(57)【要約】【課題】均一なプラズマを形成できる高密度プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】内部にサセプター１１２、上部に誘電体ウィンドウ１１６が設置された工程チャンバ１１０と、工程チャンバ１１０内に反応ガスを入れるガス注入口１２２と、誘電体ウィンドウ１１６上部に設置され、工程チャンバ１１０の中心部に対応する位置に配置されてＲＦ電源から工程チャンバ内部に高周波を送るＩＣＰアンテナ１３０と、マイクロ波発振機１４０から発振されたマイクロ波を送る導波管１４２と、誘電体ウィンドウ１１６の上部に設置されて導波管１４２に連結され、工程チャンバ１１０の周辺部に対応する位置にＩＣＰアンテナ１３０を取り囲むように配置され、その底壁に設けられた複数のスロット１４８を通じて工程チャンバ１１０内部にマイクロ波を放射する環状の放射管１４６とを具備するプラズマ処理装置である。【選択図】図４
2005019968.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に被処理物を支持するサセプターを有し、上部に誘電体ウィンドウが設置された工程チャンバと、
前記工程チャンバの内部に反応ガスを入れるためのガス注入口と、
前記誘電体ウィンドウの上部に設置され、前記工程チャンバの中心部に対応する位置に配置されて、高周波電源から前記工程チャンバ内部に高周波パワーを送る誘導結合プラズマアンテナと、
マイクロ波発振機から発振されたマイクロ波を送る導波管と、
前記誘電体ウィンドウの上部に設置されて前記導波管に繋がれ、前記工程チャンバの周辺部に対応する位置で前記誘導結合プラズマアンテナを取り囲むように配置され、その底壁に設けられた複数のスロットを通じて前記工程チャンバ内部にマイクロ波を放射する環状の放射管と、を具備することを特徴とする高密度プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記誘導結合プラズマアンテナによって前記工程チャンバ内部の中心領域に伝送される高周波と前記スロットを通じて前記工程チャンバ内部の周辺領域に供給されるマイクロ波とは相互独立に制御されることを特徴とする請求項１に記載の高密度プラズマ処理装置。
【請求項３】
前記工程チャンバの外周に設置され、前記工程チャンバの周辺領域に供給されるマイクロ波とプラズマとが電子サイクロトン共鳴を起こすように前記工程チャンバ内部に磁場を形成する磁石を具備することを特徴とする請求項１に記載の高密度プラズマ処理装置。
【請求項４】
前記磁石は、前記工程チャンバの外周に沿って所定間隔を置いて複数個が配列されていることを特徴とする請求項３に記載の高密度プラズマ処理装置。
【請求項５】
前記磁石は、上下移動可能に設置されたことを特徴とする請求項３に記載の高密度プラズマ処理装置。
【請求項６】
前記磁石は、電磁石であることを特徴とする請求項３に記載の高密度プラズマ処理装置。
【請求項７】
前記磁石は、永久磁石であることを特徴とする請求項３に記載の高密度プラズマ処理装置。
【請求項８】
前記サセプターは、上下移動可能であることを特徴とする請求項１に記載の高密度プラズマ処理装置。
【請求項９】
前記サセプターは、静電力によって前記被処理物を吸着することを特徴とする請求項１に記載の高密度プラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記ガス注入口は、前記工程チャンバの側壁に設置された環状のインジェクターを具備することを特徴とする請求項１に記載の高密度プラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記ガス注入口は、前記誘電体ウィンドウの中心部に設置されたシャワーヘッドを具備することを特徴とする請求項１に記載の高密度プラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記ガス注入口は、前記工程チャンバの側壁に設置された環状のインジェクターと、前記誘電体ウィンドウの中心部に設置されたシャワーヘッドとを具備することを特徴とする請求項１に記載の高密度プラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記導波管には、サーキュレーターとチューナーとが設置されていることを特徴とする請求項１に記載の高密度プラズマ処理装置。
