(57)【要約】【課題】昨今の電子機器類における小型化，薄型化に適用し得る薄型化が可能であり、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの範囲での電磁ノイズ障害を対策し得る電磁干渉抑制体を提供すること。【解決手段】長軸ａが０．０１〜５０μｍの範囲，短軸ｂが０．０１〜１μｍの範囲にあり、且つ長軸ａ及び短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００の範囲にある柱状結晶から成るフェライト膜を備えた本発明の電磁干渉抑制体における透磁率（実数部μ′の特性Ｃ１，虚数部μ″の特性Ｃ２）の周波数依存性を測定し、軟磁性体粉末及び有機結合剤による複合磁性体膜を備えた周知の電磁干渉抑制体の透磁率（実数部μ′の特性Ｃ３，虚数部μ″の特性Ｃ４）と比べた結果、実数部μ′が高周波帯域側にあり、虚数部μ″が数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの範囲まで高い値を示し、高周波帯域で良好な電磁干渉抑制効果を示すことが判った。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも長軸ａが０．０１〜５０μｍの範囲，短軸ｂが０．０１〜１μｍの範囲の柱状結晶から成るフェライト膜を含んで成ることを特徴とする電磁干渉抑制体。
【請求項２】
請求項１記載の電磁干渉抑制体において、前記フェライト膜は、前記柱状結晶における前記長軸ａ及び前記短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００の範囲にあることを特徴とする電磁干渉抑制体。
【請求項３】
請求項１又は２記載の電磁干渉抑制体において、前記フェライト膜は、有機化合物から成る基体の表面上に形成されたことを特徴とする電磁干渉抑制体。
【請求項４】
請求項３記載の電磁干渉抑制体において、前記フェライト膜は、前記基体としての支持体の表面上に形成されて成ることを特徴とする電磁干渉抑制体。
【請求項５】
請求項３記載の電磁干渉抑制体において、前記フェライト膜は、前記基体としての電子配線基板の表面上に直接成膜されて成ることを特徴とする電磁干渉抑制体。
【請求項６】
請求項３記載の電磁干渉抑制体において、前記フェライト膜は、前記基体としての半導体集積ウェハーの少なくとも一方の表面上に直接成膜されて成ることを特徴とする電磁干渉抑制体。
【請求項７】
少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を有機化合物から成る基体表面上に接触させる液接触工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を前記基体表面上に接触させて前記反応液を接触させた該基体表面上でフェライトメッキ法によりフェライト薄膜を形成する膜形成工程と、前記反応液及び前記酸化液のうちから前記フェライト薄膜の形成に寄与しない残分を前記基体表面上から除去する除去工程とを含み、更に、前記液接触工程，前記膜形成工程，及び前記除去工程を繰り返すことにより、前記基体表面上に長軸ａが０．０１〜５０μｍの範囲，短軸ｂが０．０１〜１μｍの範囲の柱状結晶から成り、且つ該柱状結晶における該長軸ａ及び該短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００の範囲にある前記フェライト薄膜を積層したフェライト膜を備えて成る電磁干渉抑制体を作製することを特徴とする電磁干渉抑制体の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の電磁干渉抑制体の製造方法において、前記フェライトメッキ法は、フェライト結晶化反応を生じさせるものであることを特徴とする電磁干渉抑制体の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８記載の電磁干渉抑制体の製造方法において、前記液接触工程では、予め前記基体表面上に水酸基を付与していることを特徴とする電磁干渉抑制体の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の電磁干渉抑制体の製造方法において、前記水酸基は、プラズマ処理によって前記基体表面上に付与されたことを特徴とする電磁干渉抑制体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として高周波帯域における不要な電磁波干渉によって生じる電磁ノイズ障害を抑制するためのフェライト膜を備えて成る電磁干渉抑制体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やパーソナルコンピュータ等の高周波を利用する電子機器類が広く普及している。これらの機器類については、小型化，軽量化の要求が顕著であるが、その他に演算処理速度の高速化に伴って生じる電磁ノイズ障害が問題となっている。
