(57)【要約】【課題】アニールによる素子特性の劣化を低減する。【解決手段】磁気抵抗効果素子２の製造方法は、基体上に磁気抵抗効果層を構成する構成層２４〜２７を成膜する工程と、前記構成層２４〜２７のうちの１層以上をパターニングする工程と、前記パターニングにより前記構成層２４〜２７のうちの前記１層以上が除去された領域に、絶縁層３０を成膜する工程と、を含む。絶縁層３０を成膜する工程では、前記パターニング段階の後の前記基体に向けて希ガスを主成分とするガスのイオンビームを照射しつつ、絶縁層３０を堆積させる。【選択図】        図４
2005019497.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に磁気抵抗効果層を構成する構成層を成膜する段階と、
前記構成層のうちの１層以上をパターニングするパターニング段階と、
前記パターニングにより前記構成層のうちの前記１層以上が除去された領域に、絶縁層を成膜する段階と、
を備え、
前記絶縁層を成膜する前記段階は、前記パターニング段階の後の前記基体に向けて希ガスを主成分とするガスのイオンビームを照射しつつ、前記絶縁層を堆積させる段階を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層を堆積させる前記段階は、第１及び第２のイオンガンを有するイオンビームデポジション装置を用い、前記第１のイオンガンを用いてターゲット照射用イオンビームを前記絶縁層のターゲットに向けて照射しつつ、前記第２のイオンガンを用いて希ガスを主成分とするガスのイオンビームを前記基体に向けて照射する段階を含むことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層が酸化物からなることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項４】
前記磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗効果層における磁気検出に有効に関与する有効領域が、前記磁気抵抗効果層において膜面と略々垂直な方向に電流が流れる領域である磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項５】
前記磁気抵抗効果層は、前記フリー層の一方の面側に形成されたトンネルバリア層と、該トンネルバリア層の前記フリー層とは反対の側に形成されたピンド層と、前記ピンド層の前記トンネルバリア層とは反対の側に形成されたピン層と、を含むことを特徴とする請求項４記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項６】
基体と、該基体により支持された磁気抵抗効果素子とを備え、前記磁気抵抗効果素子が、請求項１乃至５のいずれかに記載の製造方法により製造された磁気抵抗効果素子であることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項７】
磁気ヘッドと、該磁気ヘッドが先端部付近に搭載され前記磁気ヘッドを支持するサスペンションと、を備え、前記磁気ヘッドが請求項６記載の磁気ヘッドであることを特徴とするヘッドサスペンションアセンブリ。
【請求項８】
請求項７記載のヘッドサスペンションアセンブリと、該アセンブリを支持するアーム部と、該アーム部を移動させて磁気ヘッドの位置決めを行うアクチュエータと、を備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果素子の製造方法、並びに、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の大容量小型化に伴い、高感度、高出力のヘッドが要求されている。その要求に対して、現行製品であるＧＭＲヘッド（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  Ｈｅａｄ）の懸命な特性改善が進んでおり、一方でＧＭＲヘッドの２倍以上の抵抗変化率が期待できるトンネル磁気抵抗効果型ヘッド（ＴＭＲヘッド）の開発も精力的に行われている。
【０００３】
ＧＭＲヘッドとＴＭＲヘッドは、一般的に、センス電流を流す方向の違いからヘッド構造が異なる。一般にＧＭＲヘッドのような膜面に対して平行にセンス電流を流すヘッド構造をＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ）構造、ＴＭＲヘッドのように膜面に対して垂直にセンス電流を流すヘッド構造をＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｔｏ  Ｐｌａｎｅ）構造と呼ぶ。ＣＰＰ構造は、磁気シールドそのものを電極として用いることができるため、ＣＩＰ構造の狭リードギャップ化において深刻な問題になっている、磁気シールド−素子間ショート（絶縁不良）が本質的に生じない。そのため、高記録密度化においてＣＰＰ構造は大変有利である。
【０００４】
ＣＰＰ構造のヘッドとしては、ＴＭＲヘッドの他にも、例えば、磁気抵抗効果素子にスピンバルブ膜（スペキュラー型、デュアルスピンバルブ型磁性多層膜を含む）を用いながらもＣＰＰ構造を持つＣＰＰ−ＧＭＲヘッドも知られている。
【０００５】
ＣＰＰ構造のヘッドでは、いずれのタイプのヘッドであっても、基体上に形成された磁気抵抗効果層に電流を流すための上部電極及び下部電極が、前記磁気抵抗効果層の上面側（基体と反対側）及び下面側（基体側）にそれぞれ形成されている。そして、ＣＰＰ構造のヘッドは、上部電極と下部電極との間の電流パスを制限するための絶縁層が、磁気抵抗効果層の主要な層（例えば、ＴＭＲヘッドの場合にはトンネルバリア層）の周囲に配置した構造を有している。この制限された電流パスは、磁気記録媒体からの磁場を検出するための有効領域とほぼ一致する。特許文献１，２には、このようなＣＰＰ構造のヘッドの例として、ＴＭＲヘッドが開示されている。
【０００６】
特許文献１に開示にされているような一般的な従来のＣＰＰ構造のヘッドでは、上部電極と下部電極との間の電流パスを制限するための絶縁層の材料としては、一般的に、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２が用いられている。
【０００７】
