(57)【要約】【課題】本発明は、製造された複数個のＬＥＤ素子を組み立てる方式より少ない製造費用でより簡素に製造する。【解決手段】本発明の一実施形態は、第１領域と第２領域とに区分された第１面及び前記第１面に対向する第２面を有し透光性を有する導電性基板４１と、前記導電性基板４１の第１領域に順次に形成された第１クラッド層２９、第１活性領域２７、及び第２クラッド層２５を含む第１発光部２０と、前記導電性基板４１の第２領域に順次に形成された第３クラッド層３５、前記第１活性領域２７から発散する光と合成され白色光を生成する波長の光を発散する第２活性領域３３、及び第４クラッド層３１を含む第２発光部３０と、前記導電性基板４１の第２面に連結された第１電極４５と、前記第２クラッド層２１に連結された第２電極４７と、前記第４クラッド層３１に連結された第３電極とを含む白色発光素子５０を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域と第２領域とに区分された第１面及び前記第１面に対向する第２面を具備し透光性を有する導電性基板と、
前記導電性基板の第１領域に順次に形成された第１クラッド層、第１活性領域、及び第２クラッド層を含む第１発光部と、
前記導電性基板の第２領域に順次に形成された第３クラッド層、前記第１活性領域から発散する光と合成され白色光を生成する波長の光を発散する第２活性領域、及び第４クラッド層を含む第２発光部と、
前記導電性基板の第２面に連結された第１電極と、前記第２クラッド層に連結された第２電極及び前記第４クラッド層に連結された第３電極と、
を有することを特徴とする白色発光素子。
【請求項２】
前記導電性基板は少なくとも青色光を透過できる物質から成ることを特徴とする請求項１に記載の白色発光素子。
【請求項３】
前記導電性基板はＧａＮ基板であることを特徴とする請求項２に記載の白色発光素子。
【請求項４】
前記第１及び第３クラッド層は第１導電型半導体物質から成り、前記第２及び第４クラッド層は第２導電型半導体物質から成ることを特徴とする請求項１に記載の白色発光素子。
【請求項５】
前記第１発光部の第１活性領域は前記第１クラッド層上に形成された緑色活性層、前記緑色活性層上に形成されたアンドープクラッド層、及び前記アンドープクラッド層上に形成された青色活性層から成り、
前記第２発光部の第２活性領域は赤色光を発散するための活性層から成ることを特徴とする請求項１に記載の白色発光素子。
【請求項６】
前記第１クラッド層は第１導電型ＧａＮ系化合物半導体物質で、前記緑色活性層はＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造で、前記アンドープクラッド層はＧａＮ系化合物半導体物質で、前記青色活性層はＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造で、前記第２クラッド層は第２導電型ＡｌＧａＮ系化合物半導体物質であることを特徴とする請求項５に記載の白色発光素子。
【請求項７】
前記第２発光部はＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ、ＧａＡｓ及びＩｎＮのグループから選択された半導体物質から成ることを特徴とする請求項１または６に記載の白色発光素子。
【請求項８】
前記第２及び第３電極は一体として形成されることを特徴とする請求項１に記載の白色発光素子。
【請求項９】
前記第１発光部と前記第２発光部との間に形成される絶縁膜をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の白色発光素子。
【請求項１０】
前記絶縁膜は前記第２電極の形成領域を除く前記第１発光部の表面全体に形成されることを特徴とする請求項９に記載の白色発光素子。
【請求項１１】
第１領域と第２領域とに区分された第１面及び前記第１面に対向する第２面を有する導電性基板と、
前記導電性基板の第１領域に順次に形成された第１クラッド層、第１活性領域及び第２クラッド層を含む第１発光部と、
前記導電性基板の第２領域に金属接合層により接合された第３クラッド層、前記第１活性領域から発散する光と合成され白色光を生成する波長の光を発散する第２活性領域及び第４クラッド層を含む第２発光部と、
前記導電性基板の第２面に連結された第１電極及び前記第２クラッド層に連結された第２電極と、
を有することを特徴とする白色発光素子。
【請求項１２】
前記第１発光部の第１活性領域は赤色光を発散するための活性層から成り、
前記第２発光部の第２活性領域は前記第３クラッド層上に形成された緑色活性層、前記緑色活性層上に形成されたアンドープクラッド層及び前記アンドープクラッド層上に形成された青色活性層から成ることを特徴とする請求項１１に記載の白色発光素子。
【請求項１３】
前記第３クラッド層は第１導電型ＧａＮ系化合物半導体物質で、前記緑色活性層はＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造で、前記アンドープクラッド層はＧａＮ系化合物半導体物質で、前記青色活性層はＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造で、前記第４クラッド層は第２導電型ＡｌＧａＮ系化合物半導体物質であることを特徴とする請求項１２に記載の白色発光素子。
【請求項１４】
前記第１発光部はＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ、ＧａＡｓ及びＩｎＮのグループから選択された半導体物質から成ることを特徴とする請求項１１または１３に記載の白色発光素子。
【請求項１５】
前記導電性基板は第１導電型基板であることを特徴とする請求項１１に記載の白色発光素子。
【請求項１６】
前記導電型基板は第１導電型ＧａＡｓ基板であることを特徴とする請求項１５に記載の白色発光素子。
【請求項１７】
前記第１及び第３クラッド層は第１導電型半導体物質から成り、前記第２及び第４クラッド層は第２導電型半導体物質から成ることを特徴とする請求項１１に記載の白色発光素子。
【請求項１８】
前記第２発光部は前記第４クラッド層上に形成された第２導電型基板と、前記第２導電型基板上に形成された電極とをさらに有することを特徴とする請求項１１に記載の白色発光素子。
【請求項１９】
前記導電性基板は第１導電型不純物領域を有する第２導電型ＧａＡｓ基板であり、前記第２発光部の第３クラッド層は前記第２導電型不純物領域に接合されることを特徴とする請求項１１に記載の白色発光素子。
【請求項２０】
前記第１及び第４クラッド層は第２導電型半導体物質から成り、前記第２及び第３クラッド層は第１導電型半導体物質から成ることを特徴とする請求項１１に記載の白色発光素子。
