(57)【要約】【課題】水分等に起因する輝尽性蛍光体膜の特性劣化がない、高品質な輝尽性蛍光体パネルを安定して製造できる製造方法を提供する。【解決手段】真空成膜法によって輝尽性蛍光体膜を形成し、輝尽性蛍光体膜を成膜系の外部に取り出し、その後、輝尽性蛍光体膜の加熱処理を行う輝尽性蛍光体パネルの製造方法において、輝尽性蛍光体膜を成膜した後、加熱処理を行うまでの間、輝尽性蛍光体膜が存在する環境を、温度が６０℃以下で、かつ、相対湿度を８０％以下とすることにより、前記課題を解決する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空成膜法によって輝尽性蛍光体膜を形成した後、この輝尽性蛍光体膜を成膜系の外部に取り出し、その後、前記輝尽性蛍光体膜の加熱処理を行う輝尽性蛍光体パネルの製造方法において、
前記輝尽性蛍光体膜を成膜した後、加熱処理を行うまでの間、輝尽性蛍光体膜が存在する環境を、温度が６０℃以下で、かつ、相対湿度が８０％以下とすることを特徴とする輝尽性蛍光体パネルの製造方法。
【請求項２】
前記環境の相対湿度が３０％以下である請求項１に記載の輝尽性蛍光体パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、輝尽性蛍光体パネル製造の技術分野に属し、詳しくは、吸湿による輝尽性蛍光体膜の特性劣化を無くして、高品質な輝尽性蛍光体パネルを安定して製造できる輝尽性蛍光体パネルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギーの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギーに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。
【０００３】
一例として、この輝尽性蛍光体の膜（以下、蛍光体膜とする）を有する輝尽性蛍光体パネル（以下、蛍光体パネルとする（放射線像変換シートとも呼ばれている））を利用する、放射線画像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士写真フイルム社製のＦＣＲ（Ｆｕｊｉ  Ｃｏｍｐｕｔｅｄ  Ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ）等として実用化されている。
このシステムでは、人体などの被写体を介してＸ線等を照射することにより、蛍光体パネル（蛍光体膜）に被写体の放射線画像情報を記録する。記録後に、蛍光体パネルをレーザ光等の励起光で２次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、ＣＲＴなどの表示装置や、写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線画像として出力する。
【０００４】
蛍光体パネルは、通常、輝尽性蛍光体の粉末をバインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調製して、この塗料をガラスや樹脂製のパネル状の支持体に塗布し、乾燥することによって、作成される。
これに対し、真空蒸着やスパッタリング等の真空成膜法（気相成膜法）によって、支持体に蛍光体膜を形成してなる蛍光体パネルも知られている（特許文献１、特許文献２参照）。真空成膜法による蛍光体膜は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという、優れた特性を有している。
【０００５】
このような蛍光体パネルの特性を劣化させる要因の１つとして、輝尽性蛍光体膜の吸湿が挙げられる。
輝尽性蛍光体膜、特に、良好な特性を有する真空成膜法で形成されたアルカリハライド系の輝尽性蛍光体膜は、吸湿性が高く、通常（常温／常湿）の環境下であっても、容易に吸湿する。その結果、輝尽発光特性すなわち感度の低下や、輝尽性蛍光体の結晶性の低下（例えば、アルカリハライド系の輝尽性蛍光体であれば、結晶の柱状性の崩壊）による再生画像の鮮鋭性の低下等を生じてしまう。
【０００６】
このような問題点を解決するために、蛍光体パネルでは、蛍光体膜を防湿性の部材で封止することが行われている。
例えば、特許文献３には、支持体と保護膜との間に蛍光体膜を有する蛍光体パネルにおいて、蛍光体膜の周りに封着部材を設け、支持体、保護膜および付着部材によって形成される空間内に、乾燥ガスを封入することにより、湿度による特性低下を防止した蛍光体パネルが開示されている。
【０００７】
【特許文献１】
特許第２７８９１９４号公報
【特許文献２】
特開平５−２４９２９９号公報
【特許文献３】
特許第２６７７８２２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
前記特許文献３に開示される蛍光体パネルによれば、蛍光体膜の吸湿に起因する特性劣化を防止して、初期性能を維持することはできる。
