(57)【要約】【課題】  使用する半導体レーザの選択肢の幅を広げることが可能な構成を有する光ヘッド装置を提供すること。【解決手段】  半導体レーザ１１と、半導体レーザ１１の出力を制御するためにレーザ光をモニタするモニタ用受光素子４０と、半導体レーザ１１が搭載される本体フレーム１０と、半導体レーザ１１に駆動電流を供給する配線基板５とを備える光ヘッド装置１において、半導体レーザ１１は、本体フレーム１０に対する第１の姿勢と、第１の姿勢からレーザ光の光軸周りに略１８０°回転させた第２の姿勢との２つの姿勢で、本体フレーム１０に取り付け可能に構成されている。【選択図】      図２
2005353245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザと、該半導体レーザが実装された配線基板と、前記半導体レーザから出射されたレーザ光を光記録ディスクに向けて偏向する立ち上げミラーと、該立ち上げミラーにより偏向されたレーザ光を前記光記録ディスクに集光させる対物レンズと、前記半導体レーザの出力を制御するために前記レーザ光をモニタするモニタ用受光素子と、少なくとも前記半導体レーザが搭載された本体フレームとを備える光ヘッド装置において、
前記半導体レーザは、少なくとも、出射光軸周りに所定の角度方向を向いた第１の姿勢、及び該第１の姿勢から出射光軸周りに略１８０°回転した第２の姿勢のいずれの姿勢でも前記本体フレームに搭載可能であることを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項２】
請求項１において、前記モニタ用受光素子は、前記立ち上げミラーの背後に配置され、該立ち上げミラーの端縁から漏れてくる前記レーザ光のファーフィールドパターンの長軸方向端部の光を受光することを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記半導体レーザは、少なくともアノード端子とカソード端子とを備え、
前記配線基板には、前記半導体レーザを前記第１の姿勢及び前記第２の姿勢のいずれの姿勢にしたときでも、当該配線基板の前記本体フレームに対する取り付け位置を略一定にしたまま前記アノード端子及び前記カソード端子をそれぞれ実装可能とする複数のランド部が形成されていることを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項４】
請求項１または２において、前記半導体レーザは、アノード端子とカソード端子とダミー端子の３つの端子を備え、
前記配線基板の同一面側には、前記半導体レーザを前記第１の姿勢としたとき前記アノード端子及び前記カソード端子をそれぞれ実装可能な２つの第１のランド部と、前記半導体レーザを前記第２の姿勢としたとき前記アノード端子及び前記カソード端子をそれぞれ実装可能な２つの第２のランド部とが形成されていることを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項５】
請求項４において、前記アノード端子、前記カソード端子及び前記ダミー端子は、前記出射光軸周りに略９０°間隔に形成されたピン端子であり、前記配線基板には、前記ピン端子が挿通可能な貫通穴が前記出射光軸周りに略９０°間隔に４つ形成され、
当該４つの貫通穴のうちの２つの貫通穴の周りに前記第１のランド部が形成され、残り２つの貫通穴の周りに前記第２のランド部が形成されていることを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項６】
請求項１または２において、前記半導体レーザは、アノード端子とカソード端子とダミー端子の３つの端子を備え、
前記配線基板の表面及び裏面のうちの一方面側には、前記半導体レーザを前記第１の姿勢としたとき前記アノード端子及び前記カソード端子をそれぞれ実装可能な２つの第１のランド部が形成され、他方面側には前記半導体レーザを前記第２の姿勢としたとき前記アノード端子及び前記カソード端子をそれぞれ実装可能な２つの第２のランド部が形成されていることを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項７】
請求項６において、前記アノード端子、前記カソード端子及び前記ダミー端子は、前記出射光軸周りに略９０°間隔に形成されたピン端子であり、前記配線基板には、前記ピン端子が挿通可能な貫通穴が前記出射光軸周りに略９０°間隔に３つ形成され、
前記配線基板は、当該３つの貫通穴のうち、両端に位置する貫通穴を結ぶ仮想線を中心にその一部あるいは全体を表裏反転させることにより前記半導体レーザを前記第１の姿勢及び前記第２の姿勢のいずれの姿勢にしたときでも実装可能であることを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項８】
請求項６において、前記アノード端子、前記カソード端子及び前記ダミー端子は、前記出射光軸周りに略９０°間隔に形成されたピン端子であり、前記配線基板には、前記ピン端子が挿通可能な貫通穴が前記出射光軸周りに略９０°間隔に４つ形成され、
前記配線基板は、当該４つの貫通穴のうち、前記出射光軸を間に挟む２つの貫通穴を結ぶ仮想線を中心にその一部あるいは全体を表裏反転させることにより前記半導体レーザを前記第１の姿勢及び前記第２の姿勢のいずれの姿勢にしたときでも実装可能であることを特徴とする光ヘッド装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録ディスクに対する情報の記録、再生を行う光ヘッド装置に関するものである。更に詳しくは、半導体レーザの取り付け構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤ、ＣＤ−Ｒ等のコンパクトディスクやＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ等のデジタルバーサタイルディスクといった光記録ディスクの記録、再生用の光ヘッド装置では、図９に示すように、光記録ディスク１００の半径方向に走査される本体フレーム１０（要部のみ図示）上に、半導体レーザ１１、この半導体レーザ１１から出射されたレーザ光を対物レンズ３０に導くとともに光記録ディスク１００からの戻り光を信号検出用受光素子４３に導く光学系が搭載されている。また、本体フレーム１０上には、半導体レーザ１１の出力を制御するためにレーザ光をモニタするモニタ用受光素子４０が搭載されている。
