(57)【要約】【課題】高周波電気信号に反射等を起こして伝送特性が大きく劣化する。【解決手段】基体１、グランド配線導体２ｂ、第１配線導体２ａ、グランド用パッド３ｂ、入出力用パッド３ａ、第２配線導体４、コネクター５を具備するパッケージ７に高周波の電気信号を送受信する半導体素子６を固定するとともに半導体素子６の接地電極および入出力電極をグランド配線導体２ｂ、第１配線導体２ａ、第２配線導体４にボンディングワイヤ８ａ、８ｂを介し電気的に接続して成り、搭載部１ａの表面にグランド層９を形成するとともに該グランド層９のうち第２配線導体４と対向する領域の一部に、前記ボンディングワイヤ８ｂとの距離を０．２ｍｍ以下とする延出部９ａを形成した。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が搭載される搭載部を有する基体と、該基体の前記搭載部近傍より下面にかけて導出されている複数個のグランド配線導体および第１配線導体と、前記基体の下面に形成され、前記グランド配線導体および第１配線導体に電気的に接続している複数個のグランド用パッドおよび入出力用パッドと、前記基体の搭載部より上面もしくは側面にかけて導出されている第２配線導体と、前記第２配線導体に電気的に接続されているコネクターとを具備する半導体素子収納用パッケージと、４０ＧＨｚ乃至８０ＧＨｚの電気信号を送受信する半導体素子とで構成され、前記半導体素子収納用パッケージの搭載部に半導体素子を搭載固定するとともに該半導体素子の接地電極および入出力電極をグランド配線導体、第１配線導体、第２配線導体の端部にボンディングワイヤを介し電気的に接続して成る半導体装置であって、
前記搭載部の表面にグランド層が形成されており、該グランド層のうち前記第２配線導体と対向する領域の一部に、前記ボンディングワイヤとの距離を０．２ｍｍ以下とする延出部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高周波の電気信号を送受信する半導体素子を半導体素子収納用パッケージ内に気密に収容して成る半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光通信や無線通信等の機器には多数の半導体装置が使用されており、かかる半導体装置は一般に、高周波の電気信号を送受信する半導体素子を半導体素子収納用パッケージ内に気密に収容することによって形成されている。
【０００３】
前記半導体素子収納用パッケージは、通常、図３に示すように、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミックス等の電気絶縁材料から成り、上面に半導体素子の搭載部２１ａが形成された基体２１と、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀等の金属材料から成り、基体２１の半導体素子搭載部２１ａから下面にかけて被着導出された複数の入出力用配線導体（第１配線導体）２２ａおよびグランド配線導体２２ｂと、この配線導体２２ａ、２２ｂと電気的に接続するようにして基体２１の下面に形成された複数個のグランド用パッド２３ｂおよび入出力用パッド２３ａと、基体２１の搭載部２１ａより上面もしくは側面にかけて導出されている出入力用配線導体（第２配線導体）２４と、この出入力用配線導体（第２配線導体）２４に一端が接続されるとともに他端が外部に導出されているコネクター２５とにより構成されている。
【０００４】
そして、かかる半導体素子収納用パッケージ２７には、その搭載部２１ａに電気信号を送受信する半導体素子２６がＡｕ−Ｓｎろう材あるいは半田等の接合材を介して接着固定されるとともに、半導体素子２６の入出力電極および接地電極が入出力用配線導体（第１配線導体）２２ａ、グランド配線導体２２ｂおよび出入力用配線導体（第２配線導体）２４にボンディングワイヤ２８を介して接続され、その後、必要に応じて蓋体３０等で半導体素子２６を封止することによって半導体装置となる。
【０００５】
また前記半導体装置は基体２１の下面に形成されているグランド用パッド２３ｂおよび入出力用パッド２３ａを外部電気回路基板の回路導体（図示せず）に半田バンプ等を介し接続させることによって内部に収容する半導体素子２６が外部電気回路に接続され、同時にコネクター２５に同軸ケーブル等を介し外部の通信装置等の外部機器（図示せず）を接続させることによって半導体素子２６と外部機器とが接続するようになっている。
【０００６】
