(57)【要約】【課題】サイズの異なる２つの半導体チップを積層してリードフレームに搭載した場合でも、金属ワイヤの断線や半導体チップの樹脂成型表面への露出を防止することができ、製造歩留の低下を回避することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】第１の半導体チップ１の側面を傾斜させて封止用樹脂１０の注入時の応力を分散し垂直下方向への応力が付加されることで、垂直上方向の応力を相殺し、半導体チップ１、２上下の樹脂流動バランスを均等に保ち、半導体チップ１の垂直方向の変位を抑制する。【選択図】図２
2005353852.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サイズの異なる２つの半導体チップを積層してリードフレームに搭載し封止用の樹脂で封止して形成した半導体装置であって、前記リードフレームのダイパッドの上に固着した第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップの表面に形成した第１のボンディングパッドと、前記第１の半導体チップの表面上部に固着した第２の半導体チップと、前記第２の半導体チップの表面に形成した第２のボンディングパッドと、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップの側面付近から延在し前記樹脂の側面から外部導出するリード端子と、前記第１のボンディングパッドと、前記リード端子を電気的に接続する第１の金属ワイヤと、前記第２のボンディングパッドと、前記リード端子または前記第１のボンディングパッドを電気的に接続する第２の金属ワイヤとからなり、前記封止用樹脂により、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップの周囲を封止するとともに、前記第１の半導体チップは、その側面が下広がりで傾斜するよう形成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２の半導体チップは、その側面が下広がりで傾斜するよう形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の半導体チップの厚みを前記第２の半導体チップの厚みの２倍以上にしたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の半導体チップは、その側面が下広がりで傾斜するよう形成するとともに、前記第１の半導体チップの厚みを前記第２の半導体チップの厚みの２倍以上にしたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１および第２の半導体チップのうち、その側面を下広がりで傾斜させる半導体チップは、Ｖ字型先端ブレードでダイシングして形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２つの半導体チップを積層してリードフレームに搭載し封止用の樹脂で封止して形成した半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種制御機器に組込まれる半導体装置として、それら制御機器の機能向上に伴って、１つの半導体装置内に複数の半導体チップを積層したものが一般的になっている。このような半導体装置は、複数の半導体チップを積層してリードフレームに搭載し、封止用の樹脂で封止して製造されている。
【０００３】
以上のような従来の半導体装置（例えば、特許文献１を参照）について、以下に説明する。
図１２は従来の半導体装置の平面透視図であり、図１３は図１２の半導体装置を側面からみた時の側面透視図を示している。従来は１つの半導体チップをリードフレームに搭載し、封止用樹脂で封止した半導体装置が普及している。一方で電子機器の小型化、軽量化および機能アップに伴い、図１２及び図１３に示すように、サイズの異なる２つの半導体チップを積層してリードフレームに搭載し、封止用樹脂で封止したチップ積層半導体装置も種々提案されている。
【０００４】
上記の半導体装置は、リードフレームのダイパッド３上に接着剤４を介して側面が垂直になった半導体チップ１を配置し、半導体チップ１上に絶縁性ダイボンドシート５を介して側面が垂直になった半導体チップ２を配置し、半導体チップ１及び２の素子形成面に配置されたボンディングパッド１ａ及び２ａとリードフレーム上のインナーリード６の先端とを金属ワイヤ７で各々接続し、半導体チップ１及び２、金属ワイヤ７、インナーリード６を封止用樹脂１０で封止し、所定形状に加工したアウターリード８で構成している。
