(57)【要約】【課題】製品段階のプリント配線基板上に実装された半導体デバイスを恒温槽を使用することなくバーンインする。【解決手段】プリント配線基板上に実装された半導体デバイスの温度を検出する温度センサを半導体デバイスと一体的に形成する。該温度センサの検出信号をバーンイン基準温度信号と比較し、温度センサの検出温度がバーンイン基準温度より低い場合には昇温指令信号を出力し、高い場合には該昇温指令信号の出力を停止するバーンイン温度制御回路を半導体デバイス内に設ける。昇温指令信号が出力された場合には、プリント配線基板上に実装されている１乃至複数個のパワートランジスタの中の１乃至複数のパワートランジスタを強制的に導通させ、その発熱で半導体デバイスを加熱する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント配線基板上に１乃至複数個のパワートランジスタと共に実装された半導体デバイスをバーンインするためのバーンイン回路であって、
前記半導体デバイスと一体的に形成された温度センサと、
該温度センサの検出信号をバーンイン基準温度信号と比較し、温度センサの検出温度がバーンイン基準温度より低い場合には昇温指令信号を出力し、高い場合には該昇温指令信号の出力を停止するバーンイン温度制御回路と、
前記昇温指令信号が出力された場合には、前記１乃至複数個のパワートランジスタの中の１乃至複数のパワートランジスタを強制的に導通させる論理回路と、を備えることを特徴とする半導体デバイスのバーンイン回路。
【請求項２】
前記バーンイン温度制御回路と論理回路とを、前記半導体デバイス上に設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスのバーンイン回路。
【請求項３】
プリント配線基板上に実装された半導体デバイスのバーンインを行なうためのバーンイン回路であって、
前記半導体デバイスと一体的に形成された温度センサと、
前記プリント配線基板上に設けた１ないし複数のバーンイン用発熱体と、
該１ないし複数のバーンイン用発熱体を流れる電流の開閉を行なうバーンイン用スイッチング素子と、
前記温度センサの検出温度がバーンイン基準温度に一致するように前記バーンイン用スイッチング素子の電流を制御するバーンイン温度制御回路と、を備えることを特徴とする半導体デバイスのバーンイン回路。
【請求項４】
前記バーンイン温度制御回路を前記半導体デバイス上に設けたことを特徴とする請求項３に記載の半導体デバイスのバーンイン回路。
【請求項５】
前記バーンイン用スイッチング素子を前記半導体デバイス上に設けたことを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体デバイスのバーンイン回路。
【請求項６】
プリント配線基板上に１乃至複数個のパワートランジスタと共に実装された半導体デバイスのバーンイン方法であって、
前記半導体デバイスと一体的に形成された温度センサと、該温度センサの検出信号をバーンイン基準温度信号と比較し、温度センサの検出温度がバーンイン基準温度より低い場合には昇温指令信号を出力し、高い場合には該昇温指令信号の出力を停止するバーンイン温度制御回路と、前記昇温指令信号が出力された場合には、前記１乃至複数個のパワートランジスタの中の１乃至複数のパワートランジスタを強制的に導通させる論理回路と、を設けておき、
前記半導体デバイスのバーンインを行なう場合には、前記１乃至複数のパワートランジスタに負荷を接続し、該負荷及び前記プリント配線基板に必要な電源と信号の供給を行なった状態で前記バーンイン基準温度信号を前記バーンイン温度制御回路に与え、
前記半導体デバイスのバーンインを行なわずに通常動作させる場合には、前記バーンイン基準温度信号として通常の動作温度よりも十分に低い温度に相当する温度信号を与えることを特徴とする半導体デバイスのバーンイン方法。
【請求項７】
プリント配線基板上に実装された半導体デバイスのバーンイン方法であって、
前記半導体デバイスと一体的に形成された温度センサと、前記プリント配線基板上に設けた１ないし複数のバーンイン用発熱体と、該１ないし複数のバーンイン用発熱体を流れる電流の開閉を行なうバーンイン用スイッチング素子と、前記温度センサの検出温度がバーンイン基準温度に一致するように前記バーンイン用スイッチング素子の電流を制御するバーンイン温度制御回路と、を設けておき、
