの図において、２５１はＸ軸方向の平面内で組まれる第１の糸状体〔図２３（ａ）、図２４（ａ）参照〕であり、接触部２５１Ａ〜２５１Ｄを有する。２５２はＸ軸方向の平面内で組まれ、第１の糸状体２５１と２層となるように組まれる第２の糸状体〔図２３（ｃ）、図２４（ｃ）参照〕であり、接触部２５２Ａ〜２５２Ｄを有する。２５３はＹ軸方向の平面内で組まれる第３の糸状体〔図２３（ｂ）、図２４（ｂ）参照〕であり、接触部２５３Ａ〜２５３Ｄを有する。２５４はＹ軸方向の平面内で組まれ、第３の糸状体２５３と２層となるように組まれる第４の糸状体〔図２３（ｄ）、図２４（ｄ）参照〕であり、接触部２５４Ａ〜２５４Ｄを有する。第１〜第４の糸状体で組み上げられた組紐では、第１の糸状体２５１の接触部２５１Ａと２５１Ｂは第３の糸状体２５３の接触部２５３Ａと２５３Ｂにそれぞれ接触し、また、第１の糸状体２５１の接触部２５１Ｃと２５１Ｄは第４の糸状体２５４の接触部２５４Ｃと２５４Ｄにそれぞれ接触する。また、第２の糸状体２５２の接触部２５２Ａと２５２Ｂは第４の糸状体２５４の接触部２５４Ａと２５４Ｂにそれぞれ接触し、また、第２の糸状体２５２の接触部２５２Ｃと２５２Ｄは第３の糸状体２５３の接触部２５３Ｃと２５３Ｄにそれぞれ接触する。
【００８９】
各第１〜４の糸状体２５１〜２５４の配線パターンは、図２４に示すように構成されている。すなわち、第１の糸状体２５１〔図２４（ａ）参照〕には、接続配線２６１、接続用パッド２６２、電源配線２６３、接続用パッド２６４が形成されている。
【００９０】
次に、第２の糸状体２５２〔図２４（ｃ）参照〕には、素通し配線２７１、接続用パッド２７２が形成されている。
【００９１】
次に、第３の糸状体２５３〔図２４（ｂ）参照〕には、接続配線２８１，２８２、接続用パッド２８３，２８４、この接続用パッド２８４と接続配線２８１との間に抵抗体膜２８５が形成されている。
【００９２】
次に、第４の糸状体２５４〔図２４（ｄ）参照〕には、接地用電極２９１、半導体２９２、透明電極（太陽電池）２９３、電極２９４が形成されている。
【００９３】
これらの糸状体２５１〜２５４を、図２２に示すように組み上げることによって構成される第２の接続部２９５（単体）の配線図を図２５に示している。
【００９４】
図２６は本発明の第３の接続部となる三次元組紐構造を示す模式図、図２７はその各糸状体の接触部を示す展開図、図２８はその各糸状体の配線パターンを示す展開図、図２９はその三次元組紐構造でもって作製される第３の接続部の配線図である。
【００９５】
これらの図において、３０１はＸ軸方向の平面内で組まれる第１の糸状体〔図２７（ａ）、図２８（ａ）参照〕であり、接触部３０１Ａ〜３０１Ｄを有する。３０２はＸ軸方向の平面内で組まれ、第１の糸状体３０１と２層となるように組まれる第２の糸状体〔図２７（ｃ）、図２８（ｃ）参照〕であり、接触部３０２Ａ〜３０２Ｄを有する。３０３はＹ軸方向の平面内で組まれる第３の糸状体〔図２７（ｂ）、図２８（ｂ）参照〕であり、接触部３０３Ａ〜３０３Ｄを有する。３０４はＹ軸方向の平面内で組まれ、第３の糸状体３０３と２層となるように組まれる第４の糸状体〔図２７（ｄ）、図２８（ｄ）参照〕であり、接触部３０４Ａ〜３０４Ｄを有する。第１〜第４の糸状体で組み上げられた組紐では、第１の糸状体３０１の接触部３０１Ａと３０１Ｂは第３の糸状体３０３の接触部３０３Ａと３０３Ｂにそれぞれ接触し、また、第１の糸状体３０１の接触部３０１Ｃと３０１Ｄは第４の糸状体３０４の接触部３０４Ｃと３０４Ｄにそれぞれ接触する。また、第２の糸状体３０２の接触部３０２Ａと３０２Ｂは第４の糸状体３０４の接触部３０４Ａと３０４Ｂにそれぞれ接触し、また、第２の糸状体３０２の接触部３０２Ｃと３０２Ｄは第３の糸状体３０３の接触部３０３Ｃと３０３Ｄにそれぞれ接触する。
【００９６】
各第１〜４の糸状体３０１〜３０４の配線パターンは、図２８に示すように構成されている。すなわち、第１の糸状体３０１〔図２８（ａ）参照〕には、接続配線３１１、接続用パッド３１２、電源配線３１３、接続用パッド３１４が形成されている。
【００９７】
次に、第２の糸状体３０２〔図２８（ｃ）参照〕には、素通し配線３２１、接続用パッド３２２が形成されている。
