(57)【要約】      （修正有）【課題】コントラスト、解像度等の像品質改良の為に使用される放射線像貯蔵燐光体に接する金属スクリーンを使用しても全体として軽量化されたＸ線像形成カセットを提供する事。【解決手段】カバー側及び管側を有し、それらの間に放射線像貯蔵燐光体スクリーン、プレート又はパネル及び金属フィルタシート又は箔を含むＸ線像形成カセットに於いて、前記金属フィルタシート又は箔がタングステンからなり、かつ０．１０〜０．６０ｍｍの範囲、より好ましくは０．１０〜０．３０ｍｍの範囲の厚さを有するタングステンフィルタとしたＸ線像形成カセット。【選択図】図１Ａ
2005121629.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カバー側及び管側を有し、それらの間に放射線像貯蔵燐光体プレート又はパネル及び金属フィルター箔を含むＸ線像形成カセットにおいて、前記金属フィルター箔がタングステンからなり、かつ０．１０〜０．６０ｍｍの範囲の厚さを有することを特徴とするＸ線像形成カセット。
【請求項２】
前記厚さが０．１０〜０．３０ｍｍの範囲である請求項１に記載のＸ線像形成カセット。
【請求項３】
前記管側と前記貯蔵燐光体プレートの間に存在する圧縮可能な多孔質材料が前記スクリーン又はパネルと直接接触する請求項１又は２に記載のＸ線像形成カセット。
【請求項４】
鉛のシート又は箔が存在し、前記鉛のシートがカバー側と燐光体貯蔵スクリーンの間に配置される請求項１〜３のいずれかに記載のＸ線像形成カセット。
【請求項５】
圧縮可能な多孔質材料でカバーされた強靱なポリマープレートが前記カバー側と前記貯蔵燐光体プレートの間に存在する請求項１〜３のいずれかに記載のＸ線像形成カセット。
【請求項６】
前記放射線像貯蔵燐光体プレートが支持された又は支持されない貯蔵燐光体層であり、その層が４ＭＶ〜５０ＭＶの範囲のエネルギーを有する放射線を貯蔵し、可視光又は赤外線の範囲の波長を有する光エネルギーでの照射により、光の形で貯蔵されたエネルギーを放出する請求項１〜５のいずれかに記載のＸ線像形成カセット。
【請求項７】
下記工程を含む、放射線像を貯蔵及び再生するための方法：
−  請求項１〜６のいずれかに記載のＸ線像形成カセットに放射線像貯蔵パネルを装着する；
−  １ｋＶ〜５０ＭＶの範囲のエネルギーを有する放射線源によって前記カセットを放射線照射に暴露する（但し、検査される被写体は放射線源とカセットの間に置かれ、放射線は前記カセットの管側上に最初に衝突する）；
−  被写体を透過した放射線、被写体によって放出された放射線、又は被写体によって散乱又は回折された放射線を放射線像貯蔵パネルによって捕獲し、貯蔵パネルの像貯蔵層上に潜像の形で適用された放射線のエネルギーを貯蔵する；
−  貯蔵燐光体パネルを取り出すことによってカセットを解放する；
−  可視又は赤外範囲の波長スペクトルにおいて刺激光で像貯蔵層の側上の像貯蔵パネルを照射して貯蔵燐光体層における燐光体を励起し、潜像の形で貯蔵層に貯蔵されたエネルギーを光の形で放出する；
−  光収集手段によって貯蔵燐光体層から放出された光を収集する；
−  収集された光を一連の電気信号に変換する；そして
−  電気信号から潜像に対応する像を生成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は放射線写真、特に腫瘍学又は放射線治療像形成のために有用な像貯蔵アセンブリ及び放射線像記録及び再生方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の医療診断像形成は患者をできるだけ少ないＸ線量に露光して患者の内部の解剖学的構造の像を得ることをうまく回避する。高速像形成スピードは像に従った露光のための一対の蛍光増感スクリーン間に二重塗り又は両面被覆ハロゲン化銀放射線写真要素を装着することによって実現される。患者を通過する露光Ｘ線の低い百分率だけがハロゲン化銀乳剤層によって直接吸収され、それによって前記二重塗り放射線写真要素の被覆層の乳剤結晶内に潜像を形成する。像形成に関係するＸ線のほとんどは蛍光スクリーン内の燐光体粒子によって吸収され、かかる増感スクリーンによって即発された蛍光は放射線写真要素のハロゲン化銀乳剤層によって吸収されるようになる。医療診断目的のための構成、放射線要素の例はＥＰ−Ａ  ０８９０８７３，０９３０５２７，１０４５２８２，１１０３８４９，１２１７４２８及びＵＳ−Ａ  ４４２５４２５；４４２５４２６；４４１４３１０；４８０３１５０；４９００６５２；５２５２４４２；５９８９７９９；及び６４０３２７６によって与えられる。
【０００３】
放射線腫瘍学は高エネルギーＸ線を利用する癌の治療に関する放射線医学の分野である。この治療は強力高エネルギーＸ線機械（しばしば線形加速器）又はＣｏ−６０ユニットを利用して癌組織又は腫瘍に露光する“遠隔放射線療法”としても知られている。かかる治療の目的は周囲の健康な組織への損傷を最小にしながら癌を選択的に殺すことによって患者を治すことである。
【０００４】
かかる治療は一般に、高エネルギーＸ線、４〜２５ＭＶを使用して実施される。Ｘ線ビームは強度及びエネルギーについて極めて注意深く作られる。患者は患者中の健康並びに癌の様々な組織を正確に探索するため従来の診断Ｘ線ユニット、ＣＴスキャナー、及び／又はＭＲＩスキャナーを使用して綿密に像形成される。治療ビーム及び患者の解剖学的構造の十分な知識は線量測定者がＸ線治療をどこにどのくらい長く向けるべきかを決定し患者への放射線量を予測することを可能にする。
【０００５】
通常、これはいくらかの健康な組織を露光過度にする。この効果を低減するため、線量測定者は治療装置の源又は“ポート”に鉛ブロッカーによって制御されるビームの形状を特定する。これは患者の体の部分の前で実質的に不透明なブロックとして効果的に作用し、健康な組織を損なう有害なＸ線を吸収する。
【０００６】
三つの別個のタイプの像形成が放射線腫瘍学で実施されている。第一のタイプの像形成は“シミュレーション”と称される。この方法では、患者は従来の診断Ｘ線ユニット、従来の放射線写真像形成フィルムシステム、貯蔵又は刺激性燐光体システム、又はデジタルシステムを使用して綿密に像形成される。加えて、ＣＴスキャナー及び／又はＭＲＩスキャナーは患者の解剖学的構造を正確に探索するために使用されてもよい。これらの方法は本質的に診断放射線写真に使用されるもののようである。それらは低い放射線量で５０−１５０ｋＶの範囲のエネルギーを使用して実施される。これらの像は患者の解剖学的構造についての詳細な情報、及び他の体部分に対する癌の位置を与える。刺激像及び／又はＣＴ／ＭＲＩデータから、線量測定者は治療Ｘ線をどこにどのくらい長く向けるべきかを決定することができる。線量測定者は患者に対するＸ線量を予測するためにコンピュータを使用する。これはいくらかの通常の組織の露光過度に導きうるので、線量測定者は通常の健康な解剖学的構造をＸ線からブロックするために一以上の“ブロック”又は鉛シールドを導入するだろう。あるいは、必要なら、線量測定者はマルチリーフコリメータ（ＭＬＣ）のための位置を特定することによってビームを造形することができる。
【０００７】
治療放射線ビームが正確に照準され癌組織を効果的に殺していることを決定し証拠書類を提供するためには、二つの他のタイプの像形成が治療中に実施される。“ポータル放射線写真（ｐｏｒｔａｌ  ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ）”は一般に、放射線シールドの開口又はポートを通して行われるＭＶエネルギー範囲のかかる放射線治療を記載するために使用される用語である。第一のタイプのポータル像形成は“ローカライゼーション（ｌｏｃａｌｉｓａｔｉｏｎ）”又は“低線量ポータル（ｌｏｗ  ｄｏｓｅ  ｐｏｒｔａｌ）”像形成として知られ、そこではポータル放射線写真フィルムは鉛シールドを除去して、次いで鉛シールドを適所に置いて患者を通過するＸ線に短く露光される。鉛シールドのない露光は目標とする特徴の近くの配向参照物として使用されることができる解剖学的特徴のぼんやりした像を与え、一方鉛シールドのある露光はポート領域の第二像に重ねられる。この方法は鉛シールドが患者の健康な組織に対して正確な位置にあることを確実にする。両露光は全治療線量の一部を使用して通常４５〜１５０モニターユニットの全線量から１〜４モニターユニットでなされ、患者は２０ＲＡＤ未満の放射線を受ける。もし患者と鉛シールドが互いに対して正確に位置されるなら、治療はポートを通って投入された殺傷量のＸ線を使用して実施される。患者は典型的には５０〜３００ＲＡＤを受け、１ＲＡＤは治療中の組織のグラムあたり１００ｅｒｇのエネルギー吸収に相当する。“ローカライゼーション”は照射された対象物の周囲の解剖学的構造に対してポートを探索するために使用されるポータル像形成に関し、露光時間は１〜１０秒の範囲である。
【０００８】
第二のより一般的でない形の“ポータル放射線写真”は細胞殺傷露光の位置を検証するために“ベリフィケーション（ｖｅｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ）”又は“高線量ポータル”像形成として知られる。この像形成の目的は十分な解剖学的情報を記録して細胞殺傷露光が目標とする組織と適切に整合されたことを確認することである。像形成フィルム／カセットアセンブリは治療の十分な期間、患者の背後に適所に保持される。“ベリフィケーション”という用語は放射線治療中にポートを通して患者露光を記録するために使用されるポータル像形成に関する。典型的な露光時間は３０〜３００秒の範囲である。ベリフィケーションフィルムは鉛シールドが適所にあるので単一の視野だけを持ち、一般に数週間続くかもしれない治療期間中に間隔を置いて像形成される。ポータル放射線写真像形成フィルム、アセンブリ及び方法は例えばＵＳ−Ａ  ５８７１８９２及び６０４２９８６に記載され、そこでは同じタイプの放射線写真要素はローカライゼーション及びポータル像形成の両方のために使用されることができる。
