(57)【要約】【課題】仮基材に導体層と光配線層とを積層成形した後、仮基材を剥離する工程を含む光電気混載基板の製造方法において、ＵＶ処理や加熱処理等によって仮基材が導体層から不用意に剥離することがなく、且つ仮基材の剥離時には良好な剥離性を示し、安定に歩留まり良く光電気混載基板を製造できる方法を提供する。【解決手段】仮基材１の一面に導体層２を化学的に結合させずに積層成形し、前記導体層２の仮基材１とは反対側の面にコア層５とクラッド層４とを有する光配線層３を形成した後、導体層２から仮基材１を剥離する工程を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光配線と電気配線とを同一基板に混載して設けた光電気混載基板の製造方法において、仮基材の一面に導体層を化学的に結合させずに積層成形し、前記導体層の仮基材とは反対側の面にコア層とクラッド層とを有する光配線層を形成した後、導体層から仮基材を剥離する工程を含むことを特徴とする光電気混載基板の製造方法。
【請求項２】
上記導体層を、複数の導体膜を積層成形することで形成することを特徴とする請求項１に記載の光電気混載基板の製造方法。
【請求項３】
上記導体層を、真空成膜法又はめっき法により形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の光電気混載基板の製造方法。
【請求項４】
上記導体層を、複数の導体膜を積層成形することで形成すると共に、上記仮基材に接する導体膜と上記光配線層に接する導体膜のうち少なくとも一方を真空成膜法により形成することを特徴とする請求項２又は３に記載の光電気混載基板の製造方法。
【請求項５】
上記導体層の表面に上記光配線層を形成する前に、前記導体層の光配線層側の面を粗面化することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の光電気混載基板の製造方法。
【請求項６】
上記導体層の上記光配線層側の面を、表面粗度Ｒｙが０．５μｍ以下となる範囲で粗面化することを特徴とする請求項５に記載の光電気混載基板の製造方法。
【請求項７】
上記導体層の粗面化を、エッチング処理によって行うことを特徴とする請求項５又は６に記載の光電気混載基板の製造方法。
【請求項８】
上記導体層の粗面化を、表面酸化処理によって行うことを特徴とする請求項５又は６に記載の光電気混載基板の製造方法。
【請求項９】
光配線層の形成後、仮基材を剥離する前に、光配線層の仮基材とは反対側の面に、支持材を設けることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の光電気混載基板の製造方法。
【請求項１０】
上記光配線層のクラッド層の、上記支持材と接する面を、接着性を有する樹脂にて形成することを特徴とする請求項９に記載の光電気混載基板の製造方法。
【請求項１１】
上記導体層から上記仮基材を剥離した後、前記導体層にパターニング処理を施すことにより導体配線を形成することを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の光電気混載基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光配線と電気配線とを同一基板に混載して設けた光電気混載基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信インフラの急速な広帯域化、コンピュータ等の情報処理能力の飛躍的な増大などに伴って、非常に高速な情報伝送路を有する情報処理回路へのニーズが高まっている。このような背景のもと、電気信号の伝送速度限界を突破する一つの手段として、光信号による伝送が考えられており、電気配線に光配線を混載することが種々検討されている。
【０００３】
このような電気配線と光配線を混載した光電気混載基板の製造方法の一つとして、仮基材上にクラッド層とコア層とからなる光配線層や導体層を形成した後、仮基材を剥離するという手法が採られている（特許文献１参照）。
【０００４】
