(57)【要約】【課題】  端子部の腐食やショートを防止することにより、端子部の信頼性を向上させることができる電気光学装置およびそれを用いた電子機器を提供する。【解決手段】  基板上に設けられた端子部２０２を介して入力された信号に対応して表示部にて画像を表示する電気光学装置であって、端子部２０２は、表示部に電気的に接続された金属配線３０１と、金属配線３０１の少なくとも一部を覆うように配置され、金属配線３０１と電気的に接続された透明導電膜３０３と、を有し、端子部２０２における金属配線３０１の線幅が、端子部２０２外の金属配線の線幅よりも狭くなっていることを特徴とする。【選択図】  図５
2005157220.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた端子部を介して入力された信号に対応して表示部にて画像を表示す
る電気光学装置であって、
前記端子部は、前記表示部に電気的に接続された金属配線と、前記金属配線の少なくと
も一部を覆うように配置され、前記金属配線と電気的に接続された透明導電膜と、を有し
、
前記端子部における前記金属配線の線幅が、前記端子部外の前記金属配線の線幅よりも
狭くなっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
基板上に設けられた端子部を介して入力された信号に対応して表示部にて画像を表示す
る電気光学装置であって、
前記端子部は、前記表示部に電気的に接続された金属配線と、前記金属配線の少なくと
も一部を覆うように配置され、前記金属配線と電気的に接続された透明導電膜と、を有し
、
前記端子部における前記金属配線間の距離が、前記金属配線と電気的に接続された前記
透明導電膜間の距離よりも広くなっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記金属配線と前記透明導電膜とを電気的に接続する接続部が複数設けられていること
を特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記接続部の電気抵抗と前記金属配線の電気抵抗との和が、前記透明導電膜の電気抵抗
よりも小さくなるように構成されていることを特徴とする請求項３記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記金属配線の周囲には、非透湿性膜が配置されていることを特徴とする請求項１から
４のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子
機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置としては、例えば液晶装置などがあり、この種の電気光学装置では、画像
表示が行われる画像表示領域（単に、表示領域とも称す）に、画素電極、ストライプ状電
極などの表示用電極が設けられている。例えばＡｌ（アルミニウム）膜、導電性ポリシリ
コン膜、高融点金属膜などの導電膜からなる各種配線などが、表示用電極の下層側に作り
込まれている。また特にアクティブマトリクス駆動方式の場合には、さらに、各画素電極
に接続された薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒと表記する）、薄膜ダイオード（以下、ＴＦＤ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅと
表記する）などの電子素子も、画素電極の下層側に作り込まれている。
【０００３】
このようなアクティブマトリクス型の液晶表示装置へ信号を入出力するＩＣやＴＣＰ（
Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）を接続する場合、この液晶表示装置のアク
ティブマトリクス基板の縁辺に沿って配列された複数のＡｌ膜からなるパッド（端子部）
に、ＩＣやＴＣＰを異方性導電膜（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉ
ｖｅ  Ｆｉｌｍ）を用いて電気的に接続する方法が用いられている（例えば、特許文献１
参照。）。
【特許文献１】特開平７−３１６５１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した特許文献１においては、端子部に水分が浸入すると、各端子部間の電位差によ
り生じる電界により端子部を形成するＡｌ膜が腐食する恐れがあった。さらにはＡｌイオ
ンの移動により端子部間が短絡（ショート）する恐れがあった。
【０００５】
また、Ａｌ膜である端子部を透明導電膜であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉ
ｄｅ）膜で覆い、Ａｌ膜の腐食などを防止する技術も提案されているが、ＩＴＯ膜の被覆
性が悪い部分から水分がＡｌ膜に浸入する恐れがあった。また、ＩＴＯ膜が良好に形成さ
れないと、ＩＴＯ膜にピンホールが形成され、このピンホールから水分が浸入する恐れが
あった。そのため、端子部をＩＴＯ膜で被覆してもＡｌ膜が腐食する恐れがあり、Ａｌイ
オンの移動（イオンマイグレーション）により端子部間がショートする恐れがあった。
さらに回路の微細化等により端子の配置ピッチを小さくする場合、端子間隔も狭くなる
ため各端子間の電位差により生じる電界も大きくなり端子部の腐食やショートがより顕著
になる恐れがある。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、端子部の腐食やショー
トを防止することにより、端子部の信頼性を向上させることができる電気光学装置および
それを用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の第１の電気光学装置は、基板上に設けられた端子
部を介して入力された信号に対応して表示部にて画像を表示する電気光学装置であって、
端子部は、表示部に電気的に接続された金属配線と、金属配線の少なくとも一部を覆うよ
うに配置され、金属配線と電気的に接続された透明導電膜と、を有し、端子部における金