【０００９】
放射線写真燐光体パネルは燐光体層を含有し、そこでは前記燐光体は像に従った基準でＸ線に応答する結晶材料である。放射線写真燐光体パネルは即発パネル及び像貯蔵パネルのような燐光体のタイプに基づいて分類されることができる。ルミネセント増感スクリーンは最も一般的な即発パネルであり、一般に放射線写真ハロゲン化銀材料に像を与えるために露光で可視光を生成するために使用される。貯蔵燐光体パネルは貯蔵されたエネルギーを離すためにレーザビームでの刺激によって後での発光のためにＸ線潜像を貯蔵する能力を有する貯蔵燐光体を含む。光刺激性燐光体とも称される貯蔵燐光体はルミネセント増感スクリーンに使用される燐光体とは区別されることができる。なぜならば即発増感スクリーン燐光体は後での発光のために潜像を貯蔵できないからである。むしろ、それらは照射で光をすぐに放出する。様々な貯蔵燐光体は例えばＥＰ−Ａ  ０３６９０４９，０３９９６６２，０４９８９０８，０７５１２００，１１１３４５８，１１３７０１５，１１５８５４０，１３１６９６９及び１３１６９７０，並びにＵＳ−Ａ  ４９５０９０７，５０６６８６４，５１８０６１０，５２８９５１２及び５８７４７４４に記載されている。
【００１０】
元来開発されているようなポータル像形成のための貯蔵燐光体システムは金属コンバータスクリーンを利用しない。しかしながら、これは例えばＷｉｌｅｎｚｉｎｋら著、Ｍｅｄ．Ｐｈｙｓ．，１４（３），１９８７，ｐｐ．３８９−３９２及びＤａｖｉｄら著、Ｍｅｄ．Ｐｈｙｓ．，１６（１），１９８９，ｐｐ．１３２−１３６のような幾つかの文献で指摘されているように像品質に悪影響する。この技術における続く教示は１ｍｍ銅金属プレートが例えばＷｅｉｓｅｒら著、Ｍｅｄ．Ｐｈｙｓ．，１７（１），１９９０，ｐｐ．１２２−１２５及びＲｏｅｈｒｉｇら著、ＳＰＩＥ，１２３１，１９９０，ｐｐ．４９２−４９７に例示されているようにコントラスト及び像品質を増強することを提示する。すぐにその後、アルミニウム、銅、タンタル、及び鉛金属プレートはＢａｒｎｅａら著、Ｍｅｄ．Ｐｈｙｓ．，１８（３），１９９１，ｐｐ．４３２−４３８によって開示されるように貯蔵燐光体スクリーンで考慮される。この技術における従来の理解は貯蔵燐光体パネルであっても像品質を改良するために相対的に厚い金属スクリーンを要求することである。しかしながら、かかる像貯蔵アセンブリの重量はかなりのものであり、軽量カセットを望むような医療像形成分野の使用者に対して問題を作る。像貯蔵アセンブリにおける金属スクリーンに対する必要についての早期の教示以来、金属スクリーンの厚さは銅が使用されるとき１ｍｍ以上に設定され、鉛が使用されるとき０．６ｍｍに設定される。ＵＳ−Ａ  ６４２８２０７に述べられているように、銅について約０．１〜０．７５ｍｍの厚さ及び鉛について約０．０５〜約０．４ｍｍの厚さが好ましく、より好ましくはその厚さは銅スクリーンに対して約０．１〜約０．６ｍｍであり、鉛スクリーンに対して約０．０５〜約０．３ｍｍである。但し、それまでは厚い金属スクリーンは特にポータル像形成のための露光過度を避けるために必要であると一貫して信じられていた。重い従来の像貯蔵アセンブリは実際、所望の高いコントラスト像を与えたが、所望の像形成特徴を与えるために使用される厚い金属スクリーンのため、それらは極めて重く、医療施設中の至るところに運ぶことは困難であり、しかも安全ではなかった。医療使用者は厚い金属プレートが所望の像形成特性のために必要であると信じていたのでこの欠点を許容したが、軽量カセットはより良好な処理を与えるだろう。
【発明の開示】
【００１１】
それゆえ本発明の目的は像コントラスト及び解像度のような所望の像特性に負担を与えずに全体として重くなく、より軽量のカセットを提供することである。
【００１２】
上述の有利な効果は、カバー側及び管側を有し、それらの間に放射線像貯蔵燐光体スクリーン、プレート又はパネル（以下、“燐光体プレート”とも称する）及び金属フィルターシート又は箔（以下、“フィルター箔”とも称する）を含むＸ線像形成カセットにおいて、前記金属フィルターシート又は箔がタングステンからなり、かつ０．１０〜０．６０ｍｍ、より好ましくは０．１０〜０．３０ｍｍの範囲の厚さを有することを特徴とするＸ線像形成カセットを提供することによって実現される。
【００１３】
放射線像を貯蔵及び再生するための方法もクレームされている。本発明の好ましい具体例の特別な特徴は従属請求項に述べられている。
【００１４】
本発明のさらなる利点及び具体例は以下の記述から明らかになるだろう。
【００１５】
図面の簡単な記述
図１Ａでは放射線治療カセットのための層配置が概略的に与えられ、（放射線がカセットに衝突するＸ線像形成カセットの管側の（１）から出発して）以下の連続部分が認識され、層の相対的厚さは現実のものとは関連しないし、現実のものを示したものではない、なぜならば各特定の用途に対して別の適応された層厚さ配置が与えられるか又は与えられるかもしれないからである：
−  カセット管側（１）；
−  除去できない鋼箔（２）（磁気シート（５）に対する磁気対応物としてのもの、箔（２）はカセット管側（１）に除去不可能に取り付けられている）；
−  鋼箔（２）と接触し、かつ前記鋼箔（２）と貯蔵燐光体プレート（４）の間にはさまれた、６ＭＶで平衡を与えるために０．１０〜０．３０ｍｍの好ましい厚さを有する（他の特定の用途のためにその変化を可能にするために）所望により除去可能なタングステンフィルタ箔（３）；
−  カセット管側カバーと反対のカセットカバーの間の中央部として除去可能なＸ線像貯蔵燐光体プレート（４）；
−  磁気シートとカセット管側に除去できないように取り付けられた鋼箔の間のカセットを磁気的に閉じるための手段として作用する除去できないように（しかし（ハストファン（ｈａｓｔｏｆａａｎ））ストリップによって可撓的に移動可能に）取り付けられた磁気シート（５）（前記ストリップは磁気シート（５）と次の層をカバー側の方向に架橋する）；
−  Ｘ線像貯蔵パネルを通過したＸ線を吸収する除去できない鉛（又は鉛化合物）シート（６）；
−  除去できない鉛（又は鉛化合物）シートと接触するカセットカバー（７）。
【００１６】
図１Ｂでは放射線治療カセットのための別の層配置が概略的に与えられ、以下の変化が図１Ａに対して適用される；
−  除去できない鉛（又は鉛化合物）シート（６）の上に図１Ａからの厚い磁気箔（５）に加えて薄い鋼箔（５′）の存在；
−  ポリマー層（５″）の上にフリース層（５′′′）の存在；
−  タングステンフィルター箔（３）上にフリースパッド（３′）の存在。
【００１７】
図１Ｃでは放射線治療カセットのためのさらなる別の層配置が概略的に与えられ、磁気対応鋼箔（２）及び磁気シート（５）及び薄い鋼箔（５′）の不存在以外、図１Ｂとほぼ同じ層配置が与えられ、（５″）は強靱なポリマー（例えばポリカーボネート）層を表す。別の閉鎖システムは磁気力ではなく機械的圧力に基づく。
【００１８】
これらの配置は限定的なものではなく、他の代替配置も以下の詳細な説明に記載されるだろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明によればカバー側と管側を有するＸ線像形成カセットが提供され、前記カセットはカバーと管の間に放射線像貯蔵燐光体プレートと金属フィルター箔を互いに接触して含み、前記金属フィルター箔がタングステンから構成され、かつ０．１０〜０．６０ｍｍ、より好ましくは０．１０から０．３０ｍｍの範囲の厚さを有することを特徴とする。６ＭＶで平衡に達するために、前記Ｘ線像形成カセット中のタングステンフィルター箔は０．２０±０．０５ｍｍの特別に選択された厚さを有する。
【００２０】
前述のように、Ｘ線はまずカセットアセンブリの管側に到達し、さらにタングステンフィルター箔を通過し、その後貯蔵燐光体パネルに到達し、さらに前記アセンブリのカバーを介して外に出る。像品質のためには、タングステンフィルター箔と貯蔵燐光体プレートの間の良好な接触を持つことが推奨される：好ましくは前記タングステンフィルター箔及び貯蔵燐光体プレートは互いに隣接して位置され、それは箔とプレートの間の密着に関する。あるいはタングステン箔及び燐光体プレートは１〜３ｍｍの範囲の間隙によって分離され、その間隙はフィルター箔への圧縮可能な、好ましくは多孔質の、層接着剤によって又は空気によって作られることができる。本発明によれば、タングステンフィルター箔と貯蔵燐光体プレートの間の直接接触が与えられない場合には、Ｘ線カセットでは、フェルト又はフェルト状シートが前記管側と前記貯蔵燐光体プレートの間に存在する。前記フェルト又はフェルト状シートはフィルターをその表面全体にわたって又はその一部だけにわたってカバーする。“その一部だけ”の下では１−５％だけがフェルト又はフェルト状シートのパッドの形でカバーされることを除外されない。本発明によれば、一つの特別な例では、圧縮可能な多孔質材料としてフリース層（５′′′）で一体的にカバーされるか又はカバーされないかにかかわらず、タングステン箔（４）と金属シート（５）又はポリマー層（５′）の間で露光前に圧縮された後に貯蔵燐光体プレートの除去を容易にするためにフリースパッドはタングステン箔への接着をその少なくとも二つの異なる部位上に作った。多孔質材料は特別な利点として貯蔵燐光体プレートと両側の隣接シート又は箔の間に包囲された空気が露光前に容易に除去されることを提供する。貯蔵燐光体プレートの両側の隣接箔又は層の直接接触は実際に正確な位置決めと改良された像品質を提供する。しかしながら、露光後、貯蔵燐光体プレートは筋、縞又は傷による貯蔵燐光体プレート及び／又はタングステン箔の損傷を起こさずにカセットから取り出さなければならず、それゆえカバー側のフリース層及び管側のタングステン箔に接着されたフリースパッドの如きフェルト又はフェルト状シートの形のかかる多孔質材料の存在が高く推奨される。
