(57)【要約】【課題】  材料変更を伴うことなく、基板上に実装された半導体チップの剥離を抑制する。【解決手段】  絶縁性基板１にランド２を形成する際に、半導体チップ３のコーナー部Ｃ１〜Ｃ４にかからないようにして、半導体チップ３の各辺の中央線Ｘ１、Ｙ１に沿って４方向にそれぞれ引き出す。【選択図】      図１
2005129779.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップの各辺の中央線にそれぞれ寄せられるようにして前記半導体チップの四隅にそれぞれ配置された突出電極とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体チップと、
前記半導体チップの各辺の中央線にそれぞれ寄せられるようにして前記半導体チップの四隅にそれぞれ配置された突出電極と、
前記突出電極がそれぞれ接合され、前記中央線に沿って前記半導体チップの外側にそれぞれ引き出されたランドと、
前記ランドが形成された絶縁性基板と、
前記半導体チップと前記絶縁性基板との間に充填された封止樹脂とを備えることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項３】
前記ランドは、前記半導体チップの各辺の中央線に沿って４方向にそれぞれ引き出されていることを特徴とする請求項２記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記ランドは、前記半導体チップの一辺にのみ交差するように前記半導体チップの外側にそれぞれ引き出されていることを特徴とする請求項２または３記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置および半導体モジュールの製造方法に関し、特に、非接触ＩＣカードまたは非接触ＩＣタグに適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の非接触ＩＣタグでは、小型・軽量化および低価格化を図るために、２端子以上のＩＣチップを搭載することが行われている。
図２（ａ）は、従来の半導体モジュールの概略構成を示す平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。  図２において、絶縁性基板１１にはランド１２が形成されている。また、半導体チップ１３には、４個の突出電極１４が半導体チップ１３の４隅にそれぞれ配置されている。そして、突出電極１４をランド１２上にそれぞれ接合することにより、半導体チップ１３が絶縁性基板１１上に搭載されている。そして、半導体チップ１３と絶縁性基板１１との間には封止樹脂１５が充填され、半導体チップ１３が樹脂封止されている。
【０００３】
ここで、突出電極１４は、半導体チップ１３の各辺の中央線Ｘ２、Ｙ２に対して対称配置されるように、半導体チップ１３の４隅にそれぞれ形成されている。そして、突出電極１４に接合されたランド１２が中央線Ｘ２に沿って一定の方向に引き出されるとともに、ランド１２が半導体チップ１３のコーナー部Ｃ１１〜Ｃ１４にそれぞれかかるように配置されている。
【０００４】
また、特許文献１には、プリント配線基板と小型半導体装置との接続部における接続信頼性を高めるために、格子状に配置され、非円形状に形成された複数個のランドを小型半導体装置に設ける方法が開示されている。
【特許文献１】特開２０００−２０８５５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図２の半導体モジュールでは、ランド１２はＣｕ、Ａｌなどの金属で構成され、絶縁性基板１１はＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などの樹脂で構成される。そして、封止樹脂１５は金属との密着性が絶縁性基板１１に比べて劣るため、封止樹脂１５とランド１２との接着面では、封止樹脂１５と絶縁性基板１１との接着面でピール強度が弱くなる。
【０００６】
このため、ランド１２を中央線Ｘ２に沿って配置すると、Ｘ２方向における封止樹脂１５とランド１２との接着面積が大きくなり、Ｘ２方向からの外力に対するピール強度が弱くなるため、半導体チップ１３が絶縁性基板１１から剥がれ易くなるという問題があった。
また、図２の半導体モジュールでは、半導体チップ１３のコーナー部Ｃ１１〜Ｃ１４に応力がかかり易いため、ランド１２が半導体チップ１３のコーナー部Ｃ１１〜Ｃ１４にそれぞれかかるように配置されると、半導体チップ１３のコーナー部Ｃ１１〜Ｃ１４における封止樹脂１５のピール強度が弱くなり、半導体チップ１３が絶縁性基板１１から剥がれ易くなるという問題があった。
【０００７】
また、特許文献１に開示された方法では、非円形状のランドが一定方向に揃えて配置されるため、それ以外の方向からの外力に弱く、小型半導体装置がプリント配線基板から剥れ易いという問題があった。
