(57)【要約】【課題】  真空蒸着装置により形成された電子注入層が大気に触れて酸化して特性が劣化することを防止し、しかもＩＴＯなどの透明導電膜を成膜する際、電子注入層等に対して損傷を与えないようにするための、トップエミッション型有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】  基板と、前記基板上に設けられた電極と、前記電極上に設けられた正孔注入／輸送層と、前記正孔注入／輸送層の上に設けられた有機材料からなる発光層と、前記発光層の上に形成された有機材料または無機材料の単層、もしくはそれらの混合層からなる電子注入層と、前記電子注入層の上に設けられた透明電極層とを具備してなる有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記電子注入層を真空蒸着装置により形成し、前記電子注入層を形成した基板を真空雰囲気下に置いて搬送し、前記透明電極層をイオンプレーティング装置により形成することを特徴とする。【選択図】        図５
2005222725.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に設けられた電極と、前記電極上に設けられた正孔注入／輸送層と、前記正孔注入／輸送層の上に設けられた有機材料からなる発光層と、前記発光層の上に形成された有機材料または無機材料の単層、もしくはそれらの混合層からなる電子注入層と、前記電子注入層の上に設けられた透明電極層とを具備してなる有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記電子注入層を真空蒸着装置により形成し、前記電子注入層を形成した基板を真空雰囲気下に置いて装置間を搬送した後、前記透明電極層をイオンプレーティング装置により形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
前記透明電極層を形成したイオンプレーティング装置により、封止膜を前記透明電極層の表面に連続的に形成することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記イオンプレーティング装置が、プラズマ発生領域の外部に被処理基板を配置して成膜を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
基板と、前記基板上に設けられた電極と、前記電極上に設けられた正孔注入／輸送層と、前記正孔注入／輸送層の上に設けられた有機材料からなる発光層と、前記発光層の上に形成された有機材料または無機材料の単層、もしくはそれらの混合層からなる電子注入層と、前記電子注入層の上に設けられた透明電極層とを具備してなる有機ＥＬ装置の製造装置であって、真空蒸着装置とイオンプレーティング装置とが真空搬送室を介して接続されていることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造装置。
【請求項５】
前記イオンプレーティング装置が、プラズマ発生領域の外部に被処理基板を配置する形態であることを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法およびその製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロルミネッセンス素子（以下ＥＬ素子と表記する）は、自己発光のため視認性が高く、特に、低電圧で使用可能な有機ＥＬ素子は省電力用途にも適していることから、各種表示装置における発光素子としての利用が注目されている。中でもトップエミッション型の有機ＥＬ素子を用いた表示パネルは、基板上面より光が取り出せるため、回路の設計自由度が高く、大型、高輝度、高精細表示パネルを製造する基本構造として開発が進められている。
【０００３】
このトップエミッション型有機ＥＬ素子では、有機材料からなる発光層の上に電子注入層を形成し、この電子注入層の表面にＩＴＯ等からなる透明導電層を設けた構造が知られている。電子注入層は、有機化合物や、アルカリまたはアルカリ土類金属などに代表される、仕事関数が比較的小さい物質を用いて真空蒸着法により形成し、その後、ＩＴＯ等からなる透明導電膜の成膜は、密着強度を確保するため、真空蒸着装置以外の例えばスパッタリング装置等に基板を移動させてから実施している。（例えば、特許文献１参照）
【特許文献１】特開平８−１８５９８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来技術では、成膜装置間を移動する際に、電子注入層が大気に曝されて酸化するので特性が劣化する。また、酸化を防止するために、酸素濃度が極めて低い不活性ガス雰囲気中に保持したとしても、電子注入層表面に不活性ガスが吸着するので、次の工程で成膜されるＩＴＯ等の透明導電膜との界面に不活性ガスが残留し、良好な素子特性を実現できない。