【００２１】
一つのカセットに信頼性、耐久性、快適性及び最小重量のような特徴を組み合わせることは、ＮＯＶＯＤＵＲ（登録商標）（それは金属カセットより２５％軽く、長持ちし、耐衝撃性である）のような極めて軽量の強靱なプラスチックを利用することによって実現される。本発明のカセットの管側とカバーの間に配置された全てのプレート又はパネルの十分に良好な封入を与えるために、後側のカセットカバーに極めて軽量の強靱なプラスチックから構成された厚い底を与えることが高く推奨される。軽量はさらに、カセットを磁気的に閉鎖する能力を与える図１Ａからの鋼箔（２）及び磁気シート（５）を利用せずに、図１Ｃに示されたように強靱なポリマーシート又は層によって磁気シート（５）を置き換えることによって与えられる。貯蔵燐光体プレートの隣接層との密着のために良好な圧縮性を与える極めて好適なポリマーシート又は層はポリカーボネートポリマープレートであるが、使用されるポリマー箔の組成に限定されない。かかるポリマープレートは約１．２ｍｍ〜１．８ｍｍ、より好ましくは約１．５０±０．２５ｍｍの範囲の厚さを有し、貯蔵燐光体プレートの側で前記ポリマー層を一体にカバーする（好ましくは黒色）フリース層と接触し、カセットを放射線に露光している間の後方散乱を防止する鉛又は鉛化合物の層と接触し、前記後方散乱防止層はカセットのカバー側に存在し、そこで吸収されない放射線がカセットを出る。貯蔵燐光体プレートの側で前記（ポリカーボネート）ポリマープレートは０．２０ｍｍ厚のＢＡＹＦＯＬ（登録商標）（ＢＡＹＥＲ  ＡＧ  Ｌｅｖｅｒｋｕｓｅｎ、ドイツ）の層（黒色であり、電気伝導性であり、“Ｔｒａｎｓｆｅｒｋｌｅｂｅｒ  ＴＴ５０”によって（ポリカーボネート）ポリマープレート“ＤＩＮ  １６８０１−Ｔｆｌ−１，５−ＰＣ−ｇｌａｓｋｌａｒ”上に接着して粘着する）でカバーされることが好ましい。カセットのカバー側に存在し約０．１５ｍｍの厚さを有する上述の“後方散乱防止層”は“Ｔｒａｎｓｆｅｒｋｌｅｂｅｒ  ＴＴ５０”層の間に存在させてもよく、ポリカーボネートプレート及び箔の側の一方はＢＡＹＦＯＬ（登録商標）箔と接触し、他方はカバープレートの方向に鉛箔上に接着される。
【００２２】
約０．２０ｍｍの所望の厚さを有するタングステン箔は４〜５０ＭＶの範囲のＸ線のＭＶエネルギーレベルの吸収を可能にし、それによってスクリーンに到達する前に前記Ｘ線によって生成された電子を放出及び吸収する。０．４ｍｍより厚いタンタルフィルター箔が好ましいことは少なくとも像品質に対する良好な結果に加えて考えられるようなその軽量性と関連する。しかしながら、これは０．２ｍｍ〜０．４ｍｍの全厚さを有し、しかも互いに接触するタンタル及びタングステン箔の組み合わせの使用を除外しない。
【００２３】
本発明によれば鉛の箔がさらに存在し、前記鉛の箔はカバーと燐光体貯蔵スクリーンの間に配置される。前記鉛の箔は前記貯蔵燐光体プレート又は前記カセットカバーの少なくとも一つと永続的に接触する。かかる鉛箔は後方散乱を減少する機能を有する。鉛は重金属として知られ、その厚さは０．０５〜０．２５ｍｍの範囲の最小レベルまで減少されるべきであることは明らかである。アルミニウム又はタングステンの箔はこのように存在するか又は鉛又は鉛化合物層に接着されるか否かにかかわらず代替例を形成する。本発明による代替形態では、鉛化合物は結合剤中に分散された鉛の酸化物又は水酸化物として後方散乱層又は箔に与えられ、前記鉛化合物を含有する前記結合剤は金属アルコキシド種の重縮合化合物のマトリックスである。本発明によれば前記Ｘ線カセットは鉛又は鉛化合物のシート又は箔を与えられ、前記鉛又は鉛化合物のシート又は箔はそれがラッカー層、ポリマー（接着剤）層及びフェルト布からなる群から選択された被覆層で保護されることをさらに特徴とする。これは鉛による汚染が避けられるべきであるので極めて重要な例である。前記鉛（化合物）箔が貯蔵燐光体プレートと接触して存在するときはそうであり、かかる箔が例えばそれに接着されるときは一層そうである。
【００２４】
別の例では本発明によるＸ線像形成カセットはカセットのカバーと永続的に接触する鉛又は鉛化合物箔を与えられるが、放射線像貯蔵燐光体パネルは除去可能であり、タングステンフィルタースクリーンは前記カセットから除去可能であるか又は所望により除去可能であってもよい。永続的な接触は例えば接着されることによって燐光体プレートと鉛又は鉛化合物箔の間に与えられることが有利である。Ｘ線像形成カセットが除去できない後方散乱シートを与えられる本発明による場合には、前記シートは放射線像貯蔵燐光体プレートよりカセットの後側のカバーの近くに位置される。
【００２５】
貯蔵燐光体パネルにおいて乱れた望ましくない像を生じる“低い後方散乱レベル”に照らして、貯蔵燐光体プレートのための好ましい支持体はもし自己支持しないなら、黒色放射線吸収粒子のおかげだけでなく、より顕著な程度にはａ−Ｃ材料が極めて小さな後方散乱を生成するおかげで非晶質炭素（ａ−Ｃ）である。本発明によるカセットに使用される支持された燐光体パネル又はスクリーンでは、かかる非晶質炭素層の厚さは１００μｍ〜３０００μｍの範囲であればよく、５００μｍ〜２０００μｍの厚さが可撓性、強度、Ｘ線吸収及び低後方散乱の間の妥協として好ましい。これはカバーと支持された貯蔵燐光体プレートの間の薄い鉛スクリーンのさらなる存在を許容し、前記鉛スクリーンは入射Ｘ線吸収をさらに吸収する。本発明によるＸ線像形成カセットはさらに別の好ましい例では放射線像貯蔵燐光体パネルを与えられ、前記放射線像貯蔵燐光体パネルは管側よりカバーに近い側で除去できないシート又は箔を与えられ、前記除去できないシート又は箔は鉛、アルミニウム、非晶質炭素及び増感燐光体スクリーンからなる群から選択される。
【００２６】
本発明によれば、前記除去できない後方散乱層を別として、前記カセットのカバーと接触する鉛又は鉛化合物は除去できない磁気シートによって放射線像貯蔵パネルからさらに分離され、磁気シートは前記磁気シートを一体的にカバーする（圧縮可能な多孔質材料としての）フリース層によって所望により分離される前記放射線像貯蔵燐光体パネルと接触する。この配置はカセットの磁気閉鎖によって好適な取扱い性を与える。本発明のさらに好ましい例によればＸ線像形成カセットは（前述の）カセットのカバー部分における前記除去できない磁気シート（５）及びカセットの管側部分に隣接する除去できない鋼箔（２）によって図１Ａ及び１Ｂに示された層集積のように磁気的に閉じられる。約５０μｍの非臨界的厚さを有する鋼箔（５′）は別の例では“磁気シート”と後方散乱防止の除去できない鉛（又は鉛化合物）シート（６）の間に存在する。
【００２７】
本発明によればＸ線像形成カセットは放射線像貯蔵燐光体プレートを与えられ、それは支持された又は支持されない貯蔵燐光体層であり、それは４ＭＶ〜５０ＭＶの範囲のエネルギーを有する放射線を貯蔵し、可視光又は赤外線の範囲の波長を有する光エネルギーでの照射により、貯蔵されたエネルギーを光の形で放出する。低い線量のポータル像形成中、患者は目標領域の外側の解剖学的参照特徴の識別可能な像を得る目的のため放射線治療目標領域より幾分大きい領域上で上述のような範囲のエネルギーに短く露光される。この直後、実際により広い領域の最初の露光で重なったポートの像を作るためにシールドのポートを通した短い露光をする。低い線量ローカライゼーション像形成中の総露光時間は約１０秒以下に制限される。像は放射線治療のためのポートの整合を確認又は案内し、さらに露光を可能な範囲に制限するような方法で見られる。ポートの位置の像は解剖学的参照特徴に対して観察され、放射線治療露光が長い露光時間で開始する前に目標領域とポートをより正確に整合する。
【００２８】
本発明によればＸ線像形成カセットは原子数３７以上、例えば好ましい範囲３９又は５７〜７１（いわゆる“希土類”元素又はランタノイドを表す）を有する元素から構成された燐光体粒子さらに含む支持された又は自己支持貯蔵燐光体プレート又はパネルを有する。
【００２９】
貯蔵燐光体パネルは支持されているか又は自己支持するので、配置の剛性によって両例における可撓性に差異があることは明らかである。可撓性支持体は一般に本質的にポリマーであり、ポリエステルを含む一般的なポリエステル、セルロースアセテート、及びポリカーボネートフィルムを含む。白色顔料を充填された反射性支持体は例えばスピードに有利なチタン又は硫酸バリウム及び二酸化チタン（ルチル又はアナターゼ型二酸化チタン）であるが、それらに限定されない。吸収性支持体は例えば像品質に有利なカーボンブラックを含むポリエステル支持体であるが、それらに限定されない。
【００３０】
一例では本発明によるカセットに存在する放射線像貯蔵パネルは二価のユウロピウムをドープされたバリウムフルオロハライド燐光体で被覆された層によって与えられ、ハライド含有部分は、