【請求項１４】
前記放射管は、四角形の断面形状を有することを特徴とする請求項１に記載の高密度プラズマ処理装置。
【請求項１５】
前記複数のスロットは、前記放射管の円周方向に沿って配列されていることを特徴とする請求項１に記載の高密度プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度プラズマ処理処置に係り、より詳細には、基板の表面近くでプラズマ分布の均一度を向上できる構造を有した高密度プラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子やフラットディスプレイパネルの製造のための基板の微細加工工程には、プラズマを応用した技術がよく利用されている。すなわち、プラズマは、半導体素子製造用ウェーハやＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などの製造用基板の表面を食刻したり、その表面上に所定の物質膜を蒸着する際などに広く使われている。これによって、それぞれの工程に相応しいプラズマ処理装置の開発は、半導体素子及びフラットディスプレイパネルの製造とこれに必要な装置の開発において核心的な要素になっている。
【０００３】
このようなプラズマ処理装置にはさまざまな種類があるが、この中でも誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）処理装置とマイクロ波を利用したプラズマ処理装置とが現在もっとも多く利用されている。
【０００４】
図１には、従来の誘導結合プラズマ処理装置の概略的な構成が図示されている。図１を参照すれば、誘導結合プラズマ処理装置は、その内部にプラズマ形成空間が設けられた工程チャンバ１０を具備する。前記工程チャンバ１０内部の下側には処理される基板、例えばウェーハＷを支持するサセプター１２が設けられており、工程チャンバ１０の上部には誘電体ウィンドウ１６が設置されている。
【０００５】
工程チャンバ１０の側壁には、反応ガスを工程チャンバ１０内部に入れるためのガス注入口１４が形成されており、工程チャンバ１０の内部にはガス注入口１４に連結される複数のガス分配口１５が設けられている。工程チャンバ１０の底壁には、真空ポンプ１９に連結される真空吸入口１８が形成されており、これを通じて工程チャンバ１０内部を所定の真空状態にする。そして、前記誘電体ウィンドウ１６の上部には、工程チャンバ１０内部にプラズマを生成させるためのＩＣＰアンテナ２０が設置されている。
【０００６】
前記ＩＣＰアンテナ２０には、高周波（ＲＦ）電源が繋がれてＲＦ電流が流れる。前記アンテナ２０を通じて流れるＲＦ電流によって磁場が発生し、この磁場の経時的な変化によって工程チャンバ１０内部には電場が誘導される。同時に、反応ガスがガス分配口１５を通じて工程チャンバ１０内部に流入され、誘導電場によって加速された電子は衝突過程を通じて反応ガスをイオン化させて工程チャンバ１０内にプラズマを生成する。このように生成されたプラズマは、ウェーハＷ表面との化学反応過程を通じてウェーハＷの表面を食刻したり、ウェーハＷの表面に所定の物質層を蒸着する。
【０００７】
図２には、特許文献１に開示されたマイクロ波を利用したプラズマ処理装置が図示されている。
【０００８】
図２に図示されたプラズマ処理装置は、プラズマソース４０と工程チャンバ３０とを具備している。プラズマソース４０は、マイクロ波発振機（図示せず）と、導波管４１と、放射管４２とを具備する。導波管４１は、マイクロ波発振機で発振されたマイクロ波を送るためのものであり、長方形の断面を有する。放射管４２は、導波管４１に接続されて同じく長方形の断面を有している。そして、放射管４２には、マイクロ波を工程チャンバ３０内部に放射するための複数のスロット４３が形成されている。このようなスロット４３はさまざまな形状に形成されうる。
【０００９】
前記工程チャンバ３０は、誘電体ウィンドウ３１と、支持台３２と、ガス導入口３３とを具備している。誘電体ウィンドウ３１は、工程チャンバ３０の上部に設置されており、その上に放射管４２が設置されている。支持台３２は、被処理物、すなわちウェーハを支持するためのものであり、誘電体ウィンドウ３１に対向するように工程チャンバ３０の内部に設置されている。支持台３２には電源３５が接続されている。そして、工程チャンバ３０の底壁には真空処理のための排気口３４が形成されている。
【００１０】