【０００５】
次に、上記のような従来の半導体装置の製造方法について説明する。
図１４は従来の半導体装置における半導体チップのダイシング工程を示す構成図である。図１５は図１４のダイシング工程を示す半導体チップの側面透視図である。
【０００６】
ダイシング用シート１１を貼り付けた半導体ウエハ１２を、フラットな先端を有するダイシングブレード１３で、個々の半導体チップ１に分割する。半導体チップ２も同様の方法で製造する（ダイシング工程）。リードフレームのダイパッド３上に接着剤４を用いて半導体チップ１を配置し、接着剤４を熱処理で硬化させ、その後、半導体チップ１の表面上に、裏面に絶縁性ダイボンドシート５を貼り付けた半導体チップ２を配置し、熱処理で絶縁性ダイボンドシート５を硬化させる（ダイボンド工程）。半導体チップ１及び２のボンディングパッド１ａ及び２ａと、リードフレーム上のインナーリード６の先端とを金属ワイヤ７で各々接続する（ワイヤボンド工程）。
【０００７】
さらに、図１６は従来の半導体装置の封止工程の封止用樹脂注入過程を示す断面図であり、半導体装置の外形を形成する封止金型の上金型１４と下金型１５との間に、半導体チップ１及び２を積層して搭載したリードフレームをセットし、高温・高圧で流動性を有する封止用樹脂１０を封止用樹脂注入口１６から注入して硬化する（封止工程）。その後、封止用樹脂１０で封止されたリードフレーム上のアウターリード８の先端を切断し、所定の形状に加工する工程（リード加工工程）を経て、半導体装置の完成品が得られる。
【特許文献１】特開平１１−４０７３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら上記のような従来の半導体装置のように、サイズの異なる２つの半導体チップ１、２を積層してリードフレームに搭載し、封止用樹脂１０で封止して形成した半導体装置の構成では、その半導体装置を製造する封止工程において、以下のような問題点が生じる。
【０００９】
上記のような封止工程では、一般的に図１６に示すように、半導体装置の外形を形成する封止金型の上金型１４と下金型１５との間に、半導体チップ１及び２を積層して搭載したリードフレームをセットし、高温・高圧の封止用樹脂１０を封止用樹脂注入口１６から注入することにより封止するが、この封止の過程で、側面が垂直になった半導体チップ１及び２の端部近傍で、矢印方向に作用する樹脂流動による垂直上方向の応力（揚力）が大きく、半導体チップは垂直方向に変位し、金属ワイヤ７が断線したり、半導体チップ２が樹脂成型表面に露出したりして、製造歩留が低下するという問題点を有していた。
【００１０】
このような問題点を解決するためには、半導体チップ１、２の上下部分への樹脂流動を制御し、例えば半導体チップ１の端部近傍で矢印方向に作用する揚力を抑制することが必要である。
【００１１】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、サイズの異なる２つの半導体チップを積層してリードフレームに搭載した場合でも、金属ワイヤの断線や半導体チップの樹脂成型表面への露出を防止することができ、製造歩留の低下を回避することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の半導体装置は、サイズの異なる２つの半導体チップを積層してリードフレームに搭載し封止用の樹脂で封止して形成した半導体装置であって、前記リードフレームのダイパッドの上に固着した第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップの表面に形成した第１のボンディングパッドと、前記第１の半導体チップの表面上部に固着した第２の半導体チップと、前記第２の半導体チップの表面に形成した第２のボンディングパッドと、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップの側面付近から延在し前記樹脂の側面から外部導出するリード端子と、前記第１のボンディングパッドと前記リード端子を電気的に接続する第１の金属ワイヤと、前記第２のボンディングパッドと前記リード端子または前記第１のボンディングパッドを電気的に接続する第２の金属ワイヤとからなり、前記封止用樹脂により、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップの周囲を封止するとともに、前記第１の半導体チップは、その側面が下広がりで傾斜するよう形成した構成としたことを特徴とする。