（１）例えばＵＳ−Ａ  ４２３９９６８に記載された燐光体におけるようなフッ素部分と化学量論的に等価であることができ、
（２）例えばＥＰ−Ａ  ００２１３４２又は０３４５９０４及びＵＳ−Ａ  ４５８７０３６に記載されているようなフッ素部分に対して化学量論的に少なく存在させることができ、
（３）例えばＵＳ−Ａ  ４５３５２３７に記載されているようにフッ素部分に対して化学量論的に多く存在させることができる。
【００３１】
ＢａＦＢｒ：Ｅｕ型燐光体はＥＰ−Ａ  ０２５４８３６のようにストロンチウムとマグネシウムの両方の有効量を含有するユウロピウム活性化バリウム−ストロンチウム−マグネシウムフルオロブロマイド；ＵＳ−Ａ  ５２２７２５４及び５３８０５９９に記載された非酸素処理燐光体と比較して貯蔵された光刺激性エネルギーを実質的に増大するのに有効なアニオン空格子点の濃度を作るために十分な酸素の量を含むユウロピウムをドープされたバリウムフルオロハライド光刺激性燐光体；及びコドーパントとしてサマリウムを含有する二価のユウロピウム活性化バリウムフルオロブロマイドをさらに含む。ここでバリウムフルオロブロマイドの用語は（１）バリウムの小部分（５０原子％未満）が所望により一価アルカリ金属、バリウム以外の二価アルカリ土類金属、及びＡｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｙからなる群から選択される三価金属、及びＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕからなる群から選択される希土類金属からなる群から選択された少なくとも一つの金属によって置換されている、（２）臭素の小部分（５０原子％未満）が塩素及び／又は沃素によって置換されている、及び（３）フッ素がＵＳ−Ａ  ５５４７８０７並びにＥＰ−Ａ  ０１１１８９２，０１１１８９３に記載された放射線像記録及び再生方法に開示された燐光体のように塩素及び／又は沃素と組み合わされた臭素又は単独の臭素より多い原子％で化学量論的に存在する、実験式を表す。ＵＳ−Ａ  ４２３９９６８に述べられた燐光体は例えばアルカリ土類金属フルオロハライド燐光体の群から選択される燐光体であり、本発明において放射線像を記録及び再生するために使用されることができ、それは（ｉ）可視線又は赤外線刺激性燐光体に被写体を通過する放射線を吸収させ、（ｉｉ）前記燐光体を可視線及び赤外線から選択された刺激線で刺激し、そこに貯蔵された放射線のエネルギーを蛍光として放出する、工程を含み、前記燐光体がアルカリ土類金属フルオロハライド燐光体の群から選択された少なくとも一つの燐光体であることを特徴とする。前記燐光体の刺激スペクトルから前記種類の燐光体はＨｅ−Ｎｅレーザビーム（６３３ｎｍ）の刺激光、又は（６５０ｎｍ〜６６６ｎｍの範囲で作用する）例えば６５８ｎｍのレーザダイオードの刺激光に対して高い感度を有するが、５００ｎｍ以下では劣った光刺激性を有することを知ることができる。刺激された光（蛍光）は約３９０ｎｍでピークを持ち３５０〜４５０ｎｍの波長範囲にある（定期刊行物Ｒａｄｉｏｌｏｇｙ、１９８３年９月、ｐ８３４参照）。さらに前記ＵＳ−Ａ  ４２３９９６８から、赤外線刺激性燐光体のトラップは可視線刺激性燐光体のこれらより狭く、従って赤外線刺激性燐光体を含む放射線像貯蔵パネルが相対的に迅速な暗減衰（退色）を示すので、赤外線刺激性燐光体より可視線（例えば赤色光）刺激性燐光体を使用することが望ましいことを知ることができる。その問題を解決するため、同じＵＳ−Ａ  ４２３９９６８に説明されているように退色を避けるためにできるだけ深いトラップを有する光刺激性貯蔵燐光体を使用し、前記トラップを空にするために実質的により高い光子エネルギーを有する線（短波長���線）を使用することが望ましい。
【００３２】
５００ｎｍの刺激波長での発光強度が６００ｎｍの刺激波長での発光強度より高い刺激スペクトルを示す燐光体組成を作る試みがなされた。前記目的のために好適な燐光体（それは本発明における使用のためにも好適である）はＵＳ−Ａ  ４５３５２３８において化学量論的にフッ素より多い臭素含有部分を有する二価ユウロピウム活性化バリウムフルオロブロマイド燐光体の形で記載されている。そのＵＳ−Ａ  ４５３５２２８によれば燐光体の光刺激は４００〜５５０ｎｍの波長範囲の光であっても効果的に行うことができる。
【００３３】
デジタル放射線写真で使用されるＢａＦＢｒ：Ｅｕ２＋貯蔵燐光体は３０〜１２０ｋＶの範囲で相対的に高いＸ線吸収を有するが（これは一般の医療放射線写真に関する範囲である）、吸収は例えばＬａＯＢｒ：Ｔｍ，Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ及びＹＴａＯ４：Ｎｂのように、スクリーン／フィルム放射線写真で使用されるほとんどの即発発光燐光体のＸ線吸収よりも小さい。それゆえ、前記光放出発光燐光体を含むスクリーンは同じ厚さのＢａＦＢｒ：Ｅｕスクリーンよりも照射されたＸ線量のより大なる画分を吸収するであろう。Ｘ線像の信号対ノイズ比（ＳＮＲ）は吸収されたＸ線量の平方根に比例するから、前記光放出スクリーンで作られた像は結果として同じ厚さを有するＢａＦＢｒ：Ｅｕスクリーンで作られた像よりノイズは小さいであろう。Ｘ線量の大なる画分はより厚いＢａＦＢｒ：Ｅｕスクリーンを使用するとき吸収されるであろう。しかしながら、厚いスクリーンの使用は、スクリーン中の大きな距離での光の拡散をもたらし、これは解像度の劣化を生ぜしめる。この理由のため、ＵＳ−Ａ  ４２３９９６８に開示されたように、ＢａＦＢｒスクリーンを用いてデジタル放射線写真で作ったＸ線像は、スクリーン／フィルム放射線写真で作った像よりもノイズの多い印象を与える。燐光体プレートのＸ線吸収を増大させるための更に適切な方法は、燐光体の固有吸収を増大させることによる方法である。ＢａＦＢｒ：Ｅｕ貯蔵燐光体では、これは臭素を沃素によって部分的に置換することによって達成することができる。例えばＥＰ−Ａ  ０１４２７３４に記載されているような多量の沃素を含有するＢａＦＸ：Ｅｕ燐光体は、例えばＥＰ−Ａ  ０１４２７３４に記載されている。それゆえ、ＥＰ−Ａ  ０１４２７３４に開示されたような燐光体では、燐光体に沃素の５０％より多くが含まれているときのＸ線の高い吸収に原因して、像品質の向上が相対輝度の低下によって相殺される。
【００３４】
本発明に従って使用するために好適な二価ユウロピウム活性化バリウムフルオロブロマイド燐光体は更にＥＰ−Ａ  ０５３３２３６及び対応するＵＳ−Ａ  ５４２２２２０及び５５４７８０７に記載されている。前記ＥＰ−Ａ  ０５３３２３６には、二価ユウロピウム活性化刺激性燐光体が特許請求されており、この中で刺激された光は刺激を６００ｎｍの光で行ったときよりも５５０ｎｍの光で刺激を行ったときの方が高い強度を有している。前記燐光体において、臭素の“小部分”を塩素及び／又は沃素で置換されることが述べられている。この小部分は５０原子％未満と理解されなければならない。
【００３５】
本発明によるスクリーン又はパネルに使用するために好適な更に別の二価ユウロピウム活性化バリウムフルオロブロマイド燐光体はＥＰ−Ａ  ０５３３２３４に記載されている。そのＥＰ−Ａ  ０５３３２３４には、ユウロピウムをドープしたアルカリ土類金属フルオロブロマイド燐光体を製造する方法が記載されており、この場合フッ素は臭素より大なる原子％で存在し、それはより短い波長領域に明らかにシフトされている刺激スペクトルを有する。その中で、結合剤中に分散された燐光体粒子を含有する燐光体パネルの光刺激における短い波長光の使用は像シャープネスに有利である。なぜならば１種の格子（ｇｒａｔｉｎｇ）として作用する分散された燐光体粒子を含有する燐光体−結合剤層における刺激光の回折が低下する波長と共に低下するからである。このＥＰ−Ａ  ０５３３２３４における実施例から明らかなように、究極的に得られる燐光体組成はその光刺激に対する最適波長を決定し、従って狭い波長領域で光を放出する走査光源を含む特別な走査システムにおける燐光体の感度を決定する。
【００３６】
前述した出願による他の好ましい光刺激性燐光体はバリウムに対して０．１〜２０原子％の範囲での原子％でＳｒ，Ｍｇ及びＣａからなる群から選択されたアルカリ土類金属を含有する。前記アルカリ土類金属のうちでは、Ｓｒが燐光体のＸ線変換効率を増大させるために最も好ましい。それゆえ好ましい例では臭素単独又は塩素及び／又は沃素と組合せた臭素よりも大なる原子％で化学量論的にバリウム及びフッ素と組合せてストロンチウムを存在させることが推奨される。その出願に述べられた他の好ましい光刺激性燐光体はバリウムに対して１０−３〜１０−１原子％の範囲での原子％でＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕからなる群から選択された希土類金属を含有する。前記希土類金属のうちでは、Ｇｄが燐光体の光刺激スペクトルの最大の短波長へのシフトを得るために好ましい。
【００３７】
前述した出願の好ましい燐光体はまた、本発明において有利に使用される。但し、前述した如く刺激線の波長領域が５００〜７００ｎｍの間にあることが条件である。
【００３８】
本発明に従って使用するための更に別の好ましい光刺激性燐光体はバリウムに対して１０−１〜１０原子％の範囲での原子％でＡｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ及びＹからなる群から選択された三価金属を含有する。前記三価金属のうちでは、Ｂｉが燐光体の光刺激スペクトルの最高の短波長へのシフトを得るために好ましい。
