(57)【要約】【課題】  表面伝導型の電子放出素子において、電子放出部形成工程の通電処理において、素子膜上の異物の存在により生じるフォーミング不良を防止する。【解決手段】  絶縁性の基板１上に、電極２，３、導電性膜４を形成し、さらに、導電性膜４の周囲に帯電防止膜５を形成した後、５ＭＰａ以上の液圧で純水を噴射することにより、導電性膜４表面を洗浄し、異物を除去する。【選択図】      図１
2005222931.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導電性膜を形成し、形成された前記導電性膜上から異物を除去した後、当該異物が除去された導電性膜に通電を施して、当該導電性膜に電子放出部を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項２】
前記導電性膜上からの異物の除去は、当該導電性膜に洗浄液を噴射することで行なわれることを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項３】
前記洗浄液の噴射は、５ＭＰａ以上の液圧で行なわれることを特徴とする請求項２に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項４】
前記洗浄液の噴射は、３０ＭＰａ以下の液圧で行なわれることを特徴とする請求項３に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項５】
前記導電性膜上からの異物の除去は、前記基板上と前記導電性膜上とに抵抗膜を形成した後に行なわれることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項６】
前記抵抗膜の形成は、導電性粒子が分散された液体を、前記基板上及び前記導電性膜上に付与することで行なわれることを特徴とする請求項５に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項７】
基板上に、複数の電子放出素子を備えた電子源の製造方法あって、前記電子放出素子が、請求項１〜６のいずれかに記載の方法にて製造されることを特徴とする電子源の製造方法。
【請求項８】
基板上に、複数の電子放出素子を備えた電子源と、前記電子源と対向して配置され、前記電子源から放出される電子の照射により発光する発光部材とを備える画像表示装置の製造方法であって、前記電子放出素子が、請求項１〜６のいずれかに記載の方法にて製造されることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面伝導型電子放出素子の製造方法に関し、さらに、該素子を複数個備えてなる電子源の製造方法、該電子源と画像形成部材とを用いてなる画像表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型の電子放出素子をリアプレート上にマトリックス状に配置した画像表示装置が提案されている。従来より電子放出素子には大別して熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子を用いた２種類のものが知られている。冷陰極電子放出素子には電界放出型（以下、「ＦＥ型」という。）、金属／絶縁層／金属型（以下、「ＭＩＭ型」という。）や表面伝導型電子放出素子等がある。
【０００３】
従来、表面伝導型電子放出素子においては、電子放出を行う前に導電性薄膜に予めフォーミングと呼ばれる通電処理を施して電子放出部を形成するのが一般的であった。即ち、フォーミングとは前記導電性薄膜両端に直流電圧或いは非常にゆっくりとした昇電圧を印加通電し、導電性薄膜を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部を形成することである。前記通電フォーミング処理をした表面伝導型電子放出素子は、上述の導電性薄膜に電圧を印加し、素子に電流を流すことにより上述の電子放出部より電子を放出せしめるものである。またこのような表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置が例えば特許文献１に開示されている。
