(57)【要約】【課題】  光電変換膜を積層する構造の固体撮像素子において、十分な色再現性を得られるようにすること及び既存の製造技術を利用可能とすること。【解決手段】  半導体基板上方に積層された光電変換膜と、半導体基板に形成される信号読出回路とを有し、光電変換膜に蓄積される信号電荷に応じた信号を信号読出回路によって外部に読み出す固体撮像素子１００であって、光電変換膜は半導体基板上方に４つ積層され、固体撮像素子１００の複数の画素５は、それぞれ４つの光電変換膜と、当該４つの光電変換膜の各々に蓄積される信号電荷を蓄積する半導体基板上に配列された４つの電荷蓄積領域１〜４とを含み、１画素に含まれる４つの電荷蓄積領域１〜４は、半導体基板上において互いに隣接し、且つ、四角状に配列されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上方に積層された光電変換膜と、前記半導体基板に形成される信号読出回路とを有し、前記光電変換膜に蓄積される信号電荷に応じた信号を前記信号読出回路によって外部に読み出す固体撮像素子であって、
前記光電変換膜は前記半導体基板上方に４つ積層され、
前記固体撮像素子の複数の画素は、それぞれ前記４つの光電変換膜と、前記４つの光電変換膜の各々に蓄積される信号電荷を蓄積する前記半導体基板上に配列される４つの電荷蓄積領域とを含み、
前記４つの電荷蓄積領域は、前記半導体基板上において互いに隣接し、且つ、四角状に配列されている固体撮像素子。
【請求項２】
請求項１記載の固体撮像素子であって、
前記複数の画素に含まれる前記電荷蓄積領域は、前記半導体基板上に正方格子状に配列されている固体撮像素子。
【請求項３】
請求項１記載の固体撮像素子であって、
前記複数の画素に含まれる前記電荷蓄積領域は、前記半導体基板上の行方向に配列された電荷蓄積領域行が前記行方向と直交する列方向に複数行配列されており、隣接する前記電荷蓄積領域行に含まれる前記電荷蓄積領域は、互いに、前記電荷蓄積領域行内での電荷蓄積領域同士のピッチの約１／２、前記行方向にずれて配列されている固体撮像素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか記載の固体撮像素子であって、
前記４つの光電変換膜は、青色検出用の光電変換膜、エメラルド色検出用の光電変換膜、緑色検出用の光電変換膜、及び赤色検出用の光電変換膜である固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板上方に積層された光電変換膜に蓄積される信号電荷に応じた信号を信号読出回路によって外部に読み出す固体撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体基板表面部に多数のフォトダイオード（ＰＤ）を集積すると共に各ＰＤ上に赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の各色カラーフィルタを積層したＣＣＤ型固体撮像素子やＣＭＯＳ型固体撮像素子が著しく進歩し、現在では、数百万ものＰＤを１チップ上に集積した固体撮像素子がデジタルカメラに搭載されるようになっている。
【０００３】
上記固体撮像素子では、カラーフィルタを用いる構成のため、光利用効率が悪い、偽色が発生する等の欠点が生じてしまう。そこで、これらの欠点を無くす固体撮像素子として、例えば特許文献１記載のものが提案されている。この固体撮像素子は、半導体基板上方に赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の光を検出する３つの光電変換膜を積層し、各膜に蓄積された信号電荷を半導体基板に形成された蓄積ダイオードに蓄積し、蓄積ダイオードに蓄積した信号電荷を、半導体基板表面に形成されている垂直ＣＣＤ及び水平ＣＣＤ等の信号読出回路で読み出して転送するという構成になっている。この固体撮像素子によれば、上記欠点をなくして、高画質の画像を生成することが可能となる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−８３９４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
