(57)【要約】      （修正有）【課題】磁気記録媒体、磁気記憶装置及び磁気記録媒体の製造方法に関し、磁性層の下に設けられた下地層のがトラック方向に沿って優先成長するようにすること。【解決手段】所定方向に施された互いにいに隣接するテキスチャ線の間の距離λが５＜λ３０ｎｍであり、テキスチャ面と斜めのテキスチャ面とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度となり、テキスチャ面上にスパッタリングにより設けられ、膜厚が約１ｎｍ以上で約４０ｎｍ以下であり、所定方向に対する角度が０度又は９０度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数が、所定方向に対する角度が４５度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数の２倍以上となるようにＣｒ＜１１０＞が所定方向に沿って優先成長しているＣｒ系下地層と、下地層上にスパッタリングにより設けられ、Ｃｏ（１１２０）面が所定方向に沿って優先成長してなり、配向比が２以上のＣｏ系磁性層とを備える。【選択図】図１Ａ
2005353273.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定方向にテキスチャリングを施されたテキスチャ面と、
該テキスチャ面は、２つの互いに隣接するテキスチャ線間の距離λが５＜λ３０ｎｍなる関係を満足すると共に、該テキスチャ面と斜めのテキスチャ面とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度なる関係を満足し、
該テキスチャ面上にスパッタリングにより設けられ、膜厚が約１ｎｍ以上で約４０ｎｍ以下であり、前記所定方向に対する角度が０度又は９０度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数が、前記所定方向に対する角度が４５度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数の２倍以上となるようにＣｒ＜１１０＞が該所定方向に沿って優先成長しているＣｒ系下地層と、
該下地層上にスパッタリングにより設けられ、Ｃｏ（１１２０）面が該所定方向に沿って優先成長してなり、配向比が２以上のＣｏ系磁性層とを備えた、磁気記録媒体。
【請求項２】
該テキスチャ面は、ＮｉＰ，ＣｏＮｉＺｒ，ＣｏＮｂＺｒ，ＮｉＡｌからなるグループから選択された材料からなるシード層の機械的テキスチャリングを施された表面からなる、請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
該下地層は、Ｃｒ，ＣｒＭｏ，ＣｒＭｏＷ，ＣｒＶ，ＣｒＷからなるグループから選択された材料からなる、請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
該磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢ，ＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなるグループから選択された材料からなる、請求項１〜３のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
該下地層と該磁性層の間に設けられ、Ｃｒ含有量が２５ａｔ％以上、且つ、４５ａｔ％以下であるＣｏＣｒ系中間層を更に備えた、請求項１〜４のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
該磁気記録媒体はディスク形状を有し、該所定方向は該ディスク形状の円周方向である、請求項１〜５のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項記載の磁気記録媒体を少なくとも１つ備えた磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置に係り、特に高密度水平記録に適した磁気記録媒体、そのような磁気記録媒体の製造方法、及びそのような磁気記録媒体を有する磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体の容量を増加する要求に伴い、薄膜磁気記録層（以下、単に磁性薄膜と言う）の成長及び磁気特性を適切に制御することで、ディスク形状の薄膜磁気記録媒体（以下、単に薄膜磁気ディスクと言う）等の薄膜磁気記録媒体の開発がなされた。