(57)【要約】【課題】  エッチングレートを安定させたドライエッチング方法とこのドライエッチング方法を用いて製造される回折型光学部品を提供する。【解決手段】  絶縁性基板４が貼り付けられた導電体６を電極７と電気的に密着させてドライエッチングを行なうドライエッチング方法であって、絶縁性基板４と導電体６とが導電グリス５０によって貼り付けられているドライエッチング方法である。また、このドライエッチング方法を用いて製造される回折型光学部品である。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板が貼り付けられた導電体を電極と電気的に密着させてドライエッチングを行なうドライエッチング方法であって、前記絶縁性基板と前記導電体とが導電グリスによって貼り付けられていることを特徴とする、ドライエッチング方法。
【請求項２】
前記ドライエッチング方法が、ＩＣＰプラズマ、ＣＣＰプラズマ、ＥＣＲプラズマおよびＮＬＤプラズマの群から選択された少なくとも１つを用いて行なわれることを特徴とする、請求項１に記載のドライエッチング方法。
【請求項３】
前記絶縁性基板が、ＺｎＳｅ多結晶からなることを特徴とする、請求項１または２に記載のドライエッチング方法。
【請求項４】
前記絶縁性基板が、ＳｉＯ2からなることを特徴とする、請求項１または２に記載のドライエッチング方法。
【請求項５】
前記絶縁性基板の表面にフォトレジストが形成されていることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載のドライエッチング方法。
【請求項６】
複数枚の絶縁性基板を同時にドライエッチングすることを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載のドライエッチング方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載のドライエッチング方法を用いて製造されたことを特徴とする、回折型光学部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はドライエッチング方法と回折型光学部品（Diffractive Optical Element：ＤＯＥ）に関し、特にエッチングレートを安定させたドライエッチング方法とその方法を用いて製造されるＤＯＥに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やパソコン等に用いられる電子部品およびデバイスの小型化が進み、それらに対して、ますます微細で高速穴明けが要求されている。ＤＯＥは、この要求を満足させるキーデバイスである。ＤＯＥは、従来の屈折・反射を利用する光学部品とは異なり、光の回折現象を利用し、位相を直接制御することによって、例えば、多点分光機能等の幅広い応用分野が期待できる光学部品となる。ＤＯＥの利用例としては、レーザ用光学部品としての利用例がある。これは、１本の加工用レーザビームをＤＯＥに照射し、このレーザビームを多点に分岐して複数個の穴を同時にあけることで、微細な穴明けの高速性を実現するものである。
【０００３】
ＤＯＥの製造には、高精度で微細な穴明けをすることができるドライエッチング方法が用いられている。図４に、従来のドライエッチング方法に用いられているドライエッチング装置の一例の模式図を示す。なお、本願の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。このドライエッチング装置は、ＲＦ電源１ａ、１ｂと、ＩＣＰコイル２と、チャンバ３と、導電性のＳｉウエハからなる導電体６と、Ｈｅガス等によって冷却された電極７と、ブロッキングコンデンサ８とを含む。そして、ＤＯＥの原材料となる絶縁性基板４が真空グリス５を用いて導電体６に貼り付けられて、導電体６と冷却された電極７とが電気的に密着された状態でチャンバ３内に設置される。
【０００４】
このチャンバ３内にガスが供給され、ＲＦ電源１ａ、１ｂによって高周波電力を印加して発生したプラズマ９中の正イオンが、絶縁性基板４の上方に発生したシース領域１０における強電界によって絶縁性基板４の表面に衝突して、絶縁性基板４のドライエッチングが行われる。
【０００５】
