(57)【要約】 【課題】光学系の違いや使用する光ディスクの反射率の違いにより異なる設計のフォトディテクタ回路を使用しなくとも、各機種共通のフォトディテクタ回路を用いて仕様どおりの性能を発揮できるようにすること。【解決手段】  フォトディテクタ回路２の終段にゲインコントロールアンプ２３Ａ〜２３Ｈを設け、例えば読み出し動作の開始時に、これらゲインコントロールアンプのゲインを図示されない記録媒体からのレーザー反射光の強度を反映したマトリクス演算回路４２で生成される信号３００と３１０を比較回路４３、４４で基準レベル（１）、（２）と比較して得た差分がゼロになるようにフィードバック制御を行うことにより、光学系の違いや使用する光ディスクの反射率の違いにより異なる設計のフォトディテクタ回路を使用しなくとも、各機種共通のフォトディテクタ回路を用いて常に装置を仕様どおりの性能で動作させることができる。【選択図】図１
2005135553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光を記録媒体に照射することによって前記記録媒体に対して信号を読み書きする光ディスク装置であって、
前記記録媒体からのレーザー反射光を光電変換する受光手段と、
前記受光手段により得られた光電変換電流を電圧に変換する電流電圧変換手段と、
前記電流電圧変換手段から出力される信号の利得を調整する可変利得増幅手段と、
前記可変利得増幅手段から出力される信号のレベルが所定値になるように当該可変利得増幅手段の利得を制御するフィードバック手段と、
を具備することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
前記フィードバック手段は、前記可変利得増幅手段から出力された信号から前記レーザー反射光の強度に対応するモニター信号を生成するモニター信号生成手段と、
前記モニター信号生成手段により生成されたモニター信号を基準レベルと比較する比較手段とを有し、前記モニター信号が前記基準レベルと一致するように前記可変利得増幅手段の利得を制御することを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記基準レベルを信号の読み出し時と信号の書き込み時で異なる値とすることを特徴とする請求項２記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記フィードバック手段を所定タイミング期間だけ動作させて前記可変利得増幅手段の利得を制御して設定する制御手段を具備すること特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項５】
前記所定タイミング期間は、書き込み動作開始及び読み出し動作開始の直前であることを特徴とする請求項４記載の光ディスク装置。
【請求項６】
前記レーザー光が複数ビームに分かれて前記記録媒体に照射される場合、
各ビームのレーザー反射光を別々に光電変換する複数の受光手段と、
これら受光手段により得られた各光電変換電流を別々に電圧に変換する複数の電流電圧変換手段と、
これら電流電圧変換手段から出力される各信号の利得を別々に調整する複数の可変利得増幅手段と、
ひとつのビームのレーザー反射光に対応する光電変換信号の利得を可変する前記可変利得増幅手段から出力される信号のレベルが第１の所定値になるように当該可変利得増幅手段の利得を制御する第１のフィードバック手段と、
他の残りのビームのレーザー反射光に対応する光電変換信号の利得を可変する前記可変利得増幅手段から出力される信号のレベルが第２の所定値になるように当該可変利得増幅手段の利得を制御する第２のフィードバック手段とを具備することを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項７】
レーザー光を記録媒体に照射することによって前記記録媒体に対して信号を読み書きする光ディスク装置であって、
前記記録媒体からのレーザー反射光を対応する電圧信号に変換する光電変換手段の出力レベルを所定値に制御する出力レベル制御手段を具備する、
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項８】
レーザー光を記録媒体に照射することによって前記記録媒体に対して信号を読み書きする光ディスク装置であって、
前記記録媒体からのレーザー反射光を光電変換する受光手段と、
前記受光手段により得られた光電変換電流を電圧に変換する電流電圧変換手段と、
