(57)【要約】【課題】  低抵抗導電材料を用いた放電電極を備えた構成において、発光特性を向上させ、ひいては高画質化を実現する。【解決手段】  開示されるＰＤＰ１０は、画像表示のために維持放電が行われる走査電極５の透明導電部５Ａと維持電極６の透明導電部６Ａとの近傍に配置される連結電極部７Ａ、７Ｂでは、遮光率を低減させるために比較的細線かつ小さな膜厚で、また各透明導電部５Ａ、６Ａから比較的離れた位置に配置される各低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂでは、配線抵抗の減少を図るために比較的大きな膜厚でそれぞれ低抵抗導電部が形成されている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とが対向配置されて両基板間に放電ガス空間が形成され、前記第１の基板の前記第２の基板と対向する面には第１の方向に沿って互いに平行に形成されて放電ギャップを介して対向する複数の走査電極と複数の維持電極とから成る第１の電極群が配置される一方、前記第２の基板の前記第１の基板と対向する面には前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って複数のデータ電極から成る第２の電極群が配置され、前記第１の電極群と前記第２の電極群との交点に放電セルが形成され、前記走査電極及び前記維持電極がともに透明導電部と金属を主成分とする薄膜又は厚膜から成る低抵抗導電部とにより構成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記低抵抗導電部は、前記放電セルにおいて少なくとも２つの膜厚の異なる領域を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
第１の基板と第２の基板とが対向配置されて両基板間に放電ガス空間が形成され、前記第１の基板の前記第２の基板と対向する面には第１の方向に沿って互いに平行に形成されて放電ギャップを介して対向する複数の走査電極と複数の維持電極とから成る第１の電極群が配置される一方、前記第２の基板の前記第１の基板と対向する面には前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って複数のデータ電極から成る第２の電極群が配置され、前記第１の電極群と前記第２の電極群との交点に放電セルが形成され、前記走査電極及び前記維持電極がともに金属を主成分とする薄膜又は厚膜から成る低抵抗導電部のみにより構成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記低抵抗導電部は、前記放電セルにおいて少なくとも２つの膜厚の異なる領域を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記透明導電部と前記低抵抗導電部とが、連結電極部により電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記連結電極部が金属を主成分とする薄膜又は厚膜から成り、該連結電極部の膜厚が前記低抵抗導電部のそれより小さいことを特徴とする請求項３記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記低抵抗導電部が、メッシュ状に形成された第１の低抵抗導電部と、該第１の低抵抗導電部に電気的に接続された第２の低抵抗導電部とにより構成されていることを特徴とする請求項２記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記メッシュ状の第１の低抵抗導電部が前記放電ギャップを介して対向するように配置されていることを特徴とする請求項５記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記メッシュ状の第１の低抵抗導電部の膜厚が、前記第２の低抵抗導電部のそれよりも小さいことを特徴とする請求項５又は６記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記第２の基板上に隔壁が形成され、該隔壁上に重なるように前記連結電極部が、あるいは前記第２の低抵抗導電部の一部又は全部が前記隔壁で区画された放電領域以外の領域に配置されていることを特徴とする請求項３乃至７のいずれか一に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記連結電極部の膜厚あるいは前記メッシュ状の第１の低抵抗導電部の膜厚が、略５μｍ以下であることを特徴とする請求項４乃至８のいずれか一に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記連結電極部の幅あるいは前記メッシュ状の第１の低抵抗導電部を構成する線の幅が、略２０μｍ以下であることを特徴とする請求項４乃至９のいずれか一に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記メッシュ状の第１の低抵抗導電部の膜厚が部分的に大きいことを特徴とする請求項５乃至８のいずれか一に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一に記載のプラズマディスプレイパネルと、該プラズマディスプレイパネルを制御する制御回路と、画像信号のフォマット変換を行い、前記制御回路にフォマット変換した画像信号を供給するインターフェース回路とを具備することを特徴とするプラズマ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel:以下、ＰＤＰとも称する）及びプラズマ表示装置に係り、詳しくは、放電を発生させる電極を低抵抗導電部により構成したＰＤＰ及びプラズマ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＰＤＰを主要部として含むプラズマ表示装置は、従来から広く用いられているＣＲＴ(Cathode Ray Tube:陰極線管)、あるいはＬＣＤ(Liquid Crystal Device:液晶表示装置)等の表示装置と比較して、ちらつきが少なく表示コントラスト比が大きいこと、薄型で大画面が可能であること、応答速度が速いこと等の多くの利点を有しているので、近年コンピュータのような情報処理機器、平面テレビジョン等の表示装置として利用されてる。
【０００３】
このプラズマ表示装置は、動作方式により、電極が誘電体層で被覆されて間接的に交流放電の状態で動作させるＡＣ型のものと、電極が放電空間に露出されて直流放電の状態で動作させるＤＣ型のものとに略大別されるが、特に前者は比較的簡単な構造で上述したような大画面が容易に実現できるので広く用いられている。そのようなＡＣ型プラズマ表示装置の主要部を構成するＰＤＰは、ともにガラス等の透明材料から成る前面基板と背面基板とが対向するように配置されて、両基板間にプラズマを発生させる放電ガス空間が形成される基本的な構成を有している。
【０００４】