【０００４】
また、上記導電性薄膜の前駆体膜中の異物の有無を検査する工程を有した電子放出素子の製造方法、及び、上記導電性薄膜に異物が付着していた場合には、この異物が付着した導電性薄膜を基板から除去した後、かかる基板上に再度、導電性薄膜を形成し直す工程を有した電子放出素子の製造方法が、特許文献２に開示されている。
【０００５】
一方、画像表示装置においては、電子放出素子から放出された電子を加速し、蛍光体等からなる画像形成部材に入射させて輝度を得る。画像表示装置においては、入力信号に応じて応答するため、各電子放出素子を電気的に分離する必要があるので、絶縁性の基板が通常用いられるが、電子放出部近傍に絶縁性基板表面が露出していると、その表面の電位が不安定となり、電子放出が不安定となる。
【０００６】
画像形成部材の蛍光体に高電圧をかけると、対向する電子放出素子の周りの絶縁性表面は真空と絶縁体の誘電率で決まる容量分割による電位が発生する。この電位は、絶縁性が良好であればあるほど時定数が長く、帯電したままである。さらに、この状態で電子放出素子から電子を放出すると、電子は帯電した絶縁性表面にも衝突する。この場合に、電子が加速されることより、絶縁性表面に電子、イオン等の荷電粒子が注入されると２次電子が発生する。特に高電界下では、異常放電に至るため、素子の電子放出特性が著しく低下し、最悪の場合、素子が破壊される。
【０００７】
この絶縁性表面の帯電による影響は電子放出点との距離が近いほど顕著になるため、特に電子放出素子近傍の帯電を抑制する必要がある。そのための一手段として、特許文献３には、導電性微粒子を有機溶媒に分散させた溶液をスプレー塗布して電子放出素子の周辺に帯電防止膜を設ける方法が開示されている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−２１６６１６号公報
【特許文献２】特開平９−２７４８４７号公報（対応欧州特許出願公開第７８９３８３号明細書）
【特許文献３】特開２００２−３５８８７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、異物の存在による電子放出部の形成不良を防止し、良好な電子放出特性を有する電子放出素子の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
また、本発明は、電子放出素子を複数個備えた電子源、さらには該電子源を備えた画像表示装置において、異物の存在による電子放出特性のばらつき、ひいては表示画像品質の低下を防止し、信頼性の高い、電子源と画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、基板上に導電性膜を形成し、形成された前記導電性膜上から異物を除去した後、当該異物が除去された導電性膜に通電を施して、当該導電性膜に電子放出部を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法である。
【００１２】
上記本発明の電子放出素子の製造方法においては、下記の構成を好ましい態様として含む。
【００１３】
前記導電性膜上からの異物の除去は、当該導電性膜に洗浄液を噴射することで行われる。
【００１４】
前記洗浄液の噴射は、５ＭＰａ以上の液圧で行なわれる。
【００１５】
前記洗浄液の噴射は、５ＭＰａ以上で３０ＭＰａ以下の液圧で行なわれる。
【００１６】
前記導電性膜上からの異物の除去は、前記基板上と前記導電性膜上とに抵抗膜を形成した後に行なわれる。
【００１７】
前記抵抗膜の形成は、導電性粒子が分散された液体を、前記基板上及び前記導電性膜上に付与することで行なわれる。
【００１８】
また、本発明は、基板上に、複数の電子放出素子を備えた電子源の製造方法あって、前記電子放出素子が、上述の方法にて製造されることを特徴とする電子源の製造方法である。
【００１９】