このような仮基材を使用した光電気混載基板の製造方法の一つとして、図４に示すものが提案されている。これは、仮基材１の一面に、熱発泡性シート等の熱剥離性シートやＵＶ剥離性シートなどのような剥離性シート１３を介して銅箔等の金属箔１２を積層し、この銅箔の表面にクラッド層４とコア層５からなる光配線層３を構成する光導波路を形成すると共に必要に応じて光配線層３を導波する光と外部との間の光の授受を行うためのミラー８を設け、次いで剥離性シート１３を加熱したりＵＶ照射したりすることで接着力を失わせて仮基材１と金属箔１２とを剥離し、この金属箔１２をパターン形成することで電気配線を形成するものである。
【特許文献１】特開２００２−２２８８６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記の従来技術においては、剥離シートとして熱剥離シートを用いている場合には途中工程で加熱処理を行うことができず、また熱剥離シートは一般的に耐溶剤性が低く洗浄や現像等の処理を行うことができないものであった。またＵＶ剥離性シートを用いる場合には途中工程でリソグラフィー等のＵＶ処理を行うことができず、またＵＶ剥離性シートは一般的に耐熱性、耐溶剤性が低く、加熱処理を行う際の上限温度が制限されたり、洗浄や現像等の処理の際の処理時間に制約が課せられたり、またこのような処理を施すと剥離再現性が悪くなるといった問題があった。
【０００６】
本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、仮基材に導体層と光配線層とを積層成形した後、仮基材を剥離する工程を含む光電気混載基板の製造方法において、ＵＶ処理や加熱処理等によって仮基材が導体層から不用意に剥離することがなく、且つ仮基材の剥離時には良好な剥離性を示し、安定に歩留まり良く光電気混載基板を製造できる方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る光電気混載基板の製造方法は、光配線と電気配線とを同一基板に混載して設けた光電気混載基板の製造方法において、仮基材１の一面に導体層２を化学的に結合させずに積層成形し、前記導体層２の仮基材１とは反対側の面にコア層５とクラッド層４とを有する光配線層３を形成した後、導体層２から仮基材１を剥離する工程を含むことを特徴とするものである。このため、導体層２と仮基材１とが接合している際にＵＶ処理や加熱処理等を施しても、導体層２と仮基材１とが不用意に剥離することがなくなって、製造上の自由度が高くなり、また仮基材１を剥離する際には容易に剥離することができる。
【０００８】
上記導体層２は、複数の導体膜を積層成形することで形成することができ、この場合、種々の機能が付与された導体膜を積層して形成して、導体層２の機能性を高めることができる。
【０００９】
上記導体層２は、真空成膜法又はめっき法により形成することができ、この場合は、所望の厚みの導体層２を厚み精度良く形成することができる。このとき、特に真空成膜法により形成すると、厚みのバラツキが少なく非常に膜厚精度が高い導体層２を形成することができ、且つピンホール等の欠陥の発生が抑制されて、非常に高品質の導体層２が形成されるものであり、まためっき法により形成すると、比較的厚膜の導体層２であっても容易に形成することができるものである。
【００１０】
また、上記導体層２を、複数の導体膜を積層成形することで形成すると共に、上記仮基材１に接する導体膜と上記光配線層３に接する導体膜のうち少なくとも一方を真空成膜法により形成するようにしても良い。このようにすると、導体層２と、仮基材１或いは光配線層３との間に理想的な界面を形成することができ、このとき特に仮基材１に接する導体膜を真空成膜法により形成すると、仮基材１を導体層２から剥離する際に予期せぬ密着性の変化の発生を抑制して良好な剥離性を付与することができ、また光配線層３と接する導体膜を真空成膜法により形成すると、導体層２の光配線層３側の面を直径数十ｎｍ程度の微細な結晶粒にて構成することができて、この面を粗面化する際に、微細かつ高密度な凹凸を有する粗面を形成することができる。
【００１１】
また、上記導体層２の表面に光配線層３を形成する前に、前記導体層２の光配線層３側の面を粗面化することが好ましい。このような粗面を形成すると、投錨効果により導体層２と光配線層３との間の密着性を向上することができる。