人間の視感度は、図８にα，β，γとして示す様に、Ｒ，Ｇ，Ｂで負の感度を持っている。このため、固体撮像素子でＲ，Ｇ，Ｂの正感度成分の光のみ検出して色再現を行っても、人間の見た画像を再現することはできない。特許文献１記載の固体撮像素子では、Ｒ，Ｇ，Ｂの正感度成分の光のみを検出して色再現を行うものであるため、十分な色再現性を得ることができない。
【０００６】
又、特許文献１記載の固体撮像素子の信号読出回路として、ＰＤを１チップ上に集積した固体撮像素子で用いられる信号読出回路をそのまま利用することができれば、既存の製造技術を利用することができるため有用であるが、このためには、１画素あたりの蓄積ダイオードの配置を工夫する必要が生じる。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、光電変換膜を積層する構造の固体撮像素子において、十分な色再現性を得られるようにすること及び既存の製造技術を利用可能とすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の固体撮像素子は、半導体基板上方に積層された光電変換膜と、前記半導体基板に形成される信号読出回路とを有し、前記光電変換膜に蓄積される信号電荷に応じた信号を前記信号読出回路によって外部に読み出す固体撮像素子であって、前記光電変換膜は前記半導体基板上方に４つ積層され、前記固体撮像素子の複数の画素は、それぞれ前記４つの光電変換膜と、前記４つの光電変換膜の各々に蓄積される信号電荷を蓄積する前記半導体基板上に配列される４つの電荷蓄積領域とを含み、前記４つの電荷蓄積領域は、前記半導体基板上において互いに隣接し、且つ、四角状に配列されている。
【０００９】
この構成により、光電変換素子と信号読出回路とが同一平面上に形成された従来からある固体撮像素子の製造技術をそのまま利用して、光電変換膜を積層した構造の固体撮像素子を製造することができる。又、４つの光電変換膜を設けているため、様々な信号処理が可能となり、色再現性の良いカラー撮像が可能となる。
【００１０】
又、本発明の固体撮像素子は、前記複数の画素に含まれる前記電荷蓄積領域が、前記半導体基板上に正方格子状に配列されている。
【００１１】
この構成により、光電変換素子が正方格子状に配列された従来からある固体撮像素子の製造技術を利用して、光電変換膜を積層した構造の固体撮像素子を製造することができる。
【００１２】
又、本発明の固体撮像素子は、前記複数の画素に含まれる前記電荷蓄積領域が、前記半導体基板上の行方向に配列された電荷蓄積領域行が前記行方向と直交する列方向に複数行配列されており、隣接する前記電荷蓄積領域行に含まれる前記電荷蓄積領域は、互いに、前記電荷蓄積領域行内での電荷蓄積領域同士のピッチの約１／２、前記行方向にずれて配列されている。
【００１３】
この構成により、光電変換素子がハニカム状に配列された従来からある固体撮像素子の製造技術を利用して、光電変換膜を積層した構造の固体撮像素子を製造することができる。又、上記従来からある固体撮像素子と同様に、信号処理によって、複数の画素から得られる信号の倍の数の信号を生成することが可能なため、高解像度の画像を生成することができる。
【００１４】
又、本発明の固体撮像素子は、前記４つの光電変換膜が、青色検出用の光電変換膜、エメラルド色検出用の光電変換膜、緑色検出用の光電変換膜、及び赤色検出用の光電変換膜である。
【００１５】
この構成により、赤色の色再現性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、光電変換膜を積層する構造の固体撮像素子において、十分な色再現性を得られるようにすることができ、且つ、既存の製造技術を利用可能とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子は、半導体基板上方に積層された４つの光電変換膜を有し、この４つの光電変換膜の各々に蓄積される信号電荷に応じた信号を、半導体基板に形成されている信号読出回路によって外部に読み出すものである。
図１は、本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子の概略構成を示す平面図である。図２は、図１に示す固体撮像素子の１画素分のＡ−Ａ断面図である。図３は、図１に示す固体撮像素子の１画素分のＢ−Ｂ断面図である。
【００１８】
