(57)【要約】【課題】  本発明は、電子ビーム露光の際に、電子ビーム照射により電荷がレジスト層内に打ち込まれることによって生じるウエハの帯電をキャンセルして、マスク及び電子ビーム軌道への影響を防止することを目的とする。【解決手段】  ウエハ４０表面に等電位面形成手段である導電膜４４を設け、また電子ビーム露光装置１０を、ウエハ表面の導電膜４４の対接地電位を測定する表面電位測定手段９１、９３と、測定電位に基づき、等電位面形成手段４４上の対接地電位を相殺する電圧を、前記ウエハに印加する電圧印加手段９４、９５と、を備えて構成した。【選択図】      図３
2005129828.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビーム露光におけるウエハ電位調整方法において、
前記ウエハの露光面上に等電位面形成手段を形成し、
前記ウエハに電圧を印加して、前記等電位面形成手段と、荷電粒子ビームの発生源を備える導電性筐体と、の電位差を、所定の電位差以下に調整することを特徴とするウエハ電位調整方法。
【請求項２】
前記等電位面形成手段の電位と前記導電性筐体との電位差を測定し、
測定された前記電位を相殺する電圧を、前記ウエハに印加することを特徴とする請求項１に記載のウエハ電位調整方法。
【請求項３】
前記導電性筐体は、接地されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のウエハ電位調整方法。
【請求項４】
前記荷電粒子ビームは、電子ビーム及びイオンビームのいずれかであることを特徴とする請求項１〜３に記載のウエハ電位調整方法。
【請求項５】
荷電粒子ビームを、露光パターンに対応するマスクパターンを有するマスクに照射して、前記マスクを通過する前記荷電粒子ビームで、ウエハ表面に前記露光パターンを露光する荷電粒子ビーム露光におけるマスク電位調整方法であって、
前記ウエハの露光面上に等電位面形成手段を形成し、
前記マスクに電圧を印加して、前記等電位面形成手段と前記マスクとの電位差を、所定の電位差以下に調整することを特徴とするマスク電位調整方法。
【請求項６】
前記荷電粒子ビームは、電子ビーム及びイオンビームのいずれかであることを特徴とする請求項５に記載のマスク電位調整方法。
【請求項７】
表面に露光用のレジストが塗布され、該レジストに電子ビームが照射されることにより露光されるウエハであって、前記レジストの表面上に等電位面形成手段を備えることを特徴とするウエハ。
【請求項８】
前記等電位面形成手段は、導電膜であることを特徴とする請求項７に記載のウエハ。
【請求項９】
荷電粒子ビームを照射して、ウエハ表面にパターンを露光する荷電粒子ビーム露光装置であって、
前記ウエハ表面に設けられた等電位面形成手段と、導電性である前記荷電粒子ビーム露光装置の筐体と、の電位差を測定する表面電位測定手段と、
測定された前記電位に基づき、前記等電位面形成手段と前記筐体との電位差を相殺する電圧を、前記ウエハに印加する電圧印加手段と、を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項１０】
荷電粒子ビームを、露光パターンに対応するマスクパターンを有するマスクに照射して、前記マスクを通過する前記荷電粒子ビームで、ウエハ表面に前記露光パターンを露光する荷電粒子ビーム露光装置であって、
前記ウエハ表面に設けられた等電位面形成手段の、導電性である前記荷電粒子ビーム露光装置の筐体に対する電位を測定する表面電位測定手段と、
前記マスクの前記筐体に対する電位を、測定された前記電位とする電圧印加手段と、を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項１１】
前記等電位面形成手段は、導電膜であることを特徴とする請求項９または１０に記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項１２】
前記筐体は接地されていることを特徴とする請求項９〜１１に記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項１３】