しかしながら、本発明者の検討によれば、防湿性を有する部材で蛍光体膜を封止しただけでは、高い感度や、鮮鋭性の良好な再生画像を得られる、優れた特性を有する蛍光体パネルを得るには、未だ不十分である。
【０００９】
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、輝尽性蛍光体膜の吸湿による特性低下の無い、高品質な輝尽性蛍光体パネルを安定して製造することができる輝尽性蛍光体パネルの製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明は、真空成膜法によって輝尽性蛍光体膜を形成した後、この輝尽性蛍光体膜を成膜系の外部に取り出し、その後、前記輝尽性蛍光体膜の加熱処理を行う輝尽性蛍光体パネルの製造方法において、前記輝尽性蛍光体膜を成膜した後、加熱処理を行うまでの間、輝尽性蛍光体膜が存在する環境を、温度が６０℃以下で、かつ、相対湿度が８０％以下とすることを特徴とする輝尽性蛍光体パネルの製造方法を提供する。
【００１１】
このような本発明の輝尽性蛍光体パネルの製造方法において、前記環境の相対湿度が３０％以下であるのが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の輝尽性蛍光体パネルの製造方法について、詳細に説明する。
【００１３】
本発明の輝尽性蛍光体パネル（以下、蛍光体パネルとする）の製造方法は、基板に、真空成膜法によって輝尽性蛍光体の膜（輝尽性蛍光体膜  以下、蛍光体膜とする）を形成して、成膜系から蛍光体膜（蛍光体膜を形成した基板）を取り出し、その後、蛍光体膜の加熱処理を行う蛍光体パネルの製造方法において、蛍光体膜を形成した後、加熱処理を行うまでの間、蛍光体膜を、温度が６０℃以下で、かつ、相対湿度が８０％以下の環境下におくものである。
このような本発明の製造方法においては、上記条件が満たされていれば、製造する蛍光体パネルの構成（層構成など）、蛍光体膜の形成方法、蛍光体膜の加熱処理方法、さらには、蛍光体膜の加熱処理後の工程や蛍光体膜の形成前の工程には、限定はなく、基本的に、通常の蛍光体パネルの製造と同様に行えばよい。
【００１４】
まず、本発明の製造方法で製造する蛍光体パネルにおいて、基板には特に限定はなく、蛍光体パネルで使用されている各種のものが利用可能である。
一例として、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルムなどのプラスチックフィルム；  石英ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、耐熱ガラス（パイレックスＴＭ等）などから形成されるガラス板；  アルミニウムシート、鉄シート、銅シート、クロムシートなどの金属シートあるいは金属酸化物の被服層を有する金属シート；  等が例示される。
【００１５】
本発明の製造方法においては、このような基板の表面に、真空成膜法によって蛍光体膜を形成する。
なお、本発明においては、蛍光体膜の成膜前の工程には、特に限定はないのは、前述のとおりであり、例えば、基板の表面に輝尽発光光を反射するための反射膜、あるいはさらに、反射膜の上に反射膜を保護するためのバリア膜等を形成し、これらの膜を形成したものを基板として、その表面に、蛍光体膜を形成してしてもよい。
【００１６】
蛍光体膜を形成する輝尽性蛍光体としては、各種のものが利用可能であるが、一例として、下記の輝尽性蛍光体が好ましく例示される。
米国特許第３，８５９，５２７号明細書に記載されている輝尽性蛍光体である、「ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ」、「ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ」、「ＴｈＯ２  ：Ｅｒ」、および、「Ｌａ２  Ｏ２  Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ」。
【００１７】
特開昭５５−１２１４２号公報に開示される、「ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ」、「ＢａＯ・ｘＡｌ２  Ｏ３  ：Ｅｕ（但し、０．８≦ｘ≦１０）」、および、一般式「ＭＩＩＯ・ｘＳｉＯ２  ：Ａ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭＩＩは、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，ＣｄおよびＢａからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｐｂ，Ｔｌ，ＢｉおよびＭｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０．５≦ｘ≦２．５である。）