前記電流電圧変換手段から出力される信号の利得を調整する可変利得増幅手段と、
前記可変利得増幅手段から出力される信号のレベルが所定値になるように当該可変利得増幅手段の利得を制御するフィードバック手段とを具備し、
前記受光手段と前記電流電圧変換手段と前記可変利得増幅手段は、光学ピックアップ上に配置されていることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項９】
レーザー光を記録媒体に照射することによって前記記録媒体に対して信号を読み書きする光ディスク装置であって、
前記記録媒体からのレーザー反射光を光電変換する受光手段と、
前記受光手段により得られた光電変換電流を電圧に変換する電流電圧変換手段と、
前記電流電圧変換手段から出力される信号の利得を調整する可変利得増幅手段と、
前記可変利得増幅手段から出力される信号のレベルが所定値になるように当該可変利得増幅手段の利得を制御するフィードバック手段とを具備し、
前記受光手段と前記電流電圧変換手段と前記可変利得増幅手段は、半導体集積回路として一体に構成されることを特徴とする光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＤＲやＤＶＤＲ（ＣＤＲＷやＤＶＤＲＷ）等の光ディスク（記録媒体）に書き込み可能な光ディスク装置に係り、特に光ディスクからのレーザー反射光を光電変換して電気信号を得るフォトディテクタ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスク装置は、光ピックアップ内の半導体レーザーから光学系を通してレーザー光を光ディスク上に集光し、光ディスクからの反射光をフォトディテクタ回路で受光して電気信号を得る。得られた電気信号はＲＦ信号処理回路に伝送され、ここで各種の信号処理を受けることにより、ＲＦ信号やサーボ信号が生成される。
【０００３】
図２は従来のフォトディテクタ回路の構成を示したブロック図である。フォトディテクタ回路１２はフォトディテクタ１２１により反射光を光電変換し、これを電流電圧変換器１２２で電圧に変換し、前記反射光に対応する電気信号を得ている（例えば特許文献１参照）。ところで、半導体レーザーの出射パワーは、読み出し時と書き込み時では大きく異なるため、読み出し時の出射パワーが低い時にも所定のレベル以上の電気信号が得られ、書き込み時の出射パワーが高い時には飽和しないように電流電圧変換器１２２のダイナミックレンジが設計されている。
【０００４】
しかし、書き込み時の記録倍速数が高くなると、書き込み時の出射パワーがさらに高くなるため、この時に電流電圧変換器１２２が飽和しないように設計すると、読み出し時の出射パワーが低い時には所定レベル以上の電気信号が得られなくなり、電流電圧変換器１２２のダイナミックレンジの設定が難しく、非常にシビアーなピンポイントの設計を行わなければならないようになってきた。また、読み出し時の出射パワーの低い時には所定レベル以上の電気信号が得られなくなり、フォトディテクタ回路から他の回路へ信号を伝送する間に外来ノイズの飛込みによって必要なＳ／Ｎ比（信号雑音電圧比）を取れなくなる。そのため、電流電圧変換器１２２のダイナミックレンジの設定が難しく、非常にシビアーなピンポイントの設計を行わなければならないようになってきた。
【特許文献１】特開２００３−３０３４３５号公報  （第９頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記のようにピンポイントで電流電圧変換器１２２を設計すると、光学系の特性が微妙に異なる別の機種のディスク装置を設計する際には、それに合わせて電流電圧変換器１２２を設計し直さなければならないため、機種を変えるたびに新規にフォトディテクタ回路１２を設計しなければならず、工数や開発費の点で負担となっていた。だからといって、いずれの機種にも既存のフォトディテクタ回路１２を流用しようとすると光学設計を最適化できず、必要な性能を確保するのが難しかった。したがって、機種に応じてフォトディテクタ回路１２をその都度設計しなければならず、これでは開発に余計な工数とコストがかかり、装置の製造コストが上昇してしまうという問題点があった。
【０００６】