【００１２】
このように上記導体層２の光配線層３側の面を粗面化する場合には、その表面粗度Ｒｙ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１：最大高さ）が０．５μｍ以下となる範囲で粗面化することが好ましく、この場合、導体層２に積層して形成される光配線層３のクラッド層４の外面に大きすぎる凹凸が形成されないようにして、光損失による光強度の発生を抑制することができる。
【００１３】
また、上記導体層２の光配線層３側の面の粗面化は、エッチング処理によって行うことが好ましく、この場合、導体層２はその結晶粒界の部分がエッチングされやすいことから凹凸が形成され、処理後の導体層２の表面のモフォロジーは結晶粒径と結晶粒の分布状況によって決まり、非常に微細且つ高密度の凹凸形状を有する粗化面を形成することができる。
【００１４】
また、上記導体層２の光配線層３側の面の粗面化は、表面酸化処理によって行うことも好ましく、この場合、導体層２はその結晶粒界から酸化が進行しやすいものであり、このため処理後の導体層２の表面のモフォロジーは結晶粒径と結晶粒の分布状況によって決まり、非常に微細且つ高密度の凹凸形状を有する粗化面を形成することができる。
【００１５】
また、光配線層３の形成後、仮基材１を剥離する前に、光配線層３の仮基材１とは反対側の面に、支持材６を設けることが好ましく、この場合、導体層２から仮基材１を剥離する際に、光配線層３と導体層２との積層物に剛性が付与され、反りの発生を抑制することができる。
【００１６】
また、このように支持材６を設ける場合には、上記光配線層３のクラッド層４の、上記支持材６と接する面を、接着性を有する樹脂にて形成することが好ましい。この場合、接着性を有する樹脂によりクラッド層４の支持材６と接する面を形成すると共に、この接着剤の接着力により支持材６を光配線層３に積層して設けることができる。これにより、クラッド層４の形成と同時に支持材６を接着することができて、製造工程を簡略化することができ、また別途の接着剤を介在させる必要がなくなるため全体の厚みを薄くすることができる。
【００１７】
また、上記導体層２から上記仮基材１を剥離した後、前記導体層２にパターニング処理を施すことにより導体配線１０を形成することができる。このようにすると、導体配線１０により電気配線を構成することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、仮基材に導体層を接合させた状態で光配線層を形成することができて作業性が良好なものであり、またこのときＵＶ処理や加熱処理等を施すなどしても仮基材が導体層から剥離することを防ぐことができて、製造上の自由度が高くなるものである。また、光配線層を形成した後、導体層から仮基材を剥離する際には仮基材の剥離性が良好で、容易に剥離することが可能となるものである。従って、光電気混載基板を製造するにあたって安定した製造を行うことができて、歩留まりを良好なものとすることができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明をその実施をするための最良の形態に基づいて説明する。
【００２０】
図１，２に示す光電気混載基板の製造工程においては、まず図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、仮基材１の一面に導体層２を、化学的に結合させずに積層成形する。
【００２１】
仮基材１としては、適宜の材質のものを用いることができ、特に制限はされないが、例えばガラス製の板材を用いることができる。
【００２２】
導体層２は、適宜の金属にて形成することができるが、例えば銅、ニッケル、金などで形成することができる。
【００２３】
ここで、化学的に結合させずに積層成形するとは、導体層２と仮基材１との間に化学的な結合が形成されない状態でこの導体層２と仮基材１とが密着して積層されている状態を意味するものであり、例えば導体層２と仮基材１とが主としてファンデルワールス力によって接合されている状態や、或いは導体層２と仮基材１とが一部分において接着剤等で接合されると共に大部分の領域で導体層２と仮基材１とが直接密接している状態も意味するものである。
