(57)【要約】【課題】  透過光と遮断光のコントラストが確保された、厚みの薄い光スイッチを提供すること。【解決手段】  少なくとも磁気ヘッド層と、膜の面内方向よりも膜面の垂直方向の方が大きな残留磁化を有する透明ＺｎＯ磁性層とから光スイッチを構成する。該透明ＺｎＯ磁性層は結晶のＣ軸が膜面に垂直方向にあることが好ましく、このような透明ＺｎＯ磁性膜は、エピタキシャル成長法によって作製するか、その層形成に際して強磁界を基板面に垂直に印加して作製することによって得られる。スイッチングに際しては、付加的にレーザー光を照射して透明ＺｎＯ磁性層に吸収させ加熱することによって透明ＺｎＯ磁性層の保磁力を低下させれば、より少ない電流で磁化変化を起こすことにより、省電力化、小型化、軽量化がはかれる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも磁気ヘッド層と、膜の面内方向よりも膜面の垂直方向の方が大きな残留磁化を有する透明ＺｎＯ磁性層とから構成される光スイッチ。
【請求項２】
前記透明ＺｎＯ磁性層の上側と下側とに偏光子層を設けたことを特徴とする請求項１記載の光スイッチ。
【請求項３】
前記透明ＺｎＯ磁性層の結晶のＣ軸が膜面に垂直方向にあることを特徴とする請求項１又は２記載の光スイッチ。
【請求項４】
前記透明ＺｎＯ磁性層がエピタキシャル成長法によって作製されたものであることを特徴とする請求項３に記載の光スイッチ。
【請求項５】
前記透明ＺｎＯ磁性層が層形成に際して強磁界を基板面に垂直に印加して作製されたものであることを特徴とする請求３に記載の光スイッチ。
【請求項６】
前記透明ＺｎＯ磁性層の膜面垂直方向の保磁力が１００  Ｏｅ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光スイッチ。
【請求項７】
支持体を含み、該支持体が透明プラスチックであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光スイッチ。
【請求項８】
前記透明ＺｎＯ磁性層を高屈折率単層膜で挟んだことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の光スイッチ。
【請求項９】
スイッチングに際して、付加的にレーザー光を照射して透明ＺｎＯ磁性層に吸収・加熱させてスイッチングすることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の光スイッチの使用方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光を通過させたり、遮断したりする光スイッチに関し、さらに詳しくは磁気ヘッド層によって磁気光学効果を有する層を磁化して、光を通過させたり、遮断したりする光スイッチに関する。本発明の光スイッチは、磁気ヘッド層をアレイ状に配列して各スイッチの遮光状態を個別に変化させると、ディスプレイとして用いることが出来る。
【背景技術】
【０００２】
本発明者はこれまで多くの光スイッチを提案してきたが、その中の代表的光スイッチの概要について特許文献１，２を例にとって説明する。
〈特許文献１〉（光デバイス）
基板上に可視光反射層と磁性微粒子を含む透明な磁性層と偏光子層とを順次積層してなる光デバイスである。コントラストが得られる原理は、磁性層の磁化の向きを、上向きか下向きかに変更することによって可視光を反射層で反射させたりしなかったりすることによる。反射層を設けず、可視光に対して透明な基板を用いると透過型の光デバイスとなる。
〈特許文献２〉（表示素子）
マイクロ磁気ヘッドアレイ上に光学的反射層、磁気光学効果を有する透明磁性層、および偏光子層が順に設けられている。
【０００３】
また、強磁性酸化亜鉛膜に関してはいくつかの報告があるが、代表的な例を以下に示す。
〈特許文献３〉（強磁性酸化亜鉛皮膜およびその製造方法）
この強磁性酸化亜鉛皮膜は酸化亜鉛皮膜中に鉄化合物を含有しており室温で強磁性を示す。この強磁性酸化亜鉛皮膜は、支持体表面に酸化亜鉛皮膜を形成した後、水溶性鉄塩と還元剤とを含む液で処理して上記酸化亜鉛皮膜中に鉄化合物を含有させるか、または支持体を水溶性鉄塩を含有する無電界酸化亜鉛メッキ液または電気酸化亜鉛メッキ液で処理して支持体表面に鉄化合物を含有する酸化亜鉛皮膜を形成することによって得られる（この方法を以下では「メッキ法」と記述する。）。
特許文献３には「Ｘ線回折により酸化亜鉛のピークを示した」と記載されているが、Ｘ線回折スペクトルは示されておらず、回折ピークの指数付けもされていない。従って酸化亜鉛結晶がｃ面配向しているかどうかも不明である。
【０００４】
特許文献３が出願された２００１年９月５日の後の２００２年に発行された非特許文献１には、特許文献３の発明者が同一材料である室温強磁性透明半導体について報告しており、その中に図１としてＦｅ０．４Ｚｎ０．６ＯのＸ線回折スペクトルが記載されている。この図１では酸化亜鉛のｃ面の回折ピークのみが現れているわけではなく、明らかにｃ面配向膜ではない。このことから特許文献３記載の強磁性酸化亜鉛はｃ面配向膜ではないと考えられる。
他の関連する文献としては、非特許文献２、非特許文献３及び非特許文献４などが報告されている。  
【０００５】
これら表示素子の基本構成は、１．磁気光学効果（ファラデー効果）を有する層、２．磁気ヘッド層（磁界発生層）、３．偏光子である。偏光子の数は限定されない。通常の円偏光を用いる場合には、直線偏光に変換する偏光子と偏光面が回転した光の検出を行う検光子を用いる。但し光が何らかの別の手段によって、直線偏光になって入射されれば、偏光子は１枚で良いし、検光子も表示素子以外に別途設けても良いからである。磁気光学効果を有する層が偏光子機能を有すれば１枚で良い。これらの基本構成に、偏光変換層を加えても良いし、磁気ヘッドには高透磁率層が磁気ヘッドの効率化のために設けられても良い。