また、上記のようなピンポイントで電流電圧変換器１２２を用いたフォトディテクタ回路１２を搭載していても、使用する光ディスクの反射率が標準的なものから広範囲にずれているものに対しては、電流電圧変換器１２２の前段のフォトディテクタ１２１の出力信号範囲が設計時の想定から大幅にずれて、標準的な反射率の光ディスクを想定して最適に設計された電流電圧変換器１２２のダイナミックレンジではカバーできなくなることが発生し、それによる記録動作時のレーザーの出力が飽和してしまったり、再生時に所定の信号レベルを確保できないという問題が発生する。
【０００７】
本発明は前記事情に鑑み案出されたものであって、本発明の目的は、光学系の違いや使用する光ディスクの反射率の違いにより異なる設計のフォトディテクタ回路を使用しなくとも、各機種共通のフォトディテクタ回路を用いて仕様どおりの性能を発揮できる光ディスク装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記目的を達成するため、レーザー光を記録媒体に照射することによって前記記録媒体に対して信号を読み書きする光ディスク装置であって、前記記録媒体からのレーザー反射光を光電変換する受光手段と、前記受光手段により得られた光電変換電流を電圧に変換する電流電圧変換手段と、前記電流電圧変換手段から出力される信号の利得を調整する可変利得増幅手段と、前記可変利得増幅手段から出力される信号のレベルが所定値になるように当該可変利得増幅手段の利得を制御するフィードバック手段とを具備することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、レーザー光を記録媒体に照射することによって前記記録媒体に対して信号を読み書きする光ディスク装置であって、前記記録媒体からのレーザー反射光を対応する電圧信号に変換する光電変換手段の出力レベルを所定値に制御する出力レベル制御手段を具備することを特徴とする。
【００１０】
このように本発明の光ディスク装置では、記録媒体からのレーザー反射光を光電変換した信号（可変利得増幅手段の出力）のレベルが、所定値（最適値）になるように前記信号の利得を制御するフィードバック系を有し、この利得制御を例えば信号読み出し動作の開始直前或いは書き込み時の動作開始直前に行うことにより、レーザーを記録媒体に照射してその反射光を受光手段に集光させる光学系の特性の違いや或いは、記録媒体の反射率の違いがあっても、常に光電変換した前記信号を所定値（但し、読み出し時と書き込み時ではこの所定値の値が異なる。）に設定することができ、これにより各機種共通のフォトディテクタ回路を用いて仕様どおりの性能を発揮させることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、フォトディテクタ回路における記録媒体からのレーザー反射光を光電変換して得る信号のレベルが、所定値（最適値）になるように前記信号の利得を制御するフィードバック系を有し、この利得制御を例えば信号読み出し動作の開始直前或いは書き込み時の動作開始直前に行うことにより、光学系の特性の違いや或いは、記録媒体の反射率の違いがあっても、常に光電変換した前記信号を所定値（但し、読み出し時と書き込み時ではこの所定値が異なる）に設定することができる。それ故、光学系の違いや使用する光ディスクの反射率の違いにより異なる設計のフォトディテクタ回路を使用しなくとも、各機種共通のフォトディテクタ回路を用いて、仕様どおりの装置性能を得ることができる。したがって、フォトディテクタ回路の前段にある機種の違いによる光学系特性の違いや、装着する光ディスクの反射率の違いに対して、フォトディテクタ回路の設計をその度に変更することなく使用することができ、装置を安価に製造することができる。
また、各種の反射率を有する光ディスクを用いても、上記の利得制御により、フォトディテクタ回路の出力を最適値にすることができるため、使用できる光ディスクの範囲を増大することができ、装置の使い勝手を向上させることができる。
さらに、光学特性が経年変化により変わっても、上記の利得制御により、フォトディテクタ回路の出力を最適値に保持できるため、装置の初期性能を長期間に亙って維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
光学系の違いや使用する光ディスクの反射率の違いに合わせてその都度設計したフォトディテクタ回路を使用しなくとも、共通のフォトディテクタ回路によって仕様どおりの性能を発揮できるようにする目的を、記録媒体からのレーザー反射光を光電変換した信号のレベルが最適値になるように、前記信号の利得を制御するフィードバック系を備え、この利得制御を例えば信号読み出し動作の開始直前或いは書き込み時の動作開始直前に行うことによって実現した。