【０００３】
そこで、このような高周波電磁障害を対策するための手段として、例えば電磁波の透過に対して導電性のシールド材と同等の遮蔽効果を持ち、電磁波の反射による電磁結合を助長させることのない電磁干渉抑制体として、導電性支持体の少なくとも一方面に軟磁性体粉末及び有機結合剤による絶縁性軟磁性体層（複合磁性体）を設けた構成のもの（特許文献１参照）が提案されており、既に商品化もされている。
【特許文献１】特開平７−２１２０７９号公報（要約）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した特許文献１の電磁干渉抑制体の場合、電磁ノイズ障害を抑制するための軟磁性体粉末及び有機結合剤による複合磁性体における薄型化が１０〜２０μｍ程度で限界となっているが、昨今の電子機器類に対する薄型化の要求は更に顕著となっており、これはそのまま電磁干渉抑制体への薄型化の要求となっているため、特許文献１の電磁干渉抑制体では薄型化に限度があって昨今の電子機器類への適用が困難であるという問題がある。
【０００５】
又、昨今の電子機器類の場合、演算処理速度の高速化に伴って動作周波数が高周波化していることにより、電磁ノイズ障害が問題となる周波数も高周波化しており、その周波数は数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの範囲にまで及んでいるため、電磁干渉抑制体においてもこうした高周波帯域の範囲までより良好に電磁ノイズ障害を抑制し得る性能が求められている。
【０００６】
本発明は、このような問題点を解決すべくなされたもので、その技術的課題は、昨今の電子機器類における小型化，薄型化に適用し得る薄型化が可能であり、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの範囲での電磁ノイズ障害を対策し得る電磁干渉抑制体及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、少なくとも長軸ａが０．０１〜５０μｍの範囲，短軸ｂが０．０１〜１μｍの範囲の柱状結晶から成るフェライト膜を含んで成る電磁干渉抑制体が得られる。
【０００８】
又、本発明によれば、上記電磁干渉抑制体において、フェライト膜は、柱状結晶における長軸ａ及び短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００の範囲にある電磁干渉抑制体が得られる。
【０００９】
更に、本発明によれば、上記何れかの電磁干渉抑制体において、フェライト膜は、有機化合物から成る基体の表面上に形成されたことを電磁干渉抑制体が得られる。
【００１０】
加えて、本発明によれば、上記電磁干渉抑制体において、フェライト膜は、基体としての支持体の表面上に形成されて成る電磁干渉抑制体、基体としての電子配線基板の表面上に直接成膜されて成る電磁干渉抑制体、或いは基体としての半導体集積ウェハーの少なくとも一方の表面上に直接成膜されて成る電磁干渉抑制体が得られる。
【００１１】
一方、本発明によれば、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を有機化合物から成る基体表面上に接触させる液接触工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体表面上に接触させて反応液を接触させた該基体表面上でフェライトメッキ法によりフェライト薄膜を形成する膜形成工程と、反応液及び酸化液のうちからフェライト薄膜の形成に寄与しない残分を基体表面上から除去する除去工程とを含み、更に、液接触工程，膜形成工程，及び除去工程を繰り返すことにより、基体表面上に長軸ａが０．０１〜５０μｍ，短軸ｂが０．０１〜１μｍの柱状結晶から成り、且つ該柱状結晶における該長軸ａ及び該短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００の範囲にあるフェライト薄膜を積層したフェライト膜を備えて成る電磁干渉抑制体を作製する電磁干渉抑制体の製造方法が得られる。
