(57)【要約】【課題】  本発明は物性を改善したプラズマディスプレイパネル保護膜用ＭｇＯペレット及びプラズマディスプレイパネルに関する。【解決手段】  このために本発明のプラズマディスプレイパネルは互いに対向配置される第１基板及び第２基板、第１基板と第２基板の対向面に各々形成されながら互いに交差するように配列される複数の第１電極及び複数の第２電極、複数の第１電極及び複数の第２電極を各々覆って形成される誘電体層及び誘電体層を覆って形成されるＭｇＯ保護膜を含み、ＭｇＯ保護膜は１μｍ２面積当り、柱状結晶数が４００個以下であることを特徴とする。このような本発明を通じて生産性が良好なプラズマディスプレイパネルを製造できる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置される第１基板及び第２基板と；
前記第１基板及び第２基板の対向面に各々形成されながら互いに交差するように配列される複数の第１電極及び複数の第２電極と；
前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極を各々覆って形成される誘電体層と；
前記誘電体層を覆って形成されるＭｇＯ保護膜と；を含み、
前記ＭｇＯ保護膜は１μｍ２面積当り、柱状結晶数が４００個以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記ＭｇＯ保護膜の屈折率は１．４５乃至１．７４であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記ＭｇＯ保護膜は（１１１）面と（１１０）面とが混在することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
プラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜に使用するＭｇＯペレットは、体積密度が２．８０ｇ／ｃｍ3乃至２．９５ｇ／ｃｍ3であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル保護膜用ＭｇＯペレット。
【請求項５】
前記ＭｇＯペレットの平均顆粒塊の大きさは３０μｍ乃至７０μｍであることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル保護膜用ＭｇＯペレット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイパネル保護膜用ＭｇＯペレット及びこれを用いたプラズマディスプレイパネルに関し、更に詳しくはＭｇＯペレット及びＭｇＯ保護膜の物性を調節して放電遅延時間を最少化できるプラズマディスプレイパネル保護膜用ＭｇＯペレット及びこれを用いたプラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）はプラズマ放電によって励起された蛍光体によって画像を形成する装置であって、プラズマディスプレイパネルの放電空間に設置された二つの電極に所定の電圧を印加してこれらの間でプラズマ放電が起こるようにし、このプラズマ放電時に発生する紫外線によって所定のパターンからなる蛍光体層を励起させて画像を形成する。
【０００３】
このようなプラズマディスプレイは大別して交流型（AC type）、直流型（DC type）及び混合型（Hybrid type）に分かれる。図４は一般的な交流型プラズマディスプレイパネルの放電セルの分解斜視図である。図４を参照すると、一般的なプラズマディスプレイパネル１００は下部基板１１１、下部基板１１１の上に形成された複数のアドレス電極１１５、このアドレス電極１１５が形成された下部基板１１１の上に形成された誘電体層１１９、この誘電体層１１９の上部に形成されて放電距離を維持し、セル間クロストークを防止する複数の隔壁１２３、及び隔壁１２３の表面に形成された蛍光体層１２５、を含む。
【０００４】
