(57)【要約】  【課題】高密度配線された回路基板においても絶縁基板と配線層との接着力を向上させることができ、配線層の剥離や断線などが発生することの無い高い接続信頼性を備えた回路基板を提供する。  【解決手段】アラミドなどの繊維基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを主材とする絶縁基材２１の両面にスルホール導体２４を介して電気的に接続して形成された第１の配線層２２及び第２の配線層２３は、絶縁基材２１に、例えば（化１）で示されるチィラン環含有樹脂層２５を介して強固に接着されている。【化１】2005129593.tif 000007（但し、ｎはポリマーの繰り返し単位を示す正の整数。）【選択図】  図７
2005129593.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔の表面に、少なくともチィラン環を骨格に有する高分子材料が塗布されている回路基板形成用導電基材。
【請求項２】
前記チィラン環を骨格に有する高分子材料の厚さが、１×１０-10ｍ〜１×１０-8ｍの範囲である請求項１に記載の回路基板形成用導電基材。
【請求項３】
前記チィラン環を骨格に有する高分子材料が前記金属箔の表面に、連続した網状構造を備えて形成されている請求項１又は２に記載の回路基板形成用導電基材。
【請求項４】
前記金属箔が圧延銅箔、メッキ銅箔及び蒸着銅箔のうちいずれかである請求項１から３のいずれか１項に記載の回路基板形成用導電基材。
【請求項５】
前記金属箔が厚さ３μm〜３５μmの銅箔である請求項１から４のいずれか１項に記載の回路基板形成用導電基材。
【請求項６】
絶縁基材の少なくとも表面部に、前記絶縁基材１００重量部に対して１重量部〜３０重量部の範囲でチィラン環を骨格に有する高分子材料が形成されていることを特徴とする回路基板形成用絶縁基材。
【請求項７】
絶縁基材表面の配線層が形成されるべきパターン部分のみに、チィラン環を骨格に有する高分子材料を選択的に設けたことを特徴とする回路基板形成用絶縁基材。
【請求項８】
前記チィラン環を骨格に有する高分子材料の厚さが、１×１０-10ｍ〜１×１０-8ｍの範囲である請求項６又は７に記載の回路基板形成用絶縁基材。
【請求項９】
前記チィラン環を骨格に有する高分子材料が、前記絶縁基材の表面に連続した網状構造を備えて形成されている請求項６から８のいずれか１項に記載の回路基板形成用絶縁基材。
【請求項１０】
前記絶縁基材が、芯材として不織布、織布及びフィルムから選ばれる少なくとも一つを備えている請求項６から９のいずれか１項に記載の回路基板形成用絶縁基材。
【請求項１１】
前記絶縁基材が、不織布基材を芯材として合成樹脂を含浸した絶縁基材である請求項１０に記載の回路基板形成用絶縁基材。
【請求項１２】
前記不織布基材が、アラミド、ポリイミド、ポリフェニレンベンゾビスオキサゾ−ル、全芳香族ポリエステル、フッ素樹脂、ポリエーテルスルフォン及びポリエーテルイミドから選ばれる有機質繊維、ガラス繊維、アルミナ繊維より選ばれる無機質繊維のいずれかである請求項１１に記載の回路基板形成用絶縁基材。
【請求項１３】
前記絶縁基材が、織布基材を芯材として合成樹脂を含浸した絶縁基材である請求項１０に記載の回路基板形成用絶縁基材。
【請求項１４】
前記織布基材が、アラミド、全芳香族ポリエステルから選ばれる有機質繊維、ガラス繊維のいずれかである請求項１３に記載の回路基板形成用絶縁基材。
【請求項１５】
前記絶縁基材が、樹脂フィルムを芯材として合成樹脂を前記樹脂フィルムの両面に形成した絶縁基材である請求項１０に記載の回路基板形成用絶縁基材。
【請求項１６】
前記樹脂フィルムが、ポリイミド、フッ素樹脂、アラミド及び液晶ポリマーから選ばれるいずれかのフィルムである請求項１０又は１５に記載の回路基板形成用絶縁基材。
【請求項１７】
前記合成樹脂が、エポキシ樹脂、ポリブタジエン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アラミド、ポリフェニレンサルファイド、シアネート樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、アクリルポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、ポリエーテルケトン及びポリブチレンレテフタレートから選ばれる少なくとも一つの合成樹脂である請求項１１から１５のいずれか１項に記載の回路基板形成用絶縁基材。
【請求項１８】
絶縁基板の表面に形成された金属箔よりなる配線層と、前記絶縁基材とをチィラン環が開環した高分子材料を含有する樹脂層を介して接合していることを特徴とする回路基板。
【請求項１９】
請求項６から９のいずれかに記載の回路基板形成用絶縁基材上に配線層を形成したことを特徴とする回路基板。
【請求項２０】
絶縁基板の表面に請求項１から５のいずれかに記載の回路基板形成用導電基材より形成された配線層が設けられていることを特徴とする回路基板。
【請求項２１】
前記回路基板が、少なくとも２層の配線層を備え、且つ前記配線層が絶縁基板に設けられたビアホール導体によって電気的に接続された多層配線回路基板である請求項１８から２０のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項２２】