【００３９】
本発明に従って使用するために好ましい燐光体は臭素単独又は塩素及び／又は沃素と組合せた臭素より大なる原子％でフッ素が化学量論的に存在する別の燐光体であり、例えばフッ素が臭素、又は塩素及び／又は沃素と組合せた臭素よりも３〜１２原子％多く存在する燐光体である。本発明に従って使用するための更に他の特に好適なバリウムフルオロブロマイド燐光体は主ドーパントＥｕ２＋に加えて、ＥＰ−Ａ  ０５３３２３３及び対応するＵＳ−Ａ  ５６２９１２５に記載されているようなコドーパントとして少なくともＳｍを含有する。更に他の有用な燐光体はＥＰ−Ａ  ０７３６５８６に記載されている如く燐光体の表面でＢａイオンがＣａイオンで部分的に置換されているものがある。
【００４０】
デジタル放射線写真において、本発明による貯蔵パネルで使用するために含まれる燐光体については、６００ｎｍより大なる波長を有する光により非常に効率的に刺激されうる光刺激性燐光体を使用することが有利であることができる。なぜならばそのとき刺激のために使用できる小さい確実なレーザーの選択（例えばＨｅ−Ｎｅ、半導体レーザー、ソリッドステートレーザー等）が、レーザータイプの選択が刺激性燐光体プレートを読み取る（刺激する）ための装置の寸法を決定しないように非常に大きくなるからである。
【００４１】
良好な信号対ノイズ比、高スピードを与え、さらに６００ｎｍより上の波長で刺激しうる更に最近の刺激性燐光体は、ＵＳ−Ａ  ５８５３９４６及び６０４５７２２に記載されている。その中には、光刺激された発光の高強度と組合された高Ｘ線吸収を提供し、かくしてＸ線量ノイズの減少したレベル及び蛍光ノイズの減少したレベルを介して、同時に高シャープネス及び低ノイズ含有率を有する像を生ぜしめる放射線写真のための貯蔵燐光体システムを構成することを可能にする貯蔵燐光体群が記載されている。さらに前記の群の光刺激性燐光体は光刺激された発光の高強度と組合された高Ｘ線吸収を提供し、６００ｎｍより上の波長を有する光で刺激したとき光刺激された発光の前記高強度を示す。前記光刺激性燐光体は医学的診断のためのパネルで更に使用でき、これによって患者に投射されるＸ線の量は少なくすることができ、診断像の像品質が増強される：６００ｎｍより上の波長範囲の光で光刺激したとき分散した形での前記燐光体を含むパネルにおいては、非常に大なる信号対ノイズ比を有する像が生ずる。
【００４２】
刺激性燐光体の製造のために非常に有用でかつ好ましい方法は、Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ  Ｖｏｌｕｍｅ  ３５８，１９９４年２月，９３頁，ｉｔｅｍ  ３５８４１に見出すことができる。ＥＰ−Ａ  ０５３３２３４に記載されているような少量でベース材料の原料混合物に加えられる、例えばサマリウム又はアルカリ金属の如き刺激スペクトルの位置に影響を与えるコドーパントの存在下においてさえも、一定の組成を有し、従って貯蔵燐光体パネルで使用するための一定の刺激スペクトルを有する燐光体を作るために、その解決策がＵＳ−Ａ  ５５１７０３４に提案されている。その中に、下記工程を含む透過放射線像を記録及び再生する方法が提案されている：
（ｉ）刺激性貯蔵燐光体に被写体を通過した又は被写体によって放出された前記透過放射線を吸収させ、前記透過放射線のエネルギーを貯蔵させる、
（ｉｉ）前記燐光体を刺激光で刺激して、蛍光として前記貯蔵されたエネルギーの少なくとも一部を放出させる、及び
（ｉｉｉ）前記刺激光を検出する、
工程を含み、前記燐光体は、個々に作られた二価のユウロピウムをドープしたバリウムフルオロハライド燐光体の２種以上の混合物からなり、その少なくとも１種はコドープされた燐光体の刺激スペクトルの特性を共同して決定するコドーパントを含有していることを特徴としている。
【００４３】
その発明に従って使用するためのさらに特に好適な二価ユウロピウムバリウムフルオロブロマイド燐光体はＥＰ−Ａ  ０５３３２３６の実験式（Ｉ）に相当し、主ドーパントＥｕ２＋に加えてコドーパントとして少なくとも一種のアルカリ金属、好ましくはナトリウム又はルビジウムを含有する。その出願による好ましい光刺激性燐光体はバリウムに対して１０−３〜１０原子％の範囲の原子％でサマリウムを含有する。その出願による他の好ましい光刺激性燐光体はバリウムに対して１０−２〜１原子％の範囲の原子％でＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ及びＣｓからなる群から選択されたアルカリ金属を含有する。
【００４４】
実際には、例えばリチウム溶融した刺激性ユウロピウム活性化バリウムフルオロハライド燐光体に対する刺激スペクトルにおける最高は５２０〜５５０ｎｍの間で見出すことができ、一方セシウム溶融した燐光体に対してはその最高は５７０〜６３０ｎｍの間に位置する。前記燐光体の刺激スペクトルに対する最高はその混合物を作った後に中間波長で見出すことができる。前記混合物の刺激スペクトルは５００ｎｍ刺激での発光強度が６００ｎｍでの発光強度よりも常に小さいことを更に特徴としている。得られる刺激スペクトルの拡張は刺激性燐光体を導入した貯蔵パネルが波長スペクトルの可視範囲での刺激波長の広い領域に感受性であることで、混合物を作る方法から生まれる別の利点である。結果として、前述した燐光体混合物を有する層を含む貯蔵パネルは異なる刺激光源での刺激の観点から万能的な応用可能性を提供できる。適用できる異なる刺激光源には、Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ  Ｎｏ．３０８１１７，１９８９年１２月に記載されたものがある。
【００４５】
唯一の燐光体として又は化学組成が異なるかどうかは別にして燐光体の混合物として存在し、スクリーン中の一つ以上の燐光体層中に存在する燐光体の被覆量は、１ｍ２について約５０ｇ〜２５００ｇ、更に好ましくは２００ｇ〜１７５０ｇ、更に尚好ましくは３００〜１５００ｇの範囲であることが好ましい。前記一つ以上の燐光体層は、同じか又は異なる層の厚さ及び／又は顔料対結合剤の異なる重量比量及び／又は異なる燐光体粒度又は粒度分布を有することができる。より小さい平均粒度の燐光体粒子を用いてノイズの少ないシャープな像が得られるが、光放出効率は粒度の低下と共に低下することが一般的知識である。従って、一定の用途にとって最適な平均粒度は所望される像形成速度と像シャープネスの妥協である。燐光体粒子の好ましい平均粒度は特にＢａＦＢｒ：Ｅｕ型燐光体では２〜３０μｍの範囲であり、更に好ましくは２〜２０μｍの範囲である。
【００４６】
燐光体層において、いかなる燐光体又は燐光体混合物も、製造された貯蔵燐光体プレートで得られなければならない被写体によって被覆されることができる。充填密度を増加するために微細な粒子燐光体をより粗い粒子燐光体と混合すること以外に、必要ならば、結晶粒度の勾配を貯蔵パネル中で作ってもよい。原則的に、これは重力を使用する一つのみの燐光体層を被覆することによって可能であるが、再現可能性の点から見て、本発明による燐光体又は燐光体混合物を含む燐光体層から被覆された少なくとも二つの異なる貯蔵パネルを、好適な結合剤の存在下に被覆してもよい。このとき支持体に最も近い層は、約５μｍ以下の平均粒度を有する小さい燐光体粒子又はそれらの異なるバッチの混合物から本質的になり、その上に粗い燐光体粒子に対して５〜２０μｍの平均粒度を有する混合粒子層からなる。小さい燐光体粒子は所望により、好適な結合剤中に分散された大きな燐光体粒子の間隙に存在させる。求められる要件によって、本発明による刺激性燐光体又はそれらの混合物はこれらの被覆構成において種々変えうる方法で配置されることができる。
【００４７】
一つの例では極めて好適な燐光体は式（Ｉ）による燐光体である：
Ｍ１＋Ｘ．ａＭ２＋Ｘ′２ｂＭ３＋Ｘ″３：ｃＺ            （Ｉ）
式中、Ｍ１＋はＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｓ及びＲｂからなる群から選択された少なくとも一つの要素であり、Ｍ２＋はＢｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｐｂ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも一つの要素であり、Ｍ３＋はＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｂｉ，Ｉｎ及びＧａからなる群から選択された少なくとも一つの要素であり、ＺはＧａ１＋，Ｇｅ２＋，Ｓｎ２＋，Ｓｂ３＋及びＡｓ３＋からなる群から選択された少なくとも一つの要素であり、Ｘ，Ｘ′及びＸ″は同じであっても異なってもよく、各々はＦ，Ｂｒ，Ｃｌ，Ｉからなる群から選択されたハロゲン原子を表し、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１及び０＜ｃ≦０．２である。かかる燐光体は例えばＵＳ−Ａ  ５７３６０６９に開示されている。
【００４８】
本発明のカセットに使用するための貯蔵燐光体層におけるような結合剤のない燐光体プレートに使用するために極めて好ましい燐光体はＣｓＸ：Ｅｕ光刺激性燐光体（但し、ＸはＢｒ，Ｃｌ及びＩからなる群から選択されたハロゲン化物を表す）である。本発明による好ましい例では、結合剤のない燐光体プレートに使用される貯蔵燐光体はアルカリ金属燐光体、より好ましくはＣｓＢｒ：Ｅｕ型燐光体である。