【０００３】
光学系には、半導体レーザ１１から光記録ディスク１００に向かう往路と光記録ディスク１００から受光素子４３に向かう復路とを分離する光路分離素子１５や、半導体レーザ１１から出射されたレーザ光を光記録ディスク１００の方（対物レンズ３０の方）に向けて偏向する立ち上げミラー２０などが含まれている。
【０００４】
半導体レーザ１１としては、活性層の水平方向の屈折率差により導波路を形成する屈折率導波型と、活性層内の電流を流す領域を制限することにより導波路を形成する利得導波型とがあり、光記録ディスク１００への記録速度の高速化に対応するために、高出力のレーザ光を出射できる屈折率導波型の半導体レーザが一般に用いられている。半導体レーザ１１は、活性層やクラッド層等が積層された積層構造を有するレーザチップを備えている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
高出力の屈折率導波型の半導体レーザでは、再生時に出力されるレーザ光のファーフィールドパターンと、記録時に出力されるレーザ光のファーフィールドパターンとが異なっている。図１０を用いてその一例を説明する。
【０００６】
図１０（Ａ）、（Ｂ）は、再生を行う際の低出力時（３ｍＷ）のレーザ光のファーフィールドパターン特性を示す説明図であり、（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ、レーザチップの積層方向に対して直交する方向（短軸方向）のファーフィールドパターン特性、及びレーザチップの積層方向に平行な方向（長軸方向）のファーフィールドパターン特性を示す。図１０（Ｃ）、（Ｄ）は、記録を行う際の高出力時（３０ｍＷ）のレーザ光のファーフィールドパターン特性を示す説明図であり、（Ｃ）及び（Ｄ）はそれぞれ、レーザチップの積層方向に対して直交する方向（短軸方向）のファーフィールドパターン特性、及びレーザチップの積層方向に平行な方向（長軸方向）のファーフィールドパターン特性を示す。
【０００７】
図１０（Ａ）、（Ｃ）に示すように、レーザチップの積層方向に直交する方向においては、再生時のレーザ光の広がり角θ１と記録時のレーザ光の広がり角θ２とでは約１．３°の差異が生じている。また、図１０（Ｂ）、（Ｄ）に示すように、レーザチップの積層方向においては、再生時のレーザ光の強度のピーク位置Ｉ１と記録時のレーザ光の強度のピーク位置Ｉ２とでは約０．７°の差異が生じている。
【０００８】
ここで、モニタ用受光素子では、ファーフィールドパターン上の光を受光することから、モニタ用受光素子の出力特性を向上させるには、ファーフィールドパターンの特性を考慮して、モニタ用受光素子のサイズや取り付け位置を決定する必要がある。そのため、記録時と再生時のファーフィールドパターン特性に差異が生じる屈折率導波型の半導体レーザにおいては、記録時及び再生時の双方におけるファーフィールドパターン特性を考慮した上でモニタ用受光素子のサイズや取り付け位置を決定しなければモニタ用受光素子の適切な出力特性を得ることができず、半導体レーザの出力を適切に制御できなくなってしまう。
【０００９】
しかしながら、上述した記録時と再生時におけるファーフィールドパターン特性の差異は、半導体レーザの機種によって相違する。そのため、ある機種の半導体レーザを基準にモニタ用受光素子のサイズや取り付け位置を決定した場合、半導体レーザの機種を変更すると、モニタ用受光素子の適切な出力特性を得ることができず、半導体レーザの出力特性が悪化するという事態を生じる。従って、半導体レーザの機種ごとにモニタ用受光素子のサイズや取り付け位置を決定しなければ、適切な半導体レーザの出力特性を得ることができないことになる。それ故、ある機種の半導体レーザを基準にモニタ用受光素子のサイズや取り付け位置を決定した場合には、ごく限られた機種の半導体レーザしか用いることができないことになり、従来は、半導体レーザの選択肢の幅が狭いという問題がある。
【００１０】
また、同一機種の半導体レーザ間でも、記録時と再生時におけるファーフィールドパターン特性の差異にばらつきが生じるため、モニタ用受光素子で適切な出力特性を得ることができないことがある。このようなばらつきは、光ヘッド装置の歩留まりを低下させ、製造コストを増大させるという問題がある。
【００１１】
そこで、本発明の課題は、使用する半導体レーザの選択肢の幅を広げることでき、かつ、歩留まりの向上も可能な光ヘッド装置を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の課題は、上記のように半導体レーザの選択肢の幅を広げ、かつ、歩留まりの向上を図った場合でも、コストの増大を抑えることのできる光ヘッド装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題を解決するため、本願発明者は、種々の検討を行った。特に、レーザチップの積層方向で生じるレーザ光の強度分布のピーク位置の再生時と記録時との差異に着目して種々の検討を行った結果、半導体レーザの取り付け方向によってモニタ用受光素子の出力特性に相違が生じることを知見するに至った。そして、半導体レーザの機種が変わっても、半導体レーザの適切な取り付け方向を選択することで、モニタ用受光素子で適切な出力特性を得ることができることを知見するに至った。
【００１４】
本発明は、かかる新たな知見に基づくものであり、半導体レーザと、該半導体レーザが実装された配線基板と、前記半導体レーザから出射されたレーザ光を光記録ディスクに向けて偏向する立ち上げミラーと、該立ち上げミラーにより偏向されたレーザ光を前記光記録ディスクに集光させる対物レンズと、前記半導体レーザの出力を制御するために前記レーザ光をモニタするモニタ用受光素子と、少なくとも前記半導体レーザが搭載された本体フレームとを備える光ヘッド装置において、前記半導体レーザは、少なくとも、出射光軸周りに所定の角度方向を向いた第１の姿勢、及び該第１の姿勢から出射光軸周りに略１８０°回転した第２の姿勢のいずれの姿勢でも前記本体フレームに搭載可能であることを特徴とする。
