(57)【要約】【課題】  照明光の熱が顕微鏡本体部に及ぼす影響を低減した検出精度の高い顕微鏡装置及びこれを備えた露光装置を提供する。【解決手段】  顕微鏡装置３８は、照明光を導入するための導入孔７８を有する顕微鏡本体部８０と、顕微鏡本体部８０の導入孔７８の前段に設けられており、導入孔７８から顕微鏡本体部８０に導入される照明光の一部を遮光するための遮光絞り９６と、を備える。【選択図】  図３
2005300770.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明光を導入するための導入孔を有する顕微鏡本体部と、
前記顕微鏡本体部の前記導入孔の前段に設けられており、該導入孔から該顕微鏡本体部に導入される前記照明光の一部を遮光するための遮光絞りと、
を備えることを特徴とする顕微鏡装置。
【請求項２】
前記遮光絞りの前段に設けられており、前記照明光をほぼ平行光にするレンズを備えることを特徴とする請求項１に記載の顕微鏡装置。
【請求項３】
前記遮光絞りと前記レンズとを保持する投光管を備え、該投光管と前記顕微鏡本体部とは断熱部材を介して連結されていることを特徴とする請求項２に記載の顕微鏡装置。
【請求項４】
前記投光管に蓄積される熱を逃がすための伝熱部材を備えることを特徴とする請求項３に記載の顕微鏡装置。
【請求項５】
前記顕微鏡本体部は視野絞りを有し、前記遮光絞りの開口径は、該視野絞りの開口径よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の顕微鏡装置。
【請求項６】
真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に設けられた請求項１〜５のいずれかに記載の顕微鏡装置と、
前記真空チャンバ外に設けられ前記顕微鏡装置に照明光を供給するための光源ランプと、
前記光源ランプからの照明光を前記顕微鏡装置に案内するライトガイドと、
前記真空チャンバ内に設けられ基板を位置決め保持するための基板保持部と、
前記真空チャンバ内に設けられ所望パターンが形成されたマスクを位置決め保持するためのマスク保持部と、
前記マスクを通して前記基板上に前記所望パターンを転写するための露光用光源と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、顕微鏡装置及びこれを備えた露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光源ランプからの光を投光管を通して顕微鏡本体部に導入し、導入された照明光を照明光学系を通して観察光学系の対物レンズから出射すると共に、観察対象物からの反射光を観察光学系を通して検出するようにした顕微鏡装置として、例えば特許文献１に開示されたものがある。
【特許文献１】特開２００２−９８９０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記した顕微鏡装置では、顕微鏡本体部内に導入された照明光の熱により、顕微鏡本体部の温度が上昇して熱膨張することがあった。これにより、顕微鏡本体部の先端に取り付けられた対物レンズの焦点位置がずれることがあった。その結果、このような構造の顕微鏡装置を、例えば露光装置のマスクとウェハとのアライメントに利用したとき、アライメント検出が安定せずに、アライメント誤差が生じてしまうという問題があった。
【０００４】
本発明は、上記した事情に鑑みて為されたものであり、照明光の熱が顕微鏡本体部に及ぼす影響を低減した検出精度の高い顕微鏡装置及びこれを備えた露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る顕微鏡装置は、照明光を導入するための導入孔を有する顕微鏡本体部と、顕微鏡本体部の導入孔の前段に設けられており、導入孔から顕微鏡本体部に導入される照明光の一部を遮光するための遮光絞りと、を備えることを特徴とする。
【０００６】
この顕微鏡装置では、顕微鏡本体部の導入孔の前段に遮光絞りが設けられているため、顕微鏡本体部に導入される不要な光（撮像装置に結像する光束以外の光束をいう）を低減することができる。その結果、顕微鏡本体部の熱膨張が抑制され、検出精度の向上が図られる。
【０００７】
本発明に係る顕微鏡装置は、遮光絞りの前段に設けられており、照明光をほぼ平行光にするレンズを備えることを特徴としてもよい。このようにすれば、遮光絞りにはほぼ平行になった光が入射されるため、遮光絞りの位置決めを厳密にする必要がなくなり、遮光絞りの位置決めが容易になる。