また、本発明は、基板上に、複数の電子放出素子を備えた電子源と、前記電子源と対向して配置され、前記電子源から放出される電子の照射により発光する発光部材とを備える画像表示装置の製造方法であって、前記電子放出素子が、上述の方法にて製造されることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、異物の存在による電子放出部の形成不良を防止し、良好な電子放出特性を有する電子放出素子の製造方法を提供することができる。
【００２１】
また、本発明によれば、電子放出素子を複数個備えた電子源、さらには該電子源を備えた画像表示装置において、異物の存在による電子放出特性のばらつき、ひいては表示画像品質の低下を防止し、信頼性の高い、電子源と画像表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以上の本発明は次に述べる知見に基づいてなされた。
【００２３】
通電が施される導電性薄膜に異物があると、当該導電性膜は、上記通電に適する所望の電気抵抗を有しない場合がある。
【００２４】
また別の例では、複数の導電性膜に対して同時に通電を施す際に、異物を有する導電性膜に電子放出部が形成されるまでの時間がかかりすぎ、所定の時間内に電子放出部の形成が完了しないことが生じ得ることがある。この場合、当該電子放出部の形成されなかった電子放出素子部がビット欠陥となってしまうという問題があった。
【００２５】
また別の例では、導電性膜に存在する異物の影響で、形成された複数の電子放出素子の電子放出特性のばらつきが生じる場合があり、更に、かかる電子放出特性のばらつきが要因となり、画像表示装置全体として均一な性能が維持されないという問題を生じる。
【００２６】
また、本発明者等は、特に、電子放出素子が形成される基板表面に抵抗膜、即ち基板表面の帯電を防止する抵抗膜を設けた場合、導電性膜上に異物が付着し、前記した問題が特に発生しやすいことを見出した。
【００２７】
以下に図面を参照して、本発明の好適な実施形態を例示的に詳しく説明する。ただし、該実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００２８】
図１に、本発明の電子放出素子の製造工程を模式的に示す。図中、１は基板、２，３は電極、５は抵抗膜（帯電防止膜）、６は電子放出部であり、４は電子放出部６形成前の導電性膜である。
【００２９】
また、図２に、図１の工程により製造される電子放出素子の構成を模式的に示す。図２（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。図中、４’は電子放出部６形成後の素子膜であり、図１と同じ部材には同じ符号を付した。以下、各工程及び素子の構成を詳細に説明する。
【００３０】
（工程１）
絶縁性の基板１を洗剤、純水及び有機溶剤等を用いて十分に洗浄し、真空蒸着法、スパッタ法等により、電極材料を堆積し、フォトリソグラフィ等によりパターニングして、電極２，３を形成する（図１（ａ））。
【００３１】
基板１としては、石英ガラス、Ｎａ等の不純物含有量を減少したガラス、青板ガラス、青板ガラスにスパッタ法等により形成したＳｉＯ2を積層したガラス基板、アルミナ等のセラミックスおよびＳｉ基板等を用いることができる。
【００３２】
対向する電極２，３としては、一般的な導電性材料を用いることができる。これは例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属或いは合金及びＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、ＲｕＯ2、Ｐｄ−Ａｇ等の金属或は金属酸化物とガラス等から構成される印刷導体、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2等の透明導電体及びポリシリコン等の半導体材料等から適宜選択することができる。
【００３３】
電極２，３のギャップ間隔Ｌ、電極２，３の長さＷ等は、応用される形態等を考慮して、設計される。電極２，３のギャップ間隔Ｌは、好ましくは、数百ｎｍから数百μｍの範囲とすることができ、より好ましくは、数μｍから数十μｍの範囲とすることができる。