【００１５】
本発明において、半導体レーザは、第１の姿勢、及び出射光軸周りに略１８０°回転させた第２の姿勢のいずれの姿勢でも本体フレームに取り付け可能であるため、光ヘッド装置の光学系等の構成を変更することなく、半導体レーザを最適な姿勢で本体フレームに搭載することができる。すなわち、レーザ光のファーフィールドパターン特性が半導体レーザの出力レベルによって差異が生じてモニタ用受光素子が検出する信号のリニアリティが変化するような場合、半導体レーザを第１の姿勢で本体フレームに搭載するか、第２の姿勢で本体フレームに搭載するか、モニタ用受光素子が検出する信号のリニアリティが良好となる姿勢を選択して半導体レーザを本体フレームに搭載することができる。従って、従来であれば、モニタ用受光素子が検出する信号のリニアリティなどが低いとして使用不可であった半導体レーザについても、姿勢によっては使用可となるので、半導体レーザの機種については選択肢の幅を広げることができる。また、同一機種でも、モニタ用受光素子が検出する信号のリニアリティが良好となる取り付け姿勢を選択することにより、歩留まりの向上を図ることができる。
【００１６】
本発明において、前記モニタ用受光素子は、前記立ち上げミラーの背後に配置され、該立ち上げミラーの端縁から漏れてくる前記レーザ光のファーフィールドパターンの長軸方向端部の光を受光することが好ましい。この場合には、レーザ光の利用効率を低下させてまで、立ち上げミラーをハーフミラーで構成する必要がない。また、立ち上げミラーの端縁から漏れてくる光は、レーザ光のファーフィールドパターンの長軸方向端部の光であり、情報の記録、再生に用いられない部分である。そのため、モニタ用受光素子は、情報の記録、再生に用いるレーザ光の利用効率を低下させることなくレーザ光の出射光量をモニタできる。
【００１７】
本発明において、前記半導体レーザが少なくともアノード端子とカソード端子とを備え、前記配線基板には、前記半導体レーザを前記第１の姿勢及び前記第２の姿勢のいずれの姿勢にしたときでも、当該配線基板の前記本体フレームに対する取り付け位置を略一定にしたまま前記アノード端子及び前記カソード端子をそれぞれ実装可能とする複数のランド部が形成されていることが好ましい。このように構成すると、半導体レーザの姿勢を変更しても、同一の配線基板に半導体レーザを実装することができ、２種類の配線基板を準備する必要がない。従って、半導体レーザの姿勢を選択できるように構成した場合でも、部品の管理が容易であり、低コスト化を図ることができる。
【００１８】
本発明において、前記半導体レーザがアノード端子とカソード端子とダミー端子の３つの端子を備えている場合、前記配線基板の同一面側には、前記半導体レーザを前記第１の姿勢としたとき前記アノード端子及び前記カソード端子をそれぞれ実装可能な２つの第１のランド部と、前記半導体レーザを前記第２の姿勢としたとき前記アノード端子及び前記カソード端子をそれぞれ実装可能な２つの第２のランド部とが形成されていることが好ましい。受光用の素子を内蔵していない半導体レーザは、一般にアノード端子とカソード端子とダミー端子の３つの端子を備えているだけである。そのため、配線基板の片面に第１のランド部と第２のランド部を形成しておけば、半導体レーザの姿勢を変更しても、同一の配線基板の同一面に半導体レーザを実装することができ、２種類の配線基板を準備する必要がない。従って、半導体レーザの姿勢を選択できるように構成した場合でも、部品の管理が容易であり、低コスト化を図ることができる。
【００１９】
ここで、前記アノード端子、前記カソード端子及び前記ダミー端子が前記出射光軸周りに略９０°間隔に形成されたピン端子である場合、前記配線基板には、前記ピン端子が挿通可能な貫通穴が略９０°間隔に４つ形成され、当該４つの貫通穴のうちの２つの貫通穴の周りに前記第１のランド部が形成され、残り２つの端子相通穴の周りに前記第２のランド部が形成されている構成を採用すればよい。
【００２０】
本発明において、前記半導体レーザは、アノード端子とカソード端子とダミー端子の３つの端子を備えている場合、前記配線基板の表面及び裏面のうちの一方面側には、前記半導体レーザを前記第１の姿勢としたとき前記アノード端子及び前記カソード端子をそれぞれ実装可能な２つの第１のランド部が形成され、他方面側には前記半導体レーザを前記第２の姿勢としたとき前記アノード端子及び前記カソード端子をそれぞれ実装可能な２つの第２のランド部が形成されている構成であってもよい。受光用の素子を内蔵していない半導体レーザは、一般にアノード端子とカソード端子とダミー端子との３つの端子を備えているだけである。そのため、配線基板の一方面側に第１のランド部を形成し、他方面側に第２のランド部を形成しておけば、半導体レーザの姿勢を変更する際、同一の配線基板を部分的あるいは全体的に裏返すだけで、同一の配線基板に半導体レーザを姿勢を変えて実装することができ、２種類の配線基板を準備する必要がない。従って、半導体レーザの姿勢を選択できるように構成した場合でも、部品の管理が容易であり、低コスト化を図ることができる。
【００２１】
ここで、前記アノード端子、前記カソード端子及び前記ダミー端子が前記出射光軸周りに略９０°間隔に形成されたピン端子である場合には、前記配線基板には、前記ピン端子が挿通可能な貫通穴が前記出射光軸周りに略９０°間隔に３つ形成され、前記配線基板は、当該３つの貫通穴のうち、前記出射光軸を間に挟む２つの貫通穴を結ぶ仮想線を中心にその一部あるいは全体を表裏反転させることにより前記半導体レーザを前記第１の姿勢及び前記第２の姿勢のいずれの姿勢にしたときでも実装可能な構成を採用することが好ましい。このように構成すると、仮想線が通る２つの貫通穴については第１の姿勢と第２の姿勢とにおいてピン端子を貫通させるのに共用できるので、ピン端子が３本あっても貫通穴が３つで済む。
