(57)【要約】【課題】電流駆動方式の発光表示装置におけるデータ記入時間を短縮し、発光表示装置の データ表現を正確にする。【解決手段】本発明は発光表示装置及びその駆動方法に関する。発光表示装置は、データ線Y１-Yｎ、第１及び第２信号線X１-Xｍ、Z１-Zｍ、画素回路１１０、データ駆動部２００を備える。データ駆動部２００は第１制御信号に応じてデータ線Y１-Yｎにプリチャージ電流Npr*IＤＡＴＡを供給した後、第２制御信号に応じて前記データ線Y１-Yｎにデータ電流を供給する。この場合、前記データ線Y１-Yｎへのプリチャージ電流供給時に、データ電流が供給される基準画素回路の他に、前記基準画素回路に隣接した少なくとも一つの画素回路１１０をも駆動して同一データ線からプリチャージ電流を供給し、前記データ線Y１-Yｎを急速にプリチャージする。本発明によれば、データ線が急速に充電され、各画素のデータ記入時間を顕著に短縮でき、正確なデータ表現を可能にする。【選択図】図６
2005157349.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ電流を伝達し、一方向に形成されている複数のデータ線と、
第１及び第２走査信号を各々伝達し、前記データ線と交差している複数の第１信号線及び第２信号線と、
前記データ線と前記第１信号線及び第２信号線が交差して形成される領域に各々形成されており、印加されるデータ電流に対応する画像を表示する複数の画素回路と、
第１制御信号に応じて前記データ線にプリチャージ電流を供給し、第２制御信号に応じて前記データ線にデータ電流を供給するデータ駆動部と、
を有することを特徴とする、発光表示装置。
【請求項２】
前記データ線へのプリチャージ電流供給時に、データ電流が供給される基準画素回路の他に、前記基準画素回路に隣接した少なくとも一つの画素回路が駆動されて、前記データ線がプリチャージされることを特徴とする、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項３】
前記プリチャージ電流の供給時に、前記基準画素回路と、前記基準画素回路の第１方向に隣接して連続的に配列されている少なくとも一つの画素回路が駆動されることを特徴とする、請求項２に記載の発光表示装置。
【請求項４】
前記プリチャージ電流の供給時に、前記基準画素回路と、前記基準画素回路の第２方向に隣接して連続的に配列されている少なくとも一つの画素回路が駆動されることを特徴とする、請求項２に記載の発光表示装置。
【請求項５】
前記プリチャージ電流の供給時に、前記基準画素回路と、前記基準画素回路を中心に第１及び第２方向に隣接して連続的に配列されている少なくとも一つの画素回路が駆動されることを特徴とする、請求項２に記載の発光表示装置。
【請求項６】
前記プリチャージ電流はデータ電流のNpr倍であり、前記プリチャージ電流の供給時に前記基準画素を含んで全Npr個の画素が駆動されて前記データ線にプリチャージ電流が充電されるようにすることを特徴とする、請求項２乃至５のうちのいずれか一項に記載の発光表示装置。
【請求項７】
前記プリチャージ電流がデータ電流のNpr倍である場合、前記プリチャージ電流が供給される時間が次の条件を満足することを特徴とする、請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の発光表示装置。
T≧t/Npr
T:プリチャージ電流が供給される時間
t:基準画素にデータが記入される時間
【請求項８】
前記画素回路は、
前記第１信号線からの第１走査信号に応答して前記データ線からのデータ電流を伝達する第１スイッチング素子;前記第１スイッチング素子からのデータ電流に対応する電圧を充電するキャパシタと、
発光素子と、
前記キャパシタに充電された電圧に対応する電流を前記発光素子に供給する第１トランジスタと、
前記第２信号線からの第２走査信号に応答して前記第１トランジスタからの電流が前記発光素子に供給されるようにする第２スイッチング素子と、
を有することを特徴とする、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項９】
前記画素回路は、
前記データ線を通って供給される電流を伝達するための経路を形成する第１トランジスタと、
前記第１走査信号によって動作し、データ線と第１トランジスタとの間で電流供給を制御する第２トランジスタと、
前記第１トランジスタを通って流れる電流を電圧に変換するキャパシタと、
前記第２走査信号によって動作し、第１トランジスタとキャパシタでスイッチング機能を行う第３トランジスタと、
第１トランジスタと共に電流ミラーを形成し、前記キャパシタに現れる電圧に対応する電流を発生させる第４トランジスタと、
第４トランジスタから供給される電流の大きさに応じて発光して表示動作を行う発光素子と、
を有することを特徴とする、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項１０】
前記画素回路は、
印加されるデータ電流に対応する画像を表示する画素部と、
前記データ駆動部から供給されるプリチャージ電流が前記データ線に充電されるようにするプリチャージ部と、
を有することを特徴とする、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項１１】
データ電流を伝達し、一方向に形成されている複数のデータ線と、
第１及び第２走査信号を各々伝達し、前記データ線と交差している複数の第１信号線及び第２信号線と、
前記データ線と前記第１信号線及び第２信号線が交差して形成される領域に各々形成されており、印加されるデータ電流に対応する画像を表示する画素部と、前記データ駆動部から供給されるプリチャージ電流が前記データ線に充電されるようにするプリチャージ部とを含む複数の画素回路と、
第１制御信号に応じて前記データ線にプリチャージ電流を供給し、第２制御信号に応じて前記データ線にデータ電流を供給するデータ駆動部と、
を含み、
前記データ線へのプリチャージ電流の供給時に、データ電流が供給される基準画素回路の他に、前記基準画素回路に隣接した複数の画素回路が駆動されて、前記データ線がプリチャージされることを特徴とする、発光表示装置。
【請求項１２】
前記画素回路のプリチャージ部にプリチャージのための制御信号を伝達する第３信号線をさらに有することを特徴とする、請求項１０または１１に記載の発光表示装置。
【請求項１３】
前記プリチャージ部は、
前記制御信号に応答して前記データ線からのプリチャージ電流を伝達する第１スイッチング素子と、
前記プリチャージ電流に対応する電流をデータ線に供給する第１トランジスタと、
を有することを特徴とする、請求項１２に記載の発光表示装置。
【請求項１４】
前記画素部は、
前記第１信号線からの第１走査信号に応答して前記データ線からのデータ電流を伝達する第２スイッチング素子、前記第２スイッチング素子からのデータ電流に対応する電圧を充電するキャパシタ、発光素子、及び前記キャパシタに充電された電圧に対応する電流を前記発光素子に供給する第２トランジスタ、前記第２信号線からの第２走査信号に応答して前記第２トランジスタからの電流が前記発光素子に供給されるようにする第３スイッチング素子を含むことを特徴とする、請求項１３に記載の発光表示装置。
【請求項１５】