薄膜磁気ディスクは、好ましくは２０００Ｏｅ〜５０００Ｏｅの範囲の、高くて制御可能な保磁力を有するべきであり、０．８以上の高い残留磁化比を有するべきである。磁性薄膜には、一般的にはＣｏＰｔＣｒ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢ等のＣｏ系合金が使用される。磁性薄膜は、ＮｉＰがコーティングされたＡｌ、ＡｌＭｇ、ガラス等の非磁性基板上に成長される。高いスティクション及び摩擦の問題を克服するために、基板の表面は磁性薄膜の成長に先立って、一般的な機械的研磨技術であるテキスチャリングにより加工される。コーティングされた基板の機械的テキスチャリングは、媒体信号対雑音比（ＳＮＲ）を向上することが知られている。
【０００３】
Ｃｏ系磁性薄膜中のＣｏの磁化容易軸（以下、単に容易軸と言う）の配向は、テキスチャリングと磁性薄膜の下に設けられる下地層の適切な選定によって得られる重要な特性である。機械的テキスチャリングは、薄膜磁気ディスクの場合には半径方向の保磁力の円周方向の保磁力に対する比である、磁性薄膜の配向比を誘起する。しかし、配向比の起源は従来明確でなく、明確な説明もなされていなかった。通常、Ｃｏ系磁性薄膜中のＣｏの容易軸の面内配向性を良くする下地層構造は、異なる条件で成長されたＣｒ下地層に基づいている。超高密度記録用に媒体ＳＮＲを向上するためには、Ｃｏ系磁性薄膜中のＣｏの結晶ｃ軸を、薄膜磁気ディスクの場合には好ましくは円周方向に沿って成長させる必要がある。
【０００４】
Ｃｒ下地層のＣｒ（００２）テキスチャは、Ｃｏ系磁性薄膜のＣｏ（１１２０）面の優先成長のためには不可欠である。この優先成長は、Ｃｒ（００２）面とＣｏ（１１２０）面の格子整合が非常に良く、格子の長さ方向上及び幅方向上の格子不整合は夫々０．５％及び５％しかないので、通常は実現できる。又、Ｃｏ（１１２０）面の成長は、水平記録に必要不可欠な磁化の面内配向をもたらす。Ｃｒ下地層がＣｒ（００２）テキスチャで成長されると、Ｃｒ下地層中の個々の粒子のＣｒ（００２）面は、面内方向において不規則である。つまり、Ｃｒ＜１１０＞は、面内において不規則である。これは、基板に機械的テキスチャリングがなされない場合も同様であり、機械的テキスチャリングを行った後も同様であると考えられる。従って、磁性薄膜の配向比の起源は、明確ではなかった。
【０００５】
より良い結晶ｃ軸の配向及び配向比を得るためには、薄膜磁気ディスクの場合、Ｃｒ＜１１０＞の優先成長を円周方向とすることが必要条件である。円周方向にＣｒ＜００２＞等の他の配向が存在すると、Ｃｏ結晶ｃ軸の円周方向、即ち、機械的テキスチャリングの方向に沿った優先エピタキシャル成長は不可能である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記の問題を除去した新規、且つ、有用な磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置を提供することを概括的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のより具体的目的は、磁性層の下に設けられた下地層のＣｒ＜１１０＞がトラック方向に沿って優先成長する磁気記録媒体、そのような磁気記録媒体の製造方法、及びそのような磁気記録媒体を有する磁気記憶装置を提供することにある。本発明になる磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置によれば、配向比及び媒体ＳＮＲを向上させることができ、高密度記録を実現することができる。
【０００８】
上記の課題は、所定方向にテキスチャリングを施されたテキスチャ面と、該テキスチャ面は、２つの互いに隣接するテキスチャ線間の距離λが５＜λ３０ｎｍなる関係を満足すると共に、該テキスチャ面と斜めのテキスチャ面とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度なる関係を満足し、該テキスチャ面上にスパッタリングにより設けられ、膜厚が約１ｎｍ以上で約４０ｎｍ以下であり、前記所定方向に対する角度が０度又は９０度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数が、前記所定方向に対する角度が４５度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数の２倍以上となるようにＣｒ＜１１０＞が該所定方向に沿って優先成長しているＣｒ系下地層と、該下地層上にスパッタリングにより設けられ、Ｃｏ（１１２０）面が該所定方向に沿って優先成長してなり、配向比が２以上のＣｏ系磁性層とを備えた磁気記録媒体により達成できる。