前記半導体デバイスのバーンインを行なう場合には、前記プリント配線基板に必要な電源と信号の供給を行なった状態で前記バーンイン基準温度信号を前記バーンイン温度制御回路に与え、
前記半導体デバイスのバーンインを行なわずに通常動作させる場合には、前記バーンイン用発熱体を発熱させないように該バーンイン用発熱体への電源供給を停止するか、又は前記バーンイン基準温度信号として通常の動作温度よりも十分に低い温度に相当する温度信号を与えることを特徴とする半導体デバイスのバーンイン方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線基板に実装された半導体デバイスをバーンインするためのバーンイン方法及びその回路に関し、該半導体デバイスを特別な恒温槽を使用することなくバーンインすることを可能とする技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＣＰＵ、メモリなどの集積度の高い半導体デバイスでは、経時変化により早期に故障を起こす潜在的不良品を効率的にスクリーニングするためにバーンインが行なわれる。このバーンインは、実際の使用条件よりも厳しい熱ストレスや電気的ストレスを与えた状態で一定時間、実際に近い状態で動作させるもので、バーンイン後に電気特性が評価されて不良品の除去が行なわれる。
【０００３】
このような半導体デバイスのバーンイン方法にはウェハー段階で行なう方法と、パッケージに収納された製品段階で行なう方法とがある。ウェハー段階で行なうウェハー・バーンインでは、複数個の半導体デバイスが形成された１枚のウェハー上にバーンイン用外部電源線、外部接地線を接続するための外部電源パッド、外部接地パッドが半導体デバイスの形成と同時に形成される。そして、それらパッドより各半導体デバイスの内部を通過するように電源配線、接地配線が格子状に配置され、各半導体デバイスの内部電源パッド、内部接地パッドに接続される。この状態で外部から外部電源パッド及び外部接地パッドを通して電源供給し、１２５℃程度の高温雰囲気に維持された恒温槽内で数時間から１日程度動作させてバーンインが行なわれる（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
この方法は、電源配線、接地配線を格子状に配置することで半導体デバイスの取れ数減少を抑えることができ、ダイシング時の短絡故障防止工程も必要としないことから複数個の半導体デバイスの同時バーンインには効果的である。しかし、バーンインを行なう恒温槽はプロービング設備を備える必要があり、設置コスト、整備コスト、装置コストが非常に高くなる問題がある。
【０００５】
パッケージに収納した製品段階で行なうバーンイン方法では、多数のソケットを有するバーンイン専用ボードにソケットを介して半導体デバイスを実装する。そして、そのバーンイン専用ボードのコネクタを通して外部より必要な電源と信号を供給し、ウェハー・バーンインの場合と同様に恒温槽内でバーンインを行なう。この方法の場合も恒温槽内でバーンインを行なうために槽内に電源線、接地線、多数の信号線を導入しなければならず、やはり設置コスト、整備コスト、装置コストが高くなるという問題がある。
【特許文献１】特開平０９−１７８３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、その課題は、製品段階のプリント配線基板上に実装された半導体デバイスを、恒温槽を使用することなくバーンインする方法及びその回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を達成するための請求項１に記載の発明は、プリント配線基板上に１乃至複数個のパワートランジスタと共に実装された半導体デバイスをバーンインするためのバーンイン回路であって、
前記半導体デバイスと一体的に形成された温度センサと、
該温度センサの検出信号をバーンイン基準温度信号と比較し、温度センサの検出温度がバーンイン基準温度より低い場合には昇温指令信号を出力し、高い場合には該昇温指令信号の出力を停止するバーンイン温度制御回路と、
前記昇温指令信号が出力された場合には、前記１乃至複数個のパワートランジスタの中の１乃至複数のパワートランジスタを強制的に導通させる論理回路と、を備えることを特徴とする半導体デバイスのバーンイン回路である。