【実施例１】
【００１３】
図１は、本発明の一実施の形態に係る光ディスク装置の構成を示したブロック図である。光ディスク装置は、フォトディテクタ回路（ＰＤＩＣ）２、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）４、フロントモニタフォトディテクタ回路（ＦＰＤＩＣ）６、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）８及び装置全体の制御及び各種の個別制御を行うコントローラ１０を有している。
【００１４】
フォトディテクタ回路２は、Ａ〜Ｈの受光領域を有するフォトディテクタ（ＰＤ）２１、電流電圧変換器（Ｉ／Ｖ）２２Ａ〜２２Ｈ、ゲインコントロールアンプ（ＧＣＡ）２３Ａ〜２３Ｈを有している。ＲＦ信号処理回路４は、サンプルホールド回路（Ｓ／Ｈ）４１Ａ〜４１Ｈ及び４５Ｈ、４５Ｌ、マトリクス演算回路４２、比較回路４３、４４を有している。フロントモニタフォトディテクタ回路６は、フロントモニタフォトディテクタ（ＦＰＤ）６１、電流電圧変換器（Ｉ／Ｖ）６２、ゲインコントロールアンプ（ＧＣＡ）６３を有している。デジタルシグナルプロセッサ８はサンプルタイミング信号ＳＭＬＰ１、ＳＭＬＰ１´及び比較回路４３、４４に供給する基準レベル信号を発生する信号発生部８１を有している。
【００１５】
但し、特許請求の範囲の受光手段はフオトディテクタ２１に相当し、電流電圧変換手段は電流電圧変換器２２Ａ〜２２Ｈに相当し、可変利得増幅手段はゲインコントロールアンプ２３Ａ〜２３Ｈに相当し、フィードバック手段はゲインコントロールアンプ２３Ａ〜２３Ｄ、サンプルホールド回路４１Ａ〜４１Ｄ、マトリクス演算回路４２、比較回路４３とにより形成されるループ又は、ゲインコントロールアンプ２３Ｅ〜２３Ｈ、サンプルホールド回路４１Ｅ〜４１Ｈ、マトリクス演算回路４２、比較回路４４により形成されるループに相当し、制御手段はコントローラ１０に相当する。
【００１６】
尚、本実施の形態の光ディスク装置のトラッキングサーボ方式としては、３ビームを用いる差動プッシュプル法を用いるものとする。そのため、上記した各部品の添字Ａ〜Ｄの系統は、メインレーザービームによるメインスポットからの反射光に対応する信号処理系統を形成し、添字Ｅ、Ｆは第１のサイドレーザービームによる第１のサイドスポットからの反射光に対応する信号処理系統を形成し、添字Ｇ、Ｈは第２のサイドレーザービームによる第２のサイドスポットからの反射光に対応する信号処理系統を形成している。
【００１７】
次に本実施の形態の動作について説明する。図示されない光ディスクに集光されるレーザー光の反射光は、フォトディテクタ回路２のフォトディテクタ２１の受光領域Ａ〜Ｈにより受光され、各受光領域より対応する電流が電流電圧変換器２２Ａ〜２２Ｈに入力されて電圧に変換される。こうして得られた光電変換信号はゲインコントロールアンプ２３Ａ〜２３Ｈにより利得調整された後、図示されないフレキシブルケーブルを通してＲＦ信号処理回路４に伝送される。
【００１８】
ＲＦ信号処理回路４のサンプルホールド回路４１Ａ〜４１Ｈは、入力される光電変換信号をサンプルホールドし、サンプルホールド信号をマトリクス演算回路４２に出力する。マトリクス演算回路４２は、入力されるサンプルホールド信号を用いて各種の演算を行い、フォーカスエラー信号、トラッキング信号、メイン和信号、サイド和信号、メインのプッシュプル信号等を算出する。
【００１９】
マトリクス演算回路４２により算出され、メインスポットからの反射光の強さを反映するメイン和信号（モニター信号）３００は比較回路４３の非反転端子（−）に入力され、反転端子（＋）にデジタルシグナルプロセッサ８の信号発生部８１から入力される基準レベル信号（１）と比較され、その差分信号４００がゲインコントロールアンプ２３Ａ〜２３Ｄに入力される。ゲインコントロールアンプ２３Ａ〜２３Ｄのゲイン（利得）は前記差分信号がゼロになるまでそのゲインが調整される。
【００２０】
同時に、マトリクス演算回路４２により算出され、第１、第２のサイドスポットからの反射光の強さを反映するサイド和信号（モニター信号）３１０は比較回路４４の非反転端子（−）に入力され、反転端子（＋）にデジタルシグナルプロセッサ８の信号発生部８１から入力される基準レベル信号（２）と比較され、その差分信号４１０がゲインコントロールアンプ２３Ｅ〜２３Ｈに入力される。ゲインコントロールアンプ２３Ｅ〜２３Ｈのゲインは前記差分信号がゼロになるまでそのゲインが調整される。