【０００６】
これらの素子の作製に当たっては、主として基板を加熱して磁性膜を作製する。場合によっては、基板は通過するが、磁気光学効果を有する層では吸収される波長のレーザー光で、磁性膜製膜後に加熱して、磁気光学効果を有する層を結晶化する方法がとられた（これは基板を直接加熱しないで磁性層のみを加熱して、磁性層を結晶化するためである）。
【０００７】
本発明に近いコントラスト発現メカニズムを有する商品を上げるとすれば、液晶ディスプレイがある（磁性層が液晶層にかわり、磁気ヘッド層が電極層に相当する）。
両者は偏光を用いる点では同じであるが、磁性体による磁気旋光を用いたほうが、液晶を用いるよりも下記のように多くの点で優れている。
(1)応答スピードが１０００倍程度速い。
(2)画像分解能が高い。
(3)一度スイッチ状態（開または閉）を設定すれば、半永久的にその状態が持続されるので、維持のためのエネルギーが不要である。
(4)液体漏れ防止のための袋（ガラスやプラスチックの間を封止すること）が不要である。  (5)薄膜で形成ができるので薄く製作することが可能である。
【０００８】
【特許文献１】特開平９−２３０２９８号公報
【特許文献２】特開２００１−３１１９７０号公報
【特許文献３】特開２００３−７３８８７号公報
【非特許文献１】電気化学会大会講演要旨集（６９ｔｈ）の３７７ページ
【非特許文献２】Sato K，Ｋatayama-Yoshida  H，  Jpn.J.Appl.Phys  Vol.39(2000)Part 2. No.6B，pp.L555-558
【非特許文献３】Kenji Ueda, Hitoshi Tabata, and Tomoji Kawai, Appl. Phys. Lett.,vol.79, No.7, 13August 2001, page.988-990
【非特許文献４】福村知昭、川崎雅司、鯉沼秀臣、日本応用磁気学会、Vol.25，No.11,(2001)，pp.1573-1579
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記したように従来は製膜時に加熱するか、または製膜後レーザーなどで加熱して、磁気光学効果を有する層を結晶化する方法が採用された。特に透明性が高く磁気光学効果も高い磁性体として、希土類鉄ガーネットが好ましく用いられてきたが、結晶化温度は５５０℃から７００℃程度と高く、プラスチック基板や通常のガラス基板を用いることは困難であった。
【００１０】
また本発明のように酸化亜鉛中に、鉄化合物を含有した強磁性酸化亜鉛膜を用いる場合には、強磁性酸化亜鉛膜が膜面内に磁気異方性を有する｛膜面に平行に磁界を印加して測定した残留磁界（図４のＢｒ、以下面内残留磁化と記載する）の方が、垂直に磁界を印加して測定した残留磁界（以下垂直残留磁化と記載する）の方が大きい｝ためにコントラストがとれず、実用的ではなかった。
【００１１】
このような磁性体のファラデー効果を用いたディスプレイにおいては、磁界を印加しないときでも、画像を表示するためには、垂直残留磁化の方が面内残留磁化よりも大きな磁化膜でなければならない。即ち磁化の向きやすい方位が膜面に垂直であること（磁気異方性が膜面に垂直であること。以下では垂直磁化膜と記載する）が必要である。この理由は次の要因による。
【００１２】
光スイッチを通過する光は、ほぼ光スイッチの磁性膜にほぼ垂直に通過する。電子スピンと光は平行の場合に最も大きな相互作用が働いて、大きな磁気光学効果（ファラデー効果）が発現するからである。具体的には上記特許文献３記載の強磁性酸化亜鉛膜は、垂直残留磁化の方が面内残留磁化よりも大きな垂直磁化膜ではなく、磁化容易軸が膜面内にある面内磁化膜である。これに磁界を印加しても、しない場合や反対方向に磁化した場合に対するコントラストは得られなかった。
【００１３】
そこで、本発明の目的とするところは、磁気光学効果を有する強磁性酸化亜鉛膜を垂直磁化膜として作製し、磁気ヘッド層と組み合わせて光スイッチとして利用することである。このように垂直残留磁化の方が面内残留磁化よりも大きな垂直磁化膜である強磁性酸化亜鉛膜を用いることにより、(1)従来は得られなかったコントラストが得られ、(2)製膜時に数百℃という高温を不要にして、透明支持体としてプラスチックを用いることを可能にする。これによりフレキシビリティがあるために素子の取り扱いが容易になり、またデバイスとしての作製も容易となって、素子の製造コストが低下することになる。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するための本発明は次に記載する通りの構成を有している。
以下では、上記（１）〜（８）の発明を、本発明１〜８という。
（１）少なくとも磁気ヘッド層と、膜の面内方向よりも膜面の垂直方向の方が大きな残留磁化を有する透明ＺｎＯ磁性層とから構成される光スイッチ。
（２）前記透明ＺｎＯ磁性層の上側と下側とに偏光子層を設けたことを特徴とする上記（１）の光スイッチ。
（３）前記透明ＺｎＯ磁性層の結晶のＣ軸が膜面に垂直方向にあることを特徴とする上記（１）、（２）の光スイッチ。
（４）前記透明ＺｎＯ磁性層がエピタキシャル成長法によって作製されたものであることを特徴とする上記（３載の光スイッチ。
（５）前記透明ＺｎＯ磁性層が、層形成に際して強磁界を基板面に垂直に印加して作製されたものであることを特徴とする上記（３）の光スイッチ。
（６）前記透明ＺｎＯ磁性層の膜面垂直方向の保磁力が１００  Ｏｅ以下であることを特徴とする上記（１）〜（４）の光スイッチ。
（７）支持体を含み、該支持体が透明プラスチックであることを特徴とする上記（１）〜（６）の光スイッチ。
（８）前記透明ＺｎＯ磁性層を高屈折率単層膜で挟んだことを特徴とする上記（１）〜（７）の光スイッチ。
（９）スイッチングに際して、付加的にレーザー光を照射して透明ＺｎＯ磁性層に吸収・加熱させてスイッチングすることを特徴とする上記（１）〜（８）の光スイッチの使用方法。