そして、特許文献１に開示されているような従来のＣＰＰ構造のヘッドを製造する場合、一般的に、基板上に磁気抵抗効果層を構成する構成層をレジストマスクを利用してミリングを行うことで、前記構成層をパターニングし、前記レジストマスクをそのまま利用してリフトオフ法によりＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２を前記構成層の周囲に形成する。このＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２の形成の際に、ターゲット照射用イオンガン及びアシストガン（アシスト用イオンガン）を有するイオンビームデポジション装置を用い、前記ターゲット照射用イオンガンを用いてターゲット照射用イオンビーム（例えば、Ａｒのイオンビーム）をＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２のターゲットに向けて照射しつつ、前記アシストガンを用いてＡｒガスとこのＡｒガス中に多量に含まれる酸素ガスとからなるガスのイオンビームを基板に向けて照射することによって、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２を堆積させていた。ここで、アシストガンを用いて多量の酸素ガスを含むガスのイオンビームを基板に向けて照射するのは、成膜後の絶縁層中の酸素原子不足に起因する絶縁不良を懸念しているためであった。すなわち、例えば、絶縁層のターゲットとしてＡｌ２Ｏ３を用いる場合、Ａｌ原子とＯ原子の性質の違いから成膜後に膜中の酸素原子が不足して化学量論に対して組成比の違いが生じることで、成膜後の絶縁層が絶縁不良となることを懸念し、アシストガンで多量の酸素ガスを含むガスのイオンビームを補助的に供給することで、成膜される絶縁層中の酸素不足を補って絶縁不良を防止しようとしていた。また、従来は、絶縁層の成膜時に酸素が余分に供給されても、何ら不都合が生じないものと考えられていた。
【０００８】
ところで、磁気ヘッドでは、ＴＭＲ素子やＧＭＲ素子などの再生用素子のみならず、誘導型磁気変換素子などの記録用素子も設けられ、磁気情報の再生及び記録の両方を行う複合型磁気ヘッドとして構成されるのが、一般的である。その製造時には、一般的に、基板上に再生用素子を形成した後に、その上に記録用素子が積層される。そして、記録用素子の作製時のコイル部作製時に、フォトレジスト硬化工程としてアニールが行われる。例えば、特許文献２には、ＴＭＲ素子上に記録用素子を積層した複合型磁気ヘッドを製造する場合、記録用素子のコイル部作製時のフォトレジスト硬化工程として、２５０℃で２時間のアニールを行う旨が、記載されている（例えば、特許文献２の段落番号［００９４］等）。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００１−２３１３１号公報
【特許文献２】
特開２００１−５２３１６号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者の研究の結果、前述したような従来の製造方法で製造した特許文献１に開示されているような従来の磁気ヘッドでは、アニールを行うことでＴＭＲ素子の特性が劣化してしまうことが判明した。この点について、以下に説明する。
【００１１】
本発明者は、特許文献１に開示されている磁気ヘッドと同様の磁気ヘッドを作製した。この磁気ヘッドでは、再生用素子としてＴＭＲ素子を形成した。このとき、基板上に磁気抵抗効果層を構成する構成層をレジストマスクを利用してミリングを行うことで、前記構成層をパターニングし、前記レジストマスクをそのまま利用してリフトオフ法により絶縁層としてＡｌ２Ｏ３を前記構成層の周囲に形成した。このＡｌ２Ｏ３の形成の際に、ターゲット照射用ガン及びアシストガンを有するイオンビームデポジション装置を用い、前記ターゲット照射用ガンを用いてターゲット照射用イオンビーム（例えば、Ａｒのイオンビーム）をＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２のターゲットに向けて照射しつつ、前記アシストガンを用いてＡｒガスとこのＡｒガス中に多量に含まれる酸素ガスとからなるガスのイオンビームを基板に向けて照射することによって、Ａｌ２Ｏ３を堆積させた。また、この磁気ヘッドでは、ＴＭＲ素子上に記録用素子としての誘導型磁気変換素子を積層した。さらに、記録用素子のコイル部作製時のフォトレジスト硬化工程として、アニールを行った。そして、この磁気ヘッドを製造する過程で、ＴＭＲ素子の作製が終了し記録用素子を作製する前の段階で、作製されたＴＭＲ素子について１度目の特性測定（ＴＭＲ素子の抵抗値及びＭＲ比の測定）を行い、更に、記録用素子の作製も終了した段階で、当該ＴＭＲ素子について２度目の特性測定（ＴＭＲ素子の抵抗値及びＭＲ比の測定）を行った。
【００１２】
そして、１度目の測定結果と２度目の測定結果を比較したところ、記録用素子の作製の前後でＴＭＲ素子の特性が同じであると考えられていたのに反し、記録用素子の作製前のＴＭＲ素子の特性に比べて劣化していることが、判明した。すなわち、２度目の測定で得られたＴＭＲ素子の抵抗値は１度目の測定で得られたＴＭＲ素子の抵抗値より上昇し、また、２度目の測定で得られたＴＭＲ素子のＭＲ比は１度目の測定で得られたＴＭＲ素子のＭＲ比より低下した。ＴＭＲ素子では、素子抵抗の上昇に比例してノイズが上昇するので、素子抵抗の低抵抗化が課題となっている。さらに、ＭＲ比が低下すると、ヘッド出力も低下してしまうので、ＭＲ比が高いことが望まれている。
【００１３】
本発明者の更に詳しい実験の結果、前述したＴＭＲ素子の特性劣化（素子抵抗の上昇及びＭＲ比の低下）は、記録用素子の作製時のアニールに起因して生ずることが判明した。
【００１４】
ＴＭＲ素子などの磁気抵抗効果素子は、磁気ヘッド以外にも、磁気検出器やＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）などの種々の用途があるが、これらの用途においても、アニールを行う場合がある。