【０００５】
また、ＩＴＯ等からなる透明導電膜を形成する装置として、スパッタリング装置等に代表される高エネルギー成膜装置を使用しているので、成膜時に電子注入層や下層の発光層に多大な損傷を与えるので、良好な特性を有する有機ＥＬ素子を製造することができない。
【０００６】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、真空蒸着装置により形成された電子注入層が大気に触れて酸化して特性が劣化することを防止し、しかもＩＴＯなどの透明導電膜を成膜する際、電子注入層等に対して損傷を与えないようにするための、トップエミッション型有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明による有機ＥＬ装置の製造方法は、基板と、前記基板上に設けられた電極と、前記電極上に設けられた正孔注入／輸送層と、前記正孔注入／輸送層の上に設けられた有機材料からなる発光層と、前記発光層の上に形成された有機材料または無機材料の単層、もしくはそれらの混合層からなる電子注入層と、前記電子注入層の上に設けられた透明電極層とを具備してなる有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記電子注入層を真空蒸着装置により形成し、前記電子注入層を形成した基板を真空雰囲気下に置いて搬送し、前記透明電極層をイオンプレーティング装置により形成することを特徴としている。
【０００８】
この有機ＥＬ装置の製造方法によれば、真空蒸着装置により電子注入層を形成した後、電子注入層を形成した基板を真空雰囲気下に置いて搬送し、次工程であるイオンプレーティング装置による透明電極層の形成に移行するようにしたので、電子注入層が酸化されることを防止することができる。すなわち、電子注入層の特性が劣化せず、ひいては良好な特性を有する有機ＥＬ装置を製造することが可能となる。また、透明電極層をイオンプレーティング装置により形成するようにしたので、電子注入層や下層の発光層に損傷を与えることがなく、有機ＥＬ素子の損傷に起因する非発光点の出現を防止することができる。
【０００９】
なお、上記有機ＥＬ装置の製造方法において、前記透明電極層を形成したイオンプレーティング装置により、封止膜を前記透明電極層の表面に連続的に形成してもよい。こうすることによって、透明電極層の表面に損傷を与えることなく封止膜を形成でき、有機ＥＬ素子の良好な特性を維持したまま封止を行えるので、信頼性の高い有機ＥＬ装置を得ることが可能となる。また、同一のイオンプレーティング装置で透明電極層と封止膜とを形成しているので、２つの膜形成工程を連続して行うことができ、両工程の間に必要となる基板の搬送などの工程を削減でき、成膜スループットを向上させることができる。
【００１０】
また、前記イオンプレーティング装置が、プラズマ発生領域の外部に被処理基板を配置して成膜を行うようにしてもよい。この方法によれば、透明電極層や封止膜の形成時に被処理基板がプラズマに直接曝されないため、電子注入層や発光層に損傷を与えることなく、高輝度で信頼性の高い有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００１１】
次に、本発明による有機ＥＬ装置の製造装置は、基板と、前記基板上に設けられた電極と、前記電極上に設けられた正孔注入／輸送層と、前記正孔注入／輸送層の上に設けられた有機材料からなる発光層と、前記発光層の上に形成された有機材料または無機材料の単層、もしくはそれらの混合層からなる電子注入層と、前記電子注入層の上に設けられた透明電極層とを具備してなる有機ＥＬ装置の製造装置であって、真空蒸着装置とイオンプレーティング装置とが真空搬送室を介して接続されていることを特徴としている。
【００１２】
この有機ＥＬ装置の製造装置によれば、真空蒸着装置とイオンプレーティング装置とを真空搬送室を介して接続するようにしたので、真空蒸着装置により電子注入層が形成された基板を真空状態のまま、一切大気に曝すことなくイオンプレーティング装置に搬送することができる。すなわち、電子注入層が酸化されることを防止することができるので、電子注入層の特性が劣化せず、ひいては良好な特性を有する有機ＥＬ装置を製造することが可能となる。また、真空蒸着装置とイオンプレーティング装置とが別体になっている場合に比べ、装置への基板の出し入れや、装置間の基板搬送に要する時間を短縮することが可能となる。
【００１３】
なお、上記有機ＥＬ装置の製造装置において、前記イオンプレーティング装置が、プラズマ発生領域の外部に被処理基板を配置する形態であってもよい。この形態によれば、透明電極層の形成を行う際に被処理基板がプラズマに直接曝されないため、電子注入層や発光層に損傷を与えることなく、高輝度で信頼性の高い有機ＥＬ装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお以下に示す実施形態は、特許請求の範囲に記載された発明の内容を何ら限定するものではない。また、以下の実施形態に示す構成のすべてが、特許請求の範囲に記載された発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【００１５】