【０００８】
なお、ここで温度センサを半導体デバイスと一体的に形成するとは、温度センサを半導体デバイスと同一半導体基板上に形成する他に、半導体デバイスの基板に近接した状態で取り付ける場合も含むものとする（以下、本明細書において同じ。）。
このような構成のバーンイン回路を用いれば、バーンインする半導体デバイスの加熱をプリント配線基板上に実装されたパワートランジスタの発生する熱によって行なうことができる。従って、従来のような高価な恒温槽が必要でなくなる効果を奏する。また、プリント配線基板はバーンイン専用のプリント配線基板である必要はなく、製品として出荷するプリント配線基板であってよい。
【０００９】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のバーンイン回路において、前記バーンイン温度制御回路と論理回路とを、前記半導体デバイス上に設けたことを特徴とする。
このように半導体デバイス上に構成すれば、極めて小さいスペースでもって必要なバーンイン温度制御回路と論理回路を構成することができる。
【００１０】
また、請求項３に記載の発明は、プリント配線基板上に実装された半導体デバイスのバーンインを行なうためのバーンイン回路であって、
前記半導体デバイスと一体的に形成された温度センサと、
前記プリント配線基板上に設けた１ないし複数のバーンイン用発熱体と、
該１ないし複数のバーンイン用発熱体を流れる電流の開閉を行なうバーンイン用スイッチング素子と、
前記温度センサの検出温度がバーンイン基準温度に一致するように前記バーンイン用スイッチング素子の電流を制御するバーンイン温度制御回路と、を備えることを特徴とする半導体デバイスのバーンイン回路である。
【００１１】
このような構成のバーンイン回路を用いれば、バーンインする半導体デバイスの加熱をプリント配線基板上に取り付けたバーンイン用発熱体とバーンイン用スイッチング素子の発生する熱によって行なうことができる。従って、従来のような高価な恒温槽が必要でなくなる効果を奏する。また、プリント配線基板はバーンイン専用のプリント配線基板である必要はなく、製品として出荷するプリント配線基板であってよい。
【００１２】
また、請求項４に記載の発明は、請求項３に記載のバーンイン回路において、前記バーンイン温度制御回路を前記半導体デバイス上に設けたことを特徴とする。
このように半導体デバイス上に構成すれば、極めて小さいスペースでもって必要なバーンイン温度制御回路を構成することができる。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明は、請求項３又は４に記載のバーンイン回路において、前記バーンイン用スイッチング素子を前記半導体デバイス上に設けたことを特徴とする。
このように半導体デバイス上に構成すれば、バーンイン用スイッチング素子の発生する熱を半導体デバイスの加熱に効率的に利用することができる。
【００１４】
また、請求項６に記載の発明は、プリント配線基板上に１乃至複数個のパワートランジスタと共に実装された半導体デバイスのバーンイン方法であって、
前記半導体デバイスと一体的に形成された温度センサと、該温度センサの検出信号をバーンイン基準温度信号と比較し、温度センサの検出温度がバーンイン基準温度より低い場合には昇温指令信号を出力し、高い場合には該昇温指令信号の出力を停止するバーンイン温度制御回路と、前記昇温指令信号が出力された場合には、前記１乃至複数個のパワートランジスタの中の１乃至複数のパワートランジスタを強制的に導通させる論理回路と、を設けておき、
前記半導体デバイスのバーンインを行なう場合には、前記１乃至複数のパワートランジスタに負荷を接続し、該負荷及び前記プリント配線基板に必要な電源と信号の供給を行なった状態で前記バーンイン基準温度信号を前記バーンイン温度制御回路に与え、
前記半導体デバイスのバーンインを行なわずに通常動作させる場合には、前記バーンイン基準温度信号として通常の動作温度よりも十分に低い温度に相当する温度信号を与えることを特徴とする半導体デバイスのバーンイン方法である。
【００１５】
このような方法によれば、バーンインする半導体デバイスの加熱をプリント配線基板上に実装されたパワートランジスタの発生する熱によって行なうことができる。従って、従来のような高価な恒温槽が必要でなくなる効果を奏する。また、プリント配線基板はバーンイン専用のプリント配線基板である必要はなく、製品として出荷するプリント配線基板であってよい。