前記荷電粒子ビームは、電子ビーム及びイオンビームのいずれかであることを特徴とする請求項９〜１２に記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路などの製造工程で使用される微細パターンを露光する電子ビーム露光装置のウエハおよびマスク電位調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の高集積化のニーズに伴い、回路パターンの一層の微細化が要望されている。現在、微細化の限界を規定しているのは主として露光装置であり、電子ビーム直接描画装置やＸ線露光装置などの新しい方式の露光装置が開発されている。
【０００３】
最近では新しい方式の露光装置として、量産レベルで超微細加工用に使用可能な電子ビーム近接露光装置が開示されている（例えば特許文献１、およびこれに対応する日本国特許出願の特許文献２）。
【０００４】
図６は、特許文献１に開示された電子ビーム近接露光装置の基本構成を示す図である。この電子ビーム近接露光装置１０は、主として電子ビーム１５を発生する電子ビーム源１４、電子ビーム１５を平行ビームにするレンズ１６及び整形アパーチャ１８を含む電子銃１２と、主偏向器２２、２４及び副偏向器２６、２８を含み、電子ビームを光軸に平行に走査する走査手段２０と、マスク３０とから構成されている。
前記マスク３０は、表面にレジスト層４２が形成されたウエハ４０に近接するように（隙間が約５０μｍとなるように）配置される。マスク３０は、厚い外縁部の中央に開口の形成された薄膜部３２を有しており、薄膜部３２には、ウエハ３０に転写すべき露光パターンに対応する開口が設けられマスクパターンをなす。このマスク薄膜部３２に垂直に電子ビームを照射すると、マスク薄膜部３２の開口を通過した電子ビームが試料４０の表面のレジスト層４２に照射される。
【０００５】
また、走査手段２０は、図７に示すように電子ビーム１５がマスク３０の全面を走査するように電子ビームを偏向制御する。これにより、マスク３０のマスクパターンがウエハ４０上のレジスト層４２に等倍転写される。
【０００６】
この電子ビーム近接露光装置１０は、図８に示すように真空チャンバ５０内に設けられている。また、真空チャンバ５０内には、ウエハ４０を吸着するために静電チャック６０と、この静電チャック６０に吸着されたウエハ４０を水平の直交２軸方向に移動させるとともに、水平面内で回転させるためのθＸＹステージ７０が設けられている。θＸＹステージ７０は、マスクパターンの等倍転写が終了するごとにウエハ４０を所定量移動させ、これにより１枚のウエハ４０に複数のマスクパターンが転写できるようにしている。
【０００７】
ところで、上記電子ビーム近接露光装置１０のような電子ビームを使用する露光装置では、電子ビームの照射によりウエハ４０上のレジスト層４２に電荷が打ち込まれることにより、電荷が蓄積して帯電が生じる。このウエハ４０の帯電は、ウエハ４０とマスク３０との間にクーロン力を作用させ、マスク３０に悪影響を与える。
【０００８】
特に、上記の電子ビーム近接露光装置１０では、ウエハ４０とマスク３０との間隔が非常に狭いため、マスク薄膜部３２に作用するクーロン力が非常に大きくなり、最悪の場合ではマスク薄膜部３２の破壊に至る。
【０００９】
また、ウエハ４０の帯電によってウエハ４０近傍に静電界が生じるため、電子ビーム１５の軌道にも影響を与えて、露光パターンの転写精度の悪化の原因ともなる。
【００１０】
このようにウエハ４０の帯電は、露光装置及び転写精度に悪影響を与えるために、例えば特許文献３に開示される電子ビーム露光装置では、図８に示すように触針７１をウエハ４０に当てて、ウエハ４０の接地を行っている（例えば特許文献３）。
【００１１】
また特許文献４では、上述のウエハ帯電によって電子ビーム軌道への影響を防止するために、ウエハ４０の対接地電位を測定し、対接地電位がゼロとなるように、静電チャック内の電極の電位を変化させる静電チャックが開示されている。