【０００８】
本発明に係る顕微鏡装置は、遮光絞りとレンズとを保持する投光管を備え、投光管と顕微鏡本体部とは断熱部材を介して連結されていることを特徴としてもよい。このように投光管を備えることで、遮光絞りとレンズとの位置決めが容易になる。また、投光管と顕微鏡本体部とは断熱部材を介して連結されているため、投光管から顕微鏡本体部への熱伝導が抑制され、検出精度の一層の向上が図られる。
【０００９】
本発明に係る顕微鏡装置は、投光管に蓄積される熱を逃がすための伝熱部材を備えることを特徴としてもよい。このようにすれば、投光管から顕微鏡本体部への熱伝導が一層抑制され、照明光の熱が顕微鏡本体部に及ぼす影響を更に低減できるため、検出精度のより一層の向上が図られる。
【００１０】
本発明に係る顕微鏡装置において、顕微鏡本体部は視野絞りを有し、遮光絞りの開口径は、視野絞りの開口径よりも大きいことを特徴としてもよい。このようにすれば、視野絞りよりも内側で照明光が当たらない部分が生じるという不都合がなく、検出精度の一層の向上が図られる。
【００１１】
本発明に係る露光装置は、真空チャンバと、真空チャンバ内に設けられた上記したいずれかの顕微鏡装置と、真空チャンバ外に設けられ顕微鏡装置に照明光を供給するための光源ランプと、光源ランプからの照明光を顕微鏡装置に案内するライトガイドと、真空チャンバ内に設けられ基板を位置決め保持するための基板保持部と、真空チャンバ内に設けられ所望パターンが形成されたマスクを位置決め保持するためのマスク保持部と、マスクを通して基板上に所望パターンを転写するための露光用光源と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
この露光装置は、上記した顕微鏡装置を備えているため、マスクと基板とのアライメント精度が高くなり、理想的なアライメント露光処理が可能となる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、照明光の熱が顕微鏡本体部に及ぼす影響を低減した検出精度の高い顕微鏡装置及びこれを備えた露光装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１５】
図１は、本実施形態に係る露光装置の構成を示す斜視図である。また図２は、図１に示す露光装置の構成を説明するための一部断面図である。図１及び図２に示すように、露光装置１０は真空チャンバ１２を備えている。
【００１６】
真空チャンバ１２は、上端が開口した容器本体１４と、この容器本体１４の上部開口を塞ぐ上蓋１６とを有している。
【００１７】
上蓋１６は、平断面が矩形状をなし、中央に電子ビームを照射するための電子ビーム照射部（露光用光源）１８が設けられている。電子ビーム照射部１８は、図２に示すように、上壁部と側壁部とを含む電子鏡筒２０と、電子鏡筒２０内で上壁部に設けられた電子銃２２と、電子銃２２から出射された電子ビームをコリメートするレンズ２４と、偏光器２６とを有している。これら電子銃２２、レンズ２４、及び偏光器２６は、鉛直下方に向かってこの順に配置されており、電子銃２２から出射された電子ビームは、レンズ２４によりコリメートされ、偏光器２６により走査されて、マスクMを通して半導体ウェハW（基板）上に照射される。
【００１８】
容器本体１４は、図１及び図２に示すように、平断面が矩形状をなす底壁部１４ａとこの底壁部１４ａの縁部に立設された２組の側壁部１４ｂとを有する。この容器本体１４内には、露光処理を行うための半導体ウェハＷを位置決め保持するウェハステージ（基板保持部）２８が収容されている。ウェハステージ２８は、半導体ウェハWの位置決めを行う位置決めステージ３０と、この位置決めステージ３０上に搭載され半導体ウェハWを吸着して保持する静電チャック３２とを有している。位置決めステージ３０は、水平面内で直交する２軸方向（XY方向）の粗い位置決めを行う粗動ステージと、この粗動ステージに搭載されておりXY方向、XY方向と直交する鉛直方向（Z方向）、水平面内における回転方向（θ方向）、及び傾きを微細に調整する微動ステージとを含んでいる。そして、静電チャック３２はこの微動ステージに搭載されている。従って、半導体ウェハWは静電チャック３２により吸着された状態で、位置決めステージ３０により位置決めがなされる。