また、電極２，３の長さＷは、好ましくは数μｍから数百μｍであり、膜厚は、数十ｎｍから数μｍの範囲とすることができる。
【００３４】
（工程２）
電極２，３間を連絡する導電性膜４を形成する（図１（ｂ））。
【００３５】
導電性膜４の膜厚は、電極２，３へのステップカバレージ、電極２，３間の抵抗及び後述するフォーミング条件等を考慮して適宜設定されるが、通常は、数百ｐｍから数百ｎｍの範囲とするのが好ましく、より好ましくは１ｎｍから５０ｎｍの範囲とするのが良く、また１０7Ω／□以下のシート抵抗値を示すことが好ましい。導電性膜４のシート抵抗値は、電子放出部６の形成工程、即ちフォーミング工程において、良好な電子放出部の形成できる抵抗値として制限される。尚、シート抵抗値とは、導電性膜４の幅をＷ’、対向する電極２，３のギャップ間隔をＬ、導電性膜４の抵抗をＲとした場合に、Ｒ＝Ｒｓ（Ｌ／Ｗ’）を満たすＲｓをいう。良好な電子放出部６を形成するには、導電性膜４のシート抵抗値は１０3Ω／□以上１０7Ω／□以下であることが好ましい。
【００３６】
しかしながら、電子放出部６を形成した後は、電極２，３を通じて印加される電圧が十分に電子放出部６に印加されるのが好ましく、電子放出部６を含む素子膜４’の抵抗値はより低いほうが好ましい。このため、導電性膜４は１０3Ω／□以上１０7Ω／□以下のシート抵抗値を持つ金属酸化物半導体膜として形成し、フォーミング後に還元して、より低抵抗な金属薄膜として用いることができる。従って、最終的な状態での電子放出部６を含む素子膜４’の抵抗値の下限は特に限定されない。尚、ここで言う電子放出部６を含む素子膜４’の抵抗値とは、電子放出部６を含まない領域で測定される抵抗値を意味している。
【００３７】
導電性膜４を構成する材料は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ等の金属、ＰｄＯ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＰｂＯ、Ｓｂ2Ｏ3等の酸化物、ＨｆＢ2、ＺｒＢ2、ＬａＢ6、ＣｅＢ6、ＹＢ4、ＧｄＢ4等の硼化物、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＳｉＣ、ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ等の窒化物、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体、カーボン等の中から適宜選択される。
【００３８】
導電性膜４の形成方法としては、インクジェット方式の装置を用いることができる。具体的には、圧電素子等を用いたインクジェット噴射装置や、熱エネルギーを用いたいわゆるバブルジェット（登録商標）方式のインクジェット噴射装置などを用い、導電性膜４の構成材料を水や溶剤等に溶解させた溶液、有機金属溶液等の溶液を基板１上に液滴として付与し、加熱等所望の処理を施して導電性膜４とする。
【００３９】
（工程３）
導電性膜４の周囲に、必要に応じて、基板１表面の帯電を防止するための抵抗膜（帯電防止膜）５を形成する（図１（ｃ））。
【００４０】
帯電防止膜５が、帯電によって生じる放電を防止するためには１０10Ω／□〜１０12Ω／□程度のシート抵抗値であるのが好ましく、また電子源を構成する場合には、ＸＹ配線間のリーク電流の許容値から１０8Ω／□以上のシート抵抗値であることが要求される。
【００４１】
帯電防止膜５は、導電性微粒子を分散させた有機溶媒をスプレー塗布し、該有機溶媒を乾燥除去して得られる。導電性微粒子としては、炭素材料やＳｎＯX、酸化クロム等を主成分とする微粒子が好ましく用いられ、より好ましくは、アンチモン等をドープしたＳｎＯXである。有機溶媒としては、アルコール類が好ましく用いられ、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）とエチルアルコールの混合液が好ましく用いられる。
【００４２】