属配線の線幅が、端子部外の金属配線の線幅よりも狭くなっていることを特徴とする。
【０００８】
すなわち、本発明の第１の電気光学装置は、端子部における金属配線の線幅が、端子部
外の金属配線の線幅よりも狭くなっているため、端子部における金属配線の間隔が、端子
部外の配線間隔よりも広くなっている。そのため、端子部における金属配線間の電位差に
より生じる電界が小さくなる。金属配線間の電界が小さくなると、金属配線の腐食が起き
にくくなるとともに、金属イオンが移動しにくくなるためイオンマイグレーションによる
端子部間のショートが起きにくくなる。その結果、端子部の腐食やショートを防止するこ
とができ、端子部の信頼性を向上させることができる。
【０００９】
本発明の第２の電気光学装置は、基板上に設けられた端子部を介して入力された信号に対
応して表示部にて画像を表示する電気光学装置であって、端子部は、表示部に電気的に接
続された金属配線と、金属配線の少なくとも一部を覆うように配置され、金属配線と電気
的に接続された透明導電膜と、を有し、端子部における金属配線間の距離が、金属配線と
電気的に接続された透明導電膜間の距離よりも広くなっていることを特徴とする。
【００１０】
すなわち、本発明の第２の電気光学装置は、回路の微細化等により端子ピッチが小さく
なり端子の間隔が狭くなった際でも、端子部における金属配線間の間隔をより広く確保で
きるため、金属配線間の電位差による電界が小さくなり、金属配線の腐食やショートを抑
制できる。
【００１１】
上記の構成を実現するために、より具体的には、金属配線と透明導電膜とを電気的に接
続する接続部が複数設けられていてもよい。
この構成によれば、金属配線と透明導電膜とを電気的に接続する接続部を複数設けるこ
とにより、金属配線と透明導電膜とが接続部により並列に接続されるため、直列に接続さ
れた構成と比較して、端子部の電気抵抗を低下させることができる。
また、一部の接続部における金属配線と透明導電膜との電気的接続が断たれても、残り
の接続部により金属配線と透明導電膜との電気的接続が保たれるため、端子部の信頼性を
向上させることができる。
【００１２】
上記の構成を実現するために、より具体的には、接続部の電気抵抗と金属配線の電気抵
抗との和が、透明導電膜の電気抵抗よりも小さくなるように構成されていてもよい。
この構成によれば、電気配線と透明導電膜と接続部とにより形成された並列回路の電気
的抵抗をより低下させることができ、端子部の電気抵抗を確実に低下させることができる
。
【００１３】
上記の構成を実現するために、より具体的には、金属配線の周囲には、非透湿性膜が配
置されていてもよい。
この構成によれば、金属配線の周囲に非透湿性膜を配置しているため、金属配線と水分
との接触を防止することができ、金属配線の腐食および端子部間のショートを防止するこ
とができる。
【００１４】
本発明の電子機器は、上記本発明の電気光学装置を備えることを特徴とする。
すなわち、本発明の電子機器は、上記本発明の電気光学装置を備えているため、電気光
学装置における端子部の腐食やショートを防止することができ、信頼性の高い電子機器と
することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（電気光学装置）
〔第１の実施の形態〕
以下、本発明における第１の実施の形態について図１から図９を参照して説明する。
本実施の形態においては、電気光学物質として液晶を用いたアクティブマトリクス方式
の液晶表示装置を例に採り説明する。
図１は本実施の形態における液晶表示装置の構成を示す平面図、図２は図１のＨ−Ｈ’
線に沿う断面図である。図３は、この液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状
に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、以下の説
明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため
、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００１６】
図１および図２に示すように、本実施形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、
ＴＦＴアレイ基板（基板）１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、
このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール
材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されてい
る。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及びパッド（端子部）２０
２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿
って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画
像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２
０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては
、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２
０６が配設されている。
【００１７】
この液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１
００ａがマトリクス状に構成されているとともに、各画素１００ａには、画素スイッチン
グ用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線
６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。ここで、データ線６ａに書き込む
画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、同時に供給してもよいし、デマルチプレクサを設けて
