(57)【要約】【課題】  半導体レーザ素子をサブマウントのような基板の表面上に実装する際に半導体レーザ素子に生じる残留熱応力を、低減ないし解消することで、信頼性が高く、正確に機能することのできる半導体レーザ素子の実装方法を提供する。【解決手段】  接合材（半田）が溶融状態から凝固する際に、例えば強制冷却ファン１によって半導体レーザ素子２を強制冷却する。一般に線熱膨張が基板３よりも大きい半導体レーザ素子２を基板３の表面上に実装する際に、半導体レーザ素子２に生じて残留しようとする熱応力ストレスが低減ないし解消される。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に前記基板とは異なる膨脹係数の材質の半導体レーザ素子を、接合材の溶融接合によって実装してなる半導体レーザ装置であって、
前記接合材が溶融状態から凝固する際に前記半導体レーザ素子を強制冷却してなることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記半導体レーザ素子の材質は、前記接合材の溶融接合の際の加熱による膨脹率よりも高い膨脹率を有するものである
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記接合材が溶融状態から凝固する際に前記半導体レーザ素子を強制冷却することで、前記接合材が凝固した状態で前記半導体レーザ素子の熱膨張と前記基板の熱膨張とを揃えた
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記接合材が溶融状態から凝固する際に前記半導体レーザ素子を強制冷却することで、前記接合材が凝固した状態で前記半導体レーザ素子と前記基板との間に残留する熱応力を、前記強制冷却を施さなかった場合の残留熱応力よりも低いものとした
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記接合材が溶融状態から凝固する際に前記半導体レーザ素子を強制冷却することで、前記接合材が凝固した状態で前記半導体レーザ素子の前記基板の表面に対する材料力学的な歪みを、前記強制冷却を施さなかった場合の歪みよりも低いものとした
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記半導体レーザ素子が、一つの素子内に複数の発光源を有するものである
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記接合材が溶融状態から凝固する際に前記半導体レーザ素子を強制冷却することで、前記接合材が凝固した状態で前記半導体レーザ素子内の複数の発光源からの出力光軸の誤差を、前記強制冷却を施さなかった場合の誤差よりも低いものとした
ことを特徴とする請求項６記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
基板の表面に前記基板とは異なる膨脹係数の材質の半導体レーザ素子を、接合材の溶融接合によって実装するにあたり、
前記接合材が溶融状態から凝固する際に、前記半導体レーザ素子を強制冷却する
ことを特徴とする半導体レーザ素子の実装方法。
【請求項９】
前記半導体レーザ素子の材質が、前記接合材の溶融接合の際の加熱による膨脹率よりも高い膨脹率を有するものである
ことを特徴とする請求項８記載の半導体レーザ素子の実装方法。
【請求項１０】
前記接合材が溶融状態から凝固する際に前記半導体レーザ素子を強制冷却して、前記接合材が凝固した後の前記半導体レーザ素子の熱膨張と前記基板の熱膨張とを揃える
ことを特徴とする請求項８記載の半導体レーザ素子の実装方法。
【請求項１１】
前記接合材が溶融状態から凝固する際に前記半導体レーザ素子を強制冷却して、前記接合材が凝固した後の前記半導体レーザ素子と前記基板との間に残留する熱応力を、前記強制冷却を施さなかった場合の残留熱応力よりも低くなるようにする
ことを特徴とする請求項８記載の半導体レーザ素子の実装方法。
【請求項１２】
前記接合材が溶融状態から凝固する際に前記半導体レーザ素子を強制冷却して、前記接合材が凝固した後の前記半導体レーザ素子の前記基板の表面に対する材料力学的な歪みを、前記強制冷却を施さなかった場合の歪みよりも低くなるようにする