【０００９】
上記の課題は、上記の如き磁気記録媒体を少なくとも１つ備えた磁気記憶装置によっても達成できる。
【００１０】
上記の課題は、所定方向にテキスチャリングされたテキスチャ面を形成するステップ（ａ）と、約５０％以上のＣｒ＜１１０＞が該所定方向に配向されるようにＣｒ＜１１０＞の該所定方向に沿った優先成長を行って該テキスチャ面上にＣｒ系下地層を形成するステップ（ｂ）と、Ｃｏ（１１２０）面の該所定方向に沿った優先成長を行って該下地層上にＣｏ系磁性層を形成するステップ（ｃ）とを含む磁気記録媒体の製造方法によっても達成できる。
【００１１】
本発明の更に他の目的及び特長は、以下図面と共に述べる説明より明らかとなろう。
【発明の効果】
【００１２】
本発明になる磁気記録媒体によれば、配向比及び媒体ＳＮＲを向上させることができ、高密度記録を実現することができる。
【００１３】
本発明になる磁気記憶装置によれば、使用する磁気記録媒体の配向比及び媒体ＳＮＲを向上させて高密度記録を行うことで、大容量を実現することができる。
【００１４】
本発明になる磁気記録媒体の製造方法によれば、配向比及び媒体ＳＮＲを向上させ、高密度記録を実現可能な磁気記録媒体を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明になる磁気記録媒体、磁気記憶装置及び磁気記録媒体の製造方法の各実施例を、図面と共に説明する。
【実施例】
【００１６】
先ず、本発明になる磁気記録媒体の一実施例を、図１Ａと共に説明する。図１Ａは、磁気記録媒体の本実施例の要部を示す断面図である。
【００１７】
図１Ａに示す磁気記録媒体は、大略基板１、テキスチャリングされた表面（以下、単にテキスチャ面と言う）３を有するシード層２、下地層４、及び磁気記録層（以下、単に磁性層と言う）５からなる。勿論、Ｃ又はダイヤモンドライクなＣ（ＤＬＣ）からなる保護層（図示せず）を磁性層５の上に設けても良く、保護層の上に更に有機潤滑層（図示せず）を設けても良い。
【００１８】
基板１は、Ａｌ等の金属又はガラスからなる。シード層２は、ＮｉＰ，ＣｏＮｉＺｒ，ＣｏＮｂＺｒ，ＮｉＡｌ等の材料からなる。シード層２のテキスチャ面３は、例えば機械的テキスチャリングにより形成され、磁気記録媒体のトラックが形成される所定方向に沿ってテキスチャリングされている。磁気記録媒体が同心円又は螺旋状のトラックを有する磁気ディスクの場合、テキスチャ面３は、磁気ディスクの円周方向に沿ってテキスチャリングされている。
【００１９】
下地層４は、ＢＣＣ構造を有する金属又はその合金等の、非磁性材料からなる。本実施例では、下地層４は、Ｃｒ又はＣｒＭｏ，ＣｒＭｏＷ，ＣｒＶ，ＣｒＷ等のＣｒ系合金からなる。下地層４にＣｒ系合金が用いられる場合、Ｃｒ系合金のＭｏ含有量は望ましくは１ａｔ％以上、Ｃｒ系合金のＷ含有量は望ましくは３０ａｔ％以下、Ｃｒ系合金のＶ含有量は望ましくは３０ａｔ％以下である。本発明者らが行った実験によると、Ｃｒ系合金に比較的小さな含有量のＭｏ，Ｗ及び／又はＶが含まれると、磁性層５の配向比を増加させることがわかった。このような小さな含有量のＭｏ，Ｗ及び／又はＶがＣｒ系合金に含まれると、下地層４の格子を拡張させ、その上に設けられる磁性層５に対して良い格子整合を提供するものと考えられる。Ｃｒ系下地層４は、所定方向に沿ってＣｒ＜１１０＞が優先成長するので、Ｃｒ＜１１０＞の約５０％が所定方向に沿って配向する。
【００２０】
又、下地層４は、良好な粒子の成長及び以下に説明する磁性層５のＣｏ（０００２）面の良好なエピタキシャル成長を促すためにも、膜厚が約１ｎｍ以上で、好ましくは約２ｎｍ以上である。他方、本発明者らが行った実験によると、配向比が減少することを避けるためには、下地層４の膜厚は約４０ｎｍ以下であり、好ましくは約１５ｎｍ以下である。
【００２１】
磁性層５は、ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢ，ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ等のＣｏ系材料からなる。磁性層５は、Ｃｏ（１１２０）面の優先成長が所定方向に沿っている。
【００２２】
図１Ｂは、磁気記録媒体の本実施例の変形例の要部を示す断面図である。図１Ｂ中、図１Ａと同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００２３】