前記プリチャージ電流が前記データ電流のNpr倍である場合、前記プリチャージ部の第１トランジスタは前記画素部の第２トランジスタの縦横比のNpr-１倍になる縦横比を有することを特徴とする、請求項１４に記載の発光表示装置。
【請求項１６】
データ線と第１信号線及び第２信号線が交差して形成される画素領域に形成されており、キャパシタ、前記キャパシタに充電された電圧に対応して電流を供給するトランジスタ、そして発光素子を含む画素回路が行列形態で形成されている発光表示装置を駆動する方法において、
a）前記データ線にデータ電流のNpr倍になるプリチャージ電流を供給してデータ線をプリチャージさせる段階と、
b）前記第１信号線からの第１走査信号に応じて前記データ線から伝達されるデータ電流に対応する電圧が前記キャパシタに充電される段階と、
c）前記第２信号線を通って印加される第２走査信号に応答して前記トランジスタから伝達される前記キャパシタに充電された電圧に対応する電流に応答して前記発光素子が発光する段階と、
を含み、
前記a）段階は前記データ電流を供給しようとする行の基準画素回路及び前記基準画素回路と隣接した複数の画素回路を駆動させて、前記データ線がプリチャージされるようにすることを特徴とする、発光表示装置の駆動方法。
【請求項１７】
前記a）段階は前記基準画素回路と、前記基準画素回路の第１方向に隣接して連続的に配列されている複数の画素回路を駆動させて、前記データ線がプリチャージされるようにすることを特徴とする、請求項１６に記載の発光表示装置の駆動方法。
【請求項１８】
前記a）段階は前記基準画素回路と、前記基準画素回路の第２方向に隣接して連続的に配列されている複数の画素回路を駆動させて、前記データ線がプリチャージされるようにすることを特徴とする、請求項１６に記載の発光表示装置の駆動方法。
【請求項１９】
前記a）段階は前記基準画素回路と、前記基準画素回路を中心に第１及び第２方向に隣接して連続的に配列されている複数の画素回路を駆動させて、前記データ線がプリチャージされるようにすることを特徴とする、請求項１６に記載の発光表示装置の駆動方法。
【請求項２０】
前記プリチャージ電流はデータ電流のNpr倍であり、前記プリチャージ電流の供給時に前記基準画素回路を含んで全Npr個の画素回路が駆動されて前記データ線がプリチャージされるようにすることを特徴とする、請求項１６に記載の発光表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光表示装置及びその駆動方法に関し、特に有機電界発光（以下、ELと言う）を利用した発光表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に有機EL表示装置は蛍光性有機化合物を電気的に励起させて発光させる表示装置であって、M×N個の有機発光セルを電圧駆動あるいは電流駆動して映像を表現することができる。このような有機発光セルは陽極（ITO：インジウム錫酸化物）、有機薄膜、陰極（金属）を積層した構造を有している。有機薄膜は、電子と正孔の均衡を良くして発光効率を向上させるために、発光層、電子輸送層及び正孔輸送層を含む多層構造からなり、また、別途の電子注入層と正孔注入層を含んでいる。
【０００３】
このように構成される有機発光セルを駆動する方式には、単純マトリックス方式と薄膜トランジスタを利用した能動駆動方式がある。単純マトリックス方式は正極線と負極線を直交するように形成し、両電極線を選択して交点のＥＬ素子を直接駆動するのに比べて、能動駆動方式は薄膜トランジスタを各ITO画素電極（陽極）に接続し、薄膜トランジスタのゲートに接続されたキャパシタの容量によって維持されている電圧に応じて駆動する方式である。この時、キャパシタに電圧を設定するために印加される信号の形態によって能動駆動方式は電圧駆動方式と電流駆動方式に分けられる。
【０００４】
従来の電圧駆動方式の画素回路では、製造工程の不均一性によって生じる薄膜トランジスタのしきい電圧VＴＨ及びキャリア移動度の偏差によって高分解能の微妙な階調を表現しがたいという問題点があった。例えば、３Vで画素の薄膜トランジスタを駆動する場合、８ビット（２５６）階調を表現するためには１２mV（=３V/２５６）以下の微少間隔で薄膜トランジスタのゲートに電圧を印加しなければならないが、もし製造工程の不均一による薄膜トランジスタのしきい電圧の偏差が１００mVもある場合には、各画素の輝度がしきい電圧偏差により変動するので、微少な階調変化が明暗反転して表示されることがあり、このため色変化を生じるなどの問題がある。
【０００５】
これに反し、電流駆動方式の画素回路は、これに電流を供給する電流源がパネル全体に渡って均一であるとすれば、各画素内の駆動トランジスタが不均一な電圧-電流特性を有しても均一なディスプレイ特性を得ることができる。
【０００６】
しかし、電流駆動方式の画素回路では、データ線に存在する寄生キャパシタンスのためにデータ記入時間が長くかかる問題点がある。
【０００７】
具体的には、データ記入しようとする画素を基準画素として、直前画素を含むライン（画素行）のデータに対応するデータ線電圧の状態によって現在の画素ライン（基準画素ライン）にデータを記入する時間（データ記入時間）が影響を受け、特に、データ線の充電目標電圧（現在データに相当する電圧）と直前に充電されている電圧との差が大きい場合に、データ記入時間がさらに長くなる。このような現象は階調レベルが低いほど（ブラック近く）さらに激しく現れる。図２０に従来の発光表示装置での階調別データ記入時間変化を示したグラフが示されている。添付した図２０で時間（t１〜t７）はデータ記入時間を示しており、グラフの右側にある凡例は直前画素ラインに連結された画素回路に記入されたデータの階調レベルを示している。
【０００８】
例えば、直前画素ラインに連結された画素回路に記入されたデータの階調レベルが“８”である場合、現在の画素ラインに連結された画素回路（基準画素回路）に記入するデータの階調レベルも８（曲線が横軸とぶつかる点）であれば、データ線の電圧状態が目標電圧と差がないので、データ記入に必要な時間がほとんど零になる。
【０００９】
しかし、現在記入しようとするデータの階調レベルが８から離れるほど、現在のデータ線電圧と目標電圧との差が大きくなるので、データ記入に必要な時間が長くなる。一方、データ記入に必要な時間はデータ線を駆動するデータ電流の大きさに反比例する。したがって、階調レベルが低くなればデータ線を駆動するデータ電流も小さくなるので、データ記入時間が急激に長くなる。つまり、図２０から分かるように、階調レベルが低い（ブラックに近い）ほど、低い電流でデータ線の電圧を大きな電圧範囲に変化させるため、データ記入時間が長くなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、本発明が目的とする技術的課題は、電流駆動方式の発光表示装置でデータ記入時間を短くすることにある。  
また、本発明の他の技術的課題は、発光表示装置で正確なデータ表現が行われるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一つの特徴による発光表示装置は、データ電流を伝達し、一方向に形成されている複数のデータ線; 第１及び第２走査信号を各々伝達し、前記データ線と交差している複数の第１信号線及び第２信号線;前記データ線と前記第１信号線及び第２信号線が交差して形成される領域に各々形成されており、印加されるデータ電流に対応する画像を表示する複数の画素回路;及び第１制御信号に応じて前記データ線にプリチャージ電流を供給し、第２制御信号に応じて前記データ線にデータ電流を供給するデータ駆動部を含む。
