(57)【要約】【課題】  型による凹凸形状の転写によって形成された表面凹凸形状の上に散乱性反射面を形成する電気光学装置の製造方法において、表面凹凸形状の位置ずれを低減可能で、しかも、製造工程の複雑化を招来しない製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の電気光学装置の製造方法は、一対の基板が電気光学層を介して対向配置され、一方の基板上に反射層を備えた電気光学装置の製造方法であって、一方の基板１上にパターニングされた絶縁層２を形成する絶縁層形成工程と、一方の基板上に形成された構造パターン３を用いて位置決めした型４を絶縁層に押し付けて絶縁層の表面に凹凸形状を転写する凹凸転写工程と、反射層を絶縁層上に凹凸形状を反映した散乱性反射面が得られるように形成する反射層形成工程とを有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板が電気光学層を介して対向配置され、前記一対の基板の一方の基板上に反射層を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記一方の基板上にパターニングされた絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記一方の基板上に形成された構造パターンを用いて位置決めした型を前記絶縁層に押し付けて前記絶縁層の表面に凹凸形状を転写して形成する凹凸形成工程と、
前記反射層を前記絶縁層上に前記凹凸形状を反映した散乱性反射面が得られるように形成する反射層形成工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記構造パターンは、前記絶縁層形成工程においてパターニングされた前記絶縁層の形状パターン若しくは前記絶縁層と同素材で同時にパターニングされたアライメントマークであることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記一方の基板上に能動素子を形成する素子形成工程を有し、
前記構造パターンは、前記能動素子の形成パターン若しくはこれと同素材で同時にパターニングされたアライメントマークであることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記構造パターンは、前記型を前記一方の基板上に平面的に重ねたときに、前記型の平面的占有範囲を外れた位置に配置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記型には、前記構造パターンを前記型の平面的占有範囲を外れた位置に配置させるための切り欠き部若しくは開口部が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記反射層形成工程では、前記構造パターンを用いた位置決めにより前記反射層を形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層形成工程は、感光性樹脂を前記一方の基板上に配置する段階と、前記感光性樹脂の露光及び現像処理によってパターニングする段階とを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記一方の基板上に能動素子を形成する素子形成工程と、前記能動素子に導電接続された電極を形成する工程とを有し、
前記絶縁層形成工程では、前記絶縁層に前記能動素子と前記電極とを導電接続するための開口が設けられることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁層形成工程は、感光性樹脂を塗布する段階と、該感光性樹脂を露光する段階と、前記感光性樹脂を現像して前記開口を形成する段階とを順次有することを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法に係り、特に、外部からの入射光を反射する反射層を備えた電気光学装置の製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話（mobile phone/cellular）やＰＤＡ（Personal Digital Assistance：個人用の情報端末）などの携帯情報端末の表示部には、消費電力を抑えるために反射型液晶表示装置又は半透過反射型液晶表示装置が広く使用されている。これら液晶表示装置は表示面側から入射した光を反射させて表示を行うための反射層が設けられている。そして、この反射層の表面には微細な多数の凹凸を備えた散乱性反射面が形成されることが一般的となっている。このように反射層の表面に散乱性反射面を形成すると外光が散乱されて反射方向が分散するので、反射層の表面が平坦な鏡面に形成されている場合に比べて視線方向の反射光量を増大させることができることから、表示を明るくすることが可能になるとともに、照明光による幻惑や背景の写り込みなどを防止することができる。
【０００３】
上記反射層の散乱性反射面は種々の方法で形成されるが、例えば、基板の表面にエッチングなどによって微細な凹凸形状を形成し、この上にＡｌなどの金属薄膜を成膜することにより、基板表面の凹凸形状を反映した反射面を形成する方法、基板の表面上に感光性樹脂を塗布し、この感光性樹脂を所定のマスクで露光し現像するフォトリソグラフィ法を用いることによって絶縁層に微細な表面凹凸形状を形成し、この上に金属薄膜を成膜することにより、上記表面凹凸形状を反映した反射面を形成する方法、上記と同様のフォトリソグラフィ法などにより基板上の絶縁層に微細な表面凹凸形状を形成し、絶縁層を加熱して軟化させることにより表面凹凸形状を滑らかな形状にした後に、その上に金属薄膜を成膜することにより、上記表面凹凸形状を反映した反射面を形成する方法などが一般的である。
【０００４】
ところが、上記の基板表面をエッチングする方法やフォトリソグラフィ法により表面凹凸形状を備えた絶縁層を形成する方法では、反射層の散乱性反射面の凹凸形状がエッチングやフォトリソグラフィの状況に応じて大きく変動するため、散乱性反射面の光反射特性の制御性が必ずしも良好でない。したがって、上記散乱性反射面として好適な散乱特性が得られにくく、また、その再現性も低いという問題がある。
【０００５】
このような事情に鑑みて、基板上に所定形状の凹凸面を有する型を押し付けて、前記型の凹凸面を転写し、その上に反射膜を形成する製造方法が考案されている（例えば、特許文献１及び２参照）。
【０００６】
特許文献１には、基板上に感光性絶縁層を塗布し、この感光性絶縁層に凹凸面を有する型を押し付けた状態で光線を照射して硬化させることにより凹凸表面を備えた絶縁層を形成し、その後、この絶縁層の凹凸表面上に反射膜を形成する方法が記載されている。
【０００７】
また、特許文献２には、反射画素電極を形成する部分に所定の凹凸を有する凹凸表面部を、型を用いた転写により形成し、他の部分に平坦表面部を形成し、凹凸表面部上には反射膜を成膜し、平坦表面部には能動素子及び配線を形成する方法が記載されている。
【特許文献１】特開平１０−２３２３０３号公報