なお、前記半導体装置に使用されている半導体素子２６は複数の電気信号を合成して一つの電気信号に変換する、或いは一つの電気信号を分離して複数の電気信号に変換する機能を有しており、外部電気回路から第１配線導体２２ａを介して入力される複数の周波数帯域が低い電気信号は半導体素子２６で合成されて一つの周波数帯域が高い電気信号となり、この周波数帯域の高い電気信号は第２配線導体２４を介してコネクター２５に伝送されるとともにコネクター２５より外部の通信装置等の外部機器に伝送され、またコネクター２５を介して外部機器より伝送された周波数帯域の高い電気信号は半導体素子２６で複数の周波数帯域が低い電気信号に変換され、各々の周波数帯域の低い電気信号は第１配線導体２２ａを介して外部電気回路に伝送されることとなる。
【０００７】
この場合、周波数帯域の高い電気信号が伝送される第２配線導体２４や、第２配線導体２４と接続したボンディングワイヤ２８等は、基体２１内部から搭載部２１ａ表面にかけて形成され前記グランド配線導体２２ｂと接続する広面積のグランド層２９や、グランド配線導体２２ｂと接続したボンディングワイヤ２８との間で一定の静電容量成分が生じるため、この静電容量成分の大きさに応じてインピーダンスが減少している。
【０００８】
また前記半導体装置において、半導体素子２６の入出力電極および接地電極と入出力用配線導体（第１配線導体）２２ａや出入力用配線導体（第２配線導体）２４等とを接続するボンディングワイヤ２８は一般に直径が１８μｍ〜５０μｍ、純度が９９．９％以上、破断強度が０．０５〜０．７８（Ｎ）程度の金線（Ａｕワイヤ）が使用されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００２−１６４４６６号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の半導体装置においては、半導体素子の電極と第２配線導体とを接続しているボンディングワイヤの破断強度が０．０５〜０．７８（Ｎ）程度であり、弱いことから外力印加によって接続領域近傍で切れるのを防止するため長さを１ｍｍ以上として余裕をもたせていること、ボンディングワイヤが一定の高さのループ形状を有しているため、ボンディングワイヤとグランド層との間の距離をあまり近づけることができず、グランド層によるインピーダンスの低減効果が第２配線導体に比べて低く、ボンディングワイヤのインピーダンスが第２配線導体のインピーダンスよりも高くなっていること等から、半導体素子とコネクターを結ぶ線路中にインピーダンスが他よりも高い領域が１ｍｍ以上の長さにわたって形成されていることとなる。そのため、この第２配線導体とボンディングワイヤとを介してコネクターと半導体素子との間に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させた場合、インピーダンスが高いボンディングワイヤで信号に反射等を起こし、伝送特性が大きく劣化するという欠点を有していた。
【００１１】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は半導体素子とコネクターとの間に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を反射等を起こすことなく良好に伝送させることができる半導体装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体素子が搭載される搭載部を有する基体と、該基体の前記搭載部近傍より下面にかけて導出されている複数個のグランド配線導体および第１配線導体と、前記基体の下面に形成され、前記グランド配線導体および第１配線導体に電気的に接続している複数個のグランド用パッドおよび入出力用パッドと、前記基体の搭載部より上面もしくは側面にかけて導出されている第２配線導体と、前記第２配線導体に電気的に接続されているコネクターとを具備する半導体素子収納用パッケージと、４０ＧＨｚ乃至８０ＧＨｚの電気信号を送受信する半導体素子とで構成され、前記半導体素子収納用パッケージの搭載部に半導体素子を搭載固定するとともに該半導体素子の接地電極および入出力電極をグランド配線導体、第１配線導体、第２配線導体の端部にボンディングワイヤを介し電気的に接続して成る半導体装置であって、前記搭載部の表面にグランド層が形成されており、該グランド層のうち前記第２配線導体と対向する領域の一部に、前記ボンディングワイヤとの距離を０．２ｍｍ以下とする延出部が形成されていることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の半導体装置によれば、搭載部の表面にグランド層が形成されており、該グランド層のうち前記第２配線導体と対向する領域の一部に、前記ボンディングワイヤとの距離を０．２ｍｍ以下とする延出部が形成されていることから、延出部においてグランド層とボンディングワイヤとの間の距離を極めて近いものとすることができ、これに応じてボンディングワイヤのインピーダンスを効果的に低くすることができ、ボンディングワイヤのインピーダンスを第２配線導体のインピーダンスに近似させることができる。その結果、第２配線導体とボンディングワイヤとを介してコネクターと半導体素子との間に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させた場合、第２配線導体と半導体素子とを接続するボンディングワイヤの長さが１ｍｍ以上であったとしても、信号に大きな反射等を起こすことはほとんどなく、伝送特性を優れたものとなすことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