また、ＡＣ型プラズマ表示装置の中でも、ＰＤＰの放電セル（以下、単にセルとも称する）を形成する上述したような一対の基板の内の一方の基板である前面基板の内面に、行方向に沿って互いに平行に複数の走査電極と維持電極（共通電極）とから成る行電極群が配置される一方、他方の基板である背面基板の内面に、上記行方向と交差する列方向に沿って複数のデータ電極（アドレス電極）から成る列電極群が配置された３電極面放電型の構成のものは、前面基板における面放電時に発生する高エネルギのイオンが背面基板の内面に形成されている蛍光体層を衝撃することがないので、長寿命化が図れるため最も広く採用されている。
【０００５】
上述の３電極面放電型のＡＣ型プラズマ表示装置（以下、プラズマ表示装置と称する）の主要部を構成しているＰＤＰは、前面基板の走査電極と背面基板のデータ電極との間で表示（発光）すべきセルを選択する書き込み放電を行い、続いて前面基板の走査電極と維持電極との間で選択したセルの面放電による維持放電（表示放電）を行うように構成されている。また、そのようなＰＤＰにおいて、背面基板の内面に赤色、緑色及び青色の各蛍光体層を配置するように構成して多色発光を可能にしたカラープラズマディスプレイ装置が提供されている。
【０００６】
図１９は、上述のプラズマ表示装置の主要部を構成する従来のＰＤＰ（第１の従来技術）の構成を示す斜視図、図２０は同ＰＤＰの前面基板の構成を示す平面図、図２１は図２０のＩ−Ｉ矢視断面図である。同ＰＤＰ１００は、図１９に示すように、前面基板（第１の基板）１０１と、背面基板（第２の基板）１０２とが対向するように配置されて、両基板１０１、１０２間に放電ガス空間１０３が形成される基本的な構成を有している。
ここで、前面基板１０１は、ガラス等の透明材料から成る第１の絶縁基板１０４と、第１の絶縁基板１０４の内面に行方向Ｈに沿って互いに平行に配置されて放電ギャップ１０７を介して対向する複数の走査電極１０５と維持電極１０６とから成る行電極群（第１の電極群）と、走査電極１０５及び維持電極１０６を被覆するＰｂＯ（酸化鉛）のような低融点ガラス等から成る透明誘電体層１０８と、透明誘電体層１０８を放電から保護するＭｇＯ（酸化マグネシウム）等から成る保護膜１０９とを備えている。ここで、行電極群を構成する走査電極１０５及び維持電極１０６は、図１９〜図２１に示すように、ともに透明導電部１０５Ａ、１０６Ａと、これら透明導電部１０５Ａ、１０６Ａの一部に抵抗を小さくするために形成された低抵抗導電部（バス電極あるいはトレース電極）１０５Ｂ、１０６Ｂとにより構成されている。
【０００７】
一方、背面基板１０２は、ガラス等の透明材料から成る第２の絶縁基板１１１と、第２の絶縁基板１１１の内面に列方向Ｖに沿って配置された複数のデータ電極（アドレス電極）１１２から成る列電極群（第２の電極群）と、データ電極１１２を覆う白色誘電体層１１３と、Ｈｅ（ヘリウム）、Ｎｅ（ネオン）、Ｘｅ（キセノン）等の放電用ガスが単独であるいは混合して充填されて上記放電ガス空間１０３を確保するとともに、個々の放電セルを区切る（区画する）ために列方向Ｖに沿って形成された低融点ガラス等から成る隔壁（リブ）１１４と、隔壁１１４の底面及び壁面を覆う位置に形成されて放電用ガスの放電により発生する紫外線を可視光に変換する赤色蛍光体層、緑色蛍光体層及び青色蛍光体層に塗り分けられた蛍光体層１１５とを備えている。そして、行電極群と列電極群との交点にそれぞれ放電セル１１０（以下、単にセルとも称する）が形成されて、行方向Ｈ及び列方向Ｖにマトリクス状に複数のセル１１０が形成されている。モノクロプラズマ表示装置の場合は１つのセルにより１つの画素が構成され、カラープラズマ表示装置の場合は３つのセル（赤色Ｒ、緑色Ｇ及び青色Ｂ発光セル）により１つの画素が構成されている。
【０００８】
また、前面基板の第１の電極群を構成している走査電極及び維持電極を、透明導電部を用いないで低抵抗導電部のみにより構成するようにしたＰＤＰ（第２の従来技術）が、例えば特許文献１及び非特許文献１に開示されている。図２２は同ＰＤＰの前面基板の構成を示す平面図、図２３は図２２のＪ−Ｊ矢視断面図である。同ＰＤＰ１２０は、図２２及び図２３に示すように、走査電極１０５及び維持電極１０６は、ともにメッシュ状に形成された低抵抗導電材料から成る低抵抗導電部１１６により構成されている。
【０００９】
ここで、図１９〜図２１に示した第１の従来技術であるＰＤＰ１００における走査電極１０５及び維持電極１０６の各透明導電部１０５Ａ、１０６Ａは、ともにＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、ＳｎＯ2（酸化錫）等の透明導電材料を用いて構成されている。一方、同走査電極１０５及び維持電極１０６の低抵抗導電部１０５Ｂ、１０６Ｂ、図２２及び図２３に示した第２の従来技術であるＰＤＰ１２０における走査電極１０５及び維持電極１０６の低抵抗導電部１１６は、ともにＡｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｃｒ（クロム）等の金属薄膜又は積層薄膜を低抵抗導電材料として用いて、あるいはＡｇ粒子等を含む感光性導電ペーストの厚膜を低抵抗導電材料として用いて構成されている。また、データ電極１１２も上述したような低抵抗導電材料と略同様なものを用いて構成されている。なお、背面基板１０２の構成は図１９から明らかなので、図２１及び図２３においては図示を省略している。
【００１０】
上述の走査電極１０５及び維持電極１０６の低抵抗導電部１０５Ｂ、１０６Ｂ、１１６を金属薄膜又は積層薄膜により構成する場合には、予め第１の絶縁基板１０４の内面に任意の低抵抗導電材料から成る金属薄膜又は積層薄膜を成膜した後レジストパターンを用いたエッチング法により、あるいはリフトオフ法により所望の形状にパターニングして形成する。一方、同低抵抗導電部１０５Ｂ、１０６Ｂ、１１６を感光性導電ペーストにより構成する場合には、予め第１の絶縁基板１０４の内面に感光性導電ペーストを塗布した後フォトリソグラフィー法により所望の形状にパターニングして形成する。これらいずれの方法によっても、従来のＰＤＰ１００、１２０における走査電極１０５及び維持電極１０６の各低抵抗導電部１０５Ｂ、１０６Ｂ、１１６の膜厚は全体にわたって略均一に形成されている。
【特許文献１】特開２００２−１５０９５１号公報
【非特許文献１】ＩＤＷ  ’０２ｐ７６５−７６８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、従来のＰＤＰでは、各電極群を構成する低抵抗導電部の膜厚が全体にわたって略均一に形成されているので、発光特性（発光効率）を低下させ、ひいては高画質化が困難になる、という問題がある。
上述したような従来のＰＤＰ１００、１２０における走査電極１０５及び維持電極１０６の各低抵抗導電部１０５Ｂ、１０６Ｂ、１１６は、放電電圧の増大を抑制するために可能な限り配線抵抗（電極抵抗）を小さくするとともに、発光特性を良好に保つためにセル内部からの発光を遮蔽しないような構造とすることが望ましい。ここで、配線抵抗を小さくするためには、できるだけ抵抗の小さい導電材料を用いるか、細線化したメッシュ状の低抵抗導電部１０５Ｂ、１０６Ｂ、１１６の行方向Ｈの幅を大きくし、かつ膜厚を大きくする必要がある。一方、セル内部からの発光を遮蔽しないようにするためには、不透明な低抵抗導電部１０５Ｂ、１０６Ｂ、１１６がセル発光領域に占める割合を可能な限り小さくなるように、配線面積（電極面積）を小さくする必要がある。