前記回路基板において、その最外層に形成された配線層を除く絶縁基板の表面が保護層で被覆されている請求項１８から２０のいずれか１項に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は各種電子機器、特に携帯用に便利な小型、軽量かつ高機能を有する小型電子機器に用いられる回路基板を製造するために用いられる接着性、耐熱性に優れた回路基板形成用基材、回路基板形成用絶縁基材及びこれを用いた回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、薄型化、軽量化、高機能化が急速に進んでいるが、携帯電話などに代表される携帯情報端末の発達やモバイルコンピュータの普及に伴い、これら電子機器を構成する各種電子部品には一層の小型化や薄型化が求められるとともに配線密度が高精細化されたプリント配線基板が要求されている。
【０００３】
特に通信機器において高速信号処理が求められる電子機器に対応するためには配線の長さを短くし、配線ピッチを小さくして高速動作に適応させる必要がある。また最近は急速な実装技術の進展に伴って、ＬＳＩ等の半導体装置のベアチップをプリント配線基板上に直接、高密度に実装でき、かつ高速信号処理回路にも対応できる多層配線構造の回路基板が安価に供給されることが強く要望されてきている。
【０００４】
このような要求に対応するための回路基板として半導体チップや電子部品間の接続を最短距離で可能とするインナービアホール構造を備えた回路基板の開発が多方面で進められている。
【０００５】
すなわちその一例として、プリプレグ状態にある合成樹脂基板に設けられたインタースティシャルビアホール（以下，ＩＶＨという）に導電体を充填して加熱硬化時に圧縮することにより接続信頼性の向上を図るとともに部品ランド直下や任意の層間にＩＶＨを形成でき、基板サイズの小型化や高密度実装が実現できる全層ＩＶＨ構造の樹脂多層配線基板は必要な各層間のみの接続が可能であり、電子部品の実装性にも優れている（例えば特許文献１〜２参照）。
【０００６】
また表面に導体回路が形成された転写シートと半硬化状態の絶縁層とを圧接して導体回路を絶縁層に転写埋入させて得られた回路基板を複数枚積層した後、加熱して完全硬化させて多層配線基板を得る方法が提案されている（例えば特許文献３参照）。
【０００７】
上記のようにして作成される回路基板や多層配線基板において配線層を形成する銅箔と絶縁基板との接着性はこれら回路基板を搭載する電子機器の信頼性からも重要な問題であり、従来から種々検討、改善されてきた。現在最も一般的な接着性を向上させる手段としては、絶縁基板を構成する樹脂層と接着する銅箔の表面に予め黒化処理と称される酸化処理によって銅酸化物層を形成したり、化学研磨やソフトエッチングにより粗面化処理を行うことによって接着力を向上させる方法が行われてきた。
【０００８】
一方銅箔と絶縁基板との接着性強化のために、上記のような接着面の黒化処理や粗面化処理によって得られるアンカー効果を利用した機械的接合のみでなく、銅箔と絶縁基板との界面にトリアジンチオール化合物などの有機硫黄化合物を設けて化学的接合により両者の接着性を向上させた技術が提案されている（例えば特許文献４参照）
【特許文献１】特開昭６３−４７９９１号公報
【特許文献２】特開平６−２６８３４５号公報
【特許文献３】特開平１０−２７９５９号公報（第１図）
【特許文献４】特開平１−５３４９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、前記したように、高速信号処理が求められる電子機器に対応するためには配線の長さを短くし、配線ピッチを小さくして高速動作に適応するように高密度配線化する必要があり、したがって配線層を形成する銅箔は薄型化する傾向にある。
【００１０】
このように薄型化された銅箔を配線パターン化する場合、従来のように接着性向上のために粗面化処理された銅箔では配線パターンの端面が鋸刃状となり、配線層のパターン精度が低下し、配線幅や配線ピッチの細密化が困難となる。
【００１１】
また最近は急速な実装技術の進展に伴って、ＬＳＩ等の半導体装置のベアチップをプリント配線基板上に直接、高密度に実装することが行われて来ているが、上記したように配線ピッチが極めて小さく、厚さの薄い銅箔では絶縁基板との接着性が低下し、剥離などの実装信頼性に課題を生じる恐れがある。
【００１２】
本発明は、前記従来の問題を解決するため、高密度配線された回路基板においても絶縁基板と配線層との接着力を向上させることができ、配線層の剥離や断線などが発生することの無い高い接続信頼性を備えた回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の回路基板形成用導電基材は、金属箔の表面に、少なくともチィラン環を骨格に有する高分子材料が塗布されているものである。
【００１４】
本発明の回路基板形成用絶縁基材は、絶縁基材の少なくとも表面部に、前記絶縁基材１００重量部に対して１重量部〜３０重量部の範囲でチィラン環を骨格に有する高分子材料が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の別の回路基板形成用絶縁基材は、絶縁基材表面の配線層が形成されるべきパターン部分のみに、チィラン環を骨格に有する高分子材料を選択的に設けたことを特徴とする。