【発明の効果】
【００１５】
（１）本発明１の効果
光スイッチの基本構成を、磁気ヘッド層と膜の面内方向よりも膜面の垂直方向の方が大きな残留磁化を有する透明ＺｎＯ磁性層としたので、入射する偏光に対して開閉時の大きなファラデー回転角を有する光スイッチとすることが出来た。
【００１６】
（２）本発明２の効果
光スイッチの構成として、膜面の垂直方向に大きな磁気光学効果を有する透明ＺｎＯ磁性層の上と下の層に偏光子層を設けたので、入射光に対して開閉時の大きなコントラストを有する光スイッチとすることが出来た。
【００１７】
（３）本発明３の効果
六方晶結晶のＣ軸が膜面に垂直方向に配列した透明ＺｎＯ磁性層を用いたので、容易に入射光に対して開閉時の大きなコントラストを有する光スイッチとすることが出来た。
【００１８】
（４）本発明４の効果
透明ＺｎＯ磁性層は強磁界を基板面に垂直に印加して作製するようにしたので、容易に入射光に対して開閉時の大きなコントラストを有する光スイッチとすることが出来た。
【００１９】
（５）本発明５の効果
透明ＺｎＯ磁性層の膜面垂直方向の保磁力を１００  Ｏｅ以下としたので、スイッチングのための磁気ヘッド層の駆動が低電流で可能となり、光スイッチを小型軽量化することができた。
【００２０】
（６）本発明６の効果
磁気ヘッド層に追加して、レーザー光を用いて透明ＺｎＯ磁性層に吸収させて加熱してスイッチングするようにしたので、スイッチングのための磁気ヘッド層の駆動が低電流で可能となり、光スイッチを小型軽量化することができた。
【００２１】
（７）本発明７の効果
支持体に透明プラスチックを用いたので、フレキシビリティが発現して取り扱いやすい、また安価な光スイッチ製作が可能となった。
【００２２】
（８）本発明８の効果
透明ＺｎＯ磁性層を高屈折率単層膜で挟んだ構成としたので、よりファラデー回転角が向上し、入射光に対して開閉時の大きなコントラストを有する光スイッチとすることが出来た。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の光スイッチは、磁気光学効果（ファラデー効果）を有する層面に垂直に磁界を印加して、垂直方向に磁化するための磁気ヘッド層と、膜の面内方向よりも膜面の垂直方向の方が大きな残留磁化を有する透明ＺｎＯ磁性層とから構成される。
【００２４】
一般に、磁性層の磁気特性としては次に示す（ａ）〜（ｃ）の場合がある。
（ａ）磁性層に特定方位への異方性が無い場合
この場合には、磁性膜の磁気特性（Ｂ−Ｈ特性）を測定すると、膜面に垂直に磁界を印加した場合と、膜に水平に磁界を印加した場合のヒステリシスループはほぼ同じ大きさで、従って残留磁化Ｂｒはほぼ同じ大きさである（膜厚の影響は無視する）。例えば立方体のマグネタイト（Ｆｅ３Ｏ４）などの場合がこれに相当する。
（ｂ）磁性膜に垂直方向に磁気的異方性がある場合
この場合には、膜面に垂直に磁界を印加した場合の残留磁化の方が、膜に水平に磁界を印加した場合の残留磁化よりも大きい。
（ｃ）磁性膜に水平方向に磁気的異方性がある場合には、膜面に垂直に磁界を印加した場合の残留磁化よりも、膜に水平に磁界を印加した場合の残留磁化の方が大きい。
【００２５】
本発明における「膜の面内方向よりも膜面の垂直方向の方が大きな残留磁化を有する透明ＺｎＯ磁性層」とは、上記ａ〜ｃの３つの場合のうちのｂに該当する磁性膜を特定している。
上記（ｃ）の場合には、磁化しても光との相互作用が少ないために、大きなコントラスト比（光りを通す場合と遮断する場合の光量の比）が取れない。また、上記（ａ）の場合には、コントラストは得られるが上記（ｂ）場合よりも小さいことは明らかであり、（ｂ）の場合が最も好ましい。
【００２６】
磁気ヘッド層には通常は磁気コイルが用いられ、またアレイ状に複数配列することも可能である。但し磁気ヘッド層の基本機能は磁気光学効果を有する層を磁化することであり、必ずしも磁気コイルに限定されない。例えば圧電素子などにより、透明ＺｎＯ磁性層に磁歪を発生させ磁化させたり、更にバイアス磁界をかけて磁化させたりすることも可能である。
【００２７】
また前述したように、偏光子は必ずしも必須ではない。磁気ヘッド層で磁化した透明ＺｎＯ磁性層の部位と磁化されていない部位（磁気ヘッド層で逆磁界を印加しても良い。この場合には偏光面は逆方向に回転するのでコントラストが得られる）とでは、ファラデー回転角に差異が生じて、検光子通過後の透過量に差異が発生し、光スイッチの機能を果たすようになる。また複数の光スイッチを配列すれば、コントラストが得られて画像を表示することができる。
【００２８】
膜の面内方向よりも膜面の垂直方向の方が大きな残留磁化を有する透明ＺｎＯ磁性層とは前記したように、垂直磁化膜となっている強磁性酸化亜鉛層である。磁化は膜面に水平よりも、膜面に垂直方向に磁化しやすいという性質を有することを特徴とする。
【００２９】
磁気ヘッド層と膜の面内方向よりも膜面の垂直方向の方が大きな残留磁化を有する透明ＺｎＯ磁性層を挟んで上下に偏光子層を、偏光軸を回転させて設けることもできる（本発明２）。この場合には自然光を通過させても、光スイッチとなるし、画像表示素子として利用することもできる。偏光軸の回転角はコントラストが最大となるようにして設定すれば良い。必ずしも９０度ではなく、９０度以下でも構わないが、９０度の場合が最も大きなコントラストが得られる。
【００３０】
従来の強磁性酸化亜鉛膜作製法（特許文献３）では、膜面の垂直方向に大きな磁気光学効果を有する透明ＺｎＯ磁性層は作製することが出来なかった。
本発明の強磁性酸化亜鉛膜の製造方法によれば、膜面の垂直方向に大きな磁気光学効果を有する透明ＺｎＯ磁性層は作製することができる。
すなわち、本発明においては強磁性酸化亜鉛膜は主に次に示す２つの方法を用いる。
【００３１】