【００１５】
図１は本発明の半導体装置の一実施例を示し、半導体素子収納用パッケージ７内に半導体素子６を収容して構成されている。
【００１６】
前記半導体素子収納用パッケージ７は、基体１、第１配線導体２ａ、グランド配線導体２ｂ、入出力用パッド３ａ、グランド用パッド３ｂ、第２配線導体４およびコネクター５により形成されている。
【００１７】
前記基体１は酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラスセラミックス、窒化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒、可塑剤、分散剤を添加混合して泥漿物を作り、この泥漿物を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート形成法を採用しシート状に形成してセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる後、それらセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを必要に応じて複数枚積層し、約１６００℃の高温で焼成することによって製作される。
【００１８】
また前記基体１は、半導体素子の搭載部１ａから下面にかけて複数個の第１配線導体２ａおよびグランド配線導体２ｂが形成されており、該各配線導体２ａ、２ｂは半導体素子６の入出力電極および接地電極を入出力用パッド３ａやグランド用パッド３ｂに接続するための導電路として作用し、搭載部１ａ側の一端には半導体素子６の入出力電極および接地電極がボンディングワイヤ８ａを介して電気的に接続される。
【００１９】
なお、前記グランド配線導体２ｂの一部は、基体１の内部から搭載部１ａ表面にかけて形成された広面積のグランド層９と接続しており、これにより半導体素子６が搭載される搭載部１ａ表面が接地されている。
【００２０】
前記第１配線導体２ａおよびグランド配線導体２ｂ、入出力用パッド３ａ、グランド用パッド３ｂおよびグランド層９は、銅、銀、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料から成り、例えば銅から成る場合であれば、銅粉末に有機溶剤を添加して成る金属ペーストを基体１となるセラミックグリーンシートの表面にスクリーン印刷等により所定パターンに印刷しておくことによって形成される。
【００２１】
この第１配線導体２ａおよびグランド配線導体２ｂの基体１下面側の一端は、それぞれ対応する入出力用パッド３ａおよびグランド用パッド３ｂと電気的に接続しており、これらの入出力用パッド３ａ、グランド用パッド３ｂを外部電気回路の所定の信号用や接地用等の回路導体に接続することにより、半導体素子６の入出力電極および接地電極が外部電気回路と電気的に接続される。
【００２２】
また前記基体１は、半導体素子の搭載部１ａから上面や側面等にかけて第２配線導体４が形成されており、該第２配線導体４は半導体素子６の入出力電極をコネクター５の線材５ａに接続するための導電路として作用し、搭載部１ａ側の一端には半導体素子６の入出力電極がボンディングワイヤ８ｂを介して電気的に接続される。
【００２３】
前記第２配線導体４は、上述の第１配線導体２ａ等と同様に、銅、銀、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料から成り、例えば銅から成る場合であれば、銅粉末に有機溶剤等を添加して成る金属ペーストを基体１となるセラミックグリーンシートの表面にスクリーン印刷等により所定パターンに印刷しておくことによって形成される。
【００２４】
この第２配線導体４の基体１外表面側の一端はコネクター５の線材５ａと電気的に接続しており、このコネクター５を同軸ケーブル等を介して通信装置等の外部機器に接続することにより半導体素子６と外部機器との間で高周波信号の送受信が行われる。
【００２５】
前記コネクター５は、半導体素子収納用パッケージ７の第２配線導体４を同軸ケーブル等を介して外部機器に接続するための接続体として作用し、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属の線材５ａの周囲を、ホウ珪酸系ガラス等の絶縁性の外囲体５ｂで取り囲んだ構造である。
【００２６】