【００１２】
ここで、データ線へのプリチャージ電流の供給時に、データ電流が供給される基準画素回路の他に、前記基準画素回路に隣接した少なくとも一つの画素回路が駆動されて、前記データ線がプリチャージされる。また、前記プリチャージ電流の供給時に、前記基準画素回路と、前記基準画素回路の第１方向に隣接して連続的に配列されている少なくとも一つの画素回路を駆動できる。また、前記プリチャージ電流の供給時に、前記基準画素回路と、前記第１方向と反対である第２方向に隣接して連続的に配列されている少なくとも一つの画素回路を駆動できる。また、プリチャージ電流の供給時に、前記基準画素回路と、前記基準画素回路を中心に第１及び第２方向に隣接して連続的に配列されている少なくとも一つの画素回路を駆動できる。ここで、前記プリチャージ電流はデータ電流のNpr倍であり、前記プリチャージ電流の供給時に前記基準画素を含んで全Npr個の画素が駆動されて前記データ線にプリチャージ電流が充電される。特に、前記プリチャージ電流はデータ電流のNpr倍である場合、前記プリチャージ電流が供給される時間はT≧t/Npr（T:プリチャージ電流が供給される時間、t:基準画素にデータが記入される時間）を満足することが好ましい。
【００１３】
一方、前記画素回路は前記第１信号線からの第１走査信号に応答して前記データ線からのデータ電流を伝達する第１スイッチング素子;前記第１スイッチング素子からのデータ電流に対応する電圧を充電するキャパシタ;発光素子;前記キャパシタに充電された電圧に対応する電流を前記発光素子に供給する第１トランジスタ;及び前記第２信号線からの第２走査信号に応答して前記第１トランジスタからの電流が前記発光素子に供給されるようにする第２スイッチング素子を含むことができる。また、前記画素回路は前記データ線を通って供給される電流を伝達するための経路を形成する第１トランジスタ;前記第１走査信号によって動作し、データ線と第１トランジスタとの間で電流供給を制御する第２トランジスタ;前記第１トランジスタを通って流れる電流を電圧に変換するキャパシタ;前記第２走査信号によって動作し、第１トランジスタとキャパシタでスイッチング機能を行う第３トランジスタ;第１トランジスタと共に電流ミラーを形成し、キャパシタで示される電圧に対応する電流を発生させる第４トランジスタ;及び、第４トランジスタから供給される電流の大きさに応じて発光して表示動作を行う発光素子を含むことができる。また、前記画素回路は印加されるデータ電流に対応する画像を表示する画素部;及び前記データ駆動部から供給されるプリチャージ電流が前記データ線に充電されるようにするプリチャージ部を含むことができる。
【００１４】
本発明の他の特徴による発光表示装置は、データ電流を伝達し、一方向に形成されている複数のデータ線;第１及び第２走査信号を各々伝達し、前記データ線と交差している複数の第１信号線及び第２信号線;前記データ線と前記第１信号線及び第２信号線が交差して形成される領域に各々形成されており、印加されるデータ電流に対応する画像を表示する画素部と、前記データ駆動部から供給されるプリチャージ電流が前記データ線に充電されるようにするプリチャージ部を含む複数の画素回路;及び第１制御信号に応じて前記データ線にプリチャージ電流を供給し、第２制御信号に応じて前記データ線にデータ電流を供給するデータ駆動部を含み、前記データ線へのプリチャージ電流の供給時に、データ電流が供給される基準画素回路の他に、前記基準画素回路に隣接した少なくとも一つの画素回路が駆動されて前記データ線がプリチャージされる。この場合、前記画素回路のプリチャージ部にプリチャージのための制御信号を伝達する第３信号線をさらに含むことができる。
【００１５】
ここで、前記プリチャージ部は前記制御信号に応答して前記データ線からのプリチャージ電流を伝達する第１スイッチング素子;及び前記プリチャージ電流に対応する電流をデータ線に供給する第１トランジスタを含む。また、前記画素部は、前記第１信号線からの第１走査信号に応答して前記データ線からのデータ電流を伝達する第２スイッチング素子、前記第２スイッチング素子からのデータ電流に対応する電圧を充電するキャパシタ、発光素子、及び前記キャパシタに充電された電圧に対応する電流を前記発光素子に供給する第２トランジスタ、前記第２信号線からの第２走査信号に応答して前記第２トランジスタからの電流が前記発光素子に供給されるようにする第３スイッチング素子を含む。この時、前記プリチャージ電流が前記データ電流のNpr倍である場合、前記プリチャージ部の第１トランジスタの縦横比つまり（チャンネル幅/チャンネル長さ）比は前記画素部の第２トランジスタの縦横比のNpr-１倍になることができる。
【００１６】
また、本発明の他の特徴による発光表示装置の駆動方法は、データ線と第１信号線及び第２信号線が交差して形成される画素領域に形成されており、キャパシタ、前記キャパシタに充電された電圧に対応して電流を供給するトランジスタ、そして発光素子を含む画素回路が行列形態で形成されている発光表示装置を駆動する方法において、a）前記データ線にデータ電流のNpr倍であるプリチャージ電流を供給してデータ線をプリチャージさせる段階;b）前記第１信号線からの第１走査信号に応じて前記データ線から伝達されるデータ電流に対応する電圧が前記キャパシタに充電される段階;及びc）前記第２信号線を通って印加される第２走査信号に応答して前記トランジスタから伝達される前記キャパシタに充電された電圧に対応する電流に応答して前記発光素子が発光する段階を含み、前記a）段階は前記データ電流を提供しようとする行の基準画素回路及び前記基準画素回路と隣接した少なくとも一つの画素回路を駆動させて、前記データ線がプリチャージされるようにする。ここで、a）段階は前記基準画素回路と、前記基準画素回路の第１方向に隣接して連続的に配列されている少なくとも一つの画素回路を駆動させて、前記データ線がプリチャージされるようにすることができる。また、前記a）段階は前記基準画素回路と、前記基準画素回路の第２方向に隣接されて連続的に配列されている少なくとも一つの画素回路を駆動させて、前記データ線がプリチャージされるようにすることができる。また、前記a）段階は前記基準画素回路と、前記基準画素回路を中心に第１及び第２方向に隣接して連続的に配列されている少なくとも一つの画素回路を駆動させて、前記データ線がプリチャージされるようにすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、データ線を充電するのにかかる時間を効果的に短縮することができる。特に、本発明によれば、直前画素ラインに印加されたデータによってまたはプリチャージ動作によって、現在データに相当する電圧（目標電圧）と差の大きい電圧でプリチャージされているデータ線を、大きい電流で先に目標電圧に近い電圧でプリチャージすることにより、データ記入がより急速に行われる。そのために、正確な階調表現が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施例について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様で相異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