ところが、前記のような構造を有した従来のプラズマ処理装置においては、ウェーハ近くでプラズマ分布が均一にできない短所がある。
【００１１】
図３Ａ及び図３Ｂは、工程チャンバ内のプラズマ生成領域でのプラズマ分布とウェーハ近くでのプラズマ分布との関係を示した図面である。
【００１２】
図３Ａに図示されたように、プラズマ生成領域で均一な分布のプラズマを得たとしても拡散によってウェーハ近くではプラズマ分布がばらつくようになる。したがって、ウェーハ近くで均一なプラズマ分布を得るためには、図３Ｂに示したように、プラズマ生成領域で工程チャンバの中心部より周辺部でプラズマ密度が大きいいわゆる「Ｍ字形状」のプラズマ分布を必要とする。
【００１３】
このように、プラズマ分布が不均一になれば、ウェーハＷの食刻深さやウェーハＷ表面に蒸着される物質膜の厚さ及び性質が位置によって差がある問題点が発生する。
【００１４】
特に、このような問題点は基板の大面積化によってさらに著しくなる。誘導結合プラズマ処理装置の場合、基板の大面積化によって工程チャンバ内に高いプラズマ密度を維持するために、ＩＣＰアンテナも大きくしなければならない。しかし、ＩＣＰアンテナが大きくなるほどアンテナに印加される電圧も高くなり、アンテナの大きさの増加には限界がある。マイクロ波を利用したプラズマ処理装置においても、マイクロ波ソースの実質的な大きさの増加なしに高いマイクロ波のパワーを工程チャンバ内に送ることは難しく、工程チャンバ内にマイクロ波のパワーを均一に分配することも困難である。
【００１５】
前記のように、従来のプラズマ処理装置は、それぞれの問題点によって工程条件の変化に適切に対応して高いプラズマ密度とその分布の均一度とを確保し難い短所がある。特に、最近ウェーハの大きさが大型化されつつあり、従来のプラズマ処理装置の構造ではウェーハ近くでのプラズマ分布の均一度を維持することが一層難しくなっており、これによって半導体素子の品質や収率が著しく落ちる。
【００１６】
したがって、プラズマ処理装置の開発において、ウェーハの大面積化によるウェーハ処理工程の均一度向上と同時に高いプラズマ密度の維持は最優先に解決すべき要素技術である。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００２／０１２１３４４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、前記のような従来技術の問題点を解決するために創出されたものであり、特に独立的に制御される誘導結合プラズマソースとマイクロ波ソースとを共に具備することで、大面積の被処理物近くでプラズマ分布の均一度を向上できる高密度プラズマ処理装置を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
前記の目的を果たすための本発明による高密度プラズマ処理装置は、内部に被処理物を支持するサセプターを有し、上部に誘電体ウィンドウが設置された工程チャンバと、前記工程チャンバの内部に反応ガスを入れるためのガス注入口と、前記誘電体ウィンドウの上部に設置され、前記工程チャンバの中心部に対応する位置に配置されて、高周波電源から前記工程チャンバ内部に高周波パワーを送る誘導結合プラズマアンテナと、マイクロ波発振機から発振されたマイクロ波を送る導波管と、前記誘電体ウィンドウの上部に設置されて前記導波管に繋がれ、前記工程チャンバの周辺部に対応する位置で前記誘導結合プラズマアンテナを取り囲むように配置され、その底壁に設けられた複数のスロットを通じて前記工程チャンバ内部にマイクロ波を放射する環状の放射管と、を具備する。
【００１９】
ここで、前記ＩＣＰアンテナによって前記工程チャンバ内部の中心領域に伝送されるＲＦパワーと前記スロットを通じて前記工程チャンバ内部の周辺領域に供給されるマイクロ波パワーとは相互独立に制御されることが望ましい。
【００２０】
そして、前記工程チャンバの外周に設置され、前記工程チャンバの周辺領域に供給されるマイクロ波とプラズマとが電子サイクロトン共鳴（ＥＣＲ）を起こすように前記工程チャンバ内部に磁場を形成する磁石を具備するのが望ましい。
【００２１】
前記磁石は、前記工程チャンバの外周に沿って所定間隔を置いて複数個が配列されていることが望ましく、さらに上下移動可能に設置されているのが望ましい。そして、前記磁石には電磁石や永久磁石が使われる。
【００２２】
前記サセプターは、上下移動可能なことが望ましく、静電力によって前記被処理物を吸着することが望ましい。