【００１３】
以上により、第１の半導体チップ側面を下広がりで傾斜させることにより、封止用樹脂注入時の応力が分散し、垂直下方向への応力が付加されることで、垂直上方向の応力（揚力）を相殺し、半導体チップ上下の樹脂流動バランスを均等に保ち、垂直方向の変位を抑制するため、サイズの異なる２つの半導体チップを積層してリードフレームに搭載しても、半導体チップの垂直方向への変位を抑えることができる。
【００１４】
また、本発明の請求項２に記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置であって、前記第２の半導体チップは、その側面が下広がりで傾斜するよう形成した構成としたことを特徴とする。
【００１５】
以上により、第１のチップ側面と第２の半導体チップ側面を下広がりで傾斜させることにより、封止用樹脂注入時の応力が分散し、第２の半導体チップでも垂直下方向への応力がさらに付加されることで、垂直上方向の応力（揚力）の相殺を強め、半導体チップ上下の樹脂流動バランスを均等に保ち、垂直方向の変位を抑制することができる。
【００１６】
また、本発明の請求項３に記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置であって、前記第１の半導体チップの厚みを前記第２の半導体チップの厚みの２倍以上にした構成としたことを特徴とする。
【００１７】
以上により、第１の半導体チップの厚みを第２の半導体チップの厚みの２倍以上にすることにより、封止用樹脂注入時の応力が分散し、垂直下方向への応力がさらに増加することで、垂直上方向の応力（揚力）の相殺を強め、半導体チップ上下の樹脂流動バランスを均等に保ち、垂直方向の変位を抑制することができる。
【００１８】
また、本発明の請求項４に記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置であって、前記第２の半導体チップは、その側面が下広がりで傾斜するよう形成するとともに、前記第１の半導体チップの厚みを前記第２の半導体チップの厚みの２倍以上にした構成としたことを特徴とする。
【００１９】
以上により、第１のチップ側面と第２の半導体チップ側面を下広がりで傾斜させることにより、封止用樹脂注入時の応力が分散し、垂直下方向への応力が付加され、なおかつ第１の半導体チップの厚みを第２の半導体チップの厚みの２倍以上にすることにより、封止用樹脂注入時の応力が分散し、垂直下方向への応力がさらに増加することで、垂直上方向の応力（揚力）の相殺を強め、半導体チップ上下の樹脂流動バランスを均等に保ち、垂直方向の変位を抑制することができる。
【００２０】
また、本発明の請求項５に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１および第２の半導体チップのうち、その側面を下広がりで傾斜させる半導体チップは、Ｖ字型先端ブレードでダイシングして形成する方法としたことを特徴とする。
【００２１】
以上により、各々の半導体ウエハをＶ字型先端のブレードで個々の半導体チップに分割することにより、半導体チップ側面に傾斜形状が得られ、ダイシング工程以降の工程変更や追加は不要で、サイズの異なる２つの半導体チップを積層してリードフレームに搭載しても、半導体チップの垂直方向への変位を抑えることができる。
【発明の効果】
【００２２】
以上のように本発明によれば、第１の半導体チップ側面を下広がりで傾斜させることにより、封止用樹脂注入時の応力が分散し、垂直下方向への応力が付加されることで、垂直上方向の応力（揚力）を相殺し、半導体チップ上下の樹脂流動バランスを均等に保ち、垂直方向の変位を抑制するため、サイズの異なる２つの半導体チップを積層してリードフレームに搭載しても、半導体チップの垂直方向への変位を抑えることができる。
【００２３】
また、第１のチップ側面と第２の半導体チップ側面を下広がりで傾斜させることにより、封止用樹脂注入時の応力が分散し、第２の半導体チップでも垂直下方向への応力がさらに付加されることで、垂直上方向の応力（揚力）の相殺を強め、半導体チップ上下の樹脂流動バランスを均等に保ち、垂直方向の変位を抑制することができる。
【００２４】
また、第１の半導体チップの厚みを第２の半導体チップの厚みの２倍以上にすることにより、封止用樹脂注入時の応力が分散し、垂直下方向への応力がさらに増加することで、垂直上方向の応力（揚力）の相殺を強め、半導体チップ上下の樹脂流動バランスを均等に保ち、垂直方向の変位を抑制することができる。
【００２５】