【００１９】
図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略した。明細書全体にかけて類似な部分については同一な図面符号を付けた。ある部分が他の部分と連結されているとする時、これは直接的に連結されている場合だけでなく、その中間に他の素子をおいて電気的に連結（接続）されている場合も含む。
【００２０】
次に、本発明の実施例による発光表示装置及びその画素回路と駆動方法について図面を参照して詳細に説明する。以下で記述される発光表示装置は有機発光セルを有する有機電界発光表示装置であるが、本発明による発光表示装置はこれに限定されない。
【００２１】
また、各種制御信号は基本的に２進法の形式を有し、２種の状態を低電位と高電位によって表す。低電位と高電位は或る基準電位よりも負電位側を低電位、正電位側を高電位と称し、電圧で表示する場合は、電位表示に準じて判断する。
【実施例１】
【００２２】
まず、図１を参照して本発明の第１実施例による発光表示装置について詳しく説明する。図１は本発明の第１実施例による発光表示装置の概略的な平面図である。
【００２３】
図１に示したように、本発明の第１実施例による発光表示装置は、有機EL表示パネル（以下、表示パネルと言う）１００、データ駆動部２００、走査駆動部３００、発光制御駆動部４００、及びプリチャージ部５００を含む。
【００２４】
表示パネル１００は縦方向に伸びている複数のデータ線Y１-Yｎ、横方向に伸びている複数の信号線X１-Xｍ、Z１-Zｍ及び複数の画素回路１１０を含む。
【００２５】
信号線は画素を選択するための第１走査信号を伝達する複数の第１信号線X１-Xｍ及び有機EL素子の発光期間を制御するための第２走査信号を伝達する複数の第２信号線Z１-Zｍを含む。その他にも、プリチャージを行うための制御信号を伝達する信号線をさらに含むことができる。そしてデータ線Y１-Yｎと第１及び第２信号線X１-Xｍ、Z１-Zｍによって定義される画素領域に画素回路１１０が形成されている。
【００２６】
データ駆動部２００はデータ線Y１-Ynを特定電流レベルでプリチャージした後、データ線Y１-Yｎにデータ電流IＤＡＴＡを印加する。このために、本実施例におけるデータ駆動部２００は、データ電流IＤＡＴＡ生成用の第１電流源と、プリチャージ用の前記特定電流を生成するための付加電流(Npr-１)IＤＡＴＡを生成する第２電流源を含む。データ駆動部２００は後述する画素のプリチャージ動作時にデータ線Y１-Yｎを第１及び第２電流源に連結させてプリチャージ部５００の動作によってデータ線にプリチャージ電流Npr*IＤＡＴＡが流れるようにし、データ記入動作時にはデータ線Y１-Yｎを第１電流源にのみ連結させてデータ線にデータ電流IＤＡＴＡのみが流れるようにする。ここで、データ電流と付加電流は電流ミラー回路などによって生成することができ、このような電流生成過程は当業者に自明な技術であるので詳細な説明を省略する。一方、このようなデータ駆動部２００は外部の制御部（図示せず）から印加される第１制御信号に応じて上述したようにプリチャージ電流Npr*IＤＡＴＡをデータ線に供給し、第２制御信号に応じてデータ電流IＤＡＴＡをデータ線に供給する。
【００２７】
走査駆動部３００は第１信号線X１-Xｍに画素回路を選択するための第１走査信号を順次に印加する。発光制御駆動部４００は画素回路１１０の発光を制御するための第２走査信号を第２信号線Z１-Zｍに順次に印加する。
【００２８】
プリチャージ部５００は印加される制御信号によって駆動されてデータ線にプリチャージ電流Npr*IＤＡＴＡが供給されるようにする。
【００２９】
走査駆動部３００及び発光制御駆動部４００、及び/またはデータ駆動部２００、及び/またはプリチャージ部５００は表示パネル１００に電気的に連結（接続）されることができ、または表示パネル１００に接着されて電気的に連結されているテープキャリアパッケージ（TCP）にチップなどの形態で装着することができる。または表示パネル１００に接着されて電気的に連結（接続）されている可撓性印刷回路（FPC）またはフィルムなどにチップなどの形態で装着することができ、これをCOF（chip on flexible board、chip on film）方式という。これとは異なり、走査駆動部３００及び発光制御駆動部４００、及び/またはデータ駆動部２００、及び/またはプリチャージ部５００は表示パネルのガラス基板上に直接装着することができ、これをCOG（chip on glass）方式という。また、ガラス基板上に信号線、データ線及び薄膜トランジスタと同一層で形成されている駆動回路と代替されることもできる。
【００３０】
以下、図２及び図３を参照して本発明の第１実施例による発光表示装置の画素回路１１０及びプリチャージ部５００について詳細に説明する。
【００３１】
図２は本発明の第１実施例による画素回路の回路図である。図２では説明の便宜上、j番目データ線Yjとi番目信号線Xi、Ziに連結された画素回路のみを示した。
図２に示したように、本発明の第１実施例による画素回路１１０は有機EL素子OLED、PchトランジスタT１-T４及びキャパシタCを含む。ここで、トランジスタT１-T４としてはPMOSトランジスタが使用されたが、これに限定されない。このようなトランジスタは表示パネル１００のガラス基板上に形成されるゲート電極、ドレーン電極及びソース電極を各々制御電極及び２つの主電極として有する薄膜トランジスタであるのが好ましい。
【００３２】
具体的に、トランジスタT１はその三端子が第１信号線Xｉ、データ線Yｊ及びキャパシタCに各々連結され、第１信号線Xｉからの第１走査信号（低電圧）に応答して導通し、データ線Yjからのデータ電流IＤＡＴＡをトランジスタT３のゲートに伝達する。この時、第２信号線Zi は高電圧状態であってトランジスタT４は遮断されており、キャパシタCの充電電流が零になって、データ電流IＤＡＴＡと同じ大きさの電流がトランジスタT３のドレーンに流れるまでトランジスタT３のゲートにデータ電流が伝達される。キャパシタCはトランジスタT３のゲートとソースとの間に連結されており、データ線Yｊからのデータ電流IＤＡＴＡに相当する電圧まで充電される。トランジスタT３ではキャパシタCに充電された電圧によって次の数１のような電流が流れる。
【００３３】
【数１】
2005157349.tif 000003
ここで、VＧＳはトランジスタT３のゲートとソースとの間の電圧、VＴＨはトランジスタT３のしきい電圧、βは定数値を示す。
【００３４】
トランジスタT４はトランジスタT３と有機EL素子OLEDとの間に連結され、第２信号線Ziからの低レベルの第２走査信号（低電圧）に応答して導通し、トランジスタT３と有機EL素子OLEDを電気的に連結（接続）する。有機EL素子OLEDはトランジスタT４と接地電圧との間に連結されており、トランジスタT４を経て供給される電流に対応して発光する。トランジスタT２は第１信号線Xiからの低レベルの第１走査信号に応答して導通し、印加されるデータ電流IＤＡＴＡをトランジスタT３のドレーンに伝達する。