【００４９】
かかる燐光体は通常、下記工程を含む方法によって製造される：
−  ＥｕＸ′２，ＥｕＸ′３及びＥｕＯＸ′（但し、Ｘ′はＦ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＩからなる群から選択された一つの要素である）からなる群から選択されたユウロピウム化合物の１０−３〜５ｍｏｌ％と前記ＣｓＸを混合する；
−  前記混合物を４５０℃以上の温度で燃焼する；
−  前記混合物を冷却する；そして
−  ＣｓＸ：Ｅｕ燐光体を回収する。
【００５０】
かかる針状燐光体は本発明によるカセットに使用される貯蔵燐光体層に使用するために好適である。好ましい例はＣｓＸ：Ｅｕ刺激性燐光体（ＸはＢｒ及びＣｌからなる群から選択されるハロゲン化物を表す）であり、下記工程を含む方法によって作られたものである：
−  ＥｕＸ′２，ＥｕＸ′３及びＥｕＯＸ′（但し、Ｘ′はＦ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＩからなる群から選択された一つの要素である）からなる群から選択されたユウロピウム化合物の１０−３〜５ｍｏｌ％と前記ＣｓＸを混合する；
−  前記混合物を４５０℃以上の温度で燃焼する；
−  前記混合物を冷却する；そして
−  ＣｓＸ：Ｅｕ燐光体を回収する。
【００５１】
これらの燐光体を使用する結合剤のない燐光体プレートの製造方法及びかかるスクリーンを使用するＸ線像を記録及び再生するための方法はＷＯ  ０１／３１５６及びＵＳ出願０１０５９００４に記載されているように本発明に使用されることができる。
【００５２】
スクリーンの感度を決定する要因は燐光体層の厚さであり、それは被覆される燐光体の量に比例する。前記厚さは１〜１０００μｍ、好ましくは５０〜５００μｍ、より好ましくは１００〜３００μｍの範囲内であることができる。しかしながら、針状ＣｓＢｒ：Ｅｕ型燐光体が使用される場合には、燐光体層はＥＰ−Ａ  １１１３４５８に述べられているように１０００μｍまであってもよい。そこには針状結晶を有する結合剤のない貯蔵燐光体プレートが作られ、燐光体はアルカリハロゲン化物燐光体であり、針状結晶はスクリーンの平面において高い［１００］ユニットセル配向を示し、記録システムのスピード（できるだけ低い患者線量）と高いシャープネス及び低いノイズを有する像の間の極めて良好な妥協を有するＸ線記録システムに有用な刺激性燐光体プレートを提供する。
【００５３】
本発明によるカセットに使用される像貯蔵燐光体プレートは結合剤のない燐光体が使用されないときに次の製造方法によって製造されることができる。燐光体層は、ＥＰ−Ａ  ０５１０７５３に広範囲に記載されている有用な分散剤、有用な可塑剤、有用な充填剤及び下塗もしくは中間層組成物の使用のみならず、燐光体含有層の結合剤のための溶媒の使用をする任意の被覆法によって支持体に適用することができる。燐光体粒子は分散液を作るために好適な混合比で溶解したゴム及び／又はエラストマー重合体と混合させてもよい。前記分散液は、例えばドクターブレード被覆、ロール被覆、グラビア被覆又はワイヤーバー被覆の如き既知の被覆法によって支持体に均一に適用され、そして乾燥され貯蔵燐光体層を形成する。空隙比を低下させるため圧縮の如きさらなる機械的処置は本発明の範囲内では必要ない。
【００５４】
被覆分散液中に分散させる燐光体粒子の分散性を改良するために有用な分散剤は、燐光体層に加えることのできる各種の添加剤、例えば燐光体層中の燐光体粒子と結合剤の間の結合を増大させるための可塑剤及び本発明によれば光反射又は吸収充填剤及び／又は着色剤とともにＥＰ−Ａ  ０５１０７５３に記載されている。
【００５５】
有用な可塑剤には、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート及びジフェニルホスフェートの如きホスフェート；ジエチルフタレート及びジメトキシエチルフタレートの如きフタレート；エチルフタリルエチルグリコレート及びブチルフタリルブチルグリコレートの如きグリコレート；重合体可塑剤、例えばコハク酸とジエチレングリコールのポリエステル及びアジピン酸とトリエチレングリコールのポリエステルの如き脂肪族ジカルボン酸とポリエチレングリコールのポリエステルを含む。層に対する構造的結合力を与える一以上の結合剤は有用であるかもしれず、業界でこの目的のために通常使用されるものがある。それらはＸ線、刺激する放射線及び放出された放射線に対して透明である幅広い種類の公知の有機ポリマーから選択されることができる。この目的のために一般に使用される結合剤材料は限定されないが、天然ポリマー、例えば蛋白質（例えばゼラチン）、ポリサッカライド（例えばデキストラン）、ポリ（ビニルアセテート）、エチルセルロース、塩化ビニリデンポリマー、セルロースアセテートブチレート、ポリビニルアルコール、ポリ（ビニルアルコール）のナトリウム  ｏ−スルホベンズアルデヒドアセタール、クロロスルホン化ポリ（エチレン）、巨大分子ビスフェノールポリカーボネートの混合物、ビスフェノールカーボネート及びポリ（アルキレン）オキサイドを含むコポリマー、水性エタノール溶解性ナイロン、ポリ（アルキルアクリレート及びメタクリレート）及びポリ（アルキルアクリレート及びメタクリレート及びアクリル酸又はメタクリル酸）のコポリマー及びポリ（ビニルブチラール）及びポリ（ウレタン）エラストマーを含む。もし望むなら結合剤の混合物も使用されることができる。
【００５６】
刺激性燐光体は疎水性又は疎水性化物質を化学的にもしくは物理的にそれに接着することによって湿分の影響に対して保護されることが好ましい。前記目的のために好適な物質は例えばＵＳ−Ａ  ４１３８３６１に記載されている。
【００５７】
貯蔵パネルの組成では、一以上の追加の層は場合によって下塗り又は中間層組成を有する燐光体含有層と支持体の間に与えられ、支持体と燐光体層の間の結合を改良するか、又はそれによって与えられた像のシャープネス及び解像度又はスクリーンの感度を改良する。例えば、下塗り層又は接着剤層は燐光体層側上に支持体の表面上でポリマー材料を被覆することによって与えられてもよい。
【００５８】
追加の層は、裏塗層として、又は支持体と中間層の間、前記中間層と燐光体含有層の間に挿入した層として支持体上に被覆することができる。前記追加の層の幾つかは組合せて適用されてもよい。
【００５９】
支持体と燐光体含有層の間にプライマー層を有する燐光体プレートの製造では、プライマー層は予め支持体上に与えられ、次いで燐光体分散液がプライマー層に適用され乾燥されて蛍光層を形成する。
【００６０】
燐光体が本発明によるスクリーン又はパネルを製造するために結合剤と組み合わされて使用されるとき、燐光体粒子は結合剤の溶液中に緊密に分散され、次いで、支持体上に被覆され乾燥される。本燐光体結合剤層の被覆は通常の技術、例えばスプレー、ディップ被覆又はドクターブレード被覆に従って行われてもよい。被覆後、被覆混合物の溶媒は蒸発によって、例えば熱い（６０℃）空気流中で乾燥することによって除去される。
【００６１】
充填密度を改良するため及び燐光体−結合剤組合せの脱気を行うために超音波処理を適用することができる。保護被覆の任意の適用の前に、燐光体−結合剤層はカレンダー処理されて充填密度（即ち乾燥被覆１ｃｍ３についての燐光体のグラム数）を改良することができる。支持体上に被覆分散液を適用した後、燐光体層の形成を完了するため、被覆分散液は徐々に加熱して乾燥される。燐光体被覆組成物中に随伴された空気をできる限り多く除去するため、それは被覆前に超音波処理を受けさせることができる。
【００６２】
燐光体層の形成後、一般に保護層を蛍光層の最上部に設ける。
【００６３】
優れた像シャープネス及び操作の容易さの望ましくかつ意外な性質を有する、本発明のスクリーン又はパネルに与える保護被覆の粗さ及び厚さの相関的特徴は、ＥＰ−Ａ  ０５１０７５４及び１３１８５２５に記載されている。
【００６４】
保護被覆はスクリーン印刷（シルクスクリーン印刷）によって与えられるか又は前記ＥＰ−Ａ  ０５１０７５３に詳細に記載されているようにロータリスクリーン印刷装置によって適用されることが有利である。
【００６５】
保護被覆を形成するために極めて有用な放射線硬化性組成物は、主成分として：
（１）架橋性プレポリマー又はオリゴマー、又は反応性希釈性モノマーに溶解できるポリマーと組み合わされる、
（２）反応性希釈性モノマー、
及びＵＶ硬化性配合の場合においては、
（３）光開始剤
を含有する。
【００６６】
本発明による貯蔵パネルに適用される放射線硬化性組成物で使用するために好適なプレポリマーの例には次のものがある：不飽和ポリエステル、例えばポリエステルアクリレート；ウレタン変性不飽和ポリエステル、例えばウレタン−ポリエステルアクリレート。末端基としてアクリル基を有する液体ポリエステル、例えばアクリル系末端基を設けた不飽和コポリエステルは公開されたＥＰ−Ａ  ２０７２５７及びＲａｄｉａｔ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｖｏｌ．３３，Ｎｏ．５，４４３〜４５０（１９８９年）に記載されている。後者の液体コポリエステルは、低分子量の不飽和モノマー及び他の揮発性物質を実質的に含有せず、非常に低い毒性のものである（Ａｄｈａｓｉｏｎ  １９９０  Ｈｅｆｔ  １２，１２頁参照）。広い種類の放射線硬化性アクリルポリエステルの製造法はＤＥ−Ａ  ２８３８６９１に与えられている。２種以上の前記プレポリマーの混合物を使用してもよい。ＵＶ硬化性被覆組成物の調査は例えば“Ｃｏａｔｉｎｇ”９／８８，ｐ．３４８〜３５３に与えられている。保護オーバーコート層は固体粒状材料を含む薬剤によって又はＷＯ  ９６／１１４８１に記載されているような帯電防止剤及びＧＢ−Ａ  １５３４１５４に記載されているような艶消剤によってその有用性を増強するように設計された様々な薬剤を含有してもよい。