【００１２】
図９は、特許文献４に開示される静電チャックの基本構成図である。静電チャック６０は内部に電極６１と電極６２とを備え、それぞれに静電チャック用電源６３、６４による電圧を印可して、ウエハ４０並びに電極６１及び６２との間に電荷を生じさせて、その静電力によりウエハ４０を吸着する。
【００１３】
非接触電位計８３は、プローブ８１を介してウエハ４０上の表面電位を測定する。制御回路８５は、その測定結果に基づき可変電源６５の電圧Ｅｖを変化させて、ウエハ４０の対接地電位をゼロに維持する。以上により、ウエハ４０の表面電位と接地状態に保ち、電子ビーム軌道への影響を防止する。
【００１４】
【特許文献１】米国特許第５，８３１，２７２号明細書
【特許文献２】日本特許第２９５１９４７号公報
【特許文献３】特開２００３−７５９６号公報（段落〔０００５〕、図１９）
【特許文献４】特開平４ー２５０６１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、特許文献３に開示される電子ビーム露光装置の構成では、電荷が蓄積されるウエハ４０表面から触針７１を接触させるため、ウエハ４０表面へのパーティクル付着が問題になる。
【００１６】
また、上述の電子ビーム近接露光装置に適用する場合には、ウエハ４０とマスク３０とが非常に近接して設けられるため、特許文献３に開示される触針７１を設けることが困難である。
【００１７】
さらに、電子ビーム照射によるウエハの帯電は、電子ビーム露光装置により電荷がレジスト層内に打ち込まれることにより生じるため、打ち込まれた後に容易に移動しない電荷も存在する。これによりウエハ４０上では、露光パターンに応じた局所的な帯電量の差が生じている。したがって、特許文献４に記載の手法によっては、プローブ８１近傍の電位を接地状態に保つことができても、他のウエハ４０上位置の電位を接地電位とすることはできない。
【００１８】
その他、帯電したウエハを除電する方法としては、イオナイザーが一般的であるが、高真空状態である真空チャンバ内で使用することができない。また真空紫外線ＶＵＶによる除電や軟Ｘ線を利用した除電方法もあるが、前述のように電子ビーム露光装置により電荷がレジスト層内に打ち込まれたことによる帯電には効果がない。
【００１９】
上記事情を鑑みて、本発明は電子ビーム照射により電荷がレジスト層内に打ち込まれることによって生じるウエハの帯電をキャンセルして、マスク及び電子ビーム軌道への影響を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するために、本発明ではウエハの露光面上に等電位面形成手段を設け、この等電位面形成手段と、荷電粒子ビーム源及びマスクが設けられる装置筐体と、の電位差が所定値以下となるように、前記ウエハに電圧を印加することとした。
【００２１】
図１及び図２を参照して、本発明の第１形態に係るウエハ電位の調整方法の原理を説明する。図１は、本発明に係るウエハ電位調整方法のフローチャートであり、図２は、本発明の原理図である。
【００２２】
ステップＳ１０１において、ウエハ表面のレジスト層の上に、等電位面形成手段を形成する。この等電位面形成手段として、導電膜を薄く形成することが好適である。図２（Ａ）にこの様子を示す。ここに４０はウエハ基板であり、４１は前工程で形成された回路パターンなどからなる絶縁体層であり、４２は露光に使用するレジスト層である。等電位面形成手段である導電膜４４は、レジスト層４２上に塗布されて形成される。
【００２３】
図２（Ａ）に示すとおり、電子ビーム露光などの荷電粒子ビーム露光は、荷電粒子ビーム（電子ビームなど）１５の照射により電荷１７が接地されたマスク３０の開口部を通してレジスト層４２に打ち込まれることにより行われる。このとき、レジスト層４２の間と、導体であるウエハ基板４０との間には絶縁体層４１があり、またレジスト層４２自体も絶縁体であるために、ウエハ基板４０を接地しても打ち込まれた電荷がアースに流れることはない。
【００２４】