【００１９】
また容器本体１４内には、図２に示すように、所望パターンが形成されたマスクMを位置決め保持するためのマスクステージ（マスク保持部）３４が収容されている。マスクステージ３４は、水平面内における回転方向（θ方向）、鉛直方向（Z方向）、及び傾きの細かい位置決めを行う。このマスクステージ３４は、真空チャンバ１２内に固定された基準ベース３６上に搭載されている。
【００２０】
また容器本体１６内には、マスクＭとウェハＷとのアライメントのための顕微鏡装置３８が設けられている。顕微鏡装置３８は、図３に示すように、顕微鏡本体部８０と光導入部８１とを備えている。
【００２１】
顕微鏡本体部８０は、複数の光学素子８２〜９０と、撮像装置９２とを有している。複数の光学素子８２〜９０は、アルミ等の金属材料から形成された筐体９３内に内蔵されている。筐体９３の上壁部には、照明光を導入するための導入孔７８が設けられている。筐体９３内で導入孔７８の直下には、導入孔７８を通して導入された照明光を反射させる反射ミラー８２が設けられている。反射ミラー８２により反射され光路を９０度曲げられた照明光の光路上には、視野絞り８３が設けられている。この視野絞り８３は、対象物上で照明光を当てる範囲を制限する。視野絞り８３を通過した照明光の光路上には、プリズム８５、及びレンズ８６が設けられている。プリズム８５により光路を９０度曲げられレンズ８６を通過した照明光の光路上には、ハーフミラー８７が設けられている。このハーフミラー８７は、照明光を反射すると共に、対象物からの反射光を透過する。ハーフミラー８７により反射され光路を９０度曲げられた照明光の光路上には、第１対物レンズ８８が設けられている。この第１対物レンズ８８を通って出射された照明光が、マスクＭや半導体ウェハＷなどの対象物に照射される。
【００２２】
また第１対物レンズ８８を通して入射され、ハーフミラー８７を透過した検出光の光路上には、結像のための第２対物レンズ９０が設けられている。そして、第２対物レンズ９０を透過した検出光の光路上に、撮像装置９２が設けられている。なお、撮像装置９２としては、ＣＣＤカメラを用いることができる。
【００２３】
光導入部８１は、図３及び図４に示すように、筒状の投光管９４と、この投光管９４内に位置決め固定されたコンデンサレンズ９５と、遮光絞り９６と、を有している。投光管９４は、アルミ等の金属材料から形成されている。この投光管９４の上端部では、内径が他の部位よりも縮径されており、後述するライトガイド６１の出射端６１ａを内挿して固定できるようになっている。コンデンサレンズ９５は、ライトガイド６１の出射端６１ａから出射され広がりを有する光をほぼ平行光にする。遮光絞り９６は、顕微鏡本体部８０に導入される照明光のうち、検出に寄与しない余分な光を遮光する機能を有し、マスクＭと半導体ウェハＷの結像には全く関与しない。すなわち、顕微鏡本体部８０の後述する観察光学系において、遮光絞り９０と共役な関係（結像に関与する）にある像は存在しない。従って、この遮光絞り９６を挿入しても像の明るさやシャープさは変わることが無く、遮光絞り９６は、一般に用いられる視野絞りや開口絞りとは全く異なる機能を有している。
【００２４】
上記した本実施形態に係る顕微鏡装置３８では、コンデンサレンズ９５、遮光絞り９６、反射ミラー８２、視野絞り８３、プリズム８５、レンズ８６により、ケラー照明のための照明光学系が構成される。また、第１対物レンズ８８、ハーフミラー８７、及び第２対物レンズ９０により、観察光学系が構成される。
【００２５】
ここで、遮光絞り９６の開口径は、前述した視野絞り８３の開口径よりも大きいのが好ましい。このようにすれば、マスクＭ面上及び半導体ウェハＷ面上に投影される視野絞り８３よりも内側で照明光が当たらない部分が生じるという不都合がなくなる。
【００２６】
また、コンデンサレンズ９５は、遮光絞り９６の前段に設けられていると好ましい。このようにすれば、遮光絞り９６にはほぼ平行になった照明光が入射されるため、遮光絞り９６の位置決めを厳密にする必要がなくなり、遮光絞り９６の位置決めが容易になる。
【００２７】
なお、投光管９４の下端部には外向きフランジが設けられており、顕微鏡本体部８０の上壁部の導入孔７８近傍にネジ止めできるようになっている。
【００２８】
ここで、この顕微鏡装置３８では、遮光絞り９６により検出に余分な光を遮光するため、投光管９４内で蓄熱する。この投光管９４内で蓄熱された熱の顕微鏡本体部８０への熱伝導を抑制するため、以下の構成を備えている。