ドライエッチングにおいては、絶縁性基板への正イオンの衝突や化学反応によって絶縁性基板の温度が上昇する。したがって、絶縁性基板のマスクとしてフォトレジストを用いた場合には絶縁性基板の温度の上昇によりフォトレジストが焼き付けを起こしてフォトレジストの除去が不可能となり、また、絶縁性基板の破損や表面荒れが生じることとなる。そこで、図４に示すように絶縁性基板４を真空グリス５を用いて導電体６に貼り付け、この導電体６を冷却された電極７に静電吸着等によって電気的に密着させることで導電体６を介して絶縁性基板４の全体を均一に冷却し、絶縁性基板４の温度の上昇を抑制している。
【０００６】
しかしながら、この従来のドライエッチング方法においては、エッチングレートが安定しないという問題があった。また、複数枚の絶縁性基板を同時にドライエッチングすることが効率の観点から好ましいが、絶縁性基板間のエッチングレートにばらつきが生じ、絶縁性基板のエッチング深さにもばらつきが生じるという問題があった。
【特許文献１】特開昭６３−３１１７２６号公報
【特許文献２】特開平５−１３６２５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者が図４に示すドライエッチング装置を用いて真空グリスの厚みとシース電圧との関係を調べたところ、図１に示すように、真空グリスの厚みの増加に伴ってシース電圧が低下することが判明した。したがって、エッチングレートを安定させるためには、ＤＯＥの製造ごとに、絶縁性基板と導電体の間に設置された真空グリスの厚みを精密に揃える必要があった。また、複数枚の絶縁性基板を同時にドライエッチングする場合には、絶縁性基板と導電体との間に設置される真空グリスの厚みを絶縁性基板間で差が出ないように精密に揃える必要があった。なお、図１において、横軸は真空グリスの厚みを示し、縦軸はチャンバ内に投入された電圧に対するシース電圧の割合を示している。また、ここでは真空グリスの厚みの増加に伴なう容量の変化をブロッキングコンデンサが補償し、系全体の容量が一定に保持されるものとしている。
【０００８】
また、クランプによって、絶縁性基板を冷却した電極に押さえつけて絶縁性基板の温度の上昇を抑制する方法も考えられる。しかしながら、この方法においては、絶縁性基板の変形や絶縁性基板に傷が生じ、また、ドライエッチング装置の構成が複雑になるという問題があった。
【０００９】
本発明の目的は、エッチングレートを安定させたドライエッチング方法と、このドライエッチング方法を用いて製造されるＤＯＥを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、絶縁性基板が貼り付けられた導電体を電極と電気的に密着させてドライエッチングを行なうドライエッチング方法であって、絶縁性基板と導電体とが導電グリスによって貼り付けられているドライエッチング方法である。
【００１１】
ここで、本発明のドライエッチング方法は、ＩＣＰプラズマ、ＣＣＰプラズマ、ＥＣＲプラズマおよびＮＬＤプラズマの群から選択された少なくとも１つを用いて行なわれることが好ましい。
【００１２】
また、本発明のドライエッチング方法において、絶縁性基板はＺｎＳｅ多結晶からなることが好ましい。
【００１３】
また、本発明のドライエッチング方法において、絶縁性基板はＳｉＯ2からなることが好ましい。
【００１４】
また、本発明のドライエッチング方法においては、絶縁性基板の表面にフォトレジストが形成されていることが好ましい。
【００１５】
また、本発明のドライエッチング方法においては、複数枚の絶縁性基板を同時にドライエッチングすることもできる。
【００１６】
さらに、本発明は、上記のドライエッチング方法を用いて製造されたＤＯＥである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のドライエッチング方法によればエッチングレートを安定させることができるので、本発明のドライエッチング方法を用いることによって、ドライエッチング時間を管理すること等により、高品質のＤＯＥを再現性良く製造することができるようになる。また、本発明のドライエッチング方法によれば、複数枚の絶縁性基板を同時にドライエッチングする場合でも、絶縁性基板間のエッチングレートのばらつきを抑制することができるため、絶縁性基板間のエッチング深さのばらつきも抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明は、絶縁性基板が貼り付けられた導電体を電極と電気的に密着させてドライエッチングを行なうドライエッチング方法であって、絶縁性基板と導電体とが導電グリスによって貼り付けられているドライエッチング方法である。