【００３５】
図３は本発明の第１実施例によるプリチャージ部の等価回路図である。図３に示したように、本発明の第１実施例によるプリチャージ部５００はトランジスタTa３、Ta２を含む。ここで、トランジスタTa３、Ta２としてはPMOSトランジスタが使用されたが、これに限定されない。特に、トランジスタTa３は画素回路１１０を構成するトランジスタT３の縦横比のNpr倍になる縦横比を有する。これとは異なって、トランジスタTa３がトランジスタT３の縦横比つまり（チャンネル幅）/（チャンネル長さ）比のNpr-１倍になる縦横比を有することも可能である。以下では縦横比を“W/L”と命名する。一方、トランジスタTa３は前記トランジスタT３とチャンネル極性が同一である。つまり、トランジスタT３がPMOSトランジスタであれば、前記トランジスタTa３もPMOSトランジスタである。その他にも、トランジスタTa３と前記トランジスタT３のソースに印加される電圧Vddも同一であるのが好ましい。
【００３６】
具体的に、トランジスタTa２はソース及びドレーンがデータ線Yj及びトランジスタTa３に各々連結されており、ゲートに印加される制御信号PREに応答してデータ線Yjからのプリチャージ電流Npr*IＤＡＴＡをトランジスタTa３のドレーンに伝達する。
【００３７】
次に、図４及び図５を参照して本発明の第１実施例による発光表示装置の動作について詳しく説明する。
【００３８】
図４は本発明の第１実施例による発光表示装置の電流供給状態を示した図面であり、特に、図４（a）はプリチャージ段階で電流が供給される状態を示しており、図４（b）はデータ記入段階で電流が供給される状態を示す。また、図５は本発明の第１実施例による各信号のタイミング図である。
【００３９】
まず、データ線にデータ電流を供給するデータ記入動作が行われる前に、データ記入時間を短くするためにプリチャージ動作が行われる。
【００４０】
添付した図４（a）及び図５に示されているように、第１信号線Xiに第１走査信号（Vselect１の低電圧部分）が印加される前に、プリチャージのための制御信号PRE（低電圧）がプリチャージ部５００のトランジスタTa２に印加され、これと同時にデータ駆動部２００からデータ電流IＤＡＴＡと共にプリチャージ電流生成のための付加電流(Npr-１)IＤＡＴＡが生成される（図では、Npr＝１０）。
【００４１】
従って、プリチャージ部５００のトランジスタTa２が導通しトランジスタTa３がダイオード連結されて、プリチャージ電流（IＤＡＴＡ+(Npr-１)IＤＡＴＡ=Npr*IＤＡＴＡ）がデータ線Yjに沿って流れる。
【００４２】
この時、トランジスタTa３は、画素回路１１０内のトランジスタT３に比してNpr倍の（W/L）比を有するので、トランジスタTa３に流れる電流は次の数２のように、数１で示される値のNpr倍、つまりNpr*IＤＡＴＡになる。
【００４３】
【数２】
2005157349.tif 000004
ここで、βは 数１の場合と同じ値を有する。したがって、データ線Yjには実質的に電流IＤＡＴＡに相当する電圧が印加される。
【００４４】
このようなプリチャージ動作の後に、第１信号線に第１走査信号Vselect１（低電圧）が印加され、データ駆動部２００からデータ電流IＤＡＴＡのみが生成されれば、図４（b）に示されているように、第１走査信号Vselect1に応じてトランジスタT１が導通してデータ線Y１-Ynからのデータ電流IＤＡＴＡに相当する電圧がキャパシタCに充電される。この時、第１走査信号Vselect1に応じてトランジスタT２も導通し、トランジスタT３がダイオード連結される。これによりキャパシタCにトランジスタT３を通って流れるデータ電流IＤＡＴＡに相当する電圧が充電され、トランジスタT１に電流が流れなくなるまでキャパシタCに当該電圧が充電される。特に、データ線Yjに直前プリチャージ動作によってプリチャージ電圧（電流IＤＡＴＡに相当する電圧に近い電圧）が印加されているので、キャパシタCにデータ電流IＤＡＴＡに相当する電圧が急速に充電される。
【００４５】
その後、充電が完了すればトランジスタT１、T２が遮断され、第２信号線Ziから印加される第２走査信号（Vselect2）に応じてトランジスタT４が導通してトランジスタT４を通ってデータ電流IＤＡＴＡが有機EL素子OLEDに供給され、この電流に対応して有機EL素子OLEDが発光する。
【００４６】
このように電流プリチャージ後、データ記入動作が行われることによって、データ電流による電圧充電が速かに行われてより正確に階調表現することができる。
【００４７】
一方、上述した第１実施例によれば、プリチャージ部のトランジスタTa３と画素回路のトランジスタT３の素子特性の差が大きいほどデータ線がデータ電流に相当する最終電圧から遠く離れた電圧にプリチャージされる可能性が多い。そのためにデータを記入する時間が不足するため表示される画像がトランジスタTa３の影響を多く受け、その結果トランジスタTa３の特性偏差により縦縞が表示される可能性もある。
【００４８】
また、プリチャージ部のVdd電圧レベルと画素回路のVddの電圧レベル差によって表示パネル上の各画素間に電流差が発生することがある。つまり、各画素ではVdd配線抵抗によって電圧降下が発生し、そのために画素のVdd電圧レベルが特定分布を形成してプリチャージ部のVdd電圧レベルとの差が発生する。この時、画素のVdd電圧が低いほど画素に流れる電流が小さくなるようにプリチャージされ、特に、表示パネル全体をフルホワイト画面にする場合、電圧降下がさらに激しく発生して、これによるVdd電圧レベル分布が輝度分布に反映されて表示されることがある。このような問題は解像度が大きくなるほどさらに深刻になる。
【００４９】
また、プリチャージ部のトランジスタTa３と画素回路のトランジスタT３の素子特性が同一であり、プリチャージ部のVdd電圧レベルと画素回路のVddの電圧レベルが同一であるとしても、データ線上の寄生抵抗による電圧降下のためにプリチャージ部と画素回路の電圧設定に差が発生する。つまり、データ線にデータ電流を記入してもデータ線に沿って電圧降下が発生して、画素がプリチャージ部から遠くなるほど画素回路のトランジスタT３のゲートは最終電圧（前記データ電流に相当する電圧）から遠く離れた電圧にプリチャージされてデータを記入する時間が不足して画質が悪くなる可能性がある。
【００５０】
したがって、次の第２実施例ではこのような問題点を考慮して画素をプリチャージさせる方法について説明する。
【実施例２】
【００５１】
まず、本発明の第２実施例による発光表示装置と画素回路について詳しく説明する。図６は本発明の第２実施例による発光表示装置の概略的な平面図である。
図６に示したように本発明の第２実施例による発光表示装置は、表示パネル１００、データ駆動部２００、走査駆動部３００、発光制御駆動部４００のみを含む。つまり、第１実施例のような別途のプリチャージ部５００を含まない。しかし、第２実施例における各構成要素の構造及び作用と画素回路の構造は第１実施例と同一であるので、ここでは詳細な説明を省略する。
【００５２】
次に、本発明の第２実施例による発光表示装置の動作について詳しく説明する。
図７は本発明の第２実施例による発光表示装置において、同一データ線に連結された任意の連続する５行の画素を示した図面である。つまり、任意のj番目データ線Yjと任意のi番目乃至（i+４）番目第１及び第２信号線X、Zが交差する地点に形成された５行の画素が示されている。
