(57)【要約】【課題】  一般に、処理室内は複雑な形状をしているため、乱反射した熱線は処理室内に一様に広がらない。特に、処理対象であるウエハの近傍の空間は、平坦性が少なく、熱線の反射は一様でない。従って、反射によりウエハに供給される熱線の量がウエハ面内で不均一となり、ウエハに加熱斑が生じる。【課題を解決するための手段】  本発明は、処理室と、基板を前記処理室内で保持する基板保持手段と、基板の裏面側に設置され、基板を裏面から加熱する加熱手段と前記基板の表面側に設置され、前記基板の温度を非接触で検出する温度検出手段と、を有する基板処理装置であって、少なくとも前記基板表面に対向する処理室内壁を前記温度検出手段用の開口部を除き平坦に構成することを特徴とする基板処理装置であって、少なくとも前記基板表面に対向する処理室内壁を前記温度検出手段用の開口部を除き平坦に構成することを特徴とする基板処理装置とするものである。【選択図】図１
2005129586.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と、
基板を前記処理室内で保持する基板保持手段と、
基板の裏面側に設置され、基板を裏面から加熱する加熱手段と
前記基板の表面側に設置され、前記基板の温度を非接触で検出する温度検出手段と、
を有する基板処理装置であって、
少なくとも前記基板表面に対向する処理室内壁を前記温度検出手段用の開口部を除き平坦
に構成すること
を特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造技術、特に、被処理基板を処理室に収容してヒータによって加熱
した状態で処理を施す熱処理技術に関し、例えば、半導体集積回路装置（簡単に半導体装
置とも呼ぶ）が作り込まれる半導体ウエハに酸化処理や拡散処理、イオン打ち込み後のキ
ャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニール及び熱ＣＶＤ反応による成膜処理など
に使用される基板処理装置に利用して有効なものに係わる。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置、例えば半導体製造装置の処理室構造の一例を図４に示す。図４は処理室
の縦断面構造を示している。
【０００３】
図４において、２００はウエハ、２０１は処理室、２１７はサセプタ、２２８は回転筒
、２０７は上側ランプ、２２３は下側ランプ、２６４は放射率から測定対象の温度を検出
する放射温度計、２６１は放射温度計２６４のプローブ、２２６はチャンバ蓋、３０１は
放射率測定手段３０３を処理室に設けるためのチャンバ蓋の開口部、３０２はプローブ２
６４を処理室内に挿入するためにチャンバ蓋に設けられた開口部を示している。
【０００４】
被処理基板であるウエハ２００は、回転筒２２８の上に設けられたサセプタ２１７に保持
されるようになっている。また、ウエハ２００は、上側ランプ２０７、下側ランプ２２３
によって加熱されたサセプタ２１７を介して処理に適した温度に加熱され、処理室２０１
内に所望のガスが供給されることによってウエハに所望の処理が施されるようになってい
る。上側ランプ２０７、下側ランプ２２３の出力は放射温度計２６４にて非接触で測定さ
れたウエハ２００の温度をもとに加熱制御部（図示せず）によって制御されている。
【０００５】
処理炉２０２には、様々な製造工程においてウエハ２００の放射率（エミシビティ）を測
定し、その温度を計算するための非接触式の放射率測定手段３０３が含まれている。この
放射率測定手段３０３は、主として放射率測定用プローブ２６０、放射率測定用リファレ
ンスランプ（参照光）２６５、温度検出部およびプローブ２６０と温度検出部とを結ぶ光
ファイバー通信ケーブルを含む。ウエハ２００の温度は、主として放射率測定用リファレ
ンスランプ２６５と放射率測定プローブ２６０を用いてウエハ２００の温度校正値を測定
し、各加熱ゾーンに対応して設けられた温度測定用放射率測定プローブ２６４より得られ
たウエハ２００の温度を前記温度校正値をもとに補正することで得られる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述のような、従来の基板処理装置においては、サセプタ２１７及びウエハ２００を加
熱するためにランプ式のヒータを用いている。しかし、ランプから発せられた熱線はサセ
プタ２１７の裏面のみに照射されサセプタ２１７の裏面のみを加熱するわけではなく、そ