【００９８】
次に、第３の糸状体３０３〔図２８（ｂ）参照〕には、電極３３１、絶縁膜３３２、電極３３３、３３４が形成されており、電極３３１，３３３，３３４と絶縁膜３３２によりキャパシタが構成されている。
【００９９】
次に、第４の糸状体３０４〔図２８（ｄ）参照〕には、接地用電極３４１、半導体３４２、透明電極（太陽電池）３４３、電極３４４が形成されている。
【０１００】
これらの糸状体３０１〜３０４を、図２６に示すように組み上げることによって構成される第３の接続部３４５（単体）の配線図を図２９に示している。
【０１０１】
図３０は本発明の第４の接続部となる三次元組紐構造を示す模式図、図３１はその各糸状体の接触部を示す展開図、図３２はその各糸状体の配線パターンを示す展開図、図３３はその三次元組紐構造でもって作製される第４の接続部の配線図である。
【０１０２】
これらの図において、３５１はＸ軸方向の平面内で組まれる第１の糸状体〔図３１（ａ）、図３２（ａ）参照〕であり、接触部３５１Ａ〜３５１Ｄを有する。３５２はＸ軸方向の平面内で組まれ、第１の糸状体３５１と２層となるように組まれる第２の糸状体〔図３１（ｃ）、図３２（ｃ）参照〕であり、接触部３５２Ａ〜３５２Ｄを有する。３５３はＹ軸方向の平面内で組まれる第３の糸状体〔図３１（ｂ）、図３２（ｂ）参照〕であり、接触部３５３Ａ〜３５３Ｄを有する。３５４はＹ軸方向の平面内で組まれ、第３の糸状体３５３と２層となるように組まれる第４の糸状体〔図３１（ｄ）、図３２（ｄ）参照〕であり、接触部３５４Ａ〜３５４Ｄを有する。第１〜第４の糸状体で組み上げられた組紐では、第１の糸状体３５１の接触部３５１Ａと３５１Ｂは第３の糸状体３５３の接触部３５３Ａと３５３Ｂにそれぞれ接触し、また、第１の糸状体３５１の接触部３５１Ｃと３５１Ｄは第４の糸状体３５４の接触部３５４Ｃと３５４Ｄにそれぞれ接触する。また、第２の糸状体３５２の接触部３５２Ａと３５２Ｂは第４の糸状体３５４の接触部３５４Ａと３５４Ｂにそれぞれ接触し、また、第２の糸状体３５２の接触部３５２Ｃと３５２Ｄは第３の糸状体３５３の接触部３５３Ｃと３５３Ｄにそれぞれ接触する。
【０１０３】
各第１〜４の糸状体３５１〜３５４の配線パターンは、図３２に示すように構成されている。すなわち、第１の糸状体３５１〔図３２（ａ）参照〕には、電極３６１、発光層３６２、透明電極３６３を形成しており、電極３６１、発光層３６２、透明電極３６３で発光ダイオードを構成している。
【０１０４】
次に、第２の糸状体３５２〔図３２（ｃ）参照〕には、電極３７１、発光層３７２、透明電極３７３を形成しており、電極３７１，３７４、発光層３７２、透明電極３７３で発光ダイオードを構成している。
【０１０５】
次に、第３の糸状体３５３〔図３２（ｂ）参照〕には、素通し配線３８１が形成されている。
【０１０６】
次に、第４の糸状体３５４〔図３２（ｄ）参照〕には、接地用接続配線３９１、接続用パッド３９２，３９３が形成されている。
【０１０７】
これらの糸状体３５１〜３５４を、図３０に示すように組み上げることによって構成される第４の接続部３９５（単体）の配線図を図３３に示している。
【０１０８】
図３４は上記した図１〜図４、図１８〜図３３に示された三次元組紐構造を用いて構成される２つのＮＡＮＤ回路で構成したＬＥＤ点滅回路を示す図であり、図３４（ａ）はその三次元組紐の配線パターンの展開図、図３４（ｂ）はそれによって構成された２つのＮＡＮＤ回路で構成したＬＥＤ点滅回路図である。
【０１０９】
図３４（ａ）および図３４（ｂ）から明らかなように、三次元組紐構造の第１の回路（１）は、図１８〜図２１に示した第１の接続部２４５であり、三次元組紐構造の第２の回路（２）は、図１〜図４に示したＣＭＯＳ−ＮＡＮＤ回路４５であり、三次元組紐構造の第３の回路（３）は、図２２〜図２５に示した第２の接続部２９５であり、三次元組紐構造の第４の回路（４）は、図１〜図４に示したＣＭＯＳ−ＮＡＮＤ回路４５であり、三次元組紐構造の第５の回路（５）は、図２６〜図２９に示した第３の接続部３４５であり、三次元組紐構造の第６の回路（６）は、図３０〜図３３に示した第４の接続部３９５である。ここで、図３４における、３９６は制御入力端子、３９７は第１の接続部２４５中の抵抗、３９８は第２の接続部２９５中の抵抗、３９９は第３の接続部３４５中のキャパシタ、４００Ａ，４００Ｂは第４の接続部３９５中の発光ダイオードであり、制御入力端子３９６に高電位を印加することにより、発光ダイオード４００Ａ，４００Ｂは点灯を繰り返し、制御入力端子３９６を接地電位にすると、発光ダイオード４００Ａ，４００Ｂは消灯する。