【００２３】
前記ガス注入口は、前記工程チャンバの側壁に設置された環状のインジェクターを具備するか、前記誘電体ウィンドウの中心部に設置されたシャワーヘッドを具備されうる。
【００２４】
望ましくは、前記ガス注入口は、前記環状のインジェクターとシャワーヘッドとを共に具備する。
【発明の効果】
【００２５】
本発明による高密度プラズマ処理装置は次のような効果がある。
【００２６】
第一、独立に制御されるＩＣＰアンテナとマイクロ波ソースとを共に利用することで、プラズマ密度とその分布の均一度とを容易に制御できる。したがって、大面積、例えば３００ｍｍ（１２ｉｎｃｈ）以上の直径のウェーハに対しても均一な処理ができる。
【００２７】
第二、マイクロ波とプラズマとのＥＣＲ現象を利用することで、マイクロ波パワーがプラズマに吸収される効率を高められ、広い圧力範囲でプラズマ密度とその分布の均一度とを制御できる。
【００２８】
第三、環状のインジェクターとシャワーヘッドとを利用して反応ガスを均一に分配し、サセプターと磁石とを上下移動可能に設置することで、広い範囲の工程パラメーターに対応してプラズマ密度とその分布の均一度とをより容易に制御できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、添付された図面を参照しながら本発明の望ましい実施例を詳しく説明する。以下の図面で同じ参照符号は等しい構成要素を示す。
【００３０】
図４及び図５は、本発明の望ましい第１実施例による高密度プラズマ処理装置の構成を示した垂直断面図及び平面図である。
【００３１】
図４及び図５を共に参照すれば、本発明による高密度プラズマ処理装置は、プラズマを利用して被処理物、例えば半導体素子製造用シリコーンウェーハＷの表面を食刻したり、その表面上に所定の物質膜を蒸着したりするなど微細加工のための半導体製造装置である。
【００３２】
前記プラズマ処理装置は、その内部にプラズマ形成空間が設けられている工程チャンバ１１０を具備する。前記工程チャンバ１１０の内部は真空状態に維持されるために工程チャンバ１１０の底壁に真空ポンプ１１９に連結される真空吸入口１１８が形成されている。
【００３３】
前記工程チャンバ１１０内部には、ウェーハＷを支持するサセプター１１２が設けられている。前記サセプター１１２は、静電力によってウェーハＷを吸着できる静電チャックが使われている。このサセプター１１２には、工程チャンバ１１０内に生成されたプラズマから出て来たイオンがウェーハＷの表面に充分に高いエネルギーを有して衝突できるようにバイアス電圧を提供する電源１１４が連結される。
【００３４】
そして、前記サセプター１１２は、上下移動可能に設置されることが望ましい。これは、広い範囲の工程パラメーターに対応してプラズマ密度とその分布の均一度とをより容易に制御できる。すなわち、サセプター１１２を上下移動させることで、サセプター１１２によって支持されるウェーハＷをより均一なプラズマ分布を表す部位に位置させられる。
【００３５】
前記工程チャンバ１１０の上部には、ＲＦパワー及びマイクロ波パワーが透過できるように誘電体からなるウィンドウ（誘電体ウィンドウ１１６と称する）が設置される。前記誘電体ウィンドウ１１６は、工程チャンバ１１０内部と外部の大気を分離する役目もする。
【００３６】
前記工程チャンバ１１０の側壁には、反応ガスを工程チャンバ１１０内部に入れるためのガス注入口１２２が形成されている。また、工程チャンバ１１０の側壁内面には、複数のガス分配口１２６を有した環状のインジェクター１２４が設置される。前記ガス注入口１２２を通じて流入された反応ガスは、前記複数のガス分配口１２６を通じて工程チャンバ１１０内部の各部分に分配される。
【００３７】
前記工程チャンバ１１０の上部、すなわち誘電体ウィンドウ１１６の上部には、工程チャンバ１１０内部に注入された反応ガスをイオン化してプラズマを生成させるために、高周波（ＲＦ）を工程チャンバ１１０内部に送るＩＣＰアンテナ１３０が設置される。前記ＩＣＰアンテナ１３０には、高周波電流を供給するためのＲＦ電源１３２が連結される。そして、本発明において、前記ＩＣＰアンテナ１３０は、工程チャンバ１１０の中心部に対応する位置に配置されている。
【００３８】
前記ＩＣＰアンテナ１３０は、図５に示したように、複数の同心円状のコイルでなりうる。また、ＩＣＰアンテナ１３０は、例えば、螺旋形のコイルやそのほか多様な形態の巻線コイルでなりうる。すなわち、本発明において、ＩＣＰアンテナ１３０は多様な形態を有する。