【００１５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、アニールによる素子特性の劣化を低減することができる、磁気抵抗効果素子の製造方法、並びに、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明者の更なる研究の結果、特許文献１に開示されているような従来の磁気ヘッドにおいて、アニールによるＴＭＲ素子の特性劣化（素子抵抗の上昇及びＭＲ比の低下）の原因は、磁気抵抗効果層のパターニング後に、上部電極と下部電極との間の電流パスを制限するための絶縁層の成膜の際に磁気抵抗効果層の端面に付着した酸素が、アニールにより磁気抵抗効果層内（トンネルバリア層内やピンド層内やフリー層内など）に拡散し、磁気抵抗効果層が酸化されるためであると考えられることが、判明した。前記絶縁層の成膜時に、磁気抵抗効果層の端面にアシストガンから供給される酸素が余分に付着する。また、前記絶縁層の成膜時に、アシストガンから酸素を供給しなくても、真空装置内に不純物として存在していた酸素が磁気抵抗効果層の端面に余分に付着したり、絶縁層のターゲットが酸化物からなる場合にはターゲットから放たれる酸素が磁気抵抗効果層の端面に余分に付着する。
【００１７】
そこで、本発明者は、実験の結果、前記絶縁層の成膜時に、前記絶縁層の絶縁性確保のために不可欠であると考えられていたアシストガンからの酸素の供給を遮断するかあるいは当該酸素の供給を微量に抑え、アシストガンから希ガスを主成分とするガスのイオンビームを基板に向けて照射することで、アニールによる素子特性の劣化を低減することができることが判明した。これは、（ａ）アシストガンからの酸素の供給を遮断又は微量に抑えることで、アシストガンから供給される酸素が磁気抵抗効果層の端面に余分に付着するようなことがなくなること、及び、（ｂ）アシストガンから希ガスのイオンビームが基板に向けて照射されることで、真空装置内に不純物として存在していた酸素やターゲットから放たれる酸素が、磁気抵抗効果層の端面に余分に付着し難くなってること、の２つの効果が相俟って、磁気抵抗効果層の端面に余分に付着する酸素が少なくなることによるものと、考えられる。また、本発明者の実験の結果、前記絶縁層の成膜時に、アシストガンからの酸素の供給を遮断又は微量に抑えてアシストガンから希ガスのイオンビームを照射しても、上部電極と下部電極との間の電流パスを制限するために必要十分な前記絶縁層の絶縁性を得ることができることが、判明した。
【００１８】
本発明は、このような新たな知見に基づいてなされたもので、前記課題を解決するため、本発明の第１の態様による磁気抵抗効果素子の製造方法は、基体上に磁気抵抗効果層を構成する構成層を成膜する段階と、前記構成層のうちの１層以上をパターニングするパターニング段階と、前記パターニングにより前記構成層のうちの前記１層以上が除去された領域に、絶縁層を成膜する段階と、を備え、前記絶縁層を成膜する前記段階は、前記パターニング段階の後の前記基体に向けて希ガスを主成分とするガスのイオンビームを照射しつつ、前記絶縁層を堆積させる段階を含むものである。
【００１９】
この第１の態様によれば、前述した知見に従い、アニールによる当該磁気抵抗効果素子の特性劣化（抵抗値の上昇及びＭＲ比の低下）を低減することができる。
【００２０】
なお、希ガスを主成分とする前記ガスは、当該ガス全体の導入流量に対する前記希ガスの導入流量の比が８５％以上であることが好ましく、前記比が９０％以上であることがより好ましく、前記比が９３％以上であることがより一層好ましい。希ガスを主成分とする前記ガスは、希ガスを主成分としていることから従来と異なり希ガスが占める比が高いので、酸素ガスを含んでいてもよい。
【００２１】
本発明の第２の態様による磁気抵抗効果素子の製造方法は、前記第１の態様において、前記絶縁層を堆積させる前記段階は、第１及び第２のイオンガンを有するイオンビームデポジション装置を用い、前記第１のイオンガンを用いてターゲット照射用イオンビームを前記絶縁層のターゲットに向けて照射しつつ、前記第２のイオンガンを用いて希ガスを主成分とするガスのイオンビームを前記基体に向けて照射する段階を含むものである。
【００２２】
この第２の態様は、前記第１の態様において前記絶縁層を堆積させる前記段階で用いる装置の例を挙げたものであるが、前記第１の態様で用いる装置はこの例に限定されるものではない。
【００２３】
本発明の第３の態様による磁気抵抗効果素子の製造方法は、前記第１又は第２の態様において、前記絶縁層が酸化物からなるものである。
【００２４】
前記絶縁層が酸化物である場合において、ターゲットを当該酸化物としたイオンビームスパッタリングによって前記絶縁層を堆積する場合、磁気抵抗効果層の端面に付着される酸素には、当該ターゲットから放たれる酸素が含まれると考えられる。したがって、前記第１及び第２の態様は、前記第３の態様のように前記絶縁層が酸化物からなる場合に、特に、アニールによる当該磁気抵抗効果素子の特性劣化を低減させる効果が大きいものとなると考えられる。
【００２５】
しかしながら、前記第１及び第２の態様では、前記絶縁層は、酸化物に限定されるものではなく、例えば窒化物で構成されてもよい。この場合であっても、真空装置内に不純物として存在していた酸素などが磁気抵抗効果層の端面に付着し難くなるので、やはり、アニールによる当該磁気抵抗効果素子の特性劣化を低減させる効果が得られるためである。また、前記絶縁層が窒化物である場合において、ターゲットを当該窒化物としたイオンビームスパッタリングによって前記絶縁層を堆積する場合、このターゲットから放たれる窒素が磁気抵抗効果層の端面に付着すると、酸素の場合と同様に、当該磁気抵抗効果素子の特性劣化の原因となるが、このような窒素が磁気抵抗効果層の端面に付着し難くなるので、やはり、アニールによる当該磁気抵抗効果素子の特性劣化を低減させる効果が得られるためである。
【００２６】
本発明の第４の態様による磁気抵抗効果素子の製造方法は、前記第１乃至第３のいずれかの態様において、前記磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗効果層における磁気検出に有効に関与する有効領域が、前記磁気抵抗効果層において膜面と略々垂直な方向に電流が流れる領域であるものである。
【００２７】
この第４の態様は、ＣＰＰ構造を採用した例である。ＣＰＰ構造の場合、上部電極と下部電極との間の電流パスを制限するための絶縁層が必要であることから、アニールによる特性劣化の低減の技術的意義は大きい。
【００２８】
本発明の第５の態様による磁気抵抗効果素子の製造方法は、前記第４の態様において、前記磁気抵抗効果層は、前記フリー層の一方の面側に形成されたトンネルバリア層と、該トンネルバリア層の前記フリー層とは反対の側に形成されたピンド層と、前記ピンド層の前記トンネルバリア層とは反対の側に形成されたピン層と、を含むものである。
【００２９】
この第５の態様は、前記第４の態様をＴＭＲ素子に適用した例であるが、前記第４の態様では、ＴＭＲ素子に限定されるものではなく、例えば、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子等に適用してもよい。