【００１２】
しかしながら、従来においては、前述したように走査電極１０５及び維持電極１０６の各低抵抗導電部１０５Ｂ、１０６Ｂ、１１６の膜厚が全体にわたって略均一に形成されているので、配線抵抗を十分に小さくするために膜厚を大きくすると、細線に加工するのが困難となって、遮光率が増大して輝度低下が生ずる。また、各低抵抗導電部１０５Ｂ、１０６Ｂ、１１６を覆う誘電体層１０８の膜厚が小さくなるので、放電による紫外光発生効率が低下し、結果的に発光特性が低下する。一方、細線化を容易にするために膜厚を小さくした場合には、配線抵抗の増大を回避するために配線幅を大きくする必要があるので、遮光率が増大することになる。
【００１３】
このように、走査電極１０５及び維持電極１０６の各低抵抗導電部１０５Ｂ、１０６Ｂ、１１６の膜厚が全体にわたって略均一に形成されていると、配線抵抗を十分に小さくするために膜厚を大きくすると遮光率が増大し、逆に遮光率の増大を防ぐために膜厚を小さくすると、配線抵抗が大きくなるという関係があり、配線抵抗の減少を図ることと、遮光率を低減させることとを両立させるのは不可能あるいは困難であった。したがって、ＰＤＰの発光特性を低下させ、ひいては高画質化が困難になっていた。
【００１４】
この発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、低抵抗導電材料を用いた放電電極を備えた構成において、発光特性を向上させ、ひいては高画質化を実現することができるようにしたＰＤＰ及びプラズマ表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、第１の基板と第２の基板とが対向配置されて両基板間に放電ガス空間が形成され、上記第１の基板の上記第２の基板と対向する面には第１の方向に沿って互いに平行に形成されて放電ギャップを介して対向する複数の走査電極と複数の維持電極とから成る第１の電極群が配置される一方、上記第２の基板の上記第１の基板と対向する面には上記第１の方向と交差する第２の方向に沿って複数のデータ電極から成る第２の電極群が配置され、上記第１の電極群と上記第２の電極群との交点に放電セルが形成され、上記走査電極及び上記維持電極がともに透明導電部と金属を主成分とする薄膜又は厚膜から成る低抵抗導電部とにより構成されてなるプラズマディスプレイパネルに係り、上記低抵抗導電部は、上記放電セルにおいて少なくとも２つの膜厚の異なる領域を有することを特徴としている。
【００１６】
また、請求項２記載の発明は、第１の基板と第２の基板とが対向配置されて両基板間に放電ガス空間が形成され、上記第１の基板の上記第２の基板と対向する面には第１の方向に沿って互いに平行に形成されて放電ギャップを介して対向する複数の走査電極と複数の維持電極とから成る第１の電極群が配置される一方、上記第２の基板の上記第１の基板と対向する面には上記第１の方向と交差する第２の方向に沿って複数のデータ電極から成る第２の電極群が配置され、上記第１の電極群と上記第２の電極群との交点に放電セルが形成され、上記走査電極及び上記維持電極がともに金属を主成分とする薄膜又は厚膜から成る低抵抗導電部のみにより構成されてなるプラズマディスプレイパネルに係り、上記低抵抗導電部は、上記放電セルにおいて少なくとも２つの膜厚の異なる領域を有することを特徴としている。
【００１７】
また、請求項３記載の発明は、請求項１記載のプラズマディスプレイパネルに係り、上記透明導電部と上記低抵抗導電部とが、連結電極部により電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１８】
また、請求項４記載の発明は、請求項３記載のプラズマディスプレイパネルに係り、上記連結電極部が金属を主成分とする薄膜又は厚膜から成り、該連結電極部の膜厚が上記低抵抗導電部のそれより小さいことを特徴としている。
【００１９】
また、請求項５記載の発明は、請求項２記載のプラズマディスプレイパネルに係り、上記低抵抗導電部が、メッシュ状に形成された第１の低抵抗導電部と、該第１の低抵抗導電部に電気的に接続された第２の低抵抗導電部とにより構成されていることを特徴としている。
【００２０】
また、請求項６記載の発明は、請求項５記載のプラズマディスプレイパネルに係り、上記メッシュ状の第１の低抵抗導電部が上記放電ギャップを介して対向するように配置されていることを特徴としている。
【００２１】
また、請求項７記載の発明は、請求項５又は６記載のプラズマディスプレイパネルに係り、上記メッシュ状の第１の低抵抗導電部の膜厚が、上記第２の低抵抗導電部のそれよりも小さいことを特徴としている。
【００２２】
また、請求項８記載の発明は、請求項３乃至７のいずれか一に記載のプラズマディスプレイパネルに係り、上記第２の基板上に隔壁が形成され、該隔壁上に重なるように上記連結電極部が、あるいは上記第２の低抵抗導電部の一部又は全部が前記隔壁で区画せれた放電領域以外の領域に配置されていることを特徴としている。
【００２３】
また、請求項９記載の発明は、請求項４乃至８のいずれか一に記載のプラズマディスプレイパネルに係り、上記連結電極部の膜厚あるいは上記メッシュ状の第１の低抵抗導電部の膜厚が、略５μｍ以下であることを特徴としている。
【００２４】
また、請求項１０記載の発明は、請求項４乃至９のいずれか一に記載のプラズマディスプレイパネルに係り、上記連結電極部の幅あるいは上記メッシュ状の第１の低抵抗導電部を構成する線の幅が、略２０μｍ以下であることを特徴としている。
【００２５】
また、請求項１１記載の発明は、請求項５乃至８のいずれか一に記載のプラズマディスプレイパネルに係り、上記メッシュ状の第１の低抵抗導電部の膜厚が部分的に大きいことを特徴としている。
【００２６】
また、請求項１２記載の発明は、プラズマ表示装置に係り、請求項１乃至１１のいずれか一に記載のプラズマディスプレイパネルと、該プラズマディスプレイパネルを制御する制御回路と、画像信号のフォマット変換を行い、上記制御回路にフォマット変換した画像信号を供給するインターフェース回路とを具備することを特徴としている。
【発明の効果】
【００２７】
この発明のプラズマディスプレイパネル及びプラズマ表示装置によれば、放電電極の配線抵抗の減少を図ることと、遮光率を低減させることとを両立させることができるので、ＰＤＰの発光特性を低下させ、ひいては高画質化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
画像表示のために維持放電が行われる走査電極の透明導電部と維持電極の透明導電部との近傍に配置される連結電極部では、遮光率を低減させるために比較的小さな膜厚で、また各透明導電部から比較的離れた位置に配置される各低抵抗導電部では、配線抵抗の減少を図るために比較的大きな膜厚でそれぞれ低抵抗導電部が形成されている。