複数の放電維持電極１１７は下部基板１１１の上に形成された複数のアドレス電極１１５と所定間隔で離隔して直交するように上部基板１１３の下部に形成される。そして、誘電体層１２１及び保護膜１２７が順次に放電維持電極１１７を覆っている。特に、保護膜１２７としては可視光線がよく透過できるように透明なだけでなく誘電層の保護及び２次電子放出性能に優れたＭｇＯを主に使用しており、最近は他の材料からなる保護膜の研究も行われている。
【０００５】
このように使われるＭｇＯ保護膜は、プラズマディスプレイパネル動作において、放電時に生じる放電ガスのイオン衝撃による影響を緩和させて，イオン衝突から誘電層を保護し、２次電子の放出によって放電電圧を下げる役割を果たす透明保護薄膜として、３０００〜７０００Å厚さで誘電体層を覆って形成する。ＭｇＯ保護膜の形成方法にはスパッタリング法、電子ビーム蒸着法、ＩＢＡＤ（ion beam assisted deposition：イオンビーム支援堆積法）、ＣＶＤ（chemical vapor deposition：化学気相蒸着法）及びソル-ゲル法などがあり、最近はイオンプレ−ティング方式が開発されて用いられている。
【０００６】
前記の電子ビーム蒸着法は電場と磁場とで加速される電子ビームをＭｇＯ蒸着材料に衝突させて蒸着材料を加熱・蒸発させてＭｇＯ保護膜を形成する方法である。スパッタリング法の場合、電子ビーム蒸着法に比べて得られた保護膜が緻密で結晶配向が有利という特性を有する長所があるが、製造工程における経費が高い問題点がある。ソル-ゲル法の場合、液相でＭｇＯ保護膜を製造する。
【０００７】
前記様々なＭｇＯ保護膜形成方式に対する代案としてイオンプレ−ティング法が最近、試みられているが、イオンプレ−ティング法では蒸発する粒子をイオン化して成膜させる。イオンプレ−ティング法はＭｇＯ保護膜の密着性及び結晶性において、スパッタリング法と類似の特性を有するが、蒸着を８ｎｍ／ｓの高速で行うことができるという長所がある。
【０００８】
このようなＭｇＯの材料には、単結晶または焼結体形態のものを用いることができる。しかし、単結晶材料の場合、蒸着を目的として溶融する時に、放熱状況つまり意図せぬ冷却速度が変化すると固溶限界が変化して特定ドーパント（添加物）の定量制御が難しい問題点があるので、焼結体材料が好まれる。この場合、焼結体材料製造時に特定ドーパントを定量的に添加しておき、ＭｇＯ保護膜はイオンプレ−ティング方式で製造している。ＭｇＯ保護膜蒸着材はペレット形態のものが用いられており、ＭｇＯペレットの大きさ及び形態によってＭｇＯペレットの分解速度が違うなど、ＭｇＯ保護膜蒸着における様々な面で大きい差異を生じるので、ＭｇＯペレットの大きさ及び形態を最適化しようとする様々な方法が試みられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はプラズマディスプレイパネルにおいて、ＭｇＯ保護膜用原料であるＭｇＯペレット及び得られたＭｇＯ保護膜の特性を改善するために、ＭｇＯペレットの物性を一定の範囲に制限して、プラズマディスプレイパネルの放電遅延時間を短縮させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するための本発明のプラズマディスプレイパネルは、互いに対向配置される第１基板及び第２基板、第１基板と第２基板との対向面に各々形成されながら互いに交差するように配列される複数の第１電極及び複数の第２電極、前記複数の第１電極を覆って形成される第１誘電体層及び前記複数の第２電極を覆って形成される第２誘電体層、そして前記第１または第２誘電体層を覆って形成される第１または第２のＭｇＯ保護膜を含み、前記ＭｇＯ保護膜は１μｍ２面積当り、柱状結晶数が４００個以下であることを特徴とする。
【００１１】
ここで、ＭｇＯ保護膜の屈折率は１．４５乃至１．７４であるのが好ましい。
【００１２】
そして、ＭｇＯ保護膜は（１１１）面と（１１０）面とが混在するのが好ましい。
【００１３】
また、本発明はプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜に用いるＭｇＯペレット（ｐｅｌｌｅｔ）としてその体積密度が２．８０ｇ／ｃｍ３乃至２．９５ｇ／ｃｍ３であることを特徴とする。
【００１４】