第１の方法は、基板上に酸化亜鉛のＣ面と格子定数が近い金属例えば、金（Ａｕ）の結晶膜をあらかじめ作製しておき、その上に強磁性酸化亜鉛膜を作製する方法である。金膜の作製方法は、一般的な蒸着法やスパッタ法のようなＰＶＤ（物理的製膜法）法でも良く、特に限定されるものではない。金膜の上にスパッタ法などのＰＶＤ法で酸化亜鉛膜を作製すれば、六方晶結晶のＣ軸が膜面に垂直方向に配向したＺｎＯ膜を製膜しやすくなる。この原理はエピタキシャル法として一般的に知られている方法である。ＰＶＤ法で１００ｎｍ以下に薄く製膜しておき、更にこの上にメッキ法などで強磁性酸化亜鉛膜作製しても良い（本発明３）。
【００３２】
第１の方法を整理すると次のようになる。
（１）基板上に酸化亜鉛のＣ面と格子定数が近い金属の結晶膜を作製し、その上にエピタキシャルの原理を用いてｃ面配向強磁性酸化亜鉛膜を作製する。
（２）基板上に酸化亜鉛のＣ面と格子定数が近い金属の結晶膜を作製し、その上にエピタキシャルの原理を用いてｃ面配向の純粋な酸化亜鉛膜を作製し、更にこの上にめっき法などでｃ面配向強磁性酸化亜鉛膜を作製する。
なお、上記では、予め基板上に酸化亜鉛のＣ面と格子定数が近い金属の結晶膜を作製したが、成膜条件を選択することによって、基板上に金属の結晶膜を作製することなくｃ面配向酸化亜鉛膜を作製することができる。
【００３３】
このように明確に垂直配向した強磁性酸化亜鉛膜は、電子顕微鏡を用いた観察によっても六角板状の結晶が膜面に平行に形成されているので明確に評価できるし、Ｘ線回折法を用いれば、ｃ面である（００６）（００８）（００１４）面の回折ピークしかＸ線回折スペクトル上に観察できないので判断は容易である。ｃ面の回折ピークの半値幅は２度程度となり、鋭いピークとなることでも判断できる。
【００３４】
ＶＳＭなどの磁気特性を測定すれば（図４参照）、膜面に水平に磁場を印加して測定したヒステリシスループよりも、垂直に磁場を印加して測定したヒステリシスループの方が大きいのでわかる。図４を用いて説明すると、Ｂｍの大きさは水平に印加した場合でも、垂直に印加した場合でも同様であるが、Ｂｒの大きさは垂直に異方性磁界を有する場合と、面内に異方性磁界を有する場合では大きく異なる。もし垂直に異方性磁界を有する場合は、垂直に磁界を印加して測定したＢｒ／Ｂｍの値は１に近く、面内に異方性磁界を有する場合には、垂直に磁界を印加して測定したＢｒ／Ｂｍの値は例えば０．１と言うようにゼロに近くなる。逆の面内に異方性磁界を有する場合は、Ｂｒ／Ｂｍの値は逆の大小関係になる。勿論トルクメーターによって垂直磁気異方性を測定すれば垂直異方性磁界が数ｋＯｅと大きく、また面内異方性磁界より大きいので判断できる。
【００３５】
第２の方法は、透明ＺｎＯ磁性層をメッキ法で作製する際に、磁界を膜面に垂直に印加しながら行う方法である（本発明４）。作製時膜面に印加される磁界強度は大きいほうが好ましいが、装置が大掛かりになるなどデメリットも大きいので、１ｋガウスから１０ｋガウス程度が好ましい。膜の垂直磁気異方性は上記と同様にして評価できる。当然のことであるが、本発明３の方法と本発明４の方法とを併用すれば更に容易に垂直磁気異方性の大きな強磁性酸化亜鉛膜を作製することができる。
【００３６】
磁性層膜面の垂直方向に大きな磁気光学効果を有する透明ＺｎＯ磁性層は垂直に磁界を印加して測定した時の保磁力（図４参照）が、１００  Ｏｅ以下であることが本発明の光スイッチをスイッチングする場合に望ましい（本発明５）。光スイッチをスイッチングする方法として代表的な方法は、導線を巻いたコイルに電流を流したときに発生する磁界による方法である。他には永久磁石を機械的に動して、スイッチ部位の磁界を変化させる方法や、電磁石と永久磁石による磁界を併用して制御する方法がある。上述したように近年は、磁歪を利用した方法も利用できる。
【００３７】
これらのスイッチング時には、なるべく駆動の為の電流などの入力が小さいことが、装置の小型化や移動性などの点で好ましい。透明ＺｎＯ磁性層の保磁力が１００  Ｏｅ以上であると、電磁石を用いる場合１Ａ以上の電流が要るようになり、設計上制約が非常に大きくなる。例えば直径１００μｍのワンターンコイルを用いる場合に、４００ｍＡの電流でコイル中心の磁界強度は、１００  Ｏｅ程度である。これ以上の電流値を流すと、発熱や、電源サイズが大きくなる等の弊害が急に大きくなる。勿論あまりに保磁力が小さいと、外部のノイズ磁界によって一定したコントラストが得られなくなるので、１０  Ｏｅ以上が好ましい。
【００３８】
本発明の光スイッチは上記したように、磁気コイルを用いることができる。この場合はコイルの中心部位をレーザーによって照射して、透明ＺｎＯ磁性層を加熱することができる（本発明６）。波長は可視光以下であれば吸収が大きく好ましい。加熱により透明ＺｎＯ磁性層の保磁力は低下する。従ってより少ない電流で磁化変化（上向き磁化か下向き磁化か）を起こすことが出来て、より電源が小さくなり、小型化、軽量化がはかれる。透明ＺｎＯ磁性層の保磁力は元の温度に戻ることによって、上昇し外部の磁界によってスイッチング動作が邪魔されることが無くなる。レーザーは半導体レーザーのパワーで十分であるので、本発明の磁気ヘッド層に近接して配置し、例えば光磁気ディスクに用いられる「ピックアップ」のように設計されることができる。
【００３９】
本発明の光スイッチは透明な支持体を用いると、光が透過するか遮断するかの光スイッチとなる。また反射層を支持体の上に設けると、光が反射するか遮断（吸収）するかの光スイッチとなる。透過型光スィッチの場合には、支持体としてガラスや石英などの透明な支持体が用いられる。例えば磁性ガーネットは磁気光学効果の大きい材料として、光スイッチに用いられるが、例えば５５０℃から７００℃と言う高温基板温度で製膜される。使用できる基板には大きな制限が生じて高価な材料しか使用できないし、特に透明性を有する基板となると石英基板のように高価で硬い基板しか選択できなくなる。
【００４０】