【実施例１】
【００２９】
図１は、この発明の実施例１であるＰＤＰの構成を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図、図３は同ＰＤＰの製造方法を工程順に示す工程図である。
この例のＰＤＰ１０は、図１及び図２に示すように、前面基板（第１の基板）１と、背面基板（第２の基板）２とが対向するように配置されて、両基板１、２間に放電ガス空間３が形成される基本的な構成を有している。
ここで、前面基板１は、ガラス等の透明材料から成る第１の絶縁基板４と、第１の絶縁基板４の内面に行方向Ｈに沿って互いに平行に配置されて放電ギャップ８を介して対向する複数の走査電極５と維持電極６とから成る行電極群（第１の電極群）と、走査電極５及び維持電極６を被覆するＰｂＯを主成分とするような低融点ガラス、無機酸化物、窒化物薄膜等から成る透明誘電体層９と、透明誘電体層９を放電から保護するＭｇＯ等から成る保護膜１１とを備えている。
【００３０】
ここで、行電極群を構成する走査電極５及び維持電極６は、ともに行方向Ｈに沿って互いに平行に配置されて放電ギャップ８を介して対向する透明導電部５Ａ、６Ａと、行方向Ｈに沿って互いに平行に配置された低抵抗導電部（バス電極あるいはトレース電極）５Ｂ、６Ｂと、列方向Ｖに沿って配置されて透明導電部５Ａ、６Ａと低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂとをそれぞれ電気的に接続する連結電極部７Ａ、７Ｂとにより構成されている。各透明導電部５Ａ、６Ａは、ともに膜厚が１００〜２００μｍのＩＴＯ、ＳｎＯ2を主成分とするネサ膜等の透明導電材料を用いて構成されている。また、各低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂは、ともに膜厚及び線の幅が５〜２０μｍのＡｇ粒子等を含む感光性導電ペーストの厚膜を低抵抗導電材料として用いて構成されている。また、各連結電極部７Ａ、７Ｂは、ともに膜厚及び線の幅がともに１〜５μｍのＡｇ粒子等を含む感光性導電ペーストの厚膜を低抵抗導電材料として用いて構成されている。ここで、低抵抗導電材料により構成される低抵抗導電部とは、金属を主成分とする薄膜又は厚膜から成る低抵抗導電部と言い換えることができる。同様にして、低抵抗導電材料により構成される連結導電部とは、金属を主成分とする薄膜又は厚膜から成る連結導電部と言い換えることができる。
【００３１】
この例においては、ともに低抵抗導電材料により構成される低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂと連結電極部７Ａ、７Ｂとが、異なった膜厚で形成されている点が、従来例と相違している。すなわち、この例では、画像表示のために維持放電が行われる走査電極５の透明導電部５Ａと維持電極６の透明導電部６Ａとの近傍に配置される連結電極部７Ａ、７Ｂでは、遮光率を低減させるために比較的小さな膜厚で、また各透明導電部５Ａ、６Ａから比較的離れた位置に配置される各低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂでは、配線抵抗の減少を図るために比較的大きな膜厚でそれぞれ低抵抗導電部が形成されている。
【００３２】
次に、上述のように、低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂ（第２の導電部とする）と連結電極部７Ａ、７Ｂ（第１の導電部とする）とをそれぞれ膜厚を異ならせて形成する方法について説明する。
（１）第１の方法は、第１及び第２の導電部を別々に形成する方法である。例えば、まずＡｇ粒子等を含む感光性導電ペーストを比較的小さい膜厚で塗布、あるいは金属薄膜を成膜した後、フォトリソグラフィー法により所望の形状にパターニングして比較的小さい膜厚の第１の導電部を形成する。次に、Ａｇ粒子等を含む感光性導電ペーストを比較的大きい膜厚で塗布した後、フォトリソグラフィー法により所望の形状にパターニングして比較的大きい膜厚の第２の導電部を形成する。あるいは、第２の導電部を上述のようにして先に形成した後、第１の導電部を上述のように形成するようにしてもよい。
（２）第２の方法は、比較的大きい膜厚の第２の導電部を上述のようにして形成した後、インクジェット法や蒸着法により比較的小さい膜厚の第１の導電部を形成する。あるいは、第１の導電部を上述のようにして先に形成した後、第２の導電部を上述のように形成するようにしてもよい。
（３）第３の方法は、比較的大きい膜厚の第２の導電部となるべき部分のみＡｇ粒子等を含む感光性導電ペーストを比較的大きい膜厚で塗布した後、一括露光して第１の導電部と第２の導電部を形成する。第２の導電部となるべき部分のみＡｇ粒子等を含む感光性導電ペーストを比較的大きい膜厚で塗布する方法としては、まず全面に比較的小さい膜厚で感光性導電ペーストを塗布した後、比較的大きい膜厚の第２の導電部となるべき部分を含む領域に感光性導電ペーストをパターン印刷する等の方法を用いる。この際、黒白材料等で２層化する場合には、比較的小さい膜厚の第１の導電部となるべき部分を１層（黒材料）のみとすることもできる。膜厚の異なる感光性導電ペーストを露光現像する際に、細線化のための露光条件が異なる場合には、露光に利用する紫外線の透過率が異なるパターンのマスク（ハーフトーンマスク）を用いて、それぞれの厚みの領域で最適の露光量とすることもできる。厚い膜厚では露光量を十分大きくしなければパターン化ができないが、薄い膜厚では露光量を大きくするとパターンが太くなってしまう。この点で、ハーフトーンマスクを用いることにより、１枚のマスクを用いた１回の露光で、第２の導電部である低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂと第１の導電部である連結電極部７Ａ、７Ｂとを、ともに適正な露光量で露光して形成することが可能となる。
【００３３】
一方、背面基板２は、ガラス等の透明材料から成る第２の絶縁基板１２と、第２の絶縁基板１２の内面に列方向Ｖに沿って配置された複数のデータ電極（アドレス電極）１３から成る列電極群（第２の電極群）と、データ電極１３を覆う白色誘電体層１４と、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ等の放電用ガスが単独であるいは混合して充填されて上記放電ガス空間３を確保するとともに、個々の放電セルを区切るために列方向Ｖに沿って形成された低融点ガラス等から成るストライプ状の隔壁（リブ）１５と、隔壁１５の底面及び壁面を覆う位置に形成されて放電用ガスの放電により発生する紫外線を可視光に変換する赤色蛍光体層、緑色蛍光体層及び青色蛍光体層に塗り分けられた蛍光体層１６とを備えている。そして、行電極群と列電極群との交点にそれぞれ放電セル１７が形成されて、行方向Ｈ及び列方向Ｖにマトリクス状に複数のセル１７が形成されている。
【００３４】
この例のＰＤＰ１０の製造方法は、図３に示したような製造工程によって製造される。