【００５３】
本発明の第２実施例では、前記第１実施例のような別途のプリチャージ部を追加してデータ線をプリチャージすることはなく、隣接した画素を利用してデータ線をプリチャージすることに特徴がある（画像の画素間相関性を利用するので、隣接には限られず、近接でもよい）。言い換えると、一つの行（例えばi番目行）の画素をプリチャージする場合、前記i番目行と上下で隣接するNpr-１行の画素を全て駆動させ、データ電流のNpr倍のプリチャージ電流をデータ線に供給し、各画素の駆動によってデータ線に実質的にデータ電流に相当する電圧がプリチャージされるようにする。その後、i番目行に連結された画素のみを駆動させてデータ電流を供給し、前記i番目行の画素にデータが記録されるようにする。ここで、プリチャージ動作時に駆動させる画素の個数はプリチャージ電流とデータ電流の倍数関係（Npr）によって可変設定されるのが好ましい。例えば、プリチャージ電流がデータ電流の５倍である場合にはデータを記録しようとする行の画素を含んで５個の連続する行に連結された画素を駆動させデータ線をプリチャージする。
【００５４】
図８は図７に示された画素回路を駆動させるための波形図である。図８に示された波形は、連続する複数行の画素を所定時間の間に同時に選択してデータ線をプリチャージさせ、前記複数行の画素の中で一つの行の画素のみを選択して当該行の画素に所定時間内に表示情報、つまり、データを記録するためのタイミングを有する。
【００５５】
図中、信号名selectは第１走査線Ｘ、emitは発光制御用の第２走査線Ｚに各々印加される走査信号を示す。
次に、図９を参照して図８の波形が適用される時の本発明の第２実施例による発光表示装置の動作について説明する。図９は図８の波形が適用される場合、前記発光表示装置の動作を説明するための回路図である。
【００５６】
まず、第１実施例と同一に、データ記入動作が行われる前にデータ記入時間を短くするためのプリチャージ動作が行われる。
【００５７】
添付した図８に示されているように、i番目に位置した行の画素にデータを記入しようとする場合、i〜i+(Npr-１)番目行（全Npr個の行）の画素に第１走査信号（select[１]〜select[５]）が供給され、これと同時にデータ線がデータ駆動部２００の第１及び第２電流源に連結される。ここで、Nprは５であり、そのためにi〜i+４番目行（ここでは１〜５番目行）の画素に第１走査信号が供給される。
【００５８】
第１走査信号（select[１]〜select[５]）に応じてi〜i+(Npr-１)番目行の画素回路内のトランジスタT１が導通され、第１走査信号（select[１]〜select[５]）に応じてトランジスタT２も導通しトランジスタT３がダイオード連結される。これにより、図９の（a）に示されているように、プリチャージ電流Npr*IＤＡＴＡがデータ線に沿って流れる。
【００５９】
この時、i〜i+(Npr-１)行（全５個の行）に位置した各画素回路のトランジスタT３は同じW/L比を有するので、データ線から供給されるプリチャージ電流は、各トランジスタのVｔｈに応じて（Npr*IＤＡＴＡ）/Nprに近い値になって各行の画素回路に供給される。その結果、データ線には平均的に電流IＤＡＴＡに相当する電圧が印加される。
【００６０】
このようなプリチャージ動作の後に、図８に示されているようにi番目行の画素へのみ第１走査信号（select[１]）の供給状態が維持され、残りi+１〜i+(Npr-１)番目行の画素には第１走査信号が供給されなければ（つまり、第１走査信号が低レベルから高レベルに変化すれば）、図９の（b）に示されているように、i番目行の画素回路へのデータ記入動作が行われる。この時、データ線はデータ駆動部２００の第１電流源にのみ連結されて、データ線にデータ電流IDATAが供給される。
【００６１】
その結果、i番目行画素回路のトランジスタT１、T２のみが駆動されてデータ線から伝達されるデータ電流IＤＡＴＡがトランジスタT１を通ってキャパシタCに充電される。この時、データ線に直前プリチャージ動作によってプリチャージ電圧（電流IＤＡＴＡに相当する電圧に近い電圧）がかかっているので、キャパシタCにデータ電流IＤＡＴＡに相当する電圧が急速に充電される。
【００６２】
その後、充電が完了すればトランジスタT１、T２が遮断され、第２信号線Ziから印加される第２走査信号（emit[１]）がi番目行の画素回路に供給されれば、当該画素回路のトランジスタT４が導通してトランジスタT４を通ってデータ電流IＤＡＴＡが有機EL素子OLEDに供給され、この電流に対応して有機EL素子OLEDが発光する。
【００６３】
このように電流プリチャージ後にデータ記入動作が行われることにより、データ電流による電圧充電が速かに行われてより正確に階調表現することができる。
特に、第２実施例によれば別途のプリチャージ部を使用せずに発光させようとする画素と隣接して連続する複数画素を利用してデータ線をプリチャージすることによって、第１実施例のようにプリチャージ部のトランジスタと画素回路のトランジスタの素子特性の差、Vdd電圧レベル差などによって発生する問題点を効果的に除去しながら、データ電流による電圧充電が速かに行われるようにすることができる。
【００６４】
一方、上述した第２実施例のようなプリチャージ方法を他の構造の画素回路を有する発光表示装置にも同一に適用することができる。
【実施例３】
【００６５】
次に、図１０を参照して本発明の第３実施例による発光表示装置について説明する。
【００６６】
図１０は本発明の第３実施例による発光表示装置の画素回路図である。図１０に示された画素回路はP-chトランジスタM１、M２、M３、M４、キャパシタC、及び有機EL素子OLEDを含む。ここでは第１及び第２実施例の画素回路とは異なるということを示すために、トランジスタに“M”の識別記号を与える。図１０に示された画素回路は既に本発明の属する技術分野において広く知られたもので、以下では詳細な説明を省略する。図１１は図１０に示された画素回路を駆動させるための波形図である。
【００６７】
次に、図１２を参照して図１１の波形が適用される時、本発明の第３実施例による発光表示装置の動作について説明する。図１２は図１１の波形が適用される場合、前記発光表示装置の動作を説明するための回路図である。
【００６８】
第２実施例と同様、プリチャージ動作時に、データを記入しようとする画素に隣接しながら連続する複数個の画素を同時に駆動させてデータ線をプリチャージさせる。
【００６９】
添付した図１１に示されているように、i番目行の画素にデータを記入しようとする場合、i〜i+(Npr-１)番目行（全Npr個の行）の画素に低電圧の第１走査信号（select[１]〜select[５]）が各々供給され、データ線を低電圧にしてプリチャージ電流Npr*IＤＡＴＡを吸収すれば、各画素のトランジスタM３は導通する。この時、第２走査信号emit[１]が低電圧になっているので、 i番目行のトランジスタM４もオン状態であるが、残り行のトランジスタM４はオフ状態である。また、i番目行のトランジスタM４をオフにすることもできる。
【００７０】