【００２２】
また、前記アノード端子、前記カソード端子及び前記ダミー端子が前記出射光軸周りに略９０°間隔に形成されたピン端子である場合には、前記配線基板には、前記ピン端子が挿通可能な貫通穴が前記出射光軸周りに略９０°間隔に４つ形成され、前記配線基板は、当該４つの貫通穴のうち、前記出射光軸を間に挟む２つの貫通穴を結ぶ仮想線を中心にその一部あるいは全体を表裏反転させることにより前記半導体レーザを前記第１の姿勢及び前記第２の姿勢のいずれの姿勢にしたときでも実装可能な構成を採用してもよい。このように構成すると、仮想線が通る２つの貫通穴については第１の姿勢と第２の姿勢とにおいてピン端子を貫通させるのに共用できるので、ピン端子が３本あっても貫通穴が４つで済む。
【発明の効果】
【００２３】
本発明では、半導体レーザについては第１の姿勢及び第２の姿勢のいずれの姿勢でも本体フレームに取り付け可能であるため、半導体レーザを第１の姿勢で本体フレームに搭載するか、第２の姿勢で本体フレームに搭載するか、モニタ用受光素子が検出する信号のリニアリティなどが良好となる取り付け姿勢を選択することができる。従って、従来であればモニタ用受光素子が検出する信号のリニアリティなどが低いとして使用不可であった半導体レーザについても、姿勢によっては使用可となるので、半導体レーザの機種については選択肢の幅を広げることができる。また、同一機種でも、モニタ用受光素子が検出する信号のリニアリティが良好となる取り付け姿勢を選択することにより、歩留まりの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
【００２５】
図１は、本発明を適用した光ヘッド装置の概略を示す概略構成図である。図２は、図１におけるＸ−Ｘ方向から見た光ヘッド装置の配置関係を示す概略構成図であり、（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、半導体レーザの第１の姿勢での概略構成図、半導体レーザの第２の姿勢での概略構成図である。図３は、本発明を適用した光ヘッド装置に用いた配線基板の構成を示す平面図である。
【００２６】
（光ヘッド装置の基本構成）
図１及び図２に示す光ヘッド装置１は、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ等のコンパクトディスク、あるいはＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ等のデジタルバーサタイルディスクといった光記録ディスクの記録、再生用の光ヘッド装置であり、以下に説明する光学系や半導体レーザ１１が搭載される本体フレーム１０（要部のみ図示）を備えている。この本体フレーム１０は、光記録ディスク記録再生装置本体（図示省略）に対して相互に平行となるように取り付けられた２本のガイドシャフト（図示省略）に沿って摺動可能に取り付けられている。
【００２７】
光ヘッド装置１は、その光学系として、光源としての半導体レーザ１１と、この半導体レーザ１１から出射されたレーザ光を０次光（メインビーム）と±１次光（２つのサブビーム）の３ビームに分割するグレーティング１３と、偏光ビームスプリッタ（光路分離素子）１５と、偏光ビームスプリッタ１５を透過したレーザ光を平行光にするコリメータレンズ１７と、コリメータレンズ１７から出射された平行光束を所定方向に偏向する立ち上げミラー２０と、この立ち上げミラー２０によって偏向された平行光束を光記録ディスク１００上に集光させる対物レンズ３０とを備えている。これらの光学素子がこの順番で配置されて半導体レーザ１１から光記録ディスク１００に到る光路（往路）が構成されている。
【００２８】
偏光ビームスプリッタ１５の側方には、センサレンズ４１と信号検出用受光素子４３とが配置され、光記録ディスク１００で反射された戻り光は、対物レンズ３０、立ち上げミラー２０、コリメータレンズ１７を介して偏光ビームスプリッタ１５に入射し、偏光ビームスプリッタ１５によって、直角に折り曲げられてセンサレンズ４１及び信号検出用受光素子４３に向けて導かれるように構成されている。このようにして光記録ディスク１００から信号検出用受光素子４３への戻り光の光路（復路）が構成されている。ここで、センサレンズ４１は、光記録ディスク１からの戻り光に対して非点収差を発生させるとともに、戻り光の倍率を上げている。尚、対物レンズ３０には、それをフォーカシング方向、トラッキング方向、及びチルト方向に駆動するレンズ駆動装置３５が構成されているが、レンズ駆動装置３５については周知の構成を採用できるので、説明を省略する。
【００２９】
本形態の光ヘッド装置１では、半導体レーザ１１から出射されるレーザ光は、楕円の強度分布をもっており、コリメータレンズ１７を透過したレーザ光のファーフィールドパターンＬ１は図２に点線で示すような楕円形状をしている。ここで、ファーフィールドパターンＬ１の長軸Ｌ２の方向は、レーザチップ１１ａの積層方向となり、長軸Ｌ２に直交する短軸の方向がレーザチップ１１ａの積層方向に直交する方向に該当する。
【００３０】
立ち上げミラー２０は、その反射面に対する法線方向からみたときの平面形状が矩形であり、そのうちの上辺２０ａ（端縁）がレーザ光のファーフィールドパターンＬ１の長軸Ｌ２と略直交するように配置されている。また、立ち上げミラー２０は、上辺２０ａ（端縁）から背後に向けてファーフィールドパターンＬ１の長軸Ｌ２の方向における端部の光が漏れるように配置されている。
【００３１】
そこで、本形態では、半導体レーザ１１の側から見て、立ち上げミラー２０の背後に、半導体レーザ１１の出力を制御するためにレーザ光をモニタするモニタ用受光素子４０が配置されている。従って、本形態では、立ち上げミラー２０の上辺２０ａから背後に漏れたレーザ光のファーフィールドパターンＬ１の長軸Ｌ２方向端部の光をモニタ用受光素子４０によって受光、検出できるので、そのモニタ結果をフィードバックし、半導体レーザ１１の出力を制御するようになっている。尚、モニタ受光素子４０も本体フレーム１０に搭載されている。
【００３２】
（半導体レーザの取り付け部の構造）