また、第１のチップ側面と第２の半導体チップ側面を下広がりで傾斜させることにより、封止用樹脂注入時の応力が分散し、垂直下方向への応力が付加され、なおかつ第１の半導体チップの厚みを第２の半導体チップの厚みの２倍以上にすることにより、封止用樹脂注入時の応力が分散し、垂直下方向への応力がさらに増加することで、垂直上方向の応力（揚力）の相殺を強め、半導体チップ上下の樹脂流動バランスを均等に保ち、垂直方向の変位を抑制することができる。
【００２６】
また、各々の半導体ウエハをＶ字型先端のブレードで個々の半導体チップに分割することにより、半導体チップ側面に傾斜形状が得られ、ダイシング工程以降の工程変更や追加は不要で、サイズの異なる２つの半導体チップを積層してリードフレームに搭載しても、半導体チップの垂直方向への変位を抑えることができる。
【００２７】
以上のため、サイズの異なる２つの半導体チップを積層してリードフレームに搭載した場合でも、金属ワイヤの断線や半導体チップの樹脂成型表面への露出を防止することができ、製造歩留の低下を回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態を示す半導体装置およびその製造方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１の半導体装置およびその製造方法を説明する。
【００２９】
図１は本実施の形態１の半導体装置の構成を示す平面透視図である。図２は図１の半導体装置を側面からみた時の側面透視図であり、図３は図１の半導体装置の封止工程の封止用樹脂注入過程を示す断面図である。
【００３０】
本実施の形態１の半導体装置は、図１および図２に示すように、１００〜１５０μｍ厚のリードフレーム中央のダイパッド３上に、Ａｇペーストなど０〜２０μｍ厚の接着剤４を介して、側面の傾斜した半導体チップ１（側面の傾斜角度は半導体チップ底面に対して４５〜６０度、素子形成面の面積は４〜１００ｍｍ２で厚みは１００〜２００μｍ）を、素子形成面が上向きとなるように配置し、さらに半導体チップ１の上に、２０μｍ厚の絶縁性ダイボンドシート５を介して、側面が垂直になった半導体チップ２（側面は半導体チップ底面に対して垂直、素子形成面の面積は半導体チップ１より小さくかつ４分の３以上で厚みは半導体チップ１と同様）を配置して、半導体チップ１及び２の素子形成面に配置されたボンディングパッド１ａ及び２ａとリードフレーム上のインナーリード６の先端とを、それぞれ直径１５〜２５μｍの金属ワイヤ７で電気的に接続し、半導体チップ１及び２、金属ワイヤ７、インナーリード６を封止用樹脂１０で封止し、所定形状に加工したアウターリード８とで構成する。この場合、樹脂封止部の側面厚は半導体チップ１と半導体チップ２との積層後の厚みの２倍以上とする。
【００３１】
上記の構成によれば、図３に示すように、封止用樹脂１０の注入時、封止金型の下金型１４側を流動する封止用樹脂１０は、半導体チップ１の裏面を垂直上方向に押し上げる応力（揚力）をもつ。一方で封止用樹脂１０は半導体チップ１の側面に押し当て、図３中の矢印で示すように水平方向Ｙ３１と垂直下方向Ｙ３２に分散する。この垂直下方向Ｙ３２の分散応力が、垂直上方向の応力（揚力）を相殺し、半導体チップ上下の樹脂流動バランスを均等に保ち、垂直方向の変位が抑制される。
【００３２】
したがって、サイズの異なる２つの半導体チップを積層してリードフレームに搭載した場合でも、金属ワイヤの断線や半導体チップの樹脂成型表面への露出を防止することができ、製造歩留が向上する半導体装置を供給することができる。
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２の半導体装置およびその製造方法を説明する。
【００３３】
図４は本実施の形態２の半導体装置を側面からみた時の側面透視図であり、図５は図４の半導体装置の封止工程の封止用樹脂注入過程を示す断面図である。
本実施の形態２の半導体装置は、図４に示すように、１００〜１５０μｍ厚のリードフレーム中央のダイパッド３上に、Ａｇペーストなど０〜２０μｍ厚の接着剤４を介して、側面の傾斜した半導体チップ１（側面の傾斜角度は半導体チップ底面に対して４５〜６０度、素子形成面の面積は４〜１００ｍｍ２で厚みは１００〜２００μｍ）を素子形成面が上向きとなるように配置し、さらに半導体チップ１の上に、２０μｍ厚の絶縁性ダイボンドシート５を介して、側面が傾斜した半導体チップ２（側面の傾斜角度は半導体チップ底面に対して４５〜６０度、素子形成面の面積は半導体チップ１より小さくかつ３分の２以上で厚みは半導体チップ１と同様）を配置して、半導体チップ１及び２の素子形成面に配置されたボンディングパッド１ａ及び２ａとリードフレーム上のインナーリード６先端とを、それぞれ直径１５〜２５μｍの金属ワイヤ７で電気的に接続し、半導体チップ１及び２、金属ワイヤ７、インナーリード６を封止用樹脂１０で封止し、所定形状に加工したアウターリード８で構成し、樹脂封止部の側面厚は、半導体チップ１と半導体チップ２との積層後の厚みの２倍以上である。