図１〜３に示すように、固体撮像素子１００のｎ型シリコン基板５０に形成されたＰウェル層２６の表面部には、複数の高濃度不純物領域１〜４と、複数の垂直転送路６と、水平転送路（不図示）と、出力部（不図示）とが形成されている。
【００１９】
複数の高濃度不純物領域１〜４は、ｎ型シリコン基板５０に形成されたＰウェル層２６の表面部の行方向（図１中矢印Ｘで示す方向）に配列された高濃度不純物領域行が、行方向に直交する列方向（図１中矢印Ｙで示す方向）に複数配列されている。複数の高濃度不純物領域１〜４のうちの奇数行には、高濃度不純物領域１と高濃度不純物領域３とが行方向に交互に配列され、偶数行には、高濃度不純物領域２と高濃度不純物領域４とが行方向に交互に配列されている。又、複数の高濃度不純物領域１〜４は、奇数行のものが偶数行のものに対して、複数の高濃度不純物領域１〜４同士の行方向ピッチの約1／２だけ行方向にずれて配列される、いわゆるハニカム配列となっている。複数の高濃度不純物領域１〜４の配列は、例えば、特開平１０−１３６３９１号公報に記載される固体撮像素子の複数の光電変換素子と同様の配列をとることができる。
【００２０】
垂直転送路６は、複数の高濃度不純物領域１〜４の各々に蓄積されている信号電荷を読み出して列方向に転送するものであり、ｎ型シリコン基板５０に形成されたＰウェル層２６の表面部に、列方向の各高濃度不純物領域１〜４を避けるように蛇行配置されている。垂直転送路６の構成は、例えば、特開平１０−１３６３９１号公報に記載される固体撮像素子の列方向電荷転送装置と同様の構成をとることができる。
【００２１】
水平転送路は、垂直転送路６からの信号電荷を行方向に転送するものである。
【００２２】
出力部は、水平転送路からの信号電荷に応じた信号を出力するものであり、例えば、フローティングディフュージョンアンプからなるが、フローティングディフュージョン構造ではなく、フローティングゲート構造等であってもよい。
【００２３】
垂直転送路６、水平転送路、及び出力部は、各光電変換膜に蓄積された信号電荷に応じた信号を外部に読み出す信号読出回路を構成する。
【００２４】
このように、固体撮像素子１００は、高濃度不純物領域１〜４の各々に蓄積されている信号電荷に応じた信号を、従来のＣＣＤ型固体撮像素子に利用されるＣＣＤ等の信号読出回路によって読み出す構成となっている。このため、従来のＣＣＤ型固体撮像素子（ＰＤがハニカム配列されたもの）のＰＤの部分を高濃度不純物領域１〜４にかえるだけで、固体撮像素子１００を製造することができ、既存の製造技術を利用することができる。
【００２５】
図２及び３に示すように、ｎ型シリコン基板５０上方には、青色の光を検出する光電変換膜９（以下、Ｂ膜という）と、赤色の負感度成分のエメラルド色（波長４８０〜５２０ｎｍ）の光を検出する光電変換膜１３（以下、Ｅ膜という）と、緑色の光を検出する光電変換膜１７（以下、Ｇ膜という）と、赤色の光を検出する光電変換膜２１（以下、Ｒ膜という）とが積層される。これらの光電変換膜の積層順序は特に制限はないが、図２及び３に示すように、Ｂ膜９、Ｅ膜１３、Ｇ膜１７、Ｒ膜２１の順に入射光が通過するように積層することが望ましい。
【００２６】
Ｂ膜９の材料としては、無機材料でも有機材料でも良い。無機材料の場合は、例えば、ＩｎＡｌＰを用いる。有機材料の場合は、例えば、Ｃ６／ＰＨＰＰＳ（coumarin 6 (C6)-doped poly(m-hexoxyphenyl)phenylsilane）を用いる。
Ｅ膜１３の材料としては、無機材料でも有機材料でも良い。
Ｇ膜１７の材料としては、無機材料でも有機材料でも良い。無機材料の場合は、例えば、ＩｎＧａＡｌＰやＧａＰＡｓを用いる。有機材料の場合は、例えば、Ｒ６Ｇ／ＰＭＰＳ（rhodamine 6G (R6G)-doped polymethylphenylsilane）を用いる。
Ｒ膜２１の材料としては、無機材料でも有機材料でも良い。無機材料の場合は、例えば、ＧａＡｌＡｓ，Ｓｉを用いる。有機材料の場合は、例えば、ＺｎＰｃ（亜鉛フタロシアニン）／Ａｌｑ３（キノリノールアルミ錯体）を用いる。
【００２７】