【００２４】
仮基材１の一面に導体層２を、化学的に結合させずに積層成形するにあたっては、堆積法により仮基材１の一面側に導体層２を形成することができる。すなわち仮基材１の一面に金属を析出させて所望の厚みになるまで堆積させることで導体層２を形成するものである。この場合は、所望の厚みの導体層２を厚み精度良く形成することができる。
【００２５】
上記堆積法としては、真空成膜法や、めっき法などを適用することができる。
【００２６】
真空成膜法では、真空中又は減圧雰囲気中に配置した仮基材１の表面に金属を析出させるものであり、真空蒸着法やスパッタリング等を適用することができる。このような真空成膜法を適用すると、導体層２は厚みのバラツキが少なく非常に膜厚精度が高いものであり、且つピンホール等の欠陥の発生が抑制されて、非常に高品質の導体層２が形成されるものである。
【００２７】
また、めっき法にて導体層２を形成する場合には、例えば無電解めっき処理により所望の膜厚の導体層２を形成したり、或いは無電解めっき処理を施した後、電解めっき処理を施すことで、所望の厚みの導体層２を形成することができる。このようなめっき法により導体層２を形成すると、比較的厚膜の導体層２であっても容易に形成することが可能となる。
【００２８】
上記導体層２は適宜の厚みに形成されるが、好ましくは０．１〜３０μｍの範囲に形成することができる。
【００２９】
導体層２の形成法の具体例を挙げると、まず、例えば平滑性の高い直径７５ｍｍ、厚み１ｍｍのガラス板を仮基材１として用い、その一面にスパッタリング法により例えば厚み１μｍの銅製の導体層２を形成することができる。
【００３０】
また、同様の仮基材１の一面に、無電解めっき処理により例えば厚み１０μｍの銅製の導体層２を形成することができる。
【００３１】
また、導体層２を形成するにあたっては、複数層の導体膜を積層成形して導体層２を形成することもできる。これにより、種々の機能が付与された導体膜を積層して形成して、導体層２の機能性を高めることができる。
【００３２】
例えば仮基材１に直接接合する導体膜には、導体層２から仮基材１を剥離する際の剥離性を付与したり、またこの導体膜は導体配線１０を形成する際に最も表層に配置されることから、耐食性やワイヤボンディング性を付与したりすることが好ましい。また、最後に形成される導体膜、すなわち最も光配線層３側に形成される導体膜には、主として導体層２に高い導電性を付与する機能を備えさせることが好ましい。また更に必要に応じて、導体層２の耐食性や強度等を向上するために適宜の導体膜を積層して形成することができる。
【００３３】
例えば仮基材１の表面に、まず第一の導体膜として金からなる導体膜を真空蒸着法等で厚みを例えば０．１μｍに形成し、次に第二の導体膜としてニッケルからなる導体膜を真空蒸着法等で厚みを例えば１μｍに形成し、更に第三の導体膜として銅からなる導体膜を電解めっき法等で厚みを例えば１０μｍに形成することで、導体層２を形成することができる。
【００３４】
勿論、複数の導体膜にて導体層２を形成する場合は、各導体膜の形成方法や層数は上記のものに限られず、各導体膜をめっき法、真空成膜法等の適宜の方法にて、適宜の材質、厚みの導体膜を、所望の層数だけ形成することができる。このときめっき法、真空成膜法等の堆積法により導体膜を形成すると、導体膜の層間の密着性が高い導体層２を形成することができる。
【００３５】
また、導体層２の、仮基材１に接する面と光配線層３に接する面のうち少なくとも一方を真空成膜法により形成すると、導体層２と、仮基材１或いは光配線層３との間に理想的な界面を形成することができる。
【００３６】
すなわち、導体層２を形成する場合には、仮基材１と直接接する面を、真空成膜法により形成することが好ましく、この場合、例えば導体層２を総て真空成膜法で形成し、また複数層の導体膜にて導体層２を形成する場合には最初に形成される導体膜、すなわち最も仮基材１側に形成されてこの仮基材１に接する導体膜２を真空成膜法により形成する。このようにすると、仮基材１を導体層２から剥離する際の剥離性を良好なものにすると共にこの剥離性を所望のものに容易に調整することができる。