本形態において、半導体レーザ１１は屈折率導波型の半導体レーザであり、フランジ部を有する円柱形状をしている。また、半導体レーザ１１は、活性層やクラッド層等が積層された積層構造を有するレーザチップ１１ａを中心部に備えるとともに、受光用の素子を内蔵していないため、アノード端子１１ｂとカソード端子１１ｃとダミー端子１１ｄの３本のピン端子を備えている。ここで、アノード端子１１ｂとダミー端子１１ｄとは半導体レーザ１１の出射光軸を中心とする略点対称位置に配置されている。また、カソード端子１１ｃは、アノード端子１１ｂ及びダミー端子１１ｄのそれぞれの配置位置から光軸周りに略９０°回転させた位置に配置され、アノード端子１１ｂ、カソード端子１１ｃ、及びダミー端子１１ｄは、出射光軸周りに略９０°間隔に配置されている。
【００３３】
半導体レーザ１１は、熱伝導性の高い材料からなるホルダ６を介して本体フレーム１０に取り付けられており、図２（Ａ）に示すように、カソード端子１１ｃがアノード端子１１ｂ及びダミー端子１１ｄより図示上方に配置される第１の姿勢と、図２（Ｂ）に示すように、第１の姿勢からレーザ光の出射光軸周りに略１８０°回転させた第２の姿勢のいずれの姿勢でも本体フレーム１０に搭載可能になっている。本形態では、半導体レーザ１１が搭載されたホルダ６を出射光軸周りに回転させて、半導体レーザ１１を本体フレーム１０に対して２つの姿勢で搭載可能となっている。ここで、ホルダ６を本体フレーム１０に一定の姿勢で固定する一方、半導体レーザ１１をホルダ６に対して２つの姿勢で取り付け可能にしても良い。
【００３４】
半導体レーザ１１は、配線基板５の先端部分に形成された円形の実装部分５ｈに実装され、配線基板５には、半導体レーザ１１に駆動電流を供給するための配線パターンが形成されている。配線基板５は、例えば、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）であり、図示を省略する回路基板に対して、細長く延びた引出部５ｇの基端側が接続されるとともに、引出部５ｇの一部が本体フレーム１０の所定位置に固定される。配線基板５には、実装部分５ｈの中心（半導体レーザ１１の出射光軸と重なる位置）の周りに４つの貫通孔５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄが略９０°間隔に形成され、これらの貫通孔５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄの周縁にはそれぞれランド部５ａ１、５ｂ１、５ｃ１、５ｄ１が形成されている。本形態において、ランド部５ａ１、５ｂ１、５ｃ１、５ｄ１は全て、配線基板５の片面側に形成されている。ここで、半田ランド５ａ１と５ｃ１とは配線パターンにより電気的に接続され、半田ランド５ｂ１と５ｄ１とは配線パターンにより電気的に接続されている。
【００３５】
本形態では、以下に説明するように、ランド部５ａ１、５ｂ１、５ｃ１、５ｄ１のうち、ランド部５ａ１、５ｂ１は、図２（Ａ）に示す半導体レーザ１１の第１の姿勢においてアノード端子１１ｂ及びカソード端子１１ｃが実装される第１のランド部であり、残り２つのランド部５ｃ１、５ｄ１は、図２（Ｂ）に示す半導体レーザ１１の第２の姿勢においてアノード端子１１ｂ及びカソード端子１１ｃが半田により実装される第２のランド部である。すなわち、図２（Ａ）に示す半導体レーザ１１の第１の姿勢において、アノード端子１１ｂは、貫通孔５ａに挿通された状態でランド部５ａ１に半田付けされ、カソード端子１１ｃは、貫通孔５ｂに挿通された状態でランド部５ｂ１に半田付けされる。また、図２（Ｂ）に示す半導体レーザ１１の第２の姿勢において、アノード端子１１ｂは、貫通孔５ｃに挿通された状態でランド部５ｃ１に半田付けされ、カソード端子１１ｃは、貫通孔５ｄに挿通された状態でランド部５ｄ１に半田付けされる。その際、ダミー端子１１ｄは、第１の姿勢では、ランド部５ｃ１に形成された貫通孔５ｃに挿通され、第２の姿勢では、ランド部５ａ１に形成された貫通孔５ａに挿通されることになるが、ランド部５ｃ１あるいは５ａ１に半田付けしてもしなくても良い。
【００３６】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態における光ヘッド装置１において、半導体レーザ１１は第１の姿勢と、この第１の姿勢からレーザ光の出射光軸周りに略１８０°回転させた第２の姿勢のいずれの姿勢でも本体フレーム１０に取り付け可能であり、かつ、半導体レーザ１１を第１の姿勢と第２の姿勢のいずれの姿勢で本体フレーム１０に取り付ける際、光ヘッド装置１の光学系等の構成を変更する必要がない。
【００３７】
従って、半導体レーザ１１を第１の姿勢と第２の姿勢のうち、適正な姿勢で本体フレーム１０に取り付けることにより、例えば、図４及び図５を参照して以下に説明するように、モニタ用受光素子４０で適切な出力特性を得ることができるようになる。
【００３８】
本形態では、半導体レーザ１１の姿勢と、モニタ用受光素子４０の出力特性との関係を検討するにあたって、光ヘッド装置１に、サンプルＮＯ．１及びサンプルＮＯ．２の２機種の半導体レーザ１１を搭載してモニタ用受光素子４０の出力特性を測定した。より具体的には、各々の半導体レーザ１１を第１の姿勢と第２の姿勢の２つの姿勢で本体フレーム１０に取り付けて各々の姿勢でのモニタ用受光素子４０の出力特性を測定した。その結果を図４及び図５に示す。図４及び図５はそれぞれ、図１に示す光ヘッド装置１に対して、２機種（サンプルＮＯ．１とサンプルＮＯ．２）の半導体レーザ１１を第１の姿勢（０°）と第２の姿勢（１８０°）で搭載して半導体レーザ１１の出力を変化させた場合におけるモニタ用受光素子４０の出力信号のリニアリティ特性を示すグラフ、及びモニタ用受光素子４０の出力信号の感度特性を示すグラフである。
【００３９】