前記線材５ａと外囲体５ｂとから成るコネクター５は、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金から成る線材５ａを、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る円筒状の容器の中央にセットし、容器内にホウ珪酸ガラス等のガラス粉末を充填した後、ガラス粉末を加熱溶融させて線材５ａの周囲に被着させることによって製作される。
【００２７】
かくして上述の半導体素子収納用パッケージによれば、基体１の搭載部１ａに半導体素子６を搭載するとともにガラス、樹脂、ロウ材等の接着材を介して固定し、しかる後、半導体素子６の入出力電極および接地電極を第１配線導体２ａ、グランド配線導体２ｂおよび第２配線導体４に、ボンディングワイヤ８ａ、８ｂを介して接続し、最後に蓋体１０を基体１の上面に封止材を介して接合させ、半導体素子６を気密に封入することによって半導体装置１１となる。
【００２８】
この半導体装置１１は基体１下面の入出力用パッド３ａおよびグランド用パッド３ｂが外部電気回路基板の所定の信号用や接地用等の回路導体に半田バンプ等の外部端子を介して接続され、これによって半導体素子６の入出力電極および接地電極は外部電気回路と電気的に接続される。
【００２９】
また、この半導体装置１１に取着されているコネクター５の線材５ａに同軸ケーブル等の外部接続用の導線を接続することにより、半導体素子６の電極が通信装置等の外部機器に接続される。
【００３０】
そしてかかる半導体装置１１は、外部電気回路から供給される複数の周波数帯域が低い（５〜１０ＧＨｚ）電気信号を第１配線導体２ａを介して半導体素子６に入力させ、半導体素子６でこれら入力された電気信号を合成して、一つの周波数帯域が高い（４０〜８０ＧＨｚ）電気信号とするとともにこれを第２配線導体４を介してコネクター５に出力し、該コネクター５の線材５ａを介して外部の通信装置等の外部機器に伝送する、或いは、外部の通信装置等の外部機器から伝送された一つの周波数帯域が高い（４０〜８０ＧＨｚ）電気信号をコネクター５の線材５ａ及び第２配線導体４を介して半導体素子６に入力し、半導体素子６で入力された周波数帯域が高い（４０〜８０ＧＨｚ）電気信号を複数の周波数帯域が低い（５〜１０ＧＨｚ）電気信号に変換するとともにこれらの個々の周波数帯域が低い電気信号を第１配線導体２ａを介して外部電気回路に供給することとなる。
【００３１】
本発明の半導体装置１１においては、図２に示すように、搭載部表面のグランド層９のうち、第２配線導体４と対向する領域の一部に、第２配線導体４と半導体素子６の入出力電極とを接続するボンディングワイヤ８ｂとの距離を０．２ｍｍ以下とする延出部９ａを形成しておくことが重要である。
【００３２】
前記グランド層９の一部に、前記ボンディングワイヤ８ｂとの距離を０．２ｍｍ以下とする延出部９ａを形成しておくと、この延出部９ａにおいてグランド層９と第２配線導体４との間の距離を０．２ｍｍ以下と極めて近いものとすることができ、これに応じて第２配線導体４と半導体素子６の入出力電極とを接続するボンディングワイヤ８ｂのインピーダンスを効果的に低くすることができ、ボンディングワイヤ８ｂのインピーダンスを第２配線導体４のインピーダンスに近似させることができる。その結果、第２配線導体４とボンディングワイヤ８ｂとを介してコネクター５と半導体素子６との間に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させた場合、第２配線導体４と半導体素子６とを接続するボンディングワイヤ８ｂの長さが１ｍｍ以上であったとしても、信号に大きな反射等を起こすことはほとんどなく、伝送特性を優れたものとなすことができる。
【００３３】
このような延出部９ａは、例えば、基体１の搭載部１ａを取り囲む枠状の部位の内側面のうち、第２配線導体４と対向する部位に、グランド層９と同様の金属材料（銅、銀、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等）を四角形状等の形状で被着させておくことにより形成される。
【００３４】
延出部９ａは、通常はグランド層９を形成する金属材料と同じ金属材料により形成され、例えば、銅から成る場合であれば、銅粉末に有機溶剤等を添加して成る金属ペーストを基体１となるセラミックグリーンシートのうち、搭載部１ａを取り囲む部位の側壁面の所定位置にスクリーン印刷等により所定パターンに印刷しておくことによって形成される。
【００３５】
この場合、延出部９ａは、少なくとも第２配線導体４と同程度の幅で形成しておくことが好ましい。このような幅で形成しておくことにより、ボンディングワイヤ８ｂの下側近くに十分な幅でグランドを位置させることができるため、より一層確実にボンディングワイヤ８ｂのインピーダンスを第２配線導体４と近似する程度に低くすることができる。
【００３６】
