(57)【要約】【課題】  不要輻射を十分に低減させることができ、しかも同時に、発振効率の低下を防止できるマグネトロンを得る。【解決手段】  マグネトロン４１は、磁極片４５の平坦部４５ｂの半径Ｒｐ、大径均圧環５１の内周の半径Ｒｓ２として、Ｒｐ≧Ｒｓ２の条件下において、小径均圧環の外周の半径Ｒｓ１、陽極ベインの先端に内接する円周の半径Ｒａ、１対の磁極片間の軸方向最小寸法Ｌｇとしたとき、次式（１）及び（２）が成立するように、  １．８５Ｒａ≦（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２≦１．９６Ｒａ        （１）  ２．８４Ｒａ≦Ｌｇ≦３．０Ｒａ        （２）各Ｒａ，Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｌｇを設定する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極筒体と、前記陽極筒体の内壁面に中心軸に向かって突設された複数枚の陽極ベインと、前記陽極ベインを１枚おきに電気的に接続する大径均圧環及び小径均圧環と、前記陽極筒体の軸方向の両開口端に配設される漏斗状の一対の磁極片と、を備え、
前記磁極片の、前記陽極ベインの上下端縁に近接する平坦部の半径Ｒｐが前記大径均圧環の内周の半径Ｒｓ２よりも同等以上の寸法に設定されたマグネトロンにおいて、
前記小径均圧環の外周の半径Ｒｓ１、前記大径均圧環の内周の半径Ｒｓ２、前記陽極ベインの先端に内接する円周の半径Ｒａ、前記磁極片間の軸方向最小寸法Ｌｇであるとき、次式（１）及び（２）が成立するように、
１．８５Ｒａ≦（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２≦１．９６Ｒａ        （１）
２．８４Ｒａ≦Ｌｇ≦３．０Ｒａ        （２）
各Ｒａ，Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｌｇを設定したことを特徴とするマグネトロン。
【請求項２】
各陽極ベインの軸方向寸法は前記半径Ｒａの約２倍以上に設定され、且つ上下エンドハット外周部間軸方向寸法がＬｋであるとき、次式が成立するように、
２．３Ｒａ≦Ｌｋ≦２．４Ｒａ      （３）
Ｌｋを設定したことを特徴とする請求項１に記載のマグネトロン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子レンジ等の高周波加熱機器に用いられるマグネトロンに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図８は、電子レンジ等に組み込まれる従来のマグネトロンの縦断面図を示したものである。また、図９は、図８のマグネトロンの要部を拡大して示した縦断面図である。
図８及び図９において、このマグネトロン１は、中心軸を上下方向に向けた陰極３と、この陰極３を同軸的に包囲する陽極筒体５と、この陽極筒体５の下方の開口端に設けられた入力側磁極片７と、この入力側磁極片７を覆う第１の金属管９に突設された陰極端子導出用ステム３１と、陽極筒体５の上方の開口端に設けられた出力側磁極片１３と、この出力側磁極片１３を覆う第２の金属管１５と、この第２の金属管１５にセラミックスからなる絶縁管１７を介して突設されたマイクロ波放出用アンテナ１９とを有している。
【０００３】
陽極筒体５の内壁面には、陽極筒体５の中心軸に向かって放射状に配列された複数枚（偶数枚）の陽極ベイン２０が接合されている。各陽極ベイン２０の上下の端縁には、均圧環を接合するための環係合凹部２０ａと均圧環を非接触に挿通させるための環挿通凹部２０ｂとが陽極筒体５の半径方向に位置をずらすと共に、上端縁と下端縁とで配置が逆になるように設けられている。
そして、周方向に並んだ陽極ベイン２０相互は、陽極筒体５の中心軸と同心に配置された小径均圧環２２及び大径均圧環２４の２本の均圧環２２，２４の内のいずれか一方が環係合凹部２０ａに接合して、１枚おきに電気的に接続される。
【０００４】
第１の金属管９を包囲するリング状に形成されて入力側磁極片７の外端面上に積み重ねられたフェライト製の第１の環状永久磁石２１は、その一方の磁極が入力側磁極片７に磁気的に結合される。また、第２の金属管１５を包囲するリング状に形成されて出力側磁極片１３の外端面上に積み重ねられたフェライト製の第２の環状永久磁石２３は、その一方の磁極が出力側磁極片１３に磁気的に結合される。