まず、半導体レーザ１１の駆動電力Ｐｏを上げていったときのモニタ用受光素子４０の出力信号ＦＭ（出力電圧）を測定することで、モニタ用受光素子４０の出力信号のリニアリティ特性を確認した（図４参照）。その結果、図４から分かるように、サンプルＮＯ．１の半導体レーザ１１を搭載した場合、第１の姿勢では、実線Ｌ１０１の傾きが駆動電力Ｐｏの増加に伴って緩やかになっているのに対し、第２の姿勢では、実線Ｌ１０２は直線性が確保されている。すなわち、半導体レーザ１１を第２の姿勢で取り付けた場合に、モニタ用受光素子４０の出力信号は良好なリニアリティ特性を示した。同様に、サンプルＮＯ．２の半導体レーザ１１を搭載した場合、第１の姿勢では、実線Ｌ２０１の傾きが駆動電力Ｐｏの増加に伴って緩やかになっているのに対し、第２の姿勢では、実線Ｌ２０２は直線性が確保されている。すなわち、半導体レーザ１１を第２の姿勢で取り付けた場合に、モニタ用受光素子４０の出力信号は良好なリニアリティ特性を示した。
【００４０】
また、半導体レーザ１１の駆動電力Ｐｏとモニタ用受光素子４０の出力信号ＦＭとの関係から、駆動電力Ｐｏの増加に伴うモニタ用受光素子４０の出力信号の感度変化を確認した（図５参照）。具体的には、駆動電力Ｐｏの値に対応する感度を下式
感度＝（出力信号ＦＭ）／（駆動電力Ｐｏ）
によって算出した後、Ｐｏ＝１（ｍＷ）のときの感度を基準値（１．００）として、駆動電力Ｐｏの増加に伴う相対感度を確認した。その結果、図５から分かるように、サンプルＮＯ．１の半導体レーザ１１を搭載した場合、第１の姿勢では、実線Ｌ１１１に示すように、相対感度が駆動電力Ｐｏの増加に伴って次第に減少するのに対し、第２の姿勢では、実線Ｌ１１２に示すように駆動電力Ｐｏの増加に伴う相対変化の感度はあまり見られなかった。同様に、サンプルＮＯ．１の半導体レーザ１１を搭載した場合、第１の姿勢では、実線Ｌ２１１に示すように、相対感度が駆動電力Ｐｏの増加に伴って次第に減少するのに対し、第２の姿勢では、実線Ｌ２１２に示すように駆動電力Ｐｏの増加に伴う相対変化の感度はあまり見られなかった。
【００４１】
上記の例では、サンプルＮＯ．１及びサンプルＮＯ．２のいずれの半導体レーザ１１を用いた場合であっても、第２の姿勢で本体フレーム１０に取り付けることで、モニタ用受光素子４０で適切な出力特性を得ることができるようになる。また、第２の姿勢で半導体レーザ１１を本体フレーム１０に取り付けた場合、サンプルＮＯ．１及びサンプルＮＯ．２のいずれにおいても、レーザチップ１１ａの積層方向のレーザ光の強度のピークは、光軸に対して同一の方向にシフトした。尚、上記の例においては、サンプルＮＯ．１及びサンプルＮＯ．２のいずれの半導体レーザ１１を用いた場合であっても、第２の姿勢で良好な出力特性を得ることができたが、半導体レーザ１１の機種によっては、第１の姿勢で良好な出力特性を得ることができるので、このような機種の半導体レーザ１１については、第１の姿勢で本体フレーム１０に搭載すればよい。
【００４２】
このように本形態によれば、異なる機種の半導体レーザ１１を搭載した場合であっても、リニアリティ特性や感度特性といったモニタ用受光素子４０の出力特性の良好な取り付け方向を第１の姿勢と第２の姿勢とから選択することができる。その結果、異なる機種の半導体レーザ１１を搭載した場合であっても、モニタ用受光素子４０のサイズや取り付け位置を変更しなくてもモニタ用受光素子４０で適切な出力特性を得ることができ、半導体レーザ１１の出力を適切に制御できるようになる。また、モニタ用受光素子４０の出力信号のリニアリティ特性の良好な取り付け姿勢を選択できるため、半導体レーザ１１の出力の制御が容易になる。従って、従来であれば、モニタ用受光素子４０が検出する信号のリニアリティなどが低いとして使用不可であった半導体レーザ１１についても、姿勢によっては使用可となるので、本形態によれば、半導体レーザ１１の機種については選択肢の幅を広げることができる。
【００４３】
また、リニアリティ特性や感度特性といったモニタ用受光素子４０の出力特性が常に良好な姿勢で半導体レーザ１１を本体フレーム１０に搭載するので、同一機種の半導体レーザ１１において記録時と再生時におけるファーフィールドパターン特性の差異にばらつきがあっても、モニタ用受光素子４０から安定した出力特性を得ることができる。それ故、光ヘッド装置１の歩留まりが向上し、製造コストを低減することができる。
【００４４】
さらに、モニタ用受光素子４０は、立ち上げミラー２０の背後に配置され、立ち上げミラー２０の上辺２０ａから漏れてくるレーザ光のファーフィールドパターンＬ１の長軸Ｌ２方向端部の光を受光している。そのため、立ち上げミラー２０をハーフミラーで構成する必要がない。また、立ち上げミラー２０の上辺２０ａから漏れてくる光は、レーザ光のファーフィールドパターンＬ１の長軸Ｌ２方向端部の光であり、情報の記録、再生に用いられない部分である。そのため、モニタ用受光素子４０は、情報の記録、再生に用いるレーザ光の利用効率を低下させることなくレーザ光の出射光量をモニタできる。その結果、光記録ディスク１００の高速記録化を図ることができるといった利点がある。
【００４５】
また、モニタ用受光素子４０が受光するレーザ光が漏れてくる立ち上げミラー２０の上辺２０ａは、ファーフィールドパターンＬ１の長軸Ｌ２に対して略直交する方向に直線的に延びているため、上辺２１は、ファーフィールドパターンＬ１の長軸Ｌ２を中心に線対称となっている。従って、半導体レーザ１１の出力が変動し、レーザ光の強度分布が変動した場合でも、モニタ用受光素子４０が出力する信号のリニアリティ特性が確保しやすくなる。
【００４６】
また、本形態では、半導体レーザ１１は受光用の素子を内蔵しておらず、アノード端子１１ｂとカソード端子１１ｃとダミー端子１１ｄとの３つの端子を備えている。また、配線基板５の片面には、第１の姿勢でアノード端子１１ｂとカソード端子１１ｃとがそれぞれ接続可能な２つのランド部５ａ１、５ｂ１と、第２の姿勢でアノード端子１１ｂとカソード端子１１ｃとがそれぞれ接続可能な２つのランド部５ｃ１、５ｄ１とからなる４つのランド部が形成されている。そのため、半導体レーザ１１の取り付け姿勢を変更しても、引出部５ｇの位置は一切、変わらない。それ故、配線基板５の本体フレーム１０への固定位置、方法等を変更することなく、同一の配線基板５の同一面へ半導体レーザ１１を接続することができる。従って、半導体レーザ１１の取り付け方向に合わせて２種類の配線基板５を準備する必要がない。その結果、部品の管理が容易になり、部品のコストを下げることもできる。