【００２９】
すなわち、投光管９４と顕微鏡本体部８０とは、図３及び図４に示すように、環状の断熱部材９７を介して連結されている。断熱部材９７は、例えばセラミック等の熱伝導性の低い材料から形成されている。また、投光管９４には、投光管９４に蓄積される熱を逃がすための伝熱部材９８が取り付けられている。伝熱部材９８は、投光管９４の外周面に取り付けられる環状の固着部７１と、固着部７１から延びる伝熱帯７２とを含んでいる。これら固着部７１及び伝熱帯７２は、熱伝導性の高い、例えば銅等の材料から形成されている。伝熱帯７２の先端部は、図２に示すように、基準ベース３６に接続されている。基準ベース３６は、図示しない冷却装置により冷却されており、ここで熱交換が行われることで、投光管９４からの放熱が促進される。
【００３０】
この顕微鏡装置３８は、基準ベース３６上に搭載されている。この顕微鏡装置３８により検出されたアライメント画像は、図示しない画像処理装置に送られて処理され、アライメントマークの重なり具合からマスクMと半導体ウェハWとの位置関係が求められる。そして、マスクMと半導体ウェハWとに位置ズレがあるときには、マスクM及び／又は半導体ウェハWの位置を修正する信号が生成され、この信号に基づいてマスクM及び／又は半導体ウェハWの位置が微修正される。このようにして、マスクMと半導体ウェハWとの精密な位置決めがなされる。なお本実施形態では、マスクMは半導体ウェハWに近接（マスクMと半導体ウェハWとの間隙が５０μｍ程度）して配置される。
【００３１】
この真空チャンバ１２は、図示しない真空ポンプにより内部空間が減圧される。この減圧環境下において、電子ビーム照射部１８から出射された電子ビームによりマスクMの全面を走査することで、所望パターンが半導体ウェハW上のレジストに等倍で転写される。
【００３２】
この真空チャンバ１２は、図１及び図２に示すように、底壁部１４ａの下方に設けられた除震台４０上に搭載されている。そして、真空チャンバ１２の設置面と底壁部１４ａとの間の空間に、交流電圧から直流電圧を生成するための電源装置４２が設置されている。
【００３３】
また露光装置１０は、図１及び図２に示すように、後述する光源ランプ４４を支持するための枠体４６を備えている。この枠体４６は、鉛直方向に延びる４本の縦枠４８と、これら４本の縦枠４８の上端に横架された４本の上枠５０とを有する。これら上枠５０の間には、図示しない連結リブが複数横架されている。この枠体４６は、真空チャンバ１２を取り囲むように配置されている。
【００３４】
また露光装置１０は、図１及び図２に示すように、４つの光源ランプ４４を備えている。各光源ランプ４４は、外形が直方体状をなす。この光源ランプ４４は、筐体内に収容された図示しないＸｅランプを有している。光源ランプ４４の前壁部からは、Ｘｅランプから出射された光を案内するためのライトガイド６０が引き出されており、後壁部からは給電のための電源ケーブル６２が引き出されている。また、光源ランプ４４の後壁部からは、筐体部５６内で発生した熱を放出するための排熱ライン６４が引き出されている。
【００３５】
このような構成の光源ランプ４４が、枠体４６が有する４本の上枠５０（図示しない上枠５０間の連結リブを含む）に吊り下げ支持されている。そして、これら光源ランプ４４の前壁部から引き出された４本のライトガイド６０は、真空チャンバ１２の４つの側壁部１４ｂに導入され、ここで真空チャンバ１２内部のライトガイド６１に光学的に結合されている。そして、真空チャンバ１２内部のライトガイド６１が、顕微鏡装置３８に導入されている。また、これら光源ランプ４４の後壁部から引き出された４本の給電ケーブル６２は、それぞれ縦枠４８を伝って、真空チャンバ１２下方に設置された電源装置４２に接続されている。
【００３６】
また露光装置１０は、図１及び図２に示すように、光源ランプ４４から発生する熱を排出するための排熱ダクト７０を備えている。この排熱ダクト７０は、真空チャンバ１２の上方で枠体４６の上枠５０に吊り下げ支持されている。そして、各光源ランプ４４の後壁部から引き出された排熱ライン６４が、排熱ダクト７０と接続されている。
【００３７】
次に、本実施形態に係る露光装置１０の作用及び効果について説明する。
【００３８】