まず、工程ａにおいて第１の絶縁基板４としての前面ガラス基板を用意し、次に工程ｂにおいて基板４の内面にスパッタ法等によりＩＴＯ等を成膜した後フォトリソグラフィ法により所望の形状にパターニングして各透明導電部５Ａ、６Ａを形成し、次に工程ｃにおいてＡｇ粒子等を含む感光性導電ペーストをスクリーン印刷法等で塗布、あるいはスパッタ法等によりＡｌ等を成膜した後所望の形状にパターニングし、各低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂ及び各連結電極部７Ａ、７Ｂを形成して走査電極５及び維持電極６を完成させる。次に工程ｄにおいて走査電極５及び維持電極６を覆うようにスクリーン印刷法等によりＰｂＯを主成分とするような低融点ガラス、無機酸化物、窒化物薄膜等の透明誘電体層９を形成し、次に工程ｅにおいてＭｇＯ膜から成る保護膜１１を形成して前面基板１を完成させる。
【００３５】
一方、工程ｆにおいて第２の絶縁基板１２としての背面ガラス基板を用意し、次に工程ｇにおいて基板１２の内面にスパッタ法等によりＡｌ等を成膜した後フォトリソグラフィ法により所望の形状にパターニングしてデータ電極１３を形成し、次に工程ｈにおいてデータ電極１３を覆うようにスクリーン印刷法等により白色誘電体層１４を形成する。次に工程ｉにおいてデータ電極１３上にスクリーン印刷法等により隔壁１５を形成し、次に工程ｊにおいて白色誘電体層１４及び隔壁１５を覆うように蛍光体層１６を形成し、次に工程ｋにおいてスクリーン印刷法等によりシールフリット（図１及び図２には図示していない）を形成して背面基板面２を完成させる。
【００３６】
次に工程ｌにおいて、前面基板１及び背面基板２を用いて、１００μｍ程度のギャップを隔てて対向した状態で固定して組み立てる。次に工程ｍにおいて、両基板１、２の周辺部をシールフリット（封着材）により機密封止する。次に工程ｎにおいて、両基板１、２間の空間を排気してガス封入を行う。背面基板２を構成している第２の絶縁基板１２には適当な個所に通気孔が形成されており、この絶縁基板１２の外側表面には、図１及び図２では省略しているが、通気孔に位置合わせした状態で、通気管が密封状態の下で取り付けられている。背面基板１に取り付けられている端部とは反対側の通気管の端部は、当初の状態においては開口されており、この端部を介して通気管が排気・ガス充填装置に接続される。
【００３７】
まず、排気・ガス充填装置によって、放電ガス空間が真空に排気された後、放電ガス空間に放電ガスが充填される。放電ガスの充填が終了した後、通気管は過熱によりチップオンされ、開口端部が閉塞される。このようにして、放電ガス空間には放電ガスが充填され、ＰＤＰ１０が完成する。
【００３８】
この例のように、ともに低抵抗導電材料により構成される低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂと連結電極部７Ａ、７Ｂとが異なった膜厚で形成されているＰＤＰ１０と、低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂと連結電極部７Ａ、７Ｂとが略同一膜厚で形成されているＰＤＰ（比較例）との発光特性を比較した。この結果、この例によれば発光領域の各透明導電部５Ａ、６Ａの近傍に形成されている連結電極部７Ａ、７Ｂの膜厚が、各透明導電部５Ａ、６Ａから離れた位置に形成されている低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂのそれよりも小さく形成されていることにより、遮光率を低減させることができるので、発光特性を向上できることを確認した。また、この例によれば、連結電極部７Ａ、７Ｂ上の透明誘電体層９の膜厚を透明導電部５Ａ、５Ｂ上のそれの膜厚と略同一にできるので、放電電流が連結電極部７Ａ、７Ｂで大きくなることによる発光特性の低下を抑制できることを確認した。この効果は、特に透明誘電体層９を薄膜化したときに顕著になる。ここで、放電セルの発光領域とは、隔壁１５で区切られた放電領域を示しているのではない。
【００３９】
また、この例によれば、各連結電極部７Ａ、７Ｂの幅を略２０μｍ以下、望ましくは略１０μｍ以下にすると、セルの発光領域の遮光率を十分に低減させることができることを確認した。また、各連結電極部７Ａ、７Ｂの膜厚を１〜５μｍに選ぶと、配線抵抗の減少を図ることと、遮光率を低減させることとを両立させることができることを確認した。すなわち、各連結電極部７Ａ、７Ｂは一般に遮光に影響を及ぼさないように背面基板２の隔壁１５と重ねて配置されるが、このように重ねない場合は遮光率が上がって、輝度の低下につながる。一般に、セル開口部分の遮光率を３０％以下に低減するために、各連結電極部７Ａ、７Ｂの幅は上述のように２０μｍ以下、望ましくは１０μｍ以下に形成する。幅の下限は連結が切れない程度の膜厚に選ばれる。
【００４０】
このように、この例のＰＤＰ１０によれば、走査電極５の透明導電部５Ａと維持電極６の透明導電部６Ａとの近傍に配置される連結電極部７Ａ、７Ｂでは、遮光率を低減させるために比較的小さな膜厚（例えば１〜５μｍ）で、また各透明導電部５Ａ、６Ａから比較的離れた位置に配置される各低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂでは、配線抵抗の減少を図るために比較的大きな膜厚（例えば５〜２０μｍ）でそれぞれ低抵抗導電部が形成されているので、配線抵抗の減少を図ることと、遮光率を低減させることとを両立させることができる。
したがって、低抵抗導電材料を用いた放電電極を備えた構成において、発光特性を向上させ、ひいては高画質化を実現することができる。
【００４１】
実施例１の変形例として、各低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂを、ともに例えば酸化ルテニウムから成る膜厚が１〜５μｍの黒色導電体層と、例えばＡｇを主成分とする膜厚が５〜１５μｍの低抵抗導電体層とを積層して構成した。ここで、黒色導電体層は、第１の絶縁基板４側に形成され、表示面から見て反射率を抑制する効果がある。また、各連結電極部７Ａ、７Ｂは、黒色導電体層のみで構成されている。上述した酸化ルテニウムのような黒色導電体層は膜厚を薄く形成することができるので、各連結電極部７Ａ、７Ｂを細線化することが可能となり、各低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂは、ともに低抵抗導電材料を積層して構成されているので、配線抵抗を十分に小さくすることができる。ここで、黒色導電体層の代わりに、Ａｇ粒子により薄層で、高精細パターンに対応した導電体層を用いるようにしてもよい。また、薄い黒色導電体層と薄膜細線化が可能な積層膜を用いてもよい。
【００４２】
このように、実施例１の変形例によっても、実施例１と略同様な効果を得ることができる。
【実施例２】
【００４３】
図４は、この発明の実施例２であるＰＤＰの構成を示す平面図、図５は図４のＢ−Ｂ矢視断面図である。この実施例２のＰＤＰの構成が、上述の実施例１のそれと大きく異なるところは、隔壁を井型状に形成するようにした点である。