【００１９】
本発明者は、エッチングレートの安定性に影響を与えるシース領域に発生するシース電圧が、絶縁性基板と導電体の間の真空グリスの厚みによって変動することに着目した。
【００２０】
すなわち、本発明者は、図２の模式図に示すように、真空グリスの代わりに導電グリス５０を用いることによって導電グリス５０にかかる電圧を実質的になくす程度にまで小さくし、導電グリス５０の厚みが変動した場合でもシース電圧が変動しないようにして、絶縁性基板４のエッチングレートの安定性を向上させることに成功した。
【００２１】
ここで、導電グリスとは、静電場を加えたときに直流電流を生じる糊状の物質のことである。また、エッチングレートの安定性を向上させる観点からは、導電グリスの抵抗率は１００Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、５０Ω・ｃｍ以下であることがさらに好ましい。また、絶縁性基板とは、静電場を加えたときに誘電分極を生じるが直流電流を生じない基板のことをいう。
【００２２】
また、本発明のドライエッチング方法は、ＩＣＰプラズマ、ＣＣＰプラズマ、ＥＣＲプラズマおよびＮＬＤプラズマの群から選択された少なくとも１つを用いて行なわれることが好ましい。この場合には、微細で異方性の高いドライエッチングが可能となるため、より高品質のＤＯＥを製造することができる傾向にある。ここで、ＩＣＰプラズマは誘導結合型プラズマのことであって、ＩＣＰコイルに高周波電力を印加することによって生成したプラズマのことである。また、ＣＣＰプラズマは容量結合型プラズマのことであって、電極上の電荷がつくる静電場によって生成したプラズマのことである。ＥＣＲプラズマは電子サイクトロン共鳴プラズマのことであって、磁場の中でサイクトロン運動をしている電子と正イオンに交流電場を加えることによって生成したプラズマのことである。ＮＬＤプラズマは磁気中性線放電プラズマのことであって、磁界が０となる磁気中性点のループを形成し、このループに沿って生成したプラズマのことである。
【００２３】
ここで、本発明のドライエッチング方法のメカニズムの一例について説明する。まず、チャンバ内の電極上の導電体上に導電グリスを介して絶縁性基板が設置される。次いで、このチャンバ内にエッチングガスを導入し、チャンバ内に高周波電力を印加してエッチングガスのプラズマを発生させ、活性種および正イオン等を生成する。この際、絶縁性基板の上方に強電界のシース領域が形成される。そして、活性種は絶縁性基板と化学反応して二次生成物を生成し、その二次生成物がシース領域の電界で加速された正イオンによりスパッタされて絶縁性基板のエッチングが進行する。したがって、たとえば複数枚の絶縁性基板を同時にドライエッチングする場合に、各絶縁性基板の下方にある導電グリスの厚みが異なってもシース電圧は変動しないことから、絶縁性基板間のエッチングレートのばらつきを抑制することができる。
【００２４】
また、本発明のドライエッチング方法に用いられる絶縁性基板はＺｎＳｅ多結晶からなることが好ましい。ＺｎＳｅ多結晶は赤外光の透過性が良いため、ＺｎＳｅ多結晶からなるＤＯＥは、赤外光を出射する炭酸ガスレーザを用いた電子部品等の加工に好適に用いられるためである。
【００２５】
また、本発明のドライエッチング方法に用いられる絶縁性基板は合成石英等のＳｉＯ2からなることが好ましい。ＳｉＯ2からなるＤＯＥは、ＹＡＧレーザ（基本波、二倍波、三倍波または四倍波等）を用いた電子部品等の加工に好適に用いられるためである。
【００２６】
また、本発明のドライエッチング方法に用いられる絶縁性基板の表面には、ドライエッチングをする箇所に相当する部分に穴が明けられたフォトレジストが形成されていることが好ましい。この場合には、フォトレジストに明けられた穴の部分のみをドライエッチングすることにより、高品質のＤＯＥを製造することができる傾向にあるためである。
【００２７】
このような本発明のドライエッチング方法を用いて絶縁性基板をドライエッチングした場合には、所定の深さのエッチング溝を有する高品質のＤＯＥを再現性良く製造することができるようになる。また、ＤＯＥの表面には、光の反射を抑制する物質をコーティングすることもできる。
【００２８】
（実施例１）