そして、第１及び第２の環状永久磁石２１，２３の他方の磁極同士を磁気的に結合するための枠上継鉄２５は、その下端部に陰極端子導出用ステム３１を挿通させるための通孔２５ａを有している。
【０００５】
陽極筒体５の外周面には、多数の放熱フィン２７が多段に取り付けられており、枠上継鉄２５の下端部外面には、電磁波の装置外漏洩を防ぐための金属製のフィルタケース２９が取り付けられ、枠上継鉄２５の通孔２５ａよりも径の小さい陰極端子導出用ステム３１が第１の金属管９に気密にロウ付けされている。陰極端子導出用ステム３１の内側には陰極端子１１ａが挿通され、陰極端子１１ａが陰極３に電気接続されたリード線１１と電気的に繋がっている。
【０００６】
このフィルタケース２９の側面部には、貫通型のコンデンサ３３が取り付けられており、フィルタケース２９内に位置した陰極端子導出用ステム３１の陰極端子１１ａに、チョークコイル３５の一端が接続されている。チョークコイル３５は、漏洩電磁波阻止用のＬＣフィルタ回路を構成するべく、その他端をコンデンサ３３の貫通電極に接続している。
このように構成されたマグネトロン１では、マイクロ波放出用アンテナ１９側へ漏洩した高調波ノイズを抑制するために、約１／４波長の軸方向長を持つチョークリング３７が、第２の金属管１５に気密にロウ付けされている。
【０００７】
ところで、マグネトロンでは、３０〜１０００ＭＨｚの比較的に低い周波数成分、基本波成分（帯域幅及びサイドバンドレベル）、更に４ＧＨｚ以上の高調波成分のそれぞれについて、不要輻射（ノイズ漏洩）を防止するための規制があり、特に高調波成分である第５高調波に対する規制が厳しい。
しかし、既述したチョークリング３７の装備だけでは、このような不要輻射の規制を確実にクリアするには不十分である。
【０００８】
一般に、基本波のスペクトルが、サイドバンドの少ないきれいな波形になると、ｎ次波（高調波）のスペクトルもきれいな波形となって、不要輻射の低減を図ることができる。なお、基本波のスペクトル上でのサイドバンドの発生には、絞り加工等により漏斗状に形成される磁極片の径小な平坦部の半径Ｒｐ（絞りテーパ部のフィレットを含んだ基部からマグネトロン中心軸までの距離、つまり、平坦部と絞りテーパ部との各仮想延長線上の交点からマグネトロン中心軸までの距離）が大きく関与する。
【０００９】
磁極片７及び１３の平坦部は、陽極筒体５内の作用空間に磁束を集中させるための、各陽極ベイン２０の端面に近接させた平坦領域で、この平坦部の半径Ｒｐを徐々に大きくした時の基本波スペクトルの変化を、図１０の（ａ）〜（ｅ）に示す。
【００１０】
なお、図１０では、小径均圧環２２の外周の半径寸法をＲｓ１、大径均圧環２４の内周の半径寸法をＲｓ２とし、上下磁極片間の軸方向最小寸法Ｌｇが陽極ベイン２０の先端に内接する円周の半径Ｒａの２．８倍とした時、各均圧環２２，２４の半径Ｒｓ１，Ｒｓ２を基準に平坦部の半径Ｒｐを増減させて、基本波スペクトルを測定したものを示す。
【００１１】
図１０の（ａ）はＲｐ＜Ｒｓ１の時のもの、（ｂ）はＲｐ＝Ｒｓ１の時のもの、（ｃ）はＲｐ＝（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２の時のもの、（ｄ）はＲｐ＝Ｒｓ２の時のもの、（ｅ）はＲｐ＞Ｒｓ２の時のものである。
【００１２】
これらの図から明らかなように、磁極片の平坦部の半径Ｒｐを大きくすると、それに応じてサイドバンドの発生が低減して、スペクトルがきれいになる傾向を示す。実際、２．４ＧＨｚ付近のノイズレベルを測ると、図１１に示すように、ノイズレベルは、平坦部の半径Ｒｐが小径均圧環２２の外周の半径Ｒｓ１を越えると急激に減衰する。
【００１３】
そこで、従来では、このような傾向に着眼し、一般的に、磁極片の平坦部の半径Ｒｐを、さらに大径均圧環２４の内周の半径Ｒｓ２と同等もしくは大径均圧環２４の内周の半径Ｒｓ２より大きくすることにより、不要波漏洩防止対策が図られている。
また、ノイズ対策として、陽極ベインの軸方向の寸法を磁極片間の軸方向最小寸法（中央平坦部間）の７０パーセント以下に設定することにより、作用空間における磁界強度分布を軸方向に均一化して、所謂ラインノイズを軽減させたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１４】