【００１６】
また、請求項７に記載の発明は、プリント配線基板上に実装された半導体デバイスのバーンイン方法であって、
前記半導体デバイスと一体的に形成された温度センサと、前記プリント配線基板上に設けた１ないし複数のバーンイン用発熱体と、該１ないし複数のバーンイン用発熱体を流れる電流の開閉を行なうバーンイン用スイッチング素子と、前記温度センサの検出温度がバーンイン基準温度に一致するように前記バーンイン用スイッチング素子の電流を制御するバーンイン温度制御回路と、を設けておき、
前記半導体デバイスのバーンインを行なう場合には、前記プリント配線基板に必要な電源と信号の供給を行なった状態で前記バーンイン基準温度信号を前記バーンイン温度制御回路に与え、
前記半導体デバイスのバーンインを行なわずに通常動作させる場合には、前記バーンイン用発熱体を発熱させないように該バーンイン用発熱体への電源供給を停止するか、又は前記バーンイン基準温度信号として通常の動作温度よりも十分に低い温度に相当する温度信号を与えることを特徴とする半導体デバイスのバーンイン方法である。
【００１７】
このような方法によれば、バーンインする半導体デバイスの加熱をプリント配線基板上に取り付けたバーンイン用発熱体とバーンイン用スイッチング素子の発生する熱によって行なうことができる。従って、従来のような高価な恒温槽が必要でなくなる効果を奏する。また、プリント配線基板はバーンイン専用のプリント配線基板である必要はなく、製品として出荷するプリント配線基板であってよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）
図１、図２は、第１の実施形態に係るバーンイン方法及びそれに使用するバーンイン回路の回路構成を説明する図であり、図１はそのバーンイン回路１の構成例を、図２はそのバーンイン回路１及びバーンインする半導体デバイス３を実装したプリント配線基板２上の部品配置の例を示したものである。
【００１９】
本実施形態は、プリント配線基板２上に実装されている半導体デバイス３を、実装された状態でしかも特別の恒温槽に入れることなくバーンインを行なうことのできる実施形態である。但し、本実施形態の場合、部品が実装されたプリント配線基板２の本来の機能を発揮させるために、１ないし複数個のパワートランジスタ（図１ではＴｒ１、Ｔｒ２の２個）がプリント配線基板２上に実装されていることを前提としている。
【００２０】
本実施形態は、出荷前の製品段階にある半導体デバイス、プリント配線基板に適用可能に考えられたもので、バーンイン後の最終性能評価により半導体デバイス３が良品と判定された場合には、プリント配線基板２はその半導体デバイス３を実装したまま出荷される。
バーンイン対象である半導体デバイス３は集積度の高い半導体デバイスであり、例えばＣＰＵ、ＤＳＰ、高機能通信用ＬＳＩ等である。半導体デバイス３はパッケージに収納されたものでもベアチップでもよい。プリント配線基板２は、ガラスエポキシ、セラミックス等を基板材料とするプリント配線基板である。
【００２１】
プリント配線基板２上には、バーンイン対象である半導体デバイス３、及びパワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２の他に、図２に例示するようにＤ／Ａ変換器４、メモリ５、Ｉ／Ｏデバイス６、コイル７、コンデンサ８等が実装されていてもよい。
本実施形態では、バーンインのための半導体デバイス３の昇温にパワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２の発生する熱を利用する。パワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２は、出荷後の通常動作時にはプリント配線基板２の外に設けられる外部負荷を駆動するためのものである。外部負荷は、通常、リレー、ソレノイド、発熱体、単相モータ、ランプ等の消費電力の大きい負荷である。パワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２はそうした消費電力の大きい外部負荷を駆動できるトランジスタで、通常、パワーＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ＩＧＢＴ等が用いられる。