【０１１０】
このように、それぞれの４本の糸状体よりなる三次元組紐構造の回路（１）〜（６）を糸状体の長さ方向に回転対称性を持ってカスケードに組み上げて接続することにより、２つのＮＡＮＤ回路で構成したＬＥＤ点滅回路を構築することができる。
【０１１１】
このＬＥＤ点滅回路は、例えば、携帯電話機のストラップに組み込むことにより、ストラップの先端を光らせ、携帯電話機の所在表示などに用いることもできる。
【０１１２】
また、光半導体素子及び電気素子が実装されるとともに、Ｘ軸方向の平面で２層状に組まれる第１及び第２の糸状体と、この第１及び第２の糸状体の光半導体素子及び電気素子に接続されるとともに、Ｙ軸方向の平面で２層状に組み上げられる第３及び第４の糸状体とを備え、前記第１及び第２の糸状体が前記光半導体素子に接続される光ファイバと、前記第１〜第４の糸状体に接続される電源を備え、電子・光集積回路を構築するように構成することができる。なお、糸状体に光ファイバを用いる場合には、絶縁被覆の外周に配線パターンを形成し、コアの部分を光伝送するように構成することができる。
【０１１３】
さらに、その他の電気素子との接続による電子・集積方法に関しては、本願発明者らによる上記特許文献２に開示されており、それらの技術を適用できる。
【０１１４】
このように構成することにより、よりコンパクトに電子装置を構築することができ、集積度を高めることができる。
【０１１５】
次に、８本の糸状体を２群４局８條角組に組み上げた組紐構造によるハイブリッド集積回路装置を構築する場合について説明する。
【０１１６】
まず、ＣＭＯＳ−ＮＡＮＤ回路の構築について説明する。
【０１１７】
図３５は本発明の実施例を示す８本の糸状体により２群４局８條角組に組み上げた組紐構造の正面図、図３６はその組紐構造の上面図、図３７はその各糸状体の接触部を示す展開図、図３８はその各糸状体の配線パターンを示す展開図、図３９はその三次元組紐構造でもって作製されるＣＭＯＳ−ＮＡＮＤ回路図である。
【０１１８】
これらの図において、４０１はＸ軸方向の平面内で組まれる第１の糸状体〔図３７（ａ）、図３８（ａ）参照〕であり、接触部４０１Ａ〜４０１Ｆを有する。４０２はＸ軸方向の平面内で組まれる第２の糸状体〔図３７（ｃ）、図３８（ｃ）参照〕であり、接触部４０２Ａ〜４０２Ｆを有する。４０３はＹ軸方向の平面内で組まれる第３の糸状体〔図３７（ｂ）、図３８（ｂ）参照〕であり、接触部４０３Ａ〜４０３Ｆを有する。４０４はＹ軸方向の平面内で組まれる第４の糸状体〔図３７（ｄ）、図３８（ｄ）参照〕であり、接触部４０４Ａ〜４０４Ｆを有する。４０５はＸ軸方向の平面内で組まれる第５の糸状体〔図３７（ｅ）、図３８（ｅ）参照〕であり、接触部４０５Ａおよび４０５Ｂを有する。４０６はＸ軸方向の平面内で組まれる第６の糸状体〔図３７（ｇ）、図３８（ｇ）参照〕であり、接触部４０６Ａおよび４０６Ｂを有する。４０７はＹ軸方向の平面内で組まれる第７の糸状体〔図３７（ｆ）、図３８（ｆ）参照〕であり、接触部４０７Ａおよび４０７Ｂを有する。４０８はＹ軸方向の平面内で組まれる第８の糸状体〔図３７（ｈ）、図３８（ｈ）参照〕であり、接触部４０８Ａおよび４０８Ｂを有する。
【０１１９】