高濃度不純物領域１は、入射光に応じてＢ膜９に蓄積される青色信号電荷を蓄積するものである。高濃度不純物領域２は、入射光に応じてＥ膜１３に蓄積されるエメラルド色信号電荷を蓄積するものである。高濃度不純物領域３は、入射光に応じてＧ膜１７に蓄積される緑色信号電荷を蓄積するものである。高濃度不純物領域４は、入射光に応じてＲ膜２１に蓄積される赤色信号電荷を蓄積するものである。図１では、高濃度不純物領域１にＢの符号を付し、高濃度不純物領域２にＥの符号を付し、高濃度不純物領域３にＧの符号を付し、高濃度不純物領域４にＲの符号を付してある。
【００２８】
垂直転送路６の上部には絶縁膜２５が積層されて平坦化される。この絶縁膜２５の表面に遮光膜を形成する場合もあるが、遮光膜を形成した場合には遮光膜を絶縁する関係で更に絶縁膜２３を積層する。遮光膜は、多くの場合、金属薄膜で形成されるためである。遮光膜をこの場所に設けない場合には、図示の絶縁膜２３，２５は一体でよい。
【００２９】
絶縁膜２３の上には透明電極膜２２が形成される。この透明電極膜２２は、図２に示すように、高濃度不純物領域４に透明電極２８によって導通される。この透明電極２８は、透明電極膜２２及び高濃度不純物領域４以外とは電気的に絶縁される。そして、透明電極膜２２の上部に、Ｒ膜２１を形成し、更にその上部に透明電極膜２０を形成する。即ち、１対の透明電極膜２２，２０間にＲ膜２１を挟む構成となっている。尚、最下層となる電極膜２２を不透明にして遮光膜を兼用させてもよい。
【００３０】
透明電極膜２０の上部には透明絶縁膜１９が形成され、その上部に、透明電極膜１８が形成される。この透明電極膜１８は、図３に示すように、高濃度不純物領域３に透明電極３０によって導通される。この透明電極３０は、透明電極膜１８及び高濃度不純物領域３以外とは電気的に絶縁される。透明電極膜１８の上部にはＧ膜１７が形成され、その上部に、透明電極膜１６が形成される。即ち、１対の透明電極膜１８，１６間にＧ膜１７を挟む構成となっている。
【００３１】
透明電極膜１６の上部には透明絶縁膜１５が形成され、その上部に、透明電極膜１４が形成される。この透明電極膜１４は、図３に示すように、高濃度不純物領域２に透明電極２９によって導通される。この透明電極２９は、透明電極膜１４及び高濃度不純物領域２以外とは電気的に絶縁される。透明電極膜１４の上部にはＥ膜１３が形成され、その上部に、透明電極膜１２が形成される。即ち、１対の透明電極膜１４，１２間にＥ膜１３を挟む構成となっている。
【００３２】
透明電極膜１２の上部には透明絶縁膜１１が形成され、その上部に、透明電極膜１０が形成される。この透明電極膜１０は、図２に示すように、高濃度不純物領域１に透明電極２７によって導通される。この透明電極２７は、透明電極膜１０及び高濃度不純物領域１以外とは電気的に絶縁される。透明電極膜１０の上部にはＢ膜９が形成され、その上部に、透明電極膜８が形成される。即ち、１対の透明電極膜１０，８間にＢ膜９を挟む構成となっている。
【００３３】
最上層には透明絶縁膜２４が設けられ、この実施形態では、この透明絶縁膜２４中に、この画素５への入射光の入射範囲を制限する遮光膜７が設けられる。本実施形態で最上層に遮光膜７を設けたのは、画素間の混色をより一層低減するためである。均質な透明電極膜としては、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化インジウム（ＩｎＯ2）、酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）薄膜を用いるが、これに限るものではない。その形成方法としては、レーザアブレージョン法，スパッタ法などがある。
【００３４】
固体撮像素子１００は、図１に示すように、複数の画素５がＸ方向及びＹ方向に複数配列されている構成となっている。１つの画素５は、四角状に配列された互いに隣接する高濃度不純物領域１〜４と、その高濃度不純物領域１〜４に導通されるＢ膜９、Ｅ膜１３、Ｇ膜１７、及びＲ膜２１とを含んでいる。複数の画素５は、奇数行のものが偶数行のものに対して複数の画素５同士の行方向ピッチの略1／２だけ行方向にずれて配列される、いわゆるハニカム配列となっている。
【００３５】
尚、上記の例では、高濃度不純物領域１〜４の各々に蓄積されている信号電荷をＣＣＤによって読み出す構成としているが、従来のＣＭＯＳ型固体撮像素子と同様に、高濃度不純物領域１〜４の各々に蓄積されている信号電荷に応じた信号を、ＭＯＳ回路によって読み出し、これを半導体基板に形成された読み出し電極によって外部に取り出す構成とすることもできる。
【００３６】