【００２２】
バーンインは、半導体デバイス３及びその他の回路が動作しうるように必要な電源Ｖdd、接地電位ＧＮＤ、制御信号をプリント配線基板２に与えた状態で行なう。図１に示すようにバーンインを行なう場合には、パワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２の外部負荷として実使用時より消費電力の大きい仮の外部負荷ＲＬ１、ＲＬ２を接続する。仮の外部負荷ＲＬ１、ＲＬ２には、駆動電圧Ｖddを供給する。パワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２は導通すると大電流が流れて発熱する。発生した熱は半導体デバイス３に伝わり、半導体デバイス３の温度を上昇させる。
【００２３】
バーンイン中は、半導体デバイス３の温度を所定の温度範囲内に維持する必要がある。この半導体デバイス３の温度制御のために本実施形態では、半導体デバイス３内に温度センサ１０、バーンイン温度制御回路１１、及びパワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２の強制導通を行なう論理回路１２が本来のデバイス回路に追加して設けられている。
温度センサ１０は、直列に接続したダイオード群（図１では４個のダイオードから成る。）１３と、これに定電流を供給する定電流源１４とにより構成される。
【００２４】
ダイオードに順方向電流Ｉｆを流した時の順方向電圧Ｖｆは次の式で表わされる。
Ｖｆ＝（ｋ・Ｔ／ｑ）・ｌｎ（Ｉｆ／Ｉｓ）
ここで、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電子の電荷量、Ｉｓは定数である。この式は、順方向電流Ｉｆが一定であれば順方向電圧Ｖｆは絶対温度Ｔに比例することを表わしている。図１中の温度センサ１０は、温度変化に対する順方向電圧Ｖｆの変化量を大きくするためにダイオードを４個、直列に接続してある。
【００２５】
温度センサ１０で検出された温度信号４Ｖｆは、バーンイン温度制御回路１１内のコンパレータＣＰ１の反転入力端子に入力される。バーンイン温度制御回路１１は、コンパレータＣＰ１と分圧抵抗Ｒ１、Ｒ２により構成される。抵抗Ｒ１、Ｒ２は直列接続されて外部から供給される基準電圧Ｖsを分圧し、分圧された電圧ＶｔはコンパレータＣＰ１の非反転入力端子に供給される。
【００２６】
この非反転入力端子に供給される電圧Ｖｔは、バーンイン基準温度信号Ｖｔである。温度信号４Ｖｆはバーンイン基準温度信号Ｖｔと比較され、その結果によってパワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２を強制的に導通させるか否かが決定される。従って、バーンイン基準温度信号Ｖｔの大きさは、半導体デバイス３が希望するバーンイン基準温度である時に温度センサ１０が出力する温度信号４Ｖｆに等しくなるように設定しておく。その設定は、外部から供給する基準電圧Ｖsの値を調整することで行なう。
【００２７】
コンパレータＣＰ１の出力電圧Ｖｒは、温度信号４Ｖｆがバーンイン基準温度信号Ｖｔより低い時、即ち、半導体デバイス３の温度がバーンイン基準温度より低い時に高レベルとなり、高い時に低レベルとなる。このコンパレータＣＰ１の出力電圧Ｖｒが昇温指令信号Ｖｒであり、その値が高レベルの場合には強制昇温を行なわせ、低レベルの場合にはその強制昇温を停止させる。コンパレータＣＰ１の出力する昇温指令信号Ｖｒは、論理回路１２に送られる。
【００２８】
論理回路１２は、２入力の論理和回路ＯＲ１、ＯＲ２より構成される。論理和回路ＯＲ１、ＯＲ２の出力は、それぞれパワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２のゲートに接続されている。論理和回路ＯＲ１、ＯＲ２の出力が高レベルである時には対応するパワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２が導通する。論理和回路ＯＲ１、ＯＲ２のそれぞれの一方の入力端子には、コンパレータＣＰ１の出力である昇温指令信号Ｖｒが入力されている。
【００２９】