図１Ｂに示す磁気記録媒体は、下地層４と磁性層５との間に設けられた中間層９を更に有する。中間層９は、Ｃｒ含有量が２５ａｔ％以上、且つ、４５ａｔ％以下のＣｏＣｒ系合金からなる。中間層９を設けることにより、磁性層５の配向比を更に向上することができる。配向比は、ある方向に沿った保磁力と磁気記録媒体の所定方向に沿った保磁力との比から計算され、ある方向とは、所定方向に垂直な方向である。磁気ディスクの場合、配向比は、磁気ディスクの半径方向の保磁力と磁気ディスクの円周方向の保磁力との比から計算される。
【００２４】
格子の拡張及び配向比については、Ｋａｔａｏｋａ  ｅｔ  ａｌ．，  ”ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒａｐｈｉｃ  Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ  Ｉｎ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ  Ｍｅｄｉａ  Ａｎａｌｙｚｅｄ  Ｗｉｔｈ  Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ”，  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  ７３（１１），  ｐｐ．７５９１−７５９８，  １  Ｊｕｎｅ  １９９３，  Ｊｏｈｎｓｏｎ  ｅｔ  ａｌ．，  ”Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ  Ｉｎ  Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ  Ｍｅｄｉａ：  Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｏｒｉｇｉｎｓ  ｏｆ  Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ  Ｒａｔｉｏ”，  ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．  Ｍａｇｎ．  ｖｏｌ．３１，  ｐｐ．２７２１−２７２７，  １９９５及びＫｉｍ  ｅｔ  ａｌ．，  ”Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ  Ｏｒｉｇｉｎ  Ｏｆ  Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ  Ｉｎ  Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  Ｉｎ−Ｌｉｎｅ  Ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ  ＣｏＰｔＣｒ  Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ  Ｄｉｓｋｓ”，  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  ７４（７），  ｐｐ．４６４３−４６５０，  １  Ｏｃｔｏｂｅｒ  １９９３に更に説明されており、本明細書ではこれらを引用することでこれらの開示をも含むものとする。
【００２５】
磁気記録媒体の実施例及びその変形例によれば、磁性層５の結晶配向そして容易軸の配向が良好に制御されるので、磁性層５の容易軸の配向によりビットをヘッド磁界方向に沿って容易に書き込むことが可能となる。このため、磁気記録媒体の媒体ＳＮＲが向上し、安定した高密度記録を実現することができる。
【００２６】
図２は、下地層４のＣｒ（００２）面と磁性層５のＣｏ（１１２０）面の格子不整合を説明する図である。図２は、異なるＣｒ面及びＣｏ面に対応する格子不整合を示す。
【００２７】
Ｃｒ下地層のＣｒ（００２）テキスチャは、磁性層５のＣｏ（１１２０）面を優先成長するためには不可欠である。この優先成長は、Ｃｒ（００２）面とＣｏ（１１２０）面の格子整合が図２に示すように非常に良く、格子の長さ方向上及び幅方向上の格子不整合は夫々０．５％及び５％しかないので、通常は実現できる。又、Ｃｏ（１１２０）の成長は、磁化方向を水平磁気記録では必要不可欠である面内方向とする。下地層４がＣｒ（００２）テキスチャで成長されると、下地層４中の個々の粒子のＣｒ（００２）面は、面内方向において不規則である。つまり、Ｃｒ＜１１０＞は、面内において不規則である。これは、テキスチャ面３がない場合も同様である。
【００２８】