第１〜第８の糸状体で組み上げられた組紐では、第１の糸状体４０１の接触部４０１Ａと４０１Ｂは第３の糸状体４０３の接触部４０３Ｂと４０３Ｃにそれぞれ接触し、また、第１の糸状体４０１の接触部４０１Ｄと４０１Ｅは第４の糸状体４０４の接触部４０４Ｅと４０４Ｆにそれぞれ接触する。また、第２の糸状体４０２の接触部４０２Ａと４０２Ｂは第４の糸状体４０４の接触部４０４Ｂと４０４Ｃにそれぞれ接触し、また、第２の糸状体４０２の接触部４０２Ｄと４０２Ｅは第３の糸状体４０３の接触部４０３Ｅと４０３Ｆにそれぞれ接触する。さらに第１の糸状体４０１の接触部４０１Ｃは４０７Ａに、接触部４０１Ｆは４０８Ｂに、第３の糸状体４０３の接触部４０３Ａは４０５Ｂ、接触部４０３Ｄは４０６Ｂに、第２の糸状体４０２の接触部４０２Ｃは４０８Ａに、接触部４０２Ｆは４０７Ｂに、第４の糸状体４０４の接触部４０４Ａは４０６Ａに、接触部４０４Ｄは接触部４０５Ｂにそれぞれ接触する。
【０１２０】
このように、第１の糸状体４０１、第２の糸状体４０２、第５の糸状体４０５および第６の糸状体４０６がＸ軸方向の平面内で４層になるように、第３の糸状体４０３、第４の糸状体４０４、第７の糸状体４０７および第８の糸状体４０８がＹ軸方向の平面内で４層になるように、それぞれ組み上げられる。
【０１２１】
各第１〜８の糸状体４０１〜４０８の配線パターンは、図３８に示すように構成されている。すなわち、第１の糸状体４０１〔図３８（ａ）参照〕には、接続配線（入力Ｂ）４１１、ゲート電極４１２、絶縁膜４１３、ソース電極４１４、ドレイン電極４１５、Ｐ型半導体４１６の２組が形成されている。
【０１２２】
次に、第２の糸状体４０２〔図３８（ｃ）参照〕には、接続配線（入力Ａ）４２１、ゲート電極４２２、絶縁膜４２３、ドレイン電極４２４、ソース電極４２５、Ｎ型半導体４２６、出力配線（Ａ  ＡＮＤ  Ｂ）４２７が形成されている。
【０１２３】
次に、第３の糸状体４０３〔図３８（ｂ）参照〕には、素通し配線４３１、接続配線４３２、接続用電極４３３，４３４が形成されている。
【０１２４】
次に、第４の糸状体４０４〔図３８（ｄ）参照〕には、接続配線４４１〜４４３、接続用電極４４４，４４５、素通し配線４４６が形成されている。
【０１２５】
次に、第５の糸状体４０５〔図３８（ｅ）参照〕には、素通し配線４５１、電源配線４５２、接続用電極４５３が形成されている。
【０１２６】
次に、第６の糸状体４０６〔図３８（ｇ）参照〕には、素通し配線４６１、接地用接続配線４６２、接続用電極４６３が形成されている。
【０１２７】
次に、第７の糸状体４０７〔図３８（ｆ）参照〕には、接続配線４７１、接続用電極４７２，４７３が形成されている。
【０１２８】
次に、第８の糸状体４０８〔図３８（ｈ）参照〕には、素通し配線４８１が形成されている。
【０１２９】
これらの糸状体４０１〜４０８を、図３５および図３６に示すように組み上げることによって、図３９に示すように、ＣＭＯＳ−ＮＡＮＤ回路４８５が構築される。なお、図３９において、Ｇはゲート、Ｄはドレイン、Ｓはソースを示しており、第１の糸状体４０１によってＰＭＯＳＦＥＴが、第２の糸状体４０２によってＮＭＯＳＦＥＴがそれぞれ構成されている。
【０１３０】
このように構成することにより、対称性のあるＮＡＮＤ回路を構成することができるとともに、組紐として８本の糸状体を組み上げて用いることにより機械的強度に優れたハイブリッド集積回路装置を構築することができる。
【０１３１】
次に、２インバータ回路の構築について説明する。
【０１３２】
図４０は本発明の実施例を示す８本の糸状体を２群４局８條角組に組み上げた組紐構造の正面図、図４１はその組紐構造の上面図、図４２はその各糸状体の接触部を示す展開図、図４３はその各糸状体の配線パターンを示す展開図、図４４はその三次元組紐構造でもって作製される２インバータ回路である。
【０１３３】
これらの図において、５０１はＸ軸方向の平面内で組まれる第１の糸状体〔図４２（ａ）、図４３（ａ）参照〕であり、接触部５０１Ａ〜５０１Ｆを有する。５０２はＸ軸方向の平面内で組まれる第２の糸状体〔図４２（ｃ）、図４３（ｃ）参照〕であり、接触部５０２Ａ〜５０２Ｆを有する。５０３はＹ軸方向の平面内で組まれる第３の糸状体〔図４２（ｂ）、図４３（ｂ）参照〕であり、接触部５０３Ａ〜５０３Ｆを有する。５０４はＹ軸方向の平面内で組まれる第４の糸状体〔図４２（ｄ）、図４３（ｄ）参照〕であり、接触部５０４Ａ〜５０４Ｆを有する。５０５はＸ軸方向の平面内で組まれる第５の糸状体〔図４２（ｅ）、図４３（ｅ）参照〕であり、接触部５０５Ａおよび５０５Ｂを有する。５０６はＸ軸方向の平面内で組まれる第６の糸状体〔図４２（ｇ）、図４３（ｇ）参照〕であり、接触部５０６Ａおよび５０６Ｂを有する。５０７はＹ軸方向の平面内で組まれる第７の糸状体〔図４２（ｆ）、図４３（ｆ）参照〕であり、接触部５０７Ａおよび５０７Ｂを有する。５０８はＹ軸方向の平面内で組まれる第８の糸状体〔図４２（ｈ）、図４３（ｈ）参照〕であり、接触部５０８Ａおよび５０８Ｂを有する。