図１は本発明の実施形態における有機ＥＬ装置の配線構造を示す平面模式図である。
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１には、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線されている。そして、走査線１０１と信号線１０２とにより区画された領域が画素領域として構成されている。
信号線１０２にはシフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１にはシフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
【００１６】
各画素領域には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む電極１２と、この電極１２と陰極（透明電極層）１６と機能層１１０により発光部Ａが構成され、表示装置１は、この発光部Aをマトリクス状に複数備えている。
【００１７】
係る構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、その時の信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から電極１２に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して陰極（透明電極層）１６に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００１８】
図２は本発明の実施形態における有機ＥＬ装置の要部を示す断面模式図である。有機ＥＬ装置１は、基板１０ａの上に、薄膜トランジスタなどの回路（図示せず）等が形成された回路素子部１０ｂと、陽極電極を構成する電極１２と、機能層１１０と、陰極電極を構成する透明電極層１６とが順次積層されて構成されている。機能層１１０は、電極１２上に積層された正孔注入／輸送層１３と、正孔注入／輸送層１３上に隣接して形成された発光層１４と、この発光層１４の上に隣接して形成された電子注入層１５とから構成されている。
【００１９】
基板１０ａには、透明基板（又は半透明基板）又は不透明基板のいずれを用いることもできる。透明又は半透明な基板としては、例えばガラス、石英、樹脂等が挙げられ、特に安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。不透明な基板としては、例えばアルミナ等のセラミックやステンレススチール等の金属シートに表面酸化等の絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等が挙げられる。
【００２０】
回路素子部１０ｂは、前述の走査線、信号線、電源線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ等（図示せず）が備えられており各発光部Ａを駆動するようになっている。
【００２１】
電極１２は、例えば、アルミニウムや銀などの高反射率の金属膜により形成されており、陽極電極の役目を果たすとともに、発光層１４において発した光を反射して、上方に効率的に出射させるようになっている。
【００２２】
正孔注入／輸送層１３は、例えば、ポリスチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物からなり、正孔を発光層１４に注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１３内部において輸送する機能を有する。
【００２３】
発光層１４は、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１４ｒ、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１４ｇ、青色に発光する青色発光層１４ｂ、の３種類を有し、バンク層２０により、それぞれが仕切られている。この発光層１４の形成材料としては、例えば、赤色発光層１４ｒとしてシアノピリフェニレンビニレン、緑色発光層１４ｇおよび青色発光層１４ｂとしてポリフェニレンビニレン等を用いることができる。なお、上述した有機化合物以外の有機化合物、例えば、多環炭化水素化合物およびその誘導体、金属キレート錯体化合物およびその誘導体、アリールアミン化合物およびその誘導体などを発光層の材料として用いることもできる。
【００２４】