【００３０】
本発明の第６の態様による磁気ヘッドは、基体と、該基体により支持された磁気抵抗効果素子とを備え、前記磁気抵抗効果素子が、前記第１乃至第５のいずれかの態様による製造方法により製造された磁気抵抗効果素子であるものである。
【００３１】
この第６の態様によれば、前記第１乃至第５のいずれかの態様による製造方法により製造された磁気抵抗効果素子が用いられているので、アニールによる当該磁気抵抗効果素子の特性劣化を低減することができる。したがって、例えば、磁気抵抗効果素子の他に記録用素子も併有させて複合型磁気ヘッドとするような場合、記録用素子の作製工程中でアニールを行っても、磁気抵抗効果素子の特性の向上を図ることができ、読み出し信号のＳ／Ｎの向上等を図ることができる。
【００３２】
本発明の第７の態様によるヘッドサスペンションアセンブリは、磁気ヘッドと、該磁気ヘッドが先端部付近に搭載され前記磁気ヘッドを支持するサスペンションと、を備え、前記磁気ヘッドが前記第６の態様による磁気ヘッドであるものである。
【００３３】
この第７の態様によれば、前記第６の態様による磁気ヘッドが用いられているので、磁気ディスク装置等の高記録密度化等を図ることができる。
【００３４】
本発明の第８の態様による磁気ディスク装置は、前記第７の態様によるヘッドサスペンションアセンブリと、該アセンブリを支持するアーム部と、該アーム部を移動させて磁気ヘッドの位置決めを行うアクチュエータと、を備えたものである。
【００３５】
この第８の態様によれば、前記第７の態様によるヘッドサスペンションアセンブリが用いられているので、高記録密度化等を図ることができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による磁気抵抗効果素子の製造方法、並びに、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置について、図面を参照して説明する。
【００３７】
［第１の実施の形態］
【００３８】
図１は、本発明の第１の実施の形態による磁気抵抗効果素子製造方法を含む製造方法により製造される磁気ヘッドの一例を模式的に示す概略斜視図である。図２は、図１に示す磁気ヘッドのＴＭＲ素子２及び誘導型磁気変換素子３の部分を模式的に示す拡大断面図である。図３は、図２中のＡ−Ａ’矢視概略図である。図４は、図２中のＴＭＲ素子２付近を更に拡大した拡大図である。図５は、図３中のＴＭＲ素子２付近を更に拡大した拡大図である。理解を容易にするため、図１乃至図５に示すように、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を定義する（後述する図についても同様である。）。また、Ｚ軸方向のうち矢印の向きを＋Ｚ方向又は＋Ｚ側、その反対の向きを−Ｚ方向又は−Ｚ側と呼び、Ｘ軸方向及びＹ軸方向についても同様とする。Ｘ軸方向が磁気記録媒体の移動方向と一致している。Ｚ軸方向がＴＭＲ素子２のトラック幅方向と一致している。
【００３９】
図１乃至図５に示す磁気ヘッドは、図１に示すように、基体としてのスライダ１と、再生用磁気ヘッド素子として用いられる磁気抵抗効果素子としてのＴＭＲ素子２と、記録用磁気ヘッド素子としての誘導型磁気変換素子３と、ＤＬＣ膜等からなる保護膜４とを備え、複合型磁気ヘッドとして構成されている。もっとも、本発明による磁気ヘッドは、例えば、ＴＭＲ素子２のみを備えていてもよい。また、本例では、素子２，３はそれぞれ１個ずつ設けられているが、その数は何ら限定されるものではない。
【００４０】
スライダ１は磁気記録媒体対向面側にレール部１１，１２を有し、レール部１１、１２の表面がＡＢＳ（エアベアリング面）を構成している。図１に示す例では、レール部１１、１２の数は２本であるが、これに限らない。例えば、１〜３本のレール部を有してもよいし、ＡＢＳはレール部を持たない平面であってもよい。また、浮上特性改善等のために、ＡＢＳに種々の幾何学的形状が付されることもある。本発明による磁気ヘッドは、いずれのタイプのスライダを有していてもよい。
【００４１】
本例では、保護膜４はレール部１１，１２の表面にのみ設けられ、保護膜４の表面がＡＢＳを構成している。もっとも、保護膜４は、スライダ１の磁気記録媒体対向面の全面に設けてもよい。また、保護膜４を設けることが好ましいが、必ずしも保護膜４を設ける必要はない。
【００４２】
ＴＭＲ素子２及び誘導型磁気変換素子３は、図１に示すように、レール部１１、１２の空気流出端部ＴＲの側に設けられている。記録媒体移動方向は、図中のＸ軸方向と一致しており、磁気記録媒体が高速移動した時に動く空気の流出方向と一致する。空気は流入端部ＬＥから入り、流出端部ＴＲから流出する。スライダ１の空気流出端部ＴＲの端面には、ＴＭＲ素子２に接続されたボンディングパッド５ａ，５ｂ及び誘導型磁気変換素子３に接続されたボンディングパッド５ｃ，５ｄが設けられている。
【００４３】
ＴＭＲ素子２及び誘導型磁気変換素子３は、図２及び図３に示すように、スライダ１を構成するセラミック基体１５の上に設けられた下地層１６の上に、積層されている。セラミック基体１５は、通常、アルチック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）又はＳｉＣ等で構成される。Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣを用いる場合、これは導電性があるので、下地層１６として、例えばＡｌ２Ｏ３からなる絶縁膜が用いられる。下地層１６は、場合によっては設けなくてもよい。
【００４４】
ＴＭＲ素子２は、図４及び図５に示すように、下地層１６上に形成された下部電極２１と、下部電極２１の上側（基体１５と反対側）に形成された上部電極３１と、電極２１，３１間に下部電極２１側から順に積層された、下部金属層（下層）２２、下部金属層（上層）２３、ピン層２４、ピンド層２５、トンネルバリア層２６、フリー層２７、保護膜となる非磁性金属層としての上部金属層（キャップ層）２８、及び、上部電極３の下地層としての上部金属層２９と、を備えている。ピン層２４、ピンド層２５、トンネルバリア層２６及びフリー層２７が、磁気抵抗効果層を構成している。実際のＴＭＲ素子２は、図示されたような層数の膜構造ではなく、より多層の膜構造を有するのが一般的であるが、図に示す磁気ヘッドでは、説明の簡略化のため、ＴＭＲ素子２の基本動作に必要な最少膜構造を示してある。