時分割に共通してもよいし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に
供給するようにしてもよい。
【００１８】
また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミン
グで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加す
るように構成されている。また、画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続
されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることによ
り、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミ
ングで書き込むようになっている。
このようにして、画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１
、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持されるようにな
っている。
【００１９】
また、図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０は、石英などの光透過性の絶縁基板か
らなるガラス基板１０Ａと、その液晶層５０側表面上に形成され、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜などの透明導電性膜からなる画素電極９ａと、表示領域に設けら
れた画素スイッチング用ＴＦＴ（スイッチング素子）３０および非表示領域に設けられた
駆動回路用ＴＦＴ（スイッチング素子）（図示せず）と、ポリイミド膜等の有機膜から形
成され、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６とを主体として構成され
ている。
【００２０】
他方、対向基板２０は、透明なガラスや石英などの光透過性基板からなる基板本体２０
Ａと、その液晶層５０側表面上に形成された対向電極２１と、配向膜２２と、金属などか
らなり、各画素部の開口領域以外の領域に設けられた遮光膜２３、および、遮光膜２３と
同じかあるいは異なる材料からなる額縁としての遮光膜５３とを主体として構成されてい
る。
このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対向するように配置されたＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が形成されている。
【００２１】
また、図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａの液晶層５０側表面
上において、各画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対応する位置には、遮光層１１ａが設け
られている。また、遮光層１１ａと画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１層間
絶縁膜１２が設けられている。第１層間絶縁膜１２は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を
構成する半導体層１ａを遮光層１１ａから電気的に絶縁するために設けられるものである
。
【００２２】
図４に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏ
ｐｅｄ Ｄｒａｉｎ ）構造を有しており、走査線３ａからの電界によりチャネルが形成さ
れる半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート
絶縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域
１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域（ソース領域）１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１
ｅ（ドレイン領域）を備えている。
【００２３】
ここで、  ゲート絶縁膜２は、その厚さが例えば６０〜８０ｎｍ程度とされているのが
好ましい。これは、特に画素スイッチング用ＴＦＴ３０や駆動回路用ＴＦＴ（図示せず）
の駆動電圧を１０〜１５Ｖ程度に設定した場合に、前記範囲の厚さが絶縁耐圧を確保する
うえで必要となるからである。
【００２４】
また、この液晶パネルにおいては、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延
設して誘電体膜として用い、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、さらに
これらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０
が構成されている。容量線３ｂおよび走査線３ａは、同一のポリシリコン膜、または、ポ
リシリコン膜と、金属単体、合金、金属シリサイド等の積層構造からなり、蓄積容量７０
の誘電体膜と画素スイッチング用ＴＦＴ３０および駆動回路用ＴＦＴ（図示せず）のゲー
ト絶縁膜２とは、同一の熱酸化膜、高温酸化膜の２層構造からなっている。また、画素ス
イッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅと、
駆動回路用ＴＦＴ（図示せず）のチャネル領域、ソース領域、ドレイン領域と、第１蓄積
容量電極とは、同一の半導体層１ａからなっている。
【００２５】
また、図４に示すように、走査線３ａ、ゲート絶縁膜２及び第１層間絶縁膜１２の上に
は第２層間絶縁膜４が形成されており、この第２層間絶縁膜４には、画素スイッチング用
ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５、及び画素スイッチング
用ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８がそれぞれ形成され
ている。さらに、データ線６ａ及び第２層間絶縁膜４の上には第３層間絶縁膜（絶縁膜）
７が形成されており、この第３層間絶縁膜７には画素スイッチング用ＴＦＴ３０の高濃度
ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８が形成されている。また、画素電極９ａは、こ
のように構成された第３層間絶縁膜７の上面に設けられている。
【００２６】
図５は、本実施の形態におけるパッドの平面図である。図６は、図５におけるＪ−Ｊ′
線矢視断面図であり、図７は、図５におけるＫ−Ｋ′線矢視断面図である。
パッド２０２は、図５から図７に示すように、第２層間絶縁膜４上に形成されたＡｌ配
線（金属配線）３０１と、Ａｌ配線３０１上に形成されたＴｉＮ層３０２と、画素電極９
ａと同じ素材であるＩＴＯ層からなるパッド電極（透明導電膜）３０３とから概略形成さ
れている。
Ａｌ配線３０１は、配線部３０１ａとパッド部３０１ｂとではその線幅が異なるように
形成されている。パッド部３０１ｂでは線幅がＬ１となるように形成されるとともに、配
線部３０１ａでは線幅がＬ２となるように形成され、Ｌ１＜Ｌ２となるように形成されて
いる。また、Ａｌ配線３０１の配線間隔は、パッド部３０１ｂにおける配線間隔がＬ３と
なるように形成されるとともに、配線部３０１ａにおける配線間隔がＬ４となるように形
成されている。
Ａｌ配線３０１の線幅Ｌ１、Ｌ２としては、例えばＬ１が５μｍ、Ｌ２が３０μｍに形
成されている構成を挙げることができる。また、このときのＡｌ配線３０１の配線間隔Ｌ
３、Ｌ４としては、Ｌ３が３０μｍ、Ｌ４が５μｍに形成されている構成を挙げることが
できる。なお、Ａｌ配線３０１の線幅Ｌ１、Ｌ２およびＡｌ配線３０１の配線間隔Ｌ３、
Ｌ４の値は上述した値でもよいし、上述した値と異なる値であってもよい。
パッド電極３０３は、その幅がＬ５となるように形成されるとともに、パッド電極３０
３同士の間隔がＬ６となるように形成されている。パッド電極３０３の幅Ｌ５としては、
例えば３１μｍを挙げることができる。また、パッド電極３０３同士の間隔Ｌ６としては
、例えば３μｍを挙げることができる。なお、パッド電極３０３の幅Ｌ５およびパッド電
極３０３同士の間隔Ｌ６の値は上述した値でもよいし、上述した値と異なる値であっても
よい。
【００２７】
ここで、パッド部３０１ｂとは、パッド電極３０３の配置領域に形成されたＡｌ配線３
０１の部分であり、配線部３０１ａとは、それ以外の領域の部分に形成されたＡｌ配線３
０１のことである。
なお、配線部３０１ａとパッド部３０１ｂとは、図５に示すように、長手中心軸線が同
一直線上に配置されるように形成されてもよいし、図９に示すように、配線部３０１ａと
パッド部３０１ｂとの長手中心軸線がオフセットされるように形成されてもよい。ただし
、パッド部３０１ｂの配線間隔が配線部３０１ａの間隔よりも狭くならない場合に限られ
る。
【００２８】
また、ＴｉＮ層３０２はＡｌ配線３０１と略同じ形状に形成され、Ａｌ配線３０１とパ
ッド電極３０３との間に配置され、Ａｌ配線３０１とパッド電極３０３とを電気的に接続
している。ＴｉＮ層３０２をＡｌ配線３０１とパッド電極３０３との間に配置することに
より、Ａｌ配線３０１とパッド電極３０３とが直接接触することを防止することができ、
電触反応によりＡｌ配線３０１が腐食することを防止することができる。
図７に示すように、パッド電極３０３は第３層間絶縁膜７上に形成され、パッド電極３
０３に凹形状に形成された２つの接続部３０４によりＴｉＮ層３０２を介してＡｌ配線３
０１のパッド２０２と電気的に接続されている。接続部３０４は、Ａｌ配線３０１の長手
軸線方向に並んで形成されている。
【００２９】
図８は、パッドの等価回路図である。
また、パッド電極３０３の電気抵抗をＲ１、接続部３０４の電気抵抗をＲ２、Ａｌ配線
３０１の電気抵抗をＲ３とすると、パッド２０２は、図８に示すような等価回路で表すこ
とができる。さらに、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、Ｒ１＞Ｒ２＋Ｒ３の関係式を満たすよう
に構成されている。Ｒ１、Ｒ２およびＲ３の具体的な数値としては、Ｒ１＝２８０Ω、Ｒ
２＝１００Ω、Ｒ３＝１．８Ωを例示することができる。このときのパッド２０２の電気
抵抗は８０Ωとなり、パッド電極３０３とＡｌ配線３０１とを１つの接続部３０４で直列
に接続したときのパッド２０２の電気抵抗３８０Ωより大幅に抵抗が低下する。
なお、パッド電極３０３は、画素電極９ａと同じ素材であるＩＴＯ層から形成されてい
てもよいし、その他の導電性材料であるＩＺＯ等の層から形成されていてもよい。
なお、接続部３０４は、上述のように１つのパッドに２つ形成されていてもよいし、３
つ以上形成されていてもよい。また、Ａｌ配線３０１のパッド部３０１ｂの形状は、図５
に示すように、パッド電極３０３の略中央までの長さに形成されてもよいし、さらに長い
形状に形成してパッド電極３０３の反対側の辺に届くように形成してもよい。
【００３０】
上記の構成によれば、Ａｌ配線３０１のパッド部３０１ｂの配線間隔が、配線部３０１
ａの配線間隔よりも広くなっているため、パッド部３０１ｂ間の電位差により生じる電界
が小さくなっている。そのため、パッド部３０１ｂ、つまりＡｌ配線３０１の腐食が起き
にくくなるとともに、Ａｌイオンが移動しにくくなるためイオンマイグレーションによる
パッド２０２間のショートが起きにくくなる。その結果、パッド２０２の腐食やショート
を防止することができ、パッド２０２の信頼性を向上させることができる。
【００３１】
Ａｌ配線３０１とパッド電極３０３との間に接続部３０４を複数設けることにより、Ａ
ｌ配線３０１とパッド電極３０３とが接続部３０４により並列に接続されるため、直列に
接続された構成と比較して、パッド２０２の電気抵抗を低下させることができる。
また、一部の接続部３０４におけるＡｌ配線３０１とパッド電極３０３との電気的接続
が断たれても、残りの接続部３０４によりＡｌ配線３０１とパッド電極３０３との電気的