【特許文献２】特開２００２−２３１８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の方法では、基板上に塗布された感光性絶縁層や基板自体に型を用いて凹凸形状を転写する場合、下層構造が何ら存在しないため、基板の外縁（基板の端面）を基準として型を位置決めする必要があるが、このような位置決め方法では型の位置ずれが生じやすい。このため、転写された凹凸形状面と、その上に形成される配線、電極、素子構造などとの位置関係の整合性を確保することが難しいという問題点がある。
【０００９】
特に、表示エリアから外れた周縁の非表示エリアにも凹凸形状を転写して散乱性反射面を形成すると、非表示エリアが明るくなって外観上白く浮き上がったように見える場合があることから、これを防止するために非表示エリアに対応する領域には平坦面を形成することが考えられるが、上記のように転写された凹凸表面部が表示エリアに対してずれることにより、平坦であるべき非表示エリアの一部に凹凸形状が転写されてしまったり、散乱性反射面（表面凹凸形状）を有するべき表示エリアの一部が平坦に形成されてしまったりする恐れがあり、これにより表示画面の外観に大きな影響を及ぼす可能性がある。
【００１０】
また、上記の特許文献１の製法では、型を押し付けた状態で未硬化の感光性絶縁層を光硬化させるようにしているが、この方法では絶縁層のパターニングが困難である。したがって、特に、能動素子を有する複雑な基板構造を必要とするアクティブマトリクス型の液晶表示装置には採用しにくいという問題点がある。
【００１１】
さらに、上記の特許文献２の製法では、基板の表面において部分的に凹凸表面部を形成し、凹凸が形成されていない平坦表面部上に能動素子を形成しているので、凹凸表面部を形成してなる基板をパターニングする必要はないが、上記のような型の位置ずれが生ずると、平坦表面部であるべき領域の一部に凹凸形状が転写され、これがその上に形成される能動素子の構造に影響を与え、素子の不良を招く恐れがある。
【００１２】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、型による凹凸形状の転写によって形成された表面凹凸形状の上に散乱性反射面を形成する電気光学装置の製造方法において、表面凹凸形状の位置ずれを低減可能で、しかも、製造工程の複雑化を招来しない製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために本発明の電気光学装置の製造方法は、一対の基板が電気光学層を介して対向配置され、前記一対の基板の一方の基板上に反射層を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記一方の基板上にパターニングされた絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記一方の基板上に形成された構造パターンを用いて位置決めした型を前記絶縁層に押し付けて前記絶縁層の表面に凹凸形状を転写して形成する凹凸形成工程と、前記反射層を前記絶縁層上に前記凹凸形状を反映した散乱性反射面が得られるように形成する反射層形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、パターニングされた絶縁層を形成した後に、この絶縁層に対して凹凸形状を転写するようにしているため、要求される基板構造に応じて絶縁層のパターニングを容易に行うことができるとともに、基板上に形成された構造パターンを用いて型を位置決めすることにより、転写された凹凸形状の位置精度を高めることができる。したがって、基板構造の精度向上と、製造工程の容易化とを両立することができる。
【００１５】
本発明において、前記構造パターンは、前記絶縁層形成工程においてパターニングされた前記絶縁層の形状パターン若しくは前記絶縁層と同素材で同時にパターニングされたアライメントマークであることが好ましい。これによれば、絶縁層形成工程において絶縁層をパターニングするだけで、凹凸転写工程における型の位置決めの基準となる絶縁層の形状パターンやアライメントマークが構成されることになるので、製造工程を何ら複雑化することなく、表面凹凸形状の転写精度を高めることができる。
【００１６】
本発明において、前記一方の基板上に能動素子を形成する素子形成工程を有し、前記構造パターンは、前記能動素子の形成パターン若しくはこれと同素材で同時にパターニングされたアライメントマークであることが好ましい。これによれば、能動素子の形状パターンやこれに整合するアライメントマークを用いて型の位置決めを行うので、転写された凹凸形状の位置精度を高めることができる。
【００１７】
ここで、上記の素子形成工程は絶縁層形成工程の前後いずれにおいて実施されても構わないが、絶縁層形成工程において絶縁層がパターニングされるので、絶縁層にコンタクトホールなどを容易に形成することができることから、素子形成工程の後に絶縁層形成工程を実施することがより好ましい。この場合には、能動素子が絶縁層の下層に構成されることになるので、能動素子の上部に反射層の散乱性反射面を配置することも可能になり、能動素子に併設される保持容量の上方にも散乱性反射面を形成することも可能になるため、実質的な開口率を増大させ、明るい反射表示を実現することが可能になる。また、素子形成工程を絶縁層形成工程の前に行うことで、素子形成工程で形成されてなる素子構造やアライメントマークを絶縁層のパターニング時にも用いることが可能になる。
【００１８】
本発明において、前記構造パターンは、前記型を前記一方の基板上に平面的に重ねたときに、前記型の平面的占有範囲を外れた位置に配置されることが好ましい。これによれば、型の位置決めを行う基準となる構造パターンが型の平面的占有範囲を外れた位置に配置されているため、型の位置決めを容易に行うことができる。また、上記のように構成することで、構造パターンは凹凸形状の転写時において型により押圧されることがなくなるので、その後の工程、例えば、後述する反射層形成工程においても位置決めの基準として支障なく用いることができる。
【００１９】
本発明において、前記型には、前記構造パターンを前記型の平面的占有範囲を外れた位置に配置させるための切り欠き部若しくは開口部が設けられていることが好ましい。このように型に切り欠き部若しくは開口部を設け、この切り欠き部や開口部を通して型越しに上記構造パターンを視認できるように構成することができる。また、このようにすると、構造パターンを避けるための型形状に関する制約がより低減されるため、より広く、より自由な範囲において凹凸形状を転写可能に構成することができる。
【００２０】
本発明において、前記反射層形成工程では、前記構造パターンを用いた位置決めにより前記反射層を形成することが好ましい。型の位置決めに用いる上記構造パターンを用いて反射層を位置決めすることで、絶縁層に転写された表面凹凸形状と、反射層のパターンとの整合性をより高めることができる。
【００２１】
本発明において、前記絶縁層形成工程は、感光性樹脂を前記一方の基板上に配置する段階と、前記感光性樹脂の露光及び現像処理によってパターニングする段階とを有することが好ましい。これによってパターニングされた絶縁層をきわめて容易に形成することができる。特に、本発明では、絶縁層への凹凸形状の転写前に絶縁層をパターニングする点にも特徴があるので、絶縁層形成工程を容易に行うことができることはきわめて効果的である。
【００２２】