【００１２】
又、本発明によれば、上記電磁干渉抑制体の製造方法において、フェライトメッキ法は、フェライト結晶化反応を生じさせるものである電磁干渉抑制体の製造方法が得られる。
【００１３】
更に、本発明によれば、上記何れかの電磁干渉抑制体の製造方法において、液接触工程では、予め基体表面上に水酸基を付与している電磁干渉抑制体の製造方法が得られる。
【００１４】
加えて、本発明によれば、上記電磁干渉抑制体の製造方法において、水酸基は、プラズマ処理によって基体表面上に付与された電磁干渉抑制体の製造方法が得られる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の電磁干渉抑制体の場合、長軸ａが０．０１〜５０μｍの範囲，短軸ｂが０．０１〜１μｍの範囲にあり、且つ長軸ａ及び短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００の範囲にある柱状結晶から成るフェライト膜を備えた構成とすることによって、昨今の電子機器類に要求される小型化，薄型化に対応するための薄型化が具現されると共に、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの範囲での電磁ノイズ障害を抑制できて良好な電磁干渉抑制効果を示すものとなる。又、このフェライト膜は、基体表面上にフェライトメッキ法により容易に形成することができ、電磁干渉抑制体の作製（製造）が容易であるため、工業上における利用価値が極めて大きく、昨今の高周波帯域で使用される電子機器類への適用が有益となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明者等は、種々検討の結果、フェライトメッキ法により作製されたフェライト膜を電磁干渉抑制体として用いることが有効であることを見い出した。このフェライトメッキ法とは、例えば特許第１４７５８９１号に示されているように、固体表面に金属イオンとして少なくとも第一鉄イオンを含む水溶液を接触させ、固体表面にＦｅ２＋又はこれと他の水酸化金属イオンを吸着させ、続いて吸着したＦｅ２＋を酸化させてＦｅ３＋を得ておけば、このＦｅ３＋が水溶液中の水酸化金属イオンとの間でフェライト結晶化反応を起こして固体表面にフェライト膜を形成するというものである。
【００１７】
特に本発明者等は、種々検討の結果、上述したフェライト膜を製造する際、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を有機化合物から成る基体表面上に接触させる液接触工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体表面上に接触させて反応液を接触させた基体表面上でフェライトメッキ法によりフェライト薄膜を形成する膜形成工程と、反応液及び酸化液のうちからフェライト薄膜の形成に寄与しない残分を基体表面上から除去する除去工程とを繰り返せば、基体表面上で長軸ａが０．０１〜５０μｍの範囲，短軸ｂが０．０１〜１μｍの範囲の柱状結晶から成り、且つ柱状結晶における長軸ａ及び短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００の範囲にあるフェライト膜（フェライト薄膜を積層して成る）を形成できること（換言すれば、フェライト膜を成す柱状結晶における長軸ａを０．０１〜５０μｍの範囲，短軸ｂを０．０１〜１μｍの範囲とし、且つ長軸ａ及び短軸ｂの比ａ／ｂを１〜１００の範囲に制御できること）、このようなフェライト膜を備えて成る電磁干渉抑制体を作製すれば、昨今の電子機器類に要求される小型化，薄型化に対応するための薄型化を具現でき、しかも数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの範囲での電磁ノイズ障害を抑制できる良好な電磁干渉抑制効果を示すものとなることを見い出した。尚、フェライトメッキ法は、フェライト結晶化反応を生じさせるものであれば良く、液接触工程では予め基体表面上にプラズマ処理によって水酸基を付与しておくことが好ましい。
【００１８】