本発明に用いられる透明ＺｎＯ磁性層は、前述したメッキ法を用いるので、１００℃以下の基板温度で作製できる。従って基板には熱に弱いプラスチックを支持体として用いることができる（本発明７）。プラスチックフィルムはフレキシビリティーがあり、透明で扱いやすいことから、本発明の光スイッチの用途が広がる。
【００４１】
透明ＺｎＯ磁性層は垂直に磁界を印加した場合の飽和磁化（および残留磁化も）が大きく、従って大きな磁気光学効果が得られる。即ち大きなコントラストが得られる。しかし光の吸収を低下させて、透過時と遮断時のＳ／Ｎを大きくしようとすると、透過率をあげることが重要になる。即ち磁性層の膜厚を薄くすることが好ましい。このためには透過率を下げないで、磁気光学効果を増大させる方法が考えられる。この方法として、本透明ＺｎＯ磁性層を高屈折率膜で挟むことによって達成できることがわかった（本発明８）。
【００４２】
本発明で言う高屈折率膜とは、屈折率が１．５以上好ましくは２以上の誘電体である。
例えば１．５＜ｎ＜２ではＬａＦ３、ＮｄＦ３、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＦ３、ＰｂＦ２、ＭｇＯ、ＴｈＯ２、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｏ３、ＳｉＯなどがある。また２＜ｎ＜３ではＴａ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＳ、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＳｅ、ＣｄＳなどがある。また３＜ｎではＳｂ２Ｓ３、ＣｄＴｅ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、ＰｂＴｅなどがある。膜は各種のＰＶＤ、ＣＶＤ法を用いて作製される。なお上記誘電体材料は、すべてレーザー加熱時の支持体（例えばプラスチック支持体）との断熱層として用いることができる。
【００４３】
このような方法に近い方法として、屈折率の大きい誘電体膜と小さい誘電体膜を複数の多層に積み重ねて挟む方法は既に本発明者が提案している（特開平１１−０３０７７０号公報、特開平１１−１８３８５９号公報）。この方法を用いると透過する波長が特定波長に制限されてくる。可視光全体の波長域において透過率を下げないためには、このような方法は不向きである。本発明はこのような課題に対してなされたもので、可視光全域において光透過率を下げることなく、しかも磁気光学効果のみを増大させる方法である。
【００４４】
膜厚は次のようにして設定される。磁性体と誘電体の屈折率が異なる場合、入射光は次の波長の光が反射される。
ｎｄ＝λ／４（ｎは誘電体層の屈折率、ｄは厚み、λは反射される光の波長）
【００４５】
本発明の光スイッチの基本構成は、透明ＺｎＯ磁性層／磁気ヘッド層である（図１）。磁気ヘッド層はヘッド１個でなく、アレイ状にして１列にまたは２次元に配列すると、光スイッチが複数個同時に使用できて、用途が各段に増加する。
【００４６】
支持体は適宜の位置に設けることができるが、光スイッチの基本構成に偏光子層と支持体とを加えた構成としては次に示すようなものを挙げることができる。
偏光子／透明ＺｎＯ磁性層／支持体／磁気ヘッド層／偏光子
偏光子／支持体／透明ＺｎＯ磁性層／磁気ヘッド層／偏光子
偏光子／透明ＺｎＯ磁性層／磁気ヘッド層／支持体／偏光子
偏光子／磁気ヘッド／透明ＺｎＯ磁性層／磁気ヘッド層／支持体／偏光子
偏光子／磁気ヘッド／透明ＺｎＯ磁性層／磁気ヘッド層／支持体
偏光子／支持体／透明ＺｎＯ磁性層／磁気ヘッド層／偏光子／支持体
【００４７】
他の組み合わせもあるが、磁気ヘッドと磁気光学効果を有する透明ＺｎＯ磁性層はできる限り近接していた方が、ヘッドの磁界を、磁気光学効果を有する透明ＺｎＯ磁性層に効率良く伝えることができて好ましい。
上記の最後の例では偏光子／支持体の間に反射層を設けても良い。また、偏光子の上には保護層を設けても良い。
【００４８】
以下、本発明の光スイッチを構成する各部位について説明する。
本発明における磁気ヘッド層は、例えば外形が２００μｍ程度の電磁誘導コイルと、該コイルの中心に高透過率材料を配して作製する（図２参照）。高透過率材料としては上記した誘電体膜が用いられる。また高透過率材料の代わりに、透明な高透磁率膜を用いても同様の効果がある。２次元に配列して用いると、画像表示部位と記録用磁気ヘッドアレイを相互に移動することなく、アレイへの励磁電流を逐次スイッチングして画像を形成することができる。
【００４９】
コイルは必ずしも複数回の巻き数でなくても、図３に示すような簡易コイルを用いることもできる。図３（ａ）は一方向のみに伸ばした配線であり、図３（ｂ）はその拡大図である。
図３（ａ）のような配線を縦と横方向に設ければ、より強い磁界強度を得ることができる。
本発明のマイクロ磁気ヘッドアレイは、一斉に励磁しても良いし、１つづつ順番にスイッチによって通電・駆動しても良い。
【００５０】
また本発明においてマイクロ磁気ヘッドアレイを用いた場合、各ライン上の磁気ヘッドは、中心位置が直線上からずれていて、いわゆる千鳥状に２次元的に配設されてもよい。これはより高密度に磁気ヘッドを配列して、高解像度の画像を形成するためである。なおコイルに用いられる材料としては一般的な銅が電気抵抗値の点から好ましいが、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、ＰｔなどやＩＴＯ、ＺｎＯなどの透明導電性材料も用いられる。
【００５１】
マイクロ磁気ヘッドアレイの製造方法は大別して、フォトリソグラフィー法、電気メッキ法が用いられる。配線のパターン形成用マスクには、各種レーザー光や軟Ｘ線、紫外線などが用いられる。