【０１３４】
第１〜第８の糸状体で組み上げられた組紐では、第１の糸状体５０１の接触部５０１Ａと５０１Ｂは第３の糸状体５０３の接触部５０３Ｂと５０３Ｃにそれぞれ接触し、また、第１の糸状体５０１の接触部５０１Ｄと５０１Ｅは第４の糸状体５０４の接触部５０４Ｅと５０４Ｆにそれぞれ接触する。また、第２の糸状体５０２の接触部５０２Ａと５０２Ｂは第４の糸状体５０４の接触部５０４Ｂと５０４Ｃにそれぞれ接触し、また、第２の糸状体５０２の接触部５０２Ｄと５０２Ｅは第３の糸状体５０３の接触部５０３Ｅと５０３Ｆにそれぞれ接触する。さらに第１の糸状体５０１の接触部５０１Ｃは５０７Ａに、接触部５０１Ｆは５０８Ｂに、第３の糸状体５０３の接触部５０３Ａは５０５Ｂ、接触部５０３Ｄは５０６Ｂに、第２の糸状体５０２の接触部５０２Ｃは５０８Ａに、接触部５０２Ｆは５０７Ｂに、第４の糸状体５０４の接触部５０４Ａは５０６Ａに、接触部５０４Ｄは接触部５０５Ｂにそれぞれ接触する。
このように、第１の糸状体５０１、第２の糸状体５０２、第５の糸状体５０５および第６の糸状体５０６がＸ軸方向の平面内で４層になるように、第３の糸状体５０３、第４の糸状体５０４、第７の糸状体５０７および第８の糸状体５０８がＹ軸方向の平面内で４層になるように、それぞれ組み上げられる。
【０１３５】
各第１〜８の糸状体５０１〜５０８の配線パターンは、図４３に示すように構成されている。すなわち、第１の糸状体５０１〔図４３（ａ）参照〕には、接続配線（入力Ｂ）５１１、ゲート電極５１２、絶縁膜５１３、ソース電極５１４、ドレイン電極５１５、Ｐ型半導体５１６、出力配線（ＮＯＴ  Ａ）５１７が形成されている。
【０１３６】
次に、第２の糸状体５０２〔図４３（ｃ）参照〕には、接続配線（入力Ａ）５２１、ゲート電極５２２、絶縁膜５２３、ドレイン電極５２４、ソース電極５２５、Ｎ型半導体５２６、出力配線（ＮＯＴ  Ｂ）５２７が形成されている。
【０１３７】
次に、第３の糸状体５０３〔図４３（ｂ）参照〕には、素通し配線５３１、接続配線５３２、接続用電極５３３，５３４が形成されている。
【０１３８】
次に、第４の糸状体５０４〔図４３（ｄ）参照〕には、接続配線５４１〜５４３、接続用電極５４４，５４５、素通し配線５４６が形成されている。
【０１３９】
次に、第５の糸状体５０５〔図４３（ｅ）参照〕には、素通し配線５５１、電源配線５５２、接続用電極５５３が形成されている。
【０１４０】
次に、第６の糸状体５０６〔図４３（ｇ）参照〕には、素通し配線５６１、接地用接続配線５６２、接続用電極５６３が形成されている。
【０１４１】
次に、第７の糸状体５０７〔図４３（ｆ）参照〕には、接続配線５７１、接続用電極５７２，５７３、素通し配線５７４が形成されている。
【０１４２】
次に、第８の糸状体５０８〔図４３（ｈ）参照〕には、接続配線５８１、接続用電極５８２，５８３、素通し配線５８４が形成されている。
【０１４３】
これらの糸状体５０１〜５０８を、図４０および図４１に示すように組み上げることによって、図４４に示されるように、２インバータ回路５８５が構築される。なお、図４４において、Ｇはゲート、Ｄはドレイン、Ｓはソースを示しており、第１の糸状体５０１によってＰＭＯＳＦＥＴが、第２の糸状体５０２によってＮＭＯＳＦＥＴがそれぞれ構成されている。
【０１４４】
このように構成することにより、対称的な２インバータ回路を構成することができるとともに、組紐が８本の糸状体で組み上げられることにより機械的強度に優れたハイブリッド集積回路装置を構築することができる。
【０１４５】
次に、上記した２インバータ回路５８５とＮＡＮＤ回路４８５とで構成したＯＲ回路について説明する。
【０１４６】