【００３９】
そして、本発明によるプラズマ処理装置には、マイクロ波を利用してプラズマを生成させるマイクロ波ソースが設けられている。
【００４０】
前記マイクロ波ソースは、マイクロ波発振機１４０と、導波管１４２と、放射管１４６とを具備する。前記放射管１４６は、誘電体ウィンドウ１１６の上部に工程チャンバ１１０の周辺部に対応する位置に配置され、前記ＩＣＰアンテナ１３０を取り囲む環状を有する。
【００４１】
前記放射管１４６の底壁には、複数のスロット１４８が設けられており、このスロット１４８を通じて工程チャンバ１１０内部にマイクロ波が放射される。マイクロ波は、マイクロ波発振機１４０から発振され、マイクロ波発振機１４０と放射管１４６とを連結する導波管１４２を通じて放射管１４６に伝送される。マイクロ波が通る前記導波管１４２には、サーキュレーター１４３とチューナー１４４とが設置されている。前記導波管１４２は、四角形断面のものが望ましいが、この外にもさまざまな断面形状を有する。
【００４２】
前記放射管１４６も多様な断面形状を有するが、図示されたように長方形の断面形状のものが望ましい。そして、前記スロット１４８は、放射管１４６の底壁に放射管１４６の円周方向に沿って複数個が配列されうる。一方、前記スロット１４８は、マイクロ波の放射のために相応しいさまざまな形状を有し、また多様な方式で配列されうる。
【００４３】
前記のように、本発明によるプラズマ処理装置は、ＩＣＰアンテナ１３０とマイクロ波ソースとを共に具備する。前記ＩＣＰアンテナ１３０は、工程チャンバ１１０の中心部に対応する位置に配置されているので、ＩＣＰアンテナ１３０から供給されたＲＦパワーによって生成される誘導結合プラズマは工程チャンバ１１０内部の中心領域に高密度に分布される。一方、ＩＣＰアンテナ１３０によって形成されたＲＦ電磁場は、ＩＣＰアンテナ１３０の小さなサイズとプラズマによるシールディングとに起因して工程チャンバ１１０の側壁近くで急激に弱くなる。しかし、前記放射管１４６は、工程チャンバ１１０の周辺部に対応する位置に配置されているので、放射管１４６のスロット１４８を通じて供給されるマイクロ波によって生成されるプラズマが工程チャンバ１１０内部の周辺領域に分布される。したがって、工程チャンバ１１０内部の周辺領域に生成されるプラズマ密度が高くなる。
【００４４】
そして、ＲＦとマイクロ波との周波数は非常に大きい差があるので、二つのプラズマソースは独立に制御可能である。言換えれば、マイクロ波の周波数はおおよそ１〜５０ＧＨｚで、その典型的な周波数は２．４５ＧＨｚであることに比べて、ＲＦの典型的な周波数は１３．５６ＭＨｚなので、ＲＦとマイクロ波の周波数領域が異なって相互影響を及ぼさない。したがって、ＩＣＰアンテナ１３０によって工程チャンバ１１０内部の中心領域に伝送されるＲＦパワーと放射管１４６のスロット１４８を通じて工程チャンバ１１０内部の周辺領域に供給されるマイクロ波パワーとを相互独立的に制御できる。これによって、工程チャンバ１１０内に生成されたプラズマの放射方向の分布制御が可能であり、これはウェーハＷ近くでプラズマ分布の均一度を向上できるということを意味する。
【００４５】
本発明によるプラズマ処理装置において、前記工程チャンバ１１０内部に磁場形成のための磁場形成手段として、工程チャンバ１１０の外周に磁石１５０を設置することが望ましい。前記磁石１５０には、永久磁石または電磁石が使われ、工程チャンバ１１０の外周に沿って所定間隔を置いて複数個が配列できる。マイクロ波の周波数が２．４５ＧＨｚである場合、前記磁石１５０によって形成される磁場の大きさは８７５Ｇａｕｓｓ程度である。
【００４６】
前記磁石１５０は、工程チャンバ１１０内部に磁場を形成することで、工程チャンバ１１０内部の周辺領域に供給されるマイクロ波とこの領域で生成されたプラズマとがＥＣＲを起こすようにする。したがって、工程チャンバ１１０内部の中心領域にはＩＣＰが高密度に分布されたＩＣＰ領域が形成され、工程チャンバ１１０内部の周辺領域にはＥＣＲ領域が形成される。
【００４７】