【００１６】
本発明の回路基板は、絶縁基板の表面に形成された金属箔よりなる配線層と、前記絶縁基材とをチィラン環が開環した高分子材料を含有する樹脂層を介して接合していることを特徴とする。
【００１７】
本発明の別の回路基板は、前記の回路基板形成用絶縁基材上に配線層を形成したことを特徴とする。
【００１８】
本発明のさらに別の回路基板は、前記の回路基板形成用導電基材より形成された配線層が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明は、回路基板を構成する少なくとも絶縁基板と配線層との界面にチィラン環を骨格に有する高分子材料を含有する樹脂を介在させて接合した構造としているため、粗面化処理されていない極めて薄い銅箔を用いて細密パターンにより高密度配線された回路基板においても絶縁基板と配線層との接着力を向上させることができ、配線層の剥離や断線などが発生することの無い高い接続信頼性を備えた回路基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明は、回路基板を形成するための導電基材として、金属箔の表面に少なくともチィラン環が開環した高分子材料を塗布した導電基材を用いるものである。チィラン環を含む樹脂は、下記化学式１〜３に示すように、アミンと反応して開環する。
【００２１】
【化１】
2005129593.tif 000003
【００２２】
【化２】
2005129593.tif 000004
【００２３】
【化３】
2005129593.tif 000005
（但し、化１〜３において、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3はそれぞれ脂肪族、脂環族又は芳香族を含む有機基を示す。）
アミンとの反応だけでなくアニオン重合によっても開環する。例えば、エピスルフィドと、フェノール又は酸無水物などの硬化剤によっても開環する。別のアニオン重合の例としては、エピスルフィドと、イミダゾール、リン、又は３級アミンによっても開環する。
【００２４】
以上から、本発明において、チィラン環が開環した高分子材料とは、例えば前記化学式１〜３に示すような構造である。
【００２５】
本発明の導電基材においては、前記チィラン環が開環した高分子材料の厚さは任意に選択できるが、実用的には、１×１０-10ｍ〜１×１０-8ｍの範囲が好ましい。
【００２６】
前記チィラン環が開環した高分子材料が前記金属箔の表面に、連続した網状構造に形成されていることが好ましい。
【００２７】
前記金属箔が圧延銅箔、メッキ銅箔及び蒸着銅箔のうちいずれかであることが好ましい。
【００２８】
前記金属箔が厚さ３μm〜３５μmの銅箔であることが好ましい。
【００２９】
本発明の回路基板形成用絶縁基材においては、前記チィラン環が開環した高分子材料の厚さが、１×１０-10ｍ〜１×１０-8ｍの範囲であることが好ましい。
【００３０】
前記チィラン環が開環した高分子材料が、前記絶縁基材の表面に連続した網状構造に形成されていることが好ましい。
【００３１】
前記絶縁基材が、芯材として不織布、織布及びフィルムから選ばれる少なくとも一つを備えていることが好ましい。
【００３２】
前記絶縁基材が、不織布基材を芯材として合成樹脂を含浸した絶縁基材であることが好ましい。
【００３３】
前記不織布基材が、アラミド、ポリイミド、ポリフェニレンベンゾビスオキサゾ−ル、全芳香族ポリエステル、フッ素樹脂、ポリエーテルスルフォン及びポリエーテルイミドから選ばれる有機質繊維、ガラス繊維、アルミナ繊維より選ばれる無機質繊維のいずれかであることが好ましい。
【００３４】
前記絶縁基材が、織布基材を芯材として合成樹脂を含浸した絶縁基材であることが好ましい。
【００３５】
前記織布基材が、アラミド、全芳香族ポリエステルから選ばれる有機質繊維、ガラス繊維のいずれかであることが好ましい。
【００３６】
前記絶縁基材が、樹脂フィルムを芯材として合成樹脂を前記樹脂フィルムの両面に形成した絶縁基材であることが好ましい。
【００３７】
前記樹脂フィルムが、ポリイミド、フッ素樹脂、アラミド及び液晶ポリマーから選ばれるいずれかのフィルムであることが好ましい。
【００３８】
前記合成樹脂が、エポキシ樹脂、ポリブタジエン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アラミド、ポリフェニレンサルファイド、シアネート樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、アクリルポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、ポリエーテルケトン及びポリブチレンレテフタレートから選ばれる少なくとも一つの合成樹脂であることが好ましい。
【００３９】
本発明の回路基板においては、前記回路基板が、少なくとも２層の配線層を備え、且つ前記配線層が絶縁基板に設けられたビアホール導体によって電気的に接続された多層配線回路基板であることが好ましい。
【００４０】
前記回路基板においては、その最外層に形成された配線層を除く絶縁基板の表面が保護層で被覆されていることが好ましい。
【００４１】