しかし、レジスト層４２上には導電膜４４が設けられているために、レジスト層４２に打ち込まれた電荷は導電膜４４に拡散する。このように導電膜４４に拡散した電荷は、導電膜４４上に一様な電位（電子ビーム露光では負電位）を生じさせる。
また、電荷１７は、電子ビーム露光装置に所定の加速電圧でレジスト層４２に打ち込まれているので、導電膜４４に容易に拡散せずに局所的な分布をもってレジスト層４２中に残存する電荷も存在する。このようなレジスト層４２中に残存する電荷により生じる電位も、導電膜４４上に一様な電位を生じる。
【００２５】
したがって導電膜４４に生じる電位は一様となり、ステップＳ１０２では、この導電膜４４（等電位面形成手段）と、一般には接地された導電性の装置筐体との電位差を測定する。この様子を図２（Ｂ）に示す。
【００２６】
ステップＳ１０３では、測定された導電膜４４の電位差と同じ強さの逆符号の電圧（電子ビーム露光では正の電圧）をウエハ４０に印加する。これにより荷電粒子ビーム照射により生じた導電膜４４上の表面の電位と、印加された逆符号の電圧とが相殺されて、導電膜４４上の表面電位は、一様に筐体の電位と同電位となる。
【００２７】
上述のように、導電膜４４が接地電位となるようにウエハ４０に電圧を印加することにより、ウエハ帯電によるマスク及び荷電粒子ビーム軌道への影響を防止することができるが、マスクへの影響を防止するだけであれば、測定された導電膜４４上の表面電位と、マスクの電位との電位差が所定値以下となるように、マスク側に電圧を印加することとしてもよい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明により、電子ビームなどの荷電粒子ビームの照射により電荷がレジスト層内に打ち込まれることによって生じるウエハの帯電をキャンセルして、ウエハ表面をビーム源及びマスクが設けられる装置筐体の電位に調整することが可能となるので、マスク及び電子ビーム軌道への影響を防止することができる。
【００２９】
特にウエハの露光面上に等電位面形成手段を設けることにより、所定の加速電圧でレジスト層４２に打ち込まれた電荷により生ずるウエハ表面の等電位面形成手段上の電位を一様にすることが可能となるので、レジスト層４２中に電荷が局所的な分布をもって残存していても、等電位面形成手段表面の全域において一様に電位を調整することが可能となる。
【００３０】
さらに、ウエハ電位の調整は、ウエハの露光面上に等電位面形成手段の表面電位を測定して行うが、等電位面形成手段上は全て同電位なので、ウエハ面上のどの位置で表面電位を測定してもよい。したがって、上述の電子ビーム近接露光装置において、表面電位測定手段をウエハ面に近接して設けられるマスクを避けて設けることが可能となる。
【００３１】
また、実際の製造プロセスにおいては、前工程で帯電したウエハが露光装置に搬入されて、マスク及び電子ビーム軌道に悪影響を及ぼすことがあるが、本発明のウエハ電位調整方法によって前工程で帯電したウエハの帯電電圧をキャンセルすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、添付図面を参照しつつ、本発明に係るマスク電位調整方法について説明を行う。なお、本発明は荷電粒子ビーム露光装置であれば、荷電粒子ビームとして電子ビームやイオンビームを用いるような、どのような露光装置にも適用可能であるが、特に電子ビーム近接露光を行う際のウエハ又はマスクの電位を調整するのに適している。
【００３３】
図３は、本発明の第１実施例に係る電子ビーム近接露光装置の基本構成図である。本実施例に係る電子ビーム近接露光装置の構成は、図６に示した構成の電子ビーム近接露光装置に類似した構成を有し、図６に示した構成を全て備えているが、図３では説明の簡単のため、図６に示す構成を一部省略して示している。また両図において同一の機能部分に同一の参照番号を付して表し説明を省略する。
【００３４】