【請求項２１】
前記第２発光部は少なくとも前記第３クラッド層及び第２活性領域の一部が除去され前記第１導電型基板と対向する前記第４クラッド層の露出面を有し、
前記第４クラッド層の露出面と第１導電型基板とは金属接合層により連結されることを特徴とする請求項１９に記載の白色発光素子。
【請求項２２】
前記第２発光部は前記第４クラッド層上に形成されたＧａＮ基板をさらに有することを特徴とする請求項１９に記載の白色発光素子。
【請求項２３】
前記第１発光部と前記第２発光部との間に形成された絶縁膜をさらに有することを特徴とする請求項１１に記載の白色発光素子。
【請求項２４】
前記絶縁膜は前記第２電極の形成領域を除く前記第１発光部の表面全体に形成されることを特徴とする請求項２３に記載の白色発光素子。
【請求項２５】
第１領域と第２領域とに区分された第１面及び前記第１面に対向する第２面を具備し透光性を有する導電性基板を提供する段階と、
前記導電性基板の第１領域に第１クラッド層、第１活性領域及び第２クラッド層を順次に積層して第１発光部を形成する段階と、
前記導電性基板の第２領域に第３クラッド層、前記第１活性領域から発散する光と合成され白色光を生成する波長の光を発散する第２活性領域及び第４クラッド層を順次に積層して第２発光部を形成する段階と、
前記導電性基板の第２面に第１電極を形成し、前記第２クラッド層と前記第４クラッド層上に各々第２及び第３電極を形成する段階と、
を有することを特徴とする白色発光素子の製造方法。
【請求項２６】
前記導電性基板はＧａＮ基板で、前記第１及び第３クラッド層は第１導電型半導体物質から成り、前記第２及び第４クラッド層は第２導電型半導体物質から成ることを特徴とする請求項２５に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項２７】
前記第２及び第３電極は一体として形成されることを特徴とする請求項２５に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項２８】
前記第１発光部を形成する段階は、
前記導電性基板の第１面に第１クラッド層、第１活性領域及び第２クラッド層を順次に積層する段階と、
前記導電性基板の第２領域に形成された前記積層構造物を除去する段階と、
前記残留した積層構造物のうち、少なくとも前記第２領域に隣接した側壁に絶縁膜を形成する段階と、
を有することを特徴とする請求項２５に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項２９】
前記絶縁膜は第２電極の形成領域を除く第１発光部の表面全体に形成されることを特徴とする請求項２８に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項３０】
前記第１発光部はＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ、ＧａＡｓ及びＩｎＮのグループから選択された半導体物質から成ることを特徴とする請求項２５に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項３１】
前記第１発光部の第１活性領域は前記第１クラッド層上に形成された青色活性層、前記青色活性層上に形成されたアンドープクラッド層及び前記アンドープクラッド層上に形成された緑色活性層から成り、
前記第２発光部の第２活性領域は赤色光を発散するための活性層から成ることを特徴とする請求項２５に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項３２】
前記第１クラッド層は第１導電型ＧａＮ系化合物半導体物質で、前記緑色活性層はＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造で、前記アンドープクラッド層はＧａＮ系化合物半導体物質で、前記青色活性層はＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造で、前記第２クラッド層は第２導電型ＡｌＧａＮ系化合物半導体物質であることを特徴とする請求項３１に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項３３】
第１領域と第２領域とに区分された第１面及び前記第１面に対向する第２面を有する導電性基板を提供する段階と、
前記導電性基板の第１領域に第１クラッド層、第１活性領域、及び第２クラッド層を順次に積層して第１発光部を形成する段階と、
前記第１導電型基板の第２領域に第３クラッド層、前記第１活性領域から発散する光と合成され白色光を生成する波長の光を発散する第２活性領域、及び第４クラッド層が順次に形成された第２発光部を金属接合層により接合する段階と、
前記導電性基板の第２面と前記第２クラッド層上に各々第１及び第２電極を形成する段階と、
を有することを特徴とする白色発光素子の製造方法。
【請求項３４】
前記導電性基板は第１導電型ＧａＡｓ基板であることを特徴とする請求項３３に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項３５】
前記第１及び第３クラッド層は第１導電型半導体物質から成り、前記第２及び第４クラッド層は第２導電型半導体物質から成ることを特徴とする請求項３３に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項３６】
前記第２発光部は前記第４クラッド層上に形成された第２導電型ＧａＮ基板をさらに含み、前記第２発光部は前記第２導電型ＧａＮ基板上に形成された第３電極をさらに含むことを特徴とする請求項３３に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項３７】
前記導電性基板は第２導電型ＧａＡｓ基板であり、前記第２発光部を接合させる段階前に、前記第２導電型基板に第１導電型不純物領域を形成する段階をさらに有することを特徴とする請求項３３に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項３８】
前記第１及び第４クラッド層は第２導電型半導体物質から成り、前記第２及び第３クラッド層は第１導電型半導体物質から成ることを特徴とする請求項３３に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項３９】
前記第２発光部を接合させる段階は、
前記第２発光部の第３クラッド層を金属接合層により前記第１導電型不純物領域に接合させる段階と、