即ち、このようなフェライトメッキ法を適用した電磁干渉抑制体の製造方法で得られた電磁干渉抑制体の場合、そのフェライト膜は、透磁率μの虚数部μ″の周波数特性が数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの範囲にまで及ぶ高い値を維持し、このような高周波帯域で良好な電磁干渉抑制効果を示すことが可能となり、その膜厚が数μｍ程度か、或いはそれ以下であっても、特許文献１の厚さが数十μｍの複合磁性体（磁性体粉末及び有機結合剤による）を備えて構成されている電磁干渉抑制体の場合と比べ、同等以上の電磁ノイズ障害の抑制効果を示すものとなる。
【００１９】
又、本発明者等は、このようなフェライト膜が単体か、或いは有機化合物から成る基体の表面上に形成されることで電磁干渉抑制体となること、更に、有機化合物から成る基体としての支持体の表面上に形成されたり、或いは同様な基体としての電子配線基板の表面上に直接成膜されるか、或いは同様な基体としての半導体集積ウェハーの少なくとも一方の表面上に直接成膜された場合にも電磁干渉抑制体となることを見い出した。
【００２０】
因みに、このようなフェライト膜は、膜形成しようとする基体が上述した水溶液に対して耐性があれば何でも良い。又、水溶液を介した反応であるため、温度が比較的低温（常温〜水溶液の沸点以下）でスピネル型フェライト膜を形成できるという特徴があるため、他のフェライト膜の作製技術と比べて固体の限定範囲を小さくできる。このことは、フェライト膜を形成するための基体が有機化合物シート等の耐熱温度が比較的低い材質でも良いことを示している。
【００２１】
ところで、本発明の電磁干渉抑制体を製造するためのフェライトメッキ法を導入したメッキ装置としては、幾つかのものが挙げられるが、図１はその一例を示す概略構成図である。
【００２２】
このメッキ装置は、メッキに必要な溶液を貯蔵したタンク５，６（メッキ工程における反応液，酸化液の除去を効率良く行うために必要な溶液は幾つかに分けて準備する方が良く、ここではメッキに必要な溶液を二つに分けて貯蔵している）に対し、第１の配管における一端側がタンク５に接続され、且つその他端側には液噴出用のノズル３が接続され、第３の配管における一端側がタンク６に接続され、且つその他端側には液噴出用のノズル１が接続される以外、第２の配管における一端側がメッキに必要な反応液，酸化液を除去するためのガス導入口７となり、且つその他端側にはガス噴出用のノズル２が接続されており、更に、フェライトメッキ膜を形成するための有機化合物から成る基体４の一表面側近傍に対し、各配管の鉛直方向に延びたそれぞれの他端側でノズル１，３の間にノズル２が挟まれるように配置されている。
【００２３】
このメッキ装置では、タンク５，６に貯蔵された溶液がノズル３，１を介して基体４に供給されると共に、ガス導入口７から供給されたガスがノズル２を介して基体４に供給される。但し、ここでは例えばノズル１を介して基体４に溶液が供給された後、ノズル２を介してガスを基体４に供給することでノズル１を介して供給された溶液を除去したり、或いはノズル３を介して基体４に溶液が供給された後、ノズル２を介してガスを基体４に供給することでノズル３を介して供給された溶液を除去するような工程を繰り返す。
【００２４】
図２は、本発明の電磁干渉抑制体を製造するためのフェライトメッキ法を導入したメッキ装置の他例を示した概略構成図である。
【００２５】
このメッキ装置の場合も、基本構成は図１に示したものと同様であるが、この装置では、図１に示した装置と比べ、フェライト膜を形成するための有機化合物から成る基体４の一表面側近傍に対し、各配管の水平方向に延びたそれぞれの他端側でノズル１，３の間にノズル２が挟まれるように配置されている点が相違している。因みに、このメッキ装置においても、溶液の供給，除去は図１の装置で説明した場合と同様に行われる。
【００２６】
尚、図１，図２に示したメッキ装置は、溶液やガスが供給される各ノズル１〜３が基体４の一表面に対して約９０度，ほぼ並行を成す角度である例を示したが、基体４の一表面に対する各ノズル１〜３が成す角度は０〜１８０度の範囲で何れを選択しても構わない。
【００２７】
以下は、本発明及び比較例の電磁干渉抑制体について、その製造方法も合わせて幾つかの実施例を挙げて具体的に説明する。
【実施例１】
【００２８】
実施例１では、純水１リットルに対してＦｅＣｌ２・４Ｈ２Ｏを３．３ｇ、ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏを１．２５ｇ、ＺｎＣｌ２を０．０２５ｇそれぞれ溶解した反応液を作製した。又、別な溶液として、純水１リットルに対してＮａＮＯ２を０．３ｇ、ＣＨ３ＣＯＯＮＨ４を５ｇ溶解した酸化液を作製した。