バンク層２０はアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れたレジストからなり、電極１２の形成位置に対応して開口部２０ａが形成され、上述した発光層１４ｒ、１４ｇ、１４ｂをそれぞれ仕切るように配置されている。
【００２５】
電子注入層１５は、例えば、バソクプロインとセシウムの共蒸着膜や、マグネシウムと銀の共蒸着膜、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌなどからなり、発光層１４およびバンク層の上部全面に形成されており、電子を発光層１４に注入する機能を有するとともに、電子を電子注入層において輸送する機能を有する。
【００２６】
透明電極層１６は、例えば、透光性を有するＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）や窒化チタンからなり、電子注入層１５の上部全面に形成され、陰極電極としての機能を有する。
【００２７】
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を、図面を参照して説明する。
本実施形態の表示装置１の製造方法は、例えば、（１）バンク層形成工程、（２）プラズマ処理工程、（３）正孔注入／輸送層形成工程、（４）発光層形成工程、（５）電子注入層形成工程、及び（６）透明導電層形成工程とを具備して構成されている。なお、製造方法はこれに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が追加される場合、または除かれる場合もある。
【００２８】
（１） バンク層形成工程
バンク層形成工程は、素子基板１０の所定の位置に開口部２０ａを有するバンク層２０
を形成する工程である。
まず、図３（ａ）に示すように、基板１０ａ上に走査線、信号線、電源線、保持容量、薄膜トランジスタなどを備えた回路素子部１０ｂを有し、この回路素子部１０ａの上に複数の電極１２が形成された素子基板１０を準備する。そして、素子基板１０上にアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する感光性材料を塗布し、フォトリソグラフィ技術により、電極１２の配置された領域に開口部２０ａを形成する。
【００２９】
（２）プラズマ処理工程
プラズマ処理工程は、電極１２の表面を活性化すること、さらにはバンク層２０の表面処理をする事を目的として行われる。特に活性化工程では、電極１２上の洗浄、さらに仕事関数の調整を主な目的として行っている。また、電極１２の表面の親液化処理、バンク層２０表面の撥液化処理を行う。
【００３０】
（３）正孔注入／輸送層形成工程
正孔注入／輸送層形成工程では、図３（ｂ）に示すように、液滴吐出として、例えばインクジェット装置を用いて、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を電極面１２ａ上に吐出する。その後、乾燥処理及び熱処理を行い、電極１２上に正孔注入／輸送層１３を形成する。
なお、この正孔注入／輸送層形成工程は、水蒸気および酸素の無い雰囲気とすることが好ましい、例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気下で作業を行うことが好ましい。
【００３１】
（４）発光層形成工程
発光層形成工程は、表面改質工程、発光層形成材料吐出工程および乾燥工程、とからなる。
表面改質工程は、発光層形成の際に用いる組成物の非極性溶媒と同一の溶媒またはこれに類する溶媒である表面改質材を、インクジェット法、スピンコート法またはディップ法により正孔注入／輸送層１３上に塗布した後に乾燥することにより行う。表面改質材としては、組成物の非極性溶媒同一なものとして例えば、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等が採用でき、組成物の非極性溶媒に類するものとして例えば、トルエン、キシレン等を採用できる。
【００３２】
次に、発光層形成材料吐出工程は、インクジェット法により、発光層形成材料を含む組成物を正孔注入／輸送層１３の上に吐出する。その後、乾燥処理して、組成物に含まれる非極性溶媒を蒸発させ、発光層形成材料を析出させて、発光層１４を形成する。このようにして、図３（ｃ）に示す状態となる。
なお、この発光層形成工程も、水蒸気および酸素の無い雰囲気とすることが好ましい、例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気下で作業を行うことが好ましい。
【００３３】
次に、電子注入層形成工程の説明に先立ち、本発明の実施形態に係る成膜装置について説明する。
図５は本実施形態に係る成膜装置の概略図である。成膜装置２００は、真空蒸着装置２０１と、イオンプレーティング装置２０２と、真空蒸着装置２０１からイオンプレーティング装置２０２へ基板１０ａを搬送する真空搬送室２０３とから概略構成されている。