ことを特徴とする請求項８記載の半導体レーザ素子の実装方法。
【請求項１３】
前記半導体レーザ素子が、一つの素子内に複数の発光源を有するものである
ことを特徴とする請求項８記載の半導体レーザ素子の実装方法。
【請求項１４】
前記接合材が溶融状態から凝固する際に前記半導体レーザ素子を強制冷却して、前記接合材が凝固した後の前記半導体レーザ素子内の複数の発光源からの出力光軸の誤差を、前記強制冷却を施さなかった場合の誤差よりも低くなるようにする
ことを特徴とする請求項８記載の半導体レーザ素子の実装方法。
【請求項１５】
基板の表面に前記基板とは異なる膨脹係数の材質の半導体レーザ素子を、接合材の溶融接合によって実装する半導体レーザ素子実装装置であって、
前記接合材が溶融状態から凝固する際に前記半導体レーザ素子を強制冷却する強制冷却手段を備えた
ことを特徴とする半導体レーザ素子実装装置。
【請求項１６】
前記強制冷却手段が、前記接合材が溶融状態から凝固する際に前記半導体レーザ素子を強制冷却することで、前記接合材が凝固した後の前記半導体レーザ素子の熱膨張と前記基板の熱膨張とを揃える
ことを特徴とする請求項１５記載の半導体レーザ素子実装装置。
【請求項１７】
前記強制冷却手段が、前記接合材が溶融状態から凝固する際に前記半導体レーザ素子を強制冷却することで、前記接合材が凝固した後の前記半導体レーザ素子と前記基板との間に残留する熱応力を、前記強制冷却を施さなかった場合の残留熱応力よりも低くなるようにする
ことを特徴とする請求項１５記載の半導体レーザ素子実装装置。
【請求項１８】
前記強制冷却手段が、前記接合材が溶融状態から凝固する際に前記半導体レーザ素子を強制冷却することで、前記接合材が凝固した後の前記半導体レーザ素子の前記基板の表面に対する材料力学的な歪みを、前記強制冷却を施さなかった場合の歪みよりも低くなるようにする
ことを特徴とする請求項１５記載の半導体レーザ素子実装装置。
【請求項１９】
前記半導体レーザ素子が、一つの素子内に複数の発光源を有するものであり、
前記強制冷却手段が、前記接合材が溶融状態から凝固する際に前記半導体レーザ素子を強制冷却することで、前記接合材が凝固した後の前記半導体レーザ素子内の複数の発光源からの出力光軸の誤差を、前記強制冷却を施さなかった場合の誤差よりも低くなるようにする
ことを特徴とする請求項１５記載の半導体レーザ素子実装装置。
【請求項２０】
前記溶融接合の際に少なくとも前記接合材を溶融させるための加熱手段と、前記接合材が溶融状態から凝固する際に前記半導体レーザ素子を強制冷却する強制冷却手段とを、別個に独立して機能可能に設けてなる
ことを特徴とする請求項１５記載の半導体レーザ素子実装装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子を基板上に実装してなる半導体レーザ装置およびそのような半導体レーザ素子の実装方法ならびに半導体レーザ素子実装装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えばＬＤ（Laser Diode；レーザダイオード，以下、ＬＤと略称）のような半導体レーザ素子のチップを、サブマウントのような基板の表面に、半田等の熱溶融性接合材を介して実装するプロセスでは、サブマウント上の所定位置に半田と共にＬＤを載置し、それをアロイ炉のサンプル台の上に配置して、一括して加熱することで、半田による接合・実装を行なっている。半田を中心としてサブマウントの表面およびＬＤのチップにおける実装に関与する表面の加熱は、例えばヒータ・ステージのような加熱手段によってサブマウントを加熱することによって行うようにしている。
【０００３】
一般に、サブマウントのような基板とＬＤのチップとでは、その材質の熱伝導率や線熱膨脹率が異なっている。このため、上記のような実装プロセスを経た後、実装されたチップとサブマウントとの間には、無視できない熱応力が残留する場合がある。
【０００４】
このような残留熱応力を低減ないしは解消することを企図して、例えばサブマウントのような基板を、ＬＤチップと同じ熱膨張率の材質のものとすることや、熱伝導率の高いものとすることなどが提案されている（特許文献１）。