の一部は処理室２０１内を乱反射したのち、ウエハ２００とチャンバ蓋２２６との間に入
り込み、ウエハ２００を直接加熱している。又、ランプによって加熱された処理室２０１
内の構成物（チャンバ本体２２７、チャンバ蓋２２６、サセプタ２１７など）やウエハ２
００からも熱線が発せられ、ランプから発せられた熱線と同様に処理室２０１内を乱反射
した後、その一部はウエハ２００とチャンバ蓋２２６との間に入り込み、ウエハ２００を
直接加熱している。
【０００７】
一般に、処理室内は複雑な形状をしているため、乱反射した熱線は処理室内に一様に広
がらない。特に、処理対象であるウエハ２００の近傍の空間、つまり、サセプタ２１７と
ウエハ２００とチャンバ蓋２２６とで構成される空間における熱線の反射具合を考えると
、サセプタ２１７とウエハ２００はある程度平坦性があり熱線の反射はほぼ一様になるの
に対し、チャンバ蓋２２６には放射率測定用プローブ２６０を設けるための開口部３０１
、温度測定用プローブ２６１を設けるための開口部３０２等があるので、その平坦性は少
なく、熱線の反射は一様でない。従って、一様でない熱線の反射によりウエハ２００に供
給される熱線の量がウエハ面内で不均一となり、ウエハに加熱斑が生じる。そしてウエハ
に加熱斑が生じた結果、ウエハに面内温度差が生じ、ウエハの均一な処理ができなくなる
という問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は特許請求の範囲に記載のような構成とするもので
ある。すなわち、本発明は請求項１に記載のように、処理室と、基板を前記処理室内で保
持する基板保持手段と、基板の裏面側に設置され、基板を裏面から加熱する加熱手段と前
記基板の表面側に設置され、前記基板の温度を非接触で検出する温度検出手段と、を有す
る基板処理装置であって、少なくとも前記基板表面に対向する処理室内壁を前記温度検出
手段用の開口部を除き平坦に構成することを特徴とする基板処理装置とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、処理室と、基板を前記処理室内で保持する基板保持手段と、基板の裏
面側に設置され、基板を裏面から加熱する加熱手段と前記基板の表面側に設置され、前記
基板の温度を非接触で検出する温度検出手段と、を有する基板処理装置であって、少なく
とも前記基板表面に対向する処理室内壁を前記温度検出手段用の開口部を除き平坦に構成
することを特徴とする基板処理装置であって、少なくとも前記基板表面に対向する処理室
内壁を前記温度検出手段用の開口部を除き平坦に構成するとしたので、前記基板表面に対
向する処理室内壁の平坦性を向上することができるので、前記基板表面と処理室内壁との
間に入った熱線（迷光）が均一に反射され、その結果、基板を均一に加熱することができ
る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１１】
図３および図２に於いて、本発明が適用される基板処理装置の一例である半導体製造装
置の概要を説明する。
【００１２】
なお、本発明が適用される基板処理装置においてはウエハなどの基板を搬送するキャリ
ヤとしては、ＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）が使用さ
れている。また、以下の説明において、前後左右は図３を基準とする。すなわち、図３が
示されている紙面に対して、前は紙面の下、後ろは紙面の上、左右は紙面の左右とする。
【００１３】
図３および図２に示されているように、基板処理装置は真空状態などの大気圧未満の圧
力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された第一の搬送室１０３を備えて
おり、第一の搬送室１０３の筐体１０１は平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に
形成されている。第一の搬送室１０３には負圧下でウエハ２００を移載する第一のウエハ
移載機１１２が設置されている。前記第一のウエハ移載機１１２は、エレベータ１１５に
よって、第一の搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
【００１４】
筐体１０１の六枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室１２２