【００３４】
上記の構成によれば、図５に示すように、封止用樹脂１０の注入時、封止金型の下金型１５側を流動する封止用樹脂１０は、半導体チップ１の裏面を垂直上方向に押し上げる応力（揚力）をもつ。一方で封止用樹脂１０は半導体チップ１の側面を押し当て、図５中の矢印で示すように水平方向Ｙ５１と垂直下方向Ｙ５２に分散する。さらに、封止用樹脂１０は半導体チップ２の側面を押し当て、図５中の矢印で示すように水平方向Ｙ５３と垂直下方向Ｙ５４に分散する。この半導体チップ１と半導体チップ２への垂直下方向Ｙ５２、Ｙ５４の分散応力が、半導体チップ１の垂直上向き方向の応力（揚力）を相殺し、半導体チップ上下の樹脂流動バランスを均等に保ち、垂直方向に変位が抑制される。
【００３５】
したがって、サイズの異なる２つの半導体チップを積層してリードフレームに搭載した場合でも、金属ワイヤの断線や半導体チップの樹脂成型表面への露出を防止することができ、より確実に製造歩留が向上する半導体装置を供給することができる。
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３の半導体装置およびその製造方法を説明する。
【００３６】
図６は本実施の形態３の半導体装置を側面からみた時の側面透視図であり、図７は図６の半導体装置の封止工程の封止用樹脂注入過程を示す断面図である。
本実施の形態３の半導体装置は、図６に示すように、１００〜１５０μｍ厚のリードフレーム中央のダイパッド３上に、Ａｇペーストなど０〜２０μｍ厚の接着剤４を介して、側面の傾斜した半導体チップ１（側面の傾斜角度は半導体チップ底面に対して４５〜６０度、素子形成面の面積は４〜１００ｍｍ２で厚みは１００〜２００μｍ）を素子形成面が上向きとなるように配置し、さらに半導体チップ１の上に、２０μｍ厚の絶縁性ダイボンドシート５を介して、側面が垂直になった半導体チップ２（側面は半導体チップ底面に対して垂直、素子形成面の面積は半導体チップ１より小さくかつ３分の２以上で厚みは２００〜４００μｍで、かつ半導体チップ１の厚みの１／２未満）を配置して、半導体チップ１及び２の素子形成面に配置されたボンディングパッド１ａ及び２ａとリードフレーム上のインナーリード６の先端とを、それぞれ直径１５〜２５μｍの金属ワイヤ７で電気的に接続し、半導体チップ１及び２、金属ワイヤ７、インナーリード６を封止用樹脂１０で封止し、所定形状に加工したアウターリード８で構成し、樹脂封止部の側面厚は半導体チップ１と半導体チップ２との積層後の厚みの２倍以上とする。
【００３７】
上記の構成によれば、図７に示すように、封止用樹脂１０の注入時、封止金型の下金型１５側を流動する封止用樹脂１０は、半導体チップ１の裏面を垂直上方向に押し上げる応力（揚力）をもつ。一方で半導体チップ１の厚みを半導体チップ２の厚みの２倍以上にすることにより、封止用樹脂１０は半導体チップ１の側面を押し当て、図７中の矢印で示すように垂直下方向Ｙ７１の大きな応力を付加する。この垂直下方向Ｙ７１の分散応力が垂直上方向の応力（揚力）を相殺し、半導体チップ上下の樹脂流動バランスを均等に保ち、垂直方向の変位が抑制される。
【００３８】
したがって、サイズの異なる２つの半導体チップを積層してリードフレームに搭載した場合でも、金属ワイヤの断線や半導体チップの樹脂成型表面への露出を防止することができ、より確実に製造歩留が向上する半導体装置を供給することができる。
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４の半導体装置およびその製造方法を説明する。
【００３９】
図８は本実施の形態４の半導体装置を側面からみた時の側面透視図であり、図９は図８の半導体装置の封止工程の封止用樹脂注入過程を示す断面図である。