次いで、後述する通電処理に先立って、導電性膜４上の異物の除去工程を実施する。具体的には、適当な洗浄液を用いて、導電性膜４表面を洗浄する。本発明で用いられる洗浄液としては、純水や一般的に用いられている洗浄液が好ましく用いられる。また、洗浄に際しては、所定の液圧で上記洗浄液を噴出させることが好ましく、具体的には、液圧を５ＭＰａ以上とすることで、効率よく異物を除去することができる。また、液圧の上限は、他の構造物を損傷しない範囲で最大限に設定され、業務用洗浄装置の性能上、通常は３０ＭＰａ程度である。さらに、本発明においては、超音波洗浄なども好ましく適用される。洗浄後は、純水以外の洗浄液を用いた場合には、必要に応じて、純水による洗浄液の除去を行い、乾燥させる。
【００４３】
（工程４）
導電性膜４に通電処理を施し、電子放出部６を形成する（図１（ｄ））。
【００４４】
電子放出部６は、素子膜４’の一部に形成された高抵抗の亀裂により構成され、導電性膜４の膜厚、膜質、材料及び通電処理条件等に依存したものとなる。
【００４５】
電子放出部６の亀裂内部には、数百ｐｍから数十ｎｍの範囲の粒径の導電性微粒子が存在する場合もある。この導電性微粒子は、導電性膜４を構成する材料の元素の一部、或いは全ての元素を含有するものとなる。また、亀裂を含む電子放出部６及びその近傍の素子膜４’には、炭素及び炭素化合物を有することもある。
【００４６】
導電性膜４に印加する電圧波形は、パルス波形が好ましく、これにはパルス波高値を定電圧としたパルスを連続的に印加する手法と、パルス波高値を増加させながら、電圧パルスを印加する手法がある。前者においては、電圧波形のパルス幅を１μｓ〜１０ｍｓの範囲で、パルス間隔を１０μｓ〜１０ｍｓの範囲で設定される。パルス波形は、電子放出素子の形態に応じて、三角波、矩形波など、適宜選択され、このような条件のもと、例えば、数秒から数十分間電圧を印加する。また、後者においては、例えば、パルス幅、パルス間隔は上記と同様に設定し、波高値（通電時のピーク電圧）を例えば０．１Ｖステップ程度ずつ、増加させることができる。
【００４７】
通電処理の終了時については、パルス間隔中に、導電性膜４を局所的に破壊、変形しない程度の電圧を印加して、電流を測定して検知することができる。例えば、０．１Ｖ程度の電圧印加により流れる素子電流を測定し、抵抗値を求めて、１ＭΩ以上の抵抗を示した時、通電処理を終了させる。
【００４８】
尚、本実施形態では、帯電防止膜５が形成されているが、これによって、電子放出素子の基本的な特性が左右されることはない。これは、帯電防止膜５の抵抗値が十分に高いため（１０8Ω／□以上）、電子放出を行っているときに観測される素子電流に比べて、素子膜４’を通って流れるリーク電流が十分に小さいためである。
【００４９】
また、本実施形態では、導電性膜４の形成後に、該導電性膜４の周辺に帯電防止膜５を形成する形態を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特開２００２−３１３２１７号公報に開示された、導電性膜４の形成前に基板全面に帯電防止膜を形成する形態や、特開２００３−６８１９２号公報に開示された、導電性膜４上も含めて基板全面に帯電防止膜を形成する形態等も適用される。
【００５０】
上記実施形態の説明においては、電極２，３を形成した後、導電性膜４を形成しているが、本発明においては、導電性膜４を形成した後、電極２，３を形成する構成であっても良い。また、帯電防止膜５は不要の場合には、当該製造工程を省略し、導電性膜４形成後に異物の除去工程を実施しても良い。
【００５１】
上記のようにして製造した電子放出素子を、図３の測定評価装置に取り付け、電子放出特性を評価する。
【００５２】
図３の装置において、１２は真空装置であり、不図示の排気ポンプを備えている。また、８は電子放出素子に素子電圧Ｖｆを印加するための電源、７は電極２，３間の素子膜４’に流れる素子電流Ｉｆを測定するための電流計、１１は素子の電子放出部６より放出される放出電流Ｉｅを捕捉するためのアノード電極である。また、１０はアノード電極１１に電圧を印加するための高圧電源、９は素子の電子放出部６より放出される放出電流Ｉｅを測定するための電流計である。