と搬出用の予備室１２３とがそれぞれゲートバルブ２４４，１２７を介して連結されてお
り、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。さらに、予備
室１２２には搬入室用の基板置き台１４０が設置され、予備室１２３には搬出室用の基板
置き台１４１が設置されている。
【００１５】
予備室１２２および予備室１２３の前側には、略大気圧下で用いられる第二の搬送室１
２１がゲートバルブ１２８、１２９を介して連結されている。第二の搬送室１２１にはウ
エハ２００を移載する第二のウエハ移載機１２４が設置されている。第二のウエハ移載機
１２４は第二の搬送室１２１に設置されたエレベータ１２６によって昇降されるように構
成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２によって左右方向に往復移動される
ように構成されている。
【００１６】
図３に示されているように、第二の搬送室１２１の左側にはオリフラ合わせ装置１０６
が設置されている。また、図２に示されているように、第二の搬送室１２１の上部にはク
リーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。
【００１７】
図３および図２に示されているように、第二の搬送室１２１の筐体１２５には、ウエハ
２００を第二の搬送室１２１に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口１３４と、前
記ウエハ搬入搬出口を閉塞する蓋１４２と、ポッドオープナ１０８がそれぞれ設置されて
いる。ポッドオープナ１０８は、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャッ
プ及びウエハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２を開閉するキャップ開閉機構１３６と
を備えており、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ及びウエハ搬入
搬出口１３４を閉塞する蓋１４２をキャップ開閉機構１３６によって開閉することにより
、ポッド１００のウエハ出し入れを可能にする。また、ポッド１００は図示しない工程内
搬送装置（ＲＧＶ）によって、前記ＩＯステージ１０５に、供給および排出されるように
なっている。
【００１８】
図３に示されているように、筐体１０１の六枚の側壁のうち背面側に位置する二枚の側
壁には、ウエハに所望の処理を行う第一の処理炉２０２と、第二の処理炉１３７とがそれ
ぞれ隣接して連結されている。第一の処理炉２０２および第二の処理炉１３７はいずれも
コールドウオール式の処理炉によってそれぞれ構成されている。また、筐体１０１におけ
る六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第三の処理炉としての第一
のクーリングユニット１３８と、第四の処理炉としての第二のクーリングユニット１３９
とがそれぞれ連結されており、第一のクーリングユニット１３８および第二のクーリング
ユニット１３９はいずれも処理済みのウエハ２００を冷却するように構成されている。
【００１９】
以下、前記構成をもつ基板処理装置を使用した処理工程を説明する。
【００２０】
未処理のウエハ２００は２５枚がポッド１００に収納された状態で、処理工程を実施す
る基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図３および図２に示されてい
るように、搬送されて来たポッド１００はＩＯステージ１０５の上に工程内搬送装置から
受け渡されて載置される。ポッド１００のキャップ及びウエハ搬入搬出口１３４を開閉す
る蓋１４２がキャップ開閉機構１３６によって取り外され、ポッド１００のウエハ出し入
れ口が開放される。
【００２１】
ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放されると、第二の搬送室１２１に設置
された第二のウエハ移載機１２４はポッド１００からウエハ２００をピックアップし、予
備室１２２に搬入し、ウエハ２００を基板置き台１４０に移載する。この移載作業中には
、第一の搬送室１０３側のゲートバルブ２４４は閉じられており、第一の搬送室１０３の
負圧は維持されている。ウエハ２００の基板置き台１４０への移載が完了すると、ゲート