すなわち、この例のＰＤＰ１８は、図４に示すように、第２の絶縁基板１２上に配置されて、放電ガス空間３を確保するとともに、個々の放電セル１７を区切るため隔壁１９は井型状に形成されている。
これ以外は、上述した実施例１と略同様である。それゆえ、図４及び図５において、図１及び図２の構成部分と対応する各部には、同一の番号を付してその説明を省略する。また、背面基板２の図示も省略している。
【００４４】
この例のように、第２の絶縁基板１２上に井型状の隔壁１９を形成することにより、隣接するセル間において互いに隣のセルの放電の影響を避けることができるので、誤放電を確実に防止することができる。
【００４５】
このように、この例の構成によっても実施例１と略同様な効果を得ることができる。
加えて、この例の構成によれば、隣接するセル間において誤放電を確実に防止することができる。
【実施例３】
【００４６】
図６は、この発明の実施例３であるＰＤＰの構成を示す平面図、図７は図６のＣ−Ｃ矢視断面図である。この実施例３のＰＤＰの構成が、上述の実施例２のそれと大きく異なるところは、井型状の隔壁を用いた構成において、各連結電極部を隔壁上に重ねるように配置した点である。
すなわち、この例のＰＤＰ２８は、図６に示すように、第２の絶縁基板１２上に形成された井型状の隔壁１９上に重なるように各連結電極部７Ａ、７Ｂが配置されている。
【００４７】
この例のように、井型状の隔壁１９上に重なるように各連結電極部７Ａ、７Ｂを配置することにより、発生した放電は各透明導電部５Ａ、６Ａの位置に局在するようになるので、放電を放電セル１７の中央部のみに発生させることができる。この例においても、各連結電極部７Ａ、７Ｂの膜厚を薄く形成することにより細線化することで、隔壁１９から各連結電極部７Ａ、７Ｂがはみ出すことによる遮光率を抑制することができる。このことは、位置合わせ精度に余裕を持たせられるという効果を得ることがもできる。
【００４８】
このように、この例の構成によっても実施例２と略同様な効果を得ることができる。
加えて、この例の構成によれば、放電を放電セルの中央部のみに発生させることができる。
【実施例４】
【００４９】
図８は、この発明の実施例４であるＰＤＰの構成を示す平面図、図９は図８のＤ−Ｄ矢視断面図である。この実施例４のＰＤＰの構成が、上述の実施例１のそれと大きく異なるところは、前面基板の第１の電極群を構成している走査電極及び維持電極を、透明導電部を用いないで低抵抗導電部のみで構成するようにした点である。
すなわち、この例のＰＤＰ２９は、図８及び図９に示すように、走査電極５及び維持電極６は、ともにメッシュ状に形成された低抵抗導電材料により構成される低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂと連結電極部７Ａ、７Ｂとが異なった膜厚で形成されている。ここで、各低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂは、ともに膜厚及び幅がともに１〜５μｍのＡｇ粒子等を含む感光性導電ペーストの厚膜を低抵抗導電材料として用いて構成されている。また、各連結電極部７Ａ、７Ｂは、ともに膜厚及び幅が５〜２０μｍのＡｇ粒子等を含む感光性導電ペーストの厚膜を低抵抗導電材料として用いて構成されている。
【００５０】
この例のように、ともに低抵抗導電材料により構成される低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂと連結電極部７Ａ、７Ｂとが異なった膜厚で形成されているＰＤＰ２９と、低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂと連結電極部７Ａ、７Ｂとが略同一膜厚で形成されているＰＤＰ（比較例）との発光特性を比較した。この結果、この例によれば表示領域（発光領域）の中心部に形成されている低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂの膜厚が、発光領域の中心部から離れた位置に形成されている連結電極部７Ａ、７Ｂのそれよりも小さく形成されていることにより、遮光率を低減させることができるので、発光特性を向上できることを確認した。また、この例によれば、低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂ上の透明誘電体層９の膜厚を透明導電部５Ａ、５Ｂを用いた場合のそれらの上のそれの膜厚と略同一にできるので、放電電流が低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂで大きくなることによる発光特性の低下を抑制できることを確認した。この効果は、特に透明誘電体層９を薄膜化したときに顕著になる。
【００５１】
また、この例によれば、各低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂの幅を略２０μｍ以下、望ましくは略１０μｍ以下にすると、セルの発光領域の遮光率を十分に低減させることができることを確認した。また、各低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂの膜厚を１〜５μｍに選ぶと、配線抵抗の減少を図ることと、遮光率を低減させることとを両立させることができることを確認した。ここで、低抵抗導電部５Ｂの内、列方向Ｖに沿って配置されている低抵抗導電部をショートバーの役目を担わせるようにランダムに配置すると効果的となる。
【００５２】
このように、この例のＰＤＰ２９によっても、配線抵抗の減少を図ることと、遮光率を低減させることとを両立させることができる。
したがって、低抵抗導電材料を用いた放電電極を備えた構成において、発光特性を向上させ、ひいては高画質化を実現することができる。
【実施例５】
【００５３】
図１０は、この発明の実施例５であるＰＤＰの構成を示す平面図、図１１は図１０のＥ−Ｅ矢視断面図である。この実施例５のＰＤＰの構成が、上述の実施例４のそれと大きく異なるところは、隔壁を井型状に形成するようにした点である。
すなわち、この例のＰＤＰ４３は、図１０に示すように、第２の絶縁基板１２上に配置されて、放電ガス空間３を確保するとともに、個々の放電セル１７を区切るため隔壁１９は井型状に形成されている。
これ以外は、上述した実施例４と略同様である。それゆえ、図１０及び図１１において、図８及び図９の構成部分と対応する各部には、同一の番号を付してその説明を省略する。
【００５４】
この例のように、第２の絶縁基板１２上に井型状の隔壁１９を形成することにより、隣接するセル間において互いに隣のセルの放電の影響を避けることができるので、誤放電を確実に防止することができる。
【００５５】
このように、この例の構成によっても実施例４と略同様な効果を得ることができる。
加えて、この例の構成によれば、隣接するセル間において誤放電を確実に防止することができる。
【実施例６】
【００５６】
図１２は、この発明の実施例６であるＰＤＰの構成を示す平面図、図１３は図１２のＦ−Ｆ矢視断面図である。この実施例６のＰＤＰの構成が、上述の実施例５のそれと大きく異なるところは、低抵抗導電部の膜厚を部分的に変えるようにした点である。