そこで、本発明の目的は、材料変更を伴うことなく、基板上に実装された半導体チップの剥離を抑制することが可能な半導体装置および半導体モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、半導体チップと、前記半導体チップの各辺の中央線にそれぞれ寄せられるようにして前記半導体チップの四隅にそれぞれ配置された突出電極とを備えることを特徴とする。
これにより、突出電極間の間隔が狭くなることを抑制しつつ、突出電極を半導体チップのコーナー部から遠ざけることが可能となり、突出電極に接合されるランドが半導体チップのコーナー部にかからないようにランドを配置することができる。このため、半導体チップのコーナー部でランドと封止樹脂とが接触することを防止することができ、半導体チップのコーナー部における封止樹脂のピール強度を向上させることを可能として、半導体チップの剥離を抑制することが可能となる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、半導体チップと、前記半導体チップの各辺の中央線にそれぞれ寄せられるようにして前記半導体チップの四隅にそれぞれ配置された突出電極と、前記突出電極がそれぞれ接合され、前記中央線に沿って前記半導体チップの外側にそれぞれ引き出されたランドと、前記ランドが形成された絶縁性基板と、前記半導体チップと前記絶縁性基板との間に充填された封止樹脂とを備えることを特徴とする。
【００１０】
これにより、半導体チップのコーナー部にランドがかからないようにランドを配置することができ、封止樹脂を介して半導体チップのコーナー部を絶縁性基板上に直接接着することができる。このため、半導体チップのコーナー部でランドと封止樹脂とが接触することを防止することができ、半導体チップのコーナー部における封止樹脂のピール強度を向上させることを可能として、半導体チップの剥離を抑制することが可能となる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、前記ランドは、前記半導体チップの各辺の中央線に沿って４方向にそれぞれ引き出されていることを特徴とする。
これにより、半導体チップのコーナー部にランドがかからないようにランドを配置することが可能となるとともに、封止樹脂とランドとの接着面を４方向に分散させて配置することが可能となる。このため、半導体チップのコーナー部でランドと封止樹脂とが接触することを防止することが可能となるとともに、外力に対する封止樹脂の密着力を均等化することができ、ピール強度が弱くなる方向をなくすことを可能として、半導体チップの剥離を抑制することが可能となる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、前記ランドは、前記半導体チップの一辺にのみ交差するように前記半導体チップの外側にそれぞれ引き出されていることを特徴とする。
これにより、半導体チップのコーナー部にランドがかからないようにランドを配置することが可能となり、半導体チップのコーナー部でランドと封止樹脂とが接触することを防止することを可能として、半導体チップの剥離を抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態に係る半導体モジュールについて図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る半導体モジュールの概略構成を示す平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
図１において、半導体チップ３には、半導体チップ３の各辺の中央線Ｘ１、Ｙ１にそれぞれ寄せられるようにして、４個の突出電極４が半導体チップ３の４隅にそれぞれ配置されている。すなわち、突出電極４に隣接する一方の辺との距離Ｄ１が突出電極４に隣接する他方の辺との距離Ｄ２と異なるように、突出電極４をそれぞれ配置することができる。例えば、右上および左下に配置された突出電極４は中央線Ｙ１に近づくように配置し、左上および右下に配置された突出電極４は中央線Ｘ１に近づくように配置することができる。
【００１４】
なお、半導体チップ３には、例えば、トランジスタなどの能動素子またはキャパシタなどの受動素子を形成することができる。また、突出電極４としては、例えば、Ａｕバンプ、半田材などで被覆されたＣｕバンプやＮｉバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができる。
また、絶縁性基板１には、半導体チップ３の各辺の中央線Ｘ１、Ｙ１にそれぞれ沿うようにして、半導体チップ３の外側にそれぞれ引き出されたランド２が形成されている。ここで、ランド２は、半導体チップ３のコーナー部Ｃ１〜Ｃ４にかからないようにして、半導体チップ３の各辺の中央線Ｘ１、Ｙ１に沿って４方向にそれぞれ引き出すことができる。また、各ランド２は、半導体チップ３の一辺にのみ交差するように半導体チップ３の外側にそれぞれ引き出すことができる。