電子ビーム近接露光装置１０の真空チャンバ５０内には、ウエハ４０を保持する静電チャック６０が設置されている。上述の通り、静電チャック６０は通常θＸＹステージ（図示せず）上に設けられている。また、カラム１３内には、電子ビーム源１４の他に、図６で示した電子光学系の各要素（図示せず）が設けられている。なお、真空チャンバ５０は排気ポンプ５１によって高真空状態に保たれており、カラム１３および真空チャンバ５０の筐体は導電性材料からなる導電性遮蔽筐体を構成する。
【００３５】
静電チャック６０に保持されるウエハ４０には、照射される電子ビーム１５により露光パターンが転写されるレジスト層４２が塗布されており、さらにレジスト層４２の表面上には等電位面形成手段たる導電膜４４が設けられている。電子ビーム源１４から発生しマスク３０を通過した電子ビーム１５の電荷は、この導電膜４４を貫通してレジスト層４２に打ち込まれる。なお、マスク３０は電子ビーム１５の照射による蓄積される電荷を逃がすため、図示するとおり真空チャンバ５０の筐体を介して接地されている。なお、電子装置を構成する場合、基準とする電位は導電体の面積の最も大きな部位つまり導電性遮蔽筐体とするのが一般的である。通常、導電性遮蔽筐体はより安定した電位を示す大地と接続される。
本例では、導電性遮蔽筐体（真空チャンバ）は大地に接地されている状態での説明を行う。
【００３６】
静電チャック６０には電極６１及び６２が設けられる。電極６１及び６２に、静電チャック用電源６３及び６４からの所定のチャック電圧がそれぞれ印加されると、電極６１及び６２と、ウエハ４０との相対する面に電荷が誘起されて、その静電力によってウエハ４０が静電チャック６０に把持される。
【００３７】
電子ビーム近接露光装置１０は、表面電位計プローブ９１および表面電位計アンプ９３からなる表面電位測定手段を備える。表面電位計プローブ９１は、真空チャンバ５０内にウエハ４０上方に設けられ、ウエハ４０表面上の導電膜４４表面の表面電位を非接触で測定して、その測定信号を表面電位計アンプ９３に出力する。
表面電位計測定アンプ９３は、表面電位計プローブ９１から出力された測定信号を受信して、所定の電圧幅（例えば±１０Ｖ）をレンジとする電圧信号に変換及び増幅して出力する。
【００３８】
また電子ビーム近接露光装置１０は、電圧印加手段であるエラーアンプ９４と逆バイアス印加電源９５を備えている。エラーアンプ９４は、表面電位計測定アンプ９３から出力された電圧信号に基づいて、導電膜４４表面の表面電位の測定値が真空チャンバ５０の筐体電位（すなわち接地電位、０Ｖ）となるように、逆バイアス印加電源９５を制御する。
【００３９】
静電チャック６０には、逆バイアス印加電源９５から出力される電圧を、ウエハ４０の下面に印加するための触針９６が設けられている。触針９６は、逆バイアス印加電源８５に接続される一方でウエハ下面に接触することにより、逆バイアス印加電源９５の出力電圧をウエハ４０の下面に印加する。
【００４０】
電子ビーム露光が行われると、電子ビーム源１４から発生した電子ビーム１５が、マスク３０の開口部を通して導電膜４４に達し、導電膜４４を貫通してレジスト層４２に打ち込まれる（上記電子ビーム近接露光においては、打ち込まれる電荷の深さは約１００ｎｍ程度である）。このとき、一部電荷はレジスト層４２から導電膜４４へと拡散して、導電膜４４に一様な電位を生じるが、それ以外の電荷はそのままレジスト層４２に打ち込まれた位置に残存する。
【００４１】
レジスト層４２に残存する電荷は、露光パターンに応じてレジスト層面上の各位置においてその分布に濃淡があるが、かかる電荷分布により導電膜４４上に生じる負電位は、導電膜４４表面上で一様となる。
したがって、電子ビーム照射によって帯電したウエハ４０により生じる、導電膜４４表面上の電位は、導電膜４４それ自体の作用により導電膜４４表面上の各位置で一様な負電位となる。
【００４２】
このように電子ビーム照射によって生じた導電膜４４上の負電位を、表面電位計プローブ９１によって測定する。表面電位計プローブ９１の出力測定信号は、表面電位計アンプ９３によって所定レンジの電圧信号に変換増幅されて、エラーアンプ９４に入力される。
【００４３】