配線の加工においては、導線の断面積（線幅、線高さ）がより大きいことが、電気抵抗を低下させる点から重要であるが、前述したように、解像度の点からコイル間ピッチには制限があるので、導線間の絶縁層体積がより少ない方法が選ばれる。本発明ではコイル形成用導線の高さは５μｍ以上とすることにより、電気抵抗を下げて発熱や断線を防止する。
【００５２】
上記したようにマイクロ磁気ヘッドアレイは大きい面積で作製することが許されない。従ってコイル幅を細く作製せねばならないが、これも作製技術的な理由と共に、低電気抵抗が必要な点から限界がある。本発明ではコイルを複数段階に積み重ねて、この課題を解決した。  コイルから発生する磁界強度は、［コイルの巻き数×電流値］の大きさに依存するので、コイルを複数層にして設けることで比較的低電流で、大きな磁界強度を得ることが可能となった。
【００５３】
本マイクロ磁気ヘッドアレイの電気的な駆動法は、ＦＥＴなどを用いてスイッチングによって単独又は複数個の磁気ヘッドに励磁電流を順次供給してなされる方法も任意に用いられる。なお更に高速度に画像形成したい場合は、数個づつに同時に電流を流す方法も、電源が大きくなるが可能である。
【００５４】
本発明に用いられる支持体の材料としては、ＭＭＡ、ＰＭＭＡ、ＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート、ポリプロピレン、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、エポキシ樹脂、ポリ−４−メチルペンテン−１、フッ素化ポリイミド、フッ素樹脂、フェノキシ樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ナイロン樹脂などが用いられる。ポリイミドフィルムのように透明性は劣るが耐熱性が高いようなプラスチックフィルムも利用できる。厚みは１０〜１００μｍであると取り扱い上柔軟性があって好ましい。
【００５５】
磁気光学効果を有する層としては透明ＺｎＯ磁性層が用いられるが、上下の誘電体膜と透明磁性体とで構成される、磁気光学効果の大きな透明磁性層を用いても良い（本発明８）。
他の方法としては、上記誘電体の層を高屈折率層と低屈折率層の２層で構成する方法である。透明ＺｎＯ磁性層の厚みは５０ｎｍ〜２μｍの範囲で選択される。
【００５６】
反射層としては、ＰＶＤ法で作製したＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｅＣ、ＳｅＡｓ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＣｒＮなどの薄膜が用いられる。また誘電体多層膜を用いた反射膜なども利用することが出来る。厚みは０．１〜１μｍの範囲で選択される。
【００５７】
偏光子層としては、各種の市販の偏光フィルム等が用いることが出来る。偏光フィルムには大別して多ハロゲン偏光フィルム、染料偏光フィルム、金属偏光フィルムなどがある。
また次のような偏光子も利用できるが、これらに制限されるものではない。
【００５８】
（１）特開平０１−９３７０２（トヨタ自動車（株））
強磁性体微粒子からなる多数の棒状素子を含む偏光層基板表面に、一定方向に配列して固着形成することにより、製造が容易でかつ光学的特性の優れた偏光板。
【００５９】
（２）ワイヤグリッド偏光子
東京農工大学  佐藤勝昭著「現代人の物理−光と磁気」（朝倉書店）１９８８年出版、ページ１０３に記載。
透明基板に微小な間隔で金やアルミニウムの線をひいたもの。この場合線の間隔をｄ、波長をλとすると、λ≫ｄの波長の光に対して、透過光は線に垂直な振動面を持つほぼ完全な直線偏光に成ることを利用している。偏光度は９７％程度と言われている。
【００６０】
（３）コーニング社製「ポーラコア」
長く延伸させた金属銀をガラス自身の中に一方向に配列させることにより、偏光特性を持たせたガラスで、従来の有機物偏光素子と異なり耐熱性、耐湿性、耐化学薬品性、レーザーに対する耐性に非常に優れている。赤外線用が主であるが、特殊仕様として可視光用がある。
【００６１】
（４）積層型偏光子
東北大学電気通信研究所の川上彰二郎教授が１９９１年頃に発表したもので、可視光用にはＲＦスパッタリング法で、６〜８ｎｍの厚みのＧｅ（ゲルマニウム）と、１μｍ厚みのＳｉＯ２を交互に６０μｍ厚みになるまで積層して作製している。０．６μｍの波長で測定した性能指数αＴＥ／αＴＭ（ＴＥ波とＴＭ波に対する消衰定数の比）は４００近く、０．８μｍの波長で測定した消光比は３５ｄＢ、挿入損失は０．１８ｄＢであり、可視光に対して十分なものである。
【００６２】
（５）反射型偏光子（住友３Ｍ株式会社）
薄膜を何層も重ねて作製した反射タイプ（ＳとＰ偏光の内一方を反射して、一方を通過させる）の偏光子である。
【００６３】
（６）偏光ビームスプリッター
光束を２本以上のビームに分割または合成する光学素子をビームスプリッターという。その中でも分岐された２光波の偏光方向が異なるように分割するものを偏光ビームスプリッターという。２個の直角プリズムを接着した面に誘電体多層膜コートしたものが一般的であり、Ｐ偏光成分は透過し、Ｓ偏光成分は９０度反射するようになっている。透過率、反射率ともに９８％以上のものが得られる。他には特殊なグレーティングを用いたようなものもある。
【００６４】
（７）偏光プリズム
１軸性結晶は、光学軸方向に垂直に振動する常光線と光学軸を含む主断面内に振動方向をもつ異常光線では異なった屈折率をもつので、１軸性結晶はから切り出した２つのプリズムを組み合わせると、振動面の異なる光を分離する偏光子を作ることが出きる。ニコルプリズム、グラントムソンプリズム、グランフーコープリズム、グランテーラープリズム、ロションプリズム、ウォーラストンプリズムなどがある。
【００６５】
（８）回折格子
回折格子はピッチを小さくしていけば、ＴＥ波とＴＭ波の透過率が異なり、偏光子として機能する。偏光子とは呼ばないが機能は偏光子機能を有するので、本発明に偏光子として用いることが可能である。住友３Ｍ株式会社が販売している、薄膜を何層も重ねて作製した反射タイプ（ＳとＰ偏光の内一方を反射して、一方を通過させる）偏光子も用いることが出来る。