図２に示すドライエッチング装置を用いて、ＩＣＰプラズマによる合成石英からなる絶縁性基板４のエッチングを行なった。
【００２９】
まず、合成石英からなる円盤状の絶縁性基板４（径：５０ｍｍ、厚さ：５ｍｍ）の表面に所定の形状に穴を明けたフォトレジストを形成した。
【００３０】
次に、図２に示すドライエッチング装置の電極７上に導電性Ｓｉウエハからなる導電体６を設置し、シリコーンオイルにカーボンを配合した導電グリス５０（抵抗率：４９Ω・ｃｍ、信越シリコーン製「ＫＳ６６０」）によって絶縁性基板４を導電体６上に貼り付けた。
【００３１】
そして、チャンバ３内の圧力が１０-5Ｐａ程度になるまで排気し、チャンバ３内にＣＨＦ3（流量：５ｓｃｃｍ）とＡｒ（流量：７０ｓｃｃｍ）とを導入した。続いて、チャンバ３内の圧力を１Ｐａとした状態で、ＲＦ電源１ａ、１ｂに高周波電力を印加（ＩＣＰパワー：２００Ｗ、ＲＦパワー：３００Ｗ）して発生したプラズマ９によって、エッチング溝の深さが１μｍとなるように絶縁性基板４を１枚ずつ１７枚（バッチＮｏ．１〜１７）、同一の時間、ドライエッチングを行なった。その結果を図３に示す。図３において、横軸は絶縁性基板のバッチＮｏ．１〜１７を示し、縦軸は目標とするエッチング溝の深さ１μｍと実際のエッチング溝の深さとの差（エッチング深さ精度）を示している。
【００３２】
図３に示すように、導電グリス５０を用いた実施例１においては、エッチング深さ精度が１０ｎｍ以内であって、エッチングレートが安定していることがわかった。また、このドライエッチング時における絶縁性基板４の温度は９３℃〜１２１℃の間であって、絶縁性基板４を冷却しない場合の１７１℃以上の温度と比較して冷却されていることもわかった。また、ドライエッチング終了後に絶縁性基板４の表面上のフォトレジストもアセトンを塗布することにより容易に剥離することができた。
【００３３】
（比較例１）
図４に示すドライエッチング装置を用い、導電グリスの代わりにジメチルシリコーンオイルに微粉末のシリカを配合した真空グリス５（抵抗率：１０14Ω・ｃｍ、東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製「Ｈ．Ｖ．Ｇ」）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、バッチＮｏ．１〜１３の合成石英からなる絶縁性基板４のドライエッチングを行なった。その結果を図３に示す。図３に示すように、真空グリスを用いた比較例１においては、エッチング深さ精度が１００ｎｍ以上であって実施例１と比べてエッチングレートが安定していないことがわかった。
【００３４】
（実施例２）
図２に示す導電性Ｓｉウエハからなる導電体６上に、図５（Ａ）に示すように合成石英からなる３枚の絶縁性基板４（Ａ〜Ｃ）を設置した。ここで、３枚の絶縁性基板４はそれぞれ図５（Ｂ）に示すように、シリコーンオイルにカーボンを配合した導電グリス５０（抵抗率：４９Ω・ｃｍ、信越シリコーン製「ＫＳ６６０」）を介して導電体６上に設置された。なお、３枚の絶縁性基板４（Ａ〜Ｃ）はそれぞれ径が５０ｍｍで厚さが５ｍｍであった。
【００３５】
その後は実施例１と同様にして、絶縁性基板４（Ａ〜Ｃ）のドライエッチングを行なった。そして、ドライエッチング後のそれぞれの絶縁性基板４（Ａ〜Ｃ）のエッチング溝の深さを測定した。実施例２において測定されたエッチング溝の深さを表１に示す。
【００３６】
ここで、実施例２においては、３枚の絶縁性基板４（Ａ〜Ｃ）のエッチング溝の深さがそれぞれ１２００ｎｍとなるようにドライエッチングが行なわれた。また、上記のドライエッチングおよびエッチング溝の深さの測定はそれぞれ６回行なわれた。表１における実施例２のバッチＮｏ．１〜６は６回のドライエッチングのそれぞれの回のドライエッチングを表わしており、表１におけるバッチＮｏ．１〜６の下方の数値はそれぞれの回のドライエッチングにおける３枚の絶縁性基板Ａ〜Ｃのそれぞれのエッチング溝の深さを表わしている。
【００３７】
（比較例２）
導電グリスに代えてジメチルシリコーンオイルに微粉末のシリカを配合した真空グリス（抵抗率：１０14Ω・ｃｍ、東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製「Ｈ．Ｖ．Ｇ」）を用いたこと以外は実施例２と同様にして合成石英からなる３枚の絶縁性基板４（Ａ〜Ｃ）のドライエッチングを行なった。そして、実施例２と同様にして絶縁性基板４（Ａ〜Ｃ）のそれぞれのエッチング溝の深さが測定された。比較例２において測定されたエッチング溝の深さを表１に示す。