図４５は上記した三次元組紐構造を用いて構成した２インバータ回路とＮＡＮＤ回路とで構成したＯＲ回路を示す図であり、図４５（ａ）はその三次元組紐の配線パターンの展開図、図４５（ｂ）はそれによって構成された２インバータ回路とＮＡＮＤ回路とで構成したＯＲ回路図である。
【０１４７】
図４５（ａ）および図４５（ｂ）から明らかなように、三次元組紐構造の第１の回路（１）は、図４０〜図４４に示した２インバータ回路５８５であり、三次元組紐構造の第２の回路（２）は、図３５〜図３９に示したＣＭＯＳ−ＮＡＮＤ回路４８５であり、これらが糸状体の長さ方向に回転対称性を持ってカスケードに接続されることにより、ＯＲ回路を構築することができる。
【０１４８】
このように、それぞれ８本の糸状体よりなる三次元組紐構造の回路（１）、（２）を接続することにより、２インバータ回路とＮＡＮＤ回路とで構成したＯＲ回路を構築することができる。
【０１４９】
このように構成することにより、よりコンパクトに電子装置を構築することができ、集積度を高めることができる。
【０１５０】
上記実施例では、４本又は８本の糸状体により組み上げられる組紐構造体について説明したが、それ以外の複数本の糸状体により組み上げられる種々の組紐構造体を構築できることは言うまでもなく、それらは本発明の範囲に包含されるものである。
【０１５１】
本発明によれば、柔軟なファイバ上に、一定間隔ごとにＭＯＳＦＥＴや太陽電池、発光素子などを構成する各種電子素子を配置したものや、専ら電極、配線の周期パターンを形成したものなど、多種類の糸状体のセット（４本組、８本組）を用意しておき、それらのなかから、目的の機能にあった糸状体のセットを複数選択し、接続した上で組紐として組み上げることで所望の電子回路を構築することができる。本発明は特に、組紐状であるため、集積度を高めることができ、コンパクトであり、機械的強度も向上させることができる。また、長尺な電子回路を構築することもできる。
【０１５２】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【産業上の利用可能性】
【０１５３】
本発明の組紐構造によるハイブリッド集積回路装置は、コンパクトで高い強度を有する電子装置として広範に利用可能である。例えば、長尺な電子回路装置として、また、身近な装飾を兼ねた電子回路システムとして用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１５４】
【図１】本発明の実施例を示す基本（エレメント）となる三次元組紐構造を示す模式図である。
【図２】本発明の実施例を示す各糸状体の接触部を示す展開図である。
【図３】本発明の実施例を示す各糸状体の配線パターンを示す展開図である。
【図４】本発明の実施例を示す三次元組紐構造でもって作製されるＣＭＯＳ  ＮＡＮＤ回路〔否定的論理積回路〕図である。
【図５】本発明の第１の接続部となる三次元組紐構造を示す模式図である。
【図６】本発明の第１の接続部となる三次元組紐構造を示す各糸状体の接触部を示す展開図である。
【図７】本発明の第１の接続部となる三次元組紐構造を示す各糸状体の配線パターンを示す展開図である。
【図８】本発明の三次元組紐構造でもって作製される第１の接続部（ＯＲ−１）の配線図である。
【図９】本発明の第３の接続部となる三次元組紐構造を示す模式図である。
【図１０】本発明の第３の接続部となる三次元組紐構造の各糸状体の接触部を示す展開図である。
【図１１】本発明の第３の接続部となる三次元組紐構造の各糸状体の配線パターンを示す展開図である。
【図１２】本発明の三次元組紐構造でもって作製される第３の接続部（ＯＲ−３）の配線図である。
【図１３】本発明の第５の接続部となる三次元組紐構造を示す模式図である。
【図１４】本発明の第５の接続部となる三次元組紐構造の接触部を示す展開図である。
【図１５】本発明の第５の接続部となる三次元組紐構造の配線パターンを示す展開図である。
【図１６】本発明の三次元組紐構造でもって作製される第５の接続部（ＯＲ−５）の配線図である。
【図１７】図１〜図１６に示された三次元組紐構造を用いて構成される３つのＮＡＮＤ回路を有するＯＲ回路を示す図である。