エラーアンプ９４は、表面電位計アンプ９３の出力電圧信号が、真空チャンバ５０の筐体電位（接地電位、０Ｖ）を示すように、逆バイアス印加電源９５の出力電圧を制御する。このように制御された逆バイアス印加電源９５の出力電圧が、触針９６を介してウエハ４０に印加されることにより、ウエハ４０表面の導電膜４４全体の電位を常に真空チャンバ５０の筐体電位（接地電位）に維持することができる。
【００４４】
上記の通り、帯電したウエハ４０表面の導電膜４４全体の電位を真空チャンバ５０の筐体電位（接地電位）に維持することにより、マスク３０に与える悪影響を防止することができる。
また、ウエハ４０表面の導電膜４４全体を真空チャンバ５０の筐体電位（接地電位）に維持することにより、電子ビーム１５の軌道への悪影響を防止することができる。
また、導電膜４４と真空チャンバ５０の筐体との電位差を完全に０とすることなく、前記悪影響の生じない所定の許容電位差内としてもよい。
【００４５】
また、図示するとおり逆バイアス印加電源９５は、チャック用電源６３及び６４とＧＮＤの間に直列に接続され、電極６１及び６２にもウエハ４０に印加する逆バイアス印加電源９５の出力電圧（逆バイアス電圧）を印可している。これにより逆バイアス電圧にかかわらず、電極６１及び６２とウエハ４０との間の電位差を、所定のチャック電圧に保ち静電チャックの保持力を保つことが可能となる。
【００４６】
なお、ウエハ４０表面のレジスト層４２上に設けられる導電膜４４は、スピンコータ等により導体を塗布して形成することができる。電子ビーム近接露光装置においては、電子ビーム１５によるレジスト層４２への電荷打ち込みの深さは、上述の通り１００ｎｍ程度であるから、レジスト層４２上に設けられる導電膜４４の厚さは、厚くとも１００ｎｍ未満である必要があり、具体例としては２０ｎｍ程度とする。
【００４７】
また、ウエハ４０表面の導電膜４４はどの箇所においても同電位である。したがって、表面電位計プローブ９１を、マスク３０の転写領域３４（薄膜部）に近接して設ける必要はなく、マスク３０の周辺に設けることとしてよい。すなわち表面電位計プローブ９１は、その垂直位置がウエハ平面より上方であって、かつその水平位置がマスク平面においてそのマスクが占める領域外の水平位置となる位置に設けることができる。
これにより、マスク３０がウエハ４０に近接して設けられる電子ビーム近接露光装置において、表面電位計の設置が容易となる。
【００４８】
しかし、表面電位計によって導電膜４４表面の電位を精度良く測定するためには、測定箇所を表面電位計プローブ９１の直下とする必要がある。ここで、上述のように表面電位計プローブ９１を、マスク３０の転写領域３４より離して設けると、ウエハの露光位置によっては、表面電位計プローブ９１の直下の領域からウエハ４０が外れてしまうことが考えられる。
【００４９】
したがって、電子ビーム近接露光装置においては、図４（Ａ）に示すとおり表面電位計プローブ９１ａ〜９１ｄを、マスク３０の周囲に複数個設けることが好適である。
複数の表面電位計プローブを、転写領域３４から等距離の位置に等間隔に設けるとき、表面電位計プローブ９１と転写領域３４との間の許容離隔距離Ｒは、表面電位計プローブの設置数（または該プローブの設置角度間隔）と、使用するウエハ４０の半径によって決定することができる。
【００５０】
いま、表面電位計プローブの設置数をｎとすると設置角度間隔２θ＝３６０°／ｎである。また使用するウエハ半径をｒとする。
【００５１】
マスク３０の転写領域３４がウエハ４０上にあるとき、表面電位計プローブ９１がウエハ４０中心から最も離れるのは、隣接するプローブの一方の位置〜転写領域の位置〜前記隣接するプローブの他方の位置が成す角度の２等分線上に、ウエハ４０中心が存在し、かつ転写領域３４がウエハ４０の円周上にあるときである。この状態を図４（Ｂ）に示す。
【００５２】
図示するとおり、ウエハ４０の中心は、隣接するプローブの一方９１の位置〜転写領域３４の位置〜前記隣接するプローブの他方９１’の位置の成す角度２θの２等分線上に、あり、かつ転写領域３４がウエハ４０の円周上にある。
【００５３】
今、転写領域３４とウエハ４０中心とを結ぶ直線と、ウエハ４０中心と何れかのプローブ９１を結ぶ直線との成す角をφとすると、