前記第２発光部の第４クラッド層を他の金属接合層により前記第２導電型基板に接合させる段階と、
を有することを特徴とする請求項３３に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項４０】
前記第２発光部は少なくとも前記第３クラッド層及び第２活性層の一部領域が除去され前記第１導電型基板と対向する前記第４クラッド層の露出面を有し、
前記第２導電型基板に接合させる段階は、前記第２発光部の第４クラッド層の露出面を前記他の金属接合層により前記第２導電型基板に接合させる段階であることを特徴とする請求項３９に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項４１】
前記第２発光部は前記第４クラッド層上に形成されたＧａＮ基板をさらに含むことを特徴とする請求項３９に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項４２】
前記第１発光部を形成する段階は、
前記導電性基板の第１面に第１クラッド層、第１活性領域及び第２クラッド層を順次に積層する段階と、
前記導電性基板の第２領域に形成された前記積層構造物を除去する段階と、
前記残留した積層構造物のうち、少なくとも前記第２領域に隣接した側壁に絶縁膜を形成する段階と、
を有することを特徴とする請求項３３に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項４３】
前記絶縁膜は前記第２電極の形成領域を除く第１発光部の表面全体に形成されることを特徴とする請求項４２に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項４４】
前記第１発光部はＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ、ＧａＡｓ及びＩｎＮのグループから選択された半導体物質から成ることを特徴とする請求項３３に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項４５】
前記第１発光部の第１活性領域は赤色光を発散するための活性層から成り、
前記第２発光部の第２活性領域は前記第１クラッド層上に形成された緑色活性層、前記緑色活性層上に形成されたアンドープクラッド層及び前記アンドープクラッド層上に形成された青色活性層から成ることを特徴とする請求項３３に記載の白色発光素子の製造方法。
【請求項４６】
前記第３クラッド層は第１導電型ＧａＮ系化合物半導体物質であり、前記青色活性層はＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造で、前記アンドープクラッド層はＧａＮ系化合物半導体物質で、前記緑色活性層はＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造で、前記第４クラッド層は第２導電型ＡｌＧａＮ系化合物半導体物質であることを特徴とする請求項３３に記載の白色発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は白色発光素子に関するもので、より詳しくは赤色光、緑色光及び青色光を発散できる活性層が単一素子に具現された白色発光素子及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般として、白色発光素子は照明装置またはディスプレー装置のバックライトに広く適用されている。こうした白色発光素子においては、蛍光体を使用する方式と個別ＬＥＤに製造された青色、赤色及び緑色ＬＥＤを単に組合せる方式が周知である。
【０００３】
先ず、蛍光体を使って白色発光素子を製造する方法には、青色発光素子を利用する方法と紫外線発光素子を利用する方法とがある。例えば、青色発光素子を利用する場合、ＹＡＧ蛍光体を使って青色光を白色光に波長変換させる。即ち、青色ＬＥＤから発生した青色波長がＹＡＧ（Ｙｉｔｔｒｉｕｍ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｇａｒｎｅｔ）蛍光体を励起し最終的に白色光を発光させるようになる。
【０００４】
図７（Ａ）は従来のＹＡＧ蛍光体を使った白色発光素子（５２０）の全体構造を示した断面図である。図７（Ａ）には、前記リードフレーム（５１２）のギャップ（ｃａｐ）に実装されたＩｎＧａＮ系青色ＬＥＤ（５１０）と前記ギャップ内部で青色ＬＥＤ（５１０）の周囲を囲繞するＹＡＧ蛍光体（５１５）が示してある。また、前記青色ＬＥＤ（５１０）はギャップ構造を有する陽極リードフレーム（５１２）と陰極リードフレーム（５１４）にワイヤ（５１１、５１３）で各々連結され、青色ＬＥＤ（５１０）の位置した全体リードフレーム（５１２、５１４）上部は透明材質（５１７）でモールディングされる。
【０００５】
前記リードフレーム（５１２、５１４）を通して電源が印加されＩｎＧａＮ系青色ＬＥＤ（５１０）から青色光が発されると、その一部の青色光はＹＡＧ蛍光体（５１５）を励起する。この際、ＹＡＧ蛍光体はＩｎＧａＮ青色ＬＥＤ（５１０）のピーク波長である４６０ｎｍから励起される特性を有するので、黄緑色の蛍光で発光する。このように、ＹＡＧ蛍光体（５１５）から得た黄緑色の蛍光は青色ＬＥＤ（５１０）から直接発散する他の一部青色光と合成され、最終的に白色光を発光することになる。
【０００６】
図７（Ａ）に示した従来の白色発光素子は、三色（ＲＧＢ）に該当する各色ＬＥＤを使用する際、要求される電流の調節が不要になるという利点がある。同様に、紫外線ＬＥＤとＲＧＢ三色蛍光体とを組み合せて白色光を得る方法もある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、このように蛍光体の波長変調を利用する場合、蛍光体の励起において光効率が低減したり、色補正指数が低下する欠点があった。他の従来の技術としては、三色（ＲＧＢ）に該当する各色ＬＥＤを組み合せた白色発光素子が挙げられる。こうした白色発光素子の一例は図７（Ｂ）に示した。図７（Ｂ）によると、白色発光素子（５３０）は既に完成した各々のＬＥＤ（５２３、５２５、５２７）から成り、各ＬＥＤはワイヤ（５２２）により１個の印刷回路基板（５２１）に実装される。図７（Ｂ）に示した白色発光素子（５３０）は各ＬＥＤ（５２３、５２５、５２７）から発散された他の色の光（例えば、ＲＧＢ）が合成され白色光を生成するものである。こうした白色ＬＥＤは蛍光体による問題を解決して優れた色感を得られるが、各ＬＥＤを製造しなければならないので製造原価が上昇するばかりでなく、所望の白色光を得るために各ＬＥＤの電流を調節しなければならず、このため複雑な回路構成が必要になるという問題があった。