一方、ＭｇＯペレットの平均結晶粒大きさは３０μｍ乃至７０μｍであるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜は１μｍ２面積当り、柱状結晶数が４００個以下である場合、前記実験例から分かるように、放電遅延時間を最少化してプラズマディスプレイパネルの放電特性を向上させることができる。
【００１６】
また、この場合、ＭｇＯ保護膜の屈折率が１．４５乃至１．７４であると、放電遅延時間を最少化することにおいて、より一層適合し、（１１１）面と（１１０）面とが混在する場合にも類似した結果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施例を詳しく説明する。
【００１８】
図１は本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルの上板の斜視図である。図１では本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルの上部部分だけを別に離して示している。図１では基板１３上に複数の電極１７、誘電体層２１、保護膜２７が順次に形成された本発明の実施例によるプラズマディスプレイパネル上板を示す。図１では便宜上の理解のために本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルの上板を１８０゜ひっくり返して示す。図１に示さなかったが、プラズマディスプレイパネルの上板とは別途に前記基板１３に対応する他の基板に前記電極１７と垂直に交差する複数の他の電極を形成し、その上に誘電体層を覆った後、隔壁を形成した後、隔壁の間に蛍光体層を塗布し、プラズマディスプレイパネルの下板を製造する。
【００１９】
このように製造したプラズマディスプレイパネルの上板及び下板の縁をフリットで塗布して両基板を逢着し、Ｎｅ、Ｘｅなどの放電ガスを注入することによってプラズマディスプレイパネルを製造する。
【００２０】
このように製造した本発明の実施例によるプラズマディスプレイパネルでは、電源から駆動電圧の印加を受けてこれらの電極の間にアドレス放電を起こして誘電体層に壁電荷を形成し、アドレス放電によって選択された放電セル群で上板に形成した２個の電極に交互に供給される交流信号によってこれらの電極間にサステイン放電を起こす。これにより放電セルを形成する放電空間に充填された放電ガスが励起されて遷移されながら紫外線を発生させ、紫外線による蛍光体の励起で可視光線を発生させながら画像を実現する。
【００２１】
図１に示したように、本発明の実施例によるプラズマディスプレイパネルでは保護膜形成領域の内側に複数の電極が互いに交差してピクセルになってこれらが集まって表示領域を形成し、その周辺部には非表示領域を形成する。基板１３上に形成された複数の電極１７はフレキシブル回路基板（ＦＰＣ、ただし図示せず）と連結されるようにその端子部が誘電体層２１の左右に引き出されている。
【００２２】
本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルに用いるＭｇＯ保護膜２７は、ＭｇＯペレットをＭｇＯ蒸着室で蒸着させて製造し、本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネル用保護膜に用いるＭｇＯペレットは次のような方法で製造する。
【００２３】
先ず、９０．０〜９２．０％純度を有する粉末形態のＭｇＯ原料粉末を用い、ドーピング材料を添加してＭｇ（ＯＨ）２を製造することによって純度を９９．０％程度まで押し上げる。このようにＭｇＯの純度を高めるためにＭｇ（ＯＨ）２に変化させて、ドーピング材料を添加し合目的な不純物の量を調節する。例えば、ＭｇＯ原料粉末を塩酸に溶かし、石灰で中和してＭｇ（ＯＨ）２を沈殿分離させてもよい。
【００２４】
このようにして製造したＭｇ（ＯＨ）２は水分を５０．０％程度含有しているので、乾燥が必要である。従って、乾燥オーブンで熱風乾燥して吸着水を除去する。このように乾燥したら、次に、ベルタイプ（釣り鐘形）台車方式低温焼結炉で仮焼して結晶水を除去し、約２８００℃で６０時間ぐらい加熱するか、約２９００℃で電気溶融し冷却してから塊状Ｍｇ（ＯＨ）２を粉砕して、ＭｇＯ粉末にする。このように高温加熱により炭素などを除去したＭｇＯ融液を冷却させて、再び固化させる。