つぎに本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００４２】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における回路基板形成用導電基材を示す断面図であり、銅箔などよりなる金属箔１の少なくとも片面に下記化学式（化４）で示されるチィラン環を骨格に有するエピスルフィド樹脂を含有する樹脂層２を設けたものである。
【００４３】
【化４】
2005129593.tif 000006
（但し、ｎはポリマーの繰り返し単位を示す正の整数。）
前記化学式（化４）で示されるチィラン環を骨格に有するエピスルフィド樹脂は、ジャパンエポキシレジン社製商品名“ＹＬ７０００”が存在する。この樹脂は、エピスルフィド当量：１９０ｇ／ｅｑ，１３０℃における粘度：１０(mPa.s)，融点：９０℃である。下記の実施の形態において、エピスルフィド樹脂は、すべてこの“ＹＬ７０００”のことである。
【００４４】
本実施の形態において金属箔１は、比較的厚い銅箔として金属銅板を圧延して得られた銅箔、また比較的薄い銅箔として電解メッキ又は化学メッキによって得られた銅箔及び蒸着技術によって形成された銅箔又は合金箔を用いることができ、金属箔１の厚さとしては３μｍ〜３５μｍであることが望ましい。
【００４５】
さらに金属箔１の表面に塗布された少なくともチィラン環を骨格に有するエピスルフィド樹脂などの樹脂層２の厚さは１×１０-10ｍ〜１×１０-8ｍの範囲であることが望ましい。
【００４６】
また本実施の形態ではビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のオキシラン環の一部又は全部をチィラン環で置換したビスフェノールＡ型エピスルフィド樹脂を用いて樹脂層２を形成した。
【００４７】
（実施の形態２）
つぎに図２は本発明の実施の形態２における回路基板形成用絶縁基材の断面を示すものであり、ｐ−アラミドなどの繊維基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させたものを主材とする絶縁基材３の表面部には実施の形態１において用いられたチィラン環を骨格に有するエピスルフィド樹脂などよりなる樹脂層（以下、チィラン環含有樹脂層という）４が設けられている。
【００４８】
本実施の形態ではチィラン環含有樹脂層４として実施の形態１の場合と同様にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のオキシラン環の一部又は全部をチィラン環で置換したビスフェノールＡ型エピスルフィド樹脂とビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を一定の比率において混合して使用した。
【００４９】
したがって図２には理解しやすくするために、チィラン環含有樹脂層４が絶縁基材３の表面に層として形成されている例について示しているが、絶縁基材３全体がチィラン環含有樹脂で構成されていても良く、また絶縁基材３とチィラン環含有樹脂層４との境界が明確でなく、絶縁基材３の表面部にチィラン環成分の濃度勾配を備えて構成されていても良い。
【００５０】
チィラン環を骨格に有するエピスルフィド樹脂をエポキシ樹脂中に均一に含有させる場合、その含有率は絶縁基材３の１００重量部に対して１重量部〜３０重量部の範囲であることが望ましい。含有率が１重量部以下であると配線層と絶縁基材との接着性が低下し、３０重量部を超えると配線層を化学変化させることにより電気抵抗が増加する場合がある。
【００５１】
また絶縁基材３の内部にチィラン環成分の濃度勾配を備えて構成する場合、絶縁基材３の中心部のチィラン環成分の濃度を低く、表面部は高くすることが、さらに表面に近いチィラン環含有樹脂層はオキシラン環の全てがチィラン環で置換されていることが金属箔との接着性向上のために好ましい。
【００５２】
（実施の形態３）
図３は本発明の実施の形態３における回路基板形成用絶縁基材の断面を示すものであり、ｐ−アラミドなどの繊維基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させたものを主材とする絶縁基材５の表面に実施の形態１において用いられたチィラン環含有樹脂層６が回路パターン状に選択的に設けられている。
【００５３】
これは回路基板を製造する場合、配線層（図示せず）をチィラン環含有樹脂層６の上面にのみ設け、回路パターンを形成するためである。
【００５４】
本実施の形態においてもチィラン環含有樹脂層６の厚さは実施の形態１の場合と同様に１×１０-10ｍ〜１×１０-8ｍの範囲であることが望ましい。
【００５５】
（実施の形態４）
図４は本発明の実施の形態４における回路基板の断面を示すものであり、ｐ−アラミドなどの繊維基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させたものを主材とする絶縁基材７の表面には回路パターン状に選択的に形成されたチィラン環含有樹脂層８が設けられており、そのチィラン環含有樹脂層８の上面に銅箔などよりなる配線層９が３μｍ〜３５μｍの厚さで形成されている。すなわち配線層９と絶縁基材７とは厚さが１×１０-10ｍ〜１×１０-8ｍの範囲であるチィラン環含有樹脂層８を介して強固に接着されている。
【００５６】
（実施の形態５）