【００３７】
ここで、剥離性を悪化させる要因としては、仮基材１の表面の付着物（大気中からの付着有機物、油脂類等）や、めっき処理にて導体層２を形成する場合のめっき液中の不純物などがあり、これらが仮基材１と導体層２との界面に介在することとなって、予期せぬ密着性の変化が生じたり、また、形成された導体層２の表面にゴミが付着したり導体層２の形成前の仮基材１の表面にゴミが付着することによりその部位に導体層２が形成されなくなったりすることによりピンホールが発生することがあり、このピンホールが形成された箇所においてクラッド層４（第一クラッド層４ａ）とが直接接触されたりすることなどがあるが、上記のように真空成膜法により導体層２を形成すると、清浄な表面状態の仮基材１上に真空中で純度の高い導体層２を形成することができ、このため前記のような密着性を変化させるような要因を排除することができて、所期の通りの密着性（剥離性）を付与することができるものである。
【００３８】
また、導体層２を形成する場合に、光配線層３が形成される側の面、すなわち仮基材１と接触している面とは反対側の面を、真空成膜法により形成することも好ましく、このとき例えば導体層２を総て真空成膜法で形成し、また、複数層の導体膜にて導体層２を形成する場合には、最後に形成される導体膜、すなわち仮基材１と接触している面とは反対側に配置されて光配線層３に接する導体膜を真空成膜法により形成する。このようにすると、導体層２の光配線層３と接触する面は、直径数十ｎｍ程度の微細な結晶粒にて構成されることになり、このような導体層２の表面に後述するような粗面化処理を施すと、微細且つ高密度な凹凸形状を有する粗面を形成することができて、投錨効果により光配線層３との間に高い密着性が得られるものである。
【００３９】
導体層２の形成後は、この導体層２の、光配線層３が形成される側の面、すなわち仮基材１と接触している面とは反対側の面に、粗面化処理を施すことにより、光配線層３を形成する際に投錨効果により導体層２と光配線層３との密着性を向上することが好ましい。
【００４０】
粗化処理は適宜の手法で行うことができるが、例えばエッチング処理や表面酸化処理を行うことができる。
【００４１】
エッチング処理は導体層２の材質に応じた適宜のエッチング液にて導体層２の表面を処理するものであり、例えば銅からなる導体層２に対して硫酸を主成分とするエッチング液によるエッチング処理を行うことができる。このとき導体層２はその結晶粒界の部分がエッチングされやすいことから凹凸が形成され、処理後の導体層２の表面のモフォロジーは結晶粒径と結晶粒の分布状況によって決まるため、非常に微細且つ高密度の凹凸形状を有する粗化面を形成することができる。
【００４２】
エッチング処理による導体層２の粗化処理の一例を挙げると、例えば直径７５ｍｍ、厚み１ｍｍの平坦なガラス板からなる仮基材１の表面に、スパッタリング法により例えば厚み１μｍ、結晶粒径５ｎｍ程度の銅製の導体層２を形成した後、この導体層２を、エッチング液、例えば硫酸を主成分とするメック（株）製の表面処理剤ＢＯ−７７７０Ｖを用いて、まずプレディップ剤（ＢＯ−７７７０ＶＰ）と３５％過酸化水素水とを例えば９９：１の体積比率で混合した例えば１００ｃｍ3の混合液中に例えば２３℃で６０秒間浸漬させた後、本処理剤（ＢＯ−７７７０ＶＭ）と３５％過酸化水素水とを例えば９４：６の体積比率で混合した１００ｃｍ3の混合液中に例えば２３℃で１０秒間浸漬し、次いで流水で例えば５分間リンスすることにより、所望の表面粗度、例えば表面粗度Ｒｙ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１：最大高さ）が０．４μｍの粗化面を形成することができる。
【００４３】
また、表面酸化処理は、導体層２の材質等に応じた適宜の酸化処理剤により導体層２の表面を酸化させるものであり、例えば銅製の導体層２に対してはいわゆる黒化処理を施すことができる。このとき、導体層２はその結晶粒界から酸化が進行しやすいものであり、このため処理後の導体層２の表面のモフォロジーは結晶粒径と結晶粒の分布状況によって決まり、非常に微細且つ高密度の凹凸形状を有する粗化面を形成することができる。