より良い結晶ｃ軸の配向及び配向比を得るためには、Ｃｒ＜１１０＞の優先成長を所定方向とすることが必要条件である。所定方向にＣｒ＜００２＞等の他の配向が存在すると、Ｃｏ結晶ｃ軸の所定方向、即ち、テキスチャ面３のテキスチャリングの方向に沿った優先エピタキシャル成長は不可能である。
【００２９】
図３は、テキスチャ面３上の下地層４のＣｒ粒子を平面で示す図である。図４は、テキスチャ面３上の下地層４のＣｒ粒子を断面で示す図である。又、図５は、テキスチャ面３のテキスチャリングを所望のテキスチャパラメータに対して断面で示す図である。
【００３０】
本実施例では、テキスチャ面３は、図５に示すように、２つの互いに隣接するテキスチャ線３−１間の距離λが５＜λ＜３０ｎｍなる関係を満足し、テキスチャ面３と斜めのテキスチャ面３−２とで形成する角度φは０．５＜φ＜７度なる関係を満足する。又、テキスチャ線３−１のテキスチャ面３に対する高さδは、０．６５ｎｍから０．８ｎｍである。この結果、このようなテキスチャ面３上に設けられた下地層４上に設けられた磁性層５の配向比は、約１．２より大きく、且つ、約１．９より小さい。しかし、本発明者らは、下地層４のＣｒ＜１１０＞の配向の調整、テキスチャ面３のテキスチャリング及び下地層４の成長条件に応じて、下地層４上に設けられた磁性層５の配向比を２以上にすることができることを確認した。
【００３１】
本発明者らは、下地層４中の多数のＣｒ粒子のＴＥＭ回折画像を観測することで、下地層４のＣｒ＜０１１＞の優先配向を観察した。単一Ｃｒ粒子の回折画像より、テキスチャ面３のテキスチャリングの方向、即ち、所定方向に対するＣｒ＜１１０＞の方向が求められた。正当で良好な確立分布を得るために、１００以上の個々のＣｒ粒子を観察した。
【００３２】
個々Ｃｒ粒子画像は、図６の左下部に示すようにネガフィルムに記録された。図６は、ＴＥＭ回折画像からの下地層４のＣｒ＜１１０＞方向の観察を示す図である。単一Ｃｒ粒子を観察したため、スポット画像、即ち、１つの中央スポットと最も近い４つの隣接スポットが得られた。図６の左下部に示すネガフィルム上のスポット画像は、図６の左部分にＣｒ＜１１０＞方向について系統的に示されている。ネガフィルムの端部方向は、フィルム端部方向がテキスチャ面３のテキスチャリング方向と一致するように、写真を取る際に調整された。従って、図６より、下地層４の各Ｃｒ粒子のＣｒ＜１１０＞方向が求められた。つまり、テキスチャリング方向θの値を観察することで、テクスチャリング方向θに対する下地層４のＣｒ＜１１０＞方向を求めることができた。
【００３３】
図７Ａは、テキスチャ面３のテキスチャリング方向に対する、テキスチャ面３上のＣｒ下地層４のＣｒ＜１１０＞の確率分布を、約１００個のＣｒ粒子について示す図である。図７Ａ中、縦軸はＣｒ粒子の数を示し、横軸はＣｒ＜１１０＞のテキスチャ面３のテキスチャリング方向θに対する角度（度）を示す。図７Ａからわかるように、他の角度と比較すると、角度が０度及び９０度の近傍では、Ｃｒ＜１１０＞配向のＣｒ粒子がより多く見られた。このように、約５０％以上のＣｒ＜１１０＞の優先成長がテキスチャリング方向θに沿っていることが確認された。
【００３４】
図７Ｂは、暗視野強度パターンを観察するための、テキスチャ面３上のＣｒ下地層４の約１０００個のＣｒ粒子の単一ＴＥＭ画像を示す図である。この場合、暗視野強度パターンは、テキスチャ面３上の下地層４のＣｒ＜１１０＞に対応するリングとなる。図７Ｂからわかるように、リング強度は均一ではなく、Ａ１，Ａ２で示す相対向する角度で暗部となる。従って、Ｃｒ＜１１０＞のテキスチャリング方向θに沿った優先成長が確認された。
【００３５】
図７Ａ及び図７Ｂと同様の結果が、テキスチャ面３上のＣｒＭｏ下地層４についても得られた。
【００３６】
図８Ａは、テキスチャリングされていない表面上のＣｒ下地層４のＣｒ＜１１０＞の確率分布を、約１００個のＣｒ粒子について示す図である。図８Ａ中、縦軸はＣｒ粒子の数を示し、横軸はＣｒ＜１１０＞の所定方向、即ち、テキスチャ面３のテキスチャリング方向θに対する角度（度）を示す。図８Ａからわかるように、Ｃｒ＜１１０＞配向のＣｒ粒子は不規則に分布していることが確認された。このため、テキスチャリング方向θに沿ったＣｒ＜１１０＞の優先成長は見られなかった。
【００３７】
図８Ｂは、暗視野強度パターンを観察するための、テキスチャリングされていない表面上のＣｒ下地層４の約１０００個のＣｒ粒子の単一ＴＥＭ画像を示す図である。この場合、暗視野強度パターンは、テキスチャリングされていない表面上の下地層４のＣｒ＜１１０＞に対応するリングとなる。図８Ｂからわかるように、リング強度は均一である。従って、Ｃｒ＜１１０＞のテキスチャリング方向θに沿った優先成長は確認されなかった。