接続が保たれるため、パッド２０２の信頼性を向上させることができる。
【００３２】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施形態について図１０および図１１を参照して説明する。
本実施の形態における液晶表示装置の基本構成は、第１の実施の形態と同様であるが、
第１の実施の形態とは、パッド周辺の構成が異なっている。よって、本実施の形態におい
ては、図１０および図１１を用いてパッド周辺のみを説明し、画像表示領域等の説明を省
略する。
図１０は、本実施の形態におけるパッドの平面図であり、図１１は、図１０におけるＬ
−Ｌ′線矢視断面図である。
パッド（端子部）２５２は、図１０および図１１に示すように、Ａｌ配線３０１と、Ａ
ｌ配線３０１上に形成されたＴｉＮ層３０２と、非透湿性を有するＳｉＮ層（非透湿性膜
）３５１と、第３層間絶縁膜７上に形成されたパッド電極３０３とから概略形成されてい
る。
ＳｉＮ層３５１は、図１１に示すように、第２層間絶縁膜４の上に形成され、さらにＡ
ｌ配線３０１およびＴｉＮ層３０２を挟んで形成され、合計２層形成されている。また、
ＴｉＮ層３０２と接続部３０４との接触面には、ＳｉＮ層３５１は形成されていない。
【００３３】
上記の構成によれば、Ａｌ配線３０１およびＴｉＮ層３０２の周囲に非透湿性を有する
ＳｉＮ層３５１を配置しているため、Ａｌ配線３０１と第２層間絶縁膜４および第３層間
絶縁膜７に含まれる水分との接触を防止することができ、Ａｌ配線３０１の腐食およびパ
ッド２５２間のショートを防止することができる。
【００３４】
（電子機器の実施形態）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例た
る投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について
説明する。ここに図１２は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【００３５】
図１２において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェク
タ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置１００を含む液晶モ
ジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００
Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メ
タルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、
３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原
色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１０
０Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐ
ために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリ
レーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び
１００Ｂによりそれぞれ変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム
１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカ
ラー画像として投射される。
【００３６】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸
脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記の実施形態では、ＴＦＴをスイッチング素子としたアクティブマトリクス
方式の液晶表示装置に本発明を適用した例を示したが、その他、ＴＦＤをスイッチング素
子としたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置、あるいは一対の基板の各々に走査電
極、データ電極を備えたパッシブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用すること
ができる。さらに、液晶表示装置のみならず、有機ＥＬ装置などの他の電気光学装置にも
本発明を適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図３】同、液晶表示装置の画像表示領域の等価回路図である。
【図４】同、液晶表示装置の画像表示領域の画素の構造を示す拡大断面図である。
【図５】同、液晶表示装置のパッドの平面図である。
【図６】図５のＪ−Ｊ’線に沿う断面図である。
【図７】図５のＫ−Ｋ’線に沿う断面図である。
【図８】同、液晶表示装置のパッドの等価回路図である。
【図９】同、液晶表示装置のパッドに係る変形例の平面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態の液晶表示装置のパッドの平面図である。
【図１１】図１０のＬ−Ｌ’線に沿う断面図である。
【図１２】本発明の液晶表示装置を用いた電子機器を示す図式的断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０・・・ＴＦＴアレイ基板（基板）、  １００・・・液晶表示装置（電気光学装置）
、  ２０２、２５２・・・パッド（端子部）、  ３０１・・・Ａｌ配線（金属配線）、  
３０３・・・パッド電極（透明導電膜）、  ３０４・・・接続部、  ３５１・・・ＳｉＮ
層（非透湿性膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005157220.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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