【００４４】
表面酸化処理による導体層２の粗化処理の一例を挙げると、上記のエッチング処理の場合と同一条件で形成した銅製の導体層２を、まず例えば硫酸を主成分として水溶液にて一次処理をした後、酸化処理剤、例えば日立化成工業（株）製の黒化処理剤ＨＩＳＴ−５００に例えば８０℃で５分間浸漬することで酸化（亜酸化）し、これにより所望の表面粗度、例えば表面粗度Ｒｙが０．２μｍの粗化面を形成することができる。
【００４５】
このように導体層２の表面を粗化処理する場合には、その粗化面の表面粗度Ｒｙが、０．５μｍ以下となるようにすることが好ましい。このようにすると、導体層２に積層して形成される光配線層３のクラッド層４の外面に大きすぎる凹凸が形成されないようにして、光損失による光強度の発生を抑制することができる。また、導体層２と光配線層３との間の高い密着性を維持するためには、この表面粗度Ｒｙが０．０５μｍ以上であることが好ましい。
【００４６】
導体層２を形成し、更に必要に応じて上記のように粗化処理を施した後に、コア層５とクラッド層４とを有する光配線層３を導体層２に積層して形成する。
【００４７】
光配線層３を形成するにあたっては、屈折率の異なる二種の透明樹脂を成形硬化することで、導体層２に積層してクラッド層４を形成すると共にこのクラッド層４に埋設させてコア層５を形成して、光配線を構成する光導波路を形成する。また、必要に応じて、コア層５には、コア層５を導波する光を光配線層３の外部へ導出し、或いは外部から入射された光をコア層５に導波させるためのミラー８を設ける。このミラー８は、例えば光電気混載配線基板に光電変換素子を実装し、この光電変換素子から発せられる光をコア層５に導波させたり、或いはコア層５を導波する光を光電変換素子に送って受光させるためなどに設けられる。
【００４８】
光配線層３を構成する透明樹脂は、光配線層３のクラッド層４及びコア層５を形成するために従来用いられている公知の適宜の樹脂を採用することができ、また光配線層３の形成方法も、公知の適宜の手法を用いることができる。
【００４９】
光配線層３の具体的な形成方法の一例を示すと、例えばＵＶ硬化性エポキシ樹脂を含有し硬化物の屈折率が１．５２である液状のＵＶ硬化型透明樹脂を用い、これを導体層２の上面にスピンコート等により塗布した後、例えば３Ｊ／ｍｍ2のＵＶ光を照射して硬化させた後、例えば１２０℃で１時間熱処理をすることにより、図１（ｃ）に示すように、例えば厚み２０μｍの第一クラッド層４ａを形成する。
【００５０】
次に、例えばＵＶ硬化性エポキシ樹脂を含有し硬化物の屈折率が１．５４である液状のＵＶ硬化型透明樹脂を用い、これを上記第一クラッド層４ａの上面にスピンコート等により塗布し、所定のマスクパターンを介して例えば３Ｊ／ｍｍ2のＵＶ光を照射した後、未硬化部分を有機溶剤で洗浄除去することで、図１（ｄ）に示すように、例えば厚み４０μｍのパターン状のコア層５を形成する。
【００５１】
次に、例えば上記第一クラッド層４ａの形成時に用いたものと同一の液状のＵＶ硬化型透明樹脂を用い、第一クラッド層４ａ上のコア層５が形成されていない上面と、コア層５の上面とにスピンコート等により塗布し、次いで例えば３Ｊ／ｍｍ2のＵＶ光を照射して硬化させた後、例えば１２０℃で１時間熱処理をする。これにより、図１（ｅ）に示すように、第一クラッド層４ａに積層するようにして中間クラッド層４ｂを形成すると共にこの中間クラッド層４ｂ内にコア層５を埋設する。このとき、中間クラッド層４ｂの上面とコア層５の上面との間の厚みは例えば厚み１μｍ程度の薄肉に形成する。
【００５２】
次に、中間クラッド層４ｂの上面に、例えば刃先角度が９０°のダイシング用ブレード（＃６０００）にてコア層５を横切るように切削加工を施すなどして、図１（ｆ）に示すように断面Ｖ字状の溝７を形成する。このときＶ字状の溝７はコア層５の所定の箇所を横切るように形成される。また、このようなＶ字状の溝７を形成する代わりに、例えば波長２４８ｎｍのエキシマレーザによるアブレーション加工により、４５°の角度を有する傾斜面を、コア層５の所定の箇所を横切るように形成しても良い。そして、このＶ字状の溝７の内面や、傾斜面の表面に、真空蒸着法やスパッタリング法などにより選択的に金薄膜等からなる反射膜９を形成し、これにより図２（ａ）に示すようにミラー８を形成する。反射膜９の厚みは例えば０．２μｍとすることができる。