【００１８】
特開昭５５−１２１４４号公報に開示される、一般式「ＬｎＯＸ：ｘＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｌｎは、Ｌａ，Ｙ，ＧｄおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種であり、Ａは、ＣｅおよびＴｂの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００１９】
特開昭５５−１２１４５号公報に開示される、一般式「（Ｂａ１−ｘ  ，Ｍ２＋ｘ  ）ＦＸ：ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ２＋は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，ＹｂおよびＥｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．６であり、０≦ｙ≦０．２である。）
【００２０】
特開昭５７−１４８２８５号公報に開示される、下記のいずれかの輝尽性蛍光体。
すなわち、一般式「ｘＭ３  （ＰＯ４  ）２  ・ＮＸ２  ：ｙＡ」または「Ｍ３  （ＰＯ４  ）２  ・ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体；
（上記式において、ＭおよびＮは、それぞれ、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｓｂ，Ｔｌ，ＭｎおよびＳｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦６、０≦ｙ≦１である。）
【００２１】
一般式「ｎＲｅＸ３  ・ｍＡＸ’２  ：ｘＥｕ」または「ｎＲｅＸ３  ・ｍＡＸ’２  ：ｘＥｕ，ｙＳｍ」で示される輝尽性蛍光体；
（上記式において、Ｒｅは、Ｌａ，Ｇｄ，ＹおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＸおよびＸ’は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，およびＢｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０−４＜ｘ＜３×１０−１であり、１×１０−４＜ｙ＜１×１０−１であり、さらに、１×１０−３＜ｎ／ｍ＜７×１０−１である。）
【００２２】
および、一般式「ＭＩ  Ｘ・ａＭＩＩＸ’２  ・ｂＭＩＩＩ  Ｘ’’３  ：ｃＡ」で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭＩ  は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭＩＩは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、ＭＩＩＩ  は、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ’’は、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０≦ｃ＜０．２である。）
【００２３】
特開昭５６−１１６７７７号公報に開示される、一般式「（Ｂａ１−Ｘ  ，ＭＩＩＸ  ）Ｆ２  ・ａＢａＸ２  ：ｙＥｕ，ｚＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭＩＩは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、ＺｒおよびＳｃの少なくとも一種である。また、０．５≦ａ≦１．２５であり、０≦ｘ≦１であり、１×１０−６≦ｙ≦２×１０−１であり、０＜ｚ≦１×１０−２である。）
【００２４】
特開昭５８−６９２８１号公報に開示される、一般式「ＭＩＩＩ  ＯＸ：ｘＣｅ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭＩＩＩ  は、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００２５】
特開昭５８−２０６６７８号公報に開示される、一般式「Ｂａ１−ｘ  Ｍａ  Ｌａ  ＦＸ：ｙＥｕ２＋」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｌは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ，ＩｎおよびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０−２≦ｘ≦０．５であり、０≦ｙ≦０．１であり、さらに、ａはｘ／２である。）
【００２６】