【００４５】
本例では、下部電極２１及び上部電極３１は、下部磁気シールド及び上部磁気シールドとしてそれぞれ兼用されている。電極２１，３１は、例えば、ＮｉＦｅなどの磁性材料で形成されている。図面には示していないが、これらの電極２１，３１は、前述したボンディングパッド５ａ，５ｂにそれぞれ電気的に接続されている。なお、下部電極２１及び上部電極３１とは別に、下部磁気シールド及び上部磁気シールドを設けてもよいことは、言うまでもない。
【００４６】
下部金属層２２は、導電体となっており、例えば、Ｔａ層などで構成される。下部金属層２３は、導電体となっており、例えば、ＮｉＦｅ層などで構成される。本例では、上側の下部金属層２３は磁気抵抗効果層の部分のみに形成され、下側の下部金属層２２は電極２１上に広く延在しているが、上側の下部金属層２３も広く延在させてもよいし、あるいは、下側の下部金属層２２も磁気抵抗効果層の部分のみに形成してもよい。
【００４７】
ピン層２４は、反強磁性層で構成され、例えば、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ、ＲｕＲｈＭｎ、ＦｅＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｄＰｔＭｎ、ＲｈＭｎ又はＣｒＭｎＰｔなどのＭｎ系合金で形成することが好ましい。ピンド層２５及びフリー層２７は、それぞれ強磁性層で構成され、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅＣｏ、ＮｉＦｅ、ＣｏＺｒＮｂ又はＦｅＣｏＮｉなどの材料で形成される。ピンド層２５は、ピン層２４との間の交換結合バイアス磁界によってその磁化方向が所定方向に固定されている。一方、フリー層２７は、基本的に磁気情報である外部磁場に応答して自由に磁化の向きが変わるようになっている。ピンド層２５及びフリー層２７としては、単層に限定されるものではなく、例えば、反強磁性型磁気結合をしている一対の磁性層と、その間に挟まれた非磁性金属層との組み合わせからなる積層体を用いてもよい。このような積層体として、例えば、ＣｏＦｅ／Ｒｕ／ＣｏＦｅの３層積層体からなる強磁性層が挙げられる。なお、本例では、下部電極２１側からピン層２４、ピンド層２５、トンネルバリア層２６、フリー層２７の順に配置されているが、下部電極２１側からフリー層２７、トンネルバリア層２６、ピンド層２５、ピン層２４の順に配置してもよい。トンネルバリア層２６は、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＧｄＯ、ＭｇＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＭｏＯ２、ＴｉＯ２又はＷＯ２などの材料で形成される。
【００４８】
上部金属層２８は、例えば、Ｔａ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｗ、Ｐｄ、Ｐｔ又はＡｕの単体、又は、これらのいずれか２種以上の組み合わせからなる合金、を用いた、単層膜又は複層膜で形成される。
【００４９】
上部電極３１の下地層となる上部金属層２９は、導電体となっており、Ｔａなどの非磁性金属材料で形成される。本例では、上部金属層２９は、磁気シールドギャップ（電極２１，３１間のギャップ）を所望の間隔に保つために、設けられている。もっとも、必ずしも上部金属層２９を設ける必要はない。
【００５０】
図３及び図５に示すように、前記磁気抵抗効果層のＺ軸方向の両側には、フリー層２７に磁区制御のためのバイアス磁界を付与する縦バイアス層（磁区制御層）３２が形成されている。縦バイアス層３２は、例えば、Ｃｒ／ＣｏＰｔ（コバルト白金合金）、Ｃｒ／ＣｏＣｒＰｔ（コバルトクロム白金合金）、ＴｉＷ／ＣｏＰｔ、ＴｉＷ／ＣｏＣｒＰｔなどの硬磁性材料で形成される。あるいは、縦バイアス層３２は、例えば、軟磁性層と反強磁性層を積層し交換結合を使った層でもよい。縦バイアス層３２の下側には、絶縁層３４が形成されている。絶縁層３４は、縦バイアス層３２と層２３〜２８の＋Ｚ側及び−Ｚ側の端面との間にも介在し、層２３〜２８が縦バイアス層３２によって電気的に短絡しないようになっている。また、層３２，３４が形成されていない領域には、下部金属層２２と上部金属層２９間において、絶縁層３０が形成されている。絶縁層３０は、層２３〜２８の−Ｙ側の端面を覆っている。絶縁層３４，３０は、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等で構成されている。もっとも、絶縁層３４，３０の両方又はいずれか一方を、ＡｌＮなどの窒化物等で構成してもよい。
【００５１】
本実施の形態では、磁気抵抗効果層の＋Ｚ側及び−Ｚ側の絶縁層３４並びに磁気抵抗効果層の−Ｙ側の２層の絶縁層３０が、磁気抵抗効果層における磁気検出に有効に関与する有効領域（本実施の形態では、磁気抵抗効果層において膜面の略々垂直な方向に電流が流れる領域）と重ならずに、前記有効領域と接するように形成された絶縁層を、構成している。
【００５２】
誘導型磁気変換素子３は、図２及び図３に示すように、当該素子３に対する下部磁性層としても兼用される前記上部電極３１、上部磁性層３６、コイル層３７、アルミナ等からなるライトギャップ層３８、熱硬化性のフォトレジスト（例えば、ノボラック樹脂等の有機樹脂）で構成された絶縁層３９及びアルミナ等からなる保護層４０などを有している。上部磁性層３６の材質としては、例えば、ＮｉＦｅ又はＦｅＮなどが用いられる。下部磁性層としても兼用された上部電極３１及び上部磁性層３６の先端部は、微小厚みのアルミナなどのライトギャップ層３８を隔てて対向する下部ポール部３１ａ及び上部ポール部３６ａとなっており、下部ポール部３１ａ及び上部ポール部３６ａにおいて磁気記録媒体に対して情報の書き込みを行なう。下部磁性層としても兼用された上部電極３１及び上部磁性層３６は、そのヨーク部が下部ポール部３１ａ及び上部ポール部３６ａとは反対側にある結合部４１において、磁気回路を完成するように互いに結合されている。絶縁層３９の内部には、ヨーク部の結合部４１のまわりを渦巻状にまわるように、コイル層３７が形成されている。コイル層３７の両端は、前述したボンディングパッド５ｃ，５ｄに電気的に接続されている。コイル層３７の巻数及び層数は任意である。また、誘導型磁気変換素子３の構造も任意でよい。上部電極３１は、誘導型磁気変換素子３の下部磁性層とＴＭＲ素子２の上部電極の役割を分けるために、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２などの絶縁層を挟んで２層に分けても良い。