【００５３】
次に、例えば上記第一クラッド層４ａの形成時に用いたものと同一の液状のＵＶ硬化型透明樹脂を用い、これを中間クラッド層４ｂの上面にスピンコート法等により塗布し、次いで例えば３Ｊ／ｍｍ2のＵＶ光を照射して硬化させた後、例えば１２０℃で１時間熱処理をする。これにより、図２（ｂ）に示すように、中間クラッド層４ｂに積層するようにして、例えば厚み２０μｍの第二クラッド層４ｃを形成するものである。
【００５４】
勿論、光配線層３の形成にあたっては、上記の条件に限るものではなく、使用する材料や処理方法、処理条件を適宜変更して行うことができる。
【００５５】
上記のように光配線層３を形成した後には、必要に応じて、図２（ｃ）に示すように、光配線層３の導体層２とは反対側の面に、支持材６を積層して設ける。支持材６は適宜の材質からなるものを用いることができるが、ある程度の剛性を有するものを用いることが好ましく、例えばガラスエポキシ板を用いることができる。ここでいうガラスエポキシ板としては、ガラス布基材エポキシ樹脂プリプレグを必要に応じて複数枚積層し加熱硬化して得られる、所定の厚み（例えば０．１ｍｍ）のものを用いることができる。
【００５６】
支持材６の積層は、適宜の手法により行うことができ、例えば熱硬化性エポキシ樹脂接着剤などの接着剤にて接着することで積層することができる。
【００５７】
また、支持材６を設けるにあたっては、光配線層３のクラッド層４における、少なくとも支持材６と接する面を、接着性を有する樹脂にて形成し、この樹脂が有する接着性により支持材６をクラッド層４に直接接着して設けることもできる。例えば上記のようにして光配線層３を形成するにあたり、第二クラッド層４ｃを形成する際に、硬化物の屈折率がクラッド層４の他の部位（第一クラッド層４ａ及び中間クラッド層４ｂ）と同一である透明な液状の熱硬化性接着剤（例えば熱硬化性エポキシ樹脂組成物からなる接着剤）を用い、この熱硬化性接着剤を中間クラッド層４ｂの上面に塗布した後、これを硬化する前に支持材６を積層して配置し、この状態で熱硬化性接着剤を、例えば１１０℃で１時間加熱して硬化するものである。このようにすれば、接着性を有する樹脂によりクラッド層４の支持材６と接する面を形成すると共に、この樹脂の接着力により支持材６を光配線層３に積層して設けることができる。このとき、クラッド層４の形成と同時に支持材６を接着することができて、製造工程を簡略化することができ、また別途の接着剤を介在させる必要がなくなるため全体の厚みを薄くすることができるものである。
【００５８】
次に、図２（ｄ）に示すように、導体層２から仮基材１を剥離する。このとき
適宜の手法で仮基材１を容易に剥離することができるが、例えば適宜の治具にて仮基材１の側面を挟持すると共にこの治具にて引っ張り応力をかけることで剥離することができる。このとき、支持材６を設けている場合には、支持材６を保持すると共にこれを若干撓ませた状態で仮基材１を剥離することで、更に容易に剥離することができる。また、吸着ノズルや吸着ヘッドを用いるなどして仮基材１に吸着力をかけることにより剥離することもできる。
【００５９】
このように導体層２から仮基材１を剥離する際には、上記のように光配線層３に支持材６を積層して設けていれば、光配線層３と導体層２との積層物に剛性が付与されて、反りの発生が抑制される。
【００６０】
次に、仮基材１を剥離することにより表出した導体層２に、パターニング処理を施して、図２（ｅ）に示すように導体配線１０を形成する。パターニング処理は公知の適宜の手法で行うことができるが、例えば導体層２表面にエッチングレジストを形成した後、エッチング処理を施し、更にエッチングレジストを剥離することで行うことができる。
【００６１】
上記の実施形態においては、主として導体層２を仮基材１に対して堆積法により形成する場合について説明しているが、既述のように導体層２を仮基材１に対して化学的に結合させずに積層成形するにあたっては、堆積法を用いることに限られるものではなく、例えば堆積法以外の手法として、図３に示すものも挙げられる。