特開平５９−７５２００号公報に開示される、一般式「ＭＩＩＦＸ・ａＭＩ  Ｘ’・ｂＭ’ＩＩＸ’’２  ・ｃＭＩＩＩ  Ｘ３  ・ｘＡ：ｙＥｕ２＋」で示される輝尽性蛍光体。（上記式において、ＭＩＩは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも１種であり、ＭＩ  は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｍ’ＩＩは、ＢｅおよびＭｇの少なくとも一方の二価の金属であり、ＭＩＩＩ  は、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ、およびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ａは、金属酸化物であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ’’は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，およびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ≦２であり、０≦ｂ≦１×１０−２であり、０≦ｃ≦１×１０−２であり、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ≧１０−６であり、さらに、０＜ｘ≦０．５であり、０＜ｙ≦０．２である。）
【００２７】
特に、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が良好に得られる等の点で、特開昭５７−１４８２８５号公報に開示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく例示され、中でも特に、ＭＩ  が、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体が好ましい。
【００２８】
このような輝尽性蛍光体からなる蛍光体膜の形成方法には、特に限定はなく、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の各種の真空成膜法が利用可能である。
中でも、生産性等の点で真空蒸着が好ましく、特に、蛍光体成分の材料と、付活剤（賦活剤：ａｃｔｉｖａｔｏｒ）成分の材料とを別々に加熱蒸発させる、多元の真空蒸着が好ましい。例えば、前記「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」の蛍光体膜であれば、蛍光体成分の材料として臭化セシウム（ＣｓＢｒ）を、付活剤成分の材料として臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒｘ  （ｘは、通常、２〜３））を、それぞれ用いて、別々に加熱蒸発させる、多元の真空蒸着が好ましい。
真空蒸着における加熱方法にも、特に限定はなく、例えば、電子銃等を用いる電子線加熱でも、抵抗加熱でもよい。さらに、多元の真空蒸着を行う場合には、全ての材料を同様の同じ加熱手段（例えば、電子線加熱）で加熱蒸発してもよく、あるいは、蛍光体成分の材料は電子線加熱で、微量である付活剤成分の材料は抵抗加熱で、それぞれ加熱蒸発してもよい。
【００２９】
成膜条件にも、特に限定はなく、成膜方法や形成する蛍光体膜の組成等に応じて、適宜、決定すればよい。一例として、真空蒸着であれば、１×１０−５Ｐａ〜１×１０−２Ｐａの真空度で、０．０５μｍ／ｍｉｎ〜３００μｍ／ｍｉｎの成膜速度で成膜を行うのが好ましい。なお、多元の真空蒸着を行う際には、母体成分と付活剤成分の量比が目的範囲となるように、両材料の蒸発速度を制御する。
また、本件出願人の検討によれば、前述した各種の蓄積性蛍光体、特にアルカリハライド系蓄積性蛍光体、中でも特にＣｓＢｒ：Ｅｕを真空蒸着で成膜する場合には、一旦、系内を高い真空度に排気した後、アルゴンガスや窒素ガス等を系内に導入して、０．１Ｐａ〜２Ｐａ、特に０．５Ｐａ〜１．５Ｐａ程度の中真空度として成膜を行うのも好ましい。
また、基板の加熱等によって、成膜中に、形成された蛍光体膜を５０℃〜４００℃で加熱してもよい。
さらに、形成する蛍光体膜の厚さにも、限定はないが、１０μｍ〜１０００μｍ、特に、２０μｍ〜８００μｍが好ましい。
【００３０】
本発明の蛍光体パネルの製造方法においては、このようにして蛍光体膜の形成した後、蛍光体膜の輝尽発光特性を良好に発現させ、かつ、輝尽発光特性を向上するために、蛍光体膜の加熱処理（アニール）を行う。
なお、本発明において、加熱処理とは、蛍光体膜形成後の処理において、蛍光体膜が１００℃以上の温度に保持される状態、および、蛍光体膜が１０℃／ｍｉｎを超える速度で昇温／降温する状態の、少なくとも一方を含む処理である。
【００３１】
蛍光体膜の加熱処理は、焼成炉を用いる方法等の公知の方法で行えばよく、また、基板の加熱手段を有する真空蒸着装置であれば、これを利用して加熱処理を行ってもよい。