本発明において、前記一方の基板上に能動素子を形成する素子形成工程と、前記能動素子に導電接続された電極を形成する工程とを有し、前記絶縁層形成工程では、前記絶縁層に前記能動素子と前記電極とを導電接続するための開口が設けられることが好ましい。これによれば、基板上に形成した能動素子の上に絶縁層が形成され、この絶縁層の上に電極が構成され、絶縁層の開口を通して能動素子と電極とが導電接続された構造を実現することができる。したがって、能動素子の上方に電極や反射層を重ねるように構成することが可能になるので、実質的な開口率を向上させることが可能になる。この場合、上記電極は上記反射層によって構成されていてもよく、上記反射層とは別の素材、例えば透明導電体によって構成されていてもよい。
【００２３】
本発明において、前記絶縁層形成工程は、感光性樹脂を塗布する段階と、該感光性樹脂を露光する段階と、前記感光性樹脂を現像して前記開口を形成する段階とを順次有することが好ましい。これによれば、開口を備えた絶縁層を通常のフォトリソグラフィ技術によってきわめて容易に形成できる。この場合に、上記凹凸転写工程の後に感光性樹脂に加熱処理を施して硬化させることが望ましい。これによって、凹凸転写工程では感光性樹脂が或る程度の塑性変形可能な状態で処理されるようにして転写性を確保することができるとともに、凹凸転写後には上記の加熱処理を施すことによって絶縁層に適度な硬度を付与することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。以下に説明する各実施形態は、いずれも液晶表示装置として構成される例を示してあるが、本発明は液晶表示装置に限らず、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【００２５】
最初に、本発明の複数の実施形態の概要について説明し、その後、各実施形態において採用可能な具体的な態様である複数の実施例について説明する。
【００２６】
［第１実施形態］
最初に、図１を参照して本発明に係る第１実施形態の概要について説明する。図１は、この第１実施形態の液晶表示装置の製造方法の概要を示す概略工程図である。
【００２７】
この第１実施形態では、最初に、図１（ａ−１）の平面図及び（ａ−２）の側面図に示すように、ガラスやプラスチックなどで構成されるマザー基板１の表面上に、パターニングされた絶縁層２を形成する（絶縁層形成工程）。この絶縁層２としては、アクリル系樹脂などの合成樹脂、無機酸化物などの各種の無機物などで構成された種々の絶縁素材を用いることができる。例えば、後に詳述するように、感光性樹脂をマザー基板１の表面上に塗布し、その後、上記感光性樹脂の露光特性に合致した光源を用いて露光処理を施し、その後、現像処理を行うことによって図示の平面形状を備えた絶縁層２を形成できる。図示例では、マザー基板１上において複数の絶縁層２が平面的に（縦横に）配列されている。各絶縁層２は、それぞれが最終的に電気光学装置の一部となる装置予定領域に配置されている。
【００２８】
このとき、絶縁層２とともに、すなわち絶縁層２と同素材で同時に、マザー基板１の周縁部（図示例では矩形のマザー基板１の角部）に複数のアライメントマーク３が形成される。ここで、絶縁層２及びアライメントマーク３は、マザー基板１自体（例えば基板端面位置）を基準として、或いは、絶縁層２を形成する前に既に他の構造パターン（アライメントマークも含む。）がマザー基板１上に形成されている場合にはその構造パターンを基準として、パターニング処理が施されることによって形成される。
【００２９】
次に、図１（ｂ−１）の平面図及び（ｂ−２）の側面図に示すように、マザー基板１の上方に型４を配置し、上記のアライメントマーク３を用いてマザー基板１と型４の平面方向に関する相対的な位置決めを行う。ここで、型４には、絶縁層２の表面に転写すべき凹凸形状を有する型面４ａが形成されている。この型面４ａは、図示例では上記の個々の絶縁層２の平面形状に対応して平面的に複数配列されている。この型４の位置決めは、例えば、図示例に示すようにマザー基板１を可動テーブル５（例えば、ＸＹθテーブル）の上に配置し、型４の背後から上記アライメントマーク３を観察しながら、このアライメントマーク３が型４に対して所定位置にくるように可動テーブル５を移動調整することによって行う。
【００３０】
このとき、マザー基板１に対して型４が正規の平面的位置に配置された場合に、マザー基板１上のアライメントマーク３が型４の平面的占有範囲を外れた位置に配置されるように構成されている。具体的には、矩形の平面形状を有する型４の角部に切り欠き部４ｂが形成され、この切り欠き部４ｂを通してアライメントマーク３が型４の背後から視認できるようになっている。
【００３１】
上記の位置決め（アライメント）は種々の方法で実施できる。例えば、型４の背後（上方）に設置された撮像手段により得られた、アライメントマーク３及び型４の画像を見ながら、両者を整合させるように手動で可動テーブル５の位置を調整してもよく、或いは、上記画像を適宜の処理手段（マイクロプロセッサなど）によって画像処理し、その結果に応じて自動的に可動テーブル５の位置調整を行ってもよい。
【００３２】
図１（ｃ）に示すように、上記型４に設けられた型面４ａには微細な凹凸形状が形成され、型４を絶縁層２に押し付けることで、また、必要に応じて同時に絶縁層２を加熱することで、上記の凹凸形状が図示２点鎖線で示すように絶縁層２に転写され、絶縁層２に表面凹凸形状２ａが形成される（凹凸転写工程）。なお、図１（ｃ）は実際の凹凸形状を型面４ａや絶縁層２の平面方向の寸法に比して大幅に拡大して示してある。実際には、絶縁層２は、最終的に形成されるべき液晶表示装置の液晶封入領域のほぼ全体に亘って形成される一方、絶縁層２の表面に転写される凹凸形状は、その上に形成される反射層に散乱性反射面を構成するように構成されたきわめて微細なものである。例えば、上記凹凸形状の周期は通常５〜３０μｍ程度である。また、絶縁層２の厚さもその平面方向の寸法に較べて大幅に誇張して描いてある。例えば、絶縁層２の厚さは通常１〜５μｍ程度である。
【００３３】
この実施形態では、絶縁層２をパターニングしたときにアライメントマーク３を形成し、このアライメントマーク３を用いて型４の位置決めを行うようにしているので、型４による転写精度を向上させることができ、絶縁層２の平面パターンに整合した範囲に表面凹凸形状２ａを形成できる。ここで、型４の位置決めを、アライメントマーク３を用いるのではなく、絶縁層２の平面パターンそのものを基準として行ってもよい。この場合には、当然のことながらアライメントマーク３を形成する必要はない。このとき、マザー基板１上に形成された複数の絶縁層２のうち、最も外側に配置された絶縁層２の外縁部を基準とすることが望ましい。例えば、図１（ａ−１）に示すように、矩形のマザー基板１の角部に最も近い絶縁層２におけるマザー基板１の角部に最も近い角部２ｘを基準として型４を位置決めすることが位置決めを容易に行うことができるようにする上で望ましい。
【００３４】
上記角部２ｘのように絶縁層２の形成範囲内に型４を位置決めする際の基準となる構造パターンが存在する場合には、型４に開口部（貫通孔）を設けることによって当該構造パターンを型４の平面的占有範囲から外れるように構成できる。また、その構造パターンを型４の平面的占有範囲から外れた領域に形成することができない場合には、型４を、少なくとも部分的に透明素材などで構成することが好ましい。
【００３５】