【００２９】
そこで、これらの溶液を使用し、図１に示したメッキ装置を用いてフェライトメッキ法により基体４の一表面に対してフェライト膜を形成することで実施例１に係る電磁干渉抑制体を作製した。
【００３０】
フェライト膜の形成は、以下の手順に示す通りに行った。先ず反応液，酸化液の流量を３０ミリリットル／分に調整した後、ヒータを用いてフェライト膜を形成するための基体４の温度を９０℃に調節し、メッキ装置においては窒素ガスを１．５リットル／分で供給して非酸化性雰囲気を得た。次に、こうした条件を維持して基体４の一表面上に反応液を０．５秒供給した後、不活性ガスを供給して反応液を除去し、酸化液を０．５秒供給した後、不活性ガスを供給して酸化液を除去することを１サイクルとし、このサイクルを総計１５００サイクル分、繰り返すようにして基体４の一表面上にシート状のフェライト薄膜を積層して成るフェライト膜を備えた電磁干渉抑制体を作製した。
【００３１】
このようにして得られた電磁干渉抑制体におけるフェライト膜は、厚さが３μｍ、結晶の長軸ａが３μｍ、短軸ｂが０．０５μｍであり、長軸ａ及び短軸ｂの比ａ／ｂが６０であった。尚、ここでのフェライト膜についての厚さ、長軸ａ、短軸ｂ、長軸ａ及び短軸ｂの比ａ／ｂはサイクル数に応じて任意に変化させることが可能である。
【００３２】
尚、実施例１において、反応液，酸化液の除去を不活性ガス又は酸素を含有した不活性ガスを供給して行うものとして説明したが、反応液，酸化液を均一に除去できるのであれば、例えば遠心力，基体４の傾斜等によって付与される流動性を用いる等、他の手法によって行っても構わない。
【００３３】
［比較例１］
比較例１では、特許文献１に係る複合磁性体膜を備えて成る電磁干渉抑制体として、結合剤である塩素化ポリエチレンを１００重量部、軟磁性粉末を３８５重量部秤量し、これらを加圧ニーダに投入して均一になるまで混練し、複合磁性体用の混和物を得た後、得られた混和物を平行に配置したロール間に通して圧延し、シート状に成型することにより比較例１の電磁干渉抑制体を作製した。
【００３４】
そこで、これらの実施例１に係るシート状のフェライト膜，比較例１で得られたシート状の複合磁性体膜について、透磁率μ（実数部μ′，虚数部μ″として示す）の周波数（ＭＨｚ）に対する依存性をＳｈｉｅｌｄｅｄ・ｌｏｏｐ・ｃｏｉｌ法により周波数３ＧＨｚまで測定して対比したところ、図３に示すような結果となった。但し、図３中では実施例１に係るシート状のフェライト膜について、実数部μ′の特性をＣ１，虚数部μ″の特性をＣ２として示し、比較例１に係るシート状の複合磁性体膜について、実数部μ′の特性をＣ３，虚数部μ″の特性をＣ４として示している。
【００３５】
図３からは、実施例１に係るフェライト膜は、比較例１に係る複合磁性体膜と比べて実数部μ′が高周波帯域側にあり、しかも虚数部μ″が数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの範囲まで高い値を示していることが判る。このことは、実施例１に係るフェライト膜が数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの範囲（高周波帯域）で良好な電磁干渉抑制効果を示すことを意味している。
【００３６】
次に、実施例１に係るフェライト膜を備えて成る電磁干渉抑制体，比較例１に係る複合磁性体膜を備えて成る電磁干渉抑制体における電磁干渉抑制効果を図４に概略構成を示したような評価系装置を用いて確認した。但し、ここでは厚さ１．６ｍｍ、縦×横が８０ｍｍ角のガラスエポキシ基板の表面中央部に幅約３ｍｍの中心導体を全幅８０ｍｍに渡って形成し、裏面はグラウンド導体を成すようにし、その特性インピーダンスが５０Ωとなるようにしてマイクロストリップライン（ＭＳＬ）８をフェライト膜形成時の基体及び伝送線路として用いており、更にマイクロストリップライン８の一表面上には略全面に実施例１に係るフェライト膜１０を直接形成した試料と、同様にフェライト膜１０に代えて比較例１に係る複合磁性体膜を直接形成した試料とを作製した。
【００３７】