図５は本発明の実施の形態５における回路基板の断面を示すものであり、ｐ−アラミドなどの繊維基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させたものを主材とする絶縁基材１１は、その表面部にチィラン環を骨格に有するエピスルフィド樹脂などを含有する樹脂層１２が形成されており、さらにその表面には選択的に銅箔などよりなる配線層１３が形成されている。したがって配線層１３が形成されていない絶縁基材１１の表面にはチィラン環含有樹脂層が露出した状態となっている。
【００５７】
なお、本実施の形態において絶縁基材１１は、織布、不織布又は樹脂フィルムのいずれかを芯材（図示せず）としてエポキシ樹脂を含浸した絶縁材料の１００重量部に対してチィラン環を骨格に有するエピスルフィド樹脂１重量部〜３０重量部とを混合した絶縁基材１１で構成されていても良く、また絶縁基材１１とチィラン環含有樹脂層１２との境界は明確でなく、絶縁基材１１の表面部にチィラン環成分の濃度勾配を備えて構成されていても良い。
【００５８】
（実施の形態６）
図６は本発明の実施の形態６における回路基板の断面を示すものであり、本実施の形態が実施の形態５と異なる点は、実施の形態５において使用したチィラン環を骨格に有するエピスルフィド樹脂などを含有する絶縁基材１１上の配線層１３の部分を除くチィラン環含有樹脂層１２の表面に保護層１４が形成されている点である。
【００５９】
保護層１４としてはポリイミド樹脂などの耐熱、耐水性樹脂又はソルダーレジストワニスなどを用いることができる。
【００６０】
保護層１４を設けることにより、回路基板上にチィラン環を含有する樹脂が露出することがないため、銅箔など金属部分の耐食性を向上させることができる。
【００６１】
なお、保護層１４の塗布厚さは配線層１３と同じ厚さ又は未満であることが望ましい。
【００６２】
（実施の形態７）
図７は本発明の実施の形態７における回路基板の断面を示すものであり、上記本発明の各実施の形態における回路基板はいずれも片面に配線層が形成されたいわゆる片面配線回路基板であるが、実施の形態７における回路基板は、図７に示すようにｐ−アラミドなどの繊維基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させたものを主材とする絶縁基材２１の両面に形成された第１の配線層２２と第２の配線層２３とがスルホール導体２４を介して電気的に接続された両面配線回路基板である。
【００６３】
本実施の形態において第１の配線層２２，第２の配線層２３はいずれも厚さが１×１０-10ｍ〜１×１０-8ｍであるチィラン環含有樹脂層２５を介して絶縁基材２１に強固に接着されている。
【００６４】
（実施の形態８）
図８は本発明の実施の形態８における回路基板の断面を示すものであり、本実施の形態における回路基板は、実施の形態６における片面回路基板の構成を両面配線回路基板に応用したものである。
【００６５】
すなわちチィラン環を骨格に有するエピスルフィド樹脂などを含有する絶縁基材３１の両面に形成された第１の配線層３２と第２の配線層３３とがスルホール導体３４を介して電気的に接続され、絶縁基材３１と第１，第２の配線層３２，３３とはチィラン環含有樹脂層３５によって強固に接着されている。また配線層が形成されていない絶縁基材３１の表面はチィラン環含有樹脂層３５を外気から遮断するための保護層３６により被覆されている。
【００６６】
また保護層３６の塗布厚さは、配線層３２，３３とそれぞれ同じ厚さ又は未満であることが望ましい。
【００６７】
（実施の形態９）
図９は本発明の実施の形態９における回路基板の断面を示すものであり、本実施の形態における回路基板は、本発明の実施の形態７における両面配線回路基板を基本構成として形成した多層配線構造を備えた多層配線回路基板である。
【００６８】
その構成は図９に示すように、ｐ−アラミドなどの繊維基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させたものを主材とする絶縁基材４１ａ，４１ｂ，４１ｃの最外層の表面に形成された第１の配線層４２ａ、第２の配線層４２ｂ及び内層に形成された第３の配線層４３ａ及び第４の配線層４３ｂがそれぞれ対応するビアホール導体４４によって層間接続されている構造となっており、各層において絶縁基材と配線層とはいずれもチィラン環含有樹脂層４５を介して強固に接着されている。
【００６９】
なお、本実施の形態において多層配線を形成する第１の配線層４２ａ、第２の配線層４２ｂ及び内層に形成された第３の配線層４３ａ及び第４の配線層４３ｂの厚さはいずれも３μｍ〜３５μｍの厚さで形成されていること、またチィラン環含有樹脂層４５の厚さは１×１０-10ｍ〜１×１０-8ｍの範囲であることが望ましい。
【００７０】
（実施の形態１０）
図１０は本発明の実施の形態１０における回路基板の断面を示すものであり、本実施の形態における回路基板は、本発明の実施の形態８における両面配線回路基板を最外層に配置し、実施の形態７における回路基板を内層に配置した基本構成を備える多層配線回路基板となっている。
【００７１】
最外層を構成する絶縁基材５１ａ、５１ｂは、実施の形態２において説明した絶縁基材を用いるものであり、ｐ−アラミドなどの繊維基材にエポキシ樹脂を含浸させたものを主体とする絶縁基材にチィラン環を骨格に有するエピスルフィド樹脂を配合したものである。
【００７２】