【００２１】
ここで、フォトディテクタ２１のＡ〜Ｈの各領域の受光信号に対応するサンプルホールド信号をＡ〜Ｈで表すと、メイン和信号３００＝Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄで表されるため、メイン和信号３００はメインスポットによる光ディスクからの反射光の強さに対応していることになる。また、本実施の形態では、電流電圧変換器２２Ａ〜２２Ｄを、高倍速時の高いレーザーパワーの時に光学系からの戻り反射光が最大の機種で且つ反射率が最大の光ディスクを用いた時にフォトディテクタ２１の各領域から得られる電流を飽和することなく電圧に変換できるように設計してあるものとする。
【００２２】
しかし、それでは読み出し時の低いレーザーパワーでは電流電圧変換器２２Ａ〜２２Ｄの出力電圧が低くなり過ぎて所定のレベルに達しなくなるため、ゲインコントロールアンプ２３Ａ〜２３Ｄでゲイン調整して所定レベルに達するようしている。しかし、その際に、搭載する光学系の特性の違いや装着する光ディスクの反射率の違いがあるので、その違いを吸収すべく、メイン和信号３００が常に基準レベル信号（１）と同じになるようにゲインコントロールアンプ２３Ａ〜２３Ｄのゲインを自動調整する。これにより、光学系の特性の違いや装着する光ディスクの反射率の違いに拘らず、読み出し時のフォトディテクタ回路２の出力レベルは所定値となり、後段のＲＦ信号処理回路４の入力レベルを最適とする。
【００２３】
また、電流電圧変換器２２Ａ〜２２Ｄは高倍速時の大きいレーザーパワーの時に光学系からの戻り反射光が最大の機種で且つ反射率が最大の光ディスクを用いた時にフォトディテクタ２１の最大の出力に対しても飽和せずに動作する設計となっている。しかしその場合、電流電圧変換器２２Ａ〜２２Ｄの出力レベルが高すぎて、後段のＲＦ信号処理回路４の入力レベルに合わないことになる場合があるため、上記と同様のゲインコントロールアンプ２３Ａ〜２３Ｄのゲイン調整を比較回路４３でメイン和信号３１０が基準レベル信号（３）に一致するように自動調整する動作を、書き込み時にも行って、フォトディテクタ２１の書き込み時の出力レベルが最適になるような調整を行う。
【００２４】
同様に、サイド和信号３１０＝Ｅ＋Ｆ＋Ｇ＋Ｈで表されるため、サイド和信号３１０は第１、第２のサイドスポットによる光ディスクから反射光の強さに対応していことになる。また、本実施の形態では、電流電圧変換器２２Ｅ〜２２Ｈを、高倍速時の大きいレーザーパワーの時に光学系からの戻り反射光が最大の機種で且つ反射率が最大の光ディスクを用いた時にフォトディテクタ２１の各領域から得られる電流を飽和することなく電圧に変換できるように設計してあるものとする。
【００２５】
そこで、メインスポット系と同様に、読み出し時と書き込み時にゲインコントロールアンプ２３Ｅ〜２３Ｈのゲインを比較回路４４でサイド和信号３１０が読み出し時の基準レベル信号（２）又は書き込み時の基準レベル信号（４）に一致するように自動調整することより、光学系の特性の違いや装着する光ディスクの反射率の違いに拘らず、読み出し時及び書き込み時のフォトディテクタ回路２の出力レベルを所定値（サイドスポット系とメインスポット系で光学特性が違うため、サイドスポット系とメインスポット系の所定値は異なる値となる）として、後段のＲＦ信号処理回路４の入力レベルを最適とする。
【００２６】
フロントモニタフォトディテクタ回路６のゲインコントロールアンプ６３は従来通り組み立てラインで対物レンズ出射パワーの時の出力が一定値になるように調整される。書き込み時、フロントモニタフォトディテクタ回路６から出力されるパワーモニター信号はＲＦ信号処理回路４のサンプルホールド回路４５Ｈ、４５Ｌに入力される。サンプルホールド回路４５Ｈは書き込みレーザーパワー時のモニター信号をサンプルホールドして図示されないＡＰＣ（Automatic Power Control）に出力し、サンプルホールド回路４５Ｌはバイアスレーザーパワー時のモニター信号をサンプルホールドして同ＡＰＣに出力することにより、書き込み時とバイアス時のレーザー出力が所定値に制御される。
【００２７】
コントローラ１０は、装置に光ディスクが装着されて読み出し動作を行う直前に、上記した読み出し時のゲインコントロールアンプ２３Ａ〜２３Ｈのゲイン調整を行なって、フォトディテクタ回路２の出力レベルを最適値に設定する。また、コントローラ１０は、装置に光ディスクが装着されて書き込み動作を行う直前に、上記した読み出し時のゲインコントロールアンプ２３Ａ〜２３Ｈのゲイン調整を行なって、フォトディテクタ回路２の出力レベルを最適値に設定する。