【００４７】
（他の実施の形態）
上述した形態は、本発明の好適な形態の一例ではあるが、これに限定されるものではなく本発明の要旨を変更しない範囲において種々変形可能である。例えば、上述した形態では、図２に示すようにファーフィールドパターンＬ１の長軸Ｌ２が、光記録ディスク１００に対して直交方向すなわち図示上方向に向くように半導体レーザ１１を配向していたが、図６に示すように、ファーフィールドパターンＬ１の長軸Ｌ２を斜めに配向させてもよい。すなわち、図６（Ａ）に半導体レーザ１１の第１の姿勢を示し、図６（Ｂ）に半導体レーザ１１の第２の姿勢を示すように、ファーフィールドパターンＬ１の長軸Ｌ２が図示上方向に対して、例えば、４５°傾くように半導体レーザ１１を配向させ、かつ、この状態で、半導体レーザ１１を第１の姿勢と第２の姿勢のいずれの姿勢でも本体フレームに搭載可能にしてもよい。この場合には、モニタ用受光素子４０及び立ち上げミラー２０も図２の状態から４５°傾けて配置されることになる。このように構成すると、光記録ディスク１００に集光される楕円状の光スポットの長軸が光記録ディスク１００の半径方向及び光記録ディスク１００のトラック接線方向の双方に対して斜め４５°に配向するため、楕円の長軸をトラック接線方向に向かせた場合と比較して、隣接トラックとの信号のクロストークを改善できるという利点がある。また、楕円の長軸を光記録ディスク１００の半径方向に向かせた場合と比較して、ピット列方向に光を絞り込むサイズが小さいので、記録再生信号が劣化しないという利点もある。
【００４８】
また、配線基板の構成も上述した形態には限定されない。例えば、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す配線基板５５は、引出部５５ｇの先端部分に円形の実装部分５５ｈが形成され、この実装部分５５ｈには、アノード端子１１ｂとカソード端子１１ｃとダミー端子１１ｄの３つのピン端子が挿通可能な３つの貫通孔５５ａ、５５ｂ、５５ｃが略９０°間隔に形成されている。ここで、配線基板５５の表面５５ｅには、３つの貫通孔５５ａ、５５ｂ、５５ｃのうちの２つの貫通穴５５ａ、５５ｂのそれぞれの周縁に、図２（Ａ）に示す第１の姿勢で、アノード端子１１ｂ及びカソード端子１１ｃが実装される第１のランド部５５ａ１、５５ｂ１が形成されている一方、配線基板５５の裏面５５ｆには、残り１つの貫通孔５５ｃを含む２つの貫通穴５５ｂ、５５ｃのそれぞれの周縁に、図２（Ｂ）に示す第２の姿勢で、カソード端子１１ｃ及びアノード端子１１ｂが実装される第２のランド部５５ｂ２、５５ｃ２が形成されている。従って、図２（Ａ）に示す第１の姿勢では、アノード端子１１ｂは、貫通孔５５ａに挿通された状態でランド部５５ａ１に半田付けされ、カソード端子１１ｃは、貫通孔５５ｂに挿通された状態でランド部５５ｂ１に半田付けされる。また、図２（Ｂ）に示す第２の姿勢では、アノード端子１１ｂは、貫通孔５５ｃに挿通された状態でランド部５５ｃ２に半田付けされ、カソード端子１１ｃは、貫通孔５５ｂに挿通された状態でランド部５５ｂ２に半田付けされる。尚、ダミー端子１１ｄは、第１の姿勢では貫通孔５５ｃに挿通され、第２の姿勢では貫通孔５５ａに挿通される。ここで、ダミー端子１１ｄについてはランド部に半田付けしてもしなくてもよく、半田付けする場合には、図７（Ａ）、（Ｂ）に点線で示すように、表面５５ｅの貫通孔５５ｃの周囲には、第１の姿勢でダミー端子１１ｄを実装するランド部５５ｃ１を形成し、裏面５５ｆの貫通孔５５ａの周囲には、第２の姿勢でダミー端子１１ｄを実装するランド部５５ａ２を形成しておけばよい。尚、ここに示す例のように配線基板５５の両面にランド部を形成する場合、表面側と裏面側で短絡が発生しないよう半田付け作業を行う。
【００４９】
このような構成の配線基板５５では、半導体レーザ１１を第１の姿勢あるいは第２の姿勢のいずれにするかによって、配線基板５５の表面５５ｅと裏面５５ｆとを使い分ける。その際、出射光軸を間に挟む２つの貫通穴５５ａ、５５ｃを結ぶ仮想線ＬＡを中心に配線基板５５全体を表裏反転させる。あるいは、引出部５５ｇを捩ることにより実装部分５５ｈのみを仮想線ＬＡを中心に表裏反転させてもよい。いずれの場合も、配線基板５５の本体フレーム１０に対する取り付け位置については略一定のままでよいので、配線基板５５の本体フレーム１０への固定位置、方法等を変更する必要がない。また、同一の配線基板５５に半導体レーザ１１を２つの姿勢で実装することができるので、２種類の配線基板を準備する必要がない。それ故、部品の管理が容易であるなど、コストを下げることができる。しかも、本形態では、出射光軸を間に挟む２つの貫通穴５５ａ、５５ｃを結ぶ仮想線ＬＡを中心に配線基板５５を表裏反転させるので、３つの貫通穴５５ａ、５５ｂ、５５ｃについては第１の姿勢および第２の姿勢のいずれにおいてもピン端子を通すのに利用できる。従って、ピン端子が３本であっても、配線基板５５には３つの貫通穴５５ａ、５５ｂ、５５ｃを形成すればよい。
【００５０】
また、図８に示す配線基板６５のように、アノード端子１１ｂとカソード端子１１ｃとダミー端子１１ｄの３つの端子が挿通可能な４つの貫通孔６５ａ、６５ｂ、６５ｃ、６５ｄを略９０°間隔に形成し、配線基板６５の表面６５ｅにおける貫通孔６５ａ、６５ｂのそれぞれの周縁に第１のランド部６５ａ１、６５ｂ１を形成するとともに、裏面６５ｆにおける貫通孔６５ａ、６５ｄのそれぞれの周縁に第２のランド部６５ａ２、６５ｄ２を形成して良い。この場合、図２（Ａ）に示す第１の姿勢では、表面６５ｅが半導体レーザ１１と配線基板６５との接続に用いられ、図２（Ｂ）に示す第２の姿勢では、裏面６５ｆが半導体レーザ１１と配線基板６５との接続に用いられる。より具体的には、第１の姿勢では、アノード端子１１ｂは、貫通孔６５ａに挿通された状態でランド部６５ａ１に半田付けされ、カソード端子１１ｃは、貫通孔６５ｂに挿通された状態でランド部６５ｂ１に半田付けされる。また、図２（Ｂ）に示す第２の姿勢では、アノード端子１１ｂは貫通孔６５ａに挿通された状態でランド部６５ａ２に半田付けされ、カソード端子１１ｃは、貫通孔６５ｄに挿通された状態でランド部６５ｄ２に半田付けされる。尚、ダミー端子１１ｄは、第１の姿勢及び第２の姿勢のいずれの姿勢でも貫通孔６５ｃに挿通される。ここで、ダミー端子１１ｄについてはランド部に半田付けしてもしなくてもよく、半田付けする場合には、図８（Ａ）、（Ｂ）に点線で示すように、表面５５ｅの貫通孔６５ｃの周囲には、第１の姿勢でダミー端子１１ｄを実装するランド部６５ｃ１を形成し、裏面５５ｆの貫通孔６５ｃの周囲には、第２の姿勢でダミー端子１１ｄを実装するランド部６５ｃ２を形成しておけばよい。尚、配線基板６５にも、上述の配線基板５と同様に基端が回路基板（図示省略）に接続される引出部６５ｇが形成されている。