【図１８】本発明の第１の接続部となる三次元組紐構造を示す模式図である。
【図１９】本発明の第１の接続部となる三次元組紐構造の接触部を示す展開図である。
【図２０】本発明の第１の接続部となる三次元組紐構造の配線パターンを示す展開図である。
【図２１】本発明の三次元組紐構造でもって作製される第１の接続部の配線図である。
【図２２】本発明の第２の接続部となる三次元組紐構造を示す模式図である。
【図２３】本発明の第２の接続部となる三次元組紐構造の接触部を示す展開図である。
【図２４】本発明の第２の接続部となる三次元組紐構造の配線パターンを示す展開図である。
【図２５】本発明の三次元組紐構造でもって作製される第２の接続部の配線図である。
【図２６】本発明の第３の接続部となる三次元組紐構造を示す模式図である。
【図２７】本発明の第３の接続部となる三次元組紐構造の接触部を示す展開図である。
【図２８】本発明の第３の接続部となる三次元組紐構造の配線パターンを示す展開図である。
【図２９】本発明の三次元組紐構造でもって作製される第３の接続部の配線図である。
【図３０】本発明の第４の接続部となる三次元組紐構造を示す模式図である。
【図３１】本発明の第４の接続部となる三次元組紐構造の接触部を示す展開図である。
【図３２】本発明の第４の接続部となる三次元組紐構造の配線パターンを示す展開図である。
【図３３】本発明の三次元組紐構造でもって作製される第４の接続部の配線図である。
【図３４】図１〜図４、図１８〜図３３に示された三次元組紐構造を用いて構成される２つのＮＡＮＤ回路で構成したＬＥＤ点滅回路図である。
【図３５】本発明の実施例を示す８本の糸状体により２群４局８條角組に組み上げた組紐構造の正面図である。
【図３６】本発明の実施例を示す８本の糸状体により２群４局８條角組に組み上げた組紐構造の上面図である。
【図３７】本発明の実施例を示す８本の糸状体により２群４局８條角組に組み上げた組紐構造の各糸状体の接触部を示す展開図である。
【図３８】本発明の実施例を示す８本の糸状体により２群４局８條角組に組み上げた組紐構造の各糸状体の配線パターンを示す展開図である。
【図３９】本発明の実施例を示す８本の糸状体により２群４局８條角組に組み上げた組紐構造でもって作製されるＣＭＯＳ−ＮＡＮＤ回路図である。
【図４０】本発明の実施例を示す８本の糸状体により２群４局８條角組に組み上げた組紐構造の正面図である。
【図４１】本発明の実施例を示す８本の糸状体により２群４局８條角組に組み上げた組紐構造の上面図である。
【図４２】本発明の実施例を示す８本の糸状体により２群４局８條角組に組み上げた組紐構造の各糸状体の接触部を示す展開図である。
【図４３】本発明の実施例を示す８本の糸状体により２群４局８條角組に組み上げた組紐構造の各糸状体の配線パターンを示す展開図である。
【図４４】本発明の実施例を示す８本の糸状体により２群４局８條角組に組み上げた組紐構造でもって作製される２インバータ回路である。
【図４５】図３５〜図４４に示した三次元組紐構造を用いて構成した２インバータ回路とＮＡＮＤ回路とで構成したＯＲ回路図である。
【符号の説明】
【０１５５】
１，５１，１０１，１５１，２０１，２５１，３０１，３５１，４０１，５０１    第１の糸状体
１Ａ〜１Ｄ，２Ａ〜２Ｄ，３Ａ〜３Ｄ，４Ａ〜４Ｄ，５１Ａ〜５１Ｄ，５２Ａ〜５２Ｄ，５３Ａ〜５３Ｄ，５４Ａ〜５４Ｄ，１０１Ａ〜１０１Ｄ，１０２Ａ〜１０２Ｄ，１０３Ａ〜１０３Ｄ，１０４Ａ〜１０４Ｄ，１５１Ａ〜１５１Ｄ，１５２Ａ〜１５２Ｄ，１５３Ａ〜１５３Ｄ，１５４Ａ〜１５４Ｄ，２０１Ａ〜２０１Ｄ，２０２Ａ〜２０２Ｄ，２０３Ａ〜２０３Ｄ，２０４Ａ〜２０４Ｄ，２５１Ａ〜２５１Ｄ，２５２Ａ〜２５２Ｄ，２５３Ａ〜２５３Ｄ，２５４Ａ〜２５４Ｄ，３０１Ａ〜３０１Ｄ，３０２Ａ〜３０２Ｄ，３０３Ａ〜３０３Ｄ，３０４Ａ〜３０４Ｄ，３５１Ａ〜３５１Ｄ，３５２Ａ〜３５２Ｄ，３５３Ａ〜３５３Ｄ，３５４Ａ〜３５４Ｄ，４０１Ａ〜４０１Ｆ，４０２Ａ〜４０２Ｆ，４０３Ａ〜４０３Ｆ，４０４Ａ〜４０４Ｆ，４０５Ａ，４０５Ｂ，４０６Ａ，４０６Ｂ，４０７Ａ，４０７Ｂ，４０８Ａ，４０８Ｂ，５０１Ａ〜５０１Ｆ，５０２Ａ〜５０２Ｆ，５０３Ａ〜５０３Ｆ，５０４Ａ〜５０４Ｆ，５０５Ａ，５０５Ｂ，５０６Ａ，５０６Ｂ，５０７Ａ，５０７Ｂ，５０８Ａ，５０８Ｂ    接触部