【特許文献１】特開平１１−３３０３２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のような従来用いられていた技術では、例えばＦＯガスのような作業雰囲気として導入されるガスは温度調節等には寄与しないものであり、一般に線熱膨張プロファイルはサブマウントよりもＬＤチップの方が大きいため、半田凝固時の熱膨脹はＬＤの方が大きくなり、半田凝固後は熱膨脹の回復がサブマウントに支配されることとなり、その結果、半田凝固時のＬＤチップとサブマウントとの熱膨張の差が、実装プロセスの完了後（半田凝固後）にＬＤにストレス（残留熱応力）として残留することとなる。
【０００６】
特に、Ｓｎ（スズ）などの半田が接合材として用いられることが多いが、そのような半田を用いた実装の場合、ＬＤに残留するストレスが大きなものとなり、延いては、完成したＬＤの出力特性の欠陥が生じたり実装不良等が生じたりするなど、信頼性の低下を生じさせてしまうという問題がある。また、そのような大きなストレスがＬＤに残留することに起因して、ＬＤに設定外の異常な偏光が生じ、甚だしくはＬＤとしての欠陥となってしまうという問題がある。
【０００７】
また、いわゆるマルチビームＬＤと呼ばれるような、発光点（発光源）を複数点備えたＬＤの場合、上記のようなＬＤに残留するストレスに起因した偏光の異常は、一般に各発光点がチップの中心部を軸として対称に配置されているので、単光源のＬＤの場合よりも顕著なものとなってしまう。あるいは複屈折率レンズを含む光学系を有する半導体レーザ素子の場合などには、出力されるレーザ光の集光距離が、複数の発光源ごとで異なったものとなってしまう（揃わなくなってしまう）という問題がある。
【０００８】
また、上記のような従来提案された技術では、サブマウントのような基板とＬＤチップとを、同じ熱膨張率の材質からなるものとしなければならないので、そのような材質上の制約が生じることとなるという問題があり、実際的な解決手法としては不都合が多かった。
【０００９】
本発明はかかる問題点を鑑みてなされたもので、その目的は、ＬＤのような半導体レーザ素子をサブマウントのような基板の表面上に実装する際に半導体レーザ素子に生じる残留熱応力を、低減ないし解消して、信頼性が高く、正確に機能することのできる半導体レーザ装置、およびそのような半導体レーザ素子の実装方法ならびに半導体レーザ素子実装装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体レーザ装置は、基板の表面にその基板とは異なる膨脹係数の材質の半導体レーザ素子を、接合材の溶融接合によって実装してなる半導体レーザ装置であって、接合材が溶融状態から凝固する際に半導体レーザ素子を強制冷却してなるものである。
【００１１】
本発明の半導体レーザ素子の実装方法は、基板の表面にその基板とは異なる膨脹係数の材質の半導体レーザ素子を、接合材の溶融接合によって実装するにあたり、接合材が溶融状態から凝固する際に半導体レーザ素子を強制冷却する、というものである。
【００１２】
本発明の半導体レーザ素子実装装置は、基板の表面にその基板とは異なる膨脹係数の材質の半導体レーザ素子を、接合材の溶融接合によって実装する半導体レーザ素子実装装置であって、接合材が溶融状態から凝固する際に半導体レーザ素子を強制冷却する強制冷却手段を備えている。
【００１３】
本発明の半導体レーザ装置または半導体レーザ素子の実装方法もしくは半導体レーザ素子実装装置では、接合材が溶融状態から凝固する際に半導体レーザ素子を強制冷却することで、一般に熱膨張が基板よりも大きい半導体レーザ素子を基板の表面上に実装する際に半導体レーザ素子に生じる残留熱応力が、低減ないし解消される。
【００１４】
より具体的には、接合材が溶融状態から凝固する際に半導体レーザ素子を強制冷却することで、接合材が凝固した状態での半導体レーザ素子の熱膨張と基板の熱膨張とが揃えられる。
【００１５】
あるいは、接合材が溶融状態から凝固する際に半導体レーザ素子を強制冷却することで、接合材が凝固した状態での半導体レーザ素子と基板との間に残留する熱応力が、その強制冷却を施さなかった場合の残留熱応力よりも、低いものとなる。
【００１６】