本実施の形態においても絶縁基材の主体となる樹脂成分としてのエポキシ樹脂とエピスルフィド樹脂とは完全に一体化されていても良く、またその境界が明確でなく、絶縁基材５１ａ、５１ｂの表面部にチィラン環成分が濃度勾配を備えて構成されていても良い。
【００７３】
さらにｐ−アラミドなどの繊維基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させたものを主材とする絶縁基材の表面にチィラン環を骨格に有するエピスルフィド樹脂を含有する樹脂材料を被覆させて用いることも可能である。
【００７４】
つぎに本実施の形態における内層絶縁基材５２としては、ｐ−アラミドなどの繊維基材にエポキシ樹脂などを含浸させた絶縁基材を使用し、その表面に配線が形成される回路パターン状にチィラン環含有樹脂層５３が選択的に形成されているものが使用される。
【００７５】
したがって本実施の形態において、最外層配線層５４ａ、５４ｂが形成されている回路パターン以外の絶縁基材５１ａ、５１ｂの外表面にはチィラン環含有樹脂層５３を外気から遮断するための保護層５５が最外層配線層５４ａ、５４ｂと同じ厚さ又は未満の厚さで被覆されていることが配線層の耐食性向上のために好ましい。
【００７６】
なお、本実施の形態においても最外層配線層５４ａ、５４ｂや内層配線層５６がビアホール導体５７によって層間接続されている点は実施の形態９の場合と同様である。
【００７７】
また上記本発明の各実施の形態においては、繊維基材としてｐ−アラミドを用いた例について説明したが、このほかポリイミド、ポリ−ｐ−フェニレンベンゾビスオキサゾール、全芳香族ポリエステル、フッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、ポリ弗化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリ弗化ビニル（ＰＶＦ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＰＥＴＦＥ））、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルイミドから選ばれる有機質繊維及びガラス繊維、アルミナ繊維より選ばれる無機質繊維より作られた不織布を用いることができる。
【００７８】
さらに同じく繊維基材としてｐ−アラミドのほかに全芳香族ポリエステルなどの有機質繊維及びガラス繊維のいずれかの織布を用いることも可能である。
また上記繊維基材に代えてポリイミド、フッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、ポリ弗化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリ弗化ビニル（ＰＶＦ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＰＥＴＦＥ））、アラミド及び液晶ポリマーのうちいずれかの樹脂フィルムを使用することも可能である。
【００７９】
さらに熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂のほかに、ポリブタジエン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ｍ−アラミド、ポリフェニレンサルファイド及びシアネート樹脂から選ばれる少なくとも一つの熱硬化性樹脂を用いることができる。
また上記熱硬化性樹脂に代えてポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニール、アクリルポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン，ポリイミド、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）及びなどの熱可塑性樹脂を用いることができる。
【００８０】
（実施の形態１１）
つぎに本発明の実施の形態１１における回路基板の製造方法について図１１を用いて説明する。図１１（ａ）から（ｄ）は本実施の形態１１における両面配線回路基板の製造工程を示す断面図であり、まず図１１（ａ）に示すように、チィラン環を骨格に有するエピスルフィド樹脂を含有する絶縁基材１０１は、その両面に銅箔１０２ａ、１０２ｂがそれぞれ貼着されていて両者は界面に存在するチィラン環含有樹脂層１０３の化学結合により強固に接着されている。
【００８１】
つぎにこの銅貼り積層板の必要箇所に図１１（ｂ）に示すように従来技術によりスルホール１０４を孔開けしたのち、メッキなどによりスルホール導体１０５を形成し（図１１（ｃ））、両面の銅箔１０２ａ、１０２ｂを回路パターン状にエッチングすることにより配線層１０６ａ、１０６ｂを形成する。
【００８２】
つぎに図１１（ｄ）に示すように配線層１０６ａ、１０６ｂが形成されていない絶縁基板１０１の表面、すなわちチィラン環含有樹脂層１０３の上面に電気絶縁性の保護層１０７、例えばポリイミドワニス又はソルダーレジストワニスなどを配線層１０６ａ、１０６ｂの厚さと同等又は未満の範囲内で被覆することにより、電子部品のはんだ付け実装時のふくれや耐熱負荷試験などにおいて絶縁基板と配線層との剥離や断線などが生じることのない接着性に優れた両面配線回路基板を得ることができる。
【００８３】
（実施の形態１２）