【００５３】
次に、本発明の第１の実施の形態による磁気抵抗効果素子製造方法を含む磁気ヘッド製造方法の一例として、前述した図１乃至図５に示す磁気ヘッドを製造する方法について、説明する。
【００５４】
まず、ウエハ工程を行う。すなわち、基体１５となるべきＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ又はＳｉＣ等のウエハ１０１を用意し、薄膜形成技術等を用いて、ウエハ１０１上のマトリクス状の多数の磁気ヘッドの形成領域にそれぞれ、前述した各層を前述した構造となるように形成する。
【００５５】
このウエハ工程の概要について、図６乃至図９を参照して説明する。図６乃至図９はウエハ工程を構成する各工程を模式的に示す図であり、図６（ａ）、図７（ａ）、図８（ａ）及び図９（ａ）はそれぞれ概略平面図である。図６（ｂ）は図６（ａ）中のＣ−Ｄ線に沿った概略断面図、図７（ｂ）は図７（ａ）中のＣ−Ｄ線に沿った概略断面図、図８（ｂ）は図８（ａ）中のＥ−Ｆ線に沿った概略断面図、図９（ｂ）は図９（ａ）中のＥ−Ｆ線に沿った概略断面図である。なお、図７（ａ）において、ＴＷはＴＭＲ素子２が規定するトラック幅を示している。
【００５６】
ウエハ工程では、まず、ウエハ（基板）１０１上に、下地層１６、下部電極２１、下部金属層２２、下部金属層２３、ピン層２４、ピンド層２５、トンネルバリア層２６、フリー層２７及びキャップ層２８を、順次積層する（図６）。このとき、下部電極２１は例えばめっき法により形成し、他の層は例えばスパッタ法で形成する。その後、この状態の基板が一旦大気中に置かれる。このとき、キャップ層２８の上面に酸化膜（図示せず）が形成されることになる。
【００５７】
次に、第１のイオンミリングにより、下部金属層２３、ピン層２４、ピンド層２５、トンネルバリア層２６、フリー層２７、キャップ層２８及びキャップ層２８上の前記酸化膜を、部分的に除去してパターニングする。次いで、この除去した部分に、リフトオフ法により、絶縁層３４及び縦バイアス層３２を形成する（図７）。このリフトオフ法の際に、絶縁層３４を成膜する方法については、後に詳述する。
【００５８】
次に、第２のイオンミリングにより、ＴＭＲ素子２のハイト方向に関して必要な幅（Ｙ軸方向の幅）を持つとともに所定長さだけＺ軸方向に延びる帯状部分を残して、下部金属層２３、ピン層２４、ピンド層２５、トンネルバリア層２６、フリー層２７、キャップ層２８、キャップ層２８の上面の前記酸化膜（図示せず）、絶縁層３４及び縦バイアス層３２を、部分的に除去してパターニングする。次に、この除去した部分に、リフトオフ法により、絶縁膜３０を形成する（図８）。このリフトオフ法の際に、絶縁層３０を成膜する方法については、後に詳述する。
【００５９】
次に、上部金属層２９を形成するのと同じ真空装置内で、スパッタエッチングやイオンビームエッチングなどのドライエッチングを行うことにより、キャップ層２８の上面に形成された酸化膜を除去するクリーニングを行う。
【００６０】
その後、上部金属層２９がスパッタ法等により形成され、更に、メッキ法等により上部電極３１を形成する（図９）。
【００６１】
最後に、ギャップ層３８、コイル層３７、絶縁層３９、上部磁性層３６及び保護膜４０を形成し、更に電極５ａ〜５ｄ等を形成する。また、絶縁層（熱硬化性のフォトレジスト）３９の硬化をさせるため、アニールを行う。これにより、ウエハ工程が完了する。
【００６２】
次に、ウエハ工程が完了したウエハに対して、公知の工程を経て磁気ヘッドを完成させる。簡単に説明すると、前記ウエハから、基体上に複数の磁気ヘッドの部分が一列状に配列された各バー（バー状磁気ヘッド集合体）切り出す。次いで、このバーに対して、スロートハイト、ＭＲハイト等を設定するために、そのＡＢＳ側にラッピング処理（研磨）を施す。次に、ＡＢＳ側に保護膜４を形成し、更に、エッチング等によりレール１１，１２を形成する。最後に、機械加工により切断してバーを個々の磁気ヘッドに分離する。これにより、本実施の形態による磁気ヘッドが完成する。
【００６３】
ここで、前述したリフトオフ法による絶縁層３４及び縦バイアス層３２の形成工程における、絶縁層３４の成膜工程について、図１０を参照して説明する。図１０は、絶縁層３４の成膜工程で用いることができるイオンビームデポジション装置の一例を模式的に示す概略構成図である。
【００６４】
本実施の形態では、絶縁層３４の成膜は、絶縁層３４の成膜直前の状態のウエハに向けて希ガスを主成分とするガスのイオンビームを照射しつつ、絶縁層３４を堆積させることにより、行われる。この絶縁層３４の成膜は、具体的には、例えば、図１０に示すイオンビームデポジション装置を用いることにより行うことができる。希ガスを主成分とする前記ガスは、当該ガス全体の導入流量に対する前記希ガスの導入流量の比が８５％以上であることが好ましく、前記比が９０％以上であることがより好ましく、前記比が９３％以上であることがより一層好ましい。希ガスを主成分とする前記ガスは、希ガスを主成分としていることから従来と異なり希ガスが占める比が高いので、酸素ガスを含んでいてもよい。
【００６５】
図１０に示すイオンビームデポジション装置は、真空引きされるチャンバー５１と、ターゲット照射用イオンガン５２と、アシストガン（アシスト用イオンガン）５３と、ターゲット５４を保持するターゲットホルダ５５と、基板５６を保持する基板ホルダ５７と、を備えている。イオンガン５２，５３及びホルダ５５，５７は、図１０に示すように、チャンバー５１内に配置されている。イオンガン５２，５３は、それぞれニュートラライザー５２ａ，５３ａを有している。ガス導入管５８から導入されたターゲット照射用イオンとなるべきガス（例えば、Ａｒガス）が、ターゲット照射用イオンガン５２によりイオン化され、そのイオンがターゲット５４に照射されるようになっている。これにより、ターゲット５４の原子がスパッタリングされ、その原子が基板５６上に堆積される。このとき、同時に、ガス導入管５９から導入されたガスが、アシストガン５３によりイオン化され、そのイオンが基板５６に向けて照射されるようになっている。
【００６６】