【００３８】
ここで、比較例２においては、上記のドライエッチングおよびエッチング溝の深さの測定がそれぞれ２回行なわれた。表１における比較例２のバッチＮｏ．１〜２は２回のドライエッチングのそれぞれの回のドライエッチングを表わしており、表１におけるバッチＮｏ．１〜２の下方の数値はそれぞれの回のドライエッチングにおける３枚の絶縁性基板Ａ〜Ｃのそれぞれのエッチング溝の深さを表わしている。
【００３９】
【表１】
2005157344.tif 000003
【００４０】
表１に示すように、導電グリスを用いた実施例２におけるドライエッチングにおいては真空グリスを用いた比較例２におけるドライエッチングと比べて、絶縁性基板（Ａ〜Ｃ）のエッチング溝の深さのばらつきを低減できていることを確認できた。
【００４１】
（実施例３）
図２に示す導電性Ｓｉウエハからなる導電体６上に、図６（Ａ）に示すように合成石英からなる１９枚の絶縁性基板４（Ａ〜Ｓ）を設置した。ここで、１９枚の絶縁性基板４（Ａ〜Ｓ）はそれぞれ図６（Ｂ）に示すように、シリコーンオイルにカーボンを配合した導電グリス５０（抵抗率：４９Ω・ｃｍ、信越シリコーン製「ＫＳ６６０」）を介して導電体６上に設置された。なお、１９枚の絶縁性基板４（Ａ〜Ｓ）はそれぞれ径が２０ｍｍで厚さが３ｍｍであった。
【００４２】
その後は実施例１と同様にして、絶縁性基板４（Ａ〜Ｓ）のドライエッチングを行なった。そして、ドライエッチング後のそれぞれの絶縁性基板４（Ａ〜Ｓ）のエッチング溝の深さを測定した。実施例３において測定されたエッチング溝の深さを表２に示す。
【００４３】
ここで、実施例３においては、１９枚の絶縁性基板４（Ａ〜Ｓ）のエッチング溝の深さがそれぞれ１２００ｎｍとなるようにドライエッチングが行なわれた。また、上記のドライエッチングおよびエッチング溝の深さの測定はそれぞれ２回行なわれた。表２における実施例３のバッチＮｏ．１〜２は２回のドライエッチングのそれぞれの回のドライエッチングを表わしており、表２におけるバッチＮｏ．１〜２の下方の数値はそれぞれの回のドライエッチングにおける１９枚の絶縁性基板Ａ〜Ｓのそれぞれのエッチング溝の深さを表わしている。
【００４４】
（比較例３）
導電グリスに代えてジメチルシリコーンオイルに微粉末のシリカを配合した真空グリス（抵抗率：１０14Ω・ｃｍ、東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製「Ｈ．Ｖ．Ｇ」）を用いたこと以外は実施例３と同様にして合成石英からなる１９枚の絶縁性基板４（Ａ〜Ｓ）のドライエッチングを行なった。そして、実施例３と同様にして絶縁性基板４（Ａ〜Ｓ）のそれぞれのエッチング溝の深さが測定された。比較例３において測定されたエッチング溝の深さを表２に示す。
【００４５】
ここで、比較例３においては、上記のドライエッチングおよびエッチング溝の深さの測定が１回行なわれた。表２における比較例３のバッチＮｏ．１はその１回のドライエッチングを表わしており、表２におけるバッチＮｏ．１の下方の数値は１９枚の絶縁性基板Ａ〜Ｓのそれぞれのエッチング溝の深さを表わしている。
【００４６】
【表２】
2005157344.tif 000004
【００４７】
表２に示すように、導電グリスを用いた実施例３におけるドライエッチングにおいては真空グリスを用いた比較例３におけるドライエッチングと比べて、絶縁性基板のエッチング溝の深さのばらつきを低減できていることを確認できた。
【００４８】
（実施例４）
図２に示す導電性Ｓｉウエハからなる導電体６上に、図７（Ａ）に示すようにＺｎＳｅ多結晶からなる４枚の絶縁性基板４（Ａ〜Ｄ）を設置した。ここで、４枚の絶縁性基板４（Ａ〜Ｄ）はそれぞれ図７（Ｂ）に示すように、シリコーンオイルにカーボンを配合した導電グリス５０（抵抗率：４９Ω・ｃｍ、信越シリコーン製「ＫＳ６６０」）を介して導電体６上に設置された。なお、４枚の絶縁性基板４（Ａ〜Ｄ）はそれぞれ径が５０ｍｍで厚さが５ｍｍであった。
【００４９】
そして、チャンバ３内の圧力が１０-5Ｐａ程度になるまで排気し、チャンバ３内にＢＣｌ3（流量：１０ｓｃｃｍ）とＡｒ（流量：２０ｓｃｃｍ）とを導入した。続いて、チャンバ３内の圧力を３Ｐａとした状態で、ＲＦ電源１ａ、１ｂに高周波電力を印加（ＩＣＰパワー：２００Ｗ、ＲＦパワー：３００Ｗ）して発生したプラズマ９によって、４枚の絶縁性基板４（Ａ〜Ｄ）のドライエッチングを行なった。そして、ドライエッチング後のそれぞれの絶縁性基板Ａ〜Ｄのエッチング溝の深さを測定した。実施例４において測定されたエッチング溝の深さを表３に示す。