つぎに本発明における両面配線回路基板の他の製造方法を実施の形態１２について説明する。図１２〜図１４は本実施の形態の回路基板の製造工程を示す断面図であり、まず図１２（ａ）に示すようにアルミニウム箔などよりなるキャリア層１２１の上面に厚さが３μｍ〜３５μｍの銅箔１２２を配置し、さらにその表面にチィラン環含有樹脂層１２３を１×１０-10ｍ〜１×１０-8ｍの範囲内の厚さで塗布する。
【００８４】
つぎに図１２（ｂ）に示すように銅箔１２２を必要な回路パターン状に選択的にエッチングすることにより配線層１２４が形成された配線転写体１２５ａを得ることができる。このエッチング工程によってチィラン環含有樹脂層１２３の一部はパターン外の銅箔とともに除去される。
【００８５】
図１３（ａ）〜（ｃ）は本実施の形態における絶縁基材の製造工程を示すものであり、まず図１３（ａ）に示すようにアラミド不織布など繊維基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させて加熱し、半硬化状態としたプリプレグシート１２６の両面に離型性フィルム１２７を配置したのちレーザ照射によりスルホール１２８を形成する。
【００８６】
つぎに図１３（ｂ）に示すように、離型性フィルム１２７の上面から導電性ペースト１２９ａを印刷してスルホール１２８内に充填したのち、プリプレグシート１２６の両面の離型性フィルム１２７を剥離することにより図１３（ｃ）に見られるように導電性ペースト１２９ａが僅かに突出して形成された中間接続体１３０を得ることができる。
【００８７】
つぎに図１４（ａ）に示すように図１２（ｂ）で得られた配線転写体１２５ａと、同じく図１２の工程で形成された他の回路パターンを有する配線転写体１２５ｂとの間に中間接続体１３０を配置して図１４（ｂ）に示すように上下両面から２００℃、５０ｋｇ／ｃｍ2の条件下で加熱、加圧成形して中間接続体１３０を完全硬化したのち、配線転写体１２５ａ、１２５ｂのキャリア層１２１をエッチング除去することにより図１４（ｃ）に示すところの両面配線回路基板を得ることができる。
【００８８】
本実施の形態における製造方法によれば、ビアホール導体１２９ｂによって層間接続された配線層１２４ａ、１２４ｂとプリプレグシート１２６の硬化によって形成された絶縁基板との界面のみにチィラン環含有樹脂層１２３を形成させることができる。
【００８９】
（実施の形態１３）
つぎに本発明の実施の形態１３における多層配線回路基板の製造方法について図１５（ａ）〜（ｅ）及び図１６（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。
【００９０】
なお、以下の説明においては図１３の工程で得られたものと同様な中間接続体を使用するため図１３と同じ符号を用いて説明する。
【００９１】
まずに図１５（ａ）に示すようにアルミニウム箔などのキャリア層１５１の上面にチィラン環含有樹脂層１５３を１×１０-10ｍ〜１×１０-8ｍの範囲の厚さで塗布し、その上面に厚さが３μｍ〜３５μｍの銅箔１５２を配置し、さらにその銅箔１５２の上面にチィラン環含有樹脂層１５３を始めのチィラン環含有樹脂層と同様の厚さで塗布する。
【００９２】
つぎに実施の形態１１の場合と同様に銅箔１５２を必要な回路パターン状に選択的にエッチングすることにより配線層１５４が形成された配線転写体１５５ａを得る。このエッチング工程によって銅箔１５２の両面に設けられているチィラン環含有樹脂層１５３の一部はパターン外の銅箔とともに除去される。
【００９３】
つぎに図１５（ｃ）に示すように図１５（ｂ）で得られた配線転写体１５５ａと同じく図１５（ｂ）の工程で形成された他の回路パターンを有する配線転写体１５５ｂとの間に導電性ペースト１２９ａがスルホール内に充填された中間接続体１３０を配置して図１５（ｃ）、（ｄ）に示すように上下両面から２００℃、５０ｋｇ／ｃｍ2の条件下で加熱、加圧成形して中間接続体１３０を硬化させたのち、配線転写体１５５ａ、１５５ｂのキャリア層１５１をエッチング除去することにより図１５（ｅ）に示すところの両面配線コア回路基板１５６を得ることができる。
【００９４】
なお、両面配線コア回路基板１５６の形成方法としては、上記説明した方法以外に、図１２で説明した実施の形態１２における配線転写体１２５ａを用いて形成された図１４（ｃ）に示す両面配線回路基板の配線層１２４ａ、１２４ｂの上面にチィラン環含有樹脂層１５３を選択的に印刷塗布することにより形成することも可能である。
【００９５】
図１６（ａ）〜（ｃ）は本実施の形態における製造方法の後半工程を示すものであり、まず図１６（ａ）に示すように両面配線コア回路基板１５６の両外側面に中間接続体１６１ａ、１６１ｂを配置し、さらにその両外側面に図１２と同様の工程で作成した配線転写体１６２ａ，１６２ｂを配置して図１６（ｂ）に示すように、上下両面から２００℃、５０ｋｇ／ｃｍ2の条件下で加熱、加圧成形して積層する。つぎに配線転写体１６２ａ、１６２ｂのキャリア層１６３をエッチング除去することにより図１６（ｃ）に示すところの多層配線回路基板を得ることができる。
【００９６】
本実施の形態における多層配線回路基板において、最外層に設けられた第１の配線層１６４ａと第２の配線層１６４ｂはその外表面にチィラン環含有樹脂層が形成されていないため、電子部品などのはんだ付け実装性に優れる。また第１の配線層１６４ａ、第２の配線層１６４ｂのそれぞれ絶縁基材１６６と密着する面及び内部配線層１６５は、いずれも絶縁基材１６６との界面にチィラン環含有樹脂層を備えているため、極めて高い接着信頼性を得ることができる。