この評価系装置は、フェライト膜１０，複合磁性体膜を有するマイクロストリップライン８の両端を同軸ケーブル１１を介してネットワークアナライザ９に接続し、マイクロストリップライン８単体での伝送特性を基準にマイクロストリップライン８上に試料を配置した場合の伝送特性（反射特性，透過特性）をネットワークアナライザ９により求めるものである。
【００３８】
図５は、上述した評価系装置により測定された実施例１に係るフェライト膜を備えて成る電磁干渉抑制体，比較例１に係る複合磁性体膜を備えて成る電磁干渉抑制体における周波数（ＧＨｚ）に対する反射特性（Ｓ１１［ｄＢ］）の結果を対比して示したものである。但し、図５中では実施例１に係るフェライト膜を備えて成る試料についての特性をＣ５，比較例１に係る複合磁性体膜を備えて成る試料についての特性をＣ６として示している。
【００３９】
図５からは、反射特性（Ｓ１１）を見れば、実施例１に係るフェライト膜を備えて成る試料についての特性Ｃ５の場合、フェライト膜を大面積にして形成したにも拘らず、十分に低い値を示しており、比較例１に係る複合磁性体膜を備えて成る試料についての特性Ｃ６と対比すれば、例えば実際の電子回路に用いても伝送信号に悪影響を及ぼすことが無いレベルであると考えられる。
【００４０】
図６は、上述した評価系装置により測定された実施例１に係るフェライト膜を備えて成る電磁干渉抑制体，比較例１に係る複合磁性体膜を備えて成る電磁干渉抑制体における周波数（ＧＨｚ）に対する透過特性（Ｓ２１［ｄＢ］）の結果を対比して示したものである。但し、図６中では透過特性（ΔＳ２１）として、実施例１に係るフェライト膜を備えて成る試料についての特性をＣ８，比較例１に係る複合磁性体膜を備えて成る試料についての特性をＣ７とし、マイクロストリップライン８自体の透過損失分を差し引いた場合の測定結果を示している。
【００４１】
図６からは、透過特性（Ｓ２１）を見れば、実施例１に係るフェライト膜を備えて成る試料についての特性Ｃ８の場合、比較例１に係る複合磁性体膜を備えて成る試料についての特性Ｃ７と対比すれば、高周波側で大きな減衰特性を示していることが確認できる。
【００４２】
これらの結果により、本発明の実施例１に係るフェライト膜を伝送線路に形成すれば、昨今の高周波帯域で使用される電子機器類内で生じる高周波ノイズを減衰させるための電磁干渉抑制効果を得る上で有効（電磁干渉抑制体として有効）であることが判る。又、このような電磁干渉抑制の特性はフェライト薄膜試料の面積、或いはその膜厚や組成を変えることで所望の特性が得られるように調整できることが判る。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の電磁干渉抑制体を製造するためのフェライトメッキ法を導入したメッキ装置の一例を示した概略構成図である。
【図２】本発明の電磁干渉抑制体を製造するためのフェライトメッキ法を導入したメッキ装置の他例を示した概略構成図である。
【図３】図１に示すメッキ装置により得られた実施例１に係るシート状のフェライト膜，比較例１で得られたシート状の複合磁性体膜についての透磁率（実数部，虚数部として示す）の周波数に対する依存性を測定した結果を対比して示したものである。
【図４】実施例１に係るフェライトメッキ膜を備えて成る電磁干渉抑制体，比較例１に係る複合磁性体膜を備えて成る電磁干渉抑制体における電磁干渉抑制効果を測定するための評価系装置を示した概略構成図である。
【図５】図４に示す評価系装置により測定された実施例１に係るフェライトメッキ膜を備えて成る電磁干渉抑制体，比較例１に係る複合磁性体膜を備えて成る電磁干渉抑制体における周波数に対する反射特性の結果を対比して示したものである。
【図６】図４に示す評価系装置により測定された実施例１に係るフェライトメッキ膜を備えて成る電磁干渉抑制体，比較例１に係る複合磁性体膜を備えて成る電磁干渉抑制体における周波数に対する透過特性の結果を対比して示したものである。
【符号の説明】
【００４４】
１〜３  ノズル
４  基体
５，６  タンク
７  ガス導入口
８  マイクロストリップライン
９  ネットワークアナライザ
１０  フェライト膜
１１  同軸ケーブル
【図１】
2005129764.tif 000003
【図２】
2005129764.tif 000004
【図３】
2005129764.tif 000005
【図４】
2005129764.tif 000006
【図５】
2005129764.tif 000007
【図６】
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