あるいは、接合材が溶融状態から凝固する際に半導体レーザ素子を強制冷却することで、接合材が凝固した状態での半導体レーザ素子の基板の表面に対する材料力学的な歪みが、その強制冷却を施さなかった場合の歪みよりも、低いものとなる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の半導体レーザ装置または半導体レーザ素子の実装方法もしくは半導体レーザ素子実装装置によれば、接合材が溶融状態から凝固する際に半導体レーザ素子を強制冷却することで、一般に熱膨張が基板よりも大きい半導体レーザ素子を基板の表面上に実装する際に半導体レーザ素子に生じる残留熱応力が低減ないし解消されるようにしたので、完成した半導体レーザ装置の信頼性を高くすることができ、またそれを正確に機能するものとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明の一実施の形態に係る半導体レーザ素子実装装置の概要構成を表したものである。なお、本発明の実施の形態に係る半導体レーザ素子の実装方法または半導体レーザ装置は、この半導体レーザ素子実装装置の動作あるいは作用によって具現化されるものであるから、以下、それらを併せて説明する。
【００２０】
この半導体レーザ素子実装装置は、最も簡易な構造の一例として挙げたものである。この図１に示した半導体レーザ素子実装装置では、強制冷却手段として強制冷却ファン１を備えて、半田（図１では図示省略）のような接合材が溶融状態から凝固していく際に、チップ状の半導体レーザ素子２に対してその上方から冷風（空気）１００を吹き付けることで、半導体レーザ素子２を強制空冷して、熱膨張の度合いがサブマウントのような基板３よりも大きい半導体レーザ素子２に生じる残留熱応力を実用上問題のない程度にまで低減ないし解消する。
【００２１】
なお、この半導体レーザ素子実装装置では、基板３上の所定位置に半田と共に半導体レーザ素子２を載置し、それをアロイ炉５内のサンプル台８の上に配置して一括加熱することで半田を溶融させるが、このときの半田を中心として基板３の表面および半導体レーザ素子２における実装に関与する表面の加熱は、ヒータ・ステージ４によって行うようにしている。
【００２２】
このようにして加熱して半田を溶融させることで半導体レーザ素子２と基板３との接合が行われるが、その加熱後は、本実施の形態に係る強制冷却ファン１によって半導体レーザ素子２が強制冷却される。すなわち、半田が十分に冷えて凝固するまでの間に、強制冷却ファン１によって半導体レーザ素子２が強制冷却されて、その半導体レーザ素子２の熱膨張の大きさが基板３の熱膨張の大きさと揃うこととなる。その結果、半田が十分に冷えて凝固したときには、半導体レーザ素子２には残留熱応力が残っていない、またはそのような残留熱応力は実際上無視できないほど小さなものにまで低減ないし解消されている。
【００２３】
図２は、強制冷却手段として、氷のうのような固体状の冷媒を用いた場合の、半導体レーザ素子実装装置の構造の一例を表したものである。
【００２４】
この図２に示した半導体レーザ素子実装装置は、半導体レーザ素子２の直上にセラミック板７を配置し、その上に氷のう６が載置される構造となっている。この氷のう６のような固体状の冷媒を用いた、図２の半導体レーザ素子実装装置は、図１に示したような空冷方式と比較して、さらなる高温での実装が可能であり、また熱膨張係数のさらに大きな材料を実装する場合などにも有効である。
【００２５】
図３は気体冷媒９による間接強制冷却の場合の一例を表すものである。すなわち、実装プロセスの作業雰囲気として例えば窒素ガスのようなＦＯガス１０を導入し、その上部に空気または窒素などの気体冷媒９を冷媒として用いた強制冷却手段２１を配置してＦＯガス１０を冷却し、その冷えたＦＯガス１０によって半導体レーザ素子２を冷却する。
【００２６】
このような構成とすることにより、気体冷媒９を作業雰囲気のＦＯガス１０とは別に独立して循環させることができるので、安定的な冷却を、継続的に、かつ気体冷媒９を損失することなく低コストで行うことができる。
【００２７】
図４は液体冷媒１１による間接強制冷却の場合の一例を表すものである。すなわち、実装プロセスの作業雰囲気としてＦＯガス１０を導入し、その上部に冷却水または液体窒素などの液体冷媒１１を冷媒として用いた強制冷却手段２２を配置してＦＯガス１０を冷却し、その冷えたＦＯガス１０によって半導体レーザ素子２を冷却する。
【００２８】