そのため、図１２（a）に示すように、各行のトランジスタM２、M３が配置された経路には電流が流れる。この場合にも各画素回路トランジスタの大きさが同一であるので、データ線から供給されるプリチャージ電流は平均的に（Npr*IＤＡＴＡ）/Nprになって各行の画素回路に配分される。その結果、データ線には実質的に電流IＤＡＴＡに相当する電圧がかかる。この時、i番目行のトランジスタM４はオン状態であるので、電流IＤＡＴＡによって発生したトランジスタM２のゲート-ソース電圧がキャパシタCに伝達されて、i番目行のキャパシタCにのみ所定電圧がプリチャージできる。
【００７１】
このようなプリチャージ動作後に、図１１に示されているようにi番目行の画素にのみ第１走査信号（select[１]）の供給状態が維持され、第２走査信号（emit[１]）が供給され、データ線を通ってデータ電流IＤＡＴＡが供給されれば、i番目行の画素回路内の二つのトランジスタM３、M４が導通する。これにより図１２（b）に示されているように、i番目行の画素のトランジスタM２、M３が配置された経路に電流が流れ、前記トランジスタM２のゲート電極とソース電極との間に電圧が発生する。この電圧は導通したトランジスタM４を通ってキャパシタCに伝達される。この時、データ線に直前プリチャージ動作によってプリチャージ電圧（電流IＤＡＴＡに相当する電圧に近い電圧）がかかっているので、キャパシタCにデータ電流IＤＡＴＡに相当する電圧が充電される。キャパシタCは伝達された電圧をトランジスタM１のゲート電極に印加する。トランジスタM１はゲート電圧に対応するドレーン電流を発生させ、前記トランジスタM１のドレーン電流によって有機発光ダイオードOLEDが駆動されて表示動作を行う。
【００７２】
このような第３実施例では駆動トランジスタM１とミラートランジスタM２のW/L比を大きくしてデータ記入時間を短くすることができるが、上述したようにデータ線（data[n]）をプリチャージして一層低い電流レベルでもデータ記入が可能であるので、W/L比を減らすことができる。したがって、駆動トランジスタM１とミラートランジスタM２が占める面積が減って発光表示装置の開口率を高めることができ、データ電流が小さくなるので消費電力を減少させることができる。
【００７３】
一方、上述したように、プリチャージ動作時にi〜i+(Npr-１)番目行の画素を駆動させてデータ線をプリチャージした後、i番目行の画素でなく他の行の画素を駆動させてデータを記入することができる。つまり、i番目行の画素へのデータ記入時間を短くするためにi番目行に連続して順次に位置する複数個の画素を選択してプリチャージする方法の他にも、i番目行を中心に位置した互いに異なる方向の連続する行の画素を選択してプリチャージすることができる。
【００７４】
図１３に図１０に示された画素回路を駆動させるための他の波形図が示されている。図１３に示された波形は、例えば３番目行の画素にデータを記入するために、プリチャージ動作時に３番目行の画素を中心に互いに異なる方向に隣接して連続的に位置した１番目及び２番目行、そして４番目及び５番目行を選択してデータ線をプリチャージするためのものである。図１４は図１３の波形が適用される場合の前記発光表示装置の動作を説明するための回路図である。
【００７５】
プリチャージ動作時に図１４（a）に示されているように、１乃至５番目行の画素を選択しプリチャージ電流を供給してデータ線にIＤＡＴＡに相当する電流がプリチャージされるようにした後、図１３及び図１４（b）のように、３番目行の画素にのみ第１及び第２走査信号（select[３]、emit[３]）を同時に供給してデータ記入及び発光動作が行われるようにする。この時、３番目行のトランジスタM４を先にオフさせてキャパシタCに保存された電圧に影響を与えずにデータ線からの電流IＤＡＴＡが３番目行のトランジスタM３、M２を通って流れるようにし、次の行の画素に対するプリチャージが行われるようにすることができる。つまり、３番目行の有機EL素子OLEDがキャパシタCに充電された電圧に応じて発光動作するようにし、データ線から伝達されるIＤＡＴＡの電流は単にトランジスタM３、M２を通って流れるようにし、データ線にIＤＡＴＡに相当する電圧により近い電圧がプリチャージされるようにする。これにより、次の行、例えば４番目行の画素にのみ第１及び第２走査信号（select[４]、emit[４]）が供給されてデータ記入及び発光動作が行われれば、データ線に印加されたプリチャージ電圧によって４番目行の画素へのデータ記入動作がより速かに行われる。
【００７６】
また、上述したように、プリチャージ動作時にi番目行の画素へのデータ記入時間を短くするために、第３実施例のように、i〜i+(Npr-１)番目行の画素をプリチャージせず、i〜i-(Npr-１)番目行の画素をプリチャージすることができる。つまり、i番目行の画素を基準に第３実施例とは異なる方向に隣接して連続する行の画素を選択してデータ線をプリチャージすることができる。
【００７７】
図１５に図１０に示された画素回路を駆動させるための他の波形図が示されている。図１５に示された波形は５番目行の画素にデータを記入するために、プリチャージ動作時に５番目行の画素を基準に４番目乃至１番目行の画素を選択してデータ線をプリチャージするためのものである。図１６は図１５の波形が適用される場合の前記発光表示装置の動作を説明するための回路図である。
【００７８】
前記第３実施例のように、プリチャージ動作時に図１６（a）に示されているように、１乃至５番目行の画素を選択してプリチャージ電流を供給し、データ線にIＤＡＴＡに相当する電圧がプリチャージされるようにした後、図１５及び図１６（b）のように、５番目行の画素にのみ第１及び第２走査信号（select[５]、emit[５]）を供給してデータ記入及び発光動作が行われるようにする。
【００７９】
一方、前記第１実施例による問題点を解消するために、前記第２乃至第３実施例のようにデータを記入しようとする行の画素に隣接した行の隣接画素を利用してデータ線をプリチャージすることもできるが、これとは異なり、各画素ごとにプリチャージ手段を内蔵させてデータ線をプリチャージすることができる。
【実施例４】
【００８０】
次に、図１７を参照して本発明の第４実施例による発光表示装置について説明する。
【００８１】
図１７は本発明の第４実施例による発光表示装置の画素回路図である。図１７に示されているように、本発明の第４実施例による発光表示装置の画素回路は、データ線と第１及び第２信号線、そしてプリチャージ線が交差する地点に形成されている。画素回路は第１実施例と同じ構造であり、P-chトランジスタT１、T２、T３、T４、キャパシタC、及び有機EL素子OLEDを含む画素部１１と、P-chトランジスタT５、T６を含むプリチャージ部１２を含む。ここで、プリチャージ部１２に使うトランジスタT５のW/Lは画素部１１に使うトランジスタT３のW/LのNpr-１倍である。
【００８２】
次に、本発明の第４実施例による発光表示装置の動作について詳しく説明する。本発明の第４実施例では各画素ごとにプリチャージ部が内蔵されているので、前記第２及び第３実施例のようにデータを記録しようとする画素に隣接した行の画素を駆動させてプリチャージせず、データを記録しようとする画素のみ駆動させてプリチャージ動作を行う。
【００８３】
図１８は図１７に示された画素回路を駆動させるための波形図であり、図１９は図１８の波形が適用される場合、前記発光表示装置の動作を説明するための回路図である。