【０００８】
本発明は前記従来技術の問題を解決するためのもので、その目的は、１個の導電性基板に白色光に合成可能な２個または３個の波長帯域の光を発散する２個の発光部を具備した白色発光素子を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、前記白色発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記技術的課題を解決すべく、本発明の一実施形態は、第１領域と第２領域とに区分された第１面及び前記第１面に対向する第２面を具備し透光性を有する導電性基板と、前記導電性基板の第１領域に順次に形成された第１クラッド層、第１活性領域及び第２クラッド層を含んだ第１発光部と、前記導電性基板の第２領域に順次に形成された第３クラッド層、前記第１活性領域から発散する光と合成され白色光を生成する波長の光を発散する第２活性領域、及び第４クラッド層を含んだ第２発光部と、前記導電性基板の第２面に連結された第１電極と、前記第２クラッド層に連結された第２電極、前記第４クラッド層に連結された第３電極とを含む白色発光素子を提供する。
【００１１】
前記導電性基板は少なくとも青色光を発散できる物質からなることができ、こうした導電性基板の一例としてＧａＮ基板があり得る。本実施形態においては、前記第１及び第３クラッド層は第１導電型半導体物質から成り、前記第２及び第４クラッド層は第２導電型半導体物質から成ることができる。好ましくは、前記第１発光部の第１活性領域は前記第１クラッド層上に形成された緑色活性層、前記緑色活性層上に形成されたアンドープクラッド層及び前記アンドープクラッド層上に形成された青色活性層から成り、前記第２発光部の第２活性領域は赤色光を発散するための活性層から成る。具体的には、前記第１クラッド層は第１導電型ＧａＮ系化合物半導体物質で、前記緑色活性層はＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造で、前記アンドープクラッド層はＧａＮ系化合物半導体物質で、前記青色活性層はＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造で、前記第２クラッド層は第２導電型ＡｌＧａＮ系化合物半導体物質であることができる。また、前記第２発光部はＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ、ＧａＡｓ及びＩｎＮのグループから選択された半導体物質から成る赤色発光部であることができる。本実施形態においては、前記第２及び第３電極は一体として形成されることができる。また、前記第１発光部と前記第２発光部の間に形成される絶縁膜をさらに含むことができ、こうした絶縁膜は前記第２電極の形成領域を除いた前記第１発光部の表面全体に形成されることができる。
【００１２】
本発明の他の実施形態においては、第１領域と第２領域とに区分された第１面及び前記第１面に対向する第２面を有する導電性基板と、前記導電性基板の第１領域に順次に形成された第１クラッド層、第１活性領域、及び第２クラッド層を含んだ第１発光部と、前記導電性基板の第２領域に金属接合層により接合され、第３クラッド層、前記第１活性領域から発散する光と合成され白色光を生成する波長の光を発散する第２活性領域、及び第４クラッド層を含んだ第２発光部と、前記導電性基板の第２面に連結された第１電極と、前記第２クラッド層に連結された第２電極とを含む白色発光素子を提供する。好ましくは、前記第１発光部の第１活性領域は赤色光を発散させるための活性層から成り、前記第２発光部の第２活性領域は前記第３クラッド層上に形成された緑色活性層、前記緑色活性層上に形成されたアンドープクラッド層、及び前記アンドープクラッド層上に形成された青色活性層から成ることができる。具体的には、前記第３クラッド層は第１導電型ＧａＮ系化合物半導体物質で、前記緑色活性層はＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造で、前記アンドープクラッド層はＧａＮ系化合物半導体物質で、前記青色活性層はＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造で、前記第４クラッド層は第２導電型ＡｌＧａＮ系化合物半導体物質であることができる。さらに、前記第１発光部はＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ、ＧａＡｓ及びＩｎＮから成るグループから選択された半導体物質から成ることができる。
【００１３】
本実施形態においては、導電性基板はＧａＡｓ基板のような第１導電型基板であることができる。この場合、前記第１及び第３クラッド層は第１導電型半導体物質から成り、前記第２及び第４クラッド層は第２導電型半導体物質から成ることができる。また、前記第２発光部は前記第４クラッド層上に形成された第２導電型基板と前記第２導電型基板上に形成された電極とをさらに含むことができる。さらに、本実施形態においては、前記導電性基板は第１導電型不純物領域を有する第２導電型基板を含むことができ、この場合に前記第２発光部の第３クラッド層は前記第２導電型不純物領域に接合されることができる。この際、前記第１及び第４クラッド層は第２導電型半導体物質から成り、前記第２及び第３クラッド層は第１導電型半導体物質から成ることができる。好ましくは、前記第２発光部は少なくとも前記第３クラッド層及び第２活性領域の一部が除去され前記第１導電型基板と対向する前記第４クラッド層の露出面を有し、前記第４クラッド層の露出面と第１導電型基板は金属接合層により連結されることができる。さらに、前記第２発光部は前記第４クラッド層上に形成されたＧａＮ基板をさらに含むことができる。
【００１４】
また、本発明は新たな白色発光素子の製造方法を提供する。前記方法は、第１領域と第２領域とに区分された第１面及び前記第１面に対向する第２面を有し透光性を有する導電性基板を提供する段階と、前記導電性基板の第１領域に第１クラッド層、第１活性領域、及び第２クラッド層を順次に積層して第１発光部を形成する段階と、前記導電性基板の第２領域に第３クラッド層、前記第１活性領域から発散する光と合成され白色光を生成する波長の光を発散する第２活性領域、及び第４クラッド層を順次に積層して第２発光部を形成する段階と、前記導電性基板の第２面に第１電極を形成し、前記第２クラッド層と前記第４クラッド層上に各々第２及び第３電極を形成する段階とを含む。好ましくは、前記第１発光部を形成する段階を、前記導電性基板の第１面に第１クラッド層、第１活性領域、及び第２クラッド層を順次に積層する段階と、前記導電性基板の第２領域に形成された前記積層構造物を除去する段階と、前記残留した積層構造物中少なくとも前記第２領域に隣接した側壁に絶縁膜を形成する段階とで具現することができる。こうした絶縁膜は前記第２電極の形成領域を除いた第１発光部の表面全体に形成されることができる。