【００１５】
例えば、右上に配置された突出電極４に対応するランド２は、中央線Ｙ１に沿って上方向に引き出すことができ、左下に配置された突出電極４に対応するランド２は、中央線Ｙ１に沿って下方向に引き出すことができ、左上に配置された突出電極４に対応するランド２は、中央線Ｘ１に沿って左方向に引き出すことができ、右下に配置された突出電極４に対応するランド２は、中央線Ｘ１に沿って右方向に引き出すことができる。
【００１６】
なお、絶縁性基板１としては、例えば、両面基板、多層配線基板、ビルドアップ基板、テープ基板またはフィルム基板などを用いることができ、絶縁性基板１の材質としては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂、ポリイミド樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ＢＴレジン、アラミドとエポキシのコンポジットまたはセラミックなどを用いることができる。
【００１７】
そして、突出電極４をランド２上にそれぞれ接合することにより、半導体チップ３が絶縁性基板１上に搭載されている。そして、半導体チップ３と絶縁性基板１との間には封止樹脂５が充填され、半導体チップ３が樹脂封止されている。
なお、封止樹脂５としては、エポキシ系樹脂を用いることができる。また、半導体チップ３を絶縁性基板１上に実装する場合、例えば、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）接合、ＮＣＦ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）接合、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）接合、ＮＣＰ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）接合などのその他の圧接接合を用いるようにしてもよく、半田接合や合金接合などの金属接合を用いるようにしてもよい。
【００１８】
ここで、半導体チップ３の各辺の中央線Ｘ１、Ｙ１にそれぞれ寄せられるようにして、半導体チップ３の四隅に突出電極４をそれぞれ配置することにより、突出電極４間の間隔が狭くなることを抑制しつつ、突出電極４を半導体チップ３のコーナー部Ｃ１〜Ｃ４からそれぞれ遠ざけることが可能となり、突出電極４に接合されるランド２が半導体チップ３のコーナー部Ｃ１〜Ｃ４にかからないようにランド２を配置することができる。
【００１９】
このため、半導体チップ３のコーナー部Ｃ１〜Ｃ４では、封止樹脂５を介して半導体チップ３を絶縁性基板１上に直接接着することができ、半導体チップ３のコーナー部Ｃ１〜Ｃ４でランド２と封止樹脂５とが接触することを防止することができる。この結果、材料変更を伴うことなく、半導体チップ３のコーナー部Ｃ１〜Ｃ４における封止樹脂５のピール強度を向上させることが可能となり、コストアップを防止しつつ、半導体チップ３の剥離を抑制することが可能となる。
【００２０】
また、半導体チップ３の各辺の中央線Ｘ１、Ｙ１に沿って４方向にそれぞれランド２を引き出すことにより、半導体チップ３のコーナー部Ｃ１〜Ｃ４にランド２がかからないようにランド２を配置することが可能となるとともに、封止樹脂５とランド２との接着面を４方向に分散させて配置することが可能となる。
このため、半導体チップ３のコーナー部Ｃ１〜Ｃ４では、ランド２と封止樹脂５とが接触することを防止することが可能となるとともに、外力に対する封止樹脂５の密着力を均等化することができ、ピール強度が弱くなる方向をなくすことを可能として、半導体チップ３の剥離を抑制することが可能となる。
【００２１】
なお、上述した半導体モジュールは、例えば、非接触ＩＣカードまたは非接触ＩＣタグなどに適用することができ、コストアップを防止しつつ、非接触ＩＣカードまたは非接触ＩＣタグなどの信頼性を向上させることができる。
また、上述した実施形態では、半導体チップの実装方法を例にとって説明したが、本発明は、必ずしも半導体チップの実装方法に限定されることなく、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ）素子などのセラミック素子、光変調器や光スイッチなどの光学素子、磁気センサやバイオセンサなどの各種センサ類などの実装方法に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体モジュールの概略構成を示す図。
【図２】従来の半導体モジュールの概略構成を示す図。
【符号の説明】
【００２３】
１  絶縁性基板、２  ランド、３  半導体チップ、４  突出電極、５  封止樹脂、Ｃ１〜Ｃ４  コーナー部
【図１】
2005129779.tif 000003
【図２】
2005129779.tif 000004