真空蒸着装置２０１とイオンプレーティング装置２０２とは真空搬送室２０３により接続されている。また、真空蒸着装置２０１と真空搬送室２０３との接合部およびイオンプレーティング装置２０２と真空搬送室２０３との接合部には、それぞれ真空ゲート２０４ａ、２０４ｂが配置されている。
【００３４】
（５）電子注入層形成工程
電子注入層形成工程では、真空蒸着装置２０１を用いて、図４（ａ）に示すように、発光層１４及びバンク層２０の全面に、バソクプロインとセシウムの共蒸着膜からなる電子注入層１５を形成する。
真空蒸着装置２０１は、図５に示すように、電子注入層１５を形成する成膜材料２１０を載置する台部２１１と、成膜材料２１０を加熱蒸発させるヒーターなどの加熱装置２１２とが、装置底部に配置されている。一方、台部２１１と対向する位置に、図示しない基板保持部が配置され、発光層１４まで積層された基板１０ａが基板保持部に搬送され配置されている。また、台部２１１と基板１０ａとの間には、蒸発した成膜材料２１０が基板１０ａに到達する経路を遮断する、開閉可能なシャッター２１３が配置されている。
【００３５】
真空蒸着装置２０１内部は真空ゲート２２０ａと排気ポンプ２２０ｂから構成される排気装置２２０により吸引することで所定の真空状態を保つ。台部２１１に載置した成膜材料２１０を加熱装置２１２により加熱する。加熱された成膜材料２１０は蒸発し、発光層１４の上に堆積して電子注入層１５を形成する。形成する電子注入層１５の厚さは、シャッター２１３を閉じて、蒸発した成膜材料２１０が基板１０ａに到達する経路を遮断することで調節することが可能である。なお、電子注入層１５の材料としては、例えばマグネシウムと銀との共蒸着膜や、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌなどを用いてもよい。
【００３６】
真空蒸着法で電子注入層１５を形成した後、所定の真空状態を保持したまま次の工程である透明導電層形成工程に移行する。具体的には、まず、予め真空搬送室２０３内の気体を真空ゲート２３０ａと排気ポンプ２３０ｂから構成される排気装置２３０により排気し、真空搬送室２０３内を所定の真空状態に保持しておく。電子注入層１５の形成終了後、真空ゲート２０４ａを開け、基板１０ａを真空蒸着装置２０１から真空搬送室２０３へ搬送し、真空ゲート２０４ａを閉じる。この時、イオンプレーティング装置２０２内も排気装置２８０により排気し、所定の真空状態に保持しておく。続いて、真空ゲート２０４ｂを開け、基板１０ａを真空搬送室２０３からイオンプレーティング装置２０２へ搬送し、真空ゲート２０４ｂを閉じる。こうすることによって、電子注入層１５表面の酸化防止ならびに他の不要なガスの吸着を抑制することができるので、電子注入層の特性が劣化せず、ひいては良好な特性を有する有機ＥＬ装置を製造することが可能となる。
【００３７】
（６）透明導電層形成工程
透明導電膜形成工程では、イオンプレーティング装置２０２を用いて、電子注入層１５の全面に、ＩＴＯからなる下層透明導電層１６ａおよび上層透明導電層１６ｂを連続して成膜する。
イオンプレーティング装置２０２は、図５に示すように、アルゴンプラズマを発生させるプラズマ生成部２５０と、成膜を行う成膜部２６０と、電子注入層１５まで積層された基板１０ａを搬送する基板搬送部２７０と、成膜部２６０内の気体を排気する排気装置２８０とから概略構成されている。
【００３８】
成膜部２６０には、下層透明導電層１６ａまたは上層透明導電層１６ｂの材料である成膜材料２６１（ＩＴＯ）を載置する台部２６２が配置され、台部２６１と対向する位置に電子注入層１５まで積層された基板１０ａが搬送され配置されている。プラズマ生成部２５０で生成されたアルゴンプラズマを台部２６２のＩＴＯに導入して、ＩＴＯを蒸発させて電子注入層１５の上に堆積させている。
なお、下層透明導電層１６ａを堆積させる時には成膜材料２６１と基板１０ａとの間にはバイアスをかけていないため、蒸発した成膜材料２６１は加速されることなく堆積し、積層される。成膜材料が加速されないため、成膜材料が堆積した膜、およびその下地となる電子注入層１５などに対して与えるダメージを抑えることができる。また、本装置は、プラズマ発生領域の外部に基板１０ａを配置する形態のものであり、透明導電層１６の成膜時に基板１０ａがプラズマに直接曝されないため、発光層１４や電子注入層１５に損傷を与えることなく、高輝度で信頼性の高い有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００３９】
まず、図４（ｂ）に示すように、電子注入層１５上の全面にＩＴＯからなる下層透明導電層１６ａを成膜する場合には、台部２６２上に成膜材料２６１としてＩＴＯを載置し、酸素を含まないアルゴンガス雰囲気下でＩＴＯを電子注入層１５の全面に堆積させて下層透明導電層１６ａを成膜する。