【００３８】
図８Ａ及び図８Ｂと同様の結果が、テキスチャリングされていない表面上のＣｒＭｏ下地層４についても得られた。
【００３９】
次に、本発明になる磁気記録媒体の製造方法の一実施例を説明する。説明の便宜上、製造方法の本実施例は、上記の如き磁気記録媒体の実施例を製造するものとする。
【００４０】
磁気記録媒体の製造方法は、所定方向にテキスチャリングされた図１Ａに示す如きテキスチャ面３を形成する第１のステップと、ｄｃスパッタリングにより、約５０％のＣｒ＜１１０＞が所定方向に配向されるようにＣｒ＜１１０＞の所定方向に沿った優先成長を行ってテキスチャ面３上にＣｒ系下地層４を形成する第２のステップと、ｄｃスパッタリングにより、Ｃｏ（１１２０）面の所定方向に沿った優先成長を行って下地層４上にＣｏ系磁性層５を形成する第３のステップとを含む。
【００４１】
第１のステップは、シード層２の表面に機械的テキスチャリングを施すことによりテキスチャ面３を形成しても良い。テキスチャ面３は、２つの互いに隣接するテキスチャ線３−１間の距離λが５＜λ＜３０ｎｍなる関係を満足し、テキスチャ面３と斜めのテキスチャ面３−２とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度なる関係を満足するように形成される。
【００４２】
第２のステップは、望ましくは基板温度Ｔｓが１５０℃＜Ｔｓ＜２６０℃を満足し、基板バイアス電圧Ｖｂが−５０Ｖ＜Ｖｂ＜−２５０Ｖを満足するｄｃスパッタリングにより下地層４を形成する。
【００４３】
磁気記録媒体の製造方法の本実施例の変形例は、図１Ｂに示す磁気記録媒体の変形例を製造する。従って、この場合の磁気記録媒体の製造方法は、上記第１〜第３のステップに加え、第２のステップの後、且つ、第３のステップの前に行われ、下地層４と磁性層５の間に中間層９を形成するステップを含む。
【００４４】
磁気記録媒体の製造方法の上記実施例及び変形例によれば、磁気記録媒体の表面トポロジー及び磁気特性は、適切なテキスチャリングを行うことでテキスチャ面３を形成し、適切なスパッタリング条件で下地層４を形成することで、下地層４の結晶配向を調整して精密に制御することができる。この結果、向上された配向比と媒体ＳＮＲを有する磁気記録媒体を製造することができる。
【００４５】
次に、本発明になる磁気記憶装置の一実施例を、図９及び図１０と共に説明する。図９は、磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図であり、図１０は、磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図である。
【００４６】
図９及び図１０に示すように、磁気記憶装置は、大略ハウジング１１３からなる。ハウジング１１３内には、モータ１１４、ハブ１１４、複数の磁気記録媒体１１６、複数の記録再生ヘッド１１７、複数のサスペンション１１８、複数のアーム１１９及びアクチュエータユニット１２０が設けられている。磁気記録媒体１１６は、モータ１１４により回転されるハブ１１５に取り付けられている。記録再生ヘッド１１７は、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッド等の再生ヘッドと、インダクティブヘッド等の記録ヘッドとからなる。各記録再生ヘッド１１７は、対応するアーム１１９の先端にサスペンション１１８を介して取り付けられている。アーム１１９は、アクチュエータユニット１２０により駆動される。この磁気記憶装置の基本構成自体は周知であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。
【００４７】
磁気記憶装置の本実施例は、磁気記録媒体１１６に特徴がある。各磁気記録媒体１１６は、図１Ａ及び図１Ｂと共に説明した、上記磁気記録媒体の実施例又は変形例の構造を有する。勿論、磁気記録媒体１１６の数は３枚に限定されず、１枚でも、２枚又は４枚以上であっても良い。
【００４８】
磁気記憶装置の基本構成は、図９及び図１０に示すものに限定されるものではない。又、本発明で用いる磁気記録媒体は、磁気ディスクに限定されない。
【００４９】
尚、本発明は以下に付記する発明をも包含するものである。
（付記１）  所定方向にテキスチャリングを施されたテキスチャ面と、
該テキスチャ面上に設けられ、約５０％以上のＣｒ＜１１０＞が該所定方向に配向するようにＣｒ＜１１０＞が該所定方向に沿って優先成長しているＣｒ系下地層と、
該下地層上に設けられ、Ｃｏ（１１２０）面が該所定方向に沿って優先成長しているＣｏ系磁性層とを備えた、磁気記録媒体。