型４は、図示例では、マザー基板１上の全ての絶縁層２に対して一度に凹凸形状を転写できるように構成されているが、マザー基板１上の全ての絶縁層２に対して、１つ又は複数の絶縁層２に対応する型を複数回繰り返し用いて転写するようにしてもよい。また、図示のような平板状の型ではなく、円盤状や円柱状に構成され、その外周面上に複数の型面が設けられてなる型を用いて、当該型を軸線周りに回転させながら移動させ、順次異なる絶縁層２に異なる型面により凹凸形状を転写していくように構成してもよい。
【００３６】
本実施形態では、上記のように凹凸形状が転写された表面を有する絶縁層２の上に金属膜などで構成される反射層を形成する。この反射層は、絶縁層２の表面凹凸形状を反映した散乱性反射面を備えたものとなる。ここで、反射層をパターニングする際に上記のアライメントマーク３や角部２ｂなどの構造パターンを用いることが好ましい。これによって、反射層を絶縁層２に対して高精度に整合させて形成することができる。なお、基板上においてなされる反射層形成工程の後の工程については後に詳述する。
【００３７】
その後、マザー基板１上に形成すべき全ての表面構造（例えば、後述する透明電極や配向膜など）が形成されると、このマザー基板１には、別途後述するように構成された対向基板が図示しないシール材を介して貼りあわされる。このとき、この対向基板は、上記マザー基板１と同様に複数の装置分に相当するように構成されたマザー基板であってもよく、或いは、個々の装置に対応する個別の対向基板であってもよい。いずれにしても、その後、基板間に液晶が注入され、最終的にマザー基板１は上記絶縁層２の形成された装置予定領域毎に分割され、個々の液晶表示装置が形成される。
【００３８】
本実施形態では、絶縁層２に転写される表面凹凸形状を高精度に位置決めすることができるので、表面凹凸形状の位置ずれに起因して、液晶表示装置の非表示エリアの一部に散乱性反射面が形成されることにより、当該非表示エリアの一部が白く浮き上がって見えるといったことを防止できる。また、これとは逆に表示エリアの一部に平坦な反射面が形成されることにより、当該表示エリアの一部の輝度が低下するといったことも防止できる。
【００３９】
また、絶縁層２をパターニングした後に、型４による凹凸形状の転写を行うので、絶縁層２のパターニングが容易になり、製造工程を複雑化する必要もなくなる。したがって、後述するように、絶縁層２にコンタクトホールとして用いられる開口を形成したり、透過領域に対応する開口を形成したりすることが容易であるため、能動素子を備えた比較的複雑な基板構造を有する電気光学装置（液晶表示装置）であっても、製造工程の簡略化や製造コストの抑制を図ることができる。
【００４０】
［第２実施形態］
次に、図２を参照して本発明に係る第２実施形態の概要について説明する。図２は、第２実施形態の製造工程の概略を示す概略工程説明図である。
【００４１】
この実施形態では、図２（ａ−１）の平面図及び（ａ−２）の側面図に示すように、第１実施形態と同様のマザーガラス１上に能動素子（後述するＴＦＴやＴＦＤなど）及び配線からなる素子構造６が形成される（素子形成工程）。この素子構造６の形成は、能動素子、配線、層間絶縁膜などの構造に応じて複数の工程により行われる。この素子構造６を形成する過程におけるいずれかの構成部分を形成する工程において、当該構成部分とともにアライメントマーク７が同時に同材質にて形成される。
【００４２】
次に、図２（ｂ−１）の平面図及び（ｂ−２）の側面図に示すように、素子構造６の上にパターニングされた絶縁層２が形成される（絶縁層形成工程）。この絶縁層２は、上記第１実施形態で説明したものと同様のものである。この工程では、絶縁層２のパターニングにおいて、上記素子構造６の導電接続部を露出するようにコンタクトホールとなる開口を形成することが好ましい。
【００４３】
この絶縁層２のパターニングは、上記アライメントマーク７を基準として行われることが望ましい。このとき、上記の素子形成工程においてアライメントマーク７を用いる代わりに、素子構造６の少なくとも一部６ｘを基準として絶縁層２のパターニングを行うようにしてもよい。この場合にはアライメントマーク７を形成する必要はない。
【００４４】
次に、第１実施形態と同様に、型４を用いて凹凸形状を絶縁層２の表面に転写する（凹凸転写工程）。この工程では、上記アライメントマーク７や素子構造６の一部６ｘを基準として型４の位置決めを行う。これによって、絶縁層２の表面に転写された表面凹凸形状を、素子構造６や絶縁層２の形成パターンに対して高い精度で整合したものとすることができる。ここで、型４の型面４ａや切り欠き４ｂなどの点については第１実施形態と同様である。
【００４５】
その後、第１実施形態と同様に、絶縁層２の表面凹凸形状の上に反射層が形成される。この反射層の形成もまた、上記アライメントマーク７や素子構造６の一部６ｘを基準として行われることが好ましい。また、この反射層とは別に透明電極などを絶縁層２上に形成してもよい。このとき、反射層或いは透明電極の一部を上記絶縁層２に形成された開口を通して能動素子の導電接続部に導電接続させる。この点については後に詳述する。また、その後の工程については上記第１実施形態と同様であるので、それらの説明は省略する。
【００４６】
本実施形態では、絶縁層２の下層に別の構造パターン（素子構造６又はアライメントマーク７）が予め形成されるので、この構造パターンを基準として絶縁層２及び型４を位置決めするようにしている。これによって、第１実施形態と同様に絶縁層２の表面に転写される表面凹凸形状が素子構造６や絶縁層２の平面パターンに対して高い精度で整合するように構成できる。なお、本実施形態の位置決めの基準となる構造パターンは、素子構造６やアライメントマーク７に限らず、基板上に予め形成された他の構造パターン（例えば素子構造６を形成する際の位置基準となるアライメントマークなど）であってもよい。
【００４７】
以上説明した第１実施形態及び第２実施形態においては、マザー基板１を用いて、複数の液晶表示装置の一部となるべき装置予定領域について同時並行して処理を実施しているが、このような多数個取り基板で製造を進めるのではなく、単一の液晶表示装置に対応する基板上に上記工程を実施するようにしても構わない。
【００４８】
次に、上記各実施形態によって形成される液晶表示装置の具体的な構造、及び、上記各実施形態を適用可能な具体的な液晶表示装置の製造方法を示す複数の実施例について説明する。これらの各実施例は、上記の各実施形態のいずれにも適用することが可能なものである。なお、以下に説明する各実施例は、上記の実施形態のようにマザー基板（多数個取り基板）を用いた説明ではなく、単一の液晶表示装置を構成する基板上に処理を施すことを前提として説明するが、同様の構造及び方法を上記の各実施形態に適用することができることは明らかである。
【００４９】
［第１実施例］
図３は、本発明に係る電気光学装置の第１実施例におけるパネル構造の概略構成を示す拡大部分縦断面図である。この実施例は半透過反射型の液晶表示装置１００であり、電気光学物質としての液晶１３０が素子基板１１０と対向基板１２０の間に配置されたものである。素子基板１１０と対向基板１２０は、図示しないシール材を介して間隔を有する状態で接着固定されている。素子基板１１０及び対向基板１２０の外面上には、相互に偏光透過軸が所定の位置関係になるように、偏光板１０１及び１０２が配置されている。
【００５０】