すなわち、この例のＰＤＰ４４は、図１２に示すように、低抵抗導電部は中心部に配置された第１の低抵抗導電部５Ｂ１、６Ｂ１の膜厚が、中心部の外側に配置された第２の低抵抗導電部５Ｂ２、６Ｂ２のそれよりも厚く形成されている。
このように構成することにより、厚い第１の低抵抗導電部５Ｂ１、６Ｂ１上に形成する透明誘電体層９を薄くすることができるので、放電空間に強い電場が生じると共に壁電荷をこれらの部分に多量に形成することができ、面放電の発生が容易となる。したがって、走査電極５と維持放電６との間に発生させる放電電圧を低くすることができる。
【００５７】
このように、この例の構成によっても実施例５と略同様な効果を得ることができる。
加えて、この例の構成によれば、走査電極と維持放電との間に発生させる放電電圧を低くすることができる。
【実施例７】
【００５８】
図１４は、この発明の実施例７であるＰＤＰの構成を示す平面図、図１５は図１４のＧ−Ｇ矢視断面図である。この実施例７のＰＤＰの構成が、上述の実施例５のそれと大きく異なるところは、低抵抗導電部の膜厚を部分的に変えるようにした点である。
すなわち、この例のＰＤＰ４５は、図１４に示すように、低抵抗導電部は中心部に配置された第１の低抵抗導電部５Ｂ１、６Ｂ１の膜厚よりも、中心部の外側に配置された第２の低抵抗導電部５Ｂ２、６Ｂ２のそれの方が厚く形成されている。このように構成することにより、厚い第２の低抵抗導電部５Ｂ２、６Ｂ２上に形成する透明誘電体層９を薄くすることができるので、壁電荷をこれらの部分に多量に形成することができ、第２の低抵抗導電部５Ｂ２、６Ｂ２において対向放電を起こり易くすることができる。すなわち、走査電極５と維持放電６との間に発生した放電が終了した時点で、第２の低抵抗導電部５Ｂ２、６Ｂ２上の保護膜１１上に残留するこの領域の電荷量を、他の領域に比べて大きくすることが可能になり、駆動特性ひいては発光特性を向上させる上で最適な電荷分布を得ることが可能となる。
【００５９】
このように、この例の構成によっても実施例５と略同様な効果を得ることができる。
加えて、この例の構成によれば、発光特性を向上させる上で最適な電荷分布を得ることが可能となる。
【実施例８】
【００６０】
図１６は、この発明の実施例８であるＰＤＰの構成を示す平面図、図１７は図１６のＨ−Ｈ矢視断面図である。この実施例８のＰＤＰの構成が、上述の実施例５のそれと大きく異なるところは、井型状の隔壁を用いた構成において、列方向に沿った各低抵抗導電部を隔壁上に重ねるように配置した点である。
すなわち、この例のＰＤＰ４６は、図１６に示すように、第２の絶縁基板１２上に形成された井型状の隔壁１９上に重なるように列方向Ｖに沿った各低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂが配置されている。
【００６１】
この例のように、井型状の隔壁１９上に重なるように列方向Ｖに沿った各低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂを表示放電が発生する領域外に配置することにより、発生した放電は対向する各低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂの位置に局在するようになるので、放電を放電セル１７の中央部のみに発生させることができる。この例においても、列方向Ｖに沿った各低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂの膜厚を薄く形成することにより細線化することで、隔壁１９から列方向Ｖに沿った各低抵抗導電部５Ｂ、６Ｂがはみ出すことによる遮光率を抑制することができる。このことは、位置合わせ精度に余裕を持たせられるという効果を得ることがもできる。また、この例によれば、放電領域以外の領域と隔壁で区画された領域とが必ずしも一致しないワッフル型等にも適用できるので、効果的となる。
【００６２】
このように、この例の構成によっても実施例３と略同様な効果を得ることができる。
加えて、この例の構成によれば、放電を放電セル１７の中央部のみに発生させることができる。
【実施例９】
【００６３】
図１８はこの発明の実施例９であるプラズマ表示装置の構成を示すブロック図である。この例のプラズマ表示装置の製造方法は、実施例１〜実施例８によるＰＤＰを用いて構成した点に特徴を有している。
この例のプラズマ表示装置６０は、図１８に示すように、モジュール構造を有するものとして設計されており、具体的には、アナログインターフェース（以下、ＩＦ）２０とＰＤＰモジュール３０とにより構成されている。
【００６４】
アナログＩＦ２０は、図１８に示すように、クロマ・デコータを備えるＹ／Ｃ分離回路２１と、Ａ／Ｄ変換回路２２と、ＰＬＬ回路を備える同期信号制御回路２３と、画像フォーマット変換回路２４と、逆γ（ガンマ）変換回路２５と、システム・コントロール回路２６と、ＰＬＥ制御回路２７とから構成されている。
【００６５】
概略的には、アナログＩＦ２０は、受信したアナログ映像信号をディジタル映像信号に変換した後、そのディジタル映像信号をＰＤＰモジュール３０に供給する。例えばテレビチューナーから発信されたアナログ映像信号はＹ／Ｃ分離回路２１においてＲＧＢの各色の輝度信号に分解された後、Ａ／Ｄ変換回路２２においてディジタル信号に変換される。その後、ＰＤＰモジュール３０の画素構成と映像信号の画素構成が異なる場合には、画像フォーマット変換回路２４において必要な画像フォーマットの変換が行われる。ＰＤＰの入力信号に対する表示輝度の特性は線形的に比例するが、通常の映像信号はＣＲＴの特性に合わせて、予め補正（γ変換）されている。このため、Ａ／Ｄ変換回路２２において映像信号のＡ／Ｄ変換を行った後、逆γ変換回路２５において、映像信号に対して逆γ変換を施し、線形特性に復元されたディジタル映像信号を生成する。このディジタル映像信号はＲＧＢ映像信号としてＰＤＰモジュール３０に出力される。
【００６６】
アナログ映像信号には、Ａ／Ｄ変換用のサンプリングクロック及びデータクロック信号が含まれていないため、同期信号制御回路２３に内蔵されているＰＬＬ回路が、アナログ映像信号と同時に供給される水平同期信号を基準として、サンプリングクロック及びデータクロック信号を生成し、ＰＤＰモジュール３０に出力する。アナログＩＦ２０のＰＬＥ制御回路２７は輝度制御を行う。具体的には、平均輝度レベルが所定値以下である場合には表示輝度を上昇させ、平均輝度レベルが所定値を越える場合には表示輝度を低下させる。
【００６７】
システム・コントロール回路２６は、各種制御信号をＰＤＰモジュール３０に対して出力する。ＰＤＰモジュール３０は、さらに、ディジタル信号処理・制御回路３１と、パネル部３２と、ＤＣ／ＤＣコンバータを内蔵するモジュール内電源回路３３と、から構成されている。ディジタル信号処理・制御回路３１は、入力ＩＦ信号処理回路３４と、フレームメモリ３５と、メモリ制御回路３６と、ドライバ制御回路３７とから構成されている。
【００６８】