【特許文献１】特開平６−２２３７２９号公報（第２頁、第３頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで、従来のマグネトロンにあっては、磁極片の平坦部半径Ｒｐを、大径均圧環２４の内周の半径Ｒｓ２と同等もしくは大径均圧環２４の内周の半径Ｒｓ２よりも大きく設定することによって、不要輻射の低減を図ることができた。しかし、このような対応は、他方において発振効率が低下するという新たな問題を生じた。
なお、特許文献１に記載されたマグネトロンにあっても、ラインノイズの軽減は達成できるものの、発振効率低下の改善には依然として課題を残すと考えられる。
【００１６】
不要波漏洩防止と発振効率の改善とを同時に実現させる立場から、本発明者等は、上下磁極片間の軸方向最小寸法と、陽極ベインや各均圧環の半径寸法との関連を更に詳しく分析した結果、新たな知見を得た。
【００１７】
本発明は、既述した問題点を解決するべく、上記の知見に基づいてなされたものであり、その目的は、不要輻射を十分に低減させることができて、しかも同時に、発振効率の改善を図ることができるマグネトロンを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明に係るマグネトロンは、請求項１に記載したように、陽極筒体と、前記陽極筒体の内壁面に中心軸に向かって突設された複数枚の陽極ベインと、前記陽極ベインを１枚おきに電気的に接続する大径均圧環及び小径均圧環と、前記陽極筒体の軸方向の両開口端に配設される漏斗状の一対の磁極片と、を備え、
前記磁極片の、前記陽極ベインの上下端縁に近接する平坦部の半径Ｒｐが前記大径均圧環の内周の半径Ｒｓ２よりも同等以上の寸法に設定されたマグネトロンにおいて、
前記小径均圧環の外周の半径Ｒｓ１、前記大径均圧環の内周の半径Ｒｓ２、前記陽極ベインの先端に内接する円周の半径Ｒａ、前記磁極片間の軸方向最小寸法Ｌｇであるとき、次式（１）及び（２）が成立するように、
１．８５Ｒａ≦（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２≦１．９６Ｒａ        （１）
２．８４Ｒａ≦Ｌｇ≦３．０Ｒａ        （２）
各Ｒａ，Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｌｇを設定したことを特徴とする。
【００１９】
本発明者等の分析によれば、マグネトロンにおける不要輻射や発振効率に関しては、磁極片の平坦部半径Ｒｐの大きさだけでなく、小径均圧環の外周の半径Ｒｓ１、大径均圧環の内周の半径Ｒｓ２、陽極ベインの先端に内接する円周の半径Ｒａ等と磁極片の平坦部半径Ｒｐとの比率等が、微妙に影響を及ぼしている。
例えば、第５高調波ノイズの漏洩量は、〔（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２〕÷Ｒａ＝１．９０付近で極小値となる下側に凸の湾曲線特性を示す。そのため、〔（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２〕÷Ｒａが極小値付近の適宜範囲に収まるように各Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒａの寸法を設定することで、ノイズ漏洩を最小限に抑えることができ、不要輻射を十分に低減させることができる。
【００２０】
また、発振効率は、漏斗状に形成された磁極片の陽極ベインに近接する平坦部半径Ｒｐが大径均圧環の内周の半径Ｒｓ２を越える付近に変曲点を有して、この変曲点を越えると発振効率が急激に低下する傾向を示す。但し、平坦部半径Ｒｐが大径均圧環の内周の半径Ｒｓ２を越える最もクリーンスペクトルな仕様であっても、磁極片間の軸方向最小寸法Ｌｇを最適化することによって、発振効率の低下は防げることが今回判明した。すなわち、上下磁極片間の軸方向最小寸法Ｌｇが、２．８４Ｒａ＜Ｌｇ＜３．０Ｒａの適宜範囲に収まるように設定すれば、平坦部半径Ｒｐが大径均圧環の内周の半径Ｒｓ２を越えるクリーンスペクトルな仕様にあっても高効率化を図ることができる。
【００２１】
従って、上記の（１）及び（２）式の設定範囲に、各Ｒａ，Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｌｇを設定しておけば、基本波成分がクリーンスペクトルでありながら、３０〜１０００ＭＨｚの比較的に低い周波数成分と高調波成分の不要輻射を十分に低減させることができ、しかも、発振効率の低下を防止して、発振効率の改善を図ることができる。