素子基板１１０は、ガラスやプラスチックなどで構成される基板１１１の表面上に能動素子として形成されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）１１２と、基板１１１及びＴＦＴ１１２の上に形成された絶縁層１１３と、絶縁層１１３の上に形成された反射層１１４と、反射層１１４の上に形成された透明電極１１５とを備えている。また、透明電極１１５上には斜方蒸着膜やポリイミド樹脂などで構成される配向膜１１６が形成される。
【００５１】
ＴＦＴ１１２は、走査線に導電接続されたゲート１１２ａと、このゲート１１２ａ上においてＳｉＯ２などで形成された絶縁薄膜１１２ｂと、絶縁薄膜１１２ｂを介してゲート１１２ａに対向配置されるアモルファスシリコン等で構成される半導体層１１２ｃと、データ線及び半導体層１１２ｃに導電接続されるソース電極１１２ｄと、半導体層１１２ｃに導電接続されたドレイン電極１１２ｅとを有する。
【００５２】
ＴＦＴ１１２の上に形成された絶縁層１１３はアクリル系樹脂、シリコン樹脂などの樹脂素材、酸化シリコン、窒化シリコン、シリケートガラスなどの無機素材などで構成することができる。この絶縁層１１３は開口１１３ａを有している。上記ドレイン電極１１２ｅは、この開口１１３ａを介して上記反射層１１４及び透明電極１１５に導電接続されている。
【００５３】
絶縁層１１３の表面は微細な凹凸形状を有している。この絶縁層１１３の表面凹凸形状は、後述するように、所定の型によって転写されてなるものである。このように型によって凹凸形状を転写することにより、表面凹凸形状の傾斜角分布、曲面、凹凸深さなどを正確かつ再現性良く得ることができる。
【００５４】
反射層１１４は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金などの金属薄膜で構成される。反射層１１４は上記絶縁層１１３の表面凹凸形状の上に形成され、これによって上記表面凹凸形状を反映した散乱性反射面を備えたものとなっている。反射層１１４は、絶縁層１１３の開口１１３ａを介して上記ＴＦＴ１１２の導電接続部であるドレイン電極１１２ｅに導電接続されている。図示例の場合、独立して光学状態を制御可能な画素Ｇ内に反射領域Ｒと透過領域Ｔとが設けられている。この場合、反射層１１４は反射領域Ｒに形成され、透過領域Ｔには形成されない。
【００５５】
透明電極１１５は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、酸化スズなどの透明導電体で構成される。透明電極１１５は、絶縁層１１３及び反射層１１４上に形成されている。図示例の場合、透明電極１１５は画素Ｇの全領域に形成される。透明電極１１５は、上記反射層１１４に導電接続されることにより、間接的にＴＦＴ１１２の導電接続部（ドレイン電極１１２ｅ）に導電接続されている。
【００５６】
一方、対向基板１２０には、ガラスやプラスチックなどで構成される基板１２１と、基板１２１の内面上に形成された着色フィルタ１２２と、画素間領域に形成された遮光部１２３と、着色フィルタ１２２及び遮光部１２３上に形成された保護膜１２４と、保護膜１２４上に形成された透明電極１２５とが設けられている。着色フィルタ１２２、遮光部１２３及び保護膜１２４はカラーフィルタを構成する。また、透明電極１２５上には斜方蒸着膜やポリイミド樹脂などで構成される配向膜１２６が形成される。
【００５７】
図４（ａ）は、本実施形態の平面構造の例を示す拡大部分平面配置図である。本実施形態において、絶縁層１１３の表面凹凸形状及び反射層１１４の散乱性反射面は、ＴＦＴ１１２が形成されている素子形成領域Ｓ（図３には矢印で、図４（ａ）にはハッチングパターンでその範囲を示してある。）と、この素子形成領域Ｓ以外の表面領域とで異なる態様となっている。すなわち、素子形成領域Ｓでは、絶縁層１１３及び反射層１１４の表面が周囲よりもやや盛り上がるように凸状に構成されている。また、素子形成領域Ｓでは、それ以外の表面領域のように微細な凹凸形状がほとんど形成されていない。また、素子形成領域Ｓにも凹凸形状が構成されていてもよいが、この場合には、素子形成領域Ｓの凹凸形状は、それ以外の表面領域に形成された微細な凹凸形状よりもその底部位置が高くなるように形成される。これは、型によって絶縁層１１３の表面に凹凸形状を転写するときに、後述するように、素子形成領域Ｓに加わる転写圧が周囲の表面領域よりも低くなるように型面を構成した結果である。これによって、ＴＦＴ１１２の損傷や破壊を防止することができる。なお、上記素子形成領域Ｓの表面態様は、少なくともＴＦＴ１１２のスイッチング動作を奏する部分、例えば、半導体層１１２ｃのチャネル領域（半導体層１１２ｃとゲート１１２ａとが平面的に重なる部分）のみに形成されていても構わない。このようにすれば、転写圧の影響を少なくともＴＦＴ１１２のスイッチング動作に影響を与えない程度に抑制できる。
【００５８】
本実施形態の素子基板１２０には、図４に示すように、ＴＦＴ１１２に接続される走査線１１７及びデータ線１１８が形成されている。この場合に、図４（ａ）に示す上記の素子形成領域Ｓだけでなく、図４（ｂ）に示すように走査線１１７及びデータ線１１８が形成された配線形成領域をも含む電界印加構造領域Ｓ′を、上述の素子形成領域Ｓと同様の表面態様にすることもできる。この場合には、上記転写圧による配線不良（断線や配線抵抗の増大など）を防止することも可能になる。
【００５９】
次に、図５及び図６を参照して、上記液晶表示装置１００の製造方法について説明する。図５及び図６は、上記液晶表示装置１００の素子基板１１０の製造工程を示す概略工程断面図である。最初に、図５（ａ）に示すように、基板１１１の内面上にＴＦＴ１１２を形成する（素子形成工程）。ここで、基板１１１とＴＦＴ１１２の間に密着性を向上させるための絶縁膜を形成してもよい。ＴＦＴ１１２の形成は例えば以下のように行われる。まず、図示しない走査線とともにゲート１１２ａを形成し、この上にＳｉＯ２などによって絶縁薄膜１１２を形成し、その後、アモルファスシリコンなどで半導体層１１２ｃを形成し、最後に、図示しないデータ線とともにソース電極１１２ｄ及びドレイン電極１１２ｅを形成する。上記各段階では、成膜手段として、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などが用いられ、成膜後にフォトリソグラフィ法によって適宜にパターニングが施される。
【００６０】
次に、図５（ｂ）に示すように、基板１１１及びＴＦＴ１１２上に、スピンコート法やロールコート法などによってアクリル系樹脂などで構成される未硬化の感光性樹脂１１３Ａが塗布される。この感光性樹脂１１３Ａには、必要に応じて減圧乾燥などによって乾燥され、さらに必要に応じて例えば６０〜１００℃程度で３０分程度のプリベークが施される。その後、感光性樹脂の感光特性に合致した光源を用いて、例えば１５０ｍＪ／ｃｍ２程度の露光処理が所定のマスクを用いて施される。そして、無機アルカリ液などによって現像を行うことにより、図５（ｃ）に示すように開口１１３ａが形成された絶縁層１１３Ｂが形成される（絶縁層形成工程）。
【００６１】
ここで、この絶縁層形成工程における絶縁層１１３に開口１１３ａを形成する段階において、表示エリア以外に配置されている絶縁層１１３を同時に除去することが好ましい。このようにすると、素子基板１１０と対向基板１２０とをシール材を介して張り合わせる場合に、工数を増やすことなくシール部の機械的強度（シール材と基板との密着力）を高めることが可能になる。
【００６２】