バルブ１２８が閉じられ、予備室１２２が排気装置（図示せず）によって負圧に排気され
る。
【００２２】
予備室１２２が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ２４４、１３０が
開かれ、予備室１２２、第一の搬送室１０３、第一の処理炉２０２が連通される。続いて
、第一の搬送室１０３の第一のウエハ移載機１１２は基板置き台１４０からウエハ２００
をピックアップして第一の処理炉２０２に搬入する。そして、第一の処理炉２０２内に処
理ガスが供給され、所望の処理がウエハ２００に行われる。
【００２３】
第一の処理炉２０２で前記処理が完了すると、処理済みのウエハ２００は第一の搬送室
１０３の第一のウエハ移載機１１２によって第一の搬送室１０３に搬出される。
【００２４】
そして、第一のウエハ移載機１１２は第一の処理炉２０２から搬出したウエハ２００を
第一のクーリングユニット１３８へ搬入し、処理済みのウエハを冷却する。
【００２５】
第一のクーリングユニット１３８にウエハ２００を移載すると、第一のウエハ移載機１
１２は予備室１２２の基板置き台１４０に予め準備されたウエハ２００を第一の処理炉２
０２に前述した作動によって移載し、第一の処理炉２０２内に処理ガスが供給され、所望
の処理がウエハ２００に行われる。
【００２６】
第一のクーリングユニット１３８において予め設定された冷却時間が経過すると、冷却
済みのウエハ２００は第一のウエハ移載機１１２によって第一のクーリングユニット１３
８から第一の搬送室１０３に搬出される。
【００２７】
冷却済みのウエハ２００が第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に
搬出されたのち、ゲートバルブ１２７が開かれる。そして、第１のウエハ移載機１１２は
第一のクーリングユニット１３８から搬出したウエハ２００を予備室１２３へ搬送し、基
板置き台１４１に移載した後、予備室１２３はゲートバルブ１２７によって閉じられる。
【００２８】
予備室１２３がゲートバルブ１２７によって閉じられると、前記排出用予備室１２３内
が不活性ガスにより略大気圧に戻される。前記予備室１２３内が略大気圧に戻されると、
ゲートバルブ１２９が開かれ、第二の搬送室１２１の予備室１２３に対応したウエハ搬入
搬出口１３４を閉塞する蓋１４２と、ＩＯステージ１０５に載置された空のポッド１００
のキャップがポッドオープナ１０８によって開かれる。続いて、第二の搬送室１２１の第
二のウエハ移載機１２４は基板置き台１４１からウエハ２００をピックアップして第二の
搬送室１２１に搬出し、第二の搬送室１２１のウエハ搬入搬出口１３４を通してポッド１
００に収納して行く。処理済みの２５枚のウエハ２００のポッド１００への収納が完了す
ると、ポッド１００のキャップとウエハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２がポッドオ
ープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００はＩＯステージ１０５の上か
ら次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
【００２９】
以上の作動が繰り返されることにより、ウエハが順次、処理されて行く。以上の作動は
第一の処理炉２０２および第一のクーリングユニット１３８が使用される場合を例にして
説明したが、第二の処理炉１３７および第二のクーリングユニット１３９が使用される場
合についても同様の作動が実施される。
【００３０】
なお、上述の基板処理装置では、予備室１２２を搬入用、予備室１２３を搬出用とした
が、予備室１２３を搬入用、予備室１２２を搬出用としてもよい。また、第一の処理炉２
０２と第二の処理炉１３７は、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行っても
よい。第一の処理炉２０２と第二の処理炉１３７で別の処理を行う場合、例えば第一の処
理炉２０２でウエハ２００にある処理を行った後、続けて第二の処理炉１３７で別の処理
を行わせてもよい。また、第一の処理炉２０２でウエハ２００にある処理を行った後、第
二の処理炉１３７で別の処理を行わせる場合、第一のクーリングユニット１３８（又は第
二のクーリングユニット１３９）を経由するようにしてもよい。
【００３１】
次に、図１を参照し、本実施の形態で好適に用いられる処理炉を詳細に説明する。
【００３２】