２，５２，１０２，１５２，２０２，２５２，３０２，３５２，４０２，５０２    第２の糸状体
３，５３，１０３，１５３，２０３，２５３，３０３，３５３，４０３，５０３    第３の糸状体
４，５４，１０４，１５４，２０４，２５４，３０４，３５４，４０４，５０４    第４の糸状体
１１，６３，１１３，１６３，２１３，２６３，３１３，４５２，５５２    電源配線
１２，２２，２３，４１５，４２４，５１５，５２４    ドレイン電極
１３，２１，２４，４１４，４２５，５１４，５２５    ソース電極
１４    第１のゲート電極
１５    第２のゲート電極
１６，１７    Ｐ型半導体領域
２５    第３のゲート電極
２６    第４のゲート電極
２７，７１    出力配線
２８，２９    Ｎ型半導体領域
３１，８１，１７１，２２１，２７１，３２１，３８１，４３１，４４６，４５１，４６１，４８１，５３１，５４６，５５１，５６１，５７４，５８４    素通し配線
３２，３３，３４，４２，４３，７２，８２，８３，４３３，４３４，４４４，４４５，４５３，４６３，４７２，４７３，５３３，５３４，５４４，５４５，５５３，５６３，５７２，５７３，５８２，５８３    接続用電極    
４１    接地配線
４５，４８５    ＣＭＯＳ−ＮＡＮＤ回路
６１，１１１，１２１，１２３，１３１，１３３，１３４，１３６，１６１，１８１，２１１，２３１，２３２，２６１，２８１，２８２，３１１，４３２，４４１〜４４３，４７１，５３２，５４１〜５４３，５７１，５８１    接続配線
６２，６４，１１２，１１４，１２２，１２４，１３２，１３５，１３７，１６２，１６４，１８２，２１２，２１４，２３３，２３４，２６２，２６４，２７２，２８３，２８４，３１２，３１４，３２２，３９２，３９３    接続用パッド
９１，１４１，１９１，２４１，２９１，３４１    接地用電極
９２，１４２，１９２，２４２，２９２，３４２    半導体
９３，１４３，１９３，２４３，２９３，３４３    透明電極（太陽電池）
９４，１４４，１９４，２４４，２９４，３３１，３３３，３３４，３４４，３６１，３７１，３７４    電極
９５    第１の接続部（ＯＲ−１）
１４５    第３の接続部（ＯＲ−３）
１９５    第５の接続部（ＯＲ−５）
２３５，２８５    抵抗体膜
２４５    第１の接続部
２９５    第２の接続部
３３２，４１３，４２３，５１３，５２３    絶縁膜
３４５    第３の接続部
３６２，３７２    発光層
３６３，３７３    透明電極
３９１，４６２，５６２    接地用接続配線
３９５    第４の接続部
３９６    制御用入力端子
３９７，３９８    抵抗
３９９    キャパシタ
４００Ａ，４００Ｂ    発光ダイオード
４０５，５０５    第５の糸状体
４０６，５０６    第６の糸状体
４０７，５０７    第７の糸状体
４０８，５０８    第８の糸状体
４１１，５１１    接続配線（入力Ｂ）
４１２，４２２，５１２，５２２    ゲート電極
４１６，５１６    Ｐ型半導体
４２１，５２１    接続配線（入力Ａ）
４２６，５２６    Ｎ型半導体
４２７    出力配線（Ａ  ＡＮＤ  Ｂ）
５１７    出力配線（ＮＯＴ  Ａ）
５２７    出力配線（ＮＯＴ  Ｂ）
５８５    ２インバータ回路
【図１】
2005300797.tif 000003
【図２】
2005300797.tif 000004
【図３】
2005300797.tif 000005
【図４】
2005300797.tif 000006
【図５】
2005300797.tif 000007
【図６】
2005300797.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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