次に、図５（ｄ）に示す型１０を絶縁層１１３Ｂに押し付ける（凹凸転写工程）。この型１０は、微細な凹凸表面を有する型面１２ａを備えている。具体的には、型１０は、ベース１１上に所定の表面凹凸形状を備えた上記型面１２ａを備えた型材１２を有する。型材１２は、最終的に得られる散乱性反射面にほぼ対応する表面を備えたマスターから表面凹凸形状を転写することなどによって形成される。型材１２は、合成樹脂や金属などによって構成できる。
【００６３】
型面１２ａには、上記絶縁層１１３Ｂの開口１１３ａに対応する位置に突起部Ｐが形成されている。この突起部Ｐは、型１０を用いた転写時において開口１１３ａがつぶれないように支えるためのものである。すなわち、図６（ａ）に示すように、型１０を絶縁層１１３Ｂに押し付けるときには、突起部Ｐが開口１１３ａの内部に挿入されるので、開口１１３ａの内側面を突起部Ｐが内側から支持する状態となる。したがって、型１０を絶縁層１１３Ｂに押し付けたときに絶縁層１１３Ｂが転写圧を受けることにより、開口１１３ａがつぶれたり、開口１１３ａによる絶縁層１１３の開口範囲が縮小したりすることを防止できる。
【００６４】
ここで、突起部Ｐの突出量（高さ）は、転写時における開口１１３ａの深さよりも小さく構成されている。すなわち、突起部Ｐは、転写時においてその先端が開口部１１３ａによって露出している能動素子（ＴＦＴ１１２）の導電接続部（ドレイン電極１１２ｅ）に接触しないように構成されている。したがって、凹凸転写工程において能動素子の導電接続部が突起部Ｐによって損傷を受けることを防止できる。
【００６５】
再び図５（ｄ）に戻って説明すると、型面１２ａには、反射層１１４に形成されるべき散乱性反射面の表面形状に対応した微細な凹凸形状を有する凹凸表面部Ｘと、この凹凸表面部Ｘよりもやや凹状に窪んだ回避表面部Ｙとが設けられている。そして、凹凸表面部Ｘには微細な凹凸形状が例えばランダムに２次元的に配列されている。そして、凹凸表面部Ｘの表面態様と、回避表面部Ｙの表面態様とは異なるものとなっている。この回避表面部Ｙは、上記実施形態の素子形成領域Ｓ又は電界印加構造領域Ｓ′に対応して（すなわち、転写時において位置及び範囲が一致するように）設けられている。回避表面部Ｙは、全体的に凹状に構成されていてもよく、また、微細な凹凸形状を有するけれども、当該凹凸形状の頂点の高さ若しくは凹凸形状の平均高さが周囲の凹凸形状の頂点の高さ若しくは凹凸形状の平均高さよりも低くなるように構成されていてもよい。
【００６６】
回避表面部Ｙは、上記突起部Ｐが形成されている場合には、この突起部Ｐ以外の部分において上述のように構成される。これは、回避表面部Ｙ内に突起部Ｐが配置される場合でも、突起部Ｐは絶縁層１１３の開口１１３ａに対応する位置に設けられているため、突起部Ｐによって絶縁層１１３に転写圧が加わることはないからである。
【００６７】
図６（ａ）に示す凹凸転写工程では、回避表面部Ｙが周囲の凹凸表面部Ｘよりも低くなっているため、この回避表面部Ｙに対応する素子形成領域Ｓに加わる転写圧は、周囲の領域に加わる転写圧に較べて低くなる。このため、能動素子（ＴＦＴ１１２）に加わる圧力が低減されることから、能動素子の損傷その他の不良の発生を抑制できる。また、回避表面部Ｙが電界印加構造領域Ｓ′に対応するように設けられている場合には、能動素子だけでなく、配線（走査線やデータ線）の不良の発生をも低減することができる。
【００６８】
次に、上記型１０を絶縁層１１３Ｂから引き離す。なお、このときの離型性を向上させるために、上記型１０の型面１２ａにコーティング層を予め形成しておいてもよく、また、型面１２ａと絶縁層１１３Ｂとの間に適宜の離型剤を介在させて上記の凹凸転写工程を実施してもよい。このようにして型１０を引き離すと、上述のように型面１２ａの面形状が転写され、絶縁層の表面に凹凸形状が形成される。その後、必要に応じて、絶縁層１１３Ｂを焼成（ポストベーク）し、最終的に所望の硬度を有する絶縁層１１３を図６（ｂ）に示すように形成する。この焼成段階では、例えば、２００〜２５０℃で３０分程度の加熱処理（好ましくは上記プリベークよりも高温の処理）が施される。
【００６９】
次に、絶縁層１１３の上に、図６（ｂ）に示すように反射層１１４を形成する。反射層１１４は、蒸着法やスパッタリング法などの成膜方法によって形成される。本実施形態では、反射層１１４は画素Ｇ毎に分離されたパターンとなるように構成される。より具体的には、反射層１１４は、画素Ｇ内の反射領域Ｒ内にのみ形成され、透過領域Ｔには形成されない。このような反射層１１４のパターンは、適宜のエッチング処理（例えば湿式エッチング）を施すことによって形成される。
【００７０】
次に、図６（ｃ）に示すように、絶縁層１１３及び反射層１１４の上にＩＴＯなどの透明導電体で構成される透明電極１１５を形成する。この透明電極１１５は、スパッタリング法によって成膜することができる。この透明電極１１５は、画素Ｇ毎に相互に分離したパターンにて形成される。透明電極１１５は、画素Ｇのほぼ全面に（すなわち、反射領域Ｒと透過領域Ｔのいずれにも）形成される。
【００７１】
なお、上記反射層１１４と透明電極１１５との間には、他の金属膜が介在していても構わない。また、透明電極１１５は反射層１１４の全面上に形成されている必要はなく、電気光学物質（液晶１３０）の駆動に支障がない程度に反射層１１４に対して導電接続されていればよい。
【００７２】
［第２実施例］
図７は、第２実施例の液晶表示装置２００の概略構造を示す概略構成断面図（ａ）及び素子基板２１０の平面構造を示す概略平面配置図（ｂ）である。この第２実施例は、上記第１実施例の能動素子であるＴＦＴ１１２の代わりに異なる構造のＴＦＴ２１２を有する。この液晶表示装置２００においては、素子基板２１０において、上記第１実施例と同様の基板２１１、絶縁層２１３、反射層２１４、透明電極２１５、配向膜２１６を備えている。また、対向基板２２０において、上記第１実施形態と同様の基板２２１、透明電極２２３及び配向膜２２４を備えている。さらに、素子基板２１０及び対向基板２２０の外面上にはそれぞれ第１実施形態と同様の偏光板２０１，２０２が配置されている。
【００７３】
ここで、基板２２１の内面上には、上記ＴＦＴ２１２の形成領域及び画素間領域を覆う遮光膜２２２が形成されている。また、ＴＦＴ２１２は、基板２１１の上に形成された絶縁膜２１１Ｘの上に形成されている。絶縁膜２１１ＸはＴＦＴ２１２の基板２１１に対する密着性を向上させ、半導体層２１２ｃへの不純物の拡散を防止するための下地層である。
【００７４】
この液晶表示装置２００のＴＦＴ２１２には、走査線２１７に導電接続されたゲート２１２ａと、その下にＳｉＯ２などで形成された絶縁薄膜２１２ｂと、ゲート２１２ａに対して絶縁薄膜２１２ｂを介して下層にて対向配置された部分（チャネル領域）を備えたポリシリコンなどで構成された半導体層２１２ｃと、データ線２１８及び半導体層２１２ｃのソース領域に導電接続されたソース電極２１２ｄと、反射層２１４及び透明電極２１５並びに半導体層２１２ｃのドレイン領域に導電接続されたドレイン電極２１２ｅとを備えている。
【００７５】
また、このＴＦＴ２１２に隣接した領域には、半導体層２１２ｃのドレイン領域が延長形成され、このドレイン領域に対して絶縁薄膜１２１ｂ対向配置される容量電極２１２ｆを備えている。この容量電極２１２ｆは、対向する半導体層２１２ｃのドレイン領域とともに保持容量を構成するものであり、容量線２１９の一部で構成される。なお、層間絶縁膜２１２Ｘは、走査線２１７、ゲート２１２ａ及び容量線２１９と、データ線２１８とを厚さ方向に絶縁している。