また、前記グランド層９の延出部９ａを、搭載部１ａを取り囲む基体１の枠状の部位の内側面に形成する場合、その内側面は、少なくとも延出部９ａが形成されている部位において、上端から下端にかけて、搭載部１ａの内側に傾斜するような傾斜面としておいてもよい。この場合、ボンディングワイヤ８ｂのうちグランド層９の延出部９ａと対向する長さがより長くなるので、より一層効果的にボンディングワイヤ８ｂのインピーダンスを低減することができ、より一層確実に４０〜８０ＧＨｚの周波数帯域の高い電気信号の伝送特性に優れた半導体装置を形成することができる。
【００３７】
なお、延出部９ａは、四角形状のパターンの場合、長方形状に限らず、ボンディングワイヤ８ｂに近い部分ほどその幅が広くなるような台形状であったり、角部を円弧状に成形して角部から剥がれる危険性を低減したような形状であったりしてもよい。また、四角形状に限らず、円弧状、楕円円弧状等でもよい。
【００３８】
また、ボンディングワイヤ８ｂおよび第２配線導体４は、断面積を同一としておくことが好ましい。両者の断面積を同一としておくことにより、より一層確実に両者のインピーダンスを整合させることができ、４０〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号の伝送特性をより一層優れたものとすることができる。
【００３９】
また、前記第２配線導体４と半導体素子６の入出力電極とを接続するボンディングワイヤ８ｂは、そのループ高さを極力低くしておくことが好ましい。ループ高さを低くしておくと、ボンディングワイヤ８ｂと延出部９ａとの間の距離を０．２ｍｍ以下とすることが、より一層容易かつ確実なものとなり、４０〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号の伝送特性に優れた半導体装置の形成がより一層容易かつ確実なものとなる。
【００４０】
なお、前記第２配線導体４と半導体素子６の入出力電極とのボンディングワイヤ８ｂを介しての接続は、例えば、ウエッジボンド法、具体的には、ボンディングワイヤ８ｂをボンディング装置のワイヤ用キャピラリを通して第２配線導体４や半導体素子６の入出力電極に当接させるとともに、キャピラリ先端の楔状の部分でボンディングワイヤ８ｂを接続部位に押し付け、超音波振動、接合することによって、第２配線導体４と半導体素子６の入出力電極に接続される。この場合、ボンディングワイヤは、例えばボールボンド法によるように第２配線導体４等に接合させるために先端部分を溶融させて金属ボールを形成させるような必要がなく、キャピラリの移動角度によりループ高さを低く調整することができるため、ボンディングワイヤ８ｂのループの高さが必要以上に高くなることを効果的に防止することができる。
【００４１】
また、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００４２】
【発明の効果】
本発明の半導体装置によれば、搭載部の表面にグランド層が形成されており、該グランド層のうち前記第２配線導体と対向する領域の一部に、前記ボンディングワイヤとの距離を０．２ｍｍ以下とする延出部が形成されていることから、延出部においてグランド層とボンディングワイヤとの間の距離を極めて近いものとすることができ、これに応じてボンディングワイヤのインピーダンスを効果的に低くすることができ、ボンディングワイヤのインピーダンスを第２配線導体のインピーダンスに近似させることができる。その結果、第２配線導体とボンディングワイヤとを介してコネクターと半導体素子との間に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させた場合、第２配線導体と半導体素子とを接続するボンディングワイヤの長さが１ｍｍ以上であったとしても、信号に大きな反射等を起こすことはほとんどなく、伝送特性を優れたものとなすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の要部拡大断面図である。
【図３】従来の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・基体
１ａ・・・・・搭載部
２ａ・・・・・第１配線導体
２ｂ・・・・・グランド配線導体
３ａ・・・・・入出力用パッド
３ｂ・・・・・グランド用パッド
４・・・・・・第２配線導体
５・・・・・・コネクター
５ａ・・・・・線材
５ｂ・・・・・外囲体
６・・・・・・半導体素子
７・・・・・・半導体素子収納用パッケージ
８ａ、８ｂ・・ボンディングワイヤ
９・・・・・・グランド層
９ａ・・・・・延出部
１０・・・・・蓋体
１１・・・・・半導体装置
【図１】
2005019449.tif 000003
【図２】
2005019449.tif 000004
【図３】
2005019449.tif 000005