以下、固体撮像素子１００の動作を説明する。
固体撮像素子１００に被写体からの光が入射すると、入射光のうちの青色の光がＢ膜９で吸収され、Ｂ膜９に青色信号電荷が蓄積される。この状態で、透明電極８，１０間に電圧を印加すると、青色信号電荷が透明電極１０から透明電極２７を通って高濃度不純物領域１に流れ、ここで蓄積される。
入射光のうちのエメラルド色の光はＥ膜１３で吸収され、Ｅ膜１３にエメラルド色信号電荷が蓄積される。この状態で、透明電極１２，１４間に電圧を印加すると、エメラルド色信号電荷が透明電極１４から透明電極２９を通って高濃度不純物領域２に流れ、ここで蓄積される。
入射光のうちの緑色の光はＧ膜１７で吸収され、Ｇ膜１７に緑色信号電荷が蓄積される。この状態で、透明電極１６，１８間に電圧を印加すると、緑色信号電荷が透明電極１８から透明電極３０を通って高濃度不純物領域３に流れ、ここで蓄積される。
入射光のうちの赤色の光はＲ膜２１で吸収され、Ｒ膜２１に赤色信号電荷が蓄積される。この状態で、透明電極２０，２２間に電圧を印加すると、赤色信号電荷が透明電極２２から透明電極２８を通って高濃度不純物領域４に流れ、ここで蓄積される。
そして、高濃度不純物領域１〜４に蓄積された信号電荷は、垂直転送路６に設けられた読出しゲートから垂直転送路６に読み出され、列方向に順次転送され、信号電荷に応じた信号が出力部から出力される。
【００３７】
波長４８０〜５２０ｎｍのエメラルド色の光を検出する利点は、人間の視感度に応じて赤色を補正するためである。人間の視感度は、上述したように、固体撮像素子１００でＲ，Ｇ，Ｂの正の感度のみ検出して色再現を行っても、人間の見た画像を再現することはできない。そこで、負感度の一番大きいβすなわち赤の負感度をＥ膜１３によって検出し、Ｒ膜２１で検出した赤の感度から、この負感度分を差し引く信号処理を、特許第２８７２７５９号公報記載の信号処理と同様に行うことで、人間の赤色に対する感度を再現することができ、色再現性を向上させることができる。
【００３８】
図４は、固体撮像素子１００の各画素から読み出される信号の空間位置を示す図である。
各画素５から読み出されるカラー画素信号は、高濃度不純物領域１〜４の重心位置である図４に示す白丸（○）の位置に存在することになる。固体撮像素子１００では、１画素に対して４つの高濃度不純物領域１〜４を設けているため、従来のＣＣＤ型固体撮像素子と同じサイズで固体撮像素子１００を製造した場合、その解像度は、従来のＣＣＤ型固体撮像素子の解像度の１／４となってしまう。そこで本実施形態では、固体撮像素子１００を搭載するデジタルカメラ等において、カラー画素信号が得られていない図４に示すバツ印（×）の位置のカラー画素信号を各画素５から読み出されたカラー画素信号を用いて求める信号補間処理を行う。このようにすることで、解像度を２倍にすることができ、解像度の低下を抑えることができる。尚、この信号補間処理については、従来から各種方法が提案されているので説明を省略する。
【００３９】
以上のように、固体撮像素子１００によれば、四角状に互いに隣接して配列されている４つの高濃度不純物領域１〜４と、これらに導通される４つの光電変換膜とによって１つの画素５が構成される。このため、固体撮像素子１００全体としては、複数の画素５がハニカム配列されることになり、従来から行われている信号処理等を行うことで、高画質のカラー画像データを生成することが可能になる。
特許文献１記載の固体撮像素子では、直線状に配列されている３つの蓄積ダイオードによって１画素を構成しているため、ＰＤが正方格子状に配列されたＣＣＤ型固体撮像素子の製造技術を利用することはできる。固体撮像素子１００のように４つの光電変換膜を有する場合でも同様に、直線状に配列される４つの高濃度不純物領域によって１画素を構成することで、ＰＤが正方格子状に配列されたＣＣＤ型固体撮像素子の製造技術を利用することはできる。しかしながら、この場合は、各画素を行方向又は列方向に細長い長方形にしなければならず、良好な画像を得ることは難しい。又、直線状に配列された３つ又は４つの高濃度不純物領域を１画素とする場合には、ＰＤがハニカム状に配列されたＣＣＤ型固体撮像素子の製造技術を利用することは難しい。