【００５１】
このような構成の配線基板６５でも、半導体レーザ１１を第１の姿勢あるいは第２の姿勢のいずれにするかによって、配線基板６５の表面６５ｅと裏面６５ｆとを使い分ける。その際、出射光軸を間に挟む２つの貫通穴６５ｂ、６５ｄを結ぶ仮想線ＬＢを中心に配線基板６５全体を表裏反転させる。また、引出部６５ｇを捩ることにより仮想線ＬＢを中心に実装部分６５ｈのみを表裏反転させてもよい。いずれの場合も、配線基板６５の本体フレーム１０に対する取り付け位置については略一定のままでよいので、配線基板６５の本体フレーム１０への固定位置、方法等を変更する必要がない。また、同一の配線基板６５に半導体レーザ１１を２つの姿勢で実装することができるので、２種類の配線基板を準備する必要がない。それ故、部品の管理が容易であるなど、コストを下げることができる。しかも、本形態では、出射光軸を間に挟む２つの貫通穴６５ｂ、６５ｄを結ぶ仮想線ＬＢを中心に配線基板６５を表裏反転させるので、貫通穴６５ｂ、６５ｄについては第１の姿勢および第２の姿勢のいずれにおいてもピン端子を通すのに利用できる。従って、ピン端子が３本であっても、配線基板６５には４つの貫通穴６５ａ、６５ｂ、６５ｃ、６５ｄを形成すればよい。
【００５２】
尚、配線基板としては、第１の姿勢用の配線基板と、第２の姿勢用の配線基板との２種類の配線基板を用いても良い。
【００５３】
さらにまた、上述した形態では、立ち上げミラー２０の上辺２０ａから背後に漏れたレーザ光のファーフィールドパターンＬ１の長軸Ｌ２方向端部の光をモニタ用受光素子４０によって受光、検出し、半導体レーザ１１の出力を制御するように構成されていたが、立ち上げミラーをハーフミラーとして、立ち上げミラーを透過した光をモニタ用受光素子４０で検出する構成の光ヘッド装置に本発明を適用してもよい。また、偏光ビームスプリッタで反射あるいは透過した光をモニタ用受光素子で検出する構成の光ヘッド装置に本発明を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明を適用した光ヘッド装置の概略を示す概略構成図である。
【図２】図１におけるＸ−Ｘ方向から見た光ヘッド装置の配置関係を示す概略構成図であり、（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、半導体レーザの第１の姿勢での概略構成図、半導体レーザの第２の姿勢での概略構成図である。
【図３】本発明を適用した光ヘッド装置に用いた配線基板の構成を示す平面図である。
【図４】本発明を適用した光ヘッド装置におけるモニタ用受光素子の出力信号のリニアリティ特性を示すグラフ図である。
【図５】本発明を適用した光ヘッド装置におけるモニタ用受光素子の出力信号の感度特性を示すグラフ図である。
【図６】本発明の他の実施の形態に係る光ヘッド装置の配置関係を示す概略構成図であり、（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、半導体レーザの第１の姿勢での概略構成図、及び半導体レーザの第２の姿勢での概略構成図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明を適用した光ヘッド装置に用いた別の配線基板の表面側の構成を示す説明図、及び裏面側の構成を示す説明図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明を適用した光ヘッド装置に用いたさらに別の配線基板の表面側の構成を示す説明図、及び裏面側の構成を示す説明図である。
【図９】従来の光ヘッド装置の概略を示す概略構成図である。
【図１０】レーザ光のファーフィールドパターンを示すグラフ図であり、（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、再生時におけるレーザチップの積層方向に直交する方向（短軸方向）のファーフィールドパターンを示すグラフ図、レーザチップの積層方向（長軸方向）のファーフィールドパターンを示すグラフ図、（Ｃ）、（Ｄ）はそれぞれ、記録時におけるレーザチップの積層方向に直交する方向（短軸方向）のファーフィールドパターンを示すグラフ図、レーザチップの積層方向（長軸方向）のファーフィールドパターンを示すグラフ図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  光ヘッド装置
５、５５、６５  配線基板
５ａ１、５ｂ１、５５ａ１、５５ｂ１、６５ａ１、６５ｂ１  第１のランド部
５ｃ１、５ｄ１、５５ｃ１、５５ｄ１、５５ｃ２、５５ｄ２  第２のランド部
５ａ〜５ｄ、５５ａ〜５５ｃ、６５ａ〜６５ｄ  貫通穴
１０  本体フレーム
１１  半導体レーザ
１１ｂ  アノード端子
１１ｃ  カソード端子
１１ｄ  ダミー端子
２０  立ち上げミラー
２０ａ  上辺（端縁）
３０  対物レンズ
４０  モニタ用受光素子
４３  信号検出用受光素子
５５ｅ、６５ｅ  表面
５５ｆ、６５ｆ  裏面
１００  光記録ディスク
Ｌ１  ファーフィールドパターン
Ｌ２  長軸
【図１】
2005353245.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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