【００２２】
なお、好ましくは、前記マグネトロンにおいて、各陽極ベインの軸方向寸法は前記半径Ｒａの約２倍以上に設定され、且つ上下エンドハット外周部間軸方向寸法がＬｋであるとき、次式が成立するように、
２．３Ｒａ≦Ｌｋ≦２．４Ｒａ      （３）
Ｌｋを設定すると良い。
このように、上下エンドハット外周部間軸方向寸法の最適化を図ることにより、マグネトロンの信頼性を決定する負荷安定度及び暗電流特性を安定に保つことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明に係るマグネトロンの好適な実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明に係るマグネトロンの一実施の形態の要部縦断面図である。
この一実施の形態のマグネトロン４１は、図８及び図９に示した従来のマグネトロン１の入力側磁極片７を入力側磁極片４３に、出力側磁極片１３を出力側磁極片４５に、陽極ベイン２０を陽極ベイン４７に、小径均圧環２２を小径均圧環４９に、大径均圧環２４を大径均圧環５１等に、置き換えたもので、それ以外の構成は、従来と共通である。従来と共通の構成については、図８及び図９と同じ番号を付けることで、説明は省略又は簡略化する。
【００２４】
本実施の形態のマグネトロン４１は、絞り加工により漏斗状に形成される磁極片４３及び４５の絞りテーパ部４３ａ及び４５ａと各陽極ベイン４７の上端縁に近接した平面部４３ｂ及び４５ｂとの各仮想延長線上の交点Ｐ１からマグネトロン中心軸までの径小な平坦部４３ｂ及び４５ｂの半径Ｒｐが、、大径均圧環５１の内周の半径Ｒｓ２よりも同等以上の寸法を有したものであって、さらに陽極ベイン４７の先端に内接する円周の半径Ｒａに対して、入力側磁極片４３、出力側磁極片４５、陽極ベイン４７、小径均圧環４９、大径均圧環５１等の寸法比率を工夫したものである。
【００２５】
即ち、本実施の形態に係るマグネトロン４１は、中心軸を上下方向に向けた陽極筒体５の上下両端に磁極片４３，４５が気密に接合されると共に、陽極筒体５の内壁面には陽極筒体５の中心軸に向かって放射状に配列された複数枚の陽極ベイン４７が接合されている。各陽極ベイン４７の上下の端縁には大小の均圧環を接合するための環係合凹部４７ａと大小の均圧環を非接触に挿通させるための環挿通凹部４７ｂとが陽極筒体５の半径方向に位置をずらすと共に、上端縁と下端縁とで配置が逆になるように設けられている。
そして、周方向に並んだ陽極ベイン４７相互は、陽極筒体５の中心軸と同心に配置された小径均圧環４９及び大径均圧環５１の２本の均圧環４９，５１の内のいずれか一方が環係合凹部４７ａに接合して、１枚おきに電気的に接続され、且つ、複数枚の内の一枚の陽極ベイン４７の上端縁には、出力側磁極片４５を非接触に貫通するマイクロ波放出用アンテナ（図８の符号１９を参照）が接合されている。
【００２６】
そして、小径均圧環４９の外周の半径寸法がＲｓ１、大径均圧環５１の内周の半径寸法がＲｓ２、陽極ベイン４７の先端に内接する円周の半径寸法がＲａ、入力側磁極片４３と出力側磁極片４５との間の軸方向最小寸法がＬｇであるとき、次の（１）及び（２）式が成立するように、各Ｒａ，Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｌｇが設定されている。
１．８５Ｒａ≦（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２≦１．９６Ｒａ        （１）
２．８４Ｒａ≦Ｌｇ≦３．０Ｒａ        （２）
【００２７】
また、本実施の形態に係るマグネトロン４１では、各陽極ベイン４７の軸方向寸法は、陽極ベイン４７の先端に内接する円周の半径Ｒａの約２倍以上の寸法を有し、陰極３の上下端を支持する上エンドハット５３及び下エンドハット５５がその外周部間軸方向寸法をＬｋとするとき、次の（３）式が成立するように、Ｌｋが設定されている。
２．３Ｒａ≦Ｌｋ≦２．４Ｒａ      （３）
【００２８】
なお、上記交点Ｐ１は、出力側磁極片４５（入力側磁極片４３も同じ）を絞り加工した際に生ずるフィレット（Ｒ部）により、テーパ部４５ａと平面部４５ｂとの各仮想延長線上に位置するとしたが、フィレットを生じないように加工することが可能であれば、その場合には、交点Ｐ１はテーパ部１３ａと平面部１３ｂとの基部そのものになる。