図１０に示すイオンビームデポジション装置を用いて絶縁層３４を成膜する場合、ターゲット５４として、絶縁層３４を構成すべき材料からなるターゲット（例えば、絶縁層３４をＡｌ２Ｏ３で構成する場合には、Ａｌ２Ｏ３からなるターゲット）が、ターゲットホルダ５５に保持される。また、基板５６として、絶縁層３４の成膜直前の状態のウエハが、基板ホルダ５７に保持される。そして、アシストガン５３の通常の用い方とは異なり、ガス導入管５９から希ガス（例えば、Ａｒガス）を主成分とするガスが導入され、導入された希ガスのイオンが、アシストガン５３によって基板５６に向けて照射される。ガス導入管５９から導入されるガスは、例えば、希ガスのみでもよいし、希ガスと該希ガス中に含まれ従来に比べて導入流量比が抑えられた酸素ガス等とからなるガスでもよい。
【００６７】
また、本実施の形態では、前述したリフトオフ法による絶縁層３０の形成工程における絶縁層３０の成膜工程についても、絶縁層３４の成膜工程と同様に行われる。
【００６８】
このように、本実施の形態では、絶縁層３４の成膜工程及び絶縁層３０の成膜工程の両方とも、実質的に酸素を遮断した状態で、当該絶縁層の成膜直前の状態のウエハに向けて希ガスのイオンビームを照射しつつ、当該絶縁層を堆積させることにより、行われる。本実施の形態のように、絶縁層３４の成膜工程及び絶縁層３０の成膜工程の両方ともこのような工程を採用することが最も好ましいが、本発明では、絶縁層３４の成膜工程及び絶縁層３０の成膜工程のうちのいずれか一方の絶縁層のみについて、前述したような工程を採用するだけでもよい。この場合、他方の絶縁層の成膜は、例えば、（ａ）前述した従来の製造方法と同様に、例えば、当該絶縁層をＡｌ２Ｏ３で構成する場合に、図１０に示すイオンビームデポジション装置を用い、ターゲット５４をＡｌ２Ｏ３とし、ガス導入管５９から酸素ガスを導入してアシストガン５３によって酸素イオンを基板５６に向けて照射することによって行うか、あるいは、（ｂ）例えば、当該絶縁層をＡｌ２Ｏ３で構成する場合に、図１０に示すイオンビームデポジション装置を用い、ターゲット５４をＡｌ２Ｏ３とし、ガス導入管５９からガスを何も導入しないことによって行ってもよい。
【００６９】
本実施の形態によれば、絶縁層３４の成膜工程及び絶縁層３０の成膜工程が前述した工程により行われるので、アニールによる当該磁気抵抗効果素子の特性劣化（抵抗値の上昇及びＭＲ比の低下）を低減することができる。このことは、後述する実験によっても確認された。
【００７０】
［第２の実施の形態］
【００７１】
図１１は、本発明の第２の実施の形態による磁気ディスク装置の要部の構成を示す概略斜視図である。
【００７２】
第２の実施の形態による磁気ディスク装置は、軸７０の回りに回転可能に設けられた磁気ディスク７１と、磁気ディスク７１に対して情報の記録及び再生を行う磁気ヘッド７２と、磁気ヘッド７２を磁気ディスク７１のトラック上に位置決めするためのアッセンブリキャリッジ装置７３と、を備えている。
【００７３】
アセンブリキャリッジ装置７３は、軸７４を中心にして回動可能なキャリッジ７５と、このキャリッジ７５を回動駆動する例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）からなるアクチュエータ７６とから主として構成されている。
【００７４】
キャリッジ７５には、軸７４の方向にスタックされた複数の駆動アーム７７の基部が取り付けられており、各駆動アーム７７の先端部には、磁気ヘッド７２を搭載したヘッドサスペンションアッセンブリ７８が固着されている。各ヘッドサスペンションアセンブリ７８は、その先端部に有する磁気ヘッド７２が、各磁気ディスク７１の表面に対して対向するように駆動アーム７７の先端部に設けられている。
【００７５】
第２の実施の形態では、磁気ヘッド７２として、図６乃至図１０を参照して前述した第１の実施の形態による磁気抵抗効果素子製造方法を含む製造方法により製造された、図１乃至図６に示す磁気ヘッドが搭載されている。したがって、第２の実施の形態によれば、ＭＲ比の向上等によって、高記録密度化を図ることができるなどの利点が得られる。
【実施例】
前述した図１乃至図５に示す磁気ヘッドと同様の構成を持つ磁気ヘッドを、図６乃至図１０を参照して説明した製造工程と同じ工程で、サンプル１の磁気ヘッドとして製造した。また、サンプル１の磁気ヘッドと同じ構成を持つ磁気ヘッドを、絶縁層３４，３０の成膜工程を除いてサンプル１の磁気ヘッドの製造工程と同じ製造工程で、サンプル２，３の磁気ヘッドとして製造した。サンプル１の磁気ヘッドを製造する際と、サンプル２，３の磁気ヘッドを製造する際とでは、絶縁層３４，３０の成膜工程を変えたが、その他の条件は同一とした。サンプル１〜３の主要な各層の構成は、下記の表１に示す通りとした。表１に示すように、サンプル１〜３のいずれも、絶縁層３４，３０はＡｌ２Ｏ３からなる。
【００７６】
【表１】
2005019497.tif 000003
【００７７】
サンプル１，２の磁気ヘッドは、本発明の各実施例による磁気抵抗効果素子製造方法を含む製造方法で製造したものに相当する。一方、サンプル３は、本発明の比較される比較例としての従来の磁気抵抗効果素子製造方法を含む製造方法で製造したものに相当する。
【００７８】
サンプル１の磁気ヘッドを製造する際の絶縁層３４，３０の成膜も、サンプル２，３の磁気ヘッドを製造する際の絶縁層３４，３０の成膜も、図１０に示すイオンビームデポジション装置と同様のイオンビームデポジション装置を用いて行ったが、サンプル１〜３では、その使用条件の一部（アシスト用イオンガン５３への導入ガスの条件）のみをそれぞれ変え、他の使用条件は同一とした。
【００７９】
すなわち、サンプル１の磁気ヘッドを製造する際の絶縁層３４，３０の成膜時には、チャンバー５１を残留ガス圧１×１０−５Ｐａまで真空引きし、ガス導入管５８からターゲット照射用イオンガン５２へＡｒガスを８ｓｃｃｍの流量で導入するとともに、ガス導入管５９からアシスト用イオンガン５３へＡｒガスを８ｓｃｃｍの流量で導入した。これに対し、サンプル２の磁気ヘッドを製造する際の絶縁層３４，３０の成膜時には、チャンバー５１を残留ガス圧１×１０−５Ｐａまで真空引きし、ガス導入管５８からターゲット照射用イオンガン５２へＡｒガスを８ｓｃｃｍの流量で導入するとともに、ガス導入管５９からアシスト用イオンガン５３へ流量７．５ｓｃｃｍのＡｒガス及び流量０．５ｓｃｃｍの酸素ガスを導入した。また、サンプル３の磁気ヘッドを製造する際の絶縁層３４，３０の成膜時には、チャンバー５１を残留ガス圧１×１０−５Ｐａまで真空引きし、ガス導入管５８からターゲット照射用イオンガン５２へＡｒガスを８ｓｃｃｍの流量で導入するとともに、ガス導入管５９からアシスト用イオンガン５３へ流量６ｓｃｃｍのＡｒガス及び流量２ｓｃｃｍの酸素ガスを導入した。
【００８０】