【００７６】
この液晶表示装置２００では、先に説明した第１実施例と同様に、絶縁層２１３の表面は、素子形成領域Ｓにおいて他の表面領域と異なる表面態様を有している。具体的には、素子形成領域Ｓでは絶縁層２１３の表面は平坦に構成されているのに対して、素子形成領域Ｓ以外の表面領域には第１実施例と同様の表面凹凸形状が形成されている。したがって、素子形成領域Ｓでは、反射層２１４はほぼ平坦な反射面を有するのに対して、それ以外の表面領域では、上記保持容量が形成された範囲をも含め、散乱性反射面が形成されている。なお、本実施例において、第１実施例と同様に、素子形成領域Ｓだけでなく配線形成領域をも含む電界印加構造領域を上記のように平坦に構成してもよい。
【００７７】
上記のような平坦な表面部分を絶縁層２１３に形成するには、型の型面を平坦に構成したり、或いは、凹凸転写工程において型面が絶縁層２１３の表面に接触しないように構成したりすればよい。特に後者の場合には、能動素子や配線に転写圧がほとんど加わらないため、能動素子や配線の不良をさらに低減することができる。
【００７８】
なお、本実施形態において、反射層２１４の反射面が平坦に構成されている領域（素子形成領域Ｓ）は遮光膜２２２によって遮光されているため、その光学特性が表示上問題になることはない。
【００７９】
［第３実施例］
次に、図８及び図９を参照して、本発明に係る第３実施例について説明する。この第３実施例の液晶表示装置は、素子基板３１０の構造についてのみ第１実施例と異なり、他の構成は第１実施例と同様であるので、以下、素子基板３１０についてのみ説明する。
【００８０】
本実施例の素子基板３１０においては、図８（ａ）に示すように、第１実施例と同様に、基板３１１上にＴＦＴ３１２が形成される。ここで、ＴＦＴ３１２の構造及び製造方法は第１実施例と同様であるので省略する。
【００８１】
次に、図８（ｂ）に示すように、第１実施例と同様の方法で開口３１３ｂを備えた感光性樹脂３１３Ｂを形成する。この感光性樹脂３１３Ｂは第１実施例とは異なり、その開口３１３ｂが単なるコンタクトホールではなく、透過領域に対応して形成されている。すなわち、開口３１３ｂは、ＴＦＴ３１２の導電接続部（図示のドレイン電極３１２ｅ）を露出させるように構成するコンタクトホール部だけでなく、透過領域のほぼ全体に亘って形成されている。図示例の開口３１３ｂでは、上記のコンタクトホール部と透過領域に設けられる部分とが一体となるように構成されている。
【００８２】
次に、図８（ｃ）に示すように、第１実施形態と同様の方法で、型３０を用いて絶縁層３１３Ｂの表面に微細な凹凸形状を転写する。この凹凸転写工程において、型３０がベース３１及び型面３２ａを備えた型材３２で構成されている点など、下記に示す相違点以外の点については第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００８３】
本実施形態の型３０では、開口３１３ｂが透過領域にも形成されているため、その形成範囲に合わせて突起部Ｐが広範囲に亘って突出している。突起部Ｐは、図示例のように開口３１３ｂの全体に対応する形状であってもよいが、例えば、開口３１３ｂの開口縁に沿って閉曲線状（外輪山状）に構成されていてもよい。突起部Ｐが型３０による転写時において能動素子の導電接続部に接触しないように構成されていることは第１実施例と同様である。
【００８４】
また、型３０の型面３２ａは、素子形成領域Ｓに対応した部分に回避表面部Ｙが形成されている点でも第１実施例と同様である。この回避表面部Ｙは、素子形成領域Ｓにおける、開口３１３が設けられている範囲に対応する部分（すなわち突起部Ｐが形成されている部分）以外の部分において凹状に構成され、その結果、転写時に能動素子（ＴＦＴ３１２）が受ける転写圧が低減されるように構成されている。このようにして凹凸形状が転写された絶縁層３１３Ｂは第１実施例と同様に焼成されることにより、絶縁層３１３となる。
【００８５】
次に、図９（ａ）に示すように、絶縁層３１３の表面上に第１実施例と同様の透明電極３１４を形成する。この透明電極は、絶縁層３１３の表面上だけでなく、開口３１３ｂの内底部（基板３１１や絶縁薄膜の表面上）にも形成される。
【００８６】
最後に、図９（ｂ）に示すように、透明電極３１４における絶縁層３１３の表面上に形成された部分の表面上に第１実施例と同様の反射層３１５を形成する。この反射層３１５は、開口３１３ｂの内底部には形成されない。このようにして、画素Ｇ内における反射層３１５の形成された領域が反射領域Ｒとなり、反射層３１５の形成されない領域が透過領域Ｔとなる。
【００８７】
本実施例では、透過領域Ｔには絶縁層３１３が形成されていないため、絶縁層３１３を着色材料や遮光材料で構成することができる。また、或る程度透明な絶縁層３１３を用いた場合でも、透過領域３１３の光透過率をより高めることができる点で有利である。また、本実施例では、透過領域Ｔと反射領域Ｒとの間に絶縁層３１３の厚さ分の段差が形成されるので、この段差を利用して液晶層の厚さを透過領域Ｔで厚く、反射領域Ｒで薄くなるように構成できる。このようなマルチギャップ構造を採用すると、透過表示と反射表示の明るさをより高レベルで両立させることが可能になる。
【００８８】
なお、上記実施例では反射層３１５の下層全体に透明電極３１４が形成されているが、反射層３１５は透明電極３１４と導電接続されていればよいので、反射層３１５の下層全体に透明電極３１４が形成されている必要はない。また、第１実施例と同様に、絶縁層３１３上において反射層を先に形成し、その後に透明電極を形成してもよい。逆に、上記の第１実施例において、本実施例と同様に先に透明電極を形成し、その後に反射層を形成してもよい。さらに、上記の第１実施例に記載されている他の事項、例えば、図７に示される構成についても、この第３実施例において同様に採用することができる。
【００８９】
［第４実施例］
次に、図１０及び図１１を参照して、本発明に係る第４実施例の液晶表示装置について説明する。この実施例の液晶表示装置４００は、図１０（ａ）に示すように、ＴＦＤ（Thin film diode）を能動素子とする電気光学装置である。この液晶表示装置４００は、素子基板４１０と対向基板４２０との間に液晶４３０を配置してなるものであり、先に説明した各実施例と同様の偏光板４０１及び４０２を備えている。
【００９０】
素子基板４１０には、基板４１１と、能動素子であるＴＦＤ４１２と、絶縁層４１３と、透明電極４１４と、反射層４１５と、配向膜４１６とを備えている。ここで、ＴＦＤ４１２以外は基本的に先の実施例と同様の素材で構成されている。
【００９１】
一方、対向基板４２０には、基板４２１と、この基板４２１上にストライプ状に形成された複数の透明電極４２２と、透明電極４２２の間に形成された遮光膜４２３と、配向膜４２４とが構成されている。この実施例では、透明電極４２２が図１０（ａ）の紙面と直交する方向に伸びる帯状に構成されている点で先の各実施例とは異なる。
【００９２】
ＴＦＤ４１２はＭＩＭ（Metal Insulator Metal）構造を備えた２端子非線形素子を有する。このＴＦＤ４１２は、基板４１１上に形成された下地層４１１Ｘ上に形成されている。この下地層４１１Ｘは、基板４１１とＴＦＤ４１２との密着性を向上させるものであり、例えば、Ｔａ層を成膜した後に酸化処理を施す方法などで形成されたＴａ２Ｏ５などで構成される。下地層４１１Ｘ上には、図１０（ｘ）及び（ｂ）に示すように、配線４１７に接続された第１電極層４１２ａと、この第１電極層４１２ａに対して絶縁薄膜４１２ｃを介して接合された第２電極層４１２ｂと、この第２電極層４１２ｂに対して絶縁薄膜４１２ｃを介して接合された第３電極層４１２ｄとを有するＴＦＤ４１２が形成される。