そこで、本実施形態のように、四角状に互いに隣接して配列されている高濃度不純物領域１〜４で１つの画素５を構成することで、ＰＤが正方格子状に配列されたＣＣＤ型固体撮像素子及びＰＤがハニカム状に配列されたＣＣＤ型固体撮像素子の製造技術を利用することができると共に、良好な画像を得ることができる。
【００４０】
図５は、固体撮像素子１００の構成の変形例として、複数の高濃度不純物領域１〜４が正方格子状に配列された構成を示す図である。図５に示す固体撮像素子１００では、垂直転送路６は蛇行形状ではなく列方向に延在する直線形状となる。又、複数の高濃度不純物領域１〜４は、奇数行に高濃度不純物領域１と高濃度不純物領域２とが行方向に交互に配列され、偶数行に高濃度不純物領域４と高濃度不純物領域３とが行方向に交互に配列される。又、四角状に配列された互いに隣接する高濃度不純物領域１〜４と、その高濃度不純物領域１〜４に導通されるＢ膜９、Ｅ膜１３、Ｇ膜１７、及びＲ膜２１とによって１つの画素５が構成される。このような構成にした場合には、上述したように、ＰＤを正方格子状に配列している従来のＣＣＤ型固体撮像素子の製造技術をそのまま利用することができると共に、良好な画像を得ることができる。
【００４１】
尚、図２及び３に示した固体撮像素子１００の構成の変形例として、図６及び図７に示したような構成とすることもできる。
図６は、図１のＡ−Ａ断面図であり、図７は、図１のＢ−Ｂ断面図である。尚、図２及び図３と同様の構成には同一符号を付してある。
図６及び図７に示す構成では、絶縁膜２３の上には透明電極膜４３が形成される。この透明電極膜４３は、図６に示すように、高濃度不純物領域４に透明電極４５によって導通される。この透明電極４５は、透明電極膜４３及び高濃度不純物領域４以外とは電気的に絶縁される。そして、透明電極膜４３の上部に、Ｒ膜２１を形成し、更にその上部に透明電極膜４２を形成する。
【００４２】
透明電極膜４２の上部にはＧ膜１７が形成され、その上部に、透明電極膜４１が形成される。この透明電極膜４１は、図７に示すように、高濃度不純物領域３に透明電極４７によって導通される。この透明電極４７は、透明電極膜４１及び高濃度不純物領域３以外とは電気的に絶縁される。透明電極膜４１の上部には透明絶縁膜４０が形成され、その上部に、透明電極膜３９が形成される。この透明電極膜３９は、図７に示すように、高濃度不純物領域２に透明電極４６によって導通される。この透明電極４６は、透明電極膜３９及び高濃度不純物領域２以外とは電気的に絶縁される。
【００４３】
透明電極膜３９の上部にはＥ膜１３が形成され、その上部に、透明電極膜３８が形成される。透明電極膜３８の上部にはＢ膜９が形成され、その上部に、透明電極膜３７が形成される。この透明電極膜３７は、図６に示すように、高濃度不純物領域１に透明電極４４によって導通される。この透明電極４４は、透明電極膜３７及び高濃度不純物領域１以外とは電気的に絶縁される。
【００４４】
以上のような構成にすることで、図２及び図３の構成よりも透明電極膜の数を２つ減らすことができ、固体撮像素子１００の薄型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子の概略構成を示す平面図
【図２】図１に示す固体撮像素子の１画素分のＡ−Ａ断面図
【図３】図１に示す固体撮像素子の１画素分のＢ−Ｂ断面図
【図４】本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子の各画素から読み出される信号の空間位置を示す図
【図５】本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子の別の構成例を示す図
【図６】図１に示す固体撮像素子の１画素分のＡ−Ａ断面図
【図７】図１に示す固体撮像素子の１画素分のＢ−Ｂ断面図
【図８】人間の視感度を示すグラフ
【符号の説明】
【００４６】
１〜４  電荷蓄積領域
５  画素
１００  固体撮像素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
2005353625.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005353625.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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