本実施の形態４の半導体装置は、図８に示すように、１００〜１５０μｍ厚のリードフレーム中央のダイパッド３上に、Ａｇペーストなど０〜２０μｍ厚の接着剤４を介して、側面の傾斜した半導体チップ１（側面の傾斜角度は半導体チップ底面に対して４５〜６０度、素子形成面の面積は４〜１００ｍｍ２で厚みは１００〜２００μｍ）を素子形成面が上向きとなるように配置し、さらに半導体チップ１の上に、２０μｍ厚の絶縁性ダイボンドシート５を介して、側面の傾斜した半導体チップ２（側面の傾斜角度は半導体チップ底面に対して４５〜６０度、素子形成面の面積は半導体チップ１より小さくかつ３分の１以上で厚みは２００〜４００μｍで、かつ半導体チップ１の厚みの１／２未満）を配置して、半導体チップ１及び２の素子形成面に配置されたボンディングパッド１ａ及び２ａとリードフレーム上の各々のインナーリード６の先端とを、それぞれ直径１５〜２５μｍの金属ワイヤ７で電気的に接続し、半導体チップ１及び２、金属ワイヤ７、インナーリード６を封止用樹脂１０で封止し、所定形状に加工したアウターリード８で構成し、樹脂封止部の側面厚は半導体チップ１と半導体チップ２との積層後の厚みの２倍以上とする。
【００４０】
上記の構成によれば、図９に示すように、封止用樹脂１０の注入時、封止金型の下金型１５側を流動する封止用樹脂１０は、半導体チップ１の裏面を垂直上方向に押し上げる応力（揚力）をもつ。一方で半導体チップ１の厚みを半導体チップ２の厚みの２倍以上にすることにより、封止用樹脂１０は半導体チップ１の側面を押し当て、図９中の矢印で示すように垂直下方向Ｙ９１の大きな応力を付加する。さらに、半導体チップ２の側面を押し当て、図９中の矢印で示すように垂直下方向Ｙ９２の大きな応力を付加する。この半導体チップ１と半導体チップ２への垂直下方向の分散応力が、半導体チップ１の垂直上方向の応力（揚力）を相殺し、半導体チップ上下の樹脂流動バランスを均等に保ち、垂直方向に変位が抑制される。
【００４１】
したがって、サイズの異なる２つの半導体チップを積層してリードフレームに搭載した場合でも、金属ワイヤの断線や半導体チップの樹脂成型表面への露出を防止することができ、さらに確実に製造歩留が向上する半導体装置を供給することができる。
（実施の形態５）
本発明の実施の形態５の半導体装置およびその製造方法を説明する。
【００４２】
図１０は本実施の形態５の半導体装置の製造方法における半導体チップのダイシング工程を示す構成図である。図１１は図１０の半導体装置の製造方法における半導体チップのダイシング工程を示す側面透視図である。本図では、半導体チップ１は側面の傾斜角度が半導体チップ底面に対して４５〜６０度であり、半導体チップ２は側面が半導体チップ底面に対して垂直である場合を示す。
【００４３】
本実施の形態５の半導体装置の製造方法では、ダイシング用シート１１を貼り付けた半導体ウエハ１２を、先端角度６０〜９０度（左右は等角で３０〜４５度）のＶ字型先端のダイヤモンドブレード１３により、それをダイシング用シート１１（または半導体ウエハ１２の底面）に対して垂直に立てた状態で格子状にカットし、個々の半導体チップ１に分割する。従って分割後の半導体チップ１は、側面の傾斜角度が４面とも半導体チップ底面に対して４５〜６０度（垂直方向に対し３０〜４５度）の傾斜を形成する。
【００４４】
一方、絶縁性ダイボンドシート５に貼り付けた半導体ウエハ１２を、図１５に示す従来例と同様に、フラットな先端のダイヤモンドブレード１３により、それを絶縁性ダイボンドシート５（または半導体ウエハ１２の底面）に対して垂直に立てた状態で格子状にカットし、個々の半導体チップ２に分割する。従って分割後の半導体チップ２は、側面が４面とも半導体チップ底面に対して垂直を形成する（ダイシング工程）。
【００４５】
１００〜１５０μｍ厚のリードフレーム中央のダイパッド３上に、Ａｇペーストなどの０〜２０μｍ厚の接着剤４を塗布後、半導体チップ１を配置し、接着剤４を熱処理で硬化させる。その後、半導体チップ１上に、２０μｍ厚の絶縁性ダイボンドシート５を裏面に貼り付けた半導体チップ２を配置し、絶縁性ダイボンドシート５を熱処理で硬化させる（ダイボンド工程）。
【００４６】
半導体チップ１、２のボンディングパッド１ａ、２ａとリードフレーム上のインナーリード６とを、それぞれ直径１５〜２５μｍの金属ワイヤ７で接続する（ワイヤボンド工程）。
【００４７】
上記のワイヤボンド工程を経て半導体チップ１、２を積層して、搭載したリードフレームを封止金型の上金型１４と下金型１５との間にセットし、封止用樹脂１０を注入して硬化させる（封止工程）。
【００４８】
封止用樹脂１０で封止されたリードフレーム上のアウターリード８の先端を切断し、所定の形状に加工する工程（リード加工工程）を経て、半導体装置の完成品が得られる。
上記の製造方法によれば、ダイシング工程で半導体チップ側面の角度に合わせたＶ字型先端のダイスボンドブレードを使用することにより、以降の工程変更や追加は不要で、さらに、サイズの異なる２つの半導体チップを積層してリードフレームに搭載した場合でも、金属ワイヤの断線や半導体チップの樹脂成型表面への露出を防止することができ、さらに確実に製造歩留が向上する半導体装置を供給することができる。