【００２５】
固化したＭｇＯを破砕機を利用して粉末に破砕したら、次に、溶剤及び添加剤からなる副原料を混合してスラリー化する。混合は湿式ボールミル法で行なって、副原料としては９９．５％以上の試薬級である無水物溶剤とＡｌｄｒｉｃｈ級試薬の添加剤とを使用する。湿式ボールミルの時にはジルコニアボール及びウレタンポートを使用する。
【００２６】
防爆形噴霧乾燥器を利用した噴霧乾燥法で、先に混合したＭｇＯスラリーを乾燥させてＭｇＯ顆粒を製造する。顆粒化工程では、平均粒子サイズ３〜５μｍのＭｇＯ粉末を平均顆粒塊サイズが３０乃至７０μｍ程度になるように顆粒化及び塊状化する。
【００２７】
次にロータリープレスを利用してＭｇＯ顆粒を圧着成形する。このように圧着成形されたＭｇＯ顆粒を台車方式高温焼結炉で１７００℃程度の温度で焼結して強く結着した塊にする。このような温度で焼結する場合、ＭｇＯ顆粒表面が溶けて他のＭｇＯ顆粒表面に付着することによってＭｇＯ顆粒が相互接着するので、ＭｇＯ顆粒自体の密度が高まって気孔が少なくなり緻密な組織を有するＭｇＯペレットを形成できる利点がある。
【００２８】
このようなＭｇＯペレットの体積密度は、かさ密度で表現して、２．８０ｇ／ｃｍ3乃至２．９５ｇ／ｃｍ3が好適である。この程度であれば、電子ビームの集中照射が緩和されＭｇＯの分解速度が向上して、蒸着速度を速くできる。ＭｇＯペレットの体積密度は次の数式１から得られるが、ＭｇＯペレットサンプルを１００℃で２４時間以上乾燥した後、コロジン浸せき法（ｋｏｒｅｓｅｎｅ ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ）によって求める。
［数式１］
体積密度（ｇ／ｃｍ3）＝ｋ×乾燥したサンプル質量（ｇ）／[水分を含むサンプル質量（ｇ）−水分質量（ｇ）]
ここでｋはコロジン（ｋｏｒｅｓｅｎｅ）比重として０．７９６ｇ／ｃｍ3である。
【００２９】
本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネル保護膜用ＭｇＯペレットは、噴霧乾燥法で、先に混合したＭｇＯスラリーを乾燥してＭｇＯ顆粒を製造する工程、ＭｇＯ顆粒圧着成形工程、そして圧着成形されたＭｇＯ顆粒の台車方式高温焼結炉での焼結工程によって体積密度を調節できる。
【００３０】
図２は本発明の一実施例によるＭｇＯペレットを利用したＭｇＯ保護膜形成に関する工程を概略的に示す図面であって、電極と誘電体層とを順次に形成した基板上にＭｇＯ保護膜を形成する工程を概略的に示した電子ビーム蒸着法をその一例に示している。
【００３１】
電子ビーム蒸着法では電場と磁場とで加速される電子ビームを蒸着材料に衝突させて蒸着材料を加熱及び蒸発させることによって保護膜を形成する。この場合、電子ビームのエネルギーを材料表面に集中させて高速蒸着及び高純度蒸着を実行できる。図２はこのような保護膜の形成工程の一例を例示したことに過ぎないし、保護膜の形成工程が電子ビーム蒸着法に限られるわけではない。
【００３２】
図２に示したＭｇＯ保護膜１７の成膜工程においては、先ず、基板１３を左側から右側にローラー５１で移動させて蒸着室入口２３にロードしながらＭｇＯ保護膜１７を蒸着した後、蒸着室出口２５側に排出する。基板１３に異常がある場合には、蒸着室入口２３から基板１３をアンロードできる。蒸着室２０の内部は真空に形成されるべきなので、真空ポンプ（図示せず）が付着されて排気を持続的に行って、シャッター３３を利用して内外部を二重遮断しながら開閉させる。電子銃３１を作動させて磁場及び電場を形成し、電子銃３１から放射されるイオンを下部に位置した蒸着材であるＭｇＯペレット５７に衝突させてＭｇＯペレット５７を上部に位置した基板１３の下面に蒸着させる。また、本発明の一実施例の場合、ＭｇＯペレット５７がイオン衝突によって過熱されるおそれがあるので冷却装置２９を用いて冷却させながらＭｇＯ保護膜２７を蒸着する。
【００３３】