【００１５】
さらに、本発明の他の実施形態による白色発光素子の製造方法は、第１領域と第２領域とに区分された第１面及び前記第１面に対向する第２面を有する第１導電型基板を提供する段階と、前記第１導電型基板の第１領域に第１クラッド層、第１活性領域、及び第２クラッド層を順次に積層して第１発光部を形成する段階と、前記第１導電型基板の第２領域に第３クラッド層、前記第１活性領域から発散する光と合成され白色光を生成する波長の光を発散する第２活性領域、及び第４クラッド層が順次に形成された第２発光部を金属接合層により接合する段階と、前記導電性基板の第２面と前記第２クラッド層上に各々第１及び第２電極を形成する段階とを含む。本実施形態において、前記第１及び第４クラッド層は第１導電型半導体物質から成り、前記第２及び第３クラッド層は第２導電型半導体物質から成ることができ、この場合、前記方法は前記第２発光部を接合させる段階前に前記第１導電型基板に第２導電型不純物領域を形成する段階をさらに含み、前記第２発光部を接合させる段階は前記第２発光部の第３クラッド層を金属接合層により前記第２導電型不純物領域に接合する段階と、前記第２発光部の第４クラッド層を他の金属接合層により前記第１導電型基板に接合する段階とで成ることができる。
【００１６】
このように、本発明は白色光を合成できる２個または３個の波長帯域の光を発散する２個の発光部を１個の導電性基板上に形成することにより色感及び光効率の優れた白色発光素子を提供することができ、１個の導電性基板上に２個の発光部を並べて形成する為、完成された複数個のＬＥＤ素子を組み立てる方式より少ない製造費用でより簡素に製造することができる。前記説明したように、本発明は導電性基板の種類に応じて大きく２種の好ましき実施形態を提供することができる。一つは透光性基板を使用する形態として、その透光性基板上に第１及び第２発光部を全て成長させ、リードフレームなどにパッケージされる際は導電性基板が上部に位置するよう実装される。
【００１７】
これと異なって、通常の導電性基板を使用する他の実施形態においては、その基板上に第１及び第２発光部を全て成長させる方法でも具現できるが、さらに既完成した発光部を金属接合層により基板上に接合させる方式を取る。こうした実施形態においては発光部の形成された基板上面が上向きになるようパッケージされる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によると、蛍光体を使用せず白色光に合成され得る２個または３個の波長帯域の光を発散する２個の発光部を利用することにより、蛍光体による効率低減を防止し、且つ色感及び光効率の優れた白色発光素子を提供するばかりでなく、１個の導電性基板上に２個の発光部を並べて形成するので、完成された複数個のＬＥＤ素子を組み立てる方式より少ない製造費用でより簡素に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付の図面を参照しながら本発明の一実施形態を詳しく説明する。図１は本発明の第１実施形態により透光性基板を使用する白色発光素子（５０）の断面図である。図１によると、前記白色発光素子（５０）は１個の導電性基板（４１）に水平方向に並んで形成される第１及び第２発光部（２０、３０）を含む。前記第１発光部（２０）は図示のように相異する２個の波長帯域を有する光を発散するための活性層（２３、２７）を具備する。
【００２０】
本実施形態においては、前記導電性基板（４１）は、少なくとも赤色ないし青色光を透過できる大きいエネルギーバンドギャップを有するＧａＮ単結晶基板を含む。また、前記第１発光部（２０）の活性層（２３）は青色光を発散するためのＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重井戸構造を有する活性層であることができ、異なる活性層（２７）は緑色光を発散するためのＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重井戸構造の活性層である。
【００２１】
図１に示したように、前記導電性基板（４１）の一領域に形成された第１発光部（２０）は大きく分けて前記ＧａＮ基板（４１）に形成されたｎ型ＧａＮ系クラッド層（２１）とｐ型ＡｌＧａＰ系クラッド層（２９）を含む。前記青色活性層（２３）は前記ｎ型ＧａＮ系クラッド層（２１）上に形成され、前記緑色活性層（２７）はアンドープＧａＮクラッド層（２５）と前記ｐ型ＡｌＧａＮ系クラッド層（２９）との間に形成される。
【００２２】
ここで、青色活性層（２３）と緑色活性層（２７）のエネルギーバンドギャップは赤色発光のための活性層に比して相対的にその差が小さい。より具体的に、赤色光発散のためのエネルギーバンドギャップは約１．３〜２ｅＶであるのに対して、青色光発散のためのエネルギーバンドギャップは約３．３ｅＶで、緑色光発散のためのエネルギーバンドギャップは約２．８〜２．９ｅＶなので、図示のように相互垂直な構造に形成しても各活性層（２３、２７）から所望の発光効果を得ることができる。こうした垂直構造を具現するために青色活性層（２３）のｐ型クラッド層の役目と緑色活性層（２７）のｎ型クラッド層の役目を同時に行えるアンドープ（ｕｎｄｏｐｅｄ）ＧａＮクラッド層（２５）を前記青色活性層（２３）と緑色活性層（２７）の間に配置する。
【００２３】
本実施形態のように、第１発光部が青色及び緑色に該当する２つの波長帯域の光を発散する場合は、青色活性層（２３）が緑色活性層（２７）よりＧａＮ単結晶基板に隣接するよう配置することが好ましい。より具体的には、本実施形態による白色発光素子はＧａＮ単結晶基板（４１）が上部に向かうよう実装されて用いられるので、図示の状態において下方に配置された活性層から発生された光が上部に向って容易に透過されるべく、より大きいエネルギーバンドギャップを有する活性層とＧａＮ単結晶層を前記基板（４１）側に配置することが好ましい。従って、本実施形態による白色発光素子のように、相対的に大きいエネルギーバンドギャップを有する青色活性層（２３）を緑色活性層（２７）より前記基板（４１）に近く配置することが好ましい。
【００２４】
また、前記第２発光部（３０）は前記第１発光部（２０）の形成された同一面においてその第１発光部（２０）が形成されない他領域に形成され、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層（３１）と赤色発光のためのＡｌＧａＩｎＰ系多重井戸構造である活性層（３３）とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層（３５）とを含むことができる。