半導体ウェハW上のレジストへの所望パターンの転写では、まず、真空チャンバ１２内に半導体ウェハWが供給され、静電チャック３２上に吸着されて、位置決めステージ３０により仮の位置決めがなされる。また、真空チャンバ１２内に所望パターンを有するマスクMが供給され、マスクステージ３４により仮の位置決めがなされる。この状態で、電源装置４２から電源ケーブル６２を通して光源ランプ４４に直流電圧が供給され、Ｘｅランプから出射された光が、ライトガイド６０を通して真空チャンバ１２内に供給される。ライトガイド６０の先端部から出射された光は、真空チャンバ１２内のライトガイド６１に入射されて伝搬し、顕微鏡装置３８に送られる。
【００３９】
真空チャンバ１２内のライトガイド６１を通し、出射端６１ａから所定の広がり角度で投光管９４内に出射された照明光は、図３に示すように、コンデンサレンズ９５でほぼ平行な光とされる。次に、遮光絞り９６において検出に余分な光が遮光される。このとき、遮光した光は投光管９４内で熱に変わるが、投光管９４と顕微鏡本体部８０との間には断熱部材９７が設けられている。また、投光管９４からは伝熱部材９８により放熱が促進される。その結果、顕微鏡本体部８０への熱伝導が抑制されている。
【００４０】
遮光絞り９６を透過した光は、導入孔７８を通して顕微鏡本体部８０に導入される。顕微鏡本体部８０に導入された照明光は、反射ミラー８２により反射されて光路を９０度曲げられた後、視野絞り８３に入射される。視野絞り８３において絞られた照明光は、プリズム８５、及びレンズ８６を通して、ハーフミラー８７に入射される。そして、ハーフミラー８７で反射された照明光が、第１対物レンズ８８を通して顕微鏡本体部８０から出射される。
【００４１】
顕微鏡装置３８から出射された照明光は、マスクM上及び半導体ウェハW上にある図示しないアライメントマークに斜方向から照射される。そして、アライメントマークによって反射されたエッジ散乱光が、第１対物レンズ８８を通して顕微鏡本体部８０に入射され、第２対物レンズ９０を通して撮像装置９２により検出される。顕微鏡装置３８により検出されたアライメント画像は、図示しない画像処理装置に送られて処理され、アライメントマークの重なり具合からマスクMと半導体ウェハWとの位置関係が求められる。なお、このようなエッジ散乱光を用いた斜方検出方式による位置検出については、例えば特開平１０−２４２０３６号公報に開示されており、その詳細な説明は省略する。
【００４２】
そして、マスクMと半導体ウェハWとに位置ズレがあるときには、マスクM及び／又は半導体ウェハWの位置を修正する信号が生成され、この信号に基づいてマスクステージ３４及び／又はウェハステージ２８が駆動されて、マスクM及び／又は半導体ウェハWの位置が微修正される。これにより、マスクMと半導体ウェハWが近接した状態で精密に位置決めされる。
【００４３】
マスクMと半導体ウェハWとの位置決めを行った後、電子ビーム照射部１８からの電子ビームの照射を開始する。電子ビーム照射部１８の電子銃２２から出射された電子ビームは、レンズ２４によりコリメートされ、偏光器２６により走査されてマスクM全面が走査される。これにより、所望のマスクパターンが半導体ウェハW上のレジストに等倍で転写される。
【００４４】
このように本実施形態では、顕微鏡本体部８０の導入孔７８の前段に遮光絞り９６が設けられているため、顕微鏡本体部８０に導入される検出に不要な光を低減することができる。従って、顕微鏡本体部８０の熱膨張が抑制され、検出精度の向上を図ることが可能となる。この構成は、輝度は落としたくないが、検出に不要な光を顕微鏡本体部８０に導入したくないときに極めて有効である。
【００４５】
ここで、ライトガイド６１の開口数ＮＡを０．３９とし、広がり角度を２３度とする。また投光管９４の有効径を１６ｍｍとし、取り込み角度を１５度とする。このとき、遮光絞り９６を設けない場合には、ライトガイド６１の出射端６１ａから出射された照明光のうち約６０％が投光管９４内壁に当たって熱となり、一方、残りの約４０％が導入孔７８から顕微鏡本体部８０に導入される。この導入された４０％の照明光により、顕微鏡本体部８０が熱膨張して第１対物レンズ８８の焦点位置がズレ、アライメント検出が安定せず、アライメント誤差を生じる要因となる。
【００４６】