処理炉はその全体が符号２０２で示される。例示の態様においては、処理炉２０２は、
半導体ウエハ等の基板２００（以下、ウエハという。）の様々な処理工程を実行するのに
適した枚葉式の処理炉である。また処理炉２０２は、特に半導体ウエハの熱処理に適して
いる。こうした熱処理の例としては、半導体デバイスの処理における、半導体ウエハの熱
アニール、ホウ素−リンから成るガラスの熱リフロー、高温酸化膜、低温酸化膜、高温窒
化膜、ドープポリシリコン、未ドープポリシリコン、シリコンエピタキシャル、タングス
テン金属、又はケイ化タングステンから成る薄膜を形成するための化学蒸着が挙げられる
。
【００３３】
処理炉２０２は、回転筒２７９に囲まれた上側ランプ２０７および下側ランプ２２３か
ら成るヒータアッセンブリを含む。このヒータアッセンブリは、基板温度がほぼ均一にな
るように放射熱をウエハ２００に供給する。好ましい形態においては、ヒータアッセンブ
リは、放射ピーク０．９５ミクロンで照射し、複数の加熱ゾーンを形成し、ウエハ中心部
より多くの熱を基板周辺部に加える集中的加熱プロファイルを提供する一連のタングステ
ン−ハロゲン直線ランプ２０７、２２３等の加熱要素を含む。
上側ランプ２０７および下側ランプ２２３にはそれぞれ電極２２４が接続され、各ラン
プに電力を供給するとともに、各ランプの加熱具合は主制御部に支配される加熱制御部に
て制御されている。
【００３４】
ヒータアッセンブリは、平ギア２７７に機械的に接続された回転筒２７９内に収容され
ている。この回転筒２７９は、セラミック、グラファイト、より好ましくはシリコングラ
ファイトで被覆したグラファイト等から成る。ヒータアッセンブリ、回転筒２７９は、チ
ャンバ本体２２７内に収容されて真空密封され、更にチャンバ本体２２７のチャンバ底２
２８の上に保持される。チャンバ本体２２７は様々な金属材料から形成することができる
。例えば、幾つかのアプリケーションではアルミニウムが適しており、他のアプリケーシ
ョンではステンレス鋼が適している。材料の選択は、当業者であれば分かるように、蒸着
処理に用いられる化学物質の種類、及び選択された金属に対するこれら化学物質の反応性
に左右される。通常前記チャンバ壁は、本技術分野では周知であるように、周知の循環式
冷水フローシステムにより華氏約４５〜４７度まで水冷される。
【００３５】
回転筒２７９は、チャンバ底２２８の上に回転自在に保持される。具体的には、平ギア
２７６、２７７とがボールベアリング２７８によりチャンバ底２２８に回転自在に保持さ
れ、平ギア２７６と平ギア２７７とは噛み合うように配置されている。更に、平ギア２７
６は主制御部にて支配される駆動制御部にて制御されるサセプタ駆動機構２６７にて回転
せしめられ、平ギア２７６、平ギア２７７を介して回転筒２７９を回転させている。回転
ベース１８の回転速度は、当業者であれば分かるように、個々の処理に応じて５〜６０ｒ
ｐｍであることが好ましい。
処理炉２０２は、チャンバ本体２２７、チャンバ蓋２２６およびチャンバ底２２８から
成るチャンバ２２５を有し、チャンバ２２５にて囲われた空間にて処理室２０１を形成し
ている。
【００３６】
ウエハ２００は、円周方向において複数に分割された（実施例においては４つに分割）
炭化ケイ素で被覆したグラファイト、クォーツ、純炭化ケイ素、アルミナ、ジルコニア、
アルミニウム、又は鋼等の好適な材料から成る基板保持手段であるサセプタ２１７の上に
保持される。
なお、サセプタ２１７は円形形状をしており、具体的には中心のサセプタは円板状形状
であり、それ以外はドーナッツ形の平板形状であって、回転筒２７９にて支持されている
。
【００３７】
チャンバ蓋２２６にはガス供給管２３２が貫通して設けられ、処理室２０１に処理ガス
２３０を供給し得るようになっている。ガス供給管２３２は、開閉バルブ２４３、流量制
御手段であるマスフローコントローラ（以下、ＭＦＣという。）２４１を介し、ガスＡ、
ガスＢのガス源に接続されている。ここで使用されるガスは、窒素等の不活性ガスや水素
、アルゴン、六フッ化タングステン等の所望のガスが用いられ、ウエハ２００上に所望の
膜を形成させて半導体装置を形成されるものである。
また、開閉バルブ２４３およびＭＦＣ２４１は、主制御部にて支配されるガス制御部に
て制御され、ガスの供給、停止およびガスの流量が制御される。
なお、ガス供給管２３２から供給された処理ガス２３０は処理室２０１内にてウエハ２
００と反応し、残余ガスはチャンバ本体２２７に設けられた排気口であるガス排気口２３