【００２５】
前記第１及び第２発光部（２０、３０）は導電性基板（４１）の同一面に水平方向に並んで配置され、相互対向する側面が電気的に分離された構造を有する。こうした分離構造は前記第１及び第２発光部（２０、３０）の向き合った側面の間に絶縁膜（４３）を形成することにより具現でき、本実施形態のように前記絶縁膜（４３）は電極形成のための開口部を除いた第１発光部（２０）の表面に形成され保護層の役目を果たすこともできる。
【００２６】
本実施形態による白色発光素子は前記ＧａＮ単結晶基板（４１）の外部面と第１及び第２発光部（２０、３０）のｐ型クラッド層（２９、３５）面とに各々形成されたｎ型及びｐ型電極（４５、４７）を含む。両電極（４５、４７）は前記第１及び第２発光部（２０、３０）の共通電極として作用し、電流が上下導通する垂直構造形態を有することができる。従って、水平方向の電流の流れを有する通常のＬＥＤ構造よりも高い電流効率が得られる。
【００２７】
さらに、図１に示したように、前記ｐ型クラッド層（２９、３５）上に形成されたｐ型電極（４７）は所定のリードフレームに実装されるべく平坦な下面となるよう形成することが好ましい。リードフレームに実装されたパッケージ構造は図４により詳しく説明する。
【００２８】
前記のように、本発明による白色発光素子は前記第１発光部から発散される青色光及び緑色光と、前記第２発光部から発散される赤色光が合成され、結果的に所望の白色光を発散することができるが、これに限定されはしない。
【００２９】
例えば、第１発光部は約４５０ｎｍ〜５５０ｎｍの波長領域を有する赤黄色光を発散する１つの活性領域を含むよう形成し、第２発光部は約６３０ｎｍ〜７８０ｎｍの波長領域を有する青緑色光を発散する１つの活性領域を有するよう形成しても、両光は合成され、本発明が要求する白色光を発散することもできる。
【００３０】
本発明の一実施形態による白色発光素子の製造方法について図２（Ａ）ないし３（Ｃ）を参照しながらより詳しく説明する。図２（Ａ）ないし３（Ｃ）は本発明の一例による白色発光素子製造方法を説明するための工程断面図で、図１の白色発光素子のような形態を製造する工程として例示してある。
【００３１】
先ず、図２（Ａ）のように、平坦な上面を有する導電性基板（１１１）を設ける。本発明に用いられる基板は垂直構造の発光部を具現すべく導電性基板でなければならず、好ましくは全ての可視光線帯域の光をよく通過させる透光性基板がよい。本発明に用いられる好ましき導電性基板としては、大きいエネルギーバンドギャップを有するＧａＮ単結晶基板があり得る。
【００３２】
次いで、前記導電性基板（１１１）の上面の一領域に第１発光部のための単結晶層を形成する。本工程は図２（Ｂ）と図２（Ｃ）に示したように、前記導電性基板（１１１）の上面全体領域に第１発光部を形成するための単結晶を１次成長させ、第２発光部が形成される領域の単結晶層を除去する過程で具現することができる。
【００３３】
このために、図２（Ｂ）のように導電性基板の上面に第１クラッド層（１２１）、第１活性層（１２３）、アンドープクラッド層（１２５）、第２活性層（１２７）、及び第２クラッド層（１２９）を順次に積層する１次成長工程を行う。青色及び緑色を各々発光する発光部を構成しようとする場合、好ましくは前記第１クラッド層（１２１）はｎ型ＧａＮ系クラッド層（１２１）に、前記第１活性層（１２３）は青色光を発散するためのＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重井戸構造に形成することができる。また、前記アンドープクラッド層（１２５）は真性ＧａＮ系クラッド層に、前記第２活性層（１２７）は緑色光を発散するためのＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重井戸構造に、また前記第２クラッド層（１２９）はｐ型ＡｌＧａＰ系クラッド層に形成することができる。
【００３４】
次いで、前記導電性基板（１１１）の上面中第２発光部の形成領域が露出するよう、１次成長した単結晶構造物（１２１、１２３、１２５、１２７、１２９）を選択的にエッチングする。図２（Ｃ）は第２発光部の形成領域を設けるために、１次成長した単結晶構造物の一部を除去した状態を示す。ここで残留した単結晶構造物は第１発光部を構成する。前記第１発光部（１２０）を成す単結晶構造物の周囲に沿って導電性基板（１１１）の上面が露出するよう一部をさらにエッチングすることもできる。このようにさらにエッチングされた領域は電極形成のための開口部を除く前記第１発光部（１２０）の全体表面に絶縁膜を形成するための領域として用いることができる。
【００３５】
即ち、図３（Ａ）のように、後続工程において電極の形成領域を除く第１発光部の表面全体に絶縁膜（１４３）を形成する。こうした絶縁膜（１４３）にはＳｉＯ２、ＳｉＮなどの通常の絶縁膜を用いることができる。図３（Ａ）に示した絶縁膜（１４３）は前記導電性基板（１１１）の露出領域に形成される第２発光部（図３（Ｂ）の１３０）と第１発光部（１２０）との向き合う側面が接触しないよう分離させるばかりでなく、前記第１発光部の酸化などを防止する保護層の役目も果たす。本発明の他の実施形態においては、第１発光部と分離された位置に個別部品で成された第２発光部を金属接着層により導電性基板に実装する方式で具現することができる。
【００３６】
図３（Ｂ）のように、前記導電性基板（１１１）の露出領域に第３クラッド層（１３１）、第３活性層（１３３）、及び第４クラッド層（１３５）を順次に積層するための２次成長工程を施す。図１のように好ましい赤色発光のための第２発光部（１３０）を形成すべく、第３クラッド層（１３１）はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層に、前記第３活性層（１３３）はＡｌＧａＩｎＰ系多重井戸構造である活性層に、前記第４クラッド層（１３５）はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層に形成することができる。
【００３７】
最終的に、前記導電性基板（１１１）の他面に第１電極（１４５）を形成し、前記第２クラッド層（１２９’）と第４クラッド層（１３５）に連結された第２電極を形成することで、図３（Ｃ）のように所望の白色発光素子（１５０）を完成することができる。図３（Ｃ）に示した白色発光素子（１５０）はリードフレームに実装されて用いられる場合は図１のように上下面が逆にされる。