【００６６】
他には、入射光を収束させるマイクロレンズアレイと、構造的に複屈折性を付与された高複屈折膜と、波長板が１つおきに等間隔に配列している偏光変換機能層とからなる高透過率偏光変換偏光子がある。これは本発明者が既に提案している（特開平１０−３４８０２７号公報など）。複屈折膜の屈折率Δｎは０．２以上で、薄膜で作製されＳ波とＰ波に分離する。このうちのどちらかの偏波を１／２波長板で偏光変換するものである。マイクロレンズアレイにはプラスチック製とガラス製等があるが、変形が容易なプラスチック製が選ばれる。薄い構造で、上記の偏光子等よりも吸収や反射が少ない為に、透過率が高く、本発明には好適である。
いずれの偏光子を用いた場合でも、厚みは５０〜１５０μｍの中で選択される。
以下に実施例によって本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００６７】
＜ＺｎＯ垂直磁化膜（Ｈｃ＝１００Ｏｅ以下、磁場中作製）／磁気ヘッド層＞
はじめにマイクロ磁気ヘッドアレイを作製した。１ｍｍ厚のガラス基板上に、５ｎｍ厚のＰｔ膜をスパッタ法により設けた。
上記Ｐｔ膜上にポリイミド層を設けた。ついでこのポリイミド層をパターニングして、１００個のスパイラル状ポリイミドの壁を作製した。無電界Ｃｕメッキ法を用いてこのポリイミドの壁間に、高さ１０μｍ、幅５μｍのＣｕ配線を設けた。このＣｕ配線上に更にＳｉＯ２層を設けて表面層を平坦にした。
【００６８】
１００個のコイル中心は空隙となるようにして、直線上に並べた。コア先端の磁界強度は、２００ｍＡの通電時で約５００ガウスであった。各コイルへの導線端はＩＮとＯＵＴに分離して集中させ、ＦＥＴを用いたスイッチを設けて、マイクロ磁気ヘッドアレイとした。マイクロ磁気ヘッドアレイの全厚みは約１２０μｍであった。
次いで上記ＳｉＯ２膜上に日電アネルバ社製ＲＦスパッタ装置（ＳＰＦ−３１３Ｈ）を用いて、基板温度２８０℃として、ＺｎＯ薄膜を厚み約４００ｎｍとして作製した。
【００６９】
ＺｎＯターゲットは８″φ×５ｔの寸法のものを用いた。純度は９９．９９％である。
酸素ガス圧力はマスフローコントローラーによって、８〜３０ｃｃｍの間で一定となるようにした。酸素ガスの純度は９９．９％、Ａｒガスの純度は９９．９９％である。基板とターゲット間の距離は５０ｍｍとした。ベースプレッシャーは２×１０−４  Ｐａである。
Ａｒと酸素を１／１の混合比で用い、総ガス圧力を１．２  Ｐａとし、ＲＦ投入電力を４００Ｗとして、ＺｎＯ膜を作製した。
作製したＺｎＯ薄膜のＸ線回折図形から（００８）面のピークの半値幅であるΔθ５０は、１．９ｄｅｇでありｃ面配向した良好なＺｎＯ膜が得られた。
【００７０】
ついでこの上に次のメッキ法でＺｎＯを積層して設けた。
まず下記の工程で触媒を付与した。
１）脱脂        基板を下記の脱脂剤溶液に５０℃で３分間浸漬処理した。
２）水洗        ２５℃、１５秒間
３）表面調整    下記表面調整剤溶液に３０℃で５分間浸漬処理した。
４）水洗        ２５℃、１５秒間
５）センシタイジング
下記のセンシタイジング溶液に２０℃で１分間浸漬処理した。
６）水洗        ２５℃、１５秒間
７）触媒付与(1)  下記の銀活性化溶液に２０℃で１分間浸漬処理した。
８）水洗        ２５℃、１５秒間
９）触媒付与(2)  下記のパラジウム活性化溶液に２０℃で１分間浸漬処理した。
１０）水洗        ２５℃、１５秒間
次いで下記無電界ＺｎＯメッキ液を用いて、ｐＨ６．３、６８℃で１時間浸漬処理した。
【００７１】
更に下記鉄含有溶液を用いて５０℃で３０分間の浸漬処理を行った。
脱脂剤      上村工業株式会社製アサヒクリーナーＣ−４０００    ５ｇ／Ｌ
表面調整剤  上村工業株式会社製スルカップＣＤ−２０２      ５０ｍＬ／Ｌ
センシタイジング溶液
ＳｎＣｌ２                                          １５ｇ／Ｌ
ＨＣＬ（３６％）                                  ４５ｍＬ／Ｌ
ｐＨ                                              ０．５
銀活性化溶液
ＡｇＳＯ４                                        ３ｇ／Ｌ
ｐＨ                                          ７．０
パラジウム活性化溶液
ＰｄＣｌ２                                    １．５ｇ／Ｌ
ＨＣｌ（３６％）                            １．５ｍＬ／Ｌ
ｐＨ                                          ２．８
無電界ＺｎＯメッキ溶液
Ｚｎ（ＮＯ３）２                            ０．１ｍｏｌ／Ｌ
ＤＭＡＢ                              ０．００５ｍｏｌ／Ｌ
ｐＨ                                          ６．３
鉄含有溶液
硝酸鉄                                    ０．１ｍｏｌ／Ｌ
ＤＭＡＢ                                ０．０３ｍｏｌ／Ｌ
ｐＨ                                          ３．９
【００７２】