（付記２）  該テキスチャ面は、ＮｉＰ，ＣｏＮｉＺｒ，ＣｏＮｂＺｒ，ＮｉＡｌからなるグループから選択された材料からなるシード層の機械的テキスチャリングを施された表面からなる、付記１記載の磁気記録媒体。
（付記３）  該テキスチャ面３は、２つの互いに隣接するテキスチャ線間の距離λが５＜λ＜３０ｎｍなる関係を満足し、該テキスチャ面と斜めのテキスチャ面とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度なる関係を満足する、付記１又は２記載の磁気記録媒体。
（付記４）  該下地層は、Ｃｒ，ＣｒＭｏ，ＣｒＭｏＷ，ＣｒＶ，ＣｒＷからなるグループから選択された材料からなり、Ｍｏ含有量は１ａｔ％以上であり、Ｗ含有量は３０ａｔ％以下であり、Ｖ含有量は３０ａｔ％以下である、付記１〜３のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記５）  該磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢ，ＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなるグループから選択された材料からなる、付記１〜４のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記６）  該下地層と該磁性層の間に設けられ、Ｃｒ含有量が２５ａｔ％以上、且つ、４５ａｔ％以下であるＣｏＣｒ系中間層を更に備えた、付記１〜５のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記７）  該磁気記録媒体はディスク形状を有し、該所定方向は該ディスク形状の円周方向である、付記１〜６のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記８）  該下地層の膜厚は約２ｎｍより大きく、且つ、約１５ｎｍより小さい、付記１〜７のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記９）  付記１〜８のいずれか１項記載の磁気記録媒体を少なくとも１つ備えた磁気記憶装置。
（付記１０）  所定方向にテキスチャリングされたテキスチャ面を形成するステップ（ａ）と、
約５０％以上のＣｒ＜１１０＞が該所定方向に配向されるようにＣｒ＜１１０＞の該所定方向に沿った優先成長を行って該テキスチャ面上にＣｒ系下地層を形成するステップ（ｂ）と、
Ｃｏ（１１２０）面の該所定方向に沿った優先成長を行って該下地層上にＣｏ系磁性層を形成するステップ（ｃ）とを含む、磁気記録媒体の製造方法。
（付記１１）  該ステップ（ａ）は、２つの互いに隣接するテキスチャ線間の距離λが５＜λ＜３０ｎｍなる関係を満足し、該テキスチャ面と斜めのテキスチャ面とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度なる関係を満足するように、該テキスチャ面を形成する、付記１０記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１２）  該ステップ（ｂ）は、基板温度Ｔｓが１５０℃＜Ｔｓ＜２６０℃を満足し、基板バイアス電圧Ｖｂが−５０Ｖ＜Ｖｂ＜−２５０Ｖを満足するｄｃスパッタリングにより該下地層を形成する、付記１０又は１１記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１３）  所定方向にテキスチャリングを施されたテキスチャ面と、
該テキスチャ面は、２つの互いに隣接するテキスチャ線間の距離λが５＜λ３０ｎｍなる関係を満足すると共に、該テキスチャ面と斜めのテキスチャ面とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度なる関係を満足し、
該テキスチャ面上にスパッタリングにより設けられ、膜厚が約１ｎｍ以上で約４０ｎｍ以下であり、前記所定方向に対する角度が０度又は９０度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数が、前記所定方向に対する角度が４５度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数の２倍以上となるようにＣｒ＜１１０＞が該所定方向に沿って優先成長しているＣｒ系下地層と、
該下地層上にスパッタリングにより設けられ、Ｃｏ（１１２０）面が該所定方向に沿って優先成長してなり、配向比が２以上のＣｏ系磁性層とを備えた、磁気記録媒体。