これに対し、この顕微鏡装置３８では遮光絞り９６を設けているため、遮光絞り９６の開口径を４ｍｍとしたとき（遮光絞り９６の開口径は視野絞り８３の開口径を考慮して規定される。この場合は、視野絞り８３の開口径を１．７ｍｍとしたため、その２倍程度の大きさに若干余裕を持たせた値とした。）、約９７．５％の光が遮光され、残りの約２．５％の照明光のみが導入孔７８から顕微鏡本体部８０に導入されることになる。このように、この顕微鏡装置３８によれば、顕微鏡本体部８０に導入される検出に不要な照明光の光量を４０％から２．５％まで低減することができる。
【００４７】
ここで、顕微鏡本体部８０に導入される検出に不要な照明光は低減されるものの、遮光絞り９６により遮光された光は、投光管９４内で熱に変換される。この熱が顕微鏡本体部８０に伝導されると、顕微鏡本体部８０が熱膨張して焦点位置がずれるおそれがある。この熱伝導を防ぐために、投光管９４と顕微鏡本体部８０とを断熱部材９７を介して連結する。その結果、顕微鏡本体部８０の熱膨張が抑制され、位置検出の精度の向上を図ることが可能となる。
【００４８】
また、本実施形態では、投光管９４に蓄積される熱を逃がすための伝熱部材９８が設けられているため、投光管９４から顕微鏡本体部８０への熱伝導が一層抑制されると共に、顕微鏡装置８０からの輻射が低減される。その結果、マスクＭの膨張や周辺部材の温度上昇が抑制されることになり、位置検出の精度のより一層の向上を図ることが可能となる。
【００４９】
また、本実施形態では、コンデンサレンズ９５は遮光絞り９６の前段に設けられているため、遮光絞り９６にはほぼ平行にされた光が入射されることになり、遮光絞り９６の位置決めを厳密にする必要がなくなって、遮光絞り９６の光軸方向の位置決めが容易になる。
【００５０】
また、遮光絞り９６の開口径は、視野絞り８３の開口径よりも大きいため、マスクＭ面上及び半導体ウェハＷ面上に投影される視野絞り８３よりも内側で照明光が当たらない部分が生じるという不都合がなくなる。
【００５１】
これにより、このような顕微鏡装置３８を備える露光装置１０では、マスクＭと半導体ウェハＷとのアライメント精度が高くなり、理想的なアライメント露光処理が可能となる。
【００５２】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能である。例えば、図５に示すように、コンデンサレンズ９５は、投光管９４の段部７９と、投光管９４内にネジ嵌めされた遮光絞り９６と、により固定する構成としてもよい。このようにすれば、遮光絞り９６がコンデンサレンズ９５の押さえ環としての役割を兼ねることになる。
【００５３】
また、上記した実施形態においてライトガイド６０，６１として、ガラスファイバ、プラスチックファイバ、リキッドファイバなどを用いてもよい。
【００５４】
また、上記した実施形態では、アライメント検出方式としてエッジ散乱光を利用した斜方検出方式について説明したが、検出方式は特に限定されず、垂直検出方式等の他の方式を用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、液晶パネル形成においてガラス基板上で所定膜のパターニングを行う露光処理にも適用可能である。
【００５６】
また、本発明に係る顕微鏡装置は、電子ビームを利用した露光処理に限定されることなく、その他の露光処理にも適用可能である。
【００５７】
更に、本発明に係る顕微鏡装置は、露光処理以外にも、真空雰囲気下での基板処理において、位置決めを必要とする装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本実施形態に係る電子ビーム露光装置の構成を示す図である。
【図２】図１の電子ビーム露光装置の構成を示す断面図である。
【図３】顕微鏡装置の構成を示す図である。
【図４】顕微鏡装置の構成を示す分解斜視図である。
【図５】投光管、コンデンサレンズ、及び遮光絞りを有する光導入部の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０…電子ビーム露光装置、１２…真空チャンバ、１８…電子ビーム照射部、２８…ウェハステージ、３４…マスクステージ、４４…光源ランプ、６０，６１…ライトガイド、７８…導入孔、８０…顕微鏡本体部、８３…視野絞り、９４…投光管、９５…コンデンサレンズ、９６…遮光絞り、９７…断熱部材、９８…伝熱部材。
【図１】
2005300770.tif 000003
【図２】
2005300770.tif 000004
【図３】
2005300770.tif 000005
【図４】
2005300770.tif 000006
【図５】
2005300770.tif 000007