【００９７】
なお、上記本発明の各実施の形態においては主に繊維基材を芯材としてエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁基材を用いた例について説明したが、熱硬化性樹脂に代えてポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニール、アクリルポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン，ポリイミド、ＰＢＴ及びＰＥＳなどの熱可塑性樹脂を含浸させて絶縁基材とすることも可能であり、また芯材としてポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、アラミド又は液晶ポリマーなどよりなる樹脂フィルムを使用し、これにエポキシ樹脂、ポリブタジエン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ｍ−アラミド、ポリフェニレンサルファイド及びシアネート樹脂から選ばれる少なくとも一つの熱硬化性樹脂又は上記熱可塑性樹脂を塗布又は含浸させて絶縁基材を構成させることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
上記本発明における各実施の形態から明らかなように本発明は、絶縁基材と配線層との界面に少なくともチィラン環を骨格に有するエピスルフィド樹脂などを含有する樹脂層を設けているために、配線層と絶縁基材とを化学結合させることができ、極めて高い接着性を得ることができる。したがって耐熱性、耐候性に優れた高密度配線回路基板を形成することが可能となり、携帯電話などの携帯に便利な小型、軽量かつ高機能を有する小型電子機器に利用することができ、その産業上の利用可能性は大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の実施の形態１における回路基板形成用導電基材の断面図
【図２】本発明の実施の形態２における回路基板形成用絶縁基材の断面図
【図３】本発明の実施の形態３における回路基板形成用導電基材の断面図
【図４】本発明の実施の形態４における回路基板の断面図
【図５】本発明の実施の形態５における回路基板の断面図
【図６】本発明の実施の形態６における回路基板の断面図
【図７】本発明の実施の形態７における両面配線回路基板の断面図
【図８】本発明の実施の形態８における両面配線回路基板の断面図
【図９】本発明の実施の形態９における多層配線回路基板の断面図
【図１０】本発明の実施の形態１０における多層配線回路基板の断面図
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態１１における回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図１２】（ａ）〜（ｂ）は本発明の実施の形態１２における回路基板の製造方法を示す配線転写体の断面図
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施の形態１２における回路基板の製造方法を示す中間接続体の工程断面図
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施の形態１２における回路基板の製造方法を示す積層工程断面図
【図１５】（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施の形態１３における多層配線回路基板の製造方法において使用するコア両面配線回路基板の工程断面図
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施の形態１３における多層配線回路基板の製造方法を示す積層工程断面図
【符号の説明】
【０１００】
２１  絶縁基材
２２  第１の配線層
２３  第２の配線層
２４  スルホール導体
２５  チィラン環含有樹脂層
【図１】
2005129593.tif 000008
【図２】
2005129593.tif 000009
【図３】
2005129593.tif 000010
【図４】
2005129593.tif 000011
【図５】
2005129593.tif 000012
【図６】
2005129593.tif 000013
【図７】
2005129593.tif 000014
【図８】
2005129593.tif 000015
【図９】
2005129593.tif 000016
【図１０】
2005129593.tif 000017
【図１１】
2005129593.tif 000018
【図１２】
2005129593.tif 000019
【図１３】
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【図１４】
2005129593.tif 000021
【図１５】
2005129593.tif 000022
【図１６】
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