このようなＭｇＯ保護膜２７の蒸着工程において、本発明の一実施例によるＭｇＯペレットの体積密度が２．８０ｇ／ｃｍ3未満である場合にはＭｇＯペレットが多くの気孔を含むので、緻密な結晶構造のＭｇＯ保護膜を製造できない。また、ＭｇＯペレットの体積密度が２．９５ｇ／ｃｍ3を超える場合にはＭｇＯペレットが過度に緻密化するように形成されてＭｇＯ保護膜を形成する時にＭｇＯの分解速度が低下する問題点がある。特に、ＭｇＯ保護膜はＭｇＯ保護膜の形成工程時に６０Å／ｓ乃至１１０Å／ｓの蒸着速度を有するが、前記のように体積密度を２．８０ｇ／ｃｍ3乃至２．９５ｇ／ｃｍ3に調節すると、１３０Å／ｓまで蒸着速度を増加させることができる。相対的に低い体積密度は熱衝撃によるスプラッシュ現象を制御して蒸着時の基板を損傷させない条件で制御できる。この場合、本発明の一実施例によるＭｇＯペレットの平均顆粒塊の大きさは３０μｍ乃至７０μｍが好ましいので、スプラッシュ現象を低減させながらプラズマディスプレイパネルの基板上にＭｇＯ保護膜を蒸着させることができる。
【００３４】
図３は本発明の一実施例によって製造したＭｇＯ保護膜のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）写真を示している。図３に示したＭｇＯ保護膜は酸素と水素との分圧比を約６：１として製造したものである。図３のＳＥＭ写真から分かるように、本発明によるＭｇＯ保護膜の場合、三角形の結晶面と四角形の結晶面とが均一に混在していることを観察できる。ここで、三角形形態の結晶面は（１１１）面であり、四角形形態の結晶面は（１１０）面である。本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜の場合、前記のように酸素及び水素分圧を調節すると、その柱状結晶数が変化する。このようなＭｇＯ保護膜の柱状結晶数がプラズマディスプレイパネルの放電特性にいかなる影響を与えているかを検討するために次のような実験を実施した。
【００３５】
＜実験例＞
本発明の実験例では前記ＭｇＯ保護膜の１μｍ２面積当りの柱状結晶数によるＭｇＯ保護膜の特性を評価するために、ＭｇＯ保護膜の１μｍ２面積当りの柱状結晶数による放電遅延時間を測定した。走査電極を通じてプラズマディスプレイパネルに駆動電圧が印加される時間を走査時間という。走査時間の間に放電が起こるようになるが、現実的には駆動電圧印加の時に直ちに放電が起こらず、放電が遅延される。これを放電遅延時間という。放電遅延時間は再び形成遅延時間と統計的遅延時間とに分かれる。ＭｇＯ保護膜の場合、その特性上、二次電子放出と密接な関連性を有するので、本発明の実験例では１μｍ２当りの柱状結晶数による放電遅延時間を測定して１μｍ２当りの柱状結晶数の適正範囲を抽出しようとした。このような本発明の実験例は単に本発明を例示するためのもので、本発明がここに限られるわけではない。
【００３６】
［実験例１］
ＭｇＯペレットをＭｇＯ蒸着室に入れて誘電体が形成されたプラズマディスプレイパネルにＭｇＯを蒸着する時、ＭｇＯ保護膜が約７０００Å程度に形成されるようにした。蒸着室内部の場合、基本圧力を１×１０-４Ｐａに、蒸着形成時の圧力を５．３×１０-２Ｐａにし、酸素及び水素を１００ｓｃｃｍ（流量体積単位）で供給しながら基板を２００±５℃に維持した。酸素と水素との場合、その分圧比を約３：１程度に維持するように供給しながら、電流を３９０ｍＡ、電圧を−１５ｋＶＤＣに調節した電子銃を通じて電子ビームを照射してＭｇＯ保護膜を蒸着させた。ＭｇＯ保護膜の蒸着結果、１μｍ２当り、約２００余個の柱状結晶が得られ、このようなＭｇＯ保護膜を備えたプラズマディスプレイパネルの場合、放電遅延時間は２６５ｎｓ程度に測定された。
【００３７】
［実験例２］
酸素と水素との場合、分圧比を約６：１とし、残りの条件は実験例１と同一にして実験した。その結果、ＭｇＯ保護膜の場合、１μｍ２当り、約４００余個の柱状結晶数が得られ、このようなＭｇＯ保護膜を備えたプラズマディスプレイパネルの場合、放電遅延時間は２８４ｎｓ程度に測定された。
【００３８】
［実験例３］
酸素と水素との場合、分圧比を約３０：１とし、残りの条件は実験例１と同一にして実験した。その結果、ＭｇＯ保護膜の場合、１μｍ２当り、約１２００余個の柱状結晶数が得られ、このようなＭｇＯ保護膜を備えたプラズマディスプレイパネルの場合、放電遅延時間は３２２ｎｓ程度に測定された。