例えば、入力ＩＦ信号処理回路３４に入力された映像信号の平均輝度レベルは入力ＩＦ信号処理回路３４内の入力信号平均輝度レベル演算回路（図示せず）により計算され、例えば、５ビットデータとして出力される。また、ＰＬＥ制御回路２７は、平均輝度レベルに応じてＰＬＥ制御データを設定し、入力ＩＦ信号処理回路３４内の輝度レベル制御回路（図示せず）に入力する。
【００６９】
ディジタル信号処理・制御回路３１は、入力ＩＦ信号処理回路３４において、これらの各種信号を処理した後、制御回路をパネル部３２に送信する。同時に、メモリ制御回路３６及びドライバ制御回路３７はメモリ制御信号及びドライバ制御信号をパネル部３２に送信する。
【００７０】
パネル部３２は、実施例１〜実施例８に相当したＰＤＰ７０と、走査電極を駆動する走査ドライバ３８と、データ電極を駆動するデータドライバ３９と、ＰＤＰ７０及び走査ドライバ３８にパルス電圧を供給する高圧パルス回路４０と、高圧パルス回路４０からの余剰電力を回収する電力回収回路４１とから構成されている。
【００７１】
ＰＤＰ７０は、例えば１３６５個×７６８個に配列された画素を有するものとして構成されている。ＰＤＰ７０においては、走査ドライバ３８が走査電極を制御し、データドライバ３９がデータ電極を制御することにより、これらの画素のうちの所定の画素の点灯又は非点灯が制御され、所望の表示が行われる。
なお、ロジック用電源がディジタル信号処理・制御回路３１及びパネル部３２にロジック用電力を供給している。さらに、モジュール内電源回路３３は、表示用電源から直流電力を供給され、この直流電力の電圧を所定の電圧に変換した後、パネル部３２に供給している。
【００７２】
以下、この例のプラズマ表示装置６０の製造方法を概略的に説明する。
まず、実施例１〜実施例８に相当したＰＤＰ７０と、走査ドライバ３８と、データドライバ３９と、高圧パルス回路４０と、電力回収回路４１とを一基板上に配置し、パネル部３２を形成する。さらに、パネル部３２とは別個にディジタル信号処理・ディジタル回路３１を形成する。
【００７３】
このようにして形成されたパネル部３２及びディジタル信号処理・制御回路３１とモジュール内電源回路３３とを一つのモジュールとして組み立て、ＰＤＰモジュール３０を形成する。さらに、ＰＤＰモジュール３０とは別個にアナログＩＦ２０を形成する。
このように、ＰＤＰモジュール３０をアナログＩＦ２０とをそれぞれ別個に形成した後、双方を電気的に接続することにより、図１８に示したプラズマ表示装置６０が完成する。
【００７４】
このように、プラズマ表示装置６０をモジュール化することにより、プラズマ表示装置を構成する他の構成部品とは別個に独立にプラズマ表示装置６０を製造することが可能となり、例えば、プラズマ表示装置６０が故障した場合には、ＰＤＰモジュール３０毎交換することにより、補修の簡素化及び短時間化を図ることができる。
【００７５】
このように、この例のプラズマ表示装置によれば、プラズマ表示装置６０をモジュール化することにより、故障したような場合に、ＰＤＰモジュール３０毎交換することができ、補修の簡素化及び短時間化を図ることができる。
【００７６】
以上、この発明の実施例を図面により詳述してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれる。例えば、この発明のＰＤＰの放電電極を構成する低抵抗導電部の形成手段及び低抵抗導電材料は実施例に示した例に限らず、その他の形成手段及び低抵抗導電材料を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】この発明の実施例１であるＰＤＰの構成を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】同ＰＤＰの製造方法を工程順に示す工程図である。
【図４】この発明の実施例２であるＰＤＰの構成を示す平面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図６】この発明の実施例３であるＰＤＰの構成を示す平面図である。
【図７】図６のＣ−Ｃ矢視断面図である。
【図８】この発明の実施例４であるＰＤＰの構成を示す平面図である。
【図９】図８のＤ−Ｄ矢視断面図である。
【図１０】この発明の実施例５であるＰＤＰの構成を示す平面図である。
【図１１】図１０のＥ−Ｅ矢視断面図である。
【図１２】この発明の実施例６であるＰＤＰの構成を示す平面図である。
【図１３】図１２のＦ−Ｆ矢視断面図である。
【図１４】この発明の実施例７であるＰＤＰの構成を示す平面図である。
【図１５】図１４のＧ−Ｇ矢視断面図である。
【図１６】この発明の実施例８であるＰＤＰの構成を示す平面図である。
【図１７】図１６のＨ−Ｈ矢視断面図である。
【図１８】この発明の実施例９であるプラズマ表示装置の構成を示すブロック図である。
【図１９】従来のＰＤＰ（第１の従来技術）の構成を示す斜視図である。
【図２０】同ＰＤＰの前面基板の構成を示す平面図である。
【図２１】図２０のＩ−Ｉ矢視断面図である。
【図２２】従来のＰＤＰ（第２の従来技術）の構成を示す斜視図である。
【図２３】図２２のＪ−Ｊ矢視断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１    前面基板（第１の基板）
２    背面基板（第２の基板）
３    放電ガス空間
４    第１の絶縁基板
５    走査電極
５Ａ、６Ａ    透明導電部
６    維持電極（共通電極）
５Ｂ、６Ｂ    低抵抗導電部（バス電極あるいはトレース電極）
５Ｂ１、６Ｂ１    第１の低抵抗導電部
５Ｂ２、６Ｂ２    第２の低抵抗導電部
７Ａ、７Ｂ    連結電極部
８    放電ギャップ
９    透明誘電体層
１０、１８、２８、２９、４３、４４、４５、４６、７０    ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）
１１    保護膜
１２    第２の絶縁基板
１３    データ電極（アドレス電極）
１４    白色誘電体層
１５    ストライプ状の隔壁（リブ）
１６    蛍光体層
１７    放電セル
１９    井型状の隔壁
２０    アナログインタフェース（ＩＦ）
３０    ＰＤＰモジュール
３１    ディジタル信号処理・制御回路
３２    パネル部
４２    低抵抗導電部
６０    プラズマ表示装置
【図１】
2005129502.tif 000003
【図２】
2005129502.tif 000004
【図３】
2005129502.tif 000005
【図４】
2005129502.tif 000006
【図５】
2005129502.tif 000007
【図６】
2005129502.tif 000008
【図７】
2005129502.tif 000009
【図８】
2005129502.tif 000010
【図９】
2005129502.tif 000011
【図１０】
2005129502.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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