【００６７】
放射線硬化を紫外放射線（ＵＶ）で行うとき、被覆組成物中に光開始剤を存在させ、モノマーの重合及び被覆した保護層組成物の硬化を生ぜしめるプレポリマーとそれらの所望の架橋を開始させるための触媒として作用させる。光開始剤の効果を促進するため光増感剤を存在させることができる。ＵＶ硬化性被覆組成物で使用するために好適な光開始剤は、有機カルボニル化合物、例えばベンゾインエーテル系化合物、例えばベンゾインイソプロピル、イソブチルエーテル；ベンジルケタール系化合物；ケトキシムエステル；ベンゾフェノン系化合物、例えばベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイルメチルベンゾエート；アセトフェノン系化合物、例えばアセトフェノン、トリクロロアセトフェノン、１，１−ジクロロアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン；チオキサントン系化合物、例えば２−クロロチオキサントン、２−エチルチオキサントン；及び２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、２−ヒドロキシ−４′−イソプロピル−２−メチルプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等の群に属する。
【００６８】
特に好ましい光開始剤は２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オンであり、この製品はＤＡＲＯＣＵＲ  １１７３の商品名で、ドイツ国  ＤａｒｍｓｔａｄｔのＥ．Ｍｅｒｃｋによって市販されている。前述した光重合開始剤は単独で又は二種以上の混合物として使用することができる。好適な光増感剤の例には、例えばＧＢ−Ａ  １３１４５５６，１４８６９１１，ＵＳ−Ａ  ４２５５５１３に記載されたような特定の芳香族アミノ化合物及びＵＳ−Ａ  ４２８２３０９に記載されたようなメロシアニン及びカルボスチリル化合物がある。
【００６９】
硬化源として紫外線を使用するとき、被覆溶液に加えるべき光開始剤は、多少の程度の差はあれ、燐光体によって放出される光も吸収し、これによって特にＵＶ又は青色光を放出する燐光体を使用したときに、放射線写真スクリーンの感度を損なうであろう。従って、電子ビーム硬化は更に有効であることができる。本発明の貯蔵パネルの保護被覆は被覆段階に続いて未硬化又は僅かに硬化した被覆を圧力ローラのニップに通過させることによってエンボス構造を与える。この場合前記被覆に接触するローラーは、例えばＥＰ−Ａ  ４５５３０９及び４５６３１８に記載されているようなレリーフ部分を得るように、例えばエンボス構造を被覆に与えるマイクロレリーフ構造を有する。
【００７０】
貯蔵燐光体の混合物を使用することができ、特に沃化物を含有する貯蔵燐光体の混合物が有用である。もし一つより多い貯蔵燐光体が使用されるなら、それらの層は同じ又は異なる貯蔵燐光体及び同じ又は異なる結合剤から構成されることができる。多数の燐光体層は同じ又は異なる厚さを有することもできる。燐光体層における一以上の貯蔵燐光体の量は一般に全乾燥層重量に基づいて少なくとも５０重量％、好ましくは約８０〜９８重量％である。
【００７１】
もし存在するなら、結合剤に対する貯蔵燐光体のいかなる従来の比も本発明のカセットアセンブリに存在する貯蔵燐光体層に使用されることができる。一般に高い結合剤に対する貯蔵燐光体の重量比が使用されるときにより厚い貯蔵燐光体層及びよりシャープな像が得られる。好ましくは結合剤に対する貯蔵燐光体の重量比は約７：１〜約３０：１の範囲である。もし特定の用途に対して望むならより多い又はより少ない結合剤を使用することができる。一以上の貯蔵燐光体層は様々な目的のために一般に使用される他の添加剤を含んでもよく、その添加剤としては限定されないが、還元剤（例えばオキシサルファー還元剤）、黄変を防止するためのホスファイト及びオルガノチン化合物、光吸収のための染料及び顔料、可塑剤、分散助剤、界面活性剤、帯電防止剤を全て従来の量で含むことができる。一以上の貯蔵燐光体層は一般に少なくとも５０μｍ、好ましくは約１００μｍ〜約４００μｍの全乾燥厚さを有する。この発明の燐光体貯蔵スクリーンは外側貯蔵燐光体層上に配置された保護オーバーコート層を含むことが好ましい。この層は貯蔵燐光体によって放出された光に対して実質的にクリアでかつ透明であり、摩耗及びスクラッチ抵抗性及び耐久性を与える。貯蔵燐光体の性能を劣化するかもしれない水又は水蒸気に対してバリヤーを与えることはオーバーコート層のためには望ましいかもしれない。さらに、燐光体貯蔵スクリーンの黄変を防止する成分をオーバーコート層中に混入することは望ましいかもしれない。
【００７２】
保護オーバーコート層は燐光体層の縁を封止するために燐光体貯蔵スクリーン上に広げることができ又はオーバーコートと同じ組成又はそれとは異なる組成を使用して別個の封止を適用してもよい。湿分に対する保護に対して例えばＥＰ−Ａ  １２８６３６２，１２８６３６４及び１２８６３６５に記載のような保護パリレン層の存在は特に推奨される。
【００７３】
本発明によるカセットに使用するために好適な減少した厚さのタングステンフィルター箔はいかなる好都合な従来の形をとることもできる。金属フィルター箔は薄い箔として最も容易に製造されるが、それらは取扱いを容易にするために放射線透明性の裏打ち上に装着されることが多い。箔製造のための従来の金属は２２（チタン）から８２（鉛）の範囲の原子数のものである。銅、鉛、タングステン及び鉄の如き金属が金属フィルター箔製造のために最も一般的に使用される。この発明の実施において使用されるタングステンフィルター箔は従来のスクリーンより薄い。それらは典型的には約０．１０〜０．３０ｍｍの厚さを有し、最も好ましい厚さは約０．２ｍｍである。この最も好ましい厚さは特に６ＭＶの露光で平衡を達成することに関する。
【００７４】
別個の金属箔及び貯蔵燐光体プレートを使用する代わりに、薄いタングステンフィルター箔上に貯蔵燐光体層を被覆することによって両機能を単一の要素中に統合することができる。それらの薄いタングステンフィルター箔は上記範囲内の所望の厚さを有するだろう。
【００７５】
使用前、貯蔵燐光体プレートは有利な例ではＥＰ−Ａ  １３８７３６５に記載のような包装中に別個に包装される。特にかかる包装は酸素及び湿分に対する適切な保護を提供するからである。本発明によるＸ線カセットは一般に、像形成される患者を通過したＸ線に貯蔵燐光体プレートを露光することによって使用され、そこでは前記Ｘ線は貯蔵燐光体層を通過する前に薄いタングステンフィルター箔を通過し、貯蔵燐光体層に像に従って貯蔵される。貯蔵燐光体プレートは次いで好適な刺激電磁放射線（例えば可視光又は赤外線）で走査され、貯蔵された放射線を光放出として逐次放出する。刺激放射線は金属スクリーンを通過する前に貯蔵燐光体層に向けられる。放出された光は次いで像に電気的に変換され、印刷、貯蔵、又は送信のいずれかがなされる。
【００７６】
本発明によれば放射線像を貯蔵及び再生する方法は下記工程を含む：
−  本発明によるＸ線像形成カセットに放射線像貯蔵パネルを（ぴったりと、しかしこれに限定されない）装着する；
−  １ｋＶ〜５０ＭＶの範囲、より好ましくは放射線治療に関連した特定の用途に対して４ＭＶ〜５０ＭＶの範囲、のエネルギーを有する放射線源によって前記カセットを放射線照射に暴露する（但し、検査される前記被写体は放射線源とカセットの間に置かれ、放射線はまず前記カセットの管側上に衝突する）；
−  被写体を透過した放射線、被写体によって放出された放射線、又は被写体によって散乱又は回折された放射線を放射線像貯蔵パネルによって捕獲し、貯蔵パネルの像貯蔵層上に潜像の形で適用された放射線のエネルギーを貯蔵する；
−  貯蔵燐光体パネルを取り出すことによってカセットを解放する；
−  可視又は赤外範囲の波長スペクトルにおいて刺激光で像貯蔵層の側上の像貯蔵パネルを照射して貯蔵燐光体層における燐光体を励起し、潜像の形で貯蔵層に貯蔵されたエネルギーを光の形で放出する；
−  光収集手段によって貯蔵燐光体層から放出された光を収集する；
−  収集された光を一連の電気信号に変換する；そして
−  電気信号から潜像に対応する像を生成する。
【００７７】
本発明によればＸ線像形成カセットの使用は放射線治療、より好ましくは低い線量及び高い線量のポータル像形成のための用途において与えられる。
【００７８】
このような燐光体プレートは例えばこのようなカセットを小さすぎる間隙中に入れることが不可能であるとき、放射線治療と関連した線量測定用途に使用するために極めて好適である。その場合において燐光体プレートは保護されるべきであり、好ましくは包み中に入れるべきである。
【００７９】
さらに、本発明によるカセットは低い露光エネルギーが例えばマンモグラフィ及び胸部像形成に対してｋＶ範囲で使用される用途に使用されてもよいことは明らかである。
【００８０】
以下の実施例は本発明の好ましい例を説明したものであり、本発明はそれらに限定されない。
【００８１】
実施例