【００３８】
図４は本発明の一実施形態による白色発光素子パッケージの構造を示した断面図である。図４に示した白色発光素子パッケージ（２００）は図３（Ｃ）に示した白色発光素子と類似した構造を有する白色発光素子を含む。前記白色発光素子は青色発光部（１６０ａ）及び緑色発光部（１６０ｂ）を有する第１発光部と赤色発光部（１７０）の第２発光部とから成る。
【００３９】
前記白色発光素子は導電性基板（１５１）が上部に向かうよう第１リードフレーム（１９５）のギャップ部分に実装される。また、前記白色発光素子の第１電極（１８５）はワイヤを使ってその第１リードフレーム（１９４）に連結され、第２電極（１８７）は前記第１リードフレーム（１９５）に連結される。本実施形態において用いられた導電性基板は透光性基板であり、各発光部（１６０ａ、１６０ｂ、１７０）から発生した光を上部に透過させることができる。従って、前記白色発光素子は三色の光が合成され白色光を生成するようになる。また、本発明による発光素子は図４に示したように絶縁膜（１８３）と第１発光部（１６０ａ、１６０ｂ）との間に反射膜（１８１）をさらに具備し、光効率を向上させることができる。
【００４０】
本発明の他の実施形態においては、透光性でない導電性基板を使用することもできる。この場合、白色発光素子は発光部の形成された基板上面が上に向くようパッケージされる。また、本実施形態による発光素子は第２発光部を、既に完成した発光部を金属接合層により基板上に接合させる方式で具現する。
【００４１】
図５は本発明の他の実施形態による白色発光素子を示した断面図である。本実施形態は、先の実施形態と異なり個別部品形態の第２発光部（２３０）が金属接合層（２４８）により導電性基板（２４１）に接合される形態を示す。図５によると、前記白色発光素子（２５０）は大きく分けて導電性基板のｐ型ＧａＡｓ基板（２４１）、その上に形成された第１発光部（２２０）、及び第２発光部（２３０）から成る。本実施形態において用いられる導電性基板は図１に示した基板（４１）のような透光性が必要無く、第１発光部の成長に適した導電性基板でさえあれば充分使用することができる。
【００４２】
前記第１発光部（２２０）は前記ｐ型ＧａＡｓ基板（２４１）の一領域に形成され、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層（２２１）と、赤色発光のためのＡｌＧａＩｎＰ系多重井戸構造を有する赤色活性層（２２３）と、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層（２２５）とを含む。また、前記第１発光部（２２０）はｐ型ＧａＡｓ基板上に直接成長させる方式により形成される。こうした工程は全体のｐ型ＧａＡｓ基板上にｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層（２２１）とＡｌＧａＩｎＰ系赤色活性層（２２３）とｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層（２２５）を成長させた後、第２発光部（２３０）の形成領域を選択的にエッチングする方式で具現することができる。こうして、前記第１発光部（２２０）を形成してから前記電極（２４７）の形成領域を除く前記第１発光部（２２０）の表面にＳｉＯ２のような絶縁膜（２４３）を形成することができる。
【００４３】
前記第２発光部（２３０）は前記第１発光部（２２０）と異なる領域に形成され、ｐ型ＡｌＧａＰ系クラッド層（２３１）と、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重井戸構造の緑色活性層（２３３）と、アンドープＧａＮクラッド層（２３５）と、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重井戸構造の青色活性層（２３７）と、前記ｎ型ＧａＮ系クラッド層（２３９）とを含む。また、前記第２発光部（２３０）はｎ型ＧａＮ基板（２３８）を用いて別途の工程から成長させた別個部品であることができ、こうした別個部品形態の第２発光部（２３０）は金属接合層（２４８）により前記ｐ型ＧａＡｓ基板に接合される。
【００４４】
前記ｐ型ＧａＡｓ基板（２４１）はその下面にｐ側電極（２４５）が形成され、前記第１発光部（２２０）のｎ型クラッド層（２２５）と前記第２発光部（２３０）のｎ型基板（２３８）上に各々ｎ側電極（２４７、２４８）が形成される。但し、本実施形態において前記第２発光部（２３０）は既に完成した部品を接合させる方式により具現するので、前記第２発光部に対しては別途の電極形成工程を行わず前記第２発光部（２３０）のｎ型基板（２３８）上にｎ側電極（２４８）を予め形成した状態でｐ型ＧａＡｓ基板に接合させることができる。
【００４５】
このように、本実施形態による白色発光素子は、図１の実施形態のようにｐ型ＧａＡｓ基板（２４１）の同一面に水平方向に並んで配置された第１及び第２発光部（２２０、２３０）を具備し、上下部に各々対向する電極が設けられる形態を取るが、パッケージに具現される場合は、前記第１及び第２発光部（２２０、２３０）の形成されたｐ型ＧａＡｓ基板面が上部に向かうよう、即ちｎ側電極（２４７、２４８）が上部を向かうよう配置され、各ｎ側電極はワイヤボンディングによりリードフレーム（図示せず）に連結される。
【００４６】
図６は本発明のさらに他の実施形態による白色発光素子（３００）を示した断面図である。本実施形態は、図５に示した実施形態と異なるｎ型ＧａＡｓ基板（２９１）を使用し第２発光部（２８０）の接合方式の異なる白色発光素子（３００）を示す。
【００４７】
図６によると、前記白色発光素子（３００）は大きく分けて導電性基板のｎ型ＧａＡｓ基板（２９１）と、その上に形成された第１発光部（２７０）、及び第２発光部（２８０）から成る。本実施形態に用いられる導電性基板は図５に示した基板（２４１）のようなＧａＡｓ基板であるが、それとは逆の導電型であるｐ型で、前記ｐ型導電型基板（２９１）はｎ型不純物領域を形成してツェナー（Ｚｅｎｎｅｒ）ダイオード構造となる。こうした不純物領域（２９８）は第２発光部（２８０）を接合する段階前に形成される。
【００４８】