【００５３】
例えば、アノード電極１１の電圧を１ｋＶ〜１０ｋＶの範囲とし、アノード電極１１と電子放出素子との距離Ｈを２ｍｍ〜８ｍｍの範囲として測定を行うことができる。真空容器１２内には、不図示の真空計等の真空雰囲気下での測定に必要な機器が設けられていて、所望の真空雰囲気下での測定評価を行えるようになっている。
【００５４】
図４は、本発明による電子放出素子の電子放出特性を、図５に示した測定評価装置を用いて測定した結果、得られた放出電流Ｉｅと素子電圧Ｖｆの関係を模式的に示した図である。
【００５５】
次に、本発明の電子源の製造方法について説明する。図５は、図２の電子放出素子を複数個配置してなる電子源の構成例の模式図である。図５において、５１は電子源基体、５２はＸ方向配線、５３はＹ方向配線、５４は本発明による電子放出素子である。尚、図５においては、図２の帯電防止膜５は便宜上省略する。
【００５６】
Ｘ方向配線５２は、Ｄｘ１、Ｄｘ２、…Ｄｘｍのｍ本の配線からなり、真空蒸着法、印刷法、スパッタ法等を用いて形成された導電性金属等で構成することができる。配線の材料、膜厚、幅は適宜設計される。Ｙ方向配線５３は、Ｄｙ１、Ｄｙ２、…Ｄｙｎのｎ本の配線からなり、Ｘ方向配線５２と同様に形成される。これらｍ本のＸ方向配線５２とｎ本のＹ方向配線５３との間には、不図示の層間絶縁層が設けられており、両者を電気的に分離している。ここで、ｍ及びｎは共に正の整数である。不図示の層間絶縁層は、真空蒸着法、印刷法、スパッタ法等を用いて形成されたＳｉＯ2等で構成される。Ｘ方向配線５２とＹ方向配線５３は、それぞれ外部端子（後述する図６のＤｏｘ１〜Ｄｏｘｍ、Ｄｏｙ１〜Ｄｏｙｎ）として引き出すことができる。
【００５７】
電子放出素子５４を構成する電極２，３は、それぞれ、ｍ本のＸ方向配線５２のうちの一つ、及びｎ本のＹ方向配線５３のうちの一つとに電気的に接続される。
【００５８】
Ｘ方向配線５２、Ｙ方向配線５３、及び電極２，３を構成する材料は、その構成元素の一部或いは全部が同一であっても、またそれぞれ異なっていても良い。電極２，３を構成する材料と配線材料が同一である場合には、Ｘ方向配線５２、Ｙ方向配線５３は、それぞれ電極２，３ということもできる。
【００５９】
Ｘ方向配線５２には、Ｘ方向に配列した電子放出素子５４の行を選択するための、走査信号を印加する不図示の走査信号印加手段が接続される。一方、Ｙ方向配線５３には、Ｙ方向に配列した電子放出素子５４の各列を入力信号に応じて変調するための、不図示の変調信号発生手段が接続される。各電子放出素子に印加される駆動電圧は、当該素子に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給される。
【００６０】
本発明の電子源の製造方法は、先に説明した電子放出素子の製造方法において、同一基板１上に複数個の素子を形成する以外は、全く同様である。
【００６１】
図５の構成においては、個別の電子放出素子を選択し、独立に駆動可能とすることができる。このようなマトリクス配置の電子源を用いて構成した画像表示装置について、図６を用いて説明する。図６は、画像表示装置の表示パネルの一例を示す模式図である。
【００６２】
図６において、５１は電子放出素子５４を複数配した電子源基体、６１は電子源基体５１を固定したリアプレート、６６はガラス基体６３の内面に蛍光体などの発光体からなる蛍光体膜６４とアノード電極としてのメタルバック６５とが形成されたフェースプレート（画像形成部材）である。６２は支持枠であり、支持枠６２には、リアプレート６１、フェースプレート６６がフリットガラス等を用いて接続されている。６７は外囲器であり、例えば、大気中或いは窒素中で、４００〜５００℃の温度範囲で１０分以上焼成することで、封着して構成される。
【００６３】
外囲器６７は、上述した通り、フェースプレート６６、支持枠６２、リアプレート６１で構成される。リアプレート６１は主に基体５１の強度を補強する目的で設けられるため、基体５１自体で十分な強度を持つ場合は、別体のリアプレート６１は不要とすることができる。即ち、基体５１に直接支持枠６２を封着し、フェースプレート６６、支持枠６２及び基体５１で外囲器６７を構成しても良い。一方、フェースプレート６６、リアプレート６１間に、スペーサーとよばれる不図示の支持体を設置することにより、大気圧に対して十分な強度をもつ外囲器６７を構成することもできる。