ＥＣＲとは、磁場内でサイクロトン回転運動をする電子の回転振動数が前記電子に印加されるマイクロ波の振動数と一致する時、発生する共鳴現象を意味する。知られているように、このような共鳴現象が発生すれば印加されたマイクロ波から電子がエネルギーを吸収する効率が向上する。特に、圧力が低いほど電子のエネルギー吸収効率は向上するようになることも知られている。したがって、１．３３３〜２．６６６Ｐａ（１０〜２０ｍＴｏｒｒ）程度の低い圧力でもＥＣＲ現象によってマイクロ波パワーがプラズマに吸収される効率が向上されうる。したがって、工程チャンバ１１０内部の周辺領域に生成されるプラズマ密度がより高くなりうる。これは、図３Ｂに示したような「Ｍ字形状」のプラズマ分布を容易に得られることを意味する。
【００４８】
そして、前記磁石１５０は、上下移動可能に設置されていることが望ましい。前記磁石１５０の上下移動によってＥＣＲ領域の位置が移動するので、広い範囲の工程パラメーターに対応してプラズマ密度とその分布の均一度とをより容易に制御できる。
【００４９】
図６は、本発明の望ましい第２実施例による高密度プラズマ処理装置の構成を図示した垂直断面図である。
【００５０】
図６に図示されたプラズマ処理装置は、ガス注入口としてシャワーヘッドを具備することを除くと、図４に図示されたプラズマ処理装置と等しい構成を有する。したがって、以下では図４に示したプラズマ処理装置と等しい構成についてはその説明を略する。
【００５１】
図６を参照すれば、本発明の第２実施例による高密度プラズマ処理装置は、ガス注入口として誘電体ウィンドウ１１６の中心部に設置されたシャワーヘッド２２４を具備する。前記シャワーヘッド２２４には、反応ガスを工程チャンバ１１０内部の各部分に分配するための複数のガス分配口２２６が形成されている。このように、シャワーヘッド２２４は、工程チャンバ１１０の上部から工程チャンバ１１０内部に反応ガスを下向きに入れ込む構造を有する。
【００５２】
一方、本発明において、ガス注入口は、工程チャンバ１１０の側壁に設置された環状のインジェクター１２４と、誘電体ウィンドウ１１６の中心部に設置されたシャワーヘッド２２４とを共に具備されうる。この場合、工程チャンバ１１０内でウェーハＷに向ける反応ガスの流れをより均一にするように制御しやすい長所がある。
【００５３】
以上本発明の実施例を説明したが、これらの実施例は、例示的なものに過ぎず、当該分野での当業者なら今後多様な変形及び均等な他の実施例が可能である点を理解できる。したがって、本発明の真正な技術的保護範囲は特許請求範囲によって決まらなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明の高密度プラズマ処理装置は、半導体素子やフラットディスプレイパネルの製造のための基板の微細加工工程に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】従来の誘導結合プラズマ処理装置の概略的な構成を示した図面である。
【図２】従来のマイクロ波を利用したプラズマ処理装置の概略的な構成を示した図面である。
【図３Ａ】工程チャンバ内のプラズマ生成領域でのプラズマ分布とウェーハ近くでのプラズマ分布との関係を示した図面である。
【図３Ｂ】工程チャンバ内のプラズマ生成領域でのプラズマ分布とウェーハ近くでのプラズマ分布との関係を示した図面である。
【図４】本発明の望ましい第１実施例による高密度プラズマ処理装置の構成を示した垂直断面図である。
【図５】図４に図示された高密度プラズマ処理装置の平面図である。
【図６】本発明の望ましい第２実施例による高密度プラズマ処理装置の構成を示した垂直断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１１０…工程チャンバ、
１１２…サセプター、
１１４…電源、
１１６…誘電体ウィンドウ、
１１８…真空吸入口、
１１９…真空ポンプ、
１２２…ガス注入口、
１２４…インジェクター、
１２６…ガス分配口、
１３０…ＩＣＰアンテナ、
１３２…電源、
１４０…マイクロ波発振機、
１４２…導波管、
１４３…サーキュレーター、
１４４…チューナー、
１４６…放射管、
１４８…スロット、
１５０…磁石、
２２４…シャワーヘッド、
２２６…ガス分配口。
【図１】
2005019968.tif 000003
【図２】
2005019968.tif 000004
【図３Ａ】
2005019968.tif 000005
【図３Ｂ】
2005019968.tif 000006
【図４】
2005019968.tif 000007
【図５】
2005019968.tif 000008
【図６】
2005019968.tif 000009