反射又は吸収特性を有するポリエチレンテレフタレート支持体上にＢａＳｒＦＢｒ：Ｅｕ貯蔵燐光体ラッカーを被覆し、それにＥＢ硬化保護被覆を与えることによって燐光体プレートを作った。前記燐光体プレートは図１Ｃのような層配置を有するカセットに挿入された。
【００８２】
燐光体は６５８ｎｍ（６５０ｎｍ〜６６６ｎｍの範囲）の刺激波長を有するレーザーダイオードで作り上げられた像走査装置で刺激された。５０ｍＷレーザダイオードのビームはビームエクスパンダー及びコリメーティングレンズを含む光学素子で６０μｍ（ＦＷＭＨ）（６０±１０μｍ）の小さなスポットに合焦された。六角形構成を有する多角形ミラーを使用して燐光体試料の全幅にわたって小さなレーザースポットを走査した。この走査手順中、燐光体は刺激され、放出光は一つの線上に位置される整列した光ファイバーによって捕獲された。円形で装着される光ファイバーの他端では、光増倍管が設置された。
【００８３】
刺激光を弱めるためにＳＣＨＯＴＴからのＢＧ３型の光フィルターが光ファイバーと光増倍管の間に置かれた。このようにして燐光体によって放出された光だけが測定された。光増倍管の小電流はまずＩ／Ｖ変換器で増幅され、Ａ／Ｄ変換器で数値化された。
【００８４】
測定機構はＨＰ  ９８２６コンピュータ及びＨＰ  ６９４４マルチプログラマと接続されて測定を制御した。手順を開始すると電子シャッターがレーザを遮断するために閉じられた。
【００８５】
１５ｃｍ×１５ｃｍの燐光体試料は腺組織（前立腺）の検査のために使用された。
【００８６】
ＮＯＶＯＤＵＲ（登録商標）プラスチック材料におけるＸ線カセットは管側とカバー側の間に、鋼箔、フリースパッド（以下で説明される様々な実験では存在したり存在しなかったりする）、金属スクリーン（厚さ及び組成を変更）、支持された貯蔵燐光層、フリース又はフェルト布、磁気控え又は厚紙プレート、ポリカーボネートプレート及び鉛後方散乱スクリーン（０．１５μｍの厚さを有する）を連続的に与えた。
【００８７】
放射線量はＦＡＲＭＥＲ線量計で測定された。Ｘ線源と燐光体層の間に校正され修正された周波数として０．７５，０．４３，０．２４５，０．２０及び０．１０線対／ｍｍを有する“ＱＣ  ＰＨＡＮＴＯＭ  ＱＣ−３  ＳＥＲＩＡＬ−１４３”（Ｍａｓｔｈｅａｄ  Ｉｍａｇｉｎｇ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ、カナダのためにＣＣＭＢによって製造）を置いた。露光後、試料をレーザ走査装置中に置いた。一つの線を読み出すためにシャッターは開放され、検流計は線形的に移動された。走査工程中、放出された光は１００ＫＨｚのサンプリング速度周波数でＡ／Ｄ変換器で連続的に測定され、マルチプログラマ中のメモリカードに記憶された。一つの走査は従って１０００００画素を含有していた。いったん走査が完了したら、シャッターは再び閉じられ、検流計は元の位置に再び置かれた。
【００８８】
走査線のデータはマルチプログラマ中のメモリカードからコンピュータに移され、そこで前記データは分析された。第一の修正は距離による走査線の感度変化を考慮した。
【００８９】
それゆえ校正走査は全く均一に露光された燐光体試料に対して前のように測定された。第二の修正は前記値を前記線量で割ることによってＸ線量を考慮した。
【００９０】
下記実施例は本発明の好ましい例について説明するが、それらは本発明を限定するものではない。
【００９１】
実験１（比較−銅フィルター箔）
１．５ｍｍの厚さを有する銅フィルター箔を有するアセンブリを、銅箔と貯蔵燐光体プレートの間にフェルト布ありで又はなしで検査した。６及び１８ＭＶ露光はフェルト布の存在なしでより良好な像（曇りが少ない）を与える。薄い銅箔は６ＭＶ露光の場合に品質的に良好な像を与える。
【００９２】
実験２（比較−タングステン及びタンタルフィルター、厚さ変化）
０．７６ｍｍの厚さを有するタングステンフィルター箔を有するアセンブリを、タングステンフィルターと貯蔵燐光体プレートの間にフェルト布なしで検査した。６ＭＶ露光は同じ厚さを有する銅フィルター箔について得られたものよりずっと良好な結果を与えた。さらに、１．０ｍｍ及び０．８ｍｍの厚さをそれぞれ有するタンタルフィルター箔と比較すると、タングステンフィルター箔は０．８ｍｍタンタルフィルタープレートと比較してほぼ同じ結果（コントラスト、像品質）を示し、１．０ｍｍタンタルフィルター箔より良好な結果を示した。他方、４，６及び１８ＭＶのエネルギーのそれぞれでの露光について、０．７６ｍｍの厚さを有するタングステンフィルター箔は０．２ｍｍ、０．４ｍｍ及び０．６ｍｍの厚さをそれぞれ有するタンタルフィルター箔を有するカセットと比較するとＱＣ−３  ＰＨＡＮＴＯＭの露光後に低い像品質を与えた。
【００９３】
実験３（本発明−タングステンフィルター、厚さ変化）
０．２ｍｍ，０．４ｍｍ及び０．６ｍｍの厚さをそれぞれ有するタングステンフィルター箔を有する貯蔵燐光体プレートのアセンブリを利用するとき、技術的なファントムを有するポータル像形成のために一般的なＭＶ範囲の露光において最良のフィルター箔厚さ妥協を選択することは０．２ｍｍ厚タングステンフィルター箔に対する像品質に関して最も優れた結果を明らかに示す。
【００９４】
さらに、その有意に軽量な利点は見過ごすことができないものであり、実際の評価では高く認識された。
【００９５】
実験４（比較−タングステンフィルター、厚さ変化）
実験３とちょうど同じように同じ異なる厚さを有するタングステンフィルター箔を有するがカセットのカバー側と貯蔵燐光体プレートの間に厚紙を有し、従ってタングステンフィルター箔に対して貯蔵燐光体プレートの圧力による極めて良好な直接接触を与えるアセンブリを検査した。タングステンフィルター箔の存在が０．４ｍｍ及び０．６ｍｍの厚さをそれぞれ有するタングステンフィルター箔と比較すると、０．２ｍｍ厚タングステンフィルター箔に対する像品質に関して最も優れた結果を与え、厚紙のない前の実験３より良好な結果を与えることが確立された。６及び１８ＭＶ露光において優れた像が得られ、さらに好ましくは貯蔵燐光体パネルと直接接触する、後方散乱層としての薄い鉛箔の存在はさらに良好な像品質を与えることは明らかだった。
【００９６】
実験５（タンタルフィルター箔と比較した本発明タングステンフィルター箔）
さらなる実験では０．２ｍｍの厚さを有するタングステンフィルター箔と密着するＢａＦＢｒ：Ｅｕ型貯蔵燐光体プレートのアセンブリは０．４ｍｍ及び０．６ｍｍの厚さをそれぞれ有するタンタルフィルターと比較された。
【００９７】
三つのアセンブリの全ては金属フィルターのないアセンブリと比較された。
【００９８】
コバルト源並びに線形加速器（６及び１８Ｖ）を有する技術的ファントム露光は露光中に金属フィルターが全く使用されないとき像品質が明らかに悪くなることを証明した。
【００９９】
０．２ｍｍタングステンフィルター及び０．４ｍｍタンタルフィルター箔はかなり優れた像品質を与え、一方０．６ｍｍ厚タンタルフィルター箔は像品質を改良せず、少し低いコントラスト対ノイズ比を示した。
【０１００】
上述の０．２ｍｍのタングステンフィルター箔厚さは最良の結果を与えるものとして選択され、カセットアセンブリ全体の重量減少のおかげで、０．４ｍｍの厚さを有するタンタルフィルター箔より好ましかった。
【０１０１】
実験６
金属フィルターと貯蔵燐光体プレートの間の接触に対する異なるシステムがコバルト源での技術的ＱＣ−３  ＰＨＡＮＴＯＭ露光及びＬｉｎａｃ（６及び１８ＭＶ  Ｌｉｎａｃ露光）において試験された。０．２ｍｍの厚さを有するタングステンフィルター箔を有するアセンブリはこの実験のために使用されたが、タングステンフィルター箔と燐光体プレートの間の最適な接触はカセット内の磁気カセット“圧力”システムを使用して確立された。このカセットはタンタルフィルターと燐光体プレートの間の接触を増強するために余分のポリカーボネートプレートがカセットに与えられたカセットと比較された。第三アセンブリではポリエステル層はタングステンフィルター箔上に積層され、タングステンフィルターを燐光体プレートから少なくとも４３ｍｍ分離した。
【０１０２】
“磁気圧力システム”を有するカセットと“カセットカバー中に余分な層”を有するカセットについて像品質における相対的な差異が全く測定されなかった。
【０１０３】
タンタルフィルター箔と貯蔵燐光体プレートの間の余分な層の存在は低い解像度を明らかに生じていた。
【０１０４】
実験７
Ｇｅｎｒａｄ（登録商標）貯蔵燐光体プレート及び０．４ｍｍの厚さを有するタンタルフィルター箔及び０．２ｍｍのタングステンフィルター箔をそれぞれ有するアセンブリはアセンブリを６及び１８ＭＶに二重コントラスト露光しながら検査された。この二重コントラスト低線量“ローカライゼーション”像形成は両箔に対して良好な像品質を生成したが、その軽量性のおかげでタングステンフィルター箔の方が好ましいことが示された。
【０１０５】
本発明の好ましい例を詳細に記載したが、特許請求の範囲に規定されたような本発明の範囲から逸脱せずに多数の変更がその中でなしうることが当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１Ａ】放射線治療カセットのための層配置を概略的に示す。
【図１Ｂ】放射線治療カセットのための別の層配置を概略的に示す。
【図１Ｃ】放射線治療カセットのためのさらなる別の層配置を概略的に示す。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【外国語明細書】
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