【００６４】
本発明の画像表示装置は、テレビジョン放送の表示装置、テレビ会議システムやコンピューター等の表示装置の他、感光性ドラム等を用いて構成された光プリンターとしての画像表示装置等としても用いることができる。
【実施例】
【００６５】
（実施例１）
プラズマディスプレイでも使用されているＰＤ２００（ガラス基板）を基板として用い、Ｐｔをスパッタ成膜法とフォトリソエッチング法により膜厚０．５μｍ程度で堆積し、電極対を複数個形成した。次いで、Ａｇ系のフォトペーストを用いスクリーン印刷による成膜と１００℃程度の乾燥、パターンマスクによる露光、湿式の現像工程を実施し、５００℃弱の温度で焼成して膜厚８μｍ程度の列配線を作製した。さらにＰｂＯ系（鉛ガラス）のフォトペーストを用い、上記列配線工程と同様の手法で成膜／乾燥／露光／現像／焼成工程を３回実施し、最終膜厚３０μｍ程度の絶縁層を作製した。さらにＡｇ系のスクリーン印刷法と４３０℃程度の焼成により絶縁層上に行配線を作製した。次いで、各電極対を連絡するように、インクジェット法によりＰｄ系の有機溶媒を吐出させて膜厚が０．０１μｍの島状パターンを形成し、Ｐｄからなる導電性膜を形成した。
【００６６】
上記基板に対して、洗浄液として純水を用い、噴射圧力を変えて洗浄を行った。その後、パターン検査機によって、１０μｍ程度以上の異物をカウントできる方法により比較した結果、５ＭＰａ以上で洗浄を行った場合に、異物除去効果が高かった。
【００６７】
（実施例２）
実施例１と同様に、ガラス基板上に複数個の電極対、配線、導電性膜を形成した後、導電性膜を残して基板全体に帯電防止膜を形成した。帯電防止膜は、ＳｎＯXにアンチモンをドープした微粒子を、ＩＰＡとエチルアルコールの混合液に分散させた溶液をスプレーにて塗布し、２５０℃で乾燥、焼成して形成した。
【００６８】
次いで、実施例１と同様に、液圧を変えて洗浄工程を実施し、異物の除去効果を確認した。確認方法は、電子顕微鏡によって、１μｍ程度以上の異物をカウントできる方法により比較した。結果を図７に示す。図７の縦軸は単位面積あたりの異物数である。洗浄工程を行わなかった場合に比べて、洗浄工程を実施した場合には、優位な効果が得られるが、洗浄液の液圧が高い方が、細かな異物を効果的に除去しうる。尚、図７に示した以外に、液圧を１０ＭＰａとした場合、及び、純水に当該基板を浸漬して超音波洗浄を５分行った場合には、評価限度を超えた異物は検出されなかった。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の電子放出素子の製造方法の一実施形態の工程を示す模式図である。
【図２】図１の製造方法による電子放出素子の構成を示す模式図である。
【図３】本発明による電子放出素子の電子放出特性の評価装置の模式図である。
【図４】本発明による電子放出素子の電子放出特性を示す模式図である。
【図５】図２の電子放出素子を用いて構成された電子源の模式図である。
【図６】図５の電子源を用いて構成された画像表示装置の表示パネルの構成を示す概略図である。
【図７】本発明の実施例の結果を示す図である。
【符号の説明】
【００７０】
１  基板
２，３  電極
４  導電性膜
４’  素子膜
５  抵抗膜（帯電防止膜）
６  電子放出部
７，９  電流計
８  電源
１０  高圧電源
１１  アノード電極
１２  真空装置
５１  電子源基体
５２  Ｘ方向配線
５３  Ｙ方向配線
５４  電子放出素子
６１  リアプレート
６２  支持枠
６３  ガラス基体
６４  蛍光体膜
６５  メタルバック
６６  フェースプレート（画像形成部材）
６７  外囲器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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