成膜部２６０の内部は、真空ゲート２８０ａと排気ポンプ２８０ｂから構成される排気装置２８０により吸引することで減圧されている。アルゴンガスはプラズマ生成部２５０に導入され、直流電源２５１によりアルゴンプラズマとされて、磁場発生コイル２５２および放電陽極２５３により台部２６２の成膜材料２６１へ導入される。ＩＴＯはアルゴンプラズマに加熱されて蒸発する。蒸発したＩＴＯはアルゴンガス雰囲気の中、電子注入層１５上に堆積して下層透明導電層１６ａを形成する。
【００４０】
下層透明導電層１６ａの成膜が終了すると、引き続き成膜部２６０に酸素を導入して下層透明導電層１６ａ上に上層透明電極層１６ｂを成膜する。
酸素ガスは成膜部２６０のガス供給部２６３から内部に導入され、台部２６２から基板１０ａの間を酸素を含んだアルゴンガス雰囲気を作り出す。蒸発したＩＴＯは酸素ガスと結びつき、酸素を多く含んだ低抵抗、高透過率の上層透明導電層１６ｂを下層透明導電層１６ａの上に形成する。以上の工程により図２に示した有機ＥＬ装置１が得られる。
【００４１】
なお、上記透明導電層形成工程に続き、図６に示すように、透明導電層１６上に酸化窒化シリコン等からなる封止膜３０を、イオンプレーティング装置２０２により形成してもよい。具体的には、まず、上層透明導電層１６ｂを形成する際に導入した酸素を含む成膜部２６０内の気体を排気装置２８０により排気する。続いて成膜部２６０に窒素ガスなどの雰囲気ガスをガス供給部２６３から導入する。また、成膜材料２６１をＩＴＯから酸化シリコンに交換する。
アルゴンガスはプラズマ生成部２５０に導入され、直流電源２５１によりアルゴンプラズマとされて、磁場発生コイル２５２および放電陽極２５３により台部２６２の成膜材料２６１へ導入される。酸化シリコンはアルゴンプラズマに加熱されて蒸発する。蒸発した酸化シリコン粒子はアルゴンプラズマによりイオン化され、活性度の高い状態となって透明導電層１６表面に入射する。透明導電層１６上に堆積した酸化シリコンは、雰囲気ガス中の窒素ガスと反応して酸化窒化シリコンとなり、封止膜３０を形成する。
【００４２】
この際、雰囲気ガス中の窒素ガスの成分比率を調節することにより、酸化窒化シリコンの組成比を調節することができる。また、蒸発した酸化シリコン等は、アルゴンプラズマを経て十分活性化された状態で透明導電層１６表面に入射するので、透明導電層１６を高温に保持するまでもなく、酸化窒化シリコンからなる封止膜３０を緻密で均一なものとすることができる。
【００４３】
以上説明したように、本発明による有機ＥＬ装置の製造方法によれば、真空蒸着装置により電子注入層１５を形成した後、電子注入層を形成した基板を真空雰囲気下に置いて搬送し、次工程であるイオンプレーティング装置２０２による透明電極層１６の形成に移行するようにしたので、電子注入層１５が酸化されることを防止することができる。すなわち、電子注入層１５の特性が劣化せず、ひいては良好な特性を有する有機ＥＬ装置１を製造することが可能となる。また、透明電極層１６をイオンプレーティング装置により形成するようにしたので、電子注入層１５や下層の発光層１４に損傷を与えることがなく、有機ＥＬ素子の損傷に起因する非発光点の出現を防止することができる。
【００４４】
また、透明電極層１６の形成に続き、封止膜３０を透明電極層１６の表面にイオンプレーティング装置２０２により形成するようにしたので、透明電極層１６の表面に損傷を与えることなく封止膜３０を形成でき、有機ＥＬ素子の良好な特性を維持したまま封止を行えるので、信頼性の高い有機ＥＬ装置を得ることが可能となる。また、同一のイオンプレーティング装置で透明電極層１６と封止膜３０とを形成しているので、２つの膜形成工程を連続して行うことができ、両工程の間に必要となる基板の搬送などの工程を削減でき、成膜スループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施形態における有機ＥＬ装置の配線構造を示す平面模式図。
【図２】本発明の実施形態の有機ＥＬ装置の要部を示す断面模式図。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は図２の有機ＥＬ装置の一製造方法を説明する工程図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は図３に続く有機ＥＬ装置の一製造方法を説明する工程図。
【図５】本発明の実施形態に係る成膜装置の概略図である。
【図６】本発明の実施形態の有機ＥＬ装置の一製造方法を説明する工程図。
【符号の説明】
【００４６】
１  有機ＥＬ装置、１０  素子基板、１２  電極、１３  正孔注入／輸送層、１４  発光層、１５  電子注入層、１６  透明導電層、２０  バンク層、３０  封止膜、２００  成膜装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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