５から図示しない真空ポンプ等からなる排気装置を介し、処理室外へ排出される。
【００３８】
仕切弁であるゲートバルブ２４４を開放し、チャンバ本体２２７に設けられたウエハ搬入
搬出口２４７を通ってウエハ（基板）２００を処理室２０１内に搬入し、ウエハ２００を
サセプタ２１７上に配置後、サセプタ回転機構（回転手段）２６７は処理中に回転筒２７
９とサセプタ２１７を回転させる。ウエハ・処理室にガスを供給し処理する。
【００３９】
ウエハ２００の処理後、ウエハ２００は、複数の突上げピン２６６によりサセプタ２１
７の真中にあるサセプタとともに真中以外のサセプタから持ち上げられ、処理炉２０２内
でウエハ２００を自動的にローディング及びアンローディングできるようにするために、
ウエハ２００の下に空間を形成する。突上げピン２６６は駆動制御部の制御のもと、昇降
機構２７５によって上下する。
【００４０】
従来の基板処理装置のチャンバ蓋２２６には、既述のように放射率測定手段３０３を反
応室内に設けるための開口部３０１、またプローブ２６１を設けるため開口部３０２など
が設けられているため、ウエハに対向するチャンバ蓋３０１の平坦性が少なく、熱線の反
射が一様ではない。その結果、ウエハ２００の面内温度差が生じ、均一なウエハ処理が行
えなかった。しかし、本発明における基板処理装置は、図１に示すように、開口部３０１
が閉部材３０４で塞がれ、チャンバ蓋３０１のウエハに対向する面の平坦性を向上させて
いる。また、ウエハ２００の温度を測定する温度測定用放射率測定プローブ２６４を１つ
にして、他のプローブ２６４を省略し、その開口部３０２を閉部材３０４で蓋することで
、さらにチャンバ蓋３０１のウエハ２００に対向する面の平坦性を向上させるようにして
も良い。この様にウエハ２００に対向する面の平坦性を向上することで熱線の反射を均一
にし、ウエハを均一に加熱処理することができる。
【００４１】
尚、本発明の基板処理装置は、開口部３０１を閉部材３０４にて塞いだため、放射率測定
手段３０３による温度校正値を取得できなくなっている。しかし、半導体装置の製造ライ
ンに本発明の基板処理装置が適用された場合、本基板処理装置に搬入されるウエハの膜質
は予め分かっており、さらに本基板処理装置は同じ膜質のウエハを多数枚処理することと
なるので、ウエハの温度校正値を搬入されるウエハ毎に測定する必要はない。つまり、搬
入する膜種に応じた温度校正値を予め別の場所で測定しておき、基板処理時はその温度校
正データをもとにプローブ２６４で検出された温度を補正すればよい。またプローブ２６
４に関しても各加熱ゾーン毎にプローブ２６４を設け、基板処理中に各ゾーンの温度を監
視せずとも、予備実験であるゾーンの加熱具合（温度）に対する他のゾーンの加熱具合（
温度）を測っておき、１つの加熱ゾーンのプローブ２６４の温度をもとに他の加熱ゾーン
の出力をも制御するようにすればよい。
【００４２】
また、図１においては、開口部３０１を閉部材３０４を用いて塞ぎ、ウエハ２００に対向
するチャンバ蓋の面の平坦性を向上させたが、開口部３０１のない平坦な面を持つチャン
バ蓋２２６を用いた基板処理装置を構成しても良いのはむろんのことである。
【００４３】
また、閉部材３０４の材質は、チャンバ蓋２２６と同様の反射率を持つ部材、またはチャ
ンバ蓋２２６と同じ部材にすることが、ウエハ２００の表面と処理室内壁との間に入った
熱線が均一に反射されるので好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明が適用される処理炉の概略図（縦断面図）
【図２】本発明の基板処理装置を示す概略図（縦断面図）
【図３】本発明の基板処理装置を示す概略図（横断面図）
【図４】従来の処理炉の概略図（縦断面図）
【符号の説明】
【００４５】
２０２        処理炉
２００        ウエハ
２０１        処理室
２０７        ヒータ
２１７        サセプタ
２２３        チャンバ
２２８        回転筒
２３０        処理ガス
２３２        ガス供給管
２３５        ガス排気口
２６４        放射温度計
２６７        サセプタ回転機構
【図１】
2005129586.tif 000003
【図２】
2005129586.tif 000004
【図３】
2005129586.tif 000005
【図４】
2005129586.tif 000006