【００５０】
ここで、実施例４においては、４枚の絶縁性基板４（Ａ〜Ｄ）のエッチング溝の深さがそれぞれ３８００ｎｍとなるようにドライエッチングが行なわれた。また、上記のドライエッチングおよびエッチング溝の深さの測定がそれぞれ３回行なわれた。表３における実施例４のバッチＮｏ．１〜３は３回のドライエッチングのそれぞれの回のドライエッチングを表わしており、表３におけるバッチＮｏ．１〜３の下方の数値はそれぞれの回のドライエッチングにおける４枚の絶縁性基板Ａ〜Ｄのそれぞれのエッチング溝の深さを表わしている。
【００５１】
（比較例４）
導電グリスに代えてジメチルシリコーンオイルに微粉末のシリカを配合した真空グリス（抵抗率：１０14Ω・ｃｍ、東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製「Ｈ．Ｖ．Ｇ」）を用いたこと以外は実施例４と同様にしてＺｎＳｅ多結晶からなる４枚の絶縁性基板４（Ａ〜Ｄ）のドライエッチングを行なった。そして、実施例４と同様にして絶縁性基板４（Ａ〜Ｄ）のそれぞれのエッチング溝の深さが測定された。比較例４において測定されたエッチング溝の深さを表３に示す。
【００５２】
ここで、比較例４においては、４枚の絶縁性基板４（Ａ〜Ｄ）のドライエッチングおよびエッチング溝の深さの測定が１回行なわれた。表３における比較例４のバッチＮｏ．１はその１回のドライエッチングを表わしており、表３におけるバッチＮｏ．１の下方の数値は４枚の絶縁性基板Ａ〜Ｄのそれぞれのエッチング溝の深さを表わしている。
【００５３】
【表３】
2005157344.tif 000005
【００５４】
表３に示すように、導電グリスを用いた実施例４におけるドライエッチングにおいては真空グリスを用いた比較例４におけるドライエッチングと比べて、絶縁性基板のエッチング溝の深さのばらつきを低減できていることが確認された。
【００５５】
なお、上記の実施例１〜４および比較例１〜４において、絶縁性基板のエッチング溝の深さは触針式段差計を用いて測定された。
【００５６】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明のドライエッチング方法はＤＯＥの製造に利用されるだけでなく、半導体デバイスの製造にも好適に利用される。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】真空グリスの厚みとシース電圧との関係を示した図である。
【図２】本発明のドライエッチング装置の好ましい一例の模式図である。
【図３】実施例と比較例のエッチング深さ精度を対比した図である。
【図４】従来のドライエッチング装置の一例の模式図である。
【図５】（Ａ）は３枚の絶縁性基板が設置された導電体の模式的な平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＶＢ−ＶＢに沿った断面図である。
【図６】（Ａ）は１９枚の絶縁性基板が設置された導電体の模式的な平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＶＩＢ−ＶＩＢに沿った断面図である。
【図７】（Ａ）は４枚の絶縁性基板が設置された導電体の模式的な平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢに沿った断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１ａ，１ｂ  ＲＦ電源、２  ＩＣＰコイル、３  チャンバ、４  絶縁性基板、５  真空グリス、５０  導電グリス、６  導電体、７  電極、８  ブロッキングコンデンサ、９  プラズマ、１０  シース領域。
【図１】
2005157344.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
2005157344.tif 000009
【図５】
2005157344.tif 000010
【図６】
2005157344.tif 000011
【図７】
2005157344.tif 000012