（付記１４）  該テキスチャ面は、ＮｉＰ，ＣｏＮｉＺｒ，ＣｏＮｂＺｒ，ＮｉＡｌからなるグループから選択された材料からなるシード層の機械的テキスチャリングを施された表面からなる、付記１３記載の磁気記録媒体。
（付記１５）  該下地層は、Ｃｒ，ＣｒＭｏ，ＣｒＭｏＷ，ＣｒＶ，ＣｒＷからなるグループから選択された材料からなる、付記１３又は１４記載の磁気記録媒体。
（付記１６）  該磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢ，ＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなるグループから選択された材料からなる、付記１３〜１５のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記１７）  該下地層と該磁性層の間に設けられ、Ｃｒ含有量が２５ａｔ％以上、且つ、４５ａｔ％以下であるＣｏＣｒ系中間層を更に備えた、付記１３〜１６のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記１８）  該磁気記録媒体はディスク形状を有し、該所定方向は該ディスク形状の円周方向である、付記１３〜１７のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記１９）  付記１３〜１８のいずれか１項記載の磁気記録媒体を少なくとも１つ備えた磁気記憶装置。
【００５０】
尚、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の改良及び変更が可能であることは、言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１Ａ】本発明になる磁気記録媒体の一実施例の要部を示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明になる磁気記録媒体の一実施例の変形例の要部を示す断面図である。
【図２】Ｃｒ（００２）面とＣｏ（１１２０）面の格子不整合を説明する図である。
【図３】テキスチャリングされた表面上のＣｒ粒子を平面で示す図である。
【図４】テキスチャリングされた表面上のＣｒ粒子を断面で示す図である。
【図５】テキスチャリングを所望のテキスチャパラメータに対して断面で示す図である。
【図６】ＴＥＭ回折画像からの下地層のＣｒ＜１１０＞方向の観察を示す図である。
【図７Ａ】テキスチャリングされた表面のテキスチャリング方向に対する、テキスチャリングされた表面上のＣｒ下地層のＣｒ＜１１０＞の確率分布を示す図である。
【図７Ｂ】暗視野強度パターンを観察するための、テキスチャリングされた表面上のＣｒ下地層のＣｒ粒子の単一ＴＥＭ画像を示す図である。
【図８Ａ】テキスチャリングされた表面のテキスチャリング方向に対する、テキスチャリングされていない表面上のＣｒ下地層のＣｒ＜１１０＞の確率分布を示す図である。
【図８Ｂ】暗視野強度パターンを観察するための、テキスチャリングされていない表面上のＣｒ下地層のＣｒ粒子の単一ＴＥＭ画像を示す図である。
【図９】本発明になる磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図である。
【図１０】磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１      基板
２      シード層
３      テキスチャ面
４      下地層
５      磁性層
【図１Ａ】
2005353273.tif 000003
【図１Ｂ】
2005353273.tif 000004
【図２】
2005353273.tif 000005
【図３】
2005353273.tif 000006
【図４】
2005353273.tif 000007
【図５】
2005353273.tif 000008
【図６】
2005353273.tif 000009
【図７Ａ】
2005353273.tif 000010
【図７Ｂ】
2005353273.tif 000011
【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
2005353273.tif 000013
【図９】
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【図１０】
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