【００８４】
まず、プリチャージ動作時に、i番目行の画素に第１走査信号（select[１]）及びプリチャージ信号（PRE[１]）が供給され、前記実施例と同様にデータ線にプリチャージ電流Npr*IＤＡＴＡが供給される。これにより画素部１１のトランジスタT２が導通し、また、図１９（a）に示されているように、プリチャージ部１２のトランジスタM６も導通してデータ線にプリチャージ電流Npr*IＤＡＴＡが吸収される。この時、プリチャージ部１２のトランジスタT５のW/Lが画素部１１のトランジスタT３のW/LのNpr-１倍であるので、トランジスタT５に(Npr-１)IＤＡＴＡの電流が流れ、トランジスタT３にIＤＡＴＡの電流が流れる。したがって、データ線には実質的に電流IＤＡＴＡに相当する電圧が現れる。  
このようなプリチャージ動作後に、図１８に示すようにプリチャージ信号供給が中断されて第１走査信号（select[１]）のみが供給され、データ線にデータ電流IＤＡＴＡが吸収されれば、プリチャージ部１２からの電流流出は遮断され、図１９（b）に示されているようにデータ線からのデータ電流IＤＡＴＡに相当する電圧がキャパシタCに充電される。この時、直前プリチャージ動作によってデータ線にプリチャージ電圧（電流IＤＡＴＡに相当する電圧に近い電圧）が残っているので、キャパシタCにデータ電流IＤＡＴＡに相当する電圧が急速に充電される。
【００８５】
その後、充電が完了すれば第１実施例のように、第２信号線から印加される第２走査信号（emit[１]）によってトランジスタT４が導通し、トランジスタT４を通ってデータ電流IＤＡＴＡが有機EL素子OLEDに供給され、この電流に対応して有機EL素子OLEDが発光する。
【００８６】
このように動作する第４実施例において、各画素内のプリチャージ部を利用してデータ線をプリチャージする方法に、前記第２及び第３実施例に記述したようにデータを記入しようとする画素と隣接した画素を利用してデータ線をプリチャージする方法を組み合わせてデータ線をプリチャージすることもできる。このようなプリチャージ方法は当業者であれば前記第２乃至第４実施例から容易に類推することができるので、ここでは詳細な説明を省略する。
【００８７】
一方、前記第２及び第３実施例において、プリチャージ動作時にi番目行の画素へのデータ記入時間を短くするために、i〜i+(Npr-１)番目行の画素をプリチャージしたり、i〜i-(Npr-１)番目行の画素をプリチャージする場合に、i+(Npr-１)番目行の画素またはi-(Npr-１)番目行の画素をプリチャージする方法で別途のダミーライン画素を利用して前記画素をプリチャージすることができる。例えば、i+(Npr-１)番目行がパネル上の最後の行である場合、この行に隣接してダミーラインをNpr-１個形成し、これを利用して上述の実施例と同じ方法で前記i+(Npr-１)番目行の画素をプリチャージすることができる。またはi-(Npr-１)番目行がパネル上の第１行である場合、この行に隣接してダミーラインをNpr-１個形成し、これを利用して上述した実施例と同じ方法で前記i-(Npr-１)番目行の画素をプリチャージすることができる。
【００８８】
その他にも、i〜i+(Npr-１)番目行の画素をプリチャージしたり、i〜i-(Npr-１)番目行の画素をプリチャージする場合に、i〜i+(Npr-１)番目行を除いたパネルの上端に位置するNpr-１個の他の行や、i〜i-(Npr-１)番目行を除いたパネルの下端に位置するNpr-１個の他の行を上述した実施例と同じ方法を利用してi〜i+(Npr-１)番目行の画素またはi〜i-(Npr-１)番目行の画素を各々プリチャージすることができる。
【００８９】
上述した複数の実施例において、Npr倍のデータ電流でデータ線をプリチャージする時、選択時間、つまり、画素にデータを記入する時間tのNpr分の１以内の時間でプリチャージさせることができ、一方、プリチャージ電流供給時間はデータ記入時間tのNpr分の１より長いことが望ましい。
また、前記実施例において、データ駆動部がプリチャージ電流を供給すると記述されたが、データ駆動部とは別途でプリチャージ電流を供給する手段を形成することができる。
【００９０】
また、前記実施例による電流プリチャージ方法は所定値以下の低階調でのみ行うことができる。
【００９１】
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。例えば、本発明の概念が上述した特定画素回路にのみ適用されるわけでなく、データ記入時間が問題になる全ての電流記入方式の画素回路に本発明の概念を利用して適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の第１実施例による発光表示装置の概略的な平面図である。
【図２】本発明の第１実施例による発光表示装置の画素回路の概略的な回路図である。
【図３】本発明の第１実施例によるプリチャージ部の回路図である。
【図４】本発明の第１実施例による発光表示装置の動作状態による電流供給状態を示した図面である。
【図５】本発明の第１実施例による各信号のタイミング図である。
【図６】本発明の第２実施例による発光表示装置の概略的な平面図である。
【図７】本発明の第２実施例による発光表示装置において、同一データ線に連結された任意の連続する５行の画素を示した図面である。
【図８】図７に示された画素回路を駆動させるための波形図である。
【図９】図８の波形が適用される場合、前記発光表示装置の動作を説明するための回路図である。
【図１０】本発明の第３実施例による発光表示装置画素回路の概略的な回路図である。
【図１１】図１０に示された画素回路を駆動させるための波形図である。
【図１２】図１１の波形が適用される場合、前記発光表示装置の動作を説明するための回路図である。
【図１３】図１０に示された画素回路を駆動させるための他の波形図である。
【図１４】図１３の波形が適用される場合の前記発光表示装置の動作を説明するための回路図である。
【図１５】図１０に示された画素回路を駆動させるための、また他の波形図である。
【図１６】図１５の波形が適用される場合、前記発光表示装置の動作を説明するための回路図である。
【図１７】本発明の第４実施例による発光表示装置の画素回路図である。
【図１８】図１７に示された画素回路を駆動させるための波形図である。
【図１９】図１８の波形が適用される場合、前記発光表示装置の動作を説明するための回路図である。
【図２０】従来の発光表示装置における階調別データ記入時間の変化を示したグラフである。
【符号の説明】
【００９３】
１００  有機EL表示パネル（表示パネル）
１１０  画素回路
２００  データ駆動部
３００  走査駆動部
４００  発光制御駆動部
５００  プリチャージ部
C  キャパシタ
IＤＡＴＡ  データ電流
OLED  有機EL素子
M1-M4、T1-T4  トランジスタ
Npr*IＤＡＴＡ  プリチャージ電流（IＤＡＴＡのNpr倍）
X１-Xｍ  第１信号線
Z１-Zｍ  第２信号線
Y１-Yｎ  データ線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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