また、蛍光体膜の加熱処理の条件には、特に限定はないが、一例として、窒素雰囲気等の不活性雰囲気下で、５０℃〜６００℃、特に、１００℃〜３００℃で、１０分〜１０時間、特に、３０分〜３時間行うのが好ましい。
【００３２】
ここで、本発明の蛍光体パネルの製造方法においては、真空蒸着によって蛍光体膜を形成した後に、一旦、成膜系（真空蒸着装置）から蛍光体膜を取り出し、その後、蛍光体膜の加熱処理を行う蛍光体パネルの製造において、蛍光体膜を成膜系から取り出した後、加熱処理を行うまでの間、蛍光体膜を、温度が６０℃以下で、かつ、相対湿度が８０％以下の環境下におく。
【００３３】
輝尽性蛍光体、特に、アルカリハライド系の輝尽性蛍光体は、吸湿性を有し、通常の環境下でも、容易に吸湿して、その結果、感度や再生画像の鮮鋭性の低下等を生じてしまう。
このような不都合を防止するために、防湿部材による蛍光体膜の封止が行われているが、これだけでは、良好な輝尽発光特性を有する蛍光体パネルを得るには、不十分であるのは、前述のとおりである。
【００３４】
このような問題点を解決するために、本発明者は、鋭意検討を行った結果、蛍光体膜の成膜から、防湿部材による封止が終了するまでの間の蛍光体膜の吸湿が、蛍光体パネルの特性低下の要因の一つであることを見出し、すなわち、高品質な蛍光体パネルを安定して製造するためには、この間における蛍光体膜の存在環境の水分量（露点）を適正に保つことが重要であることを見出して、先に、特願２００２−２１６０６０号で、これを提案した。
【００３５】
ここで、真空蒸着によって蛍光体膜を形成する蛍光体パネルの製造では、前述のように、良好な輝尽発光特性を得るために、通常、蛍光体膜の成膜後に、蛍光体膜の加熱処理を行う。
本発明者は、さらに検討を重ねた結果、この際においては、蛍光体膜を形成した後、加熱処理を行うまでの環境は、蛍光体膜の特性に特に大きな影響を与えることを見出した。中でも特に、蛍光体膜を形成した後、一旦、成膜装置から蛍光体膜を取り出して、その後、加熱処理を行う場合には（すなわち、蒸着／加熱処理がｉｎ−ｓｉｔｕではない蛍光体パネルの製造）、蛍光体膜の形成後、加熱処理を行うまでの間に蛍光体膜が存在する環境（以下、保管環境とする）は重要であり、保管環境の水分量のみならず、保管環境の温度も蛍光体膜の特性に大きな影響を与える。
【００３６】
蛍光体膜の加熱処理は、一般的に、６０℃を超える温度で効果を発現する。従って、蛍光体膜を形成した後、加熱処理を行うまでの間に、蛍光体膜がこれ以上の温度となると、加熱処理を行ったのと同様の作用が生じてしまい、その結果、蛍光体膜の輝尽発光特性（感度）にバラツキが生じてしまう。また、加熱処理の効果は、加熱処理の温度と時間との乗算で決まるが、保管環境温度が例えば１００℃程度と、比較的高い場合には、全工程で付与した熱エネルギが過剰になってしまい、すなわち加熱処理が最適条件から外れ、結果的に、輝尽発光特性が低下してしまう。
すなわち、保管環境の温度を６０℃以下とし、加熱処理による効果が得られるエネルギを加熱処理以外で与えることを押えることにより、このエネルギを加熱処理のみで付与することができ、その結果、加熱処理による効果を適正に付与された、安定した蛍光体膜を形成して、輝尽発光特性の良好な蛍光体膜（蛍光体パネル）を安定して作成することができる。
【００３７】
さらに、保管環境の水分量が多いと、加熱処理を施される前の未完成な状態で、蛍光体膜が吸湿して潮解等が生じてしまい、水分による悪影響をより強く受けて、輝尽発光特性が低下してしまう。特に、保管環境の相対湿度が８０％を超えると、水分によって蛍光体層が受ける悪影響が大きい。
【００３８】
本発明は、上記知見を得ることによって完成したものであり、真空蒸着によって蛍光体膜を形成し、成膜系から蛍光体膜を取り出し、その後、加熱処理を行う蛍光体パネルの製造において、保管環境を、温度が６０℃以下、かつ、相対湿度が８０％以下、好ましくは相対湿度が３０％以下とすることにより、良好な輝尽発光特性を有する蛍光体パネルを安定して作製することを可能にしている。
【００３９】
本発明において、保管環境の温度の下限は、特にないが、温度が低すぎると、温度管理や工程管理が複雑かつ困難になってしまう。この点を考慮すると、保管環境の温度は、０℃以上とするのが好ましい。
また、蛍光体膜の特性という点では、保管環境の水分量は、少ないほど好ましい。しかしながら、水分量が極めて少ない環境をつくることは、工程的やコスト的にかかる負担が大きい。この点を考慮すると、保管環境の相対湿度は１０％以上とするのが好ましい。
【００４０】
本発明の蛍光体パネルの製造方法において、蛍光体膜の保管環境を上記条件に保つ方法には、特に限定はなく、各種の方法が利用可能である。
一例として、保管環境の温度を保つ方法は、エアコンディショナー等によって保管環境の温度を保つ方法、保管環境を６０℃に比して十分に低くかつ熱源から熱的に遮蔽した空間とする方法等が例示される。