このように、アシスト用イオンガン５３への導入ガス全体の流量に対するＡｒガスの導入ガス流量比を、サンプル１では１００％、サンプル２では９３．７５％（＝７．５／８）、サンプル３では７５％（＝６／８）とした。サンプル２の場合もサンプル３の場合も、アシスト用イオンガン５３への導入ガスにはＡｒガスの他に酸素ガスを含んでいるが、アシスト用イオンガン５３への導入ガスとして、サンプル２の場合には酸素ガスがさほど含まれずにＡｒガスを主成分とするガスが用いられているのに対し、サンプル３の場合には、多量の酸素ガスを含んでおりＡｒガスを主成分としていないガスが用いられている。
【００８１】
なお、サンプル１〜３のいずれの磁気ヘッドを製造する際の絶縁層３４，３０の成膜時にも、ターゲット照射用イオンガン５２については、加速電圧を１５００Ｖ、加速電流を４００ｍＡ、ニュートラライザー５２ａの電流を６００ｍＡとし、アシスト用イオンガン５３については、加速電圧を７０Ｖ、加速電流を７５ｍＡ、ニュートラライザー５３ａの電流を３７５ｍＡとした。
【００８２】
また、サンプル１〜３の製造時において、絶縁層（熱硬化性のフォトレジスト）３９の硬化のためのアニールは、２５０℃で２時間行った。
【００８３】
そして、各サンプル１〜３について、既に作製されたＴＭＲ素子２の抵抗値及びＭＲ比を前記アニールの前後でそれぞれ測定した。その測定結果を下記の表２に示す。
【００８４】
【表２】
2005019497.tif 000004
【００８５】
また、各サンプル１〜３について、アニール前後の抵抗値及びＭＲ比の測定値から、それぞれ抵抗値のシフト比及びＭＲ比のシフト比を算出した。これらのシフト比も表２に示す。シフト比は、下記の数１に従って算出した。
【００８６】
【数１】シフト比＝｛（アニール後の値−アニール前の値）／アニール前の値｝×１００  ［％］
【００８７】
表２からわかるように、絶縁層３４，３０の成膜時にイオンガン５３からＡｒガスに酸素ガスが多量に含まれたガスのイオンを基板に向けて照射したサンプル３では、アニール前に比べてアニール後にはＴＭＲ素子２の抵抗値が大幅上昇するとともにＭＲ比が大きく低下しているのに対し、絶縁層３４，３０の成膜時にイオンガン５３からＡｒガスのみのイオン又はＡｒガスに酸素ガスが微量しか含まれていないガスのイオンを基板に向けて照射したサンプル１，２では、アニール前後でＴＭＲ素子２の抵抗値及びＭＲ比がほとんど変わらずに、アニールによるＴＭＲ素子２の特性の劣化が抑えられている。
【００８８】
なお、サンプル１，２の絶縁層３４，３０の絶縁性も、サンプル３の絶縁層３４，３０と同レベルの絶縁性が得られ、ＴＭＲ素子２の動作に何ら支障を来さないことが確認された。
【００８９】
以上、本発明の各実施の形態及び実施例について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９０】
例えば、前述した実施の形態はＴＭＲ素子の製造方法に適用した例であるが、本発明は、ＣＰＰ−ＧＭＲなどのＣＰＰ構造を持つ磁気抵抗効果素子の製造方法にも適用することができる。
【００９１】
また、前述した実施の形態は磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドに適用した例であるが、本発明は、磁気抵抗効果層の周りに絶縁層が接する構造を持つデバイス、例えば、ＭＲＡＭや磁気検出器などにも適用することができる。
【００９２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、アニールによる素子特性の劣化を低減することができる、磁気抵抗効果素子の製造方法、並びに、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による磁気抵抗効果素子製造方法を含む製造方法により製造される磁気ヘッドの一例を模式的に示す概略斜視図である。
【図２】図１に示す磁気ヘッドのＴＭＲ素子及び誘導型磁気変換素子の部分を模式的に示す拡大断面図である。
【図３】図２中のＡ−Ａ’矢視概略図である。
【図４】図２中のＴＭＲ素子付近を更に拡大した拡大図である。
【図５】図３中のＴＭＲ素子付近を更に拡大した拡大図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態による磁気抵抗効果素子製造方法を含む磁気ヘッド製造方法における一工程を模式的に示す図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態による磁気抵抗効果素子製造方法を含む磁気ヘッド製造方法における他の工程を模式的に示す図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態による磁気抵抗効果素子製造方法を含む磁気ヘッド製造方法における更に他の工程を模式的に示す図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態による磁気抵抗効果素子製造方法を含む磁気ヘッド製造方法における更に他の工程を模式的に示す図である。
【図１０】絶縁層の成膜工程で用いることができるイオンビームデポジション装置の一例を模式的に示す概略構成図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態による磁気ディスク装置の要部の構成を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
１  スライダ
２  ＴＭＲ素子
３  誘導型磁気変換素子
２１  下部電極（下部磁気シールド層）
２２，２３  下部金属層
２４  ピン層
２５  ピンド層
２６  トンネルバリア層
２７  フリー層
２８  上部金属層
２９  上部金属層
３０，３４  絶縁層
３１  上部電極（上部磁気シールド層）
３２  縦バイアス層
【図１】
2005019497.tif 000005
【図２】
2005019497.tif 000006
【図３】
2005019497.tif 000007
【図４】
2005019497.tif 000008
【図５】
2005019497.tif 000009
【図６】
2005019497.tif 000010
【図７】
2005019497.tif 000011
【図８】
2005019497.tif 000012
【図９】
2005019497.tif 000013
【図１０】
2005019497.tif 000014
【図１１】
2005019497.tif 000015