【００３９】
［実験例４］
酸素と水素との場合、分圧比を約５０：１とし、残りの条件は実験例１と同一にして実験した。その結果、ＭｇＯ保護膜の場合、１μｍ２当り、約２１００余個の柱状結晶数が得られ、このようなＭｇＯ保護膜を備えたプラズマディスプレイパネルの場合、放電遅延時間は３３９ｎｓ程度に測定された。
【００４０】
［実験例５］
酸素と水素との場合、分圧比を約１００：１とし、残りの条件は実験例１と同一にして実験した。その結果、ＭｇＯ保護膜の場合、１μｍ２当り、約３４００余個の柱状結晶数が得られ、このようなＭｇＯ保護膜を備えたプラズマディスプレイパネルの場合、放電遅延時間は３４５ｎｓ程度に測定された。
【００４１】
［実験例６］
酸素と水素の場合、分圧比を約１５０：１とし、残りの条件は実験例１と同一にして実験した。その結果、ＭｇＯ保護膜の場合、１μｍ２当り、約５０００余個の柱状結晶数が得られ、このようなＭｇＯ保護膜を備えたプラズマディスプレイパネルの場合、放電遅延時間は３６８ｎｓ程度に測定された。
【００４２】
前記実験例１乃至実験例６を整理して示すと、次の表１の通りである。
【００４３】
【表１】
2005129521.tif 000003
【００４４】
上述の実験例１乃至実験例６から分かるように、放電遅延時間に関して、実験例１と実験例２との場合、放電遅延時間が３００ｎｓ未満で、他の実験例よりも放電特性が良好になることが分かった。この場合、ＭｇＯ保護膜の１μｍ２面積当りの柱状結晶数の計測値は約４００個以下であった。このように１μｍ２面積当りの柱状結晶数が４００個以下になると、プラズマ放電時のアドレス放電遅延を最少化して表示品質を改善できた。
【００４５】
一方、前記実験例１及び実験例２で得られたＭｇＯ保護膜の厚さは６４００Å程度であり、その屈折率は１．４５乃至１．７４であった。このようなＭｇＯ保護膜の場合、特に（１１１）面と（１１０）面とが混在して良好な放電特性を示した。
【００４６】
本発明のプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜は１μｍ２面積当りの柱状結晶数が４００個以下である場合、前記実験例から分かるように、放電遅延時間を最少化してプラズマディスプレイパネルの放電特性を向上させることができる。
【００４７】
また、この場合、ＭｇＯ保護膜の屈折率が１．４５乃至１．７４であると、放電遅延時間を最少化することにおいて、より一層適合し、（１１１）面と（１１０）面とが混在する場合にも類似した結果を得ることができる。
【００４８】
一方、本発明のプラズマディスプレイパネル保護膜に用いるＭｇＯペレットの場合、その体積密度が２．８０ｇ／ｃｍ3乃至２．９５ｇ／ｃｍ3であると、ＭｇＯ蒸着速度を増加させてプラズマディスプレイパネル製造時の生産性を向上させながらスプラッシュ現象を低減できる長所がある。
【００４９】
この場合、特にＭｇＯペレットの平均顆粒塊の大きさが３０μｍ乃至７０μｍである場合には、前記プラズマディスプレイパネル製造時の生産性向上とスプラッシュ現象の低減とが更に明確になる。
【００５０】
本発明を先に記載したところによって説明したが、特許請求の範囲の概念と範囲を逸脱しない限り、様々な修正及び変形ができるということを本発明の属する技術分野に従事する者等は容易に理解できる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネル上板の斜視図である。
【図２】本発明の一実施例によるＭｇＯ蒸着過程を示す概略的な図面である。
【図３】本発明の一実施例によるＭｇＯ保護膜の結晶面を示すＳＥＭ写真である。
【図４】一般的なプラズマディスプレイパネルの放電セルの分解斜視図である。
【符号の説明】
【００５２】
１３  基板
１７  電極
２１  誘電体層
２３  蒸着室の入口
２５  蒸着室の出口
２９  冷却装置
３１  電子銃
３３  シャッター
５７  ＭｇＯペレット
【図１】
2005129521.tif 000004
【図２】
2005129521.tif 000005
【図３】
2005129521.tif 000006
【図４】
2005129521.tif 000007