【００５４】
【数１】
2005129828.tif 000003
【００５５】
が成立する。上式（１）（２）より
【００５６】
【数２】
2005129828.tif 000004
【００５７】
が導出される。したがって、表面電位計プローブ９１は、転写領域３４から許容離隔距離Ｒ＝２ｒｃｏｓ（１８０°／ｎ）以内の水平距離の位置に設けられ、設置数ｎは３個以上であることが望ましい。
【００５８】
上述の通り、帯電したウエハ４０表面の導電膜４４の電位を真空チャンバ５０の筐体電位（接地電位）に維持することにより、電子ビーム１５の軌道への悪影響を防止することができるが、帯電したウエハ４０がマスク３０に与える悪影響を防止するだけであれば、ウエハ４０表面の導電膜４４と、マスク３０との電位差が０となるように、マスク３０の電圧を調整することにより実現可能である。
【００５９】
図５は、本発明の第２実施例に係る電子ビーム近接露光装置の基本構成図である。本実施例に係る電子ビーム近接露光装置の構成は、図３に示した構成の電子ビーム近接露光装置に類似した構成を有し、同一の機能部分に同一の参照番号を付して表し説明を省略する。
【００６０】
本実施例に係る電子ビーム近接露光装置１０では、逆バイアス印加電源９５の出力がマスク３０に接続され、逆バイアス電圧をマスク３０に印加する。エラーアンプ９４は、表面電位計アンプ９３の出力電圧と、逆バイアス印加電源９５の出力とを入力して、測定される導電膜４４の電位と、マスク３０の電位（すなわち逆バイアス電圧）とが等しくなるように逆バイアス印加電源９５の出力電圧を制御する。このように制御された逆バイアス印加電源９５の出力電圧がマスク３０に印加されることにより、ウエハ４０表面の導電膜４４とマスク３０との電位差を常に０に維持することができる。
【００６１】
上記の通り、帯電したウエハ４０表面の導電膜４４の電位を真空チャンバ５０の筐体電位（接地電位）に維持することにより、マスク３０に与える悪影響を防止することができる。
またこの構成によれば、触針９６を設ける必要がなく、またチャック用電源６３、６４に逆バイアス電圧を印加する必要がなくなるため、静電チャック６０の構成を簡略にすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明に係るウエハ電圧調整方法のフローチャートである。
【図２】本発明の原理図である。
【図３】本発明の第１実施例に係る電子ビーム近接露光装置の基本構成図である。
【図４】図３の表面電位センサの設置位置を説明する図である。
【図５】本発明の第２実施例に係る電子ビーム近接露光装置の基本構成図である。
【図６】特許文献１に記載の電子ビーム近接露光装置の基本構成図である。
【図７】電子ビーム近接露光の際の電子ビーム走査の説明図である。
【図８】特許文献３に記載の電子ビーム近接露光装置の基本構成図である。
【図９】特許文献４に記載の静電チャックの基本構成図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０…電子ビーム近接露光装置
１５…電子ビーム
３０…マスク
３４…薄膜部
４０…ウエハ
４２…レジスト層
４４…導電膜
５０…真空チャンバ
６０…静電チャック
６１、６２…電極
６３、６４…チャック用電源
９１…表面電位計プローブ
９３…表面電位計アンプ
９４…エラーアンプ
９５…逆バイアス印加電源
９６…触針
【図１】
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【図２】
2005129828.tif 000006
【図３】
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【図４】
2005129828.tif 000008
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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