得られた鉄化合物含有酸化亜鉛皮膜の２５℃でのＶＳＭによる測定結果を図４のヒステリシスを用いて以下に示す。飽和磁化Ｂｍは２５ｅｍｕ／ｃｃ、膜面に垂直方向に磁界を印加して測定した保磁力は８９  Ｏｅであり、角型比（残留磁化Ｂｒ／飽和磁化Ｂｍ）は０．７８であった。また膜面に水平方向に磁界を印加して測定した保磁力は３４  Ｏｅであり、角型比は０．２８であった。磁気トルク計を用いて測定した垂直磁気異方性磁界は５．３ｋＯｅであり垂直磁化膜であることがわかった。
磁気光学効果測定装置（日本分光株製Ｋ２５０、ビーム径２ｍｍ角）で測定したファラデー回転角（波長５００ｎｍ）は６．７度であった。
【００７３】
ついで上記で作製した素子に市販の多ハロゲン偏光子を上下に設け、偏光子層／膜の面内方向よりも膜面の垂直方向の方が大きな残留磁化を有する透明ＺｎＯ磁性層／磁気ヘッド層／支持体／偏光子層という構成の光スイッチを作製した。偏光子は電流をプラス方向に流した場合に、光が偏光子を通過して、明るく見え、マイナス方向に逆向きに流した場合に、偏光子を通過できずに黒く見えるように偏光軸を回転させて固定した。
磁気ヘッドに１つづつマイナス方向に電流を流して、磁気光学効果を有する層を磁化して、約１８０μｍ幅の光遮断された黒いラインを得た。電流をプラス方向に流した場合には、このラインは消滅して、光スイッチとしての機能を確認できた。
【実施例２】
【００７４】
実施例１と同様にして、磁気ヘッド層を作製した。次いで磁気ヘッド層上に実施例１で用いたメッキ法を用いて鉄化合物含有酸化亜鉛皮膜を作製した。
ただし無電界ＺｎＯメッキ液を用いて、ｐＨ６．３、６８℃で１時間浸漬処理した後、鉄含有溶液を用いて５０℃で３０分間の浸漬処理を行う際に、膜面に垂直に、電磁石を用いて５ｋガウスの磁界強度が加わるようにした。
また上記方法で得られた鉄化合物含有酸化亜鉛皮膜を、真空下（１０−５ｔｏｒｒ）、４５０℃の環境下において、かつ膜面に垂直に、電磁石を用いて５ｋガウスの磁界強度が加わるようにして３０分間熱処理した。
【００７５】
加熱処理前後の鉄化合物含有酸化亜鉛皮膜の２５℃でのＶＳＭによる測定結果を、図４を用いてに示す。加熱後の飽和磁化Ｂｍは２５ｅｍｕ／ｃｃ、膜面に垂直方向に磁界を印加して測定した保磁力Ｈｃは８９  Ｏｅであり、角型比（残留磁化Ｂｒ／飽和磁化Ｂｍ）は０．７８であった。また膜面に水平方向に磁界を印加して測定した保磁力は３４  Ｏｅであり、角型比は０．２８であった。磁気トルク計を用いて測定した垂直磁気異方性磁界は５．３ｋＯｅであり垂直磁化膜であることがわかった。
磁気光学効果測定装置（日本分光株製Ｋ２５０、ビーム径２ｍｍ角）で測定したファラデー回転角（波長５００ｎｍ）は６．７度であった。
【００７６】
ついで上記で作製した素子に市販の多ハロゲン偏光子を上下に設け、偏光子層／膜の面内方向よりも膜面の垂直方向の方が大きな残留磁化を有する透明ＺｎＯ磁性層／磁気ヘッド層／支持体／偏光子層という構成の光スイッチを作製した。偏光子は電流をプラス方向に流した場合に、光が偏光子を通過して、明るく見え、マイナス方向に逆向きに流した場合に、偏光子を通過できずに黒く見えるように偏光軸を回転させて固定した。
磁気ヘッドに１つづつマイナス方向に電流を流して、磁気光学効果を有する層を磁化して、約１８０μｍ幅の光遮断された黒いラインを得た。電流をプラス方向に流した場合には、このラインは消滅して、光スイッチとしての機能を確認できた。
【実施例３】
【００７７】
実施例１とまったく同様にして、光スイッチを作製した。ただしこの光スイッチの磁気ヘッド層には電流を定常的に流して（約１０ｍＡ）おき、波長５００ｎｍのレーザーを磁気ヘッド層のＳｉＯ２部位に照射して、加熱してスイッチングを行った。加熱時に透過、冷却時に遮断とした。即ち透明酸化亜鉛磁性膜が加熱されると保磁力が低下して、低い定常磁界でも磁気スピンが回転してファラデー効果が大きくなり、上下２枚（回転軸を回転させられている）の偏光子を通過することができてスイッチングが可能になった。
【実施例４】
【００７８】
基板を厚み１００μｍポリカーボネートとした以外はまったく実施例１と同様にして光スイッチを作製した。光スイッチは磁気ヘッド層の電流方向によって光透過をスイッチングすることができた。
【実施例５】
【００７９】
実施例１において、透明ＺｎＯ磁性層を作製する前に、スパッタ法を用いてＴａ２Ｏ５（屈折率２．１）を１３０ｎｍの厚みで設けた。透明ＺｎＯ磁性層膜厚は２６０ｎｍとした。ベースプレッシャーは６×１０−４Ｐａ、ガスはＡｒ：Ｏ2＝９：１として、全圧力を０．３Ｐａとした。基板の加熱は行わなかった。製膜レートは０．１２ｎｍ／Ｓとした。投入電力は３００Ｗとした。
後は実施例１とまったく同様にして、光スイッチを作製した。磁気光学効果（ファラデー回転角）は２６０ｎｍのときの１．９５°に対して、５２０ｎｍの波長で約２倍に増大していた。従ってスイッチング時のコントラストも約２倍に増大していた。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明の光スイッチは、膜面の垂直方向の方が大きな残留磁化を有する透明ＺｎＯ磁性層としたことにより、入射光に対して開閉時の大きなコントラストを得ることができるので、ディスプレイ等としての利用性が高い。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の光スイッチの基本的な層構成例を模式的に表した図である。
【図２】本発明の光スイッチに用いるマイクロ磁気ヘッドのコイル平面及び断面を表す図である。
【図３】（ａ）マイクロ磁気ヘッドアレイの配線の断面形状を示す図である。          （ｂ）マイクロ磁気ヘッドアレイの配線の正面図である。          （ｃ）マイクロ磁気ヘッドアレイの配線部の部分拡大図である。
【図４】磁性材料の磁気特性のヒステリシス図の一例である。
【図１】
2005121715.tif 000002
【図２】
2005121715.tif 000003
【図３】
2005121715.tif 000004
【図４】
2005121715.tif 000005