【００２９】
上記構成による本実施の形態のマグネトロン４１は、本発明者等の実験及び分析によれば、第５高調波ノイズを始めとする高調波ノイズの漏洩量が、図２のＡ２点に示すように、〔（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２〕÷Ｒａ＝１．９０付近で極小値となる下側に凸の湾曲線特性を示し、（１）式の成立する範囲に各Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒａを設定することで、第５高調波のノイズ漏洩を５４〜５５ｄＢｐＷの略最小限に抑えることができる。
【００３０】
また、発振効率は、図３に示すように、磁極片４３及び４５の平坦部４３ｂ及び４５ｂの半径Ｒｐが大径均圧環５１の内周の半径Ｒｓ２を越える付近に変曲点Ｂ２有して、変曲点Ｂ２を越えると発振効率が急激に低下する傾向を示すが、５０ＭＨｚ帯の低周波域のノイズは、図４に示すように、小径均圧環４９の外周の半径Ｒｓ１付近に変曲点Ｃ１を有して、その変曲点Ｃ１以下になると、急激に増大する傾向を示し、Ｒｓ２同等以上のＣ３では安定した低ノイズ特性を有する。また、ＲｐがＲｓ２同等以上では、図１０に示したように基本波帯域特性を示す２．４ＧＨｚノイズレベルも、安定した低ノイズ特性を有することが判る。
【００３１】
この安定した各低ノイズを保ちつつ、発振効率を向上させるために上下磁極片間の軸方向最小寸法Ｌｇの最適化を図った時の関係を図５に示す。
発振効率と磁極片間の軸方向寸法との関係は、Ｌｇ÷Ｒａ＝２．９５付近で極大値となる上側に凸の湾曲線特性を示し、（２）式の成立する範囲に各Ｒａ，Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｐ，Ｌｇを設定することで、発振効率の向上と、低周波域のノイズ漏洩の防止とを同時に図ることができる。
【００３２】
なお、上下の磁極片間の軸方向最小寸法Ｌｇは、設計値と実際の寸法に約０．０５ｍｍ〜０．１５ｍｍのズレが生じる。これは、第１及び第２の金属管９及び１５と陽極筒体５とを気密に溶接する際、各部品を密着させるために陽極ベイン４７方向へ力を加えながら溶接するため、高温により軟化した陽極筒体５の両端部が軸方向へ変形してしまうため、実際の寸法が設計値よりも小さくなってしまう。今回の発明でのＬｇ寸法は、実際の寸法について唱えてある。
【００３３】
即ち、本実施の形態に係るマグネトロン４１では、（１）式を満足するように、各Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒａを設定したことで、第５高調波ノイズを始めとする高調波ノイズの漏洩量を一定以下に規制することができ、しかも、（２）式を満足するように、各Ｒａ，Ｌｇを設定したことで、発振効率の向上と同時に、低周波域のノイズ漏洩の防止を測ることができ、結局、全周波域において不要輻射を十分に低減させることができ、しかも同時に、発振効率の低下を防止して発振効率の改善を図ることができる。
【００３４】
また、各陽極ベイン４７の軸方向寸法は、陽極ベイン４７の先端に内接する円周の半径Ｒａの約２倍以上の寸法を有し、上下エンドハット外周部間軸方向寸法をＬｋとしたとき、Ｌｋと負荷安定度の関係は、図６に示すように、負荷安定度が、Ｌｋ÷Ｒａ＝２．３付近の変曲点Ｅ１よりも小さくなると急激に劣化する。これは信頼性を決定付ける重要な特性であり、マグネトロンから見た負荷（ＶＳＷＲ：４．０、全位相）に対しモーディングが発生しない平均陽極電流値を言い、過去の実績等から５５０（ｍＡ）以上であれば、市場の電子レンジにて問題となることはない。
【００３５】
同様に、暗電流を考えた時、暗電流値が、図７に示すように、Ｌｋ÷Ｒａ＝２．４付近の変曲点Ｅ２よりも大きくなると急激に劣化する。暗電流値が大きくなると、発振効率の劣化や、基本波スペクトルの乱れ等の悪影響が発生する。
【００３６】
本発明者等による比較実験では、Ｒｐ≧Ｒｓ２、Ｌｇ÷Ｒａ＝２．７８で、且つ、〔（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２〕÷Ｒａ＝１．８４となるように、各部の半径が設定された従来のマグネトロンの場合は、基本波サイドバンドの発生がなくきれいなスペクトルが確認されたが、発振効率が図３のＢ３点の７２．２％、第５高調波ノイズが図２のＡ１点の５９ｄＢｐＷ、５０ＭＨｚ帯のノイズが図４のＣ３点の２４ｄＢμＶ／ｍという結果を示した。