また、保管環境の相対湿度を保つ方法は、例えば、保管環境にドライエアを流す方法や、エアコンディショナ等による除湿を行うことによって、環境の相対湿度を所定範囲に保つ方法が例示される。また、例えば、相対湿度が調整がされていない環境で蛍光体膜をハンドリング等する場合には、防湿性および密閉性を有するケースを用い、相対湿度が所定範囲の場所で、内部の相対湿度を所定範囲とした前記ケースに蛍光体膜（基板）を収容して取り扱う方法が例示される。
【００４１】
前述のように、本発明の蛍光体パネルの製造方法においては、加熱処理後の工程にも、特に、限定はない。
一例として、画質特性（感度、鮮鋭度、粒状性など）、発光特性（消去特性、輝尽発光の残光特性など）、膜厚、画像欠陥等の検査を行った後に、光透過性の防湿部材によって蛍光体膜を封止することが例示される。
なお、防湿部材による封止は、例えば、ガラス板、ポリエチレンテレフタレートやポリカーボネートなどの樹脂フィルム、樹脂フィルムにＳｉＯ２  、Ａｌ２  Ｏ３  、ＳｉＣなどの無機物質を積層したフィルム等い、防湿部材で蛍光体膜を形成した基板を挟んで淵を防湿材でで封止する方法、防湿フィルムで蛍光体膜を覆って周辺を封止する方法等が例示される。
【００４２】
以上、本発明の蛍光体パネルの製造方法について説明したが、本発明は上述の例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってもよいのは、もちろんである。
【００４３】
【実施例】
以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されないのは言うまでもない。
【００４４】
真空蒸着装置（真空チャンバ）内の基板ホルダに、厚さ０．７ｍｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍのガラス基板を１０枚装着した。また、別に準備した臭化セシウムのタブレット、および、臭化ユーロピウムのタブレットを、蒸着源（成膜材料）として、真空蒸着装置内の所定位置に装填した。
真空蒸着装置を閉塞した後、基板ホルダを回転して、真空排気ポンプ（ロータリーポンプ＋デヒュージョンポンプ）にコールドトラップを配した排気系によって真空蒸着装置内を真空排気し、８×１０−４Ｐａの真空度とした。次いで、基板ホルダに設置されたシースヒータにより、基板を蒸着面の反対側から２００℃に加熱した。
この状態から、電子銃から出射した電子線を各蒸着源に照射して真空蒸着を行い、基板の全面に、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体からなる厚さ４００μｍの蛍光体膜を形成した。
なお、真空蒸着の際に、各蒸着源に対応する電子銃のエミッション電流を調節することにより、蛍光体膜（輝尽性蛍光体）におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が３×１０−３となるように調整した。
【００４５】
１０枚の基板に蛍光体膜を成膜した後、全基板を真空蒸着装置から取り出し、各種の条件下で２４時間もしくは２４０時間保管した。
２４時間もしくは２４０時間の保管後、雰囲気制御機能を有する焼成炉の所定位置に基板を装着し、Ｎ２  雰囲気中で２００℃の加熱処理を２時間行い、合計で１０種類（比較例１〜２、発明例１〜８）の蛍光体パネルを作製した。
保管条件は、下記表１に示す。
【００４６】
得られた各種の蛍光体パネルについて、下記のようにして、輝尽発光特性を調べた。
まず、蛍光体パネルに、８０ｋＶｐのＸ線を１００ｍＲ照射した。その後、６６０ｎｍの半導体レーザを励起光量で２６Ｊ／ｍ２  となる強度および時間で照射し、その際の発光をバンドパスフィルタ（Ｂ−４１０）を通して光電子増倍管で電気信号に変換した。
この電気信号強度すなわち輝尽発光量に基づいて、各蛍光体パネルの感度（相対値）を評価した。なお、この相対的な感度の評価において、実用可能な感度のレベルは９０以上である。結果を表１に併記する。
【００４７】
【表１】
2005055185.tif 000002
【００４８】
表１より明らかなように、保管環境の温度が６０℃を超え、もしくは、相対湿度が８０％を超える比較例の蛍光体パネルは、共に、感度が９０よりも遥かに低く、すなわち良好な輝尽発光特性を有するとは言い難い。
これに対し、保管環境が本発明の条件を満たす発明例１〜８は、いずれも、９０を優に超える良好な感度すなわち良好な輝尽発光特性を有し、特に、保管環境の相対湿度が３０％以下である発明例１〜５では、１００を超える良好な感度を実現している。
【００４９】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の輝尽性蛍光体パネルの製造方法によれば、水分等に起因する輝尽性蛍光体膜の特性劣化のない、高品質な輝尽性蛍光体パネルを、安定して製造することができる。