従って、コンパレータＣＰ１の出力である昇温指令信号Ｖｒが高レベルになると、論理和回路ＯＲ１、ＯＲ２の出力は他方の入力端子の信号レベルに無関係に高レベルとなり、パワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２は共に強制的に導通状態とされる。即ち、温度センサ１０で検出した半導体デバイス３の温度がバーンイン基準温度より低い時には、パワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２は共に強制的に導通状態とされる。これにより、パワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２には仮の外部負荷ＲＬ１、ＲＬ２を駆動する電流が流れて発熱する。
【００３０】
発生した熱は半導体デバイス３を加熱して昇温させる。半導体デバイス３が加熱されて温度センサ１０の検出温度がバーンイン基準温度を超えると昇温指令信号Ｖｒが低レベルとなり、強制昇温の状態が停止される。
論理和回路ＯＲ１の他方の入力端子には、外部負荷を駆動する駆動信号ＯＵＴ１が入力されている。この駆動信号ＯＵＴ１は、半導体デバイス３の本来の機能を発揮するために半導体デバイス３内で生成される駆動信号である。昇温指令信号Ｖｒが低レベルとなった状態では、論理和回路ＯＲ１の出力レベルは駆動信号ＯＵＴ１のレベルと同じとなる。従って、この状態ではパワートランジスタＴｒ１の導通／非導通は駆動信号ＯＵＴ１によって制御される。同様に、昇温指令信号Ｖｒが低レベルの状態では、パワートランジスタＴｒ２の導通／非導通は駆動信号ＯＵＴ２によって制御される。
【００３１】
昇温指令信号Ｖｒが低レベルの状態においては、パワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２はそれぞれ駆動信号ＯＵＴ１、ＯＵＴ２により制御されるため導通することもあり得る。しかし、この駆動信号ＯＵＴ１、ＯＵＴ２によるパワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２の導通／非導通の動作は、半導体デバイス３の本来の機能を発揮するための通常動作である。従って、その通常動作によるパワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２の発熱では、室温雰囲気中に置かれた半導体デバイス３の温度をバーンイン基準温度以上に維持されることはない。もし、そのようなことが生ずるとすればそれは回路の設計ミスであり、そのような回路を搭載したプリント配線基板２は実使用に耐えない。
【００３２】
従って、昇温指令信号Ｖｒが低レベルとなって強制昇温の状態が停止されると、半導体デバイス３の温度はバーンイン基準温度以下に低下を始める。そして、温度センサ１０の検出温度がバーンイン基準温度以下になると、再び昇温指令信号Ｖｒが高レベルとなって強制昇温が再開される。
このような動作により、半導体デバイス３の温度はバーンイン基準温度を中心とする狭い温度幅内に維持される。その温度幅は、パワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２と温度センサ１０との間の熱抵抗及びそれらの熱容量、半導体デバイス３の熱容量により影響される。熱抵抗や熱容量が小さい場合にはその温度幅は小さく、熱抵抗や熱容量が大きい場合には温度幅は大きくなる。いずれにせよ、半導体デバイス３はパワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２の発生する熱によりバーンイン基準温度を中心とする狭い温度幅内の温度に維持され、バーンインを受けることになる。
【００３３】
このような実装プリント配線基板２を製品として出荷し実使用する際には、強制昇温の動作が機能しないようにする必要がある。それには、例えば実使用の際には基準電圧Ｖsを入力する端子を開放にすればよい。そのようにすれば、コンパレータＣＰ１の非反転入力端子の入力電圧は接地電位ＧＮＤに等しくなり、その出力信号は常に低レベルとなって強制昇温の動作が行なわれることはない。
【００３４】
このように本実施形態によるバーンインでは、バーンインのために必要な半導体デバイス３の加熱がプリント配線基板２上に実装されたパワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２の発生する熱によって行なわれる。従って、本実施形態で説明したバーンイン回路１を採用し、上述したような方法でバーンインを行なえば、従来のような高価な恒温槽が必要でなくなる効果を奏する。また、プリント配線基板２はバーンイン専用のプリント配線基板である必要はなく、製品として出荷するプリント配線基板でよい。