【００３７】
これに対して、Ｒｐ≧Ｒｓ２、Ｌｇ÷Ｒａ＝２．８６で、且つ、〔（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）／２〕÷Ｒａ＝１．９１となるように、各部の半径が設定された本発明のマグネトロンの場合は、基本波サイドバンドの発生がなくきれいなスペクトルが確認されただけでなく、発振効率が図５のＤ１点の７３．８％、第５高調波ノイズが図２のＡ２点の５４ｄＢｐＷ、５０ＭＨｚ帯のノイズが図４のＣ３点の２４ｄＢμＶ／ｍという結果であった。即ち、発振効率では１．６％の改善が確認され、更に、第５高調波ノイズで５ｄＢの改善が確認されて、本発明による構成の有用性が立証できた。
なお、Ｒｓ１＜Ｒｐ＜Ｒｓ２とした以外は、上記と同様の寸法及び半径に設定したマグネトロンでは、発振効率が図３のＢ１点の７３．６％、第５高調波ノイズが図２のＡ２点の５４ｄＢｐＷ、５０ＭＨｚ帯のノイズが図４のＣ２点の２６ｄＢμＶ／ｍであった。即ち、５０ＭＨｚ帯のノイズでは２ｄBの増加と基本波スペクトルの悪化（２．４GHｚノイズの悪化）が見られた。
【００３８】
以上のように、本実施の形態に係るマグネトロン４１によれば、Ｒｐ≧Ｒｓ２の基本波スペクトルの最もきれいな条件において（１）式を満足するように、各Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒａを設定したことで、第５高調波ノイズを始めとする高調波ノイズの漏洩量を一定以下に規制することができた。しかも、（２）式を満足するように、各Ｒａ，Ｌｇを設定したことで、発振効率の向上と同時に、低周波域のノイズ漏洩の防止を図ることができた。結局、全周波域において不要輻射を十分に低減させることができ、しかも同時に、発振効率の低下を防止して発振効率の改善を図ることができた。
【００３９】
また、上下エンドハット外周部間軸方向寸法Ｌｋの最適化を図ったことにより、マグネトロン４１の信頼性を決定する負荷安定度及び暗電流特性を安定に保つことができた。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
電子レンジなどのマグネトロンを使用する用途への適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係わるマグネトロンの一実施の形態の要部縦断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態における均圧環の寸法と第５高調波ノイズの関係を示すグラフである。
【図３】本発明の一実施の形態における磁極片の平坦部の寸法と発振効率の関係を示すグラフである。
【図４】本発明の一実施の形態における磁極片の平坦部の寸法と５０ＭＨｚ帯のノイズの関係を示すグラフである。
【図５】本発明の一実施の形態における上下磁極片間の寸法と発振効率の関係を示すグラフである。
【図６】本発明の一実施の形態における上下エンドハット外周部間寸法と負荷安定度の関係を示すグラフである。
【図７】本発明の一実施の形態における上下エンドハット外周部間寸法と暗電流の関係を示すグラフである。
【図８】従来のマグネトロンの縦断面図である。
【図９】従来のマグネトロンの要部縦断面図である。
【図１０】マグネトロンの磁極片の平坦部の半径の増大に応じて基本波スペクトル上でのサイドバンドの発生が低減する様子を示す測定図である。
【図１１】マグネトロンの磁極片の平坦部の半径とノイズレベルとの相関を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４２】
４１  マグネトロン
４３  入力側磁極片
４５  出力側磁極片
４５ａ  テーパ部
４５ｂ  平坦部
４７  陽極ベイン
４７ａ  環係合凹部
４７ｂ  環挿通凹部
４９  小径均圧環
５１  大径均圧環
５３  上ハット
５５  下ハット
【図１】
2005222908.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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