【００６２】
この図３に示すものでは、図３（ａ）に示すように、仮基材１の周縁に保持代部１ａを一体に設けると共に、銅箔等の金属箔１２の周縁には被保持代部２ａを一体に設け、この仮基材１の一面に銅箔等の金属箔１２を接触させて配置すると共に、保持代部１ａと被保持代部２ａとの間には熱硬化性の接着剤１１を介在させて接着しており、これにより、金属箔１２にて形成される導体層２が、仮基材１に固定されている。この場合は熱硬化性の接着剤１１を用いていることで、紫外線照射や加熱などによる接着力の減少が生じることがなくなるものである。このとき、接着剤１１を設けるにあたっては、フィルム状の基材の両面に熱硬化性接着剤による塗膜を形成した熱硬化型接着フィルムを用いることもできる。
【００６３】
この仮基材１と金属箔１２（導体層２）との接着は、真空中又は減圧雰囲気中において行うことが好ましい。この場合、保持代部１ａ及び被保持代部２ａの内側における仮基材１と導体層２との密着性を向上することができ、高い密着強度を得ることができる。
【００６４】
このとき金属箔１２の厚みは特に制限されないが、例えば１０〜３５μｍの範囲とすることができる。また熱硬化性の接着剤としては、エポキシ樹脂系接着剤等の適宜のものを用いることができる。
【００６５】
この実施形態についての具体例を挙げると、仮基材１として例えば平面視寸法１０ｃｍ×１０ｃｍ、厚み１ｍｍのガラス基材を用い、その周縁の全周に亘って保持代部１ａを設け、一方、金属箔１２としては例えば平面視寸法１０ｃｍ×１０ｃｍ、厚み３５μｍのもの（例えば古河電工社製の「ＭＰＧＴ」）を用い、その周縁の全周に亘って被保持代部２ａを設け、この仮基材１と金属箔１２とを、減圧雰囲気中（例えば１３．３Ｐａ）で重ねると共に、保持代部１ａと被保持代部２ａとの間に熱硬化型接着フィルム（例えば巴川製紙社製、「エレファンＵＨ１Ｗ」、接着層厚み２０μｍ、基材厚み２５μｍ）を介在させて、例えば２７５℃、３０秒間の条件で熱圧プレスを行い、これにより仮基材１と金属箔１２（導体層２）とを接合させることができる。
【００６６】
次いで、上記の場合と同様にして図３（ｂ）に示すように導体層２の上面に光配線層３を設けることができ、また図示はしていないが必要に応じて支持材６を設けることができる。
【００６７】
次に、仮基材１を導体層２から剥離する場合は、図３（ｃ）に示すように、まず仮基材１、導体層２、光配線層３（或いは更に支持材６）からなる積層体から、保持代部１ａ及び被保持代部２ａに相当する部位を切断する。このとき仮基材１の保持代部１ａと、導体層２の被保持代部２ａとを切断すると共に、光配線層３（或いは更に支持材６）におけるこれら保持代部１ａ及び被保持代部２ａと重なっている部位３ａも同時に切断する。このようにすると、導体層２と仮基材１とを接合していた接着剤１１が除去されて、この導体層２から仮基材１を容易に剥離することができるようになる。
【００６８】
仮基材１の剥離後は、上記の場合と同様にして、導体層２にパターニング処理を施すことにより導体配線１０を形成して、光電気混載基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】光電気混載基板の製造工程の一例を示すものであり、（ａ）から（ｆ）は断面図である。
【図２】同上の製造工程に続く光電気混載基板の製造工程を示すものであり、（ａ）から（ｅ）は断面図である。
【図３】光電気混載基板の製造工程の他例を示すものであり、（ａ）から（ｃ）は断面図である。
【図４】従来の光電気混載基板の製造工程の一例を示すものであり、（ａ）から（ｄ）は断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１  仮基材
２  導体層
３  光配線層
４  クラッド層
５  コア層
６  支持材
【図１】
2005300930.tif 000003
【図２】
2005300930.tif 000004
【図３】
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【図４】
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