【００９３】
ここで、より具体的な製造手順としては、例えば、第２電極層４１２ｂを蒸着法やスパッタリング法などによりＴａなどの金属で成膜し、その表面を陽極酸化法によって酸化することによりＴａ２Ｏ５で構成される上記絶縁薄膜４１２ｃを形成する。そして、この絶縁薄膜４１２ｃで覆われた第２電極層４１２ｂの上に、Ｃｒなどの金属を蒸着法やスパッタリング法で成膜し、上記第１電極層４１２ａ及び第３電極層４１２ｄを形成する。
【００９４】
上記のＴＦＤ４１２は、絶縁薄膜４１２ｃを介して異種金属が接合されてなるＭＩＭ構造をそれぞれ有する一対の２端子非線形素子が直列に接続されてなるものである。このように異種金属の接合構造を対称に構成することにより、公知のようにＴＦＤ４１２の非線形特性における電位極性に関する対称性を得ることができる。
【００９５】
次に、図１０（ｙ）及び（ｃ）に示すように、先の実施形態と同様に感光性樹脂の塗布、必要に応じてプリベーク、露光・現像による開口４１３ａの形成を順次行うことにより、開口４１３ａを備えた絶縁層４１３を形成する。ここで、本実施例では、開口４１３ａは、能動素子（ＴＦＤ４１２）の導電接続部（第３電極層４１２ｄ）が露出するように形成される。ただし、開口４１３ａは、上記導電接続部を露出させるだけでなく、透過領域となるべき領域も含むように構成される。さらに、開口４１３ａは、能動素子（ＴＦＤ４１２）のスイッチング機能を奏する部分（ＭＩＭ構造部分）をも露出させるように構成される。特に、本実施例では、上記導電接続部を露出させる部分、透過領域、及び、能動素子のスイッチング機能を奏する部分が全て一体に構成されるように開口４１３ａが形成される。
【００９６】
次に、図１１（ａ）に示すように、型４０を用いて絶縁層４１３の表面に微細な凹凸形状を転写する。この凹凸転写工程における転写方法は先の各実施例と同様である。また、ベース４１及び型面４２ａを備えた型材４２を有する型４０についても先に説明した第３実施例とほぼ同様である。ここで、型面４２ａにおける開口４１３ａに対応する部分に突起部Ｐが形成されている。これによって、型４０を適用したとき、突起部Ｐが開口４１３ａの開口縁を内側から支持した状態となる。また、本実施形態では、突起部Ｐの一部に素子形成領域を避けるための凹部Ｑが設けられている。このようにして、突起部Ｐは、転写時において能動素子や開口４１３ａの内底面に先端が接触しないように構成されている。
【００９７】
次に、図１１（ｘ）及び（ｂ）に示すように、第３電極層４１２ｄに一部重なるようにして上記各実施例と同様の透明電極４１４を形成する。ここで、透明電極４１４は開口４１３ａの内底部から絶縁層４１３の表面上まで画素のほぼ全体に亘って形成される。
【００９８】
さらに、図１１（ｙ）及び（ｃ）に示すように、透明電極４１４上に反射層４１５を形成する。ここで、反射層４１５は、絶縁層４１３の表面上にのみ形成され、開口４１３ａの内底部上には形成されない。すなわち、絶縁層４１３が形成されている部分は反射層４１５が形成された反射領域となり、絶縁層４１３が形成されていない部分は反射層４１５が形成されないので透過領域となる。
【００９９】
本実施例では、絶縁層４１３の開口４１３ａは、能動素子（ＴＦＤ４１２）のスイッチング機能を奏する部分（ＭＩＭ構造部分）をも露出させるように形成されるため、その後の凹凸転写工程においてスイッチング機能を奏する部分が転写圧を受けることはない。したがって、能動素子の損傷を防止することができる。
【０１００】
なお、上記実施例では、反射層４１５の下層全体に透明電極４１４が形成されているが、反射層４１５が透明電極４１４と導電接続されていれば、反射層４１５の下層全体に透明電極４１４が形成されている必要はない。また、第１実施例と同様に、絶縁層４１３上において反射層を先に形成し、その後に透明電極を形成してもよい。
【０１０１】
さらに、第１実施例乃至第３実施例に記載されている能動素子としてＴＦＴを用いる（図７に示される構成も含む。）素子基板においても、この第４実施例と同様の開口（すなわち素子形成領域をも露出させる開口）を有する絶縁層を採用することができる。
【０１０２】
尚、本発明の電気光学装置の製造方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記各実施例では、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィ法によって開口を備えた絶縁層を形成しているが、本発明はこのような絶縁層に限定されるものではなく、樹脂素材だけでなく無機酸化物など種々の絶縁素材で構成された絶縁層を用いることができ、また、絶縁層に開口を設ける方法についても、エッチング法、レーザ穿孔法、スクリーン印刷法などの種々の方法を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】第１実施形態の製造方法の概要を示す、工程平面図（ａ−１）及び（ｂ−１）、工程側面図（ａ−２）及び（ｂ−２）並びに凹凸形状の転写時の拡大断面図（ｃ）。
【図２】第２実施形態の製造方法の概要を示す、工程平面図（ａ−１）及び（ｂ−１）並びに工程側面図（ａ−２）及び（ｂ−２）。
【図３】第１実施例の液晶表示装置の構造を拡大して模式的に示す拡大部分断面図。
【図４】第１実施例の一部を拡大して示す拡大部分平面配置図（ａ）及び（ｂ）。
【図５】第１実施例の素子基板の製造工程を示す工程断面図（ａ）−（ｄ）。
【図６】第１実施例の素子基板の製造工程を示す工程断面図（ａ）−（ｃ）。
【図７】第２実施例の液晶表示装置を示す拡大部分断面図（ａ）及び拡大部分平面配置図（ｂ）。
【図８】第３実施例の素子基板の製造工程を示す工程断面図（ａ）−（ｂ）。
【図９】第３実施例の素子基板の製造工程を示す工程断面図（ａ）及び（ｂ）。
【図１０】第４実施例の概略構成図（ａ）、素子基板の製造工程を示す工程断面図（ｂ）及び（ｃ）、並びに、工程平面図（ｘ）及び（ｙ）。
【図１１】第４実施例の素子基板の製造工程を示す工程断面図（ａ）−（ｃ）及び工程平面図（ｘ）及び（ｙ）。
【符号の説明】
【０１０４】
１…マザー基板、２…絶縁層、２ａ…表面凹凸形状、３…アライメントマーク、４…型、４ａ…型面、６…素子構造、７…アライメントマーク、１００…液晶表示装置、１０１，１０２…偏光板、１１０…素子基板、１１１…基板、１１２…ＴＦＴ、１１３…絶縁層、１１３ａ…開口、１１４…反射層、１１５…透明電極、１１６…配向膜、１１７…走査線、１１８…データ線、１２０…対向基板、１２１…基板、１２２…着色フィルタ、１２３…遮光部、１２４…保護膜、１２５…透明電極、１２６…配向膜、１３０…液晶、１０…型、１１…ベース、１２…型材、１２ａ…型面、Ｘ…凹凸表面部、Ｙ…回避表面部、Ｐ…突起部、Ｇ…画素、Ｒ…反射領域、Ｔ…透過領域、Ｓ…素子形成領域、Ｓ′…電界印加構造領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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