【００４９】
なお、本実施の形態５の半導体装置の製造方法は、ここでは半導体チップ１として、その側面が底面に対して４５〜６０度の傾斜角度を持ち、半導体チップ２として、その側面が底面に対して垂直で、それらを積層した場合を説明したが、複数の半導体チップを積層した場合には、それらのうち、側面を下広がりで底面に対して傾斜させる半導体チップについては、上述のＶ字型先端を有するダイヤモンドブレードでダイシングして形成するものである。また、半導体チップ１および半導体チップ２の各形状として、上述の組み合せの場合を含めて、上記の各実施の形態１〜４で説明した各形状を組み合せた場合についても、同様に実施でき同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明の半導体装置およびその製造方法は、サイズの異なる２つの半導体チップを積層してリードフレームに搭載した場合でも、金属ワイヤの断線や半導体チップの樹脂成型表面への露出を防止することができ、製造歩留の低下を回避することができるものであり、複数の半導体チップを積層してリードフレームに搭載し封止用の樹脂で封止して形成した半導体装置等に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の構成を示す平面透視図
【図２】同実施の形態１の半導体装置の構成を示す側面透視図
【図３】同実施の形態１の半導体装置の封止工程を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態２の半導体装置の構成を示す側面透視図
【図５】同実施の形態２の半導体装置の封止工程を示す断面図
【図６】本発明の実施の形態３の半導体装置の構成を示す側面透視図
【図７】同実施の形態３の半導体装置の封止工程を示す断面図
【図８】本発明の実施の形態４の半導体装置の構成を示す側面透視図
【図９】同実施の形態４の半導体装置の封止工程を示す断面図
【図１０】本発明の実施の形態５の半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す構成図
【図１１】同実施の形態５の半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す側面透視図
【図１２】従来の半導体装置の構成を示す平面透視図
【図１３】同従来例の半導体装置の構成を示す側面透視図
【図１４】同従来例の半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す構成図
【図１５】同従来例の半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す側面透視図
【図１６】同従来例の半導体装置の封止工程を示す断面図
【符号の説明】
【００５２】
１    半導体チップ
１ａ    ボンディングパッド
２    半導体チップ
２ａ    ボンディングパッド
３    ダイパッド
４    接着剤
５    絶縁性ダイボンドシート
６    インナーリード
７    金属ワイヤ
８    アウターリード
９    サポートリード
１０    封止用樹脂
１１    ダイシング用シート
１２    半導体ウエハ
１３    ダイヤモンドブレード（ダイシングブレード）
１４    上金型
１５    下金型
１６    封止用樹脂注入口
【図１】
2005353852.tif 000003
【図２】
2005353852.tif 000004
【図３】
2005353852.tif 000005
【図４】
2005353852.tif 000006
【図５】
2005353852.tif 000007
【図６】
2005353852.tif 000008
【図７】
2005353852.tif 000009
【図８】
2005353852.tif 000010
【図９】
2005353852.tif 000011
【図１０】
2005353852.tif 000012
【図１１】
2005353852.tif 000013
【図１２】
2005353852.tif 000014
【図１３】
2005353852.tif 000015
【図１４】
2005353852.tif 000016
【図１５】
2005353852.tif 000017
【図１６】
2005353852.tif 000018