このような構成とすることにより、液体冷媒１１を作業雰囲気のＦＯガス１０とは別に独立して循環させることができるので、半導体レーザ素子２を濡らすことなく、空気冷媒の場合よりもさらに安定的な液体式冷却を、液体冷媒１１を損失することなく低コストで継続的に行うことができる。
【００２９】
図５はペルチェモジュール１２による間接強制冷却の場合の一例を表すものである。すなわち、実装プロセスの作業雰囲気として例えば窒素ガスのようなＦＯガス１０を導入し、その上部に、いわゆるペルチェ効果によって強制冷却を行うペルチェモジュール１２を強制冷却手段として配置してＦＯガス１０を冷却し、その冷えたＦＯガス１０によって半導体レーザ素子２を冷却する。
【００３０】
このような構成とすることにより、半田のような接合材が凝固していく間の半導体レーザ素子２の冷却状態（温度状態）の制御を、さらに高精度に行うことができる。
【００３１】
次に、本実施の形態に係る半導体レーザ素子実装装置または半導体レーザ素子の実装方法もしくは半導体レーザ装置における作用について説明する。
【００３２】
図６は、本実施の形態に係る半導体レーザ素子実装装置またはそれによる実装方法における、基板（ザブマウント）および半導体レーザ素子（ＧａＡｓ−ＬＤ）の各々についての温度および線膨張プロファイルの時間的な経過についてを模式的に表したものである。図６では、ＬＤの温度６０１，ヒータ・ステージの温度６０２は実線で、サブマウントの線熱膨張６０３，ＬＤの線熱膨張６０４は点線で、それぞれ示している。
【００３３】
半田が完全に凝固した後に半導体レーザ素子２に残留する熱応力は、基板３の線熱膨張係数に支配される。このため、半導体レーザ素子２に残留する熱応力を低減ないしは解消するためには、半田が完全に凝固する時点では、半導体レーザ素子２（ＬＤ）の線膨張６０４と基板３（サブマウント）の線膨張６０３との大きさが同じでなければならない。
【００３４】
そこで、溶融していた半田が凝固するまでの間に、半導体レーザ素子２だけを集中して強制冷却することで、両者の熱膨張の大きさの差を縮めて、半田が凝固した際には半導体レーザ素子２の線膨張６０４と基板３の線膨張６０３とを同じ大きさに揃えて、半導体レーザ素子２に残留する熱応力を低減ないしは解消することができる。その結果、完成した半導体レーザ装置の信頼性を高くすることができ、またその半導体レーザ装置を正確に機能するものとすることが可能となる。
【００３５】
このような本実施の形態に係る半導体レーザ素子実装装置またはそれによる実装方法の効果の確認として、図２に示したような氷のう６を用いた実装プロセスを実験として行って、それによって実装された半導体レーザ素子の偏光について調べ、その結果に基づいて熱応力の残留状態を評価した。
【００３６】
その結果、図７（単光源型の場合），図８（複数光源型の場合）に模式的に示したように、基板３の表面に半田１３を介して実装された半導体レーザ素子２は、歪みがほぼ０（ゼロ）に解消されることが確認された。また、図８の複数光源型の場合、２つの発光源１４ａ，１４ｂの出力レーザ光軸には不都合な偏りや歪み（誤差）が発生することがないことが確認された。また、図９に示したように、実装後の残留熱応力に起因した顕著な偏光等も発生しないことが確認された。
【比較例】
【００３７】
ここで、比較例として、従来の一般的な実装装置およびそれによる実装プロセスについて説明する。図１０は、従来の半導体レーザ素子実装装置の一例を表したものである。
【００３８】
基板３上の所定位置ごとに半導体レーザ素子２を載置したものを、アロイ炉５のサンプル台８上に配置し、それらをアロイ炉５で一括して加熱して半田による接合を行なう。このような従来の実装装置では、一般に、ヒータ・ステージ４で基板３を加熱して半田を溶融させる。そして半田の凝固については、自然冷却するようにしていた。また、ＦＯガス１０も雰囲気を充満するためのものであり、冷却等には実質的にほとんど寄与しない。
【００３９】
このような従来の半導体レーザ素子実装装置またはそれによる実装方法における、基板（ザブマウント）３および半導体レーザ素子（ＬＤ）２の各々についての温度および線膨張プロファイルの時間的な経過についてを、図１１に模式的に示す。図１１では、ヒータ・ステージの温度７０１は実線で、サブマウントの線熱膨張７０２，ＬＤの線熱膨張７０３は点線で、それぞれ示している。
【００４０】
ＬＤの線熱膨脹率がサブマウントのそれよりも大きいため、半田が凝固する前の（半田が溶融した状態での）線熱膨脹の大きさは、ＬＤの方が大きくなる。