【００３５】
（第２の実施形態）
図３に、第２の実施形態に係るバーンイン回路の回路構成を、図４にそのバーンイン回路１ａとバーンインする半導体デバイス３を実装したプリント配線基板２ａ上の部品配置の例を示す。なお、図３、図４中における図１、図２と同一又は相当部分には同一符号が付してありその説明を繰り返さない。
【００３６】
第１の実施形態では、プリント配線基板２上にその本来の機能を発揮させるために必要とされる１乃至複数個のパワートランジスタＴｒ１、Ｔｒ２が実装されていることを前提としていた。これに対して本実施形態は、そのような本来機能を発揮させるために必要なパワートランジスタが実装されていない場合を対象としている。
本実施形態も恒温槽を使用することなく、プリント配線基板２上に実装した部品の発生する熱でもってバーンイン対象の半導体デバイス３を昇温させる方法を採っている。本来の機能を発揮させるためのパワートランジスタが実装されていないために、本実施形態では発熱用にバーンイン用発熱体とそれを駆動するバーンイン用スイッチング素子とを追加して設けている。
【００３７】
図３に示した回路例では、バーンイン用発熱体として２個の抵抗Ｒ３、Ｒ４を、それらを駆動するバーンイン用スイッチング素子としてパワートランジスタＴｒ３、Ｔｒ４を半導体デバイス３内に設けている。バーンインを行なうための半導体デバイス３の加熱は、この抵抗Ｒ３、Ｒ４及びパワートランジスタＴｒ３、Ｔｒ４の発生する熱で行なう。パワートランジスタＴｒ３、Ｔｒ４を半導体デバイス３内に設けているのは、その発生する熱を半導体デバイス３の昇温に効率良く利用するためである。
【００３８】
パワートランジスタＴｒ３、Ｔｒ４は、バーンイン専用の発熱体である抵抗Ｒ３、Ｒ４を導通させることだけを目的としている。従って、その導通はバーンイン温度制御回路１１内のコンパレータＣＰ１の出力である昇温指令信号Ｖｒによってのみ制御され、第１の実施形態で必要とした論理回路１２は必要としない。
半導体デバイス３内には、第１の実施形態の場合と同様に温度センサ１０、バーンイン温度制御回路１１が設けられているが、論理回路１２は設けられていない。
【００３９】
バーンインにおける温度制御は、第１の実施形態の場合と同様にして行なわれる。バーンインを行なわない実使用の場合には、バーンイン用発熱体である抵抗Ｒ３、Ｒ４への電源供給をしないようにすればよい。また、第１の実施形態で述べたように基準電圧Ｖsの入力端子を開放にしてもよい。
本実施形態の場合のバーンインも、バーンインのために必要な半導体デバイス３の加熱は、プリント配線基板２上に追加実装されたバーンイン用発熱体とそれを駆動するパワートランジスタの発生する熱によって行なわれる。従って、本実施形態の場合も従来のような高価な恒温槽が必要でなくなる効果を奏する。また、プリント配線基板２はバーンイン専用のプリント配線基板である必要はなく、製品として出荷するプリント配線基板でよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】第１の実施形態に係るバーンイン回路の構成例である。
【図２】第１の実施形態に係るプリント配線基板上の部品配置例である。
【図３】第２の実施形態に係るバーンイン回路の構成例である。
【図４】第２の実施形態に係るプリント配線基板上の部品配置例である。
【符号の説明】
【００４１】
図面中、１、１ａはバーンイン回路、２、２ａはプリント配線基板、３は半導体デバイス、１０は温度センサ、１１はバーンイン温度制御回路、１２は論理回路、Ｒ３、Ｒ４はバーンイン用発熱体（抵抗）、Ｔｒ１、Ｔｒ２はパワートランジスタ、Ｔｒ３、Ｔｒ４はバーンイン用スイッチング素子（パワートランジスタ）、Ｖｒは昇温指令信号、Ｖtはバーンイン基準温度信号を示す。
【図１】
2005300407.tif 000003
【図２】
2005300407.tif 000004
【図３】
2005300407.tif 000005
【図４】
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