前記第１発光部（２７０）は前記ｎ型ＧａＡｓ基板（２９１）の一領域に形成され、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層（２７１）と、赤色発光のためのＡｌＧａＩｎＰ系多重井戸構造である赤色活性層（２７３）と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層（２７５）とを含む。また、前記第１発光部（２７０）はｎ型ＧａＡｓ基板上に直接成長させる方式で形成する。こうした工程は全体のｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層（２７１）とＡｌＧａＩｎＰ系赤色活性層（２７３）とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層（２７５）を成長させた後、第２発光部（２８０）の形成領域を選択的にエッチングする方式で具現することができる。
【００４９】
このように、前記第１発光部（２７０）を形成してから前記電極（２９７）の形成領域を除く前記第１発光部（２７０）の表面にＳｉＯ２のような絶縁膜（２９３）を形成することができる。
【００５０】
前記第２発光部（２８０）は前記第１発光部（２７０）と異なる領域に形成され、ｐ型ＡｌＧａＰ系クラッド層（２８１）と、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重井戸構造の緑色活性層（２８３）と、アンドープＧａＮクラッド層（２８５）と、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ系多重井戸構造の青色活性層（２８７）と、前記ｎ型ＧａＮ系クラッド層（２８９）とを含む。
【００５１】
また、前記第２発光部（２８０）はｎ型ＧａＮ基板（２８８）を用いて別途の工程から成長された別個の部品であるが、図５に示した第２発光部（２８０）と異なり垂直でなく水平型構造を有する。即ち、両電極が一方向に向って形成されるようｐ型ＡｌＧａＰ系クラッド層（２８１）、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ系緑色活性層（２８３）、アンドープＧａＮクラッド層（２８５）、及びＧａＮ／ＩｎＧａＮ系青色活性層（２８５）の一部領域がエッチングされ、前記ｎ型ＧａＮ系クラッド層（２８９）の一部面が露出した構造となる。
【００５２】
従って、本実施形態においては第２発光部の接合方式も異なって具現される。具体的には、前記第２発光部のｐ型クラッド層（２８１）はｐ型不純物領域（２９２）に金属接合層（２９８）により接合され、前記ｎ型クラッド層（２８９）の露出面を他の金属接合層（２９９）により前記ｎ型ＧａＡｓ基板（２９１）に接合する。
【００５３】
前記ｎ型ＧａＡｓ基板（２９１）はその下面にｎ側電極（２９５）が形成され、前記第１発光部（２７０）のｐ型クラッド層（２７５）にｐ側電極（２９７）が形成され、前記ｐ型クラッド層（２８１）とｎ型ＧａＡｓ基板（２９１）のｐ型不純物領域（２９９）とを連結する金属接合層（２９８）も第２発光部（２８０）のｐ側電極のような役目を果たすことができる。即ち、本実施形態による発光素子（３００）をパッケージする場合に、前記第１及び第２発光部（２７０、２８０）の形成されたｎ型ＧａＡｓ基板面が上部に向くよう配置され、第１発光部（２７０）のｐ側電極（２９７）と、ｐ型不純物領域（２９２）またはその金属接合層（２９８）とにワイヤボンディングによりリードフレーム（図示せず）を連結することができる。
【００５４】
図５及び図６に示した実施形態において、導電性基板にＧａＮ基板と異なる基板を用いて、第１発光部ばかりでなく第２発光部も図３に説明した方法のように基板上に直接成長させてもよく、前記第２発光部（２３０、２８０）から発散する青色光及び緑色光と、前記第１発光部（２２０、２７０）から発散する赤色光とが合成され、その結果所望の白色光を発散できるが、これに限定されるわけではない。
【００５５】
上述した実施形態及び添付の図面は好ましき実施形態についた例示に過ぎず、本発明は添付の請求の範囲によって限定されるものである。また、本発明は請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で多様な形態の置換、変形及び変更が可能であることは当技術分野において通常の知識を有する者にとって自明であろう。例えば、本明細書及び図面に説明した実施形態においてはｎ型またはｐ型を有する結晶層及び基板として説明したが、ｎ型及びｐ型を逆に形成することもでき、赤色または赤黄色活性層を有する発光部を形成する場合にはＡｌＧａＩｎＰ系半導体物質の他にもＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＮなどを使ってもよい。従って、本発明は請求の範囲とその均等な範囲により限定されるといえる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施形態による白色発光素子の断面図である。
【図２】（Ａ）ないし（Ｃ）は本発明の一実施形態による白色発光素子の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３】（Ａ）ないし（Ｃ）は本発明の一実施形態による白色発光素子の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による白色発光素子パッケージを示した断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態による白色発光素子の断面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態による白色発光素子の断面図である。
【図７】（Ａ）及び（Ｂ）は従来の白色発光素子の全体構造を示した断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
２０  第１発光部
２１  ｎ型ＧａＮクラッド層
２３  ＧａＮ／ＩｎＧａＮ青色活性層
２５  アンドープＧａＮクラッド層
２７  ＧａＮ／ＩｎＧａＮ緑色活性層
２９  ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層
３０  第２発光部
３１  ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
３３  ＡｌＧａＩｎＰ赤色活性層
３５  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
４１  ＧａＮ基板
４３  絶縁膜
４５  ｎ側電極
４７  ｐ側電極
【図１】
2005019936.tif 000003
【図２】
2005019936.tif 000004
【図３】
2005019936.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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