【００４１】
そして半田が凝固した際には、ＬＤよりもサブマウントの方が十分に容積が大きいことから、熱膨脹の回復がサブマウントに支配される。このため、半田が溶融状態から自然冷却されて凝固しても、その間はＬＤもサブマウントも同様に自然冷却されて行くので、ＬＤとサブマウントとの熱膨張の差は減少せず、その結果、ＬＤとサブマウントとの線熱膨張の差が材料力学的なストレス（熱応力）としてＬＤ（半導体レーザ素子２）に残留する。
【００４２】
また、特にマルチビームＬＤの場合には、上記のような残存熱応力のストレスに起因してＬＤチップが図１２に示したように角度Δθに亘って歪んでレーザ出力の光軸を歪めてしまい、その結果、図１３に一例を示したような複屈折率レンズ１３１を含む光学系１３０を有する半導体レーザ装置の場合には、２つの半導体レーザ素子２ａ，２ｂのレーザ光の集光距離が互いに異なったものとなってしまうことになる。
【００４３】
以上のように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置および半導体レーザ素子の実装方法ならびに半導体レーザ素子実装装置では、従来の技術では無視できないほどの大きさで半導体レーザ素子２に残存していた熱的ストレスを、無視できる程にまで低減ないしは解消して、完成した半導体レーザ装置の信頼性のさらなる向上および正確で望ましいレーザ出力機能を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明は、半導体レーザ素子を基板上に実装してなる半導体レーザ装置およびそのような半導体レーザ素子の実装方法ならびに半導体レーザ素子実装装置に適用可能であり、さらには、特に複数の発光源を１チップ内に備えた半導体レーザ素子を、光軸の歪み等を生じることなく基板上に実装するためなどに好適に利用可能なものである。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体レーザ素子実装装置の概要構成を表した図である。
【図２】強制冷却手段として、固体状の冷媒を用いた場合の例を表した図である。
【図３】気体冷媒によって半導体レーザ素子を冷却する構造の一例を表した図である。
【図４】液体冷媒を冷媒として用いる例を表した図である。
【図５】ペルチェモジュールによる間接強制冷却の場合の一例を表した図である。
【図６】基板および半導体レーザ素子の各々についての温度および線膨張プロファイルの時間的な経過についてを模式的に表した図である。
【図７】単光源型のＬＤの歪みのない実装状態を模式的に表した図である。
【図８】複数光源型のＬＤの歪みのない実装状態を模式的に表した図である。
【図９】実装後の残留熱応力に起因した偏光の発生具合の一例を表した図である。
【図１０】比較例として従来の半導体レーザ素子実装装置の一例を表した図である。
【図１１】従来の実装方法における、基板および半導体レーザ素子の各々についての温度および線膨張プロファイルの時間的な経過についてを表した図である。
【図１２】従来の半導体レーザ素子実装装置によって実装されたマルチビームＬＤが実装後の残留熱応力に起因して歪んだ実装状態になると共にその出力レーザの光軸も歪んだ状態となった一例を表した図である。
【図１３】従来の半導体レーザ素子実装装置によって実装されたマルチビームＬＤが実装後の残留熱応力に起因して歪んだ結果、マルチビームＬＤの２つの半導体レーザ素子から出力されるレーザ光の集光距離が互いに異なったものとなった状態の一例を表した図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…強制冷却ファン、２…半導体レーザ素子、３…基板、４…ヒータ・ステージ、５…アロイ炉、６…氷のう、７…セラミック板、８…サンプル台、９…気体冷媒、１０…ＦＯガス、１１…液体冷媒、１２…ペルチェモジュール、１３…半田
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2005129584.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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