【００２８】
また、マトリクス演算回路４２では、フォーカスエラー信号＝（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）、トラッキングエラー信号＝（Ａ＋Ｄ）−（Ｂ＋Ｃ）＋ｋ＊（Ｅ＋Ｇ）−（Ｆ＋Ｈ）、メインプッシュプル信号＝（Ａ＋Ｄ）−（Ｂ＋Ｄ）などの演算を行ない、その結果をデジタルシグナルプロセッサ８に送り、ここで、レーザー光源（図示せず）、光学系（図示せず）及びフォトディテクタ回路２及びフロントモニタフォトディテクタ回路６を内蔵している光ピックアップのフォーカス制御やトラッキング制御を行うサーボ信号を生成したり、読み出し信号を生成する。尚、光ピックアップ内にフォトディテクタ回路２が内蔵されているため、フォトディテクタ２１、電流電圧変換器２２Ａ〜２２Ｈ及びゲインコントロールアンプ２３Ａ〜２３Ｈは当然光ピックアップ内に配置されていることになる。
【００２９】
本実施の形態によれば、装置に光ディスクが装着されて読み出し動作を行う直前に、ゲインコントロールアンプ２３Ａ〜２３Ｈのゲイン調整を行なって、フォトディテクタ回路２の出力レベルを最適値に設定すると共に、装置に光ディスクが装着されて書き込み動作を行う直前に、ゲインコントロールアンプ２３Ａ〜２３Ｈのゲイン調整を行なって、フォトディテクタ回路２の出力レベルを最適値に設定することにより、フォトディテクタ回路２の前段にある機種の違いによる光学系の特性の違いや、装着する光ディスクの反射率の違いに対して、フォトディテクタ回路２の設計をその度に変更することなく共通に使用することができ、装置を安価に製造することができる。
【００３０】
また、各種の反射率を有する光ディスクを用いても、上記のゲインコントロールアンプ２３Ａ〜２３Ｈの自動ゲイン制御動作により、フォトディテクタ回路２の出力を最適値に自動設定することができるため、使用できる光ディスクの範囲を増大することができ、装置の使い勝手を向上させることができる。
【００３１】
さらに、光学特性が経年変化により変わっても、上記のゲインコントロールアンプ２３Ａ〜２３Ｈの自動ゲイン制御動作により、フォトディテクタ回路２の出力を最適値に保持できるため、装置の初期性能を長期間に亙って維持することができ、長期の信頼性を確保することができる。
【００３２】
また、フォトディテクタ２１、電流電圧変換器２２Ａ〜２２Ｈ及びゲインコントロールアンプ２３Ａ〜２３Ｈを一体として半導体集積回路上に形成することにより、フォトディテクタ回路２はワンチップの集積回路として構成されており、前記ゲインコントロールアンプを追加した場合もチップの大きさはほとんど変わらず良好なスペース性を確保することができる。
【００３３】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲において、具体的な構成、機能、作用、効果において、他の種々の形態によっても実施することができる。上記実施の形態ではサンプルホールド回路４１Ａ〜４１Ｈ及び４５Ｈ、４５ＬがＲＦ信号制御回路４側に設けられていたが、これらサンプルホールド回路４１Ａ〜４１Ｈをフォトディテクタ回路２側に、サンプルホールド回路４５Ｈ、４５Ｌをフロントモニタフォトディテクタ回路４側に配置した構成の装置であっても、同様の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施の形態に係る光ディスク装置の構成を示したブロック図である。
【図２】従来のフォトディテクタ回路の構成例を示したブロック図である。
【符号の説明】
【００３５】
２……フォトディテクタ回路（ＰＤＩＣ）、４……ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）、６……フロントモニタフォトディテクタ回路（ＦＰＤＩＣ）、８……デジタルシグナルプロセッサ  （ＤＳＰ）、１０……コントローラ、２１……フォトディテクタ（ＰＤ）、２２Ａ〜２２Ｈ、６２……電流電圧変換器（Ｉ／Ｖ）、２３Ａ〜２３Ｈ、６３……ゲインコントロールアンプ  （ＧＣＡ）、４１Ａ〜４１Ｈ及び４５Ｈ、４５Ｌ……サンプルホールド回路（Ｓ／Ｈ）、４２……マトリクス演算回路、４３、４４……比較回路、６１……フロントモニタフォトディテクタ、８１……信号発生部。
【図１】
2005135553.tif 000003
【図２】
2005135553.tif 000004